(57)【要約】【課題】液晶滴下法を用いて作成された液晶表示パネルの信頼性を向上させる方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板２および対向基板３の少なくとも一方の基板の表示領域の外側（周辺領域）に、光硬化型樹脂または併用型樹脂からなるシール剤８ａを用いてシール層８を環状に形成する。光開始重合剤は、その含有量が０．０１〜１ｗｔ％の範囲内であり、かつ３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有する。シール層８の枠内に液晶９ａを滴下した後、減圧下においてＴＦＴ基板２と対向基板３とを重ね合わせる。次いで、大気圧下に戻して、液晶９ａをシール層８の枠内に隈なく密封した後、シール層８にＵＶ照射、または、必要に応じて熱処理を施してシール剤８を硬化させ、ＴＦＴ基板２と対向基板３とを接着させる。これによりパネル周辺の配向不良の発生が抑えられ、液晶パネルの信頼性が向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向位置に表示領域を有すると共に前記表示領域の周囲に周辺領域を有し、少なくとも一方の基板の前記周辺領域に、紫外線を遮断する材料からなる配線を有する、一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の対向方向から見て前記配線と少なくとも一部が重なるように設けられると共に、前記液晶層を封止するシール層とを備え、
前記シール層は、光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂からなると共に光重合開始剤を含有し、
前記光重合開始剤は、その含有量が０．０１〜１ｗｔ％の範囲であり、３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有する、液晶表示装置。
【請求項２】
前記配線は開口を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配線の開口に紫外線が透過可能な透明導電層が埋設されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に遮光膜を有し、前記一対の基板の対向方向から見て前記遮光膜と前記シール層とが重なっている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
対向位置に表示領域を有すると共に前記表示領域の周囲に周辺領域を有し、少なくとも一方の基板の前記周辺領域に紫外線を遮断する材料からなる配線を有する、一対の基板の、いずれか一方の基板の前記周辺領域に光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂からなるシール層を環状に形成する工程と、
前記シール層の枠内に液晶を滴下する工程と、
前記一対の基板を減圧下で重ね合わせた後、大気圧下に戻すことにより前記一対の基板間に液晶層を形成する工程と、
前記液晶層を形成した後、光照射により前記シール層を硬化させる工程とを含み、
前記光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂は光重合開始剤を含有し、
前記光重合開始剤は、その含有量が０．０１〜１％の範囲であり、３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有する、液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶滴下法を用いて作製される液晶表示装置、およびその製造方法に関する。
【０００２】
液晶表示装置は駆動基板と対向基板との間に液晶層を備えている。駆動基板（ＴＦＴ基板）には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）素子層、画素電極層、平坦化層および配向膜が設けられている。一方、対向基板には、ＢＭ層（Black Matrix；ブラックマトリクス）（額縁領域）、ＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）層、共通電極および配向膜が設けられている。また、これら駆動基板と対向基板との間にはシール層が設けられており、両基板を接着させると共に液晶が漏れることを防止している。
【０００３】
このような構造の液晶表示装置において、画素基板と対向基板との間に液晶層を形成するための方法として、画素基板と対向基板とを貼り合わせた後に液晶を注入するという、真空注入法が用いられている。しかし、この方法は液晶の注入に長時間を要するため、基板を大面積化する場合には生産性が劣るという問題があった。
【０００４】
この問題を解決するためにＯＤＦ（One Drop Fill；液晶滴下）法という方法が開発されている。この方法は、二枚の基板を貼り合わせて封止する前に、一方の基板に液晶材料を滴下するものである（例えば特許文献１）。このＯＤＦ法では、シール層を構成する材料（シール剤）としてＵＶ（Ultraviolet ；紫外線）硬化型シール剤または併用型のシール剤が用いられている。また、この特許文献１には、液晶を滴下し、二枚の基板を重ね合わせた後、加圧ローラを用いて液晶を展延させて液晶を簡便に短時間で封止することも開示されている。これにより量産化が可能となると共に、中小型液晶表示装置の場合には液晶を封入するための注入口が不要となるため、注入口を封止するための基板厚みが不必要となり、薄型化が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１８６３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の方法においては、シール剤で囲まれた領域の液晶は、硬化されていないシール剤と接触することになり、この接触により液晶が汚染され、また配向膜も汚染される可能性が高い。このような状態でシール剤の硬化のために紫外線を照射すると、シール剤近辺、すなわちパネル周辺の配向不良が起こり、画像特性に影響を及ぼすと共に液晶パネルの信頼性が低下するという問題があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、シール剤に起因した画像特性の低下を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶表示装置は、以下の構成要素（Ａ１）〜（Ｄ１）を備えたものである。
（Ａ１）対向位置に表示領域を有すると共に前記表示領域の周囲に周辺領域を有し、少なくとも一方の基板の前記周辺領域に、紫外線を遮断する材料からなる配線を有する、一対の基板
（Ｂ１）一対の基板間に挟持された液晶層
（Ｃ１）一対の基板の対向方向から見て配線と少なくとも一部が重なるように設けられると共に液晶層を封止するシール層
（Ｄ１）シール層は、光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂からなると共に光重合開始剤を含有し、光重合開始剤は、その含有量が０．０１〜１ｗｔ％の範囲であり、３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有すること
【０００９】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、以下の工程（Ａ２）〜（Ｄ２）を含むものである。
（Ａ２）対向位置に表示領域を有すると共に表示領域の周囲に周辺領域を有し、少なくとも一方の基板の周辺領域に紫外線を遮断する材料からなる配線を有する、一対の基板の、いずれか一方の基板の周辺領域に光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂からなるシール層を環状に形成する工程
（Ｂ２）シール層の枠内に液晶を滴下する工程
（Ｃ２）一対の基板を減圧下で重ね合わせた後、大気圧下に戻すことにより一対の基板間に液晶層を形成する工程
（Ｄ２）液晶層を形成した後、シール層を硬化させる工程と
（Ｅ２）光硬化型樹脂あるいは併用型樹脂は光重合開始剤を含有し、光重合開始剤は、その含有量が０．０１〜１ｗｔ％の範囲であり、３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有すること
【００１０】
本発明の液晶表示装置およびその製造方法においては、液晶層を封止するシール層に、光重合開始剤を含む光硬化型樹脂または併用型樹脂からなるシール剤が用いられる。この樹脂中の光重合開始剤の含有量が０．０１〜１ｗｔ％であり、かつ光重合開始剤の波長ピークが３２０〜４２０ｎｍの波長ピークであることにより、シール剤の硬化が効率よくなされる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の液晶表示装置およびその製造方法では、液晶層を封止するシール層に、光重合開始剤を含む光硬化型樹脂または併用型樹脂からなるシール剤を用いると共に、その光重合開始剤の含有量を０．０１〜１ｗｔ％とし、かつ３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有するものとしたので、シール剤を効率よく硬化させることができ、表示パネルの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】パネル全体の構成を表す平面図である。
【図３】ＴＦＴ基板の構成を表す平面図である。
【図４】対向基板の構成を表す平面図である。
【図５】液晶パネルの分解斜視図である。
【図６】液晶滴下法の説明するための工程フロー図である。
【図７】シール描画の工程を表す図である。
【図８】液晶滴下の工程を表す図である。
【図９】基板の粗合わせの工程を表す図である。
【図１０】基板の重ね合わせの工程を表す図である。
【図１１】ＵＶ照射の工程を表す図である。
【図１２】基板分断の工程を表す図である。
【図１３】ＵＶランプの相対分光分布を表す図である。
【図１４】第２の実施の形態に係るＴＦＴ基板の構成を表す平面図である。
【図１５】ＴＦＴ基板上の配線と開口との関係を表す図である。
【図１６】第２の実施の形態の変形例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
［第１の実施の形態］
（１）液晶表示パネルの全体構成
（２）液晶表示パネルの製造方法
［第２の実施の形態（配線に紫外線透過用の開口を設けた例）］
［変形例（開口に透明層を設けた例）］
【００１４】
［第１の実施の形態］
本発明は、主に透過型の液晶表示パネルで記載しているが、半透過型でも反射型の液晶表示パネルでも実施することができる。
［全体構成］
図１は本発明の一実施の形態に係る透過型の液晶表示パネル（液晶表示装置）１の断面構成を表すものであり、図２はこのパネル全体の平面構成を表したものである。この液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板（駆動基板）２と対向基板３との間にシール層８で封止された液晶層９を備えている。
【００１５】
ＴＦＴ基板２および対向基板３はそれぞれ対向する位置に表示領域（画素領域）１１Ａを有し、この表示領域１１Ａを囲む領域が周辺領域１１Ｂとなっている。シール層８はこの周辺領域１１Ｂに設けられ、表示領域１１Ａに設けられた液晶層９を封止している。
【００１６】
図３（Ａ）はＴＦＴ基板２の平面構成、図３（Ｂ）は図３（Ａ）中の周辺配線１３の一部を拡大したものである。ＴＦＴ基板２は、ガラス基板上に例えばマトリクス状に複数の画素電極６を配置したものである。このＴＦＴ基板２上には、更に、これら複数の画素電極６をそれぞれ駆動するためのＴＦＴ素子や、これらＴＦＴ素子に接続されるゲート線およびソース線等（いずれも図示せず）が設けられている。画素電極６は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する導電材料により形成されており、ガラス基板上でサブ画素（図示せず）ごとに設けられている。
【００１７】
ＴＦＴ基板２の周辺領域１１Ｂには表示領域１１Ａの画素を駆動するための周辺配線１３が設けられており、この周辺配線１３の上にシール層８が設けられている。周辺配線１３はここでは図３（Ｂ）に拡大して示すように互いに平行に配設された複数の配線１３ａにより構成されている。ＴＦＴ基板２側から入射した紫外線はこれら配線１３ａ，１３ａ間の隙間１３ｂを通じてシール層８に照射されるようになっている。配線１３ａは紫外線を透過しない材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）などの金属により形成されている。
【００１８】
図４は対向基板３の平面構成を表したものである。対向基板３は、ガラス基板上に、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のフィルタがストライプ状に設けられたカラーフィルタ５を有すると共に、このカラーフィルタ５上の有効表示領域のほぼ全面に亘って対向電極７を有するものである。対向電極７は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide; インジウム錫酸化物）等の透明性を有する導電材料により構成されている。対向電極７とＴＦＴ基板２側の画素電極６との間には、両基板間のギャップを保つためのスペーサ１０が設けられている。スペーサ１０は例えば感光性ネガ型樹脂により形成されている。
【００１９】
対向基板３のカラーフィルタ５を囲む周辺領域１１Ｂに遮光膜（額縁またはブラックマトリックス）１２が設けられている。シール層８はこの遮光膜１２とＴＦＴ基板２側の周辺配線１３との間に設けられている。
【００２０】
ＴＦＴ基板２の裏面には偏光板４Ａ、対向基板３の上面には偏光板４Ｂが配設されている。偏光板４は、特定の方向に振動する偏光を透過させる。
【００２１】
液晶層９は、例えば垂直配向型の場合、負の誘電率異方性を有する液晶分子と、この液晶分子を配向膜（図示せず）との界面近傍で保持するポリマー構造とを含んでいる。液晶分子は、その長軸方向の誘電率が短軸方向よりも大きいという性質を有している。この性質により、駆動電圧がオフのときは、液晶分子の長軸が基板に対して垂直になるように配列し、駆動電圧がオンになると、液晶分子の長軸が基板に対して平行になるように傾いて配向する。これにより画像が液晶表示パネルに映し出される。
【００２２】
図４は図１に示した液晶表示パネル１のうちＴＦＴ基板２および対向基板３の斜視構造を表したものである。ここではＴＦＴ基板２の各画素にそれぞれ画素電極６が形成されている状態を示している。また、対向基板３の各画素には、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）のカラーフィルタ５Ａ〜５Ｃが配置されている。
【００２３】
シール層８は、例えば併用型樹脂シール剤により構成されている。併用型樹脂は光硬化型樹脂および熱硬化型樹脂を含むものであり、ＵＶ照射および加熱により硬化する。また光硬化型樹脂のシール剤も使用することができる。光硬化型樹脂としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂が用いられる。熱硬化型樹脂としては例えばエポキシ樹脂が用いられる。
【００２４】
光硬化型樹脂および併用型樹脂は光重合開始剤を含むものであるが、好ましくはその光重合開始剤の（樹脂全体に対する）含有量を０．０１〜１ｗｔ％とし、かつ３２０〜４２０ｎｍの波長ピークを有する。これによりシール剤を効率よく硬化させることができるものである。以下に、説明を記述する。
【００２５】
一般的に使用される光重合開始剤（主に短波長側に波長ピークを有する）の含有率３％のシール剤（ＵＶエポキシ樹脂）を用いて液晶パネルを製造すると、光重合開始材が液晶パネル内に溶出し、焼き付き不良が発生すると共に液晶配向不良が発生する。以下に、含有される光重合開始剤を０．００１ｗｔ％，０．０１ｗｔ％，１ｗｔ％，３ｗｔ％と濃度を変えたシール剤を用いて製造した場合の結果を記す。なお、下記の硬化率はシール剤にＵＶ光が十分に照射されている条件下のものである。
【００２６】
含有率０．００１ｗｔ％の場合には、シール剤の硬化率は約８０％となり、シール剤の未硬化成分、特にエポキシ成分が液晶パネル内に溶出しやすくなる。これにより液晶パネルの周辺部分から徐々に配向不良が発生し、最終的にはコントラストの低下を引き起こした。含有率０．０１ｗｔ％の場合には、シール剤の硬化率は約９５％以上を示し、液晶パネル内の他の材料への影響も見られず、良好な表示特性の液晶パネルを得ることができた。含有率１％の場合も同様に、シール剤の硬化率は９７％以上を示し、液晶パネル内の他の材料への影響も見られず、良好な表示特性の液晶パネルを得ることができた。最後に、含有率３ｗｔ％の場合には、シール剤の硬化率は、ほぼ１００％に近い状況を得ることができた。しかし、光重合開始剤などの低分子が液晶に溶出し、シール層８付近、すなわちパネル周辺に配向不良が発生しやすく、また、この配向不良は配線に沿って発生することもある。これらの液晶層に溶出したシール剤成分の影響で、焼き付きなどの表示不良が発生することも考えられる。以上の結果から、含有率が０．０１〜１ｗｔ％であれば、重合開始剤の液晶への流出を防止しつつ、シール剤の硬化率を高くすることができる。即ち、表示品位が高く、良好な液晶表示パネルを得ることが可能となる。
【００２７】
次に、光重合開始剤の波長ピークの範囲について説明する。図１２は、ＵＶランプの相対分光分布を表すグラフである。このグラフを基に、上記３２０〜４２０ｎｍおよびその周辺波長にピークを有する光重合開始剤を含むシール剤を用いて液晶パネルを製造した。以下はその結果である。
【００２８】
含有率３％、３２０ｎｍより短波長側に波長ピークを有する光重合開始剤を用いた場合には、反応性の高さからシール材料は効率よく硬化したが、液晶パネル内の有機材料、例えば、液晶材料や配向膜材料などに悪影響を及ぼしやすい。これにより製造された液晶パネルは、表示不良の発生を引き起こしやすく、信頼性の低下がみられた。因みに、光重合開始剤の含有量は３％に限らず、上記０．０１〜１ｗｔ％の範囲内においても同様の検討を行ったが、いずれの条件においても同様の傾向が見られた。
【００２９】
波長ピークが３２０ｎｍ〜４２０ｎｍを有する光重合開始剤を用いた場合には、含有率０．０１〜１ｗｔ％の範囲内において、配向不良のない液晶パネルを得ることができた。
【００３０】
波長ピークが４２０ｎｍよりも長波長側にある光重合開始剤を用いた場合は、十分に硬化するまでに時間がかかり、シール剤の主成分が液晶パネル内に溶出してしまう可能性も懸念される。このような条件下では、液晶パネル周辺部に液晶配向不良が発生し、正常な動作を行うことができなくなる。
【００３１】
以上の結果から、硬化型樹脂または併用型樹脂に含有される光重合開始剤は、波長ピーク３２０〜４２０ｎｍ、含有量０．０１〜１ｗｔ％の範囲内であることが好ましいことが分かる。また、例えば、波長ピーク３８０ｎｍを有する光重合開始剤が最も好ましい。
【００３２】
このような構成において、本実施の形態の液晶表示パネル１では、上下に配置された画素電極６および対向電極７に所定の電圧が加圧されると、液晶層９が駆動されて画像が映し出される。
【００３３】
［製造方法］
次に、本実施の形態の液晶表示パネル１の製造方法について図５の工程フロー図および図６〜図１０を参照しつつ説明する。
【００３４】
まず、ガラスなどからなる透明基板上に、液晶表示パネル１を形成する上で必要な部材を形成する。すなわち、２枚の透明基板を用意し、一方の透明基板上にＴＦＴ、ドレインバスライン、ゲートバスライン（いずれも図示せず）および画素電極６などを形成し、その上に配向膜（図示せず）を形成してＴＦＴ大判基板１４（ＴＦＴ基板２）を得る。他方の透明基板上には、Ｒ（赤) ，Ｇ（緑) ，Ｂ（青) のカラーフィルタ５とＩＴＯ膜からなる対向電極７とを所定の位置に形成し、その上に配向膜（図示せず）を形成し、またその周囲に遮光膜１２を形成することにより対向大判基板１５（対向基板３）を得る。
【００３５】
ＴＦＴ大判基板１４および対向大判基板１５を形成した後、図５に示した液晶滴下法の工程フロー図に従って液晶表示パネル１を作製する。シール描画を行う大判基板は、ＴＦＴ大判基板１４あるいは対向大判基板１５のどちらでもよく、以下、説明の都合上、対向大判基板１５に、上記条件を満たした併用型のシール剤８ａを塗布する場合を例とする。すなわち、対向大判基板１５に対して、表示領域１１Ａを囲むようにシール剤８ａによるシール描画を行う（ステップＳ１０１）。続いて、対向大判基板１５の枠内に必要な量の液晶を滴下していく（ステップＳ１０２）。次に、貼り合わせ装置にＴＦＴ大判基板１４および対向大判基板１５を投入し、粗合わせ（ステップＳ１０３）を行った後、基板を重ね合わせる（ステップＳ１０４）。そののち、シール剤８ａに硬化に必要なＵＶ積算光量を照射し（ステップＳ１０５Ａ）、所定の加熱条件で熱硬化を実施する（ステップＳ１０５Ｂ）。そして、大判基板から各パネルサイズに基板を分断する（ステップＳ１０６）。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３６】
（１．シール描画）
図６は大判基板へのシール剤８ａの描画工程を表すものである。液晶を封入する表示領域１１Ａを囲むように、大判基板の表面にＵＶ硬化型のシール剤８ａを、１パネル分ずつ塗布する。このときに塗布するシール剤８ａは、シールディスペンサ１６からシール線幅および液晶層９のギャップに応じたシール量を対向大判基板１５に形成された遮光膜１２の上に塗布する。
【００３７】
（２．液晶滴下）
図７は対向大判基板１５への液晶滴下工程を表したものである。対向大判基板１５のシール剤８ａを塗布した領域内、すなわち対向基板３（１パネル）ごとに、液晶ディスペンサ１７から液晶９ａを滴下する。このときは液晶９ａを１箇所に滴下してもよいし、数ヶ所に分けて滴下してもよい。
【００３８】
（３．基板粗合わせ）
図８はＴＦＴ大判基板１４と対向大判基板１５との粗合わせ工程を表すものである。液晶９ａが滴下された対向大判基板１５は貼り合わせ装置（図示せず）内のステージ上に設置される。一方、ＴＦＴ大判基板１４も装置内に搬入され、装置内の支持具によって支持される。次に、装置の排気弁が開き、排気口から真空排気されることにより、装置内の処理室が減圧状態になる。次いで、ＴＦＴ大判基板１４と対向大判基板１５とが対向配置され、弱く加圧されて粗合わせが行われる。
【００３９】
（４．基板重ね）
図９はＴＦＴ大判基板１４と対向大判基板１５とを精密に重ね合わる工程を表すものである。すなわち、粗合わせがなされたＴＦＴ大判基板１４および対向大判基板１５を大気中に取出し、ＴＦＴ大判基板１４および対向大判基板１５の各画素領域１１Ａが対向するように精密な位置合わせをする。この工程によって滴下された液晶９ａはシール剤８ａで囲まれた領域のほぼ全面に行き渡り、液晶層９となる。
【００４０】
（５．シール硬化）
図１０は、重ね合わせた基板にＵＶ照射を行いシール剤を硬化させる工程を表したものである。液晶９ａはＴＦＴ基板２（１パネル分）と対向基板３（１パネル分）の隙間にシール剤８ａによって密封される。その後、シール剤８ａに対して、ＵＶ照射装置３０により紫外線を、十分硬化する条件、例えばＵＶ照射量５０００ｍＪにて硬化させる。このとき紫外線はＴＦＴ大判基板１４側から入射されるが、紫外線は周辺配線１３の各配線１３ａ間の隙間１３ｂからシール剤８ａへ到達する。
【００４１】
なお、このとき液晶や配向膜などの有機材料にダメージを与えないように光硬化させる必要がある。例えば、ＵＶ照射装置のＵＶランプとしては、メタルハライドランプを用いることが好ましく、ＬＥＤマトリクスＵＶ光源、あるいは、高圧水銀ランプを用いてもよい。また、シール剤８ａが併用型の場合には、ＵＶ照射後、シール剤８ａの熱硬化が十分に行われる条件、例えば、温度１３０℃，２時間の条件で、熱処理にてシール硬化をさせる。
【００４２】
（６．基板分断）
図１１は、大判基板を１パネルごとに分断する工程を表すものである。すなわち、ＴＦＴ大判基板１４と対向大判基板１５を貼り合せたものを、各パネルサイズにスクライブライン１８に沿って分断する。
【００４３】
以上の工程により図１に示した液晶表示装置１が完成する。このように本実施の形態によれば、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間の液晶層９を封止するシール剤として、波長ピーク３２０〜４２０ｎｍ、含有量０．０１〜１ｗｔ％の範囲内の光開始重合剤を含有する光硬化型樹脂または併用型樹脂を用いるようにしたので、シール剤を効率よく硬化することができる。すなわち、表示領域（アクティブエリア）内へのシール成分の溶出が抑制され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００４４】
［第２の実施の形態］
本実施の形態は、図１３に示したように、周辺配線１３に対して紫外線透過用の開口１９を設けるものである。このような構成により、本実施の形態では、紫外線は開口１９を透過し、これにより短時間に効率よくシール剤８ａを硬化させることができる。なお、その他の構成要素および工程については第１の実施の形態と同様であり、その説明は省略する。
【００４５】
図１４はこの配線１３ａに対する開口１９の大きさの例を説明するためのものである。ここで、開口１９の幅をｗ（μｍ）、開口１９が設けられたことによる配線１３ａの実質的な電流路の幅をＷ（μｍ）とし、Ｗ／ｗについて以下の３つの例について検討した。
Ｗ／ｗ＝９０／１０＜設計Ａ＞，１９０／１０＜設計Ｂ＞，１９５／５＜設計Ｃ＞
設計Ａおよび設計Ｂに関しては、十分に光が照射されないところでも開口１９により光硬化反応が進み、十分な硬化率を得ることができた。設計Ｃに関しても同様であるが、この場合にはシール剤８ａの端部と開口１９が接するようにすることが望ましい。
【００４６】
以上の結果から、周辺配線１３に開口１９を設けることにより、短時間に効率よくシール剤８ａを硬化させることが可能となる。これによりパネルの信頼性がさらに向上するものである。
【００４７】
更に、本実施の形態では、図１５に示したように、開口１９にはＩＴＯ等の紫外線が透過可能な導電材料などからなる透明層２０を埋設させるようにしてもよい。このように開口１９に導電性の透明層２０を設けることにより、図１３の例よりも配線抵抗が低下し，より好ましい。
【００４８】
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、中小型直視向け液晶表示パネルを前提に説明したが、大型直視向け液晶パネルにも用いることができる。また、直視型液晶表示装置だけでなく、投射型液晶プロジェクタの液晶パネルにも同様に適用することができる。更に、透過型に限らず、半透過型や反射型の液晶パネルでもよい。
【００４９】
また、第２の実施の形態において開口１９の形状を矩形としたが、その形状は任意であり、例えば正方形，円形，楕円形状など、パネル周辺の配線設計の状況に応じて種々変更可能である。また、開口の大きさについても上記設計例Ａ〜Ｃに限定されるものではなく、開口率を確保できるものであれば、その他の例でもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１…液晶表示装置、２…ＴＦＴ基板、３…対向基板、４…偏光板、５…カラーフィルタ、６…画素電極、７…対向電極、８…シール層、８ａ…シール剤、９…液晶層、９ａ…液晶、１０…フォトスペーサ、１１…画素領域、１２…額縁領域、１３，１３ａ…配線、１４…ＴＦＴ大判基板、１５…対向大判基板、１６…シールディスペンサ、１７…液晶滴下用ディスペンサ、１８…スクラブライン、１９…開口、２０…ブラックマトリクス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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