(57)【要約】【課題】組成の異なる複数膜を積層した素子を膜厚分布を抑えて、効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させる際ながら気相成長を繰り返すことにより複数層を積層させる。材料ガスの種類や流量を変化させる際に、ガス供給ノズルと基板保持部との距離を予め定めておいた距離に変化させることにより、基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを基板と重ならない位置に生じさせる。これにより、基板を自転および公転させることにより基板上の膜厚を均一化することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持部に対して基板を回転させながら、該基板保持部を回転させ、１以上のガス供給ノズルから所定の材料ガスを噴出させ、該材料ガスの反応生成物を前記基板に堆積させる工程を、前記材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させて繰り返し行い複数膜の積層素子を製造する方法であって、
前記材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させる際に、前記ガス供給ノズルと前記基板保持部との距離を変化させ、前記基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを前記基板と重ならない位置に生じさせることを特徴とする素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の素子の製造方法において、前記距離を、前記材料ガスの種類および流量ごとに予め求めておいた所定の距離に設定することを特徴とする素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の素子の製造方法において、前記ガス供給ノズルが２以上である場合、該２以上のガス供給ノズルごとに前記基板保持部との距離をそれぞれ変化させることを特徴とする素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の素子の製造方法において、前記距離を変化させることにより、前記複数の膜の形成時のそれぞれの膜厚分布のピーク位置を一致させることを特徴とする素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の素子の製造方法において、前記複数膜のうちの一の膜を成膜している最中に、前記ガス供給ノズルを揺動させ、前記基板保持部との距離を周期的に変化させることを特徴とする素子の製造方法。
【請求項６】
基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させるとともに、前記基板保持部に対して基板を回転させる回転機構部と、材料ガスを供給する２以上のガス供給ノズルと、前記２以上のガス供給ノズルと前記基板保持部との距離をそれぞれ独立に変化させるための可動機構とを備えることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のガスを供給し、反応生成物を堆積させる気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反応管内に設置した基板を加熱しながら材料ガスを流すことによって基板上に半導体結晶などの薄膜を得る装置や成長方法が知られている。
【０００３】
例えば特許文献１等には、V族系材料ガスのAsH３（アルシン）、PH３（ホスフィン）等の金属水素化合物と、III族系の材料ガスのTMGa（トリメチルガリウム）やTMIn（トリメチルインジウム)、TMAl（トリメチルアルミニウム）等の有機金属化合物とを途中で混合することなく、別々の供給ノズルから供給する気相成長方法が開示されている。供給された材料ガスは、反応管内でヒーターから熱エネルギーの供給を受け、反応を開始する。反応生成物は基板に堆積し、膜が形成される。例えば、一つの供給ノズルからV族系材料ガスのPH３、他の供給ノズルからIII族系ガスのTMGaと希釈ガスのH２ガスを供給することにより基板上には、GaP（ガリウムリン）の結晶を成長させることができる。
【０００４】
特許文献１では、複数基板を一度に基板ホルダーに固定して成膜を行う場合、複数の基板間に生じる膜厚分布や混晶比を低減するために、材料ガスの供給ノズルに整流板を取り付け、２種類以上の反応ガスの合流位置を制御する構成が開示されている。
【０００５】
特許文献２〜５には、基板とガス供給ノズル（もしくはガス放出ヘッド等）との間隔を制御することにより、膜厚のばらつき低減や、ガス放出ヘッド表面の堆積物の低減を図ることが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３４４６１５号公報
【特許文献２】特開平５−２９３０２号公報
【特許文献３】特開平９−１５３４６１号公報（請求項５）
【特許文献４】特開平９−２８３４４５号公報（請求項７）
【特許文献５】特開２００３−２４９４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
材料ガスを反応させて気相成長させる方法は、ガス供給部から供給されたガスが混合し、ヒーターからの熱エネルギーにより化学反応を生じることで反応生成物（例えば結晶）を生じさせ、これを堆積させる方法である。反応生成物の生じる量は、ガス供給部から供給した材料ガスへの熱エネルギーの与え方や流速、材料枯渇などの影響を受けるため、ガス供給部（サセプター中心）からの距離に従って変化する。このためサセプター全体でフラットな膜厚分布にすることが難しく、どうしても図１０のようにサセプター中心から所定の距離だけ離れた位置にピークを持つ膜厚分布が発生してしまう。
【０００８】
図１０のように膜厚分布にピークがある場合、ピークからずれた位置に基板を配置し、すなわち、膜厚分布がサセプター中心からの距離に対して単調増加、または単調減少を示す位置で基板を自転および公転させることにより、基板上に膜厚分布を均一化している。
【０００９】
しかしながら、基板上に異なる組成の複数の膜を連続して積層する場合、ガス供給ノズルから供給される材料ガスの種類や割合（供給量）を変化させる必要があるため、反応管内の圧力、温度といった環境条件が同じであれば、膜厚分布のピークが移動する。膜厚分布のピークが基板上に移動した場合、基板を自転および公転させたとしても、基板上の膜厚分布を均一化することはできない。このため、積層膜の膜厚分布を均一化するためには、材料ガスの種類や割合を変化させる度に、ガス供給量、温度、圧力等の条件を調整し、膜厚分布のピーク位置を基板からずらす必要がある。しかも、膜厚分布のピーク位置の変化は、上述したように材料ガスへ供給される熱エネルギーの影響が大きいため、ガス供給量、温度、圧力等を調整することで膜厚分布のピーク位置変化を予測することは容易ではない。実際には、予めさまざまな条件で実験を行ってガス供給量、温度、圧力等の条件の適切な値を求めておく必要がある。
【００１０】
また、積層膜の成長時に、ガスの種類のみならず、ガス供給量、温度、圧力等の設定を変化させるには、設定した条件が安定するまで待ち時間が必要となり、成長時間が長くなるとともに、ガスの利用効率も悪くなる。
【００１１】
本発明の目的は、組成の異なる複数膜を積層した素子を膜厚分布を抑えて、効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様では、基板保持部に対して基板を回転させながら、基板保持部を回転させ、１以上のガス供給ノズルから所定の材料ガスを噴出させ、材料ガスの反応生成物を前記基板に堆積させる工程を、材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させて繰り返し行い複数膜の積層素子を製造する方法を提供する。材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させる際に、ガス供給ノズルと基板保持部との距離を変化させ、基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを基板と重ならない位置に生じさせる。これにより、距離という一つのパラメータの調整で膜厚分布のピークを基板と重ならないように制御することができ、基板を回転させながら基板保持部を回転させることにより膜厚を均一化することが可能になる。
【００１３】
上記距離は、予め求めておいた値に設定することができる。また、ガス供給ノズルが２以上である場合には、２以上のガス供給ノズルと基板保持部との距離をそれぞれ変化させることも可能である。
【００１４】
複数の膜の形成時のそれぞれの膜厚分布のピーク位置を一致させるように、距離を変化させることが好ましい。
【００１５】
複数膜のうちの一の膜を成膜している最中に、ガス供給ノズルを揺動させ、基板保持部との距離を変化させることも可能である。これにより、膜厚をより均一化することができる。
【００１６】
また、本発明の第２の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を回転させるとともに、基板保持部に対して基板を回転させる回転機構部と、材料ガスを供給する２以上のガス供給ノズルと、２以上のガス供給ノズルと基板保持部との距離をそれぞれ独立に変化させるための可動機構とを備える成膜装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の一実施形態について説明する。
まず、本実施形態の成膜装置の構造を図１および図２を用いて説明する。図１および図２に示すように、成膜装置は、複数枚の基板４を保持するサセプター３と、サセプター３を加熱するヒーター７と、ガス供給部６が配置された反応管５を備えている。反応管５のサセプター３と対向する壁面１６は、サセプター３に対して一定の間隔を挟んで平行になるように形成されている。反応管５はグローブボックス２内に配置されている。サセプター３には、サセプター３全体を軸２１を中心に回転（公転）させる回転駆動機構１５が供えられている。また、サセプター３内には、それぞれの基板４をサセプター３に対して回転（自転）させる機構が内蔵されている。
【００１８】
サセプター３と対向壁面１６との間には、材料ガスを供給するガス供給部６が配置されている。ガス供給部６は、図２のように、第１供給ノズル６ａと第２供給ノズル６ｂとを有する。第１および第２供給ノズル６ａ、６ｂは円板状であり、周囲に噴出口が設けられている。これにより周囲に均一に材料ガスを噴出する。ガス供給部６は、円板状のサセプター３の中央から外周に向けて材料ガスを噴出するよう、サセプター３中央の基板４の公転軌跡の内側に対向する位置に配置されている。
【００１９】
第１供給ノズル６ａには、供給管６ｃより材料ガスが供給される。第２供給ノズル６ｂには、供給管６ｄより材料ガスが供給される。供給管６ｃ、６ｄは、対向壁面１６に設けられた貫通孔を通って反応管５の外側に引き出されている。第１供給ノズル６ａへの供給管６ｃと第２供給ノズル６ｂへの供給管６ｄは、サセプター３の中心軸２１と同軸に配置されている。供給管６ｃ、６ｄはそれぞれ独立して軸２１の方向に移動可能である。
【００２０】
供給管６ｃ，６ｄには、ノズル駆動機構１５が取り付けられている。ノズル駆動機構１５は、供給管６ｃに固定された支持枠２２が固定され、支持枠２２にはこれを壁面１６に対して駆動するためのボールねじ２３とモーター２４が備えられている。同様に、供給管６ｄには、支持枠２５が固定され、支持枠２５にはこれを壁面１６に対して軸２１方向に駆動するためのボールねじ２６とモーター２７が備えられている。モーター２４を回転駆動することにより、供給管６ｃおよびノズル６ａが軸２１方向に移動し、モーター２７を回転駆動することにより供給管６ｃおよびノズル６ｂが軸２１方向に移動する。ガス供給ノズル６ａ，６ｂの移動により、ガス供給ノズル６ａ，６ｂとサセプター３との距離、ガス供給ノズル６ａ，６ｂと基板４との距離を変化させることができる。
【００２１】
また、支持枠２５と壁面１６との間、および、支持枠２５と支持枠２２との間には、供給管６ｃ，６ｄを囲むように、ベローズ（伸縮管）２８およびベローズ２９がそれぞれ配置されている。これにより、供給管６ｃ、６ｄの移動を可能にしながらも反応管５の気密を維持している。
【００２２】
供給管６ｃ、６ｄには、図１のようにガス制御装置１が接続され、設定された流量で材料ガスを供給する。
【００２３】
反応管５には、図１のように排気ポート８が接続されている。排気ポート８は、トラップ機構９を介して排気ポンプ１０に接続されている。排気ポンプ１０の排気側には、排気ガスの除害設備１１が設置されている。
【００２４】
本実施形態の成膜装置を用いて成膜を行う場合の各部の動作について説明する。サセプター３には、中心からずれた位置に基板４を１以上搭載し、サセプター３を回転（公転）させるとともに、各基板４を自転させる。排気ポンプ１０を動作させ、反応管５内を所定の圧力まで減圧する。ヒーター７を加熱することにより、サセプター３および対向壁面１６を加熱する。供給ノズル６ａ，６ｂには、ガス制御装置１からそれぞれ所定流量の第１の材料ガス、第２の材料ガスを供給する。供給ノズル６ａ、６ｂから噴出した材料ガスは、サセプター３の中心から外側に向かって流れ、流れながらサセプター３から熱を受け取る。これにより、第１及び第２の材料ガスの温度が所定の反応温度に達した時点（位置）で第１及び第２の材料ガスは反応を開始し、反応生成物が基板４上に堆積する。よって基板４上に堆積する膜厚分布は、サセプター３の中心からの距離により変化し、その分布は図１０のようにピークを持つ。膜厚分布のピークが基板４からずれ、単調減少および単調増加を示している場合には、基板４を自転および公転させることにより基板４上の膜厚を均一化させることができるが、ピークが基板４上に位置する場合には、基板４を自転および公転させても基板４上の膜厚は均一にはならない。
【００２５】
このとき、材料ガスの供給ノズル６ａ、６ｂを外部のモーター２４，２７の駆動により、それぞれ独立して移動させることにより、成膜途中でも供給ノズル６ａ、６ｂの位置を変化させることができる。これによりサセプター３と供給ノズル６ａ，６ｂとの間隔が変化するため、噴出されたガスがヒーター７から受ける熱の量が変化し、反応開始する位置および反応速度が変化する。よって、膜厚分布のピークを変化させることができ、ガス供給量やガスの種類を変化させた場合であっても、供給ノズル６ａ，６ｂの位置を変化させることによりピーク位置を基板４からずれた位置に移動させることができ、均一な膜厚で成膜することができる。
【００２６】
例えば、サセプター３と対向壁面１６との間隔２５ｍｍ、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度８７０℃、対向壁面１６の温度２２０℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＰＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのTMGa（トリメチルガリウム）を供給する場合、図３に示すサセプター３と供給ノズル６ａとの距離（Ｓ１）を２ｍｍ、サセプター３と供給ノズル６ｂの距離（Ｓ２）を２３ｍｍ、供給ノズル６ａからの供給量および供給ノズル６ｂからの供給量の総流量を２０ＳＬＭに設定したときには、図４のようにサセプター３の中心から１０ｃｍ付近に膜厚のピークが生じる。供給ノズル６ａ、６ｂの位置を変えず総流量を４０ＳＬＭに変化させると、膜厚のピーク位置は１２ｃｍ付近に移動する。サセプター３の中心から１２ｃｍ付近に基板４がある場合には、膜厚が均一な膜が得られない。
【００２７】
これに対し、供給ノズル６ａおよび供給ノズル６ｂからの供給量を４０ＳＬＭに変更するとともに、サセプター３と供給ノズル６ａとの距離（Ｓ１）を２ｍｍ、サセプター３と供給ノズル６ｂの距離（Ｓ２）を１０．５ｍｍに変化させると、図５のように膜厚のピーク位置を、供給量２０ＳＬＭのピーク位置とほぼ同じ位置に維持することができる。よって、基板４からピーク位置をずらすことができ、流量２０ＳＬＭから４０ＳＬＭへ変化させた場合であっても、膜厚が均一な膜を得ることができる。
【００２８】
また例えば、サセプター３と対向壁面１６との間隔２５ｍｍ、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度８７０℃、対向壁面１６の温度２２０℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＰＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのTMGa（トリメチルガリウム）を供給する場合、サセプター３と供給ノズル６ａとの距離（Ｓ１）２ｍｍ、サセプター３と供給ノズル６ｂの距離（Ｓ２）２３ｍｍ、供給ノズル６ａからの供給量および供給ノズル６ｂからの供給量の総流量４０ＳＬＭ、供給ノズル６ａからＶ族系ガス流量と供給ノズル６ｂからIII族系ガス流量との比（V／III）＝４０のとき、図６のようにサセプター３の中心から１１ｃｍ付近に膜厚のピークが生じる。総流量４０SLMのまま比V／III＝６４０に変化させると、ピーク位置は１２ｃｍ付近に移動する。よって、サセプター３の中心から１２ｃｍ付近に基板４がある場合には、膜厚が均一な膜が得られない。
【００２９】
これに対し、比V／IIIを６４０に変化させる際に、サセプター３と供給ノズル６ａとの距離（Ｓ１）を２ｍｍ、サセプター３と供給ノズル６ｂの距離（Ｓ２）を１４．５ｍｍに変化させることにより、図７のように膜厚のピーク位置を比V／III＝４０のピーク位置とほぼ同じ位置に維持することができるため、基板４からピーク位置をずらすことができる。よって、流量比（V／III）を変化させた場合であっても膜厚が均一な膜を得ることができる。なお、図７のグラフにおいて、流量比（V／III）を変化させる前後でピークの高さが一致しているのは、成膜時間を異ならせて（７０分と７８分）いるためである。
【００３０】
実際に成膜を行う場合には、予め求めておいた供給ノズル６ａ，６ｂの位置（Ｓ１，Ｓ２、Ｓ３）と、成膜条件と、膜厚分布のピーク位置との関係を用い、組成の異なる複数膜を積層するために材料ガスの種類や流量や割合を変更する際に、膜厚ピーク位置が基板４と重ならない位置にくるように供給ノズル６ａ，６ｂの位置を調整する。これにより、均一な膜厚の積層膜を形成することができる。
【００３１】
すなわち、供給ノズル６ａ，６ｂの位置を調整することにより、基板４の位置やガス供給量を調整せずに、容易に膜厚分布を制御することができ、容易に膜厚分布の均一な積層膜を形成することができる。この技術を発光素子や半導体素子の積層膜の形成に用いることにより、膜厚分布の均一性を向上させ、発光効率や電子制御特性に優れた素子を得ることができる。
【００３２】
なお、膜厚分布のピークは、図５や図７のグラフのように条件変更の前後でほぼ同位置であることが好ましいが、必ずしも同位置である必要はなく、基板４と重なっていなければよい。
【００３３】
なお、上述してきた実施形態において、同じ材料で一つの膜を成膜している途中に供給ノズル６ａ，６ｂを一定の幅で揺動させることも可能である。ただし、揺動によってピーク位置が基板と重ならないように揺動範囲を定める必要がある。成膜中にノズルを揺動させることにより、膜厚分布の均一性が向上する。
【００３４】
本実施形態の成膜方法を用いて図８（ａ）の発光素子を製造する方法について説明する。図８（ａ）の発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の上に、ｎ型ＧａＡｓのバッファー層７２、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＩｎＰのｎ型クラッド層７３、アンドープＡｌＧａＩｎＰの活性層７４、ＺｎドープＡｌＧａＩｎＰのｐ型クラッド層７５、Ｚｎドープｐ型ＧａＰの電流拡散層７６を積層した構成である。各層の膜厚は、図８（ａ）に示した通りである。
【００３５】
本実施形態では、バッファー層７２〜電流拡散層７６までを、上述の図１の成膜装置を用いて成膜する。このとき、サセプター３と対向壁面１６との間隔（図３のＦ）、供給ノズル６ａ、６ｂの位置（図３のＳ１、Ｓ２、Ｓ３）を図８（ｂ）のように設定する。
【００３６】
具体的には、ｎ型ＧａＡｓのバッファ層７２を成膜する際には、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度６００〜９００℃、対向壁面１６の温度２００〜３００℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＡｓＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのトリメチルガリウム（TMGa）を供給する。サセプター３と対向壁面１６との間隔Ｆ＝２０ｍｍ、供給ノズル６ａ、６ｂの位置Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ２ｍｍ、５ｍｍ、１３ｍｍに設定して成膜を行う。
【００３７】
Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＩｎＰのｎ型クラッド層７３を成膜する際には、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度６００〜９００℃、対向壁面１６の温度２００〜３００℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＰＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのTMGa、TMA（トリメチルアルミニウム）、TMI（トリメチルインジウム）を供給する。サセプター３と対向壁面１６との間隔Ｆ＝２０ｍｍ、供給ノズル６ａ、６ｂの位置Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ２ｍｍ、７ｍｍ、１１ｍｍに設定して成膜を行う。
【００３８】
アンドープＡｌＧａＩｎＰの活性層７４およびＺｎドープＡｌＧａＩｎＰのｐ型クラッド層を成膜する際には、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度６００〜９００℃、対向壁面１６の温度２００〜３００℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＰＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのTMGa、TMA（トリメチルアルミニウム）、TMI（トリメチルインジウム）を供給する。サセプター３と対向壁面１６との間隔Ｆ＝２０ｍｍ、供給ノズル６ａ、６ｂの位置Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ２ｍｍ、５ｍｍ、１３ｍｍに設定して成膜を行う。なお、ｐ型クラッド層７５の成膜時には、ＺｎドープのためにDMZn（ジメチルジンク）を供給する。
【００３９】
Ｚｎドープｐ型ＧａＰの電流拡散層７６を成膜する際には、反応管５内圧力１０kPa、ヒーター温度６００〜９００℃、対向壁面１６の温度２００〜３００℃の条件で、供給ノズル６ａからＶ族系ガスのＰＨ３、供給ノズル６ｂからIII族系ガスのTMGaを供給する。サセプター３と対向壁面１６との間隔Ｆを１５ｍｍに狭め、供給ノズル６ａ、６ｂの位置Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ１ｍｍ、１ｍｍ、１３ｍｍに設定して成膜を行う。
【００４０】
このようにノズル位置およびサセプター３と対向壁面１６との間隔を調整し、膜厚分布のピークを基板からずらすことができるため、図８（ａ）の発光素子の各層を均一な膜厚で形成することができる。これにより、発光効率に優れた発光素子を製造することができる。
【００４１】
つぎに、別の実施形態の供給ノズルの例について図９を用いて説明する。
【００４２】
この供給ノズルは、図９に示したように径の異なる管の先端を円形に広げたノズル８１〜８４を軸２１に対して同軸配置したものであり、ノズル８１と８２との間、ノズル８２と８３との間、ノズル８３と８４との間の空間がそれぞれ流路となり、それぞれの空間から材料ガスを供給することができる。他の構成は、図１および図２の構成と同じであるので説明を省略する。
【００４３】
この供給ノズルは、コンパクトな構成でありながら、３以上の材料ガスを同時に供給することができるという利点がある。また、ノズル８１と８２との間、ノズル８３と８４との間の２流路のみを用いることも可能である。さらに、ノズル８１の中央の空間から、ノズル８１とサセプター３との間の空間を流路して材料ガスを供給することもできる。
【００４４】
ガスの種類または流量を変更する際に各ノズル８１〜８４の位置を調整することにより、膜厚分布のピーク位置を基板４に重ならないように移動させ、成膜を行う。これにより、図３のノズルと同様に膜厚分布の均一な積層膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態の成膜装置の全体構造を示すブロック図。
【図２】図１の成膜装置の反応管５およびノズル可動機構１５の詳しい構成を示す断面図。
【図３】図２の供給ノズル部の拡大図。
【図４】図１の成膜装置において供給ノズルの移動させることなく、ガス流量を変化させた場合の膜厚分布を示すグラフ。
【図５】図１の成膜装置においてガス流量を変化させる前後で、供給ノズルを移動させた場合の膜厚分布を示すグラフ。
【図６】図１の成膜装置において供給ノズルの移動させることなく、V族系ガスとIII族系ガスの流量比を変化させた場合の膜厚分布を示すグラフ。
【図７】図１の成膜装置においてV族系ガスとIII族系ガスの流量比を変化させる前後で、供給ノズルを移動させた場合の膜厚分布を示すグラフ。
【図８】（ａ）本実施形態の製造方法で製造される発光素子の構造を示す説明図、（ｂ）図（ａ）の各層の成長時のノズル位置を示す説明図。
【図９】別の実施の形態の供給ノズル形状を示す断面図。
【図１０】成膜装置で生じる膜厚分布曲線と、均一な膜厚で成膜するための基板位置を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４６】
１…ガス制御装置、２…グローブボックス、３…サセプター、４…基板、５…反応管、６…ガス供給部、７…ヒーター、８…排気ポート、９…トラップ機構、１０…排気ポンプ、１１…除害設備、１５…ノズル稼働機構、２２…支持枠、２３…ボールねじ、２４…モーター、２５…支持枠、２６…ボールねじ、２７…モーター、２８、２９…ベローズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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