(57)【要約】【課題】供給した薬液が処理対象膜上で弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることにより、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。【解決手段】基板１０’が載置されるステージ９２と、ステージ９２に載置される基板１０’の処理面１０’ｓに対向して設けられる、対向面９１ｔに複数の現像液吐出口９１ｈが形成された平板状の現像液供給ノズル９１と、現像液吐出口９１ｈに対応してそれぞれ設けられた、現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、現像液吐出口９１ｈ毎に調整する流量調整部９４と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図４
2010204335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置であって、
前記基板が載置されるステージと、
前記ステージに載置される前記基板の処理面に対向して設けられる、対向面に複数の薬液吐出口が形成された平板状の薬液供給ノズルと、
前記薬液吐出口に対応してそれぞれ設けられた、各前記薬液吐出口から吐出される薬液の流量を、前記薬液吐出口毎に調整する流量調整部と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記流量調整部は、前記基板に形成された位置決め指標近傍に対向する前記薬液吐出口から吐出される前記薬液の流量を調整することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記薬液供給ノズルは、前記ステージに載置される前記基板よりも、前記対向面が前記基板に対向した状態で、前記薬液供給ノズル側から平面視した形状が大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
各前記薬液吐出口から前記基板に前記薬液が吐出される際、前記ステージは静止していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法であって、
ステージに載置された前記基板に対向して設けられた、平板状の薬液供給ノズルの対向面に複数形成された薬液吐出口から、各該薬液吐出口毎に流量調整部により薬液供給量が調整されて処理対象膜に薬液が吐出されることにより、前記処理対象膜の少なくとも一部を除去して、前記基板上にトランジスターを構成する半導体層をパターニングして形成することを特徴とする電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記半導体膜においてトランジスターとして用いる領域以外の半導体膜上に形成された前記レジストを、ステージに載置された前記基板に対向して設けられた平板状の薬液供給ノズルの対向面に複数形成された薬液吐出口から、各該薬液吐出口毎に薬液供給量が調整されて前記レジストに吐出された薬液により除去する第１のレジスト除去工程と、
前記レジストが除去された領域の前記半導体膜をエッチングするエッチング工程と、
エッチング後の前記半導体膜上の前記レジストを除去することにより、前記基板上に前記トランジスターを構成する半導体層を形成する第２のレジスト除去工程と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置、該製造装置を用いた電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴは、例えばゲート電極と、半導体膜である結晶化シリコン膜から構成された半導体層と、ゲート電極と半導体層とを絶縁するゲート絶縁膜とから主要部が構成されている。
【０００５】
また、半導体層は、例えばゲート電極からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、低濃度ソース領域と、低濃度ドレイン領域と、高濃度ソース領域と、高濃度ドレイン領域とを備えた既知のＬＤＤ（Lightly doped drain）構造を有している。
【０００６】
ＴＦＴは、走査線を介してゲート電極に走査信号を供給することによりオン状態となる。その後、ＴＦＴの低濃度及び高濃度ソース領域にデータ線を介して画像信号が供給されることにより、オン状態となったＴＦＴを介して画像信号が画素電極に供給され、画像表示が行われるようになっている。
【０００７】
ＴＦＴが配置された素子基板は、ＴＦＴ、走査線、データ線、容量線、画素電極等や、これらの間を絶縁する多くの層間絶縁膜からなる複数の層から構成されている。これらの各種薄膜は、減圧ＣＶＤやスパッタリング等を用いた成膜と、熱処理を繰り返しながら、素子基板上に積層されている。
【０００８】
ここで、素子基板に用いる、ガラス基板等に、例えば半導体層を形成する際、先ず、ガラス基板上に成膜された下地絶縁膜上に、成膜装置を用いて、非晶質な半導体膜であるアモルファスシリコン膜を成膜する。その後、アモルファスシリコン膜が、例えば既知の固相成長法により結晶化されて、結晶化シリコン膜が得られる。
【０００９】
次いで、結晶化シリコン膜を所定の形状にパターニングする。具体的には、先ず、結晶化シリコン膜上にレジストを成膜する。次いで、レジストにおけるガラス基板の外周縁部の近傍領域を、既知のエッジリンス処理、周辺露光処理、現像処理により除去した後、半導体層として用いる領域以外の結晶化シリコン膜上に位置するレジストを、露光処理及び現像処理により除去する。その後、半導体層として用いる領域以外の結晶化シリコン膜を、即ちレジストに覆われていない結晶化シリコン膜をエッチングにより除去する。最後に、半導体層として用いる結晶化シリコン膜上のレジストをレジスト剥離処理によって除去することにより、結晶化シリコン膜が所定の形状にパターニングされる。即ち、半導体層が所定の形状にパターニングされる。尚、半導体層に限らず、成膜した薄膜をパターニングする場合には、上述した手法が用いられる。
【００１０】
ところで、上述した現像処理を行う際は、現像むらを防止するため、薬液である現像液を処理対象となる膜上に、液の膜厚が均一となるよう供給する必要がある。
【００１１】
そこで、特許文献１には、基板の直径と同等以上の吐出幅を有する現像液供給ノズルを、静止状態の基板の一端側から他端側まで直線的に移動させながら現像液供給ノズルから基板の処理面に現像液を供給することにより、基板の処理面に膜厚が均一となるよう、現像液を供給する現像処理方法及び現像処理装置が開示されている。
【００１２】
また、特許文献２には、上方から平面視した状態で基板よりも大きな薬液供給ノズルの基板への対向面に形成された複数の吐出口から、ノズルを移動させることなく、基板の処理面に現像液を一度に供給することにより、基板の処理面に膜厚が均一となるよう、現像液を供給する現像処理方法及び現像処理装置が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、通常、ガラス基板等の素子基板または対向基板に用いる基板には、例えば基板の一部が切り欠かれることによって、既知の基板位置決め用の位置決め指標が形成されているのが一般的である。
【００１４】
しかしながら、基板に位置決め指標が形成されていると、特許文献１及び２に開示された装置を用いて基板処理面に現像液を供給したとしても、処理面における位置決め指標近傍領域において供給された現像液が弾かれてしまい、例えば現像処理の対象膜が上述したレジストの場合、レジスト上に、膜厚が均一となるよう現像液を供給できない場合があった。
【００１５】
その結果、露光処理されたレジストに対する現像液の置換スピードが部分的に異なり、現像後、残ったレジストの幅が太くなるまたは細くなる等、レジストを所望の形状に正確にパターニングできない場合があるといった問題があった。即ち、レジスト寸法に乱れが生じる問題があった。また、位置決め指標に限らず、レジスト量が少ない場合も供給された現像液が弾かれやすいことも分かっている。
【００１６】
さらには、位置決め指標に限らず、処理対象膜の下地膜の形状によっても、処理対象膜上に膜厚が均一となるよう現像液が供給できず、上述したように、現像後、残ったレジストの幅が太くなるまたは細くなる等、レジストを所望の形状に正確にパターニングできない場合があった。
【００１７】
尚、以上の問題点は、現像液の供給に限らず、レジストを除去する際に用いるレジスト剥離液や、エッチングに用いるエッチング液等の各種薬液を供給する場合であっても同様である。
【００１８】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、供給した薬液が処理対象膜上で弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることにより、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる構成を有する電気光学装置の製造装置、該製造装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造装置は、電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置であって、前記基板が載置されるステージと、前記ステージに載置される前記基板の処理面に対向して設けられる、対向面に複数の薬液吐出口が形成された平板状の薬液供給ノズルと、前記薬液吐出口に対応してそれぞれ設けられた、各前記薬液吐出口から吐出される薬液の流量を、前記薬液吐出口毎に調整する流量調整部と、を具備したことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、基板上に形成された処理対象膜に薬液を供給して処理対象膜の少なくとも一部を除去する際、薬液吐出口毎に吐出量が調整されることにより、処理対象膜上で薬液吐出口から吐出された薬液が弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を提供することができる。
【００２１】
また、前記流量調整部は、前記基板に形成された位置決め指標近傍に対向する前記薬液吐出口から吐出される前記薬液の流量を調整することを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、基板上に形成された処理対象膜に薬液を供給して処理対象膜の少なくとも一部を除去する際、処理対象膜上において、薬液吐出口から吐出された薬液が弾かれやすい位置決め指標近傍に対向する薬液吐出口の吐出量が調整されることにより、位置決め指標近傍において薬液が弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を提供することができる。
【００２３】
さらに、前記薬液供給ノズルは、前記ステージに載置される前記基板よりも、前記対向面が前記基板に対向した状態で、前記薬液供給ノズル側から平面視した形状が大きいことを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、薬液供給ノズルを動かすことなく、各薬液吐出口から、処理対象膜上に薬液の液の膜厚が均一となるよう供給できることから、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を提供することができる。
【００２５】
また、各前記薬液吐出口から前記基板に前記薬液が吐出される際、前記ステージは静止していることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、薬液供給ノズルの各薬液吐出口から処理対象膜に薬液を吐出する際、処理対象膜上において、供給された薬液が移動してしまうことがないことから、各薬液吐出口から、処理対象膜上に薬液の液の膜厚が均一となるよう薬液を供給できるため、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を提供することができる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法は、電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法であって、ステージに載置された前記基板に対向して設けられた、平板状の薬液供給ノズルの対向面に複数形成された薬液吐出口から、各該薬液吐出口毎に流量調整部により薬液供給量が調整されて処理対象膜に薬液が吐出されることにより、前記処理対象膜の少なくとも一部を除去して、前記基板上にトランジスターを構成する半導体層をパターニングして形成することを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、基板上に形成された処理対象膜に露光処理後、薬液を供給して処理対象膜の少なくとも一部を除去する際、薬液吐出口毎に吐出量が調整されることにより、処理対象膜上で薬液吐出口から吐出された薬液が弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００２９】
また、本発明に係る電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法は、電気光学装置に用いる基板を薬液処理する電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記半導体膜においてトランジスターとして用いる領域以外の半導体膜上に形成された前記レジストを、ステージに載置された前記基板に対向して設けられた平板状の薬液供給ノズルの対向面に複数形成された薬液吐出口から、各該薬液吐出口毎に薬液供給量が調整されて前記レジストに吐出された薬液により除去する第１のレジスト除去工程と、前記レジストが除去された領域の前記半導体膜をエッチングするエッチング工程と、エッチング後の前記半導体膜上の前記レジストを除去することにより、前記基板上に前記トランジスターを構成する半導体層を形成する第２のレジスト除去工程と、を具備したことを特徴とする。
【００３０】
本発明によれば、基板上に形成された半導体膜上に形成されたレジストに現像液を供給して、トランジスターとして用いる領域以外の半導体膜上のレジストを、露光後の現像処理によって除去する際、薬液吐出口毎に現像液の吐出量が調整されることにより、レジスト上で薬液吐出口から吐出された現像液が弾かれることなく、現像液をレジスト上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、露光領域のレジストを確実に除去できるため、半導体膜上のレジストを所望の形状に正確にパターニングすることができる電気光学装置の製造装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態の製造装置によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図。
【図３】図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】本実施の形態を示す薬液供給装置の構成の概略を示す図。
【図５】図４の薬液供給装置の薬液供給ノズルを、図４中のV方向からみた底面図。
【図６】図４のステージに載置される液晶装置に用いる基板を示す平面図。
【図７】半導体層の形成工程を示すフローチャート。
【図８】走査線、下地絶縁膜が形成された図６の基板に、半導体膜が形成された状態を示す部分断面図。
【図９】図８の半導体膜上にレジストが形成された状態を示す部分断面図。
【図１０】図９の半導体層として用いる領域外の半導体膜上に形成されたレジストが除去された状態を示す部分断面図。
【図１１】図１０の半導体膜の内、半導体層として用いる領域以外をエッチングした状態を示す部分断面図。
【図１２】図１１の半導体層上のレジストを除去した状態を示す部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００３３】
先ず、本実施の形態の製造装置、製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態の製造装置によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００３４】
図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３５】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００３６】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３８】
また、ＴＦＴ基板１０の画素領域においては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してトランジスターであるＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４０】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４１】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００４２】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００４３】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線６ａを駆動するドライバーであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４４】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバーである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４５】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を電気的に接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４６】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４７】
また、図３に示すように、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００４８】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。
【００４９】
また、第１層及び第２層間に下地層である下地絶縁膜１２が設けられ、第２層及び第３層間に第１層間絶縁膜４１が設けられ、第３層及び第４層間に第２層間絶縁膜４２が設けられ、第４層及び第５層間に第３層間絶縁膜４３が設けられ、第５層及び第６層間に第４層間絶縁膜４４が設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００５０】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが、平面形状がストライプ状となるようパターニングされて成膜されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法等により成膜されている。
【００５１】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、半導体膜、例えばｐ−ｓｉ膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００５２】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００５３】
下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００５４】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５５】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００５６】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００５７】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００５８】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００５９】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００６０】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６０及び第２中継層６１が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６０と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００６１】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００６２】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６０とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６３】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６４】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６５】
次に、本実施の形態を示す液晶装置の製造装置、具体的には、薬液供給装置の構成を、図４〜図６を用いて説明する。図４は、本実施の形態を示す薬液供給装置の構成の概略を示す図、図５は、図４の薬液供給装置の薬液供給ノズルを、図４中のV方向からみた底面図、図６は、図４のステージに載置される液晶装置に用いる基板を示す平面図である。尚、以下において、基板を薬液処理する薬液供給装置は、現像処理に用いる現像液供給装置を例に挙げて説明する。
【００６６】
図４に示すように、現像液供給装置９０は、薬液供給ノズルである現像液供給ノズル９１と、ステージ９２と、現像液供給管路９３と、流量調整部９４と、バルブ９５と、現像液タンク９６とにより主要部が構成されている。
【００６７】
ステージ９２は、該ステージ９２に載置された基板１０’を、該基板１０’に現像液供給ノズル９１から薬液である現像液Ｇが供給されている状態において、静止状態で保持するものである。
【００６８】
尚、基板１０’は、図６に示すように、上述したＴＦＴ基板１０が複数構成される、石英、ガラス等から構成された大板基板から構成されている。尚、基板１０’は、上述した対向基板２０が複数構成される、石英、ガラス等から構成された大板基板から構成されていても構わない。また、基板１０’に、該基板１０’をステージ９２に載置する際に用いられる基板位置決め用の位置決め指標１２０が形成されている。尚、位置決め指標１２０は、基板１０’の一部が切り欠かれることによって形成されている。また、位置決め指標１２０の形状は、図６に示した形状に限定されない。
【００６９】
図４、図５に示すように、現像液供給ノズル９１は、例えば平面視した形状が円形の平板状に形成されており、ステージ９２に載置される基板１０’の処理面１０’ｓに対向するとともに、処理面１０’ｓに近接して設けられている。尚、処理面１０’ｓは、基板１０’に形成された図示しない処理対象膜に構成されている。
【００７０】
尚、現像液供給ノズル９１は、ステージ９２に載置された基板１０’よりも、基板１０’への対向面９１ｔが基板１０’に対向した状態で、現像液供給ノズル９１側から平面視した形状が大きく形成されている。
【００７１】
また、図５に示すように、現像液供給ノズル９１の基板１０’への対向面９１ｔに、基板１０’の処理対象膜に対して現像液Ｇを供給する複数の薬液吐出口である現像液吐出口９１ｈが開口されている。
【００７２】
また、図４に示すように、現像液供給ノズル９１には、現像液供給管路９３を介して現像液タンク９６から現像液Ｇが供給される。具体的には、現像液供給管路９３中には、現像液供給ノズル９１の対向面９１ｔに開口された各現像液吐出口９１ｈに一端が接続され、他端が現像液タンク９６に接続された複数本の図示しない現像液供給チューブが、現像液吐出口９１ｈと同数挿通されている。このことにより、各現像液吐出口９１ｈへは、現像液タンク９６から複数本の現像液供給チューブを介して現像液が供給される。
【００７３】
また、現像液供給管路９３の中途位置に、流量調整部９４と、現像液Ｇの供給遮断を切り換えるバルブ９５とが介装されている。
【００７４】
流量調整部９４は、各現像液供給チューブを流れる現像液Ｇの流量を、現像液供給チューブ毎に調整するものである。即ち、現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、現像液吐出口９１ｈ毎に調整するものである。具体的には、流量調整部９４は、基板１０’に現像液Ｇを供給した際、現像液Ｇが処理対象膜において弾きやすい位置に対向する現像液吐出口９１ｈの流量を調整する。
【００７５】
例えば、基板１０’に形成された位置決め指標１２０に対向する現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を調整する。より具体的には、他の現像液吐出口９１ｈよりも現像液Ｇの流量が多くなるよう調整する。これは、従来、基板１０の一端側から他端側に向けて、スリット状の現像液供給ノズルを移動させながら現像液Ｇを供給した場合、現像液供給ノズルをゆっくり移動させた方が、即ち供給する現像液Ｇの流量が多い方が、基板の処理面において、現像液が弾き難かったことに基づく。
【００７６】
尚、基板１０’の処理対象膜において、現像液Ｇが弾きやすい位置は、位置決め指標１２０に限定されず、上述したように、基板１０’上に処理対象膜が少なく形成されている場所等も挙げられる。
【００７７】
次に、現像液供給装置９０を用いた処理対象膜の現像方法について、図７〜図１２を用いて説明する。尚、以下においては、処理対象膜の現像方法は、図３に示した半導体層１をパターニングして形成する際におけるレジストの現像方法を、例に挙げて説明する。よって、処理対象膜は、レジストとして説明する。
【００７８】
図７は、半導体層の形成工程を示すフローチャート、図８は、走査線、下地絶縁膜が形成された図６の基板に、半導体膜が形成された状態を示す部分断面図、図９は、図８の半導体膜上にレジストが形成された状態を示す部分断面図である。
【００７９】
また、図１０は、図９の半導体層として用いる領域外の半導体膜上に形成されたレジストが除去された状態を示す部分断面図、図１１は、図１０の半導体膜の内、半導体層として用いる領域以外をエッチングした状態を示す部分断面図、図１２は、図１１の半導体層上のレジストを除去した状態を示す部分断面図である。
【００８０】
先ず、図７のステップＳ１及び図８に示すように、走査線１１ａ、下地絶縁膜１２が形成された基板１０’の下地絶縁膜１２上に、既知の手法により半導体膜１’を形成する半導体膜形成工程を行う。
【００８１】
次いで、ステップＳ２及び図９に示すように、半導体膜１’上の全面に、既知の手法により処理対象膜であるレジスト１２１を塗布するレジスト塗布工程を行う。
【００８２】
その後、基板１０’の外周縁部近傍のレジスト１２１を、既知のエッジリンス処理、周辺露光処理、現像処理により除去した後、ステップＳ３及び図１０に示すように、半導体層１として用いる領域以外の半導体膜１’上に形成されたレジスト１２１を除去する第１のレジスト除去工程を行う。
【００８３】
具体的には、先ず、半導体膜１’において半導体層１として用いる領域以外の半導体膜１’上に形成されたレジスト１２１に対し露光処理を行った後、基板１０’をステージ９２に位置精度良く載置し、その後、現像液供給ノズル９１から、流量調整部９４により現像液吐出口９１ｈ毎に現像液Ｇの吐出量が調整されてレジスト１２１上に現像液Ｇが供給される。このことにより、レジスト１２１の一部、即ち露光処理が施されたレジスト１２１が除去される。
【００８４】
その後、ステップＳ４及び図１１に示すように、半導体膜１’のレジスト１２１が除去された領域を、既知のエッチング処理によって除去するエッチング工程が行われ、最後に、ステップＳ５及び図１２に示すように、エッチング後の半導体膜１’上のレジスト１２１を既知の手法によって除去することにより、第２のレジスト除去工程を行う。その結果、基板１０’上に、ＴＦＴ基板１０毎に複数の半導体層１がパターニングされて形成される。尚、以上の製造方法は、半導体層１に限らず、例えばデータ線６ａ等のメタル配線を形成する場合であっても同様である。
【００８５】
このように、本実施の形態においては、現像液供給装置９０は、現像液供給ノズル９１の各現像液吐出口９１ｈから現像液Ｇを吐出して、基板１０’上のレジスト１２１を除去する際、各現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、流量調整部９４により現像液吐出口９１ｈ毎に調整すると示した。
【００８６】
このことによれば、現像液吐出口９１ｈ毎に現像液Ｇの吐出量が調整されることにより、レジスト１２１上で現像液吐出口９１ｈから吐出された現像液Ｇが弾かれることなく、現像液Ｇをレジスト１２１上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、レジスト１２１を所望の形状に正確にパターニングすることができる。
【００８７】
また、本実施の形態においては、現像液供給装置９０においては、基板１０’に形成された位置決め指標１２０近傍に対向する現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量が、流量調整部９４によって調整されると示した。
【００８８】
このことによれば、レジスト１２１上において、現像液吐出口９１ｈから吐出された現像液Ｇが弾かれやすい位置決め指標１２０近傍に対向する現像液吐出口９１ｈからの吐出量が調整されることにより、位置決め指標１２０近傍において現像液Ｇが弾かれることなく、現像液Ｇをレジスト１２１上に液の膜厚が均一となるよう供給できることから、レジスト１２１を所望の形状に正確にパターニングすることができる。
【００８９】
さらに、本実施の形態においては、現像液供給ノズル９１は、平面視した状態で、ステージ９２に載置される基板１０’よりも大きいと示した。
【００９０】
このことによれば、現像液供給ノズルを動かすことなく、各現像液吐出口９１ｈから、レジスト１２１上に現像液Ｇの液の膜厚が均一となるよう供給できることから、レジスト１２１を所望の形状に正確にパターニングすることができる現像液供給装置９０を提供することができる。
【００９１】
また、本実施の形態においては、現像液供給ノズル９１の各現像液吐出口９１ｈから基板１０’に現像液Ｇが吐出される際、ステージ９２は、基板１０’を静止状態で保持すると示した。
【００９２】
このことによれば、現像液供給ノズル９１の各現像液吐出口９１ｈからレジスト１２１に現像液Ｇを吐出する際、レジスト１２１上において、供給された現像液Ｇが移動してしまうことがないことから、各現像液吐出口９１ｈから、レジスト１２１上に現像液Ｇの液の膜厚が均一となるよう現像液Ｇを供給できるため、レジスト１２１を所望の形状に正確にパターニングすることができる現像液供給装置９０を提供することができる。
【００９３】
尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、薬液供給装置は、現像液供給装置９０を例に挙げ、薬液は、現像液を例に挙げて示したが、これに限らず、上述したエッチング工程において、処理対象膜をエッチングするエッチング装置に適用しても構わないし、即ち、薬液は、エッチング液であっても構わないし、上述したレジスト除去工程において、レジストを除去するレジスト除去装置に適用しても構わない、即ち、薬液はレジスト液であっても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であっても構わない。
【００９５】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００９６】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスターを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００９７】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【符号の説明】
【００９８】
１…半導体層、１’…半導体膜、１０’…基板、１０’ｓ…処理面、３０…ＴＦＴ（トランジスター）、９０…現像処理装置（電気光学装置の製造装置）、９１…現像液供給ノズル（薬液供給ノズル）、９１ｈ…現像液吐出口（薬液吐出口）、９１ｔ…対向面、９２…ステージ、９４…流量調整部、１００…液晶装置（電気光学装置）、１２０…位置決め指標、１２１…レジスト（処理対象膜）、Ｇ…現像液。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００９９】
【特許文献１】特開平１０−２０５０８公報
【特許文献２】特開平７−６９４４号公報
【図１】
2010204335.tif 000003
【図２】
2010204335.tif 000004
【図３】
2010204335.tif 000005
【図４】
2010204335.tif 000006
【図５】
2010204335.tif 000007
【図６】
2010204335.tif 000008
【図７】
2010204335.tif 000009
【図８】
2010204335.tif 000010
【図９】
2010204335.tif 000011
【図１０】
2010204335.tif 000012
【図１１】
2010204335.tif 000013
【図１２】
2010204335.tif 000014