(57)【要約】【課題】集中配管接続方式の構造を生かして、排ガス処理装置の処理剤の処理能力を可能な限り使い切ることができるようにする。【解決手段】処理槽４０をそれぞれ備えた複数の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄと、複数の排ガス処理装置に供給される排ガスが流入する共通入口ダクト３０と、排ガス処理装置で処理された処理済ガスを排出する出口ダクト３２と、各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部５６を備え、各排ガス処理装置の下流にそれぞれ設置されて各排ガス処理装置の排ガス処理能力を検知する手段４２と、各排ガス処理装置から延びて出口ダクト３２に繋がる各処理済ガス流出ライン２４に設置された出口バルブ４４と、出口バルブの上流側で処理済ガス流出ラインから分岐して共通入口ダクトに合流する処理済ガス戻りライン４６とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽をそれぞれ備えた複数の排ガス処理装置と、前記複数の排ガス処理装置に供給される排ガスが流入する共通入口ダクトと、前記排ガス処理装置で処理された処理済ガスを排出する出口ダクトと、前記各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部を備えた排ガス処理システムであって、
前記各排ガス処理装置の下流にそれぞれ設置されて各排ガス処理装置の排ガス処理能力を検知する手段と、
前記各排ガス処理装置から延びて前記出口ダクトに繋がる各処理済ガス流出ラインに設置された出口バルブと、
前記出口バルブの上流側で前記処理済ガス流出ラインから分岐して前記共通入口ダクトに合流する処理済ガス戻りラインとを有することを特徴とする排ガス処理システム。
【請求項２】
前記共通入口ダクトには、該共通入口ダクト内の圧力を検知するダクト圧力計が備えられ、前記集中制御部は、前記ダクト圧力計で測定された圧力に基づいて各排ガス処理装置に供給される排ガス流量を制御することを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理システム。
【請求項３】
前記集中制御部とサービスサポート拠点とをＬＡＮで結んだことを特徴とする請求項１または２に記載の排ガス処理システム。
【請求項４】
処理槽をそれぞれ備えた複数の排ガス処理装置と、前記複数の排ガス処理装置に供給される排ガスが流入する共通入口ダクトと、前記排ガス処理装置で処理された処理済ガスを排出する出口ダクトと、前記各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部を備えた排ガス処理システムの運転方法であって、
前記各排ガス処理装置の下流にそれぞれ設置された排ガス処理能力検知手段で各排ガス処理能力を検知し、
前記複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が第１の所定レベルを超えた時に、該一の排ガス処理装置で処理された処理済ガスを、前記出口ダクトに流すことなく、前記共通入口ダクトに戻すことを特徴とする排ガス処理システムの運転方法。
【請求項５】
前記複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が第２の所定レベルを超えた時に、該一の排ガス処理装置への排ガスの流入を停止して、該一の排ガス処理装置に備えられている処理槽を交換すべき信号を出すことを特徴とする請求項４記載の排ガス処理システムの運転方法。
【請求項６】
前記共通入口ダクト内の圧力をダクト圧力計で検知し、前記ダクト圧力計で測定された圧力に基づき、各排ガス処理装置に供給される排ガス流量を制御することを特徴とする請求項４または５に記載の排ガス処理システムの運転方法。
【請求項７】
前記集中制御部からのデータを、ＬＡＮを通じてサービスサポート拠点に送信することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の排ガス処理システムの運転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガス処理システム及びその運転方法に係り、特に半導体装置や液晶パネル等の製造過程において排出される排ガスを処理する排ガス処理システム及びその運転方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造産業において、エッチング装置では、エッチングガスとしてＣＦ４，ＣＨＦ３，Ｃ４Ｆ８等のＰＦＣ（Perfluoro  Compounds）ガスが使用され、ＣＶＤ装置では、ウェーハの成膜工程でチャンバ内に付着した生成物のクリーニングガスとしてＣ２Ｆ６，ＮＦ３等のＰＦＣガスが使用されている。これらのＰＦＣガスは、温暖化係数が高く、該ガスに対する放出規制が強化されている。
【０００３】
このため、図１に示すように、エッチング装置、アッシング装置またはＣＶＤ装置など半導体製造装置や液晶製造装置などの製造装置１０に、排気用真空ポンプ１２を介して、排ガス処理装置１４を接続し、この排ガス処理装置１４の処理槽（反応槽）１６で排ガス中のＰＦＣガス等を分解、除去して放出することが広く行われている。排ガス処理装置１４の処理槽１６の上流側の排ガス流入ライン１８には圧力計２０及び入口バルブ２２が、下流側の処理済ガス流出ライン２４には流量計２６及びブロワ２８がそれぞれ設置されている。
【０００４】
半導体装置の製造においては、通常、複数の半導体製造装置が用いられている。このため、図２に示すように、複数台の半導体製造装置１０からの排ガスを共通入口ダクト（集中排気ダクト）３０に一旦集約し、この共通入口ダクト３０にそれぞれ処理槽１６を有する複数台の排ガス処理装置１４の各排ガス流入ライン１８を接続し、更に複数台の排ガス処理装置１４の各処理済ガス流出ライン２４を出口ダクト３２に接続する、いわゆる集中配管接続方式を採用することも行われている。
【０００５】
図２に示す集中配管接続方式を採用した排ガス処理システムは、製造装置１台ごとに排ガス処理装置を接続するようにした、図１に示す個別接続方式を採用した排ガス処理システムと比べると、プロセスや製造装置ごとに排ガスの流量が変動したり、接続されている排ガス処理装置の稼働装置数が変化したりしても、複数の排ガス処理装置で対応するために安定した処理ができる。また、いずれかの排ガス処理装置が故障したとしても、他の排ガス処理装置を稼働させることにより、製造装置の運転を止めることなく運転を継続することができる。半導体装置や液晶パネル等の製造装置は、一般に、装置の再立上げに時間がかかり、製造装置を停止させることなく継続運転できるようにすることは重要である。
【０００６】
この集中配管接続方式を採用した排ガス処理システムとして、排ガス処理装置の上流に設けた流量計での測定値に基づいて流量を調整することで、各排ガス処理装置への排ガスの分散流量を一定にするようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２７９３２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
排ガス処理装置の中で、特に排ガス中のＰＦＣガス等を処理剤に吸着して除去するようにした乾式排ガス処理装置にあっては、処理槽（処理カラム）内の処理剤の処理能力を使い切ったら（破過したら）、新しい処理槽に交換する必要がある。例えば排ガス処理装置の下流で保証値、例えばＣＦ４が含まれる排ガスにあってはＣＦ４の除去率９５％を下回ると、処理槽の交換時期（破過）と判断するようにしている。しかし、たとえＣＦ４除去率が９５％を下回っても、処理槽内の処理剤の処理能力はまだ残っており、一般に高価な処理剤の処理能力を使い切ってはいなかった。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、集中配管接続方式の構造を生かして、排ガス処理装置の処理剤の処理能力を可能な限り使い切ることができるようにした排ガス処理システム及びその運転方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、処理槽をそれぞれ備えた複数の排ガス処理装置と、前記複数の排ガス処理装置に供給される排ガスが流入する共通入口ダクトと、前記排ガス処理装置で処理された処理済ガスを排出する出口ダクトと、前記各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部を備えた排ガス処理システムであって、前記各排ガス処理装置の下流にそれぞれ設置されて各排ガス処理装置の排ガス処理能力を検知する手段と、前記各排ガス処理装置から延びて前記出口ダクトに繋がる各処理済ガス流出ラインに設置された出口バルブと、前記出口バルブの上流側で前記処理済ガス流出ラインから分岐して前記共通入口ダクトに合流する処理済ガス戻りラインとを有することを特徴とする排ガス処理システムである。
【００１１】
これにより、複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が低下しても、該一の排ガス処理装置で処理された処理済ガスを出口ダクトから放出することなく処理済ガス戻りラインを通して共通入口ダクトに戻し、該一の排ガス処理装置を含む他の排ガス処理装置で共通入口ダクト内の排ガスを処理することで、該一の排ガス処理装置の処理槽内の処理剤の処理能力を可能な限り使い切ることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記共通入口ダクトには、該共通入口ダクト内の圧力を検知するダクト圧力計が備えられ、前記集中制御部は、前記ダクト圧力計で測定された圧力に基づいて各排ガス処理装置に供給される排ガス流量を制御することを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理システムである。
【００１３】
このように、共通入口ダクト内の圧力に応じて、各排ガス処理装置に供給される排ガス流量を制御することにより、排ガス処理運転のための無駄な駆動力、動力の消費を抑えることができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、前記集中制御部とサービスサポート拠点とをＬＡＮで結んだことを特徴とする請求項１または２に記載の排ガス処理システムである。
このように、各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部とサービスサポート拠点をLAN結ぶことで、各排ガス処理装置の運転状況をサービスサポート拠点で管理して、処理槽の一元管理や、タイムリーな代替処理槽の準備、故障の予測を可能にすることができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、処理槽をそれぞれ備えた複数の排ガス処理装置と、前記複数の排ガス処理装置に供給される排ガスが流入する共通入口ダクトと、前記排ガス処理装置で処理された処理済ガスを排出する出口ダクトと、前記各排ガス処理装置の運転条件を制御する集中制御部を備えた排ガス処理システムの運転方法であって、前記各排ガス処理装置の下流にそれぞれ設置された排ガス処理能力検知手段で各排ガス処理能力を検知し、前記複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が第１の所定レベルを超えた時に、該一の排ガス処理装置で処理された処理済ガスを、前記出口ダクトに流すことなく、前記共通入口ダクトに戻すことを特徴とする排ガス処理システムの運転方法である。
【００１６】
第１の所定レベルは、排ガス処理能力検知手段として、ＣＦ４ガス濃度を検知するガス検知器を用いた場合、処理剤の処理能力を使い切って処理槽の交換の基準となる、例えば５０ｐｐｍである。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、前記複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が第２の所定レベルを超えた時に、該一の排ガス処理装置への排ガスの流入を停止して、該一の排ガス処理装置に備えられている処理槽を交換すべき信号を出すことを特徴とする請求項４記載の排ガス処理システムの運転方法である。
【００１８】
第２の所定レベルは、排ガス処理能力検知手段として、ＣＦ４ガス濃度を検知するガス検知器を用いた場合、例えば２００ｐｐｍであり、これにより、従来、処理能力が５０ｐｐｍになった時点で交換していた処理剤の処理能力を２００ｐｐｍまで引き延ばすことができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、前記共通入口ダクト内の圧力をダクト圧力計で検知し、前記ダクト圧力計で測定された圧力に基づき、各排ガス処理装置に供給される排ガス流量を制御することを特徴とする請求項４または５記載の排ガス処理システムの運転方法である。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記集中制御部からのデータを、ＬＡＮを通じてサービスサポート拠点に送信することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の排ガス処理システムの運転方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の排ガス処理システム及びその運転方法によれば、複数の排ガス処理装置の内の一の排ガス処理装置の排ガス処理能力が低下しても、該一の排ガス処理装置の処理槽を排ガス処理に使用し続けることで、当該処理槽内の処理剤を可能な限り使い切ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来の個別接続方式を採用した排ガス処理システムの系統図である。
【図２】従来の集中配管接続方式を採用した排ガス処理システムの系統図である。
【図３】本発明の実施形態の排ガス処理システムの系統図である。
【図４】図３に示す排ガス処理システムの処理槽の概略断面図である。
【図５】処理槽の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態の排ガス処理システムの系統図である。
【図７】本発明の更に他の実施形態の排ガス処理システムの系統図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態の排ガス処理システムの系統図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態を図３乃至図８を参照して説明する。なお、図１乃至図８を通して、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略する。
【００２４】
図３は、本発明の実施形態の排ガス処理システムを示し、図４は、図３に示す排ガス処理システムに備えられている処理槽の概略断面図を示す。図３に示すように、この排ガス処理システムには、複数の（図示では５台）の半導体製造装置等の製造装置１０が接続されており、これらの製造装置１０から排出されるＣＦ４等のＰＦＣガスを含む排ガスは、真空ポンプ１２を通して、共通入口ダクト３０に一旦集約される。
【００２５】
共通入口ダクト３０には、処理槽４０をそれぞれ備えた複数（この例では４台）の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各排ガス流入ライン１８が接続されている。この各排ガス流入ライン１８には入口バルブ２２が設置されている。更に、処理槽４０から延びる処理済ガス流出ライン２４には、流量計（または圧力計）２６、ブロワ２８、排ガス処理能力検知手段４２及び出口バルブ４４が設置されている。排ガス処理能力検知手段４２として、この例では、ＣＦ４等の未処理のＰＦＣガス濃度を検出するガス検知器が用いられている。ＰＦＣガスの分解率が下がるとＣＯが流出してくるため、排ガス処理能力検知手段（ガス検知器）４２でＣＯ濃度を検知するようにしてもよい。排ガス処理能力検知手段としては、他に、排ガス処理に伴う処理槽の重量の変化を検知する手段が挙げられる。
【００２６】
なお、ブロワ２８の回転速度と排ガスの吸引量との関係が分かっている場合には、流量計２６を省略してもよい。また、流量計２６の代わりに圧力計を用いてもよい。
【００２７】
各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄには、出口バルブ４４の上流側で処理済ガス流出ライン２４から分岐して共通入口ダクト３０に合流する処理済ガス戻りライン４６が備えられ、この処理済ガス戻りライン４６には、戻りラインバルブ４８及びブロア５０が設置されている。このブロア５０の代わりに密閉型ポンプを使用してもよい。
【００２８】
共通入口ダクト３０には、該ダクト３０内の圧力を検知するダクト圧力計５２が設置されている。
【００２９】
各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄには、流量計（または圧力計）２６及び排ガス処理能力検知手段（ガス検知器）４２等の信号に基づいて前記各バルブ２２，３２，４８及びブロア２８，５０を制御する制御ユニット５４が備えられ、この制御ユニット５４及びダクト圧力計５２は集中制御部としての集中制御盤５６に接続されている。集中制御盤５６は、ＬＡＮ伝送ケーブル５８を通して、サービスサポート拠点のコンピュータ６０に接続されている。
【００３０】
各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄ内に処理槽４０は、図４に示すように、排ガス流入ライン１８及び処理済ガス流出ライン２４に接続されて排ガスと処理済ガスとの間で熱交換を行う熱交換器６２と、内部にヒータ６４を収納したヒータ室６６と、このヒータ室６６の外側に該ヒータ室６６と同心状に設けら処理剤充填室６８を有している。処理剤充填室６８内には、処理剤７０が充填されている。熱交換器６２とヒータ室６６は、入口側内部配管７２で結ばれ、処理剤充填室６８と熱交換器６２は、出口側内部配管７４で結ばれている。更に、処理剤充填室６８及び内部配管７２，７４の周囲は断熱材７６で覆われている。
【００３１】
これにより、例えば２５℃の排ガスは、排ガス流入ライン１８を通って熱交換器６２内に流入し、この熱交換器６２で加熱され、ヒータ室６６内を通過することで更に加熱される。そして、処理剤充填室６８内に流入し該処理剤充填室６８内に充填した処理剤７０に接触して処理され、熱交換器６２で、例えば３０〜１００℃、最大で１４０℃に冷却された後、処理済ガス流出ライン２４を通って排出される。
【００３２】
この例では、処理剤７０を７００℃近くに加熱した状態で排ガスに接触させて排ガスを処理するようにしている。処理槽４０内の処理剤７０は、ヒータ室６６内に流入したエアを加熱することにより加熱されるが、室温のエアを排ガス流入ライン１８から流しつづけて処理槽４０内を昇温するため、処理剤７０の昇温に時間がかかる。
【００３３】
そこで、この例では、出口側内部配管７４と入口側内部配管７２とを、内部に循環バルブ７８及びブロア８０を設置した循環配管８２で結び、更に処理済ガス流出ライン２４に昇温ガス排出停止バルブ９０を設け、これによって、処理槽４０の昇温中に、出口側内部配管７４内に流入したエアが循環配管８２を通って入口側内部配管７２に戻って循環するようにしている。このように、一度ヒータ室６６で加熱したエアを再びヒータ室６６で加熱することで、エア及び処理剤７０の昇温を促進することができる。
【００３４】
なお、図４に示すように、熱交換器６２で冷却される前の高温のエアが循環配管８２内を流れるようにすると、循環配管８２内に設置した循環バルブ７８やブロア８０が耐熱温度を越えてしまうことがある。そのような場合は、図５に示すように、熱交換器６２の下流に、処理済ガス流出ライン２４と排ガス流入ライン１８を結ぶ循環配管８４を設け、この循環配管８４内に循環バルブ８６及びブロア８８を設置するようにしてもよい。
【００３５】
この場合、処理槽４０を昇温中のエアは、処理済ガス流出ライン２４から循環配管８４を通って排ガス流入ライン１８内に流入して循環する。これによっても、処理剤７０の加熱時間を短縮することができる。
【００３６】
この例では、処理剤７０として、所定の組成（メディアン径（平均粒子径）５５〜１６０μｍ）のＡｌ（ＯＨ）３とＣａ（ＯＨ）２とのモル比が３：７〜５：５である混合物を４３０〜８９０℃（好ましくは５８０〜７８０℃）で十分に予め焼成したものを使用している。そして、この処理剤７０を処理槽４０内の処理剤充填室６８内に充填し、５５０〜８５０℃（かつ、前記焼成温度よりも高い温度）でＣＦ４等のＰＦＣガスと接触させることでＰＦＣガスを分解し、ＣａＦ２として処理剤７０に固定化するようにしている。この際に処理剤７０中に含有される水分は少ない方が好ましく、５ｗｔ%以下、好ましくは３．５ｗｔ%以下、さらに好ましくは２．７ｗｔ%以下であることが好ましい。メディアン径は、一般にｄ５０と言われ、粉体をある粒子径から２つに分けたときに、大きい側と小さい側が等量になる径のことである。この例では体積基準を用いている。実際の測定では、体積基準とした積算粒度分布曲線の５０％粒度がメディアン径となる。
【００３７】
次に、この排ガス処理システムの操作例について説明する。
先ず、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの入口バルブ２２と出口バルブ３２を開き、戻りラインバルブ４８を閉じた状態で、ブロア２８を運転させ、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄで排ガスを処理して処理済ガスを出口ダクト３２から放出する。この時、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの排ガス処理能力検知手段（ガス検出器）４２で検出されたガス濃度、例えば未処理のＣＦ４濃度の所定の濃度として、例えば第１規定値の５０ｐｐｍ以下であれば、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの稼働を継続する。
【００３８】
そして、例えば１つの排ガス処理装置１４ａの排ガス処理能力検知手段（ガス検出器）４２で検出されたガス濃度、例えばＣＦ４濃度が、例えば第１規定値の５０ｐｐｍ以上に達した時、従来は、排ガス処理装置１４ａ内の処理剤７０の処理性能が落ちたと判断して、処理剤交換の信号を出していた。しかし、それでも排ガス処理装置１４ａの処理剤７０のＰＦＣガス等の分解能力はまだあり、運転コストを考慮すると、なるべく処理剤の能力は使いきりたい。
【００３９】
そこで、このように、例えば排ガス処理装置１４ａの排ガス処理能力検知手段（ガス検出器）４２で検出されたガス濃度、例えばＣＦ４濃度の所定の濃度として、例えば第１規定値の５０ｐｐｍ以上に達した時に、排ガス処理装置１４ａの処理済ガス排出ライン２４の出口バルブ４４を閉じて、排ガス処理装置１４ａで処理された処理済ガスが出口ダクト３２に流入するのを阻止し、同時に戻りラインバルブ４８を開き、ブロア５０を運転して、排ガス処理装置１４ａで処理された処理済ガスを処理済ガス戻りライン４６を通して共通入口ダクト３０へ戻す。この場合、排ガス処理装置１４ａの処理剤７０は、処理性能が落ちてきても、まだＰＦＣガス等の分解能力を有している。このように、処理済のＰＦＣガス濃度の高い排ガスを出口ダクト３２側に流さずに共通入口ダクト３０へ戻して、排ガス処理装置１４ａを含む排ガス処理装置１４ｂ〜１４ｄで再処理することにより、排ガス処理装置１４ａの処理剤７０の処理能力を使い切ることができる。
【００４０】
そして、例えば、排ガス処理装置１４ａの排ガス処理能力検知手段（ガス検出器）４２で検出されたガス濃度、例えばＣＦ４濃度の所定の濃度として、例えば第２規定値の２００ｐｐｍ以上に達した時に、排ガス処理装置１４ａの処理槽４０内の処理剤７０が完全に破過したとみなし、排ガス処理装置１４ａの入口バルブ２２を閉じて該排ガス処理装置１４ａへの排ガスの流入を停止し、排ガス処理装置１４ａの処理槽４０を交換すべき信号を送る。そして、排ガス処理装置１４ａの処理済ガス戻りライン４６の戻りラインバルブ４８を閉じて、排ガス処理装置１４ａの処理槽４０を交換する。
【００４１】
入口バルブ２２を閉じて排ガス処理装置１４ａへの新たな未処理排ガスの流入を停止した時、排ガス処理装置１４ａをクールダウンさせる信号を送る。その場合に、共通入口ダクト３０に接続された他の排ガス処理装置１４ｂ〜１４ｄのブロア２８の回転速度を上げて、排ガス処理装置一台当たりの排ガス処理量を増やす。排ガス処理装置１４ａの処理槽４０の交換が終わり、排ガス処理装置１４ａの入口バルブ２２を開にした情報を得たら、再び全排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄでのブロア２８の回転速度を均等にする。
【００４２】
次に、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄのブロワ２８の回転速度の制御について説明する。集中排気ダクト（共通入口ダクト）３０に設けたダクト圧力計５２の変動に基づき、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄのブロワ２８の回転速度を制御する。例えば、共通入口ダクト３０内の圧力が大きくなれば、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄのブロワ２８の回転速度を上げ、逆に共通入口ダクト３０内の圧力が低くなれば、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄのブロワ２８の回転速度を下げる。この場合、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄでの処理量を均一にするため、各ブロア２８は同一回転速度に制御することが好ましい。
【００４３】
例えば図３に示すように、共通入口ダクト３０に４台の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄが接続されている場合、共通入口ダクト３０内の圧力が極端に下がったら、４台の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄ内に１台の排ガス処理装置１４ｃ、または図３に示すように、２台の排ガス処理装置１４ｃ，１４ｄの入口バルブ２２を閉めて、該１台の排ガス処理装置１４ｃ、または２台の排ガス処理装置１４ｃ，１４ｄの運転を停止するようにしてもよい。このように、例えば２台の排ガス処理装置１４ｃ，１４ｄの運転を停止すれば、他の２台の排ガス処理装置１４ａ，１４ｂの稼働で排ガスを処理できるため、排ガス処理装置の運転のための無駄な駆動力や電力を消費せずに済ますことができる。
【００４４】
各排ガス処理装置への流量制御は、圧力計で圧力を測定してブロワの回転速度を制御しても、流量計で流量を測定してブロワの回転速度を制御しても良いが、流量計は、圧力損失や生成物付着／腐食に対して一般に弱い。このため、排ガス処理装置の上流側で測定する場合は、圧力計を用いて圧力を測定することが望ましい。
【００４５】
この例では、複数の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各制御ユニット５４を集中制御盤５６に接続して、複数の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各機器の制御を集中管理するようにしている。
【００４６】
また、集中制御盤５６とサービスサポート拠点のコンピュータ６０とをＬＡＮ伝送ケーブル５８で結び、集中制御盤５６からのデータをサービスサポート拠点のコンピュータ６０に伝送して、排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの運転状況をサービスサポート拠点のコンピュータ６０で管理するようにしている。これにより、処理槽の一元管理や、タイムリーな代替処理槽の準備、故障の予測を可能にすることができる。
【００４７】
図６は、本発明の他の実施形態の排ガス処理システムを示す。この図６に示す例の図３に示す例と異なる点は、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄに制御ユニット５４（図３参照）を設けることなく、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各センサやバルブ等を直接に集中制御盤５６に接続して制御するようにしている点にある。なお、図６では、排ガス処理装置１４ａの各センサやバルブ等のみを集中制御盤５６に接続しているが、他の排ガス処理装置１４ｂ〜１４ｄの各センサやバルブ等も集中制御盤５６に接続されている。このことは図７にあっても同様である。
【００４８】
このように集中制御盤５６を独立させると、排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄと集中制御盤５６をそれぞれモジュールとして扱えるため、排ガス処理装置の台数が増減したり、排ガス処理装置ごとの処理プロセスが異なったりしても、その接続の増減に容易に対応できる。つまり、図３に示す例では、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの制御ユニット５４と集中制御盤５６での調整が必要であったが、図６に示す例では、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各センサからのデータや駆動機器を直接集中制御盤５６で制御することができる。
【００４９】
図７は、本発明の更に他の実施形態の排ガス処理システムを示す。この例の図３に示す例と異なる点は、各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの排ガスに真空ポンプ１２の上流側でＮ２ガス等の希釈用ガスを供給する希釈ガス供給ライン９２を備え、この希釈ガス供給ライン９２に、処理済ガス流出ライン２４から分岐する処理済ガス戻りライン４６を合流させて、処理済ガス戻りライン４６を通る処理済ガスを、真空ポンプ１２の上流側から共通入口ダクト３０に戻すようにした点にある。なお、図示では、排ガス処理装置１４ｄにのみ希釈ガス供給ライン９２が記載されているが、他の排ガス処理装置１４ａ〜１４ｃにも希釈ガス供給ライン９２が備えられ、この各希釈ガス供給ライン９２に各排ガス処理装置１４ａ〜１４ｄの各処理済ガス戻りライン４６が合流するようになっている。
【００５０】
ＰＦＣガスは腐食性ガスではなく、また、排ガス中に腐食性ガスが含まれていても、一度処理槽４０内を通っているため、処理済ガス中の腐食性ガスの大半は除去されている。このため、処理済ガスを希釈用ガスとして使用しても問題はない。
【００５１】
真空ポンプ１２を運転するため、希釈用ガスとしてのＮ２ガス等を真空ポンプ１２内に流入させるようにしており、処理済ガス戻りライン４２を真空ポンプ１２の上流側で接続することで、Ｎ２ガス等の希釈用ガスの使用量を減らし、ランニングコストを低減させることができる。
【００５２】
図８は、本発明の更に他の実施形態の排ガス処理システムを示す。この例の図６に示す例と異なる点は、処理装置１０から排出される排ガスを共通入口ダクト３０に送る真空ポンプ１２（図６参照）を設けることなく、各排ガス処理装置１４の排ガス流入ライン１８に真空ポンプ１２を設置して、真空ポンプ１２と排ガス処理装置１４を一体化した点にある。このように、本発明は、真空ポンプ一体型排ガス処理装置にも適用できる。
【００５３】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５４】
１０  製造装置
１２  真空ポンプ
１４ａ〜１４ｄ  排ガス処理装置
１８  排ガス流入ライン
２２  入口バルブ
２４  処理済ガス流出ライン
２８，５０，８０，８８  ブロワ
３０  共通入口ダクト
３２  出口ダクト
４０  処理槽
４２  排ガス処理能力検知手段（ガス検知器）
４４  出口バルブ
４６  処理済ガス戻りライン
４８  戻りラインバルブ
５０  ブロア
５２  ダクト圧力計
５４  制御ユニット
５６  集中制御盤（集中制御部）
５８  ＬＡＮ伝送ケーブル
６２  熱交換器
６４  ヒータ
６６  ヒータ室
６８  処理剤充填室
７０  処理剤
７６  断熱材
７８，８６  循環バルブ
８２，８４  循環配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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