(57)【要約】【課題】貫通孔においても、金属膜と基板との良好な密着性を得ることができる金属膜付き基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属膜付き基板の製造方法が、第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板１１を用意することと、絶縁基板１１に絶縁基板１１の第１面から第２面に向かって、内壁がテーパーしている貫通孔１２を形成することと、重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を貫通孔１２の内壁に形成することと、組成物にエネルギーを照射することにより、貫通孔１２の内壁にポリマーを形成することと、ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、貫通孔１２の内壁にめっき膜を形成することと、を含む。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている貫通孔を形成することと、
重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、
前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む、金属膜付き基板の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記貫通孔の内壁にプラズマ処理を施すことを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記ポリマーを形成することは、前記触媒と結合するための官能基を有するポリマーを形成することからなる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記エネルギーはＵＶである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板の前記第１面と前記第２面は平滑であって、前記めっき膜を、前記絶縁基板の前記第１面上と前記絶縁基板の前記第２面上とに形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項６】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている第１の開口を形成することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第２面から前記第１面に向かって、内壁がテーパーしている第２の開口を形成することにより前記第１の開口と前記第２の開口とからなる貫通孔を形成することと、
重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、
前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む、金属膜付き基板の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記貫通孔の内壁にプラズマ処理を施すことを有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記ポリマーを形成することは、前記基板の前記第１面から前記組成物にエネルギーを照射することと、前記基板の前記第２面から前記組成物にエネルギーを照射することと、を含む、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項９】
前記ポリマーを形成することは、前記触媒と結合するための官能基を有するポリマーを形成することを含む、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エネルギーはＵＶである、
ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁基板の前記第１面と前記第２面は平滑であって、前記めっき膜を、前記絶縁基板の前記第１面上と前記絶縁基板の前記第２面上とに形成する、
ことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１２】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている貫通孔を形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにエネルギーを照射することと、
重合性化合物を含む組成物を、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とに形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む、金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１３】
前記エネルギーは、プラズマ処理、又はコロナ処理である、
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１４】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている第１の開口を形成することと、
前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第２面から前記第１面に向かって、内壁がテーパーしている第２の開口を形成することにより前記第１の開口と前記第２の開口とからなる貫通孔を形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにエネルギーを照射することと、
重合性化合物を含む組成物を、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とに形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む、金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１５】
前記エネルギーは、プラズマ処理、又はコロナ処理である、
ことを特徴とする請求項１４に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１６】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有すると共に前記第１面から前記第２面に向かって内壁がテーパーしている貫通孔を有する絶縁基板と、
前記貫通孔の内壁に形成され、めっき膜を析出させるための触媒との結合性を有する官能基を含むポリマーと、
前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、
を有する、金属膜付き基板。
【請求項１７】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有すると共に前記第１面から前記第２面に向かって内壁がテーパーしている第１の開口と前記第２面から前記第１面に向かって内壁がテーパーしている第２の開口とからなる貫通孔を有する絶縁基板と、
前記貫通孔の内壁に形成され、めっき膜を析出させるための触媒との結合性を有する官能基を含むポリマーと、
前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、
を有する、金属膜付き基板。
【請求項１８】
前記めっき膜は、前記ポリマー上に形成されている、
ことを特徴とする請求項１６に記載の金属膜付き基板。
【請求項１９】
前記めっき膜は、前記ポリマー上に形成されている、
ことを特徴とする請求項１７に記載の金属膜付き基板。
【請求項２０】
前記絶縁基板の前記第１面と前記第２面は平滑であって、前記めっき膜は、前記絶縁基板の前記第１面上と前記絶縁基板の前記第２面上とに形成されている、
ことを特徴とする請求項１６又は１８に記載の金属膜付き基板。
【請求項２１】
前記絶縁基板の前記第１面と前記第２面は平滑であって、前記めっき膜は、前記絶縁基板の前記第１面上と前記絶縁基板の前記第２面上とに形成されている、
ことを特徴とする請求項１７又は１９に記載の金属膜付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプリント配線板等に用いられる金属膜付き基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プリント配線板は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等からなる絶縁基板の表面に、例えば銅からなる配線を有する。絶縁基板上に銅からなる配線を形成するために、絶縁基板上にポリマーを形成することが提案されている。そのような技術を開示する公報としては、例えば特許文献１がある。特許文献１に記載の製法は、基板上にカルボキシルグループ（carboxylic group）からなり、第２の金属イオンを吸着するポリマーを形成することと、第２の金属イオンを第２の金属に還元することと、第２の金属上に第１の金属を析出させること、とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１６０５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の製法では、基板はＵＶで照射され、そして、重合反応が進められている。このようにＵＶによりポリマーを形成する場合、基板を貫通する貫通孔の内壁にポリマーを形成することは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明は、貫通孔においても、金属膜と基板との良好な密着性を得ることができる金属膜付き基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている貫通孔を形成することと、重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている第１の開口を形成することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第２面から前記第１面に向かって、内壁がテーパーしている第２の開口を形成することにより前記第１の開口と前記第２の開口とからなる貫通孔を形成することと、重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む。
【０００８】
本発明の第３の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている貫通孔を形成することと、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにエネルギーを照射することと、重合性化合物を含む組成物を、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とに形成することと、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む。
【０００９】
本発明の第４の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板を用意することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第１面から前記第２面に向かって、内壁がテーパーしている第１の開口を形成することと、前記絶縁基板に前記絶縁基板の前記第２面から前記第１面に向かって、内壁がテーパーしている第２の開口を形成することにより第１の開口と前記第２の開口とからなる貫通孔を形成することと、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにエネルギーを照射することと、重合性化合物を含む組成物を、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とに形成することと、前記絶縁基板の前記第１面と前記絶縁基板の前記第２面と前記貫通孔の内壁とにポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む。
【００１０】
なお、「用意すること」には、材料や部品を購入して自ら製造する場合のほかに、完成品を購入して使用する場合なども含まれる。また、エネルギー照射には、電磁波の照射をはじめ、電子線、Ｘ線、プラズマ照射、コロナ放電、イオンビーム等の照射も含まれる。要は、所定の方向性をもって、エネルギーを照射するものであれば足りる。
【００１１】
本発明の第５の観点に係る金属膜付き基板は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有すると共に前記第１面から前記第２面に向かって内壁がテーパーしている貫通孔を有する絶縁基板と、前記貫通孔の内壁に形成され、めっき膜を析出させるための触媒との結合性を有する官能基を含むポリマーと、前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、を有する。
【００１２】
本発明の第６の観点に係る金属膜付き基板は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有すると共に前記第１面から前記第２面に向かって内壁がテーパーしている第１の開口と前記第２面から前記第１面に向かって内壁がテーパーしている第２の開口とからなる貫通孔を有する絶縁基板と、前記貫通孔の内壁に形成され、めっき膜を析出させるための触媒との結合性を有する官能基を含むポリマーと、前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、を有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、貫通孔においても、金属膜と基板との良好な密着性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の実施形態１に係る金属膜付き基板の製造方法に用いられる絶縁基板を示す図である。
【図１Ｂ】絶縁基板にアライメントマークを形成する工程を説明するための図である。
【図１Ｃ】絶縁基板の第１面に第１の開口を形成する工程を説明するための図である。
【図２Ａ】開口の形成に用いるレーザの一例を示す模式図である。
【図２Ｂ】開口の形成に用いるレーザの別の一例を示す模式図である。
【図３Ａ】第１の開口の形態の一例を示す平面図である。
【図３Ｂ】第１の開口の断面形状の一例を示す断面図である。
【図３Ｃ】第１の開口の断面形状の別の一例を示す断面図である。
【図４】絶縁基板の第２面に第２の開口を形成する工程を説明するための図である。
【図５Ａ】第２の開口の形態の一例を示す平面図である。
【図５Ｂ】第２の開口の断面形状の一例を示す断面図である。
【図５Ｃ】第２の開口の断面形状の別の一例を示す断面図である。
【図６】貫通孔の形態の一例を示す断面図である。
【図７】貫通孔の内壁も含め、絶縁基板の表面に、組成物を塗布する工程を説明するための図である。
【図８】組成物にエネルギー照射する工程を説明するための図である。
【図９Ａ】比較例の貫通孔にエネルギーを照射した場合に、エネルギーが照射される部分を示す図である。
【図９Ｂ】本実施形態の貫通孔にエネルギーを照射した場合に、エネルギーが照射される部分を示す図である。
【図１０Ａ】エネルギーを照射した場合に、絶縁基板の表面が活性化する過程を示す図である。
【図１０Ｂ】エネルギーを照射した場合に、絶縁基板と重合性化合物とが結合される過程を示す図である。
【図１１】グラフトポリマーが生成された絶縁基板を示す図である。
【図１２Ａ】グラフトポリマーが形成されるメカニズムの第１の別例を示す図である。
【図１２Ｂ】グラフトポリマーが形成されるメカニズムの第１の別例を示す図である。
【図１３】グラフトポリマーが形成されるメカニズムの第２の別例を示す図である。
【図１４】図１１の一部拡大図である。
【図１５】金属イオンを還元して金属を形成する工程を説明するための図である。
【図１６】貫通孔の内壁も含め、絶縁基板の表面に、無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態２に係る金属膜付き基板の貫通孔の形態の一例を示す断面図である。
【図１８】実施形態１又は２に係る金属膜付き基板を用いて製造される多層プリント配線板の一例を示す断面図である。
【図１９】スルーホール導体を有する基板の一例を示す断面図である。
【図２０Ａ】電解めっき方法の一例を説明するための図である。
【図２０Ｂ】電解めっき方法の一例を説明するための図である。
【図２１】絶縁基板の第１面及び第２面に導体回路を形成する工程を説明するための図である。
【図２２Ａ】コア基板の第１面及び第２面に層間樹脂絶縁層を形成する工程を説明するための図である。
【図２２Ｂ】ビア導体用の開口及びシード層を形成する工程を説明するための図である。
【図２２Ｃ】シード層上に電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。
【図２３Ａ】導体回路及びビア導体を形成するためのパターニングをする工程を説明するための図である。
【図２３Ｂ】開口を有するソルダーレジスト層を形成する工程を説明するための図である。
【図２４】貫通孔の形態の第１の別例を示す断面図である。
【図２５Ａ】貫通孔の形態の第２の別例を示す断面図である。
【図２５Ｂ】貫通孔の形態の第３の別例を示す断面図である。
【図２６Ａ】貫通孔の形態の第４の別例を示す断面図である。
【図２６Ｂ】貫通孔の形態の第５の別例を示す断面図である。
【図２７Ａ】貫通孔の形態の第６の別例を示す平面図である。
【図２７Ｂ】貫通孔の形態の第７の別例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１６】
（実施形態１）
実施形態１に係る金属膜付き基板は、以下の工程を経て製造される。
【００１７】
まず、例えば図１Ａに示すように、絶縁基板１１を用意する。絶縁基板１１は、表裏に、第１面（矢印Ｙ１側の面）と、第１面とは反対側の第２面（矢印Ｙ２側の面）と、を有する。絶縁基板１１は、例えば５０〜６００μｍ程度の厚さのガラスエポキシ樹脂等からなる。
【００１８】
絶縁基板１１の厚さとしては、１００〜４００μｍが好ましい。絶縁基板１１の厚みがこの範囲であると、絶縁基板１１の強度を確保できる。さらに、内壁がテーパーしている貫通孔を形成しやすい。
【００１９】
本実施形態の絶縁基板１１の第１面と第２面は銅箔のマット面を転写した凹凸面を有することなく、平滑であることが好ましい。ただし、第１面と第２面の凹凸が０．２５μｍ（Ｒａ）以下の場合、本実施形態では第１面と第２面は平滑であると称する。ファインな導体回路を形成することができる。また、高速な信号（例えば３ＧＨｚ以上の信号）を伝送することが可能となる。さらに、第１面と第２面の凹凸は、例えば０．０５μｍ〜０．２μｍ（Ｒａ）とすることが好ましい。凹凸の粗さがこの範囲内であれば、絶縁基板１１と絶縁基板１１上のポリマー間の密着強度が高くなる。また、ポリマー（ポリマー層）の厚みを薄くすることができる。
【００２０】
また、絶縁基板１１の表面は、例えばカルボキシアルキル基（−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＨ）等の官能基を有する。絶縁基板１１の官能基は、高分子化合物の相互作用性基（金属イオン等と相互作用する官能基）と、直接又は幹となる高分子化合物を介して、化学的に結合する。なお、絶縁基板１１の材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルイミト樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アラミド樹脂、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、又はポリビニルアセタールなどを使用することができる。
【００２１】
上述した絶縁材料以外に、絶縁基板１１として、心材と樹脂とからなる繊維強化基板（Fiber reinforced substrate）を使用することができる。心材としては、ガラスクロス、ガラス不織布やアラミド不織布を採用することができる。この中で、強度の観点から、ガラスクロスからなるシート状の心材を使用するのが好ましく、心材の厚さは、０．０９〜０．１５ｍｍであるのが好ましい。樹脂としては、熱硬化性のエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。上述した絶縁材料や樹脂の中でポリマー層との密着性の観点などからエポキシが好ましい。
【００２２】
第１面と第２面が平滑な絶縁基板１１は、例えば、半硬化状態の絶縁材料や繊維強化基板を平滑なプレス板で挟み加熱プレスすることで得られる。
【００２３】
本実施形態では、４００μｍ厚みのガラスエポキシ基板を出発材料とする。第１面と第２面の凹凸は、例えば０．１〜０．２μｍ（Ｒａ）である。ＲａはＪＩＳで定義されている粗さパラメーターのことである。
【００２４】
続けて、図１Ｂに示すように、絶縁基板１１にアライメントマーク１０００を形成する。アライメントマーク１０００は絶縁基板１１を貫通する孔が好ましい。また、アライメントマーク１０００が形成される位置は基板の４隅が好ましい。
【００２５】
例えば図１Ｃに示すように、アライメントマーク１０００を基準にして、例えばＣＯ２レーザやＵＶレーザを絶縁基板１１の第１面に照射する。絶縁基板１１に照射するレーザや照射方法は以下に示すレーザや方法が好ましい。
【００２６】
（１）中心部のエネルギーが周辺部のエネルギーより高いレーザを絶縁基板１１に照射する。このようなレーザの模式図を図２Ａ、図２Ｂに示す。図２Ａは、中心から周辺に向かって指数関数的にエネルギーが弱くなっているレーザを示している。図２Ｂは中心から周辺に向かって直線的にエネルギーが弱くなっているレーザを示している。
【００２７】
（２）複数のパルスのレーザを絶縁基板１１に照射して、１つの第１の開口１２ａや１つの第２の開口１２ｂ（図４）や貫通孔１２（図４）を形成してもよい。この場合、最終のパルスのレーザの径は第１のパルスのレーザの径より小さくすることができる。レーザの径を第１のパルスから最終のパルスへ徐々に小さくすることができる。最終のパルスのレーザに中心部のエネルギー密度が周辺部のエネルギー密度より高いレーザを使用することができる。
【００２８】
（１）の方法において、１つの第１の開口１２ａや１つの第２の開口１２ｂや貫通孔１２を形成するためのレーザの照射回数は１回でも複数でもよい。第１の開口１２ａや第２の開口１２ｂの深さや第１の開口１２ａや第２の開口１２ｂや貫通孔１２の形状を制御できるので、レーザの照射回数は複数が好ましい。
【００２９】
上述したレーザや加工方法により、絶縁基板１１に形成される開口の形状はテーパー形状とすることができる。
【００３０】
図１Ｃに示すように、絶縁基板１１の片面（第１面）側に、絶縁基板１１の第１面から第２面に向かって内壁がテーパーしている第１の開口１２ａ（穴）が形成される。第１面から第２面に向かってテーパーしていることは、第１面から第２面に向けて第１の開口１２ａが徐々に細くなっていることを含んでいる。その例を図３Ａ〜図３Ｃに示す。
【００３１】
図３Ａは第１の開口１２ａを絶縁基板１１の第１面側から見た平面図である。図３Ａに示すように、第１の開口１２ａは絶縁基板１１の第１面に第１の開口部１２０ａを有している。第１の開口部１２０ａの径はＲ１である。第１の開口部１２０ａが楕円の場合、Ｒ１は長径である。
【００３２】
図３Ｂ、図３Ｃは第１の開口部１２０ａの重心を通り、絶縁基板１１の第１面と垂直な平面で第１の開口１２ａを切断することで得られる第１の開口１２ａの断面図である。第１の開口１２ａの深さはＤ１である。図３Ｂは、第１の開口１２ａ（穴）の内壁が第１面から第２面に向かって、直線的に縮径している例を示している。図３Ｃは、第１の開口１２ａ（穴）の内壁が指数関数的に第１面から第２面に向かって、縮径している例を示している。
【００３３】
本実施形態では第１の開口１２ａを形成するため、絶縁基板１１の第１面から絶縁基板にＣＯ２レーザを３パルス照射する。第１のパルスの径は１２０μｍ、第２のパルスの径は１００μｍ、第３のパルスの径は８０μｍである。第１パルス、第２パルス、第３パルスのレーザの中心のエネルギーは周辺より強い。レーザの径は、例えばレーザ加工装置のマスクの径を調整することで変えることができる。これにより、絶縁基板１１の第１面側にＲ１が１２０μｍ、Ｄ１が２３０μｍの第１の開口１２ａが形成される。
【００３４】
続けて、例えば図４に示すように、所定の前処理の後、例えばＣＯ２レーザを絶縁基板１１の第２面に照射する。これにより、絶縁基板１１の片面（第２面）側に第２の開口１２ｂ（穴）が形成される。第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとからなる貫通孔１２が絶縁基板１１に形成される。レーザを照射する位置は第１の開口１２ａ（穴）の反対側であり、その位置は、アライメントマーク１０００を基準にして決定されている。第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとは同じアライメントマーク１０００を使用して形成される。このため、第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとからなる貫通孔１２が形成されやすい。
【００３５】
第２の開口１２ｂ（穴）の内壁は、第１の開口１２ａ（穴）と対称的に絶縁基板１１の第２面から第１面に向かってテーパーしている。第２の開口１２ｂは上述した（１）や（２）のレーザや方法により形成することができる。
【００３６】
第２面から第１面に向かってテーパーしていることは、第２面から第１面に向けて第２の開口１２ｂが徐々に細くなっていることを含んでいる。その例を図５Ａ〜図５Ｃに示す。
【００３７】
図５Ａは第２の開口１２ｂを絶縁基板１１の第２面側から見た平面図である。図５Ａに示すように、第２の開口１２ｂは絶縁基板１１の第２面に第２の開口部１２０ｂを有している。第２の開口部１２０ｂの径はＲ２である。第２の開口部１２０ｂが楕円の場合、Ｒ２は長径である。
【００３８】
図５Ｂ、図５Ｃは第２の開口部１２０ｂの重心を通り、絶縁基板１１の第１面と垂直な平面で第２の開口１２ｂを切断することで得られる第２の開口１２ｂの断面図である。第２の開口１２ｂの深さはＤ２である。図５Ｂは、第２の開口１２ｂ（穴）の内壁が第２面から第１面に向かって、直線的に縮径している例を示している。図５Ｃは、第２の開口１２ｂ（穴）の内壁が指数関数的に第２面から第１面に向けて縮径している例を示している。
【００３９】
本実施形態では第２の開口１２ｂを形成するため、絶縁基板１１の第２面から絶縁基板１１にＣＯ２レーザを３パルス照射する。第１のパルスの径は１２０μｍ、第２のパルスの径は１００μｍ、第３のパルスの径は８０μｍである。第１パルス、第２パルス、第３パルスのレーザの中心のエネルギーは周辺より強い。レーザの径は、例えばレーザ加工装置のマスクの径を調整することで変えることができる。これにより、絶縁基板１１の第２面側にＲ２が１２０μｍ、Ｄ２が２３０μｍの第１の開口１２ａが形成される。
【００４０】
これにより、絶縁基板１１は貫通する。そして、第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとが結合され、図６に示すように、厚さＴの絶縁基板１１の中点位置（厚さＴ／２の位置）に、くびれ部１２ｃ（最小径面）を有する砂時計型の貫通孔１２が形成される。貫通孔１２の内壁は、第１面から第２面に向かって、また第２面から第１面に向かって、それぞれ貫通孔１２の内側へ傾斜するテーパー状となる。貫通孔１２の第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとは、くびれ部１２ｃを境に実質的に対称的な形状を有する。くびれ部１２ｃは、第１面及び第２面から等距離にある。なお、貫通孔１２の開口形状（第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂの形状）は、例えば円形である。ただし、その開口形状は任意であり、例えば四角形、六角形、又は八角形等の多角形状であってもよい。
【００４１】
第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂを形成するためのレーザに、例えば、図２Ｂに示すレーザを使用することで、貫通孔１２の形状を図４に示す形状とすることができる。
【００４２】
続けて、デスミア（スミア除去）を行う。その後、必要に応じて、絶縁基板１１の表面（第１面と第２面）、第１の開口１２ａ及び第２の開口１２ｂの壁面にプラズマ処理やコロナ処理等により表面改質を行なってもよい。図７に示す重合開始剤１３ａ及び重合性化合物１３ｂを適当な溶媒に溶解する。そして、重合開始剤１３ａ及び重合性化合物１３ｂを含む組成物１３を、貫通孔１２の内壁を含め、絶縁基板１１の表面に形成する。組成物１３を基板表面に形成するには、例えば、組成物１３を含む溶液に貫通孔１２を有する基板を浸漬することで可能である。組成物１３を基板にスプレーしてもよい。あるいは、組成物１３を基板に塗布してもよい。
【００４３】
重合開始剤１３ａは、例えばラジカル重合開始剤としての２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパンからなる。重合開始剤１３ａは、ＵＶ（紫外線）照射等のエネルギー照射により、重合性化合物１３ｂの重合を開始させる。重合性化合物１３ｂは、例えば末端にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有するアクリル酸のモノマーからなる。重合性化合物１３ｂは、相互作用性基としてのカルボキシル基により、絶縁基板１１と化学結合する。また、組成物１３にエネルギー照射することによって、重合開始剤１３ａの作用に基づき、重合性化合物１３ｂは、グラフトポリマーとなる。重合性化合物１３ｂの種類（成分や濃度等）は、生成すべきグラフトポリマーに応じて任意のものを選ぶことができる。組成物１３の溶媒は、重合開始剤１３ａ及び重合性化合物１３ｂを溶解させる任意の液体からなる。乾燥の容易性等から、沸点が高すぎない溶媒、例えば沸点４０〜１５０℃程度のものが好ましい。
【００４４】
なお、重合開始剤１３ａ及び重合性化合物１３ｂ及び溶媒の種類は任意である。
【００４５】
重合開始剤１３ａは例えばアセトフェノン類、ケトン類、ベンゾインエーテル類、又はベンジルケタール類から選択することができる。アセトフェノン類としては、例えばｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどが有効である。ケトン類としては、例えばベンゾフェノン、４，４’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどが有効である。ベンゾインエーテル類としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどが有効である。ベンジルケタール類としては、ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが有効である。
【００４６】
重合開始剤１３ａは、ラジカル重合開始剤に限定されず、例えばアニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤などを用いることもできる。また、上述した重合開始剤１３ａは、主に光重合開始剤として使用されるが、それ以外に、熱重合開始剤を用いることもできる。熱重合開始剤としては、アゾ系開始剤、過酸化物等が挙げられる。アゾ系開始剤としては、限定されるわけではないが、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（イソブチレート）、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル等が挙げられる。また、過酸化物としては、限定されるわけではないが、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウロイル等が挙げられる。
【００４７】
重合性化合物１３ｂは、例えばイタコン酸、２−ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−モノメチロールアクリルアミド、Ｎ−ジメチロールアクリルアミド、アリルアミン、３−ビニルプロピオン酸、ビニルスルホン酸、２−スルホエチルアクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノアクリレート、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン等のモノマーのいずれか又は組合せであってもよい。
【００４８】
重合性化合物１３ｂは、モノマーに限定されず、例えば分子内に重合性基を有する疎水性ポリマーであってもよい。疎水性ポリマーとしては、例えばポリブタジエン等のジエン系単独重合体、例えばアリルアクリレー卜等のアリル基含有モノマーの単独重合体、例えばジエン系単量体を含むスチレン等の二元又は多元共重合体、例えば不飽和ポリエステルや高密度ポリエチレン等の炭素−炭素二重結合を有する線状高分子又は３次元高分子類などが有効である。
【００４９】
重合性化合物１３ｂの相互作用性基は、カルボキシル基のほか、例えばスルホン酸基、リン酸基、アミノ基、水酸基、アミド基、ホスフィン基、イミダゾール基、ピリジン基、又はエーテル基等の官能基であってもよい。
【００５０】
溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、３−メトキシプロパノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピルアセテートのいずれか又はこれらの組合せなどが有効である。
【００５１】
その後、加熱処理して、溶媒を乾燥除去する。また、必要に応じて、予備硬化の光照射をする。
【００５２】
続けて、例えば図８に示すように、例えばＵＶランプ等により、絶縁基板１１の第１面と第２面との両方向から、絶縁基板１１の両面（第１面及び第２面）に、ＵＶ（紫外線）を照射する。実施形態１では、貫通孔１２の内壁が、第１面及び第２面の両方からそれぞれ他方に向かって貫通孔１２の内側へ傾斜するテーパー状の形状（図４、図６参照）を有している。そのため、ＵＶは貫通孔１２の内壁の全面に照射される。
【００５３】
例えば図９Ａに示すように、絶縁基板５１の各面に直交する内壁を有する貫通孔５２（比較例）では、内壁の面がＵＶ照射の方向と一致している。そのため、内壁の一部、詳しくは絶縁基板５１の各面から離れた部位に、ＵＶが照射され難い。これに対し、本実施形態の貫通孔１２の内壁の面は、図９Ｂに示すように、第１面から第２面にかけて、実質的にＵＶ照射の方向と一致せず、所定の角度を有する。このため、貫通孔１２の内壁の全面に、概ね均一にＵＶが照射される。
【００５４】
なお、エネルギー照射はＵＶ照射に限定されず、例えば電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、又は高密度エネルギービーム（レーザービーム）の照射等、他のエネルギー照射であってもよい。また、光源も任意である。光源は、例えば水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等であってもよい。
【００５５】
組成物１３にエネルギー（ＵＶ）が照射されると、例えば図１０Ａに示すように、ラジカル（活性種）が発生する。そして、活性化した重合開始剤１３ａにより、絶縁基板１１表面の官能基（−ＣＨ２ＣＯＯＨ）の水素が引き抜かれ、絶縁基板１１の表面が活性化する。そして、その活性化した官能基（−ＣＨ・ＣＯＯＨ）が、例えば図１０Ｂに示すように、重合性化合物１３ｂ（アクリル酸）のビニル基（Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−）と反応する。絶縁基板１１と重合性化合物１３ｂとは、カルボキシアルキル基（−ＣＨ２ＣＯＯＨ）とビニル基（Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−）との反応（カップリング反応／重合反応）により、化学的に結合される。これにより、例えば図１１に示すように、貫通孔１２の内壁も含め、絶縁基板１１の表面に、グラフトポリマー１４が生成される。以上に説明した反応により、グラフトポリマー１４が絶縁基板１１の第１面、第２面、及び貫通孔１２の内壁に形成されると考えられる。グラフトポリマー１４は、ポリマーやポリマー層と称されることがある。
【００５６】
また、図１２Ａに示すように、活性化した重合開始剤１３ａによって重合性化合物１３ｂの水素が引き抜かれ、重合性化合物１３ａ同士が重合反応を繰り返すことによりポリマー１７が形成される。その結果、図１２Ｂに示すように、活性化した官能基（−ＣＨ・ＣＯＯＨ）とポリマー１７とが結合することによって、絶縁基板１１の第１面と第２面と貫通孔１２の内壁にグラフトポリマー１４が形成されるメカニズムも考えられる。
【００５７】
なお、カップリング反応においては、（−ＣＯＯＨとアミン）、（−ＣＯＯＨとアジリジン）、（−ＣＯＯＨとイソシアネート）、（−ＣＯＯＨとエポキシ）、（−ＮＨ２とイソシアネート）、（−ＮＨ２とアルデヒド類）、（−ＯＨとアルコール）、（−ＯＨとハロゲン化化合物）、（−ＯＨとアミン）、（−ＯＨと酸無水物）等の組み合わせが有効である。したがって、絶縁基板１１と重合性化合物１３ｂはそれぞれ官能基を有し、絶縁基板１１が有している官能基と重合性化合物１３ｂが有している官能基は上述した組み合わせを満足していることが好ましい。
【００５８】
また、図１３に示すように、デスミア処理後に前述したプラズマ処理やコロナ処理等の表面改質を行なった場合、絶縁基板１１表面にラジカル１１ａが形成されると考えられる。このラジカル１１ａと重合性化合物１３ｂとが反応することで、絶縁基板１１の第１面と絶縁基板１１の第２面と貫通孔１２の内壁とにグラフトポリマー１４を形成することができると考えられる（図１１）。この場合、組成物１３（図７）は重合性化合物１３ｂからなる。組成物１３は重合開始剤１３ａを含まなくてもよい。
【００５９】
続けて、絶縁基板１１の第１面、第２面と貫通孔１２の内壁に無電解めっき膜を析出させるための触媒（無電解めっきが開始するための触媒）を付与する。触媒はグラフトポリマーを介して基板表面の第１面、第２面と貫通孔１２の内壁に付与される。絶縁基板１１の表面に付与することは、触媒として機能する金属イオンを付与することや触媒として機能する金属を有する化合物を付与することを含んでいる。触媒として機能する金属を有する化合物としては、金属塩、錯体、錯イオンやコロイドを挙げることができる。具体的には、例えば貫通孔１２の内壁も含め、絶縁基板１１の表面を、塩化パラジウム溶液（パラジウムイオン濃度：０．１Ｍ）に浸漬して、金属イオン１５ａとしてのパラジウムイオンをグラフトポリマー１４に付与する。
【００６０】
グラフトポリマー１４は、例えば図１４（図１１中の領域Ｍ１の拡大図）に示すように、金属イオン１５ａ（及びその金属塩）との結合性を有する官能基１４ａ（−ＲＣＸ）を含む。すなわち、官能基１４ａは、負電荷の非共有電子対を有するので、正の電荷を有する金属イオン１５ａを吸着することができる。このため、金属イオン１５ａを含む溶液に第１面、第２面と貫通孔１２の内壁にポリマーが形成されている絶縁基板１１を浸漬することにより、グラフトポリマー１４に金属イオン１５ａが吸着する。
【００６１】
錯イオンはイオン性であるので、金属イオン１５ａと同様にポリマーに吸着する。コロイドが電荷を有する場合、コロイドは金属イオン１５ａと同様にポリマーに吸着する。また、金属塩は、官能基１４ａの非共有電子対と配位結合を形成する。錯体は官能基１４ａの非共有電子対と配位結合を形成する。電荷を有しないコロイドは官能基１４ａの非共有電子対と配位結合を形成する。以上に説明したメカニズムにより、触媒もしくは触媒として機能する金属イオン１５ａもしくは触媒として機能する金属を含む化合物がグラフトポリマー１４に吸着すると考えられる。
【００６２】
なお、官能基１４ａ及び金属イオン１５ａの種類は任意である。官能基１４ａとしては、例えばカルボキシル基、スルホニル基、ヒドロキシル基等の親水性基などが有効である。金属イオン１５ａとしては、例えばパラジウム、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、鉄、Ｃｏ、金、Ｃｒ等のイオンなどが有効である。
【００６３】
また、金属イオン１５ａを付与する手法も任意である。例えば金属塩を微粒子状にして、絶縁基板１１の表面に直接付着させることで、グラフトポリマー１４に付与してもよい。また、金属塩を溶媒に溶かしたものを、絶縁基板１１の表面に塗布することで、グラフトポリマー１４に付与してもよい。
【００６４】
また、金属イオン１５ａに代えて、金属塩、錯体、錯イオン、コロイドを吸着させてもよい。
【００６５】
その後、必要に応じて、貫通孔１２の内壁も含め、絶縁基板１１の表面を水洗して、余分な金属イオン１５ａを除去する。続けて、例えば還元剤を含有する溶液に触媒が付いている絶縁基板１１を浸漬する。図１５に示すように、還元剤により金属イオン１５ａは金属に還元され、無電解めっきが開始するための触媒となる。絶縁基板１１の表面に吸着している金属イオン１５ａが金属１５に還元される。そして、絶縁基板１１の表面に、金属微粒子（金属１５）が析出する。
【００６６】
還元剤としては、ヒドラジン、酒石酸、ホウ素化物、アルデヒド類、次亜リン酸、ホスフィン酸及びホスホン酸の中から選ばれる少なくとも１種又はその塩が好ましい。ホウ素化物としてはテトラヒドロホウ酸ナトリウムのようなテトラヒドロホウ酸塩、トリメチルアミンボランやジメチルアミンボランのようなアミンボラン類等が、アルデヒド類としてはホルマリン、アセトアルデヒド等が挙げられる。本実施形態では１Ｍの次亜リン酸を使用している。
【００６７】
なお、還元剤を添加する手法は任意である。例えば絶縁基板１１の表面に直接、所定の濃度の還元剤水溶液を塗布又は滴下してもよい。
【００６８】
続けて、図１６に示すように、貫通孔１２の内壁も含め、絶縁基板１１の表面に、例えば銅からなる無電解めっき膜１６（金属膜）を形成する。具体的には、例えば貫通孔１２の内壁も含め、絶縁基板１１の表面を、所定の時間、所定の温度の無電解めっき浴に浸漬する。このめっきは、触媒としての金属１５が核となって進行する。そのため、絶縁基板１１と無電解めっき膜１６との間に、強固な結合（密着）が形成される。本実施形態では、触媒が付与された絶縁基板１１を上村工業社製の無電解銅めっき液（THRU-CUP）に浸漬し、絶縁基板１１の表面に０．３〜３μｍの無電解銅めっき膜を形成する。なお、無電解めっき浴は、例えばめっきされる金属イオン、還元剤、及び安定剤を含むものとする。ただしこれに限定されず、無電解めっき浴の種類は、任意である。めっきされる金属イオンは、銅のほか、例えばクロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、又は亜鉛等であってもよい。
【００６９】
こうして、金属膜付き基板１０が完成する。
【００７０】
（実施形態２）
図１７は実施形態２の貫通孔１２の断面図を示している。図１７は、第１の開口部１２０ａ（図３Ａ〜図３Ｃ）の重心を通り第１面に垂直な平面で貫通孔１２を切断することで得られる図である。以下に、実施形態２の製造方法を示す。
【００７１】
実施形態１と同様に絶縁基板１１を準備する。その後、絶縁基板１１の第１面から基板に炭酸ガスレーザを３パルス照射する。実施形態２では、実施形態１に比べ１パルス当たりのレーザのエネルギーを弱くしている。第１パルス、第２パルス、第３パルスのレーザの中心のエネルギーは周辺より強い。第１のパルスの径は１２０μｍ、第２のパルスの径は１００μｍ、第３のパルスの径は８０μｍである。これにより、図３Ａ〜図３Ｃに示すＲ１が１２０μｍ、Ｄ１が１７０μｍの第１の開口１２ａが形成される。レーザのエネルギーやパルス数を調整することで、Ｄ１を調整することができる。
【００７２】
その後、第２面から基板にレーザを３パルス照射する。照射する位置は第１の開口１２ａの反対側である。実施形態２では、第２の開口１２ｂを形成するための１パルス当たりのレーザのエネルギーが第１の開口１２ａを形成するための１パルス当たりのレーザのエネルギーより大きい。また、第１のパルスの径は１００μｍ、第２のパルスの径は９０μｍ、第３のパルスの径は８０μｍである。第１パルス、第２パルス、第３パルスのレーザの中心のエネルギーは周辺より強い。レーザの径は、例えばレーザ加工装置のマスクの径を調整することで変えることができる。これにより、絶縁基板１１の第２面側に、図５Ａ〜図５Ｃに示すＲ２が１００μｍ、Ｄ２が３００μｍの第２の開口１２ｂが形成される。
【００７３】
第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとからなる貫通孔１２が基板に形成される（図１７参照）。実施形態２では、Ｒ１がＲ２より大きく、Ｄ１がＤ２より小さい。第１の開口部１２０ａ（図３Ａ〜図３Ｃ）の重心を通り第１面に垂直な直線と第２の開口部１２０ｂ（図５Ａ〜図５Ｃ）の重心を通り第１面に垂直な直線とが一致しなくても、第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとからなる貫通孔１２が形成されやすい。第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂが接続する部分は絶縁基板１１の第１面と基板の中央（厚さＴの１／２）の間に位置している。絶縁基板１１の繰り返しの反りに対しスルーホール導体が破壊され難くなる。
【００７４】
（金属膜付基板の応用例）
図１８に、金属膜付き基板１０を用いて製造される多層プリント配線板２００を示す。多層プリント配線板２００は、両面板１００上にビルドアップ層を有するビルドアッププリント配線板である。
【００７５】
多層プリント配線板２００は、貫通孔１２を有する絶縁基板１１と絶縁基板１１の第１面に形成された導体回路１０１と、絶縁基板１１の第２面（第１面とは反対側の面）に形成された導体回路１０２と、導体回路１０１と１０２とを接続し貫通孔１２を充填しているスルーホール導体１００ａと、からなる両面板１００（コア基板）と；両面板１００に積層された層間樹脂絶縁層２０１、２０２と；層間樹脂絶縁層２０１、２０２の表面に形成された導体回路２０３、２０４と；導体回路１０１、１０２（コア基板の導体回路）と層間樹脂絶縁層２０１、２０２上の導体回路２０３、２０４とを接続するビア導体２０３ａ、２０４ａと；はんだパッド（導体回路２０３、２０４の一部）を露出する開口２０５ａ、２０６ａを有するソルダーレジスト層２０５、２０６と；はんだパッド上に形成されているはんだバンプ２０７、２０８と；を有する。
【００７６】
多層プリント配線板２００の製造方法を以下に示す。
【００７７】
まず、図１９に示す基板を製造する。この図１９に示す基板は、例えば金属膜付き基板１０（図１６）から製造される。貫通孔１２に電解めっき膜が充填され、スルーホール導体１００ａが形成される。電解めっき膜は、例えば無電解めっき膜１６をシード層に利用することによりその無電解めっき膜１６上に形成する。電解めっきとしては、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解半田めっきなどである。それらの中で、電解銅めっきが好ましい。
【００７８】
また、絶縁基板１１の第１面上と絶縁基板１１の第２面上とにポリマー層を介して無電解めっき膜１６と無電解めっき膜１６上の電解めっき膜が形成される。同様に、貫通孔１２の内壁上にポリマー層を介して無電解めっき膜１６と無電解めっき膜１６上の電解めっき膜とが形成される。
【００７９】
以下に、本応用例に使用できる電解めっき方法の一例を示す。この例では、金属膜付き基板１０（図１６）を市販の電解銅めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成する。これにより、絶縁基板１１の第１面と第２面に導体層が形成される。また、貫通孔１２が電解銅めっき膜で充填される。
【００８０】
金属膜付き基板１０（図１６）を市販の電解めっき液１００ｂに浸漬する。電解めっき液１００ｂとしては、市販の電解銅めっき液を使用することができる。その後、図２０Ａに示すように、絶縁基板１１の第１面に絶縁体２０００を押し当てる。また、絶縁基板１１の第２面には絶縁体３０００を押し当てる。絶縁体２０００、３０００としては、スポンジやハケなどを利用することができる。
【００８１】
続けて、図２０Ｂに示すように、絶縁基板１１と絶縁体２０００、３０００との少なくとも一方を移動させる。つまり、絶縁基板１１と絶縁体２０００、３０００とは相対的に移動する。その時、無電解めっき膜をシードとして、無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する。絶縁基板１１の第１面と第２面に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなる導体層が形成される。貫通孔１２の内壁上に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜が形成される。貫通孔１２は電解めっき膜で充填される。そして、スルーホール導体１００ａが形成される（図１９参照）。本応用例では、無電解めっき膜は無電解銅めっき膜であり、電解めっき膜は電解銅めっき膜である。この方法によれば、絶縁体２０００、３０００を使わない電解めっきに比べ、絶縁基板１１の第１面上と絶縁基板１１の第２面上とに形成される導体層の厚みが薄くなる。また、絶縁体２０００、３０００をポリマーに押し当てながら電解めっき膜を形成するため、ポリマーと導体層の密着が強くなりやすい。このため、平滑な絶縁基板１１と導体層間の密着力が高くなりやすい。また、ポリマー層は絶縁基板１１より弾性率が低いので、絶縁体２０００、３０００が絶縁基板１１の表面に追従しやすくなる。その結果、絶縁基板１１の第１面と第２面に形成されている導体層の厚みが均一になりやすい。
【００８２】
スルーホール導体１００ａ両面の導体層上と絶縁基板１１両面の導体層上とに市販のエッチングレジスト層を形成する。その後、絶縁基板１１上にパターンを有するエッチングレジストを形成する。続いて、エッチングレジストから露出する導体層をエッチングで除去する。図２１に示すように、絶縁基板１１の第１面上に導体回路１０１が形成され、絶縁基板１１の第２面上に導体回路１０２が形成される。導体回路１０１と導体回路１０２とはスルーホール導体１００ａにより接続される。これにより、両面板１００が完成する。導体回路１０１、１０２は周知のセミアディティブ法で形成することもできる。
【００８３】
両面板１００をコア基板として用い、図２２Ａに示すように、その両面板１００の両方の面上に層間樹脂絶縁層２０１、２０２を形成する。両面板１００上に絶縁フィルム（例えば味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦシリーズ）を積層し、その後、その絶縁フィルムを熱硬化することで層間樹脂絶縁層２０１、２０２は形成される。
【００８４】
次に、図２２Ｂに示すように、形成した層間樹脂絶縁層２０１、２０２にレーザを照射し、それぞれ、両面板１００上の導体回路１０１、１０２又はスルーホール導体１００ａに至るビア導体用の開口２０１ａ、２０２ａを形成する。開口２０１ａ、２０２ａの内壁と層間樹脂絶縁層２０１、２０２上に無電解めっき膜２１１、２１２を形成する。無電解めっきとしては、無電解銅めっきや無電解ニッケルめっきを使用することができる。このうち、特に無電解銅めっきが好ましい。無電解めっきの代わりにスパッタ膜も使用することができる。応用例では無電解銅めっき膜が形成されている。無電解めっき膜やスパッタ膜はシード層として機能する。
【００８５】
続いて、無電解めっき膜２１１、２１２上にめっきレジスト２１３、２１４を形成する。現像後、図２２Ｃに示すように、めっきレジスト２１３、２１４により露出している無電解めっき膜２１１、２１２上に電解めっき膜２１５、２１６を形成する。電解めっきには電解銅めっきや電解ニッケルめっきを使用することができる。電解銅めっき膜が好ましい。応用例では電解銅めっき膜が形成されている。
【００８６】
めっきレジスト２１３、２１４を除去する。続いて、電解めっき膜２１５、２１６から露出する無電解めっき膜２１１、２１２を除去する。これにより、図２３Ａに示すように、無電解めっき膜２１１、２１２及び電解めっき膜２１５、２１６からなる導体回路２０３、２０４と、ビア導体２０３ａ、２０４ａと、が形成される。
【００８７】
シード層としてスパッタ膜を使用する場合、スパッタ膜とスパッタ膜上の電解めっき膜とからなる導体回路２０３、２０４とビア導体２０３ａ、２０４ａが形成される。ビア導体２０３ａ、２０４ａは、層間樹脂絶縁層２０１、２０２に形成されている開口２０１ａ、２０２ａの内部をめっきで充填しているフィルドビアが好ましい。ビア導体２０３ａ、２０４ａにより、両面板１００の導体回路１０１、１０２、例えばスルーホール導体１００ａ両面の導体回路１０１、１０２等と層間樹脂絶縁層２０１、２０２上の導体回路２０３、２０４とが接続される。
【００８８】
次に、層間樹脂絶縁層２０１、２０２の形成からパターニング工程までの工程を積層する層の数だけ繰り返し、多層基板を形成する。
【００８９】
続いて、基板の両主面に液状又はドライフィルム状の感光性レジスト（ソルダーレジスト）を塗布又はラミネートする。なお、熱硬化型のソルダーレジストを用いてもよい。そして、所定のパターンが形成されたマスクフィルムを感光性レジストの表面に密着させ、紫外線で露光し、アルカリ水溶液で現像する。その結果、図２３Ｂに示すように、導体回路２０３、２０４のはんだパッドとなる部分を露出させるための開口２０５ａ、２０６ａを有するソルダーレジスト層２０５、２０６が形成される。なお、ソルダーレジスト層２０５、２０６が有する開口２０５ａ、２０６ａは、ビア導体２０３ａ、２０４ａ上の導体回路２０３、２０４の、一部を露出する開口であっても、全部を露出する開口であってもよい。また、ビア導体２０３ａ、２０４ａ上の導体回路２０３、２０４ではなく、ビア導体２０３ａ、２０４ａ上から引き出された導体回路２０３、２０４の一部を露出する開口でもよい。
【００９０】
続いて、はんだパッド上に、はんだペーストを印刷し、リフローを行って、はんだバンプ２０７、２０８を形成する。このようにして形成された多層プリント配線板２００（図１８）は、はんだバンプ２０７、２０８を介して、ＩＣチップ等の電子部品あるいはドータボード等と電気的に接続する。
【００９１】
先の図９Ｂに示したように、本実施形態の製造方法によれば、エネルギー（例えばＵＶ）が、貫通孔１２の内壁の全面にほぼ均一に照射される。このため、貫通孔１２においても、無電解めっき膜１６と絶縁基板１１との良好な密着性を得ることができる。絶縁基板１１に照射するエネルギーの方向は基板の第１面や第２面に対し垂直に照射してもよいし、斜めから照射してもよい。
【００９２】
しかも、本実施形態の製造方法では、グラフトポリマー１４に付与しためっき触媒（金属１５）を無電解めっきの核として、無電解めっき膜１６を形成する。このため、平坦な絶縁基板１１においても、絶縁基板１１と金属膜（無電解めっき膜１６）との高い密着性が得られる。
【００９３】
以上、本発明の実施形態に係る金属膜付き基板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００９４】
上記実施形態１では、貫通孔１２の第１の開口１２ａと第２の開口１２ｂとが、くびれ部１２ｃを境に対称的な形状を有する。しかしこれに限定されず、例えば図２４に示すように、くびれ部１２ｃを境に非対称の形状を有する貫通孔１２であってもよい。
【００９５】
また、例えば図２５Ａ又は図２５Ｂに示すように、第１面（矢印Ｙ１側の面）から第２面（矢印Ｙ２側の面）に向かって内壁がテーパーしている形状の貫通孔１２であってもよい。第１面から第２面に向かってテーパーしていることは、第１面から第２面に向けて貫通孔１２が徐々に細くなっていることを含んでいる。図２５Ａでは内壁がほぼ直線に変化している。図２５Ｂは絶縁基板１１の第１面から第２面に向かって貫通孔１２が徐々に細くなっている例である。この場合は、矢印Ｙ１（絶縁基板１１の第１面）側から絶縁基板１１にレーザを照射することで、貫通孔１２が図２５Ａや図２５Ｂに示す形状となる。絶縁基板１１の第２面側から絶縁基板１１にレーザを照射しない。また、ＵＶなどのエネルギーを矢印Ｙ１（絶縁基板の第１面）側から貫通孔１２の内壁に照射することで、エネルギーが、貫通孔１２の内壁の全面にほぼ均一に照射される。
【００９６】
また、例えば図２６Ａ又は図２６Ｂは、第２面から第１面に向かって貫通孔１２の内壁がテーパーしている例である。第２面から第１面に向かってテーパーしていることは、第１面から第２面に向けて貫通孔１２が徐々に細くなっていることを含んでいる。図２６Ａでは内壁がほぼ直線に変化している。図２６Ｂは絶縁基板１１の第２面から第１面に向かって貫通孔１２が徐々に細くなっている例を示している。この場合は、矢印Ｙ２（絶縁基板１１の第２面）側から絶縁基板１１にレーザを照射することで、貫通孔１２が図２６Ａや図２６Ｂに示す形状となる。また、ＵＶなどのエネルギーを矢印Ｙ２（絶縁基板の第２面）側から貫通孔１２の内壁にエネルギーを照射することで、エネルギーが、貫通孔１２の内壁の全面にほぼ均一に照射される。
【００９７】
図２５Ａ、図２５Ｂ、図２６Ａ、又は図２６Ｂに示す貫通孔１２は、絶縁基板１１の一方の面にレーザを照射することで形成できる。これらの貫通孔１２を形成することは、図４等の貫通孔１２を形成するより容易である。
【００９８】
貫通孔１２（図４）の開口形状は、くびれ部１２ｃに向かって、例えば図２７Ａに示すように、より小径の相似形状に変化しても、あるいは図２７Ｂに示すように、より小径の異なる形状に変化してもよい。
【００９９】
上記実施形態において、各層の材質、サイズ、層数等は、任意に変更可能である。
【０１００】
上記実施形態の工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。例えば、触媒が付与されている基板を電解銅めっき液などの電解めっき液に浸漬し、触媒をシードとして、ポリマー層に電解銅めっき膜などの電解めっき膜を形成してもよい。この場合、基板の第１面と第２面に形成される導体回路やスルーホール導体が電解めっき膜からなる。
【０１０１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明の実施の形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【０１０２】
１０  金属膜付き基板
１１  絶縁基板
１２  貫通孔
１２ａ  第１の開口
１２ｂ  第２の開口
１２ｃ  くびれ部（最小径面）
１３  組成物
１３ａ  重合開始剤
１３ｂ  重合性化合物
１４  グラフトポリマー
１４ａ  官能基
１５  金属
１５ａ  金属イオン
１６  無電解めっき膜
１００  両面板
１００ａ  スルーホール導体
１０１、１０２  導体回路
１２０ａ  第１の開口部
１２０ｂ  第２の開口部
２００  多層プリント配線板
２０１、２０２  層間樹脂絶縁層
２０１ａ、２０２ａ  開口
２０３、２０４  導体回路
２０３ａ、２０４ａ  ビア導体
２０５、２０６  ソルダーレジスト層
２０５ａ、２０６ａ  開口
２０７、２０８  はんだバンプ
１０００  アライメントマーク
２０００、３０００  絶縁体
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2010245528.tif 000013
【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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