(57)【要約】      （修正有）【課題】対向して配置されたイオンビーム発生装置を備える基板処理装置をクリーニングする方法およびその機能を備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】基板が配置される面Ｓを挟むように第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂが対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置１００のクリーニング方法は、前記第１のイオンビーム発生装置１ａと前記第２のイオンビーム発生装置１ｂとの間から基板を退避させる退避工程と、前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程とを有する。【選択図】図１
2010118648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が配置される面を挟むように第１および第２のイオンビーム発生装置が対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記第１のイオンビーム発生装置と前記第２のイオンビーム発生装置との間から基板を退避させる退避工程と、
前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程と、
を有することを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
前記第２のイオンビーム発生装置の電極に帯電している電荷を除去する除去工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記クリーニング工程では、前記第２のイオンビーム発生装置に電子を照射して、前記第１のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームを中和することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記クリーニング工程では、前記第２のイオンビーム発生装置の引出し電極のうちクリーニング対象の電極に電位を印加し、前記第１のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームを当該クリーニング対象の電極に引き込むことを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記クリーニング工程では、前記基板を処理する真空容器の内部にエッチングガスを導入することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
前記第２のイオンビーム発生装置から前記第１のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第１のイオンビーム発生装置をクリーニングする工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
基板を処理する基板処理装置であって、
基板が配置される面を挟むように対向して配置された第１および第２のイオンビーム発生装置と、
前記面に基板がない状態で前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするように前記第１のイオンビーム発生装置を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記第２のイオンビーム発生装置に電子を照射する中和器を更に備え、
前記制御部は、前記第２のイオンビーム発生装置に電子を照射して前記第２のイオンビーム発生装置の帯電を防止するように前記中和器を制御する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームが前記第２のイオンビーム発生装置の引出し電極のうちクリーニング対象の電極に引き込まれるように、当該クリーニング対象の電極の電位を制御する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、更に、前記面に基板がない状態で前記第２のイオンビーム発生装置から前記第１のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して前記第１のイオンビーム発生装置をクリーニングするように前記第２のイオンビーム発生装置を制御する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置およびそのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造プロセスは、概略的には、下地膜、記録層としての磁性膜、および記録層を保護する保護膜を形成する前工程と、保護膜が形成された基板の表面に潤滑層を形成する後工程を含む。  磁気記録ディスクは、一般的に、基板の両面に記録層を備えているため、上記した各工程では、基板の両面に対して種々の処理が施されている。このように基板の両面を処理する技術として、例えば、基板の両側にイオンガンを設け、イオンガンからイオン化したアルゴンガスによるイオンビームを基板の両面に照射する技術が開示されている（特許文献１）。
【０００３】
ところで、特許文献１のように基板の両面にイオンガン（イオンビーム発生装置）を対向させて配置した基板処理技術では、一方のイオンビーム発生装置が他方のイオンビーム発生装置からのイオンビームを受けることにより、イオンビーム照射面やプラズマ発生容器内に汚染物質が付着するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５６５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、対向して配置されたイオンビーム発生装置を備える基板処理装置をクリーニングする方法およびその機能を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板が配置される面を挟むように第１および第２のイオンビーム発生装置が対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置のクリーニング方法に係り、前記クリーニング方法は、前記第１のイオンビーム発生装置と前記第２のイオンビーム発生装置との間から基板を退避させる退避工程と、前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程とを有する。
【０００７】
本発明の他の側面は、基板を処理する基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、基板が配置される面を挟むように対向して配置された第１および第２のイオンビーム発生装置と、前記面に基板がない状態で前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするように前記第１のイオンビーム発生装置を制御する制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、対向して配置されたイオンビーム発生装置を備える基板処理装置をクリーニングする方法およびその機能を備えた基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】基板処理装置を上から観た構成を示すブロック図である。
【図２】イオンビーム発生装置の構造を示す概略断面図である。
【図３】イオンビーム発生装置のグリッドを示す概略図である。
【図４】中央の電極のマイナス電位を変化とイオンビームの分散角度との関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
（基板処理装置）
まず、図１を参照して、本発明に係る基板処理装置を説明する。該基板処理装置は、本発明に係るクリーニング方法を実施する機能を備えている。このクリーニング方法によって、基板処理装置に備えられている２つのイオンビーム発生装置の少なくとも一方、好ましくは双方がクリーニングされる。図１は、基板処理装置を上から観た構成を示すブロック図である。
【００１２】
図１に示すように、基板処理装置１００は、基板（ウエハ）が配置される面Ｓを挟むように対向して配置された第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂと、制御部１０１と、カウンタ１０３と、コンピュータインターフェース１０５と、を備えている。
【００１３】
面Ｓに配置される基板は、例えば、ハードディスク等の磁気記録媒体を製造するための基板であり、一般的には、略円板状の部材の中心部に開口部が形成されている。基板は、基板キャリアにより、鉛直方向に沿って起立した姿勢で保持されて面Ｓに配置されうる。
【００１４】
面Ｓに配置される基板の両面に臨むように、第１のイオンビーム発生装置１ａと第２のイオンビーム発生装置１ｂとが対向して配置される。図１に示す構成では、第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂのイオンビームの照射面と基板の処理面とが略平行になるように第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂが配置されている。
【００１５】
第１のイオンビーム発生装置１ａは、電極５ａと、プラズマを発生するための放電槽２ａと、プラズマ中のイオンの引き出し機構としての引出し電極７ａ（基板が配置される面Ｓの側から電極７１ａ、７２ａ、７３ａ）と、を備えている。電極７１ａ，７２ａ，７３ａは、それぞれ独立に制御可能なように電圧源８１ａ，８２ａ，８３ａと接続されている。引出し電極７ａの近傍には、中和器９ａが設置されている。中和器９ａは、イオンビーム発生装置１ａにより発射されたイオンビーム（プラスの電荷を有するイオンビーム）を中和するために、第２のイオンビーム発生装置１ｂに電子を照射できるように構成されている。
【００１６】
不図示のガス導入部より放電槽２ａ内に供給されたアルゴン（Ａｒ）は、ＲＦソース８４ａから電極５ａへＲＦパワーが印加されることによって励起され、これによりプラズマが生成される。プラズマ中のイオンは、引出し電極７ａにより引き出されて、面Ｓに配置された基板に衝突する。これによって基板がエッチングされる。
【００１７】
第２のイオンビーム発生装置１ｂについても、第１のイオンビーム発生装置１ａと同様に構成されている。
【００１８】
制御部１０１は、第１のイオンビーム発生装置１ａの電圧源８ａおよび第２のイオンビーム発生装置１ｂの電圧源８ｂと接続されており、それぞれの電圧源８ａ，８ｂを制御している。カウンタ１０３は、制御部１０１と接続されており、イオンビーム発生装置１ａ，１ｂにより処理された基板数をカウントして、規定数（例えば、１０００枚）に達したら、クリーニング処理を開始するように制御部１０１に指示できるように構成されている。
【００１９】
コンピュータインターフェース１０５は、制御部１０１およびカウンタ１０３と接続されており、基板処理装置の使用者がクリーニング条件（処理時間等）を入力することができるように構成されている。
【００２０】
次に、図２および図３を参照して、イオンビーム発生装置１（１ａ，１ｂ）について詳細に説明する。
【００２１】
図２は、イオンビーム発生装置の構造を示す概略断面図である。図３は、イオンビーム発生装置のグリッドを示す概略図である。なお、第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂの構造は共通するので、適宜ａ，ｂの枝符号を省略して説明する。
【００２２】
図２に示すように、イオンビーム発生装置１は、プラズマを閉じ込める放電槽２を備えている。この放電槽２の圧力は、通常、約１０-4Ｐａ（１０-5ミリバール）から約１０-2Ｐａ（１０-3ミリバール）の範囲に維持される。放電槽２は、プラズマ閉じ込め容器３によって外部空間から隔離されている。プラズマ閉じ込め容器３の周辺には、プラズマが形成されることによって放電槽２内に放出されるイオンをトラップする多極磁気ユニット４が配置されている。この磁気ユニット４は、通常、複数の棒状の永久磁石を備えている。ある構成では、極性が交互に変わる複数の比較的長い棒磁石を使用して、Ｎ、Ｓサイクルが１つの軸に沿ってのみ発生する。別の構成では、「チェッカーボード」構成が使用される。その構成では、より短い磁石が使用され、Ｎ、Ｓサイクルが直交した２つの軸がなす平面上を広がる。
【００２３】
ＲＦコイル５によって、ＲＦパワーがプラズマ閉じ込め容器３の後壁（基板が配置される面Ｓの反対側の壁）に取り付けられ誘電ＲＦパワー・カップリング・ウィンドウ６を経由して放電槽２に供給される。
【００２４】
プラズマ閉じ込め容器３の前壁（基板が配置される面Ｓの側の壁）には、イオンビームの照射面がある（図３参照）。照射面は、放電槽２内に形成されたプラズマからイオンを引き出して加速する引出し機構（引出し電極）７を有する。引出し電極７は、図３に示すように、グリッド構造を備えうる。それぞれのグリッド構造は、互いに近接した複数の微細孔を有する。
【００２５】
本実施形態の基板処理装置では、イオンビームの侵入を阻止する構造として、第１のグリッド１０ａおよび第２のグリッド１０ｂにおける基板の開口部に対面する部位をイオンビームが通過できないように封鎖した構造を有している。
【００２６】
具体的には、第１のグリッド１０ａおよび第２のグリッド１０ｂの中心部に、イオンビームを照射できないように封鎖されている封鎖領域Ｆが形成されている。こうすることで、対向配置されたイオンビーム発生装置１ａ，１ｂから発生したイオンビームにより除去された物質が、基板の中心開口部を通過して、これらの装置１ａ，１ｂが相互に汚染等することを防止することができる。なお、この封鎖領域Ｆの大きさは、基板サイズ、および基板の中心開口部に合わせて、適宜設定可能である。
【００２７】
さらに、本実施形態の基板処理装置では、イオンビームの侵入を阻止する構造として、対向する第１のイオンビーム発生装置１ａのグリッド１０ａと、第２のイオンビーム発生装置１ｂのグリッド１０ｂと、を非対称に形成してもよい。例えば、図３において、（ａ）に示すイ第１のオンビーム発生装置１ａのグリッド１０ａと、（ｂ）に示す第２のイオンビーム発生装置１ｂのグリッド１０ｂとは、その中心軸周りで所定角度（例えば１０度）だけ一方を他方に対して相対的に回転させた関係を有し、グリッド構造が非対称になっている。これは、グリッド構造を対称にすると、イオンビームは指向性が高いため、特定の微細孔から照射されたイオンビームが対称位置にある微細孔を通り抜けて、相対向する放電槽２の内部に汚染物質を付着させたり、ダメージを与えたりしてしまうことがあるからである。したがって、第１のイオンビーム発生装置１ａのグリッド１０ａと、第２のイオンビーム発生装置１ｂのグリッド１０ｂと、を非対称にしてずらせば、指向性が高いイオンビームは基板の開口部を通じて対向するイオンビーム発生装置１ｂ，１ａに侵入しない。そのため、イオンビーム発生装置１ａ，１ｂの相互汚染やダメージを抑制できる。
【００２８】
グリッド構造は、グリッド１０ａ、１０ｂの全体を非対称にする必要はないが、少なくとも、第１のグリッド１０ａおよび第２のグリッド１０ｂの中心領域が非対称になるように形成することが好ましい。
【００２９】
また、第１のグリッド１０ａおよび第２のグリッド１０ｂの非対称性を微調整できるように、グリッド１０ａ，１０ｂの少なくとも一方に、グリッドを回転させるグリッド回転機構が備えられてもよい。これは、第１のグリッド１０ａおよび第２のグリッド１０ｂの非対称性を確保するには、いずれか一方のグリッド１０ａまたは１０ｂを回転させれば足りるからである。
【００３０】
再び図１を参照して、引出し電極７は、放電槽２側から３つの電極７３、７２、７１より構成されており、それぞれは独立に電圧制御できるように構成されている。本実施形態では、電極７３はプラス電位に、電極７２はマイナス電位に、電極７１はグラウンド電位に制御されている。
【００３１】
（基板処理装置のクリーニング方法）
次に、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置或いはイオンビーム発生装置のクリーニング方法について説明する。
【００３２】
対向して配置された第１のイオンビーム発生装置１ａおよび第２のイオンビーム発生装置１ｂを使用してエッチング等の基板処理を行う場合は、これらのイオンビーム発生装置１ａ，１ｂの間の面Ｓには、基板キャリアに保持された基板が配置される。
【００３３】
本発明の好適な実施形態のクリーニング方法では、第１のイオンビーム発生装置１ａと第２のイオンビーム発生装置１ｂとの間に基板を配置せず、イオンビーム発生装置１ａ，１ｂの一方からイオンビーム発生装置１ｂ，１ａの他方に対してイオンビームが直接照射される。また、これに加えて、イオンビーム発生装置１ａ，１ｂの当該他方からイオンビーム発生装置１ｂ，１ａの当該一方に対してイオンビームが直接照射されることが好ましい。
【００３４】
より詳しくは、本発明の好適な実施形態のクリーニング方法では、まず、クリーニングに際して、第１のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）と第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）との間から基板Ｗを退避させる退避工程を行う。次に、第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）に帯電している電荷（プラス電荷）を除去する除去工程を行う。更に、第１のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）から第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）にイオンビームを照射して、第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）をクリーニングするクリーニング工程を行う。これにより、第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）に付着した汚染物質が除去されうる。ここで、除去工程とクリーニング工程とは、交互に実施されてもよいし、並行して或いは同時に実行されてもよい。
次いで、第２のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）から第１のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）にイオンビームを照射して、第１のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）をクリーニングする工程を更に行うことができる。
以下、本発明の具体例として、第１から第３の実施形態のクリーニング方法を説明する。なお、第１から第３の実施形態のクリーニング方法によるクリーニングに際して、まず、不図示のキャリア搬送機構により、イオンビーム発生装置１ａ，１ｂの間から基板が退避される。
【００３５】
（第１の実施形態のクリーニング方法）
第１の実施形態のクリーニング方法は、一方のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）からイオンビームを照射して、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）をクリーニングする例である。
【００３６】
一方のイオンビーム発生装置１ａの放電槽２ａの内部に不図示のガス導入部によりＡｒなどの処理ガスを導入後、電極５ａに高周波電源８４ａから高周波を印加することにより、放電槽２ａの内部にプラズマが発生する。その際、制御部１０１は、電極７１ａはグラウンド電位に、電極７２ａはマイナス電位（例えば、−５００〜−１５００Ｖ）に、電極７３ａはプラス電位（例えば、５００〜１０００Ｖ）になるように、電圧源８ａを設定する。このように電極の電圧を制御することにより、プラズマからイオンビーム（アルゴンプラスイオン）が発射される。
【００３７】
次に、他方のイオンビーム発生装置１ｂに帯電したプラス電荷を除去するため、他方のイオンビーム発生装置１ｂに対して中和器９ａから電子を照射する。これにより、アルゴンプラスイオンビームの照射によって帯電したプラス電荷が中和される。即ち、一方のイオンビーム発生装置１ａからアルゴンプラスイオンビームを他方のイオンビーム発生装置１ｂに照射すると、他方のイオンビーム発生装置１ｂがプラス帯電してアルゴンプラスイオンビームを反発し、クリーニングができなくなってしまう。そこで、中和器９ａからの電子を照射してアルゴンプラスイオンビームを中和するのである。
【００３８】
このように他方のイオンビーム発生装置１ｂへのプラス電荷の帯電を防止した状態で、イオンビーム発生装置１ａからイオンビーム照射を行って、他方のイオンビーム発生装置１ｂの電極７ｂに付着した汚染物質を除去する。
【００３９】
同様にして、イオンビーム発生装置１ｂからもイオンビームが発射され、対向配置されたイオンビーム発生装置１ａの電極７ａに付着した汚染物質を除去する。
【００４０】
また、上記３つの電極７１ａ，７２ａ，７３ａを適宜調整することにより、イオンビームの分散角度を調整するようにしてもよい。
【００４１】
図４は、中央の電極のマイナス電位の変化とイオンビームの分散角度との関係を示す説明図である。即ち、図４のグラフは、電極７１ａはグラウンド電位に固定し、電極７３ａは１０００Ｖ又は１５００Ｖに固定した場合に、電極７２ａのマイナス電位を変化させたときのイオンビームの分散角度を示している。このように、中央の電極７２ａにマイナス電位を印加することにより、イオンビームの分散角度を小さくできることが分かる。
【００４２】
第１の実施形態のクリーニング方法によれば、クリーニング中には、対向配置したイオンビーム発生装置１ａ，１ｂの間に基板が存在しない。したがって、一方のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）から発射されたイオンビームを他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）に直接照射することができる。その際、中和器９ａからの電子の照射によってアルゴンプラスイオンビームを中和する。これにより、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の電極７ｂ（または７ａ）へのプラス電荷の帯電を防止した状態で、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の電極７ｂ（または７ａ）に付着した汚染物質を除去できる。
【００４３】
（第２の実施形態のクリーニング方法）
第２の実施形態のクリーニング方法は、一方のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）からイオンビームを照射し、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の引出し電極を制御することによってクリーニングを可能とする例である。
【００４４】
第１の実施形態と同様に、制御部１０１は、イオンビーム発生装置１ａの電極７１ａがグラウンド電位に、電極７２ａがマイナス電位（例えば、−２５０〜−２０００Ｖ）に、電極７３ａがプラス電位（例えば、２５０〜２０００Ｖ）になるように、電圧源８ａを設定する。このように電極の電圧を制御することにより、プラズマからイオンビーム（アルゴンプラスイオン）が発射される。第２の実施形態では、中和器９ａによってイオンビーム（アルゴンプラスイオン）を中和することなく、アルゴンプラスイオンビームを対向配置されたイオンビーム発生装置１ｂに到達させる。
【００４５】
即ち、第２の実施形態では、イオンビーム発生装置１ｂの引出し電極７ｂを構成する電極７１ｂ，７２ｂ，７３ｂのうち、クリーニング対象の電極にマイナス電位を印加することにより、アルゴンプラスイオンビームをイオンビーム発生装置１ｂの内部へ引き込む。このときクリーニング対象とならない電極はアースにしておけばよい。また、電極７１ｂ、７２ｂ、７３ｂは、汚染物質の再付着の観点から、面Ｓ側の電極から順に（電極７１ｂ、７２ｂ、７３ｂの順に）クリーニングした方がよい。つまり、まずクリーニング対象となる面Ｓ側の電極７１ｂをマイナス電位（又はグラウンド電位）とし、それ以外の電極７２ｂ、７３ｂはグラウンド電位とする。次に、クリーニング対象となる真ん中の電極７２ｂをマイナス電位（又はグラウンド電位）とし、それ以外の電極７１ｂ、７３ｂはグラウンド電位とする。最後にクリーニング対象となる放電槽側の電極７３ｂをマイナス電位（又はグラウンド電位）とし、それ以外の電極７１ｂ、７２ｂはグラウンド電位とする。また、電極７１ｂ、７２ｂ、７３ｂを同時にクリーニングすることもできる。この場合、面Ｓ側の電極の電位よりも放電槽側の電極の電位が低く設定されうる（たとえば、電極７１ｂ、７２ｂ、７３ｂの順にグラウンド、−１００Ｖ、−２００Ｖ）とよい。なお、こうしたクリーニング処理プログラムは、制御部１０１により実現される。
【００４６】
この様に他方のイオンビーム発生装置１ｂの引出電極７ｂのクリーニング対象の電極７２ｂにマイナス電位を印加した状態で、一方のイオンビーム発生装置１ａから他方のイオンビーム発生装置１ｂにイオンビームを照射することにより、他方のイオンビーム発生装置１ｂの電極７ｂに付着した汚染物質を除去することができる。このような方法によっても、クリーニング対象の電極７２ｂへのプラス電荷の帯電を防止することができる。
同様にして、イオンビーム発生装置１ｂからもイオンビームが発射され、対向配置されたイオンビーム発生装置１ａの電極７ａに付着した汚染物質を除去する。
【００４７】
第２の実施形態のクリーニング方法によれば、クリーニング中には、対向配置した双方のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂの間に基板Ｗが存在しない。したがって、一方のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）から発射されたイオンビームを他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）に直接照射することができる。その際、中和器９ａでアルゴンプラスイオンの中和を行わず、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の引出し電極７ｂ（または７ａ）のクリーニング対象の電極にマイナス電位を印加する。これにより、アルゴンプラスイオンビームを他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の内部へ引き込むことができる。このように、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の電極７ｂ（または７ａ）へのプラス電荷の帯電を防止した状態で、他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の電極７ｂ（または７ａ）に付着した汚染物質を除去できる。
【００４８】
（第３の実施形態のクリーニング方法）
第１および第２の実施形態と同様の電極調整を行ってクリーニングを行う際に、不図示のガス導入部から真空容器内にエッチングガスを導入してもよい。ここで、真空容器は、少なくともイオンビーム発生装置１ａ，１ｂの間の空間を取り囲むように構成され、該真空容器の内部を外部環境から隔離する。
多層磁性膜を加工する反応性イオンエッチングは、エッチングガスとして水酸基を少なくとも一つ以上もつアルコールを用いて多層磁性膜をエッチングすることが望ましい。
【００４９】
その他のエッチングガスとしては、メタノール、化学式ＲＣＯＲ’（ＲまたはＲ’はアルキル基）で表されるケトン類（例えば、メチルエチルケトン、イソプロピルメチルケトン、メチルプロピルケトン等）を用いることができる。さらに、化学式ＲＣＯＯＨ（Ｒはアルキル基）で表されるカルボン酸類、化学式ＲＣＯＯＲ’（Ｒはアルキル基）で表されるエステル類、および化学式ＲＯＲ’（Ｒはアルキル基）で表されるエーテル類を用いることができる。
【００５０】
加えて、メタン、エタン、プロパン、ブタン、などのメチル基を有する炭化水素類を用いることができ、その際、酸素ガス、ＣＯガス、アンモニアガスやＣＯ2ガスを混合することができる。
【００５１】
第３の実施形態のクリーニング方法は、基本的には第１および第２の実施形態のクリーニング方法と同様の作用効果を奏する。特に、第３の実施形態のクリーニング方法によれば、第１および第２の実施形態と同様の電極調整を行ってクリーニングを行う際に、ガス導入部から真空容器内にエッチングガスを導入する。したがって、一方のイオンビーム発生装置１ａ（または１ｂ）から発射したイオンビームによって、対向配置した他方のイオンビーム発生装置１ｂ（または１ａ）の電極７ｂ（または７ａ）に付着した汚染物質をエッチング除去できるという優れた効果を奏する。
【図１】
2010118648.tif 000003
【図２】
2010118648.tif 000004
【図３】
2010118648.tif 000005
【図４】
2010118648.tif 000006