(57)【要約】【課題】部品点数の少ない簡易な回路構成で高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供すること。【解決手段】伝導度変調効果を有するゲート駆動型半導体素子の駆動回路において、容量１０５と抵抗器１０４を並列にしたゲート駆動回路をゲートとスイッチング出力回路１０１間に挿入し、半導体装置のゲート入力容量１０６と容量１０５との電圧分割により、半導体素子のオン閾値電圧以上の電圧をゲート端子に印加することで高速のオン動作をし、伝導度変調を維持するのに必要な電流をゲート回路の抵抗器を介して流す。これによって、半導体素子のゲート容量を積極的に利用し、部品点数の少ない簡易な回路構成で高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。【選択図】図１
2010051165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閾値電圧以上のゲート電圧を印加することでオンし、閾値以下の電圧でオフ動作し、かつオン時にゲートからチャネルにキャリヤを注入することで伝導度変調効果を有するゲート駆動型半導体素子を用いて、
容量と抵抗器の並列回路をゲートとスイッチング制御回路出力間に挿入し、前記半導体素子のゲート容量Ｃｉｓと前記容量Ｃｇとの関係を
（オン時のスイッチング制御回路出力電圧）×（Ｃｇ／（Ｃｇ＋Ｃｉｓ））≧（閾値電圧）
とし、前記ゲート駆動回路の抵抗器はゲート駆動型半導体素子のゲートへ伝導度変調に見合った電流を供給することを特徴する半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項２】
前記ゲート駆動型半導体素子において、ゲート駆動電源間に接続された相補動作をする２つのスイッチの中点と前記ゲート駆動型半導体素子のゲートとの間に定電流供給手段を設けたことを特徴とする請求項第１に記載の半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項３】
前記ゲート駆動型半導体素子において、ゲート駆動電源に接続された相補動作をする２つのスイッチの中点電位と前記ゲート駆動型半導体素子のゲートとの間に、前記容量Ｃｇと並列に定電流供給手段を設けたことを特徴とする請求項第１に記載の半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項４】
前記ゲート駆動型半導体素子が、主にガリュムナイトライドなどの■−■族化合物半導体もしくはＳｉＣなどのワイドバンド半導体から構成され、ゲート端子印加電圧がおよそバンドギャップ相当の電圧以下となるゲート電圧制限手段を具備したことを特徴とする請求項第１に記載の半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項５】
前記ゲート駆動型半導体素子が、主にガリュムナイトライドなどの■−■族化合物半導体もしくはＳｉＣなどのワイドバンド半導体から構成され、オン時のゲート印加電圧が閾値電圧以上でかつおよそバンドギャップ相当の電圧以下で駆動することを特徴とする請求項第１に記載の半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項６】
前記ゲート駆動型半導体素子が、主にＳｉＣなどのワイドバンド半導体から構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のゲート駆動回路。
【請求項７】
請求項１〜６に記載の半導体装置のゲート駆動回路を用いた電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に電力変換装置などに使用される半導体素子を主回路とする半導体装置のゲート駆動回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体装置のゲート駆動回路は、ゲート駆動用スイッチング回路と主回路のトランジスタのゲート回路間を抵抗器で接続している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、特許文献１に記載された従来のゲート駆動回路を示すものである。図６に示すように、絶縁ゲート素子１と、ゲート抵抗器２と、ＰＮＰトランジスタ３と、ＮＰＮトランジスタ４と、スイッチング制御信号を作り出すスイッチング制御回路５と、ゲート容量の電荷を制御することでゲート電位を等価的に最適化するゲート電位制御回路６から構成されている。また、ゲート駆動型半導体装置におけるゲート駆動と伝導度変調の両立性に関しては、同文献に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−７０２３３号公報
【特許文献２】特開２００４−２４７５４５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｍｏｒｉｔａほか、「６５０Ｖ  ３．１ｍΩｃｍ２  ＧａＮ−ｂａｓｅｄ  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｓｗｉｔｃｈ  Ｕｓｉｎｇ  Ｎｏｒｍａｌｌｙ−ｏｆｆ  Ｇａｔｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，  ２００７．  ＩＥＤＭ  ２００７．  ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ；Ｐ８６５−８６８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の構成ではゲート電位を安定化するためにゲート電位制御回路が必要となり、ゲート電位に応じてゲートへのチャージ電流制御を必要とするので、回路規模が大きくかつ複雑になるといったという課題を有していた。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、簡易な回路構成でかつ部品点数を最小限にした半導体装置のゲート駆動回路を提供すること、およびワイドバンド半導体の利点を引出す駆動を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明の電力変換装置は閾値電圧以上を印加することでオン動作し、閾値以下の電圧でオフし、かつオン時にゲートからチャネルへのキャリヤ注入による伝導度変調効果を具備するゲート駆動型半導体素子において、容量と抵抗を並列にしたゲート駆動回路をゲートとスイッチング出力回路間に挿入し、半導体装置のゲート容量Ｃｉｓと容量Ｃｇとの電圧分割により、半導体素子のオン閾値電圧以上の電圧をゲート端子に印加したものである。
【０００９】
これにより、オン時にはスイッチング制御回路出力電圧をゲート容量Ｃｉｓとゲート回路における容量Ｃｇとの容量逆比例で決定されるゲート電圧が半導体素子のゲート端子に
印加され、閾値電圧を越えることで高速のオン動作を実現する。次に、オン状態になれば伝導度変調を維持するのに必要な電流（キャリヤ注入）をゲート回路の抵抗器を介して流すことが可能となる。
【００１０】
これによって、半導体素子のゲート容量を積極的に利用し、部品点数の少ない簡易な回路構成で、高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。
【００１１】
また、オン状態での伝導度変調を維持するのに必要なキャリヤ注入を定電流供給手段から必要量を供給することが可能となり、より安定動作した高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。
【００１２】
また、この種のＧＩＴ型ゲート駆動型半導体素子におけるゲート端子にゲート電圧制限手段を設けたことにより、ゲートに過大な電流が流れ込むことを防止でき、特にオフ時における高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、部品点数の少ない簡易な回路構成で、高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１における電力変換装置のゲート駆動回路構成図
【図２】本発明の実施の形態１における電力変換装置の駆動シミュレーション結果を示す図
【図３】本発明の実施の形態２における電力変換装置のゲート駆動回路構成図
【図４】本発明の実施の形態３および４における電力変換装置のゲート駆動回路構成図
【図５】本発明の実施の形態２におけるＧＩＴトランジスタのゲート特性図
【図６】従来の電力変換装置のゲート駆動回路構成図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
第１の発明は、閾値電圧以上を印加することでオン動作し、閾値以下の電圧でオフし、かつオン時にゲートからチャネルにホールを注入することで伝導度変調効果を有するゲート駆動型半導体素子を用いて、容量と抵抗器を並列接続したゲート駆動回路をゲートとスイッチング出力回路間に挿入して、半導体素子のゲート容量Ｃｉｓと前記容量Ｃｇとの関係を
（オン時のスイッチング制御回路出力電圧）×（Ｃｇ／（Ｃｇ＋Ｃｉｓ））≧（閾値電圧）
とし、ゲート駆動回路の抵抗器はゲート駆動型半導体素子のゲートへ伝導度変調に見合った電流を供給することにより、スイッチング制御回路の出力電圧が適切に分圧印加されて、半導体素子のゲート端子に印加され、半導体素子のゲート容量を積極的に利用した部品点数の少ない簡易な回路構成で半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。
【００１６】
第２の発明は、特に第１の発明で、ゲート駆動型半導体素子のゲート駆動回路において、ゲート駆動電源に接続された相補動作をする２つのゲート駆動スイッチ（トランジスタ）の中点とゲート駆動型半導体素子のゲートとの間に接続された定電流供給回路（例えば定電流ダイオード）を設けたものであり、高速スイッチングおよび安定駆動制御を実現できるものである。
【００１７】
第３の発明は、特に第１の発明で、ゲート駆動型半導体素子のゲート駆動回路において、ゲート駆動電源に接続された相補動作をする２つのスイッチ（トランジスタ）の中点と
ゲート駆動型半導体素子のゲートとの間に、容量Ｃｇと並列に定電流供給回路（定電流ダイオード）を１設けたことで、オンスイッチング時には高速でゲート駆動型半導体素子を駆動することが可能であり、オン定常時にはゲート電流を定電流供給することが出来るので適切なゲート電流供給により回路およびゲート駆動型半導体素子発熱ロスが少なくすることができる。
【００１８】
第４の発明は、特に第１の発明で、主にガリュムナイトライドなどの■−■族化合物半導体もしくはＳｉＣなどのワイドバンド半導体から構成されるゲート駆動型半導体素子のゲート端子にバンドギャップ相当の電圧以下のゲート電圧制限を行うことにより、ゲートの電圧−電流特性において、指数関数的に変化するゲート電圧−電流特性の立ち上がり電圧以下で動作条件を設定することで、駆動電力の低減化を実現できる。
【００１９】
第５の発明は、特に第１の発明で、主にガリュムナイトライドなどの■−■族化合物半導体もしくはＳｉＣなどのワイドバンド半導体から構成されるゲート駆動型半導体素子のオン時のゲート印加電圧を閾値電圧以上バンドギャップ相当の電圧以下で駆動することを安定した駆動の実現と駆動電力の低減化を実現できる。
【００２０】
第６の発明は、特に第１の発明で、ゲート駆動型半導体素子がＳｉＣなどのワイドバンド半導体で構成しても同様の効果を得ることができ、簡単な回路構成でより低損失、高速スイッチを実現することができる。
【００２１】
第７の発明は、特に第１から６の発明の半導体装置のゲート駆動回路を電力変換装置に用いることにより、簡単な回路構成で低損失な電力変換装置を実現することができる。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置のゲート駆動回路の構成図を示すものである。
【００２４】
図１において、１００は閾値電圧以上を印加することでオン動作し、閾値以下の電圧でオフし、かつオン時にゲートからチャネルにキャリヤを注入することで伝導度変調効果を具備するゲート駆動型半導体素子であり、スイッチング回路１０１から信号に基づいて駆動されている。スイッチング回路１０１は、スイッチング信号を作成するとともに、ドライブ回路を構成するＮＰＮトランジスタ１０２およびＰＮＰトランジスタ１０３および、ゲート抵抗器１０４と並列回路を構成するコンデンサ（Ｃｇ）１０５とで半導体素子１００のゲート回路を構成している。
【００２５】
なお、ゲート駆動型半導体素子１００は、非特許文献１に示されているガリュムナイトライド半導体から構成されるＧＩＴ（Ｇａｔｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００２６】
以上のように構成された半導体装置のゲート駆動回路について、以下その動作、作用を説明する。
【００２７】
まず、この種のゲート駆動型半導体素子１００は、ゲート端子（Ｇと表記）とソース端子（Ｓと表記）間にゲート入力容量成分（Ｃｉｓ）１０６が存在する。この容量成分は、一般的には、ＣｉｅｓもしくはＣｉｓｓと表記されるが、６００Ｖ耐圧１５ＡＧＩＴ程度で約１０００ＰＦ程度の容量がある。また、閾値電圧は１．２Ｖ程度である。
【００２８】
スイッチング制御回路１０１の電源電圧は、本実施例においては１２Ｖであり、構成回路での電圧ロス分を考慮して、半導体素子１００のオン時におけるゲート駆動電圧を７Ｖ程度とするように構成されている。また、ゲート抵抗が１５００Ω、コンデンサ１０５は６７０ｐＦとしている。
【００２９】
すなわち、ＮＰＮトランジスタ１０２がオン時においては、１２Ｖ電圧がコンデンサ１０５ならびにゲート入力容量１０６により電圧分圧となり、
１２Ｖ  ×  ６７０ｐＦ  ÷  （６７０ｐＦ  ＋  １０００ｐＦ）＝  ４．８Ｖ
となり、このゲート駆動型半導体素子１００のオン閾値電圧Ｖ以上となり、オン動作となる。また、一旦オン後は、ゲート抵抗１０４を介して電流
１２Ｖ  ÷  １５００Ａ  ＝  ８ｍＡ
となり、ゲート電流注入による伝導度変調を維持する電流を流している。この伝導度変調を行うことにより、より低オン抵抗の状態を維持することができるので、低損失の半導体装置を実現している。
【００３０】
図２は、本実施例における構成回路における回路シミュレーション結果であり、同図において、スイッチング動作時においてゲート電圧は速やかに立ち上がり、その電流は主にコンデンサ１０５を介して充放電されている。また、オン動作後はゲート電圧を７Ｖに維持し、かつ伝導度変調に必要な電流値（この場合は８ｍＡ）を維持していることがわかる。
【００３１】
なお、コンデンサ１０５がない状態でも、定常のオン状態においては、なんら影響はないが、コンデンサ１０５がない場合には、ゲート抵抗１０４とゲート入力容量１０６とが１．５ｍｓ程度の時定数をもつ充電回路を構成するために、オン・オフ時における過渡状態が遅くなり、スイッチング損失が増加する。また、ゲート抵抗を少なくすれば、過渡状態は早くなるが、伝導度変調に必要な電流が減少するためにオンロスが増加する。すなわち、ゲート抵抗１０４のみのゲート駆動回路であれば、スイッチング速度（損失）とオン定常状態における損失とが相反状態になっていた。
【００３２】
以上のように、本実施の形態においては半導体素子１００におけるゲート駆動回路を抵抗１０４とコンデンサ１０５とで並列回路を構成し、さらにコンデンサ１０５と半導体素子１００のゲート入力容量１０６とで決るゲート電圧を閾値電圧以上とすることにより、スイッチング時には高速でゲートオン動作となり、オン後は適切なゲート電流を供給することが可能となり、低損失で高速スイッチング可能な半導体装置を構成することができる。
【００３３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置のゲート駆動回路の構成図を示すものである。
【００３４】
図３で１１０は非特許文献１で示されるような主にガリュムナイトライドから構成されるＧＩＴである。一方、信号源１１１からの駆動信号は、トランジスタから構成される相補動作をする２つのゲート駆動スイッチ１１５、１１６を駆動する駆動用バッファ回路１１２、１１３を介して接続されている。また、ゲート駆動スイッチ１１５、１１６はゲート駆動用電源１１４へ接続されるとともに、その接続中点は、たとえば定電流ダイオードから構成される定電流供給回路１１７がトランジスタＧＩＴ１１０のゲートに接続されている。また、ゲートは、高抵抗器１１８は、ゲート−ソース間に接続されており、不用意なオン動作を防止するものである。
【００３５】
信号源１１１からのオン駆動信号は、駆動用バッファ回路１１２で増幅されスイッチ１１５をオン動作させ、一方駆動用バッファ回路１１３は負論理出力であるので、スイッチ１１６をオフ動作とする。トランジスタＧＩＴ１１０のゲートが定電流供給回路１１７を介して、ゲート駆動用電源１１４に接続されるのでトランジスタＧＩＴ１１０はゲート電流が流れオン動作となる。ここで過渡状態を見ると、スイッチ１１５がオンするまでには、ゲート駆動用電源１１４の電位は、定電流供給回路１１７の定電流ダイオードの接合容量成分とトランジスタＧＩＴ１１０のゲート−ソース間容量成分との分圧となり、両容量値の逆比例の電圧が定電流供給回路１１７の定電流ダイオードとトランジスタＧＩＴ１１０のゲート−ソース間にそれぞれ現れて定電流供給回路１１７の定電流ダイオードに電圧が発生し、定電流動作を速やかに行うことができるとともに、実施例１と同様の効果で非常に高速でトランジスタＧＩＴ１１０のゲート電位が閾値電圧を越え、高速スイッチング動作を実現できる。
【００３６】
また、信号源１１１からオフ駆動信号は、駆動用バッファ回路１１２はスイッチ１１５をオフ動作させ、駆動用バッファ回路１１３は負論理出力であるので、スイッチ１１６およびスイッチ１１８をオン動作とする。するとトランジスタＧＩＴ１１０のゲートは、接地されるのでトランジスタＧＩＴ１１０のゲート電位はゲート電流がゼロ電位となりオフ動作となる。
【００３７】
なお、トランジスタＧＩＴ１１０のゲート・ソース間接続はダイオード特性をもつので、電圧−電流特性は図５に示すようなゲート電圧の変化に対して指数関数的な特性をもち大きく変化する特性をもつ。そこで、トランジスタＧＩＴ１１０の駆動においては、定電圧駆動を行うと、温度変化・部品ばらつきなどで駆動電流が変化し、伝導度変調における動作点が移動することになる。しかしながら、定電流駆動をおこなうことでゲート・ソース間電圧は変動するが、電流変化がないために安定した伝導度変調動作を確保できる。たとえば、温度が上昇すると定電圧駆動であればゲート電流が減少し、さらにトランジスタＧＩＴ１１０のソース−ドレイン間のオン抵抗も正の温度特性をもち、ゲート電流が減少とトランジスタロスの増加が重なり、トランジスタ動作としてはロスが増加する不都合な方向となる。しかしながら、定電流駆動をおこなうことにより、つねに必要量のゲート電流が供給されるので、そのような課題は解決される。
【００３８】
また、オフ時には高抵抗器１１８でゲート−ソース間が短絡されているので駆動電源電圧が変動時においても、トランジスタＧＩＴ１１０のソース−ドレイン間電圧が非常に大きなｄｖ／ｄｔを有する変化であっても、安定したオフ状態を保持することが可能な半導体装置を構成できるといった特徴がある。
【００３９】
（実施の形態３）
図４は、本発明の第３の実施の形態における半導体装置のゲート駆動回路の構成図を示すものである。同図において、図３と同一の構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００４０】
図４において、１１９は第１の実施の形態で説明したコンデンサ（Ｃｇ）１０５と同等の機能を果たすコンデンサであり、オン時におけるスイッチング速度を向上するものである。また、トランジスタＧＩＴ１１０のゲート−ソース間に接続されたツエナーダイオードによるゲート電圧制限手段１２０が接続されている。
【００４１】
信号源１１１からのオン駆動信号は、駆動用バッファ回路１１２はスイッチ１１５をオン動作させ、駆動用バッファ回路１１３は負論理出力であるので、スイッチ１１６をオフ動作とする。するとトランジスタＧＩＴ１１０のゲートが定電流供給回路１１７を介して、ゲート駆動用電源１１４に接続されるのでトランジスタＧＩＴ１１０はゲート電流が流
れオン動作となる。スイッチ１１５がオンする過渡時には、ゲート駆動用電源１１４の電位は、コンデンサ１１９の容量成分とトランジスタＧＩＴ１１０のゲート−ソース間容量成分との分圧となり、定電流供給回路１１７の定電流ダイオードに電圧が発生し、定電流動作を速やかに行うことができる。かつ、容量配分設定が適切に選択できるのでその速度設定は容易である。
【００４２】
また、信号源１１１からオフ駆動信号は、駆動用バッファ回路１１２はスイッチ１１５をオフ動作させ、駆動用バッファ回路１１３は負論理出力であるので、スイッチ１１６をオン動作とする。するとトランジスタＧＩＴ１１０のゲートは、接地されるのでトランジスタＧＩＴ１１０のゲート電位はゲート電流がゼロ電位となりオフ動作となる。
【００４３】
ゲート駆動型半導体素子のゲート駆動回路において、ゲート駆動電源１１４に接続された相補動作をする２つのスイッチ（トランジスタ）１１５、１１６の中点とゲート駆動型半導体素子１１０のゲートとの間に接続された定電流供給回路（定電流ダイオード）１１７と、容量Ｃｇコンデンサ１１９とを並列に設けたことでオンスイッチング時には高速でゲート駆動型半導体素子を駆動することが可能であり、さらにオン状態時にはゲート電流を定電流供給することが出来るので過大なゲート電流による回路およびゲート駆動型半導体素子発熱ロスが少なくすることができるといった特徴が得られる。
【００４４】
（実施の形態４）
また図４は、本発明の第４の実施の形態における半導体措置のゲート駆動回路の構成図を示すものである。
【００４５】
図４において、ツエナーダイオードでの電圧制限手段１２０を設けることで、ゲート駆動型半導体素子１１０のゲート端子にバンドギャップ相当（本実施例においてはＧａＮのバンドギャップ３．４V）の電圧以下のゲート電圧制限を行うものであり、図５に示すようにゲートのＶｇｓ−Ｉｇｓ特性において、ゲート電流値はＶｇｓ電圧値が５Ｖ程度から指数関数的に増加するが、誤ってゲートに過大な駆動電圧が印加されることにより発生する駆動回路損失とゲート損失を低減化し、損失低減化と信頼性向上を実現できるものである。
【００４６】
本実施例においては、ゲート電圧制限手段１２０としてツエナーダイオードを用いたが他の電圧制限手段であっても同様の効果を得ることができる。さらに、ゲート電圧制限手段１２０は、例えば実施例１や実施例２においても同様の効果が得られるものであり、ゲート駆動回路の構成とは独立して実現可能である。
【００４７】
（実施の形態５）
本発明の第５の実施の形態において、特に実施の形態４のように電圧制限手段を設けることなくゲート駆動型半導体素子のオン時のゲート印加電圧を閾値電圧以上バンドギャップ相当の電圧以下で駆動できるようにゲート駆動電源１１４を設定することで安定した駆動の実現と駆動電力の低減化を同様に実現するものである。
【００４８】
トランジスタＧＩＴ１１０のゲート・ソース間接続はダイオード特性をもつので、電圧−電流特性は図５に示すようなゲート電圧の変化に対して指数関数的な特性をもち大きく変化する特性をもち、本実施例に用いたトランジスタＧＩＴ１１０では、ゲート電圧が５Ｖくらいから急速にゲート電流が増加し、回路ロス・ゲートロスに至るのであらかじめ、閾値電圧以上でかつ所定電圧以下で駆動することで安定した駆動の実現と駆動電力の低減化を同様に実現するものである（図示せず）。
【００４９】
なお、前記のように本実施例に用いたトランジスタＧＩＴ１１０のゲート・ソース間特
性においては、バンドギャップ相当の電圧以下となったが他の物性値をもつトランジスタでは異なる電圧値となる。
【００５０】
また、本実施の形態の半導体素子１００を他の■−■族化合物半導体やＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体から構成されるトランジスタや他の同様な素子としても、同様の効果を得ることができ、部品点数の少ない簡単な回路構成でより低損失な高速スイッチを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上のように、本発明にかかる半導体装置のゲート駆動回路は、簡易な回路構成で低損失な半導体装置のゲート駆動回路が可能となるので、電力変換装置などの伝導度変調を有する電圧駆動半導体素子を主回路とする半導体装置のゲート駆動回路等の用途に広く適用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１００  ゲート駆動型半導体素子
１０１  スイッチング制御回路
１０４  抵抗器
１０５  容量（コンデンサ）
１０６  半導体素子のゲート容量
１１０  ＧＩＴトランジスタ
１１１  信号源
１１２  駆動用バッファ回路
１１３  駆動用バッファ回路
１１４  ゲート駆動用電源
１１５  ゲート駆動スイッチ（トランジスタ）
１１６  ゲート駆動スイッチ（トランジスタ）
１１７  定電流供給回路（定電流ダイオード）
１１８  抵抗器
１１９  コンデンサ
１２０  ゲート電圧制限手段（ツエナーダイオード）
【図１】
2010051165.tif 000003
【図２】
2010051165.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010051165.tif 000006
【図５】
2010051165.tif 000007
【図６】
2010051165.tif 000008