(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な構成でアンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体チップ２０Ａの一方の主面に形成された複数の電極を基板上の対応する導電性領域にフリップチップ接合するステップと、大気中で半導体チップと基板との間に空気溜まり１１０が生じるように半導体チップの外周に沿って基板上に液状のアンダーフィル用樹脂４０を供給するステップ（状態１）と、基板を大気中から真空雰囲気中に移行し空気溜りの空気を排出させるステップ（状態２、３、４）と、基板を真空雰囲気から大気中に移行し、アンダーフィル用樹脂を半導体チップの奥部に進行させるステップ（状態５、６、７、８）とを有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの一方の主面に２次元状に形成された複数の電極を基板上の対応する導電性領域に接合する第１のステップと、
大気中で、半導体チップと基板との間に空気溜まりが生じるように半導体チップの外周に沿って基板上に液状のアンダーフィル用樹脂を供給する第２のステップと、
前記半導体チップが接合された基板を大気中から真空雰囲気中に移行し、前記空気溜りの空気を排出させる第３のステップと、
前記半導体チップが接合された基板を真空雰囲気から大気中に移行し、前記アンダーフィル用樹脂を半導体チップの奥部に進行させる第４のステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第２のステップにおいて、半導体チップと基板との間にアンダーフィル用樹脂の壁部が形成され、前記壁部によって囲まれた空間に前記空気溜まりが生成される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
第３のステップにおいて、前記空気溜りの空気は、アンダーフィル用樹脂の壁部に形成された通路を介して外部へ排出される、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
第３のステップにおいて、大気中でアンダーフィル用樹脂が供給された基板は、真空チャンバー内に移送され、真空チャンバー内で真空引きされる、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
第１のステップは、室温より高い第１の温度で実施され、第２ないし第４のステップは、前記第１の温度が保持された状態で実施される、請求項１ないし３いずれか１つに記載の製造方法。
【請求項６】
製造方法はさらに、第４のステップの後に、前記半導体チップと前記基板を、前記アンダーフィル用樹脂のガラス転移温度以上の温度にて一定時間保持する第５のステップを含む、請求項１ないし３いずれか１つに記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１の温度は、約１００度であり、アンダーフィル用樹脂は、約８０〜１００度のエポキシ樹脂であり、粘性が約０．５（Ｐａｓ）以下である、請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、フリップチップ接合された半導体チップと基板との間にアンダーフィル用樹脂を注入する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯型コンピュータ、その他の小型電子機器の高機能化に伴い、電子機器に搭載される半導体チップの高集積化、狭ピッチ化が望まれている。高集積化、狭ピッチ化された半導体チップを実装する技術の一つに、ベアチップを基板に接続するフリップチップ実装がある。フリップチップ実装では、半導体チップの集積回路面である主面に形成されたバンプ電極を、基板上の電極またはランドに対向させて直接接続させている。このようなフリップチップ実装は、半導体チップの電極をワイヤボンディングで基板に接続する方法に置き換わるものである。
【０００３】
フリップチップ実装には、予め異方性導電フィルムをラミネートした基板上に、バンプが形成されたベアチップを加圧圧着する方法や、はんだバンプが形成されたベアチップを基板上にマウントし、リフロー接続する方法がある。後者の場合、はんだバンプに応力が集中して破断するのを防止するために、ベアチップと基板との間にアンダーフィル用樹脂を注入し、応力を緩和させている。
【０００４】
特許文献１は、アンダーフィル用樹脂を注入する半導体装置の製造方法に関するもので、半導体チップの端部から液状のアンダーフィル用樹脂を注入するとき、その樹脂が半導体チップの上面（もう一方の主表面）に這い上がり、上面に樹脂が付着するという課題を解決するため、アンダーフィル用樹脂の封止後に、半導体チップの上面をプラズマ処理している。これにより、半導体チップの上面にヒートスプレッダを容易に接続可能とし、その放熱性を向上させている。
【０００５】
特許文献２は、アンダーフィル用樹脂内の気泡等のボイドの発生を抑制するために、真空雰囲気中で、半導体チップと基板間にアンダーフィル用樹脂を注入し、その後に、アンダーフィル用樹脂が注入された基板を大気中に晒す方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２１７２９５号
【特許文献２】特開２００７−１０３７７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に示すように真空雰囲気中で、アンダーフィル用樹脂を注入する場合には、真空チャンバー内にアンダーフィル用樹脂を注入するための装置（ディスペンサ）を設置しなければならない。ディスペンサは、基板上の半導体チップの各々に対し位置決めするための機構を備えなければならない。さらに、ディスペンサは、真空中であるが故に樹脂を注入する機構にも制約がある。このため、真空雰囲気中でアンダーフィル用樹脂を注入するためには、装置が大型化し、かつコストが高くなるという課題がある。さらに、アンダーフィル用樹脂の材料の揮発分は、真空中の長期間には耐えられず、樹脂の寿命が短くなるという課題もある、
【０００８】
本発明は、上記従来の課題を解決し、簡易な構成でアンダーフィル用樹脂を注入し、ボイド等の気泡の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップの一方の主面に２次元状に形成された複数の電極を基板上の対応する導電性領域に接合する第１のステップと、大気中で、半導体チップと基板との間に空気溜まりが生じるように半導体チップの外周に沿って基板上に液状のアンダーフィル用樹脂を供給する第２のステップと、前記半導体チップが接合された基板を大気中から真空雰囲気中に移行し、前記空気溜りの空気を排出させる第３のステップと、前記半導体チップが接合された基板を真空雰囲気から大気中に移行し、前記アンダーフィル用樹脂を半導体チップの奥部に進行させる第４のステップとを有する。
【００１０】
好ましくは第２のステップにおいて、半導体チップと基板との間にアンダーフィル用樹脂の壁部が形成され、前記壁部によって囲まれた空間に前記空気溜まりが生成される。好ましくは第３のステップにおいて、前記空気溜りの空気は、アンダーフィル用樹脂の壁部に形成された通路を介して外部へ排出される。好ましくは、第３のステップにおいて、大気中でアンダーフィル用樹脂が供給された基板は、真空チャンバー内に移送され、真空チャンバー内で真空引きされる。好ましくは第１のステップは、室温より高い第１の温度で実施され、第２ないし第４のステップは、前記第１の温度が保持された状態で実施される。
【００１１】
製造方法はさらに、第４のステップの後に、前記半導体チップと前記基板を、前記アンダーフィル用樹脂のガラス転移温度以上の温度にて一定時間保持する第５のステップを含むことができる。好ましくは第１の温度は、約１００度であり、アンダーフィル用樹脂は、約８０〜１００度のエポキシ樹脂であり、粘性が約０．５（Ｐａｓ）以下である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、大気中でアンダーフィル用樹脂を供給するようにしたので、従来よりも簡易な構成でアンダーフィル用樹脂を供給することができる。また、アンダーフィル用樹脂を供給するときに空気溜まりを生成し、この状態から真空雰囲気中に移行することで、アンダーフィル用樹脂内の空気を一気に外部に排出させることができ、アンダーフィル用樹脂内に気泡が発生されることが抑制される。さらに、真空雰囲気中から大気中の戻すことで、アンダーフィル用樹脂の内部空間がほぼ完全に消滅されるため、アンダーフィル用樹脂内にボイドが発生されることが抑制される。
【００１３】
さらに、半導体チップと基板とのフリップチップ接合からアンダーフィル用樹脂の供給までの工程は、一定の温度が保持された状態で実施されるので、半導体チップと基板間のフリップチップ接合の良好な接合状態を維持することができる。さらに、アンダーフィル用樹脂が真空中に長時間晒されることが抑制されるため、アンダーフィル用樹脂の寿命の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係るフリップチップ実装された半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】基板上にフリップチップ接合された複数の半導体チップを示す斜視図である。
【図３】フリップチップ接合された半導体チップと基板の断面を示す図である。
【図４】アンダーフィル用樹脂を供給するステップの詳細を示すスローチャートである。
【図５】大気中でアンダーフィル用樹脂によって補足された空気溜り、真空中での空気溜りの空気の排出、大気中でのアンダーフィル用樹脂の奥部への進行、および内部空間の縮小の遷移を説明する図である。
【図６】アンダーフィル用樹脂の特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例に係る製造方法により作成された他の半導体装置の構成を示す図である。
【図８】本発明の実施例に係る製造方法により作成された他の半導体装置の構成を示す図である。
【図９】フリップチップ実装を行うための半導体製造装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面に記載されたサイズ、形状およびスケールは、発明の理解を容易にするために強調されており、必ずしも実際の製品と一致するものではないことに留意すべきである。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の実施例に係るフリップチップ実装される半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。回路素子が形成されたシリコン基板から矩形状の半導体チップを切断し、切断された半導体チップの回路形成面の電極が基板に対向するように位置決めする。そして、半導体チップの電極を基板上のバンプ電極等に超音波振動等により接続する。これにより、基板上の導電領域に半導体チップの電極がフリップチップ接合される（ステップＳ１０１）。フリップチップ接合は、半導体チップと基板とを一定の温度に保持した状態で行われる。
【００１７】
図２は、基板上に複数の半導体チップがフリップチップ接合された様子を示している。基板３０上には、シリコン基板から切断された個々の半導体チップ２０がフリップチップ接合され、それらが整列して配置されている。
【００１８】
次に、基板上の各半導体チップの外周に沿って液状化されたアンダーフィル用樹脂が供給される（ステップＳ１０２）。アンダーフィル用樹脂の供給は、後述するように、大気中で行われ、その後、一旦、真空雰囲気中に移され、再び大気中に戻される。このような大気中−真空中−大気中の工程を繰り返すことで、アンダーフィル用樹脂内に気泡等のボイドが極力発生しないようにし、アンダーフィル用樹脂が半導体チップと基板の間に充填され、両者の接合を補強する。
【００１９】
次に、基板の裏面、すなわち半導体チップが接合された面と反対側の面にバンプ等の外部端子が接続され（ステップＳ１０３）、最後に、半導体チップ毎に対応するように基板を切断して個々の半導体装置を得る（ステップＳ１０４）。
【００２０】
図３は、フリップチップ接合された半導体チップと基板の断面図である。同図に示すように、半導体チップ２０の集積回路面である主面２２には、複数のアルミニウム等から形成される電極パッド２４が２次元状に形成されている。電極パッド２４上には、突起状のバンプ２６が接続される。バンプ２６は、例えば、Ａｕバンプであり、その直径は約３５μｍである。電極パッド２４は、例えば、５０μｍのピッチで、４４０個配列されている。
【００２１】
基板３０は、その上面に導電領域としてＣｕ等の電極３２が形成され、電極３２には、Ａｕ等のバンプ３４が形成されている。バンプ３４は、半導体チップ２０の電極パッド２４またはバンプ２６と対応する位置に形成されている。電極３２は、基板３０の内部配線３６を介して基板裏面に形成される外部電極３８に接続することができる。外部電極３８には、例えば、ＢＧＡ用またはＣＳＰ用のはんだボールである。
【００２２】
好ましくは、半導体チップ２０のバンプ２６を基板３０のバンプ３４に押圧しながら超音波振動を与えることで、バンプ２６とバンプ３４とが金属結合される。バンプ２６とバンプ３４の接合状態は脆いため、これを補強するために、後述する方法でアンダーフィル用樹脂４０が半導体チップ２０の主面２２と基板３０の隙間に供給される。半導体チップ２０と基板３０の隙間は、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは７μｍである。
【００２３】
フリップチップ接合は、上記したように半導体チップと基板とが一定の加熱された温度、例えば約１００℃に保持された状態で実施される。フリップチップ接合のときの温度状態が保持されながら、次のアンダーフィル用樹脂の供給ステップへ移行される。シリコン基板から形成される半導体チップと基板（例えば、有機材料からなる基板）との熱膨張係数は異なり、フリップチップ接合のときの温度からアンダーフィル用樹脂を供給するときの温度が変動すると、熱膨張係数の差によって半導体チップと基板間の金属接合が破壊されてしまうので、これを防止する。
【００２４】
次に、アンダーフィル用樹脂を供給するステップの詳細を図４および図５に示す。半導体チップ２０がフリップチップ接合された基板３０は、約１００℃に維持された状態で大気中に置かれる。次に、ディスペンサにより、液状化されたアンダーフィル用樹脂が半導体チップに供給される（ステップＳ２０１）。図５に示す状態１は、１つの半導体チップ２０に対してアンダーフィル用樹脂４０が供給された状態を示し、矩形状の太線２０Ａは、半導体チップの外形を表し、ハッチングされた領域４０は、アンダーフィル用樹脂を表している。
【００２５】
ディスペンサの供給ノズル１００は、半導体チップ２０の４つの側部に沿うように方向Ｐに走査され、かつ液状化されたアンダーフィル用樹脂４０を一定量供給する。供給ノズル１００は、例えば、アンダーフィル用樹脂を一定の温度に保つようにヒーターなどの加熱部材を含むことができる。アンダーフィル用樹脂は、加熱されると液状化され、一定の粘性を有し、半導体チップと基板との間隙から毛細管現象により一定距離だけ半導体チップの内部に向けて進行する。これにより、半導体チップ２０の主面、基板３０の表面、およびアンダーフィル用樹脂４０の壁部４０Ａによって囲まれた空間内に空気溜まり１１０が生成または捕捉される。
【００２６】
アンダーフィル用樹脂４０は、好ましくは一定の温度で低粘性をもつエポキシ樹脂から構成され、例えば、ナミックスＵ８４３７−４８を用いることができる。図６は、エポキシ樹脂の特性を示すグラフであり、横軸は温度、縦軸は粘度（Ｐａｓ）を示している。グラフから明らかなように、エポキシ樹脂は、約９０度で粘性が最も小さくなる変曲点を含んでいる。供給されるエポキシ樹脂の温度が、約８０〜１００度となるように調整される。約８０〜１００度のエポキシ樹脂は、粘性が約０．５（Ｐａｓ）以下と小さく、狭ピッチの半導体チップや狭い隙間であっても、スムースに移動することができる。
【００２７】
アンダーフィル用樹脂の供給は、基板上のすべての半導体チップに行われる（ステップＳ２０２）。すべての半導体チップへのアンダーフィル用樹脂の供給が完了すると、次に、基板が大気中から真空雰囲気に移行される（ステップＳ２０３）。このステップは、例えば、基板を真空チャンバー内へ移動して行われる。このとき、基板は、アンダーフィル用樹脂を供給するときの温度を維持された状態で真空雰囲気中に移行される。例えば、基板は、温度管理されたアームまたはステージによって支持され、真空チャンバー内に移送される。
【００２８】
真空チャンバーは、例えば、約１分間で約１Ｔｏｒｒに真空引きされる。この真空度および真空引きの時間は一例であり、この数値に限るものではない。真空引きの開始に伴い、図５の状態２に示すように、アンダーフィル用樹脂４０の外側の真空と空気溜り１１０の差圧Ｑにより空気溜まり１１０が外側に拡がるように膨張する。そして、状態３に示すように、空気溜まり１１０がさらに膨張すると、それを囲んでいたアンダーフィル用樹脂の壁部４０Ａの一部が壊され、そこに通路４０Ｂが形成される。そして、空気溜り１１０の空気は、通路４０Ｂを介して一気に外部へ排出され、壁部４０Ａによって囲まれた内部空間１２０は、真空状態になる。空気溜まり１１０が排出された反動で、アンダーフィル用樹脂４０の壁部４０Ａが幾分だけ収縮し、壁部４０Ａが連結することで通路４０Ｂが消滅し、状態４に示すように、内部空間１２０Ａがアンダーフィル用樹脂４０の壁部４０Ａによって包囲され、その状態が安定化される。
【００２９】
次に、真空チャンバー内の真空を解放し、基板を真空中から大気中へ移す（ステップＳ２０４）。真空チャンバー内が大気圧に戻ると、図５の状態５に示すように、アンダーフィル用樹脂４０の外周から大気圧が作用し、アンダーフィル用樹脂４０の壁部４０Ａが収縮する方向に等方的に内部に進行する。アンダーフィル用樹脂４０は、約８０〜１００度に保持されかつ粘性が低いため、大気圧によって壁部４０Ａが徐々に半導体チップの奥部に進行する。そして、状態６および状態７に示すように、内部空間１２０が徐々に小さくなり、最終的には、状態８に示すように内部空間１２０がほぼ完全に抹消される。こうして、半導体チップと基板との間隙は、アンダーフィル用樹脂４０によって完全に充填される。内部空間１２０は、もともと空気がない真空状態であるため、アンダーフィル用樹脂４０内に空気のボイドが発生することはほんどない。
【００３０】
以上のようなプロセスを用いてアンダーフィル用樹脂が充填された基板は、約１００℃の温度が保持された状態で一定期間保温される（ステップＳ２０５）。基板を一定時間を保温することで、アンダーフィル用樹脂４０が状態５から状態８へ遷移するのを確実にし、内部空間１２０をほぼ完全に消滅させる。次に、アンダーフィル用樹脂４０のガラス転移温度よりも高い温度になるように基板の温度を上昇させ一定時間保持しキュアを行う（ステップＳ２０６）。例えば、基板を約１５０℃に昇温し、約１時間、キュアをする。
【００３１】
本実施例では、大気中において空気が捕捉されるようにアンダーフィル用樹脂を半導体チップの外周に供給し、その後、基板を真空雰囲気中に移行させて捕捉された空気を完全に放出させ、再び、基板を大気中に戻すことで、アンダーフィル用樹脂によって囲まれた内部空間を消滅させるようにしたので、アンダーフィル用樹脂内に気泡やボイドが発生することが極力抑制され、空洞のないアンダーフィル用樹脂によって半導体チップと基板の密着性が改善され、フリップチップ接合されたバンプ間の接合を維持することができ、外部からの水分等の浸入を効果的に防止することができる。
【００３２】
さらに、大気中においてアンダーフィル用樹脂を供給することが可能になるため、真空チャンバー内にディスペンサを設置する必要はなくなり、アンダーフィル用樹脂を供給するためのディスペンサの構成は非常に簡易になる。従って、大気中で使用可能な既存のディスペンサをそのまま利用することができる。これにより、フリップチップ実装を行うための装置のコストを大幅に低減することができる。
【００３３】
上記実施例で説明した半導体チップおよび基板の構成は一例であって、これに限定されるものではない。例えば、半導体チップ２０の主面２２に形成されるバンプ２６は、金メッキのバンプ、またはＡｕスタッドバンプの他、それ以外のはんだバンプ、はんだボール等であってもよい。はんだバンプは、メッキやペースト印刷により形成することができる。はんだは、例えば、Ａｇ／Ｓｎ等の鉛フリーのはんだを用いることができる。この場合、基板の電極には、必ずしもはんだバンプを形成しなくてもよい。
【００３４】
さらに、基板３０は、ポリイミド基板やセラミック基板を用いることができ、基板は多層配線構造であってもよい。さらにアンダーフィル用樹脂は、エポキシ樹脂以外の樹脂であってもよい。また、マルチチップモジュールを得る場合には、複数の半導体チップを１グループとして基板をダイシングするようにしてもよい。
【００３５】
次に、フリップチップ接続の変形例について説明する。上記実施例に係る半導体装置は、ベアチップである半導体チップ２０を基板３０にフリップチップ実装する例を示したが、半導体チップの代わりに、半導体パッケージを実装してもよい。
【００３６】
図７は、ＢＧＡまたはＣＳＰなどの表面実装用の半導体パッケージ２００を基板２１０に実装したときの断面構造を示している。半導体パッケージ２００は、パッケージの裏面２０２に２次元的に配列される複数の外部端子２０４を備えている。外部端子２０４は、例えばはんだボールである。複数の外部端子２０４は、基板２１０の上面に形成された導電性ランド２１２に接合され、その後、パッケージの裏面２０２と基板２１０との隙間にアンダーフィル用樹脂２２０が充填される。アンダーフィル用樹脂２２０は、上記実施例のときと同様に図４に示すプロセスで実施される。
【００３７】
基板２１０の外部電極２１６は、内部配線２１４を介して導電性ランド２１２に接続され、導電性ランド２１２には、半導体パッケージ２００の外部端子２０４が接続される。基板２１０の外部端子２１６には、バンプ等を接続することができる。このように、半導体パッケージ２００と基板２１０の間に、真空雰囲気でアンダーフィル用樹脂を充填することにより、アンダーフィル用樹脂のボイドや気泡の発生を抑制し、半導体パッケージと基板の電極の接合強度を向上させることができる。
【００３８】
さらに、半導体装置は、半導体パッケージの上に他の半導体パッケージを搭載する、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）の構造であってもよい。図８は、ＢＧＡパッケージの上にＢＧＡパッケージが積層されたＰＯＰ構造の半導体装置の断面を示している。
【００３９】
第１の半導体パッケージ３００は、多層配線基板３０２と、多層配線基板３０２の裏面に形成された複数のはんだボール３０４と、多層配線基板３０２の上面に形成されたモールド樹脂３０６とを備えている。基板３０２の上面にダイアタッチ３０８を介して半導体チップ３１０が取り付けられ、半導体チップ３１０の電極はボンディングワイヤ３１２により基板上の銅パターン３１４に接続されている。半導体チップ３１０およびボンディングワイヤ３１２を含む領域がモールド樹脂３０６によって封止されている。
【００４０】
第１の半導体パッケージ３００上に、第２の半導体パッケージ４００が積層されている。第２の半導体パッケージ４００は、例えば基板４０２の上面に半導体チップ４０４、４０６を積層し、これらの半導体チップ４０４、４０６がモールド樹脂４０８によって封止されている。基板４０２の裏面には、その４方向に２列のはんだボール４１０が形成されている。
【００４１】
第２の半導体パッケージ４００を第１の半導体パッケージ３００上にマウントしたとき、はんだボール４１０が、モールド樹脂３０６を取り囲むように配置され、基板３０２の上面に形成された電極３１６に接続される。次に、第１の半導体パッケージ３００と第２の半導体パッケージ４００の隙間に、アンダーフィル用樹脂４２０が供給される。アンダーフィル用樹脂は、上記と同様に、大気中で供給され、次いで真空雰囲気に移され、その後大気中に戻される。これにより、第１および第２のパッケージのはんだボール４１０と電極３１６との接合強度を向上させ、破断を防止することができる。
【００４２】
図９は、フリップチップ実装を行うための半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。本製造装置５００は、複数の基板を収納するローダー５１０、半導体チップを基板にフリップチップ接合するフリップチップステージ５２０、フリップチップ接合された基板にアンダーフィル用樹脂を供給するアンダーフィルステージ５３０、フリップチップ接合が終了した基板を複数収容するアンローダーステージ５４０を含んで構成される。ローダーステージ５１０は、複数の基板３０を垂直方向に積層するローダー５１２を含み、ローダー５１２は、図示しないヒーターにより一定の温度に加熱されている。ローダー５１２から取り出された基板３０は、予熱ステージ５１４にて温度調整され、温度が保持された状態でフリップチップステージ５２０に搬送される。
【００４３】
次に、基板３０はヒートブロック５２２上に搭載され、ヒートブロック５２２により基板３０がフリップチップ接合に必要な温度に保たれる。そして、チップトレイチェンジャー５２４からチップマウンターにより取り出された半導体チップ２０が、基板３０上に位置決めして載置される。半導体チップ２０のバンプ２６は、超音波振動等により基板３０のバンプ３４に接合される。
【００４４】
次に、大気中でディスペンサ５３２によりアンダーフィル用樹脂が基板上の各半導体チップに供給される。次に、基板は、温度が保持された状態で真空チャンバー５３４内に移動され、真空状態の置かれる。一定時間経過後、真空チャンバーの真空が開放され、内部が大気状態の置かれ、その状態で一定時間保温される。次に、基板は、真空チャンバーから取り出され、図示しないヒートブロック上で一定時間キュアされる。最後に、基板３０は、アンローダー１４０内にストックされる。
【００４５】
本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明に係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、小型化、高密度化、狭ピッチ化された半導体チップや半導体装置の表面実装に利用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０：半導体装置                  ２０：半導体チップ
２２：主面                        ２４：電極
２６：バンプ                      ３０：基板
３２：電極                        ３４：バンプ
３６：内部配線                    ３８：外部電極
４０：アンダーフィル用樹脂        ４０Ａ：壁部
４０Ｂ：壁部の通路                ２００：半導体パッケージ
２１０：基板                      ２２０：アンダーフィル用樹脂
３００：第１の半導体パッケージ    ４００：第２の半導体パッケージ
４２０：アンダーフィル用樹脂      ５００：製造装置
５１０：ローダー                  ５２０：フリップチップステージ
５３０：アンダーフィルステージ    ５３２：ディスペンサ
５３４：真空チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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