(57)【要約】【課題】蓄積部の遮光性を高める。【解決手段】半導体基板の内部に、行列状に配列されたフォトダイオードと、フォトダイオードにより生成された電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送路と、垂直転送路から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、蓄積部に一時的に蓄積されている電荷を読み出して水平方向に転送する水平転送路とが形成されており、半導体基板の上部に、蓄積部の全域を覆う、黒色の色材を含有する有機膜１１９が形成されている。【選択図】図２
2010040833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の内部に、行列状に配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードにより生成された電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送路と、前記垂直転送路から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に一時的に蓄積されている電荷を読み出して水平方向に転送する水平転送路とが形成されており、
前記半導体基板の上部に、前記蓄積部の全域を覆う、少なくとも赤色波長域の光を遮蔽する非導電性の遮光膜が形成されていること
を特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記非導電性の遮光膜は、黒色の色材を含有する有機膜から構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜から構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜と赤色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜と、緑色の色材を含有する有機膜と、赤色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記半導体基板の上部における前記フォトダイオードが行列状に配列された領域に対応する領域にはカラーフィルタ膜が形成されており、
前記非導電性の遮光膜は、前記カラーフィルタ膜と同じ階層に存し、
前記非導電性の遮光膜の構成材料と前記カラーフィルタ膜の構成材料とが一部共通すること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記カラーフィルタ膜は前記フォトダイオードに対応する領域毎に区画され、各区画は、赤色、緑色、青色の中から選択された何れかの色材を含有する有機膜から構成されており、
前記非導電性の遮光膜は、赤色の色材を含有する有機膜と青色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記カラーフィルタ膜は前記フォトダイオードに対応する領域毎に区画され、各区画は、赤色、緑色、青色の中から選択された何れかの色材を含有する有機膜から構成されており、
前記非導電性の遮光膜は、赤色の色材を含有する有機膜と緑色の色材を含有する有機膜と青色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れかに記載の固体撮像装置を備えたカメラ。
【請求項１０】
半導体基板の内部に、行列状に配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードにより生成された電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送路と、前記垂直転送路から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に一時的に蓄積されている電荷を読み出して水平方向に転送する水平転送路とを形成し、
前記半導体基板の上部に、前記蓄積部の全域を覆う、少なくとも赤色波長域の光を遮蔽する非導電性の遮光膜を形成すること
を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記非導電性の遮光膜は、黒色の色材を含有する有機膜から構成されていること
を特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜から構成されていること
を特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜と赤色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記非導電性の遮光膜は、青色の色材を含有する有機膜と、緑色の色材を含有する有機膜と、赤色の色材を含有する有機膜との積層膜であること
を特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラに用いられる固体撮像装置に関し、特に、高輝度の光が入射した際の光の漏れ込みによる画像ノイズ（スミア）を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＣＤ型の固体撮像装置では、静止画モードおよび動画モードの両方の撮影モードをサポートする仕様が広く採用されている。通常、動画は静止画に比べて必要な画素数が少ないので、動画モードの場合には所定画素数単位で画素の信号電荷が混合されて出力される。このような画素混合でも、特に水平方向の画素混合を行うために、固体撮像装置には、画素領域と水平転送路との間に信号電荷を一時的に蓄積する蓄積部が設けられている。
【０００３】
蓄積部は、画素領域から行単位で転送されてきた信号電荷を一時的に蓄積し、列毎に異なるタイミングで、蓄積されている信号電荷を水平転送路に転送するものである。これにより、水平転送路を水平方向に転送されてきた信号電荷と、蓄積部から水平転送路に転送された信号電荷とを、水平転送路中において混合することができる。このように蓄積部では、列毎に異なる転送制御を行う必要があるので、列毎に個別のゲート電極が設けられ、各ゲート電極には異なる配線を通じて異なる制御信号が入力される。
【０００４】
ところで、上記画素領域、蓄積部、水平転送路等は、半導体基板の内部に設けられている。半導体基板は、光が入射すれば電荷を生成する特性をもつので、原則として有効画素領域以外の領域については遮光する必要がある。上記蓄積部においても、半導体基板の上部の第１配線層に設けられた複数の配線、および、それよりも上部の第２配線層に設けられた複数の配線のそれぞれの配置を工夫することにより、半導体基板の遮光を行うこととしている。
【特許文献１】特開平１０−２８５４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、各配線層の配線の配置を工夫することにより、ある程度は蓄積部の遮光を実施することができる。しかしながら、蓄積部では、水平方向にも垂直方向にも隣接するゲート電極には互いに異なる制御信号を入力する必要があるため、水平方向の配線も垂直方向の配線も必要となる。したがって、各配線層の配線の配置をどのように工夫しても、遮光できない場合がある。また、第１配線層および第２配線層は層間絶縁膜を介在して厚み方向に離間しているので、斜め光が入り込んで蓄積部に達する場合もある。このように蓄積部の遮光性が弱い特定の領域に光が入射すれば、高輝度の光が入射した際の光の漏れ込みによる画像ノイズ（スミア）が生じるおそれがある。近年、スミア低減に対する要望も厳しくなり、有効画素だけでなく蓄積部に起因するスミアも改善が必要となっている。なお、スミアの発生に関しては、次の理由により、可視光波長域の中でも赤色波長域の光が特に問題視されている。可視光波長域の光の中では赤色の光が緑色や青色の光に比較して半導体基板への侵入深さが深い。そのため赤色の光は半導体基板の内部でも比較的深い領域で光電変換される。このような深い領域で生成された電荷は、半導体基板の上部に配された電極からのコントロールが及び難く、隣接する列に漏れ出しやすい。すなわち、光の漏れ込みによるスミアが発生しやすい。
【０００６】
上記のスミアを低減する対策として蓄積部の上部に金属製の遮光膜を配置することが考えられる。しかしながら、金属製の遮光膜を配置した場合、ＤＣ耐圧が課題になるほか、金属製の遮光膜と各配線層の配線との間の寄生容量により、制御信号のパルス立ち上がり時間および立ち下がり時間が大きくなるという課題が生じる。
そこで、本発明は、ＤＣ耐圧の問題や制御信号の鈍りの問題がなく、かつ、蓄積部の遮光性を高めることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板の内部に、行列状に配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードにより生成された電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送路と、前記垂直転送路から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に一時的に蓄積されている電荷を読み出して水平方向に転送する水平転送路とが形成されており、前記半導体基板の上部に、前記蓄積部の全域を覆う、少なくとも赤色波長域の光を遮蔽する非導電性の遮光膜が形成されている。
【０００８】
本発明に係るカメラは、上記固体撮像装置を備える。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の内部に、行列状に配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードにより生成された電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送路と、前記垂直転送路から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に一時的に蓄積されている電荷を読み出して水平方向に転送する水平転送路とを形成し、前記半導体基板の上部に、前記蓄積部の全域を覆う、少なくとも赤色波長域の光を遮蔽する非導電性の遮光膜を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成によれば、蓄積部の全域を覆う遮光膜が形成されるので、各配線層の配線だけで遮光する場合に比べて遮光性を高めることができる。なお、上記遮光膜は非導電性なので、ＤＣ耐圧の問題や制御信号の鈍りの問題が生じることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（第１実施形態）
＜構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の概念図である。
固体撮像装置は、有効画素部１００、オプティカルブラック画素部１０１（以下、「ＯＢ画素部」という）、蓄積部１０２、水平転送部１０３および出力アンプ部１０４を備える。有効画素部１００およびＯＢ画素部１０１では、半導体基板であるシリコン基板の内部に、複数のフォトダイオードが行列状に形成されていると共に、各列のフォトダイオード間にひとつずつ垂直転送路が形成されている。蓄積部１０２では、シリコン基板の内部に、複数の単位蓄積部が行列状に形成されている。各列の単位蓄積部は、対応する列の垂直転送路の末端に隣接して配置される。水平転送部１０３では、シリコン基板の内部に水平転送路が形成されている。水平転送路は、複数の単位蓄積部のうちの電荷転送方向最下流に位置する各列の単位蓄積部に隣接して配置される。出力アンプ部１０４では、シリコン基板の内部に、水平転送路の末端に隣接して信号電荷を信号電圧に変換するためのフローティングディフュージョン等が形成されている。図１および上記説明の通り、本明細書では、蓄積部１０２とはＯＢ画素部１０１と水平転送部１０３とに挟まれた領域を指すこととする。
【００１１】
固体撮像装置は、第１ゲート電極層、第２ゲート電極層、第１配線層、第２配線層、および、カラーフィルタ層がシリコン基板の上部に積層された積層構造を有している。図２乃至図６は、図１の領域１１における上記各層を上面（シリコン基板に垂直な方向）から観察したときの図である。図２はカラーフィルタ層、図３は第２配線層、図４は第１配線層、図５は第２ゲート電極層、図６は第１ゲート電極層をそれぞれ上面から観察した図である。
【００１２】
図２に示すように、ＯＢ画素部１０１の上部には、赤フィルタ１１６、緑フィルタ１１７、青フィルタ１１８の各カラーフィルタがベイヤ配列で配列されている。また、蓄積部１０２の上部（カラーフィルタと同じ階層）には、黒フィルタ１１９が配置されている。黒フィルタ１１９は、黒色の色材（例えば、顔料や染料）を含有した有機膜で構成されている。黒色の色材としては、例えば、カーボンを主成分とする顔料などが挙げられる。有機膜の素材としては、例えば、アクリル樹脂などの透光性樹脂が挙げられる。図２では、蓄積部１０２の上部の一部領域しか現れていないが、黒フィルタ１１９は蓄積部１０２の全域を覆うように形成されているものとする。
【００１３】
図３乃至図６に示すように、蓄積部１０２の上部には、第１ゲート電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ・・・１１０ｋ、第２ゲート電極１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ・・・１１１ｓ、第１配線１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ・・・１０７ｆ、第２配線１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃ・・・１０９ｆが形成されていると共に、第２ゲート電極と第２配線とを電気的に接続するためのプラグ１０８が適宜形成されている。図３に示すように、蓄積部１０２の上部は、第２配線が垂直方向に延在する領域１０５と、第２配線が水平方向に延在する領域１０６とから構成される。領域１０５では、第１配線間の隙間を覆うように第２配線が配設されている。領域１０６では、図５に示すように第２ゲート電極１１１ｊ，１１１ｋ，１１１ｌ・・・１１１ｓが島状に配置されている。図３に示すように、これらの島状のゲート電極にそれぞれ制御信号を入力するため、第２配線１０９ａ，１０９ｄ，１０９ｆ，１０９ｅが水平方向に並設されている。なお、図３中、参照符号に括弧書きで付記されたＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１Ｌ，Ｖ１Ｒ，Ｖ３Ｌ，Ｖ３Ｒは、配線あるいはゲート電極に入力される制御信号の種別を示し、互いに位相あるいはパルス波形が異なる。
【００１４】
図８は、第１および第２ゲート電極に入力される制御信号のパターンを示す図である。図８（ａ）は、有効画素部１００、ＯＢ画素部１０１、蓄積部１０２中の領域１０５におけるゲート電極および制御信号を示し、図８（ｂ）は、蓄積部１０２中の領域１０６におけるゲート電極および制御信号を示す。
図７は、図２乃至図６に示したＡ−Ａ’断面およびＢ−Ｂ’断面を示す図である。図７（ａ）はＡ−Ａ’断面を示し、図７（ｂ）はＢ−Ｂ’断面を示している。図７中の領域１２，１３は、それぞれ図３中の領域１２，１３に対応する。
【００１５】
シリコン基板１２１の上部には、第２ゲート電極１１１、第１配線１０７、第２配線１０９、黒フィルタ１１９が絶縁膜１１２を介して形成されており、黒フィルタ１１９の上部には平坦膜１１４が形成されている。入射光１２０は、黒フィルタ１１９に吸収または反射されるので、シリコン基板１２１まで到達しない。
図９は、従来の固体撮像装置の断面を示す図である。図９（ａ），（ｂ）は、それぞれ図７（ａ），（ｂ）に対応する。従来の固体撮像装置では、蓄積部１０２の上部には有効画素部と同様のカラーフィルタが形成されている。そのため、入射光１２０は、カラーフィルタを通じて透過し、シリコン基板１２１に到達する。
【００１６】
このように、本実施形態では、蓄積部１０２の上部のカラーフィルタ層に黒フィルタ１１９が設けられるので、従来よりも蓄積部１０２の遮光性を高めることができる。
なお、本実施形態では、有効画素部１００の構成については従来と同様である。図１０に有効画素部１００を上部から観察した図を示し、図１１に図１０の有効画素部の断面（Ｃ−Ｃ’断面）を示す。
＜製造工程＞
以下に、本実施形態の固体撮像装置の製造工程を説明する。
【００１７】
図１２乃至図２３は、本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図である。各図の（ａ）はＡ−Ａ’断面を示し、（ｂ）はＢ−Ｂ’断面を示し、（ｃ）はＣ−Ｃ’断面を示している。
まず、シリコン基板１２１の上部に第１ゲート電極層、第２ゲート電極層、第１配線層および第２配線層を形成する（図１２）。各層の層間には絶縁膜１１２が形成される。
【００１８】
次に、絶縁膜１１２上に、黒色の色材を含有する有機材料を０．３〜１．５μｍの厚みに塗布して、有機膜２１９を成膜する（図１３）。
次に、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像することで、蓄積部１０２の上部の有機膜２１９を残存させ、有効画素部１００およびＯＢ画素部１０１（以下、これらを合わせて「画素部」という）の上部の有機膜２１９を除去する（図１４）。この有機膜２１９が黒フィルタ１１９に相当する。
【００１９】
次に、絶縁膜１１２上に、赤色の色材を含有する有機材料を０．３〜１．５μｍの厚みに塗布して、有機膜２１６を成膜する（図１５）。
次に、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像することで、画素部の上部の有機膜２１６の特定部分を残存させ、その余の有機膜２１６を除去する（図１６）。この有機膜２１６が赤フィルタ１１６に相当する。
【００２０】
次に、絶縁膜１１２上に、緑色の色材を含有する有機材料を０．３〜１．５μｍの厚みに塗布して、有機膜２１７を成膜する（図１７）。
次に、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像することで、画素部の上部の有機膜２１７の特定部分を残存させ、その余の有機膜２１７を除去する（図１８）。この有機膜２１７が緑フィルタ１１７に相当する。
【００２１】
次に、赤フィルタ１１６や緑フィルタ１１７と同様に、青フィルタ１１８を形成する。
次に、カラーフィルタ層上に透明材料を０．１〜５μｍの厚みに塗布し、場合によってはエッチバックして、平坦膜２１４を形成する（図１９）。
次に、平坦膜２１４上に、マイクロレンズレジスト２１５を０．３〜３μｍの厚みに塗布し（図２０）、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像し（図２１）、熱フローし（図２２）、紫外線でブリーチングする（図２３）。
【００２２】
上記工程により、本実施形態の固体撮像装置を製造することができる。なお、カラーフィルタの形成は、黒、赤、緑、青の順番で実施しているが、この順番は任意に変更可能である。
（第２実施形態）
第２実施形態では、蓄積部１０２の上部（カラーフィルタと同じ階層）には、赤フィルタと青フィルタとの積層膜が配置されている。赤フィルタは赤色波長域の光を透過し、それ以外の波長域の光を遮蔽するものである。青フィルタは青色波長域の光を透過し、それ以外の波長域の光を遮蔽するものである。赤フィルタと青フィルタとを積層すれば、理想的には可視光波長域の光を遮蔽することができる。以下に、本実施形態の固体撮像装置の製造工程を説明する。
【００２３】
図２４乃至図３４は、本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図である。
絶縁膜１１２上に、赤色の色材を含有する有機材料を０．３〜１．５μｍの厚みに塗布して、有機膜３１６を成膜する（図２４）。
次に、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像することで、蓄積部１０２の上部の有機膜３１６および画素部の上部の有機膜３１６の特定領域を残存させ、その余の有機膜３１６を除去する（図２５）。この有機膜３１６が赤フィルタ１１６に相当する。
【００２４】
次に、赤フィルタと同様に緑フィルタを形成する（図２６、図２７）。
次に、絶縁膜１１２上に、青色の色材を含有する有機材料を０．３〜１．５μｍの厚みに塗布して、有機膜３１８を成膜する（図２８）。
次に、フォトマスクを用いて選択的に露光し、現像することで、蓄積部１０２の上部の有機膜３１８および画素部の上部の有機膜３１８の特定領域を残存させ、その余の有機膜３１８を除去する（図２９）。この有機膜３１８が青フィルタ１１８に相当する。これにより、蓄積部１０２の上部には、赤フィルタ１１６と青フィルタ１１８との積層膜が形成されたことになる。
【００２５】
このあとは、第１実施形態と同様に、平坦膜３１４を成膜し（図３０）、その上にマイクロレンズを形成する（図３１，３２，３３，３４）。なお、平坦膜３１４を成膜するとき、画素部の上部のカラーフィルタと蓄積部１０２の上部の積層膜とで段差が生じているので、平坦化材料の塗布回数を増やす（２層以上として、１層当たりの膜厚を段差の１／２以上とする）などして、平坦性を確保することが望ましい。
【００２６】
上記工程により、本実施形態の固体撮像装置を製造することができる。第２実施形態では、赤フィルタと青フィルタとの積層膜を遮光膜としているので、黒フィルタを遮光膜とする場合に比べて、色材の種類を少なくすることができ、製造工程における材料管理を簡易にすることができる。また、第２実施形態では、画素部の上部のカラーフィルタと蓄積部の上部の遮光膜とを共通の工程で形成しているので、製造工程の工数を削減することができる。
（第３実施形態）
第３実施形態では、蓄積部１０２の上部（カラーフィルタと同じ階層）には、赤フィルタと緑フィルタと青フィルタとの積層膜が配置されている。赤フィルタと緑フィルタと青フィルタとを積層すれば、理想的には可視光波長域の光を遮蔽することができる。以下に、本実施形態の固体撮像装置の製造工程を説明する。
【００２７】
図３５乃至図４４は、本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図である。本実施の形態でも、画素部の上部の有機膜４１６，４１７，４１８の形成と共通の工程で、蓄積部１０２の上部の有機膜４１６，４１７，４１８を積層していく（図３５〜４０）。有機膜４１６，４１７，４１８は、それぞれ赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタに相当する。本実施形態では、蓄積部１０２の上部の有機膜４１７を残存する点で第２実施形態と異なる。このあと、第２実施形態と同様に、平坦膜４１４を成膜し（図４１）、その上にマイクロレンズを形成する（図４２，４３，４４，４５）。
【００２８】
上記工程により、本実施形態の固体撮像装置を製造することができる。第３実施形態では、赤フィルタと緑フィルタと青フィルタとの積層膜を遮光膜としているので、赤フィルタと青フィルタとの積層膜を遮光膜とする場合に比べて、遮光性を高めることができる。
以上、本発明に係る固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
【００２９】
実施形態では、蓄積部の上部に可視光波長域の光を遮蔽する遮光膜を設けているが、スミアの低減のみを考慮するのであれば、少なくとも赤色波長域の光を遮蔽すればよい。具体的には、第１実施形態の黒フィルタに代えて、青フィルタ（青色の色材を含有する有機膜）を採用することとしてもよい。青フィルタを遮光膜として利用すれば、赤色波長域の光を遮蔽することができると共に、画素部の上部の青フィルタを形成する工程と共通の工程で形成することができる。
【００３０】
実施形態では、色材を含有した有機膜を遮光膜として利用しているが、本発明は、これに限られない。例えば、可視光波長域を反射帯域とする誘電体多層膜を遮光膜として利用することもできる。誘電体多層膜は、二酸化シリコンや二酸化チタンなどの非導電性の材料から構成されるので、同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、デジタルカメラ等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の概念図
【図２】図１の領域１１におけるカラーフィルタ層を上面から観察したときの図
【図３】図１の領域１１における第２配線層を上面から観察したときの図
【図４】図１の領域１１における第１配線層を上面から観察したときの図
【図５】図１の領域１１における第２ゲート電極層を上面から観察したときの図
【図６】図１の領域１１における第１ゲート電極層を上面から観察したときの図
【図７】図２乃至図６に示したＡ−Ａ’断面およびＢ−Ｂ’断面を示す図
【図８】第１および第２ゲート電極に入力される制御信号のパターンを示す図
【図９】従来の固体撮像装置の断面を示す図
【図１０】有効画素部１００を上部から観察した図
【図１１】図１０の有効画素部のＣ−Ｃ’断面を示す図
【図１２】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１３】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１４】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１５】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１６】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１７】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１８】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図１９】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２０】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２１】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２２】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２３】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２４】本発明の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２５】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２６】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２７】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２８】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図２９】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３０】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３１】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３２】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３３】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３４】本発明の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３５】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３６】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３７】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３８】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図３９】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４０】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４１】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４２】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４３】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４４】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【図４５】本発明の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図
【符号の説明】
【００３３】
１００    有効画素部
１０１    オプティカルブラック画素部（ＯＢ画素部）
１０２    蓄積部
１０３    水平転送部
１０４    出力アンプ部
１０５    第２配線が垂直方向に延在する領域１０５
１０６    第２配線が水平方向に延在する領域１０６
１０７    第１配線
１０８    プラグ
１０９    第２配線
１１０    第１ゲート電極
１１１    第２ゲート電極
１１２    絶縁膜
１１４、２１４、３１４、４１４    平坦膜
１１６    赤フィルタ
１１７    緑フィルタ
１１８    青フィルタ
１１９    黒フィルタ
１２０    入射光
１２１    シリコン基板
２１５、３１５、４１５    マイクロレンズレジスト
２１６、３１６、４１６    赤色の色材を含有した有機膜
２１７、３１７、４１７    緑色の色材を含有した有機膜
３１８、４１８    青色の色材を含有した有機膜
２１９    黒色の色材を含有した有機膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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