(57)【要約】【課題】  ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】  インジウム化合物粉末やスズ化合物粉末などの透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒し、当該造粒粉末を成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、スパッタリング中の割れ発生率が大幅に低下する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒する工程と、当該造粒粉末を成形して成形体を作製する工程と、当該成形体を電磁波加熱により焼結させる工程とを含むことを特徴とする、焼結体の平均結晶粒径が２μｍ以下である透明導電膜用焼結体の製造方法。
【請求項２】
透明導電膜用焼結体の相対密度が９５％以上であることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【請求項３】
透明導電膜用の原料粉末がインジウム化合物粉末とスズ化合物粉末である請求項１又は２に記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【請求項４】
透明導電膜用の原料粉末がアルミニウム化合物粉末と亜鉛化合物粉末である請求項１又は２に記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜用焼結体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜等の広範囲な分野で用いられている。
【０００３】
このような透明導電膜の成膜方法として、大面積に均一な膜厚で成膜可能である点でスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法がよく採用されている。
【０００４】
近年、薄膜を形成する基板の大型化や薄膜形成工程の生産性向上の観点から、スパッタリングターゲットの大型化が進んでいる。また、生産性向上のため、投入パワーを上げることができる円筒型のターゲットも注目され、太陽電池用途で使用されつつある。
【０００５】
しかし、スパッタリングターゲットを大型化したり、投入パワーを高めるとＩＴＯ等の透明導電膜用焼結体が割れやすくなるという問題がある。また、従来からターゲットの製造工程においても焼成工程やボンディング工程において割れが発生していた。
【０００６】
ＩＴＯ焼結体の割れの対策としては、ＩＴＯ焼結体の熱伝導率と機械的強度を向上させるために相対密度を８５％以上、焼結体の平均結晶粒径を１５μｍ以下としたＩＴＯ焼結体（例えば、特許文献１参照）やＩＴＯの焼結開始温度以下で分解する結合剤を含有した成形体を焼結する方法（例えば、特許文献２参照）などが提案されているが、上記方法では十分に割れを防止することはできなかった。
【０００７】
また、ターゲット材の割れの主原因は熱衝撃付与により発生する熱応力であるにもかかわらず、ＩＴＯ等のターゲット材の熱衝撃に関する検討はほとんどなされていなかった。
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−１４５４７８号公報
【特許文献２】特開平０５−２８７３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、造粒粉末で成形した成形体を電磁波加熱で焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上である、割れ発生率が大幅に低下する透明導電膜用焼結体の製造方法を見出した。
【００１１】
本発明の態様は以下の通りである。
【００１２】
（１）透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒する工程と、当該造粒粉末を成形して成形体を作製する工程と、当該成形体を電磁波加熱により焼結させる工程とを含むことを特徴とする、焼結体の平均結晶粒径が２μｍ以下である透明導電膜用焼結体の製造方法。
【００１３】
（２）透明導電膜用焼結体の相対密度が９５％以上であることを特徴とする（１）記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【００１４】
（３）透明導電膜用の原料粉末がインジウム化合物粉末とスズ化合物粉末である（１）又は（２）に記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【００１５】
（４）透明導電膜用の原料粉末がアルミニウム化合物粉末と亜鉛化合物粉末である（１）又は（２）に記載の透明導電膜用焼結体の製造方法。
【００１６】
次に本発明について工程毎に説明する。
【００１７】
（１）原料混合工程
本発明で製造できる透明導電膜用焼結体は特に限定されるものではないが、具体的には、インジウム、スズ及び酸素を含んでなる焼結体、アルミニウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体、ガリウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体などが挙げられる。
【００１８】
インジウム、スズ及び酸素を含んでなる焼結体としては、インジウム、スズ及び酸素からなる焼結体や、この焼結体に対して更に第３元素を添加した焼結体を例示することができる。また、アルミニウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体としては、アルミニウム、亜鉛及び酸素からなる焼結体や、この焼結体に対して更に第３元素を添加した焼結体を例示することができる。
【００１９】
原料粉末は特に限定されるものではなく、例えば、焼結体を構成する金属元素の金属塩粉末、酸化物、塩化物、硝酸塩、炭酸塩等を用いることも可能であるが、取り扱い性を考慮すると酸化物粉末が好ましい。
【００２０】
各原料粉末の純度は、通常９９％以上、好ましくは９９．９％以上、より好ましくは９９．９９％以上である。純度が低いと、不純物物質により、本発明の透明導電膜用焼結体を用いたスパッタリングターゲットで形成された透明導電膜に影響が及ぼされることがあるからである。
【００２１】
これらの原料の配合は例えば、インジウム、スズ及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、酸化物換算でＳｎＯ２／（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）で４〜２０重量％とすることが好ましく、さらに好ましくは５〜１０重量％である。スズの含有量がこの範囲であると、スパッタリング法により成膜したときに得られる薄膜の抵抗率が低下する。
【００２２】
また、アルミニウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、酸化物換算でＡｌ２Ｏ３／（ＺｎＯ＋Ａｌ２Ｏ３）で１〜１０重量％とすることが好ましく、さらに好ましくは２〜５重量％である。アルミニウムの含有量がこの範囲であると、スパッタリング法により成膜したときに得られる薄膜の抵抗率が低下する。
【００２３】
これら各粉末の混合は、特に限定されるものではないが、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミルやメディアレスの容器回転式混合、機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、Ｖ型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。
【００２４】
次いで、原料粉末は、噴霧乾燥等により造粒する。その理由としては、充填時の粉末が均一に充填され、均質な成形体が得られるからである。円筒などの複雑な形状をもつ成形体において均質な成形体が得られることは特に重要である。
【００２５】
なぜなら、透明導電膜用焼結体はいずれもアルミナやジルコニアといった構造材料として代表的なセラミックス焼結体に比べ熱衝撃に弱く、均一な組成、組織を有する焼結体を得ることは熱衝撃特性の安定性にとって重要である。さらに電磁波加熱においては、目的焼成物のマイクロ波吸収による自己発熱を利用するため、成形体の組成、組織の均一性は、均一な焼結体を得るために非常に重要である。
【００２６】
造粒粒子の平均粒子径は３０〜２００μｍとすることが好ましく、４０〜１５０μｍとすることがより好ましく、５０〜１００μｍとすることがさらに好ましい。この範囲では、焼結体の組織が均一となり、焼結密度が高い焼結体を得ることが可能となる。
【００２７】
噴霧乾燥のためのスラリーは、例えば、原料粉末と分散剤、有機バインダー、イオン交換水とを混合することにより調整することができる。分散剤としてはたとえば、アクリル酸塩、アクリル酸エステル等の単独又は共重合体からなるポリカルボン酸系化合物が挙げられる。また、有機バインダーとしては、たとえば、ポリビニルアルコールやアクリル酸・アクリルアミド共重合体、アクリル酸・メタクリル酸共重合体等の混合物が挙げられる。
【００２８】
分散剤、有機バインダーの添加量は原料粉末量に対して２重量％未満であることが好ましい。また、脱脂工程での歩留まりや生産性を高めるために有機バインダー、分散剤の添加量を１重量％未満にしても良く、または添加を行わなくても良い。
【００２９】
本発明の噴霧乾燥に用いられる装置としては特に限定されるものではない。微粒子化方法としては、例えば回転円盤式、圧力噴射ノズル式、二流体ノズル式等が、乾燥方法も並流式、向流式、混合式等が挙げられる。
【００３０】
なお、成形処理に際しては、ポリビニルアルコール、アクリル系ポリマー、メチルセルロース、ワックス類、オレイン酸等の成形助剤を原料粉末に添加しても良い。
【００３１】
（２）成形工程
成形方法は、（１）工程で造粒した粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。
【００３２】
成形圧力は成形体にクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体であれば特に限定されるものではないが、成形密度は可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧（ＣＩＰ）成形等の方法を用いることも可能である。ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため１ｔｏｎ／ｃｍ２以上、好ましくは２ｔｏｎ／ｃｍ２以上、さらに好ましくは２〜３ｔｏｎ／ｃｍ２であることが望ましい。
【００３３】
ここで始めの成形を鋳込法により行い、続いてＣＩＰを行った場合には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分及びバインダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また、始めの成形をプレス法により行った場合でも、原料混合工程でバインダーを添加したときは、同様の脱バインダー処理を行うこともできる。
【００３４】
（３）焼成工程
次に得られた成形体を焼結炉内に投入して焼結を行う。焼結方法としては、密度が高く、平均結晶粒径が小さな焼結体を得られる電磁波加熱による焼結を行う。
【００３５】
電磁波としてはマグネトロンまたはジャイロトロン等から発生する連続またはパルス状の２．４５ＧＨｚ等のマイクロ波、２８ＧＨｚ等のミリ波、またはサブミリ波が利用できる。電磁波の周波数の選択は被焼成物の焼結挙動から適切なものを選択することができるが、発振器のコスト等の経済性を考慮すると２．４５ＧＨｚのマイクロ波が好ましい。
【００３６】
使用される電磁波焼成炉としては、バッチ式、連続式、外部加熱式とのハイブリット式等の種々の焼成炉を使用することができる。
【００３７】
マイクロ波による焼成の場合、得られた成形体はセッターの上に置かれ、断熱材で囲まれる。この際、断熱材の内部に等温熱障壁のための材料を設置することも可能である。セッターや等温熱障壁の材質は被焼成物の焼成温度にて耐熱性を有する材料を選択すればよい。例えば、アルミナ、ムライト、ジルコニア、ＳｉＣ等の耐熱性の高い材質を選択する。
【００３８】
昇温速度については特に限定されないが、平均結晶粒径を小さくする観点からは、２０〜６００℃／時間、好ましくは１００〜６００℃／時間、より好ましくは２００〜５００℃／時間である。水分やバインダーを含む成形体の場合、特に大型の成形体では水分やバインダー成分が揮発する際に、急激な体積膨張を伴うと成形体が割れることがあるため、水分やバインダー成分が揮発している温度領域、例えば１００〜４００℃の温度域においては昇温速度を２０〜１００℃／時間とすることが好ましい。
【００３９】
焼成時の最高温度の設定は材料と目的の平均結晶粒径、密度により制御することができ、インジウム、スズ及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、１４００〜１６５０℃、好ましくは１４５０〜１６００℃、より好ましくは１４００〜１５５０℃である。また、アルミニウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、１１００〜１４００℃、好ましくは１１００〜１３００℃である。
【００４０】
最高温度における保持時間は特に限定しないが、１０時間以内で十分である。
【００４１】
また、降温速度は特に規定されず、焼結炉の容量、焼結体のサイズ及び形状、割れ易さなどを考慮して適宜決定すればよい。
【００４２】
焼結時の雰囲気としてはインジウム、スズ及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、酸素気流中が好ましい。また、アルミニウム、亜鉛及び酸素を含んでなる焼結体を得る場合は、大気中または、不活性ガス中が好ましい。これらの雰囲気中で焼成を行うことで密度の高い焼結体を得ることができる。
【００４３】
次に、本発明の方法で製造した透明導電膜用焼結体について説明する。
【００４４】
本発明の方法で製造した透明導電膜用焼結体は、平均結晶粒径が２μｍ以下となる。造粒粉末で成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、微細結晶化しやすくなるからである。例えば、インジウム、スズ及び酸素からなる透明導電膜用焼結体の場合、スズの含有量が少ないと焼結体の平均結晶粒径が粗大化しやすいが、本発明ではそのような組成であっても、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することが可能である。なお、本発明の平均結晶粒径はコード法により求めたコード径である。
【００４５】
焼結体の平均結晶粒径が２μｍ以下の場合、ＪＩＳのＲ１６４８による熱衝撃試験により求めた最大許容温度差は１５０℃以上となる。
【００４６】
透明導電膜用焼結体とバッキングプレートを接合する場合、溶融状態のインジウムを使用する。インジウムハンダの融点は１５６．６℃であり、焼結体の内側と外側で約１５０℃の温度差が発生しうるため、最大許容温度差が１５０℃以上あるとボンディング時の割れを著しく低減することが可能である。
【００４７】
また、スパッタリング中のターゲット材の表面温度については詳細には判っていないが、スパッタされている部分とそうでない部分では温度差が発生する。また、円筒型スパッタリングターゲットの場合は、高出力で使用することと、スパッタリングターゲットが回転しているため、スパッタリング中は高温にさらされ、そうでないときは、低温になるサイクルがスパッタリングターゲットの寿命まで続く。そのため、長時間の繰り返し疲労により割れが発生する可能性があるが、最大許容温度差が１５０℃以上あれば、割れが発生する頻度は著しく低減するものと考えられる。
【００４８】
本発明の方法で製造した透明導電膜用焼結体の相対密度は９５％以上が好ましく、９８％以上であることがより好ましい。９５％未満であると放電の安定性、スパッタリング薄膜の品質への影響がでる場合があるからである。
【発明の効果】
【００４９】
本発明では、造粒粉末で成形した成形体を電磁波加熱で焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、割れ発生率が大幅に低下する。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本実施例における各測定は以下のように行った。
【００５１】
（１）焼結体密度
アルキメデス法により測定した。なお、相対密度（Ｄ）とは、インジウム、スズ及び酸素からなる焼結体の場合、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の真密度の相加平均から求められる理論密度（ｄＩＴＯ）に対する相対値を示している。相加平均から求められる理論密度（ｄＩＴＯ）とは、ターゲット組成において、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２粉末の混合量をａ（ｇ）とｂ（ｇ）とした時、それぞれの真密度７．１８（ｇ／ｃｍ３）、６．９５（ｇ／ｃｍ３）を用いて、
ｄＩＴＯ＝（ａ＋ｂ）／（（ａ／７．１８）＋（ｂ／６．９５））（１）
により求められる。焼結体の測定密度をｄ１とすると、その相対密度Ｄは、Ｄ＝ｄ１／ｄＩＴＯ×１００（％）で求められる。
【００５２】
また、アルミニウム、亜鉛及び酸素からなる焼結体の場合、ＺｎＯ及びＡｌ２Ｏ３粉末の混合量をｘ（ｇ）及びｙ（ｇ）としたとき、それぞれの真密度５．６８（ｇ／ｃｍ３）及び３．９９（ｇ／ｃｍ３）を用いて、
ｄＡＺＯ＝（ｘ＋ｙ）／（（ｘ／５．６８）＋（ｙ／３．９９））（２）
により求めることができ、実際に得られた焼結体の密度をｄ２とすると、その相対密度Ｄは、Ｄ＝ｄ２／ｄＡＺＯ×１００で求めることができる。
【００５３】
（２）平均結晶粒径
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真からコード法により求めた。コード長は３０μｍで行い、測定した結晶粒子は３００個以上とした。
【００５４】
（３）熱衝撃試験
ＪＩＳのＲ１６４８の相対法による熱衝撃試験方法に準拠し、熱衝撃で付与した温度差（ΔＴ）は１００℃から２２５℃まで、２５℃間隔で実施した。
（試験条件）
落下高さ          ：６００ｍｍ
冷却水槽の大きさ  ：３００×３００×３００ｍｍ
落下深さ          ：２００ｍｍ
試験片温度測定位置：中央
試験片            ：４×３×４０ｍｍ
表面粗さ          ：０．４μｍ以下
面取り            ：Ｃ面、０．２ｍｍ
試験片数          ：５本
残存曲げ試験の種類：３点曲げ試験
（４）放電評価
外径が８８ｍｍ、内径７８ｍｍ、長さが２００ｍｍの円筒型のターゲット用焼結体をインジウム半田を用いてチタン製のバッキングプレートにボンディングしてターゲットとした。このターゲットを以下のスパッタリング条件で連続放電させて、２０時間毎にターゲットの割れの確認し、最長で１００時間まで放電評価を行った。
（スパッタリング条件）
装置                      ：ＤＣマグネトロンスパッタ装置
磁界強度                  ：５００Ｇａｕｓｓ（ターゲット真上、水平成分）
基板温度                  ：２５℃（無加熱）
到達真空度                ：３×１０−４Ｐａ
スパッタリングガス        ：Ａｒ＋酸素
スパッタリングガス圧      ：０．５Ｐａ
ＤＣ電力                  ：３００Ｗ
ガス圧                    ：７．０ｍＴｏｒｒ
酸素ガス濃度（Ｏ２／Ａｒ）：０．０５％
（実施例１）
市販の酸化インジウム粉末（平均粒径０．８μｍ）と市販の酸化スズ粉末（平均粒径０．６μｍ）を、ＳｎＯ２／（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２）＝１０重量％となるように秤量し、イオン交換水、ポリカルボン酸系分散剤とともに、ビーズミルを用いて、ジルコニアビーズ（０．３ｍｍφ）にて粉砕、混合し、スラリー化した。このスラリーをスプレードライヤーにて以下の条件で噴霧乾燥して、平均粒径３８μｍ、かさ密度１．５ｇ／ｃｍ３、タップ密度１．７ｇ／ｃｍ３の造粒粉末を得た。
（乾燥条件）
ディスク回転数：１５０００ｒｐｍ
送風入口温度  ：２００℃
送風出口温度  ：１２０℃
スラリー供給量：２．５ｋｇ／ｈｒ
この混合粉末を円筒形状の焼結体が得られるように成形型に入れ、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰによる処理を行った。次にこの成形体をマイクロ波焼成炉（周波数＝２．４５ＧＨｚ）にＳｉＣ製のセッターの上に設置して、以下の条件で焼結した。
（焼結条件）
焼成温度              ：１４５０℃
昇温速度              ：３００℃／時間
降温速度              ：１００℃／時間
１４５０℃での保持時間：２時間
雰囲気                ：純酸素ガス導入
得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
【００５５】
（実施例２）
実施例１と同じスラリーを乾燥条件を下記のものに変更して、スプレードライヤーにて噴霧乾燥して、平均粒径５０μｍ、かさ密度１．６ｇ／ｃｍ３、タップ密度１．８ｇ／ｃｍ３の造粒粉末を得た。ＣＩＰ時の圧力＝１．５ｔｏｎ／ｃｍ２、焼成温度＝１５５０℃とした以外は、実施例１と同様にして焼成を行った。得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
（乾燥条件）
ディスク回転数：１２０００ｒｐｍ
送風入口温度  ：２００℃
送風出口温度  ：１００℃
スラリー供給量：２．５ｋｇ／ｈｒ
（実施例３）
酸化スズの含有量をＳｎＯ２／（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）＝５重量％とした以外は実施例１と同様にして焼成を行った。得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。
【００５６】
（実施例４）
市販の酸化亜鉛粉末（平均粒径０．９μｍ）と市販の酸化アルミニウム粉末（平均粒径０．３μｍ）を、Ａｌ２Ｏ３／（ＺｎＯ＋Ａｌ２Ｏ３）＝２重量％となるように秤量し、イオン交換水、ポリカルボン酸系分散剤とともに、ビーズミルを用いて、アルミナビーズ（０．３ｍｍφ）にて粉砕し、混合し、スラリー化した。このスラリーをスプレードライヤーにて下記の条件で噴霧乾燥して、平均粒径７０μｍ、かさ密度１．５ｇ／ｃｍ３、タップ密度１．８ｇ／ｃｍ３の造粒粉末を得た。
（乾燥条件）
ディスク回転数：１００００ｒｐｍ
送風入口温度  ：２００℃
送風出口温度  ：１１０℃
スラリー供給量：３．０ｋｇ／ｈｒ
この混合粉末を所定の形状の焼結体が得られるように成形型に入れ、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰによる処理を行った。次にこの成形体をマイクロ波焼成炉（周波数＝２．４５ＧＨｚ）にＳｉＣ製のセッターに厚さ２ｍｍのアルミナ板を敷き、その上に設置して、以下の条件で焼結した。
（焼結条件）
焼成温度              ：１３００℃
昇温速度              ：３００℃／時間
降温速度              ：１００℃／時間
１３００℃での保持時間：１時間
雰囲気                ：純窒素ガス導入
得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
【００５７】
（比較例１）
電気炉（発熱体＝モリブデンシリサイトヒーター）を使用し、焼成温度＝１６００℃、昇温速度＝５０℃／時間、１６００℃での保持時間＝５時間とした以外は実施例１と同様にして焼成を行った。得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
【００５８】
（比較例２）
電気炉（発熱体＝モリブデンシリサイトヒーター）を使用し、焼成温度＝１４００℃、昇温速度＝５０℃／時間、１４００℃での保持時間＝４時間とした以外は実施例４と同様にして焼成を行った。得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
（比較例３）
市販の酸化インジウム粉末（平均粒径０．８μｍ）と市販の酸化スズ粉末（平均粒径０．６μｍ）とをＳｎＯ２／（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２）＝５重量％となるように秤量し、ポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより１６時間混合し、混合粉末を調製した。前記混合粉末のかさ密度を測定したところ、１．７ｇ／ｃｍ３であった。
【００５９】
この混合粉末を使用し、実施例２と同様にして焼成を行った。得られた焼結体について、焼結体密度、平均結晶粒径、熱衝撃試験、放電評価の評価を実施した。結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
2010150093.tif 000002