(57)【要約】【課題】処理済試料と未処理試料を効率良く交換することにより、スループットを向上させる真空処理装置を提供する。【解決手段】処理対象の試料が上面に載せられる試料台を備え内部でプラズマが形成される処理室を有する真空容器と伸縮するアーム上に試料を保持して搬送するロボットが配置され真空容器と連結されて減圧された内部を試料が搬送される真空搬送容器とを備えた真空処理装置において、ロボットのアームの先端側で伸縮の方向に延在して上下の異なる高さに配置され試料を保持する位置が伸縮の方向について異なる複数の保持部と、処理室内側で複数の保持部の各々の試料の保持位置を試料台の上面の上方に移動させるようにアームの動作を調節する駆動手段とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の試料が上面に載せられる試料台を備え、内部でプラズマが形成される処理室を有する真空容器と、伸縮するアーム上に前記試料を保持して搬送するロボットが配置され、前記真空容器と連結されて減圧された内部を前記試料が搬送される真空搬送容器と、を備えた真空処理装置において、
前記ロボットの前記アームの先端側で前記伸縮の方向に延在して上下の異なる高さに配置され前記試料を保持する位置が前記伸縮の方向について異なる複数の保持部と、前記処理室内側で前記複数の保持部の各々の前記試料の保持位置を前記試料台の前記上面の上方に移動させるようにアームの動作を調節する駆動手段とを備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、各々の前記試料の保持位置に前記試料を保持した前記複数の保持部を前記処理室内に収納可能であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記複数の保持部のうち上方の保持部の前記保持位置と前記アームとの距離が下方の保持部の保持位置と前記アームとの距離より長く構成され、前記駆動手段により前記複数の保持位置を前記試料台上面の上方に移動させ前記保持部と前記試料台との間で連続して前記試料を受渡しすることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
処理対象の試料が上面に載せられる試料台を備え、内部でプラズマが形成される処理室を有する真空容器と、伸縮するアーム上に前記試料を保持して搬送するロボットが配置され、前記真空容器と連結されて減圧された内部を前記試料が搬送される真空搬送容器と、を備えた真空処理装置において、
前記ロボットの前記アームの先端側で前記伸縮の方向に延在して上下の異なる高さに配置され前記試料を保持する位置が異なる複数の保持部を備え、前記アームの伸張とこれに続く収縮とにより前記複数の保持部が前記処理室内に進入及び退出して、前記複数の保持部の何れかに保持された未処理の試料と前記試料台上面の試料とを交換することを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載の真空処理装置であって、前記真空搬送容器に接続され前記試料を収納した状態で大気圧と前記減圧された圧力とにその内部を調節可能なロック室とを備え、前記ロボットが上下方向の軸周りに回転可能に構成されてこの回転と前記アームの伸縮とにより前記保持部の保持された前記試料を前記処理室と前記ロック室との間で搬送することを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器の内部の処理室内に半導体ウェハ等の基板状の試料を搬送して処理室内で処理する真空処理装置に係り、特に、前記試料をアーム上に保持して処理室に搬入し又はこれから搬出するロボットを備えた真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このようなロボットを備えた従来の真空処理装置は、複数のフォークを持った搬送アームを有するロボットを用いて試料を搬送する。このような従来の真空処理装置の搬送用のロボットは、一つの回転軸周りに回転する複数の、例えば２つの搬送アームを備えており、各々に試料を保持することができる。
【０００３】
このようなロボットの一方の搬送アームに未処理の試料を保持した状態で、他方の搬送アームに処理室内の載置台上の処理済の試料を受け取ってこの試料を処理室から搬出した後、一方の搬送アーム上の未処理の試料をこの処理室内に搬入して配置することで、一つの真空容器内の処理室内の処理済試料と未処理試料を交換することができる。この際、ロボットは処理室の外側に位置しているため、未処理の試料を保持した状態で、他方の搬送アームはその先端部を処理室内部の載置台上方まで伸張して処理済の試料を受け取った後、処理済の試料を、搬送アームを縮退させて処理済の試料を処理室から搬出する。次いで、ロボットが上記回転軸周りに回転して一方の搬送アームを当該処理室に向き合わせてこれを伸張させ保持した未処理の試料を処理室内の載置台上方まで搬送する。
【０００４】
このような搬送用のロボットを備えた真空処理装置の従来の技術の例は、例えば、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００７−２６６２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術では、次の点について考慮されておらず、問題が生じていた。すなわち、上記の方法では、処理済基板を処理室から退避させる必要があるため、交換に時間がかかり、スループット低下の要因となっていた。
【０００６】
本発明の目的は、処理済試料と未処理試料を効率良く交換する事で、スループットを向上させる真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の真空処理装置は、処理対象の試料が上面に載せられる試料台を備え、内部でプラズマが形成される処理室を有する真空容器と、伸縮するアーム上に前記試料を保持して搬送するロボットが配置され、前記真空容器と連結されて減圧された内部を前記試料が搬送される真空搬送容器と、を備えており、前記ロボットの前記アームの先端側で前記伸縮の方向に延在して上下の異なる高さに配置され前記試料を保持する位置が前記伸縮の方向について異なる複数の保持部と、前記処理室内側で前記複数の保持部の各々の前記試料の保持位置を前記試料台の前記上面の上方に移動させるようにアームの動作を調節する駆動手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、処理済試料と未処理試料を効率良く交換することにより、真空処理装置のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて以下説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１乃至図４を用いて、本発明の第１の実施例を説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る半導体処理装置の全体的構成の概略を示し、半導体処理装置を上方から見て構成の概略を示す横断面図である。図１に示す本実施例に係る半導体処理装置１００は、大きく分けて、大気側ブロック１０１と真空側ブロック１０２とを備えている。大気側ブロック１０１は大気圧下で基板を搬送、収納位置決め等をする部分であり、真空側ブロック１０２は大気圧から減圧された圧力下で基板等の基板状の試料を搬送し、予め定められた処理容器内において処理等を行なうブロックであり、真空側ブロック１０２の搬送や処理を行う箇所と大気側ブロック１０１との間で、試料を内部に有した状態で圧力を大気圧と真空圧との間で上下させる部分を備えている。
【００１１】
大気側ブロック１０１は、内部に大気搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の前面側（図上右側）に取付けられ、処理用又はクリーニング用の試料が収納されているカセットがその上に載せられる複数のカセット台１０７を備えている。真空側ブロック１０２は、平面形状が略多角形状（本実施例では５角形状）の真空搬送室１０４の側壁面の周囲に、内部が減圧されその内部に試料が搬送され処理される処理室を有する真空容器を備えた４つの処理容器１０３と、真空搬送室１０４と大気側ブロック１０１との間に配置され試料を大気側と真空側との間でやりとりする２つのロック室１０５を備えている。この真空側ブロック１０２は減圧されて高い真空度の圧力に維持可能な処理容器である。
【００１２】
真空搬送室１０４内の搬送室には、真空下で試料をロック室１０５と処理容器１０３内の処理室との間で搬送する真空搬送ロボット１０８がその中央に配置されている。この真空搬送ロボット１０８のアーム上に試料が載せられて、各処理容器１０３の処理室内に配置された試料台上と何れかのロック室１０５内の試料台との間で搬入、搬出が行われる。これら処理容器１０３、ロック室１０５と真空搬送室１０４内の搬送室との間は、各々気密に閉塞、開放可能なバルブにより連通する通路が開閉される。
【００１３】
カセット台１０７の何れかの上に載せられたカセット内に収納された複数の半導体基板等の試料は、図示しない真空処理装置１００の動作を調節する制御装置が判断し、または、真空処理装置１００が設置される製造ラインの制御装置等からの指令を受けて、その処理が開始される。制御装置からの指令を受けた大気搬送ロボット１０９がカセット内の特定の試料をカセットから取り出し、２つのロック室の何れかに搬送する。
【００１４】
ロック室１０５では、搬送された試料を収納した状態でバルブが閉塞されて密封され、所定の圧力まで減圧される。その後、真空搬送室１０４内の搬送室に面した側のバルブが開放されてロック室１０５内と搬送室内とが連通され、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室１０５内に伸張して、内部の試料を搬出する。真空搬送ロボット１０８上のアームに載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められた処理容器１０３の何れかの真空にされた処理室内に搬入される。
【００１５】
試料が何れかの処理容器１０３内の処理室に搬送された後、この処理室内と搬送室との間を開閉するバルブが閉じられて処理室が封止される。この後、試料が処理される。試料の処理が終了したことが検出されると、前記バルブが開放されて真空搬送ロボット１０８により、処理室内に搬入された場合と逆にロック室１０５へ向けて搬出される。ロック室１０５の何れかに試料が搬送されると、このロック室１０５内と搬送室とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて内部が密封され、ロック室１０５内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
【００１６】
この後、筐体１０６内側のバルブが開放されてロック室１０５内と筐体１０６内の大気搬送室とが連通され、大気搬送ロボット１０９によりロック室１０５から元のカセットに試料が搬送されてカセット内の元の位置に戻される。
【００１７】
真空搬送室１０４内の搬送室の中央に配置され、真空下で試料をロック室１０５と処理容器１０３内の処理室との間で搬送する真空搬送ロボット１０８は、半導体ウェハなどの試料Ｗ１，Ｗ２を上下の異なる高さに互い違いに保持する複数の保持部を備えているので、処理容器１０３内の処理室の処理済みの試料Ｗ１の搬出と、処理容器１０３内の処理室内への未処理の試料Ｗ２の搬入を効率的に行うことができる。 
【００１８】
図２は、図１に示す実施例の処理容器１０３の構成の概略を示す縦断面図である。本図において、処理容器１０３は、真空容器２０１とその上部に配置された電波源２０６と真空容器下方に配置された真空排気ポンプ２０５とを備えて構成されており、前記真空容器２０１の内部に半導体処理室が配置される。前記真空容器２０１と前記真空排気ポンプ２０５の間にはコンダクタンス可変バルブ２０４が配置されている。前記コンダクタンス可変バルブはモータ２０７によって任意の角度に回転動作する。前記コンダクタンス可変バルブの角度を制御することにより前記処理室の排気速度を制御することができる。これら構成部品は各々図示しないＯリング等のシール手段により気密に接続され内側の空間と外部の空間とを高い気圧差に維持可能に構成されている。
【００１９】
前記真空容器２０１と真空搬送室２１０は図示しないＯリングによって気密に接続されており、試料Ｗ１，Ｗ２は、真空搬送ロボット２１２を用い、前記真空容器２０１と前記真空搬送室２１０の間に設けられた開口を通って前記真空処理室内部へ搬入あるいは前記処理室外部へ搬出される。前記開口は、処理中はバルブ２１１によって気密に閉塞される。試料Ｗ１，Ｗ２は、前記半導体処理室２０１内部に設置される試料台２０３の上に積載され、処理される。 
【００２０】
図３は、図１に示す実施例の真空搬送ロボットの構成を示す模式図である。図３（ａ）において、真空搬送ロボット３０１はバッファ室（真空搬送室２１０）の固定ベース３０２の中心軸に連結されて回転するアームと、アームの先端で基板を保持するフォーク部とを備えている。アームは第一アーム３０３と第二アーム３０４で構成されている。
【００２１】
図３（ｂ）において、フォークは上下２段で上方フォーク３０５、下方フォーク３０６で構成されており、各１枚の基板が保持可能である。フォークは上下で基板の搭載位置が異なり、上方フォーク３０５が下方フォークより伸張方向前方に位置している。図３（ｃ）において、上方フォーク３０５の基板の中心が下部電極の中心に位置するまで、アームが伸張している際、下方フォーク先端は支持ピンと干渉しない。この時、下方フォークの基板の中心から後方支持ピン３１２までの距離をＡ、下方フォークの基板の中心から下方フォーク先端までの距離をＢとすると、Ａ＞Ｂの関係にある。
【００２２】
図３（ｄ）において、下方フォークの基板の中心が下部電極の中心に位置するまでアームが伸張している際、上方フォーク３０５の先端は処理室内壁と干渉しない。この時、下部電極の中心から処理室内壁までの距離をＣ、下方フォークの基板の中心から上方フォーク３０５の先端までの距離をＤとすると、Ｃ＞Ｄの関係にある。また、支持ピンが下方フォークの基板を保持する部分まで上昇している際、基板は上方フォーク３０５の下部と干渉しない。この時、上方フォーク３０５の下部と下方フォーク上部までの距離をＥ、基板の厚みをＦ、支持ピンが下方フォークの基板を持ち上げ始めてから静止するまでの距離をＧとすると、Ｅ＞Ｆ＋Ｇの関係にある。
【００２３】
図４は、処理済み基板と未処理基板の交換作業の実施例を表す図である。図４（ａ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、アームは縮退状態で、上方フォークが未処理基板Ｗ１を保持している。処理室２０１では、下部電極上方に基板Ｗ２が上昇して保持されている。次に、基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間にフォークが進入する。
【００２４】
図４（ｂ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板Ｗ２を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室２０１では、下方フォークが基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間にいる。上方フォークは下部電極上の基板Ｗ２を越えて、処理室内壁に衝突する前の場所で保持されている。次に、処理済基板Ｗ２を保持している支持ピンが下降する。
【００２５】
図４（ｃ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室２０１では、支持ピンが下降し、下方フォークに処理済み基板Ｗ２が保持されている。上方フォークは図４（ｂ）と同じ状態である。次に、上方フォークが基板Ｗ１を保持できる位置までアームが退避する。
【００２６】
図４（ｄ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、上方フォークの基板Ｗ１が下部電極に保持できる位置までアームが伸張している状態である。処理室では、下方フォークは処理済基板Ｗ２を保持している。上方フォークは下部電極上方で基板Ｗ１を保持している。次に、未処理基板Ｗ１を保持するために支持ピンが上昇する。
【００２７】
図４（ｅ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、上方フォークの基板Ｗ１が下部電極に保持できる位置までアームが伸張している状態である。処理室２０１では、下方フォークが処理済み基板Ｗ２を保持している。下部電極内の支持ピンが上昇し、上方フォークが保持してあった未処理基板Ｗ１を支持ピンが保持している。次に、アームが縮退状態になり、処理室２０１から退避する。
【００２８】
図４（ｆ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、アームは縮退状態で、下方フォークが処理済基板Ｗ２を保持している。処理室２０１では、下部電極上方にて支持ピンが未処理基板Ｗ１を保持している。
【実施例２】
【００２９】
真空搬送ロボットの構成の異なる例として、図５に実施例２を示す。図５（ａ）において、真空搬送ロボット５０１はバッファ室（真空搬送室２１０）の固定ベース５０２の中心軸に連結されて回転するアームと、アームの先端で基板を保持するフォーク部とを備えている。アームは第一ロボットアーム５０３と第二ロボットアーム５０４で構成されている。
【００３０】
図５（ｂ）において、フォークは上下２段で上方フォーク５１１、下方フォーク５１５で構成されており、各１枚の基板Ｗ１，Ｗ２が保持可能である。但し、上方フォークは第一上方フォークアーム５１２、第二上方フォークアーム５１３、フォーク５１４で構成されている。上方フォークアームが縮退状態で上下フォークが同じ方向に向いている際、下方フォークの真上に上方フォークが位置する。
【００３１】
図５（ｃ）において、上方フォークの基板Ｗ１の中心が下部電極の中心に位置するまで、ロボットアーム及び上方フォークアームが伸張している際、下方フォーク先端は後方支持ピンと干渉しない。この時、下方フォークの基板Ｗ２の中心から後方支持ピン５２２までの距離をＡ、下方フォークの基板の中心から下方フォーク先端までの距離をＢとすると、Ａ＞Ｂの関係にある。
【００３２】
図６は、処理済み基板Ｗ２と未処理基板Ｗ１の交換作業の実施例を表す図である。図６（ａ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、ロボットアーム及び上方フォークアームは縮退状態で、上方フォークが未処理基板Ｗ１を保持している。処理室２０１では、下部電極上方に基板Ｗ２が上昇して保持されている。次に、真空搬送ロボットが伸張し、基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間に下方フォークが進入する。
【００３３】
図６（ｂ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板Ｗ２を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室２０１では、下方フォークが基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間にいる。上方フォークアームは縮退状態にあり、上方フォークは下部電極上面で基板Ｗ１を保持している。次に、処理済基板Ｗ２を保持している支持ピンが下降する。
【００３４】
図６（ｃ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板Ｗ２を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室２０１では、支持ピンが下降し、下方フォークに処理済み基板Ｗ２が保持されている。上方フォークは図４（ｂ）と同じ状態である。次に、上下フォークの先端が上昇した際の支持ピンと干渉しない位置までロボットアームが退避する。
【００３５】
図６（ｄ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、上下フォークの先端が上昇している際の支持ピンと干渉しない位置まで、ロボットアームが伸張している状態である。処理室２０１では、下方フォークが処理済基板Ｗ２を保持している。また、上方フォークアームは縮退状態にあり、上方フォークは下方フォークの真上に位置している。次に、上方フォークが保持している基板Ｗ１の中心が下部電極中心に位置するまで、上方フォークアームが伸張する。
【００３６】
図６（ｅ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークの先端が支持ピンと干渉しない位置までロボットアームが伸張している状態である。処理室２０１では、下方フォークは処理済基板Ｗ２を保持している。上方フォークアームは上方フォークが保持している基板中心が下部電極中心の上面に位置するまで伸張している状態である。次に、未処理基板Ｗ１を保持するために支持ピンが上昇する。
【００３７】
図６（ｆ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークの先端が支持ピンと干渉しない位置までロボットアームが伸張している状態である。処理室２０１では、下方フォークが処理済み基板Ｗ２を保持している。下部電極内の支持ピンが上昇し、上方フォークが保持してあった未処理基板Ｗ１を支持ピンが保持している。次に、ロボットアーム及び上方フォークアームが縮退状態になり、処理室２０１から退避する。
【００３８】
図６（ｇ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、ロボットアーム及び上方フォークアームは縮退状態で、下方フォークが処理済基板Ｗ２を保持している。処理室２０１では、下部電極上方にて支持ピンが未処理基板Ｗ１を保持している。
【実施例３】
【００３９】
真空搬送ロボットの構成の異なる例として図７に実施例３を示す。図７（ａ）において、真空搬送ロボット７０１はバッファ室（真空搬送室２１０）の固定ベース７０２の中心軸に連結されて回転するアームと、アームの先端で基板を保持するフォーク部とを備えている。アームは第一ロボットアーム７０３と第二ロボットアーム７０４で構成されている。
【００４０】
図７（ｂ）において、フォーク部７０５は上下２段で上方フォーク７１１、下方フォーク７１２で構成されており、各１枚の基板が保持可能である。但し、下方フォークは第一下方フォークアーム７１３、第二下方フォークアーム７１４、フォーク７１５で構成されている。下方フォークアームが伸張状態で上下フォークが同じ方向に向いている際、上方フォークの真下に下方フォークが位置する。
【００４１】
図７（ｃ）において、上方フォークの基板Ｗ２の中心が下部電極の中心に位置するまで、ロボットアーム伸張し、下方フォークアームが縮退している際、下方フォーク先端は後方支持ピンと干渉しない。この時、下方フォークの基板Ｗ２の中心から後方支持ピン７２２までの距離をＡ、下方フォークの基板Ｗ２の中心から下方フォーク先端までの距離をＢとすると、Ａ＞Ｂの関係にある。
【００４２】
図８は、処理済み基板と未処理基板の交換作業の実施例を表す図である。図８（ａ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、ロボットアームは縮退状態、下方フォークアームは伸張状態で、上方フォークが未処理基板Ｗ１を保持している。処理室２０１では、下部電極上方に基板Ｗ２が上昇して保持されている。次に、基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間に下方フォークが進入する。
【００４３】
図８（ｂ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板Ｗ２を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室では、下方フォークアームは伸張状態で下方フォークが基板Ｗ２と下部電極上面との間の空間にいる。上方フォークは下部電極上面で基板Ｗ１を保持している。次に、処理済基板Ｗ１を保持している支持ピンが下降する。
【００４４】
図８（ｃ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、下方フォークが基板Ｗ２を保持できる位置までアームが伸張している状態にある。処理室では、支持ピンが下降し、下方フォークに処理済み基板Ｗ２が保持されている。上方フォークは図４（ｂ）と同じ状態である。次に、下方フォークの先端が上昇した際の支持ピンと干渉しない位置まで下方フォークアームが縮退する。
【００４５】
図８（ｄ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、上方フォークの基板Ｗ１が下部電極に保持できる位置までアームが伸張している状態である。処理室２０１では、下方フォークアームは縮退状態にあり、下方フォークは処理済基板Ｗ２を保持している。上方フォークは下部電極上方で基板を保持している。次に、未処理基板Ｗ１を保持するために支持ピンが上昇する。
【００４６】
図８（ｅ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、上方フォークの基板Ｗ１が下部電極に保持できる位置までアームが伸張している状態である。下方フォークアームは縮退状態にあり、下方フォークは処理済基板Ｗ２を保持している。下部電極内の支持ピンが上昇し、上方フォークが保持してあった未処理基板Ｗ１を支持ピンが保持している。次に、ロボットアームが縮退状態になり、処理室２０１から退避する。
【００４７】
図８（ｆ）の状態を説明する。バッファ室（真空搬送室２１０）では、ロボットアームは縮退状態で、下方フォークが処理済基板Ｗ２を保持している。処理室２０１では、下部電極上方にて支持ピンが未処理基板Ｗ１を保持している。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、本発明の実施例に係る半導体処理装置の全体的構成の概略を表す図である。
【図２】図２は、図１に示す処理容器の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３】図３は、第１の実施例における真空搬送ロボットの構成を示す模式図である。
【図４】図４は、第１の実施例における処理済み基板と未処理基板の交換作業を表す図である。
【図５】図５は、第２の実施例における真空搬送ロボットの構成を示す模式図である。
【図６】図６は、第２の実施例における処理済み基板と未処理基板の交換作業を表す図である。
【図７】図７は、第３の実施例における真空搬送ロボットの構成を示す模式図である。
【図８】図８は、第３の実施例における処理済み基板と未処理基板の交換作業を表す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０１    大気側ブロック
１０２    真空側ブロック
１０３    処理室
１０４    真空搬送室
１０５    ロック室
１０６    筐体
１０７    カセット
１０８    真空搬送ロボット
１０９    大気搬送ロボット
２０１    処理室
２０２    ガス拡散板
２０３    試料台
２０４    コンダクタンス可変バルブ
２０５    真空排気ポンプ
２０６    電波源
２０７    モータ
２１０    真空搬送室
２１１    バルブ
２１２    真空搬送ロボット
３０１    真空搬送ロボット
３０２    固定ベース
３０３    第一アーム
３０４    第二アーム
３０５    上方フォーク
３０６    下方フォーク
３１１    前方支持ピン
３１２    後方支持ピン
５０１    真空搬送ロボット
５０２    固定ベース
５０３    第一ロボットアーム
５０４    第二ロボットアーム
５０５    フォーク部
５１１    上方フォーク
５１２    第一上方フォークアーム
５１３    第二上方フォークアーム
５１４    フォーク
５１５    下方フォーク
５２１    前方支持ピン
５２２    後方支持ピン
７０１    真空搬送ロボット
７０２    固定ベース
７０３    第一ロボットアーム
７０４    第二ロボットアーム
７０５    フォーク部
７１１    上方フォーク
７１２    下方フォーク
７１３    第一下方フォークアーム
７１４    第二下方フォークアーム
７１５    フォーク
７２１    前方支持ピン
７２２    後方支持ピン
【図１】
2010010259.tif 000003
【図２】
2010010259.tif 000004
【図３】
2010010259.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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