(57)【要約】【課題】衝撃や振動などに対して強度を向上させることで高い信頼性が得られる半導体チップ、光電変換チップおよび半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板２と、受光部３および制御回路部４とを形成する集積回路と、前記半導体基板の側面に形成され、半円筒形状に形成された外部端子５と、底面を除く全体を覆う樹脂封止部６とを備えた光電変換チップ１は、プリント配線基板に搭載する場合に、ワイヤによる接続が不要なので、ワイヤボンディング工程が不要である。【選択図】図１
2010040826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の上面に形成された集積回路と、前記半導体基板の側面の幅方向全体に形成された半円筒形状の外部端子と、前記半導体基板の上面および側面全体を覆い、前記外部端子の下端を露出する樹脂封止部とを備えた半導体チップ。
【請求項２】
半導体基板と、前記半導体基板の底面に形成された集積回路と、前記半導体基板の底面に形成された外部端子と、前記半導体基板の上面および側面全体を覆い、前記外部端子を露出する樹脂封止部とを備えた半導体チップ。
【請求項３】
半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、
ウエハ基板の分割箇所に貫通孔を形成する穿孔工程と、
前記ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、
前記貫通孔の内側面に金属薄膜層を被着する電極形成工程と、
前記ウエハ基板を粘着シートに貼り付けた状態で、前記分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とし、前記金属薄膜層が被着した貫通孔を外部端子とする第１分割工程と、
前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、
前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含む半導体チップの製造方法。
【請求項４】
半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、
ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、
前記ウエハ基板の上面に金属薄膜層を被着して外部端子を形成する電極形成工程と、
前記ウエハ基板を裏返して粘着シートに貼り付けた状態で、分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とする第１分割工程と、
前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、
前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含む半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に、集積回路と、外部を接続するための外部端子とが形成された半導体チップおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップは、樹脂で形成されたパッケージに収納され、半導体チップの外部端子とパッケージの電極とをワイヤにより接続することで導通が図られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この特許文献１に記載の半導体素子収納パッケージは、上面に半導体素子（従来の半導体チップ）を収容するための凹部を有する絶縁基体と、この凹部を取り囲む絶縁基体の枠状部上面に形成され、半導体素子の電極（外部端子）がワイヤにより接続される第１配線層と、絶縁基体の側面に形成され、第１配線層に接続される側面配線層と、絶縁基体の凹部を塞ぐ蓋体とを備えたものである。
【０００４】
このように、半導体素子をパッケージの凹部に収納し、凹部を蓋体で塞ぐことで、ワイヤや半導体チップは保護されている。
【特許文献１】特開２０００−３４０７０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体チップは、パッケージに収納された状態で保護されているので、パッケージに従来の半導体チップを収納する前においては、従来の半導体チップを搬送しているときや収納作業などにおいて、衝撃や振動などにより従来の半導体チップの表面を傷つけるおそれがある。また、従来の半導体チップとパッケージとが、ワイヤにより接続されているので衝撃や振動などによる断線等のおそれがある。ワイヤが断線してしまうと、パッケージからの信号が従来の半導体チップへ入力されなくなったり、従来の半導体チップからの信号がパッケージへ出力されなくなったりして、正常に動作しない事態となる。従って、衝撃や振動などに対して強い半導体チップが望まれている。また、従来の半導体チップは、パッケージに収納された状態で実装基板などに実装されるので、全体として小型化が困難である。
【０００６】
そこで本発明は、衝撃や振動などに対して強度を向上させることで高い信頼性が得られ、小型化を図ることが可能な半導体チップおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体チップは、半導体基板と、前記半導体基板の上面に形成された集積回路と、前記半導体基板の上面および側面全体を覆う樹脂封止部とを備え、前記半導体基板には、側面の幅方向全体に形成された半円筒形状の外部端子、または底面に形成された外部端子が設けられ、前記樹脂封止部は、前記半円筒形状の外部端子の下端、または前記半導体基板の底面に形成された外部端子を露出していることを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、ウエハ基板の分割箇所に貫通孔を形成する穿孔工程と、前記ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、前記貫通孔の内側面に金属薄膜層を被着する電極形成工程と、前記ウエハ基板を粘着シートに貼り付けた状態で、前記分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とし、前記金属薄膜層が被着した貫通孔を外部端子とする第１分割工程と、前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、前記ウエハ基板の上面に金属薄膜層を被着して外部端子を形成する電極形成工程と、前記ウエハ基板を裏返して粘着シートに貼り付けた状態で、分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とする第１分割工程と、前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、実装基板などに直接搭載して接続することで、製造工程においてワイヤボンド工程が省略でき、衝撃や振動に対してもワイヤで接続するより強度を向上させることができる。また、本発明の半導体チップは、樹脂封止部に封止された状態なので、搬送中や、実装基板に実装する際でも傷が付きにくい。よって、高い信頼性を得ることができる。また、ボンディングパッドを設ける必要がないので、ワイヤボンドエリア分ほど小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本願の第１の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の上面に形成された集積回路と、前記半導体基板の側面の幅方向全体に形成された半円筒形状の外部端子と、前記半導体基板の上面および側面全体を覆い、前記外部端子の下端を露出する樹脂封止部とを備えたことを特徴としたものである。
【００１２】
本願の第１の発明の半導体チップは、樹脂封止部が、半導体基板の上面および側面全体を覆い、半導体基板の側面に形成された外部端子の下端を露出しているので、実装基板に設けられた接続端子に外部端子の位置を合わせて搭載することで、ワイヤボンディングをすることなく、本発明の半導体チップを実装基板に接続することができる。従って、衝撃や振動に対してもワイヤで接続するよりも強度を向上させることができる。また、本発明の半導体チップは、樹脂封止部に封止された状態なので、搬送中や、実装基板に実装する際でも傷が付きにくい。従って、高い信頼性を得ることができる。また、本発明の半導体チップは、パッケージなどに収納する必要がないので、小型化を図ることができる。
【００１３】
本願の第２の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の底面に形成された集積回路と、前記半導体基板の底面に形成された外部端子と、前記半導体基板の上面および側面全体を覆い、前記外部端子を露出する樹脂封止部とを備えたことを特徴としたものである。
【００１４】
本願の第２の発明の半導体チップは、樹脂封止部が、半導体基板の上面および側面全体を覆い、半導体基板の側面に形成された外部端子の下端を露出しているので、実装基板に設けられた接続端子に外部端子の位置を合わせて搭載することで、ワイヤボンディングをすることなく、本発明の半導体チップを実装基板に接続することができる。従って、衝撃や振動に対してもワイヤで接続するよりも強度を向上させることができる。また、本発明の半導体チップは、樹脂封止部に封止された状態なので、搬送中や、実装基板に実装する際でも傷が付きにくい。従って、高い信頼性を得ることができる。また、本発明の半導体チップは、パッケージなどに収納する必要がないので、小型化を図ることができる。
【００１５】
本願の第３の発明は、半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、ウエハ基板の分割箇所に貫通孔を形成する穿孔工程と、前記ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、前記貫通孔の内側面に金属薄膜層を被着する電極形成工程と、前記ウエハ基板を粘着シートに貼り付けた状態で、前記分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とし、前記金属薄膜層が被着した貫通孔を外部端子とする第１分割工程と、前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含むことを特徴としたものである。
【００１６】
本願の第３の発明の半導体チップの製造方法によれば、半導体基板の上面および側面全体を覆い、半導体基板の側面に形成された外部端子の下端を露出させる樹脂封止部を備えた半導体チップを製造することができる。
【００１７】
本願の第４の発明は、半導体基板に集積回路が形成された半導体チップの製造方法において、ウエハ基板の上面の所定の位置に、前記集積回路を形成する回路形成工程と、前記ウエハ基板の上面に金属薄膜層を被着して外部端子を形成する電極形成工程と、前記ウエハ基板を裏返して粘着シートに貼り付けた状態で、分割箇所に基づいて切断して所定間隔ごとに配置された個片とする第１分割工程と、前記個片となったウエハ基板を、樹脂により封止する封止工程と、前記樹脂により封止されたウエハ基板を、樹脂を切断して半導体チップに分割する第２分割工程とを含むことを特徴としたものである。
【００１８】
本願の第４の発明の半導体チップの製造方法によれば、半導体基板の上面および側面全体を覆い、半導体基板の底面に形成された外部端子を露出する樹脂封止部を備えた半導体チップを製造することができる。
【００１９】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る半導体チップを、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る光電変換チップを示す斜視図である。図２は、図１に示す光電変換チップの部分拡大図である。なお、本実施の形態１では、半導体チップとして、光電変換チップを例に説明する。
【００２０】
図１に示すように光電変換チップ１は、平面視矩形状で、全体がブロック状に形成された受光素子である。光電変換チップ１は、半導体基板２の上面に、集積化された光電変換回路である受光部３および制御回路部４が形成され、半導体基板２の側面全体の所定間隔ごとに、外部端子５が設けられている。そして、光電変換チップ１は、底面を除く上面および側面全体が樹脂封止部６により覆われている。
【００２１】
この光電変換チップ１は、例えば、赤外線による光信号を受光部３で受光すると、制御回路部４にてデジタルデータに変換して出力するもので、光ディスク装置のフロントモニタとして使用されるものである。
【００２２】
図２に示すように光電変換チップ１は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどのｐ型半導体で形成された半導体基板２に、ｎ型半導体層Ｓ１、ｐ型半導体層Ｓ２およびｎ型半導体層Ｓ３を積層することで、受光部３または制御回路部４を構成する集積回路７が形成されている。そして、集積回路７は、他の集積回路７とＡｌまたはＣｕなどによる配線８により接続されている。光電変換チップ１は、上面全体を、酸化膜などによる保護膜（図示せず）が覆うことで保護されている。
【００２３】
また、配線８により集積回路７と外部端子５とを接続することで、外部から集積回路７への信号の入力、集積回路７から外部への信号の出力、または集積回路７への電源の供給を行っている。
【００２４】
外部端子５は、全体が半円筒形状に形成され、内側面に配線８と接続する金属薄膜層５ａが形成されている。この金属薄膜層５ａは、Ａｌ、Ｃｕ、またはＡｕなどにより形成されている。
【００２５】
樹脂封止部６は、光透過性樹脂で形成され、半導体基板２の上面および側面全体を覆うことで、半導体基板２の底面と共に、外部端子５の下端を露出している。
【００２６】
以上のように構成された本実施の形態１に係る光電変換チップ１の製造方法について、図３から図８に基づいて説明する。図３は、ウエハ基板に貫通孔が設けられた状態を示す図である。図４は、外部端子となる貫通孔の金属薄膜層と配線とを示す拡大図である。図５は、ウエハ基板を切断するダイシングラインを示す平面図である。図６は、樹脂層が形成されたウエハ基板を示す平面図である。図７は、光電変換チップとプリント配線基板とをバンプにより接続した状態を示す正面図である。図８は、光電変換チップとプリント配線基板とを導電性ペーストにより接続した状態を示す正面図である。
【００２７】
図３に示すように、ウエハ基板１０に、貫通孔１１をダイシングラインＬ１に沿って形成する穿孔工程を行う。次に、ウエハ基板１０の上面の所定の位置に受光部３および制御回路部４（図１参照）を形成する回路形成工程を行う。
【００２８】
ウエハ基板１０に形成された貫通孔１１の内側面に、Ａｌ、Ｃｕ、またはＡｕを被着させることで金属薄膜層５ａを形成する電極形成工程を行う。金属薄膜層５ａを、配線８と同じ材質のＡｌまたはＣｕで形成する場合には、図４に示すように、配線８を形成する際に、同じ工程にて貫通孔１１内に金属薄膜層５ａを被着する。つまり、配線８を形成する回路形成工程の中で、電極形成工程を行うことで、配線８と金属薄膜層５ａとを同時に形成することができるので、工程の短縮を図ることができる。
【００２９】
回路形成工程と電極形成工程とを別々に行う場合には、ウエハ基板１０に予め貫通孔１１を形成する穿孔工程を行う前に、受光部３および制御回路部４を形成する回路形成工程を行うようにしてもよい。
【００３０】
次に、ウエハ基板１０の裏面側（受光部３および制御回路部４が形成された面とは反対側となる面）を下にしてダイシング用の粘着シートに貼り付ける。そして、図５に示すように、ダイサーによりダイシングラインＬ１に沿ってダイシングラインＬ１の両側をウエハ基板１０の縦方向および横方向に切断して分割することで、個片となった半導体基板２の側面に半円筒形状の外部端子５が形成されると共に、半導体基板２の周囲に、粘着シートを底面とし、それぞれの半導体基板２の側面を壁面とした溝１２が形成される（第１分割工程）。このように貫通孔１１を切断することで、側面の幅方向全体に形成された外部端子５を容易に形成することができる。
【００３１】
図６に示すように、分割されたウエハ基板１０（半導体基板２）全体を樹脂で覆い硬化させることで、樹脂封止部６となる樹脂層１３を形成する（封止工程）。分割されたウエハ基板１０に樹脂を塗布する場合には、スピンコート法、スクリーン印刷法や、ポッティング法などで行うことができる。
【００３２】
そして、溝１２に沿ったダイシングラインＬ２を、ウエハ基板１０を切断したときより幅細く切断することで、樹脂層１３が切断されて樹脂封止部６となった光電変換チップ１（図１参照）が得られる（第２分割工程）。
【００３３】
ガラスエポキシ樹脂などの絶縁基板に、配線が金属薄膜で形成されたプリント配線基板１４（図７参照）に、光電変換チップ１をフリップチップボンディングで搭載する場合には、プリント配線基板１４に設けられた接続端子１４ａに光電変換チップ１の外部端子５の位置を合わせると共にバンプ１５を介して載置し接続する。
【００３４】
また、図８に示すように、プリント配線基板１４に光電変換チップ１を、導電性ペースト１６を介在させて搭載する場合には、プリント配線基板１４に設けられた接続端子１４ａに導電性ペースト１６を塗布し、光電変換チップ１の外部端子５の位置を合わせ、光電変換チップ１を上面から加圧すると共に加熱して、導電性ペースト１６を硬化させて接続する。
【００３５】
このように、光電変換チップ１は、半導体基板２の側面に外部端子５が設けられているので、パッケージに収納せずに、プリント配線基板１４などに直接搭載して接続することができる。従って、信号線や電源の接続にワイヤボンディングする必要がないので、製造工程においてワイヤボンド工程が省略できる。よって、製造コストを低減することができる。また、プリント配線基板１４などに光電変換チップ１を直接搭載することで、衝撃や振動に対してもワイヤで接続するより強度が向上するので、高い信頼性を得ることができる。また、従来の半導体チップのように、上面にボンディングパットを設ける必要がないので、光電変換チップ１は、ワイヤボンドエリアの代わりに、光電変換部である受光部３を形成するための面積を広く確保したり、ワイヤボンドエリア分ほど小型化したりすることが可能である。
【００３６】
また、光電変換チップ１は半導体基板２が樹脂封止部６により封止された状態なので、作製されて出荷された先の組み立て工程にて、他の電子部品と共にプリント配線基板１４などに実装される場合に、光電変換チップ１を樹脂封止しなくてもよい。従って、出荷先での封止工程が必要ないので、出荷先の負担を軽減することができる。また、光電変換チップ１は、運搬中の振動や衝撃などを樹脂封止部６により保護されているので、ダメージを受けにくい。従って、運搬中での不良の発生を抑制することができる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、半導体チップとして受光部３を有する光電変換チップ１を例に説明したが、発光部を有する光電変換チップや、集積回路として演算回路が形成された半導体チップとすることも可能である。
【００３８】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る半導体チップを、図面に基づいて説明する。図９は、本発明の実施の形態２に係る半導体チップを示す底面側から見た斜視図である。図１０は、図９に示す半導体チップの正面図である。図１１は、図９に示す半導体チップの部分拡大図である。
【００３９】
図９から図１１に示すように、半導体チップ２０は、平面視矩形状で、全体がブロック状に形成されている。半導体チップ２０は、半導体基板２１の底面に、集積回路２２と、この集積回路２２に配線２３により接続され、半導体基板２１の底面縁部に沿って形成された外部端子２４とを備えている。そして、半導体チップ２０は、底面を除く上面および側面全体が樹脂封止部２５により覆われている。
【００４０】
図１１に示すように、半導体チップ２０は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどのｐ型半導体で形成された半導体基板２１に、ｎ型半導体層Ｓ１、ｐ型半導体層Ｓ２およびｎ型半導体層Ｓ３を積層することで、集積回路２２が形成されている。そして、集積回路２２は、他の集積回路２２とＡｌまたはＣｕなどによる配線２３により接続されると共に、上述した外部端子２４と接続されている。半導体チップ２０は、底面全体を、酸化膜などによる保護膜（図示せず）が覆うことで保護されている。
【００４１】
外部端子２４は、全体が矩形状に形成され、Ａｌ、Ｃｕ、またはＡｕなどの金属薄膜層により形成されたもので、従来の半導体チップのワイヤを接続するためのボンディングパッドである。
【００４２】
樹脂封止部２５は、光不透過性樹脂で形成され、半導体基板２１の上面および側面全体を覆うことで、半導体基板２１の底面を露出している。
【００４３】
以上のように構成された半導体チップ２０の製造方法について、図面に基づいて説明する。図１２は、集積回路、配線および外部端子が設けられたウエハ基板を粘着シートに貼り付けた状態を示す図であり、（Ａ）はウエハ基板の上面側から見た図、（Ｂ）はウエハ基板の底面側から見た図である。図１３は、ウエハ基板を切断した状態を示す一部拡大平面図である。図１４は、個片としてウエハ基板を樹脂封止して封止樹脂層を形成した状態を示す一部拡大平面図である。図１５は、半導体チップとプリント配線基板とをバンプにより接続した状態を示す正面図である。図１６は、半導体チップとプリント配線基板とを導電性ペーストにより接続した状態を示す正面図である。
【００４４】
ウエハ基板１０の上面の所定の位置に集積回路２２（図１１参照）を形成する回路形成工程を行う。次に、ウエハ基板１０の上面に、Ａｌ、Ｃｕ、またはＡｕを被着させて外部端子２４を形成する電極形成工程を行う。外部端子２４を、配線２３と同じ材質のＡｌまたはＣｕで形成する場合には、配線２３を形成する際に、同じ工程にて外部端子２４を形成する。つまり、配線２３を形成する回路形成工程の中で、電極形成工程を行うことで、配線２３と外部端子２４とを同時に形成することができるので、工程の短縮を図ることができる。
【００４５】
集積回路２２と、配線２３と、外部端子２４と、保護膜とがそれぞれ上面に形成されたウエハ基板１０を裏返しにして、図１２（Ａ）および同図（Ｂ）に示すように、ダイシング用の粘着シート１８に貼り付ける。つまり、ウエハ基板１０を裏返すことで、図１２（Ａ）に示すように、集積回路２２が形成されていない面が上面となり、図１２（Ｂ）に示すように、集積回路２２や外部端子２４が形成された面が底面となる。なお、図１２（Ｂ）においては、集積回路２２および配線２３は図示していない。
【００４６】
そして、ダイサーによりダイシングラインＬ３に沿ってウエハ基板１０を縦方向および横方向に切断して分割することで、ウエハ基板１０を個片とする（第１分割工程）。ウエハ基板１０を個片とすることで、図１３に示すように、半導体基板２１の周囲に、粘着シート１８を底面とし、それぞれの半導体基板２１の側面を壁面とした溝１２ｘが形成される。
【００４７】
図１４に示すように、分割されたウエハ基板１０（半導体基板２１）全体を樹脂で覆い硬化させることで、樹脂封止部２５となる樹脂層１３ｘを形成する（封止工程）。分割されたウエハ基板１０に樹脂を塗布する場合には、スピンコート法、スクリーン印刷法や、ポッティング法などで行うことができる。
【００４８】
そして、溝１２ｘに沿ったダイシングラインＬ４を、ウエハ基板１０を切断したときより幅細く切断することで、樹脂層１３ｘが切断されて樹脂封止部２５となった半導体チップ２０（図１参照）が得られる（第２分割工程）。
【００４９】
ガラスエポキシ樹脂などの絶縁基板に、配線が金属薄膜で形成されたプリント配線基板１４ｘ（図１５参照）に、半導体チップ２０をフリップチップボンディングで搭載する場合には、プリント配線基板１４ｘに設けられた接続端子１４ｘａに半導体チップ２０の外部端子２４の位置を合わせると共にバンプ１５を介して載置し接続する。
【００５０】
また、図１６に示すように、プリント配線基板１４ｘに半導体チップ２０を、導電性ペースト１６ｘを介在させて搭載する場合には、プリント配線基板１４ｘに設けられた接続端子１４ｘａに導電性ペースト１６ｘを塗布し、半導体チップ２０の外部端子２４の位置を合わせ、半導体チップ２０を上面から加圧すると共に加熱して、導電性ペースト１６ｘを硬化させて接続する。
【００５１】
外部端子２４が設けられた半導体チップ２０の底面側には、保護膜が形成されているので、バンプ１５や、導電性ペースト１６ｘがある程度付着しても、集積回路２２には影響がない。
【００５２】
このように、半導体チップ２０は、半導体基板２１の底面に外部端子２４が設けられているので、パッケージに収納せずに、プリント配線基板１４ｘなどに直接搭載して接続することができる。従って、信号線や電源の接続にワイヤボンディングする必要がないので、製造工程においてワイヤボンド工程が省略できる。よって、製造コストを低減することができる。また、プリント配線基板１４ｘなどに半導体チップ２０を直接搭載することで、衝撃や振動に対してもワイヤで接続するより強度が向上するので、高い信頼性を得ることができる。
【００５３】
また、半導体チップ２０は半導体基板２１が樹脂封止部２５により封止された状態なので、作製されて出荷された先の組み立て工程にて、他の電子部品と共にプリント配線基板に実装される場合に、半導体チップ２０を樹脂封止しなくてもよい。従って、出荷先での封止工程が必要ないので、出荷先の負担を軽減することができる。また、半導体チップ２０は、運搬中の振動や衝撃などを樹脂封止部２５により保護されているので、ダメージを受けにくい。従って、運搬中での不良の発生を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、衝撃や振動などに対して強度を向上させることで高い信頼性が得られると共に、チップを小型化できるので、半導体基板に、集積回路と外部を接続するための外部端子とが形成された半導体チップおよびその製造方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光電変換チップを示す斜視図
【図２】図１に示す光電変換チップの部分拡大図
【図３】ウエハ基板に貫通孔が設けられた状態を示す図
【図４】外部端子となる貫通孔の金属薄膜層と配線とを示す拡大図
【図５】ウエハ基板を切断するダイシングラインを示す平面図
【図６】樹脂層が形成されたウエハ基板を示す平面図
【図７】光電変換チップとプリント配線基板とをバンプにより接続した状態を示す正面図
【図８】光電変換チップとプリント配線基板とを導電性ペーストにより接続した状態を示す正面図
【図９】本発明の実施の形態２に係る半導体チップを示す底面側から見た斜視図
【図１０】図９に示す半導体チップの正面図
【図１１】図９に示す半導体チップの部分拡大図
【図１２】集積回路、配線および外部端子が設けられたウエハ基板を粘着シートに貼り付けた状態を示す図、（Ａ）はウエハ基板の上面側から見た図、（Ｂ）はウエハ基板の底面側から見た図
【図１３】ウエハ基板を切断した状態を示す一部拡大平面図
【図１４】個片としてウエハ基板を樹脂封止して封止樹脂層を形成した状態を示す一部拡大平面図
【図１５】半導体チップとプリント配線基板とをバンプにより接続した状態を示す正面図
【図１６】半導体チップとプリント配線基板とを導電性ペーストにより接続した状態を示す正面図
【符号の説明】
【００５６】
１  光電変換チップ
２  半導体基板
３  受光部
４  制御回路部
５  外部端子
５ａ  金属薄膜層
６  樹脂封止部
７  集積回路
８  配線
１０  ウエハ基板
１１  貫通孔
１２，１２ｘ  溝
１３，１３ｘ  樹脂層
１４，１４ｘ  プリント配線基板
１５  バンプ
１６，１６ｘ  導電性ペースト
１８  粘着シート
２０  半導体チップ
２１  半導体基板
２２  集積回路
２３  配線
２４  外部端子
２５  樹脂封止部
Ｓ１，Ｓ３  ｎ型半導体層
Ｓ２  ｐ型半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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