(57)【要約】【課題】積層板を格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断工程において、切断後の積層チップが相互に付着することを回避できる積層型セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】第１シートＳ１１は、（１）ベースフィルムの表面にセラミックスラリーを所定厚さで塗工し、これを乾燥して未焼成セラミック層１１となるセラミックグリーンシートを形成するステップと、（２）該セミラックグリーンシートの表面に導体ペーストを所定厚さで、且つ、ｘｙ行列を成す配列で印刷し、これを乾燥して未焼成導体層１２の群を形成するステップと、（３）未焼成導体層１２の群を形成したセラミックグリーンシートの表面に各未焼成導体層１２を隙間１３ａを介して囲みかつｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線を避けるようにしてセラミックペーストを所定厚さで印刷し、これを乾燥して各未焼成導体層１２とほぼ同じ厚さを有する段差吸収用未焼成セラミック層１３を形成するステップと、を経て作成されている。【選択図】図８
2010040628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未焼成セラミック層と所定配列の未焼成導体層の群とが交互に積層された部分を有する積層板を得る積層工程と、積層板をｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線に沿って格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断工程とを少なくとも含む積層型セラミック電子部品の製造方法において、
前記積層工程は、未焼成セラミック層上に所定配列の未焼成導体層の群と段差吸収用未焼成セラミック層とが形成された未焼成シートを用いて積層板を得る工程であり、
該未焼成シートは、（１）所定厚さで塗工されたセラミックスラリーを乾燥して、セラミックグリーンシートを形成するステップと、（２）該セミラックグリーンシートの表面に導体ペーストを所定の厚さ及び配列で印刷し、これを乾燥して未焼成導体層の群を形成するステップと、（３）未焼成導体層の群を形成したセラミックグリーンシートの表面に各未焼成導体層を囲みかつｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線を避けるようにしてセラミックペーストを所定厚さで印刷しこれを乾燥して各未焼成導体層とほぼ同じ厚さを有する段差吸収用未焼成セラミック層を形成するステップと、を経て作成される、
ことを特徴とする積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記ｘ方向の切断予定線は前記未焼成シートの各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層が形成されていない部分の中心を通るように設定され、また、前記ｙ方向の切断予定線は前記未焼成シートの各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層が形成されていない部分の中心を通るよう設定される、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型セラミックコンデンサ等の製造に有用な積層型セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層型セラミック電子部品の製造方法は、未焼成セラミック層と所定配列の未焼成導体層の群とが交互に積層された部分を有する積層板を得る積層工程と、積層板をｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線に沿って格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断工程と、積層チップを焼成して部品本体を得る焼成工程と、部品本体の表面の所定位置に外部電極となる導体ペーストを塗布して焼きつける電極形成工程とを含んでいる。因みに、積層チップの焼成と外部電極用未焼成導体層の焼付けとを同時に行うタイプの積層型セラミック電子部品では、前記焼成工程の前に部品本体の表面の所定位置に外部電極となる導体ペーストを塗布する工程が行われる。
【０００３】
図１〜図５は積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す。この製造方法は、先に述べたような積層工程と切断工程と焼成工程と電極形成工程とを含んでいる。
【０００４】
積層工程では、予め用意された第１シートＳ１と第２シートＳ２とカバーシート（図示省略）とを後述の未焼成セラミック層１，未焼成導体層２及び段差吸収用未焼成セラミック層３の組成等に応じた所定の条件（積層温度，積層圧力及び加圧時間等を含む）で積層して、複数のカバーシートが積層された部分と、複数の第１シートＳ１と複数の第２シートＳ２とが交互に積層された部分と、複数のカバーシートが積層された部分と、を積層方向で順に有する積層板ＭＰ１を得る（図３参照）。
【０００５】
第１シートＳ１は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、（１）ベースフィルム（図示省略）の表面にセラミックスラリーを所定厚さで塗工し、これを乾燥して未焼成セラミック層１となるセラミックグリーンシートを形成するステップと、（２）セラミックグリーンシートの表面に導体ペーストを所定厚さで、且つ、ｘｙ行列を成す配列で印刷し、これを乾燥して未焼成導体層２の群を形成するステップと、（３）未焼成導体層２の群を形成したセラミックグリーンシートの表面に各未焼成導体層２を隙間３ａを介して囲むようにしてセラミックペーストを所定厚さで印刷し、これを乾燥して各未焼成導体層２とほぼ同じ厚さを有する段差吸収用未焼成セラミック層３を形成するステップと、を経て作成されている。
【０００６】
第２シートＳ２は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１シートＳ１と同様の手順で作成されるが、該第２シートＳ２の各未焼成導体層２は第１シートＳ１の各未焼成導体層２に対して半パターン分ｘ方向にずれている。詳しくは、第２シートＳ２の各未焼成導体層２と第１シートＳ１の各未焼成導体層２とは、積層工程で第２シートＳ２を第１シートＳ１に積層したときに第２シートＳ１の各未焼成導体層２のｘ方向寸法の中心を通る切断予定線Ｌｙが第１シートＳ１のｘ方向における各未焼成導体層２間を通る切断予定線Ｌｙに合致するように形成されている。
【０００７】
カバーシートは、ベースフィルム（図示省略）の表面にセラミックスラリーを塗工し、これを乾燥して未焼成セラミック層１を形成することによって作成されている。
【０００８】
切断工程では、積層工程で得た積層板ＭＰ１を下敷きシート４の表面に貼り付けてｘ方向の切断予定線Ｌｘ及びｙ方向の切断予定線Ｌｙを設定し、該積層板ＭＰ１を切断刃を用いて各切断予定線Ｌｘ，Ｌｙに沿って格子状に切断する（図４参照）。続いて、切断後の積層チップＭＣ１を下敷きシート４から分離させて、コンデンサ本体ＣＢ１（図５（Ｂ）参照）に相当する積層チップＭＣ１（図５（Ａ）参照）を得る。この切断工程における切断の様子等は後に詳述する。
【０００９】
図５（Ａ）から分かるように、積層チップＭＣ１は所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状を成しており、複数の未焼成導体層２が未焼成セラミック層１を介して積層されている。この積層チップＭＣ１の各未焼成導体層２の長さは、第１，第２シートＳ１，Ｓ２に形成された未焼成導体層２のｘ方向寸法の約１／２である。また、積層チップＭＣ１の各未焼成導体層２の端縁は、該積層チップＭＣの長さ方向の相対する端面で交互に露出している。
【００１０】
焼成工程では、切断工程で得た積層チップＭＣ１を加熱炉に投入し、所定の条件（温度及び時間等を含む）で脱バインダー処理を行う。続いて、積層チップＭＣ１を未焼成セラミック層１，３及び未焼成導体層２の組成等に応じた所定の条件（焼成温度及び焼成時間等を含む）で本焼成して、コンデンサ本体ＣＢ１を得る（図５（Ｂ）参照）。
【００１１】
電極形成工程では、焼成工程で得たコンデンサ本体ＣＢ１（図５（Ｂ）参照）の表面の長さ方向両端部に、導体ペーストを塗布して外部電極用未焼成導体層を形成する。続いて、コンデンサ本体ＣＢ１を加熱炉に投入し、外部電極用未焼成導体層をその組成等に応じた所定の条件（焼成温度及び焼成時間等を含む）で焼付けを行い、外部電極ＥＥ１（図５（Ｂ）参照）を形成する。必要に応じて各外部電極ＥＥ１の表面には、電解メッキ等により外部電極ＥＥ１を保護するための導体メッキ及び半田ぬれ性を向上させるために錫合金メッキが施される。以上で、図５（Ｂ）に示す積層型セラミックコンデンサＥＣ１が製造される。
【００１２】
前記第１シートＳ１に形成された段差吸収用未焼成セラミック層３と前記第２シートＳ２に形成された段差吸収用未焼成セラミック層３は、焼成後のコンデンサ本体ＣＢ１の外観形状が歪になることを防ぐ役割を果たしている。つまり、段差吸収用未焼成セラミック層３を有しない第１シートＳ１と段差吸収用未焼成セラミック層３を有しない第２シートＳ２とを積層すると、未焼成導体層２が積層方向で重なる部分の厚さが他の部分に比べて厚くなり易い。この厚さの不均等を有した状態で圧着を行い積層板を形成すると、内部に歪みが発生する。この歪みを有した状態で積層チップＭＣ１を焼成すると、コンデンサ本体ＣＢ１の外観形状が歪になる。依って、この厚さの不均等を段差吸収用未焼成セラミック層３によって無くすようにすれば、焼成後のコンデンサ本体ＣＢ１の外観形状が歪になることを防ぐことができる。
【００１３】
ところで、未焼成セラミック層１を形成するときに用いられるセラミックスラリー及び段差吸収用未焼成セラミック層３を形成するときに用いられるセラミックペーストは、セラミック粉以外の成分、例えばバインダーや溶剤や可塑剤や分散剤等を含有している。
【００１４】
第１，第２シートＳ１，Ｓ２の未焼成セラミック層１に含まれるセラミック粉以外の成分のうちの溶剤は、セラミックスラリーを塗工した後の乾燥過程と、未焼成導体層２用の導体ペーストを印刷した後の乾燥過程と、段差吸収用未焼成セラミック層３用のセラミック粉含有スラリーを印刷した後の乾燥過程のそれぞれで蒸発する。
【００１５】
また、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１に含まれる溶剤は、セラミックスラリーを塗工した後の乾燥過程で蒸発する。また、カバーシートの形成工程は積層工程までは第１，第２シートＳ１，Ｓ２の工程と別工程となるため、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１は第１，第２シートＳ１，Ｓ２を構成する未焼成セラミック層１と乾燥状態を略同じになるように予備乾燥することができる。この予備乾燥によりカバーシートを構成する未焼成セラミック層１に含まれる溶剤は蒸発する。
【００１６】
一方、第１，第２シートＳ１，Ｓ２の段差吸収用未焼成セラミック層３に含まれる溶剤は、セラミックペーストを塗布した後の乾燥過程で蒸発するものの、該段差吸収用未焼成セラミック層３は積層板ＭＰ１の内側に位置しているため、他に溶剤を蒸発させる機会は無い。
【００１７】
要するに、第１，第２シートＳ１，Ｓ２の未焼成セラミック層１に含まれる溶剤と、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１に含まれる溶剤は、積層板ＭＰ１を切断するときにその大部分が蒸発している。しかしながら、第１，第２シートＳ１，Ｓ２の段差吸収用未焼成セラミック層３に含まれる溶剤は、積層板ＭＰ１を切断する時点において、第１，第２シートＳ１，Ｓ２の未焼成セラミック層１に含まれる溶剤およびカバーシートを構成する未焼成セラミック層１に含まれる溶剤に比べて多く残存していることになる。
【００１８】
図６は積層板ＭＰ１を押し切り刃ＣＢによって切断する様子を概略的に示し、図７は積層チップＭＣ１の切断面の様子を概略的に示す。
【００１９】
図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示したように、各段差吸収用未焼成セラミック層３は各未焼成導体層２を隙間３ａを介して囲むように形成されているだけである。そのため、図６に示すように、切断工程で積層板ＭＰ１を切断するときには、各段差吸収用未焼成セラミック層３は各未焼成セラミック層１及び各未焼成導体層２と一緒に切断され、これにより、図７に示すように、該各段差吸収用未焼成セラミック層３の切断縁が、切断後の積層チップＭＣ１の切断面に現れる。
【００２０】
先に述べたように、段差吸収用未焼成セラミック層３に含まれる溶剤は、積層板ＭＰ１を切断するときでもその他の部分よりも多く残存している。そのため、段差吸収用未焼成セラミック層３は他の部分より粘着性を有するようになる。その結果図７に示すように、切断時または切断後の積層チップＭＣ１の切断面に粘着性のある部分ＳＭが露出し、該粘着部分ＳＭによって積層チップＭＣ１が相互に付着する恐れがある。
【特許文献１】特開昭５２−１３５０５１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、積層板を格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断工程において、切断後の積層チップが相互に付着することを回避できる積層型セラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記目的を達成するため、本発明は、未焼成セラミック層と所定配列の未焼成導体層の群とが交互に積層された部分を有する積層板を得る積層工程と、積層板をｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線に沿って格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断工程とを少なくとも含む積層型セラミック電子部品の製造方法において、前記積層工程は、未焼成セラミック層上に所定配列の未焼成導体層の群と段差吸収用未焼成セラミック層とが形成された未焼成シートを用いて積層板を得る工程であり、該未焼成シートは、（１）所定厚さで塗工されたセラミックスラリーを乾燥して、セラミックグリーンシートを形成するステップと、（２）該セミラックグリーンシートの表面に導体ペーストを所定の厚さ及び配列で印刷し、これを乾燥して未焼成導体層の群を形成するステップと、（３）未焼成導体層の群を形成したセラミックグリーンシートの表面に各未焼成導体層を囲みかつｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線を避けるようにしてセラミックペーストを所定厚さで印刷しこれを乾燥して各未焼成導体層とほぼ同じ厚さを有する段差吸収用未焼成セラミック層を形成するステップと、を経て作成される、ことを特徴とする。
【００２３】
この積層型セラミック電子部品の製造方法によれば、段差吸収用未焼成セラミック層はｘ方向の切断予定線およびｙ方向の切断予定線をそれぞれ避けるように設けられる。そのため、切断工程で積層板を切断するときには、各未焼成セラミック層及び各未焼成導体層が切断されるだけで、各段差吸収用未焼成セラミック層は切断されることは無い。従って、各段差吸収用未焼成セラミック層に含まれる溶剤分が積層板を切断するときに残存していても、切断時または切断後の積層チップの切断面に粘着性を有する各段差吸収用未焼成セラミック層が露出することは無い。つまり、切断時または切断後の積層チップの切断面に粘着性のある部分が露出することを防止して、該粘着成分によって切断後の積層チップが相互に付着すること確実に回避することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、積層板を格子状に切断して部品本体に相当する積層チップを得る切断断工程において、切断後の積層チップが相互に付着することを防止できる積層型セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２５】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図６〜図１２は本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す。この製造方法は、背景技術の項目で述べたような積層工程と切断工程と焼成工程と電極形成工程とを含んでいる。
【００２７】
積層工程では、予め用意された第１シートＳ１１と第２シートＳ１２とカバーシート（図示省略）とを後述の未焼成セラミック層１１，未焼成導体層１２及び段差吸収用未焼成セラミック層１３の組成等に応じた所定の条件（積層温度，積層圧力及び加圧時間等を含む）で積層して、複数のカバーシートが積層された部分と、複数の第１シートＳ１１と複数の第２シートＳ１２とが交互に積層された部分と、複数のカバーシートが積層された部分と、を積層方向で順に有する積層板ＭＰ１１を得る（図１０参照）。
【００２８】
第１シートＳ１１は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、（１）ベースフィルム（図示省略）の表面にセラミックスラリーを所定厚さで塗工し、これを乾燥して未焼成セラミック層１１となるセラミックグリーンシートを形成するステップと、（２）該セミラックグリーンシートの表面に導体ペーストを所定厚さで、且つ、ｘｙ行列を成す配列で印刷し、これを乾燥して未焼成導体層１２の群を形成するステップと、（３）未焼成導体層１２の群を形成したセラミックグリーンシートの表面に各未焼成導体層１２を隙間１３ａを介して囲みかつｘ方向の切断予定線及びｙ方向の切断予定線を避けるようにしてセラミックペーストを所定厚さで印刷し、これを乾燥して各未焼成導体層１２とほぼ同じ厚さを有する段差吸収用未焼成セラミック層１３を形成するステップと、を経て作成されている。
【００２９】
図８（Ｂ）から分かるように、段差吸収用未焼成セラミック層１３は、隙間１３ａの他に、各切断予定線Ｌｘに沿ったｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘと、各切断予定線Ｌｙに沿ったｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２と、を有している。詳しくは、各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘは各未焼成導体層１２のｙ方向の隣接間隔の中心を通るように形成され、各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１は各未焼成導体層１２のｘ方向の隣接間隔の中心を通るように形成され、各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２は各未焼成導体層１２のｘ方向寸法の中心を通るように形成されている。また、ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２の幅Ｓｙ１，Ｓｙ２は、積層工程で各段差吸収用未焼成セラミック層１３が多少押し潰されても積層板ＭＰ１１自体にｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２が残存するような寸法、例えば５０μｍ程度の寸法を有している。
【００３０】
第２シートＳ１２は、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、第１シートＳ１１と同様の手順で作成されるが、該第２シートＳ１２の各未焼成導体層１２は第１シートＳ１１の各未焼成導体層１２に対して半パターン分ｘ方向にずれている。詳しくは、第２シートＳ１２の各未焼成導体層１２と第１シートＳ１１の各未焼成導体層１２とは、積層工程で第２シートＳ１２を第１シートＳ１１に積層したときに、第２シートＳ１１の各未焼成導体層１２のｘ方向の中心を通る切断予定線Ｌｙが第１シートＳ１１のｘ方向における各未焼成導体層１２のｘ方向の隣接間隔の中心を通る切断予定線Ｌｙに合致するように形成されている。
【００３１】
図９（Ｂ）から分かるように、第２シートＳ１２の段差吸収用未焼成セラミック層１３は、第１シートＳ１１の段差吸収用未焼成セラミック層１３と同様に、各切断予定線Ｌｘに沿ったｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘと、各切断予定線Ｌｙに沿ったｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２と、を有している。詳しくは、各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘは各未焼成導体層１２のｙ方向の隣接間隔の中心を通るように形成され、各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１は各未焼成導体層１２のｘ方向の隣接間隔の中心を通るように形成され、各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２は各未焼成導体層１２のｘ方向寸法の中心を通るように形成されている。また、段差吸収用未焼成セラミック層１３のｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２の幅Ｓｙ１，Ｓｙ２は、積層工程で各段差吸収用未焼成セラミック層１３が多少押し潰されても積層板ＭＰ１１自体にｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２が残存するような寸法、例えば５０μｍ程度の寸法を有している。
【００３２】
カバーシートは、ベースフィルム（図示省略）の表面にセラミックスラリーを塗工し、これを乾燥して未焼成セラミック層１１を形成することによって作成されている。
【００３３】
因みに、前記未焼成セラミック層１１を形成する際に用いられるセラミックスラリーは、例えば、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末と、ポリビニルブチラールやセルロース樹脂やアクリル樹脂等を固形分とするバインダーと、ケトン類や炭化水素類やアルコールやエステルやエーテルアルコールや塩化炭素水素類等の溶剤と、ジオクチルフタレートやジエチルフタレート等の可塑剤と、ノニオン界面活性剤やアニオン界面活性剤等の分散剤とを含有している。
【００３４】
また、前記段差吸収用未焼成セラミック層１３を形成する際には、前記未焼成セラミック層１１を形成する際に用いられるセラミックスラリーと略同一組成のセラミックペーストが用いられる他、少なくとも１つの成分の含有比率が異なるセラミックペースト、例えば可塑剤の含有比率が大きいセラミックペーストが用いられる。
【００３５】
さらに、前記未焼成導体層１２を形成する際に用いられる導体ペーストは、例えば、銀やニッケルや銅等の導体粉末と、ポリビニルブチラールやセルロース樹脂やアクリル樹脂等を固形分とするバインダーと、ケトン類や炭化水素類やアルコールやエステルやエーテルアルコールや塩化炭素水素類等の溶剤とを含有している。
【００３６】
切断工程では、積層工程で得た積層板ＭＰ１１を下敷きシート１４の表面に貼り付けてｘ方向の切断予定線Ｌｘ及びｙ方向の切断予定線Ｌｙを設定し、該積層板ＭＰ１１を切断刃を用いて各切断予定線Ｌｘ，Ｌｙに沿って格子状に切断する（図１１参照）。続いて、切断後の積層チップＭＣ１１を下敷きシート１４から分離させて、コンデンサ本体ＣＢ１１（図１２（Ｂ）参照）に相当する積層チップＭＣ１１（図１２（Ａ）参照）を得る。この切断工程における切断の様子等は後に詳述する。
【００３７】
図１１から分かるように、各切断予定線Ｌｘは、積層板ＭＰ１１に存在している各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの内側を通るように、好ましくは該各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘの中心を通るように設定される。また、各切断予定線Ｌｙの一部は、積層板ＭＰ１１に存在している各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１の内側を通るように、好ましくは該各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙの幅Ｓｙ１の中心を通るように設定される。さらに、各切断予定線Ｌｙの残部は、積層板ＭＰ１１に存在している各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２の内側を通るように、好ましくは該各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２の幅Ｓｙ２の中心を通るように設定されることになる。
【００３８】
図１２（Ａ）から分かるように、積層チップＭＣ１１は所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状を成しており、複数の未焼成導体層１２が未焼成セラミック層１１を介して積層された構造を有している。この積層チップＭＣ１１の各未焼成導体層１２の長さは、第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２に形成された未焼成導体層１２のｘ方向寸法の約１／２である。また、積層チップＭＣ１１の各未焼成導体層１２の端縁は、該積層チップＭＣの長さ方向の相対する端面で交互に露出している。
【００３９】
焼成工程では、切断工程で得た積層チップＭＣ１１を加熱炉に投入し、所定の条件（温度及び時間等を含む）で脱バインダー処理を行う。続いて、積層チップＭＣ１１を未焼成セラミック層１１，未焼成導体層１２及び段差吸収用未焼成セラミック層１３の組成等に応じた所定の条件（焼成温度及び焼成時間等を含む）で本焼成して、コンデンサ本体ＣＢ１１を得る（図１２（Ｂ）参照）。
【００４０】
電極形成工程では、焼成工程で得たコンデンサ本体ＣＢ１１（図１２（Ｂ）参照）の表面の長さ方向両端部に、導体ペーストを塗布して外部電極用未焼成導体層を形成する。続いて、コンデンサ本体ＣＢ１１を加熱炉に投入し、外部電極用未焼成導体層をその組成等に応じた所定の条件（焼成温度及び焼成時間等を含む）で焼付けを行い、外部電極ＥＥ１１（図１２（Ｂ）参照）を形成する。必要に応じて各外部電極ＥＥ１１の表面には、電解メッキ等により外部電極ＥＥ１１を保護するための導体メッキ及び半田ぬれ性を向上させるために錫合金メッキが施される。以上で、図１２（Ｂ）に示す積層型セラミックコンデンサＥＣ１１が製造される。
【００４１】
前記第１シートＳ１１に形成された段差吸収用未焼成セラミック層１３と前記第２シートＳ１２に形成された段差吸収用未焼成セラミック層１３は、焼成後のコンデンサ本体ＣＢ１１の外観形状が歪になることを防ぐ役割を果たしている。つまり、段差吸収用未焼成セラミック層１３を有しない第１シートＳ１１と段差吸収用未焼成セラミック層１３を有しない第２シートＳ１２とを積層すると、未焼成導体層１２が積層方向で重なる部分の厚さが他の部分に比べて厚くなり易い。この厚さの不均等を有した状態で圧着を行い積層板を形成すると、内部に歪みが発生する。この歪みを有した状態で積層チップＭＣ１１を焼成すると、コンデンサ本体ＣＢ１１の外観形状が歪になる。依って、この厚さの不均等を段差吸収用未焼成セラミック層１３によって無くすようにすれば、焼成後のコンデンサ本体ＣＢ１１の外観形状が歪になることを防ぐことができる。
【００４２】
背景技術の項目で述べたように、未焼成セラミック層１１及び段差吸収用未焼成セラミック層１３を形成するときに用いられるセラミックペーストは、セラミック粉以外の成分、例えばバインダーや溶剤や可塑剤や分散剤等を含有している。
【００４３】
第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の未焼成セラミック層１１に含まれるセラミック粉以外の成分のうちの溶剤は、セラミックスラリーを塗工した後の乾燥過程と、未焼成導体層１２用の導体ペーストを印刷した後の乾燥過程と、段差吸収用未焼成セラミック層１３用のセラミックペーストを印刷した後の乾燥過程のそれぞれで蒸発する。
【００４４】
また、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤は、セラミックスラリーを塗工した後の乾燥過程で蒸発する。また、カバーシートの形成工程は積層工程までは第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の工程と別工程となるため、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１１は第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２を構成する未焼成セラミック層１１と乾燥状態を略同じになるように予備乾燥することができる。この予備乾燥によりカバーシートを構成する未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤は蒸発する。
【００４５】
一方、第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の段差吸収用未焼成セラミック層１３に含まれる溶剤は、セラミックペーストを塗布した後の乾燥過程で蒸発するものの、該段差吸収用未焼成セラミック層１３は積層板ＭＰ１１の内側に位置しているため、他に溶剤を蒸発させる機会は無い。
【００４６】
要するに、第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤と、カバーシートを構成する未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤は、積層板ＭＰ１１を切断するときにその大部分が蒸発している。しかしながら、第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の段差吸収用未焼成セラミック層１３に含まれる溶剤は、積層板ＭＰ１１を切断する時点において、第１，第２シートＳ１１，Ｓ１２の未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤およびカバーシートを構成する未焼成セラミック層１１に含まれる溶剤に比べて多く残存していることになる。
【００４７】
図１３は積層板ＭＰ１１を押し切り刃ＣＢによって切断する様子を概略的に示し、図１４は積層チップＭＣ１１の切断面の様子を概略的に示す。
【００４８】
先に述べたように、この積層板ＭＰ１１に対する切断予定線Ｌｘは、積層板ＭＰ１１に存在している各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの内側を通るように、好ましくは該各ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘの中心を通るように設定され、また、各切断予定線Ｌｙの一部は、積層板ＭＰ１１に存在している各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１の内側を通るように、好ましくは該各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１の幅Ｓｙ１の中心を通るように設定され、さらに、各切断予定線Ｌｙの残部は、積層板ＭＰ１１に存在している各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２の内側を通るように、好ましくは該各ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ２の幅Ｓｙ２の中心を通るように設定される。
【００４９】
そのため、図１３に示すように、切断工程で積層板ＭＰ１１を切断するときには、各未焼成セラミック層１１及び各未焼成導体層１２が切断されるだけで、各段差吸収用未焼成セラミック層１３は切断されることは無い。従って、各段差吸収用未焼成セラミック層１３に含まれる溶剤が積層板ＭＰ１１を切断するときに残存していても、図１４に示すように、切断時または切断後の積層チップＭＣ１１の切断面に粘着性を有する各段差吸収用未焼成セラミック層１３が露出することは無い。つまり、切断時または切断後の積層チップＭＣ１１の切断面に粘着性のある部分ＳＭが漏出することを防止して、該粘着成分ＳＭによって切断後の積層チップＭＣ１１が相互に付着すること確実に回避することができる。
【００５０】
図１５は図１２（Ｂ）に示した積層型セラミックコンデンサＥＣ１１の縦断面を概略的に示す。
【００５１】
同図に示した積層型セラミックコンデンサＥＣ１１は、直方体形状を成すコンデンサ本体ＣＢ１１の長さ方向両端部に外部電極ＥＥ１１を有し、該コンデンサ本体ＣＢ１１は複数の導体層ＣＬがセラミック層ＣＥ１１を介して積層された構造を有している。また、各導体層ＣＬの端縁はコンデンサ本体ＣＢ１１の長さ方向の相対する端面で交互に露出しており、各々の露出縁を外部電極ＥＥ１１に電気的に接続されている。
【００５２】
さらに、各導体層ＣＬの外部電極依りの部分（引出部分）ＣＬａは、その外側端と内側端に下向きに凹んだ屈曲部ＣＬａ１，ＣＬａ２を有している。外側端の屈曲部ＣＬａ１は、各段差吸収用未焼成セラミック層１３に形成されたｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１に基づくものである。また、内側端の屈曲部ＣＬａ２は、各段差吸収用未焼成セラミック層１３に形成された隙間１３ａに基づくものである。
【００５３】
尚、前述の説明では、各段差吸収用未焼成セラミック層１３に形成したｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２の幅Ｓｙ１，Ｓｙ２として「５０μｍ程度」の寸法を例示したが、該各幅Ｓｘ，Ｓｙ１，Ｓｙ２の寸法は「積層工程で各段差吸収用未焼成セラミック層１３が多少押し潰されても積層板ＭＰ１１自体にｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２が残存するような寸法」であれば５０μｍよりも大きくても小さくても前記同様の作用効果を得ることができる。
【００５４】
換言すれば、積層板ＭＰ１１自体にｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘとｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２が多少でも存在していれば、切断工程で各段差吸収用未焼成セラミック層１３が切断されることを防止できるのであるから、積層工程で段差吸収用未焼成セラミック層１３が押し潰される度合いを実験等により確認した上で段差吸収用未焼成セラミック層１３の幅Ｓｘ，Ｓｙ１，Ｓｙ２の寸法を予め選定しておけば、前記同様の作用効果を的確に得ることができる。
【００５５】
段差吸収用未焼成セラミック層１３の本来の役割を考えれば前記幅Ｓｘ，Ｓｙ１，Ｓｙ２の寸法を可能な限り小さく選定することが好ましいが、該幅Ｓｘ，Ｓｙ１，Ｓｙ２の寸法を可能な限り小さく選定すると、例えば積層途中の内部変形の偏り等を原因として、積層板ＭＰ１１に存在するｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘが部分的に零になってしまう場合やｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２の幅Ｓｙ１，Ｓｙ２が部分的に零になってしまう場合もある得る。しかしながら、このような場合でも積層板ＭＰ１１に存在するｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｘの幅Ｓｘの全てが零になったり、或いは、ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分１３ｙ１，１３ｙ２の幅Ｓｙ１，Ｓｙ２の全てが零になることはないので、切断工程で各段差吸収用未焼成セラミック層１３が切断されることを極力防止することによって所期の目的は十分に達成することができる。
【００５６】
また、前述の説明では、本発明を積層型セラミックコンデンサに適用した例を示したが、本発明は、特許請求の範囲に記載した積層工程と切断工程とを少なくとも含む方法にて製造される積層型セラミック電子部品、例えば積層型セラミックインダクタ等に対しても幅広く適用することでき、該適用によって前記同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、第１シートの作成手順の説明図である。
【図２】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、第２シートの作成手順の説明図である。
【図３】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、積層工程の説明図である。
【図４】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、切断工程の説明図である。
【図５】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、積層チップの部分破断斜視図と、積層型セラミックコンデンサの斜視図である。
【図６】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、積層板を押し切り刃によって切断する様子を概略的に示す図である。
【図７】積層型セラミックコンデンサの従来の製造方法の一例を示す、積層チップの切断面の様子を概略的に示す図である。
【図８】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、第１シートの作成手順の説明図である。
【図９】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、第２シートの作成手順の説明図である。
【図１０】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、積層工程の説明図である。
【図１１】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、切断工程の説明図である。
【図１２】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、積層チップの部分破断斜視図と、積層型セラミックコンデンサの斜視図である。
【図１３】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、積層板を押し切り刃によって切断する様子を概略的に示す図である。
【図１４】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、積層チップの切断面の様子を概略的に示す図である。
【図１５】本発明を適用した積層型セラミックコンデンサの製造方法の一例を示す、積層型セラミックコンデンサの縦断面を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
Ｓ１１…第１シート、Ｓ１２…第２シート、１１…未焼成セラミック層、１２…未焼成導体層、１３…段差吸収用未焼成セラミック層、１３ｘ…ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分、Ｓｘ…ｘ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分の幅、１３ｙ１，１３ｙ２…ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分、Ｓｙ１，Ｓｙ２…ｙ方向の段差吸収用未焼成セラミック層未形成部分の幅、Ｌｘ…ｘ方向の切断予定線、Ｌｙ…ｙ方向の切断予定線、ＭＰ１１…積層板、ＭＣ１１…積層チップ。
【図１】
2010040628.tif 000003
【図２】
2010040628.tif 000004
【図３】
2010040628.tif 000005
【図４】
2010040628.tif 000006
【図５】
2010040628.tif 000007
【図６】
2010040628.tif 000008
【図７】
2010040628.tif 000009
【図８】
2010040628.tif 000010
【図９】
2010040628.tif 000011
【図１０】
2010040628.tif 000012
【図１１】
2010040628.tif 000013
【図１２】
2010040628.tif 000014
【図１３】
2010040628.tif 000015
【図１４】
2010040628.tif 000016
【図１５】
2010040628.tif 000017