(57)【要約】【課題】  薄型で回路基板等への接合強度が強い信頼性の高い光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の光半導体装置は、光半導体素子と、光半導体素子と電気的に接続される第１の導電部材と、第１の導電部材から離間し、光半導体素子が載置される第２の導電部材と、光半導体素子を被覆するとともに、第１の導電部材及び第２の導電部材と接する封止部材と、とを有する光半導体装置であって、第１の導電部材及び第２の導電部材は、それぞれ下面が光半導体装置の外表面を形成し、第１の導電部材は、光半導体素子と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部と、第１の平坦部から突出する上面を有する第１の突出部とを有し、第１の突出部は、少なくとも側面の一部が光半導体装置の外表面を形成していることを特徴とする。【選択図】  図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子と、
前記光半導体素子と電気的に接続される第１の導電部材と、
該第１の導電部材から離間し、前記光半導体素子が載置される第２の導電部材と、
前記光半導体素子を被覆するとともに、前記第１の導電部材及び第２の導電部材と接する封止部材と、
とを有する光半導体装置であって、
前記第１の導電部材及び第２の導電部材は、それぞれ下面が光半導体装置の外表面を形成し、
前記第１の導電部材は、前記光半導体素子と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部と、該第１の平坦部から突出する上面を有する第１の突出部とを有し、
該第１の突出部は、少なくとも側面の一部が光半導体装置の外表面を形成していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第２の導電部材は、前記光半導体素子が載置される上面を有する第２の平坦部と、該第２の平坦部から突出する第２の突出部とを有し、該第２の突出部は、少なくとも側面の一部が光半導体装置の外表面を形成している請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第１の突出部と、前記第２の突出部は、それぞれの上面が略同一平面上に位置する請求項２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第１の導電部材と前記第２の導電部材の間に、前記光半導体素子からの光を遮光可能な樹脂からなる基体を有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記基体は、前記第１の突出部及び前記第２の突出部が埋設される側壁を有する請求項４記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記側壁は、前記光半導体素子の周囲に設けられている請求項５記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記第１の突出部及び第２の突出部は、前記側壁のうち、２つの側壁においてそれぞれ光半導体装置の外表面を形成している請求項６記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用可能な発光装置や、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどに利用可能なＣＣＤやフォトダイオードの受光装置等の光半導体装置に関し、特に、薄型／小型タイプで光の取り出し効率、取り込み効率に優れ、回路基板への実装精度に優れた表面実装型の光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い、それらに搭載される発光装置（発光ダイオード）、受光装置（ＣＣＤ）等の光半導体装置も小型化されたものが種々開発されている。これらの光半導体装置は、例えば、絶縁基板の両面にそれぞれ形成された一対の金属導体パターンが形成された両面スルーホールプリント基板上に発光素子や受光素子などの光半導体素子を載置し、ワイヤなどを用いて金属導体パターンと光半導体素子とを電気的に導通させるような構造を有している。
【０００３】
しかしながら、このような光半導体装置は、両面スルーホールプリント基板を使用することが必須条件であり、この両面スルーホールプリント基板が少なくとも０．１ｍｍ程度以上の厚みがあるため、表面実装型光半導体装置の徹底した薄型化を阻害する要因となっている。そのため、このようなプリント基板を使用しない構造の光半導体装置が開発されている（例えば特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７９３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されている発光装置は、基板に蒸着などによって薄い金属膜を形成し、これを電極とし、発光素子とともに透光性樹脂等の封止樹脂で被覆することで、従来の表面実装型の発光装置に比べて薄型化が可能となっている。
【０００６】
しかしながら、回路基板等にはんだを用いて発光装置を載置する際、このような薄い金属膜からなる電極は、上記のようなプリント基板に設けられた電極や板状の金属からなる電極を用いる場合に比べて、はんだの這い上がり量が少ないため、回路基板との接合強度が低下しやすい。また、発光素子の側面に達しないような電極とすると、はんだとの接合状態が確認しにくくなる。
【０００７】
また、発光装置として用いる場合、透光性樹脂のみを用いているため、光が発光素子から下面方向に抜けてしまい、光の取り出し効率が低下しやすい。擂鉢状の金属膜を設けて光を反射させるような構造も開示されているが、このような金属膜を設けるには基板に凹凸を設ける必要がある。そうすると、発光装置が小型化されているためこの凹凸も極めて微細なものになり、加工が困難になるだけでなく、凹凸構造により基板の剥離時に破損しやすくなるなどの問題が生じやすい。
【０００８】
更に特許文献１に開示されているような蒸着法で形成された薄い金属膜は一般的に平坦であり、封止樹脂と十分強固な密着性を得る事が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の目的を達成するため、本発明の光半導体装置は、光半導体素子と、光半導体素子と電気的に接続される第１の導電部材と、第１の導電部材から離間し、光半導体素子が載置される第２の導電部材と、光半導体素子を被覆するとともに、第１の導電部材及び第２の導電部材と接する封止部材と、とを有する光半導体装置であって、第１の導電部材及び第２の導電部材は、それぞれ下面が光半導体装置の外表面を形成し、第１の導電部材は、光半導体素子と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部と、第１の平坦部から突出する上面を有する第１の突出部とを有し、第１の突出部は、少なくとも側面の一部が光半導体装置の外表面を形成していることを特徴とする。これにより、はんだが這い上がりやすくなり、回路基板等との接合強度が高くなる。
【００１０】
本発明の請求項２に記載の光半導体装置は、第２の導電部材は、光半導体素子が載置される上面を有する第２の平坦部と、第２の平坦部から突出する第２の突出部とを有し、第２の突出部は、少なくとも側面の一部が光半導体装置の外表面を形成していることを特徴とする。これにより、はんだが這い上がりやすくなる。
【００１１】
本発明の請求項３に記載の光半導体装置は、第１の突出部と、第２の突出部は、それぞれの上面が略同一平面上に位置することを特徴とする。これにより、はんだの這い上がり量を略同一にすることができ、安定して実装することができる。
【００１２】
本発明の請求項４に記載の光半導体装置は、第１の導電部材と第２の導電部材の間に、光半導体素子からの光を遮光可能な樹脂からなる基体を有することを特徴とする。これにより、光の損失を低減させることができる。
【００１３】
本発明の請求項５に記載の光半導体装置は、基体は、第１の突出部及び第２の突出部が埋設される側壁を有することを特徴とする。これにより、光の取り出し効率が向上する。
【００１４】
本発明の請求項６に記載の光半導体装置は、側壁は、光半導体素子の周囲に設けられていることを特徴とする。これにより、光の取り出し効率が向上し、配光特性を制御し易くなる。
【００１５】
本発明の請求項７に記載の光半導体装置は、第１の突出部及び第２の突出部は、側壁のうち、２つの側面においてそれぞれ光半導体装置の外表面を形成していることを特徴とする。これにより、側面発光型の光半導体装置として用いることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、発光装置や受光装置などの光半導体装置を載置する際、回路基板等への接合強度を強くし、信頼性に優れた光半導体装置とすることができる。また、発光装置の場合、発光素子からの光を目的の方向へ照射することができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための光半導体装置及びその製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。
【００１８】
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【００１９】
＜実施の形態１＞
本実施の形態の光半導体装置（発光装置）１００を、図１Ａ、図１Ｂに示す。図１Ａは図１Ｂに示す発光装置１００のＡ−Ａ’断面における断面図、図１Ｂは発光装置１００の上面図を示す。
【００２０】
本実施の形態において、発光装置１００は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、発光素子１０３と、発光素子１０３と電気的に接続される第１の導電部材１０１、１０１’と、第１の導電部材１０１、１０１’から離間し、発光素子１０３が載置される第２の導電部材１０２と、発光素子１０３を被覆するとともに第１の導電部材１０１、１０１’及び第２の導電部材１０２と接する封止部材１０４と、を有している。第１の導電部材１０１、１０１’及び第２の導電部材１０２は、それぞれ下面が発光装置１００の外表面を形成しており、第１の導電部材１０１、１０１’は、発光素子１０３と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’と、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’から突出する上面を有する第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’とを有する。そして、この第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’は、少なくともその側面の一部が発光装置１００の外表面を形成していることを特徴とする。
【００２１】
（第１の導電部材／第２の導電部材）
第１の導電部材は、発光素子と電気的に接続されるものであり、外部から電力を供給させるための電極として機能させるものである。また、第２の導電部材は、発光素子がその上に載置されるものであり、その支持体として機能する。第２の導電部材は、単に発光素子が載置されるのみで通電に寄与しない場合と、発光素子や保護素子への通電に寄与する場合、すなわち、電極として機能する場合と、いずれの形態をとることもできるが、実施の形態１では、第２の導電部材を導通には寄与しない支持体として用いる場合について説明している。
【００２２】
本形態において、第１の導電部材、第２の導電部材とも、発光装置の下面において外表面を形成するよう、すなわち、封止部材等で被覆されず外部（下面）に露出されるように設けられている。第１の導電部材、第２の導電部材とも上面視における形状、大きさ等については、発光装置の大きさや載置する発光素子等の数や大きさ等に応じて任意に選択することができる。
【００２３】
（第１の導電部材）
本形態において第１の導電部材１０１、１０１’は、図１Ａに示すように、上面視略四角形の発光装置１００の対向する２つの辺側に各１つずつ設けられており、封止部材１０４を介して第２の導電部材１０２を間に挟むように設けられている。ここでは第２の導電部材１０２は通電に寄与せず発光素子１０３の支持体として用いられているため、２つの第１の導電部材１０１、１０１’で正負一対の電極となるように機能させる。
【００２４】
第１の導電部材１０１、１０１’は、発光素子１０３と導電性ワイヤ１０５、１０５’を介して電気的に接続される上面を有する第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ‘と、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’から突出する上面を有する第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’とを有する。そして、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’は、少なくともその側面の一部が発光装置１００の外表面を形成するよう、すなわち、封止部材１０４で被覆されずに外部に露出しているように設けられている。このように第１の導電部材１０１、１０１’が発光装置の側面において厚く（高く）なるように露出されていることで、回路基板等に実装する際、はんだなどの接合部材が這い上がることができるため、強固に実装することができる。
【００２５】
図１Ａに示す発光装置１００では、２つの第１の導電部材１０１、１０１’は、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の上面視、側面視における幅や高さを略同等の大きさ、形状としており、これにより、はんだの這い上がり量が同程度とし易くなる。そのため、２つの第１の導電部材１０１、１０１’と回路基板との接合力を均等にし易くなり、片方が浮くなどの実装不良を起こしにくくなる。ただし、これに限らず、異なる大きさ、形状にしてもよく、発光装置の形状や大きさ等に応じて、適した形状、大きさとすることができる。
【００２６】
第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’は、発光装置１００の側面においてその側面の全てが露出するように設ける必要なく、発光装置１００の底面から第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の上面まで連続して露出するように設けられていればよい。これによってはんだが這い上がりやすくなる。
【００２７】
また、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の上面は、発光装置１００の上面から離間するよう、すなわち、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の上面が封止部材１０４によって被覆されるように設けるのが好ましい。上述のように、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の側面が露出され、その側面をはんだが這い上がるため、発光装置１００の上面にまで達するような高さの突出部とすると、這い上がったはんだが発光装置の上面に達する可能性がある。そうなると光が出射される発光面がはんだやはんだフラックスにより汚染され発光装置としての性能を悪化させるという問題が生じる恐れがあるためである。
【００２８】
第１の導電部材１０１、１０１’の第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’は、発光素子１０３と電気的に接続させるための導電ワイヤ１０５、１０５’が接合される部分であり、接合に必要な面積を少なくとも有していればよい。尚、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’に導電性ワイヤを接合するだけでなく、更に第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の上面などにも導電性ワイヤを接続してもよい。また、本願において上記突出部と区別するために平坦部としているが、平坦な平面だけでなく、微細な凹凸や、溝、孔などを有していてもよい。また、導電性ワイヤを用いず、発光素子の電極と第１の導電部材とを直接電気的に接続させる場合は、発光素子の電極が接合可能な領域を有するように第１の平坦部を設ける。第１の導電部材１０１、１０１’の下面は、光半導体装置の外表面を形成しており、実質的に平坦な面とするのが好ましく、微細な凹凸等が形成されていても構わない。
【００２９】
また、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’、第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’とも、その側面は平坦な面でもよいが封止部材１０４との密着性等を考慮すると、図１Ａの部分拡大図に示すような突起部Ｘを有するようにするのが好ましい。この突起部Ｘは、第１の導電部材１０１、１０１’の下面から離間した位置に設けるのが好ましく、これにより第１の導電部材１０１、１０１’が封止部材１０４から脱落するなどの問題が生じにくくなる。特に、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’の側面に設けるのが好ましく、更に図１Ａに示すように、第１の平坦部１０１ａ、１０１ａ’と第１の突出部１０１ｂ、１０１ｂ’の両方に突起部Ｘを設けるのが好ましい。また、突起部ではなく、下面側に側面が傾斜するように第１の導電部材や第２の導電部材の側面を傾斜させることで、それらが脱落を抑制することができる。
【００３０】
突出部Xは、第１の導電部材１０１、１０１’の周囲のうち、発光装置１００の外表面と異なる位置であれば任意の位置に設けることができ、例えば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設けるなど、部分的に設けることができる。また、より確実に脱落を防ぐためには、外表面を形成する面意外の導電部材の周囲全体に渡って形成するのが好ましい。
【００３１】
（第２の導電部材）
本形態において第２の導電部材１０２は、図１Ａに示すように、発光素子１０３が載置される上面と、発光装置１００の外表面を形成する下面とを有している。また、第２の導電部材１０２の側面は、本形態においては、第２の導電部材は電極として機能させていないため、図１Ｂに示すように、その側面が全て封止部材で被覆されるように、すなわち、発光装置１００の側面から離間するように設けることができる。これにより、切断によって個片化した発光装置を得る際に、切断刃が第２の導電部材と接触しないように切断できるため、切断が容易となる。また、第２の導電部材は、その一部が発光装置１００の外表面を形成するよう、すなわち、発光装置１００の側面に達するように設けてもよい（図示せず）。第２の導電部材は発光素子が搭載されているため、面積を大きくすることで放熱性を向上させることができる。
【００３２】
第２の導電部材１０２の上面は、発光素子１０３が載置可能な面積以上の面積を有していればよく、図１Ｂに示すような上面視略四角形の他、多角形、或いは切り欠きを有する形状など、種々の形状とすることができる。また、発光素子１０３を載置させる領域は、平坦な面とするのが好ましく、また、発光素子に加え、保護素子などを載置することもできる。
【００３３】
第２の導電部材１０２の側面は、平坦な面でもよいが封止部材１０４との密着性等を考慮すると、第１の導電部材と同様に、図１Ａに示すような突起部Ｘを有するようにするのが好ましい。この突起部Ｘは、第２の導電部材１０２の下面から離間した位置に設けるのが好ましく、これにより第２の導電部材１０２が封止部材１０４から脱落するなどの問題が生じにくくなる。突起部Ｘは、第２の導電部材１０２の周囲の任意の位置に設けることができ、例えば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設けるなど、部分的に設けることができる。また、より確実に脱落を防ぐためには、第２の導電部材の周囲全体に渡って形成するのが好ましい。
【００３４】
第１の導電部材、第２の導電部材は、同じ材料を用いるのが好ましいが、異なる材料を用いても構わない。発光素子からの光を反射可能な材料が好ましい。具体的な材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン、Ａｕ−Ｓｎなどの共晶はんだ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＣｕＩｎなどのはんだ、ＩＴＯ等が挙げられる。これらはんだ材料の中でも特に組成をコントロールして、はんだ粒子と第一の金属部の反応により一旦溶融し凝固すると、リフロー実装時などの追加の熱処理時に再溶解しない組成に調整したものが好ましい。これらは単体又は合金として用いることができ、更には積層（メッキ）するなど複数層設けることもできる。
【００３５】
（封止部材）
封止部材は、発光素子を被覆すると共に、第１の導電部材及び第２の導電部材と接するように設けられるものであり、発光素子や保護素子、更には導電性ワイヤなどの電子部品を、塵芥や水分、更には外力などから保護する部材である。
【００３６】
本形態では、この封止部材が、導電部材や導電部材を固定させる構成部材として機能している。すなわち、図１Ａ等に示すように、発光素子１０３や導電性ワイヤ１０５、１０５’を被覆するとともに、発光装置１００の上面及び側面の外表面を形成するだけでなく、更に、第１の導電部材１０１ａ、１０１ａ’と第２の導電部材１０２との間における発光装置１００の下面側の外表面を形成する部材として設けられている。このように封止部材１０４で全ての部材を固定させることにより、工程の簡略化及びコスト低減化などの実現が可能となる。
【００３７】
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。更に、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材（蛍光部材）などを含有させることもできる。封止部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。
【００３８】
また、封止樹部材の外表面の形状については配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状などとすることで、指向特性を調整することができる。また、封止部材に加え別に、レンズ部材を設けてもよい。
【００３９】
尚、主として発光装置について上述のように説明したが、受光装置についてもほぼ上記と同様であり、用いる封止部材として、光の入射効率を高めるたり、受光装置内部での２次反射を避ける目的で白色もしくは黒色などの有色フィラーを用いても良い。特に赤外線発光装置や赤外線検知装置には可視光の影響を避けるために黒色の有色フィラー含有の封止部材を用いるのが好ましい。
【００４０】
（接合部材）
接合部材は、第１の導電部材や第２の金属材上に発光素子や保護素子などを載置し接続させるための接合部材であり、載置する素子の基板によって導電性接合部材又は絶縁性接合部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、接合部材は絶縁性でも導電性でも用いることができ、ＳｉＣ基板などの導電性基板を用いる場合は、導電性接合部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性接合部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にＡｌやＡｇ膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。この場合、蒸着やスパッタあるいは薄膜を接合させるなどの方法を用いることができる。また、導電性ダイボンド部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、これらダイボンド部材のうち、特に透光性のダイボンド部材を用いる場合は、その中に半導体発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
【００４１】
（導電性ワイヤ）
発光素子の電極と、第１の導電部材、第２の導電部材とを接続する導電性ワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗などに優れた金を用いるのが好ましい。
【００４２】
（波長変換部材）
上記封止部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
【００４３】
蛍光部材としては、半導体発光素子からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。蛍光部材は、１種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光物質等が混合された単層を形成してもよいし、１種の蛍光物質等を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。
【００４４】
蛍光部材としては、例えば、発光素子として窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子を用いる場合、その発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系の元素、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。好ましくは、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体である、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体である。また、Ｙの一部もしくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなどもある。さらに、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
【００４５】
（半導体発光素子）
本発明においては、半導体発光素子（単に発光素子ともいう）として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
【００４６】
半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
【００４７】
蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
【００４８】
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともにもしくは単独で、受光素子などを搭載することができる。
【００４９】
受光素子としては、フォトＩＣ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、ＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサー、ＣＭＯＳイメージセンサー、Ｃｄセルなどを上げることができる。
【００５０】
＜実施の形態２＞
実施の形態２の発光装置２００を、図２Ａ、図２Ｂに示す。図２Ａは、図２Ｂに係る発光装置のＢ−Ｂ’断面における断面図、図２Ｂは、実施の形態２に係る発光装置を示す上面図である。
【００５１】
実施の形態２では、発光装置２００は、発光素子２０３と、発光素子２０３と電気的に接続される第１の導電部材２０１と、第１の導電部材２０１から離間し、発光素子２０３が載置される第２の導電部材２０２と、発光素子２０３を被覆するとともに第１の導電部材２０１及び第２の導電部材２０２と接する封止部材２０４と、を有している。第１の導電部材２０１及び第２の導電部材２０２は、それぞれ下面が発光装置２００の外表面を形成しており、第１の導電部材２０１は、発光素子２０３と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部２０１ａと、第１の平坦部２０１ａから突出する上面を有する第１の突出部２０１ｂとを有する。第２の導電部材２０２は、導電性ワイヤ２０５’が接続される第２の平坦部２０２ａと、その第２の平坦部２０２ａから突出する第２の突出部２０２ｂとを有する。第１の突出部２０１ｂと第２の突出部４０２ｂは、少なくともその側面の一部が発光装置２００の外表面を形成している。
【００５２】
実施の形態２では、第２の導電部材を発光装置の電極としても機能するよう用いる点が実施の形態１と異なっており、他の部材等については実施の形態１と同様である。
【００５３】
図２Ａ、図２Ｂに示すように、第２の導電部材２０２は、上面に発光素子２０３が載置されると共に導電性ワイヤ２０５’が接合されている第２の平坦部２０２ａと、第２の平坦部２０２ａから突出する上面を有する第２の突出部２０２ｂとを有している。第２の平坦部２０２ａは、少なくとも発光素子２０３を載置可能な面積が必要であり、且つ、導電性ワイヤ２０５’が接合される領域も確保できるような大きさとする必要がある。ただし、発光素子２０３の基板が導電性の場合、例えばＳｉＣ基板を用いたＧａＮ系発光素子などの場合は、導電性接合部材を用いて第２の平坦部２０２ａに接合させることで導通が図れるため、そのような場合は発光素子が載置できるだけの面積でもよい。
【００５４】
第２の突出部２０２ｂは、第１の導電部材２０１の第１の平坦部２０１ａから突出する上面を有する第１の突出部２０１ｂと同程度の幅、高さとするのが好ましく、特に発光素装置２００の外表面となる突出部の側面が、略同じ幅、高さとなるようにするのが好ましい。
【００５５】
また、実施の形態２では、第１の導電部材２０１と第２の導電部材２０２とで正負一対の電極となるようにしているため、第１の導電部材は少なくとも１以上有していればよい。
【００５６】
＜実施の形態３＞
実施の形態３にかかる発光装置３００を、図３に示す。図３は、本発明に係る発光装置３００の断面図であり、上面視は図１Ｂに示すような略四角形の外形を有する発光装置３００である
発光装置３００は、発光素子３０３と、発光素子３０３と電気的に接続される第１の導電部材３０１、３０１’と、第１の導電部材３０１、３０１’から離間し、発光素子３０３が載置される第２の導電部材３０２と、発光素子３０３を被覆するとともに第１の導電部材３０１、３０１’及び第２の導電部材３０２と接する封止部材３０４と、を有している。第１の導電部材３０１、３０１’及び第２の導電部材３０２は、それぞれ下面が発光装置３００の外表面を形成しており、第１の導電部材３０１、３０１’は、発光素子３０３と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部３０１ａ、３０１ａ’と、第１の平坦部３０１ａ、３０１ａ’から突出する上面を有する第１の突出部３０１ｂ、３０１ｂ’とを有する。そして、この第１の突出部３０１ｂ、３０１ｂ’は、少なくともその側面の一部が発光装置３００の外表面を形成しており、第１の導電部材３０１、３０１’と第２の導電部材３０２の間に、発光素子３０３からの光を遮光可能な樹脂からなる基体３０６を有していることを特徴とする。その他の部材等についは実施の形態１と同様である。また、第２の導電部材を電極としても用いることもでき、その他の部材等については実施の形態２と同様である。
【００５７】
（基体）
実施の形態３において、基体３０６は、第１の導電部材３０１、３０１’と第２の導電部材３０２の間に設けられる樹脂であり、発光素子３０３からの光を遮光可能な樹脂からなる。このような位置に遮光性の基体３０６を設けることで、発光素子３０３からの光が、発光装置３００の下面側から外部に漏れ出すのを抑制することができるため、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。
【００５８】
基体３０６の厚さは、発光装置３００の下面側への光の漏れを抑制できる厚さであればよく、また、第１の導電部材３０１、３０１’の側面と第２の導電部材の側面との両方に接するよう、すなわち、封止部材３０４が第１の導電部材３０１、３０１’と基体３０６との間、第２の導電部材３０２と基体３０６との間に介在しないように設けるのが好ましい。
【００５９】
発光装置３００の幅と第１の導電部材３０１、３０１’や第２の導電部材３０２の幅が異なる場合、例えば図１Ｂに示すように第１の導電部材１０２（３０２）の幅が狭く、その第１の導電部材の側面と発光装置１００（３００）の側面とが離間している場合は、その部分にも基体を設けることができる。このようにすることで、発光装置３００の下面は、第１の導電部材３０１、３０１’、基体３０６、第２の導電部材３０２が外表面として形成されていることになり、下面方向への光の漏れを効率よく抑制することができる。また、第１の平坦部３０１ａ、３０１ａ’の上面や、第２の金属部３０２の上面の一部を部分的に被覆するように設けてもよい。
【００６０】
基体は発光素子からの光が遮光可能なものであればよく、さらに、絶縁性部材を用いるのが好ましい。好ましい材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂を用いることができ、具体的にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などをあげることができ、これら樹脂中にＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを混入させることで光の透過率を調整し、発光素子からの光の約６０％以上を遮光するよう、より好ましくは約９０％を遮光するようにするのが好ましい。尚、ここでは基体によって光を反射するか、又は吸収するかどちらでもよいが、より好ましくは反射させることによって遮光するのが好ましい。そのため、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上であるものが好ましく、より好ましくは９０％以上反射するものが好ましい。
【００６１】
＜実施の形態４＞
実施の形態４にかかる発光装置４００を、図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａは、本発明に係る発光装置４００の内部を示す斜視図であり、図４Ｂは、図４Ａに係る発光装置４００の凹部を封止した状態のＣ−Ｃ’断面における断面図である。
【００６２】
実施の形態４では、発光装置４００は、発光素子４０３及び保護素子４１０と、発光素子４０３及び保護素子４１０と電気的に接続される第１の導電部材４０１と、第１の導電部材４０１から離間し、発光素子４０３が載置される第２の導電部材４０２と、発光素子４０３を被覆するとともに第１の導電部材４０１及び第２の導電部材４０２と接する封止部材４０４と、を有している。第１の導電部材４０１及び第２の導電部材４０２は、それぞれ下面が発光装置４００の外表面を形成しており、第１の導電部材４０１は、発光素子４０３と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部４０１ａと、第１の平坦部４０１ａから突出する上面を有する第１の突出部４０１ｂとを有する。第２の導電部材４０２は、導電性ワイヤ４０５’が接続される第２の平坦部４０２ａと、その第２の平坦部４０２ａから突出する第２の突出部４０２ｂとを有する。第１の突出部４０１ｂと第２の突出部４０２ｂは、少なくともその側面の一部が発光装置４００の外表面を形成している。そして、第１の導電部材４０１と第２の導電部材４０２の間に、発光素子４０３からの光を遮光可能な樹脂からなる基体４０６を有し、更に、導電部材導電部材その基体４０６は、基体の底面４０６ａと、第１の突出部４０１ｂ及び第２の突出部４０２ｂを埋設する側壁４０６ｂを有するような形状とすることを特徴とする。これにより、発光装置４００に凹部Ｓ１が形成され、発光装置４００の側面側に光が放出されるのを抑制し、上面方向に向けて光を放出することができる。その他の部材等については、実施の形態１〜３と同様のものを用いることができる。
【００６３】
実施の形態１〜３では、第１の突出部や第２の突出部に発光素子からの光が照射されることになるので、その部分においては発光装置の側面方向への光は放出されない。それに対し、実施の形態４では、その突出部を埋設させる側壁を設けることで、より広い面積で光を遮断することができる。また、図４Ｂに示すように、この側壁４０６ｂを、傾斜のある側面を有するようにすることで、光を発光装置の上面方向へ反射し易くすることができる。
【００６４】
＜実施の形態５＞
実施の形態５にかかる発光装置５００を、図５Ａ〜図５Ｄに示す。図５Ａは、実施の継体に係る発光装置５００を示す斜視図、図５Ｂは、図５Ａに係る発光装置５００の内部を示す上面図、図５Ｃは、図５Ａに係る発光装置５００の底面図、図５Ｄは、図５Ａに係る発光装置５００のＤ−Ｄ’断面における断面図である。
【００６５】
実施の形態５では、発光装置５００は、発光素子５０３と、発光素子５０３と電気的に接続される第１の導電部材５０１と、第１の導電部材５０１から離間し、発光素子５０３が載置される第２の導電部材５０２と、発光素子５０３を被覆するとともに第１の導電部材５０１及び第２の導電部材５０２と接する封止部材５０４と、を有している。第１の導電部材５０１及び第２の導電部材５０２は、それぞれ下面が発光装置５００の外表面を形成しており、第１の導電部材５０１は、発光素子５０３と電気的に接続される上面を有する第１の平坦部５０１ａと、第１の平坦部５０１ａから突出する上面を有する第１の突出部５０１ｂとを有する。第２の導電部材５０２は、導電性ワイヤ５０５’が接続される第２の平坦部５０２ａと、その第２の平坦部５０２ａから突出する第２の突出部５０２ｂとを有する。第１の突出部５０１ｂと第２の突出部５０２ｂは、少なくともその側面の一部が発光装置５００の外表面を形成している。第１の導電部材５０１と第２の導電部材４０２の間に、発光素子５０３からの光を遮光可能な樹脂からなる基体５０６を有し、更に、その基体５０６は、基体の底面５０６ａと、第１の突出部５０１ｂ及び第２の突出部５０２ｂを埋設する側壁５０６ｂを有している。
【００６６】
そして、第１の突出部５０１ｂ及び第２の突出部５０２ｂは、基体の側壁５０６ｂのうち、２つの側壁において発光装置５００の外表面を形成していることを特徴とする。これにより、発光装置５００に凹部Ｓ２が形成され、発光装置５００の側面側に光が放出されるのを抑制し、凹部Ｓ２の開口部方向に向けて光を放出することができ、しかも、２つの側面において外表面を形成するように第１の導電部材５０１と第２の導電部材５０２とを設けるため、より安定して回路基板等に実装することができる。
【００６７】
さらに、図５Ａに示すように、対向する側壁５０６の外側面Ｆ１、Ｆ２において外表面を形成するよう第１の導電部材５０１、第２の導電部材５０２が形成されるとともに、共通の側壁５０６の外側面Ｆ３において第１の導電部材５０１と第２の導電部材５０２とが形成されていることで、この外側面Ｆ３側を実装面として回路基板に実装可能な側面発光型の発光装置とすることができる。
【００６８】
発光装置５００を側面発光型の発光装置として用いる場合、第１の導電部材５０１と第２の導電部材５０２は、図５Ｃに示すように、発光装置５００の下面において、外側面Ｆにおける第１の導電部材５０１の幅Ｌ１と、第２の導電部材５０２の幅Ｌ２とは、略等しい幅となるように設けるのが好ましい。更に、外表面Ｆ１、Ｆ２における第１の導電部材５０１の高さＨ１と第２の導電部材の高さＨ２とを略等しい高さとなるように設けるのが好ましい。このようにすることで、回路基板への実装時に片方が浮き上るなどの不具合が発生しにくく、安定して実装できる。また、図５Ｃでは、第２の導電部材は幅Ｌ２の部分だけが外表面Ｆ３に接しているが、幅Ｌ２の部分と切り欠き等を介して外表面Ｆ３に接するように設けてもよい。すなわち、図５Ｃ中で略中央部分の発光素子が載置されている領域の第２の導電部材５０２ａを、図示はしないが、外表面Ｆ３にまで延在する延在部を設けてもよい。このようにすることで、発熱量の多い発光素子からの熱が、より近い位置から、すなわち延在部分を介して回路基板等放熱することができるため、放熱性が向上する。
【００６９】
また、実施の形態５では、第１の突出部５０１ｂと第２の突出部５０２ｂとは、それぞれ金属層が２層になるように設けられており、図４Ｂで示す実施の形態の第１の突出部４０１ｂ、第２の突出部４０２よりも、高さが高くなるように設けられている。このようにすることで、側面発光型の発光装置として用いる際の回路基板の実装面（図５Ａ等における外表面Ｆ３）における露出面積をより広くすることができるため、安定して実装できる。
【００７０】
尚、実施の形態５においても、実施の形態１等のように、２つの第１の導電部材を設けて正負一対の電極として機能させることができる。また、その他の部材等についても、実施の形態１〜４と同様のものを用いることができる。
【００７１】
＜製造方法１＞
以下、本発明の発光装置の製造方法について、図を用いて説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、発光装置の集合体６０００を形成する工程を説明する図であり、この集合体６０００を切断することで、実施の形態１において説明した発光装置１００を得ることができる。
【００７２】
まず、図６Ａ（ａ）に示すように、金属板などからなる支持基板６０７０を用意し、この表面にレジスト６０８０を塗布する。このレジスト６０８０の厚みによって後に形成される第１の導電部材や第２の導電部材の厚みを調整することができる。用いるレジストはポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。ここでは、ポジ型のレジストを複数回用いる方法について説明するが、ポジ型、ネガ型を組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
塗布したレジストを乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスク６０９０を配置させて、図中の矢印のように紫外線を照射して露光する。ここで用いる紫外線は、レジスト６０７０の感度等によって適した波長を選択することができる。その後、洗浄することで図６Ａ（ｂ）に示すように開口部Ｋを有するレジスト６０８０が形成される。
【００７４】
次いで、金属を用いてメッキすることで、図６Ａ（ｃ）に示すようにレジスト６０８０の開口部Ｋ内に第１の導電部材６０１０と第２の導電部材６０２０とを形成させる。このとき、メッキ条件を調整することでレジスト６０８０の膜厚よりも厚くなるようにメッキすることができ、これにより導電部材をレジストの上面にまで形成させ、図１Ａに示すような突起部Ｘを形成させることができる。メッキ後、レジスト６０８０を洗浄して除去することで、図６Ａ（ｄ）に示すような状態となる。尚この突出部Ｘは、上記のようなメッキのほか、つぶし加工、印刷後の焼き付け工法などでも形成することができる。
【００７５】
図６Ｂは第１の突出部６０８１を形成する工程であり、基本的には図６Ａで説明した工程の繰り返しとなる。まず、図６Ｂ（ａ）に示すように、図６Ａ（ｄ）で得られたメッキ済みの支持基板６０７０に更にレジスト６０８１を塗布し、マスク６０９１を配置させて紫外線を照射して露光する。このとき、レジスト６０８１の厚みによって第１の突出部の高さを調整することができる。また、第１の導電部材（第１の平坦部）６０１０の上に、マスク６０９０よりも開口部の小さい開口部を有するマスク６０９１を用いることで、露光・洗浄後に図６Ｂ（ｂ）に示すような開口部Ｌを形成することができる。次いで、図６Ｂ（ｃ）に示すようにメッキすることで第１の突出部６０１１を形成することができ、洗浄によってレジスト６０８１を除去することで、図６Ｂ（ｄ）に示すような第１の突出部６０１１が形成された第１の導電部材６０１０が得られる。
【００７６】
次いで、図６Ｃ（ａ）に示すように、第２の導電部材６０２０上に発光素子６０３０を接合部材（図示せず）を用いて接合し、導電性ワイヤ６０５０を用いて第１の導電部材６０１０の平坦部に接続される。その後、発光素子６０３０、導電性ワイヤ６０５０を被覆するように封止部材６０４０を印刷等の方法によって形成する。そして、封止部材６０４０を硬化後に、図６Ｃ（ｃ）に示すように支持基板６０７０を剥がす。
【００７７】
以上のような工程を経て、図６Ｃ（ｄ）に示すような発光装置の集合体６０００を得ることができる。最後に図６Ｃ（ｄ）中の破線で示す部分、すなわち、第１の突出部６０１１を切断するような位置で切断することで、例えば図１Ａに示すような、第１の突出部が発光装置の外表面に形成された発光装置を得ることができる。
【００７８】
以上のように、メッキ工程を１度以上の複数回行い、その際に用いるマスク形状を変更することで、所望の位置にのみ膜厚の厚いメッキを行うことができ、この厚いメッキ部分を突出部として用いることができる。
【００７９】
＜製造方法２＞
製造方法２では、発光素子からの光を遮光可能な基体を有する発光装置についての製造方法、更に、メッキ工程を複数回行う方法について説明する。
【００８０】
図７Ａは、製造方法１の図６Ｂ（ｄ）の後に行う工程であり、第１の突出部７０１１の上に、更に、２層目を形成して、より高さを高くした第１の突出部７０１１を形成する工程である。尚、最後に切断されるまでは第１の導電部材と第２の導電部材とは一体のものである。
【００８１】
まず図７Ａ（ａ）に示すように、既に形成された第１の突出部の上にレジスト７０８０を塗布し、その上方に開口部を有するマスク７０９０を配置して露光する。このとき、マスクの開口部は先に用いたマスクと同じものをもちいることで、同じ幅の第１の突出部を形成することができる。ただし、異なる形状を用いることもできる。
【００８２】
レジスト７０８０を乾燥後、洗浄して除去することで、図７Ａ（ｂ）に示すような開口部Ｍを有するレジスト７０８０とすることができる。そして、この開口部Ｍ内に露出された第１の突出部７０１１（第２の突出部７０２１）の上に、更にメッキすることで２層構造とする。その後、レジスト７０８０を洗浄して除去することで、図７Ａ（ｄ）に示すような２層構造の第１の突出部７０１１（第２の突出部７０２１）を得ることができる。
【００８３】
次いで、図７Ｂ（ａ）に示すように、第１の突出部７０１１（第２の突出部７０２１）を埋設させるよう、射出成形等によって基体７０６０ｂを形成する。これによって凹部Ｓ３が形成されることになる。また、このとき、同時に第１の導電部材７０１０（第２の導電部材７０２０）の間を埋めるように基体７０６０ａも形成させる。尚、ここでは同時に形成させているが、基体の底面部７０６０ａと側壁７０６０ｂとは、別工程で行うこともでき、用いる樹脂も異なるものを用いることができる。
【００８４】
基体７０６０形成後、図７Ｂ（ｂ）に示すように発光素子７０３０を接合部材（図示せず）を用いて第１の導電部材７０１１上に接合し、導電性ワイヤ７０５０を用いて第２の導電部材７０２０上に接続させる。
【００８５】
凹部Ｓ３内に封止部材７０４０を設けて発光素子７０３０等を被覆し、封止部材７０４０を硬化後、図７Ｂ（ｃ）に示すように支持基板７０７０を剥がす。
【００８６】
以上のような工程を経て、図７Ｂ（ｄ）に示すような発光装置の集合体７０００を得ることができる。最後に図７Ｂ（ｄ）中の破線で示す部分、すなわち、第１の突出部７０１１（第２の突出部７０２１）が埋設された基体の側壁７０６０ｂを切断するような位置で切断することで、例えば図４Ａに示すような、第１の突出部が発光装置の外表面に形成された発光装置を得ることができる。
【００８７】
以上のように、メッキ工程を複数回行って、所定の位置に突出部となる膜厚の厚いメッキ部分を設け、更にその突出部を埋設するような基体を設けて切断によって露出させることで、配光特性が制御された発光装置を得ることができる。
【００８８】
＜その他の製造方法＞
第１の突出部、第２の突出部の形成を、上記のようなメッキ法ではなく導電部材の滴下、マスクを用いた蒸着、スパッタ、印刷、或いは、ワイヤボンディング装置等を用いてＡｕバンプ、Ｃｕバンプを形成する方法、各種プラズマＣＶＤ等を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明に係る光半導体装置は、電極となる導電部材を光半導体装置の外部に露出されている領域において高く（厚く）形成できるため、回路基板等への実装時に強固に実装することができる。これらの光半導体装置は、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置、などにも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１Ａ】図１Ａは、図１Ｂに係る発光装置のＡ−Ａ’断面における断面図及び部分拡大図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明係る発光装置を示す上面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図２Ｂに係る発光装置のＢ−Ｂ’断面における断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明に係る発光装置を示す上面図である。
【図３】図３は、本発明に係る発光装置の断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明に係る発光装置の内部を示す斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａに係る発光装置の凹部を封止した状態のＣ−Ｃ’断面における断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明に係る発光装置を示す斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに係る発光装置の内部を示す上面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ａに係る発光装置の底面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ａに係る発光装置のＤ−Ｄ’断面における断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００９１】
１００、２００、３００、４００、５００・・・発光装置
１０１、１０１’、２０１、３０１、４０１、５０１・・・第１の導電部材
１０１ａ、１０１ａ’、２０１ａ、３０１ａ、３０１ａ’、４０１ａ、５０１ａ・・・第１の平坦部１０１ｂ、１０１ｂ’、２０１ｂ、４０１ｂ、５０１ｂ・・・第１の突出部
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２・・・第２の導電部材
２０２ａ、４０２ａ、５０２ａ・・・第２の平坦部
２０２ｂ、４０２ｂ、５０２ｂ・・・第２の突出部１０３、２０３、３０３、４０３、５０３・・・導電部材発光素子
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４・・・封止部材
１０５、１０５’、２０５、２０５’、３０５、３０５’４０５、４０５’５０５、５０５’・・・導電ワイヤ
１０６、４０６、４０６ａ、４０６ｂ’、５０６、５０６ａ、５０６ｂ’・・・基体
４０６ａ、５０６ａ・・・基体の底面部
４０６ｂ、５０６ｂ・・・基体の側壁
４１０・・・保護素子
６０００、７０００・・・発光装置の集合体
６０１０、７０１０・・・第１の導電部材
６０１１、７０１１・・・第１の突出部
６０２０、７０２０・・・第２の導電部材
６０３０、７０３０・・・発光素子
６０４０、７０４０・・・封止部材
６０５０、７０５０・・・導電性ワイヤ
６０７０、７０７０・・・支持基板
６０８０、６０８１、７０８０・・・レジスト
６０９０、６０９１、７０９０・・・マスク
７０６０、７０６０ａ、７０６０ｂ・・・基体
Ｘ・・・突起部
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・・凹部
Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３・・・外表面
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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