(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップのパッドを複数列に配置した構成で、チップ同士を接続するワイヤが多段（多列）形状となり、ワイヤ上に別のワイヤがオーバーハングした場合においても、ワイヤ間において短絡が起こり難い配線構造、及び、方法を提供する。【解決手段】配線基板７と、配線基板７上に搭載された第１半導体チップ１と、第１半導体チップ１上に積層された第２半導体チップ２と、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅとを接続するワイヤ９（９Ｘ）と、第２半導体チップ２の第２パッド２ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄとを接続するワイヤ９（９Ｙ）とを有し、第１半導体チップ１において第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）よりも広くなるように配置する。【選択図】図４
2010118400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面、及び前記主面の反対側の裏面を有し、前記主面に複数の接続用端子が設けられた配線基板と、
前記配線基板の前記主面上に搭載された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップ上に積層された第２半導体チップと、を含み、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、それぞれの主面に複数のパッドを有し、
前記第２半導体チップの前記主面の平面形状は、四角形から成り、
前記第２半導体チップの前記複数のパッドは、前記第２半導体チップの前記主面の一辺に沿って配置された１列目の第１パッドと、前記第１パッドよりも前記一辺から遠い位置に配置された２列目の第２パッドを有し、
前記第１半導体チップの前記複数のパッドは、前記配線基板の前記接続用端子と接続する第１パッドと、前記第２半導体チップの前記第２パッドと接続する第２パッドと、前記第２半導体チップの前記第１パッドと接続する第３パッドとを有し、
前記第１半導体チップの前記第１パッドは、第１ワイヤを介して前記配線基板の前記接続用端子と電気的に接続され、
前記第２半導体チップの前記第２パッドは、第２ワイヤを介して前記第１半導体チップの前記第２パッドと電気的に接続され、
前記第２半導体チップの前記第１パッドは、第３ワイヤを介して前記第１半導体チップの前記第３パッドと電気的に接続され、
前記第２パッドと前記第３パッドの間隔は、前記第１パッドと前記第２パッドの間隔より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記第３ワイヤは、前記第３ワイヤの一部が前記第２ワイヤの一部と平面的に重なるように、前記第２ワイヤ上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記第１、第２、第３ワイヤのそれぞれは、導電性の金属から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記第1半導体チップの前記主面における中央部には半導体素子が形成されており、
前記第1半導体チップの前記複数のパッドは、前記半導体素子の周囲に配置されており、
前記第1半導体チップの前記複数のパッドは、前記半導体素子とそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、前記第１半導体チップの前記第２パッド及び前記第３パッドにはそれぞれ金バンプが形成され、前記第２、第３ワイヤが前記金バンプに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、前記第１半導体チップはマイコンチップであり、前記第２半導体チップはメモリチップであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程；
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程；
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記第１側部とは反対側の第２側部側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記ボンディングツールは、セラミック材から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程；
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程；
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記ボンディングツールを前記ワイヤに接触させながら前記第１パッド側から前記第２パッド側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記ボンディングツールを前記第１側部とは反対側の第２側部側に配置し、前記第２側部側から前記第１側部側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記ボンディングツールは、セラミック材から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、フック部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程；
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程；
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記ボンディングツールの前記フック部に前記ワイヤの一部を引っ掛けた状態で前記第１パッド側から前記第２パッド側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記ボンディングツールは、セラミック材から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造技術に関し、特に、複数の半導体チップが搭載され、かつワイヤボンディングによって結線される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において複数のボンディングパッドをチップの主面の外周に沿った方向で互い違いに配置し、隣接するボンディングパッド間にチップの主面の外周に沿った方向で奇数個のボンディングパッドが配置されるようにし、電源系のボンディングパッドの幅は、他のボンディングパッドの幅より大きく確保し、電源系のボンディングパッドと接続するワイヤの径を他のワイヤの径より大きくする技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１９１４４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年では、半導体装置の小型化に伴い、１つのＰＫＧ（パッケージ）内にマイコンチップとメモリチップを積層してシステムを構築するＳＩＰ（System In Package)技術が提案されている。また、使用されるメモリチップも大容量化に伴い、パッド数が増える傾向にある。このとき、半導体装置の小型化を考慮して、半導体チップのパッドを複数列（例えば、２列）に配置することがある。このような構成で各チップをワイヤで電気的に接続する場合、チップ同士を接続するワイヤが、多段（多列）形状となる。詳細には、ワイヤ上に別のワイヤがオーバーハング（平面的に重なる位置に、別のワイヤが形成される）することになる。
【０００４】
ここで、図３８、図３９の比較例を用いて一般的なボールボンディング方法によるワイヤボンディングのプロセスについて説明する。
【０００５】
ボールボンディング方法によるワイヤボンディングは、図３８に示すように、キャピラリ１３と呼ばれる円筒状のボンディングツールに、金線等のワイヤ９を挿通して行われる。
【０００６】
まず、図３８のステップＳ１００のボール形成に示すように、トーチ１０の放電１４によりワイヤ９の先端を溶融させ、ボール状に凝固させてボール（ボール部）９ａを形成する。
【０００７】
その後、ステップＳ２００のチップ側（１ｓｔ側）のボールボンドを行う。ここでは、ボール９ａを、キャピラリ１３の先端で１ｓｔ側（１点目）の接合対象面（半導体チップ１５のパッド（電極）１５ａ）に押し付け、超音波、荷重、熱のエネルギにより押し潰して接合する。その際、超音波は、超音波ホーン１１によって印加する。
【０００８】
その後、ステップＳ３００のルーピングを行ってワイヤ９のループ形状を形成する。ここでは、ワイヤ９のループ形状が所望の形状となるように、キャピラリ１３でワイヤ９に屈曲点を形成しながら、２ｎｄ側（２点目）までに必要となる長さのワイヤ９をキャピラリ１３から繰り出す。
【０００９】
その後、図３９のステップＳ４００のインナリード１２側（２ｎｄ側）のステッチボンドを行う。ここでは、ワイヤ９を水平に近い角度にした状態で、キャピラリ１３の先端面のエッジ部で２ｎｄ側（２点目）の接合対象面（インナリード１２）に押し付け、１ｓｔ側（１点目）と同じエネルギによりインナリード１２に接合する。
【００１０】
その後、ステップＳ５００のテールカットに示すように、２ｎｄ側（２点目）の接合部９ｄ（図４１参照）の後方でワイヤ９（余剰金線）を切断する。
【００１１】
その後、半導体チップ１５の所望のパッド１５ａに対してステップＳ１００〜ステップＳ５００を繰り返して行って、ステップＳ６００に示す工程完了となる。
【００１２】
ボールボンディング方法によって結線されたワイヤ９の形状は、図４０及び図４１の比較例に示すように、１ｓｔ側（１点目）では、接合対象面（半導体チップ１５のパッド１５ａ）から垂直方向にワイヤ９は立ち上がり、２ｎｄ側（２点目）では、接合対象面（インナリード１２）とワイヤ９が平行に近い状態となる。
【００１３】
以上のように、ボールボンディング方法によるワイヤボンディングでは、図４１に示すように、１ｓｔ側ではワイヤ９を半導体チップ１５のパッド１５ａの直上に引き上げるのに対し、２ｎｄ側では引き上げたワイヤ９を倒して水平に近い状態でインナリード１２に圧着するため、２ｎｄ側において形成されたワイヤ９のループの高さ（パッドまたはリードの表面に対する接合角度）は１ｓｔ側よりも低くなる。
【００１４】
したがって、多段のワイヤボンディングにおいては、下段のワイヤ９と上段のワイヤ９が互いに接触する可能性が高いことが問題となる（特に、ワイヤループを形成する際の複数の折り曲げ点９ｃのうち、図４１に示すように、最も２ｎｄ側に位置する折り曲げ点９ｃ（Ｐ）と２ｎｄ側のワイヤ９の接合部９ｄ（Ｑ）との間の領域（Ｔ）において、短絡が起こり易い）。
【００１５】
また、樹脂モールド工程での樹脂の充填時には、樹脂の圧力によってワイヤ流れが発生し、その結果、電気的に短絡に至るという問題も引き起こされる。
【００１６】
なお、特許文献１に記載された技術は、外周に沿った方向で互い違いに配置された複数のボンディングパッドを有する半導体チップと配線基板との接続をワイヤボンディングによって行う技術であり、チップ−基板間をワイヤによって接続するものである。しかしながら、ＳＩＰのように、チップ−チップ間接続を行う場合、半導体チップには内部回路が形成されているため、単にボンディングパッドのピッチを広げると、半導体チップの外形サイズは大きくなってしまう。
【００１７】
そのため、半導体装置の外形サイズが大きくなってしまう。
【００１８】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を確保することができる技術を提供することにある。
【００１９】
また、本発明の目的は、半導体装置の小型化を実現することができる技術を提供することにある。
【００２０】
また、本発明の目的は、半導体装置の組み立ての安定性を高めることができる技術を提供することにある。
【００２１】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の低コスト化を図ることができる技術を提供することにある。
【００２２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２４】
すなわち、本発明は、主面、及び前記主面の反対側の裏面を有し、前記主面に複数の接続用端子が設けられた配線基板と、
前記配線基板の前記主面上に搭載された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップ上に積層された第２半導体チップと、を含み、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、それぞれの主面に複数のパッドを有し、
前記第２半導体チップの前記主面の平面形状は、四角形から成り、
前記第２半導体チップの前記複数のパッドは、前記第２半導体チップの前記主面の一辺に沿って配置された１列目の第１パッドと、前記第１パッドよりも前記一辺から遠い位置に配置された２列目の第２パッドを有し、
前記第１半導体チップの前記複数のパッドは、前記配線基板の前記接続用端子と接続する第１パッドと、前記第２半導体チップの前記第２パッドと接続する第２パッドと、前記第２半導体チップの前記第１パッドと接続する第３パッドとを有し、
前記第１半導体チップの前記第１パッドは、第１ワイヤを介して前記配線基板の前記接続用端子と電気的に接続され、
前記第２半導体チップの前記第２パッドは、第2ワイヤを介して前記第１半導体チップの前記第２パッドと電気的に接続され、
前記第２半導体チップの前記第１パッドは、第3ワイヤを介して前記第１半導体チップの前記第３パッドと電気的に接続され、
前記第２パッドと前記第３パッドの間隔は、前記第１パッドと前記第２パッドの間隔より広い。
【００２５】
また、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程：
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程：
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程：
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記第１側部とは反対側の第２側部側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【００２６】
また、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程：
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程：
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程：
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記ボンディングツールを前記ワイヤに接触させながら前記第１パッド側から前記第２パッド側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記ボンディングツールを前記第１側部とは反対側の第２側部側に配置し、前記第２側部側から前記第１側部側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【００２７】
また、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）先端部、フック部、及び平面形状が円形から成り、前記先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツールと、ワイヤ送り部とを備えたワイヤボンディング装置を準備する工程；
（ｂ）前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ボンディングツールの前記先端部から突出されたワイヤの一端部を溶融し、前記ワイヤの一端部にボール部を形成する工程：
（ｃ）前記ボンディングツールを第１パッドに向かって移動させ、前記ワイヤの前記ボール部を前記第１パッドに接続する工程：
（ｄ）前記ボンディングツールを前記第１パッドから第２パッドに移動させながら、前記ボンディングツールの前記貫通孔を介して前記ワイヤを前記ワイヤ送り部から引き出し、前記ワイヤの他部を前記第２パッドに接続する工程：
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ボンディングツールを移動させることで前記ワイヤを前記ワイヤ送り部からさらに引き出し、前記他部と前記ボンディングツールの前記先端部との間における前記ワイヤを切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ワイヤの第１側部側に前記ボンディングツールを配置し、前記ボンディングツールの前記フック部に前記ワイヤの一部を引っ掛けた状態で前記第１パッド側から前記第２パッド側に向かって前記ボンディングツールを移動させる工程。
【発明の効果】
【００２８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２９】
すなわち、２ｎｄ側のボンディング点近傍でのワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００３１】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００３２】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００３３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図３は図１の部分拡大平面図、図４は図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分拡大断面図、図５は図１に示す半導体装置をＳＩＰに適用した場合の具体的構造の一例を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【００３５】
図１〜図４に示す本実施の形態１の半導体装置は、配線基板７上に複数の半導体チップが積層されて（積み重ねられて）配置された半導体パッケージであり、本実施の形態１では、前記半導体装置の一例として、配線基板７上に３つの半導体チップが搭載されたＳＩＰ８を取り上げて説明する。
【００３６】
すなわち、図１〜図３に示すように、ＳＩＰ８では、第１部材である配線基板７の主面（表面、チップ搭載面、上面）上に第２部材である第１半導体チップ１が搭載され、さらに、第１半導体チップ１上にこの第１半導体チップ１より小さな第３部材である第２半導体チップ２と第４部材である第３半導体チップ３が搭載され、第２半導体チップ２と第３半導体チップ３が横に並んだ状態で第１半導体チップ１上に実装されている。つまり、配線基板７上にチップが２段に積層された構造となっている。
【００３７】
また、ＳＩＰ８の外部端子は、図２に示すように、配線基板７の裏面（下面）７ｂに複数の半田ボール５が設けられ、これら半田ボール５が外部端子として、例えば、格子状に配置されている。
【００３８】
ＳＩＰ８の構成について説明すると、主面７ａとその反対側の裏面７ｂとを有し、かつ主面７ａに複数のボンディングリード（接続用端子、パッド）７ｃが設けられた配線基板７と、配線基板７の主面７ａ上に搭載された第１半導体チップ１と、第１半導体チップ１上に積層された第２半導体チップ２と、第１半導体チップ１上に積層され、かつ第２半導体チップ２の横に並んで配置された第３半導体チップ３とを含んでいる。さらに、第１半導体チップ１と配線基板７、第１半導体チップと第２半導体チップ２、第１半導体チップと第３半導体チップ３をそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（第１ワイヤ、第２ワイヤ、第３ワイヤ）９と、各半導体チップ及び複数のワイヤ９を樹脂封止する封止体４と、配線基板７の裏面７ｂに設けられた複数の外部端子である半田ボール５とを有している。
【００３９】
ここで、図３に示すように、第１半導体チップ１の平面形状は矩形状から成り、本実施の形態では四角形である。また、第１半導体チップ１は、その主面１ａにおける各辺に沿って複数のパッド（電極）を備えている、また、この複数のパッドは、第１パッド１ｃ、第２パッド１ｄ及び第３パッド１ｅを含んでいる。また、図３に示すように、第１パッド（１列目パッド）１ｃは、第１半導体チップ１の第１辺に沿って複数個配置されている。また、第２パッド（２列目パッド）１ｄは、第１パッド１ｃよりも第１半導体チップ１の内側（第１辺から遠い位置）に配置されている。このとき、第２パッド１ｄは、第１パッド１ｃと同じ間隔で、かつ第１パッド１ｃと隣接するように（互い違いにならないように）配置されている。また、第３パッド（３列目パッド）１ｅは、第２パッド１ｄよりも第１半導体チップ１の内側（第１辺から遠い位置）に配置されている。このとき、第３パッド１ｅは、第２パッド１ｄと同じ間隔で、かつ第２パッド１ｄと隣接するように（互い違いにならないように）配置されている。また、第1半導体チップ１の主面１ａにおける中央部には半導体素子（回路部）が形成されており、この半導体装置の周囲に配置された複数のパッド１ｃ、１ｄ、１ｅはこの半導体素子と電気的に接続されている。さらに、第１半導体チップ１は、配線基板７の主面７ａ上に主面１ａを上方に向けてフェイスアップ実装で搭載されている。
【００４０】
また、第２半導体チップ２の平面形状は矩形状から成り、本実施の形態では長方形である。また、第２半導体チップ２は、その主面２ａに複数のパッドを備えており、前記第２半導体チップ２の複数のパッドは、第２半導体チップ２の主面２ａの一辺（長辺）２ｅに沿って配置された１列目の第１パッド２ｃと、第１パッド２ｃよりも一辺２ｅから遠い位置に配置された２列目の第２パッド２ｄを含んでいる。また、図３に示すように、第２パッド２ｄは、第１パッド２ｃと同じ間隔で、かつ第１パッド２ｃと隣接するように（互い違いにならないように）配置されている。また、第２半導体チップ２の主面２ａにおける中央部には半導体素子（回路部）が形成されており、この半導体装置の周囲に配置された複数のパッド２ｃ、２ｄはこの半導体素子と電気的に接続されている。なお、第２半導体チップ２も第１半導体チップ１の主面１ａ上に主面２ａを上方に向けてフェイスアップ実装で搭載されている。
【００４１】
同様に、第３半導体チップ３の平面形状は矩形状から成り、本実施の形態では長方形である。また、第３半導体チップ３は、その主面３ａに複数のパッドを備えており、前記第３半導体チップ３の複数のパッドは、第３半導体チップ３の主面３ａの一辺（長辺）３ｅに沿って配置された１列目の第１パッド３ｃと、第１パッド３ｃよりも一辺３ｅから遠い位置に配置された２列目の第２パッド３ｄを含んでいる。また、第３半導体チップ３の主面３ａにおける中央部には半導体素子（回路部）が形成されており、この半導体装置の周囲に配置された複数のパッド３ｃ、３ｄはこの半導体素子と電気的に接続されている。なお、第３半導体チップ３も第１半導体チップ１の主面１ａ上に主面３ａを上方に向けてフェイスアップ実装で搭載されている。
【００４２】
また、前記第１半導体チップ１の複数のパッドは、配線基板７のボンディングリード７ｃと接続する第１パッド１ｃと、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃと接続する第３パッド１ｅと、第２半導体チップ２の第２パッド２ｄと接続する第２パッド１ｄを含んでいる。
【００４３】
なお、ＳＩＰ８では、コストの低減化のために全チップが配線基板７に対してワイヤ接続されており、したがって、全チップがフェイスアップ実装（半導体チップの主面を上方に向けた実装、半導体チップの主面が配線基板の主面と同一方向になるよう実装）によって搭載されている。つまり、第１半導体チップ１の第１パッド１ｃと配線基板７のボンディングリード７ｃ、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅ、及び第２半導体チップ２の第２パッド２ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄは、それぞれ、例えば金線等の導電性の金属から成るワイヤ９を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００４４】
また、全チップがフェイスアップ実装によって搭載されており、ダイボンディング材の外側へのはみ出しによって下段チップの主面のパッドが汚れることを防ぐため、全チップがＤＡＦと呼ばれるフィルム状接着材６（図２２参照）によって接着されている。
【００４５】
なお、図３においては、ワイヤ９の接続状態を分かり易くするために、第１半導体チップ１の第１パッド１ｃとこれに接続される配線基板７のボンディングリード７ｃが対向する２辺のみにしか示されていないが、第１半導体チップ１の第１パッド１ｃ及び配線基板７のボンディングリード７ｃは、図１に示すように、それぞれ４つの各辺に沿って設けられている。
【００４６】
ここで、本実施の形態１のＳＩＰ８は、例えば、図３に示す構造において、下段チップの第１半導体チップ１がマイコンチップであり、第1半導体チップ１の半導体素子には、後に説明するメモリチップを制御するための制御回路が形成されている。また、上段チップの第２半導体チップ２と第３半導体チップ３がメモリチップであり、第２半導体チップ２及び第3半導体チップ３の半導体素子には、メモリ回路が形成されており、具体的にはDRAM(Dynamic Randam Access Memory)またはFlashである。また、メモリチップである第２半導体チップ２及び第３半導体チップ３は、大容量化に伴い、パッドの数が増える傾向にあるため、本実施の形態１ではＳＩＰ８の小型化を考慮して、メモリチップのパッドは複数列（例えば２列）に配置している。また、本実施の形態１ではＳＩＰ８の小型化を考慮して、マイコンチップに形成されたパッドのうちのメモリチップと信号の入出力を行うパッドは、メモリチップに形成されたパッドとワイヤを介して直接的に接続している。このように、各チップをワイヤ９で電気的に接続すると、図２及び図４に示すように、チップ同士を接続するワイヤ９が多段（多列）形状となる。つまり、チップ同士を接続するワイヤ９において、下段側のワイヤ９上に上段側のワイヤ９がオーバーハング（平面的に重なる位置に別のワイヤ９が形成される）することになる。例えば、図３及び図４に示す構造では、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅとを接続するワイヤ９Ｘ上に、第２半導体チップ２の第２パッド２ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄとを接続するワイヤ９Ｙの一部がワイヤ９Ｘの一部と平面的に重なるように、ワイヤ９Ｙが配置される。
【００４７】
なお、このような構造においては、上記したように、下段側のワイヤ９（９Ｘ）と上段側のワイヤ９（９Ｙ）が接触する可能性が高くなる。
【００４８】
そこで、本実施の形態１のＳＩＰ８では、第１半導体チップ１において、第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広くなるように、それぞれのパドを配置している。
【００４９】
なお、図３に示すように、第１半導体チップ１と第３半導体チップ３のワイヤボンディングにおいても同様のパッド間隔となっている。
【００５０】
すなわち、第３半導体チップ３の第１パッド３ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅとを接続するワイヤ９Ｘ上に、第３半導体チップ３の第２パッド３ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄとを接続するワイヤ９Ｙがオーバーハングして配置されている。したがって、第１半導体チップ１の第３半導体チップ３との接続側のパッドにおいても、第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広くなっている（Ｍ＞Ｌ）。
【００５１】
また、本実施の形態１の図１〜図４に示すＳＩＰ８では、チップ同士のワイヤボンディングにおいて、第２半導体チップ２側及び第３半導体チップ３側がそれぞれ１ｓｔ側となっており、一方、第１半導体チップ１側が２ｎｄ側となっている。
【００５２】
このように本実施の形態１のＳＩＰ８では、ワイヤ９が多段に配置される第１半導体チップ１において、その第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広い（Ｍ＞Ｌ）ことにより、２ｎｄ側（第１半導体チップ１側）のボンディング点近傍での多段のワイヤ間（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙの２ｎｄ側のボンディング点近傍）のクリアランスを大きく確保することができる。
【００５３】
すなわち、図４に示す多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の最終の折り曲げ点９ｃから２ｎｄ側の接合部９ｄまでの間におけるクリアランスを大きくすることができる。
【００５４】
これにより、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の短絡を回避し易くすることができる。
【００５５】
その結果、ＳＩＰ８（半導体装置）の組み立てにおける安定性（信頼性）を高めることができる。また、短絡が特に発生しやすいワイヤが接続されるパッドのみクリアランスを取っているため、半導体チップの外形サイズを必要以上に大きくしなくてもよく、半導体装置の小型化を実現できる。さらに、ワイヤボンディング方式により各半導体チップのパッドを、対象となるパッドやボンディングリードと接続することができるため、フリップチップ実装方式を適用する構成に比べ、ＳＩＰ８の低コスト化を図ることができる。
【００５６】
また、第１半導体チップ１において第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔より広いため、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ間（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙの間）のクリアランスを大きく確保することができ、その結果、樹脂モールド工程における樹脂充填時の樹脂圧によるワイヤ流れ発生時の多段のワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。これにより、ＳＩＰ８の組み立てにおける安定性を高めることができる。
【００５７】
なお、本実施の形態１のＳＩＰ８では、図４に示すように、ワイヤ９の一端部に形成される金バンプ（ボール部）を１ｓｔ（第２半導体チップ２）側に接続し、ワイヤ９の他端部を、２ｎｄ（第１半導体チップ１）側となる第２パッド１ｄ上及び第３パッド１ｅ上に形成された金バンプ（スタッドバンプ、バンプ電極）９ｂを介して、２ｎｄ側に接続している。
【００５８】
これは、半導体装置の小型化に伴い、各半導体チップに形成されるパッドの表面積（図示しない絶縁膜の開口部から露出する部分の面積）が小さくなる。本実施の形態では、パッド開口部の面積がボンディングツールであるキャピラリ１３の先端部より小さいため、ワイヤ９の他端部を半導体チップのパッドに接続することが困難となる。そこで、本実施の形態では、２ｎｄ側のパッド上に金バンプ（バンプ電極）９ｂを形成し、この金バンプ９ｂにワイヤ９を接続するものである。
【００５９】
これにより、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２を、および第１半導体チップ１と第３半導体チップ３をそれぞれワイヤ９によって確実に接続することができる。
【００６０】
ここで、図５は本実施の形態１の多段ワイヤ構造を適用したＳＩＰ８の具体的構造の一例を示すものである。
【００６１】
すなわち、図５に示すＳＩＰ８は、多段のワイヤ９を有しており、その際、下段チップである第１半導体チップ１において、第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広い（Ｍ＞Ｌ）ことにより、多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の最終の折り曲げ点９ｃから２ｎｄ側の接合部９ｄまでの間でのクリアランスを大きくすることができる。
【００６２】
その結果、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の短絡を回避し易くすることができる。これにより、ＳＩＰ８の組み立てにおける安定性を高めることができる。さらに、ＳＩＰ８の組み立ての安定性を高めることができるため、ＳＩＰ８の低コスト化を図ることができる。
【００６３】
次に、本実施の形態１の図１及び図２に示すＳＩＰ８の組み立てについて説明する。
【００６４】
図６は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられる配線基板の構造の一例を示す平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図１に示す半導体装置の組み立てにおける１段目チップ（下段チップ）のダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図９は図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。また、図１０は図１に示す半導体装置の組み立てにおける２段目チップ（上段チップ）のダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１２は図１に示す半導体装置の組み立てにおける第１のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。さらに、図１４は図１に示す半導体装置の組み立てにおける第２のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１５は図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１６は図１に示す半導体装置の組み立てにおける第３のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１７は図１６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。また、図１８は図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止後の構造の一例を示す平面図、図１９は図１８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図２０は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるボール付け後の構造の一例を示す平面図、図２１は図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００６５】
まず、図６及び図７に示す配線基板７を準備する。配線基板７の主面７ａには、第１半導体チップ１の主面１ａの４辺に沿ってその主面１ａの周縁部に配置された複数の第１パッド１ｃに対応して、複数のボンディングリード７ｃが主面７ａの４辺に沿って周縁部に設けられている。
【００６６】
その後、図８及び図９に示すように、第１半導体チップ１のダイボンドを行う。ここでは、配線基板７の主面７ａの中央部付近に、第１半導体チップ１の複数の第１パッド１ｃが配線基板７の複数のボンディングリード７ｃと対応するように第１半導体チップ１の主面１ａを上方に向けてフェイスアップ実装によって搭載する。その際、例えば、フィルム状接着材６等をダイボンド材として配線基板７上に第１半導体チップ１を搭載する。すなわち、第１半導体チップ１の裏面１ｂと配線基板７の主面７ａとをフィルム状接着材６によって接合する。
【００６７】
また、第１半導体チップ１の主面１ａには、４辺それぞれに沿って周縁部に複数の第１パッド１ｃが設けられており、さらに、４辺のうちの対向する２辺それぞれに沿って複数の第１パッド１ｃに並んで複数の第２パッド１ｄと複数の第３パッド１ｅが設けられている。すなわち、４辺のうちの対向する２辺それぞれには、外側から順に、複数の第１パッド１ｃ、複数の第２パッド１ｄ及び複数の第３パッド１ｅが３列に並んで設けられている。その際、第２パッド１ｄ及び第３パッド１ｅが設けられていない対向する２辺には、その周縁部に複数の第１パッド１ｃのみが設けられている。
【００６８】
なお、第１パッド１ｃ、第２パッド１ｄ及び第３パッド１ｅの各パッド列においては、図３に示すように、第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広くなる（Ｍ＞Ｌ）ように配置されている。
【００６９】
その後、図１０及び図１１に示すように、第２半導体チップ２と第３半導体チップ３のダイボンドを行う。ここでは、それぞれの半導体チップの主面２ａ，主面３ａを上方に向けてフェイスアップ実装によって第１半導体チップ１の主面１ａ上に搭載する。
【００７０】
その際、フィルム状接着材６等をダイボンド材として配線基板７上に第１半導体チップ１を搭載する。すなわち、第２半導体チップ２の裏面２ｂと第１半導体チップ１の主面１ａとをフィルム状接着材６を介して接合し、さらに、第３半導体チップ３の裏面３ｂと第１半導体チップ１の主面１ａとをフィルム状接着材６を介して接合する。
【００７１】
なお、第２半導体チップ２には、その主面２ａにおいて、外側から順に、複数の第１パッド２ｃ及び複数の第２パッド２ｄが２列に並んで設けられている。すなわち、主面２ａの所定の一辺２ｅに沿って外側から順に、複数の第１パッド２ｃ及び複数の第２パッド２ｄが２列に並んで設けられている。一方、同様に、第３半導体チップ３においても、その主面３ａに、外側から順に、複数の第１パッド３ｃ及び複数の第２パッド３ｄが２列に並んで設けられている。すなわち、主面３ａの所定の一辺３ｅに沿って外側から順に、複数の第１パッド３ｃ及び複数の第２パッド３ｄが２列に並んで設けられている。
【００７２】
第２半導体チップ２のダイボンドにおいては、図３及び図１０に示すように、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃのパッド列と第２パッド２ｄのパッド列が、第１半導体チップ１の第２パッド１ｄのパッド列と第３パッド１ｅのパッド列に沿うように（略平行になるように）ダイボンドする。
【００７３】
同様に、第３半導体チップ３のダイボンドにおいては、第３半導体チップ３の第１パッド３ｃのパッド列と第２パッド３ｄのパッド列が、第１半導体チップ１の第２パッド１ｄのパッド列と第３パッド１ｅのパッド列に沿うように（略平行になるように）ダイボンドする。
【００７４】
その後、図１２及び図１３に示すように、まず、下段のワイヤ９（９Ｘ）からワイヤボンディングを行う。すなわち、第２半導体チップ２の第１パッド２ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅをワイヤ９（９Ｘ）で電気的に接続し、同様に、第３半導体チップ３の第１パッド３ｃと第１半導体チップ１の第３パッド１ｅをワイヤ９（９Ｘ）で電気的に接続する。なお、ここでは一例として、金線を用いたボールボンディングによってワイヤボンディングを行う場合を説明する。また、本実施の形態で使用するワイヤボンディング装置は、図示しないが、先端部、及び平面形状が円形から成り、先端部に繋がる貫通孔を有するボンディングツール（キャピラリ）と、ワイヤ送り部とを備えている。
【００７５】
まず、１ｓｔ側として第２半導体チップ２の第１パッド（パッド）２ｃにワイヤ９を接続する。このとき、ボンディングツールの貫通孔を介してボンディングツールの先端部から突出されたワイヤ９の一端部を放電により溶融し、ワイヤの一端部にボール部を形成してから、ボンディングツールを第１パッド２ｃに向かって下降（移動）させ、ワイヤ９のボール部を第１パッド２ｃに接続する。このとき、本実施の形態では、ワイヤとパッドとの接続強度を向上するために、超音波及び熱を併用しながら、ワイヤのボール部をパッドに接続している。
【００７６】
次に、ボンディングツールを第１パッド（パッド）２ｃから第３パッド（パッド）１ｅに移動させながら、ボンディングツールの貫通孔を介してワイヤ９をワイヤ送り部から引き出し、ワイヤ９の他部（一端部とは異なる部分）を第３パッド（パッド）に接続する。このとき、２ｎｄ側の第３パッド１ｅにも金バンプ９ｂを形成しておき、２ｎｄ側では第３パッド１ｅ上の金バンプ９ｂにワイヤ９を接続する。
【００７７】
次に、ボンディングツールを第３パッド１ｅから上昇（移動）させることでワイヤをワイヤ送り部からさらに引き出し、ワイヤの他部とボンディングツールの先端部との間におけるワイヤを切断する。
【００７８】
同様に、第３半導体チップ３側においても、１ｓｔ側として第３半導体チップ３の第１パッド３ｃにワイヤ９を接続し、その後、２ｎｄ側として第１半導体チップ１の第３パッド１ｅにワイヤ９を接続する。その際、チップ間接続となるため、２ｎｄ側の第３パッド１ｅにも金バンプ９ｂを形成しておき、２ｎｄ側では第３パッド１ｅ上の金バンプ９ｂにワイヤ９を接続する。
【００７９】
その後、図１４及び図１５に示すように、上段のワイヤ９（９Ｙ）のワイヤボンディングを行う。すなわち、第２半導体チップ２の第２パッド２ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄとをワイヤ９（９Ｙ）で電気的に接続し、同様に、第３半導体チップ３の第２パッド３ｄと第１半導体チップ１の第２パッド１ｄとをワイヤ９（９Ｙ）で電気的に接続する。
【００８０】
この場合、上段においても同様のワイヤボンディング方法により、１ｓｔ側として第２半導体チップ２の第２パッド２ｄにワイヤ９を接続し、その後、２ｎｄ側として第１半導体チップ１の第２パッド１ｄにワイヤ９を接続する。その際、チップ間接続となるため、２ｎｄ側の第２パッド１ｄにも金バンプ９ｂを形成しておき、２ｎｄ側では第２パッド１ｄ上の金バンプ９ｂにワイヤ９を接続する。
【００８１】
同様に、第３半導体チップ３側においても、１ｓｔ側として第３半導体チップ３の第２パッド３ｄにワイヤ９を接続し、その後、２ｎｄ側として第１半導体チップ１の第２パッド１ｄにワイヤ９を接続する。その際、チップ間接続となるため、２ｎｄ側の第２パッド１ｄにも金バンプ９ｂを形成しておき、２ｎｄ側では第２パッド１ｄ上の金バンプ９ｂにワイヤ９を接続する。
【００８２】
このようにして第２半導体チップ２側と第３半導体チップ３側で、それぞれ第１半導体チップ１とワイヤボンディングを行うことでワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙが多段に配置される。
【００８３】
本実施の形態１のＳＩＰ８では、第１半導体チップ１において、その第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広い（Ｍ＞Ｌ）ため、図４に示すように多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の最終の折り曲げ点９ｃから２ｎｄ側の接合部９ｄまでの間でのクリアランスを大きくすることができる。
【００８４】
これにより、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の短絡を回避し易くすることができる。
【００８５】
さらに、ＳＩＰ８（半導体装置）の組み立ての安定性を高めることができる。
【００８６】
その後、図１６及び図１７に示すように、第１半導体チップ１の主面１ａの周縁部の第１パッド１ｃと、これに対応する配線基板７のボンディングリード７ｃとをワイヤ９で電気的に接続する。
【００８７】
その後、図１８及び図１９に示すように樹脂モールドを行って封止体４を形成する。ここでは、図示しない樹脂成形金型のキャビティ内にワイヤボンディング済みの配線基板７を配置して金型クランプを行った後、前記キャビティ内に封止用樹脂を充填して第１半導体チップ１、第２半導体チップ２、第３半導体チップ３及び複数のワイヤ９を覆う封止体４を形成する。その際、本実施の形態１のＳＩＰ８では第１半導体チップ１において、その第２パッド１ｄと第３パッド１ｅの間隔（Ｍ）が、第１パッド１ｃと第２パッド１ｄの間隔（Ｌ）より広い（Ｍ＞Ｌ）ため、図４に示すように多段のワイヤ同士（ワイヤ９Ｘとワイヤ９Ｙ）の最終の折り曲げ点９ｃから２ｎｄ側の接合部９ｄまでの間でのクリアランスを大きくすることができる。
【００８８】
その結果、樹脂モールド工程において樹脂充填時の樹脂圧によってワイヤ流れが発生した際にも、前述のように多段のワイヤ同士の間でクリアランスが大きく確保できているため、多段のワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。これにより、ＳＩＰ８の組み立てにおける安定性を高めることができる。
【００８９】
その後、図２０及び図２１に示すように、配線基板７の裏面７ｂに複数の外部端子である半田ボール５をグリッド状に設け、ボール付け後、個片化を行ってＳＩＰ８の組み立てを完了する。
【００９０】
次に本実施の形態１の変形例について説明する。
【００９１】
図２２は本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。図２２に示す変形例の半導体装置は、配線基板７上に３つの半導体チップ１６がスペーサチップ１７を含んで４段に積層され、さらにその横に他の半導体チップ１６が搭載されたマルチチップモジュール１８構造のものである。なお、各チップはフィルム状接着材６によって下段チップまたは配線基板７に接合されている。
【００９２】
このようなマルチチップモジュール１８においても、配線基板７上でワイヤ９によってチップ間接続する場合、Ｐ部に示すように、第１パッド１６ａと第２パッド１６ｂの間隔を広げることにより、多段のワイヤ９の間でクリアランスを大きく確保することができ、多段のワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。
【００９３】
また、図１に示すＳＩＰ８においては、第１半導体チップ１の主面１ａのパッド（電極）が対向する２辺のみに３列に設けられている場合を説明したが、主面１ａの３辺または４辺に３列にパッドが設けられていてもよい。
【００９４】
（実施の形態２）
図２３は本発明の実施の形態２の半導体装置の主要部の構造の一例を示す部分拡大断面図、図２４は図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の一例を示す断面図及び裏面図、図２５は図２４に示すキャピラリを用いた本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法の一例を示す断面図、図２６は図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図である。また、図２７は図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図、図２８は図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図、図２９は図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図、図３０は図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。
【００９５】
本実施の形態２の半導体装置は、図２３に示すように、ＳＩＰ８等における多段ワイヤ接続において、上段ワイヤ（ワイヤ９Ｙ）の最も２ｎｄ側（第２端子側）に位置する折り曲げ点９ｃと２ｎｄ側のワイヤ９の接合部９ｄとの間の領域に上方に引き上げられた引き上げ部９ｅが形成された構造のものである。
【００９６】
本実施の形態２では、半導体装置の製造方法として、主にワイヤ９の引き上げ部９ｅの形成方法について説明する。
【００９７】
前記引き上げ部９ｅは、図２５〜図２８に示すキャピラリ１３を用いたワイヤボンディング時のキャピラリ１３の動作によって形成する。
【００９８】
図２４に示すキャピラリ１３は、一般的なキャピラリ１３の構造を示しており、先端部に開口するホール部１３ａに導電性のワイヤ９を通してボールボンディングを行うボンディングツールである。
【００９９】
ここで、図２４に示すキャピラリ１３を用いた引き上げ部９ｅの形成方法について、図２５〜図３０を用いてその詳細を説明する。なお、図２５〜図３０においては、引き上げ部９ｅが形成されるワイヤボンディング（例えば、多段ワイヤの上段側）の１ｓｔ側を半導体チップ１９のパッド（第１端子）１９ａとし、その２ｎｄ側をリード（第２端子）２０として図示しているが、２ｎｄ側の第２端子もチップのパッド（端子）であってもよく、チップ−チップ間接続であってもよい。
【０１００】
まず、前述の実施の形態１と同様のワイヤボンディング装置を準備しておく。
【０１０１】
次に、ボンディングツールの貫通孔を介してボンディングツールの先端部から突出されたワイヤ９の一端部を放電により溶融し、ワイヤ９の一端部にボール部を形成する。
【０１０２】
次に、ボンディングツールを第１パッドに向かって下降（移動）させ、図２５に示すように、半導体チップ１９の第１端子であり、かつ１ｓｔ側であるパッド（第１パッド）１９ａにワイヤ９のボール部をボンディングツール（キャピラリ）１３によって押圧して接続する。このとき、本実施の形態では、ワイヤとパッドとの接続強度を向上するために、超音波及び熱を併用しながら、ワイヤのボール部をパッドに接続している。その後、ボンディングツールを第１パッドからボンディングリード（第２パッド）に移動させながら、ボンディングツールの貫通孔を介してワイヤをワイヤ送り部から引き出し、ワイヤの他部（一端部とは異なる部分）を第２パッドに接続する。その際、図２７及び図２９のステップＳ１に示すように、キャピラリ１３によって、パッド１９ａとリード２０を結ぶ方向（第１方向）に交差する方向（第２方向）にワイヤ９を撓ませてリード２０上に移動する。すなわち、ワイヤリングに余裕を持たせてワイヤ９が水平方向に多少弛むように（上から見た時にワイヤ９が湾曲しているように）配置している。詳細には、第１パッドと第２パッドとの間隔（距離）よりも長くワイヤ９を引き出して接続しており、このワイヤの長さは、少なくともワイヤの短絡が起こり難い多段ループとならない部分に形成されたワイヤの長さよりも長い。その後、第２パッド（リード２０）側において余剰したワイヤ９を切断する。ここで、余剰したワイヤとは、ボンディングツール１３を第２パッドから上昇（移動）させ、ワイヤ９をワイヤ送り部からさらに引き出したことで生じる、ワイヤ９の他部とボンディングツール１３の先端部との間におけるワイヤである。なお、本実施の形態では、ワイヤ９を長めに引き出しながら、第１パッドから第２パッドに向かって（第１方向に沿って）ボンディングツール１３を移動させるものであるが、第１パッドから第２パッドまで移動するボンディングツール１３の軌跡が平面的に湾曲（又は、屈曲）するように、ボンディングツール１３を移動させてもよい。
【０１０３】
切断後（２ｎｄボンディング後）、パッド１９ａとリード２０を接続するワイヤ９のリード寄りの部分（ワイヤ９によってワイヤループを形成する際の複数の折り曲げ点９ｃのうち、ワイヤ９の最もリード２０側に位置する折り曲げ点９ｃとリード２０上のワイヤ９の接合部９ｄとの間の領域）、すなわち引き上げ部９ｅをボンディングツール（キャピラリ）１３の動作によって引き起こす。なお、ボンディングツール１３の詳細な動作は、まずワイヤの第１側部側にボンディングツールを配置し、その後、第１側部とは反対側の第２側部側に向かって（第２方向に沿って）ボンディングツールを移動させている。
【０１０４】
また、ワイヤ９のリード２０寄りの部分、すなわち引き上げ部９ｅをキャピラリ１３の動作によって引き起こす別の方法としては、キャピラリ１３の側面１３ｂをワイヤ９に押し当ててキャピラリ１３の動作により引き起こしてもよい。
【０１０５】
具体的には、２ｎｄ側でのワイヤ９の切断後、図２９のステップＳ２に示すように、一旦、ボンディングツール（キャピラリ）１３を引き上げてワイヤ９が水平方向に湾曲した付近の位置（ワイヤ９の第１側部側）まで移動させる。
【０１０６】
その後、図２６、図２７及び図３０のステップＳ３に示すように、キャピラリ１３の側面１３ｂでワイヤ９を押しながらボンディングツール（キャピラリ）１３を第１パッド側から第２パッド側に向かってに移動させてワイヤ９を引き起こす。これにより、急峻に立ち上がった引き上げ部９ｅが形成される。
【０１０７】
その後、ワイヤ９の湾曲した箇所（Ｕ）をその外（第２側部）側から第１側部側に向かってボンディングツール１３を移動させ、このボンディングツール（キャピラリ１３）の側面１３ｂで押すことで、ワイヤ９の水平方向の弛みを取り除く。
【０１０８】
その後、図３０のステップＳ４に示すように、ボンディングツール（キャピラリ）１３をワイヤ９から離脱させる。
【０１０９】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ１９のパッド１９ａとリード２０を接続するワイヤボンディングにおいて２ｎｄ側（リード２０側）をボンディングしてワイヤ９を切断した後、パッド１９ａとリード２０を接続するワイヤ９のリード２０寄りの部分（引き上げ部９ｅ）をキャピラリ１３の動作によって引き起こすことにより、２ｎｄ側のワイヤ９を急峻に立ち上がらせることができる。
【０１１０】
その結果、例えば、図２３に示すような多段ワイヤ接続を用いたＳＩＰ８において、上段側のワイヤ９Ｙの最も第２パッド１ｄ側に位置する折り曲げ点９ｃと第２パッド１ｄ上のワイヤ９の接合部９ｄとの間の領域の第２パッド１ｄ寄りの箇所に引き上げ部９ｅを形成することで、多段のワイヤ同士において、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ間のクリアランスを大きく確保することができる。これにより、２ｎｄ側のボンディング点近傍でのワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。
【０１１１】
その結果、ＳＩＰ（半導体装置）８の組み立てにおける安定性を高めることができる。さらに、ＳＩＰ８の組み立ての安定性を高めることができるため、ＳＩＰ８の低コスト化を図ることができる。
【０１１２】
また、パッド１９ａとリード２０を接続するワイヤ９のリード２０寄りの部分（引き上げ部９ｅ）をキャピラリ１３の動作によって引き起こすことで、２ｎｄ側のワイヤ９を急峻に立ち上がらせることができる。これにより、多段に配置されたワイヤ同士において、２ｎｄ側のボンディング点近傍での多段のワイヤ間のクリアランスを大きく確保することができ、その結果、樹脂モールド工程における樹脂充填時の樹脂圧によるワイヤ流れ発生時のワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。
【０１１３】
したがって、ＳＩＰ（半導体装置）８の組み立てにおける安定性を高めることができる。
【０１１４】
また、ワイヤボンディングにより、２ｎｄ側をボンディングしてワイヤ９を切断した後、ワイヤ９の２ｎｄ側寄りの部分（引き上げ部９ｅ）をキャピラリ１３の動作によって引き起こすことにより、ワイヤボンディング工程内においてワイヤ９の２ｎｄ側を急峻に立ち上がらせることができる。
【０１１５】
また、キャピラリ１３の側面１３ｂを用いてキャピラリ１３の動作によってワイヤ９の２ｎｄ側を引き起こすことにより、キャピラリ１３に加工を施すことなく、既存のキャピラリ１３（ボンディングツール）を用いてワイヤ９の２ｎｄ側を急峻に立ち上がらせることができる。
【０１１６】
次に本実施の形態２の変形例について説明する。
【０１１７】
図３１は図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の第１変形例を示す断面図及び裏面図、図３２は図３１に示すキャピラリを用いたワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図、図３３は図３１に示すキャピラリを用いたワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。また、図３４は図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の第２変形例を示す正面図、図３５は図３４に示すキャピラリの構造を示す側面図、図３６は本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の第３変形例を示す断面図、図３７は本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法によって組み立てられた他の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【０１１８】
図３１に示す第１変形例のボンディングツール（キャピラリ）２１は、外周にこれと一体に形成されたフック部２１ａを有するものである。すなわち、キャピラリ２１の外周に切り込みを入れることでフック部２１ａを形成し、フック部２１ａによってワイヤ９を案内しながらワイヤ９に引き上げ部９ｅを形成する。
【０１１９】
なお、キャピラリ２１は、例えば、セラミック材によって形成されている。セラミック材は、金製のワイヤ９とは結合しない（反応しない）材料であり、したがって、フック部２１ａもセラミック材によって形成されている。これにより、ワイヤ９のリード２０寄りの部分をキャピラリ２１の動作によって引き起こす際には、キャピラリ２１と一体でキャピラリ２１の外周に形成されたフック部２１ａにワイヤ９を係合させ、キャピラリ２１の動作によりワイヤ９を引き起こす。
【０１２０】
これにより、引き上げ部９ｅの形成時に、ワイヤ９がキャピラリ２１に結合してキャピラリ２１の動作を妨害することを阻止できる。
【０１２１】
なお、キャピラリ２１やフック部２１ａを形成するセラミック材以外の材料としては、貴金属以外の材料を用いてもよく、金（Ａｕ）と結合しない材料が好ましい。
【０１２２】
ここで、図３２及び図３３に示すキャピラリ２１の動作について説明する。図３２及び図３３は、図３１に示すフック部２１ａを有するキャピラリ２１を用いた引き上げ部９ｅを形成するためのキャピラリ２１の動作を示しており、まず、図３２のステップＳ１１に示すように、キャピラリ２１によって、１ｓｔ側であるパッド１９ａと２ｎｄ側であるボンディングリード（パッド）２０とを接続するワイヤボンディングを行う。さらに、２ｎｄ側を接続して余剰したワイヤ９を切断した後、１ｓｔ側と２ｎｄ側の間の中央付近にキャピラリ２１を配置し、キャピラリ２１のフック部２１ａにワイヤ９を係合させる。なお、ワイヤ９の接続工程は、前述の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１２３】
その後、図３２のＳ１２に示すように、ボンディングツール２１をワイヤの側部側に配置し、ワイヤ９の一部をフック部２１ａに引っ掛ける。そして、図３３のステップＳ１３に示すように、ワイヤ９の一部をフック部２１ａに引っ掛けた状態で、フック部２１ａによってワイヤ９を案内しながらキャピラリ２１を１ｓｔ側から２ｎｄ側に移動させ、これにより、ワイヤ９の２ｎｄ側近傍を引き起こして引き上げ部９ｅを形成する。
【０１２４】
図３３のステップＳ１４に示すように、ワイヤ９をフック部２１ａによって引っ張りながらキャピラリ２１を移動させて引き上げ部９ｅを形成するため、ワイヤ９に弛みや湾曲が形成されることはない。
【０１２５】
その後、ステップＳ１４に示すように、キャピラリ２１をワイヤ９から離脱させる。
【０１２６】
図３２及び図３３に示すキャピラリ２１の動作では、図２８に示すような湾曲したワイヤ９をキャピラリ１３によって押し戻す動作が不要になるため、キャピラリ２１の動作を簡略化することができ、ワイヤボンディングの処理の短縮化を図ることができる。
【０１２７】
次に、図３４及び図３５に示す第２変形例のキャピラリ２２は、その外周にフック部材２２ａが設けられているものである。
【０１２８】
すなわち、細長い針状のフック部材（フック部）２２ａが超音波ホーン１１に取り付けられ、キャピラリ２２の側部に沿って配置されている。
【０１２９】
このようにキャピラリ２２にフック部材２２ａが設けられていることで、このフック部材２２ａにワイヤ９を係合させてワイヤ９を案内しながらワイヤ９の第２端子寄りの部分を引き起こして、キャピラリ２２の動作により引き上げ部９ｅを形成する。
【０１３０】
なお、キャピラリ２２は、例えば、セラミック材によって形成されている。セラミック材は、金製のワイヤ９とは結合しない（反応しない）材料である。また、細長い針状のフック部材２２ａは、タングステン（Ｗ）等の高融点金属材によって形成されていることが好ましい。すなわち、フック部材２２ａは、細長い針状に形成されるものであるため、加工性が良い材料で形成されることが好ましく、かつ金（Ａｕ）と結合しない材料が好ましい。セラミック材は加工性が良くないため、加工性を考慮して高融点金属材によって形成されることが好ましい。
【０１３１】
キャピラリ２２において、ワイヤ９のリード２０寄りの部分をキャピラリ２２の動作によって引き起こす際には、キャピラリ２２の側部に配置されたフック部材２２ａにワイヤ９を係合させ（引っ掛け）、キャピラリ２１の動作によりワイヤ９を引き起こす。
【０１３２】
これにより、引き上げ部９ｅの形成時に、ワイヤ９がキャピラリ２２に結合してキャピラリ２２の動作を妨害することを阻止できる。
【０１３３】
次に、図３６に示す第３変形例は、図２４に示すキャピラリ１３を用い、かつ金−金によるワイヤ同士の結合力（接着力）を利用してワイヤ９を引き起こして引き上げ部９ｅを形成するものである。
【０１３４】
すなわち、ワイヤ９が金線であり、１ｓｔ側と２ｎｄ側のワイヤボンディングを終えた後に、キャピラリ１３の先端から突出した余剰ワイヤ（余剰金線）９ｆを、半導体チップ１９のパッド（第１端子）１９ａとリード（第２端子）２０を接続するワイヤ９のリード２０寄りの部分に金−金接着させる。さらに、この状態でキャピラリ１３の動作によりワイヤ９の２ｎｄ側近傍を引き起こして引き上げ部９ｅを形成するものである。
【０１３５】
なお、引き上げ部９ｅを形成した後は、物理的にキャピラリ１３を引き離して接着したワイヤ９を振りほどくことで両者を引き離す。ただし、ワイヤ同士が容易に引き離れない場合、キャピラリ１３によって余剰ワイヤ９ｆに超音波を印加して金−金接着した余剰ワイヤ９ｆとワイヤ９を引き離すことが好ましい。
【０１３６】
このようにワイヤ９の金−金接続と、キャピラリ１３の動作を利用することで、ワイヤ９の２ｎｄ側の近傍に引き上げ部９ｅを形成することができる。
【０１３７】
次に、図３７は実施の形態２の他の変形例の半導体装置を示しており、配線基板７上に３つの半導体チップ１６がスペーサチップ１７を含んで４段に積層され、さらにその横に他の半導体チップ１６が搭載されたマルチチップモジュール２３構造のものである。なお、各チップはフィルム状接着材６によって下段チップまたは配線基板７に接合されている。
【０１３８】
このようなマルチチップモジュール２３においても、配線基板７上でワイヤ９によって多段ワイヤ接続する場合、Ｑ部やＲ部に示すように、上段側のワイヤ９Ｙの２ｎｄ側の接合部９ｄの近傍にて引き上げ部９ｅを形成することにより、多段のワイヤ９の間でクリアランスを大きく確保することができ、その結果、多段のワイヤ同士の短絡を回避し易くすることができる。
【０１３９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４０】
例えば、前記実施の形態１及び２では、ワイヤボンディングがボールボンディング方法の場合を取り上げて説明したが、前記ワイヤボンディングは、ウェッジボンディング方法であってもよい。
【０１４１】
また、前記実施の形態２では、ワイヤボンディングの一例としてチップ−チップ間やチップ−リード間の接続の場合を取り上げて説明したが、前記ワイヤボンディングは、リード−リード間や端子−端子間の接続であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は、ワイヤボンディングが行われる電子装置及びその製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図３】図１の部分拡大平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置をＳＩＰに適用した場合の具体的構造の一例を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられる配線基板の構造の一例を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の組み立てにおける１段目チップのダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の組み立てにおける２段目チップのダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の組み立てにおける第１のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の組み立てにおける第２のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１６】図１に示す半導体装置の組み立てにおける第３のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止後の構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるボール付け後の構造の一例を示す平面図である。
【図２１】図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２の半導体装置の主要部の構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【図２４】図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の一例を示す断面図及び裏面図である。
【図２５】図２４に示すキャピラリを用いた本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法の一例を示す断面図である。
【図２６】図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図である。
【図２７】図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図である。
【図２８】図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の一例を示す断面図である。
【図２９】図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。
【図３０】図２５に示すワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。
【図３１】図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の第１変形例を示す断面図及び裏面図である。
【図３２】図３１に示すキャピラリを用いたワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。
【図３３】図３１に示すキャピラリを用いたワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の詳細を示す平面図及び断面図である。
【図３４】図２３に示す半導体装置の組み立てに用いられるキャピラリの構造の第２変形例を示す正面図である。
【図３５】図３４に示すキャピラリの構造を示す側面図である。
【図３６】本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法におけるキャピラリ動作の第３変形例を示す断面図である。
【図３７】本発明の実施の形態２のワイヤボンディング方法によって組み立てられた他の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３８】比較例のボールボンディング方法におけるボンディング手順を示す斜視図である。
【図３９】比較例のボールボンディング方法におけるボンディング手順を示す斜視図である。
【図４０】図３８及び図３９に示すボールボンディング方法によってボンディングされた１ｓｔ側の構造の一例を示す断面図である。
【図４１】図３８及び図３９に示すボールボンディング方法によってボンディングされた１ｓｔ側と２ｎｄ側の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１  第１半導体チップ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  第１パッド
１ｄ  第２パッド
１ｅ  第３パッド
２  第２半導体チップ
２ａ  主面
２ｂ  裏面
２ｃ  第１パッド
２ｄ  第２パッド
２ｅ  一辺
３  第３半導体チップ
３ａ  主面
３ｂ  裏面
３ｃ  第１パッド
３ｄ  第２パッド
３ｅ  一辺
４  封止体
５  半田ボール
６  フィルム状接着材
７  配線基板
７ａ  主面（表面、チップ搭載面、上面）
７ｂ  裏面（下面）
７ｃ  ボンディングリード（接続用端子、パッド）
８  ＳＩＰ（半導体装置）
９  ワイヤ（金線、第１ワイヤ、第２ワイヤ、第３ワイヤ）
９ａ  ボール
９ｂ  金バンプ（スタッドバンプ、バンプ電極）
９ｃ  折り曲げ点
９ｄ  接合部
９ｅ  引き上げ部
９ｆ  余剰ワイヤ（余剰金線）
９Ｘ  ワイヤ
９Ｙ  ワイヤ
１０  トーチ
１１  超音波ホーン
１２  インナリード
１３  ボンディングツール（キャピラリ）
１３ａ  ホール部
１３ｂ  側面
１４  放電
１５  半導体チップ
１５ａ  パッド
１６  半導体チップ
１６ａ  第１パッド
１６ｂ  第２パッド
１７  スペーサチップ
１８  マルチチップモジュール（半導体装置）
１９  半導体チップ
１９ａ  パッド（第１端子）
２０  リード（第２端子）
２１  ボンディングツール（キャピラリ）
２１ａ  フック部
２２  キャピラリ
２２ａ  フック部材（フック部）
２３  マルチチップモジュール（半導体装置）
【図１】
2010118400.tif 000003
【図２】
2010118400.tif 000004
【図３】
2010118400.tif 000005
【図４】
2010118400.tif 000006
【図５】
2010118400.tif 000007
【図６】
2010118400.tif 000008
【図７】
2010118400.tif 000009
【図８】
2010118400.tif 000010
【図９】
2010118400.tif 000011
【図１０】
2010118400.tif 000012
【図１１】
2010118400.tif 000013
【図１２】
2010118400.tif 000014
【図１３】
2010118400.tif 000015
【図１４】
2010118400.tif 000016
【図１５】
2010118400.tif 000017
【図１６】
2010118400.tif 000018
【図１７】
2010118400.tif 000019
【図１８】
2010118400.tif 000020
【図１９】
2010118400.tif 000021
【図２０】
2010118400.tif 000022
【図２１】
2010118400.tif 000023
【図２２】
2010118400.tif 000024
【図２３】
2010118400.tif 000025
【図２４】
2010118400.tif 000026
【図２５】
2010118400.tif 000027
【図２６】
2010118400.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
2010118400.tif 000031
【図３０】
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【図３１】
2010118400.tif 000033
【図３２】
2010118400.tif 000034
【図３３】
2010118400.tif 000035
【図３４】
2010118400.tif 000036
【図３５】
2010118400.tif 000037
【図３６】
2010118400.tif 000038
【図３７】
2010118400.tif 000039
【図３８】
2010118400.tif 000040
【図３９】
2010118400.tif 000041
【図４０】
2010118400.tif 000042
【図４１】
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