(57)【要約】【課題】基板表面の高湿酸素雰囲気の曝露時間を短縮化することができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】インデクサ部内には、Ｎ２ガスチャンバ１２が複数個配置されている。Ｎ２ガスチャンバ１２は、天板１３に固定された対向部材１６と、対向部材１６に対して基板Ｗを昇降させるための複数本のリフトピン１７とを備えている。対向部材１６の基板対向面２０には、１つの中央部吐出口２１および複数個の周縁部吐出口２２が設けられている。各吐出口２１，２２から吐出されるＮ２ガスが、基板Ｗの表面と基板対向面２０との間に供給される。【効果】基板Ｗの表面と基板対向面２０との間がＮ２ガスで充満される。インデクサ部内の高湿酸素雰囲気から基板Ｗの表面を遮断することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容して、当該基板に対して処理を施すための処理チャンバと、
複数枚の基板を収容可能な基板収容器と前記処理チャンバとの間を搬送される基板が通過する搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、基板を保持するための基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持された基板の表面に対向する基板対向面を有する対向部材と、
前記基板保持部材に保持された基板の表面と前記基板対向面との間に低湿低酸素ガスを供給する低湿低酸素ガス供給機構とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持部材および前記対向部材の少なくとも一方を相対的に移動させて、前記基板の表面と前記基板対向面とを接近／離反させる移動機構をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記移動機構は、前記対向部材に対して前記基板保持部材を移動させる保持部材移動機構を含む、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記対向部材は、前記基板対向面に対向する所定の近接位置に基板の表面が配置された状態で、基板の側方を包囲する包囲部を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送室は、前記基板収容器の配置位置に隣接して設けられたインデクサ部を含み、
当該インデクサ部に、前記基板保持部材および前記対向部材が配置されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板対向面には、前記低湿低酸素ガス供給機構からの低湿低酸素ガスが吐出される吐出口が設けられている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記吐出口が、基板の表面の中央部に対向する中央部吐出口と、前記基板保持部材に保持された基板の表面の周縁部に対向する周縁部吐出口とを含み、
前記低湿低酸素ガス供給機構が、前記中央部吐出口からの低湿低酸素ガスの吐出および吐出停止を切り換えるための中央部用バルブと、前記周縁部吐出口からの低湿低酸素ガスの吐出および吐出停止を切り換えるための周縁部用バルブとを含み、
前記基板処理装置は、前記中央部吐出口および前記周縁部吐出口から低湿低酸素ガスを吐出させるときに、前記周縁部用バルブの開成に先立ち、前記中央部用バルブを開成させるバルブ制御手段をさらに含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板保持部材は、前記基板収容器に収容可能な基板の枚数よりも少ない複数個設けられており、
前記各基板保持部材は、基板を一枚ずつ保持可能であり、
前記基板処理装置は、前記処理チャンバ、前記基板収容器および前記各基板保持部材間を基板を搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構を制御して、前記基板収容器から前記処理チャンバへ基板を一枚ずつ順に搬送させ、前記処理チャンバで処理済の基板を前記複数の基板保持部材へ順に搬送させて、前記複数の基板保持部材に前記複数の基板が保持された後は、前記処理チャンバで処理済の基板を前記基板収容器へ搬送させ、前記基板収容器から最後に搬出された基板が前記基板収容器に戻される直前に、前記複数の基板保持部材に保持されている複数の基板が全て前記基板収容器に戻されるように、前記基板保持部材から基板収容器へ基板を搬送させる搬送制御手段とをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板に対して処理を施す基板処理装置である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において用いられる枚葉型の基板処理装置は、処理部と、インデクサ部と、基板収容器を保持する収容器保持部とを備えている。処理部は、基板を収容し、その基板に対して処理を施すための複数個（たとえば８つ）の処理チャンバと、これらの処理チャンバに対して基板の搬入／搬出を行う主搬送ロボットとを備えている。インデクサ部は、基板収容器と主搬送ロボットとの間で基板を搬送するインデクサロボットとを備えている。
【０００３】
基板収容器は、その内部空間に複数枚の基板を収容可能である。基板収容器の側面には基板を取り出すための開口が形成されており、その開口が基板収容器の側面の蓋によって開閉される。基板の搬送効率を向上させるため、基板収容器内への基板の収納可能枚数は多数枚（たとえば２５枚）であることが望ましい。
基板収容器が収容器保持部に保持されると、蓋が開状態にされて開口が開放されて、インデクサロボットのハンドが開口を通して進入されて、基板収容器から未処理の基板が取り出される。基板収容器から取り出された未処理の基板は、主搬送ロボットのハンドに受け渡されて、主搬送ロボットによって処理チャンバ内に搬入される。その後、処理チャンバ内で、基板に対して所定の処理が施される。
【０００４】
一方、処理チャンバ内で処理された処理済の基板は、主搬送ロボットのハンドによって搬出された後、インデクサロボットに受け渡されて、インデクサロボットによって基板収容器内に収納される。基板収容器に収容されていた全ての基板に対して処理が施され、最後の基板が基板収容器内に収納された後、基板収容器の開口が閉塞される。
【特許文献１】特開２００７−９５８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最初に所定の処理が施された処理済の基板が基板収容器内に収納された後、多数枚（たとえば２４枚）の処理が完了するまで、基板収容器の開口の閉塞を待つ必要がある。
ところが、基板の出し入れのために基板収容器の開口が開放されることにより、基板収容器内にインデクサ部内の雰囲気が充満する。インデクサ部内の雰囲気は酸素や水分が比較的多量に含まれているので（たとえば、一般の大気中では、酸素濃度２０％以上であり、かつ湿度２０％以上）、この雰囲気に長時間、たとえば１０分以上晒されると、基板の表面が酸化されるなど基板に悪影響を与えるおそれがある。
【０００６】
基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度を下げるために、開口が開放状態にある基板収容器内を、低湿低酸素ガス（Ｎ２ガス）でパージすることも考えられるが、かかるＮ２パージを行っても、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度が一定量以下（好ましくは、酸素濃度が１％以下、湿度が５％以下）に低下しないという問題がある。
また、この方法に代えて、基板の出し入れの際以外は基板収容器の開口を閉塞し、基板収容器内をＮ２パージすることも検討されているが基板収容器の開口の閉塞の開始から次の開放までの時間が短いので、かかる方法を採用しても基板収容器内をＮ２ガスで充満させることができなかった。したがって、基板の表面の湿度が高く酸素の多い雰囲気（以下、高湿酸素雰囲気という）の曝露時間が長時間化していた。
【０００７】
この発明は、かかる背景の下でなされたものであり、基板表面の高湿酸素雰囲気の曝露時間を短縮化することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を収容して、当該基板に対して処理を施すための処理チャンバ（１０Ａ〜１０Ｈ）と、複数枚の基板を収容可能な基板収容器（Ｃ）と前記処理チャンバとの間を搬送される基板が通過する搬送室（３；９）と、前記搬送室内に設けられ、基板を保持するための基板保持部材（１７）と、前記基板保持部材に保持された基板の表面に対向する基板対向面（２０；２０Ａ；１３Ａ）を有する対向部材（１６；１６Ａ）と、前記基板保持部材に保持された基板の表面と前記基板対向面との間に低湿低酸素ガスを供給する低湿低酸素ガス供給機構（２７，２８，２９，３０）とを含む、基板処理装置（１；１Ｂ）である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板保持部材に保持された基板の表面と対向部材の基板対向面との間に低湿低酸素ガスが供給される。したがって、基板の表面と基板対向面との間が低湿低酸素ガスで充満する。これにより、搬送室内に高湿酸素雰囲気が存在する場合であっても、その高湿酸素雰囲気から基板の表面を遮断することができる。
【００１０】
したがって、基板を基板保持部に保持させて、当該基板の表面を搬送室内の高湿酸素雰囲気から遮断しておき、その間に処理チャンバで他の基板に処理を施すことにより、当該基板の表面が高湿酸素雰囲気に晒される時間（曝露時間）を短縮化することができる。これにより、基板の表面に与える悪影響を最低限に抑えることができる。なお、低湿低酸素ガスは、その酸素濃度が１％以下で、かつ湿度が５％以下が好ましい。
【００１１】
請求項２記載の発明は、前記基板保持部材および前記対向部材の少なくとも一方を相対的に移動させて、前記基板の表面と前記基板対向面とを接近／離反させる移動機構（３４）をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の表面と基板対向面とを接近させた状態で、基板の表面に低湿低酸素ガスを供給することができる。このため、比較的小流量の低湿低酸素ガスで、基板の表面と基板対向面との間を充満させることができ、基板の表面を搬送室内の高湿酸素雰囲気から遮断しておくことができる。これにより、低湿低酸素ガスの使用量を低減し、ランニングコストの低減を図ることができる。
【００１２】
また、基板の表面と基板対向面とを離反させた状態で、基板を搬入／搬出することができる。これにより、基板を良好に搬入／搬出することができる。
請求項３記載の発明は、前記移動機構は、前記対向部材に対して前記基板保持部材を移動させる保持部材移動機構（３４）を含む、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板保持部材を移動させることにより、基板の表面と基板対向面とを、相対的に接近／離反させることができる。
【００１３】
基板処理装置は、基板を保持して、前記基板保持部材に対して基板を受け渡すハンド（６Ａ）をさらに含むものであってもよい。基板保持部材を、基板の表面に交差する方向に移動させるとともに、ハンドを基板の表面に沿う方向に移動させることにより、基板保持部材とハンドとの間で基板を受け渡すことが可能である。このため、基板の受け渡しの際にハンドを、基板に交差する方向に移動させる必要がない。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記対向部材は、前記基板対向面に対向する所定の近接位置に基板の表面が配置された状態で、基板の側方を包囲する包囲部（１９）を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の表面が基板対向面に近接している。また、基板の側方が包囲部によって包囲されている。このため、基板の側方にある雰囲気が、対向部材と基板の表面との間に進入することを阻止することができる。これにより、基板の表面を高湿酸素雰囲気から一層遮断することができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、前記搬送室は、前記基板収容器の配置位置に隣接して設けられたインデクサ部（３）を含み、当該インデクサ部に、前記基板保持部材および前記対向部材が配置されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板収容器の配置位置に隣接するインデクサ部に、基板保持部材および対向部材が配置されている。したがって、基板保持部材および対向部材と基板収容器とを近接して配置しておくことにより、基板保持部材から基板収容器までの基板の搬送時間を短縮することが可能である。これにより、基板の表面が高湿酸素雰囲気に晒される時間を、より一層短縮化させることができる。
【００１６】
請求項６記載の発明は、前記基板対向面には、前記低湿低酸素ガス供給機構からの低湿低酸素ガスが吐出される吐出口（２１，２２）が設けられている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、比較的簡単な構成で、基板対向面と基板の表面との間に低湿低酸素ガスを供給することができる。
【００１７】
請求項７記載の発明は、前記吐出口が、基板の表面の中央部に対向する中央部吐出口（２１）と、前記基板保持部材に保持された基板の表面の周縁部に対向する周縁部吐出口（２２）とを含み、前記低湿低酸素ガス供給機構が、前記中央部吐出口からの低湿低酸素ガスの吐出および吐出停止を切り換えるための中央部用バルブ（３０）と、前記周縁部吐出口からの低湿低酸素ガスの吐出および吐出停止を切り換えるための周縁部用バルブ（２９）とを含み、前記基板処理装置は、前記中央部吐出口および前記周縁部吐出口から低湿低酸素ガスを吐出させるときに、前記周縁部用バルブの開成に先立ち、前記中央部用バルブを開成させるバルブ制御手段（３５）をさらに含む、請求項６記載の基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、周縁部吐出口からの低湿低酸素ガスの吐出に先立って、中央部吐出口から低湿低酸素ガスが吐出される。したがって、基板の中央部上の雰囲気を低湿低酸素ガスに置換した後に、基板の全域に低湿低酸素ガスが供給される。これにより、基板の表面全域に低湿低酸素ガスを円滑に充満させることができる。
請求項８記載の発明は、前記基板保持部材は、前記基板収容器に収容可能な基板の枚数よりも少ない複数個設けられており、前記各基板保持部材は、基板を一枚ずつ保持可能であり、前記基板処理装置は、前記処理チャンバ、前記基板収容器および前記各基板保持部材間を基板を搬送する基板搬送機構（６，７，１１）と、前記基板搬送機構を制御して、前記基板収容器から前記処理チャンバへ基板を一枚ずつ順に搬送させ、前記処理チャンバで処理済の基板を前記複数の基板保持部材へ順に搬送させて、前記複数の基板保持部材に前記複数の基板が保持された後は、前記処理チャンバで処理済の基板を前記基板収容器へ搬送させ、前記基板収容器から最後に搬出された基板が前記基板収容器に戻される直前に、前記複数の基板保持部材に保持されている複数の基板が全て前記基板収容器に戻されるように、前記基板保持部材から基板収容器へ基板を搬送させる搬送制御手段（３５）とをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板収容器から最後に搬出された基板が基板収容器に戻される直前に、基板保持部材に保持されている基板が基板収容器に戻される。このため、基板収容器内が閉塞される直前まで、基板を高湿酸素雰囲気から遮断しておくことができる。これにより、基板の高湿酸素雰囲気の曝露時間をより一層短縮化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置１の図解的な斜視図であり、図２は、その平面図である。この基板処理装置１は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理を施す処理部２と、この処理部２の一方側に結合されたインデクサ部（搬送室）３と、インデクサ部３の処理部２と反対側に並べて配置された複数個（図２では３つ）の収容器保持部４とを備えている。収容器保持部４は、基板収容器Ｃを保持するためのものであり、所定の水平方向（図１に示すＹ方向）に沿って配列されている。
【００２１】
基板収容器Ｃは、たとえば２５枚の基板Ｗを密閉状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。基板収容器Ｃの一側面には基板Ｗを取り出すための開口（図示しない）が形成されており、基板収容器Ｃの一側面の蓋（図示しない）によって開口が開閉されるようになっている。
インデクサ部３には、収容器保持部４の配列方向に長手を有するインデクサ搬送路５が形成されている。このインデクサ搬送路５には、インデクサロボット６が配置されている。
【００２２】
インデクサロボット６は、インデクサ搬送路５に沿って往復移動可能に設けられており、各収容器保持部４に保持された基板収容器Ｃに対向することができる。また、インデクサロボット６は、アームと、アームの先端に結合されて、基板Ｗを保持するためのハンド６Ａ（図６（ａ）参照）とを備えており、基板収容器Ｃに対向した状態で、その基板収容器Ｃにハンド６Ａをアクセスさせて、基板収容器Ｃから未処理の基板Ｗを取り出したり、処理済の基板Ｗを基板収容器Ｃに収納したりすることができる。このインデクサロボット６は、上ハンドおよび下ハンドを備えたダブルアーム型のものである。さらに、インデクサロボット６はインデクサ搬送路５の中央部に位置した状態で、処理部２に対してハンド６Ａをアクセスさせて、後述するシャトル搬送部７に未処理の基板Ｗを受け渡したり、シャトル搬送部７から処理済の基板Ｗを受け取ったりすることができる。
【００２３】
処理部２には、インデクサ部３のインデクサ搬送路５の中央部から、このインデクサ搬送路５と直交する水平方向（図１に示すＸ方向）に延びて、インデクサ部３の内部空間に連通する搬送路（搬送室）９が形成されている。搬送路９の中央には、上ハンドおよび下ハンドを備えたダブルアーム型の主搬送ロボット１１が配置されている。処理部２には、８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈが、主搬送ロボット１１を取り囲むように配置されている。この８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈは、搬送路９を挟む両側に、当該搬送路２に沿って２つずつ２段に積み重ねられている。各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈは、基板Ｗに対して共通の処理（たとえば薬液を用いた洗浄処理）を施すためのものである。搬送路９には、インデクサロボット６と主搬送ロボット１１との間の基板Ｗの受け渡しを仲介するシャトル搬送部７が設けられている。シャトル搬送部７は、インデクサロボット６から未処理の基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済の基板Ｗをインデクサロボット６に受け渡すことができる。
【００２４】
主搬送ロボット１１は、基板Ｗを保持するための搬送ハンド（図示しない）を備えており、シャトル搬送部７に搬送ハンドをアクセスさせて、シャトル搬送部７から未処理の基板Ｗを受け取ったり、処理済の基板Ｗをシャトル搬送部７に受け渡したりすることができる。また、主搬送ロボット１１は、複数の処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈに搬送ハンドをアクセスさせることができ、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００２５】
なお、図１では、収容器保持部４、インデクサロボット６、主搬送ロボット１１およびシャトル搬送部７を省略している。
この実施形態の特徴は、基板Ｗの表面に低湿低酸素ガスとしてのＮ２ガスを供給し、当該基板Ｗの表面を高湿酸素雰囲気から遮断しておくためのＮ２ガスチャンバ１２を８つ（処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈの個数に応じた数）設けた点にある。ここで、低湿低酸素ガスはその酸素濃度が１％以下でかつ湿度が５％以下であることが好ましく、この低湿低酸素ガスをＮ２ガスチャンバ１２内に供給することで、Ｎ２ガスチャンバ１２内の酸素濃度を１％以下でかつ湿度を５％以下の雰囲気にすることが好ましい。これら８つのＮ２ガスチャンバ１２は、インデクサ部３のインデクサ搬送路５の長手方向端部の天面付近に、上下方向に積層されて配置されている。各Ｎ２ガスチャンバ１２は、同一の構成を有している。
【００２６】
図３は、Ｎ２ガスチャンバ１２の構成を図解的に示す縦断面図である。各Ｎ２ガスチャンバ１２は、水平な平板からなる天板１３および底板１４を備えている。天板１３および底板１４は、たとえば矩形状に形成されており、その４つの角部同士が連結杆（図示しない）によって連結されている。Ｎ２ガスチャンバ１２の４つの側面は開放されている。これらＮ２ガスチャンバ１２の各側面に、Ｎ２ガスチャンバ１２内に基板Ｗを搬入／搬出される基板Ｗが通過するための通過口１５（図３では、２つのみ図示）が形成されている。通過口１５がＮ２ガスチャンバ１２の４つの側面の全てに形成されているので、Ｎ２ガスチャンバ１２内にインデクサロボット６のハンド６Ａ水平方向の４方向からアクセス可能である。したがって、Ｎ２ガスチャンバ１２に対する基板Ｗの搬送効率を向上させることができる。
【００２７】
Ｎ２ガスチャンバ１２は、天板１３に固定された対向部材１６と、対向部材１６に対して基板Ｗを昇降させるための複数本（たとえば、４つ）のリフトピン（基板保持部材）１７とを備えている。
対向部材１６は、基板Ｗよりもやや大径の円板状に形成された平板部１８と、平板部１８の周縁から垂れ下がって、基板Ｗの側方を包囲する包囲部１９とを備えている。平板部１８は、天板１３の下面に固定されている。平板部１８の下面には、複数本のリフトピン１７に保持された基板Ｗの表面と対向する基板対向面２０が形成されている。基板対向面２０は、Ｎ２ガスを吐出するための吐出口２１，２２が形成された水平面である。
【００２８】
図４は、対向部材１６の底面図である。
基板対向面２０の中央部には、複数のリフトピン１７に保持された基板Ｗの中央部（中心）に対向する位置に１つの中央部吐出口２１が形成されている。また、基板対向面２０の周縁部には、複数個（たとえば８つ）の周縁部吐出口２２が等角度間隔に設けられている。この周縁部吐出口２２は、複数のリフトピン１７に保持された基板Ｗの周縁部に対向するように形成されている。この実施形態では、周縁部吐出口２２は、基板Ｗの周縁の直上位置よりもやや内方に寄せて配置されている。
【００２９】
再び図３を参照して説明する。天板１３および対向部材１６の平板部１８には、Ｎ２ガスをＮ２ガスチャンバ１２内に導入するための中央部供給管２３が貫通して設けられている。中央部供給管２３は、対向部材１６の基板対向面２０まで延びて中央部吐出口２１と連通している。
また、天板１３および対向部材１６の平板部１８には、Ｎ２ガスをＮ２ガスチャンバ１２内に導入するための複数の周縁部供給管２４が貫通して設けられている。周縁部供給管２４の断面積は、中央部供給管２３の断面積とほぼ等しく設定されている。各周縁部供給管２４は、対向部材１６の基板対向面２０まで延びて各周縁部吐出口２２と連通している。各吐出口２１，２２には、供給機構２５によってＮ２ガスを供給することができるように構成されている。
【００３０】
供給機構２５は、Ｎ２ガス供給源２６に接続された第１供給管（低湿低酸素ガス供給機構）２７と、第１供給管２７の途中部から分岐した第２供給管（低湿低酸素ガス供給機構）２８とを備えている。第１供給管２７の途中部には、第２供給管２８の分岐位置よりも下流側に、この第１供給管２７を開閉するための周縁部用Ｎ２バルブ（周縁部用バルブ）２９が介装されている。第１供給管２７には、周縁部用Ｎ２バルブ２９の下流側で複数本（たとえば８つ）の分岐供給管３１が分岐している。各分岐供給管３１の先端は各周縁部供給管２４に接続されている。第２供給管２８の途中部には、この第２供給管２８を開閉するための中央部用Ｎ２バルブ（中央部用バルブ）３０が介装されている。第２供給管２８の先端は中央部供給管２３に接続されている。
【００３１】
これにより、周縁部用Ｎ２バルブ２９を閉じて中央部用Ｎ２バルブ３０を開くことによって、Ｎ２ガス供給源２６からのＮ２ガスを、第１供給管２７および第２供給管２８を順に通じて、中央部吐出口２１に供給することができる。
一方、周縁部用Ｎ２バルブ２９および中央部用Ｎ２バルブ３０の双方を開くことによって、Ｎ２ガス供給源２６から第１供給管２７まで供給されたＮ２ガスを、第２供給管２８を介して中央部吐出口２１に供給することができ、また、分岐供給管３１を介して各周縁部吐出口２２に供給することができる。前述のように、全ての吐出口２１，２２から吐出されるＮ２ガスが第１供給管２７を経ているとともに、中央部供給管２３と周縁部供給管２４との断面積がほぼ等しいので、各吐出口２１，２２は、ほぼ同流量のＮ２ガスが吐出される。各吐出口２１，２２から吐出されるＮ２ガスの流量は、中央部吐出口２１だけからＮ２ガスを吐出させる場合と比較して約１／９になる。
【００３２】
各リフトピン１７は、底板１４を上下に貫通して形成された貫通孔３２に挿通されて、底板１４に対して昇降可能に設けられている。また、各リフトピン１７は、共通の支持部材３３に支持されており、この支持部材３３にリフトピン昇降機構（保持部材移動機構）３４が結合されている。このリフトピン昇降機構３４により、複数のリフトピン１７を、その先端が対向部材１６の平板部１８に近接する近接位置（図３で二点鎖線で示す位置）と、その先端が、基板受け渡し位置（図３で基板Ｗを二点鎖線で示す位置）よりも下方に退避する退避位置（図３で実線で示す位置）との間で一括して昇降させることができるようになっている。
【００３３】
図５は、基板処理装置１の制御系の構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置３５を備えている。この制御装置３５が、インデクサロボット６および主搬送ロボット１１と接続されている。制御装置３５は、インデクサロボット６および主搬送ロボット１１による基板Ｗの搬送動作を制御する。また、この制御装置３５には、リフトピン昇降機構３４、周縁部用Ｎ２バルブ２９および中央部用Ｎ２バルブ３０などが制御対象として接続されている。
【００３４】
インデクサロボット６のハンド６Ａが基板収容器Ｃにアクセスされて、基板収容器Ｃから基板Ｗが取り出される。そして、基板収容器Ｃから取り出された基板Ｗは、インデクサロボット６により主搬送ロボット１１に受け渡された後、この主搬送ロボット１１によって処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈに搬入される。そして、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで、基板Ｗに対して処理（たとえば、処理液や処理ガスを用いた洗浄処理）が施される。
【００３５】
基板Ｗに対する処理の完了後、主搬送ロボット１１の搬送ハンドが処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈ内に進入されて、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから基板Ｗが搬出される。処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈによって搬出された基板Ｗは、主搬送ロボット１１からインデクサロボット６によって受け渡された後、インデクサロボット６によってＮ２ガスチャンバ１２内に搬入される。
【００３６】
図６は、Ｎ２ガスチャンバ１２における基板ＷのＮ２ガスの供給の様子を図解的に示す縦断面図である。インデクサロボット６による基板Ｗの搬入の際には、リフトピン１７は図６（ａ）に示す退避位置にあり、周縁部用Ｎ２バルブ２９および中央部用Ｎ２バルブ３０は閉じられている。
基板Ｗを保持するインデクサロボット６のハンド６Ａが、水平方向に移動して、通過口１５を介してＮ２ガスチャンバ１２内に進入される。そして、このハンド６Ａの進入に併せて、図６（ｂ）に示すようにリフトピン昇降機構３４によってリフトピン１７が上昇される。リフトピン１７の上昇により基板Ｗがハンド６Ａから離脱して、基板Ｗがインデクサロボット６からリフトピン１７に受け渡される。
【００３７】
基板Ｗがリフトピン１７に受け渡された後、リフトピン昇降機構３４によってリフトピン１７が、図６（ｃ）に示すように、対向部材１６の基板対向面２０に近接する近接位置まで上昇される。この際、基板Ｗの上面（表面）と基板対向面２０との隙間は、たとえば０．３ｍｍ〜５ｍｍに設定される。
リフトピン１７が近接位置に達すると同時に、あるいは、その直前又は直後、図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すように、周縁部用Ｎ２バルブ２９および中央部用Ｎ２バルブ３０が開かれる。これにより、吐出口２１，２２から、リフトピン１７に保持された基板Ｗの表面と対向部材１６の基板対向面１０との間にＮ２ガスが供給される。これにより、基板Ｗの上面（表面）と基板対向面１０との隙間がＮ２ガスで充満され、酸素濃度が１％以下、湿度が５％以下の雰囲気とされる。したがって、基板Ｗの表面をインデクサ部３内の高湿酸素雰囲気から遮断しておくことができる。
【００３８】
図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すＮ２ガスの供給状態では、基板Ｗの表面が基板対向面２０に近接している。また、基板Ｗの側方が包囲部１９によって包囲されている。このため、基板Ｗの側方の雰囲気が、対向部材１６と基板Ｗの表面との間に進入することをより効果的に阻止することができる。なお、後述のように、包囲部１９は必須の構成ではなく、この包囲部１９がない場合であっても（図１３参照）、基板Ｗの上面（表面）と基板対向面２０とが所定隙間をもって近接されているので、基板Ｗの側方の雰囲気が、上記所定隙間に進入することを阻止することができる。
【００３９】
また、リフトピン１７を対向部材１６に近接する近接位置に移動させた状態で、基板Ｗの表面にＮ２ガスが供給される。このため、比較的小流量のＮ２ガスによって、基板Ｗの表面と基板対向面２０との間を充満させることができる。したがって、Ｎ２ガスの使用量を低減し、ランニングコストの低減を図ることができる。
さらに、リフトピン１７を対向部材１６から離反する退避位置に移動させた状態で、基板Ｗが搬入／搬出される。これにより、基板Ｗを良好に搬入／搬出することができる。
【００４０】
また、リフトピン１７を昇降させるとともに、ハンド６Ａを水平方向に移動させることで、リフトピン１７とハンド６Ａとの間で基板Ｗを受け渡すことが可能である。このため、基板Ｗの受け渡しの際にハンド６Ａを昇降させる必要がない。
図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すように、Ｎ２ガスの吐出開始時において、周縁部吐出口２２からのＮ２ガスの吐出に先立って、中央部吐出口２１からＮ２ガスが吐出される。
【００４１】
図７は、Ｎ２ガスの吐出時における中央部吐出口２１および周縁部吐出口２２からの吐出流量を示すタイムチャートである。
Ｎ２ガスの吐出タイミングになると、周縁部用Ｎ２バルブ２９を閉じたまま中央部用Ｎ２バルブ３０が開かれて、中央部吐出口２１から比較的高流量のＮ２ガスが吐出される（図６（ｃ）参照）。中央部用Ｎ２バルブ３０が開かれた後、たとえば３秒が経過すると、中央部用Ｎ２バルブ３０が開かれたまま、周縁部用Ｎ２バルブ２９が開かれる（図６（ｄ）参照）。この周縁部用Ｎ２バルブ２９の吐出動作により、８つの周縁部吐出口２２から比較的低流量のＮ２ガスが吐出されるとともに、中央部吐出口２１からのＮ２ガスの吐出流量が、周縁部吐出口２２からの吐出流量と同等程度まで低下する。
【００４２】
中央部吐出口２１からＮ２ガスが吐出されて、基板Ｗの中央部における雰囲気がＮ２ガスに置換された後に、中央部吐出口２１および周縁部吐出口２２から基板Ｗの全域にＮ２ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの表面と基板対向面２０との間に、円滑にＮ２ガスで充満させることができる。
その後、基板Ｗの搬出タイミングになると、図６（ｅ）に示すように、リフトピン昇降機構３４によってリフトピン１７が下降される。その後、インデクサロボット６のハンド６Ａが、Ｎ２ガスチャンバ１２内に進入し、基板Ｗを下方から保持するようになる。リフトピン昇降機構３４によってリフトピン１７が下降されることにより、処理済の基板Ｗがハンド６Ａに受け取られる。その後、ハンド６Ａは、Ｎ２ガスチャンバ１２外に退避される。
【００４３】
図８は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送状態を示すタイムチャートである。この実施形態では、基板収容器Ｃは２５枚の基板Ｗを収容可能である。この図８では、１つの基板収容器Ｃに収容される最大枚数、すなわち２５枚の基板Ｗを処理する場合を例に挙げて説明する。
各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈでは、基板Ｗに対して一枚ずつ処理が施される。これら８個の処理チャンバ１０Ａ〜１０
Ｈによる基板Ｗの処理は並行して実施される。８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈを用いて２５枚の基板Ｗに対して処理を施すので、８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで基板Ｗに対して処理を３回続けて施され、残った１枚の基板Ｗに対して処理チャンバ１０Ａで処理が施される。各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈにおける処理の処理時間はたとえば３分である。
【００４４】
基板収容器Ｃからインデクサロボット６によって取り出された未処理の基板Ｗは、８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０
Ｈに、主搬送ロボット１１を介して一枚ずつ順に搬入されていく。
以下の説明では、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈにおける処理が施される順に、基板Ｗに番号（「１」〜「２５」）を付して説明する。
【００４５】
最初（１巡目）の８枚の基板Ｗ（「１」〜「８」）の処理では、図８に示すように処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が開始され、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く開始される。予め定める処理時間が経過すると、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで処理が順に終了していく。前述のように、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈの処理時間は共通しているので、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が終了し、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く終了する。
【００４６】
そして、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈによる洗浄処理が終了すると、処理済の基板Ｗが主搬送ロボット１１によって処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出される。この処理済の基板Ｗの搬出は、処理が完了した順で、すなわち、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂ、処理チャンバ１０Ｃ、・・・、処理チャンバ１０Ｇおよび処理チャンバ１０Ｈの順で行われる。各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈでは、ダブルアーム型の主搬送ロボット１１により、処理済の基板Ｗが搬出されると同時に次の２巡目の未処理の基板Ｗが搬入される。基板Ｗの搬入後、当該未処理の基板Ｗに対する処理が開始される。
【００４７】
各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された基板Ｗはインデクサロボット６に受け渡された後、このインデクサロボット６によって、予め定められたＮ２ガスチャンバ１２内に搬入される。図８には、８枚の基板Ｗ（「１」〜「８」）が、Ｎ２ガスチャンバ１２内に搬入される様子が示されている。そして、Ｎ２ガスチャンバ１２内で基板Ｗの表面と基板対向面１０との間にＮ２ガスが供給される。これにより、基板Ｗの表面と基板対向面１０との間がＮ２ガスで充満されて、基板Ｗの表面をインデクサ部３内の高湿酸素雰囲気から遮断しておくことができる。
【００４８】
次（２巡目）の８枚の基板Ｗ（「９」〜「１６」）の処理では、１巡目の処理と同様、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が開始され、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く開始される。予め定める処理時間が経過すると、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで処理が順に終了していく。また、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が終了し、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く終了する。
【００４９】
そして、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈによる処理が完了した処理済の基板Ｗは、主搬送ロボット１１によって処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出される。この処理済の基板Ｗの搬出は、処理が完了した順で、すなわち、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂ、処理チャンバ１０Ｃ、・・・、処理チャンバ１０Ｇおよび処理チャンバ１０Ｈの順で行われる。各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈでは、ダブルアーム型の主搬送ロボット１１により、処理済の基板Ｗが搬出されると同時に次の３巡目の未処理の基板Ｗが搬入される。基板Ｗの搬入後、当該未処理の基板Ｗに対する処理が開始される。
【００５０】
この２巡目の処理では、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された基板Ｗは、Ｎ２ガスチャンバ１２を経ることなく基板収容器Ｃに直接収納される。具体的には、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された基板Ｗは、インデクサロボット６に受け渡された後、このインデクサロボット６により、基板収容器Ｃに収納される。図８には、８枚の基板Ｗ（「９」〜「１６」）が、基板収容器Ｃ内に搬入される様子が示されている。
【００５１】
さらに、その次（３巡目）の８枚の基板Ｗ（「１７」〜「２４」）の処理では、１巡目及び２巡面の処理と同様、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が開始され、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く開始される。予め定める処理時間が経過すると、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで処理が順に終了していく。また、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂおよび処理チャンバ１０Ｃの順で処理が終了し、処理チャンバ１０Ｈの処理が最も遅く終了する。
【００５２】
そして、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈによる処理が完了した処理済の基板Ｗは、主搬送ロボット１１によって処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出される。この処理済の基板Ｗの搬出は、処理が完了した順で、すなわち、処理チャンバ１０Ａ、処理チャンバ１０Ｂ、処理チャンバ１０Ｃ、・・・、処理チャンバ１０Ｇおよび処理チャンバ１０Ｈの順で行われる。８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈのうち処理チャンバ１０Ａでは、ダブルアーム型の主搬送ロボット１１により、処理済の基板Ｗが搬出されると同時に次の４巡目の未処理の基板Ｗが搬入される。基板Ｗの搬入後、当該未処理の基板Ｗに対する処理が開始される。
【００５３】
この３巡目の処理でも、前述した２巡目の処理と同様、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された基板Ｗは、Ｎ２ガスチャンバ１２を経ることなく基板収容器Ｃに直接収納される。具体的には、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された基板Ｗは、インデクサロボット６に受け渡された後、このインデクサロボット６により、基板収容器Ｃに収納される。図８には、８枚の基板Ｗ（「１７」〜「２４」）が、基板収容器Ｃ内に搬入される様子が示されている。
【００５４】
また、この３巡目の処理における基板Ｗ（「１７」〜「２４」）の収納と並行して、Ｎ２ガスチャンバ１２に収容されている基板Ｗ（「１」〜「８」）が基板収容器Ｃに向けて搬送される。
Ｎ２ガスチャンバ１２からインデクサロボット６によって順に基板Ｗが搬出されて、基板収容器Ｃへと収納される。Ｎ２ガスチャンバ１２から基板収容器Ｃへの基板Ｗの搬送は、処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈで８枚の基板Ｗに処理が施された順に行われる。この８枚の基板Ｗの搬送タイミングは、次に述べる４巡目の基板Ｗ（「２５」）が基板収容器Ｃに収容されるタイミングに基づいて決定されている。そして、４巡目の基板Ｗ（「２５」）が基板収容器Ｃに収容される直前に、この８枚の基板Ｗのうち最後に基板収容器に収容される基板Ｗ（「８」）が基板収容器Ｃに収容されるようになる。
【００５５】
次の４巡目の処理では、処理チャンバ１０Ａで基板Ｗ（「２５」）について処理が施される。処理後には、処理チャンバ１０Ａから搬出された基板Ｗは、インデクサロボット６に受け渡された後、このインデクサロボット６により基板収容器Ｃに収納される。図８には、基板Ｗ（「２５」）が、基板収容器Ｃ内に収納される様子が示されている。
この４巡目の基板Ｗが、基板収容器Ｃに収納された後、基板収容器Ｃの開口が閉塞されて、基板収容器ＣにＮ２ガスが供給される。そして、基板収容器Ｃの開口が閉塞後９０秒後、基板収容器Ｃ内にＮ２ガスが充満する。
【００５６】
Ｎ２ガスチャンバ１２を採用しない構成では、処理チャンバ１０Ａにおいて２巡目の処理が開始されてから４回目の処理が終了するまでの時間（たとえば、３分×３）、最後の基板Ｗが処理チャンバＡから搬出されてから基板収納器Ｃに収納されるまでの時間（たとえば２０秒）および基板収容器Ｃの開口が閉塞されてから基板収容器Ｃ内にＮ２ガスが充満するまでのパージ時間ｅ（たとえば９０秒）を合計した時間（たとえば１０分５０秒）である。基板Ｗの表面の酸素曝露時間の上限は１０分を基準としており、Ｎ２ガスチャンバ１２を採用しない構成ではこの基準時間を超過することになる。
【００５７】
これに対して、この実施形態では、１巡目に処理チャンバ１０Ａで処理が施された基板Ｗ（「１」）の表面の高湿酸素雰囲気の曝露時間は、処理チャンバ１０ＡからＮ２ガスチャンバ１２までの搬送時間ａ（たとえば２０秒）、Ｎ２ガスチャンバ１２内に基板Ｗが搬入されてから、基板対向面２０と基板Ｗとの間にＮ２ガスが充満するまでのパージ時間ｂ（たとえば５秒）、Ｎ２ガスチャンバ１２から基板収容器Ｃまでの搬送時間ｃ（たとえば２０秒）、残りの７枚の基板Ｗ（「２」〜「８」）がＮ２ガスチャンバ１２から基板収容器Ｃまで搬送される時間と、最後に処理された基板Ｗ（「２５」）が処理チャンバ１０Ａから基板収容器Ｃまで搬送される時間との合計時間ｄ（たとえば、１２秒×７＋１２秒）、および基板収容器Ｃの開口が閉塞されてから基板収容器Ｃ内にＮ２ガスが充満するまでのパージ時間ｅ（たとえば９０秒）を合計した時間（たとえば、３分４１秒）である。したがって、酸素曝露時間の基準時間（１０分）を超過しない。
【００５８】
また、２巡目に処理チャンバ１０Ａで処理が施された基板Ｗ（「９」）の表面の高湿酸素雰囲気の曝露時間は、処理チャンバ１０Ａから基板収容器Ｃまでの搬送時間ｆ（たとえば２０秒）、処理チャンバ１０Ａにおいて３巡目の処理が開始されてから４回目の処理が終了するまでの時間（たとえば、３分×２＋２０秒）、および基板収容器Ｃの開口が閉塞されてから基板収容器Ｃ内にＮ２ガスが充満するまでのパージ時間ｅ（たとえば９０秒）を合計した時間（たとえば、８分１０秒）である。したがって、酸素曝露時間の基準時間（１０分）を超過しない。
【００５９】
以上のようにこの実施形態によれば、Ｎ２ガスチャンバ１２では、基板Ｗの表面と基板対向面２０との間がＮ２ガスで充満されて、基板Ｗの表面がインデクサ部３内の高湿酸素雰囲気から遮断されている。
したがって、基板Ｗをリフトピン１７に保持させて、当該基板Ｗの表面をインデクサ部３内の高湿酸素雰囲気から遮断しておき、その間に処理チャンバ１０で他の基板Ｗに処理を施すことにより、当該基板Ｗの表面が高湿酸素雰囲気に晒される時間（曝露時間）を短縮化することができる。これにより、基板Ｗの表面に与える悪影響を最低限に抑えることができる。
【００６０】
また、Ｎ２ガスチャンバ１２がインデクサ部３内に配置されるので、Ｎ２ガスチャンバ１２から基板収容器Ｃまでの距離が比較的近い。このため、Ｎ２ガスチャンバ１２から基板収容器Ｃまでの基板の搬送時間を短縮することができる。
さらに、基板収容器Ｃから最後に搬出された基板Ｗ（４巡目の基板Ｗ（「２５」））が基板収容器Ｃに戻される直前に、Ｎ２ガスチャンバ１２内に保持されている基板Ｗが基板収容器Ｃに戻される。このため、基板収容器Ｃ内が閉塞される直前まで、基板Ｗを高湿酸素雰囲気から遮断しておくことができる。これにより、基板Ｗの高湿酸素雰囲気の曝露時間をより一層短縮化させることができる。
【００６１】
また、Ｎ２ガスチャンバ１２で高湿酸素雰囲気から遮断されていた８枚の基板Ｗが、４巡目の基板Ｗ（「２５」）よりも前に基板収容器Ｃに収容されるので、基板収容器Ｃに収容されている他の基板Ｗの高湿酸素雰囲気の曝露時間が長くなることを防止することができる。
図９は、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置のＮ２ガスチャンバ１２Ａの構成を図解的に示す正面図である。図１０は、図９に示す対向部材１６Ａの底面図である。
【００６２】
この第２実施形態において、前述の第１実施形態（図１〜図８に示す実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図８と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第２実施形態に係るＮ２ガスチャンバ１２Ａが、前述の第１実施形態のＮ２ガスチャンバ１２と大きく相違する点は、各周縁部吐出口２２Ａの吐出方向が鉛直下向きではなく、鉛直方向に対して所定角度だけ傾斜している点である。
【００６３】
具体的に説明すると、Ｎ２ガスチャンバ１２Ａは、略円板状に形成された対向部材１６Ａを備えている。対向部材１６Ａの下面には、複数本のリフトピン１７に保持された基板Ｗの表面と対向する水平な基板対向面２０が形成されている。対向部材１６Ａの周縁部には、複数のリフトピン１７に保持された基板Ｗの周縁部に対向する複数個（たとえば８つ）の周縁部吐出口２２Ａが形成されている。複数個の周縁部吐出口２２Ａは、等角度間隔に設けられている。各周縁部吐出口２２Ａの吐出方向は、平面視で接線方向に沿っており、鉛直方向に対して所定角度（たとえば６０°）傾斜している。これら各周縁部吐出口２２Ａの吐出方向は周方向一方向を向いている。この実施形態では、周縁部吐出口２２Ａは、第１実施形態の周縁部吐出口２２とは異なり、基板Ｗの周縁の直上位置に配置されている。
【００６４】
各周縁部吐出口２２ＢからＮ２ガスが吐出されることにより、基板Ｗの側方を包囲する気流が形成される。この気流により、基板Ｗの表面上の空間が、気流の外側の空間から遮断される。その結果、気流の外側の空間の雰囲気が基板Ｗの表面上の空間に流入することを防止することができる。
また、各周縁部吐出口２２Ｂの吐出方向が鉛直方向からその接線方向に傾斜しているので、吐出方向が鉛直方向である場合と比較して、各周縁部吐出口２２Ｂから吐出される気流同士の間隔が狭い。したがって、基板Ｗの側方の空間の雰囲気が基板Ｗの表面上の空間に流入することを、より効果的に防止できる。
【００６５】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置１Ｂの図解的な斜視図であり、図１２は、その平面図である。
この第３実施形態において、前述の第１実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図８と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第３実施形態が、前述の第１実施形態と相違する点は、８つのＮ２ガスチャンバ１２Ｂのうち、２つのＮ２ガスチャンバ１２Ｂだけがインデクサ部３に配置されており、他の６つのＮ２ガスチャンバ１２Ｂは処理部２に収容されている点である。
【００６６】
具体的に説明すると、インデクサ部３の天面には、２つのＮ２ガスチャンバ１２Ｂがインデクサ部３の長手方向に沿って並んで配置されている。また、処理部２の搬送路９の天面には、３つのＮ２ガスチャンバ１２Ｃが上下方向に積層されてシャトル搬送部７の周辺に配置されている。搬送路９上において、主搬送ロボット１１に対してインデクサ部と反対側には、３つのＮ２ガスチャンバ１２Ｄが上下方向に積層されている。これら３つのＮ２ガスチャンバ１２Ｂは、搬送路９の天面ではなく、搬送路９の底面上に配置されている。
【００６７】
Ｎ２ガスチャンバ１２ＢおよびＮ２ガスチャンバ１２Ｃ内には、インデクサロボット６がハンドを進入させることができるようになっており、インデクサロボット６は、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｂ，１２Ｃとの間で基板Ｗの搬出／搬入を行うことができる。
Ｎ２ガスチャンバ１２Ｄ内には、主搬送ロボット１１がハンドを進入させることができるようになっており、主搬送ロボット１１は、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｄとの間で基板Ｗの搬出／搬入を行うことができる。
【００６８】
処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈにおける基板Ｗの処理が終了すると、処理済の基板Ｗが主搬送ロボット１１によって、各処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出される。これら処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈから搬出された８枚の処理済の基板Ｗのうち３枚の基板Ｗは、主搬送ロボット１１によってＮ２ガスチャンバ１２Ｄ内に搬入される。また、８枚の処理済の基板Ｗのうちその他の５枚は、インデクサロボット６に受け渡されて、そのうちの３枚の基板ＷがＮ２ガスチャンバ１２Ｂ内に搬入され、他の２枚の基板ＷがＮ２ガスチャンバ１２Ｃ内に搬入される。
【００６９】
基板Ｗの搬出タイミングになると、各Ｎ２ガスチャンバ１２Ｂ〜１２Ｄに収容されている基板Ｗが、基板収容器Ｃに向けて一枚ずつ順に搬送されていく。具体的には、基板収容器Ｃから最も遠いＮ２ガスチャンバ１２Ｄ、Ｎ２ガスチャンバ１２ＣおよびＮ２ガスチャンバ１２Ｂの順で、基板Ｗの基板収容器Ｃへの移動動作が行われる。
Ｎ２ガスチャンバ１２Ｄに収容されていた基板Ｗは、主搬送ロボット１１によってＮ２ガスチャンバ１２Ｄから搬出されるとともに、インデクサロボット６に受け渡された後、このインデクサロボット６により、基板収容器Ｃに収納される。
【００７０】
また、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｃで、高湿酸素雰囲気から遮断されていた基板Ｗは、インデクサロボット６によって、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｃから搬出されて、この基板収容器Ｃに収納される。
さらに、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｂで高湿酸素雰囲気から遮断されていた基板Ｗも、インデクサロボット６によって、Ｎ２ガスチャンバ１２Ｂから搬出されて、この基板収容器Ｃに収納される。
【００７１】
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
前述の第１実施形態では、Ｎ２ガスチャンバ１２は、平板部１８の周縁から垂れ下がって基板Ｗの側方を包囲する包囲部１９を備えているが、図１３に示すようにこの包囲部１９を備えていなくてもよい。この場合、天板１３の下面１３ａが基板対向面となり、また、この天板１３の天面に、Ｎ２ガスを吐出するための吐出口２１，２２が形成される。
【００７２】
また、前述の第３実施形態では、複数個のＮ２ガスチャンバ１２Ｂ〜１２Ｄの一部だけを、処理部２の搬送路９上に配置する構成を例にとって説明したが、複数個のＮ２ガスチャンバの全てを処理部２の搬送路９上に配置する構成であってもよい。
また、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、その取り出した基板Ｗの処理の後に、その処理済の基板を元の基板収容器Ｃに収納する（戻す）場合を例にとって示したが、他の基板収容器Ｃに処理済の基板Ｗを収納する構成であってもよい。
【００７３】
さらに、８つの処理チャンバ１０Ａ〜１０Ｈを備える基板処理装置１，１Ｂを例に挙げて説明したが、処理チャンバ数は４つであってもよいし、１２つであってもよい。
また、前述の各実施形態では、搬送路９上にシャトル搬送部７を配置する構成を例に挙げて説明したが、このシャトル搬送部７が省略された構成であってもよい。
さらにまた、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃとして、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を例示しているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
【００７４】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の図解的な斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の図解的な平面図である。
【図３】Ｎ２ガスチャンバの構成を図解的に示す縦断面図である。
【図４】図３に示す対向部材の底面図である。
【図５】基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図６】Ｎ２ガスチャンバにおける基板ＷのＮ２ガスの供給の様子を図解的に示す縦断面図である。
【図７】Ｎ２ガスの吐出時における中央部吐出口および周縁部吐出口からの吐出流量を示すタイムチャートである。
【図８】基板処理装置における基板Ｗの搬送状態を示すタイムチャートである。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のＮ２ガスチャンバの構成を図解的に示す正面図である。
【図１０】図９に示す対向部材の底面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の図解的な斜視図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の図解的な平面図である。
【図１３】Ｎ２ガスチャンバの変形例を図解的に示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１，１Ｂ  基板処理装置
３  インデクサ部（搬送室）
６  インデクサロボット
６Ａ  ハンド
７  シャトル搬送部
９  搬送路（搬送室）
１０Ａ〜１０Ｈ  処理チャンバ
１１  主搬送ロボット
１３ａ  下面（基板対向面）
１６；１６Ａ  対向部材
１７  リフトピン（基板保持部材）
１９  包囲部
２０，２０Ａ  基板対向面
２１  中央部吐出口
２２  周縁部吐出口
２７  第１供給管（低湿低酸素ガス供給機構）
２８  第２供給管（低湿低酸素ガス供給機構）
２９  周縁部用Ｎ２バルブ（周縁部用バルブ）
３０  中央部用Ｎ２バルブ（中央部用バルブ）
３４  リフトピン昇降機構（保持部材移動機構）
３５  制御装置（制御手段）
Ｃ  基板収容器
Ｗ  基板
【図１】
2010045299.tif 000003
【図２】
2010045299.tif 000004
【図３】
2010045299.tif 000005
【図４】
2010045299.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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