(57)【要約】【課題】均一な膜厚のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを製造するための手段を提供すること。【解決手段】半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタ。上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上である。前記サセプタを含む気相成長装置および前記サセプタを使用するエピタキシャルウェーハの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタであって、
上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上であることを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
請求項１に記載のサセプタと、該サセプタを収容する反応チャンバと、を含む気相成長装置。
【請求項３】
半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、
上記半導体ウェーハを請求項１に記載のサセプタの座ぐり凹部に収容した状態で上記気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハの表面において、近接する｛１１１｝面が存在する方向の端面と前記突出部が対向するように該ウェーハを前記座ぐり凹部に収容する請求項３に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタおよび気相成長装置に関するものであり、より詳しくは均一な膜厚のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを製造することができるサセプタおよび気相成長装置に関するものである。
更に本発明は、上記サセプタを使用するエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体中の結晶欠陥、特に表面および表面近傍の結晶欠陥の低減が重要になってきている。このため、基板ウェーハの表面に結晶性に優れたエピタキシャル膜を気相成長させたエピタキシャルウェーハの需要が年々高まってきている。
【０００３】
エピタキシャルウェーハは、通常、基板ウェーハをサセプタによって支持した状態で基板ウェーハ表面上に原料ガスを供給することにより、エピタキシャル層を気相成長させて製造される。サセプタとしては、一般にウェーハを収容する座ぐり凹部を有するものが使用される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１２３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、高集積化に伴いエピタキシャルウェーハから半導体デバイスを製造するための面内使用率がさらに高まる傾向にある。しかし、特許文献１に記載のサセプタ等の従来のサセプタを使用して基板ウェーハ上にエピタキシャル膜を気相成長させると結晶軸方位によってエピタキシャル膜の外周部の厚さと中心部の厚さが大きく異なる現象が生じる。このようなエピタキシャルウェーハは外周部をデバイス作製に使用することができず面内使用率を高めることは困難である。
【０００５】
そこで本発明の目的は、均一な膜厚のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを製造するための手段を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、下記手段により達成された。
［１］半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタであって、
上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上であることを特徴とするサセプタ。
［２］［１］に記載のサセプタと、該サセプタを収容する反応チャンバと、を含む気相成長装置。
［３］半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、
上記半導体ウェーハを［１］に記載のサセプタの座ぐり凹部に収容した状態で上記気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
［４］前記半導体ウェーハの表面において、近接する｛１１１｝面が存在する方向の端面と前記突出部が対向するように該ウェーハを前記座ぐり凹部に収容する［３］に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、面内全域にわたり膜厚が均一なエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを提供することができる。
更に本発明によれば、半導体ウェーハ上に結晶性に優れた均一なエピタキシャル層を形成することができるため、半導体ウェーハの結晶方位性による半導体素子中の結晶欠陥、特に表面および表面近傍の結晶欠陥の低減が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
［サセプタ］
本発明は、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタに関する。本発明のサセプタは、上記座ぐり凹部の側壁が平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上であることを特徴とする。
【０００９】
例えば、半導体ウェーハの（１００）面上にエピタキシャル層を気相成長させると、＜１１０＞方位の外周部膜厚が局所的に厚くなる現象が観察される。ここで外周部とは、例えばウェーハ外縁からこの外縁から５ｍｍまでの領域であるが、半導体ウェーハの直径によっては例えば外縁から１ｍｍまでの領域や外縁から７ｍｍまでの領域である場合もある。上記現象は、＜１００＞方位での外周部の気相成長速度が＜１１１＞方位での外周部の気相成長速度に比べて速いことに起因して発生すると考えられる。即ち、前述のエピタキシャル層の外周部の厚さと中心部の厚さが大きく異なる現象は、ウェーハ面内で外周部の気相成長速度が速い方位と遅い方位があることに起因して発生すると考えられる。すなわち｛１１１｝面におけるシリコンの成長速度が遅い為、それに隣接する主表面における成長速度は相対的に速くなり局所的にエピタキシャル層が厚くなる。本発明のサセプタは、上記のように座ぐり凹部の側壁の一部（突出部）が高くなっているため、この突出部が気相成長速度が速い方位の端面と対向するように半導体ウェーハを座ぐり凹部に収容することにより、気相成長速度が速い方位において、外周部に供給される原料ガス量を減少させ外周部における気相成長を抑制することができる。これにより半導体ウェーハ外周部における結晶方位による気相成長速度の違いを抑制し、面内全域にわたり均一な膜厚のエピタキシャル層を形成することができる。
さらに、側壁高さがウェーハ厚み以上である座ぐり凹部を設け、ウェーハをその中へ載置することにより、ウェーハの面取りを含む周縁部（特に裏面）へのシリコンの回り込みを押さえ、かつ側壁に突出部を設けることで気相成長速度が速い方位の周縁部における局所的なシリコン成長を回避し外周部における気相成長速度を安定させバラツキが出ないようにすることによって、均一な膜厚のエピタキシャル層を安定的に得ることができる。
また、上記のように外周部の気相成長を抑制させたい方位以外において、座ぐり凹部の側壁高さを変化させると面内全体の膜厚の均一化を図ることが困難となるため、本発明のサセプタでは上記突出部以外の側壁は平坦部とする。
以下、本発明のサセプタについて更に詳細に説明する。
【００１０】
図１に、本発明のサセプタの一部拡大図（サセプタ凹部内から側壁を観察した状態）を示す。突出部は平坦部より高ければよくその形状は特に限定されるものではない。例えば、突出部の断面形状の具体例としては、台形（図１（ａ））、三角形（図１（ｂ））、長方形（図１（ｃ））等を挙げることができる。
【００１１】
次に、図２を参照し、突出部の形状について更に説明する。
図２中、直線（ａ）はウェーハ表面の中心を始点とし、他の方位と比べて外周部気相成長速度が速い方位（例えば｛１００｝面に対して平行な＜１１０＞方位：または（１００）面に対して平行な［０１１］方位と同等の方位）に沿って突出部の上面（平坦面）の中心を通る仮想直線であり、直線（ｂ）は、ウェーハ表面の中心を始点とし突出部上面端部を通る仮想直線であり、直線（ｃ）は、ウェーハ表面の中心を始点とし突出部下端部を通る仮想直線である。直線（ａ）と直線（ｂ）とのなす角θ1は、例えば０〜１５°とすることができ、０〜１０°とすることが好ましい。θ1が０°の場合、突出部の断面形状は三角形となる。一方、直線（ａ）と直線（ｃ）とのなす角θ2は、例えば５〜２０°であることが好ましい。
【００１２】
本発明のサセプタにおける前記突出部の数は、外周部気相成長速度が速い方位の数と同数とすることが好ましい。例えばエピタキシャル層を形成する表面が（１００）面の場合、外周部気相成長を抑制すべき方位は＜１１０＞方位であるため、その数（４つ）と同数の突出部を設けることが好ましく、座ぐり凹部側壁のウェーハノッチを＜１１０＞方位とし、対向する位置（ノッチ対向部）を０°とした場合、８５°〜９５°の部分、１７５°〜１８５°の部分、２６５°〜２７５°の部分、３５５°〜５°の部分に突出部を設けることが更に好ましい。
【００１３】
本発明のサセプタにおいて平坦部とは、図１に示すように上面が平坦な部分である。その高さは、前述のようにウェーハ裏面への原料ガスの回りこみを防止するため座ぐり凹部内に収容される半導体ウェーハの厚み以上とする。平坦部の高さは、ウェーハ裏面への原料ガスの回りこみを防止しつつウェーハ表面において気相成長を良好に進行させる観点から、収容されるウェーハ厚の１．０〜２．０倍であることが好ましく、１．０〜１．３倍であることがより好ましい。具体的には、０．６〜１．０ｍｍ程度とすることができる。
【００１４】
前記突出部の最も高い部分（最高部）と平坦部上面との高さの差は、０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。より好ましくは０．１〜０．５ｍｍ程度である。上記範囲であれば気相成長速度が速い方位において外周部以外の領域の気相成長を大きく妨げることなく外周部の気相成長を抑制し面内の膜厚の均一性を高めることができる。
【００１５】
前記座ぐり凹部は、例えば、前記形状を有する側壁と略円形の底壁とにより構成される。座ぐり凹部に収容される半導体ウェーハの最外端から上記側壁までの距離が過度に離れていると突出部を設ける効果を得ることが困難な場合がある。この観点から、半導体ウェーハの最外端から上記側壁までの距離が０．５〜２．０mm程度となるように、収容する半導体ウェーハのサイズに応じて座ぐり凹部の底壁形状を決定することが好ましい。
【００１６】
本発明のサセプタは、従来サセプタに使用されていた材質を用いて作製することができる。例えば炭素母材の表面にＳｉＣをコーティングし本発明のサセプタを作製することができる。母材表面にＳｉＣをコーティングすることにより母材によるウェーハ汚染を防ぐことができる。
【００１７】
［気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法］
本発明の気相成長装置は、本発明のサセプタと、該サセプタを収容する反応チャンバとを含むものである。本発明のサセプタを含む点以外は、エピタキシャルウェーハの製造に通常使用される公知の気相成長装置と同様の構成とすることができる。気相成長装置の構成については、例えば特開２００４−６３８６５号公報、特開２００５−１９７３８０号公報、特開２００７−１８９２２２号公報、特許第３９３１５７８号公報等に詳細に記載されている。
更に本発明は、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する方法に関する。本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、エピタキシャル層を形成する半導体ウェーハを本発明のサセプタの座ぐり凹部に収容した状態で気相成長を行う。
【００１８】
図３に本発明の気相成長装置の一例（概略断面図）を示す。以下、図３に基づき本発明の気相成長装置および本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法について説明するが、本発明は図１に示す態様に限定されるものではない。
【００１９】
図３中、気相成長装置（以下、装置）１は、その内部にエピタキシャル膜の形成室（以下、反応チャンバ）２を有している。この反応チャンバ２は、上側ドーム３と下側ドーム４とドーム取り付け体５とを備えている。上側ドーム３および下側ドーム４は、石英などの透明な材料から構成され、装置１の上方および下方に複数配置されたハロゲンランプ６により、サセプタ１０および半導体ウェーハＷが加熱される。サセプタ１０は、サセプタ回転軸７に連なる支持アーム８によってその下面の外周部が嵌合されて回転する。サセプタ１０は、先に説明したようにウェーハを収容する座ぐり凹部を有する。上記座ぐり凹部は、半導体ウェーハＷが収納される略円形の底壁と、これを取り囲む側壁とにより形成される。また、サセプタ１０の外周部には、図３に示すように、その周方向に向かって、例えば１２０度毎に合計３本の貫通孔（リフトピン挿通用貫通孔）１０ｂを形成することができる。各リフトピン挿通用貫通孔１０ｂには、半導体ウェーハＷを昇降させるリストピン９が遊挿されている。リフトピン９の昇降は、リフトアーム１１により行われる。
ドーム取り付け体５のうち、サセプタ１０と対峙する高さ位置には、ガス供給口１２とガス排出口１３とが対向配置されている。ガス供給口１２からは、反応チャンバ２内にＳｉＨＣｌ3などのＳｉソースガス（原料ガス）を水素ガス（キャリアガス）で希釈し、それにドーパントを微量混合した反応ガスが、半導体ウェーハＷの表面に対して平行（水平方向）に供給される。この供給された反応ガスは、半導体ウェーハＷの表面を通過してエピタキシャル膜成長後、ガス排出口１３より装置１の外に排出される。一方、サセプタ下面側には、通常、ウェーハ周辺を清浄に保つために、ガス供給口１４からキャリアガスが供給される。ここで本発明のサセプタを使用することにより、外周部の気相成長が速い方位において、外周部への原料ガスの供給量を低減することができる。これにより結晶方位による外周部気相成長速度の差を抑え面内全域で均一な膜厚を有するエピタキシャルウェーハを形成することができる。
【００２０】
半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハを挙げることができるが、化合物半導体等の他の半導体ウェーハでもよく特に限定されるものではない。また、エピタキシャル層を形成する表面は特に限定されるものではないが、例えば｛１００｝面、｛１１０｝面等を挙げることができる。従来のサセプタを使用したエピタキシャル層形成では、｛１１１｝面が隣接する主表面では、｛１１１｝面が存在する方向の、主表面に対して平行な軸方向の外周縁のエピ厚が厚くなる。例えば（１００）面上では、前述の通り、＜１００＞方位での外周部の気相成長速度は＜１１１＞方位での外周部の気相成長速度に比べて速いため、（１００）面上にエピタキシャル層を成長させると、＜１１０＞方位の外周部膜厚が局所的に厚くなる。これに対し、本発明のサセプタによれば外周部気相成長速度が速い方位、具体的には近接する｛１１１｝面が存在する方向、の端面と前記突出部が対向するように半導体ウェーハを座ぐり凹部に収容しエピタキシャル成長を行うことにより、面内全域で均一な膜厚のエピタキシャル層を形成することができる。
【００２１】
半導体ウェーハの厚さは、例えば６００〜１０００μmである。先に説明したように、本発明では半導体ウェーハの厚さに応じてサセプタの座ぐり凹部側壁高さを決定する。
【００２２】
半導体ウェーハの載置は、例えば外部の搬送装置から反応チャンバ内に半導体ウェーハを搬入した後、リフトピンを貫通孔より上方に上昇して半導体ウェーハを受け取り、続いて下方に下降することで、半導体ウェーハをサセプタ上に載置することができる。その後、反応チャンバ内でサセプタ上面側に原料ガスを供給することにより、半導体ウェーハ表面と原料ガスとを接触させ気相成長反応（エピタキシャル成長）を進行させることができる。原料ガスとしては、例えばＳｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4 などを採用することができる。原料ガスは、通常キャリアガスと混合して供給される。キャリアガスとしては、例えば水素ガス、不活性ガスなどを採用することができる。原料ガスとキャリアガスとの混合比は適宜設定すればよい。
【００２３】
サセプタ上面側に供給するガスの流量は、反応チャンバ内の温度条件や所望のエピタキシャル層厚等に応じて決定すればよいが、通常５０〜１００リットル／分程度である。
【００２４】
サセプタ下面側にキャリアガスを供給する場合、キャリアガスとしては、例えば水素ガス、不活性ガスなどを採用することができる。サセプタ下面側に供給するガスの流量は、上面側に供給するガス流量の１／３〜１／４程度とすることが好ましい。
【００２５】
前記ガス供給時には通常、半導体ウェーハは加熱されている。加熱手段としては、例えば図２に示すようにサセプタ上方および／または下方に設けた加熱ランプを用いることができる。また、サセプタを取り囲むような環状の予熱板（予熱リング）を設けることも可能である。ウェーハおよびサセプタの加熱温度は、適宜設定すればよい。
【００２６】
気相成長工程が終了し表面上にエピタキシャル層が形成されたウェーハは、リフトピンを貫通孔より上方に上昇させることで持ち上げることができる。持ち上げられたウェーハはロボットアーム等により搬送装置に移し反応チャンバ外へ排出することができる。上記一連の工程を繰り返すことにより、エピタキシャルウェーハを量産することができる。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明を実施例により説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。
【００２８】
［実施例１］
エピタキシャル層を形成する表面が（１００）面である３００ｍｍ半導体ウェーハを、気相成長装置の反応チャンバ内に配置された、座ぐり凹部側壁のウェーハノッチと対向する位置（ノッチ対向部）を０°とした場合、８５°〜９５°の部分、１７５°〜１８５°の部分、２６５°〜２７５°の部分、３５５°〜５°の部分に突出部を設けたサセプタに載置した。
上記サセプタに載置された半導体ウェーハの表面に、気相エピタキシャル法によりエピタキシャル膜を成長させた。以下、このエピタキシャル成長工程を具体的に説明する。
【００２９】
気相エピタキシャル成長装置として、上下にヒータが配設されたチャンバの中央部に、平面視して円形で、ウェーハが１枚載置できるサセプタが水平配置されたものを使用した。
【００３０】
サセプタの表面の内周側部分には、半導体ウェーハを、表裏面を水平にした横置き状態で収納する上段ザグリ部（環状の段差）が形成されていた。また、チャンバの一側部には、チャンバの上部空間に、所定のキャリアガス（Ｈ2ガス）と所定のソースガス（ＳｉＨＣｌ3ガス）とを、ウェーハ表面に対して平行に流すガス供給口が配設されていた。また、チャンバの他側部には、両ガスの排気口が形成されていた。
【００３１】
エピタキシャル成長時には、まず、半導体ウェーハをサセプタに載置した。載置の詳細は前述の通りである。
次に、加熱された半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させた。すなわち、キャリアガスとソースガスとを、対応するガス供給口を通してチャンバへ導入した。炉内圧力を１００±２０ＫＰａとし、１０００℃〜１２００℃に加熱した半導体ウェーハ上に、ソースガスの熱分解または還元によって生成されたシリコンを、反応速度１．５〜４．５μｍ／分で析出させた。これにより、半導体ウェーハの表面上に厚さ２〜２０μｍの単結晶シリコンからなるエピタキシャル膜が成長された。
以上の工程により、エピタキシャルウェーハを作製した。
【００３２】
［比較例１］
サセプタとして従来型のサセプタ（座ぐり凹部側壁高さが一定であり突出部を持たないサセプタ）を用いた点以外は実施例１と同様の方法でエピタキシャルウェーハを作製した。
【００３３】
エピタキシャルウェーハ外周上における膜厚分布
実施例１および比較例１において半導体ウェーハの表面に作製されたエピタキシャル膜の厚さを赤外干渉法により測定した結果を図４に示す。図４は、半導体ウェーハの外周部エッジから２ｍｍの地点で円周上に膜厚を測定した結果である。図４下図に示すように、比較例１で作製したエピタキシャルウェーハでは、＜１１０＞方位の外周部膜厚が局所的に厚くなる現象が観察された。
【００３４】
膜厚のばらつき測定
実施例１で作製したエピタキシャルウェーハおよび比較例１で作製したエピタキシャルウェーハについて、エピタキシャル膜厚測定装置（FT-IR）により、＜１００＞方位と＜１１０＞方位の膜厚値を比較した結果、比較例１で作製したエピタキシャル層の＜１１０＞方位の膜厚は＜１００＞方位の膜厚の１．８５％増しであったのに対し、実施例１で作製したエピタキシャル層では０．７５％増しであり比較例１の約半減に抑制することができた。
以上の結果から、本発明によれば面内全域にわたって均一な膜厚のエピタキシャル層を形成できることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のサセプタの一部拡大図を示す。
【図２】本発明のサセプタの突出部形状の説明図である。
【図３】本発明の気相成長装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】実施例１および比較例１で作製したエピタキシャルウェーハのウェーハ外周上における膜厚分布を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１    気相成長装置
２    反応チャンバ
３    上側ドーム
４    下側ドーム
５    ドーム取り付け体
６    ハロゲンランプ
７    サセプタ回転軸
８    支持アーム
９    リフトピン
１０  サセプタ
１１  リフトアーム
１２  ガス供給口
１３  ガス排出口
１４  ガス供給口
１５  ガス排出口
【図１】
2010040534.tif 000002
【図２】
2010040534.tif 000003
【図３】
2010040534.tif 000004
【図４】
2010040534.tif 000005