(57)【要約】【課題】薬液のアタックや滅ストレスによる接着力低下があっても、補強部材が外れることはない半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板１と、その配線基板１上に実装された半導体チップ４と、その半導体チップ４の周辺を囲むようにその配線基板１に搭載された補強部材２と、その配線基板１とその補強部材２とを互いに対向する二箇所以上を挟み込んで固定する固定部材６と、を有する半導体装置。【選択図】図１
2010118482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装された半導体チップと、
前記半導体チップの周辺を囲むように前記配線基板の上に設けられた補強部材と、
前記配線基板と前記補強部材を挟み込んで固定する固定部材と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記固定部材は前記補強部材と前記配線基板の互いに対向する二カ所以上を挟み込んで固定する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記補強部材には溝又は横方向の貫通孔が設けられ、前記溝又は前記横方向の貫通孔に前記固定部材がはめ込まれた半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記固定部材は前記溝の底部又は前記横方向の貫通孔の先端で前記補強部材を鉤状に挟んで固定する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記補強部材の上面及び前記半導体チップの裏面に接する放熱部材を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記固定部材は前記放熱部材を介して前記補強部材と前記配線基板とを挟み込んで固定する、半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記放熱部材には溝が設けられ、前記溝に前記固定部材がはめ込まれた半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記固定部材の先端部には前記放熱部材に設けられた前記溝より深い第２の溝が設けられ、前記固定部材は前記放熱部材を前記第２の溝で鉤状に挟み込んで固定する半導体装置。
【請求項９】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記補強部材は、前記半導体チップより平面形状の大きい板状であり、中央部に前記半導体チップをはめ込むための凹部を有し、前記凹部の底面で前記半導体チップの裏面に接している板状部材であり、
前記固定部材は、前記板状部材の前記凹部の周辺と前記配線基板とを挟み込んで固定する、半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか１項記載の半導体装置において、
前記固定部材と前記補強部材との間及び前記固定部材と前記配線基板との間に熱硬化性の樹脂を有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれか１項記載の半導体装置において、
前記配線基板は、前記半導体チップが実装された面と反対の面に外部接続用金属バンプが形成されている半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記金属バンプを介して前記配線基板が接続された実装基板をさらに備え、
前記固定部材が前記実装基板に半田付けされた半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２記載の半導体装置において、
前記金属バンプは錫又は錫合金である半導体装置。
【請求項１４】
配線基板に半導体チップを実装する工程と、
補強部材を前記半導体チップの周辺を囲むように前記配線基板に接着する工程と、
前記配線基板、前記補強部材及び固定部材の固定される部分に接着剤を塗布する工程と、
前記配線基板と前記補強部材とを前記固定部材で挟みこんで固定する工程と、
前記塗布された接着剤をキュアする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材を前記半導体チップの周辺を囲むように前記配線基板に接着する工程は、前記接着剤により前記配線基板に接着する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板と前記補強部材とを前記固定部材で挟み込んで固定する工程は、少なくとも対向する２箇所を前記固定部材で挟み込んで固定する工程である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に集積回路を搭載する基板の平坦性保持、強度確保の為に補強部材を使用している半導体装置およびその製造方法に関する。 
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置としては、特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された半導体装置は、例えばポリイミドからなる絶縁性の樹脂基板（ＰＷＢ）、フリップチップ方式による半導体チップ、及び銅（Ｃｕ）からなるリッドが、記載順に下から積層された層構造を有する矩形板状に形成され、樹脂基板上の周辺には、中心部の半導体チップを囲むように、リッドとの間に挟み込まれた金属製の補強枠（スティフナー）が設けられている。
【０００３】
樹脂基板と補強枠は接着樹脂Ａにより、半導体チップとリッドは接着樹脂Ｂにより、リッドと補強枠は接着樹脂Ｃにより、それぞれ接着されている。これら接着樹脂Ａ、Ｂ、Ｃとしては、例えば、シリコーン系、エポキシ系又は熱可塑性樹脂などが用いられる。
【０００４】
また、従来の半導体装置として、特許文献２に記載されたものがある。同文献に記載された半導体装置は、基板であるＴＡＢテープと補強部材（スティフナー）を接着剤で取り付ける。さらに側面に樹脂を塗布・硬化することで接着強度を増やしている。
【０００５】
尚、特許文献３には、インターポーザ基板を抑さえ付ける、抑えつけ部材として、半導体チップ及びインターポーザ基板上に覆いかぶさるように配置された補強部材（スティフナー）を用いることが開示されている。
【特許文献１】特開２０００−３２３６２４号公報
【特許文献２】特開２０００−３５７７６４号公報
【特許文献３】特開２００４−２０７４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のように樹脂基板と補強枠との取り付けに接着樹脂を使用している場合、接着樹脂の管理不全による劣化や洗浄作業など薬液によるアタック、熱ストレス、保管環境などにより接着力が落ちることが発生しうる。その際に、補強枠が外れることが発生する。 
【０００７】
特許文献２においても、補強手段が樹脂による接着強化であるため、薬液のアタックや熱ストレスによる接着力の低下を補うことはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、配線基板と、その配線基板上に実装された半導体チップと、その半導体チップの周辺を囲むようにその配線基板の上に設けられた補強部材と、その配線基板とその補強部材を挟み込んで固定する固定部材と、を有する半導体装置、が提供される。
【０００９】
本発明によれば、配線基板に半導体チップを実装する工程と、補強部材をその半導体チップの周辺を囲むようにその配線基板に接着する工程と、
その配線基板、その補強部材及びその固定部材の固定される部分に接着剤を塗布する工程と、
その配線基板とその補強部材とをその固定部材で挟みこんで固定する工程と、
その塗布された接着剤をキュアする工程と、を有する半導体装置の製造方法、が提供される。
【００１０】
本発明による半導体装置は、補強部材と配線基板とを固定部材によって物理的に固定しているので、補強部材が外れない半導体装置を提供できる。
【発明の効果】
【００１１】
本願発明によれば、補強部材が外れない半導体装置およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
（第一の実施形態）
第１の実施形態に係る半導体装置の上面図、断面図及び側面図を図１（ａ）から（ｃ）にそれぞれに示す。尚、ここで示す半導体装置は、発明をわかりやすく説明する為にリッドを搭載する前のものを示している。図１（ａ）は半導体装置のリッド搭載する前の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＮ−Ｎ'の断面図、そして図１（ｃ）は図１（ａ）の矢印の方向からみた側面図である。
【００１４】
第１の実施の形態の半導体装置は、配線基板１と、配線基板１上に実装された半導体チップ４と、半導体チップ４の周辺を囲むように前記配線基板１の上に設けられた補強部材２と、配線基板１と補強部材２を挟み込んで固定する固定部材６と、を有する。
【００１５】
補強部材２には溝７が設けられ、この溝７にはまるように、固定部材６を取り付ける。この固定部材６の取り付けは少なくとも互いに対向する２箇所以上に設ける。
【００１６】
例えば、固定部材６は銅製又は鋼製のコの字形のクリップでも良い。ここで、配線基板１は例えばインターポーザとも言われ、また、補強部材２は例えばスティフナーとも言われている。この補強部材２とこの配線基板１を固定部材６であるクリップで固定する場合、まず、補強部材２に固定部材６が収まる溝７を設けておく。図１（ａ）から（ｃ）の場合は、４箇所に溝７を設けてある。配線基板１に半導体チップ４を実装する。本実施の形態ではフリップチップ接続を行う。次に、補強部材２と配線基板１を接着剤３で接着する。次に互いに対向する２箇所以上を固定部材６で挟みこむようにする。配線基板１の裏側の一部と、補強部材２の溝７及び固定部材６の内側それぞれに熱硬化性の樹脂からなる接着剤３を塗布する。続いて、配線基板１と補強部材２の溝７の４箇所に固定部材６を挟み込む。
【００１７】
尚、図１（ａ）から（ｃ）には図示していないが、補強部材２と固定部材６上、及び半導体チップ４上に、半導体チップ４の放熱部材（ヒートスプレッダ）５となる、リッドを熱硬化性樹脂の接着剤３で固定する。その後、熱硬化性樹脂の接着剤３のキュアを約１５０℃で行い、リッドも熱硬化性樹脂の接着剤３で、補強部材２及び固定部材６に固定される。
【００１８】
尚、図１（ａ）から（ｃ）では固定部材６は４ケ所に設けたが、補強部材２とこの配線基板１を固定部材６で固定する場所としては、互いに対向する２箇所以上に設ければよい。例えば、この補強部材２の一方の辺に溝７を１つ設け、対向する補強部材２の辺に２箇所溝７を設けて、補強部材２のそれら溝７部分と配線基板１とあわせた部分に固定部材６を挟み込んでも良い。
【００１９】
例えば、接着剤３の力が低下した状況を考える。従来技術による場合、接着剤３による有機的な接合以外、固定されていない為、補強部材２は配線基板１から脱落する可能性が高くなる。しかし、本実施の形態では、補強部材２は配線基板１と一緒に固定部材６によって抑えられている。その為に補強部材２が配線基板１から外れることが無い。 
【００２０】
更に詳しく説明すると、補強部材２と配線基板１とを接着する接着剤３に着目すると、接着剤３は、配線基板１（有機材料）と補強部材２（無機材料、多くは金属）とを接着している。接着がはがれる場合は、配線基板１と接着剤３の界面かあるいは補強部材２と接着剤３との界面のいずれかの界面からということになる。この接着はどちらか一方の界面がはがれただけでも、固定は失われる事になる。
【００２１】
一方、コの字型固定部材６で固定されている場合は、対補強部材２、対配線基板１いずれか一方の接着力が失われたとしても、コの字型固定部材６で固定されているため、外れる事は無い。つまり、溝７から取り外す方向という特定の１方向以外の力（例えばねじりや回転方向の力、垂直の力）で外れる事は無い。またその取り外す方向の力がかかったとしても、固定部材６は４辺（少なくとも対向する２辺）で止められており、同じ力によって同時に外れる事はない。
【００２２】
従って、実際の運用において半導体のパッケージの用途から、同時に複数の方向から力がかかるという状況は考え難く、実質的に配線基板１と補強部材２の剥がれを防ぐことができる。 
【００２３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００２４】
例えば、半導体装置を図２（ａ）から（ｃ）のような形態とすることもできる。図２（ａ）は半導体装置のリッドを搭載する前の上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＭ−Ｍ'断面図そして、図２（ｃ）は図２（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。
【００２５】
図２（ｂ）の断面図において、固定部材６を補強部材２の内側まで伸ばし、更に鉤状に折り曲げている。この構造とすることにより、補強部材２は配線基板１に機械的に固定されることになり、脱落を防止することができる。
【００２６】
この場合も配線基板１と固定部材６との間、補強部材２と固定部材６の間には熱硬化性の樹脂を接着剤３として塗布しておく。
【００２７】
図２（ａ）から（ｃ）には図示していないが、上記補強部材２と固定部材６及び半導体チップ４上に、半導体チップ４の放熱部材５となる、リッドを図１（ａ）乃至（ｃ）の場合と同様な方法で固定する。
【００２８】
また、半導体装置を図３（ａ）から（ｃ）のような形態とすることもできる。図３（ａ）は半導体装置のリッドを搭載する前の上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＯ−Ｏ'断面図、そして、図３（ｃ）は図３（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。
【００２９】
図３（ｂ）の断面図において、固定部材６はその一端が補強部材２の溝７の内側に埋め込まれている。従って、溝７から取り外す方向という特定の１方向以外の力（例えばねじりや回転方向の力、垂直の力）で外れる事は無い。またその取り外す方向の力がかかったとしても、固定部材６は４辺（少なくとも対向する２辺）で止められており、同じ力によって同時に外れる事はない。すなわち図１（ｂ）構造の場合より、固定部材６が補強部材２側に埋め込まれているので固定部材６が外れにくいという効果がある。
【００３０】
この場合も配線基板１と固定部材６との間、補強部材２と固定部材６の間には熱硬化性の樹脂を接着剤３として塗布しておく。
【００３１】
図３（ａ）から（ｃ）には図示していないが、上記補強部材２と固定部材６上及び半導体チップ４上に、半導体チップ４の放熱部材５となる、リッドを接着剤３で固定する。
【００３２】
更に半導体装置は図４（ａ）から（ｃ）のような形態をとることもできる。図４（ａ）は半導体装置のリッドを搭載する前の上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＰ−Ｐ'断面図、そして、図４（ｃ）は図４（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。
【００３３】
図４（ｂ）の断面図において、固定部材６はその一端が補強部材２の貫通孔８の内側に差し込まれている。更に、固定部材６を補強部材２の内側まで伸ばし、鉤状に折り曲げている。この構造とすることにより、補強部材２は配線基板１に機械的に固定されることになり、脱落を防止することができる。
【００３４】
つまり、補強部材２が破壊されない限りはずれることがなくなる。図２（ｂ）の構造の場合より、固定部材６が外れにくいという効果がある。
【００３５】
この場合も配線基板１と固定部材６との間、補強部材２と固定部材６の間には熱硬化性の樹脂を接着剤３として塗布しておく。
【００３６】
図４（ａ）から（ｃ）には図示していないが、上記補強部材２と固定部材６及び半導体チップ４上に、半導体チップ４の放熱部材５となる、リッドを図１（ａ）乃至（ｃ）の場合と同様な方法で固定する。
【００３７】
図５（ａ）から（ｃ）は図１の半導体チップ４にリッドを接着後、実装基板（マザーボード）１０に実装した図面である。図５（ａ）はその上面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＱ−Ｑ'断面図、そして図５（ｃ）は図５（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。配線基板１には外部端子としてボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）が設けられ、実装基板１０と接続されている。そのボールグリッドアレイの金属バンプは錫又は錫合金からなる。
【００３８】
これに対し、図６（ａ）から（ｃ）は、さらに固定部材６と実装基板１０を半田付けした図面である。図６（ａ）はその上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＲ−Ｒ'断面図、そして、図６（ｃ）は図６（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。
【００３９】
図６（ａ）から（ｃ）の構成を得る為には固定部材６の厚さをＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）部の実装時のスタンドオフと同等になるように、設定する。固定部材６を半田付けする場合も、実装基板１０に（予備）半田１１を用意した上で、実装作業を行う。これにより、実装基板１０と固定部材６が直接的に固定される。
【００４０】
実装基板１０と固定部材６が直接的に固定される為、固定部材６により配線基板１、補強部材２と実装基板１０とが固定されるので、接続信頼性を向上できる。
【００４１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態を図７（ａ）から（ｃ）を用いて説明する。ここで図７（ａ）は半導体装置の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＳ−Ｓ'断面図そして、図７（ｃ）は図７（ａ）を矢印の方向からみた側面図である。
【００４２】
第２の実施形態の半導体装置と、第１の実施形態の半導体装置との違いは、半導体チップ４と補強部材２上に搭載された放熱部材（ヒートスプレッダ）５があり、固定部材６はその放熱部材５を介して補強部材２と配線基板１とを挟み込んで固定する点にある。
【００４３】
図７（ａ）の平面図及び図７（ｂ）の断面図において、放熱部材５には溝７が設けられ、この溝７にはまるように、配線基板１と補強部材２を一緒に挟み込むように固定部材６を取り付ける。この固定部材６の取り付けは少なくとも半導体パッケージの対向する２箇所以上に設ける。
【００４４】
例えば、固定部材６は銅製又は鋼製のコの字形のクリップでも良い。配線基板１は例えばインターポーザとも言われている。この配線基板１と補強部材２とさらに放熱部材５を固定部材６で固定する場合、その固定部材６は半導体パッケージの対向する辺の一方に一箇所、対向する辺に２箇所合計３箇所設けても良い。尚、その配線基板１と固定部材６との間、放熱部材５と固定部材６の間には熱硬化性の樹脂を接着剤３として塗布しておき、固定後約の℃で樹脂の接着剤３のキュアを行う。
【００４５】
図７（ａ）から（ｃ）では、放熱部材５の４辺に溝７を設け、熱硬化性の接着剤３を放熱部材５の溝７と配線基板１の半導体チップ４に対向する面に反対の面の一部に塗布した後、４つの固定部材６の一端をその溝７に埋め込み、他端を配線基板１の半導体チップ４に対向する面に反対の面に固定し、その配線基板１と放熱部材５の４辺を固定部材６で固定している。
【００４６】
本実施の形態によっても固定部材６は放熱部材５を介して配線基板１と補強部材２を挟み込んでいるので補強部材２が外れることはない。コの字型固定部材６で固定されているので、対補強部材２、対配線基板１いずれか一方の接着力が失われたとしても、コの字型固定部材６で固定されているので、外れる事は無い。つまり、溝７から取り外す方向という特定の１方向以外の力（例えばねじりや回転方向の力、垂直の力）で外れる事は無い。またその取り外す方向の力がかかったとしても、固定部材６は４辺（少なくとも対向する２辺）で止められており、同じ力によって同時に外れる事はない。
【００４７】
従って、実際の運用において半導体のパッケージの用途から、同時に複数の方向から力がかかるという状況は考え難く、実質的に配線基板１、補強部材２及び放熱部材５の剥がれを防ぐことができる。
【００４８】
例えば、半導体装置を図８（ａ）から（ｃ）のような形態とすることもできる。図８（ａ）は半導体装置の上面図、８（ｂ）は図８（ａ）のＴ−Ｔ'断面図、そして、図８（ｃ）は図８（ａ）を矢印の方向から見た側面図である。
【００４９】
図８（ｂ）の断面図において、固定部材６を放熱部材５の深溝９まで伸ばし、更に鉤状に折り曲げている。この構造とすることにより、補強部材２ は放熱部材５を介して配線基板１に機械的に固定されることになるので、脱落を防止することができる。
【００５０】
この場合も配線基板１と固定部材６との間、放熱部材５と固定部材６との間には、熱硬化性の樹脂を接着剤３として固定前に塗布しておき、固定後、約１５０℃で樹脂の接着剤３のキュアを行う。
【００５１】
また、半導体装置を図９（ａ）から（ｃ）のような形態とすることもできる。図９（ａ）は、半導体装置の上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＵーＵ'断面図、そして、図９（ｃ）は図９（ａ）を矢印の方向から見た側面図である。
【００５２】
図９（ｂ）の断面図において、本実施の形態における半導体装置では、板状補強部材１２が配線基板１に固定部材６によって取り付けられている。ここで、板状補強部材１２は、半導体チップ４より平面形状の大きい板状であり、中央部に半導体チップ４をはめ込むための凹部を有しており、その凹部の底面で半導体チップ４の裏面に接しており、その板状補強部材１２の凹部の周辺とその配線基板１とを固定部材６で挟み込んで固定している。つまり、溝７から取り外す方向という特定の１方向以外の力（例えばねじりや回転方向の力、垂直の力）で外れる事は無い。またその取り外す方向の力がかかったとしても、固定部材６は４辺（少なくとも対向する２辺）で止められており、同じ力によって同時に外れる事はない。
【００５３】
従って、実際の運用において半導体のパッケージの用途から、同時に複数の方向から力がかかるという状況は考え難く、実質的に配線基板１と板状補強部材１２の剥がれを防ぐことができる。
【００５４】
この板状補強部材１２は、放熱部材５としても機能する。すなわち半導体チップ４の裏面に接着されているので放熱効果を有する。
【００５５】
この板状補強部材１２と配線基板１を固定部材６であるクリップで固定する場合、まず、固定部材６が収まる溝７を板状補強部材１２に設けておく。図９（ａ）から（ｃ）の例では、４辺に溝７を設けてある。そして、配線基板１に半導体チップ４を実装する。本実施の形態ではフリップチップ接続を行う。次に、板状補強部材１２と配線基板１を熱硬化性の樹脂からなる接着剤３で接着する。続いて、配線基板１の裏側の一部と、板状補強部材１２の溝７及び固定部材６の内側をそれぞれに熱硬化性の樹脂からなる接着剤３を塗布する。そして、配線基板１と板状補強部材１２の溝７、４箇所に固定部材６を挟み込む。固定後約１５０℃でキュアを行い樹脂の接着剤３を硬化させる。
【００５６】
基本的な構造は図７の場合と同一であるが、図７の構造より、図９の構造の方が、接着箇所が少ないため信頼性が高くなる。
【００５７】
更に、半導体装置を図１０（ａ）から（ｃ）のような形態とすることもできる。図１０（ａ）は、半導体装置の上面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＶーＶ'断面図、そして、図１０（ｃ）は図１０（ａ）を矢印の方向から見た側面図である。
【００５８】
図１０（ａ）の平面図及び図１０（ｂ）の断面図において、板状補強部材１２に溝７のみでなく更に深溝９を設けることにより、固定部材６をその深溝９部分まで伸ばし、鉤状に折り曲げてある。従って固定部材６は板状補強部材１２の深溝９に鉤状に固定されているので、取り外すことはできない。
従って、配線基板１から板状補強部材１２の脱落は、抑制できる。
【００５９】
第１の実施の形態について、図５（ａ）から（ｃ）及び、図６（ａ）から（ｃ）を用いて、半導体装置を実装基板（マザーボード）１０に実装する方法、及び半導体装置の固定部材６を実装基板１０に半田付けする実装方法を示した。この実装方法は、第２の実施の形態である図の７から図１０の半導体装置についても同様に適用できることは明らかである。
【００６０】
図６の様に、実装基板１０と固定部材６が半田付けされれば、固定部材６を介して、図７，図８の場合は、配線基板１、補強部材２及び放熱部材５が実装基板１０により固定され、図９、図１０の場合は、配線基板１と板状補強部材１２が実装基板１０と固定されるので、半導体装置の接続信頼性を向上できる。
【００６１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００６２】
例えば、第１の実施形態において、図１から図６まで半導体チップ４は配線基板１に全てフリップチップ接続した例を用いて説明してきたが、半導体チップ４の裏面を配線基板（インターポーザ）１にマウントし、半導体チップ４のボンディングパッドと配線基板上の配線にボンディング線で接続してあってもかまわない。
【００６３】
すなわち、半導体チップ４と配線基板１がボンディング接続であっても補強部材２（スティフナー）が剥がれやすい課題は存在し、これを解決する手段として配線基板１と補強部材２に対して固定部材６で挟み込んで固定してもかまわない。このような形状とすることにより、配線基板（インターポーザ）１と補強部材（スティフナー）２との剥がれを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施形態に係る溝を有する補強部材と配線基板とをコの字形状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図２】第１の実施形態に係る溝を有する補強部材と配線基板とを鉤状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図３】第１の実施形態に係る溝（穴）を有する補強部材と配線基板とをコの字形状で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る貫通孔を有する補強部材と配線基板とを鉤状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置を実装基板に搭載した図である。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置を実装基板に半田付けして搭載した図である。
【図７】第２の実施形態に係る放熱部材と配線基板とをコの字状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図８】第２の実施形態に係る放熱部材と配線部材を鉤状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図９】第２の実施形態に係る補強部材と放熱部材とが一体化された部材と配線基板とをコの字状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る補強部材と放熱部材とが一体化された部材と配線基板とを鉤状の固定部材で固定した半導体装置の上面図、断面図及び側面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１：配線基板
２：補強部材
３：接着剤
４：半導体チップ
５：放熱部材
６：固定部材
７：溝
８：貫通孔
９：深溝
１０：実装基板
１１：半田
１２：板状補強部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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