(57)【要約】【課題】融合強度が高く、割れの発生を抑制した電解コンデンサ用封口体及び、電解コンデンサを提供する。【解決手段】下記化学式（１３）を主構成成分とするイソブテン、イソプレン、及びスチリルイソプレンよりなる三元共重合体を架橋してなるゴムを主成分とする電解コンデンサ用封口体、及びそれを用いた電解コンデンサとする。2010010648.tif 000024【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
イソブテン、イソプレン、及びスチリルイソプレンよりなる三元共重合体を架橋してなるゴムを主成分とする電解コンデンサ用封口体。
【請求項２】
コンデンサ素子を収容したケースと、このケースの開口部を封口する封口体とを有してなる電解コンデンサにおいて、前記封口体は、イソブテン、イソプレン、及びスチリルイソプレンよりなる三元共重合体を架橋してなるゴムを主成分とすることを特徴とする電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサ用封口体及びそれを用いた電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電解コンデンサは、電極引き出し手段であるリード線を備えた電極箔を、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、駆動用電解液を含浸したコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納して、この外装ケースの開口部に封口体を装着し、その後、開口部を加締め加工によって封口して形成される。通常、この電解コンデンサ用封口体としては、イソブテンイソプレン共重合体（式１）を樹脂架橋したゴム（特許文献１、２）やイソブテンイソプレン−ジビニルベンゼン共重合体を過酸化物架橋したゴム（式２）（特許文献３、４、５）からなる封口ゴムが用いられる。
【０００３】
【化１】
2010010648.tif 000002
【０００４】
【化２】
2010010648.tif 000003
【０００５】
このイソブテンイソプレン共重合体を樹脂架橋したゴムは架橋に用いた残存樹脂の耐熱性が低いために、このゴムを用いた封口ゴムの耐熱性もまた低いという課題を有している。さらに、イソブテンイソプレン−ジビニルベンゼン共重合体を過酸化物架橋したゴムはジビニルベンゼンの共重合時にジビニルベンゼンのビニル基による部分架橋が生じ、そのことによって混練時に分散性が低下し、それによって融合強度が低下して、割れが発生しやすくなるという課題もある。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３２１４４１号公報
【特許文献２】特開平１１−２６５８４０号公報
【特許文献３】特開昭５５−１５８６２号公報
【特許文献４】特開平８−３２１４４２号公報
【特許文献５】特開平１１−２６５８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、融合強度が高く、割れの発生を抑制した電解コンデンサ用封口体及び、電解コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の課題を解決すべく、第１の発明である電解コンデンサ用封口体は、イソブテン、イソプレン、及びスチリルイソプレンよりなる三元共重合体を架橋してなるゴムを主成分とする。
【０００９】
第２の発明である電解コンデンサは、コンデンサ素子を収容したケースと、このケースの開口部を封口する封口体とを有してなる電解コンデンサにおいて、前記封口体は、イソブテン、イソプレン、及びスチリルイソプレンよりなる三元共重合体を架橋してなるゴムを主成分とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に示されるように、本発明の素材により分散性が良好で、かつ耐熱性の良好なゴムを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に示すように、２−ブロモ−３−メチル−２−ブテン（ＢｒＭＢ）１当量に、パラジウム触媒（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム）を０．０３当量とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加えて０℃で２０時間攪拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸（Ｓｔ−Ｂ（ＯＨ）２、ＶＰｈＢＡ）を１．５当量とジイソプロピルアミン（Ｂａｓｅ，ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）２）３当量を加えて室温で２４時間攪拌する。この際の反応式を式（３）に示す。
【００１２】
【化３】
2010010648.tif 000004
【００１３】
この反応液の上澄み液を薄層クロマトグラフ（ガラス基板にシリカを載置したもの）に滴下し、薄層クロマトグラフの最下部を展開液に浸漬する。結果は、スポットＡ、スポットＢの２つの成分に分離した。
【００１４】
この部分を掻き取り、溶剤に混合して液のガスクロマトグラフィー分析を行った。図２に示すように、スポットＡに反応生成物が検出された。
【００１５】
そして、このスポットＡの試料の１Ｈ−ＮＭＲ分析をおこなったところ、図３に示すように、ベンゼン環の水素とビニル基の水素に由来するシグナルが検出され、かつその積分強度比が式（４）の化合物の構造から予想される値と一致した。
【００１６】
【化４】
2010010648.tif 000005
【００１７】
また、スポットＡの１３Ｃ−ＮＭＲ分析を行ったところ、図４に示すように、磁気的環境の異なる炭素数が１１であることが判明した。
【００１８】
反応物の２−ブロモ−３−メチル−２−ブテン、４−ビニルフェニルボロン酸の反応結果であるこれらの分析結果から、反応生成物は１−（３−メチル−２−ブテン−２−イル）−４−ビニルベンゼンであることが判明した（式（５））。
【００１９】
【化５】
2010010648.tif 000006
【００２０】
すなわち、２−ブロモ−３−メチル−２−ブテンと４−ビニルフェニルボロン酸とのスズキカップリングによって、１−（３−メチル−２−ブテン−２−イル）−４−ビニルベンゼン（式（６））が生成された。
【００２１】
【化６】
2010010648.tif 000007
【００２２】
イソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素1当量に対して、パラジウム触媒Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを０．１５当量とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加え０℃で２０時間攪拌し、次いで４−ビニルフェニルボロン酸を１．５当量とジイソプロピルアミン（Ｂａｓｅ）３当量を加えて室温で４８時間攪拌する。この際の反応式を式（７）に示す。  
【００２３】
【化７】
2010010648.tif 000008
【００２４】
一方、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して、パラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]を０．００１当量とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸を１．５当量とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ）を０．５当量、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ（Ｂａｓｅ））を２当量を加えて室温で２１時間攪拌する。この際の反応式を式（８）に示す。  
【００２５】
【化８】
2010010648.tif 000009
【実施例】
【００２６】
次に、式（９）、図５に示すように、ＪＳＲ（株）社のＪＳＲＢＲＯＭＯＢＵＴＹＬ２２４４臭素含量２％のイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）を４．９グラム用い、パラジウム触媒であるＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを０．３グラム（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して０．１５当量）とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を２５０ｍｌ加え０℃で２０時間攪拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸を０．５グラム（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して１．５当量）とジイソプロピルアミンを１ｍｌ（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して３当量）加えて室温で４８時間攪拌した。  
【００２７】
【化９】
2010010648.tif 000010
【００２８】
この際の反応式を式（１０）に示す。但し、式（１０）に示す共重合体の構造は主な構造であり、これに限定されるものではなく、異性体構造を有している。  
【００２９】
【化１０】
2010010648.tif 000011
【００３０】
次に、同様に、式（１１）、図５に示すように、ＪＳＲ（株）社のＪＳＲＢＲＯＭＯＢＵＴＹＬ２２４４臭素含量２％のイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）を４．５グラム用い、パラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]を０．０００６グラム（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して０．００１当量）とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を３５０ｍｌ加えて攪拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸を０．２９グラム（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素量１当に対して１．５当量）とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)を０．２６グラム（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対して０．５当量）、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）をＫＯＨ０．１８グラム／Ｈ２Ｏ１．８ｍｌ（イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）の臭素１当量に対してＫＯＨ２当量）加えて室温で２１時間攪拌した。  
【００３１】
【化１１】
2010010648.tif 000012
【００３２】
この際の反応式を式（１２）に示す。但し、式（１２）に示す共重合体の構造は主な構造であり、これに限定されるものではなく、異性体構造を有している。  
【００３３】
【化１２】
2010010648.tif 000013
【００３４】
パラジウム触媒の使用量は、イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物の臭素濃度に対して、０．０００１倍〜５倍、好ましくは、０．００１倍〜１倍である。パラジウム触媒は、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル］パラジウム］、２−［ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェノキシ）ホスフィノオキシ］−３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−パラジウム（ＩＩ）クロリド、クロロ（η２−Ｐ，Ｃ−トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト）（トリシクロヘキシルホスヒィン）パラジウム（ＩＩ）、２−（２’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスヒィン）ビフェニルパラジウム（ＩＩ）アセテート、ジ−η−クロロビス［５−クロロ−２−［（４−クロロフェニル）（ヒドロキシイミノ−ｋＮ）メチル］フェニル−ｋＣ］パラジウム、[１，１’−ビス(ジ-ｔｅｒｔ-ブチルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(ＩＩ)ジクロリド、[１，１’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン錯体（１：１）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス(ベンゾニトリル)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム（０）などであり、好ましくはＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル］パラジウム］、更に好ましくはビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル］パラジウム］である。  
【００３５】
また、４−ビニルフェニルボロン酸は、イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物の臭素濃度に対して、１倍〜１０倍、好ましくは、１倍〜５倍である。  
【００３６】
さらに、塩基は、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの水酸化物や炭酸塩、燐酸あるいはアンモニア、アミン類など塩基性を示す物質を示し、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミンなどがあり、好ましくは水酸化カリウム、ジイソプロピルアミンである。この塩基の使用量は、イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物の臭素濃度に対して、１倍〜５０倍、好ましくは、１倍〜１０倍である。  
【００３７】
この反応生成物についてサイズ排除クロマトグラフィ（ＳＥＣ）のＲＩ（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖe Ｉｎｄｅｘ示差屈折率）およびＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ:紫外光)検出器を用いて、２５４ｎｍでの測定を行った。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムでの反応生成物または、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]での反応生成物（Ａｆｔｅｒ（Ｓｔ−ＩＩＲ））と出発材料としてイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｅｆｏｒｅ（Ｂｒ−ＩＩＲ））との測定結果を図６に示す。図６に示すように、この反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）はイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物(Ｂｒ−ＩＩＲ)と比較して、ＲＩ検出ピーク強度がほとんど変化しないのに対し、ＵＶ検出ピーク強度には大きな変化が現れた。このことから、この反応生成物には紫外線に吸収を持つスチリル基が導入されたことがわかり、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物と４−ビニルフェニルボロン酸とのスズキカップリングによってスチリル化三元ランダム共重合体（式（１２））（Ｓｔ-ＴＣ：Ｓｔｙｒｅｎａｔｅｄ  Ｔｅｒｎａｒｙ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）が生成された。  
【００３８】
次にパラジウム触媒の違いとその量によるＳＥＣのＲＩ検出ピーク面積とＵＶ検出ピーク面積の比の比較を［表１］に示す。Ａはビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]を、ＢはＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムによるスズキカップリング反応で生成されたスチリル化三元ランダム共重合体である。  
【００３９】
【表１】
2010010648.tif 000014
【００４０】
表１より、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]（Ａ）の下でスズキカップリング反応を行うと、微量の触媒量でもスズキカップリング反応が進行し、スチリル化三元ランダム共重合体（式（１３））（Ｓｔ−ＴＣ）が生成された。  
【００４１】
また、図７に示すように、イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）を用い、パラジウム触媒としてビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]を加えて攪拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）を加え、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の還流温度下で反応を行うことで、ＳＥＣ分析によるＲＩ，ＵＶ検出ピーク面積の比（ＳＵＶ／ＳＲＩ）が増大し、更にパラジウム触媒量を増やすことで、ＳＥＣ分析によるＲＩ，ＵＶ検出ピーク面積の比（ＳＵＶ／ＳＲＩ）が更に増大することからスズキカップリング反応が進行し、スチリル化三元ランダム共重合体（式（１３））（Ｓｔ−ＴＣ）が生成された。  
【００４２】
また、図８に示すように、イソブテンイソプレン共重合体の臭素化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）を用い、パラジウム触媒としてビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]を加えて攪拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）に加え、更に塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を加えることで、微量のパラジウム触媒量でもＳＥＣ分析によるＲＩ，ＵＶ検出ピーク面積の比（ＳＵＶ／ＳＲＩ）が増大し、スズキカップリング反応が進行し、スチリル化三元ランダム共重合体（式（１３））（Ｓｔ−ＴＣ）が生成された。  
【００４３】
反応式  式（１４）で得られた反応生成物について１Ｈ−ＮＭＲ分析結果を図９に示す。図９より、スチリル基内のビニル基の水素に由来するシグナルが検出され、この分析結果から、この反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）にはスチリル基が導入されたことがわかり、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物と４−ビニルフェニルボロン酸とのスズキカップリング反応によってスチリル化三元ランダム共重合体（式（１３））（Ｓｔ−ＴＣ）が生成された。  
【００４４】
［実施例１］  次に、パラジウム触媒であるＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、またはビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]によるこの反応生成物についてジクルミルパーオキサイドを用いてレオメータでトルク特性を測定した結果を図１０に示す。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムによる室温で４８時間反応し得られた反応生成物を実施例１−１、またはビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]による室温で１２０時間反応を行って得られた反応生成物を実施例１−２とする。また、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]による室温で２１６時間反応を行って得られた反応生成物を実施例１−３とする。また、ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]による反応溶媒ＴＨＦ還流下（８０℃）で１２時間反応を
行って得られた反応生成物を実施例１−４とする。比較例としてイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物について同様にトルク特性を測定した。最大トルクは実施例１−１が２．１１ｄＮｍ、実施例１−２が３．５４ｄＮｍ、実施例１−３が５．８３ｄＮｍ、実施例１−４が９．４３ｄＮｍ、比較例は１．７０ｄＮｍ、硬度は実施例１−１が２１度、実施例１−２が２４度、実施例１−３が３０度、実施例１−４が３５度、比較例１−１は１６度であった。このことから、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物と４−ビニルフェニルボロン酸とのスズキカップリングによってスチリル化三元ランダム共重合体（式（１３））（Ｓｔ−ＴＣ）が生成し、この共重合体が過酸化物架橋してスチリル化三元ランダム共重合体を架橋してなるゴムの生成が確認された。また、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物に変えて、イソブテンイソプレン共重合体の塩化物と４−ビニルフェニルボロン酸とのスズキカップリング反応によって得られたスチリル化三元ランダム共重合体でも、この共重合体が過酸化物架橋してスチリル化三元ランダム共重合体を架橋してなるゴムの生成が確認された。  
【００４５】
【化１３】
2010010648.tif 000015
【００４６】
【化１４】
2010010648.tif 000016
【００４７】
本発明の電解コンデンサ用封口体および電解コンデンサについて以下に説明する。通常のゴムの場合、ガスバリア性を向上する無機フィラーを添加すると混練性が低下するので、添加量を多くすることができないが、前述のように本発明の封口体を構成するゴムは、混練性が非常によくなるので、無機フィラーを多量に添加し、封口体の耐熱性、ガスバリア性をより一層向上させ、一層良好な高温長寿命特性を得ることができる。本発明における無機フィラーとしては、例えばタルク、マイカ、焼成クレー、含水ケイ素、無水ケイ素、カーボンブラック等を使用できる。これらの中でも焼成クレーは粒子が均一で混練、加工しやすいので好ましく、またカーボンブラックは補強剤として有効なので好ましい。前記無機フィラーとしては、１種のフィラーのみ用いてもよいし、複数種類のフィラーを組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
また、本発明においては、加工助剤を添加してもよい。加工助剤の添加により、エラストマー組成物を柔らかくし、加工性を向上することができ、フィラーもより多量に添加できるようになる。加工助剤としては、例えばポリブテンオイル、パラフィン系オイル、パラフィン系ワックス、ナフテン系オイル、脂肪酸、脂肪酸塩等を使用できる。中でもポリブテンオイルはゴムと混じりやすく、熱運動係数が小さいため、高いガスバリア性を達成しつつ、加工性を向上することができるので好ましい。
【００４９】
また、本発明においては、繊維を添加してもよい。繊維の添加により封口体の機械的強度を更に向上させることができる。繊維としては、例えば、ビニロン短繊維、ポリエステル短繊維、ナイロン短繊維等の短繊維が好ましく、特に長さ１〜５ｍｍ程度の短繊維が好ましい。
【００５０】
また、有機過酸化物としては、例えば、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３，２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，４−ジクロルベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロルベンゾイルパーオキサイドなどを挙げることができ、これらのうち、ジクミルパーオキサイドが好ましい。有機過酸化物の添加量は、前述のように本発明の封口体を構成するゴム１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部であり、好ましくは１〜５重量部である。
【００５１】
また、本発明において、通常使用される各種配合剤、例えば共架橋剤、反応促進剤、加硫促進剤、加硫促進助剤、酸化防止剤、老化防止剤、難燃剤、カップリング剤など、ゴム産業で既知の配合剤を含有することができる。
【００５２】
各種配合剤の混練操作においては、公知の混練装置、例えばニーダー、バンバリーミキサー、インターナルミキサー、ミキシングロール、一軸押出機、二軸押出機など、単独あるいはこれらを組み合わせて利用することができる。
【００５３】
混練温度は、５０℃〜２２０℃、好ましくは１００℃〜２００℃である。なお、有機化酸化物を混練する際の混練温度は１０℃〜１８０℃、好ましくは、４０℃〜１５０℃である。
【００５４】
本発明の電解コンデンサ  に用いる電解液の溶媒としては、例えば、プロトン性極性溶媒、非プロトン性溶媒、及びこれらの混合物を用いることができる。プロトン性極性溶媒としては、一価アルコール類（エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロブタノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール等）、多価アルコール類およびオキシアルコール化合物類（エチレングリコール、ブロピレングリコール、グリセリン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メトキシプロピレングリコール、ジメトキシプロパノール等）、水等が挙げられる。また、非プロトン性の極性溶媒としては、アミド系（Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックアミド等）、ラクトン類（γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−バレロラクトン等）、スルホラン系（スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホラン等）、環状アミド系（Ｎ−メチル−２−ピロリドン、エチレンカーボネイト、プロピレンカーボネイト、イソブテン  カーボネイト等）、ニトリル系（アセトニトリル等）、オキシド系（ジメチルスルホキシド等）、２−イミダゾリジノン系〔１，３−ジアルキル−２−イミダゾリジノン（１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ（ｎ−プロピル）−２−イミダゾリジノン等）、１，３，４−トリアルキル−２−イミダゾリジノン（１，３，４−トリメチル−２−イミダゾリジノン等）〕等が代表として挙げられる。
【００５５】
電解液の溶質としては、アジピン酸、ギ酸、安息香酸等のカルボン酸のアンモニウム塩、４級アンモニウム塩、またはアミン塩を用いることができる。第４級アンモニウム塩を構成する第４級アンモニウムとしてはテトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチル  アンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等）、ピリジウム（１−メチルピリジウム、１−エチルピリジウム、１，３−ジエチルピリジウム等）が挙げられる。また、アミン塩を構成するアミンとしては、一級アミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチル  アミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン等）、二級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、エチルメチルアミン、ジフェニルアミン、ジエタノールアミン等）、三級アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチル  アミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７、トリエタノールアミン等）が挙げられる。
【００５６】
さらに、四級化環状アミジニウムイオンをカチオン成分とする塩を用いることができる。この塩のアニオン成分となる酸としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、安息香酸、トルイル酸、エナント酸、マロン酸等を挙げることができる。
【００５７】
カチオン成分となる四級化環状アミジニウムイオンは、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−置換アミジン基をもつ環状化合物を四級化したカチオンであり、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−置換アミジン基をもつ環状化合物としては、以下の化合物が挙げられる。イミダゾール単環化合物（１−メチルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−エチル−２−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−エチル−２−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１，２，４−トリメチルイミダゾール等のイミダゾール同族体、１−メチル−２−オキシメチルイミダゾール、１−メチル−２−オキシエチルイミダゾール等のオキシアルキル誘導体、１−メチル−４（５）−ニトロイミダゾール等のニトロ誘導体、１，２−ジメチル−５（４）−アミノイミダゾール等のアミノ誘導体等）、ベンゾイミダゾール化合物（１−メチルベンゾイミダゾール、１−メチル−２−ベンゾイミダゾール、１−メチル−５（６）−ニトロベンゾイミダゾール等）、２−イミダゾリン環を有する化合物（１−メチルイミダゾリン、１，２−ジメチルイミダゾリン、１，２，４−トリメチルイミダゾリン、１−メチル−２−フェニルイミダゾリン、１−エチル−２−メチル−イミダゾリン、１，４−ジメチル−２−エチルイミダゾリン、１−メチル−２−エトキシメチルイミダゾリン等）、テトラヒドロピリミジン環を有する化合物（１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン、１，２−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノネン−５等）等である。
【００５８】
さらに、電解液に、ほう酸、マンニット、ノニオン性界面活性剤、コロイダルシリカ等を添加することによって、耐電圧の向上を図ることができる。
【００５９】
以上のような電解コンデンサ  用電解液と本発明に係る封口体との組合せによって、より一層電解コンデンサの熱安定性が向上し、リフロー特性などの耐熱性が向上する。
【００６０】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【００６１】
以下の実施例および比較例において配合した各成分は以下の通りである。
【００６２】
［実施例２］
ゴム成分は前述のように化学式（１５）に基づいて本発明の封口体を構成するゴムであり、カーボン、無機充填剤、滑剤及び老化防止剤を適量添加した後、有機過酸化物であるジクミルパーオキサイド（日本油脂（株）製  パークミルＤ−４０）を本発明の封口体を構成するゴム１００重量部に対して、２重量部添加し、１７０℃、５分間の成形条件で架橋すると同時に成形して厚さ２ｍｍのシートを作製した。また、シート作製の際、未架橋ゴムがシートの中央で融合するよう２本の短冊で仕込み、同様に故意に融合部を作った厚さ２ｍｍのシートを作製した。
【００６３】
ここで、実施例２−１では、下記化学式（１５）を主構成成分とするイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物と下記化学式（１６）で表される４−ビニルフェニルボロン酸をパラジウム触媒であるＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムの下でスズキカップリング反応させて下記化学式（１７）を主構成成分とするスチリル化三元ランダム共重合体から構成される。
【００６４】
［実施例２−２］
実施例２−１では、実施例２−１と同一構成であって、ゴム成分が下記化学式（１５）を主構成成分とするイソブテンイソプレン共重合体の臭素化物と下記化学式（１６）で表される４−ビニルフェニルボロン酸をパラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]の下でスズキカップリング反応させて得られた下記化学式（１８）を主構成成分とするスチリル化三元ランダム共重合体を実施例２−１と同様な方法により架橋して成形したシートを作製した。
【００６５】
【化１５】
2010010648.tif 000017
【００６６】
【化１６】
2010010648.tif 000018
【００６７】
【化１７】
2010010648.tif 000019
【００６８】
【化１８】
2010010648.tif 000020
【００６９】
［比較例２−１］
ゴム成分をイソブテンイソプレン−ジビニルベンゼン共重合体であるＸＬ−１００００（独バイエル社製）とし、ゴム成分１００重量部に対して、ジクミルパーオキサイド（日本油脂（株）製  パークミルＤ−４０）を２重量部添加し、カーボン、無機充填剤、滑剤、老化防止剤を適量添加した組成物を用いて実施例２−１と同様な方法により厚さ２ｍｍのシートと故意に融合部を作った厚さ２ｍｍのシートを作製した。
【００７０】
［比較例２−２］
ゴム成分をイソブテンイソプレン共重合体のブチル３６５（日本ブチル（株）製）とし、ゴム成分１００重量部に対して、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂（田岡化学工業（株）製  タッキロール２０１）を１４重量部添加し、カーボン、無機充填剤、滑剤、老化防止剤を適量添加した組成物を用いて１９０℃、５分（１６０℃〜２００℃、数分間〜５時間）の成形条件で架橋すると同時に成形して封口体を作成した後、必要に応じ二次加硫１９０℃、４時間（１００℃〜２００℃、１時間〜８時間）を行うことにより厚さ２ｍｍのシートと故意に融合部を作った厚さ２ｍｍのシートを作製した。
【００７１】
（引張り強度の測定）
上記実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１および比較例２−２で作製した厚さ２ｍｍのシート（通常シート）と故意に融合部を作った厚さ２ｍｍのシート（融合部有シート）の各シートからダンベル試験片を作製し、引張り強度の測定（測定はＪＩＳ  Ｋ６２５１に準じた）を行った。その結果を表２に示す。
【００７２】
【表２】
2010010648.tif 000021
【００７３】
表２より、実施例２−１および実施例２−２の本願のゴムの方が、比較例２−１のゴムよりも引張り強度が高く、融合強度が高いことがわかる。
【００７４】
［実施例２−３］
ゴム成分は前述のようにパラジウム触媒Ｐｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを用いて得られた下記化学式（２０）である本発明の封口体を構成するゴムであり、カーボン、無機充填剤、滑剤及び老化防止剤を適量添加した後、有機過酸化物であるジクミルパーオキサイド（日本油脂製  パークミルＤ−４０）を本発明の封口体を構成するゴム１００重量部に対して、２重量部添加し、１７０℃、５分間の成形条件で架橋すると同時に成形して電解コンデンサ用封口体を作製した。
【００７５】
［実施例２−４］
実施例２−４では、実施例２−３と同一構成であって、ゴム成分は前述のようにパラジウム触媒ビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム] を用いて得られた下記化学式（２１）である本発明の封口体を構成するゴムであり、実施例２−３と同様な方法により電解コンデンサ用封口体を作製した。
【００７６】
［比較例２−３］
ゴム成分をイソブテンイソプレン−ジビニルベンゼン共重合体であるＸＬ−１００００（独バイエル社製）とし、ゴム成分１００重量部に対して、ジクミルパーオキサイド（日本油脂製  パークミルＤ−４０）を２重量部添加し、カーボン、無機充填剤、滑剤、老化防止剤を適量添加した組成物を用いて実施例２−３と同様な方法により電解コンデンサ用封口体を作製した。
【００７７】
［比較例２−４］
ゴム成分をイソブテンイソプレン共重合体のブチル３６５（日本ブチル社製）とし、ゴム成分１００重量部に対して、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂（田岡化学製  タッキロール２０１）を１４重量部添加し、カーボン、無機充填剤、滑剤、老化防止剤を適量添加した組成物を用いて１９０℃、５分（１６０℃〜２００℃、数分間〜５時間）の成形条件で架橋すると同時に成形して封口体を作製した後、必要に応じ二次加硫１９０℃、４時間（１００℃〜２００℃、１時間〜８時間）を行うことにより電解コンデンサ用封口体を作製した。
【００７８】
これらの封口体を用いて定格２５ｗｖ−１２００μＦのφ６．３×５．５Ｌの巻回型の電解コンデンサを作製した。ここで、電解コンデンサ用電解液としては、次のような組成を有する電解液Ａまたは電解液Ｂを使用した。電解液Ａ：γ−ブチロラクトン７５重量％、フタル酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリニウム２５重量％、電解液Ｂ：エチレングリコール８６重量％、アジピン酸アンモニウム１４重量％。そして、これらの電解コンデンサについて、シリコンディップ試験を行った。
【００７９】
【化２０】
2010010648.tif 000022
【００８０】
【化２１】
2010010648.tif 000023
【００８１】
（シリコンディップ試験）
シリコンディップ試験とは、２６０℃に熱したシリコーンオイル中へアルミ電解コンデンサを投入し、投入を開始してから、ゴムが異常、ゴムの亀裂、ゴムの離脱、気泡発生を生じるまでの時間を測定する試験であり、封口体のリフロー特性を調べる試験である。
【００８２】
比較例２−３のＸＬ−１００００使用ゴムは、異常が生じるまでの時間が３０秒から１分で、その時の状態はゴムに亀裂が入り、ゴムの割れが生じた。図１１に示す。比較例２−４の樹脂加硫ゴムは、異常が生じるまでの時間が２分〜３分で、その時の状態はゴムが膨れ、最後はゴムがケースより離脱する。図１２に示す。実施例２−３，２−４の本発明の封口体を構成するゴムは、比較例２−４の樹脂加硫ゴムと同様の試験結果となった。
これは、本発明の封口体を構成するゴムが架橋前に部分架橋がないことによるものと考えられる。
【００８３】
この結果より、本発明の封口体を構成するゴム組成物を使用した電解コンデンサにおいて、融合強度が高く、割れの発生を抑制した電解コンデンサ用封口体を開発することができた。
【００８４】
従って、リフロー特性の良好な電解コンデンサ用封口体を開発することができた。
【００８５】
また、本発明の封口体を構成するゴムは有機過酸化物架橋が用いられるゴムであり、樹脂架橋したゴムのような耐熱性の低下を生じることのない電解コンデンサ用封口体を開発することができる。
【００８６】
以上のように本発明による電解コンデンサの封口体およびそれを用いた電解コンデンサは、（ａ）封口体の融合強度が高く、割れの発生を抑制することができる、（ｂ）封口体の原材料の混練を非常に容易に行うことができる、（ｃ）混練の際の分散性が良好であるので、封口体の成形不良を生じにくく、かつ寸法精度を良く成形でき、加工性が非常に良い、（ｄ）封口体の耐熱性、耐熱老化性が良好であり、高温でも長寿命とすることができる、（ｅ）前記（ａ）〜（ｄ）等のことから、電解コンデンサ全体の熱安定性が向上し、リフロー特性などの耐熱性が向上する。また、高温環境下での長寿命化、小型化、高容量化等を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係る２−ブロモ−３−メチル−２−ブテンとパラジウム触媒とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とジイソプロピルアミンを加えた際の反応式である。
【図２】本発明に係る２−ブロモ−３−メチル−２−ブテンとパラジウム触媒とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とジイソプロピルアミンを加えたもののガスクロマトグラフィー分析の分析結果である。
【図３】本発明に係る２−ブロモ−３−メチル−２−ブテンとパラジウム触媒とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とジイソプロピルアミンを加えたものの１Ｈ−ＮＭＲ分析結果である。
【図４】本発明に係る２−ブロモ−３−メチル−２−ブテンとパラジウム触媒とテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とジイソプロピルアミンを加えたものの１Ｈ−ＮＭＲと１３Ｃ−ＮＭＲの分析結果であり、（１）、（２）がスポットＡであり、（３）、（４）がスポットＢである。
【図５】本発明に係るグラフト重合体の合成方法を示す概略図である。
【図６】本発明に係るイソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）および、イソブテンイソプレン共重合体の臭化物とパラジウム触媒をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とジイソプロピルアミンを加えて得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）のＳＥＣ分析結果を示すグラフである。
【図７】本発明に係るイソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）とパラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）を加えて得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）のＳＥＣ分析によるＲＩ，ＵＶ検出ピーク面積の比（ＳＵＶ／ＳＲＩ）の結果を示すグラフである。
【図８】本発明に係るイソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）とパラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）、更に塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を加えて得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）のＳＥＣ分析によるＲＩ，ＵＶ検出ピーク面積の比（ＳＵＶ／ＳＲＩ）の結果を示すグラフである。
【図９】本発明に係るイソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）とパラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）を加えて得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）（上段）とイソブテンイソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）（下段）の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果を示すグラフである。
【図１０】本発明に係るイソブチレン−イソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）とジクミルパーオキサイドによるレオメーター測定結果、イソブチレン−イソプレン共重合体の臭化物（Ｂｒ−ＩＩＲ）とパラジウム触媒であるＰｄ（ＰＰｈ３）４：テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）を加えて室温で４８時間反応し、得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）とジクミルパーオキサイドによるレオメーター測定結果、パラジウム触媒であるビス[ミュー−クロロ[５−ヒドロキシ−２−[１−（ヒドロキシイミノ）エチル]フェニル]パラジウム]をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に加え撹拌し、ついで４−ビニルフェニルボロン酸とテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ)、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）を加えて室温で１２０時間反応し得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）とジクミルパーオキサイドによるレオメーター測定結果、反応条件を室温２１６時間反応し得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）とジクミルパーオキサイドによるレオメーター測定結果、および反応条件を反応溶媒ＴＨＦの還流温度下（８０℃）で１２時間反応し得られた反応生成物（Ｓｔ−ＩＩＲ）とジクミルパーオキサイドによるレオメーター測定結果を示すグラフである。
【図１１】比較例３のＸＬ−１００００樹脂を用いた封口体を有する電解コンデンサに対するシリコンディップ試験の適応例の構成図であり、ゴム割れを示す。
【図１２】本発明に係るグラフト重合体を用いた封口体を有する電解コンデンサに対するシリコンディップ試験の適応例の構成図であり、ゴム膨れを示す。
【図１】
2010010648.tif 000025
【図２】
2010010648.tif 000026
【図３】
2010010648.tif 000027
【図４】
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【図５】
2010010648.tif 000029
【図６】
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【図７】
2010010648.tif 000031
【図８】
2010010648.tif 000032
【図９】
2010010648.tif 000033
【図１０】
2010010648.tif 000034
【図１１】
2010010648.tif 000035
【図１２】
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