(57)【要約】【課題】材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、（Ａ）化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、第１辺、第２辺、第３辺、第４辺を有する矩形形状の基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせて、少なくとも基板の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とし、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがき、基板４０を劈開し、次いで、支持フィルム５０を引き裂くことで発光素子バー６０を得た後、複数の発光素子バー６０を積層し、支持フィルム５０を加熱することでＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させて、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に隙間を設け、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２に光反射膜６３，６４を形成する各工程を備えている。【選択図】  図９
2010245182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）化合物半導体層の積層構造体が形成され、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板を準備し、
（Ｂ）積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、基板の第２辺から支持フィルムが突出した状態とし、次いで、
（Ｃ）Ｘ方向と平行に支持フィルム及び基板をけがき、その後、
（Ｄ）基板をＸ方向と平行に劈開し、次いで、
（Ｅ）支持フィルムを引き裂くことで、支持フィルムが貼り合わされた状態の発光素子バーを得た後、
（Ｆ）複数の発光素子バーを、支持フィルムを介在させた状態で積層し、支持フィルムを加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルムを熱収縮させ、以て、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設け、その後、
（Ｇ）各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに、光反射膜を形成する、
各工程を備えている半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｇ）に引き続き、発光素子バーをＹ方向と平行に劈開して、複数の発光素子チップを得た後、支持フィルムをＸ方向に引き延ばし、次いで、支持フィルムから発光素子チップを取り外す請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間にＹ方向に沿って設けられた隙間の長さは、発光素子バーのＹ方向に沿った長さの少なくとも１０％以上である請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
支持フィルムは、Ｘ方向に沿って伸縮性を有し、Ｙ方向に易引裂性を有する請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
支持フィルムのＸ方向に沿った伸び率は１２５％以上である請求項４に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
支持フィルムは、二軸延伸ポリプロピレン系樹脂、二軸延伸ポリエステル系樹脂、一軸延伸高密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸中密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸低密度ポリエチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂から成り、あるいは、これらの樹脂の混合物から成り、あるいは、これらの樹脂のいずれかから成るフィルムの積層体である請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
支持フィルムの一面には、粘着剤層若しくは接着剤層が形成されている請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）化合物半導体層の積層構造体が基板に形成されて成り、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の発光素子バーを準備し、
（ｂ）積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、発光素子バーの第２辺から支持フィルムが突出した状態とし、次いで、
（ｃ）複数の発光素子バーを、支持フィルムを介在させた状態で積層し、支持フィルムを加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルムを熱収縮させ、以て、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設け、その後、
（ｄ）各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに、光反射膜を形成する、
各工程を備えている発光素子バーにおける光反射膜の形成方法。
【請求項９】
発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間にＹ方向に沿って設けられた隙間の長さは、発光素子バーのＹ方向に沿った長さの少なくとも１０％以上である請求項８に記載の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法。
【請求項１０】
支持フィルムは、二軸延伸ポリプロピレン系樹脂、二軸延伸ポリエステル系樹脂、一軸延伸高密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸中密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸低密度ポリエチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂から成り、あるいは、これらの樹脂の混合物から成り、あるいは、これらの樹脂のいずれかから成るフィルムの積層体である請求項８に記載の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法。
【請求項１１】
支持フィルムの一面には、粘着剤層若しくは接着剤層が形成されている請求項８に記載の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置の製造方法、及び、発光素子バーにおける光反射膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高出力の半導体レーザ装置として、レーザ光の出射方向が揃うように複数（例えば、数個から５０個程度）の半導体レーザ素子を一列に配置した発光素子アレイから成り、長さ１０ｍｍ程度の発光素子バーが、屡々、用いられている。
【０００３】
発光素子バーを製作するには、先ず、素子製造用基板（所謂ウエハ）上に、化合物半導体層の積層構造体から成る発光部を形成し、更には、電極等を形成することで、素子製造用基板に多数の発光素子を作製する。その後、素子製造用基板を、幾つかの矩形形状の基板に分割し、矩形形状に分割された基板のそれぞれを、ダイシング用シートに貼り付ける。そして、基板の表面に、スクライブ装置によって数μｍ深さのけがき線を入れる。次に、ブレークマシンによって、矩形形状に分割された基板を劈開する。あるいは又、ダイシング用シート側から圧力を加えながらゴム製ローラでローラ掛けすると、矩形形状に分割された基板が劈開される。こうして、１枚の矩形形状に分割された基板から複数の発光素子バーを得ることができる。
【０００４】
その後、発光素子バーの劈開面に光反射膜を形成する。具体的には、発光素子バーを貼り付けたダイシング用シートを引き伸ばし、発光素子バーと発光素子バーとの間に隙間を開ける。次いで、ダイシング用シートから発光素子バーを１つずつ、ピンセット等の工具を使って剥がす。そして、剥がした発光素子バーを、１本ずつ、端面コート用の治具に納める。その後、１００本程度の発光素子バーを納めた治具を、真空蒸着装置に搬入し、Ａｌ2Ｏ3やアモルファスＳｉから成る光反射膜を蒸着する。最後に、発光素子バーを、例えば、サブ・マウントを介して半田を用いてベース（ヒートシンク）に取り付ける。
【０００５】
ダイシング用シートから剥がした発光素子バーを、１本ずつ、端面コート用の治具に納めるとき、発光素子バーと発光素子バーとの間に、発光素子バーの幅よりも狭い幅を有するＳｉ、ＩｎＰあるいはＧａＡｓから成るスペーサを挿入し、発光素子バーの劈開面をスペーサから突出させることで、発光素子バーの劈開面に確実に光反射膜を形成する技術が、特開平１０−０９３１８７に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−０９３１８７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の技術にあっては、上述したとおり、ダイシング用シートから発光素子バーを１つずつ、ピンセット等の工具を使って剥がし、剥がした発光素子バーを、１本ずつ、端面コート用の治具に納めるが、このとき、発光素子バーに傷が付き易い。それ故、発光素子バーの両端部、１ｍｍ乃至２ｍｍ程度を作業代（しろ）とし、係る部分を工具で把持するようにしている。そして、最終的に両端部は使用に供さない。それ故、材料ロスが発生している。また、上述した特許公開公報に開示された方法にあっては、Ｓｉ、ＩｎＰあるいはＧａＡｓから成るスペーサを用いるので、半導体発光装置の製造コスト増に繋がる。
【０００８】
従って、本発明の目的は、材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、しかも、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法、及び、発光素子バーにおける光反射膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光装置の製造方法は、
（Ａ）化合物半導体層の積層構造体が形成され、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板を準備し、
（Ｂ）積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、基板の第２辺から支持フィルムが突出した状態とし、次いで、
（Ｃ）Ｘ方向と平行に支持フィルム及び基板をけがき、その後、
（Ｄ）基板をＸ方向と平行に劈開し、次いで、
（Ｅ）支持フィルムを引き裂くことで、支持フィルムが貼り合わされた状態の発光素子バーを得た後、
（Ｆ）複数の発光素子バーを、支持フィルムを介在させた状態で積層し、支持フィルムを加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルムを熱収縮させ、以て、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設け、その後、
（Ｇ）各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに、光反射膜を形成する、
各工程を備えている。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法は、
（ａ）化合物半導体層の積層構造体が基板に形成されて成り、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の発光素子バーを準備し、
（ｂ）積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、発光素子バーの第２辺から支持フィルムが突出した状態とし、次いで、
（ｃ）複数の発光素子バーを、支持フィルムを介在させた状態で積層し、支持フィルムを加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルムを熱収縮させ、以て、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設け、その後、
（ｄ）各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに、光反射膜を形成する、
各工程を備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体発光装置の製造方法にあっては、工程（Ｂ）において、積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、基板の第２辺から支持フィルムが突出した状態とする。また、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法にあっては、工程（ｂ）において、積層構造体を支持フィルムと貼り合わせ、少なくとも、発光素子バーの第２辺から支持フィルムが突出した状態とする。従って、それ以降の工程にあっては、基板の第２辺から突出した支持フィルムを作業代として用いればよいので、材料ロスが生じることを出来る限り避けることができる。また、発光素子バーの欠けや端面の傷を防止することができ、高い信頼性を得ることができる。更には、本発明の半導体発光装置の製造方法あるいは本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法にあっては、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間にＹ方向に沿って隙間を設けた状態で、複数の発光素子バーを支持フィルムを介在させた状態で積層し、その後、各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに光反射膜を形成する。従って、従来の技術と同様に、所謂ダイシング用シートと同じ機能を有する支持フィルムを用いるが、係る支持フィルムを、特開平１０−０９３１８７に開示されたスペーサとしても用いるので、しかも、単に加熱することで、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間にＹ方向に沿って隙間を設けることができるので、安価な工法で光反射膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための素子製造用基板等の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図１の（Ｂ）に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための基板等を上から眺めた模式図及びＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図である。
【図３】図３は、図２の（Ａ）に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための基板等を上から眺めた模式図である。
【図４】図４は、図２の（Ａ）に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための支持フィルムを下から眺めた模式図である。
【図５】図５は、図３に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための基板等を上から眺めた模式図である。
【図６】図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図５に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための発光素子バーを上から眺めた模式図、ＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図、及び、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図である。
【図７】図７は、図６に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するために、発光素子バー／支持フィルム積層体をＹ方向から眺めた模式図である。
【図８】図８は、図６に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するために、発光素子バー／支持フィルム積層体をＸ方向から眺めた模式図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図７及び図８に引き続き、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための発光素子バーを上から眺めた模式図、及び、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するために、発光素子バー／支持フィルム積層体をＸ方向から眺めた模式図である。
【図１１】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明するための発光素子バーを上から眺めた模式図、及び、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の半導体発光装置の製造方法を説明するための発光素子バーを上から眺めた模式図である。
【図１３】図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の半導体発光装置の製造方法を説明するための発光素子バーを上から眺めた模式図、ＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図、及び、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。また、本発明の半導体発光装置の製造方法及び本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法を、総称して、単に、『本発明の方法』と呼ぶ場合がある。
１．本発明の半導体発光装置の製造方法、及び、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の半導体発光装置の製造方法の具体的な説明）
３．実施例２（実施例１の半導体発光装置の製造方法の変形例）
４．実施例３（本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法の具体的な説明）
【００１４】
［本発明の半導体発光装置の製造方法、及び、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法、全般に関する説明］
本発明の半導体発光装置の製造方法にあっては、前記工程（Ｇ）に引き続き、また、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法にあっては、前記工程（ｅ）に引き続き、発光素子バーをＹ方向と平行に劈開して、複数の発光素子チップを得た後、支持フィルムをＸ方向に引き延ばし、次いで、支持フィルムから発光素子チップを取り外す工程を含む形態とすることができる。そして、これによって、１つの発光素子バーから複数の発光素子チップを得ることができる。
【００１５】
上記の好ましい形態を含む本発明の方法において、発光素子バーのＸＺ端面と支持フィルム縁部との間にＹ方向に沿って設けられた隙間の長さは、０ｍｍを越えていればよいが、支持フィルムを引き裂いたときの支持フィルム幅のバラツキを考慮すると、発光素子バーのＹ方向に沿った長さの少なくとも５％以上、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上である構成とすることが望ましい。隙間の長さの上限は、特に制限がある訳ではない。
【００１６】
上記の好ましい形態、構成を含む本発明の方法において、支持フィルムは、Ｘ方向に沿って伸縮性を有し、Ｙ方向に易引裂性を有することが好ましい。そして、この場合、支持フィルムのＸ方向に沿った伸び率は、１２５％以上、好ましくは２００％以上であることが望ましい。ここで、『支持フィルムはＹ方向に易引裂性を有する』とは、Ｙ方向に沿った幅が２０ｍｍの支持フィルムのＹ方向と平行な一辺の中央に切れ目を入れ、切れ目を挟んで、この一辺の端部を２箇所で把持し、一方の把持部を固定し、他方の把持部を一方の把持部に対して１８０度の方向に１ｍ／分の速度で移動させることで支持フィルムを引き裂いたとき、引っかかりなく、直線状に裂け、しかも、２０ｍｍ引き裂いたときの幅の値と、引き裂き前の幅の値との差異が０．５ｍｍ以下であることを意味する。
【００１７】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の方法において、支持フィルムは、二軸延伸ポリプロピレン系樹脂、二軸延伸ポリエステル系樹脂、一軸延伸高密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸中密度ポリエチレン系樹脂、一軸延伸低密度ポリエチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂から成り、あるいは、これらの樹脂の混合物から成り、あるいは、これらの樹脂のいずれかから成るフィルムの積層体である構成とすることができるが、中でも、優れた耐熱性と方向性（フィルムの縦方向と横方向との強度差が大きく、縦方向の引き裂きに弱い）を有する二軸延伸ポリプロピレン系樹脂や一軸延伸高密度ポリエチレン系樹脂を用いることが、より好ましい。更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の方法において、支持フィルムの一面には、粘着剤層若しくは接着剤層が形成されている構成とすることが好ましい。ここで、粘着剤層を構成する材料として、天然ゴムや合成ゴムをベースポリマーとしたゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系重合体をベースポリマーとしたアクリル系接着剤を挙げることができるし、接着剤層として、アクリル樹脂系の接着剤、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂系の接着剤を挙げることができる。積層構造体を支持フィルムに貼り合わせる方法は、粘着剤層、接着剤層を構成する材料に依存して、適宜、決定すればよいが、例えば、ローラ等を用いて粘着剤層に圧力を加える方法、紫外線や熱によって接着剤層に接着機能を発揮させる方法を挙げることができる。また、積層構造体を支持フィルムから剥がす方法として、機械的に圧力を加えて剥がす方法、紫外線や熱によって接着機能を失わせる方法を挙げることができる。
【００１８】
本発明の半導体発光装置の製造方法、あるいは、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法にあっては、工程（Ｆ）あるいは工程（ｃ）において、複数の発光素子バーを支持フィルムを介在させた状態で積層し、支持フィルムを加熱することで少なくともＹ方向に沿って支持フィルムを熱収縮させるが、複数の発光素子バーを支持フィルムを介在させた状態で積層した後、支持フィルムを加熱してもよいし、支持フィルムを加熱した後、複数の発光素子バーを支持フィルムを介在させた状態で積層してもよい。
【００１９】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の半導体発光装置の製造方法、あるいは、以上に説明した好ましい構成を含む本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法（以下、これらを総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）において、発光素子バーは、光の出射方向が揃うように複数の発光素子を一列に配置した発光素子アレイあるいは発光素子集合体から成る。即ち、複数の発光素子の光出射部はＸ方向に沿って一列に配列されている。そして、発光素子の数として、例えば、２０，２５，３３，５０，１００を挙げることができるし、１００以上であってもよい。発光素子バーの長さ（複数の発光素子が一列に配置された方向に沿った長さであり、具体的には、Ｘ方向に沿った長さ）として、１０ｍｍ程度を挙げることができる。
【００２０】
本発明において、基板として、あるいは又、化合物半導体層の積層構造体が形成された素子製造用基板（所謂ウエハ）として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板を挙げることができる。更には、これらの素子製造用基板の表面（主面）に、バッファ層や中間層が形成されたものを基板あるいは素子製造用基板として用いることもできる。また、これらの素子製造用基板の主面に関しては、結晶構造（例えば、立方晶型や六方晶型等）によっては、所謂Ａ面、Ｂ面、Ｃ面、Ｒ面、Ｍ面、Ｎ面、Ｓ面等の名称で呼ばれる結晶方位面、あるいは、これらを特定方向にオフさせた面等を用いることもできる。尚、素子製造用基板を劈開あるいは切断することで、対向する二辺がＸ方向と平行であり、残りの二辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板を得ることができる。
【００２１】
本発明の半導体発光装置の製造方法にあっては、工程（Ａ）において、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板を準備する。また、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法にあっては、工程（ａ）において、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の発光素子バーを準備する。ここで、第１辺及び第３辺はＸ方向と平行であると表現しているが、第１辺及び第３辺を得るにあたり、製造工程上のバラツキ等によって、第１辺及び第３辺がＸ方向と厳密には平行でない状態もあり得る。同様に、第２辺及び第４辺はＹ方向と平行であると表現しているが、第２辺及び第４辺を得るにあたり、製造工程上のバラツキ等によって、第２辺及び第４辺がＹ方向と厳密には平行でない状態もあり得る。従って、矩形形状の基板を準備し、あるいは又、矩形形状の発光素子バーを準備するが、厳密な意味での矩形形状の基板、矩形形状の発光素子バーではない基板、発光素子バーが準備される場合もあり得る。
【００２２】
本発明における化合物半導体層の積層構造体、あるいは又、発光素子バーを構成する各発光素子は、例えば、基板の上に順次形成された、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成され、第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極を備えている。尚、素子製造用基板が導電性を有している場合、素子製造用基板の一方の面（主面）上に、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層を、順次、形成し、素子製造用基板の他方の面に第１電極を形成し、係る第１電極を、複数の発光素子において共通の第１電極とすればよい。一方、第２電極は、例えば、第２化合物半導体層上に形成すればよい。ここで、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としてもよいし、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。
【００２３】
活性層を含む各種化合物半導体層として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶を含む）、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、炭素（Ｃ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、プラズマアシステッド物理的気相成長法（ＰＰＤ法）を挙げることができる。
【００２４】
或る発光素子における第２化合物半導体層と、この発光素子に隣接する発光素子における第２化合物半導体層とは、電気的に分離されている必要がある。この電気的な分離を達成するためには、例えば、或る発光素子と、この発光素子に隣接する発光素子との間（以下、この部分を、便宜上、『発光素子の境界部分』と呼ぶ場合がある）における第２化合物半導体層の部分を除去して空間的に分離する方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分を除去して絶縁層を形成（成膜）する方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分を除去して第１化合物半導体層を成長する方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分を除去してポリイミド樹脂等の絶縁材料で埋め込む方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分にホウ素イオンや水素イオンをイオン注入する方法を採用すればよい。
【００２５】
第１電極あるいは第２電極をｐ型の導電型を有する化合物半導体層あるいは基板上に形成する場合、係る電極（ｐ側電極）として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｔｉを挙げることができる。また、第１電極あるいは第２電極をｎ型の導電型を有する化合物半導体層あるいは基板上に形成する場合、係る電極（ｎ側電極）として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。
【００２６】
基板をＸ方向と平行に劈開するが、劈開の方法は、スクライブ装置を用いる等の周知の方法とすればよい。支持フィルムを引き裂く方法として、例えば、Ｙ方向に沿って最外周部に位置する基板を引っ張るといった方法を挙げることができる。また、支持フィルム及び基板をけがく方法も周知の方法とすればよい。基板あるいは発光素子バーの第２辺、あるいは、第２辺と第４辺から支持フィルムが突出した状態とするが、突出した支持フィルムの部分の長さは、作業の行い易さといった観点から、適宜、決定すればよい。支持フィルムを収縮させるための支持フィルムの加熱温度、時間、雰囲気、加熱方法も、支持フィルムを構成する材料、支持フィルムに形成された粘着剤層若しくは接着剤層を構成する材料に基づき、適宜、決定すればよい。複数の発光素子バーを支持フィルムを介在させた状態で積層するためには、適切な治具を用いればよい。
【００２７】
各発光素子バーの２つのＸＺ端面のそれぞれに光反射膜を形成する方法として、各種の真空蒸着法やスパッタリング法を挙げることができる。一般に、光反射面である発光素子バーの一方のＸＺ端面（便宜上、『ＸＺ後端面』と呼ぶ）に形成された光反射膜は、高い光反射率を有する。一方、光出射面である発光素子バーの他方のＸＺ端面（便宜上、『ＸＺ前端面』と呼ぶ）に形成された光反射膜は、低い光反射率を有し、かなりの割合の光を通過させる。ＸＺ前端面の光反射率は、例えば１５％前後であり、ＸＺ後端面の光反射率は、例えば９５％前後である。ＸＺ後端面に形成される光反射膜として、Ａｌ2Ｏ3膜／アモルファスシリコン膜の多層構成膜、例えば、厚さ９７ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜と厚さ４４ｎｍのアモルファスシリコン膜を３回繰り返した６層膜を挙げることができるし、ＸＺ前端面に形成される光反射膜として、Ａｌ2Ｏ3膜（厚さ：１３０ｎｍあるいは２６５ｎｍ）を挙げることができる。
【００２８】
発光素子バーの準備方法については、後述する。
【００２９】
発光素子バーは、屡々、ヒートシンクに取り付けられる。ヒートシンクは、例えば、銅、銅タングステン、銅合金、鉄、ステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金といった金属や合金から、機械加工（例えば、切削加工）に基づき作製すればよい。ヒートシンクと発光素子バーとの間に、ヒートシンクの熱膨張係数と発光素子バーの熱膨張係数との差を緩和するための層（例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣあるいはＣｕＷから成る層）を備えたサブ・マウントを配置してもよい。発光素子バーをヒートシンクに取り付けるには、例えば、発光素子バーに設けられた電極とヒートシンクとを半田付けすればよい。発光素子の第２電極をヒートシンクに取り付けてもよいし、発光素子の第１電極をヒートシンクに取り付けてもよい。前者の場合、ヒートシンクの上に、化合物半導体層、基板がこの順に積層された構造となり、所謂ジャンクション・ダウン方式での発光素子バーの取り付けとなる。一方、後者の場合、電極ブロックの上に、基板、化合物半導体層がこの順に積層された構造となり、所謂ジャンクション・アップ方式での発光素子バーの取り付けとなる。
【００３０】
本発明における発光素子として、具体的には、半導体レーザ素子を例示することができる。そして、本発明における発光素子バーは、例えば、レーザプロジェクターの赤色光源等として用いることができる。
【実施例１】
【００３１】
実施例１は、本発明の半導体発光装置の製造方法に関する。
【００３２】
実施例１にあっては、基板４０として、あるいは又、化合物半導体層の積層構造体（発光部）が形成された素子製造用基板（ウエハ）１０として、ｎ−ＧａＡｓ基板を用いる。化合物半導体層の積層構造体２０、あるいは又、発光素子バー（半導体レーザ・バー）６０を構成する各発光素子は、基板４０の上に形成された第１導電型（実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第１導電型とは導電型が異なる第２導電型（実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２から構成されている。そして、第１化合物半導体層２１に電気的に接続された第１電極３１、第２化合物半導体層２２に電気的に接続された第２電極３２を備えている。尚、基板４０が導電性を有しているので、基板４０の一方の面（主面）上に、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２を、順次、形成し、基板４０の他方の面に第１電極３１を形成している。そして、係る第１電極３１を、複数の発光素子において共通の第１電極としている。尚、第１電極３１は、基板４０側から、例えば、金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）合金層、ニッケル（Ｎｉ）層、及び、金（Ａｕ）層が、順次、積層された構造を有する。一方、第２電極は、第２化合物半導体層２２上に形成されている。尚、第２電極３２は、例えば、チタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層、金（Ａｕ）層、チタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層、及び、金（Ａｕ）層が、順次、積層された構造を有する。
【００３３】
第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２等の組成を以下の表１に例示する。
【００３４】
［表１］
第２化合物半導体層
ｐ側コンタクト層    ：ＧａＡｓ
中間層              ：ＧａＩｎＰ
第２ｐ型クラッド層  ：ＡｌＩｎＰ
エッチングストップ層：ＧａＩｎＰ
第１ｐ型クラッド層  ：ＡｌＩｎＰ
第２光ガイド層      ：Ａｌ0.6Ｇａ0.4ＩｎＰ
活性層
井戸層              ：ＧａＩｎＰ
第１化合物半導体層
第１光ガイド層      ：Ａｌ0.6Ｇａ0.4ＩｎＰ
ｎ型クラッド層      ：ＡｌＩｎＰ
バッファ層              ：ＧａＩｎＰ
【００３５】
発光素子バー６０は、具体的には、３３個の半導体レーザ素子の光出射部がＸ方向に沿って一列に配列された発光素子アレイから成る。発光素子は、例えば、６３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下の波長域に発振波長を有する赤色発光の半導体レーザ素子から構成されている。発光素子バー６０のＸ方向に沿った長さを１０ｍｍ、共振器長（発光素子バー６０のＹ方向に沿った長さ）を２００μｍ乃至１．５ｍｍ、具体的には実施例１にあっては、０．７ｍｍとした。発光素子バー６０の厚さは約１００μｍである。
【００３６】
実施例１の半導体発光装置の製造方法において、使用する支持フィルム５０は、厚さ５０μｍの二軸延伸ポリプロピレン系樹脂から成り、支持フィルム５０の一面には、シリコーン系粘着剤層が形成されている。支持フィルム５０は、Ｘ方向に沿って伸縮性を有し、Ｙ方向に易引裂性を有する。具体的には、支持フィルム５０のＸ方向に沿った伸び率は、１５０％である。
【００３７】
以下、図１〜図１１を参照して、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する。
【００３８】
［工程−１００］
先ず、素子製造用基板１０上に、化合物半導体層の積層構造体（発光部）２０を形成する。尚、以下の実施例において、ＭＯＣＶＤ法にて各種の化合物半導体層を結晶成長させるとき、例えば、リン原料としてホスフィン（ＰＨ3）を用い、ガリウム原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスあるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを用い、アルミニウム原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用い、Ｉｎ原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用い、シリコン原料としてモノシランガス（ＳｉＨ4ガス）を用い、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いればよい。
【００３９】
具体的には、ｎ−ＧａＡｓ基板から成る素子製造用基板（ウエハ）１０の主面上に、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、バッファ層１１、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２をエピタキシャル成長させる。こうして、図１の（Ａ）に模式的な一部断面図を示す構造を得ることができる。尚、図面においては、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２のそれぞれを１層で示す場合があり、また、バッファ層１１の図示を省略する場合があり、更には、積層構造体２０を１層で示す場合がある。
【００４０】
次いで、発光素子の境界部分（電流狭窄領域）を形成する。具体的には、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層２２の部分を、エッチング層の上方まで溝状に除去し、係る溝状に除去された第２化合物半導体層２２の部分に、ＣＶＤ法にて、ＳｉＯ2やＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3から成る絶縁層２４を形成（成膜）する。尚、発光素子の境界部分の形成方法として、その他、第２化合物半導体層の部分を除去して空間的に分離する方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分を除去してポリイミド樹脂等の絶縁材料で埋め込む方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分を除去して第１化合物半導体層を成長する方法、発光素子の境界部分における第２化合物半導体層の部分にホウ素イオンや水素イオンをイオン注入する方法を採用してもよい。次いで、第２化合物半導体層２２の頂面に、電子線蒸着法に基づき第２電極３２を形成する。一方、研磨によって厚さを薄くされた素子製造用基板１０の裏面に、電子線蒸着法に基づき第１電極３１を形成する。こうして、図１の（Ｂ）に模式的な一部断面図を示す構造を得ることができる。
【００４１】
［工程−１１０］
次いで、化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板４０を準備する。具体的には、スクライブ装置を用いて、素子製造用基板１０を劈開することで、基板４０を得ることができる。矩形形状の基板４０のＸ方向の長さ（発光素子バーの長さに相当する）を１０ｍｍ、Ｙ方向の長さを３５ｍｍとした。幅０．７ｍｍの発光素子バー、５０本取りとした。但し、図面においては、図面を簡素化するために、１０本の発光素子バーを表示している。
【００４２】
［工程−１２０］
その後、積層構造体２０を支持フィルム５０と貼り合わせ、少なくとも、基板４０の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とする。実施例１にあっては、基板４０の第２辺４２及び第４辺４４から支持フィルム５０が突出した状態とした。この状態を上（基板側）から眺めた図を図２の（Ａ）の模式図に示し、この状態をＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図２の（Ｂ）に示す。積層構造体２０を支持フィルム５０に貼り合わせるためには、支持フィルム５０を積層構造体２０に接触させた状態で、支持フィルム５０に、例えば、ゴム製のローラを用いて圧力を加えればよい。
【００４３】
［工程−１３０］
次に、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがく。具体的には、基板４０の露出面に、スクライブ装置によって、Ｘ方向に沿って４９本のけがき線を入れる。けがき線の長さは例えば０．５ｍｍ、深さ数μｍとする。また、同様に、支持フィルム５０にもけがき線を入れる。けがき線の長さを例えば１ｍｍ、深さを例えば数μｍとする。この状態を上（基板側）から眺めた図を図３の模式図に示し、この状態を下（支持フィルム側）から眺めた図を図４の模式図に示す。
【００４４】
［工程−１４０］
そして、基板４０をＸ方向と平行に劈開する。具体的には、ブレークマシンを用いて劈開を行う。具体的には、支持フィルム側から、ブレークマシンに備えられたセラミックス製の治具を基板４０に設けられたけがき線と一致するように配置し、支持フィルム５０を押すことで、基板４０に設けられたけがき線を起点として、基板４０が劈開される。この操作を４９回、繰り返すことで、基板４０を５０個の細片に分けることができる。この状態を上（基板側）から眺めた図を図５の模式図に示す。
【００４５】
［工程−１５０］
その後、支持フィルム５０を引き裂くことで、支持フィルム５０が貼り合わされた状態の発光素子バー（半導体レーザ・バー）６０を得ることができる。具体的には、Ｙ方向に沿って最外周部に位置する基板４０を、図５に示した矢印の方向に引っ張ればよい。こうして得られた発光素子バー６０を上（基板側）から眺めた図を図６の（Ａ）の模式図に示す。また、発光素子バー６０をＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図６の（Ｂ）に示し、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図６の（Ｃ）に示す。
【００４６】
［工程−１６０］
次いで、複数の発光素子バー６０を支持フィルム５０を介在させた状態で積層し、支持フィルム５０を加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させ、以て、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設ける。具体的には、１００本の発光素子バー６０を、支持フィルム５０を介在させた状態で積層し、上下にシリコンから成る抑え板５１を配置する。そして、これらの抑え板５１、更には、複数の発光素子バー６０が移動しないように、適切な方法で２枚の抑え板５１を固定する。この状態をＹ方向から眺めた模式図を図７に示し、Ｘ方向から眺めた模式図を図８に示す。尚、参照番号５０’は、上側の抑え板５１と基板４０との間に挟み込まれた保護フィルムである。ここで、この状態を、便宜上、『発光素子バー／支持フィルム積層体』と呼ぶ。そして、発光素子バー／支持フィルム積層体をオーブン内に搬入し、９０゜Ｃ、５分間、加熱することで、Ｘ方向及び、Ｙ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させる。こうして、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に、Ｙ方向に沿って長さ約０．１ｍｍの隙間を設けることができる。この状態において、発光素子バー６０を上（基板側）から眺めた図を図９の（Ａ）の模式図に示す。また、発光素子バー６０をＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図９の（Ｂ）に示し、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図９の（Ｃ）に示す。更には、この状態の発光素子バー／支持フィルム積層体をＸ方向から眺めた模式的な断面図を図１０の（Ａ）に示す。
【００４７】
［工程−１７０］
その後、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２のそれぞれに、光反射膜６３，６４を形成する。具体的には、発光素子バー／支持フィルム積層体をオーブンから搬出し、真空蒸着装置に搬入する。そして、発光素子バー６０のＸＺ前端面（光出射面）６１に、Ａｌ2Ｏ3膜から成り、光反射率が約１５％の光反射膜６３を成膜する。一方、発光素子バー６０のＸＺ後端面（光反射面）６２に、Ａｌ2Ｏ3膜／アモルファスシリコン膜の多層構成膜から成り、光反射率が約９５％の光反射膜６４を成膜する。この状態の発光素子バー／支持フィルム積層体をＸ方向から眺めた模式図を図１０の（Ｂ）に示す。また、発光素子バー６０を上（基板側）から眺めた図を図１１の（Ａ）の模式図に示す。更には、発光素子バー６０をＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図１１の（Ｂ）に示し、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図１１の（Ｃ）に示す。発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間には、Ｙ方向に沿って隙間が存在するので、ＸＺ端面６１，６２への光反射膜６３，６４の成膜が、支持フィルム５０によって遮られることはない。尚、場合によっては、真空蒸着装置内で、［工程−１６０］を実行してもよい。
【００４８】
［工程−１８０］
次いで、発光素子バー／支持フィルム積層体を真空蒸着装置から搬出した後、治具から発光素子バー／支持フィルム積層体を外す。この際、発光素子バー６０には支持フィルム５０が貼り付けられているので、発光素子バー６０のＸＺ前端面６１とＸＺ後端面６２の峻別を容易に行うことができる。具体的には、例えば、発光素子バー６１の両端の余白の支持フィルム５０の長さを変えたり、支持フィルム５０の色、模様を変える。これによって、どちら側が発光素子バー６０のＸＺ前端面６１かＸＺ後端面６２かを作業者が容易に判断することができ、作業時間の短縮、製造コストの低減を図ることができる。その後、発光素子バー６０を支持フィルム５０から剥がし、サブ・マウントに発光素子バー６０の基板４０を半田付けする。更に、サブ・マウントをベース（ヒートシンク）に取り付けた後、ベース上に絶縁板を介して電極部材を固定し、ワイヤの一端部を電極部材の段部に接合し、ワイヤの他端部を第２電極３２に接合する。こうして、半導体発光装置を完成させることができる。
【００４９】
実施例１の半導体発光装置の製造方法にあっては、［工程−１２０］において、積層構造体２０を支持フィルム５０と貼り合わせ、少なくとも、基板４０の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とする。従って、それ以降の工程にあっては、基板４０の第２辺４２から突出した支持フィルム５０を作業代として用いればよいので、材料ロスが生じることを出来る限り避けることができる。具体的には、発光素子バーの長さを１０ｍｍとしたとき、従来にあっては、発光素子バーの長さを１３ｍｍとし、両端部１．５ｍｍを作業代とし、最終的に、この作業代は除去するので、３０％の材料ロスが発生するが、実施例１の半導体発光装置の製造方法にあっては、このような材料ロスの発生が無い。
【００５０】
更には、実施例１の半導体発光装置の製造方法にあっては、複数の発光素子バー６０を支持フィルム５０を介在させた状態で積層し、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間にＹ方向に沿って隙間を設けた状態で、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２のそれぞれに光反射膜６３，６４を形成（成膜）する。従って、従来の技術と同様に、所謂ダイシング用シートと同じ機能を有する支持フィルム５０を用いるが、係る支持フィルム５０を一種のスペーサとしても用いるので、しかも、単に加熱することで、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間にＹ方向に沿って隙間を設けることができるので、安価な工法にて光反射膜６３，６４を形成することができる。
【実施例２】
【００５１】
実施例２は、実施例１の半導体発光装置の製造方法の変形である。実施例２にあっては、実施例１の［工程−１７０］の後、支持フィルム５０に貼り合わされた発光素子バー６０をＹ方向と平行に劈開する。その後、支持フィルム５０をＸ方向に引き延ばす。これらの状態における発光素子バー６０を上（基板側）から眺めた図を図１２の（Ａ）及び（Ｂ）の模式図に示す。これによって、発光素子バー６０にあっては、支持フィルム５０に貼り合わされた状態で、隣接する発光素子チップ７０の間に隙間が生じ、発光素子チップ７０が分離される。次いで、支持フィルム５０から発光素子チップ７０を取り外すことで、発光素子チップ７０を得ることができる。こうして、１つの発光素子バー６０から複数の発光素子チップ７０を得ることができる。
【実施例３】
【００５２】
実施例３は、本発明の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法に関する。
【００５３】
以下、図１３を参照して、実施例３の発光素子バーにおける光反射膜の形成方法を説明する。
【００５４】
［工程−３００］
先ず、化合物半導体層の積層構造体２０が基板４０に形成されて成り、対向する第１辺４１及び第３辺４３がＸ方向と平行であり、残りの第２辺４２及び第４辺４４がＹ方向と平行である矩形形状の発光素子バー３６０を準備する。
【００５５】
具体的には、実施例１の［工程−１００］と同様にして、素子製造用基板１０上に、化合物半導体層の積層構造体２０を形成する。次いで、発光素子の境界部分（電流狭窄領域）を形成し、更に、第２電極３２、第１電極３１を形成する。
【００５６】
［工程−３１０］
次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、対向する第１辺及び第３辺がＸ方向と平行であり、残りの第２辺及び第４辺がＹ方向と平行である矩形形状の基板４０を準備する。その後、矩形形状の基板４０の積層構造体側にダイシング用シート（図示せず）を周知の方法に基づき貼り合わせる。そして、スクライブ装置を用いて、基板４０を劈開することで、発光素子バー３６０を得ることができる。
【００５７】
［工程−３２０］
その後、基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせ、少なくとも、発光素子バー３６０の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とした後、ダイシング用シートを剥がす。尚、支持フィルム５０の幅（Ｙ方向の長さ）は、発光素子バー３６０のＹ方向の長さと同じであるか、それ以下である。即ち、支持フィルム５０の端部が、発光素子バー３６０のＸＺ端面６１，６２から突出することはない。こうして得られた発光素子バー３６０を上（基板側）から眺めた図を図１３の（Ａ）の模式図に示す。また、発光素子バー３６０をＸＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図１３の（Ｂ）に示し、ＹＺ平面で切断したときの模式的な断面図を図１３の（Ｃ）に示す。
【００５８】
［工程−３３０］
次いで、複数の発光素子バー３６０を支持フィルム５０を介在させた状態で積層し、支持フィルム５０を加熱することで、少なくともＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させ、以て、発光素子バー３６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に、Ｙ方向に沿って隙間を設ける。その後、各発光素子バー３６０の２つのＸＺ端面６１，６２のそれぞれに、光反射膜６３，６４を形成する。以上の各工程は、実施例１の［工程−１６０］〜［工程−１７０］と同様とすることができる。その後、実施例１の［工程−１８０］と同様の工程を実行することで、発光素子バーを完成させることができる。
【００５９】
尚、実施例３にあっても、実施例２と同様の工程を実行することで、１つの発光素子バー３６０から複数の発光素子チップ７０を得ることができる。
【００６０】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した発光素子バーや発光素子チップの構成、構造、発光素子バーや発光素子チップを構成する材料、発光素子バーや発光素子チップの製造条件や各種数値は例示であり、適宜変更することができる。実施例においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、これとは逆に、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。
【００６１】
実施例にあっては、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る積層構造体を有し、赤色を発光する半導体レーザ素子を例にとり、説明を行ったが、本発明は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層から成る積層構造体を有する赤外半導体レーザ素子、ＧａＮ系半導体レーザ素子（発振波長４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）等の、他の材料系から構成された発光素子バーや発光素子チップの製造にも適用可能である。加えて、実施例では、半導体レーザ素子アレイを備えた発光素子バーを例にとり、説明を行ったが、本発明は、その他、端面発光型の半導体発光素子、スーパールミネッセントダイオード等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置の製造にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０・・・素子製造用基板（ウエハ）、１１・・・バッファ層、２０・・・積層構造体、２１・・・第１化合物半導体層、２２・・・第２化合物半導体層、２３・・・活性層、２４・・・絶縁層、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、４０・・・基板、４１・・・第１辺、４２・・・第２辺、４３・・・第３辺、４４・・・第４辺、５０・・・支持フィルム、５０’・・・保護フィルム、５１・・・抑え板、６０，３６０・・・発光素子バー、６１，６２・・・ＸＺ端面、６３，６４・・・光反射膜、７０・・・発光素子チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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