(57)【要約】【課題】基板材について、処理液更新の均一化，表面処理の均一化，そして回路の均一化が促進され、もって、電子回路基板の信頼性，歩留まり，量産性等が向上する、基板材の表面処理装置を提案する。【解決手段】この表面処理装置１は、電子回路基板の製造工程で使用される。そして、処理液Ｆで満たされた液槽５と、液槽５内で基板材Ｅを液中搬送するコンベア３と、液槽５内で基板材Ｅに処理液Ｆを液中噴射するスプレーノズル４と、を有している。そして液槽５内に、スプレーノズル４から液中噴射された処理液Ｆの吸引器１５が、設けられており、吸引器１５は、スプレーノズル４のスプレー管の前後間隔に設けられると共に、右方向に吸引するものと、左方向に吸引するものとが、交互に配設されている。吸引器１５の吸引量は、スプレーノズル４の液中噴射量に対応すべくコントロール可能となっている。【選択図】図１
2010040982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用される、基板材の表面処理装置であって、処理液で満たされた液槽と、該液槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該液槽内で該基板材に処理液を液中噴射するスプレーノズルと、を有しており、
更に該液槽内に、該スプレーノズルから液中噴射された処理液を、該基板材の表面処理後直ちに吸引する吸引器が設けられており、もって該基板材について、処理液更新の均一化，表面処理の均一化，回路の均一化が促進されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した基板材の表面処理装置において、左右方向に向けられると共に前後の搬送方向に複数列設けられたスプレー管に、該スプレーノズルは多数設けられており、該吸引器は、該スプレー管の前後間隔に設けられていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載した基板材の表面処理装置において、該吸引器は、吸引パイプよりなると共に、右方向に吸引するものと左方向に吸引するものとが、交互に配設されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載した基板材の表面処理装置において、該吸引器は、処理液の吸引量を、該スプレーノズルからの処理液の液中噴射量に対応させるべく、コントロール可能となっていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載した基板材の表面処理装置において、該液槽内に、該吸引器間を区画する隔壁が配設されており、もって処理液の流れを該吸引器へと整流可能となっていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項６】
請求項３，４，又は５に記載した基板材の表面処理装置において、該コンベアは、該基板材の回路形成面には無接触で、該基板材の左右両側端面を挟んで搬送すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項７】
請求項３，４，又は５に記載した基板材の表面処理装置において、該スプレーノズルは、搬送される該基板材の上下に配設されており、該スプレー管，吸引器，隔壁も、上下に配設されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材を搬送しつつ処理液にて表面処理する表面処理装置、に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
一般家電用からコンピュータ用まで、エレクトロニクス機器に用いられる電子回路基板は、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路の微細化，高密度化も著しい。
そして、このような電子回路基板の製造工程では、各種の表面処理装置が用いられており、それぞれコンベアにて搬送される基板材が、スプレーノズルから噴射される処理液にて、表面処理されている。例えば、現像液，エッチング液，剥離液，洗浄液等の処理液が、それぞれ噴射され、もって現像，エッチング，剥離，洗浄等の表面処理が順次行われている。
【０００３】
《従来技術》
そして従来、この種の表面処理装置では、コンベアやスプレーノズルが雰囲気中・空中に配設されており、基板材は、雰囲気中・空中で噴射された処理液にて表面処理されていた。しかしながら最近の極薄化の進展に伴い、空中搬送，空中噴射方式では、極薄で腰のない基板材が、噴射された処理液のスプレー圧や重量にて、揺れたり，撓んだり，脱落したり，落下する事故が多発していた。
そこで、これらに対処し、上述した事故発生を回避すべく、コンベアやスプレーノズルを処理液で満たされた液槽中に配設した、表面処理装置が開発，使用されるに至っており、この表面処理装置では、基板材を液中搬送しつつ、液中噴射される処理液にて表面処理するようになっている。
更に、この液中搬送，液中噴射方式の表面処理装置では、コンベアについて、基板材の回路形成面には無接触で、基板材の左右両側端面のみを挟んで搬送する方式のものが開発，採用されている。すなわち、基板材の全外表面を挟んで送る方式だと、基板材の回路形成面に擦り傷，傷痕，損傷等のダメージが発生し易かったので、これらを回避すべく、端面搬送方式のコンベアが開発，採用されるに至っている。
【０００４】
《先行技術文献情報》
上述した空中搬送，空中噴射方式の表面処理装置としては、例えば、次の特許文献１に示されたものが挙げられる。液中搬送，液中噴射方式の表面処理装置としては、例えば、次の特許文献２に示されたものが挙げられる。端面搬送方式の表面処理装置としては、次の特許文献３に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−６８４３５号公報
【特許文献２】特開平１０−０７９５６５号公報
【特許文献３】特開２００８−０８５１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
《問題点について》
ところで、このような液中搬送，液中噴射方式で、端面搬送方式の表面処理装置については、次の問題が指摘されていた。
すなわち、基板材に液中噴射された処理液が、基板材の表面処理後に均一に更新されることなく、つまり直ちにスムーズに排出されず、基板材表面を前後の搬送方向等に乱流となって流れたり、基板材表面の中央部等に澱んだ液溜まりとなって滞留する、という指摘があった。
基板材表面には、絶えず次々と新鮮な処理液が噴射され更新されて反応処理が促進される必要があるが、このような乱流や液溜まり発生に起因して、処理液の均一な更新が妨げられる箇所が、基板材表面の各所に発生していた。そして、このような処理液更新の不均一により、基板材の回路形成面の表面処理にバラツキ，過不足，遅速箇所等が発生して、表面処理の不均一が生じてしまい、表面処理精度が低下し、均一な回路形成に支障が生じていた。
【０００６】
図５の（２）図は、基板回路の要部の平面概略図である。同図にも示したように、電子回路基板Ａの回路Ｂは、縦方向（前後方向Ｃ）、横方向（左右方向Ｄ）、斜め方向に形成される。そして当然のことながら、これらの回路幅は、設計寸法の許容範囲内で同一寸法であることが要求される。
しかしながら形成される回路Ｂについて、前述した乱流に起因して、更には、コンベアの左右の搬送ローラーやフレーム区画壁が邪魔をして、基板材表面での処理液の流れが左右部について中央部より悪くなることに起因して、縦方向のものが太く大きく、横方向のものが細く小さくなったり、前述した液溜まりに起因して、中央部のものが細く小さくなる等、回路幅の不均一現象が発生していた。
そして、これらの点は、回路Ｂの微細化，高密度化に進展に伴い、一段と顕著化していた。要求される回路幅が例えば２０μｍ程度になると、回路幅の均一化は一段と困難化するに至っており、電子回路基板Ａの信頼性，歩留まり，量産化，生産性上、大きな問題となっていた。
【０００７】
《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、処理液の均一更新，基板材の均一処理，そして均一な回路形成が実現されるようになる、基板材の表面処理装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。そして、処理液で満たされた液槽と、該液槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該液槽内で該基板材に処理液を液中噴射するスプレーノズルと、を有している。
そして更に、該液槽内に、該スプレーノズルから液中噴射された処理液を、該基板材の表面処理後直ちに吸引する吸引器が設けられており、もって該基板材について、処理液更新の均一化，表面処理の均一化，回路の均一化が促進されること、を特徴とする。
【０００９】
請求項２については、次のとおり。請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１において、左右方向に向けられると共に前後の搬送方向に複数列設けられたスプレー管に、該スプレーノズルは多数設けられている。そして該吸引器は、該スプレー管の前後間隔に設けられていること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。請求項３の基板材の表面処理装置では、請求項２において、該吸引器は、吸引パイプよりなると共に、右方向に吸引するものと左方向に吸引するものとが、交互に配設されていること、を特徴とする。
請求項４については、次のとおり。請求項４の基板材の表面処理装置では、請求項２において、該吸引器は、処理液の吸引量を、該スプレーノズルからの処理液の液中噴射量に対応させるべく、コントロール可能となっていること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。請求項５の基板材の表面処理装置では、請求項２において、該液槽内に、該吸引器間を区画する隔壁が配設されており、もって処理液の流れを該吸引器へと整流可能となっていること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。請求項６の基板材の表面処理装置では、請求項３，４，又は５において、該コンベアは、該基板材の回路形成面には無接触で、該基板材の左右両側端面を挟んで搬送すること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。請求項７の基板材の表面処理装置では、請求項３，４，又は５において、該スプレーノズルは、搬送される該基板材の上下に配設されており、該スプレー管，吸引器，隔壁も、上下に配設されていること、を特徴とする。
【００１０】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。
（２）そして、基板材を液槽内でコンベアにて液中搬送しつつ、スプレーノズルから処理液を液中噴射し、もって基板材を表面処理する。
（３）そして、この表面処理装置では、スプレーノズルから液中噴射された処理液は、基板材を表面処理した後、基板材付近から吸引器に向け吸引される。
（４）吸引器は、スプレー管の前後間隔に設けられ、各吸引器間には隔壁が設けられているので、吸引器に向けた処理液の流れが、整流されスムーズかつ確実に形成される。
（５）又、吸引器の吸引量は、スプレーノズルの噴射量に対応可能となっている。
（６）さてそこで、この表面処理装置では、液中噴射された処理液は、基板材の表面処理後、直ちに基板材付近から吸引，排出，除去され、次に液中噴射された新鮮な処理液が、これに代わって基板材を表面処理する。
（７）従って、表面処理後の処理液は、乱流や液溜まりする前に、吸引，排出，除去される。
（８）このようにして、処理液の均一な更新が促進され、基板材の表面処理に、バラツキ，過不足，遅速箇所等が発生することもなく、均一な表面処理そして均一な回路形成が実現される。
（９）もって、回路幅の不均一現象も防止される。更に、吸引器が順次左右交互に吸収するので、この面からも、上述した均一な吸引，更新，回路幅等が、一段と確実に実現される。
（１０）そこで、このような本発明の基板材の表面処理装置は、次の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表面処理装置では、処理液の均一更新，基板材の均一処理，そして均一な回路形成が実現される。
すなわち、本発明の表面処理装置では、液中噴射された処理液を基板材の表面処理後直ちに基板材付近から均一に吸引，除去する吸引器が、設けられている。吸引器は、左右交互に吸引すると共に、相互間の隔壁付となっており、更に、処理液の液中噴射量に対応した吸引量にも、コントロール可能である。
そこで本発明では、前述したこの種従来例のように、液中噴射された処理液が、基板材処理後に基板材付近から排出されない事態は、回避される。もって、処理液の乱流や液溜まり発生が一掃され、処理液の均一な更新が促進されるので、基板材の処理精度が向上し、均一な表面処理そして均一な回路形成が実現される。そして更に、表面処理速度を大幅に向上させることができる。
これらの点は、電子回路基板の微細化，高密度化の進展に伴い、その意義が特に大なるものがあり、電子回路基板の信頼性，歩留まり，量産性，生産性等が、大きく向上するようになる。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
《図面について》
以下、本発明の基板材の表面処理装置を、図面に示した発明を実施するための最良の形態に基づいて、詳細に説明する。図１〜図５の（１）図は、本発明を実施するための最良の形態の説明に供する。
そして図１は、正面の断面図、図２は、側面の断面図、図３は、平面の断面図、図４は、プレート等の平面図、図５の（１）図は、上側の吸引器の底面図である。
図５の（２）図は、基板回路の要部の平面概略図である。図６、図７は、基板材の表面処理装置の一般的説明に供し、図６は、正面の断面図、図７は、側面の断面図である。
【００１３】
《電子回路基板Ａについて》
本発明の基板材Ｅの表面処理装置１は、電子回路基板Ａの製造工程で使用される。そこで、まず電子回路基板Ａについて説明しておく。
一般家電用からコンピュータ用まで、エレクトロニクス機器にて使用されるプリント配線基板等の電子回路基板Ａは、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化，そして形成され回路Ｂの微細化，高密度化，多層化等の進展がめざましい。例えば、その大きさに関しては、比較的大きなマザーボード用と共に、半導体素子や部品が回路Ｂと一体的に組み込まれて搭載された小さな半導体パッケージ基板の普及も急速である。硬軟に関しても、従来よりのリジット基板等の硬性基板に比し、フレキシブル基板その他の極薄で柔軟な軟性基板の進展，増加が著しい。なお電子回路基板Ａには、表裏両面に回路Ｂが形成される両面基板タイプと、片面だけに回路Ｂが形成される片面基板タイプとがある。
そして、最近の電子回路基板Ａの要求度としては、トータル板厚が１００μｍ〜２５μｍ程度、回路幅が２０μｍ程度、回路間スペースが１０μｍ程度まで、極薄化，微細化されている。回路幅は、従来の３５μｍ時代から２０μｍ前後に至り、更には１５〜１０μｍ時代を迎えようとしている。
このような電子回路基板Ａの製造方法としては、エッチング法やセミアディティブ法（メッキ法）が、代表的である。エッチング法では、銅張り積層板よりなる基板材Ｅの外表面に、→感光性レジストを塗布又は張り付けてから、→回路Ｂのネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→回路形成部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥膜除去する。→これにより、基板材Ｅの外表面に残った銅箔にて、電子回路Ｂが形成され、→もって、電子回路基板Ａが製造される。本発明は、このようなプロセスを辿るエッチング法に関する。
電子回路基板Ａは、このようになっている。
【００１４】
《表面処理装置１について》
表面処理装置１は、このような電子回路基板Ａの製造工程で使用され、基板材Ｅを処理液Ｆにて表面処理する。そこで、まず表面処理装置１について、図６，図７を参照して、一般的に説明しておく。
表面処理装置１は、電子回路基板Ａの製造工程中，例えば現像工程，エッチング工程，剥離工程，洗浄工程等において、現像装置，エッチング装置，剥離装置，洗浄装置として、使用される。
そして各表面処理装置１では、その処理室２内において、コンベア３で搬送され感光性レジストが張付けられた銅張積層板製の基板材Ｅに対し、スプレーノズル４から例えば現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液等の処理液Ｆが順次噴射され、もって基板材Ｅが薬液処理や洗浄処理等、表面処理される。
【００１５】
そして、この表面処理装置１は、液中搬送，液中噴射方式よりなると共に端面搬送方式よりなり、処理室２内に、液槽５，コンベア３，スプレーノズル４，貯槽６等を、備えている。
まず液槽５は、処理液Ｆで満たされている。すなわち液槽５は、処理室２上部において、コンベアフレーム兼用のフレーム区画壁７を使用して形成されると共に、スプレーノズル４から噴射される処理液Ｆと同じ処理液Ｆで、満たされている。
コンベア３は、液槽５の処理液Ｆ内に配設されており、液槽５内で基板材Ａを搬送方向（前後方向）Ｃに液中搬送する。そして、左右，上下に多数の搬送ローラー８を備えており、各搬送ローラー８は、基板材Ｅの回路形成面Ｇには無接触で、基板材Ｅの左右両側端面Ｈを上下から挟んで、水平搬送する。
スプレーノズル４は、液槽５の処理液Ｆ内において、搬送される基板材Ｅの上下に多数配設されている。そして、図示のように左右方向Ｄに向けられると共に搬送方向（前後方向）Ｃに複数列設けられた上下のスプレー管９に、それぞれ多数設けられており、もって、液槽５内で液中搬送される基板材Ｅの回路形成面Ｇに対し、処理液Ｆを上下から液中噴射する。
【００１６】
処理液Ｆは、処理室２下部の貯槽６から、ポンプ１０，配管１１，各スプレー管９等を経由して、各スプレーノズル４に圧送されて、基板材Ｅに液中噴射される。そして、基板材Ｅ表面の回路形成面Ｇを反応処理後、液槽５中の処理液Ｆ中に吸収される。この種従来例では、その結果、液槽５から対応した処理液Ｆがすべてオーバーフローして、貯槽６に回収，貯蔵され、事後再び循環使用されるようになっている。
なお基板材Ｅは、中央部の広い回路形成面Ｇと、その外周縁の狭い前後端面や左右両側端面Ｈと、から構成されており、前後端面や両側端面Ｈは幅１０ｍｍ程度よりなり、みみ部とも称され、非回路形成面となっている。又、図示例の基板材Ｅは、表裏両面に回路形成面Ｇ，前後端面，両側端面が形成されたタイプ（両面基板タイプの電子回路基板Ａ）よりなる。
なお、コンベア３の搬送ローラー８は、駆動ローラー（ドライブローラー）よりなり、軸１２，各ギア１３，駆動軸１４等を介し、モータ等の駆動機構（図示せず）に接続されている。
表面処理装置１は、一般的にはこのようになっている。
【００１７】
《本発明の概要について》
以下、本発明について、図１〜図５の（１）図を参照して説明する。本発明の基板材Ｅの表面処理装置１では、液槽５内に、各スプレーノズル４から液中噴射された処理液Ｆを吸引する吸引器１５が、設けられている。
この吸引器１５は、スプレー管９の前後間隔に設けられており、図示例では吸引スリット孔１６を備えた吸引パイプ１７よりなり、右方向に吸引するものと左方向に吸引するものとが、交互に配設されている。
そして吸引器１５は、処理液Ｆの吸引量を、スプレーノズル４からの処理液Ｆの液中噴射量に対応させるべく、コントロール可能となっている。液槽５内には、各吸引器１５間を区画する隔壁１８が配設されており、もって、液中噴射されて基板材Ｅを表面処理した後の処理液Ｆの流れを、吸引器１５へと整流可能となっている。
なお図示例では、搬送される基板材Ｅの上下に対向して、スプレー管９そしてスプレーノズル４が配設されていることに鑑み、各吸引器１５や隔壁１８も、基板材Ｅの上下に対向配設されている。
本発明の表面処理装置１は、概略このようになっている。
【００１８】
《プレート１９について》
このような表面処理装置１について、更に詳述する。まず、プレート１９について説明する。図示の液槽５中には、図４に示したプレート１９が、図１〜図３に示したように、搬送される基板材Ｅの表裏の回路形成面Ｇに対向して、上下に配設されている。
プレート１９は、水平で平坦な略平板状をなし、両プレート１９間の上下方向Ｊの上下間隔距離寸法は、３ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、その間にそれぞれ上下間隔をそれぞれ存しつつ、基板材Ｅが搬送される。プレート１９には、多数のノズル孔２０と吸引孔２１とが、上下貫通孔として多数穿設されている。
ノズル孔２０は、左右方向Ｄに沿い多数列設されると共に、前後方向（搬送方向）Ｃに、間隔を存しつつ複数列配設されている。そして、このような各ノズル孔２０が、前述したスプレー管９の各スプレーノズル４に対し、それぞれ一体連設されている。
吸引孔２１は、基板材Ｅに液中噴射された処理液Ｆについて、基板材Ｅの表面処理後に基板材Ｅから反射されて跳ね返ったものを、吸引，排出させるべく、つまり直ちに基板材Ｅ付近から吸引器１５に向け通過させるべく、多数設けられている。そして吸引孔２１は、上下が共に液槽５中に開放されると共に、各ノズル孔２０の各列の前後に、それぞれ列設されている。つまり各吸引孔２１は、左右方向Ｄに沿い多数列設されると共に、前後方向（搬送方向）Ｃに複数列配設されている。
プレート１９は、このようになっている。
【００１９】
《吸引器１５について》
次に、吸引器１５について説明する。吸引器１５は、図示例では吸引パイプ１７よりなり、図５の（１）図に示したように、軸方向（左右方向Ｄ）に吸引スリット孔１６が下面又は上面に形成されている。なお図示例によらず、多数の孔を軸方向に形成するようにしてもよい。
そして吸引器１５は、配管や吸引ポンプ（図示せず）等を介して、貯槽６（図７を参照）、に接続されており、吸引した処理液Ｆを、貯槽６へと回収，供給する。そして吸引器１５は、液槽５内において、図３に示したように、前後方向（搬送方向）Ｃに列設された各スプレー管９の前後間隔の中間位置上に設けられると共に、図１，図２に示したように、上下方向Ｊに上下間隔を存して設けられている。
更に吸引器１５は、図３に示したように、左右方向Ｄの右方向に吸引するものと、左方向に吸引するものとが、前後方向（搬送方向）Ｃに交互に配設されている。
又、吸引器１５の処理液Ｆ吸引量は、吸引すべき各スプレーノズル４の処理液Ｆ液中噴射量に対応すべく、自動コントロール可能となっている。図示例では、１本の吸引パイプ１７よりなる吸引器１５の吸引量が、隔壁１８で区画された２本のスプレー管９の各スプレーノズル４から噴射されるトータルの処理液Ｆ噴射量に、見合うように、例えばほぼ同一量に自動設定される。
吸引器１５は、このようになっている。
【００２０】
《隔壁１８について》
次に、隔壁１８について説明する。隔壁１８は、液槽５中に配設されると共に、図１〜図４に示したように、搬送される基板材Ｅの上位側の隔壁１８は、左右壁と前後壁と、図示例では更に頂壁とを備えている。そして、このような隔壁１８が、その下位側に位置するプレート１９とで囲まれた略長箱状の液中エリアを、図示例では密閉された液中エリアを区画形成している。
又、基板材Ｅの下位側の隔壁１８も、左右壁と前後壁と、図示例では更に底壁とを備えており、その上位側に位置するプレート１９とで囲まれた略長箱状の液中エリアを、図示例では密閉された液中エリアを区画形成している。
そして図示例では、各隔壁１８等で区画形成された液中エリアに、１本の吸引パイプ１７と２本のスプレー管９とが、配されている。
このような液中エリアの区画形成により、液中噴射されて基板材Ｅを表面処理した後の処理液Ｆが、プレート１９の各吸引孔２１から、それぞれの吸引器１５つまり吸引パイプ１７へと、スムーズに吸引され流れるようになる。左方向に流れて左側の吸引パイプ１７へと吸収される流れと、右方向に流れて右側の吸引パイプ１７へと吸収される流れとが、スムーズに区画形成されるようになる。
【００２１】
《その他》
さて、このような吸引パイプ１７，吸引器１５，隔壁１８，プレート１９，スプレー管９，スプレーノズル４等が、搬送される基板材Ｅの上下にそれぞれ配設されている。
又、本発明の表面処理装置１の処理室２内には、これらを備えた液槽５が、１ユニットとなり、このような各ユニットの液槽５が、前後方向（搬送方向）Ｃに沿って、処理室２内に多数配設されている。各液槽５は、それぞれフレーム区画壁７にて形成されている（なお、前述した図６，図７の例では、１つの処理室２に、１つの液槽５が形成されていたが、これとは異なっている）。
更に図示例の表面処理装置１は、水平搬送方式よりなっていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、傾斜搬送方式や垂直搬送方式にも適用される。すなわち本発明は、コンベア３が液中で基板材Ｅを、水平ではなく斜傾して搬送したり、垂直で搬送する方式にも適用可能である。その場合、スプレー管９，スプレーノズル４，吸引器１５，隔壁１８等も、傾斜姿勢や垂直姿勢で搬送される基板材Ｅに対応位置すべく配設される。
図１〜図３中、２２は、貯槽６からスプレー管９の途中に介装された給液管であり、２３は、給液管２２から各スプレー管９へと処理液Ｆを供給する縦管である。
本発明の表面処理装置１は、このようになっている。
【００２２】
《作用等》
本発明の基板材の表面処理装置１は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置１は、電子回路基板Ａの製造工程で使用される。すなわち、電子回路基板Ａの製造工程の中核をなす現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程において、現像装置，エッチング装置，剥離装置，又は洗浄装置として使用される。
【００２３】
（２）そして表面処理装置１は、基板材Ｅを処理液Ｆにて表面処理する。すなわち、基板材Ｅを液槽５内でコンベア３にて液中搬送，端面搬送しつつ、スプレーノズル４から、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液等の処理液Ｆを液中噴射し、もって基板材Ｅを回路Ｂ形成用に表面処理する（図５の（２）図，図６，図７を参照）。
【００２４】
（３）さて、この表面処理装置１において、各スプレーノズル４からプレート１９のノズル孔２０を介し基板材Ｅに向けて液中噴射された処理液Ｆは、→基板材Ｅを表面処理した後、→基板材Ｅから反射されて跳ね返り、→基板材Ｅ付近からプレート１９の各吸引孔２１を介し、吸引器１５の吸引パイプ１７へ向け、吸引される（図１〜図４を参照）。
【００２５】
（４）この吸引器１５は、各スプレー管９相互の前後方向（搬送方向）Ｃの前後間隔中央の上下位置に設けられており、各吸引器１５間には隔壁１８が設けられている。このような位置関係と隔壁１８の存在により、上述した吸引器１５に向けた処理液Ｆの流れが整流され、スムーズかつ確実に形成されるようになる（図１〜図３を参照）。
【００２６】
（５）又、吸引器１５の処理液Ｆ吸引量は、スプレーノズル４の処理液Ｆ噴射量に対応可能となっており、この面からも、上述した吸引器１５に向けた処理液Ｆの流れが、スムーズかつ確実に形成されるようになる。
但し、上述した液中吸引量と液中噴射量とが、完全一致している必要はなく、多くの場合は液中噴射量の方が多少多くなっている。そして、余剰分となった処理液Ｆは、液槽５からオーバーフローＫして（図１を参照）、貯槽６に回収されるようになっている（図７を参照）。
つまり、スプレーノズル４から液中噴射された処理液Ｆは、→その大部分が液槽５中の処理液Ｆ中に吸収されるが、→このように液中噴射分を吸収した液槽５中の処理液Ｆは、→吸引器１５が、スプレーノズル４からの液中噴射量にほぼ見合った処理液Ｆを、順次吸引するので、→残余の余剰分となった処理液Ｆのみが、オーバーフローＫされることになる。
【００２７】
（６）そこで、この表面処理装置１では、基板材Ｅ表面に、絶えず新鮮な処理液Ｆが供給されるようになる。すなわち、基板材Ｅ表面に向け液中噴射された処理液Ｆは、基板材Ｅ表面の処理反応後、直ちに基板材Ｅ付近から吸引，排出，除去される。そして、次に液中噴射された新鮮な処理液Ｆが、これに代わって、基板材Ｅを表面処理するようになり、もって基板材Ｅの表面処理が促進される。
【００２８】
（７）表面処理後の処理液Ｆは、乱流する前や液溜まりする前に、吸引，排出，除去される。処理液Ｆが、基板材Ｅ表面を搬送方向（前後方向）Ｃに乱流となって流れたり、基板材Ｅ表面中央部等に澱んだ液溜まりとなって滞留することは、解消される。
【００２９】
（８）さて、このようにして、スプレーノズル４から液中噴射された処理液Ｆについて、均一な更新が促進され、乱流や液溜まり発生は回避される。従って、基板材Ｅの回路形成面Ｇの表面処理に、バラツキ，過不足，遅速箇所等が発生することもなく、均一な表面処理そして均一な回路形成が実現される。
【００３０】
（９）図５の（２）図に示したように、電子回路基板Ａの回路Ｂは、縦方向（前後方向Ｃ）、横方向（左右方向Ｄ）、斜め方向等に形成されるが、これらの各回路幅が均一化されるようになる。乱流に起因して、縦方向の回路Ｂが大きくなったり、液溜まりに起因して、中央部の回路Ｂが細くなったりする、回路幅の不均一現象は確実に防止される。
更に、吸引器１５が処理液Ｆを、順次左右交互に吸収するので、この面からも、均一な吸引，更新，そして回路幅が、一段と確実に実現されるようになる。左又は右に偏った更新は回避され、形成される回路Ｂの左側又は右側のみが集中的に表面処理されてしまう事態発生は防止される。
本発明の作用等は、このようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための最良の形態の説明に供し、正面の断面図である。
【図２】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、側面の断面図である。
【図３】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、平面の断面図である。
【図４】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、プレート等の平面図である。
【図５】（１）図は、同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、上側の吸引器の底面図である。（２）図は、基板回路の説明に供する、要部の平面概略図である。
【図６】基板材の表面処理装置の一般的説明に供し、正面の断面図である。
【図７】基板材の表面処理装置の一般的説明に供し、側面の断面図である
【符号の説明】
【００３２】
１  表面処理装置
２  処理室
３  コンベア
４  スプレーノズル
５  液槽
６  貯槽
７  フレーム区画壁
８  搬送ローラー
９  スプレー管
１０  ポンプ
１１  配管
１２  軸
１３  ギア
１４  駆動軸
１５  吸引器
１６  吸引スリット孔
１７  吸引パイプ
１８  隔壁
１９  プレート
２０  ノズル孔
２１  吸引孔
２２  給液管
２３  縦管
Ａ  電子回路基板
Ｂ  回路
Ｃ  搬送方向（前後方向）
Ｄ  左右方向
Ｅ  基板材
Ｆ  処理液
Ｇ  回路形成面
Ｈ  両側端面
Ｊ  上下方向
Ｋ  オーバーフロー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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