(57)【要約】【課題】  高い表示性能を備えた表示装置を提供することを目的としている。【解決手段】  Ｘ方向に沿って複数の副画素（Ｐ１，Ｐ２）が配列された画素Ｐをマトリクス状に複数配置し、各副画素は複数の発色特性の異なる発光素子を積層して成り、Ｘ方向で隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有し、Ｙ方向で隣り合う副画素どうしは、Ｘ方向において少なくとも一部重なるように配置され、且つ、互いに異なる発色構成を有している。【選択図】  図４
2010010112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の方向に沿って複数の副画素が配列された画素をマトリクス状に複数配置し、
前記副画素は複数の発色特性の異なる発光素子を積層して成り、
前記第一の方向で隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有する表示装置であって、
前記第一の方向と前記複数の発光素子が積層される方向とに垂直な第二の方向で隣り合う副画素どうしは、前記第一の方向において少なくとも一部重なるように配置され、且つ、互いに異なる発色構成を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記副画素の前記複数の発光素子のうち、少なくとも一つは非発光処理され、少なくとも２つは発光することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記副画素の前記複数の発光素子は時分割で駆動されることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットディスプレイ等に用いられる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットディスプレイ対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子等がある。
【０００３】
この中で、特に、有機ＥＬ素子に関しては、研究開発が精力的に進められており、緑単色や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのアレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発に行われている。
【０００４】
フルカラー表示を行う表示装置は、赤色（以下、Ｒと記す）、緑色（以下、Ｇと記す）、青色（以下、Ｂと記す）でそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を並列に配置する構造もしくは、異なる発光色で発光する有機ＥＬ素子を複数積層する構造を有している。
【０００５】
特許文献１に記載の表示装置は、１つの画素を２つの副画素で構成し、一方の副画素は、Ｒを発光する発光素子とＢを発光する発光素子とが積層されて構成され、もう一方の副画素は、Ｇを発光する発光素子とＢを発光する発光素子とが積層されて構成されている。さらに、２つの副画素からなる画素を繰り返し並べることで表示装置を得ることが開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１７４６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１のように異なる色で発光する発光素子を積層した副画素を複数組み合わせて表示装置を構成する場合、画素を繰り返し並べただけでは高い表示性能が得られない懸念がある。
【０００７】
図８に、特許文献１に記載されている表示装置に用いられる画素をマトリクス状に配置した画素配置の模式図を示す。ＲとＢを発光する発光素子が積層された第１副画素Ｐ１が並んだ列（列１）、ＧとＢを発光する発光素子が積層された第２副画素Ｐ２が並んだ列（列２）がＸ方向において交互に配置される。この場合、列１のみ、あるいは列２のみで、Ｙ方向の白色（以下、Ｗと記す）の線を表示することはできない。このためＹ方向においてＬ／２の幅でＷの線を表示しようとしても、その線の少なくとも一部はＬの幅になり、Ｘ方向において高い解像感が得られない懸念がある。
【０００８】
この問題に対して、本発明では、異なる発光特性の発光素子が積層された構成を有し、高い表示性能を備えた表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、第一の方向に沿って複数の副画素が配列された画素をマトリクス状に複数配置し、副画素は複数の発色特性の異なる発光素子を積層して成り、第一の方向で隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有する表示装置であって、第一の方向と複数の発光素子が積層される方向とに垂直な第二の方向で隣り合う副画素どうしは、第一の方向において少なくとも一部重なるように配置され、且つ、互いに異なる発色構成を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
第一の方向と複数の発色特性の異なる発光素子が積層される方向とに垂直な第二の方向で隣り合う副画素どうしが、第一の方向において少なくとも一部重なるように配置され、且つ、互いに異なる発色構成を有しているので、第一の方向の解像度が向上する。さらに、第二の方向におけるＷの直線表示時に、第一の方向の画素寸法よりもＷ線の線幅を狭く表示することが可能になり、画素寸法以上の高精細な表示が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について説明するが、本発明の表示装置はこれによって限定されるものではない。
【００１２】
なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。
【００１３】
＜実施形態１＞
図１は本実施形態における表示装置断面を模式的に示した図である。図１において、本実施形態の表示装置はトップエミッション型の表示装置である。
【００１４】
図１において、１００は基板、１０１は第１電極、１０２は第１有機発光層、１０３ａ、１０３ｂは第２電極、１０４は第２有機発光層、１０５ａ、１０５ｂは第３電極、１０６は第３有機発光層、１０７は第４電極を表している。また、１０８、１０９はコンタクトホールを示している。本実施形態において、第１有機発光層１０２はＲを、第２有機発光層１０４はＧを、第３有機発光層はＢを発光する特性を有する材料により構成される。また、基板１００上には、必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子が形成されている。
【００１５】
本実施形態の表示装置を構成する画素Ｐは、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２で構成されている。第１副画素Ｐ１において、第１電極１０１、第１有機発光層１０２、第２電極１０３ａからなるＲを発光する発光素子Ｒ１が基板１００上に形成される。さらに、その上に第２電極１０３ａ、第２有機発光層１０４、第３電極１０５ａからなるＧを発光する発光素子Ｇ１、第３電極１０５ａ、第３有機発光層１０６、第４電極１０７からなるＢを発光する発光素子Ｂ１が順に形成される。このように、第１副画素Ｐ１は複数の異なる発色特性の発光素子を積層して成る。この時、発光素子Ｒ１と発光素子Ｇ１は、第２電極１０３ａを共有し、発光素子Ｇ１と発光素子Ｂ１は、第３電極１０５ａを共有して形成される。一方、第２副画素Ｐ２も同様に、発光特性の異なる発光素子Ｒ２，Ｇ２，Ｂ２が順に積層され、発光素子Ｒ２と発光素子Ｇ２は、第２電極１０３ｂを共有し、発光素子Ｇ２と発光素子Ｂ２は、第３電極１０５ｂを共有する構成となる。
【００１６】
本実施形態の３つの有機発光層はそれぞれ３層構成となっており、基板１００側から正孔輸送層／発光層／電子輸送層で構成されている。なお、場合によってはそれぞれの有機発光層において電子注入層や正孔注入層を含む構成としてもよい。
【００１７】
また、第１電極１０１と第４電極１０７はそれぞれ、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２とで共通電極として配置されており（図１）、さらに画素間でも共通電極として配置されている（不図示）。さらに、第１電極１０１と第４電極１０７とは、画素Ｐがマトリクス状に複数配置されている表示領域内、もしくは表示領域外で電気的に接続されていて（不図示）、第１電極１０１と第４電極１０７とは同じ電圧が供給される。
【００１８】
また第１副画素Ｐ１は、一例としてレーザー加工することにより、第２有機発光層１０４にコンタクトホール１０８を形成し、第２電極１０３ａと第３電極１０５ａとが電気的に接続される構成を採る。このため、第２電極１０３ａと第３電極１０５ａは常に等電位であるので、第２有機発光層１０２には電界がかからず、発光素子Ｇ２は点灯しない。このように発光素子Ｇ２を非発光処理することで、第１副画素Ｐ１は、ＲとＢを発光する発色構成を持つ。一方、第２副画素Ｐ２では、第１有機発光層１０２にコンタクトホール１０９が形成され、第１電極１０１と第２電極１０３ｂが電気的に接続されている。このように第２副画素Ｐ２では、発光素子Ｒが非発光処理を施されているので、第２副画素Ｐ２はＧとＢを発光する発色構成を持ち、第１副画素Ｐ１とは異なる発色構成を有する。ここでの発色構成とは、表示し得る色の組み合わせをいい、本実施形態で用いる画素ＰはＲ，Ｇ，Ｂを発光する発色構成を有している。
【００１９】
図２に、本実施形態における表示装置の等価回路を示す。第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２はそれぞれ、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂと駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂと、複数の発光素子と、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂで構成されている。
【００２０】
ここで、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂのゲートは共に、ゲート信号線２０５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂのソースはそれぞれソース信号線２０６ａ，２０６ｂに、ドレインはそれぞれ駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲートに接続されている。また、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソースは電源供給線２０７に、ドレイン領域は電極配線１１３ａ，１１３ｂを介して第３電極１０５ａ，１０５ｂに接続されている。
【００２１】
またコンデンサ２０３ａの一端，２０３ｂの一端のそれぞれは、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲートに接続され、それぞれの他端は共にＧＮＤ線に接続されている。また、以下で使用する「電位」はＧＮＤ線の電位を基準としたものである。
【００２２】
次に、本実施形態の表示装置の駆動方法について、図２及び図３を参照して説明する。図３は電源手段１１１により表示装置に用いられる１つの画素の駆動制御を行う際の、電極に印加する電圧の波形とタイミング、信号線と給電線に印加される信号電圧の波形とタイミングを示す図である。また、その駆動制御による駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲート電位の波形、ソース−ドレイン間に流れる電流の波形も示している。
【００２３】
時刻ｔ１において、ゲート信号線２０５の電位をＶｇに設定すると、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂがオン状態となる。そして、ソース信号線２０６ａ，２０６ｂの電位Ｖｓｉｇ１がスイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂを介して、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電される。さらに、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲート電位が上昇し、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂがオン状態となる。しかし、ソース−ドレイン間に電位差が生じていないので、各発光素子に電流は流れない。
【００２４】
時刻ｔ２になると、ゲート信号線２０５の電位がＶｇから０に設定され、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂがオフ状態となる。一方、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電された電圧は保持されたままで、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂがオン状態のままである。
【００２５】
時刻ｔ３では、電源手段１１１から電極配線１１２，１１４を介して第１電極１０１及び第４電極１０７の電位が０からＶｃに設定される。このとき、電源供給線２０７の電位は０のままなので、第１副画素Ｐ１にある発光素子Ｒ１の電極間、第２副画素Ｐ２にある発光素子Ｇ２の電極間、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が生じる。
【００２６】
これにより、発光素子Ｒ１を構成する第１有機発光層１０２と発光素子Ｇ２を構成する第２有機発光層１０４それぞれに、第２電極１０３ａと第３電極１０５ｂから電子が注入され、第１電極１０１と第２電極１０３ｂからホールが注入される。これによって、電子とホールの再結合により励起された有機発光層中の有機分子が基底状態に緩和するときに有機発光層の発光特性に応じた光が発光され、この発光光が保護層１１０側から射出される。このために保護層１１０は透明な材質である必要がある。また、基板１００側から光を取り出す場合には、基板１００の材質が透明である必要がある。このようにして、第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１と第２副画素Ｐ２の発光素子Ｇ２が点灯する。
【００２７】
なお、両副画素内の発光素子Ｂ１，Ｂ２には、逆方向電圧が印加されるため、発光素子Ｂ１，Ｂ２は共に点灯しない。第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１、第２副画素Ｐ２の発光素子Ｇ２に流れる電流はそれぞれ、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂで制御されている。具体的には、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲート電圧が決定され、それに応じて駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソース−ドレイン間に電流Ｉ１が流れる。この電流が第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１、第２副画素Ｐ２の発光素子Ｇ２に流れる。この状態は、時刻ｔ４まで維持される。
【００２８】
時刻ｔ４で、第１電極１０１及び第４電極１０７の電位がＶｃから０に設定される。すると、第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１、第２副画素Ｐ２の発光素子Ｇ２のそれぞれの電極間、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が無くなるので、第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１、第２副画素Ｐ２の発光素子Ｇ２は消灯する。
【００２９】
上述では、発光素子Ｒ１，Ｇ２の両方を点灯させ、画素ＰとしてＲとＧを発光する場合について説明したが、Ｒのみを発光させたい場合には、ソース信号線２０６ａにのみ電位Ｖｓｉｇ１をかけて、ソース信号線２０６ｂには電位をかけないようにすればよい。こうすることで、時刻ｔ１から時刻ｔ２までに、コンデンサ２０３ａには電位Ｖｓｉｇ１に応じた電圧が充電されて駆動用ＴＦＴ２０２ａはオン状態となるが、コンデンサ２０３ｂは充電されずに駆動用ＴＦＴ２０２ｂはオフ状態のままである。よって、時刻ｔ３になって、第１電極１０１及び第４電極１０７に電位Ｖｃをかけても第２副画素Ｐ２には電流が供給されず、発光素子Ｇ２は点灯しない。
【００３０】
また、Ｗを表示する場合には、発光素子Ｒ１と発光素子Ｇ２の両方を点灯させたあと、発光素子Ｂ１又は／及び発光素子Ｂ２を点灯させる必要がある。このため、ソース信号線２０６ａ又は／及び２０６ｂの電位をＶｓｉｇ１からＶｓｉｇ２に設定する動作を時刻ｔ４以降に行う。以下では、発光素子Ｂ１及び発光素子Ｂ２を点灯させる動作について説明するが、ソース信号線２０６ａを制御することでどちらか一方のみを点灯させることもできる。
【００３１】
時刻ｔ４のあと、時刻ｔ５で、ゲート信号線２０５の電位を０からＶｇに設定することで、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂがオン状態となる。そしてソース信号線２０６ａ，２０６ｂの電位Ｖｓｉｇ２がスイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂを介してコンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電される。さらに、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのゲート電位が上昇し、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂがオン状態となる。
【００３２】
時刻ｔ６で、ゲート信号線２０５の電位がＶｇから０に設定され、スイッチング用ＴＦＴ２０１ａ，２０１ｂがオフ状態となり、一方、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電された電圧は保持されるままである。
【００３３】
時刻ｔ７で、電源供給線２０７の電位が０からＶｃに設定され、第３電極１０５ａ，１０５ｂの電位が変化する。このとき、第１電極１０１及び第４電極１０７の電位が０のままなので、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２にある発光素子Ｂ１，Ｂ２のそれぞれの電極間及び駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。
【００３４】
これにより、発光素子Ｂ１，Ｂ２を構成する第３有機発光層１０６に第４電極１０７から電子が注入され、第３電極１０５ａ，１０５ｂからホールが注入される。このようにして第３有機発光層１０６からＢが発光され、この発光された光が保護層１１０側から射出される。つまり、第１副画素Ｐ１の発光素子Ｂ１と第２副画素Ｐ２の発光素子Ｂ２が点灯する。
【００３５】
なお、第１副画素Ｐ１の発光素子Ｒ１及び第２副画素Ｐ２の発光素子Ｒ２のそれぞれの電極間には逆方向電圧が印加されるため、発光素子Ｒ１と発光素子Ｇ２は点灯しない。
【００３６】
第１副画素Ｐ１の発光素子Ｂ１、第２副画素Ｐ２の発光素子Ｂ２に流れる電流はそれぞれ、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂで制御され、コンデンサ２０３ａ，２０３ｂに充電された電圧に応じて決定される。そして、駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソース−ドレイン間に電流Ｉ２が流れる。この状態は、時刻ｔ８まで維持され、発光素子Ｂ１，Ｂ２はこの時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間点灯し続ける。
【００３７】
時刻ｔ８において、電源供給線２０７の電位がＶｃから０に設定されと、発光素子Ｂ１，Ｂ２のそれぞれの電極間及び駆動用ＴＦＴ２０２ａ，２０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が無くなるので、発光素子Ｂ１，Ｂ２は消灯する。また、画素ＰでＢのみを発光させたい場合には、時刻ｔ４以降の動作を行えばよい。
【００３８】
上述の動作、つまり、発光素子Ｒ１，Ｇ２を同時に点灯させ、そのあと、発光素子Ｂ１，Ｂ２を同時に点灯させる動作を繰り返す。この繰り返す周期を人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期にして、その周期で駆動することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの混合色としてＷが所望の階調で表現される。また、この周期や発光素子の点灯、非点灯を制御することで任意の混合色の光を表現することができる。
【００３９】
このような表示装置において、上述したような時分割方式、つまり、異なる発光特性を持った発光素子を複数有する副画素において、それら複数の発光素子を同時に駆動させずに順次駆動させて発光させる方式を用いると次のような利点がある。それは、電圧が印加される有機発光層は副画素内で１層のみとなり、電源手段１１１が電極配線１１２，１１４もしくは電源供給線２０７に供給する電圧としては、１層分の電圧でよいので省電力化が図れるというものである。
【００４０】
次に、本発明の画素及び副画素配置について図４及び図５を用いて述べる。図４及び図５は、本発明の表示装置の本実施形態における画素及び副画素配置の概要図を示す。
【００４１】
図４に示す画素配置では、第一の方向であるＸ方向に沿って第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２が配列された画素Ｐがマトリクス状に複数配置されている。具体的には、Ｘ方向には画素Ｐを繰り返し配置し、第二の方向であるＹ方向には、Ｘ方向に１／２画素分、つまり、副画素分ずらして画素Ｐを繰り返し配置している。ここで、Ｘ方向とＹ方向は、共に複数の発光素子が積層される方向（紙面に垂直な方向）に垂直で、さらに、互いに垂直な関係にある。
【００４２】
このように配置することで、Ｘ方向及びＹ方向で、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２が順番に繰り返される配置となる。つまり、Ｘ方向及びＹ方向でそれぞれ隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有する画素配置を持った表示装置が得られる。
【００４３】
図５に示す画素配置では、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２を１画素とし、図４の画素配置と同様にＸ方向には画素Ｐを繰り返し配置する。
【００４４】
そして、Ｙ方向においては隣接する画素間で、画素内の副画素のＸ方向の配置を入れ替えて画素Ｐ’を形成し、Ｙ方向に沿って画素Ｐと画素Ｐ’とを交互に配置する。これによってもＸ方向及びＹ方向で、隣り合う副画素どうしの発色構成は異なるように配置することができる。
【００４５】
本実施形態に示した画素配置にすることで、図４及び図５に示したように、Ｘ方向又はＹ方向で隣り合う２つの副画素でＷ表示を構成する副画素の組み合わせが可能になる。図５を用いてＹ方向のＷ表示を行う場合について述べる。例えば、画素Ｐ’の第１副画素Ｐ１はＲとＢを発光する発色構成を有し、その第１副画素Ｐ１とＹ方向で隣り合うのは、画素Ｐの第２副画素Ｐ２であり、これはＧとＢを発光する発色構成を有する。まず、画素Ｐ’の第１副画素Ｐ１を構成する発光素子を上述したように時分割駆動させて、ＲとＢを順次発光させながら、一方で、画素Ｐの第２副画素Ｐ２を構成する発光素子を時分割駆動させてＧとＢを順次発光させると、所望の階調度でＷが表現される。
【００４６】
図４で示した表示装置の画素配置は、Ｙ方向には、Ｘ方向に１／２画素分ずらして画素Ｐを繰り返し配置される構成になっている。しかし、Ｘ方向に１／２画素分ずらす必要はなく、Ｙ方向で隣り合って、互いに異なる発色構成を有した副画素どうしが、Ｘ方向において少なくとも一部重なるように配置されれば、本発明の効果が得られる。
【００４７】
＜比較例１＞
図８は、実施形態１と同じ画素及び各副画素の発色構成を有した表示装置における画素配置を示した模式図である。また、第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２のそれぞれの発色構成は特許文献１に記載されている副画素と同じであり、背景技術で用いた図面と同じものをここでも使用する。
【００４８】
Ｘ方向に沿って第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２が配列された画素Ｐを、Ｘ方向及びＹ方向に繰り返し配置している。これによってＹ方向では、隣り合う副画素どうしの発色構成が同じになるように配置される。
【００４９】
実施形態１の表示装置と比較例１の表示装置のＷ表示での解像度をＣＺＰチャートで比較する。ＣＺＰ（Ｃｉｒｃｕｌａｒ  Ｚｏｎｅ  Ｐｌａｔｅ）は円形ゾーンプレートとも呼ばれ、元々カメラなどの光学機器の周波数特性を測定するために考案されたものである。ＣＺＰは正弦（もしくは余弦）曲線を二次元表現したもので、画像の中心を原点とする同心円が幾重にも並び、中心から外側に向かって空間周波数が高くなっていき、ピッチが細かくなっている。文献（吹抜敬彦  画像のディジタル信号処理（増補版）  ｐｐ２９３日刊工業新聞社）によれば、ＣＺＰ画像を用いることで表示系の二次元周波数特性を視覚的に把握することが出来る。
【００５０】
比較した結果、比較例１の画像において、エイリアス像がＸ方向に生じるが、本発明における画素配置の画像ではＸ方向にエイリアス像は生じていなかった。この結果、実施形態１の画素配置を有した表示装置において、Ｘ方向の解像度が従来の画素配置を有したものより高いといえる。
【００５１】
＜実施形態２＞
本実施形態において、異なる点は第１副画素Ｐ１をＲとＧを発光する発色構成とした点である。これは、図１に示した実施形態１の表示装置において、第１有機発光層１０２をＲで、第２有機発光層１０４をＢで、第３有機発光層１０６をＧでそれぞれ発光する特性を有する材料で構成することで可能になる。また、図１で、第１副画素Ｐ１の構成として、第２有機発光層１０４中ではなく第３有機発光層１０６中にコンタクトホール１０８を形成されるようにしても、本実施形態で用いる第１副画素Ｐ１の発色構成が得られる。いずれにしても第１副画素内の発光素子Ｂ１を非発光処理することで、この発色構成が得られる。図６に本実施形態における画素及び副画素配置の概要図を示す。
【００５２】
本実施形態においても、Ｘ方向及びＹ方向でそれぞれ隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有する画素配置を持った表示装置が得られる。
【００５３】
本実施形態において、比較例１とＷ表示での解像度をＣＺＰチャートで比較した結果、実施形態１と同様、Ｘ方向において解像度が従来よりも高くなっている。
【００５４】
＜実施形態３＞
実施形態１及び実施形態２においては、互いに発色構成の異なる副画素２つからなる画素の画素配置について説明した。本実施形態においては、互いに発色構成の異なる副画素３つからなる画素の画素配置について、一例を説明する。図７に副画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３からなる画素Ｐの画素配置の概要図を示す。
【００５５】
本実施形態では、第１副画素Ｐ１はＲとＢを発光する発色構成、第２副画素Ｐ２はＧとＢを発光する発色構成、第３副画素Ｐ３はＲとＧを発光する発色構成を有している。図７に示すように画素及び副画素を配置すると、実施形態１及び実施形態２と同様に、Ｘ方向及びＹ方向でそれぞれ隣り合う副画素どうしは互いに異なる発色構成を有する画素配置を持った表示装置が得られる。このため実施形態１，２と同様に高解像度のＷ表示が実現する。また、本実施形態の場合においては、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２、第１副画素Ｐ１と第３副画素Ｐ３、更には第２副画素Ｐ２と第３副画素Ｐ３の組み合わせでＷを表示することができる。そのため、Ｙ方向でＷの線を表示する際に画素Ｐの幅Ｌの１／３の表示を行うことが可能となり、よりＸ方向の解像度が向上する。
【００５６】
また、副画素数が３つに増え、画素寸法Ｌが実施形態１，２と比較して大きくなったとしても、Ｗを表示する為の副画素数は、実施形態１，２と同じであり、副画素の幅がそれらの実施形態よりも狭い場合には、より解像度の高いカラー表示を行うことができる。
【００５７】
また、本実施形態においても、比較例１とＷ表示での解像度をＣＺＰチャートで比較した結果、実施形態１，２と同様、Ｘ方向において解像度が従来よりも高くなっている。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の表示装置の実施形態１における概略断面図である。
【図２】本発明の表示装置の実施形態１における等価回路の模式図である。
【図３】本発明の表示装置の実施形態１における、電源手段の交流電圧の波形の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の表示装置の実施形態１における画素配置の模式図である。
【図５】本発明の表示装置の実施形態１における他の画素配置の模式図である。
【図６】本発明の表示装置の実施形態２における画素配置の模式図である。
【図７】本発明の表示装置の実施形態３における画素配置の模式図である。
【図８】従来の表示装置における画素配置及び比較例における画素配置の模式図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  基板
１０１  第１電極
１０２  第１有機発光層
１０３ａ、１０３ｂ  第２電極
１０４  第２有機発光層
１０５ａ、１０５ｂ  第３電極
１０６  第３有機発光層
１０７  第４電極
１０８、１０９  コンタクトホール
１１０  保護膜
Ｐ  画素
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３  副画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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