(57)【要約】【課題】ＥＳＲ（等価直列抵抗）を低減することができる固体電解コンデンサを得る。【解決手段】陽極２と、陽極２の表面上に設けられる誘電体層３と、誘電体層３の上に設けられる固体電解質層４と、固体電解質層４の上に設けられる陰極層６とを備え、陰極層６が、弁作用金属の酸化物からなる酸化物層５ａと、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金からなる金属層５ｂとを有し、酸化物層５ａは、固体電解質層４と金属層５ｂの間において部分的に形成されていることを特徴としている。【選択図】図１
2010245115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、前記陽極の表面上に設けられる誘電体層と、前記誘電体層の上に設けられる固体電解質層と、前記固体電解質層の上に設けられる陰極層とを備え、
前記陰極層が、弁作用金属の酸化物からなる酸化物層と、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金からなる金属層とを有し、
前記酸化物層は、前記固体電解質層と前記金属層の間において部分的に形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記酸化物層を形成する材料の比誘電率が、１０以上であることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記酸化物層が、モリブデン、タングステン、及びバナジウムからなるグループより選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物から形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記固体電解質層が、ポリエチレンジオキシチオフェン及びその誘導体、並びにポリピロール及びその誘導体からなるグループより選ばれる少なくとも１種から形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弁作用金属または弁作用金属を主成分とする合金からなる陽極を用いた固体電解コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び軽量化に伴って、インピーダンスが低く、小型で大容量のコンデンサが要求されるようになっている。固体電解コンデンサに対しても、抵抗成分を極力小さくすることが望まれている。固体電解コンデンサにおける抵抗成分には、１／ωＣ（ω＝２πｆ、ｆは周波数）と、ＥＳＲ（等価直列抵抗）と、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）がある。ＥＳＲは、固体電解コンデンサを構成する、陽極、固体電解質層、及び陰極層の抵抗値及び相互間の接触抵抗の合計である。
【０００３】
固体電解コンデンサの固体電解質層としては、導電性高分子が用いられるようになってきている。導電性高分子の形成方法としては、化学重合法及び電解重合法がある。一般には、電解重合法で形成された導電性高分子の膜は、化学重合法で形成された導電性高分子の膜より導電性に優れ、かつ強固な膜を形成することができる。電解重合法で形成された導電性高分子層を固体電解質層として用いた場合、その表面が平滑になりやすく、その上に形成される陰極層の密着性が悪く、ＥＳＲが増大する原因となる。また、固体電解質層と陰極層との間の接触抵抗は、主に固体電解質層の表面形状、すなわち表面粗さに影響されやすく、ＥＳＲ増大の要因となる。
【０００４】
固体電解コンデンサにおいて、ＥＳＲを低減する方法として、固体電解質層と陰極層との密着性を改善することが行われている。特許文献１においては、固体電解質層の上に、集電体層となる金属層を形成することが提案されている。特許文献２においては、コンデンサ素子に導電性粉末を付着させて電解重合または化学重合により形成する固体電解質層の表面に凹凸を設け、陰極層との密着性を高めることが提案されている。特許文献３においては、電解重合による導電性高分子層の上に、化学重合による導電性高分子層を形成し、陰極層との密着性を高めることが提案されている。
【０００５】
また、コンデンサ素子の耐電圧を向上させ、漏れ電流を抑制させる方法として、特許文献４においては、固体電解質層の表面にアルミナ水和物などを用いて島状の絶縁部を形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−４５００７号公報
【特許文献２】特開平７−９４３６８号公報
【特許文献３】特開２０００−１３３５４９号公報
【特許文献４】特開２００８−１９８６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ＥＳＲを低減することができる固体電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体電解コンデンサは、陽極と、陽極の表面上に設けられる誘電体層と、誘電体層の上に設けられる固体電解質層と、固体電解質層の上に設けられる陰極層とを備え、陰極層が、弁作用金属の酸化物からなる酸化物層と、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金からなる金属層とを有し、酸化物層は、固体電解質層と金属層の間において部分的に形成されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明においては、陰極層が、固体電解質層の表面上を部分的に被覆する酸化物層と、酸化物層の上を被覆するように設けられる金属層とを有している。金属層は、酸化物層が形成されている領域においては、酸化物層の上に設けられ、酸化物層が形成されていない領域においては、固体電解質層の上に設けられる。
【００１０】
本発明に従い、陰極層が、酸化物層と金属層とを有することにより、固体電解質層と陰極層との間の接触抵抗を小さくすることができ、ＥＳＲを低減することができる。
【００１１】
本発明に従い、酸化物層を設けることにより、酸化物層の表面に電荷が蓄積され、固体電解質層と陰極層との間の界面に電界が集中する。この電界集中による電荷注入を促進させることにより、固体電解質層と陰極層との間の接触抵抗を低減することができ、ＥＳＲを小さくすることができると考えられる。
【００１２】
本発明における酸化物層は、弁作用金属の酸化物から形成される。弁作用金属としては、モリブデン、バナジウム、タングステン、チタン、タンタル、ニオブ、ハフニウム、ジルコニウムなどが挙げられる。
【００１３】
本発明における金属層は、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金から形成される。このような金属または合金から金属層を形成することにより、大気中にて自然酸化膜が形成されにくい金属層とすることができる。標準電極電位０Ｖ以上の金属としては、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、水銀（Ｈｇ）などが挙げられる。
【００１４】
本発明における酸化物層を形成する材料の比誘電率は、１０以上であることが好ましい。比誘電率が１０以上である材料を用いて酸化物層を形成することにより、ＥＳＲをさらに低減することができる。
【００１５】
本発明における酸化物層は、モリブデン、タングステン、及びバナジウムからなるグループより選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物から形成されていることが好ましい。これらの金属の酸化物を用いることにより、ＥＳＲをさらに低減することができる。酸化モリブデンの比誘電率は、約３９であり、酸化タングステンの比誘電率は、約４１であり、酸化バナジウムの比誘電率は、約１２である。
【００１６】
本発明において、固体電解質層は、導電性高分子から形成することができる。導電性高分子としては、ポリエチレンジオキシチオフェン及びその誘導体、並びにポリピロール及びその誘導体からなるグループより選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、固体電解質層と陰極層との間の接触抵抗を低減することができ、ＥＳＲを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態の固体電解コンデンサを示す模式的断面図。
【図２】図１に示す実施形態の固体電解コンデンサにおける固体電解質層と陰極層との界面近傍を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を具体的な実施形態により説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態の固体電解コンデンサを示す模式的断面図である。
【００２１】
図１に示すように、陽極２には、陽極リード１が埋設されている。陽極２は、弁作用金属または弁作用金属を主成分とする合金からなる粉末を成形し、この成形体を焼結することにより作製されている。従って、陽極２は、多孔質体から形成されている。図１において図示されていないが、この多孔質体には、その内部から外部に連通する微細な孔が多数形成されている。このように作製された陽極２は、本実施形態において、外形が略直方体になるように作製されている。
【００２２】
陽極２を形成する弁作用金属としては、固体電解コンデンサに用いることができるものであれば、限定されるものではないが、例えば、タンタル、ニオブ、チタン、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、誘電体である酸化物が高温でも比較的安定であるタンタル、ニオブ、アルミニウム、チタンが特に好ましい。また、弁作用金属を主成分とする合金としては、タンタルとニオブ等の２種類以上からなる弁作用金属同士の合金が挙げられる。
【００２３】
陽極２の表面には、誘電体層３が形成されている。誘電体層３は、陽極２の孔の表面にも形成されている。図１においては、陽極２の外周側に形成された誘電体層３を模式的に示しており、上述の多孔質体の孔の表面に形成された誘電体層は図示していない。誘電体層３は、陽極２を陽極酸化などで酸化することにより形成することができる。
【００２４】
誘電体層３の表面には、導電性高分子層からなる固体電解質層４が形成されている。導電性高分子層は、ポリエチレンジオキシチオフェン及びその誘導体、並びにポリピロール及びその誘導体からなるグループより選ばれる少なくとも１種から形成することができる。導電性高分子層は、複数の層から構成してもよい。導電性高分子層からなる固体電解質層４は、陽極２の孔の表面上の誘電体層３の上にも形成されている。
【００２５】
固体電解質層４の上には、弁作用金属の酸化物からなる酸化物層５ａが形成されている。酸化物層５ａは、固体電解質層４の表面上を部分的に被覆するように形成されている。従って、酸化物層５ａは、固体電解質層４の全面上を覆うように設けられていない。図１においては、このような酸化物層５ａを模式的に示している。
【００２６】
酸化物層５ａは、真空中において気相成長法により形成されることが好ましい。具体的には、抵抗加熱、フラッシュ蒸発、アーク蒸発、レーザー加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などの真空蒸着法により形成することができる。また、ＥＣＲやマグネトロンなどのスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法や、レーザーアブレーション法などにより形成してもよい。
【００２７】
酸化物層５ａは、モリブデン、バナジウム、タングステン、チタン、タンタル、ニオブ、ハフニウム、ジルコニウムなどの酸化物から形成することができる。モリブデン、タングステン、バナジウムなどの酸化物から形成する場合、これらの酸化物は、比較的低い温度で昇華するため、抵抗加熱による蒸着法により形成することができる。このため、固体電解質層にダメージを与えることなく形成することができる。
【００２８】
タンタル、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウムなどの酸化物の場合には、電子ビーム加熱法により形成することができる。ニオブの酸化物の場合には、抵抗加熱による蒸着法及び電子ビーム加熱法のいずれでも形成することができる。
【００２９】
酸化物層５ａの膜厚は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍ程度であることが好ましい。膜厚が２０ｎｍより大きくなると、ＥＳＲが高くなったり、静電容量が減少するおそれがある。また、膜厚１ｎｍ未満で再現性よく形成することは一般に困難な場合が多い。酸化物層５ａの膜厚は、例えば、水晶振動子を用いた膜厚計で測定することができ、エリプソメーターなどで求めた膜厚の絶対値と比較して膜厚を決定することができる。
【００３０】
酸化物層５ａの上には、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金からなる金属層５ｂが形成されている。酸化物層５ａは、固体電解質層４の表面上に部分的に形成されているので、酸化物層５ａが形成されている領域においては、酸化物層５ａの上に金属層５ｂが設けられている。また、酸化物層５ａが形成されていない領域においては、固体電解質層４の上に金属層５ｂが形成されている。
【００３１】
標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金から金属層５ｂを形成することにより、酸化物層５ａと金属層５ｂとの間でオーミック接合が形成されているので、ＥＳＲ低減効果を高めることができる。また、金属層５ｂには自然酸化膜が形成されにくいので、ＥＳＲ低減の効果を高めることができる。
【００３２】
金属層５ｂは、標準電極電位０Ｖ以上の金属または該金属の合金から形成することができ、例えば、銀、金などから形成することができる。金属層５ｂの形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱による蒸着法や、フラッシュ蒸発、アーク蒸発、レーザー加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などの真空蒸着法、ＥＣＲやマグネトロンなどのスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザーアブレーション法などにより形成することができる。
【００３３】
金属層５ｂの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の範囲内とすることができる。
【００３４】
金属層５ｂの上には、カーボン層５ｃが形成されている。カーボン層５ｃは、グラファイント等の導電性を有するカーボン粒子を含むカーボンペーストを塗布した後、これを乾燥することにより形成することができる。
【００３５】
カーボン層５ｃの上には、銀層５ｄが形成されている。銀層５ｄは、銀粒子を含有する銀ペーストを塗布した後、これを乾燥することにより形成することができる。
【００３６】
本実施形態において、陰極層６は、酸化物層５ａ、金属層５ｂ、カーボン層５ｃ、及び銀層５ｄから構成されている。
【００３７】
カーボン層５ｃ及び銀層５ｄは、集電性を高めるため設けられる集電層である。集電層としては、必ずしもカーボン層５ｃ及び銀層５ｄの両方を設ける必要はなく、カーボン層５ｃ及び銀層５ｄのいずれか一方のみが形成されているだけでもよい。また、カーボン層５ｃ及び銀層５ｄ以外の集電層が形成されていてもよい。
【００３８】
陰極層６の上には、導電性接着剤層７を介して、陰極端子９が接続されている。また、陽極リード１には、陽極端子８が接続されている。陽極端子８及び陰極端子９の端部が、外部に引き出されるように、モールド外装樹脂１０が形成されている。
【００３９】
以上のようにして、本実施形態の固体電解コンデンサが構成されている。
【００４０】
図２は、図１に示す実施形態の固体電解コンデンサにおける固体電解質層４と陰極層６の界面近傍を拡大して示す模式的断面図である。
【００４１】
図２に示すように、陽極２は、多孔質体であり、内部から外部に連通する孔が形成されている。陽極２の表面には、誘電体層３が形成されている。誘電体層３の上には、固体電解質層４が形成されており、固体電解質層４は、図２に示すように、多孔質体の孔の誘電体層３の上にも形成されている。
【００４２】
固体電解質層４の上には、図２に示すように、固体電解質層４の表面を部分的に覆うように酸化物層５ａが形成されている。酸化物層５ａは、固体電解質層４の表面上において、島状に形成されていてもよい。従って、酸化物層５ａが形成されている領域が島状であってもよい。また、逆に、酸化物層５ａが形成されていない領域が島状であり、酸化物層５ａがその周りにおいて連続して形成されていてもよい。
【００４３】
酸化物層５ａの上には、直接金属層５ｂが形成されている。酸化物層５ａは上述のように、部分的に形成されているので、酸化物層５ａが形成されている領域においては、酸化物層５ａの上に、直接金属層５ｂが形成されている。また、酸化物層５ａが形成されていない領域においては、固体電解質層４の上に直接金属層５ｂが形成されている。
【００４４】
金属層５ｂの上には、カーボン層５ｃ及び銀層５ｄがこの順で形成されている。
【００４５】
本発明においては、酸化物層５ａが固体電解質層４の表面を部分的に覆うように設けられている。酸化物層５ａは、弁作用金属の酸化物から形成されているので、その表面には、電荷が蓄積され、界面に電界が集中する。電界が集中することにより、電荷注入を促進させることができ、金属層５ｂと固体電解質層４の間の界面の間の接触抵抗を低減することができる。その結果として、ＥＳＲを小さくすることができると考えられる。高周波を印加する場合においても、多少低減率が小さくなるものの、ＥＳＲを低減することができる。
【００４６】
従って、本発明によれば、陰極層６と固体電解質層４との間の接触抵抗を低減することができ、ＥＳＲを大幅に低減することができる。
【００４７】
本実施形態において、固体電解質層４は、導電性高分子から形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、二酸化マンガン等の他の材料から形成されていてもよい。
【００４８】
また、本実施形態においては、陽極２は、弁作用金属の粉末を焼結した多孔質体から形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、箔状の基体から形成されていてもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、具体的な実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
（実施例１）
＜ステップ１＞
平均粒子径約２μｍのタンタル粉末を用い、タンタルからなるリード線を埋設させた成形体を作製し、この成形体を焼結することにより、タンタルからなる陽極リードを埋設させた多孔質焼結体からなる陽極を作製した。この陽極を、約６０℃に保持した約０．１重量％のリン酸水溶液中で、約８Ｖの定電圧で、約１０時間陽極酸化して、陽極の表面に誘電体層を形成した。
【００５１】
＜ステップ２＞
ステップ１で作製した陽極２上の誘電体層の表面上に、化学重合法及び電解重合法により、ポリピロール（Ｐｐｙ）からなる固体電解質層を形成した。
【００５２】
＜ステップ３＞
次に、固体電解質層の上に抵抗加熱蒸着法により、１０−５Ｐａ程度の真空中で、酸化モリブデンを１ｎｍの膜厚となるように蒸着し、酸化物層を形成した。次に、抵抗加熱蒸着法により銀を１００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、金属層を形成した。
【００５３】
金属層の上にカーボンペーストを塗布し、塗布後乾燥することにより、カーボン層を形成した。また、カーボン層の上に、銀ペースト層を塗布し、塗布後乾燥することにより、銀層を形成した。
【００５４】
銀層の上に導電性接着剤層を介して、陰極端子を接着するとともに、陽極リードに陽極端子を接続し、その後モールド外装樹脂を被覆して、固体電解コンデンサを作製した。
【００５５】
（実施例２）
酸化物層の膜厚を５ｎｍとする以外は、上記実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００５６】
（実施例３）
酸化物層の膜厚を２０ｎｍとする以外は、上記実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００５７】
（実施例４）
酸化物層の膜厚を１０ｎｍとする以外は、上記実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００５８】
（実施例５）
金属層を、抵抗加熱法による蒸着によって、膜厚１００ｎｍとなるように金から形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００５９】
（実施例６）
酸化物層を、膜厚１０ｎｍの酸化タングステンから形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６０】
（実施例７）
酸化物層を、膜厚１０ｎｍの酸化バナジウムから形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６１】
（実施例８）
カーボン層を形成せずに、金属層の上に、直接銀層を形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６２】
（比較例１）
酸化物層及び金属層を形成せずに、固体電解質層の上に、カーボン層及び銀層を形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６３】
（比較例２）
酸化物層を形成せずに、固体電解質層の上に金属層、カーボン層及び銀層を形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６４】
（比較例３）
金属層を形成せずに、酸化物層の上にカーボン層及び銀層を形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６５】
（比較例４）
酸化物層の膜厚を５０ｎｍとする以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。なお、膜厚５０ｎｍで形成した酸化物層は、固体電解質層の全面を被覆するように形成されている。
【００６６】
（比較例５）
金属層として、標準電極電位が−１．６８Ｖであるアルミニウムを膜厚を１００ｎｍで形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６７】
（比較例７）
酸化物層を、膜厚１０ｎｍの酸化アルミニウムから形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６８】
（比較例６）
酸化物層、カーボン層、及び銀層を形成せずに、固体電解質層の上に金属層を形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００６９】
〔ＥＳＲ及び静電容量の測定〕
上記各固体電解コンデンサについて、周波数１００ｋＨｚでのＥＳＲと、周波数１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃｐ）をＬＣＲメーターで測定した。測定結果を表１に示す。
【００７０】
表１に示すＥＳＲ及び静電容量（Ｃｐ）の値は、比較例１のＥＳＲの値及びＣｐの値を１００とした指数である。
【００７１】
【表１】
2010245115.tif 000003
【００７２】
表１に示すように、本発明に従う実施例１〜８の固体電解コンデンサは、酸化物層及び金属層を設けていない比較例１の固体電解コンデンサに比べ、ＥＳＲが低減されていることがわかる。
【００７３】
実施例１〜４から明らかなように、酸化物層の膜厚が１ｎｍ〜２０ｎｍである範囲では、ＥＳＲ低減の効果が認められている。このような膜厚の範囲においては、酸化物層は、固体電解質層の表面上を部分的に被覆するように形成されている。
【００７４】
これに対し、酸化物層の膜厚を５０ｎｍにした比較例４においては、ＥＳＲ低減の効果が認められていない。膜厚５０ｎｍで酸化物を形成することにより、酸化物層が固体電解質層の全面を被覆している。このため、金属層が固体電解質層と接する領域が存在せず、固体電解質層と陰極層の接触抵抗が高くなったため、ＥＳＲが増大しているものと思われる。
【００７５】
実施例５に示すように、金属層として金を用いた場合にも、ＥＳＲ低減の効果が得られている。
【００７６】
また、実施例６及び７に示すように、酸化物層として、酸化タングステンまたは酸化バナジウムを形成した場合にも、ＥＳＲ低減の効果が得られている。
【００７７】
また、実施例８に示すように、カーボン層を形成せずに、金属層の上に直接銀層を形成した場合にも、ＥＳＲ低減の効果が得られている。
【００７８】
比較例２から明らかなように、酸化物層を形成せずに、金属層を形成した場合には、ＥＳＲの低減の効果が得られていない。
【００７９】
また、比較例３から明らかなように、金属層を形成せずに、酸化物層のみを形成した場合にも、ＥＳＲ低減の効果は得られていない。
【００８０】
これは、金属層と酸化物層との間でオーミック接合が形成されている実施例（特に、比較例３と同じ酸化物層の厚みをもつ実施例４）と比べ、比較例３では酸化物層上に直接カーボンペーストによりカーボン層を形成しているので、良好なオーミック接合が形成されず、接触抵抗を低減できなかったと考えられる。
【００８１】
比較例５から明らかなように、標準電極電位が０Ｖ未満の金属層としてアルミニウムを形成した場合にも、ＥＳＲ低減の効果が得られていない。
【００８２】
また、比較例６から明らかなように、酸化物層、カーボン層、及び銀層を形成しない場合、ＥＳＲ低減の効果は得られていない。
【００８３】
（実施例９）
固体電解質層として、ポリピロール（Ｐｐｙ）に代えて、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）を化学重法及び電解重合法により形成する以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００８４】
（比較例８）
酸化物層及び金属層を形成せずに、固体電解質層の上に、カーボン層及び銀層を形成する以外は、実施例９と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００８５】
〔ＥＳＲ及び静電容量の測定〕
上記と同様にして、実施例９及び比較例７の固体電解コンデンサのＥＳＲ及び静電容量を測定し、測定結果を表２に示した。
【００８６】
表２に示すＥＳＲ及びＣｐの値は、比較例７のＥＳＲの値及びＣｐの値を１００とした指数である。
【００８７】
【表２】
2010245115.tif 000004
【００８８】
表２に示すように、固体電解質をＰＥＤＯＴから形成した場合においても、本発明に従い酸化物層及び金属層を設けることにより、ＥＳＲを低減できることがわかる。
【００８９】
比誘電率が約１２である酸化バナジウムを酸化物層として用いた実施例７においては、ＥＳＲの低減率が約４％である。また、比誘電率が約３９である酸化物モリブデンを酸化物層として用いた実施例４においては、ＥＳＲの低減率が約１５％である。また、比誘電率が約４１である酸化タングステンを酸化物層として用いた実施例６においては、ＥＳＲの低減率が約１０％である。これに対し、比誘電率が約９である酸化アルミニウムを用いて酸化物層を形成した比較例７においては、ＥＳＲが増大しており、ＥＳＲ低減の効果は認められなかった。これらのことから、酸化物層を形成する材料の比誘電率は１０以上が好ましいことがわかる。
【００９０】
〔漏れ電流の測定〕
上記各実施例及び各比較例の固体電解コンデンサについて、漏れ電流を測定した。漏れ電流は、２．５Ｖを印加し、２０秒経過後の電流を測定した。いずれの場合も、５％の範囲で電流値が変化するに留まり、実施例及び比較例による漏れ電流において大きな違いはなかった。
【符号の説明】
【００９１】
１…陽極リード
２…陽極
３…誘電体層
４…固体電解質層
５ａ…酸化物層
５ｂ…金属層
５ｃ…カーボン層
５ｄ…銀層
６…陰極層
７…導電性接着剤層
８…陽極端子
９…陰極端子
１０…モールド外装樹脂
【図１】
2010245115.tif 000005
【図２】
2010245115.tif 000006