(57)【要約】      （修正有）【課題】浮上面加工時にトンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子形状を調整できるようトンネル接合素子とシャント抵抗素子を形成する製造方法と、該製造方法により製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置を提供する。【解決手段】磁気ヘッドの製造方法は、電気的に並列に接続されたトンネル接合素子とシャント抵抗素子が、浮上面加工した際に浮上面に露出するように形成する素子形成工程と、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に研磨することにより浮上面を形成する浮上面形成工程とを有する。従って、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同一加工面に露出することができ、従来の研磨工程においても両素子を加工することができる。【選択図】図７
2010118089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に並列に接続したトンネル接合素子とシャント抵抗素子を、浮上面加工する際に浮上面に露出するように形成する素子形成工程と、
前記トンネル接合素子と前記シャント抵抗素子を同時に研磨することにより前記浮上面を形成する浮上面形成工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記素子形成工程は、
前記トンネル接合素子と前記シャント抵抗素子を夫々の素子高さが等しくなるよう形成し、
前記トンネル接合素子と前記シャント抵抗素子を夫々のコア幅と、膜厚が素子高さ方向に対して一定になるよう形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
研磨加工により浮上面が形成される磁気ヘッドであって、
前記浮上面に露出された露出面を有したトンネル接合素子と、
前記トンネル接合素子と電気的に並列に接続され、前記浮上面に露出された露出面を有したシャント抵抗素子と、
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
前記トンネル接合素子と前記シャント抵抗素子の素子高さが等しく、
前記トンネル接合素子と前記シャント抵抗素子の夫々のコア幅と、膜厚が素子高さ方向に対して一定であることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
情報記憶媒体に対して情報の再生を行うとともに、研磨加工により浮上面が形成された磁気ヘッドを有する情報記憶装置において、
前記磁気ヘッドを支持するアームと、
前記磁気ヘッドからの再生信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記磁気ヘッドは、前記浮上面に露出された露出面を有したトンネル接合素子と、前記トンネル接合素子と電気的に並列に接続され、前記浮上面に露出された露出面を有したシャント抵抗素子とを有することを特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を利用した磁気ヘッドの製造方法と、該製造方法により製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トンネル接合素子とシャント抵抗素子を備えた磁気ヘッドの製造方法は、薄膜工程、研磨工程、他の複数の工程からなる。トンネル接合素子とシャント抵抗素子は薄膜工程により、セラミックスのウエハの表面に形成される。この工程を経たウエハを切断加工することにより、数十個の磁気ヘッドが一線状に連なったロウバーを得る。研磨工程はトンネル接合素子を研磨し、素子高さを制御するための工程である。浮上面はこのロウバーの状態で、トンネル接合素子を加工して浮上面を形成する工程により形成される。そして、このロウバーを切断加工することにより、磁気ヘッドが得られる。
【０００３】
近年の記憶装置に用いられる磁気ヘッドには、磁気センサとしてトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ：Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）効果（トンネル効果）を利用できるトンネル接合素子が用いられている。
【０００４】
トンネル効果は、基板上に磁性層と絶縁層とを多層に積層した断面構造を持つトンネル接合において、両側の磁性体の磁化の相対角度に応じて抵抗値が変化する現象によるものである。この絶縁層をバリア層という。トンネル接合素子において、バリア層が２〜３０〔Å〕程度の薄膜である場合、上下両面の金属層間に電流を印加するとバリア層に僅かな電流が流れる。
【０００５】
トンネル効果を用いた磁気ヘッドの抵抗変化率が、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）、或いは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）と比較して大きいことから、トンネル接合素子が、情報記憶装置の再生ヘッド、磁気メモリなどへ利用されている。
【０００６】
しかし、トンネル接合素子を用いると、極めて大きい抵抗変化率を実現することができるのであるが、ＡＭＲ、ＧＭＲに比べて大きな抵抗値を示す。その理由は、バリア層を介して電子がトンネルする確率が非常に小さいことに起因している。さらに、近年は記録密度向上が求められているため、素子のサイズを小さくする必要があるが、素子を小さくすると、トンネル接合の面積が小さくなり、素子抵抗が大きくなり過ぎるという問題がある。これを解決するために、例えば、特許文献１〜４のようにトンネル抵抗に並列にシャント抵抗を形成することで見かけ上の素子抵抗を低減させるという手法が用いられている。
【０００７】
図１は従来の製造方法により製造された磁気ヘッドの素子構造を示したものである。シャント抵抗素子２を磁気ヘッド内部に形成し、トンネル接合素子１の断面を加工面（浮上面）４に露出するよう形成している。トンネル接合素子１に出力端子３を接続し、シャント抵抗素子２をトンネル接合素子１に並列に接続し、トンネル接合素子１の断面を浮上面４に露出する構造となっている。なお、すべての図において同一部分は同一符号で示す。
【特許文献１】特開２００２−２１７４７１
【特許文献２】特開２００２−１７１５０９
【特許文献３】ＵＳＰ７，１５１，６５４
【特許文献４】ＵＳＰ７，０５４，０８５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のトンネル接合素子とシャント抵抗素子を備えた磁気ヘッドの製造方法では、薄膜工程による素子形成の際、シャント抵抗素子は磁気ヘッド内部に形成される。浮上面加工の際には、トンネル接合素子を研磨加工することにより、素子高さを調整し、トンネル接合素子の抵抗値が決まり、磁気ヘッドの実効抵抗値が決まる。従来の磁気ヘッドの製造方法では、浮上面加工時にシャント抵抗素子を加工することができないため、磁気ヘッドの実行抵抗値に影響する両素子の一方の素子高さしか調整できない。このため、両素子の素子高さを調整することによる抵抗値のバランスを調整することができない。つまり、磁気ヘッドの実効抵抗値、さらに再生波形を調整することができない。
【０００９】
本発明は、浮上面加工時にトンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子形状を調整できるようトンネル接合素子とシャント抵抗素子を形成する製造方法と、該製造方法により製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明において、磁気ヘッドの製造方法は、電気的に並列に接続されたトンネル接合素子とシャント抵抗素子が、浮上面加工した際に浮上面に露出するように形成する素子形成工程と、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に研磨することにより浮上面を形成する浮上面形成工程とを有する。従って、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同一加工面に露出することができ、従来の研磨工程においても両素子を加工することができる。
【００１１】
また、本実施形態の他の観点によれば、磁気ヘッドは研磨加工により浮上面を形成される磁気ヘッドであって、浮上面に露出された露出面を有したトンネル接合素子と、トンネル接合素子と電気的に並列に接続され、浮上面に露出された露出面を有したシャント抵抗素子とを有する。
【００１２】
さらに、本実施形態の他の観点によれば、記憶装置は記憶媒体に対して情報の再生を行うとともに、研磨加工により浮上面が形成された磁気ヘッドを有する情報記憶装置において、磁気ヘッドを支持するアームと、磁気ヘッドからの再生信号を処理する信号処理回路を備え、浮上面に露出された露出面を有したトンネル接合素子と、トンネル接合素子と電気的に並列に接続され、浮上面に露出された露出面を有したシャント抵抗素子とを有することを特徴とする磁気ヘッドを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同一加工面に露出する工程とともに、浮上面加工により両素子の素子高さを調整する工程により、トンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子高さを調整し、両素子の抵抗値のバランスを調整できる。
【００１４】
さらに、本発明の磁気ヘッドによれば、トンネル接合素子とシャント抵抗素子が浮上面に露出されている構造であることにより、製造時に抵抗値のバランスが調整され、さらに再生波形が調整され、再生出力に優れた磁気ヘッドを提供できる。
【００１５】
本発明の情報記憶装置によれば、トンネル接合素子とシャント抵抗素子が浮上面に露出された磁気ヘッドを有することにより、再生性能の向上、記録密度向上を図ることができる情報記憶装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（情報記憶装置）本発明の情報記憶装置の一実施例を図２に示す。図２は磁気ディスク装置５の構成を示す。磁気ディスク装置５は、筐体６の中に、スピンドルモータ８が設けられており、このスピンドルモータ８には少なくとも１枚のディスク媒体７が取り付けられている。ディスク媒体７はデータを記録するものであり、ディスク媒体７上に記録されたデータの読み取り、或いは、ディスク媒体７上へのデータの書き込みは磁気ヘッド１０よって行われる。磁気ヘッド１０には、浮上面に露出されたトンネル接合素子と、トンネル接合素子と電気的に並列に接続されて、浮上面に露出されたシャント抵抗素子を有した磁気ヘッドを用いる。
【００１７】
磁気ヘッド１０の数はディスク媒体７の面数に対応している。ディスク媒体７はスピンドルモータ３６によって５４００ｒｐｍ、７２００ｒｐｍ、又はそれ以上の回転数で回転することで、ディスク媒体７と磁気ヘッド１０の間に空気を巻き込み、その空気流によって磁気ヘッド１０がディスク媒体７上を浮上する。磁気ヘッド１０は、サスペンション１１を介して、アクチュエータアーム１２に固定されている。アクチュエータアーム１２は支軸１３を中心に回転自在に筐体６に固定されており、ボイスコイルモータ１４によって磁気ヘッド１０をディスク媒体７上の目標位置に位置決めすることができる。
【００１８】
磁気ヘッド１０が目標位置に位置決めされ、記憶媒体の記録層に記録された磁気信号を検出して増幅し、磁気ヘッドからの再生信号として信号処理回路によって処理を行う。信号処理回路は一般的にプリント基板上に実装される。
【００１９】
トンネル接合素子とシャント抵抗素子が同一加工面に露出され、同時に加工され、それぞれの素子高さが調整された磁気ヘッドを搭載することにより、再生性能を改善し、記録密度の向上が可能な情報記憶装置を実現できる。
【００２０】
（磁気ヘッド）図３、図４に本発明による磁気ヘッドの一実施例の斜視図と模式図を示す。図３は磁気ヘッド１０の一端に素子形成面１５が設けられている。素子形成面１５には、トンネル接合素子１とシャント抵抗素子２が形成されている。また、ディスク媒体からの浮上量を小さくするために、磁気ヘッド１０の浮上面４（ディスク媒体に対向する面）にステップ状の段差（図示しない）が設けられており、この段差によって浮上面に負圧領域が形成されている。
【００２１】
図４に磁気ヘッドの模式図を示す。磁気ヘッド１０は、再生ヘッド１６と記録ヘッド１７で構成される。再生ヘッド１６は、トンネル接合素子１と、トンネル接合素子１を絶縁層を介して挟むように設けられた電極１９（上シールド層兼上電極）と電極１８（下シールド層兼下電極）で構成される。トンネル接合素子１はシャント抵抗素子２と並列に接続されている。記録ヘッド１７は、上磁極２０と電極１９（上シールド層兼上電極）とコイル２１からなり、コイル２１は上磁極２０と電極１９の間に配置される。
【００２２】
（トンネル接合素子）図５はトンネル接合素子の一実施例である。図７に示すように、トンネル接合素子１は、基板２２上に、下地層２３、反強磁性層２４、固定磁性層２５、バリア層２６、自由磁性層２７、キャップ層２８が連続して積層される。下地層２３は反強磁性層２４を成膜する際の下地として使用するものである。下地層２３としては、たとえば下地層２３ａのＴａ層が２ｎｍ、下地層２３ｂのＲｕ層が３ｎｍの２層膜が用いられる。反強磁性層２４は固定磁性層２５の磁化を固定するためのもので、７ｎｍのＩｒＭｎ層が用いられる。固定磁性層２５は、例えば、第１固定磁性層２５ａ、反強磁性結合層２５ｂ、第２固定磁性層２５ｃで構成される。第１固定磁性層２５ａ及び第２固定磁性層２５ｃには、２ｎｍのＣｏＦｅ層あるいはＣｏＦｅＢ層といった強磁性材料が用いられる。反強磁性結合層２５ｂは、第１固定磁性層２５ａと第２固定磁性層２５ｃを反強磁性的に結合させる層であり、たとえば３ｎｍのＲｕ層が用いられる。反強磁性結合層２５ｂを介して第１固定磁性層２５ａと第２固定磁性層２５ｃを積層することにより、単層のピン層と比較して固定磁性層２５の磁化方向をより強固に固定することができる。バリア層２６には、１ｎｍのＭｇＯ層が用いられる。バリア層２６はトンネル効果により膜厚方向にセンス電流を流すためのものであり、きわめて薄厚に形成される。自由磁性層２７には、たとえば自由磁性層２７ａにＣｏＦｅ層が２ｎｍ、自由磁性層２７ｂにＮｉＦｅ層が３ｎｍの２層膜が用いられる。キャップ層２８は磁気抵抗効果膜の保護層として設けられる。たとえば、２ｎｍのＴａ膜が用いられる。なお、この構成以外の材料、厚さのものを用いても良い。
【００２３】
（磁気ヘッドの製造方法）ここで、従来のトンネル接合素子とシャント抵抗素子を用いた磁気ヘッドの浮上面加工について言及すると、トンネル接合素子の素子高さは、一般的に所望の素子抵抗が得られるようにモニタしながら磁気ヘッドの浮上面を削り込む加工を行うことによって決まる。しかし、同時に複数の素子を加工していること、一部の素子のみをモニタして加工していること、及び、加工精度の問題から、加工時に素子高さの加工ばらつきが生じる。さらに、研磨加工のラップ盤の状態がばらつくことによって、ラッピングレートがばらつくため、規定時間研磨しても素子高さはばらつく。磁気ヘッドの磁気特性についてみると特性不良が２０％程度も発生する。
【００２４】
一方、シャント抵抗は加工ばらつきに拠らず一定であるため、このトンネル接合素子の加工ばらつきによって、トンネル接合素子の抵抗値とシャント抵抗の抵抗値の比率が変化し、シャント抵抗を挿入した効果がばらついてしまう。ここで、トンネル抵抗をＲｔ、シャント抵抗をＲｓとしたときに、磁気ヘッドの抵抗値である実効抵抗値であるＲｅｆｆが、
Ｒｅｆｆ＝Ｒｔ×Ｒｓ／（Ｒｔ＋Ｒｓ）
＝Ｒｔ×γ／（１＋γ）
で表される。ここでγ＝Ｒｓ／Ｒｔ  である。
【００２５】
このように、加工時に加工ばらつきが大きいと、Ｒｔの値が大きくばらつく。そのためにシャントの効果もばらついてしまう。結果、γに依存する波形の対称性がばらつく。図６はシャント抵抗素子を有する従来の磁気ヘッドの実効抵抗値を示す。例えば、トンネル接合素子の無磁場（Ｈ＝０）での抵抗値を４００Ω、５００Ω、６００Ω、抵抗変化率を±４０％とし、シャント抵抗素子を５００Ωで一定とする。このときの磁気ヘッドの実効抵抗値は、それぞれ図６の低抵抗から高抵抗の範囲で抵抗変化し、その抵抗変化の対称性は０．６４２〜０．６９８の間でばらついている。
【００２６】
このような問題点を、トンネル接合素子とシャント接合素子を同一平面に露出し、加工するだけでなく、素子形状を規定することにより、これらの従来の抵抗値のばらつきによる対称性の問題を解決できる磁気ヘッドを実現できる。
【００２７】
図７は、製造方法の第１実施例により製造された磁気ヘッドの模式図である。トンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を示してある。図７のように、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を形成し、浮上面を加工することにより、素子高さを調整する。このとき、素子高さは所望の値に加工できる。さらに、磁気ヘッドの実効抵抗値により決めることができる。従来のシャント抵抗素子を内部に形成する方法でなく、浮上面に露出するよう形成し、両素子を加工することにより調整することが可能となる。さらに、加工時の加工ばらつきについても両素子に同程度のばらつきが発生することにより、どちらかを削り過ぎることや、削り足らないことを防ぐことができる。なお、図７では、トンネル接合素子は膜面に垂直に電流が流れるよう接続されているのに対し、シャント抵抗素子は膜面に平行に電流が流れるよう接続されているが、シャント抵抗素子の接続方法はこの限りでなく、抵抗値、形状を考慮し、膜面に垂直に電流が流れるように接続しても良い。
【００２８】
図８は、第２の実施例により製造された磁気ヘッドのトンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を示した模式図である。ここで図面の縦方向を素子高さ方向、横方向をコア幅方向、紙面垂直方向を膜厚方向とする。トンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子高さを等しく形成し、夫々のコア幅と膜厚が素子高さ方向に対して一定になるよう形成した磁気ヘッドである。
【００２９】
このように、素子形状を規定することによって、浮上面加工時に所望の磁気ヘッドの実効抵抗値を実現することができる。このとき、浮上面の加工ばらつきが生じたとしてもトンネル接合素子１とシャント抵抗素子２間のばらつきは相殺され、再生波形の対称性も一定に保った磁気ヘッドを実現できる。
【００３０】
図９の（Ａ）、（Ｂ）は、第３の実施例のトンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を示した模式図である。第３の実施例では、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２共に膜厚が素子高さ方向に対して一定となっている。また、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２の端面２９が浮上面４と等間隔に位置している。さらに、第３の実施例では、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２夫々のコア幅の素子高さ方向に対する変化率は等しくなっている。なお、トンネル接合素子１とシャント抵抗素子２ともに膜面に垂直に電流が流れるよう接続されている。
【００３１】
トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２の膜厚方向の寸法が一定であるから、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２の抵抗値はそれぞれの素子高さ方向の寸法及び電流方向に垂直方向の寸法の素子高さ方向に対する変化率に応じて変化する。ここで、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２の端面２９は浮上面４と等間隔に位置していることから、さらに浮上面４を加工しても、トンネル接合素子１とシャント抵抗素子２の素子高さは等しい。したがって、トンネル接合素子１とシャント抵抗素子２の電流方向に垂直方向の寸法の素子高さ方向に対する変化率が等しければ、トンネル接合素子１とシャント抵抗素子２の抵抗比は一定となる。したがって、浮上面の加工ばらつきが生じたとしてもトンネル接合素子１とシャント抵抗素子２の抵抗比は変化することなく、再生波形の対称性も一定に保った磁気ヘッドを実現することができる。
【００３２】
なお、トンネル接合素子１及びシャント抵抗素子２の端面２９が浮上面４と等間隔に位置し、トンネル接合素子とシャント抵抗素子が、浮上面を研磨加工される場合に、トンネル接合素子とシャント抵抗素子の抵抗比が一定となる形状である場合についても、浮上面の加工ばらつきが生じたとしてもトンネル接合素子１とシャント抵抗素子２の抵抗比は変化することなく、再生波形の対称性も一定に保った磁気ヘッドを実現することができる。
【００３３】
図１０は磁気ヘッドの実効抵抗値の変化を表したものである。上記磁気ヘッドによって、例えば図１０で示したように、標準となるトンネル抵抗を５００Ωとし、抵抗変化率を８０％とすると４００Ωの抵抗変化が生じることになるため、高抵抗状態では７００Ω、低抵抗状態では３００Ωになる。標準のシャント抵抗も５００Ωとした場合、見かけ上の抵抗（Ｒｍ）は２５０Ωとなり、高抵抗状態（ＲＨ）と低抵抗状態（ＲＬ）はそれぞれ２９２Ω、１８８Ωとなる。波形の対称性を（ＲＨ−Ｒｍ）／（Ｒｍ−ＲＬ）で便宜的に表すと、０．６６となる。
【００３４】
トンネル素子の面積が±２０％の範囲でばらついた場合、トンネル抵抗は４００Ωから７００Ωまでばらつく。この場合同様に計算を行うと、対称性は０．６４から０．７までばらつく。しかしながら、本発明を実施した場合、表で示した通りシャント抵抗も同時に４００Ωから７００Ωまで同時に変動するために、対称性は０．６７で一定となる。
【００３５】
次に、磁気ヘッドの製造方法の手順について説明する。図３で示したように磁気ヘッドの浮上面にトンネル接合素子とシャント抵抗素子の断面を露出させてこの面を所望の量まで研磨して製造を行う。バリア層を有するトンネル接合素子を形成する工程と、トンネル接合素子と並列に接続し、浮上面形成後にトンネル接合素子とトンネル接合素子の素子高さが等しくなるようにシャント抵抗素子を形成する工程と、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に加工して浮上面を形成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法である。
【００３６】
磁気ヘッドを加工する場合、磁気ヘッドはセラミックスのウエハの表面に磁気誘導型ヘッド素子とトンネル接合素子とを薄膜工程によって形成される。このとき、浮上面形成後にトンネル接合素子とトンネル接合素子が並列に接続され、浮上面に露出するように形成される。この工程を経たウエハを切断加工することにより、数十個の磁気ヘッドが一線状に連なったロウバーを得る。トンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子高さの制御のための研磨工程は、このロウバーの状態で、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に加工して浮上面を形成する工程が行なわれる。そして、このロウバーを切断加工することにより、磁気ヘッドが得られる。
【００３７】
磁気ヘッドは、アルチック（ＡｌＴｉＣ）からなるウエハ４３上に多数個の磁気ヘッドを整列させて形成した後、図１０に示す加工工程を経て個片の磁気ヘッドとして実現される。図１１は磁気ヘッドの製造方法のフローである。
【００３８】
図１１において、ウエハ切断工程３３とは、磁気ヘッドが縦横に整列して形成されたウエハを切断位置に合わせて、ウエハの裏面側をわずかに残すように細幅に溝加工する工程である。
【００３９】
図１２はウエハの模式図を示す。多数の磁気ヘッド１０が並べられたウエハ４３であり、多数の磁気ヘッドが一列になり形成されたロウバー４４を示す。図１３はロウバーの模式図を示す。素子形成面１５を持つ磁気ヘッド１０がバー状に連続して構成されるロウバー４４を示す。
【００４０】
裏面研削加工３４は、溝加工が施されたウエハ４３の裏面を研削加工し、ウエハ４３を細幅のバー状（ロウバー４４）に加工する工程である。この裏面研削加工によってウエハ４３は単体のロウバーに分離される。
【００４１】
ロウバー接着工程３５は、ロウバー４４を研削するための治具にロウバー４４を接着する工程である。ウエハ４３から切断されたロウバー４４は、媒体に対向する面（溝加工された面で素子側の面）を研磨面側として１枚ずつ治具に接着して支持される。
【００４２】
ラフラッピング工程３６は、ロウバー４４の研磨面（媒体に対向する面）を粗くラッピングする工程である。磁気ヘッドの加工工程では、媒体に対向する面に対して素子を位置出し（寸法出し）する加工が磁気ヘッドの特性を決めることになるためにきわめて重要である。ラフラッピング工程は、ロウバー４４を研磨する初期研磨段階として粗く加工するものである。
【００４３】
次のＥＬＧラッピング工程３７は、ロウバー４４に形成されているトンネル接合素子とシャント抵抗素子の出力端子の電気抵抗値をモニタしながら、両素子が所定の抵抗値となるようにラッピングする工程である。これによって磁気ヘッドの素子高さ方向の位置出しがなされる。通常、ＥＬＧラッピングはロウバー４４に形成されたモニタ用のトンネル接合素子の抵抗値をモニタしながら行われる。
【００４４】
クラウンラッピング工程３８は、ロウバー４４についての仕上げラッピング工程であり、ＥＬＧ加工よりもさらに細かい砥粒を使用して研磨し、最終的に素子の素子高さ位置を決める工程である。このクラウンラッピング加工については、通常、ロウバーを研磨する前後におけるトンネル接合素子の、電気的な抵抗値（ＭＲ−Ｒ）と、磁気を印加した際の抵抗値（ＭＲ−Ｈ）との相関関係をあらかじめ測定しておき、単位時間あたりのラップ量の実測値からワークのラップ時間を求めてラップ加工を制御する方法がなされている。
【００４５】
磁気ヘッドの加工工程では、クラウンラッピング工程の後、ＤＬＣ成膜工程３９によりロウバー４４の表面をＤＬＣ膜によって被覆し、浮上面加工工程４０により磁気ヘッドの浮上面に浮上用レールを加工する。
【００４６】
ρ−Ｈ測定工程４１によって各々の磁気ヘッドの磁気特性を検査した後に、ロウバー４４を幅方向に切断する幅切断工程４２により、個片の磁気ヘッドとする。個片に形成された磁気ヘッドは治具から剥がされて洗浄され、最終的に良品が選別される。
【００４７】
電気的に並列に接続されたトンネル接合素子とシャント抵抗素子を、浮上面加工した際に浮上面に露出するように形成する素子形成工程と、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に研磨することにより浮上面を形成する浮上面形成工程とを有する磁気ヘッドの製造方法により、浮上面加工時にトンネル接合素子とシャント抵抗素子を加工し、浮上面加工のばらつきの影響を受けず、素子形状を調整できるよう両素子を形成することができる。本発明は、素子を同時に加工するものであり、素子を夫々加工するよりも、加工手間の煩雑化が避けられる。該製造方法、製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置により、安価で安定した性能の磁気ヘッド及び情報記憶装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】シャント抵抗素子を有した従来の磁気ヘッドの模式図
【図２】磁気ディスク装置
【図３】磁気ヘッドの斜視図
【図４】磁気ヘッドの模式図
【図５】トンネル接合素子の構成図
【図６】シャント抵抗素子を有した従来の磁気ヘッドの実行抵抗値
【図７】第１の実施例のトンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を    示した模式図
【図８】第２の実施例のトンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を    示した模式図
【図９】第３の実施例のトンネル接合素子とシャント抵抗素子の形状及び位置関係を    示した模式図
【図１０】トンネル接合素子とシャント抵抗素子の抵抗値の比が一定となる場合の比    較
【図１１】磁気ヘッドの製造方法のフロー
【図１２】ウエハの模式図
【図１３】ロウバーの模式図
【符号の説明】
【００４９】
１．トンネル接合素子
２．シャント抵抗素子
３．出力端子
４．加工面（浮上面）
５．磁気ディスク装置
６．筐体
７．磁気ディスク
８．スピンドルモータ
１０．磁気ヘッド
１１．サスペンション
１２．アーム
１３．支軸
１４．ボイスコイルモータ
１５．素子形成面
１６．再生ヘッド
１７．記録ヘッド
１８．電極
１９．電極
２０．上磁極
２１．コイル
２２．基板
２３．下地層
２４．反強磁性層
２５．固定磁性層
２６．バリア層
２７．自由磁性層
２８．キャップ層
２９．端面
３０．露出面
３３．ウエハ切断工程
３４．裏面研削工程
３５．ロウバー接着工程
３６．ラフラッピング工程
３７．ＥＬＧラッピング工程
３８．クラウンラッピング工程
３９．ＤＬＣ成膜工程
４０．浮上面加工工程
４１．ρ−Ｈ測定工程
４２．幅切断工程
４３．ウエハ
４４．ロウバー
【図１】
2010118089.tif 000003
【図２】
2010118089.tif 000004
【図３】
2010118089.tif 000005
【図４】
2010118089.tif 000006
【図５】
2010118089.tif 000007
【図６】
2010118089.tif 000008
【図７】
2010118089.tif 000009
【図８】
2010118089.tif 000010
【図９】
2010118089.tif 000011
【図１０】
2010118089.tif 000012
【図１１】
2010118089.tif 000013
【図１２】
2010118089.tif 000014
【図１３】
2010118089.tif 000015