(57)【要約】【課題】封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールにおいて外部からの水分浸入を抑制する。【解決手段】配線層２０の上に形成された絶縁樹脂層３０に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。配線層２０には、半導体素子４０の側に突出する突起電極２２と突起部８０とがそれぞれ一体的に形成されている。そして、突起電極２２は、絶縁樹脂層３０を貫通して半導体素子４０の素子電極４２と電気的に接続されている。突起部８０は、半導体素子４０の四辺に沿って半導体素子４０を取り囲むように配置され、突起電極２２と素子電極４２との接合部分よりも上方の位置にまで封止樹脂５０内に埋め込まれている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定パターンの配線層と、
前記配線層と対向する素子電極を有し、前記配線層上に絶縁樹脂層を介して搭載された半導体素子と、
前記配線層から前記半導体素子の側に突出し、前記絶縁樹脂層を貫通して前記素子電極と接続された突起電極と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記半導体素子の少なくとも１辺に沿って配置され、前記配線層から前記半導体素子の側に突出し、前記封止樹脂に埋め込まれた突起部と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記突起部の先端部が前記突起電極と前記素子電極との接合部分よりも上方に位置していることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記突起部が前記半導体素子の各辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記突起部と前記突起電極とが同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記突起電極と前記配線層とが一体的に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記封止樹脂を被覆する金属箔をさらに備え、
前記金属箔が前記突起部のうち、接地電位に固定された突起部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体モジュールを備えた携帯機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールおよび半導体モジュールを備える携帯機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使いやすく便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数（入出力部の数）が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。
【０００３】
特許文献１には、インターポーザ基板の上に半導体チップが実装され、この半導体チップが封止樹脂により封止された半導体モジュールが開示されている。
【特許文献１】特開２００８−６０５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
封止樹脂でパッケージされた、従来型の半導体モジュールでは、封止樹脂と基材との間から水分が浸入した場合に、水分が半導体素子の搭載領域にまで容易に達し、半導体素子の接続強度の低下を招き、ひいては半導体モジュールの動作信頼性が低下するおそれがあった。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールにおいて外部からの水分浸入を抑制することのできる技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様は、半導体モジュールである。当該半導体モジュールは、所定パターンの配線層と、配線層と対向する素子電極を有し、配線層上に絶縁樹脂層を介して搭載された半導体素子と、配線層から半導体素子の側に突出し、絶縁樹脂層を貫通して素子電極と接続された突起電極と、半導体素子を封止する封止樹脂と、半導体素子の少なくとも１辺に沿って配置され、配線層から半導体素子の側に突出し、封止樹脂に埋め込まれた突起部と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この態様によれば、外部から水分が浸入する場合に、配線層の側から封止樹脂に埋め込まれた状態で設けられた突起部が水分浸入の障壁となるため、水分が半導体素子の側へさらに浸入することが抑制される。これにより、半導体モジュールの動作信頼性の向上を図ることができる。
【０００８】
本発明の他の態様は、携帯機器である。当該携帯機器は、上述した半導体モジュールを備える。
【０００９】
この態様によれば、水分浸入が抑制された半導体モジュールを備えることにより、半導体モジュールの動作信頼性が向上した結果、携帯機器の動作信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基材に実装された半導体素子が封止樹脂により封止された構造を有する半導体モジュールにおいて、封止樹脂と基材の間から水分が浸入することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る半導体モジュール１０の構成を示す断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線を切断面とする平面図である。
【００１３】
半導体モジュール１０は、コア基板を有しないパッケージ構造を持つ。具体的には、配線層２０の上に形成された絶縁樹脂層３０に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。
【００１４】
配線層２０には、半導体素子４０の側に突出する突起電極２２が一体的に形成されている。配線層２０と突起電極２２とを一体的に形成することにより、配線層２０と突起電極２２との接続信頼性を向上させることができる。配線層２０および突起電極２２は、導電材料、好ましくは圧延金属、さらには圧延銅により形成されている。あるいは配線層２０および突起電極２２は電解銅などで形成されていてもよい。
【００１５】
配線層２０の絶縁樹脂層３０と反対側の主表面には、配線層２０の酸化などを防ぐための保護層６０が設けられている。保護層６０としては、ソルダーレジスト層などが挙げられる。保護層６０の所定の領域には開口が形成されており、この開口部において配線層２０の一部が露出している。また、保護層６０は、配線層２０の下面だけでなく、絶縁樹脂層３０、封止樹脂５０および後述する突起部８０の下面をも被覆している。なお、本実施の形態の配線層２０および保護層６０は、封止樹脂５０との界面を有する「基材」の一例である。
【００１６】
保護層６０に設けられた開口部内に外部接続電極としてのはんだボール７０が搭載され、はんだボール７０と配線層２０とが電気的に接続されている。はんだボール７０を形成する位置、すなわち開口の形成領域は、たとえば、配線層２０（再配線）で引き回した先の端部である。はんだボール７０の径は、たとえば、１００〜３００μｍである。
【００１７】
突起電極２２はその全体的な形状が、先端に近づくにつれて径が細くなっている。突起電極２２の先端部分には、Ｎｉ／Ａｕ層２４が設けられている。突起電極２２の底部および先端部の径は、たとえば、それぞれ３０〜５０μｍ、２０〜３０μｍである。
【００１８】
絶縁樹脂層３０は、接着性があることが好ましいが、絶縁性樹脂であれば特に限定されない。絶縁樹脂層３０は、たとえば加圧したときに塑性流動を引き起こす材料で形成されている。加圧したときに塑性流動を引き起こす材料としては、エポキシ系熱硬化型樹脂が挙げられる。絶縁樹脂層１２に用いられるエポキシ系熱硬化型樹脂は、たとえば、温度１６０℃、圧力８Ｍｐａの条件下で、粘度が１ｋＰａ・ｓの特性を有する材料であればよい。また、このエポキシ系熱硬化型樹脂は、たとえば温度１６０℃の条件下で、５〜１５Ｍｐａで加圧した場合に、加圧しない場合と比較して、樹脂の粘度が約１／８に低下する。これに対して、熱硬化前のＢステージのエポキシ樹脂は、ガラス転移温度Ｔｇ以下の条件下では、樹脂を加圧しない場合と同程度に、粘性がなく、加圧しても粘性は生じない。また、このエポキシ系熱硬化型樹脂は、約３〜４の比誘電率を有する誘電体である。
【００１９】
この他、絶縁樹脂層３０を構成する材料としては、たとえば、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂が例示される。
【００２０】
半導体素子４０は、突起電極２２のそれぞれに対向する素子電極４２を有する。絶縁樹脂層３０に接する側の半導体素子４０の主表面には、素子電極４２が露出するように開口が設けられたポリイミドなどの素子保護層が積層されていてもよい。素子電極４２の表面には、Ｎｉ／Ａｕ層４４が被覆されている。半導体素子４０の具体例としては、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）などの半導体チップが挙げられる。また、素子電極４２には、たとえばアルミニウム（Ａｌ）が用いられる。
【００２１】
絶縁樹脂層３０が、配線層２０と半導体素子４０との間に設けられ、配線層２０が絶縁樹脂層３０の一方の主表面に圧着し、半導体素子４０が絶縁樹脂層３０の他方の主表面に圧着している。そして、突起電極２２が、絶縁樹脂層３０を貫通して、半導体素子４０に設けられた素子電極４２と電気的に接続されている。詳しくは、本実施の形態では、突起電極２２および素子電極４２の表面にそれぞれＮｉ／Ａｕ層２４、４４が被覆されており、突起電極２２と素子電極４２とは、たとえば、互いの最表面に配置された金同士が接合（金−金接合）することにより接続が図られている。これにより、突起電極２２と素子電極４２との接続信頼性がさらに向上する。
【００２２】
実施の形態１に係る半導体モジュール１０では、突起部８０が半導体素子４０の四辺に沿って半導体素子４０を取り囲むように形成されている（図２参照）。突起部８０の材料は特に限定されないが、突起部８０は、配線層２０および突起電極２２と同じ材料で形成されていることが望ましい。突起部８０の材料を配線層２０および突起電極２２の材料と共通化することにより、配線層２０および突起電極２２を作製する工程において、同時に突起部８０を作製することができるので、製造プロセスの簡便化が図られる。具体的には、図１に示すように、突起部８０は、配線層２０と一体的に形成され、突起電極２２と同様に配線層２０から半導体素子４０の側へ突出している。突起部８０の断面形状は、図１に示すように、先端に近づくにつれて幅が細くなっている。突起部８０の底部および先端部の幅は、たとえば、それぞれ３０〜５０μｍ、２０〜３０μｍであり、より好ましくはそれぞれ５０μｍ、３０μｍである。突起部８０の高さは、突起電極２２の高さにＮｉ／Ａｕ層２４の厚さを加味した高さよりも高いことが好適である。言い換えると、突起部８０の先端部の位置は、突起電極２２と素子電極４２との接合部である金−金接合部よりも上方に位置している。
【００２３】
このような配置および形状を有する突起部８０が保護層６０と封止樹脂５０との間に介在し、この突起部８０が保護層６０側から封止樹脂５０に先端を向けて埋め込まれている。
【００２４】
以上説明した半導体モジュール１０によれば、半導体素子４０の周囲において保護層６０側から封止樹脂５０に先端を向けて埋め込まれた突起部８０が障壁となるため、半導体モジュール１０の外部から素子搭載領域への水分浸入が抑制される。特に、突起部８０の先端部の位置を、突起電極２２と素子電極４２との接合部分よりも上方に位置させることにより、金−金接合部分への水分のはい上がりをより確実に抑制することができる。すなわち、突起部８０が存在しない場合にはＮｉ／Ａｕ層２４の高さまで水分がはい上がると、金−金接合部分に水分が到達するが、突起部８０が存在することにより、突起部８０の高さまで水分がはい上がっても金−金接合部分にまで水分が到達しない。
【００２５】
また、本実施の形態のように、突起部８０が半導体素子４０の全体を取り囲むことにより、突起部８０が補強材の役割を果たし、封止樹脂５０を形成した後に半導体モジュール１０を反りにくくすることができる。
【００２６】
突起部８０は封止樹脂５０に食い込んだ状態になっているため、突起部８０自体が封止樹脂５０と保護層６０との間のアンカー的な役割を果たすことにより、が封止樹脂５０と保護層６０との密着性を向上させることができる。
【００２７】
さらに、ＣＺ処理などを用いて突起部８０の表面を粗化（たとえば、Ｒａで１μｍ〜２μｍ）してもよい。これによれば、突起部８０に形成された微小凹凸によるアンカー効果により、突起部８０と封止樹脂５０との密着性を向上させることができる。また、突起部８０の表面を粗化することにより、突起部８０に形成された微小凹凸が水分の浸入の妨げとなるため、水分浸入をさらに抑制することができる。なお、突起部８０の表面のＲａは、触針式表面形状測定器を用いて計測することができる。
【００２８】
また、突起部８０を銅で形成することにより、封止樹脂５０の中に熱伝導性が良好な突起部８０が埋め込まれることになるため、半導体モジュール１０の放熱性を向上させることができる。
【００２９】
（半導体モジュールの製造方法）
実施の形態１に係る半導体モジュール１０の製造方法について図３乃至図５を参照して説明する。
【００３０】
まず、図３（Ａ）に示すように、少なくとも、図１に示した突起電極２２の高さと配線層２０の厚さとの和より大きい厚さを有する金属板としての銅板１００を用意する。
【００３１】
次に、図３（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、突起電極２２および突起部８０のパターンに合わせてレジスト１１０を選択的に形成する。具体的には、ラミネーター装置を用いて銅板１００に所定膜厚のレジスト膜を貼り付け、後述する図３（Ｃ）に示すような突起電極２２および突起部８０のパターンを有するフォトマスクを用いて露光する。その後、現像することによって、銅板１００の上にレジスト１１０が選択的に形成される。なお、レジスト１１０との密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板１００の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
【００３２】
次に、図３（Ｃ）に示すように、レジスト１１０をマスクとして、ウェットエッチングを行うことにより、銅板１００に所定のパターンの突起電極２２および突起部８０を形成する。この段階では、突起電極２２の高さと突起部８０の高さは同等である。なお、突起電極２２および突起部８０は、銅板１００上にマトリクス状に多数形成される。
【００３３】
次に、図３（Ｄ）に示すように、突起電極２２の頂部面に開口を有する耐金レジスト（図示せず）を用いて電解めっきにより突起電極２２の頂部面にＮｉ／Ａｕ層２４を形成する。一方、突起部８０の頂部面に開口を有するレジスト（図示せず）を用いて突起部８０の頂部面に銅をめっきし、突起部８０の高さを突起電極２２の高さにＮｉ／Ａｕ層２４の厚さを加味した高さよりも高くする。なお、突起部８０の高さとは、突起部８０の基底部から先端部までの距離をいう。また、突起電極２２の高さとは、突起部８０の基底部から先端部までの距離をいう。
【００３４】
次に、図４（Ａ）に示すように、突起電極２２の形成領域を包含する素子搭載領域Ｒに突起電極２２の高さよりも厚い絶縁樹脂層３０を積層する。この段階では、突起電極２２の先端（Ｎｉ／Ａｕ層２４）は、絶縁樹脂層３０に埋め込まれている。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、プラズマエッチング処理により、絶縁樹脂層３０を薄膜化し、突起電極２２の先端（Ｎｉ／Ａｕ層２４）を露出させる。
【００３６】
次に、図４（Ｃ）に示すように、半導体素子４０を絶縁樹脂層３０の上に搭載する。ここで用意される半導体素子４０は、表層にＮｉ／Ａｕ層４４が形成された素子電極４２を有する。半導体素子４０と突起電極２２とを圧着することにより、金−金接合が形成され、半導体素子４０の素子電極４２と突起電極２２とが電気的に接続される。なお、金−金接合に代えて、半導体素子４０の素子電極４２と突起電極２２とをはんだ部材により接合してもよい。
【００３７】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ポッディング法、印刷法などを用いて封止樹脂５０を塗布し、半導体素子４０を封止する。塗布された封止樹脂５０に不要部分がある場合には、スキージなどにより適宜除去する。封止樹脂５０は必要に応じて熱硬化される。この工程で、突起部８０が封止樹脂５０により被覆される。言い換えると、封止樹脂５０に突起部８０が埋め込まれた構造が実現される。
【００３８】
次に、図５（Ａ）に示すように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法により銅板１００を選択的に除去し、所定パターンの配線層２０（再配線）を形成する。なお、この工程において、突起部８０は配線層２０から分離される。
【００３９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線層２０の形成面全体にフォトソルダーレジストからなる保護層６０を全面に形成した後、配線層２０の所定部分（はんだ実装部分）が開口となるように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法により保護層６０を選択的に除去する。続いて、配線層２０の所定部分（はんだ実装部分）にはんだ印刷法等を用いてはんだボール７０が搭載される。ここまでの工程により、半導体モジュールが一体的にマトリクス状に形成されたモジュール集合体２００が形成される。
【００４０】
次に、図５（Ｃ）に示すように、ダイシング加工により、モジュール集合体２００から複数の半導体モジュール１０を個片化する。
【００４１】
以上の工程により実施の形態１に係る半導体モジュール１０を製造することができる。この製造方法によれば、突起電極２２を形成する工程と突起部８０を形成する工程を同時に行うことができ、突起部８０の形成に要する手間を大幅に低減することができ、半導体モジュール１０の製造工程の簡便化を図ることができる。
【００４２】
（突起部の設置例）
上述した実施の形態１では、突起部８０が半導体素子４０の全体を取り囲んでいるが、突起部８０は必ずしも半導体素子４０の全体を取り囲んでいなくてもよい。
【００４３】
たとえば、図６に示すように、半導体素子４０の四辺に沿ってそれぞれ突起部８０ａ〜ｄが形成され、半導体素子４０の角部近辺において、直交する突起部８０の間に隙間が設けられていてもよい。
【００４４】
半導体素子４０の角部近辺において突起部８０を設けないことにより、ヒートサイクル下において、突起部８０と封止樹脂５０の熱膨張係数の違いにより、半導体モジュール１０の角部に応力が集中することが抑制される。この結果、特に、半導体モジュール１０の角部近傍に設けられたはんだボール７０が剥離することを抑制することができ、ひいては半導体モジュール１０の接続信頼性を向上させることができる。
【００４５】
なお、突起部８０は、半導体素子４０の少なくとも１辺に沿って設けられていれば、その辺において水分が浸入することを抑制することができる。たとえば、半導体モジュール１０の設置箇所の状況により、一方向からの水分浸入を抑制したい場合には、その方向に直交するように突起部８０を設ければよい。
【００４６】
（実施の形態２）
図７は、実施の形態２に係る半導体モジュール１０の構成を示す概略断面図である。実施の形態２に係る半導体モジュール１０は、封止樹脂５０の側方において、突起部８０が露出している点が実施の形態１と相違する。実施の形態２における、その他の構成は実施の形態１と同様であり、実施の形態１と同様な構成については適宜説明を省略する。
【００４７】
実施の形態２に係る半導体モジュールでは、実施の形態１と同様に突起部８０により外部からの水分浸入が抑制されている。これに加えて、パッケージの側面に突起部８０が露出し、突起部８０の外側の封止樹脂５０を省くことにより、実施の形態１に比べて半導体モジュール１０のさらなる小面積化が図られている。
【００４８】
（製造方法）
実施の形態２に係る半導体モジュール１０の製造方法について、図８を参照し、実施の形態１の製造方法との相違点を中心に説明する。
【００４９】
実施の形態２では、図８（Ａ）に示すように、銅板１００を用いて、隣接する素子搭載領域Ｒの間に共通の突起部８０を形成する。
【００５０】
この後、実施の形態１と同様な工程を経て、図８（Ｂ）に示すような、モジュール集合体２００を形成する。
【００５１】
次に、図８（Ｃ）に示すように、突起部８０の中心部分をダイシングすることにより、複数の半導体モジュール１０に個片化する。
【００５２】
以上の工程により、実施の形態２に係る半導体モジュールが作製される。
【００５３】
（実施の形態３）
図９は、実施の形態３に係る半導体モジュール１０の構成を示す概略図である。実施の形態３に係る半導体モジュール１０は、主に金属箔１２０で封止樹脂５０が被覆されている点で実施の形態２と相違する。
【００５４】
具体的には、封止樹脂５０の上方および側方に金属箔１２０が導電性接着剤１３０を介して固定されている。金属箔１２０は、たとえば、厚さが１５〜５０μｍのアルミ箔が好適である。封止樹脂５０の側方において、金属箔１２０は突起部８０ａと電気的に接続している。この突起部８０ａは、半導体素子４０に接続された突起電極２２のうち、グランド端子となる素子電極４２ａに接続された突起電極２２ａと配線層２０ａを介して電気的に接続されている。これにより、金属箔１２０の電位が接地電位となる。
【００５５】
このように、接地電位に固定された金属箔１２０により半導体素子４０を覆うことで、半導体素子４０が受ける電磁波障害が抑制される。また、従来のキャン封止と比べて金属箔１２０を用いた場合の方が、金属箔１２０と封止樹脂５０（パッケージ）との間の空間（距離）を小さくすることができるため、半導体モジュール１０の低背化を実現することができる。
【００５６】
また、封止樹脂５０（パッケージ）を金属箔１２０で被覆することにより、外部からの水分浸入をより確実に抑制することができる。
【００５７】
（製造方法）
実施の形態３に係る半導体モジュール１０の製造方法について、図１０および実施の形態２の製造方法を参照しつつ説明する。
【００５８】
まず、実施の形態２と同様な工程を経て、図１０（Ａ）に示すようなモジュール集合体２００を作製する。ただし、実施の形態２と異なり、配線層２０をパターニングする際に、グランド端子となる素子電極に接続された突起電極２２ａと突起部８０ａとを電気的に接続する配線層２０ａが形成される。このような突起電極２２ａと突起部８０ａとの電気的な接続は、素子搭載領域毎に１組ずつ設けられる。
【００５９】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、突起部８０、８０ａの中心部分をハーフダイシングした後、片面に導電性接着剤１３０が塗布されている金属箔１２０を複数の半導体素子４０を含むパッケージの上面に配置し、導電性接着剤１３０により金属箔１２０の一部を固定する。その状態で、金属箔１２０のうちハーフダイシングした領域の上にある部分を切断する。
【００６０】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、封止樹脂５０および突起部８０（突起部８０ａ）の切断面に導電性接着剤１３０により金属箔１２０の残りの部分を固定する。これにより、金属箔１２０と突起部８０ａとが電気的に接続され、金属箔１２０の電位を接地電位に固定することが可能となる。さらに、ダイシングによりモジュール集合体２００から半導体モジュール１０を個片化する。なお、ダイシングの幅は１５０μｍ程度であり、半導体モジュール１０の厚さに対して十分な長さであり、図１０（Ｃ）に示すように、封止樹脂５０および突起部８０（突起部８０ａ）の切断面に金属箔１２０の残りの部分を固定することが可能である。
【００６１】
以上の工程により、実施の形態３に係る半導体モジュール１０を製造することができる。
【００６２】
次に、本発明の半導体モジュールを備えた携帯機器について説明する。なお、携帯機器として携帯電話に搭載する例を示すが、たとえば、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）、音楽プレーヤ、及びデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）といった電子機器であってもよい。
【００６３】
図１１は実施の形態に係る半導体モジュール１０を備えた携帯電話の構成を示す図である。携帯電話１１１１は、第１の筐体１１１２と第２の筐体１１１４が可動部１１２０によって連結される構造になっている。第１の筐体１１１２と第２の筐体１１１４は可動部１１２０を軸として回動可能である。第１の筐体１１１２には文字や画像等の情報を表示する表示部１１１８やスピーカ部１１２４が設けられている。第２の筐体１１１４には操作用ボタンなどの操作部１１２２やマイク部１１２６が設けられている。なお、本発明の各実施形態に係る半導体モジュールはこうした携帯電話１１１１の内部に搭載されている。なお、このように、携帯電話に搭載した本発明の半導体モジュールとしては、各回路を駆動するための電源回路、ＲＦ発生するＲＦ発生回路、ＤＡＣ、エンコーダ回路、携帯電話の表示部に採用される液晶パネルの光源としてのバックライトの駆動回路などとして採用することが可能である。
【００６４】
図１２は図１１に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体１１１２の断面図）である。本発明の実施形態に係る半導体モジュール１０は、はんだボール７０を介してプリント基板１１２８に搭載され、こうしたプリント基板１１２８を介して表示部１１１８などと電気的に接続されている。また、半導体モジュール１０の裏面側（外部接続電極５４とは反対側の面）には金属基板などの放熱基板１１１６が設けられ、たとえば、半導体モジュール１０から発生する熱を第１の筐体１１１２内部に篭もらせることなく、効率的に第１の筐体１１１２の外部に放熱することができるようになっている。
【００６５】
本発明の実施形態に係る半導体モジュールを備えた携帯機器によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６６】
半導体モジュール１０において、外部からの水分浸入が抑制された結果、動作信頼性が向上するので、こうした半導体モジュール１０を搭載した携帯機器の動作信頼性が向上する。
【００６７】
放熱基板１１１６を介して半導体モジュール１０からの熱を効率的に外部に放熱することができるので、半導体モジュール１０の温度上昇が抑制され、導電性部材と配線層との間の熱応力が低減される。このため、放熱基板１１１６を設けない場合に比べ、半導体モジュール内の導電性部材が配線層から剥離することが防止され、半導体モジュール１０の信頼性（耐熱信頼性）が向上する。この結果、携帯機器の信頼性（耐熱信頼性）を向上させることができる。
【００６８】
上記実施の形態で示した半導体モジュール１０は小型化が可能であるので、こうした半導体モジュール１０を搭載した携帯機器の薄型化・小型化を図ることができる。
【００６９】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【００７０】
たとえば、上述の実施の形態３では、金属箔１２０は、導電性接着剤１３０を介して固定されているが、圧着によりあるいは静電気で固定されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施の形態１に係る半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体モジュールを構成する突起部の平面配置を示す、図１のＡ−Ａ線を切断面とする平面図である。
【図３】図３（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図４】図４（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】半導体モジュールを構成する突起部の設置例を示す平面図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図８】実施の形態２に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図９】実施の形態３に係る半導体モジュールの構成を示す概略図である。
【図１０】実施の形態３に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】実施の形態に係る半導体モジュールを備えた携帯電話の構成を示す図である。
【図１２】図１１に示した携帯電話の部分断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０  半導体モジュール、２０  配線層、２２  突起電極、３０  絶縁樹脂層、４０  半導体素子、５０  封止樹脂、６０  保護層、７０  はんだボール、８０  突起部  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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