(57)【要約】【課題】磁気センサーと検出回路との間の接続異常を検出することができ、また、一つの端子で磁石検出の信号と接続異常の信号とを出力することができる遊技機用不正磁気検出装置を提供する。【解決手段】本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置１は、磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチＳＷ１を有する磁気検出部１１、及び、磁気検出部１１がオフ状態のときはオン状態となり、オン状態のときはオフ状態となる論理反転部１２を有する磁気センサー回路部１０と、論理反転部１２がオン状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力し、オフ状態のときは他方を出力する検知制御部２０と、磁気センサー回路部１０及び検知制御部２０を接続する接続ハーネス部３０と、から構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、前記磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、前記磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部を有する磁気センサー回路部と、
前記論理反転部がオン状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力し、前記論理反転部がオフ状態のときは他方を出力する検知制御部と、
前記磁気センサー回路部及び前記検知制御部を接続する接続ハーネス部と、を有する遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項２】
前記検知制御部は、前記接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、前記高い電圧値及び前記低い電圧値のうち、前記リードスイッチに前記磁石が近づいたときの電圧値を出力するように構成された請求項１に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項３】
前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、
前記論理反転部は、スイッチング素子を有し、
前記検知制御部は、電源が接続された出力端子を有し、
前記接続ハーネス部は、
一方の端子が接地された前記リードスイッチの他方の端子と前記検知制御部側にある前記電源とを接続する第１リード線と、
一方の端子が接地された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第２リード線と、
前記磁気センサー回路部側の接地を前記検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有し、
前記リードスイッチは、
当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第２リード線により前記出力端子を前記接地に接続して当該出力端子から前記低い電圧値を出力させ、
当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記高い電圧値を出力させるように構成された請求項１または２に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項４】
前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、
前記論理反転部は、スイッチング素子を有し、
前記検知制御部は、接地された出力端子を有し、
前記接続ハーネス部は、
前記リードスイッチの一方の端子と前記検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、
一方の端子が前記第１リード線の他方の端子に接続された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第２リード線と、
前記リードスイッチの前記他方の端子を前記検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有し、
前記リードスイッチは、
当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第１リード線及び前記第２リード線により前記出力端子を前記電源に接続して当該出力端子から前記高い電圧値を出力させ、
当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記低い電圧値を出力させるように構成された請求項１または２に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項５】
磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、前記磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、前記磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部有する磁気センサー回路部と、
前記論理反転部がオン状態のときは低い電圧値と高い電圧値との間の中間の電圧値を出力し、前記論理反転部がオフ状態のときは前記高い電圧値及び前記低い電圧値のいずれか一方を出力する検知制御部と、
前記磁気センサー回路部と前記検知制御部とを接続する接続ハーネス部と、を有する遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項６】
前記検知制御部は、前記接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、前記高い電圧値及び前記低い電圧値のいずれかを出力するように構成された請求項５に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項７】
前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、
前記論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部を有し、
前記検知制御部は、電源が接続された出力端子を有し、
前記接続ハーネス部は、
一方の端子が接地された前記リードスイッチの他方の端子と前記検知制御部側にある前記電源とを接続する第１リード線と、
前記電圧オフセット部を介して、一方の端子が接地された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第２リード線と、
前記磁気センサー回路部側の接地を前記検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有し、
前記リードスイッチは、
当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第２リード線により、前記出力端子を、前記電圧オフセット部を介して前記接地に接続して当該出力端子から前記中間の電圧値を出力させ、
当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記高い電圧値を出力させるように構成された請求項５または６に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【請求項８】
前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、
前記論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部を有し、
前記検知制御部は、接地された出力端子を有し、
前記接続ハーネス部は、
前記リードスイッチの一方の端子と前記検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、
前記電圧オフセット部を介して、一方の端子が前記第１リード線の他方の端子に接続された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第２リード線と、
前記リードスイッチの前記他方の端子を前記検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有し、
前記リードスイッチは、
当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第１リード線及び前記第２リード線により前記出力端子を前記電源に接続して当該出力端子から前記中間の電圧値を出力させ、
当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記低い電圧値を出力させるように構成された請求項５または６に記載の遊技機用不正磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パチンコ機等の遊技機に搭載され、磁石を用いた不正入賞動作を検知する遊技機用不正磁気検出装置に関し、特に詳細には、磁気センサー回路部と検知制御部とを接続する接続ハーネス部の断線及び短絡を合わせて検知することができる遊技機用不正磁気検知装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ機等の遊技機には、磁石を接近させて不正に入賞動作が行われるのを検知するために不正磁気検知装置が設けられているものがある。この不正磁気検知装置は、磁気センサーと検知回路とから構成されているが、磁気センサーを配置する場所が、必ずしも検知回路の設置場所と近接しているわけではないため、この磁気センサーと検知回路とはリード線（接続ハーネス）で接続されている。そのため、リード線が断線したり抜き取られたりして磁気センターと検知回路との接続が遮断されると、磁石の検出ができなくなるため、磁石の検出信号を出力する端子とは別に、この接続の遮断を検出する回路及び検出信号を出力する端子を有する不正磁気検知装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１３７８７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながらこのような不正磁気検知装置においては、リード線の断線を検出する端子は、磁石を検出する端子とは別に設けられているため、磁石を検出して警報を発する警報器とは別に、断線を報知する報知器を設けなければならないという課題があった。
【０００４】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、一つの出力端子で磁石検出の信号と磁気センサー及び検出回路の間の接続異常の信号とを出力することができる遊技機用不正磁気検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するために、第１の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置は、磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部を有する磁気センサー回路部と、論理反転部がオン状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力し、論理反転部がオフ状態のときは他方を出力する検知制御部と、磁気センサー回路部及び検知制御部を接続する接続ハーネス部と、を有して構成される。
【０００６】
このような第１の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、検知制御部は、接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、高い電圧値及び低い電圧値のうち、リードスイッチに磁石が近づいたときの電圧値を出力するように構成されることが好ましい。
【０００７】
また、このような第１の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子（例えば、実施形態におけるトランジスタＱ１）を有し、検知制御部は、電源が接続された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、一方の端子が接地されたリードスイッチの他方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、一方の端子が接地されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第２リード線と、磁気センサー回路部側の接地を検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第２リード線により出力端子を接地に接続して当該出力端子から低い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から高い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。
【０００８】
あるいは、このような第１の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子（例えば、実施形態におけるトランジスタＱ１００）を有し、検知制御部は、接地された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、リードスイッチの一方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、一方の端子が第１リード線の他方の端子に接続されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第２リード線と、リードスイッチの他方の端子を検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第１リード線及び第２リード線により出力端子を電源に接続して当該出力端子から高い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から低い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。
【０００９】
また、第２の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置は、磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部有する磁気センサー回路部と、論理反転部がオン状態のときは低い電圧値と高い電圧値との間の中間の電圧値を出力し、論理反転部がオフ状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力する検知制御部と、磁気センサー回路部と検知制御部とを接続する接続ハーネス部と、を有して構成される。
【００１０】
このような第２の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、検知制御部は、接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、高い電圧値及び低い電圧値のいずれかを出力するように構成されることが好ましい。
【００１１】
また、このような第２の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部（例えば、実施形態におけるダイオードＤ１）を有し、検知制御部は、電源が接続された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、一方の端子が接地されたリードスイッチの他方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、電圧オフセット部を介して、一方の端子が接地されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第２リード線と、磁気センサー回路部側の接地を検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第２リード線により、出力端子を、電圧オフセット部を介して接地に接続して当該出力端子から中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から高い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。
【００１２】
あるいは、このような第２の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部（例えば、実施形態におけるダイオードＤ１００）を有し、検知制御部は、接地された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、リードスイッチの一方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第１リード線と、電圧オフセット部を介して、一方の端子が第１リード線の他方の端子に接続されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第２リード線と、リードスイッチの他方の端子を検知制御部側の接地に接続する第３リード線と、を有して構成される。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第１リード線及び第２リード線により出力端子を電源に接続して当該出力端子から中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から低い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る遊技用不正磁気検出装置を以上のように構成すると、接続ハーネス部の接続異常として、リード線の断線・抜き取りだけでなく、短絡も検出することができ、また、一つの端子で磁石検出及び接続異常の信号を出力することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。なお、ここでは、本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置（以下、単に「不正磁気検出装置」と呼ぶ）の２つの実施形態について説明する。
【００１５】
［第１の実施形態］
まず、図１〜図３を用いて、第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１について説明する。ここで、図１は、この不正磁気検出装置１の構成を示すブロック図であり、図２は回路図であり、図３は回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。図１に示すとおり、この不正磁気検出装置１は、磁石の接近を検出する磁気センサー回路部１０と、磁気センサー回路部１０から出力される信号に基づいて検知信号を出力する検知制御部２０とを有し、これらの磁気センサー回路部１０及び検知制御部２０は接続ハーネス部３０で接続されている。また、磁気センサー回路部１０は、少なくとも２本の端子を有し、磁石の接近・離反に応じて当該２本の端子間の接点が接続・開放するリードスイッチを有する磁気検出部１１と、磁気検出部１１から出力されるレベル信号（高い電圧レベル（Ｈレベル）と低い電圧レベル（Ｌレベル）からなるレベル信号）を反転させる論理反転部１２とから構成されている。
【００１６】
具体的には、この磁気検出部１１は、磁石が接近していないときはリードスイッチの接点は開放されており、磁気検出部１１からはＨレベルの信号が出力される。一方、磁石が接近しているときは、リードスイッチの接点は接続されており、この磁気検出部１１からはＬレベルの信号が出力される。そして、論理反転部１２は、磁気検出部１１からＨレベルの信号が出力されているときは、接続ハーネス部３０を介して接続されている検知制御部２０からＬレベルの信号を出力させ、Ｌレベルの信号が出力されているときは、検知制御部２０からＨレベルの信号を出力させるように構成されている。
【００１７】
図２に示すように、磁気センサー回路部１０の磁気検出部１１はリードスイッチＳＷ１から構成され、また、論理反転部１２は２本の抵抗器Ｒ１，Ｒ２と、１個のトランジスタＱ１とから構成されている。また、検知制御部２０は、２本の抵抗器Ｒ３，Ｒ４から構成されている。さらに、接続ハーネス部３０は、３本のリード線Ｌ１〜Ｌ３から構成されている。
【００１８】
磁気センサー回路部１０のリードスイッチＳＷ１は、一方の端子が接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１と、検知制御部２０の抵抗器Ｒ３とを介して電源に接続されており、他方の端子が接地されている。また、トランジスタＱ１はＮＰＮ型のトランジスタであって、そのベースが抵抗器Ｒ１を介してリードスイッチＳＷ１の電源側の端子に接続され、コレクタが接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２を介して検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴに接続されており、エミッタが接地されている。また、トランジスタＱ１のベースは抵抗器Ｒ２を介して接地されている。ここで抵抗器Ｒ１はトランジスタＱ１に流れる電流を制限してこのトランジスタＱ１を保護するものであり、抵抗器Ｒ２はトランジスタＱ１の動作を安定させるものである。
【００１９】
また、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴは、抵抗器Ｒ４を介して電源に接続されている。ここで、この抵抗器Ｒ４は、磁気センサー回路部１０のトランジスタＱ１がオフ状態（オープン）になったときに、この検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力される電圧値を電源電圧Ｖｃｃとほぼ同じ高い電圧値に（レベル信号をＨレベルに）固定するためのいわゆるプルアップ抵抗である。また、抵抗器Ｒ３はリードスイッチＳＷ１を保護するものであり、磁気センサー回路部１０側に設けても良い。なお、接続ハーネス部３０の第３リード線Ｌ３は、磁気センサー回路部１０側の接地を、検知制御部２０側の接地に接続し、最終的に回路全体を接地するものである（実際には、検知制御部２０が、遊技機の接地に接続されている）。また、磁気センサー回路部１０と接続ハーネス部３０とは、コネクタＣＮ１ａ，ＣＮ１ｂで接続され、検知制御部２０と接続ハーネス部３０とは、コネクタＣＮ２ａ，ＣＮ２ｂで接続される。
【００２０】
このような構成の不正磁気検出装置１の動作を、図３を用いて説明すると、接続ハーネス部３０等に異常がなく、磁石を検知していないときは（通常状態のときは）、リードスイッチＳＷ１の接点が開放されてオフ状態となり、トランジスタＱ１のベースに電源からの電圧が印加されるのでこのトランジスタＱ１はオン状態となり、これにより検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴは接地されるため、この出力端子Ｖ−ＯＵＴからは接地電圧値（０Ｖ）とほぼ同じ低い電圧値、すなわち、Ｌレベルの信号が出力される。一方、リードスイッチＳＷ１に磁石が近づくとこのリードスイッチＳＷ１の接点は接続されてオン状態となり、トランジスタＱ１のベースは低い電圧値となり、このトランジスタＱ１はオフ状態となるため、上述のように、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからは電源電圧Ｖｃｃとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Ｈレベルの信号が出力される。
【００２１】
また、接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２が断線すると、トランジスタＱ１がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第３リード線Ｌ３が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部３０と、磁気センサー回路部１０若しくは検知制御部２０との接続が外れても出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。
【００２２】
さらに、接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１と第２リード線Ｌ２とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１と第３リード線Ｌ３とが短絡しても、同様に、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に応じてトランジスタＱ１がオン、オフするが、出力端子Ｖ−ＯＵＴが接地された状態となるため、この出力端子Ｖ−ＯＵＴからは、常にＬレベル信号が出力されることとなる。
【００２３】
以上のように、この第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１によると、接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３とが短絡した場合を除いて、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＬレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていいない状態であることを示し、Ｈレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部３０に異常がある（断線（コネクタが外れている場合を含む）、若しくは、短絡している）状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置１の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＨレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。
【００２４】
このように、磁気検出部１１から出力される信号を論理反転部１２で反転させて検知制御部２０から出力させることにより、一つの出力端子Ｖ−ＯＵＴからの信号で、正常な状態にあることと、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１が異常な状態であることと、を検知することができる。
【００２５】
なお、この第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１において、論理反転部１２は、インバータロジックＩＣや反転増幅器等でも代用可能である。
【００２６】
［第１の実施形態の変形例］
上述の第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１は、通常状態では出力端子Ｖ−ＯＵＴからＬレベルの信号を出力し、不正若しくは異常状態ではＨレベルの信号を出力するように構成した場合について示したが、この論理を反転させて出力するように構成することもでき、図４及び図５を用いて説明する。ここで、図４は、この第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例１００の回路図であり、図５は、回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【００２７】
この図４に示す不正磁気検出装置１００は、磁気センサー回路部１１０と、検知制御部１２０とを有し、これらの間を接続ハーネス部１３０で接続されている。磁気センサー回路部１１０は、さらに、リードスイッチＳＷ１００を有する磁気検出部１１１と、論理反転部１１２とを有して構成されている。この論理反転部１１２は、２本の抵抗器Ｒ１０１，Ｒ１０２と、１個のＰＮＰ型トランジスタＱ１００とから構成されている。また、検知制御部１２０は、２本の抵抗器Ｒ１０３，Ｒ１０４から構成されている。さらに、接続ハーネス部１３０は、３本のリード線Ｌ１〜Ｌ３から構成されている。
【００２８】
磁気センサー回路部１１０のリードスイッチＳＷ１００は、一方の端子が接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１を介して検知制御部１２０側にある電源に接続されており、他方の端子が接続ハーネス部１３０の第３リード線Ｌ３と検知制御部１２０の抵抗器Ｒ１０３とを介して接地されている。また、トランジスタＱ１００は、そのベースが、抵抗器Ｒ１０１を介してリードスイッチＳＷ１００の接地側の端子に接続され、エミッタが接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１を介して検知制御部１２０側にある電源に接続され、コレクタが接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２を介して検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴに接続されている。また、トランジスタＱ１００のベースとコレクタとの間には抵抗器Ｒ１０２が接続されている。ここで、抵抗器Ｒ１０２はトランジスタＱ１００に流れる電流を制限してこのトランジスタＱ１００を保護するものであり、抵抗器Ｒ１０１はトランジスタＱ１００の動作を安定させるものである。
【００２９】
また、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴは、抵抗器Ｒ１０４を介して接地されている。ここで、この抵抗器Ｒ１０４は、磁気センサー回路１１０のトランジスタＱ１００がオフ状態（オープン）になったときに、この検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力される電圧値を接地電圧（０Ｖ）とほぼ同じ低い電圧値に（レベル信号をＬレベルに）固定するためのいわゆるプルダウン抵抗である。また、抵抗器Ｒ１０３はリードスイッチＳＷ１００を保護するものであり、磁気センサー回路部１１０側に設けても良い。また、磁気センサー回路部１１０と接続ハーネス部１３０とは、コネクタＣＮ１ａ，ＣＮ１ｂで接続され、検知制御部１２０と接続ハーネス部１３０とは、コネクタＣＮ２ａ，ＣＮ２ｂで接続される。
【００３０】
このような構成の不正磁気検出装置１００の動作を、図５を用いて説明すると、通常状態のときには、リードスイッチＳＷ１００の接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧が抵抗器Ｒ１０２及びＲ１０１で分圧されてトランジスタＱ１００のベースに印加されるのでこのトランジスタＱ１００はオン状態となり、これにより第１リード線Ｌ１及び第２リード線Ｌ２を介して電源と出力端子Ｖ−ＯＵＴが接続されるため、この出力端子Ｖ−ＯＵＴからは電源電圧値Ｖｃｃとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Ｈレベルの信号が出力される。一方、リードスイッチＳＷ１００に磁石が近づくとこのリードスイッチＳＷ１００の接点は接続されてオン状態となり、電源からの電流はそのまま接地に流れ込むため、トランジスタＱ１００のベースは低い電圧値となり、このトランジスタＱ１００はオフ状態となるため、上述のように、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからは接地電圧（０Ｖ）とほぼ同じ低い電圧値、すなわち、Ｌレベルの信号が出力される。
【００３１】
また、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００に印加されないため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２が断線すると、トランジスタＱ１００がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部１３０の第３リード線Ｌ３が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部１３０と、磁気センサー回路部１１０若しくは検知制御部１２０との接続が外れても出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。
【００３２】
さらに、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１と第２リード線Ｌ２とが短絡すると、トランジスタＱ１００がオン状態となったのと同じ状態になるため、出力端子Ｖ−ＯＵＴからは、電源電圧値Ｖｃｃとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Ｈレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、リードスイッチＳＷ１００の接点がオン状態のときは、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、リードスイッチＳＷ１００がオフ状態のときは、トランジスタＱ１００はオン状態となるため、トランジスタＱ１００がオフ状態のときは出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力され、トランジスタＱ１００がオン状態のときは出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルとＬレベルの間の値（Ｍ２レベル）が出力される（抵抗器及びトランジスタの特性で決定される）。
【００３３】
以上のように、第１の実施形態の変形例である不正磁気検出装置１００によると、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１と第２リード線Ｌ２とが短絡した場合を除いて、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＨレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていない状態であることを示し、それより低い電圧値の信号（Ｌレベルの信号及びＭ２レベルの信号）が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部１３０に異常がある（断線（コネクタが外れている場合を含む）、若しくは、短絡している）状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置１００の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＬレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。
【００３４】
このように、磁気検出部１１１から出力される信号を論理反転部１１２で反転させて検知制御部１２０から出力させることにより、一つの出力端子Ｖ−ＯＵＴからの信号で、正常な状態にあることと、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１００が異常な状態であることと、を検知することができる。
【００３５】
なお、この第１の実施形態の変形例である不正磁気検出装置１００においても、論理反転部１２０は、インバータロジックＩＣや反転増幅器等でも代用可能である。
【００３６】
［第２の実施形態］
次に、図６〜図８を用いて、第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′について説明する。ここで、図６は、この不正磁気検出装置１′の構成を示すブロック図であり、図７は回路図であり、図８は回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′は、図６に示すように、上述の第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１における論理反転部１２を、磁気検出部１１から出力される信号の論理反転をするとともに、通常の状態（断線等がなく、磁石を検知していない状態）の出力電圧をＬレベルではなくＭレベル（高い電圧値と低い電圧値との中間の電圧値）にする電圧オフセット部を有するようにした論理反転部１２′に置き換えた磁気センサー回路部１０′を有するものである。すなわち、この不正磁気検出装置１′は、図７に示すように、論理反転部１２′において、トランジスタＱ１のコレクタと接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２との間に、電源電圧値Ｖｃｃと接地電圧値（０Ｖ）との中間電圧値を保持する電圧オフセット部であるダイオードＤ１が接続されている。ここで、このダイオードＤ１は、カソードがコレクタ側に接続され、アノードが第２リード線Ｌ２側（電源側）に接続されている。なお、第１の実施形態における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３７】
この不正磁気検出装置１′において、通常状態のときは、図８に示すように、リードスイッチＳＷ１の接点が開放されているため、トランジスタＱ１のベースに電源からの電圧が印加されており、このトランジスタＱ１はオン状態となっている。そのため、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴには、ダイオードＤ１の順方向電圧値（約０．６Ｖ）とほぼ同じ値が出力される。このダイオードＤ１の順方向電圧値は、電源電圧値Ｖｃｃよりも低く、接地電圧値（０Ｖ）よりも高いので、Ｍレベルの信号となる。一方、リードスイッチＳＷ１に磁石が近づくとこのリードスイッチＳＷ１の接点は接続されてオン状態となり、電源からの電流はそのまま接地に流れ込むため、トランジスタＱ１のベースは低い電圧値となり、このトランジスタＱ１はオフ状態となるため、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。
【００３８】
また、接続ハーネス部３０第１リード線Ｌ１が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２が断線すると、トランジスタＱ１がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第３リード線Ｌ３が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部３０と、磁気センサー回路部１０′若しくは検知制御部２０との接続が外れても出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。
【００３９】
さらに、接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１と第２リード線Ｌ２とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第１リード線Ｌ１と第３リード線Ｌ３とが短絡しても、同様に、電源からの電圧がトランジスタＱ１のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に応じてトランジスタＱ１がオン、オフするが、出力端子Ｖ−ＯＵＴが接地された状態となるため、この出力端子Ｖ−ＯＵＴからは、常にＬレベル信号が出力されることとなる。
【００４０】
以上のように、この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′によると、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＭレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていない状態であることを示し、Ｈレベル若しくはＬレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部３０に異常がある（断線（コネクタが外れている場合を含む）、若しくは、短絡している）状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置１′の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＨレベル若しくはＬレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。
【００４１】
このように、磁気検出部１１から出力される信号を論理反転部１２′で反転させるとともに、正常状態のときの出力信号をＭレベルに保持するように構成することにより、一つの出力端子Ｖ−ＯＵＴからの信号で、正常な状態と、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１′が異常な状態であることとを検知することができる。この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′は、第１の実施形態に係る不正磁気検出装置１において正常な状態のときとの区別できなかった接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３との短絡も検知できるため、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１′が異常な状態であることを確実に検知することができる。
【００４２】
なお、この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′において、論理反転部１２′に設けられたダイオードＤ１は、トランジスタＱ１がオン状態になったときに、出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力される信号をＭレベルに保持できる素子であれば良いため、電圧オフセット部としては、ツェナーダイオードや抵抗などで代用可能である。また、この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′において、出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力されるレベル信号が、Ｍレベル以下であれば正常状態であり、Ｈレベルであれば不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１′が異常な状態であると判断すれば、第１実施例に係る不正磁気検出装置１と同じ使い方ができる。
【００４３】
［第２の実施形態の変形例］
上述の第２の実施形態に係る不正磁気検出装置１′は、通常状態では出力端子Ｖ−ＯＵＴからＭレベルの信号を出力し、不正若しくは異常状態ではＨレベルまたはＬレベルの信号を出力するように構成した場合について示したが、この論理を通常状態時のＭレベルを中心に反転させて出力するように構成することもでき、図９及び図１０を用いて説明する。ここで、図９は、この第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例１００′の回路図であり、図１０は、回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【００４４】
この第２の実施形態の変形例である不正磁気検出装置１００′は、図９に示すように、上述の第１の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００における論理反転部１２０を、磁気検出部１１０から出力される信号の論理反転をするとともに、通常の状態の出力電圧をＨレベルではなくＭレベル（高い電圧値と低い電圧値との中間の電圧値）にする電圧オフセット部を有するようにした論理反転部１２０′に置き換えた磁気センサー回路部１００′を有するものである。すなわち、この不正磁気検出装置１００′は、論理反転部１２０′において、トランジスタＱ１００のコレクタと接続ハーネス部３０の第２リード線Ｌ２との間に、電源電圧値Ｖｃｃと接地電圧値（０Ｖ）との中間電圧値を保持する電圧オフセット部であるダイオードＤ１００が接続されている。ここで、このダイオードＤ１００は、アノードがコレクタ側に接続され、カソードが第２リード線Ｌ２側に接続されている。なお、第１の実施形態の変形例における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
このような構成の不正磁気検出装置１００′の動作を、図１０を用いて説明すると、通常状態のときには、リードスイッチＳＷ１００の接点が開放されてオフ状態となり、トランジスタＱ１００のベースに電源からの電圧が印加されており、このトランジスタＱ１００はオン状態となっている。そのため、検知制御部２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴには、電源電圧値ＶｃｃからダイオードＤ１００の順方向電圧値（約０．６Ｖ）だけ低い値が出力される。すなわち、Ｍレベルの信号となる。一方、リードスイッチＳＷ１に磁石が近づくとこのリードスイッチＳＷ１００の接点は接続されてオン状態となり、トランジスタＱ１００のベースは低い電圧値となり、このトランジスタＱ１００はオフ状態となるため、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。
【００４６】
また、接続ハーネス部１３０第１リード線Ｌ１が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２が断線すると、トランジスタＱ１００がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部３０の第３リード線Ｌ３が断線すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１００の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部１３０と、磁気センサー回路部１１０′若しくは検知制御部１２０との接続が外れても出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。
【００４７】
さらに、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１と第２リード線Ｌ２とが短絡すると、トランジスタＱ１００がオン状態となったのと同じ状態になるため、出力端子Ｖ−ＯＵＴからは、電源電圧値Ｖｃｃとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Ｈレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部１３０の第１リード線Ｌ１と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタＱ１００のベースに印加されないため、リードスイッチＳＷ１の接点の状態に関わらず、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３とが短絡すると、リードスイッチＳＷ１００の接点がオン状態のときは、トランジスタＱ１００はオフ状態となり、リードスイッチＳＷ１００がオフ状態のときは、トランジスタＱ１００はオン状態となるため、トランジスタＱ１００がオフ状態のときは出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＬレベルの信号が出力され、トランジスタＱ１００がオン状態のときは出力端子Ｖ−ＯＵＴからはＨレベルとＬレベルの間の値（Ｍ２レベル）が出力される（抵抗器及びトランジスタの特性で決定されるため、これらの値を調整してＭ２レベルの信号が、Ｍレベルの信号より小さい値、若しくは、大きい値になるようにすれば、通常状態との判別が可能となる）。
【００４８】
以上のように、この第２の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００′によると、検知制御部１２０の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＭレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていいない状態であることを示し、Ｈレベル若しくはＬレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部１３０に異常がある（断線（コネクタが外れている場合を含む）、若しくは、短絡している）状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置１００′の出力端子Ｖ−ＯＵＴからＨレベル若しくはＬレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。
【００４９】
このように、磁気検出部１１１から出力される信号を論理反転部１１２′で反転させるとともに、正常状態のときの出力信号をＭレベルに保持するように構成することにより、一つの出力端子Ｖ−ＯＵＴからの信号で、正常な状態と、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１００′が異常な状態であることとを検知することができる。この第２の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００′は、第１の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００において正常な状態のときとの区別できなかった接続ハーネス部１３０の第２リード線Ｌ２と第３リード線Ｌ３との短絡も検知できるため、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１００′が異常な状態であることを確実に検知することができる。
【００５０】
なお、この第２の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００′において、論理反転部１２０′に設けられたダイオードＤ１００は、トランジスタＱ１００がオン状態になったときに、出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力される信号をＭレベルに保持できる素子であれば良いため、電圧オフセット部としては、ツェナーダイオードや抵抗などで代用可能である。また、この第２の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置１００′においても、出力端子Ｖ−ＯＵＴから出力されるレベル信号が、Ｍレベル以上であれば正常状態であり、Ｌレベルであれば不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置１′が異常な状態であると判断すれば、第１実施例の変形例に係る不正磁気検出装置１００と同じ使い方ができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図２】上記第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の回路図である。
【図３】上記第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【図４】上記第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例の回路図である。
【図５】上記第１の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例の回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【図６】第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図７】上記第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の回路図である。
【図８】上記第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【図９】上記第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例の回路図である。
【図１０】上記第２の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例の回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，１′  遊技機用不正磁気検出装置
１０，１０′，１１０，１１０′  磁気センサー回路部
１１，１１１  磁気検出部    １２，１２′，１１２，１１２′  論理反転部
２０，１２０  検知制御部    ３０，１３０  接続ハーネス部
Ｌ１  第１リード線    Ｌ２  第２リード線    Ｌ３  第３リード線
ＳＷ１，ＳＷ１００  リードスイッチ
Ｑ１，Ｑ１００  トランジスタ（スイッチング素子）
Ｄ１，Ｄ１００  ダイオード（電圧オフセット部）    Ｖ−ＯＵＴ  出力端子
【図１】
2010000227.tif 000003
【図２】
2010000227.tif 000004
【図３】
2010000227.tif 000005
【図４】
2010000227.tif 000006
【図５】
2010000227.tif 000007
【図６】
2010000227.tif 000008
【図７】
2010000227.tif 000009
【図８】
2010000227.tif 000010
【図９】
2010000227.tif 000011
【図１０】
2010000227.tif 000012