(57)【要約】【課題】Ｑ値の低下を抑制でき、小型化が可能な電子部品及びそれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】基板５と、基板５上に設けられた絶縁層７と、絶縁層７の基板５とは反対側の面７ａに設けられたスパイラルコイル８と、スパイラルコイル８と電気的に接続される外部端子１２とを備えており、外部端子１２は、基板５の側面５ｃに対向するように設けられていることを特徴とする電子部品２。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の前記基板とは反対側の面に設けられたスパイラルコイルと、
前記スパイラルコイルと電気的に接続される外部端子とを備えており、
前記外部端子は、前記基板の側面に対向するように設けられていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記外部端子のうち前記基板の側面と反対側に半田めっき層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記外部端子のうち前記基板の側面と反対側に金めっき層又はパラジウムめっき層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記基板のうち前記スパイラルコイル側の面と、前記外部端子のうち前記基板と反対側の面とが鈍角をなしていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記電子部品が実装され且つ回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板とを備え、
前記電子部品の前記基板の側面のうち、前記外部端子に対向する側面が前記回路基板の前記回路形成面側に向けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１又は３に記載の電子部品と、
前記電子部品が実装され且つ回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板とを備え、
前記電子部品の前記基板の側面のうち、前記外部端子に対向していない側面が前記回路基板の前記回路形成面側に向けられていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータ、携帯用情報機器、電子交換機などの電子機器には小型化が求められてきており、それに用いられる電子部品にも、小型、薄型、軽量化及び低コスト化の要求が強まっている。
【０００３】
半導体パッケージのような電子部品も、従来のリードフレームタイプから、ウェハ上に樹脂層、配線層、はんだバンプを形成してパッケージングが行われたウェハレベルパッケージが広く使われるようになってきている（例えば下記特許文献１〜２参照）。
【０００４】
このようなウェハレベルパッケージとして、半導体素子上にスパイラルインダクタを有する半導体装置が知られている（例えば下記特許文献３参照）。この半導体装置においては、スパイラルインダクタが形成されている面と同一の面内にその外部端子が形成されている。
【特許文献１】特開２００４−２０７２６２号公報
【特許文献２】特開２００３−２３４３６７号公報
【特許文献３】特開２００５−３４０５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献３に記載の電子部品は、インダクタの性能を表す指標である品質係数（以下、「Ｑ値」と呼ぶ）の低下抑制の点や、小型化の点で、未だ改良の余地がある。
【０００６】
そこで、本発明は、Ｑ値の低下を抑制でき、小型化が可能な電子部品及びそれを備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記基板とは反対側の面に設けられたスパイラルコイルと、前記スパイラルコイルと電気的に接続される外部端子とを備えており、前記外部端子は、前記基板の側面に対向するように設けられていることを特徴とする電子部品である。
【０００８】
この電子部品によれば、絶縁層の基板と反対側の面にスパイラルコイルが形成され、外部端子が基板の側面に対向するように設けられている。このため、絶縁層のうち基板と反対側の面（以下、「コイル形成面」という）に、スパイラルコイル及び外部端子がともに形成される場合に比べてコイル形成面の面積を小さくすることができ、電子部品の小型化が可能となる。また本発明の電子部品においては、外部端子が、基板の側面に対向するように設けられているため、外部端子は絶縁層のコイル形成面の対向位置に配置されないことになる。このため、スパイラルコイルによって形成される磁束分布の外部端子による乱れを小さくすることが可能となり、電子部品のＱ値の低下を抑制することができる。
【０００９】
上記電子部品は、前記外部端子のうち前記基板の側面と反対側に半田めっき層を更に備えることが好ましい。
【００１０】
この電子部品は、回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板の回路配線に接合して電子機器を製造する場合に有用である。即ち、電子部品は、回路基板の回路配線上に載置した後、半田めっき層を加熱溶融するだけで、回路基板に実装することができる。即ち、電子部品を回路基板の回路配線上に載置するに先立ち、回路配線上に半田を印刷する工程を省略することが可能となる。
【００１１】
また上記電子部品は、前記外部端子のうち前記基板の側面と反対側に金めっき層又はパラジウムめっき層を更に備えていてもよい。この場合、金ワイヤを用いて、外部端子と、回路基板の回路配線とを接続させることができる。
【００１２】
さらに上記電子部品においては、前記基板のうち前記スパイラルコイル側の面と、前記外部端子のうち前記基板と反対側の面とが鈍角をなしていることが好ましい。この場合、電子部品の外部端子が、回路基板の回路形成面に向けられた状態で、電子部品を、半田を用いて回路基板の回路形成面に実装すると、半田のフィレットのうち、外部端子のスパイラルコイル側の端部近傍におけるフィレットの形状は、その回路形成面からの厚さが外部端子から離れるにつれてゆるやかに変化する形状となり、そのフィレットにおける熱変形に対する応力が緩和される。このため、電子部品が回路基板に実装される状態が長期間保持されることとなる。別言すると、電子部品を回路基板に実装してなる電子機器の長期信頼性がより向上する。
【００１３】
また本発明は、上記電子部品と、前記電子部品が実装され且つ回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板とを備え、前記電子部品の前記基板の側面のうち、前記外部端子に対向する側面が前記回路基板の前記回路形成面側に向けられていることを特徴とする電子機器である。また、本発明は、上記電子部品と、前記電子部品が実装され且つ回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板とを備え、前記電子部品の前記基板の側面のうち、前記外部端子に対向していない側面が前記回路基板の前記回路形成面側に向けられていることを特徴とする電子機器である。
【００１４】
この電子機器によれば、電子部品において、コイル形成面にスパイラルコイルが形成され、外部端子が基板の側面に対向するように設けられている。このため、コイル形成面に、スパイラルコイルとともに外部端子が形成される場合に比べてコイル形成面の面積を小さくすることができ、電子部品の小型化が可能となる。そしてこのように電子部品の小型化が可能になると、それが実装される回路基板を小型化することも可能となるため、回路基板上に電子部品が実装された電子機器を小型化させることも可能となる。また電子部品においては、外部端子が、基板の側面に対向するように設けられているため、外部端子は絶縁層のコイル形成面の対向位置に配置されないことになる。このため、スパイラルコイルによって形成される磁束分布の外部端子による乱れを小さくすることが可能となり、電子部品のＱ値の低下を抑制することができる。さらに、本発明の電子機器においては、回路配線が形成された回路形成面を有する回路基板の回路形成面側に、電子部品の基板側面のうち外部端子に対向する側面または対向していない側面が向けられている。この場合、絶縁層のコイル形成面の対向位置に回路基板の回路配線が配置されないこととなる。このため、コイル形成面の対向位置から、回路基板の回路配線を離すことが可能となる。従って、スパイラルコイルによって形成される磁束分布の回路配線による乱れをも小さくすることが可能となり、このことによっても電子部品のＱ値の低下を抑制できる。よって、本発明の電子機器によれば、電子部品のＱ値の低下抑制により、優れた性能が実現される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｑ値の低下を抑制することができ、小型化が可能な電子部品及びそれを備えた電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、全図中、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
[第１実施形態]
（電子機器）
図１は、本発明に係る電子機器の実施形態を示す部分断面側面図、図２は、図１の電子部品を示す斜視図、図３は、図１の電子部品を示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の電子機器１００は、回路配線（図示せず）が形成された回路形成面１ａを有する回路基板１と、回路基板１の回路形成面１ａ上に実装される電子部品２とを備えている。
【００１９】
図２及び図３に示すように、電子部品２は例えば直方体状をなしており、電子部品２は、集積回路（図示せず）が形成された半導体基板５と、半導体基板５の表面５ａ上に形成されるパッシベーション膜６と、パッシベーション膜６上に積層される第１の絶縁層７と、第１の絶縁層７のうち半導体基板５とは反対側の表面（以下、「コイル形成面」という）７ａ上に形成されるスパイラルコイル８と、第１の絶縁層７上に、スパイラルコイル８を覆うように積層される第２の絶縁層９とを備えている。
【００２０】
半導体基板５は、表面５ａと、裏面５ｂと、表面５ａと裏面５ｂとの間の側面（以下、「基板側面」という）５ｃとで構成されている。本実施形態では、基板側面５ｃは４つの面で構成されている。
【００２１】
スパイラルコイル８は、内側端部８ａを中心として渦巻状（スパイラル状）に巻回してなり、外側端部８ｂはコイル形成面７ａの周縁近傍に配置されている。
【００２２】
図３に示すように、パッシベーション膜６には貫通穴６ｂが形成され、第１の絶縁層７には、パッシベーション膜６の貫通穴６ｂに連通するように貫通穴７ｂが形成されている。そして、貫通穴６ｂ及び貫通穴７ｂには、スパイラルコイル８の内側端部８ａと半導体基板５の集積回路とを電気的に接続させる導電性の接続部１０が充填されている。
【００２３】
第１の絶縁層７は、基板５の表面５ａ側に設けられるコイル支持部７ｃと、コイル支持部７ｃから延びて基板側面５ｃ側まで回り込む回込部７ｄとを有しており、回込部７ｄは基板側面５ｃを覆っている。本実施形態では、４つの基板側面５ｃのすべてが回込部７ｄで覆われている。
【００２４】
スパイラルコイル８の外側端部８ｂには、スパイラルコイル８に電気的に接続される外部端子１２が設けられている。外部端子１２は、電子部品２を回路基板１に実装するためのものであり、絶縁性の回込部７ｄを介して基板側面５ｃに対向するように設けられている。このため、外部端子１２と半導体基板５とは回込部７ｄによって絶縁されることになる。
【００２５】
そして、図１に示すように、電子部品２は、外部端子１２に対向する基板側面５ｃが回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられて回路基板１に実装されている。即ち、外部端子１２が回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられている。外部端子１２は、半田１３を介して、回路基板１の回路配線と接合されている。
【００２６】
なお、半導体基板５は例えばシリコンなどを含んで構成され、パッシベーション膜６は、例えばＳｉＮやＳｉＯ２を含んで構成されている。第１の絶縁層７及び第２の絶縁層９は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂などの樹脂を含んで構成され、スパイラルコイル８は、例えば銅を含んで構成される。また外部端子１２は、例えば銅を含んで構成される。
【００２７】
この電子機器１００によれば、電子部品２において、コイル形成面７ａにスパイラルコイル８が形成され、外部端子１２が基板側面５ｃに対向するように設けられている。このため、コイル形成面７ａに、スパイラルコイル８及び外部端子１２がともに形成される場合に比べてコイル形成面７ａの面積を小さくすることができ、電子部品２の小型化が可能となる。そしてこのように電子部品２の小型化が可能になると、それが実装される回路基板１を小型化することも可能となるため、回路基板１上に電子部品２が実装された電子機器１００を小型化させることも可能となる。
【００２８】
また電子部品２においては、外部端子１２が、基板側面５ｃに対向するように設けられているため、外部端子１２は第１の絶縁層７のコイル形成面７ａの対向位置に配置されないことになる。このため、スパイラルコイル８によって形成される磁束分布の外部端子１２による乱れを小さくすることが可能となり、電子部品２のＱ値の低下を抑制することができる。
【００２９】
さらに、電子機器１００においては、回路配線が形成された回路形成面１ａを有する回路基板１の回路形成面１ａ側に、電子部品２の基板側面５ｃのうち外部端子１２に対向している基板側面５ｃが向けられている。この場合、第１の絶縁層７のコイル形成面７ａの対向位置に回路基板１の回路配線が配置されないこととなる。このため、コイル形成面７ａの対向位置から、回路基板１の回路配線を離すことが可能となる。従って、スパイラルコイル８によって形成される磁束分布の回路配線による乱れをも小さくすることが可能となり、このことによっても電子部品２のＱ値の低下を抑制できる。よって、電子機器１００によれば、電子部品２のＱ値の低下抑制により、優れた性能が実現される。
【００３０】
さらに電子部品２において、外部端子１２が、基板側面５ｃに対向するように設けられているため、コイル形成面７ａの対向位置に外部端子１２が設けられる場合に比べて、電子部品２における反りやクラックの発生を十分に抑制することができる。即ち、コイル形成面７ａの対向位置に外部端子１２が設けられる場合には、第２の絶縁層９の上にさらに樹脂層が設けられ、その樹脂層に外部端子１２が設けられるとともに、外部端子１２とスパイラルコイル８とを接続する配線層も必要となる。この場合、樹脂層や配線層が増えることで、応力が著しく大きくなってしまう。これに対して、本実施形態の電子部品２では、外部端子１２が、コイル形成面７ａの対向位置ではなく、基板側面５ｃに対向する位置に配置されているため、樹脂層や配線層は設けられていない。従って、電子部品２における反りやクラックの発生を十分に抑制できる。
【００３１】
（電子機器の製造方法）
次に、上述した電子機器１００の製造方法について説明する。
【００３２】
（電子部品の製造方法）
まず電子部品２の製造方法について図４〜図１４を参照して説明する。
【００３３】
はじめに、集積回路が形成された半導体基板１０５を準備し、半導体基板１０５の表面１０５ａ上にパッシベーション膜１０６を形成する（図４）。半導体基板１０５およびパッシベーション膜１０６はそれぞれ、最終的に電子部品２の半導体基板５およびパッシベーション膜６を構成するものである。
【００３４】
次に、半導体基板１０５の裏面１０５ｂには、接着層１１３を介して支持基板１１４を貼り付ける（図５）。接着層１１３は、半導体基板１０５と支持基板１１４とを接着できるものであればいかなるものでもよいが、このような接着剤１１３としては、紫外線を照射することにより接着性が低下し半導体基板１０５から剥離可能なものが好ましく用いられる。支持基板１１４は、後述する溝１３０の形成に際して半導体基板１０５の破断を防ぐために用いられるものであり、例えばシリコン基板やガラス基板で構成されるが、接着層１１３として、紫外線を照射することにより接着性が低下し半導体基板１０５から剥離可能なものが用いられる場合には、紫外線を透過可能なガラス基板等が好ましく用いられる。
【００３５】
次に、パッシベーション膜１０６側から半導体基板１０５に溝１３０を形成する（図６）。溝１３０は、例えば半導体素子を個片化する装置として一般に用いられるダイシング装置によって形成することができる。溝１３０は、パッシベーション膜１０６から支持基板１１４側に向かって、半導体基板１０５を分断しないように形成される。
【００３６】
次に、パッシベーション膜１０６及び溝１３０の内壁面を覆うように第１の絶縁膜７Ａを形成する（図７）。第１の絶縁膜７Ａは、最終的に電子部品２の第１の絶縁層７を構成するものである。第１の絶縁膜７Ａは、例えば樹脂またはその前駆体を含有する溶液をパッシベーション膜６及び溝１３０の内壁面上に塗布し乾燥させることにより形成することができる。上記樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂などが用いられる。
【００３７】
第１の絶縁膜７Ａには、接続部１０を充填するための貫通穴７ｂを形成してパッシベーション膜１０６を露出させる。続いて、露出したパッシベーション膜１０６には、同じく接続部１０を充填するための貫通穴６ｂを形成して半導体基板１０５の表面１０５ａを露出させる（図８）。貫通穴６ｂ，７ｂは、例えばフォトリソグラフィを利用して形成することができる。
【００３８】
次に、シード層（図示せず）を形成する。シード層は、第１の絶縁膜７Ａの表面上のみならず、貫通穴７ｂの内壁面、貫通穴６ｂの内壁面、及び、露出している半導体基板１０５の表面１０５ａにも形成する。シード層の形成は、次工程のめっきのための下準備の工程であり、シード層を構成する材料としては、例えばクロム、ニッケル、銅、チタン、タングステン等の金属が用いられる。この金属は単体でも合金であってもよい。またシード層は１層でもよいが、２層以上である方が好ましい。さらに、形成するシード層の厚さは例えば０．１〜１μｍ程度でよい。シード層は、例えば蒸着法やスパッタ法によって形成することができる。
【００３９】
続いて、シード層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、第１の絶縁膜７Ａの表面を覆うように形成される。そして、このレジスト層には、フォトリソグラフィにより、スパイラルコイル８をめっき法で形成するためのスパイラルコイル形成溝１０８ａが形成される（図９）。スパイラルコイル形成溝１０８ａは、第１の絶縁膜７Ａ上のシード層を露出させるように形成される。またレジスト層には、外部端子１２をめっき法で形成するための外部端子形成溝１０８ｂも形成され、この外部端子形成溝１０８ｂは、溝１３０の内壁面を覆う第１の絶縁膜７Ａの表面上に形成されたシード層のうち、外部端子１２の形成予定領域Ａを露出させるように形成される。またレジスト層には、フォトリソグラフィにより、パッシベーション膜１０６における貫通穴６ｂの内壁面上のシード層、第１の絶縁膜７Ａにおける貫通穴７ｂの内壁面上のシード層、及び、半導体基板１０５の表面１０５ａ上のシード層が露出されるようにする。こうしてパターニングレジスト層１０９が形成される。
【００４０】
次に、露出しているシード層に対して電解めっき法によりめっき部を形成する（図１０）。これにより、パッシベーション膜１０６の貫通穴６ｂ、及び第１の絶縁膜７Ａの貫通穴７ｂには、シード層及びめっき部で構成される接続部１０が形成される。このとき、接続部１０は、半導体基板１０５の集積回路と電気的に接続されることになる。またスパイラルコイル形成溝１０８ａには、シード層及びめっき部で構成されるスパイラルコイル８が形成され、外部端子形成溝１０８ｂには、シード層及びめっき部で構成される導電部１１２が形成される（図１０）。導電部１１２は、後に研削されて外部端子１２となるものである。なお、めっき部を構成する金属は、特に限定されないが、低抵抗率であることから、銅であることが好ましい。
【００４１】
次に、パターニングレジスト層１０９を剥離した後、露出しているシード層を除去する（図１１）。シード層の除去は例えばウェットエッチングで行うことができる。
【００４２】
次に、第１の絶縁膜７Ａの上に、スパイラルコイル８を覆うように第２の絶縁層９を形成する（図１２）。第２の絶縁層９は、例えば樹脂またはその前駆体を含有する溶液を第１の絶縁膜７Ａ上に塗布し乾燥させて樹脂層を形成した後、この乾燥した樹脂層にフォトリソグラフィにてパターニングを施すことによって得ることができる。パターニングは、具体的には、第１の絶縁膜７Ａのうち溝１３０の内壁面を覆う部分を露出させるとともに、導電部１１２を露出させるようにして行う。上記樹脂層は、第１の絶縁膜７Ａの形成に使用される樹脂と同様のものを用いることができる。
【００４３】
次に、第２の絶縁層９に、樹脂フィルム１２０を、接着剤を介して接着させる（図１３）。このとき、樹脂フィルム１２０の表面に接着剤が予め付着している接着剤付きの樹脂フィルムを用いることが好ましい。
【００４４】
次に、支持基板１１４を接着層１１３ごと半導体基板１０５から剥離する。このとき、支持基板１１４が例えばガラス基板で構成され、接着層１１３が、紫外線照射により接着性が低下するもので構成されているのであれば、樹脂フィルム１２０と反対側、即ち支持基板１１４側から紫外線を照射することにより、支持基板１１４を接着層１１３ごと容易に半導体基板１０５から剥離できる。
【００４５】
次に、半導体基板１０５に対して、パッシベーション膜１０６と反対側から、即ち基板裏面１０５ｂ側から、例えば研磨により研削を行う。研削は、半導体基板１０５及び第１の絶縁膜７Ａが分断されるまで行う。これにより、半導体基板１０５は半導体基板５となり、第１の絶縁膜７Ａは第１の絶縁層７となり、導電部１１２は外部端子１２となり、半導体基板１０５の表面１０５ａは、半導体基板５の表面５ａとなり、半導体基板１０５の裏面１０５ｂは半導体基板５の裏面５ｂとなり、パッシベーション膜１０６はパッシベーション膜６となる。こうして、樹脂フィルム１２０上に複数の電子部品２が得られる（図１４）。このとき、第１の絶縁層７は、スパイラルコイル８を支持するコイル支持部７ｃと、コイル支持部７ｃから延びて半導体基板５の基板側面５ｃまで回り込む回込部７ｄとで構成されることになる。また複数の電子部品２が樹脂フィルム１２０に対して接着剤を介して固定されていることで、電子部品２の飛散が防止される。
【００４６】
続いて、樹脂フィルム１２０から電子部品２を剥離する。こうして、半導体基板５の基板側面５ｃに対して、第１の絶縁層７の回込部７ｄを介して外部端子１２が対向するように設けられることとなり、電子部品２の製造が完了する。
【００４７】
一方、回路基板１においては、回路配線のうち外部端子１２を接合させる箇所に、半田１３を印刷しておく。
【００４８】
そして、上記のようにして得られた電子部品２を回路基板１の回路形成面１ａ上に載置する。具体的に、電子部品２は、基板側面５ｃのうち外部端子１２に対向する基板側面５ｃが回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられた状態で、半田１３上に載置される。
【００４９】
次に、半田１３を加熱溶融させることにより、電子部品２を回路基板１の回路配線に半田１３を介して固定する。以上のようにして電子機器１００の製造が完了する。
【００５０】
[第２実施形態]
次に、本発明の電子機器の第２実施形態について図１５を参照しながら説明する。
【００５１】
本実施形態の電子機器は、電子部品として、図１５に示される電子部品２２が用いられる点で第１実施形態の電子機器１００と相違する。
【００５２】
即ち、図１５に示す電子部品２２は、第１の絶縁層７がコイル支持部７ｃのみで構成され、外部端子１２と基板側面５ｃとの間に、第１の絶縁層７とは異なる材料で構成される絶縁性の基板側面被覆部１２２を有する点で第１実施形態の電子部品２と相違する。
【００５３】
基板側面被覆部１２２は、第１の絶縁層７と異なる絶縁材料で構成されればよい。例えば第１の絶縁層７がポリイミド樹脂等の有機材料で構成される場合には、基板側面被覆部１２２は、ＳｉＯ２等の無機材料で構成されればよい。この電子部品２２によっても、電子部品２と同様の効果が奏される。
【００５４】
次に、図１５に示す電子部品の製造方法について図４〜図６及び図１６〜図２０を参照して説明する。
【００５５】
まず半導体基板１０５を準備し、半導体基板１０５の表面１０５ａ上にパッシベーション膜１０６を形成する（図４）。次に、半導体基板１０５の裏面１０５ｂに、接着剤層１１３を介して支持基板１１４を貼り付ける(図５)。そして、パッシベーション膜１０６側から半導体基板１０５に溝１３０を形成する（図６）。これらの工程は、第１実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００５６】
次に、半導体基板１０５に形成された溝１３０の内壁面を覆うように被覆膜１２２Ａを形成する。被覆膜１２２Ａは、最終的に基板側面被覆部１２２となるものであり、被覆膜１２２Ａは、例えばＳｉＯ２で構成される（図１６）。
【００５７】
次に、パッシベーション膜１０６に貫通穴６ｂを形成し、半導体基板１０５の表面１０５ａを露出させる（図１７）。
【００５８】
次に、パッシベーション膜１０６上に第１の絶縁膜２０７Ａを形成する。第１の絶縁膜２０７Ａは、最終的に電子部品２２の第１の絶縁層７を構成するものであり、第１の絶縁膜７Ａと同様の材料で構成される。そして第１の絶縁膜２０７Ａに貫通穴７ｂを形成した後、貫通穴６ｂの内壁面及び半導体基板１０５の表面１０５ａを露出させる（図１８）。
【００５９】
次に、シード層（図示せず）を形成する。シード層は、第１の絶縁膜２０７Ａの表面上のみならず、貫通穴７ｂの内壁面、貫通穴６ｂの内壁面、及び、露出している半導体基板１０５の表面１０５ａにも形成する。
【００６０】
続いて、シード層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、第１の絶縁膜２０７Ａの表面を覆うように形成される。そして、このレジスト層には、フォトリソグラフィにより、スパイラルコイル８をめっき法で形成するためのスパイラルコイル形成溝２０８ａが形成される（図１９）。スパイラルコイル形成溝２０８ａは、第１の絶縁膜２０７Ａ上のシード層を露出させるように形成される。また外部端子１２をめっき法で形成するための外部端子形成溝２０８ｂも形成され、この外部端子形成溝２０８ｂは、溝１３０の内壁面を覆う被覆膜１２２Ａの表面上に形成されたシード層のうち、外部端子１２の形成予定領域Ｂを露出させるように形成される。またレジスト層には、フォトリソグラフィにより、パッシベーション膜６における貫通穴６ｂの内壁面上のシード層、第１の絶縁膜２０７Ａにおける貫通穴７ｂの内壁面上のシード層、及び、半導体基板１０５の表面１０５ａ上のシード層が露出されるようにする。こうしてパターニングレジスト層２０９が形成される（図１９）。
【００６１】
次に、露出しているシード層に対して電解めっき法によりめっき部を形成する（図２０）。これにより、パッシベーション膜６の貫通穴６ｂ、及び第１の絶縁膜２０７Ａの貫通穴７ｂには、シード層及びめっき部で１０構成される接続部１０が形成される。このとき、接続部１０は、半導体基板１０５の集積回路と電気的に接続されることになる。またスパイラルコイル形成溝２０８ａには、シード層及びめっき部で構成されるスパイラルコイル８が形成され、外部端子形成溝２０８ｂには、シード層及びめっき部で構成される導電部１１２が形成される。導電部１１２は、後に研削されて外部端子１２となるものである。
【００６２】
これ以降の工程は、第１実施形態の電子部品２の製造方法と同様に行えばよい。こうして、図１５に示す電子部品２２の製造が完了する。
【００６３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記第１実施形態の電子機器１００において、電子部品２は、基板側面５ｃのうち外部端子１２に対向する基板側面５ｃが回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられて回路基板１に実装されているが、図２１に示す電子機器３００のように、電子部品２は、基板側面５ｃのうち外部端子１２に対向していない基板側面５ｃ（例えば外部端子１２に対向する基板側面５ｃと反対側の基板側面５ｃ）が回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられて回路基板１に実装されていてもよい。これにより、外部端子１２は、回路基板１の回路形成面１ａに向けられないことになるが、この場合、外部端子１２と回路基板１の回路配線との接続は、例えば金属ワイヤ３０１によって行えばよい。ここで、金属ワイヤ３０１としては、例えば金ワイヤを使用することが可能である。なお、金属ワイヤ３０１の両端はそれぞれ、外部端子１２及び回路基板１の回路配線に半田３１３ａ，３１３ｂによって接合させればよい。なお、電子部品２において、基板側面５ｃのうち外部端子１２に対向していない基板側面５ｃは３面あるが、これらのうちいずれの面が回路基板１の回路形成面１ａ側に向けられてもよい。
【００６４】
また電子機器３００においては、電子部品２に代えて、図２２に示す電子部品３２を用いてもよい。電子部品３２は、外部端子１２の表面にさらに、無電解めっき法によってニッケルめっき層３３及びパラジウムめっき層３４が順次形成される点で電子部品２と相違するものであり、この電子部品３２によれば、外部端子１２の後処理で必要な膜の厚さを薄く形成することができ、且つ、パラジウムめっき層３４が形成されているため金属ワイヤ３０１として、金ワイヤを使用することもできる。なお、パラジウムめっき層３４に代えて金めっき層を用いることもできる。この場合でも、パラジウムめっき層２４が形成された場合と同様の効果が得られる。
【００６５】
図２２に示す電子部品３２において、外部端子１２の表面に無電解めっき法によってニッケルめっき層３３及びパラジウムめっき層３４を形成するためには、具体的には図１２に示す工程の後に、導電部１１２に対してニッケルの無電解めっきによりニッケルめっき膜を形成し、続いてパラジウムの無電解めっきによりパラジウムめっき膜を形成すればよい。これらニッケルめっき膜及びパラジウムめっき膜はそれぞれ、のちに電子部品３２のニッケルめっき層３３及びパラジウムめっき層３４を構成するものである。
【００６６】
また上記第１実施形態の電子機器１００においては、電子部品２に代えて、図２３に示す電子部品４２が用いられてもよい。電子部品４２は、外部端子１２の表面に半田めっき層４３が形成されている点で電子部品２と相違するものである。この電子部品４２を用いると、電子機器１００の製造効率が向上する。即ち、電子部品４２は、回路基板１の回路配線１ａ上に、半田めっき層４３を回路形成面１ａ側に向けた状態で載置した後、半田めっき層４３を加熱溶融するだけで、回路基板１に対して接合させることができる。即ち、回路基板１の回路形成面１ａに半田を印刷する工程を省略することができる。よって、電子機器１００の製造効率がより向上する。
【００６７】
上記のように外部端子１２の上に半田めっき層４３を形成する場合は、例えば電解めっき法が用いられる。電解めっき法は、具体的には、図１１に示す工程の後、図１２に示す工程の前において、導電部１１２の表面のうち半田めっき層４３を形成すべき領域のみが露出されるようにスパイラルコイル８や第１の絶縁膜７Ａをレジストで覆い、その上で電解めっき法により導電部１１２の表面上に半田めっき膜を形成することにより行うことができる。この半田めっき膜は、のちに電子部品４２の半田めっき層３３を構成するものである。
【００６８】
さらに、上記第１実施形態の電子部品２では、半導体基板５のうちスパイラルコイル８側の面と、外部端子１２のうち半導体基板５と反対側の面とのなす角は、直角であっても鋭角又は鈍角であってもよいが、鈍角であることが好ましい。この場合、電子部品２の外部端子１２が、回路基板１の回路形成面１ａに向けられた状態で、電子部品２を、半田を用いて回路基板１の回路形成面１ａに実装すると、半田のフィレットのうち、外部端子１２のスパイラルコイル８側の端部近傍におけるフィレットの形状は、その回路形成面１ａからの厚さが外部端子１２から離れるにつれてゆるやかに変化する形状となり、そのフィレットにおける熱変形に対する応力が緩和される。このため、電子部品２が回路基板１に実装される状態が長期間保持されることとなる。別言すると、電子部品２を回路基板１に実装してなる電子機器１００の長期信頼性がより向上する。
【００６９】
また、半導体基板１０５の側面と、半導体基板１０５の表面５ａとのなす角が鈍角であると、製造上有利である。即ち、半導体基板１０５の側面と、半導体基板１０５の表面５ａとのなす角が鈍角であると、図８に示すように溝１３０の内壁面を第１の絶縁膜７Ａで覆うときに第１の絶縁膜７Ａの表面と、半導体基板１０５の表面５ａとが鈍角をなすようになり、例えば図９に示す工程で、シード層を溝１３０の内壁面に形成する場合にシード層が付着しやすくなる。別言すると、シード層の付着不足を防止しやすくすることが可能となる。このため、図１０に示す工程において、所望の領域に導電部１１２を形成することができる。従って、電子部品２の歩留まり低下を抑制することができる。なお、半導体基板１０５の側面と、半導体基板１０５の表面５ａとのなす角を鈍角にするには、溝１３０を、ダイシング装置に代えて、リアクティブイオンエッチングやレーザを利用した方法を用いて形成すればよい。
【００７０】
さらに、上記第１実施形態では、電子部品２において、基板が半導体基板５で構成されているが、基板は半導体基板５のほか、絶縁基板であってもよい。この場合、外部端子１２と基板側面５ｃとの間に絶縁性の回込部７ｄは設けられていなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の電子機器の一実施形態を示す部分断面側面図である。
【図２】図１の電子部品を示す斜視図である。
【図３】図１の電子部品を示す断面図である。
【図４】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図５】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図６】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図７】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図８】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図９】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１０】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１１】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１２】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１３】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１４】図１の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１５】本発明の電子部品の他の実施形態を示す断面図である。
【図１６】図１５の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１７】図１５の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１８】図１５の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図１９】図１５の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図２０】図１５の電子部品の製造方法の一工程を示す端面図である。
【図２１】本発明の電子機器の他の実施形態を示す側面図である。
【図２２】図３の電子部品の変形例を示す断面図である。
【図２３】図３の電子部品の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…回路基板、１ａ…回路形成面、２，２２，３２，４２…電子部品、５…半導体基板（基板）、５ａ…半導体基板の表面、５ｃ…基板側面、７…第１の絶縁層（絶縁層）、７ａ…コイル形成面、８…スパイラルコイル、１２…外部端子、３４…パラジウムめっき層、４３…半田めっき層、１００，３００…電子機器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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