(57)【要約】【課題】コイル間の絶縁性の低下を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層体１２は、多硬質の複数の絶縁体層１６が積層されてなる。コイルＬ１は、積層体１２内に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、環状の軌道Ｒをなしている。コイルＬ２は、積層体１２内においてコイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なる軌道をなしている。コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードチョークコイルを構成している。ダミー導体２２ａ，２２ｂはそれぞれ、積層体１２においてコイルＬ１よりもｚ軸方向の正方向側、及び、コイルＬ２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なっている。ダミー導体２２ａ，２２ｂは、外部電極、コイルＬ１，Ｌ２のいずれにも電気的に接続されていない。【選択図】図２
2010263059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されてなる多孔質の積層体と、
前記積層体の表面に設けられている外部電極と、
前記積層体内に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、環状の軌道をなしている第１のコイルと、
前記積層体内において前記第１のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なる軌道をなしている第２のコイルであって、該第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルと、
前記積層体において前記第１のコイルよりも積層方向の上側又は前記第２のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なっているダミー導体であって、前記外部電極、前記第１のコイル及び前記第２のコイルのいずれにも電気的に接続されていないダミー導体と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
積層方向において、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間の第１の領域であって、積層方向から平面視したときに前記軌道と重なる第１の領域における前記積層体の平均密度は、該第１の領域以外の第２の領域における前記積層体の平均密度よりも高いこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記ダミー導体は、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なる環状をなしていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記ダミー導体は、前記第１のコイルよりも積層方向の上側、及び、前記第２のコイルよりも積層方向の下側の両方に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１のコイルは、第１のビアホール導体を含んでおり、
前記第２のコイルは、第２のビアホール導体を含んでおり、
前記ダミー導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１のビアホール導体又は前記第２のビアホール導体と重なる部分には設けられていないこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、積層方向の下側に進行しながら、同じ方向に旋廻する螺旋形状をなしていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品
【請求項７】
前記積層体は、３５％以上８０％以下の空孔率を有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１のコイル、前記第２のコイル及び前記ダミー導体は、同じ材料により構成されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
請求項１に記載の電子部品の製造方法であって、
加熱により消失する消失物質が混入された絶縁性物質により、前記複数の絶縁体層を作製する工程と、
前記第１のコイルを構成する第１のコイル導体、前記第２のコイルを構成する第２のコイル導体、及び、前記ダミー導体を前記複数の絶縁体層上に形成する工程と、
前記第２のコイルが前記第１のコイルよりも積層方向の下側に位置し、かつ、前記ダミー導体が該第１のコイルよりも積層方向の上側又は該第２のコイルよりも積層方向の下側に位置するように、前記複数の絶縁体層を積層して積層体を作製する工程と、
前記積層体を積層方向に圧着する工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、コモンモードチョークコイルを内蔵する電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルが知られている。以下に、図面を参照しながら該積層型コモンモードチョークコイルについて説明する。図６は、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイル１１０の外観斜視図である。図７は、積層型コモンモードチョークコイル１１０の積層体１１２の分解斜視図である。
【０００３】
積層型コモンモードチョークコイル１１０は、図６に示すように、積層体１１２及び外部電極１１４（１１４ａ〜１１４ｄ）により構成されている。積層体１１２は、直方体をなしている。外部電極１１４は、積層体１１２の側面に設けられている。
【０００４】
また、積層体１１２は、図７に示すように、絶縁性シート１１６（１１６ａ〜１１６ｊ）が積層されて構成され、コイルＬ１１，Ｌ１２を内蔵している。コイルＬ１１は、外部電極１１４ａ，１１４ｂ間に接続されており、コイルＬ１２は、外部電極１１４ｃ，１１４ｄ間に接続されている。
【０００５】
コイルＬ１１は、コイル導体１１８ａ〜１１８ｄ及びビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３により構成されている。コイル導体１１８ａ〜１１８ｄはそれぞれ、絶縁性シート１１６ｂ〜１１６ｅに設けられ、ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３により互いに接続されている。
【０００６】
コイルＬ１２は、コイル導体１１８ｅ〜１１８ｈ及びビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６により構成されている。コイル導体１１８ｅ〜１１８ｈはそれぞれ、絶縁性シート１１６ｆ〜１１６ｉに設けられ、ビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６により互いに接続されている。そして、コイルＬ１１とコイルＬ１２とは、積層方向に並ぶことにより、互いに磁気的に結合してコモンモードチョークコイルを構成している。
【０００７】
更に、積層型コモンモードチョークコイル１１０では、絶縁性シート１１６ｅの厚みが、他の絶縁性シート１１６ａ〜１１６ｄ，１１６ｆ〜１１６ｊの厚みよりも大きい。これにより、コイルＬ１１，Ｌ１２間の絶縁性を向上させている。更に、コイルＬ１１，１２間の浮遊容量を低減している。
【０００８】
ところで、積層型コモンモードチョークコイル１１０では、コイルＬ１１とコイルＬ１２との間の浮遊容量の低減と同様に、コイルＬ１１，Ｌ１２と外部電極１１４との間の浮遊容量の低減も要求されている。
【０００９】
このような要求を満たすための方法としては、例えば、積層体１１２を多孔質材料により作製することが挙げられる。積層体１１２を多孔質材料により作製した場合には、積層体１１２内に多数の空孔が形成される。ここで、空気の比誘電率は、全物質中で最小の１である。よって、積層体１１２を多孔質材料により作製することにより、積層体１１２の平均の比誘電率を低下させることが可能となる。その結果、コイルＬ１１，Ｌ１２と外部電極１１４との間の浮遊容量も低減される。
【００１０】
しかしながら、積層体１１２が多孔質材料により作製された場合には、以下に説明するように、イオンマイグレーションにより、コイルＬ１１，Ｌ１２間の絶縁性が低下するおそれがある。より詳細には、積層体１１２が多孔質材料により作製されると、コイル導体１１８の周囲に空孔が存在するようになる。また、コイル導体１１８は、一般的に、銀ペーストにより作製される。コイル導体１１８の一部は、耐湿環境下で空孔を通じて侵入した水分により銀イオンとなってしまう。更に、コイルＬ１１，Ｌ１２に信号が流れると、コイルＬ１１とコイルＬ１２との電位差により、コイルＬ１１とコイルＬ１２との間に電界が発生する。そのため、銀イオンは、この電界により例えば、コイルＬ１２からコイルＬ１１に向かって移動してしまう。その結果、コイルＬ１１，コイルＬ１２間の絶縁性が低下してしまう。すなわち、積層型コモンモードチョークコイル１１０の耐電圧が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第２９５８５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本発明の目的は、コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一形態である電子部品は、複数の絶縁体層が積層されてなる多孔質の積層体と、前記積層体の表面に設けられている外部電極と、前記積層体内に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、環状の軌道をなしている第１のコイルと、前記積層体内において前記第１のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なる軌道をなしている第２のコイルであって、該第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルと、前記積層体において前記第１のコイルよりも積層方向の上側又は前記第２のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なっているダミー導体であって、前記外部電極、前記第１のコイル及び前記第２のコイルのいずれにも電気的に接続されていないダミー導体と、を備えていること、を特徴とする。
【００１４】
本発明の一形態である電子部品の製造方法は、加熱により消失する消失物質が混入された絶縁性物質により、前記複数の絶縁体層を作製する工程と、前記第１のコイルを構成する第１のコイル導体、前記第２のコイルを構成する第２のコイル導体、及び、前記ダミー導体を前記複数の絶縁体層上に形成する工程と、前記第２のコイルが前記第１のコイルよりも積層方向の下側に位置し、かつ、前記ダミー導体が該第１のコイルよりも積層方向の上側又は該第２のコイルよりも積層方向の下側に位置するように、前記複数の絶縁体層を積層して積層体を作製する工程と、前記積層体を積層方向に圧着する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、コイル間の絶縁性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１に示す電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図４】電子部品の作製時における工程断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第１の変形例に係るダミー導体を示した図であり、図５（ｂ）は、第２の変形例に係るダミー導体を示した図である。
【図６】特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルの外観斜視図である。
【図７】図６の積層型コモンモードチョークコイルの積層体の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１８】
（電子部品の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０に長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。
【００１９】
電子部品１０は、図１に示すように、積層体１２及び４つの外部電極１４（１４ａ〜１４ｄ）を備えている。積層体１２は、直方体状をなしている。外部電極１４は、ｙ軸方向の両端に位置する積層体１２の側面（表面）に形成されている。より詳細には、外部電極１４ａ，１４ｃは、ｙ軸方向の正方向側に位置する積層体１２の側面において、積層体１２のｚ軸方向の正方向側に位置する上面と積層体１２のｚ軸方向の負方向側に位置する下面とを繋ぐように設けられている。外部電極１４ｂ，１４ｄは、ｙ軸方向の負方向側に位置する積層体１２の側面において、積層体１２のｚ軸方向の正方向側に位置する上面と積層体１２のｚ軸方向の負方向側に位置する下面とを繋ぐように設けられている。また、外部電極１４は、積層体１２の上面及び下面に折り返されている。外部電極１４は、Ａｇを主成分とし、かつ、ガラスフリットを含有する導電性材料により構成されている。
【００２０】
積層体１２は、多孔質材料からなり、３５％以上８０％以下の空孔率を有している。ここでの空孔率は、積層体１２の全体積中に対する、磁性体材料が存在していない部分の体積の割合である。積層体１２は、図２に示すように、磁性体層１６（１６ａ〜１６ｕ）がｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されて構成されており、螺旋状のコイルＬ１，Ｌ２及びダミー導体２２（２２ａ，２２ｂ）を内蔵している。磁性体層１６は、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）からなる長方形状の多孔質の絶縁体層である。該磁性体層１６を構成する材料の透磁率は、４００である。ただし、磁性体層１６が多孔質であるので、該磁性体層１６の透磁率は１００である。
【００２１】
コイルＬ１は、図２に示すように、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルであり、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状の環状の軌道Ｒをなしている。コイルＬ１は、少なくとも１以上（本実施形態では５つ）のコイル導体１８（１８ａ〜１８ｅ）、引き出し導体２０（２０ａ，２０ｂ）及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５を含んでいる。コイル導体１８、引き出し導体２０及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、例えばＡｇを主成分する導電性材料からなる。
【００２２】
コイル導体１８ａ〜１８ｅはそれぞれ、磁性体層１６ｄ〜１６ｈのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体１８はそれぞれ、軌道Ｒの一部をなしており、３／４ターンのターン数を有している線状導体である。ただし、コイル導体１８ａは、引き出し導体２０ａと接続可能に構成されるために、１／４ターンのターン数を有している。コイル導体１８ａ〜１８ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより、軌道Ｒをなしている。
【００２３】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、磁性体層１６ｄ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８同士又はコイル導体１８と引き出し導体２０ｂとを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体１８ａ，１８ｂを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体１８ｂ，１８ｃを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体１８ｃ，１８ｄを接続している。ビアホール導体ｂ４は、コイル導体１８ｄ，１８ｅを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体１８ｅと引き出し導体２０ｂを接続している。
【００２４】
引き出し導体２０ａは、磁性体層１６ｄのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ａは、コイル導体１８ａと外部電極１４ａとに接続されている。引き出し導体２０ｂは、磁性体層１６ｉのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｂは、ビアホール導体ｂ５と外部電極１４ｂとに接続されている。以上の構成により、外部電極１４ａ，１４ｂ間には、ｚ軸方向の負方向側に進行しながら、反時計回りに旋廻する螺旋状のコイルＬ１が構成されている。
【００２５】
コイルＬ２は、図２に示すように、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルであり、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状の環状の軌道Ｒをなしている。コイルＬ２は、コイルＬ１と電気的に接続されておらず、図２に示すように、コイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。また、コイルＬ２は、少なくとも１以上（本実施形態では５つ）のコイル導体１８（１８ｆ〜１８ｊ）、引き出し導体２０（２０ｃ，２０ｄ）及びビアホール導体ｂ６〜ｂ１０を含んでいる。コイル導体１８、引き出し導体２０及びビアホール導体ｂ６〜ｂ１０は、例えばＡｇを主成分とする導電性材料からなる。
【００２６】
コイル導体１８ｆ〜１８ｊはそれぞれ、磁性体層１６ｍ〜１６ｑのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体１８はそれぞれ、軌道Ｒの一部をなしており、３／４ターンのターン数を有している線状導体である。ただし、コイル導体１８ｆは、引き出し導体２０ｃと接続可能に構成されるために、１／４ターンのターン数を有している。コイル導体１８ｆ〜１８ｊは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより、軌道Ｒをなしている。すなわち、コイル導体１８ａ〜１８ｅが形成している軌道Ｒと、コイル導体１８ｆ〜１８ｊが形成している軌道Ｒとは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合っている。
【００２７】
ビアホール導体ｂ６〜ｂ１０は、磁性体層１６ｍ〜１６ｑをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８同士又はコイル導体１８と引き出し導体２０ｄとを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ６は、コイル導体１８ｆ，１８ｇを接続している。ビアホール導体ｂ７は、コイル導体１８ｇ，１８ｈを接続している。ビアホール導体ｂ８は、コイル導体１８ｈ，１８ｉを接続している。ビアホール導体ｂ９は、コイル導体１８ｉ，１８ｊを接続している。ビアホール導体ｂ１０は、コイル導体１８ｊと引き出し導体２０ｄを接続している。
【００２８】
引き出し導体２０ｃは、磁性体層１６ｍのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｃは、コイル導体１８ｆと外部電極１４ｃとに接続されている。引き出し導体２０ｄは、磁性体層１６ｒのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｄは、ビアホール導体ｂ１０と外部電極１４ｄとに接続されている。以上の構成により、外部電極１４ｃ，１４ｄ間には、ｚ軸方向の負方向側に進行しながら、反時計回りに旋廻する螺旋状のコイルＬ２が構成されている。すなわち、コイルＬ１とコイルＬ２とは同じ方向に旋廻している。
【００２９】
以上のように、コイルＬ１とコイルＬ２とは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なった軌道Ｒを有していると共に、同じ方向に旋廻している。そのため、外部電極１４ａ，１４ｃを入力端子とし、外部電極１４ｂ，１４ｄを出力端子とした場合には、コイルＬ１及びコイルＬ２には、同じ方向に電流が流れ、同じ方向に磁束が発生する。したがって、コイルＬ１とコイルＬ２とは互いに磁気的に結合している。その結果、コイルＬ１とコイルＬ２とは、コモンモードチョークコイルを構成している。
【００３０】
ダミー導体２２ａは、積層体１２においてコイルＬ１よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なっている。本実施形態では、ダミー導体２２ａは、軌道Ｒと一致した長方形状の環状をなし、磁性体層１６ｃのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。そして、ダミー導体２２ａは、外部電極１４、コイルＬ１，Ｌ２のいずれにも電気的に接続されておらず、周囲から絶縁されている。また、ダミー導体２２ａは、コイルＬ１，Ｌ２と同じＡｇを主成分とする導電性材料により構成されている。すなわち、ダミー導体２２ａは、積層体１２よりも硬い。
【００３１】
ダミー導体２２ｂは、積層体１２においてコイルＬ２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なっている。本実施形態では、ダミー導体２２ｂは、軌道Ｒと一致した長方形状の環状をなし、磁性体層１６ｓのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。そして、ダミー導体２２ｂは、外部電極１４、コイルＬ１，Ｌ２のいずれにも電気的に接続されておらず、周囲から絶縁されている。また、ダミー導体２２ｂは、コイルＬ１，Ｌ２と同じＡｇを主成分とする導電性材料により構成されている。すなわち、ダミー導体２２ｂは、積層体１２よりも硬い。これにより、ダミー導体２２は、コイルＬ１よりもｚ軸方向の正方向側、及び、コイルＬ２よりもｚ軸方向の負方向側の両方に設けられている。
【００３２】
ここで、電子部品１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性を向上させるための構成を有している。そこで、以下に、かかる構成について図面を参照しながら説明する。図３は、図１に示す電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【００３３】
図３に示すように、積層体１２は、領域Ｒ１，Ｒ２により構成されている。領域Ｒ１は、ｚ軸方向において、コイルＬ１とコイルＬ２との間の領域であって、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なる領域である。領域Ｒ２は、積層体１２において、領域Ｒ１以外の領域である。そして、領域Ｒ１における積層体１２の平均密度は、領域Ｒ２における積層体１２の平均密度よりも高い。平均密度とは、空孔率に関連している。すなわち、平均密度が高いとは、空孔率が低く、平均密度が低いとは、空孔率が高いことを意味する。
【００３４】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４は、電子部品１０の作製時における工程断面図である。
【００３５】
まず、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００３６】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤及び消失物質を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。消失物質とは、焼成時の加熱により消失する物質であり、例えば、ポリメタクリル酸メチルである。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００３７】
次に、磁性体層１６ｄ〜１６ｈ，１６ｍ〜１６ｑとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１０を形成する。具体的には、磁性体層１６ｄ〜１６ｈ，１６ｍ〜１６ｑとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００３８】
次に、磁性体層１６ｃ〜１６ｉ，１６ｍ〜１６ｓとなるべきセラミックグリーンシート上に、導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｊ、引き出し導体２０ａ〜２０ｄ及びダミー導体２２ａ，２２ｂを形成する。該導電性ペーストは、例えば、Ａｇに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｊ、引き出し導体２０ａ〜２０ｄ及びダミー導体２２ａ，２２ｂを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００３９】
次に、コイルＬ２がコイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に位置し、かつ、ダミー導体２２ａがコイルＬ１よりもｚ軸方向の正方向側に位置し、ダミー導体２２ｂがコイルＬ２よりもｚ軸方向の負方向側に位置するように、各セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を作製する。具体的には、磁性体層１６ｕとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、磁性体層１６ｕとなるべきセラミックグリーンシート上に磁性体層１６ｔなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、磁性体層１６ｔとなるべきセラミックグリーンシートを磁性体層１６ｕに対して圧着する。圧着条件は、１．０×１０8Ｎ／ｍ2〜１．５×１０8Ｎ／ｍ2の圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。この後、磁性体層１６ｓ，１６ｒ，１６ｑ，１６ｐ，１６ｏ，１６ｎ，１６ｍ，１６ｌ，１６ｋ，１６ｊ，１６ｉ，１６ｈ，１６ｇ，１６ｆ，１６ｅ，１６ｄ，１６ｃ，１６ｂ，１６ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、図４に示すように、圧着ツールＴ１，Ｔ２によりｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧が施されることにより、本圧着が施される。
【００４０】
ここで、マザー積層体の本圧着の際に、領域Ｒ１における積層体１２の平均密度が、領域Ｒ２における積層体１２の平均密度よりも高くなる。より詳細には、ダミー導体２２ａ，２２ｂは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なるように設けられている。これにより、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なる領域におけるｚ軸方向の厚みが、軌道Ｒと重ならない領域におけるｚ軸方向の厚みよりも大きくなる。そのため、積層体１２をｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると、軌道Ｒと重なる領域に圧力が集中するようになる。コイルＬ１，Ｌ２及びダミー導体２２は、積層体１２よりも硬い材質により作製されている。更に、ダミー導体２２は、コイルＬ１，Ｌ２のｚ軸方向の両側に設けられている。したがって、圧着ツールＴ１からの力は、ｘ軸方向及びｙ軸方向に大きく分散されることなく、ｚ軸方向の負方向側へと伝わる。また、圧着ツールＴ２からの力は、ｘ軸方向及びｙ軸方向に大きく分散されることなく、ｚ軸方向の正方向側へと伝わる。そして、領域Ｒ１において、圧着ツールＴ１，Ｔ２からの力が集中する。そのため、積層体１２は、領域Ｒ１において領域Ｒ２よりも大きく圧縮されるようになる。その結果、領域Ｒ１における積層体１２の平均密度が、領域Ｒ２における積層体１２の平均密度よりも高くなる。
【００４１】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法（１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８７０℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。焼成において、セラミックグリーンシート中の消失物質は消失する。
【００４２】
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、Ａｇを主成分とし、ガラスフリットを含有する導電性材料からなる電極ペーストを、積層体１２の表面に塗布する。ガラスフリットには、４００℃〜８００℃の温度で溶融する材料が選択される。そして、塗布した電極ペーストを約８００℃の温度で６０分間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４となるべき銀電極を形成する。
【００４３】
次に、銀電極が設けられた部分以外の積層体１２の空孔部にエポキシ樹脂を含浸させる。エポキシ樹脂は、積層体１２の機械的強度の補強を目的として、積層体１２の外側からガラス充填のされていない空孔ｈ１に充填される。最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４を形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００４４】
（効果）
前記電子部品１０によれば、以下に説明するように、浮遊容量を低減することができる。より詳細には、電子部品１０では、積層体１２は、無数の空孔を含んだ多孔質部材により構成されている。空孔内は空気又は樹脂により満たされており、空気の比誘電率は、全物質中で最小の１であり、エポキシ樹脂の比誘電率は約４である。そのため、積層体１２は、多孔質部材により構成されていない積層体（例えば、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルの積層体）よりも、低い比誘電率を有するようになる。その結果、電子部品１０では、多孔質部材により構成されていない積層体からなる電子部品に比べて、外部電極１４とコイルＬ１，Ｌ２との間の浮遊容量が低減される。
【００４５】
また、電子部品１０によれば、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性を向上させることができる。より詳細には、コイルＬ１，Ｌ２とは、コイル導体１８ｅ，１８ｆにおいて最も近接する。そして、電子部品１０では、外部電極１４ａ，１４ｃが入力端子として用いられ、外部電極１４ｂ，１４ｄが出力端子として用いられる。そのため、コイル導体１８ｅ，１８ｆ間の電位差は、コイルＬ１，Ｌ２間の電位差の中で最大となる。よって、ｚ軸方向において、コイルＬ１とコイルＬ２との間の領域であって、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なる領域Ｒ１では、他のコイル導体１８間よりも電界が大きくなる。仮に、領域Ｒ１内において、コイル導体１８ｅ，１８ｆのＡｇがイオン化すると、Ａｇイオンがコイル導体１８ｆからコイル導体１８ｅへ向かって移動してしまい（イオンマイグレーションの発生）、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性が低下する。
【００４６】
そこで、電子部品１０では、領域Ｒ１における積層体１２の平均密度を、領域Ｒ２における積層体１２の平均密度よりも高くしている。これにより、電界をかけたときに動こうとするＡｇイオンに対し、密度の高い部分が壁となってＡｇイオンの移動を遮ることになる。その結果、電子部品１０では、コイル導体１８ｅ，１８ｆのＡｇのイオンマイグレーションが抑制されるようになり、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下が抑制される。
【００４７】
また、積層体１２は、３５％以上８０％以下の空孔率を有していることが望ましい。これは、空孔率が３５％より小さくなると、積層体１２の比誘電率が高くなり、外部電極１４とコイルＬ１，Ｌ２との間の浮遊容量を十分に低減できないおそれがあるからである。また、空孔率が８０％より大きくなると、積層体１２の十分な強度を確保できないからである。
【００４８】
ここで、本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明する試験を行った。
【００４９】
本願発明者は、電子部品１０に相当するサンプル（以下、第１のサンプルと称す）を３０個作製した。また、電子部品１０においてダミー導体２２が設けられていないサンプル（以下、第２のサンプル）を比較例として３０個作製した。そして、第１のサンプル及び第２のサンプルの外部電極１４ａ，１４ｂ間及び外部電極１４ｃ，１４ｄ間に１０Ｖの電圧を印加した状態で、第１のサンプル及び第２のサンプルを温度７０℃及び湿度９５％の環境を有する槽に投入し、１０００時間放置する試験を行った。そして、試験前と試験後とにおける絶縁抵抗ＩＲ（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）（Ω）の常用対数（ｌｏｇＩＲ）を計測した。また、サンプル１及びサンプル２のコイルＬ１のインダクタンス値を計測した。表１は、試験結果を示した表である。
【００５０】
【表１】
2010263059.tif 000003
【００５１】
表１によれば、比較例に相当する第２のサンプルでは、試験後のｌｏｇＩＲは、試験前のｌｏｇＩＲよりも大きく低下していることが分かる。すなわち、第２のサンプルでは、試験によって、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性が低下していることが分かる。一方、電子部品１０に相当する第１のサンプルでは、試験後のｌｏｇＩＲは、試験前のｌｏｇＩＲと殆ど変わっていないことが分かる。すなわち、第１のサンプルでは、試験によって、コイルＬ１とコイルＬ２と間の絶縁性の低下が抑制されていることが分かる。以上の試験によれば、電子部品１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性が向上することが分かる。
【００５２】
（変形例）
以下に、ダミー導体２２の変形例について図面を参照しながら説明する。図５（ａ）は、第1の変形例に係るダミー導体２２を示した図であり、図５（ｂ）は、第２の変形例に係るダミー導体２２を示した図である。
【００５３】
まず、第１の変形例に係るダミー導体２２について説明する。ビアホール導体ｂ１〜ｂ１０は、積層体１２よりも硬い。そのため、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１０と重なる部分ｈには、本圧着の際に、特に圧力が集中する。そこで、図５（ａ）に示すように、第１のダミー導体２２は、部分ｈには設けられていない。これにより、領域Ｒ１に均等に圧力がかかるようになる。
【００５４】
次に、第２の変形例に係るダミー導体２２について説明する。ダミー導体２２は、長方形状をなしており、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒを内部に含んでいる。このような形状を有するダミー導体２２でも、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性を向上させることができる。
【００５５】
具体的には、本願発明者は、第２の変形例に係るダミー導体２２を備えた電子部品１０のサンプル（以下、第３のサンプルと称す）を３０個作製した。そして、第３のサンプルに対しても第１のサンプル及び第２のサンプルと同じ試験を行った。そして、試験前と試験後とにおける常用対数（ｌｏｇＩＲ）を計測した。また、サンプル３のインダクタンス値を計測した。表２は、試験結果を示した表である。
【００５６】
【表２】
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【００５７】
表２によれば、第３のサンプルでは、試験後のｌｏｇＩＲは、試験前のｌｏｇＩＲと殆ど変わっていないことが分かる。すなわち、第３のサンプルでは、試験によって、コイルＬ１とコイルＬ２と間の絶縁性の低下が抑制されていることが分かる。以上の試験によれば、電子部品１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との間の絶縁性が向上することが分かる。
【００５８】
なお、表１及び表２によれば、第３のサンプルでは、第１のサンプルに比べて、インダクタンス値が低下していることが分かる。これは、コイルＬ１，Ｌ２により発生した磁束がダミー導体２２を通過する際に、該磁束により渦電流が発生するためである。渦電流が発生すると、コイルＬ１，Ｌ２により発生した磁束を打ち消す方向に磁束が発生する。そのため、インダクタンス値が低下してしまう。よって、大きなインダクタンス値を得るためには、図５（ｂ）に示す第２の変形例に係るダミー導体２２よりも、図２に示すダミー導体２２及び図５（ａ）に示す第１の変形例に係るダミー導体２２の方が好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、コイル間の絶縁性を向上させることができる点において優れている。
【符号の説明】
【００６０】
Ｌ１，Ｌ２  コイル
Ｒ１，Ｒ２  軌道
ｂ１〜ｂ１０  ビアホール導体
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ〜１４ｄ  外部電極
１６ａ〜１６ｕ  磁性体層
１８ａ〜１８ｊ  コイル導体
２０ａ〜２０ｄ  引き出し導体
２２，２２ａ，２２ｂ  ダミー導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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