(57)【要約】【課題】熱外乱による温度変動を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光光を用いて所定のパターンを基板上に形成する露光装置は、基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、露光光を基板に出射する光学部材と、基板ステージと光学部材の少なくとも一方または双方を支持する構造部材と、構造部材の内部に設けられ、構造部材により設定される空間内を所定温度に調整可能な温調用流体が流れる流路と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を用いて所定のパターンを基板上に形成する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、
前記露光光を前記基板に出射する光学部材と、
前記基板ステージと前記光学部材の少なくとも一方または双方を支持する構造部材と、
前記構造部材の内部に設けられ、該構造部材により設定される空間内を所定温度に調整可能な温調用流体が流れる流路と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記流路は、前記構造部材を形成する材質とは異なる材質の配管により構成される請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記構造部材は、前記光学部材または前記基板ステージの少なくとも一方の近傍に配される発熱体を支持する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記流路は、少なくとも前記構造部材が支持される支持面の近傍に設けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記構造部材の内部には前記流路が複数設けられており、前記複数の流路の各々が前記温調用流体を流入させるための流入口と前記温調用流体を流出させるための流出口とを有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記構造部材の内部には前記流路が複数設けられており、前記複数の流路の各々には、該構造部材における前記各流路が配置される対応部分を前記所定温度に調整する温度調整装置が設けられる請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記空間の温度を測定する温度センサーを有し、前記温度センサーの測定結果に基づいて前記流路内を流れる前記温調用流体の温度が調整可能である請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
測定光を用いて前記移動体の位置に関する情報を得る位置センサーを有し、前記温度センサーは、前記所定空間における前記測定光の光路の少なくとも一部を含む領域の温度を測定する請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記温度センサーは、前記空間内における前記光学部材の近傍の温度を測定する請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記流路は、前記光学部材の近傍に設けられる請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記構造部材が鋳物からなる請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、前記基板に露光光を出射する光学部材と、前記基板ステージ及び前記光学部材の少なくとも一つまたは双方を支持する構造部材とを有する露光装置の製造方法において、
前記構造部材を形成するための型の内部に配管を設置する工程と、
前記配管を設置した前記型に溶融した構造物形成用材料を流し込むとともに固化させて前記構造物とする工程と、
前記型から内部に配管が設置された前記構造部材を取り出す工程と、を備える露光装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の前記配管を前記型の内部に設置する請求項１２に記載の露光装置の製造方法。
【請求項１４】
基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、前記基板に露光光を出射する光学部材と、前記基板ステージ及び前記光学部材の少なくとも一つまたは双方を支持する構造部材とを有する露光装置の温調方法において、
前記構造部材内部に設けられた複数の流路の各々に、それぞれ独立して温度調整された温調用流体を流すことで前記構造部材により設定される空間を所定温度とする露光装置の温調方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光装置の製造方法、露光装置の温調方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つを含む）が制御された空間内で移動するステージ（例えば、基板を保持する基板ステージ）を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６４５２２９２号明細書
【特許文献２】米国特許第６７６２８２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、熱外乱の影響によって空間内の温度が変動すると、空間内の屈折率が変化してしまい、ステージの位置検出の精度が低下する可能性がある。ステージの位置検出精度が低下すると、露光不良が生じたり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、熱外乱による温度変動を抑制できる露光装置、露光装置の製造方法、及びその温調方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、露光光を用いて所定のパターンを基板上に形成する露光装置であって、前記基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、前記露光光を前記基板に出射する光学部材と、前記基板ステージと前記光学部材の少なくとも一方または双方を支持する構造部材と、前記構造部材の内部に設けられ、該構造部材により設定される空間内を所定温度に調整可能な温調用流体が流れる流路と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、前記基板に露光光を出射する光学部材と、前記基板ステージ及び前記光学部材の少なくとも一つまたは双方を支持する構造部材とを有する露光装置の製造方法において、前記構造部材を形成するための型の内部に配管を設置する工程と、前記配管を設置した前記型に溶融した構造物形成用材料を流し込むとともに固化させて前記構造物とする工程と、前記型から内部に配管が設置された前記構造部材を取り出す工程と、を備える露光装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、基板を保持して移動可能な移動体を有する基板ステージと、前記基板に露光光を出射する光学部材と、前記基板ステージ及び前記光学部材の少なくとも一つまたは双方を支持する構造部材とを有する露光装置の温調方法において、前記構造部材内部に設けられた複数の流路の各々に、それぞれ独立して温度調整された温調用流体を流すことで前記構造部材により設定される空間を所定温度とする露光装置の温調方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第１，第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、熱外乱による温度変動を抑制できる。また、本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】露光装置の一部を示す平面図である。
【図３】基板ステージに保持された基板の一例を示す平面図である。
【図４】露光装置の製造工程を説明するための図である。
【図５】変形例に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図６】変形例に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。
【００１３】
図１は、一実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１４】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動するための駆動システム１００と、基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための駆動システム２０と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を光学的に計測する干渉計システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材５と、露光光ＥＬが進行する空間を形成するチャンバ装置６と、基板Ｐを搬送可能な搬送装置４０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置７Ｍとを備えている。
【００１５】
また、露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の支持面ＦＬ上に設けられた第１コラム９、及び第１コラム９上に設けられた第２コラム１０を含むボディ８を備えている。ボディ８は、本発明における構造部材を構成する。なお、構造部材とは、少なくとも光学部材（例えば、照明系ＩＬや投影光学系ＰＬ等）と基板ステージ２の少なくとも一方または双方を支持する部材、又はこの部材に対して一体的に接合される部材を含むものである。
本実施形態において、チャンバ装置６によって形成される空間には、マスクステージ１、基板ステージ２、計測ステージ３、照明系ＩＬ、投影光学系ＰＬ、及びボディ８等が配置される。
【００１６】
第１コラム９は、第１支持部材１４と、第１支持部材１４に支持された第１定盤１６とを備えている。これら第１支持部材１４及び第１定盤１６は、例えばアルミ鋳物から構成されている。第２コラム１０は、第１定盤１６上に配置された第２支持部材１７と、第２支持部材１７に支持された第２定盤１９とを備えている。投影光学系ＰＬは、鏡筒２４に設けられたフランジ２４Ｆを介して、第１定盤１６に支持される。すなわち、第１定盤１６（第１コラム９）は、投影光学系ＰＬの支持部材として機能している。なお、第１定盤１６と鏡筒２４との間に防振装置を設けるようにしてもよい。また、投影光学系ＰＬは、特表２００８−５１５２１９号公報のように吊り下げられた状態で支持されるように構成されていてもよい。
【００１７】
ボディ８の一部を構成する第１コラム９は、第１空間１１を形成（設定）する。本実施形態において、第１コラム９は、ボディ８を支持する支持面ＦＬとの間で第１空間１１を形成する。第１空間１１は、実質的に閉ざされている。
【００１８】
ボディ８の一部を構成する第２コラム１０は、第２空間１２を形成（設定）する。本実施形態において、第２コラム１０は、第１定盤１６との間で第２空間１２を形成する。第２空間１２は、実質的に閉ざされている。
【００１９】
チャンバ装置６は、第３空間１３を形成する。本実施形態において、チャンバ装置６は、第２定盤１９との間で第３空間１３を形成する。第３空間１３は、実質的に閉ざされている。
【００２０】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１，第２，第３空間１１，１２，１３の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つ、全てでもよい。）を制御する環境制御装置２１，２２，２３を備えている。本実施形態において、環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び気体中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、第１〜第３空間１１〜１３の環境を制御するために、第１〜第３空間１１〜１３にクリーンで温度調整された気体を供給する。
【００２１】
本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１のクリーン度が最も高く、第１空間１１に次いで第３空間１３のクリーン度が高く、第３空間１３に次いで第２空間１２のクリーン度が高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。ただし、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、第１空間１１と第２空間１２のクリーン度を等しくしてもよい。
【００２２】
また、本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１の圧力が最も高く、且つ第３空間１３の圧力が第２空間１２の圧力より高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。ただし、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、第１空間１１と第２空間１２の圧力を等しくしてもよい。
【００２３】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２４】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、第３空間１３内で移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持するように構成されているがこれに限定されるものではない。
【００２５】
マスクステージ１は、第２定盤１９のガイド面１９Ｇ上を移動可能である。したがって、第２定盤１９は、マスクステージ１を支持する支持部材として機能している。ガイド面１９Ｇは、第３空間１３内に配置されている。マスクステージ１は、ガイド面１９Ｇ上において、照明領域ＩＲ（照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面１９Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。マスクステージ１は、駆動システム１００の作動により、第３空間１３内のガイド面１９Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム１００は、ガイド面１９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。マスクステージ１を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子１Ｍと、第２定盤１９に配置された固定子１９Ｃとを有する。本実施形態において、可動子１Ｍは、マグネットアレイを含み、固定子１９Ｃは、コイルアレイを含む。なお、可動子１Ｍがコイルアレイを含み、固定子１９Ｃがマグネットアレイを含んでもよい。本実施形態においては、マスクステージ１は、平面モータを含む駆動システム１０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。また、駆動システム１００は、平面モータ以外のアクチュエータ（例えば、リニアモータ等）でマスクステージ１を移動させるものでもよい。
【００２６】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００２７】
本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系としたが、これに限定されるものではない。例えば、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行に構成したが、これに限定されるものではない。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２８】
投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２６を有する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２５）の射出面２６から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。
【００２９】
本実施形態において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子２５は、第１空間１１に配置されている。本実施形態において、終端光学素子２５の射出面２６から射出される露光光ＥＬの光路は、第１空間１１に配置される。すなわち、本実施形態において、第１空間１１は、投影光学系ＰＬの像面側の光路を含み、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路の少なくとも一部を含む。
【００３０】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、第１空間１１内で移動可能である。具体的に基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する基板保持部材２Ａと、この基板保持部材２Ａ（移動体）を移動可能とする後述の駆動システム２０の構成要素としての可動子２Ｍと、を含むものである。本実施形態において、基板Ｐは基板保持部２Ｈの上側（＋Ｚ側）に保持される。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持するように構成されているがこれに限定されるものではない。
【００３１】
計測ステージ３は、計測器Ｃの少なくとも一部を搭載した状態で、第１空間１１内で移動可能である。計測器Ｃは、露光光ＥＬを計測可能である。すなわち、計測器Ｃは露光光ＥＬを受光可能である。計測ステージ３に搭載される計測器Ｃとして、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部が挙げられる。あるいは、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部を挙げてもよい。また、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、さらにまた、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部、を挙げることもできる。あるいは、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等を挙げることもできる。また、計測器Ｃは、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントセンサで検出される基準マークを有する基準部材も含む。なお、基準部材に、露光光ＥＬと同じ波長の検出光で検出される基準マークが設けられていてもよい。
【００３２】
基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されている。
【００３３】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第３定盤２７のガイド面２７Ｇ上を移動可能である。ガイド面２７Ｇ（第３定盤２７）は、第１空間１１内に配置されている。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ガイド面２７Ｇ上において、投影領域ＰＲ（投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面２７Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。本実施形態では、第３定盤２７は、防振装置２８を介して、支持面ＦＬに支持されているが、防振装置２８を設けなくてもよい。
【００３４】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、駆動システム２０の作動により、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム２０は、ガイド面２７Ｇ上で基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれに配置された可動子２Ｍ，３Ｍと、第３定盤２７に配置された固定子２７Ｃとを有する。本実施形態において、可動子２Ｍ，３Ｍは、コイルアレイを含み、固定子２７Ｃは、マグネットアレイを含む。なお、可動子２Ｍ，３Ｍがマグネットアレイを含み、固定子２７Ｃがコイルアレイを含んでもよい。本実施形態においては、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、平面モータを含む駆動システム２０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム２０は、平面モータ以外のアクチュエータ（例えば、リニアモータ等）で基板ステージ２や計測ステージ３を移動させるように構成されていてもよい。
【００３５】
液浸部材５は、終端光学素子２５の近傍に配置される。液浸部材５は、終端光学素子２５と、投影領域ＰＲに配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。液浸空間は、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測器Ｃの少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光中、液浸部材５は、終端光学素子２５と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。
【００３６】
液浸部材５は、物体と対向可能な下面２９を有し、下面２９と物体との間の空間は液体ＬＱを保持可能である。下面２９と物体との間に保持された液体ＬＱによって液浸空間が形成される。本実施形態においては、基板Ｐの露光中は、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間が形成される。基板Ｐの露光中は、液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）は、液浸部材５の下面２９と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００３７】
本実施形態において、液浸部材５は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体ＬＱを供給する供給口と、液体ＬＱを回収する回収口とを有する。制御装置７は、供給口を用いる液体供給動作と並行して、回収口を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子２５及び液浸部材５と、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間を形成可能である。
【００３８】
干渉計システム４は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット４Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置情報を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット４Ｂとを有する。第２干渉計ユニット４Ｂは、第１コラム９を構成する第１支持部材１４に支持されている。なお、第１、第２干渉計ユニット４Ａ，４Ｂは、振動の影響を受け難いような部材に設けることができる。そのような部材としては、例えば、特表2008-515219号公報に記載された計測マウントやメトロロジーフレーム等を挙げることができる。第１，第２干渉計ユニット４Ａ，４Ｂのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第１干渉計ユニット４Ａは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を取得する。第２干渉計ユニット４Ｂは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に設けられた計測ミラー３Ｒのそれぞれに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測器Ｃ）の位置情報を取得する。
また、干渉計に換えて、あるいは干渉計に加えて、エンコーダによってステージ等の位置情報を得るようにしてもよい。例えば、国際公開第０７／０８３７５８（ＷＯ２００７／０８３７５８）号パンフレットや国際公開第０８／０３８５７２（ＷＯ２００８／０３８７５２）号パンフレットに開示されているような構成を用いてもよい。
【００３９】
また、不図示であるが、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書、米国特許第６３２７０２５号明細書等に開示されているような、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システムが配置されている。なお、フォーカス・レベリング検出システムは、基板Ｐの表面の位置情報のみならず、基板ステージ２の上面、及び計測ステージ３の上面の位置情報を検出することができる。
【００４０】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置７は、干渉計システム４の計測結果、及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、駆動システム１０，２０を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置制御を実行する。
【００４１】
第１空間１１は、環境制御装置２１によってクリーンで所定温度に調整された気体が供給される。本実施形態の露光装置ＥＸは、第１コラム９における第１支持部材１４の内部に、第１コラム９により設定される第１空間１１内を所定の温度に調整可能な温調用流体が流れる温調用流路を構成する配管５０が設けられている。また、第２コラム１０における第２支持部材１７の内部に、第２コラム１０により設定される第２空間１２内を所定の温度に調整可能な温調用流体が流れる温調用流路を構成する配管５１が設けられている。本実施形態では、温調用流体として水（純水）を用いるが、これに限定されるものではない。例えば、ＨＦＥ等を用いることができる。
【００４２】
第１支持部材１４内部に設けられる配管５０は、支持面ＦＬの近傍側に配置される第１配管５０ａ及び第２配管５０ｂと、第１定盤１６側に配置される第３配管５０ｃ及び第４配管５０ｄとを含む。また、第２支持部材１７内部に設けられる配管５１は、第５配管５０ｅと第６配管５０ｆとを含む。以下、第１配管５０ａ〜第６配管５０ｆについて配管５０ａ〜５０ｆと称す場合もある。各配管５０ａ〜５０ｆは、第１支持部材１４及び第２支持部材１７を構成するアルミ鋳物とは別の例えばステンレスパイプから構成されており、それぞれ蛇行形状を有している。
【００４３】
各配管５０ａ〜５０ｆの各々は、それぞれ温調用流体（水）を流入させるための流入口と温調用流体を流出させるための流出口とを有している。すなわち、各配管５０ａ〜５０ｆの各々は、それぞれ独立した流路を構成している。
【００４４】
各配管５０ａ〜５０ｆの各々の流入口及び流出口は、チャンバ装置６の外部に引き出されている。各配管５０ａ〜５０ｄの各々には、ボディ８における各配管５０ａ〜５０ｄが配置された対応部分（すなわち第１支持部材１４及びこれに一体的に接合される第１定盤１６）を所定温度に設定するための温度調整装置５５が設けられている。また、配管５０ｅ，５０ｆの各々には、ボディ８における各配管５０ｅ，５０ｆが配置された対応部分（すなわち第２支持部材１７及びこれに一体的に接合される第２定盤１９）を所定温度に設定するための温度調整装置５５が設けられている。ここで、所定温度とは環境制御装置２１によって供給される気体により設定される第１空間１１内の温度である。なお、温度調整装置５５は、制御装置７に電気的に接続されている。
【００４５】
温度調整装置５５としては、例えば、一定温度に調整した水を各配管５０ａ〜５０ｆ内に循環させる循環機構、或いは各配管５０ａ〜５０ｆ自体を加熱或いは冷却することで直接温度制御する温度調整機構等が用いられる。また、温度調整装置５５が各配管５０ａ〜５０ｆ内に流す水の流量を調整する調整機構を備えていてもよい。
【００４６】
露光装置ＥＸは、第１定盤１６における投影光学系ＰＬの近傍に第１空間１１内の温度を測定する温度センサー５６を備えている。温度センサー５６は、第２干渉計ユニット４Ｂの測定光の光路の少なくとも一部を含む領域の温度を測定する。また、第２定盤１９における投影光学系ＰＬの近傍には、第２空間１２内の温度を測定する温度センサー５７が設けられている。なお、温度センサー５６，５７は、制御装置７と電気的に接続されている。
【００４７】
制御装置７は、温度センサー５６による測定結果（第１空間１１の温度）に基づき温度調整装置５５を動作させ、前記第１空間１１内が所定温度となるように各配管５０ａ〜５０ｄ内に流す温調用流体の温度を調整する。これにより、露光装置ＥＸは、第１コラム９により設定される第１空間１１内を所定温度に保持する。なお、第１空間１１内に温度センサーを複数設け、各々の温度センサーと、各配管５０ａ〜５０ｄに設けられる温度調整装置５５とを対応させるようにしてもよい。
【００４８】
また、制御装置７は、温度センサー５７による測定結果（第２空間１２の温度）に基づき温度調整装置５５を動作させ、各配管５０ｅ，５０ｆ内に流す温調用流体の温度を調整する。これにより、露光装置ＥＸは、第２コラム１０により設定される第２空間１２内を所定温度に保持している。なお、第２空間１２内に温度センサーを複数設け、各々の温度センサーと、各配管５０ｅ，５０ｆに設けられる温度調整装置５５とを対応させるようにしてもよい。
【００４９】
本実施形態において、第１支持部材１４を有する第１コラム９、及び第２支持部材１７を有する第２コラム１０からなるボディ８は、チャンバ装置６内に多数のヒートシンクを備えた場合と等価の熱容量を備えたものとなる。したがって、本実施形態の露光装置ＥＸは、熱容量の大きいボディ８全体がヒートシンク化した状態とされている。
【００５０】
図２は、第１空間１１の一部を示す平面図である。以下の説明において、投影領域ＰＲに含まれる、終端光学素子２５から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を適宜、露光位置ＥＰ、と称する。
【００５１】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。基板ステージ２は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第１領域１０１を移動可能である。計測ステージ３は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第２領域１０２を移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２が第１領域１０１内に存在するときに、基板ステージ２に保持された基板Ｐに露光光ＥＬを照射可能である。
【００５２】
また、基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰを含むガイド面２７Ｇ上の第３領域１０３を移動可能である。基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２に対して基板Ｐを搬入（ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に露光前の基板Ｐをロードする動作、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする動作の少なくとも一方を実行する。
【００５３】
基板ステージ２が移動可能な第１領域１０１の少なくとも一部は、計測ステージ３が移動可能な第２領域１０２より−Ｙ側に配置されているが、これに限定されるものではなく、適宜設定することができる。
【００５４】
本実施形態において、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面２Ｔを有する。基板ステージ２の上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、計測ステージ３は、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面３Ｔを有する。計測ステージ３の上面３Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００５５】
例えば、計測器Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置７は、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子２５と計測器Ｃとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。制御装置７は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測器Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測器Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Ｐの露光処理に反映される。
【００５６】
図３は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に複数配置されている。本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、その基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が順次露光される。基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、終端光学素子２５の射出面２６側の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、基板Ｐ上に液浸空間が形成される。
【００５７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置７は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００５８】
例えば基板Ｐ上の第１ショット領域Ｓ１を露光するために、制御装置７は、基板Ｐ（第１ショット領域Ｓ１）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間の液体ＬＱとを介して第１ショット領域Ｓ１に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１に投影され、その第１ショット領域Ｓ１は、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬで露光される。第１ショット領域Ｓ１の露光が終了した後、制御装置７は、次の第２ショット領域Ｓ２の露光を開始するために、液浸空間を形成した状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動する動作を実行し、第２ショット領域Ｓ２を露光開始位置に移動する。そして、制御装置７は、第２ショット領域Ｓ２の露光を開始する。
【００５９】
制御装置７は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する。
【００６０】
以下の説明において、ショット領域Ｓを露光するために、終端光学素子２５に対して基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、終端光学素子２５に対して基板Ｐを移動することを適宜、ステップ移動、と称する。
【００６１】
本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置ＥＸの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００６２】
露光レシピは、記憶装置７Ｍに予め記憶されている。制御装置７は、露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００６３】
露光レシピは、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の移動条件を含む。移動条件は、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置、移動方向、移動距離、速度、加速度（減速度）、及び移動軌跡の少なくとも一つを含む。
【００６４】
本実施形態においては、制御装置７は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図３中、例えば矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。
【００６５】
次に、露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
基板Ｐの露光動作を開始するために、制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に、露光前の基板Ｐをロードする。終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する位置には、計測ステージ３が配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３との間に、液体ＬＱで液浸空間が形成されている。制御装置７は、必要に応じて、計測ステージ３を用いる計測動作を実行する。このとき、露光光ＥＬを計測ステージ３に照射してもよい。
【００６６】
制御装置７は、基板Ｐの露光動作を実行するために、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱで液浸空間を形成する。そして、制御装置７は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光する動作を開始する。
【００６７】
ところで、露光装置ＥＸにおいては温度管理が重要とされている。しかしながら、例えばクリーンルームで生じた温度変動等（熱外乱）によって第１空間１１或いは第２空間１２の温度が変動する可能性がある。すると、これら空間内における光の屈折率が変化してしまい、干渉計システム４の測定光による基板ステージ２及び計測ステージ３の計測精度が低下する可能性がある。これにより、計測ステージ３による計測動作不良や基板ステージ２の位置検出精度低下による露光不良が生じ、不良デバイスを発生させる可能性がある。
【００６８】
これに対して、本実施形態の露光装置ＥＸは、温調用流体としての水が流れる配管５０，５１が内部に設けられたボディ８が全体としてヒートシンク化した状態となっているため、熱容量が大きく、熱外乱の影響を受け難い。よって、露光装置ＥＸは、ボディ８が熱遮蔽体として機能することで、クリーンルーム内で生じた温度変化（熱外乱）によって、環境制御装置２１〜２３における第１〜第３空間１１〜１３の温度制御に乱れが生じることが抑制され、装置内部における温調精度の信頼性が高い。
【００６９】
露光装置ＥＸは、温度センサー５６によって第２干渉計ユニット４Ｂの測定光の光路の少なくとも一部を含む領域の温度を測定し、この測定結果に基づいて各温度調整装置５５を制御し、装置内部を所定温度に保持する。よって、測定光の光路における温度変動（屈折率変動）が確実に防止され、測定光による基板ステージ２の位置検出精度の低下を防止し、露光不良の発生を防止できる。よって、不良デバイスの発生を防止できる。また、温度センサー５６は投影光学系ＰＬの近傍に配置されるため、投影光学系ＰＬに対する温度管理を厳密に行うことができる。これにより、露光精度を向上できる。
【００７０】
また、複数のレーザ干渉計を有する第２干渉計ユニット４Ｂは、第１空間１１内において発熱体となる。本実施形態では、熱容量が大きい第１支持部材１４に第２干渉計ユニット４Ｂが支持されるため、第２干渉計ユニット４Ｂで発生した熱が第１支持部材１４により吸収される。これにより、露光装置ＥＸ内で発熱体となる第２干渉計ユニット４Ｂに対し、ヒートシンクを個別に設ける必要が無い。よって、ヒートシンクの数が増加することがなく、低コスト化を実現できる。
【００７１】
また、露光装置ＥＸは、各配管５０ａ〜５０ｆに設けられた温度調整装置５５をそれぞれ制御し、例えば各配管５０ａ〜５０ｆ内に流れる水の設定温度又は流量などを変化させることで、露光処理中に第１空間１１及び第２空間１２内で生じる温度ムラを取り除くことができる。
【００７２】
また、露光装置ＥＸは、第１支持部材１４内の支持面ＦＬ近傍に配管５０ａ，５０ｂが設けられているので、支持面ＦＬ近傍の温度を所定温度に保持することができ、支持面ＦＬからの熱外乱の影響を受け難くすることができる。
【００７３】
次に、上述の露光装置ＥＸの製造方法について説明する。
まず、第１コラム９の構成要素である第１支持部材１４を製造する。具体的には、図４（ａ）に示すように、第１支持部材１４を形成するための鋳型６１を用意し、鋳型６１内に所望の形状に折り曲げられてなる配管５０ａ，５０ｃ（５０ｂ，５０ｄ）を配置する。
【００７４】
続いて、配管５０ａ（５０ｂ）が設置された鋳型６１内に、図４（ｂ）に示すように溶解されたアルミ９０を流し込む。鋳型６１内に流し込んだアルミ９０を固化させることで第１支持部材１４とする。このとき、配管５０ａは、鋳物材料としてのアルミに比べて融点が高い材料から構成されているので、配管５０ａに潰れや変形が生じることが防止される。
【００７５】
続いて、図４（ｃ）に示すように、鋳型６１から第１支持部材１４を取り出す。以上の工程により、第１支持部材１４を製造する。続いて、第２コラム１０の構成要素である第２支持部材１７を第１支持部材１４と同様に鋳型内に溶融したアルミを流し込み、固化させることで製造する。
【００７６】
次に、上述の製造工程により製造された第１支持部材１４及び第２支持部材１７を含む露光装置の各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで上述した実施形態に係る露光装置ＥＸを製造することができる。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７７】
なお、上述の実施形態においては、第１支持部材１４及び第２支持部材１７の内部に配管５０ａ〜５０ｆを設ける場合について説明したが、図５に示すように投影光学系ＰＬを支持する第１定盤１６内部に第１空間１１及び第２空間１２内を所定の温度に調整可能な温調用流体が流れる配管６２ａ〜６２ｆを設けられることもできる。この場合においても、各配管６２ａ〜６２ｆには不図示の温度調整装置が設けられている。特に温度管理が重要とされる投影光学系ＰＬの近傍に配置される配管６２ｃ，６２ｄは、他の配管に比べて蛇行回数が多くなるようにした。すなわち、配管６２ｃ，６２ｄは、他の配管に比べて流路長が長くなっている。これにより、投影光学系ＰＬの周辺部における温度変動を確実に抑制することができる。ただし、この構成に限定されるものではない。
【００７８】
また、上述の実施形態においては、第１空間１１が第１コラム９と支持面ＦＬで画定される場合について説明したが、図６に示すように第１空間１１が第１コラム９と基板ステージ２を移動可能に支持する第３定盤２７で画定することができる。第３定盤２７は、第１コラム９に対して例えばボルト等によって一体に接合された状態となっており、本発明の構造部材を構成している。この場合において、基板ステージ２を支持する第３定盤２７の内部に第１空間１１内を所定の温度に調整可能な温調用流体が流れる配管６３ａ〜６３ｃを設けることもできる。これにより、支持面ＦＬからの熱外乱を防止することができる。また、固定子２７Ｃがコイルアレイを含む場合には、露光処理時に固定子２７Ｃが発熱する可能性がある。この場合においても、固定子２７Ｃによって発生した熱は、熱容量の大きい第３定盤２７（ボディ８）により吸収される。よって、露光装置ＥＸ内で発熱体となる固定子２７Ｃに対し、ヒートシンクを個別に設ける必要が無い。よって、ヒートシンクの数が増加することがなく、低コスト化を実現できる。
【００７９】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８１】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８２】
また、上述の各実施形態は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置に適用できる。基板ステージは、３つ以上配置することができる。
【００８３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８４】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８５】
また、上述の各実施形態の要件は、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも適用できる。
【００８６】
また、第１支持部材１４、或いは第２支持部材１７内に配管を形成する方法として、上述の実施形態では鋳造を例に挙げたが、ＨＩＰ（Hot Isostatic Pressing）処理（熱間等方圧加圧加工）を用いて温調用流体を流す内部流路を形成するができる。
【００８７】
また、上述の実施形態では、第２定盤１９及びチャンバ装置６によって設定される空間を第３空間１３としたが、第３空間１３を区画するとともに照明系ＩＬを支持する構造物を設けることもできる。この場合、照明系ＩＬを支持する構造物内部に温調用流体を流すための配管（流路）を設けることもできる。また、マスクステージ１を支持する第２定盤１９内部に温調用流体を流すための配管（流路）を設けることもできる。
【００８８】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００８９】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００９０】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、４…干渉計システム、８…ボディ、９…第１コラム、１０…第２コラム、１１…第１空間、１２…第２空間、２７…第３定盤、５０ａ〜５０ｆ…配管、５５…温度調整装置、５６，５７…温度センサー、６１…鋳型、６２ａ〜６２ｆ…配管、ＥＬ…露光光、ＥＰ…露光位置、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＩＬ…照明系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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