(57)【要約】【課題】半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少ない樹脂封止が可能で、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】複数の単位回路パターン１１を有するインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークを真空状態にてプレスして複数の半導体チップを樹脂封止する工程とを含む。複数の半導体チップを樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂で封止することができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の単位回路パターンを有するインターポーザに、前記複数の単位回路パターンに対応させてフリップチップ接続された複数の半導体チップ上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、
（ｂ）前記複数の半導体チップ上に前記フィルム状の封止樹脂が搭載されたワークを減圧状態にてプレスして前記複数の半導体チップを樹脂封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）において、隣接する前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が自然に入り込まず、かつ、フィルム状態が維持できる状態まで、前記フィルム状の封止樹脂を加熱して軟化させ、雰囲気を減圧状態にして、前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が流れ込む圧力でプレスすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）において、前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が流れ込む圧力で、前記複数の半導体チップのうちの最外周に配置された半導体チップの外側に前記封止樹脂が流れ出るまで前記ワークをプレスすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）で前記複数の半導体チップを樹脂封止した後、
（ｃ）前記封止樹脂を完全硬化させるポストキュアを行う工程を備え、
該工程（ｃ）では、前記封止樹脂が形状を維持できる温度でキュアすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）において、前記封止樹脂が硬化するまでプレス状態を維持し、その後雰囲気を大気圧に戻し、プレスを解除することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、
（ｄ）前記複数の半導体チップを樹脂封止した後の、前記封止樹脂の厚さが所望の厚さになるように、前記インターポーザの外周にスペーサーを配置する工程を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）の前に、
（ｅ）前記複数の半導体チップと前記インターポーザとを接着するための接着剤層を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記フィルム状の封止樹脂が前記接着剤層と同じ材料であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の半導体チップ上に前記フィルム状の封止樹脂を搭載する前記工程（ａ）の前に、
（ｆ）フリップチップ接続された前記複数の半導体チップよりも外側となる前記インターポーザ上に、補強材を配置する工程を備えていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ）後に、
（ｇ）前記封止樹脂上に該封止樹脂を保護する裏面保護層を積層する工程を備えていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ｈ）前記インターポーザ、前記封止樹脂および前記裏面保護層を、前記封止樹脂により封止された前記半導体チップと前記半導体チップとの間で切断する工程を備えていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記フィルム状の封止樹脂は、前記工程（ｂ）において、前記半導体チップ間の隙間及び前記半導体チップと前記インポーザとの隙間を埋め、かつ、前記半導体チップ上に堆積する樹脂厚が２０μｍ以上となる体積量を有する厚さのフィルム状の封止材料であり、
前記工程（ｇ）は、前記工程（ｂ）によって反応率が８０％以上となるように前記封止樹脂を硬化させた後に、前記封止樹脂上に前記裏面保護層を積層し、
前記工程（ｃ）は、前記工程（ｇ）の後に、前記封止樹脂を完全硬化させることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記フィルム状の封止樹脂は、２層以上の封止樹脂層からなる積層構造を有するフィルム状の封止材料であり、
前記フィルム状の封止樹脂を構成する複数の前記封止樹脂層のうち、前記工程（ａ）で前記フィルム状の封止樹脂を前記半導体チップ上に搭載したときに該半導体チップ側とならない該フィルム状の封止樹脂の最外層である最上位封止樹脂層は、フィラーの含有率が全体の７５重量％以上であり、
前記工程（ｂ）において、前記最上位封止樹脂層以外の前記封止樹脂層によって、前記半導体チップ間の隙間を含めた該半導体チップの周囲の空間が埋められることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記フィルム状の封止樹脂の前記最上位封止樹脂層以外の前記封止樹脂層は、フィラーの含有率が全体の７０重量％以下であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
インターポーザと、
前記インターポーザにフリップチップ接続された半導体チップと、
前記半導体チップを覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂上に積層され該封止樹脂を保護する裏面保護層と、
を備え、
前記インターポーザの側面と前記封止樹脂の側面と前記裏面保護層の側面とは、同一切断面を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、複数の単位回路パターンを有するインターポーザに、複数の単位回路パターンに対応させてフリップチップ接続された複数の半導体チップを封止する方法およびこの方法により製造される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、モバイルコンピュータ、パーソナル情報機器、デジタルカメラなどに代表されるエレクトロニクス製品は、小型化、軽量化及び高機能化が飛躍的に進んでいる。このようなエレクトロニクス製品に搭載される半導体パッケージについても、小型化、軽量化及び実装基板への高密度実装が強く要求されてきている。このような半導体パッケージにおいては、半導体素子の小型化、高速化に伴うフリップチップによる接続方式の採用が急速に広まりつつある。フリップチップによる接続には、半田を用いた金属接続、導電材料による接続、Ａｕ−Ａｕ等の種々の接続法がある。
【０００３】
樹脂基板を用いた樹脂封止型の半導体装置は、ポッティング、印刷あるいは樹脂封止金型を用いた樹脂封止により半導体チップを封止して提供される。ポッティング法および印刷法は操作が容易であり、一方、樹脂封止金型を用いた封止方法は、サイクルタイムが短く量産性に優れているという利点がある。
【０００４】
ポッティングによって樹脂封止する技術が例えば特許文献１に開示されている。
印刷によって封止する樹脂技術が例えば特許文献２に開示されている。
樹脂封止金型を用いて樹脂封止する技術が例えば特許文献３および特許文献４に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２８４５２５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３８０７号公報
【特許文献３】特開２００７−３０７８４３号公報
【特許文献４】特開２００６−１０８３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ポッティングによって封止する場合は、基板に半導体チップ（またはチップと呼ぶ）をフリップチップにより電気的に接続したあと、チップ周囲に封止樹脂を充填する。この場合、形状が安定せず、封止高さ・形状に大きなバラツキが生じる。また、多数個取り用の大判基板を使用する場合は、チップの基板上の搭載場所により、チップ上の樹脂厚にバラツキが生じる。
【０００７】
印刷によって封止する場合は、半導体チップが搭載された基板の周囲にチップ搭載部周辺が開口したマスクを搭載し、マスク上に塗布された封止樹脂を、印刷用スキージで印刷し、チップ周囲を封止樹脂で充填する。この場合、印刷時のスキージの押し込み量がマスク開口外周と中心とで異なり、さらに、印刷塗布後に硬化させる際の樹脂流れによって、チップ上の樹脂厚にバラツキが生じる。
【０００８】
樹脂封止金型を用いて封止する場合は、半導体チップが搭載された基板および封止樹脂を金型内に配置し、プレスし充填する。若しくは、金型に設けられた封止樹脂圧入孔より充填する。この場合、半導体チップや基板が異なると、それぞれに高額な金型が必要となってしまう。またフリップチップ接続ではなくワイヤーボンディング接続の場合は、プレス前の段階でチップ直上に封止樹脂を配置することはできない。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少ない樹脂封止が可能で、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）複数の単位回路パターンを有するインターポーザに、前記複数の単位回路パターンに対応させてフリップチップ接続された複数の半導体チップ上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、（ｂ）前記複数の半導体チップ上に前記フィルム状の封止樹脂が搭載されたワークを減圧状態にてプレスして前記複数の半導体チップを樹脂封止する工程と、を含むことを特徴とする。
この構成によれば、インターポーザにフリップチップ接続された複数の半導体チップ上にフィルム状の封止樹脂を搭載したワークを、減圧状態でプレスするので、複数の半導体チップを樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂で封止することができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。
【００１１】
本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法の前記工程（ｂ）において、隣接する前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が自然に入り込まず、かつ、フィルム状態が維持できる状態まで、前記フィルム状の封止樹脂を加熱して軟化させ、雰囲気を減圧状態にして、前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が流れ込む圧力でプレスすることを特徴とする
この構成によれば、フィルム状の封止樹脂を適度な軟化状態に保ちながらプレスすることで、隣接する半導体チップ間の隙間及び半導体チップとインポーザとの隙間に、封止樹脂を完全に埋め込むことができる。また、減圧したときに空気が残らず排出され、プレスされた際にボイドなどが生じない。
【００１２】
本発明の第３の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法の前記工程（ｂ）において、前記半導体チップ間の隙間に前記封止樹脂が流れ込む圧力で、前記複数の半導体チップのうちの最外周に配置された半導体チップの外側に前記封止樹脂が流れ出るまで前記ワークをプレスすることを特徴とする。
この構成によれば、複数の半導体チップのうちの最外周に配置された半導体チップ（最外周チップ）の外側にまで封止樹脂を流すことで、半導体チップ間の隙間を確実になくす効果が得られる。また、最外周チップの外側まで、複数の半導体チップ全体を樹脂封止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【００１３】
本発明の第４の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至３のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）で前記複数の半導体チップを樹脂封止した後、（ｃ）前記封止樹脂を完全硬化させるポストキュアを行う工程を備え、該工程（ｃ）では、前記封止樹脂が形状を維持できる温度でキュアすることを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂を完全硬化するためのポストキュアを行う工程（ｃ）において、封止樹脂が形状を維持できる温度でキュアするので、封止樹脂が軟化して流れるのを防止することができる。
【００１４】
本発明の第５の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至４のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法の前記工程（ｂ）において、前記封止樹脂が硬化するまでプレス状態を維持し、その後雰囲気を大気圧に戻し、プレスを解除することを特徴とする。
この構成によれば、ポストキュアを行う工程（ｃ）において、封止された樹脂の形状および外観が維持されたまま効率よく完全硬化することができる。つまり、ポストキュア時に、樹脂が溶けることなく短時間で完全に硬化させることができる。
【００１５】
本発明の第６の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至５のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法の前記工程（ｂ）において、（ｄ）前記複数の半導体チップを樹脂封止した後の、前記封止樹脂の厚さが所望の厚さになるように、前記インターポーザの外周にスペーサーを配置する工程を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、所望の厚さに対しバラツキが少なく封止することができる。また、インターポーザの外周にスペーサーを配置すると、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークがスペーサー厚に達した後は、プレス圧力をスペーサーの面全体で受け、ワークを押しすぎる事を防止できるため、プレス圧力の上限の設定が緩和され、低圧から高圧までのプレス条件を設定することが可能となる。また、使用可能な樹脂の選択範囲も広がることになる。
【００１６】
本発明の第７の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至６のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）の前に、（ｅ）前記複数の半導体チップと前記インターポーザとを接着するための接着剤層を形成する工程を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、半導体チップとインターポーザとの接合強度が高くなり、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１７】
本発明の第８の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第７の態様に係る半導体装置の製造方法において、前記フィルム状の封止樹脂が前記接着剤層と同じ材料であることを特徴とする。
この構成によれば、フィルム状の封止樹脂に接着剤層と同じ材料を用いることで、封止樹脂と接着剤層との界面ができないので、接着剤層と封止樹脂層との界面での密着力を上げることができる。つまり、接着剤層と封止樹脂が同じ材料であることにより、チップ外周は全て同じ材料によって覆われるため、物性の違う材料間での界面の応力および歪を低減し、機械的強度の弱い部分がなくなり、熱サイクルによって生じるチップ下の亀裂発生を抑制することが可能となる。
【００１８】
本発明の第９の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至８のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップ上に前記フィルム状の封止樹脂を搭載する前記工程（ａ）の前に、（ｆ）フリップチップ接続された前記複数の半導体チップよりも外側となる前記インターポーザ上に、補強材を配置する工程を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、半導体チップより外側に補強材を配置することで、プロセス中の反りなどの変形を防止し、さらに、最外周チップ端部に生じる樹脂不足を補強材のダム効果により防止することができる。
【００１９】
本発明の第１０の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至９のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）後に、（ｇ）前記封止樹脂上に該封止樹脂を保護する裏面保護層を積層する工程を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、樹脂封止後に、封止樹脂層を保護するための裏面保護層を形成することにより、半導体装置へのレーザーマーキング性や封止後の反りの矯正などが可能となる。また、樹脂封止層に使用する材料としてフィラーなどを含まない接着剤材料なども可能となる。
【００２０】
本発明の第１１の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１０の態様に係る半導体装置の製造方法において、（ｈ）前記インターポーザ、前記封止樹脂および前記裏面保護層を、前記封止樹脂により封止された前記半導体チップと前記半導体チップとの間で切断する工程を備えていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１２の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１０または１１の態様に係る半導体装置の製造方法において、前記フィルム状の封止樹脂は、前記工程（ｂ）において、前記半導体チップ間の隙間及び前記半導体チップと前記インポーザとの隙間を埋め、かつ、前記半導体チップ上に堆積する樹脂厚が２０μｍ以上となる体積量を有する厚さのフィルム状の封止材料であり、前記工程（ｇ）は、前記工程（ｂ）によって反応率が８０％以上となるように前記封止樹脂を硬化させた後に、前記封止樹脂上に前記裏面保護層を積層し、前記工程（ｃ）は、前記工程（ｇ）の後に、前記封止樹脂を完全硬化させることを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の反応率（硬化度）が８０％以上であり、半導体チップ上に堆積した封止樹脂の樹脂厚が２０μｍ以上であるため、半導体チップから伝わる熱と半導体チップ間の隙間を埋めた封止樹脂から伝わる熱とによる温度勾配を低減することができる。また、封止樹脂の反応率（硬化度）を８０％以上にまで反応を終えておくことで、裏面保護層との局所的な反応ムラを低減することができる。その結果、裏面保護層の表面（封止樹脂と接しない面）に生じるムラ（色ムラ等）を防止することができる。
【００２２】
本発明の第１３の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１乃至１１のいずれか一つの態様に係る半導体装置の製造方法において、前記フィルム状の封止樹脂は、２層以上の封止樹脂層からなる積層構造を有するフィルム状の封止材料であり、前記フィルム状の封止樹脂を構成する複数の前記封止樹脂層のうち、前記工程（ａ）で前記フィルム状の封止樹脂を前記半導体チップ上に搭載したときに該半導体チップ側とならない該フィルム状の封止樹脂の最外層である最上位封止樹脂層は、フィラーの含有率が全体の７５重量％以上であり、前記工程（ｂ）において、前記最上位封止樹脂層以外の前記封止樹脂層によって、前記半導体チップ間の隙間を含めた該半導体チップの周囲の空間が埋められることを特徴とする。
この構成によれば、フィルム状の封止樹脂の最上位封止樹脂層以外の封止樹脂層（下位封止樹脂層）が半導体チップ間の隙間に入り込む（埋め込まれる）ことによりボイドが無い状態での樹脂封止を実現することができる。また、最上封止樹脂層によって封止樹脂の表面にムラ（樹脂厚の違い、色ムラ等）が無い状態での樹脂封止を実現することができる。
【００２３】
本発明の第１４の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の本発明の第１３の態様に係る半導体装置の製造方法において、前記フィルム状の封止樹脂の前記最上位封止樹脂層以外の前記封止樹脂層は、フィラーの含有率が全体の７０重量％以下であることを特徴とする。
この構成によれば、フィルム状の封止樹脂の最上位封止樹脂層以外の封止樹脂層（下位封止樹脂層）の半導体チップ間の隙間への埋め込みが、適当な粘度でおこなわれ、よりボイドが無い状態での樹脂封止を実現することができる。
【００２４】
本発明の第１の態様に係る半導体装置は、インターポーザと、前記インターポーザにフリップチップ接続された半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂上に積層され該封止樹脂を保護する裏面保護層と、を備え、前記インターポーザの側面と前記封止樹脂の側面と前記裏面保護層の側面とは、同一切断面を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少なく、更に外観にムラの少ない樹脂封止が可能になるとともに、製造コストを低減することができる。従って、信頼性の高い半導体装置を低コストで製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いるインターポーザを示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図２】図２（Ａ）は多数個取り用基板の各単位基板に半導体チップがフリップチップ実装された状態を示す平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。
【図３】図３（Ａ）はインターポーザにフリップチップ接続された複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載された状態を示す平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるプレス工程を説明するための図である。
【図５】同製造方法の一つの工程を説明するための図である。
【図６】外周部にある半導体チップの外側まで樹脂で封止されている状態を示す平面図である。
【図７】図７（Ａ）はインターポーザを封止樹脂と共に切断するダイシング工程を説明するための断面図、図７（Ｂ）は切断して得られた半導体装置を示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）ははんだボールを形成した後でダイシング工程を行う場合の説明図、図８（Ｂ）は切断して得られた半導体装置を示す断面図である。
【図９】図９は第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に製造された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるプレス工程で、真空プレス機内にワークと共にセットされる離型フィルム等の配置例を示す斜視図である。
【図１１】図１０（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は第２実施形態に係る半導体装置の製造方法に製造された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図１３】図１３は第３実施形態に係る半導体装置の製造方法に製造された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図１４】図１４は第３実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１５】図１５は第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法に使用されるフィルム状の封止樹脂の一例を示した図である。
【図１６】図１６は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法より製造された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図１７】第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１８】図１８は本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１９は本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２０】図２０は実施例１及び実施例２に使用したインターポーザ１０Ａを示す平面図である。
【図２１】図２１は実施例１及び実施例２に使用したインターポーザ１０Ａに半導体チップがフリップチップ実装された状態を示す平面図である。
【図２２】図２２は実施例３及び実施例４に使用されたインターポーザ１０Ｂ半導体チップがフリップチップ実装された状態を示す部分平面図である。
【図２３】図２３は実施例３及び実施例４に使用された補強材９１を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態の説明において同一の部材には同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００２８】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図１〜図８に基づいて説明する。
図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いるインターポーザを示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図２（Ａ）は半導体チップがインターポーザにフリップチップ実装された状態を示す平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。図３（Ａ）はインターポーザにフリップチップ実装された複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載された状態を示す平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を示す断面図である。
【００２９】
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図９に示す半導体装置としての半導体パッケージ４０を製造するための方法であり、以下の工程を備える。
【００３０】
＜工程（１）＞
はんだバンプ１６が設けられた構成のインターポーザ１０（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）を用意する。
インターポーザとしては、特に限定はないが、例えば絶縁層の両面に回路パターンを有しフィルドビアによって電気的に層間接続された二層タイプのインターポーザを用いることができる。二層タイプのインターポーザ１０は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、複数（ｎ×ｍ個）の単位回路パターン１１が形成された多数個取り用基板である絶縁性の基材（絶縁層）１２を有する。複数の単位回路パターン１１は、基材１２上にフリップチップ実装される半導体チップ２０間のスペースが所定値となるように、所定のピッチで形成されている。基材１２の上面には、図１（Ｂ）に示すように、各単位回路パターン１１として、配線パターン１３が形成されている。このインターポーザ１０では、配線パターン１３と、基材１２の下面に形成された配線パターン１４とが、スルーホールに銅を充填したフィルドビア１５を介して電気的に接続されている。また、配線パターン１３上には、図１（Ｂ）に示すように、はんだバンプ１６が形成されている。はんだバンプ１６は、例えば、ＳｎＡｇ等のＳｎ系合金からなる。
【００３１】
＜工程（２）＞
図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハを切断して個片化され、Ａｕスタッドバンプ２１が一方の端面側に設けられた半導体チップ２０を複数個（ｎ×ｍ個）用意する。
【００３２】
＜工程（３）＞
インターポーザ１０に、複数の単位回路パターン１１に対応させて複数の半導体チップ２０をフリップチップ接続する（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）。
フリップチップ接続する方法には、特に限定はないが、この工程（３）では、まず、フリップチップボンダー（図示省略）を用いて、個片化された複数の半導体チップ２０を一つずつ吸着し、吸着した半導体チップ２０をインターポーザ１０上のはんだバンプ１６と半導体チップ２０のＡｕスタッドバンプ２１の位置が合うようにアライメントしてインターポーザ１０に配置するとともに搭載する。この後、加熱することにより、半導体チップ２０のＡｕスタッドバンプ２１とインターポーザ１０上のはんだバンプ１６とを半田接合させる。また、フリップチップボンダーを用いて半導体チップ２０を１つずつ配置して搭載した後に、配置・搭載された複数の半導体チップ２０を一括して加熱・押圧することにより、半導体チップ２０のＡｕスタッドバンプ２１とインターポーザ１０上のはんだバンプ１６とを接続してもよい。
図２（Ａ）は、複数の半導体チップ２０がインターポーザ１０にフリップチップ接続された状態を示している。
なお、フリップチップ接続は、Ａｕ−はんだ接続でなくても、Ａｕ−Ａｕ接続でもＡｕ−Ｓｎ接続でもよい。
【００３３】
＜工程（４）＞
インターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２を搭載する（図３（Ａ），（Ｂ）参照）。
フィルム状の封止樹脂２２は、例えばエポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする熱硬化性のフィルム状封止樹脂である。図３（Ａ）は、複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２が搭載されたワークＷを示し、図３（Ｂ）はそのワークＷの一部を示している。尚、フィルム状の封止樹脂２２は、セパレータ付きのフィルム状の封止樹脂２２であっても良い。
【００３４】
＜工程（５）＞
次に、複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２が搭載されたワークＷを、例えば、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、真空プレス機３０を用いて減圧下にて下熱盤３１および上熱盤３２でプレスして複数の半導体チップ２０を樹脂封止する。
図４（Ａ）に示すような新区空プレス機３０を用いて、図４（Ｂ）に示すように、ワークＷを真空プレス機３０内のプレス板２５上にセットする。次に、図４（Ｃ）に示すように、可動式チャンバー３４を移動させて減圧空間をつくってその空間を減圧し、図４（Ｄ）に示すように、加圧シリンダ３３により下熱盤３１および上熱盤３２でワークＷをプレスすることで複数の半導体チップ２０を樹脂封止する。
尚、フィルム状の封止樹脂２２が、セパレータ付きのフィルム状の封止樹脂２２である場合、セパレータごとワークＷをプレスしても良い。
【００３５】
ワークＷの真空プレス機３０内（図４（Ａ）参照）へのセットは、レイアップ用のプレス板２５（図４（Ｂ）参照）を用意して、ワークＷをそのプレス板２５上にレイアップし、真空プレス機３０の下熱盤３１上にセットするのがよい。なお、ワークＷの上下面に離型フィルム（図示しない）を配置するとよい。プレス板２５は、例えばガラスやＳＵＳ板などがよい。ＳＵＳ板の場合は、熱により大きなそりが生じないものを選定する。
【００３６】
工程（５）において、真空プレス機３０を用いずに、平板の真空ラミネータを用いてワークＷを真空状態もしくは真空に近い減圧状態にてプレスしてもよいが、平板の真空ラミネータの場合、上下面がゴムであるため、プレス時にチップ端で局所的な変形が生じるので、離型フィルムの上にシリコン基板などを搭載し、上記真空プレス機３０と同様に平面でプレスできる状態にすることが重要である。
【００３７】
上記工程（５）において、フィルム状の封止樹脂２２を、隣接する半導体チップ２０の間の隙間２６に自然に入り込まずフィルム状態が維持できる程度に加熱して軟化された状態にし、かつ、雰囲気を大気圧より低い減圧状態にして、図５に示す半導体チップ２０間の隙間２６に封止樹脂２２が流れ込む圧力で、下熱盤３１および上熱盤３２によりプレスするのが好ましい。気圧は、半導体チップ間の隙間２６に封止樹脂２２が流れ込む際にボイドが生じない程度に減圧されていればよいが、真空状態または真空に近い減圧状態であることが好ましい。
【００３８】
つまり、工程（５）でのプレス時の圧力が同じでも、封止樹脂２２の粘度が高いと埋め込み性が悪くなる傾向がある。しかしながら、封止樹脂２２が軟化しすぎると、封止樹脂２２が自然に半導体チップ２０間の隙間２６に流れてしまうため、隙間２６の空気が雰囲気を減圧しても残ってしまい、封止樹脂２２を半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間に完全に埋め込むことができない。そのため、熱板（下熱盤３１および上熱盤３２）の設定温度は、フィルム状の封止樹脂２２が半導体チップ２０の間の隙間２６に入り込まずフィルム状態が維持できる程度に軟化する温度に設定する。
【００３９】
また、フィルム状の封止樹脂２２は半導体チップ２０の間の隙間２６に自然に流れ込まない状態であるため、ワークＷを半導体チップ２０間の隙間２６に該封止樹脂２２が流れ込む圧力でプレスする。このとき、雰囲気が減圧されているので、空気が排出され、ボイドなどが生じない。
【００４０】
また、上記工程（５）において、半導体チップ２０間の隙間２６に封止樹脂２２が流れ込む圧力で、複数の半導体チップ２０のうち最外周に配置された半導体チップ（以下、最外周チップと呼ぶ）２０の外側に封止樹脂２２が流れ出るまでワークＷをプレスするのが好ましい。
ここで、最外周チップ２０は、図２（Ａ）において、インターポーザ１０上の、外周に最も近い位置に配置された複数の半導体チップ２０、即ち、ロ字形状の領域１９内の複数の半導体チップ２０である。図６では、最外周チップ２０の外側に封止樹脂２２が流れ出ている様子が示されている。
【００４１】
これにより、封止樹脂２２が半導体チップ２０間の隙間２６に流れ込むとともに、インターポーザ１０と半導体チップ２０との間にも流れ込む。
また、上記工程（５）において、封止樹脂２２が硬化するまでプレスし、その後雰囲気を大気圧に戻し、プレスを解除するのが好ましい。
【００４２】
＜工程（６）＞
上記工程（５）により複数の半導体チップ２０を樹脂封止した後（プレス後）、封止樹脂２２を完全硬化するためのポストキュアを行う。その際に、封止樹脂２２が軟化して流れないように、封止された樹脂の形状を維持できる温度で行う必要がある。そのため、工程（５）のプレス段階あるいは工程（５）の後に、予備的な硬化（キュア）を行っておくとよい。なお、キュア温度は封止樹脂２２に含まれる溶剤の沸点よりも低い温度で硬化を進めることが好ましく、沸点よりも高い温度ではプレス段階で樹脂の硬化が不十分で溶剤分が残留していた場合、樹脂が流れ出てしまったり、ボイドを発生してしまったりすることがある。
【００４３】
＜工程（７）＞
上記工程（５）で複数の半導体チップ２０を封止樹脂２２で樹脂封止し、更に、上記工程（６）で封止樹脂２２を完全硬化した後、図７（Ａ）に示すように、インターポーザ１０を封止樹脂２２と共にチップ単位でダイシングブレード２７により切断する。半導体チップ２０、インターポーザ１０、及び封止樹脂２２が、チップ単位で切断されて個片化された状態を、図７（Ｂ）に示す。この後、チップ単位に個片化されたインターポーザ１０の各配線パターン１４に、はんだボール２８（図８（Ｂ）参照）を形成する。これにより、図９に示すように、半導体チップ２０が封止樹脂２２で樹脂封止された半導体パッケージ４０が完成する。尚、インターポーザ１０及び封止樹脂２２の各側面は、同一平面で形成されている。
【００４４】
なお、図８（Ａ）に示すように、はんだボール２８を形成した後に、インターポーザ１０を封止樹脂２２と共にチップ単位でダイシングブレード２７により切断してもよい。半導体チップ２０、はんだボール２８が形成されているインターポーザ１０、及び封止樹脂２２が、チップ単位で切断されて個片化された状態を、図８（Ｂ）に示す。
また、インターポーザ１０を封止樹脂２２と共にチップ単位で切断するダイシングは、図７および図８に示すように、インターポーザ１０の基材１２側から実施してもよいし、或いは、封止樹脂２２側から実施してもよい。
図９に示す半導体パッケージ４０は、はんだボール２８を介して、実装基板であるマザーボードに接続されて実装される。
【００４５】
以上説明した第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
インターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２を搭載したワークＷを、減圧状態でプレスするので、複数の半導体チップ２０を樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂２２で封止することができる。これにより、半導体パッケージ（半導体装置）４０の信頼性の向上、小型化及び薄型化を図ることができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。
【００４６】
さらに、封止樹脂２２を適度な軟化状態に保ちながらワークＷをプレスすることで、封止樹脂２２を半導体チップ２０間の隙間２６に完全に埋め込むことができる。また、減圧したときに空気が排出されるため、プレスされた際にボイドなどが生じない。これにより、より信頼性の高い半導体パッケージ（半導体装置）４０を得ることができる。
【００４７】
また、複数の半導体チップ２０のうち最外周に配置された半導体チップ２０の外側に封止樹脂２２が流れ出るまでワークＷをプレスすることにより、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間を確実になくす効果が得られる。
さらに、封止樹脂２２が硬化するまでプレス状態を維持し、その後雰囲気を大気圧に戻し、プレスを解除することにより、封止樹脂２２を完全硬化するためのポストキュアを行う上記の工程（６）において形状および外観が維持されたまま効率よく完全硬化することが出来る効果が得られる。
【００４８】
（レイアップの一例）
本実施の形態では、図４（Ｂ）に示したように、真空プレス機３０の下熱盤３１上に、離型フィルム（図示省略）に挟まれたワークＷを載置したプレス板２５を配置（レイアップ）するようにしたが、図１０に示すように配置してもよい。図１０に示すワークＷの配置例では、工程（５）でのプレスにより、複数の半導体チップ２０を樹脂封止した封止樹脂２２の厚さが、所望の厚さになるように、ワークＷのインターポーザ１０側の外周にスペーサー５４を配置する。
【００４９】
スペーサー５４は、ＳＵＳ板などからなり、中央部にワークＷのインターポーザ１０側が収納される矩形の開口部５４ａが形成されている。この開口部５４ａにワークＷのインターポーザ１０側が収納されることにより、開口部５４ａの外周部分がスペーサーとして機能するようになっている。尚、矩形の開口部５４ａは、矩形の孔である。スペーサー５４の厚さ（ＳＵＳ板の厚さ）は、上記工程（５）でのプレス後における封止樹脂２２の厚さが所望の厚さになるように、設定される。スペーサー５４を置かない場合、樹脂封止によって半導体チップ２０上に堆積する封止樹脂２２の厚さを多くするには、フィルム状封止樹脂を厚くし、さらに、樹脂封止出来る下限に近いプレス圧力で押し、封止樹脂２２が流れすぎないように短時間でプレスを行ってプレスを解除する必要があったが、スペーサー５４を置くことで、所望の封止後のサンプル厚さ、および、樹脂封止によって半導体チップ２０上に堆積する封止樹脂２２の厚さを制御することが出来る。
【００５０】
そして、真空プレス機３０の下熱盤３１上に、離型フィルム５１、ガラス板５２、離型フィルム５３、スペーサー５４の矩形の開口部５４ａ内に配置されたワークＷ、離型フィルム５５、離型フィルム５６が、順に積層されて配置される。離型フィルム５１，５３，５５，５６は、耐熱性があり、線膨張率の小さな材料、例えば、ポリイミドや液晶ポリマーなどの材料で作製されている。離型フィルム５１，５３，５５，５６は、上記工程（５）でのプレス時の押圧力をワークＷの封止樹脂２２の全面に均一にかけとともに、急激な加圧を防止するために、ワークＷを挟むように重ねて配置されている。
【００５１】
ガラス板５２は、加熱時も平坦度のある治具として使用している。このような治具として、加熱時に反りなどが生じなければ、ガラス板５２に代えてＳＵＳ板などを使用可能である。ＳＵＳ板などに反りが生じると、下熱盤３１との接触ムラにつながるので、封止樹脂２２の軟化状態にバラツキが生じる。その結果、複数の半導体チップ２０を樹脂封止した封止樹脂２２の厚さが、所望の厚さに対してバラツキが生じるという不良の発生原因となる。
【００５２】
以上より、図１０に示す構成の配置にすれば、複数の半導体チップ２０を樹脂封止した封止樹脂２２の厚さが所望の厚さに対してバラツキの少ない樹脂封止を行うことができる。
【００５３】
また、インターポーザ１０として、図１（Ａ）及び（ｂ）に示したような二層タイプのものを用いるようにしたが、これに代えて、例えば、古河電工時報  第１１９号（平成１９年１月）に記載されている、はんだバンプ付きテープ基板であるＦＢＴＩ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｂｕｍｐｅｄ  Ｔａｐｅ  Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）を用いてもよい。
【００５４】
具体的には、ＦＢＴＩは、絶縁性の基材上に配線パターンが形成されたテープ状の基板から形成されており、配線パターンにはＳｎＡｇはんだバンプなどのはんだバンプが設けられている。また、基材の配線パターンとは反対の面には、基材を貫通する突起状電極部が設けられている。この突起状電極部は、「樹脂突起電極」と呼ばれるもので、外部接続用電極が樹脂を内包している。この突起状電極部に、はんだボール（図９に示すはんだボール２８参照）が設けられる。
【００５５】
また、本発明で用いるＦＢＴＩでは、基材の一方の面には、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す二層タイプのインターポーザ１０と同様に、はんだバンプ付き配線パターンをそれぞれ有する複数（ｎ×ｍ個）の単位回路パターンが形成され、各単位回路パターンの配線パターン上にはんだバンプが形成されている。
ＦＢＴＩとフリップチップ接続される半導体チップは、半導体素子と、半導体素子に固設されている例えばＡｌからなる電極パッドと、電極パッドに固設されている例えばＡｕやＣｕからなるスタッドバンプで構成されている。電極パッドの少なくとも一部を露出するように半導体素子の一方の面を被覆する保護層を有していてもよい。
【００５６】
また、インターポーザ１０として、上記二層タイプのインターポーザに代えて、多層タイプのインターポーザを用いてもよい。このインターポーザでは、導体層と誘電体層とが交互に積層された多層構造の絶縁層の一方の面と他方の面の両面と、絶縁層内部の複数の層を含む多層に配線パターンが形成され、これらの配線パターンが電気的に層間接続される。
【００５７】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に基づいて説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法の特徴は、上記第１実施形態に係る半導体装置の製造方法における複数の半導体チップ２０を樹脂封止する上記工程（５）の前に、複数の半導体チップ２０とインターポーザ１０の基材１２とを接着するための接着剤層５０を形成する工程を備えている点にある。その他の工程は、上記第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じである。
【００５８】
図１１（Ａ）は、複数の半導体チップ２０とインターポーザ１０との間に両者を接着するための接着剤層５０が形成された状態を示している。接着剤層５０の形成方法には限定はないが、例えば、この接着剤層５０は、ＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）などの接着フィルムをインターポーザ１０の半導体チップ２０を接合する側の面に貼り付けて形成することができる。ＮＣＦに代えてＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を塗布してもよい。このようにインターポーザ１０上に接着剤層５０を形成した後、各半導体チップ２０のＡｕスタッドバンプ２１とインターポーザ１０の基材１２上のはんだバンプ１６をフリップチップ接続する。
或いは、接着剤層５０は、フリップチップ接続した後に、半導体チップ２０とインターポーザ１０との間に、アンダーフィル剤やＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを、その毛管現象を利用して形成してもよい。
【００５９】
接着剤層５０は、インターポーザ１０の配線パターン１３の上面、および配線パターン１３の銅等が除去されて基材１２が露出した部分に配置される。また、接着剤層５０の表面は、配線パターン１３の表面と略平行となるようにする。接着剤層５０に使用する合成樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタン変性ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、天然ゴム、ＳＢＲ、ＮＢＲ、シリコーンゴム等の合成ゴムなどがあげられ、特に好ましいものとしては、ポリウレタン系樹脂（例えば、東洋紡社製：バイロンＵＲ（商品名）、日本ポリウレタン社製：ニッポラン（商品名））があげられる。これらの合成樹脂は、２種以上混合して用いてもよい。
【００６０】
図１１（Ｂ）は、インターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２を搭載する工程を示している。この工程は、上記工程（４）と同じである。
フィルム状の封止樹脂２２は、接着剤層５０と同じ材料であるのが好ましい。
上記工程（５）において、フィルム状の封止樹脂２２を、半導体チップ２０間の隙間２６に入り込まずフィルム状態が維持できる程度に加熱して軟化した状態にして、かつ、雰囲気を減圧状態にして、半導体チップ２０間の隙間２６に封止樹脂２２が流れ込む圧力でプレスすると、上述したように封止樹脂２２を半導体チップ２０間の隙間２６に完全に埋め込むことができ、封止樹脂２２が図１１（Ｃ）に示すように接着剤層５０に達する。尚、図１１（Ｃ）は、封止樹脂２２と接着剤層５０とが同じ材料である場合を示し、封止樹脂２２と接着剤層５０との界面の密着力が増して、界面が無くなってしまった状態を示している。
【００６１】
図１１（Ｄ）は、図７（Ａ）と同様に、インターポーザ１０を封止樹脂２２及び接着剤層５０と共にチップ単位でダイシングブレード２７により切断する工程を示している。図１１（Ｅ）は、半導体チップ２０、インターポーザ１０、封止樹脂２２、及び接着剤層５０がチップ単位で切断されて個片化された状態を示している。この後、図１２に示すように、チップ単位に個片化されたインターポーザ１０の各配線パターン１４に、はんだボール２８を形成する。これにより、図１２に示すように、半導体チップ２０とインターポーザ１０の基材１２とが接着剤層５０で接着されると共に、半導体チップ２０の周囲全体が封止樹脂２２と接着剤層５０で樹脂封止された半導体パッケージ４０Ａが完成する。尚、インターポーザ１０、封止樹脂２２及び接着剤層５０の各側面は、同一平面で形成されている。
【００６２】
第２実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
半導体チップ２０とインターポーザ１０の基材１２との接合強度が高く、かつ、半導体チップ２０の周囲全体が封止樹脂２２と接着剤層５０で樹脂封止されるので、信頼性の高い半導体パッケージ４０Ａを製造することができる。
【００６３】
また、フィルム状の封止樹脂２２に接着剤層５０と同じ材料を用いることで、封止樹脂２２と接着剤層５０との間に、物性が異なることによる応力や歪みが生じないため、機械的強度の弱い部分がなくなり、熱サイクルによって亀裂が発生するのを抑制することができる。
【００６４】
（第３実施形態）
図１３は、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体パッケージ４０Ｂを示している。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法の特徴は、上記の第１実施形態または第２実施形態に係る半導体装置の製造方法における上記工程（５）後に、封止樹脂２２上に、封止樹脂２２を保護する裏面保護層６０を積層する工程を備えている点にある。
この工程では、上記工程（５）でのプレス後、半導体チップ２０上の封止樹脂２２の厚さを微調整するための層として、或いはレーザーマーキングをするための層として、裏面保護層６０を封止樹脂２２上に積層する。その他の工程は、上記第１実施形態または第２実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じである。
【００６５】
図７（Ａ）または図１１（Ｄ）と同様に、封止樹脂２２及び裏面保護層６０と共に、または、封止樹脂２２、接着剤層５０及び裏面保護層６０と共に、インターポーザ１０をダイシングブレード２７によりチップ単位に切断する工程を行い、その後、チップ単位に個片化されたインターポーザ１０の各配線パターン１４に、はんだボール２８を形成する。これにより、図１３に示すように、封止樹脂２２上に裏面保護層６０が積層された半導体パッケージ４０Ｂが完成する。尚、インターポーザ１０、封止樹脂２２及び裏面保護層６０の各側面は、あるいは、インターポーザ１０、封止樹脂２２、接着剤層５０及び裏面保護層６０の各側面は、同一平面で形成されている。
通常、封止樹脂（封止材）２２には、フィラーを入れる等して遮光性を持たせるようにしている。
【００６６】
第３実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、封止樹脂２２上に積層する裏面保護層６０として遮光性フィルムを用い、この遮光性フィルムを封止樹脂２２上に貼合することにより、封止樹脂２２にレーザーの視認性や遮光性を持たせる必要がなくなる。このため、従来、封止材料としては使用できなかった接着剤なども使用することが出来るようになり、封止樹脂２２の材料の選択肢が増え、設計の自由度が増える。また、封止樹脂２２に接着剤層５０と同じ材料を用いることで、接着剤層５０との界面での密着力が増し、界面からの破壊を抑制することが可能となる。
【００６７】
（第３実施形態の変形例）
第３実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の特徴は、（１）上記の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法における上記工程（５）において、封止樹脂２２の反応率（硬化度）が８０％以上となるように硬化させ、その後、封止樹脂２２上に封止樹脂２２を保護する裏面保護層６０を積層する工程を備えている点と、（２）フィルム状の封止樹脂２２が、上記工程（５）において、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間を埋め、かつ、半導体チップ２０上に堆積する樹脂厚ｄ（図１３参照）が２０μｍ以上となる体積量を有する厚さのフィルム状の封止材料である点と、の２点である。その他の工程は、上記第３実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じである。
【００６８】
図１４は、第３実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。上記工程（１）乃至（３）によってインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上に、図１４（Ａ）に示すように、フィルム状の封止樹脂２２を搭載する（上記工程（４）に相当）。ここで、フィルム状の封止樹脂２２として、上記工程（５）において、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間を埋め、かつ、半導体チップ２０上に堆積する樹脂厚ｄ（図１４（Ｂ）参照）が２０μｍ以上となる体積量を有する厚さのフィルム状の封止材料を用意して、このフィルム状の封止樹脂２２を半導体チップ２０上に搭載する。
【００６９】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２が搭載されたワークＷを、例えば、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、真空プレス機３０を用いて減圧下にて下熱盤３１および上熱盤３２でプレスして複数の半導体チップ２０を樹脂封止する（上記工程（５）に相当）。この工程（５）において、封止樹脂２２の反応率（硬化度）が８０％以上となるように硬化させる。尚、反応率は、（１−硬化後の封止樹脂２２の発熱量／未処理の封止樹脂２２の発熱量）×１００により求められる。また、発熱量は、ＤＳＣ（  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ；示差走査熱量計）により測定できる。
【００７０】
次に、図１４（Ｃ）に示すように、封止樹脂２２上に封止樹脂２２を保護する裏面保護層６０を積層する。その後、封止樹脂２２を完全硬化するためのポストキュアを行う（上記工程（６）に相当）。最後に、図１４（Ｄ）に示すように、インターポーザ１０を、封止樹脂２２及び裏面保護層６０と共に、チップ単位でダイシングブレード２７により切断し（上記工程（７）に相当）、その後、チップ単位に個片化されたインターポーザ１０の各配線パターン１４に、はんだボール２８を形成する。これにより、図１３に示すような、半導体チップ２０が封止樹脂２２で樹脂封止された半導体パッケージ４０Ｂが完成する。
【００７１】
第３実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法によれば、封止樹脂２２の反応率（硬化度）が８０％以上であり、半導体チップ２０上に堆積した封止樹脂２２の樹脂厚ｄが２０μｍ以上であるため、半導体チップ２０から伝わる熱と半導体チップ２０間の隙間２６を埋めた封止樹脂２２から伝わる熱とによる温度勾配を低減することができる。また、封止樹脂２０の反応率（硬化度）を８０％以上にまで反応を終えておくことで、裏面保護層６０との局所的な反応ムラを低減することができる。その結果、裏面保護層６０の表面６０ａ（封止樹脂２２と接しない面）に生じるムラ（色ムラ等）を防止することができる。
【００７２】
（第１実施形態の変形例）
図１５は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法に使用されるフィルム状の封止樹脂の一例を示した図であり、図１６は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法より製造された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【００７３】
図１５に示すように、フィルム状の封止樹脂２２´は、２層の封止樹脂層からなる積層構造を有するフィルム状の封止材料であり、かつ、フィルム状の封止樹脂２２´を構成する２層の封止樹脂層のうち、上記工程（４）でフィルム状の封止樹脂２２´を半導体チップ２０上に搭載したときに半導体チップ２０側とならないフィルム状の封止樹脂２２´の最外層（最上位封止樹脂層）２２´ａは、フィラーの含有率が全体の７５重量％以上である。尚、図１５は、２層の封止樹脂層からなる積層構造を有するフィルム状の封止樹脂２２´を示しているが、フィルム状の封止樹脂２２´は、２層に限らず、２層以上の封止樹脂層からなる積層構造を有していればよい。
【００７４】
また、最上位封止樹脂層２２´ａ以外の封止樹脂層（下位樹脂層）２２´ｂは、フィラーの含有率が全体の７０重量％以下であることが望ましい。また、下位樹脂層２２´ｂは、フィラーの含有率が全体の７０重量％以下であることに限定されず、フィラーの粒径を大きく（例えば、５μｍまたは８μｍ）したり、含有されるエポキシ樹脂の量を多くしたり、含有されるエポキシ樹脂やアクリル樹脂の種類を変更したり等により、下位樹脂層２２´ｂの粘度を調整するようにしても良い。
また、図１６に示すように、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法より製造された半導体パッケージ４０Ｃは、下位樹脂層２２´ｂによって、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間が埋められる。
【００７５】
即ち、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の特徴は、（１）上記の第１実施形態乃至第３実施形態のいずれか１つの実施形態に係る半導体装置の製造方法において、使用するフィルム状の封止樹脂２２´が、２層以上の封止樹脂層からなる積層構造を有するフィルム状の封止材料であり、かつ、フィルム状の封止樹脂２２´の最上位封止樹脂層２２´ａはフィラーの含有率が全体の７５重量％以上である点と、（２）上記工程（５）において、フィルム状の封止樹脂２２´の下位樹脂層２２´ｂによって、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間が埋められる点と、の２点である。
【００７６】
図１７は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。図１７（Ａ）に示すように、上記工程（１）乃至（３）によってインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上に、図１５に示したフィルム状の封止樹脂２２´を搭載する（上記工程（４）に相当）。
【００７７】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２´が搭載されたワークＷを、例えば、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、真空プレス機３０を用いて減圧下にて下熱盤３１および上熱盤３２でプレスして複数の半導体チップ２０を樹脂封止する（上記工程（５）に相当）。このとき、下位樹脂層２２´ｂによって、半導体チップ２０間の隙間２６及び半導体チップ２０とインターポーザ１０との隙間が埋められる。その後、封止樹脂２２´を完全硬化するためのポストキュアを行う（上記工程（６）に相当）。
【００７８】
最後に、図１７（Ｃ）に示すように、インターポーザ１０を、封止樹脂２２´と共に、チップ単位でダイシングブレード２７により切断し（上記工程（７）に相当）、その後、チップ単位に個片化されたインターポーザ１０の各配線パターン１４に、はんだボール２８を形成する。これにより、図１６に示すような、半導体チップ２０が封止樹脂２２´で樹脂封止された半導体パッケージ４０Ｃが完成する。尚、インターポーザ１０、封止樹脂２２´及び裏面保護層６０の各側面は、あるいは、インターポーザ１０、封止樹脂２２´、接着剤層５０及び裏面保護層６０の各側面は、同一平面で形成されている。
【００７９】
第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法によれば、フィルム状の封止樹脂２２´の下位封止樹脂層２２´ｂが半導体チップ２０間の隙間に入り込む（埋め込まれる）ことによりボイドが無い状態での封止を実現することができる。また、最上封止樹脂層２２´ａによって封止樹脂２２´の表面にムラ（樹脂厚の違い、色ムラ等）が無い状態での封止を実現することができる。
【００８０】
尚、上記の第２実施形態または第３実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法と同様に、フィルム状の封止樹脂２２´を使用して、半導体チップ２０が封止樹脂２２´で樹脂封止された半導体パッケージを作製することができる。
【００８１】
（第４実施形態）
第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図１８に基づいて説明する。
図１８は、図２（Ａ）と同様に、複数の半導体チップ２０がインターポーザ１０にフリップチップ接続された状態を示している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法の特徴は、上記工程（４）の前に、インターポーザ１０上の、インターポーザ１０とフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０より外側に複数の補強材７０を配置する工程を備えている点にある。その他の工程は、上記第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じである。
【００８２】
複数の補強材７０は、インターポーザ１０上に二次元に搭載される複数（ｎ×ｍ個）の半導体チップ２０のうち、最も外側に搭載される複数の半導体チップ（最外周チップ）２０よりも外側に並べて配置される。ここでは、複数の補強材７０は、矩形のもので、製品として使用できないチップやダミーチップを用いる。また、図１８においては、最外周チップ２０は、インターポーザ１０上のロ字形状の領域１９内の複数の半導体チップ２０である。
【００８３】
また、複数の補強材７０は、上記工程（５）でのプレス時に空気が抜けるようにするためと、図１８に示す複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂２２を搭載して実施される上記工程（５）でのプレス時に、樹脂ダマリが出来ずに封止樹脂２２が流れるようにするためとの観点から、隣接する補強材７０間に隙間７１ができるように配置することが重要である。これにより、複数の半導体チップ（製品チップ）２０の外周にまで確実に封止樹脂２２が充填される。
また、複数の補強材７０は、上記工程（５）において、半導体チップ２０上の封止樹脂２２（図３（Ａ）参照）が確実にプレスで押されるように、半導体チップ２０と同じ厚さ若しくはそれよりも薄い厚さにしておくことが重要である。
【００８４】
第４実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、以下のような作用効果を奏する。上記工程（４）の前に、半導体チップ２０より外側に複数の補強材７０を配置するので、プロセス中の反りなどの変形、例えば、樹脂封止後のキュアによる変形を防止することができる。さらに、補強材７０のダム効果により、最外周チップ端部で樹脂が流れて所望の厚さの封止樹脂が形成されにくくなるのを防止することができる。すなわち、封止樹脂２２が最外周チップの最外辺において樹脂不足がおきることを防止できる。最外辺の樹脂不足を解消するには、封止樹脂２２として十分に厚いフィルム状の封止材料を使用すれば問題ないが、その分材料コストがかかり、さらに外周への流れ出しも多くなりハンドリングしにくいといった問題が生じてしまうため、このような補強材７０を用いることが有効である。
【００８５】
（第５実施形態）
第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図１９に基づいて説明する。
図１９は、図１８（Ａ）と同様に、複数の半導体チップ２０がインターポーザ１０にフリップチップ接続された状態を示している。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法の特徴は、上記第４実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体チップと同様の形状を有する補強材７０に代えて、長方形の補強材８１，８２，８３，８４を用い、これらの補強材８１，８２，８３，８４を、インターポーザ１０上に二次元に搭載される複数（ｎ×ｍ個）の半導体チップ２０のうちの最外周チップ２０よりも外側にいげた状に配置している点である。
これらの補強材８１，８２，８３，８４として、ガラスなどを用いてもよいが、個片化する際のブレードの管理およびダイシング条件の最適化が難しくなるため、Ｓｉが最適である。
【００８６】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
実施例１では、以下のような工程により半導体パッケージを作製した。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すインターポーザ１０と同様の構造を有するもので、図２０に示すように、４×４を１ブロックとしたインターポーザ１０Ａを用意した。このインターポーザ１０Ａの基材１２Ａには、４×４個の単位回路パターン１１が形成されており、インターポーザ１０Ａに１６個の半導体チップ２０がフリップチップ接続可能なものである。
【００８７】
図２１に示すように、インターポーザ１０Ａにフリップチップ接続される半導体チップ２０は、Ａｕスタッドバンプが一方の面側に設けられた半導体チップ２０であって、６．２５ｍｍ角（図２１中に示すＣ＝６．２５ｍｍ）で、厚さ２００μｍの半導体チップ２０を用意した。また、インターポーザ１０Ａに半導体チップ２０が実装されたときの、隣接する半導体チップ２０の間隔Ｂは、３００μｍである。
また、インターポーザ１０Ａのチップ搭載側に絶縁性の接着剤層５０を配置した（図２１参照）。接着剤層５０は、エポキシ樹脂を主成分とするＮＣＦを使用した。
【００８８】
図２１に示すように、フリップチップ接続させた半導体チップ２０のうちの最外周チップ２０の外側となるインターポーザ１０Ａ上に、１７０μｍ厚さのＳｉを幅５ｍｍ長さ２５ｍｍで切り出した長方形の補強材８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａをいげた状に配置した。
インターポーザ１０Ａに各半導体チップ２０をフリップチップ接続させた後（図２１参照）に、半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載した。封止樹脂は、厚さ３０μｍのエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性のフィルム状封止樹脂（Ａ）を使用した。
【００８９】
つぎに、サンプル（図４（Ｂ）に示すワークＷ）の上下面に離型フィルムをレイアップした。そして、表１に示す熱板（図４（Ｂ）の下熱盤３１および上熱盤３２）の設定温度で、雰囲気の真空度を１ｈＰａに減圧した状態で、プレス圧力を０．６ＭＰａで樹脂封止した。尚、９０秒プレスして封止樹脂を硬化させた後、雰囲気を大気圧に戻し、その後プレスを開放した。
【００９０】
つぎに、サンプルの封止樹脂を完全硬化させるために１１５℃で１ｈのキュアをした。
今回のフィルム状封止樹脂（Ａ）の場合、１１５℃のキュア温度は、含まれる溶剤の沸点よりも低く、樹脂の流れ出しやボイドが発生しにくい条件となっている。
つぎに、フィルム状封止樹脂（Ａ）上に裏面保護層を積層し、実施例１に使用する半導体パッケージのサンプル１ａ，１ｂ，１ｃを作製した。裏面保護層は、エポキシを主成分としシリカおよびカーボンブラックを含む熱硬化性の厚さ２５μｍのフィルム状樹脂を、８０℃でラミネートし、１５０℃１ｈでキュアすることにより形成した。
【００９１】
表１に、熱板の各設定温度で樹脂封止したフィルム状封止樹脂（Ａ）からなるサンプル１ａ，１ｂ，１ｃの動的粘弾性特性をＪＩＳ規格７２４４に基づき測定した結果（粘度）と、プレス後のチップ間への埋め込み性を観測した結果（埋め込み状態）を示す。
【００９２】
【表１】
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【００９３】
表１に示すように、同じ押圧でも、熱板の設定温度が低い場合に、即ち、粘度が高い場合に埋め込み性が悪くなる傾向がある。しかしながら、軟化しすぎるとチップ間の隙間に樹脂が流れてしまうため、チップ間の空気が雰囲気を減圧しても残ってしまい、完全に埋め込むことができない。フィルム状封止樹脂（Ａ）では、最適な温度は１３０℃であり、このとき、フィルム状封止樹脂（Ａ）がチップ間の隙間に流れ出さない程度で、かつ、押圧することにより、チップ間の隙間に入り込む程度の軟化状態であることを確認した。
また、今回のチップ間の隙間（隙間間隔Ｂ＝３００μｍ）を埋め込むのに最低限必要となる樹脂量はフィルム厚に換算すると１６μｍ分に相当するが、使用するフィルム状封止樹脂（Ａ）として３０μｍ厚品を使用し、外周チップの外側にまで樹脂を流すことで、チップ間の隙間（図５に示す隙間２６）を確実になくす効果が得られる。
【００９４】
＜実施例２＞
実施例２では、以下のような工程により半導体パッケージを作製した。
まず、実施例１と同様に、インターポーザ１０Ａにフリップチップ接続した半導体チップ２０を用意し、さらにインターポーザ１０Ａ上に補強材８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａをいげた状に配置した後、半導体チップ２０の上にフィルム状の封止樹脂を搭載した。本実施例では、封止樹脂として、厚さ７５μｍのエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性のフィルム状封止樹脂（Ｂ）を使用した。また、本実施例では、サンプル（図４（Ｂ）に示すワークＷ）の外周にスペーサー５４を配置してプレスを行った（図１０参照）。今回使用したフリップチップ接続されたサンプルの厚さはインターポーザ１０Ａの下面からチップ上面までで２７０μｍとなっており、フィルム状封止樹脂（Ｂ）の厚さは７５μｍである。このとき、封止後のチップ上の樹脂厚が４０μｍとなるように、スペーサー５４は３６０μｍの厚さを有するＳＵＳ板を用いた。その結果、３６０〜３６２μｍの厚さになった。
【００９５】
熱板の設定温度を１３０℃で、雰囲気の真空度を１ｈＰａに減圧した状態で、５ＭＰａでプレスして樹脂封止した。尚、６００秒プレスして封止樹脂を硬化させた後、雰囲気を大気圧に戻し、その後プレスを開放した。この際、フィルム状封止樹脂（Ｂ）がチップ間の隙間に流れ出さない程度で、かつ、押圧してチップ間の隙間に入り込む程度の状態であることを確認した。最後に、サンプルの封止樹脂を完全硬化させるために１５０℃で１ｈのキュアをして、フィルム状封止樹脂（Ｂ）からなる半導体パッケージを作製した。
【００９６】
樹脂封止の工程で、６００秒プレスしたのは、プレスしながら硬化を進めておくためである。これにより、最終キュア段階を硬化速度の速い温度（１５０℃で１時間）でキュアしても、形状および外観が維持されたまま効率よく完全硬化することができた。
また、封止樹脂がチップ間に完全に埋め込まれていることを確認した。本実施例ではスペーサー５４を用いたため、厚いシート状の封止樹脂を用いても、容易かつ良好に所望の厚みで封止された半導体装置を得ることができた。
【００９７】
＜実施例３＞
実施例３では、以下のような工程により半導体パッケージを作成した。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すインターポーザ１０と同様の構造を有するもので、１１×３３個の単位回路パターン１１が形成されており、３６３個の半導体チップ２０がフリップチップ接続可能なインターポーザ１０Ｂ（図２２参照）を用意した。ここで、図２２において、インターポーザ１０Ｂは、Ｘ方向に３３個、Ｙ方向に１１個の半導体チップ２０がフリップチップ接続できる。
また、実施例１と同様の半導体チップ２０と接着剤層５０とを用意した。ここでは、接着剤層５０としてＮＣＦを用いた。更に、インターポーザ１０Ｂのチップ搭載側に接着剤層５０を配置した。
【００９８】
その後、図２２に示すように、インターポーザ１０Ｂに各半導体チップ２０をフリップチップ接続させた後、半導体チップ２０のうちの最外周チップ２０よりも外側となるインターポーザ１０Ｂ上に、１９０μｍ厚さの４２アロイで形成された補強材９１を配置した。図２３は、補強材９１を示す図である。図２３に示すように、補強材９１はロ字形状であって、内側にスリット９２を有している。スリット９２のスリット幅ｓは１５０μｍであり、スリット９２の奥行きは、補強材９１の外側から４ｍｍの位置までとなるように形成されている。また、スリット９２は、コーナー部と、配置された時に半導体チップ２０のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの中心線と略同じ位置となるように、補強材９１の内側に複数設けられている。
【００９９】
その後、半導体チップ２０及び補強材９１の上に、フィルム状の封止樹脂をスリット９２が隠れないように搭載した。ここで、図２２において、点線９３は、フィルム状の封止樹脂が搭載される位置を示している。
【０１００】
実施例３では、封止樹脂として、厚さ５０μｍのエポキシ樹脂を主成分とした、実施例１の裏面保護層と同様のシリカおよびカーボンブラックを含む熱硬化性のフィルム状封止樹脂（Ｃ）を使用した。また、実施例２と同様に、サンプル（図４（Ｂ）に示すワークＷ）の外周にスペーサー５４を配置してプレスを行った。今回使用したフリップチップ接続されたサンプルの厚さは、実施例２と同様に、インターポーザ１０Ｂの下面からチップ上面までが２７０μｍとなっており、チップ上の樹脂厚が下記の表２になるようにスペーサー５４は、３３５μｍ、３４０μｍ、３４５μｍの厚さを有するＳＵＳ板を用いた。即ち、樹脂厚が１５μｍのときは、スペーサー５４として３３５μｍの厚さを有するＳＵＳ板を使用し、樹脂厚が２０μｍのときは、スペーサー５４として３４０μｍの厚さを有するＳＵＳ板を使用し、樹脂厚が２５μｍのときは、スペーサー５４として３４５μｍの厚さを有するＳＵＳ板を使用した。
【０１０１】
熱板の設定温度を１５０℃で、雰囲気の真空度を１ｈＰａに減圧した状態で、５ＭＰａでプレスして樹脂封止した。また、このとき、下記の表２の反応率７０％、８０％、９０％となるように、押圧時間を１５００秒、１８００秒、２１００秒とした。即ち、反応率７０％のときは押圧時間を１５００秒とし、反応率８０％のときは押圧時間を１８００秒とし、反応率９０％のときは押圧時間を２１００秒とした。
その後、フィルム状封止樹脂（Ｃ）上に裏面保護層を積層し、実施例３に使用する半導体パッケージのサンプル３ａ〜３ｉを作製した。裏面保護層は、エポキシを主成分としたシリカおよびカーボンブラックを含む熱硬化性の厚さ２５μｍのフィルム状樹脂を、８０℃でラミネートし、１５０℃、１ｈでキュアすることにより形成した。
表２に、チップ上の樹脂厚と反応率とをそれぞれかえて組み合わせたサンプル３ａ〜３ｉの外観について観測した結果を示す。
【０１０２】
【表２】
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【０１０３】
表２に示すように、チップ上の樹脂厚が同じであってもその反応率が低いと、裏面保護層との局所的な反応ムラの影響を受けやすく、半導体パッケージの外観にムラが発生する傾向がわかる。また、同じ反応率であっても樹脂厚が薄すぎると、チップから伝わる熱とチップ間の封止樹脂から伝わる熱とによる温度勾配の影響により反応ムラが生じ、半導体パッケージの外観にムラが発生する傾向がわかる。また、封止樹脂の反応率を８０％以上にして、かつ、チップ上の樹脂厚を２０μｍ以上にする事によって、チップから伝わる熱とチップ間の封止樹脂から伝わる熱とによる温度勾配を低減し、かつ、裏面保護層との局所的な反応ムラを低減し、裏面保護層の表面に生じるムラを防止することができることを確認した。
【０１０４】
＜実施例４＞
実施例４では、以下のような工程により半導体パッケージを作製した。
実施例３と同様に、インターポーザ１０ＢにＮＣＦである接着剤層５０を配置し、半導体チップ２０をフリップチップ接続し、補強材９１を配置した。その上にフィルム状の封止樹脂を搭載した。
【０１０５】
実施例３では、一層構造でフィラー含有率が異なる３種類のフィルム状封止樹脂（Ｓ１〜Ｓ３）と二層構造（図１５参照）で上下の封止樹脂層（最上位樹脂層と下位樹脂層）のフィラー含有率がそれぞれ３種類ずつ異なる（３×３）９種類のフィルム状封止樹脂（Ｓ４〜Ｓ１２）を用いた。また、フィルム状封止樹脂Ｓ１〜Ｓ１２において、フィラー以外の各成分は、アクリル系ポリマーＡ１が１０質量部、エポキシ樹脂Ｂ１が２０質量部、エポキシ樹脂Ｂ２が２０質量部、硬化剤Ｃ１が２質量部、硬化剤Ｃ２が０．４質量部、顔料Ｅが２０質量部である。尚、アクリル系ポリマーＡ１は重量平均分子量が８０万で、ガラス転移温語が−１０℃のアクリル系共重合体であり、エポキシ樹脂Ｂ１はエポキシ当量が１８０〜２００の液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であり、エポキシ樹脂Ｂ２はエポキシ当量が２１０〜２３０のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂であり、硬化剤Ｃ１はジシアンジアミドであり、硬化剤Ｃ２はイミダゾール化合物（２−フェニル４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）であり、顔料Ｅは黒色顔料（アゾ系）である。また、フィラーは平均粒径が２μｍの合成シリカである。
【０１０６】
また、フィルム状封止樹脂Ｓ１〜Ｓ１２の厚さは７５μｍである。二層構造の場合（フィルム状封止樹脂Ｓ４〜Ｓ１２）は、チップ側の封止樹脂層である下位封止樹脂層（図１５参照）の厚さを５０μｍとし、表面側の封止樹脂層である最上位封止樹脂層（図１５参照）の厚さを２５μｍとした。スペーサー５４は、チップ上の樹脂厚が４０μｍになるように、実施例２と同様に、３６０μｍの厚さを有するＳＵＳ板を用いた。
熱板の設定温度を１５０℃で、雰囲気の真空度を１ｈＰａに減圧した状態で、５ＭＰａでプレスして樹脂封止して、実施例４に使用する半導体パッケージのサンプル４ａ〜４ｌを作製した。
表３に、フィラー含有率を変えたフィルム状封止樹脂Ｓ１〜Ｓ１２を使用したサンプル４ａ〜４ｌにおける封止樹脂の埋め込み性と外観について観察した結果を示す。
【０１０７】
【表３】
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【０１０８】
表３に示すように、一層構造のフィルム状封止樹脂Ｓ１〜Ｓ３を使用したサンプル４ａ〜４ｃにおいては、フィラーの含有率が低いと粘度が低くなりやすく封止樹脂の埋め込み性は良くなるが外観にムラが生じ、フィラー含有率が高いとムラは発生しなくなるが、封止樹脂の埋め込み性において未充填が発生してしまうことがわかる。また、二層構造のフィルム状封止樹脂Ｓ４〜Ｓ１２を使用したサンプル４ｄ〜４ｌにおいては、下位封止樹脂層でフィラー含有率が７０％より大きい場合（サンプル４ｆ，４ｉ、４ｌの場合）、封止樹脂の埋め込み性が悪くなることがわかる。また、最上位封止樹脂層でフィラー含有率が７５％未満の場合（サンプル４ｄ，４ｅ、４ｆの場合）、外観にムラが発生することがわかる。
しかし、下位封止樹脂層でフィラー含有率が７０％以下で、最上位封止樹脂層でフィラー含有率が７５％以上の場合（サンプル４ｇ，４ｈ、４ｊ、４ｋの場合）、封止樹脂の埋め込み性がよくかつ外観にムラが生じないことを確認できた。
【符号の説明】
【０１０９】
１０，１０Ａ：インターポーザ
１１：単位回路パターン
１２：絶縁性の基材（絶縁層）
１３，１４：配線パターン
１５：銅ポスト
１６：はんだバンプ
２０：半導体チップ
２１：Ａｕスタッドバンプ
２２，２２´：フィルム状の封止樹脂
２２´ａ：最上位封止樹脂層
２２´ｂ：下位樹脂層
２６：隙間
２７：ダイシングブレード
３０：真空プレス機
４０，４０Ａ，４０Ｂ、４０Ｃ：半導体パッケージ
Ｗ：ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2010263199.tif 000017
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2010263199.tif 000022
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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