(57)【要約】      （修正有）【課題】気密性が高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁性基板２と、絶縁性基板２の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップ１０と、絶縁性基板２に接続されたチップ部品１４と、絶縁性基板２とデバイスチップ１０との上に設けられたリッド１６と、絶縁性基板２の上面の周辺部に、絶縁性基板２の上面を囲むように設けられた第１金属パターン２２と、リッド１６の絶縁性基板２と対向する面の周辺部に、リッド１６の絶縁性基板２と対向する面を囲むように設けられた第２金属パターン２４と、第１金属パターン２２と第２金属パターン２４とを、絶縁性基板２とリッド１６との間であって第１金属パターン２２及び第２金属パターン２４の設けられていない領域並びに絶縁性基板２とデバイスチップ１０との間に空洞２８が形成されるように接合する封止半田２０とを具備する電子部品モジュール。【選択図】図２
2010045201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
前記絶縁性基板に接続されたチップ部品と、
前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの上に設けられたリッドと、
前記絶縁性基板の上面の周辺部に、前記絶縁性基板の上面を囲むように設けられた第１金属パターンと、
前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面の周辺部に、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面を囲むように設けられた第２金属パターンと、
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンとを、前記絶縁性基板と前記リッドとの間であって前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンの設けられていない領域並びに前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの間に空洞が形成されるように接合する封止半田とを具備することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
前記チップ部品は前記絶縁性基板の上面に実装され、前記空洞は前記チップ部品と前記デバイスチップとの間及び前記チップ部品と前記封止半田との間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュール
【請求項３】
前記チップ部品は前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面に実装され、前記チップ部品は前記リッドに設けられたビア及び前記空洞に形成された配線を介して前記絶縁性基板と接続されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記第２金属パターンは前記デバイスチップと重なるように設けられ、前記封止半田は前記デバイスチップの上面を覆うように、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンとを接合することを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記リッドにシールドパターンが設けられていることを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
複数の前記デバイスチップがフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面にフリップチップ実装された別のデバイスチップと、
前記別のデバイスチップの上に設けられた別のリッドと、
前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面の周辺部に、前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面を囲むように設けられた第３金属パターンと、
前記別のリッドの前記リッドと対向する面の周辺部に、前記リッドと対向する面を囲むように設けられた第４金属パターンと、
前記第３金属パターンと前記第４金属パターンとを、前記リッドと前記別のリッドとの間であって前記第３金属パターン及び前記第４金属パターンの設けられていない領域並びに前記リッドと前記別のデバイスチップとの間に空洞が形成されるように接合する別の封止半田とを具備することを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記デバイスチップは弾性波デバイスチップであることを特徴とする請求項１から７いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項９】
絶縁性基板の上面にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
前記絶縁性基板とチップ部品とを接続する工程と、
前記絶縁性基板の上面の周辺部に前記上面を囲むように設けられた第１金属パターンと、リッドの前記絶縁性基板と対向する面に前記絶縁性基板と対向する面を囲むように設けられた第２金属パターンとを、前記絶縁性基板と前記リッドとの間であって前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンの設けられていない領域並びに前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの間に空洞が形成されるように封止半田で接合する工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記チップ部品を接続する工程は、前記空洞が前記チップ部品と前記デバイスチップとの間及び前記チップ部品と前記封止半田との間に形成されるように、前記絶縁性基板の上面に前記チップ部品を実装する工程であることを特徴とする請求項９記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記チップ部品を接続する工程は、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面に前記チップ部品を実装し、前記リッドに設けられたビア及び前記空洞に形成された配線を介して前記基板と接続する工程であることを特徴とする請求項９記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記封止半田で接合する工程は、前記絶縁性基板と前記リッドとの間に半田シートを配置し、前記半田シートを加熱及び加圧する工程であることを特徴とする請求項９から１１いずれか一項記載の電子部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品モジュール及びその製造方法に関し、特にデバイスチップを基板にフリップチップ実装する電子部品モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化、低コスト化の要求に伴い、デバイスチップと基板とをバンプを用いて接続するフリップチップ実装技術が用いられることがある。また、デバイスチップだけでなく、例えばインダクタンスやコンデンサ等のいわゆるチップ部品も基板と接続し、電子部品をモジュールとして形成し、高集積化することが多くなっている。
【０００３】
こうした電子部品モジュールにおいては、外部から加わる衝撃、異物付着、浸入する水分等により、デバイスチップの機能が損なわれることがある。特に、デバイスチップが弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）や薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）などの場合、特性が変化することがある。これらを抑制するために、デバイスチップを封止し保護する技術が用いられている。
【０００４】
特許文献１及び特許文献２には多層基板上に弾性波素子とその他の表面実装素子とが搭載され、各々が樹脂からなる側壁と蓋とで封止する技術が開示されている。
【０００５】
従来例として特許文献１及び２の技術について説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）の各々は、特許文献１及び２の各々に係る電子部品モジュールの断面図である。
【０００６】
図１（ａ）に示すように、内導体層３を有するセラミック多層基板５の上面に設けられた電極８に、バンプ１２を介してＳＡＷデバイスチップ１０が接続されている。すなわち、ＳＡＷデバイスチップ１０はセラミック多層基板５の上面にフリップチップ実装されている。また、チップ部品１４が電極８に半田７により接続されている。ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１４は、樹脂からなる側壁４及び樹脂からなるリッド６（樹脂蓋）により封止されている。また、図１（ｂ）に示すように、複数のＳＡＷデバイスチップ１０が個別に側壁４とリッド６とにより封止され、チップ部品１４は封止されない構造を採ることもある。
【特許文献１】特開２００２−７６８３２号公報
【特許文献２】特開２００２−８４１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した電子部品モジュールでは、側壁及びリッドが樹脂により形成されているため、気密性が劣るという課題があった。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑み、気密性が高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記絶縁性基板に接続されたチップ部品と、前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの上に設けられたリッドと、前記絶縁性基板の上面の周辺部に、前記絶縁性基板の上面を囲むように設けられた第１金属パターンと、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面の周辺部に、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面を囲むように設けられた第２金属パターンと、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンとを、前記絶縁性基板と前記リッドとの間であって前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンの設けられていない領域並びに前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの間に空洞が形成されるように接合する封止半田とを具備することを特徴とする電子部品モジュールである。本発明によれば、気密性が高い電子部品モジュールを提供することができる。
【００１０】
上記構成において、前記チップ部品は前記絶縁性基板の上面に実装され、前記空洞は前記チップ部品と前記デバイスチップとの間及び前記チップ部品と前記封止半田との間に形成されている構成とすることができる。この構成によれば、デバイスチップとチップ部品とは絶縁されるため、独立に動作することが可能となる。
【００１１】
上記構成において、前記チップ部品は前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面に実装され、前記チップ部品は前記リッドに設けられたビア及び前記空洞に形成された配線を介して前記絶縁性基板と接続されている構成とすることができる。この構成によれば、電子部品モジュールの小型化が可能となる。また、デバイスチップとチップ部品とは絶縁されるため、独立に動作することが可能となる。
【００１２】
上記構成において、前記第２金属パターンは前記デバイスチップと重なるように設けられ、前記封止半田は前記デバイスチップの上面を覆うように、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンとを接合する構成とすることができる。この構成によれば、外部からの電気的なノイズを遮断することができる。また、封止半田がデバイスチップを上から押さえつけるため、絶縁性基板とデバイスチップとの接合強度が向上する。
【００１３】
上記構成において、前記リッドにシールドパターンが設けられている構成とすることができる。この構成によれば、外部からの電気的なノイズを遮断することができる。
【００１４】
上記構成において、複数の前記デバイスチップがフリップチップ実装されている構成とすることができる。この構成によれば、電子部品モジュールの集積度を高めることができる。
【００１５】
上記構成において、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面にフリップチップ実装された別のデバイスチップと、前記別のデバイスチップの上に設けられた別のリッドと、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面の周辺部に、前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面を囲むように設けられた第３金属パターンと、前記別のリッドの前記リッドと対向する面の周辺部に、前記リッドと対向する面を囲むように設けられた第４金属パターンと、前記第３金属パターンと前記第４金属パターンとを、前記リッドと前記別のリッドとの間であって前記第３金属パターン及び前記第４金属パターンの設けられていない領域並びに前記リッドと前記別のデバイスチップとの間に空洞が形成されるように接合する別の封止半田とを具備する構成とすることができる。この構成によれば、電子部品モジュールの実装密度を高めることができる。
【００１６】
上記構成において、前記デバイスチップは弾性波デバイスチップである構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、絶縁性基板の上面にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記絶縁性基板とチップ部品とを接続する工程と、前記絶縁性基板の上面の周辺部に前記上面を囲むように設けられた第１金属パターンと、リッドの前記絶縁性基板と対向する面に前記絶縁性基板と対向する面を囲むように設けられた第２金属パターンとを、前記絶縁性基板と前記リッドとの間であって前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンの設けられていない領域並びに前記絶縁性基板と前記デバイスチップとの間に空洞が形成されるように封止半田で接合する工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法である。本発明によれば、気密性が高い電子部品モジュールの製造方法を提供することができる。
【００１８】
上記構成において、前記チップ部品を接続する工程は、前記空洞が前記チップ部品と前記デバイスチップとの間及び前記チップ部品と前記封止半田との間に形成されるように、前記絶縁性基板の上面に前記チップ部品を実装する工程である構成とすることができる。この構成によれば、デバイスチップとチップ部品とは絶縁されるため、独立に動作することが可能となる。
【００１９】
上記構成において、前記チップ部品を接続する工程は、前記リッドの前記絶縁性基板と対向する面とは反対の面に前記チップ部品を実装し、前記リッドに設けられたビア及び前記空洞に形成された配線を介して前記基板と接続する工程である構成とすることができる。この構成によれば、電子部品モジュールの小型化が可能となる。また、デバイスチップとチップ部品とは絶縁されるため、独立に動作することが可能となる。
【００２０】
上記構成において、前記封止半田で接合する工程は、前記絶縁性基板と前記リッドとの間に半田シートを配置し、前記半田シートを加熱及び加圧する工程である構成とすることができる。この構成によれば、半田シートが溶融し、第１金属パターン及び第２金属パターンに沿って流動するため、電子部品モジュールを気密性高く封止することができる。また、一度の工程で配線と封止半田とを形成することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、気密性が高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
図２（ａ）は実施例１に係る電子部品モジュールの断面図であり、図２（ｂ）は基板の上面図、図２（ｃ）はリッドの下面図である。図の簡略化のため、縮尺については省略して図示している。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、例えばアルミナを主成分とする高温焼成セラミック（ＨＴＣＣ）等の絶縁体からなる、厚さＴ１が例えば０．２ｍｍの絶縁性基板２の上面に、例えばＡｌからなる電極８が設けられている。二つのＳＡＷデバイスチップ１０は、例えばＡｕ等の金属からなるバンプ１２を介して電極８に接続されている。すなわち、ＳＡＷデバイスチップ１０は絶縁性基板２の上面にフリップチップ実装されている。ＳＡＷデバイスチップ１０の高さＨ１は例えば０．２〜０．３ｍｍである。チップ部品１４と電極８とは、例えばＳｎ−Ａｇ等からなる半田７を用いて接続されている。すなわち、チップ部品１４は絶縁性基板２の上面に実装されている。チップ部品の高さＨ２は例えば０．２〜０．３ｍｍである。電極８は絶縁性基板２の下面に設けられた例えばＷ＋Ｎｉ＋Ａｕ等の金属からなる端子１８と導通している。絶縁性基板２、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１４の上には、例えばアルミナを主成分とする高温焼成セラミック等の絶縁体からなる、厚さＴ２が例えば０．２〜０．４ｍｍのリッド１６が設けられている。
【００２５】
図２（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、絶縁性基板２の上面の周辺部には、上面を囲むように、例えばＡｕ等の金属からなる、例えば厚さＴ３が１〜３０μｍの第１金属パターン２２が設けられている。
【００２６】
図２（ｃ）及び図２（ａ）に示すように、リッド１６の絶縁性基板２と対向する面（下面）には、下面を囲み、かつＳＡＷデバイスチップ１０と重なるように例えばＡｕ等の金属からなる、例えば厚さＴ４が１〜３０μｍの第２金属パターン２４が設けられている。また、チップ部品１４と重なる部分には第２金属パターン２４は設けられていない。ＳＡＷデバイスチップ１０の上面と第２金属パターン２４との間の高さＨ３は例えば０．１ｍｍ以下である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、第１金属パターン２２と第２金属パターン２４とは、例えばＳｎ−Ａｇからなる封止半田２０により接合されている。すなわち、ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１４とはリッド１６と封止半田２０とにより封止されている。このとき、絶縁性基板２とＳＡＷデバイスチップ１０との間、及び絶縁性基板２とリッド１６との間であって第１金属パターン２２及び第２金属パターン２４が設けられていない領域に空洞２８が形成される。すなわち、チップ部品１４とＳＡＷデバイスチップ１０との間、チップ部品１４と封止半田２０との間に空洞２８が形成される。
【００２８】
次に、実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図３（ａ）から図４（ｂ）は実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す断面図である。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、多面取り構造の絶縁性基板３２の上面に設けられた電極８に半田７を印刷し、チップ部品１４を接続する。すなわち、表面実装技術を用いて、チップ部品１４を絶縁性基板３２の上面に実装する。
【００３０】
図３（ｂ）に示すように、バンプ１２を用いてＳＡＷデバイスチップ１０を絶縁性基板３２の上面にフリップチップ実装する。
【００３１】
図３（ｃ）に示すように、絶縁性基板３２、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１４の上に半田シート３５及びリッド３４を配置する。このとき、絶縁性基板３２とリッド３４との間に半田シート３５が配置される。
【００３２】
図３（ｄ）に示すように、半田シート３５を加熱及び加圧することで、溶融した半田シート３５は絶縁性基板３２の上面に設けられた第１金属パターン２２及びリッド３４の下面に設けられた第２金属パターン２４に沿って流動する。溶融した半田が固化することで、第１金属パターン２２と第２金属パターン２４とは封止半田２０で接合される。すなわち、ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１４とがリッド１６と封止半田２０とにより封止される。このとき、絶縁性基板３２とリッド１６との間であって第１金属パターン２２及び第２金属パターン２４が設けられていない領域、並びに絶縁性基板３２とＳＡＷデバイスチップ１０との間には空洞２８が形成される。
【００３３】
図４（ａ）に示すように、例えばダイシング工程を行うことにより、リッド１６及び封止半田２０を切断する。このとき、絶縁性基板３２は切断されない。
【００３４】
図４（ｂ）に示すように、無電解メッキ法または電解メッキ法により、例えばＮｉ等のからなる金属膜２６を封止半田２０の表面に形成する。この後、絶縁性基板３２を切断することにより図２（ａ）に示した電子部品モジュールが完成する。
【００３５】
実施例１によれば、溶融した半田が第１金属パターン２２と第２金属パターン２４とに沿って流動し、両者を接合するため、樹脂で封止する場合よりも気密性の高い電子部品モジュールを提供することができる。これにより、耐湿性はＭＳＬ１を維持することができた。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、チップ部品１４とＳＡＷデバイスチップ１０との間、チップ部品１４と封止半田２０との間に空洞２８が形成される。すなわち、チップ部品１４と封止半田２０とは絶縁される。同様に、ＳＡＷデバイスチップ１０と封止半田２０とは絶縁される。従って、ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１４とは、各々が独立に動作することが可能となる。これを用いて、例えばチップ部品１４を整合回路とし、ＳＡＷデバイスチップ１０と組み合わせて実装することで、安価な高温焼成セラミックからなる絶縁性基板２を用いて、低コストかつ気密性の高いデュプレクサを提供することができる。
【００３７】
第２金属パターン２４はリッド１６の下面を囲むように設けられていれば、封止半田２０で封止することができる。しかし、第２金属パターン２４がＳＡＷデバイスチップ１０と重なる位置に設けられているため、封止半田２０はＳＡＷデバイスチップ１０の上面を覆うこととなる。これにより、第２金属パターン２４と封止半田２０とは外部からの電気的なノイズを遮断するシールドとして機能する。また、封止半田２０がＳＡＷデバイスチップ１０を上から押さえつけるため、絶縁性基板２とＳＡＷデバイスチップ１０との接合強度が向上する。従って、第２金属パターン２４はＳＡＷデバイスチップ１０と重なる位置に設けられていることが好ましい。
【００３８】
バンプ１２はＡｕに限定されないが、図３（ｂ）から図３（ｄ）に示すように、ＳＡＷデバイスチップ１０のフリップチップ実装工程の後に半田シート３５を加熱する封止工程を行うため、バンプ１２を形成する金属は、半田シート３５を形成する半田の融点よりも高いことが好ましい。また、第１金属パターン２２及び第２金属パターン２４もＡｕに限定されず、封止半田２０との濡れ性が良好な金属であればよい。
【００３９】
金属膜２６は形成されなくてもよいが、機械的強度を向上させるためには金属膜２６が形成されていることが好ましい。
【実施例２】
【００４０】
実施例２は、リッド１６にシールドパターンが設けられている例である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は実施例２に係る電子部品モジュールの断面図である。既述した構成と同様の構成については説明を省略する。
【００４１】
図５（ａ）に示すように、リッド１６の上面に例えばＷ＋Ｎｉ＋Ａｕ等の金属からなるシールドパターン３０が設けられており、その上にはメッキにより形成された金属膜２６が設けられている。
【００４２】
また、図５（ｂ）に示すように、リッド１６がいずれも例えば高温焼成セラミックからなる複数の層１６ａ及び１６ｂを有し、その間にシールドパターン３０が設けられていてもよい。
【００４３】
実施例２によれば、シールドパターン３０が設けられているため、電気的なノイズを遮断する効果をより大きくすることができる。
【実施例３】
【００４４】
実施例３はリッドの上面にチップ部品が実装されている例である。図６（ａ）は実施例３に係る電子部品モジュールの断面図であり、図６（ｂ）から図６（ｄ）の各々は、絶縁性基板の上面図、リッドの下面図、リッドの上面図である。
【００４５】
図６（ａ）及び図６（ｄ）に示すように、リッド１６の絶縁性基板２と対向する面とは反対の面（上面）に設けられた例えばＷ＋Ｎｉ＋Ａｕ等の金属からなる電極３６ａ及び３６ｂにチップ部品１４が、半田７を用いて接続されている。すなわち、チップ部品１４がリッド１６の上面に実装されている。
【００４６】
図６（ｂ）に示すように、絶縁性基板２の上面には電極９が設けられている。電極３８と電極９とは、例えばＷ＋Ｎｉ＋Ａｕ等の金属からなる。また、図６（ｃ）に示すように、リッド１６の下面には、第２金属パターン２４と絶縁されている電極３８が設けられている。
【００４７】
リッド１６の上面に設けられた電極３６ａと、下面に設けられた電極３８とは、直径Ｒ１が例えば０．３ｍｍで、リッド１６を貫通し、内部に例えばＷやＣｕ等の金属が充填されたビア４０を介して接続されている。また、電極３６ａと電極９とは、空洞２８に形成された、直径Ｒ２がＲ１より大きく、例えばＳｎ−Ａｇ等の半田からなる配線４２により接続されている。すなわち、チップ部品１４と絶縁性基板２とは接続されている。また、電極３６ｂと第２金属パターン２４とはビア４０を介して接続されている。すなわち、電極３６ｂは接地されている。
【００４８】
図７（ａ）から図８（ｂ）は、実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法を示す断面図である。
【００４９】
図７（ａ）に示すように、絶縁性基板３２の上面にＳＡＷデバイスチップ１０をフリップチップ実装する。
【００５０】
図７（ｂ）に示すように、絶縁性基板３２及びＳＡＷデバイスチップの上に半田シート３５とリッド３４とを配置する。
【００５１】
図７（ｃ）に示すように、半田シート３５を加熱及び加圧することで、第１金属パターン２２と第２金属パターン２４とが接合される。このとき、図３（ｄ）と同様に、絶縁性基板３２とリッド１６との間であって第１金属パターン２２及び第２金属パターン２４が設けられていない領域、並びに絶縁性基板３２とＳＡＷデバイスチップ１０との間には空洞２８が形成される。また、空洞２８には、電極３８と電極９とを接続する配線４２が形成される。
【００５２】
図７（ｄ）に示すように、例えばダイシング工程を行うことにより、リッド１６及び封止半田２０を切断する。
【００５３】
図８（ａ）に示すように、無電解メッキ法または電解メッキ法により、例えばＮｉ等の金属からなる金属膜２６を封止半田２０の表面に形成する。
【００５４】
図８（ｂ）に示すように、リッド１６の上面に半田７を印刷し、チップ部品１４を電極３６ａ及び３６ｂに接続する。すなわち、表面実装技術を用いて、チップ部品１４をリッド１６の上面に実装する。この後、絶縁性基板３２を切断することにより、実施例３に係る電子部品モジュールが完成する。
【００５５】
実施例３によれば、絶縁性基板２にチップ部品１４を実装するスペースを設けなくてよいため、電子部品モジュールの面積を縮小することが可能となる。また、配線４２は空洞２８に形成されるため、封止半田２０及びＳＡＷデバイスチップ１０と絶縁される。従って、ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１４とは絶縁され、各々が独立に動作することが可能となる。これにより、小型化可能で、かつ気密性が高い電子部品モジュールを提供することができる。また、図７（ｄ）に示すように、配線４２と封止半田２０とは、一度の工程で半田シート３５から形成することができる。すなわち、工程を簡略化することができる。
【００５６】
図９は実施例３の変形例に係る電子部品モジュールの断面図である。図９に示すように、チップ部品１４が例えばエポキシ等からなる樹脂４４により封止されている。これにより、リッド１６の上面に実装されたチップ部品１４を保護することができる。
【実施例４】
【００５７】
実施例４は、電子部品モジュールの実装密度を高めた例である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は実施例４に係る電子部品モジュールの断面図である。
【００５８】
図１０（ａ）に示すように、リッド１６の上面に設けられた電極３６に二つのＳＡＷデバイスチップ５０（別のデバイスチップ）がバンプ１２を介して接続されている。すなわちＳＡＷデバイスチップ５０はリッド１６の上面にフリップチップ実装されている。リッド１６の上面の周辺部には、上面を囲むように第３金属パターン５４が設けられている。また、リッド１６の上に設けられたリッド４６（別のリッド）の下面の周辺部には、下面を囲みかつＳＡＷデバイスチップ５０に重なるように第４金属パターン５６が設けられている。第３金属パターン５４と第４金属パターン５６とは、第１金属パターン２２等と同様に、例えばＡｕ等の金属からなる。封止半田２１（別の封止半田）は第３金属パターン５４と第４金属パターン５６を接合している。すなわち、チップ部品１４とＳＡＷデバイスチップ５０とはリッド４６と封止半田２１とにより封止されている。このとき、リッド１６とリッド４６との間であって第３金属パターン５４及び第４金属パターンが設けられていない領域、並びにリッド１６とＳＡＷデバイスチップ５０との間に空洞５８が形成される。第３金属パターン５４と第２金属パターン２４、電極３６ｂと電極３８とは各々ビア４０を介して接続されている。
【００５９】
リッド４６の上面に設けられた、電極５９ａ及び５９ｂに、チップ部品１４が半田７を介して接続されている。すなわち、チップ部品１４はリッド４６の上面に実装されている。電極５９ａとリッド４６の下面に設けられた電極５７とはビア４８を介して接続されている。また、電極５７とリッド１６の上面に設けられた電極５３とは、空洞５８に形成された配線５２を介して接続されている。すなわち、チップ部品１４はリッド１６と接続されている。また、電極５９ｂと第４金属パターン５６とはビア４０を介して接続されている。すなわち、電極５９ｂは接地されている。
【００６０】
また、図１０（ｂ）に示すように、リッド１６の上面にチップ部品１４を実装せず、リッド１６の上面にのみチップ部品１４が実装されている構成としてもよい。
【００６１】
実施例４によれば、リッド１６の上面にチップ部品１４及びＳＡＷデバイスチップ５０を実装し、封止半田２１とリッド４６とで封止することができる。また、配線５２は空洞５８に設けられている。すなわち、二つのチップ部品１４の各々とＳＡＷデバイスチップ５０とは絶縁されるため、各々独立して動作することが可能となる。これにより、実装密度が高く、かつ気密性が高い電子部品モジュールを提供することができる。
【００６２】
実施例においては、二つのＳＡＷデバイスチップを実装する例を示したが、一つ、または三つ以上でもよい。複数のＳＡＷデバイスチップを実装することで、集積度を高めることができる。また、ＳＡＷデバイスチップ以外の弾性波デバイスチップ、または弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップ、例えばスイッチやアンプ等でもよい。
【００６３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は従来例に係る電子部品モジュールの断面図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１に係る電子部品モジュールの断面図であり、図２（ｂ）は絶縁性基板２の上面図、図２（ｃ）はリッド１６の下面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｂ）は実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は実施例２に係る電子部品モジュールの断面図である。
【図６】図６（ａ）は実施例３に係る電子部品モジュールの断面図であり、図６（ｂ）は絶縁性基板２の上面図、図６（ｃ）はリッド１６の下面図、図６（ｄ）はリッド１６の上面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法示す断面図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｂ）は実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法示す断面図である。
【図９】図９は実施例３の変形例に係る電子部品モジュールの断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は実施例４に係る電子部品モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
絶縁性基板              ２、３２
リッド                  ６、１６、３４、４６
ＳＡＷデバイスチップ    １０、５０
チップ部品              １４
封止半田                ２０、２１
第１金属パターン        ２２
第２金属パターン        ２４
ビア                    ４０、４８
配線                    ４２、５２
第３金属パターン        ５４
第４金属パターン        ５６
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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