(57)【要約】【課題】  急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】  チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度（Ｔ１）１３００℃以上１３８０℃で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度１３００℃以上１３８０℃以下で、急速加熱・急速冷却熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記最高到達温度は、１３５０℃以上１３８０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記急速加熱・急速冷却熱処理により形成されたシリコン酸化膜のウェーハ面内における膜厚バラツキは、前記膜厚の最大値をｔＯＸmax、前記膜厚の最小値をｔＯＸmin、前記膜厚の平均値をｔＯＸaveとしたとき、（ｔＯＸmax−ｔＯＸmin）／（ｔＯＸave）で計算される比が１．５％以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記急速加熱・急速冷却熱処理前のシリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域に存在する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体は、該凝集体と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさが最大で１８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記シリコン単結晶インゴットの育成を窒素ノンドープにて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記シリコン単結晶インゴット中の固溶酸素濃度が５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハの表面を研磨することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記急速加熱・急速冷却熱処理を加えることによって、前記シリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域に存在する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体および酸素析出物を消滅させてＤＺ層を形成すると共に、前記ＤＺ層に固溶酸素を導入させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの基板に使用されるシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイスの高集積化に伴い、その基板として用いられるシリコンウェーハに対する品質要求が厳しくなってきている。特に、シリコンウェーハのデバイス活性領域におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減化が強く要求されている。
【０００３】
Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥には、例えば、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）、ＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ  Ｄｅｆｅｃｔ）とよばれる過飽和の空孔型点欠陥の凝集体や、成長してＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）やＢＭＤ（Ｂａｌｋ  Ｍｉｃｒｏ  Ｄｅｆｅｃｔ）となるＯＳＦ核、ＢＭＤ核などの酸素析出物や、転位クラスタとよばれる過飽和の格子間シリコン型点欠陥の凝集体がある。
【０００４】
このうち前記格子間シリコン型点欠陥の凝集体（転移クラスタ）においては、単結晶引上時において引上条件を調整することでその発生を防止することができるが、前記空孔点欠陥の凝集体や前記酸素析出物の発生を防止するのは非常に困難である。
【０００５】
また、前記酸素析出物においては、デバイス活性領域以外のバルク領域に存在する場合には、重金属等に対するゲッタリング効果を備えているため、有効であるが、前記酸素析出物がデバイス活性領域に存在する場合には、デバイス歩留を低下させる要因となるため好ましくない。
【０００６】
このようなＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減する方法として様々な技術が開示されている。
【０００７】
例えば、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引上条件（引上速度Ｖ、結晶内温度勾配Ｇ）を制御することで、全面にＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを製造する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。  
【０００８】
また、シリコンウェーハ中の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度を所定の値に制御するように育成したＣＺシリコン単結晶から作製されたシリコンウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することで、優れた結晶性とＩＧ能力を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる技術が開示されている（例えば、特許文献２）。
【０００９】
また、シリコンウェーハを水素又はアルゴンあるいはその混合雰囲気で１０５０℃以上の温度領域で熱処理することで、ウェーハの欠陥発生を防止する技術が開示されている（例えば、特許文献３）。
【００１０】
更に、近年において、ウェーハ表層部がきわめて低欠陥のシリコンウェーハを高生産性でかつ簡単に作製する技術として、シリコンウェーハに、急速加熱・急速冷却熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を施す技術が知られている。
【００１１】
例えば、リング状酸化誘起積層欠陥の発生する領域を含むパーフェクト領域（格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない領域）から切り出されたシリコンウェーハに、水素、アルゴン、またはそれらの混合ガス雰囲気中で急速加熱・急速冷却の熱処理を施すことで、ＯＳＦ等を核とした残留結晶欠陥、研磨等の機械的加工に起因する残留加工起因欠陥等による不良点が低減され、ＧＯＩ特性に優れたシリコンウェーハを得ることができる技術が開示されている（例えば、特許文献４）。
【００１２】
また、シリコンウェーハを少なくとも一時的に酸素含有雰囲気に曝し、その際熱処理を、所定の不等式を満足するように選択した温度で熱処理を行うことで、ウェーハ厚さの主要部分にわたりＣＯＰｓ不含であるシリコンウェーハを得ることができる技術が開示されている（例えば、特許文献５）。
【００１３】
更に、チョクラルスキー法により製造されたシリコン基板を、窒素１００％または酸素１００％あるいは酸素と窒素の混合雰囲気下、最大保持温度を１１２５℃以上シリコンの融点以下とし、保持時間を５秒間以上として熱処理を行った後、最大保持温度から８℃／秒以上の冷却速度で急速冷却することで、ＣＺ法により製造されたシリコン基板中の酸素濃度を制御することなく、所望の酸素析出特性を有するシリコン基板を得ることができる技術が開示されている（例えば、特許文献６）
【特許文献１】特開平０８−３３０３１６号公報
【特許文献２】特開２００６−１８８４２３号公報
【特許文献３】特開２００２−２３１７２６号公報
【特許文献４】特開２００３−２２４１３０号公報
【特許文献５】特開２００３−２９７８４０号公報
【特許文献６】特開２０００−３１１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、引上条件のわずかな変動により、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が発生してしまう問題があるため、その引上条件の制御は非常に難しいものであった。
【００１５】
また、特許文献２に記載のエピタキシャル層を形成する技術は、非常にコストが高いという問題があり、また、デバイス活性領域を形成するために、例えば、５μｍ以上の厚さまでエピタキシャル層の形成を行う必要があり、非常に、生産性が悪く、高コストとなるものであった。
【００１６】
また、特許文献３に記載の熱処理技術は、熱処理時間が長時間となるため、生産性が悪く、更に、熱処理時にスリップが発生しやすいという問題があるため、好ましいものではなかった。
【００１７】
また、特許文献４に記載の急速加熱・急速冷却熱処理技術は、前記処理前のシリコンウェーハとして、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を用いる点を前提としているため、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減には限界があるものであった。
【００１８】
また、特許文献５に記載の急速加熱・急速冷却熱処理技術は、熱処理のための出発材料として、極めて小さいＣＯＰが高い濃度で生じるように制御した単結晶から得られたシリコンウェーハを使用することが有利とされているため、同様に、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減には限界があるものであった。
【００１９】
また、特許文献６に記載の急速加熱・急速冷却熱処理技術は、ＣＺ法により製造されたシリコン基板中の酸素濃度を制御することなく、所望の酸素析出特性を有するシリコン基板を得ることを目的とするものであり、シリコンウェーハのデバイス活性領域におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減を目的とするものではなかった。
【００２０】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度１３００℃以上１３８０℃以下で、急速加熱・急速冷却熱処理を行うことを特徴とする。
【００２２】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができる。
【００２３】
前記最高到達温度は、１３５０℃以上１３８０℃以下であることが好ましい。
【００２４】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を更に向上させることができる。
【００２５】
前記急速加熱・急速冷却熱処理により形成されたシリコン酸化膜のウェーハ面内における膜厚バラツキは、前記膜厚の最大値をｔＯＸmax、前記膜厚の最小値をｔＯＸmin、前記膜厚の平均値をｔＯＸaveとしたとき、（ｔＯＸmax−ｔＯＸmin）／（ｔＯＸave）で計算される比が１．５％以内であることが好ましい。
【００２６】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を更に抑制することができる。
【００２７】
前記急速加熱・急速冷却熱処理前のシリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域に存在する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体は、該凝集体と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさが最大で１８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
このような構成を備えることで、前記急速加熱・急速冷却熱処理によって発生した過飽和の空孔型点欠陥の凝集体を確実に消滅させることができる。
【００２９】
前記シリコン単結晶インゴットの育成を窒素ノンドープにて行うことが好ましい。
【００３０】
このような構成を備えることで、育成したシリコン単結晶インゴットの軸方向におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズ及び密度を安定化させることができる。
【００３１】
前記シリコン単結晶インゴット中の固溶酸素濃度が５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲内であることが好ましい。
【００３２】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＬＳＴＤ密度の減少率が比較的大きく、酸素析出物密度が高いシリコンウェーハを得ることができる。
【００３３】
前記急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハの表面を研磨することが好ましい。
【００３４】
このような構成を備えることで、ウェーハの表面近傍にＣＯＰが残存してしまった場合でも、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が少ない高品質なシリコンウェーハを容易に製造することができる。
【００３５】
前記急速加熱・急速冷却熱処理を加えることによって、前記シリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域に存在する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体および酸素析出物を消滅させてＤＺ層を形成すると共に、前記ＤＺ層に固溶酸素を導入させることが好ましい。
【００３６】
このような構成を備えることで、前記ＤＺ層における固溶酸素濃度が高くなるため、応力により発生した転位が前記固溶酸素によりピンニングされるため、転位の伸張を抑制することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明は、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法が提供される。そのため、生産性が高く、低コストでＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が少ない高品質なシリコンウェーハを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００３９】
図１は、本発明のシリコンウェーハの製造方法に用いられるＲＴＰ装置の一例の概要を示す断面図である。
【００４０】
本発明のシリコンウェーハの製造方法に用いられるＲＴＰ装置１０は、図１に示すように、雰囲気ガス導入口２０ａ及び雰囲気ガス排出口２０ｂを備えた反応管２０と、反応管２０の上部に離間して配置された複数のランプ３０と、反応管２０内の反応空間２５にウェーハＷを支持するウェーハ支持部４０とを備える。ウェーハ支持部４０は、ウェーハＷを直接支持する環状のサセプタ４０ａと、サセプタ４０ａを支持するステージ４０ｂとを備える。反応管２０は、例えば、石英で構成されている。ランプ３０は、例えば、ハロゲンランプで構成されている。サセプタ４０ａは、例えば、シリコンで構成されている。ステージ４０ｂは、例えば、石英で構成されている。
【００４１】
図１に示すＲＴＰ装置１０を用いてウェーハＷに対して、急速加熱・急速冷却熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行う場合は、反応管２０に設けられた図示しないウェーハ導入口より、ウェーハＷを反応空間２５内に導入し、ウェーハ支持部４０のサセプタ４０ａ上にウェーハＷを支持し、雰囲気ガス導入口２０ａから後述する雰囲気ガスを導入すると共に、ランプ３０によりウェーハＷ表面に対してランプ照射をすることで行う。なお、このＲＴＰ装置１０における反応空間２５内の温度制御は、ウェーハ支持部４０のステージ４０ｂに埋め込まれた複数の放射温度計５０によってウェーハＷの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内の平均温度を測定し、その測定された温度に基づいて複数のハロゲンランプ３０の制御（各ランプの個別のＯＮ−ＯＦＦ制御や、発光する光の発光強度の制御等）を行う。
【００４２】
次に、本発明のシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【００４３】
本発明に係わるシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度１３００℃以上１３８０℃以下で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。
【００４４】
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶インゴットの育成は周知の方法にて行う。
【００４５】
すなわち、石英ルツボに充填した多結晶シリコンを加熱してシリコン融液とし、このシリコン融液の液面上方から種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら引上げ、所望の直径まで拡径して直胴部を育成することでシリコン単結晶インゴットを製造する。
【００４６】
こうして得られたシリコン単結晶インゴットは、周知の方法によりシリコンウェーハに加工される。
【００４７】
すなわち、シリコン単結晶インゴットを内周刃又はワイヤソー等によりウェーハ状にスライスした後、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の加工工程を経て、シリコンウェーハを製造する。なお、ここで記載された加工工程は例示的なものであり、本発明は、この加工工程のみに限定されるものではない。
【００４８】
次に、製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度１３００℃以上１３８０℃以下で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。
【００４９】
この急速加熱・急速冷却熱処理は、例えば、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて行い、雰囲気ガスとして酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下の酸化性ガス雰囲気を用いて行う。なお、ここでいう酸素ガス分圧は、図１を用いて説明すると反応管２０内に供給する際の混合ガス（雰囲気ガス）における酸素ガス分圧のことをいう。
【００５０】
このように、雰囲気ガスとして酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気を用いることで、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を大きく向上させることができる。
【００５１】
なお、前記酸化性ガス雰囲気における酸素ガス分圧が２０％未満である場合には、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＬＳＴＤ密度の低減力が極端に低下するため好ましくない。
【００５２】
なお、ここでいう酸化性ガス雰囲気とは、酸素ガス分圧が２０％以上１００％未満含まれている混合ガス又は酸素１００％ガスのことをいう。このうち、混合ガスにおける前記酸素ガス以外のガスは不活性ガスであることが好ましい。
【００５３】
前記酸素ガス以外のガスとして窒素ガスを用いる場合には、急速加熱・急速冷却熱処理においてシリコンウェーハの表面に窒化膜が形成されてしまい、その窒化膜の除去のため、新たにエッチング工程等を増やさなければならず、工程が増加するため好ましくない。前記酸素ガス以外のガスとして水素ガスを用いる場合には、酸素及び水素の混合ガスは爆発の危険性があるため好ましくない。
【００５４】
前記不活性ガスとしては、主に、アルゴンガスを用いることが好ましい。アルゴンガスを用いることによって、前記不具合が生ずることなく、良好な急速加熱・急速冷却熱処理を行うことができる。
【００５５】
図２は急速加熱・急速冷却熱処理における温度プロセスの一例を示す説明図である。
【００５６】
急速加熱・急速冷却熱処理は、例えば、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、図２に示すような温度プロセスにて行う。
【００５７】
すなわち、製造されたシリコンウェーハを、所望の温度Ｔ０（例えば、５００℃）でＲＴＰ装置１０の反応管２０内に設置し、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中で、所望の最高到達温度Ｔ１（１３００℃以上１３８０℃以下）まで、所望の昇温速度ΔＴｕ（例えば、７５℃／ｓｅｃ）で昇温し、所望の最高到達温度Ｔ１で、所望の時間ｔ（例えば、１５ｓｅｃ）保持する。その後、所望の降温速度ΔＴｄ（例えば、２５℃／ｓｅｃ）で、所望の温度Ｔ０（例えば、５００℃）まで降温して、その後、シリコンウェーハを反応管２０内から取り出す。
【００５８】
すなわち、ここでいう急速加熱・急速冷却熱処理は、高速の昇温速度ΔＴｕ、最高到達温度Ｔ１での短い保持時間ｔ及び高速の降温速度ΔＴｄを含む温度プロセスを備えた熱処理のことをいう。
【００５９】
なお、ここでいう高速の昇温速度ΔＴｕは、好ましくは、１０℃／ｓｅｃ以上のことをいい、短い保持時間ｔは、好ましくは、１ｓｅｃ以上６０ｓｅｃ以内であり、また、高速の降温速度ΔＴｄは、好ましくは、１０℃／ｓｅｃ以上のことをいう。これより、生産性が高い急速加熱・急速冷却熱処理を実現できる。
【００６０】
最高到達温度Ｔ１は、前述しているように、１３００℃以上１３８０℃以下であることが好ましい。
【００６１】
なお、本願でいう最高到達温度Ｔ１とは、前述したように、図１に示すようなＲＴＰ装置１０内にウェーハＷを設置した場合において、ウェーハＷの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内９点の平均温度のことをいう。
【００６２】
このように、最高到達温度Ｔ１を、１３００℃以上１３８０℃以下とすることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができる。
【００６３】
前記最高到達温度Ｔ１が１３００℃未満である場合には、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＬＳＴＤ密度の低減力が低くなるため好ましくない。また、前記最高到達温度Ｔ１が１３８０℃を超える場合には、急速加熱・急速冷却熱処理を行っているシリコンウェーハに大きいスリップが発生してしまうため好ましくない。また、前記最高到達温度Ｔ１が１３８０℃を超えると、ＲＴＰ装置としての耐久性に問題があるため、ＲＴＰ装置の劣化を早めてしまい、ひいては、シリコンウェーハのデバイス特性の悪化の要因となるため好ましくない。
【００６４】
以上のように、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、上述した構成を備えているため、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができる。そのため、生産性が高く、低コストでＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が少ない高品質なシリコンウェーハを製造することができる。
【００６５】
次に、本発明に係わるＬＳＴＤ密度が低減されるメカニズムについて考察する。図３は、本発明に係わるＬＳＴＤ密度が低減されるメカニズムを説明するための概念図である。
【００６６】
本発明のように酸素分圧が２０％以上と高い酸化性ガス雰囲気中で急速加熱・急速冷却熱処理の急激な昇温を行うと、シリコンウェーハ表面は酸化されるとともに、シリコンウェーハ内に急激に酸素（Ｏ２）およびＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ（以下、「ｉ−Ｓｉ」という）が導入される（図３（ａ））。その後、高温処理中に、ＣＯＰの内壁に形成された内壁酸化膜に含まれる酸素がシリコンウェーハ内に溶解し、ウェーハ内で固溶酸素（Ｏｉ）として生成される（図３（ｂ））。この固溶酸素（Ｏｉ）の生成によってＣＯＰの内壁酸化膜が除去され、前記内壁酸化膜が除去されたＣＯＰ内に導入されたｉ−Ｓｉが埋まることによってＣＯＰが消滅し、いわゆるＤＺ（Ｄｅｎｕｔｅｄ  Ｚｏｎｅ）層が形成される（図３（ｃ））。また、図示しないがＣＯＰの消滅と共に、ＤＺ層に存在する酸素析出物も消滅する。
【００６７】
なお、形成されたＤＺ層には、前記固溶酸素が残存する状態となる（図３（ｃ））。従って、前記ＤＺ層における固溶酸素濃度が高くなるため、ウェーハ裏面等から応力により発生した転位が前記固溶酸素によりピンニングされるため、転位の伸張を抑制することができる。
【００６８】
また、前記ＤＺ層は格子間シリコンの導入により格子間シリコン過飽和の状態となるため、急速加熱・急速冷却熱処理後の熱処理（例えば、デバイス工程における熱処理）において、前記ＤＺ層内に固溶酸素が再析出されるのを防止することができる。
【００６９】
なお、本発明に係わるシリコンウェーハの製造方法では、ウェーハの表面近傍にＣＯＰが残存してしまう場合がある。図４は、本発明に係わるＬＳＴＤ密度が低減されるメカニズムにおいて、ウェーハの表面近傍のＣＯＰが残存するメカニズムを説明するための概念図である。
【００７０】
本発明のように酸素分圧が２０％以上と高い酸化性ガス雰囲気中で急速加熱・急速冷却熱処理を行うと、ウェーハの表面近傍は酸素過飽和の状態となる。そのため、表面近傍に発生しているＣＯＰの内壁に形成された内壁酸化膜に含まれる酸素がウェーハ内に溶解されにくくなる。従って、ウェーハの表面近傍に形成されたＣＯＰの内壁酸化膜は残存してしまう状態となり、この残存した内壁酸化膜が形成されたＣＯＰ内部には導入されたｉ−Ｓｉが埋まらないため、表面近傍のＣＯＰを消滅することができない場合がある（図４（ａ）〜（ｃ））。
【００７１】
このような場合には、ウェーハの表面近傍に残存したＣＯＰを研磨により除去することで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が少ない高品質なシリコンウェーハを容易に製造することができる。
【００７２】
なお、この研磨は、周知技術である仕上げ研磨のみで行ってもよく、周知技術である二次研磨と仕上げ研磨とを併用して行ってもよい。
【００７３】
前記最高到達温度Ｔ１は、１３５０℃以上１３８０℃以下であることがより好ましい。
【００７４】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を更に向上させることができる。詳細は実施例にて後述する。
【００７５】
前記急速加熱・急速冷却熱処理により形成されたシリコン酸化膜のウェーハ面内における膜厚バラツキは、前記膜厚の最大値をｔＯＸmax、前記膜厚の最小値をｔＯＸmin、前記膜厚の平均値をｔＯＸaveとしたとき、（ｔＯＸmax−ｔＯＸmin）／（ｔＯＸave）で計算される比が１．５％以内であることが好ましい。
【００７６】
このような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を更に抑制することができる。
【００７７】
なお、前記膜厚の比は、急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハの表面に形成されたシリコン酸化膜の膜厚を、エリプソメトリ法を用いて測定し、算出することができる。また、前記膜厚の比の制御は、図１に示すＲＴＰ装置１０で説明すると、反応管２０の上部に離間して配置された複数のランプ３０の個別制御（ＯＮ−ＯＦＦ制御や、発光する光の発光強度の制御等）や、雰囲気ガスの流量等の制御により行うことができる。
【００７８】
前記急速加熱・急速冷却熱処理前のシリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域に存在する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体は、該凝集体と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさが最大で１８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００７９】
このような構成を備えることで、前記急速加熱・急速冷却熱処理によって発生した過飽和の空孔型点欠陥の凝集体を確実に消滅させることができる。
【００８０】
なお、シリコン単結晶インゴットの育成時において、発生する過飽和の空孔型点欠陥の凝集体を前述した大きさ以下にするためには、窒素ドープ処理を行うことで達成することができる。このような窒素ドープ処理は、例えば、石英ルツボに多結晶シリコンを充填する際に、窒化シリコン膜が形成されたシリコンウェーハを合わせて充填することで行うことができる。
【００８１】
しかしながら、このような窒素ドープ処理は、育成したシリコン単結晶インゴットの直胴部の上部から下部にかけて窒素のドープ量が徐々に増加する傾向がある。このような場合には、育成したシリコン単結晶インゴットの軸方向におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズ及び密度は不均一になる。そのため、シリコン単結晶インゴットの軸方向においてＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズ及び密度のバラツキが生じることになる。従って、シリコン単結晶インゴットを加工し、かつ前述した急速加熱・急速冷却熱処理を行って得られるシリコンウェーハの品質に、ロット間、すなわち、同シリコン単結晶インゴット内において大きいバラツキが生じることになる。
【００８２】
なお、本発明に係わる急速加熱・急速冷却熱処理におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力は向上しているため、このような窒素ドープ処理を行わなくても、すなわち、窒素ドープ処理により、過飽和な空孔型点欠陥の凝集体を小さくしなくても、後工程である急速加熱・急速冷却熱処理でこれらを低減させることができる。
【００８３】
従って、前述した急速加熱・急速冷却熱処理を備えた本発明に係わるシリコンウェーハの製造方法では、前記シリコン単結晶インゴットの育成を、窒素ノンドープにて行っても、シリコン単結晶育成時に発生した過飽和の空孔型点欠陥の凝集体を低減させることができ、更に、シリコン単結晶インゴットの軸方向におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズ及び密度のバラツキを安定化させることもできる。
【００８４】
なお、シリコン単結晶インゴットの育成を、窒素ノンドープにて行うことで、前述した急速加熱・急速冷却熱処理により消すことが難しい大きさ（最大で１８０ｎｍを超えるもの）の過飽和の空孔型点欠陥の凝集体が発生する場合には、窒素ノンドープと高速引上げと併用して行うことで、前述した急速加熱・急速冷却熱処理によって消滅できる範囲まで過飽和の空孔型点欠陥の凝集体の大きさを小さくすることができる。なお、ここでいう高速引上げとは、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを製造する場合は、平均１．２ｍｍ／ｍｉｎ以上のことをさし、直径２００ｍｍのシリコンウェーハを製造する場合は、平均１．８ｍｍ／ｍｉｎ以上のことをいう。
【００８５】
前記シリコン単結晶インゴット中の固溶酸素濃度が５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲内であることが好ましい。
なお、本明細書中の固溶酸素濃度は、１９７０-１９７９年度版Ｏｌｄ ＡＳＴＭ基準の換算係数から求めた値である。
【００８６】
現書りき、前述したける窒素の固溶限界表面粗さの修正を目的とするやこのような構成を備えることで、急速加熱・急速冷却熱処理におけるＬＳＴＤ密度の減少率が比較的大きく、酸素析出物密度が高いシリコンウェーハを得ることができる。
【実施例】
【００８７】
次に、実施例により本発明の効果について具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００８８】
（実施例１）
ＣＺ法により、Ｐ型、結晶面方位（００１）、固溶酸素濃度［Ｏｉ］１．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（Ｏｌｄ  ＡＳＴＭによる換算係数からの算出値）、抵抗２３〜２５Ω／ｃｍであるシリコン単結晶インゴットを作製した。
【００８９】
この際、窒化珪素膜で被膜されたシリコンウェーハを投入する窒素ドープ処理を行い、引上速度を平均で１．２ｍｍ／ｍｉｎに調整すると共に、シリコン単結晶の育成時に転位クラスタが発生しないように、引上速度Ｖと、１３００℃における結晶軸方向の温度勾配Ｇを制御することでＶ／Ｇを制御しながら引き上げを行った。
【００９０】
次に、得られたシリコン単結晶インゴットを、ワイヤソーによりウェーハ状に切断し、ベベル加工、ラッピング、エッチング、研磨を施して、両面研磨された直径が３００ｍｍのシリコンウェーハを作製した。
【００９１】
次に、作製したシリコンウェーハを同ロットで数枚サンプリングし、そのサンプリングしたシリコンウェーハのデバイス面のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を、ＡＦＭ
（原子間力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。観察したＧｒｏｗｎ-ｉｎ欠陥と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさの最大値を測定した。その結果、本実施例で測定されたＣＯＰの大きさの最大値は１００ｎｍであった。
【００９２】
次に、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、前記作製したシリコンウェーハの急速加熱・急速冷却熱処理を行った。本実施例では、図２に示す温度プロセスのうち、Ｔ０：５００℃、ΔＴｕ：７５℃／ｓｅｃ、ｔ：１５ｓｅｃ、ΔＴｄ：２５℃／ｓｅｃを共通条件とし、Ｔ１を１２５０℃から１４００℃の範囲で、かつ、雰囲気ガスをＡｒと酸素の混合ガスを用いて、この混合ガスにおける酸素ガスの分圧を０％（Ａｒ１００％ガス）、１０％、２０％、３０％、４０％、１００％（酸素１００％ガス）と振って、それぞれ急速加熱・急速冷却熱処理を行った。この時の温度は、図１に示すようなウェーハ支持部４０のステージ４０ｂに埋め込まれた複数の放射温度計５０によって測定されたウェーハＷの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内の９点の平均温度である。
【００９３】
次に、急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハに対して、ＬＳＴＤ密度及びスリップ長を測定した。ＬＳＴＤ密度は、レイテックス社製ＭＯ６０１を用い、レーザ波長を６８０ｎｍ、進入深さを５μｍに調整して測定した。また、スリップ長は、リガク社製Ｘ線トポグラフィ（ＸＲＴ３００、４００回折）にて測定した。
【００９４】
図５は、実施例１での急速加熱・急速冷却熱処理後の各条件におけるＬＳＴＤ密度及び全スリップ長の発生状況を表す結果図である。横軸はＲＴＰ処理温度（℃）であり、第１縦軸（紙面左側の縦軸）はＬＳＴＤ密度（個／ｃｍ２）であり、第２縦軸（紙面右側の縦軸）は全スリップ長（ｍｍ）である。ここでいう全スリップ長とはウェーハ全体をＸ線トポグラフィで測定し、ウェーハ全体で確認された複数のスリップの各々の長さを測定し、すべてのスリップの長さの合計値のことをいう。また、図５にプロットされた各点は、◆が酸素分圧０％、□が酸素分圧１０％、△が酸素分圧２０％、○が酸素分圧３０％、▲が酸素分圧４０％、■が酸素分圧１００％の各々の雰囲気ガス条件でのＲＴＰ処理温度に対するＬＳＴＤ密度を表すプロットデータであり、×は、酸素分圧が２０％のときに発生した全スリップ長のプロットデータである。
【００９５】
図５に示すように、酸素分圧が２０％以上の場合には、酸素分圧が１０％以下の場合と比べて顕著にＬＳＴＤ密度が低減されているのが確認できる。また、ＲＴＰ処理温度においても１３００℃以上で大きくＬＳＴＤ密度の低減が確認され、更に、１３５０℃以上では、ＬＳＴＤ密度がかなりの低密度で安定化しているのが確認できる。また、全スリップ長については、１３８０℃までは若干ながら増加する傾向があるものの、１３８０℃を超えると大きく増加してしまう傾向が確認できる。なお、この全スリップ長のプロットデータは、酸素分圧が２０％のときのものであるが、他の条件でも同様な傾向を有していたため、図５中ではその他の条件は省略している。
【００９６】
以上より、図５に示すように、ＬＳＴＤ密度の低減が大きく、かつ、スリップの発生を少なく抑える効果がある条件は、酸素分圧が２０％以上１００％以下であり、かつ、ＲＴＰ処理温度が１３００℃以上１３８０℃以下、好ましくは、１３５０℃以上１３８０℃以下であることが確認できる。
【００９７】
（実施例２）
ＣＺ法により、Ｐ型、結晶面方位（００１）、固溶酸素濃度［Ｏｉ］１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（Ｏｌｄ  ＡＳＴＭによる換算係数からの算出値）、抵抗２８〜３０Ω／ｃｍであり、その他は実施例１と同様な方法で、両面研磨された直径が３００ｍｍのシリコンウェーハを作製した。
【００９８】
次に、作製したシリコンウェーハを同ロットで数枚サンプリングし、そのサンプリングしたシリコンウェーハのデバイス面のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を、ＡＦＭ
（原子間力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。観察したＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさの最大値を測定した。その結果、本実施例で測定されたＣＯＰの大きさの最大値は１００ｎｍであった。
【００９９】
次に、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、前記作製したシリコンウェーハの急速加熱・急速冷却熱処理を行った。本実施例では、図２に示す温度プロセスのうち、Ｔ０：５００℃、ΔＴｕ：７５℃／ｓｅｃ、ｔ：１５ｓｅｃ、ΔＴｄ：２５℃／ｓｅｃ、雰囲気ガス：酸素ガス１００％を共通条件とし、Ｔ１を、１３００℃、１３５０℃、１３８０℃の３条件で、急速加熱・急速冷却熱処理後、ウェーハ表面に形成される酸化膜の膜厚バラツキが変化するように、サンプル毎に処理条件を調整して、急速加熱・急速冷却熱処理を行った。
【０１００】
次に、急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハに対して、急速加熱・急速冷却熱処理で形成される酸化膜の膜厚バラツキ及びスリップ長を測定した。膜厚バラツキは、ルドルフリサーチ社製ＡｕｔｏＥＬIIIを用いてエリプソメトリ法にて行い、測定位置を図６に示すように、ウェーハの中心（距離０ｍｍ）及びウェーハ中心からウェーハの半径方向に向かって４０ｍｍ、７５ｍｍ、１１０ｍｍ、１４５ｍｍの計９点測定を行い、前記９点測定における前記膜厚の最大値ｔＯＸmax、最小値ｔＯＸmin、平均値ｔＯＸaveを算出し、（ｔＯＸmax−ｔＯＸmin）／（ｔＯＸave）で計算される比、すなわち、膜厚バラツキを算出した。また、スリップ長は、実施例１と同様にリガク社製Ｘ線トモグラフィにて測定した。
【０１０１】
図７は、実施例２に係わる急速加熱・急速冷却熱処理後の膜厚バラツキに対するスリップ長の発生状況を表す結果図である。横軸は酸化膜の膜厚バラツキ（％）であり、縦軸は、そのときの全スリップ長（ｍｍ）である。また、図７のプロットされた各点は、◇が１３００℃、□が１３５０℃、△が１３８０℃である。
【０１０２】
図７に示すように、ウェーハ面内の膜厚バラツキの増加に伴い、全スリップ長も増加する傾向があることが確認できる。また、温度が高くなると、全スリップ長も増加する傾向が確認できる。なお、図７に示すように、膜厚バラツキが１．５％以下である場合には全スリップ長の発生は軽微であり、より好ましいことが確認できる。
【０１０３】
（実施例３）
ＣＺ法により、Ｐ型、結晶面方位（００１）、抵抗２３〜２５Ω／ｃｍであり、かつ、固溶酸素濃度を０．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で振ったシリコン単結晶インゴットを各々作成し、その他は実施例１と同様な方法で、固溶酸素濃度が異なる両面研磨された直径が３００ｍｍのシリコンウェーハを作製した。
【０１０４】
この時の固溶酸素濃度は、ＦＴＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：アクセントオプティカルテクノロジー社製ＱＳ−６１２）により測定した値である。
【０１０５】
次に、作製したシリコンウェーハを同ロットで数枚サンプリングし、そのサンプリングしたシリコンウェーハのデバイス面のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。観察したＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥と同じ体積を有する球の直径に換算した大きさの最大値を測定した。その結果、本実施例で測定されたＣＯＰの大きさの最大値は１００ｎｍであった。
【０１０６】
次に、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、前記作製したシリコンウェーハの急速加熱・急速冷却熱処理を行った。本実施例では、図２に示す温度プロセスのうち、Ｔ０：５００℃、ΔＴｕ：７５℃／ｓｅｃ、ｔ：１５ｓｅｃ、ΔＴｄ：２５℃／ｓｅｃ、雰囲気ガス：酸素ガス１００％を共通条件とし、Ｔ１を１３００℃、１３５０℃の２条件で、固溶酸素濃度が異なる各々のサンプルについて急速加熱・急速冷却熱処理を行った。なお、急速加熱・急速冷却熱処理前のシリコンウェーハの表面のＬＳＴＤ密度を予め測定し、急速加熱・急速冷却熱処理後に一対一で対応できるように、シリコンウェーハにナンバリング処理を施してから、急速加熱・急速冷却熱処理処理を行った。
【０１０７】
次に、急速加熱・急速冷却熱処理を行ったシリコンウェーハに対して、ＬＳＴＤ密度を測定し、急速加熱・急速冷却熱処理前後のＬＳＴＤ密度の変化からその減少率（急速加熱・急速冷却熱処理後のＬＳＴＤ密度／急速加熱・急速冷却熱処理前のＬＳＴＤ密度）を算出した。また、酸素析出物密度を測定した。急速加熱・急速冷却熱処理前後のＬＳＴＤ密度は、実施例１と同様に、レイテックス社製ＭＯ６０１を用い、レーザ波長を６８０ｎｍ、進入深さを５μｍに調整して測定した。また、酸素析出物密度は、ＩＲトモグラフィ（レイテックス社製ＭＯ４１１）で行った。なお、このＩＲトモグラフィのサンプル評価前に、酸素析出熱処理として、酸素１００％ガス雰囲気中、８００℃で４時間の熱処理を行った後に、同ガス雰囲気（酸素１００％ガス）中、１０００℃で１６時間の熱処理を行った。
【０１０８】
図８は、実施例３に係わるシリコンウェーハの固溶酸素濃度に対するＬＳＴＤ密度減少率及び酸素析出物密度を表す結果図である。
【０１０９】
図８において横軸は固溶酸素濃度（×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）であり、第１縦軸（紙面左側の縦軸）はＬＳＴＤ密度減少率（％）であり、第２縦軸（紙面右側の縦軸）は酸素析出物密度（／ｃｍ３）である。また、図８のプロットされた各点は、●が１３００℃における各固溶酸素濃度に対するＬＳＴＤ密度減少率に対応するプロットであり、■が、１３５０℃における各固溶酸素濃度に対するＬＳＴＤ密度減少率に対応するプロットであり、○が、１３００℃における各固溶酸素濃度に対する酸素析出物密度に対応するプロットであり、□が、１３５０℃における各固溶酸素濃度に対する酸素析出物密度に対応するプロットである。
【０１１０】
図８に示すように、シリコンウェーハの固溶酸素濃度が増加すると、ＬＳＴＤ密度減少率は低下する傾向が確認できる。特に、固溶酸素濃度が１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えるとその傾向は顕著である。これは、シリコンウェーハ中に酸素が多いため、ＣＯＰの内壁酸化膜が消滅し難いためである。ただし、シリコンウェーハの固溶酸素濃度が少ない場合には酸素析出核が減少するため、急速加熱・急速冷却熱処理や酸素析出熱処理後の析出密度が減少するものと考えられる。特に、図８に示すように、固溶酸素濃度が０．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の場合はその傾向は顕著である。
【０１１１】
また、図８に示すように、シリコンウェーハの固溶酸素濃度が増加すると酸素析出物密度が増加する傾向にあり、固溶酸素濃度が０．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上で、ほぼその増加傾向が均一化される。従って、酸素析出物密度の観点から見ると、シリコンウェーハの固溶酸素濃度は０．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。
【０１１２】
以上より、ＬＳＴＤ密度減少率が比較的大きく、酸素析出物密度が高い範囲は、図８に示すように、シリコンウェーハの固溶酸素濃度が０．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲であり、より好ましくは、０．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲である。この範囲とすることで、ＬＳＴＤ密度減少率が比較的大きく、酸素析出物密度が高く、より好ましいことがわかる。
【０１１３】
（実施例４）
実施例１において、酸素分圧が２０％〜１００％、ＲＴＰ処理温度を１３００℃、１３３０℃、１３５０℃及び１３８０℃で急速加熱・急速冷却熱処理を行った各々のサンプルについて、実施例３で説明した酸素析出熱処理（酸素１００％ガス雰囲気中、８００℃で４時間の熱処理を行った後に、同ガス雰囲気（酸素１００％ガス）中、１０００℃で１６時間の熱処理）を行い、その後、得られたサンプルについて、酸素析出物密度を評価し、これを実施例４とした。この酸素析出物密度の評価は、レイテックス社製ＢＭＤ
Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ ＭＯ４１１を用いて、ウェーハ表面から深さ５０ｕｍまでの領域で行った。この酸素析出熱処理をいわゆるデバイス工程における熱処理と想定した。
【０１１４】
なお、この実施例４における比較例として、実施例１において、酸素分圧が０％、１０％で、かつ、ＲＴＰ処理温度を１３００℃、１３３０℃、１３５０℃及び１３８０℃で急速加熱・急速冷却熱処理を行ったサンプルについても同様な酸素析出熱処理を行い酸素析出物密度を評価した。
【０１１５】
その結果、酸素分圧が低いほど、およびＲＴＰ処理温度が低いほど、酸素析出物密度が高くなることが判った。すなわち、比較例として行ったサンプルは、実施例４に比べて酸素析出物密度が高かった。これは、酸素分圧が高く、かつＲＴＰ処理温度が高いほど、格子間シリコン濃度が増加して過飽和度が高くなっており、酸素析出熱処理による酸素析出を抑制しているためであると考えられる。
【０１１６】
以上の結果から、本発明に係わるシリコンウェーハの製造方法を用いて製造されたシリコンウェーハは、急速加熱・急速冷却熱処理後の熱処理（例えば、デバイス工程における熱処理）において、ＤＺ層内に固溶酸素が再析出されるのを防止することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明のシリコンウェーハの製造方法に用いられるＲＴＰ装置の一例の概要を示す断面図である。
【図２】急速加熱・急速冷却熱処理における温度プロセスの一例を示す説明図である。
【図３】本発明に係わるＬＳＴＤ密度が低減されるメカニズムを説明するための概念図である。
【図４】本発明に係わるＬＳＴＤ密度が低減されるメカニズムにおいて、ウェーハの表面近傍のＣＯＰが残存するメカニズムを説明するための概念図である。
【図５】実施例１での急速加熱・急速冷却熱処理後の各条件におけるＬＳＴＤ密度及び全スリップ長の発生状況を表す結果図である。
【図６】実施例２における酸化膜の膜厚バラツキを算出する際の測定点を説明するための概念図である。
【図７】実施例２に係わる急速加熱・急速冷却熱処理後の膜厚バラツキに対するスリップ長の発生状況を表す結果図である。
【図８】実施例３に係わるシリコンウェーハの固溶酸素濃度に対するＬＳＴＤ密度減少率及び酸素析出物密度を表す結果図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１０  ＲＴＰ装置
２０  反応管
３０  ランプ
４０  ウェーハ支持部  
【図１】
2010040587.tif 000003
【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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