(57)【要約】【課題】液との適合性に優れ、複雑な構造を必要とせず加工が容易で高精度の液滴吐出ヘッド等を提供すること。【解決手段】液滴を吐出するためのノズル孔５０を有するノズル基板５と、振動板３０が壁面の一部に形成されてノズル孔５０と連通する吐出室３２、及び吐出室３２に液を供給するリザーバ３３とを有するキャビティ基板１と、振動板３０と対向配置された個別電極４１を有する電極基板４とを備え、振動板３０と個別電極４１との間の静電力により振動板３０を変位させて吐出室３２の液をノズル孔５０から吐出させる液滴吐出ヘッドであって、キャビティ基板３は、第１キャビティ基材１と第２キャビティ基材２とからなり、第１キャビティ基材１はシリコン材料で形成され、第２キャビティ基材２は硼珪酸ガラス材料で形成され、電極基板４は硼珪酸ガラス材料で形成され、ノズル基板５はシリコン材料で形成されている。【選択図】図２
2010240912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズル基板と、
振動板が壁面の一部に形成されて前記ノズル孔と連通する吐出室、及び前記吐出室に液を供給するリザーバとを有するキャビティ基板と、
前記振動板と対向配置された個別電極を有する電極基板とを備え、
前記振動板と前記個別電極との間の静電力により前記振動板を変位させて前記吐出室の液を前記ノズル孔から吐出させる液滴吐出ヘッドであって、
前記キャビティ基板は、第１キャビティ基材と第２キャビティ基材とからなり、第１キャビティ基材はシリコン材料で形成され、第２キャビティ基材は硼珪酸ガラス材料で形成され、前記電極基板は硼珪酸ガラス材料で形成され、前記ノズル基板はシリコン材料で形成されていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記キャビティ基板のシリコン材料からなる第１キャビティ基材と前記硼珪酸ガラス材料からなる電極基板とが陽極接合され、前記キャビティ基板のシリコン材料からなる第１キャビティ基材と硼珪酸ガラス材料からなる第２キャビティ基材とが陽極接合され、前記キャビティ基板の硼珪酸ガラス材料からなる第２のキャビティ基材と前記シリコン材料からなるノズル基板とが陽極接合されてなることを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記キャビティ基板の前記シリコン材料からなる第１キャビティ基材に前記振動板が設けられ、前記振動板がボロンドープシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出ヘッド、及びこれを搭載した液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液滴吐出ヘッドをインクのみならずカラーフィルター、有機ＥＬ等の工業用途、生体分子等のバイオ関連用途に適用する動きが見られる。液滴吐出ヘッドは、ノズル基板やキャビティ基板などが積層された構造であり、各基板は様々な接合方法によって接合されている。しかしながら、各基板を接着剤により接合している場合、工業用途液、バイオ関連用途液に接着剤が溶ける恐れがある。そこで、接着剤を用いない液滴吐出ヘッドが望まれている。
【０００３】
従来の液滴吐出ヘッドに、ノズル基板をガラス材料で形成し、接着剤を用いずにシリコン製のキャビティ基板と陽極接合により接合していたものがある。この場合、電極基板もガラス材料で形成し、キャビティ基板と陽極接合していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１６１７０６号公報（第５頁、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載の技術によれば、ノズル基板をガラス材料で形成したので、レーザー加工やドライエッチングを行って微細で高精度のノズル孔を形成することは必ずしも容易ではなかった。しかしながら、ノズル基板をシリコン材料で形成すると、シリコン製のキャビティ基板と陽極接合することができない。
【０００６】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、液との適合性に優れ、しかも複雑な構造を必要とせず、加工が容易で、高精度の液滴吐出ヘッド及びこれを搭載した液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズル基板と、振動板が壁面の一部に形成されてノズル孔と連通する吐出室及びこの吐出室に液を供給するリザーバとを有するキャビティ基板と、振動板と対向配置された個別電極を有する電極基板とを備え、振動板と個別電極との間の静電力により振動板を変位させて吐出室の液をノズル孔から吐出させる液滴吐出ヘッドであって、キャビティ基板は、第１キャビティ基材と第２キャビティ基材とからなり、第１キャビティ基材はシリコン材料で形成され、第２キャビティ基材は硼珪酸ガラス材料で形成され、電極基板は硼珪酸ガラス材料で形成され、ノズル基板はシリコン材料で形成されている。
【０００８】
電極基板は硼珪酸ガラス材料で形成され、第１キャビティ基材はシリコン材料で形成され、第２キャビティ基材は硼珪酸ガラス材料で形成され、ノズル基板はシリコン材料で形成されているので、異なる部材からなる基板、基材が交互に接合しており、このため基板、基材同士をすべて陽極接合することも可能になる。
また、ノズル基板をシリコン材料で形成したので微細で高精度のノズル孔を形成することができる。さらに、キャビティ基板を第１、第２のキャビティ基材によって形成し、一方の基材をシリコン材料で形成したので、加工が容易で、振動板を高精度に形成することができる。
【０００９】
また、本発明に係る液滴ヘッドは、キャビティ基板のシリコン材料からなる第１キャビティ基材と硼珪酸ガラス材料からなる電極基板とが陽極接合され、キャビティ基板のシリコン材料からなる第１キャビティ基材と硼珪酸ガラス材料からなる第２キャビティ基材とが陽極接合され、キャビティ基板の硼珪酸ガラス材料からなる第２のキャビティ基材とシリコン材料からなるノズル基板とが陽極接合されたものである。
電極基板、第１キャビティ基材、第２キャビティ基材及びノズル基板は全て陽極接合により接合されており、接着剤を用いていないため、液との適合性に優れる。
このため、工業用途液やバイオ関連用途液に適用することができる。
【００１０】
また、本発明に係る液滴ヘッドは、キャビティ基板のシリコン材料からなる第１キャビティ基材に振動板が設けられ、この振動板がボロンドープシリコンで形成されているものである。
キャビティ基板の振動板はボロンドープシリコンで形成されているため、複雑な構造を必要とせず、加工が容易で、高精度に形成することができる。
【００１１】
本発明に係る液滴吐出装置は、上記のいずれかの液滴吐出ヘッドを搭載したものである。これにより、液との適合性に優れた液滴吐出ヘッドを搭載した高精度の液滴吐出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図。
【図２】図１の液滴吐出ヘッドを組み立てた状態の縦断面図。
【図３】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの第２キャビティ基材の製造工程を示す断面図。
【図４】図３に続く液滴吐出ヘッドの第２キャビティ基材の製造工程を示す断面図。
【図５】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの電極基板と第１キャビティ基材との接合基板の製造工程を示す断面図。
【図６】図５に続く液滴吐出ヘッドの電極基板と第１キャビティ基材との接合基板の製造工程を示す断面図。
【図７】図６に続く液滴吐出ヘッドの電極基板と第１キャビティ基材との接合基板の製造工程を示す断面図。
【図８】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの電極基板と第１キャビティ基材１との接合基板に第２のキャビティ基材を接合する工程を示す断面図。
【図９】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの電極基板４と第１、第２キャビティ基材１との接合基板に、ノズル基板５を接合する工程を示す断面図。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る液滴吐出装置の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図、図２は図１の液滴吐出ヘッドを組み立てた状態の縦断面図である。なお、本実施の形態１は、液滴を基板の面部に設けたノズル孔から吐出させるフェイス型の液滴吐出ヘッドに関する。
図１、図２に示すように、液滴吐出ヘッドは３層構造からなり、振動板を有するキャビティ基板３と、電極部を有する電極基板４と、ノズル孔を有するノズル基板５とが積層されている。
【００１４】
３層構造の中間に位置するキャビティ基板３は、第１キャビティ基材１とその上側（図１の上側）に位置する第２キャビティ基材２とが積層して構成され、これらは陽極接合（接合面イ）によって接合されている。
第１キャビティ基材１は、例えば厚さ約３０μｍの（１１０）面方位のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板（このシリコン単結晶基板を含め、以下、単にシリコン基板という）であり、第２キャビティ基材２は、例えば厚さ約１００μｍの硼珪酸系の耐熱硬質のガラス基板である。
【００１５】
第１キャビティ基材１は、シリコン基板に異方性ウェットエッチングを行って、底壁が振動板３０となる吐出室３２（下部吐出室３２ｂ）を形成する。本実施の形態１では、振動板３０は高濃度のボロンドープ層３０ａ（図５（ｂ）参照）で構成されている。所望の厚さの振動板３０を形成するために、同じだけの厚さのボロンドープ層３０ａを形成する。本実施の形態１では、アルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、ボロンをドーパントとしたときには高濃度（約５×１０19ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上）の領域で極端にエッチングレートが小さくなることを利用した、いわゆるエッチングストップ技術を用いて、振動板３０を高精度で形成する。
【００１６】
また、第２キャビティ基材２はガラス基板にドライエッチングをし、キャビティ基板３の吐出室３２（上部吐出室３２ａ）、及び各ノズル（後述）に吐出する液体を溜めておくためのリザーバ３３を形成する。
【００１７】
ここで、キャビティ基板３の下面（ガラス基板４と対向する面）には、絶縁膜となるＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜３１の０．１μｍを、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜している。これは、液滴吐出ヘッドを駆動させたときの絶縁膜破壊及び短絡を防止するためである。また、第１キャビティ基材１のヘッド端部に、共通電極端子部３４として約０．１μｍの白金（Ｐｔ）膜を成膜する。
【００１８】
キャビティ基板３の下側（第１キャビティ基板１の下側、図１の下側）には電極基板４が配設され、キャビティ基板３と陽極接合（接合面ロ）で接合している。この電極基板４は、厚みが約１ｍｍの硼珪酸系の耐熱硬質ガラスからなり、キャビティ基板３に形成される各吐出室３２に合わせて、エッチングにより深さ約０．２μｍの電極凹部４０が設けられている。その内部には、個別電極４１、リード部４２及び端子部４３（以下、これらを合わせて電極部という）が形成されているので、電極凹部４０のパターン形状は電極部の形状よりも少し大きめに作製してある。なお、端子部４３は電極取出し部６１０において外部に取り出されている。
【００１９】
電極凹部４０に設けた電極部の材料としては、酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用い、例えば０．１μｍの厚みにスパッタ法を用いて成膜する。
したがって、振動板３０と個別電極４１との間に形成されるギャップＧは、電極凹部４０の深さと個別電極４１の厚みとにより決まることになる。このギャップＧは吐出特性に大きく影響する。
ここで、電極部の材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよいが、本実施の形態１では、透明で放電したかどうかの確認が行い易い等の理由でＩＴＯを用いている。
【００２０】
電極基板４には液供給孔（第１の液供給孔）４５がサンドブラスト加工または切削加工により形成されて、キャビティ基板３の液供給穴（第２の液供給穴）１０と繋がる。
なお、気相処理ライン４４は、電極基板４がキャビティ基板３と接合後に形成されるギャップＧ内の脱水処理及び疎水化処理を行うための溝である。
【００２１】
キャビティ基板３の上側（図１の上側）にはノズル基板５が配設されており、電極基板４とは反対の面でキャビティ基板３（第２キャビティ基材２）と陽極接合（接合面ハ）により接合されている。ノズル基板５は、例えば厚さ約１８０μｍのシリコン基板である。そして、ノズル基板５の上面には、吐出室３２と連通して液滴を吐出するためのノズル孔５０が形成されており、径の異なる２段の円筒状に形成されたノズル孔部分、すなわち先端が液吐出面側に開口する小径の吐出部５０ａと、液導入面側に開口する大径の導入部５０ｂとから構成され、基板面に対して垂直かつ同軸上に形成されている。また、ノズル基板５の下面にはオリフィス５１が設けられ、吐出室３２とリザーバ３３とを連通している。
なお、上記の説明ではノズル孔５０を有するノズル基板５を上面とし、電極基板４を下面として説明したが、実際に用いられる場合には、ノズル基板５が下面になることが多い。
【００２２】
上記の液滴吐出ヘッドにおいて、振動板３０と個別電極４１とからなるアクチュエーターは、封止材６０によって個別電極４１毎に封止されている。これにより、アクチュエーターを駆動させた際の個別電極４１と振動板３０との貼り付き等を防止することができる。
なお、電極基板４上に形成した電極部の端子部４３とキャビティ基板３上に形成した共通電極の端子部３４とは、発振回路７０に接続されている。
【００２３】
上記のように構成した液滴吐出ヘッドの動作を説明する。
図２に示すように、吐出室３２にはノズル孔５０から吐出する吐出液体を溜めておく。そして、吐出室３２の底壁である振動板３０を撓ませ、吐出室３２内の圧力を高めて、ノズル孔５０から液滴を吐出させる。
【００２４】
この際、発振回路７０は、個別電極４１への電荷の供給及び停止を制御する。すなわち、第１キャビティ基材１上に形成された共通電極の端子部３４と、電極基板４上に形成された電極部の端子部４３は、発振回路７０に接続され、個別電極４１に電荷の供給及び停止を制御する。そして、例えば、２４ｋＨｚで発振し、個別電極４１に０Ｖと３０Ｖのパルス電位を印加して電荷供給を行う。
個別電極４１に電荷を供給して正に帯電させると、振動板３０は負に帯電し、静電気力により個別電極４１に引き寄せられて撓む。これにより吐出室３２の体積は広がる。そして個別電極４１への電荷供給を止めると振動板３０は元に戻るが、そのとき吐出室３２の体積も元に戻って急激に縮小されるため、その圧力により差分の液滴がノズル孔５０から吐出し、例えば液滴がインクである場合は、記録対象となる記録紙に着弾することによって記録が行われる。なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。
【００２５】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、キャビティ基板３が第１キャビティ基材１と第２キャビティ基材２とで形成され、第１キャビティ基材１はシリコン材料で形成され、第２キャビティ基材は硼珪酸ガラス材料で形成されており、また、電極基板４は硼珪酸ガラス材料で形成され、ノズル基板５はシリコン材料で形成されており、それらは全て陽極接合により接合され接着剤を用いていないため、液（インク）との適合性に優れる。
また、キャビティ基板３の振動板３０はボロンドープシリコンで形成されているため、複雑な構造を必要とせず、加工が容易で、高精度に形成することができる。
【００２６】
上記のように構成した液滴吐出ヘッドの製造方法を図３〜図９により説明する。なお、以下の説明で記載した数値はその一例を示すもので、これに限定するものではない。
図３及び図４は、第２キャビティ基材２の製造工程を示す断面図である。
【００２７】
（ａ）  図３（ａ）に示すように、厚さ約１００μｍの両面鏡面の硼珪酸系の耐熱硬質のガラス基材２００（第２キャビティ基材２）を用意し、両面にスパッタリング法を用いて、Ｃｒ／Ａｕ膜２０１（クロム（８０ｎｍ）／金（８０ｎｍ））を成膜する。
【００２８】
（ｂ）  図３（ｂ）に示すように、片面のＣｒ／Ａｕ膜２０１の成膜面にレジスト２０２を塗布し、吐出室上部３２ａ（吐出室３２）、リザーバ３３、電極取出し上部６１ａ（図８参照）を形成するためのレジストパターニングを施す。
【００２９】
（ｃ）  図３（ｃ）に示すように、電鋳法により両面のＣｒ／Ａｕ膜２０１が露出している部分に、ニッケル層２０３を厚み１５μｍで形成する。
【００３０】
（ｄ）  図４（ｄ）に示すように、レジスト２０２を剥離する。
【００３１】
（ｅ）  図４（ｅ）に示すように、ニッケル層２０３をエッチングマスクとして、ＩＣＰドライエッチングを行い、吐出室上部３２ａ（吐出室３２）、リザーバ３３、及び電極取出し上部６１ａのＣｒ／Ａｕ膜２０１、及び第２キャビティ基材２のガラス部材をエッチングする。エッチングのための条件は、エッチングガスはＳＦ6 、チャンバー圧力０．２Ｐａ、ＲＦパワー１５０Ｗ、プラテン温度２０℃である。反対面のニッケル層２０３に達した時点でエッチングを終了する。
【００３２】
（ｆ）  図４（ｆ）に示すように、硝酸水溶液でニッケル（Ｎｉ）を、ヨウ素とヨウ化カリウム混合水溶液で金（Ａｕ）を、硝酸セリウムアンモニウム水溶液でクロム（Ｃｒ）を剥離する。こうして、ガラス基材２００から第２キャビティ基材２が作製される。
【００３３】
図５〜図７は、０．８μｍの振動板３０を有する液滴吐出ヘッドの、電極基板４と第１キャビティ基材１との接合基板の製造工程を示す断面図である。
なお、実際には、基板から複数個分の液滴吐出ヘッドの部材を同時形成するが、図５ではその一部分だけを示している。
【００３４】
（ａ）  図５（ａ）に示すように、電極基板４の各部分、すなわち個別電極４１、リード部４２、端子部４３、気相処理ライン４４（図１参照）、液供給穴（第１の液供給穴）４５を形成した電極基板４を作製する。
【００３５】
（ｂ）  図５（ｂ）に示すように、（１１０）を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基材１００（第１キャビティ基材１）の片面を鏡面研磨し、２２０μｍの厚みの基材を作製する。そして、シリコン基材１００のボロンドープ層を形成する側の面（鏡面側）を、Ｂ2Ｏ3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。縦型炉に石英ボートをセットし、炉内を窒素雰囲気にし、温度を１０５０℃に上昇させ、そのまま温度を７時間保持し、ボロンをシリコン基材１中に拡散させ、全面にボロンドープ層３０ａを形成する。ボロンドープ工程では、シリコン基材１の投入温度を８００℃とし、シリコン基材１００の取出し温度も８００℃とする。これにより、酸素欠陥の成長速度が速い領域（６００℃から８００℃）をすばやく通過することができるため、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
【００３６】
ボロンドープ層３０ａの表面にはボロン化合物（ＳｉＢ6 ）が形成されるが（図示せず）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化して、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 に化学変化させることができる。そして、シリコン基材１００をふっ酸水溶液に１０分間浸す。このようにすると、拡散面のＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 膜がエッチング除去される。
そして、ボロンドープ層３０ａを形成した側の面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ絶縁膜３１を、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で０．１μｍ成膜する。
【００３７】
（ｃ）  図５（ｃ）に示すように、シリコン基材１００と電極基板４とを３６０℃に加熱した後、電極基板４に負極、シリコン基材１００に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する（接合面ロ）。
【００３８】
（ｄ）  図６（ｄ）に示すように、陽極接合後、シリコン基材１００の厚みが約４０μｍになるまで研削加工を行う。その後、加工変質層を除去するために、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）を用いて、シリコン基材１００を約１０μｍ研磨する。これによりシリコン基材１００の厚みは約３０μｍとなる。
【００３９】
（ｅ）  図６（ｅ）に示すように、研磨面にプラズマＣＶＤを用いて、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は７００Ｗ、圧力は３３．３Ｐａ（０．２５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で、ＴＥＯＳエッチングマスク１０１を１．０μｍ成膜する。
【００４０】
（ｆ）  図６（ｆ）に示すように、ＴＥＯＳエッチングマスク１０１にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングし、吐出室下部３２ｂ（吐出室３２）、電極取出し上部６１ｂとなる部分をパターニングする。そしてレジストを剥離する。
【００４１】
（ｇ）  図７（ｇ）に示すように、接合済み基板を、まず３５ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、吐出室下部３２ｂ及び電極取出し上部６１ｂの厚みが約１０μｍになるまで行う。電極基板４に設けられた液供給穴４５に対応する部分では、水酸化カリウム水溶液の濃度が高いため、ボロンドープ層３０ａでのエッチングレートが低下するものの、接合面側からエッチングが進行していく。
次に、接合済み基板を３ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、ボロンドープ層３０ａにおけるエッチングレート低下によるエッチングストップが十分効くまでエッチングを続ける。前記２種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、振動板３０の面荒れを抑制し、厚み精度を０．８０±０．０５μｍ以下にすることができ、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。またこのとき、液供給穴（第２の液供給穴）１０もシリコン基板１を貫通する。
【００４２】
（ｈ）  図７（ｈ）に示すように、シリコン基材１００のエッチングが終了したら、シリコン基材１００をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基材１００の表面のＴＥＯＳエッチングマスク１０１を剥離する。
【００４３】
（ｉ）  図７（ｉ）に示すように、電極取出し上部６１ｂに残っているシリコン薄膜及びＴＥＯＳ絶縁膜を除去するために、シリコンマスクをシリコン基材１００の表面に取り付け、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4 流量３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件で、ＲＩＥドライエッチングを１時間行い、所望の場所のみにプラズマを当てて開口する。
こうして、電極基板４と第１キャビティ基材１との接合基板が作製される。
【００４４】
図８は液滴吐出ヘッドの電極基板４と第１キャビティ基材１との接合基板に、第２キャビティ基材２を接合する工程を示す断面図である。
【００４５】
（ｊ）  図３〜図７の製造方法で作製した電極基板４と第１キャビティ基材１との接合基板を３６０℃に加熱した後、図８（ｊ）に示すように、第２キャビティ基材２に負極、第１キャビティ基材１に正極を接続し、８００Ｖの電圧を印加してこれらの基材１、２を陽極接合する（接合面イ）。
【００４６】
（ｋ）  図８（ｋ）に示すように、封止部６２にエポキシ系樹脂６０を盛り、個別電極４１ごとに封止を行う。エポキシ系樹脂６０の代わりに、ＴＥＯＳ膜等の無機材料を成膜して封止してもよい。そして、気相処理ライン４４の端部（図１参照）を介してギャップＧ内の水分除去及び疎水化処理を行った後、エポキシ系樹脂を気相処理ライン４４の端部に盛り（図示せず）、ギャップＧを封止する。これによって、ギャップＧは密閉状態になる。
【００４７】
図９は、液滴吐出ヘッドの電極基板４と第１、第２キャビティ基材１、２との接合基板に、ノズル基板５を接合する工程を示す断面図である。
【００４８】
（ｌ）  図９（ｌ）に示すように、ノズル基板５の各部分、すなわちノズル孔５０、オリフィス５１、電極取出し上部６１ｃを形成したノズル基板５を、第２キャビティ基材２と陽極接合する。この際、第２キャビティ基材２に負極、ノズル基板５に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する（接合面ハ）。
【００４９】
（ｍ）  図９（ｍ）に示すように、ダイシングを行い、個々のヘッドに切断する。
こうして、ガラス基板４、第１キャビティ基材１（キャビティ基板３）、第２キャビティ基材２（キャビティ基板３）、及びノズル基板５がそれぞれ陽極結合で結合して積層された液滴吐出ヘッドが完成する。
【００５０】
実施の形態２．
図１０は、実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の斜視図である。図１０に示す液滴吐出装置は、一般的なインクジェットプリンタである。
実施の形態１の液滴吐出ヘッドは、接着剤を用いず陽極接合のみで基板を接合したので、液適合性に優れて長期駆動に耐えることができ、このため高精度で信頼性が高い液滴吐出装置を得ることができる。
なお、実施の形態１の液滴吐出ヘッドは、図１０に示すインクジェットプリンタの他に、液を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１  第１キャビティ基材、２  第２キャビティ基材、３  キャビティ基板、４  電極基板、５  ノズル基板、３０  振動板、３２  吐出室、３３  リザーバ、４１  個別電極、４２  リード部、４３  端子部、５０  ノズル孔、５１  オリフィス、６１  電極取出し上部、６１０  電極取出し部、イ、ロ、ハ  陽極接合の接合面、Ｇ  ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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