(57)【要約】【課題】集積型半導体レーザ装置において、容易に素子の幅を小さくすることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面上に形成され活性層１３を有する青紫色半導体レーザ素子１０と、青紫色半導体レーザ素子１０の表面上に形成された絶縁膜２０と、青紫色半導体レーザ素子１０に絶縁膜２０を挟んで接合された赤色半導体レーザ素子５０と、青紫色半導体レーザ素子１０に接続されるｐ側パッド電極１８と、青紫色半導体レーザ素子１０の表面上に絶縁膜２０を挟んで配置されるとともに赤色半導体レーザ素子５０に接続される電極層２１とを備える。そして、青紫色半導体レーザ素子１０は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、電極層２１は、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜２０との間から光導波路が形成される領域側にＹ２方向に延びる。【選択図】図１
2010040752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に形成され、第１活性層を有する第１半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子の前記第１活性層を有する側の表面上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１半導体レーザ素子に前記第１絶縁膜を挟んで接合された第２半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子に接続される第１電極と、
前記第１半導体レーザ素子の表面上に前記第１絶縁膜を挟んで配置されるとともに前記第２半導体レーザ素子に接続される第２電極とを備え、
前記第１半導体レーザ素子は、前記第２半導体レーザ素子が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、前記第１電極は、前記領域上に配置され、
前記第２電極は、前記第２半導体レーザ素子と前記第１絶縁膜との間から前記領域側に延びるように形成されている、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子に前記第２絶縁膜を挟んで接合された第３半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子の表面上に前記第２絶縁膜を挟んで配置されるとともに前記第３半導体レーザ素子に接続される第３電極とをさらに備え、
前記第１半導体レーザ素子の前記光導波路は、前記第３半導体レーザ素子が接合されていない前記領域に形成され、
前記第３電極は、前記第３半導体レーザ素子と前記第２絶縁膜との間から前記領域側に延びるように形成されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第２電極および前記第３電極は、それぞれ、前記第１半導体レーザ素子の前記光導波路上に延びるように形成されている、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、前記領域を挟むように配置されている、請求項２または３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２半導体レーザ素子は第２活性層を有するとともに、前記第３半導体レーザ素子は第３活性層を有し、
前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、同一の半導体の表面上に形成されている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
基板と前記基板の表面上に形成された第１活性層および光導波路とを有する第１半導体レーザ素子を形成する工程と、
前記第１半導体レーザ素子の前記第１活性層を有する側の表面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記光導波路が形成された領域上に配置されるとともに前記第１半導体レーザ素子に接続される第１電極を形成する工程と、
第２半導体レーザ素子を形成する工程と、
前記第１半導体レーザ素子の表面上に前記絶縁膜を挟んで配置されるとともに前記第２半導体レーザ素子に接続される第２電極を形成する工程と、
前記第１半導体レーザ素子に前記絶縁膜を挟んで前記第２半導体レーザ素子を接合する工程とを備え、
前記第２電極を形成する工程は、前記第２半導体レーザ素子と前記絶縁膜との間から前記領域側に延びるように前記第２電極を形成する工程を含む、半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置およびその製造方法に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を集積化した半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＤ（コンパクトディスク）／ＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブには、光源として波長が約７８０ｎｍの赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）ドライブには、光源として波長が約６５０ｎｍの赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。
【０００３】
一方、近年では、波長が約４０５ｎｍの青紫色光を用いて記録および再生が可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍの青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いた次世代ＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤ／ＣＤ−ＲおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。
【０００４】
この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ディスク用ピックアップ装置をそれぞれ設ける方法や、１つの光ディスク用ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を個別に設ける方法などにより、従来のＣＤ、ＤＶＤ、および、記録および再生が可能なＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、光ディスク用ピックアップ装置の小型化、構造の簡素化および低価格化が困難となる不都合があった。
【０００５】
このような部品点数の増加を抑制するために、従来では、赤外半導体レーザ素子（波長約７８０ｎｍ）と赤色半導体レーザ素子（波長約６５０ｎｍ）とが、共にＧａＡｓ基板上に形成されることにより１チップに集積化された半導体レーザ素子として実用化されている。また、１チップ化することにより、各色の半導体レーザの発光点位置が精度よく形成される。
【０００６】
これに対し、青紫色半導体レーザ素子はＧａＡｓ基板上に形成されないため、青紫色半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子とともに１チップに集積化するのは非常に困難であった。また、各色の半導体レーザ素子が出射するレーザ光に対するロスや収差を低減するために、それぞれの発光点位置を極力近接させることが要求されていた。
【０００７】
そこで、従来では、異なる基板上に個々の半導体レーザ素子を形成した後に、各々の半導体レーザ素子の発光層（半導体素子層）側が対向するように基板同志を貼り合わせた構造を有する集積型の半導体レーザ装置が提案されている（たとえば、特許文献１および２参照）。
【０００８】
上記特許文献１には、青紫色半導体レーザ素子上に、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子からなるモノリシック半導体レーザ素子が、各々の発光層（ｐ側半導体層側）が対向するように貼り合わされて１チップ化された集積型の半導体レーザ装置が開示されている。この特許文献１に記載の半導体レーザ装置では、平面的に見て、青紫色半導体レーザ素子とモノリシック半導体レーザ素子との接合面に、各々の半導体レーザ素子の共振器方向に延びるとともに、一部分が共振器方向と略直交する方向に延びた突出部を有するｐ側パッド電極がそれぞれ形成されている。なお、３つのｐ側パッド電極の突出部は所定の間隔を隔てて同一方向に延びるとともに、半導体レーザ装置の素子の幅方向の端部において、それぞれ、ワイヤボンディングされるように構成されている。
【０００９】
また、上記特許文献２には、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子とＧａＡｓ系半導体レーザ素子とが１つの基板上に形成されて１チップ化された第１の発光素子と、窒化物系半導体レーザ素子からなる第２の発光素子とが、各々の発光層（ｐ側半導体層側）が対向するように貼り合わされた状態で支持基体上に配置された集積型の半導体発光素子が開示されている。この特許文献２に記載の半導体発光素子では、平面的に見て、第２の発光素子と第１の発光素子との接合面に、各々のレーザ素子の共振器方向に延びるとともに、一部分が共振器方向と略直交する方向に延びた突出部（ワイヤボンド部）を有するｐ側パッド電極がそれぞれ形成されている。なお、３つのｐ側パッド電極の突出部は所定の領域を経由するとともに最終的に半導体レーザ装置の素子の幅方向の端部において、それぞれ、ワイヤボンディングされるように構成されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２６９９８７号公報
【特許文献２】特開２００８−１２４２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、３つのｐ側パッド電極のワイヤボンディング領域（突出部の端部）を半導体レーザ装置の素子の幅方向の端部に専用に設ける必要があるため、ワイヤボンディング領域を専用に設ける分、半導体レーザ装置の幅が大きく形成されてしまう。このため、半導体レーザ装置の幅を小さくするのが困難であるという問題点がある。
【００１２】
また、上記特許文献２に開示された半導体発光素子においても、３つのｐ側パッド電極のワイヤボンディング領域（突出部の端部）を集積型半導体発光素子の幅方向の端部に専用に設ける必要があるため、ワイヤボンディング領域を専用に設ける分、半導体発光素子の幅が大きく形成されてしまう。このため、半導体発光素子の幅を小さくするのが困難であるという問題点がある。
【００１３】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、集積型半導体レーザ装置において、容易に素子の幅を小さくすることが可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１４】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、基板の表面上に形成され、第１活性層を有する第１半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子の第１活性層を有する側の表面上に形成された第１絶縁膜と、第１半導体レーザ素子に第１絶縁膜を挟んで接合された第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子に接続される第１電極と、第１半導体レーザ素子の表面上に第１絶縁膜を挟んで配置されるとともに第２半導体レーザ素子に接続される第２電極とを備え、第１半導体レーザ素子は、第２半導体レーザ素子が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、第１電極は、領域上に配置され、第２電極は、第２半導体レーザ素子と第１絶縁膜との間から領域側に延びるように形成されている。
【００１５】
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第２電極を、第２半導体レーザ素子と第１絶縁膜との間から第１半導体レーザ素子の第１電極が配置されている領域側に延びるように形成することによって、第１電極が配置されている領域近傍に第２電極の一部分を配置することができる。これにより、半導体レーザ装置に、第１電極および第２電極を金属ワイヤに接続するワイヤボンディングのための専用の領域を半導体レーザ装置の端部側に別途設ける必要がないので、端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に半導体レーザ装置を構成する素子の幅を小さくすることができる。
【００１６】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子に第２絶縁膜を挟んで接合された第３半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子の表面上に第２絶縁膜を挟んで配置されるとともに第３半導体レーザ素子に接続される第３電極とをさらに備え、第１半導体レーザ素子の光導波路は、第３半導体レーザ素子が接合されていない領域に形成され、第３電極は、第３半導体レーザ素子と第２絶縁膜との間から領域側に延びるように形成されている。このように構成すれば、第１電極が配置されている領域近傍に第３電極の一部分を配置することができる。これにより、半導体レーザ装置に、第１電極および第２電極のみならず第３電極を金属ワイヤに接続するワイヤボンディングのための専用の領域を半導体レーザ装置の端部側に別途設ける必要がないので、端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に半導体レーザ装置を構成する素子の幅を小さくすることができる。
【００１７】
上記第３半導体レーザ素子と第３電極とをさらに備える構成において、好ましくは、第１絶縁膜、第２絶縁膜、第２電極および第３電極は、それぞれ、第１半導体レーザ素子の光導波路上に延びるように形成されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の領域を利用して第１電極、第２電極および第３電極のワイヤボンディング領域を設けることができるので、半導体レーザ装置を構成する素子の幅をさらに小さくすることができる。
【００１８】
上記第３半導体レーザ素子と第３電極とをさらに備える構成において、好ましくは、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、領域を挟むように配置されている。このように構成すれば、第２電極および第３電極を第１電極の両側から第１電極が配置されている領域に向かって形成することができるので、第２電極および第３電極が領域に向かう部分の長さを共に短くすることができる。
【００１９】
上記第３半導体レーザ素子と第３電極とをさらに備える構成において、好ましくは、第２半導体レーザ素子は第２活性層を有するとともに、第３半導体レーザ素子は第３活性層を有し、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、同一の半導体の表面上に形成されている。このように構成すれば、第２半導体レーザ素子の第２電極とは反対側の電極および第３半導体レーザ素子の第３電極とは反対側の電極を、同一の半導体の裏面上に共通に設けることができる。また、製造プロセス上、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子を同一の成長用基板上に形成した後に、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子を同時に第１半導体レーザ素子上に接合することができるので、製造プロセスを簡素化させることができる。
【００２０】
この発明の第２の局面による半導体レーザ装置の製造方法は、基板と基板の表面上に形成された第１活性層および光導波路とを有する第１半導体レーザ素子を形成する工程と、第１半導体レーザ素子の第１活性層を有する側の表面上に絶縁膜を形成する工程と、光導波路が形成された領域上に配置されるとともに第１半導体レーザ素子に接続される第１電極を形成する工程と、第２半導体レーザ素子を形成する工程と、第１半導体レーザ素子の表面上に絶縁膜を挟んで配置されるとともに第２半導体レーザ素子に接続される第２電極を形成する工程と、第１半導体レーザ素子に絶縁膜を挟んで第２半導体レーザ素子を接合する工程とを備え、第２電極を形成する工程は、第２半導体レーザ素子と絶縁膜との間から領域側に延びるように第２電極を形成する工程を含む。
【００２１】
この発明の第２の局面による半導体レーザ装置の製造方法では、上記のように、第２電極を形成する工程が、第２半導体レーザ素子と絶縁膜との間から第１半導体レーザ素子の第１電極が配置されている領域側に延びるように第２電極を形成する工程を含むことによって、第１電極が配置されている領域近傍に第２電極の一部分を配置することができる。これにより、半導体レーザ装置に、第１電極および第２電極を金属ワイヤに接続するワイヤボンディングのための専用の領域を半導体レーザ装置の端部側に別途設ける必要がないので、端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に素子の幅が小さく形成された半導体レーザ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。図３〜図６は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細構造を示した断面図である。まず、図１〜図６を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。なお、図３は、図１の１０００−１０００線における半導体レーザ装置１００の共振器方向（Ｘ方向）に沿った断面図を示している。
【００２４】
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００では、図１に示すように、幅約２５０μｍを有し約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子１０と、幅約７０μｍを有し約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子５０と、幅約７０μｍを有し約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子７０とからなる３波長半導体レーザ素子部９０が、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層１を介して基台９１上に固定されている。なお、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。
【００２５】
また、図２に示すように、３波長半導体レーザ素子部９０を載置する基台９１と、基台９１と絶縁され、かつ、底部１０４ａを貫通する３つのリード端子１０１、１０２および１０３と、基台９１および底部１０４ａに電気的に導通するもう一つのリード端子（図示せず）とが、ステム１０４に設けられている。
【００２６】
また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面上に、ｎ側半導体層１２、活性層１３およびｐ側半導体層１４が積層された構造を有している。また、赤色半導体レーザ素子５０は、ｎ側半導体層５２、活性層５３およびｐ側半導体層５４が積層された構造を有している。また、赤外半導体レーザ素子７０は、ｎ側半導体層７２、活性層７３およびｐ側半導体層７４が積層された構造を有している。なお、活性層１３、５３および７３は、それぞれ、本発明の「第１活性層」、「第２活性層」および「第３活性層」の一例である。
【００２７】
また、図４に青紫色半導体レーザ素子１０の詳細を示す。青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側半導体層１２は、Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるｎ型クラッド層１２ａと、Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなる光ガイド層１２ｂとを含んでいる。また、ｐ側半導体層１４は、アンドープＧａＮからなる光ガイド層１４ａと、アンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなるキャップ層１４ｂと、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるｐ型クラッド層１４ｃと、アンドープＧａ０．９５Ｉｎ０．０５Ｎからなるｐ側コンタクト層１４ｄとを含んでいる。また、活性層１３は、アンドープＧａ０．９５Ｉｎ０．０５Ｎからなる４つの障壁層（図示せず）とアンドープＧａ０．９Ｉｎ０．１Ｎからなる３つの井戸層（図示せず）とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。なお、活性層１３は、単層または単一量子井戸（ＳＱＷ）構造などにより構成されてもよい。
【００２８】
また、図４に示すように、ｐ型クラッド層１４ｃは、素子の略中央部に形成された凸部と、凸部の両側（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。このｐ型クラッド層１４ｃの凸部によって、光導波路を構成するためのリッジ部１５が形成されている。また、リッジ部１５は、Ｙ方向に約１．５μｍの幅を有するとともに、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００２９】
また、ｐ型クラッド層１４ｃの平坦部の上面とリッジ部１５の側面（ｐ型クラッド層１４ｃの凸部およびｐ側コンタクト層１４ｄの両側面）とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層１６ａおよび１６ｂが形成されている。また、図４に示すように、ｐ側コンタクト層１４ｄ上には、ｐ側コンタクト層１４ｄから近い順に、Ｐｄ層、Ｐｔ層およびＡｕ層からなるｐ側オーミック電極１７が形成されている。また、ｐ側オーミック電極１７および電流ブロック層１６ａおよび１６ｂの上面を覆うように、Ａｕなどからなるｐ側パッド電極１８が形成されている。なお、電流ブロック層１６ａおよび１６ｂは、それぞれ、本発明の「第１絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例であり、ｐ側パッド電極１８は、本発明の「第１電極」の一例である。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上に、ｎ型ＧａＮ基板１１から近い順に、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層からなるｎ側電極１９が形成されている。
【００３０】
また、図５に赤色半導体レーザ素子５０の詳細を示す。赤色半導体レーザ素子５０のｎ側半導体層５２は、Ｓｉドープｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｎ型クラッド層５２ａと、アンドープ（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる光ガイド層５２ｂとを含んでいる。また、ｐ側半導体層５４は、アンドープ（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる光ガイド層５４ａと、Ｚｎドープ（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ型クラッド層５４ｂと、Ｚｎドープｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層とＺｎドープｐ型ＧａＡｓ層との積層構造からなるｐ側コンタクト層５４ｃとを含んでいる。また、活性層５３は、アンドープ（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる２つの障壁層（図示せず）とアンドープＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｐからなる３つの井戸層（図示せず）とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有している。なお、活性層５３は、単層またはＳＱＷ構造などにより構成されてもよい。
【００３１】
また、図５に示すように、ｐ型クラッド層５４ｂは、素子の略中央部から一方側（Ｙ１方向）に若干寄った位置に形成された凸部と、凸部の両側に延びる平坦部とを有している。このｐ型クラッド層５４ｂの凸部によって、光導波路を構成するためのリッジ部５５が形成されている。また、リッジ部５５は、Ｙ方向に約２．５μｍの幅を有するとともに、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００３２】
また、ｐ型クラッド層５４ｂの平坦部の上面とリッジ部５５の側面（ｐ型クラッド層５４ｂの凸部およびｐ側コンタクト層５４ｃの両側面）とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層５６が形成されている。また、図５に示すように、ｐ側コンタクト層５４ｃ上には、ｐ側コンタクト層５４ｃから近い順に、Ｃｒ層およびＡｕ層からなるｐ側オーミック電極５７が形成されている。また、ｐ側オーミック電極５７および電流ブロック層５６の上面を覆うように、Ａｕなどからなるｐ側パッド電極５８が形成されている。また、ｎ型クラッド層５２ａの下面上に、ｎ型クラッド層５２ａから近い順に、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなるｎ側電極５９が形成されている。
【００３３】
また、図６に赤外半導体レーザ素子７０の詳細を示す。赤外半導体レーザ素子７０のｎ側半導体層７２は、Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓからなるｎ型クラッド層７２ａと、アンドープＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓからなる光ガイド層７２ｂとを含んでいる。また、ｐ側半導体層７４は、アンドープＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓからなる光ガイド層７４ａと、ＺｎドープＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓからなるｐ型クラッド層７４ｂと、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓからなるｐ側コンタクト層７４ｃとを含んでいる。また、活性層７３は、アンドープＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓからなる２つの障壁層（図示せず）とアンドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓからなる３つの井戸層（図示せず）とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有している。なお、活性層７３は、単層またはＳＱＷ構造などにより構成されてもよい。
【００３４】
また、図６に示すように、ｐ型クラッド層７４ｂは、素子の略中央部から他方側（Ｙ２方向）に若干寄った位置に形成された凸部と、凸部の両側に延びる平坦部とを有している。このｐ型クラッド層７４ｂの凸部によって、光導波路を構成するためのリッジ部７５が形成されている。また、リッジ部７５は、Ｙ方向に約２．８μｍの幅を有するとともに、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００３５】
また、ｐ型クラッド層７４ｂの平坦部の上面とリッジ部７５の側面（ｐ型クラッド層７４ｂの凸部およびｐ側コンタクト層７４ｃの両側面）とを覆うようにＳｉＮからなる電流ブロック層７６が形成されている。また、図６に示すように、ｐ側コンタクト層７４ｃ上には、ｐ側コンタクト層７４ｃから近い順に、Ｃｒ層およびＡｕ層からなるｐ側オーミック電極７７が形成されている。また、ｐ側オーミック電極７７および電流ブロック層７６の上面を覆うように、Ａｕなどからなるｐ側パッド電極７８が形成されている。また、ｎ型クラッド層７２ａの下面上に、ｎ型クラッド層７２ａから近い順に、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなるｎ側電極７９が形成されている。
【００３６】
ここで、第１実施形態では、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０のｎ型ＧａＮ基板１１とは反対側の表面を覆うようにＳｉＯ２からなる絶縁膜２０が形成されている。また、図１〜図３に示すように、ｐ側パッド電極１８の一部のワイヤボンド領域１８ａのみを外部に露出させた状態で、青紫色半導体レーザ素子１０の活性層１３を有する側の表面を、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２０が覆っている。なお、絶縁膜２０は、本発明の「第１絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。
【００３７】
また、電極層２１は、青紫色半導体レーザ素子１０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の絶縁膜２０上を覆うとともに、青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ部１５が形成されている領域上までＹ２方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域２１ａ（図２参照）を有している。また、電極層２２は、青紫色半導体レーザ素子１０の赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域の絶縁膜２０上を覆うとともに、青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ部１５が形成されている領域上までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域２２ａ（図２参照）を有している。この際、図２および図３に示すように、ワイヤボンド領域１８ａ、２１ａおよび２２ａは、それぞれ、約８０μｍ×約８０μｍの平面積を有し、共振器方向（Ｘ方向）に沿って所定の間隔を隔てて互いに接触しないように形成されている。これにより、各半導体レーザ素子のワイヤボンド領域は、青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ部１５が形成されている領域上に集約されるように配置されている。なお、電極層２１および２２は、それぞれ、本発明の「第２電極」および「第３電極」の一例である。
【００３８】
また、第１実施形態では、図１に示すように、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８が、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層２を介して青紫色半導体レーザ素子１０上の電極層２１の部分に接合されるとともに、赤外半導体レーザ素子７０のｐ側パッド電極７８が、導電性接着層２を介して青紫色半導体レーザ素子１０上の電極層２２の部分に接合されている。
【００３９】
また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０は、ｐ側パッド電極１８のワイヤボンド領域１８ａにワイヤボンディングされた金属線１１１を介してリード端子１０１に接続されるとともに、ｎ側電極１９（図１参照）が導電性接着層１を介して基台９１に電気的に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層２１のワイヤボンド領域２１ａにワイヤボンディングされた金属線１１２を介してリード端子１０２に接続されるとともに、ｎ側電極５９にワイヤボンディングされた金属線１１３を介して基台９１に接続される。さらに、赤外半導体レーザ素子７０は、電極層２２のワイヤボンド領域２２ａにワイヤボンディングされた金属線１１４を介してリード端子１０３に接続されるとともに、ｎ側電極７９にワイヤボンディングされた金属線１１５を介して基台９１に接続される。これにより、半導体レーザ装置１００は、各半導体レーザ素子のｐ側電極が、互いに絶縁されたリード端子側に接続されるとともに、ｎ側電極が共通の端子に接続される状態（カソードコモン）に構成されている。
【００４０】
また、３波長半導体レーザ素子部９０を構成する青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０には、図２に示すように、共振器方向（Ｘ方向）の両端部に、光出射面１０ａ、５０ａおよび７０ａと、光反射面１０ｂ、５０ｂおよび７０ｂとがそれぞれ形成されている。また、各半導体レーザ素子の光出射面１０ａ、５０ａおよび７０ａには、低反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されているとともに、光反射面１０ｂ、５０ｂおよび７０ｂには、高反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。ここで、誘電体多層膜は、ＧａＮ，ＡｌＮ、ＢＮ，Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＮおよびＭｇＦ２や、これらの混成比の異なる材料であるＴｉ３Ｏ５やＮｂ２Ｏ３などからなる多層膜を適用できる。
【００４１】
図７〜図１０は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図１、図２および図７〜図１０を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００４２】
第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスでは、図７に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面上に、ｎ側半導体層１２、活性層１３およびｐ側半導体層１４を順次形成し、その後、リッジ部１５、電流ブロック層１６、ｐ側オーミック電極１７およびｐ側パッド電極１８を形成することにより、ｎ側電極１９を除く青紫色半導体レーザ素子１０を作製する。なお、電流ブロック層１６は、本発明の「第１絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。
【００４３】
その後、図７に示すように、真空蒸着法を用いて、ｐ側パッド電極１８の表面およびｐ側パッド電極１８が形成されていない電流ブロック層１６の上面上を覆うように絶縁膜２０を形成する。この際、図８に示すように、絶縁膜２０は、ｐ側パッド電極１８の一部のワイヤボンド領域１８ａのみが外部に露出されるように形成される。
【００４４】
その後、図７および図８に示すように、真空蒸着法を用いて、絶縁膜２０の所定の領域を覆うように、電極層２１および電極層２２をそれぞれ形成する。
【００４５】
ここで、第１実施形態の製造プロセスでは、図８に示すように、電極層２１は、青紫色半導体レーザ素子１０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の絶縁膜２０の部分を覆うとともに、その一部が青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ部１５が形成されている領域上までＹ２方向に延びるワイヤボンド領域２１ａを有するように形成される。また、電極層２２は、青紫色半導体レーザ素子１０の赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域の絶縁膜２０の部分を覆うとともに、その一部が青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ部１５が形成されている領域上までＹ１方向に延びるワイヤボンド領域２２ａを有するように形成される。また、ワイヤボンド領域１８ａ、２１ａおよび２２ａは、それぞれ、Ｘ方向に沿って所定の間隔を隔てて互いに接触しないように形成される。このようにして、ｎ側電極１９を除く青紫色半導体レーザ素子１０が形成されたウェハが作製される。
【００４６】
また、図９に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の上面上に、赤外半導体レーザ素子７０となるｎ側半導体層７２、活性層７３およびｐ側半導体層７４を順次形成する。その後、ｎ側半導体層７２、活性層７３およびｐ側半導体層７４の一部をエッチングしてｎ型ＧａＡｓ基板３０１の一部を露出させて、その露出した部分の一部に、凹部３０１ｂおよび３０１ｃとなる領域を残して、赤色半導体レーザ素子５０となるｎ側半導体層５２、活性層５３およびｐ側半導体層５４を順次形成する。その後、リッジ部５５および７５、電流ブロック層５６および７６、ｐ側オーミック電極５７および７７、およびｐ側パッド電極５８および７８をそれぞれ形成する。このようにして、底部がｎ型ＧａＡｓ基板３０１に達する凹部３０１ｂおよび凹部３０１ｃによりＹ方向に所定の間隔で隔てられた赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０を作製する。このようにして、ｎ側電極５９および７９を除く赤色・赤外２波長半導体レーザ素子６０が形成されたウェハが作製される。
【００４７】
その後、青紫色半導体レーザ素子１０が形成されたウェハと、赤色・赤外２波長半導体レーザ素子６０が形成されたウェハとを、電極層２１とｐ側パッド電極５８と、および、電極層２２とｐ側パッド電極７８とをそれぞれ対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。その後、図１０に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１を除去し、真空蒸着法を用いて、ｎ型クラッド層５２ａおよび７２ａの上面上にｎ側電極５９および７９をそれぞれ形成する。その後、ｎ型ＧａＮ基板１１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上にｎ側電極１９を形成する。これにより、ウェハ状の３波長半導体レーザ素子部９０が形成される。その後、Ｙ方向に劈開（バー状劈開）するとともに破線８００の位置でＸ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、半導体レーザ装置１００を構成する個々の３波長半導体レーザ素子部９０（図１参照）が形成される。
【００４８】
その後、セラミック製のコレット（図示せず）を用いて、３波長半導体レーザ素子部９０を導電性接着層１を介して基台９１に対して押圧することにより、３波長半導体レーザ素子部９０を基台９１に固定する。
【００４９】
また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０のワイヤボンド領域１８ａとリード端子１０１とを金属線１１１により接続する。また、赤色半導体レーザ素子５０に接続された電極層２１のワイヤボンド領域２１ａとリード端子１０２とを金属線１１２により接続するとともに、ｎ側電極５９と基台９１とを金属線１１３により接続する。また、赤外半導体レーザ素子７０に接続された電極層２２のワイヤボンド領域２２ａとリード端子１０３とを金属線１１４により接続するとともに、ｎ側電極７９と基台９１とを金属線１１５により接続する。このようにして、第１実施形態による半導体レーザ装置１００（図１参照）が形成される。
【００５０】
第１実施形態では、上記のように、電極層２１を、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜２０（電流ブロック層１６ａ）との間から青紫色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域側（Ｙ２方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域近傍（リッジ部１５の上方）に電極層２１のワイヤボンド領域２１ａを配置することができる。これにより、３波長半導体レーザ素子部９０に、ｐ側パッド電極１８および電極層２１を金属線１１１および１１２にそれぞれ接続するワイヤボンディングのための専用の領域を青紫色半導体レーザ素子１０のＹ方向の端部側に別途設ける必要がないので、青紫色半導体レーザ素子１０のＹ方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に３波長半導体レーザ素子部９０を構成する青紫色半導体レーザ素子１０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。
【００５１】
また、第１実施形態では、青紫色半導体レーザ素子１０に絶縁膜２０（電流ブロック層１６ｂ）を挟んで接合された赤外半導体レーザ素子７０と、青紫色半導体レーザ素子１０の表面上に絶縁膜２０を挟んで配置されるとともに赤外半導体レーザ素子７０に接続される電極層２２とを備え、青紫色半導体レーザ素子１０の光導波路（リッジ部１５）を、赤外半導体レーザ素子７０が接合されていない導波路形成領域に形成するとともに、電極層２２を、赤外半導体レーザ素子７０と絶縁膜２０（電流ブロック層１６ｂ）との間から導波路形成領域側（Ｙ１方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域近傍（リッジ部１５の上方）に電極層２２のワイヤボンド領域２２ａを配置することができる。これにより、３波長半導体レーザ素子部９０に、ｐ側パッド電極１８および電極層２１のみならず電極層２２を金属線１１４に接続するワイヤボンディングのための専用の領域を青紫色半導体レーザ素子１０のＹ方向の端部側に別途設ける必要がないので、青紫色半導体レーザ素子１０のＹ方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に３波長半導体レーザ素子部９０を構成する青紫色半導体レーザ素子１０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。
【００５２】
また、第１実施形態では、絶縁膜２０、電極層２１および電極層２２を、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子１０の光導波路（リッジ部１５）上まで延びるように形成することによって、青紫色半導体レーザ素子１０の導波路形成領域を利用してｐ側パッド電極１８、電極層２１および電極層２２のワイヤボンド領域１８ａ、２１ａおよび２２ａを共に設けることができるので、３波長半導体レーザ素子部９０を構成する青紫色半導体レーザ素子１０の幅（Ｙ方向）をさらに小さくすることができる。
【００５３】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０を、青紫色半導体レーザ素子１０の導波路形成領域を挟むように配置することによって、電極層２１および電極層２２をｐ側パッド電極１８の両側からｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域に向かって形成することができるので、電極層２１および電極層２２が導波路形成領域に向かう部分の長さを共に短くすることができる。
【００５４】
また、第１実施形態では、活性層１３を窒化物系化合物半導体により形成するとともに、活性層５３をＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体により形成し、かつ、活性層７３をＡｌＧａＡｓ系化合物半導体により形成することによって、本発明の第１半導体レーザ素子を、青紫色のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１０として形成するとともに、本発明の第２半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子とは波長の異なるレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子５０として形成することができる。さらに、本発明の第３半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子とは波長の異なるレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子７０として形成することができる。
【００５５】
また、第１実施形態では、製造プロセス上、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０を同一の成長用基板（ｎ型ＧａＡｓ基板３０１）上に形成した後に、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０を同時に青紫色半導体レーザ素子１０上に接合することができるので、製造プロセスを簡素化させることができる。
【００５６】
（第１実施形態の変形例）
図１１は、本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。図１１を参照して、この第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１５０では、上記第１実施形態と異なり、青紫色半導体レーザ素子１６０に赤外半導体レーザ素子７０が接合された２波長半導体レーザ素子部１９０が基台９１上に固定されている場合について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子１６０は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例であり、赤外半導体レーザ素子７０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００５７】
ここで、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１５０では、図１１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１６０には、素子の略中央部からＹ１方向に所定の距離だけ寄った位置に、光導波路を構成するためのリッジ部１６５が形成されている。
【００５８】
また、青紫色半導体レーザ素子１６０のｎ型ＧａＮ基板１１とは反対側の表面を覆うように絶縁膜２０が形成されている。また、絶縁膜２０は、上記第１実施形態と同様に、ｐ側パッド電極１８の一部のワイヤボンド領域１８ａのみを残して青紫色半導体レーザ素子１６０の表面を覆うように形成されている。また、赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域に対応する絶縁膜２０の表面を覆うようにワイヤボンド領域１５１ａを有する電極層１５１が形成されている。なお、上記第１実施形態と同様に、ワイヤボンド領域１８ａとワイヤボンド領域１５１ａとは、共振器方向（Ｘ方向）に沿って所定の間隔を隔てて互いに接触しないように形成されている。なお、電極層１５１は、本発明の「第２電極」の一例である。また、図１１では、光出射面１６０ａおよび７０ａを紙面手前側に示している。
【００５９】
なお、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１５０のその他の構造および製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００６０】
第１実施形態の変形例では、上記のように、電極層１５１を、赤外半導体レーザ素子７０と絶縁膜２０（電流ブロック層１６ｂ）との間から青紫色半導体レーザ素子１６０のｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域側（Ｙ１方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極１８が配置されている導波路形成領域近傍（リッジ部１６５の上方）に電極層１５１のワイヤボンド領域１５１ａを配置することができる。これにより、２波長半導体レーザ素子部１９０に、ｐ側パッド電極１８および電極層１５１を金属線１１１および１１４に接続するワイヤボンディングのための専用の領域を青紫色半導体レーザ素子１６０のＹ方向の端部側に別途設ける必要がないので、青紫色半導体レーザ素子１６０のＹ方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に２波長半導体レーザ素子部１９０を構成する青紫色半導体レーザ素子１６０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。なお、第１実施形態の変形例のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６１】
（第２実施形態）
図１２〜図１４は、それぞれ、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および平面図である。まず、図２および図１２〜図１４を参照して、この第２実施形態による半導体レーザ装置２００では、上記第１実施形態と異なり、青紫色半導体レーザ素子２１０に赤色半導体レーザ素子５０と赤外半導体レーザ素子７０とが接合された３波長半導体レーザ素子部２９０が、ジャンクションダウン方式により基台９２に固定されている場合について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子２１０は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例である。
【００６２】
本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００では、図１２に示すように、３波長半導体レーザ素子部２９０を構成する青紫色半導体レーザ素子２１０のｐ側パッド電極１８と、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側電極５９と、赤外半導体レーザ素子７０のｎ側電極７９とが、それぞれ、導電性接着層３を介してＡｌＮなどからなる絶縁性を有する基台９２の下面上に接合されている。
【００６３】
また、青紫色半導体レーザ素子２１０は、図１２に示すように、ｎ型ＧａＮ基板２１１に形成された凸部２１１ｂの上面上に、ｎ側半導体層１２、活性層１３およびｐ側半導体層１４が積層された構造を有している。また、ｎ型ＧａＮ基板２１１の凸部２１１ｂの両側の段差の下段面と、活性層１３を含む半導体層の段差の側面および段差の上段面と、リッジ部２１５の側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層２１６ａおよび２１６ｂが形成されている。なお、電流ブロック層２１６ａおよび２１６ｂは、それぞれ、本発明の「第１絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。
【００６４】
ここで、第２実施形態では、図１２に示すように、電極層２２１は、赤色半導体レーザ素子５０が接合される電流ブロック層２１６ａ上から、活性層１３を含む半導体層のＹ１方向の段差の側面および段差の上段面の一部に亘って形成されている。また、電極層２２２は、赤外半導体レーザ素子７０が接合される電流ブロック層２１６ｂ上から、活性層１３を含む半導体層のＹ２方向の段差の側面および段差の上段面の一部に亘って形成されている。なお、電極層２２１および２２２は、それぞれ、本発明の「第２電極」および「第３電極」の一例である。
【００６５】
また、第２実施形態では、図１２に示すように、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８が、導電性接着層２を介して青紫色半導体レーザ素子２１０の段差の下段面上の電極層２２１に接合されるとともに、赤外半導体レーザ素子７０のｐ側パッド電極７８が、導電性接着層２を介して青紫色半導体レーザ素子２１０の段差の下段面上の電極層２２２に接合されている。これにより、赤色半導体レーザ素子５０の発光領域（活性層５３近傍の領域）および赤外半導体レーザ素子７０の発光領域（活性層７３近傍の領域）と、青紫色半導体レーザ素子２１０の発光領域（活性層１３近傍の領域）とは、半導体レーザ装置２００の高さ方向（Ｚ方向）において略等しい位置に配置することが可能に構成されている。なお、図１２では、光出射面２１０ａ、５０ａおよび７０ａを紙面手前側に示している。
【００６６】
また、半導体レーザ装置２００から基台９２を取り除いて３波長半導体レーザ素子部２９０を平面的に見た場合、図１３に示すように、電極層２２１および２２２は、青紫色半導体レーザ素子２１０のｐ側パッド電極１８とＹ方向にそれぞれ所定の間隔を隔てて共振器方向（Ｘ方向）に延びるように形成されている。
【００６７】
また、基台９２を３波長半導体レーザ素子部２９０の接合面側（下面側）から見た場合、図１４に示すように、基台９２の下面上には、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側電極５９（図１２参照）および赤外半導体レーザ素子７０のｎ側電極７９（図１２参照）が接合される領域に対応するように電極層２２３が形成されている。また、基台９２には、青紫色半導体レーザ素子２１０のｐ側パッド電極１８（図１２参照）が接合される領域に対応するように電極層２２４が形成されている。また、基台９２には、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８（図１２参照）に接続される電極層２２１が接合される領域に対応するように電極層２２５が形成されるとともに、赤外半導体レーザ素子７０のｐ側パッド電極７８（図１２参照）に接続される電極層２２２が接合される領域に対応するように電極層２２６が形成されている。これにより、図１２に示すように、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側電極５９および赤外半導体レーザ素子７０のｎ側電極７９は、それぞれ、導電性接着層３を介して電極層２２３に接合されている。また、電極層２２１および２２２は、それぞれ、導電性接着層３を介して電極層２２５および２２６に接合されるとともに、青紫色半導体レーザ素子２１０のｐ側パッド電極１８は、導電性接着層３を介して電極層２２４に接合されている。
【００６８】
また、図１４に示すように、青紫色半導体レーザ素子２１０は、電極層２２４のワイヤボンド領域２２４ａにワイヤボンディングされた金属線２３０を介してリード端子１０１（図２参照）に接続されるとともに、ｎ側電極１９（図１２参照）にワイヤボンディングされた金属線２３１を介して電極層２２３に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層２２５のワイヤボンド領域２２５ａにワイヤボンディングされた金属線２３２を介してリード端子１０２（図２参照）に接続されるとともに、赤外半導体レーザ素子７０は、電極層２２６のワイヤボンド領域２２６ａにワイヤボンディングされた金属線２３３を介してリード端子１０３（図２参照）に接続される。なお、第２実施形態による半導体レーザ装置２００のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００６９】
図１５は、図１２に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図９、図１２、図１４および図１５を参照して、第２実施形態による半導体レーザ装置２００の製造プロセスについて説明する。
【００７０】
まず、図１５に示すように、第２実施形態による半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、ｎ型ＧａＮ基板２１１の上面上に青紫色半導体レーザ素子２１０を構成する半導体層を順次形成し、その後、底部がｎ型ＧａＮ基板２１１まで達する凹部２１１ａ、リッジ部２１５、電流ブロック層２１６、ｐ側オーミック電極１７およびｐ側パッド電極１８を形成することにより、ｎ側電極１９を除く青紫色半導体レーザ素子２１０を作製する。その後、真空蒸着法を用いて、電流ブロック層２１６の所定の領域を覆うように、電極層２２１および電極層２２２をそれぞれ形成する。このようにして、ｎ側電極１９を除く青紫色半導体レーザ素子２１０が形成されたウェハが作製される。なお、電流ブロック層２１６は、本発明の「第１絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。
【００７１】
その後、青紫色半導体レーザ素子２１０が形成されたウェハと、赤色・赤外２波長半導体レーザ素子６０（図９参照）が形成されたウェハとを、電極層２２１とｐ側パッド電極５８と、および、電極層２２２とｐ側パッド電極７８とをそれぞれ対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。その後、上記第１実施形態と同様の製造プロセスにより、ウェハ状の３波長半導体レーザ素子部２９０が形成される。その後、Ｙ方向に劈開（バー状劈開）するとともにＸ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、半導体レーザ装置２００を構成する個々の３波長半導体レーザ素子部２９０（図１２参照）が形成される。
【００７２】
また、図１４に示すように、基台９２の下面上に、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側電極５９（図１２参照）および赤外半導体レーザ素子７０のｎ側電極７９（図１２参照）が接合される領域に対応するように電極層２２３を形成する。同様に、青紫色半導体レーザ素子２１０のｐ側パッド電極５８（図１２参照）が接合される領域に対応するように電極層２２４を形成する。さらに、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８（図１２参照）に接続される電極層２２１が接合される領域に対応するように電極層２２５を形成するとともに、赤外半導体レーザ素子７０のｐ側パッド電極７８（図１２参照）に接続される電極層２２２が接合される領域に対応するように電極層２２６を形成する。
【００７３】
その後、３波長半導体レーザ素子部２９０を導電性接着層３を用いて基台９２に固定する。なお、第２実施形態のその他の製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。このようにして、第２実施形態による半導体レーザ装置２００（図１２参照）が形成される。
【００７４】
第２実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子２１０の活性層１３、赤色半導体レーザ素子５０の活性層５３および赤外半導体レーザ素子７０の活性層７３を、略同一の面内（各半導体層の厚み方向（図１２のＺ方向）であって、基台９２の上面からの距離Ｈが略等しい位置）に所定の距離を隔てて配置するように構成することによって、各半導体レーザ素子（２１０、５０および７０）の発光領域を、略同一の平面上に配置することができるので、各半導体レーザ素子（２１０、５０および７０）の出射光を略同一直線上に並べた状態で出射することができる。これにより、この半導体レーザ装置２００を光ディスク用ピックアップ装置に適用した場合、光学系の設計が容易になる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７５】
（第３実施形態）
図１６および図１７は、それぞれ、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および平面図である。まず、図１６および図１７を参照して、この第３実施形態による半導体レーザ装置３００では、上記第１実施形態と異なり、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０を青紫色半導体レーザ素子１０に接合した３波長半導体レーザ素子部３９０が、導電性接着層１を介して基台９１上に固定されている場合について説明する。
【００７６】
本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置３００は、図１６に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の下面上にＹ方向に所定の間隔を隔てて形成された赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０が青紫色半導体レーザ素子１０に接合された３波長半導体レーザ素子部３９０を備えている。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１は、本発明の「半導体」の一例である。
【００７７】
ここで、第３実施形態では、図１７に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０のｎ型ＧａＡｓ基板３０１に矩形状の貫通穴３０１ａが設けられている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０は、ワイヤボンド領域１８ａにワイヤボンディングされた金属線３１１が貫通穴３０１ａを介してリード端子１０１に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０は、ワイヤボンド領域２１ａにワイヤボンディングされた金属線３１２が貫通穴３０１ａを介してリード端子１０２に接続される。さらに、赤外半導体レーザ素子７０は、ワイヤボンド領域２２ａにワイヤボンディングされた金属線３１３が貫通穴３０１ａを介してリード端子１０３に接続される。なお、貫通穴３０１ａは、Ｙ方向に約７０μｍの幅を有している。
【００７８】
また、第３実施形態では、図１６に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０の貫通穴３０１ａを除く上面上にｎ側電極３８１が形成されている。したがって、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０は、ｎ側電極３８１にワイヤボンディングされた金属線３１４を介して基台９１に電気的に接続される。なお、第３実施形態による半導体レーザ装置３００のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００７９】
図１８は、図１６に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図７、図９、図１６および図１８を参照して、第３実施形態による半導体レーザ装置３００の製造プロセスについて説明する。
【００８０】
まず、図７の青紫色半導体レーザ素子１０が形成されたウェハと、図９の赤色・赤外２波長半導体レーザ素子６０が形成されたウェハとを、電極層２１とｐ側パッド電極５８と、および、電極層２２とｐ側パッド電極７８とをそれぞれ対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＡｓ基板３０１の上面を研磨した後、図１８に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の凹部３０１ｂが形成された領域の若干内側（Ｘ方向およびＹ方向）の領域に、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１とｎ側電極３８１とを貫通するように１つの貫通穴３０１ａを形成する。その後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の上面上にｎ側電極３８１を形成する。その後、ｎ型ＧａＮ基板１１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上にｎ側電極１９を形成する。これにより、ウェハ状の３波長半導体レーザ素子部３９０が形成される。その後、Ｙ方向に劈開（バー状劈開）するとともに凹部３０１ｃに沿って破線８００の位置でＸ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、図１６に示した半導体レーザ装置３００を構成する個々の３波長半導体レーザ素子部３９０が形成される。
【００８１】
なお、第３実施形態のその他の製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。このようにして、第３実施形態による半導体レーザ装置３００（図１６参照）が形成される。
【００８２】
第３実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０をｎ型ＧａＡｓ基板３０１の表面上に形成することによって、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８および赤外半導体レーザ素子７０のｐ側パッド電極７８とは反対側のｎ側電極３８１を、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の裏面上（図１６では上面側）に共通に設けることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８３】
（第４実施形態）
図１９〜図２１は、それぞれ、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および平面図である。まず、図１９〜図２１を参照して、この第４実施形態による半導体レーザ装置４００では、上記第３実施形態と異なり、リッジ部４１５が一方側に寄せられた青紫色半導体レーザ素子４１０に、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０を接合した３波長半導体レーザ素子部４９０が、導電性接着層１を介して基台９１上に固定されている場合について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子４１０は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例であり、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０は、それぞれ、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００８４】
ここで、第４実施形態では、図１９に示すように、リッジ部４１５が形成されていない領域の青紫色半導体レーザ素子４１０上に、電極層４２１および４２２を介してモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０が接合されている。なお、電極層４２１および４２２は、それぞれ、本発明の「第２電極」および「第３電極」の一例である。なお、図１９では、光出射面４１０ａ、５０ａおよび７０ａを紙面手前側に示している。
【００８５】
また、半導体レーザ装置４００からモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０を取り除いて青紫色半導体レーザ素子４１０を平面的に見た場合、図２１に示すように、電極層４２１および４２２は、青紫色半導体レーザ素子４１０の電流ブロック層４１６の所定の領域を覆うように形成されている。なお、電流ブロック層４１６は、本発明の「第１絶縁膜」の一例である。
【００８６】
具体的には、電極層４２１は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の電流ブロック層４１６上を覆うとともに、青紫色半導体レーザ素子４１０のリッジ部４１５が形成されている領域近傍までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域４２１ａを有している。また、電極層４２２は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域の電流ブロック層４１６上を覆うとともに、青紫色半導体レーザ素子４１０のリッジ部４１５が形成されている領域近傍までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域４２２ａを有している。この際、ワイヤボンド領域４２１ａおよび４２２ａは、それぞれ、共振器方向（Ｘ方向）に沿って所定の間隔を隔てて互いに接触しないように形成されている。なお、赤色半導体レーザ素子５０（図１９参照）を電極層４２１に接合する際に、赤色半導体レーザ素子５０の導電性接着層２およびｐ側パッド電極５８（図１９参照）が、電極層４２２と接触するのを防止するために、図２１に示すように、電極層４２２のうちの赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域を覆うようにＳｉＯ２などからなる絶縁膜４が形成されている。
【００８７】
また、図２０に示すように、青紫色半導体レーザ素子４１０は、ｐ側パッド電極４１８にワイヤボンディングされた金属線４４１を介してリード端子１０２に接続されるとともに、ｎ側電極１９（図１９参照）が導電性接着層１を介して基台９１に電気的に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層４２１のワイヤボンド領域４２１ａにワイヤボンディングされた金属線４４２を介してリード端子１０３に接続される。さらに、赤外半導体レーザ素子７０は、電極層４２２のワイヤボンド領域４２２ａにワイヤボンディングされた金属線４４３を介してリード端子１０１に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０は、ｎ側電極３８１にワイヤボンディングされた金属線４４４を介して基台９１に接続される。なお、ｐ側パッド電極４１８は、本発明の「第１電極」の一例である。
【００８８】
次に、図９、図１９および図２１を参照して、第４実施形態による半導体レーザ装置４００の製造プロセスについて説明する。
【００８９】
まず、上記第１実施形態の製造プロセスと同様の製造プロセスにより、ウェハ状態の青紫色半導体レーザ素子４１０（図１９参照）を形成する。この際、図２１に示すように、ｐ側パッド電極４１８は、共振器方向（Ｘ方向）のすべての領域が露出されるように形成される。
【００９０】
そして、図２１に示すように、真空蒸着法を用いて、電流ブロック層４１６の所定の領域上を覆うように、電極層４２１および電極層４２２をそれぞれ形成する。この際、第４実施形態では、電極層４２１は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の電流ブロック層４１６の部分をＸ方向に延びるように覆うとともに、その一部が青紫色半導体レーザ素子４１０のリッジ部４１５が形成されている領域近傍までＹ１方向に延びるワイヤボンド領域４２１ａを有するように形成される。また、電極層４２２は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域の電流ブロック層４１６の部分をＸ方向に延びるように覆うとともに、その一部が青紫色半導体レーザ素子４１０のリッジ部４１５が形成されている領域近傍までＹ１方向に延びるワイヤボンド領域４２２ａを有するように形成される。その後、電極層４２２の所定領域を覆うように絶縁膜４を形成する。
【００９１】
その後、青紫色半導体レーザ素子４１０（図１９参照）が形成されたウェハと、赤色・赤外２波長半導体レーザ素子６０（図９参照）が形成されたウェハとを、電極層２１とｐ側パッド電極５８と、および、電極層２２とｐ側パッド電極７８とをそれぞれ対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。なお、この際、凹部３０１ｂがリッジ部４１５に位置するように接合する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＡｓ基板３０１の上面を研磨した後、凹部３０１ｂの部分のｎ型ＧａＡｓ基板３０１をエッチングにより除去してリッジ部４１５の上方を露出させる。その後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の上面上にｎ側電極３８１を形成する。その後、ｎ型ＧａＮ基板１１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上にｎ側電極１９を形成する。これにより、ウェハ状の３波長半導体レーザ素子部４９０が形成される。その後、Ｙ方向に劈開（バー状劈開）するとともに青紫色半導体レーザ素子４１０の部分をＸ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、図１９に示した半導体レーザ装置４００を構成する個々の３波長半導体レーザ素子部４９０が形成される。
【００９２】
なお、第４実施形態のその他の製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。このようにして、第４実施形態による半導体レーザ装置４００（図１９参照）が形成される。
【００９３】
第４実施形態では、上記のように、電極層４２１および電極層４２２を、それぞれ、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０と電流ブロック層４１６との間から青紫色半導体レーザ素子４１０のｐ側パッド電極４１８が配置されている導波路形成領域側（Ｙ１方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極４１８が配置されている導波路形成領域近傍に電極層４２１のワイヤボンド領域４２１ａおよび電極層４２２のワイヤボンド領域４２２ａをそれぞれ配置することができる。これにより、３波長半導体レーザ素子部４９０に、ｐ側パッド電極４１８、電極層４２１および４２２を金属線４４１、４４２および４４３にそれぞれ接続するワイヤボンディングのための専用の領域を青紫色半導体レーザ素子４１０のＹ方向の端部側に別途設ける必要がないので、青紫色半導体レーザ素子４１０のＹ方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に３波長半導体レーザ素子部４９０を構成する青紫色半導体レーザ素子４１０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。
【００９４】
（第５実施形態）
図２２および図２３は、それぞれ、本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および平面図である。図２２および図２３を参照して、第５実施形態では上記第１〜第４実施形態と異なり、緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０を赤色半導体レーザ素子５０に接合したＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５９０が、導電性接着層１を介して基台９１上に固定されている場合について説明する。なお、緑色半導体レーザ素子５１０および赤色半導体レーザ素子５０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」および「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００９５】
本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置５００は、図２２に示すように、赤色半導体レーザ素子５０がｎ型ＧａＮ基板５０１の上面上にＹ方向に所定の間隔を隔てて形成された緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０に接合されたＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５９０を備えている。
【００９６】
また、図２２に示すように、緑色半導体レーザ素子５１０は、ｎ型ＧａＮ基板５０１の上面上に、ｎ型ＩｎＧａＮからなるｎ型クラッド層５１２、ＭＱＷ構造を有する活性層５１３およびｐ型ＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層５１４と、ｐ側コンタクト層５１５と、ｐ側オーミック電極５１６とが積層された構造を有している。また、青色半導体レーザ素子５２０は、ｎ型ＧａＮ基板５０１の上面上に、ｎ型クラッド層５２２、ＭＱＷ構造を有する活性層５２３およびｐ型ＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層５２４と、ｐ側コンタクト層５２５と、ｐ側オーミック電極５２６とが積層された構造を有している。なお、活性層５１３は、本発明の「第１活性層」の一例である。
【００９７】
また、緑色半導体レーザ素子５１０のｐ型クラッド層５１４の平坦部の上面およびリッジ部５１７の側面と、青色半導体レーザ素子５２０のｐ型クラッド層５２４の平坦部の上面およびリッジ部５２７の側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層５３０が形成されている。また、ｐ側オーミック電極５１６および電流ブロック層５３０の上面を覆うように、ｐ側パッド電極５１８が形成されている。また、ｐ側オーミック電極５２６および電流ブロック層５３０の上面をＸ方向に延びるように覆うとともに、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０とのＹ方向の略中間の位置までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域５２８ａを有するｐ側パッド電極５２８が形成されている。なお、ｐ側パッド電極５１８は、本発明の「第１電極」の一例である。
【００９８】
ここで、第５実施形態では、図２２に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０のｐ側パッド電極５２８を覆うように絶縁膜５３１が形成されている。また、図２３に示すように、絶縁膜５３１は、ｐ側パッド電極５２８のワイヤボンド領域５２８ａ以外の領域を覆うように青色半導体レーザ素子５２０の表面に形成されている。したがって、ワイヤボンド領域５２８ａのみが露出されている。なお、絶縁膜５３１は、本発明の「第１絶縁膜」の一例である。
【００９９】
また、図２２および図２３に示すように、絶縁膜５３１の所定の領域を覆うように、電極層５３２が形成されている。具体的には、電極層５３２は、青色半導体レーザ素子５２０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の絶縁膜５３１上を覆うとともに、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０とのＹ方向の略中間の位置までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域５３２ａを有している。この際、ワイヤボンド領域５２８ａおよび５３２ａは、それぞれ、共振器方向（Ｘ方向）に沿って所定の間隔を隔てて互いに接触しないように形成されている。なお、電極層５３２は、本発明の「第２電極」の一例である。
【０１００】
また、第５実施形態では、赤色半導体レーザ素子５０のｐ側パッド電極５８が、導電性接着層２を介して青色半導体レーザ素子５２０上の電極層５３２に接合されている。
【０１０１】
また、図２３に示すように、緑色半導体レーザ素子５１０は、ｐ側パッド電極５１８にワイヤボンディングされた金属線５４１を介してリード端子１０２に接続される。また、青色半導体レーザ素子５２０は、ｐ側パッド電極５２８のワイヤボンド領域５２８ａにワイヤボンディングされた金属線５４２を介してリード端子１０３に接続される。また、緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０は、ｎ側電極１９（図２２参照）が導電性接着層１を介して基台９１に電気的に接続される。さらに、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層５３２のワイヤボンド領域５３２ａにワイヤボンディングされた金属線５４３を介してリード端子１０１に接続されるとともに、ｎ側電極５９にワイヤボンディングされた金属線５４４を介して基台９１に接続される。なお、図２２では、光出射面５１０ａ、５２０ａおよび５０ａを紙面手前側に示している。なお、第５実施形態による半導体レーザ装置５００のその他の構造および製造プロセスは、上記実施形態と同様である。
【０１０２】
第５実施形態では、上記のように、電極層５３２を、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜５３１との間から緑色半導体レーザ素子５１０のｐ側パッド電極５１８が配置されている導波路形成領域側（Ｙ１方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極５１８が配置されている導波路形成領域近傍に電極層５３２のワイヤボンド領域５３２ａを配置することができる。これにより、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５９０に、ｐ側パッド電極５１８および電極層５３２を金属線５４１および５４３に接続するワイヤボンディングのための専用の領域をモノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０のＹ方向の端部側に別途設ける必要がないので、モノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０のＹ方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易にＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５９０を構成するモノリシック２波長半導体レーザ素子部５８０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。なお、第５実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【０１０３】
（第６実施形態）
図２４および図２５は、それぞれ、本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および平面図である。まず、図２４および図２５を参照して、第６実施形態では上記第４実施形態と異なり、モノリシック２波長半導体レーザ素子部６８０を構成する赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０に接合される電極層のワイヤボンド領域が、Ｙ方向に互いに異なる方向に延びるように形成される場合について説明する。なお、赤外半導体レーザ素子７０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【０１０４】
本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置６００は、図２４に示すように、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部６８０が、リッジ部４１５が素子の幅方向の一方側（Ｙ１方向側）に寄せられた青紫色半導体レーザ素子４１０に接合された３波長半導体レーザ素子部６９０を備えている。
【０１０５】
ここで、第６実施形態では、図２５に示すように、リッジ部４１５が形成されていない領域の青紫色半導体レーザ素子４１０上に、電極層６２１および６２２を介してモノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０が接合されている。なお、電極層６２１は、本発明の「第２電極」の一例である。
【０１０６】
また、半導体レーザ装置６００を平面的に見た場合、図２５に示すように、電極層６２１および６２２は、青紫色半導体レーザ素子４１０の電流ブロック層４１６の所定の領域を覆うように形成されている。
【０１０７】
具体的には、電極層６２１は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤外半導体レーザ素子７０が接合される領域の電流ブロック層４１６上を覆うとともに、青紫色半導体レーザ素子４１０のリッジ部４１５が形成されている領域近傍までＹ１方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域６２１ａを有している。また、電極層６２２は、青紫色半導体レーザ素子４１０の赤色半導体レーザ素子５０が接合される領域の電流ブロック層４１６上を覆うとともに、Ｙ２方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域６２２ａを有している。
【０１０８】
また、図２５に示すように、青紫色半導体レーザ素子４１０は、ｐ側パッド電極４１８のＹ２方向に凸状に突出するように延びるワイヤボンド領域４１８ａにワイヤボンディングされた金属線６４１を介してリード端子１０２に接続されるとともに、ｎ側電極１９（図２４参照）が導電性接着層１を介して基台９１に電気的に接続される。また、赤外半導体レーザ素子７０は、電極層６２１のワイヤボンド領域６２１ａにワイヤボンディングされた金属線６４２を介してリード端子１０１に接続される。さらに、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層６２２のワイヤボンド領域６２２ａにワイヤボンディングされた金属線６４３を介してリード端子１０３に接続される。また、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子７０は、ｎ側電極３８１にワイヤボンディングされた金属線６４４を介して基台９１に接続される。なお、図２４では、光出射面４１０ａ、５０ａおよび７０ａを紙面手前側に示している。なお、第６実施形態による半導体レーザ装置６００のその他の構造および製造プロセスは、上記第４実施形態と同様である。
【０１０９】
第６実施形態では、上記のように、電極層６２１を、赤外半導体レーザ素子７０と電流ブロック層４１６との間から青紫色半導体レーザ素子４１０のｐ側パッド電極４１８が配置されている導波路形成領域側（Ｙ１方向）に延びるように形成することによって、ｐ側パッド電極４１８が配置されている導波路形成領域近傍に電極層６２１のワイヤボンド領域６２１ａを配置することができる。これにより、３波長半導体レーザ素子部６９０に、ｐ側パッド電極４１８および電極層６２１を金属線６４１および６４２に接続するワイヤボンディングのための専用の領域を青紫色半導体レーザ素子４１０のＹ１方向の端部側に別途設ける必要がないので、青紫色半導体レーザ素子４１０のＹ１方向の端部側にワイヤボンディング専用の領域を設ける必要がない分、容易に３波長半導体レーザ素子部６９０を構成する青紫色半導体レーザ素子４１０の幅（Ｙ方向）を小さくすることができる。また、赤色半導体レーザ素子５０が接合される電極層６２２のワイヤボンド領域６２２ａを、リード端子１０３側（Ｙ２方向）に延びるように形成することによって、金属線６４３の長さを短くすることができる。なお、第６実施形態のその他の効果は、上記第４実施形態と同様である。
【０１１０】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１１１】
たとえば、上記第１および第３実施形態では、第１半導体レーザ素子を構成する電流ブロック層上に別途絶縁膜を形成するとともに、その絶縁膜の一部を第１半導体レーザ素子のｐ側パッド電極（導波路形成領域）上まで延伸させてｐ側パッド電極の所定の領域を覆うことにより、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子のｐ側電極に接続される電極層と第１半導体レーザ素子のｐ側パッド電極との絶縁を図るように形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、第１半導体レーザ素子を構成する電流ブロック層上に第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子のｐ側電極に接続される電極層を直接形成するとともに、第１半導体レーザ素子のｐ側パッド電極（導波路形成領域）上を含むｐ側パッド電極の近傍領域にのみ、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子のｐ側電極に接続される電極層と第１半導体レーザ素子のｐ側パッド電極との絶縁を図るための絶縁膜を形成するようにしてもよい。
【０１１２】
また、上記第３実施形態では、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３８０のｎ型ＧａＡｓ基板３０１に矩形状の貫通穴を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、矩形状以外の、たとえば円形状の貫通穴を設けるようにしてもよい。
【０１１３】
また、上記第１〜第６実施形態では、多波長半導体レーザ素子部が接合される基台を、ＡｌＮからなる基板により構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、基台を、ＳｉＣ、Ｓｉ、ダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）などの熱伝導率の良好な絶縁体からなる基板により構成してもよい。
【０１１４】
また、上記第１〜第４および図６実施形態では、青紫色半導体レーザ素子を、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮなどの窒化物系半導体層により形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子を、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＢＮ、ＴｌＮおよびこれらの混晶からなるウルツ鉱構造の窒化物系半導体層により形成してもよい。
【０１１５】
また、上記第１〜第６実施形態では、平坦な活性層上に、リッジ部を有する上部クラッド層を形成し、誘電体のブロック層をリッジ部の側面に形成したリッジ導波型半導体レーザを形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体のブロック層を有するリッジ導波型半導体レーザや、埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）の半導体レーザや、平坦な上部クラッド層上にストライプ状の開口部を有する電流ブロック層を形成した利得導波型の半導体レーザを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細構造を示した断面図である。
【図４】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細構造を示した断面図である。
【図５】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細構造を示した断面図である。
【図６】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細構造を示した断面図である。
【図７】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図８】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図９】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図１０】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図１３】図１２に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図１４】図１２に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図１５】図１２に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図１６】本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図１７】図１６に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図１８】図１６に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図１９】本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２０】図１９に示した第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図２１】図１９に示した第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図２２】本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２３】図２２に示した第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図２４】本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２５】図２４に示した第６実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１０、１６０、２１０、４１０  青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
１３、５１３  活性層（第１活性層）
１６、２１６  電流ブロック層（第１絶縁膜、第２絶縁膜）
１６ａ、２１６ａ  電流ブロック層（第１絶縁膜）
１６ｂ、２１６ｂ  電流ブロック層（第２絶縁膜）
１８、４１８、５１８  ｐ側パッド電極（第１電極）
２０  絶縁膜（第１絶縁膜、第２絶縁膜）
２１、２２１、４２１、６２１  電極層（第２電極）
２２、２２２、４２２  電極層（第３電極）
５０  赤色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子）
５３  活性層（第２活性層）
７０  赤外半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子）
７３  活性層（第３活性層）
１５１  電極層（第２電極）
３０１  ｎ型ＧａＡｓ基板（半導体）
４１６  電流ブロック層（第１絶縁膜）
５１０  緑色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
５３１  絶縁膜（第１絶縁膜）
５３２  電極層（第２電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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