(57)【要約】【課題】高価な金(Au)を経済的に使用することができる半導体デバイスの電極形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける半導体基板の裏面に電極を形成する半導体デバイスの電極形成方法であって、半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域と対応する領域に開口が形成されたマスク部材を貼着するマスキング工程と、マスキング工程が実施された半導体基板の裏面に金をスパッタリングによって積層し半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域に電極を形成する電極形成工程と、電極形成工程が実施された半導体基板の裏面に貼着されているマスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、マスク部材剥離工程によって剥離されたマスク部材に積層されている金を回収する金回収工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける該半導体基板の裏面に電極を形成する半導体デバイスの電極形成方法であって、
該半導体基板の裏面における該デバイスの電極領域と対応する領域に開口が形成されたマスク部材を貼着するマスキング工程と、
該マスキング工程が実施された該半導体基板の裏面に金をスパッタリングによって積層し、該半導体基板の裏面における該デバイスの電極領域に電極を形成する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施された該半導体基板の裏面に貼着されている該マスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、
該マスク部材剥離工程によって剥離されたマスク部材に積層されている金を回収する金回収工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスを形成するとともに、半導体基板の裏面に電極を形成する半導体デバイスの電極形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体基板の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に、IC,LSI、IBGT(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等のデバイスを形成する。絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等の個別半導体デバイスの裏面には電極となる金属層が積層されている。半導体基板の表面に絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等が形成された半導体ウエーハは、半導体基板の裏面に金属層を積層した後に、ストリートに沿って切断し個々のデバイスに分割している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平１０−９２７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
而して、半導体基板の裏面に積層する電極となる金属層は金(Au)によって形成されており、半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域以外の領域にも高価な金(Au)による層を形成することは不経済である。
【０００４】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、高価な金(Au)を経済的に使用することができる半導体デバイスの電極形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける該半導体基板の裏面に電極を形成する半導体デバイスの電極形成方法であって、
該半導体基板の裏面における該デバイスの電極領域と対応する領域に開口が形成されたマスク部材を該半導体基板の裏面に貼着するマスキング工程と、
該マスキング工程が実施された該半導体基板の裏面に金をスパッタリングによって積層し、該半導体基板の裏面における該デバイスの電極領域に電極を形成する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施された該半導体基板の裏面に貼着されている該マスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、
該マスク部材剥離工程によって剥離されたマスク部材に積層されている金を回収する金回収工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの電極形成方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による半導体デバイスの電極形成方法においては、半導体基板の裏面における該デバイスの電極領域と対応する領域に開口が形成されたマスク部材を半導体基板の裏面に貼着し、半導体基板の裏面に金をスパッタリングによって積層して半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域に電極を形成するので、半導体基板に積層される金は必要最小限となる。そして、上記スパッタリングにおいてマスク部材の表面に積層されている金は回収されるので、高価な金を再使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明による半導体デバイスの電極形成方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【０００８】
図１には、本発明による半導体デバイスの電極形成方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが１００μmのシリコンからなる半導体基板２０の表面２０ａに格子状に形成されて複数のストリート２１によって区画された複数の矩形領域が形成され、この複数の矩形領域に絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等のデバイス２２が形成されている。
【０００９】
上述した半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０ａには、デバイス２２を保護するために図２に示すように保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）。
【００１０】
次に、図３の(a)および(b)に示すように、上記半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２の電極領域と対応する領域に開口４1が形成されたマスク部材４を半導体基板２０の裏面２０bに貼着するマスキング工程を実施する。なお、マスク部材４は適宜の合成樹脂シートからなり、半導体基板２０の表面２０ａに形成されたデバイス２２の電極領域に対応する領域が打ち抜かれて複数の開口４1が形成されている。このように形成されたマスク部材４の裏面に粘着材が塗布され、この粘着材によって半導体基板２０の裏面２０bに貼着する。なお、マスキング工程は、半導体基板２０の裏面２０bにホトレジスト膜を被覆し、電極領域を露光して開口を形成してもよい。
【００１１】
上述したマスキング工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに金をスパッタリングによって積層し、半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２の電極領域に電極を形成する電極形成工程を実施する。この電極形成工程は、図４に示すスパッタ装置５を用いて実施する。図４に示すスパッタ装置５は、スパッタチャンバー５１を形成するハウジング５２と、該ハウジング５２のスパッタチャンバー５１内に配設され被加工物を保持する陽極となる静電吸着式の保持テーブル５３と、該保持テーブル５３と対向して配設され積層する金(Au)からなるターゲット５４を取り付ける陰極５５と、ターゲット５４を励磁する励磁手段５６と、陰極５５に高周波電圧を印加する高周波電源５７とからなっている。なお、ハウジング５２には、スパッタチャンバー５１内を図示しない減圧手段に連通する減圧口５２１と、スパッタチャンバー５１内を図示しないスパッタガス供給手段に連通する導入口５２２が設けられている。
【００１２】
上記のように構成されたスパッタ装置５を用いて上述した電極形成工程を実施するには、保持テーブル５３上に上述したマスキング工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３側を載置し、静電吸着保持する。従って、保持テーブル５３上に静電吸着保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着されたマスク部材４が上側となる。次に、励磁手段５６を作動してターゲット５４を励磁するとともに、陰極５５に高周波電源５７から例えば４０kHzの高周波電圧を印加する。そして、図示しない減圧手段を作動してスパッタチャンバー５１内を１０−２Pa〜１０−4Pa程度に減圧するとともに、図示しないスパッタガス供給手段を作動してスパッタチャンバー５１内にアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる。従って、プラズマ中のアルゴンガスが陰極５５に取り付けられた金からなるターゲット５４に衝突し、この衝突によって飛散する金粒子はマスク部材４および該マスク部材４に形成された複数の開口４１を通して半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに金層が堆積する。この結果、図５に示すように半導体基板２０の表面２０aには、デバイス２２の電極領域に金(Au)の層からなる電極２４が形成される。一方、マスク部材４の表面にも金(Au)の層２４０が積層される。
【００１３】
上述した電極形成工程を実施したならば、図６に示すように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着されているマスク部材４を剥離するマスク部材剥離工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bには、デバイス２２の電極領域に金(Au)からなる複数の電極２４が形成されている。そして、半導体基板２０の裏面２０bから剥離されたマスク部材４の表面には金(Au)の層２４０が積層されている。
【００１４】
以上のようにして半導体基板２０の裏面２０bにおける複数のデバイス２２の電極領域に金(Au)からなる複数の電極２４が形成された半導体ウエーハ２は、次工程である分割工程において、切削装置等によりストリート２２に沿って切断され、裏面に電極２４が形成された個々のデバイス２２に分割される。
【００１５】
一方、マスク部材４の表面には上述したように金(Au)の層２４０が積層されており、この金(Au)を廃棄することは不経済であるため回収する。この回収方法としては、例えば図７に示すように金(Au)の層２４０が積層されているマスク部材４を燃焼炉６に投入し、合成樹脂からなるマスク部材４を焼却することにより、マスク部材４の表面に積層されている金(Au)を回収する（金回収工程）。
【００１６】
以上のように、図示の実施形態においては、半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２の電極領域と対応する領域に開口４1が形成されたマスク部材４を半導体基板２０の裏面２０bに貼着し、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに金(Au)をスパッタリングによって積層して半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２の電極領域に電極を形成するので、半導体基板２０の裏面２０bに積層される金(Au)は必要最小限となる。そして、上記スパッタリングにおいてマスク部材４の表面に積層されている金(Au)の層２４０は回収されるので、高価な金(Au)を再使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による半導体デバイスの電極成形方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明による半導体デバイスの電極成形方法におけるマスキング工程を示す説明図。
【図４】本発明による半導体デバイスの電極成形方法における電極形成工程を示す説明図。
【図５】図４に示す電極形成工程が実施された半導体ウエーハの断面拡大図。
【図６】本発明による半導体デバイスの電極成形方法におけるマスク部材剥離工程を示す説明図。
【図７】本発明による半導体デバイスの電極成形方法における金回収工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００１８】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体基板
２１：ストリート
２２：デバイス
２４：電極
３：保護テープ
４：マスク部材
５：スパッタ装置
５１：スパッタチャンバー
５３：保持テーブル
５４：ターゲット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記のように構成されたスパッタ装置５を用いて上述した電極形成工程を実施するには、保持テーブル５３上に上述したマスキング工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３側を載置し、静電吸着保持する。従って、保持テーブル５３上に静電吸着保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着されたマスク部材４が上側となる。次に、励磁手段５６を作動してターゲット５４を励磁するとともに、陰極５５に高周波電源５７から例えば４０kHzの高周波電圧を印加する。そして、図示しない減圧手段を作動してスパッタチャンバー５１内を１０−２Pa〜１０−4Pa程度に減圧するとともに、図示しないスパッタガス供給手段を作動してスパッタチャンバー５１内にアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる。従って、プラズマ中のアルゴンガスが陰極５５に取り付けられた金からなるターゲット５４に衝突し、この衝突によって飛散する金粒子はマスク部材４および該マスク部材４に形成された複数の開口４１を通して半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに金層が堆積する。この結果、図５に示すように半導体基板２０の裏面２０bには、デバイス２２の電極領域に金(Au)の層からなる電極２４が形成される。一方、マスク部材４の表面にも金(Au)の層２４０が積層される。