(57)【要約】【課題】入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って拡散し、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むスミア成分を抑制する。【解決手段】入射光を光電変換する受光部と、受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部と、電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間に設けられたチャネルストップ部５０′と、チャネルストップ部内に形成されたゲッター部６０′とを備える。【選択図】図３
2010118709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換する受光部と、
前記受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間に設けられたチャネルストップ部と、
前記チャネルストップ部内に形成されたゲッター部と
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記ゲッター部は、４族の不純物元素によって形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記４族の不純物元素が炭素である
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
入射光を光電変換する受光部と、
前記受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
半導体基板上における前記電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間の領域にチャネルストップ部を形成する第１の工程と、
前記チャネルストップ部の領域内にゲッター部を形成する第２の工程と
を少なくとも含む
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程では、４族の不純物元素をイオン注入することによって前記ゲッター部を形成する
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記４族の不純物元素が炭素である
ことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法に関し、特に画素（受光部）間チャネルストップ部を不純物の接合分離にて形成する固体撮像素子および当該固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子、例えばＣＣＤ(Charge Coupled Device)固体撮像素子特有の欠点の一つとしてスミアが挙げられる。スミアは、撮像画中に輝度の高い被写体があると、光の漏れ込みによって上下方向（垂直方向）に縞状の明るい帯（縦筋）ができる現象である。固体撮像素子におけるスミアの主成分に関して、図７を用いて以下に説明する。図７は、ＣＣＤ固体撮像素子における受光部および垂直電荷転送部の構成を示す断面図である。
【０００３】
図７において、受光部（光電変換部）１０１は、シリコン基板１０２の表層部に形成されたｎ型不純物拡散領域１０３とｐ型ウェル領域１０４とのｐｎ接合によるフォトダイオードによって構成されている。垂直電荷転送部１０５は、シリコン基板１０２の表層部に形成されたｎ型不純物の転送チャネル領域１０６およびその下のｐ型不純物領域１０７と、シリコン基板１０２上にゲート絶縁膜１０８を介して形成された転送電極１０９とから構成されている。
【０００４】
読み出しゲート部１１０は、転送電極１０９の一部をゲート電極として兼用しており、当該ゲート電極とその下のシリコン基板１０２の表層部に形成されたｐ型不純物領域１１１とによって構成されている。受光部１０１と隣りの受光部の垂直電荷転送部１０５との間のシリコン基板１０２の表層部には、ｐ型不純物のチャネルストップ部１１２が形成されている。また、垂直電荷転送部１０５の各々を覆うように遮光膜１１３が形成されている。
【０００５】
上記構成の受光部１０１および垂直電荷転送部１０５において、スミアの一般的な主成分は、次の４つの成分(１)〜(４)に大別される。成分(１)は、斜め入射光により基板深部で光電変換によって発生した電子-正孔のうち、電子が転送チャネル領域１０６へ漏れ込んで発生するスミア成分である。成分(２)は、斜め入射光がシリコン基板１０２と遮光膜１１３や転送電極１０９との間で反射し、転送チャネル領域１０６へ漏れ込んで当該転送チャネル領域１０６で電子が発生することに起因するスミア成分である。
【０００６】
成分(３)は、遮光膜１１３／転送電極１０９を直接透過する入射光成分が転送チャネル領域１０６内で電子を発生することに起因するスミア成分である。成分(４)は、入射光によってシリコン基板１０２の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部１１０のｐ型不純物領域１１１またはチャネルストップ部１１２を通過して転送チャネル領域１０６へ漏れ込むことによって発生するスミア成分である。
【０００７】
これら４成分(１)〜(４)のうち、特にスミアの成分として支配的である上記成分(４)を改善するために、従来は、転送チャネル等であるｎ型拡散層の側方に位置する制御部や分離部の不純物濃度を半導体基板のｐ型ウェルよりも高く形成することにより、ｎ型拡散層近傍の電位勾配をほとんど無くし、半導体基板の表面に沿った拡散電流を小さく制限してスミアを低減するようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−７７６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来技術では、制御部や分離部の不純物濃度の設定によってｎ型拡散層近傍の電位勾配を全く無くすることは難しいことから、半導体基板表面に沿った拡散電流をある程度小さく制限できるものの、これを完全になくすことは困難であるため、当該拡散電流に起因するスミアを確実に抑制するのは難しい。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スミア成分のうち、入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って拡散し、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込む成分を確実に抑制可能な固体撮像素子および当該固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による固体撮像素子は、入射光を光電変換する受光部と、前記受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間に設けられたチャネルストップ部と、前記チャネルストップ部内に形成されたゲッター部とを備えた構成となっている。
【００１２】
上記構成の固体撮像素子において、入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って拡散し、電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間のチャネルストップ部に入ると、チャネルストップ部内のゲッター部がこれを捕獲する。これにより、スミアの成分として支配的な入射光に起因する電子が、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むのを確実に抑制できる。また、ゲッター部が受光部の近傍に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できる。
【００１３】
本発明による固体撮像素子の製造方法は、入射光を光電変換する受光部と、前記受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、半導体基板上における前記電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間の領域にチャネルストップ部を形成する第１の工程と、前記チャネルストップ部の領域内にゲッター部を形成する第２の工程とを少なくとも含んでいる。
【００１４】
固体撮像素子の製造に当たって、チャネルストップ部の領域内にゲッター部を形成することで、当該ゲッター部は入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って拡散し、電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間のチャネルストップ部に入った際にこれを捕獲する作用をなすことになる。したがって、スミアの成分として支配的な入射光に起因する電子が、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むのを確実に抑制でき、しかもゲッター部が受光部の近傍に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できることになるため、スミア特性に優れ、白傷欠陥の少ない固体撮像素子を製造できる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明による固体撮像素子によれば、チャネルストップ部の内部にゲッター部を設けることにより、当該ゲッター部が入射光によって半導体基板の表面で発生し、基板表面に沿って拡散して電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間のチャネルストップ部に入る電子を確実に捕獲することができるためスミア特性を改善でき、またゲッター部が受光部の近傍に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できる。
【００１６】
本発明による固体撮像素子の製造方法によれば、チャネルストップ部の内部にゲッター部を形成することにより、スミアの成分として支配的な入射光に起因する電子がチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むのを確実に抑制できるとともに、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できるため、スミア特性に優れ、白傷欠陥の少ない固体撮像素子を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【図２】チャネルストップ部の構成の一例を示す平面図である。
【図３】チャネルストップ部の構成の他の例を示す平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【図５】第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の手順を示す工程図（その１）である。
【図６】第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の手順を示す工程図（その２）である。
【図７】従来例に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部（受光部および垂直電荷転送部）の構成を示す断面図である。図１において、エピタキシャル基板１０は、ＣＺ(Czochralski)法で成長させたシリコン基板であるｎ型のＣＺ基板１１の上にエピタキシャル層１２を形成し、その上にさらにｐ型のウェル領域１３を形成した構成となっている。
【００２０】
ｐ型ウェル領域１３内に受光部（光電変換部）２０、垂直電荷転送部４０、読み出しゲート部３０およびｐ型チャネルストップ部５０が形成されている。具体的には、受光部（画素）２０は、ｐ型ウェル領域１３と当該ウェル領域１３内に形成されたｎ型不純物拡散領域２１とのｐｎ接合によるフォトダイオードにより構成され、ｎ型不純物拡散領域２１上、即ち基板表面側にｐ型の正電荷（正孔）蓄積領域（ｐ++層）２２を有する構成となっている。
【００２１】
垂直電荷転送部３０は、ｐ型ウェル領域１３内に形成されたｎ型転送チャネル領域（ｐ+ 層）３１と、当該転送チャネル領域３１の直下に形成された第２のｐ型ウェル領域３２と、エピタキシャル基板１０上にＯＮＯ膜（ＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２）構造のゲート絶縁膜７１を介して形成された多結晶シリコンからなる例えば２層構造の転送電極３３とから構成されている。
【００２２】
読み出しゲート部４０は、垂直電荷転送部３０の転送電極３３の一部をゲート電極として兼用し、当該ゲート電極とその下のチャネル領域とによって構成されている。チャネルストップ部５０はｐ型不純物（ｐ+ 層）によって構成されている。また、垂直電荷転送部３０の各々を覆うように、層間絶縁膜７２を介してアルミニウムやタングステン等からなる遮光膜７３が形成されている．
【００２３】
図２は、第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の平面図である。図２において、垂直電荷転送部３０には第１層目の転送電極３３−１と第２層目の転送電極３３−２とがオーバーラップした状態で交互に繰り返して配列されている。チャネルストップ部５０は、受光部２０と隣りの受光部の垂直電荷転送部３０との間に、当該垂直電荷転送部３０の転送方向に沿って形成されている。
【００２４】
図１および図２において、チャネルストップ部５０の内部には、ゲッタリングサイトであるゲッター部６０が形成されている。このゲッター部６０は、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出し側と反対側のチャネルストップ部５０を通過して隣りの転送チャネル領域３１に漏れ込む成分を捕獲する作用をなす。
【００２５】
ここで、ゲッター部６０、即ちゲッタリングサイトとしてはいろいろな物が考えられる。ゲッタリング技術としては、一般的に、シリコン基板中の酸素を基板内部のみに析出させ、これをゲッタリングサイトとするＩＧ(Intrinsic Gettering)法、基板裏面にポリシリコンや高濃度燐(Phos.)領域等を形成し、シリコンとの歪み応力を利用してゲッタリングサイトを形成するＥＧ(Extrinsic  Gettering)法等がある。
【００２６】
これに対して、ゲッター部６０のように、画素間のチャネルストップ部５０の領域内に局所的に形成でき、電気的に中性でかつ拡散が小さいゲッタリングサイトとしては，４族の不純物元素をイオン注入して形成するゲッタリング技術が一番望ましい。具体的には、４族の不純物元素として例えば炭素イオンを５×１０13 cm-2以上、好ましくは５×１０13 〜５×１０15 cm-2のドーズ量で注入し、ゲッタリングサイトとする。但し、イオン注入する４族の不純物元素としては、炭素に限られるものではなく、ゲルマニウム、錫、鉛等であっても良い。
【００２７】
炭素をイオン注入するに際し、炭素のドーズ量を５×１０13 cm-2 以上にすることで、この炭素のイオン注入による高密度の結晶欠陥の形成と応力の発生とを十分に行うことができるため、電子を捕獲するゲッタリング能力を高めることができる。また、炭素のドーズ量を５×１０15 cm-2以下にすることで、エピタキシャル基板１０の表面の結晶性の劣化を少なく抑えることができる。
【００２８】
ゲッター部６０の形成に当たっては、チャネルストップ部５０の領域からはみ出さないように、当該チャネルストップ部５０の内部に形成する必要がある。何故ならば、ゲッター部６０がチャネルストップ部５０の領域からはみ出ると、当該ゲッター部６０が有する欠陥や準位によって電子が発生し、白傷欠陥や暗電流成分の原因となってしまうためである。チャネルストップ部５０の領域からはみ出さないようにゲッター部６０を形成するには、イオン注入する際のドーズ量、エネルギーあるいは角度などを適宜選定するようにすれば良い。
【００２９】
このように、ゲッター部６０をチャネルストップ部５０の領域からはみ出さないように形成することで、チャネルストップ部５０とゲッター部６０との間にはＰ+層のみの領域が残り、この領域を介して入射光によって基板表面で発生した電子が拡散し得るが、平均自由工程が従来構造に比べて長くなるため、電子／正孔の再結合が起こる確率が増える。これにより、転送チャネル領域３１に漏れ込む電子数を低減でき、結果としてスミア特性を改善できる。
【００３０】
上述したように、受光部２０と隣りの受光部の垂直電荷転送部３０との間に、当該垂直電荷転送部３０の転送方向に沿ってチャネルストップ部５０を形成してなるＣＣＤ固体撮像素子において、チャネルストップ部５０の内部にゲッター部６０を形成することにより、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向（水平方向）に拡散し、読み出し側と反対側のチャネルストップ部５０を通過する際にゲッター部６０によって捕獲されるため、チャネルストップ部５０を通過して転送チャネル領域３１に漏れ込むスミア成分を確実に抑制できる。
【００３１】
ゲッター部６０で捕獲される電子は、スミアの成分として支配的な成分であるため、チャネルストップ部５０内にゲッター部６０を形成することで、スミア特性を大幅に改善できる。しかも、ゲッター部６０が受光部２０の近傍に位置しているため、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制することができる。
【００３２】
本実施形態では、受光部２０と隣りの受光部の垂直電荷転送部３０との間、即ち水平方向の画素間にチャネルストップ部５０を形成してなるＣＣＤ固体撮像素子において、チャネルストップ部５０の内部にゲッター部６０を形成するとしたが、これに限られるものではない。すなわち、図３に示すように、混色の防止を目的として、垂直方向の画素間にもチャネルストップ部５０′を形成してなるＣＣＤ固体撮像素子において、水平方向の画素間のチャネルストップ部５０のみならず、垂直方向の画素間のチャネルストップ部５０′の内部にゲッター部６０′を形成する。これにより、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生し、基板表面に沿って縦方向（垂直方向）に拡散する電子についても捕獲することができるためスミア特性をさらに改善できる。
【００３３】
［第２実施形態］
図４は、本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。
【００３４】
本実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子は、受光部２０、垂直電荷転送部３０、読み出しゲート部４０、チャネルストップ部５０およびゲッター部６０を形成する半導体基板として、エピタキシャル層１２を形成する前のシリコン基板であるｎ型ＣＺ基板１１の表面に、炭素イオンを１×１０15 cm-2のドーズ量でイオン注入して炭素注入領域１４を形成した後、エピタキシャル層１２を形成してなるエピタキシャル基板１０′を用いた構成を採っており、それ以外の構成は基本的に第１実施形態に係る固体撮像素子の構成と同じである。
【００３５】
かかる構成のＣＣＤ固体撮像素子において、炭素注入領域１４中の炭素が酸素の析出を加速してＣＺ基板１１に高密度の結晶欠陥を形成しており、この結晶欠陥がゲッタリングサイトになっている。また、ＣＺ基板１１を形成している元素（シリコン）と炭素注入領域１４中の炭素とで共有結合半径が異なることによって応力が発生しており、この応力自体もゲッタリングサイトになっている。このため、ＣＺ基板１１中に元々存在している不純物および結晶欠陥や、エピタキシャル層１２を形成する際およびその後に固体撮像素子を形成する際に導入される不純物および結晶欠陥が強力にゲッタリングされる。
【００３６】
上述したように、半導体基板として炭素注入領域１４を有するエピタキシャル基板１０′を用い、当該エピタキシャル基板１０′上に垂直電荷転送部３０、読み出しゲート部４０、チャネルストップ部５０およびゲッター部６０を形成した構成を採ることにより、第１実施形態と同様の効果、即ちゲッター部６０によるスミア特性の改善効果に加えて、炭素注入領域１４によって不純物および結晶欠陥を強力にゲッタリングできるため、ＣＣＤ固体撮像素子の白傷欠陥や暗電流成分を大幅に低減できる効果を得ることができる。
【００３７】
［製造方法］
次に、第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法について、図５および図６の製造工程図を用いて説明する。図５および図６において、図４と同等部分には同一符号を付して示している。
【００３８】
先ず、図５（Ａ）に示すように、ＣＺ法で成長させたシリコン基板であるｎ型のＣＺ基板１１を準備する。このＣＺ基板１１は、主面が（１００）面を有し、例えば比抵抗１０Ωｃｍの直径２００ｍｍの基板である。このＣＺ基板１１に対して、その表面に熱酸化膜８１を介して４族の不純物元素、例えば炭素を１×１０15ｃｍ-2のドーズ量で注入して炭素注入領域１４を形成する。炭素のイオン注入後アニールを施し、しかる後熱酸化膜８１を除去する。
【００３９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ＣＺ基板１１の一主面にＳｉＨＣ１３ソースガスによる水素還元法を用いて、例えば１１１０℃のエピタキシャル成長温度にて、例えば８μｍのｎ型シリコンエピタキシャル層２を成長させる。次いで、図５（Ｃ）に示すように、ｎ型シリコンエピタキシャル層１２に第１のｐ型ウェル領域１３を形成する。
【００４０】
次に、図５（Ｄ）に示すように、ｐ型ウェル領域１３の表面上にＯＮＯ膜（ＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２）構造のゲート絶縁膜７１を形成し、第１のｐ型ウェル領域１３内にｎ型およびｐ型不純物を選択的にイオン注入して、垂直電荷転送部３０を構成するｎ型の転送チャネル領域３１およびｐ型のチャネルストップ部５０と、第２のｐ型ウェル領域３２をそれぞれ形成する。また、チャネルストップ部５０の内部に、炭素イオンを選択的に５×１０13 cm-2以上、好ましくは５×１０13 〜５×１０15 cm-2のドーズ量で注入してゲッター部６０を形成する。
【００４１】
次に、図６（Ａ）に示すように、垂直電荷転送部３０の２層構造の転送電極３３（図２の第１層目、第２層目の転送電極３３−１，３３−２）を多結晶シリコンで形成する。次いで、図６（Ｂ）に示すように、転送電極３３をマスクとして用いて第１のｐ型ウェル領域１３内にｎ型およびｐ型不純物を選択的にイオン注入して、受光部２０を構成するｎ型不純物拡散領域２１およびｐ型の正電荷蓄積領域１７を形成する。
【００４２】
次に、素子全面に亘って層間絶縁膜７２を形成した後、垂直電荷転送部３０上を覆う遮光膜７３をアルミニウムあるいはタングステン等によって形成する。以降、周知のカラーフィルタやオンチップレンズを順に形成することにより、目的のＣＣＤ固体撮像素子を得る。なお、第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子を製造する場合には、図５（Ａ）において、炭素注入領域１４を形成する工程が省かれることになる。
【００４３】
上述したように、チャネルストップ部５０の領域内にゲッター部６０を形成することにより、当該ゲッター部６０は入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出し側と反対側のチャネルストップ部５０に入った際にこれを捕獲する作用をなすことになる。したがって、スミアの成分として支配的な入射光に起因する電子が、チャネルストップ部５０を通過して転送チャネル領域３１に漏れ込むのを確実に抑制でき、しかもゲッター部６０が受光部２０の近傍に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できることになるため、スミア特性に優れ、白傷欠陥の少ないＣＣＤ固体撮像素子を製造できる。
【００４４】
なお、図６において、転送電極３３の下部のゲート絶縁膜７１についてはＯＮＯ膜構造となっているが、受光部２０の領域のみのゲート絶縁膜については付け直してＳｉＯ２膜としている。但し、本発明は、このゲート絶縁膜の構造に限定されるものではない。
【００４５】
また、ここでは、ｎ型Ｓｉエピタキシャル基板上に形成されたｐ型のウェル領域１３の表面にｎ型拡散領域２１を形成して、ｐ型ウェル１３とｎ型拡散領域２１とのｐｎ接合によってフォトダイオードを形成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子を製造する場合を例に挙げて説明したが、ｐ型のＳｉエピタキシャル基板にｎ型不純物領域を形成してフォトダイオードを作成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子にも同様に適用できる。
【００４６】
また、層内レンズを複数個有するタイプのＣＣＤ固体撮像素子や、縦型オーバーフローバリア形成後にエピタキシャル層を形成し，近赤外線にも感度を持つタイプのＣＣＤ固体撮像素子、さらには紫外線に透過性を有する膜のみにて受光部を形成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子にも適用できることは勿論である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…エピタキシャル基板、１１…ＣＺ基板、１２…ｎ型エピタキシャル層、１３…第１のｐ型ウェル領域、１４…炭素注入領域、２０…受光部、２１…ｎ型拡散領域、２２…正電荷蓄積領域、３０…垂直電荷転送部、３１…転送チャネル領域、３２第２のｐ型ウェル領域、３３，３３−１，３３−２…転送電極、４０…読み出しゲート部、５０…チャネルストップ部、６０…ゲッター部
【図１】
2010118709.tif 000003
【図２】
2010118709.tif 000004
【図３】
2010118709.tif 000005
【図４】
2010118709.tif 000006
【図５】
2010118709.tif 000007
【図６】
2010118709.tif 000008
【図７】
2010118709.tif 000009