(57)【要約】【課題】半導体ウェハ上に成膜する膜の膜厚の面内均一性の悪化を確実に防止することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェハＳを支持する上面を有する台座本体１５ａおよび台座本体１５ａの外周に一体的に設けられた台座リング部１５ｂを有する台座１５と、台座本体１５ａの外側面と台座リング部１５ｂの上面および外側面を覆うように台座リング部１５ｂに上方から着脱可能に嵌め込まれたエッジリング１２０と、台座１５内に設けられかつ台座１５を介して半導体ウェハＳを加熱するヒータとをチャンバ内に備え、エッジリング１２０は、台座本体１５ａの上面よりも低い上面部分１２７ａを内周端部に有し、かつ、台座リング部１５ｂを構成する材質の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材質にて構成されたことを特徴とするＭＯＣＶＤ装置。【選択図】図２
2010150605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを支持する上面を有する台座本体および該台座本体の外周に一体的に設けられた台座リング部を有する台座と、前記台座本体の外側面と前記台座リング部の上面および外側面を覆うように台座リング部に上方から着脱可能に嵌め込まれたエッジリングと、台座内に設けられかつ台座を介して半導体ウェハを加熱するヒータとをチャンバ内に備えると共に、加熱された半導体ウェハ上に成膜するための材料ガスをチャンバ内に供給する材料ガス供給部と、チャンバ内を所定圧に維持する排気部とを備え、
前記エッジリングは、台座本体の上面よりも低い上面部分を内周端部に有し、かつ、台座リング部を構成する材質の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材質にて構成されたことを特徴とするＭＯＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記エッジリングは、前記台座リング部を側方から覆う筒部と、該筒部の上端から内方へ突出して台座リング部を上方から覆う環状鍔部とを有し、
台座リング部は、エッジリングの前記環状鍔部の下面と近接して対面する上面と、エッジリングの前記筒部の内側面と近接して対面する外側面とを有し、
さらに、エッジリングの筒部の内側面または台座リング部の外側面の全周には、前記ヒータ発熱時に台座リング部の外側面またはエッジリングの筒部の内側面の全周に当接する環状凸部が設けられており、
台座リング部の材質とエッジリングの材質の組み合わせは、ヒータ発熱時において前記環状凸部を台座リング部の外側面またはエッジリングの筒部の内側面に当接させ、かつ、室温時において前記環状凸部を台座リング部の外側面またはエッジリングの筒部の内側面から離間させるようにする組み合わせである請求項１に記載のＭＯＣＶＤ装置。
【請求項３】
台座リング部の材質とエッジリングの材質の組み合わせが、アルミニウムとチタン、アルミニウムとＳｉＣ、アルミニウムとＡｌ2Ｏ3またはアルミニウムとセラミックである請求項１または２に記載のＭＯＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記エッジリングの外面が、エッジリングの材質とは異なる材質の膜にて被膜されている請求項１〜３のいずれか１つに記載のＭＯＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記エッジリングの材質がチタンであり、エッジリングの外面がアルミニウム膜にて被覆されている請求項４に記載のＭＯＣＶＤ装置。
【請求項６】
ヒータ発熱時におけるエッジリングの筒部の内側面と台座リング部の外側面との間の間隙寸法が０〜１ｍｍであり、室温時における前記間隙寸法が０．４〜２ｍｍである請求項２〜５のいずれか１つに記載のＭＯＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のＭＯＣＶＤ装置を用いる成膜方法であって、前記エッジリングの内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハを、台座本体上に設置し、ヒータにて台座を介して半導体ウェハを加熱しながら半導体ウェハ上に所望の膜を成膜する成膜方法。
【請求項８】
台座本体の上端とエッジリングの内周端部との間の隙間から、不活性ガスを半導体ウェハの下面側に向けて噴出しながら成膜する請求項７に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＯＣＶＤ装置およびそれを用いた成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の成膜装置のうちの一つとして、例えば、特許文献１および２に記載されたＭＯＣＶＤ装置がある。この従来のＭＯＣＶＤ装置は、図１の概略構成図に示すように、チャンバ１０を備え、チャンバ１０内には被成膜物である半導体ウェハＳを設置する設置部と、設置部の上方に配置されてプロセスガスをチャンバ１０内に導入するためのシャワーヘッド１２等が設けられ、図示しない真空ポンプがチャンバ１０の下部に接続されてチャンバ１０内部のガスの流れと圧力を適正に維持するように構成されている。
【０００３】
図８（Ａ）は従来のＭＯＣＶＤ装置における設置部の部分断面図であって、室温のチャンバ１０内で半導体ウェハＳが設置部に設置された状態を示している。
設置部は、半導体ウェハＳを支持しかつヒータ（図示省略）を内蔵する台座１５と、チャンバ１０の底壁を気密に貫通して台座１５を昇降可能に支持する支柱部１６（図１参照）と、台座１５の外周部に取り付けられたエッジリング２０とを備えており、成膜時に前記ヒータが発熱することによって台座１５を介して半導体ウェハＳが加熱されるように構成されている。なお、台座１５の上面から内部には、真空ポンプと接続する吸気流路が形成されており、半導体ウェハＳは真空ポンプにより台座１５上に真空チャックされる。
【０００４】
台座１５は、円形の台座本体１５ａと、台座本体１５ａの外周部に設けられたエッジリング２０の取付部分である台座リング部１５ｂとを有し、台座本体１５ａの外周面とエッジリング２０の内周面との間に浄化用不活性ガスを流通させる浄化ガス流路１５ｃが形成されている。台座本体１５ａおよびエッジリング２０は共にアルミニウム製である。なお、浄化ガス流路１５ｃは、台座本体１５ａおよび支柱部１６の内部を貫通し、チャンバ１０外部の不活性ガス供給部に接続されている。
【０００５】
さらに、台座リング部１５ｂの上面１６の複数箇所にはネジ孔が形成されると共に、エッジリング２０の下面２４と接触してエッジリング２０の高さを位置決めするスペーサピン１８が各ネジ孔に螺着している。また、台座リング部１５ｂの外周面には凹周溝が形成されると共に、エッジリング２０の内側面２５と接触するリング部材２９０が凹周溝に嵌めこまれている。
【０００６】
エッジリング２０は、上下逆のＬ字形断面を有するアルミニウム製の上部リング２１と、上部リング２１の平板リング形の下面に重なるステンレス鋼製の中間リング２２および底部リング２３とを備え、上部リング２１と中間リング２２と底部リング２３とは複数の心出しボルト２７１によって一体にボルト締めされている。
上部リング２１は、その内周端部の上面部分２７ａは他の上面部分よりも低くなっており、台座本体１５ａ上に設置した半導体ウェハＳがエッジリング２０上に乗り上げないようにしている。また、上部リング２１は、露出する上面および円筒状の外側面がビード噴射加工によってざらついている。
【０００７】
エッジリング２０は、台座リング部１５ｂに上方から嵌め込まれることによって取り付けられ、取付状態において、底部リング２３の下面２４が複数のスペーサピン１８に当接し、上部リング２１の円筒状の内側面２５がリング部材２９０と当接する（図８（Ａ）参照）。
この状態において、台座本体１５ａ上に半導体ウェハＳを設置すると、半導体ウェハＳの台座本体１５ａからはみ出した外周部とエッジリング２０の内周端部の上面部分２７ａとの間に隙間が形成され、成膜時にはこの隙間から浄化ガスが外部ヘ噴出する。これによって、堆積物が半導体ウェハの裏面に付着することが防止される。さらに、上部リング２１の上面および外側面はざらついているため堆積物の付着性が向上し、この堆積物が上部リング２１からフレーキング落下し難くなり、粒子状物質による半導体ウェハＳの汚染が抑制される。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２８６２１５号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記構成の従来のＭＯＣＶＤ装置において、エッジリング２０の台座１５への取付構造は、上部リング２１の内側面２５が台座リング部１５ｂのリング部材２９０に接触し、かつリング部材２９０に負荷がかかった状態でエッジリング２０を台座リング部１５ｂの上部から嵌め込む構造となっている。
そのため、取付け後の状態として、エッジリング２０がスペーサーピン１８上に接触した状態とすることが難しく、図８（Ｂ）に示すように、エッジリング２０がスペーサーピン１８上から浮き上がり、スペーサーピン１８上に支持されていない場合が生じる。また、エッジリング２０をスパイラル状に回しながら台座リング部１５ｂへ注意深く嵌め込むことにより、エッジリング２０がスペーサピン１８に接触させることができるが、それでもエッジリング２０の一部がスペーサピン１８から浮き上っている状態が生じ易い。
このエッジリング２０の浮き上がりにより、半導体ウェハＳは、エッジリング２０の内終端部の上面部分２７ａ上に乗り上がって台座本体１５ａから浮き上がってしまい、その結果、半導体ウェハＳの温度分布がばらつき、半導体ウェハＳ上に成膜される膜の膜厚の面内均一性が悪化する。
【００１０】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、半導体ウェハ上に成膜する膜の膜厚の面内均一性の悪化を確実に防止することができるＭＯＣＶＤ装置およびそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
かくして本発明によれば、半導体ウェハを支持する上面を有する台座本体および該台座本体の外周に一体的に設けられた台座リング部とを有する台座と、前記台座本体の外側面と前記台座リング部の上面および外側面を覆うように台座リング部に上方から着脱可能に嵌め込まれたエッジリングと、台座内に設けられかつ台座を介して半導体ウェハを加熱するヒータとをチャンバ内に備えると共に、加熱された半導体ウェハ上に成膜するための材料ガスをチャンバ内に供給する材料ガス供給部と、チャンバ内を所定圧に維持する排気部とを備え、前記エッジリングは台座本体の上面よりも低い上面部分を内周端部に有し、かつ、台座リング部はエッジリングを構成する材質の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する材質にて構成されたＭＯＣＶＤ装置が提供される。
【００１２】
また、本発明の別の観点によれば、前記ＭＯＣＶＤ装置を用いる成膜方法であって、前記エッジリングの内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハを、台座本体上に設置し、ヒータにて台座を介して半導体ウェハを加熱しながら半導体ウェハ上に所望の膜を成膜する成膜方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＭＯＣＶＤ装置は、台座リング部がエッジリングを構成する材質の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する材質にて構成されている。そのため、本発明によれば、室温時における台座リング部をその外側面がエッジリングに当接しないように構成することができ、これにより、エッジリングを台座リング部に適正な状態まで容易かつ確実に嵌め込んで組み立てることができ、エッジリングが適正な状態よりも浮き上がった組立状態で使用する可能性がなくなる。
その結果、台座本体の上面を完全に覆いかつエッジリングの内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハ上に所望の膜を成膜する場合において、半導体ウェハはエッジリング上に乗り上げることがなくなるため、半導体ウェハは台座本体からの浮き上がりによる温度分布のばらつきの発生がなくなり、成膜する膜の膜厚の面内均一性の悪化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施形態１：成膜装置の説明）
図１は本発明の成膜装置としてのＭＯＣＶＤ装置の実施形態１を示す概略構成図であって、従来のＭＯＣＶＤ装置の概略構成図を兼ねている。また、図２（Ａ）は実施形態１の成膜装置の室温時の部分断面図であり、図２（Ｂ）は実施形態１の成膜装置におけるエッジリングを取り外した状態を示す部分断面図である。また、図３は実施形態１の成膜装置の成膜時の部分断面図である。なお、図２および図３において、図８中に示された構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付している。
【００１５】
この実施形態１の成膜装置は、半導体ウェハ上にＭＯＣＶＤ法により所望の膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置であり、下記の構成（１）〜（４）以外の構成は、図８で説明した従来のＭＯＣＶＤ装置の構成と同様である。
すなわち、実施形態１のＭＯＣＶＤ装置は、半導体ウェハＳを支持する上面を有する台座本体１５ａおよび台座本体１５ａの外周に一体的に設けられた台座リング部１５ｂを有する台座１５と、台座本体１５ａの外側面と台座リング部１５ｂの上面および外側面を覆うように台座リング部１５ｂに上方から着脱可能に嵌め込まれたエッジリング１２０と、台座１５内に設けられかつ台座１５を介して半導体ウェハＳを加熱するヒータ（図示省略）とをチャンバ１０内に備えると共に、加熱された半導体ウェハＳ上に成膜するための材料ガスをチャンバ１０内に供給する材料ガス供給部（図示省略）と、チャンバ１０内を所定圧に維持する排気部（図示省略）とを備える。
【００１６】
また、エッジリング１２０は、台座リング部１５ｂを側方から覆う筒部１２６と、筒部１２６の上端から内方へ突出して台座リング部１５ｂを上方から覆う環状鍔部１２７とを有し、環状鍔部１２７の内周端部の上面部分１２７ａは他の上面部分よりも低い環状凹形に形成されている。この場合、筒部１２６は、上部リング１２１の筒部分から構成され、環状鍔部１２７は、相互に重なった上部リング１２１の環状部分と中間リング２２と底部リング２３とから構成されている。
また、台座リング部１５ｂは、エッジリング１２０の環状鍔部１２７の下面（底部リング２３の下面）２４と近接して対面する上面１６と、エッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５と近接して対面する外側面１７とを有し、外側面１７に凹周溝が形成されてその内部にリング部材１９が嵌め込まれている。
ここまで説明した実施形態１のＭＯＣＶＤ装置の構成は、従来のＭＯＣＶＤ装置と同様である。なお、本発明においては、リング部材１９の形成方法、形成位置等が従来とは異なる場合があるため、リング部材１９を環状凸部１９と称する場合がある。
【００１７】
実施形態１のＭＯＣＶＤ装置が、従来のＭＯＣＶＤ装置と異なる点は、まず、
（１）エッジリング１２０は、台座リング部１５ｂを構成する材質の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材質にて構成された点である。
この場合、エッジリング１２０を構成する上部リング１２１、中間リング２２および底部リング２３のうち少なくとも上部リング１２１が、台座リング部１５ｂを構成する材質の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材質にて構成されていればよく、中間リング２２および底部リング２３の材質も上部リング１２１と同じであることが好ましい。なお、実施形態１では上部リング１２１、中間リング２２および底部リング２３を別部材で構成しているが、一つの部材で構成してもよい。あるいは、上部リング１２１の表面への成膜を抑制するために、中間リング２２と底部リング２３の材質は上部リング１２１の熱伝導率より小さい熱伝導率を有する材料としてもよい。
【００１８】
実施形態１のＭＯＣＶＤ装置が、従来のＭＯＣＶＤ装置と異なる次の点は、
（２）台座リング部１５ｂの材質とエッジリング１２０の材質の組み合わせは、ヒータ発熱時において前記環状凸部１９をエッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５に当接させ（図３参照）、かつ、室温時において環状凸部１９をエッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５から離間させるようにする組み合わせである点である。なお、ヒータ発熱時の温度は、所望の膜を形成するときに半導体ウェハを加熱する温度である。
【００１９】
構成（１）および（２）のような材質の組み合わせとして、具体的には、台座本体１５ａおよび台座リング部１５ｂの材質がアルミニウムであるのに対し、エッジリング１２０の少なくとも上部リング１２１の材質は、例えばチタン、ＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3またはセラミックが挙げられる。図４は、アルミニウムとチタンの熱膨張係数を示すグラフである。
中間リング２２および底部リング２３の材質が上部リング１２１と異なる場合、それらの材質としてはステンレス鋼とすることができる。
なお、以下の熱膨張係数に関する説明では、特に断りのない限り、エッジリング１２０とは、上部リング１２１のみを指す場合と、エッジリング１２０全体を指す場合の両方を含むものとする。
【００２０】
構成（１）および（２）によって、図３に示すヒータ発熱時（例えば３５０〜４５０℃）から図２（Ａ）に示す室温時（例えば１５〜３０℃）に戻る際、エッジリング１２０に対して台座リング部１５ｂは熱膨張係数が大きいためより大きく収縮し、環状凸部１９がエッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５から離間する。
これにより、メンテナンスを行うためにエッジリング１２０を台座リング部１５ｂから容易に取り外すことができる。また、エッジリング１２０を台座リング部１５ｂに組み付ける際は、エッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５が環状凸部１９に当たらないため、エッジリング１２０の下面２４が台座リング部１５ｂの複数のスペーサピン１８の上面に当接し、かつ、エッジリング１２０の内周端部の上面部分１２７ａが台座本体１５ａの上面よりも低い位置にある適正な状態に組み付けることができる（図２（Ａ）参照）。
【００２１】
この結果、台座本体１５ａの直径よりも大きい半導体ウェハＳがエッジリング１２０の内周端部の上面部分１２７ａ上に乗り上がることなく台座本体１５ａの上面に設置され、図３に示すように、ヒータ発熱時には台座リング部１５ｂが熱膨張して環状凸部１９がエッジリング１２０の筒部２６の内側面２５の全周に当接した完全な取付け状態で、半導体ウェハＳ上に所望の膜が均一な膜厚で成膜される。このとき、台座本体１５ａも熱膨張して、台座本体１５ａとエッジリング１２０の内周端部との間の浄化ガス流路１５ｃの幅も所定寸法まで狭くなる。
【００２２】
図５は、実施形態１のＭＯＣＶＤ装置と従来（図８）のＭＯＣＶＤ装置を用いて、台座本体１５ａの直径よりも大きいシリコンウェハ上に窒化チタンを成膜したときの面内膜厚分布を示すグラフである。なお、図５において、○はエッジリング２０の一部が台座リング部１５ｂの一部のスペーサピン１８から浮いた状態（図８（Ｂ）参照）で成膜した従来装置のデータであり、■はエッジリング１２０が台座リング部１５ｂの全てのスペーサピン１８と接触した正常状態（図３参照）で成膜した本発明の装置のデータである。
【００２３】
図５に示すように、従来のＭＯＣＶＤ装置では、シリコンウェハの中心位置Ｐ３を通る直線上の位置Ｐ１〜Ｐ５での膜厚は、位置Ｐ１からＰ５へ向かうにつれて厚くなり、位置Ｐ４からＰ５の間ではスペック上限を超える膜厚に達している。このようなバラツキのある膜厚分布の原因は、図８（Ｂ）に示すように、シリコンウェハＳの外周部の一部が、エッジリング２０の浮き上った内周端部の上面部分２７に乗り上がって台座本体１５ａから浮き上っているため、シリコンウェハＳにおける浮いた外周部の一部およびその周辺部分の温度が低下したことによる。
これに対し、実施形態１のＭＯＣＶＤ装置では、台座本体１５ａ上に隙間無くシリコンウェハが真空チャックされ、シリコンウェハの外周部の浮き上り部分が無く安定して台座本体１５ａ上に設置されているため、位置Ｐ１からＰ５までスペック下限とスペック上限のほぼ中間の安定した膜厚で窒化チタンが成膜している。
【００２４】
構成（１）および（２）のＭＯＣＶＤ装置において、図３に示すヒータ発熱時（成膜時）におけるエッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５と台座リング部１５ｂの外側面１７との間の間隙寸法、および図２（Ａ）に示す室温時における前記間隙寸法は、特に限定されないが、一例としては、ヒータ発熱時の間隙寸法は０〜１ｍｍ程度（好ましくは０．２〜１．０ｍｍ）、室温時の間隙寸法は０．４〜２ｍｍ程度（好ましくは０．４〜１．５ｍｍ、さらに好ましくは０．４〜１．３ｍｍ）に設定することができる。なお、環状凸部１９の突出寸法は、ヒータ発熱時の間隙寸法が０〜１ｍｍ程度になるように設定される。
【００２５】
実施形態１のＭＯＣＶＤ装置が、従来のＭＯＣＶＤ装置と異なる次の点は、
（３）エッジリング１２０の外面が、エッジリングの材質とは異なる材質の膜にて被膜されている点である。この場合、エッジリング１２０の外面とは、少なくとも筒部１２６の外側面と環状鍔部１２７の上面を指す。
具体的に、エッジリング１２０の上部リング１２１の材質がチタンである場合、エッジリング１２０の外面はアルミニウムからなる被覆膜にて被覆される。この場合、被腹膜の膜厚は、５〜２００μｍ程度が適当であり、好ましくは５〜１００μｍであり、より好ましくは５０〜１００μｍである。
【００２６】
この被覆膜は、上部リング１２１の外面を上述の膜材料で溶射することにより形成することができ、溶射した被覆膜によって上部リング１２１の外面をざらつかせる（凹凸を形成する）ことができる。
被腹膜をざらつかせることによって、成膜時に被腹膜上に堆積した堆積膜が剥がれ難くなり、この堆積物がエッジリング１２０からフレーキング落下し難くなって粒子状物質による半導体ウェハＳの汚染が抑制される。
また、被腹膜上に堆積した堆積膜を洗浄する際は、エッジリング１２０上の被腹膜をエッチングすることにより除去することができる。この際、エッジリング１２０の上部リング１２１に洗浄ダメージを与えることなく洗浄することができる。なお、再度エッジリング１２０の外面を溶射加工することにより被腹膜を形成して、エッジリング１２０を再利用することができる。
【００２７】
（成膜方法の説明）
実施形態１のＭＯＣＶＤ装置を用いた成膜方法は、エッジリング１２０の内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハＳ（例えばシリコンウェハ）を、台座本体１５ａ上に設置し（図２（Ａ）参照）、ヒータにて台座１５を介して半導体ウェハＳを所定温度（例えば３５０〜４５０℃）で加熱しながら半導体ウェハＳ上に所望の膜（例えば窒化チタン）を成膜する成膜方法である。
この成膜方法の特徴は、実施形態１のＭＯＣＶＤ装置を用いる点と、被成膜物がエッジリング１２０の内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハＳである点である。
この成膜方法によれば、上述のようにエッジリング１２０を台座リング部１５ｂに適正な状態に組み付けて成膜することができるため、エッジリング１２０の内径よりも大きい直径を有する半導体ウェハＳであっても均一な膜厚で所望の膜を形成することができる。
【００２８】
この場合、台座本体１５ａの上端とエッジリング１２０の内周端部との間の隙間である浄化ガス流路１５ｃから、不活性ガスを半導体ウェハＳの下面側に向けて噴出しながら成膜してもよい。このようにすれば、エッジリング１２０の上方に径方向外方へ向けて放射状の不活性ガス流が生じ、この不活性ガス流によってエッジリング１２０の外面への堆積膜の付着を抑制することができる。
なお、このＭＯＣＶＤ装置では、当然のことながら、エッジリング１２０の内径よりも小さい直径を有する半導体ウェハＳ上にも所望の膜を均一な膜厚で形成することができる。
【００２９】
（実施形態２）
図６は実施形態２のＭＯＣＶＤ装置の室温時の部分断面図である。実施形態２が実施形態１と異なる点は、台座１５の台座リング部１５ｂの外側面７に設けた環状凸部１９が、台座リング部１５ｂに断面半球形に一体形成されている点であり、実施形態２におけるその他の構成は実施形態１と同様である。
【００３０】
（実施形態３）
図７は実施形態３のＭＯＣＶＤ装置の室温時の部分断面図である。実施形態３が実施形態１と異なる点は、台座１５の台座リング部１５ｂの外側面７がフラットであり、エッジリング１２０の筒部１２６の内側面１２５に断面半球形の環状凸部１９が一体形成されている点であり、実施形態３におけるその他の構成は実施形態１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は本発明の成膜装置としてのＭＯＣＶＤ装置の実施形態１を示す概略構成図であって、従来のＭＯＣＶＤ装置の概略構成図を兼ねている。
【図２】図２（Ａ）は実施形態１のＭＯＣＶＤ装置の室温時の部分断面図であり、図２（Ｂ）は実施形態１のＭＯＣＶＤ装置におけるエッジリングを取り外した状態を示す部分断面図である。
【図３】図３は実施形態１のＭＯＣＶＤ装置の成膜時の部分断面図である。
【図４】図４はアルミニウムとチタンの熱膨張係数を示すグラフである。
【図５】図５は実施形態１のＭＯＣＶＤ装置と従来のＭＯＣＶＤ装置を用いて半導体ウェハ上に形成した窒化チタン膜の面内膜厚分布を示すグラフである。
【図６】図６は実施形態２のＭＯＣＶＤ装置の室温時の部分断面図である。
【図７】図７は実施形態３のＭＯＣＶＤ装置の室温時の部分断面図である。
【図８】図８（Ａ）は従来のＭＯＣＶＤ装置における設置部の部分断面図であり、図８（Ｂ）はその設置部におけるエッジリングの異常取付状態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０  チャンバ
１５  台座
１５ａ  台座本体
１５ｂ  台座リング部
１６  台座リング部の上面
１７  台座リング部の外側面
１９  環状凸部（リング部材）
２４  環状鍔部の下面
１２０  エッジリング
１２５  筒部の内側面
１２６  筒部
１２７  環状鍔部
１２７ａ  台座本体の上面部分
Ｓ  半導体ウェハ
【図１】
2010150605.tif 000003
【図２】
2010150605.tif 000004
【図３】
2010150605.tif 000005
【図４】
2010150605.tif 000006
【図５】
2010150605.tif 000007
【図６】
2010150605.tif 000008
【図７】
2010150605.tif 000009
【図８】
2010150605.tif 000010