(57)【要約】【課題】  ２つの基板を接合して誘電体ブロックを形成しているため形状が大きくなる。絶縁体層、ストリップライン電極、容量用導体パターン、グランド用導体パターンを積層体して、積層体内にバンドパスフィルタを形成したものは、小型化できるものの、複数のストリップラインが絶縁体層を介して積層されているだけなので、特性が劣化する。【解決手段】  絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成される。この共振器は、絶縁体層を介して互いに対向する様に複数のストリップライン電極を積層し、絶縁体層の積層方向に積層された複数のストリップライン電極の一端側同士が接続され、絶縁体層の積層方向に積層された複数のストリップライン電極の他端がアースに接続されて形成される。【選択図】  図１
2010200226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタにおいて、
該共振器は、絶縁体層を介して互いに対向する様に複数のストリップライン電極を積層し、該絶縁体層の積層方向に積層された複数のストリップライン電極の一端側同士が接続され、該複数のストリップライン電極の他端がアースに接続されて形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタにおいて、
該共振器は、絶縁体層表面に複数のストリップライン電極を並べて形成し、絶縁体層を介して該複数のストリップライン電極に対向する複数のストリップライン電極を積層し、該絶縁体層の積層方向に積層されたストリップライン電極の一端同士が接続され、該ストリップライン電極の他端がアースに接続されて、該積層体内に複数形成されることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項３】
前記共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面に、絶縁体層を介してストリップライン電極に対向するコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層された請求項１又は請求項２に記載の誘電体フィルタ。
【請求項４】
絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタにおいて、
該共振器は、絶縁体層表面に複数のストリップライン電極を並べて形成し、絶縁体層を介して該複数のストリップライン電極に対向する複数のストリップライン電極を積層し、該絶縁体層の積層方向に積層されたストリップライン電極の一端同士が絶縁体層に形成されたスルーホール内の導体を介して接続され、該ストリップライン電極の他端がアースに接続されて、積層体内に複数形成され、
該共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面の一方の面に、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極のそれぞれに対向する複数のコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層され、
該共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面の他方の面に、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極を横切るコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層されることを特徴とする誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体層とストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信分野で使用されている、ストリップラインを用いた従来の誘電体フィルタに、図８に示す様に、複数の１／４波長共振器Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９を容量Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２を介して結合し、容量Ｃ９、Ｃ１３を介して入出力端子に接続された分布定数型バンドパスフィルタがある。
この様な従来の誘電体フィルタは、図９に示す様に、複数の溝が形成された誘電体基板９１と平板状の誘電体基板９２を接合して誘電体ブロックとし、この誘電体ブロックに内導体９３と外導体９４を設けてバンドパスフィルタが形成されていた（例えば、特許文献１を参照。）。
近年、携帯電話等の移動体通信機器に用いられるこの種の誘電体フィルタは、形状を小型にすることと、挿入損失（ＩＬ）を低くすることが望まれている。
従来の誘電体フィルタは、挿入損失（ＩＬ）を低くすることができるものの、２つの基板を接合して誘電体ブロックを形成しているため、形状が大きくなるという問題があった。
誘電体フィルタを小型にするために、図１０に示す様に、絶縁体層１０１、ストリップライン電極１０２、容量用導体パターン１０３、グランド用導体パターン１０４を積層し、積層体内にバンドパスフィルタを形成することが行われている（例えば、特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平5-347504号公報
【特許文献２】特開2008-35565号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この様な従来の誘電体フィルタは、複数のストリップラインが絶縁体層を介して積層されているだけなので、挿入損失が増大する傾向にあり、減衰特性も図９のものよりも劣るという問題があった。
【０００５】
本発明は、特性を劣化させることなく、形状を小型化できる誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタにおいて、共振器は、絶縁体層を介して互いに対向する様に複数のストリップライン電極を積層し、絶縁体層の積層方向に積層された複数のストリップライン電極の一端側同士が接続され、複数のストリップライン電極の他端がアースに接続されて形成される。
また、本発明は、絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成された誘電体フィルタにおいて、共振器は、絶縁体層表面に複数のストリップライン電極を並べて形成し、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極に対向する複数のストリップライン電極を積層し、絶縁体層の積層方向に積層されたストリップライン電極の一端同士が接続され、ストリップライン電極の他端がアースに接続されて、積層体内に複数形成される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の誘電体フィルタは、絶縁体層を介して互いに対向する様に複数のストリップライン電極を積層し、絶縁体層の積層方向に積層された複数のストリップライン電極の一端側同士が接続され、複数のストリップライン電極の他端がアースに接続されて、積層体内に共振器が形成されるので、挿入損失（ＩＬ）を増大させることなく、形状を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の誘電体フィルタの第１の実施例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の誘電体フィルタの実施例の斜視図である。
【図３】本発明の誘電体フィルタの第１の実施例の回路図である。
【図４】本発明の誘電体フィルタの第１の実施例の特性図である。
【図５】本発明の誘電体フィルタの第２の実施例を示す分解斜視図である。
【図６】本発明の誘電体フィルタの第２の実施例の回路図である。
【図７】本発明の誘電体フィルタの第２の実施例の特性図である。
【図８】従来の誘電体フィルタの回路図である。
【図９】従来の誘電体フィルタの斜視図である。
【図１０】従来の別の誘電体フィルタの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の誘電体フィルタは、絶縁体層と複数のストリップライン電極を積層し、積層体内に共振器が形成される。この共振器は、絶縁体層表面に複数のストリップライン電極を並べて形成し、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極に対向する複数のストリップライン電極を積層し、絶縁体層の積層方向に積層されたストリップライン電極の一端同士が絶縁体層に形成されたスルーホール内の導体を介して接続され、ストリップライン電極の他端がアースに接続されて、積層体内に複数形成される。共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面の一方の面には、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極のそれぞれに対向する複数のコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層される。また、共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面の他方の面に、絶縁体層を介して複数のストリップライン電極を横切るコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層される。
従って、本発明の誘電体フィルタは、絶縁体層の積層方向に積層されたストリップライン電極が並列に接続されるので、共振器を構成するストリップラインの表面積が大きくなる。
【実施例】
【００１０】
以下、本発明の誘電体フィルタの実施例を図１乃至図７を参照して説明する。
図１は本発明の誘電体フィルタの第１の実施例を示す分解斜視図、図２は本発明の誘電体フィルタの実施例の斜視図である。
図１において、１１Ａ〜１１Ｈは絶縁体層、１２Ａ〜１２Ｅはストリップライン電極である。
絶縁体層１１Ａ〜１１Ｈは、磁性体、非磁性体、誘電体等絶縁性を有する材料を用いて形成される。
絶縁体層１１Ａの表面には、アース用導体パターンＧ１が形成される。アース用導体パターンＧ１は、引き出し端が絶縁体層１１Ａの対向する側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｂの表面には、ストリップライン電極１２Ａが形成される。ストリップライン電極１２Ａは、一端が引出し電極を介して絶縁体層１１Ｂの対向する端面まで引き出され、他端が絶縁体層１１Ｂの側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｃの表面には、ストリップライン電極１２Ｂが形成される。ストリップライン電極１２Ｂは、ストリップライン電極１２Ａと対向する位置に形成される。ストリップライン電極の一端は、絶縁体層１１Ｃに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極１２Ａの一端に接続されと共に、引出し電極を介して絶縁体層１１Ｃの対向する端面まで引き出される。また、ストリップライン電極１２Ｂの他端は絶縁体層１１Ｃの側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｄの表面には、ストリップライン電極１２Ｃが形成される。ストリップライン電極１２Ｃは、ストリップライン電極１２Ｂと対向する位置に形成される。ストリップライン電極１２Ｃの一端は、絶縁体層１１Ｄに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極１２Ｂの一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層１１Ｄの対向する端面まで引き出される。また、ストリップライン電極１２Ｃの他端は絶縁体層１１Ｄの側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｅの表面には、ストリップライン電極１２Ｄが形成される。ストリップライン電極１２Ｄは、ストリップライン電極１２Ｃと対向する位置に形成される。ストリップライン電極１２Ｄの一端は、絶縁体層１１Ｅに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極１２Ｃの一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層１１Ｅの対向する端面まで引き出される。ストリップライン電極１２Ｄの他端は、絶縁体層１１Ｅの側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｆの表面には、ストリップライン電極１２Ｅが形成される。ストリップライン電極１２Ｅは、ストリップライン電極１２Ｄと対向する位置に形成される。このストリップライン電極１２Ｅの一端は、絶縁体層１１Ｆに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極１２Ｄの一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層１１Ｆの対向する端面まで引き出される。ストリップライン電極１２Ｅの他端は、絶縁体層１１Ｆの側面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｇの表面には、アース用導体パターンＧ２が形成される。アース用導体パターンＧ２は、引き出し端が絶縁体層１１Ｇの対向する側面まで引き出される。
この絶縁体層１１Ｇの上には、絶縁体層１１Ｈが積層される。
この様に積層された積層体には、図２に示す様に、積層体の端面に入力端子２１と出力端子２２が、積層体の側面にアース端子２３、２４がそれぞれ形成される。そして、ストリップライン電極１２Ａの一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極１２Ｂの一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極１２Ｃの一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極１２Ｄの一端に接続された引出し電極及び、ストリップライン電極１２Ｅの一端に接続された引出し電極が入力端子２１と出力端子２２間に、ストリップライン電極１２Ａ〜１２Ｅの他端、アース用導体パターンＧ１、Ｇ２の引出し端がアース端子２３に、アース用導体パターンＧ１、Ｇ２の引出し端がアース端子２４に接続される。この様にして積層体内において絶縁体層の積層方向に配置された複数のストリップライン電極１２Ａ〜１２Ｅが並列に接続されることにより、積層体内に共振器が形成される。
【００１１】
この様に形成された誘電体フィルタは、積層体内に、図３に示す様に、共振器Ｌ１の入力端が入力端子に、共振器Ｌ１の出力端が出力端子に接続され、共振器Ｌ１のアース端がアースされたフィルタが形成される。
この様な本発明の誘電体フィルタは、絶縁体層の誘電率を２１、ストリップライン電極の線幅を１２５μｍ、ストリップライン電極の厚みを１０μｍ、絶縁体層の厚みを１０μｍとして積層体内のストリップライン電極の層数を変化させたところ、図４に４１で示す様に、ストリップライン電極の層数が増加するにしたがってＱ値が増加した。また、本発明の誘電体フィルタは、積層体内でストリップライン電極と同じ厚みの導体を複数層積み重ねたもののＱ値４２や、積層体内に直径１２７μｍの円柱導体を設けたもののＱ値４３よりも、大幅に向上した。これは、本発明の誘電体フィルタが、積層体内でストリップライン電極と同じ厚みの導体を複数層積み重ねたものや、積層体内に円柱導体を設けたものよりもストリップラインの表面積が大きいため、この種の誘電体フィルタが使用される周波数がＧＨ帯と高く、表皮効果によって電流が導体の表面にしか流れない状況においても、表面積が大きい分電流を多く流すことができ、前述の様にＱ値を大幅に向上させることができた。
【００１２】
図５は本発明の誘電体フィルタの第２の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層５１Ａの表面には、アース用導体パターンＧ１が形成される。アース用導体パターンＧ１は、引き出し端が絶縁体層５１Ａの対向する側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｂの表面には、コンデンサ用導体パターン５３Ａ、コンデンサ用導体パターン５３Ｂ、コンデンサ用導体パターン５３Ｃ及び、コンデンサ用導体パターン５３Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン５３Ａ〜５３Ｄは、アース用導体パターンＧ１に対向する位置に形成され、それぞれの引き出し端が絶縁体層５１Ｂの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｃの表面には、ストリップライン電極５２Ａ１、ストリップライン電極５２Ａ２、ストリップライン電極５２Ａ３及び、ストリップライン電極５２Ａ４が形成される。ストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ａ４は、ストリップライン電極５２Ａ１がコンデンサ用導体パターン５３Ａと対向する位置に、ストリップライン電極５２Ａ２がコンデンサ用導体パターン５３Ｂと対向する位置に、ストリップライン電極５２Ａ３がコンデンサ用導体パターン５３Ｃと対向する位置に、ストリップライン電極５２Ａ４がコンデンサ用導体パターン５３Ｄと対向する位置にそれぞれ形成される。ストリップライン電極５２Ａ１は、一端が引出し電極を介して絶縁体層５１Ｃの一方の端面まで引き出される。また、ストリップライン電極５２Ａ４は、一端が引出し電極を介して絶縁体層５１Ｃの他方の端面まで引き出される。ストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ａ４の他端は、絶縁体層５１Ｃの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｄの表面には、ストリップライン電極５２Ｂ１、ストリップライン電極５２Ｂ２、ストリップライン電極５２Ｂ３及び、ストリップライン電極５２Ｂ４が形成される。ストリップライン電極５２Ｂ１〜５２Ｂ４は、ストリップライン電極５２Ｂ１がストリップライン電極５２Ａ１と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｂ２がストリップライン電極５２Ａ２と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｂ３がストリップライン電極５２Ａ３と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｂ４がストリップライン電極５２Ａ４と対向する位置にそれぞれ形成される。この時、ストリップライン電極５２Ｂ１〜５２Ｂ４は、それぞれ対向するストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ａ４と同じ形状に形成される。また、ストリップライン電極５２Ｂ１の一端は、絶縁体層５１Ｄに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ａ１の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｄの一方の端面まで引き出される。さらに、ストリップライン電極５２Ｂ４の一端は、絶縁体層５１Ｄに形成されたスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ａ４の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｄの他方の端面まで引き出される。ストリップライン電極５２Ｂ２の一端は、絶縁体層５１Ｄのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ａ２の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｂ３の一端は、絶縁体層５１Ｄのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ａ３の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｂ１〜５２Ｂ４の他端は、絶縁体層５１Ｄの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｅの表面には、ストリップライン電極５２Ｃ１、ストリップライン電極５２Ｃ２、ストリップライン電極５２Ｃ３及び、ストリップライン電極５２Ｃ４が形成される。ストリップライン電極５２Ｃ１〜５２Ｃ４は、ストリップライン電極５２Ｃ１がストリップライン電極５２Ｂ１と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｃ２がストリップライン電極５２Ｂ２と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｃ３がストリップライン電極５２Ｂ３と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｃ４がストリップライン電極５２Ｂ４と対向する位置にそれぞれ形成される。この時、ストリップライン電極５２Ｃ１〜５２Ｃ４は、それぞれ対向するストリップライン電極５２Ｂ１〜５２Ｂ４と同じ形状に形成される。また、ストリップライン電極５２Ｃ１の一端は、絶縁体層５１Ｅのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｂ１の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｅの一方の端面まで引き出される。さらに、ストリップライン電極５２Ｃ４の一端は、絶縁体層５１Ｅのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｂ４の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｅの他方の端面まで引き出される。ストリップライン電極５２Ｃ２の一端は、絶縁体層５１Ｅのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｂ２の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｃ３の一端は、絶縁体層５１Ｅのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｂ３の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｃ１〜５２Ｃ４の他端は、絶縁体層５１Ｅの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｆの表面には、ストリップライン電極５２Ｄ１、ストリップライン電極５２Ｄ２、ストリップライン電極５２Ｄ３及び、ストリップライン電極５２Ｄ４が形成される。ストリップライン電極５２Ｄ１〜５２Ｄ４は、ストリップライン電極５２Ｄ１がストリップライン電極５２Ｃ１と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｄ２がストリップライン電極５２Ｃ２と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｄ３がストリップライン電極５２Ｃ３と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｄ４がストリップライン電極５２Ｃ４と対向する位置にそれぞれ形成される。このストリップライン電極５２Ｄ１〜５２Ｄ４は、それぞれ対向するストリップライン電極５２Ｃ１〜５２Ｃ４と同じ形状に形成される。また、ストリップライン電極５２Ｄ１の一端は、絶縁体層５１Ｆのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｃ１の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｆの一方の端面まで引き出される。さらに、ストリップライン電極５２Ｄ４の一端は、絶縁体層５１Ｆのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｃ４の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｆの他方の端面まで引き出される。ストリップライン電極５２Ｄ２の一端は、絶縁体層５１Ｆのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｃ２の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｄ３の一端は、絶縁体層５１Ｆのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｃ３の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｄ１〜５２Ｄ４の他端は、絶縁体層５１Ｆの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｇの表面には、ストリップライン電極５２Ｅ１、ストリップライン電極５２Ｅ２、ストリップライン電極５２Ｅ３及び、ストリップライン電極５２Ｅ４が形成される。ストリップライン電極５２Ｅ１〜５２Ｅ４は、ストリップライン電極５２Ｅ１がストリップライン電極５２Ｄ１と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｅ２がストリップライン電極５２Ｄ２と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｅ３がストリップライン電極５２Ｄ３と対向する位置に、ストリップライン電極５２Ｅ４がストリップライン電極５２Ｄ４と対向する位置にそれぞれ形成される。このストリップライン電極５２Ｅ１〜５２Ｅ４は、それぞれ対向するストリップライン電極５２Ｄ１〜５２Ｄ４と同じ形状に形成される。また、ストリップライン電極５２Ｅ１の一端は、絶縁体層５１Ｇのスルーホール内の導体を介してストリップライン導体５２Ｄ１の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｇの一方の端面まで引き出される。さらに、ストリップライン電極５２Ｅ４の一端は、絶縁体層５１Ｇのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｄ４の一端に接続されると共に、引出し電極を介して絶縁体層５１Ｇの他方の端面まで引き出される。ストリップライン電極５２Ｅ２の一端は、絶縁体層５１Ｇのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｄ２の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｅ３の一端は、絶縁体層５１Ｇのスルーホール内の導体を介してストリップライン電極５２Ｄ３の一端に接続される。ストリップライン電極５２Ｅ１〜５２Ｅ４の他端は、絶縁体層５１Ｇの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｈの表面には、コンデンサ用導体パターン５４Ａ、コンデンサ用導体パターン５４Ｂ、コンデンサ用導体パターン５４Ｃ、コンデンサ用導体パターン５４Ｄ及び、コンデンサ用導体パターン５４Ｅが形成される。コンデンサ用導体パターン５４Ａ〜５４Ｄは、コンデンサ用導体パターン５４Ａがストリップライン電極５２Ｅ１と対向する位置に、コンデンサ用導体パターン５２Ｂがストリップライン電極５２Ｅ２と対向する位置に、コンデンサ用導体パターン５２Ｃがストリップライン電極５２Ｅ３と対向する位置に、コンデンサ用導体パターン５２Ｄがストリップライン電極５２Ｅ４と対向する位置にそれぞれ形成される。また、コンデンサ用導体パターン５４Ｅは、コンデンサ用導体パターン５４Ａ〜５４Ｄの一端に接続された状態で、ストリップライン電極５２Ｅ１〜５２Ｅ４を横切る様に形成される。
絶縁体層５１Ｉの表面には、アース用導体パターンＧ２が形成される。アース用導体パターンＧ２は、引き出し端が絶縁体層５１Ｉの対向する側面まで引き出される。
この絶縁体層５１Ｉの上には、絶縁体層５１Ｊが積層される。
この様に積層された積層体には、図２に示す様に、積層体の端面に入力端子２１と出力端子２２が、積層体の側面にアース端子２３、２４がそれぞれ形成される。そして、ストリップライン電極５２Ａ１の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｂ１の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｃ１の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｄ１の一端に接続された引出し電極及び、ストリップライン電極５２Ｅ１の一端に接続された引出し電極が入力端子２１に接続され、ストリップライン電極５２Ａ４の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｂ４の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｃ４の一端に接続された引出し電極、ストリップライン電極５２Ｄ４の一端に接続された引出し電極及び、ストリップライン電極５２Ｅ４の一端に接続された引出し電極が出力端子２２に接続される。また、ストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ａ４、５２Ｂ１〜５２Ｂ４、５２Ｃ１〜５２Ｃ４、５２Ｄ１〜５２Ｄ４、５２Ｅ１〜５２Ｅ４の他端及び、アース用導体パターンＧ１、Ｇ２の引き出し端がアース端子２３に接続され、コンデンサ用導体パターン５３Ａ〜５３Ｄの引き出し端、アース用導体パターンＧ１、Ｇ２の引き出し端がアース端子２４に接続される。この様にして積層体内において、ストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ａ４が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ｂ１〜５２Ｂ４が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ｃ１〜５２Ｃ４が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ｄ１〜５２Ｄ４が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ｅ１〜５２Ｅ４が並列に接続されることにより、積層体内に複数個の共振器が形成される。
【００１３】
この様に形成された誘電体フィルタは、積層体内に、図６に示す様に、ストリップライン電極５２Ａ１〜５２Ｅ１によって形成された共振器Ｌ２と、コンデンサ用導体パターン５３Ａとアース用導体パターンＧ１間の容量とコンデンサ用導体パターン５３Ａとストリップライン電極５２Ａ１間の容量によって形成されたコンデンサＣ１が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ａ２〜５２Ｅ２によって形成された共振器Ｌ３と、コンデンサ用導体パターン５３Ｂとアース用導体パターンＧ１間の容量とコンデンサ用導体パターン５３Ｂとストリップライン電極５２Ａ２間の容量によって形成されたコンデンサＣ２が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ａ３〜５２Ｅ３によって形成された共振器Ｌ４と、コンデンサ用導体パターン５３Ｃとアース用導体パターンＧ１間の容量とコンデンサ用導体パターン５３Ｃとストリップライン電極５２Ａ３間の容量によって形成されたコンデンサＣ３が並列に接続され、ストリップライン電極５２Ａ４〜５２Ｅ４によって形成された共振器Ｌ５と、コンデンサ用導体パターン５３Ｄとアース用導体パターンＧ１間の容量とコンデンサ用導体パターン５３Ｄとストリップライン電極５２Ａ４間の容量によって形成されたコンデンサＣ４が並列に接続され、共振器Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５の一端がアースされ、共振器Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５の他端が、ストリップライン電極５２Ｅ１とコンデンサ用導体パターン５４Ａ間の容量によって形成されたコンデンサＣ５、ストリップライン電極５２Ｅ２とコンデンサ用導体パターン５４Ｂ間の容量によって形成されたコンデンサＣ６、ストリップライン電極５２Ｅ３とコンデンサ用導体パターン５４Ｃ間の容量によって形成されたコンデンサＣ７及び、ストリップライン電極５２Ｅ４とコンデンサ用導体パターン５４Ｄ間の容量によって形成されたコンデンサＣ８によって互いに接続され、共振器Ｌ２とコンデンサＣ５の接続点が入力端子６１に接続され、共振器Ｌ５とコンデンサＣ８の接続点が出力端子６２に接続されたフィルタが形成される。
この様な本発明の誘電体フィルタは、絶縁体層の誘電率を２１、ストリップライン電極の長さを１０７５μｍ、ストリップライン電極の線幅を１２５μｍ、ストリップライン電極の厚みを１０μｍ、絶縁体層の厚みを１０μｍ、素子全体の形状を２ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．８ｍｍとしたところ、図７に示す様に、通過帯域が４．２〜４．７６ＧＨｚ、通過帯域における挿入損失が１．８２ｄＢ、３．２〜３．８ＧＨｚの減衰量が２０．８１ｄＢ、５．１５〜５．８５ＧＨｚの減衰量が２１．１５ｄＢとなった。なお、図７において、横軸は周波数、縦軸は減衰量と挿入損失をそれぞれ示し、７１に伝送特性、７２に反射特性をそれぞれ示している。本発明の誘電体フィルタは、共振器を構成するストリップラインの表面積を大きくできるので、特性を劣化させることなく、形状を小型化することができた。
【００１４】
以上、本発明の誘電体フィルタの実施例を述べたが、本発明はこの実施例に限られるものではない。例えば、第１の実施例において、共振器が形成された積層体の絶縁体層の積層方向と垂直な面に、絶縁体層を介してストリップライン電極と対向するコンデンサ用導体パターンと絶縁体層が積層されても良い。
【符号の説明】
【００１５】
１１Ａ〜１１Ｈ  絶縁体層
１２Ａ〜１２Ｅ  ストリップライン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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