(57)【要約】【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングの発生を防止しつつ、ウェーハ載置部の外周部に設けられた当接部とウェーハとが当接した際に、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ外周縁との距離が一定となるようなサセプタを提供すること。【解決手段】半導体ウェーハ８を載置する円形凹状のウェーハ載置部７を上面に有し、ウェーハ載置部７に載置された半導体ウェーハ８の外周部に対して、実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触した状態で当接可能に形成された当接部９が、ウェーハ載置部７の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられており、ウェーハ載置部７を平面視した場合に、ウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに当接部９が少なくとも１つ含まれ、当接部９の高さが半導体ウェーハ８の厚さの１／２〜１倍であるサセプタを使用する。【選択図】図３
2010028013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを載置する円形凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタであって、
前記ウェーハ載置部に載置された前記半導体ウェーハの外周部に対して、実質的に点接触又は前記ウェーハ載置部の深さ方向に延びる線に沿って線接触した状態で当接可能に形成された当接部が、前記ウェーハ載置部の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられており、
前記ウェーハ載置部を平面視した場合に、前記ウェーハ載置部の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに前記当接部が少なくとも１つ含まれ、
前記当接部の高さが前記半導体ウェーハの厚さの１／２〜１倍であることを特徴とする気相成長装置用のサセプタ。
【請求項２】
前記当接部のうち前記半導体ウェーハと当接可能な接触端と前記ウェーハ載置部の内周面との間隔が０．３〜２ｍｍである請求項１記載の気相成長装置用のサセプタ。
【請求項３】
前記当接部の高さが前記半導体ウェーハの厚さの１／２〜２／３倍である請求項１又は請求項２記載の気相成長装置用のサセプタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造に使用される気相成長装置用のサセプタに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」ともいう）へエピタキシャル層を成長させるためには、一般に加熱方法や気相成長用サセプタ（以下、単に「サセプタ」ともいう）の形状の違いにより各種構造の気相成長装置が使用されている。この中で、従来は生産性の問題により円形平板状のサセプタを下側から加熱する縦型気相成長装置や樽型のサセプタを側面のランプにより加熱するバレル型気相成長装置が多用されてきた。
【０００３】
しかし、現状ではエピタキシャル層に要求される品質が年々厳しくなり、従来の縦型やバレル型気相成長装置では対応できなくなる傾向があり、最近は枚葉型の気相成長装置が注目されている。
一般に、横型枚葉式の気相成長装置は、石英製で通路上のチャンバーの中に黒鉛の母材にＳｉＣをコートした円盤状のサセプタが設置されており、当該サセプタに設けられた円形凹状のウェーハ載置部に半導体ウェーハを載せ、サセプタの表裏両面に配置したランプにより当該半導体ウェーハを加熱しつつ、石英製チャンバーの一方に設置したノズル部より各種原料ガスをチャンバー内に導入する構造となっている。
【０００４】
この円盤状のサセプタを使用してエピタキシャル成長を行う気相成長装置において、ウェーハをサセプタ上に自動搬送する際にベルヌーイチャック等の搬送手段が使用される。この場合、約１０ｍｍの高さからウェーハをサセプタ上に落とすため、ウェーハとサセプタの間の空気が速やかに抜けずに、ウェーハがサセプタ上で滑りやすい状態になる。このような状態になると、ウェーハの一端がウェーハ載置部の内周面に接触することがあり、次のような問題を生じる場合がある。
【０００５】
エピタキシャル成長を用いるウェーハの用途として、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）に代表されるパワーデバイスが挙げられる。このようなパワーデバイス向けエピタキシャルウェーハの製造では、エピタキシャル層の厚さが大きく、１００μｍ程度に達することも少なくない。こうした厚い層を成長させる際に、上記のようにウェーハの一端がウェーハ載置部の内周面に接触していると、ウェーハ載置部の内周面とウェーハ外周面との間にブリッジと呼ばれる両者に跨った析出物が成長し、両者が固着する現象、すなわちスティッキング現象が発生しやすい。この現象が生じると、エピタキシャル成長後にサセプタからウェーハを取り出すときに、固着している成長膜を剥がさなければならず、その際にウェーハにクラックが生じたり、サセプタのＳｉＣ膜が剥離してサセプタを破損したりすることがある。このようなことが起こると、半導体ウェーハの歩留まりの低下や生産ラインのストップ等好ましくない状況につながるので問題である。
【０００６】
また、ウェーハをサセプタに搬送した際に上記のようなウェーハとウェーハ載置部の内周面との間の接触がなかったとしても、エピタキシャル成長中にウェーハはサセプタの回転によって遠心力を受け、それが原因となってウェーハの外周面とウェーハ載置部の内周面とが接触する場合もある。そのような場合にも、上記のようなスティッキング現象が発生しやすい。
【０００７】
こうしたウェーハとウェーハ載置部の内周面との接触に伴うスティッキング現象を回避するために、例えば特許文献１では、ウェーハの外周面に接触しないような比較的低い当接部をウェーハ載置部の外周部に設け、ウェーハが移動した際に当接部をウェーハ外周部裏側のテーパー面に当接させて、ウェーハ載置部の内周面にウェーハが接触するのを防止する方法が提案されている。すなわち、ウェーハの外周部には面取り加工によるテーパーが存在するので、当該テーパーに当接しつつウェーハの最外周には当接しないような当接部を設けることにより、ウェーハをウェーハ載置部の内周面から離れた位置で停止させようとするものである。このような当接部ならば、ウェーハのテーパーと当接した際にウェーハの陰に隠れることができるので、原料ガスと直接触れることなくウェーハをウェーハ載置部の内周面から離れた場所に保持することができる。その結果、ウェーハとサセプタの間のスティッキングのみならず、ウェーハと当該当接部との間のスティッキングも防止されるので、有効な方法である。
【特許文献１】特開２００４−３２７７６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ウェーハの外周部に設けられるテーパーの角度は、その面取り加工の方法により変化するものであり、１つに定まるものではない。このため、テーパーの角度の大きいもの（斜面が急であるもの）から、テーパー角度の小さいもの（斜面がなだらかであるもの）まで、様々なウェーハが存在する。テーパーに当接部を当接させてウェーハを保持する上記方法の場合、当接部からウェーハ最外周までの距離は、テーパー角度が大きいものでは短くなり、テーパー角度が小さいものでは長くなる。したがって、あらゆるウェーハに対応可能なサセプタを作成しようとすると、ウェーハ載置部の内周面と当接部との距離を相当長くとらなければならない。さもなくば、テーパー角度の小さいウェーハを載置した際に、ウェーハの最外周がウェーハ載置部の内周面に接触してしまうおそれがあるためである。
【０００９】
すなわち、上記方法によれば、ウェーハとウェーハ載置部の内周面との間隔は、比較的大きなものとなり、しかもウェーハの種類（テーパー角度）によって変化することになる。このことは、加工しようとするウェーハの種類（テーパー角度）によって、ウェーハへの温度のかかり方が一定とはならないことを意味しており、品質の安定を損ねる原因のひとつになる点で問題だった。
【００１０】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、ウェーハとサセプタとの間のスティッキングの発生を防止しつつ、ウェーハと当接部とが当接した際に、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ最外周との距離が一定となるようなサセプタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ最外周との距離を一定に保つことのできるサセプタを得ることを目的に、ウェーハを保持する当接部の形状について種々検討を行った結果、次の２つの事実を知見した。すなわち、当接部の高さをウェーハの厚みの半分以上とすることで、ウェーハのテーパー加工の違いによらず確実にウェーハを所定の位置で当接させることができるという事実と、たとえ当接部が原料ガスに対して露出することになったとしても、ウェーハと当接部の接触状態を実質的に点接触又はウェーハ載置部の深さ方向に延びる線に沿った線接触とすることにより、ウェーハと当接部との間のスティッキングを防止することができるという事実である。本発明はかかる知見に基づいて完成されたものであり、上記の課題を解決することができるものである。
【００１２】
（１）本発明の気相成長装置用のサセプタは、半導体ウェーハを載置する円形凹状のウェーハ載置部を上面に有し、前記ウェーハ載置部に載置された前記半導体ウェーハの外周部に対して、実質的に点接触又は前記ウェーハ載置部の深さ方向に延びる線に沿って線接触した状態で当接可能に形成された当接部が、前記ウェーハ載置部の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられており、前記ウェーハ載置部を平面視した場合に、前記ウェーハ載置部の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに前記当接部が少なくとも１つ含まれ、前記当接部の高さが前記半導体ウェーハの厚さの１／２〜１倍であることを特徴とする。
【００１３】
（２）前記当接部のうち前記半導体ウェーハと当接可能な接触端と前記ウェーハ載置部の内周面との間隔が０．３〜２ｍｍであることが好ましい。
【００１４】
（３）前記当接部の高さは前記半導体ウェーハの厚さの１／２〜２／３倍であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のサセプタを使用することにより、ウェーハとサセプタとの間のスティッキングの発生を防止しつつ、ウェーハが移動して当接部と当接した際に、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ最外周との距離を一定に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のサセプタ３の一実施形態を含む気相成長装置の概略を示す側面図である。図２は同概略を示す平面図である。
【００１７】
ここにおける気相成長装置は、シリコンウェーハ等半導体ウェーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置である。この装置は、図１及び図２に示すように、チャンバー１内に石英製の反応管２を有しており、反応管２の一方から他方へ（図１では左方向から右方向へ）原料ガスを流通することができるようになっている。反応管２内には水平円盤型のサセプタ３が長手方向の中央部に位置して設けられるとともに、サセプタ３を長手方向の前後から挟むように水平な仕切り板６が設けられている。仕切り板６は原料ガスがサセプタ３の表面を流通するように、原料ガスの流れを規定している。
【００１８】
サセプタ３は、反応管２内に下方から挿入された支持軸４により水平に支持されており、支持軸４の回転により中心部の垂直軸周りに回転駆動される。反応管２の上方と下方には、反応管２内を所定温度に加熱する加熱用ランプ５がサセプタ３を挟むようにして設けられている。
【００１９】
サセプタ３の上面には、ウェーハ載置部７が設けられている。ウェーハ載置部７は、ウェーハ８を水平に収容する構成になっている。気相成長装置は、ウェーハ８を１枚ずつエピタキシャル成長させる枚葉タイプの装置であり、ウェーハ載置部７がサセプタ３の中央に１つ設けられている。
【００２０】
図３は、サセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。図４は、図３とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。図３及び図４に示すように、ウェーハ載置部７の外周部には、例えば、３個の略三角柱状の当接部９がウェーハ載置部７の内周面の周方向に１２０度おきに設けられている。当接部９は、その先端部であるウェーハ８と当接可能な接触端をウェーハ載置部７の中心に向けてウェーハ載置部７に固定されている。当接部９の外周側は、図３に示すようにウェーハ載置部７の内周面と一体化していてもよいし、図４に示すようにウェーハ載置部７の内周面から離れていてもよい。
【００２１】
図５は、ウェーハ８が載置された状態のサセプタ３の部分断面図で、（ａ）は当接部９の高さがウェーハの厚さの半分である場合であり、（ｂ）は当接部９の高さがウェーハ８の厚さの半分以上、同等未満の場合であり、（ｃ）は当接部９の高さがウェーハ８の厚さと同じ場合である。図６は、当接部９の高さがウェーハ８の厚さの半分未満の場合にウェーハ８が載置された状態のサセプタ３の部分断面図である。
【００２２】
本発明のサセプタ３に設置される当接部９の高さは、ウェーハ８の厚さの１／２〜１倍である。ウェーハ８がウェーハ載置部７の中心からずれて当接部９と当接する際、当接部９の高さがウェーハの厚さの半分（１／２）以上であれば、図５（ａ）〜（ｃ）に示すようにウェーハ８の外周縁に必ず当接部９が当接することになる。したがって、ウェーハ８のテーパー加工（テーパー角度）の違いによらず、ウェーハ載置部７の内周面とウェーハ８とは少なくとも一定の間隔が確保されることになる。これに対して、当接部９の高さがウェーハ８の厚さの半分未満では、図６に示すように、当接部９がウェーハ８の下に潜り込むことになるので、ウェーハ８のテーパー加工（テーパー角度）によっては、ウェーハ８がウェーハ載置部７の内周面に接触してスティッキングを引き起こしたり、ウェーハ８がウェーハ載置部７の内周面から離れすぎて温度条件が変わってしまったりすることになる。また、当接部９の高さがウェーハ８の厚さ（１倍）以下であれば、原料ガスの流れが当接部９によって乱されないので、ウェーハ８上に均一なエピタキシャル層を成長させることができる。より好ましい当接部９の高さは、ウェーハ８の厚さの１／２〜２／３倍である。
【００２３】
当接部９のウェーハ８に対する接触端とウェーハ載置部７の内周面との間隔は、０．３〜２ｍｍであることが好ましい。前記間隔が０．３ｍｍ以上であれば、スティッキングを効果的に抑制することができ、前記間隔が２ｍｍ以下であれば、ウェーハ載置部７の内周面とウェーハ８との近接状態が維持されてウェーハ８上の温度分布を均一に保つことができる。
【００２４】
当接部９は、ウェーハ８の外周部と実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触する。「実質的に」とは、点状又は線状に接触している状態であれば点又は線接触と判断するという意味である。すなわち、点接触や線接触といっても実際にはある程度の面積をもって接触しているので厳密には面接触と考えることもできるが、そのような考え方をせず、面と認識される程に大きな接触面積でなければ点接触又は線接触と考えるという意味である。
【００２５】
なお、当接部９の形状は、ウェーハ８の外周縁に対して実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触することができるものであれば特に限定されない。このような形状としては、図７に示すような形状が例示される。図７は、図３及び図４とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。図７において、当接部９は略半円柱形状で示されている。このような形状であっても、当接部９は、ウェーハ８の外周部と実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触することができる。
【００２６】
次に、「ウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿った線接触」について説明する。これは、スティッキングの発生を抑制し、又はスティッキングが発生したとしても剥がす際にウェーハを損傷し難いものとするために必要な線接触の状態である。このことを説明するために、ウェーハ載置部７の深さ方向と「垂直に」延びる線に沿って線接触した場合を説明する。ウェーハ載置部７の深さ方向と垂直に延びる線に沿って線接触する場合とは、例えば、図８のように当接部９が略四角柱状である場合が挙げられる。図８は、当接部９がウェーハ８とウェーハ載置部７の深さ方向と垂直に延びる線に沿って線接触した場合の状態図である。このような場合のウェーハ８と当接部９との接触状態は、ウェーハ８がウェーハ載置部７の内周面と接触したときと同じものであり、きわめてスティッキングが発生しやすい状態である。つまり、「ウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿った線接触」とは、ウェーハ８がウェーハ載置部７の内周面に接触した場合とは異なる接触状態にあることを意味するものである。したがって、線接触がウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線からやや傾いていたとしても差し支えなく、そのような場合も本発明の範囲に含まれる。例えば、傾きの程度は４５度以内、好ましくは２１度以内であれば許容される。
【００２７】
当接部９は、ウェーハ載置部７の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられる。これまで述べてきたように、当接部９はウェーハ８がウェーハ載置部７の内周面に接触するのを防止する役割を持つものだが、当接部９が２箇所しか設けられない場合は、２つの当接部９を結んだ直線に沿った方向に対するウェーハの移動については接触を防止することができるが、それと直角の方向に対するウェーハの移動については接触を防止することができないためである。
【００２８】
また、少なくとも３箇所設けられる当接部９は、ウェーハ載置部７を平面視した場合に、ウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに少なくとも１つ含まれるように配置されなければならない。このことを図９により説明する。図９は、ウェーハ載置部７の平面図であり、ウェーハ載置部７を平面視した場合にその直径（破線）で領域が２つに分けられている状態を示している。このうち図９（ａ）は、２つの領域の片方に当接部９が１つも存在していない状態を示している。この場合、これらの領域を形成する直径（破線）と垂直に交わる方向であって当接部９が存在しない領域の方へウェーハ８が移動したとき、当接部９はウェーハ８の動きを止めることができない。このため、ウェーハ８は、ウェーハ載置部７の内周面に接触してスティッキングを発生するおそれがある。これに対して、２つの領域のそれぞれに少なくとも１つの当接部９が存在する図９（ｂ）の状態であれば、ウェーハ８がいかなる方向に移動した場合であっても、いずれかの当接部９がウェーハ８に当接することができるので、ウェーハ８とウェーハ載置部７の内周面との接触を防止することができる。
【００２９】
なお、図１０のようにウェーハ載置部７に凹部１０を設けてもよい。図１０は、図３、図４、及び図７とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態の部分断面図である。凹部１０は、ウェーハ載置部７よりも小径で、ウェーハ載置部７の底面から下側に凹んでおり、かつ、ウェーハ載置部７と同心の円形の凹部である。このような凹部１０を設けることにより、ウェーハ８をサセプタ３へ搬送した際に、ウェーハ８とウェーハ載置部７との間に存在する空気の層を速やかに除くことができるので、ウェーハ８の位置安定性をさらに向上することができる。
【００３０】
次に、エピタキシャル成長下におけるサセプタ３の機能について説明する。
【００３１】
エピタキシャル成長では、ベーキング工程の後、エピタキシャル成長工程が開始される。エピタキシャル成長工程では、反応管２内が所定温度に加熱されるとともに、その管内の仕切り板６より上側の空間に、原料ガスが反応管２の一端部から他端部へ流通される。また、ウェーハ８をウェーハ載置部内に支持するサセプタ３が、周方向に所定速度で回転する。このような操作により、ウェーハ８の上面にエピタキシャル層が形成される。
【００３２】
ここで、上記エピタキシャル成長工程に先立ち、サセプタ３のウェーハ載置部７の定位置（同心位置）にベルヌーイチャック等の搬送手段を備えたロボットによりウェーハ８が搬送されるが、このとき、従来型のサセプタを使用した場合、これまで述べてきたようにウェーハ載置部内でウェーハが定位置から径方向に滑る可能性がある。また、従来型のサセプタを使用した場合、エピタキシャル成長中にサセプタが回転することによっても、ウェーハ載置部内のウェーハは遠心力によって定位置から径方向に滑る可能性がある。ウェーハ載置部内でウェーハが滑って定位置から外れ、その外周縁がウェーハ載置部の内周面に接触すると、上述のように、ウェーハとウェーハ載置部の外周面とを跨ぐようにブリッジと呼ばれる析出物が成長し、両者が固着する危険がある。このような状態になると、ウェーハをサセプタのウェーハ載置部から取り出す際に、ウェーハにクラックを生じたり、サセプタのＳｉＣ膜が剥離してサセプタが破損したりする結果につながる。
【００３３】
これに対して、本実施形態のサセプタ３を使用した場合には、ウェーハ載置部７の外周部に沿って複数設けられた当接部９の存在により、ウェーハ８が搬送された際にウェーハ８とウェーハ載置部７の内周面との接触が防止される。また、エピタキシャル成長中にサセプタ３が回転した場合にも、ウェーハ載置部７の外周部に沿って複数設けられた当接部９の存在により、ウェーハ８とウェーハ載置部７の内周面との接触が防止される。その結果、ウェーハ８の外周縁とウェーハ載置部７の内周面との間にブリッジが成長して固着するというトラブルの発生を防止することができる。そのため、５０μｍ以上の厚いエピタキシャル層の形成を行う場合であっても、サセプタ３とウェーハ８との間のブリッジによるスティッキング現象が効果的に防止される。また、当接部９とウェーハ８とは点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触しているので、両者の間でのブリッジの成長は抑制される。仮に、両者の間にブリッジによるスティッキングが生じても、このような接触状態であれば剥がす際にウェーハ８を損傷し難い。
【００３４】
また、本実施形態のサセプタ３を使用した場合には、ウェーハ８がウェーハ載置部７の中心からずれて当接部９と当接した際、当接部９がウェーハ８の外周縁に確実に当接するので、ウェーハ８のテーパー形状によらず、ウェーハ８とウェーハ載置部７の内周面との距離は一定に保たれる。このため、ウェーハ８の熱管理が容易になり、エピタキシャル層のロットによる振れも抑えることができる。
【００３５】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、以上の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において適宜変更を加えて実施することができる。
【００３６】
例えば、上述した実施形態では、枚葉式の気相成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを製造しているが、これに限定されるものではなく、複数枚の半導体ウェーハ８を一度に処理するバッチ式の気相成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを製造することもできる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３８】
［スティッキング評価］
テスト基板として、２００ｍｍのＰ＋型シリコンウェーハ（厚さ０．７２ｍｍ）を使用し、反応温度１０７５℃、エピタキシャル成長速度２．５μｍ／ｍｉｎの条件にて、１２０μｍのエピタキシャル層を成長させた。この際、実施例１として、ウェーハ載置部の外周部に高さ０．４０ｍｍ、幅１．０ｍｍ、長さ０．５０ｍｍで略三角柱状の当接部を６０度間隔で６箇所設置したサセプタを用意し、比較例１として、当接部を有しないサセプタを用意した。実施例１のサセプタ及び比較例１のサセプタについて、それぞれ１０枚ずつのウェーハを使用してスティッキング評価を行った。評価においては、発明の効果を確認するため、意図的にサセプタを３度傾けてテスト用ウェーハがウェーハ載置部の内周面に接触しやすい状態とした。評価の結果、実施例１のサセプタを使用した場合のスティッキング発生枚数は０枚（発生率０％）だったのに対して、比較例１のサセプタを使用した場合のスティッキング発生枚数は５枚（発生率５０％）であった。このことから、本発明のサセプタがスティッキングの防止に対して有効であることが示された。
【００３９】
［エピタキシャル層の均一性評価］
テスト基板として、２００ｍｍのｐ型シリコンウェーハ（厚さ０．７２ｍｍ）を使用し、反応温度１０７５℃、エピタキシャル成長速度２．３μｍ／ｍｉｎの条件にて、１１０μｍのエピタキシャル層を成長させた。この際、実施例２として、ウェーハ載置部の外周部に高さ０．４０ｍｍ、幅１．０ｍｍ、長さ０．５０ｍｍで略三角柱状の当接部を６０度間隔で６箇所設置したサセプタを用意し、また、比較例２として、ウェーハ載置部の外周部に高さ０．７７ｍｍ、幅１．０ｍｍ、長さ０．５０ｍｍで略三角柱状の当接部を６０度間隔で６箇所設置したサセプタを用意した。得られたそれぞれのエピタキシャルウェーハについて、ウェーハの外周縁より半径方向へ２ｍｍの地点のエピタキシャル層の厚さを、当接部の位置を中心として＋１５度から−１５度の範囲で１度ごとにＦＴＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）で測定し、エピタキシャル層厚の均一性に対する当接部の影響を調べた。結果を図１１に示す。
【００４０】
図１１から明らかなように、当接部の高さが０．４０ｍｍである実施例２のサセプタの場合にはエピタキシャル層の厚さがほぼ均一だったのに対して、当接部の高さが０．７７ｍｍの比較例２のサセプタの場合にはエピタキシャル層の厚さが当接部付近で小さくなることがわかる。これは、当接部の高さが本発明所定の範囲を超えると、原料ガスの流れが均一でなくなり、当接部の陰に相当する部分のエピタキシャル層成長が阻害されたためと推測される。当接部の高さが本発明所定の範囲である０．４０ｍｍの実施例２のサセプタの場合にはこのような現象は起こらず、本発明のサセプタを使用するとエピタキシャル層の均一性に影響を及ぼすことなくスティッキングを防止できることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のサセプタ３を使用する気相成長装置の概略を示す側面図である。
【図２】同概略を表す平面図である。
【図３】サセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図４】図３とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図５】ウェーハ８が載置された状態のサセプタ３の部分断面図で、（ａ）は当接部９の高さがウェーハの厚さの半分である場合であり、（ｂ）は当接部９の高さがウェーハ８の厚さの半分以上、同等未満の場合であり、（ｃ）は当接部９の高さがウェーハ８の厚さと同じ場合である。
【図６】当接部９の高さがウェーハ８の厚さの半分未満の場合にウェーハ８が載置された状態のサセプタ３の部分断面図である。
【図７】図３及び図４とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図８】当接部９がウェーハ８とウェーハ載置部７の深さ方向と垂直に延びる線に沿って線接触した場合の状態図で、（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図９】サセプタ３にウェーハ８が載置された状態図で、（ａ）はウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域の片方に当接部９が１つも存在しない状態を示す平面図であり、（ｂ）はウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに少なくとも１つの当接部９が存在する状態を示す平面図である。
【図１０】図３、図４、及び図７とは別形態のサセプタ３にウェーハ８が載置された状態の部分断面図である。
【図１１】当接部９の高さとエピタキシャル層厚の関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１    チャンバー
２    反応管
３    サセプタ
４    支持軸
５    加熱用ランプ
６    仕切り板
７    ウェーハ載置部
８    ウェーハ
９    当接部
１０    ウェーハ載置部７に設けられた凹部
【図１】
2010028013.tif 000003
【図２】
2010028013.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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