(57)【要約】【課題】磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込部のレイアウト面積を低減する。【解決手段】可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ，２２Ｌ）により、書込データに応じた方向に、書込ビット線に電流を流す。一方、ビット線（ＢＬ０−ＢＬ３）には、データ書込時、固定された方向に電流を流す。書込ビット線両側に配置される書込ビット線ドライブ回路において、複数の書込ビット線に共通に書込ビット線ドライバ（３０ｕ）を配置し、他方側の書込ビット線ドライブ回路においては、個々に書込ビット線に対し書込ビット線ドライバを配置する。【選択図】図３
2010040658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列され、各々が選択トランジスタと可変磁気抵抗素子の直列体を有する複数のメモリセルを備え、各前記可変磁気抵抗素子は、磁化容易軸と磁化困難軸とを有し、
各メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの可変磁気抵抗素子が結合される複数のビット線、
各メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの選択トランジスタの制御電極に結合される複数のワード線、
メモリセル行に対応して、対応の行のメモリセルの可変磁気抵抗素子の下部に前記磁化容易軸と直交するように配置されるとともに複数のグループに分割される複数の書込ビット線、
各前記ビット線に対応して配置され、各々が、データ書込時、対応のビット線に書込データの論理値にかかわらず固定方向に電流を供給するビット線ドライブ回路、および
各前記書込ビット線グループに対応してかつ対応のグループの書込ビット線に共通に設けられ、前記データ書込時、前記書込データの論理値に応じた方向に対応のグループの書込ビット線に電流を供給する第１の書込ビット線ドライバと、各書込ビット線に対応して前記第１の書込ビット線ドライバと対向して配置され、前記書込データの論理値に応じて前記第１の書込ドライバと反対方向に対応の書込ビット線に電流を駆動する第２の書込ビット線ドライバとを含む書込ビット線ドライブ回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、不揮発性半導体記憶装置に関し、特に、磁気抵抗素子の磁化方向に応じてデータを記憶する薄膜磁性体半導体記憶装置の構成に関する。より特定的には、この発明は、電流誘起磁界により可変磁気抵抗素子の磁化方向を設定する薄膜磁性体半導体記憶装置のデータ書込部の配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性半導体記憶装置の１つに、薄膜磁性体半導体記憶装置（ＭＲＡＭ：磁気ランダム・アクセス・メモリ）がある。このＭＲＡＭは、データの記憶に磁気抵抗効果を利用する。すなわち、記憶素子に可変磁気抵抗素子を用いる。この可変磁気抵抗素子においては、バリア層を挟んで自由層と固定層とが対向して配置される。自由層は記憶データに応じて磁化方向が設定され、一方、固定層は、その磁化方向が記憶データにかかわらず固定される。自由層および固定層の磁化方向が一致する場合、可変磁気抵抗素子の抵抗値は小さくなる。逆に、自由層と固定層の磁化方向が逆（反平行）の場合には、その抵抗値が高くなる。この可変磁気抵抗素子の抵抗値の高低を、２値データの“０”および“１”に対応付ける。
【０００３】
データの書込時においては、ビット線およびデジット線を流れる電流が誘起する磁界を用いて自由層の磁化方向を設定する。ＭＲＡＭにおいては、フラッシュメモリのように、高電圧を用いて絶縁膜を介して電荷を移動させる必要はない。従って、ＭＲＡＭは、フラッシュメモリなどに比べて、低電圧動作が可能であり、また、高速アクセスが可能であり、また理想的には、書込回数が制限されない。これらの理由により、ＭＲＡＭは、携帯機器の用途に適した候補の１つと考えられ、種々の構成が提案されている。
【０００４】
このようなＭＲＡＭの構成の一例が、非特許文献１（T. Tsuji et al.,“A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture,”2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, June 2004, pp.450-453.）に示されている。この非特許文献１に示される構成においては、ＭＲＡＭセルは、１つの可変磁気抵抗素子（ＭＴＪ素子（磁気トンネル接合素子）またはＴＭＲ素子（トンネリング磁気抵抗素子））と、この可変磁気抵抗素子に直列に接続される１つの選択トランジスタ（セルトランジスタ）とで構成される。
【０００５】
可変磁気抵抗素子の上部電極をビット線に結合し、可変磁気抵抗素子下部に、書込ワード線（デジット線）が配置される。可変磁気抵抗素子が行方向に整列して配置され、一方一方、セルトランジスタは、２行の読出用のワード線に交互に結合され、可変磁気抵抗素子はセルトランジスタを介して対応の列のビット線に結合される。書込ワード線（デジット線）を流れる電流が誘起する磁界とビット線を流れる電流が誘起する磁界とにより、選択メモリセルの可変磁気抵抗素子の自由層の磁化方向を設定する。
【０００６】
データ読出時においては、１つのワード線が選択され、対をなすビット線の一方にメモリセルの記憶データに応じた電流が流れ、他方に、ダミーセルの抵抗値に応じた参照電流が流れる。この非特許文献１においては、２ビット単位でメモリセルを選択し、ダミーセルとして高抵抗状態のダミーセルおよび低抵抗状態のダミーセルを用い、これらの２つのダミーセルを流れる電流の平均電流を参照電流として用いて、２ビットのメモリセルの記憶データの検出を行なう。
【０００７】
上述の非特許文献１に示される構成においては、デジット線に、書込データの論理値にかかわらず、一定の方向に電流が流れる。ビット線において、書込データの論理値に応じた方向に電流が流れる。このため、各ビット線の両側に、ビット線ドライバが配置される。このビット線ドライバは、各々、充電用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）および放電用のＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。ビット線を流れる電流により、自由層の磁化方向を設定するため、ビット線は、可変磁気抵抗素子の磁化容易軸と直交する方向に配置される。デジット線は、書込時の磁化反転を容易とするためのアシスト磁界を供給するために、可変磁気抵抗素子の磁化困難軸と直交する方向に配置される。
【０００８】
データ書込時、ビット線ドライバを介してビット線に電流が供給される。この書込時、可変磁気抵抗素子を介してセルトランジスタにビット線上の電圧が供給されるため、通常、ビット線ドライバの動作電源電圧（ＶＤＤ）は、セルトランジスタの耐圧に応じた電圧に設定される。通常、セルトランジスタとしては、読出時の高速動作および高集積化を目的として、ロジックトランジスタ（プロセッサに含まれるトランジスタ）と同様、低電圧動作のトランジスタが用いられる。したがって、ビット線ドライバの動作電源電圧は、セルトランジスタの耐圧で決定される低電圧である。
【０００９】
一方、デジット線においては、この書込時に必要十分なデジット線電流を流すために、デジット線ドライバを構成するトランジスタを飽和領域で動作させる。通常、デジット線は一端が電源ノードに結合され、他端がディジット線ドライバを介して接地ノードに結合される。したがって、このデジット線ドライバが、十分な大きさのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを得るために、ディジット線電圧としては、ビット線ドライバの動作電源電圧（ＶＤＤ）よりも高い電圧（ＶＣＣ）が用いられる。このため、通常、デジット線ドライバとしては、セルトランジスタよりも耐圧の高い高耐圧トランジスタが用いられる。
【非特許文献１】T. Tsuji et al.,“A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture,”2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, June 2004, pp.450-453.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
データ書込時においては、選択メモリセルが接続されるビット線に書込電流が供給される。このビット線書込電流は、ビット線ドライバの動作電源電圧（ＶＤＤ）から供給される。十分な大きさのビット線書込電流を供給するためには、ビット線ドライバのトランジスタを飽和領域で動作させる。この場合には、ビット線ドライバのゲートーソース間電圧の絶対値Ｖｇｓをできるだけ大きくするのが望ましい。しかしながら、このビット線ドライバの動作電源電圧は、セルトランジスタの耐圧で決定される電圧レベルであり、その上限が制限される。
【００１１】
データ書込時には、ビット線に書込電流が供給される。このビット線書込電流としては、ビット線の寄生抵抗を介して十分な大きさの電流を流すことが要求され、このビット線書込電流を供給するビット線ドライバ電源電圧（ＶＤＤ）が、ビット線書込電流のために大部分が消費される。このビット線書込電流のために、ビット線ドライバの動作電源電圧が低下すると、ビット線ドライバのトランジスタ（ＰチャネルＭＯＳトランジスタ）のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの絶対値が低下し、十分な電流を供給することができなくなる。特に、ビット線ドライバの電源電圧が、セルトランジスタの耐圧で決定される低電圧レベルのときには、この電圧低下の影響が大きくなる。
【００１２】
したがって、十分な大きさのビット線書込電流をビット線（ビット線寄生抵抗）に供給するためには、このビット線ドライバのサイズ（チャネル幅とチャネル長の比）を大きくして、そのオン抵抗を小さくし、十分な電流駆動力を実現する必要がある。この結果、ビット線ドライバのレイアウト面積が増加するという問題が生じる。
【００１３】
また、ビット線ドライバは、各ビット線の両側に配置される。ビット線ドライバは、ＣＭＯＳドライバであり、１ビット線当たり、２個のＰチャネルＭＯＳトランジスタおよび２個のＮチャネルＭＯＳトランジスタが配置される。従って、このビット線ドライバのレイアウトの面積が大きく、ビット線ドライバトランジスタの面積増加によるビット線ドライブ回路全体の面積増加に対する影響が大きくなる。
【００１４】
前述の非特許文献１に示される構成においては、ビット線書込ドライバの充電トランジスタのソース電圧を、デジット線ドライバの動作電源電圧（ＶＣＣ）と同じ電圧レベルとし、放電用トランジスタのゲート電圧を、このドライバ電源電圧ＶＣＣよりも低い電圧レベルに設定し、ビット線書込電流を調整している。しかしながら、非特許文献１においては、選択列のビット線ＢＬをドライバ電源電圧ＶＣＣに充電した後に、ビット線の放電を行なっている。従って、セルトランジスタの耐圧を保証することができないという問題があり、セルトランジスタとしてロジックトランジスタを用いて、高集積化および高速読出を実現する構成に対しては、この非特許文献１のビット線ドライバの構成を適用することができない。
【００１５】
それゆえ、この発明の目的は、レイアウト面積を大幅に低減することのできる不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、可変磁気抵抗素子の磁化容易軸と直交する方向に書込ビット線を配置し、この書込ビット線に、書込データに応じた方向に双方向的に電流を流す。可変磁気抵抗素子の困難軸と直交する方向にビット線を配置し、このビット線には、書込データの論理値にかかわらず、一定の方向に電流を流す。この書込ビット線をグループに分割し、各グループごとに書込ビット線の一方側に共通に１つの書込ビット線ドライバを配置するとともに対向するビット線端部においては、各ビット線に対して書込ドライバを配置する。
【発明の効果】
【００１７】
磁化容易軸と直交する方向に書込ビット線を配置し、この可変磁気抵抗素子下層に配置される。したがって書込ビット線とメモリセルのトランジスタとは電気的に分離されており、この書込ビット線にセルトランジスタの耐圧が決定する電圧よりも高い電圧を供給することができる。これにより、書込ビット線ドライバのトランジスタサイズの増大を抑制する。また、書込ビット線グループごとに１つの１対の書込ビット線ドライバが配置されており、この書込ビット線ドライバの数を低減でき、データ書込に関連する部分のレイアウト面積を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１に従う不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）のメモリセルアレイのレイアウトを概略的に示す図である。図１においては、４行４列に配列されるメモリセルのレイアウトを示す。
【００１９】
図１において、矩形状の活性領域１が間をおいてＸ方向およびＹ方向に整列して配置される。この活性領域１には、２ビットのメモリセルのトランジスタ（セルトランジスタ）が形成される。
【００２０】
Ｘ方向に整列して、可変磁気抵抗素子ＶＲａおよびＶＲｂが配置される。可変磁気抵抗素子ＶＲａおよびＶＲｂそれぞれに対応してローカル配線２ａおよび２ｂが配置される。これらのローカル配線２ａおよび２ｂは、それぞれ、可変磁気抵抗素子ＶＲａおよびＶＲｂを載置し、可変磁気抵抗素子ＶＲａおよびＶＲｂの下部電極に電気的に接続される。
【００２１】
ローカル配線２ａおよび２ｂは、それぞれビア４ａおよび４ｂを介してそれぞれ中間配線３ａおよび３ｂに電気的に接続される。中間配線３ａおよび３ｂは、それぞれＸ方向に長い矩形形状を有し、活性領域１に対応する領域内において、互いに間をおいて配置される。
【００２２】
中間配線３ａおよび３ｂはプラグ（脚）を有し、このプラグにより、下層の中間配線５ａおよび５ｂに電気的に接続される。中間配線５ａおよび５ｂは、Ｙ方向において整列して配置され、それぞれ、コンタクト６ａおよび６ｂを介して下部の活性領域１に電気的に接続される。
【００２３】
各可変磁気抵抗素子行に対応して、可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）下部に、書込ビット線ＷＢＬがＸ方向に延在して配置される。図１においては、書込ビット線ＷＢＬ０およびＷＢＬ１を示す。可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）は、Ｙ方向に沿った磁化容易軸ＥＸおよびＸ方向に沿った磁化困難軸ＨＸを有し、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）は、この可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）の磁化容易軸ＥＸと直交する方向に配置される。この書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）は、可変磁気抵抗素子ＶＲａおよびＶＲｂと電気的に分離され、かつ磁気的に結合される。
【００２４】
また、Ｘ方向に連続的に延在してかつＹ方向において間をおいて、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）の両側に、ワード線ＷＬが配置される。図１においては、ワード線ＷＬ０−ＷＬ３を代表的に示す。これらのワード線ＷＬ０−ＷＬ３は、それぞれ活性領域１に形成されるセルトランジスタのゲート電極を構成する。
【００２５】
Ｙ方向に連続的に延在してかつ可変磁気抵抗素子列に対応してビット線ＢＬ，ＢＬ＿Ｂが配置される。このビット線ＢＬおよびＢＬ＿Ｂは、対をなして配置され、データ読出時に一方が参照ビット線として用いられる。図１においては、一例として、ビット線ＢＬ０、ＢＬ２がビット線ＢＬを構成し、ビット線ＢＬ１およびＢＬ３が、補のビット線ＢＬ＿Ｂを構成する。これらのビット線ＢＬ０−ＢＬ３は、それぞれ、対応の列の可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）の上部電極に電気的に接続される。
【００２６】
各ビット線対の両側に、Ｙ方向に連続的に延在してソース線ＳＬが配置される。ソース線ＳＬは、コンタクト７を介して活性領域１に電気的に接続される。ソース線コンタクト７は、したがって、活性領域１に形成される２つのメモリセルのセルトランジスタに共通に設けられる。
【００２７】
図２は、図１に示すレイアウトの線Ｌ２−Ｌ２に沿った断面構造を概略的に示す図である。図２においては、ビット線ＢＬおよび可変磁気抵抗素子ＶＲの断面構造を、メモリセルの各構成要素の接続関係を明確にするために併せて示す。
【００２８】
図２において、半導体基板領域１０表面に活性領域１が形成される。活性領域１は、不純物が注入された領域であり、図２においては、セルトランジスタのドレインを構成する不純物領域１ａおよび１ｂと、ソース領域を構成する不純物領域１ｃを示す。ワード線ＷＬ（ＷＬ２，ＷＬ３）下部にチャネルが形成される。チャネル形成領域にも不純物注入が行なわれており、図２においては、このチャネル領域においても、不純物領域１ａ、１ｂおよび１ｃが連通するように示す。この不純物領域１ｃは、先の非特許文献１に示されるように、表面にシリサイドが形成され、低抵抗化が図られル構成が用いられても良く、図１に示すコンタクト７を介してソース線ＳＬに電気的に接続される。
【００２９】
不純物領域１ａおよび１ｂは、それぞれコンタクト６ａおよび６ｂを介して中間配線５ａおよび５ｂにそれぞれ電気的に接続される。これらの中間配線５ａおよび５ｂ上部に、それぞれ、プラグ３ａおよび３ｂが形成される。プラグ３ａは、バイア４ａを介してローカル配線２（２ａ）に電気的に接続される。ローカル配線２（２ａ）に、可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａまたはＶＲｂ）が配置され、可変磁気抵抗素子ＶＲの下部電極（図２には明確に示さず）がローカル配線２に電気的に接続される。可変磁気抵抗素子ＶＲの上部電極は、ビット線ＢＬに電気的に接続される。
【００３０】
この図２に示すように、書込ビット線ＷＢＬが、可変磁気抵抗素子ＶＲの下部に、ローカル配線２と非接触で配置される。書込ビット線ＷＢＬは、図１に示すように、可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）の磁化困難軸ＨＸと平行な方向、すなわち磁化容易軸ＥＸと直交する方向に配置される。したがって、書込ビット線ＷＢＬに書込データの論理値に応じた方向に電流を流すことにより、書込ビット線ＷＢＬが誘起する磁界は、磁化容易軸ＥＸと平行な方向となる。
【００３１】
一方、ビット線ＢＬまたはＢＬ＿Ｂには、書込データの論理値にかかわらず、一定の方向に電流を流す。このビット線ＢＬまたはＢＬ＿Ｂは、可変磁気抵抗素子ＶＲ（ＶＲａ，ＶＲｂ）の磁化困難軸ＨＸと直交する方向に配置されている。したがって、ビット線ＢＬおよびＢＬ＿Ｂを流れる電流が誘起する磁界は、この可変磁気抵抗素子の磁化困難軸ＨＸと平行な方向となる。このビット線ＢＬおよびＢＬ＿Ｂの書込電流が、アシスト磁界（半選択電流）となり、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を流れる電流が誘起する磁界が、磁化反転磁界となる。
【００３２】
書込ビット線ＷＢＬは、セルトランジスタと分離されており、書込ビット線ＷＢＬには、セルトランジスタの耐圧により決定される電圧（ＶＤＤ）よりも大きな電圧（ＶＣＣ）を印加することができる。応じて、書込ビット線ドライバのトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの絶対値を十分に大きくすることができ、ドライバトランジスタの電流駆動力を、その面積を増大させることなく、大きくすることができる。
【００３３】
図３は、図１に示すメモリサブアレイの電気的回路構成および周辺の書込および読出に関連する部分の構成の一例を概略的に示す図である。図３において、メモリサブアレイ２０においてメモリセルＭＣが行列状に配列される。メモリセルＭＣは、可変磁気抵抗素子ＶＲとセルトランジスタＣＴの直列体で構成される。２行のメモリセルの可変磁気抵抗素子ＶＲがＸ方向に整列して配置され、各可変磁気抵抗素子ＶＲの行に対応して書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）が配設され、メモリセルの各列に対応してビット線ＢＬ（ＢＬ０−ＢＬ３）が配設される。
【００３４】
また、メモリセル行に対応して、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）と平行にワード線ＷＬ（ＷＬ０−ＷＬ３）が配設される。ワード線ＷＬは、対応の行のメモリセルのトランジスタ（セルトランジスタＣＴ）の制御電極に結合される。また、ビット線ＢＬと平行にソース線ＳＬが配設され、列方向（ビット線延在方向）において隣接する２ビットのメモリセルのセルトランジスタＣＴが共通のコンタクト（７）を介して対応のソース線ＳＬに結合される。
【００３５】
ビット線の両端にメモリサブアレイ２０に関して対向してビット線ドライブ回路２４および２５が設けられる。ビット線ドライブ回路２４は、ビット線ＢＬ（ＢＬ０−ＢＬ３）各々に対応して設けられる放電トランジスタＮＴを含む。放電トランジスタＮＴは、データ書込時に、図示しない列選択信号に従って選択的にオン状態に設定される。ビット線ドライブ回路２５は、ビット線ＢＬ（ＢＬ０−ＢＬ３）それぞれに対応して設けられる充電トランジスタＰＴを含む。充電トランジスタＰＴは、データ書込時、図示しない列選択信号に従って選択的に導通状態とされ、選択列のビット線へ、電源電圧ＶＤＤから電流を供給する。
【００３６】
このビット線ドライブ電源電圧ＶＤＤは、セルトランジスタＣＴの耐圧により決定される電圧レベルである。データ書込時、ビット線ドライブ回路２４および２５により、選択列のビット線には、書込データの論理値にかかわらず、常に固定された方向（図３の右から左方向）に沿ってビット線書込電流が流れる。ビット線ＢＬは、可変磁気抵抗素子ＶＲの磁化困難軸と直交する方向に配設されており、ビット線書込電流により、いわゆる半選択電流（アシスト磁界誘起電流）が供給される。
【００３７】
書込ビット線ＷＢＬの両端にメモリサブアレイ２０９に関して対向して書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌが設けられる。書込ビット線ドライブ回路２２Ｕにおいては、複数の書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）に対し共通に書込ビット線ドライバ３０ｕが設けられる。一方、この書込ビット線の他方側の書込ビット線ドライブ回路２２Ｌにおいては、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）それぞれに対応して書込ビット線ドライバ３０ｌが設けられる。
【００３８】
書込ビット線ドライバ３０ｕは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＱ１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ１を含む。書込ビット線ドライバ３０ｌは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＱ２およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ２を含む。書込ビット線ドライバ３０ｕおよび３０ｌは、電源電圧ＶＣＣを動作電源電圧とし、それぞれ書込データの論理値に応じた方向に電流を供給する。
【００３９】
データ書込時において、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕにおいては、複数（図３においては２本）の書込ビット線ＷＢＬ０およびＷＢＬ１に同じ方向に電流を供給する。しかしながら、書込ビット線ドライブ回路２２Ｌにおいては、選択行のメモリセルが接続される書込ビット線（たとえばＷＢＬ０）に電流を流し、非選択行のメモリセルが選択される書込ビット線（たとえばＷＢＬ１）においては、対応の書込ビット線ドライバ３０ｌは出力ハイインピーダンス状態とされる。したがって、この書込ビット線においては、選択メモリセルが接続される書込ビット線に対してのみ書込電流が流れ、正確なデータの書込を行なうことができる。
【００４０】
図２に示すように、書込ビット線ＷＢＬは、可変磁気抵抗素子ＶＲの下層に配置されており、セルトランジスタＣＴとは電気的に分離されている。したがって、書込ビット線ＷＢＬに高い電源電圧ＶＣＣが供給されても、セルトランジスタＣＴに対しては何ら悪影響は及ぼさない。このため、書込ビット線ドライバ３０ｕおよび３０ｌにおいて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＱ１およびＰＱ２の導通時のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｐの絶対値およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ１およびＮＱ２の導通時のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎは、ビット線ドライブ回路２５へ供給される電源電圧ＶＤＤよりも高い電圧レベルである。一般に、ＭＯＳトランジスタの飽和領域におけるドレイン電流は、（Ｖｓ−Ｖｔｈ）の二乗に比例する。Ｖｔｈは、しきい値電圧を示す。したがって、ＭＯＳトランジスタＰＱ１、ＰＱ２、ＮＱ２、ＮＱ１の導通時の駆動電流量を大きくすることができ、電源電圧ＶＤＤを用いた磁化反転用のビット線書込電流を生成するビット線ドライバの構成に比べて、ビット線書込ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌのレイアウト面積を低減することができる。
【００４１】
また、図３に示す書込に関連する部分の配置においては、書込ビット線の一方側に設けられた書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ）において複数の書込ビット線に共通に１つの書込ビット線ドライバが配置される。したがって、書込ビット線ドライバの数を低減でき、応じて書込ビット線ドライバ部分のレイアウト面積をさらに、低減することができる。
【００４２】
メモリサブアレイ２０においては、さらに、メモリセル行に対応してワード線ＷＬが配置される。このワード線ＷＬは、１列おきに対応の行のメモリセルのトランジスタＣＴに結合される。１つの書込ビット線ＷＢＬに対応して２本ワード線（ＷＬ０、ＷＬ１）が配置される。従って、ワード線選択時においては、１列置きのビット線ＢＬ（ＢＬ＿Ｂ）に可変磁気抵抗素子が結合され、残りのビット線には、メモリセルの可変磁気抵抗素子は結合されない。この残りのビット線に対してはダミーセル（図示せず）が結合される。
【００４３】
データ書込時においては、ワード線は、非選択状態に維持され、選択トランジスタＣＴは、オフ状態に維持される。
【００４４】
データ読出時においては、ワード線ＷＬが選択状態に駆動され、また、読出回路２８に含まれるセンスアンプＳＡに、選択列に対応して配置される対をなすビット線ＢＬおよびＢＬ＿Ｂが結合され、ビット線電流に従ってデータの読出が行なわれる。この場合、図３に示すように、対をなすビット線ＢＬ（ＢＬ０，ＢＬ２）および補のビット線ＢＬ＿Ｂ（ＢＬ１，ＢＬ３）の一方にメモリセルが接続され、他方のビット線は、参照ビット線として用いられる。この参照ビット線には、上述のように、図示しないダミーセルが接続される。また、ビット線と読出回路２８の間には、列選択信号に従って選択列のビット線対をセンスアンプＳＡに結合する列選択回路が配置されるが、図３においては、図面を簡略化するために、この列選択回路の構成は示していない。
【００４５】
図４は、図３に示す書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌに含まれる書込ビット線ドライバ３０ｕおよび３０ｌの制御部の構成の一例を概略的に示す図である。図４において、書込ビット線ドライバ３０ｕに対して書込タイミング発生器４０ｕが設けられ、書込ビット線ドライバ３０ｌに対して書込タイミング発生器４０ｌが設けられる。
【００４６】
書込タイミング発生器４０ｕは、行グループ選択信号（行グロープデコード信号）ＲＳＧと書込データＷＤとを受け、所定のタイミングで書込タイミング信号φＰ１およびφＮ１を生成する。これらの書込タイミング信号φＰ１およびφＮ１に従って、それぞれ、書込ビット線ドライバ３０ｕのＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＱ１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ１が選択的にオン状態に設定される。
【００４７】
書込タイミング発生器４０ｌは、行選択信号ＲＳと補の書込データ／ＷＤとを受け、書込タイミング信号φＰ２およびφＮ２を生成する。これらの書込タイミング信号φＰ２およびφＮ２に従って、書込ビット線ドライバ３０ｌのＭＯＳトランジスタＰＱ２およびＮＱ２が選択的にオン状態に設定される。この行選択信号ＲＳは、書込ビット線を指定する信号であり、２行のメモリセルに対して共通に選択状態に駆動される。すなわち、データ読出時の１行のメモリセルを指定する行アドレス信号の最下位ビットを縮退して生成される行アドレス信号をデコードして、この書込時の行選択信号ＲＳが生成される。
【００４８】
行グループ選択信号は、さらに、行選択信号の所定数の（下位）ビットを縮退したアドレス信号をデコードして生成される。この縮退アドレスビットの数は、グループ化される書込ビット線の数に応じて決定される（４行のメモリセルに対して１つの書込ビット線ドライバが配置されるときには、下位２ビットの行アドレスを縮退する）。選択行の書込ビット線を含む書込ビット線グループが、行グループ選択信号に従って指定される。この場合、非選択行のメモリセルに対しても、書込ビット線ドライバにより書込電流が供給される。しかしながら、非選択列のビット線においては、書込電流は流れないため、選択列かつ選択行のメモリセルに対して書込電流が供給されて誘起磁界が生成され、正確にデータの書込を行なうことができる。
【００４９】
これらの書込タイミング発生器４０ｕおよび４０ｌに与えられる書込データＷＤおよび／ＷＤは、データ書込時、互いに相補な論理値を有する。したがって、書込ビット線ドライバ３０ｕおよび３０ｌにおいて、互いに異なる導電型のＭＯＳトランジスタがオン状態に駆動される。たとえば、書込ビット線ドライバ３０ｕにおいてＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＱ１がオン状態に設定された場合、書込ビット線ドライバ３０ｌにおいては、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ２がオン状態に設定される。これにより、書込ビット線ＷＢＬに対し、ＭＯＳトランジスタＰＱ１から電流が供給され、この書込ビット線ＷＢＬ上に供給される電流が、ＭＯＳトランジスタＮＱ２を介して放電される。
【００５０】
書込タイミング発生器４０ｕおよび４０ｌは、データ書込時、書込ビット線ＷＢＬを先ず、電源電圧ＶＣＣレベルに充電する。この後、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＱ１またはＮＱ２をオン状態に設定して、書込ビット線ＷＢＬに電流を流す（非特許文献１参照）。この書込電流タイミング制御により、書込ビット線ＷＢＬに急激な突入電流が流れるのを抑制する。したがって、データ書込時の書込ビット線ＷＢＬおよびビット線ＢＬの電流を流すタイミング制御としては、通常のデジット線およびビット線を用いるＭＲＡＭの場合と同様のタイミング制御が行なわれればよい。
【００５１】
図５は、図３に示すビット線ドライブ回路２４および２５に含まれるビット線ドライバの制御部の構成を概略的に示す図である。図５において、ビット線書込ドライブトランジスタＮＴに対しタイミング制御回路４２が設けられ、ビット線書込ドライブトランジスタＰＴに対しタイミング制御回路４３が設けられる。タイミング制御回路４２は、列選択信号ＣＳＬと書込指示信号ＷＥとに従って書込列選択信号ＷＣＳＬを生成して、ビット線書込ドライブトランジスタＮＴのゲートへ与える。
【００５２】
タイミング制御回路４３は、列選択信号ＣＳＬと書込モード指示信号ＷＥとに従って、補の書込列選択信号／ＷＣＳＬを生成して、ビット線書込ドライブトランジスタＰＴのゲートへ与える。
【００５３】
データ書込時、外部からの書込コマンドに従って書込モード指示信号ＷＥが活性化される。また、この書込コマンドに従って、図示しない列デコード回路において列アドレスのデコード動作が行われ、デコード結果に従って指定された列に対応する列選択信号が活性化される。応じて、指定された列に対応して配置されたタイミング制御回路４２および４３が、この活性状態の列選択信号ＣＳＬに従って書込列選択信号ＷＣＳＬおよび／ＷＣＳＬを活性化する。応じて、ビット線書込ドライブトランジスタＮＴおよびＰＴがオン状態となり、ビット線ＢＬに対しては、常にビット線ドライブトランジスタＰＴからビット線ドライブトランジスタＮＴに向かって書込電流が流れる。これらのタイミング制御回路４２および４３により、図４に示す書込ビット線ドライブ回路の書込ビット線ＷＢＬの電流供給動作に対するタイミング調整を行なう。
【００５４】
これらのビット線書込ドライブトランジスタＰＴおよびＮＴは、データ読出時ともに非導通状態に設定される。これにより、図３に示すように、ビット線ＢＬを、図示しない列選択回路を介して読出回路に接続してデータ読出用の配線として利用することができる。
【００５５】
なお、ワード線ドライブ回路２９に含まれるワード線ドライバ３５は、データ書込時においてはすべて非活性状態であり、データ読出モード時において、行選択信号に従って選択行のワード線ＷＬを選択状態へ駆動する。ワード線選択時に用いられる行選択信号は、データ書込時の行選択信号と異なり、１行のメモリセルを指定する行アドレス信号をデコードして生成される。
【００５６】
また、この図５に示す構成において、列選択信号ＣＳＬに代えてメモリセル列を指定するＹアドレスＹＡＤが用いられて、タイミング制御回路４２および４３においてデコード動作が行なわれてもよい。
【００５７】
なお、上述の図３に示す構成においては、各ビット線ドライブ回路２２Ｕにおいては、隣接する２つの書込ビット線ＷＢＬ０およびＷＢＬ１に対し共通に書込ビット線ドライバ３０ｕが設けられている。しかしながら、より多くの書込ビット線に対し、１つの書込ビット線ドライバが設けられてもよい。
【００５８】
また、この書込ビット線ドライバ（３０ｕ）は、複数の書込ビット線に対し共通に１つの書込ビット線ドライバが配置されていればよく、隣接して配置される書込ビット線に対し１つの書込ビット線ドライバを配置することは特に要求されない。
【００５９】
以上のように、この発明の実施の形態１に従えば、書込ビット線を可変磁気抵抗素子の下部に、その可変磁気抵抗素子の磁化容易軸と直交する方向に配置し、書込で他の論理値に応じた方向に双方向的に電流を流している。したがって、この書込ビット線ドライバのトランジスタサイズを増大させることなく大きな電流を流すことができ、書込ビット線ドライバのレイアウト面積の増大を抑制することができる。また、書込ビット線の一方側の書込ビット線ドライブ回路においては、複数の書込ビット線ごとに１つの書込ビット線ドライバを配置しており、書込ビット線ドライバの数が低減でき、応じて、書込ビット線ドライブ回路のレイアウト面積を低減することができる。
【００６０】
［実施の形態２］
図６は、この発明の実施の形態２に従う不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）の要部の構成を概略的に示す図である。図６においては、メモリサブアレイ２０において配置される書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ７…を示す。このメモリサブアレイ２０における各ビット線、ワード線、およびメモリセルの配置は、先の実施の形態１の場合と同様である。
【００６１】
この図６に示す構成は、以下の点で、その構成が、図３に示す不揮発性半導体記憶装置と異なる。すなわち、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０−ＷＢＬ７…）は、所定数（図６においては４本）でグループ化される。この書込ビット線グループごとに、この書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌにおいて交互に共通に書込ビット線ドライバ３０ｕａおよび３０ｌａが配される。図６においては、書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ３で構成される書込ビット線グループＷＢＧ０に対し、書込ビット線ドライブ回路２２Ｌにおいて共通に、書込ビット線ドライバ３０ｌａが設けられる。書込ビット線ＷＢＬ４−ＷＢＬ７で構成される書込ビット線グループＷＢＧ１に対しては、共通に、書込ビット線ドライブ回路２０Ｕにおいて、書込ビット線ドライバ３０ｕａが設けられる。
【００６２】
この書込ビット線ドライバ３０ｌａおよび３０ｕａに対向する書込ビット線端部においては、それぞれ、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌにおいては、書込ビット線ドライバ３０ｕｂおよび３０ｌｂがそれぞれ個々に書込ビット線ごとに設けられる。
【００６３】
この図６に示す不揮発性半導体記憶装置の他の構成は、図３に示す不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
【００６４】
この書込ビット線に対し共通に設けられる書込ビット線ドライバを、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌにおいて交互に配置する。これにより、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌにおいて配置される書込ビット線ドライバの数が等しくなり、この書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌのその書込ビット線ドライバの配置における面積利用効率を改善することができる（ドライバ配置領域の隙間を低減することができるため）。
【００６５】
なお、この図６に示す構成において書込ビット線ドライバ３０ｕａ、３０ｕｂ、３０ｌａおよび３０ｌｂを駆動する部分の制御の構成としては、図４に示す構成を利用することができる。書込ビット線群に共通に設けられる書込ビット線ドライバに対し、行アドレス信号ビットを縮退した書込ビット線グループ指定信号を行選択信号に代えて供給し、また、各書込ビット線に対して設けられる書込ビット線ドライバに対しては、書込データとともに、行アドレスビットをすべてデコードして生成される行選択信号を与える。
【００６６】
［変更例］
図７は、この発明の実施の形態２の変更例の不揮発性半導体記憶装置の要部の構成を概略的に示す図である。図７において、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂが設けられる。このメモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂ各々においては、メモリセルが行列状に配列され、また、メモリセル行に対応してワード線（ＷＬ）が配設され、またメモリセル列に対応してビット線（ＢＬ）が配設され、また、メモリセル列に対応してソース線（ＳＬ）が配設される。
【００６７】
図７においては、図面を簡略化するため、これらのメモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにおけるメモリセルの配置は示していない。メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにおいては、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０−ＷＢＬ７…）がそれぞれグループ化して配置される。図７においては、メモリサブアレイ２０Ａにおいて、書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ３により、書込ビット線グループＷＢＧＡ１が構成され、書込ビット線ＷＢＬ４−ＷＢＬ７により、書込ビット線グループＷＢＧＡ１が構成される。メモリサブアレイ２０Ｂにおいても、書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ３により、書込ビット線グループＷＢＧＢ０が構成され、書込ビット線ＷＢＬ４−ＷＢＬ７により、書込ビット線グループＷＢＧＢ１が構成される。
【００６８】
メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂの間に、ビット線ドライブ回路２２Ｍが配置され、このメモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂの端部に、それぞれ、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌが配置される。
【００６９】
ビット線書込ドライブ回路２２Ｕにおいては、書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０−ＷＢＬ７…）各々に対応して書込ビット線ドライバ３０ｕｂが配置される。一方、書込ビット線ドライブ回路２２ｌにおいては、メモリセルサブアレイ２０Ｂにおける書込ビット線グループＷＢＧＢおよびＷＢＧＢ１それぞれに対して書込ビット線ドライバ３０ｌａが設けられる。したがって、この書込ビット線ドライブ回路２２Ｕにおいては、書込データの論理値に応じて書込ビット線を個々に書込ビット線ドライバ３０ｕｂによりその電流を駆動し、一方、書込ビット線ドライブ回路２２Ｌにおいては、書込データの論理値に応じて、書込ビット線グループの書込ビット線に対し電流を供給する。
【００７０】
書込ビット線ドライブ回路２２Ｍにおいては、メモリサブアレイ２２Ａの書込ビット線グループＷＢＧＡ０およびＷＢＧＡ１それぞれに対応して書込ビット線ドライバ３０ｍａが配置され、また、メモリサブアレイ２０Ｂの書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０−ＷＢＬ７、…）各々に対応して書込ビット線ドライバ３０ｍｂが設けられる。書込ビット線ドライバ３０ｍａは、メモリサブアレイ２０Ａに含まれる書込ビット線グループの書込ビット線を駆動し、一方、書込ビット線ドライバ３０ｍｂは、メモリサブアレイ２０Ｂにおける書込ビット線ＷＢＬ（ＷＢＬ０−ＷＢＬ７、…）に対して個々に書込データの論理値に応じて電流を駆動する。図７に示す構成においては、書込ビット線ドライブ回路２２Ｍが、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにより共有される。
【００７１】
メモリサブアレイ２０Ａの両側に配置されるビット線ドライブ回路２４Ａおよび２４Ｂとメモリサブアレイ２０Ｂの両側に配置されるビット線ドライブ回路２４Ｂおよび２５Ｂの構成は、先の図３に示す構成と同じである。また、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂそれぞれに対応して設けられるワード線ドライブ回路２９Ａおよび２９Ｂの構成も、先の図３に示す構成と同じである。図面を簡略化するため、これらのワード線ドライブ回路２９Ａおよび２９Ｂに含まれるワード線ドライバは、示していない。
【００７２】
この図７に示す構成においては、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂそれぞれに対して設けられる書込ビット線ドライバの数は同じであり、メモリセルサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂの間において稠密に、面積利用効率を大きくして、書込ビット線ドライバを配置することができる。また、書込ビット線ドライブ回路２２Ｍは、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにより共有されるため、書込ビット線ドライブ回路のレイアウト面積を低減することができる。
【００７３】
［変更例２］
図８は、この発明の実施の形態２の変更例２の不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）の要部の構成を概略的に示す図である。この図８に示す不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）の構成は、以下の点で、図７に示す不揮発性半導体記憶装置の構成と異なる。すなわち、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕにおいては、個々に書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｕｂと、書込ビット線グループの各書込ビット線を共通に駆動する書込ビット線ドライバ３０ｕａが、各書込ビット線グループごとに交互に配置される。図８においては、書込ビット線グループＷＢＧＡ０の書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ３それぞれに対応して、書込ビット線ドライバ３０ｕｂが配置され、書込ビット線グループＷＢＧＡ１の書込ビット線ＷＢＬ４−ＷＢＬ７に対し共通に書込ビット線ドライバ３０ｕａが配置される。
【００７４】
同様、書込ビット線ドライブ回路２２Ｌにおいても、書込ビット線グループごとに、共通に書込ビット線グループの書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｌａと書込ビット線グループの個々の書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｌｂとが、各書込ビット線グループごとに交互に配置される。
【００７５】
書込ビット線ドライブ回路２２Ｍにおいては、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌの書込ビット線ドライバの配置に対応して、各書込ビット線グループごとに、共通に書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｍａおよび３０ｍｃと個々の書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｍｂおよび３０ｍｃが、書込ビット線グループごとに交互に配置される。図８においては、書込ビット線ドライバ３０ｍａが、メモリサブアレイ２０Ａの書込ビット線グループＷＢＬＡ０の書込ビット線ＷＢＬ０−ＷＢＬ３を共通に駆動し、書込ビット線ドライバ３０ｍｃが、このメモリサブアレイ２０Ｂの書込ビット線グループＷＢＧＢ１の各書込ビット線ＷＢＬ４−ＷＢＬ７を共通に駆動する。
【００７６】
一方、ビット線ドライブ回路２２Ｌの書込ビット線ドライバ３０ｌａに対向して、書込ビット線ドライブ回路２２Ｍにおいて、個々に書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｍｂが配置される。同様、個々に書込ビット線を駆動する書込ビット線ドライバ３０ｌｂが、書込ビット線グループＷＢＧＢ１の書込ビット線に対し共通に設けられる書込ビット線ドライバ３０ｍｃに対応して配置される。書込ビット線ドライブ回路２２Ｍにおいて、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕの書込ビット線ドライバ３０ｕａに対向して各書込ビット線ごとに書込ビット線ドライバ３０ｍｄが配置される。
【００７７】
この図８に示す不揮発性半導体記憶装置の他の構成は、図７に示す構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
【００７８】
この図８に示す構成においても、書込ビット線ドライブ回路２２Ｕおよび２２Ｌに配置される書込ビット線ドライバの数が同じであり、よりレイアウト面積損失を低減して、書込ビット線ドライバを配置することができる。
【００７９】
なお、この図７および図８に示す構成においても、書込ビット線ドライバの駆動する制御部の構成としては、図４に示す構成を利用することができる。データの書込時、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにおいて並列にデータ書込が行なわれてもよく、メモリサブアレイ２０Ａおよび２０Ｂにおいて、個々に、すなわち、一方のメモリサブアレイにおいてデータの書込が行なわれてもよい。
【００８０】
また、図７および図８に示す構成において、書込ビット線グループを構成する書込ビット線の数は、４でなく他の数であってもよい。また、書込ビット線グループを構成する書込ビット線は、隣接する書込ビット線でなく、離れて配置される書込ビット線であってもよい。
【００８１】
以上のように、この発明の実施の形態２に従えば、メモリサブアレイの両側に配置される書込ビット線ドライバの数を均等にしており、書込ビット線ドライバの面積利用効率を改善して配置することができ、レイアウト面積を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
この発明に従う不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）は、単体で用いられてもよく、また携帯機器などの組込み用途に用いられてもよく、小占有面積の不揮発性半導体記憶装置（ＭＲＡＭ）を実現することができる。また、可変磁気抵抗素子としては、電流が誘起する磁界により磁化方向が設定される素子であれば、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】この発明の実施の形態１に従うＭＲＡＭのアレイ部の平面レイアウトを概略的に示す図である。
【図２】図１に示す線Ｌ２−Ｌ２に沿った断面構造を概略的に示す図である。
【図３】この発明の実施の形態１に従う不揮発性半導体記憶装置の要部の電気的回路構成を概略的に示す図である。
【図４】図３に示す書込ビット線ドライブ回路の構成をより詳細に示す図である。
【図５】図３に示すビット線ドライブ回路の構成をより詳細に示す図である。
【図６】この発明の実施の形態２に従う不揮発性半導体記憶装置の要部の構成を概略的に示す図である。
【図７】この発明の実施の形態２の変更例に従う不揮発性半導体記憶装置の要部の構成を概略的に示す図である。
【図８】この発明の実施の形態２の第２の変更例に従う不揮発性半導体記憶装置の要部の構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  活性領域、ＶＲ，ＶＲａ，ＶＲｂ  可変磁気抵抗素子、ＷＬ，ＷＬ０−ＷＬ３  ワード線、ＷＢＬ，ＷＢＬ０−ＷＢＬ７  書込ビット線、ＢＬ，ＢＬ＿Ｂ，ＢＬ０−ＢＬ３  ビット線、２０，２０Ａ，２０Ｂ  メモリサブアレイ、２２Ｕ，２２Ｌ  書込ビット線ドライブ回路、２４，２５  ビット線ドライブ回路、ＣＴ  セル選択トランジスタ、３０ｕ，３０ｌ，３０ｕａ，３０ｕｂ，３０ｌａ，３０ｌｂ，３０ｍａ，３０ｍｂ，３０ｍｃ，３０ｍｄ  書込ビット線ドライバ、２４，２４Ａ，２４Ｂ，２５，２５Ａ，２５Ｂ  ビット線ドライブ回路。
【図１】
2010040658.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010040658.tif 000007
【図６】
2010040658.tif 000008
【図７】
2010040658.tif 000009
【図８】
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