(57)【要約】【目的】この発明の目的は、小型で機械的強度が強く、安価な薄型インダクタおよびその製造方法と、それを用いた超小型電力変換装置を提供する。【解決手段】リードフレームから切り取られた同一形状の渦巻き状の２個のコイル導体の内、１枚を裏返しにした第２のコイル導体３の上方に裏返しにしない第１のコイル導体１を重ね合わせ、お互いの背面が向かい合うように配置し、この第１と第２のコイル導体１、３の中央部の端部１ａ、３ａ同士が接続層４を介して接続され、渦巻きの外側の端部２ｂ、３ｂと薄型インダクタの第１端子２ａおよび第２端子２ｂと接続され、第１、第２のコイル導体１、３の隙間に磁性体である焼結したグリーンシート５が配置される。【選択図】        図１
2010028017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の渦巻きであって、間に隙間をもって重ね合わされるように配置された第１および第２のコイル導体と、前記第１および第２のコイル導体の両端部同士を接続する接続層と、前記第１および第２のコイル導体の隙間と前記第１および第２の導体間の隙間を充填し、前記第１および第２コイル導体を挟み込む磁性体とを有することを特徴とする薄型インダクタ。
【請求項２】
前記渦巻き状の第１、第２のコイル導体の外側の端部と接続する端子を有することを特徴とする請求項１に記載の薄型インダクタ。
【請求項３】
前記コイル導体および前記端子が、リードフレームの一部として該リードフレームの枠の内側に該枠と接続して形成された渦巻き状の導電体および四角形の導電体であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄型インダクタ。
【請求項４】
前記端子が前記リードフレームと同一厚さであり、前記コイル導体の厚さが前記端子の厚さと同一かもしくは前記端子の厚さより薄いことを特徴とする請求項２に記載の薄型インダクタ。
【請求項５】
前記リードフレームで形成された渦巻き状の１個のコイル導体と、該コイル導体の両側を挟み込む磁性体とを有することを特徴とする薄型インダクタ。
【請求項６】
前記磁性体がグリーンシートの焼結体もしくは磁性粉の焼結体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の薄型インダクタ。
【請求項７】
同一形状の枠内に同一形状の端子と同一形状の渦巻き状のコイル導体を有する２個の同一形状のリードフレームの内一方のリードフレームを裏返しするもしくは１８０°回転させて第２のリードフレームとする工程と、
該第２のリードフレームの、枠と接続する複数の端子上と、該端子の一つと一方の端部が接続する前記コイル導体の渦巻きの中心部に位置する他方の端部上とにそれぞれ接続層を形成する工程と、  
前記第２のリードフレームと、裏返ししないもしくは１８０°回転しない他方のリードフレームとを重ね合わせ該２個のコイル導体の中心部の端部同士と前記端子同士とをそれぞれ前記接続層を介して固着する工程と、
重ね合わされた２個の前記リードフレームをグリーンシートで挟み込む工程と、
前記グリーンシートに圧力を印加して、前記コイル導体間を前記グリーンシートで充填し２個の前記コイル導体を包み込む工程と、
前記グリーンシートを焼結する工程と、
前記リードフレームから前記コイル導体と前記端子を切り離す工程と、
を有することを特徴とする薄型インダクタの製造方法。
【請求項８】
同一形状の枠内に同一形状の端子と同一形状の渦巻き状のコイル導体を有する２個の同一形状のリードフレームの内一方の第１のリードフレームを裏返しもしくは１８０°回転させる工程と、
該第１のリードフレームの、枠と接続する複数の端子上と、該端子の一つと一方の端部が接続する前記コイル導体の渦巻きの中心部に位置する他方の端部上とにそれぞれ接続層を形成する工程と、
前記接続層に開口部が嵌めこまれた第１のグリーンシートを前記コイル導体上に配置する工程と、
前記第１のリードフレームと、裏返しもしくは１８０°回転しない他方の第２のリードフレームを重ね合わせ前記接続層にて２個のコイル導体の渦巻きの中心部の端部同士と、前記端子同士とをそれぞれ接続する工程と、
重ね合わされた２個の前記リードフレームを第２のグリーンシートで挟み込む工程と、
前記第１および第２のグリーンシートに圧力を印加して、前記コイル導体同士の隙間を前記第１および第２のグリーンシートで充填し２個の前記コイル導体を包み込む工程と、
前記第１および第２のグリーンシートを焼結する工程と、
前記リードフレームから前記コイル導体と前記端子を切り離す工程と、
を有することを特徴とする薄型インダクタの製造方法。
【請求項９】
前記接続層が、レーザー溶接層、超音波接続層、バンプもしくは導電性ペー
スト接着剤層のいずれかであることを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜インダク
タの製造方法。
【請求項１０】
前記コイル導体の厚さが前記端子の厚さより薄いことを特徴とする請求項７または８に記載の薄型インダクタの製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１〜６のいずれか一項に記載の薄型インダクタ上に半導体チップを固着して形成することを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項１２】
前記半導体チップと前記薄型インダクタの端子をバンプもしくはボンディングワイヤで接続することを特徴とする請求項１１に記載の超小型電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、渦巻き状のリードフレームをコイルとして利用した薄型インダクタおよびその製造方法と、それを用いた超小型電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマイクロ電源などの超小型電力変換装置は、フェライト材をベースに、銅めっき等を施しコイルパターンを形成した薄型インダクタの基板にフリップチップボンディングまたは接着剤等により半導体チップを搭載した後、金線、銅線、銀線またはアルミ線などのボンディングワイヤで半導体チップと薄型インダクタの端子との接続を行い、樹脂封止する構造を有している。
【０００３】
図１３は、従来の薄型インダクタの構成図であり、同図（ａ）は要部平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図である。この薄型インダクタは、フェライト基板５１と、このフェライト基板５１の表面と裏面に形成されるコイル導体５２と端子５３と、表面と裏面に形成されるコイル導体５２同士、端子５３同士を接続導体５４で構成される。接続導体５４は、フェライト基板５１に貫通孔５５を形成し、この貫通孔５５の側壁に金属膜を形成して得られる（図では貫通孔５５が金属膜で充填された場合を示す）。この薄型インダクタのコイル形状はソレノイド状である。
【０００４】
図１４と図１５は、図１３の薄型インダクタを用いて形成された超小型電力変換装置の図１３（ｂ）に対応する要部断面図である。図１４は半導体チップ５６と薄型インダクタの端子５３をバンプ５７を用いて接続し、半導体チップ５６の側壁はアンダーフィル５８で被覆されている。
また、図１５は半導体チップ５６と薄型インダクタの端子５３をボンディングワイヤ６１で接続し、半導体チップ５６の表面は封止樹脂６２で被覆されている。
【０００５】
図１６は、フェライト基板に複数の薄型インダクタが形成された要部平面図である。
各薄型インダクタは、フェライト基板５１を切断領域６５で切断して形成される。
図１７〜図２４は、図１３に示された従来の薄型インダクタの工程順に示した要部製造工程断面図である。
先ず、フェライト基板５１を用意する（図１７）。
【０００６】
つぎに、フェライト基板５１に貫通孔５５を形成するためのマスクをレジスト７１で形成する（図１８）。
つぎに、レジスト７１をマスクにフェライト基板５１に貫通孔５５を形成する。貫通孔５５は、サンドブラスト法を用い、フェライト基板５１の表側と裏側から穴を掘って形成する（図１９）。
【０００７】
つぎに、フェライト基板５１上の表面全域と貫通孔５５の側壁にめっきシード層７２を形成する（図２０）。
つぎに、めっきシード層７２上にコイル導体５２および端子５３となるＣｕ膜７４を形成するために、マスクとなるレジスト７３を形成する（図２１）。
つぎに、レジスト７３をマスクにＣｕ膜７４をめっきで形成する（図２２）。
【０００８】
つぎに、レジスト７３を除去し、不要なめっきシード層７２を除去してＣｕ膜７４でコイル導体５２と端子５３を形成する（図２３）。
つぎに、保護膜７５を被覆し、切断線７６でフェライト基板５１を切断して（図２４）、従来の薄型インダクタが完成する。
従来の薄型インダクタはフェライト材を基板（フェライト基板５１）とし、サンドブラスト法を用い、貫通孔５５を開けた後、選択的に貫通孔５５およびフェライト基板５１の表裏に銅めっきを施すことで形成されていた。
【０００９】
特許文献１には、コイル導体の形状がトロイダル状をしており、やはり、フェライト材に、サンドブラスト法を用いて貫通孔を開けた後、選択的に貫通孔およびフェライト基板の表裏に銅めっきを施して薄型インダクタを形成することが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−７２８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、このようにして製造された従来の薄型インダクタでは、基板として用いるフェライト材は脆く、加工時に割れ・欠けが発生しやすく、良品率低下の要因となっていた。さらに貫通孔の形成は加工精度が悪く、小径化が難しいこともあり製品の小型化を妨げていた。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、小型で機械的強度が強く、安価な薄型インダクタおよびその製造方法と、それを用いた超小型電力変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するために、リードフレームの渦巻き状のコイル導体からなる薄型インダクタにおいて、同一の渦巻き形状であって、間に隙間をもって重ね合わさるように配置された第１および第２のコイル導体と、前記第１および第２のコイル導体の両端部同士を接続する接続層と、前記第１および第２のコイル導体の隙間と前記第１および第２の導体間の隙間を充填し、前記第１および第２コイル導体を挟み込む磁性体とを有する構成とする。
【００１２】
また、前記渦巻き状の第１および第２のコイル導体の外側の端部と接続する端子を有する構成とする。
また、前記コイル導体および前記端子が、リードフレームの一部として該リードフレームの枠の内側に該枠と接続して形成された渦巻き状の導電体および四角形の導電体であるとよい。
【００１３】
また、前記端子が前記リードフレームと同一厚さであり、前記コイル導体の厚さが前記端子の厚さと同一かもしくは前記端子の厚さより薄いとよい。
また、前記リードフレームで形成された渦巻き状の１個のコイル導体と、該コイル導体の両側を挟み込む磁性体とを有するとよい。
また、前記磁性体がグリーンシートの焼結体もしくは磁性粉の焼結体であるとよい。
【００１４】
また、薄型インダクタの製造方法において、同一形状の枠内に同一形状の端子と同一形状の渦巻き状のコイル導体を有する２個の同一形状のリードフレームの内一方のリードフレームを裏返しするもしくは１８０°回転させて第２のリードフレームとする工程と、該第２のリードフレームの、枠と接続する複数の端子上と、該端子の一つと一方の端部が接続する前記コイル導体の渦巻きの中心部に位置する他方の端部上とにそれぞれ接続層を形成する工程と、前記第２のリードフレームと、裏返ししないもしくは１８０°回転しない他方のリードフレームとを重ね合わせ該２個のコイル導体の中心部の端部同士と前記端子同士とをそれぞれ前記接続層を介して固着する工程と、重ね合わされた２個の前記リードフレームをグリーンシートで挟み込む工程と、前記グリーンシートに圧力を印加して、前記コイル導体間を前記グリーンシートで充填し２個の前記コイル導体を包み込む工程と、前記グリーンシートを焼結する工程と、前記リードフレームから前記コイル導体と前記端子を切り離す工程と、を有する製造方法とする。
【００１５】
また、薄型インダクタの製造方法において、同一形状の枠内に同一形状の端子と同一形状の渦巻き状のコイル導体を有する２個の同一形状のリードフレームの内一方の第１のリードフレームを裏返しもしくは１８０°回転させる工程と、該第１のリードフレームの、枠と接続する複数の端子上と、該端子の一つと一方の端部が接続する前記コイル導体の渦巻きの中心部に位置する他方の端部上とにそれぞれ接続層を形成する工程と、前記接続層に開口部が嵌めこまれた第１のグリーンシートを前記コイル導体上に配置する工程と、前記第１のリードフレームと、裏返しもしくは１８０°回転しない他方の第２のリードフレームを重ね合わせ前記接続層にて２個のコイル導体の渦巻きの中心部の端部同士と、前記端子同士とをそれぞれ接続する工程と、重ね合わされた２個の前記リードフレームを第２のグリーンシートで挟み込む工程と、前記第１および第２のグリーンシートに圧力を印加して、前記コイル導体同士の隙間を前記第１および第２のグリーンシートで充填し２個の前記コイル導体を包み込む工程と、前記第１および第２のグリーンシートを焼結する工程と、前記リードフレームから前記コイル導体と前記端子を切り離す工程と、を有する製造方法とする。
【００１６】
また、前記接続層が、レーザー溶接層、超音波接続層、バンプもしくは導電性ペースト
接着剤層のいずれかであるとよい。
また、前記コイル導体の厚さが前記端子の厚さより薄いとよい。
また、超小型電力変換装置は、前記の薄型インダクタ上に半導体チップを固着して形成されるとよい。
【００１７】
また、前記超小型電力変換装置において、前記半導体チップと前記薄膜インダクタの端子がバンプもしくはボンディングワイヤで接続されるとよい。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、貫通孔を形成するための加工工程を省略でき、安価なリードフレームをコイル導体とすることで機械的強度も向上し、薄型インダクタの小型化と低コスト化を図ることができる。
この薄膜インダクタを用いることで超小型電力変換装置であるマイクロ電源の小型化および低コスト化が可能となる
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態を以下の実施例で図面を示しながら説明する。尚、従来構造と同一部位には同一の符号を付した。
【実施例１】
【００２０】
図１はこの発明の第１実施例の薄型インダクタの構成図であり、同図（ａ）は要部平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図である。
リードフレームから切り取られた同一形状の渦巻き状の２個のコイル導体の内、１枚を裏返しにした第２のコイル導体３の上方に裏返しにしない第１のコイル導体１を重ね合わせ、お互いの背面が向かい合うように配置されている。この第１と第２のコイル導体１、３の中央部の端部１ａ、３ａ同士が接続層４を介して接続される。また、渦巻きの外側の端部１ｂおよび３ｂは、それぞれに対応する薄型インダクタの第１端子２ａおよび第２端子２ｂと接続される。薄型インダクタの上面に配置された複数の第１端子２ａと、第１端子２ａと重なり合うよう下面に配置された複数の第２端子２ｂはそれぞれ対をなし、対をなす重なり合った第１端子２ａと第２端子２ｂは接続層４を介して接続された端子２となる。
【００２１】
第１のコイル導体１または第２のコイル導体に挟まれた隙間７（図３（ｃ）参照）には磁性体である焼結したグリーンシート５が配置され、渦巻き状の第１、第２のコイル導体１，３間の隙間（間隙）８（図３（ｃ）参照）にも焼結したグリーンシート５が配置されている。このグリーンシート５は磁性を帯びた微粉末とバインダーと呼ばれる樹脂の混合物をドクターブレードを用いてシート状にした磁性体で、焼結すると磁性基板となる。
【００２２】
図１（ｂ）には電流ｉの向きも示しており，図面の中心から右側は紙面の裏側から表側に流れる電流ｉを示し、左側は紙面の表側から裏側に流れる電流ｉを示している。
尚、前記接続層４は、レーザー溶接層、超音波接続層、バンプもしくは導電性ペースト
接着剤層のいずれかである。また、前記の第１、第２のコイル導体１、３および第１、第
２端子２ａ、２ｂはリードフレームの一部として、例えば銅（Ｃｕ）などの導電体で形成
される。
【００２３】
図２は、リードフレームの構成図であり、同図（ａ）は裏返さないリードフレーム２０ａの平面図、同図（ｂ）は裏返したリードフレーム２０ｂの平面図である。
これらのリードフレーム２０ａ、２０ｂのそれぞれの枠２１に複数の端子２ａ、２ｂが接続し、その端子２ａ、２ｂの内の一個の端子２ａ、２ｂに渦巻き状の第１、第２のコイル導体１、３の外側の端部１ｂ、３ｂがそれぞれ接続している。
【００２４】
図１には、電流ｉの向きと磁束Φの向きが書き込まれている。また、図２に示す第１のフレーム２０ａと裏返しにしたリードフレーム２０ｂには電流ｉの向きが書き込まれている。第１のコイル導体１を流れる電流ｉの向きと第２のコイル導体３を流れる電流ｉの向きは同じである。つまり、同一方向に電流ｉが流れることで、磁束Φの密度が高められる。
【００２５】
また、図１で示した入口は電流ｉの入口であり、その端子２は薄型インダクタに流れる電流ｉの入力端子となる。一方、出口は電流ｉの出口であり、その出口の端子２は薄型インダクタに流れる電流ｉの出力端子となる。
尚、図２で示すように一方のリードフレームを裏返しにして２個のリードフレーム２０ａ、２０ｂを重ね合わせる場合、２個のコイル導体１、３同士も重ね合わされるパターンにする必要がある。また、リードフレームを裏返しにしないで１８０°回転させて重ね合わせてもよい。この場合も２個のコイル導体同士が１８０°回転しても重ね合わされるパターンにする必要がある。
【００２６】
図３は、図１の薄型インダクタの製造方法であり、同図（ａ）〜同図（ｄ）は工程順に示した要部製造工程断面図（図２（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部（断面図））である。
同図（ａ）において、プレスやエッチングにより図２（ａ）に示すような渦巻き状のコイル導体１と端子２ａを有する第１のリードフレーム２０ａを２個形成する。そのうちの１個を裏返して第２のリードフレーム２０ｂ（図２（ｂ））とする。
【００２７】
第１、第２のリードフレーム２０ａ、２０ｂにはそれぞれ第１のコイル導体１、３と端子２ａ、２ｂが形成されている。渦巻きの中心部の第２のコイル導体３の端部３ａ上と端子２ｂ上に接続層４を形成する。その後で、第１のリードフレーム２０ａと第２のリードフレーム２０ｂを対向して配置する。
同図（ｂ）において、第１のリードフレーム２０ａと第２のリードフレーム２０ｂを重ね合わせて接続層４を介して端部１ａ、３ａ同士および端子２ａ、２ｂ同士をそれぞれ固着する
接続層４は、レーザー溶接層、金，銀，銅，アルミ等の半導体製造に使用されるワイヤーを使用したバンプ、導電性ペースト層および厚膜を介した超音波接合された超音波接合層などである。
【００２８】
同図（ｃ）において、固着された第１、第２のリードフレーム２０ａ、２０ｂを両側からグリーンシート５で挟み込む。
同図（ｄ）において、グリーンシート５に圧力を印加する。この圧力で第１のコイル導体１同士の間および第２のコイル導体同士の間の隙間７と第１、第２のコイル導体１、３間の隙間８にグリーンシート５が入り込む。
【００２９】
この圧力パターンは、図４に示すように、時間と共にに圧力を増加させる場合（図４（ａ））と、一定の低い圧力でグリーンシートが隙間を埋め尽くした後、高い圧力を印加する場合（図４（ｂ））がある。
尚、開口部６は、予め開口部６に対応する位置に穴をあけたグリーンシートを適用するか、またはレーザにより開口部６の部分のグリーンシートを除去することにより形成する。
【００３０】
続いて、グリーンシート５を焼結させて焼結体とする。この焼結体が磁性体となる。続いて、グリーンシート５の焼結体、リードフレーム２０ａ、２０ｂの枠２１および接続層４を切断線１０で切断して、枠２１とコイル導体の端子２とを切り離して薄型インダクタが形成される。
このように、コイル導体にリードフレームを用いることで機械的強度が向上し、グリーンシートの焼結体を磁性基板として用いることで基板の割れ、欠けを防止することができる。
【００３１】
また、従来のように磁性基板にサンドブラストで貫通孔を形成する工程が不要となり、インダクタの小型化と低コスト化を図ることができる。
尚、図３（ｂ）の工程で、後述する図６の工程のように、第１、第２のコイル導体１、３間の隙間８にグリーンシートを挟んでもよい。
【実施例２】
【００３２】
図５は、この発明の第２実施例の薄型インダクタの要部断面図である。図１との違いは、リードフレーム形成時に、渦巻き状の第１、第２のコイル導体１、３のみエッチングにより薄くして第１、第２のコイル導体１１、１２とした点である。第１、第２のコイル導体１１、１２を薄くすることで、薄型インダクタの厚さを端子２の厚さにした場合でも、焼結されたグリーンシート５（磁性体）をこれらの第１、第２のコイル導体１１、１２上に被覆させることができる。そのため、図１の薄型インダクタの厚さより薄くすることができる。
【００３３】
図６〜図１０は、図５の薄型インダクタの製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。
図６において、プレスやエッチングにより渦巻き状のコイル導体１１と端子２ａを有する第１のリードフレーム２０ｃを２個形成する。コイル導体１１の厚さを端子２ａの厚さより薄くする。この第１のリードフレーム２０ｃを裏返して第２のリードフレーム２０ｄとする。第１、第２のリードフレーム２０ｃ、２０ｄには第１、第２のコイル導体１１、１２と端子２ａ、２ｂが形成されている。渦巻きの中心部の第２のコイル導体１２の端部上と端子２ｂ上に接続層４を形成する。さらに、第２のコイル導体１２の中心部の端部上や端子２ｂ上に形成した接続層４と嵌合するための貫通孔１４を有するグリーンシートを第１、第２のコイル導体１１、１２の間に挟み、第１のリードフレーム２０ｃと第２のリードフレーム２０ｄを対向させて配置する。
【００３４】
図７において、第１のリードフレーム２０ｃと第２のリードフレーム２０ｄを重ね合わせて接続層４を介して端部同士および端子２ａ、２ｂ同士をそれぞれ固着する
接続層４は、レーザー溶接層、金，銀，銅，アルミ等の半導体製造に使用されるワイヤーを使用したバンプ、導電性ペースト層および厚膜を介した超音波接合された超音波接合層などである。
【００３５】
図８において、固着された第１、第２のリードフレーム２０ｃ、２０ｄを両側からグリーンシート５で挟み込む。
図９において、グリーンシート５に圧力を印加する。この圧力で第１のコイル導体１同士の間および第２のコイル導体同士の間の隙間７にグリーンシート５が入り込む。続いて、グリーンシート５を焼結させて焼結体とする。この焼結体が磁性体となる。図１０において、焼結されたグリーンシート５の表面を研磨して端子２を露出させる。続いて、リードフレーム２０ａ、２０ｂの枠２１および接続層４を切断線１０で切断して、枠２１とコイル導体の端子２とを切り離して薄型インダクタが形成される。
【００３６】
尚、図６の工程で、グリーンシート５を挟まない場合もある。この場合は、図９の工程において、圧力パターンは図４のようにする。
【実施例３】
【００３７】
図１１は、この発明の第３実施例の薄型インダクタの要部断面図である。図１との違いは、コイル導体が１個である点である。渦巻き状のコイル導体１の中央部の端部はボンディングワイヤ３０で外部接続端子と接続される。図示しないが、コイル導体１としては図５のように薄い場合もある。
尚、前記の第１実施例〜第３実施例では磁性基板としてグリーンシートの焼結体を用いたが、グリーンシートの代わりに粉末状の磁性体を用いてもよい。
【実施例４】
【００３８】
図１２は、この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部断面図であり、同図（ａ）はバンプで半導体チップと端子を接続した断面図であり、同図（ｂ）は半導体チップと端子をボンディングワイヤで接続した断面図である。
同図（ａ）において、図５の薄型インダクタの端子２と半導体チップ４０をバンプ４１で固着し、側面をアンダーフィル４２で被覆して超小型電力変換装置が形成される。
【００３９】
また、同図（ｂ）において、図５の薄型インダクタと半導体チップ４０を接着剤４３で固着し、薄型インダクタの端子２と半導体チップ４０の図示しない端子をボンディングワイヤ３０で接続し、表面を封止樹脂で被覆して超小型電力変換装置が形成される。
尚、薄型インダクタとして、図１や図１１で示す薄型インダクタを用いてもよい。図１１の薄型インダクタを用いる場合には、半導体チップ４０との接続にはボンディングワイヤ３０の代わりにバンプを用いるとよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の第１実施例の薄型インダクタの構成図であり、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図
【図２】リードフレームの構成図であり、（ａ）は裏返さないリードフレーム２０ａの平面図、（ｂ）は裏返したリードフレーム２０ｂの平面図である。
【図３】図１の薄型インダクタの製造方法であり、（ａ）〜（ｄ）は工程順に示した要部製造工程断面図
【図４】圧力パターンの図であり、（ａ）は時間と共にに圧力を増加させる場合のパターン図、（ｂ）は一定の低い圧力でグリーンシートが隙間を埋め尽くした後、高い圧力を印加する場合のパターン図
【図５】この発明の第２実施例の薄型インダクタの要部断面図
【図６】図５の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図７】図６に続く、図５の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図８】図７に続く、図５の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図９】図８に続く、図５の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図１０】図９に続く、図５の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図１１】この発明の第３実施例の薄型インダクタの要部断面図
【図１２】この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部断面図であり、（ａ）はバンプで半導体チップと端子を接続した断面図、（ｂ）は半導体チップと端子をボンディングワイヤで接続した断面図
【図１３】従来の薄型インダクタの構成図であり、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図
【図１４】図１３の薄型インダクタと半導体チップをバンプで接続した超小型電力変換装置の要部断面図
【図１５】図１３の薄型インダクタと半導体チップをボンディングワイヤで接続した超小型電力変換装置の要部断面図
【図１６】フェライト基板に複数の薄型インダクタが形成された要部平面図
【図１７】図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図１８】図１７に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図１９】図１８に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図２０】図１９に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図２１】図２０に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図２２】図２１に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図２３】図２２に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【図２４】図２３に続く、図１３の薄型インダクタの要部製造工程断面図
【符号の説明】
【００４１】
１、１１  第１のコイル導体
１ａ、３ａ  端部（中央部）
１ｂ、３ｂ  端部（外側）
２    端子
２ａ  第１端子
２ｂ  第２端子
３、１２  第２のコイル導体
４    接続層
５    グリーンシート（焼結前／焼結後）
６    開口部
７、８  隙間
１０    切断線
１４    貫通孔
２０ａ、２０ｃ  第１のリードフレーム
２０ｂ、２０ｄ  第２のリードフレーム
２１    枠
３０    ボンディングワイヤ
４０    半導体チップ
４１    バンプ
４２    アンダーフィル
４３    接着剤
４４    封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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