(57)【要約】【課題】例えば、一対の基板間の電気的な接続が確実に行われ、且つ装置全体の厚みが設計値からずれないように液晶装置を形成する。【解決手段】マーク部（Ｍ）は、対向基板（２０）におけるＴＦＴアレイ基板（１０）に臨む側の面において、導電パッド（１０７）に重なるように形成されている。マーク部（Ｍ）は、導電パッド（１０７）上に塗布された未硬化の導電材料からなる硬化前の導電部、及び、上下導通材（１０６）の夫々の形成位置及びサイズの夫々が規格値から外れていないか否かを判定可能な指標である同心円状の複数のパターン（Ｍ１）、（Ｍ２）、（Ｍ３）及び（Ｍ４）を有している。マーク部（Ｍ）によれば、液晶装置（１）の製造プロセスにおいて、導電部の夫々の形成位置及びサイズが規格値から外れているか否かを光学的な手法によって、より具体的には、例えば目視によって容易に判定することが可能である。【選択図】図３
2010204252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上の表示領域の外側に形成された導電パッドと、
前記導電パッドと重なるように、前記第１基板と第２基板との間に導電材料から形成された導電部と、
前記第１又は第２基板上に、前記導電パッドに重なるように形成されており、塗布後の前記導通材料の形成位置を確認するための同心円状の複数のパターンからなるマーク部と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上の表示領域の外側に形成された導電パッドと、
前記導電パッドと重なるように、前記第１基板と第２基板との間に導電材料から形成された導電部と、
前記第１又は第２基板上に、前記導電パッドに重なるように形成されており、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後に、前記導電部の形成位置を確認するための同心円状の複数のパターンからなるマーク部と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記導電部は、光透過性の前記第２基板側から前記導電材料に光を照射することによって硬化されて形成されており、
前記複数のパターンの線幅は、それぞれ前記光によって前記導電材料を硬化させる際の光硬化を阻害しないように設定されていること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記マーク部は、光反射性を有すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
第１基板上の表示領域の外側に導電パッドを形成する第１工程と、
前記第１基板に対向するように第２基板を配置した際に前記第２基板の前記導電パッドに重なる領域に、同心円状の複数のパターンを有するマーク部を形成する第２工程と、
前記マーク部上に導電材料を塗布する第３工程と、
前記第２基板を前記第１基板上に配置する第４工程と、
前記導電材料を硬化させ、導電部を形成する第５工程と、
前記第５工程に先んじて、前記導電材料の形成位置が規格値からはずれていないか否かを検査する第６工程、及び、前記第５工程の後に、前記導電部の形成位置が規格値から外れていないか否かを検査する第７工程の少なくとも一方の工程とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶層を挟持する一対の基板を相互に電気的に接続する導電部を形成位置及びサイズが規格値内に収まっているか否かを検査可能な液晶装置等の電気光学装置、及びその製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶層を挟持する一対の基板を相互に接着するシール材が設けられる。例えば、特許文献１及び２は、シール材の描画幅を管理するための技術を開示している。特許文献３は、シール材の線幅を管理するための技術を開示している。
【０００３】
このような液晶装置では、表示領域の外側に形成された導電パッド上に形成された導電部を介して一対の基板が相互に電気的に接続されている（例えば、特許文献４参照。）。導電部は、通常、未硬化で、且つ流動性がある導電材料を導電パッド上に適量塗布した後、一対の基板を貼り合わせた後に導電材料を硬化させることによって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１０６１００号公報
【特許文献２】特開２００３−２８０００３号公報
【特許文献３】特開平１１−３８４２３号公報
【特許文献４】特開平１１−３２６９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、未硬化の導電材料が導電パッド上の所定の位置に所定のサイズで形成されていない場合、一対の基板間に接続不良が生じ、液晶装置等の電気光学装置の表示性能を低下させてしまう一因になるという問題点が生じる。加えて、このような問題点は、硬化後の導電部についても同様に発生し得る。
【０００６】
また、導電部の形成位置が、狙いの位置を規定する規格値からずれていたり、導電部のサイズが規格値からずれていたりすると、液晶装置の厚みが設計値からずれてしまい、当該液晶装置が光を透過させる光学的な性能を低下させてしまう問題点も生じる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、一対の基板間の電気的な接続が確実に行われ、且つ装置全体の厚みが設計値からずれないように形成された液晶装置等の電気光学装置、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の表示領域の外側に形成された導電パッドと、前記導電パッドと重なるように、前記第１基板と第２基板との間に導電材料から形成された導電部と、前記第１又は第２基板上に、前記導電パッドに重なるように形成されており、塗布後の前記導通材料の形成位置を確認するための同心円状の複数のパターンからなるマーク部とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、導電パッドは、例えば、不透明な金属材料を用いて形成されており、当該電気光学装置の動作時に画像表示を阻害しないように、表示領域の外側に形成されている。このような導電パッドは、例えば、第１基板の四隅の夫々に形成されている。
【００１０】
第２基板は、例えば、ガラス基板、石英基板等の透明基板であり、前記第１基板と対向するように前記第１基板上に配置されている。
【００１１】
導電部は、前記導電パッドと重なるように、前記第１基板と第２基板との間に導電材料から形成されている。このような導電部は、前記導電パッド上に塗布された未硬化状態の導電材料を硬化させることによって形成されている。
【００１２】
マーク部は、前記第１又は第２基板上に、前記導電パッドに重なるように形成されており、塗布後の前記導通材料の形成位置を確認するための同心円状の複数のパターンからなる。このようなマーク部は、例えば、導電パッドが第１基板上の四隅の夫々に形成されている場合には、これら導電パッドの夫々に対応して形成される。マーク部は、塗布後の導電材料の形成位置を確認可能なように同心円状の複数のパターンを有する。したがって、マーク部によれば、当該電気光学装置の製造プロセスにおいて、塗布後の導電材料からなる導電部の形成位置を光学的な手法によって、より具体的には、例えば目視によって容易に確認することが可能である。
【００１３】
よって、本発明に係る電気光学装置によれば、第１基板及び第２基板間の電気的な接続が確実に行われ、且つ装置全体の厚みが設計値からずれないように、塗布後の導電材料の形成位置を製造工程の段階で容易に検査できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の表示領域の外側に形成された導電パッドと、前記導電パッドと重なるように、前記第１基板と第２基板との間に導電材料から形成された導電部と、前記第１又は第２基板上に、前記導電パッドに重なるように形成されており、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後に、前記導電部の形成位置を確認するための同心円状の複数のパターンからなるマーク部とを備える。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置によれば、導電部の形成位置を製造工程の段階で容易に検査できる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記導電部は、光透過性の前記第２基板側から前記導電材料に光を照射することによって硬化されて形成されており、前記複数のパターンの線幅は、それぞれ前記光によって前記導電材料を硬化させる際の光硬化を阻害しないように設定されていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、導電部の形成位置及びサイズを検査可能にしつつ、導電部を迅速、且つ確実に硬化させることが可能である。尚、複数のパターンの夫々の線幅は、導電材料の光硬化特性、照射される光の波長及び強度、及び、当該電気光学装置の製造プロセスのうち光照射工程において許容される製造効率の範囲内で、実践的に設定可能である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記マーク部は、光反射性を有していてもよい。
【００１９】
この態様によれば、第２基板側からマーク部を光学的手法によって、より具体的には目視で視認する際に、マーク部をより明瞭に読み取ることが可能である。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域の外側に導電パッドを形成する第１工程と、前記第１基板に対向するように第２基板を配置した際に前記第２基板の前記導電パッドに重なる領域に、同心円状の複数のパターンを有するマーク部を形成する第２工程と、前記マーク部上に導電材料を塗布する第３工程と、前記第２基板を前記第１基板上に配置する第４工程と、前記導電材料を硬化させ、導電部を形成する第５工程と、前記第５工程に先んじて、前記導電材料の形成位置が規格値からはずれていないか否かを検査する第６工程、及び、前記第５工程の後に、前記導電部の形成位置が規格値から外れていないか否かを検査する第７工程の少なくとも一方の工程とを備えている。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の電気光学装置と同様に、第１基板及び第２基板間の電気的な接続が確実に行われ、且つ装置全体の厚みが設計値からずれないように、導電材料及び導電部の形成位置を製造工程の段階で容易に検査でき、高品位の電気光学装置を製造可能である。
【００２２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】図１中の領域Ｒを拡大して示した拡大平面図である。
【図４】マーク部の構成を図式的に示した平面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置及びその製造方法を説明する。
【００２５】
＜１：液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の概略的な平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げている。
【００２６】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と、本発明の「第２基板」の一例である対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、それぞれガラス基板、石英基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の「表示領域」の一例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２９】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００３０】
尚、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶装置１の動作時において、不図示の電源回路から供給される電源ＶＤＤ、及びＶＳＳ、並びに共通電位ＬＣＣＯＭによって駆動される。
【００３１】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する、本発明の「導電部」の一例である上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において導電パッド１０７（図３参照。）が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａが、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後に形成されており、その上に配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００３３】
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の隅における構成を詳細に説明する。図３は、液晶装置１の図１中に示す四隅の一つにおける構成を詳細に示した平面図である。尚、図３では、対向基板２０側から領域Ｒを見た場合の平面図であり、説明の便宜上、ＴＦＴアレイ基板１０に重なり、且つ図中手前側に配置された対向基板２０を点線で示している。
【００３４】
図３において、液晶装置１は、導電パッド１０７、マーク部Ｍ、及び上下導通材１０６を備えている。
【００３５】
導電パッド１０７は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの外側で、且つシール材５２の外側に形成されている。導電パッド１０７は、ＴＦＴアレイ基板１０にアルミニウム膜等の光反射性を有する導電膜を成膜した後、当該導電膜を汎用のパターニング法を用いてパターニングすることによって形成されている。
【００３６】
上下導通材１０６は、導電パッド１０７及び対向基板２０を相互に電気的に接続可能なように形成されており、例えば、対向基板２０に形成されたマーク部Ｍ上に塗布された未硬化状態の導電材料を硬化させることによって形成されている。なお、マーク部Ｍは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された導電パッド１０７と重なるように形成されていればよく、ＴＦＴアレイ基板１０の導電パッド１０７上に形成してもよい。この場合は、導電パッド１０７上に形成されたマーク部Ｍ上に導電材料を塗布することとなる。
【００３７】
マーク部Ｍは、塗布された未硬化の導電材料の形成位置及びサイズの夫々が規格値から外れているか否かを判定可能な指標である同心円状の複数のパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を有している。
【００３８】
マーク部Ｍによれば、液晶装置１の製造プロセスにおいて、導電材料を塗布した直後及びＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後の導電部の夫々の形成位置及びサイズが規格値から外れているか否かを光学的な手法によって、より具体的には、例えば対向基板２０上から目視によって容易に判定することが可能である。
【００３９】
よって、液晶装置１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な接続が上下導通材１０６を介して確実に行われ、且つ装置全体の厚みが設計値からずれないように、導電部（上下導通材１０６）の形成位置及びサイズを製造工程の段階で容易に検査できる。
【００４０】
次に、図４を参照しながら、マーク部Ｍの構成を詳細に説明する。図４は、マーク部の構成を示した図式的な平面図である。
【００４１】
マーク部Ｍは、互いに同心円状に形成された４つのパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を備えて構成されている。
【００４２】
パターンＭ１の半径である規格値Ａ１は、マーク部Ｍ上に導電材料を塗布することによって形成された、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる前の段階で硬化されていない上下導通材１０６のサイズの最小値を規定する規格値である。パターンＭ２の半径である規格値Ａ２は、導電材料を塗布することによって形成された、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる前の段階で硬化されていない上下導通材１０６のサイズの最大値を規定する規格値である。
【００４３】
パターンＭ１及びＭ２によれば、導電材料を塗布することによって形成された導電部、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる前の段階で硬化されていない上下導通材１０６の形成位置及びサイズが規格値Ａ１及びＡ２の間に入っているか否かを、対向基板２０上から見た目視で検査可能である。
【００４４】
パターンＭ３の半径である規格値Ａ３は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせた後、更に導電材料を硬化させた段階で導電部（上下導通材１０６）のサイズの最小値を規定する規格値である。パターンＭ４の半径である規格値Ａ４は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせた後、更に導電材料を硬化させた段階で導電部（上下導通材１０６）のサイズの最大値を規定する規格値である。
【００４５】
パターンＭ３及びＭ４によれば、上下導通材１０６の形成位置及びサイズが規格値Ａ３及びＡ４の間に入っているか否かを、対向基板２０側から見た目視で検査可能である。
【００４６】
本実施形態では、導電パッド１０７が、アルミニウム或いは銀等の光反射性を有する導電パターンであるため、対向基板２０側からマーク部Ｍを見た場合に、導電材料を硬化させた後の導電部（上下導通材１０６）と、マーク部Ｍの位置ずれ及び重なり具合が見易くなっている。
【００４７】
また、本実施形態では、上下導通材１０６は、液晶装置１の製造時に、マーク部Ｍ上に導電材料を塗布することによって形成し、対向基板２０側から光を照射することによって形成された導電部であるため、複数のパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の夫々の線幅Ｗは、導電材料を光によって硬化させる際の光硬化を阻害しない線幅に設定されている。より具体的には、複数のパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３、及びＭ４の夫々の線幅Ｗは、塗布される導電材料の光硬化特性、照射される光の波長及び強度、及び、液晶装置１の製造プロセスのうち光照射工程において許容される製造効率の範囲内で、実践的に設定可能であり、例えば、５μｍ程度の線幅に形成されている。
【００４８】
よって、マーク部Ｍによれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な接続が確実に行われ、且つ液晶装置１全体の厚みが設計値からずれないように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる工程の前後において、導電材料及び上下導通材１０６の両方の形成位置及びサイズを検査可能にしつつ、硬化前の導電部を迅速、且つ確実に硬化させることが可能である。
【００４９】
このように液晶装置１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な接続が上下導通材１０６を介して確実に行われ、且つ液晶装置１全体の厚みが設計値からずれないように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる工程の前後において、導電部（上下導通材１０６）の形成位置及びサイズを製造工程の段階で容易に検査できる。加えて、液晶装置１の厚みが設計値から外れることによって生じる光学特性の低下を抑制可能である。
【００５０】
尚、本実施形態では、マーク部Ｍが、４つのパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を備えて構成されている例を挙げたが、マーク部Ｍは、パターンＭ１及びＭ２からなる一組のパターン部、及び、パターンＭ３及びＭ４からなる一組のパターン部の少なくとも一方の組のみを有していてもよい。このようなマーク部Ｍによれば、塗布直後の導電材料及びＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気接続を行う導電部（上下導通材１０６）の少なくとも一方の形成位置及びサイズの夫々が規格値から外れているか否かを検査可能であるため、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる工程の前後において、導電部（上下導通材１０６）の形成位置及びサイズを検査する検査工程を経ることなく液晶装置を製造する場合に比べて、高品位の液晶装置を製造可能である。
【００５１】
＜２：液晶装置の製造方法＞
次に、図５を参照しながら、液晶装置１を製造する液晶装置の製造方法を説明する。図５は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示したフローチャートである。尚、本実施形態では、後述する本発明の「第５工程」の一例である導通材硬化工程の前後の夫々に、本発明の「第６工程」及び「第７工程」の夫々の一例である塗布後導通材検査工程、及び、基板貼り合わせ後導通材検査工程の両方を含んでいる場合を説明するが、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、塗布後導通材検査工程、及び、基板貼り合わせ後導通材検査工程のうち少なくとも一方を含んでいればよい。
【００５２】
先ず、対向基板形成工程において、対向電極等の構成要素を対向基板２０に形成する（ステップＳ１）。これと並行して、或いは相前後して、本発明の「第１工程」の一例であるＴＦＴアレイ基板形成工程において、スイッチング用素子及び画素電極等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０に導電パッド１０７を形成する（ステップＳ３）。導電パッド１０７を形成する際には、ＴＦＴアレイ基板１０上の所定の領域に、アルミニウム、或いは銀等の光反射性を有する導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングすることによって形成する。
【００５３】
対向基板形成工程の後に実行される、本発明の「第２工程」の一例であるマーク部形成工程において、後にＴＦＴアレイ基板１０に対向するように対向基板２０を配置した際に対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する面の導電パッド１０７と重なるべき領域に、マーク部Ｍを形成する（ステップＳ２）。
【００５４】
次に、本発明の「第３工程」の一例である導電材塗布工程において、例えば、対向基板２０に形成されたマーク部Ｍ上に未硬化状態の導電材料を塗布する（ステップＳ４）。なお、ＴＦＴアレイ基板１０の導電パッド１０７上にマーク部Ｍを形成する場合は、ＴＦＴアレイ基板１０のマーク部Ｍ上に導電材料を塗布してもよい。
【００５５】
次に、塗布後導電材検査工程において、導電部の形成位置及びサイズが規格値Ａ１及びＡ２間の範囲から外れているか否かを検査する（ステップＳ５）。
【００５６】
次に、本発明の「第４工程」の一例である基板貼り合わせ工程において、対向基板２０（或いはＴＦＴアレイ基板１０）上にシール材を塗布した後、マーク部Ｍが形成された対向基板２０を導電パッド１０７が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上に配置することによって、これら基板を相互に貼り合わせる（ステップＳ６）。
【００５７】
次に、基板貼り合わせ後導通材検査工程において、上下導通材１０６の形成位置及びサイズの夫々が規格値Ａ３及びＡ４間の範囲から外れているか否かを検査する（ステップＳ７）。なお、本検査工程の前に導電部である上下導通材１０６を硬化させる。
【００５８】
その後、各検査工程で良品であると判定された液晶装置１を所定の工程に流動させることによって液晶装置１を完成させる。
【００５９】
このように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、上述の液晶装置と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な接続が上下導通材１０６を介して確実に行われ、且つ液晶装置１全体の厚みが設計値からずれないように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる工程の前後において、導電部（上下導通材１０６）の形成位置及びサイズを製造工程の段階で容易に検査できるため、高品位の液晶装置１を製造可能である。
【００６０】
加えて、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、マーク部Ｍを指標として、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる工程の前後において、導電部である上下導通材１０６の夫々の位置ずれ及びサイズが規格値内に収まっているか否かを目視で容易に検査可能であるため、液晶装置１を検査する検査時間を短縮することが可能である。より具体的には、本願発明者は、上述のマーク部Ｍを指標とする検査工程を液晶装置の製造工程に組み込むことによって、マーク部Ｍを参照しないで液晶装置を検査する場合に比べて、検査時間を約１％短縮できることを確認している。このような検査時間の短縮によって製造効率を向上させる効果は、液晶装置の流動数が大きくなるほどその効果は顕著になる。したがって、例えば、液晶装置の製造プロセスにおいて、一月当たり数十万個の液晶装置を製造する場合には、液晶装置の製造プロセス全体における効果は絶大なものとなる。
【符号の説明】
【００６１】
９ａ・・・画素電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、１０６・・・上下導通材、１０７・・・導電パッド、Ｍ・・・マーク部
【図１】
2010204252.tif 000003
【図２】
2010204252.tif 000004
【図３】
2010204252.tif 000005
【図４】
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【図５】
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