(57)【要約】【課題】半導体バーの劈開面が損傷を受けることを抑制可能な、半導体バーを製造する方法を提供する。【解決手段】基板生産物１及び第１の半導体バー１９を、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに載置する工程と、基板生産物１を載置した後に、ブレード２２のエッジ２２ａを基板生産物１の主面上のスクライブ溝１７に位置合わせする工程と、ブレード２２をスクライブ溝１７に位置合わせした後に、ブレード２２の支持面２２ｂと第２の受台２１の支持面２１ａとによって基板生産物１を挟む工程と、基板生産物１を挟んだ後に、第２の受台２１の支持面２１ａからブレード２２の支持面２２ｂに向かう軸の方向に第２の受台２１に対して第１の受台２０を相対的に移動させて基板生産物１を劈開し、新たな基板生産物２及び第２の半導体バー２３を形成する工程とを備える。【選択図】図３
2010118545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光素子のための半導体バーを作製する方法であって、
第１のフィルムと第２のフィルムとによって挟まれた基板生産物及び第１の半導体バーを、所定の軸に沿って配置された第１の受台の支持面及び第２の受台の支持面に載置する工程と、
前記基板生産物を載置した後に、ブレードのエッジを前記基板生産物の主面上のスクライブ溝に位置合わせする工程と、
前記ブレードを前記スクライブ溝に位置合わせした後に、前記ブレードの支持面と前記第２の受台の前記支持面とによって前記基板生産物を挟む工程と、
前記基板生産物を挟んだ後に、前記第２の受台の前記支持面から前記ブレードの前記支持面に向かう軸の方向に前記第２の受台に対して前記第１の受台を相対的に移動させて前記基板生産物を劈開し、新たな基板生産物及び第２の半導体バーを形成する工程と、を備え、
前記第１の半導体バーは、前記基板生産物の隣りにあり、
前記基板生産物は、劈開可能な半導体材料からなる支持体と、前記支持体上に設けられた半導体積層構造とを含み、
前記半導体積層構造は、前記支持体に接する第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、を有しており、
前記基板生産物の前記主面は、前記半導体積層構造の前記第２の面であり、
前記スクライブ溝は、前記主面に形成されており、
前記ブレードの前記支持面は、前記ブレードの前記エッジから延びており、
前記基板生産物を載置する工程においては、前記主面は前記第１の受台の前記支持面及び前記第２の受台の前記支持面に向いている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の受台の前記支持面を含む平面と、前記第２の受台の前記支持面を含む平面と、は実質的に平行又は同一平面である、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の受台の前記支持面は、前記所定の軸と交差する方向に傾斜する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体バーを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１では、半導体光素子ウエハを紫外線硬化型テープと透明カバーテープとにより挟み込んだ後、当該半導体光素子ウエハの劈開を行っている。
【特許文献１】特開平５−２１７９６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１では、半導体光素子ウエハの劈開に先立って、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとによって半導体光素子ウエハを挟んでいる。その後、ブレードを半導体素子ウエハに押し当てることにより半導体素子ウエハに力を加えて劈開を行い、紫外線硬化テープと透明カバーテープとの間に半導体バーを作製している。さらに、ブレードを押し当てることにより劈開を行って、新たに半導体バーを作製する。新たな半導体バーが半導体光素子ウエハから分離されたとき、ブレードから受ける力によってフィルムが撓み、２つの半導体バーは２つのフィルムに挟まれながら向きを変える。このため、２つの半導体バー同士が接触して、互いの劈開面が損傷を受ける場合がある。
【０００４】
そこで、本発明は、半導体バーの劈開面が損傷を受けることを抑制可能な、半導体バーを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体バーを製造する方法は、半導体光素子のための半導体バーを作製する方法であって、第１のフィルムと第２のフィルムとによって挟まれた基板生産物及び第１の半導体バーを、所定の軸に沿って配置された第１の受台の支持面及び第２の受台の支持面に載置する工程と、前記基板生産物を載置した後に、ブレードのエッジを前記基板生産物の主面上のスクライブ溝に位置合わせする工程と、前記ブレードを前記スクライブ溝に位置合わせした後に、前記ブレードの支持面と前記第２の受台の前記支持面とによって前記基板生産物を挟む工程と、前記基板生産物を挟んだ後に、前記第２の受台の前記支持面から前記ブレードの前記支持面に向かう軸の方向に前記第２の受台に対して前記第１の受台を相対的に移動させて前記基板生産物を劈開し、新たな基板生産物及び第２の半導体バーを形成する工程と、を備え、前記第１の半導体バーは、前記基板生産物の隣りにあり、前記基板生産物は、劈開可能な半導体材料からなる支持体と、前記支持体上に設けられた半導体積層構造とを含み、前記半導体積層構造は、前記支持体に接する第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、を有しており、前記基板生産物の前記主面は、前記半導体積層構造の前記第２の面であり、前記スクライブ溝は、前記主面に形成されており、前記ブレードの前記支持面は、前記ブレードの前記エッジから延びており、前記基板生産物を載置する工程においては、前記主面は前記第１の受台の前記支持面及び前記第２の受台の前記支持面に向いている。
【０００６】
この方法によれば、ブレードと第２の受台との間に基板生産物を挟んで固定した後に、第１の受台の相対的な移動により基板生産物の劈開を行って、新たな基板生産物及び第２の半導体バーを作成する。この固定により、第２の半導体バーが動くことを抑制可能である。第１の半導体バーが第２の受台上に位置すると共に第２の半導体バーがブレードと第２の受台との間に挟まれているので、第２の半導体バーはその向きを変えることがなく、隣り合う第１の半導体バーに接触することを抑制できる。したがって、第１及び第２の半導体バーの劈開面が損傷を受けることをさけることができる。
【０００７】
本発明の半導体バーを製造する方法においては、前記第１の受台の前記支持面を含む平面と、前記第２の受台の前記支持面を含む平面と、は実質的に平行又は同一平面である、ことが好ましい。この方法によれば、基板生産物の載置が安定して行われる。
【０００８】
本発明の半導体バーを製造する方法においては、前記第１の受台の支持面は、前記所定の軸と交差する方向に傾斜することが好ましい。この方法によれば、基板生産物を劈開する際に、基板生産物の主面の一端から力を加えることが可能であるので、基板生産物の劈開が容易に行うことができ、良好な劈開面を得ることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体バーの劈開面が損傷を受けることを抑制可能な、半導体バーを製造する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体バーを作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１、図２及び図３は、第１実施形態に係る、半導体バーを作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【００１２】
図１（ａ）に示されるように、半導体光素子のための基板生産物１を準備する。基板生産物１は例えば直径Ｌ（幅Ｌ）を有する。半導体光素子としては、半導体レーザ、半導体光変調器等がある。基板生産物１は、劈開可能な半導体材料からなる支持体１０と、支持体１０上に設けられた半導体積層構造１１とを含む。支持体１０は、例えば、ＧａＡｓウエハ、ＩｎＰウエハ、ＧａＮウエハといったIII‐Ｖ化合物半導体基板であることができる。半導体積層構造１１は、例えば半導体光素子のための活性層を含む。活性層は、電気信号の印加に応答して、発光、光変調、光増幅等を行うことができる。
【００１３】
基板生産物１は、例えば以下のように作製される。ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２及びｐ型クラッド層１１３を含む半導体メサ１１０を半導体ウエハ上に形成すると共に、半導体メサ１１０の側面上に埋込層１１４を成長する。必要な場合には、半導体メサ１１０及び埋込層１１４上にｐ型クラッド層１２及びｐ型コンタクト層１３を成長する。半導体の成長は、例えば有機金属気相成長法で行われる。開口を有する絶縁物１４で半導体積層構造１１の表面を被覆する。この後に、絶縁物１４の開口に電極１５ａ（例えばアノード電極）を形成する。基板生産物１は、半導体積層構造１１の主面に電極１５ａを備えている。必要な場合には、半導体ウエハを裏面研削して、半導体ウエハの厚みを所望の値まで薄くする。基板生産物１は半導体ウエハの裏面に別の電極１５ｂ（例えばカソード電極）を備えている。
【００１４】
図１（ｂ）に示されるように、基板生産物１の主面１ａにスクライブ溝１７を形成する。基板生産物１の主面１ａは、半導体積層構造１１が有する面であり、支持体１０と接する面と反対側の面である。スクライブ溝１７は、主面１ａの一端１ｂに形成されている。スクライブ溝１７の形成は、例えばダイヤモンドカッタ等といったスクライブ溝形成装置を用いて行われる。例えば、可撓性のフィルム１６上に裏面１ｃを向けて基板生産物１を貼り付ける。この後に、スクライブ溝形成装置を用いて、一端１ｂから延びるスクライブ溝１７を所定の間隔で形成する。スクライブ溝１７は互いに平行であり、半導体メサ１１０といった光導波路に交差する方向に延びる。所定の間隔は、例えばファブリペロー型半導体レーザのキャビティ長を規定する。スクライブ溝１７の配列は、半導体積層構造１１の表面（主面１ａ）上に設けられている。スクライブ溝１７の方向は、半導体メサ１１０の方向に交差しており、望ましくはこれらは直交している。
【００１５】
図１（ｃ）に示されるように、スクライブ溝１７を形成した後に、基板生産物１の主面１ａを第２のフィルム１８で覆う。基板生産物１は、第１のフィルム１６と第２のフィルム１８との間に挟まれる。この後、第１のフィルム１６と第２のフィルム１８との間に挟まれた基板生産物１を劈開装置３にセットする
【００１６】
図２（ａ）に示されるように、劈開装置３は、第１の受台２０と、第２の受台２１と、ブレード２２と、を含む。また、劈開装置３は、移動機構を更に含む。この移動機構は、第１の受台２０と、第２の受台２１と、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに載置される基板生産物１と、ブレード２２と、を所定のピッチで移動する。第１の受台２０及び第２の受台２１は、所定の軸Ａｘに沿って配置されている。また、第１の受台２０は第２の受台２１から間隔Ｄ１だけ離れている。第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａの間の間隔Ｄ１は、所定の軸Ａｘに規定されている。この間隔Ｄ１は、例えば、スクライブ溝１７の間隔の約二倍以下であることができる。第１の受台２０の支持面２０ａを含む平面及び第２の受台２１の支持面２１ａを含む平面は、同一平面である。あるいは、第１の受台２０の支持面２０ａを含む平面と、第２の受台２１の支持面２１ａを含む平面と、は実質的に平行である。このため、基板生産物の載置が安定して行われる。ブレード２２は、エッジ２２ａ及び支持面２２ｂを有している。ブレード２２の支持面２２ｂは、エッジ２２ａから所定の軸Ａｘの方向（ｘ軸の正方向）に延びている。ブレード２２は、斜面２２ｃを更に有する。エッジ２２ａでは、支持面２２ｂと斜面２２ｃとが共に終端する。エッジ２２ａは、直線に沿って延びる。支持面２２ｂと斜面２２ｃとの成す角度φ（エッジ２２ａにおける角度）は鋭角であることが好ましい。
【００１７】
第１のフィルム１６と第２のフィルム１８とによって挟まれた基板生産物１を、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに載置する。基板生産物１は、基板生産物１端部に最も近いスクライブ溝１７の位置で劈開される。この載置では、スクライブ溝１７が第１の受台２０の支持面２０ａと第２の受台２１の支持面２１ａとの間に位置するように基板生産物１を位置決めする。あるいは、この位置決めは、該当するスクライブ溝１７が第２の受台２１の支持面２１ａ上に位置するように行うことができる。引き続く説明は、スクライブ溝１７が第１の受台２０の支持面２０ａと第２の受台２１の支持面２１ａとの間に位置するように基板生産物１を位置決めする場合について行う。図２（ａ）に示されるように、基板生産物１の主面１ａは、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに向いている。
【００１８】
次いで、図２（ｂ）に示されるように、ブレード２２のエッジ２２ａを基板生産物１の主面１ａ上のスクライブ溝１７の位置に合わせる。ブレード２２のエッジ２２ａを位置合わせするスクライブ溝１７は、基板生産物１の端部に最も近いスクライブ溝１７である。この位置合わせは、基板生産物１の主面１ａに向けたＣＣＤカメラ等の撮像装置によって撮像されて得られる画像を用いて行われる。あるいは、この位置合わせは、基板生産物１の裏面１ｃに向けたＣＣＤカメラ等の撮像装置によって撮像されて得られる画像を用いて行うこともできる。この位置合わせは、軸Ｂｘの方向に延びるスクライブ溝１７に、ブレード２２のエッジ２２ａを、軸Ｂｘの方向に合わせて重ねるように行われる。
【００１９】
ブレード２２のエッジ２２ａをスクライブ溝１７に位置合わせした後、図２（ｃ）に示されるように、ブレード２２の支持面２２ｂと第２の受台２１の支持面２１ａとによって基板生産物１を挟んで固定する。支持面２２ｂの軸Ｂｘの方向に関する長さは、基板生産物１の幅Ｌよりも長いことが好ましい。
【００２０】
ブレード２２の支持面２２ｂと第２の受台２１の支持面２１ａとによって基板生産物１を挟んで固定した後、図２（ｄ）に示されるように、第２の受台２１の支持面２１ａからブレード２２の支持面２２ｂに向かう軸の方向（ｙ軸の正方向）に第１の受台２０を距離Ｄ２だけ移動させる。第１の受台２０の移動は、モーター装置を用いて行われる。この移動は、第１の受台２０を第２の受台２１に対して相対的に移動させる移動であればよい。したがって、この移動は、第２の受台２１をｙ軸の負方向に距離Ｄ２だけ移動させる移動であってもよい。この移動により、基板生産物１に力を加えて基板生産物１を劈開し、新たな基板生産物２及び第１の半導体バー１９を形成する。この劈開により、第１のフィルム１６と第２のフィルム１８との間には、基板生産物２及び第１の半導体バー１９が形成される。
【００２１】
続いて、上記の手順を繰り返し行うことにより、基板生産物２の劈開を更に行う。図３（ａ）に示すように、第１のフィルム１６と第２のフィルム１８とによって挟まれた基板生産物２及び第１の半導体バー１９を、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに載置する。基板生産物２は、第１の半導体バー１９にもっとも近いスクライブ溝１７の位置で劈開される。この載置では、スクライブ溝１７が第１の受台２０の支持面２０ａと第２の受台２１の支持面２１ａとの間に位置するように基板生産物２を位置決めする。あるいは、この位置決めは、該当するスクライブ溝１７が第２の受台２１の支持面２１ａ上に位置するように行うことができる。引き続く説明は、スクライブ溝１７が第１の受台２０の支持面２０ａと第２の受台２１の支持面２１ａとの間に位置するように基板生産物１を位置決めする場合について行う。図３（ａ）に示されるように、基板生産物２の主面２ａは、第１の受台２０の支持面２０ａ及び第２の受台２１の支持面２１ａに向いている。
【００２２】
次いで、図３（ｂ）に示されるように、ブレード２２のエッジ２２ａを基板生産物２の主面２ａ上のスクライブ溝１７の位置に合わせる。ブレード２２のエッジ２２ａを位置合わせするスクライブ溝１７は、劈開予定のスクライブ溝１７であって、スクライブ溝１７のうち、第１の半導体バー１９に最も近いスクライブ溝１７とする。
【００２３】
ブレード２２のエッジ２２ａをスクライブ溝１７に位置合わせした後、図３（ｃ）に示されるように、ブレード２２の支持面２２ｂと第２の受台２１の支持面２１ａとによって基板生産物２及び第１の半導体バー１９を挟んで固定する。
【００２４】
ブレード２２の支持面２２ｂと第２の受台２１の支持面２１ａとによって基板生産物２及び第１の半導体バー１９を挟んで固定した後、図３（ｄ）に示されるように、第２の受台２１の支持面２１ａからブレード２２の支持面２２ｂに向かう軸の方向（ｙ軸の正方向）に第１の受台２０を距離Ｄ２だけ移動させる。Ｄ２の範囲としては、例えば、２０μｍ〜１００μｍであることができる。この移動により、基板生産物２に力を加えて基板生産物２を劈開し、新たな基板生産物４及び第２の半導体バー２３を形成する。
【００２５】
以上説明した第１実施形態に係る方法によれば、ブレード２２と第２の受台２１との間に基板生産物２及び第１の半導体バー１９を挟んで固定した後に、第１の受台２０の相対的な移動により基板生産物２の劈開を行って、新たな基板生産物４及び第２の半導体バー２３を作製する。この固定により、第２の半導体バー２３の移動を抑制できる。また、第１の半導体バー１９が第２の受台２１上に位置すると共に第２の半導体バー２３がブレード２２と第２の受台２１との間に挟まれているので、第２の半導体バー２３はその向きを変えることがなく、隣り合う第１の半導体バー１９に接触することを抑制できる。したがって、第１及び第２の半導体バーの劈開面１９ａ、２３ａへの損傷をさけることができる。
【００２６】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る方法は、第１実施形態に係る方法において用いた第１の受台２０に替えて、第１の受台２４を用いる。他の点は、第１実施形態と同様である。図４は、第１の受台２４と第２の受台２１の配置を示す図である。
【００２７】
図４（ａ）に示されるように、第１の受台２４の支持面２４ａは、破線によって描かれた基準面Ｒに沿って延びている。基準面Ｒは、第２の受台２１の支持面２１ａとθの角度で交差する。したがって、第１の受台２４の支持面２４ａは、第２の受台２１の支持面２１ａに対して角度θで傾斜している。
【００２８】
図４（ｂ）は、第１のフィルム１６と第２のフィルム１８とによって挟まれた基板生産物１を、第１及び第２の受台２０、２１の各支持面２０ａ、２１ａに載置する工程を示している。図４（ｂ）は、第１の受台２４の側面を示しており、このため、第１の受台２４の支持面２４ａの一辺２４ｂが実線で表され、他辺２４ｃが破線で表されている。図４（ｃ）は、第１の受台２４の別の側面を示す図面であり、第１の受台２４の傾斜を示している。図４（ｃ）に示されるように、第１の受台２４の一辺２４ｂがスクライブ溝１７近傍で基板生産物１を支持している。
【００２９】
第１実施形態では、劈開に際して基板生産物１の主面１ａの広い範囲に力が加わるが、この第２実施形態に係る方法によれば、基板生産物１の主面１ａの一端１ｂに力を加えることが可能である。このため、スクライブ溝１７を起点にして基板生産物１の劈開を容易に行うことができ、良好な劈開面を得ることができる。
【００３０】
（実施例１）
まず、例えば約３００μｍ厚のＧａＡｓ半導体ウエハ上に、活性層やクラッド層などの複数のエピタキシャル層を成長してエピタキシャル基板を作製する。さらに、エピタキシャル基板の表面に蒸着によりアノード電極を形成する。レーザダイオード部は、エピタキシャル基板のエピタキシャル面から厚さ６μｍ程度の表面部分であるので、ラッピングによってエピタキシャル基板の裏面側を必要な厚さを残して削り、厚さ１００μｍ程度のエピタキシャル基板を作製する。この後、研削された裏面上にカソード電極を形成して、基板生産物を作製する。次いで、ダイシングフレームに張り付けた約８０μｍ厚の塩化ビニル製粘着フィルム上に基板生産物の裏面を貼り付ける。そして、基板生産物のエピタキシャル面の一端部に劈開位置を示すスクライブ溝を形成する。これらのスクライブ溝は、例えばダイヤモンドカッタ等を用いて形成可能である。スクライブ溝は、例えば、約２５０μｍピッチで互いに平行に形成される。スクライブ溝を形成した後に、基板生産物のエピタキシャル面に２０μｍ厚のポリエステル製保護シートをかぶせて、粘着フィルム、基板生産物及び保護シートの一体物を作製する。この一体物を固定したダイシングフレームを第１の支持台の支持面及び第２の受台の支持面に配置する。
【００３１】
第１の支持台及び第２の受台は、所定の軸に沿って配置されている。第１の受台及び第２の受台は、所定の軸の方向について互いの間隔を約４００μｍ取って配置されている。第１の受台と第２の受台との間隔は、スクライブ溝のピッチの２倍以下であることが好ましい。また、第１の受台及び第２の受台の各支持面は、例えばＳＵＳ（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｕｓｅｄ  Ｓｔｅｅｌ）といった材料で構成されている。第１の支持台の支持面及び第２の受台の支持面に配置された上記の一体物及びブレードの画像を用いて、ブレードのエッジが劈開予定のスクライブ溝の位置へ来るようにブレードの位置を調整する。ブレードは、例えば、ジルコニア等の硬質な材料で構成されている。この後、ブレードのエッジを先に調整したスクライブ溝上に保ちつつ、ブレードを下降させて基板生産物を第２の受台に押さえつける。これにより、基板生産物は固定される。そして、モーター装置を用いて第１の受台を３０μｍ押し上げて劈開を行うことによって２５０μｍ幅の第１の半導体バーを新たに作製する。その後、ブレードを上方に移動させて一体物の固定を解除する。そして一体物を次の劈開予定位置に移動させる。以上の工程を繰り返すことにより、第１の半導体バー１９の隣に第２の半導体バーを新たに作製する。
【００３２】
この方法によれば、ブレードと第２の受台との間に基板生産物を固定した後に、第１の受台の相対的な移動により基板生産物に力を加えて基板生産物の劈開を行う。この劈開により新たな基板生産物及び第２の半導体バーが作成される。この固定により、第２の半導体バーが動くことを抑制可能である。第１の半導体バーが第２の受台上に位置すると共に第２の半導体バーがブレードと第２の受台との間に挟まれているので、第２の半導体バーはその向きを変えることがなく、隣り合う第１の半導体バーに接触することを抑制できる。したがって、第１及び第２の半導体バーの劈開面が損傷を受けることをさけることができる。
【００３３】
（実施例２）
実施例２では、実施例１の第１の受台に替えて、支持面が傾斜した第１の受台を用いる。他の点は、実施例１の場合と同様である。実施例２では、第１の受台の支持面は、第１の受台及び第２の受台が配置される所定の軸に対して約０．１の角度で傾斜している。このため、第１の受台の支持面は、基板生産物のエピタキシャル面のスクライブ溝が形成された一端部に最初にあたる。このような第１の受台を用いる方法によれば、基板生産物のスクライブ溝が形成された一端に力を加えることが可能であるので、良好な劈開面が安定して得られる。
【００３４】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１及び第２実施形態に係る、半導体バーを作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図２】第１及び第２実施形態に係る、半導体バーを作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図３】第１及び第２実施形態に係る、半導体バーを作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る、半導体バーを作製する方法で用いる受台の配置を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１，２，４…基板生産物、１ａ，２ａ…主面、１ｂ…一端、１ｃ…裏面、３…劈開装置、１０…支持体、１１…半導体積層構造、１１０…半導体メサ、１１１…ｎ型クラッド層、１１２…活性層、１１３，１２…ｐ型クラッド層、１１４…埋込層、１３…ｐ型コンタクト層、１４…絶縁物、１５ａ，１５ｂ…電極、１６…第１のフィルム、１７…スクライブ溝、１８…第２のフィルム、１９…第１の半導体バー、１９ａ，２３ａ…劈開面、２０…第１の受台、２０ａ，２１ａ，２２ｂ，２４ａ…支持面、２１…第２の受台、２２…ブレード、２２ａ…エッジ、２２ｃ…斜面、２３…第２の半導体バー、２４…第１の受台、２４ｂ…一辺、２４ｃ…他辺
【図１】
2010118545.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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