(57)【要約】【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップＣＨの長方形状の主面は、対角線上にある第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２と、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２を繋ぐ第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２とを有する。電極ＩＬと半導体チップＣＨのパッドＰＤとの間にワイヤＷＲが形成される。金型ＭＬのキャビティＣＶ内にワイヤＷＲが収められる。第１の頂点Ａ１から第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２に沿って第２の頂点Ａ２に向かうようにキャビティＣＶ内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤＷＲの形成は、平面視において、パッドＰＤと電極ＩＬとを結んだ直線に対して第１の頂点Ａ１から遠い側を通るようにワイヤＷＲを形成することにより行なわれる。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対角線上にある第１および第２の頂点と前記第１および第２の頂点を繋ぐ第１および第２の辺とを有する長方形状の主面を有し、かつ前記主面上に第１のパッドを有する半導体チップと、電極と、前記第１のパッドと前記電極とを接続するワイヤと、前記ワイヤを封止する樹脂部とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記第１のパッドと前記電極との間に前記ワイヤを形成する工程と、
金型のキャビティ内に前記ワイヤを収める工程と、
前記第１の頂点から前記第１および第２の辺に沿って前記第２の頂点に向かうように前記キャビティ内に液状樹脂を流し込む工程と、
前記液状樹脂を硬化することによって前記樹脂部を形成する工程とを備え、
前記ワイヤを形成する工程は、平面視において、前記第１のパッドと前記電極とを結んだ直線に対して前記第１の頂点から遠い側を通るように前記ワイヤを形成することにより行なわれる、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップは前記主面上に設けられた第２のパッドを含み、前記第２のパッドと前記主面の外縁との間隔は前記第１のパッドと前記外縁との間隔に比して小さい、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極は、前記樹脂部から突出した部分を有する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体装置は、前記半導体チップおよび前記電極の各々を支持する回路基板を含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ワイヤを封止する樹脂部を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージを封止構造的に見ると、気密封止パッケージと、非気密封止パッケージとの２つに分けることができる。特に非気密封止パッケージの中でも、トランスファ・モールド・タイプのプラスチック・パッケージが現在主流となっている。
【０００３】
トランスファ・モールド・タイプのプラスチック・パッケージの技術は、たとえば特開２００２−３１４００３号公報（特許文献１）に開示されている。この技術によれば、半導体装置の製造方法は以下の工程を有する。
【０００４】
樹脂フレーム上にダイボンド材によりＩＣチップが固定される。ワイヤボンディングによりＩＣチップ上のボンディングパッドと、樹脂フレームのランドとが電気的に接続される。モールド金型を使用してトランスファ・モールドを行なうことにより、ＩＣチップが樹脂封止される。
【特許文献１】特開２００２−３１４００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳｏＣ(System on Chip)などのように多数の密集したボンディングパッドを有するチップを用いた場合、各ボンディングパッドに接続されるワイヤも密集して形成される。これらのワイヤは、トランスファ・モールド工程において、流体であるモールド樹脂によって流れ方向にある程度押し流される。この際に特定のワイヤが特に大きく押し流されて下流側のワイヤと接触することで、ワイヤ間の電気的短絡が生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、互いに対角線上にある第１および第２の頂点とこの第１および第２の頂点をつなぐ第１および第２の辺とを有する長方形状の主面を有し、かつ主面上に第１のパッドを有する半導体チップと、電極と、第１のパッドと電極とを接続するワイヤと、このワイヤを封止する樹脂部とを含む半導体装置の製造方法であって、以下の工程を有する。
【０００８】
第１のパッドと電極との間にワイヤが形成される。金型のキャビティ内にワイヤが収められる。第１の頂点から第１および第２の辺に沿って第２の頂点に向かうようにキャビティ内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤの形成は、平面視において、第１のパッドと電極とを結んだ直線に対して第１の頂点から遠い側を通るようにワイヤを形成することにより行なわれる。
【発明の効果】
【０００９】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、第１のパッドと電極とを結んだ直線に対して、半導体チップの第１の頂点から遠い側、すなわち液状樹脂の流れの下流側を通るようにワイヤが形成される。これにより、液状樹脂によってワイヤが上流側から下流側に押し流される程度のワイヤ間ばらつきが抑制される。よって、特定のワイヤが大きく押し流されて他のワイヤに接触することが防止されるので、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。図１を参照して、本実施の形態の半導体装置は、トランスファ・モールド・タイプのプラスチック・パッケージＱＰであり、たとえばＱＦＰ（Quad Flat Package）である。このタイプのパッケージＱＰは、半導体チップＣＨを封止する樹脂部ＭＲの外周の四辺の各々から突き出したアウターリード部ＯＬを有する。また半導体チップＣＨは、長方形状の主面（図中の上面）を有する。この主面は、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２と、第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２とを有する。第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２は、互いに対角線上に位置している。また第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２は、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２を繋いでいる。
【００１１】
図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った概略断面図である。また図３は、図１の樹脂部内部における構成を概略的に示す平面図である。また図４は、図３のボンディングワイヤのうち半導体チップの外周ボンディングパッドに接続されたものの配置を説明するための平面図である。また図５は、図３のボンディングワイヤのうち半導体チップの内周ボンディングパッドに接続されたものの配置を説明するための平面図である。
【００１２】
図２〜図５を参照して、樹脂部ＭＲ内部には、上述した半導体チップＣＨと、リードフレームＬＦと、ボンディングワイヤＷＲとが配置されている。
【００１３】
半導体チップＣＨは主面上にボンディングパッドＰＤを有する。ボンディングパッドＰＤは、この主面の内周側に位置する内周ボンディングパッドＰＤ１（第１のパッド）と、この主面の外周側に位置する外周ボンディングパッドＰＤ２（第２のパッド）とを有する。この主面の外縁と外周ボンディングパッドＰＤ２との間隔は、この外縁と内周ボンディングパッドＰＤ１との間隔に比して小さい。
【００１４】
ボンディングワイヤＷＲは、内周ボンディングワイヤＷＲ１と、外周ボンディングワイヤＷＲ２とを有する。内周ボンディングワイヤＷＲ１は、内周ボンディングパッドＰＤ１とリードフレームＬＦとを接続している。また外周ボンディングワイヤＷＲ２は、外周ボンディングパッドＰＤ２とリードフレームＬＦとを接続している。図２に示すように、内周ボンディングワイヤＷＲ１は、外周ボンディングワイヤＷＲ２を飛び越えるように設けられている。このため内周ボンディングワイヤＷＲ１の高さは、外周ボンディングワイヤＷＲ２の高さよりも高くされている。
【００１５】
リードフレームＬＦは、樹脂部ＭＲ内部において、ダイパッドＤＰと、複数本のインナーリード部ＩＬ（電極）と、バスバーＢＢと、接地リングＧＲと、接続部ＣＰと、吊リードＳＬとを有し、また樹脂部ＭＲ外部においてアウターリード部ＯＬ（電極）を有する。
【００１６】
ダイパッドＤＰは、リードフレームＬＦのほぼ中央に位置している。またダイパッドＤＰ上に接着剤を介して半導体チップＣＨが搭載されている。
【００１７】
複数本のインナーリード部ＩＬは、半導体チップＣＨとの間で入出力信号をやり取りする部分であり、たとえば半導体チップＣＨを中心とした放射線状に配置されている。複数本のインナーリード部ＩＬの各々の先端は、平面視においてダイパッドＤＰおよび半導体チップＣＨの各々の外縁よりも外周側に位置している。
【００１８】
バスバーＢＢは、たとえば半導体チップＣＨに電源電位を供給するためのものである。またバスバーＢＢは屈曲部ＳＴを有する。
【００１９】
接地リングＧＲは、半導体チップＣＨに接地電位を供給するためのものである。この接地リングＧＲは、平面視においてダイパッドＤＰの外縁よりも外周側に位置し、バスバーＢＢの張り出し部よりも内周側に位置している。この接地リングＧＲはダイパッドＤＰの外周全周を取囲むように配置されている。また接地リングＧＲとダイパッドＤＰとの間には、接地リングＧＲの上面に対してダイパッドＤＰの上面が低くなるように屈曲された屈曲部ＳＴ１が形成されている。また接地リングＧＲと吊リードＳＬとの間には、吊リードＳＬの上面に対して接地リングＧＲの上面が低くなるように屈曲された屈曲部ＳＴ２が形成されている。
【００２０】
接続部ＣＰは、ダイパッドＤＰと接地リングＧＲとを繋ぐためのものであり、平面視においてダイパッドＤＰの一辺にたとえば２つずつ設けられている。吊リードＳＬは、接地リングＧＲの４つの角部の各々に接続されており、かつ接地リングＧＲとの接続部から外周側へ延びている。
【００２１】
外周ボンディングパッドＰＤ２のいくつかは、バスバーＢＢの張り出し部に外周ボンディングワイヤＷＲ２により電気的に接続されている。外周ボンディングパッドＰＤ２の残りのいくつかは、接地リングＧＲに外周ボンディングワイヤＷＲ２により電気的に接続されている。
【００２２】
内周ボンディングパッドＰＤ１のいくつかは、インナーリード部ＩＬに内周ボンディングワイヤＷＲ１により電気的に接続されている。内周ボンディングパッドＰＤ１のたとえば１つは、バスバーＢＢの並走部に内周ボンディングワイヤＷＲ１により電気的に接続されている。
【００２３】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図６は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図である。また図７は、図６のボンディングワイヤの形状を説明するための概略的な部分断面図である。また図８は、図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った概略的な部分断面図である。また図９は、図７の矢印ＩＸから見た概略的な部分平面図である。また図１０は、図７の矢印Ｘから見た概略的な部分斜視図である。
【００２４】
主に図６〜図１０を参照して、まずリードフレームＬＦが準備される。次にリードフレームＬＦのダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＨが接着剤などを介して接着される。
【００２５】
次にボンディングパッドＰＤからリードフレームＬＦへボンディングワイヤＷＲが形成されることにより、ボンディングパッドＰＤとリードフレームＬＦとのワイヤボンディングが行なわれる。より具体的には、まず外周ボンディングパッドＰＤ２からリードフレームＬＦへ外周ボンディングワイヤＷＲ２が形成され、次に内周ボンディングパッドＰＤ１からリードフレームＬＦへ内周ボンディングワイヤＷＲ１が形成される。
【００２６】
ボンディングワイヤＷＲの形成は、平面視において、ボンディングパッドＰＤとリードフレームＬＦとを結んだ直線（図９および図１０の破線）に対して第１の頂点Ａ１（図１）から遠い側（図中、矢印Ｍが向かう側）を通るようにボンディングワイヤＷＲを形成することにより行なわれる。この矢印Ｍは、後述する液状樹脂の流れ方向に対応している。
【００２７】
ボンディングワイヤＷＲは、部分Ｗａ〜Ｗｃを有する。部分ＷａはボンディングパッドＰＤからほぼ垂直に立上がっている。部分Ｗｂは、部分Ｗａと部分Ｗｃを繋いでいる。部分Ｗｃは、部分Ｗｂと、インナーリード部ＩＬなどのリードフレームＬＦとを繋いでいる。部分Ｗｂと部分Ｗｃとの間にはワイヤボンディングの際に屈曲点Ｆが形成される。
【００２８】
屈曲点Ｆは、平面視において、ボンディングパッドＰＤとリードフレームＬＦとを結んだ直線（図９および図１０の破線）に対して第１の頂点Ａ１（図１）から遠い側（図９の上側、図１０の右側）を通るように形成される。またボンディングワイヤＷＲは、図８に示すように、屈曲点Ｆ近傍において半導体チップＣＨの主面に対して角度ＴＨだけ傾いた面に沿って延びている。角度ＴＨは、たとえば２０度とされる。
【００２９】
図１１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図である。また図１２は、図１１の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿った概略的な部分断面図である。また図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った概略的な部分断面図である。
【００３０】
図１１〜図１３を参照して、トランスファ・モールド用の金型ＭＬが準備される。金型ＭＬは上金型ＭＬａと、下金型ＭＬｂとを有する。上金型ＭＬａおよび下金型ＭＬｂは、互いに対向することによりキャビティＣＶが形成されるような形状を有する。
【００３１】
次にアウターリード部ＯＬが上金型ＭＬａと下金型ＭＬｂとの間に挟み込まれる。これによりボンディングワイヤＷＲはキャビティＣＶ内に収められる。
【００３２】
次に、矢印Ｍ（図１１および図１３）に示すように、第１の頂点Ａ１（図１３）から第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２に沿って第２の頂点Ａ２に向かうように、キャビティＣＶ内に液状樹脂が流し込まれる。この液状樹脂の流し込みによって、角度ＴＨ（図８）は、たとえば２０度から１０±５度だけ増大して３０±５度となる。すなわち角度ＴＨの増大の程度は、各ボンディングワイヤＷＲ間で、±５度程度のばらつきを有する。
【００３３】
上記の液状樹脂が硬化されることによって樹脂部ＭＲ（図１）が形成される。次にアウターリード部ＯＬ（図１）の切断および曲げ加工が行なわれる。これにより、本実施の形態の半導体装置が製造される。
【００３４】
次に、本実施の形態の比較例について説明する。
図１４および図１５のそれぞれは、比較例における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図であり、本実施の形態の図８および図１３に対応する図である。本比較例のボンディングワイヤＷＺは、本実施の形態のボンディングワイヤＷＲ（図８）と異なり、液状樹脂が流し込まれる前においては半導体チップＣＨの主面に対する傾斜（図８の角度ＴＨに示す傾斜）を有していない。これによりボンディングワイヤＷＺは、図１５に示すように、平面視においては直線的な形状を有する。
【００３５】
図１６および図１７のそれぞれは、比較例における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図および部分断面図である。
このボンディングワイヤＷＺに対して液状樹脂が矢印Ｍの方向に流し込まれると、図１６に示すように、ボンディングワイヤＷＺは平面視において矢印Ｍの方向に湾曲するように押し流される。この結果、ボンディングワイヤＷＺは、図８に示す形状に近い形状を有するようになるが、角度ＴＨ（図８）のボンディングワイヤＷＺ間でのばらつきは、本実施の形態に比して大きくなる。すなわち液状樹脂が流し込まれた後のボンディングワイヤＷＺの角度ＴＨ（図８）は、たとえば３０±２０度となり、本実施の形態における角度ＴＨ＝３０±５度と比して、角度ＴＨのばらつきが大きくなる。
【００３６】
このようにボンディングワイヤＷＺ間で液状樹脂に押し流される程度のばらつきが大きいことから、図１７に示すように、ボンディングワイヤＷＺ間での接触による短絡ＳＣが発生しやすくなる。この短絡ＳＣは、半導体装置の故障の原因となる。
【００３７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ボンディングパッドＰＤと、リードフレームＬＦのたとえばインナーリード部ＩＬとを結んだ直線（図９および図１０の破線）に対して、半導体チップＣＨの第１の頂点Ａ１から遠い側、すなわち液状樹脂の流れ（矢印Ｍ）の下流側を通るようにボンディングワイヤＷＲが形成される。これにより、液状樹脂によってボンディングワイヤＷＲが上流側から下流側に押し流される程度のボンディングワイヤＷＲ間でのばらつきが抑制される。よって、特定のボンディングワイヤＷＲが大きく押し流されて他のボンディングワイヤＷＲに接触することが防止されるので、ボンディングワイヤＷＲ間の電気的短絡ＳＣ（図１７）を防止することができる。
【００３８】
また本実施の形態によれば、外周ボンディングワイヤＷＲ２の高さよりも高い内周ボンディングワイヤＷＲ１が形成される。このように高さが高いことで液状樹脂に押し流されやすい内周ボンディングワイヤＷＲ１の短絡を、本実施の形態により防止することができる。
【００３９】
また本実施の形態によれば、図５に示すように、一部の内周ボンディングワイヤＷＲ１は、接地リングＧＲを超えることができるだけの長さに渡って設けられる。このように長さが長いことで液状樹脂に押し流されやすい内周ボンディングワイヤＷＲ１の短絡を、本実施の形態により防止することができる。
【００４０】
また本実施の形態によれば、図５に示すように、一部の内周ボンディングワイヤＷＲ１は、バスバーＢＢを超えることができるだけの長さに渡って設けられる。このように長さが長いことで液状樹脂に押し流されやすい内周ボンディングワイヤＷＲ１の短絡を、本実施の形態により防止することができる。
【００４１】
また本実施の形態によれば、リードフレームＬＦは、アウターリード部ＯＬを有する。これにより、たとえばＱＦＰなどの、樹脂部ＭＲから突き出た外部電極を有するパッケージを形成することができる。
【００４２】
（実施の形態２）
図１８は、本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。また図１９は、図１８の樹脂部内部における構成を概略的に示す平面図である。また図２０は、図１９の破線部ＸＸの概略拡大図である。
【００４３】
図１８〜図２０を参照して、本実施の形態の半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプのプラスチック・パッケージＢＰである。パッケージＢＰは、リードフレームＬＦ（実施の形態１）の代わりに、電極ＥＬと、回路基板ＣＢと、はんだボールＢＬとを有する。また樹脂部ＭＲ（実施の形態１）の代わりに樹脂部ＭＲｂを有する。
【００４４】
電極ＥＬは、ボンディングワイヤＷＲによって半導体チップＣＨと接続されている。また半導体チップＣＨおよび電極ＥＬの各々は回路基板ＣＢに支持されている。また樹脂部ＭＲｂは、ボンディングワイヤＷＲおよび半導体チップＣＨを封止している。
【００４５】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰返さない。
【００４６】
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また本実施の形態によれば、パッケージＢＰは、半導体チップＣＨおよび電極ＥＬの各々を支持する回路基板ＣＢを有する。これにより、回路基板ＣＢを有するＢＧＡパッケージを形成することができる。
【００４７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、ワイヤを封止する樹脂部を有する半導体装置の製造方法に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った概略断面図である。
【図３】図１の樹脂部内部における構成を概略的に示す平面図である。
【図４】図３のボンディングワイヤのうち半導体チップの外周ボンディングパッドに接続されたものの配置を説明するための平面図である。
【図５】図３のボンディングワイヤのうち半導体チップの内周ボンディングパッドに接続されたものの配置を説明するための平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図である。
【図７】図６のボンディングワイヤの形状を説明するための概略的な部分断面図である。
【図８】図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った概略的な部分断面図である。
【図９】図７の矢印ＩＸから見た概略的な部分平面図である。
【図１０】図７の矢印Ｘから見た概略的な部分斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１２】図１１の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿った概略的な部分断面図である。
【図１３】図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った概略的な部分断面図である。
【図１４】比較例における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図であり、本実施の形態の図８に対応する図である。
【図１５】比較例における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図であり、本実施の形態の図１３に対応する図である。
【図１６】比較例における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１７】比較例における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１９】図１８の樹脂部内部における構成を概略的に示す平面図である。
【図２０】図１９の破線部ＸＸの概略拡大図である。
【符号の説明】
【００５０】
Ａ１  第１の頂点、Ａ２  第２の頂点、ＢＢ  バスバー、ＢＬ  はんだボール、ＢＰ，ＱＰ  パッケージ、ＣＢ  回路基板、ＣＨ  半導体チップ、ＣＰ  接続部、ＣＶ  キャビティ、ＤＰ  ダイパッド、ＥＬ  電極、Ｆ  屈曲点、ＧＲ  接地リング、ＩＬ  インナーリード部（電極）、Ｌ１  第１の辺、Ｌ２  第２の辺、ＬＦ  リードフレーム、ＭＬ  金型、ＭＬａ  上金型、ＭＬｂ  下金型、ＭＲ，ＭＲｂ  樹脂部、ＯＬ  アウターリード部（電極）、ＰＤ  ボンディングパッド、ＰＤ１  内周ボンディングパッド、ＰＤ２  外周ボンディングパッド、ＳＬ  吊リード、ＳＴ，ＳＴ１，ＳＴ２  屈曲部、ＷＲ  ボンディングワイヤ、ＷＲ１  内周ボンディングワイヤ、ＷＲ２  外周ボンディングワイヤ、ＷＺ  ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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