(57)【要約】      （修正有）【課題】親チップとなる第１の半導体デバイスの厚みを薄く形成することができ、かつ、第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合した半導体装置を効率よく製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数のストリートによって区画された第１の半導体デバイス２２が形成されたデバイス領域２３とそれを囲繞する外周余剰領域２４とを備えたウエーハのデバイス領域裏面を研削してデバイス領域を所定の仕上がり厚さに形成するとともにウエーハの裏面における外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、複数の第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合するデバイス接合工程と、ウエーハをストリートに沿って分割し第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスが接合された個々の半導体装置に分離するウエーハ分割工程とを含む。【選択図】図７
2010245443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体デバイスの表面に該第１の半導体デバイスより小さい第２の半導体デバイスを接合して構成する半導体装置の製造方法であって、
表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域に該第１の半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して該デバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの表面に形成された複数の該第１の半導体デバイスの表面の所定位置に該第２の半導体デバイスを接合するデバイス接合工程と、
該デバイス接合工程が実施されたウエーハを該ストリートに沿って分割し、該第１の半導体デバイスの表面に該第２の半導体デバイスが接合された個々の半導体装置に分離するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
該ウエーハ分割工程を実施する前に、該第１の半導体デバイスの表面に接合された該第２の半導体デバイスを樹脂でモールドする樹脂モールド工程と、モールドした樹脂の上面を研削して平坦化する平坦化工程を実施する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合して構成する所謂チップ・オン・チップ構造の半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所謂チップ・オン・チップ構造の半導体装置は、第１の半導体デバイス（親デバイス）の表面における所定位置に第１の半導体デバイスより小さい第２の半導体デバイス（子デバイス）を接合し、第１の半導体デバイスに設けられたボンディングパッドと第２の半導体デバイスに設けられたボンディングパッドをワイヤーボンディングして構成する。また、フリップチップボンディング技術を用いて、第１の半導体デバイス（親デバイス）の表面に形成されたボンディングパッドと第２の半導体デバイス（子デバイス）に形成された電極バンプを接合してチップ・オン・チップ構造の半導体装置を構成する。
【０００３】
上述したチップ・オン・チップ構造の半導体装置は、半導体装置を１個づつ組み立てて製造するため、その都度半導体デバイスを搬送・配置する工程と、各半導体デバイスの位置を検出する工程とを実施しなければならず、生産性の面で問題がある。
【０００４】
上記問題を解消するために、第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハを個々の半導体デバイスに分割する前のウエーハの状態において、各第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合した後に、第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハを個々の半導体デバイスに分割することにより、第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合した半導体装置を製造する方法が、下記特許文献１および特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４２２４７９号公報
【特許文献２】特開平６−１５１７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハにおける各第１の半導体デバイスの表面には比較的小さい第２の半導体デバイスが接合されるので、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄くする際に研削圧により応力が集中して破損する虞がある。従って、第２の半導体デバイスを接合した後に第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハ裏面を研削する場合、ウエーハの厚みを３００μm程度にするのが限度であり、１００μm以下の厚みに形成することは困難である。
一方、第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハに第２の半導体デバイスを接合する前に、第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハの裏面を研削して１００μm以下の厚みに形成すると、剛性が低下するため、後工程における取り扱いが困難となる。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、親チップとなる第１の半導体デバイスの厚みを薄く形成することができ、かつ、第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合した半導体装置を効率よく製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、第１の半導体デバイスの表面に該第１の半導体デバイスより小さい第２の半導体デバイスを接合して構成する半導体装置の製造方法であって、
表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された複数の領域にそれぞれ該第１の半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
表面に保護部材を貼着が貼着されたウエーハの保護部材側を保持し、ウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して該デバイス領域の厚さを仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離し、ウエーハの表面に形成された複数の該第１の半導体デバイスの表面の所定位置に該第２の半導体デバイスを接合するデバイス接合工程と、
該デバイス接合工程が実施されたウエーハを該ストリートに沿って分割し、該第１の半導体デバイスの表面に該第２の半導体デバイスが接合された個々の半導体装置に分離するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
上記ウエーハ分割工程を実施する前に、第１の半導体デバイスの表面に接合された第２の半導体デバイスを樹脂でモールドする樹脂モールド工程と、モールドした樹脂の上面を研削して平坦化する平坦化工程を実施する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１の半導体デバイスが形成されたウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程を実施するので、第１の半導体デバイスが形成されたデバイス領域の厚みを薄く形成しても環状の補強部によって剛性が確保されるため、後工程において取り扱いに支障をきたすことはない。従って、親チップとなる第１の半導体デバイスの厚みを薄く形成することができるとともに、第１の半導体デバイスが形成されたウエーハの状態で第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合することができるため、第１の半導体デバイスの表面に第２の半導体デバイスを接合した半導体装置を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明による半導体装置の製造方法に用いる第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハの斜視図。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法に用いる第２の半導体デバイスが複数形成されたウエーハおよび第２の半導体デバイスの斜視図。
【図３】本発明による半導体装置の製造方法における保護部材貼着工程の説明図。
【図４】本発明による半導体装置の製造方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の斜視図。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法における裏面研削工程の説明図。
【図６】図５に示す裏面研削工程を実施することによって形成されたウエーハの断面図。
【図７】本発明による半導体装置の製造方法におけるデバイス接合工程の説明図。
【図８】図７に示すデバイス接合工程が実施されたウエーハの斜視図。
【図９】図８に示すデバイス接合工程が実施されたウエーハにワイヤーボンディングを施した状態を示す要部拡大図。
【図１０】本発明による半導体装置の製造方法における樹脂モールド工程を実施したウエーハの要部拡大図。
【図１１】本発明による半導体装置の製造方法における平坦化工程の説明図。
【図１２】本発明による半導体装置の製造方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図１３】本発明による半導体装置の製造方法におけるウエーハ分割工程を実施するための切削装置の斜視図。
【図１４】本発明による半導体装置の製造方法におけるウエーハ分割工程の説明図。
【図１５】図１４に示すウエーハ分割工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図１６】本発明による半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明による半導体装置の製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には本発明による半導体装置の製造方法に用いる第１の半導体デバイスが複数形成されたウエーハの斜視図が示されている。図１に示すウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等の親デバイスとなる第１の半導体デバイス２２が形成されている。このように構成されたウエーハ２は、半導体デバイス２２が形成されているデバイス領域２３と、該デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４を備えている。
【００１３】
また、図２の(a)には本発明による半導体装置の製造方法に用いる第２の半導体デバイスが複数形成されたウエーハの斜視図が示されている。図２の(a)に示すウエーハ２００は、表面２００ａに複数のストリート２１０が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１０によって区画された複数の領域にIC、LSI等の子デバイスとなる第２の半導体デバイス２２０が形成されている。このように構成されたウエーハ２００は、裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、切削装置等のダイシング装置によってストリート２１０に沿って切断され、図２の(b)に示すように個々の第２の半導体デバイス２２０に分割される。なお、第２の半導体デバイス２２０は、上記第１の半導体デバイス２２より小さい寸法に形成されている。
【００１４】
上記第１の半導体デバイス２２が複数形成されたウエーハ２および第２の半導体デバイス２２０を用いて本発明による半導体装置の製造方法を実施するに際し、先ず図３に示すように第１の半導体デバイス２２が複数形成されたウエーハ２の表面２ａに第１の半導体デバイス２２を保護するための保護部材３を貼着する（保護部材貼着工程）。
【００１５】
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、第１の半導体デバイス２２が複数形成されたウエーハ２の裏面２bにおけるデバイス領域２３に対応する領域を研削してデバイス領域２３の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハ２の裏面２bにおける外周余剰領域２４に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図４に示す研削装置によって実施する。
【００１６】
図４に示す研削装置４は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面にウエーハを吸引保持し図４において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に取り付けられている。
【００１７】
上述した研削装置４を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２と研削ホイール４２４を構成する環状の研削砥石４２６の関係について、図５を参照して説明する。チャックテーブル４１の回転中心P1と環状の研削砥石４２６の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石４２６の外径は、ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界線２５の直径より小さく境界線２５の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石４２６がチャックテーブル４１の回転中心P1（半導体ウエーハ２の中心）を通過するようになっている。
【００１８】
次に、図４および図５に示すようにチャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削ホイール４２４を下方に移動して研削砥石４２６を半導体ウエーハ２の裏面に接触させる。そして、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面には、図６に示すようにデバイス領域２３に対応する領域が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μm）の円形状の凹部２３bに形成されるとともに、外周余剰領域２４に対応する領域が図示の実施形態においては厚さ７００μmが残存されて環状の補強部２４bに形成される（裏面研削工程）。このように複数の第１の半導体デバイス２２が形成されたデバイス領域２３は厚みが３０μmと極めて薄く形成されているが、環状の補強部２４bによって剛性が確保されているので、以下の各工程において取り扱いに支障をきたすことはない。
【００１９】
上述した裏面研削工程を実施したならば、裏面研削工程が実施されたウエーハ２の表面に形成された複数の第１のデバイス２２の表面の所定位置にそれぞれ上記第２の半導体デバイス２２０を接合するデバイス接合工程を実施する。このデバイス接合工程について、図７および図８を参照して説明する。即ち、図７の(a)および(b)に示すようにボンディング装置５の保持テーブル５１上に上述したように裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面２bを載置する。なお、保持テーブル５１の上面には、図７の(b)に示すように上記ウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bが嵌合する円形状の段部５１１が形成されている。従って、保持テーブル５１の円形状の段部５１１にウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bを嵌合することにより、保持テーブル５１上にウエーハ２を保持する。なお、保持テーブル５１上にウエーハ２を保持する際または保持した後に、ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護部材３を剥離する。このようにして保持テーブル５１上にウエーハ２を保持したならば、吸着ハンド５２によって上記図２の(b)に示す第２の半導体デバイス２２０を吸引保持し、保持テーブル５１上に保持されたウエーハ２に形成されている所定の第１の半導体デバイス２２の上方に搬送する。そして、第１の半導体デバイス２２の所定位置と第２の半導体デバイス２２０との位置合わせを行い、図７の (b)に示すように吸着ハンド５２を下降させて、第２の半導体デバイス２２０を第１の半導体デバイス２２の所定位置に接合する。そして、このデバイス接合工程を図８に示すようにウエーハ２に形成された全ての第１の半導体デバイス２２に対して実施する。
【００２０】
なお、上記デバイス接合工程における第２の半導体デバイス２２０の第１の半導体デバイス２２への接合は、適宜の接着剤または接着フィルムを用いて実施することができる。そして、図９に示すように、第１の半導体デバイス２２に設けられたボンディングパッド２２aと第２の半導体デバイス２２０に設けられたボンディングパッド２２０aをワイヤーボンディング法によってワイヤー２２１を介して接続する。また、第２の半導体デバイス２２０の第１の半導体デバイス２２への接合は、フリップチップボンディング技術を用いて、第１の半導体デバイス２２の表面に形成されたボンディングパッドと第２の半導体デバイス２２０に形成された電極バンプを対面させて接合することができる。
【００２１】
上述したデバイス接合工程を実施したならば、第１の半導体デバイス２２の表面に接合された第２の半導体デバイス２２０を樹脂でモールドする樹脂モールド工程を実施する。即ち、図１０に示すように、第１の半導体デバイス２２の表面に接合された第２の半導体デバイス２２０に樹脂２２２を滴下して、第２の半導体デバイス２２０をモールディングする。
【００２２】
次に、第１の半導体デバイス２２の表面に接合された第２の半導体デバイス２２０をモールドした樹脂２２２の上面を研削して平坦化する平坦化工程を実施する。この平坦化工程は、図１１の(a)および(b)に示す研削装置を用いて実施する。図１１の(a)および(b)に示す研削装置６は、上記図４に示す研削装置４と同様に被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段６２を具備している。チャックテーブル６１は、上面にウエーハを吸引保持し図１１の(a)において矢印６１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段６２は、スピンドルハウジング６２１と、該スピンドルハウジング６２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル６２２と、該回転スピンドル６２２の下端に装着されたマウンター６２３と、該マウンター６２３の下面に取り付けられた研削ホイール６２４とを具備している。この研削ホイール６２４は、円板状の基台６２５と、該基台６２５の下面に環状に装着された研削砥石６２６とからなっており、基台６２５がマウンター６２３の下面に取り付けられている。なお、図１１の(a)および(b)に示す研削装置６においては、研削ホイール６２４が上記図４に示す研削装置４の研削ホイール６２４より大きい径のものが用いられる。また、チャックテーブル６１の上面には、図１１の(b)に示すように上記ウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bが嵌合する円形状の段部６１１が形成されている。従って、チャックテーブル６１の円形状の段部６１１にウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bを嵌合し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル６１上に上記樹脂モールド工程が実施されたウエーハ２を吸引保持する。このようにしてチャックテーブル６１上に上記樹脂モールド工程が実施されたウエーハ２を保持したならば、チャックテーブル６１を矢印６１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段６２の研削ホイール６２４を矢印６２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて第１の半導体デバイス２２の表面に接合された第２の半導体デバイス２２０をモールドした樹脂２２２の上面に接触せしめる。この結果、第２の半導体デバイス２２０をモールドした樹脂２２２は、上端部が研削され図１１の(c)に示すように平坦化される。
【００２３】
次に、上述した平坦化工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程を実施する。図１２の（ａ）に示すように環状のフレーム７の内側開口部を覆うように外周部が装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープ７０の表面７０aにウエーハ２の裏面２bを貼着する。
【００２４】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ウエーハ２をストリート２１に沿って分割し、第１の半導体デバイス２２の表面に第２の半導体デバイス２２０が接合された個々の半導体装置に分離するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図１３および図１４に示す切削装置を用いて実施する。図１３および図１４に示す切削装置８は、被加工物を保持するチャックテーブル８１と、切削ブレード８２１を備えた切削手段８２と、撮像手段８３を具備している。チャックテーブル８１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図１３において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。なお、チャックテーブル８１の上面には、図１４に示すように上記ウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bが嵌合する円形状の段部８１１が形成されている。この切削装置８によってウエーハ分割工程を実施するには、チャックテーブル８１上にウエーハ２の裏面２bが貼着されたダイシングテープ７０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ２をチャックテーブル８１上に保持する。なお、図１３においてはダイシングテープ７０が装着された環状のフレーム７を省いて示しているが、環状のフレーム７はチャックテーブル８１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
【００２５】
このようにして、ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル８１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段８３の直下に位置付けられる。チャックテーブル８１が撮像手段８３の直下に位置付けられると、撮像手段８３および図示しない制御手段によってウエーハ２の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段８３および図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード８２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２６】
以上のようにしてチャックテーブル８１上に保持されているウエーハ２の切削領域のアライメントが行われたならば、ウエーハ２を保持したチャックテーブル８１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１４の（a）に示すようにウエーハ２は所定のストリート２１の一端（図１４の（a）において左端）が切削ブレード８２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード８２１を図１４の（a）において矢印８２１aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り手段によって図１４の（a）において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図１４の（a）に示すように切削ブレード８２１の外周縁がウエーハ２の裏面２bにおけるデバイス領域２３の裏面（図１４の（a）において下面）、即ちダイシングテープ７０の表面に達する位置に設定されている。
【００２７】
上述したように切削ブレード８２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード８２１を図１４の（a）において矢印８２１aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル８１を図１４（a）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル８１に保持されたウエーハ２の右端が切削ブレード８２１の直下を通過したらチャックテーブル８１の移動を停止する。この結果、図１４の（ｂ）に示すようにウエーハ２には、表面２aからデバイス領域２３に対応する領域の裏面（図１４の（ｂ）において下面）に達する分割溝２６が形成される。
【００２８】
以上のようにして、ウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って分割溝２６を形成したならば、チャックテーブル８１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各ストリート２１に沿って分割溝２６を形成する。この結果、図１５に示すようにデバイス領域２３はストリート２１に沿って分割され、第１の半導体デバイス２２の表面に第２の半導体でデバイス２２０が接合された個々の半導体装置に分離される。なお、デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４は、分割溝２６が環状の補強部２４bの裏面に達していないので、環状の形態が維持されている。
【００２９】
上述したようにウエーハ分割工程を実施することによりウエーハ２のデバイス領域２３を個々のデバイスに分割したならば、保護テープ７０から第１の半導体デバイス２２（表面に第２の半導体でナイス２２０が接合されている）を剥離してピックアップすることにより、図１６に示すように第１の半導体デバイス２２の表面に第２の半導体でナイス２２０が接合された半導体装置が得られる。
【符号の説明】
【００３０】
２：ウエーハ
２１：ストリート
２２：第１の半導体デバイス
２３：デバイス領域
２４：外周余剰領域
２００：ウエーハ
２２０：第２の半導体デバイス
３：保護部材
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：ボンディング装置
５１：保持テーブル
５２：吸着ハンド
６：研削装置
６１：研削装置のチャックテーブル
６２：研削手段
６２４：研削ホイール
７：環状のフレーム
７０：ダイシングテープ
８０：切削装置
８１：切削装置のチャックテーブル
８２：切削手段
８２１：切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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