(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体モジュールを小型化するとともに製造工程を簡略化した製造方法を提供する。【解決手段】回路素子１４２を基材１４０に固定した状態で、絶縁樹脂膜１２２および導電性膜１２０の積層体１２３を配置し、前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に埋め込む工程と、圧着により前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に固定する工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である。【選択図】図５
2010239150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子を固定した状態で、絶縁樹脂膜および導電性膜の積層体を配置し、前記回路素子を前記絶縁樹脂膜内に埋め込む工程と、
圧着により前記回路素子を前記絶縁樹脂膜内に固定する工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記回路素子を前記絶縁樹脂膜内に埋め込む工程において、基材上に設けられた回路素子を前記絶縁樹脂膜内に埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記回路素子を前記絶縁樹脂膜内に固定する工程の後、前記基材を前記回路素子から取り外し、前記回路素子を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記基材上には複数の回路素子が設けられ、前記基材は伸縮可能であって、
前記回路素子を前記絶縁樹脂膜内に埋め込む工程は、前記基材を伸縮させて前記複数の回路素子間の間隔を広げた状態で前記複数の回路素子を前記絶縁樹脂膜内に埋め込むことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路素子を含む半導体モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。
【０００３】
こうしたパッケージの例として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が知られている。ＢＧＡ
は、パッケージ用基板の上に半導体チップを実装し、それを樹脂モールディングした後、反対側の面に外部端子としてハンダボールをエリア状に形成したものである。ＢＧＡでは、実装エリアが面で達成されるので、パッケージを比較的容易に小型化することができる。また、回路基板側でも狭ピッチ対応とする必要がなく、高精度な実装技術も不要となるので、ＢＧＡを用いると、パッケージコストが多少高い場合でもトータルな実装コストとしては低減することが可能となる。
【０００４】
図１１は、一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。ＢＧＡ１００は、ガラスエポキシ基板１０６上に、接着層１０８を介してＬＳＩチップ１０２が搭載された構造を有する。ＬＳＩチップ１０２は封止樹脂１１０によってモールドされている。ＬＳＩチップ１０２とガラスエポキシ基板１０６とは、金属線１０４により電気的に接続されている。ガラスエポキシ基板１０６の裏面には、半田ボール１１２がアレイ状に配列されている。この半田ボール１１２を介して、ＢＧＡ１００がプリント配線基板に実装される。
【０００５】
このようなパッケージにおいて、半導体チップの封止には、たとえばトランスファーモールド、インジェクションモールド、ポッティングまたはディッピング等が用いられている（たとえば特許文献１）。
【特許文献１】特開平８−１６２４８６号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これら従来のＣＳＰでは、ポータブルエレクトロニクス機器等において現在望まれている水準の小型化、薄型化、軽量化を実現することは難しかった。また、放熱性の改善にも一定の限界があった。
【０００７】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、半導体モジュールを小型化・薄型化する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体モジュールは、配線と、配線上に設けられた絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜上に設けられた回路素子と、絶縁樹脂膜上に設けられ、回路素子を固定する固定部材と、を含み、回路素子は、絶縁樹脂膜に固着されたことを特徴とする。ここで、固着する手段としては圧着が好ましく、その中でも熱圧着が特に好ましい。回路素子は、半導体素子や受動素子を含む。
【０００９】
本発明の半導体モジュールにおいて、絶縁樹脂膜は、加熱することにより軟化する材料により構成することができる。このような材料を用いることにより、絶縁樹脂膜を加熱することにより、回路素子を絶縁樹脂膜に直接圧着することができる。このような材料としては、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、またはポリアミドビスマレイミドを用いることができる。こうした樹脂を用いることにより高周波特性や製品信頼性に優れる半導体モジュールが得られる。また、絶縁樹脂膜としてこのような材料を用いることにより、半導体モジュールの剛性を保つことができ、半導体モジュールの安定性を高めることができる。このような観点からは、絶縁樹脂膜として、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁樹脂膜は、Ｂステージ化した状態で回路素子に圧着されてよい。このようにすれば、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を高めることができる。
【００１０】
圧着により回路素子を絶縁樹脂膜に貼り付けることにより、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を良好にすることができる。これにより、接着材料等の不純物を用いることなく回路素子を絶縁樹脂膜と圧着することができるので、半導体モジュールの電気的特性を良好にすることができる。また、接着層を別途設ける必要がないため、半導体モジュールを小型化、軽量化、および薄型化することができる。
【００１１】
また、回路素子は、真空下または減圧下で絶縁樹脂膜に圧着することができる。これにより、回路素子に損傷を与えることなく、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を良好に保つことができる。
【００１２】
本発明の半導体モジュールは、複数の回路素子を含むことができる。複数の回路素子は固定部材に埋め込まれてよく、複数の回路素子と固定部材とで略平坦な面を形成するよう構成することができる。
【００１３】
このようにすれば、複数の回路素子が絶縁樹脂膜と接着する面をフラットにすることができ、絶縁樹脂膜と複数の回路素子との密着性を高めることができる。
【００１４】
本発明の半導体モジュールにおいて、固定部材は絶縁樹脂材料により構成することができる。絶縁樹脂材料としては、上記絶縁樹脂膜を構成する材料と同様のものを用いることができる。こうした樹脂を用いることにより高周波特性や製品信頼性に優れる半導体モジュールが得られる。また、絶縁樹脂膜としてこのような材料を用いることにより、半導体モジュールの剛性を保つことができ、半導体モジュールの安定性を高めることができる。
【００１５】
本発明の半導体モジュールにおいて、複数の回路素子は固定部材に圧着することができる。また、絶縁樹脂材料は、Ｂステージ化した状態で回路素子に圧着されてよい。このようにすれば、絶縁樹脂材料と回路素子との密着性を高めることができる。
【００１６】
固定部材は、回路素子を基材上に固定した状態で、回路素子を絶縁樹脂材料に埋め込む工程と、圧着により回路素子を絶縁樹脂材料内に固定する工程と、回路素子を絶縁樹脂膜内に固定する工程の後、基材を回路素子から取り外し、回路素子を露出させる工程と、により形成することができる。
【００１７】
基材上には複数の回路素子が設けられ、基材は伸縮可能であって、回路素子を絶縁樹脂材料内に埋め込む工程は、基材を伸縮させて複数の回路素子間の間隔を広げた状態で複数の回路素子を絶縁樹脂材料内に埋め込むことができる。これにより、複数の回路素子間に絶縁樹脂材料を良好に埋め込むことができ、絶縁樹脂材料と複数の回路素子間の密着性を向上させることができる。
【００１８】
回路素子を絶縁樹脂材料内に埋め込む工程は、基材よりも剛性の高い材料により構成された固定部材上に基材を載置する工程を含み、基材を固定部材上に配置した状態で回路素子を絶縁樹脂材料内に埋め込むことができる。
【００１９】
絶縁樹脂膜および絶縁樹脂材料は、充填材を含むことができる。ここで、充填材は、フィラーや繊維である。充填材としては、絶縁樹脂膜や絶縁樹脂材料の熱膨張係数を回路素子の熱膨張係数に近づけることのできる材料を用いることができる。充填材としては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ2やＳｉＮを用いることができる。このように、絶縁樹脂膜や絶縁樹脂材料に充填材を含めることにより、絶縁樹脂膜や絶縁樹脂材料の反りを低減することができる。また、繊維としてはアラミド不織布が好ましく用いられる。このような材料を用いることにより、絶縁樹脂膜の流動性を高めることができる。
【００２０】
絶縁樹脂膜および絶縁樹脂材料における充填材の含有量は、材料に応じて適宜設定される。絶縁樹脂材料に含める充填材の含有量は、たとえば５０重量％以下とすることができる。このような範囲とすることにより、絶縁樹脂材料と回路素子との密着性を良好にすることができる。これにより、接着材料等を用いることなく絶縁樹脂材料と回路素子とを圧着により良好に接着することができるので、半導体モジュールを小型化することができる。
【００２１】
また、絶縁樹脂材料において、回路素子と接する面における充填材の含有量が、面と反対の面における充填材の含有量よりも低くなるようにすることができる。
【００２２】
このようにすれば、絶縁樹脂材料において、回路素子と圧着される部分の充填材の含有量を低減して回路素子との密着性を高めるとともに、絶縁樹脂材料全体の反りを低減して半導体モジュールの成型性を良好にすることができる。
【００２３】
配線は、前記基板の積層方向に略水平な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属により構成することができる。前記基板の積層方向に略水平な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、たとえば圧延金属とすることができる。圧延金属としては、たとえば銅箔を用いることができる。配線材料として圧延金属を用いることにより、スパッタ法、ＣＶＤ法、またはめっき法等により配線材料を形成した場合に発生するガス等の不純物が配線に入り込むことがない。そのため、このような不純物を除去するためにアニール処理を行う必要がない。このようなアニール処理のための加熱を行う必要がないため、回路素子の特性を損なうことなく配線層を形成することができる。これにより、半導体モジュールの安定性を高めることができる。また、前記基板の積層方向に略水平な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、電解めっきにより形成した金属膜をプレスした金属とすることもできる。
【００２４】
本発明の半導体モジュールは、配線と、配線上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に搭載された回路素子と、を含み、その製造方法は、回路素子を固定部材に固定する工程と、回路素子上に絶縁樹脂膜を配置し、絶縁樹脂膜を回路素子に圧着して絶縁層を形成する工程と、絶縁樹脂膜上に配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、回路素子を固定してから絶縁層および配線を形成するので、半導体モジュールの製造安定性を高めることができる。また、圧着により回路素子上に絶縁樹脂膜および配線を形成することができるので、半導体モジュールの製造工程を簡略化することができる。
【００２６】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、回路素子を固定する工程は、複数の回路素子を、当該複数の回路素子それぞれの一面が略同一平面上に位置するように固定部材の表面に固定する工程を含むことができ、絶縁層を形成する工程において、絶縁樹脂膜を複数の回路素子それぞれの表面に圧着して絶縁層を形成することができる。
【００２７】
複数の回路素子が絶縁樹脂膜と接着する面を同一平面とすることができるので、複数の回路素子と絶縁樹脂膜の密着性を高めることができる。
【００２８】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、複数の回路素子を固定部材の表面に固定する工程は、複数の回路素子と固定部材とで略平坦な面を形成するように、複数の回路素子を固定部材に埋め込む工程を含むことができる。
【００２９】
複数の回路素子が絶縁樹脂膜と接着する面をフラットにすることができるので、複数の回路素子と絶縁樹脂膜の密着性を高めることができる。
【００３０】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、複数の回路素子を固定部材の表面に固定する工程は、複数の回路素子を実質的に平坦な基材上に固定した状態で、複数の回路素子を第二の絶縁樹脂膜内に埋め込み、複数の回路素子を第二の絶縁樹脂膜内に固定する工程と、基材を複数の回路素子から取り外し、複数の回路素子を露出させる工程と、をさらに含むことができる。
【００３１】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、複数の回路素子を第二の絶縁樹脂膜内に固定する工程は、複数の回路素子を圧着により第二の絶縁樹脂膜内に固定する工程を含むことができる。
【００３２】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、半導体モジュールは、回路素子を覆うように形成された封止層をさらに含むことができ、回路素子を固定する工程は、回路素子の一部が露出するように当該回路素子を絶縁樹脂材料により封止して封止層を形成する工程を含むことができ、絶縁層を形成する工程において、封止層上に絶縁樹脂膜を配置し、絶縁樹脂膜を回路素子の露出した一部に圧着して絶縁層を形成することができる。
【００３３】
このように回路素子を封止した後に絶縁層および配線を形成することにより、封止層が配線層を形成する際の支持基板として機能するので、支持基板を取り除くという工程を省くことができ、半導体モジュールの製造工程を簡略化することができる。また、回路素子が絶縁層と配線により構成される配線層に直接マウントされた構成とすることができるので、半導体モジュールの放熱性を良好にすることができる。
【００３４】
本発明の半導体モジュールの製造方法において、絶縁層を形成する工程において、一面に導電性膜が形成された絶縁樹脂膜を回路素子上に配置することができ、配線を形成する工程において、導電性膜をパターニングして配線を形成することができる。ここで、導電性膜付きの絶縁樹脂膜に回路素子を圧着してもよく、絶縁樹脂膜上に導電性膜を配置し、絶縁樹脂膜に回路素子を圧着する際に、同時に導電性膜を絶縁樹脂膜上に圧着してもよい。
【００３５】
以上、本発明の構成について説明したが、これらの構成を任意に組み合わせたものも本発明の態様として有効である。また、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、半導体モジュールを小型化・薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（第一の実施の形態）
図１は、本発明の第一の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００３８】
まず、図１（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２や受動素子１４４等の回路素子を固定する。ここで、基材１４０は接着性を有し、半導体素子１４２および受動素子１４４を表面に固定することのできるテープ基材とすることができる。また、基材１４０は、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２に埋め込んだ後に絶縁樹脂膜１２２から剥離可能な材料により構成することができる。このような材料として、たとえばＰＥＴフィルムを用いることができる。
【００３９】
半導体素子１４２は、たとえば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等である。また、受動素子１４４は、たとえば、チップコンデンサ、チップ抵抗等である。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、このようにして複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した状態で、導電性膜１２０および絶縁樹脂膜１２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む。つづいて、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に圧着する。これにより、図１（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に圧着される。
【００４１】
導電性膜１２０は、たとえば圧延銅箔等の圧延金属である。絶縁樹脂膜１２２としては、加熱することにより軟化する材料であればどのようなものを用いることもできるが、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。このような材料を用いることにより、半導体モジュールの剛性を高めることができ、半導体モジュールの安定性を向上することができる。絶縁樹脂膜１２２として、エポキシ樹脂、またはＢＴレジン、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂を用いることにより、さらに半導体モジュールの剛性を高めることができる。
【００４２】
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＳ型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４３】
メラミン誘導体としては、メラミン、メラミンシアヌレート、メチロール化メラミン、（イソ）シアヌール酸、メラム、メレム、メロン、サクシノグアミン、硫酸メラミン、硫酸アセトグアナミン、硫酸メラム、硫酸グアニルメラミン、メラミン樹脂、ＢＴレジン、シアヌール酸、イソシアネール酸、イソシアヌール酸誘導体、メラミンイソシアヌレート、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のメラミン誘導体、グアニジン系化合物等が例示される。
【００４４】
液晶ポリマーとしては、芳香族系液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエステルアミドや、それらを含有する樹脂組成物が例示される。このうち、耐熱性、加工性および吸湿性のバランスに優れる液晶ポリエステルまたは液晶ポリエステルを含有する組成物が好ましい。
【００４５】
液晶ポリエステルとしては、たとえば、(１)芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを反応させて得られるもの、(２)異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸の組み合わせを反応させて得られるもの、(３)芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとを反応させて得られるもの、(４)ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させて得られるもの、等が挙げられる。なお、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸の代わりに、それらのエステル誘導体が使用されることもある。さらに、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸は、芳香族部分がハロゲン原子、アルキル基、アリール基等で置換されたものが使用されることもある。
【００４６】
液晶ポリエステルの繰返し構造単位としては、芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式(i)）、芳香族ジオールに由来する繰返し構造単位（下記式(ii)）、芳香
族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式(iii)）を例示することができる。
(i)−ＣＯ−Ａ1−ＣＯ−
（但しＡ1は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
(ii)−Ｏ−Ａ2−Ｏ−
（但しＡ2は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
(iii)−ＣＯ−Ａ3−Ｏ−
（但しＡ3は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
また、絶縁樹脂膜１２２には、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。フィラーとしては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ2やＳｉＮを用いることができる。絶縁樹脂膜１２２にフィラーや繊維を含めることにより、絶縁樹脂膜１２２を加熱して半導体素子１４２および受動素子１４４を熱圧着した後、絶縁樹脂膜１２２をたとえば室温に冷却する際に、絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４と絶縁樹脂膜１２２との密着性を高めることができる。また、絶縁樹脂膜１２２に繊維を含めた場合、絶縁樹脂膜１２２の流動性を高めることができるため、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性を高めることができる。このような観点からは、絶縁樹脂膜１２２を構成する材料としてアラミド不織布が好ましく用いられる。これにより、加工性を良好にすることができる。
【００４７】
アラミド繊維としては、パラアラミド繊維またはメタアラミド繊維を用いることができる。パラアラミド繊維としては、たとえば、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）（ＰＰＤ−Ｔ）、メタアラミドとしては、たとえば、ポリ（ｍ−フェニレンイソフタルアミド）（ＭＰＤ−Ｉ）を用いることができる。
【００４８】
絶縁樹脂膜１２２を構成する材料中における充填材の含有量は材料に応じて適宜設定することができるが、たとえば５０重量％以下とすることができる。これにより、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との接着性を良好に保つことができる。
【００４９】
導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３としては、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２上に導電性膜１２０が付着したものを用いることができる。また、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３は、導電性膜１２０上に絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂組成物を塗布・乾燥することにより形成することもできる。本実施の形態において、樹脂組成物は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化剤、硬化促進剤、その他の成分を含むことができる。導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３は、絶縁樹脂膜１２２がＢステージ化した状態で基材１４０上に配置される。このようにすれば、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性を高めることができる。この後、絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂の種類に応じて絶縁樹脂膜１２２を加熱し、真空下または減圧下で導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３と半導体素子１４２および受動素子１４４を圧着する。また、他の例において、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２をＢステージ化した状態で基材１４０上に配置し、さらにその上に導電性膜１２０を配置して絶縁樹脂膜１２２を半導体素子１４２および受動素子１４４と熱圧着する際に、導電性膜１２０を絶縁樹脂膜１２２に熱圧着することによっても導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を形成することができる。
【００５０】
以上のようにして、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を半導体素子１４２および受動素子１４４と熱圧着して半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込んだ後、図１（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離する。
【００５１】
また、この後、樹脂膜にスルーホールを形成し、スルーホール内を導電性材料で埋め込み、ビア１２１を形成する。続いて、導電性膜１２０をパターニングして複数の半導体素子１４２および受動素子１４４間を電気的に接続する。これにより、図１（ｅ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４をそれぞれ一方の面で絶縁樹脂膜１２２により封止するとともに、他方の面で露出させた構造体１２５を得ることができる。
【００５２】
このように半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面を露出させることにより、半導体素子１４２および受動素子１４４を動作させた際に、半導体素子１４２や受動素子１４４の温度が上昇しても、露出した面から熱を逃がすことができ、放熱性の良好な半導体モジュールを提供することができる。また、半導体素子１４２および受動素子１４４の露出した面にヒートシンクを設けたり、露出した面を空冷する等種々の方法を適用することができる。
【００５３】
さらに、半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面に基板等が設けられていないので、半導体モジュールを小型化することができる。
【００５４】
後述するように、このようにして形成した半導体モジュールは、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の導電性膜１２０上に別の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積み重ねて配線層を形成し、複数の半導体素子１４２や受動素子１４４間を電気的に接続したり、他のデバイスと電気的に接続することができる。
【００５５】
本実施の形態における半導体モジュールの製造工程によれば、簡易な方法で複数の半導体素子１４２や受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み封止することができる。さらに、半導体モジュールの放熱性を良好にすることもできる。また、半導体モジュールを小型化することもできる。
（第二の実施の形態）
図２は、本発明の第二の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、第一の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態において、基材１４０として、伸縮可能な材料を用いる点で第一の実施の形態と異なる。本実施の形態における基材１４０としては、たとえばＰＥＴフィルムを用いることができる。
【００５６】
図２（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した後、基材１４０を図中横方向に伸張させる。つづいて、図２（ｂ）に示すように、基材１４０を伸張させた状態で、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込む。半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に押し込まれた後、基材１４０を伸張させていた力を除去し、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に圧着する。これにより、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に圧着される。本実施の形態において、半導体素子１４２および受動素子１４４が固定された基材１４０を伸張させた状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込むので、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む際に、素子間の間隔が広くなり、素子間に絶縁樹脂膜１２２が押し込まれやすくなる。そのため、半導体素子１４２および受動素子１４４と絶縁樹脂膜１２２との密着性を良好にすることができる。
【００５７】
この後、図２（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離する。その後、ビアを形成して導電性膜１２０をパターニングすることにより、第一の実施の形態と同様、半導体モジュールの放熱性を良効にすることができる。また、半導体モジュールを小型化することもできる。
（第三の実施の形態）
図３は、本発明の第三の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、第一の実施の形態および第二の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態において、半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した基材１４０を支持台１４６上に載置した状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込み、絶縁樹脂膜１２２と熱圧着させる点で第一および第二の実施の形態と異なる。
【００５８】
図３（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した後、基材１４０を支持台１４６上に載置する。支持台１４６としては特に制限はないが、基材１４０を構成する材料よりも剛性の高い材料により構成されたものを用いることができる。これにより、基材１４０として柔軟性を有する材料を用いた場合でも、絶縁樹脂膜１２２と、半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面を平坦にすることができる。
【００５９】
つづいて、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む。このとき、第二の実施の形態で説明したように、基材１４０を図中横方向に伸縮させて半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込んでもよい。
【００６０】
その後、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に貼り付ける。これにより、図３（ｂ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に固定される。その後、図３（ｃ）に示すように、基材１４０を支持台１４６上から取り外す。また、本実施の形態においても、図３（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離することができる。
【００６１】
本実施の形態において、基材１４０を基材１４０よりも剛性の高い支持台１４６上に載置した状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込み、熱圧着するので、絶縁樹脂膜１２２が基材１４０と接する面を平坦にすることができる。これにより、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離したときに、半導体素子１４２および受動素子１４４が露出した面（以下露出面という。）を平坦にすることができる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた絶縁樹脂膜１２２を露出面で他の部材に接着等させる場合に、当該他の部材との密着性を高めることができる。また、半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた絶縁樹脂膜１２２をたとえばヒートシンク等の他の部材上に配置する際に、絶縁樹脂膜１２２が傾くことなく略水平に配置することもできる。
（第四の実施の形態）
図４は、本発明の第四の実施の形態における導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の構成を示す断面図である。図５は、本実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２が第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより構成される点で第一から第三の実施の形態と異なる。導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３において、第一の絶縁樹脂膜１２２ａ上に第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが形成され、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂ上に導電性膜１２０が形成される。
【００６２】
本実施の形態において、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂは、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２（図５参照）内に埋め込み熱圧着する際に、第一の絶縁樹脂膜１２２ａを構成する材料よりも、剛性の高い材料により構成される。これにより、熱圧着時に、半導体素子１４２および受動素子１４４を第一の絶縁樹脂膜１２２ａ内に埋め込むとともに、絶縁樹脂膜１２２の形状を剛直に保つことができる。
【００６３】
以下、図５を参照して説明する。
【００６４】
まず、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した状態で、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込む。つづいて、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に貼り付ける。
【００６５】
第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料は、第一の実施の形態において説明した、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の中から適宜選択して用いることができる。
【００６６】
ここで、たとえば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりも軟化しやすい材料により構成することができる。これにより、熱圧着時に第一の絶縁樹脂膜１２２ａの方が第二の絶縁樹脂膜１２２ｂよりも変形しやすくなるので、第一の絶縁樹脂膜１２２ａ内に半導体素子１４２および受動素子１４４がスムーズに押し込まれるとともに、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが剛直性を保ち、絶縁樹脂膜１２２全体が変形するのを防ぐことができる。また、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４に段差が生じている場合でも、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが半導体素子１４２および受動素子１４４内へ絶縁樹脂膜１２２の入り込みを阻止するストッパ層として機能するため、絶縁樹脂膜１２２の膜厚を均一に保つこともできる。これにより、半導体モジュールの寸法精度を高めることができる。また、半導体モジュールの剛直性を高めることもできる。
【００６７】
また、たとえば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりもガラス転移温度の低い材料により構成することもできる。また、他の例において、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりも、半導体素子１４２や受動素子１４４との密着性が高い材料により構成することもできる。このようにしても、上述したのと同様の効果を得ることができる。
【００６８】
さらに、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂには、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。この場合、第一の絶縁樹脂膜１２２ａにおける充填材の含有量が、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにおける充填材の含有量よりも少なくなるように構成される。また、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにのみ充填材を含め、第一の絶縁樹脂膜１２２ａには充填材を含めない構成とすることもできる。このようにすれば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａの柔軟性を高めて半導体素子１４２および受動素子１４４の埋め込みを行いやすくするとともに、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができる。
【００６９】
以上のように、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂをそれぞれ目的に応じて好ましい材料により構成することにより、絶縁樹脂膜１２２への半導体素子１４２および受動素子１４４の埋め込みを良好に行うことができるとともに、半導体モジュールの剛性を高めたり、成型性を向上することができる。
【００７０】
図６は、第一〜第四の実施の形態で説明した工程により、半導体素子１４２および受動素子１４４を導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み封止した構造体１２５を積層した半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【００７１】
図６において、半導体モジュールは、構造体１２５上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着により貼り付け、さらにその上に別の構造体１２５を積層して形成される。導電性膜１２０には配線パターンが形成される。上層の構造体１２５の導電性膜１２０とその下層の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の導電性膜１２０とは、常温接合や半田を介して電気的に接続することができる。また、絶縁樹脂膜１２２にはたとえば炭酸ガスレーザー等でスルーホールが形成され、スルーホール内に導電性材料が埋め込まれてビア１２１が形成される。これにより層間の電気的接続がとられる。なお、スルーホールの形成には、炭酸ガスレーザーのほか、機械加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などを用いることもできる。
【００７２】
以上の実施の形態における半導体モジュールの製造工程によれば、複数の構造体１２５を積層した半導体モジュールを容易に形成することができる。多数の半導体素子１４２および受動素子１４４を一平面上に並べて配置した場合には、一層毎の面積が広くなり、それらの素子を封止する際の反りが問題となるが、このように複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を縦方向に積層した場合、各層の面積を小さくすることができ、半導体モジュールの反りを低減することができる。
【００７３】
以上のように、複数の回路素子の封止を導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を用いた熱圧着により行うことにより、複数の回路素子と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３との密着性を高めることができるので、たとえばトランスファーモールド等により複数の回路素子を封止する際に必要とされるソルダーレジストやダイペースト等の接着材料を用いることなく、回路素子の封止を行うことができる。これにより、半導体モジュールを小型化することができる。さらに、接着材料を用いないので、半導体モジュールの電気的特性を向上させることもできる。
【００７４】
トランスファーモールド等のように、金型を用いて回路素子の封止を行う場合、複数の半導体モジュールの封止を同時に行い、その後にダイシング等して半導体モジュールを分割していたため、厚さに対する平面方向の面積が大きく、反りが起こりやすいという問題があった。しかし、本実施の形態における半導体モジュールの製造方法によれば、それぞれの半導体モジュール毎に簡易に封止を行うことができるので、封止を行う対象物の平面方向の面積を小さくすることができ、反りを低減することができる。これにより樹脂中に含有させる充填材の量を低くすることができ、さらに密着性を向上させることができる。
（第五の実施の形態）
図７および図８は、本発明の第五の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００７５】
本実施の形態においては、高さが異なる複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を予め樹脂層中に固定して表面を平坦にした後に半導体素子１４２および受動素子１４４上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着する点で第一から第四の実施の形態と異なる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２との密着性をさらに良好にすることができる。
【００７６】
まず、図７（ｃ）に示すように、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた基板１５１を形成する。基板１５１の形成は、第一〜第四の実施の形態で説明したのと同様の手順で行うことができる。この場合、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、基材１４０上に固定された半導体素子１４２および受動素子１４４を樹脂層１５０中に押し込み、樹脂層１５０と半導体素子１４２および受動素子１４４とを真空下または減圧下で熱圧着して半導体素子１４２および受動素子１４４を樹脂層１５０内に固定する。ここで、樹脂層１５０は、上述した絶縁樹脂膜１２２を構成する材料と同様の材料により構成することができる。また、導電性膜１２０の記載を省略しているが、樹脂層１５０には導電性膜１２０が設けられていてもよい。その後、基材１４０を樹脂層１５０から剥離することにより、図７（ｃ）に示した基板１５１を得ることができる。また、樹脂層１５１としては、第四の実施の形態において説明したのと同様の、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを用いることもできる。
【００７７】
また、他の例において、基板１５１は、金型を用いてトランスファーモールド、インジェクションモールド、ポッティングまたはディッピング等により形成することもできる。この場合、樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドまたはポッティングで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００７８】
以上のようにして、図７（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が表面に露出して形成された基板１５１を得ることができる。
【００７９】
つづいて、図７（ｄ）に示すように、基板１５１上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を配置し、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基板１５１に圧着する。
【００８０】
その後、フォトレジストをマスクとして、導電性膜１２０を所定形状にエッチングして配線パターンを形成する。たとえば、レジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して不要な導電性膜をエッチング除去し、配線パターンを形成することができる。エッチングレジストは、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を用いることができ、レジストインクをシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレジスト用感光性ドライフィルムを導電性膜１２０の上にラミネートして、その上に配線導体の形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去して形成することができる。導電性膜１２０として銅箔を用いる場合、化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液等、通常のプリント配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。これにより、図７（ｅ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４上に配線層が形成された半導体モジュールを得ることができる。
【００８１】
つづいて、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の所定の箇所に炭酸ガスレーザー等によりスルーホールを形成し、そのスルーホールを導電性材料で埋め込み、ビア（１２１、図８参照）を形成する。ビアは、無電界めっきにより形成することもでき、電界めっき法により形成することもできる。
【００８２】
その後、同様の工程を繰り返し、再び導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積層し、導電性プラグを形成し、図８に示すように、複数の層からなる多層配線構造１２６を形成する。これにより、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４上に多層配線構造１２６が形成された半導体モジュールが形成される。
【００８３】
なお、本実施の形態においても、第四の実施の形態において図５を参照して説明したのと同様、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより構成された絶縁樹脂膜に埋め込まれた半導体素子および受動素子上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着した構成とすることもできる。この構成を図９に示す。
【００８４】
本実施の形態おける半導体モジュールは、予め樹脂層１５０中に半導体素子１４２および受動素子１４４を埋め込み、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３との接着面を平坦にしてから導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を貼り付ける。そのため、半導体素子１４２および受動素子１４４上に形成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３における絶縁樹脂膜１２２の膜厚を層全体にわたって均一にすることができるので、レーザーでビアホールを形成する際の加工性を良好にすることができる。
【００８５】
また、本実施の形態においては、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４が導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３と接着する面を平坦にしているので、半導体素子１４２および受動素子１４４と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２との密着性を良好にすることができる。
（ＩＳＢパッケージへの適用）
なお、本実施の形態における半導体モジュールの製造方法は、ＩＳＢ（Integrated System in Board；登録商標）パッケージの製造に適用することができる。この方法を用いることにより、ＩＳＢパッケージの製造工程を簡略化することができる。以下、ＩＳＢパッケージについて説明する。
【００８６】
ＩＳＢとは、半導体ベアチップを中心とする電子回路のパッケージングにおいて、銅による配線パターンを持ちながら回路部品を支持するためのコア(基材)を用いない独自のコアレスシステム・イン・パッケージである。特開２００２−１１０７１７号公報には、こうしたシステム・イン・パッケージが記載されている。
【００８７】
ここで、従来、ＩＳＢパッケージは、支持基板としても機能する導電箔上に複数層の導電パターンを形成して多層配線構造を作り、さらに回路素子を実装し、絶縁樹脂でモールドし、導電箔を除去することにより得られる。
【００８８】
このパッケージによれば、以下の利点が得られる。
（ｉ）コアレスで実装できるため、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩの小型・薄型化を実現できる。
（ｉｉ）トランジスタからシステムＬＳＩ、さらにチップタイプのコンデンサや抵抗を回路形成し、パッケージングすることができるため、高度なＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）を実現できる。
（ｉｉｉ）現有の半導体チップを組み合わせできるため、システムＬＳＩを短期間に開発できる。
（ｉｖ）半導体ベアチップが直下の銅材に直接マウントされており、良好な放熱性を得ることができる。
（ｖ）回路配線が銅材でありコア材がないため、低誘電率の回路配線となり、高速データ転送や高周波回路で優れた特性を発揮する。
（ｖｉ）電極がパッケージの内部に埋め込まれる構造のため、電極材料のパーティクルコンタミの発生を抑制できる。
（ｖｉｉ）パッケージサイズはフリーであり、１個あたりの廃材を６４ピンのＳＱＦＰパッケージと比較すると、約１／１０の量となるため、環境負荷を低減できる。
（ｖｉｉｉ）部品を載せるプリント回路基板から、機能の入った回路基板へと、新しい概念のシステム構成を実現できる。
（ｉｘ）ＩＳＢのパターン設計は、プリント回路基板のパターン設計と同じように容易であり、セットメーカーのエンジニアが自ら設計できる。
【００８９】
本実施の形態における半導体モジュールの製造方法をＩＳＢパッケージの製造に適用する場合、まず半導体素子１４２および受動素子１４４等の回路素子を樹脂層１５０で封止して基板１５１を形成する。ついで基板１５１を支持基板として、その上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積層して多層配線構造１２６を形成する。図示していないが、最上層の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３上にはハンダボールを設け、裏面電極を形成することができる。以上の工程により、支持基板を有しない半導体モジュールを作製することができる。本実施の形態によれば、回路素子が封止された基板１５１自体を支持基板として機能させることができるため、多層配線構造を形成した後に基板を除去するという手間を省くことができる。これにより、ＩＳＢパッケージの製造工程を簡略化することができるとともに、上述の利点を得ることもできる。
【００９０】
樹脂層１５０を半導体素子１４２および受動素子１４４の封止に用いるためには、樹脂層１５０を半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性が良好な材料、Ｓｉ等の半導体材料との熱膨張係数の差が小さい材料を用いることが好ましい。このような材料としては、上述したようなエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。また、これらの材料にフィラーや繊維等の充填材を適宜添加することにより、樹脂層１５１の熱膨張係数を半導体材料の熱膨張係数に近づけることができる。
【００９１】
また、本実施の形態における半導体モジュールの製造方法によれば、半導体素子１４２および受動素子１４４に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着して多層配線構造１２６が形成されるので、半導体素子１４２および受動素子１４４と多層配線構造１２６との密着性を良好にすることができる。そのため、ソルダーレジストやダイペースト等の接着材料を用いることなく、半導体素子１４２および受動素子１４４と多層配線構造１２６とを良好に接着することができる。このような接着材料等の不純物を含まないため、ＩＳＢパッケージの電気的特性を向上させることができる。また、ＩＳＢパッケージを小型化することもできる。
【００９２】
以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００９３】
たとえば、配線層において、層間の電気的接続は、スルーホールを導電性材料で埋め込む方法に限られず、たとえば、ワイヤを介して行うこともできる。この場合ワイヤを封止材により覆ってよい。
【００９４】
なお、図１０に示すように、第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂが配置された回路素子を含む構成とすることもできる。第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂの組み合わせとしては、たとえばＳＲＡＭとＦｌａｓｈメモリ、ＳＲＡＭとＰＲＡＭとすることができる。この場合、第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂとはビア１２１により電気的に接続される。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。
【図２】ＩＳＢ(登録商標)の構造を説明するための図である。
【図３】ＢＧＡおよびＩＳＢ(登録商標)の製造プロエスを説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における導電性膜付き絶縁樹脂膜の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１４】一般的なデュアルダマシン法による敗戦形成工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態における半導体装置を示す断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態における半導体装置の断面図（ＳＥＭ写真）を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態における表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２３】光学素子を含む各画素の構成を示す回路図である。
【図２４】本発明の実施の形態における表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１２０  導電性膜、  １２２  絶縁樹脂膜、  １２３  導電性膜付き絶縁樹脂膜、  １２５  構造体、  １４２  半導体素子、  １４４  受動素子、  １４６  支持台、  １４８
基材、  １５０  樹脂層、  １５１  固定部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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