(57)【要約】【課題】  真空中又は不活性ガス中においてスルーホールを封止する際に封止材から発生するガスがパッケージ内に残らないようにする圧電デバイスを提供する。【解決手段】  圧電デバイス（１００）は、励振電極が形成された振動片と、振動片を囲み励振電極と接続される引出電極（３１）が形成された外枠部とを有する圧電フレーム（２０）と、引出電極（３１）と接続される接続電極と接続電極の反対面に形成された外部端子と接続電極と外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し外枠部の片面に結合するベース（４０）と、圧電フレームの他方の面に結合するリッド（１０）と、を備え、スルーホール配線（４８）に接する引出電極（３１）に第１溝部（３７）が形成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極が形成された振動片と、前記振動片を囲み前記励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、
前記引出電極と接続される接続電極と前記接続電極の反対面に形成された外部端子と前記接続電極と前記外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し、前記外枠部の片面に結合するベースと、
前記圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、
前記スルーホール配線に接する前記引出電極に第１溝部が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記第１溝部は、前記振動片と前記外枠部との空隙につながっていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記接続電極は前記ベース最上面よりも低い段差面の一部に形成されており、
前記第１溝部は、前記接続電極が形成されていない段差面につながっていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
励振電極が形成された振動片と、前記振動片を囲み前記励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、
前記引出電極と接続される接続電極と前記接続電極の反対面に形成された外部端子と前記接続電極と前記外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し、前記外枠部の片面に結合するベースと、
前記圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、
前記接続電極に前記スルーホール配線とつながる第２溝部が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
前記ベースは、前記振動片と接触しないように凹部が形成されており、
前記第２溝部は、前記凹部の空隙につながっていることを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
励振電極が形成された振動片と、前記振動片を囲み前記励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、
前記引出電極と接続される接続電極と前記接続電極の反対面に形成された外部端子と前記接続電極と前記外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し、前記外枠部の片面に結合するベースと、
前記圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、
前記スルーホール配線に接する前記引出電極に第１溝部が形成され、前記接続電極に前記スルーホール配線とつながる第２溝部が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項７】
前記励振電極、前記引出電極及び前記接続電極は、クロム又はニッケルからなる下地層と下地層の表面に形成された金（Ａｕ）層とからなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記リッドは、圧電材料又はガラス材料であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片をパッケージ内に配置した圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
小型の情報機器や、携帯電話、又は移動体通信機器や圧電ジャイロセンサー等において、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。情報機器又は移動体通信機器等の小型軽量化及び高周波数化に伴って、それらに用いられる圧電振動子なども、より一層の小型化及び高周波数化への対応が求められている。
【０００３】
従来、圧電振動子は、金属、ガラス又はセラミックからなるリッドとパッケージ部材との接合面にロウ材を塗布して重ね合わせて接合した後に、真空中あるいは不活性ガス中において封止用のスルーホール（貫通孔）に封止材を充填し、加熱などによって封止材を溶融することにより封止を行っている。気密封止用のスルーホールは、ベースの凹部の底面に形成されている。このような圧電振動子のスルーホールは、電極を外部へ引きまわすためのスルーホールとは別に設けられている。このような圧電振動子は、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されたものが知られている。
【０００４】
このようなアルミナからなるセラミックパッケージを使って製造される圧電振動子は、１つ１つ圧電振動片をパッケージ内に配置しなくてはならず、量産性に適していなかった。また小型化が進み１つ１つの圧電振動片をパッケージに配置することが困難になりつつある。このため、特許文献３では、水晶のベース基体の金属面と、枠付き水晶振動片の金属面と、水晶リッドの金属とをそれぞれの表面をプラズマ活性化させて圧電振動片を製造する技術を開示している。
【特許文献１】特開２００４−０５６７６０号公報
【特許文献２】特開２００６−０４２０９６号公報
【特許文献３】特開２００７−２５８９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、結合する金属面を真空中に配置しなければプラズマ活性化させることができず、真空装置などを特別に用意しなればならなかった。また真空中で水晶のベース基体と、枠付き水晶振動片と、水晶リッドとを位置合わせする必要があるため、特別な冶具などを開発しなければならなかった。
また、スルーホールの封止を行う場合に、溶解時に封止材から発生するガスがパッケージ内に取り残されることにより、圧電振動子の長期安定性を損なう懸念があった。
【０００６】
そこで本発明の目的は、大気中で水晶のベース基体と、枠付き水晶振動片と、水晶リッドとの結合ができるようにするとともに、真空中又は不活性ガス中においてスルーホールを封止する際に封止材から発生するガスがパッケージ内に残らないようにする圧電デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の観点の圧電デバイスは、励振電極が形成された振動片と、振動片を囲み励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、引出電極と接続される接続電極と接続電極の反対面に形成された外部端子と接続電極と外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し外枠部の片面に結合するベースと、圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、スルーホール配線に接する引出電極に第１溝部が形成されている。
スルーホール配線に接する引出電極に第１溝部が形成されているため、スルーホール配線を共晶金属ボールなどの封止材で封止する際に、スルーホールと圧電デバイス内とが連通している。したがって、圧電デバイス内を真空にしたり又は不活性ガスで満たしたりした後に封止材で封止することができる。このため、長期安定性を得られる圧電デバイスとなる。
【０００８】
第２の観点の圧電デバイスの第１溝部は、振動片と外枠部との空隙につながっている。
このためスルーホールと圧電デバイス内とが十分に連通する。
第３の観点の圧電デバイスにおいて、接続電極はベース最上面よりも低い段差面の一部に形成されており、第１溝部は接続電極が形成されていない段差面につながっている。
このためスルーホールと圧電デバイス内とが十分に連通する。
【０００９】
第４の観点の圧電デバイス励振電極が形成された振動片と、振動片を囲み励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、引出電極と接続される接続電極と接続電極の反対面に形成された外部端子と接続電極と外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し外枠部の片面に結合するベースと、圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、接続電極にスルーホール配線とつながる第２溝部が形成されている。
スルーホール配線とつながる第２溝部が接続電極に形成されているため、スルーホール配線を共晶金属ボールなどの封止材で封止する際に、スルーホールと圧電デバイス内とが連通している。したがって、圧電デバイス内を真空にしたり又は不活性ガスで満たしたりした後に封止材で封止することができる。このため、長期安定性を得られる圧電デバイスとなる。
【００１０】
第５の観点の圧電デバイスのベースは振動片と接触しないように凹部が形成されており、第２溝部は凹部の空隙につながっている。
このためスルーホールと圧電デバイス内とが十分に連通する。
【００１１】
第６の観点の圧電デバイス励振電極が形成された振動片と、振動片を囲み励振電極と接続される引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、引出電極と接続される接続電極と接続電極の反対面に形成された外部端子と接続電極と外部端子とを接続するスルーホール配線とを有し外枠部の片面に結合するベースと、圧電フレームの他方の面に結合するリッドと、を備え、スルーホール配線に接する引出電極に第１溝部が形成され、接続電極にスルーホール配線とつながる第２溝部が形成されている
スルーホール配線とつながる第１溝部及び第２溝部がそれぞれ圧電フレーム及びベースに形成されているため、スルーホール配線を共晶金属ボールなどの封止材で封止する際に、スルーホールと圧電デバイス内とが連通している。したがって、圧電デバイス内を真空にしたり又は不活性ガスで満たしたりした後に封止材で封止することができる。
【００１２】
第７の観点の圧電デバイスにおいて、励振電極、引出電極及び接続電極は、クロム又はニッケルからなる下地層と下地層の表面に形成された金（Ａｕ）層とからなる
第８の観点の圧電デバイスのリッドは、圧電材料又はガラス材料である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の圧電振動子は、振動周波数にバラツキを生じることなく、長期安定性を得られる圧電デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜第１実施形態；第１圧電デバイス１００の構成＞
図１は、本実施例の音叉型水晶振動片３０を備えた第１圧電デバイス１００の概略図を示している。図１は、分割した状態の第１圧電デバイス１００を、リッド１０のリッド部側からみた斜視図である。
【００１５】
図１に示されるように、第１圧電デバイス１００は、最上部のリッド１０、第１水晶フレーム２０及び第１ベース４０から構成される。リッド１０及び第１ベース４０は水晶材料から形成される。第１水晶フレーム２０は、エッチングにより形成された音叉型水晶振動片３０を有している。
【００１６】
第１圧電デバイス１００は、音叉型水晶振動片３０を備えた第１水晶フレーム２０を中心に、その第１水晶フレーム２０の上にリッド１０が結合され、第１水晶フレーム２０の下に第１ベース４０が結合されてパッケージ８０が形成されている。つまり、リッド１０は第１水晶フレーム２０に、第１ベース４０は第１水晶フレーム２０にシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）する構成になっている。リッド１０は、リッド用凹部１７を第１水晶フレーム２０側の片面に有している。
【００１７】
第１水晶フレーム２０は、その中央部にいわゆる音叉型水晶振動片３０と外側に外枠部２１とを有しており、音叉型水晶振動片３０と外枠部２１との間には空隙部ＳＰが形成されている。音叉型水晶振動片３０は、基部２３及び振動腕３５を囲む外枠部２１を備え、一対の支持腕２５から延びる接続腕２６により外枠部２１と接続し、第１水晶フレーム２０を形成した点にある。音叉型水晶振動片３０の外形を規定する空隙部ＳＰはウェットエッチングにより形成されている。音叉型水晶振動片３０は外枠部２１と同じ厚さである。
【００１８】
第１圧電デバイス１００は、シロキサン結合によりパッケージ８０を形成後、上向きになっているスルーホールＴＨに共晶金属ボール７０を配置し、真空リフロー炉で所定の温度に一定時間加熱されることで共晶金属ボール７０が溶かされ封止が行われる。共晶金属ボール７０は、金・ゲルマニューム（Ａｕ１２Ｇｅ）合金、金・シリコン（Ａｕ３．１５Ｓｉ）合金、金・スズ（Ａｕ２０Ｓｎ）合金、又は金・ゲルマニューム・スズ（Ａｕ１５Ｇｅ１５Ｓｉ）合金などの一種から形成される。このようにして発振周波数の安定した第１圧電デバイス１００が完成する。
【００１９】
図１において、第１圧電デバイス１００は，１つのリッド１０と１つの第１水晶フレーム２０と１つの第１ベース４０とが重ね合わせてシロキサン結合される図で示されている。しかし実際の製造においては、１枚の水晶ウエハに数百から数千の第１水晶フレーム２０と、１枚の水晶ウエハに数百から数千のリッド１０と、１枚の水晶ウエハに数百から数千の第１ベース４０とを用意し、それらをウエハ単位で結合して一度に数百から数千の圧電デバイスを製造する。
【００２０】
（第１ベース４０の構成）
図２（ａ）は第１ベース４０の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
第１ベース４０はＺカットの水晶で形成され、図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、音叉型水晶振動片３０に接しないようにベース用凹部４７を第１水晶フレーム２０側の片面に有している。第１ベース４０はベース用凹部４７の周囲全体に段差部４９を形成する。この段差部４９の一部に第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成される。第１接続電極４２及び第２接続電極４４の高さは、２００オングストローム（Å）〜３０００オングストローム（Å）であり、段差部４９を設けないと、第１ベース４０の外周部と第１水晶フレーム２０の外枠部２１とがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）する際に障害となることがある。段差部４９は１５０オングストローム〜２０００オングストロームの深さで形成される。
【００２１】
第１ベース４０は、ウェットエッチングなどにより段差部４９に第１ベース４０の底面と貫通するスルーホールＴＨを形成する。スルーホールＴＨにはスルーホール配線４８が設けられる。段差部４９の一部には、スルーホールＴＨと接続する第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成される。また第１ベース４０の底部には、第１外部電極４５及び第２外部電極４６が形成されている。第１接続電極４２及び第２接続電極４４、スルーホール配線４８ならびに第１外部電極４５及び第２外部電極４６は、スパッタリング又は真空蒸着によってニッケル又はクロムの下地層と金層とからなる電極が同時に形成される。ウェットエッチングにより形成されるスルーホールＴＨは底面側が六角形の断面形状となり、第１水晶フレーム２０側が三角形の断面形状となる。
【００２２】
第２接続電極４２は、スルーホールＴＨのスルーホール配線４８を通じて第１ベース４０に設けた第１外部電極４５に電気的に接続する。第２接続電極４４は、スルーホールＴＨのスルーホール配線４８を通じて第１ベース４０の底面に設けた第２外部電極４６に電気的に接続する。
【００２３】
（第１水晶フレーム２０の構成）
図３（ａ）は、第１水晶フレーム２０の上面図である。図３（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００２４】
図３（ａ）に示されるように、第１水晶フレーム２０は、基部２３及び振動腕３５からなる音叉型水晶振動片３０と、外枠部２１と、支持腕２５と、接続部２６とから一体に構成されている。音叉型水晶振動片３０は、たとえば３２．７６８ｋＨｚで発振する振動片で、極めて小型の振動片となっている。
【００２５】
第１水晶フレーム２０の外枠部２１には、ウェットエッチングなどによりＬ型の第１排気溝部３７が形成される。この第１排気溝部３７は、図２で示された第１ベース４０のスルーホールＴＨと重なり合う位置に形成される。この第１排気溝部３７は水晶のエッチングの異方性のため断面がＶ溝形状に形成される。
【００２６】
一対の振動腕３５は基部２３の一端からＹ方向に延びており、振動腕３５の表裏両面には振動腕の幅の４０％から６５％の幅の溝部２７が形成されている。つまり、一対の振動腕２１には、表裏合わせて４本の溝部２７が形成されている。溝部２７の断面は略Ｈ型に形成され、音叉型水晶振動片３０のＣＩ値を低下させる効果がある。
【００２７】
一対の支持腕２５は、基部２３の一端から振動腕３５が伸びる方向（Ｙ方向）に伸びて接続部２６と外枠部２１とに接続している。一対の支持腕２５は、振動腕３５の振動を第１圧電デバイス１００の外部へ振動漏れとして伝えづらくさせ、またパッケージ外部の温度変化、または衝撃の影響を受けづらくさせる効果を持つ。
【００２８】
基部２３と一対の振動腕３５とで成す振動根元部及び基部２３と振動腕３５と支持腕２５とで成す２箇所の支持根元部の形状は、滑らかなＵ字形状をしている。音叉型水晶振動片３０は、振動腕３５及び支持腕２５の各幅並びに間隙を揃え、各根元部の形状を揃え、各基部の長さを揃えることで、エッチングを行っても左右対称に形成することができ、左右でバランスがとれた構造となる。
【００２９】
一対の振動腕３５には、表面、裏面及び側面に第１励振電極３３及び第２励振電極３４が形成される。また、外枠部２１、基部２３、支持腕２５及び接続部２６には第１引出電極３１及び第２引出電極３２が形成される。また、第１引出電極３１及び第２引出電極３２は第１排気溝部３７にも形成される。第１励振電極３３は第１引出電極３１につながっており、第２励振電極３４は第２引出電極３２につながっている。
【００３０】
振動腕３５の先端付近は一定幅で幅広となりハンマー型の形状となっている。ハンマー型の形状部分は金属膜を備えた錘部３８を形成している。錘部３８は振動腕３５の第１励振電極３３及び第２励振電極３４に電圧をかけた際に振動しやすくさせ、また安定した振動をするために形成されている。
【００３１】
Ｌ型の第１排気溝部３７のＬ型の一方の端は第１水晶フレーム２０の空隙部ＳＰにつながっている。また第１排気溝部３７のＬ型の他方の端は、図２で示された第１ベース４０の第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成されていない段差部４９にまで伸びている。この第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成されていないので、その厚みだけ空隙ができている。つまり、第１水晶フレーム２０が図２で示された第１ベース４０に結合した状態で、スルーホールＴＨはＬ型の第１排気溝部３７とつながり、第１水晶フレーム２０の空隙部ＳＰ及び第１ベース４０の段差部４９と連通する。
【００３２】
（共晶金属ボール７０の溶融）
図４は、共晶金属ボール７０の溶融を説明する図であり、リッド１０と、第１水晶フレーム２０と、第１ベース４０とを結合した際の第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。また、共晶金属ボール７０は第１ベース４０の底面を上にして配置されるが、図４では第１ベース４０の底面が下側を向いた状態で描かれている。また、図示しない第２引出電極３２も第１引出電極３１と同じ状態であるため説明を割愛する。
【００３３】
大気状態で、リッド１０と第１水晶フレーム２０と第１ベース４０とはシロキサン結合されてパッケージ８０が形成されている。図４（ａ）に示されるように、パッケージ８０の状態で第１水晶フレーム２０の第１排気溝部３７は、第１ベース４０のスルーホールＴＨに位置している。パッケージ８０は第１ベース４０の底面側のスルーホールＴＨに、金・ゲルマニューム（Ａｕ１２Ｇｅ）合金の共晶金属ボール７０が配置される。共晶金属ボール７０が配置されたパッケージ８０は、３５０度Ｃ前後の真空リフロー炉内で搬送される。
【００３４】
エッチングによって形成される第１ベース４０のスルーホールＴＨはその断面が円形ではなく六角形などの多角形になっており、球状の共晶金属ボール７０とスルーホールＴＨとの間には隙間が存在する。またスルーホールＴＨはＬ型の第１排気溝部３７とつながり、第１水晶フレーム２０の空隙部ＳＰ及び第１ベース４０の段差部４９と連通する。このため、パッケージ８０が真空リフロー炉内で搬送されると、パッケージ８０内を真空にすることができる。
【００３５】
その後、共晶金属ボール７０が溶け始める。共晶金属ボール７０が溶け始めると共晶金属ボール７０内から多少のガスが発生するが、そのガスも真空リフローにより吸収されるためパッケージ８０内にガスが滞留することがない。共晶金属ボール７０は溶融しても表面張力で球の状態を維持していることが多いため、不図示のプレート冶具を使って共晶金属ボール７０を押しつぶされる。これにより図４（ｂ）に示されるように、共晶金属ボール７０がスルーホールＴＨに入り込む。スルーホールＴＨにスルーホール配線４８が形成されているので、溶けた共晶金属はスルーホール配線４８に沿って流れ出す。つまりスルーホール配線４８が濡れ性を向上させ、共晶金属ボール７０がスルーホールＴＨを封止する。以上のようにして、パッケージ８０内が所定の真空度になり、長期安定性を得られる第１圧電デバイス１００が得られる。
【００３６】
なお、共晶金属ボール７０が配置されたパッケージ８０が真空リフロー炉内で搬送される場合について説明したが、真空リフロー炉の代わりに不活性ガスが満たされたリフロー炉に搬送されるようにしてもよい。スルーホールＴＨと第１排気溝部３７とを介してパッケージ内部に容易に不活性ガスが充満されることも可能である。
【００３７】
＜第２実施形態＞
（第２ベース４０Ａ、第２水晶フレーム２０Ａの構成）
図５（ａ）は第２ベース４０Ａの上面図であり、（ｂ）は第２水晶フレーム２０Ａの上面図である。第１実施形態と第２実施形態とが異なる点は、第２ベース４０Ａに第２排気溝部３７Ａが形成されており、第２水晶フレーム２０Ａには第１排気溝部３７が形成されていない点である。以下、第１実施形態と同じ部材には同じ符号を付し、第１実施形態と異なる点を説明する。
【００３８】
段差部４９は１５０オングストローム〜２０００オングストロームの深さで形成され、段差部４９より深くなるようにＣ型の第２排気溝部３７Ａが形成される。この第２排気溝部３７Ａは水晶のエッチングの異方性のため断面がＶ溝形状に形成される。Ｃ型の第２排気溝部３７Ａの両端は、ベース用凹部４７、つまり空隙につながっている。第１実施形態の第１排気溝部３７と同様にＬ型でもよい。また、第２ベース４０Ａは、ウェットエッチングなどにより段差部４９に第２ベース４０Ａの底面と貫通するスルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴＨと第２排気溝部３７Ａとは一部が重なって形成されている。
【００３９】
この段差部４９の一部でスルーホールＴＨがある位置に第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成される。スルーホールＴＨにはスルーホール配線４８が設けられる。また第２ベース４０Ａの底部には、第１外部電極４５及び第２外部電極４６が形成されている。
【００４０】
図５（ｂ）に示されるように、第２水晶フレーム２０Ａの外枠部２１には、排気溝部が形成されていない。
【００４１】
（共晶金属ボール７０の溶融）
図６は、リッド１０と、第２水晶フレーム２０Ａと、第２ベース４０Ａとを結合した際の第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。図６では第２ベース４０Ａの底面が下側を向いた状態で描かれている。
【００４２】
大気状態で、リッド１０と第２水晶フレーム２０Ａと第２ベース４０Ａとはシロキサン結合されてパッケージ８０が形成されている。図６に示されるように、パッケージ８０の状態で第１引出電極３１と第１接続電極４２との間には、第２排気溝部３７Ａによる隙間が形成されている。そして第２排気溝部３７Ａは、第２ベース４０ＡのスルーホールＴＨに位置している。
【００４３】
エッチングによって形成される第２ベース４０ＡのスルーホールＴＨはその断面が円形ではなく六角形などの多角形になっており、球状の共晶金属ボール７０とスルーホールＴＨとの間には隙間が存在する。またスルーホールＴＨはＣ型の第２排気溝部３７Ａとつながり、ベース用凹部４７から第２水晶フレーム２０Ａの空隙部ＳＰへ連通する。このため、パッケージ８０が真空リフロー炉内で搬送されると、パッケージ８０内を真空にすることができる。
【００４４】
その後、共晶金属ボール７０が溶け始める。共晶金属ボール７０が溶け始めると共晶金属ボール７０内から多少のガスが発生するが、そのガスも真空リフローにより吸収されるためパッケージ８０内にガスが滞留することがない。共晶金属ボール７０は溶融しても表面張力で球の状態を維持していることが多いため、不図示のプレート冶具を使って共晶金属ボール７０を押しつぶされる。これにより図６に示されるように、共晶金属ボール７０がスルーホールＴＨに入り込みスルーホールＴＨを封止する。以上のようにして、パッケージ８０内が所定の真空度になり、長期安定性を得られる第２圧電デバイス１１０が得られる。
【００４５】
＜第３実施形態＞
図７は、第３実施形態としてリッド１０と、第１水晶フレーム２０と、第２ベース４０Ａとを結合した際の第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。第１水晶フレーム２０には第１排気溝部３７が形成され、第２ベース４０Ａには第２排気溝部３７Ａが形成されている。
【００４６】
大気状態で、リッド１０と第１水晶フレーム２０と第２ベース４０Ａとはシロキサン結合されてパッケージ８０が形成されている。図７に示されるように、パッケージ８０の状態で第１引出電極３１と第１接続電極４２との間には、第１排気溝部３７及び第２排気溝部３７Ａによる隙間が形成されている。そして第１排気溝部３７及び第２排気溝部３７Ａは、第２ベース４０ＡのスルーホールＴＨに位置している。
【００４７】
スルーホールＴＨはＬ型の第１排気溝部３７とＣ型の第２排気溝部３７Ａとにつながり、第１水晶フレーム２０の空隙部ＳＰへ連通する。このため、パッケージ８０が真空リフロー炉内で搬送されると、パッケージ８０内を真空にすることができる。なお、第１排気溝部３７と第２排気溝部３７Ａの大きさ及び形状は同じにしてそれぞれがちょうど重なるようにすることが望ましい。スルーホールＴＨと第１水晶フレーム２０の空隙部ＳＰとの連通する溝部が大きくなるからである。
【００４８】
その後、共晶金属ボール７０が溶け始める。共晶金属ボール７０が溶け始めると共晶金属ボール７０内から多少のガスが発生するが、そのガスも真空リフローにより吸収されるためパッケージ８０内にガスが滞留することがない。共晶金属ボール７０が溶けて、共晶金属ボール７０がスルーホールＴＨに入り込みスルーホールＴＨを封止する。以上のようにして、パッケージ８０内が所定の真空度になり、長期安定性を得られる第３圧電デバイス１２０が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。たとえば、リッドに圧電材料を用いたが、ガラス材料を用いることができる。また、音叉型圧電振動片３０を外枠部より薄くすることにより、ベース及びリッドに凹部を設けることなく、平板状のベース及びリッドを用いることができる。
【００５０】
また、第１排気溝部３７がＬ型の形状であり、第２排気溝部３７ＡがＣ型の形状であったが、この形状には特に制限は無い。排気溝部はスルーホールＴＨと空隙部ＳＰとを連通させるものであれば、Ｉ型などでその他形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１圧電デバイス１００をベース４０の底部側からみた斜視図である。
【図２】（ａ）は第１ベース４０の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は第１水晶フレーム２０の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】共晶金属ボール７０の溶融を説明する図であり、第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。
【図５】（ａ）は第１水晶フレーム２０の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】共晶金属ボール７０の溶融を説明する図であり、第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。
【図７】共晶金属ボール７０の溶融を説明する図であり、第１接続電極４２の周辺の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  ……  リッド
４８  ……  スルーホール配線
１７  ……  リッド用凹部
２０  ……  第１水晶フレーム、２０Ａ  ……  第２水晶フレーム
２１  ……  外枠部
２３  ……  基部
２５  ……  支持腕
２６  ……  接続部
２７  ……  溝部
３０  ……  音叉型水晶振動片
３１  ……  第１引出電極，３２  ……  第２引出電極
３３  ……  第１励振電極，３４  ……  第２励振電極
３５  ……  振動腕
３７  ……  第１排気溝部、３７Ａ  ……  第２排気溝部
３８  ……  錘部
４０  ……  第１ベース、４０Ａ  ……  第２ベース
４２  ……  第１接続電極、４４  ……  第２接続電極
４５  ……  第１外部電極、４６  ……  第２外部電極
４７  ……  ベース用凹部
４８  ……  第２溝部
４９  ……  段差部
７０  ……  共晶金属ボール
８０  ……  パッケージ
１００  ……  第１圧電デバイス、
１１０  ……  第２圧電デバイス
１２０  ……  第３圧電デバイス
ＳＰ  ……  空隙部
ＴＨ  ……  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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