(57)【要約】      （修正有）【課題】側面からの入射光を制限しつつ製造工程数を抑えその収率を向上させ得る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、第１主面および第１主面とは反対側の第２主面の間を貫通する貫通電極６、並びに、第１主面に形成された受光部１１および受光部の周囲の第１配線１５を有する半導体チップ１０と、第１主面の受光部の周囲に接着層９を介して固着されかつ受光部を覆う透光性チップ４と、透光性チップの側面および接着層にのみ固着される遮光性樹脂層５と、を含む。【選択図】図１
2010040672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および前記第１主面とは反対側の第２主面の間を貫通する貫通電極、並びに、前記第１主面に形成された受光部および前記受光部の周囲の第１配線を有する半導体チップと、
前記第１主面の前記受光部の周囲に接着層を介して固着されかつ前記受光部を覆う透光性チップと、
前記透光性チップの側面および前記接着層にのみ固着される遮光性樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記遮光性樹脂層は前記第１および第２主面と直交する外側面を有し、前記外側面が前記半導体チップの側面と同一平面にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記遮光性樹脂層は前記第１および第２主面と直交する外側面を有し、前記外側面が前記透光性チップの側面および前記半導体チップの側面に平行であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは前記第２主面に形成された第２配線を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記貫通電極の前記第１主面側の端部には、金属パッドが形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記透光性チップはガラスからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項７】
各々が、第１主面および前記第１主面とは反対側の第２主面の間を貫通する貫通電極並びに前記第１主面に形成された受光部および前記受光部の周囲の第１配線を含む、複数の回路領域を有する半導体ウエハと、前記回路領域の各々の周囲に接着層を介して固着されかつ前記受光部を覆う透光性基板と、からなる貼着体を形成する工程と、
前記貼着体の前記透光性基板に前記接着層に達する溝を形成し、前記溝のみに遮光性樹脂を充填して遮光性樹脂層を形成する工程と、
前記溝より狭い幅で前記遮光性樹脂層を切断して、前記貼着体を前記接着層にて接合された半導体チップおよび透光性チップの複数に分断するとともに、前記遮光性樹脂層を、前記透光性チップの側面および前記接着層にのみ固着されたままで残す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記遮光性樹脂層は前記第１および第２主面と直交する外側面を有し、前記外側面が前記半導体チップの側面と同一平面にあるように、前記溝が前記遮光性樹脂層側から前記接着層まで形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記遮光性樹脂層は前記第１および第２主面と直交する外側面を有し、前記外側面が前記透光性チップの側面および前記半導体チップの側面に平行であるように、前記溝が前記接着層を分断するように形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記貼着体を形成する工程は、
前記透光性基板を用意し、前記透光性基板または半導体ウエハの前記第１主面の少なくとも一方に前記半導体ウエハの受光部を囲むように接着層を形成して、前記接着層を介して前記透光性基板および半導体ウエハを貼り合わせる工程と、
前記透光性基板に貼着した前記半導体ウエハの前記第１主面とは反対側から前記半導体ウエハを研削して前記第２主面を形成する工程と、
前記第２主面から半導体ウエハを貫通して第１主面の前記第１配線にまで到達する貫通電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体ウエハの前記第２主面に前記貫通電極に接続される第２配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通電極の前記第１主面側の端部には、金属パッドが形成されることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、センサモジュールなど半導体チップおよび保護ガラスを有する半導体装置構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のセンサモジュールなど半導体チップおよび保護ガラスを有する半導体装置には、半導体チップのマイクロレンズ上に設けられた光学部材の側面に遮光膜が形成された構造（特許文献１、参照）や、受光素子を含む回路部を有する半導体チップとその上に形成された被覆層とを有し、半導体チップ全体および被覆層の側面に封止樹脂が形成された構造（特許文献２、参照）や、イメージセンサチップの受光部を覆って保護するカバーガラスがスペーサを介して支持され、イメージセンサチップに貫通配線が設けられたウエハレベルチップサイズパッケージの固体撮像装置構造（特許文献３、参照）が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４２０５８
【特許文献２】特開２００４−３６３３８０
【特許文献３】特開２００７−１８４６８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術においては、個別の光学部材毎に遮光膜を設け、さらに、個別の光学部材を個別の半導体チップ毎に接着するので、撮像素子ごとの製造工程数が多くなり、工程の削減が可能な構造が望まれる。
【０００５】
特許文献２の技術においては、半導体チップの裏面の外部端子を高く柱状にした後に、半導体装置の裏面側面を覆う封止層を形成し、封止層を研磨した後に外部端子上にバンプ電極を形成しており、全体として厚い半導体装置となっている。さらに、柱状外部端子からバンプ電極を引き出すために種々工程が追加され、製造工程が多くなっている。よって、薄い半導体装置が望まれているとともに工程の削減が可能な構造が望まれる。また、ダイシング工程において被覆層のガラスと半導体ウエハ（以下、単にウエハともいう）との両方に適したブレードによってカットしなくてはならず、ブレードの選択肢が少なくなり、また、両方に適したブレードでは、被覆層に適したブレードを用いた場合に比較して、被覆層の切断面に割れ、欠け等が生じ、光が入射する被覆層上面にも影響する虞がある。また、半導体装置の側面を傾斜させてカットする場合に、１枚の半導体ウエハから得られる半導体装置の収率が制限される。
【０００６】
特許文献３の固体撮像装置においては、撮像時にイメージセンサチップを透過した光が反射して受光に入射するのを防止する反射防止層がイメージセンサチップ裏面に形成されているが、上記カバーガラス側面より光が進入するため所望の特性が得られないという問題があり、さらに、カバーガラスおよび半導体ウエハをダイシング技術により分割するため、両方に適したブレードによって広いカット幅が必要なため半導体チップのスクライブライン幅を広く設定する必要があり、半導体ウエハ上の素子の有劾数が減少してしまう課題があった。さらに、ダイシング時のカバーガラスの角部での欠けや取り扱い中の欠けが発生しやすく歩留まりが低下することや、あるいは、スペーサ接着部界面にダイシングのストレスがかかり、耐湿性などの信頼性の低下するという技術的課題が生じる。
【０００７】
そこで、本発明は以上の従来の技術問題に鑑みて考案されたものであり、製造工程数を抑え半導体装置の収率を向上させ得る半導体装置およびその製造方法を提供することが解決しようとする課題の一つとして挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体装置は、第１主面および前記第１主面とは反対側の第２主面の間を貫通する貫通電極、並びに、前記第１主面に形成された受光部および前記受光部の周囲の第１配線を有する半導体チップと、前記第１主面の前記受光部の周囲に接着層を介して固着されかつ前記受光部を覆う透光性チップと、前記透光性チップの側面および前記接着層にのみ固着される遮光性樹脂層と、を含むことを特徴とする。本発明による半導体装置の製造方法は、各々が、第１主面および前記第１主面とは反対側の第２主面の間を貫通する貫通電極並びに前記第１主面に形成された受光部および前記受光部の周囲の第１配線を含む、複数の回路領域を有する半導体ウエハと、前記回路領域の各々の周囲に接着層を介して固着されかつ前記受光部を覆う透光性基板と、からなる貼着体を形成する工程と、前記貼着体の前記透光性基板に前記接着層に達する溝を形成し、前記溝のみに遮光性樹脂を充填して遮光性樹脂層を形成する工程と、前記溝より狭い幅で前記遮光性樹脂層を切断して、前記貼着体を前記接着層にて接合された半導体チップおよび透光性チップの複数に分断するとともに、前記遮光性樹脂層を、前記透光性チップの側面および前記接着層にのみ固着されたままで残す工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体装置構造では、遮光性樹脂層が、透光性チップの側面と接着層とにのみ固着されるので、耐湿性などの信頼性を維持するとともに、構造全体として薄い半導体装置を形成することが可能となる。本発明によれば、半導体チップ裏面にも樹脂を形成してポストを形成して電極を高くした後に外部端子を形成する上記特許文献２の技術の厚い半導体装置と比較して小型化が可能となる。光学部材の側面に遮光膜が形成された特許文献１の技術に比較しても、本発明の構造は、貫通電極を備えるので、搭載する面積が狭くなり小型化が可能となる。
【００１０】
さらに、本発明の製造方法では、ダイシング領域に溝を形成し、その内部のみに遮光性樹脂を注入することでコストを抑えて形成することが可能となる。よって、本発明によれば、ダイシング領域に溝を形成した後に半導体チップ全体に樹脂層を形成して、樹脂層から電極を引き出すためにポスト形成工程が追加されている上記特許文献２の技術と比較して工程が大幅に減少される。
【００１１】
本発明による半導体装置の製造方法においては、遮光性樹脂層は第１および第２主面と直交する外側面を有し、外側面が半導体チップの側面と同一平面にあるように、溝を遮光性樹脂層側から接着層まで形成することができる。すなわち、本発明によれば、遮光性樹脂層が半導体チップの側面は覆わずに透光性チップの側面のみを覆う構成となっているので、装置搭載面積の大きさを半導体チップの大きさと同じにすることが可能となり装置小型化が可能となる。さらに、本発明によれば、溝形成において、半導体ウエハはカットせずに、透光性基板部分のみをカットしており、ブレードは透光性基板に適したものを選択することが可能となる。この点、上記特許文献２の技術における溝形成において、ガラス板と半導体ウエハとをカットし、ガラス板と半導体ウエハの両方に適したブレードによってカットしなくてはならず、ブレードの選択肢が制限されるが、本発明では制限されない。また、上記特許文献２の技術の場合、両方に適したブレードでは、ガラス板に適したブレードを用いた場合に比較して、ガラス板の切断面に割れ、欠け等が生じ、光が入射するガラス板上面にも影響する虞がある。
【００１２】
また、本発明によれば、溝形成において半導体ウエハはカットせずに、透光性基板部分のみをカットしているので、上記特許文献２の技術に比較して、１枚の半導体ウエハから得られる半導体装置の有効数を多くすることでき、収率が向上となる。
【００１３】
本発明による半導体装置の製造方法においては、遮光性樹脂層は第１および第２主面と直交する外側面を有し、外側面が透光性チップの側面および半導体チップの側面に平行であるように、溝が接着層を分断するように形成されることができる。すなわち、この実施例構造では、遮光性樹脂層が、透光性チップの側面と透光性基板および半導体ウエハ間の接着層とにのみ固着されるので、耐湿性などの信頼性を維持するとともに、遮光性樹脂層の材料節約が可能となる。
【００１４】
本発明による半導体装置の製造方法において、貼着体を形成する工程は、透光性基板または半導体ウエハの第１主面の少なくとも一方に半導体ウエハの受光部を囲むように接着層を形成して、接着層を介して透光性基板および半導体ウエハを貼り合わせる工程と、透光性基板に貼着した半導体ウエハの第１主面とは反対側から半導体ウエハを研削して第２主面を形成する工程と、第２主面から半導体ウエハを貫通して第１主面の第１配線にまで到達する貫通電極を形成する工程と、を含むことを特徴とすることができる。
【００１５】
ここで、透光性基板および半導体ウエハの貼着体を形成する工程は、半導体ウエハを研削して半導体ウエハの厚さを減少させる工程を含むので、透光性基板が半導体ウエハを支持して強度を保持して、貼着体処理工程中や移送中の半導体ウエハ破損の回避に貢献する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明による実施形態の半導体装置のセンサモジュールについて添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図において、同一の構成要素については別の図に示している場合でも同一の符号を与え、その詳細な説明を省略する。
【００１７】
図１は第１の実施例であるセンサモジュールの断面図である。概略として、センサモジュール１は、透光性チップであるガラス板４と、これに接着層９で貼り付けられたシリコンなどからなる半導体チップ１０とで構成される。この接着層９の材料としては、紫外線硬化型、熱硬化型が用いられる。
【００１８】
ガラス板４の側面の接着層９上に遮光性樹脂層５が固着形成されている。
【００１９】
接着層９で貼り付けられる半導体チップ１０の第１主面には、たとえば、ＣＭＯＳセンサなどの受光素子を含む受光部１１が形成されている。受光部１１上には、光電変換素子のそれぞれに搭載されるオンチップマイクロレンズを設けてもよい。半導体チップ１０の受光部１１周囲の第１主面にはこれに接続された第１配線１５および金属パッド８がセンサ回路として形成されている。
【００２０】
また、半導体チップ１０の第１主面とは反対側の第２主面（裏面）の所定の位置には第２配線１５および外部端子７が形成されており、外部端子７以外の部分上には絶縁膜１４が形成されている。なお、第１および第２主面と交差して縁部を画定する半導体チップ１０の側面は、図では露出しているが必要があれば絶縁塗装などを施すことができる。
【００２１】
この半導体チップ１０は、その第１主面外周近傍に設けられた金属パッド８下に貫通電極６が設けられおり、これは第１および第２主面の配線１５を電気的に接続している。第１および第２主面間を貫通する貫通電極６により、受光部１１への電気的接続は半導体チップ側面に電導体を引き出すことなく、裏面の第２配線１５を介して可能となる。なお、貫通電極６は、チップ裏面全体および貫通孔内面に予め被覆された絶縁膜１６により半導体チップ１０の材料からは電気的に絶縁されている。
【００２２】
ガラス板４は、受光部１１との間に空間を設けているが、透光性接着材など樹脂を充填してもよく、少なくとも受光部１１の周囲において接着層９を介して半導体チップ１０の第１主面に固着されていればよい。
【００２３】
ガラス板４側面に固着された遮光性樹脂層５は、接着層９にも固着されかつ半導体チップの側面と同一平面にある側面を有している。これにより、ガラス板４の正面から見た場合、ガラス板４が半導体チッブ１０より小さい面積で形成される。外部からの光は、ガラス板４の正面裏面を通して半導体チッブ１０の主面上に到達し、受光部１１にて電気信号に変換されるが、ガラス板４側面からの入射光は遮光性樹脂層５により遮断される。側面に黒色の遮光性樹脂層５があるので、側面からの光の進入を防ぐことが可能なセンサモジュールができる。
【００２４】
以上のように、ガラス板４側面に遮光性樹脂層５を形成したため、ガラス板４が小さくなり、ノイズとなる側面からの光の入射を抑えることができる。さらに、製造工程においてガラス板４の部分的欠け防止、接着層界面のストレス削減による信頼性向上が達成できる。
【００２５】
図２は、貫通電極６を設けた半導体チップ１０とガラス板４が貼り合わされている実施例のセンサモジュールを含むカメラモジュールの断面図である。カメラモジュールは、センサモジュール１のガラス板４側にレンズユニット２０を接着材９１で接着した構造を有している。レンズユニット２０は、中空のホルダ３の内側に正面側から順にレンズ２１と赤外線遮断フィルタ２２が平行に搭載された構造を有している。ホルダ３の裏側開口周囲の端面は、接着材９１を介してガラス板４周縁部と遮光性樹脂層５に固着されている。赤外線遮断フィルタ２２は、外部から赤外線が受光部１１に入射されて生じるノイズなどを防止する。なお、ガラス板４の正面に蒸着などによって赤外線遮断フィルタ層（図示せず）を被覆すればホルダ３の赤外線遮断フィルタを省略することができる。
【００２６】
第１の実施例であるセンサモジュールの製造方法の概略プロセスフローを基板の断面図などに基づいて説明する。
【００２７】
＜半導体ウエハ処理工程＞
半導体ウエハ状態で、その表面に、半導体プロセスによりマトリクス状にセンサ回路領域の複数を形成する。
【００２８】
まず、センサ回路領域の各々では、図３に示すように、半導体ウエハ１０１の第１主面上に、受光部１１と、その周囲の金属パッド８とを形成する。受光部１１には、画素の複数をアレイ配列（たとえば、３０万個程度）したＣＭＯＳイメージセンサを形成する。受光部１１の受光素子ごとにマイクロレンズを設けることもできる。各画素には受光素子（埋込型フォトダイオード）ごとに数個のＣＭＯＳ（相補性金属酸化膜半導体）トランジスタで構成したアンプを設ける。金属パッド８は、導電性の優れたたとえばアルミニウム（Ａｌ）などの金属が用いられる。
【００２９】
次に、第１配線１５を形成して、受光素子を含む受光部１１とその周囲の金属パッド８と接続して、後のダイシング領域となる格子状のスペースを空けて第１主面にセンサ回路領域の複数がマトリクス配列される。
【００３０】
＜ガラス板処理工程＞
上記半導体ウエハと同じサイズを有する３００〜５００μｍ厚の保護用のガラス板を準備する。
【００３１】
図４に示すように、ガラス板４の裏面上に接着層９を形成し、接着層９は半導体ウエハの第１主面上のセンサ回路領域の各々を囲むような所定の位置にダイシング領域として配置される。接着層９の成膜にはたとえばスクリーン印刷法などが用いられ、図５（ガラス板４の裏面の平面図）に示すように、ダイシング領域の格子状の接着層９に囲まれたガラス板４の裏面がセンサ回路領域の各々に対応する。接着層９には、耐熱性のある、たとえばベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene：ＢＣＢ）、ポリイミドなどの感光性ポリマー材料が使用できる。接着層９は、３０〜７０μｍ程度の高さを有する。
【００３２】
また、接着層９は、ガラス板４の裏面の代わりに、半導体ウエハ１０１の第１主面上のセンサ回路領域の各々を囲む位置に、直接、スクリーン印刷により成膜することもできる。
【００３３】
＜貼り合わせ工程＞
接着層９が形成されたガラス板４とセンサ回路領域が形成されたウエハ１０１と貼り合わせる。
【００３４】
図５に示すように、ウエハ１０１上の受光部１１がガラス板４の裏面に形成された格子状の接着層９に囲まれるように、ガラス板４およびウエハ１０１が位置合わせされ、光照射を行い、接着層９が光硬化することにより接合が行われる。この接着層９は、ウエハ１０１とガラス板４間の所定距離維持の接合と共に、以後のグラインディング工程、貫通電極形成工程、ダイシング工程などの、個々のセンサ回路領域の封止機能を果たす。
【００３５】
＜グラインディング工程＞
図６に示すように、ガラス板４と一体となったウエハ１０１の裏面を研削して、たとえば６００〜７００μｍ厚のウエハを５０〜１００μｍ厚まで所定厚に薄化し、ウエハの第２主面を平坦化する。
【００３６】
なお、ウエハ１０１が所定厚さを有している場合は、グラインディング工程を省略することもできる。
【００３７】
＜電極形成工程＞
ガラス板４と一体となったウエハ１０１の第２主面に貫通電極、第２配線および外部端子を形成する。
【００３８】
図７に示すように、ウエハ１０１の裏面（第２主面）から各金属パッド８に至る貫通孔６１（直径＝１００〜２００μｍ）を形成する。ウエハ１０１の裏面を通じてウエハ１０１の各金属パッド８の位置に各金属パッド８のサイズよりやや小さいサイズの貫通孔６１を反応性イオンエッチング法を利用して形成する。反応性イオンエッチング法は、貫通孔６１を形成すべき部分に開口を有する金属またはレジストのマスク（図示せず）を、予め、ウエハ１０１の第２主面に形成し、その後、たとえばＣＦ４などの混合ガス雰囲気中のＳｉＦ４生成反応を通じて、開口を介して、Ｓｉウエハをエッチングして、貫通孔６１を形成する。
【００３９】
その後、図８に示すように、たとえば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を使用して、貫通孔６１の内壁および底部（金属パッド８）並びにウエハ１０１の第２主面に、たとえばＳｉＯ２などの絶縁膜１６を形成する。ここで、絶縁膜１６は、その膜厚が貫通孔６１の底部（金属パッド８）上の方がウエハ１０１の第２主面上より薄くなるように形成される。これにより、再度の反応性イオンエッチングにより、貫通孔６１の底部において絶縁膜１６の開口６２が形成され金属パッド８が露出するが、貫通孔６１の内壁およびウエハ１０１の第２主面の絶縁膜１６が維持される。
【００４０】
その後、金属パッド８が露出した貫通孔およびその周囲の貫通電極を形成すべき部分や、貫通電極に接続する第２配線を形成すべき部分に開口を有する所定パターンのマスク（図示せず）を、予め、ウエハ１０１の第２主面の絶縁膜１６上に形成し、電気メッキ法にて、図９に示すように、第２配線１５および貫通電極６を形成する。
【００４１】
その後、図１０に示すように、絶縁膜１４をウエハ１０１の裏面全体に塗布して、リソグラフィー工程を実施して、外部回路との連結のために外部端子７を形成すべき部分の電極が露出されるようにパターニングして、そして、スクリーン印刷法によって、ウエハ１０１の裏面の露出電極上にはんだペーストを塗布してリフローする。その後、残留フラックスを除去して、図１１に示すように、外部端子７が形成される。なお、外部端子７を形成する前に、下地金属膜（図示せず）を形成することもできる。
【００４２】
また、絶縁膜１４材料としては、ＳｉＯ２の他、ＳｉＮ、ＰＩ(ポリイミド)が、また、配線材料としてはＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕなどの中から選択される一種以上の導電材料が、外部端子７材料としてはＳｎＡｇ、ＮｉＡｕが用いられ得る。
【００４３】
＜遮光性樹脂層形成工程＞
図１２に示すように、ブレードダイシング法（またはレーザー法）にて所定のサイズにガラス板４部分のみカットして、ダイシング領域に溝４１を形成する。カット幅（ブレード厚）としては、以後の工程で再度カットする必要があるため６０〜１００μｍ程度の幅が推奨される。たとえば、ガラス板４側からダイシングブレード５１にてガラス板４と接着層９の途中までカットする。
【００４４】
次に、図１３に示すように、カットした溝部分に印刷法またはデイスペンス方式にて遮光性樹脂を注入して、遮光性樹脂層５を形成する。この遮光性樹脂層５の材料としては、カーボンブラック、四酸化三鉄など黒色色素をエポキシ樹脂などポリマー樹脂に混合したものが用いられる。また、黒色以外でも遮光性を呈する暗色色素を用いることができ、
【００４５】
＜ダイシング工程＞
図１４に示すように、ガラス板４と一体となったウエハ１０１を、所定の第２ダイシングブレード５２により、遮光性樹脂層５の中央に沿って厚さ方向に個別のセンサモジュールに分割する。ガラス板およびウエハの貼着体のウエハ１０１側にダイシングテープ（図示せず）を貼着してダイシング装置に装着し、実行する。この工程では、第２ダイシングブレードは、先の遮光性樹脂層形成工程でカットした溝幅より狭くしてカットでき、ガラス板４の側面に遮光性樹脂層５が残るように、設定される。
【００４６】
以上のように、所定のサイズにガラス板４とウエハ１０１をフルカットして図１に示すような、遮光性樹脂層５でガラス板４側面からの光の進入を防ぐガラス板４、接着層９および半導体チップ１０からなるセンサモジュールが得られる。なお、仕様により、ガラス板４は少なくとも２辺が半導体チッブ１０より小さく形成され、ガラス板４側面すべてを遮光性樹脂層で覆うことに制限されない。また、カットした後にガラス板４の側面に遮光性樹脂層５が残るような設定で所定のサイズにできるのであれば、ブレードダイシング法の他にレーザー法にてガラス板４とウエハをフルカットすることもできる。
【００４７】
以上の実施例によれば、遮光性樹脂層５によりガラス板４の側面からの光の入射を抑えることができセンサモジュール特性の向上が期待できるだけでなく、遮光性樹脂層の幅が広くとも半導体チップのスクライブライン幅を狭く設計できるため、ウエハ上のチップ有効数を多く取ることができ収率が上がりコスト低減が期待できる。また、幅広の遮光性樹脂層を半導体チッブ１０のスクライブライン幅に合わせて細くカットしてセンサモジュールごと遮光性樹脂層を同時形成しているので、工程数の低減できる。さらに、脆いガラスの側面に樹脂層が形成されているため、ガラスの欠けや割れなどの防止もでき取り扱いが容易になる。さらに、ガラス板４の側面に黒色遮光性樹脂層５を設けることにより、光遮断のために別個設けるガイドカバーが必要なくなり、コストダンの効果が得られる。
【００４８】
以上の製造方法は、センサ回路にＣＭＯＳセンサの他に、ＣＣＤセンサ回路などの画像センサ用回路や、照度センサ回路、紫外線センサ回路、赤外線センサ回路、温度センサ回路を含む各種センサモジュールに適用可能である。
【００４９】
＜他の実施例＞
第２の実施例としては、図１５に示すように、センサモジュール１は、透光性チップであるガラス板４と、これに接着層９で貼り付けられた半導体チップ１０とで構成され、ガラス板４の側面全体と半導体チップ１０の側面全体に遮光性樹脂層５が設けられた構造である以外、図１のセンサモジュールと同一である。
【００５０】
そのセンサモジュールの製造方法は、図１１に示すガラス板４およびウエハ１０１の貼着体を作成する遮光性樹脂層形成工程の前工程までは上記第１の実施例と同一である。
【００５１】
遮光性樹脂層形成工程においては、図１６（Ａ）に示すように、ガラス板４およびウエハ１０１の貼着体のウエハ側全面にダイシングテープ２００を貼着してダイシング装置に装着し、実行する。
【００５２】
図１６（Ｂ）に示すように、ブレードダイシング法（またはレーザー法）にて所定のサイズにガラス板４側からダイシングテープ２００界面までダイシングブレード５１にてガラス板４、接着層９およびウエハ１０１をフルカットして、溝４１を形成する。カット幅としては、以後の工程で再度カットする必要があるため６０〜１００μｍ程度の幅が推奨される。
【００５３】
次に、図１６（Ｃ）に示すように、カットした溝部分に印刷法またはデイスペンス方式にて黒色の樹脂を注入して、遮光性樹脂層５を形成して、再度一体化する。
【００５４】
＜ダイシング工程＞
図１６（Ｄ）に示すように、遮光性樹脂層５で一体となったガラス板４とウエハ１０１を、所定の第２ダイシングブレード５２により、遮光性樹脂層５の中央に沿って厚さ方向に個別のセンサモジュールに分割する。この工程では、第２ダイシングブレードは、先の遮光性樹脂層形成工程でカットした溝幅より狭くしてカットでき、ガラス板４の側面に遮光性樹脂層５が残るように、設定される。
【００５５】
以上のように、所定のサイズにガラス板４とウエハ１０１をフルカットして図１５に示すような、遮光性樹脂層５でガラス板４側面からの光の進入を防ぐガラス板４、接着層９および半導体チップ１０からなるセンサモジュールが得られる。
【００５６】
以上の第２の実施例によれば、センサモジュール側面全体（ガラス板４、接着層９および半導体チップ１０）に遮光性樹脂層５を設けることにより、さらに遮光性を上げるとともに界面の防湿性および気密性を上げることが可能である。
【００５７】
図１７は、貫通電極６を設けた半導体チップ１０とガラス板４が貼り合わされている第２の実施例のセンサモジュールを含むカメラモジュールの断面図である。カメラモジュールは、センサモジュール１のガラス板４側にレンズユニット２０を接着材９１で接着した構造を有している。レンズユニット２０は、中空のホルダ３０の内側の正面側から順にレンズ２１と赤外線遮断フィルタ２２が平行に搭載された構造を有している。ホルダ３０の裏側の開口周囲の端面は、接着材９１を介して遮光性樹脂層５に固着されている。このホルダ３０の裏面はセンサモジュールが入る凹部３３が設けられている。凹部構造にすることによりレンズ２１と受光部１１のレンズ光軸上間隔精度を向上できる。なお、第１の実施例と同様にホルダ３のユニットの直下に第２の実施例のセンサモジュールを接着してもよい。
【００５８】
＜他の実施例の変形例＞
第１の実施例の変形例としては、図１８に示すように、センサモジュール１は、透光性チップであるガラス板４と、これに接着層９で貼り付けられた半導体チップ１０とで構成され、ガラス板４の側面を階段形状ＳＰに多段、たとえば２段として、その側面に遮光性樹脂層５が設けられた構造である以外、図１２のカメラモジュールと同一である。
【００５９】
この変形例のセンサモジュール１においては、ダイシング工程においてダイシングブレードの厚さが異なったものを複数用いることによって、ガラス板４の側面を階段形状に形成できる。
【００６０】
第１の実施例の更なる変形例としては、図１９に示すように、センサモジュール１は、透光性チップであるガラス板４と、これに接着層９で貼り付けられた半導体チップ１０とで構成され、ガラス板４の側面をその主面に対して垂直ではなく傾斜させた形状ＣＬとして、そのレンズの光軸に平行でなく傾いた側面に遮光性樹脂層５が設けられた構造である以外、図２のカメラモジュールと同一である。
【００６１】
この変形例のセンサモジュール１においては、ダイシング工程においてダイシングブレードの外周先端へ向け半径方向の厚さが漸次薄くなるものを用いることによって、ガラス板４の側面を傾斜形状ＣＬに形成できる。
【００６２】
これら変形例によれば、遮光性樹脂層５の面積が増えるので、レンズユニットのホルダの材料に用いられる樹脂および接着材の材料の選択幅が拡大し、カメラモジュールの設計の自由が広がる。
【００６３】
また、更なる変形例のガラス板４の傾斜形状側面を適用した場合、迷光（図１９の矢印）を受光部１１周囲へ反射させる確率が高くなるので、迷光によるノイズの低減が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明による第１の実施例のセンサモジュールを示す断面図である。
【図２】本発明による第１の実施例のセンサモジュールを含むカメラモジュールを示す断面図である。
【図３】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すウエハの部分断面図である。
【図４】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板の部分断面図である。
【図５】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板裏面の平面図である。
【図６】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図７】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図８】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図９】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１０】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１１】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１２】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１３】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１４】本発明による第１の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１５】本発明による第２の実施例のセンサモジュールを示す断面図である。
【図１６】本発明による第２の実施例のセンサモジュール製造工程を示すガラス板およびウエハの貼着体の部分断面図である。
【図１７】本発明による第２の実施例のセンサモジュールを含むカメラモジュールを示す断面図である。
【図１８】本発明による第１の実施例の変形例のセンサモジュールを含むカメラモジュールを示す断面図である。
【図１９】本発明による第１の実施例の他の変形例のセンサモジュールを含むカメラモジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  センサモジュール
３、３０  ホルダ
４  ガラス板
６  貫通電極
７  外部端子
８  金属パッド
９  接着層
１１  受光部
１４、１６  絶縁膜
１５  第１配線、第２配線
２０  レンズユニット
２１  レンズ
２２  赤外線遮断フィルタ
３３  凹部
４１  溝
５１  ダイシングブレード
５２  第２ダイシングブレード
６２  開口
９１  接着材
１０１  ウエハ
２００  ダイシングテープ
ＳＰ  階段形状
ＣＬ  傾斜形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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