(57)【要約】【課題】半導体基板に対して求められる平坦度に応じて、研磨後の基板の外周ダレを可及的に防止して許容範囲内に抑制することができる半導体基板の両面研磨方法を提供する。【解決手段】互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差（T-t）を5μm以上100μm以下の範囲に管理する、半導体基板の両面研磨方法である。【選択図】図2
2010045279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差（T-t）を5μm以上100μm以下の範囲に管理することを特徴とする半導体基板の両面研磨方法。
【請求項２】
前記厚み差（T-t）が、5μm以上30μm以下である請求項1に記載の半導体基板の両面研磨方法。
【請求項３】
前記半導体基板が単結晶炭化珪素基板である請求項1又は2に記載の半導体基板の両面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の両面研磨方法に関し、電子デバイスの作製に供される、平坦度に優れた半導体基板を製作する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの作製工程においては、フォトリソグラフィーを用いた微細加工が必須であり、また、このフォトリソグラフィー工程においては、半導体基板の表面に塗布したフォトレジストにフォトマスクのパターンを正確に転写する必要があるが、この基板表面に凹凸があると、焦点ズレが発生し、フォトマスクのパターンが適正に転写できなくなる。そして、焦点ズレにより設計通りの微細加工が行われないと、電子デバイスとして動作せず、製品の歩留まりが低下する。かかる事態を避けるために、基板の表面を研磨して平坦度を改善する必要がある。
【０００３】
従来、半導体基板の研磨においては、研磨基板を研磨ブロックにワックス等により固定し、半導体基板の表面と裏面とをそれぞれ片面ずつ研磨していたが、ワックス等の厚みが不均一になったり、また、半導体基板と研磨ブロックの間にパーティクルが入り込んだりして、研磨終了時における基板の仕上り厚さが面内で不均一になったり、また、基板が局所的に窪んだりして、基板の平坦度を高めることが難しかった。
【０００４】
そこで、この問題を解決するために、研磨基板を上定盤と下定盤との間に挟み込み、両面を同時に加工する両面研磨の方法が提案された。この両面研磨方法においては、基板を研磨ブロックに貼付することなく、基板の表面と裏面とを同時に研磨できることから、ワックス等による貼付工程を省くことができ、片面研磨方法に比べて基板の平坦度品質が改善される。そして、リソグラフィーによる微細加工を必要とする電子デバイスにおいては、基板の平坦度品質が重要であることから、半導体基板の加工において、この両面研磨方法が広く用いられるようになった。
【０００５】
このような半導体基板の両面研磨方法としては、例えば特許文献1、2、3等がある。特許文献1においては、基板の主表面に被保護面を形成し、両面研磨装置を用いて保護されていない面を被保護面よりも速い速度で研磨し、これによって非常に平坦で片面が研磨された半導体基板を生産する方法が提案されている。また、特許文献2においては、ウエハの両面を同時にバフ研磨する又はスクラブするためのシステム等の半導体ウエハ処理システムが提案されている。
【０００６】
また、特許文献3においては、両面研磨法に更に工夫を加えて平坦度の改善を行っている。具体的には、定盤が研磨熱を受けて凹又は凸に変化することを想定し、研磨中にこの研磨熱により定盤が平らになるように、予め逆の凸又は凹の形状に上定盤、下定盤を仕立てることが提案されている。しかしながら、研磨条件は、研磨パッド、研磨砥粒、研磨加重、定盤回転数等により一定ではなく、さらに、研磨パッドはその表面状態等が経時的に変化することから、どの程度の研磨熱が発生するかを正確に予測することは容易ではなく、また、仮にその研磨熱の発生量をある程度予測できたとしても、想定される定盤の熱変形量を打ち消すように、定盤の形状を精緻に凸又は凹の形状に加工することも容易でない。
【特許文献１】特開平9-45,644号公報
【特許文献２】特表2002-509,367号公報
【特許文献３】特開2005-335,047号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記のように、両面研磨方法を適用することでワックス等による貼付工程における品質の不具合に起因する平坦度品質の劣化を防ぐことが可能となり、片面研磨方法に比べて一応の改善がなされ、また、この両面研磨方法に更なる工夫を加えて平坦度を改善する試みがなされてきた。しかしながら、良好な平坦度を実現する手法が複雑で、産業応用上、簡単に適用できるものではない。
【０００８】
また、一般に、基板研磨においては、研磨後の基板の平坦度が研磨パッド、研磨砥粒、研磨加重、定盤回転数等の種々の研磨条件に影響されることが知られている。そして、このことは、上記の如き両面研磨方法においても例外ではなく、先述のように、研磨後の基板厚さが面内で不均一になったり、また、基板が局所的に窪んだりする不具合は発生しないが、研磨中に基板の外周部が中央部に比べてより速く研磨されることから、依然として基板の外周部にダレが発生し、基板の外周部の平坦度が劣化するという問題（外周ダレの問題）が残されている。
【０００９】
また、この外周ダレの許容範囲は、作製しようとするデバイスのデザインルールによって異なる。これは、目的のデザインルールに対応してステッパーを使い分けるが、個々のステッパーで使用される光源の波長に応じて焦点深度が異なっているからであり、外周ダレの大きさがステッパーの焦点深度より大きくなると、デフォーカスが生じ、微細パターンの形成が困難になる。
【００１０】
ここで、基板に求められる外周ダレの許容範囲をASTM F1241 "Wafer Geometry Characteristics; Chapter 1.15 GEOMETRY MEASUREMENT"で規定されている平坦度指標SBIRを用いて定量的に説明すると、概ね次の通りである。即ち、平坦度指標SBIRは定められたサイトの中で基板厚さの最大値と最小値の差で定義される指標であり、「外周ダレが大きい状態」とは、平坦度指標SBIRを用いて表現すれば、外周に位置するサイトにおいてSBIRの値が大きい状態に対応している。単結晶炭化珪素基板の場合は、本材料を用いるパワーデバイスがデザインルール0.5μm程度で作製されることから、リソグラフィーではHgランプのｉ線を光源とするステッパー(以下、「ｉ線ステッパー」と略す。)が用いられる。このｉ線ステッパーにおいては、焦点深度が1μm程度であることから、外周サイトにおいてSBIR≦1μmであれば、デフォーカスは起こらず、外周ダレは許容範囲内にあると判断される。一方、Si基板を用いたULSIの場合は、デザインルールが0.05μm程度であることから、リソグラフィー工程ではエキシマレーザーを光源とするステッパーが用いられる。このエキシマレーザーを用いたステッパーでは、焦点深度が0.1μm程度であることから、外周サイトにおいてSBIR≦0.1μmであれば、デフォーカスは起こらず、外周ダレは許容範囲内であると言える。
【００１１】
そこで、本発明者は、半導体基板の両面研磨において、基板の外周部における外周ダレの発生を可及的に防止し、この外周ダレの大きさを容易にその許容範囲内に抑制することができ、研磨後の基板平坦度に優れた半導体基板を工業的に容易に製造することができる半導体基板の両面研磨方法を開発すべく鋭意検討を行った。
【００１２】
そして、本発明者は、この両面研磨方法を検討する過程で、両面研磨方法における外周ダレの程度は、研磨パッド、研磨砥粒、研磨加重、定盤回転数等のこれまで知られている研磨条件により影響されるだけではなく、半導体基板の基板厚さとこの半導体基板を研磨中に保持するキャリアの厚さとの間の厚み差にも影響され、研磨工程終盤に向けて次第にその影響が大きくなり、研磨工程終盤では外周ダレの主要因になることを突き止め、本発明を完成させた。
【００１３】
即ち、両面研磨方法においては、半導体基板を研磨するとの本来目的のために、半導体基板は常にこの半導体基板を保持するキャリアに比べて厚くなっているが、半導体基板がキャリアより過度に厚い場合には、半導体基板が研磨パッドに強く押しつけられることになる。特に、半導体基板の最外周部は、他の部位に先立って、研磨パッドを押し分けていく部位であることから、研磨パッドとの間に生じる摩擦が大きくなり、この部分での研磨速度が上がることになり、その結果、最外周部にダレが生じている。
【００１４】
そして、このような基板の外周部が研磨パッドに押し込まれる強さの度合いは、研磨パッドの硬さ、研磨加重等の研磨条件に影響され、また、この押し込まれたことにより基板外周部が優先されて研磨される速度は研磨砥粒及び定盤回転数等の研磨条件にも影響される。また、一般に、研磨パッドが柔らかいほど、研磨加重が大きいほど、基板が押し込まれる度合いが大きくなり、その結果として外周ダレが大きくなる。しかしながら、基板研磨が進んで基板厚さとキャリア厚さとの間の厚み差が小さくなると、研磨パッドは、それが弾性を有することから、基板に接触するだけでなくキャリアにも触れるようになり、基板が押し込まれる度合いが実質的に軽減されるようになる。この状況の最も極端な例が基板とキャリアが同じ厚さとなった場合であり、この場合には、基板が選択的に研磨パッドに押し込まれることがなくなり、結果として、研磨パッドの硬さ、研磨加重等の研磨条件に関わらず、外周ダレは起こらなくなる。
【００１５】
本発明者の研究によれば、研磨過程における基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)と、外周ダレの大きさとの関係は、これを模式的に示すと、図6の如くなり、この厚み差(T-t)が大きい研磨工程初期（例えば、図中の領域Ａ）においては、外周ダレの大きさは、研磨パッドの硬さ、研磨砥粒、研磨加重、定盤回転数等の種々の研磨条件に大きく影響され、厚み差(T-t)が一定であっても大きな変化幅を持っている。しかしながら、基板研磨が進み、基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が小さくなって研磨パッドがキャリアと触れるようになると、研磨工程初期に比較的大きな影響を与えていた研磨砥粒、研磨加重、定盤回転数等の研磨条件による影響が次第に少なくなって、これらの研磨条件による外周ダレの変化幅が小さくなり、研磨工程終盤（例えば、図中の領域Ｂ）においては、上記の研磨条件による影響がほとんど無視できる程度にまで小さくなり、基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が外周ダレの程度を決める主要な要因となる。
【００１６】
本発明はこのような外周ダレ発生のメカニズムに関する解析に基づいてなされたものであり、その目的とするところは、半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と半導体基板を保持するキャリアの厚さ(t)との間の厚み差(T-t)を管理指標として両面研磨を行い、基板研磨の終点を管理して研磨終了後の基板の外周ダレを許容範囲内に抑制するという新加工手法を提供しようとするものである。具体的には、基板に対して求められる平坦度に応じて、研磨終了時における半導体基板の基板厚さ(T)と半導体基板を保持するキャリアの厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が所定の範囲に入るように両面研磨工程を管理することにより、研磨後の基板の外周ダレを可及的に防止して許容範囲内に抑制するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
即ち、本発明の趣旨は以下のとおりである。
(1)  互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差（T-t）を5μm以上100μm以下の範囲に管理することを特徴とする半導体基板の両面研磨方法。
【００１８】
(2)  前記厚み差（T-t）が、5μm以上30μm以下である上記(1)に記載の半導体基板の両面研磨方法。
【００１９】
(3)  前記半導体基板が単結晶炭化珪素基板である上記(1)又は(2)に記載の半導体基板の両面研磨方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、半導体基板の外周部分が選択的に研磨されることを防ぐことが可能となり、外周ダレのない平坦度に優れた半導体基板の作製が可能となる。また、本発明によれば、基板研磨の終点を研磨終了時における基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との間の厚み差（T-t）で管理することにより、外周ダレのない平坦度に優れた半導体基板の作製が可能なので、半導体基板の研磨作業が極めて容易になり、外周ダレのない平坦度に優れた半導体基板を工業的に容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明においては、半導体基板を両面研磨する場合において、半導体基板の外周部が研磨パッドに強く押しつけられることによって半導体基板の外周ダレが生じている状況に鑑み、半導体基板が研磨パッドに押し込まれる度合いを、半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)とこの半導体基板を保持するキャリアのキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)を指標として管理するが、この厚み差(T-t)は、研磨対象の半導体基板の種類によっても異なるが、通常5μm以上100μm以下、好ましくは5μm以上30μm以下に管理され、これによって半導体基板の外周部が研磨パッドに強く押しつけられるとの事態を回避でき、その結果、外周ダレのない半導体基板の作製が可能となる。
【００２２】
例えば、本発明方法を単結晶炭化珪素を始めとする硬質半導体基板の両面研磨に適用する場合は、実用的な研磨速度を確保するために、シリコンを始めとする一般な硬度の半導体基板に比べて研磨圧力を高めることが一般的であるが、このことにより半導体基板の外周部が研磨パッドに強く押しつけられ、半導体基板の外周ダレを発生させることになる。しかしながら、この場合においても、本発明が提案するように、半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)とこの半導体基板を保持するキャリアのキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)をより精緻に管理することにより、具体的には、厚み差(T-t)を5μm以上30μm以下、好ましくは5μm以上20μm以下に管理することにより、研磨キャリアが研磨パッドに押しつけられる圧力が増し、半導体基板の外周部が研磨パッドに押しつけられる圧力との差異が減少し、結果として半導体基板の外周部が突出して研磨パッドに押しつけられる状態が回避され、半導体基板の外周部のダレが低減される。
【００２３】
また、シリコンを始めとする一般的な硬度を持つ半導体基板に本発明方法を適用する場合は、厚み差(T-t)を通常5μm以上100μm以下に管理すればよいが、好ましくは5μm以上30μm以下に管理するのがよく、かかる場合には、半導体基板の外周部が研磨パッドに押しつけられる圧力がより減少することから、外周ダレの一層の抑制が可能となり、より優れた平坦度品質を持つ半導体基板の作製が可能になる。
【００２４】
ここで、管理指標となる半導体基板の基板厚さ(T)及びキャリアのキャリア厚さ(t)を測定する厚み測定方法について、以下に説明する。
先ず、基板厚さ(T)の測定方法については、結果として研磨終了時の基板厚さ(T)を測定できればよく、特に制限されるものではないが、例えば、研磨速度が既知の場合、又は、研磨速度が未知であっても事前の予備実験で研磨時間と基板厚みの関係が判っている場合は、半導体基板の厚み測定に替えて、研磨時間を管理する方法もある。研磨速度が未知で事前実験を行わない場合においても、一連の研磨工程において厚み測定を複数回行い、基板の厚みを管理することが可能である。この場合においては、研磨工程の前半では測定頻度は少なくてよいが、研磨工程の後半では半導体基板の基板厚さ(T)とキャリアのキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)の値が次第に小さくなることから、その測定頻度を多くすることが好ましい。なお、測定対象は研磨を行う半導体基板全数であるが、各基板の測定箇所についてはその中央部1点を含めて1箇所以上、好ましくは2箇所以上の複数箇所で行うのが適当である。複数箇所で測定した場合には測定された厚みの平均値を求め、半導体基板の基板厚み(T)とする。
【００２５】
一方、キャリアは摩滅する速度が遅いために、キャリア厚さ(t)の測定は一連の研磨工程で1回行えば十分である。キャリア厚さ(t)の測定は、半導体基板を保持するために開けられた穴の外周に沿って、複数箇所について測定するのが好ましい。キャリア厚さ(t)の厚み測定の一例として、穴の外周に沿って90°間隔で厚み測定を計4回行う方法がある。必要に応じて前記の間隔及び測定回数を増減させてよい。半導体基板を保持する穴が複数個ある場合は、それぞれの穴について前記のように厚み測定を行う。測定した厚みの平均値を求め、キャリア厚さ(t)とする。
【００２６】
外周ダレのない平坦度に優れた半導体基板を作製する要点は前記の通りであるが、半導体基板の機械強度に合わせて、研磨パッド、研磨圧力、研磨定盤の回転数等の研磨条件を適宜選択するのがよい。ショアA硬度計で測定した硬度に基づいて研磨パッドを選択することが好ましい。一般的に、ガリウムヒ素あるいはインジウム燐を始めとする軟質半導体硬質半導体の研磨に当たっては硬度の低い研磨パッドを、また、炭化珪素を始めとする硬質半導体基板の研磨に当たっては硬度の高い研磨パッドを用いることが好ましい。例えば、ガリウム砒素については50°以上65°以下が、シリコンについては60°以上80°以下が、また、炭化珪素については80°以上90°以下のショア硬度を有する研磨パッドを用いることが好ましい。
【００２７】
研磨圧力については、研磨工程初期にこれが研磨速度及び半導体基板の外周ダレの双方に影響を及ぼすことから、半導体基板の機械強度に応じて定めるのがよいが、本発明において、研磨圧力は50g/cm2以上1000g/cm2以下が好ましい。研磨定盤の回転速度については、10rpm以上80rpm以下が好ましい。
【００２８】
研磨砥粒の種類としては、シリカ（SiO2）、アルミナ（Al2O3）、GC（グリーンSiC）、カーボランダム、ダイヤモンド等を用いるのが一般的であるが、研磨砥粒の種類は、半導体基板の機械強度に合わせて選択するのがよい。即ち、研磨砥粒のビッカース硬度が研磨を行う半導体基板のビッカース硬度より高くなるように、研磨砥粒の種類を選択するのがよく、具体的には、半導体基板の材質がシリコン、ガリウム砒素、インジウム燐等の場合には、シリカ（SiO2）、アルミナ（Al2O3）、GC（グリーンSiC）、カーボランダムを用いることが、また、炭化珪素等の場合にはダイヤモンドを用いることが望ましい。
【００２９】
研磨砥粒のサイズ選択の内、最小サイズについては最終仕上げ面の粗度に合わせて一義的に決まる。一方、研磨砥粒を順次、大きいサイズから小さいサイズに切り替えていくことは当然のことであるが、どれほどのステップを刻んで砥粒サイズを小さくしていくかは、残留スクラッチと生産性を勘案して決める必要があるため、一義的に決めることはできない。例えば、炭化珪素基板を、その表面粗度Raが0.3nm程度となるように研磨する場合の一例として、ダイヤモンド砥粒を粒径9μmより始め、順次、3μm、1μmと小さくし、所望の表面粗度を得た例がある。そして、このように研磨砥粒の粒子サイズを順次小さくしながら研磨作業を行う場合には、基板厚さ(T)の測定は、例えば、研磨砥粒のサイズ減縮の際に行ったり、最小サイズの研磨砥粒で研磨する際に表面状態の確認に合わせて複数回の測定を行う等、研磨作業が中断されるタイミングに合わせて行うのがよい。
【００３０】
研磨中に半導体基板を保持するキャリアは、半導体基板を研磨する際に同時に研磨パッドに触れ、摩滅することから、ステンレススチール、ブルースチール、スチールを始めとする硬質材料で作製することが好ましい。しかしながら、ガリウムヒ素あるいはインジウム燐を始めとする軟質半導体基板を両面研磨する場合は、研磨キャリアとの接触、衝突により半導体基板の割れや欠けが発生し難くなるように、塩化ビニール、ポリカーボネート、エポキシ樹脂含滲アラミド繊維、エポキシ樹脂含滲ガラス繊維、エポキシ樹脂含滲カーボンファイバを始めとする軟質材料で作製した研磨キャリアを使用してもよい。
【実施例】
【００３１】
［実施例1及び2並びに比較例1］
以下に、実施例及び比較例に基づいて、本発明の半導体基板の両面研磨方法を具体的に説明する。
なお、以下の実施例1及び2並びに比較例1において、用いられた両面研磨装置は、図1及び図2に示すように、3枚の基板厚さ(T)の半導体基板1をキャリア厚さ(t)のキャリア2の基板収容部2a内に隙間を維持して回転可能に配置し、これら半導体基板1及びキャリア2の上下方向から上研磨パッド3a及び下研磨パッド3bで挟み込み、これら上下の研磨パッド3a,3bの間で半導体基板1を自転及び公転させ、3枚の半導体基板1の両面を同時に研磨できる構成になっている。
【００３２】
また、実施例1及び2並びに比較例1において、用いられた半導体基板1は直径3インチ（75mm）の単結晶炭化珪素であり、また、その結晶ポリタイプは4Hである。窒素ドープによりｎ型導電性を示し、抵抗率は20mΩcmである。半導体基板の主面は(0001)面で、C軸は[11-20]方向に8°傾いている。
【００３３】
更に、実施例1及び2並びに比較例1の両面研磨においては、1バッチ3枚の構成で研磨を行い、研磨キャリアはステンレス製を用いた。研磨パッドはショアA硬度計で測定した硬度が80°以上90°以下のものを使用した。研磨圧力は250g/cm2以上600g/cm2以下に管理した。研磨スラリーは砥粒としてダイヤモンドを用いたもので、粒径9μmより始め、順次、3μm、1μmと粒径サイズの縮減を行い、研磨面を仕上げた。粒径のサイズ縮減に当たっては、前工程のダイヤ粒が残留しないように十分な水洗を行った。
【００３４】
また、実施例1及び2並びに比較例1において、半導体基板1の基板厚さ(T)の測定は、研磨砥粒のサイズ縮減に同期して行った。即ち、第1回目は研磨砥粒を9μmから3μmに切り換える際に、第2回目は研磨砥粒を3μmから1μmに切り換える際にそれぞれ基板厚さ(T)の測定を行い、また、第3回目以降は30分毎に基板厚さ(T)を測定し、測定された基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が所定の値（比較例1では120μm、実施例1では60μm、及び実施例2では20μm）になるまで研磨操作及び基板厚さ(T)の測定を繰り返した。なお、キャリア2のキャリア厚さ(t)は、研磨を開始する前に半導体基板1を保持する穴（基板収容部2a）の周囲に沿って90°毎に4点で測定し、その平均値を求めた。
【００３５】
両面研磨後の平坦度品質は、ASTM F1241に規定されるSBIRを用いて定量化した。なお、サイトサイズは1辺10mmの正方形とし、また、エッジ除外(edge exclusion)は2mmの条件下でSBIRを測定した。
【００３６】
図3は、厚み差(T)が120μmの比較例1の場合であり、半導体基板1の研磨終了後における基板厚さ(T)とキャリア2のキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が過度に大きい場合の結果である。具体的には、半導体基板の基板厚さ(T)が370μm、キャリア2のキャリア厚さ(t)が250μm、両者の間の厚み差(T-t)が120μmの場合であり、最外周のセルとそれ以外のセルのSBIRを比較すると、最外周セルにおいて値が大きく、外周ダレに起因する平坦度が劣化していることが判る。
【００３７】
一方、図4は、本発明方法を適用した実施例1の場合で、半導体基板1の研磨終了後における基板厚さ(T)とキャリア2のキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が所定の範囲内に管理された例である。この図4においては、半導体基板1の研磨終了後における基板厚さ(T)が390μm、キャリア2のキャリア厚さ(t)が330μm、両者の間の厚み差(T-t)が60μmである。この実施例1では、図3に示す比較例1に比べて、最外周のセルにおけるSBIRが小さく、外周ダレの発生が抑制されていることが判る。
【００３８】
また、図5は、本発明を適用した実施例2の場合である。ここでは、半導体基板1の研磨終了後における基板厚さ(T)とキャリア2のキャリア厚さ(t)との間の厚み差(T-t)が実施例1の場合に比べてより狭い範囲内に管理された例である。この図5においては、半導体基板1の磨終了後における基板厚さ(T)が370μm、キャリア2のキャリア厚さ(t)が350μm、両者の間の厚み差(T-t)が20μmである。この場合は、最外周のセルとそれ以外のセルでSBIRはほぼ同程度であり、基板の外周ダレが起こっていないことが判る。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図1は、両面研磨において、上下の研磨パッドを省略して半導体基板とキャリアとの位置関係を示す斜視説明図である。
【００４０】
【図２】図2は、図1におけるa-a線断面の形状を示す断面説明図である。
【００４１】
【図３】図3は、比較例1の半導体基板のSBIR測定結果を示すサイトマップ図である。
【００４２】
【図４】図4は、本発明の実施例1の半導体基板のSBIR測定結果を示すサイトマップ図である。
【００４３】
【図５】図5は、本発明の実施例2の半導体基板のSBIR測定結果を示すサイトマップ図である。
【００４４】
【図６】図6は、基板厚さ(T)とキャリア厚さ(t)との厚み差(T-t)と、外周ダレの大きさと、研磨条件（研磨パッドの硬さや研磨加重の大きさ）との関係を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
1：半導体基板、2：キャリア、2a：基板収容部（穴）、3a：上研磨パッド、3b：下研磨パッド、Ｔ：基板厚さ、ｔ：キャリア厚さ。
【図１】
2010045279.tif 000003
【図２】
2010045279.tif 000004
【図３】
2010045279.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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