(57)【要約】      （修正有）【課題】実装された回路素子の駆動時における消費電力を低減することができる配線回路基板およびそれを備えた磁気ヘッド駆動装置を提供する。【解決手段】ベース絶縁層２５上に複数の配線パターンＤ１が形成され、ベース絶縁層２５の裏面に金属層２４が形成される。隣り合う各２本の配線パターンＤ１が伝送線路対を構成する。配線パターンＤ１の幅ｗが２５０μｍ以下に設定され、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが８μｍ以上に設定される。ベース絶縁層２５の厚みｔが選択されることにより伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下にされる。【選択図】図３
2010263031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子が実装されるとともに外部回路に接続される配線回路基板であって、
一面上に回路素子実装のための実装領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記一面上の前記実装領域を除く領域に形成され、前記外部回路に接続可能な複数の第１の接続端子と、
前記第１の絶縁層の前記一面上の前記実装領域内に形成され、前記回路素子の複数の端子部にそれぞれ接続可能な複数の第２の接続端子と、
前記第１の絶縁層の前記一面上の前記複数の第１の接続端子と前記複数の第２の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、
前記第１の絶縁層の前記一面上の前記複数の導体線路を含む領域と反対側の前記第１の絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、
隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層の厚みが４μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導電層の一面に設けられる金属板をさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記複数の導体線路を覆うように前記第１の絶縁層の前記一面に形成された第２の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層はポリイミドにより形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
配線回路基板と、
複数の端子部を有する増幅器と、
回路付きサスペンション基板と、
前記回路付きサスペンション基板に設けられる磁気ヘッドとを備え、
前記配線回路基板は、
一面上に実装領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記一面上の前記実装領域を除く領域に形成され、前記回路付きサスペンション基板に接続可能な複数の第１の接続端子と、
前記絶縁層の前記一面上の前記実装領域内に形成される複数の第２の接続端子と、
前記絶縁層の前記一面上の前記複数の第１の接続端子と前記複数の第２の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、
前記絶縁層の前記一面上の前記複数の導体線路を含む領域と反対側の前記絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、
隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下であり、
前記増幅器は、前記絶縁層の前記実装領域に実装され、
前記増幅器の前記複数の端子部は前記複数の第２の接続端子に接続され、
前記磁気ヘッドは、前記回路付きサスペンション基板を介して前記複数の第１の接続端子に電気的に接続されることを特徴とする磁気ヘッド駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびそれを備えた磁気ヘッド駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
アクチュエータには、屈曲可能なフレキシブル配線回路基板（以下、配線回路基板と呼ぶ）が取り付けられる。配線回路基板は、例えばベース絶縁層上に所定の配線パターンが形成された構成を有する（例えば特許文献１参照）。配線回路基板上には、プリアンプ等のＩＣ（集積回路）素子が実装される。サスペンション基板の配線パターンは、配線回路基板の配線パターンに電気的に接続される。他の電子回路と磁気ヘッドとの間では、配線回路基板上のＩＣ素子およびサスペンション基板を介して電気信号が伝送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−００４０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、配線回路基板に実装されるプリアンプ等のＩＣ素子は１００Ω程度の差動出力インピーダンスを有する。近年では、磁気ディスクの記録密度の向上およびＰＭＲ（垂直磁気記録）方式の導入等により、書込み時においても、大きな電流が必要とされる。この場合、ＩＣ素子の消費電力が増大する。そこで、消費電力を低減できるＩＣ素子の開発が進められている。それに伴って、ＩＣ素子が実装される配線回路基板においても、ＩＣ素子駆動時の消費電力の低下が求められる。
【０００６】
本発明の目的は、実装された回路素子の駆動時における消費電力を低減することができる配線回路基板およびそれを備えた磁気ヘッド駆動装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、回路素子が実装されるとともに外部回路に接続される配線回路基板であって、一面上に回路素子の実装のための実装領域を有する第１の絶縁層と、第１の絶縁層の一面上の実装領域を除く領域に形成され、外部回路に接続可能な複数の第１の接続端子と、第１の絶縁層の一面上の実装領域内に形成され、回路素子の複数の端子部にそれぞれ接続可能な複数の第２の接続端子と、第１の絶縁層の一面上の複数の第１の接続端子と複数の第２の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、第１の絶縁層の一面上の複数の導体線路を含む領域と反対側の第１の絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下であるものである。
【０００８】
本発明に係る配線回路基板においては、伝送線路対の差動インピーダンスは１０Ω以上に設定される。それにより、伝送線路対の容量成分を低く抑えることができるので、伝送線路対により伝送される高周波信号の遅延を低減することができる。また、伝送線路対の差動インピーダンスは５０Ω以下に設定される。それにより、配線回路基板での消費電力を低減することができる。
【０００９】
本発明に係る配線回路基板においては、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定される。それにより、第１または第２の接続端子に導体線または端子部を熱により接続する際に、導体線路からの放熱により接続が困難になることを防止することができる。
【００１０】
本発明に係る配線回路基板においては、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定される。それにより、イオンマイグレーションによる導体線路間の絶縁抵抗の低下が防止される。
【００１１】
したがって、第１の絶縁層の厚みを適切に選択することにより、伝送線路対の差動インピーダンスを１０Ω以上５０Ω以下にすることができる。
【００１２】
これらの結果、導体線路間の絶縁信頼性を確保しつつ伝送線路対の差動インピーダンスを低減することができる。
【００１３】
（２）第１の絶縁層の厚みが４μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。この場合、第１の絶縁層の耐久性および柔軟性を確保しつつ、伝送線路対の差動インピーダンスを十分に低減することができる。
【００１４】
（３）配線回路基板は、導電層の一面に設けられる金属板をさらに備えてもよい。
【００１５】
この場合、第１の絶縁層のさらなる耐久性を確保しつつ、伝送線路対の差動インピーダンスを十分に低減することができる。
【００１６】
（４）配線回路基板は、複数の導体線路を覆うように第１の絶縁層の一面に形成された第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００１７】
この場合、導体線路の耐食性を確保しつつ、伝送線路対の差動インピーダンスを十分に低減することができる。
【００１８】
（５）第１の絶縁層はポリイミドにより形成されてもよい。この場合、第１の絶縁層の十分な可撓性を確保しつつ、伝送線路対の差動インピーダンスを十分に低減することができる。
【００１９】
（６）第２の発明に係る磁気ヘッド駆動装置は、配線回路基板と、複数の端子部を有する増幅器と、回路付きサスペンション基板と、回路付きサスペンション基板に設けられる磁気ヘッドとを備え、配線回路基板は、一面上に実装領域を有する絶縁層と、絶縁層の一面上の実装領域を除く領域に形成され、回路付きサスペンション基板に接続可能な複数の第１の接続端子と、絶縁層の一面上の実装領域内に形成される複数の第２の接続端子と、絶縁層の一面上の複数の第１の接続端子と複数の第２の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、絶縁層の一面上の複数の導体線路を含む領域と反対側の絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下で、増幅器は、絶縁層の実装領域に実装され、増幅器の複数の端子部は複数の第２の接続端子に接続され、磁気ヘッドは、回路付きサスペンション基板を介して複数の第１の接続端子に電気的に接続されるものである。
【００２０】
本発明に係る磁気ヘッド駆動装置においては、配線回路基板上の複数の第１の接続端子と第２の接続端子との間に間にそれぞれ延びるように複数の導体線路が形成される。配線回路基板の実装領域に増幅器が実装され、増幅器の複数の端子部が複数の第２の接続端子にそれぞれ接続される。また、磁気ヘッドが回路付きサスペンション基板に設けられ、回路付きサスペンション基板を介して配線回路の複数の第１の接続端子に接続される。
【００２１】
それにより、増幅器に入力される磁気ディスクへの書込み信号は、増幅器によって増幅され、第２の接続端子、導体線路、第１の接続端子および回路付きサスペンション基板を経て磁気ヘッドに与えられる。また、磁気ヘッドから出力される磁気ディスクからの読取り信号は、回路付きサスペンション基板、第１の接続端子、導体線路および第２の接続端子を経て増幅器に与えられ、増幅器により増幅される。このようにして、増幅器と磁気ヘッドとの間で書込み信号および読取り信号が伝送される。
【００２２】
配線回路基板においては、伝送線路対の差動インピーダンスは１０Ω以上に設定される。それにより、伝送線路対の容量成分を低く抑えることができるので、伝送線路対により伝送される高周波信号の遅延を低減することができる。また、伝送線路対の差動インピーダンスは５０Ω以下に設定される。それにより、配線回路基板での消費電力を低減することができる。
【００２３】
配線回路基板においては、各導体線路の幅が２５０μｍ以下に設定される。それにより、第１または第２の接続端子に導体線または端子部を熱により接続する際に、導体線路からの放熱により接続が困難になることを防止することができる。
【００２４】
配線回路基板においては、隣り合う導体線路の間隔が８μｍ以上に設定される。それにより、イオンマイグレーションによる導体線路間の絶縁抵抗の低下が防止される。
【００２５】
したがって、絶縁層の厚みを適切に選択することにより、伝送線路対の差動インピーダンスを１０Ω以上５０Ω以下にすることができる。
【００２６】
これらの結果、導体線路間の絶縁信頼性を確保しつつ配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスを低減することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、実装された回路素子の駆動時における消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施の形態に係る磁気ヘッド駆動装置の概略構成を示す模式的平面図である。
【図２】配線回路基板のアーム固定領域の模式的平面図である。
【図３】図２の配線回路基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２の配線回路基板のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】変形例の配線回路基板の模式的断面図である。
【図６】実施例１〜８および比較例１〜４の配線回路基板の模式的平面図および模式的断面図である。
【図７】比較例５の配線回路基板の模式的平面図および模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板および磁気ヘッド駆動装置について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する磁気ヘッド駆動装置は、ハードディスクドライブ装置内のアクチュエータに設けられる。
【００３０】
（１）実施の形態
（１−１）磁気ヘッド駆動装置の概要
図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッド駆動装置の概略構成を示す模式的平面図である。図１に示すように、磁気ヘッド駆動装置１００は、複数の回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と呼ぶ）１、およびフレキシブル配線回路基板（以下、配線回路基板と呼ぶ）２を備える。複数のサスペンション基板１および配線回路基板２は、図示しないアクチュエータのアームにそれぞれ取り付けられる。
【００３１】
各サスペンション基板１の一端部に磁気ヘッド３が取り付けられる。後述のように、各サスペンション基板１には、読取用配線パターンおよび書込用配線パターンが形成される。磁気ヘッド３は、読取用配線パターンおよび書込用配線パターンに電気的に接続される。
【００３２】
配線回路基板２は、アーム固定領域Ｒ１、屈曲領域Ｒ２および接続領域Ｒ３を有する。配線回路基板２は、屈曲領域Ｒ２において屈曲される。その状態で、アーム固定領域Ｒ１がアクチュエータのアームに固定され、接続領域Ｒ３がハードディスク装置内の図示しない他の電子回路に接続される。
【００３３】
アーム固定領域Ｒ１には、複数の接続パッド２１ａが設けられる。複数のサスペンション基板１の読取用配線パターンおよび書込用配線パターンは、複数の接続線Ｔを介して複数の接続パッド２１ａにそれぞれ電気的に接続される。
【００３４】
アーム固定領域Ｒ１上において、複数の接続パッド２１ａからそれぞれ延びるように、複数の配線パターンＤ１が形成される。複数の配線パターンＤ１の他端部には接続パッド２１ｂがそれぞれ形成される。また、アーム固定領域Ｒ１から屈曲領域Ｒ２を通って接続領域Ｒ３に延びるように、複数の配線パターンＤ２が形成される。複数の配線パターンＤ２の一端部には接続パッド２３ａがそれぞれ形成される。接続パッド２１ｂ，２３ａと電気的に接続されるように、アーム固定領域Ｒ１上にプリアンプ２２が実装される。
【００３５】
接続領域Ｒ３における複数の配線パターンＤ２の他端部には、複数の接続パッド２３ｂがそれぞれ形成される。複数の接続パッド２３ｂは、ハードディスク装置内の図示しない他の電子回路に接続される。
【００３６】
図示しない磁気ディスクへの書込み情報を表す書込み信号が、接続パッド２３ｂおよび配線パターンＤ２を介してプリアンプ２２に入力される。プリアンプ２２は、入力された書込み信号を増幅して出力する。プリアンプ２２から出力された書込み信号が、配線パターンＤ１、接続線Ｔおよびサスペンション基板１の書込用配線パターンを介して磁気ヘッド３に与えられる。
【００３７】
また、磁気ディスクからの読取り情報を表す読取り信号が、磁気ヘッド３からサスペンション基板１の読取用配線パターン、接続線Ｔおよび配線パターンＤ１を介してプリアンプ２２に入力される。プリアンプ２２は、入力された読取り信号を増幅して出力する。プリアンプ２２から出力された読取り信号が、配線パターンＤ２および接続パッド２３ｂを介して図示しない他の電子回路に伝送される。
【００３８】
（１−２）配線回路基板
（１−２−１）配線回路基板の構成
配線回路基板２の構成について説明する。図２は配線回路基板２のアーム固定領域Ｒ１の模式的平面図である。また、図３および図４はそれぞれ図２の配線回路基板２のＡ−Ａ線断面図およびＢ−Ｂ線断面図である。
【００３９】
図２に示すように、複数の接続パッド２１ａはアーム固定領域Ｒ１の一辺に沿って配置される。複数の接続線Ｔ（図１参照）は、対応する複数の接続パッド２１ａにそれぞれ電気的に接続される。アーム固定領域Ｒ１には、プリアンプ実装領域Ｒ１ａが設けられる。複数の接続パッド２１ｂおよび複数の接続パッド２３ａは、プリアンプ実装領域Ｒ１ａの対向する２辺に沿うようにプリアンプ実装領域Ｒ１ａ内にそれぞれ配置される。複数の配線パターンＤ１は、複数の接続パッド２１ａと複数の接続パッド２１ｂとの間に延びている。隣接する配線パターンＤ１は間隔ｄをおいて配置され、各配線パターンＤ１は幅ｗを有する。
【００４０】
図２〜４に示すように、配線回路基板２はポリイミドからなるベース絶縁層２５を有し、ベース絶縁層２５上に銅からなる配線パターンＤ１が等間隔に形成されるとともに、配線パターンＤ２が等間隔で形成される。複数の接続パッド２１ａの領域およびプリアンプ実装領域Ｒ１ａを除いて配線パターンＤ１，Ｄ２を覆うように、ベース絶縁層２５上にポリイミドからなるカバー絶縁層２６が形成される。さらに、ベース絶縁層２５の裏面には、金属層２４が設けられる。金属層２４は、複数の接続パッド２１ａ、複数の配線パターンＤ１、複数の接続パッド２１ｂおよび複数の接続パッド２３ａを含む領域に対応するベース絶縁層２５の裏面の領域に形成される。
【００４１】
プリアンプ実装領域Ｒ１ａ内で露出する複数の接続パッド２１ｂおよび複数の接続パッド２３ａに、プリアンプ２２の複数の端子部３０が例えば半田バンプにより接続される。
【００４２】
隣り合う各２本の配線パターンＤ１が差動の書込み信号および読取り信号を伝送する伝送線路対を構成する。各対の配線パターンＤ１の差動インピーダンスは１０Ω以上５０Ω以下に設定される。
【００４３】
（１−２−２）構成要素の寸法
配線パターンＤ１の幅ｗは２５０μｍ以下である。隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄは８μｍ以上であり、１０μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、ベース絶縁層２５の厚みｔは４μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。さらに、カバー絶縁層２６の厚みは７μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
（１−２−３）上記寸法の理由
（ａ）配線パターンの幅
配線パターンＤ１の幅ｗが２５０μｍを超えると、配線パターンＤ１の放熱効果が高くなる。そのため、プリアンプ２２の端子部３０を配線回路基板２上の接続部２１ｂに半田バンプ等により接続することが困難になる。したがって、配線パターンＤ１の幅ｗは２５０μｍ以下に設定される。
【００４５】
（ｂ）複数の配線パターンの間隔
隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが８μｍ未満であると、隣り合う配線パターンＤ１間でイオンマイグレーションによる絶縁抵抗の低下が発生する。したがって、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄは８μｍ以上に設定される。
【００４６】
（ｃ）ベース絶縁層の厚み
ベース絶縁層２５の厚みｔが４μｍ未満であると、十分な耐久性を得ることが難しい。一方、ベース絶縁層２５の厚みｔが３０μｍを超えると、十分な柔軟性を得ることが難しい。したがって、ベース絶縁層２５の厚みｔは４μｍ以上３０μｍ以下に設定されることが好ましい。
【００４７】
（ｄ）カバー絶縁層の厚み
カバー絶縁層２６の厚みが７μｍ未満であると、配線パターンＤ１を腐食から保護するための機能が低下する。一方、カバー絶縁層２６の厚みが５０μｍを超えると、伝送線路対の差動インピーダンスが大きくなる。したがって、カバー絶縁層２６の厚みは７μｍ以上５０μｍ以下に設定されることが好ましい。
【００４８】
（１−３）実施の形態の効果
本実施の形態に係る配線回路基板２においては、各配線パターンＤ１の幅ｗが２５０μｍ以下に設定されるとともに、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが８μｍ以上に設定される。また、ベース絶縁層２５の厚みｔを４μｍ以上３０μｍ以下の範囲で選択することにより、隣り合う配線パターンＤ１により構成される伝送線路対の差動インピーダンスが１０Ω以上５０Ω以下に設定される。
【００４９】
それにより、配線パターンＤ１間の絶縁信頼性ならびにベース絶縁層２５の耐久性および柔軟性を確保しつつ、実装されたプリアンプ２２の動作時における伝送線路対の消費電力を十分に低減することができる。
【００５０】
（２）変形例
次に、本発明の変形例について説明する。図５は変形例の配線回路基板の模式的断面図である。図５は図２のＡ−Ａ線断面と同じ断面を示している。図５に示すように、ベース絶縁層２５に設けられた金属層２４の裏面に、接着剤２８を介して金属補強板２７が設けられる。なお、ベース絶縁層２５と金属層２４との間に接着剤を設けてもよい。
【００５１】
（３）他の実施の形態
配線回路基板２のベース絶縁層２５およびカバー絶縁層２６の材料として、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよく、配線パターンＤ１，Ｄ２および金属層２４の材料として、銅に代えて金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００５２】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００５３】
上記実施の形態においては、プリアンプ２２が回路素子または増幅器の例であり、サスペンション基板１が外部回路または回路付きサスペンション基板の例であり、プリアンプ実装領域Ｒ１ａが実装領域の例であり、ベース絶縁層２５が第１の絶縁層または絶縁層の例であり、カバー絶縁層２６が第２の絶縁層の例であり、接続パッド２１ａが第１の接続端子の例であり、接続パッド２１ｂが第２の接続端子の例であり、配線パターンＤ１が導体線路の例であり、金属層２４が導電層の例であり、金属補強板２７が金属板の例である。
【００５４】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００５５】
（５）実施例
（５−１）実施例および比較例の配線回路基板
以下の実施例１〜８および比較例１〜４では、上記実施の形態に基づいて図６に示す配線回路基板を作製した。図６（ａ）は実施例１〜８および比較例１〜４の配線回路基板の模式的平面図であり、図６（ｂ）は実施例１〜８および比較例１〜４の配線回路基板の模式的断面図である。なお、図６（ｂ）においては、配線パターンＤ１および配線パターンＤ２に沿う縦断面を示している。
【００５６】
図６の配線回路基板では、ベース絶縁層２５上に複数の配線パターンＤ１が平行かつ等間隔に形成されるとともに、複数の配線パターンＤ２が平行かつ等間隔に形成される。プリアンプ実装領域Ｒ１ａ、接続パッド２１ａの領域および接続パッド２３ｂの領域を除いて配線パターンＤ１，Ｄ２を覆うようにカバー絶縁層２６がベース絶縁層２５上に形成される。ベース絶縁層２５の裏面には金属層２４が形成される。さらに、金属層２４の面のうち、ベース絶縁層２５が接する面とは反対側の面には、接着剤２８を介して金属補強板２７が設けられる。
【００５７】
比較例５では、図７に示す配線回路基板を作製した。図７（ａ）は比較例５の配線回路基板の模式的平面図であり、図７（ｂ）は比較例５の配線回路基板の模式的断面図である。図７の配線回路基板は、ベース絶縁層２５の裏面に金属層２４が形成されていない点を除いて図６の配線回路基板と同じ構造を有する。
【００５８】
（５−２）伝送線路対の差動インピーダンスに関して
実施例１〜６および比較例１〜３では、配線パターンＤ１の幅ｗ、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄおよびベース絶縁層２５の厚みｔを調整することにより、異なる差動インピーダンスを有する配線回路基板を作製した。
【００５９】
実施例１の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが２５０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが８μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが６μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６０】
実施例２の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが１００μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが１０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが５μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６１】
実施例３の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが１５０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが１０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１２．５μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６２】
実施例４の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが１５０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが１５μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１６μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６３】
実施例５の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが９０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが１０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１２．５μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６４】
実施例６の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが６０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが２０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１６μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６５】
比較例１の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが２５０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが８μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが３μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６６】
比較例２の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが６０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが３０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１６μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６７】
比較例３の配線回路基板においては、配線パターンＤ１の幅ｗが５０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが５０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔが１２．５μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。
【００６８】
実施例１〜６および比較例１〜３の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスをＴＤＲ（時間領域反射率測定）法により測定した。差動インピーダンスの測定結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2010263031.tif 000003
【００７０】
表１に示すように、実施例１〜６の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスはそれぞれ１０Ω、２０Ω、２５Ω、３０Ω、３５Ωおよび５０Ωであった。一方、比較例１〜３の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスはそれぞれ５Ω、５５Ωおよび８０Ωであった。
【００７１】
上記実施例１〜６および比較例１〜３の結果から、配線パターンＤ１の幅ｗ、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄおよびベース絶縁層２５の厚みｔを適切に選ぶことによって、配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスを１０Ω以上５０Ω以下に設定できることわかる。
【００７２】
（５−３）配線パターンの間隔に関して
実施例７および比較例４では、隣り合う配線パターンＤ１の幅ｗがそれぞれ異なる配線回路基板を作製した。実施例７においては、隣り合う配線パターンＤ１の幅ｗは８μｍである。一方、比較例４においては、隣り合う配線パターンＤ１の幅ｗは５μｍである。
【００７３】
実施例７および比較例４の配線回路基板について、８５℃で８５％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気下で、隣り合う配線パターンＤ１間に６０Ｖの直流電圧を印加することによって配線パターンＤ１間のイオンマイグレーション試験を行った。イオンマイグレーション試験の結果を表２に示す。
【００７４】
【表２】
2010263031.tif 000004
【００７５】
表２に示すように、実施例７の配線回路基板においては、直流電圧の印加時間が１０００時間を超えても配線パターンＤ１間の絶縁抵抗は低下しなかった。一方、比較例４の配線回路基板においては、直流電圧の印加時間が８００時間を経過した時点で配線パターンＤ１間の絶縁抵抗が低下し、配線パターンＤ１間に短絡が発生した。
【００７６】
上記実施例７および比較例４の結果から、配線回路基板の配線パターンＤ１の間隔が８μｍよりも小さい場合、配線パターンＤ１間の絶縁抵抗が低下する可能性があることが明らかになった。
【００７７】
（５−４）金属層の効果に関して
実施例８および比較例５では、金属層２４を有する図６の配線回路基板および金属層２４を有しない図７の配線回路基板を作製した。実施例８および比較例５においては、配線パターンＤ１の幅ｗが９０μｍであり、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄが１０μｍであり、ベース絶縁層２５の厚みｔは１２．５μｍであり、配線パターンＤ１の厚みが１５μｍである。また、図６の配線回路基板については、金属層２４の面のうち、ベース絶縁層２５が接する面とは反対側の面に、厚み２５μｍの接着剤２８を介して厚み５００μｍの金属補強板２７が設けられる。さらに、図７の配線回路基板については、ベース絶縁層２５の他面の一部に厚み２５μｍの接着剤２８を介して厚み５００μｍの金属補強板２７が設けられる。
【００７８】
実施例８および比較例５の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスをＴＤＲ法により測定した。測定された差動インピーダンスの測定結果を表３に示す。
【００７９】
【表３】
2010263031.tif 000005
【００８０】
表３に示すように、実施例８の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスは３１Ωであった。一方、比較例５の配線回路基板の伝送線路対の差動インピーダンスは５３Ωであった。
【００８１】
上記実施例８および比較例５の結果から、ベース絶縁層２５を挟んで配線パターンＤ１の裏側に金属層２４を設けることによって、伝送線路対の差動インピーダンスを５０Ω以下に低減できることが明らかになった。
【００８２】
以上の実施例１〜８および比較例１〜５の結果から、配線パターンＤ１の幅ｗを２５０μｍ以下に設定するとともに、隣り合う配線パターンＤ１の間隔ｄを８μｍ以上に設定し、ベース絶縁層２５の厚みｔを調整し、ベース絶縁層２５を挟んで配線パターンＤ１の裏側に金属層２４を設けることにより、伝送線路対の差動インピーダンスを５０Ω以下に低減でき、かつ配線パターンＤ１間の絶縁信頼性を確保できることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、磁気ディスク等の記録媒体を備えた種々の電気機器に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００８４】
１  サスペンション基板
２  配線回路基板
３  磁気ヘッド
２１ａ，２１ｂ  接続パッド
２２  プリアンプ
２４  金属層
２５  ベース絶縁層
２６  カバー絶縁層
２７  金属補強板
Ｄ１  配線パターン
Ｒ１ａ  プリアンプ実装領域
【図１】
2010263031.tif 000006
【図２】
2010263031.tif 000007
【図３】
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【図４】
2010263031.tif 000009
【図５】
2010263031.tif 000010
【図６】
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【図７】
2010263031.tif 000012