(57)【要約】【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく基板を所定の厚さに研削することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板と基板上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造からなるＩＩＩ族窒化物半導体層とを有するウエーハ１０をＩＩＩ族窒化物半導体層側を固定シート３２を挟み研削機のセラミックプレート（固定板）３１に貼着する貼着工程と、セラミックプレート３１に貼着されたウエーハ１０の被研削面１０ａを研削機の研削定盤３４に圧接しつつ回転させ被研削面１０ａを研削する研削工程と、を有する半導体発光素子の製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板と当該基板上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造からなるＩＩＩ族窒化物半導体層とを有するウエーハを、当該ＩＩＩ族窒化物半導体層側を固定シートを挟み研削機の固定板に貼着する貼着工程と、
前記研削機の固定板に貼着された前記ウエーハの被研削面を当該研削機の研削定盤に圧接しつつ回転させ当該被研削面を研削する研削工程と、を有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記ウエーハは、前記固定シート及び固定材を介し前記研削機の前記固定板に貼着されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記固定材は、前記固定シートを浸潤するワックスであることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記固定シートは、ＪＩＳ  Ｐ８１２４による坪量が３ｇ／ｍ２〜１５０ｇ／ｍ２である薄葉紙から構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記固定シートは、ＪＩＳ  Ｐ８１０１による見掛けの比重が０．１ｇ／ｃｍ３〜１．３ｇ／ｃｍ３である薄葉紙から構成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記固定シートは、コウゾ、ミツマタ及びガンピから選択される一種以上の植物を原料とする繊維を含有する紙から構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記ウエーハの前記基板は、サファイア又はシリコンカーバイドから選ばれることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記ウエーハのＩＩＩ族窒化物半導体層は、それぞれＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層が積層されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記ウエーハは、前記基板と前記ＩＩＩ族窒化物半導体層との間にＩＩＩ族窒化物から構成される中間層を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体発光素子（以下、単に「半導体発光素子」と記すことがある。）が、ＬＥＤやＬＤ等の発光素子として用いられている。このような半導体発光素子は、一般に、サファイア単結晶基板上もしくはＳｉＣ単結晶基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるバッファ層を積層し、その上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によりＩＩＩ族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させ、ＩＩＩ族窒化物半導体層が成膜される（特許文献１参照）。その後、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に正極や負極等を設けたウエーハは、サファイア単結晶もしくはＳｉＣ単結晶の基板の裏面が研削及び研磨され、所定の厚さに調整される（特許文献２，３参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第３０２６０８７号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７２５５号公報
【特許文献３】特開２００４−１４８４５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体発光素子の基板を研削・研磨する場合、通常、所定の研削機の固定板にウエーハを取り付け、その後、ウエーハを所定の圧力で研削機の研削定盤に圧接しつつ回転し被研削面が研削される。
しかし、ＩＩＩ族窒化物半導体層上にＭＯＣＶＤによる成膜操作中に発生したわずかなフレーク等が残留する場合がある。また、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることにより、サファイア単結晶等の基板に反りが生じる場合がある。このような反りを残した形状のままや、フレークが残留したままでウエーハを研削定盤に圧接すると、ウエーハが割れやすいという問題がある。
また、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることにより、基板の外周部分の厚さが増大する等の場合があり、このまま研削処理を施すと基板の外周部分が過度に研削されるという問題がある。
さらに、研削操作が終了後、固定板からウエーハを取り外す際に、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けた正極や負極等が損傷を受ける場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく、基板を所定の厚さに研削することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かくして本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板と基板上に成膜された中間層とＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造からなるＩＩＩ族窒化物半導体層とを有するウエーハを、ＩＩＩ族窒化物半導体層側を固定シートを挟み研削機の固定板に貼着する貼着工程と、研削機の固定板に貼着されたウエーハの被研削面を研削機の研削定盤に圧接しつつ回転させ被研削面を研削する研削工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
【０００７】
ここで、本発明が適用される半導体発光素子の製造方法において、ウエーハは、固定シート及び固定材を介し研削機の固定板に貼着され、その後、被研削面を研削することが好ましい。
また、固定材は、固定シートを浸潤するワックスであることが好ましい。
この場合、ウエーハを研削機の固定板に貼着する際に使用する固定シートは、ＪＩＳ  Ｐ８１２４による坪量が３ｇ／ｍ２〜１５０ｇ／ｍ２である薄葉紙から構成されることが好ましい。
また、固定シートは、ＪＩＳ  Ｐ８１０１による見掛けの比重が０．１ｇ／ｃｍ３〜１．３ｇ／ｃｍ３である薄葉紙から構成されることが好ましい。
さらに、本発明が適用される半導体発光素子の製造方法において使用する固定シートは、コウゾ、ミツマタ及びガンピから選択される一種以上の植物を原料とする繊維を含有する紙から構成されることが好ましい。
【０００８】
また、本発明が適用される半導体発光素子の製造方法において、ウエーハの基板は、サファイア又はシリコンカーバイドから選ばれることが好ましい。
さらに、ウエーハのＩＩＩ族窒化物半導体層は、それぞれＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層が積層されることが好ましい。
また、ウエーハは、基板とＩＩＩ族窒化物半導体層との間にＩＩＩ族窒化物から構成される中間層を有することが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく、基板を所定の厚さに研削することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
【００１１】
（半導体発光素子）
図１は、本実施の形態で用いる半導体発光素子の一例である積層半導体を説明する図である。図１に示すように、積層半導体Ｉは、基板１１の基板表面１１ａ上に形成された中間層１２の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる下地層１３、ｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６が順次積層されている。ｎ型半導体層１４と発光層１５とｐ型半導体層１６とは、化合物半導体層（ＩＩＩ族化合物半導体層）２０を構成している。
ｎ型半導体層１４は、ｎ型コンタクト層１４ａ及びｎ型クラッド層１４ｂを有する。発光層１５は、障壁層１５ａ及び井戸層１５ｂが交互に積層された構造を有する。ｐ型半導体層１６は、ｐ型クラッド層１６ａ及びｐ型コンタクト層１６ｂが積層されている。
【００１２】
基板１１を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）が好ましい。
【００１３】
中間層１２は、Ａ１を含有することが好ましく、ＩＩＩ族窒化物であるＡ１Ｎを含むことが特に好ましい。中間層１２を構成する材料としては、一般式Ａ１ＧａＩｎＮで表されるＩＩＩ族窒化物半導体であれば特に限定されない。さらに、Ｖ族として、ＡｓやＰが含有されても良い。中間層１２が、Ａ１を含む組成の場合、ＧａＡ１Ｎとすることが好ましく、Ａ１の組成が５０％以上であることが好ましい。
【００１４】
下地層１３に用いる材料としては、Ｇａを含むＩＩＩ族窒化物（ＧａＮ系化合物半導体）が用いられ、特に、Ａ１ＧａＮ、又はＧａＮを好適に用いることができる。下地層１３の膜厚は０．１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。
【００１５】
（ｎ型半導体層１４ａ、１４ｂ）
ｎ型半導体層（１４ａ、１４ｂ）は、ｎ型コンタクト層１４ａ及びｎ型クラッド層１４ｂから構成される。ｎ型コンタクト層１４ａとしては、下地層１３と同様にＧａＮ系化合物半導体が好ましく用いられる。また、下地層１３及びｎ型コンタクト層１４ａを構成する窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を０．１μｍ〜２０μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは１μｍ〜１２μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００１６】
ｎ型クラッド層１４ｂは、Ａ１ＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ等によって形成することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。ＧａＩｎＮとする場合には、発光層１５のＧａＩｎＮのバンドギャップよりも大きくすることが望ましい。ｎ型クラッド層１４ｂの膜厚は、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
【００１７】
（発光層１５）
発光層１５は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層１５ａと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層１５ｂとが交互に繰り返して積層され、且つ、ｎ型半導体層１４側及びｐ型半導体層１６側に障壁層１５ａが配される順で積層して形成される。本実施の形態では、発光層１５は、６層の障壁層１５ａと５層の井戸層１５ｂとが交互に繰り返して積層され、発光層１５の最上層及び最下層に障壁層１５ａが配され、各障壁層１５ａ間に井戸層１５ｂが配される構成とされている。
【００１８】
障壁層１５ａとしては、例えば、インジウムを含有した窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層１５ｂよりもバンドギャップエネルギーが大きいＡ１ｃＧａ１−ｃＮ（０≦ｃ≦０．３）等の窒化ガリウム系化合物半導体を好適に用いることができる。
また、井戸層１５ｂには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ｇａ１−ｓＩｎｓＮ（０＜ｓ＜０．４）等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
発光層１５全体の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚領域であることが好ましい。例えば、発光層１５の膜厚は、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００ｎｍ前後の膜厚であればより好ましい。
【００１９】
（ｐ型半導体層１６）
ｐ型半導体層１６は、ｐ型クラッド層１６ａ及びｐ型コンタクト層１６ｂから構成される。ｐ型クラッド層１６ａとしては、好ましくは、Ａ１ｄＧａ１−ｄＮ（０＜ｄ≦０．４）のものが挙げられる。ｐ型クラッド層１６ａの膜厚は、好ましくは１ｎｍ〜４００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
ｐ型コンタクト層１６ｂとしては、少なくともＡ１ｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜０．５）を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層が挙げられる。ｐ型コンタクト層１６ｂの膜厚は、特に限定されないが、１０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２０】
（半導体発光素子の製造方法）
本実施の形態においてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、通常、以下の手順により製造される。先ず、基板１１上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで瀞生化して反応させることによりＩＩＩ族窒化物からなる中間層１２を成膜し、成膜した中間層１２上に、下地層１３、ｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する。
ここで、基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる際、例えば、スパッタ法等を用いて、プラズマで活性化して反応した原料を基板１１上に成膜して中間層１２を形成する。
中間層１２をスパッタ法によって形成した後、その上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって、下地層１３、ｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６を順次成膜する。
尚、下地層１３をＭＯＣＶＤ法によって形成した後、化合物半導体層２０の内、ｎ型コンタクト層１４ａ及びｎ型クラッド層１４ｂの各層をスパッタ法で形成し、その上の発光層１５をＭＯＣＶＤ法で形成し、そして、ｐ型半導体層１６を構成するｐ型クラッド層１６ａ及びｐ型コンタクト層１６ｂの各層を反応性スパッタ法で形成してもよい。
【００２１】
そして、基板１１上に中間層１２、下地層１３及び化合物半導体層２０を成膜した後、化合物半導体層２０のｐ型半導体層１６上に透光性正極（図示せず）が積層され、その上に正極ボンディングパッド（図示せず）が形成される。さらに、ｎ型半導体層１４のｎ型コンタクト層１４ａに形成された露出領域（図示せず）に負極（図示せず）が設けられたウエーハが形成される。その後、基板１１の被研削面を研削及び研磨した後、例えば、３５０μｍ角の正方形に切断することにより半導体発光素子が形成される。
【００２２】
次に、ウエーハの研削・研磨方法について説明する。
図２は、本実施の形態で用いるウエーハ１０を所定の研削機（図示せず）のセラミックプレート（固定板）３１に貼着した状態を説明する図である。
図２に示すように、基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる化合物半導体層２０（図１参照）を積層して形成されたウエーハ１０は、固定シート３２及び固定ワックス（固定材）３３を介し、４個のウエーハ１０が円盤状に形成されたセラミックプレート３１のプレート面３１ａに貼着されている。４個のウエーハ１０は、被研削面１０ａが露出するように（図２では、上向き）、プレート面３１ａの同心円上に貼着されている。
尚、固定シート３２及び固定ワックス３３については後述する。
【００２３】
ウエーハ１０は、以下の手順によりセラミックプレート３１のプレート面３１ａに貼着される（貼着工程）。先ず、固定ワックス３３を、例えば、スピンコーター等によりウエーハ１０のＩＩＩ族窒化物半導体からなる化合物半導体層２０（図１参照）上に均一に塗布する。次に、塗布された固定ワックス３３上に固定シート３２を載置し、さらに固定シート３２上に固定ワックス３３を塗布する。
【００２４】
続いて、所定の加熱装置（図示せず）により固定ワックス３３中に含まれる溶剤等の揮発分をベーキングにより揮散させる。次いで、所定の温度に加温されたセラミックプレート３１のプレート面３１ａに、被研削面１０ａが露出するようにウエーハ１０を貼着する。このとき、セラミックプレート３１は、通常、固定ワックス３３の主成分の樹脂の軟化点より約２０℃〜５０℃程度高温に加熱する。その後、放冷等によりセラミックプレート３１を冷却することにより、固定ワックス３３に含まれる樹脂が固化してウエーハ１０がプレート面３１ａに固定される。
本実施の形態では、２層の固定ワックス３３と固定シート３２との厚さは、３０μｍ〜５０μｍである。
【００２５】
次に、図３は、ウエーハ１０を貼着したセラミックプレート３１を研削定盤３４の研削面３４ａの上に置いた状態を説明する図である。
図３に示すように、ウエーハ１０の被研削面１０ａと研削定盤３４の研削面３４ａとを対向させ、ウエーハ１０を貼着したセラミックプレート３１を研削定盤３４の上に置く。
続いて、所定の上下動機構（図示せず）によりセラミックプレート３１を下降させ、ウエーハ１０の被研削面１０ａを研削定盤３４の研削面３４ａに当接させ、所定の圧接機構（図示せず）により、ウエーハ１０の被研削面１０ａを圧力Ｐで研削面３４ａに圧接する。
本実施の形態では、圧力Ｐは７０ｋｇ／ｃｍ２〜１００ｋｇ／ｃｍ２の範囲で調整してウエーハ１０を加圧し、ウエーハ１０の被研削面１０ａを研削面３４ａに圧接している。
そして、所定の回転駆動機構（図示せず）によりセラミックプレート３１及び研削定盤３４をＡ方向に回転させ、各ウエーハ１０の被研削面１０ａを研削する（研削工程）。
【００２６】
本実施の形態では、約２０分間程度の研削工程により、ウエーハ１０の被研削面１０ａが研削され、ウエーハ１０の基板１１（図１参照）の厚さは、約９００μｍから約１２０μｍ迄減少する。さらに、本実施の形態では、研削工程に続き、約１５分間の研磨工程により、ウエーハ１０の基板１１（図１参照）の厚さは、約１２０μｍから約８０μｍ迄に研磨される。
【００２７】
本実施の形態では、各ウエーハ１０の被研削面１０ａを研削・研磨する際に、各ウエーハ１０の被研削面１０ａと研削定盤３４の研削面３４ａとが摺り合わされる部分に研削材または研磨材を供給する。研削材または研磨材の種類は特に限定されず、市販のスラリー型の研削材または研磨材を使用することができる。
尚、プレート面３１ａに貼付、固定されたウエーハ１０の被研削面１０ａの研削処理中に熱が発生するが、その程度の熱ではウエーハ１０が剥がれることがない。
また、図示しないが、研削機は４個のウエーハ１０を貼着したセラミックプレート３１を合計４個有し、所定の回転駆動機構（図示せず）により回転しつつ、セラミックプレート３１に固定されたウエーハ１０の被研削面１０ａの研削・研磨が行われる。
【００２８】
このように、化合物半導体層２０（図１参照）を有するウエーハ１０の被研削面１０ａを研削する場合、ウエーハ１０を所定の固定ワックス３３と共に固定シート３２を介し研削機のセラミックプレート３１に貼着することにより、ウエーハ１０の基板１１（図１参照）に反りが生じた場合であっても、また、化合物半導体層２０（図１参照）の成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハ１０に割れが生じることなく、ウエーハ１０の被研削面１０ａを所定の厚さに研削することができる。
【００２９】
（固定ワックス３３）
次に、固定ワックス３３について説明する。
固定ワックス３３としては、研削工程中、ウエーハ１０をセラミックプレート３１に動かないように仮止め、固定することが可能であり、さらに、研削処理後にウエーハ１０をセラミックプレート３１から容易に剥がすことが可能なものであれば特に限定されない。  このような固定ワックス３３としては、例えば、ビニル系高分子化合物、石油系樹脂、ロジン等の天然樹脂およびそれらの誘導体、パラフィンワックス等の熱可塑性を有する樹脂、ポリグリセリンの脂肪酸エステル、ポリグリセリンのエチレンオキシド又はプロピレンオキシドの付加物が挙げられる。
また、特にロジンとしては、アビエチン酸（分子式Ｃ２０Ｈ３０Ｏ２のモノカルボン酸）に代表される三員環化合物を主成分とするロジン、ロジンの部分エステル、部分または完全水添ロジン、重合ロジン、不均化ロジン、ロジンとマレイン酸に代表される二塩基酸との変性物である二塩基酸変性ロジン及びそのエステル等の誘導体が挙げられる。さらに、スチレン・アクリル酸共重合体樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂は、単独または二種以上のものを組み合わせて用いることができる。
【００３０】
（固定シート）
次に、固定シート３２について説明する。
図２、図３に示すように、本実施の形態では、基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる化合物半導体層２０（図１参照）を積層して形成されたウエーハ１０は、固定シート３２及び固定ワックス３３を介し、セラミックプレート３１のプレート面３１ａに貼着されている。
固定シート３２としては、薄葉紙又は不織布が挙げられる。ここで、薄葉紙とは、ＪＩＳ  Ｐ４５００に準拠する機械すき和紙をいう。また、不織布とは、織ったり、編んだりすることなく繊維同士を結合させたシートをいう。この不織布としては、例えば、綿、麻、羊毛繊維、しゅろ繊維、ココヤシ繊維等の天然繊維；ポリアミド、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリロニトリル、ポリウレタン等の合成繊維；ガラス繊維、炭素繊維、金属繊維の無機繊維から構成されるもの等が挙げられる。
【００３１】
本実施の形態では、固定シート３２として、ＪＩＳ  Ｐ８１２４による坪量が３ｇ／ｍ２〜１５０ｇ／ｍ２の範囲、好ましくは４ｇ／ｍ２〜１３０ｇ／ｍ２の範囲、さらに好ましくは５ｇ／ｍ２〜１００ｇ／ｍ２の範囲である薄葉紙から構成されることが好ましい。
さらに、固定シート３２は、ＪＩＳ  Ｐ８１０１による見掛けの比重が０．１ｇ／ｃｍ３〜１．３ｇ／ｃｍ３の範囲、好ましくは０．２ｇ／ｃｍ３〜１．２ｇ／ｃｍ３の範囲、さらに好ましくは０．３ｇ／ｃｍ３〜１．０ｇ／ｃｍ３の範囲である薄葉紙から構成されることが好ましい。
【００３２】
本実施の形態で使用する薄葉紙としては、コウゾ、ミツマタ及びガンピから選択される一種以上の植物を原料とする繊維を含有する紙（以下、「和紙」と記す。）が好ましい。
和紙の具体例としては、前述した薄葉紙に加え、例えば、檀紙、奉書紙、京花紙、吉野紙、麻布紙、美濃紙、半紙、半切、内山紙、細川紙、蔵王紙、西の内、程村、土佐紙、泉貨紙、かさ紙、鳥の子、江州鳥の子、雲紙、墨流、画仙紙、麻紙、間似合紙、雲竜紙、わら半紙、仙花紙、小倉紙、金和紙、ムラうす楮、渋引うす楮等のうす楮、強性紙、ワンプ紙、柿渋紙、コンニャク紙等が挙げられる。また、障子用の和紙も挙げることができる。
尚、和紙は、上述した植物を原料とする繊維に加え、必要に応じ、他の繊維を含んでいてもよい。他の繊維としては、例えば、マニラ麻、木材パルプ、わらパルプ、古紙、化学パルプ、レーヨン等の合成繊維が挙げられる。
【００３３】
一般に「和紙」は、最も狭義には、上述した植物から抽出した繊維およびそれらの古紙を原材料とし、トロロアオイの根や、ノリウツギの樹皮などから抽出した粘剤「ねり」を混ぜ、流し漉きという日本独特な技法を取り入れた手漉きの紙として定義される。
本実施の形態では、上記最も狭義の和紙も含め、抄紙機による機械すきの和紙（機械すき和紙）や、洋紙よりも繊維が長くて繊維どうしが緊密に絡み合い、ねばり強く薄くても強靭な紙（広義の和紙）も使用可能である。
以上、詳述したように、本実施の形態によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく、基板を所定の厚さに研削することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施の形態で用いる半導体発光素子の積層構造の一例を説明する図である。
【図２】本実施の形態で用いるウエーハを所定の研削機のセラミックプレートに貼着した状態を説明する図である。
【図３】ウエーハを貼着したセラミックプレートを研削定盤の研削面の上に置いた状態を説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０…ウエーハ、１１…基板、１２…中間層、１３…下地層、１４…ｎ型半導体層、１５…発光層、１６…ｐ型半導体層、２０…化合物半導体層、３１…セラミックプレート（固定板）、３２…固定シート、３３…固定ワックス、３４…研削定盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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