(57)【要約】【課題】従来に比べてフォーカスリングの寿命を長期化することができ、プラズマ処理装置の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることのできるフォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】フォーカスリング１５の内周部１５ａの上面は、半導体ウエハＷの周縁部下面と対向するように配置されており、このフォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との距離ａが、初めてフォーカスリング１５がプラズマ処理に使用される時点において、すなわち、新品のフォーカスリング１５の使用を開始する時点において、０．４ｍｍ以上となるように構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置された環状のフォーカスリングであって、
初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されたことを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２】
請求項１記載のフォーカスリングであって、
初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするフォーカスリング。
【請求項３】
請求項１又は２記載のフォーカスリングであって、
シリコンから構成されたことを特徴とするフォーカスリング。
【請求項４】
被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記下部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるための高周波電源と、
前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、
前記下部電極に、前記被処理基板の周囲を囲むように載置されるフォーカスリングであって、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されたフォーカスリングと
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理装置であって、
前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載のプラズマ処理装置であって、
前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理装置であって、
前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
上部電極と下部電極とが対向配置された処理チャンバー内の前記下部電極上に被処理基板を載置し、かつ、前記下部電極上に前記被処理基板の周囲を囲むように環状のフォーカスリングを配置し、前記上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマ処理方法であって、
前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項８又は９記載のプラズマ処理方法であって、
前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のプラズマ処理方法であって、
前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造分野等では、処理ガスをプラズマ化して、被処理基板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等に所定の処理、例えばエッチング処理や成膜処理等を施すプラズマ処理装置が知られている。
【０００３】
上記のプラズマ処理装置、例えば、半導体ウエハにプラズマエッチング処理を施すプラズマ処理装置では、下部電極上に載置された半導体ウエハの周囲にフォーカスリングを設け、半導体ウエハの面内におけるプラズマ処理の均一性を高めることが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００８−７８２０８号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のようにフォーカスリングを用いたプラズマ処理装置では、フォーカスリングがプラズマに晒されるため、フォーカスリング自体もエッチングされて消耗する。このようなフォーカスリングの消耗に連れて半導体ウエハの面内における処理の均一性も悪化するため、ある程度フォーカスリングが消耗した時点で、消耗したフォーカスリングを新しいフォーカスリングに交換する必要がある。
【０００５】
しかしながら、上記のようなフォーカスリングの交換は、プラズマ処理装置の稼働率を低下させる一因となり、また、ランニングコストを増大させる要因となる。このため、フォーカスリングの寿命をさらに長期化させてプラズマ処理装置の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることが求められていた。
【０００６】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べてフォーカスリングの寿命を長期化することができ、プラズマ処理装置の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることのできるフォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１のフォーカスリングは、被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置された環状のフォーカスリングであって、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２のフォーカスリングは、請求項１記載のフォーカスリングであって、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３のフォーカスリングは、請求項１又は２記載のフォーカスリングであって、シリコンから構成されたことを特徴とする。
【００１０】
請求項４のプラズマ処理装置は、被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるための高周波電源と、前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、前記下部電極に、前記被処理基板の周囲を囲むように載置されるフォーカスリングであって、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されたフォーカスリングとを備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項５のプラズマ処理装置は、請求項４記載のプラズマ処理装置であって、前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とする。
【００１２】
請求項６のプラズマ処理装置は、請求項４又は５記載のプラズマ処理装置であって、前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項７のプラズマ処理装置は、請求項６記載のプラズマ処理装置であって、前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項８のプラズマ処理方法は、上部電極と下部電極とが対向配置された処理チャンバー内の前記下部電極上に被処理基板を載置し、かつ、前記下部電極上に前記被処理基板の周囲を囲むように環状のフォーカスリングを配置し、前記上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項９のプラズマ処理方法は、請求項８記載のプラズマ処理方法であって、前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とする。
【００１６】
請求項１０のプラズマ処理方法は、請求項８又は９記載のプラズマ処理方法であって、前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とする。
【００１７】
請求項１１のプラズマ処理方法は、請求項１０記載のプラズマ処理方法であって、前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、従来に比べてフォーカスリングの寿命を長期化することができ、プラズマ処理装置の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることのできるフォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のフォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の詳細を図面を参照して実施形態について説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１の全体構成を示すものであり、図２は、本発明の一実施形態に係るフォーカスリング１５及びプラズマエッチング装置１の要部構成を示すものである。まず、図１を参照してプラズマエッチング装置１の全体構成を説明する。
【００２１】
プラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【００２２】
プラズマエッチング装置１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー２を有しており、この処理チャンバー２は接地されている。処理チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理基板、例えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられている。さらに、このサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ（載置台）５が設けられている。このサセプタ５には、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００２３】
サセプタ支持台４の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し冷媒排出管９から排出される。そして、その冷熱がサセプタ５を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷが所望の温度に制御される。
【００２４】
サセプタ５は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材１０の間に電極１２を配置して構成されている。そして、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハＷを静電吸着する。
【００２５】
絶縁板３、サセプタ支持台４、サセプタ５、静電チャック１１には、半導体ウエハＷの裏面に、伝熱媒体（例えばＨｅガス等）を供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱が半導体ウエハＷに伝達され半導体ウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
【００２６】
サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置された半導体ウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。本実施形態においてこのフォーカスリング１５はシリコンから構成されている。
【００２７】
図２にも示すように、このフォーカスリング１５の外側には、石英からなる外側部材１６が設けられ、フォーカスリング１５の下側には、石英製の下側部材１７が設けられている。また、フォーカスリング１５の内周部１５ａは、その厚みが薄く形成されており、半導体ウエハＷの周縁部下側にまで延在するよう構成されている。したがって、フォーカスリング１５の内周部１５ａの上面は、半導体ウエハＷの周縁部下面と対向するように配置されている。本実施形態では、このフォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との距離（図２に示す距離ａ）が、初めてフォーカスリング１５がプラズマ処理に使用される時点において（新品のフォーカスリング１５の使用を開始する時点において）０．４ｍｍ以上となるように構成されている。この理由については、後述する。
【００２８】
上記フォーカスリング１５の内周部１５ａの外側には、次第に厚みが厚くなる傾斜部１５ｃが形成されている。また、この傾斜部１５ｃの外側には、その厚みが厚く上側が平坦とされた平坦部１５ｂが形成されており、平坦部１５ｂの外側には、外側部材１６を係止するための段部１５ｄが形成されている。
【００２９】
図１に示すように、サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、処理チャンバー２の上部に支持されている。上部電極２１は、電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性材料からなる電極支持体２５とによって構成されている。電極板２４は、例えば、導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔２３を有する。この電極板２４は、サセプタ５との対向面を形成する。
【００３０】
上部電極２１における電極支持体２５の中央にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されている。さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフローコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されている。処理ガス供給源３０から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガスが供給される。
【００３１】
処理チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開いた状態で半導体ウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００３２】
上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿されている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数（本実施形態では６０ＭＨｚ）を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
【００３３】
下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は、第１の高周波電源４０より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数の高周波電力を印加することにより、被処理基板である半導体ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。すなわち、第２の高周波電源５０は、バイアス用高周波電力を印加するためのものである。第２の高周波電源５０の周波数は、１〜２０ＭＨｚの範囲が好ましい（本実施形態では２ＭＨｚ）。
【００３４】
上記構成のプラズマエッチング装置１は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置１の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００３５】
ユーザインターフェース部６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００３６】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３７】
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３８】
その後、バルブ２８が開放されて、処理ガス供給源３０から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ２９によってその流量を調整されつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の中空部へと導入され、さらに電極板２４の吐出孔２３を通って、図１の矢印に示すように、半導体ウエハＷに対して均一に吐出される。
【００３９】
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第１の高周波電源４０から所定の周波数の高周波電力が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
【００４０】
他方、第２の高周波電源５０から、上記の第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
【００４１】
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。
【００４２】
次に、本実施形態において、図２に示した距離ａが０．４ｍｍ以上となるようにフォーカスリング１５を構成した理由について説明する。図３は、新品のフォーカスリング１５の使用を開始した際の使用時間と半導体ウエハＷのエッチングレート（半導体ウエハＷ上に形成したシリコン酸化膜のエッチングレートの平均値。以下同じ）を調べた結果を示すものである。この図３に示されるように、フォーカスリング１５の使用開始から使用時間が３００時間程度となるまでのエッチングレートの変化量が大きくなっている。
【００４３】
ここで、フォーカスリング１５を使用した場合、プラズマの作用によりエッチングされて消耗し、厚さが変化する部分は、図２に示す内周部１５ａの厚さＡ、平坦部１５ｂの厚さＢであり、また、傾斜部１５ｃの角度Ｃも変化する。そこで、これらの部分の厚さＡ，Ｂ及び角度Ｃの変化がエッチングレートに与える影響を調べた結果を示すものが図４である。この図４では、新品のフォーカスリング１５の使用を開始した際に、その使用時間１００時間毎に、厚さＡ（初期値３ｍｍ），Ｂ（初期値８．３ｍｍ）及び角度Ｃ（初期値７５°）がエッチングレートに与える影響（エッチングレート増加量）を調べたものであり、各棒グラフの下側から順にＡ，Ｂ，Ｃによるエッチングレート増加量を示してある。
【００４４】
図４に示されるとおり、フォーカスリング１５の使用開始直後、エッチングレートの変化に最も影響を与えるのは、厚さＡであり、特に使用開始から使用時間が３００時間程度となるまでのエッチングレートの変化量が大きくなっている。
【００４５】
図５のグラフは、上記した厚さＡが０．２ｍｍ変化した際のエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）の変化量（縦軸）と使用開始前の厚さＡ（ｍｍ）（横軸）との関係を調べた結果を示すものである。この図５のグラフに示されるように、使用開始前の厚さＡが３ｍｍから２．９ｍｍ程度までは、厚さＡが０．２ｍｍ変化した際のエッチングレートの変化量が大きい。また、使用開始前の厚さＡが略２．８ｍｍでエッチングレートの変化量が２ｎｍ程度となり、略２．６ｍｍでエッチングレートの変化量が１ｎｍ程度となる。そして、使用開始前の厚さＡが２．６ｍｍより小さくなるとエッチングレートの変化量はほとんど変わらなくなっている。
【００４６】
この場合、使用開始前の厚さＡが３ｍｍの時、図１に示すフォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との距離ａが０．２ｍｍであり、厚さＡが２．８ｍｍの時、距離ａが０．４ｍｍ、厚さＡが２．６ｍｍの時、距離ａが０．６ｍｍである。このため、本実施形態では、初めてフォーカスリング１５がプラズマ処理に使用される時点において（すなわち、新品のフォーカスリング１５の使用を開始する時点において）、フォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との距離ａを０．４ｍｍ以上として、フォーカスリング１５の消耗によるエッチングレートの変化量を抑制している。
【００４７】
これによって、フォーカスリング１５が消耗しても、エッチングレートがほとんど変化しないので、よりフォーカスリング１５を長期に亘って使用することが可能となり、従来に比べてフォーカスリング１５の寿命を長期化することができ、プラズマ処理装置１の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることができる。なお、図５に示すように、距離ａを０．６ｍｍより大きくしても、エッチングレートの変化量はほとんど変化しないため、距離ａは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００４８】
上記のように、フォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との距離ａの違いが、エッチングレートの変化量に大きな影響を与えるのは、以下のような理由によると推測される。
【００４９】
すなわち、間に石英製の下側部材１７を挟んでいるとはいえ、シリコン製のフォーカスリング１５が、高周波電力が印加されるサセプタ（下部電極）５上に配置されているため、サセプタ（下部電極）５からフォーカスリング１５を経由する高周波電力の経路が形成されており、フォーカスリング１５の内周部１５ａの上面と半導体ウエハＷの周縁部下面との間にはキャパシタが形成されていると考えられる。そして、このキャパシタの容量は、距離ａに反比例するため、距離ａが短いと容量が大きく、かつ、距離ａの変化による容量の変動も大きくなる。このため、距離ａが短いと半導体ウエハＷのエッチングレートが低くなり、かつ距離ａの変化によってエッチングレートの変動も大きくなると考えられる。
【００５０】
一方、距離ａがある程度長いと、上記したキャパシタの容量が小さくなるため、フォーカスリング１５を経由する高周波電力の流れが少なくなって、サセプタ（下部電極）５から直接半導体ウエハＷに流れる高周波電力が多くなり、エッチングレートが上昇し、かつ、距離ａが変化しても上記したキャパシタの容量の変化が小さいため、エッチングレートの変化が小さくなると考えられる。
【００５１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上記した実施形態では、本発明を上部電極と下部電極に２種類の高周波を印加するタイプのプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、例えば、下部電極に１種類の高周波電力のみを印加するタイプのプラズマエッチング装置や、下部電極に２種類の高周波電力を印加するタイプのプラズマエッチング装置等についても同様にして適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置の全体概略構成を示す図。
【図２】図１のプラズマエッチング装置及びフォーカスリングの要部構成を示す図。
【図３】使用時間とエッチングレートの変化を調べた結果を示すグラフ。
【図４】厚さＡ，Ｂ及び角度Ｃの変化がエッチングレートに与える影響を調べた結果を示すグラフ。
【図５】厚さＡが０．２ｍｍ変化した際のエッチングレートの変化量と使用開始前の厚さＡとの関係を調べた結果を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５３】
１……プラズマエッチング装置、２……処理チャンバー、５……サセプタ（下部電極）、１５……フォーカスリング、２１……上部電極、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
2010045200.tif 000003
【図２】
2010045200.tif 000004
【図３】
2010045200.tif 000005
【図４】
2010045200.tif 000006
【図５】
2010045200.tif 000007