(57)【要約】【課題】両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供する。【解決手段】透明基板の一方の主面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、前記透明基板の外縁部の第１のレジスト膜を除去し、外縁部の第１の遮光膜を露出させる工程と、前記第１のレジスト膜をパターン描画し、現像し、第１の遮光膜をエッチングし、第１のレジスト膜を剥離して、第１の遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光膜と第２のレジスト膜を順に形成し、第２のレジスト膜をパターン描画し、現像した後、第２の遮光膜をエッチングし、第２のレジスト膜を剥離して、第２の遮光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一方の主面上に第１の遮光パターンを形成し、次に前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光パターンを形成し、透明基板の両主面上に遮光パターンを設けた両面フォトマスクの作製方法であって、
前記透明基板の一方の主面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜を除去し、前記透明基板の外縁部の第１の遮光膜を露出させる工程と、
描画装置により前記第１のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第１の遮光膜をエッチングした後、前記第１のレジスト膜を剥離して、前記透明基板の一方の主面上に前記第１の遮光膜よりなる表面本パターンと表面アライメントマークとを有する第１の遮光パターンを形成する工程と、
前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光膜と第２のレジスト膜を順に形成し、描画装置により前記第２のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第２の遮光膜をエッチングした後、前記第２のレジスト膜を剥離して、前記第２の遮光膜よりなる裏面アライメントマークを形成する工程と、
前記表面アライメントマークと前記裏面アライメントマークとに基づいてずれ量を計測する工程と、
前記透明基板の他方の主面上に第３のレジスト膜を形成し、描画装置により前記ずれ量分を補正して前記第３のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第２の遮光膜をエッチングした後、前記第３のレジスト膜を剥離して、前記第２の遮光膜よりなる裏面本パターンを形成し、前記透明基板の他方の主面上に前記裏面本パターンと前記裏面アライメントマークとを有する第２の遮光パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする両面フォトマスクの作製方法。
【請求項２】
前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜の除去が、前記第１のレジスト膜が形成された透明基板を水平に保持して回転させながら、前記第１のレジスト膜が溶解する溶剤もしくは現像液を前記透明基板の外縁部に供給し、前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜を溶解して飛散させて除去することを特徴とする請求項１に記載の両面フォトマスクの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基板の相対する２つの主面上に異なる遮光パターンを有するフォトマスクを作製する方法に関し、特に透明基板の一方の面に遮光パターンを形成した後、この遮光パターンに損傷を与えずに透明基板の他方の面に異なる遮光パターンを作製するフォトマスクの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路をウェハ上に投影露光して転写する際に原版として用いられるフォトマスク（レチクルともいう）は、一般には石英ガラスなどの透明基板の一主面上にクロムなどの金属からなる遮光パターンが形成された構造をしている。近年、投影露光装置の光学特性をさらに高精度にして、より微細な加工を実現するために、遮光パターンを透明基板の相対する一方の主面（以下、本発明では「表面」とも称する）と他方の主面（以下、本発明では「裏面」とも称する）の２つの主面上の両面に形成する両面フォトマスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
両面フォトマスクの製造方法としては、透明基板の表裏両面に遮光膜を成膜した両面ブランクスを出発材料として用いる方法と、透明基板の片側の面に遮光膜を成膜した片面ブランクスを出発材料として用いる方法とがある。片面ブランクスは従来のフォトマスクブランクスと同じであるため、高品質で信頼性が高く価格が安いので、通常、両面フォトマスクの製造には片面ブランクスが出発材料として用いられる（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−８０４４４号公報
【特許文献２】特開２００６−２８５１２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載された片面ブランクスを出発材料として用いる従来の方法では、一方の面の遮光膜をパターニングして遮光パターンを形成した後、他方の面にスパッタリング法などで遮光膜を成膜するときに、異常放電がしばしば生じて既に形成された一方の面の遮光パターンに損傷を与え、外観欠陥を生じてしまうという両面フォトマスクの作製における特有の問題があった。そのため、一方の面の遮光パターンに損傷が生じた場合には、再度表面の遮光膜成膜から作り直さなければならず、マスク製造時間の増加と製造コストの増大をきたすという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１の発明に係る両面フォトマスクの作製方法は、透明基板の一方の主面上に第１の遮光パターンを形成し、次に前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光パターンを形成し、透明基板の両主面上に遮光パターンを設けた両面フォトマスクの作製方法であって、前記透明基板の一方の主面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜を除去し、前記透明基板の外縁部の第１の遮光膜を露出させる工程と、描画装置により前記第１のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第１の遮光膜をエッチングした後、前記第１のレジスト膜を剥離して、前記透明基板の一方の主面上に前記第１の遮光膜よりなる表面本パターンと表面アライメントマークとを有する第１の遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光膜と第２のレジスト膜を順に形成し、描画装置により前記第２のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第２の遮光膜をエッチングした後、前記第２のレジスト膜を剥離して、前記第２の遮光膜よりなる裏面アライメントマークを形成する工程と、前記表面アライメントマークと前記裏面アライメントマークとに基づいてずれ量を計測する工程と、前記透明基板の他方の主面上に第３のレジスト膜を形成し、描画装置により前記ずれ量分を補正して前記第３のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した前記第２の遮光膜をエッチングした後、前記第３のレジスト膜を剥離して、前記第２の遮光膜よりなる裏面本パターンを形成し、前記透明基板の他方の主面上に前記裏面本パターンと前記裏面アライメントマークとを有する第２の遮光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２の発明に係る両面フォトマスクの作製方法は、請求項１に記載の両面フォトマスクの作製方法において、前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜の除去が、前記第１のレジスト膜が形成された透明基板を水平に保持して回転させながら、前記第１のレジスト膜が溶解する溶剤もしくは現像液を前記透明基板の外縁部に供給し、前記透明基板の外縁部の前記第１のレジスト膜を溶解して飛散させて除去することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の両面フォトマスクの作製方法によれば、透明基板の表面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、透明基板の外縁部にある第１のレジスト膜を除去することにより、第１の遮光膜のパターンエッチング時に、端面を含めて透明基板の外縁部の遮光膜も同時にエッチング除去され、裏面上に第２の遮光膜をスパッタリング成膜するときに、表裏面の遮光膜が導通することに起因する異常放電により、すでに形成した表面上の第１の遮光パターンへのダメージが発生するという両面フォトマスクの作製に特有の問題がなくなり、高品質の両面フォトマスクを作製することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の両面フォトマスクの作製方法の一例を示す工程断面模式図である。
【図２】図１に続く本発明の両面フォトマスクの作製方法の一例を示す工程断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて、本発明の両面フォトマスクの作製方法の最良の実施形態について詳細に説明する。図１およびそれに続く図２は、本発明の両面フォトマスクの作製方法の一例を示す工程断面模式図である。
【００１２】
図１に示すように、洗浄された透明基板１０の一方の主面（表面）上に第１の遮光膜１１（図１（ａ））、および第１のレジスト膜１２をこの順に形成した後（図１（ｂ））、透明基板１０の外縁部１３の第１のレジスト膜１２を除去し、外縁部１３の第１の遮光膜１１を露出させる（図１（ｃ））。
【００１３】
本発明において、透明基板１０としては、微細パターンのフォトマスク用基板として用いられている合成石英基板が好適である。また、第１の遮光膜１１としては、フォトマスク用遮光膜として用いられる、例えば、クロム、クロム酸化物、クロム窒化物などの単層あるいは２層以上の各種薄膜が適用でき、スパッタリング法などで成膜する。また、第１のレジスト膜１２としては、フォトマスク用電子線レジストやレーザ露光用レジストが用いられ、スピン塗布などの方法により塗布形成される。
【００１４】
本発明において、上記の外縁部１３に塗布された第１のレジスト膜１２の除去は、レジスト膜１２が除去されてフォトマスク作製に支障を生じない方法ならばいずれの方法も適用できるが、第１のレジスト膜１２が形成された透明基板１０を水平に保持して回転させながら、第１のレジスト膜１２が溶解する溶剤もしくはレジスト膜専用の現像液を透明基板の外縁部１３に供給し、第１のレジスト膜１２を溶解して飛散させて除去する方法を用いるのが、第１のレジスト膜１２表面に異物などが付着するおそれが少なく高品質フォトマスクを作製する上でより好ましい。
【００１５】
溶剤もしくは現像液を透明基板の外縁部１３に供給する手段としては、溶剤もしくは現像液が透明基板の主要部のレジスト膜に接触しないようにして、例えば、ノズルを用いて吐出する方法などが用いられる。
【００１６】
第１のレジスト膜１２を溶解する溶剤は、レジスト膜１２が溶解可能であればいずれの溶剤も用いることができるが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブアセテートなどが溶剤の候補として挙げられる。
【００１７】
また、本発明において、透明基板の外縁部１３の第１のレジスト膜１２を溶解して飛散させるとき、透明基板１０を回転させる回転数および供給する溶剤もしくは現像液の流量は、レジスト膜１２の材料、粘度、膜厚、溶剤もしくは現像液の種類、レジスト膜１２の溶解速度などにより、適切な条件を求めて決められる。
【００１８】
本発明において、上記の透明基板の外縁部１３は、透明基板１０の端面から端面を含む幅２ｍｍ程度の領域を示すものである。第１のレジスト膜１２を除去した外縁部が、端面からの距離が幅２ｍｍ程度を超えると、後述する第１の遮光膜よりなる表面本パターンや表面アライメントマークの形成に障害となるおそれがあるからである。
【００１９】
次に、上記の第１のレジスト膜１２に表面本パターンと表面アライメントマークを有するパターンを電子線（以後、ＥＢとも記す）またはレーザ光１４により第１回目のパターン描画をする（図１（ｄ））。もしも後述の裏面アライメントマーク形成時に両面マスクアライナーを用いる場合には、上記の描画時に予め両面アライナー用マークを描画しておく。上記の表面パターン描画には、微細パターンとパターン精度が求められるので、通常、電子線描画装置やレーザ描画装置が用いられる。
【００２０】
描画後、第１のレジスト膜１２を所定の現像液で現像し、第１のレジストパターン１５を形成する（図１（ｅ））。次に、露出した第１の遮光膜１１をエッチングし、第１のレジストパターン１５を剥離して、第１の遮光膜よりなる表面本パターン１６と表面アライメントマーク１７を有する第１の遮光パターン（表面パターン）１８を形成する（図１（ｆ））。上記の第１の遮光パターン１８形成のエッチング工程において、露出していた外縁部１３の第１の遮光膜１１は同時にエッチング除去され、透明基板１０の端面を含めた外縁部１３には遮光膜１１が残存していない形態が得られる。
【００２１】
遮光膜１１のエッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも適用できるが、微細パターンを形成する上からドライエッチングがより好ましい。例えば、遮光膜がクロムの場合には、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスなどが用いられる。
また、第１のレジストパターン１５の剥離は、酸素プラズマで剥離するドライプロセス、あるいはレジスト専用の剥離液で剥離するウェットプロセスのいずれの方法も適用できる。
【００２２】
ここで、外縁部の遮光膜除去の方法として、遮光膜をスパッタリング成膜するときに、あらかじめ透明基板周辺部をマスキングして成膜を行い、透明基板周辺部に遮光膜を形成しない方法が知られている。しかし、上記の透明基板周辺部に遮光膜を有しないフォトマスクブランクスを用いた場合には、外縁部にクロムなどの導電性の遮光膜がないために、電子線描画時に外縁部でアースがとれなくなり（パターン描画領域は傷が付くのでアースピンを使えない）、マスク全体がチャージアップして負電荷を帯びた電子線と相互作用して、電子ビームの軌道がずれ、描画パターンに歪を生じて良好な微細パターンが得られないという問題を生じる。したがって、透明基板周辺部に遮光膜を有しないフォトマスクブランクスを出発材料に用いた両面フォトマスクの作製方法は望ましくない。
【００２３】
本発明においては、透明基板１０の相対する２つの主面のうち、一方の主面を表面、他方の主面を裏面と称し、フォトマスクとして使用するときに、表面は被転写物側、裏面は光源側を意味し、通常は表面側により微細なパターンが形成される。また、本発明において、本パターンとは、両面フォトマスクをフォトマスクとして使用するときに露光転写されるパターンのことをいい、アライメントマークなどのパターンとは区別している。アライメントマークは、位置合わせ精度を高めるために表裏面とも一主面上に２箇所以上設けるのが好ましい。
【００２４】
次に、透明基板の第１の遮光パターン１８を形成した側とは反対側の他方の主面（裏面）上にスパッタリングなどの成膜方法により第２の遮光膜２１を形成する（図１（ｇ））。図１（ｇ）は、図１（ｆ）と上下を逆にして示してある。
【００２５】
次に、第２の遮光膜２１上に第２のレジスト膜２２を形成し、電子線またはレーザ光または紫外線２３で、第２のレジスト膜２２に裏面アライメントマーク形成のための第２回目のパターン描画を行う（図２（ｈ））。
【００２６】
描画後、現像し、位置ずれ量計測用の裏面アライメントマーク用の第２のレジストパターン２４を形成する（図２（ｉ））。
【００２７】
次に、露出した第２の遮光膜２１をエッチングし、第２のレジストパターン２４を剥離して、第２の遮光膜２１に裏面アライメントマーク２５を形成する（図２（ｊ））。図２（ｊ）には、２箇所の裏面アライメントマーク２５を示している。ここで、以後の工程での裏面本パターンの電子線描画工程で使用するＥＢ描画用アライメントマークとして、上記の裏面アライメントマーク２５を兼用することもできるが、通常、描画装置は装置ごとに専用のアライメントマーク形状が必要とされるので、描画精度を高めるために専用のＥＢ描画用アライメントマーク（不図示）を別に描画し、形成しておくのが好ましい。上記の裏面アライメントマーク２５の描画には、電子線描画装置やレーザ描画装置による描画、あるいは両面マスクアライナーによるアライメントマークを設けたフォトマスクによる転写露光が用いられる。
【００２８】
本発明において、裏面アライメントマーク２５のパターン描画において、描画のために裏面にレジスト膜を形成した基板を描画装置にセットするときには、厳密に位置決めする必要はなく当て見当でセットすることができ、垂直方向からみて概略重なるような位置に描画される。すなわち、当て見当でセットしたとしても、裏面アライメントマーク２５と表面アライメントマーク１７とが概略重なるような寸法関係となっている。このようなセットの仕方によると、数１００μｍの位置ずれが生じるが、このずれ量を十分見込んでアライメントマークを設計しておけばよい。
【００２９】
次に、上記の表面アライメントマーク１７と裏面アライメントマーク２５を、光学顕微鏡などにより垂直方向から観察することによって、位置ずれ量を計測し、裏面の本パターンを描画する際の、ｘ、ｙ方向への平行移動補正量およびθ方向への回転移動補正量を求めておく。
【００３０】
表裏のアライメントマークのずれ量が予め定めた所定値以内であれば、次工程に進み、裏面アライメントマーク２５を形成した第２の遮光膜２１上に第３のレジスト膜２６を形成し、上記の計測したずれ量分を補正して、裏面本パターンを電子線またはレーザ光２７により描画する（図２（ｋ））。次に、所定の現像液で第３のレジスト膜２６を現像し、裏面本パターン用の第３のレジストパターン２８を形成する（図２（ｌ））。
【００３１】
上記の位置ずれ量の計測において、もしも表裏のアライメントマークのずれ量が所定値を超える場合には、裏面アライメントマーク２５を形成した第２の遮光膜２１を剥離し、上記の図１（ｇ）の工程に戻り、透明基板１０の裏面上に再度第２の遮光膜２１を形成する工程以降のやり直しを行なう。
【００３２】
次に、裏面本パターン用の第３のレジストパターン２８から露出した第２の遮光膜２１をエッチングした後、第３のレジストパターン２８を剥離し、裏面本パターン２９を形成し、透明基板１０の他方の主面（裏面）上に裏面本パターン２９と裏面アライメントマーク２５を有する第２の遮光パターン（裏面パターン）３０を形成した両面フォトマスク３１を得る（図２（ｍ））。
【００３３】
本発明において、表裏のパターンとしては、上記の表裏の本パターンと表裏のアライメントマーク、あるいはＥＢ描画用アライメントマークだけではなく、非転写領域に検査測定用パターンなどを設けることも可能である。
【００３４】
上記の説明において、第１のレジスト膜１２、第２のレジスト膜２２、第３のレジスト膜２６の形成には、すべて同種のレジストを用いてもよいし、あるいは２種または３種の異なるレジストを用いてもよいが、製造工程を簡単にするためにはすべて同種のレジストを用いるのが好ましい。
【００３５】
また、第１の遮光膜１１および第２の遮光膜２１は、同種の遮光膜であってもよいし、あるいは２種以上の異なる遮光膜を用いてもよいが、製造工程を簡単にするためにはすべて同種の遮光膜を用いるのが好ましい。
【００３６】
上記のように、本発明のフォトマスクの作製方法は、フォトマスクの表面と裏面に別々のパターンを形成する方法で、透明基板の表面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、透明基板の外縁部にある第１のレジスト膜を除去することにより、第１の遮光膜のパターンエッチング時に、端面を含めて透明基板の外縁部の遮光膜も同時にエッチング除去され、裏面上に第２の遮光膜をスパッタリング成膜するときに、表裏面の遮光膜が導通することによる異常放電により、すでに形成した表面上の第１の遮光パターンへのダメージ発生がなくなり、高品質の両面フォトマスクを作製することが可能となる作製方法である。
【００３７】
また、本発明のフォトマスクの作製方法は、第１の遮光膜が位相シフト膜を有していても適用することが可能であり、さらに第１の遮光膜が露光波長での光の透過率が５〜４０％となるハーフトーン型の半透明の遮光膜においても適用することが可能である。また、本発明のフォトマスク製造方法は、フォトマスクが透明基板の入射光側にＣＧＨ（Computer Generated Hologram：計算機合成ホログラム）などの回折光学素子を有するフォトマスクであっても適用することが可能である。
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
【実施例】
【００３８】
光学研磨した６インチ角、０．２５インチ厚の透明な合成石英基板を洗浄し、その一方の主面（表面）上に第１の遮光膜としてクロムを下記条件にて、厚さ６０ｎｍに成膜して形成した。クロムは透明基板の表面全面に成膜され、また端面にも薄く成膜されていた。
＜遮光膜のスパッタリング条件＞
成膜装置：  プレーナ型ＤＣマグネトロンスパッタリング装置
ターゲット：  金属クロム
ガス及び流量：  アルゴンガス５０ｓｃｃｍ
スパッタ圧力：  ０．３パスカル
スパッタ電流：  ３．５アンペア
【００３９】
次に、上記の第１の遮光膜の上に第１の電子線レジストを、厚さ３００ｎｍに塗布し、次いで、第１のレジスト膜が形成された合成石英基板を水平に保持してスピン回転させながら、第１の電子線レジストの現像液を外縁部にノズルで供給し、第１のレジスト膜を溶解して飛散させて除去し、透明基板の端面を含む外縁部幅２ｍｍまで第１の遮光膜クロムを露出させた。
【００４０】
次に、第１の電子線レジストをプリベーク後、電子線描画装置にてパターン露光し、現像し、所望形状の第１のレジストパターンを形成した。
【００４１】
次に、上記の第１のレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング装置によりレジストパターンから露出している遮光膜クロムを下記条件によりドライエッチングし、パターニングした。このとき、露出している端面を含む基板外縁部の遮光膜クロムも同時にエッチングされた。
＜遮光膜クロムのエッチング条件＞
エッチングガスＣｌ2＋Ｏ2ガス（２：３）
圧力                            １０ｍＴｏｒｒ
ＩＣＰパワー（高密度プラズマ発生）  ５００Ｗ
バイアスパワー（引き出しパワー）      ２５Ｗ
【００４２】
次に、上記のレジストパターンを酸素プラズマで剥離し、遮光膜クロムよりなる表面本パターンと２箇所の表面アライメントマークとを有する第１の遮光パターン（表面パターン）を形成した。
【００４３】
次に、透明な合成石英基板の他方の主面（裏面）上に、上記の表面側のクロム成膜と同じ条件で６０ｎｍの厚さにクロムをスパッタリング成膜し、第２の遮光膜を形成した。
【００４４】
次に、第２の遮光膜クロム上に、上記と同一の電子線レジストを厚さ３００ｎｍに塗布し、プリベーク後、電子線描画装置にてパターン露光し、現像し、２箇所の裏面アライメントマークを有するレジストパターンを形成した。
【００４５】
次に、上記のレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング装置によりレジストパターンから露出している遮光膜クロムを上記の第１の遮光膜クロムのエッチング条件と同一のエッチング条件によりドライエッチングし、第２のレジストパターンを酸素プラズマで剥離して、第２の遮光膜に裏面アライメントマークを形成した。
【００４６】
次に、表面アライメントマークと裏面アライメントマークとに基づいて、表裏のアライメントマークの位置ずれ量を計測した。ずれ量は予め定めた所定値以内であり、ｘ方向、ｙ方向、θ方向の移動補正量を求めた。
【００４７】
次に、裏面アライメントマークを形成した第２の遮光膜クロム上に、上記と同一の電子線レジストを厚さ３００ｎｍに塗布し、プリベーク後、上記の計測したずれ量分を補正して電子線描画装置にてパターン露光し、現像し、裏面本パターン用の第３のレジストパターンを形成した。
【００４８】
次に、第３のレジストパターンから露出した第２の遮光膜クロムを上記の第１の遮光膜クロムのエッチング条件と同一のエッチング条件によりドライエッチングした後、第３のレジストパターンを酸素プラズマで剥離し、裏面本パターンと裏面アライメントマークとを有する第２の遮光パターン（裏面パターン）を形成し、透明な合成石英基板の表裏面に異なるパターンを有する両面フォトマスクを作製した。
【００４９】
本実施例による両面フォトマスクの作製方法は、裏面上に第２の遮光膜クロムをスパッタリング成膜するときに、表裏面の遮光膜が導通することに起因する異常放電が生じることがなく、高品質の両面フォトマスクを作製することができた。
【符号の説明】
【００５０】
１０  透明基板
１１  第１の遮光膜
１２  第１のレジスト膜
１３  外縁部
１４  電子線またはレーザ光
１５  第１のレジストパターン
１６  表面本パターン
１７  表面アライメントマーク
１８  第１の遮光パターン
２１  第２の遮光膜
２２  第２のレジスト膜
２３  電子線またはレーザ光または紫外線
２４  第２のレジストパターン
２５  裏面アライメントマーク
２６  第３のレジスト膜
２７  電子線またはレーザ光
２８  第３のレジストパターン
２９  裏面本パターン
３０  第２の遮光パターン
３１  両面フォトマスク
【図１】
2010204264.tif 000003
【図２】
2010204264.tif 000004