(57)【要約】【課題】簡易な処理にて基板の変形に応じた描画データの補正処理を行える直接描画装置を提供する。【解決手段】ベクター形式のパターンデータから変換されたラスター形式の初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を、複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、複数のメッシュ領域の各々について、描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成しておく。描画時には、描画対象とされる基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、複数のメッシュ領域を基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定し、複数のメッシュ領域を特定された配置位置に再配置させた状態で、分割描画データにおいて複数のメッシュ領域と関連づけられている描画内容を合成し、一の描画データを生成する。【選択図】図１
2010204421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置であって、
描画対象とされる基板を載置するためのステージと、
前記ステージに載置された前記基板の被描画面を撮像する撮像手段と、
ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する生成する変換手段と、
前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割手段と、
前記撮像手段が前記基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、前記基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定手段と、
前記複数のメッシュ領域を前記位置特定手段によって特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成手段と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
請求項１に記載の描画装置であって、
前記データ分割手段が、
前記露光用光により画像を形成する際の露光分解能と、
あらかじめ特定された、前記基板に対し画像を形成する際に許容される最大の変形度合いと、
に基づいて定まる分割サイズに従って、前記描画領域を分割する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項３】
請求項２に記載の描画装置であって、
前記描画領域が矩形領域として定められ、
前記基板に許容される最大の変形度合いが、前記矩形領域の辺について許容される最大の傾斜を示す情報により特定される、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項４】
請求項１に記載の描画装置であって、
前記データ分割手段が、
分割サイズが異なる複数の分割態様にて前記描画領域を前記複数のメッシュ領域に分割し、
前記分割サイズと前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成し、
前記配置位置特定手段は、
前記基板に設けられたアライメントマークの位置から特定される、前記描画領域についての所定の部分領域ごとの変位レベルに応じて、前記部分領域において再配置に利用する前記分割態様を特定したうえで、前記部分領域ごとに前記複数のメッシュ領域を再配置する際の配置位置を特定する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の描画装置であって、
前記データ分割手段は、前記複数のメッシュ領域のそれぞれが、隣接するメッシュ領域とオーバーラップするように、前記描画領域を前記複数のメッシュ領域に仮想的に分割する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項６】
光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置用のデータ処理装置であって、
ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する生成する変換手段と、
前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割手段と、
描画対象とされる基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、前記基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定手段と、
前記複数のメッシュ領域を前記位置特定手段によって特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成手段と、
を備えることを特徴とする描画装置用のデータ処理装置。
【請求項７】
光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置用の描画データを生成する方法であって、
ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する生成する変換工程と、
前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割工程と、
描画対象とされる基板を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程において得られる撮像画像から、前記基板に設けられたアライメントマークの位置を特定するアライメントマーク位置特定工程と、
前記アライメントマーク位置特定工程における特定結果に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定工程と、
前記複数のメッシュ領域を前記位置特定工程において特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成工程と、
を備えることを特徴とする描画装置用の描画データ生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板、半導体基板、液晶基板などを描画対象とする直接描画装置に関し、特に、特に、描画時に描画データに対して行う補正処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光などの露光用光を走査しつつ照射することによってプリント基板、半導体基板、液晶基板などの描画対象（以下、単に基板とも称する）に局所的な露光を連続的に行うことにより、所望の回路パターンを描画する直接描画装置（直描装置）が、従来より公知である。
【０００３】
直描装置による回路パターンの描画は、回路パターンの設計データから変換された、直描装置が処理可能な記述形式を有するデータである描画データに従って行われる。ただし、上述のような基板においては、そり、ゆがみや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じていることがあるものの、設計データは、通常、これらの変形を考慮せずに作成されているため、変換された描画データをそのまま用いて回路パターンを描画したとしても、十分な描画品質が得られず、歩留まりを向上させることができない。そのため、直描装置による描画は、あらかじめ描画対象たる基板の形状を測定しておき、得られた測定結果を制御因子に加えて露光用光の照射機構の動作を制御するか、該測定結果に基づいて描画データ自体を補正し、補正後の描画データを用いることによって行われる。
【０００４】
前者の場合、例えば、露光用光の走査時に、走査方向前方における基板の形状が測定され、露光処理時の光源の移動動作や基板を保持するテーブルの移動動作が、斯かる測定結果に従って制御される。
【０００５】
また、後者を実現する補正処理には種々のものが知られている。例えば、四角形の分割領域を単位として、該分割領域内の全ての画素の座標をＦＦＤ（Free Form Deformation）法やアフィン変換などによって変換することにより描画データを補正する処理が、すでに公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
あるいは、多面付けされる複数のパターンの位置決めを、それぞれのパターンについての位置決め座標に基づいて個別に行い、個々のパターンごとに描画データの補正を行う態様も公知である（例えば、特許文献２および特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３７９１１号公報
【特許文献２】特開２００５−３００６２８号公報
【特許文献３】特開２０００−１２２３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
基板の形状測定結果を制御因子として露光用光の照射機構の動作を制御する態様は、描画対象全体の一様な歪やそりに対しては有効ではある。しかしながら、基板に不規則な変形がある場合には、好適な動作制御が困難であることがあるほか、制御ができたとしても描画速度を落とす必要が生じるなどの問題がある。
【０００９】
また、直描装置がデバイス製造工程などにおいてインラインで用いられ、複数の基板に対して連続的に描画が行われるような場合、直描装置が位置決め座標を取得してから描画動作を開始するまでの待ち時間をできるだけ短縮することが求められる。特に、形状測定結果に基づいて描画データ自体を補正する処理は、この待ち時間を増大させる処理であるので、斯かる補正処理は、できるだけ短時間で行えることが求められる。
【００１０】
この点に関し、特許文献１に開示されている方法の場合、分割領域内の全ての画素の座標を対象に、複雑な演算処理を行うので、座標点の多い描画データ（例えば、描画サイズの大きい回路パターンを表現する画像データや、微小複雑な回路パターンを表現する描画データ）の場合、座標変換のための演算処理に時間を要してしまうという問題がある。
【００１１】
また、特許文献２および特許文献３に開示されている方法の場合も、それぞれの位置決め座標に基づいて、対応するパターンの座標が補正される点は特許文献１の場合と同様であるので、やはり、演算処理に時間を要することになる。加えて、個々のパターンについて座標を補正した結果、それぞれのパターンの境界位置についての補正内容に矛盾が生じてしまい、好適な補正を行えないことがある。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な処理にて基板の変形に応じた描画データの補正処理を行える直接描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置であって、描画対象とされる基板を載置するためのステージと、前記ステージに載置された前記基板の被描画面を撮像する撮像手段と、ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する変換手段と、前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割手段と、前記撮像手段が前記基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、前記基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定手段と、前記複数のメッシュ領域を前記位置特定手段によって特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成手段と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１に記載の描画装置であって、前記データ分割手段が、前記露光用光により画像を形成する際の露光分解能と、あらかじめ特定された、前記基板に対し画像を形成する際に許容される最大の変形度合いと、に基づいて定まる分割サイズに従って、前記描画領域を分割する、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２に記載の描画装置であって、前記描画領域が矩形領域として定められ、前記基板に許容される最大の変形度合いが、前記矩形領域の辺について許容される最大の傾斜を示す情報により特定される、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１に記載の描画装置であって、前記データ分割手段が、分割サイズが異なる複数の分割態様にて前記描画領域を前記複数のメッシュ領域に分割し、前記分割サイズと前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成し、前記配置位置特定手段は、前記基板に設けられたアライメントマークの位置から特定される、前記描画領域についての所定の部分領域ごとの変位レベルに応じて、前記部分領域において再配置に利用する前記分割態様を特定したうえで、前記部分領域ごとに前記複数のメッシュ領域を再配置する際の配置位置を特定する、ことを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の描画装置であって、前記データ分割手段は、前記複数のメッシュ領域のそれぞれが、隣接するメッシュ領域とオーバーラップするように、前記描画領域を前記複数のメッシュ領域に仮想的に分割する、ことを特徴とする。
【００１８】
請求項６の発明は、光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置用のデータ処理装置であって、ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する変換手段と、前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割手段と、描画対象とされる基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、前記基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定手段と、前記複数のメッシュ領域を前記位置特定手段によって特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成手段と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
請求項７の発明は、光源から露光用光を照射することによって基板に画像を形成する描画装置用の描画データを生成する方法であって、ベクター形式で記述されたパターンデータを取得し、前記パターンデータをラスター形式の初期描画データに変換する変換工程と、前記初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、前記複数のメッシュ領域のそれぞれについて、前記描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成する分割工程と、描画対象とされる基板を撮像する撮像工程と、前記撮像工程において得られる撮像画像から、前記基板に設けられたアライメントマークの位置を特定するアライメントマーク位置特定工程と、前記アライメントマーク位置特定工程における特定結果に基づいて、前記複数のメッシュ領域を前記基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定する配置位置特定工程と、前記複数のメッシュ領域を前記位置特定工程において特定された配置位置に再配置させた状態で、前記分割描画データにおいて前記複数のメッシュ領域と関連づけられている前記描画内容を合成し、一の描画データを生成する合成工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１ないし請求項７の発明によれば、ベクター形式で記述されたパターンデータを、一度だけラスター形式のデータである初期描画データに変換しさえすれば、後はメッシュ領域を基板の変形に応じて再配置させるのみで、基板の変形を考慮した補正がなされた描画データが得られる。これにより、ベクター形式のデータからベクター形式のデータへの変換や、ベクター形式のデータからラスター形式のデータへの繰り返しの変換を行う必要がないので、基板に応じた描画データを生成するための所要時間が、従来よりも顕著に短縮される。
【００２１】
特に、請求項２または請求項３の発明によれば、メッシュ領域の分割サイズを、露光分解能と基板に対し画像を形成する際に許容される最大の変形度合いとに基づいて定めることにより、想定される変形の範囲内で実質的に十分な描画精度で回路パターンが描画されるように、メッシュ領域が設定される。これにより、描画データ生成のための演算処理時間と描画精度とが好適にバランスされる態様にて描画データを生成することができる。
【００２２】
特に、請求項４の発明によれば、局所的な変形の程度に応じて分割サイズの異なるメッシュ領域を使い分けるので、基板の変形に精度よく対応した描画データを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係る描画装置１の概略構成を示す図である。
【図２】露光装置３における露光分解能と描画される図形との関係を説明するための図である。
【図３】データ処理装置２において行われる前処理の流れを示す図である。
【図４】データ分割手段２２において行われる処理を説明するための図である。
【図５】メッシュ領域ＲＥの分割の様子を模式的に示す図である。
【図６】データ処理装置２において行われる後処理の流れを示す図である。
【図７】理想的な状態におけるアライメントマークＭａの配置位置を示す図である。
【図８】基板ＳにおけるアライメントマークＭａの位置を示す図である。
【図９】基準位置データＤＳの記述内容に従ってそれぞれのメッシュ領域ＲＥを配置した状態を示す図である。
【図１０】データ合成手段２４によって生成される描画データＤＤの描画領域ＲＥ２を例示する図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る描画装置１０１の概略構成を示す図である。
【図１２】データ処理装置１０２において行われる前処理の流れを示す図である。
【図１３】データ処理装置１０２において行われる後処理の流れを示す図である。
【図１４】領域配置手段２５により実現される処理を概念的に説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜第１の実施の形態＞
＜描画装置の概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る描画装置１の概略構成を示す図である。描画装置１は、露光用光であるレーザー光ＬＢを走査しつつ照射することによってプリント基板、半導体基板、液晶基板などの描画対象たる基板Ｓに局所的な露光を連続的に行うことにより、基板Ｓ上に所望の回路パターンについての露光画像を描画する直接描画装置（直描装置）である。
【００２５】
描画装置１は主として、描画データＤＤを生成するデータ処理装置２と、描画データＤＤに基づいて実際に描画（露光）を行う露光装置３とから構成される。なお、データ処理装置２と露光装置３とは一体に設けられる必要はなく、両者の間のデータの授受が可能とされている限りにおいて、物理的に離間していてもよい。
【００２６】
データ処理装置２は、例えばＣＡＤなどのパターン設計装置４によって作成された回路パターンの設計データであるパターンデータＤＰに基づいて、露光装置３における処理データである描画データＤＤを生成する装置である。パターンデータＤＰは、通常、ポリゴンなどのベクターデータとして記述されてなる。一方、露光装置３は、ラスターデータとして記述されている描画データＤＤに基づいて露光を行うので、データ処理装置２は、少なくともパターンデータＤＰをラスターデータに変換する必要がある。なお、本実施の形態に係る描画装置１の場合、後述する態様にて補正処理を行ったうえで描画データＤＤを生成する。これにより、基板Ｓに変形が生じている場合であっても、所望された通りの回路パターンを基板Ｓに描画することができるようになっている。
【００２７】
データ処理装置２は、データ変換手段２１と、データ分割手段２２と、基準位置特定手段２３と、データ合成手段２４とを主として備える。なお、データ処理装置２は、これらデータ変換手段２１、データ分割手段２２、基準位置特定手段２３、およびデータ合成手段２４を専用の回路素子として備えるものであってもよいし、あるいは、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどからなる制御部（図示せず）に所定のプログラムが読み込まれ、実行されることによって、それぞれの手段が仮想的な構成要素として実現されてなるコンピュータが、データ処理装置２として機能する態様であってもよい。
【００２８】
データ変換手段２１は、パターン設計装置４からパターンデータＤＰを取得し、これを露光装置３で処理可能なラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換する。斯かる変換処理には、公知の技術を利用可能である。
【００２９】
データ分割手段２２は、あらかじめ与えられた分割条件データＤＣに従って、初期描画データＤ１が表現する回路パターン（描画対象画像）を含む描画領域を仮想的に複数の矩形領域（メッシュ領域）ＲＥ（図５参照）に分割し、個々のメッシュ領域ＲＥについての描画領域における配置位置と描画内容とを関連づけた、分割描画データＤ２を生成する。
【００３０】
基準位置特定手段２３は、まず、基板Ｓの被描画面Ｓａに設けられているアライメントマーク（位置決めマーク）Ｍａ（図７参照）の位置を、後述する撮像手段３４によって得られたその撮像画像であるマーク撮像データＤＭに基づいて特定する。そして、特定された該アライメントマークＭａの位置に基づいて、描画を行う際の複数のメッシュ領域ＲＥのそれぞれの基準位置Ｍｓ（図５参照）を特定する。そして、それぞれのメッシュ領域と基準位置Ｍｓとを対応づけた基準位置データＤＳを生成する。
【００３１】
データ合成手段２４は、分割描画データＤ２と基準位置データＤＳとに基づき、複数のメッシュ領域ＲＥを基準位置データＤＳに記述された基準位置に従って配置させた状態で各メッシュ領域ＲＥの記述内容を合成し、描画データＤＤを生成する。
【００３２】
データ処理装置２において、これらデータ変換手段２１、データ分割手段２２、基準位置特定手段２３、データ合成手段２４が行う処理の詳細については後述する。
【００３３】
露光装置３は、データ処理装置２から与えられた描画データＤＤに従って、基板Ｓに対する描画を行う装置である。
【００３４】
露光装置３は、各部の動作を制御する描画コントローラ３１と、基板Ｓを載置するためのステージ３２と、レーザー光ＬＢを出射する光源３３と、ステージ３２に載置された基板Ｓの被描画面Ｓａを撮像する撮像手段３４とを主として備える。
【００３５】
露光装置３においては、ステージ３２と光源３３との少なくとも一方が、互いに直交する水平二軸方向である主走査方向と副走査方向とに移動可能とされてなる。これにより、基板Ｓをステージ３２に載置した状態で、ステージ３２と光源３３とを主走査方向に相対的に移動させつつ光源３３からレーザー光ＬＢを照射できるようになっている。あるいはさらに、ステージ３２は水平面内で回転移動可能とされていてもよいし、光源３３は垂直方向に移動可能とされていてもよい。
【００３６】
使用するレーザー光ＬＢの種類は、描画対象たる基板Ｓの種類などに応じて適宜に定められてよい。
【００３７】
また、光源３３には例えばＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）などの変調手段３３ａが備わっており、変調手段３３ａによる変調を受けつつ光源３３から出射されたレーザー光ＬＢがステージ３２上の基板Ｓに照射されるようになっている。より具体的には、描画に先立ち、まず、描画コントローラ３１により、画素位置ごとの露光の有無が設定されてなる描画データＤＤの記述内容に従った、変調手段３３ａの変調単位ごとのレーザー光ＬＢの照射のオン／オフ設定が行われる。光源３３がステージ３２に対して（その上に載置された基板Ｓに対して）主走査方向に相対的に移動している間に、斯かるオン／オフ設定に従って光源３３からレーザー光ＬＢが出射されることで、ステージ３２上の基板Ｓに、描画データＤＤに基づく変調を受けたレーザー光ＬＢが照射されることになる。
【００３８】
ある位置について主走査方向にレーザー光ＬＢが走査されて当該位置についての露光が終了すると、副走査方向に所定距離だけ光源３３が相対移動し、再び当該位置について主走査方向にレーザー光ＬＢが走査される。これを繰り返すことにより、基板Ｓ上に描画データＤＤに従った画像（露光画像）が形成される。
【００３９】
撮像手段３４は、主として、ステージ３２に載置された基板Ｓの被受光面に形成された、アライメントマークＭａを撮像するために備わる。斯かる位置決めマークの撮像画像は、マーク撮像データＤＭとして、上述のようにデータ処理装置２の基準位置特定手段２３に供される。もちろん、撮像手段３４が他の目的のために撮像を行える態様であってもよい。
【００４０】
なお、基板Ｓにおけるアライメントマークの形成態様は、その位置を正確に特定できる限りにおいて、特に限定されない。例えば、貫通孔など、機械的加工により形成されたアライメントマークを利用する態様であってもよいし、印刷プロセスやフォトリソグラフィープロセスなどによってパターニングされたアライメントマークを用いる態様であってもよい。
【００４１】
＜補正処理の基本概念＞
以下、次に、描画データＤＤを生成する場合に行われる補正処理について、その基本概念を説明する。
【００４２】
一般に、パターンデータＤＰは、変形がなく被描画面が平坦な理想的な形状の基板を想定して作成されているが、実際の基板には、そり、ゆがみや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じている。そのため、パターンデータＤＰで設定されている配置位置のままに基板Ｓに回路パターンを描画しても、所望された回路パターンを得ることができないことから、基板Ｓの形状に見合った回路パターンが形成されるように、回路パターンの形成位置座標を基板Ｓの形状に応じて変換する処理が必要となる。本実施の形態において描画データＤＤを生成する際に行う補正処理とは、端的に言えば、座標変換処理である。
【００４３】
本実施の形態においては、斯かる補正処理を、露光装置３における露光分解能を考慮して行うことにより、その単純化を図っている点で特徴的である。
【００４４】
図２は、露光装置３における露光分解能と描画される図形との関係を説明するための図である。なお、図２においては、Ｘ軸方向が主走査方向で、Ｙ軸方向が副走査方向であるとする。
【００４５】
露光装置３においては、上述のように、ステージ３２と光源３３とが主走査方向に相対移動することにより露光が進行する。従って、図２（ａ）に示す図形Ｆ１のような、Ｘ軸方向に対してある傾斜角α１にて傾斜している辺については、実際の描画データＤＤにおいては、図２（ｂ）に示すように階段状図形Ｆ２に近似されて記述される。このとき、階段状図形Ｆ２の段差は、露光装置３における副走査方向の露光分解能に相当する。以下、斯かる露光分解能をδとする。そして、図２（ｂ）において（１）〜（８）の矢印として示すように、主走査方向において段階的に描画される。
【００４６】
このことは、図形Ｆ１を描画対象に含む描画データＤＤを生成するための補正処理においては、図形Ｆ１を忠実に表現する座標値を生成する必要はなく、直接に、階段状図形Ｆ２を表現する座標値が生成されればよいことを意味している。
【００４７】
さらに、図２（ｃ）には、図形Ｆ１の傾斜角α１よりも小さい傾斜角α２を有する図形Ｆ３を、図形Ｆ１と同様に露光分解能をδとして階段状図形Ｆ４で近似する様子を示している。階段状図形Ｆ２の段幅をｗ１とし、階段状図形Ｆ２の段幅をｗ２とすると、ｗ２＞ｗ１となる。
【００４８】
一方、図２（ｄ）も、図２（ｃ）と同様に、図形Ｆ３を同じ副走査方向の露光分解能δのもとで近似する様子を示している。ただし、図２（ｄ）においては、図形Ｆ３を近似する階段状図形Ｆ５の段幅をｗ３するとき、ｗ３＝２ｗ１となるようにしている。この場合、図１（ｃ）に比べると近似の精度は劣るものの、δが十分に小さければ、実用上は十分な精度の近似が実現される。
【００４９】
このことを利用すると、仮に、図形Ｆ１の傾斜が、本来は主走査方向に沿った回路パターンを実際に基板Ｓに描画する際に当該回路パターンについて許容される最大の傾斜（つまりは主走査方向に沿う線分の最大変形誤差）であるとすると、基板Ｓに描画される種々の回路パターン（図形Ｆ１よりも傾斜が小さい回路パターン）は必ず、δの整数倍の段差とｗ１の整数倍の段幅とを有する階段状図形で近似できることになる。また、同様の議論は、副走査方向についても成り立つ（ただし、この場合の露光分解能は変調手段３３ａの変調単位のサイズで規定される）。
【００５０】
これは、基板Ｓの変形を考慮した補正処理（座標変換処理）を行った場合、変換後の回路パターンは、主走査方向については副走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位とし、副走査方向については主走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位として、描画されることを意味している。
【００５１】
そこで、本実施の形態においてはあらかじめ、パターンデータＤＰから得られたラスターデータである初期描画データＤ１によって表現される回路パターン全体を、露光分解能と許容されるパターンの変形度合いとに応じてそれぞれの縦横の長さが定まる複数の矩形領域（メッシュ領域）に分割しておき、それぞれのメッシュ領域ごとに、座標変換を行うことで、描画データＤＤを得るようにしている。これら一連の処理が、本実施の形態における補正処理に相当する。
【００５２】
＜データ処理装置における処理＞
次に、実際にデータ処理装置２において行われる処理について詳細に説明する。本実施の形態において、データ処理装置２において行われる処理は、前処理と後処理の２つに大別される。前処理は、複数の基板Ｓに同一の回路パターンを描画しようとする場合に、これに先立ち前もって一度だけ行われる処理である。その処理結果は、個々の基板Ｓに対する回路パターンの描画に共通に利用される。一方、後処理は、個々の基板Ｓに対し描画を行う際に、その都度行われる処理である。
【００５３】
まず、前処理について説明する。図３は、データ処理装置２において行われる前処理の流れを示す図である。
【００５４】
最初に、データ変換手段２１が、パターン設計装置４から、ベクター形式にて記述された回路パターンデータであるパターンデータＤＰを取得し（ステップＳ１）、これをラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換する（ステップＳ２）。以下においては、パターンデータＤＰが表現する回路パターンは、基板Ｓの被描画面Ｓａに設定される矩形の描画領域内に描画されるものとする。なお、初期描画データＤ１の記述形式は特に限定されない。
【００５５】
初期描画データＤ１が得られると、データ分割手段２２が、分割条件データＤＣの記述内容に従って、初期描画データＤ１から分割描画データＤ２を生成するためのメッシュ領域の基本サイズを求める（ステップＳ３）。なお、分割条件データＤＣは、補正処理の際に回路パターンに許容される最大の変形度合いを特定する情報と、回路パターンの描画に用いる露光装置３における主走査方向および副走査方向についての露光分解能とをデータ要素として含んでいる。
【００５６】
図４は、データ分割手段２２において行われる処理を説明するための図である。なお、図４においては、Ｘ軸方向が主走査方向であり、Ｙ軸方向が副走査方向であるとする。また、図４において実線にて示した各頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄからなる矩形は、パターンデータＤＰあるいは初期描画データＤ１における回路パターンの描画領域ＡＢＣＤを示している。いま、頂点Ａの座標を（X1,Y1）、頂点Ｂの座標を（X2,Y1）、頂点Ｃの座標を（X2,Y2）、頂点Ｄの座標を（X1,Y2）とする。また、X2-X1=Lx、Y2-Y1=Lyとすると、Lx、Lyは主走査方向および副走査方向における描画領域ＡＢＣＤのサイズを表すことになる。
【００５７】
また、破線にて示された、斯かる描画領域ＡＢＣＤのそれぞれの頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤを中心に持つ４つの矩形（それぞれ、頂点Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４、Ｄ１〜Ｄ４からなる矩形）は、補正処理の際に各頂点について許容される誤差の範囲を示している。斯かる誤差範囲は、回路パターンの構成単位に許容される最大の誤差範囲に相当する。ここでは議論の単純のため、いずれの矩形についてもＸ軸方向のサイズがpLx、Ｙ軸方向のサイズがqLyであるとする（ただし０＜p，q≪１）。
【００５８】
斯かる場合、矩形Ａ１Ａ２Ａ３Ａ４内の任意の点と、矩形Ｂ１Ｂ２Ｂ３Ｂ４内の任意の点とを結ぶ線分が、基板Ｓの変形に対応して辺ＡＢが取り得る変形後の状態を表現することになる。このとき、辺ＡＢが線分Ａ３Ｂ１（もしくは線分Ａ２Ｂ４）になる変形が、辺ＡＢに許容されている最大の傾斜を与える変形ということになる。このときの線分ＡＢに対する辺Ａ３Ｂ１の傾斜角αが、辺ＡＢについて許容される最大の傾斜を表していることになる。なお、傾斜角αは次の式をみたす。
【００５９】
tanα＝qLy/(X2-X1-pLx)＝qLy/(1-p)Lx≒qLy/Lx    ・・・式（１）
【００６０】
また、斯かる議論は辺ＡＢに平行な辺ＣＤについても同様になり立ち、辺ＣＤについても同じ傾斜角αを有する線分Ｃ４Ｄ２または線分Ｃ１Ｄ３までの変形が許容されている。すなわち、主走査方向については、水平の状態から傾斜角αまでの変形が許容されていることになる。ちなみに、図４においては辺ＣＤの変形の例として線分Ｃ３Ｄ１を示しているが、辺ＣＤから線分Ｃ３Ｄ１への変形による傾斜角α’は、傾斜角αよりも小さいので、斯かる変形についてはメッシュ領域の基本サイズの算出には考慮されない。
【００６１】
ここで、副走査方向の露光分解能がδyであるとすると、主走査方向についてのメッシュ領域の基本サイズｗｘは、次の式で求められる。
【００６２】
wx＝δy/tanα＝δyLx/qLy      ・・・式（２）
【００６３】
同様に、副走査方向について、辺ＢＣおよび辺ＤＡの変形について許容される最大の傾斜角βは、
tanβ＝pLx/(Y2-Y1-qLy)＝pLx/(1-q)Ly≒pLx/Ly    ・・・式（３）
をみたすことになり、主走査方向の露光分解能がδxであるとすると、副走査方向についてのメッシュ領域の基本サイズｗｙは、次の式で求められる。
【００６４】
wy＝δx/tanβ＝δxLy/pLx      ・・・式（４）
【００６５】
露光装置３の露光分解能δx、δyおよび頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの誤差範囲は、分割条件データＤＣとしてあらかじめ与えられる。また、LxおよびLyは、初期描画データＤ１から特定される既知の値である。あるいは、分割条件データＤＣのデータ要素として与えられていてもよい。いずれにせよ、これらは全て既知の値である。データ分割手段２２は、これらの値に基づいて、式（３）および式（４）に示す演算式に従って、メッシュ領域の基本サイズｗｘ、ｗｙを求める。
【００６６】
例えば、描画領域のサイズがLx＝Ly＝５００ｍｍ、露光分解能がδx＝δy＝１μｍ、描画領域の各頂点の許容誤差範囲がpLx＝qLy＝５００μｍ（つまりは許容誤差範囲が描画領域のサイズの０．１％）とすると、ｗｘ、ｗｙは約１μｍとなる。
【００６７】
なお、頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの誤差範囲がそれぞれ異なる場合も、同様の考え方で基本サイズｗｘおよびｗｙを求めることができる。頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤのＸ軸方向とＹ軸方向の誤差範囲の組をそれぞれ（2axLx,2ayLy）、（2bxLx,2byLy）、（2cxLx,2cyLy）、（2dxLx,2dyLy）とすると、メッシュ領域ＲＥの基本サイズｗｘ、ｗｙは、それぞれ、以下のようになる。
【００６８】
wx≒Min{δyLx/(ay+by)Ly，δyLx/(cy+dy)Ly｝
wy≒Min{δxLy/(bx+cx)Lx，δxLy/(dx+ax)Lx｝
【００６９】
基本サイズｗｘ、ｗｙが求まると、データ分割手段２２は、初期描画データＤ１が表現する回路パターンを含む描画領域を複数のメッシュ領域ＲＥに分割して分割描画データＤ２を生成する（ステップＳ４）。
【００７０】
図５は、描画領域のメッシュ領域ＲＥへの分割の様子を模式的に示す図である。データ分割手段２２が、分割描画データＤ２を生成するにあたっては、単に基本サイズｗｘ、ｗｙごとに描画領域を区画するのではなく（これにより区画される領域を基本領域ＲＥ０と称する）、基本領域ＲＥ０の周囲に、主走査方向および副走査方向の露光分解能δｘ、δｙに相当する幅の付加領域ＲＥ１を加えたものを個々のメッシュ領域ＲＥとし、しかも、隣り合うメッシュ領域ＲＥとの間で、付加領域ＲＥ１がオーバーラップするようにメッシュ領域ＲＥを定めるようにする。図５においては、破線で区画された矩形が基本領域ＲＥ０であり、斜線にて例示した基本領域ＲＥ０の周囲に備わる領域が付加領域ＲＥ１であり、実線で区画された領域がメッシュ領域ＲＥである。このように付加領域ＲＥ１をオーバーラップさせる態様にて分割を行うのは、最終的に得られる描画データＤＤにおいて、本来であればパターンが存在するべきであるにも関わらず空白となる領域が生じるのを避けるためである。
【００７１】
なお、個々のメッシュ領域ＲＥを特定するデータ要素としてデータ分割手段２２が実際に分割描画データＤ２として記述するのは、それぞれのメッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓの座標と、該メッシュ領域ＲＥにおける回路パターンの情報と、メッシュ領域ＲＥの主走査方向と副走査方向のサイズｍｘ、ｍｙである。ただし、ｍｘ＝ｗｘ＋２δｘであり、ｍｙ＝ｗｙ＋２δｙであるので、ｍｘ、ｍｙに代えて、ｗｘ、ｗｙ、δｘ、δｙをデータ要素として記述する態様であってもよい。また、メッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓは任意に設定可能であるが、本実施の形態においては、図５に示すようにメッシュ領域ＲＥの中心を基準位置Ｍｓとして取り扱うものとする。
【００７２】
分割描画データＤ２が生成されると、前処理が終了する。
【００７３】
次に、データ処理装置２において行われる後処理について説明する。後処理は、個々の基板Ｓに対し実際に描画を行う直前に、その都度行う処理である。
【００７４】
図６は、データ処理装置２において行われる後処理の流れを示す図である。図７は、回路パターン設計時に想定されている理想的な状態におけるアライメントマークＭａの配置位置を示す図である。なお、本実施の形態においては、図７に示すように複数のアライメントマークＭａが水平二軸方向においてそれぞれ等間隔で設けられている場合を例として説明する。また、図７には、参考のため、メッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓの配置についても併せて示している。アライメントマークＭａが上述のように等間隔に配置されている場合は通常、メッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓも等間隔に配置される。なお、図７に示す実線および破線は図の理解を助けるためのものであって、必ずしもこのような実線および破線が回路パターンとして記述され、基板Ｓにおいて観察されるわけではない。
【００７５】
後処理においては、まず、基板Ｓを露光装置３のステージ３２に載置（ステップＳ１１）し、撮像手段３４によって、基板Ｓの被描画面Ｓａに設けられたアライメントマークＭａの撮像を行う（ステップＳ１２）。なお、アライメントマークＭａの撮像の仕方は、これに続く処理においてアライメントマークＭａの位置が特定できる態様でなされていれば、特に制限されない。例えば、基板Ｓ全体を一度に撮像する態様であってもよいし、基板Ｓのサイズに比してアライメントマークＭａのサイズが小さいような場合は、撮像画像の分解能を確保するべく、一部のアライメントマークＭａごとに複数回の撮像を行い、複数の撮像画像を得る用意してもよい。
【００７６】
撮像手段３４により得られた撮像画像であるマーク撮像データＤＭは、描画コントローラ３１を通じて基準位置特定手段２３に与えられる。
【００７７】
基準位置特定手段２３は、マーク撮像データＤＭを取得すると、これに基づいて基板Ｓに設けられたアライメントマークＭａの位置座標を特定する（ステップＳ１３）。斯かる位置座標の特定は、例えば、撮像画像に対し二値化処理などの公知の画像処理を施すことによって行うのが好適な一例である。
【００７８】
撮像手段３４が撮像した基板Ｓに変形がなければ、図７に示すように、アライメントマークＭａは等間隔に位置しているが、通常、基板Ｓは変形しているので、アライメントマークＭａの位置も理想的な位置からずれている。その変形の仕方は個々の基板Ｓによって様々であるため、露光装置３においてそれぞれの基板Ｓに対して所望のパターンを形成するには、基板Ｓの変形指標としてのアライメントマークＭａの位置を、それぞれの基板Ｓについて実測により特定することが必要となる。図８は、実際の基板ＳにおけるアライメントマークＭａの位置を示す図である。図８においては、図７に示した理想的な配置のアライメントマークＭａを破線丸印で併記している。
【００７９】
全てのアライメントマークＭａについての位置座標が特定されると、続いて、基準位置特定手段２３は、個々のメッシュ領域ＲＥの配置が基板Ｓの変形に対応したものとなるように、それぞれのメッシュ領域ＲＥの配置位置を特定する。具体的には、個々のメッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓの位置座標が、周囲のアライメントマークＭａの位置座標に基づいて特定される（ステップＳ１４）。これはすなわち、理想的な状態では図５に示すように整然と配置されているメッシュ領域ＲＥを基板Ｓの形状に応じて再配置する際の、配置位置を特定する処理を行っていることになる。
【００８０】
例えば、図８に示す基準位置Ｍｓ１、Ｍｓ２、Ｍｓ３、およびＭｓ４の位置座標は、その周囲に位置するアライメントマークＭａ１、Ｍａ２、Ｍａ３およびＭａ４（あるいはその一部）の位置座標に基づいて特定される。図８においては、斯かる処理により位置座標が特定された基準位置Ｍｓが例示されている。なお、基準位置Ｍｓの位置座標の特定には公知の座標変換手法が利用可能である。一例としては、アライメントマークＭａ１、Ｍａ２、Ｍａ４からなる三角形を考えたときに、図７に示す理想的な配置の場合の当該三角形から図８に示す実際の配置に基づく三角形へのアフィン変換を表す行列を求め、この行列を用いて、基準位置Ｍｓの座標変換を行う態様などがある。
【００８１】
基準位置特定手段２３は、このような態様にて各メッシュ領域ＲＥについての基準位置Ｍｓの位置座標を求め、それぞれのメッシュ領域ＲＥの位置座標と分割描画データＤ２に記述されている当該メッシュ領域ＲＥにおける描画内容とを関連づける基準位置データＤＳを生成する。
【００８２】
基準位置データＤＳが生成されると、データ合成手段２４が、該基準位置データＤＳに基づいて描画データＤＤを生成する（ステップＳ１５）。具体的には、各メッシュ領域ＲＥの配置位置を、分割描画データＤ２に記述されてなる理想的な位置から、基準位置データＤＳに記述されている基準位置Ｍｓの配置位置に対応させてシフトさせたうえで、個々のメッシュ領域ＲＥの描画内容を合成し、描画領域全体に対する描画内容を表現する一の描画データＤＤを生成する。なお、メッシュ領域ＲＥのシフトは、基準位置Ｍｓの座標移動（並進移動）に応じて各メッシュ領域ＲＥを構成する画素の座標を移動させることにより実現される。
【００８３】
図９は、基準位置データＤＳの記述内容に従ってそれぞれのメッシュ領域ＲＥを配置した状態を示す図である。図９に示すように、隣り合うメッシュ領域ＲＥの間で描画内容がオーバーラップする箇所が生じるが、これは、両者の乗算をとるなど所定の論理演算を実行することにより調整される。
【００８４】
図１０は、図９に示したようにメッシュ領域ＲＥが配置される場合に、データ合成手段２４によって生成される描画データＤＤが規定する描画領域ＲＥ２を例示する図である。図１０には、参考のため、アライメントマークＭａを併せて図示している。なお、図１０においては図示を省略しているが、実際には、斯かる描画領域ＲＥ２内に、分割描画データＤ２に記述された内容に基づいて回路パターンが配置される。
【００８５】
描画データＤＤの生成によって、データ処理装置２における後処理は終了する。生成された描画データＤＤは、露光装置３に与えられる。露光装置３においては、取得した描画データＤＤに基づいて、基板Ｓに対する描画処理が実行される。そして、斯かる描画処理が終了した後、新たな基板Ｓが同じ回路パターンについての描画対象とされる場合には、データ処理装置２は、再び後処理を繰り返すことになる。
【００８６】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、基板への描画に先立つ前処理の時点で、あらかじめ露光装置３の露光分解能と回路パターンに許容される最大の変形度合い（具体的には辺の傾斜度合い）とに従って描画領域を複数のメッシュ領域ＲＥに分割しておく。そして、実際に個々の基板Ｓに対し描画を行うにあたっては、該基板Ｓに設けられてなるアライメントマークＭａの配置から特定される該基板Ｓの変形に応じて、個々のメッシュ領域ＲＥの配置位置をシフトさせる（つまりはメッシュ領域ＲＥを基板Ｓの変形に応じて再配置する）ことによって、該基板Ｓの変形に対応した描画データＤＤが生成される。
【００８７】
斯かる場合においては、ベクター形式で記述されたパターンデータＤＰは、前処理の際に一度だけラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換されるのみである。すなわち、個々の基板Ｓの変形に応じてベクター形式のデータからラスターデータへの変換が繰り返されることもない。また、ベクター形式のデータを異なるベクター形式のデータへと変換することはない。これらに代わり、本実施の形態においては、メッシュ領域の再配置によって補正が実現されている。よって、基板Ｓに応じた描画データＤＤを生成するための所要時間が、従来よりも顕著に短縮される。例えば、変化点の多い複雑なパターンデータや描画領域の大きなパターンデータについても、長い時間を要することなく効率的に描画データを生成することが実現できる。
【００８８】
また、メッシュ領域を細かく設定するほど個々のメッシュ領域をシフトさせるための演算に時間を要するが、粗く設定すると描画データを基板Ｓの変形に十分対応させることが難しくなり、回路パターンの描画精度が悪くなる。本実施の形態においては、露光装置３の露光分解能と回路パターンに許容される最大の変形度合いとに基づいて定めることにより、想定される変形の範囲内で実質的に十分な描画精度で回路パターンが描画されるように、メッシュ領域を設定するので、演算処理時間と描画精度とが好適にバランスされる態様にて描画データを生成することができる。
【００８９】
＜第２の実施の形態＞
描画処理時間の短縮を実現する態様は、第１の実施の形態に示したものに限られない。第１の実施の形態とは異なる態様にて描画時間の短縮を実現する態様について説明する。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態において説明したものと同様の作用効果を奏する構成要素については、第１の実施の形態と同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００９０】
＜描画装置の概要＞
図１１は本発明の第２の実施の形態に係る描画装置１０１の概略構成を示す図である。描画装置１０１も、第１の実施の形態に係る描画装置１と同様に、露光用光であるレーザー光ＬＢを走査しつつ照射することによって基板Ｓに局所的な露光を連続的に行うことにより、基板Ｓ上に所望の回路パターンについての露光画像を描画する直接描画装置である。
【００９１】
描画装置１０１は主として、描画データＤＤを生成するデータ処理装置１０２と、描画データＤＤに基づいて実際に描画（露光）を行う露光装置３とから構成される。なお、データ処理装置１０２と露光装置３とは一体に設けられる必要はなく、両者の間のデータの授受が可能とされている限りにおいて、物理的に離間していてもよい。
【００９２】
データ処理装置１０２は、第１の実施の形態に係る描画装置１が備えるデータ処理装置と同様に、例えばＣＡＤなどのパターン設計装置４によって作成された回路パターンの設計データであるパターンデータＤＰに基づいて、露光装置３における処理データである描画データＤＤを生成する装置である。
【００９３】
データ処理装置１０２は、データ処理装置２と同様に、データ変換手段２１と、データ分割手段２２と、データ合成手段２４とを備える。また、データ処理装置１０２は、基準位置特定手段２３に代えて領域配置手段２５を備える。なお、データ処理装置１０２は、これらデータ変換手段２１、データ分割手段２２、データ合成手段２４、および領域配置手段２５を専用の回路素子として備えるものであってもよいし、あるいは、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどからなる制御部（図示せず）に所定のプログラムが読み込まれ、実行されることによって、それぞれの手段が仮想的な構成要素として実現されてなるコンピュータが、データ処理装置１０２として機能する態様であってもよい。
【００９４】
本実施の形態に係る描画装置１０１においては、描画領域を複数のメッシュ領域ＲＥに分割する際の基本サイズを変位レベル（後述）に応じて種々に違えた複数の分割描画データＤ２をあらかじめ用意しておき、基板Ｓへの描画に際しては、描画領域の所定の部分領域ごとに、当該部分領域における変位レベルに応じたサイズを有するメッシュ領域ＲＥを適用し、それらを第１の実施の形態と同様にシフトさせるようにする。そしてそのシフトした結果を合成することによって、描画データＤＤを生成する。換言すれば、本実施の形態においては、基板Ｓの変形に応じて再配置させるメッシュ領域ＲＥのサイズを、局所的な変形の程度に応じて違えるようにしている。これにより、本実施の形態においては、第１の実施の形態においてデータ分割手段２２が行っていた、基本サイズを特定するための演算処理が不要である。それゆえ、本実施の形態の場合は、露光装置３の露光分解能を分割条件データＤＣとして保持しておく必要もない。
【００９５】
上述の処理を実現するべく、本実施の形態においては、主走査方向および副走査方向のそれぞれにつき複数通りの基本サイズが変位レベルに応じてあらかじめ設定される。ここで、変位レベルとは、描画領域における変位の程度を段階的に表す任意の指標である。変位レベルとこれに対応する基本サイズとの関係は、あらかじめ定められ、分割条件データＤＣに記述される。そして、データ分割手段２２は、これら複数の基本サイズに応じた複数種類の分割描画データＤ２を生成するようになっている。
【００９６】
また、領域配置手段２５は、描画領域についてあらかじめ定められた部分領域ごとに、適用するメッシュ領域ＲＥの種類（サイズ）を特定し、当該部分領域の変形に応じて各メッシュ領域ＲＥをシフトさせる。領域配置手段２５は、斯かる結果を記述した領域配置データＤＡを生成する。
【００９７】
データ合成手段２４は、領域配置データＤＡの記述内容に従ってメッシュ領域ＲＥの描画内容を合成し、描画データＤＤを生成する。
【００９８】
＜データ処理装置における処理＞
本実施の形態に係るデータ処理装置１０２にて行われる処理についても、前処理と後処理に大別される。まず、前処理について説明する。図１２は、データ処理装置１０２において行われる前処理の流れを示す図である。
【００９９】
本実施の形態においても、データ変換手段２１によるパターンデータＤＰの取得と（ステップＳ２１）、これをラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換する処理とは第１の実施の形態と同様に行われる（ステップＳ２２）。
【０１００】
初期描画データＤ１が得られると、データ分割手段２２により、分割条件データＤＣに記述された基本サイズの設定値に従って、複数の分割描画データＤ２が生成される（ステップＳ２３）。なお、用いる基本サイズの設定の仕方が異なるだけで、隣り合うメッシュ領域ＲＥがオーバーラップを有するようにする点は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０１】
分割描画データＤ２が生成されると、前処理が終了する。
【０１０２】
次に、データ処理装置１０２において行われる後処理について説明する。図１３は、データ処理装置１０２において行われる後処理の流れを示す図である。
【０１０３】
まず、基板Ｓをステージ３２に載置し（ステップＳ３１）、撮像手段３４によってアライメントマークＭａを撮像し（ステップＳ３２）、得られたマーク撮像データＤＭに従ってアライメントマークＭａの位置を特定する処理までは、第１の実施の形態と同様に行う。
【０１０４】
各アライメントマークＭａについて、基板Ｓにおける実際の位置が特定されると、領域配置手段２５は、露光装置３から第１の実施の形態と同様に得られるマーク撮像データＤＭに基づいて、実際の基板Ｓの各部分領域が該当する変位レベルを特定する。さらに、分割条件データＤＣにおいて該変位レベルと関連づけられているメッシュ領域ＲＥの種類を特定すると、当該部分領域ごとに、第１の実施の形態と同様に、各メッシュ領域ＲＥの基準位置Ｍｓの位置を基板Ｓの変形に応じてシフトさせ、その配置を特定する（ステップＳ３４）。領域配置手段２５は、斯かる結果を記述した領域配置データＤＡを生成する。
【０１０５】
図１４は、領域配置手段２５により実現される処理を概念的に説明するための図である。図１４（ａ）に示すように、アライメントマークＭａの位置を特定した結果、部分領域ＡＲ１と部分領域ＡＲ４とについては変位量が相対的に小さく、部分領域ＡＲ２と部分領域ＡＲ３については変位量が相対的に大きい場合、図１４（ｂ）に示すように、後者に対応する領域については基本サイズが相対的に小さいメッシュ領域ＲＥαが配置され、前者に対応する領域については基本サイズが相対的に大きいメッシュ領域ＲＥβが配置される。図１４には簡単のため変位レベルが２水準の場合を例示しているが、より多水準の変位レベルが設定された場合についても、考え方は同様である。
【０１０６】
領域配置データＤＡが生成されると、データ合成手段２４が、該領域配置データＤＡに基づいて描画データＤＤを生成する（ステップＳ３５）。具体的には、各部分領域ごとに、第１の実施の形態と同様に、各メッシュ領域ＲＥの配置位置を、分割描画データＤ２に記述されてなる理想的な位置から、領域配置データＤＡに記述されている基準位置Ｍｓの配置位置に対応させてシフトさせたうえで、個々のメッシュ領域ＲＥの描画内容を合成し、描画領域全体に対する描画内容を表現する一の描画データＤＤを生成する。
【０１０７】
本実施の形態の場合も、第１の実施の形態と同様に、ベクター形式で記述されたパターンデータＤＰは、前処理の際に一度だけラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換されるのみである。よって、基板Ｓに応じた描画データＤＤを生成するための所要時間が、従来よりも顕著に短縮される。
【０１０８】
また、本実施の形態の場合は、局所的な変形の程度に応じてサイズの異なるメッシュ領域ＲＥを使い分けるので、第１の実施の形態よりもさらに基板の変形に精度よく対応した描画データを生成することができる。
【符号の説明】
【０１０９】
１、１０１  描画装置
２、１０２  データ処理装置
３  露光装置
３２  ステージ
３３  光源
３３ａ  変調手段
３４  撮像手段
Ｍａ、Ｍａ１、Ｍａ２、Ｍａ３、Ｍａ４  アライメントマーク
Ｍｓ、Ｍｓ１、Ｍｓ２、Ｍｓ３、Ｍｓ４  （メッシュ領域の）基準位置
ＲＥ、ＲＥα、ＲＥβ  メッシュ領域
ＲＥ０  基本領域
ＲＥ１  付加領域
ＲＥ２  描画領域
Ｓ  基板
Ｓａ  被描画面
【図１】
2010204421.tif 000003
【図２】
2010204421.tif 000004
【図３】
2010204421.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2010204421.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2010204421.tif 000013
【図１２】
2010204421.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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