(57)【要約】【課題】モバイル機器の小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために、安価な層間絶縁基材を用い、無電解めっきと層間絶縁基材との高い密着性を確保し、セミアディティブ法を用いた微細配線形成が可能な高密度プリント配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】層間絶縁基材の少なくとも一方の面に、最大高さ粗さＲｚ＝１〜７μｍの粗さの凹凸を有し、かつ前記層間絶縁基材とは異なる組成の樹脂層が形成されており、前記樹脂層上に無電解めっきによる導体層が施されていることを特徴とするプリント配線基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸を設けた第１の樹脂層と、
前記第１の凹凸の上に設けた、第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層の上に設けた、前記第１の凹凸よりＲｚが小さい第２の凹凸と、
前記第２の凹凸の上に設けた導体層と、
を有するプリント配線基板。
【請求項２】
前記導体層の一部以上は、無電解めっき、スパッタ、蒸着のいずれか一つ以上で形成したものである請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とは、少なくとも、樹脂、フィラー、樹脂もしくはフィラーの構成割合の一つ以上が１重量％以上異なる請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項４】
第２樹脂層の厚さが０．５μｍ以上４．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
無電解めっきが、銅、ニッケル、パラジウム、の少なくともいずれか１つもしくは複数の金属からなることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
第１の樹脂と第２の樹脂の界面に設けた第１の凹凸のピッチより、第２の樹脂と導体層との界面に設けた第２の凹凸のピッチが小さい請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
第１の絶縁層と、
最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の凹凸面を有する銅箔の、前記凹凸面に第２の樹脂層を設ける工程と、
第１の樹脂層と、前記銅箔の前記第２の樹脂面とを、熱プレスにより積層する工程と、
前記銅箔をエッチングにより除去する工程と、
前記第２の樹脂表面に第２の凹凸を形成する工程と、
前記第２の樹脂層表面に導体層を形成する工程と、
を、少なくとも備えたプリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の樹脂表面に微細な凹凸を形成する工程は、少なくとも、デスミア処理、プラズマ処理、酸処理、アルカリ処理の中の少なくとも１つ以上を含むものである請求項７に記載のプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パソコン、移動体通信用電話機、ビデオカメラ等の各種電子機器に広く用いられる高密度プリント配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器は、小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等の要求が強く、それに伴い各種部品を実装するプリント配線基板も、さらなる小型、多層化、配線の微細化が望まれている。微細配線を形成する方法として、絶縁樹脂上に無電解めっきによる薄い電気伝導層（以下、シード層）を形成し、フォトレジストで画像形成した後に、電解銅めっきによりめっき配線を形成し、その後レジスト剥離、シード層をエッチングすることにより微細な配線を形成するセミアディティブ法が知られている。
【０００３】
以下従来のセミアディティブ法を用いたプリント配線基板について、図５を用いて説明する。図５は、従来のセミアディティブ法を用いたプリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【０００４】
図５において、図５（ａ）に示すような両面に銅の配線が形成され上下層をスルーホールにて接続しているコア基板１の両面に、例えばガラス織布エポキシ材などからなる層間絶縁基材３と銅箔２とを用意し（図５（ｂ））、熱プレスを用いて貼り合わせる（図５（ｃ））。次いで銅箔２をエッチングにて溶解させ（図５（ｄ））、その後レーザーにてブラインドビアホール４を形成する（図５（ｅ））。次いでデスミア処理にてレーザーによる樹脂残渣を除去した後、０．１〜１μｍの無電解銅めっきによるシード層５を形成する（図５（ｆ））。さらにドライフィルム６をラミネートし、露光、現像を経て導体パターンを形成しない領域にフォトレジストによる画像を形成した後（図５（ｇ））、電解銅めっきにより銅の配線形成とブラインドビアのめっきを行い、導体パターン７を形成する（図５（ｈ））。その後ドライフィルム６を剥離し（図５（ｉ））、シード層５をエッチングすることによりプリント配線基板を得る（図５（ｊ））。
【０００５】
なお、この発明の出願に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１〜４が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１９２８４４号公報
【特許文献２】特開２００７−２７３６１５号公報
【特許文献３】特開２００７−２７３６１５号公報
【特許文献４】特開平１１−２９８１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の方法では、層間絶縁基材３とシード層５との密着性が弱く、導体パターン７が製造工程中に剥がれたり、実装する部品の保持強度が弱いという問題があった。これは、無電解めっきの下地となる前記層間絶縁基材３上に微細な凹凸を形成することが困難であり、無電解めっきと基材との十分なアンカー効果が得られないことが原因であった。
【０００８】
上記問題を解決するために、微細な凹凸を均一に形成できるセミアディティブ法専用の層間絶縁基材が開発されているが、基材が高価なために一部の半導体パッケージ基板に利用されるのみであり、一般のプリント配線基板に適用することが困難であった。
【０００９】
また、基材と導体パターンとの密着性を確保するために、シード層に無電解銅めっきではなく、熱プレスした極薄銅箔（１．５〜５μｍ）を用いる方法もあるが、シード層が無電解めっきに比べ厚いために、シード層を除去するエッチングが困難であり、微細な配線形成に不適であるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題を鑑みて成されたものであり、安価な層間絶縁基材を用い、無電解めっきと層間絶縁基材との高い密着性を確保し、セミアディティブ法を用いた微細配線形成が可能なプリント配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも一面に、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸を設けた第１の樹脂層と、前記第１の凹凸の上に設けた、第２の樹脂層と、前記第２の樹脂層の上に設けた、前記第１の凹凸よりＲｚが小さい第２の凹凸と、前記第２の凹凸の上に設けた導体層と、を有するプリント配線基板である。
【００１２】
このような構成により、第１の樹脂層の表面に設けた最大高さ粗さＲｚ＝１〜７μｍの第１の凹凸を、アンカーとすることで、第１の樹脂層と第２の樹脂層との間の密着力を高める。
【００１３】
また第２の樹脂層の表面に、第１の凹凸の最大高さ粗さＲｚより、小さい最大高さ粗さＲｚの第２の凹凸を設けることで、導体層と第２の樹脂層との強固な密着性を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明は、安価な層間絶縁基材を用いて、セミアディティブ法を用いた微細な配線形成が可能となるため、小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために必要な高密度プリント配線基板を安価に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態におけるプリント配線基板を示す断面図
【図２】第１の樹脂層と、導体パターンと、その間に設けられた第２の樹脂層の界面における凹凸を模式的に説明する拡大断面図
【図３】本発明の実施の形態の高密度プリント配線基板の製造プロセスの一例を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態の高密度プリント配線基板の製造プロセスの一例を示す断面図
【図５】従来のセミアディティブ法を用いたプリント配線基板の製造方法を説明する断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態）
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（Ａ）は本発明の実施の形態における高密度プリント配線基板の断面図、図１（Ｂ）は拡大断面図である。
【００１８】
図１において、１１は第１の樹脂層、１２は第１の凹凸、１３は第２の樹脂層、１４は第２の凹凸、１５はシード層、１６は導体パターン、１７は導体層、１８はコア基板、１９はプリント配線基板である。
【００１９】
図１（Ａ）に示すように、本発明の実施の形態における高密度プリント配線基板は、コア基板１８の表面に、第１の樹脂層１１や第２の樹脂層１３、シード層１５等を介して、最表層に導体パターン１６からなるパターンを形成している。
【００２０】
また図１（Ｂ）は、第１の樹脂層１１と、導体パターン１６とが、第２の樹脂層１３やシード層１５を介して密着している様子を示す拡大断面図である。
【００２１】
図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、第１の樹脂層１１の少なくとも一方の面に、第１の凹凸１２を設ける。また第１の樹脂層１１の表面に設けた第１の凹凸１２の上に、第２の樹脂層１３を設けている。そして第２の樹脂層１３の表面に設けた第２の凹凸１４の上に、シード層１５と導体パターン１６とからなる導体層１７を設けている。
【００２２】
なお図１（Ａ）（Ｂ）において、導体層１７は、シード層１５と導体パターン１６と、から形成しているが、この構成に限定する必要は無い。
【００２３】
また図１（Ｂ）に示すように、第２の凹凸１４は、第１の凹凸１２より微細、すなわち最大高さＲａを小さく、あるいは凹凸のピッチを小さくしているが、これは互いの密着強度を高めるためであり、後述する図２で説明する。ここで第１の凹凸１２の最大高さ粗さＲｚは、１μｍ以上７μｍ以下が望ましい。第１の凹凸１２のＲｚが１μｍ未満の場合、第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１３との界面のアンカー効果に影響を及ぼす場合がある。また第１の凹凸１２のＲｚが７μｍを超えると、第２の樹脂層１３の厚みに影響を与える可能性がある。またＲｚが７μｍを超えると第２の樹脂層１３と導体層１７との接着力（あるいはアンカー効果）に影響を与える場合がある。
【００２４】
なお本発明のプリント配線基板１９は、必要に応じて、最外層にソルダーレジストを形成し、また最外層の配線上にニッケル、金めっきなどを施しても良い。
【００２５】
本発明の層間絶縁基材となる第１の樹脂層１１は、例えばガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた一般的なプリプレグであるが、有機繊維や、ＢＴ樹脂などを用いてもよい。
【００２６】
本発明では、第２の樹脂層１３と第１の樹脂層１１との界面に、Ｒｚ＝１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸１２を形成するために、層間絶縁基材となる第１の樹脂層１１に、第２の樹脂層１３を形成する面にあらかじめＲｚを１μｍ以上７μｍ以下に粗化させた銅箔を用いて積層する。なおこの粗化した銅箔の粗化処理面上に、予め層間絶縁基材となる第１の樹脂層１１とは異なる組成の第２の樹脂層１３を薄く形成しておくことは有用である。
【００２７】
第２の樹脂層１３は、層間絶縁基材となる第１の樹脂層１１と、導体パターン１６（あるいは導体パターン１６の表面に設けたシード層１５）とを接着する機能を有しており、樹脂単独、もしくはシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、チタン酸バリウムなどからなる無機フィラーを含んでも良い。
【００２８】
なお、第２の樹脂層１３の厚みは、０．５μｍ以上４．０μｍ以下が望ましい。厚みが４．０μｍを超えると第２の樹脂層１３の物性が、層間絶縁基材等に影響し、基板の絶縁材としての物性が劣化したり、多層基板の薄層化の阻害要因になる場合がある。また０．５μｍ未満であると第２の樹脂層１３の表面に形成された、第１の凹凸１２より微細な第２の凹凸１４による無電解めっきとの十分な密着性が得られない場合がある。
【００２９】
次に図２を用いて、第１の樹脂層１１の表面に設けた第１の凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃと、第２の樹脂層１３の導体層１７側（あるいは第１の樹脂層１１の面とは反対側）の表面に設けた第２の凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃとの関係について、説明する。
【００３０】
図２は、第１の樹脂層１１と、導体パターン１６と、その間に設けられた第２の樹脂層１３の界面における凹凸を模式的に説明する拡大断面図である。
【００３１】
図２において、第１の樹脂層１１の、少なくとも一面には、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃが形成されている。なお第１の凹凸１２ａは、第１の凹凸１２の高さ（あるいはＲｚ）を模式的に示す。また矢印で示した１２ｂは第１の凹凸１２の谷−谷間のピッチ（あるいは距離）を、矢印で示した１２ｃは第１の凹凸１２の山−山間のピッチ（あるいは距離）を、それぞれ模式的に示している。
【００３２】
第１の凹凸１２の上側には、第２の樹脂層１３が設けられている。そして第２の樹脂層１３の上側には、第１の凹凸１２より微細な第２の凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃが形成されている。また第２の凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃの上側には導体層１７が形成されている。なお第２の凹凸１４ａは、第２の凹凸１４の高さ（あるいはＲｚ）を模式的に示す。また矢印で示した１４ｂは第２の凹凸１４の山−山間のピッチ（あるいは距離）を、矢印で示した１４ｃは第２の凹凸１４の谷−谷間のピッチ（あるいは距離）を、それぞれ模式的に示している。
【００３３】
図２に示すように、第１の凹凸（１２ａ、１２ｂ、１２ｃのどれか一つ以上）を第２の凹凸（１４ａ，１４ｂ、１４ｃのどれか一つ以上）より大きくすることで、互いの密着性を高める。
【００３４】
なお図２における第１の凹凸１２の高さ（例えば最大高さ粗さＲｚ、１２ａとして図２では模式的に示している）より、第２の凹凸１４の高さ（例えばＲｚ、１４ａとして図２では模式的に示している）を小さくすること、すなわち第１の凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃより、第２の凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃを微細とすることが望ましい。こうして互いの密着力を高める。なお界面における表面粗さの測定が難しい場合、サンプル断面を顕微鏡やＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等で観察し、その界面形状（例えば、断面写真等）で、第１の凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃと、第２の凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃとの大きさや形状を比較しても良い。またこの断面写真等から得られたデータを元に、Ｒｚ等の表面粗さやピッチ、距離等を計算しても良い。なお第２の樹脂層１３の表面に設けた第２の凹凸１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、第２の樹脂１３と、シード層１５との界面で評価すれば良いが、シード層１５の検出が難しい場合、第２の樹脂層１３と導体パターン１６（あるいはシード層１５を含む導体層１７）との界面で評価しても良い。
【００３５】
なお図２において、第１の凹凸１２、第２の凹凸１４は、互いに略平行に記載しているが、これに限定する必要は無い。例えば、図１（Ａ）（Ｂ）に記載したように、第１の凹凸１２の一つの凹部に、第２の凹凸１４の凹凸が複数個、入るような形状であっても良い。また図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、第１の凹凸１２を曲面状（あるいは立体状）とし、この中に第２の凹凸１４からなる複数の凹凸を入れても良い。
【００３６】
次いで、本実施の形態の高密度プリント配線基板の製造プロセスの１実施例について、図３、図４を用いて詳細に説明する。
【００３７】
図３、図４は、共に本発明の実施の形態の高密度プリント配線基板の製造プロセスの一例を示す断面図である。図３、図４において、２０は配線パターン、２１はスルーホールめっき、２２はプリプレグ、２３は粗面化銅箔、２４はブラインドビア、２５はドライフィルム、２６は電解めっき層（電気めっき層と呼ばれることもある）である。
【００３８】
まず、コア基板１８（例えば絶縁材０．６ｍｍ厚さ、銅箔１８μｍ厚さ）を作製するため、ＮＣドリルにて例えば０．３ｍｍΦの穴を形成し、スルーホールめっき２１を施したのち、サブトラクティブ法を用いて配線パターン２０を形成した両面配線基板を用意する（図３（Ａ））。ついで、ビルドアップ層を作製するため、コア基板１８の両面に、一般的なガラス繊維エポキシ基材である層間絶縁基材としてのプリプレグ２２（例えば６０μｍ厚さ）と、あらかじめ第１の凹凸１２を形成するための粗化面（Ｒｚ＝１〜７μｍ）、およびこの粗化面上に第２の樹脂層１３が形成された粗面化銅箔２３（例えば１２μｍ厚さ）とを用意し（図３（Ｂ））、例えば圧力５ＭＰａ、温度２００℃で２時間保持して、熱プレスを行った（図３（Ｃ））。こうしてプリプレグ２２を硬化不溶化し第１の樹脂層１１とした後、室温に冷却し塩化鉄エッチング液を用いて例えば温度４０℃、１分間処理し、両面の銅箔（例えば、粗面化銅箔２３）を溶解させ、第１の樹脂層１１上にＲｚ＝１〜７μｍの第１の凹凸１２を形成する。こうして第１の凹凸１２の上に、第２の樹脂層１３を転写した基板を得る（図３（Ｄ））。
【００３９】
次いで、炭酸ガスレーザーにて所定の位置にブラインドビア２４を形成した後、膨潤（例えば６０℃、５分）、粗化（例えば８０℃、１０分）、中和（例えば４５℃、５分）のデスミア処理を行う。
【００４０】
このデスミア工程によって、第１の凹凸１２の表面に形成した第２の樹脂層１３の表面を微細にエッチングする。このように、例えばデスミア処理を経ることにより、第２の樹脂層１３の表面がエッチングされ、図１に示すように第１の凹凸１２よりもさらに微細な第２の凹凸１４を、第２の樹脂層１３の表面に形成する（図３（Ｅ））。
【００４１】
次いで、無電解銅めっき（例えば４０℃、２０分）を施し、０．５μｍ厚さの薄い銅めっきのシード層１５を得る（図４（Ａ））。次いで、めっきレジストとしてドライフィルム２５（例えば２５μｍ厚さ）を、熱ラミネーターを用いて、例えば温度１１０℃、圧力０．５ＭＰａ、搬送速度２ｍ／分にてラミネートし、その後、４０μｍピッチの所望の微細パターンの像を紫外線露光した後、１％炭酸ナトリウム溶液にて、３０℃、２０秒間現像して導体パターン１６となる電解めっき層を形成しない領域に所望の像を形成する（図４（Ｂ））。
【００４２】
次いで、ビアフィリング用電解銅めっきにて例えば電流密度１Ａ／ｄｍ2、９０分間めっきして、配線へのめっきとビアフィリングめっきにより電解めっき層２６を形成した後（図４（Ｃ））、例えば３％水酸化ナトリウム溶液（例えば４５℃、５０秒間）にて、ドライフィルム２５の剥離を行った（図４（Ｄ））。
【００４３】
次いで、露出したシード層１５を除去するために、クイックエッチング液にて例えば３０℃、２分間処理することにより導体パターン１６を形成し、本発明のセミアディティブ法による微細なプリント配線基板１９を得る（図４（Ｅ））。
【００４４】
なお、本実施の形態において、コア基板１８を有するプリント配線基板１９の構成と製造方法について説明したが、コア基板１８を有しない構成であっても良い。
【００４５】
本発明のプリント配線基板１９、及び従来の基板に対し、銅配線と基材間の密着性を評価するために、５ｍｍ幅の銅パターンを９０度ピール強度試験にて測定した。
【００４６】
従来の基板では、０．４ｋＮ／ｍの密着強度であったが、本発明によるプリント配線基板１９では、０．９ｋＮ／ｍと従来のほぼ２倍の密着強度を得ることができた。これは、デスミア処理によって形成された第２の凹凸１４が形成された第２の樹脂層１３に、無電解銅めっきによるシード層１５が析出して形成することにより、基材と銅めっきとのアンカー効果が増大することになり、密着性の向上につながるという効果を有するものである。
【００４７】
以上のように、少なくとも一面に、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸１２を設けた第１の樹脂層１１と、前記第１の凹凸１２の上に設けた、第２の樹脂層１３と、前記第２の樹脂層１３の上に設けた、前記第１の凹凸１２よりＲｚが小さい第２の凹凸１４と、前記第２の凹凸１４の上に設けた導体層１７と、を有するプリント配線基板１９とすることで、第２の樹脂層１３と、導体層１７との密着力を高めることができる。
【００４８】
更に前記導体層１７の一部以上は、無電解めっき、スパッタ、蒸着のいずれか一つ以上で形成することで、第２の樹脂層１３の表面に設けた第２の凹凸１４の細部まで、導体層１７の一部以上を設けることができ、第２の樹脂層１３に対する導体層１７のアンカー効果を高めることができる。
【００４９】
なお第１の樹脂層１１と、第２の樹脂層１３と、樹脂、フィラー、樹脂もしくはフィラーの構成割合、の一つ以上を異なるもの（なお１ｗｔ％以上異なること）とすることが望ましい。これは１ｗｔ％未満の組成割合では、第１の樹脂層１１や第２の樹脂層１３中での、各構成部材のバラツキ（例えば、偏析、分散バラツキ等）の影響を受けやすいためである。なお第１の樹脂層１１と、第２の樹脂層１３との間で、樹脂、フィラー、樹脂もしくはフィラー自体を変更した場合、構成割合を変える必要はない。このように、第１の樹脂層１１に設けた第１の凹凸より、第２の樹脂層１３に設けた第２の凹凸１４の方を微細化することで、第２の樹脂層１３と、導体層１７との密着力を高めることができる。
【００５０】
なお第２の樹脂層１３の厚さは０．５μｍ以上４．０μｍ以下の範囲内とすることで、第１の樹脂層１１に設けた第１の凹凸１２と、第２の樹脂層１３に設けた第２の凹凸１４との干渉を低減することができると共に、プリント配線板の薄型化を実現する。
【００５１】
前記導体層１７の一部以上を、無電解めっきで形成すると共に、この無電解めっきが、銅、ニッケル、パラジウム、の少なくともいずれか１つもしくは複数の金属からなるものとすることで、第２の樹脂層１３の表面に設けた第２の凹凸１４の細部まで、シード層１５あるいは導体層１７の一部以上を設けることができ、第２の樹脂層１３に対する導体層１７のアンカー効果を高めることができる。
【００５２】
また第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１３との界面に設けた第１の凹凸１２のピッチより、第２の樹脂層１３と導体層１７との界面に設けた第２の凹凸１４のピッチを小さくすることで、第１の凹凸１２より、第２の凹凸１４の方を確実に微細化でき、第２の樹脂層１３と、導体層１７との密着力を高めることができる。
【００５３】
第１の樹脂層１１と、最大高さ粗さＲｚ＝１μｍ以上７μｍ以下の凹凸を有する銅箔(例えば、粗面化銅箔２３)と、この銅箔の表面に設けた第２の樹脂層１３とを、用意する工程と、前記第１の樹脂層１１と、前記銅箔とを熱プレスにより積層する工程と、前記銅箔をエッチングにより溶解する工程と、前記第２の樹脂層１３の表面に第２の凹凸１４を形成する工程と、前記第２の樹脂層１３の表面に導体層１７を形成する工程と、を、少なくとも備えたプリント配線基板１９の製造方法によって、実施の形態等で説明したプリント配線基板１９を製造することができる。
【００５４】
なお第２の樹脂層１３表面に、微細な第２の凹凸１４を形成する工程は、少なくとも、デスミア処理、プラズマ処理、酸処理、アルカリ処理の中の少なくとも１つ以上を含むものとすることで、第２の樹脂層１３の表面に設ける第２の凹凸１４を、第１の樹脂層１１の表面に設ける第１の凹凸１２より、確実に微細化でき、第２の樹脂層１３と、導体層１７との密着力を高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明にかかるプリント配線基板は、安価な層間絶縁基材を用いて、セミアディティブ法を用いた微細な配線形成が可能となるため、小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために必要な高密度プリント配線基板を安価に提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００５６】
１１  第１の樹脂層
１２  第１の凹凸
１３  第２の樹脂層
１４  第２の凹凸
１５  シード層
１６  導体パターン
１７  導体層
１８  コア基板
１９  プリント配線基板
２０  配線パターン
２１  スルーホールめっき
２２  プリプレグ
２３  粗面化銅箔
２４  ブラインドビア
２５  ドライフィルム
２６  電気めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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