(57)【要約】【課題】同一長さのオリフラが複数混在していても同一長さのオリフラのいずれか一方を基準オリフラとして確実に指定することができるオリエンテーションフラット指定方法を提供する。【解決手段】本発明のオリエンテーションフラット指定方法は、半導体ウエハＷを回転させて３箇所のオリフラ１、２、３をそれぞれ検出し、３箇所のオリフラ１、２、３の間にある３箇所の円弧１、２、３の長さをそれぞれ求めた後、３箇所の円弧１、２、３の長さうち最長の円弧２の右隣にあるオリフラを基準オリフラとして指定するため、同一長さの円弧が複数存在していても基準オリフラを確実に指定する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定する方法であって、
上記半導体ウエハを回転させて上記複数のオリエンテーションフラットをそれぞれ検出する第１の工程と、
上記複数のオリエンテーションフラット間にある複数の円弧長をそれぞれ求める第２の工程と、
上記複数のうち最長の円弧長を設定し、その隣にあるオリエンテーションフラットを上記基準オリエンテーションフラットとして指定する第３の工程と、を備えた
ことを特徴とするオリエンテーションフラット指定方法。
【請求項２】
上記第１の工程では、光学センサを用いて、上記複数のオリエンテーションフラットの外側を通過する光線の検出光量に基づいてオリエンテーションフラットをそれぞれ検出することを特徴とする請求項１に記載のオリエンテーションフラット指定方法。
【請求項３】
上記第２の工程では、上記光量が一定量遮られた間隔に基づいて上記半導体ウエハの円弧長を検出することを特徴とする請求項２に記載のオリエンテーションフラット指定方法。
【請求項４】
複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定するオリエンテーションフラット検出装置であって、
上記半導体ウエハを支持して回転させる回転体と、
上記回転体を介して回転する上記半導体ウエハのオリエンテーションの外側を通過する光線の光量を検出する光学センサと、
上記光学センサが上記光線を一定量検出しない間の上記回転体の回転量に基づいて上記半導体ウエハの最長の円弧長として設定し、上記最長の円弧長に基づいて上記基準オリエンテーションフラットを指定する制御装置と、を備えた
ことを特徴とするオリエンテーションフラット検出装置。
【請求項５】
上記制御装置は、上記光学センサの受光量に基づいて上記複数のオリエンテーションフラットを求めることを特徴とする請求項４に記載のオリエンテーションフラット検出装置。
【請求項６】
上記光学センサは、上記回転体の近傍で且つ上記半導体ウエハの上下に配置された一対の発送素子と受光素子とを有し、上記複数のオリエンテーションフラットの外側を通過する上記発光素子からの光線を検出する上記受光素子の検出光量に基づいて上記複数のオリエンテーションフラットを検出することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のオリエンテーションフラット検出装置。
【請求項７】
コンピュータを駆動させて、複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定する方法を実行するプログラムであって、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のオリエンテーションフラット指定方法を実行することを特徴とするオリエンテーションフラット指定用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オリエンテーションフラット指定方法、オリエンテーションフラット検出装置及びオリエンテーションフラット指定用プログラムに関し、更に詳しくは、同一の大きさのオリエンテーションフラットを少なくとも２つ有する半導体ウエハをプリアライメントする時にその基準となるオリエンテーションフラットを指定するオリエンテーションフラット指定方法、オリエンテーションフラット検出装置及びオリエンテーションフラット指定用プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの種々の処理工程では、半導体ウエハに所定の処理を施す前に、半導体ウエハを所定の向きに揃える、いわゆるプリアライメントを行っている。半導体ウエハのプリアライメントには半導体ウエハの外周に形成されたオリエンテーションフラット（以下、単に「オリフラ」と称す。）を使用する。しかしながら、半導体ウエハの中には複数のオリフラを有する半導体ウエハがある。
【０００３】
例えば、特許文献１には本来のオリフラ（主オリフラ）以外にも別のオリフラ（副オリフラ）を設け、副オリフラを半導体ウエハの表裏を判別するためのマーキングとして使用する技術が記載されている。この技術では、インゴットから半導体ウエハを切り出す前にインゴットの外周面にオリフラ用の主切欠部とは別に螺旋状の副切欠部を設け、半導体ウエハを切り出した時に形成される主オリフラと副オリフラとの距離によってシード側から切り出された順序を特定し、もって半導体ウエハの表裏を判別している。つまり、この技術では主オリフラと副オリフラは、それぞれの大きさによって明確に識別できるようになっている。
【０００４】
また、特許文献２には半導体ウエハの表裏を判別するために主オリフラと二つの副オリフラを用いて半導体ウエハの表裏を判別する技術について記載されている。この技術では主オリフラを２つの撮像手段で撮像すると共に一つの副オリフラまたは副オリフラに対向する円弧部分を一つの撮像手段で撮像し、後者の撮像手段で撮像する撮像部分が直線であるか曲線であるかによって半導体ウエハの表裏を判別している。この技術でも主オリフラと複数の副オリフラは、それぞれ大きさにより識別できるようになっている。
【０００５】
特許文献１、２に記載の技術はいずれも主オリフラと副オリフラを用いる半導体ウエハの表裏判別に関する技術である。従って、主オリフラをプリアライメントに使用することを前提としている。しかしながら、従来のプリアライメントでは、同一大きさのオリフラが複数ある場合にはオリフラの大きさが同一であるため、プリアライメント時にいずれか一方のオリフラをプリアライメント用のオリフラとして指定することができないこともある。
【０００６】
そこで、複数のオリフラを有する半導体ウエハに対する従来のプリアライメント方法について、図７及び図８を参照しながら簡単に説明する。例えば図７の（ａ）に示すように３つのオリフラが形成された半導体ウエハＷをプリアライメントする時には、半導体ウエハＷをプリアライメント用の回転体Ｒ上に載置し、回転体Ｒを介して半導体ウエハＷを回転させる。この際、回転体Ｒの近傍に配置された発光素子と受光素子を有する光学センサを用いて半導体ウエハＷのオリフラを検出する。即ち、発光素子からの光線が回転する半導体ウエハＷのオリフラの外側を通過し、通過した光量を受光素子で検出する。この時、制御装置では、受光素子の検出信号に基づいてオリフラの大きさを決定する。受光素子の検出光量が大きいほどオリフラも大きくなり、これら両者は互いに比例関係にある。図７の（ｂ）は、オリフラの検出位置と受光素子の検出光量との関係を示すグラフである。この図において、横軸が半導体ウエハＷの全周の座標位置を示し、縦軸が受光素子の検出光量を示している。グラフのピーク面積が半導体ウエハＷのオリフラの外側を通過した光線の光量を示し、オリフラによる切欠部の面積の大きさに対応している。従来のプリアライメントでは一番大きなオリフラがプリアライメント用の基準オリフラとして使用されている。
【０００７】
従来のプリアライメント方法を図８に示すフローチャートに基づいて説明すると以下のようになる。まず半導体ウエハＷの外周を光学センサで検出して半導体ウエハＷの外周データを取得する（ステップＳ１０１）。次いで、半導体ウエハＷの外周データに基づいて半導体ウエハＷの中心の回転体Ｒの中心からの偏心成分（偏心角、偏心量）を算出する（ステップＳ１０２）。引き続き、偏心量が大きいか否かを判断し（ステップＳ１０３）、偏心量が大きい場合には偏心量を補正した後（ステップＳ１０４）、ステップＳ１０１に戻って上述の動作を繰り返す。偏心量が補正された状態になれば、ステップＳ１０３において半導体ウエハＷの中心と回転体Ｒの中心が一致していると判断し、光学センサを用いてオリフラの数を検出する（ステップＳ１０５）。尚、ステップＳ１０２での偏心成分の算出方法としては、特許第２７９６２９６号のウエハのプリアライメント方法で採用されている手法を用いることができる。
【０００８】
次いで、光学センサの検出結果に基づいてオリフラの数がゼロであるか否かを判断し（ステップＳ１０６）、オリフラの数がゼロでないと判断すれば、図7の（ｂ）に示すグラフのデータを参照してオリフラの位置を特定した後（ステップＳ１０７）、各オリフラの長さを算出する（ステップＳ１０８）。引き続き、指定フラットＮｏがオリフラ数より上か否かを判断し（ステップＳ１０９）、上でなければ最も長いオリフラを基準オリフラとして設定する（ステップＳ１１０）。基準オリフラが設定された後、基準オリフラに対して指定フラットＮｏで設定されているオリフラを検出した後（ステップＳ１１１）、検出されたオリフラ位置へ回転体Ｒの角度を合わせ（ステップＳ１１２）、プリアライメントを終了する。ステップＳ１０６においてオリフラ数がゼロである時、あるいはステップＳ１０９において指定フラットＮｏがオリフラ数より上の時にはエラーとなってアライメントを中断する。尚、指定フラットＮｏとは、基準となるオリフラ（または基準となる円弧）を一番目として、時計方向回りに数えて何番目のオリフラに角度を合わせるかを指示するパラメータのことを云う。
【０００９】
【特許文献１】特開平０２−１３０８５０号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、半導体ウエハＷのプリアライメントをする際に、従来のようにオリフラの長さを基準にして基準オリフラを指定する方法では、同一長さのオリフラが複数存在する場合にはオリフラが同一長さであるため基準オリフラを指定することができないという課題があった。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、同一長さのオリフラが複数存在していても同一長さのオリフラのいずれか一方を基準オリフラとして確実に指定することができるオリエンテーションフラット指定方法、オリエンテーションフラット検出装置及びオリエンテーションフラット指定用プログラムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に記載のオリエンテーションフラット指定方法は、複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定する方法であって、上記半導体ウエハを回転させて上記複数のオリエンテーションフラットをそれぞれ検出する第１の工程と、上記複数のオリエンテーションフラット間にある複数の円弧長をそれぞれ求める第２の工程と、上記複数のうち最長の円弧長を設定し、その隣にあるオリエンテーションフラットを上記基準オリエンテーションフラットとして指定する第３の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項２に記載のオリエンテーションフラット指定方法は、請求項１に記載の発明において、上記第１の工程では、光学センサを用いて、上記複数のオリエンテーションフラットの外側を通過する光線の検出光量に基づいてオリエンテーションフラットをそれぞれ検出することを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項３に記載のオリエンテーションフラット指定方法は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記第２の工程では、上記光量が一定量遮られた間隔に基づいて上記半導体ウエハの円弧長を検出することを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項４に記載のオリエンテーションフラット検出装置は、複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定するオリエンテーションフラット検出装置であって、上記半導体ウエハを支持して回転させる回転体と、
上記回転体を介して回転する上記半導体ウエハのオリエンテーションの外側を通過する光線の光量を検出する光学センサと、上記光学センサが上記光線を一定量検出しない間の上記回転体の回転量に基づいて上記半導体ウエハの最長の円弧長として設定し、上記最長の円弧長に基づいて上記基準オリエンテーションフラットを指定する制御装置と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項５に記載のオリエンテーションフラット検出装置は、請求項４に記載の発明において、上記制御装置は、上記光学センサの受光量に基づいて上記複数のオリエンテーションフラットを求めることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項６に記載のオリエンテーションフラット検出装置は、請求項４または請求項５に記載の発明において、上記光学センサは、上記回転体の近傍で且つ上記半導体ウエハの上下に配置された一対の発送素子と受光素子とを有し、上記複数のオリエンテーションフラットの外側を通過する上記発光素子からの光線を検出する上記受光素子の検出光量に基づいて上記複数のオリエンテーションフラットを検出することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項７に記載のオリエンテーションフラット指定用プログラムは、コンピュータを駆動させて、複数のオリエンテーションフラットが形成された半導体ウエハに所定の処理を施すためのプリアライメントを行う際に、上記複数のオリエンテーションフラットの一つを基準オリエンテーションフラットとして指定する方法を実行するプログラムであって、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のオリエンテーションフラット指定方法を実行することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、同一長さのオリフラが複数存在していても同一長さのオリフラのいずれか一方を基準オリフラとして確実に指定することができるオリエンテーションフラット指定方法、オリエンテーションフラット検出装置及びオリエンテーションフラット指定用プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のオリフラ指定方法が適用される検査装置の一例を示す構成図で、（ａ）はプローバ室の一部を破断して示す正面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】図１に示す検査装置に用いられる本発明のオリフラ検出装置の一実施形態を説明するための断面図である。
【図３】本発明のオリフラ検出装置に用いられる受光センサの受光量と電圧の関係を示すグラフである。
【図４】本発明のオリフラ検出装置に用いられる回転体の回転角度と偏心した半導体ウエハに対する受光センサの受光量を示す電圧との関係を示すグラフである。
【図５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のオリフラ指定方法の原理を説明するための説明図である。
【図６】本発明のオリフラ指定方法の一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来のオリフラ指定方法の原理を説明するための説明図である。
【図８】従来のオリフラ指定方法の一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図１〜図６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
【００２２】
まず、本発明のオリエンテーションフラット指定方法の一実施形態を実行するために用いられる検査装置について説明する。この検査装置は、例えば図１に示すように、被検査体（例えば、半導体ウエハ）Ｗをカセット単位で収納し、検査に即してカセットＣ内の半導体ウエハＷを搬送するローダ室１と、ローダ室１に隣接し、ローダ室１から搬送された半導体ウエハＷの電気的特性検査を行うプローバ室２と、ローダ室１及びローダ室２それぞれに設置された複数の機器を制御する制御装置３と、を備え、プローバ室２において半導体ウエハＷに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行うように構成されている。
【００２３】
ローダ室１は、複数の半導体ウエハＷをカセット単位で収納する収納部４と、カセットＣから半導体ウエハＷを一枚ずつ搬出入するウエハ搬送機構５と、半導体ウエハＷのプリアライメントを行うプリアライメント機構６と、を備えている。ローダ室１では、制御装置３の制御下で、ウエハ搬送機構５がカセットＣから半導体ウエハＷを取り出してプリアライメント機構６へ引き渡した後、プリアライメント機構６を介して半導体ウエハＷのプリアライメントを行い、その半導体ウエハＷをプリアライメント機構６からプローバ室２へ搬送する。また、ウエハ搬送機構５は、プローバ室２から検査後の半導体ウエハＷを受け取ってカセットＣの元の場所へ収納する。
【００２４】
一方、プローバ室２は、半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台７と、載置台７の上方に配置され且つ複数のプローブ８Ａを有するプローブカード８と、半導体ウエハＷの電極パッドと複数のプローブ８Ａとのアライメントを行うアライメント機構９と、を備えている。プローバ室２では、制御装置３の制御下で、載置台７がウエハ搬送機構５から半導体ウエハＷを受け取った後、アライメント機構９と協働して半導体ウエハＷとプローブカード８のアライメントを行い、半導体ウエハＷの電極パッドとプローブカード８のプローブ８Ａを電気的に接触させて半導体ウエハＷに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行う。検査後にはウエハ搬送機構５が載置台７上の半導体ウエハＷを受け取る。
【００２５】
而して、本実施形態のオリフラ検出装置は、図１及び図２に示すように、ローダ室１内に配置されたプリアライメント機構６と、プリアライメント機構６を制御する制御装置３と、を備えている。オリフラ検出装置は、上述のように制御装置３の制御下でウエハ搬送機構５から受け取った半導体ウエハＷをプリアライメント機構６においてプリアライメントする間に、半導体ウエハＷの複数のオリフラ及び複数のオリフラの間にある円弧長を検出し、更に基準オリフラを指定するように構成されている。
【００２６】
ウエハ搬送機構５は、図２に示すように所定間隔を空けて水平に延びる上下２段の搬送アーム５Ａと、これらの搬送アーム５Ａを旋回、昇降させる駆動機構（図示せず）と、を有し、上下の搬送アーム５Ａを介して半導体ウエハＷを搬送するように構成されている。また、プリアライメント機構６は、図２に示すように、半導体ウエハＷを支持して回転させる回転体６Ａと、この回転体６Ａの近傍に配設された光学センサ６Ｂと、を備え、半導体ウエハＷを支持する回転体６Ａが回転する間に、光学センサ６Ｂが回転体６Ａ上の半導体ウエハＷのオリフラを検出し、半導体ウエハＷをプリアライメントをするように構成されている。
【００２７】
光学センサ６Ｂは、図２に示すように、回転体６Ａで支持された半導体ウエハＷの下方に配置された発光素子６Ｃと、発光素子６Ｃと対をなして半導体ウエハＷの上方に配置された受光素子６Ｄと、を有し、半導体ウエハＷが回転体６Ａを介して回転する間に、発光素子６Ｃからの光線Ｌが半導体ウエハＷのオリフラの外側を通過する間の光線Ｌの受光量を受光素子６Ｄで検出することによって、半導体ウエハＷのオリフラを検出するように構成されている。発光素子６Ｃと受光素子６Ｄは、半導体ウエハＷの内側から外側に向けて径方向に複数配置され、大きさの異なる半導体ウエハＷ、例えば２００ｍｍの半導体ウエハや３００ｍｍの半導体ウエハＷであってもそれぞれのオリフラを検出するように配置されている。尚、ウエハ搬送機構５の搬送アーム５Ａには発光素子６Ｃからの光線Ｌが通過する孔５Ｂが形成されている。
【００２８】
オリフラの大きさは、例えば図３に示すように受光素子６Ｄの受光量と比例する関係にある。即ち、図３において、半導体ウエハＷの破線部分は、オリフラによる半導体ウエハＷの切欠部を示している。オリフラの長さが長いほど、つまりオリフラによる半導体ウエハＷの切欠部の面積が大きいほど受光素子６Ｄによる受光量に基づく電圧が高くなる。この比例関係を利用することによりオリフラの大きさ、延いてはオリフラの長さを決定することができる。
【００２９】
図３に示す関係を取得するためには、半導体ウエハＷの中心と回転体６Ａの中心とが一致させなければならない。半導体ウエハＷが回転体６Ａ上に偏心して載置されていると、受光素子６Ｄによる受光量が例えば図４のグラフに波形で示すように半導体ウエハＷの回転に伴って変動する。半導体ウエハＷに偏心がなければ、光学センサ６Ｂによる受光量が変動せず一定値なる。従って、半導体ウエハＷのアライメントに先立って光学センサ６Ｂによる受光量が一定値になるように回転体６Ａに対する半導体ウエハＷの偏心を補正しておく。半導体ウエハＷの回転体６Ａでの偏心を補正した後、半導体ウエハＷの基準オリフラを指定することになる。
【００３０】
而して、制御装置３は、中央演算処理部と、本発明のオリフラ指定方法を実行するためのプログラムを含む各種のプログラムが記憶されたプログラム記憶部と、種々のデータを記憶する記憶部と、を備え、中央演算処理部とプログラム記憶部、記憶部との間で信号を送受信してローダ室１及びプローバ室２それぞれの機器を制御する。
【００３１】
次いで、図５の（ａ）に示す半導体ウエハＷのプリアライメントに先立って行われる本実施形態のオリフラ指定方法について説明する。半導体ウエハＷとしては、従来技術で説明した半導体ウエハＷと同一のものを使用する。本実施形態では、半導体ウエハＷを回転させて３箇所のオリフラ１、２、３（図５の（ａ）、（ｂ）参照）をそれぞれ検出する工程と、３箇所のオリフラ１、２、３の間にある３箇所の円弧１、２、３の長さをそれぞれ求める工程と、３箇所の円弧１、２、３（図５の（ａ）、（ｂ）参照）の長さうち最長の円弧２の隣にあるオリフラを基準オリフラとして指定する工程と、を備えている。
【００３２】
そこで、上述した本実施形態のオリフラ指定方法を実施する時には、コンピュータ（制御装置）を駆動させると、制御装置３では中央演算処理部、プログラム記憶部及び記憶部が交互に送受信を繰り返して、図６に示す各工程を実行して本実施形態のオリフラ指定方法を実行する。
【００３３】
即ち、図６に示すように、半導体ウエハＷが回転体６Ａを介して反時計方向へ回転する間に、光学センサ６Ｂを用いて半導体ウエハＷの外周データを取得した後（ステップＳ１）、半導体ウエハＷの外周データに基づいて半導体ウエハＷの回転体６Ａに対する偏心成分を算出する（ステップＳ２）。偏心成分は、図４に示すように半導体ウエハの中心のずれによる波形の波成分として現れる。ステップＳ２において算出された偏心成分が大きいか否かを判断し（ステップＳ３）、偏心成分が大きい場合には偏心を補正した後（ステップＳ４）、ステップＳ１へ戻り、ステップ３までのステップを繰り返す。ステップＳ３において偏心量が補正されていると判断すると、光学センサ６Ｂを用いてオリフラの数を検出した後（ステップＳ５）、オリフラの数がゼロあるか否かを判断する（ステップＳ６）。ステップＳ１からステップＳ６までは従来技術で説明した方法に準じて行われ、ステップＳ７以降が本実施形態の特徴が現れる工程である。
【００３４】
即ち、ステップＳ６においてオリフラの数がゼロでないと判断すれば、正確な円弧の長さを求めるために、予め指定したオリフラの長さ以下のオリフラデータ（例えば、ノイズ、半導体ウエハの欠け等のいりフライ外のデータ）を削除する（ステップＳ７）。その後、指定フラットＮｏがオリフラ数より上か否かを判断し（ステップＳ８）、指定フラットＮｏがオリフラ数より上でないと判断すれば、図５の（ｂ）に示すピーク位置に基づいて各オリフラ１、２、３(図５の（ａ）参照)それぞれの位置を特定した後（ステップＳ９）、各オリフラ１、２、３の間の円弧の長さ（図５の（ｂ）に示すピーク以外の直線部分）を算出する（ステップＳ１０）。
【００３５】
ここで、円弧の長さを算出する方法について説明する。例えば図５の（ｂ）に示すようにグラフのピーク頂点の位置及びピーク両端の位置はそれぞれの座標位置として既に算出されて、半導体ウエハＷのデータとして記憶部に格納されている。そこで、このデータを利用して右端のオリフラ位置から左端のオリフラ位置までの長さを全周の長さとした上で、各ピークの頂点の位置座標をデータの左端から順次検索する。ピークの位置座標は、位置座標データの傾きが上昇から下降へ変化する変異点が座標位置となる。ピークの両端位置の位置座標は、ピークの頂点の座標位置から左右への位置座標データの変化を調べ、位置座標データが最下層部付近に存在する位置座標値となる。
【００３６】
上述のように算出された３箇所の円弧１、２、３の中に最長の円弧があるか否かを円弧長の算出データに基づいて判断し（ステップＳ１１）、図５では最長の円弧２があるため、その最長の円弧２の右隣にあるオリフラ１を基準オリフラとして設定する（ステップＳ１２）。そして、基準オリフラに対して指定フラットＮｏで設定されているオリフラを検出し（ステップＳ１３）、検出されたオリフラの位置へ回転体６Ａの角度を合わせて（ステップＳ１４）、プリアライメントを終了する。
【００３７】
尚、ステップＳ６においてオリフラ数がゼロである時、ステップＳ８において指定フラットＮｏがオリフラ数より上の時、あるいはステップＳ１１において最長円弧長が複数存在する時にはエラーとなってプリアライメントを中断すると共に警報を発する。
【００３８】
以上説明したように本実施形態によれば、半導体ウエハＷを支持して回転させる回転体６Ａと、回転体６Ａを介して回転する半導体ウエハＷの複数のオリフラの外側を通過する光線Ｌの光量を検出する光学センサ６Ｂと、光学センサ６Ｂが光線Ｌを一定量検出しない間の回転体６Ａの回転量に基づいて半導体ウエハＷの最長の円弧長として設定し、最長の円弧長に基づいて基準オオリフラを指定する制御装置３と、を備えたオリフラ検出装置を用いることによって、半導体ウエハＷを回転させて３箇所のオリフラ１、２、３をそれぞれ検出し、３箇所のオリフラ１、２、３の間にある３箇所の円弧１、２、３の長さをそれぞれ求めた後、３箇所の円弧１、２、３の長さうち最長の円弧２の右隣にあるオリフラを基準オリフラとして指定するため、同一長さの円弧が複数存在していても基準オリフラを確実に指定することができる。
【００３９】
また、本実施形態によれば、光学センサ６Ｂを用いて、３箇所のオリフラ１、２、３の外側を通過する光線Ｌの検出光量に基づいてオリフラをそれぞれ検出するため、オリフラ１、２、３の大きさを確実に検出することができる。また、光学センサ６Ｂによる検出光量が途絶えた間隔に基づいて半導体ウエハの円弧長を検出するため、各円弧１、２、３の長さを確実に検出することができる。
【００４０】
尚、本発明は、上記実施形態に何ら制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜設計変更することができる。例えば上記実施形態では本発明を検査装置に適用した場合について説明したが、検査装置以外の半導体ウエハの処理装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、半導体ウエハの検査装置等の処理装置に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００４２】
６    プリアライメント機構
６Ａ  回転体
６Ｂ  光学センサ
６Ｃ  発光素子
６Ｄ  受光素子
Ｗ    半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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