(57)【要約】【課題】マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに作り込まれた評価用パターンの欠陥サイズを精度良く算出することが可能な欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法及び感度マスクの作成方法を提供する。【解決手段】感度マスクに設計寸法で形成された基準パターン１１ｓの寸法Ａ２と、基準パターン１１ｓ周辺に形成された周辺パターン１２ｓの寸法Ｂ２と、設計寸法から所定寸法だけ異なるように作り込まれた評価用パターン１１の寸法Ａ１と、評価用パターン１１周辺に形成された周辺パターン１２の寸法Ｂ１とを測定する。寸法Ｂ１に対する寸法Ｂ２の比率を評価用パターン１１の寸法Ａ１に乗算した値と基準パターン１１ｓの寸法Ａ２との差分を、評価用パターン１１の欠陥サイズとして算出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに設計寸法で形成された基準パターンの寸法と、前記設計寸法から所定の寸法だけ異なるように作り込まれた評価用パターンの寸法とを測定し、前記基準パターンの寸法と前記評価用パターンの寸法との差分を前記評価用パターンの欠陥サイズとして算出する欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法において、
前記基準パターンの寸法と、前記基準パターンの周辺に所定の位置関係で形成された第１の周辺パターンの寸法と、前記評価用パターンの寸法と、前記評価用パターンの周辺に前記位置関係と同じ位置関係で形成され、かつ、前記第１の周辺パターンと設計寸法が同じである第２の周辺パターンの寸法とを測定する寸法測定工程と、
前記第２の周辺パターンの寸法に対する前記第１の周辺パターンの寸法の比率を算出する比率算出工程と、
前記比率を前記評価用パターンの寸法に乗算した値と前記基準パターンの寸法との差分を前記評価用パターンの欠陥サイズとして算出する欠陥サイズ算出工程とを含むことを特徴とする欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法。
【請求項２】
前記基準パターンの周辺に前記第１の周辺パターンが複数形成され、かつ、前記評価用パターンの周辺に前記第２の周辺パターンが複数形成されている場合に、前記寸法測定工程では、複数の第１の周辺パターンの寸法と複数の第２の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定し、
前記比率算出工程は、前記複数の第１の周辺パターンの寸法の平均値と、前記複数の第２の周辺パターンの寸法の平均値とを算出する工程を有し、前記第１の周辺パターンの寸法の平均値を前記第２の周辺パターンの寸法の平均値で除算することによって比率を算出することを特徴とする請求項１記載のマスク欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法。
【請求項３】
前記複数の第１の周辺パターンの寸法が相互に異なると共に、前記複数の第２の周辺パターンの寸法が相互に異なることを特徴とする請求項２記載の欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法。
【請求項４】
前記基準パターン及び前記第１の周辺パターンを撮像して得られた第１の画像と、前記評価用パターン及び前記第２の周辺パターンを撮像して得られた第２の画像とを取得する画像取得工程を更に含み、
前記寸法測定工程では、前記画像取得工程で取得された前記第１の画像に含まれる前記基準パターン及び前記第１の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定し、前記第２の画像に含まれる前記評価用パターン及び前記第２の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法。
【請求項５】
マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに基準寸法から所定の寸法だけ異なるように作り込まれた評価用パターンの欠陥検査を該マスク欠陥検査装置により複数回実行し、その複数回の検査結果と、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法を用いて算出された欠陥サイズとに基づいて、前記評価用パターンの欠陥検出率を可視化した感度表を作成することを特徴とする感度表作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに作り込まれた評価用パターンの欠陥サイズを算出する欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法及び感度表作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造過程において、基板（「ウェハ」ともいう。）上に回路パターンを形成するために、原画パターンとしてフォトマスクやレチクル（以下「マスク」という。）が用いられている。マスクは、通常、光を透過するガラス基板に遮光材料（例えば、Ｃｒ）でパターンが形成されてなる。このようなマスクの製造には、優れた解像度を有する電子ビーム描画装置のような荷電粒子ビーム描画装置が用いられている。
【０００３】
マスクに欠陥が存在すると、基板上に欠陥が転写されるため、半導体デバイスの歩留まりが低下する。そこで、マスク欠陥検査装置を用いてマスクの欠陥検査が行われている。マスクの欠陥検査方法として、ダイ・トゥ・ダイ（Die-to-Die）検査方法と、ダイ・トゥ・データベース（Die-to-Database）検査方法とがある。ダイ・トゥ・ダイ検査方法は、マスク上の異なる位置にある同一パターンの光学画像同士を比較する方法である。一方、ダイ・トゥ・データベース検査方法は、マスク作製時に使用した描画データ（ＣＡＤデータ）から生成される参照画像と、実際のマスクの光学画像とを比較する方法である。
【０００４】
マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスク（プログラムマスクともいう。）として、欠陥タイプ毎に欠陥サイズの異なる複数のプログラム欠陥（模擬欠陥ともいう。）が作り込まれた感度マスクが知られている。この感度マスクの欠陥検査を複数回行い、その複数回の検査結果に基づいて、各プログラム欠陥の欠陥検出率を可視化した感度表を作成することで、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価することができる。また、感度表を定期的に作成することで、マスク欠陥検査装置の状態を管理することができる。
【０００５】
ところで、近年の回路パターンの微細化に伴い、パターンの寸法（ＣＤ：critical dimension）の精度が要求されている。そこで、マスク欠陥検査装置を用いて、マスクに形成されたパターンの寸法が設計寸法に対して大きく異なるパターンをＣＤ欠陥（「寸法欠陥」ともいう。）として検出している。特開２００２−２９６７６２号公報には、ＣＤ欠陥を検出する方法の一例が開示されている。そして、マスク欠陥検査装置によるＣＤ欠陥の検出感度を評価するために、設計寸法に対する寸法差を異ならしめた複数のプログラムＣＤ欠陥が、評価用パターンとして感度マスクに作り込まれている。
【０００６】
マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を適正に評価するためには、感度マスクに作り込まれた各評価用パターンの欠陥サイズが正確に算出されている必要がある。従来の欠陥サイズの算出方法によれば、感度マスクに設計寸法で形成された基準パターンの寸法と、上記評価用パターンの寸法とを測定し、測定した２つの寸法の差分を欠陥サイズとして算出していた。
【０００７】
上記の基準パターンや評価用パターンを感度マスクに形成するためには、電子ビーム描画装置を用いた描画と、現像処理やエッチングのようなプロセスとを経る必要がある。ここで、一般に、感度マスク上の基準パターンの位置と評価用パターンの位置とは離れている。このようにパターン形成位置が異なると、描画位置が異なることによる寸法変動が生じるほか、プロセスによる寸法変動が生じる。つまり、従来の欠陥サイズの算出方法を用いて算出された欠陥サイズには、本来の欠陥サイズだけでなく、パターン形成位置が異なることによる描画やプロセスに起因する寸法変動分が含まれる。その結果、感度マスクの評価用パターンの欠陥サイズが正確に算出されないことから、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を適正に評価することができないという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２９６７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、上記課題に鑑み、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに作り込まれた評価用パターンの欠陥サイズを精度良く算出することが可能な欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法及び感度マスクの作成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに設計寸法で形成された基準パターンの寸法と、設計寸法から所定の寸法だけ異なるように作り込まれた評価用パターンの寸法とを測定し、基準パターンの寸法と評価用パターンの寸法との差分を評価用パターンの欠陥サイズとして算出する欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法において、基準パターンの寸法と、基準パターン周辺に所定の位置関係で形成された第１の周辺パターンの寸法と、評価用パターンの寸法と、評価用パターン周辺に上記位置関係と同じ位置関係で形成され、かつ、第１の周辺パターンと設計寸法が同じである第２の周辺パターンの寸法とを測定する寸法測定工程と、第２の周辺パターンの寸法に対する第１の周辺パターンの寸法の比率を算出する比率算出工程と、比率を評価用パターンの寸法に乗算した値と基準パターンの寸法との差分を評価用パターンの欠陥サイズとして算出する欠陥サイズ算出工程とを含むことを特徴とする。なお、本発明において、位置関係が同じとは、厳密な一致をいうのではなく、多少の違いを含むものとする。
【００１１】
この第１の態様において、基準パターン周辺に複数の第１の周辺パターンが形成され、かつ、評価用パターン周辺に複数の第２の周辺パターンが形成されている場合に、寸法測定工程では、複数の第１の周辺パターンの寸法と複数の第２の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定し、比率算出工程は、複数の第１の周辺パターンの寸法の平均値と、複数の第２の周辺パターンの寸法の平均値とを算出する工程を有し、第１の周辺パターンの寸法の平均値を第２の周辺パターンの寸法の平均値で除算することによって比率を算出することが好ましい。
【００１２】
この第１の態様において、複数の第１の周辺パターンの寸法が相互に異なると共に、複数の第２の周辺パターンの寸法が相互に異なっていてもよい。
【００１３】
この第１の態様において、基準パターン及び第１の周辺パターンを撮像して得られた第１の画像と、評価用パターン及び第２の周辺パターンを撮像して得られた第２の画像とを取得する画像取得工程を更に含み、寸法測定工程では、画像取得工程で取得された第１の画像に含まれる基準パターン及び第１の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定し、第２の画像に含まれる評価用パターン及び第２の周辺パターンの寸法をそれぞれ測定することが好ましい。
【００１４】
本発明の第２の態様は、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに基準寸法から所定の寸法だけ異なるように作り込まれた評価用パターンの欠陥検査を該マスク欠陥検査装置により複数回実行し、その複数回の検査結果と、上記第１の態様の欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法を用いて算出された欠陥サイズとに基づいて、前記評価用パターンの欠陥検出率を可視化した感度表を作成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の第１の態様によれば、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに作り込まれた評価用パターンの欠陥サイズを精度良く算出することができる。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を適正に評価することが可能な感度表を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１において、マスク欠陥検査装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１において、評価用パターンの欠陥サイズの算出方法を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態１で算出された欠陥サイズを用いて作成された感度表を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態２において、評価用パターンの欠陥サイズの算出方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１において、マスク欠陥検査装置の構成を示す概略図である。図１に示すマスク欠陥検査装置１００は、検査対象であるマスク１を保持するステージ２を備えている。ステージ２は、Ｘ方向モータ３Ａと、Ｙ方向モータ３Ｂとにより、ＸＹ方向に移動自在である。これらのモータ３Ａ、３Ｂは、ステージ駆動部２３により駆動される。ステージ２のＸ方向及びＹ方向の位置は、レーザ干渉計４を用いて、ステージ位置検出部２２により検出される。
【００２０】
また、マスク検査装置１００は、レーザ光を発する光源５を備えている。光源５から発せられたレーザ光は、ミラー６及びレンズ７によりマスク１表面に照射される。マスク１を透過した投光光は、結像レンズ８によって、画像センサ９上に結像される。画像センサ９としては、一次元のラインセンサや二次元のＣＣＤセンサ（ＴＤＩセンサ）を用いることができる。画像センサ９により生成された光学画像は、光学画像入力部２４に一時的に格納され、欠陥検出部２６に入力される。
【００２１】
マスク欠陥検査装置１００は、光学画像に対する比較基準となる参照画像を生成する参照画像生成部２５を備えている。参照画像生成部２５は、記憶装置２１に記憶されたＣＡＤデータ（マスクの設計データ）を展開し、展開したデータにリサイズ処理、コーナ丸め処理及びフィルタ処理等を施すことにより参照画像を生成し、生成した参照画像を欠陥検出部２６に出力する。欠陥検出部２６は、光学画像入力部２４から入力される光学画像と、参照画像生成部２５から入力される参照画像とを比較し、両者のパターン形状が相違する場合にパターン欠陥として検出する。欠陥検出部２６の検査結果は、記憶装置２１に格納される。
【００２２】
上記マスク欠陥検査装置１００の欠陥検出感度を評価するために、設計寸法と寸法の差を異ならしめた複数の評価用パターン（プログラムＣＤ欠陥）が作り込まれた感度マスクが用いられている。感度表作成部２７では、同一の感度マスクの複数回の検査結果に基づいて、後述する感度表（図３参照）を作成する。既述したように、感度表の基準値となる評価用パターンの欠陥サイズを算出する際に、描画位置が異なることによる寸法変動が生じるほか、プロセスによる寸法変動が生じる。以下、評価用パターンの算出方法について説明する。
【００２３】
図２は、感度マスクに作り込まれた評価用パターン１１の欠陥サイズの算出方法を説明する図である。
【００２４】
図２では説明を分かりやすくするために重ねて示しているが、感度マスク上の評価用パターン１１の位置とは異なる位置に、基準パターン１１ｓが形成されている。この基準パターン１１ｓは、所定の設計寸法となるように形成（描画）され、評価用パターン１１の欠陥サイズを算出する基準となる。設計寸法は、例えば、４００ｎｍとすることができる。評価用パターン１１は、設計寸法に対して意図的に所定の寸法だけ異なるように形成（描画）されている。この評価用パターン１１から距離ｒ１だけ離れた位置に、周辺パターン１２が形成されている。
【００２５】
評価用パターン１１と周辺パターン１２との位置関係と同じ位置関係となるように、基準パターン１１ｓの周辺に周辺パターン１２ｓが形成されている。尚、図２では周辺パターン１２と周辺パターン１２ｓとを重ねて示しているが、これらの周辺パターン１２、１２ｓは感度マスク上の異なる位置に形成されている。
【００２６】
ここで、周辺パターン１２と周辺パターン１２ｓの設計寸法は同じであるが、実際には、図２に示すように、周辺パターン１２の寸法Ｂ１と周辺パターン１２ｓの寸法Ｂ２とは相違する。この２つの寸法Ｂ１、Ｂ２の差は、描画位置が異なることやプロセスに起因して生じる。尚、説明を理解しやすくするために、図２では寸法Ｂ１、Ｂ２の差を実際よりも大きく示しており、実際の寸法Ｂ１、Ｂ２の差は例えば数ｎｍ程度である。本実施の形態１では、評価パターン１１の欠陥サイズを算出する際に、これら周辺パターン１２、１２ｓの寸法Ｂ１、Ｂ２を用いる。
【００２７】
本実施の形態１による欠陥サイズの算出方法では、先ず、評価用パターン１１の寸法Ａ１と、周辺パターン１２の寸法Ｂ１と、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２と、周辺パターン１２ｓの寸法Ｂ２とを測定する。これらの寸法Ａ１、Ｂ１、Ａ２、Ｂ２の測定は、ＣＤ−ＳＥＭ（測長ＳＥＭ）の画像から求めることができる。つまり、ＣＤ−ＳＥＭにより評価用パターン１１と周辺パターン１２を撮像した画像から、評価用パターン１１の寸法Ａ１と、周辺パターン１２の寸法Ｂ１とを測定することができる。同様に、ＣＤ−ＳＥＭにより基準パターン１１ｓと周辺パターン１２ｓとを撮像した画像から、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２と、周辺パターン１２ｓの寸法Ｂ２とを測定することができる。
【００２８】
上述したように、周辺パターン１２、１２ｓの設計寸法は同じであるため、寸法Ｂ１、Ｂ２の差は、描画位置やプロセスによる寸法変動量を表している。本実施の形態１では、周辺パターン１２の寸法Ｂ１に対する周辺パターン１２ｓの寸法Ｂ２の比率（Ｂ２／Ｂ１）を算出する。そして、次式(1)のように、この比率を評価用パターン１１の寸法Ａ１に乗算した値と、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２との差分を欠陥サイズとして算出する。
欠陥サイズ＝A1×(B2/B1)-A2・・・(1)
【００２９】
つまり、周辺パターン１２、１２ｓの寸法Ｂ１、Ｂ２の比率を評価パターン１１の寸法Ａ１に乗算することで、描画位置やプロセスによる寸法変動量Δａ１を取り除いた寸法Ａ３が求められる。そして、この寸法Ａ３から基準パターン１１ｓの寸法Ａ２を減算した値（Ａ３−Ａ２）が、評価用パターン１１の欠陥サイズとされる。尚、図２では、欠陥サイズ（Ａ３−Ａ２）と寸法変動量Δａ１とが明瞭に区別されているが、実際は混在している。本実施の形態１によれば、描画位置やプロセスによる寸法変動量Δａ１を含まない欠陥サイズが算出されるため、評価用パターン１１の欠陥サイズを精度良く算出することができる。
【００３０】
次に、本実施の形態１の感度マスクの作成方法について説明する。先ず、上記マスク欠陥検査装置１００において、同一の感度マスクの欠陥検査を複数回行う。その複数回の検査結果と、上記算出された欠陥サイズとを用いて図３に示すような感度表を作成する。ここで、図３には、設計寸法に対して寸法を意図的に太らせる欠陥タイプＡについて、欠陥サイズが互いに異なるＮｏ．１〜８のプログラムＣＤ欠陥の欠陥検出率を可視化した部分を抽出して示している。実際の感度表は、欠陥タイプＡ以外の複数の欠陥タイプ毎に、欠陥サイズが異なる複数のプログラム欠陥について、各プログラム欠陥の欠陥検出率が可視化されている。感度表の欠陥サイズとして、上述したように評価用パターン１１の測定寸法Ａ１から描画位置やプロセスによる寸法変動量Δａ１が取り除かれた寸法Ａ３と、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２との差分（Ａ３−Ａ２）が用いられる。これにより、マスク欠陥検査装置１００の感度表作成部２７によって、欠陥検出感度を適正に評価することが可能な感度表を作成することができる。
【００３１】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２において、評価用パターンの欠陥サイズの算出方法を説明する図である。上記実施の形態１では評価用パターン１１、基準パターン１１ｓの周辺にそれぞれ１つの周辺パターン１２、１２ｓが形成されている場合について説明した。本実施の形態２では、図４に示すように評価用パターン１１周辺に４つの周辺パターン１２乃至１５が形成され、基準パターン１１ｓ周辺に４つの周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓが形成されている場合について説明する。
【００３２】
図４に示すように、評価用パターン１１から距離ｒ２だけ離れており、かつ、評価用パターン１１に対して周辺パターン１２と同じ側に、周辺パターン１３が形成されている。評価用パターン１１の反対側には、周辺パターン１２、１３に対向して周辺パターン１４、１５がそれぞれ形成されている。周辺パターン１４、１５は、評価用パターン１１からそれぞれ距離ｒ３、ｒ４だけ離れている。尚、図４に示す例では、周辺パターン１２乃至１５の寸法が互いに異なっているが、同じ寸法であってもよい。
【００３３】
評価用パターン１１と周辺パターン１２乃至１５との位置関係となるように、基準パターン１１ｓの周辺に周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓが形成されている。尚、図４では、図２と同様に、評価用パターン１１と基準パターン１１ｓとを重ねて図示しているが、評価用パターン１１と基準パターン１１ｓとは感度マスク上の異なる位置に形成されており、さらに周辺パターン１２乃至１５と周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓとは異なる位置に形成されている。
【００３４】
ここで、対応する周辺パターン１２乃至１５と周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの設計寸法はそれぞれ同じであるが、実際には、図４に示すように、各周辺パターン１２乃至１５の寸法Ｂ１乃至Ｅ１と各周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの寸法Ｂ２乃至Ｅ２とは相違する。これらの寸法Ｂ１乃至Ｅ１、Ｂ２乃至Ｅ２の差は、描画位置が異なることやプロセスに起因して生じる。
【００３５】
本実施の形態２による欠陥サイズの算出方法では、先ず、評価用パターン１１の寸法Ａ１と、周辺パターン１２乃至１５の寸法Ｂ１乃至Ｅ１と、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２と、周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの寸法Ｂ２乃至Ｅ２とを測定する。これらの寸法Ａ１、Ｂ１乃至Ｅ１、Ａ２、Ｂ２乃至Ｅ２は、上記実施の形態１と同様に、ＣＤ−ＳＥＭ画像から求めることができる。
【００３６】
次に、評価用パターン１１周辺の周辺パターン１２乃至１５の寸法Ｂ１乃至Ｅ１の平均値と、基準パターン１１ｓ周辺の周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの寸法Ｂ２乃至Ｅ２の平均値とを算出する。そして、寸法Ｂ１乃至Ｅ１の平均値に対する寸法Ｂ２乃至Ｅ２の平均値の比率を算出する。そして、次式(2)のように、この比率を評価用パターン１１の寸法Ａ１に乗算した値と、基準パターン１１ｓの寸法Ａ２との差分を欠陥サイズとして算出する。
欠陥サイズ＝A1×{(B2+C2+D2+E2)/4}/{(B1+C1+D1+E1)/4}-A2・・・(2)
【００３７】
つまり、周辺パターン１２乃至１５の平均寸法に対する周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの平均寸法の比率を寸法Ａ１に乗算することで、描画位置やプロセスによる寸法変動量Δａ２を取り除いた寸法Ａ３が求められる。そして、この寸法Ａ３から基準パターン１１ｓの寸法Ａ２を減算した値（Ａ３−Ａ２）が、評価用パターン１１の欠陥サイズとされる。従って、本実施の形態２によれば、描画位置やプロセスによる寸法変動量Δａ２を含まない欠陥サイズが算出されるため、評価用パターン１１の欠陥サイズを精度良く算出することができる。
【００３８】
更に、本実施の形態２によれば、周辺パターン１２乃至１５の寸法Ｂ１乃至Ｅ１の平均値を求め、この平均値に対する周辺パターン１２ｓ乃至１５ｓの寸法Ｂ２乃至Ｅ２の平均値の比率が算出されるため、寸法Ｂ１乃至Ｅ１が互いに相違する場合であっても欠陥サイズを精度良く算出することができるという効果を得ることができる。
【００３９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態２では、４つの周辺パターンが形成されている場合について説明したが、少なくとも１以上の周辺パターンが形成されている場合に本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１１  評価用パターン（プログラムＣＤ欠陥）
１１ｓ  基準パターン
１２、１３、１４、１５  周辺パターン
１２ｓ、１３ｓ、１４ｓ、１５ｓ  周辺パターン
１００  マスク欠陥検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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