(57)【要約】【課題】  例えば数十Ｇｂｐｓ以上の高速信号伝送の基板間接続において、マイクロストリップ線路を用いて、良好な電気的接続を実現することを目的とする。【解決手段】  基板において、誘電体層と、前記誘電体層の第１の面に設けられたマイクロストリップ信号線路導体と、前記誘電体層の第２の面に設けられ、前記マイクロストリップ信号線路導体とでマイクロストリップ線路を構成するグランド導体層と、を備え、前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において、前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて長い、または短いものである。【選択図】  図２
2010200234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、
前記誘電体層の第１の面に設けられたマイクロストリップ信号線路導体と、
前記誘電体層の第２の面に設けられ、前記マイクロストリップ信号線路導体とでマイクロストリップ線路を構成するグランド導体層と、を備え、
前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて長い、または短いことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて長い請求項１に記載の基板としての第１の基板と、
前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて短い請求項１に記載の基板としての第２の基板と、
前記第１の基板の第２の面と前記第２の基板の第１の面とを対向して配置し、前記第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部と前記第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部とを電気的に接続し、前記第１の基板のグランド導体層の端部と前記第２の基板のグランド導体層とを電気的に接続する接続部と、
を備えたことを特徴とする基板の接続方式。
【請求項３】
前記第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体の直下のグランド導体層の端部と前記第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部との間隔が０．３ｍｍ以上で０．４ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の基板の接続方式。
【請求項４】
前記接続部は、前記第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部にはんだで接合され前記第１の基板の第２の面に設けられた導体パッドおよび前記第１の基板の誘電体層を貫通して設けられたスルーホールビアを介して、前記第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部と前記第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部とを電気的に接続することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の基板の接続方式。
【請求項５】
前記接続部は、前記第１の基板のグランド導体層の端部にはんだで接合され前記第２の基板の第１の面に設けられた導体パッドおよび前記第２の基板の誘電体層を貫通して設けられたスルーホールビアを介して、前記第１の基板のグランド導体層の端部と前記第２の基板のグランド導体層とを電気的に接続することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板の接続方式。
【請求項６】
前記接続部は、前記第１の基板のグランド導体層の端部に導電性接着剤で接着され前記第２の基板の第１の面に設けられた導体パッドおよび前記第２の基板の誘電体層を貫通して設けられたスルーホールビアを介して、前記第１の基板のグランド導体層の端部と前記第２の基板のグランド導体層とを電気的に接続することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板の接続方式。
【請求項７】
前記第１および第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体は、差動線路であることを特徴とする請求項２〜請求項６のいずれかに記載の基板の接続方式。
【請求項８】
前記第１の基板は、フレキシブルプリント基板であることを特徴とする請求項２〜請求項７のいずれかに記載の基板の接続方式。
【請求項９】
前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて長い請求項１に記載の基板としての第１の基板と、前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて短い請求項１に記載の基板としての第２の基板とを接続するための基板の接続方法であって、
前記第１の基板の第２の面と前記第２の基板の第１の面とを対向して配置し、前記第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部と前記第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体の端部とを電気的に接続し、前記第１の基板のグランド導体層の端部と前記第２の基板のグランド導体層とを電気的に接続することを特徴とする基板の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、伝送線路の接続技術に関し、特に、例えば高速信号のための伝送線路を設けた基板、基板の接続方式および基板の接続方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波伝送線路の接続において、４０ＧＨｚ程度の高周波においても良好な電気接続特性を実現するため、信号線をグランドで挟み込んだコプレーナ伝送線路を構成した基板同士を接続するものが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５８８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている従来の基板においては、コプレーナ伝送線路を用いているので、例えばフレキシブルプリント基板に伝送線路を形成する場合、一般に線路導体の製造精度上の制約から、マイクロストリップ線路に比べて、特性インピーダンスのばらつきが大きく、また基板上の配線レイアウトも複雑になるという問題点があった。また、マイクロストリップ線路を用いた基板の場合には、信号線路導体直下にグランド導体層があるため、そのままでは接続できないという問題点があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、例えば数十Ｇｂｐｓ以上の高速信号伝送の基板間接続において、例えばフレキシブルプリント基板においても特性インピーダンスのばらつきが小さく、また基板上の配線レイアウトも簡便なマイクロストリップ線路を用いて、良好な電気的接続を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る基板は、誘電体層と、前記誘電体層の第１の面に設けられたマイクロストリップ信号線路導体と、前記誘電体層の第２の面に設けられ、前記マイクロストリップ信号線路導体とでマイクロストリップ線路を構成するグランド導体層と、を備え、前記マイクロストリップ信号線路導体の直下において前記マイクロストリップ信号線路導体の長さが前記グランド導体層の長さに比べて長い、または短いものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明は、基板において、グランド導体層を避けてマイクロストリップ信号線路導体同士が接続可能となり、マイクロストリップ線路を用いて、例えば数十Ｇｂｐｓ以上の高速信号伝送での良好な電気的接続を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１による基板を示す構成図
【図２】この発明の実施の形態１による基板の接続方式を示す構成図
【図３】この発明の実施の形態１による基板の接続方式を説明するための説明図
【図４】この発明の実施の形態２による基板の接続方式を示す構成図
【図５】この発明の実施の形態２による基板の接続方式を説明するための説明図
【図６】この発明の実施の形態２による基板の接続方式を説明するための説明図
【図７】この発明の実施の形態３による基板の接続方式を示す構成図
【図８】この発明の実施の形態４による基板の接続方式を示す構成図
【図９】この発明の実施の形態４による基板の接続方式を示す構成図
【図１０】この発明の実施の形態４による基板の接続方式を示す構成図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による基板を示す構成図であり、図１（ａ）は第１の基板を示す平面図、図１（ｂ）は第２の基板を示す平面図である。また、図２は、この発明の実施の形態１による基板の接続方式を示す構成図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ−Ａ’での断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ’での断面図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。また、各図において、破線は手前の部分の影に隠れている部分を示す。
【００１０】
図１、２において、１はフレキシブルプリント基板である第１の基板の誘電体層、２は誘電体層１の第１の面に形成されたマイクロストリップ信号線路導体、３は誘電体層１に対してマイクロストリップ信号線路導体２と逆側の第２の面に形成され、マイクロストリップ信号線路導体２と１対としてマイクロストリップ線路を構成するグランド導体層、４は誘電体層１の第２の面に形成され、第２の基板との接続に用いる信号用の導体パッド、４ａは誘電体層１を貫通して形成され、導体パッド４を介してマイクロストリップ信号線路導体２を後述のマイクロストリップ信号線路導体１２と電気的に接続するためのはんだ接合用のスルーホールビア、５は誘電体層１の第１の面に形成されたグランド用の導体パッド、５ａは誘電体層１を貫通して形成され、第２の基板との接続のために用いるはんだ接合用のスルーホールビアである。なお、フレキシブルプリント基板の誘電体材料は一般に熱伝導性が悪く、導体パッド４、５とスルーホールビア４ａ、５ａを通じた伝熱によりはんだ溶融を可能としている。
【００１１】
また、図１、２において、１１はリジッドプリント基板である第２の基板の誘電体層、１２は誘電体層１１の第１の面に形成されたマイクロストリップ信号線路導体、１３は誘電体層１１に対してマイクロストリップ信号線路導体１２と逆側の第２の面に形成され、マイクロストリップ信号線路導体１２との１対としてマイクロストリップ線路を構成するグランド導体層、１５は誘電体層１１の第１の面に形成され、第１の基板との接続に用いるグランド用の導体パッド、１５ａは誘電体層１１を貫通して形成され、導体パッド１５を介してグランド導体層３をグランド導体層１３と電気的に接続するためのスルーホールビアである。
【００１２】
また、図２において、第１の基板の第２の面と第２の基板の第１の面とを対向して配置し、導体パッド４とマイクロストリップ信号線路導体１２の端の近傍部分である端部とをはんだ接合し、スルーホールビア５ａ、１５ａの位置を合わせてグランド導体層３の端の近傍部分である端部と導体パッド１５とをはんだ接合しており、導体パッド４とスルーホールビア４ａと導体パッド１５とスルーホールビア１５ａとで接続部を構成する。
【００１３】
なお、ここでは、マイクロストリップ線路を５０Ω系として構成しており、フレキシブルプリント基板の誘電体層１は厚み５０μｍ程度のポリイミドとし、マイクロストリップ信号線路導体２は幅１００μｍ程度とし、リジッドプリント基板の誘電体層１１は厚み２５０μｍ程度のＦＲ−４とし、マイクロストリップ信号線路導体１２は幅４００μｍ程度とし、導体パッド５、１５はパッド中心間距離にして導体パッド４と各々０．８ｍｍ程度離している。ただし、基板の材料や寸法はこれに限るものではなく、また、５０Ω系に限るものでもない。
【００１４】
次に動作について説明する。図２において、第１の基板は第２の基板との接続端方向に対してマイクロストリップ信号線路導体２の長さが直下の裏面のグランド導体３よりも長く、第２の基板は第１の基板との接続端方向に対してマイクロストリップ信号線路導体１２の長さが直下の裏面のグランド導体１３よりも短い、という基板間接続構成としている。すなわち、マイクロストリップ信号線路導体２の端の近傍部分である端部の直下において、図２（ａ）の破線で示すように、グランド導体３を欠落させるようなパターンで形成することにより、グランド導体３を避けてマイクロストリップ信号線路導体２の端部をマイクロストリップ信号線路導体１２の端部と接続可能としている。
【００１５】
この結果、第２の基板においては導体パッド４とスルーホールビア４ａでの第１の基板との接続部以降でマイクロストリップ信号線路導体１２が不連続点なく形成でき、反射のない信号伝送が可能となり、反射を生じる不連続部は第１の基板側の導体パッド４付近においてグランド導体層３が左右に分離されている部分のみとなる。このとき、第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体２直下のグランド導体３の端と信号パッド４および第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体１２の端との間のギャップＧでキャパシタが形成される。このキャパシタ成分により、第１の基板においてマイクロストリップ信号線路導体２直下のグランド導体３がなくなることでリターン電流の経路が各導体パッド５に迂回することにより増加するインダクタンス成分を補償することができ、線路不連続部でのインピーダンス不整合を小さくし低反射化が可能となる。
【００１６】
第１の基板のマイクロストリップ信号線路導体２直下のグランド導体３の端と導体パッド４との間のギャップＧの水平距離を変化させた場合の電気的反射特性のシミュレーション結果を図３に示す。ここでは第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体１２の端の水平位置は導体パッド４の端と同じとし、第１の基板の導体パッド４での線路幅（パッド横幅）を０．４ｍｍ、導体パッド４の縦幅を１ｍｍ、導体パッド４へのマイクロストリップ信号線路導体２の接続は距離１．２ｍｍのテーパにて接続するとした。図３において、２１はＧ＝０．２ｍｍ、２２はＧ＝０．３ｍｍ、２３はＧ＝０．４ｍｍ、２４はＧ＝０．５ｍｍのときのグラフである。
【００１７】
図３において、特に２０ＧＨｚの高周波まで低反射化することを目的とする場合、ギャップＧ＝０．３〜０．４ｍｍが有効であることがわかる。１５ＧＨｚまでであれば０．５ｍｍまでギャップＧを広げることも有効である。一方で、ギャップＧをあまり小さくするとはんだ実装時の短絡が問題となるが、図３に示すように０．２ｍｍより０．３ｍｍ以上の方が反射を抑制できているため、ギャップＧは０．３ｍｍ以上で規定することが有効である。
【００１８】
以上のように、この発明の実施の形態１による基板の接続方式においては、第１の基板は第２の基板との接続端方向に対してマイクロストリップ信号線路導体２の長さが直下のグランド導体３よりも長く、第２の基板は第１の基板との接続端方向に対してマイクロストリップ信号線路導体１２の長さが直下のグランド導体１３よりも短い、という基板間接続構成としている。これにより、グランド導体層を避けてマイクロストリップ信号線路導体同士が接続可能となり、フレキシブルプリント基板においても特性インピーダンスのばらつきが小さく、また基板上の配線レイアウトも簡便なマイクロストリップ線路を用いて、２０ＧＨｚの高周波に渡る良好な電気的接続を実現することができる。特に、接続部において、インダクタンス成分をキャパシタンス成分で相殺することにより高周波特性の改善が可能となっている。
【００１９】
実施の形態２．
上述のように、この発明の実施の形態１による基板の接続方式は、インダクタンス成分のキャパシタンス成分による相殺で高周波特性の改善が可能となるようにしたものであるが、この発明の実施の形態２による基板の接続方式は、さらに広帯域に渡り低反射化を実現するため、実効インダクタンスの値そのものを小さくするようにするためのものである。
【００２０】
図４は、この発明の実施の形態２による基板の接続方式を示す構成図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＡ−Ａ’での断面図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。また、各図において、破線は手前の部分の影に隠れている部分を示す。図４において、６はマイクロストリップ信号線路導体２に近接して誘電体層１の第１の面に形成されたグランド用の導体パッド、６ａはマイクロストリップ信号線路導体２に近接して誘電体層１を貫通して形成され、第２の基板との接続のために用いるはんだ接合用のφ０．２ｍｍ程度のスルーホールビア、１６は誘電体層１１の第１の面に形成され、第１の基板との接続に用いるグランド用の導体パッド、１６ａは誘電体層１１を貫通して形成され、導体パッド１６を介してグランド導体層３をグランド導体層１３と電気的に接続するためのスルーホールビアである。この導体パッド６、１６、スルーホールビア６ａ、１６ａを追加するように構成した以外は、この発明の実施の形態１による基板の接続方式と同様の構成である。なお、フレキシブルプリント基板の誘電体材料は一般に熱伝導性が悪く、導体パッド４、５、６とスルーホールビア４ａ、５ａ、６ａを通じた伝熱によりはんだ溶融を可能としている。
【００２１】
また、図４において、第１の基板の第２の面と第２の基板の第１の面とを対向して配置し、導体パッド４とマイクロストリップ信号線路導体１２の端部とをはんだ接合し、スルーホールビア５ａ、１５ａの位置を合わせてグランド導体層３の端部と導体パッド１５とをはんだ接合し、スルーホールビア６ａ、１６ａの位置を合わせてグランド導体層３の端の近傍部分である端部と導体パッド１６とをはんだ接合しており、導体パッド４とスルーホールビア４ａと導体パッド１５とスルーホールビア１５ａと導体パッド１６とスルーホールビア１６ａとで接続部を構成する。
【００２２】
次に動作について説明する。図４において、マイクロストリップ信号線路導体２に近接して形成された導体パッド６、１６とスルーホールビア６ａ、１６ａによる第１の基板と第２の基板間のグランド接続によって、リターン電流経路を短縮することが有効となる。この導体パッド６等によるグランド接続がありの場合となしの場合で比較したシミュレーション結果の一例を図５に示す。２つの導体パッド６は各々マイクロストリップ信号線路導体２との中心間距離０．５ｍｍ、信号パッド４の端よりの水平距離０．７ｍｍとした。
【００２３】
図５（ａ）において、３１ａ、３２ａは各々導体パッド６等によるグランド接続がなし、ありの場合の反射特性であり、図５（ｂ）において、３１ｂ、３２ｂは各々導体パッド６等によるグランド接続がなし、ありの場合のスミスチャートである。図５より、導体パッド６等によるグランド接続追加によりＤＣから５０ＧＨｚまでの広帯域に渡り全体的に反射が小さくなっており、スミスチャートの円径も内側に回りこんでおりインダクタンス成分が低下していることがわかる。
【００２４】
ここで、参考比較として、導体パッド６等によるグランド接続を追加せず、単純に第１の基板の導体パッド５をマイクロストリップ信号線路導体２に０．３ｍｍだけ近づけ、同様に第２の基板の導体パッド１５およびスルーホールビア１５ａも０．３ｍｍだけマイクロストリップ信号線路導体１２に近づけた場合のシミュレーション結果を図６に示す。このとき、図５（ａ）に示す反射特性と比較して、図６に示す反射特性は劣化している。これは、パッド間の隙間が小さく信号用の導体パッドとグランド用の導体パッドとの結合が大きくなりすぎることによると考えられる。
【００２５】
すなわち、まず、図５（ａ）の場合のように、導体パッド６等によるグランド接続を用いた場合には、第１の基板として考えているフレキシブルプリント基板は誘電体層１がフィルム状ポリイミドで厚みが５０μｍ程度と薄いため、電界はグランド導体３に強く結合しており、導体パッド６はマイクロストリップ信号線路導体２に近づけた場合でも結合は相対的に非常に弱い。これに対し、図６の場合のように、グランド用の導体パッド１５をマイクロストリップ信号線路導体１２に近づけた場合には、第２の基板として考えているリジッドプリント基板は誘電体層１１がＦＲ−４で厚みが２５０μｍ程度と第１の基板より厚いため、相対的に隣接するグランド用の導体パッドへの結合が大きくなるため顕著な影響を受け特性が劣化することになる。このように、この発明の実施の形態２による基板の接続方式では、第２の基板は第１の基板との接続端方向に対してマイクロストリップ信号線路導体１２の長さが直下のグランド導体１３よりも短い、という基板間接続構成としているので、マイクロストリップ信号線路導体１２がなくなった領域で、マイクロストリップ信号線路導体１２との結合の影響なく導体パッド６等によるグランド接続を採用することができるのである。
【００２６】
以上のように、この発明の実施の形態２による基板の接続方式においては、マイクロストリップ信号線路導体２に近接して形成されたスルーホールビアによる第１の基板と第２の基板間のグランド接続の追加によって、リターン電流経路を短縮するようにしている。これにより、この発明の実施の形態１と同様の効果に加え、マイクロストリップ線路を用いて、５０ＧＨｚの高周波に渡る良好な電気的接続を実現することができる。特に、接続部において、実効インダクタンスを小さくすることにより高周波特性のさらなる改善が可能となっている。
【００２７】
なお、この発明の実施の形態２による基板の接続方式では、この発明の実施の形態１による基板の接続方式との作用効果の比較、および同等以上の機械的接合強度を得る目的から、導体パッド５と導体パッド６等によるグランド接続を併用する形態を示したが、導体パッド５等によるグランド接続、すなわち、導体パッド５、１５、スルーホールビア５ａ、１５ａを省略した構成とすることも可能である。
【００２８】
実施の形態３．
上述のように、この発明の実施の形態２による基板の接続方式は、マイクロストリップ信号線路導体２に近接して形成されたスルーホールビアによる第１の基板と第２の基板のグランド接続に、導体パッド６とスルーホールビア６ａによるはんだ接合を用いるようにしたものであるが、この発明の実施の形態３による基板の接続方式は、導電性接着剤を用いるようにしたものである。
【００２９】
図７は、この発明の実施の形態３による基板の接続方式を示す構成図としての平面図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。また、各図において、破線は手前の部分の影に隠れている部分を示す。図７において、図４に示した導体パッド６とスルーホールビア６ａによるはんだ接合に代えて、導電性接着剤１７を用いてグランド導体３と導体パッド１６を接着し、これにより、第１の基板のグランド導体３と第２の基板のグランド導体１３との間のグランド接続を行っている。この導電性接着剤１７で代替するように構成した以外は、この発明の実施の形態２による基板の接続方式と同様の構成である。
【００３０】
また、図７において、第１の基板の第２の面と第２の基板の第１の面とを対向して配置し、導体パッド４とマイクロストリップ信号線路導体１２の端部とをはんだ接合し、スルーホールビア５ａ、１５ａの位置を合わせてグランド導体層３の端部と導体パッド１５とをはんだ接合し、グランド導体層３の端部と導体パッド１６とを導電性接着剤１７で接着しており、導体パッド４とスルーホールビア４ａと導体パッド１５とスルーホールビア１５ａと導体パッド１６とスルーホールビア１６ａと導電性接着剤１７とで接続部を構成する。
【００３１】
次に動作について説明する。この発明の実施の形態３による基板の接続方式の作用効果も、この発明の実施の形態２による基板の接続方式の作用効果と同様であり、マイクロストリップ信号線路導体２に近接して形成されたスルーホールビア１６ａと導体パッド１６と導電性接着剤１７による第１の基板と第２の基板間のグランド接続によって、リターン電流経路を短縮することが有効となる。
【００３２】
以上のように、この発明の実施の形態３による基板の接続方式においては、マイクロストリップ信号線路導体２に近接して形成されたスルーホールビア１６ａと導体パッド１６と導電性接着剤１７による第１の基板と第２の基板間のグランド接続によって、リターン電流経路を短縮するようにしている。これにより、この発明の実施の形態１と同様の効果に加え、マイクロストリップ線路を用いて、５０ＧＨｚの高周波に渡る良好な電気的接続を実現することができる。特に、接続部において、実効インダクタンスを小さくすることにより高周波特性の改善が可能となっている。
【００３３】
なお、この発明の実施の形態３による基板の接続方式では、この発明の実施の形態２の場合と同様に、導体パッド５、１５、スルーホールビア５ａ、１５ａを省略した構成とすることも可能である。
【００３４】
実施の形態４．
上述のように、この発明の実施の形態１〜３による基板の接続方式は、第１の基板と第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体が１対のものに適用したものであるが、この発明の実施の形態３による基板の接続方式は、第１の基板と第２の基板のマイクロストリップ信号線路導体を２対、すなわち差動線路に適用したものである。
【００３５】
図８〜１０は、この発明の実施の形態４による基板の接続方式を示す構成図としての平面図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。また、各図において、破線は手前の部分の影に隠れている部分を示す。図８〜１０において、図２、４、７に示した１対のマイクロストリップ信号線路導体１、１２に代えて、差動線路を構成する２対のマイクロストリップ信号線路導体２−１、２−２、１２−１、１２−２を設けている。この差動線路で代替するように構成した以外は、この発明の実施の形態１〜３による基板の接続方式と同様の構成である。
【００３６】
次に動作について説明する。この発明の実施の形態４による基板の接続方式の作用効果は、この発明の実施の形態１〜３による基板の接続方式の作用効果と同様であり、差動線路としてのマイクロストリップ線路に適用可能である。
【００３７】
以上のように、この発明の実施の形態４による基板の接続方式においては、フレキシブルプリント基板においても特性インピーダンスのばらつきが小さく、また基板上の配線レイアウトも簡便な差動線路としてのマイクロストリップ線路を用いて、数十ＧＨｚの高周波に渡る良好な電気的接続を実現することができ、この発明の実施の形態１〜３と同様の作用効果を奏する。
【００３８】
なお、この発明の実施の形態４による基板の接続方式のうち、図９、１０に示したものでは、この発明の実施の形態２の場合と同様に、導体パッド５、１５、スルーホールビア５ａ、１５ａを省略した構成とすることも可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１、１１  誘電体層
２、１２、２−１、２−２、１２−１、１２−２  マイクロストリップ信号線路導体
３、１３  グランド導体層
４、５、６、１５、１６  導体パッド
４ａ、５ａ、６ａ、１５ａ、１６ａ  スルーホールビア
１７  導電性接着剤
【図１】
2010200234.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010200234.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2010200234.tif 000008
【図７】
2010200234.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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