(57)【要約】【課題】有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイス、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】有機トランジスタ素子１００は、基板１０上に、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂが配設されている。基板１０上に形成されたソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂを覆って、有機半導体層１２と中間層１４Ａと絶縁層１６とが順次直接積層させる。即ち、中間層１４Ａは、有機半導体層１２と絶縁層１６との間に配設させる。そして、絶縁層１６上にゲート電極１８が配設されている。当該中間層１４Ａは、絶縁層１６（上層）を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、有機半導体層１２（下層）を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。本中間層１４Ａは、有機トランジスタに限られず、第１有機化合物層と第２有機化合物層の２者を積層する層構成を持つ有機電気デバイスに適用される。【選択図】図１
2010045221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１有機化合物層と、
前記第１有機化合物層上に形成される第２有機化合物層と、
前記第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記第１有機化合物層と前記第２有機化合物層の間に形成される中間層と、
を有することを特徴とする有機電気デバイス。
【請求項２】
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として有機半導体層と、前記第２有機化合物層として絶縁層と、を有する有機トランジスタ素子であり、
前記中間層が、前記絶縁層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記有機半導体層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記有機半導体層と前記絶縁層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【請求項３】
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として絶縁層と、前記第２有機化合物層として有機半導体層と、を有する有機トランジスタ素子であり、
前記中間層が、前記有機半導体層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記絶縁層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記絶縁層と前記有機半導体層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【請求項４】
前記有機材料が、絶縁材料であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機電気デバイス。
【請求項５】
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として正孔輸送層と、前記第２有機化合物層として発光層と、を有する有機電界発光素子であり、
前記中間層が、前記発光層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記正孔輸送層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記正孔輸送層と前記発光層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【請求項６】
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として発光層と、前記第２有機化合物層として電子輸送層と、を有する有機電界発光素子であり、
前記中間層が、前記電子輸送層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記発光層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記発光層と前記電子輸送層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【請求項７】
第１有機化合物層を形成する工程と、
前記第１有機化合物層上に第２有機化合物層を形成する工程と、
前記第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記第１有機化合物層と前記第２有機化合物層の間に中間層を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電気デバイスの製造方法。
【請求項８】
有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として有機半導体層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として絶縁層を形成する工程と、を有する有機トランジスタ素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記絶縁層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記有機半導体層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記有機半導体層と前記絶縁層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項９】
有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として絶縁層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として有機半導体層を形成する工程と、を有する有機トランジスタ素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記有機半導体層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記絶縁層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記絶縁層と前記有機半導体層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記有機材料が、絶縁材料であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として正孔輸送層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として発光層を形成する工程と、を有する有機電界発光素子の製造方法であり、
前記中間層する工程が、前記発光層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記正孔輸送層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記正孔輸送層と前記発光層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として発光層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として電子輸送層を形成する工程と、を有する有機電界発光素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記電子輸送層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記発光層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記発光層と前記電子輸送層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記中間層を形成する工程が、前記塗布液を噴霧して前記中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７乃至１２に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記塗布液の溶剤が、１００℃以上の沸点を持つ溶剤であることを特徴とする請求項１３に記載の有機電気デバイスの製造方法.
【請求項１５】
前記各層を形成する工程が、窒素雰囲気下で行われることを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電気デバイス及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した有機トランジスタ素子の開発が進められている。この有機トランジスタ素子は、薄型軽量化に適すること、フレキシブル性を有すること、材料コストが安価であることなどの長所を有しており、フレキシブルディスプレイなどのスイッチング素子として期待されている。
【０００３】
この有機トランジスタ素子は、真空蒸着とフォトリソグラフィ技術と、エッチング技術を組み合わせることにより作製する方法が提案されている。このような作製方法においては、真空蒸着で形成した金属膜をフォトリソグラフィ技術で加工し、ゲート電極、ソース・ドレイン電極を作製し、絶縁層、有機半導体層も真空蒸着で膜形成することにより行われる。当該作製方法を用いることにより、性能の高い有機トランジスタ素子の素子を良好な再現性で作製することが可能である（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
最近では、溶液プロセスを用いることにより、大気圧下で絶縁層、有機半導体層を作製することが試みられており、さらにゲート電極、ソース・ドレイン電極に関しても溶液プロセスで作製することも試みられている。このような作製方法においては、例えば、導電性のポリマーの溶液をインクジェット法で印刷し、ゲート電極、ソース・ドレイン電極を作製している。そのため、低コストでデバイスを作製することが可能である（例えば、特許文献２、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平５−５５５６８
【特許文献２】特表２００３−５１８７５６
【特許文献３】特表２００３−５１８７５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、特定の中間層を介さず有機化合物層を直接積層した場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制された有機電気デバイス、及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、本発明は、
請求項１に係る発明は、
第１有機化合物層と、
前記第１有機化合物層上に形成される第２有機化合物層と、
前記第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記第１有機化合物層と前記第２有機化合物層の間に形成される中間層と、
を有することを特徴とする有機電気デバイス。
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として有機半導体層と、前記第２有機化合物層として絶縁層と、を有する有機トランジスタ素子であり、
前記中間層が、前記絶縁層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記有機半導体層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記有機半導体層と前記絶縁層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【０００８】
請求項３に係る発明は、
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として絶縁層と、前記第２有機化合物層として有機半導体層と、を有する有機トランジスタ素子であり、
前記中間層が、前記有機半導体層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記絶縁層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記絶縁層と前記有機半導体層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【０００９】
請求項４に係る発明は、
前記有機材料が、絶縁材料であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機電気デバイス。
【００１０】
請求項５に係る発明は、
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として正孔輸送層と、前記第２有機化合物層として発光層と、を有する有機電界発光素子であり、
前記中間層が、前記発光層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記正孔輸送層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記正孔輸送層と前記発光層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【００１１】
請求項６に係る発明は、
前記有機電気デバイスが、前記第１有機化合物層として発光層と、前記第２有機化合物層として電子輸送層と、を有する有機電界発光素子であり、
前記中間層が、前記電子輸送層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記発光層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記発光層と前記電子輸送層との間に形成される中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電気デバイス。
【００１２】
請求項７に係る発明は、
第１有機化合物層を形成する工程と、
前記第１有機化合物層上に第２有機化合物層を形成する工程と、
前記第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記第１有機化合物層と前記第２有機化合物層の間に中間層を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電気デバイスの製造方法。
【００１３】
請求項８に係る発明は、
有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として有機半導体層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として絶縁層を形成する工程と、を有する有機トランジスタ素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記絶縁層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記有機半導体層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記有機半導体層と前記絶縁層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１４】
請求項９に係る発明は、
有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として絶縁層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として有機半導体層を形成する工程と、を有する有機トランジスタ素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記有機半導体層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記絶縁層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記絶縁層と前記有機半導体層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１５】
請求項１０に係る発明は、
前記有機材料が、絶縁材料であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１６】
請求項１１に係る発明は、
前記有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として正孔輸送層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として発光層を形成する工程と、を有する有機電界発光素子の製造方法であり、
前記中間層する工程が、前記発光層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記正孔輸送層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記正孔輸送層と前記発光層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１７】
請求項１２に係る発明は、
前記有機電気デバイスの製造方法が、前記第１有機化合物層として発光層を形成する工程と、前記第２有機化合物層として電子輸送層を形成する工程と、を有する有機電界発光素子の製造方法であり、
前記中間層を形成する工程が、前記電子輸送層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と前記発光層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、前記発光層と前記電子輸送層との間に中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１８】
請求項１３に係る発明は、
前記中間層を形成する工程が、前記塗布液を噴霧して前記中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項７乃至１２に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００１９】
請求項１４に係る発明は、
前記塗布液の溶剤が、１００℃以上の沸点を持つ溶剤であることを特徴とする請求項１３に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【００２０】
請求項１５に係る発明は、
前記各層を形成する工程が、窒素雰囲気下で行われることを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の有機電気デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１に係る発明によれば、特定の中間層を介さず有機化合物層を直接積層した場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制しした有機電気デバイスが提供される。
請求項２に係る発明によれば、特定の中間層を介さず有機半導体層と絶縁層とを順次直接積層した場合に比べ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制しした有機トランジスタ素子が提供される。
請求項３に係る発明によれば、特定の中間層を介さず絶縁層と有機半導体層とを順次直接積層した場合に比べ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制しした有機トランジスタ素子が提供される。
請求項４に係る発明によれば、電気的特性の低減を抑制しつつ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制しした有機トランジスタ素子が提供される。
請求項５に係る発明によれば、特定の中間層を介さず正孔輸送層と発光層とを順次直接積層した場合に比べ、正孔輸送層と発光層との間の剥離や劣化を抑制した有機電界発光素子が提供される。
請求項６に係る発明によれば、特定の中間層を介さず発光層と電子輸送層とを順次直接積層した場合に比べ、発光層と電子輸送層との間の剥離や劣化を抑制した有機電界発光素子が提供される。
請求項７に係る発明によれば、特定の中間層を介さず有機化合物層を直接積層した場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイスが得られる。
請求項８に係る発明によれば、特定の中間層を介さず有機半導体層と絶縁層とを順次直接積層した場合に比べ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制した有機トランジスタ素子が得られる。
請求項９に係る発明によれば、特定の中間層を介さず絶縁層と有機半導体層とを順次順次直接積層した場合に比べ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制した有機トランジスタ素子が得られる。
請求項１０に係る発明によれば、電気的特性の低減を抑制しつつ、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制した有機トランジスタ素子が得られる。
請求項１１に係る発明によれば、特定の中間層を介さず正孔輸送層と発光層とを順次直接積層した場合に比べ、正孔輸送層と発光層との間の剥離や劣化を抑制した有機電界発光素子が得られる。
請求項１２に係る発明によれば、特定の中間層を介さず発光層と電子輸送層とを順次直接積層した場合に比べ、発光層と電子輸送層との間の剥離や劣化を抑制した有機電界発光素子が得られる。
請求項１３に係る発明によれば、他の形成手法に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイスが得られる。
請求項１４係る発明よれば、他の溶剤を用いた場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイスが得られる。
請求項１５に係る発明によれば、他の雰囲気下で各層の形成を行った場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイスが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には、全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る有機トランジスタ素子を示す概略構成図である。図２は、他の第１実施形態に係る有機トランジスタ素子を示す概略構成図である。
【００２４】
第１実施形態に係る有機トランジスタ素子１００は、図１に示すように、基板１０上に、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂが配設されている。基板１０上に形成されたソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂを覆って、有機半導体層１２と中間層１４Ａと絶縁層１６とが順次直接積層されている。即ち、中間層１４Ａは、有機半導体層１２と絶縁層１６との間に配設されている。そして、絶縁層１６上にゲート電極１８が配設されている。
【００２５】
本形態の場合、当該中間層１４Ａは、絶縁層１６を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、有機半導体層１２を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。
【００２６】
また、第１実施形態に係る有機トランジスタ素子１００は、上記構成に限られず、図２に示すように、基板１０上に、ゲート電極１８が配設されている。基板１０上に形成されたゲート電極１８を覆って、絶縁層１６と中間層１４Ｂと有機半導体層１２とが順次直接積層されている。即ち、中間層１４Ｂは、絶縁層１６と有機半導体層１２との間に配設されている。そして、絶縁層１６上にゲート電極１８が配設されている。
【００２７】
本形態の場合、当該中間層１４Ｂは、有機半導体層１２を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、絶縁層１６を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。
【００２８】
即ち、本実施形態に係る有機トランジスタ素子では、積層する上層の第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、積層する下層の第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、第１有機化合物層と第２有機化合物層の間に中間層１４Ａ，１４Ｂを配設してる。この中間層１４Ａ，１４Ｂを下層の第１有機化合物層上に形成するとき、当該第１有機化合物層の表層では当該層を構成する材料が当該中間層１４Ａ，１４Ｂを形成するための塗布液の溶媒により溶解されつつ、当該中間層１４Ａ，１４Ｂが形成される。
一方、上層の第２有機化合物層を中間層１４Ａ，１４Ｂ上に形成するとき、当該中間層１４Ａ，１４Ｂの表層では当該層を構成する材料（有機材料）が当該第２有機化合物層を形成するための塗布液の溶媒により溶解されつつ、当該第２有機化合物層が形成される。
【００２９】
ここで、有機トランジスタ素子に限られず、有機化合物を用いた積層構造を持つ有機電界発光素子などの有機電気デバイスでは、機能の異なる有機化合物層を積層する必要がある。このため、機能の異なる有機化合物層における上層と下層では、分離して形成されていることから、例えば、熱又は機械的応力を繰り返し与えると、それらの層間で剥離が生じる。
【００３０】
しかし、当該中間層１４Ａ，１４Ｂを介在させることで、第１有機化合物層と第２有機物層とが密着性がよく積層され、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。結果、絶縁層と有機半導体層とを順次積層した形態（トップゲート構造）や、有機半導体層と絶縁層とを順次積層した形態（ボトムゲート構造）のいずれの形態でも、有機半導体層と絶縁層との間の剥離や劣化を抑制する。
【００３１】
ここで、溶解とは、有機材料が溶媒に対して少なくとも０．１ｗｔ％以上溶けることを意味する。
【００３２】
以下、本実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法について詳細に説明する。図３は、第１実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法を示す工程図である。なお、図３に示す工程図は、図１に示す有機トランジスタ素子の構成を製造するための工程図である。
【００３３】
まず、図３（Ａ）に示すように、基板１０を準備する。そして、基板１０上に、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂをそれぞれパターニングして形成する。
【００３４】
ここで、基板１０としては、シリコン単結晶基板（例えばリン等を高濃度にドープしたシリコン単結晶基板等）、ガラス基板、プラスチック基板（例えばポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリススチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、又はシリコン樹脂等）等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３５】
ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂを構成する材料としては、電荷注入し得る材料が挙げられ、具体的には、金属、金属酸化物、導電性高分子等が挙げられる。
金属としては、例えば、金属（白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）等）、これらの金属元素を含む合金、これらの金属からなる導電性粒子、又はこれらの金属を含む合金の導電性粒子を挙げられる。
金属酸化物としては、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、又は酸化インジウム亜鉛等の金属酸化物が挙げられる。
導電性高分子としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やポリアニリン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピリジン、又はポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等の有機材料が挙げられる。
【００３６】
ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂは、上記材料を含む層の積層構造としてもよい。
【００３７】
ここで、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂに用いられる材料と有機半導体層１２に用いられる有機化合物とのイオン化ポテンシャルの差を小さくし、電荷注入特性を向上させる点から、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂの少なくとも一方に用いられる材料のイオン化ポテンシャルと有機半導体層１２に用いられる有機化合物とのイオン化ポテンシャルの差が１．０ｅＶ以内であることが好ましく、特に０．５ｅＶ以内であることがさらに好ましい。また、このような電極−有機化合物間のイオン化ポテンシャルの差を小さくするという観点からは、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂの少なくとも一方の構成材料としては、特にＡｕを用いることが好ましい。
【００３８】
ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂの形成方法として、これらを構成する材料によるが、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ）法；有機金属化合物化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）法を含む各種の化学気相成長法（ＣＶＤ）法；リフトオフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法若しくはこれらの組み合わせとったメッキ法；又は塗布液（液体材料）を塗布する方法として、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。
【００３９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂを覆って、有機半導体層１２を形成する。有機半導体層１２を構成する有機半導体材料としては、例えば、低分子有機半導体材料（ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニ、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニン、又はこれらの誘導体等）、又は高分子有機半導体材料（ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルビレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ビレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ブチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体、又はこれらの誘導体等）が挙げられ、特に、高分子の有機半導体材料を主とするものを用いるのが好ましいが、これに限るものではない。
【００４０】
有機半導体層１２の形成方法としては、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂの形成方法として、これらを構成する材料によるが、真空蒸着法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ）法；有機金属化合物化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）法を含む各種の化学気相成長法（ＣＶＤ）法；リフトオフ法；シャドウマスク法；又は塗布液（液体材料）を塗布する方法として、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。
【００４１】
次に、図３（Ｃ）に示すように、有機半導体層１２上に中間層１４Ａを形成する。中間層１４Ａを形成する有機材料としては、上層（本製法では絶縁層１６）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が挙げられる。当該材料の中も、絶縁材料が好適に挙げられる。中間層１４Ａを構成する具体的材料としては、後述する絶縁層１６と同様な材料が挙げられる。
【００４２】
ここで、中間層１４Ａを形成する有機材料（絶縁材料）と、上層（絶縁層１６）を形成するための塗布液の溶媒と、の組み合わせの例示としては、以下の通りである。
−中間層１４Ａを形成する有機材料（絶縁材料）／上層（絶縁層１６）を形成するための塗布液の溶媒−
・ポリカーボネート／クロロホルム
・ポリスチレン    ／シクロヘキサノン
・ポリエステル    ／シクロペンタノン
・アクリル樹脂    ／モノクロロベンゼン
【００４３】
中間層１４Ａを形成する方法としては、塗布液（液体材料）を塗布する方法として、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（有機半導体層１２）の構成材料を溶解させすぎずに中間層１４Ａが形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（有機半導体層と絶縁層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００４４】
中間層１４Ａを形成するための塗布液は、中間層１４Ａを構成する有機材料（例えば絶縁材料）と、これを溶解又は分散する溶媒と、を含んで構成される。当該溶媒としては、下層（本製法では有機半導体層１２）を構成する材料（有機半導体材料）を溶解するものが挙げられる。
【００４５】
ここで、中間層１４Ａを形成するため塗布液の溶媒と、下層（有機半導体層１２）を構成する有機半導体材料と、の組み合わせの例示としては、以下通りである。
−中間層１４Ａを形成するため塗布液の溶媒／下層（有機半導体層１２）を構成する有機半導体材料−
・化合物（Ｉ−１）／モノクロロベンゼン
・化合物（Ｉ−２）／シクロヘキサノン
・化合物（Ｉ−３）／テトラヒドロフラン
・化合物（Ｉ−６）／モノクロロベンゼン
【００４６】
次に、図３（Ｄ）に示すように、中間層１４Ａ上に絶縁層１６を形成する。
絶縁層１６を構成する絶縁材料としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、又はシリコン樹脂等の高分子等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
絶縁層１６を形成する方法としては、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（中間層１４Ａ）の構成材料を溶解させすぎずに絶縁層１６が形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（有機半導体層と絶縁層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００４８】
絶縁層１６を形成するための塗布液は、絶縁材料と、これを溶解又は分散する溶媒と、を含んで構成される。当該溶媒としては、下層（中間層１４Ａ）を構成する材料（絶縁材料）を溶解するものが挙げられる。
【００４９】
次に、図３（Ｅ）に示すように、絶縁層１６上にゲート電極１８を形成する。ゲート電極１８は、ソース電極１２Ａ・ドレイン電極１２Ｂと同様の構成材料・形成方法により形成される。
【００５０】
ここで、図示しないが、水分や酸素による有機半導体トランジスタ素子の劣化を防ぐために、さらに絶縁層１６及びゲート電極１８を覆って保護層を設けてもよい。具体的な保護層の材料としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属、ＭｇＯ、ＳＩＯ２、ＴＩＯ２等の金属酸化物、ポリエチレン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、コーティング法が適用される。
【００５１】
なお、上記本実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法では、図１に示す構造（ゲートトップ構造）、即ち、有機半導体層１２、中間層１４Ａ、及び絶縁層１６を順次積層した形態を示したが、図２に示す構造（ゲートボトム構造）の場合、絶縁層１６、中間層１４Ｂ、及び有機半導体層１２を順次積層する。
【００５２】
図２に示す構造（ゲートボトム構造）の場合、中間層１４Ｂを形成する有機材料としては、上層（本製法では有機半導体層１２）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が挙げられる。
【００５３】
ここで、中間層１４Ｂを形成する有機材料（絶縁材料）と、上層（有機半導体層１２）を形成するための塗布液の溶媒と、の組み合わせの例示としては、以下の通りである。
−中間層１４Ｂを形成する有機材料（絶縁材料）／上層（有機半導体層１２）を形成するための塗布液の溶媒−
・ポリカーボネート／クロロホルム
・ポリスチレン    ／シクロヘキサノン
・ポリエステル    ／シクロペンタノン
・アクリル樹脂    ／モノクロロベンゼン
【００５４】
上層としての有機半導体層１２を形成するための塗布液は、有機半導体材料と、これを溶解又は分散する溶媒と、を含んで構成される。当該溶媒としては、下層（中間層１４Ｂ）を構成する材料（絶縁材料）を溶解するものが挙げられる。当該溶媒としては、具体的材料としては、上述した絶縁層１６を形成するための塗布液の溶媒と同様な材料が挙げられる。
【００５５】
そして、上層としての有機半導体層１２を形成する方法としては、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（中間層１４Ｂ）の構成材料を溶解させすぎずに有機半導体層１２が形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（有機半導体層と絶縁層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００５６】
ここで、中間層１４Ｂを形成するため塗布液の溶媒と、下層（絶縁層１６）を構成する絶縁材料と、の組み合わせの例示としては、以下通りである。
−中間層１４Ｂを形成するため塗布液の溶媒／下層（絶縁層１６）を構成する絶縁材料−
・ポリカーボネート／クロロホルム
・ポリスチレン    ／シクロヘキサノン
・ポリエステル    ／シクロペンタノン
・アクリル樹脂    ／モノクロロベンゼン
【００５７】
以上説明した本実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法では、有機半導体層１２、中間層１４Ａ、及び絶縁層１６（逆の絶縁層１６、中間層１４Ｂ、及び有機半導体層１２）を、塗布液を霧状に噴霧する手法（スプレー法やエレクトロスプレー法等）により、連続して製膜して形成してもよい。当該手法に用いる塗布液の溶媒としては、無機溶媒（硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、二硫化炭素、四塩化炭素、又はエチレンカーボネート等）、ケトン系溶媒（メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、又はジクロヘキサノン等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、又はグリセリン等）、エーテル系溶媒（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、又はジエチレングリコールエチルエーテル等）、セロソルブ系溶媒（メリルセロソブル、エチルセロソルブ、又はフェニルセロソルブ等）、脂肪族炭化水素系溶媒（ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、ヘプタン、又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（トルエン、キシレン、又はベンゼン等）、アミド系溶媒（ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、又はアミド等）、ハロゲン化合物系溶媒（モノクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、又は１，２−ジクロロエタン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸メチル、又はギ酸エチル等）、硫黄化合物系溶媒（ジメチルスルホキシド、又はスルホラン等）、ニトリル系溶媒（アセトニトリル、プロピオニトリル、又はアクリロニトリル等）、有機酸系溶媒（ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、又はトリフルオロ酢酸等）の如く各種有機溶媒、又は、これらを含む混合溶媒などが挙げられるが、これに限るものではない。これらのなかから、所望の溶媒が選択される。
【００５８】
特に、塗布液を噴霧して形成する手法に用いる溶媒としては、成膜される時間が必要であることから、蒸発しにくい溶媒が好ましく、つまり、沸点がより高いものが好ましい。例えば、沸点が１００℃以上のものが好ましく、１３０℃以上のものがより好ましい。当該溶媒を用いることで、溶媒が下層へ到達して溶解させつつ各層の形成がなされるから、他の溶剤を用いた場合に比べ、有機化合物層間（有機半導体層と絶縁層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００５９】
また、本実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法において、各層の形成は、窒素雰囲気下で行われることがよい。特に、塗布液を霧状に噴霧する手法（スプレー法やエレクトロスプレー法等）により、中間層１４Ａ，１４Ｂと、その上層を形成する際、窒素雰囲気下で行われることがよい。これにより、他の雰囲気下で各層の形成を行った場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００６０】
なお、本実施形態に係る有機トランジスタ素子では、有機半導体層に使用する有機半導体材料の種類や、素子構成等を選択することにより、オン／オフ比を１０２以上１０５以下程度の範囲内で有機トランジスタ素子の用途に応じて調整される。
【００６１】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。図５は、他の第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。図６は、他の第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。
【００６２】
第２実施形態に係る有機電界発光素子２００は、図４に示すように、透明絶縁体基板２０上に、透明電極２２（陽極）、正孔注入層２４、正孔輸送層２６（第２有機化合物層）、中間層２８Ａ、発光層３０（第１有機化合物層）、及び背面電極３４（陰極）が順次積層されて構成されている。そして、正孔輸送層２６と発光層３０との間に挟まれて配設される中間層２８Ａは、発光層３０を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と正孔輸送層２６を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。
【００６３】
本実施形態に係る有機電界発光素子２００は、上記構成に限られず、図５に示すように、例えば、透明絶縁体基板２０上に、透明電極２２（陽極）、正孔注入層２４、発光層３０（第１有機化合物層）、中間層２８Ｂ、電子輸送層３２（第２有機化合物層）、及び背面電極３４（陰極）が順次積層されて構成されている。そして、この形態の場合、電子輸送層３２と発光層３０との間に挟まれて配設される中間層２８Ｂは、電子輸送層３２を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と発光層３０を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。
【００６４】
無論、本実施形態に係る有機電界発光素子２００は、図６に示すように、透明絶縁体基板２０上に、透明電極２２、正孔注入層２４、正孔輸送層２６、中間層２８Ａ、発光層３０、中間層２８Ｂ、電子輸送層３２、及び背面電極３４が順次積層されて構成されている。そして、図４及び図５と同様な構成の中間層２８Ａ，２８Ｂとしてもよい。
【００６５】
一方、本実施形態に係る表示装置は、上記有機電界発光素子２００と、有機電界発光素子２００の一対の電極（透明電極２２、背面電極３４）に連結され、当該一対の電極間に直流電圧を印加するための電圧印加装置４０を、駆動手段として備えたものが挙げられる。
【００６６】
電圧印加装置４０を用いた有機電界発光素子２００の駆動方法としては、例えば、一対の電極間に、４Ｖ以上２０Ｖ以下で、電流密度１ｍＡ／ｃｍ２以上２００ｍＡ／ｃｍ２以下の直流電圧を印加することによって有機電界発光素子２００を発光させる。
【００６７】
また、本実施形態に係る有機電界発光素子２００は、最小単位（１画素単位）の構成について説明したが、例えば、当該１画素単位（有機電界発光素子）をマトリクス状及びセグメント状の少なくとも一方で配置した表示装置に適用される。有機電界発光素子２００をマトリクス状に配置する場合、電極のみをマトリクス状に配置する態様であってもよいし、電極及び有機化合物層の両方をマトリクス状に配置する態様であってもよい。また、本実施形態において有機電界発光素子２００をセグメント状に配置する場合、電極のみをセグメント状に配置する態様であってもよいし、電極及び有機化合物層の両方をセグメント状に配置する態様であってもよい。
【００６８】
また、本実施形態に係る表示装置の駆動方式としては、従来公知の技術、例えば複数の行電極及び列電極を配し、行電極を走査駆動しながら各行電極に対応する画像情報に応じて列電極を一括して駆動させる単純マトリクス駆動や、画素毎に配された画素電極によるアクティブマトリックス駆動等を利用される。
【００６９】
上記いずれの実施形態に係る有機電界発光素子２００では、積層する上層の第２有機化合物層を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、積層する下層の第１有機化合物層を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により、第１有機化合物層と第２有機化合物層の間に中間層２８Ａ，２８Ｂを配設してる。
【００７０】
したがって、第１実施形態と同様に、当該中間層２８Ａ，２８Ｂを介在させることで、第１有機化合物層と第２有機物層とが密着性がよく積層され、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。結果、正孔輸送層２６と発光層３０とを順次積層した形態や、発光層３０と電子輸送層３２とを順次積層した形態のいずれの形態でも、発光層３０と電荷輸送層（正孔輸送層２６又は電子輸送層３２）との間の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００７１】
無論、発光層３０と電荷輸送層（正孔輸送層２６及び電子輸送層３２）との間以外、例えば、正孔注入層２４と正孔輸送層２６との間などその他の有機化合物層間に、上記同様の中間層を設けてもよい。
【００７２】
次に、本実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法と共に、より詳細に説明する。
【００７３】
図７は、第２実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を示す工程図である。なお、本実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法については、図６に示す層構成を有する有機電界発光素子の製造方法について示す。
【００７４】
まず、図７（Ａ）に示すように、透明絶縁体基板２０を準備する。ここで、透明絶縁体基板２０としては、発光を取り出すため透明なものが望ましく、ガラス基板、プラスチックフィルム基板等が用いられる。ここで、透明とは、可視領域の光の透過率が１０％以上であることを意味し、更に透過率が７５％以上であることが望ましい。また、絶縁性とは、体積抵抗率が１０１３ Ωｃｍ以上であることをいう。以下同様である。
【００７５】
次に、図７（Ｂ）に示すように、透明絶縁体基板２０上に、透明電極２２を形成する。透明電極２２は、透明絶縁体基板２０と同様に発光を取り出すため透明であって、かつ正孔の注入を行うため仕事関数の大きなものが望ましく、例えば、酸化膜（例えば酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム、又は酸化亜鉛等）、金属膜（例えば金、白金、又はパラジウム等）が好適に用いられる。この透明電極２２は、例えば、蒸着法、又はスパッタリング法などにより形成される。
【００７６】
次に、図７（Ｃ）に示すように、透明電極２２が形成された透明絶縁体基板２０上に、正孔注入層２４を形成する。正孔注入層２４を構成する正孔注入材料としては、例えば、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）、銅フタロシアニン、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ、（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）、ＰＳＳ（ポリ（スチレンスルフォネート））、又はこれらの混合物が望ましく用いられる。
【００７７】
ここで、正孔注入層２４は、正孔注入材料とこれを溶解又は分散させる溶剤とを含む塗布液を用い、例えば、これをスピンコーティング法、ディップ法等を用いて製膜することによって形成される。
【００７８】
次に、図７（Ｄ）に示すように、正孔注入層２４が形成された透明絶縁体基板２０上に、正孔輸送層２６を形成する。正孔輸送層２６を構成する正孔輸送材料としては、正孔輸送材料としては、テトラフェニレンジアミン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導、スチルベン誘導体、アリールヒドラゾン誘導体、ポルフィリン系化合物等が望ましく用いられる。特に好適な具体例として下記例示化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−６）が挙げられる。なお、（Ｉ−１）〜（Ｉ〜６）中、ｎは１以上の整数を示す。
【００７９】
【化１】
2010045221.tif 000003
【００８０】
【化２】
2010045221.tif 000004
【００８１】
ここで、正孔輸送層２６は、正孔輸送材料とこれを溶解又は分散させる溶剤とを含む塗布液を用い、例えば、これをスプレー法、又はエレクトロスプレー法により製膜することによって形成される。無論、正孔輸送層２６は、スピンコーティング法、ディップ法等を用いて製膜することによって形成してもよい。
【００８２】
次に、図７（Ｅ）に示すように、正孔輸送層２６が形成された透明絶縁体基板２０上に、中間層２８Ａを形成する。中間層２８Ａを形成する有機材料としては、上層（本製法では発光層３０）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が挙げられる。当該材料としては、正孔輸送層２６を構成する材料（正孔輸送材料）、又は発光層３０を構成する材料（発光材料）のいずれでも挙げられ、これらのうち、上層（本製法では発光層３０）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が選択される。
【００８３】
ここで、中間層２８Ａを形成する有機材料と、上層（発光層３０）を形成するための塗布液の溶媒と、の組み合わせの例示としては、以下の通りである。
−中間層２８Ａを形成する有機材料／上層（発光層３０）を形成するための塗布液の溶媒−
・ポリカーボネート／クロロホルム
・ポリスチレン    ／シクロヘキサノン
・ポリエステル    ／シクロペンタノン
・アクリル樹脂    ／モノクロロベンゼン
【００８４】
中間層２８Ａを形成する方法としては、塗布液（液体材料）を塗布する方法として、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（正孔輸送層２６）の構成材料を溶解させすぎずに中間層２８Ａが形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（有機半導体層と絶縁層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００８５】
中間層２８Ａを形成するための塗布液は、中間層２８Ａを構成する有機材料と、これを溶解又は分散する溶媒と、を含んで構成される。当該溶媒としては、下層（本製法では正孔輸送層２６）を構成する材料（正孔輸送材料）を溶解するものが挙げられる。
【００８６】
ここで、中間層２８Ａを形成するため塗布液の溶媒と、下層（正孔輸送層２６）を構成する材料と、の組み合わせの例示としては、以下通りである。
−中間層２８Ａを形成するため塗布液の溶媒／下層（正孔輸送層２６）を構成する材料−
・化合物（Ｉ−１）／モノクロロベンゼン
・化合物（Ｉ−２）／シクロヘキサノン
・化合物（Ｉ−３）／テトラヒドロフラン
【００８７】
次に、図７（Ｆ）に示すように、中間層２８Ａが形成された透明絶縁体基板２０上に、発光層３０を形成する。発光層３０を構成する発光材料としては、他の状態よりも固体状態で高い蛍光量子収率を示す化合物が挙げられ、例えば、低分子発光材料、又は高分子発光材料が挙げられる。低分子発光材料としては、キレート型有機金属錯体、多核又は縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、又はオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。高分子発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又はポリアセチレン誘導体等が挙げられる。好適な具体例として、下記の化合物（ＩＩ−１）乃至化合物（ＩＩ−１７）が挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００８８】
【化３】
2010045221.tif 000005
【００８９】
【化４】
2010045221.tif 000006
【００９０】
なお、化合物（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１７）中、Ａｒは、Ａｒは置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素、又は置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環を表す。
化合物（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１７）中、Ｘは、置換もしくは未置換の２価の芳香族基を表す。具体的には、Ｘは、置換もしくは未置換のフェニレン基、置換もしくは未置換の芳香族数２以上１０以下の２価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香族数２以上１０以下の２価の縮合環芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環、又は少なくとも１種の芳香族複素環を含む置換もしくは未置換の２価の芳香族基を表す。
化合物（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１７）中、ｎ及びｘは１以上の整数を、ｙは０又は１を示す。
【００９１】
また、上記多核芳香族炭化水素、縮合芳香族炭化水素、及び芳香族複素環は特に限定されない。なお、当該多核芳香族炭化水素、縮合芳香族炭化水素、及び芳香族複素環とは、本実施形態においては、具体的には以下に定義されることを意味する。
【００９２】
すなわち、「多核芳香族炭化水素」とは、炭素と水素から構成される芳香環が２個以上１０個以下存在し、環同士が炭素―炭素結合によって結合している炭化水素を表す。具体的には、ビフェニル、ターフェニル等が挙げられる。
「縮合芳香族炭化水素」とは、炭素と水素から構成される芳香環が２個以上存在し、環同士が１対の炭素原子を共有している炭化水素を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、又はフルオレン等が挙げられる。
「芳香族複素環」とは、炭素と水素以外の元素も含む芳香環を表す。芳香族複素環には、芳香環に複素環が置換しているもの、複素環に芳香環が置換しているもののいずれも含む。また、複素環は、その環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）が、Ｎｒ＝５及び／又は６が望ましく用いられる。また、環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は特に限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、又は珪素原子等が望ましく用いられ、前記環骨格中には２種類以上及び／又は２個以上の異種原子が含まれてもよい。特に５員環構造をもつ複素環として、チオフェン、ピロール、フラン、セレノフェン、及びシロール又は、前記化合物の３位及び４位の炭素を窒素で置き換えた複素環が望ましく用いられ、６員環構造を持つ複素環として、ピリジンが望ましく用いられる。
【００９３】
ＡｒやＸを表す構造として選択される各基が置換基を有する場合、該置換基としては、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、又はハロゲン原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１以上１０以下のものが望ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、又はターシャリーブチル基等が挙げられる。
アルコキシル基としては、炭素数１以上１０以下のものが望ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、又はイソプロポキシ基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６以上２０以下のものが望ましく、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数７以上２０以下のものが望ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基等が挙げられ、具体例としては前述の通りである。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられ、中でもフッ素原子が望ましい。
置換又は未置換のフェニル基、置換もしくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環としては、前述と同様である。
【００９４】
発光層３０は、発光材料が低分子発光材料の場合、結着樹脂を含んで構成させることがよい。また、発光層３０は、有機電界発光素子の耐久性向上又は発光効率の向上を目的として、上記発光材料中にゲスト材料として発光材料と異なる色素化合物を添加（ドーピング）されていてもよい。発光層３０中における色素化合物の添加（ドーピング）の割合としては、例えば、０．００１重量％以上４０重量％以下程度、望ましくは０．００１重量％以上１０重量％以下程度である。この添加（ドーピング）に用いられる色素化合物としては、発光材料との相容性が良く、かつ発光層の良好な薄膜形成を妨げない有機化合物が用いられ、好適には４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ２ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、又はポルフィリン等が用いられる。好適な具体例として、下記の化合物（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−５）が挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００９５】
【化５】
2010045221.tif 000007
【００９６】
発光層３０を形成する方法としては、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（中間層２８Ａ）の構成材料を溶解させすぎずに発光層３０が形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（正孔輸送層と発光層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【００９７】
発光層３０を形成するための塗布液は、発光材料とその他添加物（例えば色素化合物）とこれらを溶解又は分散させる溶剤とを含んで構成される。但し、発光材料として低分子発光材料を用いる場合、塗布液には結着樹脂も含まれる。当該溶媒としては、下層（中間層２８Ａ）を構成する材料を溶解するものが挙げられる。
【００９８】
次に、図７（Ｇ）に示すように、発光層３０が形成された透明絶縁体基板２０上に、中間層２８Ｂを形成する。中間層２８Ｂを形成する有機材料としては、上層（本製法では電子輸送層３２）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が挙げられる。当該材料としては、電子輸送層３２を構成する材料（電子輸送材料）、又は発光層３０を構成する材料（発光材料）のいずれでも挙げられ、これらのうち、上層（本製法では電子輸送層３２）を形成するための塗布液の溶媒に溶解する材料が選択される。
【００９９】
ここで、中間層２８Ｂを形成する有機材料と、上層（電子輸送層３２）を形成するための塗布液の溶媒と、の組み合わせの例示としては、以下の通りである。
−中間層２８Ｂを形成する有機材料／上層（電子輸送層３２）を形成するための塗布液の溶媒−
・ポリカーボネート／クロロホルム
・ポリスチレン    ／シクロヘキサノン
・ポリエステル    ／シクロペンタノン
・アクリル樹脂    ／モノクロロベンゼン
【０１００】
中間層２８Ｂを形成する方法としては、塗布液（液体材料）を塗布する方法として、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（発光層３０）の構成材料を溶解させすぎずに中間層２８Ｂが形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（発光層と電子輸送層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【０１０１】
中間層２８Ｂを形成するための塗布液は、中間層２８Ｂを構成する有機材料と、これを溶解又は分散する溶媒と、を含んで構成される。当該溶媒としては、下層（本製法では発光層３０）を構成する材料（発光材料又はその結着樹脂）を溶解するものが挙げられる。
【０１０２】
ここで、中間層２８Ｂを形成するため塗布液の溶媒と、下層（発光層３０）を構成する材料と、の組み合わせの例示としては、以下通りである。
−中間層２８Ｂを形成するため塗布液の溶媒／下層（発光層３０）を構成する材料−
・化合物（ＩＩ−１６）／シクロヘキサノン  
・化合物（ＩＩ−１７）／モノクロロベンゼン
【０１０３】
次に、図７（Ｈ）に示すように、中間層２８Ｂが形成された透明絶縁体基板２０上に、電子輸送層３２を形成する。電子輸送層３２を構成する電子輸送材料としては、好適にはオキサジアゾール誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、又はフルオレニリデンメタン誘導体等が挙げられる。好適な具体例として、下記の化合物（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）が挙げられるが、これらに限られるものではない。
【０１０４】
【化６】
2010045221.tif 000008
【０１０５】
電子輸送層３２を形成する方法としては、スピンコーティング法、インクジェット法、スプレー法、エレクトロスプレー法などのうちいずれかと、必要に応じたパターニング技術との組み合わせが挙げられる。これらの中も、スプレー法又はエレクトロスプレー法など、塗布液を噴霧して形成する手法に採用される。塗布液を噴霧して形成する手法を採用することで、下層（中間層２８Ｂ）の構成材料を溶解させすぎずに発光層３０が形成させられ、他の形成手法に比べ、有機化合物層間（発光層と電子輸送層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【０１０６】
電子輸送層３２を形成するための塗布液は、電子輸送材料とこれを溶解又は分散させる溶剤とを含んで構成される。当該溶媒としては、下層（中間層２８Ｂ）を構成する材料を溶解するものが挙げられる。
【０１０７】
次に、図７（Ｉ）に示すように、電子輸送層３２が形成された透明絶縁体基板２０上に、背面電極３４を形成する。背面電極３４は、電子注入を行うため仕事関数の小さな金属が使用されるが、特に望ましくはマグネシウム、アルミニウム、銀、インジウム、又はこれらの合金が挙げられる。背面電極３４は、例えば、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成される。
【０１０８】
なお、図示しないが、背面電極３４上には、さらに素子の水分や酸素による劣化を防ぐために保護層を形成してもよい。具体的な保護層の材料としては、金属（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｌなど）、金属酸化物（ＭｇＯ、ＳｉＯ２、又はＴｉＯ２等）、又は樹脂（ポリエチレン樹脂、ポリウレア樹脂、又はポリイミド樹脂等）等が挙げられる。保護層の形成には、例えば、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、コーティング法が適用される。
【０１０９】
以上説明した本実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法では、正孔輸送層２６、中間層２８Ａ、発光層３０、中間層２８Ｂ、電子輸送層３２を、塗布液を霧状に噴霧する手法（スプレー法やエレクトロスプレー法等）により、連続して製膜して形成してもよい。当該手法に用いる塗布液の溶媒としては、無機溶媒（硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、二硫化炭素、四塩化炭素、又はエチレンカーボネート等）、ケトン系溶媒（メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、又はジクロヘキサノン等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、又はグリセリン等）、エーテル系溶媒（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、又はジエチレングリコールエチルエーテル等）、セロソルブ系溶媒（メリルセロソブル、エチルセロソルブ、又はフェニルセロソルブ等）、脂肪族炭化水素系溶媒（ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、ヘプタン、又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（トルエン、キシレン、又はベンゼン等）、アミド系溶媒（ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、又はアミド等）、ハロゲン化合物系溶媒（モノクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、又は１，２−ジクロロエタン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸メチル、又はギ酸エチル等）、硫黄化合物系溶媒（ジメチルスルホキシド、又はスルホラン等）、ニトリル系溶媒（アセトニトリル、プロピオニトリル、又はアクリロニトリル等）、有機酸系溶媒（ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、又はトリフルオロ酢酸等）の如く各種有機溶媒、又は、これらを含む混合溶媒などが挙げられるが、これに限るものではない。これらのなかから、所望の溶媒が選択される。
【０１１０】
特に、塗布液を噴霧して形成する手法に用いる溶媒としては、成膜される時間が必要であることから、蒸発しにくい溶媒が好ましく、つまり、沸点がより高いものが好ましい。例えば、沸点が１００℃以上のものが好ましく、１３０℃以上のものがより好ましい。当該溶媒を用いることで、溶媒が下層へ到達して溶解させつつ各層の形成がなされるから、他の溶剤を用いた場合に比べ、有機化合物層間（正孔輸送層と発光層と電子輸送層）の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【０１１１】
また、本実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法において、各層の形成は、窒素雰囲気下で行われることがよい。特に、塗布液を霧状に噴霧する手法（スプレー法やエレクトロスプレー法等）により、中間層２８Ａ、２８Ｂと、その上層を形成する際、窒素雰囲気下で行われることがよい。これにより、他の雰囲気下で各層の形成を行った場合に比べ、有機化合物層間の剥離や劣化を抑制し、信頼性が向上する。
【０１１２】
以上説明した本実施形態に係る有機トランジスタ素子及び有機電界発光素子では、一素子単位（最小単位：発光素子の場合１画素単位）の構成について説明したが、これら素子は、例えば、当該一素子単位をパターニングして（例えばマトリクス状又はセグメント状等でパターニング）配置される。このパターニングには、に素子を形成する領域に開口パターンが設設けられたマスクを用いて、有機電界発光素子を配設（パターニング）される。
【０１１３】
具体的には、例えば、有機トランジスタ素子の場合、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂが形成された基板１０上に、マスクを積層した後、マスクの開口パターン内に素子構成層（有機半導体層１２及び絶縁層１６）を形成する、その後、ゲート電極１８を形成する。これにより、パターン化された有機トランジスタ素子が得られる。
【０１１４】
一方、有機電界発光素子の場合、透明電極２２が形成された透明絶縁体基板２０上に、マスクを積層した後、マスクの開口パターン内に素子構成層（例えば正孔注入層２４、正孔輸送層２６、発光層３０、及び電子輸送層３２）を順次積層する。その後、背面電極３４を形成する。これにより、パターン化された有機電界発光素子が得られる。
【０１１５】
ここで、使用するマスクは、積層する対象となる基板と静電的に密着させることがよい。  このため、マスクとしては絶縁性マスクを採用することがよい。マスクを静電的に基板に密着させることで、各構成層を形成するための塗布液の溶媒がマスクと基板との間へ浸透すること、即ち当該溶媒による滲みの発生が抑制され、簡易且つ低コストで制度良く精細なパターニングが実現される。
【０１１６】
マスクを基板に対して静電的に密着させる手法としては、例えば、マスクを基板に積層した後、電場下にさらす手法が挙げられ、具体的には例えば、コロナ放電を施し帯電させる手法、帯電ローラを接触させ帯電させる手法があるが、これらに限定されるわけではない。
【０１１７】
また、使用する絶縁性マスクを構成する材料としては、例えば、ガラス、石英、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、窒化シリコンなどが挙げられる。
【０１１８】
なお、上記本実施形態では、有機電気デバイスとして、有機トランジスタ素子、及び有機電界発光素子の形態を説明したが、これに限られるものではなく、少なくとも、第１有機化合物層と第２有機化合物層の２者を積層する層構成を持つ有機電気デバイスであればよく、例えば、有機太陽電池、センサーなども適用され得る。
【実施例】
【０１１９】
以下実施例によって本発明を説明する。なお、本発明はこれらの実施例によってのみ限定されるものではない。
【０１２０】
［実施例Ａ］
以下に示す如く、有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２１】
（実施例Ａ１）
厚みが１．０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に真空蒸着により金を成膜し、ソース電極・ドレイン電極を形成した。次に、ソース電極・ドレイン電極上に、ポリ  ３−ヘキシルチオフェンをクロロホルム（沸点６１．７℃）溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により３００ｎｍの有機半導体層を形成した。  その後、ポリビニルブチラールをクロロホルム（沸点６１．７℃）溶媒に１重量％溶解し不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、有機半導体層上へ５０ｎｍの中間層を形成した。
次に、ポリビニルアルコールをブタノール（沸点１１７℃）溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、中間層上へ５００ｎｍの絶縁層を形成した。
最後に、ゲート電極としてＡｕを真空蒸着法により形成し、有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２２】
ここで、中間層を構成するポリビニルブチラールは、上層の絶縁層を形成するための塗布液の溶媒（ブラノール）に溶解される材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（クロロホルム）は、下層の有機半導体層を構成するポリ  ３−ヘキシルチオフェンを溶解する材料であった。
【０１２３】
（実施例Ａ２）
厚みが１．０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に真空蒸着により金を成膜し、ゲート電極を形成した。
次に、ゲート電極上に、ポリビニルアルコールをブタノール溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により５００ｎｍの絶縁層を形成した。
その後、ポリビニルブチラールをブタノール溶媒に１重量％溶解し不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、絶縁層上へ５０ｎｍの中間層を形成した。
次に、ポリ  ３−ヘキシルチオフェンをクロロホルム溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、中間層上へ３００ｎｍの有機半導体層を形成した。
最後に、ソース電極・ドレイン電極としてＡｕを真空蒸着法により形成し、有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２４】
ここで、中間層を構成するポリビニルブチラールは、上層の有機半導体層を形成するための塗布液の溶媒（クロロホルム）に溶解される材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（クロロホルム）は、下層の絶縁層を構成するポリビニルアルコールを溶解する材料であった。
【０１２５】
（実施例Ａ３）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、実施例Ａ１と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２６】
（実施例Ａ４）
各成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、実施例Ａ２と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２７】
（実施例Ａ５）
中間層を形成するための塗布液の溶媒としてシクロヘキサノン（沸点１５５．７℃）を用いること以外は、実施例Ａ１と同様に有機トランジスタを作製した。
ここで、中間層を形成するための塗布液の溶媒（シクロヘキサノン）は、下層の有機半導体層を構成するポリ  ３−ヘキシルチオフェンを溶解する材料であった。
【０１２８】
（実施例Ａ６）
中間層と絶縁層をスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ａ１と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１２９】
（実施例Ａ７）
中間層と有機半導体層をスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ａ２と同様にして有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３０】
（比較例Ａ１）
厚みが１．０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に真空蒸着により金を成膜し、ソース・ドレイン電極を形成した。次に、ソース・ドレイン電極上に、ポリ  ３−ヘキシルチオフェンをクロロホルム溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により３００ｎｍの有機半導体層を形成した。
その後、ポリビニルアルコールをブタノール溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により、前記有機半導体層上へ５００ｎｍの絶縁層を形成した。
最後に、ゲート電極としてＡｕを真空蒸着法により形成し、有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３１】
ここで、絶縁層を形成するための塗布液の溶媒（ブラノール）は、下層の有機半導体層を構成するポリ  ３−ヘキシルチオフェンを溶解しない材料であった。
【０１３２】
（比較例Ａ２）
厚みが１．０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に真空蒸着により金を成膜し、ゲート電極を形成した。
次に、ゲート電極上に、ポリビニルアルコールをブタノール溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により５００ｎｍの絶縁層を形成した。
その後、ポリ  ３−ヘキシルチオフェンをクロロホルム溶媒に１重量％溶解し、不純物を除去するフィルターに通した後、スピンコーティング法により、前記絶縁層上へ３００ｎｍの有機半導体層を形成した。
最後に、ソース電極・ドレイン電極としてＡｕを真空蒸着法により形成し、有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３３】
ここで、有機半導体層を形成するための塗布液の溶媒（クロロホルム）は、下層の絶縁層を構成するポリビニルアルコールを溶解しない材料であった。
【０１３４】
（比較例Ａ３）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、比較例Ａ１と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３５】
（比較例Ａ４）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、比較例Ａ２と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３６】
（比較例Ａ５）
ポリエステルをトルエン溶媒に１重量％溶解し不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、有機半導体層上へ５０ｎｍの中間層を形成した以外は、実施例Ａ１と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３７】
ここで、中間層を構成するポリエステルは、上層の絶縁層を形成するための塗布液の溶媒（ブラノール）に溶解しない材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（トルエン）は、下層の有機半導体層を構成するポリ  ３−ヘキシルチオフェンを溶解しない材料であった。
【０１３８】
（比較例Ａ６）
ポリエーテル  を  シクロヘキサノン  溶媒に１重量％溶解し不純物を除去するフィルターに通した後、スプレー法により、絶縁層上へ５０ｎｍの中間層を形成した以外は、実施例Ａ１と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１３９】
ここで、中間層を構成するポリエーテルは、上層の有機半導体層を形成するための塗布液の溶媒（クロロホルム）に溶解しない材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（シクロヘキサノン）は、下層の絶縁層を構成するポリビニルアルコールを溶解しない材料であった。
【０１４０】
（評価）
作製した有機トランジスタ素子のキャリア移動度、及び、１６×１６マトリクス状に有機トランジスタ素子を形成したＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）シートにおいて曲げ応力による不良率評価を行った。結果を表１に示す。
【０１４１】
−キャリア移動度の評価−
半導体パラメーターアナライザー（アジレントテクノロジー社製、４１５５Ｃ）を用いて、ゲート電圧を印加した時の電流−電圧特性を測定し、キャリア移動度（線形領域）を算出した。
【０１４２】
−曲げ応力による不良率の評価−
曲げ応力による不良率は、次のようにして求めた。半径2cmの筒にシートを巻きつけ、さらに、筒からはずし平らに伸ばす操作を20回連続して行うことにより、発光素子の剥離を評価した。
【０１４３】
【表１】
2010045221.tif 000009
【０１４４】
表１の結果から、本実施例は、比較例に比べ、キャリア移動度が優れると共に、曲げ応力による不良率が低減されることがわかる。
【０１４５】
［実施例Ｂ］
本実施例では、以下に示すように有機電界発光素子を作製した。
【０１４６】
（実施例Ｂ１）
ガラス基板（透明絶縁体基板）上に、ＩＴＯ電極（透明電極）が幅２ｍｍの短冊状にパターニングされた基板を準備し、これを中性洗剤、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて洗浄した。
次に、基板表面を、紫外線／オゾン（ＵＶ／Ｏ３）洗浄した後、３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）をスピンコーティング法により３０００ｒｐｍで６０秒間塗布し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、前記化合物（Ｉ−２）［重量平均分子量：６×１０４］の０．８重量％トルエン（沸点１１０．６３℃）溶液を、正孔注入層が形成された基板上にスプレー法により塗布することで膜厚５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、ポリエステルの０．５重量％シクロヘキサノン（沸点１５６℃）溶液を、正孔輸送層が形成された基板上にスプレー法により塗布することで膜厚１５ｎｍの中間層を形成した。
次に、中間層上に、前記化合物（ＩＩ−１５）の０．８重量％トルエン溶液をスプレー法により塗布することで５０ｎｍの発光層を形成した。
次に、基板を真空蒸着装置に移し、ＬｉＦを５ｎｍの膜厚に成膜する。続けてＣａを３０ｎｍの膜厚に成膜した後、Ａｌを１５０ｎｍ蒸着して、これら積層体を背面電極とした。
最後にガラス封止して有機電界発光素子を得た。
【０１４７】
ここで、正孔輸送層と発光層との間に形成した中間層の構成するポリエステルは、上層の発光層を形成する塗布液の溶媒（トルエン）に溶解される材料であった。当該中間層を形成するための塗布液の溶剤（シクロヘキサノン）は、下層の正孔輸送層を構成する化合物（Ｉ−２）を溶解する材料であった。
【０１４８】
（実施例Ｂ２）
実施例Ｂ１と同様に発光層まで形成した。
次に、ポリエステルの０．５重量％トルエン沸点１１０℃）溶液を、発光層が形成された基板上にスプレー法により塗布することで膜厚１５ｎｍの中間層を形成した。
次に、中間層上に、化合物（Ｉ−６）の１重量％シクロペンタノン（沸点１３４℃）溶液をスプレー法により塗布することで膜厚  ５０ｎｍの電子輸送層を形成した。
その後、実施例Ｂ１と同様に背面電極を形成し、有機電界発光素子を得た。
【０１４９】
ここで、発光層と電子輸送層との間に形成した中間層の構成するポリエステルは、上層の電子輸送層を形成する塗布液の溶媒（シクロペンタノン）に溶解される材料であった。当該中間層を形成するための塗布液の溶剤（トルエン）は、下層の発光層を構成する化合物（ＩＩ−１５）を溶解する材料であった。
【０１５０】
（実施例Ｂ３）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、実施例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０１５１】
（実施例Ｂ４）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、実施例Ｂ２と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０１５２】
（実施例Ｂ５）
中間層を形成するための塗布液の溶媒としてシクロヘキサノン（沸点１５５．７℃）を用いること以外は、実施例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を作製した。
ここで、中間層を形成するための塗布液の溶媒（シクロヘキサノン）は、下層の電荷輸送層を構成する化合物（Ｉ−２）を溶解する材料であった。
【０１５３】
（実施例Ｂ６）
中間層と絶縁層をスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０１５４】
（実施例Ｂ７）
２つの中間層と発光層と電子輸送層をスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ｂ２と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０１５５】
（比較例Ｂ１）
中間層を形成せず、各層すべてをスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を得た。
【０１５６】
（比較例Ｂ２）
中間層を形成せず、各層すべてをスピンコーティング法により形成した以外は、実施例Ｂ２と同様に有機電界発光素子を得た。
【０１５７】
（比較例Ｂ３）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、比較例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０１５８】
（比較例Ｂ４）
各層の成膜工程をＮ２パージされたグローブボックス内で成膜した以外は、比較例Ｂ２と同様に有機トランジスタ素子を作製した。
【０１５９】
（比較例Ｂ５）
ポリビニルアルコールの０．５重量％ブタノール（沸点１００℃）溶液を、スプレー法により正孔輸送層上へ５０ｎｍの中間層を形成した以外は、実施例Ｂ１と同様に有機電界発光素子を得た。
【０１６０】
ここで、正孔輸送層と発光層との間に形成する中間層を構成するポリビニルアルコールは、上層の発光層を形成するための塗布液の溶媒（トルエン）に溶解しない材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（ブタノール）は、下層の正孔輸送層を構成する化合物（Ｉ−２）を溶解しない材料であった。
【０１６１】
（比較例Ｂ６）
比較例Ｂ５と同様に発光層まで形成した後、ポリエステルの０．５重量％シクロヘキサノン沸点１５６℃）溶液を、スプレー法により発光層上へ５０ｎｍの中間層を形成した以外は、実施例Ｂ２と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０１６２】
ここで、発光層と電子輸送層との間に形成する中間層を構成するポリエステルは、上層の電子輸送層を形成するための塗布液の溶媒（シクロペンタノン）に溶解される材料であった。中間層を形成するための塗布液の溶媒（シクロヘキサノン）は、下層の発光層を構成する化合物（ＩＩ−１５）を溶解する材料であった。
【０１６３】
（評価）
作製した有機電界発光素子の電気特性（電圧―輝度特性）、及び、１６×１６マトリクス状に有機電界発光素子を形成したシートにおいて曲げ応力による不良率評価を行った。結果を表２に示す。
【０１６４】
−電気特性(電圧―輝度特性)の評価−
電気特性 (電圧―輝度特性)は次のようにして求めた。電圧を印加し、輝度の立ち上がり電圧、及び最高輝度を測定することにより評価した。
【０１６５】
−曲げ応力による不良率の評価−
曲げ応力による不良率は、次のようにして求めた。半径2cmの筒にシートを巻きつけ、さらに、筒からはずし平らに伸ばす操作を20回連続して行うことにより、発光素子の剥離を評価した。
【０１６６】
【表２】
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【０１６７】
表２の結果から、本実施例は、比較例に比べ、電気特性(立ち上がり電圧、最高輝度)が優れると共に、曲げ応力による不良率が低減されることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】第１実施形態に係る有機トランジスタ素子を示す概略構成図である。
【図２】他の第１実施形態に係る有機トランジスタ素子を示す概略構成図である。
【図３】第１実施形態に係る有機トランジスタ素子の製造方法を示す工程図である。
【図４】第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。
【図５】他の第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。
【図６】他の第２実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略構成図である。
【図７】第２実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１６９】
１０   基板
１２   有機半導体層
１２Ａ ソース電極
１２Ｂ ドレイン電極
１４Ａ，１４Ｂ       中間層
１６   絶縁層
１８   ゲート電極
２０   透明絶縁体基板
２２   透明電極
２４   正孔注入層
２６   正孔輸送層
２８Ａ，２８Ｂ       中間層
３０   発光層
３２   電子輸送層
３４   背面電極
４０   電圧印加装置
１００ 有機トランジスタ素子
２００ 有機電界発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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