(57)【要約】【課題】   金属反射層を含み、光線の発光ダイオード内部における反射効率を高め、同時に電気抵抗を低下させ、電力の損耗を抑えることができ、さらに、前記金属反射層と半導体の間に緩衝層を含み、前記緩衝層が金属と非金属透明媒体の混合構造であり、半導体と金属間の応力を低下させ、チップ破壊の可能性を減少することができる、発光ダイオードとその製造方法の提供。【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、発光構造体を含み、前記発光構造体がその両側にそれぞれ配置された第１半導体層と第２半導体層を含み、前記第１半導体層上に緩衝層が設置され、かつ前記緩衝層が媒体アレイと金属アレイを含み、そのうち、前記金属アレイが前記媒体アレイの間の空隙に配置され、前記緩衝層上に反射層が設置され、前記媒体アレイを通過して射出される光線を反射することを特徴とする。【選択図】   図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードであって、発光構造体を含み、前記発光構造体がその両側にそれぞれ配置された第１半導体層と第２半導体層を含み、前記第１半導体層上に緩衝層が設置され、かつ前記緩衝層が媒体アレイと金属アレイを含み、そのうち、前記金属アレイが前記媒体アレイの間の空隙に配置され、前記緩衝層上に反射層が設置され、前記媒体アレイを通過して射出される光線を反射することを特徴とする、発光ダイオード。
【請求項２】
半導体素子の反射構造体であって、半導体素子の半導体層上に設置された緩衝層と、前記緩衝層上に設置された反射層を含み、前記緩衝層が媒体アレイと金属アレイを含み、そのうち、前記金属アレイが前記媒体アレイの間の空隙に配置され、前記反射層が前記媒体アレイを通過して射出される光線を反射することを特徴とする、半導体素子の反射構造体。
【請求項３】
半導体素子の反射構造体であって、半導体素子の半導体層上に設置された複数の媒体構造体と、前記半導体層上に設置された複数の金属構造体と、前記複数の媒体構造体と前記複数の金属構造体上に設置された反射層を含み、そのうち、前記複数の金属構造体と前記複数の媒体構造体が相互に間を隔てて排列され、前記反射層が光線を反射することを特徴とする、半導体素子の反射構造体。
【請求項４】
発光ダイオードの製造方法であって、
発光ダイオードの発光構造体を基板上に形成するステップ、
前記発光構造体の第１半導体層上に媒体層を形成するステップ、
前記媒体層上にフォトレジストを配置するステップ、
前記フォトレジストを用いて前記媒体層に複数の空隙をエッチングして複数の媒体構造体を形成するステップ、 
前記複数の空隙中に複数の金属構造体を形成し、そのうち前記複数の金属構造体と前記複数の媒体構造体が相互に間を隔てて排列されるステップ、
前記複数の媒体構造体と前記複数の金属構造体上に反射層を形成するステップ、
を含むことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
発光ダイオードの製造方法であって、
発光ダイオードの発光構造体を基板上に形成するステップ、
前記発光構造体の第１半導体層上にフォトレジストを配置するステップ、
前記フォトレジストの間の空隙を用いて前記第１半導体上に複数の媒体構造体を沈積するステップ、
前記フォトレジストを除去し、複数の空隙を前記複数の媒体構造体の間に形成するステップ、
前記複数の空隙中に複数の金属構造体を形成し、そのうち、前記複数の金属構造体と前記複数の媒体構造体が相互に間を隔てて排列されるステップ、
前記複数の媒体構造体と前記複数の金属構造体上に反射層を形成するステップ、
を含むことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオードは、半導体基板と、半導体基板上に設置された発光構造体と２つのオーミック接触電極を含み、そのうち、この２つのオーミック接触電極は発光構造体上と基板の他方の一面上にそれぞれ形成される。
【０００３】
発光構造体は通常多層のアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から構成され、例えば、赤外線光と赤色光を発するＡｌＧａＡｓ、または黄緑色光、黄色光、赤色光を発するＡｌＧａＩｎＰなどがある。上述の発光構造体の発する光はあらゆる方向に射出される（即ち全方向性）が、上述の基板のバンドギャップエネルギーは通常可視光のエネルギーより小さいため、基板が発光構造体の発する大部分の光を吸収してしまい、発光ダイオードの外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が大幅に低下し、発光ダイオードの輝度もそれに伴って低下する。
【０００４】
現在、基板の吸光の問題を解決するため、すでに多くの方法が提示されている。基板上の発光構造体を上下２つの分布ブラッグ反射鏡（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ、 ＤＢＲｓ）の間に挟む公知の方法のほか、米国特許第４５７０１７２号と第５２３７５８１号にも関連の改良構造が提示されている。ブラッグ反射鏡を使用する状況において、発光構造体の発する光が基板に向かって射出されたとき、反射されて返されることにより、基板の吸光の問題を解決している。しかしながら、分布ブラッグ反射鏡は垂直に進入する入射光に対してのみ高い反射率を有し、光の入射角が増加すると、その反射率が低下する。このため、分布ブラッグ反射鏡を使用しても、発光ダイオードの外部量子効率及びその輝度の向上はやはり制限を受ける。
【０００５】
米国特許第５３７６５８０号は別途２つのウェハボンディング（ｗａｆｅｒ ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を利用した方法を開示している。第１の方法は、まずＧａＡｓ基板上に発光ダイオードエピタキシャル構造を成長させ、その後ウェハボンディング技術を利用して発光ダイオードエピタキシャル構造を透明基板に接合する方法である。第２の方法は、まずＧａＡｓ基板上に発光ダイオードエピタキシャル構造を成長させ、その後ウェハボンディング技術を利用して発光ダイオードエピタキシャル構造を反射鏡に接合する方法である。上述の２つの方法は共に吸光するＧａＡｓ基板を排除することで発光ダイオードの外部量子効率を向上しており、そのうち、第１の方法は透明基板を利用して光を透過させ、第２の方法は反射鏡を利用して光を反射している。しかしながら、第１の方法において透明基板を使用する問題点は、ウェハボンディングを高い焼き戻し温度下で行う必要があり、それによってその中のドーパントが再度分布され、発光ダイオードの機能が低下してしまうことである。第２の方法において反射鏡を使用する問題点は、ウェハボンディング過程で直接反射鏡の反射表面で接合を行うため、反射表面が粗くなったり、変質したりして反射鏡の反射表面が汚染されてしまうことである。
米国特許第６７９７９８７号も反射金属層を使用した発光ダイオードを開示しており、これは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層の透明導電酸化物層を反射金属層と発光構造体の間に挟み、反射金属層がウェハボンディング過程において発光構造体と反応を生じないようにしている。ＩＴＯ層と発光構造体の間のオーミック接触を増進するため、上述の特許は、ＩＴＯ層中にオーミック接触格子形状（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｇｒｉｄ ｐａｔｔｅｒｎ）またはチャネル（ｃｈａｎｎｅｌｓ）を形成するか、或いはＩＴＯ層と発光構造体の間に合金金属メッシュ（ａｌｌｏｙ ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）を形成する構造を提示している。上述の構造のプロセスは非常に複雑なため、その製造コストが増加してしまう。合金金属メッシュは高温合金プロセスで製造する必要があり、かつ合金金属をエッチングしてメッシュの形状とすることは非常に困難である。このほか、合金の厚さにも注意が必要で、合金金属層が薄すぎると、合金金属と発光構造体の間のオーミック接触が悪くなり、合金金属層が厚すぎると、ウェハボンディングの後の接合力が不足する。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４５７０１７２号
【特許文献２】米国特許第５２３７５８１号
【特許文献３】米国特許第５３７６５８０号
【特許文献４】米国特許第６７９７９８７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の発明の背景において、産業上の利益の必要性を満たすため、本発明は上述の従来の発光ダイオードが達成できない問題を解決するために用いることができる発光ダイオードを提供する。
【０００８】
本発明の目的は、金属反射層を含み、光線の発光ダイオード内部における反射効率を高め、同時に電気抵抗を低下させ、電力の損耗を抑えることができ、さらに、前記金属反射層と半導体の間に緩衝層を含み、前記緩衝層が金属と非金属透明媒体の混合構造であり、半導体と金属間の応力を低下させ、チップ破壊の可能性を減少することができる、発光ダイオードとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光ダイオードは、基板上に発光構造体を形成し、かつ前記発光構造体が第１半導体層と第２半導体層を含み、そのうち前記第１半導体層と前記第２半導体層を前記発光構造体の両側に配置する。まず、前記第１半導体層上に媒体層を形成し、さらにフォトレジストを前記媒体層上に配置し、前記フォトレジストを用いて前記媒体層に複数の空隙をエッチングし、複数の媒体構造体を形成する。或いは、フォトレジストを前記第１半導体層上に配置し、フォトレジスト間の空隙を用いて前記第１半導体上に複数の媒体構造体を沈積し、さらに前記フォトレジストを除去して複数の媒体構造体の間の複数の空隙を形成し、そのうち前記複数の媒体構造体が媒体アレイを構成する。その後、さらに複数の金属構造体を前記複数の空隙中に形成して、金属アレイを構成し、かつ前記媒体アレイと前記金属アレイを相互に間を隔てて排列して前記緩衝層を形成する。その後、前記緩衝層上に反射層を形成する。
【００１０】
上述の構造を完成させた後、前記反射層上に代替基板を形成し、発光ダイオードの元の基板を代替すると共に、前記発光ダイオードの元の基板を分離し、前記第２半導体層上にコンタクト電極を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本発明の発光ダイオードの側面図である。
【図１Ｂ】本発明の発光ダイオードの反射構造体の側面図である。
【図１Ｃ】本発明の発光ダイオードの反射構造体の俯瞰図である。
【図１Ｄ】本発明の発光ダイオードの別の反射構造体の俯瞰図である。
【図１Ｅ】本発明の発光ダイオードのさらに別の反射構造体の俯瞰図である。
【図２】発光ダイオードのプロセスフローを示す側面図である。
【図３】発光ダイオードの別のプロセスフローを示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明がここで討究する方向は、発光ダイオードとそのプロセスである。徹底的に本発明を理解することができるように、以下の記述の中で、できるだけ詳しいステップ及びその構成を提示する。当然、本発明の実施は、発光ダイオードとそのプロセスの技術者が熟知している特殊な詳細に限定されるものではない。また、本発明に不必要な制限が生じるのを避けるために、誰もが知っている構成又はステップは、細かく記述していない。本発明の最良の実施例は以下に詳細に記述するが、これらの詳細な記述以外に、本発明はその他の実施例においても幅広く実施することができ、本発明の範囲は限定を受けず、後付の特許請求の範囲に準じる。
【００１３】
従来の発光ダイオードの光取り出し機能を強化するため、米国特許第７３３５９２４号は反射層を備えた発光ダイオードを開示しており、これは発光構造体と、前記発光構造体上に順に形成された非合金オーミック接触層、第１反射層、基板を含む。上述の発明の主な特徴は、前記非合金オーミック接触層と前記第１反射層の共同効果（ｊｏｉｎｔ ｅｆｆｅｃｔ）で基板の吸光の問題を解決している点である。前記第１反射層は反射鏡として用いられ、その材料は優れた反射性を持つ純金属または金属窒化物である。前記非合金オーミック接触層は前記発光構造体と前記第１反射層の間に挟みこまれ、かつ前記非合金オーミック接触層の材料は光学的透明性を備えている。しかしながら、光学的透明性を備えた導電材料は、通常電気抵抗が比較的高いか、透光率が比較的低い。
【００１４】
米国特許第２００５０２０５８８６号が提示する発光ダイオードは透明透過反射層を含む。一般に、透明透過反射層の透光率は通常比較的低く、光線の前記発光ダイオード内部における反射率を低下させる。このほか、透明透過反射層は比較的高い膨張係数を有し、発光ダイオードの製造に不利であり、良品率が低下する。
【００１５】
米国特許第２００４００４１１６４号が提示する発光ダイオードは、この発光ダイオードが光取り出し部材を含むアレイを反射構造体としており、そのうち、前記光取り出し部材のアレイが前記発光ダイオードの基板上に配置されていることがその主な特徴である。光線が光取り出し部材のアレイを通過して基板に入射すると、光線が反射される。しかしながら、このような反射は全反射の方式を利用する必要があり、その制限条件があるだけでなく、金属で直接反射する効果には及ばない。
【００１６】
また、「ＬＥＤ Ｒ＆Ｄ Ｌａｂ., ＬＧ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ ５２（２００７） ５２５８−５２６５」で発光ダイオードにおける電析銅薄膜の応力現象（Ｓｔｒｅｓｓ ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ ｆｉｌｍｓ ａｓ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｕｐｐｏｒｔｅｒｓ ｆｏｒ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ）が発表されているが、これは金属と半導体の直接接合を利用しているため、内応力を解放することができず、チップの反りや破壊を引き起こしてしまう。
【００１７】
上述の数々の欠点に鑑みて、本発明が提示する発光ダイオードは、金属反射層を含み、光線の発光ダイオード内部における反射効率を高め、同時に電気抵抗を低下させ、電力の損耗を抑えることができ、さらに、前記金属反射層と半導体の間に緩衝層を含み、前記緩衝層が金属と非金属透明媒体の混合構造であり、半導体と金属間の応力を低下させ、チップ破壊の可能性を減少する。
【００１８】
上述の構造は、従来の発光ダイオード上に形成され、そのうち、従来の発光ダイオードは、基板上に発光構造体を形成し、かつこの発光構造体が反応層及びその両側の第１半導体層、第２半導体層を含む。まず、前記第１半導体層上に媒体層を形成し、さらにフォトレジストを前記媒体層上に配置し、前記フォトレジストを用いて前記媒体層に複数の空隙をエッチングし、複数の媒体構造体を形成する。或いは、まずフォトレジストを前記第１半導体層上に配置し、前記フォトレジスト間の空隙を用いて前記第１半導体上に複数の媒体構造体を沈積し、さらに前記フォトレジストを除去して複数の媒体構造体の間の複数の空隙を形成し、そのうち、前記複数の媒体構造体が媒体アレイを構成する。その後さらに複数の金属構造体を前記複数の空隙中に形成して、金属アレイを構成し、かつ前記媒体アレイと前記金属アレイを相互に間を隔てて排列して前記緩衝層を形成する。その後、前記緩衝層上に反射層を形成する。
【００１９】
前記媒体構造体と前記金属構造体が相互に間を隔てて配置された排列方式のため、緩衝層の熱膨張係数に対応することができ、金属が熱に遭遇したとき、前記緩衝層の媒体構造体を延伸空間として利用し、半導体と金属間の応力を低下させ、チップ破壊の確率を減少し、良品率を向上することができる。さらに、前記反射層は金属材質とし、その高反射率の特性を利用して発光効率を高めることができる。
【００２０】
上述の構造を完成させた後、前記反射層上に代替基板を形成し、発光ダイオードの元の基板を代替すると共に、前記発光ダイオードの元の基板を分離し、前記第２半導体層上にコンタクト電極を形成する。
【００２１】
図１Ａに前記発光ダイオードの側面図を示す。この発光ダイオードは、発光構造体１１０、緩衝層１２０、反射層１３０、代替基板１４０、コンタクト電極１５０を含む。前記発光構造体１１０は第１半導体層１１２、第２半導体層１１４、反応層１１６を含み、そのうち、前記第１半導体層１１２と前記第２半導体層１１４が前記発光構造体１１０の両側にそれぞれ配置され、かつ前記反応層１１６が前記第１半導体層１１２と前記第２半導体層１１４の間に配置される。前記第１半導体層１１２はＰ−ＧａＮとし、かつ前記第２半導体層１１４はＮ−ＧａＮとすることができる。
【００２２】
前記緩衝層１２０は前記第１半導体層１１２上に配置され、かつ前記緩衝層１２０は複数の媒体構造体１２２と複数の金属構造体１２４を含み、そのうち、前記複数の金属構造体１２４と前記複数の媒体構造体１２２は相互に間を隔てて排列される。前記反射層１３０は前記緩衝層１２０上に配置され、かつ、図１Ｂに示すように、各媒体構造体１２２の側面は台形とすることができ、前記反射層１３０に前記台形の媒体構造体１２２の斜辺上で斜面を形成させて光線を反射させることができ、そのうち、前記反射層１３０の材質はアルミニウム（Ａｌ）とすることができる。
【００２３】
前記緩衝層１２０の別の実施例は、媒体アレイ１２６と金属アレイ１２８を含むことができ、そのうち、前記金属アレイ１２８は前記媒体アレイ１２６の間の空隙に配置され、かつ前記反射層１３０と前記媒体アレイ１２６の連接箇所に複数の斜面が形成され、光線を反射する。図１Ｃに示すように、前記媒体アレイ１２６は網状構造とすることができ、その残りの空隙が前記金属アレイ１２８である。さらに、図１Ｄに示すように、前記媒体アレイ１２６は独立した分散構造のアレイとすることもでき、残りの空間に排列された前記金属アレイ１２８に網状構造を形成させることができる。当然、図１Ｅに示すように、前記媒体アレイ１２６と前記金属アレイ１２８は不規則に排列した構造とすることもできる。
【００２４】
前記媒体アレイ１２６は前記複数の媒体構造体１２２の排列から形成することもでき、同様に、前記金属アレイ１２８も前記複数の金属構造体１２４の排列から形成することができる。また、前記媒体構造体１２２または前記媒体アレイ１２６の厚さは発光ダイオード光源の波長の１/６に等しい、またはそれ以上とし、かつ、空気、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ダイヤモンド状カーボン（ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ）、ダイヤモンド等の透光性媒体とする。前記金属構造体１２４または金属アレイ１２８はプラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（ＡＵ）から構成するか、或いはニッケル（Ｎｉ）と金から構成することができる。本発明の最良の実施例において、前記媒体構造体１２２または媒体アレイ１２６はＳｉＯ２とし、かつ前記媒体構造体１２２と前記金属構造体１２４の比率、または前記媒体アレイ１２６と前記金属アレイ１２８の比率はＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ：ＳｉＯ２＝１：１．１６とする。
【００２５】
図１Ａに示すように、前記代替基板１４０は前記反射層１３０上に配置され、前記発光構造体１１０を形成する元の基板に代替する。そのうち、前記代替基板１４０は銅（Ｃｕ）とすることができる。また、前記コンタクト電極１５０は前記第２半導体上に配置される。
【００２６】
前記緩衝層１２０と前記反射層１３０が構成する反射構造体は、発光ダイオードに用いることができるほか、さらにその他反射光線を有する同様の目的の半導体素子に応用することもでき、発光ダイオードの反射構造体に限定されない。
【００２７】
図２に示すように、本発明がさらに提示する発光ダイオードの製造方法は次のステップを含む。まずステップ２１０では、発光ダイオードの発光構造体１１０を基板１８０上に形成する。ステップ２２０では、さらに前記発光構造体１１０の第１半導体層１１２上に媒体層１６０を形成する。続いてステップ２３０では、前記媒体層１６０上にフォトレジスト１９０を配置する。その後ステップ２４０では、フォトレジスト１９０を用いて前記媒体層１６０に複数の空隙をエッチングし、複数の媒体構造体１２２を形成する。その後さらにステップ２５０では、前記複数の空隙中に複数の金属構造体１２４を形成し、そのうち、前記複数の金属構造体１２４と前記複数の媒体構造体１２２は相互に間を隔てて排列される。その後ステップ２６０では、前記複数の媒体構造体１２２と複数の金属構造体１２４上に反射層１３０を形成する。さらにステップ２７０では、前記反射層１３０上に代替基板１４０を形成する。そしてステップ２８０では、前記基板１８０を分離する。最後に、ステップ２９０では、第２半導体層１１６上にコンタクト電極１５０を形成し、そのうち、前記第１半導体層１１２と前記第２半導体層１１６は前記発光構造体１１０の両側に相対して配置される。                
【００２８】
上述の複数の金属構造体１２４は物理気相堆積（ＰＶＤ）の方法で形成することができ、かつ本発明の最良の実施例において、前記複数の金属構造体１２４は蒸着めっきで形成される。前記反射層１３０は蒸着めっき、スパッタリング、化学めっき、電気めっき等の方式で形成することができ、かつ本発明の最良の実施例において、前記反射層１３０は蒸着めっきで形成される。さらに、前記基板１８０を分離する方法はレーザーまたは化学エッチング剥離を含む。
【００２９】
図３に示すように、本発明がさらに提示する別の発光ダイオードの製造方法は、次のステップを含む。まず、ステップ３１０では、発光ダイオードの発光構造体１１０を基板１８０上に形成する。ステップ３２０では、前記発光構造体１１０の第１半導体層１１２上にフォトレジスト１９０を配置し、さらに前記フォトレジスト１９０の間の空隙を用いて前記第１半導体１１２上に複数の媒体構造体１２２を沈積する。その後ステップ３３０では、前記フォトレジスト１９０を除去し、前記複数の媒体構造体１２２の間に複数の空隙を形成する。その後さらにステップ３４０では、前記複数の空隙中に複数の金属構造体１２４を形成し、そのうち、前記複数の金属構造体１２４と前記複数の媒体構造体１２２は相互に間を隔てて排列される。その後ステップ３５０では、前記複数の媒体構造体１２２と複数の金属構造体１２４上に反射層１３０を形成する。さらにステップ３６０では、前記反射層１３０上に代替基板１４０を形成する。そしてステップ３７０では、前記基板１８０を分離する。最後に、ステップ３８０では、第２半導体層１１６上にコンタクト電極１５０を形成し、そのうち、前記第１半導体層１１２と前記第２半導体層１１６は前記発光構造体１１０の両側に相対して配置される。
【００３０】
前記複数の媒体構造体は物理気相堆積（ＰＶＤ）または高密度プラズマ化学的気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ、Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の方法で形成することができる。同様に、前記複数の金属構造体１２４も物理気相堆積（ＰＶＤ）の方法で形成することができ、かつ本発明の最良の実施例において、前記複数の金属構造体１２４は蒸着めっきで形成される。前記反射層１３０も蒸着めっき、スパッタリング、化学めっき、電気めっき等の方式で形成することができ、かつ本発明の最良の実施例において、前記反射層１３０は蒸着めっきで形成される。さらに、前記基板１８０を分離する方法は、レーザーまたは化学エッチング剥離を含む。
【００３１】
当然、上述の実施例の記述に基づいた上で、本発明は多くの修正や差異があり得る。従って、後付する特許請求の範囲で更なる理解をする必要があり、上述の詳細な記述以外に、本発明は幅広くその他の実施例においても実施できる。上述は本発明の最良の実施例にすぎず、本発明の特許申請の範囲を限定するものではなく、その他本発明が開示する要旨を逸脱せずに完成した同様の効果をもつ変更や修飾は、すべて後付の特許請求の範囲内に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００３２】
１１０ 発光構造体
１１２ 第１半導体層
１１４ 第２半導体層
１１６ 反応層
１２０ 緩衝層
１２２ 媒体構造体
１２４ 金属構造体
１２６ 媒体アレイ
１２８ 金属アレイ
１３０ 反射層
１４０ 代替基板
１５０ コンタクト電極
１６０ 媒体層
１８０ 基板
１９０ フォトレジスト
２１０〜２９０   ステップ 
３１０〜３８０   ステップ
【図１Ａ】
2010028106.tif 000003
【図１Ｂ】
2010028106.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２】
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【図３】
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