(57)【要約】【課題】半導体ウエハと光透過性を有する基板とを貼り合わせる場合において、貼り合わせの位置精度の向上及び接着剤の厚みバラツキの低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  半導体ウエハとコーティング基板との貼り合わせ工程において、矯正基板にコーティング基板を接着してコーティング基板の反りを矯正する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子構造を含む半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、
光透過性を有する光透過基板上にコーティング膜が形成されたコーティング基板を準備するコーティング基板準備工程と、
前記コーティング基板と前記半導体ウエハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記貼り合わせ工程は、矯正基板に前記コーティング基板を接着して、前記コーティング基板の反りを矯正する反り矯正工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記矯正基板は前記半導体ウエハであって、
前記反り矯正工程は、前記半導体ウエハ上に接着剤を塗布する接着剤形成工程と、前記接着剤を半硬化温度で加熱する第１加熱工程と、前記接着剤を介して前記コーティング基板を前記半導体ウエハ上に配置する配置工程と、前記コーティング基板を半導体ウエハに対して押圧しつつ前記接着剤を硬化温度で加熱する第２加熱工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記反り矯正工程は、前記矯正基板上に補助接着剤を塗布する接着剤形成工程と、前記補助接着剤を介して前記矯正基板と前記コーティング基板とを仮接着しつつ前記矯正基板に対して前記コーティング基板を押圧する反り矯正接着工程と、接着剤を介して当該仮接着されたコーティング基板を前記半導体ウエハ上に配置する配置工程と、前記接着剤を硬化温度で加熱する硬化加熱工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記貼り合わせ工程後に、前記矯正基板を前記コーティング基板から剥離する剥離工程を更に有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記接着剤は、前記半導体ウエハ上に塗布されることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤は、前記矯正基板に接着された前記コーティング基板上に塗布されることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記補助接着剤は、ＵＶ硬化型の接着剤であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着剤は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法であって、特に、センサＣＳＰ（Chip Scale Package又はChip Size Package）タイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話の小型化及び高性能化にともない、携帯電話に用いられるカメラモジュールの高画素対応及び低背化が進んでいる。また、携帯電話用のカメラモジュールに内蔵されるセンサ部品にも小型化が要求されている。従来からセンサの実装にはワイヤーボンド方式やフリップチップ方式等が採用されていたが、近年においてはセンサをＣＳＰ（Chip Scale Package又はChip Size Package）として実装する方式が注目されている。この方式は、センサがチップサイズに近い超小型・薄型で形成されるため高密度実装が可能となる。また、この方式は、プリント基板へのセンサの実装に従来の表面マウント技術を利用することできる。なお、以下においては、このようなセンサをセンサＣＳＰと称する。
【０００３】
センサＣＳＰには種々の方法があり、センサをウエハ状態で製造する場合（以下、ウエハレベルＣＳＰと称する）には、パッケージ側面に配線を形成する方式と、各センサＣＳＰ（すなわち、センサチップごと）に貫通孔（ビアホール）を設けるＴＳＶ（Through Silicon Via）方式とが知られている。
【０００４】
ＴＳＶ方式のセンサＣＳＰの１例を図１（ａ）を参照しつつその構造について説明する。図１（ａ）は、ＴＳＶ方式のセンサＣＳＰ１００の断面図を示している。センサＣＳＰ１００は、半導体素子が形成された半導体素子基板１０１、半導体素子基板１０１の主面上に塗布された接着剤１０２、接着剤１０２を介して半導体素子基板１０１に貼り付けられたカバーガラス１０３、半導体素子基板１０１を主面から裏面までを貫通するＴＳＶ１０４、半導体素子基板１０１の裏面に形成された裏面配線１０５、裏面配線１０５を覆う裏面封止層１０６及び裏面配線１０５を介してＴＳＶ１０４に接続された端子１０７から構成されている。かかる構成においては、半導体チップ１０１の主面に形成された主面配線（図示せず）がＴＳＶ１０４及び裏面配線１０５を介して端子１０７に接続している。
【０００５】
次に、センサＣＳＰ１００を用いたカメラモジュールの１例の図１（ｂ）を参照しつつその構造について説明する。図１（ｂ）は、センサＣＳＰ１００を用いたカメラモジュール２００の断面図を示している。カメラモジュール２００は、主面上に回路及びセンサＣＳＰ１００が搭載されるパッド（いずれも図示せず）が形成された基板２０１、当該パッドに搭載されたセンサＣＳＰ１００、センサＣＳＰ１００を囲む筐体２０２、センサＣＳＰ１００のカバーガラス１０３に対向して筐体２０２に固定されたＩＲカットガラス２０３及びＩＲカットガラスの上部において筐体２０２によって固定された２枚の光学レンズ２０４から構成されている。ＩＲカットガラス２０３は、ガラス基板の表面に約５０層の薄膜がコーティングされた構造を有するため、赤外線領域の光の透過を防止することができる。かかる５０層の薄膜構造は、誘電体膜として低屈折率（例えば、二酸化シリコン：ＳｉＯ２）と高屈折率（例えば、五酸化タンタル：Ｔａ２Ｏ５）の蒸着材料をガラス基板の表面に交互に成膜する構造である。
【０００６】
近年においては、カメラモジュール２００の低背化の要求により、センサＣＳＰ１００のカバーガラス１０３に上述したコーティング処理を施し、ＩＲガットガラス２０３の削除することが検討されている。
【０００７】
なお、特許文献１には、ホットメルト型の接着剤を用い、接着剤内に気泡が入り込まないようにウエハと補強用基板とを貼り合わせる方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００７−１０９９９９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、カバーガラスは０．３〜０．５ｍｍと非常に薄いため、上述したコーティング処理によって反りが発生する。かかるカバーガラスの反りは、蒸着の順番（低屈折率膜と高屈折率の蒸着順序）や膜厚のバラツキ等に起因するため、ガラス基板の両面にコーティングを施しても当該反りを完全に無くすことは困難である。例えば、カバーガラスのサイズが直径８ｍｍ、厚み０．３ｍｍである場合において、カバーガラスの両面に上述したコーティングを施すと、コーティングされたカバーガラス（以下、単にコーティングガラスと称する）にはコーティングガラスの中心を基準にしてその円周において約０．１ｍｍの反りが発生する。このような反りがコーティングガラスに発生すると、コーティングガラスと半導体素子が形成された半導体ウエハとの貼り合わせが困難になる問題が発生する。
【０００９】
フィルム状の接着剤を使用し、コーティングガラスと半導体ウエハとの貼り合わせ時に所定の圧力をコーティングガラスに加えれば貼り合わせ可能になるが、コーティングガラスの反りによりコーティングガラスと半導体ウエハとの間に位置ずれが生じてしまう。また、液状樹脂の接着剤を使用し、コーティングガラスと半導体ウエハとの貼り合わせ時に所定の圧力をコーティングガラスに加えて反りを矯正しても、コーティングガラスと半導体ウエハの間から接着剤がはみ出してしまう。また、液状樹脂の接着剤を使用した場合には接着剤の厚みばらつきが大きくなる問題点もある。
【００１０】
本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハと光透過性がある基板とを貼り合わせる場合において、貼り合わせの位置精度の向上及び接着剤の厚みバラツキの低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子構造を含む半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、光透過性を有する光透過基板上にコーティング膜が形成されたコーティング基板を準備するコーティング基板準備工程と、コーティング基板と記半導体ウエハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、貼り合わせ工程は、矯正基板にコーティング基板を接着して、コーティング基板の反りを矯正する反り矯正工程を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウエハとコーティング基板との貼り合わせ工程において、矯正基板にコーティング基板を接着してコーティング基板の反りを矯正する故、貼り合わせにおける位置精度の向上及び接着剤の厚みバラツキの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【実施例１】
【００１４】
図２乃至図５を参照しつつ、本発明の実施例である半導体装置の製造方法について説明する。図２は半導体装置の製造工程のフロー図であり、図３は半導体装置の製造工程ごとの断面図であり、図４は半導体装置の製造工程における温度、接着時の半導体ウエハに対するコーティングされたガラス基板の押圧量及び半導体ウエハとコーティングが施されたカバーガラス（以下、単にコーティングガラスと称する）との距離の時間変化を示すタイムチャートである。また、図５（ａ）は、本実施例の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の断面図であり、図５（ｂ）は誘電体膜によって被覆されたガラス基板の断面図である。
【００１５】
先ず、シリコン等の半導体基板に複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ１１が準備される。（図２：ステップＳ１、図３（ａ））。例えば、図５（ａ）に示されているように、半導体ウエハ１１は、半導体素子領域（例えば、ＰＮ接合からなるＰＮダイオード領域）が形成された半導体素子基板２１、半導体素子基板２１を主面から裏面までを貫通するＴＳＶ２２、半導体素子基板２１の裏面に形成された裏面配線２３、裏面配線２３を覆う裏面封止層２４及び裏面配線２３を介してＴＳＶ２２に接続された端子２５からなる半導体チップ２６が複数形成されたウエハである。なお、半導体素子基板２１上にはアルミニウム等の電極パッド（図示せず）が形成されていても良い。
【００１６】
次に、接着剤（第１の接着剤）１２が半導体ウエハ１１上に塗布される（図２：ステップＳ２、図３（ｂ））。例えば、接着剤はエポキシ樹脂であっても良い。また、本接着剤塗布工程は、当該エポキシ樹脂を半導体ウエハ１１の高速回転による遠心力によって塗布するスピンコート方式、印刷方式又はスプレー塗布方式を利用した塗布であっても良い。
【００１７】
次に、ガラス基板の両面に薄膜（すなわち、コーティング膜）のコーティングが施された光透過性を有する基板１３（以下、コーティングガラスと称する）が準備される（図２：ステップＳ３）。当該準備したコーティングガラス１３及び当該接着剤１２が塗布された半導体ウエハ１１が、所定の距離だけ離間されて貼り合わせ装置（図示せず）内に配置される。図４に示されているように、半導体ウエハ１１とコーティングガラス１３との距離は０．３〜１．０ｍｍに設定される。コーティングガラス１３は、図５（ｂ）に示されているように、ガラス基板３１に約５０層の薄膜からなるコーティング層３２が形成された構造を有している。従って、コーティングガラス１３は、赤外線領域の光の透過を防止することができる。コーティング層３２は、低屈折率（例えば、二酸化シリコン：ＳｉＯ２）と高屈折率（例えば、五酸化タンタル：Ｔａ２Ｏ５）の蒸着材料を交互に堆積した構造であっても良い。また、ガラス基板３１の片面にのみコーティング層３２を設けても良い。当該コーティングによって、コーティングガラス１３は、図５（ｂ）に示されているような反りを有している。
【００１８】
半導体ウエハ１１及びコーティングガラス１３が貼り合わせ装置内に配置された後、所定の加熱によって貼り合わせ装置内の温度が所定の温度まで上昇する。また、貼り合わせ装置内の温度上昇にともない接着剤１２の温度も所定温度（すなわち、半硬化温度）まで上昇する。具体的な温度調整は図４に示されているように、接着剤１２が摂氏約１２０度（１２０℃）になるまで加熱が施される。そして、接着剤１２の温度が約１２０℃の状態で約１０分間維持される。接着剤１２は、約１２０℃に到達すると半硬化状態に変化する（図２：ステップＳ４）。半硬化状態とは、接着剤１２が完全に硬化する前の状態であって、コーティングガラス１３の仮止めが可能であり且つコーティングガラス１３が半導体ウエハ１１に対して所定の押圧量にて押圧されも接着剤１２がはみ出たり又は接着剤１２の厚みばらつきが無い硬化状態である。なお、本工程を第１加熱工程と称する。
【００１９】
１２０℃の状態で１０分間の加熱が終了後、接着剤１２を介してコーティングガラス１３が半導体ウエハ１１上に配置される（図２：ステップＳ５、図３（ｃ））。本工程におけるコーティングガラス１３状態は、接着剤１２が半硬化状態であるため接着剤１２に仮止めされ、更に後述する所定の押圧によって更にコーティングガラス１３の位置（半導体ウエハ１１に対する位置及びその反り）を調整することができる状態である。なお、図３（ｃ）においては、コーティングガラス１３の中央部が周囲よりも反り上がった上体で配置されているが、コーティングガラス１３を逆に配置してその中央部が周囲よりも接着剤１２に近い状態（すなわち、周囲が反り上がった状態）で配置しても良い。
【００２０】
コーティングガラス１３の配置後、所定の加熱によって再び貼り合わせ装置内の温度が所定の温度（すなわち、硬化温度）まで上昇する。また、かかる温度上昇とともに、半導体ウエハ１１に対するコーティングガラス１３への押圧量が所定の押圧量まで増加する（図２：ステップＳ６、図３（ｄ））。具体的には、図４に示されているように、接着剤１２が約１４０℃になるまで加熱が施され、１４０℃の状態が約５分間維持される。また、コ半導体ウエハ１１に対するコーティングガラス１３への押圧量が０．１ＭＰａ（メガパスカル）になるまで押圧量が増加され、０．１ＭＰａによる押圧が約５分間維持される。接着剤１２は、温度が１４０℃に到達すると本硬化状態に変化する。本硬化状態とは、接着剤１２に貼り合わせられたコーティングガラス１３の位置ずれの発生が無くなり、その貼り合わせ位置が決定される状態である。１４０℃、０．１ＭＰａによる押圧状態が５分間維持された後、温度及び押圧量は徐々に降下する。なお、本工程を第２加熱工程と称する。
【００２１】
上述した接着剤１２の本硬化状態において、コーティングガラス１３に所定の押圧（０．１ＭＰａ）を加えることで、コーティングガラス１３の反りが矯正される（図３（ｅ））。これは、接着剤１２の半硬化状態（すなわち、コーティングガラス１３の位置および反りが調整できる状態）から徐々に押圧を加えるため、接着剤１２にコーティングガラス１３の反りを矯正することが可能となる。また上述した工程から、本実施例においては、半導体ウエハ１１がコーティングガラス１３の反りを矯正するための矯正基板としても使用される。
【００２２】
接着剤１２の温度が常温に戻ると、更に他の加熱装置等によってコーティングガラス１３が貼り合せされた半導体ウエハ１１に追加の加熱処理が施される（図２：ステップＳ７）。例えば、約１６０℃で１時間の追加加熱が実施されても良い。かかる追加加熱によって、接着剤１２の完全な硬化が完了する。
【００２３】
追加加熱処理後に、半導体ウエハ１１の所定のダイシング領域にダイシングが実施されることにより、半導体ウエハ１１がチップ化される。具体的には、図５（ａ）に示されているような、センサＣＳＰ２０が形成される。図５（ａ）に示されているように、コーティングガラス１３が接着剤１２を介して半導体ウエハ１１上に反りが無い状態で貼り合わされている。
【００２４】
以上のように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウエハ１１とコーティングガラス１３との貼り合わせ工程において、半硬化状態の接着剤１２を介してコーティングガラス１３が半導体ウエハ１１上に配置され、更に接着剤１２の本硬化状態までに所定の押圧が加えられることにより、半導体ウエハ１１とコーティングガラス１３との貼り合わせ状態の位置精度の向上及び接着剤の厚みバラツキの低減を図ることができる。
【実施例２】
【００２５】
第１の実施例においては接着剤の硬化状態を２段階（半硬化状態及び本硬化状態）に分け、接着剤の半硬化状態のときにコーティングガラスを半導体ウエハ上に配置し、本硬化状態のときにコーティングガラスの位置決めを実施していたが、硬化状態を分けることなくコーティングガラスを接着剤介して半導体ウエハに貼り合わせても良い。以下に、その具体例を図６乃至図８を参照しつつ説明する。なお、第１の実施例と同一の部材については同じ符号を付する。
【００２６】
先ず、シリコン等の半導体基板に複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ１１が準備される。（図６：ステップＳ１０１、図７（ａ））。なお、半導体ウエハ１１は第１の実施例の構造と同一であって、図５（ａ）に示されているように、半導体素子基板２１、ＴＳＶ２２、裏面配線２３、裏面封止層２４及び端子２５から構成されている
次に、半導体ウエハ１１上に接着剤１２が塗布される（図６：ステップ１０２、図７（ｂ））。接着剤１２は、第１の実施例と同様に、接着剤はエポキシ樹脂であっても良い。また、本接着剤塗布工程は、当該エポキシ樹脂を半導体ウエハ１１の高速回転による遠心力によって塗布するスピンコート方式、印刷方式又はスプレー塗布方式を利用した塗布であっても良い。
【００２７】
次に、コーティングガラス１３の反りを矯正するための矯正基板として支持基板７１が準備される（図６：ステップＳ１０３、図７（ｃ））。例えば、支持基板７１は、ガラス、セラミック又は樹脂等の材質からなる基板である。なお、支持基板７１は、後述するコーティングガラスの反りの矯正に使用されるため、平坦な不撓性の基板であることが望ましい。
【００２８】
次に、補助接着剤（第２の接着剤）７２が支持基板７１上に塗布される（図６：ステップＳ１０４、図７（ｄ））。例えば、補助接着剤７２はＵＶ硬化型接着剤であっても良い。補助接着剤７２にＵＶ硬化型接着剤を用いる理由は、ＵＶ硬化型接着剤介して支持基板７１に接着された後述するコーティングガラスを容易に剥離することが可能になるからである。従って、補助接着剤７２は、容易にコーティングガラスを剥離することが可能であれば、その他の補助接着剤であっても良い。
【００２９】
次に、ガラス基板の両面に薄膜のコーティングが施された光透過性を有する基板１３（以下、コーティングガラスと称する）が準備される（図６：ステップＳ５）。コーティングガラス１３は、第１の実施例と同一であって、図５（ｂ）に示されているような反りを有している。
【００３０】
次に、補助接着剤７２を介してコーティングガラス１３が支持基板７１上に配置される。続いて、補助接着剤７２にＵＶ光が照射され、コーティングガラス１３が補助接着剤７２を介して支持基板７１に仮接着される（図６：ステップＳ１０６、図７（ｅ））。かかる仮接着工程の際に、コーティングガラス１３が支持基板７１に対して所定の押圧量にて押圧される。かかる押圧によってコーティングガラス１３の反りが矯正される（図７（ｆ））。例えば、かかる押圧量は、０．１ＭＰａであっても良い。なお、押圧によって補助接着剤７２がはみ出ることもあるが、後述する剥離工程よって補助接着剤７２は除去されるため、センサＣＳＰとしての問題は発生しない。また、本工程はシート状の接着剤を用いたＷＳＳ（Wafer support system：ウエハサポートシステム）を利用することもできる。上述した反りを矯正する工程を矯正接着工程と称する。
【００３１】
次に、上述した支持基板７１に仮接着されたコーティングガラス１３が、半導体ウエハ１１の接着剤１２が塗布された面と対向するように、接着剤１２が塗布された半導体ウエハ１１及び支持基板７１に仮接着されたコーティングガラス１３が貼り合わせ装置（図示せず）内に配置される。続いて、コーティングガラス１３が接着剤１２上に配置される（図６：ステップＳ１０７、図８（ａ））。配置工程においては、コーティングガラス１３の仮接着剤７２に接着されていない面が接着剤１２を介して半導体ウエハ１１に対向して配置される。
【００３２】
次に、貼り合わせ装置内の温度が所定の温度にまで加熱され、これにともなって接着剤１２も硬化温度まで加熱される。接着剤１２は、かかる加熱により硬化し、半導体ウエハ１１とコーティングガラス１３とを貼り合わせせる（図６：ステップＳ１０８、図８（ｂ））。なお、本実施例においては、第１の実施例のように接着剤１２を仮硬化状態にするような加熱は実施されず、１４０℃、５分の加熱のみを実施する。かかる加熱工程を硬化加熱工程と称する。なお、かかる加熱工程において、コーティングガラス１３が半導体ウエハ１１に対して所定の押圧量にて押圧されても良い。
【００３３】
その後、第１の実施例と同様に、他の恒温層を利用して、貼り合わされた状態の半導体ウエハ１１に１６０℃、１時間の追加加熱処理を実施する。更に、仮接着剤７２に所定の熱が加えられ、コーティングガラスから支持基板７１が剥離される（図６：ステップ１０９、図８（ｃ））。例えば、アクリル系の樹脂を成分に有するＵＶ硬化型の接着剤であれば、８５℃、３０分以上の加熱によりコーティングガラス７１から支持基板７１が剥離される。その後、半導体ウエハ１１の所定のダイシング領域にダイシングが実施され、半導体ウエハ１１がチップ化される。具体的には、第１の実施例と同様に図５（ａ）に示されているような、センサＣＳＰ２０が形成される。
【００３４】
なお、本実施例においては、接着剤１２が半導体ウエハ上に塗布されたが、コーティングガラス１３上に塗布されても良い。これは、コーティングガラス１３の反りが仮接着剤７２を介した支持基板７１との仮接着により矯正されているため、コーティングガラス１３上に接着剤１２を塗布した貼り合わせでも精度良く貼り合わせを実施できるからである。
【００３５】
以上のように、第２の実施例においては、コーティングガラス１３の反りを矯正した後に、半導体ウエハ１１と貼り合わせを行うため、液状接着剤でも半導体ウエハ１１上にコーティングガラスを精度良く貼り合わせることができる。また、第１の実施例のような仮硬化状態のための加熱が不要であるため、仮硬化状態を生成することが困難な接着剤においても、精度良くコーティングガラスを半導体ウエハに貼り合わせることが可能となる。
【００３６】
なお、上記した実施例においては、半導体ウエハ上に貼り合わされる基板はガラス材であったが、光透過性を有する有機材料、セラミック又はシリコン等からなる基板であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（ａ）は従来のセンサＣＳＰ（Chip Scale Package又はChip Size Package）タイプの半導体装置の断面図であり、（ｂ）は従来の半導体装置を用いたカメラモジュールの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例である半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。
【図３】本発明の第１の実施例である半導体装置の製造方法の各製造工程における断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例である半導体装置の製造方法のタイムチャート図である。
【図５】（ａ）は本発明の第１の実施例である半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の断面図であり、（ｂ）は誘電体膜によって被覆されたガラス基板断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例である半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。
【図７】本発明の第２の実施例である半導体装置の製造方法の各製造工程における断面図である。
【図８】本発明の第２の実施例である半導体装置の製造方法の各製造工程における断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１  半導体ウエハ
１２  接着剤（第１の接着剤）
１３  コーティングガラス
２０  センサＣＳＰ
２１  半導体素子基板
２２  ＴＳＶ
２３  裏面配線
２４  裏面封止層
２５  端子
２６  半導体チップ
３１  ガラス基板
３２  コーティング層
７１  支持基板
７２  補助接着剤（第２の接着剤）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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