(57)【要約】【課題】半導体素子を基板に複数段の端子を介して実装する際に、接着剤の量が不均一となることがなく、端子と基板側配線との短絡を確実に防止することができる半導体装置、半導体素子及び半導体装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】半導体素子３０は、第１の弾性部材３４と、該第１の弾性部材に沿って設けた第２の弾性部材３５と、第１の弾性部材３４上に設けた複数の第１の接続端子３６と、前記第２の弾性部材上に設けた複数の第２の接続端子３７とを実装面に形成し、２つの第１の接続端子間、及び２つの第２の接続端子間の少なくとも一方における前記第１及び前記第２の弾性部材３４，３５の少なくとも一方に凹部５５を形成し、基板２は、１の前記第１の接続端子３６に接続される第１の配線６３、及び１の前記第２の接続端子３７に接続される第２の配線６４を備え、前記半導体素子３０の前記実装面３２を接着部材５６によって前記基板２に接着する。【選択図】図５
2010010362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が基板に実装されてなる半導体装置において、
前記半導体素子の実装面に形成される、第１の弾性部材と、
該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、
前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、
前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子と、
前記基板に形成され、１の前記第１の接続端子に接続される第１の配線と、
前記基板に形成され、１の前記第２の接続端子に接続される第２の配線と、
前記基板と前記半導体素子とを接着する接着部材と、を備え、
前記基板に接着される半導体素子は、前記２つの第１の接続端子間、及び前記２つの第２の接続端子間の少なくとも一方において、前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の少なくとも一方に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の両方に前記凹部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記第１の弾性部材又は前記第２の弾性部材が除去されて形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記第１の弾性部材又は前記第２の弾性部材の前記基板側の一部が除去されて形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子が基板に実装されてなる半導体装置において、
前記半導体素子の実装面に形成された第１の弾性部材と、
該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、
前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、
前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子と、
前記基板に形成され、前記２つの第２の接続端子間を通って１の前記第１の接続端子に接続される第１の配線と、を具備し、
前記２つの第２の接続端子間における前記第２の弾性部材に凹部が設けられてなる前記半導体素子が前記基板に実装されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記凹部は、前記第２の弾性部材が除去されて形成されてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凹部は、前記第２の弾性部材の前記基板側の一部が除去されて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板は前記第２の接続端子に接続される第２の配線を備えてなることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
各前記第１の接続端子と各前記第２の接続端子とが、互い違い配置されてなることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
実装面に形成された第１の弾性部材と、
該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、
前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、
前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子と、前記２つの第１の接続端子間、及び前記２つの第２の接続端子間の少なくとも一方における前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の少なくとも一方に凹部を形成したことを特徴とする半導体素子。
【請求項１１】
前記第１の弾性部材、及び第２の弾性部材の両方に前記凹部が形成されてなることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子。
【請求項１２】
各前記第１の接続端子と、各前記第２の接続端子とが、互い違いに配置されてなることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を実装した半導体装置、この半導体装置に実装する半導体素子及び半導体装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線撮像装置、イメージスキャナ等の電気光学装置は、撮像を行うための電気光学要素である電気光学パネルを有する。この電気光学パネルは、例えば、多数の画素がマトリックス配置された画素領域を有し、この画素領域に配置された各画素に選択的に所定の電圧を印加することにより、各画素に蓄積された電荷を読出して撮像データを出力する。
この電気光学装置では、画素領域の各画素から蓄積電荷を読出すために、各画素を行単位に選択する行選択駆動回路及び選択された画素から蓄積電荷を読出す読出制御回路を必要とする。これらの駆動回路や制御回路はＩＣ化されて電気光学パネルに実装されるが、実装する際に、駆動回路ＩＣや制御回路ＩＣと電気光学パネルの画素領域の各画素との間を電気光学パネルに形成された多数の配線で接続する必要があり、これらの配線と接続するための接続端子が必要になる。また、駆動回路ＩＣや制御回路ＩＣの入力側においても、外部信号を入力するための配線基板と接続するための多数の接続端子が必要となる。
【０００３】
より多くの接続端子を配置するために、端子列を複数段設けた半導体装置の接続構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、微細な配線パターンの接続を実現するために、半導体素子に形成された金属バンプを、異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して基板に接着する技術に代え、半導体素子に樹脂等の弾性体を形成し、その弾性体上に導電膜を形成してバンプとする技術も紹介されている(例えば、特許文献２参照)。
【特許文献１】特開平７−３８０１１号公報
【特許文献２】特開２００６−９１２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献２に記載された従来例を使用して、上記特許文献１に記載された従来例のように複数段の端子列を設ける場合には、以下のような課題が生じる。
〔課題１〕
半導体素子を基板に圧着する際に、２本の弾性体間に挟まれた領域に接着剤が閉じ込められてしまい。接着剤の流動性が悪化する。そのため、基板と半導体素子との間の接着剤の量に不均一が生じる。
〔課題２〕
複数段構成の端子配列においては、基板側配線が、他段の端子間を通ることとなる。ところが、他段の端子間には、その端子をパターニングした際に、パターニングの残渣が残る懸念がある。基板に半導体素子を実装する場合に、この残渣により、端子間を通る配線と端子とが短絡してしまうおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、半導体素子を基板に複数段の端子を介して実装する際に、接着剤の量が不均一となることがなく、しかも複数段の端子間を基板側の配線が通る場合に、端子と配線との短絡を確実に防止することができる半導体装置、半導体素子及び半導体装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る第１の形態に係る半導体装置は、半導体素子が基板に実装されてなる半導体装置において、前記半導体素子の実装面に形成される、第１の弾性部材と、該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子と、前記基板に形成され、１の前記第１の接続端子に接続される第１の配線と、前記基板に形成され、１の前記第２の接続端子に接続される第２の配線と、前記基板と前記半導体素子とを接着する接着部材と、を備え、前記基板に接着される半導体素子は、前記２つの第１の接続端子間、及び前記２つの第２の接続端子間の少なくとも一方において、前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の少なくとも一方に凹部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この半導体装置では、半導体素子の実装面に、第１の弾性部材に沿って第２の弾性部材が設けられている。第１の弾性部材上に形成される第１の接続端子間、及び第２の弾性部材上に形成される第２の接続端子間の少なくとも一方においては弾性部材に凹部が形成されている。そして、この弾性体に凹部が形成された半導体素子が基板に実装される。このため、半導体素子を熱圧着等で基板に接着する際に、この凹部を流動経路として流動性を有する接着部材が流動するので、接着部材が第１の弾性部材及び第２の弾性部材間に滞ることを確実に防止することができる。したがって、基板及び半導体素子間の接着部材の量を半導体素子の実装面に渡ってを均一にすることができる。また、前記凹部に対応する位置に基板側の配線を通すことにより、第１の接続端子及び第２の接続端子をパターニングする際の残渣によって配線と第１の接続端子及び第２の接続端子との間が短絡されることを確実に防止することができる。
【０００８】
また、上記第１の形態に係る半導体装置においては、前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の両方に前記凹部が設けられていることを特徴としている。
この半導体装置では、第１の弾性部材、及び第２の弾性部材の両方に凹部が形成されているので、両者間の接着部材の流動経路を多く確保することができ、接着部材が第１の弾性部材、及び第２の弾性部材間に滞ることをより確実に防止して、半導体素子と基板との間の接着部材の量を均一にすることができる。
また、上記第１の形態に係る半導体装置は、前記凹部は、前記第１の弾性部材又は前記第２の弾性部材が除去されて形成されてなることを特徴としている。
【０００９】
この半導体装置では、第１の弾性部材又は第２の弾性部材を除去することにより、凹部を形成するので、第１の接続端子及び第２の接続端子のパターニングの際に残渣が残っても、これを削除することができる。また、比較的深い凹部を形成することができるので、配線と第１の接続端子及び第２の接続端子との短絡をより確実に防止することができる。
また、上記第１の形態に係る半導体装置は、前記凹部は、前記第１の弾性部材又は前記第２の弾性部材の前記基板側の一部が除去されて形成されていることを特徴としている。
この半導体装置では、第１の弾性部材又は第２の弾性部材の基板側の一部を削除して凹部を形成するので、凹部位置でも第１の弾性部材又は第２の弾性部材が連結されている。そのため、凹部を形成した第１の弾性部材又は第２の弾性部材の半導体素子と半導体素子との接着面積が減じることはなく、両者間の接合力を十分に確保して弾性部材自身の信頼性を確保できる。
【００１０】
また、本発明の第２の形態に係る半導体装置は、半導体素子が基板に実装されてなる半導体装置において、前記半導体素子の実装面に形成された第１の弾性部材と、該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子と、前記基板に形成され、前記２つの第２の接続端子間を通って１の前記第１の接続端子に接続される第１の配線と、を具備し、前記２つの第２の接続端子間における前記第２の弾性部材に凹部が設けられてなる前記半導体素子が前記基板に実装されてなることを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置では、第２の弾性部材の２つの第２の接続端子間に凹部を形成する一方、基板に第２の接続端子間を通って第１の接続端子に接続される第１の配線を備えている。つまり、第１の配線と交差する部分の第２の弾性部材に凹部が形成されることになり、第２の接続端子をパターニングする際の残渣が第２の弾性部材上に残らず、且つ第１の配線が凹部により形成される空間を通ることができるので短絡を確実に防止することができる。
また、上記第２の形態に係る半導体装置においては、前記凹部は、前記第２の弾性部材が除去されて形成されてなることを特徴としている。
この半導体装置では、凹部を深く形成することができ、第２の接続端子と第１の配線との短絡を確実に防止することができる。
【００１２】
また、上記第２の形態に係る半導体装置においては、前記凹部は、前記第２の弾性部材の前記基板側の一部が除去されて形成されていることを特徴としている。
この半導体装置では、第１の弾性部材又は第２の弾性部材の基板側の一部を削除して凹部を形成するので、凹部位置でも第１の弾性部材又は第２の弾性部材が連結される。そのため、凹部を形成した第１の弾性部材又は第２の弾性部材の半導体素子と半導体素子との接着面積が減じることはなく、両者間の接合力を十分に確保して弾性部材自身の信頼性を確保できる。
また、上記第２の形態に係る半導体装置においては、前記基板は前記第２の接続端子に接続される第２の配線を備えてなることを特徴としている。
この半導体装置では、基板に第２の接続端子に接続される第２の配線を有するので、配線数を増加させることができる。
【００１３】
また、上記第２の形態に係る半導体装置においては、各前記第１の接続端子と各前記第２の接続端子とが、互い違い配置されてなることを特徴としている。
この半導体装置では、各第１の接続端子と各第２の接続端子とが互い違いに配置されていることにより、第１の弾性部材と第２の弾性部材とを接近させて配置することができる。また、端子数が多くなっても広い端子幅を確保することができる。
また、本発明の半導体素子は、実装面に形成された第１の弾性部材と、該第１の弾性部材に沿って設けられた第２の弾性部材と、前記第１の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第１の接続端子と、前記第２の弾性部材上に設けられた少なくとも２つの第２の接続端子とを具備し、前記２つの第１の接続端子間、及び前記２つの第２の接続端子間の少なくとも一方における前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材の少なくとも一方に凹部を形成したことを特徴としている。
【００１４】
この半導体素子では、第１の弾性部材、及び第２の弾性部材の少なくとも一方の２つの接続端子間に凹部を形成したので、基板に接着により実装する際に、接着部材の流動性を確保して接着部材の面を均一にすることができる。
また、上記半導体素子においては前記第１の弾性部材、及び第２の弾性部材の両方に前記凹部が形成されてなることを特徴としている。
この半導体素子では、基板に接着により実装する際に、接着部材の流動性をより確保して接着部材の面をより均一にすることができる。
【００１５】
また、上記半導体素子においては、各前記第１の接続端子と、各前記第２の接続端子とが、互い違いに配置されてなることを特徴としている。
この半導体素子では、端子数が多くなっても広い端子幅を確保することができる。
また、本発明の第１３の形態に係る電子機器は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置を備えている。
この電子機器では、組込んだ半導体素子と基板との接着部材の面を均一にして接着力を高めるとともに、基板側の配線と半導体素子の他の接続端子との短絡を防止して、信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明を放射線撮像装置に適用した場合の一実施形態を示す平面図、図２は図１の放射線撮像装置の回路構成を示すブロック図、図３は放射線撮像装置を収容する携帯型ケースの正面図である。
図１において、放射線撮像装置１は、光電変換パネル２と、この光電変換パネル２の上面に形成された光電変換領域３を覆う曝射される放射線（Ｘ線）を可視光に変換するシンチレータ４とを備えている。
光電変換パネル２に形成された読出信号ライン５には読出制御部としての読出ドライバＩＣ６が接続され、光電変換パネル２に形成された行選択信号ライン７には行選択信号を出力する例えばシフトレジスタで構成されるゲートドライバＩＣ８が接続されている。
【００１７】
光電変換パネル２は、図２に示すように、光電変換領域３内に、パッシブピクセル方式の画素１１が２次元的にマトリックス状に配設されている。各画素１１は、ＰＩＮフォトダイオードＰＤと電荷を蓄積する電荷蓄積部としてのコンデンサＣとが並列に接続された並列回路１２を有する。この並列回路１２は、その一端にバイアス電源１３から所定のバイアス電位Ｖｂがバイアスライン１５を介して印加され、他端がＴＦＴで構成されるスイッチングトランジスタ１４を介して読出信号ライン５に接続されている。スイッチングトランジスタ１４のゲートが行選択ライン７を介してゲートドライバＩＣ８に接続されている。
ここで、読出ドライバＩＣ６及びゲートドライバＩＣ８は、光電変換パネル２に接着されている。
【００１８】
この放射線撮像装置１は、図３に示すように把手２１を有する携帯型ケース２２内にシンチレータ４を透明保護シート２３に対向させて収納されている。
そして、読出ドライバＩＣ６及びゲートドライバＩＣ８を構成する半導体素子としてのＩＣチップ３０は、図４〜図６に示すように、半導体素子を含んで構成された内部回路を内蔵した基材３１を有している。この基材３１は、シリコンウェハに内部回路を作り込み、その内部回路の表面にパッシベーション膜３３を被覆し、そして、シリコンウェハをダイシングによって切断した後に出来上がった複数のチップのうちの１つである。内部回路は例えばＭＯＳトランジスタを含んでおり、周知の半導体製造プロセスによって形成されている。
【００１９】
基材３１の６個の外周面のうち内部回路が形成された面が、所謂能動面３２とされている。能動面３２の前面は保護膜、所謂パッシベーション膜３３によって被覆されている。パッシベーション膜３３上に複数列例えば２列の第１の弾性部材としての樹脂突条３４及び第２の弾性部材としての樹脂突部３５が所定間隔を保って平行に形成されている。これら樹脂突部３４及び３５は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、等を材料としてフォトエッチング法によってパッシベーション膜３３上に形成されている。これら樹脂突部３４及び３５は、断面が半円形状、部分円形状、又は蒲鉾形状でＩＣチップ３０の長辺と平行に延びる細長い形状に形成されている。つまり、樹脂突部３４及び３５は長い蒲鉾形状、すなわち長いドーム形状に形成されている。
【００２０】
そして、樹脂突部３４に少なくとも２つの第１の接続端子３６が所定間隔を保って形成されている。同様に、樹脂突部３５にも少なくとも２つの第２の接続端子３７が所定間隔を保って形成されている。これら第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７は、図４及び図６に示すように平面から見て第１の接続端子３６間に第２の接続端子３７が存在するようにＩＣチップ３０の長手方向で互い違いとなるように形成されている。
また、第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７のそれぞれは、例えば、ＴｉＷ（チタン・タングステン）及びＡｕ（金）が単層又は積層された導電膜で形成されている。第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７はフォトエッチング法によって形成されている。これら第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７は立体的に見ると樹脂突部３４及び３５の外形形状に剃った立体形状であり、平面的にみると図４に示すように方形状である。これら第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７は図示しないが内部回路と導通されている。
【００２１】
次に、上記接続端子３４及び３５の形成方法について図７〜図９を用いて説明する。なお、これらちの図において、右側の図は平面図であり、左側の図はその平面図おけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
先ず、図７（ａ）において、ウエハ４１を入手する。ウエハ４１は、周知の通り、所定の直径の円板形状であり、その中にＩＣチップ複数個分の内部回路が形成されている。符号４２は、後に図５及び図６の基材３１になるウエハ本体である。ウエハ本体４２の能動面上には端子であるパッド４３が形成され、さらにパッシベーション膜３２が形成されている。パッシベーション膜３２のパッド４３に対応する領域には開口４４が形成されており、この開口４４を通じてパッド４３が外部へ臨んでいる。
【００２２】
次に、図７（ｂ）において、図４の樹脂突部３４及び３５の元となる感光性材料、例えばエポキシ樹脂４５をスピンコートによって所定の一様な厚さでウエハ全面に形成する。そして、続いて、フォトリソグラフィ法によってパターニングを行なって、樹脂突部３４及び３５の原形である断面矩形状の細長い樹脂突部４６を形成する。次に、樹脂突部４６を所定温度で加熱して効果させるとともに、角部を丸く成形して、図７（ｃ）に示すように樹脂突部３４（３５）を形成する。
【００２３】
次に、図８（ｄ）において、ＴｉＷの第１層４７をスパッタにより所定厚さ及びウエハの全面に形成し、さらにその上にＡｕの第２層４８をスパッタにより所定厚さ及びウエハの全面に形成する。ＴｉＷの第１層４７はパッシベーション膜３１の開口４４のところでパッド４３に面状に接触する。次に、図８（ｅ）において、感光性レジスト材料４９をウエハ上に一様な厚さで塗布し、さらにフォトリソグラフィ法によって所定の平面形状、具体的には第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７と同一平面形状のレジストパターン５０を形成する。次に、レジストパターン５０をマスクとしてＡｕの第２層４８をエッチングして、図７（ｆ）に示す所定形状のＡｕ第２層５１を形成する。
【００２４】
次に、図９（ｇ）に示すように、レジストパターン５０を適宜の剥離液によって除去する。そして、パターニングしたＡｕ第２層５１をマスクとして所定のエッチング液によってＴｉＷの第１層４７をエッチングして、図９（ｈ）に示すように、Ａｕ第２層５１と同じ平面形状のＴｉＷ第１層５２を形成する。以上により図５及び図６の基材３１の能動面３２上に複数の第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７が形成されて、１列に配列した複数の接続端子３６及び３７が完成する。
そして、上記のように形成された樹脂突部３４及び３５のうち基材３１の端部側の樹脂突部３５の２つの第２の接続端子３７間と両端の第２の接続端子３７の外側とで樹脂突部３５が図５に示すように完全に除去されて凹部５５が形成されている。すなわち、樹脂突部３５の樹脂突部３４に形成した第１の接続端子３６と対向する部分に凹部５５が形成されている。
【００２５】
一方、光電変換パネル２の読出ドライバＩＣ６の実装位置及びゲートドライバＩＣ８の実装位置には、図４、図５及び図１０に示すように、第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７と対向する位置に第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２が互い違いに形成されている。これら第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２はＩＣチップ３０側の第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７より広い面積で形成されている。
そして、第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２からそれぞれ読出信号ライン５又は行選択ライン７となる第１の配線６３及び第２の配線６４を導出させて、光電変換領域３に延長されている。
このように、読出ドライバＩＣ６及びゲートドライバＩＣ８となるＩＣチップ３０の能動面３２に樹脂突起３４及び３５と第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７とを形成した状態で、これら樹脂突起３４及び３５と第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７を含めた能動面３２上に流動性のある例えば熱硬化性を有する接着部材５６を塗布してから光電変換パネル２の所定の実装面に接触させて周知の実装方法で熱圧着させる。
【００２６】
この熱圧着は、図１１（ａ）に示すように、ＩＣチップの能動面３２と光電変換パネル２との間に接着部材としての非導電性膜（ＮＣＦ）５６を挟んだ上で、ＩＣチップを光電変換パネル２へ熱圧着する。すると、図１１（ｂ）に示すように、光電変換パネル２側の第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２とＩＣチップ側の第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７とが直接接触し、さらに熱圧着を続けると、樹脂突部３４及び３５が圧力に応じて弾性的に変形し扁平状態となる。樹脂突部３４及び３５のこの弾性変形により第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７と第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２との接触面積が大きくなり、さらに第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７と第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２とが互いに押しつけ合う押圧力が十分に大きくなり、その結果、第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７と第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２との間に安定した導電接触状態が得られる。この導電接触状態は、ＩＣチップ側の全ての接続端子３６及び３７と光電変換パネル２側の全ての電極パッド６１及び６２との間で実現され、これによりＩＣチップを高い信頼性で光電変換パネル２へ実装できる。
【００２７】
このとき、少なくとも第２の弾性部材となる樹脂突部３５の第１の接続端子３６と対向する位置が完全に除去されて凹部５５が形成されているので、この凹部５５の深さを深くすることができる。このため、流動性のある接着部材５６を塗布したときに、凹部５５が接着部材５６が流動経路となって、樹脂突部３４及び３５間から外部に流出することが可能となる。この結果、接着部材５６が樹脂突部３４及び３５間に封入されることがなく、接着部材５６の面を均一にして良好な接着力を得ることができる。
【００２８】
また、第２の弾性部材となる樹脂突部３５の第１の接続端子３６と対向する位置が完全に削除されて凹部５５が形成されているので、樹脂突部３５の表面に第２の接続端子３７をパターニングする際に残渣が残った場合や外部の不純物が付着した場合でも、凹部５５の形成時に残渣や不純物を確実に除去することができる。このため、第２の接続端子３７間を通る光電変換パネル２側の第１の配線６３が第２の接続端子３７と短絡することを確実に防止することができる。しかも、凹部５５の深さが深いので、読出ドライバＩＣ６及びゲートドライバＩＣを光電変換パネル２に接着部材５６を使用して熱圧着する際に、樹脂突部３４及び３５がある程度潰れることになっても、小さな凹みとして残ることになり、接着部材５６の樹脂突部３４及び３５間から外部への流動を確保することができる。
【００２９】
さらに、上記第１の実施形態では、第１の接続端子３６と第２の接続端子３７とがＩＣチップの長手方向と直交する方向で互い違いに配設されているので、第１の弾性部材となる樹脂突部３４及び第２の弾性部材となる樹脂突部３５と第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７のＩＣチップの長手方向の幅を広く確保することができる。同様に、光電変換パネル２側でも第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２のＩＣチップ長手方向の幅を広く確保することができる。このため、第１の接続端子３６及び第２の接続端子体３７と第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２との接触面積を広くすることができ、確実な電気的接続を行なうことができる。
【００３０】
なお、上記第１の実施形態においては、第２の弾性部材としての樹脂突部３５側にのみ凹部５５を形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第１の弾性部材としての樹脂突部３４にも第１の接続端子３４間及び両端の第１の接続端子３４の外側位置で樹脂突部３４を全て削除して凹部を形成するようにしてもよい。この場合には、接着部材５６の流動経路をより多く確保することができ、接着部材５６の流動性をより高めることができる。
【００３１】
次に、本発明の第２の実施形態を図１２及び図１３について説明する。
この第２の実施形態では、読出ドライバＩＣ６及びゲートドライバＩＣ８の能動面３２に形成する樹脂突部３４及び３５の凹部深さを浅くするようにしたものである。
すなわち、第２の実施形態では、図１２及び図１３に示すように、第２の弾性部材３５としての樹脂突部３５の第２の接続端子３７間と両端側の第２の接続端子３７の外側に凹部を形成する際に、樹脂突部３５の上面側すなわち光電変換パネル２側から能動面３２に達しない程度に樹脂突部３５を除去して凹部５５を形成する。
【００３２】
この第２の実施形態によると、前述した第１の実施形態のように、樹脂突部３５を完全に除去して凹部５５を形成するのではなく、樹脂突部３５の上部側だけを除去して凹部５５を形成するので、凹部５５の下側に樹脂突部３５の連結部５７が残ることになる。このため、前述した第１の実施形態のように樹脂突部３５を完全に除去して凹部５５を形成する場合には凹部５５の深さを確保することができる反面、凹部５５位置で樹脂突部３５が切り離されてしまうので、切り離された個々の樹脂突部３５と能動面３２との接着面積が小さくなり、樹脂突部３５の能動面３２への接合力を十分にとれなくなる。これに対して、上記第２の実施形態では、凹部５５の下側に樹脂突部３５を連結する連結部５７が残ることになり、凹部５５によって樹脂突部３５が完全に分離されないので、樹脂突部３５全体の接着面積が減少することがないので、能動面３２に対して十分な接合力を確保することができる。このため、樹脂突部３５自体の信頼性を確保することができる。
【００３３】
なお、上記第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様に、第１の弾性部材となる樹脂突部３４の第１の接続端子３６間及び両端の第１の接続端子３６の外側に比較的浅く連結部を残す凹部を形成するようにしてもよい。この場合には、接着部材５６の流動性をさらに確保することができる。
また、上記第１及び第２の実施形態においては、第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７とを互い違いに配置する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図１４に示すように、第１の接続端子３６及び第２の接続端子３７とをＩＣチップ３０の長手方向に対して直交する方向に重なるように形成し、第２の弾性部材となる樹脂突部３５の第２の接続端子３７間に凹部５５形成するようにしてもよい。この場合には、光電変換パネル２側の第１の電極パッド６１及び第２の電極パッド６２もＩＣチップの長手方向と直交する方向に重ねて配置し、第１の電極パッド６１に接続する第１の配線６３を凹部５５に対向する位置を通って光電変換領域３に延長させる。
【００３４】
また、上記第１及び第２の実施形態においては、本発明を放射線撮像装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、本発明は、基板に半導体素子を実装する技術全般に適用できる。例えば、２次元イメージスキャナ、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示デバイス等に好適に利用できる。特に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置に本発明を適用する場合には、表示装置を駆動するドライバＩＣを表示パネルにＣＯＧ実装する際に本発明を適用するとよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明を放射線撮像装置に適用した場合の第１の実施形態を示す平面図である。
【図２】図１の放射線撮像装置の回路構成を示すブロック図である。
【図３】放射線撮像装置を収容する携帯型ケースを示す正面図である。
【図４】光電変換パネルにＩＣチップを実装した状態を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】ＩＣチップの底面側の部分的な斜視図である。
【図７】ＩＣチップの能動面に接続端子を形成するための工程の一部を示す図である。
【図８】図７に続く工程を示す図である。
【図９】図８に続く工程を示す図である。
【図１０】光電変換パネルの一部を示す斜視図である。
【図１１】ＩＣチップを光電変換パネルに圧接着する工程を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態を示す平面図である。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１４】本発明の変形例を示す底面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…放射線撮像装置、２…光電変換パネル、３…光電変換領域、４…シンチレータ、５…読出信号ライン、６…読出ドライバＩＣ、７…行選択信号ライン、８…ゲートドライバＩＣ、１０…画素、３０…ＩＣチップ、３１…基材、３２…能動面、３３…パッシベーション膜、３４，３５…樹脂突部、３６…第１の接続端子、３７…第２の接続端子、５５…凹部、５６…接着部材、５７…連結部、６１…第１の電極パッド、６２…第２の電極パッド、６３…第１の配線、６４…第２の配線
【図１】
2010010362.tif 000003
【図２】
2010010362.tif 000004
【図３】
2010010362.tif 000005
【図４】
2010010362.tif 000006
【図５】
2010010362.tif 000007
【図６】
2010010362.tif 000008
【図７】
2010010362.tif 000009
【図８】
2010010362.tif 000010
【図９】
2010010362.tif 000011
【図１０】
2010010362.tif 000012
【図１１】
2010010362.tif 000013
【図１２】
2010010362.tif 000014
【図１３】
2010010362.tif 000015
【図１４】
2010010362.tif 000016