(57)【要約】【課題】生産性を向上させ得るとともに基板に加工される溝の位置精度を向上させ、かつ、製品品質を向上させ得る光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板１に製膜した後、製膜されている膜に溝１０，１１，１２を加工することを繰り返し行って光電変換装置９０を製造する際、少なくとも２回目以降に加工される溝１１，１２は、基板１の側面４０に対して設置されたアライメントマークＭに基づいて決められる位置に加工される光電変換装置９０の製造方法であって、溝１１，１２の加工時にアライメントマークＭが検出できなかった場合、アライメントマークＭが存在する位置近傍に付着した付着物を拭取り装置２１によって除去することを特徴とする。【選択図】図５
2010040922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に製膜した後、製膜されている膜に溝を加工することを繰り返し行って光電変換装置を製造する際、少なくとも２回目以降に加工される前記溝は、前記基板の位置基準として前記基板上に設置されたアライメントマークに基づいて決められる位置に加工される光電変換装置の製造方法であって、
前記溝の加工時に前記アライメントマークが検出できなかった場合、前記アライメントマークが存在する位置近傍の前記アライメントマークを検出する側に付着した付着物を拭取り部材によって除去することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記拭取り部材は研磨剤を添加したバフを備え、該バフを前記基板に当接し、該バフと前記基板とを相対移動させて前記付着物を除去することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記拭取り部材の近傍に備えられた粉体除去部材が、前記バフによる付着物除去過程で発生する粉体を前記基板から除去することを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記拭取り部材は布を備え、該布に溶剤を添加して前記基板に当接し、該布と前記基板とを相対移動させて前記付着物を除去することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記拭取り部材は粘着物を備え、該粘着物を前記基板に押し当て離し前記付着物を除去することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記拭取り部材は、複数備えられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池等の基板の位置決めを必要とする加工工程を有する光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体、電子部品、太陽電池等の光電変換装置では、複数の性質の異なる薄膜が多層構造となるように形成されている。
光電変換装置は、所定の機能を持たせるために各薄膜あるいは複数層の薄膜の製膜の後に、それらの薄膜に対して所定のパターンに沿って膜を除去するパターニング加工が施されている。
【０００３】
例えば、薄膜太陽電池を集積しモジュール化するものでは、ガラスなどの透光性基板の上に透明電極層を製膜し、それを短冊状のセル単位に分割する、すなわち、透明電極層の分割部分を除去するため、例えば、レーザーエッチングを用いて多数の略平行な分離溝を形成している。
次いで、透明電極層の上に発電層が製膜される。この発電層をセル単位に分割するため再度レーザーエッチングを用いて透明電極層の分離溝の付近に略平行して、前記透明電極層に形成された分離溝と同数の発電層の分離溝が形成される。
さらに、発電層の上に裏面電極層が製膜される。この裏面電極層には、セル単位に分割するためレーザーエッチングを用いて透明電極層及び発電層の分離溝の付近に略平行して、前記透明電極層に形成された分離溝と同数の発電層と裏面電極層の分離溝が形成される。すなわち、この場合は３回のレーザーエッチング加工が行われる。
【０００４】
各レーザーエッチングの工程にあたり、基板をＸＹテーブルに設置するにあたり、基板設置時の位置のずれや、基板温度変化による熱膨張変形があるため、各層に形成されたこれらの分離溝は機能上お互いに重なったり離れ過ぎたりしないように、各溝間の間隔は余裕をみて離れるように設定されている。
一方、これらの分離溝が存在する領域は、薄膜太陽電池の発電作用に寄与しない部分であるので、できるだけ小さい範囲に収めることが求められている。このため、分離溝の加工位置の精度を向上させ、少しでも各溝間の間隔を小さくすることが求められている。
この分離溝の加工位置の精度を向上させるものとして、例えば、特許文献１あるいは特許文献２に示されるように、基板の位置決め用のアライメントマークが用いられている。
【０００５】
特許文献１に示されるものは、２箇所の基準パターン（アライメントマーク）の位置座標から設置した加工物のＸＹ軸基準座標系からの傾き誤差を判定し、傾き誤差分を回転させて補正するものである。
また、特許文献２に示されるものは、アライメントマークを認識する基準パターンとして態様の異なる複数の基準パターンを備え、アライメントマークの検知状態が変化してもその変化に対応して認識を可能にさせて、確実にアライメントマークによる位置決めが行なえるようにしたものである。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６２−８９３３６号公報
【特許文献２】特開２００２−９３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特に、１ｍ角を越える大型基板に形成した薄膜をレーザーエッチングする場合には、一層の精度向上が求められている。
すなわち、例えば、矩形基板上に形成する薄膜太陽電池は、基板をＸＹテーブルに設置して基板の一辺を基準に位置決めを行うことで、レーザーエッチング溝を基板の一辺に平行とすることが簡易であるが、次工程でこの基板に膜を積層して再度に基板をＸＹテーブルに設置する際に、前工程で基準にした基板の一辺の向く方向がＸＹ軸に対して微妙に傾いて設置されると、この辺に対して平行にエッチングラインを形成できなくなる。薄膜太陽電池では、製膜とレーザーエッチング溝加工が複数回に繰り返し実施されるが、特に各レーザーエッチング工程の装置間で基板のＸＹテーブルへの設置状況（即ちＸＹ移動方向と基準となる基板の一辺との平行度）が変わったり、基板温度が変化することで熱膨張による基板サイズの変化が生じると、各レーザーエッチング溝が重なり、集積にあたり短絡や直列接合が出来ない箇所が発生し、太陽電池出力が大きく低下する不都合が生じる場合がある。
【０００８】
例えば、２つの工程でレーザーエッチング加工される分離溝の間隔が１００μｍ、基板のＸＹテーブルでの移動長さが１．４ｍとすると、レーザーエッチング加工される分離溝が交わらないためにはＸＹ移動方向と基準となる基板の一辺との平行度は、傾斜角をθとすると次の条件となる。すなわち、ｔａｎθ≦１００×１０−６／１．４であるので、θ≦０．００４°となる。しかしながら、基板をＸＹテーブルに設置しθが０°に極めて近くなるよう再現性良く基板位置を調整することは難しく、特に機械的手段で基板の一辺を基準に押付けて位置決めを行う調整では困難である。
したがって、大型基板の各レーザーエッチング加工においては、加工の工程における加工される分離溝の平行度を所定の精度で保証できることが求められる。
【０００９】
対策として、特許文献１あるいは特許文献２に示されるように、アライメントマークによりＸＹテーブルの基板設置の位置調整を行うことは効果的である。
しかし、量産工場においては、多くの基板の連続処理を続けている間に、前工程での製膜時に非製膜とする基板面側に回り込んだ膜が基板の端位置にあるアライメントマーク部分を覆うように付着したり、製膜時あるいは基板の搬送時に異物がアライメントマーク部分を覆うように付着したりするという些細な事象により、読取時にアライメントマークを検出し認識出来ない事態が発生することが判明した。
この場合、アライメントマークを検出し認識できるまでリトライを繰り返したり、それでも認識できない場合は装置処理を停止し、アラームを出して人的介入判断を行ったりすることもあり、生産性が低下する要因の一つとなっていた。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑み、アライメントマークの検出と認識が確実に行われるようにし、その読取り不良による処理遅れを小さくし、生産性を向上させ得る光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は製造工程を配慮した以下の非常に簡易で確実な手段を採用することが有効であることを見出した。
すなわち、本発明にかかる光電変換装置の製造方法は、基板に製膜した後、製膜されている膜に溝を加工することを繰り返し行って光電変換装置を製造する際、少なくとも２回目以降に加工される前記溝は、前記基板の位置基準として前記基板上に設置されたアライメントマークに基づいて決められる位置に加工される光電変換装置の製造方法であって、前記溝の加工時に前記アライメントマークが検出できなかった場合、前記アライメントマークが存在する位置近傍の前記アライメントマークを検出する側に付着した付着物を拭取り部材によって除去することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、基板に製膜した後、製膜されている膜にレーザーエッチングなどにより分離溝を加工することを繰り返し行って光電変換装置を製造する際、基板をレーザーエッチング装置などに再度設置するにあたり、少なくとも２回目以降に加工される分離溝は、基板の位置基準として基板上に設置されたアライメントマークに基づいて決められる位置に加工されるので、加工される分離溝の平行度を保証できる。このように、分離溝の加工位置精度が向上するので、複数回加工される分離溝どうしの間隔の余裕分を小さくすることができる。このため、分離溝が存在する発電作用に寄与しない部分の大きさが削減できるので、発電に寄与する有効面積を増加させることができ、発電効率、すなわち、製品品質を向上させることができる。
【００１３】
レーザーエッチングなどによる分離溝の加工時に前記アライメントマークが検出できなかった場合、アライメントマークが存在する位置近傍のアライメントマークを検出する側に付着した付着物を拭取り部材によって除去するので、アライメントマーク近傍の検出に対して影響を与える、例えば、前工程での製膜時にアライメントマークを覆うように基板面に回り込んで付着した膜、製膜時あるいは基板の搬送時にアライメントマークを覆うように付着した異物を除去できる。このようにアライメントマークを検出するのに影響する付着物を除去できるので、アライメントマークを確実に検出できる。
この場合、拭取り部材による除去はアライメントマーク近傍の限られた場所、例えば、４〜２５ｍｍ２程度であるので、短時間で除去することができ、処理タクトに対する影響は少ない。しかも、自動処理を継続できるので、アライメントマークの検出を何回もリトライし、それでも認識できない場合は装置処理を停止し、アラームを出して人的介入による判断を行ったりすることに比べて光電変換装置の生産性を向上させることができる。
また、レーザーエッチングなどにより加工される分離溝は、以下溝と記載する。
【００１４】
なお、例えば、基板にアライメントマークを設置し、最初に加工される溝からアライメントマークに基づいて決められる位置に溝を加工されるようにしてもよい。
また、例えば、最初の溝を位置基準として基板の一辺に対して加工し、この溝に対し略直交に交差する少なくとも２本の交差溝を最初の溝の両端部付近に形成し、十字状となる交差部をアライメントマークとして用いるようにしてもよい。
このようにすると、最初に溝を加工する工程において、アライメントマークが形成できるので、別途専用にアライメントマークを設置する工程を省略することができる。これにより、その分の光電変換装置を製造するタクトタイムが短縮できるので、生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明にかかる光電変換装置の製造方法では、前記拭取り部材は研磨剤を添加したバフを備え、該バフを前記基板に当接し、該バフと前記基板とを相対移動させて前記付着物を除去するようにしてもよい。
【００１６】
該バフを前記基板に当接する面は、アライメントマークを検知する側の面になる。すなわちアライメントマークの検知が基板を通して行うものは基板表面になり、アライメントマークの検知が製膜した膜を通して行うものは膜表面になる。
このようにすると、高速回転するバフを当接させるので、バフに添加した研磨剤によって付着物を効率的に除去することができる。また、バフと基板とを相対移動させるので、アライメントマーク近傍の限られた場所における付着物の除去を効率的に行うことができる。バフが研磨するのは、アライメントマーク近傍の限られた場所であるので、研磨量が少なく、バフの寿命は比較的長くバフの頻度高い交換は不要となるので量産工程においても有効な手段である。
なお、バフと基板とを相対移動させるとは、基板を固定し、バフを基板面内で微小移動させてもよいし、バフを固定し基板をＸＹテーブル駆動面内で微小移動させてもよいし、基板及びバフを同時に微小移動させてもよい。
【００１７】
また、本発明にかかる光電変換装置の製造方法では、前記拭取り部材の近傍に備えられた粉体除去部材が、前記バフによる付着物除去過程で発生する粉体を前記基板から除去することが好適である。
【００１８】
このように、粉体除去部材がバフによる付着物除去過程で発生する粉体を基板から除去するので、基板に粉体が存在しない。このため、次工程以降の製膜などの処理工程において付着物除去過程で発生した粉体に影響されることがないので、良好な製膜を行うことができる。
除去部材としては、粉体を基板外に吹き飛ばすものでもよいし、粉体を吸引して回収するものでもよいし、吸着して回収するものでもよい。粉体を基板外に吹き飛ばすものは、発生する粉体の量が少ないので、例えば制御用圧縮空気の一部を利用するなど装置の簡素化ができる。また粉体を吸引や吸着して回収するものでは、粉体が工場内に飛散しないので、環境を管理する工程付近での対策として望ましい。
【００１９】
また、本発明にかかる光電変換装置の製造方法では、前記拭取り部材は布を備え、該布に溶剤を添加して前記基板に当接し、該布と前記基板とを相対移動させて前記付着物を除去するようにしてもよい。
【００２０】
このようにすると、布に添加された溶剤が膜等の付着物を溶かし、それが布によって拭き取られるので、布と基板とを相対移動させることによってアライメントマーク近傍の限られた場所における付着物の除去を効率的に行うことができる。
なお、布と基板とを相対移動させるとは、基板を固定し、布を基板面内で微小移動させてもよいし、布を固定し基板をＸＹテーブル駆動面内で微小移動させてもよいし、基板及び布を同時に微小移動させてもよい。
また、溶剤としては、水（純水）、エタノール、薄い水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、薄い塩酸（ＨＣｌ）溶液等が用いられる。水（純水）、エタノールは拭き取りが不要で簡易になる。薄い水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、薄い塩酸（ＨＣｌ）溶液は、異物除去効果が高いが、水（純水）による追加拭き取りを実施することが望ましい。
【００２１】
また、本発明にかかる光電変換装置の製造方法では、前記拭取り部材は粘着物を備え、該粘着物を前記基板に押し当て離し前記付着物を除去するようにしてもよい。
【００２２】
粘着物を基板に押し当てて付着物を接着し、次いで、粘着物を基板から離すことにより付着物は粘着物に接着されて基板から除去されるので、簡単な構造の拭取り部材とすることができる。
これは、接着が比較的弱い膜及び搬送時にアライメントマークを覆うように付着した異物を除去する場合には、研磨粉などを発生することなく簡易に拭き取り効果を得ることができるので特に有効である。
【００２３】
また、本発明にかかる光電変換装置の製造方法では、前記拭取り部材は、複数備えられているようにしてもよい。
【００２４】
大型基板用のアライメントマークは位置合せの精度向上のために基板両端部に少なくとも２ヶ所に設定される場合がある。拭取り部材が複数備えられていると、複数のアライメントマークの近傍位置から付着物を同時に除去することができるので、タクトタイムが延びることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、溝の加工時に前記アライメントマークが検出できなかった場合、アライメントマークが存在する位置近傍に付着した付着物を拭取り部材によって除去するので、アライメントマークを確実に検出でき、光電変換装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明にかかる実施形態について図面を参照して説明する。
〔第一実施形態〕
まず、本発明の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成について薄膜シリコン系の太陽電池を代表例に用いて説明する。
図１は、本発明の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成を示す概略図である。光電変換装置９０は、シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層２、太陽電池光電変換層３としての第１セル層９１、及び裏面電極層４を具備する。なお、ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。
また、結晶質シリコン系とは、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコン系も含まれる。
【００２７】
次に、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態について説明する。ここでは、基板１としてのガラス基板上に太陽電池光電変換層３として単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた例について説明する。本発明は、この例に限定されるものではなく、例えば、太陽電池光電変換層３として微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池や、シリコンゲルマニウム太陽電池や、アモルファスシリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池やシリコンゲルマニウム太陽電池とを各１〜複数層に積層させた多接合型（タンデム型）太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。図２〜図４は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【００２８】
図２（ａ）に示される基板１としてソーダフロートガラス基板（例えば、１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．５ｍｍ〜４．５ｍｍ）を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００２９】
図２（ｂ）に示されるように基板１に透明導電層２として酸化錫膜（ＳｎＯ２）を主成分とする透明電極膜を約５００ｎｍ〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層２として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。
【００３０】
その後、透明導電層２に溝１０を形成する工程に入る。
この溝１０等を加工するレーザーエッチング装置１３について図５及び図６により説明する。
レーザーエッチング装置１３には、ＸＹθテーブル１７と、レーザー発振器１９と、拭取り装置（拭取り部材）２１と、カメラ２３と、制御部２５とが備えられている。
ＸＹθテーブル１７は、θテーブル２７と、Ｘテーブル２９と、Ｙテーブル３１とが上下方向に積重ねられて形成されている。
【００３１】
θテーブル２７は矩形状をし、θモータ２８によって面内で回転するように構成されている。Ｘテーブル２９は矩形状をし、θテーブル２７の上面にＸ方向３３に延在するように設置されたレールに沿って移動可能とされ、Ｘモータ３０の回転によってレールに沿ってＸ方向３３に移動するように構成されている。Ｙテーブル３１は矩形状をし、Ｘテーブル２９の上面にＸ方向３３と直交するＹ方向３５に延在するように設置されたレールに沿って移動可能とされ、Ｙモータ３４の回転によってレールに沿ってＹ方向３５に移動するように構成されている。
【００３２】
Ｙテーブル３１の上面には、基板１を載置する複数の支持ピン３７と、基板１のＸ方向３３の位置を規制する一対の基板当止めピン３９と、基板１のＹ方向３５の位置を規制する基板当止めピン４１と、電磁チャック（または圧空チャック）４３とが取付けられている。
基板１は支持ピン３７の上に載置され、電磁チャック（または圧空チャック）４３によって基板当止めピン３９，４１に押し付けられ、Ｘ方向３３及びＹ方向３５の位置が規制される。
基板１の基板当止めピン３９に当接する側面４０が本発明にいう位置基準として利用される基板１の一辺である。
【００３３】
なお、位置基準は、基板１をローダなどを用いて搬送し支持ピン３７に再現性良く設置できる際の機械系が保有する管理座標でも良く、基板を再現性良く設置できる位置決め手法であれば特に手法を限定する必要がない。
レーザー発振器１９は、ＹＡＧレーザーを発振するもので、発振されたＹＡＧレーザーはミラー４５で進行方向を変えられ、レンズ４７で基板１面に集光されるように構成されている。
【００３４】
拭取り装置２１は、上下方向４９に延在し、回転軸周りに数１００ｒｐｍから数１０００ｒｐｍで高速回転するように構成されている。拭取り装置２１の下端には、研磨剤、例えば、ＣｒＯ２研磨粉やＳｉＣ研磨粉等が添加されたバフ５１が取り付けられている。
空気をバフ５１の近傍に噴出するエアーブロー５３が拭取り装置２１と一体的に取り付けられている。バフ５１による研磨粉は少ないので、エアーブロー５３により研磨粉を基板１から吹き飛ばすことが簡易で確実である。エアーブロー５３は周囲環境に配慮して、真空吸引する装置でも良い。
拭取り装置２１及びエアーブロー５３は、Ｘ方向３３、Ｙ方向３５及び基板１面に略垂直方向となる上下方向４９に移動できるように取り付けられ、通常は図５に実線で示されるようにＸＹθテーブル１７の外側に待機している。また、拭取り装置２１及びエアーブロー５３は、自転、すなわち、θ方向５０に移動できるようにしてもよい。このようにすると、例えば、エアーブロー５３による研磨粉の吹き飛ばし方向を調節し、確実に基板１外に向けることができる。
【００３５】
カメラ２３は、例えば、ＣＣＤカメラであり、照明５５によって照明されたアライメントマークを読み取る。
制御部２５は、カメラ２３が読み取ったアライメントマークの位置に対応して、レーザーエッチング加工する溝の位置を算出する。
制御部２５は、算出した溝の位置に基づいて、レーザー発振器１９の動作と連動して、θモータ２８、Ｘモータ３０、Ｙモータ３２を作動させてθテーブル２７、Ｘテーブル２９、Ｙテーブル３１を動作させて溝を所定の位置にレーザーエッチング加工する機能を有する。
また、カメラ２３によるアライメントマークの検出ができなかった場合、拭取り装置２１を作動させ、所定位置、すなわち、アライメントマークの存在する位置の近傍位置を研磨させる機能を有している。
【００３６】
溝１０の加工は、基板１をＸＹテーブルまたはＸＹθテーブル１７に設置して、レーザー発振器１９からＹＡＧレーザーやＹＶＯ４レーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図２（ｃ）の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。
加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セルの直列接続方向（Ｘ方向３３）に対して垂直な方向（Ｙ方向３５）へ、基板１とレーザー光とを相対移動して、溝１０を形成するように幅約６ｍｍ〜１０ｍｍの短冊状にレーザーエッチングする。
【００３７】
溝１０の加工が済むと、図７に示されるように、制御部２５は、溝１０の両端部付近に、Ｘ方向３３、すなわち、溝１０と略直交する方向へ、基板１とレーザー光とを相対移動して、２本の交差溝５７を形成するようにレーザーエッチングする。２本の交差溝５７は基板端部から略１０ｍｍ〜３０ｍｍの位置にあり、後工程の基板周辺膜研磨で除去されない位置に設ける。
これにより、各溝１０と各交差溝５７との交差部５９は図８に示すように十字形状のマークを形成し、この交差部５９は、交差溝５７に沿って複数箇所形成される。
【００３８】
溝１０は透明電極膜をセル段に分割する、すなわち、溝１０を挟んで隣り合う透明電極膜がお互いに通電しないために加工されるが、溝１０をたとえ基板１の端部まで加工しても、基板１の側面あるいは裏面に回りこんだ透明電極膜のために電気的に接続された状態となる場合がある。このため、集積化された太陽電池モジュール６の発電性能が低下し、また透明電極膜のセル段への分割加工状況をチェックするためにセル段間抵抗を計測しようとしても分離状況を確認できない事態が発生する。
本実施形態では、交差溝５７を加工するため、たとえ、基板１の側面あるいは裏面に回りこんだ透明電極膜が存在したとしても、セル単位で透明電極層膜が電気的に独立させることができる。さらに、レーザーエッチング加工時にエッチングされた残渣がエッチング溝に再付着するなどで短絡し易い溝１０の分離状況をセル段間抵抗の計測で確実に確認することができる。
【００３９】
この集積化された太陽電池モジュール６に必要な透明導電層２の溝１０と２本の交差溝５７との交差部５９にできた十字形状のマークの内、位置基準として利用される側面４０に最も近いマークをアライメントマークＭとして活用する。
従って、アライメントマークＭは、基板１の両端部に各１個ずつ形成されるが、アライメントのためだけに専用に形成されたものではなく、必用な製造工程で形成されたものである。このため、アライメントマークの形成によってタクトタイムが長くなるのを防止できる。
【００４０】
そして、溝１０の加工が終了すると、図２（ｄ）に示されるように、光電変換層３を製膜する工程に入る。
プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０〜１０００Ｐａ、基板温度：約２００℃にて光電変換層３としてのアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を順次製膜する。
光電変換層３は、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとを主原料に、透明導電層２の上に製膜される。太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。
【００４１】
変換層３は本実施形態では、ｐ層：ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主とし膜厚２００ｎｍ〜３５０ｎｍ、ｎ層：アモルファスＳｉに微結晶Ｓｉを含有するｐドープしたＳｉ層を主とし膜厚３０ｎｍ〜５０ｎｍである。
またｐ層膜とｉ層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
ここで、光電変換層３はアモルファスシリコン系単層に限るものではなく、アモルファスシリコン系光電変換層と結晶質系シリコン（微結晶シリコン系を含む）光電変換層とのタンデム接合型のもの、さらにはこれら光電変換層のトリプル接合型によるものであっても良い。
【００４２】
次いで、図２（ｅ）に示されるように溝１１を加工する工程に入る。溝１１は溝１０に所定間隔あけて略平行に加工される。
まず、光電変換層３を製膜形成された基板１の膜面を上にしてＸＹθテーブル１７の支持ピン３７の上に基板１が下側になるように載置する。そして、電磁チャック（または圧空チャック）４３によって基板１の側面を基板当止めピン３９，４１に押し付ける。すなわち、側面４０は基板当止めピン３９に押し付けられる。
そして、カメラ２３が、基板１の両端部付近で側面４０に最も近い透明電極層２の溝１０と２本の交差溝５７との交差部５９で形成された十字形のアライメントマークＭを探し、溝１０の両端部付近にある両方のアライメントマークＭが形成する線、すなわち、溝１０がＹ方向３５の軸線に沿っているかをチェックする。ずれている場合には、制御部２５はθモータ２８を作動し、θテーブル２７を回転させ、ずれを修正する。
【００４３】
このとき、アライメントマークＭの上に光電変換層（付着物）３の厚さが不均一に形成された、あるいは、膜厚が厚い場合、製膜時あるいは基板の搬送時にゴミ等の異物（付着物）がアライメントマークＭを覆うように付着した場合等によりアライメントマークＭが検出できない状態となることがある。
このようにアライメントマークＭが検出できなかった場合、制御部２５は、所定回数、例えば、５回以内で設定されたリトライを行い、再検出を試みる。なお、リトライを行わない場合もある。それでもアライメントマークＭが検出されなかった場合、制御部２５は拭取り装置２１を作動し、アライメントマークＭが存在する位置近傍に移動させる。次いで、拭取り装置２１を基板１に近づくように下方向に移動させ、バフ５１を光電変換層３に当接させる。この状態で拭取り装置２１のバフ５１を数１００ｒｐｍから数１０００ｒｐｍで回転させつつ、押付け圧もしくは押付け量が略一定になるよう基板１面内に微小移動させると、バフ５１が異物あるいは光電変換層３を研磨する。
このとき、光電変換層３は均一厚さになるように研磨されてもよいし、透明導電層２が露出するまで研磨されてもよい。これに伴い、異物は同時に研磨される。
なおここで、基板１は製膜した膜面が上になる（ガラス基板面が下になる）ようにＸＹθテーブルに設置したが、レーザーエッチングによる溝１１の形成工程がガラス基板面へレーザー光を入射させる場合は、基板１はガラス面が上になるようにＸＹθテーブル１７に設置されることになり、アライメントマークＭの検知が基板１を通して行われることになる。このときの拭取り装置２１のバフ５１の研磨は、基板１のガラス表面になる。
【００４４】
高速回転するバフ５１を当接させるので、バフ５１に添加した研磨剤によって付着物を効率的に除去することができる。
バフ５１を基板１に対して微小移動させているので、アライメントマークＭ近傍の限られた場所における付着物の除去を効率的に行うことができる。
拭取り装置２１が微小移動する範囲は、例えば、研磨する範囲が４〜２５ｍｍ２程度となる範囲である。このように小さい範囲であるので、短時間、例えば、１０秒間で除去することができ、処理タクトに対する影響は、例えば、３０秒間と少ない。
なお、厳密にはバフ５１の基板１への当接位置は、各レーザーエッチング工程において前処理工程や周囲環境変化による基板温度が異なるために熱膨張で基板サイズが少し変化しているが、研磨範囲である４〜２５ｍｍ２程度に比べて小さいので、側面４０と基板当て止めピン３９による位置決めで十分の精度を確保できる。
【００４５】
このように、バフ５１が研磨するのは、アライメントマーク近傍の限られた場所であるので、研磨量が少なく、バフ５１の寿命は比較的長くバフの頻度高い交換は不要となるので量産工程においても有効な手段である。
粉体を基板外に吹き飛ばすものは、研磨で発生する粉体の量が少ないので、例えば制御用圧縮空気の一部を利用するなど装置の簡素化ができる。
なお、本実施形態では、バフ５１を基板１に対して微小移動させているが、バフ５１を固定し基板１をそのＸＹθテーブル駆動面内で微小移動させてもよいし、基板１及びバフ５１を同時に微小移動させてもよい。
このように、アライメントマークＭ近傍の検出に対して影響を与える付着物は、拭取り装置２１によって除去できるので、カメラ２３はアライメントマークＭを確実に検出できる。
しかも、本実施形態では、制御部２５による自動処理を継続できるので、アライメントマークＭの検出を何回もリトライし、それでも認識できない場合は装置処理を停止し、アラームを出して人的介入による判断を行ったりすることに比べて光電変換装置の生産性を向上させることができる。
【００４６】
このとき、バフ５１による研磨に伴い発生する研磨粉はエアーブロー５３から噴出される空気によって基板１の外側に簡易に確実に吹き飛ばされる。
これにより、基板１に研磨による粉体が存在しなくなるので、次工程以降の製膜等の処理工程が研磨粉体に影響されず、良好な膜を形成することができる。
なお、本実施形態では、研磨粉を基板１外に吹き飛ばすエアーブロー５３を用いているが、研磨粉を吸引して回収する、例えば、真空掃除機や吸着を用いるようにしてもよい。このようにすると、研磨粉が吸引して回収されるので、工場内に飛散しない。したがって、装置周囲の環境へ配慮する対策として望ましい。
【００４７】
また、アライメントマークＭはカメラ１９で探す場合に特異部分となる側面４０に最も近い位置に存在するので、アライメントマークＭを探し易くなる。このため、溝１１の加工位置の設定時間が短縮されるので、生産性を向上させることができる。
また、前処理工程の影響や周囲環境変化による基板温度が異なるために熱膨張などで基板１サイズが変化しても、元々基準に選定した側面４０とアライメントマークＭとの距離が小さいので位置関係のズレが少なく抑制できているので、アライメントマークによる微小修正量が少なくなり、加工される溝１１の位置をより早く正確に確保できる。
【００４８】
このように溝１１がＹ方向３５に沿うように基板１を設置した後、アライメントマークＭを基準としてレーザー照射位置を溝１０から所定間隔離れた溝１１の加工位置に合わせる。
この状態で、レーザー発振器１９からレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図２（ｅ）の矢印に示すように、光電変換層３の膜面側から照射する。パルス発振：１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層２のレーザーエッチングラインの約１００〜１５０μｍの横側を、溝１１を形成するようにレーザーエッチングする。
また前述のように基板１がガラスなどの透光性基板であれば、ガラス基板面を上にして、このレーザーは基板１側から照射しても良く、この場合は光電変換層３のアモルファスシリコン層で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層３をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
【００４９】
そして、溝１１の加工が終了すると、図３（ａ）に示されるように、裏面電極層４を製膜する工程に入る。
裏面電極層４としてＡｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約１５０〜２００℃にて順次製膜する。裏面電極層４は本実施形態では、Ａｇ膜：約１５０〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。あるいは約２５ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、約１５ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としても良い。ｎ層と裏面電極層４との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層３と裏面電極層４との間にＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
【００５０】
次いで、図３（ｂ）に示されるように溝１２を加工する工程に入る。溝１２は溝１０あるいは溝１１に所定間隔あけて略平行に加工される。
この溝１２を加工するレーザーエッチング装置では、レーザーエッチング装置１３における基板１は、基板面を上にし、すなわち、ガラス側面をレーザー発振器１９及びカメラ２３の方に位置し、製膜面側がＸＹθテーブル１７の方へ位置するように設置されている。
まず、裏面電極層４を製膜形成された基板１をＸＹθテーブル１７の支持ピン３７の上に載置する。そして、電磁チャック（または圧空チャック）４３によって基板１の側面を基板当止めピン３９，４１に押し付ける。すなわち、側面４０は基板当止めピン３９に押し付けられる。
【００５１】
そして、カメラ２３が、基板１側からこの両端部付近で側面４０に最も近い透明電極層２の溝１０と２本の交差溝５７との交差部５９で形成された十字形のアライメントマークＭを探し、溝１０の両端部付近にある両方のアライメントマークＭが形成する線、すなわち、溝１０がＹ方向３５の軸線に沿っているかをチェックする。ずれている場合には、制御部２５はθモータ２８を作動し、θテーブル２７を回転させ、ずれを修正する。
【００５２】
このとき、基板１の側面あるいはガラス面に回りこんだ裏面電極層４が存在し、それが基板１の両端部付近に設けたアライメントマークＭを覆っている場合、製膜時あるいは基板の搬送時にゴミ等の異物（付着物）がアライメントマークＭを覆うように付着した場合等によりアライメントマークＭが検出できない状態となることがある。
このようにアライメントマークＭが検出できなかった場合、制御部２５は、所定回数、例えば、５回以内で設定されたリトライを行い再検出を試みる。なお、リトライを行わない場合もある。それでもアライメントマークＭが検出されなかった場合、制御部２５は拭取り装置２１を作動し、アライメントマークＭが存在する位置近傍に移動させる。次いで、拭取り装置２１を基板１に近づくように下方向に移動させ、バフ５１を基板１に当接させる。この状態で拭取り装置２１のバフ５１を数１００ｒｐｍから数１０００ｒｐｍで回転させつつ、押付け圧もしくは押付け量が略一定になるよう基板１面内に微小移動させると、バフ５１が異物あるいは基板に形成された裏面電極層４を研磨する。
【００５３】
このときの、動作等については、上述した溝１１の加工時と略同様であるので、ここでは重複した説明を省略する。
このようにしてアライメントマークＭ近傍の検出に対して影響を与える付着物は、拭取り装置２１によって除去できるので、カメラ２３はアライメントマークＭを確実に検出できる。
しかも、本実施形態では、制御部２５による自動処理を継続できるので、アライメントマークＭの検出を何回もリトライし、それでも認識できない場合は装置処理を停止し、アラームを出して人的介入による判断を行ったりすることに比べて光電変換装置の生産性を向上させることができる。
【００５４】
このように溝１０がＹ方向３５に沿うように基板１を設置した後、アライメントマークＭを基準としてレーザー照射位置を溝１０から所定間隔離れた溝１２の加工位置に合わせる。この状態で、レーザー発振器１９からレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図３（ｂ）の矢印に示すように、基板１のガラス面側から照射する。レーザー光が光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層２のレーザーエッチングラインの約２５０〜４００μｍの横側を、溝１２を形成するようにレーザーエッチングする。
【００５５】
次に、発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。
基板１をＸＹθテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーやＹＶＯ４レーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図３（ｃ）の矢印に示すように、基板１のガラス面側から照射する。レーザー光が透明電極層３と光電変換層５で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して、裏面電極層４、光電変換層５及び透明電極層２が除去される。
【００５６】
このとき、パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５〜２０ｍｍの位置を、図４（ａ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝１５を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図３（ｃ）では、光電変換層３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１５位置には裏面電極層４／光電変換層３／透明導電層２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域１４がある状態（図４（ａ）参照）が表れるべきであるが、基板１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１５として説明する。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。
絶縁溝１５は基板１の端より５〜１５ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。
なお、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できる。
【００５７】
図４は、太陽電池モジュール６を示し、（ａ）は太陽電池膜面側から見た図、（ｂ）は受光面の基板１側から見た図である。
後工程のＥＶＡ等を介したバックシートとの健全な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲膜除去領域１４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域１４を形成する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図３（ｃ）工程で設けた絶縁溝１５よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１０よりも基板端側において、裏面電極層４／光電変換層３／透明導電層２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去した。
【００５８】
このように、溝１１及び溝１２は、基板１の位置基準に対して加工されたアライメントマークＭに基づいて決められる位置に加工されるので、加工される溝１１及び溝１２の平行度を精度よく保証できる。このように、溝１１及び溝１２の加工位置精度が向上するので、溝１０、溝１１及び溝１２の間隔の余裕分を小さくすることができる。
このため、溝１０，１１，１２が存在する発電作用に寄与しない部分の大きさが削減できるので、発電に寄与する有効面積を増加させることができ、発電効率、すなわち、製品品質を向上させることができる。
【００５９】
また、アライメントマークＭが、最初に加工される溝１０の上に形成されるので、溝１０を基準として溝１１，１２の位置が設定されることになる。
このため、例えば、各レーザーエッチング工程において前処理工程の影響や周囲環境変化による基板温度が異なるために熱膨張差で基板サイズが少し変化し、ＸＹθテーブル１５に設置位置に変化が生じても、加工位置精度を管理すべき対象の溝１０そのものを、位置基準アライメントマークＭとして位置合わせを行うために、溝１１，１２の位置に対する影響が、別の場所に専用にアライメントマークが存在するものと比較して小さくなるので、溝１１，１０の位置誤差はより小さくなる、すなわち、溝１１，１２の加工位置精度を向上させることができる。
このように、溝１０，１１，１２の加工位置精度が向上するので、各溝の間隔の余裕分の設定を小さくすることができる。このため、溝１０，１１，１２が存在する発電作用に寄与しない部分の大きさが削減できるので、発電に寄与する有効面積を増加させることができ、発電効率、すなわち、製品品質を向上させることができる。
【００６０】
本実施形態では、拭取り装置２１がＸＹθテーブル１７外の待機位置とＸＹθテーブル１７に設置された基板１のアライメントマークＭ近傍位置との間を移動するようにされているが、これは、図９に示されるように拭取り装置２１はＸＹθテーブル１７の溝１０，１１，１２形成時の駆動領域内の端領域、もしくは少し外でＸＹθテーブル１７稼動範囲内の所定位置に固定して設置され、基板１を設置したＹテーブル３１（拭取り装置２１の設置位置によっては、Ｘテーブル３２）が移動するようにしてもよい。
すなわち、拭取り装置２１は基板１面に略垂直方向となる上下方向への移動、あるいはそれに加えてＸＹθテーブル駆動面内で基板１と拭取り装置２１が相対的な微小移動を行えるようにする。このとき、Ｙテーブル３１（拭取り装置２１の設置位置によっては、Ｘテーブル３２）は、ＸＹθテーブル１７の溝１０，１１，１２形成時の駆動領域内の端領域、もしくは少し外でＸＹθテーブル１７稼動範囲内に移動し、アライメントマークＭの近傍位置が拭取り装置２１の設置位置に位置するようにする。
これは、拭取り装置２１が、ＸＹθテーブル１７上で、レーザー発振器１９等の加工用機器との干渉を排除することができる位置に設置するために有効な手段である。
このようにすると、拭取り装置２１の移動構造が簡単となり、全体の機器構成が簡単になり、機器設置スペースとコストが低減する。また、例えば、レーザー発信装置１９、カメラ２３等と拭取り装置２１との干渉を考慮することが不必要となるので、装置全体の配置の自由度が増加する。
【００６１】
〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図１０を用いて説明する。
本実施形態は、基本的には第一実施形態のものと同様であり、アライメントマークＭの拭取り工程が異なるので、ここではこの異なる部分について主として説明し、前述した第一実施形態のものと同じ部分については重複した説明を省略する。なお、第一実施形態と同じ部材には同じ符号を付している。
【００６２】
本実施形態では、溝１０等を加工するレーザーエッチング装置１３の構成が異なっている。すなわち、図１０に示されるように、拭取り装置２１とエアーブロー５１との組がアライメントマークＭの数と同じである２組備えられている。
この拭取り装置２１は、ＸＹθテーブル１７の溝１０，１１，１２形成時の駆動領域内の端領域、もしくは少し外の所定位置で、Ｙテーブル３１（拭取り装置２１の設置位置によっては、Ｘテーブル３２）は、ＸＹθテーブル１７の溝１０，１１，１２形成時の駆動領域内の端領域、もしくは少し外に移動した際に、基板１に形成した溝１０の両端位置に形成されるアライメントマークＭの位置に対応する位置に取り付けられている。拭取り装置２１は、基板１面に略垂直方向となる上下方向４９に移動、あるいはそれに加えてＸＹθテーブル駆動面内で基板１と拭取り装置２１が相対的な微小移動ができるようにされている。
【００６３】
製膜が基板面側に回り込んだことがアライメントマークＭの検出不良の原因となる場合には、２ヶ所に設定されたアライメントマークＭが同時に検出できなくなることがある。また、その他の要因でもこういう事態が発生する。
この場合、制御部２５は２個の拭取り装置２１が２ヶ所のアライメントマークＭのそれぞれの近傍位置に位置させるようにＸＹθテーブルで基板１を移動させて、２ヶ所同時に付着物を除去する。
このように、２ヶ所のアライメントマークＭの近傍位置から付着物を同時に除去することができるので、個々に順次行なうことに比べてタクトタイムが延びることを抑制することができる。
なお、２個の拭取り装置２１が２ヶ所のアライメントマークＭ近傍位置から付着物を同時に除去するため、１個の拭取り装置２１の場合に比べて基板１との位置関係はより精度よく一致させることが好ましい。厳密にはバフ５１の基板１への当接位置は、各レーザーエッチング工程において前処理工程や周囲環境変化による基板温度が異なるために熱膨張で基板サイズが少し変化しているが、研磨範囲である４〜２５ｍｍ２程度に比べて小さいので、１個の拭取り装置２１の場合と同様に、側面４０と基板当て止めピン３９による位置決めで十分の精度を確保できる。
【００６４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更することができる。
例えば、上記実施形態では、透明電極層２に形成される溝１０の両端部分にそれと略直交するように交差する交差溝５７によってアライメントマークＭを形成しているが、これに限定されるものではない。
透明電極層２に別途金属膜蒸着やレーザー刻印によって形成してもよい。
また、基板１に金属膜蒸着やレーザー刻印によって形成してもよい。この場合、透明電極層２の溝１０の加工位置決めにアライメントマークＭを用いるようにしてもよい。
また、アライメントマークＭの形状についても＋字に限定されず、×字や□字などの認識が可能なものであれば、適宜形状としてもよい。
【００６５】
上記実施形態では、拭取り装置２１としてバフ５１を備え、バフ研磨を行うものを用いているが、これに限定されるものではない。
例えば、拭取り装置２１として、先端に布を備え、内側から布に溶剤を添加するような構造としたものを用いてもよい。布への溶剤添加は、基板１に当接する前に、溶剤を蓄えたタンクから配管を経由して布へ溶剤を数滴しみ込ますものでもよい。
この拭取り装置は、布を基板１に当接し、布と基板とを相対移動させると、布に添加される溶剤が膜等の付着物を溶かし、それが布によって拭き取られるので、アライメントマークＭ近傍の限られた場所における付着物の除去を効率的に行うことができる。
この溶剤としては、水（純水）、エタノール、薄い水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、薄い塩酸（ＨＣｌ）溶液等が用いられる。水（純水）、エタノールは拭取り処理後の溶液除去工程が不要で簡易になる。薄い水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、薄い塩酸（ＨＣｌ）溶液は異物除去効果が高いが、拭取り処理後は水（純水）による追加溶液除去工程を実施して、溶液が残留しないことが望ましい。
【００６６】
また、拭取り装置２１として、先端に粘着テープ等の粘着物を備えたものを用いてもよい。
この拭取り装置は、先端の粘着物を基板に押し当てて付着物を接着し、次いで、粘着物を基板から離すことにより付着物は粘着物に接着されて基板から除去されるので、簡単な構造の拭取り部材とすることができる。
これは、接着が比較的弱い膜及び搬送時にアライメントマークを覆うように付着した異物を除去する場合には、研磨粉などを発生することなく簡易に拭き取り効果を得ることができるので特に有効である。
【００６７】
上記実施形態では、本発明をシリコン系の太陽電池に適用するものとして説明しているが、本発明は、この例に限定されるものではない。
これは、ＣＩＳ系薄膜太陽電池、ＣｄＴｅ系薄膜太陽電池等、アライメントマークで基板位置決めを必要とする加工工程を有する適宜形式の光電変換装置の製造に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる光電変換装置の製造方法により製造される太陽電池の構成を示す部分断面図である。
【図２】本発明の第一実施形態にかかる太陽電池の製造方法の一部の工程における製品の部分断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態にかかる太陽電池の製造方法の一部の工程における製品の部分断面図である。
【図４】本発明の第一実施形態にかかる太陽電池の製造方法の一部の工程における製品の部分断面図である。
【図５】本発明の第一実施形態にかかるレーザーエッチング工程で用いられるレーザーエッチング装置の概略構成を示す模式図である。
【図６】図５のレーザーエッチング装置の一部を示す部分正面図である。
【図７】本発明の第一実施形態にかかる透明電極層の溝加工の状態を示す平面図である。
【図８】図７の一部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図９】本発明の第一実施形態にかかるレーザーエッチング工程で用いられるレーザーエッチング装置の別の実施態様の概略構成を示す模式図である。
【図１０】本発明の第二実施形態にかかるレーザーエッチング工程で用いられるレーザーエッチング装置の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板
２  透明電極層
３  光電変換層
４  裏面電極層
１０  溝
１１  溝
１２  溝
２１  拭取り装置
４０  側面
５１  バフ
５３  エアーブロー
９０  光電変換装置
Ｍ  アライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010040922.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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