(57)【要約】【課題】単結晶シリコン中に埋め込まれた柱状多結晶シリコンを簡単かつ高精度に頭出しできるようにする。【解決手段】研削工具２０を用いた単結晶シリコン１１部分の研削工程（ｂ）後に、単結晶シリコン１１と柱状多結晶シリコン１２とを、研磨工具３０を用いて同時に乾式にて研磨することで、柱状多結晶シリコン１２の頭出しを行う研磨工程（ｃ）を実行することで、硬度の異なる材料が含まれていても均一に加工することができるようにした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン中に柱状多結晶シリコンが埋め込まれたワークを加工対象とし、前記柱状多結晶シリコンの頭出し加工をする加工方法であって、
前記単結晶シリコンと前記柱状多結晶シリコンとを、研磨工具を用いて同時に乾式にて研磨することで、前記柱状多結晶シリコンの頭出しを行う研磨工程を含むことを特徴とする加工方法。
【請求項２】
前記研磨工程の前に、前記単結晶シリコンを、研削工具を用いて研削する研削工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコン中に柱状多結晶シリコンが埋め込まれたワークを加工対象とし、前記柱状多結晶シリコンの頭出し加工をする加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状の半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと称される分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
【０００３】
ここで、装置の小型化・高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップの電極を接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおける電極が形成された箇所に貫通孔（ビアホール）を形成し、この貫通孔に電極と接続する多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）やアルミニウム等の導電性材料を柱状に埋め込む構成である（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このように、単結晶シリコン中に柱状多結晶シリコンが埋め込まれたワークに関して、柱状多結晶シリコンを頭出しするための加工方法としては、研削砥石を有する研削工具を用いた研削加工が考えられる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、柱状多結晶シリコンを頭出しするために、砥粒径の大きな砥石を用いた研削においては高精度な頭出しを行うことができない。かといって、砥粒径の小さな砥石を用いた研削においては単結晶シリコンと硬度の異なる多結晶シリコン部分の研削時に焼けや砥石の目潰れが生じてしまい研削ができないという問題がある。
【０００７】
ちなみに、単結晶シリコン中に埋め込まれた柱状多結晶シリコンは頭位置に５μｍ程度のバラツキがあるので、これを均一に頭出しするには５μｍ位のわずかな取り量が必要となる。一般に、沢山の取り量があるのであれば、粗い砥粒の砥石である程度小粒径の砥粒の砥石でも食い付きのよい表面粗さを形成してから、小粒径の砥粒の砥石で加工することで対処できるが、上記のようにわずかな取り量の場合には、このような研削方式で対処するのは無理である。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、単結晶シリコン中に埋め込まれた柱状多結晶シリコンを簡単かつ高精度に頭出しすることができる加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる加工方法は、単結晶シリコン中に柱状多結晶シリコンが埋め込まれたワークを加工対象とし、前記柱状多結晶シリコンの頭出し加工をする加工方法であって、前記単結晶シリコンと前記柱状多結晶シリコンとを、研磨工具を用いて同時に乾式にて研磨することで、前記柱状多結晶シリコンの頭出しを行う研磨工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる加工方法は、上記発明において、前記研磨工程の前に、前記単結晶シリコンを、研削工具を用いて研削する研削工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明にかかる加工方法は、単結晶シリコンと柱状多結晶シリコンとを、研磨工具を用いて同時に乾式にて研磨することで、柱状多結晶シリコンの頭出しを行う研磨工程を含むので、硬度の異なる材料が含まれていても均一に加工することができ、よって、単結晶シリコン中に埋め込まれた柱状多結晶シリコンを簡単かつ高精度に頭出しすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の加工方法を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。本発明は、実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。
【００１３】
図１は、本実施の形態の加工方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に示すように、加工対象となるワーク１０を用意する。このワーク１０は、単結晶シリコン１１中に複数本の柱状多結晶シリコン１２が埋め込まれたものである。ここで、複数本の柱状多結晶シリコン１２の頭位置には、ｈ＝５μｍ程度のばらつきがあるため、これを均一に頭出しするためには最低限５μｍ以上の取り量が必要となる。
【００１４】
このようなワーク１０に対して、図１（ｂ）に示すように、研削工具２０を用いて、単結晶シリコン１１部分のみを研削する研削工程を実行する。ここで、研削工具２０は、図示しないモータによって回転駆動されるスピンドル２１に装填された研削ホイール２２の下端面に複数個の研削砥石２３を備えるものである。そして、研削工具２０とワーク１０を保持したチャックテーブルとを相対的に所定速度で回転させることにより、単結晶シリコン１１部分の研削が行われる。この場合の研削量となる寸法ｈ１は、ワーク１０中で最も高い位置の柱状多結晶シリコン１２に達しない範囲で、極力、この最も高い位置の柱状多結晶シリコン１２の頭に近い位置となるように制御される。
【００１５】
この研削工程における研削工具２０による研削処理は、対象物が単結晶シリコン１１だけであり硬度の異なる材料が含まれていないため、良好に行われる。なお、この研削工程に関しては、その大半を砥粒の粗い研削砥石２３を用いた粗研削として行い、寸法ｈ１の後半部分では、砥粒の細かい研削砥石２３を用いた仕上げ研削として２段階に分けて行うことで、研削工程の加工効率（処理時間の短縮）を上げるとともに、次工程への移行に際して、平坦度を向上させるようにしてもよい。
【００１６】
このような研削工程の後に、図１（ｃ）に示すように、研磨工具３０を用いて、単結晶シリコン１１と柱状多結晶シリコン１２とを、同時に乾式にて研磨することで、柱状多結晶シリコン１２の頭出しを行う研磨工程を実行する。ここで、研磨工具３０は、図示しないモータ回転駆動されるスピンドル３１に装填された研磨ホイール３２の下端面の全面に研磨パッド３３を備えるものである。研磨パッド３３は、例えば、特開２００２−２８３２４３号公報等に示されるように、所定密度以上、所定硬度以上のフェルトとフェルト中に分散させた砥粒とからなる。そして、研磨工具３０とワーク１０を保持したチャックテーブルとを相対的に所定速度で回転させることにより、単結晶シリコン１１と柱状多結晶シリコン１２とが、同時に乾式にて研磨される。この場合の加工速度は、上記の研削工程時の加工速度よりも遅くなるように設定されている。また、この場合の研磨量となる寸法ｈ２は、前述の寸法ｈ以上であり、本実施の形態の場合、寸法ｈのばらつきを考慮して、例えばｈ２は７μｍ以上程度となるように設定される。
【００１７】
この研磨工程における研磨工具３０による研磨処理は、硬度の異なる単結晶シリコン１１と柱状多結晶シリコン１２とが含まれている部分の加工となるが、研磨工具３０を用いた乾式による研磨であり、支障なく、図１（ｄ）に示すように、均一に加工することができる。よって、単結晶シリコン１１中に埋め込まれた柱状多結晶シリコン１２を、簡単かつ高精度に頭出しすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態の加工方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０  ワーク
１１  単結晶シリコン
１２  柱状多結晶シリコン
２０  研削工具
３０  研磨工具
【図１】
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