(57)【要約】【課題】  ダイシングラインに沿って隣接する複数の半導体チップに跨ってマーキング用インクを塗布する場合、ダイシングラインを通してマーキング用インクが該当するマーキング領域以外の半導体チップにまで広がってしまうことを防止する。【解決手段】  本発明の半導体装置は、ダイシングラインＤＬに沿って隣接する複数の半導体チップ２に跨ってマーキング用インク６を塗布した際に、該当するマーキング領域Ｍの外にマーキング用インク６が流れ出さないようにダイシングラインＤＬ上にインク流れ防止用の堰４が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングラインに沿って隣接する複数の半導体チップに跨ってマーキング用インクを塗布した際に、マーキング領域の外にマーキング用インクが流れ出さないようにダイシングライン上にインク流れ防止用の堰が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記堰は、前記半導体チップの保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの一辺はマーキング用インクの径より小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記堰は、前記複数の半導体チップの外周部を取り囲むようにリング状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に半導体装置にマーキングを施す技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）デバイスの製造工程では、先ず前工程において、半導体結晶を薄くスライスしたウエハ上に、成膜工程、リソグラフィ工程、エッチング工程、不純物添加工程、拡散工程、メタライズ工程、洗浄工程等を経て多数の素子を含む半導体チップを得る。
【０００３】
次に、Ｇ／Ｗ（Ｇｏｏｄ  Ｃｈｉｐ／Ｗａｆｅｒ）チェック工程において、ダイシング前の半導体ウエハ段階で、半導体ウエハ上に形成された各半導体チップの良否判定が行われる。その際、斯かるテストで不良と判定された半導体ウエハ上の各半導体チップに対して、不良の識別マークとなるマーキング用インクが塗布される。
【０００４】
次に後工程において、これら各半導体チップを半導体ウエハから切断分離（ダイシング）した後、上述したＧ／Ｗチェック工程で良品と判定されたチップのみが、マウント工程、ボンディング工程、封入工程等を経て半導体装置が完成する。
【０００５】
しかしながら、Ｇ／Ｗチェック工程において半導体ウエハ上に形成され、不良と判定された半導体チップにマーキング用インクが打点される際に、隣接する良品の半導体チップにまで前記マーキング用インクが流れて、本来良品である半導体チップが外観不良品となっていた。
【０００６】
また、斯かる問題を回避するために前記マーキング用インクの吐出量を減少させるとマーキングが不明確となるため、インクの吐出量を一定量以下にすることはできない。
【０００７】
そこで、図４に示すように半導体チップ５１の表面部分に形成される保護膜５２の形状を変更することにより、マーキング用インクの広がりを防止する技術が開発された。このような技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開平１１−２９７７７１号公報  すなわち、特許文献１では、図４に示すようにマーキング用インク５３は前記保護膜５２のマーキング外周部に形成された堀５２Ａの表面張力により高さが制御され、外側への広がりが妨げられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、半導体チップ５１のサイズが塗布されるマーキング用インク５３の径よりも小さい場合、前記マーキング用インク５３は保護膜５２の形状を工夫しただけでは堰き止められなくなってきた。
【０００９】
図５に示すようにダイシングラインＤＬを跨って隣接する４つの半導体チップ６１部分をマーキング領域Ｍとしていた。すなわち、マーキング領域Ｍ内の４つの半導体チップ６１の内の１つにでも不良品があると、このマーキング領域Ｍに対してマーキングを行うようにしていた。尚、６２は各半導体チップ６１に設けられた電極パッドである。
【００１０】
このとき、図６に示すように該当するマーキング領域Ｍ内にマーキング用インク６３を塗布しようとした場合、前記ダイシングラインＤＬを通してマーキング用インク６３が隣のマーキング領域Ｍ内の半導体チップ６１にまで広がってしまうことがあった。
【００１１】
そこで本発明は、上記課題を解決する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その主な特徴は以下のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は、ダイシングラインに沿って隣接する複数の半導体チップに跨ってマーキング用インクを塗布した際に、マーキング領域の外にマーキング用インクが流れ出さないようにダイシングライン上にインク流れ防止用の堰が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、前記堰は、前記半導体チップの保護膜上に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
更に、前記半導体チップの一辺はマーキング用インクの径より小さいことを特徴とする。
【００１５】
また、前記堰は、前記複数の半導体チップの外周部を取り囲むようにリング状に配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
ダイシングライン上にインク流れ防止用の堰を設けたことで、ダイシングラインを通して、ダイシングラインに沿って隣接する半導体チップへのマーキング用インクの広がりが妨げられるため、複数の半導体チップから成るマーキング領域へのマーキング用インクの塗布が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は複数の半導体装置が形成された半導体ウエハの一部分を示す平面図で、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１８】
本発明は、ウエハ状態で、電気的特性測定を行った後、良品チップと不良品チップを識別するため、不良チップに対し、マーキング用インクを塗布する技術に関するものである。
【００１９】
そして、１は半導体ウエハの一部分で、２は前記半導体ウエハ１上に形成され、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングされることで、個々の半導体装置となる半導体チップである。
【００２０】
３は電極パッドで、前述した複数の半導体チップ１にそれぞれ形成されている。
【００２１】
４は前記半導体チップ１に形成された保護膜５上に形成され、マーキング用インクのインク流れを防止するための堰である。この堰４は、前記ダイシングラインＤＬに沿って隣接して形成された複数の半導体チップ２を一纏めにしてマーキング用インクを塗布する場合に、その一纏めにしたマーキング領域Ｍ（ダイシングラインＤＬに沿って隣接された複数の半導体チップ２が形成された部分）の外のマーキング領域Ｍに形成された良品の半導体チップ２までダイシングラインＤＬを通してマーキング用インクが流れ出さないようにするものである。
【００２２】
ここで、前記堰４は、半導体チップ１の保護膜上に形成された６０００Å程度のＣＶＤ膜から成るもので、例えば保護膜はシリコン窒化膜で、堰４はシリコン酸化膜から構成される。
【００２３】
本実施形態では、1つの半導体チップ２のサイズが、例えば０．１ｍｍ×０．１ｍｍであり、前記マーキング用インク６の径が、例えば０．２ｍｍ程度である。そのため、ダイシングラインＤＬを跨って複数の半導体チップが形成されたマーキング領域Ｍにマーキング用インク６を塗布することになり、ダイシングラインＤＬに沿って隣接する４つの半導体チップ２を一纏めにして、その内の１つでも不良チップが存在すれば、この不良チップを含むマーキング領域内Ａにマーキング用インク６を塗布する。
【００２４】
前記ダイシングラインＤＬ上に形成した堰４により、複数の半導体チップ２にマーキング用インク６を塗布した場合でもインク流れが防止でき、複数の半導体チップ２から成るマーキング領域へのインク塗布が可能になる。
【００２５】
ここで、上記第１の実施形態ではダイシングラインＤＬ部分にのみ、堰４を形成しているが、本発明はこれに限らず、図３に示すように前記ダイシングラインＤＬに跨る複数の半導体チップ２から成るマーキング領域の外周部を取り囲むようにリング状に堰４Ａを形成するものでも良い。
【００２６】
この場合、マーキング用インク６がリング状の堰４Ａ内により確実に閉じ込められ、マーキングが必要なマーキング領域Ｍに隣接するマーキングする必要のないマーキング領域Ｍ内の良品の半導体チップ２にまでマーキング用インク６が流れ出すことが防止される。
【００２７】
尚、上述した実施形態は一例であって、堰４の形状、材質は、任意に変更可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図を示す。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図４】従来技術に係る半導体装置の断面図を示す。
【図５】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【図６】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【符号の説明】
【００２９】
１  半導体ウエハ    ２  半導体チップ    ３  電極パッド    ４，４Ａ  堰    ５  保護膜    ６  マーキング用インク    Ｍ  マーキング領域    ＤＬ  ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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