(57)【要約】【課題】露光装置において必要な温度調整の時間を短縮するために有利な技術を提供する。【解決手段】基板に感光剤を塗布する塗布部および基板の温度を調整する補助温度調整部を含む基板処理装置から搬送されてきた基板を露光する露光装置は、前記基板処理装置から搬送されてきた基板の温度を測定する測定部と、前記測定部の出力に基づいて露光に先立って基板の温度を調整する主温度調整部と、前記測定部の出力に基づいて決定される温度制御情報を前記基板処理装置に送信することにより前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御する温度制御部とを備える。【選択図】図４
2010118557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に感光剤を塗布する塗布部および基板の温度を調整する補助温度調整部を含む基板処理装置から搬送されてきた基板を露光する露光装置であって、
前記基板処理装置から搬送されてきた基板の温度を測定する測定部と、
前記測定部の出力に基づいて露光に先立って基板の温度を調整する主温度調整部と、
前記測定部の出力に基づいて決定される温度制御情報を前記基板処理装置に送信することにより前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御する温度制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記温度制御情報は、前記測定部の出力と目標温度とに基づいて決定される、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記主温度調整部は、プレートを含み、前記プレートの温度調整を介して基板の温度を調整し、
前記測定部は、前記プレートの温度を測定するセンサを含み、前記センサの出力の変化に基づいて前記基板の初期温度を測定し、
前記温度制御情報は、前記初期温度と目標温度との差を示す情報である、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記温度制御部は、前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御するとともに前記主温度調整部における基板の温度調整を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
基板に感光剤を塗布する塗布部および基板の温度を調整する補助温度調整部を含む基板処理装置と、前記基板処理装置から搬送されてきた基板を露光する露光装置とを含むリソグラフィーシステムであって、
前記露光装置は、
前記基板処理装置から搬送されてきた基板の温度を測定する測定部と、
前記測定部の出力に基づいて露光に先立って基板の温度を調整する主温度調整部と、
前記測定部の出力に基づいて決定される温度制御情報を前記基板処理装置に送信することにより前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御する主温度制御部とを含み、
前記基板処理装置は、
前記露光装置から送信された前記温度制御情報に基づいて前記補助温度調整部による基板の温度調整を制御する補助温度制御部を含む、
ことを特徴とするリソグラフィーシステム。
【請求項６】
基板を露光する露光装置に搬送されるべき基板に感光剤を塗布する塗布部を含む基板処理装置であって、
前記露光装置に搬送されるべき基板の温度を調整する温度調整部と、
前記露光装置から送信された温度制御情報に基づいて前記温度調整部における基板の温度調整を制御する温度制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記露光装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置である、
ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、基板処理装置、それらを含むリソグラフィーシステム、および、該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するためのリソグラフィー工程は、ウエハ又はガラスプレート等の基板に感光剤（レジスト）を塗布する塗布工程と、感光剤が塗布された基板を露光する露光工程と、露光された基板を現像する現像工程とを含みうる。塗布工程および現像工程は、典型的には、塗布現像装置において実施される。塗布現像装置で感光剤が塗布された基板は、露光装置に搬送されて、該露光装置において露光された後に再び塗布現像装置に戻されて現像されうる。
【０００３】
基板に不均一な温度分布があると、基板にひずみが発生する。露光装置の投影光学系の解像力が如何に優れていても、基板にひずみが存在すると、目的とする線幅を有するパターンを基板に形成することができないし、重ね合わせ精度が低下する。
【０００４】
特許文献１は、温度調整装置に関するものであり、同文献には、温度調整手段の温度を計測し、その温度に基づいて基板の温度調整時間を決定することが記載されている。
【０００５】
特許文献２は、基板温度調整装置に関するものであり、同文献には、基板を制御目標温度に近づけることにより該基板を最終目標管理温度に調整する基板温度調整装置において、基板の温度を考慮して制御目標温度を変更することが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−８３７５６公報
【特許文献２】特開２００３−１４２３８６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に記載された基板温度調整装置では、目標温度に対する差が大きな温度を有する基板が搬入される可能性があり、そのような温度の基板が搬入されると、温度調整に長時間を要することになる。
【０００７】
本発明は、上記の課題認識に基づいてなされたものであり、例えば、露光装置における基板の温度調整の時間を短縮するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面は、基板に感光剤を塗布する塗布部および基板の温度を調整する補助温度調整部を含む基板処理装置から搬送されてきた基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記基板処理装置から搬送されてきた基板の温度を測定する測定部と、前記測定部の出力に基づいて露光に先立って基板の温度を調整する主温度調整部と、前記測定部の出力に基づいて決定される温度制御情報を前記基板処理装置に送信することにより前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御する温度制御部とを備える。
【０００９】
本発明の第２の側面は、基板に感光剤を塗布する塗布部および基板の温度を調整する補助温度調整部を含む基板処理装置と、前記基板処理装置から搬送されてきた基板を露光する露光装置とを含むリソグラフィーシステムに係り、前記露光装置は、前記基板処理装置から搬送されてきた基板の温度を測定する測定部と、前記測定部の出力に基づいて露光に先立って基板の温度を調整する主温度調整部と、前記測定部の出力に基づいて決定される温度制御情報を前記基板処理装置に送信することにより前記補助温度調整部における基板の温度調整を制御する主温度制御部とを含み、前記基板処理装置は、前記露光装置から送信された前記温度制御情報に基づいて前記補助温度調整部による基板の温度調整を制御する補助温度制御部を含む。
【００１０】
本発明の第３の側面は、基板を露光する露光装置に搬送されるべき基板に感光剤を塗布する塗布部を含む基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、前記露光装置に搬送されるべき基板の温度を調整する温度調整部と、前記露光装置から送信された温度制御情報に基づいて前記温度調整部における基板の温度調整を制御する温度制御部とを備える。
【００１１】
本発明の第４の側面は、デバイス製造方法に係り、前記デバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、露光装置における基板の温度調整の時間を短縮するために有利な技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１４】
図１は、本発明の好適な実施形態の基板温度調整装置の概略構成を示す側面図である。図１に示す基板温度調整装置ＴＲは、基板（例えば、ウエハ、ガラスプレート）６の温度を調整する温度調整部１を備えている。温度調整部１は、例えば、プレート２と、プレート２を介して基板６の温度を調整する温度調整素子（例えば、ペルチェ素子）３と、温度調整素子３が発生する熱を排出する放熱層４とを含む。温度調整部１は、例えば、支持体１３によって支持されうる。基板温度調整装置ＴＲは、更に、基板６の温度を測定する測定部（温度センサ）５を備える。測定部５は、例えば、プレート２に埋め込まれうる。
【００１５】
温度調整素子３は、第１面（上面）および第２面（下面）を有し、該第１面はプレート２に結合され、該第２面は放熱層４に結合されている。温度調整素子３から排出される熱は、放熱層４の中に組み込まれている放熱管１２の中を流れる流体によって温度調整部１の外部に排出される。この実施形態では、複数の温度調整素子３が配列されていて、プレート２は、複数の温度調整素子３が配置された面内における温度分布を均一化する効果を有する。
【００１６】
基板温度調整装置ＴＲは、基板６を昇降させる昇降機構を備えうる。昇降機構は、例えば、温度調整部１を貫通した複数（例えば、３）のリフトピン７と、複数のリフトピン７を支持するピン支持台８と、ピン支持台８を昇降させることによって複数のリフトピン７を昇降させる駆動機構ＤＭとを含む。駆動機構ＤＭは、例えば、可動部がピン支持台８に連結された送りネジ機構９と、送りネジ機構９のネジを回転させるモータ１１と、送りネジ機構９の前記可動部をガイドするリニアガイド１０とを含む。
【００１７】
基板６は、複数のリフトピン７がプレート２から突出した状態で、複数のリフトピン７の上に載置され、その後、複数のリフトピン７が降下することによって、プレート２によって支持される。プレート２上から基板６が取り除かれる際には、基板６の下面とプレート２の上面との間に間隙が構成されるように、複数のリフトピン７が上昇する。このようなリフトピン７の駆動は、駆動機構ＤＭによってなされる。
【００１８】
基板６の下面は、プレート２に面接触しもよいが、プレート２に微少なピン又はプロキシミティボールを配置して基板６とプレート２との間に微少なギャップ（隙間）を形成してもよい。
【００１９】
一例として、基板６の温度がプレート２の温度よりも高い場合を考える。基板６がプレート２の上に載置されることにより、基板６の熱量が徐々にプレート２に伝わり、プレート２の温度が上昇する。この温度上昇は、測定部５によって測定される。これによって、プレート２の温度が上昇する。温度調整素子３は、プレート２の温度を示す測定部５の出力が一定になるように、不図示の補償器によって温度調整素子３がＰＩＤ制御される。温度調整素子３がペルチェ素子である場合には、ペルチェ素子に流す電流値がＰＩＤ制御されうる。ペルチェ素子がプレート２の熱を奪うことにより、プレート２とともに基板６の温度が目標温度範囲内に収束する。
【００２０】
図２は、基板６およびプレート２の温度変化を例示するグラフである。このグラフは、横軸が経過時間を示し、縦軸が温度を示す。横軸のｔ＝０が温度調整部１のプレート２の上に基板６が載置された瞬間である。縦軸のＴ０は、基板の目標温度であるとともにプレート２に基板６が載置された瞬間におけるプレート２の温度である。プレート２に載置される直前における基板６の温度はＴｗ１である。基板６がプレート２の上に載置された後、基板６の熱がプレート２に徐々に移り、時間ｔ＝ｔ１秒において、プレート２の温度が最高温度Ｔｐまで上昇し、その後、プレート２の温度と基板６の温度は徐々に下がっていく。基板６の温度が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］以内になるまでの経過時間ｔ＝ｔｍ［秒］より長い時間にわたって基板６がプレート２に載置された状態にすることによって、基板６の温度調整を終了させることができる。
【００２１】
このようなプレート２の温度変化は、基板６の初期温度Ｔｗ１、プレート２の初期温度Ｔ０、基板６とプレート２との間の熱伝達、プレート２の下面からの温度調整素子３の吸熱などにより定まる。すなわち、基板６がプレート２の上に載置されてからｔａ［秒］後のプレート２の温度Ｔｐａを計測することにより、プレート２の温度変化を推定することができる。よって、プレート２の温度変化のグラフにより、基板６の温度Ｔｗ１を測定（推定）することができ、基板６が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］以内になるまでの時間ｔｍを決定することができる。
【００２２】
図３は、温度がＴｗ１'（＜Ｔｗ１）の基板６がプレート２の上に載置された場合における基板６およびプレート２の温度変化を例示している。この場合にも基板６の温度がＴｗ１のときと同様なことが言える。経過時間ｔ＝０のときは、基板の温度＝Ｔｗ１'およびプレートの温度＝Ｔ０となっている。基板６がプレート２に載置された後、基板６の熱がプレート２に徐々に移り、ｔ＝ｔ１'秒においてプレート２の温度が最高温度ＴＰ'まで上昇し、その後、プレート２の温度と基板６の温度が徐々に下降する。基板６の温度が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］の範囲になるまでの時間は、基板６の温度がＴｗ１［度］であるときよりも短く、ｔ＝ｔｍ'［秒］後に目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］以内になる。
【００２３】
このようなプレート２の温度変化は、前述と同様に基板６の初期温度、プレート２の初期温度、基板６とプレート２間の熱伝達、プレート２の下面からの温度調整素子３の吸熱などによりに決定される。したがって、基板６がプレート２の上に載置されてからｔａ［秒］後のプレート２の温度Ｔｐａ'を計測することにより、プレート２の温度変化を推定することができる。そして、プレート２の温度変化に基づいて、基板６の温度Ｔｗ１'を測定（推定）することができる。よって、基板６が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］の範囲内になるまでの時間ｔｍ'を決定することができる。このことは、基板の温度Ｔｗ１がプレート２の初期温度Ｔ０より低い場合にも同様であり、基板をプレート２に載置してから経過した時間ｔａ［秒］後のプレート２の温度を計測することにより、基板の必要な温度調整時間を決定することができる。
【００２４】
このようにプレート２の上に基板６を載置してから一定時間後のプレート２の温度を計測することにより、基板６の温度を推定することができる。これにより、基板６の必要な温度調整時間を基板ごとに決定することができ、基板６の処理効率を最大限に上げることができ、また、確実に基板６の温度調整を行うことができる。
【００２５】
図４は、本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。このリソグラフィーシステムは、塗布現像装置２０と露光装置２４とを備える。塗布現像装置２０は、露光装置２４に搬送されるべき基板に感光剤（レジスト）を塗布する塗布部１４と、露光装置２４で露光された基板を現像する現像部１９とを含む。塗布現像装置２０は、基板に感光剤を塗布する塗布部１４を含む基板処理装置の一例である。
【００２６】
露光装置２４は、原版（原版は、レチクル又はマスクとも呼ばれうる）のパターンを投影光学系によって基板（例えば、ウエハ、ガラスプレート）に投影し該基板を露光する。
【００２７】
塗布現像装置２０は、補助温度調整装置１５と補助温度制御部１６とを含む。補助温度調整装置１５は、例えば、図２に示す基板温度調整装置ＴＲと同様の構成を有しうる。補助温度調整装置１５は、インターフェース部２１および搬送経路２２ａを通して塗布現像装置２０から露光装置２４に搬送されるべき基板６の温度を調整する。ここで、補助温度制御部１６は、露光装置２４の主温度制御部１７から送信された温度制御情報に基づいて補助温度調整装置１５の温度調整部（補助温度調整部）１による基板の温度調整を制御する。インターフェース部２１は、感光剤が塗布された基板を搬送経路２２ａを通して露光装置２４に搬送するために送り出したり、露光装置２４から搬送経路２２ｂを通して搬送されてくる露光済みの基板を受け取ったりする。
【００２８】
露光装置２４は、塗布現像装置２０から搬送経路２２ａを通して搬送されてきた基板を計測する計測部６０と、計測部６０による計測結果に基づいて基板を制御しながら該基板を露光する露光部２５とを含む。露光部２５は、原版のパターンを投影光学系によって基板（例えば、ウエハ、ガラスプレート）に投影し該基板を露光する。露光装置２４は、計測部６０による１枚の基板の計測処理と露光部２５による他の一枚の露光処理とが並行して実施されうるように構成されてもよい。このような露光装置は、少なくとも２つの基板ステージを備えて構成されうる。
【００２９】
露光装置２４は、主温度調整装置１８と主温度制御部１７とを含む。主温度調整装置１８は、例えば、図２に示す基板温度調整装置ＴＲと同様の構成を有しうる。主温度調整装置１８の温度調整部（主温度調整部）１は、露光部２５による露光に先立って基板の温度を調整する。主温度制御部１７は、温度制御情報を塗布現像装置２０の補助温度制御部１６に送信することにより補助温度調整装置１５の温度調整部（補助温度調整部）１における基板の温度調整を制御する。該温度制御情報は、主温度調整装置１８の測定部５の出力（基板の温度を示す情報）に基づいて決定される。主温度制御部１７はまた、主温度調整装置１８の測定部５の出力に基づいて主温度調整装置１８の温度調整部（主温度調整部）１を制御して基板の温度を目標温度範囲内に調整する。主温度調整装置１８の温度調整部（主温度調整部）１による基板の温度調整時間は、目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］内の温度になるように基板ごとに決定される。
【００３０】
露光装置２４は、塗布現像装置２０から搬送経路２２ａを通して搬送されてくる基板を受け取ったり、露光済みの基板を搬送経路２２ｂを通して塗布現像装置２０に搬送するために送り出したりするインターフェース部２３を備えている。塗布現像装置２０から搬送経路２２ａを通して搬送されてくる基板は、インターフェース部２３を介して主温度調整装置１８に供給される。
【００３１】
主温度制御部１７および補助温度制御部１６は、典型的には、それぞれ通信インターフェースを含み、該通信インターフェースを介して通信することができる。通信は、ＬＡＮ等のネットワークを利用してなされてもよい。主温度制御部１７は、少なくとも、温度制御情報を補助温度制御部１６に送信する送信部を含み、補助温度制御部１６は、少なくとも、主温度制御部１７から送信された温度制御情報を受信する受信部を含む。温度制御情報は、例えば、主温度調整装置１８の測定部５の出力と目標温度とに基づいて決定されうる。
【００３２】
なお、よく知られているように、第１の装置から第２の装置に情報を送信することには、１又は複数の装置を介して第１の装置から第２の装置に情報を送信することが含まれる。
【００３３】
露光装置２４の主温度調整装置１８の温度調整部（主温度調整部）１において複数の基板６の温度が調整されると、塗布現像装置２０から搬送されてきた基板６の初期温度Ｔｗ１'を推定することができる。初期温度Ｔｗ１'は、例えば、前述のようにプレート２の温度Ｔｐａ'に基づいて推定することができる。
【００３４】
ここで、塗布現像装置２０から搬送されてきた基板６の初期温度（塗布現像装置２０から搬送されてきた基板が主温度調整装置１８で温度調整される直前における推定温度）をＴｗｉとする。主温度制御部１７は、複数の基板のそれぞれについて測定部５で測定された温度Ｔｐａ'を統計的に処理することによって、塗布現像装置２０から搬送されてくる基板６の初期温度Ｔｗｉを推測することができる。主温度制御部１７は、初期温度Ｔｗｉと目標温度Ｔ０との差、即ち、塗布現像装置２０から搬送されてくる基板６の初期温度の目標温度に対するオフセット値Ｔｗｏｆｓを計算することができる。そして、主温度制御部１７は、オフセット値Ｔｗｏｆｓを含む情報を温度制御情報として塗布現像装置２０の補助温度制御部１６に送信することが好ましい。
【００３５】
塗布現像装置２０の補助温度制御部１６は、温度オフセット値Ｔｗｏｆｓを含む温度制御情報に基づいて、補助温度調整装置１５の温度調整部（補助温度調整部）１を制御する。これにより、露光装置２４の主温度調整装置１８の温度調整部（主温度調整部）１における温度調整量（初期温度Ｔｗ１'−目標温度Ｔ０）を予め小さく抑えることができる。言い換えれば、基板６が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ［度］になるまでの時間ｔｍ'を短縮することができる。
【００３６】
塗布現像装置２０の補助温度制御部１６は、温度制御情報に基づいて、例えば、温度調整素子３の温度調整能力を調整すること、又は、温度調整時間を調整することによって、基板の温度を制御する。温度調整素子３の温度調整能力の調整は、例えば、温度調整素子３としてのペルチェ素子に流す電流の大きさを制御することによって調整することができる。塗布現像装置２０は、塗布現像装置２０から露光装置２４への基板の搬送の遅れによって露光装置２４の生産性が落ちることがないように、基板の温度調整を行いうる。
【００３７】
一方、露光装置２４から塗布現像装置２０に対して温度制御情報を送信しないような従来のリソグラフィーシステムでは、露光装置２４が要求する目標温度範囲内に調整された基板が常に塗布現像装置２０から露光装置に提供されることを保証できない。これは、塗布現像装置の温度制御部が露光装置に搬入される時点での基板の温度を認識することができず、また、当該温度制御部が塗布現像装置と露光装置との間の搬送経路における環境の変化を認識することができないためである。
【００３８】
基板の温度調整は、ペルチェ素子の電流を制御する方法に限られず、プレート２と基板６との間のギャップを制御する方法によってもよいし、プレート内に温度調整用の流体を流す方法によってもよいし、他の方法によってもよい。
【００３９】
測定部５は、プレート２の温度を制御するための測定部と兼用されてもよいし、基板の温度を測定するための専用の測定部とされてもよい。専用の温度センサをプレート２内に設けることにより、より大きな範囲でプレート２の温度変化を計測することができるので、より正確に基板６の温度を調整することができる。
【００４０】
図５は、本発明の好適な実施形態の露光装置２４における露光部２５の概略構成を示す図である。露光部２５は、光源を含む照明装置２６と、パターンが形成された原版２７を保持する原版ステージ２８と、原版ステージ２８に保持された原版２７の位置を計測する位置計測ユニット２９とを備える。露光部２５はまた、投影光学系３０と、感光剤が塗布された基板（ウエハ）３４を位置決めするステージ機構３６とを備える。ステージ機構３６は、基板３４をＸＹ方向に位置決めするＸＹステージ機構３１と、基板３４をＺ方向に位置決めするためのＺステージ機構３３とを含む。露光部２５はまた、ＸＹステージ機構３１のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計３２と、基板３４をＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット３５とを備える。原版２７に形成されたパターンは、投影光学系３０を介して、Ｚステージ機構３３上の基板３４に投影され、基板３４に塗布された感光剤に潜像パターンを形成する。この潜像パターンは、現像装置によって現像されて、物理的なパターンとなる。
【００４１】
図６は、本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を図４とは別の観点で示す図である。図６に示すリソグラフィーシステム５７は、図５に示す露光部２５を有する露光装置２４と、塗布現像装置（基板処理装置）２０とを含む。露光装置２４は、露光チャンバ３８を備える。露光装置２４の本体部分である露光部２５は、露光チャンバ３８内に配置される。図６では、簡単化のために、露光装置２４の露光部２５として、ステージ機構３６のみが示されている。露光チャンバ３８内には、露光装置側の搬送ユニットとしての第１搬送ユニット４３、露光装置制御部４７、ユーザーインターフェースとしての入出力装置４９が配置されている。
【００４２】
第１搬送ユニット４３は、基板３４を保持するハンド４４を含む。露光チャンバ３８内にはまた、主電源５２、副電源５３、第１搬送ユニット４３を制御する第１搬送制御部５０が配置されている。主電源５２は、少なくとも、露光部２５、露光装置制御部４７及び入出力装置４９に電力を供給する。副電源５３は、第１搬送制御部５０に電力を供給する。副電源５３は、主電源５２による電力供給対象に対する電力供給が遮断されても、副電源５３による電力供給対象に対する電力供給が継続されるように構成されている。具体的な例を挙げれば、副電源５３は、例えば、２次電池を含んで構成されうる。副電源５３は、主電源５２が正常であるときは主電源５２から提供される電力によって該２次電池を充電し、主電源５２の異常や停電等によって主電源５２による電力供給が遮断された場合には、該２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
【００４３】
塗布現像装置２０は、塗布現像チャンバ３９を備える。塗布現像装置２０の本体部分（該本体部分は、塗布部１４、現像部１９を含む）は、塗布現像チャンバ３９内に配置される。塗布現像チャンバ３９内には、塗布現像装置側の搬送ユニットとしての第２搬送ユニット４５、塗布現像装置制御部４８が配置されている。塗布現像チャンバ３９内には、また、主電源５４、副電源５５、第２搬送ユニット４５を制御する第２搬送制御部５１が配置されている。第２搬送ユニット４５は、基板３４を保持するハンド４６を含む。主電源５４は、少なくとも、塗布現像装置２０の本体部分及び塗布現像装置制御部４８に電力を供給する。副電源５５は、第２搬送制御部５１に電力を供給する。
【００４４】
副電源５５は、主電源５４による電力供給対象に対する電力供給が遮断されても、副電源５５による電力供給対象に対する電力供給が継続されるように構成されている。具体的な例を挙げれば、副電源５５は、例えば、２次電池を含んで構成されうる。副電源５５は、主電源５４が正常であるときは主電源５４から提供される電力によって該２次電池を充電し、主電源５４の異常や停電等によって主電源５４による電力供給が遮断された場合には、該２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
【００４５】
第１搬送ユニット４３は、第２搬送ユニット４５が受渡ステーション４０の搬入部４１まで搬送した基板を受け取り、露光ユニットのステージ機構３６まで搬送する。第１搬送ユニット４３は、露光が終了した基板を受渡ステーション４０の搬出部４２まで搬送する。第１搬送ユニット４３は、アライメントユニットを経由して基板をＸＹステージ機構３１に搬送する場合がある。露光チャンバ３８内には、複数の搬送ユニットが配置される場合がある。
【００４６】
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。
【００４７】
半導体デバイスは、ウエハ（半導体基板）に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含みうる。また、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含みうる。
【００４８】
本実施形態のデバイス製造方法は、デバイスの生産性および品質の少なくとも一方において従来よりも有利である。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の好適な実施形態の基板温度調整装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】基板および温度調整部のプレートの温度変化を例示するグラフである。
【図３】基板および温度調整部のプレートの温度変化を例示するグラフである。
【図４】本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。
【図５】本発明の好適な実施形態の露光装置における露光部の概略構成を示す図である。
【図６】本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を図４とは別の観点で示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：温度調整部
２：プレート
３：温度調整素子
４：放熱層
５：測定部（温度センサ）
６、３４：基板
７：リフトピン
１２：放熱管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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