(57)【要約】      （修正有）【課題】リードフレームに発生するバリを抑制することができ、かつ半導体パッケージの形状を安定させる製造方法を提供する。【解決手段】上部が開放した成型用型１の第１のキャビティ１ａ内に、リードフレーム１０１上に搭載された半導体素子１００が配置されるように、第１の型２と第２の型３によりリードフレーム１０１を挟持する工程と、第１のキャビティ１ａ内に室温で液状の未硬化の封止樹脂組成物を充填する工程と、スキージを用いて、余分な封止樹脂組成物を成型用型１の上面に設けられた第２のキャビティ１ｂに流入させて除去することにより第１のキャビティ１ａ内の封止樹脂組成物の表面を平坦化する工程と、封止樹脂組成物を硬化させて、半導体素子１００を封止する封止体を形成する工程と、第１の型２と第２の型３によるリードフレームの挟持を解除する工程と、封止体を成型用型１から押出して、離型させる工程とを具備する。【選択図】図１
2010010374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の型と第２の型とを備えかつ前記第１の型と前記第２の型とが組み合わされることにより上部が開放した第１のキャビティが形成される成型用型の前記第１のキャビティ内に、リードフレーム上に搭載された半導体素子が配置されるように、前記第１の型と前記第２の型により前記リードフレームを挟持する工程と、
前記第１のキャビティの開放された側から前記第１のキャビティ内に室温で液状の未硬化の封止樹脂組成物を充填する工程と、
平坦化部材を用いて、余分な前記封止樹脂組成物を前記成型用型の上面に設けられた第２のキャビティに流入させて除去することにより前記第１のキャビティ内の前記封止樹脂組成物の表面を平坦化する工程と、
前記封止樹脂組成物を硬化させて、前記半導体素子を封止する封止体を形成する工程と、
前記第１の型と前記第２の型による前記リードフレームの挟持を解除する工程と、
前記封止体を前記成型用型から押出して、離型させる工程と
を具備することを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記封止樹脂組成物の表面の平坦化が前記成型用型の上面に前記平坦化部材を接触させながら行われ、かつ前記成型用型と前記平坦化部材との接触圧力が前記第１の型と前記第２の型との間の型力より小さい、請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記半導体パッケージの製造を、０．２ＭＰａ以下の雰囲気圧で行う、請求項１または２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記第１の型が前記成型用型の底部を構成し、前記第２の型が前記第１の型上に配置されかつ枠状に形成されている、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記第２のキャビティが前記第１のキャビティに隣接する位置に形成されている、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記封止樹脂組成物が無機粒子を含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記無機粒子が前記封止樹脂組成物に７５重量％以上含まれている、請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記無機粒子がシリカである、請求項６または７に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記無機粒子が球状である、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記無機粒子の平均粒径が前記成型用型と前記リードフレームとの隙間より大きい、請求項６ないし９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記成型用型と前記リードフレームとの隙間が０．０１〜５μｍである、請求項１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記封止樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記平坦化部材が、スキージ、ロール、および前記成型用型上に載置される第３の型の少なくともいずれかである、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子の封止には、トランスファ成型法が用いられてきた。トランスファ成型においては、まず、金型のキャビティ内に半導体素子が配置されるように半導体素子を搭載したリードフレームを金型の上型と下型により挟持する。次いで、キャビティ内に向けて射出口（ゲート）から熱硬化性樹脂を注入し、硬化させることにより半導体素子を封止している。
【０００３】
しかしながら、トランスファ成型においては、通常熱硬化性樹脂の注入は高圧で行われるため、金型とリードフレームとの隙間やエアベントに樹脂が入りこんでしまい、リードフレーム等にバリが発生してしまう。このため、成型後バリをする工程が必要になり、多大な手間を要する。また、高圧下で無機粒子を含んだ熱硬化性樹脂を流動させるため、金型が磨耗してしまうこともある。
【０００４】
ここで、リードフレーム上に液状封止樹脂を堰き止める突堤部を設け、液状封止樹脂を注入し硬化させた後、突堤部を切断除去する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、リードフレームにバリは発生し難くなるものの、突堤部に表面張力で盛り上がるバリを制御し難い。このためパッケージの形状が定まり難いという問題がある。
【特許文献１】特開２００７−９５７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、リードフレームに発生するバリを抑制することができ、かつ半導体パッケージの形状を安定させることができる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一の態様によれば、第１の型と第２の型とを備えかつ前記第１の型と前記第２の型とが組み合わされることにより上部が開放した第１のキャビティが形成される成型用型の前記第１のキャビティ内に、リードフレーム上に搭載された半導体素子が配置されるように、前記第１の型と前記第２の型により前記リードフレームを挟持する工程と、前記第１のキャビティの開放された側から前記第１のキャビティ内に室温で液状の未硬化の封止樹脂組成物を充填する工程と、平坦化部材を用いて、余分な前記封止樹脂組成物を前記成型用型の上面に設けられた第２のキャビティに流入させて除去することにより前記第１のキャビティ内の前記封止樹脂組成物の表面を平坦化する工程と、前記封止樹脂組成物を硬化させて、前記半導体素子を封止する封止体を形成する工程と、前記第１の型と前記第２の型による前記リードフレームの挟持を解除する工程と、前記封止体を前記成型用型から押出して、離型させる工程とを具備することを特徴とする、半導体パッケージの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一の態様による半導体パッケージの製造方法によれば、上部が開放した第１のキャビティ内に第１のキャビティの開放された側から封止樹脂組成物を充填させるので、成型用型とリードフレームとの隙間に封止樹脂組成物が入り込み難い。これにより、リードフレームに発生するバリを抑制することができる。また、余分な封止樹脂組成物を第２のキャビティに流入させて、封止樹脂組成物の表面を平坦化しているので、半導体パッケージの形状を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施の形態について説明する。図１（ａ）〜図４（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示す図である。
【０００９】
まず、図１（ａ）に示される成型用型１と、半導体素子１００が搭載されたリードフレーム１０１とを用意する。成型用型１は、金型であっても、金属以外の他の材料形成された型のいずれであってもよい。
【００１０】
成型用型１は底部を構成する第１の型２と枠状に形成された第２の型３とから構成されており、第１の型２上に第２の型３を配置することにより上部が開放された第１のキャビティ１ａが形成される。第１のキャビティ１ａは半導体素子１００が収容することができる大きさに形成されている。
【００１１】
第２の型３の上部には、後述する余分な封止樹脂組成物５ａを流入させる第２のキャビティ１ｂが形成されている。具体的には、第２のキャビティ１ｂは第２の型３の上面３ａに形成されている。第１のキャビティ１ａと第２のキャビティ１ｂとの位置関係は特に限定されないが、第２のキャビティ１ｂは第１のキャビティ１ａの近傍に形成されていることが好ましく、第１のキャビティ１ａに隣接していることがより好ましい。
【００１２】
また、第２のキャビティ１ｂの深さは、後述するスキージ６で封止樹脂組成物５の表面を平坦化したときにスムーズに第２のキャビティ１ｂに余分な封止樹脂組成物５ａを流入させるために１００〜５００μｍとすることが好ましい。半導体素子１００は、ワイヤボンディング等によりリードフレーム１０１上に実装されている。
【００１３】
このような成型用型１を使用して、図１（ａ）に示されるように、半導体素子１００が成型用型１の第１のキャビティ１ａ内に配置されるようにリードフレーム１０１を第１の型２上に配置させた後、第１の型２上に第２の型３を配置させて、第１の型２と第２の型３によりリードフレーム１０１を挟持させる。これにより、リードフレーム１０１が成型用型１に対して固定される。なお、図１（ｂ）に示されるように成型用型１とリードフレーム１０１との間には、若干の隙間ｄが存在している。
【００１４】
成型用型１によりリードフレーム１０１を固定した後、図２（ａ）に示されるように、充填装置としてのディスペンサ４等により第１のキャビティ１ａ内に室温で液状の封止樹脂組成物５を充填する。封止樹脂組成物５は第１のキャビティ１ａの開放された側から充填される。すなわち、封止樹脂組成物５は大気圧または雰囲気圧で充填される。また、封止樹脂組成物５は、第２の型３の上面３ａより若干高い位置まで充填される。
【００１５】
ここで、上記「室温」とは、２５℃を意味し、「液状」とは、レオメーターで貯蔵弾性率と損失弾性率を測定したとき、損失弾性率＞貯蔵弾性率となるものを意味する。
【００１６】
封止樹脂組成物５は、主に、熱硬化性樹脂、無機粒子、および硬化剤等から構成されている。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、耐熱性、信頼性の観点からエポキシ樹脂が好ましい。
【００１７】
熱硬化性樹脂は、封止樹脂組成物５に対して１０〜２５重量％の割合で含有されていることが好ましい。熱硬化性樹脂を１０〜２５重量％の割合で含有させることが好ましいとしたのは、この範囲であると、ディスペンサ４で供給可能な粘度を有する封止樹脂組成物５にすることができるからである。
【００１８】
無機粒子は充填剤であり、無機粒子を含有させることにより、封止樹脂組成物５の熱膨張係数を低下させることができるので、半導体素子１００の熱により発生する応力を低減させることができる。これにより信頼性を向上させることができる。また、封止樹脂組成物５の硬度を上げることができるため、後述する封止体７を成型用型１から容易に離型させることができる。
【００１９】
無機粒子としては、例えば、粒子状や繊維状のものが挙げられ、粒子状のものとしては、溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス、タルク、アルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグネシア、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、雲母などが挙げられる。繊維状のものとしては、チタニア、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、チタン酸カリウム、塩基性マグネシウム、酸化亜鉛、グラファイト、マグネシア、硫酸カルシウム、ホウ酸マグネシウム、二ホウ化チタン、α−アルミナ、クリソタイル、ワラストナイトなどのウィスカー類、また、Ｅガラス繊維、シリカアルミナ繊維、シリカガラス繊維などの非晶質繊維の他チラノ繊維、炭化ケイ素繊維、ジルコニア繊維、γアルミナ繊維、α−アルミナ繊維、ＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維などの結晶性繊維が挙げられる。これらの中でも、溶融シリカが好ましい。溶融シリカは熱膨張率が小さいため、硬化した封止樹脂組成物の熱膨張率を下げることができる。このため、銅と接着させた場合、リフローなどの熱が加えられた際に熱応力を低減させることができるからである。
【００２０】
また、無機粒子の形状を球状にした場合には、成型用型１の磨耗を低減させることができるので、無機粒子の形状は球状が好ましい。さらに、流動性に優れ、かつ成型用型１の摩耗を低減させることができる観点から球状シリカが最も好ましい。この中でも、５μｍ以下の無機粒子を含むことが好ましい。このような小さい無機粒子は、チクソ性に優れているので、後述する余分な封止樹脂組成物５ａを除去した際に、封止樹脂組成物５の表面をより平坦化させることができるからである。
【００２１】
無機粒子は、封止樹脂組成物５に７５重量％以上の割合で含有されていることが好ましく、８０〜８５重量％の割合で含有されていることが特に好ましい。無機粒子を７５重量％以上の割合で含有させることが好ましいとしたのは、７５重量％以上含有させると、半導体パッケージ９の形状安定性に優れるとともに熱膨張によるリードフレーム１０１との剥離を抑制することができるからである。
【００２２】
無機粒子の平均粒径は、成型用型１とリードフレーム１０１との隙間ｄよりも大きいことが好ましい。無機粒子の平均粒径をこの隙間ｄよりも大きくすることにより、無機粒子がストッパとなり、この隙間ｄに封止樹脂組成物５が入り込み難くなるからである。具体的には、成型用型１とリードフレーム１０１との隙間ｄは０．０１〜５μｍであるため、平均粒径が５μｍを超える無機粒子（例えばシリカ）を５０重量％以上封止樹脂組成物に含有させることが好ましい。なお、「粒径」はレーザ回折式粒度分布測定法に基づいて測定した値とする。
【００２３】
第１のキャビティ１ａ内に封止樹脂組成物５を充填させた後、図２（ｂ）に示されるように、平坦化部材としてのスキージ６を用いて、余分な封止樹脂組成物５ａを除去する。これにより、第１のキャビティ１ａ内の封止樹脂組成物５の表面が平坦化される。
【００２４】
具体的には、第２の型３の上面３ａにスキージ６を接触させて、第２のキャビティ１ｂが設けられている縁部３ｂと対向する縁部３ｃから縁部３ｂに向けて、スキージ６を第２の型３の上面３ａに沿わせて移動させる。これにより、第２の型３の上面３ａから盛り上がっている余分な封止樹脂組成物５ａが第２のキャビティ１ｂに流入して、余分な封止樹脂組成物５ａが除去され、第１のキャビティ１ａ内の封止樹脂組成物５の表面が平坦化される。
【００２５】
ここで、第２の型３とスキージ６との接触圧力は第１の型２と第２の型３との間の型圧よりも小さいことが好ましい。また、半導体パッケージの製造を０．２ＭＰａ以下の雰囲気圧が好ましく、大気圧以下で行うことがより好ましい。これらの圧力を小さくすることで、封止樹脂組成物５に加えられる成型用型１の上部から底部に向かう方向の圧力を小さくすることができる。これにより、成型用型１とリードフレーム１０１との隙間ｄに封止樹脂組成物５が入り込むのを抑制することができる。
【００２６】
具体的には、例えば第２の型３とスキージ６との接触圧力が０．０１〜０．５ＭＰａであることが好ましく、第１の型２と第２の型３との間の型圧が０．５〜１００ＭＰａであることが好ましい。
【００２７】
なお、本実施の形態では、平坦化部材としてスキージ６を用いて説明しているが、後述する第２の実施の形態に示されるロール１０や型１１を用いてもよい。また、平坦化部材は、第２の型３の磨耗を防ぐ観点から第２の型３よりも硬度の小さいもので構成されていることが好ましい。また、平坦化部材は、金属に限定されず、樹脂、ゴムのようなものであってもよい。
【００２８】
余分な封止樹脂組成物５ａを除去した後、所定の温度に加熱して封止樹脂組成物５を硬化させる。これにより、図３（ａ）に示されるように半導体素子１００を封止する封止体７が形成される。なお、この硬化により第２のキャビティ１ｂ内の余分な封止樹脂組成物５ａも硬化する。以下、この余分な封止樹脂組成物５ａの硬化物を「バリ７ａ」と称する。
【００２９】
硬化は、熱硬化性樹脂のゲルタイムにより異なるが、概ね１００〜１８０℃で２０秒〜１０分間で行われる。また、熱硬化性樹脂のゲルタイムの３倍以上の時間加熱を行い、バーコル硬度＃９３５が３０以上となることが好ましい。
【００３０】
本実施の形態においては液状の封止樹脂組成物５を用いているため、必然的に低分子のものから硬化を進めることになる。このため、硬化時間は通常の硬化材料より長くすることが好ましい。また流動性を持たせるために、樹脂の骨格や無機粒子の量を限定した場合には、高温硬化では硬度が上がりにくい。この場合には、１２０〜１５０℃で硬化を行うことが好ましい。
【００３１】
封止樹脂組成物５を硬化させて、封止体７を形成した後、図３（ｂ）に示すように第１の型２を取り外し、第１の型２と第２の型３によるリードフレーム１０１の挟持を解除する。最後に、図４（ａ）に示されるように第２の型３の上面３ａ側からエジェクタピン８で封止体７を押出す。これにより、図４（ｂ）に示される半導体パッケージ９が形成される。
【００３２】
ここで、第２の型３から封止体７を押出すことにより、封止体７とバリ７ａが分離されるので、半導体パッケージ９からはバリ７ａが除去されている。なお、除去したバリ７ａは、次の半導体パッケージの成型までにエアガン等で吹き飛ばし、第２のキャビティ１ｂから除去する。
【００３３】
本実施の形態によれば、上部が開放された第１のキャビティ１ａ内に第１のキャビティ１ａの開放された側から封止樹脂組成物５を充填させているので、成型用型１とリードフレーム１０１との隙間ｄに封止樹脂組成物５が入り込むのを抑制することができる。これにより、リードフレーム１０１に発生するバリを抑制することができる。
【００３４】
本実施の形態によれば、封止樹脂組成物５の表面を平坦化しているので、半導体パッケージ９の形状を安定させることができる。これにより、半導体パッケージ９を形成後に切断する等の特別な工程を必要としない。
【００３５】
本実施の形態によれば、スキージ６を用いて余分な封止樹脂組成物５ａを除去しているので、成型用型１とリードフレーム１０１との隙間ｄに封止樹脂組成物５が入り込むのを抑制しながら、余分な封止樹脂組成物５ａを除去することができる。
【００３６】
本実施の形態によれば、意図的に第２のキャビティ１ｂに除去し易い大きなバリ７ａを発生させて、除去し難い微細なバリの発生を抑制している。これにより、バリを除去する工程を簡略化することができる。
【００３７】
本実施の形態によれば、第２のキャビティ１ｂを設けているので、スキージ６により第２のキャビティ１ｂに余分な封止樹脂組成物５ａの一部を流入させれば、自動的に余分な封止樹脂組成物５ａのすべてを除去することができる。これにより、スキージ６の移動幅を低減させることができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、スキージの代わりにロールまたは型を用いた例について説明する。なお、上記第１の実施の形態と重複する説明は省略するものとする。図５（ａ）および図５（ｂ）は第２の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示す図である。
【００３９】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示されるように、封止樹脂組成物５の表面を平坦化するためにスキージ６の代わりにロール１０または略平板状の第３の型１１を用いてもよい。
【００４０】
ロール１０を用いる場合には、縁部３ｃから縁部３ｂに向けてロール１０を回転させることにより、余分な封止樹脂組成物５ａを第２のキャビティ１ｂに流入させることができる。また、第３の型１１を用いる場合には、第２の型３上に第３の型１１を載置することにより、余分な封止樹脂組成物５ａを第２のキャビティ１ｂに流入させることができる。
【００４１】
本実施の形態では、スキージ６の代わりにロール１０または第３の型１１を用いているが、本実施の形態においても、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例について説明する。本実施例では、上記実施の形態と同様の手法により半導体パッケージを作製し、この外観を観察した。なお、実施例と比較するために、比較例として従来の手法により半導体パッケージを作製し、この外観を観察した。
【００４３】
まず、実施例および比較例における半導体パッケージの作製条件について述べる。
（実施例１）
封止樹脂組成物の調整
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（株式会社アデカ製  EP4100E）１２重量部、アリルフェノール樹脂（明和化成  MEH8000H）８重量部、触媒（四国化成社製  ２E4MZ-CN）１重量部、シリカ（マイクロン社製  S640  平均粒径２１μｍ）を混合機で混練し、液状の封止樹脂組成物を得た。この組成物は、ディスペンサで供給可能な粘度を有していた。
【００４４】
成型方法
底部を構成する平面状の第１の金型（第１の型）と、１０ｍｍ×１０ｍｍ枠状に形成された厚さ５ｍｍの第２の金型（第２の型）とを備え、第１の金型と第２の金型とが組み合わされることにより上部が開放したキャビティ（第１のキャビティ）が形成される成型用金型を用意し、第１の金型と第２の金型との間に、半導体素子を搭載したリードフレームを挟み固定した。
【００４５】
キャビティは、リードフレームに搭載した半導体素子が入る大きさになっていた。リードフレームと成型用金型の隙間は平均１μｍであった。また型締め圧は２０ＭＰａであった。また、第２の金型の上部（第１の金型と接しない面）には深さ５００μｍ×１ｍｍ×１０ｍｍの溝（第２のキャビティ）が彫られていた。
【００４６】
次いで、この成型用金型とリードフレームを１５０℃に加熱し、先に調整しておいた封止樹脂組成物をキャビティの内部にディスペンサを用いて供給した。供給時の雰囲気圧は約０．１ＭＰａ（大気圧）であった。供給量はキャビティ内を全部充填し、第２の金型の上部に封止樹脂組成物が若干盛り上がる程度とした。そして、この盛り上がった封止樹脂組成物が硬化する前に、シリコン製の平なヘラを用いて、第２の金型の溝とは反対方向からスキージ（圧力０．３ＭＰａ）を行い、表面を平滑化した。この時余分な封止樹脂組成物は第２の金型の溝に収容された。
【００４７】
この後、１５０℃で５分硬化を行い、硬化した封止樹脂組成物を取り出して、半導体パッケージを作製した。なお、第２の金型の溝で硬化したバリは、硬化した封止樹脂組成物の取り出し時に半導体パッケージと分離した。
【００４８】
（実施例２）
上記雰囲気圧を０．２ＭＰａに制御した以外は実施例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００４９】
（実施例３）
上記雰囲気圧を０．０１ＭＰａに制御した以外は実施例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００５０】
（実施例４）
シリコン製のヘラの代わりに、１５０℃のテフロン（登録商標）コーティングされたロールを用いた以外は実施例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００５１】
（実施例５）
シリコン製のヘラの代わりに、１５０℃の板（第３の型）を用いた以外は実施例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００５２】
（比較例１）
上型と下型からなり、実施例１と同じキャビティを有する金型を用意した。このキャビティには上部が開放されてなく、上型と下型の間に彫られた溝（ランナー）を通してキャビディに封止樹脂組成物が充填される。
【００５３】
このようなトランスファ成型機を用いて実施例１と同じ封止樹脂組成物を型圧２０ＭＰａ、注入圧１．５ＭＰａでキャビティ内に注入し、１５０℃で５分硬化させた。硬化後リードフレーム上に硬化した封止樹脂組成物を取り出して、半導体パッケージを作製した。
【００５４】
（比較例２）
封止樹脂組成物として従来使用されている一般的なモールド樹脂（主成分：クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、シリカ）を用いた以外は比較例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００５５】
（比較例３）
注入圧を０．１ＭＰａ(大気圧)に制御した以外は比較例１と同様の条件で半導体パッケージを作製した。
【００５６】
実施例１〜５および比較例１〜３の手法により作製された半導体パッケージの外観を観察した。以下、結果について述べる。
【００５７】
比較例１および２の手法により作製された半導体パッケージのリードフレームには微細なバリが発生し、またランナーにもバリが発生していた。また比較例３においてはキャビティ内に十分に封止樹脂組成物を充填することができなかった。これに対し、実施例１〜５の手法により作製された半導体パッケージのリードフレームには微細なバリは発生していなかった。また、実施例１〜５の半導体パッケージは形状が安定していた。これらの結果から、実施例１〜５による半導体パッケージの製造方法によれば、リードフレームに発生するバリを抑制でき、かつ半導体パッケージの形状を安定化できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示している。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示している。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示している。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示している。
【図５】第２の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を示している。
【符号の説明】
【００５９】
ｄ…隙間、１…成型用型、２…第１の型、３…第２の型、１ａ…第１のキャビティ、１ｂ…第２のキャビティ、５…封止樹脂組成物、５ａ…余分な封止樹脂組成物、６…スキージ、７…封止体、７ａ…バリ、９…半導体パッケージ、１０…ロール、１１…第３の型、１００…半導体素子、１０１…リードフレーム。
【図１】
2010010374.tif 000003
【図２】
2010010374.tif 000004
【図３】
2010010374.tif 000005
【図４】
2010010374.tif 000006
【図５】
2010010374.tif 000007