(57)【要約】【課題】  基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法を提供する。【解決手段】  本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。【選択図】  図１
2010010679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面をエッチングするための基板処理方法であって、
第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが前記基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記第２ノズルは、
前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジ方向に向かって継続的に移動しながら前記エッチング妨害流体を供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第２ノズルは、
前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジ方向に向かって移動しながら前記エッチング妨害流体を供給し、移動過程で少なくとも一回一時停止することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記エッチング妨害流体は前記エッチング液と同一時間の間に前記基板に供給されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記エッチング妨害流体は加熱されて前記基板に供給されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記エッチング妨害流体は冷却されて前記基板に供給されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記エッチング液による前記基板表面の部位別エッチング率は、
前記エッチング妨害流体の供給流量又は前記エッチング妨害流体の温度又は前記エッチング妨害流体の噴射位置又は噴射時刻と噴射時間によって調節されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記基板表面をエッチングするための基板処理方法であって、
前記基板にエッチング液とエッチング妨害流体を供給してエッチングし、
前記エッチング液が供給される前記基板上の領域と前記エッチング妨害流体が供給される前記基板上の領域とは互いに相違し、
前記エッチング妨害流体が供給される前記基板上の領域の少なくとも一部分は前記エッチング液が供給される前記基板上の領域の一部分と互いに重なることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記基板上に前記エッチング液が供給される全体領域が前記基板上に前記エッチング妨害流体が供給される全体領域より広いことを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記エッチング液と前記エッチング妨害流体とが供給される時期は少なくとも一部が重なることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記基板の中心に前記エッチング液が供給されることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記エッチング液が供給される領域は前記基板の全体領域であり、
前記エッチング妨害流体が供給される領域は前記基板の中心を除いた残りの領域であることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記基板は回転し、
前記エッチング液は前記基板の回転を中心に直接供給され、
前記エッチング妨害流体は前記基板の中心がら離れた位置で直接供給されることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記エッチング妨害流体が直接供給される前記基板上の位置は噴射時刻と噴射時間によって変更されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記エッチング妨害流体が直接噴射される位置は前記基板の中心からエッジ方向に向かって変化することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記エッチング妨害流体は加熱又は冷却されて前記基板に供給されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記エッチング妨害流体は超純水又は不活性ガスであることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
基板表面をエッチングするための基板処理装置であって、
基板を支持した状態で回転するスピンヘッドと、
前記スピンヘッドに載置される前記基板にエッチング液を噴射する第１ノズルと、
前記スピンヘッドに載置される前記基板に工程の進行時にエッチング妨害流体を噴射する第２ノズルと、
前記第１ノズルが前記基板の中心に前記エッチング液を噴射するように前記第１ノズルを位置させ、前記第２ノズルが前記基板の中心から離れた位置で前記エッチング妨害流体を噴射するように前記第２ノズルを位置させる制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
前記第２ノズルに前記エッチング妨害流体である超純水を供給する超純水供給部をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記超純水供給部は、
前記第２ノズルに供給される超純水を加熱する加熱器又は冷却する冷却器を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記制御部は、
前記第２ノズルが前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジまで移動しながらエッチング妨害流体である超純水を噴射するように制御することを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び方法に関し、さらに詳細には、基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に半導体素子を製造するために使用されるエッチング工程（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、半導体基板に形成した膜質（例えば、金属膜、酸化膜、多結晶シリコン膜、フォトレジスト膜）を所望のパターンに加工する製造過程である。
【０００３】
このようなエッチング工程には、化学薬品エッチング（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｅｔｃｈｉｎｇ：薬液とも称する）、プラズマエッチング（ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、イオンビーム（ｉｏｎ  ｂｅａｍ）及び反応性イオンエッチ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈ）などの方法が使用され、最近には化学薬品エッチング方法のうち、半導体基板が回転している時に薬液を噴射してエッチングするスピンエッチング方法が広く使用されている。
【０００４】
スピンエッチング工程には、半導体基板の中央（回転中心）に薬液（エッチング液）を噴射する中央供給方式や、半導体基板の中央からエッジに移動しながら薬液を噴射するスキャン供給方式がある。前記のようなスピンエッチング工程においては、薬液が遠心力によって基板の中央からエッジに流れながら基板表面の薄膜を取り除くので、半導体基板の部位別エッチング率調整が不可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、前工程での散布不良による選択的エッチングが可能な基板処理装置及び方法を提供することにある。
本発明の目的は、これに限定されず、言及されないまた他の目的は下記の記載から当業者が明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板表面をエッチングするための基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが前記基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給することを特徴とする。
【０００７】
前記第２ノズルは、前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジ方向に向かって継続的に移動しながら前記エッチング妨害流体を供給することが好ましい。
【０００８】
前記第２ノズルは、前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジ方向に向かって移動しながら前記エッチング妨害流体を供給し、移動過程で少なくとも一回一時停止することが好ましい。
【０００９】
前記エッチング妨害流体は前記エッチング液と同一時間の間に前記基板に供給されることが好ましい。
前記エッチング妨害流体は加熱されて前記基板に供給されることが好ましい。
前記エッチング妨害流体は冷却されて前記基板に供給されることが好ましい。
【００１０】
前記エッチング液による前記基板表面の部位別エッチング率は、前記エッチング妨害流体の供給流量又は前記エッチング妨害流体の温度又は前記エッチング妨害流体の噴射位置又は噴射時刻と噴射時間によって調節されることが好ましい。
【００１１】
又、上記目的を達成するためになされた本発明による基板表面をエッチングするための基板処理方法は、前記基板にエッチング液とエッチング妨害流体を供給してエッチングし、前記エッチング液が供給される前記基板上の領域と前記エッチング妨害流体が供給される前記基板上の領域とは互いに相違し、前記エッチング妨害流体が供給される前記基板上の領域の少なくとも一部分は前記エッチング液が供給される前記基板上の領域の一部分と互いに重なることを特徴とする。
【００１２】
前記基板上に前記エッチング液が供給される全体領域が前記基板上に前記エッチング妨害流体が供給される全体領域より広いことが好ましい。
【００１３】
前記エッチング液と前記エッチング妨害流体とが供給される時期は少なくとも一部が重なることが好ましい。
【００１４】
前記基板の中心に前記エッチング液が供給されることが好ましい。
前記エッチング液が供給される領域は前記基板の全体領域であり、前記エッチング妨害流体が供給される領域は前記基板の中心を除いた残りの領域であることが好ましい。
【００１５】
前記基板は回転し、前記エッチング液は前記基板の回転を中心に直接供給され、前記エッチング妨害流体は前記基板の中心がら離れた位置で直接供給されることが好ましい。
【００１６】
前記エッチング妨害流体が直接供給される前記基板上の位置は噴射時刻と噴射時間によって変更されることが好ましい。
前記エッチング妨害流体が直接噴射される位置は前記基板の中心からエッジ方向に向かって変化することが好ましい。
【００１７】
前記エッチング妨害流体は加熱又は冷却されて前記基板に供給されることが好ましい。
前記エッチング妨害流体は超純水又は不活性ガスであることが好ましい。
【００１８】
又、上記他の目的を達成するための本発明による基板表面をエッチングするための基板処理装置は、基板を支持した状態で回転するスピンヘッドと、前記スピンヘッドに載置される前記基板にエッチング液を噴射する第１ノズルと、前記スピンヘッドに載置される前記基板に工程の進行時にエッチング妨害流体を噴射する第２ノズルと、前記第１ノズルが前記基板の中心に前記エッチング液を噴射するように前記第１ノズルを位置させ、前記第２ノズルが前記基板の中心から離れた位置で前記エッチング妨害流体を噴射するように前記第２ノズルを位置させる制御部と、を有することを特徴とする。
【００１９】
前記第２ノズルに前記エッチング妨害流体である超純水を供給する超純水供給部をさらに含むことが好ましい。
前記超純水供給部は、前記第２ノズルに供給される超純水を加熱する加熱器又は冷却する冷却器を含むことが好ましい。
前記制御部は、前記第２ノズルが前記第１ノズルと重ならない前記基板の中心と近い位置から前記基板のエッジまで移動しながらエッチング妨害流体である超純水を噴射するように制御することが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
上述した本発明によると、基板をスピン方式で回転させ遠心力を利用してエッチング液を供給する時、制御可能の第２ノズルを利用してエッチング妨害流体を所望の位置に噴射することによって選択的なエッチングが可能であるという効果がある。
本発明によると、前工程での散布不良による選択的エッチングが可能であるという効果がある。
また、本発明によると、基板部位別エッチング量の調節が可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態による基板処理装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態による容器の内部構造を示す断面図である。
【図３】第１ノズルと第２ノズルの噴射位置を示す図である。
【図４】第２ノズルの噴射条件による各類型別エッチング率を示すグラフである。
【図５】第２ノズルの噴射条件による各類型別エッチング率を示すグラフである。
【図６】第２ノズルの噴射条件による各類型別エッチング率を示すグラフである。
【図７】第２ノズルの噴射条件による各類型別エッチング率を示すグラフである。
【図８】本発明の実施の形態によるエッチング率の再現性を評価したテーブルとグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、本発明に係る基板処理装置及び方法を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。本発明の実施の形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が下記の実施の形態によって限定されることにはならない。本実施の形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面での要素の形状はより明確な説明のために誇張される。
【００２３】
また、本発明の実施の形態では、半導体基板表面の薄膜をとり除くための枚葉式エッチング装置を例に取り上げて説明する。しかし、本発明の技術的な思想はこれに限定されず、回転する半導体基板に化学溶液（薬液）を供給して基板表面を処理する他の種類の装置、例えば、半導体基板表面に残留する異物をとり除く洗浄装置またはフォトリソグラフィ工程後に基板上に残っている不必要な感光剤をとり除くエッチング装置に全て適用されることができる。
【００２４】
図１は、本発明による基板処理装置を示す図である。図２は、容器１１０の内部構造を示す断面図である。
【００２５】
図１及び図２を参照すると、基板処理装置（ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  ｔｒｅａｔｉｎｇ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１は、半導体基板（以下、「基板」）Ｗに形成された膜質（例えば、金属膜、酸化膜、多結晶シリコン膜、フォトレジスト膜）をエッチングするエッチング工程（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を行う。
基板処理装置１は、容器１１０、昇降ユニット１２０、スピンヘッド１３０及び流体供給ユニット２００を含む。
（容器）
【００２６】
容器１１０は、エッチング工程に使用される薬液及び工程時に発生する煙霧（ｆｕｍｅ）が外部に飛散することや流出することを防止する。容器１１０は、内部に上部が開放され基板Ｗが処理される空間Ａを有し、空間Ａにはスピンヘッド１３０が配置される。
【００２７】
容器１１０は、工程に使用された薬液を分離して回収できる構造を有する。これは薬液の再使用を可能にする。容器１１０は複数の回収筒１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃを有する。各々の回収筒１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、工程に使用された処理液のうち互いに相違する種類の処理液を回収する。本実施の形態で容器１１０は３個の回収筒を有する。各々の回収筒を内部回収筒１１０ａ、中間回収筒１１０ｂ、そして外部回収筒１１０ｃと称する。
【００２８】
内部回収筒１１０ａはスピンヘッド１３０を囲む環状のリング形状に形成され、中間回収筒１１０ｂは内部回収筒１１０ａを囲む環状のリング形状に形成され、外部回収筒１１０ｃは中間回収筒１１０ｂを囲む環状のリング形状に形成される。各々の回収筒１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、容器１１０内で容器内空間Ａと連通する流入口１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを有する。各々の流入口１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃはスピンヘッド１３０の周囲にリング形状に形成される。基板Ｗに噴射され工程に使用された薬液は基板Ｗの回転による遠心力によって流入口１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを介して回収筒１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃに流入する。外部回収筒１１０ｃの流入口１１１ｃは中間回収筒１１０ｂの流入口１１１ｂの垂直上部に形成され、中間回収筒１１０ｂの流入口１１１ｂは内部回収筒１１０ａの流入口１１１ａの垂直上部に形成される。即ち、内部回収筒１１０ａ、中間回収筒１１０ｂ、そして外部回収筒１１０ｃの流入口１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは互いに高さが相違するように形成される。
【００２９】
内部回収筒１１０ａのリング形状の内壁１１２ａに複数の開口１１３ａが形成される。各々開口１１３ａはスリット形状に形成される。開口１１３ａは内部回収筒１１０ａに流入するガスがスピンヘッド１３０内の下方空間を介して外部に排出されるようにする排気口として機能する。底壁１１２ｂには排出管１１５ａが結合される。内部回収筒１１０ａを介して流入した処理液は、排出管１１５ａを介して外部の薬液再生のためのシステムに排出される。中間回収筒１１０ｂは内壁１１４ａにガスの排出のためのスリット形状の排気口１１３ｂがリング形状に配列される。底壁１１４ｂには排出管１１５ｂが結合され、中間回収筒１１０ｂを介して流入した処理液は、排出管１１５ｂを介して外部の薬液再生のためのシステムに排出される。外部回収筒１１０ｃの底壁１１６ｂは大体円板形状を有し、中央にスピンドル１３２が挿入される開口が形成される。底壁１１６ｂには排出管１１５ｃが結合され、外部回収筒１１０ｃを介して流入した処理液は、排出管１１５ｃを介して外部の薬液再生のためのシステムに排出される。外部回収筒１１０ｃは容器１１０全体の外壁として機能する。外部回収筒１１０ｃの底壁１１６ｂには排気管１１７が結合され、外部回収筒１１０ｃに流入したガスは排気管１１７を介して外部に排気する。また、内部回収筒１１０ａの内壁１１２ａに形成された排気口１１３ａ及び中間回収筒１１０ｂの内壁１１４ａに形成された排気口１１３ｂを介して流れ出たガスは、外部回収筒１１０ｃに連結された排気管１１７を介して外部に排気される。排気管１１７は底壁１１６ｂから上部に一定長さに突出するように設けられる。
（昇降ユニット）
【００３０】
昇降ユニット１２０は、容器１１０を上下方向に直線移動させる。容器１１０が上下に移動するにつれ、スピンヘッド１３０に対する容器１１０の相対的な高さが変更される。昇降ユニット１２０は、ブラケット１２２、移動軸１２４、そして駆動機１２６を有する。ブラケット１２２は容器１１０の外壁に固定設置され、ブラケット１２２には駆動機１２６によって上下方向に移動する移動軸１２４が固定結合される。基板Ｗをスピンヘッド１３０に載置したりスピンヘッド１３０から持ち上げる時に、スピンヘッド１３０が容器１１０の上部に突出するように容器１１０は下降する。また、工程の進行時には、基板Ｗに供給された処理液の種類によって処理液が既設定の回収筒１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃに流入するように容器１１０の高さを調節する。上述と反対に、昇降ユニット１２０は、スピンヘッド１３０を上下方向に移動させることができる。
（スピンヘッド）
【００３１】
スピンヘッド１３０は処理工程時に基板Ｗを支持する。スピンヘッドは容器１１０の内側空間に配置される。スピンヘッド１３０は上部に基板Ｗがロード（ｌｏａｄｉｎｇ）される上部面から離隔した状態に基板Ｗを支持する支持ピン１３５、そして基板Ｗを固定するチャックピン１３６を有する。支持ピン１３５は基板をスピンヘッド１３０の上部面から離隔した状態に支持し、チャックピン１３６は工程の進行時に基板のエッジ一部をチャックする。
【００３２】
スピンドル１３２はスピンヘッド１３０の中央下部と結合される。スピンドル１３２は内部が空いている中空軸（ｈｏｌｌｏｗ  ｓｈａｆｔ）形態を有し、回転部材１３４の回転力をスピンヘッド１３０に伝達する。詳細には示していないが、回転部材１３４は回転力を発生するモーターのような駆動部と、駆動部から発生した回転力をスピンドルに伝達するベルト、チェーンのような動力伝達部などの通常的な構成から成ることができる。
（流体供給ユニット）
【００３３】
流体供給ユニット２００は、第１スイングノズル部２１０、第２スイングノズル部２２０、固定ノスル部２３０、そして制御部２４０を含む。
【００３４】
第１スイングノズル部２１０は、エッチング液を基板に供給する多数の第１ノズル２１２を含む。各々の第１ノズル２１２は、昇降移動とスイング移動によって基板中心の上部に移動する。第１ノズル２１２は、互いに相違する種類の薬液を基板に噴射する。第１ノズル２１２は、第１供給部２７０からエッチング液である処理流体の供給を受ける。第１供給部２７０は、供給管２７２、２個の薬液貯蔵部２７４、バルブ２７６、そして流量調節器（図示せず）を有する。例えば、薬液貯蔵部にはフッ酸（ＨＦ）、オゾン水（または、オゾン水＋フッ酸混合液）、ＳＣ１薬液、エッチング剤で希釈化したフッ酸（ＤＨＦ：Ｄｉｌｕｔｅｄ  Ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉ  Ａｃｉｄ）、緩衝フッ酸のような緩衝酸化膜エッチング液（ＢＯＥ：Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｔｃｈａｎｔｓ）のような薬液のうち、とり除こうとする被エッチング膜に対応する薬液が貯蔵される。
【００３５】
第２スイングノズル部２２０は、エッチング妨害流体を基板に供給する第２ノズル２２２を含む。第２ノズル２２２は昇降移動とスイング移動によって基板の上部に移動する。第２ノズル２２２には、エッチング妨害流体として適合な超純水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ、またはＵＰＷ：Ｕｌｔｒａｐｕｒｅ  Ｗａｔｅｒ）が第２供給部２８０から供給される。第２供給部２８０は供給管２８２、超純水貯蔵部２８４、バルブ２８６、加熱器２８７、冷却器２８８、そして流量調節器（図示せず）を有する。供給管２８２には超純水を加熱する加熱器２８７と超純水を冷却する冷却器２８８が設けられ、加熱器２８７と冷却器２８８は超純水の温度調節のために使用され、常温の超純水を使用する場合には使用されない。本実施の形態ではエッチング妨害流体として超純水を言及したが、超純水以外に不活性ガスも使用されることができ、またエッチング妨害流体は基板に供給されるエッチング液の濃度を希釈し得る他の薬液であり得る。前記のように、第２ノズル２２２は、基板の中心を除いた位置（第１ノズルによってエッチング液が噴射される位置）を除いた残りの区間内で移動しながら、または固定された状態で超純水を噴射する。
【００３６】
固定ノズル部２３０は容器１１０の上端に固定設置される。固定ノズル部２３０は、エッチング液が基板に供給される前後に基板の洗浄、リンス、乾燥のために使用される超純水、オゾン水、窒素ガスを基板に噴射するノズル２３２を含む。図面には示していないが、固定ノズル部２３０にも第１、２スイングノズル部２１０、２２０のように各々の薬液を供給する供給部が連結されていることは当業者に自明な事項である。
【００３７】
制御部２４０は、工程位置ａ及び待機位置ｂ相互間に第１ノズル２１２を移動させ、工程位置ａ´及び待機位置ｂ´相互間に第２ノズル２２２を移動させる。
第１ノズル２１２の工程位置ａは工程時に基板の中心にエッチング液を噴射するための位置であり、待機位置ｂは工程位置ａに移動する前に容器１１０外側で待機する位置である。第２ノズル２２２の工程位置ａ´は工程時に基板の中心（第１ノズルによってエッチング液が噴射される位置）を除いた区間でエッチング妨害流体である超純水を噴射するための位置であり、待機位置ｂ´は工程位置ａ´に移動する前に容器１１０外側で待機する位置である。ここで、制御部２４０は、超純水が噴射される間に第２ノズル２２２を停止させるのではなくエッジ方向に向かって移動させることが一番好ましい。
【００３８】
前記のように、制御部２４０は、工程時に第１ノズル２１２及び第２ノズル２２２が基板にエッチング液及び超純水を供給するように第１、２ノズル２１２、２２２を制御する。
【００３９】
前記のように、本発明の基板処理装置１は、基板のエッチング、洗浄、乾燥方式によってノズルの個数またはノズルに供給される処理流体の種類を変更することができるが、エッチング工程が行われる間に基板表面の部位別エッチング量を調節するための目的にエッチング液の濃度を希釈させるエッチング妨害流体が供給されるということは変更されない。
【００４０】
図３のように、第１ノズルは基板の中心（０ｍｍ）でエッチング液を噴射し、第２ノズルは基板の中心を除いた位置で超純水を噴射するようになる。この時、第２ノズルは第１ノズルと重ならない位置（基板の中心と近い位置）から基板のエッジ（１５０ｍｍ）位置を含む領域（Ｌ１）の所望の位置で超純水を噴射するかまたはその領域をスイング移動しながら超純水を噴射することができる。
（実施の形態によるエッチング率）
【００４１】
図４乃至図７は、第２ノズルの噴射条件による各類型別エッチング率を示すグラフである。
【００４２】
図４は、第１ノズルが基板の中心で３０秒間希釈したフッ酸（ＤＨＦ：Ｄｉｌｕｔｅｄ  Ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉ  Ａｃｉｄ、以下、ＤＨＦと称する）を噴射する条件で第２ノズルの噴射位置によるエッチング率を示すグラフである。
【００４３】
図４を参照すると、ａ１は超純水が噴射されずエッチング液だけ噴射された場合のエッチング率を示すものであり、基板は中央からエッジまで６５〜７０Å範囲内で均一にエッチングされる。
【００４４】
ａ２は超純水が基板エッジから１０ｍｍ内側位置（基板の１４０ｍｍ位置）で噴射された場合のエッチング率を示すものであり、エッチング率は基板の中央（０ｍｍ）から超純水が噴射される位置（基板の１４０ｍｍ地点）まで均一であるが基板の１４０ｍｍ地点から急激に減少する。
【００４５】
同様に、ａ３、ａ４、ａ５、ａ６は、超純水の噴射位置を変更（基板のエッジを基準に４０ｍｍ、７０ｍｍ、１００ｍｍ、１３０ｍｍ地点）してテストしたエッチング率を示すものであり、基板のエッチング率は超純水が噴射される位置から急激に減少することが分かる。
【００４６】
図５は、第１ノズルが基板の中心で３０秒間ＤＨＦを噴射する条件で第２ノズルが一定距離移動しながら超純水を噴射する場合のエッチング率を示すグラフである。
【００４７】
図５を参照すると、ｂ１は超純水が基板のエッジから４０ｍｍ〜１０ｍｍ区間で移動噴射される場合のエッチング率を示すものであり、エッチング率は基板の中央（０ｍｍ）から１１０ｍｍまで均一に行われるが、基板の中央から１１０ｍｍ地点から減少するようになる。勿論、図４のように一つの地点で超純水を噴射する場合よりはエッチング率の変化が緩慢であることが分かる。
【００４８】
ｂ２は、超純水が基板のエッジから７０ｍｍ〜１０ｍｍ区間で移動しながら噴射される場合のエッチング率を示すものであり、ｂ３は超純水が基板のエッジから１００ｍｍ〜１０ｍｍ区間で移動しながら噴射される場合のエッチング率を示すものであり、ｂ４は、超純水が基板のエッジから１３０ｍｍ〜１０ｍｍ区間で移動しながら噴射される場合のエッチング率を各々示すものである。このように、超純水の噴射スタート位置が基板の中心と近いほどエッチング率は基板の中心から次第に減少するという結果を得ることができる。
【００４９】
図６は、第１ノズルが基板の中心で３０秒間ＤＨＦを噴射する条件で第２ノズルでの超純水噴射時点を遅延させる場合のエッチング率を示すグラフである。
【００５０】
図６を参照すると、ａ１は図４で説明した条件で得たエッチング率を示し、ｂ４は図５で説明した条件で得たエッチング率を示す。
【００５１】
ｂ４−１は超純水をＤＨＦが噴射される時点より５秒遅らせて噴射し、２５秒間に基板のエッジ（１４０ｍｍ位置）まで移動する場合のエッチング率を示すものであり、ｂ４に比べてエッチング率の傾斜度が緩慢であること（エッチング率が高い）が分かる。言い換えれば、ｂ４−１のエッチング率は、超純水が５秒遅らせて噴射される場合第２ノズルは２５秒間に超純水を噴射しながら基板の２０ｍｍ位置から１４０ｍｍ地点まで移動する場合の結果である。同様に、超純水の噴射地点を１０秒遅らせてテストしたｂ４−２、超純水の噴射時点を１５秒遅らせてテストしたｂ４−３から分かるように、超純水の噴射時点が遅いほどそしてノズルの移動速度が早いほどエッチング率が上昇するということが分かる。
【００５２】
図７は、図５のｂ４条件で第２ノズルが基板の一定位置で一時停止する場合のエッチング率を示すグラフである。
【００５３】
図７を参照すると、ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４、ｃ５は、基板のエッジから７０ｍｍ地点で一時的に停止する時間を異にする場合のエッチング率を示すものであり、図７のように基板のエッジから７０ｍｍ地点で超純水の噴射時間（停止している時間）が増加すればするほど基板の７０ｍｍ地点以後のエッチング率が著しく減少することが分かる。
【００５４】
一方、図面には示していないが超純水が加熱器２８７によって加熱され基板に供給される場合、エッチング率が同一条件で常温の超純水を基板に供給する場合のエッチング率より高い。そして、超純水が冷却器２８８によって冷却され基板に供給される場合、エッチング率が同一条件で常温の超純水を基板に供給する場合より低い。
図４乃至図７のように、超純水はエッチング液の濃度を希釈させエッチング液による基板の薄膜エッチングを妨害してエッチング率を減少させるエッチング妨害流体として作用するようになる。従って、超純水の噴射位置、噴射時点、噴射流量などを変更すると基板上の部分的エッチング率を調節することができる。
【００５５】
例えば、前工程における散布不良でとり除こうとする薄膜の厚さが半導体基板のエッジに比べて中央付近の厚い場合が発生しても、本発明のエッチング方法を適用すると基板の中央付近をさらに多くエッチングしエッジに行くほど少しエッチングして、均一な基板表面を得ることができる。
【００５６】
図８は、第１ノズルが基板の中心で３０秒間ＤＨＦを噴射する条件で第２ノズルがＤＨＦ噴射より２０秒遅延させる時点で１０秒間移動しながら超純水を噴射する場合のエッチング率の再現性を評価したテーブルとグラフである。
【００５７】
図８のように、３回にかけてテストを行った結果、エッチング率の再現性が非常に優秀であると評価された。
【００５８】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１１０    容器
１２０    昇降ユニット
１３０    スピンヘッド        
２００    流体供給ユニット
２１２    第１ノズル
２２２    第２ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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