(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を厚さ方向に電気的に導通する導通部を備え、基板を積み重ねて複合基板を形成するといった用途にも容易に適用することができる半導体実装基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子１２と、該半導体素子１２の電極端子１３が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子１２と一体に設けられた樹脂成形部１４とを備える基板１６と、前記基板１６の、前記電極端子１３が形成された一方の面に形成された配線層３０とを備え、前記樹脂成形部１4に、該樹脂成形部１4を厚さ方向に貫通し、前記配線層３０と電気的に導通する複数の導通部１８が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、
前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、
前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置を、厚さ方向に複数段に積み重ねて形成された半導体装置であって、
積み重ね方向の一方の半導体装置と他方の半導体装置とが、一方の半導体装置に設けられた前記導通部と、他方の半導体装置の前記配線層に設けられた、前記導通部に対向するランドとの間に配された接合部材を介して電気的に導通して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導通部は、各々の半導体装置において共通する平面配列に設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子の裏面が前記基板の他方の面に露出し、
前記樹脂成形部の他方の面と前記半導体素子の裏面とが共通面に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の裏面が前記樹脂成形部中に埋没していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、
前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、
前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられ、
前記半導体素子の裏面に放熱板が接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、
前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、
前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられ、
前記基板の他方の面に、前記導通部と電気的に接続して電子部品が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記基板の他方の面に搭載された前記電子部品が、樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
支持板上に、導電性材からなる導通部を配置する工程と、
前記支持板上に半導体素子を配置する工程と、
前記支持板の、前記半導体素子及び導通部が配置された面を封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂の外面を研磨し、前記導通部の頂部を封止樹脂の外面に露出させる研磨加工工程と、
前記支持板を除去する工程と、
前記支持板が除去された側の前記封止樹脂面と前記半導体素子の電極端子が形成された面に、配線層を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
支持板上に前記導通部を配置する工程として、
金属板を厚さ方向に半切断加工し、導通部となる突部を形成する半切断工程と、
前記半切断加工した金属板を前記支持板上に支持し、前記突部を残して前記金属板を支持板から剥離することにより前記支持板上に導通部を配置する工程と
を備えることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記研磨工程においては、前記半導体素子の裏面が前記封止樹脂の外面から露出する厚さにまで研磨することを特徴とする請求項９または１０記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にし、半導体素子と一体に樹脂成形された樹脂成形部を備え、半導体素子の電極端子が形成された面側に、半導体素子と電気的に導通する配線層を形成してなる製品がある。この半導体装置においては、半導体素子と樹脂成形部（片面）の全域が配線領域となることから、広く配線領域を確保することができ、多ピンの半導体素子を搭載することができ、樹脂成形部は半導体素子と略同厚になることから、薄型の製品として提供される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第０２／１５２６６号公報
【特許文献２】国際公開第０２／３３７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した半導体装置は、多ピンの半導体素子が搭載できる薄型の基板として提供されるものであるが、基板の一方の面に配線層を形成した形態であることから、半導体装置を相互に電気的に接続しながら複数個積み重ねて複合基板を形成するといった用途には不向きであるといった問題があった。
【０００５】
本発明は、基板を厚さ方向に電気的に導通することを可能とし、基板を積み重ねて複合基板を形成するといった用途にも容易に適用することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられているものである。
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置は、前記半導体装置を、厚さ方向に複数段に積み重ねて形成された半導体装置であって、積み重ね方向の一方の半導体装置と他方の半導体装置とが、一方の半導体装置に設けられた前記導通部と、他方の半導体装置の前記配線層に設けられた、前記導通部に対向するランドとの間に配された接合部材を介して電気的に導通して接合されているものである。
【０００８】
また、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられ、前記半導体素子の裏面に放熱板が接合されているものである。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子の電極端子が形成された面と面方向を共通にして前記半導体素子と一体に設けられた樹脂成形部とを備える基板と、前記基板の、前記電極端子が形成された一方の面に形成された配線層とを備え、前記樹脂成形部に、該樹脂成形部を厚さ方向に貫通し、前記配線層と電気的に導通する複数の導通部が設けられ、前記基板の他方の面に、前記導通部と電気的に接続して電子部品が搭載されているものである。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持板上に、導電性材からなる導通部を配置する工程と、前記支持板上に半導体素子を配置する工程と、前記支持板の、前記半導体素子及び導通部が配置された面を封止樹脂により封止する工程と、前記封止樹脂の外面を研磨し、前記導通部の頂部を封止樹脂の外面に露出させる研磨加工工程と、前記支持板を除去する工程と、前記支持板が除去された側の前記封止樹脂の面と前記半導体素子の電極端子が形成された面に、配線層を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体装置によれば、樹脂成形部を厚さ方向に貫通する導通部を備えることにより、半導体装置の配線層が形成された一方の面側と他方の面側とを、前記導通部を介して電気的に接続することができ、半導体装置を相互に電気的に導通させながら積み重ねた複合基板を形成したり、半導体装置の他方の面に電子部品を搭載することが可能となり、半導体装置の用途を拡充することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】半導体装置の平面図である。
【図３】半導体装置を積み重ねた構造を示す断面図である。
【図４】半導体装置の他の構成を示す断面図である。
【図５】半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図６】半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（半導体装置）
図１は、本発明に係る半導体装置の一実施形態の構成を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置１０は、半導体素子１２、及び半導体素子１２の電極端子が形成された面と面方向を共通にする平面板状に、半導体素子１２と一体に樹脂成形された樹脂成形部１４を備える基板１６と、基板１６の半導体素子１２の電極端子１３が形成された一方の面に形成された配線層３０とを備える。
【００１４】
配線層３０は電極端子１３と電気的に接続して形成された配線パターン３２を備える。配線層３０の表面には外部接続端子を接合するランド３４が設けられ、配線パターン３２とランド３４は、ビア３６を介して電極端子１３と電気的に接続する。配線層３０に形成される配線パターン３２及びランド３４は、基板１６の一方の面の全域を配線領域として形成される。配線層３０に形成される配線パターン３２及びランド３４は適宜パターンに形成され、配線層数も適宜設定される。
【００１５】
本実施形態においては、半導体素子１２と同厚に樹脂成形部１４を形成し、半導体素子１２の両面（電極端子が形成された面と裏面）と樹脂成形部１４の両面が、それぞれ共通平面（均一面）となるように形成されている。半導体素子１２の裏面は基板１６の他方の面に露出する。
図２は、半導体装置１０を平面方向から見た状態を示す。平面形状が正方形の半導体素子１２が中央に配置され、半導体素子１２を囲むように、外形が正方形の樹脂成形部１４が形成されている。
樹脂成形部１４には、樹脂成形部１４を厚さ方向に貫通する配置に導通部１８が形成されている。図示例の半導体装置１０は、縦横の格子状配置に導通部１８が配置された例である。導通部１８は千鳥配置等の任意の平面配列に設定することができる。
【００１６】
図１に示すように、導通部１８は、配線層３０に対向する面（一方の面）において配線層３０に形成されたビア３６を介して配線パターン３２に電気的に接続され、他方の面は樹脂成形部１４の外面に露出する。
導通部１８は半導体装置１０の厚さ方向における電気的導通をとるためのものであり、銅等の導電材によって形成される。図１において、導通部１８は、銅からなる円柱状に形成されている。導通部１８の平面形状は円形、適宜多角形状とすることができる。導通部１８は導電性を有する材料であれば、銅材の他に適宜金属材、導電材を使用することができる。銅材は電気的導通性、保形性が良好であることから導通部１８として有効に利用できる。
【００１７】
半導体装置１０の厚さは任意に設定可能である。通常使用される半導体装置１０の厚さは、１００〜７００μｍ程度である。配線層３０の厚さは２０〜５０μｍ程度であり、通常は、半導体装置１０の基板１６の部分の厚さにくらべるとはるかに薄い。図１は、説明上、基板１６の厚さにくらべて配線層３０の厚さを厚く描いている。樹脂成形部１４に形成される導通部１８の厚さは、８０μｍ〜６５０μｍ程度となる。
【００１８】
（複合半導体装置）
本実施形態の半導体装置１０においては、樹脂成形部１４に導通部１８を設けたことにより、半導体装置１０の上面（半導体素子１２の電極端子１３を形成した面と反対面）側に配した基板あるいは電子製品と配線層３０とを、導通部１８を介して電気的に導通させることができる。
図３は、半導体装置１０を積み重ねて形成した半導体装置（複合半導体装置）の例である。この半導体装置は、３枚（３個）の半導体装置１０、１０ａ、１０ｂを積み重ねて組み立てた例である。
【００１９】
１段目の半導体装置１０と２段目の半導体装置１０ａとは、下段の半導体装置１０の導通部１８と、上段の半導体装置１０ａの配線層３０ａのランド３４ａとを、接合部材としてのはんだボール４０を介して接合することにより、相互に電気的に接続される。２段目と３段目の半導体装置１０ａ、１０ｂは、２段目の半導体装置１０ａの導通部１８ａと３段目の半導体装置１０ｂの配線層３０ｂに形成されたランド３４ｂとを、はんだボール４０を介して接合することにより相互に電気的に接続される。
【００２０】
１段目の半導体装置１０と２段目の半導体装置１０ａとをはんだボール４０を介して接合するため、２段目の半導体装置１０ａに形成するランド３４ａは、導通部１８と同一の平面配置（互いに対向配置となる）となるように形成する。ランド３４ａは、すべての導通部１８と電気的に接続する必要はなく、導通部１８のいくつかを選択して電気的に接続する設定としてもよい。
２段目と３段目の半導体装置１０ａ、１０ｂについても、導通部１８ａと同一の平面配置に３段目の半導体装置１０ｂの配線層３０ｂに設けるランド３４ｂの配置を設定する。
【００２１】
半導体装置１０、１０ａ、１０ｂに設ける導通部１８、１８ａ、１８ｂの平面配列を共通配列とし、半導体装置１０ａ、１０ｂに設けるランド３４ａ、３４ｂの平面配列を導通部１８、１８ａ、１８ｂの平面配列と同一配列とすることにより、半導体装置を４段以上等の任意の段数積み重ねて複合半導体装置とすることが容易に可能になり、半導体装置の汎用性が向上する。
【００２２】
図３に示す実施形態は、接合部材としてはんだボール４０を使用した例である。段間において半導体装置を電気的に接続して接合する方法としては、はんだボール４０を使用する他に、ランド３４ａ、３４ｂに金バンプ等のバンプを接合し、導通部１８、１８ａとバンプとをはんだ接合する方法、異方導電性フィルムを利用して接続する方法、はんだペーストや導電性ペースト等の導電材を利用して接続する方法等が利用できる。
【００２３】
半導体装置１０、１０ａ、１０ｂに搭載する半導体素子１２、１２ａ、１２ｂの種類は適宜選択可能であり、半導体装置１０、１０ａ、１０ｂに搭載する半導体素子を選択することにより、用途に応じた複合半導体装置を提供することができる。
なお、半導体装置に搭載する半導体素子は、任意の種類の半導体素子が選択できるほか、大きさ、厚さについても同一寸法のものを搭載しなければならないものではない。また、上記例においては、一つの基板内に一つの半導体素子を搭載しているが、一つの基板内に複数の半導体素子を搭載することも可能である。複数個の半導体素子を搭載する場合に、基板１６の中央部にまとめて半導体位置することもできるし、基板１６の平面領域内に散在させる配置とすることもできる。
【００２４】
図４は、基板１６の他方の面に、半導体素子１２の放熱板５０と電子部品５２ａ、５２ｂを搭載した半導体装置の例を示す。
放熱板５０は半導体素子１２の裏面に下面を当接して搭載されている。電子部品５２ａ、５２ｂは半導体素子であり、放熱板５０が配置されている領域の外側域に配置され、半導体素子５２ａ、５２ｂと導通部１８とがワイヤボンディングにより電気的に接続されている。
【００２５】
半導体素子５２ａ、５２ｂと導通部１８とをボンディングワイヤ５３により電気的に接続することによって、配線層３０と半導体素子５２ａ、５２ｂが電気的に接続され、半導体素子５２ａ、５２ｂが半導体素子１２と電気的に接続されることになる。
半導体素子５２ａ、５２ｂと導通部１８とを電気的に接続する方法としては、ワイヤボンディング法によらず、半導体素子５２ａ、５２ｂの電極端子形成面を導通部１８の端面（上面）に対向させ、電極端子と導通部１８とを直接的に接続するフリップチップ法と類似の方法によることもできる。
【００２６】
放熱板５０と半導体素子５２ａ、５２ｂとは封止樹脂５５により、半導体装置１０の他方の面上で封止されている。封止樹脂５５は放熱板５０の端面を外面に露出させて封止している。半導体素子１２の裏面に放熱板５０を装着し、放熱板５０の端面（上面）を封止樹脂５５から露出させたことによって、半導体素子１２から効率的に熱放散させることができる。本実施形態の半導体装置の構造は、発熱量の大きな半導体素子１２を搭載する半導体装置として有効な構造である。
【００２７】
放熱板５０と半導体素子５２ａ、５２ｂの樹脂封止は、樹脂封止装置を用いて行うことができる。封止樹脂５５により、ボンディングワイヤ５３を含めて半導体素子５２ａ、５２ｂを封止することにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
なお、半導体装置１０の構造としては、半導体素子１２の裏面に放熱板５０のみを接合した構造とすることもできる。その場合に、基板１６の他方の面を樹脂封止せず、導通部１８をその上に積み重ねる半導体装置１０との電気的接続に使用することもできる。もしくは、放熱板５０を設けた半導体装置１０を最上段に使用するといった使用方法も可能である。
【００２８】
なお、基板１６の他方の面に半導体素子５２ａ、５２ｂ等の電子部品を搭載する構造としては、半導体素子５２ａ、５２ｂの他に、チップコンデンサ、チップ抵抗等の回路部品を搭載することもでき、これらを複合させて搭載することもできる。半導体素子や任意の回路部品を搭載することによって、種々の用途を備える半導体装置として提供される。なお、半導体素子５２ａ、５２ｂや回路部品を搭載し、放熱板５０を使用しない構造とすることも可能である。また、半導体素子５２ａ、５２ｂや回路部品は、常に、樹脂によってモールドして使用しなければならないものではない。
【００２９】
（半導体装置の製造方法）
図５、６に、半導体装置１０の製造工程例を示す。
図５（ａ）は、導通部１８を形成するために、銅板６０をプレス金型を用いて半切断する工程を示す（半切断工程）。プレス金型のパンチ６２には、半導体装置１０に形成する導通部１８の平面配置に合わせた配置に突起６２ａが形成されたパンチを用いる。突起６２ａは、端面形状を半導体装置１０に形成する導通部１８の端面形状に一致する形状とし、導通部１８の高さ（厚さ）よりもパンチ６２の端面から若干長く延出するように形成する。
【００３０】
なお、半導体装置１０の製造工程においては、半導体装置１０は多数個取りとして製造する。したがって、導通部１８を形成するための銅板６０等には、半導体装置１０が多数個とれる大判のワークを使用する。図５、６においては、説明上、一つの半導体装置１０となる部分を示したものである。
【００３１】
図５（ｂ）は、パンチ６２により銅板６０を半切断（半抜き）した状態を示す。図５（ｂ）では、ダイを省略している。銅板６０に向けてパンチ６２を突き下ろすことにより、銅板６０から突部６０ａが突出する形態に加工される（突部の加工工程）。突部６０ａは、突起６２ａの端面形状と同一の端面形状の柱状に突出する。
銅板６０を半切断するとは、銅板６０を厚さ方向に抜く際に、突部６０ａの基部をわずかに銅板６０に連結させた状態に加工することを言う。突部６０ａと銅板６０との連結部分の肉厚が薄くなるように加工することによって、後工程において、銅板６０から突部６０ａを簡単に分離することができる。
【００３２】
図５（ｃ）は、突部６０ａが形成された銅板６０を支持板６４に接着して支持した状態を示す（加工金属板の支持工程）。支持板６４は、半導体素子１２を搭載する操作、樹脂成形部１４を成形する操作等の際に半導体素子１２等を支持する目的で使用する。支持板６４には、一定の保形性を有する材料であれば、金属板、樹脂板、ガラス板等の適宜材料を用いることができる。
本実施形態においては、支持板６４として銅板を使用し、銅板の表面に接着フィルムをラミネートして支持板６４の表面に接着層６５を形成し、押圧治具６６により銅板６０を支持板６４に押圧し、支持板６４に銅板６０を接着した。
【００３３】
図５（ｄ）は、支持板６４上に突部６０ａを残して支持板６４から銅板６０の基体部分を除去し、支持板６４上に導通部１８を形成した状態を示す（導通部形成工程）。支持板６４上に突部６０ａの下面を接着した状態で銅板６０の基体部分を上方に引き剥がすようにすると、銅板６０の基体部分から突部６０ａが分離され、図５（ｄ）に示すように、支持板６４上に導通部１８が起立した状態に支持されて残される。
【００３４】
次いで、図５（ｅ）に示すように、支持板６４上の所定位置に半導体素子１２を接合して固定する。半導体素子１２は電極端子１３が形成されている面を支持板６４に向け、接着層６５をにより支持板６４に接着固定する。図５（ｄ）に示すように、半導体素子１２が搭載される領域の周囲に導通部１８が配置され、半導体素子１２が搭載される領域は空白域となっている。半導体素子１２はこの半導体素子搭載領域に搭載される。
なお、支持板６４にあらかじめ半導体素子１２を接合した状態で、支持板６４に突部６０ａを接合して導通部１８を支持板６４上に残す工程とすることも可能である。
【００３５】
図６（ａ）は、支持板６４の半導体素子１２と突部６０ａが支持されている面（片面）を樹脂成形し、半導体素子１２と導通部１８を封止樹脂１４０によって封止した状態を示す（樹脂封止工程）。
半導体素子１２と導通部１８とを樹脂封止するには、樹脂封止金型により支持板６４の外周囲をクランプし、支持板６４の半導体素子１２が搭載された側にキャビティを形成し、キャビティにエポキシ樹脂等の樹脂を充填し、樹脂硬化させればよい。
支持板６４の半導体素子１２が搭載された側を樹脂封止する際には、導通部１８の頂部面（上面）まで封止樹脂１４０中に埋没するようにキャビティの深さを設定して樹脂封止する。図６（ａ）は、半導体素子１２と導通部１８の全体が封止樹脂１４０中に埋没して封止された状態を示す。
【００３６】
次に、封止樹脂１４０の外面を研磨加工し、封止樹脂１４０の外面に導通部１８の頂部面（上面）を露出させる（研磨加工工程）。図６（ｂ）は、封止樹脂１４０の外面を研磨し、導通部１８の頂部面を封止樹脂１４０の外面に露出させた状態を示す。この樹脂の研磨加工工程により、封止樹脂１４０の外面と均一面となるように導通部１８の頂部面が露出する。
【００３７】
図６（ｂ）は、樹脂成形部１４の外面と導通部１８の外面とが均一の平坦面となるように研磨した状態で、半導体素子１２の裏面は樹脂成形部１４中に埋没している。
図６（ｃ）は、樹脂成形部１４と導通部１８との研磨加工をさらに進め、半導体素子１２の裏面（電極端子１３が形成された面とは反対側の面）を樹脂成形部１４の外面に露出させた状態を示す。
【００３８】
なお、半導体装置をさらに薄型化する場合は、半導体素子１２の裏面側についても、樹脂成形部１４、導通部１８とともに研磨を進めるようにすればよい。
半導体素子１２は図６（ｂ）に示すように、樹脂成形部１４中に埋没させた状態とすることもできるし、図６（ｃ）に示すように、樹脂成形部１４の外面に裏面が露出するようにすることができる。封止樹脂１４０の外面を研磨加工することにより、半導体素子１２の外面（裏面）と、封止樹脂１４の外面と、導通部１８の外面とが略均一の高さ面となる。
【００３９】
半導体素子１２を樹脂成形部１４中に埋没させた状態にすれば、半導体素子１２が樹脂によって封止され、半導体装置の信頼性が向上する。また、樹脂成形部１４が肉厚になることから、半導体装置の保形性、強度が向上する。
半導体素子１２の裏面を樹脂成形部１４から露出させると、半導体素子１２からの熱放散性が良好となり、半導体素子１２の裏面に放熱板を取り付けることによって、さらに放熱性が良好となる。また、半導体素子１２の裏面側まで研磨することにより、半導体装置の厚さを薄くすることができ、半導体素子１２が搭載された状態で、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００４０】
なお、本実施形態においては、図６（ｂ）に示すように、樹脂成形部１４中に半導体素子１２が埋没して樹脂封止されるように、銅板６０を半切断する工程において、突部６０ａの高さが半導体素子１２の厚さよりも高くなるように設定している。半導体素子１２の裏面を樹脂成形部１４の外面に露出させる構成とする場合は、突部６０ａの高さを半導体素子１２と略同厚に加工するのがよい。後工程における樹脂成形部１４の研磨作業を省略しあるいは容易にするためである。
【００４１】
図４に示すように、半導体素子１２の裏面に放熱板５０を配置し、基板の裏面側に半導体素子等の電子部品を搭載する場合は、図６（ｃ）の状態において、半導体素子１２の裏面に放熱板５０を接合し、半導体素子５２ａ、５２ｂを搭載した後、支持板６４を樹脂モールド金型によってクランプし、支持板６４の半導体素子１２が搭載された片面側を樹脂封止すればよい。必要に応じて、放熱板５０の端面が露出するように封止樹脂５５の表面を研磨加工すればよい。
【００４２】
図６（ｂ）、（ｃ）に示す状態から支持板６４を除去し、半導体素子１２と樹脂成形部１４からなる基板１６を形成する（支持板除去工程）。
図６（ｄ）は、図６（ｃ）に示す状態から支持板６４を除去し、半導体素子１２の側面を囲む配置に、半導体素子１２と一体に樹脂成形部１４が形成された基板１６が得られた状態を示す。樹脂成形部１４には、樹脂成形部１４を厚さ方向に関す通する導通部１８が設けられている。
支持板６４に接していた側である樹脂成形部１４の下面、導通部１８の下面、半導体素子１２の電極端子形成面は略同一平面に形成される。
【００４３】
支持板６４を除去する方法としては、支持板６４の材質により、支持板６４を化学的にエッチングして除去する方法、接着層６５の接着性を低下させ、支持板６４を機械的に剥離するようにして除去する方法等を選択して行えばよい。接着層６５が基板１６に残留している場合は、接着層６５のみを化学的あるいは物理的にエッチングして除去すればよい。
【００４４】
支持板６４を除去した後、基板１６の一方の面（半導体素子１２の電極端子１３が形成されている側の面）上に配線層３０を形成する。配線層３０は、ビルドアップ法等の一般的な配線基板の製造方法を適用して形成される。たとえば、エポキシ樹脂のフィルムを基積層して絶縁層３３を形成し、レーザ加工によりビア穴を形成し、セミアディティブ法を利用してビア３６と配線パターン３２とを形成する。半導体素子１２の電極端子形成面と導通部１８に接触する絶縁層３３には、半導体素子１２の電極端子１３に接続するビア３６と導通部１８の下面に接続するビア３６を形成し、絶縁層３３の面内に設けた配線パターン３２を介して半導体素子１２と導通部１８とが電気的に接続される。
層間の配線パターン３２はビア３６を介して電気的に接続される。配線層３０における配線パターンの積層数、パターン配置等は適宜設定可能である。
【００４５】
配線層３０の最表面には外部接続端子が接合されるランド３４が形成される、配線層３０の表面は、ランド３４が形成されている部位を除いて、ソルダーレジスト等の保護膜３７によって被覆されている。ランド３４には金めっき等の保護めっきが施される。導通部１８の樹脂成形部１４から露出する端面にも、金めっき等の保護めっき（耐蝕めっき）を施し、導通部１８にはんだボールを接合したり、導通部１８にワイヤボンディングしたりする際に確実に接合されるようにするのがよい。
【００４６】
大判のワークに配線層３０を形成した後、ワークを個片の半導体装置１０切断し、図１に示す、半導体装置１０が得られる。
本実施形態の半導体装置の製造方法においては、銅板６０をプレス加工して導通部１８となる突部６０ａを形成している。突部６０ａはプレス加工によって形成するから、高さが数百μｍあるような場合であっても、簡単に突部６０ａを形成することができる。また、プレス加工によって突部６０ａを形成するから、突部６０ａの平面配置位置や平面形状を任意に設定でき、量産が可能である。
【００４７】
本実施形態においては、支持板６４上に導通部１８と半導体素子１２を配置し、樹脂成形方法を利用して基板１６を形成する。したがって、支持板６４上における導通部１８と半導体素子１２の配置を選択することによって、種々の形態の半導体装置を製造することができ、一つの半導体装置内に複数の半導体素子１２を搭載した半導体装置を形成することも容易である。
【００４８】
導通部１８は支持板６４上に所定の配列に設けるものである。導通部１８を形成する方法は、上述したように銅板６０等の金属板をプレス加工して形成する方法に限定されるものではない。たとえば、めっき法によって支持板６４上に導通部１８を形成することも可能である。すなわち、支持板６４上に導通部１８の高さよりも厚いレジスト膜をラミネートし、露光及び現像により導通部１８を形成する部位が凹部となるレジストパターンを形成し、電解銅めっきにより凹部内に銅めっきを盛り上げて導通部１８を形成することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０、１０ａ、１０ｂ  半導体装置
１２、１２ａ、１２ｂ  半導体素子
１３  電極端子
１４  樹脂成形部
１６  基板
１８、１８ａ、１８ｂ  導通部
３０、３０ａ、３０ｂ  配線層
３２  配線パターン
３３  絶縁層
３４、３４ａ、３４ｂ  ランド
３６  ビア
３７  保護膜
４０  はんだボール
５０  放熱板
５２ａ、５２ｂ  電子部品（半導体素子）
５５  封止樹脂
６０  銅板
６０ａ  突部
６４  支持板
６５  接着層
１４０  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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