(57)【要約】【課題】高い発振精度が得られる圧電振動子の製造方法及びその製造方法により製造された圧電振動子を提供すること。【解決手段】第１の圧電基板をエッチングして貫通孔を形成する工程と、第２の圧電基板の一面に、凸型レンズ形状をなすエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクが形成された第２の圧電基板の一面をエッチングし、前記エッチングマスクに対応した凸型レンズ形状の振動部を形成する工程と、第２の圧電基板に対する前記貫通孔の投影領域に前記振動部が収まるように第１の基板と第２の圧電基板とを接合する工程と、前記振動部の周囲を囲み当該振動部を保持するための保持部の外形に沿って接合された第１の圧電基板及び第２の圧電基板から圧電片を切り出す工程と、を含むように圧電振動子を製造し、振動部を形成するためのエッチング量を抑え、振動部の表面の荒れを抑える。【選択図】図１
2010010955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の圧電基板をエッチングして貫通孔を形成する工程と、
第２の圧電基板の一面に、その周縁部に比べてその中央部の厚さが大きい凸型レンズ形状をなすエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクが形成された第２の圧電基板の一面をエッチングし、前記エッチングマスクに対応した凸型レンズ形状をなし、その一面側及び他面側に各々励振電極が設けられる振動部を形成する工程と、
第２の圧電基板に対する前記貫通孔の投影領域に前記振動部が収まるように第１の基板と第２の圧電基板とを接合する工程と、
前記振動部に前記励振電極を形成する工程と、
前記振動部の周囲を囲み、当該振動部を保持する保持部の外形に沿って、接合された前記第１の圧電基板及び第２の圧電基板から圧電片を切り出す工程と、
を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
前記第２の圧電基板は、前記第１の圧電基板よりも薄いことを特徴とする請求項１記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
第１の圧電基板及び第２の圧電基板は水晶であることを特徴とする請求項１または２記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一に記載の製造方法で製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電振動子の製造方法及びその製造方法により製造された圧電振動子に関する。
【背景技術】
【０００２】
基準周波数の発振源や電子機器のクロック源として、水晶振動子をはじめとする圧電振動子が含まれた電子部品が使用されている。近年、光通信技術やデジタル処理技術の進歩により情報通信の高密度及び高速化が著しく進んでおり、このため前記水晶振動子の共振周波数の高域化及び発振の高精度化が進められている。
【０００３】
水晶振動子の共振周波数はその水晶振動子を構成する水晶片の厚みに反比例するので、前記高周波数化を図るために当該水晶片の薄層化が進められている。例えば現在では６２２ＭＨｚの基本波を発する水晶振動子が発表されているが、この水晶振動子の水晶片は僅か２μｍの厚みを有している。また、発振の前記高精度化を図るために、前記水晶片の振動部の表面（振動面）が凸型レンズ形状をなす曲面となるように水晶片の外形を加工する場合がある。このような加工を行うと、その振動部の振動が安定し、スプリアスの発生が抑制させる。
【０００４】
上記のように水晶片の振動面を凸型レンズ形状に加工するために、例えば水晶ウエハにマスク材料を形成し、そのマスク材料を凸型レンズ形状に整形した後に、その水晶ウエハに対してドライエッチングを行うというように、ウエハレベルでの凸型レンズ形状の加工が行われる場合がある。この場合、前記マスク材料に続いてその下方の水晶ウエハの表面をエッチングし、マスク材料の表面の形状を水晶ウエハの表面に転写した後、水晶ウエハを切断して水晶振動子を製造する。
【０００５】
しかし、この製造方法によると凸型レンズ形状に形成された振動部の外周部は、その振動部よりも薄くなる。上記のように水晶振動子において高い周波数を得るために水晶片の薄層化が進んでいるため、このような加工を行うと前記外周部の厚さはとても小さくなり、その機械的強度が低下するという問題が発生する恐れがあった。
【０００６】
そこで、特許文献１の発明では高い周波数においてもスプリアス振動が抑制された水晶振動子の製造方法として、水晶基板の表面にウエットエッチングにより凹部を形成し、さらにその水晶基板の裏面をイオンエッチングして、その厚さを小さくする。そして、水晶基板の上下に圧力をかけながら研磨を行い、凹部の裏面を凸型レンズ形状に整形して振動部を形成している。このような形成方法により、振動部の外周領域は振動部よりも厚い保持部として構成される。
【０００７】
しかし、この方法では１枚の水晶基板をエッチングしているため、振動面を形成するために基板の表面から数十〜数百μｍ以上の深さまでウエットエッチング及びイオンエッチングを行う必要がある。このようにウエットエッチングまたはイオンエッチングによるエッチング深さが大きいと、そのエッチングにより形成される振動部の表面が荒れてしまい、その結果として振動部の発振精度が低くなる恐れがある。特許文献１では、前記研磨を行うことで前記イオンエッチングにより荒れた表面を除去することができると記載されているが、水晶基板において前記保持部により段差が形成される前記凹部の表面側は、このような研磨を行うことができないため、ウエットエッチングにより生じた荒れを除去することができず、発振精度を十分に向上させることができない恐れがある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３６８５７２（段落００１４〜段落００１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、高い発振精度が得られる圧電振動子の製造方法及びその製造方法により製造された圧電振動子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の圧電振動子の製造方法は、第１の圧電基板をエッチングして貫通孔を形成する工程と、
第２の圧電基板の一面に、その周縁部に比べてその中央部の厚さが大きい凸型レンズ形状をなすエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクが形成された第２の圧電基板の一面をエッチングし、前記エッチングマスクに対応した凸型レンズ形状をなし、その一面側及び他面側に各々励振電極が設けられる振動部を形成する工程と、
第２の圧電基板に対する前記貫通孔の投影領域に前記振動部が収まるように第１の基板と第２の圧電基板とを接合する工程と、
前記振動部に前記励振電極を形成する工程と、
前記振動部の周囲を囲み、当該振動部を保持する保持部の外形に沿って、接合された前記第１の圧電基板及び第２の圧電基板から圧電片を切り出す工程と、
を含むことを特徴とする。
例えば前記第２の圧電基板は、前記第１の圧電基板よりも薄く、第１の圧電基板及び第２の圧電基板は例えば水晶である。
【００１１】
本発明の圧電振動子は上述の製造方法で製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、その周縁部に比べてその中央部の厚さが大きい凸型レンズ形状をなすエッチングマスクを第２の圧電基板の一面に形成し、そのエッチングマスクに対応した凸型レンズ形状の振動部を形成した後、貫通孔が形成された第１の圧電基板を第２の圧電基板に貼り合わせて、振動部を保持する保持部を形成している。従って１枚の基板にその外周が前記保持部をなす凹部をエッチングにより形成して、その凹部の表面または裏面を凸型レンズ形状に加工して振動部を形成する手法に比べて、その振動部を形成するためのエッチング量を抑えることができるので、この振動部の表面の荒れを抑えることができる。従って圧電振動子の発振精度の低下が抑えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の製造手法により得られる圧電振動子である水晶振動子の一例について、図１に示す。図１（ａ）は水晶振動子１の表面を示したものである。この水晶振動子１は角形のリング状の圧電片である水晶片１Ａと板状の水晶片１Ｂとにより構成され、水晶片１Ｂが水晶片１Ａのリングの孔を塞ぐように上下に貼り合わされ、その表面に角形の凹部１１を備えた構成を有しており、図１（ｂ）、図１（ｃ）では図１（ａ）の水晶振動子１のＡ−Ａ’で示す縦断面、Ｂ−Ｂ’で示す縦断面を夫々示している。また、図１（ｄ）は水晶振動子１の裏面を示したものである。
【００１４】
前記凹部１１内の平面部には環状の凹部１２が形成されている。環状凹部１２の外側の側壁及び内側の側壁は、当該環状凹部１２の下方側の幅が狭くなるような曲面として形成されている。環状凹部１２に囲まれる領域は振動部１３であり、環状凹部１２の側壁が上記のように形成されているため、この振動部１３は中央部側の厚さが周縁部側の厚さに比べて大きい凸型レンズ形状に構成されている。また、凹部１１内における水晶片１Ｂの振動部１３の表面の粗さは例えば１ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【００１５】
また、環状凹部１２の外側領域は、上記のように水晶片１Ａ，１Ｂが貼り合わされることで、振動部１３よりも厚い保持部１４として構成されている。保持部１４は振動部１３を保持し、この水晶振動子１を後述のようにパッケージ内に搭載する際など、この水晶振動子１を取り扱う際に当該水晶振動子１の機械的強度を向上させ、その破損を防ぐために形成されている。水晶片１Ａの厚さＨ１は例えば１００μｍ〜５００μｍであり、水晶片１Ｂの例えば振動部１３の中央部の厚さＨ２は例えば１０μｍ〜１００μｍ、また環状凹部１２の厚さＨ３は例えば０．５μｍ〜１０μｍである。
【００１６】
振動部１３の表面、裏面には、当該振動部１３を励振させるための互いに対向する一対の励振電極１５Ａ，１５Ｂが形成されており、励振電極１５Ａ，１５Ｂはその角が落とされた概ね矩形状に形成されている。また、励振電極１５Ａの一角は保持部１４の側壁を介してその保持部１４の表面へと引き出され、その表面において水晶振動子１の外方側へ更に若干引き出された形状になっており、この励振電極１５Ａから引き出された部分は、前記パッケージ内に形成された電極に電気的に接続される引き出し電極１６Ａとして構成されている。
【００１７】
また、励振電極１５Ｂからもその一角が引き出され、その引き出し部分が引き出し電極１６Ｂとして構成されており、引き出し電極１６Ａ，１６Ｂは励振電極１５Ａ，１５Ｂと夫々一体的に形成されている。この例では励振電極１５Ｂ及び引き出し電極１６Ｂは、図１（ｄ）に示すように平面視、励振電極１５Ａ及び引き出し電極１６Ａを表裏反転させた形状を有するように構成されている。
【００１８】
図２（ａ）は例えば人工水晶からＡＴカットされた水晶からなるウエハＷ１の表面を示している。ウエハＷ１は第１の圧電基板（保持基板）であり、このウエハＷ１から前記水晶片１Ａが形成される。図中点線で囲まれる領域は水晶片１Ａが各々形成される領域２１Ａ〜２４Ａを示しており、各領域はウエハＷの結晶軸であるＸ軸及びＺ’軸に並行する線分により囲まれる四角形の領域として設定される。また、Ｚ’軸についてウエハＷを表側から見た右側を+Ｚ方向、左側を-Ｚ方向と夫々呼び、フッ酸によるウエットエッチングを行ったときに水晶の異方性により＋Ｚ側は−Ｚ側に比べてエッチング速度が遅い。
【００１９】
また、実際は水晶片１Ａが形成される領域は２１Ａ〜２４Ａの４つだけではなく、図中鎖線で囲まれるデバイス形成領域２５Ａ全体に亘り設定されており、水晶片１Ａの形成領域２１Ａ〜２４Ａの配列方向に沿って、これらと同じ大きさの形成領域が多数設定されている。後述するウエハＷ１への各処理はこのデバイス形成領域２５Ａ全体に対して行われる。
【００２０】
図２（ｂ）はウエハＷ１と同様に人工水晶からＡＴカットされた水晶からなるウエハＷ２の表面を示している。ウエハＷ２は第２の圧電基板（振動基板）であり、このウエハＷ２から前記水晶片１Ｂが形成される。図中鎖線で囲む領域はデバイス形成領域２５Ａに対応するデバイス形成領域２５Ｂであり、図では前記ウエハＷ１の水晶片の形成領域２１Ａ〜２４Ａに対応した、水晶片１Ｂが各々形成される領域２１Ｂ〜２４Ｂを点線で図示しているが、ウエハＷ１のデバイス形成領域２５Ａと同様にこれら２１Ｂ〜２４Ｂのような水晶片１Ｂの形成領域がこのデバイス形成領域２５Ｂ全体に亘って多数設定されており、後述の各処理はデバイス形成領域２５Ｂ全体に対して行われる。この水晶ウエハＷ２は水晶ウエハＷ１よりも薄く、例えば水晶ウエハＷ１の厚さが１００μｍ〜５００μｍ、水晶ウエハＷ２の厚さが１０μｍ〜１００μｍである。この水晶ウエハＷ１及びＷ２は、形成しようとする保持部１４及び振動部１３の厚さに応じた厚さを有するように各々人工水晶から切り出される。
【００２１】
続いて上記のウエハＷ１及びＷ２から水晶振動子１を製造する手順について説明する。先ずウエハＷ１を加工する工程について説明する。図３は図２（ａ）中Ｃ−Ｃ’に沿った前記水晶片１Ａの形成領域２１Ａ、２２Ａの縦断面を示しているが、他の水晶片形成領域においてもこれらの水晶片形成領域２１Ａ、２２Ａと同様に処理が進行する。先ずウエハＷ１の表面にマスク材料であるフォトレジスト（以下レジストと表記する）３１が成膜され、前記水晶振動子１の保持部１４の形状に沿ってそのレジスト膜３１が露光される（図３（ａ）、図３（ｂ））。その後、レジスト膜３１を現像して当該レジスト膜３１に保持部１４の形状に応じた開口部３２が形成される（図３（ｃ））。図４（ａ）は開口部３２が形成されたときのウエハＷ１の表面を示している。また、この図４（ａ）、後述の図４（ｂ）、図６（ａ）及び図６（ｂ）では図示の便宜上ウエハに形成されたレジスト膜に斜線を付して示しており、これらの図において斜線は断面を示すものではない。
【００２２】
開口部３２形成後、ウエハＷの表面に例えばフッ酸を含んだ溶液が供給され、レジスト膜３１をマスクとして開口部３２に沿ってウエハＷがウエットエッチングして、ウエハＷに保持部１４の形状に対応した貫通孔３３を形成する（図３（ｄ））。なお、上記のようにウエハＷのエッチング速度は＋Ｚ側に比べて−Ｚ側が速く進行するので、図３（ｄ）に示すように貫通孔３３内において−Ｚ側（図中左側）の側壁の垂直性が＋Ｚ側（図中右側）の側壁の垂直性よりも低く形成されている。図４（ｂ）はこのようにエッチングが行われたときのウエハＷ１の表面を示している。エッチング終了後、レジスト膜３１が除去される（図３（ｅ））。
【００２３】
続いてウエハＷ２を加工する工程について説明する。図５は図２（ｂ）中Ｄ−Ｄ’に沿った前記水晶片１Ｂの形成領域２１Ｂ、２２Ｂの縦断面を示しているが、他の形成領域においてもこれらの水晶片形成領域２１Ｂ、２２Ｂと同様に処理が進行する。先ずウエハＷ２の表面にレジスト膜４１が形成され（図５（ａ）（ｂ））、前記水晶振動子１の振動部１４の外周に概ね沿うようにレジスト膜４１が露光される。然る後、露光されたレジスト膜４１が現像されて、レジスト膜４１にウエハＷ２の表面が露出した例えば角形のリング状の開口部４２が形成される（図５（ｃ））。図６（ａ）は開口部４２が形成されたウエハＷ２の表面を示している。
【００２４】
続いて、そのレジスト膜４１に開口部４２が形成されたウエハＷを加熱して、レジスト膜４１を溶解させ、ウエハＷ表面を濡れ広がらせると共にその表面張力により、前記水晶振動子１の凹部１２及び振動部１３に応じた形状に整形する（図５（ｄ））。つまり、開口部４２の幅がその下方へ向かうほど小さくなるようにその開口部４２の側壁が曲面状に整形されると共に図６（ｂ）に示すように上から見て開口部４２の角が丸くなるように整形される。そして上記のように開口部４２の側壁が整形されるので、当該開口部４２に囲まれた保持部１４を形成するための領域４３は、その周縁部に比べて中央部の厚さが大きい凸型レンズ形状になる。
【００２５】
加熱されたウエハＷ２を冷却後、ドライエッチングによりレジスト膜４１及びウエハＷ２の表面をエッチングする。これらレジスト膜４１及びウエハＷ２が下方側へとエッチングされていくことで、上記のように整形されたレジスト膜４１の形状がウエハＷ２の表面に転写され、ウエハＷ２に上述の環状凹部１２及び振動部１３が形成される（図５（ｅ））。
【００２６】
続いて、図７に示すようにウエハＷ１の裏面とウエハＷ２の表面とを、夫々対応する水晶片形成領域が重なり合い、貫通孔３３内に環状凹部１２及び振動部１３が含まれるように貼り合わせて凹部１１を形成し、所定の温度で加熱する。そして、この加熱によってウエハＷ１，ウエハＷ２間にシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を形成して、ウエハＷ１とウエハＷ２とを接合し、合板Ｗ３を形成する（図５（ｆ））。
【００２７】
続いて図８、図９を参照しながら、合板Ｗ３において行われる加工工程について説明する。図中２１，２２は水晶振動子１の形成領域であり、形成領域２１は上述の水晶片の形成領域２１Ａと２１Ｂとが、形成領域２２は上述の水晶片の形成領域２２Ａと２２Ｂとが、夫々重ね合わされて形成された領域である。図８及び図９ではこれらの水晶振動子形成領域２１、２２のみ示しているが、以降の処理は合板Ｗ３において上記のデバイス形成領域２５Ａ、２５Ｂが互いに重ね合わされて形成された領域全体に行われる。
【００２８】
先ず、ウエハＷの表面、裏面に夫々例えばスパッタまたは蒸着などによって例えば金属Ｃｒ（クロム）及びＡｕ（金）からなる水晶振動子１の各電極を形成するための金属膜５１，５２が夫々成膜される（図８（ａ）、（ｂ））。なお、５１、５２は、図示の便宜上１枚の金属膜として示しているが実際にはＣｒ上にＡｕが積層される。金属膜５１，５２形成後、続いて図８（ｃ）に示すように、金属膜５１，５２上に夫々レジスト膜５３，５４が成膜された後、レジスト膜５３，５４が夫々励振電極１５Ａ，１５Ｂ及び引き出し電極１６Ａ，１６Ｂの形状に沿って露光される。然る後、レジスト膜５３，５４が夫々現像されて、これらレジスト膜５３、５４に励振電極１５Ａ，１５Ｂ及び引き出し電極１６Ａ，１６Ｂの形状に対応した開口部５５，５６が形成される（図８（ｄ））。
【００２９】
続いてレジスト膜５３，５４をマスクとして金属膜５１，５２が夫々エッチングされて、金属膜５１から電極１５Ａ及び１６Ａ、金属膜５２から電極１５Ｂ及び１６Ｂが夫々形成される（図８（ｅ））。然る後、レジスト膜５３，５４が除去され（図９（ａ））、各水晶振動子１の外形に沿って合板Ｗ３がダイシングなどにより切断されて、合板３から既述の水晶振動子１が多数形成される（図９（ｂ））。なお、この水晶振動子１の合板Ｗ３からの切り出しはエッチングにより行ってもよい。
【００３０】
例えば水晶振動子１は図１０に示すようなパッケージ６１内に搭載された状態で出荷される。パッケージ６１内の電極６２、６３に引き出し電極１６Ａ，１６Ｂが導電性接着剤６５を夫々介して接続されている。電極６２、６３はパッケージ６１の下面に設けられた電極６６、６７に電気的に接続されており、この電極６６、６７が、この水晶振動子１が搭載される電子部品に電気的に接続される。図中６８は電極６６，６７と同じ高さに形成された、パッケージ６１の高さを調整する調整部材である。
【００３１】
このような水晶振動子１の製造方法においては、ウエハＷ１、ウエハＷ２を別々に加工して、貼り合わせることで、保持部１４が形成されるウエハＷ２のエッチング量を抑えることができる。従って、１枚の基板をエッチングして凹部を形成し、その凹部の平面部を振動部として構成する手法に比べて、その振動部の形成に要するエッチング量を少なくすることができる。その結果として振動部１３の表面の荒れが抑えられるので、振動部１３の発振精度が高くなり、スプリアスの発生が抑えられる。
【００３２】
所望の振動部の厚さに応じた厚さを有するようにウエハＷ２を人工水晶から切り出しておくことが表面の荒れを抑えるため好ましいが、ただし、本発明の目的を逸脱しない範囲において、ウエハＷ２をエッチングしてその厚さを制御したり、金属膜５１、５２を形成する前の合板Ｗ３の表面及び裏面をエッチングして、所望の共振周波数が得られるように振動部１３の厚さを制御してもよい。
【００３３】
水晶振動子１の表面側に形成された上部電極である励振電極１５Ａ及び引き出し電極１６Ａとしては、上記のＣｒ及びＡｕ以外にも、Ｎｉ（ニッケル）及びＡｕ、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｃｕ（銅）またはＣｒ等により構成してもよい。また、下部電極である励振電極１５Ｂ及び引き出し電極１６Ｂとしては、前記上部電極として用いることができる各金属により構成することができる。
【００３４】
上記の例では、ＡＴカットされた水晶からなるウエハＷ同士を貼り合わせて、圧電振動子である水晶振動子を形成しているが、貼り合わされる水晶のウエハとしてはＡＴカットされたものに限られず、また水晶ウエハの代わりに圧電基板としてＺｎＯ（酸化亜鉛）やＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる基板を用いて圧電振動子を形成してもよい。ただし、貼り合わせる基板としては熱膨張係数が互いに異なると、その熱膨張係数の違いにより形成された圧電振動子に歪みが生じて発振に影響する恐れがあるので、同じ熱膨張係数を有する基板同士を貼り合わせることが好ましく、従って同じ材質の基板同士を貼り合わせることが好ましい。
【００３５】
ウエハＷ１に貫通孔３３を形成するにあたってはウエットエッチングの代わりにドライエッチングを行ってもよい。また引き出し電極１６Ａは、水晶振動子１の任意の方向に引き出されるように形成されてよいが、側壁の垂直性が低いほどその側壁へのスパッタや蒸着による金属の被覆性が高いので、上記の例のように垂直性が低く形成された側の保持部１４の側壁を介して当該保持部１４の表面に引き出されるように引き出し電極１６Ａを形成することが、当該引き出し電極１６Ａの電気抵抗の増大や断線を防ぐために好ましい。
【００３６】
続いて図１１に他の水晶振動子の製造例を示す。上述の実施形態のように環状凹部１２が形成されたウエハＷ２の裏面に、表面と同様にレジスト膜４１を成膜し、表面に行った処理と同じパターニング処理を行って、開口部４２を形成して、加熱によりレジスト膜４１を整形し（図１１（ａ））、エッチングを行い裏面に環状凹部１２と同様の形状の環状凹部１７を形成する（図１１（ｂ））。凹部１２、１７はその断面が上下対称に形成され、従ってこれら凹部１２，１７に囲まれる振動部１８はその上下においてその周縁部よりも中央部の厚さが大きい凸型レンズ形状に形成される。振動部１８形成後、上記の実施形態と同様にウエハＷ１とＷ２とを貼り合わせ（図１１（ｃ），（ｄ））、合板Ｗ３の表裏に電極を形成する（図１１（ｅ））。電極の形状としては上記の実施形態と平面視同様である。電極形成後合板Ｗ３を切断して、各水晶振動子１を分割する。このような水晶振動子１も振動部１８のエッチング量が抑えられるので、上記の実施形態と同様の効果を有する。
【００３７】
また、水晶振動子１の振動部としては、下面側のみが膨らんだ図１２（ａ）に示すような構成としてもよい。このような水晶振動子１を製造する場合は、上記のようにウエハＷ２について下面側のみにレジストの成膜からエッチングによる環状凹部１７の形成までの一連の工程を行い、振動部１９を形成する。この振動部１９は振動部１３が上下反転された形状を有している。然る後、貫通孔３３のウエハＷ２への投影領域内に振動部１９が収まるようにウエハＷ２とウエハＷ１とを貼り合わせる。貼り合わせた後は上記の実施形態と同様に電極の形成を行い、各水晶振動子ごとに分割する。
【００３８】
また、このように裏面側が膨らんだ振動部１９を有する水晶振動子１を形成する場合、図１２（ｂ）に示すように、その凸型レンズ形状に形成された部分の周縁が凹部１１の周縁よりも外方へ広がるように形成されていてもよく、この場合は、上記の各実施形態と同様に形成された励振電極により、鎖線で囲った凹部１１内の底面をなす領域７０が振動部として励振する。
【００３９】
また、ウエハＷ２には保持部１３に対応した領域のみ、レジストマスクを形成する。つまり上述の実施形態において凹部１２に囲まれた領域４３のみにレジストを成膜し、加熱して、上記のように保持部４３に対応した形状に整形した後（図１３（ａ））、エッチングを行い（図１３（ｂ））、然る後、上記の実施形態と同様に水晶振動子１を形成するようにしてもよい（図１３（ｃ））。このように基板同士の接着面の高さよりも振動部の中央部の高さが高くなっていてもよい。
【００４０】
上記の各実施形態ではその縦断面が凸型レンズ形状を有する振動部１３を形成するためにレジストを加熱して整形するいわゆる熱リフロー法を用いているが、このような手法を行うことに限られない。例えばウエハＷ２にレジスト膜４１を成膜した後、図１４（ａ）に示すように振動部１３の形状に応じて透過率が制御されたマスク７１を介して露光を行い、レジスト膜４１をその面内で夫々異なる露光量で露光する、いわゆるグレースケールマスク法を行う。そして現像を行うことで、図１４（ｂ）に示すように振動部１３に対応するようにレジスト膜４１を整形すると共に環状凹部１２に対応した開口部４２を形成してもよい。また、このように凸型レンズ形状を有するレジストマスクをウエハＷ２上に形成するにあたっては、例えばインクジェットプリンタヘッドを利用して微量のレジストを所定の位置に吐出し、その表面張力によりレジストをウエハＷ２上に凸型レンズ形状に成膜するいわゆるインクジェット法を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る水晶振動子の構成図である。
【図２】前記水晶振動子を形成するための各ウエハの表面図である。
【図３】ウエハから前記水晶振動子を構成する水晶片が製造される工程図である。
【図４】前記工程におけるウエハの表面図である。
【図５】ウエハから前記水晶振動子を構成する水晶片が製造される工程図である。
【図６】前記工程におけるウエハの表面図である。
【図７】貼り合わされる各ウエハの斜視図である。
【図８】ウエハが貼り合わされた合板から前記水晶振動子を製造する工程図である。
【図９】ウエハが貼り合わされた合板から前記水晶振動子を製造する工程図である。
【図１０】パッケージに封入された前記水晶振動子の縦断側面図である。
【図１１】他の水晶振動子の製造工程を示す工程図である。
【図１２】さらに他の水晶振動子の構成例を示した縦断側面図である。
【図１３】さらに他の水晶振動子の構成例を示した縦断側面図である。
【図１４】保持部の他の構成手法を示した工程図である
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ１，Ｗ２      基板
Ｗ３            合板
１              水晶振動子
１Ａ，１Ｂ      水晶片
１３            振動部
１４            保持部
１５Ａ，１５Ｂ  励振電極
１６Ａ，１６Ｂ  引き出し電極
２１Ａ〜２４Ａ，２１Ｂ〜２４Ｂ    水晶片形成領域
２５Ａ，２５Ｂ  デバイス形成領域
４１            レジスト膜
【図１】
2010010955.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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