(57)【要約】【課題】基板が反ることなく、窒化物半導体発光素子を安定してより簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下である基板上に、バッファ層およびｎ型層をこの順に形成する工程（Ａ）と、ｎ型層上に活性層およびｐ型層をこの順に形成する工程（Ｂ）と、ｐ型層上に電流拡散層を形成する工程（Ｃ）と、電流拡散層上に、パット電極を形成する工程（Ｄ）と、基板の厚み方向の上下を固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）とを含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下である基板上に、バッファ層およびｎ型層をこの順に形成する工程（Ａ）と、
前記ｎ型層上に活性層およびｐ型層をこの順に形成する工程（Ｂ）と、
前記ｐ型層上に電流拡散層を形成する工程（Ｃ）と、
前記電流拡散層上に、パット電極を形成する工程（Ｄ）と、
前記基板の厚み方向の上下を固定した上で、前記基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）とを含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記基板を切断する工程（Ｅ）の後に、前記基板の切断した面に対し、ポリッシングを行なう工程（Ｆ）を含む、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ｄ）の後に、
前記基板と、前記パット電極とを固定した上で、前記基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）を行なう、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ａ）の後に、
前記基板と、前記ｎ型層とを固定した上で、前記基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）を行なう、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ｄ）の後に、
前記ｎ型層を露出させることにより、チップ分割溝を形成する工程（Ｇ）を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、特に基板の反りを低減することができる窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ等の窒化物半導体を含む窒化物半導体発光素子は、広く研究が進められている。たとえば、ＧａＮを含む青色系発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」とも称する）と黄色の発光体とを組み合わせた白色ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）は、携帯電話等の液晶ディスプレイのバックライトとして普及している。当該白色ＬＥＤは、低消費電力および長寿命などの利点を有するため、蛍光灯や白熱灯に代わる光源として期待されており、研究および開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような窒化物半導体発光素子は、サファイア基板上に、発光層を含む窒化物半導体層を結晶成長させることにより製造されるのが一般的である。
【０００４】
しかしながら、このようにして製造される窒化物半導体発光素子は、サファイア基板と、窒化物半導体層との熱膨張係数が異なることにより、加熱して窒化物半導体層を形成するときに、これらの界面で圧縮応力または引張応力が生じることとなり、結果としてサファイア基板が反り、場合によっては窒化物半導体発光素子が大きく歪むという問題があった。
【０００５】
このようにサファイア基板に反りが生ずること、および窒化物半導体発光素子に歪みが生じることにより、窒化物半導体発光素子の発光波長にバラつきが生じたり、窒化物半導体発光素子の電気特性が安定しにくくなったりするという不具合が生じていた。
【０００６】
そこで、上記のような問題を解決するための試みとして、特許文献１には、窒化物半導体層を結晶成長させる前から反っているサファイア基板を用いることにより、サファイア基板の反りと、窒化物半導体層の結晶成長から生じるサファイア基板の反りとを相殺させることをもって、窒化物半導体発光素子の歪みを低減する方法が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法により反りの少ないサファイア基板を含む窒化物半導体発光素子を安定して作製するためには、サファイア基板の初期の反りと、窒化物半導体層の結晶成長の温度と、窒化物半導体層の熱膨張係数との三者のバランスを適切に制御することが必要であるが、これらの三者をバランスよく制御することは高度な技術を要するものであり、特に量産するときにはその性能が不安定になるという問題があった。
【０００８】
このため、反りの少ないサファイア基板を含む窒化物半導体発光素子をより簡便に製造する方法の登場が強く望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１６８６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、基板が反ることなく、窒化物半導体発光素子を安定してより簡便に製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、窒化物半導体発光素子の製造方法について、基板が反らないようにするために鋭意検討を重ねた結果、基板そのものの厚みを厚くすることにより、その基板上に窒化物半導体層を形成したときの基板の反りを低減することができるという着想を得、当該着想に基づき基板の厚みを適宜変更し、種々の検討を重ねた。
【００１２】
その結果、従来よりも厚い基板を用いることにより、窒化物半導体発光素子の反りを低減することはできるものの、窒化物半導体発光素子そのものが大型化してしまうこととなり実用化には不向きであるという問題に直面した。
【００１３】
そこで、基板上に窒化物半導体層を結晶成長させた後に、その厚み方向の上下（すなわち、基板および窒化物半導体層）を固定した上で、基板をその厚み方向に切断して基板を薄型化することにより、基板の反りを抑制しつつ、窒化物半導体発光素子の大型化も防止することができることが明らかとなり、本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下である基板上に、バッファ層およびｎ型層をこの順に形成する工程（Ａ）と、ｎ型層上に活性層およびｐ型層をこの順に形成する工程（Ｂ）と、ｐ型層上に電流拡散層を形成する工程（Ｃ）と、電流拡散層上に、パット電極を形成する工程（Ｄ）と、基板の厚み方向の上下を固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）とを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、基板を切断する工程（Ｅ）の後に、基板の切断した面に対し、ポリッシングを行なう工程（Ｆ）を含むことが好ましい。
【００１６】
また、工程（Ｄ）の後に、基板と、パット電極とを固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）を行なうことが好ましい。
【００１７】
また、工程（Ａ）の後に、基板とｎ型層とを固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）を行なうことが好ましい。
【００１８】
また、工程（Ｄ）の後に、ｎ型層を露出させることにより、チップ分割溝を形成する工程（Ｇ）を含むことが好ましい。
【００１９】
また、工程（Ｅ）において、基板の厚み方向の上下の固定は、樹脂を貼り合せることにより行なうことが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、上記のような各構成を有することにより、基板の熱膨脹係数と、窒化物半導体層の熱膨脹係数との差に起因する基板の反りを低減することができ、もって窒化物半導体発光素子を安定して簡便に製造することができる。
【００２１】
このように窒化物半導体発光素子の基板の反りを小さくすることにより、基板を再利用することができ、窒化物半導体発光素子の製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の製造方法により製造される窒化物半導体発光素子の模式的な断面図である。
【図２】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図６】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図７】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な斜視図である。
【図８】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な斜視図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｅ）により切断された後に分割した形態を示す模式的な斜視図である。
【図１０】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜窒化物半導体発光素子＞
図１は、本発明の製造方法により製造される窒化物半導体発光素子の一例を示す模式的な断面図である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２４】
本発明の製造方法により製造される窒化物半導体発光素子１は、図１に示されるように、基板１１上に、バッファ層２１と、ｎ型層２２とをこの順に備え、当該ｎ型層２２上の一部に、活性層２３と、ｐ型層２４と、電流拡散層３と、パッド電極４とをこの順に形成したものである。また、ｎ型層２２上の活性層２３が形成されていない部分の一部にも、パッド電極５が形成される。ここで、バッファ層２１、ｎ型層２２、活性層２３、およびｐ型層２４のことを窒化物半導体層とも称する。
【００２５】
以下に、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一例を図２〜１０の模式的断面図を参照しつつ説明する。図２〜図１０はいずれも、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図または斜視図である。
【００２６】
＜窒化物半導体発光素子の製造方法＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下の基板１１上に、バッファ層２１およびｎ型層２２をこの順に形成する工程（Ａ）と（図２）、ｎ型層２２上に活性層２３およびｐ型層２４をこの順に形成する工程（Ｂ）と（図３）、ｐ型層２４上に電流拡散層３を設ける工程（Ｃ）と（図４）、基板１１の厚み方向の上下を固定した上で、基板１１をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）と（図７）を含むことを特徴とする。なお、工程（Ｅ）の後に、基板１１の切断面に対し、ポリッシングを行なう工程（Ｆ）を含むことが好ましい（図１０）。
【００２７】
以下に、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法を構成する各工程を説明する。
（実施の形態１）
実施の形態１では、上述の工程のうち、工程（Ａ）、工程（Ｂ）、工程（Ｃ）、工程（Ｄ）、および工程（Ｅ）をこの順に行なうことを特徴とする。
【００２８】
＜工程（Ａ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ａ）は、図２に示されるように、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下の基板１１上に、バッファ層２１およびｎ型層２２をこの順に形成する工程である。
【００２９】
従来の窒化物半導体発光素子の製造方法では、厚み４５０μｍ程度の基板を用いていたが、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では従来の基板の厚みよりも極端に厚い、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下の基板１１を用いることを特徴とする。このように従来の基板よりも極端に厚い厚みの基板を用いることにより、基板１１と窒化物半導体層２との界面で生じる圧縮応力または引張応力に起因する基板１１の反りを低減することができる。
【００３０】
具体的には、従来のように厚み４５０μｍの基板を用いて１インチウエハのエピタキシャル成長を行なう場合、５０〜１００μｍ程度の反りが発生していたが、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法のように、０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下の基板１１を用いて１インチウエハのエピタキシャル成長を行なうことにより、基板１１の反りを０．２μｍ程度に抑えることができる。
【００３１】
基板１１に用いられる材料としては、従来公知の材料であればどのような材料であってもよく、たとえばサファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ等を挙げることができる。
【００３２】
また、バッファ層２１には、たとえばＧａＮを用いることができ、ｎ型層２２には、たとえばドナー不純物がドープされたＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を用いることができる。
【００３３】
＜工程（Ｂ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｂ）は、工程（Ａ）で形成したｎ型層２２上に、活性層２３およびｐ型層２４を形成する工程である（図３）。
【００３４】
ここで、活性層２３は、たとえばＧａＮからなるバリア層とＩｎqＧａ1-qＮ（０＜ｑ＜１）からなるウェル層とを含む層である。これらバリア層とウェル層の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば、それぞれ３〜３０ｎｍ、０．５〜５ｎｍとすることができる。
【００３５】
一方、ｐ型層２４に用いられる材料としては、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ等を用いることができる。当該ｐ型層２４の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば５０〜１０００ｎｍとすることができる。
【００３６】
＜工程（Ｃ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｃ）は、工程（Ｂ）で形成したｐ型層２４上に電流拡散層３を形成する工程である（図４）。ここで、電流拡散層３を形成する方法としては、たとえばスパッタリング法を用いることができる。また、電流拡散層３に用いられる材料としては、たとえばＩＴＯを挙げることができる。この電流拡散層３の厚みは、たとえば１５０ｎｍ程度にすることができる。
【００３７】
なお、電流拡散層３に対しアニーリング処理を行なうことにより、電流拡散層３の透過率を上昇させつつ、その抵抗率を下げることができる。このアニーリング処理の温度は、たとえば６５０℃程度にすることが好ましい。
【００３８】
上述の工程（Ｃ）の後に、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductively  Coupled  Plasma）ドライエッチング装置を用いてメサエッチングを行なうことにより、活性層２３およびｐ型層２４の一部を除去し（図５）、ｎ型層２２の一部を露出させることが好ましい。
【００３９】
＜工程（Ｄ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｄ）は、工程（Ｃ）で形成された電流拡散層３、およびｎ型層２２上に対し、パッド電極４，５を形成する工程である（図６）。ここで、パッド電極４，５を形成する方法としては、たとえば電子ビーム法を用いて蒸着する方法を挙げることができる。このようなパッド電極４，５は、単層構造に限られるものではなく、多層構造をとることもできる。パッド電極４，５に用いられる材料としては、従来公知のものを採用することができ、たとえばＴｉ、Ｍｏ、Ａｕ等を用いることができる。
【００４０】
＜工程（Ｅ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｅ）は、基板１１の上下を固定台６に固定した上で、固定した基板１１の厚みを薄膜化するために基板１１の切除を行なう工程である（図７）。
【００４１】
上記の工程（Ａ）に示されるように、従来よりも厚みの厚い基板１１を用いることにより、窒化物半導体発光素子そのものが大型化するという問題が生じる。この問題を解消するために、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板を切断する工程（Ｅ）をさらに含むことを特徴とする。
【００４２】
本工程（Ｅ）は、工程（Ａ）のバッファ層２１およびｎ型層２２が形成された後に行なってもよいし、工程（Ｂ）の活性層２３およびｐ型層２４が形成された後に行なってもよいし、工程（Ｄ）のパッド電極４，５が形成された後に行なってもよい。
【００４３】
ここで、工程（Ａ）の後に工程（Ｅ）を行なう場合、基板１１とｎ型層２２とを固定台に固定した上で、基板１１の切除を行なうこととなる。また、工程（Ｂ）の後に本工程（Ｅ）を行なう場合、基板１１とｐ型層２４とを固定台に固定した上で、基板１１の切除を行なうこととなる。
【００４４】
また、工程（Ｄ）の後に本工程（Ｅ）を行なう場合、パッド電極４，５の電極面を保護するという観点から、パッド電極４，５の電極面をレジストにより被覆した上で、基板１１とパッド電極４，５とを固定台に固定し、基板１１の切除を行なうことが好ましい（図７）。
【００４５】
この基板を切断する工程（Ｅ）は、基板１１の上下を固定した上で、基板１１を切断することにより、基板に反りが発生することを防止することができる。
【００４６】
ここで、上記の「基板の上下を固定」とは、基板１１と、該基板１１上に形成される、ｎ型層２２、ｐ型層２４、電流拡散層３、またはパッド電極４，５とを固定することを意味するものであり、基板１１そのものの上下を固定することを意味するものではない。
【００４７】
このような基板１１の上下の固定は、樹脂を貼り合せることにより行なうことが好ましく、このような樹脂としては、接着性を有する材料であれば従来公知の材料を用いることができ、たとえば日化精工（株）製のＬＡ５５１１Ｈを用いることができる。
【００４８】
本工程（Ｅ）により行なわれる基板１１の切断は、従来公知の方法により行なうことができ、たとえばダイシングブレード３０を用いたダイシング法を挙げることができる。また、加工スピードは落ちることになるが、ワイヤーソーを用いてもよい。
【００４９】
このように基板１１を切断すると、図８に示されるように、窒化物半導体発光素子１が固定台６に固定されたものと、基板１１が固定台６に固定されたものとの２つの構造のものに分割されることとなる。これらの２つの構造のものを分離すると、図９（ａ）および（ｂ）に示されるような２つに分離することができる。
【００５０】
以上の工程の後は、従来公知の方法により、実施の形態１の窒化物半導体発光素子を製造することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１の工程（Ｅ）の後に、さらに工程（Ｆ）を含むことを特徴とする。
【００５２】
＜工程（Ｆ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｆ）は、基板を切断する工程（Ｅ）の後に、上記の基板の切断した面に対し、ポリッシングを行なう工程である（図１０）。
【００５３】
上記の工程（Ｅ）で基板１１を切断することにより、基板１１の断面の粗度が粗くなるため、窒化物半導体発光素子の光取り出し効率が低下するという問題があると同時に、窒化物半導体発光素子に分離する工程において歩留まりが低下してしまう。
【００５４】
そこで、光取り出し効率が低下することを防止するために、工程（Ｅ）の後に、基板１１の切断面（以下においては、「スライス面」とも称する）をポリッシングする工程（Ｆ）を含むことが好ましい（図１０）。このように工程（Ｆ）を含むことにより、窒化物半導体発光素子の光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００５５】
このように基板１１の切断面をポリッシングすることにより、基板および該基板上に形成された窒化物半導体層（以下においてはチップ分割する前の基板と窒化物半導体層とのことを併せて「窒化物半導体ウエハ」とも称する）の厚みを調厚するとともに、基板１１の切断面を表面粗度を滑らかな面（以下においては「ミラー面」とも称する）にすることができる。なお、工程（Ｅ）の基板を切除した後に、基板と、該基板上に形成される層とを固定台から外した上で、工程（Ｆ）を行なうと、基板が反ってしまうこととなり、本発明の効果を十分に得ることができない。このため、工程（Ｆ）でポリッシングを行なった後に、基板１１を含む積層体を固定台６から外すことが好ましい。
【００５６】
（実施の形態３）
実施の形態３では、実施の形態２の工程（Ｄ）の後に、さらに工程（Ｇ）を含むことを特徴とする他は、実施の形態２と同様の方法により窒化物半導体発光素子を作製する。
【００５７】
＜工程（Ｇ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｇ）は、窒化物半導体層２の一部を除去し、ｎ型層を露出させることにより、チップ分割溝を形成する工程である。このようなチップ分割溝を形成する方法としては、たとえばＩＣＰドライエッチングを用いることができる。
【００５８】
このようにチップ分割溝を形成することにより、窒化物半導体層２が一定のピッチで途切れた状態になり、窒化物半導体ウエハ１０を歩留まり良く容易に窒化物半導体発光素子１に分割することができる。
【００５９】
（実施の形態４）
実施の形態４では、実施の形態３の工程（Ｆ）の後に、さらに工程（Ｈ）を含むことを特徴とする他は、実施の形態３と同様の方法により窒化物半導体発光素子を作製する。
【００６０】
＜工程（Ｈ）＞
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法の工程（Ｈ）は、窒化物半導体ウエハを窒化物半導体発光素子に分割するための工程である。このような窒化物半導体ウエハを分割する方法としては、たとえば窒化物半導体ウエハを固定台から外して、専用シートに貼り替えた上で、チップ外形に沿って、レーザースクライブを行なった後に、スクライブラインに沿ってブレーキングを行なう方法を挙げることができる。このような方法により従来よりも簡便に、反りの少ない基板を含む窒化物半導体発光素子を製造することができる。
【００６１】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００６２】
＜工程（Ａ）＞
実施例１の窒化物半導体発光素子の製造方法では、厚み１０ｃｍのサファイア基板を基板１１として用い、当該基板１１上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal  Organic  Chemical  Vapor  Deposition）法を用いて、ＧａＮからなるバッファ層２１と、ドナー不純物がドープされたｎ−ＧａＮからなるｎ型層２２とを形成した（図２）。
【００６３】
＜工程（Ｂ）＞
次に、当該ｎ型層２２上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ＜１）からなる活性層２３と、アクセプター不純物がドープされたＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるｐ型層２４とを形成した（図３）。
【００６４】
＜工程（Ｃ）＞
次に、スパッタリング法により厚み１５０ｎｍのＩＴＯからなる電流拡散層３を形成した（図４）。そして、フォトリソグラフィにより電流拡散層３上に適当な形状のフォトレジストを成形した。
【００６５】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いてメサエッチングを行なうことにより、活性層２３およびｐ型層２４の一部を除去し、ｎ型層２２の一部を露出させた。その後にフォトレジストを除去した（図５）。
【００６６】
そして、電流拡散層３に対し８００℃で１０分間アニーリング処理を行なうことにより、電流拡散層３の透過率を上昇させるとともに、その抵抗率を下げた。
【００６７】
＜工程（Ｄ）＞
次に、電流拡散層３上に対し、および上記のメサエッチングによりｎ型層２２の露出した部分上に対し、フォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成した。そして、Ｔｉ、ＭｏおよびＡｕの順に電子ビーム法を用いて蒸着することにより、パッド電極４，５を形成し、その後上記のレジストパターンを除去した。このパッド電極４，５は、厚み１５０ÅのＴｉ層、厚み３００ÅのＭｏ層、および厚み５０００ÅのＡｕ層をこの順に積層した構成のものである。
【００６８】
＜工程（Ｇ）＞
次に、電流拡散層３およびパッド電極４，５の表面に対し、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後に、ｎ−ＧａＮ（ｎ型層）面を露出するようにＩＣＰドライエッチングを行なうことにより窒化物半導体層を除去してチップ分割溝を形成し、レジストパターンを除去した（図示せず）。このチップ分割溝は、上記の各工程で作製された窒化物半導体ウエハ１０を歩留まり良く容易に窒化物半導体発光素子に分割するために有効なものとなる。
【００６９】
＜工程（Ｅ）＞
次に、図４に示されるように、基板１１を含む積層体のパッド電極形成面をレジストで被覆した上で、その基板１１を含む積層体の上下を樹脂を介して固定台に固定した。そして、固定した基板１１を含む積層体の厚みが１２０μｍとなるように、基板１１の切除を行なった。
【００７０】
＜工程（Ｆ）＞
その後、窒化物半導体ウエハを固定台に固定したままの状態で、切断した基板のスライス面をポリッシングすることにより、基板の切断面をミラー面にするとともに、窒化物半導体ウエハの厚みが１００μｍになるように調厚した（図１０）。
【００７１】
＜工程（Ｈ）＞
その後、窒化物半導体ウエハをチップごとに分割するために、窒化物半導体ウエハを固定台６から外して、専用シートに貼り替えた。そして、チップ外形に沿って、レーザースクライブを行なった後に、スクライブラインに沿ってブレーキングを行なうことにより、実施例１の窒化物半導体発光素子を得た。
【実施例２】
【００７２】
＜工程（Ａ）＞
実施例２では、実施例１と同様の方法によりＧａＮからなるバッファ層２１と、ドナー不純物がドープされたｎ−ＧａＮからなるｎ型層２２とを形成した（図２）。
【００７３】
＜工程（Ｅ）＞
次に、基板とｎ型層とを樹脂を介して固定台に固定した上で、基板の切除を行なった。実施例２では、パッド電極を形成する前に、基板を切断することを特徴とする。このように実施例２では、パッド電極を作製する前に、樹脂を介して固定台に固定するため、パッド電極を保護するためのレジストを設けなくてもよい。
【００７４】
＜工程（Ｂ）＞
次に、当該ｎ型層上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ＜１）からなる活性層と、アクセプター不純物がドープされたＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるｐ型層とを形成した。
【００７５】
＜工程（Ｃ）＞
次に、実施例１と同様の方法により電流拡散層を形成した上で、実施例１と同様の方法によりメサエッチングを行ない、活性層２３およびｐ型層２４の一部を除去し、ｎ型層２２の一部を露出させた。
【００７６】
以下の工程（Ｄ）〜（Ｈ）については、実施例１と同様の各工程を行なうことにより、実施例２の窒化物半導体発光素子を作製した。
【００７７】
実施例２のように窒化物半導体発光素子を製造工程の工程（Ａ）において、バッファ層およびｎ型層を潤沢に作製することにより、窒化物半導体層の成長時間を短縮することができ、テンプレート基板の作製にも利用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、窒化物半導体層と基板との熱膨張係数差に起因する反りを低減することができ、安定して窒化物半導体発光素子を作製することができる。
【００７９】
また、基板の反りを少なくすることにより、基板を再利用することができるため、コストを低減することもできる。
【符号の説明】
【００８０】
１  窒化物半導体発光素子、２  窒化物半導体層、３  電流拡散層、４，５  パッド電極、６  固定台、１０  窒化物半導体ウエハ、１１  基板、２１  バッファ層、２２  ｎ型層、２３  活性層、２４  ｐ型層、３０  ダイシングブレード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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