(57)【要約】【課題】堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板１の一表面側に、下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成され、支持基板１に、各共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる開孔部（空洞）１ａが形成されている。また、下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の表面に、下部電極３１を補強する金属材料（例えば、Ｃｕ、Ａｌなど）からなる補強部５が設けられている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一表面側に、下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子が形成され、支持基板に、下部電極における圧電層側とは反対側の表面を露出させる開孔部が形成されてなるＢＡＷ共振装置であって、下部電極の前記表面に、下部電極を補強する金属材料からなる補強部が設けられてなることを特徴とするＢＡＷ共振装置。
【請求項２】
前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域外に設けられてなることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項３】
前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域内に設けられてなることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項４】
前記補強部は、平面視形状がハニカム状に形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面側に共振子を形成する共振子形成工程と、支持基板の他表面側から支持基板のうち開孔部に対応する部分をエッチングすることにより開孔部を形成する開孔部形成工程と、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成する補強部形成工程とを備えることを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項６】
前記補強部形成工程では、前記下部電極の前記表面における前記補強部の形成予定領域以外の露出領域をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により前記補強部を形成することを特徴とする請求項５記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、１ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＢＡＷ共振装置として、図４（ｉ）に示すように支持基板１’の一表面側に、下部電極３１’と上部電極３３’との間に圧電層３２’を有する共振子３’が形成され、支持基板１’に、下部電極３１’における圧電層３２’側とは反対側の表面を露出させる開孔部１ａ’が形成されてなるＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００３】
以下、図４に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法について図４（ａ）〜（ｉ）に基づいて簡単に説明する。
【０００４】
まず、図４（ａ）に示すＳｉ基板からなる支持基板１’の上記一表面側の全面に下部電極３１’をスパッタ法などにより形成し（図４（ｂ）参照）、続いて、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を利用して下部電極３１’をパターニングする（図４（ｃ）参照）。
【０００５】
その後、支持基板１’の上記一表面側の全面に圧電層３２’をスパッタ法などにより形成し（図４（ｄ）参照）、その後、支持基板１’の上記一表面側の全面に上部電極３３’をスパッタ法などにより形成し（図４（ｅ）参照）、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’をパターニングする（図４（ｆ）参照）。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’のうち共振子３’とならない部分を途中までエッチングして薄くする（図４（ｇ）参照）。
【０００６】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２’をパターニングする（図４（ｈ）参照）。
【０００７】
更にその後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して支持基板１’の他表面側から支持基板１’のうち開孔部１ａ’に対応する部分をドライエッチングすることにより開孔部１ａ’を形成する（図４（ｉ）参照）。
【０００８】
上記特許文献１に開示されたＢＡＷ共振装置では、圧電層３２’の圧電材料としてＡｌＮなどを採用し、支持基板１’の材料としてＳｉなどを採用しているが、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタ、例えば、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合、圧電層３２’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）を採用し、圧電層３２’の結晶性を向上させるために支持基板１’の材料としてＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３を採用することが考えられる。
【特許文献１】特開２００７−２２１５８８号公報（段落〔００１８〕−〔００２１〕、および図４−図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図４（ｉ）に示した構成のＢＡＷ共振装置では、共振子３’直下に開孔部１ａ’が形成されているので、脆弱になってしまうという問題があった。また、図４（ｉ）に示した構成のＢＡＷ共振装置などのＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置では、機械的品質係数（Ｑ値）のより一層の向上が望まれていた。
【００１０】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、支持基板の一表面側に、下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子が形成され、支持基板に、下部電極における圧電層側とは反対側の表面を露出させる開孔部が形成されてなるＢＡＷ共振装置であって、下部電極の前記表面に、下部電極を補強する金属材料からなる補強部が設けられてなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、下部電極の前記表面に、下部電極を補強する金属材料からなる補強部が設けられているので、堅牢化を図れ、しかも、下部電極の低抵抗化による機械的品質係数の向上を図れる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域外に設けられてなることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記共振子の共振周波数に影響を与えることなく堅牢化を図れる。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域内に設けられてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記共振子の共振周波数を調整することが可能となる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記補強部は、平面視形状がハニカム状に形成されてなることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記補強部が薄膜状に形成されている場合に比べて堅牢化を図れる。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面側に共振子を形成する共振子形成工程と、支持基板の他表面側から支持基板のうち開孔部に対応する部分をエッチングすることにより開孔部を形成する開孔部形成工程と、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成する補強部形成工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成する補強部形成工程を備えているので、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるＢＡＷ共振装置を提供することができる。また、この発明によれば、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成するので、前記補強部をスパッタ法や蒸着法などにより形成する場合に比べて、容易に厚く形成することができるから、低コストで堅牢化を図れる。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項５の発明において、前記補強部形成工程では、前記下部電極の前記表面における前記補強部の形成予定領域以外の露出領域をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により前記補強部を形成することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、前記補強部の厚みを厚くしながらも前記補強部を所望の形状に容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１の発明では、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるという効果がある。
【００２４】
請求項５の発明では、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるＢＡＷ共振装置を提供することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、図１に示すように、支持基板１の一表面側に、下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成され、支持基板１に、各共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる開孔部（空洞）１ａが形成されている。ここにおいて、支持基板１の開孔部１ａは、当該支持基板１の厚み方向に貫設されている。なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の複数個の共振子３が直列接続されているが、ラダー型フィルタを構成するように接続するようにすれば、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【００２６】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、各共振子３が、上述のように、支持基板１の上記一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３とを有しており、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしてある。ここで、支持基板１の開孔部１ａは、支持基板１の厚み方向において下部電極３１から離れるにつれて徐々に開口面積が大きくなる形状に開孔されている。なお、支持基板１の開孔部１ａは、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。
【００２７】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタは、支持基板１の上記一表面側に、平面視において各共振子３を取り囲む絶縁層４が形成されている。
【００２８】
図１に示した例では、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、２組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された配線３４を介して電気的に接続されている。ここで、配線３４の一部は、上部電極３３と連続して形成された金属配線により構成されている。また、各共振子３は、下部電極３１と圧電層３２と上部電極３３とが積層されている領域が共振領域を構成している。
【００２９】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しており、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板や、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ３）基板を用いてもよい。
【００３０】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１および上部電極３３の金属材料としてＰｔを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、例えば、Ａｌや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極３１および上部電極３３それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、下部電極３１および上部電極３３それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極３１と上部電極３３とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はなく、下部電極３１の金属材料は、圧電層３２の格子歪を抑制するために圧電層３２の圧電材料との格子定数差の小さな金属材料を採用することが望ましい。
【００３１】
また、圧電層３２は、ＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここで、図１には図示していないが、下部電極３１と圧電層３２との間に、圧電層３２の配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成することが望ましい。なお、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどの鉛系圧電材料であればよく、圧電材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の圧電材料は、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものや、ＡｌＮ、ＺｎＯなどでもよい。
【００３２】
また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００３３】
なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、図１における左側の２個の共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。また、図１における右側の２個の共振子３については、共振周波数を調整するための絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２膜、ＡｌＮ膜など）からなる質量付加部３５を積層してあるが、質量付加部３５は、必ずしも設ける必要はなく、必要に応じて適宜設ければよい。
【００３４】
ところで、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の表面に、下部電極３１を補強する金属材料（例えば、Ｃｕ、Ａｌなど）からなる補強部５が設けられている。
【００３５】
しかして、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の表面に、下部電極３２を補強する金属材料からなる補強部５が設けられているので、堅牢化を図れ、しかも、下部電極３１の低抵抗化による機械的品質係数の向上を図れる。また、本実施形態では、補強部５の平面視形状（下部電極３１における圧電層３２側とは反対側から見た平面視形状）をハニカム状の形状に形成してある（したがって、支持基板１の上記一表面に直交する断面の形状もハニカム状となっている）ので、補強部５を薄膜状に形成する場合に比べて堅牢化を図れる。なお、補強部５の平面視形状はハニカム状に限らず、例えば、放射状、Ｉ字状、Ｈ字状などでもよい。
【００３６】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、上述の補強部５が共振子３において下部電極３１と圧電層３２と上部電極３３とが積層されている共振領域外に設けられているので、共振子３の共振周波数に影響を与えることなく堅牢化を図れる。ただし、補強部５は、共振子３の共振領域内に設けられてよく、この場合には、共振子３の共振周波数を調整することが可能となる。
【００３７】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図２を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、単結晶のＭｇＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側の全面に、下部電極３１の基礎となる第１の金属膜（例えば、Ｐｔ膜）３１ａを例えばスパッタ法やＣＶＤ法やＥＢ蒸着法などにより形成する第１の金属膜形成工程を行うことによって、図２（ａ）に示す構造を得る。
【００３９】
その後、支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２の基礎となる圧電薄膜（例えば、ＰＺＴ薄膜など）からなる圧電材料層３２ａをスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する圧電材料層形成工程を行うことによって、図２（ｂ）に示す構造を得る。
【００４０】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電材料層３２ａを所望の平面形状にパターニングする圧電材料層パターニング工程を行うことで圧電材料層３２ａの一部からなる圧電層３２を形成する圧電材料層パターニング工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第１の金属膜３１ａをパターニングすることにより第１の金属膜３１ａの一部からなる下部電極３１を形成する第１の金属膜パターニング工程を行うことによって、図２（ｃ）に示す構造を得る。
【００４１】
その後、支持基板１の上記一表面側に、所定形状の絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図２（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層形成工程では、支持基板１の上記一表面側に絶縁層４の形成予定領域が開孔されたレジスト層を形成してから、例えばＳｉＯ２からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成し、リフトオフを行うようにしてもよいし、支持基板１の上記一表面側の全面に絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層４をパターニングするようにしてもよい。
【００４２】
上述の絶縁層形成工程の後、支持基板１の上記一表面側の全面に上部電極３３の基礎となる第２の金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する第２の金属膜形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第２の金属膜をパターニングすることにより第２の金属膜の一部からなる上部電極３３および配線３４の一部を形成する第２の金属膜パターニング工程を行い、更にその後、配線３４を低抵抗化するために支持基板１の上記一表面側の全面に第２の金属膜に比べて厚い金属層を積層して適宜パターニングする金属層パターニング工程を行うことによって、図２（ｅ）に示す構造を得る。したがって、配線３４は、第２の金属膜の一部と上記金属層の一部とで構成される。なお、第１の金属膜形成工程と圧電材料層形成工程との間に、圧電材料層３２ａの配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成するシード層形成工程を設けることが望ましい。また、本実施形態では、上述の第１の金属膜形成工程から第２の金属膜パターニング工程までの工程により支持基板１の上記一表面側に共振子３を形成する共振子形成工程を構成している。
【００４３】
上述の金属層パターニング工程の後、支持基板１の上記一表面側の全面に質量付加部３５を形成する質量付加部形成工程を行うことによって、図２（ｆ）に示す構造を得る。なお、質量付加部形成工程では、例えば、支持基板１の上記一表面側の全面に質量付加部３５の基礎となる絶縁膜をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成してから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁膜をパターニングすればよい。
【００４４】
上述の質量付加部形成工程の後、支持基板１の上記一表面側の全面にレジスト層（以下、表面側レジスト層と称する）を形成するとともに支持基板１の他表面側にフォトリソグラフィ技術を利用して開孔部１ａ形成用にパターニングされたレジスト層（以下、裏面側レジスト層と称する）を形成し、支持基板１の上記他表面側から支持基板１のうち開孔部１ａに対応する部分をエッチングすることで開孔部１ａを形成する開孔部形成工程を行い、上記表面側レジスト層および上記裏面側レジスト層を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図２（ｇ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、支持基板１としてＭｇＯ基板を用いているので、開孔部形成工程において支持基板１を燐酸溶液により異方性エッチングすることで開孔部１ａを形成している。
【００４５】
上述のレジスト層除去工程の後、下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の表面に補強部５を形成する補強部形成工程を行うことによって、図２（ｈ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。ここにおいて、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極３１の上記表面に補強部５を形成するようにしている。より具体的には、下部電極３１の上記表面における補強部５の形成予定領域以外の露出領域および支持基板１の上記一表面側の全面をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により補強部５を形成し、その後、レジスト層を除去する。ここにおいて、電気めっき法により補強部５を形成するにあたっては、めっき液として硫酸銅めっき液を用い、支持基板１の上記他表面側に対向配置した銅板からなる陽極（図示せず）と下部電極３１からなる陰極との間に通電して下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の表面に補強部５を析出させる。なお、補強部５の形成方法は、電気めっき法に限らず、スパッタ法やＣＶＤ法などにより形成して、リフトオフを行うようにしてもよいし、下部電極３１の上記表面側にレジスト層を形成せずにスパッタ法や蒸着法などにより補強部５を形成した後で、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングするようにしてもよい。
【００４６】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割するようにしている。
【００４７】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極３１の上記表面に補強部５を形成する補強部形成工程を備えているので、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるＢＡＷ共振装置を提供することができる。また、上述の製造方法によれば、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極３１の上記表面に補強部５を形成するので、補強部５をスパッタ法や蒸着法などにより形成する場合に比べて、容易に厚く形成することができるから、低コストで堅牢化を図れる。また、補強部形成工程では、下部電極３１の上記表面における補強部５の形成予定領域以外の露出領域をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により補強部５を形成するので、補強部５の厚みを厚くしながらも補強部５を所望の形状に容易に形成することができる。
【００４８】
ところで、上述の図１に示したＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面側に複数個の共振子３が形成され、当該複数個の共振子３に対して１つの開孔部１ａが形成されているが、図３に示すように、１個の共振子３に対して１つの開孔部１ａを形成するようにしてもよく、また、支持基板１の開孔部１ａ内で下部電極３１における圧電層３２側とは反対側の全面に補強部５を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は概略下面図である。
【図２】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】同上のＢＡＷ共振装置の他の構成例を示す概略断面図である。
【図４】従来例のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  支持基板
１ａ  開孔部
３  共振子
４  絶縁層
５  補強部
３１  下部電極
３２  圧電層
３３  上部電極
【図１】
2010010932.tif 000003
【図２】
2010010932.tif 000004
【図３】
2010010932.tif 000005
【図４】
2010010932.tif 000006