(57)【要約】【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な処理槽内には、被処理基板を載置するテーブル状の電極が配置され、前記処理槽内にプロセスガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を印加して前記プロセスガスをプラズマ化させ前記被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理に伴って発生する反応生成物が前記処理槽の内部に付着又は堆積したとき、前記処理槽内にクリーニングガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を印加して前記クリーニングガスをプラズマ化させ前記反応生成物を除去するクリーニング手段を設けたプラズマ処理装置において、
前記クリーニングガスによる前記電極のエッチングを抑制するエッチング抑制ガスを、前記クリーニングガスとは別に、前記電極へ供給するエッチング抑制ガス供給手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記電極の表面部にガス噴出穴を開口し、
前記ガス噴出穴に前記エッチング抑制ガス供給手段を接続したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス噴出穴は前記電極表面部における前記被処理基板の載置スペースにのみ開口したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス噴出穴は前記電極表面部と、前記電極側面部とをそれぞれ別系統として開口したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置にて実施されるプラズマ処理装置のクリーニング方法において、
前記クリーニングガスによる前記電極のエッチングを抑制するエッチング抑制ガスを、前記電極へ供給したことを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【請求項６】
前記エッチング抑制ガスは前記電極の中心部から周縁部に向かって流れるようにしたことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理槽内に付着又は堆積した反応生成物を除去するプラズマ処理装置のクリーニング技術に係り、特に、プラズマ化したクリーニングガスによる電極の劣化を防止するプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体、ＦＰＤあるいはＭＥＭＳなどの製造工程では、プラズマエッチング装置を代表とするプラズマ処理装置が広く利用されている。プラズマエッチング装置とは、処理槽であるプロセスチャンバー内にプロセスガスを導入して高周波電圧を印加してプラズマ化させ、プラズマ化したプロセスガス中のイオンやラジカルを利用することにより、処理槽内に置かれた被処理基板のエッチング処理を行うものである。
【０００３】
［プラズマ処理装置の従来例］
ここで、プラズマエッチング装置の概要について、図５の模式図を用いて具体的に説明する。図５に示すように、プラズマエッチング装置には減圧可能なプロセスチャンバー１が設けられている。プロセスチャンバー１底面部にはカソード電極３が配置されている。
【０００４】
このカソード電極３は被処理基板７を載置するためのテーブルを兼ねており、カソード電極３の上面部に被処理基板７を固定するようになっている。カソード電極３には高周波電源２が電気的に接続されている。プロセスチャンバー１の一方の側壁部（図５中の左側）の中央部付近にはプロセスチャンバー１に対して被処理基板７を搬出入するためのゲート弁６が開閉自在に設置されている。
【０００５】
また、プロセスチャンバー１の他方の側壁部（図５中の右側）の上部には、プロセスチャンバー１内にプロセスガス１１を導入するためのガス導入口４が設置されている。プロセスガス１１としては、平行平板型の場合、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８などがある。さらに、プロセスチャンバー１底面部にはプロセスチャンバー１内からプロセスガス１１を排気するための排気口５が形成されている。
【０００６】
以上の構成を有するプラズマエッチング装置では、ゲート弁６を開けてプロセスチャンバー１内のカソード電極３上まで被処理基板７を搬入し、静電気チャッキングによりカソード電極３上面部に被処理基板７に固定する。ゲート弁６を閉めてプロセスチャンバー１を密閉し、排気口５からプロセスチャンバー１のガスを排気してプロセスチャンバー１を所定の圧力にまで減圧する。
【０００７】
また、ガス導入口４からプロセスチャンバー１内にプロセスガス１１を導入し、高周波電源２にてカソード電極３に高周波電力を印加する。こうして、電力が印加されたカソード電極３と接地されたアノード電極（図示しない）との間で電界が印加され、プロセスチャンバー１内のプロセスガス１１をプラズマ化し、被処理基板７表面のエッチング処理を行っている。
【０００８】
ところで、上記のようなプラズマ処理装置の稼働を継続していると、プロセスガス１１からＣＦ系などの反応生成物１０が発生することが知られている。この反応生成物１０は、装置の稼働時間が長くなるにつれて、プロセスチャンバー１の内壁面に次第に付着又は堆積していき、プロセスチャンバー１内の状態を変化させる要因となる。プロセスチャンバー１の状態変化は、プラズマ処理装置の再現性や安定性の低下を招くおそれがあり、問題となっている。
【０００９】
また、プロセスチャンバー１内に付着した反応生成物１０は、プロセスチャンバー１の内壁面から剥がれてパーティクル９となると、被処理基板７に落下して、プロセス性能を変動させて歩留まりを低下させるおそれがある。さらに、反応生成物１０の発生はプラズマ形成にも変化を及ぼす。特に、ダメージフリーを志向したプラズマ処理装置では、印加電力を絞りプラズマ形成自体を抑えているので、反応生成物１０によるプラズマ形成の変化は深刻となる。
【００１０】
そこで、プラズマ処理装置では反応生成物１０をプロセスチャンバー１から除去するクリーニングが定期的に実施されている。プラズマ処理装置のクリーニング技術は、プロセスチャンバー１の状態を保持して再現性や安定性の向上を図る上で非常に重要であると認識されており、近年、様々な技術が開発されている。
【００１１】
プラズマ処理装置のクリーニング方法としては、ウェットクリーニングとドライクリーニングに大別される。ウェットクリーニングとは、プロセスチャンバー１を大気開放した上で、イソプロピルアルコールを含ませた綿布を用いて、プロセスチャンバー１内の反応生成物１０を拭き取る方法である。
【００１２】
このウェットクリーニング方法では目視しながら確実に反応生成物１０を除去できる。しかし、反応生成物１０を拭き取った後、プロセスチャンバー１内の水分を十分に乾かさないと、エッチング処理が不安定になりかねない。したがって、メンテナンス時間が長期化するといったデメリットがある。
【００１３】
また、ドライクリーニングとは、プラズマケミカルクリーニングとも呼ばれており、Ｏ２やＳＦ６  、ＮＦ３  、ＣｌＦ３  、Ｃｌ２  、ＨＣｌ、Ａｒなどのプラズマを用いて、反応生成物１０を除去する方法である。このドライクリーニング方法ではウェットクリーニング方法では不可欠であったプロセスチャンバー１内の乾燥が不要である。そのため、乾燥時間をかけない分、メンテナンス時間が短くて済むという利点がある。
【００１４】
［プラズマ処理装置のクリーニング方法の従来例・その１］
ここで、プラズマ処理装置のドライクリーニング方法について、図６を参照して具体的に説明する。図６に示すように、プロセスチャンバー１から被処理基板７を搬出した後、プロセスチャンバー１内にガス導入口４から、プロセスガス１１に代えて、Ｏ２やＳＦ６  、ＮＦ３  、ＣｌＦ３  、Ｃｌ２  、ＨＣｌ、Ａｒなどのクリーニングガス１２を導入する。
【００１５】
そして、高周波電源２により高周波電圧を印加してクリーニングガス１２をプラズマ化する。プラズマ化したクリーニングガス１２にはフッ素ラジカルや、高エネルギーイオンが発生するため、これらラジカルやイオンが反応生成物１０と激しく反応して、反応生成物１０をエッチングすることができる。最終的に、エッチングされた反応生成物１０を排気口５から排出することで、プロセスチャンバー１から反応生成物１０を除去する。
【００１６】
ところで、上記のようなクリーニング方法を実施する際、カソード電極３の上面部には被処理基板７を載置しておらず、露出状態にある。そのため、プラズマ化したクリーニングガス１２に含まれる残留フッ素のラジカルや高エネルギーイオンが、反応生成物１０だけでなく、カソード電極３上面部をエッチングすることがある。
【００１７】
カソード電極３がエッチングされると、カソード電極３における熱伝達性能が低下する。また、カソード電極３上面部に被処理基板７を置いたとき、被処理基板７の裏面を汚染する。したがって、エッチングによる劣化が進んだカソード電極３は交換しなくてはならず、ランニングコストが増加した。また、カソード電極３の劣化状態を把握するためにメンテナンス作業の頻度も増えることになり、稼働率も低下した。
【００１８】
［プラズマ処理装置のクリーニング方法の従来例・その２］
そこで、図７に示すように、カソード電極３の上面部に被処理基板７と同程度の大きさであるダミー基板８を載置してから、ドライクリーニングを行う方法が提案されている。
【００１９】
このクリーニング方法によれば、ダミー基板８がカソード電極３上面部をカバーするため、フッ素ラジカルや高エネルギーイオンによるカソード電極３のエッチングを防止することができる。したがって、クリーニング時におけるカソード電極３の劣化を回避でき、カソード電極３の交換頻度を大幅に低減させることが可能である。
【００２０】
しかしながら、ダミー基板８を用いたクリーニング方法では、被処理基板７に替えてダミー基板８を載置させる作業を実施しなくてはならないので、作業効率が低下するといった問題が生じた。これは、ドライクリーニング方法のメリットであるメンテナンス時間の短さが失われることに他ならない。
【００２１】
以上のクリーニング方法の特徴について、図８のグラフを用いてまとめる。図８のグラフでは、ダミー基板を用いた場合のクリーニング方法と、ダミー基板を用いない場合のクリーニング方法に関して、それぞれの方法による単位時間当たりのランニングコスト（棒グラフ）と、作業時間を示すタクト（折れ線グラフ）を示している。
【００２２】
これらのグラフから明らかなように、ダミー基板８を使用しないクリーニング方法では、単にクリーニングガスを供給するだけなのでタクトは３０秒と低いものの、劣化によるカソード電極３の交換費用がかかる分、高くつき、ランニングコストは６０００円をオーバーする。
【００２３】
一方、ダミー基板８を使用したクリーニング方法の場合には、カソード電極３の交換に伴うコストアップを抑えているため、ランニングコストは５０００円で済むが、クリーニングのたびにダミー基板８の搬出入作業を要するので、タクトは８０秒に達してしまう。
【００２４】
つまり、ダミー基板８を用いた場合のクリーニング方法では、ダミー基板８を使用しなかった場合と比べて、コスト的には有利であるものの、タクトは３倍近くになり、作業時間が大幅に長期化した。したがって、ダミー基板８を用いたプラズマ処理装置のクリーニング技術では、クリーニング作業時間を短縮することが急務となっている。
【００２５】
このようなニーズに応えるべく、特許文献１が提案されている。この技術では、ダミー基板８の役割を果たすものとして、誘電体からなる保護体を用いた点に特徴があり、保護体付近でプラズマを発生させることによってクリーニング作業時間を短縮化している。
【００２６】
すなわち、特許文献１においては、通常のクリーニングガス１２によるプラズマの発生領域に加えて、カソード電極３付近でもプラズマを形成している。したがって、プロセスチャンバー１内のクリーニングガス１２におけるプラズマ密度を高めることができ、反応生成物１０を迅速に除去することが可能である。このような特許文献１によれば、カソード電極３保護による経済性の確保と同時に、クリーニング作業時間の短縮化も図れる。
【特許文献１】特開平８−３３０２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、上記の従来技術には次のような課題が指摘されている。すなわち、特許文献１記載の従来技術における保護体は、材質を誘電体に限定したとは言え、カソード電極３を保護する板状部材であって、この点ではダミー基板８と変わりがない。したがって、保護体をカソード電極３上に搬出入させる作業は不可欠である。
【００２８】
このようなカソード電極３を保護する部材の搬出入作業こそ、クリーニング作業時間を長引かせる要因となることが多い。つまり、プラズマ処理装置のクリーニングに際して、ダミー基板８などのカソード電極３保護用部材を採用している限りは、作業時間を大幅に短縮することは困難であった。
【００２９】
本発明は、以上の状況を鑑みて提案されたものであり、その目的は、電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上記の目的を達成するために、本発明は、減圧可能な処理槽内には、被処理基板を載置するテーブル状の電極が配置され、前記処理槽内にプロセスガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を印加して前記プロセスガスをプラズマ化させ前記被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理に伴って発生する反応生成物が前記処理槽の内部に付着又は堆積したとき、前記処理槽内にクリーニングガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を印加して前記クリーニングガスをプラズマ化させ前記反応生成物を除去するクリーニング手段を設けたプラズマ処理装置において、前記クリーニングガスによる前記電極のエッチングを抑制するエッチング抑制ガスを、前記クリーニングガスとは別に、前記電極へ供給するエッチング抑制ガス供給手段を備えたことを特徴としている。
【００３１】
以上の構成を有するプラズマ処理装置では、プラズマ化したクリーニングガスによって処理槽内の反応生成物を除去するとき、電極に対してエッチング抑制ガスを供給することで、電極周辺の空間をエッチング抑制ガス雰囲気とする。そのため、プラズマ化したクリーニングガス中に含まれるラジカルや高エネルギーイオンによるエッチング作用は穏やかになる。
【００３２】
したがって、電極表面は、プラズマ化したクリーニングガスによってエッチングされにくくなり、電極の劣化を防いで交換頻度を低減することができる。しかも、クリーニング作業に際してクリーニングガスの導入及びエッチング抑制ガスを導入するだけなので、ダミー基板のような電極保護用部材は不要である。したがって、クリーニングのたびに処理槽に対して電極保護用部材を搬出入するといった面倒な作業を省略することができ、クリーニング作業時間を短縮化することが可能である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法によれば、エッチング抑制ガスにより電極を保護して電極の劣化を防ぐと共に、電極保護用の部材を省いてクリーニング作業時間を大幅に短縮できるため、経済性の向上と作業時間の短縮化を両立することができ、クリーニング作業の高品位化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（１）代表的な実施形態
［構成］
以下、本発明に係るプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法の代表的な実施形態について、図１を参照して具体的に説明する。図１は本実施形態の模式図である。なお、本実施形態は、図５〜図７に示した従来例と同様、プラズマエッチング装置に適用したものであり、従来例と同一の部材に関しては同一符号を付して説明は省略する。
【００３５】
図１に示すように、本実施形態は、カソード電極３の上面部には複数、左右の側面部に周方向に複数、ガス噴出穴１３が開口されている。また、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。
【００３６】
ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。エッチング抑制ガス１５は、クリーニングガス１２に比べてカソード電極３をエッチングし難い特性を有するガスとすることが好ましいが、Ｏ２を使用する場合のように、エッチング抑制ガス１５とクリーニングガス１２を同じガスにしてもよい。
【００３７】
エッチング抑制ガス１５の供給開始タイミングは、被処理基板７をプロセスチャンバー１から取り出した直後に設定されている。また、エッチング抑制ガス１５の流量は、クリーニングガス１２の同流量以上であり、クリーニング作業中は継続して供給される。
【００３８】
［作用効果］
以上の構成を有する本実施形態の作用効果は、次の通りである。すなわち、プロセスチャンバー１内に付着又は堆積した反応生成物１０（図５参照）を除去しようとするとき、被処理基板７をプロセスチャンバー１から取り出した後、ガス導入口４からクリーニングガス１２を導入する。
【００３９】
このとき、被処理基板７をプロセスチャンバー１から取り出した直後から、ガス供給口１４はエッチング抑制ガス１５の供給を開始し、カソード電極３の上面部及び側面部に設けたガス噴出穴１３からエッチング抑制ガス１５を噴出する。
【００４０】
したがって、プロセスチャンバー１内の上面部から中ほどまでの空間は、クリーニングガス雰囲気となり、カソード電極３周辺の空間はエッチング抑制ガス雰囲気となる。したがって、高周波電源２からの高周波電圧印加によりクリーニングガス１２がプラズマ化した場合、プラズマ形成はプロセスチャンバー１内の上面部から中ほどまでの空間であり、エッチング抑制ガス１５に包まれたカソード電極３周辺では、クリーニングガス１２中のラジカルや高エネルギーイオンの反応を抑制した状態にある。
【００４１】
これにより、カソード電極３はクリーニングガス１２中のラジカルや高エネルギーイオンにより激しくエッチングされることがなく、劣化を防ぐことができる。その結果、カソード電極３の交換頻度は著しく低減し、ランニングコストを削減できる。また、カソード電極３の劣化状態を把握するためのメンテナンス作業も低頻度で済むので、高い稼働率を維持することができ、経済的に有利である。
【００４２】
さらに、本実施形態では、エッチング抑制ガス１５を導入するだけでカソード電極３を保護しており、ダミー基板８のような電極３の保護用板状部材は不要である。したがって、ダミー基板８などの部材をカソード電極３上に搬出入させる作業を省ことができ、トータルなクリーニング作業時間を短縮化可能である。
【００４３】
前記図８では、本実施形態の効果を示すためのグラフも示している。すなわち、本実施形態のタクトは５０秒であり、ダミー基板８を使用したケースと比較して、３０秒の短縮化を実現している。また、本実施形態のランニングコストは４０００円で済み、これは、従来のダミー基板８を使用せず電極３の交換頻度が高いクリーニング方法よりも２０００円以上安く、ダミー基板８を使用した場合と比べても１０００円安いことになる。
【００４４】
上述したように、本実施形態においては、エッチング抑制ガス１５を噴射するといった極めて簡単な構成により、カソード電極３のエッチングを抑制してこれを確実に保護できると同時に、カソード電極３保護用の部材の使用を省くことで、作業の簡略化を進めてクリーニング作業時間を短くすることが可能となる。
【００４５】
したがって、経済性の向上と作業時間の短縮化の両立が可能となり、反応生成物１０を除去するクリーニング作業の高品位化が実現する。これにより、プロセスチャンバー１の状態保持が良好となり、エッチング装置の再現性、安定性を高めることができ、プラズマ処理装置の高精度化に寄与することができる。
【００４６】
（２）他の実施形態
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各部材の形状や寸法、材質、配置数などは適宜変更可能であり、また、クリーニングガスやエッチング抑制ガスの種類なども適宜選択可能である。
【００４７】
例えば、図２に示すように、カソード電極３よりも被処理基板７（図２では一点鎖線にて示す）が小さい場合には、ガス噴出穴１３を被処理基板７の載置スペースに対応させて開口するようにしてもよい。このような実施形態によれば、エッチング抑制ガス１５の使用量を最適化することができ、ガス使用量を節約可能である。また、このように構成した場合、被処理基板７が載置される部分からはエッチング抑制ガス１５が噴出されるため、少なくとも図６を用いて説明した従来技術に比べて、カソード電極３のエッチング量を減らすことができる。
【００４８】
さらには、図３に示すように、カソード電極３の上面部側のガス噴出穴１３ａに連通するガス供給口１４ａと、カソード電極３の左右の側面部側のガス噴出穴１３ｂに連通するガス供給口１４ｂとを、それぞれ別系統として構成してもよい。
【００４９】
以上のような構成を持つ実施形態によれば、ガス噴出穴１３ａとガス噴出穴１３ｂからのエッチング抑制ガス１５の噴出を独立して制御することができる。そのため、カソード電極３側面部側のガス噴出穴１３ｂ側からのエッチング抑制ガス１５の噴出を停止させることができる（図３では点線の矢印で示す）。
【００５０】
すなわち、カソード電極３上面部側では上記の実施形態と同様、エッチング作用を抑えた状態にあるが、カソード電極３側面部に対しては、プラズマ化したクリーニングガス１２のエッチング作用がそのまま働くことになる。これにより、カソード電極３側面部の反応生成物１０の付着量が増えた場合に、カソード電極３側面部の反応生成物１０を確実に除去することが可能となる。
【００５１】
また、ガス噴出穴１３ａとガス噴出穴１３ｂの噴出を独立して制御することで、エッチング最中にカソード電極３の側面部からエッチング抑制ガス１５を噴出させる態様が可能である。このようにすれば電極側面部における反応生成物１０の蓄積を抑制することができる。
【００５２】
また、エッチング抑制ガス１５の噴出穴１３を選択的に使用するだけではなく、その噴射方向も適宜選択可能である。具体的には、図４に示すように、エッチング抑制ガス１５はカソード電極３の中心部側から周縁部に向かって流れるようにしても良い。
【００５３】
このような実施形態では、万が一、エッチングされた反応生成物１０がパーティクル９となってカソード電極３上に落ちたとしても、エッチング抑制ガス１５の流れにより、パーティクル９をカソード電極３から払い落とすことができる。
【００５４】
また、ガス噴出穴の形状を、真上から見て円穴にしてもよいが、穴を周方向に連続させた環状穴にすると、より均一なエッチング抑制ガス噴出が期待できる。
【００５５】
なお、エッチング抑制ガス１５に関して、エッチング作用を抑制するためのガスの種類、温度、圧力、濃度あるいは流量などの諸条件の選定に際しては、クリーニングガス１２側の諸条件の間で相対的に決めることができ、印加電圧値やプラズマ密度などもパラメータに加えて、最適なガスを選択することが可能である。
【００５６】
例えば、エッチング抑制ガス１５とクリーニングガス１２を両方ともＯ２とした場合には、温度や圧力、濃度、さらには流量の割合などを適宜調整することによって、エッチング抑制ガス１５におけるエッチング作用の抑制力を確保することが可能である。
【００５７】
Ｏ２のプラズマは反応生成物１０をクリーニングする作用はあるが、チャンバー壁や電極をエッチングする作用はほとんどないため、クリーニングガス１２を噴出せず、カソード電極３からのエッチング抑制ガス１５のみによってプロセスチャンバー１内のクリーニングをすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る代表的な実施形態の模式図。
【図２】本発明に係る他の実施形態の模式図。
【図３】本発明に係る他の実施形態の模式図。
【図４】本発明に係る他の実施形態の模式図。
【図５】一般的なエッチング装置の模式図。
【図６】従来のドライクリーニング方法を説明するためのエッチング装置の模式図（ダミー基板を使用しない場合）。
【図７】従来のドライクリーニング方法を説明するためのエッチング装置の模式図（ダミー基板を使用した場合）。
【図８】従来技術及び本実施形態における単位時間当たりのランニングコストとタクトを説明するためのグラフ。
【符号の説明】
【００５９】
１…プロセスチャンバー
２…高周波電源
３…カソード電極
４…ガス導入口
５…排気口
６…ゲート弁
７…被処理基板
８…ダミー基板
９…パーティクル
１０…反応生成物
１１…プロセスガス
１２…クリーニングガス
１３、１３ａ、１３ｂ…ガス噴出穴
１４、１４ａ、１４ｂ…ガス供給口
１５…エッチング抑制ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
2010118627.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010118627.tif 000007
【図６】
2010118627.tif 000008
【図７】
2010118627.tif 000009
【図８】
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