(57)【要約】【課題】弾性波素子上の導体間の接続信頼性を向上させること。【解決手段】本発明の弾性波素子は、圧電基板２１と、この圧電基板２１の上に配置された櫛歯電極２２及び第１、第２、第３の導体２３〜２５と、この圧電基板２１の上に第３導体２５を覆うように配置されたレジスト層４０と、このレジスト層４０の上に配置されて第１の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する第４の導体２６とを備える構成である。上記構成の如く、本発明は、第３の導体２５と第４の導体２６との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層４０を用いる。即ち、レジスト層４０は、製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、レジスト層４０において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上に配置された櫛歯電極及び第１、第２、第３の導体と、
前記圧電基板の上に前記第３導体を覆うように配置されたレジスト層と、
前記レジスト層の上に配置されて前記第１の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する第４の導体とを備えた弾性波素子。
【請求項２】
前記レジスト層と前記第４の導体との間に配置された密着導体層とを備えた請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記レジスト層は、上方から下方にむけて広がる順テーパ形状である請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記レジスト層は、イメージリバーサル型レジストである請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
請求項１に記載の弾性波素子と、前記弾性波素子に接続された無線回路とを備えた通信機器。
【請求項６】
前記レジスト層は、前記櫛歯電極のパターニング用のレジストである請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
圧電基板の上と前記圧電基板の上に配置された第１、第２、第３の導体の上にレジストを形成する工程と、
少なくとも前記第３の導体にマスキングを行い前記レジストに対し露光する工程と、
前記レジストに対して現像を行い、前記第３の導体を覆うように上方から下方にむけて広がる順テーパ形状のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンと前記第１導体の一部と第２導体の一部とを覆うように前記第４の導体を蒸着させる工程とを有する弾性波素子の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト層は、前記櫛歯電極のパターニング用のレジストである請求項７に記載の弾性波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子とこれを用いた通信機器、及び弾性波素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波素子は、携帯電話などの通信機器の高周波フィルタとして用いられている。その弾性波素子の一例を図４に示す。図４（ａ）は弾性波素子の上面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ｂにおける断面図である。図４（ａ）において、従来の弾性波素子は、圧電基板１と、この圧電基板１の上に配置された櫛歯電極２、第１の導体３、第２の導体４、及び第３の導体５と、圧電基板１の上に配置されて第１の導体３と第２の導体４とを電気的に接続する第４の導体６とを備える。尚、第３の導体５と第４の導体６とは電気的に絶縁されている。
【０００３】
尚、図４（ａ）に示す様に、圧電基板１の上には第１〜第４の導体３〜６以外にも導体が配置されている。即ち、従来の弾性波素子は、信号が入力される入力端子として導体１０、１１、１２と、櫛歯電極２においてフィルタリングされた信号が出力される出力端子として導体５、７と、グランド電位を作るグランド端子として導体１３、１４、１５、１６、３、４、８と、これら導体１３、１４、１５、１６、３、４、８同士を電気的に接続する導体１７、１８、１９、６、９を圧電基板１上に備える。また、図４（ｂ）において、従来の弾性波素子は、圧電基板１の上に第３の導体５を覆うように配置されたＳｉＯ2層２０を有し、このＳｉＯ2層２０を覆うように上記第４の導体６を配置することによって、第３の導体５と第４の導体６とは絶縁された状態となっている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開平５−１６７３８７号公報
【特許文献２】特開平５−２３５６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような従来の弾性波素子においては、第４の導体６の接続信頼性が低下する可能性がある。この理由を以下に説明する。
【０００６】
第３の導体５は、圧電基板１の主面に対してほぼ垂直な面と水平な面とを有し、これら垂直な面と水平な面とにより形成されるほぼ直角な角部を有する。この第３の導体５を覆うＳｉＯ2膜２０を形成する為に、圧電基板１の上方から圧電基板１の上面に対し、ＳｉＯ2を蒸着させた場合、ＳｉＯ2膜２０は、第３の導体５の表面に沿って形成され、ＳｉＯ2膜２０もまた、ほぼ直角な角部を有することとなる。その為、このＳｉＯ2膜２０を覆うように第４の導体６を形成した場合、上記角部によって、第４の導体６の接続信頼性が低下するという問題が生じるのである。
【０００７】
そこで、本発明は、弾性波素子における圧電基板上の導体間の接続信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成する為に、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、この圧電基板の上に配置された櫛歯電極及び第１、第２、第３の導体と、この圧電基板の上に第３導体を覆うように配置されたレジスト層と、このレジスト層の上に配置されて第１の導体と第２の導体とを電気的に接続する第４の導体とを備える構成である。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成の如く、本発明は、第３の導体と第４の導体との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジストを用いる。即ち、レジストは製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、上記ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層の上に形成する第４の導体の接続信頼性を向上させることができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施形態について図１（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図１（ａ）は本実施の形態１の弾性波素子の上面模式図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂにおける断面模式図である。
【００１１】
図１（ａ）において、弾性波素子は、圧電基板２１と、この圧電基板２１の上に配置された櫛歯電極２２、第１の導体２３、第２の導体２４、及び第３の導体２５と、圧電基板２１の上に配置されて第１の導体２３と第２の導体２４とを電気的に接続する第４の導体２６とを備える。また、第３の導体２５と第４の導体２６とは電気的に絶縁されている。
【００１２】
尚、図１（ａ）に示す様に、圧電基板２１の上には第１〜第４の導体２３〜２６以外にも導体が配置されている。即ち、弾性波素子は、信号が入力される入力端子として導体３０、３１、３２と、櫛歯電極２２においてフィルタリングされた信号が出力される出力端子として導体２５、２７と、グランド電位を作るグランド端子として導体３３、３４、３５、３６、２３、２４、２８と、これら導体３３、３４、３５、３６、２３、２４、２８同士を電気的に接続する導体３７、３８、３９、２６、２９を圧電基板２１上に有する。
【００１３】
尚、この弾性波素子を搭載した通信機器（図示せず）は、この弾性波素子と、出力端子の導体２５、２７に接続された無線回路とを備える。
【００１４】
また、図１（ｂ）において、弾性波素子は、圧電基板２１の上に第３の導体２５を覆うように配置されたレジスト層４０を有し、このレジスト層４０を覆うように上記第４の導体２６を配置することによって、第３の導体２５と第４の導体２６とは絶縁された状態となっている。このレジスト層４０は、櫛歯電極２２のパターニング用のレジストであり、フエノ−ル，クレゾ−ル，キシレノ−ル，レゾルシノ−ル，ビスフエノ−ル等のアルカリ可溶性樹脂を含む。
【００１５】
このように、本発明の弾性波素子は、導体２５、２６間の絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層４０が用いられる。即ち、レジスト層４０は製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、レジスト層４０において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層４０の上に形成する第４の導体の接続信頼性を向上させることができるのである。
【００１６】
尚、弾性波素子は、レジスト層４０と第４の導体２６との間に配置された密着導体層（図示せず）とを備えていることが望ましい。この密着導体層は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒである。これにより、第４の導体２６の剥離を抑制することができる。
【００１７】
次に、本実施の形態１の弾性波素子の製造方法を、図２（ａ）〜（ｇ）、図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。尚、図２は、本実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面模式図であり、図２の断面は、完成後、図１（ａ）のＡ−Ｂにおける断面となる。図３の断面は、完成後、図１（ａ）のＣ−Ｄにおける断面となる。
【００１８】
まず、図２（ａ）に示す様に、圧電基板２１の上に第１の導体２３、第２の導体２４及び第３の導体２５を形成し、圧電基板２１の上と第１の導体２３、第２の導体２４及び第３の導体２５の上に現像液に対して不溶性のイメージリバーサル型レジスト４１を塗布し、第３の導体２５の上方にマスキングを行い、圧電基板２１の上方からイメージリバーサル型レジスト４１に対しパターニング露光を行う。尚、このイメージリバーサル型レジスト４１は、ベーキング処理及び露光により、現像液に対して可溶性から不溶性に変換する性質を有するレジストである。このイメージリバーサル型レジスト４１は、完成後、図１（ｂ）に示す弾性波素子におけるレジスト層４０となる。
【００１９】
即ち、上記処理により、図２（ｂ）に示す様に、第３の導体２５を覆う部分以外のイメージリバーサル型レジスト４１が現像液に対して可溶性になる。
【００２０】
次に、図２（ｃ）に示す様に、弾性波素子の全体に対しベーキング処理を施し、第１の導体２３及び第２の導体２４上の一部を露出させるようにマスキングを行い、圧電基板２１の上方からイメージリバーサル型レジスト４１に対し第２のパターニング露光を行う。
【００２１】
これにより、図２（ｄ）に示す様に、第２のパターニング露光において、マスクから露出していた部分のイメージリバーサル型レジスト４１が現像液に対して不溶性となる。
【００２２】
次に、図２（ｅ）に示す様に、イメージリバーサル型レジスト４１に対して現像を行い、レジストパターンを形成させる。即ち、第１の導体２３の一部の上と第２の導体２４の一部の上とに下方から上方に向けて広がる逆テーパ形状のレジストパターンが形成され、第３の導体２５を覆うように上方から下方に向けて広がる順テーパ形状のレジストパターンが形成される。
【００２３】
その後、図２（ｆ）に示すように、圧電基板２１の上とレジストパターンの上に導体膜４２を蒸着させ、次に、図２（ｇ）に示すように、レジスト剥離液を用いてリフトオフを行い、第１の導体２３の一部の上と第２の導体２４の一部の上のレジストパターン及びこの上の導体膜４２を除去する。その結果、第４の導体２６は、第３の導体２５を覆うイメージリバーサル型レジスト４１と第１の導体２３の端と第２の導体２４の端とを覆うように形成され、第１の導体２３と第２の導体２４とを電気的に接続することとなる。
【００２４】
尚、イメージリバーサル型レジスト４１でなく、一般的なポジ型レジストを用いた場合でも、図２（ｅ）に示すようなレジストパターンを作製することができる。ただ、その場合、第１の導体２３及び第２の導体２４の上方のレジストパターンが順テーパを有することとなる。その結果、図２（ｆ）に示す導体膜形成工程において、第１の導体２３の一部の上と第２の導体２４の一部の上のレジストパターンの側壁に導体膜４２が付着してしまい、図２（ｇ）に示すリフトオフ工程において、その付着によって、第１の導体２３の一部の上と第２の導体２４の一部の上のレジストパターンに対するレジスト剥離液の浸透が不十分になり、そのリフトオフが困難となる。したがって、イメージリバーサル型レジスト４１を用いることにより、図２（ｇ）に示すリフトオフ工程を容易に実現することが可能となるのである。
【００２５】
以下、この後の工程を、図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。尚、図３は、本実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面模式図であり、図３の断面は、完成後、図１（ａ）のＣ−Ｄにおける断面となる。
【００２６】
図３（ａ）に示す工程は、図２（ｇ）に示す工程と同じ工程であり、リフトオフ工程終了時の状態である。この状態では、第３の導体２５と第４の導体２６が電気的に接続されている状態であるので、これらを分断する工程を以下に説明する。
【００２７】
まず、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２１の上面にレジスト４３を塗布する。そして、図３（ｃ）に示すように、第３の導体２５と第４の導体２６との間を露出するように圧電基板２１の上面にマスキングを行い、圧電基板２１の上方からレジスト４３に対しパターニング露光を行う。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジスト４３に対して現像を行い、第３の導体２５と第４の導体２６との間を接続している導体をレジスト４３から露出させる。
【００２９】
次に、図３（ｅ）に示すように、圧電基板２１の上面からのドライエッチング等のエッチングにより、第３の導体２５と第４の導体２６とを電気的に分断させる。
【００３０】
次に、図３（ｆ）に示すように、図３（ｃ）の工程においてマスキングされたレジストを、レジスト剥離液を用いて除去する。
【００３１】
上記のように、実施の形態１の弾性波素子は、第３の導体２５と第４の導体２６との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層４０を用いる。即ち、レジスト層４０は、製造工程において下方に広がる順テーパ形状を形成するので、レジスト層４０において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層４０の上に形成する第４の導体２６の接続信頼性を向上させることができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明にかかる弾性波素子は、この弾性波素子上の導体間の接続信頼性を向上させることができ、通信機器等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図、（ｂ）は、同弾性波素子の断面模式図
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、同弾性波素子の製造工程を示す断面模式図
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、同弾性波素子の製造工程を示す断面模式図
【図４】（ａ）は、従来の弾性波素子の上面模式図、（ｂ）は、同弾性波素子の断面模式図
【符号の説明】
【００３４】
２１  圧電基板
２２  櫛歯電極
２３  第１の導体
２４  第２の導体
２５  第３の導体
２６  第４の導体
４０  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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