(57)【要約】【課題】電流狭窄層に起因するクラックの発生が抑制されて、発光に寄与しない無効電流の低減により閾値電流特性が向上する埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】ＧａＮ基板１０１上に積層された、少なくともｎ型クラッド層１０３、活性層１０５、及びｎ型電流狭窄層１０９を備え、ｎ型電流狭窄層の一部が除去されて電流通電部１１５が形成されており、ｎ型電流狭窄層上および電流通電部上にｐ型クラッド層１１１が形成されている。ｎ型電流狭窄層は、少なくともＡｌを含んだ窒化物半導体により形成され、ｎ型電流狭窄層の不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より高い。これにより、電流狭窄層が受けている引っ張り歪を大幅に低減させることができる。【選択図】図１
2010263123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ基板上に積層された、少なくともｎ型クラッド層、活性層、及びｎ型電流狭窄層を備え、
前記ｎ型電流狭窄層の一部が除去されて電流通電部が形成されており、
前記ｎ型電流狭窄層上および前記電流通電部上にｐ型クラッド層が形成されている埋め込み窒化物型半導体レーザ装置であって、
前記ｎ型電流狭窄層は、少なくともＡｌを含んだ窒化物半導体により形成され、
前記ｎ型電流狭窄層の不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より高いことを特徴とする埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記ｎ型電流狭窄層の不純物濃度は、３×１０19ｃｍ-3未満である請求項１に記載の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ｎ型電流狭窄層は、a軸方向に引っ張り歪を生じており、
前記ｎ型電流狭窄層の引っ張り歪は、０．３１３以下である請求項１に記載の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
【請求項４】
記号Ｂｓ、Ｂｏ、Ｓｏによりそれぞれ、下記の格子定数を表し、前記ｎ型電流狭窄層の前記ＧａＮ基板に対する格子緩和量を（Ｂｓ−Ｓｏ）／（Ｂｏ−Ｓｏ）により定義したとき、前記ｎ型電流狭窄層の前記格子緩和量は、１５．７％以上である請求項１に記載の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
Ｂｓ：ＧａＮ基板１０１から歪を受けた状態の電流狭窄層１０９の格子定数
Ｂｏ：電流狭窄層１０９が本来有している格子定数
Ｓｏ：ＧａＮ基板１０１が本来有している格子定数
【請求項５】
前記ｎ型電流狭窄層は、不純物としてＳｉを含む請求項１に記載の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記ｎ型電流狭窄層は、ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ（０＜ｘ≦１）である請求項１に記載の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体材料を用いた埋め込み型窒化物半導体レーザ装置に関し、特に、無効電流を低減するための電流狭窄層の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、窒化ガリウム（ＧａＮ）を代表とし、一般式がＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される、III族元素であるアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）と、Ｖ族元素である窒素（Ｎ）とからなるIII-Ｖ族窒化物系化合物半導体、いわゆる窒化物半導体（以下、ＧａＮ系半導体という）が注目を集めている。例えば、光デバイスに関しては、窒化物半導体を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）が、大型ディスプレイ装置及び信号機等の要素として用いられている。また、窒化物半導体を用いたＬＥＤと蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤも一部商品化されており、将来的に発光効率が改善されれば、現状の照明装置に置き換わることも期待されている。
【０００３】
一方、窒化物半導体を用いた青紫色半導体レーザ装置も、非常に盛んに研究開発が行われている。青紫色半導体レーザ装置は、従来のＣＤ及びＤＶＤ等の光ディスクに用いられている赤色域や赤外域の光を発光する半導体レーザ装置と比べて、光ディスク上におけるスポット径を小さくすることが可能であるため、光ディスクの記録密度を向上させることが可能である。
【０００４】
以下に、特許文献１等に開示された従来例の埋め込み型半導体レーザ構造について、図７を参照しながら説明する。この半導体レーザは、サファイア基板１上に形成された、アンドープのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎバッファー層２、ｎ−ＧａＮ層コンタクト層３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層４、ｎ−ＧａＮガイド層５、ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ活性層６、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ からなるｐ−キャップ層７、ｐ−ＧａＮガイド層８、ｎ―Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ電流狭窄層９、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０、及びｐ−ＧａＮコンタクト層１１から構成されている。ｐ―ＧａＮコンタクト層１１上には、ｐ型電極５１が形成されている。また、ｐ−コンタクト層１１からｎ−コンタクト層３までの一部領域がエッチングされ、露出したｎ−コンタクト層３上にｎ電極５０が形成されている。電流は電流狭窄層９部を流れず、電流狭窄層９が除去された部分のみを流れる。
【０００５】
また、特許文献１には、無効電流を抑制するために、図７に示す電流狭窄層９中に、１×１０19ｃｍ-3よりも少ない濃度でｎ型不純物を添加することが記載されている。これにより、電流狭窄層に印加されるピエゾ電界が低減されるため、電流狭窄層においてトンネル効果による電流の漏れが無くなり、電流を確実に阻止することができる。その結果、無効電流を抑制したデバイスを実現できたことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３７５４２２６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、本発明者等は、上記構成の埋め込み型半導体レーザにおいて、電流狭窄層に不純物を１×１０19ｃｍ-3よりも少ない４×１０18ｃｍ-3濃度で添加したところ、無効電流が大きくなることを確認した。不良解析を行った結果、高密度なクラックが発生していることを見出した。
【０００８】
従って本発明は、電流狭窄層に起因するクラックの発生が抑制されて、無効電流の低減により閾値電流特性が向上し、歩留まりが向上する埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板上に積層された、少なくともｎ型クラッド層、活性層、及びｎ型電流狭窄層を備え、前記ｎ型電流狭窄層の一部が除去されて電流通電部が形成されており、前記ｎ型電流狭窄層上および前記電流通電部上にｐ型クラッド層が形成されており、前記ｎ型電流狭窄層は、少なくともＡｌを含んだ窒化物半導体により形成され、前記ｎ型電流狭窄層の不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置によれば、ｎ型電流狭窄層中の不純物濃度を１×１０19ｃｍ-3より高くすることで、ｎ型電流狭窄層が受けている引っ張り歪を大幅に低減させることができる。それにより、クラックの発生を抑制することが可能となり、発光に寄与しない無効電流を低減することができる。すなわち、電流狭窄層を構成している原子配列の周期性を適度に乱す程度に不純物濃度を調整することにより、電流狭窄層に起因するクラックによる、発光に寄与しない無効電流が低減される。その結果、閾値電流に係るデバイス特性を大幅に向上させることができ、デバイスの歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態における埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を示す断面図
【図２Ａ】同埋め込み型窒化物半導体レーザ装置の製造方法の工程を示す断面図
【図２Ｂ】同製造方法の図２Ａの後の工程を示す断面図
【図２Ｃ】同製造方法の図２Ｂの後の工程を示す断面図
【図２Ｄ】同製造方法の図２Ｃの後の工程を示す断面図
【図２Ｅ】同製造方法の図２Ｄの後の工程を示す断面図
【図３】不純物であるＳｉ濃度とクラック本数の関係を示すグラフ
【図４Ａ】不純物であるＳｉ濃度と表面モホロジーの関係を示すグラフ
【図４Ｂ】同関係を調べて結果のデータ示す表
【図５】引っ張り歪とクラック本数の関係を示すグラフ
【図６】格子緩和量とクラック本数の関係を示すグラフ
【図７】従来例の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置は、上記構成を基本として、以下のような態様を採ることができる。
【００１３】
すなわち、前記ｎ型電流狭窄層の不純物濃度は、３×１０19ｃｍ-3未満であることが好ましい。これに対して、不純物濃度を３×１０19ｃｍ-3以上にすると、表面平坦性が悪くなり、無効電流の増大、光吸収の増大が起こり、デバイス特性に悪影響を及ぼす。
【００１４】
不純物濃度を上記の範囲内にすることで、ｎ型電流狭窄層が受けている引っ張り歪を低減させることができ、かつ表面平坦性の良いクラックフリーな電流狭窄層が得られる。それにより、発光に寄与しない無効電流を大幅低減させることができ、閾値電流を向上させることができる。この結果、デバイスの歩留まりが向上する。
【００１５】
また、前記ｎ型電流狭窄層は、a軸方向に引っ張り歪を生じており、前記ｎ型電流狭窄層の引っ張り歪は、０．３１３以下であることが好ましい。ｎ型電流狭窄層のa軸が受けている引っ張り歪をこのように調整することにより、クラックを抑制することができる。これにより、発光に寄与しない無効電流を低減させることができ、閾値電流を大幅に向上させることができる。この結果、デバイスの歩留まりが向上する。
【００１６】
また、記号Ｂｓ、Ｂｏ、Ｓｏによりそれぞれ、下記の格子定数を表し、前記ｎ型電流狭窄層の前記ＧａＮ基板に対する格子緩和量を（Ｂｓ−Ｓｏ）／（Ｂｏ−Ｓｏ）により定義したとき、前記ｎ型電流狭窄層の前記格子緩和量は、１５．７％以上であることが好ましい。
【００１７】
Ｂｓ：ＧａＮ基板１０１から歪を受けた状態の電流狭窄層１０９の格子定数
Ｂｏ：電流狭窄層１０９が本来有している格子定数
Ｓｏ：ＧａＮ基板１０１が本来有している格子定数
ｎ型電流狭窄層の格子緩和量を上記の値以上にすることで、クラックを抑制することができる。これにより、発光に寄与しない無効電流を低減させることができ、閾値電流を大幅に向上させることができる。この結果、デバイスの歩留まりが向上する。
【００１８】
また、前記ｎ型電流狭窄層は、不純物としてＳｉを含むことが好ましい。
【００１９】
また、前記ｎ型電流狭窄層は、ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ（０＜ｘ≦１）で構成されていることが好ましい。
【００２０】
（実施の形態）
以下に、本発明の実施の形態における埋め込み型窒化物半導体レーザ装置について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施の形態における埋め込み型窒化物半導体レーザ装置の断面構成を示す。
【００２１】
この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＮ基板１０１の上に形成された、ｎ−ＧａＮ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ−ＧａＮガイド層１０４、ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１０５、ｐ−ＡｌＧａＮ電子障壁層１０６、ｐ−ＧａＮガイド層１０７、ｎ−ＧａＮガイド層１０８、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電流狭窄層１０９、ｐ−ＧａＮガイド層１１０、歪量子井戸構造を有するｐ−ＡｌＧａＮ/ＧａＮ層１１１、及びｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を有する。ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電流狭窄層１０９には、不純物が１×１０19ｃｍ-3より多く含まれている。
【００２２】
ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２上にはｐ型電極１１３が形成され、ＧａＮ基板１０１の裏面には、ｎ型電極１１４が形成されている。電流は電流狭窄層上１０９領域には流れず、電流狭窄層１０９が除去された電流注入部１１５のみを流れる構造となっている。
【００２３】
次に、本実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について、図面を参照して説明する。まず、図２Ａに示すようにｎ−ＧａＮからなる基板１０１の上に、ｎ−ＧａＮ層１０２、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３、ｎ−ＧａＮガイド層１０４、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ/Ｉｎ0.02Ｇａ0.98ＮからなるＭＱＷ活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.22Ｇａ0.78Ｎ電子障壁層１０６、ｐ−ＧａＮガイド層１０７、ｎ−ＧａＮガイド層１０８、及びｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電流狭窄層１０９を、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次形成する。
【００２４】
電流狭窄層１０９としては、不純物が１×１０19ｃｍ-3より多く、例えば、２×１０19ｃｍ-3含まれたｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電流狭窄層１０９（０＜ｘ≦１）を形成する。電流狭窄層１０９に添加する不純物としては、例えばＳｉを用いる。
【００２５】
次に、図２Ｂに示すように、電流狭窄層１０９上にマスク１１６を形成し、電流狭窄層１０９にドライエッチング又はウエットエッチングを施して、電流注入部１１５を形成する。その後、マスク１１７を薬液で除去する（図２Ｃ参照）。
【００２６】
続いて、図２Ｄに示すように、エッチングにより形成した開口部及び、電流狭窄層１０９上をｐ−ＧａＮガイド層１１０、歪量子井戸構造を有するｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ/ＧａＮクラッド層１１１、及びｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を、ＭＯＣＶＤにより再成長させる。
【００２７】
その後、窒素雰囲気中、８００℃でｐ型層の活性化アニールを行い、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２上にｐ型電極１１３を形成する（図２Ｅ参照）。ｐ型電極１１３は、ニッケル（Ｎｉ）又はパラジウム（Ｐｄ）を含む多層膜を電子線（ＥＢ）蒸着法により成膜し、その後シンタを行うことにより形成する。
【００２８】
続いて、基板１０１のＭＯＣＶＤによる成長層が形成されていない側の面を研磨により薄くし、研磨した面にｎ型電極１１４を形成する（図２Ｅ参照）。ｎ型電極材料としては、ＴｉやＶなどを含んだ多層膜を用いるのが一般的である。その後、へき開を行い、チップ分離することにより、埋め込み型窒化物半導体レーザが作製される。
【００２９】
以上のような構成にすることで、本実施の形態に係る半導体レーザ装置は、図３に示すように、クラックの発生が抑制される。すなわち、図３に示す従来例の半導体レーザ装置（不純物濃度４×１０18ｃｍ-3、１×１０19ｃｍ-3）場合には、０．３２本／ｍｍ、０．０５本／ｍｍのクラックが発生していたのに対して、本実施の形態に係る半導体レーザ装置（不純物濃度２×１０19ｃｍ-3）では、クラックが発生していない。このように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置は、不純物を１×１０19ｃｍ-3より多く含ませることにより、クラックフリー化を実現することができる。
【００３０】
そのため、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流が大幅に向上したデバイス特性が得られ、デバイスの歩留まりを向上することができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００３１】
また、電流狭窄層１０９に不純物を１×１０19ｃｍ-3〜６×１０19ｃｍ-3の範囲で添加した時の表面平坦性を調べたところ、図４Ａ、図４Ｂに示すような結果が得られた。図４ＡはＳｉ濃度と表面平坦性（ＲＭＳ値）の関係を示すグラフ、図４Ｂは、測定結果のデータを示す表である。不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3〜２×１０19ｃｍ-3の範囲では、表面平坦性は、光分布形状に悪影響を及ぼさない大きさ（ＲＭＳ値：３．５ｎｍ以下）を満足していた。それに対し、不純物を３×１０19ｃｍ-3以上添加すると、ＲＭＳ値：３．７１ｎｍと、表面平坦性が悪くなり、光分布形状に悪影響を及ぼすＲＭＳ値を超えた。更に不純物を６×１０19ｃｍ-3と高濃度添加すると、ウェハ表面が白濁するほど表面平坦性が悪くなった。
【００３２】
表面平坦性が悪くなると、無効電流の増大、光分布形状異常につながり、デバイス特性に悪影響を及ぼす。このため、電流狭窄層１０９中の不純物濃度は、１×１０19ｃｍ-3より大きく３×１０19ｃｍ-3未満にすることが好ましい。電流狭窄層２０９に起因するクラック発生のリスクを更に低減させるために、２×１０19ｃｍ-3以上３×１０19ｃｍ-3未満にすることがより好ましい。
【００３３】
次に、電流狭窄層１０９がクラックフリーとなるための望ましい結晶性について知るために、Ｘ線回折測定を用いてｔｌｉｔ、ｔｗｉｓｔを調べた。ｔｉｌｔにより、ｃ軸方向の原子配列の周期性、ｔｗｉｓｔにより、a軸方向の原子配列の周期性について情報を得ることができる。実験の結果、ｔｉｌｔ、ｔｗｉｓｔの値は、２００ａｒｃｓｅｃ以下であることが好ましいことが判った。
【００３４】
また、電流狭窄層１０９がＧａＮ基板１０１から受けているａ軸方向の引っ張り歪とクラック本数の関係を調べた結果を図５に示す。図５において、横軸は引っ張り歪の大きさ、縦軸はクラック本数（本／ｍｍ）である。図５に示すように、電流狭窄層１０９の不純物濃度を、従来例の４×１０18ｃｍ-3からクラックフリーとなる２×１０19ｃｍ-3に増加させることにより、電流狭窄層１０９がＧａＮ基板１０１から受けているａ軸方向の引っ張り歪は、０．３３６から０．３１３に低下したことを確認した。
【００３５】
この結果より、クラックフリーとするためには、電流狭窄層１０９がＧａＮ基板１０１から受けているａ軸方向の引っ張り歪を０．３１３以下にすることが好ましいことが判る。それにより、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流のデバイス特性が大幅に向上する。この結果、デバイスの歩留まりを向上させることができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００３６】
次に、電流狭窄層１０９のＧａＮ基板１０１に対する格子緩和量を調べた。ここで、記号Ｂｓ、Ｂｏ、Ｓｏによりそれぞれ、下記の格子定数を表すものとし、格子緩和量を、（Ｂｓ−Ｓｏ）／（Ｂｏ−Ｓｏ）により定義する。この格子緩和量は、電流狭窄層１０９がＧａＮ基板１０１から格子緩和した割合である。
【００３７】
Ｂｓ：ＧａＮ基板１０１から歪を受けた状態の電流狭窄層１０９の格子定数
Ｂｏ：電流狭窄層１０９が本来有している格子定数
Ｓｏ：ＧａＮ基板１０１が本来有している格子定数
なお、図１の各層１０２〜１０８は格子緩和しておらず、ＧａＮ基板１０１と格子整合している。一方、電流狭窄層１０９は、格子緩和するようにｎ型不純物を過剰に（例えば１×１０19ｃｍ-3より多く）含ませられている。
【００３８】
図６のグラフに、格子緩和量とクラック本数の関係を調べた結果が示される。図６に示すように、不純物濃度が従来例の濃度４×１０18ｃｍ-3からクラックフリーを確認した２×１０19ｃｍ-3に増加することにより、格子緩和量が９．７％から１５．７％に増加することを確認した。この結果より、クラックフリーとするためには、電流狭窄層１０９のＧａＮ基板１０１に対する格子緩和量は、１５．７％以上にすることが好ましい。それにより、クラックフリーな電流狭窄層を得ることが可能となり、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流が大幅に向上したデバイス特性が得られる。この結果、デバイスの歩留まりを向上することができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００３９】
なお、本発明の電流狭窄層１０９のＡｌ組成は、３０％より多くすると、成長表面のモホロジー荒れ、結晶性の低下による、無効電流、閾値電流、駆動電圧の増大など、デバイス特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。また、Ａｌ組成が１０％より少ない場合、横方向の実行屈折率差が小さくなるため、光閉じ込め効果が弱くなる。そのため、閾値電流、動作電流が増大しデバイスの信頼性に悪影響を及ぼす。従って、電流狭窄層１０９のＡｌ組成は、１０％以上３０％以下であることが好ましい。
【００４０】
また、電流狭窄層１０９のＡｌ組成が２０％より大きく３０％未満の場合、ＧａＮ基板１０１との格子定数差が非常に大きい為、不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より多く３×１０19ｃｍ-3未満の範囲内では、クラックが発生するリスクがある。その為、電流狭窄層１０９のＡｌ組成は、１０％以上２０％以下にすることがより好ましい。これにより、不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より多く３×１０19ｃｍ-3未満の範囲内で、クラックフリーな電流狭窄層を得ることが可能となる。その結果、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流が大幅に向上したデバイス特性が得られる。この結果、デバイスの歩留まりを向上することができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００４１】
なお、不純物を高濃度添加した電流狭窄層１０９の膜厚は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲内の膜厚にすることにより、クラック起因の無効電流以外の無効電流を抑制することができ、なおかつクラックフリーな電流狭窄層を得ることが可能となる。そのため、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流が大幅に向上したデバイス特性が得られる。この結果、デバイスの歩留まりをより向上することができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００４２】
更に、より好ましくは、不純物を高濃度添加した電流狭窄層１０９の膜厚を、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下にする。この範囲内の膜厚にすることにより、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚よりも更にクラック発生のリスクを抑えることが可能となる。クラック起因の無効電流以外の無効電流を更に抑制することができ、なおかつクラックフリーな電流狭窄層を得ることが可能となる。その結果、発光に寄与しない無効電流の低減による閾値電流が、より大幅に向上したデバイス特性が得られる。この結果、デバイスの歩留まりをより向上することができる。また、安定した自励動作を得ることもできる。
【００４３】
上述の実施の形態においては、電流狭窄層に添加する不純物としてＳｉを用いた場合について記載したが、不純物として酸素、炭素、又は硫黄が含まれている場合にも、本発明を同様に適用することができる。
【００４４】
また、上述の実施の形態においては、埋め込み型窒化物半導体レーザ装置の基板としてＧａＮを用いた例を示したが、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉなど他の基板を用いる場合にも、本発明を同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の埋め込み型窒化物半導体レーザ装置は、電流狭窄層に起因するクラックの発生が抑制されて、発光に寄与しない無効電流の低減により閾値電流特性が向上するので、光ディスク装置の光学ヘッド等に有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１  サファイア基板
２  Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ層バッファー層
３  ｎ−ＧａＮコンタクト層
４  ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層
５  ｎ−ＧａＮガイド層
６  ＩｎＧａＮ  ＭＱＷ活性層
７  ｐ−ＡｌＧａＮ電子障壁層
８  ｐ−ＧａＮガイド層
９  ｎ型電流狭窄層
１０  ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層
１１  ｐ−ＧａＮコンタクト層
５０  ｎ電極
５１  ｐ電極
１０１  ＧａＮ基板
１０２  ｎ−ＧａＮ層
１０３  ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層
１０４  ｎ−ＧａＮガイド層
１０５  ＩｎＧａＮ  ＭＱＷ活性層
１０６  ｐ−ＡｌＧａＮ電子障壁層
１０７  ｐ−ＧａＮガイド層
１０８  ｎ−ＧａＮガイド層
１０９  ｎ型電流狭窄層
１１０  ｐ−ＧａＮガイド層
１１１  ｐ−ＡｌＧａＮ/ＧａＮクラッド層
１１２  ｐ−ＧａＮコンタクト層
１１３  ｐ型電極
１１４  ｎ型電極
１１５  電流注入部
１１６  マスク
【図１】
2010263123.tif 000003
【図２Ａ】
2010263123.tif 000004
【図２Ｂ】
2010263123.tif 000005
【図２Ｃ】
2010263123.tif 000006
【図２Ｄ】
2010263123.tif 000007
【図２Ｅ】
2010263123.tif 000008
【図３】
2010263123.tif 000009
【図４Ａ】
2010263123.tif 000010
【図４Ｂ】
2010263123.tif 000011
【図５】
2010263123.tif 000012
【図６】
2010263123.tif 000013
【図７】
2010263123.tif 000014