(57)【要約】【課題】一つの素子に周波数の異なる三つ以上の弾性表面波共振子を並列配置して設けた弾性表面波素子や共振子タイプの弾性表面波フィルター、およびそれらを用いた弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】ＳＡＷフィルター１において、圧電基板５上には、中心周波数がすべて異なる三つのＳＡＷフィルター１０，２０，３０が設けられ、このうち、もっとも高い中心周波数を有するＳＡＷフィルター１０が中央に配置されている。また、ＳＡＷフィルター１０の両側に配置されたＳＡＷフィルター２０およびＳＡＷフィルター３０は、ＳＡＷフィルター１０のＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂの表面波伝搬経路に重複しない領域に配置されている。さらに、圧電基板５の周縁部には、ＳＡＷフィルター１０，２０，３０共通の接地電極である枠状のアースパターン７が、ＳＡＷフィルター１０，２０，３０を囲むように設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、中心周波数がすべて異なる三つ以上の弾性表面波フィルターが弾性表面波の伝搬方向に沿って並列に配置されてなる弾性表面波素子であって、
前記各弾性表面波フィルターは、１つ以上のＩＤＴ電極が弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されて構成されており、
前記各弾性表面波フィルターのうち、中央部に配置された中央弾性表面波フィルターの前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記中央弾性表面波フィルターの周辺に配置される前記弾性表面波フィルターの接地用電極パターンが設けられていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波素子において、
前記圧電基板上において、前記中央弾性表面波フィルターの前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬経路に他の前記弾性表面波フィルターが重複しないように配置されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の弾性表面波素子において、
前記圧電基板の周縁部に枠状の接地用金属パターンが設けられ、その接地用金属パターンに前記弾性表面波フルターが接続されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、
前記中央弾性表面波フィルターが、前記弾性表面波フィルターのうち最も高い中心周波数を有することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性表面波素子が容器内にフェースダウン接合されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子およびそれを用いた弾性表面波デバイスに関し、特に、一つの素子に周波数の異なる三つ以上の弾性表面波共振子を並列配置して設けた弾性表面波素子や共振子タイプの弾性表面波フィルター、およびそれらを用いた弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波デバイスの分野では、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波素子が様々な電子機器に用いられている。特に、フィルターとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルターは、小型・軽量でかつ量産性にも優れていることから、携帯電話など移動体通信分野において多用されるようになってきており、電子機器の小型・軽量化の一翼を担っている。
【０００３】
近年、携帯電話のマルチバンド化が進展し、弾性表面波フィルターに対しても、複数の周波数のフィルターを一体にしたマルチチャンネル化、およびその小型化への要望が強くなってきている。このような要望に応えるものとして、圧電基板上に、中心周波数の異なる複数の弾性表面波共振器（ＳＡＷフィルター）が並列配置して設けた弾性表面波フィルターが、例えば特許文献１に示されている。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の弾性表面波フィルターのように、圧電基板上に複数の弾性表面波共振器を設けた場合には、特に小型化をしていくと、各弾性表面波共振器間で電磁的な結合が生じ、アイソレーションなどの特性が劣化するという問題を有していた。このような問題を回避する方法として、各弾性表面波共振器間にシールド電極を形成した弾性表面波フィルターが、例えば特許文献２に示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報
【特許文献２】特開２００６−６０７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の弾性表面波フィルターでは、各弾性表面波共振器間にシールド電極を形成することにより、各弾性表面波共振器間の電磁的結合による特性劣化の抑制効果は期待できるものの小型化には不利であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
〔適用例１〕本適用例にかかる弾性表面波素子は、圧電基板上に、中心周波数がすべて異なる三つ以上の弾性表面波フィルターが弾性表面波の伝搬方向に沿って並列に配置されてなる弾性表面波素子であって、前記各弾性表面波フィルターは、１つ以上のＩＤＴ電極が弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されて構成されており、前記各弾性表面波フィルターのうち、中央部に配置された中央弾性表面波フィルターの前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記中央弾性表面波フィルターの周辺に配置される前記弾性表面波フィルターの接地用電極パターンが設けられていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、中央弾性表面波フィルターの周辺に配置される弾性表面波フィルターの接地用電極パターンが中央弾性表面波共振器に対してシールド効果を奏し、複数の弾性表面波フィルター間の電磁的結合を抑制できるので、アイソレーションなどの特性が劣化するのを抑えることができる。
【００１０】
〔適用例２〕上記適用例にかかる弾性表面波素子において、前記圧電基板上において、前記中央弾性表面波フィルターの前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬経路に他の前記弾性表面波フィルターが重複しないように配置されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、中央弾性表面波フィルターのＩＤＴ電極に他の弾性表面波フィルターからの直接波が結合することによる弾性表面波素子の特性の劣化を防止することができる。
【００１２】
〔適用例３〕上記適用例にかかる弾性表面波素子において、前記圧電基板の周縁部に枠状の接地用金属パターンが設けられ、その接地用金属パターンに前記弾性表面波フルターが接続されていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、枠状の接地用電極パターンにより、弾性表面波素子全体のシールド効果が強化されて外部からの電磁的な影響が抑えられるとともに、各弾性表面波フィルターに共通の接地用電極として使用できるので効率のよい接地パターン設計ができ、弾性表面波素子の小型化が可能になる。
【００１４】
〔適用例４〕上記適用例にかかる弾性表面波素子において、前記中央弾性表面波フィルターが、前記弾性表面波フィルターのうち最も高い中心周波数を有することを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、外部の電磁的な影響を受けやすい高周波帯の弾性表面波フィルターを中央に配置することによって、上記適用例によるシールド効果や電磁的結合の抑止効果をより顕著に奏する構造の弾性表面波素子を構成できる。
【００１６】
〔適用例５〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスは、上記適用例のいずれかに記載の弾性表面波素子が容器内にフェースダウン接合されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、アイソレーションなどの特性の劣化が抑えられ、マルチチャンネル化が図られた小型の弾性表面波デバイスを提供できる。しかも、弾性表面波素子をフェースダウン接合により容器に接合する構成となっていることにより、例えばワイヤーボンディング接合により弾性表面波素子と容器との接合をした場合などに比して、接続距離を最小限に抑えた接合ができるので、小型化が図りやすいとともに電気的な高速化を図ることができる。また、ボンディングワイヤーの長さやループ形状によって寄生インダクタンスが大きくなったり、新たな電磁的結合要因となったりすることによって起こる周波数特性の劣化を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態のＳＡＷフィルターを模式的に説明する平面図。
【図２】ＩＤＴ電極を模式的に説明する部分平面図。
【図３】弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷフィルターデバイスを模式的に説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、弾性表面波素子としてのＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルターの一実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態のＳＡＷフィルターを模式的に説明する平面図である。
また、図２は、ＳＡＷフィルターにおけるＩＤＴ電極の電極構造の一例を模式的に説明する平面図である。
【００２０】
図１において、本実施形態のＳＡＷフィルター１は、圧電基板５上に、中心周波数がすべて異なる三つの弾性表面波共振器としてのＳＡＷフィルター１０，２０，３０が並列配置されてなる。また、圧電基板５の周縁部には枠状の接地用金属パターンとしてのアースパターン７が設けられ、各ＳＡＷフィルター１０，２０，３０それぞれの接地用端子と接続されている。
【００２１】
本実施形態のＳＡＷフィルター１０，２０，３０は、それぞれが二つの縦結合二重モードＳＡＷフィルターが縦続に接続されてなる。すなわち、ＳＡＷフィルター１０は縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａ，１０Ｂからなり、ＳＡＷフィルター２０は縦結合二重モードＳＡＷフィルター２０Ａ，２０Ｂからなり、ＳＡＷフィルター３０は縦結合二重モードＳＡＷフィルター３０Ａ，３０Ｂからなる。
さらに、縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，３０Ａ，３０Ｂのそれぞれは、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配置した複数のＩＤＴ電極と、それらＩＤＴ電極を挟んだ両側に配置された反射器とからなる。
【００２２】
ここで、ＩＤＴ電極の電極構造、および、その動作原理について簡単に説明する。
図２（ａ）は、ＩＤＴ電極の一構成例として、ＳＡＷフィルター１に備わるＳＡＷフィルター１０，２０，３０のうち、ＳＡＷフィルター１０の縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａを構成するＩＤＴ電極１１Ａの構成を示している。すなわち、ＩＤＴ電極１１Ａは、二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の連続する電極指（図中、電極指１１ａ，１１ｃの側）と、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の連続する電極指（図中、電極指１１ｂの側）とが、互いに接触しないように等間隔ピッチにて間挿し合って構成されている。
【００２３】
ここで、図中の記号λは、ＩＤＴ電極１１Ａによって励振される弾性表面波の１波長であり、この波長λは、ＩＤＴ電極１１Ａにおける一方の交差指電極の連続する任意の電極指１１ａの中央から電極指１１ｃの中央までに相当し、それらの電極指１１ａと電極指１１ｃとの間には、他方の交差指電極の連続する任意の電極指１１ｂが間挿されている。本実施形態のＩＤＴ電極１１Ａにおいては、波長λに相当する電極指１１ａ，１１ｂ，１１ｃをＩＤＴ電極１１Ａにおける１対の電極指と定義する。
【００２４】
以上、ＩＤＴ電極１１Ａを例にとって説明したＳＡＷフィルター１のＩＤＴ電極の構造は、後述する他のＩＤＴ電極についても同様となっている。すなわち、後述する他のＩＤＴ電極において、上記ＩＤＴ電極１１Ａの各電極指１１ａ，１１ｂ，１１ｃとは電極幅が異なっている場合であって、上記ＩＤＴ電極１１Ａと同様に、幅の等しい電極指がλ／２周期で並んで配置され、また、一方の交差指電極１本が間挿された他方の電極指２本分の電極間ピッチ（一方の電極指と他方の電極指との電極中心間距離）を１波長（λ）分として構成される。
【００２５】
図１に戻り、ＳＡＷフィルター１において、ＳＡＷフィルター１０に備わる二つの縦結合二重モードＳＡＷフィルターのうち一方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａは、上記構成の１対の電極指（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）が複数対並べられて形成されたＩＤＴ電極１１ＡがＳＡＷの伝搬方向に沿って三つ配置され、それら三つのＩＤＴ電極１１Ａの両側に反射器１２Ａを配置してなる。二つの反射器１２Ａは、ＩＤＴ電極１１Ａと同様な電極構造を有して形成され、ＩＤＴ電極１１Ａから伝搬された弾性表面波を反射させて、圧電基板５のＩＤＴ電極１１Ａ形成領域に表面波エネルギーを封じ込める役目を果たしている。
なお、ＩＤＴ電極１１Ａの両側に反射器１２Ａを配置した構造の方がＱ値が高くなるので望ましいが、反射器を省いた構成でも、ＳＡＷフィルター１の要求性能によっては動作上問題がない場合もあり、これは、後述する縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａ以外のＳＡＷフィルターにおいても同様である。
【００２６】
上記縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａの構成と同様に、ＳＡＷフィルター１０の他方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ｂは、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配置された三つのＩＤＴ電極１１Ｂと、それら三つのＩＤＴ電極１１Ｂの両側に配置された二つの反射器１２Ｂとからなる。
また、本実施形態のＳＡＷフィルター１は、後述するように、パッケージなどの外部基板にフェースダウン接合される。ＳＡＷフィルター１０においては、ＳＡＷフィルター１のフェースダウン接合用の複数の電極パッド１５Ａａ，１５Ａｂ，１５Ｂａ，１５Ｂｂが配置され、各電極パッド１５Ａａ，１５Ａｂ，１５Ｂａ，１５Ｂｂ上には、金や半田などからなるバンプ９５が設けられている。
【００２７】
また、各電極パッド１５Ａａ，１５Ａｂ，１５Ｂａ，１５Ｂｂは、ＳＡＷフィルター１０の入力端および出力端となっていて、その他がアースに接続されている。本実施形態では、縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａおよび縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ｂの各ＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂのうちの入力端および出力端の一部を圧電基板５上で共有化し、その対極側の一部が接続配線１７ａ，１７ｂをそれぞれ介して共通のアースパターン７に接続されている。
【００２８】
上記ＳＡＷフィルター１０と同様に、ＳＡＷフィルター１において、ＳＡＷフィルター２０に備わる二つの縦結合二重モードＳＡＷフィルターのうち一方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター２０Ａは、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配置された三つのＩＤＴ電極２１Ａと、それら三つのＩＤＴ電極２１Ａの両側に配置された二つの反射器２２Ａとからなり、また、ＳＡＷフィルター２０の他方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター２０Ｂは、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配置された三つのＩＤＴ電極２１Ｂと、それら三つのＩＤＴ電極２１Ｂの両側に配置された二つの反射器２２Ｂとからなる。また、ＳＡＷフィルター２０には、ＳＡＷフィルター１のフェースダウン接合用の複数の電極パッド２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂが配置され、各電極パッド２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂ上には、金や半田などからなるバンプ９５が設けられている。
【００２９】
また、各電極パッド２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂは、ＳＡＷフィルター２０の入力端および出力端となっていて、その他がアースに接続されている。本実施形態では、縦結合二重モードＳＡＷフィルター２０Ａおよび縦結合二重モードＳＡＷフィルター２０Ｂの各ＩＤＴ電極２１Ａ，２１Ｂのうちの入力端および出力端を圧電基板５上で接続し、その対極側が接続配線２７ａ，２７ｂをそれぞれ介して共通のアースパターン７に接続されている。
【００３０】
同様に、ＳＡＷフィルター１において、ＳＡＷフィルター３０に備わる二つの縦結合二重モードＳＡＷフィルターのうち他方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター３０Ａは、ＩＤＴ電極３１Ａ、および、そのＩＤＴ電極３１Ａを挟んだ両側に配置された反射器３２Ａとからなり、また、ＳＡＷフィルター３０の他方の縦結合二重モードＳＡＷフィルター３０Ｂは、ＩＤＴ電極３１ＢおよびそのＩＤＴ電極３１Ｂを挟んだ両側に配置された反射器３２Ｂとからなる。また、ＳＡＷフィルター３０には、ＳＡＷフィルター１のフェースダウン接合用の複数の電極パッド３５Ａａ，３５Ａｂ，３５Ｂａ，３５Ｂｂが配置され、各電極パッド３５Ａａ，３５Ａｂ，３５Ｂａ，３５Ｂｂ上には、金や半田などからなるバンプ９５が設けられている。
【００３１】
また、各電極パッド３５Ａａ，３５Ａｂ，３５Ｂａ，３５Ｂｂは、ＳＡＷフィルター３０の入力端および出力端となっていて、その他がアースに接続されている。本実施形態では、縦結合二重モードＳＡＷフィルター３０Ａおよび縦結合二重モードＳＡＷフィルター３０Ｂの各ＩＤＴ電極３１Ａ，３１Ｂのうちの入力端および出力端の一部を圧電基板５上で共有化し、その対極側の一部が接続配線３７ａ，３７ｂをそれぞれ介して共通のアースパターン７に接続されている。
【００３２】
ＳＡＷフィルター１において、三つのＳＡＷフィルター１０，２０，３０の共通の接地電極であるアースパターン７は、外部の接地電極との接続に供する電極パッド４５ａ，４５ｂを有し、その電極パッド４５ａ，４５ｂ上にも、フェースダウン接合に用いるバンプ９５が設けられている。このような構成のアースパターン７は、共通接地電極であるとともに、ＳＡＷフィルター１の各ＳＡＷフィルター１０，２０，３０を、外部からの電磁的な要因から遮断するためのシールド効果を奏する。
【００３３】
上述したように、ＳＡＷフィルター１において、上記構成の三つのＳＡＷフィルター１０，２０，３０それぞれは、中心周波数がすべて異なっている。ここで、本実施形態のＳＡＷフィルター１の大きな特徴として、圧電基板５上には、三つのＳＡＷフィルター１０，２０，３０のうち、もっとも高い中心周波数を有するＳＡＷフィルター１０を中央に配置している。このように、外部の電磁的な影響を受けやすい高周波帯のＳＡＷフィルター１０を中央に配置することによって、ＳＡＷフィルター１の周縁部に形成されたアースパターン７によるシールド効果や電磁的結合の抑止効果を顕著に奏する構造のＳＡＷフィルター１を構成できる。
【００３４】
さらに、本実施形態のＳＡＷフィルター１においては、中央に配置されたもっとも高い中心周波数を有するＳＡＷフィルター１０の両側に配置されたＳＡＷフィルター２０およびＳＡＷフィルター３０は、ＳＡＷフィルター１０のＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂの表面波伝搬経路に重複しない領域に配置されている。すなわち、図中、矢印Ｗ１で示す圧電基板５における表面波の伝搬方向において、ＳＡＷフィルター１０の二つの縦結合二重モードＳＡＷフィルター１０Ａ，１０Ｂにそれぞれ備わるＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂの表面波の伝搬経路上に、他のＳＡＷフィルター２０，３０のＩＤＴ電極２１Ａ，２１Ｂ，３１Ａ，３１Ｂが重複しないように配置されている。これにより、外部の電磁的な影響を受けやすい高周波帯のＳＡＷフィルター１０のＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂに、他のＳＡＷフィルター２０，３０からの直接波が結合することによるＳＡＷフィルター１のフィルター特性の劣化を防止することができる。
【００３５】
上記構成によれば、中心周波数のすべて異なる複数のＳＡＷフィルター１０，２０，３０を備えたマルチバンドのＳＡＷフィルター１において、周縁部に設けられた共通のアースパターン７によるシールド効果によって複数のＳＡＷフィルター１０，２０，３０が外部から受ける電磁的な影響を抑えることができるとともに、複数のＳＡＷフィルター１０，２０，３０の表面波の結合が抑えられる。したがって、アイソレーションなどの特性の劣化が防止され、すぐれたフィルター特性を有するマルチバンドのＳＡＷフィルター１を提供することができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、上記第１の実施形態のＳＡＷフィルター１を搭載した弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷフィルターデバイスについて図面に沿って説明する。
図３は、上記第１の実施形態のＳＡＷフィルター１を備えたＳＡＷデバイスを模式的に説明する断面図である。なお、本実施形態のＳＡＷデバイス１００におけるＳＡＷフィルター１の構成は上記第１の実施形態の通りであるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００３７】
図３において、ＳＡＷデバイス１００は、低温焼成セラミックなどからなり図示しない移相器などを内蔵した容器としてのパッケージ６０の凹部の凹底部分に、上記第１の実施形態のＳＡＷフィルター１がフェースダウン接合により接合され、パッケージ６０上に蓋体６９が接合されることにより、パッケージ６０内にＳＡＷフィルター１が気密封止されている。
【００３８】
本実施形態では、ＳＡＷフィルター１のフェース面（能動面）に形成された複数の電極パッド１５Ａａ，１５Ａｂ，１５Ｂａ，２５Ｂａ，２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂ，３５Ａａ，３５Ａｂ，３５Ｂａ，３５Ｂｂ，４５ａ，４５ｂ（図１を参照）に予め設けられたバンプ９５（図１を合せて参照）と、パッケージ６０の凹部の凹底部分に設けられた対応する接続端子６３とを位置合わせしてから、所定の温度および圧力にて加熱・押圧することによりフェースダウン接合されている。
なお、バンプ９５は、金や半田などからなるバンプに限らず、樹脂コアの表面に導電膜が形成された樹脂コアバンプなどを用いてもよく、また、例えば、導電性接着剤などの別の接合部材を用いる構成としてもよい。
【００３９】
パッケージ６０の外底面には、ＳＡＷデバイス１００の外部基板との接合に供する実装端子６５ａ，６５ｂが設けられている。また、パッケージ６０には、例えば金属製の蓋体６９が、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金などをフレーム状に型抜きして形成された図示しないシールリングを介してシーム溶接されている。
【００４０】
なお、上記構成において、フェースダウン接合したＳＡＷフィルター１の外周部分をモールド剤などにより封止する構成としてもよい。このとき、ＳＡＷフィルター１の周縁部に設けられた枠状のアースパターン７（図１を参照）の厚みを制御することにより、アースパターン７をダム材として機能させて、ＳＡＷフィルター１の能動面にモールド剤が流れて付着するのを防止することができる。
【００４１】
上記第２の実施形態のＳＡＷデバイス１００の構成によれば、アイソレーションなどの特性の劣化が抑えられ、マルチチャンネル化が図られた小型のＳＡＷフィルター１を備えているので、高機能な表面実装型（ＳＭＤタイプ）のＳＡＷデバイス１００を提供することができる。また、ＳＡＷフィルター１がパッケージ６０にフェースダウン接合を用いて接合されているので、例えばワイヤーボンディング接合によりＳＡＷフィルター１とパッケージ６０との接合をする場合などに比して、接続距離を最小限に抑えた接合ができるので、小型化が図りやすいとともに、電気的な高速化を図ることができる。また、ボンディングワイヤーの長さやループ形状によって寄生インダクタンスが大きくなったり、新たな電磁的結合要因となったりすることによって起こる周波数特性の劣化を回避できる。
【００４２】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４３】
例えば、ＳＡＷフィルター１０、２０、３０はＩＤＴ電極をＳＡＷ伝搬方向に沿って３つ配置した縦結合二重モードＳＡＷフィルターを２個縦続接続した構造としたが、ＳＡＷ共振子や、ラダー型フィルター、横結合型ＳＡＷフィルターにおいても本発明を適用することができる。
【００４４】
また、上記実施形態で説明したＳＡＷフィルター１において、圧電基板５としては、圧電材料として一般的な水晶に限定されず、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることができる。
【００４５】
また、上記実施形態では、弾性表面波素子の一例として、ＳＡＷフィルター１について説明したが、これに限定されず、ＳＡＷ共振子、あるいはセンサーやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他の弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）に適用することも可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１…弾性表面波素子あるいは弾性表面波フィルターとしてのＳＡＷフィルター、５…圧電基板、７…接地用金属パターンとしてのアースパターン、１０，２０，３０…ＳＡＷフィルター、１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，３０Ａ，３０Ｂ…縦結合二重モードＳＡＷフィルタ、１１Ａ，１１Ｂ，２１Ａ，２１Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ…ＩＤＴ電極、１１ａ〜１１ｃ…電極指、１２Ａ，２２Ａ，３２Ａ…反射器、１５Ａａ，１５Ａｂ，１５Ｂａ，１５Ｂｂ，２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂ，３５Ａａ，３５Ａｂ，３５Ｂａ，３５Ｂｂ，４５ａ，４５ｂ…電極パッド、６０…容器としてのパッケージ、１００…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷデバイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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