(57)【要約】      （修正有）【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。【解決手段】多層積層回路基板１は、樹脂フィルム１００と回路層２００とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、上記樹脂フィルム１００は、１つ以上のマルチ導通部１１０を有し、上記マルチ導通部１１０は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビア１２０を有し、該導通ビア１２０は、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、
前記樹脂フィルムは、１つ以上のマルチ導通部を有し、
前記マルチ導通部は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビアを有し、
前記導通ビアは、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有する、多層積層回路基板。
【請求項２】
前記樹脂フィルムの厚みをＴとし、
前記導通ビアの内径をｄとすると、０＜ｄ／Ｔ≦６０である、請求項１に記載の多層積層回路基板。
【請求項３】
前記樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いる、請求項１または２に記載の多層積層回路基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の多層積層回路基板を用いる部品または製品。
【請求項５】
前記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかである、請求項４に記載の製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層積層回路基板に関し、特に金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
我々の身の回りにある製品、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、ロボット等はいずれも場所をとらない小型製品に人気が集中しており、さらに小型化した製品の登場が期待されている。このような製品のニーズに対応するため、製品の外形を小型化するというアプローチと、製品の内部を小型化するというアプローチとの両面から製品の小型化の技術開発が進められてきた。ところが、製品の外形を小型化するというアプローチによる製品の小型化はもはや限界に近いと言われ、製品の内部の小型化に期待が寄せられるようになってきた。
【０００３】
このような状況下で、製品の内部を小型化するアプローチとして、製品に用いられる回路基板を軽薄短小な回路構造にするという方法が近年特に注目を集めている。従来の回路基板は、平面に１層または２層の回路を形成し、その回路そのものを微細化することによって回路基板を小型化することが検討されていたが、平面上に形成される回路の微細化だけでは小型化に限界があったため、回路基板を多層化して立体的に回路を形成する多層積層回路基板が検討されるようになってきた。
【０００４】
このような多層積層回路基板は、ビルドアップ法により作製されるのが一般的である。ビルドアップ法とは、絶縁性の樹脂フィルム上に形成された導電層をエッチングすることによりそれを部分的に除去して金属回路を形成し、その金属回路上に接着剤を塗布して、さらに導電層が形成された樹脂フィルムを貼り合わせる。その後、貼り合わせた樹脂フィルムの導通部に導通ビアを形成して、当該導通ビアの内部にめっきまたはペースト等を充填する。そして、貼り合わせた樹脂フィルムの導電層をエッチングすることによりそれを部分的に除去して金属回路を形成する。以後、これらの工程を繰り返して、金属回路を多層化させていくという手法である。しかしながら、このビルドアップ法により形成した多層積層回路基板は、それ自体に熱が加わると、金属回路に断線が生じるという問題があった。
【０００５】
特許文献１〜６にはこれらの課題を解決するために様々な試みがなされているが、いずれの多層積層回路基板においても上述の問題を十分に解決できるものではなかった。以下に、特許文献１〜６に示される多層積層回路基板の概略を説明する。
【０００６】
特許文献１の多層積層回路基板は、２層の樹脂フィルムの金属回路の接続に鉛を含まない低融点のはんだを用いることにより、樹脂フィルム同士の接合強度を高め、金属回路の断線を防止しようとするものである。しかしながら、この多層積層回路基板は熱が加わったときに低融点はんだが再融解してしまい、金属回路が断線してしまう。
【０００７】
特許文献２には、表面側の金属回路から裏面側の金属回路まで貫通するように開けられた導通ビアにはんだを充填することによって、フレキシブル基板と補強基板との接合強度を高めて接合し、金属回路の断線を防止することが記載されているが、特許文献１と同様熱が加わったときに金属回路の断線が生じやすかった。
【０００８】
特許文献３には、バンプにより樹脂フィルム同士を接合する多層積層回路基板が記載されている。しかしながら、バンプは径を小さくすることが困難であるから、多層積層回路基板の小型化に対応できないという問題があった。
【０００９】
特許文献４には、多層積層回路基板の導通ビアに導電性樹脂を充填することによる多層積層回路基板が示されているが、長期間導通させた際の熱により金属回路に断線が生じるという懸念は残されていた。
【００１０】
特許文献５には、樹脂フィルムの積層に際して導通ビアに導電性ペーストを充填することによって、表裏の樹脂フィルム同士の接着性を高めているが、導電性ペーストと樹脂フィルムとの密着が十分とはいえなかった。
【００１１】
さらに、特許文献６には、樹脂フィルム同士の貼り付けに接着剤を用いることによって、積層した樹脂フィルム同士の位置ズレを防止する多層積層回路基板が記載されているが、位置ズレを防止するだけでは金属回路の断線を十分に防止できるとはいえなかった。
【特許文献１】特開２００５−２４３９１１号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６４８１号公報
【特許文献３】特開２００８−６０５８２号公報
【特許文献４】特開２００７−３３５６３１号公報
【特許文献５】特開２００５−２２３０１０号公報
【特許文献６】特開２００８−９１４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
以上のように、特許文献１〜６はいずれも樹脂フィルム同士の接着手段または接着材料を改良することにより、金属回路の断線が起こりにくい多層積層回路基板を提供するものであった。
【００１３】
しかしながら、いずれの多層積層回路基板も導通部が１つの導通ビアにより形成されたものであることから、それ自体に熱が加わると、樹脂フィルムの熱膨張係数と導通ビア内の金属回路の熱膨張係数とが異なるため、これらの熱膨張の差により導通ビア内の金属回路に圧縮または引張のストレスがかかり、導通ビア内の金属回路が断線してしまうという共通の問題を有していた。
【００１４】
また別の問題として、たとえば多層積層回路基板に熱が加わった場合、多層積層回路基板に含まれる複数の樹脂フィルムにおいて熱源からの距離に応じて各樹脂フィルムに膨張差が生じ、多層積層回路基板が歪められ、樹脂フィルムに形成されている導通ビア内の金属回路にストレスがかかり、金属回路が断線してしまうという問題もあった。本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、上記樹脂フィルムは、１つ以上のマルチ導通部を有し、上記マルチ導通部は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビアを有し、該導通ビアは、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有することを特徴とする。
【００１６】
また、上記の樹脂フィルムの厚みをＴとし、上記の導通ビアの内径をｄとすると、０＜ｄ／Ｔ≦６０であることが好ましい。
【００１７】
また、上記の樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。
また、本発明は、多層積層回路基板を用いる部品または製品である。
【００１８】
また、上記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の多層積層回路基板は、上記の各構成を有することにより、金属回路の断線が生じにくいという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜多層積層回路基板＞
以下、本発明の多層積層回路基板について図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的断面図である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２１】
本発明の多層積層回路基板１は、図１に示されるように、樹脂フィルム１００と回路層２００とを交互に積層させた積層構造を含む。なお、図１は樹脂フィルム１００を３層積層させた構造を示しているが、本発明における積層構造の最小積層数は、樹脂フィルム１００を２層積層させたものである。この場合、回路層２００の積層数は２層または３層とすることができる。一方、本発明における積層構造の最多積層数は、特に限定されず、用途に応じて積層させることができるが、通常、樹脂フィルム１００を２〜３０層程度積層させたものが一般的である。
【００２２】
ここで、本発明の多層積層回路基板１の樹脂フィルム１００は、１つ以上のマルチ導通部１１０を有し、該マルチ導通部１１０には樹脂フィルムの表裏を貫通する２つ以上の導通ビア１２０を設けることを特徴とする。このように樹脂フィルム１００の表裏を貫通する導通ビア１２０を２つ以上設けることにより、金属回路の断線を生じにくくすることができる。以下に本発明の多層積層回路基板に含まれる各構成部を説明する。
【００２３】
＜樹脂フィルム＞
本発明の多層積層回路基板には、２層以上の樹脂フィルムが含まれる。そして、それらの樹脂フィルムは、絶縁性の材料からなり、この種の用途に用いられる従来公知の樹脂フィルムをいずれも用いることができる。このような樹脂フィルムとして、たとえばポリイミド（ＰＩ）系、アクリル系、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂フィルムを用いることができる。
【００２４】
そのような樹脂フィルム１００は、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。そのような長尺状の樹脂フィルムとしては、たとえば、１〜１００００ｍ程度の長さを有するものが好ましく、１００〜３０００ｍ程度のものがより好ましい。長尺状のものを用いることにより連続加工することができ、生産効率を向上させることができる。１ｍ未満では、ロール状に巻いた形状のものとして用いることが困難であり加工効率が低下するため好ましくなく、１００００ｍを超えると、後述の下地層の形成において連続加工を妨げられる虞があるため好ましくない。
【００２５】
なお、樹脂フィルムが「長尺状のもの」とは上記のような長さを有し、ロール状に巻いた形状のものとして用いるのに適したものをいうが、上記のような長さに満たないものであっても、複数の枚葉の樹脂フィルムを貼り合わせることにより、長尺状のものとして取り扱えるようにしたものも含むものとする。
【００２６】
また、樹脂フィルム１００の厚みは、３μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。樹脂フィルム１００の厚みが３μｍよりも薄いと作業性が悪くなりすぎるため好ましくなく、２００μｍよりも厚くなると、導通ビア１２０が加工しにくくなるため好ましくない。
【００２７】
＜回路層＞
本発明の樹脂フィルム１００上に形成される回路層２００には金属回路５０が含まれる。また、回路層２００の金属回路５０以外の部分は、絶縁性の接着性樹脂７０が充填されていてもよく、この接着性樹脂７０を介して樹脂フィルム１００同士を相互に貼り付けることができる。このように本発明の回路層２００は、金属回路５０のみによって構成されていてもよいし、金属回路５０と接着性樹脂７０とにより構成されていてもよい。
【００２８】
＜金属回路＞
金属回路５０は、めっき層１４０を含み、さらにこのめっき層１４０と樹脂フィルム１００との間に下地層１３０を含むこともできる。なお、本発明においては導通ビア１２０内に形成される下地層１３０およびめっき層１４０も便宜的に金属回路５０と呼ぶ場合がある。
【００２９】
ここで、下地層１３０はめっき層１４０と樹脂フィルム１００との密着性を向上させる作用をなすものであり、１層で形成してもよいし、２層以上で形成してもよい。下地層１３０が２層以上で形成される場合は、酸化防止層と下地金属層とを含むことが好ましい。このような下地層は、どのような方法で形成してもよいが、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。特に正確に膜厚を制御するという観点からスパッタにより形成することが好ましい。
【００３０】
この酸化防止層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＣｏおよびＳｉからなる群より選択された少なくとも１種の金属または該金属を少なくとも１種含む合金により構成することが好ましく、その層厚は、２〜２０ｎｍとすることが好ましい。
【００３１】
また、下地金属層は、酸化防止層上に形成されることが好ましく、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、ＢｉおよびＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属または該金属を少なくとも１種含む合金により構成することが好ましい。また、下地金属層の層厚は、５０〜５００ｎｍ程度とすることが好ましい。
【００３２】
また、上記めっき層１４０は、電気めっきにより形成される層であり、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、ＢｉおよびＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属または該金属を少なくとも１種含む合金により構成することが好ましく、ＣｕまたはＣｕを含む合金により構成することがより好ましい。なお、前述の下地金属層を形成する場合、下地金属層とめっき層１４０とは同一の材料を用いることが好ましい。
【００３３】
＜接着性樹脂＞
接着性樹脂７０は、多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム１００同士を相互に貼り付けることができるものであれば、どのようなものを用いてもよく、たとえば、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂およびポリイミド系の樹脂等を用いることができる。
【００３４】
＜マルチ導通部＞
本発明の多層積層回路基板１を構成する各樹脂フィルム１００は、１つ以上のマルチ導通部１１０を有し、このマルチ導通部には、２つ以上の導通ビア１２０が設けられる。ここで、マルチ導通部とは、金属回路の構成上、当該樹脂フィルムの表裏の両面の金属回路の導通が所望される部位に形成されるものであって、樹脂フィルムの表裏を貫通する導通ビアが２つ以上形成されることにより表裏の導通を保障するものである。
【００３５】
そして、当該マルチ導通部は、所望の部位に近接連関して形成された複数の導通ビアの全てを含み、その断面積が最小となる円柱状領域のことをいい、当該断面積は樹脂フィルム上において直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占めることが好ましい。すなわち、たとえば図２に示されるように、近接連関する導通ビア１２０が３つある場合、この３つの導通ビアの全てを含み、かつ円柱状領域の断面の面積が最小となる領域のことをマルチ導通部１１０という。
【００３６】
このマルチ導通部の直径は、上述の通り１０μｍ以上３０００μｍ以下であることが好ましい。マルチ導通部の直径が１０μｍ未満では、樹脂フィルムの表裏に形成される金属回路の導通を十分に保障できない場合があり、また、３０００μｍを超えると、金属回路の占める面積そのものが過大となり所期の目的に反することとなる。
【００３７】
このようにマルチ導通部に２つ以上の導通ビアを設けることによって、熱の適用時に樹脂フィルムと導通ビア内の金属回路との熱膨張係数の差に起因して導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスをこれらの各導通ビアに分散することができ、金属回路の断線を抑制することができる。
【００３８】
しかも、このように２つ以上の導通ビアを設けていれば、たとえ１つの導通ビアで金属回路の断線が生じても、他の導通ビアにより導通が保たれているので、樹脂フィルムの表裏に形成された金属回路が完全に断線されないという効果もある。
【００３９】
さらに、従来技術のように導通ビアを１つだけ形成する場合に比し、導通ビアの内径を小さくすることができることから、導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスの影響を一層低減できるという効果もある。本発明は、これらの作用の相乗効果によって、金属回路の断線を飛躍的に抑制することができる。
【００４０】
＜導通ビア＞
本発明のマルチ導通部１１０に含まれる導通ビア１２０は、樹脂フィルム１００の表裏を貫通するように設けられる孔であり、この導通ビア内に金属回路を形成することにより樹脂フィルム１００の表裏の金属回路を導通することができる。
【００４１】
ここで、導通ビア内に金属回路を形成するとは、導通ビアの内壁面に金属回路を形成することをいい、このように形成される金属回路は、導通ビアの全体を充填するように形成されていてもよいし、スルホール状に導通ビア内に空洞が残るように形成されていてもよい。
【００４２】
また、この導通ビアは、樹脂フィルムの表裏の金属回路の導通を保障するという観点からその内径を大きくすることが好ましいが、その内径を大きくするほど前述のように熱が加わったときに導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスが集中するため、金属回路の断線が生じやすくなる。
【００４３】
したがって、導通ビアは、５μｍ以上３００μｍ以下の内径であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下の内径であることがより好ましく、１５μｍ以上２０μｍ以下の内径であることがさらに好ましい。また、熱が加わったときの導通ビアの切断を防止するという観点から、その断面は、０．２ｍｍ2以下であることが好ましい。
【００４４】
導通ビアの内径が３００μｍよりも大きいと、上述の理由により導通ビア内の金属回路が断線されやすくなるため好ましくない。また、導通ビアの内径が５μｍより小さいと導通ビアの加工が困難となるばかりか、導通ビアにめっき層を形成させるべく電気めっきをする際にめっき液が導通ビア内に浸入しにくくなることからも好ましくない。
【００４５】
また、導通ビア１２０を形成する個数は、マルチ導通部１箇所に対し２〜７個程度を形成することが好ましく、３〜５個程度を形成することがより好ましい。これに対し、前述の通り、１つの導通部に対し１つの導通ビアのみを形成すると、前述の理由から金属回路の断線が起こりやすくなるため好ましくない。また、導通ビアを８個以上形成すると、マルチ導通部の面積が広くなりすぎるという点で好ましくなく、導通ビアの加工時間が長くなりコストが高くなってしまうという点からも好ましくない。
【００４６】
導通ビアの内径とマルチ導通部に含まれる導通ビアの個数との関係は、たとえば導通ビアの内径が５μｍ以上５０μｍ未満の場合２〜７個の導通ビアを形成することが好ましく、導通ビアの内径が５０μｍ以上３００μｍ以下の場合２個または３個の導通ビアを形成することが好ましい。
【００４７】
ただし、導通ビアの大きさが構造上やむをえず大きくならざるを得ない場合等にあっては、その部位に限ってマルチ導通部の代わりに従来のように導通ビア１つで導通部を形成してもよい。しかし、熱のストレスによる金属回路の断線を避けるという観点からすれば、１つのマルチ導通部に対し上述の範囲内で可能な限り多くの導通ビアを設けることが好ましいことは言うまでもない。
【００４８】
また、上記の樹脂フィルムの厚みをＴとし、上記の導通ビアの内径をｄとすると、０＜ｄ／Ｔ≦６０であることが好ましく、０．０１≦ｄ／Ｔ≦６であることがより好ましく、０．３≦ｄ／Ｔ≦２であることがさらに好ましい。このようにｄ／Ｔの値を特定の数値範囲内に制御することにより、熱のストレスによる導通ビア内の金属回路の断線を極めて有効に防止することができる。なお、ｄ／Ｔの値が６０よりも大きくなると、樹脂フィルムの厚みに対して導通ビアの内径が大きすぎるため、熱が加わったときに導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスが大きくなりすぎて、導通ビア内の金属回路が断線しやすくなるため好ましくない。
【００４９】
＜樹脂フィルムの熱膨張係数＞
本発明の多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルムの熱膨張係数は、１ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下が好ましく、２ｐｐｍ／℃以上２００ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、３ｐｐｍ／℃以上１５０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましい。樹脂フィルムの熱膨張係数が１ｐｐｍ／℃より小さくなると、樹脂フィルムがもろくなってしまうため好ましくなく、３００ｐｐｍ／℃より大きくなると、熱が加わったときの樹脂フィルムの膨張により、多層積層回路基板が歪められ、導通ビア内の金属回路にストレスがかかってしまい、金属回路に断線が生じやすくなるため好ましくない。ここで、本発明において、熱膨張係数とは、樹脂フィルムの幅方向に対する垂直方向（すなわち、長手方向）の熱膨張係数をいうものとする。
【００５０】
なお、多層積層回路基板の歪みやすい部分には、熱膨張係数が大きい樹脂フィルムを用いることが好ましく、樹脂フィルムの厚みは厚くすることが好ましい。
【００５１】
また、本発明の多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも１層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なることが好ましい。このように少なくとも１層の樹脂フィルムに他の樹脂フィルムと異なった熱膨張係数を有するものを用いることにより、これらの樹脂フィルム間において熱源からの距離に応じて生じる膨張差を緩和することができ、以って導通ビア内の金属回路の断線を抑制することができる。
【００５２】
＜多層積層回路基板の使用態様＞
本発明の多層積層回路基板は、たとえば図３に示されるように、多層積層回路基板の最下面の金属回路５０とリジッド基板３０１とが、接着金属４０１により貼り付けられ、多層積層回路基板の最上面の金属回路５０とＳｉ基板３０２とが、密着金属４０２により貼り付けられる構成として用いることができる。この場合、接着金属４０１と密着金属４０２とはいずれもはんだにより形成されることが好ましいが、密着金属４０２に関しては、はんだによる形成に限られるものではなく、ボンディングまたはスタットピンとバンプとの組み合わせによって形成してもよい。また、Ｓｉ基板３０２にはリジッド基板または銅基板を用いてもよく、リジッド基板３０１にはＳｉ基板または銅基板を用いてもよい。また、熱が加わったときのこれらの切断を防止するという観点から、接着金属４０１および密着金属４０２の断面は、０．２ｍｍ2以下であることが好ましい。
【００５３】
このような多層積層回路基板の使用態様の場合、最上層のＳｉ基板３０２は熱膨張係数が小さく、最下層のリジッド基板３０１は熱膨張係数が大きいので、これらの間に積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、Ｓｉ基板３０２側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が小さく、リジッド基板３０１側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が大きくなるように、樹脂フィルムを選定することが好ましい。
【００５４】
より具体的には、Ｓｉ基板３０２の近くに積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、２ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下がより好ましい。熱膨張係数が２ｐｐｍ／℃よりも小さいと、多層積層回路基板がもろくなりすぎて扱いにくくなるため好ましくなく、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃よりも大きくなると、Ｓｉ基板３０２の熱膨張係数と樹脂フィルムの熱膨張係数との差が大きくなりすぎて多層積層回路基板に歪みが生じ、導通ビア内の金属回路に断線が生じやすくなるため好ましくない。
【００５５】
また、リジッド基板３０１の近くに積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、リジッド基板３０１の熱膨張係数に近い材料を用いることが好ましい。また、リジッド基板が屈曲している場合には、この屈曲に対応できる樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、上記のＳｉ基板またはリジッド基板のいずれか一方もしくは両方に、銅基板を用いる場合、銅基板の近くに積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、銅基板の熱膨張係数（１６．８ｐｐｍ／℃）に近い材料を用いることが好ましく、その値は１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１５ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００５６】
＜部品または製品＞
本発明の多層積層回路基板は、一般的な部品または製品に用いられる。この製品には、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、太陽電池、自動車またはロボット等を挙げることができる。
【００５７】
＜多層積層回路基板の製造方法＞
本発明の多層積層回路基板の製造は、まず樹脂フィルム１００の各マルチ導通部に表裏を貫通するような２つ以上の導通ビア１２０を形成した後、樹脂フィルム１００の表面全体（導通ビアの内壁面を含む）に亘って下地層１３０を形成し、その上に電気めっきによりめっき層１４０を形成する。
【００５８】
その後、下地層１３０とめっき層１４０との一部を除去して金属回路５０を形成し、接着性樹脂７０によって別の樹脂フィルム１００を貼り付ける。続いて、この新たに貼り付けられた樹脂フィルム１００のマルチ導通部の位置に２つ以上の導通ビアを形成し、その後上記と同様にして金属回路を形成する。以上の操作を長尺状の樹脂フィルムを用いて連続的に繰り返し行なうことにより本発明の多層積層回路基板は製造される。
【００５９】
上述のように金属回路５０を電気めっきで形成されるめっき層により構成すれば、導通ビア内の金属回路に断線が生じにくく、しかも樹脂フィルムを多層化してもコストの向上を抑制できるため好ましい。
【００６０】
なお、本発明の多層積層回路基板１の金属回路５０は、たとえばエッチング法とセミアディティブ法のいずれの方法により形成してもよい。エッチング法は、樹脂フィルムの表面（導通ビアの内壁面を含む）の全面に電気めっきによりめっき層を形成し、その後不要な部分となるめっき層と下地層とをエッチングにより除去することにより金属回路を形成する方法である。
【００６１】
一方、セミアディティブ法は、樹脂フィルムの表面（導通ビアの内壁面を含む）上の回路とならない部分に対してレジストによりマスキングした後、電気めっきにより必要な厚みのめっき層を形成し、その後レジストを剥離して金属回路を形成する方法である。
【００６２】
以下においては、金属回路の形成方法としてセミアディティブ法を例にとり多層積層回路基板の製造方法を説明する。当該製造方法は、導通ビア形成工程、下地層形成工程、レジスト形成工程、露光工程、現像工程、活性化工程、めっき層形成工程、レジスト剥離工程、ソフトエッチング工程および樹脂フィルム積層工程をこの順に繰り返すことによって多層積層回路基板を製造する方法である。これらの工程を以下に説明する。
【００６３】
＜導通ビア形成工程＞
まず、樹脂フィルム１００に対して、マルチ導通部を形成するように３つの導通ビア１２０を形成する（図４）。ここで、導通ビアの深さと樹脂フィルムの厚みとが等しくなるように導通ビアの形成を調節できる装置であればどのような装置でもよいが、小径かつ低コストで導通ビアを形成できるという観点から、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることが好ましい。
【００６４】
＜下地層形成工程＞
次に、イオンガンにより樹脂フィルム１００の表面（導通ビアの内壁面を含む）を前処理した後、樹脂フィルム１００の表面（導通ビアの内壁面を含む）に酸化防止層を形成し、酸化防止層上にさらに下地金属層を形成することにより下地層１３０を形成することができる（図５）。下地層１３０に含まれる酸化防止層と下地金属層とは、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。なお、酸化防止層または下地金属層のいずれか一方もしくは両方は形成されない場合もある。
【００６５】
＜レジスト形成工程＞
上記工程によって、樹脂フィルム１００上に形成した下地層１３０の表面を酸で洗浄し、下地層１３０に含まれる下地金属層の表面を活性化させた後レジストを形成する（図示せず）。このレジストは、レジストをフィルム化したドライフィルムを貼り合わせる方法により形成してもよいし、レジストインクを塗布する方法により形成してもよい。
【００６６】
ドライフィルムを貼り合わせる方法は、少量生産に適していることから多品種の製品に対応することができ、しかも貼り合わせ作業の工程も煩雑でないという点で優れているが、製造コストが高くなるという問題を有する。
【００６７】
一方、レジストインクを塗布する方法は、大量生産に適していることから製造コストを低減することができる点で優れているが、塗布の工程が煩雑になるという問題を有する。以下においては、ドライフィルムを貼り合わせる方法によるレジストの形成を説明する。
【００６８】
まず、図５に示される下地層１３０の形成された樹脂フィルム１００をラミネート巻取装置の送出シャフトにセットし、樹脂フィルム１００の先端を巻取シャフトにセットした上で、樹脂フィルム１００の下地層１３０上にドライフィルムを貼り付けながら巻取シャフトを回転させて巻き取りを行なう。このようにして樹脂フィルム１００にドライフィルムが貼り付けられ、樹脂フィルムの下地層上にレジストが形成される（図示せず）。
【００６９】
上述のラミネート時の温度は、３０〜１５０℃であることが好ましく、６０〜１１０℃であることがより好ましい。また、ラミネート時の圧力は、０．３〜５ｋｇ／ｃｍ2であることが好ましく、２〜３ｋｇ／ｃｍ2であることがより好ましい。また、ラミネートした樹脂フィルムの巻取時のラインスピードは、０．１〜１０ｍ／分であることが好ましく、０．５〜３ｍ／分であることがより好ましい。
【００７０】
＜露光工程＞
次に、上記でレジストを形成した樹脂フィルム上に、所望の金属回路のパターンに対応したマスクを重ね合わせた後、ＵＶ露光しマスクで覆われていない部分を感光させる。ここでマスクで覆われていた部分は、次の現像工程で除去され、後述するめっき層形成工程においてめっき層が形成されることにより金属回路が形成される。
【００７１】
この露光に用いられる露光装置は、平行光露光装置を用いてもよいし、ダイレクト露光装置を用いてもよい。しかし、微細回路を形成するという観点からは平行光露光装置を用いることが好ましく、樹脂フィルムの収縮に対応して露光する位置を調整することができるという観点からはダイレクト露光装置を用いることが好ましい。
【００７２】
＜現像工程＞
次に、上述の露光工程のマスクで覆われた部分のレジスト１７０を弱アルカリ溶液により現像する。これにより図６に示すようなレジスト１７０を形成した樹脂フィルム１００を得ることができる。現像に用いられる弱アルカリ溶液は、炭酸ソーダまたはアミン系の材料を用いることが好ましい。また、弱アルカリ溶液のｐＨは７以上１３以下であることが好ましく、８．５以上１０．０以下であることがより好ましい。弱アルカリ溶液のｐＨが７より小さいとレジストが除去されないため好ましくなく、ｐＨが１３より高いと、上記露光工程においてマスクで覆われていない部分のレジスト１７０も全て剥離されてしまうため好ましくない。
【００７３】
また、弱アルカリ溶液の温度は１０〜７０℃であることが好ましく、２０〜３５℃であることがより好ましい。弱アルカリ溶液の温度が１０℃より低いとレジスト１７０が除去されないため好ましくなく、弱アルカリ溶液の温度が７０℃より高いと、ＵＶ露光した部分のレジスト１７０も剥離するため好ましくない。なお、現像の処理時間はレジストの種類により異なるため、一律に規定することはできないが、通常２０秒以上３００秒以下程度とすることが好ましい。
【００７４】
＜活性化工程＞
次に、現像した後の樹脂フィルム１００上の下地層１３０（下地金属層）の表面を酸系の溶液で活性化する。これにより、めっき層と下地層（下地金属層）との密着不良を防止することができる。この活性化に用いられる酸系の溶液は、酸性を示すものであればどのようなものでもよいが、低コストで活性化できるという観点から、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、過硫酸アンモニウム等を用いることが好ましい。
【００７５】
また、酸系の溶液に含まれる酸の濃度は、０．５〜２０質量％であることが好ましく、３〜１０質量％であることがより好ましい。酸系の溶液の濃度が０．５質量％よりも低いと下地層（下地金属層）の表面が活性化されにくいため好ましくなく、酸系の溶液の濃度が２０質量％よりも高いと下地層（下地金属層）の表面に異常が発生する虞があるため好ましくない。
【００７６】
また、活性化するときの酸系の溶液の温度は１０〜７０℃であることが好ましく、３０〜５０℃であることがより好ましい。酸系の溶液の温度を１０℃より低くすると下地層の活性化に時間がかかりすぎるため好ましくなく、酸系の溶液の温度を７０℃よりも高くすると環境面での問題が生じることから好ましくない。また、処理時間は下地層（下地金属層）の表面状態により異なるため、一律に規定することはできないが、通常３秒以上３００秒以下程度とすることが好ましい。
【００７７】
＜めっき層形成工程＞
次に、上記で活性化した下地層１３０上に電気めっきすることによって、図７に示すようなめっき層１４０を形成する。この電気めっきに用いられるめっき液は、めっき層を形成する金属を含む酸性の溶液であればどのようなものでもよいが、めっき液自体が安定であり、かつ低コストでめっきできるという観点から硫酸銅、ピロリン酸銅等を用いることが好ましい。なお、めっき液に硫酸銅を用いる場合、硫酸銅の濃度は３０〜３００ｇ／ｌであることが好ましく、７０〜１５０ｇ／ｌであることがより好ましい。また、このめっき液の塩素イオン濃度は１０〜１００ｐｐｍであることが好ましく、４０〜７０ｐｐｍであることがより好ましい。
【００７８】
また、めっき液に用いられる酸性の溶液としては硫酸を用いることが好ましく、硫酸を用いる場合、硫酸の濃度は５０〜３００ｇ／ｌであることが好ましく、８０〜２００ｇ／ｌであることがより好ましい。
【００７９】
また、電気めっきするときの電流密度は、０．１〜１０Ａ／ｄｍ2であることが好ましく、０．５〜４Ａ／ｄｍ2であることがより好ましい。また、電気めっきするときのめっき液の温度は２０〜６０℃が好ましく、３０〜４０℃がより好ましい。なお、めっき時間についてはめっき層の層厚により異なるため一律に規定することはできないが、通常６００秒以上６０００秒以下程度とすることが好ましい。
【００８０】
＜レジスト剥離工程＞
次に、上述のめっき層形成工程により金属回路を形成した後にアルカリ液を用いてレジスト剥離を行なう。レジスト剥離に用いられるアルカリ液は、アルカリ性を示す溶液であればどのようなものでもよいが、アルカリ液自体の安定性やアルカリ液のコストの観点から、水酸化ナトリウムやアルコール系のものを用いることが好ましい。
【００８１】
また、アルカリ液に水酸化ナトリウムを用いる場合、水酸化ナトリウムの濃度は０．１〜５０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。また、レジスト剥離に用いられるアルカリ液の温度は３０〜９０℃であることが好ましく、５０〜７０℃であることがより好ましい。なお、レジスト剥離の処理時間は、レジストの剥離状態により異なるため、一律に規定することはできないが、通常２０秒以上１２０秒以下程度とすることが好ましい。
【００８２】
＜ソフトエッチング工程＞
次に、下地層１３０をソフトエッチングにより剥離除去することによって、図８に示すような金属回路５０が形成された樹脂フィルムが得られる。下地層に含まれる下地金属層の剥離に用いられる薬品は、どのようなものを用いてもよいが、低コストであるという観点から過硫酸アンモニウムを用いることが好ましい。この過硫酸アンモニウムを用いる場合、過硫酸アンモニウムの濃度は１〜２０％であることが好ましく、５〜１０％であることがより好ましい。
【００８３】
また、下地金属層をソフトエッチングするときの処理温度は、２０〜６０℃であることが好ましく、３０〜４０℃であることがより好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は、下地金属層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常３０秒以上２００秒以下程度とすることが好ましい。
【００８４】
また、酸化防止層の剥離に用いられる薬品としては、ニッケルクロム剥離液（商品名：ＮＣ（日本化学工業株式会社製））を用いることが好ましい。また、この薬品を用いる場合、この薬品の濃度は６０〜１００％であることが好ましい。この薬品の濃度が６０％より低いと剥離時間がかかるため好ましくない。
【００８５】
また、酸化防止層をソフトエッチングするときの処理温度は、３５〜５５℃であることが好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は酸化防止層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常２０秒以上３００秒以下程度とすることが好ましい。
【００８６】
＜樹脂フィルム積層工程＞
次に、上述のようにして得られた回路付樹脂フィルム（金属回路が形成された樹脂フィルム）の表裏いずれか一方もしくは両方の面に対して、別の樹脂フィルムを積層する方法としては、接着性樹脂７０の付いた樹脂フィルムをラミネートにより回路付樹脂フィルムの片面に貼り合わせる方法、および回路付樹脂フィルムの金属回路形成面に対し接着性樹脂７０を塗布してから金属回路が未だ形成されていない樹脂フィルムをラミネートにより貼り合わせる方法等があり、いずれの方法によっても図９に示すように樹脂フィルムを積層することができる。
【００８７】
なお、後者の樹脂フィルムの積層方法によれば、金属回路の厚みが厚い場合に金属回路による樹脂フィルムの表面凹凸を少なくすることができることから、より接合強度を高めることができるというメリットがある。
【００８８】
また、上述の回路付樹脂フィルムの表裏のいずれかの面もしくは両面に対して、別の樹脂フィルム１００を積層するときの温度は、３０〜３００℃であることが好ましく、積層にかける圧力は０．１〜２０ｋｇ／ｃｍ2であることが好ましい。また、この樹脂フィルムの積層にかける時間は、１秒以上３時間以下であることが好ましい。
【００８９】
そして、その後導通ビア形成工程を行なうというように、上記で説明した各工程を繰り返すことによって、図１に示されるような本発明の多層積層回路基板を製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００９０】
＜実施例１＞
実施例１では、金属回路の形成方法としてエッチング法を採用し、以下の各工程により多層積層回路基板を作製した。
【００９１】
＜導通ビア形成工程＞
多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム１００として、ロール状に巻かれた長尺状のポリイミドフィルム（長さ５０ｍ、厚さ３８μｍ、商品名：カプトンＥＮ１５０（東レ・デュポン株式会社製））を用いた。この樹脂フィルムの熱膨張係数は、１６ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下であり、２５０ｍｍ幅でスリット加工されたものを用いた。この樹脂フィルム１００をＵＶ−ＹＡＧレーザ装置にセットし、ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置のプログラムを設定して１つのマルチ導通部に対し、１５μｍの内径の導通ビア１２０を３箇所形成した（図４）。
【００９２】
＜洗浄工程＞
上記で導通ビア１２０が形成された樹脂フィルム１００を洗浄装置にセットし、下地層の形成工程においてピンホールが発生することを抑制するために樹脂フィルム１００の表面を洗浄した。
【００９３】
＜下地層形成工程＞
次に、上記で表面を洗浄した樹脂フィルム１００をスパッタ装置に投入し、真空ポンプにより１×１０-3Ｐａの圧力に設定した上で、イオンガンにＮ2ガスを注入して、それを照射することによって樹脂フィルムの表面を前処理した。その後、スパッタリング法によりＡｒ雰囲気下でＮｉとＣｒとの合金（ＮｉとＣｒとの重量比がＮｉ：Ｃｒ＝８０：２０）からなる酸化防止層を樹脂フィルム上に形成し、その上にＣｕからなる下地金属層を形成することにより下地層１３０を形成した（図５）。
【００９４】
そして、スパッタ装置の真空状態を解除して下地層１３０が形成された樹脂フィルム１００を取り出し、樹脂フィルム１００の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対して集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused  Ion  Beam）を照射することにより、断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚さ１０ｎｍであり、下地金属層は厚さ３５０ｎｍであることを確認した。さらに導通ビア１２０内にもこれらの下地層１３０が形成されていることを確認した。
【００９５】
＜めっき層形成工程＞
次に、下地層が形成された樹脂フィルム１００を銅めっき装置にセットし、硫酸により下地層を活性化させた後に水洗した。その後、めっき液（硫酸２００ｇ／ｌ、硫酸銅９０ｇ／ｌ、塩素イオン濃度５０ｐｐｍからなるもの）を充填しためっき浴に当該樹脂フィルムを浸漬することにより、下地層１３０上に銅めっきを行ない、再度水洗して乾燥させ、樹脂フィルム１００の表面にめっき層１４０を形成した（図１０）。このようにして得られた樹脂フィルムの一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対してＦＩＢを照射することにより、断面を観察したところ、下地層１３０とめっき層１４０とを含む合計の厚さが１８．５μｍであった。
【００９６】
＜金属回路形成工程＞
次に、上記のようにしてめっき層１４０を形成した樹脂フィルム１００の表裏の両面に対して、２５０ｍｍ幅のスリット加工されたドライフィルム（商品名：ＮＩＴ２１５（ニチゴー・モートン株式会社製））をラミネートし、金属回路のパターンのマスクを重ね合わせた後、それをロール式の露光装置にセットして露光を行なった。
【００９７】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行なうことができるロール式のエッチング装置に樹脂フィルム１００をセットしてエッチング処理を行ない、金属回路５０を形成した（図８）。この樹脂フィルムをサンプリングし、１００倍の倍率の顕微鏡で金属回路５０の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、図８で示される金属回路５０に断線、ショート等の不良は観察されなかった。
【００９８】
＜樹脂フィルム積層工程＞
次に、上記のようにして金属回路を形成した樹脂フィルム１００の表裏の両面に、接着性樹脂７０が塗布された厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（カプトンＥＮ１５０（東レ・デュポン株式会社製））を貼付け、３層の樹脂フィルム１００と２層の回路層２００とからなる積層体を得た（図９）。
【００９９】
この積層体の上下の樹脂フィルム１００の全面を５倍の拡大鏡を用いてシワ、エアー噛み等の検査を行なった。その結果、この積層体の上下の樹脂フィルムにシワ、エアー噛み等の不良は観察されなかった。
【０１００】
＜導通ビア形成工程−２＞
次に、上述した導通ビア形成工程と同様の方法を用いることによって、上記で得られた積層体の上下の樹脂フィルム１００に対し、各マルチ導通部に３つの導通ビア１２０を形成した（図１１）。その後、上記で導通ビアが形成された積層体の上下の樹脂フィルム１００の表面を洗浄した。
【０１０１】
＜下地層形成工程−２＞
次に、上記で得られた積層体をスパッタ装置にセットし、上述した下地層形成工程と同一の条件および方法によって、この積層体の上下の樹脂フィルム１００の表面にＮｉ−Ｃｒからなる酸化防止層と、Ｃｕからなる下地金属層とを含む下地層１３０をスパッタリング法により形成した（図１２）。
【０１０２】
そして、上記の下地層を形成した積層体の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対してＦＩＢを照射することにより断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚さ１０ｎｍであり、下地金属層は厚さ３５０ｎｍであることを確認した。
【０１０３】
＜めっき層形成工程−２＞
次に、Ｃｕめっき装置に上記で得られた下地層を形成した積層体をセットして、上述のめっき層形成工程と同一の条件により上記で形成した下地層の全面にめっき層１４０を形成した（図１３）。その後、この積層体の一部をサンプリングしてＦＩＢを照射して断面を観察した。その結果、この積層体の上下の樹脂フィルム１００上のめっき層１４０と下地層１３０との合計の厚さはいずれも１８．５μｍであることを確認した。
【０１０４】
＜金属回路形成工程−２＞
次に、上記で得られためっき層を形成した積層体の上下の樹脂フィルム１００に対して、ドライフィルム（商品名：ＮＩＴ２１５（ニチゴー・モートン株式会社製））をラミネートし、次にロール式の露光装置にそれをセットして露光を行なった。
【０１０５】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行ない、この積層体の上下の樹脂フィルム１００の表面に金属回路５０を形成した（図１）。以上により本発明の多層積層回路基板を作製した。
【０１０６】
そして、これをサンプリングし、このサンプルを１００倍の顕微鏡を用いて金属回路の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、この多層積層回路基板の金属回路に断線、ショート等の不良は観察されなかった。
【０１０７】
＜実施例２〜１２＞
実施例２〜１２の多層積層回路基板は、実施例１の多層積層回路基板に対して、マルチ導通部一箇所の導通ビアの個数と導通ビアの内径とが以下の表１に示すように異なることを除き、実施例１と同様の方法により作製した。たとえば、表１中の実施例３は、マルチ導通部１箇所に対し実施例１で形成した導通ビアと同様の導通ビアを５つ形成したことを示し、実施例５は、マルチ導通部一箇所に対し内径が５０μｍの導通ビアを３つ形成したことを示す。
【０１０８】
＜比較例１〜３＞
比較例１〜３の多層積層回路基板は、マルチ導通部を形成せず、１つの導通部に対し１つの導通ビアを形成したことを除き、その他は実施例１と同様の方法により作製した（表１参照）。たとえば表１中の比較例１では内径１５μｍの導通ビアを、比較例２では内径５０μｍの導通ビアを、比較例３では内径３００μｍの導通ビアを各導通部当たり１つずつ形成したことを示す。
【０１０９】
【表１】
2010045155.tif 000003
【０１１０】
＜導通検査＞
実施例１〜１２および比較例１〜３の多層積層回路基板に対し、ＬＣＲメータ（品番：ＮＤＨ−２０００（カスタム株式会社製））を用いて、多層積層回路基板の端子両端での導通検査を行なった。その結果、実施例１〜１２および比較例１〜３のいずれの多層積層回路基板においても導通の異常は観察されなかった。
【０１１１】
実施例１〜１２および比較例１〜３の多層積層回路基板の金属回路は、およそ２００個のマルチ導通部（比較例においては導通部）が設けられているが、そのうちのマルチ導通部（比較例においては導通部）の１箇所でも断線が生じていれば、導通の異常が計測されることから、多層積層回路基板を作製した段階では、金属回路は断線していないことが明らかとなった。
【０１１２】
＜温度変化サイクル試験＞
実施例１〜１２および比較例１〜３の多層積層回路基板に対し、サイクル試験機（型式：ＴＳＡ−４１Ｌ−Ａ（ＥＳＰＥＣ株式会社製））を用いて、２つの異なる設定温度を一定時間間隔で交互に繰り返して保持する温度変化サイクル試験を行なった。具体的には、−４０℃で３０分間保持した後、１２０℃で３０分間保持することを１サイクルとし、５００サイクルごとに導通検査を行なった。回路内に含まれている複数のマルチ導通部のうち、１箇所でも導通不良が起きた時点でサイクル試験を終了することとし、３０００サイクルまで行なった。
【０１１３】
実施例１〜１２の多層積層回路基板は、３０００サイクル終了時においても導通不良は認められなかった。これに対し、比較例１の多層積層回路基板は、２０００サイクル終了時に、比較例２の多層積層回路基板は１５００サイクル終了時に、比較例３の多層積層回路基板は１０００サイクル終了時に導通不良が確認された。
【０１１４】
上記の結果から、実施例１〜１２の多層積層回路基板は、比較例１〜３の多層積層回路基板に比べて、熱が加わったときの金属回路の断線が格段に生じにくいことが明らかとなった。これは、実施例１〜１２の多層積層回路基板にマルチ導通部を設けたことによることは明らかである。
【０１１５】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【０１１６】
今回開示された実施の形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明によれば、金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】図１のマルチ導通部の上面からの拡大平面図である。
【図３】本発明の多層積層回路基板の使用態様の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】マルチ導通部を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図５】下地層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図６】レジストを現像した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図７】めっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図８】ソフトエッチングした後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図９】金属回路を形成した樹脂フィルムの表裏の両面に、さらに樹脂フィルムを積層させた状態を示す模式的な断面図である。
【図１０】下地層にめっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図１１】樹脂フィルムを３層積層した積層体の上下面に、導通ビアを形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図１２】樹脂フィルムを３層積層した積層体の上下面に、下地層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図１３】樹脂フィルムを３層積層した積層体の上下面に、めっき層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１  多層積層回路基板、５０  金属回路、７０  接着性樹脂、１００  樹脂フィルム、１１０  マルチ導通部、１２０  導通ビア、１３０  下地層、１４０  めっき層、１７０  レジスト、２００  回路層、３０１  リジッド基板、３０２  Ｓｉ基板、４０１  接着金属、４０２  密着金属。
【図１】
2010045155.tif 000004
【図２】
2010045155.tif 000005
【図３】
2010045155.tif 000006
【図４】
2010045155.tif 000007
【図５】
2010045155.tif 000008
【図６】
2010045155.tif 000009
【図７】
2010045155.tif 000010
【図８】
2010045155.tif 000011
【図９】
2010045155.tif 000012
【図１０】
2010045155.tif 000013
【図１１】
2010045155.tif 000014
【図１２】
2010045155.tif 000015
【図１３】
2010045155.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、
前記樹脂フィルムは、１つ以上のマルチ導通部を有し、
前記マルチ導通部は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビアを有し、
前記導通ビアは、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有し、
前記樹脂フィルムの厚みをＴとし、前記導通ビアの内径をｄとすると、０．３≦ｄ／Ｔ≦２であり、
前記回路層に含まれる金属回路は、前記樹脂フィルムの表裏および前記導通ビア内に形成され、
前記金属回路は、下地層と、該下地層上に電気めっきにより形成されるめっき層とからなる、多層積層回路基板。
【請求項２】
前記樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いる、請求項１に記載の多層積層回路基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層積層回路基板を用いる部品または製品。
【請求項４】
前記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかである、請求項３に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、
前記樹脂フィルムは、長尺状のものを加工してなり、かつ、１つ以上のマルチ導通部を有し、
前記マルチ導通部は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビアを有し、
前記導通ビアは、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有し、
前記樹脂フィルムの厚みをＴとし、前記導通ビアの内径をｄとすると、０．３≦ｄ／Ｔ≦２であり、
前記回路層に含まれる金属回路は、前記樹脂フィルムの表裏および前記導通ビア内に形成され、
前記金属回路は、下地層と、該下地層上に電気めっきにより形成されるめっき層とからなり、
前記下地層は、酸化防止層と下地金属層とを含み、
前記酸化防止層は、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＳｉからなる群より選択された少なくとも１種の金属または該金属を少なくとも１種含む合金、もしくはＣｒを含む合金により構成され、かつ、その層厚が、２〜２０ｎｍであり、
前記下地金属層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、ＢｉおよびＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属または該金属を少なくとも１種含む合金により構成される、多層積層回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層積層回路基板を用いる部品または製品。
【請求項３】
前記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ＩＣカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかである、請求項２に記載の製品。