(57)【要約】【課題】効率的なＥＧＡサンプルマークの計測条件の最適化を実現する。【解決手段】  エンハンスト・グローバル・アラインメント（ＥＧＡ）で用いられるサンプルマークの計測条件のうち、マークの画像信号の取り込みのために重要な照明条件が最初に最適化され（ステップ２０６）、その最適化された照明条件の下において、他の計測条件の最適化が行われる（ステップ２０８）。これにより、最適化のやり直しの発生頻度を抑制することが可能になる。【選択図】図２
2010040632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の区画領域にパターンを重ね合わせて形成するために行われる、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算にその計測情報が用いられる、前記複数の区画領域の少なくとも一部のサンプル区画領域に付設されたサンプルマークの計測条件を最適化する計測条件最適化方法であって、
前記基板上の各区画領域に付設された前記サンプルマークの検出に用いられる画像処理方式のマーク検出系の前記サンプルマーク検出時の照明条件を最適化する第１工程と；
前記照明条件の最適化の後、その最適化された照明条件の下における、前記照明条件以外の計測条件の最適化を行う第２工程と；を含む計測条件最適化方法。
【請求項２】
前記第１、第２工程で確定した全ての条件で前記サンプルマークの位置情報を前記マーク検出系を用いて順次検出するサンプルマーク計測を行い、該計測が、前記第１、第２工程の処理の結果確定した１以上の条件について成功したか否かを判断する第３工程と；
前記第３工程で前記サンプルマーク計測に成功したと判断した条件について所定の評価基準に従って評価を行い、最適条件を決定する第４工程と；をさらに含む請求項１に記載の計測条件最適化方法。
【請求項３】
前記第３工程での判断の結果、前記第１、第２工程の処理の結果確定したいずれの条件についても、前記サンプルマーク計測に失敗した場合に、再度のサンプルマーク計測の開始に先立って、前記マーク検出系による前記サンプルマークの検出時の取り込み画面数が増加するように設定を変更する第５工程をさらに含む請求項２に記載の計測条件最適化方法。
【請求項４】
前記第４工程では、モードの設定に応じ、
前記サンプルマークの位置情報を用いて算出された前記サンプルマーク各々の設計位置からの誤差の総和を最小とする前記モデル関数で補正された後の前記サンプルマーク各々の補正位置からの誤差であるランダム誤差成分の、値の小ささと前記基板の移動位置を規定する静止座標系の両座標軸間の差の小ささとを両立させる決定、又は、軸によらずランダム誤差成分の最小値を含むものを優先する決定を行う請求項２又は３に記載の計測条件最適化方法。
【請求項５】
前記第４工程では、さらに、最上位の複数条件で前記ランダム誤差成分の前記両座標軸の数値が全て一致するか否かを判断し、一致する場合に、前記モデル関数のパラメータのうちから予め定めた判定対象の再現性のうち最大のものを評価値とする決定を行う請求項４に記載の計測条件最適化方法。
【請求項６】
前記第４工程では、さらに、最上位の条件の評価値が、所定の許容値内にあるか否かを確認する請求項４又は５に記載の計測条件最適化方法。
【請求項７】
前記照明条件以外の計測条件は、前記マーク検出系のフォーカスオフセットを含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の計測条件最適化方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の計測条件最適化方法によって決定された最適条件を、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算を含む一連の計測の処理手順を規定するプログラム中の対応する条件として決定する工程を含む、プログラムの作成方法。
【請求項９】
基板上の複数の区画領域にパターンを重ね合わせて形成する露光装置であって、
前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算にその計測情報が用いられる、前記複数の区画領域の少なくとも一部のサンプル区画領域に付設されたサンプルマークを含むマークを検出対象とし、少なくとも照明条件の変更が可能な画像処理方式のマーク検出系と；
前記マーク検出系の前記サンプルマーク検出時の照明条件を最適化し、その最適化された照明条件の下における、前記照明条件以外の計測条件の最適化を行う最適化装置と；を備える露光装置。
【請求項１０】
前記最適化装置による処理の結果確定した全ての条件で前記基板上の前記サンプルマークの位置情報を前記マーク検出系を用いて順次検出するサンプルマーク計測を行い、該サンプルマーク計測が、前記確定した１以上の条件について成功したか否かを判断する判断装置と；
判断装置が前記サンプルマーク計測に成功したと判断した条件について所定の評価基準に従って評価を行い、最適条件を決定する評価・決定装置と；をさらに備える請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記判断装置での判断の結果、前記最適化装置による処理の結果確定したいずれの条件についても、前記サンプルマーク計測に失敗した場合に、再度のサンプルマーク計測の開始に先立って、前記マーク検出による前記サンプルマークの検出時の取り込み画面数が増加するように設定を変更するエラー処理装置をさらに備える請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記評価・決定装置は、モードの設定に応じ、前記サンプルマークの位置情報を用いて算出された前記サンプルマーク各々の設計位置からの誤差の総和を最小とする前記モデル関数で補正された後の前記サンプルマーク各々の補正位置からの誤差であるランダム誤差成分の、値の小ささと前記基板の移動位置を規定する静止座標系の両座標軸間の差の小ささとを両立させる決定、又は、軸によらずランダム誤差成分の最小値を含むものを優先する決定を行う請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記評価・決定装置は、さらに、最上位の複数条件で前記ランダム誤差成分の前記両座標軸の数値が全て一致するか否かを判断し、一致する場合に、前記モデル関数のパラメータのうちから予め定めた判定対象の再現性のうち最大のものを評価値とする決定を行う請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記評価・決定装置は、さらに、最上位の条件の評価値が、所定の許容値内にあるか否かを確認する請求項１２又は１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
評価・決定装置によって決定された最適条件を、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算を含む一連の計測の処理手順を規定するプログラム中の対応する条件として決定することで、前記プログラムを作成する請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計測条件最適化方法及びプログラムの作成方法、並びに露光装置に係り、特に、基板上の複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算にその計測情報が用いられる、複数の区画領域の少なくとも一部のサンプル区画領域に付設されたサンプルマークの計測条件を最適化する計測条件最適化方法及び該方法を利用するプログラムの作成方法、並びに前記計測条件最適化方法の実施に好適な露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイス（電子デバイスなど）の製造におけるリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが比較的多く用いられている。
【０００３】
例えば半導体素子は、感応基板としてのウエハ上に多数層の回路パターンを重ねて形成されるので、２層目以降の回路パターンをウエハ上に形成する際には、ウエハ上の既に回路パターンが形成された各ショット領域とレチクルのパターン像との位置合わせ、すなわちウエハとレチクルとの位置合わせ（アライメント）を精確に行う必要がある。従来のステッパ等におけるウエハの位置合わせ方法は、概略次のようなものである（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
すなわち、被処理基板となるウエハ上の予め設定された配列座標に基づいて規則的に配列された多数のショット領域上には、それぞれ位置合わせ用のマーク（アライメントマーク）を含むチップパターンが形成されている。このとき、ウエハ上から選択された複数のショット領域について実測して得られた配列座標値（ＦＭXn，ＦＭYn）と、対応するショット領域について、設計上の配列座標値を含む所定のモデル式に基づいて求めた計算上の配列座標値（ＦXn，ＦYn）との平均的な偏差が最小になるように、最小自乗法を用いてモデル式中のパラメータを決定する。そして、従来は、その決定されたパラメータと設計上の配列座標値（ＤXn，ＤYn）とに基づいて、モデル式を用いて実際に位置合わせすべき位置の計算上の配列座標値（ＦXn，ＦYn）を算出し、その算出された座標値をもとにウエハの各ショット領域を位置決めしていた。このようなウエハのアライメント方法は、ＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・アライメント）と呼ばれる。
【０００５】
また、ウエハの各ショット領域上の回路パターン（チップパターン）の残存回転誤差θ、ウエハ上の座標系（チップパターン）の直交度誤差ｗ、チップパターンの直交する２方向への線形伸縮ｒｘ，ｒｙなどをも考慮する必要がある場合には、各ショット領域内に複数のアライメントマークを形成し、これらのアライメントマークの設計上の位置情報を含むモデル式を用いて、上記と同様の統計演算を行う、いわゆるショット内多点ＥＧＡが、ＥＧＡに代えて、用いられる（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
ＥＧＡ等を行う場合、アライメントマークの位置情報を正確に計測することが重要であり、そのためには、アライメントマークを検出するためのマーク検出系（ウエハアライメント系）のマーク検出時の計測条件を、最適化する必要がある。従来は、ウエハアライメントの処理手順を規定するプロセスプログラムファイル（以下、レシピファイルとも呼ぶ）の作成の際に、技術者によって、計測条件の最適化が行われていた。
【０００７】
しかしながら、最近の露光装置では要求されるアライメント精度が厳しくなり、これに伴って、アライメントマークの種類、大きさなどが多様化し、プロセスプログラムファイルの作成時に技術者が計測条件の最適化を行うことの負担が大きくなり、また、計測条件の最適化そのものを行うことも困難になりつつある。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第４，７８０，６１７号明細書
【特許文献２】特開平６-２７５４９６号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、基板上に形成された複数の区画領域にパターンを重ね合わせて形成するために行われる、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算にその計測情報が用いられる、前記複数の区画領域の少なくとも一部のサンプル区画領域に付設されたサンプルマークの計測条件を最適化する計測条件最適化方法であって、前記基板上の各区画領域に付設された前記サンプルマークの検出に用いられる画像処理方式のマーク検出系の前記サンプルマーク検出時の照明条件を最適化する第１工程と；前記照明条件の最適化の後、その最適化された照明条件の下における、前記照明条件以外の計測条件の最適化を行う第２工程と；を含む計測条件最適化方法が提供される。
【００１０】
これによれば、サンプルマークの計測条件のうち、サンプルマークの画像信号の取り込みのために重要な照明条件が最初に最適化され、その最適化された照明条件の下において、他の計測条件の最適化が行われる。これにより、最適化のやり直しの発生頻度を抑制することが可能になる。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、本発明の計測条件最適化方法によって決定された最適条件を、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算を含む一連の計測の処理手順を規定するプログラム中の対応する条件として決定する工程を含む、プログラムの作成方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、基板上の複数の区画領域にパターンを重ね合わせて形成する露光装置であって、前記複数の区画領域の配列座標を算出するための所定のモデル関数を用いた統計演算にその計測情報が用いられる、前記複数の区画領域の少なくとも一部のサンプル区画領域に付設されたサンプルマークを含むマークを検出対象とし、少なくとも照明条件の変更が可能な画像処理方式のマーク検出系と；前記マーク検出系の前記サンプルマーク検出時の照明条件を最適化し、その最適化された照明条件の下における、前記照明条件以外の計測条件の最適化を行う最適化装置と；を備える露光装置が提供される。
【００１３】
これによれば、最適化装置により、サンプルマークの計測条件のうち、サンプルマークの画像信号の取り込みのために重要な照明条件が最初に最適化され、その最適化された照明条件の下において、他の計測条件の最適化が行われる。これにより、最適化のやり直しの発生頻度を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１には、本発明の最適化条件決定方法を好適に実施可能な一実施形態に係る露光装置１００の概略的な構成が示されている。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））である。
【００１５】
露光装置１００は、照明系ＩＯＰ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応剤（レジスト）が塗布されたウエハＷ上に投影する投影ユニットＰＵ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を移動するウエハステージＷＳＴ、ウエハステージＷＳＴを駆動する駆動系２２、及びこれらの制御系等を備えている。制御系は装置全体を統括制御するマイクロコンピュータ（あるいはワークステーション）などを含む主制御装置２８を中心として構成されている。
【００１６】
照明系ＩＯＰは、例えばＡｒＦエキシマレーザ（出力波長１９３ｎｍ）（又はＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）など）から成る光源、及び該光源に送光光学系を介して接続された照明光学系を含む。照明光学系としては、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、レチクルブラインド等（いずれも不図示）を含み、光源から射出されたレーザビームを整形し、この整形されたレーザビーム（以下、照明光ともいう）ＩＬにより、レチクルＲ上でＸ軸方向（図１における紙面直交方向）に細長く伸びるスリット状の照明領域をほぼ均一な照度で照明する。
【００１７】
レチクルステージＲＳＴは、照明系ＩＯＰの図１における下方に配置されている。レチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲが載置されている。レチクルＲは、不図示のバキュームチャック等を介してレチクルステージＲＳＴに吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、不図示のレチクルステージ駆動系によって、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（ここでは図１の紙面内左右方向であるＹ軸方向とする）に所定ストローク範囲で走査される。レチクルステージＲＳＴの位置情報は、その端部に固定された移動鏡１２を介してレーザ干渉計１４によって計測され、レーザ干渉計１４の計測値が主制御装置２８に供給されている。なお、移動鏡１２に代えて、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡１２の反射面に相当）を形成しても良い。
【００１８】
投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置されている。投影ユニットＰＵは、鏡筒４０と、該鏡筒４０内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を含む投影光学系ＰＬとを含む。投影光学系ＰＬとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系であって、光軸ＡＸｐと平行な方向（Ｚ軸方向）に配列された複数枚のレンズエレメント（図示省略）を含む屈折光学系が用いられている。
【００１９】
投影光学系ＰＬの投影倍率は、一例として１／４とされている。このため、前述の如く照明光ＩＬによりレチクルＲが均一な照度で照明されると、その照明領域内のレチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬにより縮小されて、レジストが塗布されたウエハＷ上に投影され、ウエハＷ上の被露光領域（ショット領域）の一部にパターンの縮小像が形成される。このとき、投影光学系ＰＬはその視野内の一部（すなわち、露光エリアであって、投影光学系ＰＬに関して照明領域と共役な矩形領域）にその縮小像を形成する。
【００２０】
ウエハステージＷＳＴは、リニアモータ等を含む駆動系２２によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸方向、Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）、Ｙ軸回りの回転方向（θｙ方向）、及びＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に微小駆動される。ウエハステージＷＳＴ上に不図示のウエハホルダを介してウエハＷが真空吸着等によって保持されている。
【００２１】
ウエハステージＷＳＴの位置情報は、その端部に固定された移動鏡２４を介してレーザ干渉計システム(以下、「干渉計システム」と略述する)２６によって計測され、干渉計システム２６の計測値が主制御装置２８に供給されている。主制御装置２８は、干渉計システム２６の計測値に基づいて、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報（回転情報（ヨーイング量（θｚ方向の回転量θｚ）、ピッチング量（θｘ方向の回転量θｘ）、ローリング量（θｙ方向の回転量θｙ））を含む）を計測する。なお、ウエハステージＷＳＴの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡２４の反射面に相当）を形成しても良い。また、ウエハステージＷＳＴに代えて、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に移動する第１ステージと、該第１ステージ上でＺ軸方向、θｘ方向及びθｙ方向に微動する第２ステージとを備える、ステージを用いても良い。
【００２２】
干渉計システム２６の計測値は主制御装置２８に供給され、主制御装置２８は干渉計システム２６の計測値に基づいて駆動系２２を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置（θｚ方向の回転を含む）を制御する。
【００２３】
また、ウエハＷ表面のＺ軸方向の位置及び傾斜量は、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される送光系５０ａ及び受光系５０ｂを有する斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサＡＦＳによって計測される。このフォーカスセンサＡＦＳの計測値も主制御装置２８に供給されている。
【００２４】
また、ウエハステージＷＳＴ上には、その表面がウエハＷの表面と同じ高さになるような基準板ＦＰが固定されている。この基準板ＦＰの表面には、後述するアライメント検出系ＡＳのいわゆるベースライン計測等に用いられる基準マークなどが形成されている。
【００２５】
投影ユニットＰＵの鏡筒４０の側面に、ウエハＷに形成されたアライメントマーク及び上記基準マークを検出するアライメント検出系ＡＳが設けられている。このアライメント検出系ＡＳとしては、一例としてハロゲンランプ等のブロードバンド（広帯域）光でマークを照明し、このマーク画像を画像処理することによってマーク位置を計測する画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。
【００２６】
アライメント検出系ＡＳの検出信号は、アライメント制御装置１６に供給され、アライメント制御装置１６は、その検出信号をＡ／Ｄ変換し、このデジタル化された波形信号を演算処理してマーク位置を検出する。この結果は、アライメント制御装置１６から主制御装置２８に供給される。
【００２７】
アライメント検出系ＡＳとしては、本実施形態では、少なくとも照明条件の変更及びフォーカスオフセットの変更（又は切り換え）（すなわちアライメントオートフォーカス）が可能なものが用いられている。照明条件の変更は、照明帯域（照明光波長帯域）、照明絞り、及びＮＤフィルタ（ニュートラル・デンシティ・フィルタ）の少なくとも１つの切り換えを実行することで、行うことができるようになっている。照明光波長帯域としては、一例として、ブロード、グリーン、オレンジ、及びレッドの４つの照明帯域が設定可能であるものとする。また、照明絞りとして、少なくとも直径の異なる３つの円形絞りと輪帯絞りとが、切り換え設定可能に設けられているものとする。また、ＮＤフィルタを有する減光装置としては、例えば３段の回転板を有するものが用いられており、各回転板には透過率（減光率）の異なる複数のＮＤフィルタが設けられている。そして、減光装置によって、透過率が３、６、１０、１５、２０、３０、５０、１００の各％に切り換え設定可能である。なお、透過率１００％のＮＤフィルタとは、複数のＮＤフィルタが取り付けられたフィルタ板に形成された開口である。なお、照明条件及びフォーカスオフセットの変更は、主制御装置２８の指示に基づき、アライメント制御装置１６によって行われる。
【００２８】
さらに、本実施形態の露光装置１００では、図示は省略されているが、レチクルＲの上方に、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から成る一対のレチクルアライメント検出系が設けられ、該レチクルアライメント検出系の検出信号は、アライメント制御装置１６を介して主制御装置２８に供給される。
【００２９】
次に、上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置１００で、実際の露光に先立って行われる、アライメント時の最適化条件決定方法について、主制御装置２８（より正確には内部のＣＰＵ）の処理アルゴリズムを概略的に示す図２のフローチャートに沿って説明する。前提として、後述する最適化計測エラー処理が既に行われた否かを示すフラグＦは降ろされている（Ｆ＝０）ものとする。
【００３０】
まず、ステップ２０２において、不図示のウエハローダを用いてウエハステージＷＳＴ上に搭載された不図示のウエハホルダ上にウエハをロードする。ここでは、実際にデバイスの製造に用いられる、少なくとも１層のレチクルパターンの転写が行われ、その際に、サーチアライメントマークとファインアライメントマークとが形成されたウエハＷがウエハホルダ上にロードされる。ウエハＷ上の各ショット領域（正確にはその周囲のスクライブライン上）には、各１つのＸサーチアライメントマーク、Ｙサーチアライメントマークと、各２つのＸファインアライメントマーク（ＸＥＧＡマーク）、Ｙファインアライメントマーク（ＹＥＧＡマーク）とが、それぞれ形成されている。なお、ファインアライメントマーク（ＥＧＡマーク）として、２次元マークを用いる場合には、その２次元マークは、各ショット領域に２つあれば良い。サーチアライメントマーク、ファインアライメントマークとして、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に所定ピッチで形成されたライン・アンド・スペースパターン（マルチバーパターン）が用いられているものとする。また、サーチアライメントマーク、ファインアライメントマークの設計パラメータ（形状、数、及び位置等）、及びウエハの設計パラメータ（ウエハの大きさ及び区画領域のレイアウト等）は、予め定められており、計測条件の最適化処理に先立ってメモリ（不図示）に記憶されているものとする。
【００３１】
次のステップ２０４では、ウエハホルダ上にロードされたウエハのサーチアライメントを行う。具体的には、例えば、ウエハ中心に関してほぼ対称に周辺部に位置する２つのＹサーチアライメントマーク、及び１つのＸサーチアライメントマークをアライメント検出系ＡＳを用いて検出する。これらのサーチアライメントマークの検出は、それぞれのサーチアライメントマークがアライメント検出系ＡＳの検出視野内に位置するように、ウエハステージＷＳＴを順次位置決めしつつ行われる。そして、アライメント検出系ＡＳの検出結果（アライメント検出系ＡＳの指標中心と各サーチアライメントマークとの相対位置関係）と各サーチアライメントマーク検出時の干渉計システム２６の計測値とに基づいて３つのサーチアライメントマークのステージ座標系上の位置座標を求める。しかる後、３つのサーチアライメントマークの位置座標から、ウエハの中心ずれ、及び残留回転誤差を算出し、少なくとも残留回転誤差がほぼ零となるようにウエハステージＷＳＴ（又はウエハホルダ）を微小回転させる。これにより、ウエハのサーチアライメントが終了する。
【００３２】
サーチアライメントの終了後、ファインアライメント、ここでは、ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）の最適化計測を開始する。具体的には、ステップ２０６で、照明帯域毎にＮＤ最適化（照明条件の最適化）を行う。ここで、照明条件の最適化は、具体的には、次のようにして行われる。すなわち、主制御装置２８は、上記の４つの照明帯域の中から１つを与え、与えられた照明帯域にて、照度（ＮＤフィルタ）を変えつつ、アライメント検出系ＡＳを用いて、初期フォーカス位置(アライメントオートフォーカスの追い込み位置)でＥＧＡの第１サンプルマーク（先頭サンプルショット領域の第１マーク）を検出する。そして、主制御装置２８は、得られる撮像信号のコントラストが最大になる照度を見つけることによって、照度を最適化する（最適照度を決定する）。ここで、最適照度におけるコントラストが許容範囲内であれば、その最適化処理は成功、許容範囲外（最適照度が決まらなかった場合を含む）であれば失敗とする。その他の照明帯域に対して、同様に、照度を最適化する。なお、絞りについても、切り換えて、最適な照明条件を求めることとしても良いが、絞りは固定のままとしても良い。
【００３３】
次のステップ２０８では、ＮＤ最適化に成功した各照明条件（各照明帯域の最適ＮＤ条件）で、アライメントＡＦ（アライメントオートフォーカス）を行い、フォーカスオフセットを求める。
【００３４】
次のステップ２１０では、確定した全ての計測条件で、ウエハ上の全てのＥＧＡサンプルマークを計測する、ＥＧＡ計測を、１回ずつ実行する。
【００３５】
次のステップ２１２では、ステップ２１０の処理の結果、１条件以上、ＥＧＡ計測に成功する条件があったか否かを判断する。ここで、ＥＧＡ計測に成功するとは、予定数のＥＧＡサンプルマークの計測に計測エラーが含まれないことを意味する。
【００３６】
そして、１条件以上ＥＧＡ計測に成功する条件があれば、ステップ２１４の結果判定処理のサブルーチンに移行する。この結果判定処理のサブルーチンでは、ＥＧＡ計測に成功する条件が結果判定の対象となる。
【００３７】
一方、ＥＧＡ計測に成功する条件がない場合、すなわち全ての条件で何らかのエラーが発生する場合には、ステップ２１６に移行して、フラグＦが立っているか（Ｆ＝１）否かを判断する。この場合、フラグＦは降ろされている（Ｆ＝０である）ので、ステップ２２０の最適化計測エラー処理のサブルーチンに移行する。
【００３８】
最適化計測エラー処理のサブルーチンでは、まず、図４のステップ２２２で画面数（取り込み画面数）を１０画面に設定した後、ステップ２２４に進んでフラグＦを立てる（Ｆ←１）。しかる後、メインルーチンのステップ２１０に戻る。ここで、画面数は、通常２画面に設定されており、これを１０画面に増やすのは、エラーの発生原因として、信号コントラストが低すぎることが考えられ、この対策として画面数を増やすことが効果的だからである。なお、画面数を１０画面にするのは、信号強度の積算値を一例として５倍にするもので、これに限定されるものではなく、画面数の最適化を行うようにしても良い。
【００３９】
ステップ２１０では、前述したように、先に確定した全ての照明条件で、前述のＥＧＡ計測を、１回ずつ実行する。ただし、この場合の計測は、取り込み画面数が１０画面で行われる。
【００４０】
そして、ステップ２１２で、１条件以上、ＥＧＡ計測に成功する条件はあったか否かを判断し、ここでの判断が否定されると、ステップ２１６に移行する。ステップ２１６では、フラグＦ＝１であるか否かを判断するが、このときフラグＦ＝１であるから、ステップ２１６の判断は肯定され、ステップ２１８に移行して、座標及びマーク寸法の確認を促すメッセージを出力した後、ステップ２１９のアシスト処理（マニュアル・アシスト処理）に移行する。
【００４１】
アシスト処理では、「これ以上最適化処理が続行できない旨」を表示又は音声によりオペレータに通知し、「異常終了」、「続行」の選択画面を表示する。
【００４２】
異常終了が選択された場合、主制御装置２８は、最適結果を保存しない。また、続行が選択された場合、最適化の判定如何に関わらず，強制的に保存を行う。ただし、この場合は最適化結果内容として最適化に失敗している旨を記録できるようにし，実際のジョブ実行時又はレシピファイルの選択時などに警告が出せるようにする。
【００４３】
アシスト処理の後、本ルーチンの一連の処理を終了する。
【００４４】
なお、アシスト処理として、「レイアウト変更」の選択画面の表示を追加しても良い。この場合、オペレータは、このメッセージを見て、例えばＥＧＡショット・レイアウトを変更する。この場合、変更後のＥＧＡショット・レイアウトについて最適化動作をやり直すことができるようにしても良い。
【００４５】
一方、ステップ２１４の結果判定処理サブルーチンでは、まず、図３のステップ２２６で、標準モードが設定されているか否かを判断する。本実施形態では、「標準」と「最小値優先」の２つのモードが用意されており、オペレータは、これらのモードを、任意に選択できるようになっている。ここで、標準モードとは、後述するＥＧＡランダム３σの値の小ささと、Ｘ軸方向とＹ軸方向のＥＧＡランダム３σの差の絶対値の小ささとを両立させる判定を行うモードを意味し、最小値優先モードとは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に関わらずＥＧＡランダム３σの最小値を含むものを優先するモードを意味する。
【００４６】
ここで、標準モードが選択されている場合には、ステップ２２６の判断は肯定され、ステップ２２８に進む。ステップ２２８では、各条件のＸ軸、Ｙ軸方向のＥＧＡランダム３σの大きい方の値を評価値として、昇順で並べ替える（ソートする）。
【００４７】
ここで、ＥＧＡランダム３σについて、簡単に説明する。
【００４８】
本実施形態では、いわゆるショット内多点ＥＧＡによるウエハアライメントが行われるものとし、これを前提として、説明する。なお、ショット内多点ＥＧＡについては、例えば特開平６−２７５４９６号公報等に詳細に開示されている。
【００４９】
ショット内多点ＥＧＡでは、一例として次式（１）で表されるモデル式が用いられる。
【００５０】
【数１】
2010040632.tif 000003
【００５１】
式（１）において、ＦＮＸｎ、ＦＮＹｎは、ｎ番目のショット領域のＮ番目のアライメントマークがステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上で実際にあるべき位置のＸ座標、Ｙ座標である。
【００５２】
また、Ｒｘ、Ｒｙは、ウエハ座標系（α、β）におけるα方向及びβ方向の線形伸縮（ウエハスケーリング）である。なお、α方向とＸ軸方向、β方向とＹ軸方向とは厳密には一致しないが、ほぼ同じ方向である。ただし、α方向のウエハスケーリングＲｘはウエハＷ上のα方向の２点間の距離の実測値と設計値との比、β方向のウエハスケーリングＲｙはβ方向の２点間の実測値と設計値との比で表すものとする。
【００５３】
また、Ｗは、直交度誤差（ステージ座標系（Ｘ，Ｙ）の直交度）であり、Θは、ステージ座標系（Ｘ，Ｙ）に対するウエハの座標系（α，β）の残留回転誤差（ウエハの回転）である。また、ＣＸｎ、ＣＹｎは、ｎ番目のショット領域の基準点の設計上のＸ座標、Ｙ座標である。
【００５４】
また、ＯＸ、ＯＹは、Ｘ軸方向，Ｙ軸方向に関するオフセット量（ウエハ上の座標系（α，β）のステージ座標系（Ｘ，Ｙ）に対するオフセット）である。
【００５５】
また、ｒｘ、ｒｙは、チップ（ショット領域）の線形伸縮（チップスケーリング）である。ここでは、ショット領域上の座標系（ショット座標系）（ｘ，ｙ）におけるｘ方向のチップスケーリングｒｘは、ｘ方向の２点間の距離の実測値と設計値との比、ｙ方向のチップスケーリングｒｙは、ｙ方向の２点間の距離の実測値と設計値との比で表すものとする。
【００５６】
また、ｗは、角度誤差（チップパターンの直交度誤差）であり、θは、チップパターンの回転（ショット領域の座標系（ｘ，ｙ）に対する回転誤差）である。また、ＳＮＸｎ、ＳＮＹｎは、Ｎ番目のアライメントマークの座標系（ｘ，ｙ）上の設計上のｘ座標、ｙ座標である。
【００５７】
ＥＧＡ計測に際しては、ウエハＷ上の複数のショット領域に付設された複数のＥＧＡマークのうち、上記モデル式のパラメータの総数（ここでは１０）を超える数のＥＧＡマーク（一次元マークの場合）をサンプルマークとしてアライメント検出系ＡＳを用いて検出し、そのサンプルマークのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）における位置を求め、その求めた各サンプルマークの位置を用いて、最小二乗法により、式（１）の１０個のパラメータ（Ｒｘ、Ｒｙ、Θ、Ｗ、ＯＸ、ＯＹ、ｒｘ、ｒｙ、θ、ｗ）を求め、その求めたパラメータを、式（１）に代入して、各サンプルマークのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上で実際にあるべき位置（計算上の位置）を求め、この位置と実測した位置との差（残差）を、全てのサンプルマークについて求め、所定数（サンプルマーク数）の残差について求めた標準偏差σの３倍の値が、ＥＧＡランダム３σである。ＥＧＡランダム３σは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向のそれぞれについて、条件毎に求められる。
【００５８】
ただし、複数の条件の評価値（Ｘ軸方向とＹ軸方向のＥＧＡランダム３σの大きい方の値）が同じになることも考えられ、このような場合には、主制御装置２８は、ステップ２２８で、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向のＥＧＡランダム３σの差の絶対値の昇順で並べ替える（ソートする）。
【００５９】
一方、最小値優先モードが選択されている場合には、ステップ２２６の判断は否定され、ステップ２３０に移行する。ステップ２３０では、各条件のＸ軸方向、Ｙ軸方向のＥＧＡランダム３σの小さい方の値を評価値として，昇順で並べ替える。ただし、この場合も、複数の条件の評価値が同じになる場合が考えられ、このような場合には、主制御装置２８は、もう一方の軸のＥＧＡランダム３σの昇順で並べ替える（ソートする）。
【００６０】
そして、ステップ２２８又は２３０の後、ステップ２３２において、最上位の複数条件で両軸の数値（Ｘ，Ｙ軸方向のＥＧＡ３σの値）が全て一致していないか否かを判断する。そして、この判断が肯定された場合、すなわち最上位の複数条件でＸ，Ｙ軸方向のＥＧＡ３σの値が少なくとも一部異なる場合には、ステップ２３６に移行する。
【００６１】
一方、ステップ２３２における判断が否定された場合、すなわち最上位の複数条件でＸ，Ｙ軸方向のＥＧＡ３σの値が全て一致している場合には、ステップ２３４に移行する。ステップ２３４では、上記の複数条件について、判定対象の再現性(３σ)のうち最大のものを評価値として、昇順で並べ替える。ここで、判定対象とは、前述したＥＧＡ計測の結果得られた各サンプルマークのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）における位置を用いて、最小二乗法により算出された、式（１）の１０個のパラメータ（Ｒｘ、Ｒｙ、Θ、Ｗ、ＯＸ、ＯＹ、ｒｘ、ｒｙ、θ、ｗ）のうち、オフセットＯＸ、ＯＹを除く、８個のパラメータを意味する。
【００６２】
なお、この場合も、評価値が同じ値に成ることが考えられ、このような場合、判定対象の再現性(３σ)の最小のものを評価値として、昇順で並べ替える。しかる後、ステップ２３６に移行する。
【００６３】
ステップ２３６では、最上位条件の評価値（ＥＧＡランダム３σ又は前述した判定対象の再現性（３σ））がそれぞれの許容値以下であるか否かを判断する。ここで、許容値は、所定の格納領域に格納されたものが用いられる。本実施形態では、許容値は、評価モード毎に、すなわちステップ２３６に至るルート毎に、異なる。
【００６４】
例えば、前述の標準モード又は最小値優先モードで判定が行われる場合、すなわちステップ２２６→２２８（又は２３０）→２３２→２３６の場合は、ＥＧＡランダム３σの評価における許容値（デフォルトでは、Ｘ，Ｙともに２０〔ｎｍ〕である）が用いられる。
【００６５】
また、例えばＥＧＡ再現性評価モードで判定が行われる場合、すなわちステップ２３２→２３４→２３６の場合には、ＥＧＡ再現性評価における許容値（デフォルトの設定では、ウエハパラメータ（Ｒｘ、Ｒｙ、Θ、Ｗ）についてはそれぞれ例えば０．０３、ショットパラメータ（ｒｘ、ｒｙ、θ、ｗ）についてはそれぞれ例えば０．３である）が用いられる。
【００６６】
そして、ステップ２３６における判断が否定された場合には、ステップ２４０の精度許容値エラー処理のサブルーチンに移行する。このサブルーチンでは、まず図５のステップ２５２において、画面数（取り込み画面数）を１０画面に設定した後、ステップ２５４で、その条件でＥＧＡ計測を１回実行した後、メインルーチンのステップ２４２に戻る。ここで、画面数を増やすのは、計測エラーの場合と同様の理由で計測再現性の低下(低コントラスト)や誤計測(寸法変化)が発生していると考えられるからである。
【００６７】
ステップ２４２では、その条件の評価値がその許容値を超えているか否かを判断する。そして、この判定が肯定された場合、すなわち再度許容値エラーが発生する場合には、ステップ２４４に移行し、座標及びマーク寸法の確認を促すメッセージを出力した後、ステップ２４６のアシスト処理（マニュアル・アシスト処理）に移行する。このステップ２４６のアシスト処理の内容は、前述のステップ２１９と同様である。
【００６８】
この一方、ステップ２３６における判断が肯定された場合、及びステップ２４２における判断が否定された場合には、ステップ２４８に移行して、最適化結果を保存する。これにより、少なくとも、そのウエハのアライメントの際の、アライメント検出系ＡＳの最適照明条件、最適フォーカスオフセットなどの条件が、保存されることになる。
【００６９】
このようにして、上記の最適化結果の保存又はアシスト処理を行った後、サブルーチン２１４を終了してメインルーチンにリターンした後、アライメント時の最適化条件決定のための一連の処理を終了する。
【００７０】
そして、最適化結果を保存した場合には、主制御装置２８は、この最適化により決定された最適条件を用いて、ＥＧＡ（ウエハアライメント）のレシピファイルを作成しておく。このレシピファイルの作成は、予め、最適化の対象である条件の数値を空白としたレシピファイルを用意しておき、このレシピファイルの空白に決定された最適条件を当てはめることで容易に行うことができる。
【００７１】
これにより、実際のウエハの処理の際には、主制御装置２８が、作成されたレシピファイルを読み出し、このレシピファイルに基づいて、ウエハのファインアライメント（ここでは、ショット内多点ＥＧＡ）を、確実かつ正確に行うことが可能になる。
【００７２】
また、本実施形態の露光装置１００では、上述のようにウエハのファインアライメントを精度良く行うことができるので、このファインアライメントの結果に基づいて露光の際の際にレチクルＲのパターンをウエハＷ上の各ショット領域に精度良く重ね合わせて転写することが可能になる。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態の露光装置１００によると、主制御装置２８により、アライメント検出系ＡＳのＥＧＡマーク検出時の照明条件が最適化され（ステップ２０６）た後、その最適化された照明条件の下における、照明条件以外の計測条件、具体的には、アライメントフォーカスにおけるフォーカスオフセットの最適化が行われる（ステップ２０８）。これにより、最適化のやり直しの発生頻度を極力抑制することが可能になる。
【００７４】
また、露光装置１００によると、主制御装置２８は、照明条件の最適化及びフォーカスオフセットの最適化により、確定した全ての条件（計測条件）でウエハＷ上の複数のショット領域のうちの予め定めた複数のショット領域（サンプルショット領域（アライメントショット領域とも呼ばれる））に付設されたＥＧＡマーク（サンプルマーク）の位置情報をアライメント検出系ＡＳを用いて順次検出するＥＧＡ計測を行い（ステップ２１０）、該計測が、前記確定した１以上の条件について成功したか否かを判断し（ステップ２１２）、その判断の結果ＥＧＡ計測に成功したと判断した条件について、所定の評価基準に従って評価を行い、最適条件を決定する（ステップ２１４）。従って、オペレータ（又は技術者）等の人手によることなく、露光装置１００がほぼ全自動で、ＥＧＡ計測における最適計測条件を決定することが可能になる。
【００７５】
また、本実施形態の露光装置１００によると、主制御装置２８が、決定された最適条件を、ＥＧＡ計測の処理手順を規定するプロセスプログラム（レシピファイル）中の対応する条件として決定することで、ＥＧＡ計測のレシピファイルを作成する。これにより、ほぼ全自動で、ＥＧＡマークに応じた最適計測条件を含むＥＧＡ計測のレシピファイルを作成することが可能になる。
【００７６】
なお、上記実施形態では、レシピファイルを作成する際に、本発明に係る最適化方法が実施される場合について説明したが、これに限らず、実際のウエハの処理の際に、パイロットウエハ又はロット先頭ウエハなどを用いて、上記のＥＧＡ計測の計測条件の最適化を行うこととしても良い。
【００７７】
また、上記実施形態では、ステップ２２８又は２３０でＥＧＡランダム３σの評価がなされ、その結果、複数の条件でＸ軸、Ｙ軸に関して評価値が同一となって判定がつかなかった場合にのみ、ＥＧＡ再現性評価（ステップ２３４）が行われるものとしたが、実行／非実行のスイッチを設けて、そのスイッチで実行が選択されている場合に、ＥＧＡ再現性評価を強制的に実行するようにすることも可能である。この場合、評価対象は全条件となる。強制実行の場合，判定評価は行うが評価結果は採用しない。ただし、結果をログに残して後で参照するような使い方が考えられる。
【００７８】
なお、上記実施形態では、最適化計測エラー処理において、信号コントラストが低すぎることに対する対策を意図して、取り込み画面数を増やす場合について説明したが、最適化計測エラーの要因として、マーク寸法等が標準設定から変化しすぎている場合も考えられる。かかる場合の対策として、マーク・パラメータを最適化を行うようにしても良い。
【００７９】
また、上記実施形態では、照明条件、フォーカスオフセットを最適化の対象としたが、これに限らず、例えばマーク検出の際の信号処理アルゴリズムその他の計測条件を最適化の対象としても良い。
【００８０】
信号処理アルゴリズムを含む計測条件を最適化する場合には、どのような入力（マーク）に対しても最適なアルゴリズムで最適な計測を行うことが可能となる。従って、オペレータは、例えばマークの寸法など最低限の情報を入力するのみで、装置が、全自動で、マークに応じた最適な計測条件の設定、ひいては計測レシピファイルの作成を行うようにすることも可能である。
【００８１】
なお、上記実施形態では、ＥＧＡのレシピファイルを露光装置が作成し、その際に、計測条件を最適化する場合について説明したが、これに限らず、本発明の計測条件最適化方法、及びプログラムの作成方法を、露光装置以外の画像処理方式のアライメントセンサを備えた装置、例えば重ね合わせ測定機などで行うようにすることで、それらの装置でＥＧＡのレシピファイルを作成することも可能である。
【００８２】
また、上記実施形態では、説明の簡略化のため、主制御装置２８が、計測条件の最適化を含むＥＧＡ計測に関する処理、レシピファイルの作成などを全て行うものとしたが、例えば主制御装置２８が行う各種処理を、複数のハードウェアで、分担して行うようにしても良い。例えば、前述の図２のフローチャートで示される、各ステップの処理を、複数のマイクロコンピュータで適宜分担して行うようにしても良い。
【００８３】
なお、上記実施形態では、光源として、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）などの紫外光源、ＡｒＦエキシマレーザ等の真空紫外域のパルスレーザ光源などを用いるものとしたが、これに限らず、水銀ランプは勿論、Ｆ2レーザ、あるいはＡｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）などの他の真空紫外光源を用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【００８４】
更に、照明光ＩＬとしてＥＵＶ光、Ｘ線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置、投影光学系を用いない、例えばプロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー、及び例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４号パンフレットなどに開示される、投影光学系ＰＬとウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用しても良い。
【００８５】
また、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上に所定の反射パターンを形成した光反射型マスクを用いたが、それらに限定されるものではない。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（光学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されている。なお、上述の電子マスクとは、非発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
【００８６】
また、例えば、２光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することができる。そのような露光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第０１／３５１６８号パンフレットに開示されている。
【００８７】
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置にも本発明は好適に適用できる。
【００８８】
なお、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、有機ＥＬ、ＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
【００８９】
なお、これまでは、基板上にパターンを形成する露光装置について説明したが、スキャン動作により、基板上にパターンを形成する方法は、露光装置に限らず、例えば、特開２００４−１３０３１２号公報などに開示される，インクジェットヘッド群と同様のインクジェット式の機能性液体付与装置を備えた素子製造装置を用いても実現可能である。
【００９０】
上記公開公報に開示されるインクジェットヘッド群は、所定の機能性液体（金属含有液体、感光材料など）をノズル（吐出口）から吐出して基板（例えばＰＥＴ、ガラス、シリコン、紙など）に付与するインクジェットヘッドを複数有している。このインクジェットヘッド群のような機能性液体付与装置を用意して、パターンの生成に用いることとすれば良い。この機能性液体付与装置を備えた素子製造装置では、基板を固定して、機能性液体付与装置を走査方向にスキャンしても良いし、基板と機能性液体付与装置とを相互に逆向きに走査しても良い。
【００９１】
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。従って、その半導体デバイスを生産性良く製造することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
以上説明したように、本発明の計測条件最適化方法は、ＥＧＡ計測の計測条件を最適化するのに適している。また、本発明のプログラムの作成方法は、ＥＧＡ計測レシピの作成に適している。また、本発明の露光装置は、基板上の複数の区画領域にパターンを重ね合わせて形成するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】一実施形態に係る露光装置の概略的な構成を示す図である。
【図２】アライメント時の最適化条件決定方法に関する、主制御装置２８（より正確には内部のＣＰＵ）の処理アルゴリズムを概略的に示すフローチャートである。
【図３】図２のステップ２１４のサブルーチンの詳細を示すフローチャートである。
【図４】図２のステップ２２０のサブルーチンの詳細を示すフローチャートである。
【図５】図３のステップ２４０のサブルーチンの詳細を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
１６…アライメント制御装置、２８…主制御装置、１００…露光装置、Ｗ…ウエハ、ＡＳ…アライメント検出系。
【図１】
2010040632.tif 000004
【図２】
2010040632.tif 000005
【図３】
2010040632.tif 000006
【図４】
2010040632.tif 000007
【図５】
2010040632.tif 000008