(57)【要約】【課題】本発明は、高い感度及び優れる安定性を有する気体検出装置、気体検出システム及び気体検出装置の製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る気体検出装置は、互いに対面する第一表面及び第二表面を有する石英板と、前記石英板の第一表面に形成されている第一電極と、前記石英板の第二表面に形成されている第二電極と、前記第一電極の表面に形成されている第一活性層と、前記第一活性層の表面に形成されている吸着層と、を備え、酸化銅からなる前記第一活性層は、前記吸着層を活性化し、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる前記吸着層は、検出しようとする気体を吸着することにより、前記気体検出装置の質量を変化させて、前記検出しようとする気体の濃度を取得する。本発明は、前記気体検出装置を備える気体検出システム及び前記気体検出装置の製造方法も提供する。【選択図】図２
2010256353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対面する第一表面及び第二表面を有する石英板と、
前記石英板の第一表面に形成されている第一電極と、
前記石英板の第二表面に形成されている第二電極と、
前記第一電極の表面に形成されている第一活性層と、
前記第一活性層の表面に形成されている吸着層と、
を備えてなる気体検出装置であって、
酸化銅からなる前記第一活性層は、前記吸着層を活性化し、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる前記吸着層は、検出しようとする気体を吸着することにより、前記気体検出装置の質量を変化させて、前記検出しようとする気体の濃度を取得することを特徴とする気体検出装置。
【請求項２】
前記第二電極の表面にも吸着層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の気体検出装置。
【請求項３】
前記吸着層の表面には、前記吸着層の吸着能力を向上させる第二活性層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の気体検出装置。
【請求項４】
前記第二活性層は、酸化銅からなることを特徴とする請求項３に記載の気体検出装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれの一項に記載の気体検出装置と、
前記気体検出装置が収容されており、導入された検出しようとする気体が前記気体検出装置に吸着される検出室と、
前記気体検出装置の第一電極と第二電極に接続されて、前記気体検出装置の振動周波数を検出する周波数検出装置と、
を備え、
前記気体検出装置の振動周波数の変化に基づいて前記検出しようとする気体の濃度を取得することを特徴とする気体検出システム。
【請求項６】
前記検出室の内部には、液体を加熱して前記検出しようとする気体を生じさせる加熱板が設置されることを特徴とする請求項５に記載の気体検出システム。
【請求項７】
前記検出室の外壁上には、前記検出しようとする気体の凝縮を抑制する保温層が設けられることを特徴とする請求項５に記載の気体検出システム。
【請求項８】
前記気体検出システムは、前記周波数検出装置に接続されて、前記気体検出装置の振動周波数の変化に基づいて前記検出しようとする気体の濃度を計算するプロセッサーをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の気体検出システム。
【請求項９】
互いに対面する第一表面及び第二表面を有する石英板を準備するステップと、
前記石英板の第一表面に第一電極を形成し、前記石英板の第二表面に第二電極を形成するステップと、
前記第一電極の表面に酸化銅からなる第一活性層を形成するステップと、
前記第一活性層の表面に二酸化イリジウムナノロッド薄膜を形成するステップと、
前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の中の一部分の二酸化イリジウムを高温還元して、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる吸着層を形成するするステップと、
を備えることを特徴とする気体検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の中の一部分の二酸化イリジウムを高温還元する前に、前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の表面に第二活性層を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の気体検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気体検出装置、気体検出システム及び気体検出装置の製作方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
重工業、紡織工業、プラスチック化学工業などの産業の発展に伴い、人々の生活水準が高まる一方、人々の身体健康を害する気体も生じる。ホルムアルデヒド、一酸化炭素などは、においも味もない気体であるため、人々の身体は知らず知らずのうちに被害を受け、環境も汚染されている。従って有害気体を検出するための検出装置が提案された（非特許文献１を参照）。
【０００３】
しかし、従来の気体検出システムは、感度が低く、安定性が悪いため、有害気体を検出する場合、誤差を招く。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｚｈｅｎｇ  Ｚｈａｎｇ、Ｈａｎｈｏｎｇ  Ｃｈｅｎ、Ｊｉａｎ  Ｚｈｏｎｇ、Ｙｉｎｇ  Ｃｈｅｎ、Ｙｉｃｈｅｎｇ  Ｌｕ、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ａｎｄ  Ｅｘｐｏｓｉｔｉｏｎ，２００６  ＩＥＥＥ”、Ｚｎｏ  Ｎａｎｏｔｉｐ-ｂａｓｅｄ  ＱＣＭ  Ｂｉｏｓｅｎｓｏｒｓ、２０００年６月、５４５−５４９ページ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前記問題点を解決し、高い感度及び優れた安定性を有する気体検出装置、気体検出システム及び気体検出装置の製作方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る気体検出装置は、互いに対面する第一表面及び第二表面を有する石英板と、前記石英板の第一表面に形成されている第一電極と、前記石英板の第二表面に形成されている第二電極と、前記第一電極の表面に形成されている第一活性層と、前記第一活性層の表面に形成されている吸着層と、を備え、酸化銅からなる前記第一活性層は、前記吸着層を活性化し、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる前記吸着層は、検出しようとする気体を吸着することにより、前記気体検出装置の質量を変化させて、前記検出しようとする気体の濃度を取得する。
【０００７】
本発明に係る気体検出システムは、上記記載の気体検出装置と、前記気体検出装置が収容されており、導入された検出しようとする気体が前記気体検出装置に吸着される検出室と、前記気体検出装置の第一電極と第二電極に接続されて、前記気体検出装置の振動周波数を検出する周波数検出装置と、を備え、前記気体検出装置の振動周波数の変化に基づいて前記検出しようとする気体の濃度を取得する。
【０００８】
本発明に係る気体検出装置の製作方法は、互いに対面する第一表面及び第二表面を有する石英板を準備するステップと、前記石英板の第一表面に第一電極を形成し、前記石英板の第二表面に第二電極を形成するステップと、前記第一電極の表面に酸化銅からなる第一活性層を形成するステップと、前記第一活性層の表面に二酸化イリジウムナノロッド薄膜を形成するステップと、前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の中の一部分の二酸化イリジウムを高温還元して、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる吸着層を形成するするステップと、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る気体検出システム及び気体検出装置は、石英結晶体の逆圧電効果を利用したものであり、石英板の表面に酸化銅からなる吸着層及びイリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる第一活性層が形成されている。前記第一活性層は、前記吸着層を活性化し、前記吸着層が気体を吸着することによって、前記気体検出装置の質量が変化する。前記気体検出装置の質量は、前記気体検出装置の振動周波数に変換される。、周波数検出装置によって測定された前記気体検出装置の周波数の変化に基づく計算処理により、検出しようとする気体の濃度を取得する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第一実施形態に係る気体検出装置の構造を示す図である。
【図２】図１に示す気体検出装置のＩＩ―ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１に示す気体検出装置のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る気体検出装置の電子顕微鏡写真の断面図である。
【図５】本発明の第二実施形態に係る気体検出装置の構造を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る気体検出システムの構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
図１及び図２を参照すると、本発明の第一実施形態に係る気体検出装置１００は、石英板１１０と、第一電極１２１と、第二電極１２２と、第一活性層１３０と、吸着層１４０と、第二活性層１５０と、を備える。
【００１３】
前記石英板１１０は、石英結晶体から製造され、被めっき基板として、その上に前記第一電極１２１、前記第二電極１２２、前記第一活性層１３０、前記吸着層１４０及び前記第二活性層１５０が形成される。前記石英板１１０は、直方体状または円柱状であることができる。本実施形態において、前記石英板１１０は、円柱状であり、互いに対面する第一表面１１１及び第二表面１１２を有する。前記第一表面１１１及び前記第二表面１１２は、ともに円形平面である。前記石英板１１０は、逆圧電効果を発揮し、即ち前記石英板１１０に電界を与えると、結晶体のある方向で応力が発生し、もし電界が交流電界である場合、結晶体内で機械振動を引き起こし、且つ生じる機械振動の周波数は印加する交流電界の周波数と等しい。そのため、圧電石英結晶体に所定周波数の交流電界を印加すると、石英結晶体の初期振動周波数を取得することができる。又、石英圧電結晶体の質量が変化する時、即ち石英圧電結晶体の表面に他の物体を吸着するか他の物体と強く結合する時、石英結晶体の振動周波数が変化し、その周波数の変化と前記石英結晶体の表面に吸着されている物体の質量は、以下の関係式（Ｓａｕｅｒｂｅｒｙ，１９５９）を満足する。
【００１４】
【数１】
2010256353.tif 000003
【００１５】
前記関係式において、Δｆは、前記質量Δｍ（ｇ）に対応する振動周波数変化値であって、ｆ０は基準周波数であって、ＡＱＣＭは電極の表面積（ｃｍ２）である。
【００１６】
前記第一電極１２１及び前記第二電極１２２によって、前記気体検出装置１００を外部の周波数検出装置に接続して、前記気体検出装置１００の周波数を検出する。前記第一電極１２１は、第一電極本体１２１１及び第一延伸部１２１２を備える。前記第一電極本体１２１１は、前記石英板１１０の第一表面１１１に形成されて前記第一表面１１１の中心を覆う。前記第一延伸部１２１２は、前記第一電極本体１２１１と一体成型されており、且つ前記第一表面１１１の辺縁まで延在するため、前記第一電極本体１２１１を他の回路に接続し易い。前記第二電極１２２は、第二電極本体１２２１及び第二延伸部１２２２を備える。前記第二電極本体１２２１は、前記石英板１１０の第二表面１１２に形成されて前記第二表面１１２の中心を覆うとともに、前記第一電極本体１２１１に対向して設置される。前記第二延伸部１２２２は、前記第二電極本体１２２１と一体成型されており、且つ前記第二表面１１２の辺縁まで延在するため、前記第二電極本体１２２１を他の回路に接続し易い。前記第一電極本体１２１１及び前記第二電極本体１２２１は、ともに円形であり、その直径は前記石英板１１０の大きさによって決定される。本実施形態において、前記第一電極本体１２１１及び前記第二電極本体１２２１の直径は０．３８ｃｍであり、前記第一電極本体１２１１及び前記第二電極本体１２２１の厚さは０．０５μｍ〜１μｍであり、０．１μｍ〜０．３μｍであることが好ましい。前記第一電極１２１及び前記第二電極１２２は、ともに金から製作されるが、銀またはプラチナなどのような金属から製造されてもよい。前記第一電極１２１及び前記第二電極１２２は、スパッタリング法によって前記石英板１１０の第一表面１１１及び第二表面１１２に形成できる。
【００１７】
前記第一活性層１３０は、酸化銅からなり、前記第一電極１２１の表面全体に形成されて、後で形成される吸着層１４０を活性化することに用いられる。前記第一活性層１３０の厚さは、１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００１８】
図４を参照すると、前記吸着層１４０は、前記第一活性層１３０の上に形成されて、検出しようとする気体を吸着することに用いられる。前記吸着層１４０は、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッド（Ｉｒ−ＩｒＯ２  ｎａｎｏｒｏｄｓ）からなる。前記吸着層１４０の厚さは、１００ｎｍ〜２μｍであって、４００ｎｍ〜６００ｎｍであることが好ましい。前記吸着層１４０は、金属有機化学気相蒸着法によって二酸化イリジウムナノロッド層を形成してから、前記二酸化イリジウムを高温還元して、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッド層を形成することで設けられる。前記吸着層１４０は、多孔質構造を有し、前記イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドが酸性気体を吸着すると、Ｉｒ−ＯＨを有する活性表面を形成し、前記イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドがアミン類気体を吸着すると、Ｉｒ−ＮＨを有する活性表面を形成するため、前記吸着層１４０は、酸性気体及びアミン類気体に対して吸着特性を有する。酸性気体またはアミン類気体が前記吸着層１４０を通過する時に前記吸着層１４０に吸収される。
【００１９】
前記第二活性層１５０は、酸化銅からなり、厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍであり、前記吸着層１４０の上に形成されて、前記吸着層１４０を活性化することに用いられ、気体を検出する時、前記吸着層１４０と一緒に検出気体を吸着する。
【００２０】
前記第一活性層１３０及び前記第二活性層１５０は、ともに前記吸着層１４０に隣り合い、前記第一活性層１３０及び前記第二活性層１５０の酸化銅の中の銅は、前記吸着層１４０の二酸化イリジウムと反応し易く、銅は二酸化イリジウムの酸素と結合して、二酸化イリジウムに結晶格子の欠陥を生じさせ、前記吸着層１４０の気体吸着能力を高めることにより、前記気体検出装置１００の感度も向上する。
【００２１】
図５を参照すると、本発明の第二実施形態に係る気体検出装置２００において、第一電極２２１の表面に第一活性層２３１が形成され、前記第一活性層２３１の上に第一吸着層２４１が形成され、前記第一吸着層２４１の上に第二活性層２５１が形成され、第二電極２２２の表面にも第三活性層２３２が形成されており、前記第三活性層２３２の表面に第二吸着層２４２が形成され、前記第二吸着層２４２の表面に第四活性層２５２が形成される。
【００２２】
前記第二実施形態において、前記第一電極２２１及び前記第二電極２２２の表面には、ともに吸着層が形成されているため、前記気体検出装置２００が気体を検出する時の信号強度を高めることができ、前記気体検出装置２００は、高い感度を有する。
【００２３】
本発明の実施形態に係る気体検出装置の製造方法は、前記第一実施形態に係る気体検出装置１００を製造することを例として説明する。前記気体検出装置１００を製造する方法は、以下のステップを備える。
【００２４】
第一ステップ：互いに対面する第一表面１１１及び第二表面１１２を備える石英板１００を準備する。
【００２５】
第二ステップ：前記石英板１１０の第一表面１１１に第一電極１２１を形成し、前記石英板１１０の第二表面１１２に第二電極１２２を形成する。具体的に説明すると、先ず前記石英板１１０の第一表面１１１における第一電極１２１を形成しない領域及び前記石英板１１０の第二表面１１２における第二電極１２２を形成しない領域を遮蔽膜で遮る。次に、スパッタリング法によって、前記石英板１１０の第一表面１１１及び第二表面１１２の遮られなかった領域に別々に第一電極１２１及び第二電極１２２を形成する。
【００２６】
第三ステップ：前記第一電極１２１の表面に第一活性層１３０を形成する。具体的に説明すると、先ず遮蔽膜で前記第二電極１２２の表面全体を遮って、前記第一活性層１３０を製作する時、酸化銅が前記第二電極１２２の表面に形成されることを防止する。次に、前記石英板１１０を化学気相蒸着反応キャビティ内の黄銅基板上に配置して、前記第二電極１２２の遮蔽膜を前記黄銅基板に接触させ、前記第一電極１２１を反応キャビティにおいて暴露する。最後に、前記黄銅基板の温度を３５０度に高め、前記反応キャビティに酸素のような反応気体を導入する。このとき、導入される酸素の体積流量は８０ｍｌ〜１００ｍｌ/分であり、前記キャビティ内の真空度は１Ｐａより小さく、反応時間は１０分間である。前記条件で、酸素と黄銅が反応して生じる酸化銅蒸気が前記第一電極１２１の表面に拡散して、前記第一活性層１３０を形成する。
【００２７】
第四ステップ：前記第一活性層１３０の表面に二酸化イリジウムナノロッド薄膜を形成する。金属有機化学気相蒸着法によって二酸化イリジウムナノロッド薄膜を形成する。前記反応キャビティに酸素のような反応気体を続いて導入する。導入される酸素の体積流量は１００ｍｌ/分であり、前記反応キャビティ内の温度を３５０度に保持する。前記反応キャビティ内に前駆体であるイリジウム気体を導入する。前記前駆体の揮発温度は８０℃〜１２０℃である。前記反応キャビティ内で揮発する前駆体の蒸気及び酸素が還元層の表面で反応して、前記第一活性層１３０の表面に二酸化イリジウムナノロッド薄膜を形成する。反応過程で前記反応キャビティ内の真空度は７．１Ｔｏｒｒ〜７．３Ｔｏｒｒである。本実施形態において、二酸化イリジウムナノロッド薄膜の蒸着時間は１時間である。
【００２８】
第五ステップ：前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の表面に第二活性層１５０を形成する。前記反応キャビティ内に前駆体気体を導入することを停止し、続いて酸素を導入する。１０分間も持続して、前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の表面に酸化銅からなる第二活性層１５０を形成する。
【００２９】
第六ステップ：前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の中の一部分の二酸化イリジウムを高温還元して、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる吸着層１４０を形成する。具体的に説明すると、反応気体である酸素の導入を停止し、前記反応キャビティ内の温度が５００℃〜６００℃であり、前記反応キャビティ内の真空度が５×１０−３Ｐａである条件で、１時間還元して、前記二酸化イリジウム層の中の一部分の酸素を取り除いて、前記二酸化イリジウムナノロッド薄膜の中の一部分の二酸化イリジウムがイリジウムに還元されて、イリジウム-二酸化イリジウムナノロッドからなる吸着層１４０を形成する。
【００３０】
第七ステップ：遮蔽膜を除去して気体検出装置１００を形成する。
【００３１】
前記気体検出装置１００の製造方法において、前記石英板１１０に第一電極１２１及び第二電極１２２を形成し且つ第二電極１２２を遮蔽してから反応キャビティ内に配置し、ただ反応キャビティ内の温度及び真空度を変えるか必要とする気体を導入するだけで、前記石英板１１０を前記反応キャビティから取り出す必要がない。従って、本実施形態に係る気体検出装置の方法は、簡単であって、制御し易い。  
【００３２】
図６を参照すると、本発明の実施形態に係る気体検出システムは、検出室３１０と、気体検出装置３２０と、周波数検出装置３３０と、プロセッサー３４０と、を備える。前記気体検出装置３２０は、本発明の第一実施形態に係る気体検出装置１００又は本発明の第二実施形態に係る気体検出装置２００であることができる。前記検出室３１０は、検出しようとする気体及び前記気体検出装置３２０を収容し、前記気体検出装置３２０は、前記検出室３１０内の気体を検出する。前記検出室３１０は、円柱形であって、頂壁３１１と、底壁３１２と、側壁３１３と、を備える。前記頂壁３１１、前記底壁３１２及び前記側壁３１３が囲んで円柱形のキャビティ３１４を形成する。本実施形態において、前記検出室３１０の側壁３１３には、気体導入孔３１５及び気体排出孔３１６が形成され、前記気体導入孔３１５は、前記キャビティ３１４に検出気体を導入することに用いられ、前記気体排出孔３１６は、前記キャビティ３１４内の検出気体を排出することに用いられる。
【００３３】
本実施形態において、前記検出室３１０の外壁上に保温層３１７が設けられており、前記保温層３１７は、前記検出室３１０の頂壁３１１、底壁３１２及び側壁３１３に熱源を提供して、前記キャビティ３１４の温度を保持する。前記保温層３１７内に所定温度を有する水が収容されているため、前記キャビティ３１４内の温度を安定に保持できる。前記検出室３１０には、検出気体を加熱して、前記検出気体を揮発させるか分解させるために用いられる加熱板３１８が設置されている。本実施形態において、前記加熱板３１８は、前記底壁３１２の支持柱３１９上に設置される。
【００３４】
前記気体検出装置３２０の第一電極と第二電極は、導線によって前記検出室３１０の頂壁３１１を貫いて前記周波数検出装置３３０に接続されるため、前記気体検出装置３２０の周波数を検出することができる。
【００３５】
前記プロセッサー３４０は、前記周波数検出装置３３０に接続されており、前記周波数検出装置３３０が検出した前記気体検出装置３２０の周波数の変化をリアルタイムに測定し、且つ前記気体検出装置３２０の振動周波数の変化に基づいて、検出気体の濃度を計算する。
【００３６】
前記気体検出システム３００を採用して気体を検出する場合、先ず前記気体検出装置３２０の基準周波数を測定する。前記気体導入孔３１５から前記キャビティ３１４内に窒素のような背景気体を導入し、前記背景気体の体積流量は１０ｍｌ/分であって、導入された窒素は前記気体検出装置３２０に吸着される。前記プロセッサー３４０によって前記気体検出装置３２０の周波数の変化を測定しながら、周波数が安定になると、該周波数を前記気体検出装置３２０の基準周波数ｆ０として、背景気体の導入を停止する。
【００３７】
次に、前記気体検出装置３２０が検出気体を吸着した後の周波数を検出する。本実施形態において、注射器などによって、前記気体導入孔３１５から前記キャビティ３１４内の加熱板３１８に検出液体であるヘキシルアミン（Ｈｅｘｙｌａｍｉｎｅ）を持続的に注入し、前記加熱板３１８の温度を制御して、前記検出液体を揮発させるか分解させるとともに、背景気体は前記気体排出孔３１６から排出されて、前記背景気体の濃度が零になると、前記キャビティ３１４内の気体は前記検出液体が生じさせる気体だけとなり、前記気体検出装置３２０に吸着された背景気体は、前記検出液体が生じさせる気体に取り替えられる。前記プロセッサー３４０が表示する周波数が安定になると、該周波数をｆ１として、即ち前記気体検出装置３２０が検出気体を吸着した後の周波数として、検出液体の注入を停止する。
【００３８】
最後に、前記気体検出装置３２０が吸着した検出気体を取り除く。前記気体排出孔３１６を開けて、前記キャビティ３１４内の検出液体から揮発した気体の濃度が零に接近するまでに、前記気体導入孔３１５から背景気体を導入して、前記気体検出装置３２０が吸着した検出気体の濃度も零に接近させる。前記プロセッサー３４０が表示する周波数は、基準周波数と等しいか接近する。
【００３９】
前記プロセッサー３４０によって検出周波数ｆ１と基準周波数ｆ０の差を計算してから、検出気体の濃度を計算する。本実施形態において、検出周波数ｆ１と基準周波数ｆ０の差は１９７０Ｈｚに達することができ、４０秒の時間で、基準周波数ｆ０から検出周波数ｆ１の８０％に変化する。前記気体検出装置３２０が吸着した検出気体を取り除く時に上がる周波数と前記気体検出装置３２０が検出気体を吸着する時に下がる周波数との比は８６％である。そのため、前記検出過程で、基準周波数と検出周波数の差は大きく、前記気体検出装置３２０の感度もさらに高い。基準周波数ｆ０から検出気体を吸着した後の検出周波数ｆ１の８０％に変化する時間も短く、前記気体検出装置３２０の応答時間も短い。
【００４０】
気体検出装置が吸着した検出気体を取り除く時に上がる周波数と気体検出装置が検出気体を吸着する時に下がる周波数との差が小さければ小さいほど、気体検出装置は吸着した検出気体を完全に取り除くことができ、前記気体検出装置を重複して使用する回数も多くなり、寿命も長くなる。
【００４１】
以上本発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種種変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【００４２】
１００，２００，３２０…気体検出装置、１１０，２１０…石英板、１１１…第一表面、１１２…第二表面、１２１，２２１…第一電極、１２２，２２２…第二電極、１３０，２３１…第一活性層、１４０…吸着層、１５０，２５１…第二活性層、２３２…第三活性層、２４１…第一吸着層、２４２…第二吸着層、２５２…第四活性層、３１０…検出室、３１１…頂壁、３１２…底壁、３１３…側壁、３１４…キャビティ、３１５…気体導入孔、３１６…気体排出孔、３１７…保温層、３１８…加熱板、３１９…支持柱、３３０…周波数検出装置、３４０…プロセッサー、１２１１…第一電極本体、１２１２…第一延伸部、１２２１…第二電極本体、１２２２…第二延伸部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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