(57)【要約】【課題】回路基板の接続パッドの上に形成される導電性材料が、隣接する接続パッドの間で繋がることを抑止する。【解決手段】回路基板は、接続パットと、接続パッドの側面に形成された側壁と、接続パッドの上に形成された導電性材料と、を備え、側壁の上端は、接続パッドの上面よりも突出している。【選択図】図１３
2010263159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パットと、
前記接続パッドの側面に形成された側壁と、
前記接続パッドの上に形成された導電性材料と、を備え、
前記側壁の上端は、前記接続パッドの上面よりも突出していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記側壁は、前記導電性材料との濡れ性が悪いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記導電性材料の上部は、前記導電性材料の下部よりも横方向の幅が大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
支持基板に形成された接続パッドの上面及び側面に膜を形成する工程と、
前記接続パッドの上面に形成された膜をエッチングにより除去することで、前記接続パッドの側面に側壁を形成する工程と、
前記接続パッドの上部をエッチングにより除去することで、前記側壁の上端を前記接続パッドの上面よりも突出させる工程と、
前記接続パッドの上に導電性材料を形成する工程と、を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記側壁は、前記導電性材料との濡れ性が悪いことを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電性材料の上部は、前記導電性材料の下部よりも横方向の幅が大きいことを特徴とする請求項４又は５に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ等の電子機器の高速化や大集積化に対応するため、コンピュータシステムに用いられる回路基板（配線基板）への半導体チップ（半導体素子）の高密度の実装が行われている。回路基板への半導体チップの高密度の実装を実現するため、半導体チップを回路基板に直接実装するフリップチップ接合（フリップチップ実装）が行われている。例えば、フリップチップ接合においては、半導体チップに設置された電極（接続端子）と、回路基板に設置された接続パッドとを接合することで、半導体チップがフェースダウンで回路基板に直接接合される。
【０００３】
フリップチップ接合の一つとして、回路基板の接続パッド（電極パッド）の上に形成された錫（Ｓｎ）又は半田等の導電性材料を加熱溶融し、溶融した導電性材料と半導体チップの電極とを接合することにより、半導体チップと回路基板とを電気的に導通させる方式がある。この方式は、回路基板の接続パッドの上に形成された錫（Ｓｎ）又は半田等の導電性材料を加熱溶融させるため、低荷重で半導体素子を回路基板に実装できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第２５９２７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
回路基板の接続パッドの上に錫（Ｓｎ）又は半田等の導電性材料を形成する方法として、半田めっき法、スーパージャフィット法及び全面印刷プリコート法等の種々の方法がある。しかし、隣接する接続パッドの狭ピッチ化により、接続パッドの上に形成される錫（Ｓｎ）又は半田等の導電性材料が隣接する接続パッドの間で繋がり、隣接する接続パッドの間でブリッジが発生する問題がある。本件は、回路基板の接続パッドの上に形成される導電性材料が、隣接する接続パッドの間で繋がることを抑止する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件の一観点によれば、回路基板は、接続パットと、接続パッドの側面に形成された側壁と、接続パッドの上に形成された導電性材料と、を備え、側壁の上端は、接続パッドの上面よりも突出している。
【発明の効果】
【０００７】
本件によれば、回路基板の接続パッドの上に形成される導電性材料が、隣接する接続パッドの間で繋がることを抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】支持基板の上面図及び断面図である。
【図２】支持基板の上面図及び断面図である。
【図３】支持基板の上面図及び断面図である。
【図４】支持基板の上面図及び断面図である。
【図５】支持基板の上面図及び断面図である。
【図６】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図７】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図８】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図９】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図１０】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図１１】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図１２】実施例１に係る支持基板の断面図である。
【図１３】実施例１に係る回路基板の断面図である。
【図１４】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図１５】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図１６】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図１７】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図１８】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図１９】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図２０】実施例２に係る支持基板の断面図である。
【図２１】実施例２に係る回路基板の断面図である。
【図２２】実施例３に係る支持基板の断面図である。
【図２３】実施例３に係る支持基板の断面図である。
【図２４】実施例３に係る回路基板の断面図である。
【図２５】実施例３に係る支持基板の断面図である。
【図２６】実施例３に係る支持基板の断面図である。
【図２７】実施例３に係る回路基板の断面図である。
【図２８】接続パッド、隣接する接続パッドのピッチ、側壁、導電性材料の寸法を示す図である。
【図２９】側壁飛び出し高さ寸法ｈ３と、導電性材料高さ寸法ｈ４との関係を示す図である。
【図３０】側壁飛び出し高さ寸法ｈ３と、導電性材料高さ寸法ｈ４との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態に係る回路基板及びその製造方法について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本件の回路基板及びその製造方法は実施形態の構成に限定されない。
【００１０】
図１から図５を参照して、全面印刷プリコート法について説明する。図１（Ａ）は、接続パッド（端子電極）１が形成された支持基板２の上面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の点線Ａで示した位置を矢印方向Ｂから見た支持基板２の断面図である。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、支持基板２の一部を示している。支持基板２は、例えば、樹脂基板やセラミック基板等であるが、これに限らず、接続パッド１を形成することが可能な種々の基板を支持基板２として用いてもよい。
【００１１】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、支持基板２の主面（半導体チップ搭載面）上に、ソルダーレジスト３が形成されている。ソルダーレジスト３には開口が形成されている。接続パッド１及び支持基板２が、ソルダーレジスト３の開口から露出している。接続パッド１は、支持基板２に半導体チップ（半導体素子）を搭載する際、半導体チップの入出力端子（突起電極）と電気的に接続される。支持基板２の上に接続パッド１をペリフェラル状に形成してもよいし、支持基板２の上に接続パッド１をエリア状に形成してもよい。
【００１２】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す支持基板２に対して、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、導電性ペースト４を印刷する。例えば、図示しないメタルマスクを用いて、導電性ペースト４をソルダーレジスト３の開口に埋め込む。図２（Ａ）は、支持基板２の上面図であ
る。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の点線Ｃで示した位置を矢印方向Ｄから見た支持基板２の断面図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に支持基板２の一部を示している。
【００１３】
導電性ペースト４には、導電性材料５及びフラックスが含まれている。導電性材料５は、例えば、錫（Ｓｎ）又は半田等であるが、これに限らず、導電性材料５は、半導体チップの入出力端子と支持基板２の接続パッド１とを接続させるための金属又は合金であればよい。
【００１４】
メタルマスクには、接続パッド１及び支持基板２の上に導電性ペースト４を形成する箇所に対応した開口が設けられている。例えば、スキージを用いて、導電性ペースト４をメタルマスクの開口に埋め込む場合、メタルマスクの開口を介して、導電性ペースト４がソルダーレジスト３の開口に埋め込まれる。ソルダーレジスト３の開口に埋め込まれた導電性ペースト４は、ソルダーレジスト３の開口から露出している接続パッド１及び支持基板２の上に形成される。
【００１５】
次に、支持基板２を加熱することにより、導電性ペースト４のリフロー処理を行う。導電性ペースト４のリフロー処理を行うことにより、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、接続パッド１の表面に導電性材料５が析出する。図３（Ａ）は、支持基板２の上面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の点線Ｅで示した位置を矢印方向Ｆから見た支持基板２の断面図である。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に支持基板２の一部を示している。
【００１６】
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、支持基板２の上にはフラックス残渣６及び導電性材料５の凝集物７が形成されている。導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、導電性ペースト４に含まれるフラックスの溶媒成分が気化し、フラックスの樹脂成分であるフラックス残渣６が支持基板２の上に形成される。また、導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、支持基板２の表面に析出した導電性材料５が凝集して、導電性材料５の凝集物７が支持基板２の上に形成される。
【００１７】
次に、支持基板２に対して洗浄処理を行う。例えば、フラックス洗浄液を用いて、支持基板２に対して洗浄処理を行うことにより、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、支持基板２の上に形成されているフラックス残渣６及び導電性材料５の凝集物７を洗浄除去する。図４（Ａ）は、支持基板２の上面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の点線Ｇで示した位置を矢印方向Ｈから見た支持基板２の断面図である。図４（Ａ）及び（Ｂ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に支持基板２の一部を示している。
【００１８】
接続パッド１の表面に析出した導電性材料５と、支持基板２の表面に析出した導電性材料５とが繋がることにより、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、接続パッド１の表面に析出した導電性材料５が隣接する接続パッド１の間で繋がる場合がある。これは、接続パッド１の表面に析出した導電性材料５の量が多い場合や、隣接する接続パッド１のピッチ間隔が狭い場合に発生しやすい。
【００１９】
図５（Ａ）は、支持基板２の上面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の点線Ｉで示した位置を矢印方向Ｊから見た支持基板２の断面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に支持基板２の一部を示している。接続パッド１の表面に析出した導電性材料５が隣接する接続パッド１の間で繋がると、隣接する接続パッド１が短絡し、支持基板２の不良となる。
【００２０】
本実施形態では、支持基板２の上に形成された接続パッド１の上に形成する導電性材料
５が、隣接する接続パッド１の間で繋がることを抑止するために、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成した状態で、接続パッド１の上に導電性材料５を形成する。以下、実施例に基づいて、本実施形態に係る回路基板の製造方法を具体的に説明するが、本実施形態は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２１】
〈実施例１〉
図６から図１３を参照して、実施例１に係る回路基板の製造方法を説明する。実施例１では、接続パッド１の上面及び側面に金属膜１１を形成することにより、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成し、側壁１０の上端を接続パッド１の上面よりも突出させた状態で、接続パッド１の上に導電性材料５Ａを形成する例を説明する。
【００２２】
まず、実施例１では、図６に示すように、支持基板２の上に形成された接続パッド１の上面及び側面に金属膜１１を形成する。図６は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。なお、支持基板２の主面上には、ソルダーレジスト３が形成されているが、図６から図１３では、ソルダーレジスト３の図示を省略している。
【００２３】
接続パッド１は、支持基板２に半導体チップ（半導体素子）を搭載する際、半導体チップの入出力端子（突起電極）と電気的に接続される。支持基板２の上に接続パッド１をペリフェラル状に形成してもよいし、支持基板２の上に接続パッド１をエリア状に形成してもよい。支持基板２は、例えば、樹脂基板やセラミック基板等であるが、これに限らず、接続パッド１を形成することが可能な種々の基板を支持基板２として用いてもよい。
【００２４】
接続パッド１のサイズは、高さ１０μｍ、幅２０μｍとしている。接続パッド１の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。例えば、電解めっき法により、接続パッド１を支持基板２の上に形成する。また、隣接する接続パッド１の間隔は２０μｍとしている。但し、接続パッド１の高さ及び幅の値、隣接する接続パッド１の間隔の値は例示であり、これらの値に限定されず、他の値であってもよい。なお、接続パッド１の材料が銅（Ｃｕ）である場合、無電解めっき法により、接続パッド１の表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）を順次形成してもよい。
【００２５】
金属膜１１の形成は、例えば、電解めっき法により行う。実施例１で示す例では、金属膜１１の膜厚を２μｍとしている。但し、金属膜１１の膜厚の値は例示であり、この値に限定されず、他の値であってもよい。例えば、金属膜１１の膜厚を、接続パッド１の幅寸法Ｗ１（μｍ）に対して、２．５％以上、５０％未満の値にしてもよい。金属膜１１は、導電性材料５Ａとの濡れ性が悪い材料を使用する。金属膜１１は、例えば、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属、又はこれらの金属を含む合金である。
【００２６】
次に、図７に示すように、支持基板２及び金属膜１１の上にドライフィルムレジスト１２を形成する。図７は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。ドライフィルムレジスト１２は、感光性樹脂膜である。例えば、真空ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト１２を支持基板２の上にラミネートすることで、支持基板２及び金属膜１１の上にドライフィルムレジスト１２を形成する。
【００２７】
次に、接続パッド１の上方に形成されている金属膜１１及びドライフィルムレジスト１２を除去する。例えば、ウェットブラスト装置を用いて、ウェットブラスト処理により、ドライフィルムレジスト１２の上面をエッチングするとともに、金属膜１１の上面をエッチングする。ウェットブラスト処理は、砥粒及び水が混合されたスラリーを高圧のエアでスプレーする方法である。例えば、金属膜１１の膜厚を２μｍとする場合、金属膜１１を２００秒のエッチング時間でエッチングする。これは、アルミナＡ１♯１２００の粒子を
用いて、エア圧０．２５Ｐａ、処理速度２０ｍｍ／ｓで、基板サイズ１８０ｍｍ×７０ｍｍの支持基板２を２０回スプレーする場合の条件である。
【００２８】
除去対象の金属膜１１に対応する部分が開口されているマスクを用いて、ウェットブラスト処理を行うことにより、金属膜１１及びドライフィルムレジスト１２が除去され、金属膜１１から接続パッド１が露出する。ウェットブラスト処理により、接続パッド１の上面に形成されている金属膜１１は除去されるが、接続パッド１の両側面には金属膜１１が残存することになる。すなわち、図８に示すように、接続パッド１の両側面に側壁１０が形成される。図８は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。
【００２９】
なお、ドライフィルムレジスト１２を露光及び現像することにより、ドライフィルムレジスト１２を除去し、ウェットブラスト処理により、接続パッド１の上面に形成されている金属膜１１を除去してもよい。
【００３０】
次に、図９に示すように、支持基板２の上に形成されている接続パッド１の一部を除去する。図９は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。例えば、１０ｇの過硫酸アンモニウムを２００ｍＬの水に溶解させたＣｕエッチング液に、支持基板２を６００秒間浸漬させ、支持基板２の上に形成されている接続パッド１の上面部分をエッチング除去する。この場合、接続パッド１の上面部分が３μｍエッチングされる。すなわち、接続パッド１の高さが１０μｍの場合、エッチング後の接続パッド１の高さは７μｍとなる。なお、接続パッド１の表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が形成されている場合には、Ｎｉエッチング液及びＡｕエッチング液を用いて、接続パッドの表面に形成されているニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）を除去する。
【００３１】
接続パッド１の上面部分をエッチング除去することにより、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端と、接続パッド１の上面との間に段差が生じ、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が、接続パッド１の上面よりも突出する。接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が、接続パッド１の上面よりも突出することで、図９に示すように、接続パッド１の上には、接続パッド１の上面よりも突出している側壁１０の内側に空間が形成される。
【００３２】
次に、図１０に示すように、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去する。図１０は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。例えば、支持基板２をドライフィルム剥離液に浸漬させ、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を剥離することにより、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去する。
【００３３】
次に、全面印刷プリコート法により、接続パッド１、支持基板２及び側壁１０の上に、導電性ペースト４を形成する。例えば、メタルマスクを用いて、導電性ペースト４を支持基板２に印刷することにより、図１１に示すように、接続パッド１、支持基板２及び側壁１０の上に、導電性ペースト４を形成する。図１１は、実施例１に係る支持基板２の断面図である。導電性ペースト４には、導電性材料５Ａ及びフラックスが含まれている。導電性材料５Ａは、例えば、錫（Ｓｎ）等の金属又は半田等の合金である。半田は、例えば、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）を主成分とする錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）半田、錫（Ｓｎ）及びビスマス（Ｂｉ）を主成分とする錫−ビスマス（Ｂｉ）半田、錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）を主成分とする錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）半田等である。
【００３４】
次に、支持基板２を加熱することにより、導電性ペースト４のリフロー処理を行う。すなわち、導電性ペースト４に含まれる導電性材料５Ａの温度が融点以上となるように支持基板２を加熱する。導電性ペースト４のリフロー処理を行うことにより、図１２に示すように、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出する。図１２は、実施例１に係る支持
基板２の断面図である。例えば、導電性ペースト４として、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）半田ペーストを用いる場合、支持基板２の表面の最高温度が２５０℃に設定されたリフロー装置を用いて、支持基板２の表面の温度を２２０℃以上にして、窒素雰囲気中で１５秒以上、導電性ペースト４のリフロー処理を行う。
【００３５】
導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、接続パッド１の両側面には側壁１０が形成されているため、接続パッド１の両側面には導電性材料５Ａは析出せず、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出する。接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出することにより、接続パッド１の上に導電性材料５Ａが形成される。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０は、導電性材料５Ａが接続パッド１の側面に形成されることを抑止する機能を果たす。
【００３６】
接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が接続パッド１の上面よりも突出しているため、接続パッド１の上面よりも突出している側壁１０の内側に形成された空間に導電性材料５Ａが形成される。そして、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが更に析出することにより、導電性材料５Ａは、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０よりも突出して形成される。
【００３７】
導電性材料５Ａの温度が融点以上となるように支持基板２を加熱することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが溶融し、導電性材料５Ａと接続パッド１とが接合される。
【００３８】
図１２に示すように、支持基板２の上にはフラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７が形成されている。導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、導電性ペースト４に含まれるフラックスの溶媒成分が気化し、フラックスの樹脂成分であるフラックス残渣６が支持基板２の上に形成される。また、導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、支持基板２の表面に析出した導電性材料５Ａが凝集して、導電性材料５Ａの凝集物７が支持基板２の上に形成される。
【００３９】
次に、支持基板２に対して洗浄処理を行う。例えば、支持基板２を、フラックス洗浄液中で揺動させることにより、フラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７を洗浄除去する。フラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７を洗浄除去することにより、図１３に示すように、回路基板が製造される。図１３は、実施例１に係る回路基板の断面図である。
【００４０】
金属膜１１は導電性材料５Ａとの濡れ性が悪いため、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０に対する導電性材料５Ａの接触角が大きくなる。したがって、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ａが球形状となり、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ａの上部が球形状となる。
【００４１】
図１３に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部は球形状となっており、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部の横方向の幅は下部の横方向の幅よりも大きくなっている。すなわち、接続パッド１の上には、いわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性材料５Ａが形成されている。
【００４２】
接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの量が不足した状態で半導体素子を回路基板に搭載すると、フリップチップ接合時の熱や機械的応力により、半導体素子の電極と接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａとの接合部分が破断する可能性がある。導電性材料５Ａの上部の横方法の幅が下部の横方向の幅よりも大きくなることで、導電性材料５Ａの上部の横方向の幅と下部の横方向の幅とが同じ場合よりも多くの量の導電性材料
５Ａが接続パッド１の上に形成される。接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの量が不足することを抑止することができる。
【００４３】
接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ａが球状となるため、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ａは、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側には形成されにくい。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側に導電性材料５Ａが形成されにくい結果、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが、隣接する接続パッド１の間で繋がるという状態が抑止される。したがって、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが、隣接する接続パッド１の間で繋がることを抑止できる。すなわち、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、隣接する接続パッド１の間で導電性材料５Ａのブリッジが発生することを抑止することができる。
【００４４】
〈実施例２〉
図１４から図２１を参照して、実施例２に係る回路基板の製造方法を説明する。実施例２では、接続パッド１の上面及び側面に樹脂膜２０を形成することにより、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成し、側壁１０の上端を接続パッド１の上面よりも突出させた状態で、接続パッド１の上に導電性材料５Ａを形成する例を説明する。
【００４５】
実施例２では、まず、図１４に示すように、接続パッド１の上面及び側面、並びに支持基板２の上に樹脂膜２０を形成する。図１４は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。なお、支持基板２の主面上には、ソルダーレジスト３が形成されているが、図１４から図２１では、ソルダーレジスト３の図示を省略している。
【００４６】
接続パッド１は、支持基板２に半導体チップ（半導体素子）を搭載する際、半導体チップの入出力端子（突起電極）と電気的に接続される。支持基板２の上に接続パッド１をペリフェラル状に形成してもよいし、支持基板２の上に接続パッド１をエリア状に形成してもよい。支持基板２は、例えば、樹脂基板やセラミック基板等であるが、これに限らず、接続パッド１を形成することが可能な種々の基板を支持基板２として用いてもよい。
【００４７】
接続パッド１のサイズは、高さ１０μｍ、幅２０μｍとしている。接続パッド１の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。例えば、電解めっき法により、接続パッド１を支持基板２の上に形成する。実施例２に示す例では、隣接する接続パッド１の間隔は２０μｍとしている。但し、接続パッド１の高さ及び幅の値、隣接する接続パッド１の間隔の値は例示であり、これらの値に限定されず、他の値であってもよい。なお、接続パッド１の材料が銅（Ｃｕ）である場合、無電解めっき法により、接続パッド１の表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）を順次形成してもよい。
【００４８】
樹脂膜２０の形成は、例えば、Chemical Vapor Deposition（ＣＶＤ）法により行う。
実施例２に示す例では、樹脂膜２０の膜厚を２μｍとしている。但し、樹脂膜２０の膜厚の値は例示であり、この値に限定されず、他の値であってもよい。例えば、樹脂膜２０の膜厚を、接続パッド１の幅寸法Ｗ１（μｍ）に対して、２．５％以上、５０％未満の値にしてもよい。樹脂膜２０は、導電性材料５Ａとの濡れ性が悪い絶縁材料を使用する。導電性材料５Ａとの濡れ性が悪い絶縁材料として、例えば、ポリパラキシリレン誘導体がある。
【００４９】
ポリパラキシリレン誘導体は、以下の化学式１又は２で表される。
【００５０】
【化１】
2010263159.tif 000003
【００５１】
【化２】
2010263159.tif 000004
化学式１及び２において、Ｘ１及びＸ２は、水素、低級アルキル基、又はハロゲン元素を表し、Ｘ１及びＸ２は、同一でも異なっていてもよい。また、化学式１及び２において、ｎは重合数で１以上の整数である。
【００５２】
なお、支持基板２の上の樹脂膜２０を除去してもよい。支持基板２の上の樹脂膜２０の除去は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行えばよい。支持基板２の上の樹脂膜２０を除去した場合、接続パッド１の上面及び側面にのみ樹脂膜２０が形成されることになる。
【００５３】
次に、図１５に示すように、樹脂膜２０の上にドライフィルムレジスト１２を形成する。図１５は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。ドライフィルムレジスト１２は、感光性樹脂膜である。例えば、真空ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト１２を支持基板２の上にラミネートすることで、樹脂膜２０の上にドライフィルムレジスト１２を形成する。
【００５４】
次に、接続パッド１の上方に形成されているドライフィルムレジスト１２及び樹脂膜２０を除去する。例えば、ウェットブラスト装置を用いて、ウェットブラスト処理により、ドライフィルムレジスト１２の上面をエッチングするとともに、樹脂膜２０の上面をエッチングする。ウェットブラスト処理は、砥粒及び水が混合されたスラリーを高圧のエアでスプレーする方法である。例えば、樹脂膜２０の膜厚を２μｍとする場合、樹脂膜２０を２００秒のエッチング時間でエッチングする。これは、アルミナＡ１♯１２００の粒子を用いて、エア圧０．２５Ｐａ、処理速度２０ｍｍ／ｓで、基板サイズ１８０ｍｍ×７０ｍｍの支持基板２を２０回スプレーする場合の条件である。
【００５５】
除去対象の樹脂膜２０に対応する部分が開口されているマスクを用いて、ウェットブラ
スト処理を行うことにより、ドライフィルムレジスト１２及び樹脂膜２０が除去され、樹脂膜２０から接続パッド１が露出する。ウェットブラスト処理により、接続パッド１の上面に形成されている樹脂膜２０は除去されるが、接続パッド１の両側面には樹脂膜２０が残存することになる。すなわち、図１６に示すように、接続パッド１の両側面に側壁１０が形成される。図１６は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。
【００５６】
なお、ドライフィルムレジスト１２を露光及び現像することにより、ドライフィルムレジスト１２を除去し、ウェットブラスト処理により、接続パッド１の上に形成されている樹脂膜２０を除去してもよい。
【００５７】
次に、図１７に示すように、支持基板２の上に形成されている接続パッド１の一部を除去する。図１７は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。例えば、１０ｇの過硫酸アンモニウムを２００ｍＬの水に溶解させたＣｕエッチング液に、支持基板２を６００秒間浸漬させ、支持基板２の上に形成されている接続パッド１の上面部分をエッチング除去する。この場合、接続パッド１の上面部分が３μｍエッチングされる。すなわち、接続パッド１の高さが１０μｍの場合、エッチング後の接続パッド１の高さは７μｍとなる。なお、接続パッド１の表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が形成されている場合には、Ｎｉエッチング液及びＡｕエッチング液を用いて、接続パッド１の表面に形成されているニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）を除去する。
【００５８】
接続パッド１の上面部分をエッチング除去することにより、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端と、接続パッド１の上面との間に段差が生じ、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が、接続パッド１の上面よりも突出する。接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が、接続パッド１の上面よりも突出することで、図１７に示すように、接続パッド１の上には、接続パッド１の上面よりも突出している側壁１０の内側に空間が形成される。
【００５９】
次に、図１８に示すように、支持基板２の上方に形成されているドライフィルムレジスト１２を除去する。図１８は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。例えば、支持基板２をドライフィルム剥離液に浸漬させ、支持基板２の上方に形成されているドライフィルムレジスト１２を剥離することにより、支持基板２の上方に形成されているドライフィルムレジスト１２を除去する。
【００６０】
次に、全面印刷プリコート法により、支持基板２の上方に導電性ペースト４を形成する。例えば、メタルマスクを用いて、導電性ペースト４を支持基板２に印刷することにより、図１９に示すように、支持基板２の上方に導電性ペースト４が形成される。図１９は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。導電性ペースト４には、導電性材料５Ａ及びフラックスが含まれている。導電性材料５Ａは、例えば、錫（Ｓｎ）等の金属又は半田等の合金である。半田は、例えば、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）を主成分とする錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）半田、錫（Ｓｎ）及びビスマス（Ｂｉ）を主成分とする錫−ビスマス（Ｂｉ）半田、錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）を主成分とする錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）半田等である。
【００６１】
次に、支持基板２を加熱することにより、導電性ペースト４のリフロー処理を行う。すなわち、導電性ペースト４に含まれる導電性材料５Ａの温度が融点以上となるように、支持基板２を加熱する。導電性ペースト４のリフロー処理を行うことにより、図２０に示すように、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出する。図２０は、実施例２に係る支持基板２の断面図である。例えば、導電性ペースト４として、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）半田ペーストを用いる場合、支持基板２の表面の最高温度が２５０℃に設定されたリフロー装置を用いて、支持基板２の表面の温度を２２０℃以上にして、窒素雰囲気中で１５秒以上、導電性ペースト４のリフロー処理を行う。
【００６２】
導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、接続パッド１の両側面には側壁１０が形成されているため、接続パッド１の両側面には導電性材料５Ａは析出せず、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出する。接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが析出することにより、接続パッド１の上に導電性材料５Ａが形成される。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０は、導電性材料５Ａが接続パッド１の側面に形成されることを抑止する機能を果たす。
【００６３】
接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０の上端が接続パッド１の上面よりも突出しているため、接続パッド１の上面よりも突出している側壁１０の内側に形成された空間に導電性材料５Ａが形成される。そして、接続パッド１の上面に導電性材料５Ａが更に析出することにより、導電性材料５Ａは、接続パッド１の両側面に形成されている側壁１０よりも突出して形成される。
【００６４】
導電性材料５Ａの温度が融点以上となるように支持基板２を加熱することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが溶融し、導電性材料５Ａと接続パッド１とが接合される。
【００６５】
図２０に示すように、支持基板２の上方にはフラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７が形成されている。導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、導電性ペースト４に含まれるフラックスの溶媒成分が気化し、フラックスの樹脂成分であるフラックス残渣６が支持基板２の上方に形成される。また、導電性ペースト４のリフロー処理を行った場合、樹脂膜２０の表面に析出した導電性材料５Ａが凝集して、導電性材料５Ａの凝集物７が樹脂膜２０の上に形成される。
【００６６】
次に、支持基板２に対して洗浄処理を行う。例えば、支持基板２をフラックス洗浄液中で揺動させることにより、フラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７を洗浄除去する。フラックス残渣６及び導電性材料５Ａの凝集物７を洗浄除去することにより、図２１に示すように、回路基板が製造される。図２１は、実施例２に係る回路基板の断面図である。
【００６７】
樹脂膜２０は導電性材料５Ａとの濡れ性が悪いため、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０に対する導電性材料５Ａの接触角が大きくなる。したがって、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ａが球形状となり、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ａの上部が球形状となる。
【００６８】
図２１に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部は球形状となっており、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部の横方向の幅は下部の横方向の幅よりも大きくなっている。すなわち、接続パッド１の上には、いわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性材料５Ａが形成されている
接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの量が不足した状態で半導体素子を回路基板に搭載すると、フリップチップ接合時の熱や機械的応力により、半導体素子の電極と接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａとの接合部分が破断する可能性がある。導電性材料５Ａの上部の横方向の幅が下部の横方向の幅よりも大きくなることで、導電性材料５Ａの上部の横方向の幅と下部の横方向の幅とが同じ場合よりも多くの量の導電性材料５Ａが接続パッド１の上に形成される。接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａの量が不足することを抑止することができる。
【００６９】
接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ａが球状とな
るため、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ａは、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側には形成されにくい。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側に導電性材料５Ａが形成されにくい結果、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが、隣接する接続パッド１の間で繋がるという状態が抑止される。したがって、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ａが、隣接する接続パッド１の間で繋がることを抑止できる。すなわち、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、隣接する接続パッド１の間で導電性材料５Ａのブリッジが発生することを抑止することができる。
【００７０】
〈実施例３〉
図２２から図２７を参照して、実施例３に係る支持基板２の製造方法を説明する。実施例３では、接続パッド１の上面及び側面に金属膜１１を形成することにより、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成し、側壁１０の上端を接続パッド１の上面よりも突出させた状態で、接続パッド１の上に導電性材料５Ｂを形成する例を説明する。
【００７１】
接続パッド１の上面及び側面に金属膜１１を形成してから、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去するまでの工程は、実施例１の図６から図１０を参照して説明した工程と同様である。したがって、実施例３では、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去した後の工程を説明する。
【００７２】
支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去した後、インクジェット塗布装置を用いて、図２２に示すように、導電性インク３０を接続パッド１の上面に堆積させる。図２２に示すように、導電性インク３０の上部は、表面張力により球状となっている。図２２は、実施例３に係る支持基板２の断面図である。導電性インク３０は、ペースト状であり、導電性インク３０には、導電性材料５Ｂの粒子及び疎水性有機溶剤が含まれている。導電性材料５Ｂは、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属である。
【００７３】
導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積させると、導電性インク３０と接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面とが接触する。金属膜１１は導電性インク３０との濡れ性が悪いため、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０に対する導電性材料５Ｂの接触角が大きくなる。したがって、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性インク３０が球状となる。
【００７４】
導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積することにより、図２３に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性インク３０の上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることができる。すなわち、導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積することにより、接続パッド１の上にいわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性インク３０を形成することができる。図２３は、実施例３に係る支持基板２の断面図である。
【００７５】
次に、導電性インク３０に含まれる導電性材料５Ｂの融点未満の温度で支持基板２を加熱することにより、導電性インク３０の焼結処理を行う。例えば、導電性インク３０として、銀（Ａｇ）インクを用いる場合、オーブンを用いて、支持基板２の温度を１００℃にして、支持基板２を３０分加熱する。
【００７６】
導電性インク３０の焼結処理を行うことにより、導電性インク３０に含まれる疎水性有機溶剤が気化し、導電性インク３０に含まれる導電性材料５Ｂの粒子同士が凝集することにより、図２４に示すように、接続パッド１の上に導電性材料５Ｂが形成される。この際、導電性材料５Ｂと接続パッド１との接触部分の導電性材料５Ｂが接続パッド１に固相拡散することにより、導電性材料５Ｂと接続パッド１とが接合される。導電性材料５Ｂと接
続パッド１とを接合することにより、図２４に示すように、回路基板が製造される。図２４は、実施例３に係る回路基板の断面図である。
【００７７】
図２４に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部は球形状となっており、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅は下部の横方向の幅よりも大きくなっている。すなわち、接続パッド１の上には、いわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性材料５Ｂが形成されている。
【００７８】
接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの量が不足した状態で半導体素子を回路基板に搭載すると、フリップチップ接合時の熱や機械的応力により、半導体素子の電極と接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂとの接合部分が破断する可能性がある。導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅が下部の横方向の幅よりも大きくなることで、導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅と下部の横方向の幅とが同じ場合よりも多くの量の導電性材料５Ｂが接続パッド１の上に形成される。接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの量が不足することを抑止することができる。
【００７９】
接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ｂが球状となるため、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ｂは、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側には形成されにくい。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側に導電性材料５Ｂが形成されにくい結果、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂが、隣接する接続パッド１の間で繋がるという状態が抑止される。したがって、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂが、隣接する接続パッド１の間で繋がることを抑止できる。すなわち、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、隣接する接続パッド１の間で導電性材料５Ｂのブリッジが発生することを抑止することができる。
【００８０】
また、実施例３では、接続パッド１の上面及び側面に樹脂膜２０を形成することにより、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成し、側壁１０の上端を接続パッド１の上面よりも突出させた状態で、接続パッド１の上に導電性材料５Ｂを形成する例を説明する。
【００８１】
接続パッド１の上面及び側面に樹脂膜２０を形成してから、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去するまでの工程は、実施例２の図１４から図１８を参照して説明した工程と同様である。したがって、実施例３では、支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去した後の工程を説明する。
【００８２】
支持基板２の上のドライフィルムレジスト１２を除去した後、インクジェット塗布装置を用いて、図２５に示すように、導電性インク３０を接続パッド１の上面に堆積させる。図２５に示すように、導電性インク３０の上部は、表面張力により球状となっている。図２５は、実施例３に係る支持基板２の断面図である。導電性インク３０は、ペースト状であり、導電性インク３０には、導電性材料５Ｂの粒子及び疎水性有機溶剤が含まれている。導電性材料５Ｂは、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属である。
【００８３】
導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積させると、導電性インク３０と接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面とが接触する。樹脂膜２０は導電性インク３０との濡れ性が悪いため、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０に対する導電性材料５Ｂの接触角が大きくなる。したがって、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性インク３０が球状となる。
【００８４】
導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積することにより、図２６に示
すように、接続パッド１の上に形成された導電性インク３０の上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることができる。すなわち、導電性インク３０を接続パッド１の上面に所定量以上堆積することにより、接続パッド１の上にいわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性インク３０を形成することができる。図２６は、実施例３に係る支持基板２の断面図である。
【００８５】
次に、導電性インク３０に含まれる導電性材料５Ｂの融点未満の温度で支持基板２を加熱することにより、導電性インク３０の焼結処理を行う。例えば、導電性インク３０として、銀（Ａｇ）インクを用いる場合、オーブンを用いて、支持基板２の温度を１００℃にして、支持基板２を３０分加熱する。
【００８６】
導電性インク３０の焼結処理を行うことにより、導電性インク３０に含まれる疎水性有機溶剤が気化し、導電性インク３０に含まれる導電性材料５Ｂの粒子同士が凝集することにより、図２７に示すように、接続パッド１の上に導電性材料５Ｂが形成される。この際、導電性材料５Ｂと接続パッド１との接触部分の導電性材料５Ｂが接続パッド１に固相拡散することにより、導電性材料５Ｂと接続パッド１とが接合される。導電性材料５Ｂと接続パッド１とを接合することにより、図２７に示すように、回路基板が製造される。図２７は、実施例３に係る回路基板の断面図である。
【００８７】
図２７に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部は球形状となっており、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅は下部の横方向の幅よりも大きくなっている。すなわち、接続パッド１の上には、いわゆる茸形状（マッシュルーム形状）の導電性材料５Ｂが形成されている。
【００８８】
接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの量が不足した状態で半導体素子を回路基板に搭載すると、フリップチップ接合時の熱や機械的応力により、半導体素子の電極と接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂとの接合部分が破断する可能性がある。導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅が下部の横方向の幅よりも大きくなることで、導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅と下部の横方向の幅とが同じ場合よりも多くの量の導電性材料５Ｂが接続パッド１の上に形成される。接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの上部の横方向の幅を下部の横方向の幅よりも大きくすることで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂの量が不足することを抑止することができる。
【００８９】
接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の上面と接する導電性材料５Ｂが球状となるため、接続パッド１の上に形成される導電性材料５Ｂは、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側には形成されにくい。接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の外側に導電性材料５Ｂが形成されにくい結果、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂが、隣接する接続パッド１の間で繋がるという状態が抑止される。したがって、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、接続パッド１の上に形成された導電性材料５Ｂが、隣接する接続パッド１の間で繋がることを抑止できる。すなわち、接続パッド１の両側面に側壁１０を形成することで、隣接する接続パッド１の間で導電性材料５Ｂのブリッジが発生することを抑止することができる。
【００９０】
図２８に、接続パッド１、隣接する接続パッド１のピッチ、接続パッド１の側面に形成された側壁１０、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の寸法を示す。ここで、導電性材料５は、実施例１及び２における導電性材料５Ａと、実施例３における導電性材料５Ｂの両方を含む。
【００９１】
図２８に示すように、接続パッド１の横方向の距離（μｍ）を接続パッド幅寸法Ｗ１とし、隣接する接続パッド１のピッチ（μｍ）を接続パッドピッチＷ２とし、接続パッド１
の縦方向の距離（μｍ）を接続パッド高さ寸法ｈ１とする。また、図２８に示すように、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の縦方向の距離（μｍ）を側壁高さ寸法ｈ２とし、接続パッド１の両側面に形成された側壁１０の縦方向の距離（μｍ）と接続パッド１の縦方向の距離（μｍ）との差を側壁飛び出し高さ寸法ｈ３とする。さらに、図２８に示すように、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の縦方向の距離（μｍ）を導電性材料高さ寸法ｈ４とする。
【００９２】
側壁飛び出し高さ寸法ｈ３と、導電性材料高さ寸法ｈ４との関係を図２９及び図３０に示す。図２９及び図３０に示すように、側壁飛び出し高さ寸法ｈ３が大きくなれば、導電性材料高さ寸法ｈ４は大きくなる。すなわち、側壁飛び出し高さ寸法ｈ３が大きくなれば、接続パッド１の上面よりも突出している側壁１０の内側に形成された空間に導電性材料５がより多く形成されるため、導電性材料高さ寸法ｈ４は大きくなる。
【００９３】
接続パッド１の上に形成された導電性材料５の量は、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の縦方向の距離（μｍ）によって変動する。したがって、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の量が不足しているか否かは、導電性材料高さ寸法ｈ４によって判断することが可能である。
【００９４】
接続パッド幅寸法Ｗ１が１７．５μｍの場合（図２９の場合）、導電性材料高さ寸法４が３．５μｍ以上であれば、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の量が不足した状態とはならない。すなわち、接続パッド幅寸法Ｗ１が１７．５μｍの場合（図２９の場合）、導電性材料高さ寸法ｈ４が３．５μｍ以上であれば、導電性材料高さ寸法ｈ４は合格値といえる。
【００９５】
また、接続パッド幅寸法Ｗ１が４０μｍの場合（図３０の場合）、導電性材料高さ寸法ｈ４が８．０μｍ以上であれば、接続パッド１の上に形成された導電性材料５の量が不足した状態とはならない。すなわち、接続パッド幅寸法Ｗ１が４０μｍの場合（図３０の場合）、導電性材料高さ寸法ｈ４が８．０μｍ以上であれば、導電性材料高さ寸法ｈ４は合格値といえる。
【００９６】
導電性材料高さ寸法ｈ４が合格値である場合において、回路基板の伝送特性の劣化を調べた。図２９に示すように、導電性材料高さ寸法ｈ４が、３．７μｍ、１１．９μｍ、１２．７５μｍの場合、回路基板の伝送特性の劣化は発生しなかったが、導電性材料高さ寸法ｈ４が、１５．３μｍの場合、回路基板の伝送特性の劣化が発生した。図３０に示すように、導電性材料高さ寸法ｈ４が、８．８μｍ、２２．０μｍ、３１．６μｍの場合、回路基板の伝送特性の劣化は発生しなかったが、導電性材料高さ寸法ｈ４が、３６．０μｍの場合、回路基板の伝送特性の劣化が発生した。
【００９７】
図２９及び図３０のｈ３／Ｗ１は、側壁飛び出し高さ寸法ｈ３を接続パッド幅寸法Ｗ１で割ったものである。図２９及び図３０に示すように、ｈ３／Ｗ１が、０．１、０．２５、０．３５の場合、導電性材料高さ寸法ｈ４は合格値であるとともに、回路基板の伝送特性の劣化は発生していない。したがって、０．１≦ｈ３／Ｗ１≦０．３５となるように、側壁飛び出し高さ寸法ｈ３の範囲を調整すれば、導電性材料高さ寸法ｈ４が合格値となるとともに、回路基板の伝送特性の劣化は発生しない。
【００９８】
なお、実施例１から実施例３で説明した接続パッド１の両側面に側壁１０を形成する方法は、半田めっき法やスーパージャフィット法に適用してもよい。
【符号の説明】
【００９９】
１  接続パッド
２  支持基板
３  ソルダーレジスト
４  導電性ペースト
５、５Ａ、５Ｂ  導電性材料
６  フラックス残渣
７  凝集物
１０  側壁
１１  金属膜
１２  ドライフィルムレジスト
２０  樹脂膜
３０  導電性インク
【図１】
2010263159.tif 000005
【図２】
2010263159.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010263159.tif 000009
【図６】
2010263159.tif 000010
【図７】
2010263159.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010263159.tif 000014
【図１１】
2010263159.tif 000015
【図１２】
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【図１３】
2010263159.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2010263159.tif 000019
【図１６】
2010263159.tif 000020
【図１７】
2010263159.tif 000021
【図１８】
2010263159.tif 000022
【図１９】
2010263159.tif 000023
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2010263159.tif 000026
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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