(57)【要約】【課題】ＣＷレーザを結晶化装置に適用するとともに、その安全性を確保する。【解決手段】ステッピングモータ１２２には、照射タイマ１４２を備えた制御回路１４０が接続され、照射タイマは、被処理基板Ｗの所定照射範囲に対応した時間の間、レーザシャッタを開状態とするための照射時間Ｔ１を設定する。これによって、照射範囲に対する適正な結晶化処理を自動化でき、ＣＷレーザを結晶化装置に適用し得るとともに、その安全性を確保することができる。制御回路には強制遮断タイマ１４４が設けられ、強制遮断タイマは、レーザシャッタが照射時間Ｔ１を超える時間、開状態だったときに、レーザシャッタを閉状態とする所定時間Ｔ２を設定する。制御回路には強制遮断スイッチ１５０が設けられ、オペレータが手動で閉成したときに、レーザシャッタを閉状態とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＷレーザのレーザ源、前記レーザ源から出射されたＣＷレーザ光の光束を被処理基板に導く光学系を備えたＣＷレーザ結晶化装置のためのレーザシャッタであって、
前記レーザ源から前記被処理基板までのレーザ光路に配置されてＣＷレーザ光を遮断する遮断部材と、
前記遮断部材を駆動して、前記ＣＷレーザ光を通過させる開状態と、前記ＣＷレーザ光を遮断する閉状態とに駆動する駆動部と、
前記被処理基板の所定照射範囲に対応した照射時間、前記遮断部材が開状態となるように前記駆動部を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする。
【請求項２】
請求項１記載のレーザシャッタにおいて、
前記制御手段は、前記遮断部材が、前記照射時間を超える所定時間、開状態だったときに、前記遮断部材が閉状態となるように前記駆動部を制御することを特徴とするレーザシャッタ。
【請求項３】
請求項１または２記載のレーザシャッタにおいて、
前記遮断部材を閉状態とする手動の強制遮断スイッチをさらに備えたことを特徴とするレーザシャッタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザシャッタにおいて、
前記遮断部材が複数設けられていることを特徴とするレーザシャッタ。
【請求項５】
被処理基板を再結晶化するＣＷレーザのレーザ源と、
前記被処理基板を搭載するステージと、
前記レーザ源から出射されたＣＷレーザ光の光束を前記被処理基板に導く光学系と、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザシャッタと、
を備えることを特徴とするＣＷレーザ結晶化装置。
【請求項６】
請求項５記載のＣＷレーザ結晶化装置において、
前記遮断部材を開状態とする時間は、前記ステージに載置された被処理基板の一端を前記レーザが照射する時点から、前記被処理基板の他端を前記レーザが照射する時点までの時間であることを特徴とするＣＷレーザ結晶化装置。
【請求項７】
請求項６記載のＣＷレーザ結晶化装置において、
前記遮断部材を開状態とする時間は、前記ステージの速度と、前記一端から他端までの照射距離により演算されることを特徴とするＣＷレーザ結晶化装置。
【請求項８】
請求項６記載のＣＷレーザ結晶化装置において、
前記照射時間を超える所定時間は、前記ステージに載置された被処理基板の前記他端を照射するレーザがさらに所定距離照射を続ける時間を前記照射時間に加算して演算されることを特徴とするＣＷレーザ結晶化装置。
【請求項９】
請求項８記載のＣＷレーザ結晶化装置において、
前記照射時間を超える所定時間は、前記ステージの速度に応じて演算されることを特徴とするＣＷレーザ結晶化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非晶質もしくは多結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する技術（Phase Modulated Excimer Laser Annealing：ＰＭＥＬＡ）に係り、特に、ＣＷ（ContinuousWave）レーザを遮断・通過する制御に好適なレーザシャッタとそのレーザシャッタを備えるＣＷレーザ結晶化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の結晶化装置では、例えば、ガラス基板等の絶縁体上に形成された非結晶半導体層を結晶化させ、結晶質半導体層を生成することによって、薄膜トランジスタを形成する。例えば、アクティブマトリックス型液晶表示装置では、このように形成された薄膜トランジスタを切換え表示のためのスイッチング素子として用いている。
【０００３】
薄膜トランジスタ形成に際しては、例えば、パルス・レーザー光を、非結晶半導体層が形成された被処理基板上に照射して、半導体層を溶融し、結晶化する。特許文献１には、このような結晶化装置の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８８５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パルスレーザを用いた従来の結晶化装置では、パワーの均一化が容易ではなく、また、個々の被処理基板に対するレーザ照射の立上り時間を充分短縮することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）請求項１の発明は、ＣＷレーザのレーザ源、前記レーザ源から出射されたＣＷレーザ光の光束を被処理基板に導く光学系を備えたＣＷレーザ結晶化装置のためのレーザシャッタに適用される。このレーザシャッタは、前記レーザ源から前記被処理基板までのレーザ光路に配置されてＣＷレーザ光を遮断する遮断部材と、前記遮断部材を駆動して、前記ＣＷレーザ光を通過させる開状態と前記ＣＷレーザ光を遮断する閉状態とに駆動する駆動部と、前記被処理基板の所定照射範囲に対応した照射時間、前記遮断部材が開状態となるように前記駆動部を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１記載のレーザシャッタにおいて、前記制御手段は、前記遮断部材が、前記照射時間を超える所定時間、開状態だったときに、前記遮断部材が閉状態となるように前記駆動部を制御することを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２記載のレーザシャッタにおいて、前記遮断部材を閉状態とする手動の強制遮断スイッチをさらに備えたことを特徴とする。
（４）請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザシャッタにおいて、前記遮断部材が複数設けられていることを特徴とする。
（５）請求項５の発明は、被処理基板を再結晶化するＣＷレーザのレーザ源と、前記被処理基板を搭載するステージと、前記レーザ源から出射されたＣＷレーザ光の光束を前記被処理基板に導く光学系と、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザシャッタとを備えることを特徴とする。
（６）請求項６の発明は、請求項５記載のＣＷレーザ結晶化装置において、前記遮断部材を開状態とする時間は、前記ステージに載置された被処理基板の一端を前記レーザが照射する時点から、前記被処理基板の他端を前記レーザが照射する時点までの時間であることを特徴とする。
（７）請求項７の発明は、請求項６記載のＣＷレーザ結晶化装置において、前記遮断部材を開状態とする時間は、前記ステージの速度と、前記一端から他端までの照射距離により演算されることを特徴とする。
（８）請求項８の発明は、請求項６記載のＣＷレーザ結晶化装置において、前記照射時間を超える所定時間は、前記ステージに載置された被処理基板の前記他端を照射するレーザがさらに所定距離照射を続ける時間を前記照射時間に加算して演算されることを特徴とする。
（９）請求項９の発明は、請求項８記載のＣＷレーザ結晶化装置において、前記照射時間を超える所定時間は、前記ステージの速度に応じて演算されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＣＷレーザを結晶化装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明によるレーザシャッタの第１の実施の形態を適用した結晶化装置を示す概略図。
【図２】図１のレーザシャッタを示す斜視図。
【図３】図１のレーザシャッタにおける制御回路を示すブロック図。
【図４】図３の制御回路の正常終了を示すタイミングチャート。
【図５】図３の制御回路の強制終了タイマによる終了を示すタイミングチャート。
【図６】図３の制御回路の強制終了スイッチによる終了を示すタイミングチャート。
【図７】本発明によるレーザシャッタの第２の実施の形態における、ソフトウエアによる処理を示すフローチャート。
【図８】第２の実施の形態に使用する汎用コンピュータを示すブロック図。
【図９】本発明によるレーザシャッタの第３の実施の形態における制御回路を示すブロック図。
【図１０】本発明によるレーザシャッタの第４の実施の形態を示す斜視図。
【図１１】本発明によるレーザシャッタの第５の実施の形態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
−第１の実施の形態−
図１〜図６は、本発明によるレーザシャッタの第１の実施の形態を示す。
図１および図２において、結晶化装置は、ＣＷレーザのレーザ源１００と、レーザ源１００から出射されたＣＷレーザ光Ｌ１の光束を絞る出射光学系１１０と、出射光学系から出射されたＣＷレーザ光Ｌ２を遮断し得るレーザシャッタ１２０と、レーザシャッタ１２０を通過したＣＷレーザ光Ｌ３（Ｌ２）を被処理基板Ｗに導く照射光学系１３０とを備える。照射光学系１３０はＣＷレーザ光Ｌ３を反射し、反射したＣＷレーザ光Ｌ４を被処理基板Ｗに照射する。図中ＡＸ１はＣＷレーザ光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の光軸であり、ＡＸ２はＣＷレーザ光Ｌ４の光軸である。
【００１０】
被処理基板ＷはステージＳＴに載置され、ステージＳＴは所定範囲を所定速度で走行移動する。これによって、被処理基板Ｗの所定範囲にＣＷレーザ光Ｌ４が照射される。図中、ステージＳＴの走行移動方向を矢印で示す。
【００１１】
図２に示すように、レーザシャッタ１２０は、ＣＷレーザ光Ｌ２を遮断し得る金属板よりなる遮断プレート（遮断部材）１２４を駆動するステッピングモータ（駆動部）１２２を備える。ステッピングモータ１２２は、遮断プレート１２４が光軸ＡＸ１まで上方に突き出て、ＣＷレーザ光Ｌ２を遮断する閉状態とし、また、遮断プレート１２４が水平状態まで回転して光軸ＡＸ２から外れる開状態とするように、遮断プレート１２４を駆動する。図２では、閉状態を実線で示し、開状態を２点鎖線で示し、その回転動作を円弧矢印で示す。
【００１２】
ステッピングモータ１２２には、モータ駆動回路３５０、照射タイマ１４２および強制遮断タイマ１４４を備えた制御回路１４０が接続されている。モータ駆動回路３５０はレーザシャッタ１２０を開状態、閉状態に駆動するための駆動信号ＤＳを出力する。一方、照射タイマ１４２は、被処理基板Ｗの所定照射範囲に対応した時間の間、レーザシャッタ１２０を開状態とするための照射時間Ｔ１（図４）を設定する。
【００１３】
図２の走査経路ＳＰは、ステージＳＴの駆動により被処理基板Ｗ上でＣＷレーザ光が走査される経路を示している。照射時間は、ＣＷレーザ光Ｌ４が被処理基板Ｗの所定範囲の一端（例えばＰ１）を照射してから、被処理基板ＷがステージＳＴとともに走行移動して、ＣＷレーザ光Ｌ４が所定範囲の他端（Ｐ２）を照射するまでの時間である。この照射タイマが計時する照射時間は、ステージの速度と、上記一端Ｐ１から他端Ｐ２までの照射距離とに基づいて演算して設定することができる。
【００１４】
照射タイマ１４２による照射時間Ｔ１の設定によって、照射範囲に対する適正な結晶化処理を自動化し得る。これによってＣＷレーザを結晶化装置に適用し得るとともに、その安全性を確保することができる。
【００１５】
強制遮断タイマ１４４は、レーザシャッタ１２０が照射時間Ｔ１を超える時間、開状態だったときに、レーザシャッタ１２０を閉状態とする所定時間Ｔ２（図４）を設定する。
【００１６】
照射時間Ｔ１を越える照射が行われたときは、結晶化処理すべき所定範囲を越えたオーバースキャンとなり、被処理基板Ｗの範囲外でステージＳＴや、ステージＳＴの周辺設備を焼損する可能性がある。強制遮断タイマ１４４はこのようなオーバースキャンを最小限に抑え、ステージＳＴの損傷を防止する。これによって結晶化装置の一層の安全性を確保し得る。強制遮断タイマ１４４に設定する時間は、照射タイマ１４２に設定する時間に所定時間を加算して決定される。この加算時間をステージの速度に応じて設定すれば、ステージの速度に拘わらずオーバースキャン距離を一定に制御することができる。
【００１７】
制御回路１４０には強制遮断スイッチ１５０が接続され、オペレータが手動で強制遮断スイッチ１５０を閉成したときに、レーザシャッタ１２０を閉状態とする。              強制遮断スイッチ１５０を設けたことによって、ステージＳＴが異常な位置で停止した状態でレーザ照射が行われた場合など、オペレータの判断で、任意に照射を停止することできる。これによって結晶化装置における多様な非常事態に対処し得る。
【００１８】
図３は制御回路１４０の詳細構成を示す図である。制御回路１４０には、タイマ１４２を含むタイマ回路３００が設けられ、照射時間Ｔ１の開始、終了に対応したパルスＰＳ１、ＰＳ２および遅延パルスＰＳｄを発生する。パルスＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳｄは、インバータ３１２、３１４を備えた整形回路３１０に入力されて、波形整形される。パルスＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳｄを波形整形したパルスＰＩ１、ＰＩ２、ＰＩｄはタイマ１４４および出力回路３４０に入力される（図４）。
【００１９】
タイマ１４４は、ワンショットマルチバイブレータ３２０よりなり、ワンショットマルチバイブレータ３２０は、パルスＰＩ１が入力された時点から時間Ｔ２の間、出力端子Ｑからハイレベルの出力ＰＣＩを出力する（図５）。ワンショットマルチバイブレータ３２０は、コンデンサＣ２０、抵抗Ｒ２０、可変抵抗Ｒ２１によって時定数が設定され、出力ＰＣＩの出力時間Ｔ２が調節される。
【００２０】
出力回路３４０はラッチ３４０よりなり、パルスＰＩ１、ＰＩ２はラッチ３４０のクロック入力ＣＫに入力される。ラッチ３４０の反転出力Ｑはデータ端子Ｄに入力されており、当初のリセット状態では、データ端子Ｄはハイレベルとなる。その後、パルスＰＩ１が入力されると、ラッチ３４０の出力端子Ｑからの出力ＰＯは、データ端子Ｄのレベルに呼応してハイレベルとなる。このとき、反転出力Ｑはローレベルとなりデータ端子Ｄへの入力はローレベルとなる。さらに、パルスＰＩ２が入力されると、出力端子Ｑからの出力ＰＯは、データ端子Ｄのレベルに呼応してローレベルとなる。これによって、出力ＰＯは、照射時間Ｔ１の長さのハイレベル信号となる。
【００２１】
出力ＰＯはモータ駆動回路３５０に入力され、モータ駆動回路３５０は出力ＰＯに呼応して駆動信号ＤＳを出力する。駆動信号ＤＳは、出力ＰＯがハイレベルの期間中、遮断プレート１２４を開状態とし、期間終了後に遮断プレート１２４を開状態とするように、ステッピングモータ１２２を駆動する。
【００２２】
出力ＰＣＩはＡＮＤゲート３３２よりなる強制遮断回路３３０に入力され、強制遮断回路３３０には、さらに強制遮断スイッチ１５０が接続されている。強制遮断スイッチ１５０は常開スイッチであり、一端が高抵抗Ｒ５０を介して電源に接続されるとともに、他端が接地され、高抵抗Ｒ５０との接続端子が、ＡＮＤゲート３３２の入力に接続されている。強制遮断スイッチ１５０と高抵抗Ｒ５０の接続端子の電圧が、ＡＮＤゲート３３２への入力ＥＭとなり、入力ＥＭは、強制遮断スイッチ１５０の開状態ではハイレベル、閉成状態でローレベルとなる（図６）。
【００２３】
ＡＮＤゲート３３２の出力ＰＣＯは、ラッチ３４２のクリア端子ＣＬＲに入力されている。入力ＥＭ、出力ＰＣＩの一方がハイレベル、他方がローレベルのとき、出力ＰＣＯはローレベルとなり、ラッチ３４２をクリアする。これによって、出力ＰＯはローレベルとなり（図６）、ステッピングモータ１２２を駆動して、遮断プレート１２４を閉状態とする。
【００２４】
なお、遅延パルスＰＳｄは、パルスＰＩｄによってワンショットマルチバイブレータ３２０の不定状態を解消するために生成される。
【００２５】
タイマ１４２は、例えば、カウンタ９１０、レジスタ９１２および比較器９１４によって構成される。カウンタ９１０は、パルスＰＳ１が入力された時点から、所定のクロックＣＫ０をカウントし、カウント値が所定の値Ｄ１に達したときに、パルスＰＳ２を出力する。値Ｄ１は予めレジスタ９１２にロードされており、このロード値とカウンタ９１０のカウント値とを比較器９１４によって比較し、両者が一致したときに、比較器９１４がパルスＰＳ２を出力する。
【００２６】
以上のとおり、第１の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）照射タイマ１４２を備えたレーザシャッタ１２０を設けたことによって、ＣＷレーザを結晶化装置に適用することができる。すなわち、照射タイマ１４２が照射時間Ｔ１を計時するとシャッタ１２０を駆動してレーザ光を遮断して被処理基板へのレーザ光の照射を終了するようにした。したがって、照射範囲に対する適正な結晶化処理を自動化することができる。ＣＷレーザ源をオンオフしても照射時間を制御できるが、ＣＷレーザ源のオンオフ応答性はシャッタ１２０による照射オンオフ応答性よりも遅いので、レーザ源のオンオフによる結晶化制御は、量産ラインでは困難である。
【００２７】
（２）レーザ照射制御と同期してレーザシャッタ１２０を適切に制御することにより、ＣＷレーザを結晶化装置に適用する際の安全性を担保できる。たとえば、照射時間Ｔ１を越える照射が行われたときは、強制遮断タイマ１４４によりレーザの基板照射を遮断するようにし、結晶化処理すべき所定範囲を越えたオーバースキャンを防止し、被処理基板Ｗの範囲外でステージＳＴや、ステージＳＴの周辺設備を焼損する可能性を排除することができる。これによって結晶化装置の一層の安全性を確保し得る。
（３）強制遮断スイッチ１５０を設けたことによって、ＣＷレーザ結晶化装置における多様な非常事態に対処し得る。
【００２８】
（４）照射タイマ１４２に設置する照射時間は、ステージＳＴに載置された被処理基板の一端をレーザが照射する時点から、被処理基板の他端をレーザが照射する時点までの時間として設定される。したがって、ステージＳＴの速度と、上記一端から他端までの照射距離により照射時間を演算することができる。これにより、汎用性の高いＣＷレーザ結晶化装置を提供することができる。
（５）強制遮断タイマ１４４が計時する時間は、ステージＳＴに載置された被処理基板の上記他端を照射するレーザがさらに所定距離照射を続ける時間として設定される。したがって、この時間もステージＳＴの移動速度に依存して設定すれば、ステージの速度に拘わらずオーバースキャン距離を一定に制御することができ、一層の安全性が向上する。
【００２９】
−第２の実施の形態−
次に、本発明によるレーザシャッタの第２の実施の形態を図７、図８を参照して詳細に説明する。なお、図中、第１の実施の形態と同一もしくは相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００３０】
第２の実施の形態は、制御回路１４０を汎用コンピュータによって構成したものである。
図８に示すように、汎用コンピュータにおいては、バス８００にＣＰＵ８０２、バスアービタ８０４、システムメモリ８０６、ブートＲＯＭ８０８が接続され、ＣＰＵ８０２によって汎用コンピュータＰＣ全体を制御するとともに、種々の演算、処理を実行する。
【００３１】
バスアービタ８０４は、バス８００に接続されるコンポーネント相互の通信を調停する。システムメモリ８０６には、ＣＰＵ８０２で実行するプログラム、処理されるデータその他が記憶されている。ブートＲＯＭ８０８には、汎用コンピュータの起動時にＣＰＵ８０２で実行すべきブートプログラムが格納される。
【００３２】
バス８００には、汎用Ｉ／Ｆ８１０、通信Ｉ／Ｆ８１２、液晶モニタ等の表示部８１４、音声出力部８１６が接続されている。汎用Ｉ／Ｆ８１０には、キーボード等の操作入力装置８１８、記憶媒体装置８２０が接続される。操作入力装置８１８は、強制遮断スイッチ１５０として使用される。通信Ｉ／Ｆ８１２には、ネットワークＮＷを接続するためのモデム８２２が接続されている。
【００３３】
バス８００には、タイマ回路８２４が接続され、タイマ回路８２４は、システムクロックを基準とした時間計測を行うことによって、タイマ１４２、１４４として機能する。ＣＰＵはパルスＰＩ１に対応した信号を、タイマ１４２、１４４に入力し、タイマ１４２、１４４は、それぞれ、ＰＩ２、ＰＣＩに対応した信号をＣＰＵ８０２に出力する。
【００３４】
バス８００には、モータ駆動回路３５０が接続され、ＣＰＵ８０２はパルスＰＩ１、ＰＩ２、ＰＣＩに呼応した出力ＰＯを、モータ駆動回路３５０に出力する。モータ駆動回路３５０は、出力ＰＯに呼応して駆動信号ＤＳを出力する。
【００３５】
第２の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置は、図７のフローチャートに示す手順でレーザ照射を行う。
ステップＳ７０１：ＣＰＵ８０２においてレーザ照射スタートのタイミングか否かを判断する。レーザ照射スタートのタイミングであればステップＳ７０２に進み、レーザ照射スタートのタイミングでないときはそのまま処理を終了する。
ステップＳ７０２：ＣＰＵ８０２からタイマ回路８２４に、パルスＰＩ１に相当する信号を入力し、ステップＳ７０３に進む。
ステップＳ７０３：タイマ回路８２４において時間Ｔ１、Ｔ２の計測を開始し、ステップＳ７０５に進む。
【００３６】
ステップＳ７０４：レーザシャッタ１２０を開状態とし、ステップＳ７０５に進む。
ステップＳ７０５：タイマ回路８２４において時間Ｔ２が計測され、出力ＰＣＩに相当する信号が出力されたか否かを判断する。出力ＰＣＩが出力されたときは、ステップＳ７０９にジャンプし、出力ＰＣＩが出力されなかったときは、ステップＳ７０６に進む。
【００３７】
ステップＳ７０６：操作入力装置８１８から強制終了信号ＥＭが入力されたか否かを判断する。強制終了信号ＥＭが出力されたときは、ステップＳ７０９にジャンプし、強制終了信号ＥＭが出力されなかったときは、ステップＳ７０７に進む
ステップＳ７０７：タイマ回路８２４において時間Ｔ１が計測されたか否かを判断する。時間Ｔ１が計測されたときは、ステップＳ７０８に進み、未だ時間Ｔ１が計測されていなかったときは、ステップＳ７０５に戻る。
【００３８】
ステップＳ７０８：タイマ回路８２４からＣＰＵ８０２に対して、出力ＰＩ２に相当する信号を出力し、ステップＳ７０９に進む。
ステップＳ７０９：レーザシャッタ１２０を閉状態とし、そのまま処理を終了する。
【００３９】
以上説明した第２の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏する
【００４０】
−第３の実施の形態−
次に、本発明によるレーザシャッタの第３の実施の形態を図９を参照して詳細に説明する。第３の実施の形態は、制御回路１４０をデジタル回路のみで構成したものである。なお、図中、第１の実施の形態と同一もしくは相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００４１】
図９に示すように、タイマ回路１４４はタイマ回路１４２と同様に、カウンタ８２０、レジスタ８２２、比較器８２４によって構成され、レジスタ８２２には時間Ｔ２に対応したデータＤ２が入力されている。
【００４２】
タイマ回路１４２、１４４のカウンタ９１０、９２０には、ＡＮＤゲート９０２を介してクロックＣＫ０が入力され、さらにＡＮＤゲートには、ラッチ９００の出力Ｑが接続されている。パルスＰＩ１はラッチ９００のクロック入力ＣＫに入力され、パルスＰＩ１の入力によって、ラッチ９００の出力Ｑはハイレベルになる。これによってＡＮＤゲート９０２が開き、クロックＣＫ０がカウンタ９１０、９２０に入力され、時間Ｔ１、Ｔ２の計測が開始される。
【００４３】
出力回路３４０のクロック入力ＣＫにはＯＲゲート９０４が接続され、パルスＰＩ１、ＰＩ２はＯＲゲート９０４に入力されている。これによって、出力回路３４０の出力Ｑは、パルスＰＩ１の入力によってハイレベルとなり、ＰＩ２の入力によってローレベルとなる。
【００４４】
以上説明した第３の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【００４５】
−第４の実施の形態−
次に、本発明によるレーザシャッタの第４の実施の形態を図１０を参照して詳細に説明する。第４の実施の形態は、レーザシャッタ１２０のステッピングモータおよび遮断プレートを複数設けたものである。なお、図中、第１の実施の形態と同一もしくは相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００４６】
図１０に示すように、レーザシャッタ１２０は複数（例えば２個）のステッピングモータ１２２Ａ、１２２Ｂを備え、各ステッピングモータ１２２Ａ、１２２Ｂによって遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂをそれぞれ駆動する。遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂは光軸ＡＸ１に対して同一の位置関係となるよう、同心に配置され、一方、ステッピングモータ１２２Ａ、１２２Ｂは上下に並列配置される。遮断プレート１２４Ａはステッピングモータ１２２Ａの出力軸によって直接駆動され、一方、遮断プレート１２４Ｂは、ステッピングモータ１２２Ｂの出力軸に取り付けられたギヤ２００と、遮断プレート１２４Ｂに取り付けられたギヤ２０２を介して、ステッピングモータ１２２Ｂによって駆動される。
【００４７】
レーザ照射に際しては、いずれか１個の遮断プレート（例えば１２４Ａ）を使用し、遮断プレート１２４Ａが破損したときには、直ちに、遮断プレート１２４Ａに替えて遮断プレート１２４Ｂを使用する。これによって、遮断プレートの破損に対して迅速に対処し得る。
【００４８】
一方の遮断プレート１２４Ａを使用するときは、他の遮断プレート１２４ＢはＣＷレーザ光Ｌ２を遮る可能性のない退避位置（図１０では遮断位置から１８０度回転した下方位置）に保持する。そして、遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂを交代させるときは、遮断プレート１２４Ａを退避位置に移動し、遮断プレート１２４Ｂを使用位置に移動（矢印Ａで示す。）する信号を制御回路１４０から出力する。
【００４９】
以上説明した第４の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏するととともに、次の作用効果を奏することができる。
（１）遮断プレートを複数設けたので、遮断プレートの破損に対して迅速に対処し得る。
【００５０】
−第５の実施の形態−
次に、本発明によるレーザシャッタの第５の実施の形態を図１１を参照して詳細に説明する。第５の実施の形態は、１個のステッピングモータに複数の遮断プレートを設けたものである。なお、図中、第１、第４の実施の形態と同一もしくは相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
図１１に示すように、レーザシャッタ１２０はステッピングモータ１２２に複数（例えば２個）の遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂが取り付けられている。遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂは一体形成され、相互の１８０度の角度差をもって配置されている。
【００５２】
但し、遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂの損傷の影響がステッピングモータ１２２に及ぶ可能性がある場合には、第４の実施の形態のように、個々にステッピングモータ１２２Ａ、１２２Ｂを設けることが好ましい。
【００５３】
以上説明した第５の実施の形態によるＣＷレーザ結晶化装置によれば、第１の実施の形態および第４の実施の形態と同様の作用効果を奏するととともに、ステッピングモータ１２２を遮断プレート１２４Ａ、１２４Ｂで共用することにより、製造原価を節減し得る。
【００５４】
以上説明したＣＷ結晶化装置は一例であり、本発明は上記実施の形態に何ら限定されない。例えば、シャッタ１２０は、レーザ光路を遮断する遮断部材と、その部材を駆動する駆動部を備えるものであれば、上記実施形態に限定されない。
レーザ源１００から出射するレーザを被処理基板へ導く光学系も実施の形態に限定されない。レーザ光は固定し、ステージＳＴを移動して被処理基板へのレーザ光の照射をスキャンするようにしたが、被処理基板を固定し、レーザ光を２次元スキャンしてもよい。
照射タイマ１４２と強制遮断タイマ１４４を設けたが、強制遮断タイマ１４４は必須ではない。強制遮断スイッチ１５０も必須ではない。
以上の説明は結晶化装置に関するものであったが、ＣＷレーザを照射する任意の装置に本発明を適用し得ることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
Ｌ１〜Ｌ４  ＣＷレーザ光                    Ｗ  被処理基板
Ｔ１  照射時間                      Ｔ２  所定時間
１００  レーザ源                    １１０  出射光学系
１２０  レーザシャッタ  
１２２、１２２Ａ、１２２Ｂ  ステッピングモータ
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ  遮断プレート
１４０  制御回路                    １４２  照射タイマ
１４４  強制遮断タイマ              １５０  強制遮断スイッチ 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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