(57)【要約】【課題】高電子密度、高電子移動度のIII−Ｖ族化合物半導体を提供する。【解決手段】化合物半導体を用いた半絶縁性の基板２上に、バッファ層３、電子供給層４、スペーサ層５、チャネル層６、スペーサ層７、電子供給層８、コンタクト層９を有するIII−Ｖ族化合物半導体１において、前記チャネル層６を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＧａＡｓスペーサ層とＡｌＧａＡｓスペーサ層との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層の単層で構成されるものである。【選択図】図１
2010040556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体を用いた半絶縁性の基板上に、バッファ層、電子供給層、スペーサ層、チャネル層、スペーサ層、電子供給層、コンタクト層を有するIII−Ｖ族化合物半導体において、
前記チャネル層を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＧａＡｓスペーサ層とＡｌＧａＡｓスペーサ層との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層の単層で構成されることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体。
【請求項２】
前記一方のスペーサ層のＡｌＧａＡｓスペーサ層のＡｌ組成比が、前記他方のスペーサ層のＡｌ組成比に比べて高くされた請求項１に記載のIII−Ｖ族化合物半導体。
【請求項３】
前記一方のスペーサ層の前記ＡｌＧａＡｓスペーサ層は、そのＡｌ組成比が前記チャネル層側のＧａＡｓスペーサ層に向かって徐々に低くなるように形成された請求項１又は２に記載のIII−Ｖ族化合物半導体。
【請求項４】
化合物半導体を用いた半絶縁性の基板上に、バッファ層、電子供給層、スペーサ層、チャネル層、スペーサ層、電子供給層、コンタクト層を有するIII−Ｖ族化合物半導体において、
前記チャネル層を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＡｌxＧａＡｓスペーサ層とＡｌyＧａＡｓスペーサ層（ｘ＞ｙ）との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層で構成されることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに用いられるIII−Ｖ族化合物半導体に係り、特に、電子移動度、電子密度を向上できるIII−Ｖ族化合物半導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＡｓ（ガリウム砒素）やＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）などの化合物半導体はＳｉ（シリコン）半導体に比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長をいかして、ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓは高速動作や高効率動作を要求されるデバイスに多く用いられている。
【０００３】
そのデバイスの代表例としてＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）が挙げられる。このＨＥＭＴは、衛星放送用受信アンテナや携帯電話、無線ＬＡＮなどに用いられており、微弱な高周波信号を低雑音で増幅できる。
【０００４】
ＨＥＭＴは、基板上に結晶成長したコンタクト層、電子供給層、スペーサ層、チャネル層及びバッファ層よりなる化合物半導体を用いて作製される。コンタクト層は電極を形成するための層である。電子供給層はｎ型不純物がドーピングされており、発生した自由電子をチャネル層へ供給する。
【０００５】
スペーサ層はチャネル層の自由電子が電子供給層のｎ型不純物によりイオン散乱されるのを抑止する働きがある。チャネル層は自由電子が流れる層であり、高純度である必要がある。
【０００６】
バッファ層は基板表面の残留不純物によるデバイス特性劣化を防ぐ働きがある。基板は単結晶成長するための下地である。結晶成長のことをエピタキシャル成長と言い、エピタキシャル成長により成長させた層をエピタキシャル層と言う。
【０００７】
ＨＥＭＴの種類として、電子が走行するチャネル層にＧａＡｓを用いたものをＣ−ＨＥＭＴ（Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ＨＥＭＴ）、ＩｎＧａＡｓを用いたものをｐ−ＨＥＭＴ（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｉｃ  ＨＥＭＴ）と呼ぶ。
【０００８】
また、ＨＥＭＴは、電子供給層の層数に着目すると、電子供給層がＩｎＧａＡｓチャネル上に一層のシングルドープタイプ（ここではＳ−ＨＥＭＴと呼ぶ）と、チャネル下にも電子供給層を有したダブルドープタイプ（ここではＤ−ＨＥＭＴと呼ぶ）に分けられる。
【０００９】
前者のＳ−ＨＥＭＴは最もポピュラーな構造で、この構造によるトランジスタは、衛星放送のコンバータに不可欠な低雑音アンプ用として広く普及している。
【００１０】
一方、後者のＤ−ＨＥＭＴはデジタル通信用高出力アンプとして、ここ数年盛んに研究・開発され、実用化も急速にすすみ、現在最も普及しているタイプである。このＤ−ＨＥＭＴの薄型ウェハを使用すれば、デジタル方式のトランジスタにおいて低ひずみで非常に高い電力が得られる。
【００１１】
図３は、従来のダブルドープタイプｐ−ＨＥＭＴに用いられるIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【００１２】
図３に示すように、従来のIII−Ｖ族化合物半導体２０は、ＧａＡｓからなる基板２１上に、バッファ層２２、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層２３、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層２４、ｉ−ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層２５、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層２６、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層２７、ｎ＋ＧａＡｓからなるコンタクト層２８を順次積層してなる。バッファ層２２は、図示しないｉ−ＧａＡｓ層、ｉ−ＡｌＧａＡｓ層、ｉ−ＧａＡｓ層、ｉ−ＡｌＧａＡｓ層を順次積層して形成される。
【００１３】
ここで、ｎ＋，ｉ−はエピタキシャル層がそれぞれｎ型、半絶縁性であることを表している。
【００１４】
このIII−Ｖ族化合物半導体２０の製造方法を以下に述べる。
【００１５】
エピタキシャル層を成長させる基板２１をサセプタにセットし、成長炉内で加熱する。成長炉内に原料ガスを供給すると、原料ガスが熱により分解し、基板２１上にエピタキシャル層を成長する。
【００１６】
ｉ−ＧａＡｓ（バッファ層２２のｉ−ＧａＡｓ層）を成長する場合には、Ｇａ原料のＧａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム）とＡｓ原料のＡｓＨ3（アルシン）を基板２１に供給する。なお、Ｇａ原料として他にＧａ（ＣＨ3ＣＨ2）3（トリエチルガリウム）がある。Ａｓ原料として他にＡｓ（ＣＨ3）3（トリメチル砒素）、ＴＢＡ（ターシャリーブチルアルシン）がある。
【００１７】
ｉ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ（スペーサ層２４、スペーサ層２６）を成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3、及びＡｌ原料のＡｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）を基板２１に供給する。なお、Ａｌ原料として他にＡｌ（ＣＨ3ＣＨ2）3（トリエチルアルミニウム）がある。ＡｌxＧａ1-xＡｓとは、ＡｌとＧａの比がｘ：１−ｘであることを意味する。
【００１８】
ｉ−ＩｎyＧａ1-yＡｓ（チャネル層２５）を成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3、及びＩｎ原料のＩｎ（ＣＨ3）3（トリメチルインジウム）を基板２１に供給する。ＩｎyＧａ1-yＡｓとは、ＩｎとＧａの比がｙ：１−ｙであることを意味する。
【００１９】
ｎ＋ＧａＡｓ（コンタクト層２８）を成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3、及びｎ型ドーパントを基板２１に供給する。ｎ型ドーパントの元素としてはＳｉやＳｅ（セレン）がある。Ｓｉ原料としてＳｉＨ4（モノシラン）、Ｓｉ2Ｈ6（ジシラン）がある。Ｓｅ原料としては、Ｈ2Ｓｅ（セレン化水素）がある。
【００２０】
ｎ＋ＡｌＧａＡｓ（電子供給層２３、電子供給層２７）を成長する場合には、Ａｌ（ＣＨ3）3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3、及びＳｉ2Ｈ6を基板２１に供給する。
【００２１】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【００２２】
【特許文献１】特開２００６−２８６７５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ＨＥＭＴデバイスの特性は電子移動度が高いほど向上する。一般的には電子移動度を高くしようとすると、成長温度を最適化する必要がある。ところが、成長温度を最適化するとシートキャリア濃度のウェハ面内のばらつきが大きくなってしまう。
【００２４】
シートキャリア濃度のウェハ面内のばらつきが大きくなると、ＨＥＭＴデバイスの特性ばらつきが大きくなり、歩留りが低下、生産性が低下してしまう。また、シートキャリア濃度を低くすると電子移動度を高くすることができるが、ＨＥＭＴデバイスの特性、特に増幅率が変化してしまうという問題があるため、シートキャリア濃度を変えることはできない。
【００２５】
この問題を解決するため、特許文献１にあるように、図３のIII−Ｖ族化合物半導体２０のチャネル層２５とスペーサ層２４，２６との間に、それぞれｉ−ＧａＡｓ層を挿入し、スペーサ層を２層構造にすることにより、電子移動度の向上が図られている。
【００２６】
図４は、特許文献１のIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【００２７】
図４に示すように、III−Ｖ族化合物半導体３１は、ＧａＡｓからなる基板２１上に、バッファ層２２、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層２３、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層２４、ｉ−ＧａＡｓからなるスペーサ層２９、ｉ−ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層２５、ｉ−ＧａＡｓからなるスペーサ層３０、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層２６、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層２７、ｎ＋ＧａＡｓからなるコンタクト層２８を順次積層した構造である。
【００２８】
しかしながら、この構造では、ＡｌＧａＡｓのみのスペーサ層に比べ、スペーサ層の厚さが厚くなっているため、チャネル層２５中の電子密度が減少し、ピンチオフ電圧が高く、耐圧が低くなってしまう。
【００２９】
そこで、本発明の目的は、これら課題を解決し、高電子密度、高電子移動度のIII−Ｖ族化合物半導体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明は前記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、化合物半導体を用いた半絶縁性の基板上に、バッファ層、電子供給層、スペーサ層、チャネル層、スペーサ層、電子供給層、コンタクト層を有するIII−Ｖ族化合物半導体において、前記チャネル層を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＧａＡｓスペーサ層とＡｌＧａＡｓスペーサ層との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層の単層で構成されるIII−Ｖ族化合物半導体である。
【００３１】
請求項２の発明は、前記一方のスペーサ層のＡｌＧａＡｓスペーサ層のＡｌ組成比が、前記他方のスペーサ層のＡｌ組成比に比べて高くされた請求項１に記載のIII−Ｖ族化合物半導体である。
【００３２】
請求項３の発明は、前記一方のスペーサ層の前記ＡｌＧａＡｓスペーサ層は、そのＡｌ組成比が前記チャネル層側のＧａＡｓスペーサ層に向かって徐々に低くなるように形成された請求項１又は２に記載のIII−Ｖ族化合物半導体である。
【００３３】
請求項４の発明は、化合物半導体を用いた半絶縁性の基板上に、バッファ層、電子供給層、スペーサ層、チャネル層、スペーサ層、電子供給層、コンタクト層を有するIII−Ｖ族化合物半導体において、前記チャネル層を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＡｌxＧａＡｓスペーサ層とＡｌyＧａＡｓスペーサ層（ｘ＞ｙ）との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層で構成されるIII−Ｖ族化合物半導体である。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、電子密度、電子移動度双方を同時に向上させたIII−Ｖ族化合物半導体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００３６】
図１は、本発明の好適な実施の形態を示すIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。図において、エピタキシャル層名称中のｎ＋，ｉ−はエピタキシャル層がそれぞれｎ型、半絶縁性であることを表している。
【００３７】
図１に示すように、本発明の好適な実施の形態に係るIII−Ｖ族化合物半導体１は、化合物半導体を用いた半絶縁性のＧａＡｓからなる基板２上に、バッファ層３、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層４、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層５ｂ、ｉ−ＧａＡｓからなるスペーサ層５ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層６、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層７、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層８、ｎ＋ＧａＡｓからなるコンタクト層９を順次積層してなる。
【００３８】
このとき、スペーサ層５ｂのＡｌ組成比は、スペーサ層７のＡｌ組成比よりも高くするとよい。これは、高電子密度と高電子移動度を両立するためである。
【００３９】
バッファ層３は、基板２上に、図示しないｉ−ＧａＡｓ層、ｉ−ＡｌＧａＡｓ層、ｉ−ＧａＡｓ層、ｉ−ＡｌＧａＡｓ層を順次積層して形成される。
【００４０】
III−Ｖ族化合物半導体１各層の成長方法の一例を説明する。
【００４１】
各層成長時の基板温度は６３０℃、成長炉内圧力は６６６６Ｐａ（５０Ｔｏｒｒ）、希釈用ガスは水素である。
【００４２】
ｉ−ＧａＡｓからなる層（バッファ層３のｉ−ＧａＡｓ層、スペーサ層５ａ）の成長にはＧａ（ＣＨ3）3とＡｓＨ3を用いるとよい。Ｇａ（ＣＨ3）3の流量は５０ｃｃ／分（０．０５Ｌ／分）である。ＡｓＨ3の流量は３１４ｃｃ／分（０．３１４Ｌ／分）である。
【００４３】
ｉ−Ａｌ0.23ＧａＡｓからなる層（バッファ層３のｉ−ＡｌＧａＡｓ層、スペーサ層５ｂ、スペーサ層７）の成長にはＧａ（ＣＨ3）3、Ａｌ（ＣＨ3）3及びＡｓＨ3を用いるとよい。それらの流量はそれぞれ２３．０ｃｃ／分（０．０２３Ｌ／分）、２９．６ｃｃ／分（０．０２９６Ｌ／分）及び３２８ｃｃ／分（０．３２８Ｌ／分）である。
【００４４】
ｉ−Ｉｎ0.20ＧａＡｓからなる層（チャネル層６）の成長にはＧａ（ＣＨ3）3、Ｉｎ（ＣＨ3）3及びＡｓＨ3を用いるとよい。それらの流量はそれぞれ５０ｃｃ／分（０．０５Ｌ／分）、２７５．５ｃｃ／分（０．２７５５Ｌ／分）及び４３１ｃｃ／分（０．４３１Ｌ／分）である。
【００４５】
ｎ＋Ａｌ0.23ＧａＡｓからなる層（電子供給層４、電子供給層８）の成長には、ｉ−Ａｌ0.23ＧａＡｓの成長に使用したＧａ（ＣＨ3）3、Ａｌ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3に加えて５ｐｐｍのＳｉ2Ｈ6を用いるとよい。Ｓｉ2Ｈ6の流量は２９．２ｃｃ／分（０．０２９２Ｌ／分）である。Ｓｉ2Ｈ6以外の流量はｉ−Ａｌ０．２３ＧａＡｓ層の場合と同じである。
【００４６】
ｎ＋ＧａＡｓからなる層（コンタクト層９）の成長には、ｉ−ＧａＡｓの成長に使用したＧａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3に加えて５ｐｐｍのＳｉ2Ｈ6を用いるとよい。Ｓｉ2Ｈ6の流量は１１２．４ｃｃ／分（０．１１２４Ｌ／分）である。Ｓｉ2Ｈ6以外の流量はｉ−ＧａＡｓ層の場合と同じである。
【００４７】
上述した成長方法におけるＡｌ組成比は一例であり、これと異なってもよい。
【００４８】
III−Ｖ族化合物半導体１の基板２の下面に電極を形成すると共に、コンタクト層９の上面に電極を形成し、ダイシングなどによりIII−Ｖ族化合物半導体１１を分割するとＨＥＭＴが得られる。
【００４９】
以下、III−Ｖ族化合物半導体１の作用を説明する。
【００５０】
一般に、III−Ｖ族化合物半導体を用いたデバイスの代表例にＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）があるが、このＨＥＭＴの特性向上のためには、自由電子の動き易さを表す電子移動度（単位はｃｍ2／Ｖ・ｓ）を高くすることが非常に重要である。ＨＥＭＴでは電子供給層にドーピングされたｎ型不純物が自由電子を放出する。放出された自由電子は、チャネル層に貯まる。チャネル層は高純度であるため、不純物による散乱が少なく、電子移動度が高いという特徴がある。
【００５１】
ところが、電子供給層にはｎ型不純物がドーピングされているため、チャネル層の自由電子がイオン散乱される。さらに、微量ではあるが、電子供給層から電子供給層のｎ型不純物がスペーサ層中に拡散する。スペーサ層は、電子供給層中のｎ型不純物によるイオン散乱の影響を少なくする働きがあり、スペーサ層にｎ型不純物が存在してしまうと、電子移動度を低下させる原因になる。
【００５２】
また、同様にＨＥＭＴの特性向上には、チャネル層の電子密度も重要となってくる。ＨＥＭＴでは前記のとおりチャネル層周りにスペーサ層を導入して自由電子の散乱を防いでいる。
【００５３】
しかし、スペーサ層が厚いと、ＡｌＧａＡｓとＩｎＧａＡｓのバンドギャップ差が大きいことに起因して、電子供給層からの電子がチャネル層に供給され難く、チャネル層への電子の供給が十分に行われず、チャネル層での電子密度の低下につながっている。
【００５４】
図３、４に示した従来のIII−Ｖ族化合物半導体２０又は３１では、チャネル層２５の上下両方にＡｌＧａＡｓのみ、もしくはＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとからなるスペーサ層を導入していたが、本発明のIII−Ｖ族化合物半導体１では、チャネル層６の図示下側のスペーサ層をスペーサ層５ｂとスペーサ層５ａからなる２層構造とし、図示上側のスペーサ層をｉ−ＡｌＧａＡｓからなる単層構造とすることで電子移動度、電子密度双方を高めた。
【００５５】
つまり、本発明のIII−Ｖ族化合物半導体１によれば、電子密度、電子移動度双方を同時に向上させることができる。また、電子密度、電子移動度が向上すると、III−Ｖ族化合物半導体１を用いたＨＥＭＴデバイスの特性も向上し、衛星放送受信用パラボラアンテナの小型化や携帯電話の低消費電力化などの効果が期待できる。
【００５６】
III−Ｖ族化合物半導体１の変形例として、スペーサ層５ｂのＡｌ組成比を、チャネル層６側のスペーサ層５ａに向かって徐々に低くなるようなグレーディッドとしてもIII−Ｖ族化合物半導体１の効果を得られ、それに加えて、電子供給層とチャネル層とのバンドギャップ差を緩やかに変移させる効果も得られる。
【００５７】
また、III−Ｖ族化合物半導体１のスペーサ層５ａの原料をｉ−ＧａＡｓに代えてｉ−ＡｌxＧａＡｓとし、スペーサ層５ｂの原料をｉ−ＡｌＧａＡｓに代えてＡｌyＧａＡｓ（このときｘ＞ｙとする）としても同様の効果を得られる。
【００５８】
また例えば「ＡｌxＧａＡｓ」はＡｌxＧａ1-xＡｓであることを意味する。他の化合物についても同様である。
【００５９】
次に、本発明の他の実施の形態を示すIII−Ｖ族化合物半導体について説明する。
【００６０】
図２は、本発明の他の実施の形態を示すIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【００６１】
図２に示すように、III−Ｖ族化合物半導体１０は、基本的には図１のIII−Ｖ族化合物半導体１と同様の構成であるので同一の機能を有する層には同様の符号を付した。
【００６２】
図１のIII−Ｖ族化合物半導体１では、チャネル層６を境に、図示下側のスペーサ層を２層構造とし、図示上側のスペーサ層を単層構造としたが、図２のIII−Ｖ族化合物半導体１０では、上側のスペーサ層を、チャネル層６側から、ｉ−ＧａＡｓからなるスペーサ層７ａとｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層７ｂとで構成された２層構造とし、下側のスペーサ層をｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層５からなる単層構造とした。
【００６３】
つまり、III−Ｖ族化合物半導体１０は、化合物半導体を用いた半絶縁性のＧａＡｓからなる基板２上に、バッファ層３、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層４、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層５、ｉ−ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層６、ｉ−ＧａＡｓからなるスペーサ層７ａ、ｉ−ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層７ｂ、ｎ＋ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層８、ｎ＋ＧａＡｓからなるコンタクト層９を順次積層して構成される。
【００６４】
この場合、スペーサ層７ｂのＡｌ組成比は、スペーサ層５のＡｌ組成比よりも高くするとよい。
【００６５】
III−Ｖ族化合物半導体１０によれば、III−Ｖ族化合物半導体１と同様に電子密度、電子移動度双方を同時に向上させることができる。その他の効果についても同様である。
【００６６】
III−Ｖ族化合物半導体１０の変形例として、スペーサ層７ｂのＡｌ組成比を、チャネル層６側のスペーサ層７ａに向かって徐々に低くなるようなグレーディッドとしても同様の効果が得られる。
【００６７】
また、III−Ｖ族化合物半導体１０のスペーサ層７ａの原料をｉ−ＧａＡｓに代えてｉ−ＡｌxＧａＡｓとし、スペーサ層７ｂの原料をｉ−ＡｌＧａＡｓに代えてＡｌyＧａＡｓ（このときｘ＞ｙとする）としても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施の形態を示すIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示すIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【図３】従来のIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【図４】従来のIII−Ｖ族化合物半導体の断面構造図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  III−Ｖ族化合物半導体
２  基板
３  バッファ層
４  電子供給層
５  スペーサ層
６  チャネル層
７  スペーサ層
８  電子供給層
９  コンタクト層
【図１】
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【図２】
2010040556.tif 000004
【図３】
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【図４】
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