(57)【要約】【課題】セグメント信号及びコモン信号の一方の信号の電圧レベルの変化が他方の信号に及ぼす悪影響を低減できる集積回路装置等の提供。【解決手段】集積回路装置は、複数のセグメント信号出力回路を有するセグメントドライバーと、複数のコモン信号出力回路を有するコモンドライバーと、第１〜第４の電圧レベルの第１〜第４の電源をセグメントドライバー、コモンドライバーに供給する電源回路を含む。各セグメント信号出力回路は、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベルに設定される期間から第４の電圧レベルに設定される期間への第１の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、セグメント信号の電圧レベルが第４の電圧レベルに設定される期間から第１の電圧レベルに設定される期間への第２の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルを第２の電圧レベルに設定する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセグメント信号出力回路を有し、複数のセグメント線を駆動するセグメントドライバーと、
複数のコモン信号出力回路を有し、複数のコモン線を駆動するコモンドライバーと、
第１の電圧レベルである第１の電源と、第２の電圧レベルである第２の電源と、第３の電圧レベルである第３の電源と、第４の電圧レベルである第４の電源を、前記セグメントドライバー、前記コモンドライバーに供給する電源回路とを含み、
前記複数のセグメント信号出力回路の各セグメント信号出力回路は、
セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間への第１の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、
前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間への第２の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のコモン信号出力回路の各コモン信号出力回路は、
前記第１の遷移期間において、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第２の遷移期間において、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
複数のセグメント信号出力回路を有し、複数のセグメント線を駆動するセグメントドライバーと、
複数のコモン信号出力回路を有し、複数のコモン線を駆動するコモンドライバーと、
第１の電圧レベルである第１の電源と、第２の電圧レベルである第２の電源と、第３の電圧レベルである第３の電源と、第４の電圧レベルである第４の電源を、前記セグメントドライバー、前記コモンドライバーに供給する電源回路とを含み、
前記複数のセグメント信号出力回路の各セグメント信号出力回路は、
セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第２の電圧レベルに設定される期間への第１の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、
前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第３の電圧レベルに設定される期間への第２の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記各コモン信号出力回路は、
前記第１の遷移期間では、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第２の遷移期間では、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の遷移期間の長さは、前記第１の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定され、前記第２の遷移期間の長さは、前記第２の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記複数のコモン信号出力回路の各コモン信号出力回路は、
前記セグメント信号が２つの期間に亘って前記第１の電圧レベルに設定される場合に、前記２つの期間のうちの前半期間と後半期間の間の第３の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、
前記セグメント信号が２つの期間に亘って前記第４の電圧レベルに設定される場合に、前記２つの期間のうちの前半期間と後半期間の間の第４の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記各コモン信号出力回路は、
前記第３の遷移期間では、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第４の遷移期間では、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定することを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第３の遷移期間の長さは、前記第３の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定され、前記第４の遷移期間の長さは、前記第４の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記電源回路は、
第１の差動部と第１の出力部を有し、前記第２の電源を供給する第１のインピーダンス変換回路と、
第２の差動部と第２の出力部を有し、前記第３の電源を供給する第２のインピーダンス変換回路を含み、
前記第１のインピーダンス変換回路の前記第１の出力部は、
高電位側電源ノードと第１の出力ノードとの間に設けられた第１の電流源と、
前記第１の出力ノードと低電位側電源ノードとの間に設けられ、前記第１の差動部によりゲートが制御される第１の駆動トランジスターを含み、
前記第２のインピーダンス変換回路の前記第２の出力部は、
前記高電位側電源ノードと第２の出力ノードとの間に設けられ、前記第２の差動部によりゲートが制御される第２の駆動トランジスターと、
前記第２の出力ノードと前記低電位側電源ノードとの間に設けられた第２の電流源を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記第１の電圧レベルをＶ１とし、前記第２の電圧レベルをＶ２とし、前記第３の電圧レベルをＶ３とし、前記第４の電圧レベルをＶ４とした場合に、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ４であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
Ｖ４−Ｖ３＝Ｖ３−Ｖ２＝Ｖ２−Ｖ１であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積回路装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置、電気光学装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＣＤ（Liquid Crystal Displayパネル等の電気光学パネルを駆動するための回路を内蔵する集積回路装置（ドライバー）が知られている。コモン線とセグメント線を備える単純マトリックス方式（パッシブ方式）の電気光学パネルを例にとれば、集積回路装置は、コモン信号とセグメント信号を生成して、電気光学パネルに供給する。これにより電気光学パネルには、数字やアルファベットなどの文字が表示される。このような集積回路装置の従来技術としては例えば特許文献１に開示される技術がある。
【０００３】
このような集積回路装置では、液晶素子等の電気光学素子の駆動に使用する電源のラインに対して、平滑用のコンデンサを設ける必要があり、高コスト化や実装面積の大規模化の要因となっていた。また電源を供給するオペアンプ（インピーダンス変換回路）として、例えばＡＢ級のオペアンプを使用すると、低消費電力化の妨げとなったり、オペアンプの面積が原因となって集積回路装置が大規模化するなどの問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２２２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の幾つかの態様によれば、セグメント信号及びコモン信号の一方の信号の電圧レベルの変化が他方の信号に及ぼす悪影響を低減できる集積回路装置、電気光学装置及び電子機器等を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、複数のセグメント信号出力回路を有し、複数のセグメント線を駆動するセグメントドライバーと、複数のコモン信号出力回路を有し、複数のコモン線を駆動するコモンドライバーと、第１の電圧レベルである第１の電源と、第２の電圧レベルである第２の電源と、第３の電圧レベルである第３の電源と、第４の電圧レベルである第４の電源を、前記セグメントドライバー、前記コモンドライバーに供給する電源回路とを含み、前記複数のセグメント信号出力回路の各セグメント信号出力回路は、セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間への第１の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間への第２の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定する集積回路装置に関係する。
【０００７】
本発明の一態様によれば、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベルから第４の電圧レベルに変化する際の第１の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルが第３の電圧レベルに設定される。またセグメント信号の電圧レベルが第４の電圧レベルから第１の電圧レベルに変化する際の第２の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルが第２の電圧レベルに設定される。このようにすることで、セグメント信号及びコモン信号の一方の信号の電圧レベルの変化が他方の信号に及ぼす悪影響を低減できる。
【０００８】
また本発明の一態様では、前記複数のコモン信号出力回路の各コモン信号出力回路は、前記第１の遷移期間において、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第２の遷移期間において、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定してもよい。
【０００９】
このようにすれば、第１の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第３の電圧レベル、第２の電圧レベルが設定され、第２の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第２の電圧レベル、第３の電圧レベルが設定されるようになる。従って、いずれの遷移期間においても、電気光学素子等には第２、第３の電圧レベルの電圧差が印加されるようになる。
【００１０】
本発明の他の態様は、複数のセグメント信号出力回路を有し、複数のセグメント線を駆動するセグメントドライバーと、複数のコモン信号出力回路を有し、複数のコモン線を駆動するコモンドライバーと、第１の電圧レベルである第１の電源と、第２の電圧レベルである第２の電源と、第３の電圧レベルである第３の電源と、第４の電圧レベルである第４の電源を、前記セグメントドライバー、前記コモンドライバーに供給する電源回路とを含み、前記複数のセグメント信号出力回路の各セグメント信号出力回路は、セグメント信号の電圧レベルが前記第１の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第２の電圧レベルに設定される期間への第１の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、前記セグメント信号の電圧レベルが前記第４の電圧レベルに設定される期間から前記セグメント信号の電圧レベルが前記第３の電圧レベルに設定される期間への第２の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定する集積回路装置に関係する。
【００１１】
本発明の一態様によれば、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベルから第２の電圧レベルに変化する際の第１の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルが第３の電圧レベルに設定される。またセグメント信号の電圧レベルが第４の電圧レベルから第３の電圧レベルに変化する際の第２の遷移期間において、セグメント信号の電圧レベルが第２の電圧レベルに設定される。このようにすることで、セグメント信号及びコモン信号の一方の信号の電圧レベルの変化が他方の信号に及ぼす悪影響を低減できる。
【００１２】
また本発明の他の態様では、前記各コモン信号出力回路は、前記第１の遷移期間では、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第２の遷移期間では、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定してもよい。
【００１３】
このようにすれば、第１の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第３の電圧レベル、第２の電圧レベルが設定され、第２の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第２の電圧レベル、第３の電圧レベルが設定されるようになる。従って、いずれの遷移期間においても、電気光学素子等には第２、第３の電圧レベルの電圧差が印加されるようになる。
【００１４】
また本発明の一態様又は他の態様では、前記第１の遷移期間の長さは、前記第１の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定され、前記第２の遷移期間の長さは、前記第２の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定されてもよい。
【００１５】
このように遷移期間を短くすることで、有効な駆動期間を長くすることが可能になる。なお第１の遷移期間の前後の期間とは、例えば第１の遷移期間の前後（直前、直後）において、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベル、第２の電圧レベル又は第４の電圧レベルに設定される期間である。また第２の遷移期間の前後の期間とは、例えば第２の遷移期間の前後（直前、直後）において、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベル、第３の電圧レベル又は第４の電圧レベルに設定される期間である。
【００１６】
また本発明の一態様又は他の態様では、前記複数のコモン信号出力回路の各コモン信号出力回路は、前記セグメント信号が２つの期間に亘って前記第１の電圧レベルに設定される場合に、前記２つの期間のうちの前半期間と後半期間の間の第３の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定し、前記セグメント信号が２つの期間に亘って前記第４の電圧レベルに設定される場合に、前記２つの期間のうちの前半期間と後半期間の間の第４の遷移期間において、前記セグメント信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定してもよい。
【００１７】
このようにすれば、電気光学素子等に印加される実効電圧を他の場合と同等にすることが可能になる。
【００１８】
また本発明の一態様又は他の態様では、前記各コモン信号出力回路は、前記第３の遷移期間では、コモン信号の電圧レベルを前記第２の電圧レベルに設定し、前記第４の遷移期間では、前記コモン信号の電圧レベルを前記第３の電圧レベルに設定してもよい。
【００１９】
このようにすれば、第３の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第３の電圧レベル、第２の電圧レベルが設定され、第４の遷移期間では、セグメント信号、コモン信号に対して、各々、第２の電圧レベル、第３の電圧レベルが設定されるようになる。従って、いずれの遷移期間においても、電気光学素子等には第２、第３の電圧レベルの電圧差が印加されるようになる。
【００２０】
また本発明の一態様又は他の態様では、前記第３の遷移期間の長さは、前記第３の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定され、前記第４の遷移期間の長さは、前記第４の遷移期間の前後の期間の長さの１／２以下に設定されてもよい。
【００２１】
このように遷移期間を短くすることで、有効な駆動期間を長くすることが可能になる。なお第３の遷移期間の前後の期間とは、例えば第３の遷移期間の前後（直前、直後）において、セグメント信号の電圧レベルが第１の電圧レベルに設定される期間（前半期間、後半期間）である。また第４の遷移期間の前後の期間とは、例えば第４の遷移期間の前後（直前、直後）において、セグメント信号の電圧レベルが第４の電圧レベルに設定される期間（前半期間、後半期間）である
また本発明の一態様又は他の態様では、前記電源回路は、第１の差動部と第１の出力部を有し、前記第２の電源を供給する第１のインピーダンス変換回路と、第２の差動部と第２の出力部を有し、前記第３の電源を供給する第２のインピーダンス変換回路を含み、前記第１のインピーダンス変換回路の前記第１の出力部は、高電位側電源ノードと第１の出力ノードとの間に設けられた第１の電流源と、前記第１の出力ノードと低電位側電源ノードとの間に設けられ、前記第１の差動部によりゲートが制御される第１の駆動トランジスターを含み、前記第２のインピーダンス変換回路の前記第２の出力部は、前記高電位側電源ノードと第２の出力ノードとの間に設けられ、前記第２の差動部によりゲートが制御される第２の駆動トランジスターと、前記第２の出力ノードと前記低電位側電源ノードとの間に設けられた第２の電流源を含んでもよい。
【００２２】
このようにすれば、例えば第１、第２の出力部の第１、第２の電流源に流れる電流を小さくすることで、低消費電力化を図れる。
【００２３】
また本発明の一態様又は他の態様では、前記第１の電圧レベルをＶ１とし、前記第２の電圧レベルをＶ２とし、前記第３の電圧レベルをＶ３とし、前記第４の電圧レベルをＶ４とした場合に、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ４であってもよい。
【００２４】
また本発明の一態様又は他の態様では、Ｖ４−Ｖ３＝Ｖ３−Ｖ２＝Ｖ２−Ｖ１であってもよい。
【００２５】
また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の集積回路装置を含む電気光学装置に関係する。
【００２６】
また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の集積回路装置を含む電子機器に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態の集積回路装置の構成例。
【図２】電源回路、セグメント信号出力回路、コモン信号出力回路の詳細な構成例。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は電気光学パネルの駆動方法についての説明図。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）は比較例の駆動方法の波形例。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は比較例の駆動方法の問題点についての説明図。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）も比較例の駆動方法の問題点についての説明図。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は本実施形態の駆動方法の波形例。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は本実施形態の駆動方法の説明図。
【図９】図９（Ａ）、図９（Ｂ）も本実施形態の駆動方法の説明図。
【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）も本実施形態の駆動方法の説明図。
【図１１】図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は比較例の駆動方法の他の波形例。
【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は本実施形態の駆動方法の他の波形例。
【図１３】電子機器、電気光学装置の構成例。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００２９】
１．構成
図１に本実施形態の集積回路装置（ドライバー）の構成例を示す。この集積回路装置は、セグメントドライバー１０、コモンドライバー２０、電源回路３０を含む。また表示メモリー５０、アドレス制御回路５２、コモンカウンター６０、タイミングコントローラー６２、制御回路９０を含むことができる。なおこれらの一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。例えば集積回路装置は表示メモリー５０を内蔵しないタイプのものであってもよい。
【００３０】
セグメントドライバー１０は、液晶パネル（広義には電気光学パネル）の複数のセグメント線（セグメント電極）を駆動する。具体的にはセグメントドライバー１０は複数のセグメント信号出力回路ＳＱ１〜ＳＱｉを含み、これらのセグメント信号出力回路ＳＱ１〜ＳＱｉからのセグメント信号（データ信号）ＳＥＧ１〜ＳＥＧｉを液晶パネルのセグメント線（データ線）に供給する。
【００３１】
コモンドライバー２０は、液晶パネルの複数のコモン線（コモン電極）を駆動する。具体的にはコモンドライバー２０は複数のコモン信号出力回路ＣＱ１〜ＣＱｊを含み、これらのコモン信号出力回路ＣＱ１〜ＣＱｊからのコモン信号（走査信号）ＣＯＭ１〜ＣＯＭｊを液晶パネルのコモン線（走査線）に供給する。
【００３２】
電源回路３０は液晶パネル（広義には電気光学装置）の駆動に必要な複数の電源を生成して、セグメントドライバー１０やコモンドライバー２０に供給する。具体的には例えば第１、第２、第３、第４の電源ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３、ＶＤ４を供給する。以下、これらの第１、第２、第３、第４の電源ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３、ＶＤ４の電圧レベルである第１、第２、第３、第４の電圧レベルを、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４と表す。なお電源回路３０は５個以上の電源を供給するようにしてもよい。
【００３３】
表示メモリー５０（ＶＲＡＭ、画像メモリー）は、表示データ（画像データ）を記憶する。即ち１画面分に対応する表示データを記憶する。表示メモリー５０から読み出された表示データ（セグメントデータ）はセグメントドライバー１０に供給される。この表示メモリー５０は例えばＲＡＭにより構成される。そして、表示メモリー５０からの表示データの読み出しや、表示メモリー５０への表示データの書き込みは、アドレス制御回路５２からのアドレス信号やタイミングコントローラー６２からのタイミング制御信号に基づいて行われる。
【００３４】
アドレス制御回路５２は、表示メモリー５０のアドレス制御を行う。即ち表示メモリー５０から表示データを読み出したり、表示メモリー５０に表示データを書き込むためのアドレス信号を出力する。このアドレス制御回路５２は、制御回路９０からの各種設定信号や、タイミングコントローラー６２からのタイミング制御信号に基づいて動作する。
【００３５】
コモンカウンター６０は、タイミングコントローラー６２からのタイミング制御信号に基づいて、コモン信号を生成するためのカウント処理を行う。コモンドライバー２０は、コモンカウンター６０からのカウント信号等に基づいてコモン信号を出力する。タイミングコントローラー６２は、制御回路９０の指示により、各種のタイミング制御信号を生成して出力する。制御回路９０は、集積回路装置全体の制御や集積回路装置の各回路ブロックの制御を行う。
【００３６】
図２に、セグメントドライバー１０、コモンドライバー２０、電源回路３０の詳細な構成例を示す。なおセグメントドライバー１０、コモンドライバー２０、電源回路３０の構成は図２の構成に限定されず、その一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００３７】
図２に示すように、セグメントドライバー１０が有するセグメント信号出力回路ＳＱ（ＳＱ１〜ＳＱｉ）は、複数のスイッチ素子ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４を含む。これらのスイッチ素子ＳＳ１〜ＳＳ４は、例えばトランスファーゲート等により構成できる。
【００３８】
スイッチ素子ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４の一端には電源ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３、ＶＤ４の電圧レベルＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４が供給され、スイッチ素子ＳＳ１〜ＳＳ４の他端は共通接続される。具体的にはスイッチ素子ＳＳ１〜ＳＳ４の他端は、セグメント信号ＳＥＧのパッドＰＳ（端子）に接続される。これらのスイッチ素子ＳＳ１〜ＳＳ４は、図示しない制御信号（セグメントデータ）に基づいてオン・オフ制御される。そしてセグメント信号出力回路ＳＱは、Ｖ１〜Ｖ４のいずれかの電圧レベルをスイッチ素子ＳＳ１〜ＳＳ４により選択して、セグメント信号ＳＥＧとして出力する。
【００３９】
コモンドライバー２０が有するコモン信号出力回路ＣＱ（ＣＱ１〜ＣＱｊ）は、複数のスイッチ素子ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４を含む。これらのスイッチ素子ＳＣ１〜ＳＣ４は、例えばトランスファーゲート等により構成できる。
【００４０】
スイッチ素子ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４の一端には電源ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３、ＶＤ４の電圧レベルＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４が供給され、スイッチ素子ＳＣ１〜ＳＣ４の他端は共通接続される。具体的にはスイッチ素子ＳＣ１〜ＳＣ４の他端は、コモン信号ＣＯＭのパッドＰＣ（端子）に接続される。これらのスイッチ素子ＳＣ１〜ＳＣ４は、図示しない制御信号に基づいてオン・オフ制御される。そしてコモン信号出力回路ＣＱは、Ｖ１〜Ｖ４のいずれかの電圧レベルをスイッチ素子ＳＣ１〜ＳＣ４により選択して、コモン信号ＣＯＭとして出力する。
【００４１】
電源回路３０は、電圧生成回路４０と、第１、第２のインピーダンス変換回路４１、４４（電圧出力回路）を含む。
【００４２】
電圧生成回路４０は例えばラダー抵抗回路により構成できる。そして例えばＶＤ４、ＶＤ１が、固定の高電位側電源ＶＤＤ、低電位側電源ＶＳＳである場合には、ＶＤＤ（ＶＤ４）とＶＳＳ（ＶＤ１）をラダー抵抗回路により電圧分割した電圧レベルＶ３’、Ｖ２’を出力する。
【００４３】
第１、第２のインピーダンス変換回路４１、４４は、いわゆるボルテージフォロワ接続のオペアンプである。そして第１のインピーダンス変換回路４１は、電圧生成回路４０からの電圧レベルＶ２’を受け、インピーダンス変換後の電圧レベルＶ２を出力する。第２のインピーダンス変換回路４４は、電圧生成回路４０からの電圧レベルＶ３’を受け、インピーダンス変換後の電圧レベルＶ３を出力する。
【００４４】
第１のインピーダンス変換回路４１は、第１の差動部４２と第１の出力部４３を有し、第２のインピーダンス変換回路４４は、第２の差動部４５と第２の出力部４６を有する。
【００４５】
第１のインピーダンス変換回路４１の出力部４３は、第１の電流源ＩＳ１と第１の駆動トランジスターＴＢ５を含む。電流源ＩＳ１は、高電位側電源ＶＤＤのノードと第１の出力ノードＮＱ１との間に設けられる。この電流源ＩＳ１は、例えばバイアス電圧がゲートに印加されたＰ型のトランジスター或いはドレインとゲートが接続されたＰ型のトランジスターなどにより実現できる。Ｎ型の駆動トランジスターＴＢ５は、出力ノードＮＱ１と低電位側電源ＶＳＳのノードとの間に設けられ、差動部４２によりそのゲートが制御される。
【００４６】
第１のインピーダンス変換回路４１の差動部４２は、ＶＤＤ側に設けられた電流源ＩＳ３と、差動対を構成するＰ型のトランジスターＴＢ１、ＴＢ２と、カレントミラー回路を構成するＮ型のトランジスターＴＢ３、ＴＢ４により構成される。
【００４７】
第２のインピーダンス変換回路４４の出力部４６は、第２の駆動トランジスターＴＡ５と第２の電流源ＩＳ２とを含む。Ｐ型の駆動トランジスターＴＡ５は、ＶＤＤのノードと第２の出力ノードＮＱ２の間に設けられ、差動部４５によりそのゲートが制御される。電流源ＩＳ２は、出力ノードＮＱ２とＶＳＳのノードの間に設けられる。この電流源ＩＳ２は、例えばバイアス電圧がゲートに印加されたＮ型のトランジスター或いはドレインとゲートが接続されたＮ型のトランジスターなどにより実現できる。
【００４８】
第２のインピーダンス変換回路４４の差動部４５は、ＶＳＳ側に設けられた電流源ＩＳ４と、差動対を構成するＮ型のトランジスターＴＡ１、ＴＡ２と、カレントミラー回路を構成するＰ型のトランジスターＴＡ３、ＴＡ４により構成される。
【００４９】
図２のように、Ｖ２、Ｖ３のラインに、各々、第１、第２のインピーダンス変換回路４１、４４で接続することで、低消費電力化を実現できる。即ち、駆動期間においてインピーダンス変換回路側へと移動させる必要がある電荷量の極性が正極性になるＶ２のラインには、正の電荷を多く引ける第１のインピーダンス変換回路４１を接続する。一方、駆動期間においてインピーダンス変換回路側へと移動させる必要がある電荷量の極性が負極性になるＶ３のラインには、負の電荷を多く引ける第２のインピーダンス変換回路４４を接続する。こうすることで、電流源ＩＳ１、ＩＳ２に流れる定電流を小さくすることが可能になり、出力部４３、４６においてＶＤＤからＶＳＳに流れる電流を小さくできるため、低消費電力化を図れる。
【００５０】
２．駆動方法
次に本実施形態の駆動方法について説明する。図３（Ａ）に示すように本実施形態では、電圧平均化法等により液晶パネルを駆動する。例えば図３（Ａ）では、電源としてＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４の４つの電圧レベルを用いて、液晶パネルを駆動する。Ｖ１は、例えば低電位側電源ＶＳＳの電圧レベルであり、Ｖ４は、例えば高電位側電源ＶＤＤの電圧レベルである。
【００５１】
例えばコモン信号ＣＯＭの電圧レベルがＶ４であり、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ１である場合には、液晶素子（広義には電気光学素子）には、Ｖ４−Ｖ１となるオン電圧が印加される。一方、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルがＶ２であり、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ３である場合には、液晶素子には、Ｖ２−Ｖ３となるオフ電圧ＶＯＦＦが印加される。
【００５２】
図３（Ｂ）に示すように液晶素子は容量性の素子であるため、セグメント線とコモン線の間には、液晶素子の容量が介在する。このためセグメント信号、コモン信号の一方の信号の電圧レベルが変化すると、その電圧レベルの変化が他方の信号に及ぶことになる。
【００５３】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）に比較例の駆動方法の波形例を示す。図４（Ａ）はコモン信号の波形例であり、図４（Ｂ）はセグメント信号の波形例である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）の信号波形は１／４デューティー、１／３バイアスの例であり、これらの信号波形により図４（Ｃ）に示すような表示が可能になる。図４（Ｃ）はノーマリホワイトの例であり、液晶素子に印加される実効電圧がオン電圧レベルである場合に各画素は黒表示になり、オフ電圧レベルである場合に各画素は白表示になる。
【００５４】
次に図４（Ａ）、図４（Ｂ）の比較例の駆動方法の問題点について、図５（Ａ）〜図６（Ｂ）を用いて説明する。
【００５５】
図５（Ａ）は、図４（Ｂ）のＡ１の部分を拡大した図である。図５（Ａ）に示すように、セグメント信号ＳＥＧ（ＳＥＧ４）の電圧レベルは、第１の電源ＶＤ１の電圧レベルＶ１から第４の電源ＶＤ４の電圧レベルＶ４に変化している。このとき、コモン信号ＣＯＭ（ＣＯＭ３）の電圧レベルが、図４（Ａ）のＢ１に示すように、第２の電源ＶＤ２の電圧レベルＶ２から第３の電源ＶＤ３の電圧レベルＶ３に変化したとする。この場合に、図５（Ａ）は、図４（Ｃ）のＣＯＭ３とＳＥＧ４の交点での非選択時の信号波形に相当する。
【００５６】
図５（Ａ）のようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１からＶ４に変化させる場合には、図２のセグメント信号出力回路ＳＱのスイッチ素子ＳＳ１がオン（ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４はオフ）になり、次にスイッチ素子ＳＳ４がオン（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３はオフ）になる。またコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２からＶ３に変化させる場合には、コモン信号出力回路ＣＱのスイッチ素子ＳＣ２がオン（ＳＣ１、ＳＣ３、ＳＣ４はオフ）になり、次にスイッチ素子ＳＣ３にオン（ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ４はオフ）になる。
【００５７】
そして電圧レベルＶ１、Ｖ４は、各々、固定の電源ＶＤＤ、ＶＳＳ（ＶＤ１、ＶＤ４）から供給されるため、セグメント信号ＳＥＧの波形は図５（Ｂ）のＥ１に示すようにほとんど鈍ることなく変化する。一方、コモン信号ＣＯＭの波形はＥ２に示すような波形になってしまう。
【００５８】
即ちＥ３に示す電圧レベルの切り替わり時にセグメント信号ＳＥＧは、対向するコモン信号ＣＯＭを、これらの間に介在する液晶素子の容量（図３（Ｂ）参照）により、上側の電圧レベル（電位）に押し上げようとする。そしてコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが上昇すると、図２のオン状態のスイッチ素子ＳＣ３を介して、電源ＶＤ３の電圧レベルＶ３も上昇してしまう。
【００５９】
このとき、第２のインピーダンス変換回路４４は、上昇した電圧レベルＶ３を、出力部４６の電流源ＩＳ２に流れる定電流により正常な電圧レベルに戻そうとする。しかしながら、電流源ＩＳ２に流れる定電流が小さいと、正常な電圧レベルに戻るまでに時間がかかってしまい、コモン信号ＣＯＭの波形は図５（Ｂ）のＥ２に示すような波形になってしまう。この場合に、電流源ＩＳ２に流れる電流を大きくすれば、正常な電圧レベルに戻るまでの時間を短縮できるが、電流源ＩＳ２に流れる電流が大きくなると、消費電流が大きくなってしまう。
【００６０】
そしてコモン信号ＣＯＭが図５（Ｂ）のＥ２に示すような波形になってしまうと、液晶素子に印加される実効電圧も減少してしまい、表示特性が悪化する。例えば図５（Ｂ）ではオフ電圧レベルの実効電圧が小さくなってしまい、例えば白表示であるべき画素が黒表示に近づいてしまう。
【００６１】
一方、図６（Ａ）は、図４（Ｂ）のＡ２の部分を拡大した図である。図６（Ａ）に示すようにセグメント信号ＳＥＧ（ＳＥＧ３）の電圧レベルはＶ１からＶ２に変化している。このときコモン信号ＣＯＭ（ＣＯＭ１）の電圧レベルが、図４（Ａ）のＢ２に示すようにＶ２からＶ１に変化したとする。この場合に、図６（Ａ）は、図５（Ｃ）のＣＯＭ１とＳＥＧ３の交点での非選択時の信号波形に相当する。
【００６２】
図６（Ａ）のようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１からＶ２に変化させる場合には、図２のセグメント信号出力回路ＳＱのスイッチ素子ＳＳ１がオン（ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４はオフ）になり、次にスイッチ素子ＳＳ２がオン（ＳＳ１、ＳＳ３、ＳＳ４はオフ）になる。またコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２からＶ１に変化させる場合には、コモン信号出力回路ＣＱのスイッチ素子ＳＣ２がオン（ＳＣ１、ＳＣ３、ＳＣ４はオフ）になり、次にスイッチ素子ＳＣ１がオン（ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４はオフ）になる。
【００６３】
そしてコモン信号ＣＯＭの波形は図６（Ｂ）のＥ４に示すようにほとんど鈍ることなく変化するが、セグメント信号ＳＥＧの波形はＥ５に示すような波形になってしまう。
【００６４】
即ちＥ６に示す電圧レベルの切り替わり時に、コモン信号ＣＯＭは、対向するセグメント信号ＳＥＧを、これらの間に介在する液晶素子の容量により、下側の電圧レベルに押し下げようとする。そしてセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが下がると、図２のオン状態のスイッチ素子ＳＳ２を介して、電源ＶＤ２の電圧レベルＶ２も下がってしまう。
【００６５】
このとき、Ｖ２のラインに接続される第１のインピーダンス変換回路４１は、下降した電圧レベルＶ２を、出力部４３の電流源ＩＳ１に流れる定電流により正常な電圧レベルに戻そうとする。しかしながら、電流源ＩＳ１に流れる定電流が小さいと、正常な電圧レベルに戻るまでに時間がかかってしまい、セグメント信号ＳＥＧの波形は図６（Ｂ）のＥ５に示すような波形になってしまう。この場合に、電流源ＩＳ１に流れる電流を大きくすれば、正常な電圧レベルに戻るまでの時間を短縮できるが、電流源ＩＳ１に流れる電流が大きくなると、消費電流が大きくなってしまう。
【００６６】
そしてセグメント信号ＳＥＧが図６（Ｂ）のＥ５に示すような波形になってしまうと、液晶素子に印加される実効電圧も小さくなってしまい、表示特性が悪化する。例えば図６（Ｂ）ではオフ電圧レベルの実効電圧が小さくなってしまい、例えば白表示であるべき画素が黒表示に近づいてしまう。
【００６７】
また図５（Ａ）〜図６（Ｂ）の問題を解決する手法としてＶ２のラインやＶ３のラインに平滑用のコンデンサを設ける手法も考えられる。しかしながら、この手法によると、電子機器の部品点数が多くなって高コスト化を招いたり、実装面積が大面積化するなどの問題がある。また第１、第２のインピーダンス変換回路として例えばＡＢ級のオペアンプを採用すると、消費電力が増加するなどの問題も生じる。
【００６８】
以上のような問題を解決する本実施形態の駆動方法の波形例を、図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示す。図７（Ａ）、図７（Ｂ）の信号波形は、図４（Ａ）、図４（Ｂ）と同様に１／４デューティー、１／３バイアスの例であり、図４（Ｃ）に示すような表示を行う場合の信号波形例である。本実施形態では、電圧レベルの切り替わり時の遷移期間において、液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるように、セグメント信号やコモン信号の電圧レベルを設定する。
【００６９】
図８（Ａ）は、図７（Ｂ）のＣ１の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが図７（Ａ）のＤ１に示すように変化した場合を示している。
【００７０】
図８（Ａ）と図５（Ａ）を比較すれば明らかなように、本実施形態では、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが第１の電圧レベルＶ１に設定される期間Ｔ１から第４の電圧レベルＶ４に設定される期間Ｔ２への第１の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第３の電圧レベルＶ３に設定している。
【００７１】
具体的には図８（Ａ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第１の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１に設定する。そして期間Ｔ１に続く遷移期間ＴＴ（第１の遷移期間）において、Ｆ１に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ３に設定し、遷移期間ＴＴに続く期間Ｔ２（第２の期間）において、Ｖ４に設定する。即ちＶ１からＶ３、Ｖ３からＶ４というように電圧レベルを変化させる。
【００７２】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｆ２に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２に設定する。このようにすればＦ１、Ｆ２に示すように、前後の期間での電圧レベルがオン電圧レベルあるかオフ電圧レベルであるかに依存せずに、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対して常にオフ電圧レベルが印加されるようになり、図５（Ｂ）で説明した問題を解決できる。
【００７３】
即ち、図８（Ａ）のＦ１に示すように、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ１からＶ３に変化した際に、Ｆ２に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルはＶ２に維持されている。そして図２に示すようにＶ２のラインは、第１のインピーダンス変換回路４１の出力部４３が有するＮ型の駆動トランジスターＴＢ５に接続されている。
【００７４】
従って、Ｆ３に示す電圧レベルの切り替わり時に、セグメント信号ＳＥＧが、対向するコモン信号ＣＯＭを、介在する液晶素子の容量により、上側の電圧レベルに押し上げようとした場合にも、これに対処できる。即ちＶ２のラインに接続されるＮ型の駆動トランジスターＴＢ５がＶＳＳ側に十分な電流（電荷）を流すことで、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルがほとんど上がらないようになる。
【００７５】
また遷移期間ＴＴでは、Ｆ１に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルはＶ３に設定される。そして図２に示すようにＶ３のラインは、第２のインピーダンス変換回路４４の出力部４６が有するＰ型の駆動トランジスターＴＡ５に接続されている。従って、Ｖ３のラインに接続されるＰ型の駆動トランジスターＴＡ５がＶＤＤ側から十分な電流（電荷）を供給することで、Ｖ３の電圧レベルも維持されるようになる。
【００７６】
そして図８（Ａ）のＦ４のタイミングでセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ３からＶ４に変化すると、液晶素子の容量により、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルがそのまま引き上げられ、Ｖ２からＶ３に変化するようになる。
【００７７】
即ち、期間Ｔ１では、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルＶ２の方がセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルＶ１よりも高く、遷移期間ＴＴでは、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルＶ３の方がコモン信号ＣＯＭの電圧レベルＶ２よりも高い。従って、期間Ｔ１から遷移期間ＴＴへの切り替わり時には、液晶素子の容量への印加電圧が例えば正電圧から負電圧に切り替わるため、第１、第２のインピーダンス変換回路４１、４４に高い電流供給能力が要求される。
【００７８】
この点、図８（Ａ）では、上述のようにＶ３のラインに接続される第２のインピーダンス変換回路４４のＰ型の駆動トランジスターＴＡ５が、高い電流供給能力でセグメント信号ＳＥＧをＶ１からＶ３に引き上げる。また、セグメント信号ＳＥＧがＶ１からＶ３に上昇し、液晶素子の容量を介してコモン信号ＣＯＭの電圧レベルを押し上げようとした場合にも、Ｖ２のラインには、第１のインピーダンス変換回路４１のＮ型の駆動トランジスターＴＢ５が接続されている。従って、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルが押し上げられてしまうのを防止できる。
【００７９】
一方、遷移期間ＴＴから期間Ｔ２への切り替わりの際には、液晶素子の容量の印加電圧の極性は変化しない。このため、液晶素子の容量の印加電圧が正極性から負極性に変化する期間Ｔ１から遷移期間ＴＴへの切り替わりの場合とは異なり、セグメント信号ＳＥＧ、コモン信号ＣＯＭは、Ｖ３−Ｖ２の電圧差を維持したまま、各々、Ｖ４、Ｖ３に変化するようになる。
【００８０】
図８（Ｂ）は、図７（Ｂ）のＣ２の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが図７（Ａ）のＤ２に示すように変化した場合を示している。図８（Ｂ）では、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが第４の電圧レベルＶ４に設定される期間Ｔ１から第１の電圧レベルＶ１に設定される期間Ｔ２への第２の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第２の電圧レベルＶ２に設定している。
【００８１】
具体的には図８（Ｂ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第３の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ４に設定する。そして遷移期間ＴＴ（第２の遷移期間）において、Ｆ５に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ２に設定し、期間Ｔ２（第４の期間）において、Ｖ１に設定する。即ちＶ４からＶ２、Ｖ２からＶ１というように電圧レベルを変化させる。
【００８２】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｆ６に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ３に設定する。
【００８３】
このようにすればＦ５、Ｆ６に示すように、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるようになる。そしてＶ３のラインには、高い駆動能力でＶＤＤ側に電位を引っ張ることができるＰ型のトランジスターＴＡ５が接続されている。従って、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルの変化により、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルが引き下げられてしまう事態等を防止できる。
【００８４】
図９（Ａ）は、図７（Ｂ）のＣ３の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが図７（Ａ）のＤ３に示すように変化した場合を示している。図９（Ａ）では、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが第１の電圧レベルＶ１に設定される期間Ｔ１から第２の電圧レベルＶ２に設定される期間Ｔ２への第１の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第３の電圧レベルＶ３に設定している。
【００８５】
具体的には図９（Ａ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第１の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１に設定する。そして遷移期間ＴＴ（第１の遷移期間）において、Ｇ１に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ３に設定し、期間Ｔ２（第２の期間）において、Ｖ２に設定する。即ちＶ１からＶ３、Ｖ３からＶ２というように電圧レベルを変化させる。
【００８６】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｇ２に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２に維持する。このようにすればＧ１、Ｇ２に示すように、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるようになり、図６（Ｂ）で説明した問題を解決できる。
【００８７】
即ち、図９（Ａ）のＧ１に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ１からＶ３から変化した際に、Ｇ２に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルはＶ２に設定されている。従って、図６（Ｂ）のＥ５のようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶＳＳ側に押し下げられることが防止される。またＶ２のラインには、第１のインピーダンス変換回路４１のＮ型のトランジスターＴＢ５が接続されているため、セグメント信号ＳＥＧがＶ１からＶ３に変化しても、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルはＶ２に維持される。
【００８８】
そしてＧ４のタイミングでセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ３からＶ２に変化すると、液晶素子の容量により、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルもそのまま引き下げられ、Ｖ２からＶ１に変化するようになる。
【００８９】
図９（Ｂ）は、図７（Ｂ）のＣ４の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭが図７（Ａ）のＤ２に示すように変化した場合を示している。図９（Ｂ）では、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが第４の電圧レベルＶ４に設定される期間Ｔ１から第３の電圧レベルＶ３に設定される期間Ｔ２への第２の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第２の電圧レベルＶ２に設定している。
【００９０】
具体的には図９（Ｂ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第３の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ４に設定する。そして遷移期間ＴＴ（第２の遷移期間）において、Ｇ５に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ２に設定し、期間Ｔ２（第４の期間）において、Ｖ３に設定する。即ちＶ４からＶ２、Ｖ２からＶ３というように電圧レベルを変化させる。
【００９１】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｇ６に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ３に設定する。
【００９２】
このようにすればＧ５、Ｇ６に示すように、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるようになる。そしてコモン信号ＣＯＭの電圧レベルの変化により、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルが引き上げられてしまう事態等を防止できる。
【００９３】
図１０（Ａ）は、図７（Ｂ）のＣ５の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが図７（Ａ）のＤ５に示すように変化した場合を示している。図１０（Ａ）では、セグメント信号ＳＥＧが２つの期間に亘って第１の電圧レベルＶ１に設定されている。そして、２つの期間のうちの前半期間Ｔ１と後半期間Ｔ２の間の第３の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第３の電圧レベルＶ３に設定している。
【００９４】
具体的には図１０（Ａ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第５の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１に設定する。そして遷移期間ＴＴ（第３の遷移期間）において、Ｈ１に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ３に設定し、期間Ｔ２（第６の期間）において、Ｖ１に設定する。即ちＶ１からＶ３、Ｖ３からＶ１というように電圧レベルを変化させる。
【００９５】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｈ２に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２に設定する。
【００９６】
このようにすればＨ１、Ｈ２に示すように、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるようになる。そして液晶に印加される実効電圧を、図８（Ａ）〜図９（Ｂ）で説明した波形例と同等にすることが可能になる。
【００９７】
図１０（Ｂ）は、図７（Ｂ）のＣ６の部分を拡大した図である。ここではコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが図７（Ａ）のＤ６に示すように変化した場合を示している。図１０（Ｂ）では、セグメント信号ＳＥＧが２つの期間に亘って第４の電圧レベルＶ４に設定されている。そして、２つの期間のうちの前半期間Ｔ１と後半期間Ｔ２の間の第４の遷移期間ＴＴにおいて、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルを第２の電圧レベルＶ２に設定している。
【００９８】
具体的には図１０（Ｂ）では、セグメント信号出力回路ＳＱは、期間Ｔ１（第７の期間）において、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ４に設定する。そして遷移期間ＴＴ（第４の遷移期間）において、Ｈ５に示すようにセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ２に設定し、期間Ｔ２（第８の期間）において、Ｖ４に設定する。即ちＶ４からＶ２、Ｖ２からＶ４というように電圧レベルを変化させる。
【００９９】
一方、コモン信号出力回路ＣＱは、遷移期間ＴＴにおいて、Ｈ６に示すようにコモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ３に設定する。
【０１００】
このようにすればＨ５、Ｈ６に示すように、遷移期間ＴＴにおいて液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されるようになる。そして液晶に印加される実効電圧を、図８（Ａ）〜図９（Ｂ）で説明した波形例と同等にすることが可能になる。
【０１０１】
以上に説明した本実施形態の手法によれば、セグメント信号及びコモン信号の一方の信号の電圧レベルの変化が他方の信号に及ぼす悪影響を低減できる。従って図５（Ｂ）や図６（Ｂ）で説明したような問題を解決でき、表示品質の劣化の防止等が可能になる。
【０１０２】
また図５（Ｂ）、図６（Ｂ）の問題を解決する手法として、Ｖ２、Ｖ３のライン等に平滑用のコンデンサを設ける手法が考えられるが、この手法では、外部コンデンサが必要になり、高コスト化を招く。この点、本実施形態の手法によれば、このようなコンデンサを不要にすることができ、低コスト化や装置の小規模化を図れる。
【０１０３】
また図５（Ｂ）、図６（Ｂ）の問題を解決する手法として、第１、第２のインピーダンス変換回路の出力部の電流源に流れる電流を大きくする手法も考えられるが、この手法を採用すると、低消費電力化を実現することが難しくなる。この点、本実施形態の手法によれば、第１、第２のインピーダンス変換回路の出力部の電流源に流れる電流を大きくしなくても済むため、低消費電力化の実現が容易になる。また電源回路の単純化、小規模化も可能になる。
【０１０４】
なお図８（Ａ）〜図１０（Ｂ）において、遷移期間ＴＴの長さは、例えば遷移期間ＴＴの前後の期間Ｔ１、Ｔ２の長さの１／２以下に設定されている。望ましくは、遷移期間ＴＴの長さは、例えば期間Ｔ１、Ｔ２の長さの１／４以下に設定され、更に望ましくは、遷移期間ＴＴの長さは、Ｔ１、Ｔ２の１／８以下や１／１６以下や１／３２以下に設定される。このようにすることで、遷移期間ＴＴが短くなった分だけ、有効な駆動期間を長くできる。
【０１０５】
また本実施形態では、第１の電圧レベルをＶ１とし、第２の電圧レベルをＶ２とし、第３の電圧レベルをＶ３とし、第４の電圧レベルをＶ４とした場合に、例えばＶ１＜Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ４の関係が成り立つ。また例えばＶ４−Ｖ３＝Ｖ３−Ｖ２＝Ｖ２−Ｖ１の関係が成り立つ。即ち各電圧レベル間の電位差は等しくなる。但し、これらの関係が成り立たない変形実施も可能である。また以上では第１〜第４の電圧レベルを用いる４レベルの駆動方法に本実施形態を適用した場合について説明したが、本実施形態はこれに限定されず、例えば６レベルの駆動方法等にも適用可能である。
【０１０６】
３．駆動方法の変形例
図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）に比較例の駆動方法の他の波形例を示す。この比較例の駆動方法では、例えばＩ１、Ｉ２に示すように、各選択期間内において、液晶素子の印加電圧の極性反転を行っている。即ち図７（Ａ）、図７（Ｂ）では、Ｄ７、Ｃ７に示すように、各選択期間内においては液晶素子の印加電圧の極性は反転させていないが、図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）では、各選択期間内において液晶素子の印加電圧の極性を反転している。
【０１０７】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）の駆動方法に本実施形態の手法を適用した場合の波形例である。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）では、各遷移期間において液晶素子に対してオフ電圧レベルが印加されている。
【０１０８】
具体的には例えば図１２（Ｂ）のＪ１では、図８（Ａ）と同様に、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１からＶ３、Ｖ３からＶ４というように変化させている。そしてセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ３になる遷移期間において、例えば図１２（Ａ）のＫ１に示すように、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２に設定する。
【０１０９】
また図１２（Ｂ）のＪ２では、図８（Ｂ）と同様に、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ４からＶ２、Ｖ２からＶ１というように変化させている。そしてセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ２になる遷移期間において、例えば図１２（Ａ）のＫ２に示すように、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ３に設定する。
【０１１０】
また図１２（Ｂ）のＪ３では、図９（Ａ）と同様に、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ１からＶ３、Ｖ３からＶ２というように変化させている。そしてセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ３になる遷移期間において、例えば図１２（Ａ）のＫ３に示すように、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ２に設定する。
【０１１１】
また図１２（Ｂ）のＪ４では、図９（Ｂ）と同様に、セグメント信号ＳＥＧの電圧レベルをＶ４からＶ２、Ｖ２からＶ３というように変化させている。そしてセグメント信号ＳＥＧの電圧レベルがＶ２になる遷移期間において、例えば図１２（Ａ）のＫ４に示すように、コモン信号ＣＯＭの電圧レベルをＶ３に設定する。
【０１１２】
以上のようにすることで図７（Ａ）〜図１０（Ｂ）等と同様に、セグメント信号ＳＥＧやコモン信号ＣＯＭの電圧レベルが、液晶素子の容量を介して押し上げられたり、押し下げられたりする事態を防止できる。これにより、オフ電圧レベル等の実効電圧が変動して表示品質が悪化してしまう事態を効果的に防止できる。
【０１１３】
なお本実施形態の駆動方法は図７（Ａ）、図７（Ｂ）や図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）等に限定されず、これらと同等な種々の駆動方法を採用できる。
【０１１４】
４．電子機器
図１３に本実施形態の集積回路装置１００を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器は、集積回路装置１００、電気光学パネル１１０、操作部１２０、処理部１３０、記憶部１４０を含む。なおこれらの一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。また本実施形態の電気光学装置は、例えば電気光学パネル１１０と集積回路装置１００などにより実現できる。
【０１１５】
集積回路装置１００は、電気光学パネル１１０を駆動するドライバーである。なお集積回路装置１００はドライバー以外の機能を有していてもよく、例えばドライバーを内蔵するマイクロコンピューター等であってもよい。
【０１１６】
電気光学パネル１１０は、各種画像を表示するためのものであり、例えば液晶パネル等により実現できる。なお電気光学パネル１１０は液晶パネルに限定されず、例えば電気泳動パネル（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）等であってもよい。
【０１１７】
操作部１２０は、ユーザーが各種情報を入力するためのものであり、各種ボタン、キーボード等により実現できる。処理部１３０は、電子機器の動作等に必要な各種の制御処理や演算処理を行う。この処理部１３０は例えばＣＰＵ等のプロセッサーにより実現できる。記憶部１４０は、各種データを記憶するものであり、ＲＡＭやＲＯＭ等により実現できる。
【０１１８】
なお本実施形態により実現される電子機器としては、例えば、車載用機器、携帯電話機、電子ペーパ、時計、リモコン、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、電卓、携帯型情報端末、各種家電機器等の種々の機器を想定できる。
【０１１９】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また集積回路装置、電気光学装置、電子機器の構成・動作や、駆動方法等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
ＶＤ１〜ＶＤ４  第１〜第４の電源、Ｖ１〜Ｖ４  第１〜第４の電圧レベル、
ＳＱ１〜ＳＱｉ  セグメント信号出力回路、ＣＱ１〜ＣＱｊ  コモン信号出力回路、
ＳＥＧ１〜ＳＥＧｉ  セグメント信号、ＣＯＭ１〜ＣＯＭｉ  コモン信号、
１０  セグメントドライバー、２０  コモンドライバー、３０  電源回路、
４０  電圧生成回路、４１  第１のインピーダンス変換回路、４２  差動部、
４３  出力部、４４  第２のインピーダンス変換回路、４５  差動部、４６  出力部、
５０  表示メモリー、５２  アドレス制御回路、６０  コモンカウンター、
９０  制御回路、１００  集積回路装置、１１０  電気光学パネル、１２０  操作部、
１３０  処理部、１４０  記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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