(57)【要約】【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なることによる発生する、周波数特性の歪み、スプリアス周波数などの異常発振を抑制することを目的とする。【解決手段】高周波側のＳＡＷ素子６を第１幅員の第１電極指と、第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、第１電極指と第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、第１電極指と第３電極指とを同相とし、第２電極指と第１電極指および第３電極指とを逆相とし、第１幅員と第３幅員とを同値とし、第１間隙と第２間隙とを同値とすることを特徴とする。【選択図】図２
2010245663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、
複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子のうち、少なくとも高周波側の前記ＳＡＷ素子は、
第１幅員の第１電極指と、
前記第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、
前記第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、
前記第１電極指と前記第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、
前記第１電極指と前記第３電極指とを同相とし、前記第２電極指と前記第１電極指および前記第３電極指とを逆相とし、
前記第１幅員と前記第３幅員とを同値とし、前記第１間隙と前記第２間隙とを同値とすることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子の全ては、
第１幅員の第１電極指と、
前記第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、
前記第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、
前記第１電極指と前記第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、
前記第１電極指と前記第３電極指とを同相とし、前記第２電極指と前記第１電極指および前記第３電極指とを逆相とし、
前記第１幅員と前記第３幅員とを同値とし、前記第１間隙と前記第２間隙とを同値とすることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から圧電基板上に単一の共振周波数のＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子を備えたシングルチャンネルＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスが、無線データ伝送手段として一般的に用いられている。そして、伝送されるデータ量の増加に伴い、異なる共振周波数のＳＡＷ素子を複数、たとえば２個必要とされている。そこで、２個の異なる共振周波数のＳＡＷ素子と、それぞれ個別の共振回路とを備えたマルチチャンネルＳＡＷ共振子を構成すると、このＳＡＷ共振子が大型化してしまう。このため、これらのＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたマルチチャンネルＳＡＷ共振子が検討されている。
一方で、特定の範囲（通過帯域）内の周波数を通し、特定の範囲（通過帯域）外の周波数を通さないまたは減衰させるＳＡＷフィルターにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるＳＡＷ素子を複数備えたマルチバンドＳＡＷフィルターが開示されており、ＳＡＷ素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報（３頁〜９頁、図１〜図２４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なるため、周波数特性が歪み、スプリアス周波数などの異常発振が起こってしまうという課題がある。この課題は、ＳＡＷフィルターでは周波数特性が多少歪んでも、フィルターとしての機能が損なわれるほどの問題ではないが、特定の共振周波数で発振させるクロック源としてのＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスでは大きな問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、複数の前記ＳＡＷ素子のうち、少なくとも高周波側の前記ＳＡＷ素子は、第１幅員の第１電極指と、前記第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、前記第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、前記第１電極指と前記第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、前記第１電極指と前記第３電極指とを同相とし、前記第２電極指と前記第１電極指および前記第３電極指とを逆相とし、前記第１幅員と前記第３幅員とを同値とし、前記第１間隙と前記第２間隙とを同値とすることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、高周波側のＳＡＷ素子において、前記電極構成を採ることによって高次モードのスプリアスは高周波側のＳＡＷ素子の共振周波数よりも高周波側にのみ現れるため、前記高次モードスプリアスによる低周波側共振周波数への影響をほぼなくすことができる。そのため、低周波側のＳＡＷ素子の低周波側共振周波数に異常発振を発生させることを抑制することができ、低周波側共振周波数および高周波側共振周波数の異常発振を抑制し精度良く発振させるＳＡＷデバイスを提供することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるＳＡＷデバイスにおいて、複数の前記ＳＡＷ素子の全ては、第１幅員の第１電極指と、前記第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、前記第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、前記第１電極指と前記第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、前記第１電極指と前記第３電極指とを同相とし、前記第２電極指と前記第１電極指および前記第３電極指とを逆相とし、前記第１幅員と前記第３幅員とを同値とし、前記第１間隙と前記第２間隙とを同値として構成したことが好ましい。
これによれば、低周波数及び高周波数両方のＳＡＷ素子において高次モードのスプリアスはそれぞれの共振周波数よりも高周波側に現れるため、上述と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子を示す概略構成図。
【図２】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極（反射反転型ＩＤＴ電極）の概略構成図。
【図３】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極（反射反転型ＩＤＴ電極）の反射ベクトルを示す図。
【図４】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極（反射反転型ＩＤＴ電極）の定在波の分布を示す図。
【図５】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子の正規型ＩＤＴ電極の概略構成図。
【図６】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子の正規型ＩＤＴ電極の反射ベクトルを示す図。
【図７】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子の正規型ＩＤＴ電極の定在波の分布を示す図。
【図８】第１実施形態にかかるＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図９】正規型ＩＤＴ電極で構成した場合のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図１０】第２実施形態にかかるＳＡＷ共振子の構成例を示す概略構成図。
【図１１】第２実施形態にかかる低周波側のＳＡＷ素子の構成例を示す概略構成図。
【図１２】第２実施形態にかかるＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１は、第１実施形態のＳＡＷ共振子を示す概略構成図である。
【００１２】
図１に示すようにＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１と２個のＳＡＷ素子６，７と、出力側端子部ＯＵＴ１，２と、入力側端子部ＩＮとを備えている。
【００１３】
圧電基板１１は、圧電効果を有する水晶からなる。ＳＡＷ素子６，７は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。ＳＡＷ素子６，７は、同一膜厚ｔで形成されている。ここで、同一膜厚ｔは設計値を示し、蒸着またはスパッタリングなどの製造方法によって形成される際の製造誤差が含まれる。そして、入力側端子部ＩＮおよび出力側端子部ＯＵＴ１，２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。
【００１４】
ＳＡＷ素子７は、出力端８と入力端５とを備えている。ＳＡＷ素子６は、出力端４と入力端５とを備えている。このようにして、ＳＡＷ素子６，７の入力端５は、共通化されている。
【００１５】
ＳＡＷ素子７は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部Ｔ５から、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子７は、出力端８へ接続され、出力端８の端部Ｔ３から、出力側端子部ＯＵＴ１に電気的に接続されている。
ＳＡＷ素子６は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部Ｔ５から、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子６は、出力端４へ接続され、出力端４の端部Ｔ４から、出力側端子部ＯＵＴ２に電気的に接続されている。
【００１６】
高周波側のＳＡＷ素子６は、反射器２３とＩＤＴ電極２２とを備えている。そして、低周波側のＳＡＷ素子７は、反射器１３とＩＤＴ電極１２とを備えている。
【００１７】
このようにして構成されたＳＡＷ素子６，７は、それぞれ異なる共振周波数を発振する。このため、以下では、ＳＡＷ素子６が高周波側共振周波数を発振するとし、ＳＡＷ素子７が低周波側共振周波数を発振するとして説明する。
【００１８】
まず、高周波側のＳＡＷ素子６のＩＤＴ電極２２について、図２から図４および図１を参照して説明する。図２は、ＳＡＷ素子６のＩＤＴ電極２２の概略構成図である。図３は、ＳＡＷ素子６のＩＤＴ電極２２の反射ベクトルΓ１を示す図である。図４は、ＳＡＷ素子６のＩＤＴ電極２２のストップバンドの両端（下端および上端）におけるそれぞれの定在波の分布を示す図である。
【００１９】
図２（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２２は、第１幅員Ｗ１の第１電極指１、第２幅員Ｗ２の第２電極指２、および第３幅員Ｗ３の第３電極指３と、バスバー２６，２７とを備えている。第１電極指１と第２電極指２とは、第１間隙ｇ１をおいて配置され、第２電極指２と第３電極指３とは、第２間隙ｇ２をおいて配置されている。
【００２０】
ＩＤＴ電極２２は、第１電極指１と、第１間隙ｇ１と、第２電極指２と、第２間隙ｇ２と、第３電極指３と、第１電極指１および第３電極指３の両側の（ｇ３）／２のスペースとから成る単位区間、すなわち一波長λあたり３本の電極指（第１電極指１、第２電極指２、および第３電極指３）で構成される単位区間を圧電基板１１上に繰り返し配列したものである。図２（ａ）に示す構成のＩＤＴ電極２２を、反射反転型ＩＤＴ電極２２とも記して説明する。ここで、第１幅員Ｗ１と第３幅員Ｗ３とを同値（Ｗ１＝Ｗ３）とし、第１間隙ｇ１と第２間隙ｇ２とを同値（ｇ１＝ｇ２）とする。第１電極指１、第２電極指２、ならびに第３電極指３の数量および長さは、適宜決定される。
【００２１】
そして、第１電極指１と第３電極指３とは、バスバー２６に連結され、第２電極指２は、バスバー２７に連結されている。第１電極指１と第３電極指３とを同相とし、第１電極指１および第３電極指３と、第２電極指２とは逆相として駆動するものとする。
【００２２】
図１に示すように、反射器２３は、ＩＤＴ電極２２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極２２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器２３は、反射器バスバー２９と、電極指１，２，３（図２参照）に対向して形成された複数の反射指２８とが連結された構造となっている。
【００２３】
そして、第１電極指１と第３電極指３とは、バスバー２６を経由して出力端４へ接続され、端部Ｔ４から出力側端子部ＯＵＴ２に接続されている。第２電極指２は、バスバー２７を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部Ｔ５から入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、高周波側共振周波数が出力される。
【００２４】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、ＩＤＴ電極２２に高周波電圧を印加してＩＤＴ電極２２を駆動した場合のある瞬間の表面電位を示したものである。このように、一波長λあたり電極指を３本（第１電極指１、第２電極指２、および第３電極指３）としたＩＤＴ電極２２の単位区間あたりの反射係数（反射ベクトル）Γ１を求める。
【００２５】
図３を参照し、第２電極指２の中央を反射の基準として、ＩＤＴ電極２２の反射ベクトルГ１について説明する。
図３（ａ）に示すようにＩＤＴ電極２２の任意の１区間、つまり第１電極指１〜第３電極指３において各両端の６つのエッジ面ｅ１〜ｅ６からの反射ベクトルＥ１〜Ｅ６を求めてみると、図３（ｂ）に示すように６つの反射ベクトルＥ１〜Ｅ６が求まる。この反射ベクトルＥ１〜Ｅ６の合成ベクトルは、図３（ｂ）に示すように反射ベクトルГ１となる。
【００２６】
反射ベクトルГ１は、第２電極指２中央においてπ／２の位相を示している。この位相差による反射中心（□印）の空間的位置は、表面波の位相回転は往復が寄与するため、第２電極指２の中央から空間的にλ／４だけ離れた位置になる。つまり、第１実施形態に係るＩＤＴ電極２２では、ストップバンドの上端および下端の周波数におけるそれぞれの定在波分布は図４に示すようになる。
図４において、ストップバンド下端の周波数における定在波を実線で示し、ストップバンドの上端の周波数における定在波を一点鎖線で示している。そして、反射中心を□印で示し、励振中心を○印で示している。
一方、波長λの表面波を励起する駆動力（ＩＤＴ電極に印加した電圧により機械的な変位を起こす力）は、周知のように図２（ｂ）に示した表面電位分布をフーリエ級数展開したときの最低次成分となる。これを計算して求めた駆動力分布は、図４に破線で示した波長λの正弦波となる。図４に示すように、励振中心（○印）は第２電極指２の中心に位置し、反射中心（□印）は第２電極指２の中央からλ／４離れた位置になる。
【００２７】
このように、一点鎖線で示すストップバンド上端の周波数における定在波の腹が、励振中心と一致するため、ストップバンド上端の周波数が強勢に励振される。一方、実線で示すストップバンド下端の周波数における定在波の節が励振中心と一致し、無限周期構造では励振されないことを示している。
【００２８】
しかし、実際の有限周期構造では、実線で示すストップバンド下端の定在波は、一点鎖線で示すストップバンド上端の定在波に比べて弱く励振される。このため、第１実施形態にかかるＩＤＴ電極２２（反射反転型電極）の構成を用いると、ストップバンド上端の定在波は強く励振されることになる。
【００２９】
このストップバンド上端の周波数の縦の高次モードは、シミュレーションの結果によると次数が高いほど高い周波数に現れることが判明した。
【００３０】
次に、低周波側のＳＡＷ素子７のＩＤＴ電極１２について、図１および図５から図７を参照して説明する。図５は、ＳＡＷ素子７のＩＤＴ電極１２の概略構成図である。図６は、ＳＡＷ素子７のＩＤＴ電極１２の反射ベクトルΓ２を示す図である。図７は、ＳＡＷ素子７のＩＤＴ電極１２のストップバンドの両端（下端および上端）におけるそれぞれの定在波の分布を示す図である。
【００３１】
図５（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極１２は、複数の電極指１４，１５とバスバー１６，１７とを備えている。電極指１４と電極指１５とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指１４は、バスバー１６に連結されている。複数の電極指１５は、バスバー１７に連結されている。
電極指１４と、電極指１５を隔てた隣の電極指１４とは、間隔（波長）λ１で配置されている。同様に、電極指１５と、電極指１４を隔てた隣の電極指１５とは、間隔（波長）λ１で配置されている。ここで、電極指１４，１５の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。図５に示す構成のＩＤＴ電極１２を、正規型ＩＤＴ電極１２とも記して説明する。
【００３２】
波長λ１は、このＩＤＴ電極１２の連続する任意の電極指１４の中央から隣の電極指１４の中央までに相当し、このＩＤＴ電極１２の連続する任意の電極指１５の中央から隣の電極指１５の中央までに相当する。ここで、低周波側のＳＡＷ素子７の間隔（波長）λ１は、高周波側のＳＡＷ素子６の間隔（波長）λに比べて、長い。そして、電極指１４と電極指１５とは逆相にて駆動するものとする。
【００３３】
図１に示すように、反射器１３は、ＩＤＴ電極１２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極１２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器１３は、反射器バスバー１９と、電極指１４，１５（図５参照）に対向して形成された複数の反射指１８とが連結された構造となっている。
【００３４】
そして、電極指１４は、バスバー１６を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部Ｔ５から入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、電極指１５は、バスバー１７を経由して出力端８へ接続され、端部Ｔ３から出力側端子部ＯＵＴ１に接続されている。そして、低周波側共振周波数が出力される。
【００３５】
図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、ＩＤＴ電極１２に高周波電圧を印加して、ＩＤＴ電極１２を駆動した場合のある瞬間の表面電位を破線にて示したものである。ＩＤＴ電極１２は幅の等しい電極指１４，１５が（λ１）／２の周期で配置されている。
図６を参照し、任意の電極指１４，１５の中央を反射の基準として、１対（１基本単位を電極指２本で構成）あたりの反射係数（反射ベクトル）Γ２について説明する。
【００３６】
図６（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極１２の任意の一波長λ１分の反射を考えるに当たって、各電極指１４，１５の圧電基板に垂直なエッジ面をｒ１〜ｒ４とする。この４つのエッジ面ｒ１〜ｒ４からの反射ベクトルは、図６（ｂ）に示すように、エッジ面ｒ１，ｒ３からの反射ベクトルＲ１，Ｒ３はそれぞれ等しく、大きさと位相角とが同じとなり、エッジ面ｒ２，ｒ４からの反射ベクトルＲ２，Ｒ４はそれぞれ等しくなる。したがって、図６（ｂ）に示すように４つの反射ベクトルＲ１〜Ｒ４を合成した反射ベクトルが１基本単位（１対）あたりの反射ベクトルΓ２となり、電極指１４，１５の中央を基準としたとき（−π）／２の位相となっている。
ここで、図３（ｂ）に示したＩＤＴ電極（反射反転型電極）２２の反射ベクトルГ１と、図６（ｂ）に示したＩＤＴ電極（正規型ＩＤＴ電極）１２の反射ベクトルГ２とは、異なることが確認できる。つまり、反射ベクトルГ１と反射ベクトルГ２との位相はπだけ異なる。
【００３７】
図７は、ＩＤＴ電極（正規型ＩＤＴ電極）１２のストップバンドの両端（下端および上端）におけるそれぞれの定在波の分布を示す図である。ストップバンドの下端における定在波を実線で示す。ストップバンド上端における定在波を一点鎖線で示す。そして、反射中心を□印で示し、励振中心を○印で示している。
ストップバンドの下端における定在波は電極指１４，１５中央位置、つまり反射中心（□印）位置で腹となり、ストップバンド上端における定在波は反射中心（□印）位置において節となる。なお、ストップバンド上端の定在波は、無限周期構造では励振されないが、実際のＩＤＴ構造のように有限構造となるとストップバンド下端における定在波よりも弱いものの励振されることになる。
一方、波長λ１の表面波を励起する駆動力（ＩＤＴ電極に印加した電圧により機械的な変位を起こす力）は、周知のように図５（ｂ）に示した表面電位分布をフーリエ級数展開したときの最低次成分となる。これを計算して求めた駆動力は、図７に破線で示した波長λ１の正弦波となる。このように破線で示された正弦波の極値の位置が励振中心（○印）である。
【００３８】
図７に示すように、励振中心（○印）と反射中心（□印）が重なると、実線で示したストップバンド下端の定在波は破線で示した駆動力分布と同相となり、強勢に励振されることになる。
【００３９】
ここで、図７と図４とを比較する。図４に示すように、図７に示された反射中心（□印）が、励振中心（○印）に対してλ／４だけずれたのに伴い、各定在波分布もそれぞれλ／４だけずれている。ＩＤＴ電極（正規型ＩＤＴ電極）１２の構成を用いる場合と、ＩＤＴ電極（反射反転型電極）２２の構成を用いる場合とでは、結果として駆動分布に対する定在波のそれぞれの腹と節の位置関係が図７のそれとは入れ替わっていることが確認できる。このようにして、実線で示すストップバンド下端の定在波は、一点鎖線で示すストップバンド上端の定在波に比べて弱く励振される。このため、ＩＤＴ電極２２（反射反転型電極）の構成を用いると、ストップバンド上端の定在波は強く励振されることになることが確認できる。
【００４０】
したがって、本実施形態によれば、高周波側のＳＡＷ素子６を反射反転型ＩＤＴ電極で構成した場合、高次モードのスプリアスは高周波側ＳＡＷ素子６の共振周波数よりも高周波側にのみ現れるため、低周波側のＳＡＷ素子７の低周波側共振周波数に異常発振を発生させることを抑制することができる。このため、低周波側共振周波数および高周波側共振周波数の異常発振を抑制し精度良く発振させるＳＡＷ共振子１０を提供することができる。
【００４１】
以下に、第１実施形態のＳＡＷ共振子１０について、ＳＡＷ素子６、およびＳＡＷ素子７の周波数特性を観察した。
【００４２】
図８は、第１実施形態のＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図であり、（ａ）はインピーダンス特性を、（ｂ）は挿入損失特性を示している。
図９は、高周波側のＳＡＷ素子６を、低周波側のＳＡＷ素子７と同様の構成、つまり上述した正規型ＩＤＴ電極で構成したＳＡＷ共振子の周波数特性を計測した結果を示す図であり、（ａ）はインピーダンス特性を、（ｂ）は挿入損失特性を示している。以下、図８と図９とを比較した。
【００４３】
図８に示すように、第１実施形態の高周波側のＳＡＷ素子６を反射反転型電極で構成したＳＡＷ共振子１０は、太い実線で示した低周波側のＳＡＷ素子７の低周波側共振周波数には異常発振が発生していない。そして、細い実線で示した高周波側のＳＡＷ素子６の高次縦モードスプリアスは高周波領域に発生している。
一方で、第１実施形態とは異なり、高周波側のＳＡＷ素子６を低周波側のＳＡＷ素子７と同様の構成、つまり上述した正規型ＩＤＴ電極で構成したＳＡＷ共振子１０では、図９に示すように、細い実線で示した高周波側のＳＡＷ素子６において、一点鎖線で示した低周波領域（低周波側ＳＡＷ素子の共振周波数付近）に高次縦モードのスプリアスが発生している。
【００４４】
このように、周波数特性を観察し比較したように、上述と同様の効果を奏することが確認できる。
【００４５】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について、図１０、図１１、および図１を参照して説明する。
第２実施形態のＳＡＷ共振子１０は、図１に示した第１実施形態と同様の構成であるが、低周波側のＳＡＷ素子７の構成が相違する。このため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。図１０は、第２実施形態にかかるＳＡＷ共振子１０の構成例を示す概略構成図である。図１１は、第２実施形態にかかる低周波側のＳＡＷ素子７ａの構成例を示す概略構成図である。
【００４６】
図１０に示すように、低周波側のＳＡＷ素子７ａは、ＩＤＴ電極１２ａと反射器１３とを備えている。
図１１に示すように、ＩＤＴ電極１２ａは、第１幅員Ｗａ１の第１電極指１ａ、第２幅員Ｗａ２の第２電極指２ａ、および第３幅員Ｗａ３の第３電極指３ａと、バスバー１６ａ，１７ａとを備えている。第１電極指１ａと第２電極指２ａとは、第１間隙ｇａ１をおいて配置され、第２電極指２ａと第３電極指３ａとは、第２間隙ｇａ２をおいて配置されている。そして、第１電極指１ａと第３電極指３ａとは、バスバー１６ａに連結され、第２電極指２ａは、バスバー１７ａに連結されている。第１電極指１ａと第３電極指３ａとを同相とし、第１電極指１ａおよび第３電極指３ａと、第２電極指２ａとは逆相として駆動するものとする。
第１電極指１ａと、第１間隙ｇａ１と、第２電極指２ａと、第２間隙ｇａ２と、第３電極指３ａと、第１電極指１ａおよび第３電極指３ａの両側の（ｇａ３）／２のスペースとから成る単位区間、すなわち一波長λ１あたり３本の電極指（第１電極指１ａ、第２電極指２ａ、および第３電極指３ａ）で構成される単位区間を圧電基板１１上に繰り返し配列したものである。さらに、第１幅員Ｗａ１と第３幅員Ｗａ３とを同値（Ｗａ１＝Ｗａ３）とし、間隙ｇａ１と第２間隙ｇａ２とを同値（ｇａ１＝ｇａ２）とする。第１電極指１ａ、第２電極指２ａ、ならびに第３電極指３ａの数量および長さは、適宜決定される。
【００４７】
第１電極指１ａと第３電極指３ａとは、バスバー１６ａを経由して共通化された入力端５へ接続され、端部Ｔ５から入力側端子部ＩＮに接続されている。第２電極指２ａは、バスバー１７ａを経由して出力端８へ接続され、端部Ｔ３から出力側端子部ＯＵＴ１に接続されている。そして、低周波側共振周波数が出力される。
【００４８】
したがって、本実施形態によれば、高周波側のＳＡＷ素子６、および低周波側のＳＡＷ素子７ａを反射反転型電極で構成した場合、高次モードのスプリアスは全てのＳＡＷ素子６，７ａのそれぞれの共振周波数よりも高周波側にのみ現れるため、低周波側のＳＡＷ素子７ａの低周波側共振周波数に異常発振を発生させることを抑制することができる。このため、低周波側共振周波数および高周波側共振周波数の異常発振を抑制し精度良く発振させるＳＡＷ共振子１０を提供することができる。
【００４９】
以下に、第２実施形態のＳＡＷ共振子１０について、ＳＡＷ素子６、およびＳＡＷ素子７ａの周波数特性を観察した。
【００５０】
図１２は、第２実施形態のＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図であり、（ａ）はインピーダンス特性を、（ｂ）は挿入損失特性を示している。以下、図１２と図９とを比較した。
【００５１】
図１２に示すように、第２実施形態の高周波側のＳＡＷ素子６および低周波側のＳＡＷ素子７ａを反射反転型ＩＤＴ電極で構成したＳＡＷ共振子１０は、太い実線で示した低周波側のＳＡＷ素子７ａの低周波側共振周波数、および細い実線で示した高周波側のＳＡＷ素子６の高周波側共振周波数には、それぞれ異常発振が発生していなく、それぞれＳＡＷ素子６およびＳＡＷ素子７ａの高次縦モードスプリアスは高周波領域に発生している。
一方で、第２実施形態とは異なり、高周波側のＳＡＷ素子６、および低周波側のＳＡＷ素子７を、上述した正規型ＩＤＴ電極で構成したＳＡＷ共振子１０では、図９に示すように、細い実線で示した高周波側のＳＡＷ素子６において、一点鎖線で示した低周波領域（低周波側ＳＡＷ素子の共振周波数付近）に高次縦モードのスプリアスが発生している。
【００５２】
このように、発振状態を観察し比較したように、上述と同様の効果を奏することが確認できる。
【００５３】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００５４】
たとえば、第１実施形態の第１電極指１と第３電極指３とは、バスバー２６を経由して出力端４へ接続され、出力側端子部ＯＵＴ２に接続され、第２電極指２は、バスバー２７を経由して共通化された入力端５へ接続され、入力側端子部ＩＮに接続されているとしたが、これに限るものではない。たとえば、第２電極指２は、バスバー２６を経由して共通化された入力端５へ接続され、入力側端子部ＩＮに接続され、第１電極指１と第３電極指３とは、出力端４へ接続され、出力側端子部ＯＵＴ２に接続されているとしてもよい。
また、第２実施形態の第１電極指１ａと第３電極指３ａとは、バスバー１６ａを経由して共通化された入力端５へ接続され、入力側端子部ＩＮに接続され、第２電極指２ａは、バスバー１７ａを経由して出力端８へ接続され、出力側端子部ＯＵＴ１に接続されているとしたが、これに限るものではない。たとえば、第２電極指２ａは、バスバー１６ａを経由して共通化された入力端５へ接続され、入力側端子部ＩＮに接続され、第１電極指１ａと第３電極指３ａとは、バスバー１７ａを経由して出力端８へ接続され、出力側端子部ＯＵＴ１に接続されているとしてもよい。
【００５５】
そして、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を３個以上備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子であってもよい。
【００５６】
また、ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたことを例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、ＳＡＷ素子の出力端が共通端子により接続されることで共通化されてもよい。
【００５７】
さらに、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、発振回路を備えたＳＡＷ発振器、またはモジュール化されたＳＡＷモジュールであってもよい。
【００５８】
そして、圧電基板の材料としては、水晶だけに限らず、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、または、シリコンなどの半導体であってもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１…第１電極指、２…第２電極指、３…第３電極指、４，８…出力端、５…入力端、６…ＳＡＷ素子、７…ＳＡＷ素子、１０…ＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、１２…ＩＤＴ電極（正規型ＩＤＴ電極）、２２…ＩＤＴ電極（反射反転型電極）、ｇ１…第１間隙、ｇ２…第２間隙、ＯＵＴ１，２…出力側端子部、ＩＮ…入力側端子部、Ｗ１，Ｗａ１…第１幅員…、Ｗ２，Ｗａ２…第２幅員、Ｗ３，Ｗａ３…第３幅員、λ，λ１…波長（間隔）。
【図１】
2010245663.tif 000003
【図２】
2010245663.tif 000004
【図３】
2010245663.tif 000005
【図４】
2010245663.tif 000006
【図５】
2010245663.tif 000007
【図６】
2010245663.tif 000008
【図７】
2010245663.tif 000009
【図８】
2010245663.tif 000010
【図９】
2010245663.tif 000011
【図１０】
2010245663.tif 000012
【図１１】
2010245663.tif 000013
【図１２】
2010245663.tif 000014