(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まり、信頼性を向上させる。【解決手段】板状の半導体基板の表面側に切断治具であるブレードの先端を接触させることにより、半導体基板の主面に凹部を形成しつつ、凹部の底から半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる。次いで、半導体基板の裏面側にフィルムを配置する。そして、劈開を発生させた後に、フィルムを伸長することにより、劈開を促進させて半導体基板を分断する。この様な方法によれば、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。【選択図】図１
2010010514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面にブレードを接触させることにより、前記半導体基板の主面に凹部を形成しつつ、前記凹部の底から前記半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる工程と、
前記半導体基板の裏面にフィルムを配置する工程と、
前記劈開を発生させた後に、前記フィルムを伸長することにより、前記劈開を促進させて前記半導体基板を分断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板を分断する前に、前記半導体基板を樹脂により封止する工程と、
前記凹部上に配置された前記樹脂を除去する工程と、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板を分断する前に、前記半導体基板に形成された半導体装置の電気的特性をプローバにより試験することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の表面にブレードを接触させる前に、前記半導体基板の表面に低誘電率絶縁層を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される回路部と、を備え、
前記半導体基板は、
前記回路部が形成される主面と、
前記主面から連なり、前記主面に対して傾斜する第１の面と、前記第１の面から連なり、劈開面よりなる第２の面とを含む側面と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に半導体装置の個片化に係る半導体装置の製造方法及び当該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に搭載される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されている。これに伴い、半導体素子の外形サイズと略同じサイズにパッケージされた半導体装置である、ＣＳＰ（Chip Size Package）が注目されている。
【０００３】
当該半導体装置は、ウェハ状態にある半導体素子に外部接続用端子を形成させた後、ダイシングによって個片化して得られる。そして、この様な個片化に於いては、通常、回転式のダイシングブレードが用いられる。即ち、樹脂テープ等の支持部材上に載置されたウェハ状態の半導体素子間にダイシングブレードの先端を接触させた後、ウェハの表面側から裏面側まで当該ダイシングブレードの先端を貫通させて、半導体素子の個片化を行う（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３７２７９３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の個片化の方法では、ダイシングブレードの先端が支持部材に到達するまで、ダイシングブレードの先端をウェハ内に貫通させている。
この様に深くダイシングブレードの先端をウェハ内に挿入すると、ダイシングブレードがその主面に対し鉛直方向に振動する所謂びびり振動が大きくなってしまい、ウェハ切断面が当該振動によって損傷を受けてしまう。
【０００５】
特に、最近では、ウェハ基板からの半導体素子の取り出し数を増加させるために、ダイシング領域の狭小化が進行している。また、上述したＣＳＰでは、例えば、ダイシング領域の近傍までに電子回路層を形成している場合もある。従って、半導体素子の側面は、益々、損傷（例えば、チッピング現象）を受け易い状態にあり、上記個片化によってチップ不良を招来してしまう。
【０００６】
この様に、上記の個片化の方法では、個々の半導体素子が損傷を受け、半導体装置の製造歩留まりが低減し、その信頼性が向上しないという問題があった。
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造歩留まりを向上させ、半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法、及び当該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、半導体基板の表面にブレードを接触させることにより、前記半導体基板の主面に凹部を形成しつつ、前記凹部の底から前記半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる工程と、前記半導体基板の裏面にフィルムを配置する工程と、前記劈開を発生させた後に、前記フィルムを伸長することにより、前記劈開を促進させて前記半導体基板を分断する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の別の観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成される回路部と、を備え、前記半導体基板は、前記回路部が形成される主面と、前記主面から連なり、前記主面に対して傾斜する第１の面と、前記第１の面から連なり、劈開面よりなる第２の面とを含む側面と、を有する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
上記手段によれば、半導体装置の製造歩留まりが向上し、半導体装置の信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び当該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施の形態に係る製造工程フローを、図１に示す。
【００１１】
先ず、板状の半導体基板の表面側に連続して複数形成された半導体装置の間に、例えばダイシングブレード等の切断治具の先端を位置させる（ステップＳ１）。
次に、切断治具の先端を半導体基板に接触させて、半導体装置間に位置する半導体基板の主面、例えば、スクライブ領域に切断治具の先端の形状に対応した凹部を形成しながら、凹部の底から半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる（ステップＳ２）。
【００１２】
次に、板状の半導体基板の裏面側に配置させた樹脂フィルムを伸長させて、劈開を促進させる。そして、板状の半導体基板を個々に分断する（ステップＳ３）。
この様な製造工程によれば、板状の半導体基板の表面側に連続して形成された半導体装置の間に、切断治具の先端の形状に対応した凹部が形成されると共に、凹部の底から半導体基板の深さ方向の一部に劈開が発生する。そして、板状の半導体基板の裏面側に配置させた樹脂フィルムを伸長させると、板状の半導体基板が簡便かつ高精度に分断される。これにより、半導体基板に連続して形成された半導体装置が個々の半導体素子に個片化される。
【００１３】
次に、上記製造工程フローに基づき、半導体基板に配列された半導体装置の電気的特性が試験される工程を含む半導体装置の製造方法を、図２乃至図９を用いてより詳細に説明する。
【００１４】
尚、以下に図示する製造方法では、一例としてＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）を製造する方法を例示する。但し、本実施の形態に於いては、特に、ＷＬＣＳＰの製造に限るものではない。
【００１５】
また、以下の説明並びに図面では、同一の部材については、同一の符号を付し、説明の詳細については省略する。
図２乃至図９は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である。
【００１６】
先ず、図２（ａ）に示すように、ウェハ状態の半導体基板１０ｓ上に、絶縁層１０ｉｄを配置し、当該絶縁層１０ｉｄ上に絶縁層１０ｉを配置する。
当該半導体基板１０ｓの主面には、予め、ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する電子回路層が形成されている（図示しない）。
【００１７】
また、絶縁層１０ｉｄ内には、配線層或いはビア電極が多層になって配設され、当該配線層間に層間絶縁膜が配置されている（図示しない）。そして、この様な絶縁層１０ｉｄが絶縁層１０ｉにより被覆・保護されている。
【００１８】
また、絶縁層１０ｉ上には、配線層（再配線層）１０ｌａ，１０ｌｂを選択的に配置し、当該配線層１０ｌａ上に、ポスト電極１０ｐを配置する。そして、半導体基板１０ｓに配置された電子回路層と配線層１０ｌａ，１０ｌｂとを、例えば、絶縁層１０ｉｄ，１０ｉ内に配設した配線層を通じて電気的に接続している。
【００１９】
また、当該半導体基板１０ｓには、半導体基板１０ｓ等をダイシング処理により分断するためのスクライブ領域ｓｃａを設けている。即ち、ダイシングブレード（ダイサー）によりスクライブ領域ｓｃａが切削され、当該スクライブ領域ｓｃａを境に半導体基板１０ｓ等が分断される。尚、スクライブ領域ｓｃａの幅は、例えば、５０μｍ〜９０μｍとしている。
【００２０】
また、スクライブ領域ｓｃａ付近の絶縁層１０ｉｄ内には、絶縁層１０ｉｄ内への水分等の浸透を防止するための耐湿層（耐湿リング）１０ｒｇを設けている。
尚、半導体基板１０ｓの材質は、例えば、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体材料が適用される。
【００２１】
また、絶縁層１０ｉｄの材質は、例えば、低誘電率絶縁材（Ｌｏｗ−ｋ材）が適用される。低誘電率絶縁材としては、多孔質（ポーラス）状の無機材または有機材が適用され、例えば、フッ素ドープドケイ素ガラス（Fluorine-doped Silicon Glass，ＦＳＧ）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、有機樹脂等が適用される。
【００２２】
また、上記絶縁層１０ｉの材質は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）等が適用される。
また、配線層１０ｌａ，１０ｌｂ、ポスト電極１０ｐの材質は、例えば、銅（Ｃｕ）が適用される。
【００２３】
次に、この様な半導体基板１０ｓ等をダイシング装置のテーブル（図示せず）上に搭載して、半導体基板１０ｓ等に最初のダイシング処理を施す。
例えば、回転式のダイシングブレードＤＢの先端をスクライブ領域ｓｃａの中央部分に位置させた後、半導体基板１０ｓの表面側からダイシングブレードＤＢの先端をスクライブ領域ｓｃａの中央部分に接触させて、前記半導体基板１０ｓの表面にダイシングブレードＤＢの先端を挿入する。かかる状態を、図２（ｂ）に示す。
【００２４】
この様なダイシングブレードＤＢは、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）或いはダイヤモンド焼結体を主成分（基材）とし、その表面にダイヤモンド砥粒が配置されている。また、ダイシングブレードＤＢの先端部分の断面形状は、半円状である。また、ダイシングブレードＤＢの肉厚は、２０μｍ〜４０μｍである。
【００２５】
そして、本実施の形態では、ダイシングブレードＤＢの先端を半導体基板１０ｓの裏面側に到達させず、ダイシングブレードＤＢの先端を半導体基板１０ｓの表面近傍に留めている。
【００２６】
この様な方法により、絶縁層１０ｉｄに関しては完全に分断される。但し、半導体基板１０ｓに於いては、半導体基板１０ｓの表面近傍のみが切削される。また、半導体基板１０ｓの深さ方向の途中までには、劈開１０ｃｌが発生する。
【００２７】
即ち、半導体基板１０ｓの主面には、ダイシングブレードＤＢの先端形状に対応した凹部（切り欠き）１０ｃｔが形成すると共に、凹部１０ｃｔの底から半導体基板１０ｓの深さ方向の一部に劈開１０ｃｌが発生する。
【００２８】
この様な劈開１０ｃｌは、ダイシングブレードＤＢが半導体基板１０ｓに挿入されて、凹部１０ｃｔが形成されると共に、当該凹部１０ｃｔがダイシングブレードＤＢの先端によって押し広げられることにより発生する。
【００２９】
即ち、凹部１０ｃｔを押し広げる力が半導体基板１０ｓに印加されると、半導体基板１０ｓが結晶体であることから、当該半導体基板１０ｓが劈開する。
但し、ダイシングブレードＤＢの先端を半導体基板１０ｓの表面近傍に留めていることから、劈開１０ｃｌは半導体基板１０ｓの裏面側に到達せず、凹部１０ｃｔの底から半導体基板１０ｓの深さ方向の途中までに劈開１０ｃｌが形成する。
【００３０】
従って、この段階では、半導体基板１０ｓはウェハ状態にあり、個片化前の状態にある。
また、本実施の形態に於いては、ダイシングブレードＤＢの先端を、半導体基板１０ｓの表面近傍に接触させる程度に留めているので、半導体基板１０ｓの裏面側までダイシングブレードＤＢの先端を到達させる方法に比べ、ダイシングブレードＤＢのびびり振動が抑制される。これにより、絶縁層１０ｉｄ、半導体基板１０ｓは損傷を受け難くなる。
【００３１】
従って、最初のダイシング処理を施しても、絶縁層１０ｉｄ内に配設されている配線層、ビア電極及び耐湿層１０ｒｇ、或いは半導体基板１０ｓの主面側に形成されている電子回路層は破損することなく、原形を維持する。
【００３２】
そして、凹部１０ｃｔに於いては、ダイシングブレードＤＢによって半導体基板１０ｓ上に縦横に形成させる。この様子を図３に示す。図３には、半導体基板１０ｓ等を斜め上方から眺めた様子が例示されている。尚、図３には、絶縁層１０ｉｄ，１０ｉ、配線層１０ｌａ，１０ｌｂ及びポスト電極１０ｐを表示していない。
【００３３】
図示する如く、半導体基板１０ｓ上には、縦横に凹部１０ｃｔが形成している。この様な凹部１０ｃｔは、上述した如く、上記スクライブ領域ｓｃａ内に形成されている。そして、凹部１０ｃｔ内に画定された領域には、個片化前の半導体装置が形成している。
【００３４】
次に、図４（ａ）に示すように、上記ダイシングブレードＤＢを上方に移動させて、ダイシングブレードＤＢと半導体基板１０ｓとの接触を解除する。
次に、図４（ｂ）に示すように、半導体基板１０ｓの凹部１０ｃｔ、絶縁層１０ｉｄ，１０ｉの表出面、配線層１０ｌａ，１０ｌｂの表出面、並びにポスト電極１０ｐの側面を封止用樹脂１０ｒｓにより封止する。封止用樹脂１０ｒｓの封止方法としては、例えば、トランスファーモールド法が適用される。
【００３５】
ここで、封止用樹脂１０ｒｓの材質としては、エポキシ系樹脂が適用される。また、エポキシ系樹脂の中には、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等を主成分とする無機フィラー、或いはシリコンゴム等を主成分とする有機フィラーを含有させてもよい。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、ポスト電極１０ｐ上に、電極端子であるバンプ電極１０ｂｐを形成する。この様な工程により、個片化前の半導体素子２０ｃ（ＷＬＣＳＰ）が完成する。
【００３７】
尚、バンプ電極１０ｂｐの材質としては、例えば、錫（Ｓｎ）−銅半田、錫−銀（Ａｇ）半田、錫−亜鉛（Ｚｎ）半田等の２元系半田、錫−銀−銅半田、錫−銀−インジウム（Ｉｎ）半田、錫−亜鉛−ビスマス（Ｂｉ）半田等の３元系半田、錫−銀−銅−ビスマス半田、錫−銀−インジウム−ビスマス半田等の４元系半田の何れかが適用される。
【００３８】
また、バンプ電極１０ｂｐを形成する前に、ポスト電極１０ｐの表面に、その下層からニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の２層めっきを被膜してもよい。
次に、図５（ａ）に示すように、プローバを用いて、半導体素子２０ｃの電気的特性を試験する。
【００３９】
例えば、半導体基板１０ｓをプローバステージ上に載置し（図示しない）、プローブカードＰＣに固定されたプローブピンＰＰの先端をバンプ電極１０ｂｐの表面に接触させて、半導体素子２０ｃの電気的特性を試験する。
【００４０】
そして、電気的特性試験が完了したら、プローブカードＰＣを上方に移動させて、プローブピンＰＰとバンプ電極１０ｂｐとの接触を解除する。かかる状態を、図５（ｂ）に示す。
【００４１】
この様に、本実施の形態では、半導体基板１０ｓを個片化する前に、半導体素子２０ｃの電気的特性試験を完了させている。
尚、半導体素子２０ｃの電気的特性試験に於いては、半導体基板１０ｓを個片化した後でも遂行可能である。
【００４２】
例えば、個片化された半導体素子２０ｃを専用の試験用トレイに設置して、プローブピンＰＰを半導体素子２０ｃのバンプ電極１０ｂｐに接触させて、電気的特性を試験することも可能である。
【００４３】
然るに、プローブピンＰＰとバンプ電極１０ｂｐとの接触では、バンプ電極１０ｂｐの材質が半田材であることから、プローブピンＰＰの先端がバンプ電極１０ｂｐの表面にめり込み、プローブピンＰＰとバンプ電極１０ｂｐとの接触を解除し難くなる場合がある。
【００４４】
この様な場合、ＷＬＣＳＰの軽量性から、プローブピンＰＰによって半導体素子２０ｃが持ち上げられ、半導体素子２０ｃが試験用トレイから外れてしまう場合もある。そして、半導体素子２０ｃが再度、試験用トレイ上に落下して、半導体素子２０ｃに損傷、ダメージが与えられてしまう場合がある。
【００４５】
この点、本実施の形態では、ウェハ状態で半導体素子２０ｃの電気的特性を試験している。従って、プローブピンＰＰの先端がバンプ電極１０ｂｐの表面にめり込んでも、被試験体が個々の半導体素子２０ｃよりも重いことから、プローブピンＰＰの上方への移動と共に、プローブピンＰＰとバンプ電極１０ｂｐとの接触が容易に解除される。
【００４６】
その結果、半導体素子２０ｃの電気的特性試験を遂行しても、上述した落下は発生せず、半導体素子２０ｃに損傷、ダメージが与えられることはない。
即ち、本実施の形態によれば、半導体素子２０ｃの電気的特性試験を安定して遂行することができる。
【００４７】
次に、半導体基板１０ｓ等をダイシング装置のテーブル（図示せず）上に搭載し、半導体基板１０ｓ等に２回目のダイシング処理を施す。
例えば、図６（ａ）に示すように、ダイシングブレードＤＢの先端が凹部１０ｃｔの底に接触するまで、ダイシングブレードＤＢを上方から半導体素子２０ｃ間に挿入する。
【００４８】
これにより、凹部１０ｃｔ内及び凹部１０ｃｔ上に配置された封止用樹脂１０ｒｓがダイシングブレードＤＢにより切削・除去される。尚、この段階での封止用樹脂１０ｒｓの除去作業は、レーザー光を用いて処理してもよい。
【００４９】
そして、ダイシングブレードＤＢを上方に移動させ（図示しない）、ダイシングブレードＤＢを半導体基板１０ｓから離反させる。
続いて、半導体基板１０ｓの裏面側の研磨を行う。かかる状態を、図６（ｂ）に示す。
【００５０】
図示する如く、半導体基板１０ｓの裏面側が所定の厚みまで研磨されている。また、それぞれの半導体素子２０ｃの側面に、封止用樹脂１０ｒｓから表出した凹部（切り欠き）１０ｈが形成している。当該凹部１０ｈは、上述した如く、ダイシングブレードＤＢの先端形状に対応している。
【００５１】
続いて、図７（ａ）に示すように、半導体基板１０ｓの裏面側に、粘着層を備えたテープ部材（樹脂フィルム）ＴＰを固着・配置する。そして、当該テープ部材ＴＰを水平方向に伸長する（図の矢印Ａ方向参照）。
【００５２】
この様なテープ部材ＴＰの水平方向の拡張により、劈開１０ｃｌは更に進行する。そして、最終的に当該劈開１０ｃｌが半導体基板１０ｓの裏面側に到達する。かかる状態を、図７（ｂ）に示す。
【００５３】
続いて、テープ部材ＴＰを半導体基板１０ｓから除去する。これにより、半導体基板１０ｓを支持基板とする半導体素子２０ｃがチップ状に個片化される。かかる状態を、図７（ｃ）に示す。
【００５４】
図示する如く、個片化された半導体素子２０ｃは、ダイシングブレードＤＢの先端形状に対応した曲面で構成された凹部１０ｈ及び劈開によって生じた劈開面１０ｃｌｆとを側面とする半導体基板１０ｓを支持基板としている。また、半導体基板１０ｓ上に配置された絶縁層１０ｉｄ，１０ｉと、絶縁層１０ｉｄ，１０ｉ上に選択的に配置された配線層１０ｌａ，１０ｌｂと、配線層１０ｌａに導通するポスト電極１０ｐと、ポスト電極１０ｐに電気的に接続されたバンプ電極１０ｂｐを備えている。
【００５５】
また、半導体素子２０ｃは、凹部１０ｈを側面に備えていることにより、絶縁層１０ｉｄ，１０ｉの主面の面積は、半導体基板１０ｓの裏面の面積より小さくなっている。
尚、半導体装置の個片化に於いては、上記テープ部材ＴＰの拡張により遂行する他、突き上げピンにより押し上げることにより、半導体素子２０ｃとテープ部材ＴＰとの接触を解除してもよい（図示しない）。即ち、半導体素子２０ｃをテープ部材ＴＰを介して、その裏面側から突き上げピンにより押し上げ、テープ部材ＴＰと半導体素子２０ｃとの接触面積を減ずることにより、半導体素子２０ｃを個々のチップに個片化してもよい。
【００５６】
また、本実施の形態に於いては、上述した形状のダイシングブレードＤＢに限ることはなく、図８並びに図９に例示するダイシングブレードＤＢを用いてもよい。
例えば、図８（ａ）に示すように、ダイシングブレードＤＢの先端形状が先鋭状（三角状）のものを使用してもよい。先鋭の角度としては、図示する角度θが１００°〜１６０°のダイシングブレードＤＢが適用される。
【００５７】
そして、この様なダイシングブレードＤＢを以って、半導体基板１０ｓの表面に接触させると、先端形状が先鋭状であることから、図８（ｂ）中の矢印ａの方向に、より押圧力が働く。これにより、上記凹部１０ｃｔが簡便に押し広げられ、半導体基板１０ｓに劈開１０ｃｌがより発生し易くなる。尚、ダイシングブレードＤＢによって切削された半導体基板１０ｓには、ダイシングブレードＤＢの先端形状に対応した傾斜面が形成する。
【００５８】
また、図９（ａ）に示すように、ダイシングブレードＤＢの最先端に、例えば、超鋼材を含有する突起部ＢＰを備えたものを使用してもよい。
この様なダイシングブレードＤＢを以って、半導体基板１０ｓの表面に接触させると、先端部の形状が先鋭状であり、且つ最先端に突起部ＢＰが形成されていることから、図９（ｂ）中の矢印ａの方向に、より押圧力が働く。これにより、上記凹部１０ｃｔが簡便に押し広げられ、半導体基板１０ｓに劈開１０ｃｌが発生し易くなる。また、突起部ＢＰにより、半導体基板１０ｓの表面をより切削し易くなる。
【００５９】
尚、この様な突起部ＢＰは、図２（ｂ）に例示するダイシングブレードＤＢに備えてもよい。
この様なダイシングブレードＤＢを、本実施の形態に適用してもよい。
【００６０】
次に、本実施の形態によって、もたらされる具体的な効果を説明する。
先ず、ダイシングブレードＤＢによるびびり振動は、半導体基板１０ｓの裏面側まで貫通させる場合に比べ抑制されることから、絶縁層１０ｉｄ、半導体基板１０ｓは損傷を受け難くなる。これにより、絶縁層１０ｉｄ内に配設されている配線層或いはビア電極、半導体基板１０ｓの主面側に形成されている電子回路層が損傷を受け難くなる。特に、絶縁層１０ｉｄの材質として、強度が脆い低誘電率絶縁材を用いた場合でも、当該絶縁層１０ｉｄが損傷を受け難くなる。
【００６１】
また、耐湿層１０ｒｇも損傷を受け難くなり、絶縁層１０ｉｄの側面から、水分等が浸透することが防止される。
また、半導体素子２０ｃが損傷、ダメージを受け難くなることから、ウェハ基板当たりの半導体素子２０ｃの取り出し数が増加する。
【００６２】
また、本実施の形態では、ダイシングブレードＤＢの先端を半導体基板１０ｓの表面に接触させる程度に留めていることから、ダイシングブレードＤＢ自体にも負荷が印加され難くなる。
【００６３】
これにより、ダイシング処理に於いて、例えば、肉厚が２０μｍ程度の極薄のダイシングブレードＤＢを使用することができる。従って、絶縁層１０ｉｄの側面からダイシングブレードＤＢの側面を遠ざけながらダイシング処理をすることができる。これにより、絶縁層１０ｉｄが損傷、ダメージ等を受け難くなる。
【００６４】
この様に、本実施の形態によれば、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上し、半導体装置の生産性が向上する。
尚、半導体基板を劈開する手段として、レーザー光を半導体基板の表面に照射させて劈開を行う方法もある。しかし、当該レーザー光を用いた場合は、半導体基板の内部に於いて、その結晶性が改質されてしまう。従って、劈開後、劈開面が歪（いびつ）になる場合がある。また、スクライブ領域ｓｃａに素子試験用の配線等を配置した場合には、当該レーザー光が前記配線等によって遮断されてしまう等の不具合が生じる。
【００６５】
然るに、本実施の形態では、ダイシングブレードＤＢの半導体基板１０ｓに対する挿入位置を制御することにより、劈開１０ｃｌの位置を簡便かつ高精度に制御することができる。そして、形成した劈開１０ｃｌを境に半導体基板１０ｓを簡便に分断することができる。また、スクライブ領域ｓｃａに上記配線等が配置されていても、ダイシングブレードＤＢを用いれば、簡便に当該配線等を切断することができる。
【００６６】
（付記１）  半導体基板の表面にブレードを接触させることにより、前記半導体基板の主面に凹部を形成しつつ、前記凹部の底から前記半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる工程と、
前記半導体基板の裏面にフィルムを配置する工程と、
前記劈開を発生させた後に、前記フィルムを伸長することにより、前記劈開を促進させて前記半導体基板を分断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６７】
（付記２）  前記半導体基板を分断する前に、前記半導体基板を樹脂により封止する工程と、
前記凹部上に配置された前記樹脂を除去する工程と、
を更に備えることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００６８】
（付記３）  前記半導体基板を分断する前に、前記半導体基板に形成された半導体装置の電気的特性をプローバにより試験することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記４）  前記半導体基板の表面にブレードを接触させる前に、前記半導体基板の表面に低誘電率絶縁層を形成する工程を更に備えることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００７０】
（付記５）  先端の断面形状が半円状または先鋭状である前記ブレードを用いることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）  先端に突起部が備えられた前記ブレードを用いることを特徴とする付記１または５記載の半導体装置の製造方法。
【００７１】
（付記７）  半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される回路部と、を備え、
前記半導体基板は、
前記回路部が形成される主面と、
前記主面から連なり、前記主面に対して傾斜する第１の面と、前記第１の面から連なり、劈開面よりなる第２の面とを含む側面と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００７２】
（付記８）  前記半導体基板上に配置された絶縁層の主面の面積が前記半導体基板の裏面の面積より小さいことを特徴とする付記７記載の半導体装置。
（付記９）  前記絶縁層の材質が低誘電率絶縁材を主成分とすることを特徴とする付記８記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本実施の形態に係る製造工程フローを説明する図である。
【図２】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その１）。
【図３】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その２）。
【図４】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その３）。
【図５】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その４）。
【図６】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その５）。
【図７】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その６）。
【図８】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その７）。
【図９】本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する要部模式図である（その８）。
【符号の説明】
【００７４】
１０ｂｐ  バンプ電極
１０ｃｌ  劈開
１０ｃｌｆ  劈開面
１０ｃｔ，１０ｈ  凹部
１０ｉｄ，１０ｉ  絶縁層
１０ｌａ，１０ｌｂ  配線層
１０ｐ  ポスト電極
１０ｒｇ  耐湿層
１０ｒｓ  封止用樹脂
１０ｓ  半導体基板
２０ｃ  半導体素子
ＢＰ  突起部
ＤＢ  ダイシングブレード
ＰＣ  プローブカード
ＰＰ  プローブピン
ｓｃａ  スクライブ領域
ＴＰ  テープ部材
【図１】
2010010514.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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