(57)【要約】【課題】リソグラフィ方法及びシステムにより、放射の特徴を制御することができる。【解決手段】照明システムを使用して、放射源から受けた放射からの放射ビームを提供する。放射源は個々に制御可能な要素のアレイを含み、個々に制御可能な要素はそれぞれ放射を放出することができる。支持構造がパターニングデバイスを支持する。パターニングデバイスは、放射ビームにパターンを与える。基板テーブルが基板を保持する。投影システムが、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する。放射ピーク強度検出装置が、放射源の個々に制御可能な要素のうち１つ又は複数の発光スペクトルの強度におけるピークを検出する。【選択図】図８
2010045356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源から受けた放射から放射のビームを提供する照明システム、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造、
基板を保持する基板テーブル、及び
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システム、を備え、
さらに、
前記放射源の１つ又は複数の個々に制御可能な要素の発光スペクトルの強度におけるピークを検出する放射ピーク強度検出装置、を備える
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記放射源が前記イルミネータの瞳面に、又は前記イルミネータの瞳面に隣接して配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記放射源の前記個々に制御可能な要素が、電磁スペクトルのＵＶ、ＥＵＶ、又はＥＵＶを超えた範囲にピーク放出波長を有する放射を放出する、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記発光スペクトルの前記ピークが、前記発光スペクトルの強度が最高になる放出波長又は周波数を伴う、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記放射ピーク強度検出装置が、前記アレイにある任意の１つの要素によって放出された放射が前記放射ピーク強度検出装置に入射する位置に配置される、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記放射ピーク強度検出装置が前記位置に出入りするように移動可能である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記放射ピーク強度検出装置が、前記アレイの前記要素に隣接する位置の間で移動可能である、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記放射ピーク強度検出装置が特定の個々に制御可能な要素の前記発光スペクトルを検出できる位置へと移動できるように、前記放射ピーク強度検出装置が、前記アレイの前記要素に隣接する位置の間で動作可能である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記放射ピーク強度検出装置が、
１つ又は複数の放射強度検出器を備え、
各放射検出器が、ある位置に配置されたフィルタを伴い、それによって前記放射源の個々に制御可能な要素によって放出された放射が、前記放射強度検出器によって検出される前に前記フィルタを通過する、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記放射ピーク強度検出装置が、
奇数の放射強度検出器を備え、
各放射検出器が、ある位置に配置されたフィルタを伴い。それによって前記放射源の個々に制御可能な要素によって放出された放射が、前記放射強度検出器によって検出される前に前記フィルタを通過する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
各フィルタが異なる中心通過周波数又は通過波長を有する、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
１つのフィルタが、所望の周波数又は波長に対応する中心通過周波数又は通過波長を有する、請求項９から１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記放射源の前記個々に制御可能な要素を制御する制御モジュールをさらに備える、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記制御モジュールが、
前記放射源の部分を形成する、又は
前記放射ピーク強度検出装置の部分を形成する、又は
独立した１つの装置である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記制御モジュールが、前記個々に制御可能な要素のそれぞれを制御するために使用される特性を制御する、請求項１３又は１５に記載の装置。
【請求項１６】
前記制御モジュールが、前記個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を変更する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記制御モジュールが、前記個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を制御し、前記特性が、制御されている個々に制御可能な要素がその発光スペクトルに所望のピークを有することを保証する特定の特性である、請求項１５又は１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記制御モジュールが、前記特定の特性を割り出すように構成される、又は前記特定の特性に関する情報が提供される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記特性が、個々に制御可能な要素のそれぞれに提供される電流である、請求項１５から１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
前記個々に制御可能な要素の１つ又は複数が、前記１つ又は複数の個々に制御可能な要素の放出プロフィールを変化させる複数の光学要素を備える、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
前記１つ又は複数の個々に制御可能な要素が前記複数の光学要素を備える、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記複数の光学要素が、前記１つ又は複数の個々に制御可能な要素に隣接して配置される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記複数の光学要素が回折性、反射性又は屈折性である、請求項２０から２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
前記個々に制御可能な要素がＬＥＤ又はレーザダイオードである、前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
リソグラフィ装置との関連で使用されるか、前記リソグラフィ装置内に設けられ、それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源の特性を検出する方法であって、
個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を変化させ、
前記特性が変化するにつれて、前記個々に制御可能な要素の発光スペクトルの前記強度の変化を識別するために、前記特性が変化するにつれて、前記個々に制御可能な要素によって放出される放射の強度を検出し、
前記要素の発光スペクトルの前記強度におけるピークが所望のピークになる特定の特性を割り出すこと、を含む方法。
【請求項２６】
前記特定の特性を使用して、前記個々に制御可能な要素を制御することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記個々に制御可能な要素が、基板のターゲット部分の露光中に前記特定の特性を使用して制御される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記アレイの複数の個々に制御可能な要素、又は前記アレイの全ての個々に制御可能な要素について、前記方法を繰り返すことを含む、請求項２５から２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記特性が変化するにつれ、前記個々に制御可能な要素によって放出された放射を検出する前に、前記方法が、前記検出を実行できるように、前記個々に制御可能な要素によって放出された放射を検出できる位置へと検出器を移動させることを含む、請求項２５から２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記発光スペクトルの前記強度が最高である場合に、前記所望のピークが所望の波長又は周波数にある、請求項２５から２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源、
前記放射源から受けた放射から放射のビームを提供する照明システム、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造、
基板を保持する基板テーブル、及び
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システム、を備え、
さらに、
前記放射源の前記個々に制御可能な要素の全部が放射を放出するのを防止することによって、前記放射源の前記個々に制御可能な要素によって放出された全放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止する、前記放射源の制御モジュール、を備える
リソグラフィ構成。
【請求項３２】
基板を提供し、
放射源を提供するために、それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを使用し、
前記放射源から受けた放射から放射のビームを提供するために、照明システムを使用し、
前記放射ビームの断面にパターンを与えるために、パターニングデバイスを使用し、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影すること、を含み、
さらに、
前記放射源の前記個々に制御可能な要素の全部が放射を放出するのを防止することによって、前記放射源の前記個々に制御可能な要素によって放出された全放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止すること、を含む
方法。
【請求項３３】
それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源から受けた放射から、放射のビームを提供する照明システム、
前記放射ビームにパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造、
基板を保持する基板テーブル、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システム、及び
前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち１つ又は複数の発光スペクトルの強度におけるピークを検出する放射ピーク強度検出装置、を備える
リソグラフィ装置。
【請求項３４】
前記放射源が前記照明システムの瞳面に、又はそれに隣接して配置される、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記放射源の前記個々に制御可能な要素が、電磁スペクトルのＵＶ、ＥＵＶ、又はＥＵＶを超えた範囲にピーク放出波長を有する放射を放出する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
前記発光スペクトルの前記ピークが、前記発光スペクトルの強度が最高になる放出波長又は周波数を伴う、請求項３３に記載の装置。
【請求項３７】
前記放射ピーク強度検出装置が、前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち任意の１つの要素によって放出された放射が前記放射ピーク強度検出装置に入射する位置に配置される、請求項３３に記載の装置。
【請求項３８】
前記放射ピーク強度検出装置が前記位置に出入りするように移動する、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記放射ピーク強度検出装置が、個々に制御可能な要素の前記アレイに隣接する位置の間で移動する、請求項３３に記載の装置。
【請求項４０】
前記放射ピーク強度検出装置が特定の個々に制御可能な要素の前記発光スペクトルを検出する位置へと移動するように、前記放射ピーク強度検出装置が、個々に制御可能な要素の前記アレイに隣接する位置の間で移動する、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】
前記放射ピーク強度検出装置が、
１つ又は複数の放射検出器、及び
前記１つ又は複数の放射検出器のそれぞれを伴い、複数の位置に配置された個々のフィルタ、を備え、それによって前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち１つによって放出された放射が、前記１つ又は複数の放射検出器によって検出される前に、前記個々のフィルタを通過する、請求項３３に記載の装置。
【請求項４２】
前記放射ピーク強度検出装置が、
奇数の放射強度検出器、及び
前記奇数の放射検出器のそれぞれを伴い、複数の位置に配置された個々のフィルタ、を備え、それによって前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち１つによって放出された放射が、前記奇数の放射検出器によって検出される前に、前記個々のフィルタを通過する、請求項４１に記載の装置。
【請求項４３】
前記個々のフィルタがそれぞれ異なる中心通過周波数又は通過波長を有する、請求項４１に記載の装置。
【請求項４４】
前記個々のフィルタのうち１つのフィルタが、所望の周波数又は波長に対応する中心通過周波数又は通過波長を有する、請求項４１のいずれかに記載の装置。
【請求項４５】
前記放射源の個々に制御可能な要素の前記アレイを制御する制御モジュールをさらに備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項４６】
前記制御モジュールが、
前記放射源の部分、
前記放射ピーク強度検出装置の部分、及び
独立した１つの装置、の少なくとも１つである、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記制御モジュールが、前記アレイ状の個々に制御可能な要素のそれぞれを制御するために使用される特性を制御する、請求項４５に記載の装置。
【請求項４８】
前記制御モジュールが、個々に制御可能な要素の前記アレイを制御するために使用される特性を変更する、請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
前記制御モジュールが、個々に制御可能な要素の前記アレイを制御するために使用される特性を制御し、前記特性が、制御されている前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち個々の１つがその発光スペクトルに所望のピークを有することを保証する特定の特性である、請求項４７に記載の装置。
【請求項５０】
前記制御モジュールが、前記特定の特性を割り出すように構成される、又は前記特定の特性に関する情報が提供される、請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記特性が、前記アレイ状の個々に制御可能な要素のそれぞれに提供される電流である、請求項４７のいずれかに記載の装置。
【請求項５２】
前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち１つ又は複数が、前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち前記１つ又は複数の放出プロフィールを変化させる複数の光学要素を伴う、請求項３３に記載の装置。
【請求項５３】
前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち前記１つ又は複数が前記複数の光学要素を備える、請求項５２に記載の装置。
【請求項５４】
前記複数の光学要素が、前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち前記１つ又は複数に隣接して配置される、請求項５２に記載の装置。
【請求項５５】
前記複数の光学要素が回折性、反射性又は屈折性である、請求項５２のいずれかに記載の装置。
【請求項５６】
前記アレイ状の個々に制御可能な要素がＬＥＤ又はレーザダイオードである、請求項３３に記載の装置。
【請求項５７】
リソグラフィ装置との関連で使用されるか、前記リソグラフィ装置内に設けられ、それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源の特性を検出する方法であって、
前記アレイ状の個々に制御可能な要素のうち１つの個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を変化させ、
前記特性が変化するにつれて、前記個々に制御可能な要素の発光スペクトルの前記強度の変化を識別するために、前記特性が変化するにつれて、前記個々に制御可能な要素によって放出される放射の強度を検出し、
前記個々に制御可能な要素の前記発光スペクトルの前記強度におけるピークが所望のピークになる特定の特性を割り出すこと、を含む方法。
【請求項５８】
前記特定の特性を使用して、前記個々に制御可能な要素を制御することをさらに含む、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
前記個々に制御可能な要素が、基板のターゲット部分の露光中に前記特定の特性を使用して制御される、請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
前記アレイの複数の個々に制御可能な要素、又は前記アレイの全ての個々に制御可能な要素について、前記方法を繰り返すことを含む、請求項５７のいずれかに記載の方法。
【請求項６１】
前記特性が変化するにつれ、前記個々に制御可能な要素によって放出された放射を検出する前に、前記方法が、
前記検出を実行できるように、前記個々に制御可能な要素によって放出された放射を検出できる位置へと検出器を移動させることを含む、請求項５７のいずれかに記載の方法。
【請求項６２】
前記発光スペクトルの前記強度が最高である場合に、前記所望のピークが所望の波長又は周波数にある、請求項５７のいずれかに記載の方法。
【請求項６３】
それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源、
前記放射源から受けた放射からの放射のビームを提供する照明システム、
前記放射ビームにパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造、
基板を保持する基板テーブル、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システム、及び
前記放射源に結合され、前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素が放射を放出するのを防止することによって、前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素によって放出された放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止する制御モジュール、を備える
リソグラフィ構成。
【請求項６４】
放射源を提供するために、放射を放出することができるアレイ状の個々に制御可能な要素を使用し、
前記放射源から受けた放射から放射のビームを提供するために、照明システムを使用し、
前記放射ビームの断面にパターンを与えるために、パターニングデバイスを使用し、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影し、
前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素が放射を放出するのを防止することによって、前記放射源の前記アレイ状の個々に制御可能な要素によって放出された放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止すること、を含む
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。この状況では、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次露光される互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）にビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置の放射源としてＬＥＤのアレイを使用することが提案されている。特に、３６５ｎｍ（Ｉ線）の放射を提供する放射源として、ＬＥＤのアレイを使用することが提案されている。しかし、ＬＥＤの発光スペクトルのピーク強度はドリフトする、又は言い換えると変動することが知られている。このようなドリフト又は変動は、幾つかの理由のうち１つにより生じることがある。例えば、このようなドリフト又は変動は、ＬＥＤの温度変化、ＬＥＤを駆動する電流の変化、及び／又はＬＥＤの一般的な経時劣化により生じることがある。さらに、ＬＥＤのアレイ内では、発光スペクトルのピーク強度が生じる波長又は周波数が、アレイ内のＬＥＤ間で変化することがある。その結果、ＬＥＤのアレイを備える放射源の帯域幅は、個々のＬＥＤの帯域幅より大きくなる。アレイ内のＬＥＤの発光スペクトルが一定でない場合は、基板に適用されるパターンの結像品質に、関連する負の効果があることがある。このような負の効果は、リソグラフィ装置が特定の波長を有する放射を受ける、透過する、反射することなどのように構成されることから生じることもある。したがって、ＬＥＤのアレイからのピーク放出が生じる波長の変化は、リソグラフィ装置内で放射を受ける、透過する、反射するなどの劣化につながることがある。ＬＥＤのアレイからのピーク放出が生じる波長の変化は、放射感応性材料へのその後のパターンの適用にも影響することがある。というのは、このような材料が、特定の波長又は狭い範囲の波長の放射にのみ感応する（例えば光反応性）ことがあるからである。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  例えば以上で言及した先行技術の問題のうち１つ又は複数を回避するか、軽減するリソグラフィ装置及び方法を提供することが望ましい。
【０００５】
[0005]  本発明の第一の実施形態によれば、少なくとも以下の要素を備えるリソグラフィ装置が提供される。放射源から受けた放射から放射のビームを提供する照明システム。個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源。個々に制御可能な要素はそれぞれ、放射を放出することができる。パターニングデバイスを支持する支持構造。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与える働きをする。基板を保持する基板テーブル。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム。放射源の１つ又は複数の個々に制御可能な要素の発光スペクトルの強度のピークを検出するように構成された放射ピーク強度検出装置。
【０００６】
[0006]  １つの例では、リソグラフィ装置は放射源を備えることができる。照明システムは放射源を備えることができる。放射源は、イルミネータの瞳面に、又はイルミネータの瞳面に隣接して配置することができる。
【０００７】
[0007]  １つの例では、放射源の個々に制御可能な要素は、電磁スペクトルのＵＶ、ＥＵＶ、又はＥＵＶを超えた範囲にピーク放出波長を有する放射を放出するように構成することができる。
【０００８】
[0008]  １つの例では、発光スペクトルのピークは、発光スペクトルの強度が最高である放出波長又は周波数を伴うことができる。
【０００９】
[0009]  １つの例では、放射ピーク強度検出装置は、アレイのいずれか１つの要素によって放出された放射が放射ピーク強度検出装置に入射する位置に配置することができる。放射ピーク強度検出装置は、その位置に出入りするように動作可能とすることができる。
【００１０】
[0010]  １つの例では、放射ピーク強度検出装置は、アレイの要素に隣接する複数の位置の間で動作可能とすることができる。放射ピーク強度検出装置は、特定の個々に制御可能な要素の発光スペクトルを検出可能な位置に放射ピーク強度検出装置を移動できるように、アレイの要素に隣接する複数の位置の間で動作可能とすることができる。あるいは、アレイの個々の要素によって放出された放射は、可動ファイバによって集め、固定した位置にあるセンサに誘導することができる。
【００１１】
[0011]  １つの例では、放射ピーク強度検出装置は少なくとも以下の要素を備えることができる。１つ又は複数の放射強度検出器。各放射検出器は、ある位置に配置されたフィルタを備え、それによって放射源の個々に制御可能な要素によって放出された放射が、放射強度検出器によって検出される前にフィルタを通過する。
【００１２】
[0012]  １つの例では、放射ピーク強度検出装置は奇数の放射強度検出器を備えることができる。各放射検出器は、ある位置に配置されたフィルタを伴い、それによって放射源の個々に制御可能な要素によって放出された放射が、放射強度検出器によって検出される前にフィルタを通過する。各フィルタは、異なる中心通過周波数又は通過波長を有することができる。１つのフィルタは、所望の周波数又は波長に対応する中心通過周波数又は通過波長を有することができる。
【００１３】
[0013]  １つの例では、装置は、放射源の個々に制御可能な要素を制御する制御モジュールを備えることができる。
【００１４】
[0014]  様々な実施形態では、制御モジュールは放射源の部分を形成するか、放射ピーク強度検出装置の部分を形成することができる、又は独立した１つの装置とすることができる。制御モジュールは、個々に制御可能な要素のそれぞれを制御するために使用される特性を制御するように構成することができる。制御モジュールは、個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を変化させるように構成することができる。制御モジュールは、個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を制御するように構成することができ、特性は、制御されている個々に制御可能な要素が発光スペクトルに所望のピークを有することを保証する特定の特性である。制御モジュールは、特定の特性を割り出すように構成することができるか、特定の特性に関連する情報が提供される。特性は、個々に制御可能な要素のそれぞれに提供される電流でよい。
【００１５】
[0015]  １つの例では、個々に制御可能な要素のうち１つ又は複数は、１つ又は複数の個々に制御可能な要素の放出プロフィールを変化させる複数の光学要素を伴うことができる。１つ又は複数の個々に制御可能な要素は複数の光学要素を備えることができる。複数の光学要素は、１つ又は複数の個々に制御可能な要素に隣接して配置することができる。複数の光学要素は回折性、反射性又は屈折性とすることができる。
【００１６】
[0016]  １つの例では、個々に制御可能な要素はＬＥＤ又はレーザダイオードとすることができる。
【００１７】
[0017]  本発明の第二の実施形態によれば、リソグラフィ装置との関連で使用されるか、リソグラフィ装置内に設けられ、それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを備える放射源の特性を検出する方法が提供され、方法は以下のステップを含む。個々に制御可能な要素を制御するために使用される特性を変化させる。特性が変化するにつれて、個々に制御可能な要素の発光スペクトルの強度変化を識別するために、特性が変化するにつれて、個々に制御可能な要素によって放出される放射の強度を検出する。要素の発光スペクトルの強度におけるピークが所望のピークになる特定の特性（又は言い換えるとこの特性の値又は大きさ）を割り出す。
【００１８】
[0018]  １つの例では、方法は、特定の特性を使用して個々に制御可能な要素を制御することをさらに含むことができる。個々に制御可能な要素は、基板のターゲット部分の露光中に特定の特性を使用して制御することができる。
【００１９】
[0019]  １つの例では、方法は、アレイの複数の個々に制御可能な要素、又はアレイの全ての個々に制御可能な要素について、方法を繰り返すことをさらに含むことができる。
【００２０】
[0020]  １つの例では、特性が変化するにつれ、個々に制御可能な要素によって放射された放射を検出する前に、方法は、検出を実行できるように、個々に制御可能な要素によって放出された放射を検出できる位置へと検出器を移動させることをさらに含むことができる。あるいは、アレイの個々の要素によって放出された放射を、可動ファイバによって集め、固定された位置にあるセンサに誘導することができる。
【００２１】
[0021]  １つの例では、所望のピークは、発光スペクトルの強度が最高になる場合に、所望の波長又は周波数とすることができる。アレイの全要素の発光スペクトルの強度は、同じ所望の波長又は周波数で最高になることが最も好ましい。
【００２２】
[0022]  本発明の第三の実施形態によれば、以下の要素を備えるリソグラフィ装置が提供される。放射源。放射源は、それぞれが放射を放出することができる、個々に制御可能な要素のアレイを備える。放射源から受けた放射から放射のビームを提供する照明システム。パターニングデバイスを支持する支持構造。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与える働きをする。基板を保持する基板テーブル。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム。放射源の制御モジュール。制御モジュールは、放射源の個々に制御可能な要素の全部が放射を放出するのを防止することによって、放射源の個々に制御可能な要素によって放出された全放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止するように構成される。
【００２３】
[0023]  本発明の第四の実施形態によれば、以下のステップを含む方法が提供される。基板を提供する。放射源を提供するために、それぞれが放射を放出することができる個々に制御可能な要素のアレイを使用する。放射源から受けた放射から放射のビームを提供するために、照明システムを使用する。放射ビームの断面にパターンを与えるために、パターニングデバイスを使用する。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する。放射源の個々に制御可能な要素の全部が放射を放出するのを防止することによって、放射源の個々に制御可能な要素によって放出された全放射がリソグラフィ装置を通過するのを選択的に防止する。
【００２４】
[0024]  本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付図面に関して以下で詳細に説明する。本発明は本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことが分かる。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
[0025]  本明細書に組み込まれ、本明細書の部分を形成する添付図面は本発明を図示し、説明とともに本発明の原理を説明し、さらに当業者が本発明を作成し、使用できるようにする働きをする。
【００２６】
【図１Ａ】[0026]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示した図である。
【図１Ｂ】[0026]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示した図である。
【図２ａ】[0027]ＬＥＤのアレイを備える放射源を概略的に示した図である。
【図２ｂ】[0027]ＬＥＤのアレイを備える放射源を概略的に示した図である。
【図３ａ】[0028]ＬＥＤのアレイを備えるリソグラフィ装置のイルミネータを概略的に示した図である。
【図３ｂ】[0028]ＬＥＤのアレイを備えるリソグラフィ装置のイルミネータを概略的に示した図である。
【図４ａ】[0029]図２ａから図３ｂに示され、それを参照しながら説明したアレイのＬＥＤの発光スペクトルを概略的に示した図である。
【図４ｂ】[0029]図２ａから図３ｂに示され、それを参照しながら説明したアレイのＬＥＤの発光スペクトルを概略的に示した図である。
【図５ａ】[0030]図２ａから図４ｂに図示され、それを参照しながら説明したアレイの全体的な放出プロフィールを概略的に示した図である。
【図５ｂ】[0030]図２ａから図４ｂに図示され、それを参照しながら説明したアレイの全体的な放出プロフィールを概略的に示した図である。
【図６ａ】[0031]本発明の実施形態による放射ピーク強度検出装置及び放射ビームに対するその位置を概略的に示した図である。
【図６ｂ】[0032]本発明の実施形態による放射ピーク強度検出装置、及び放射ビーム及び基板テーブルに対するその位置を概略的に示した図である。
【図７】[0033]本発明の実施形態により、ＬＥＤのアレイの前方で動作可能である放射ピーク強度検出装置を概略的に示した図である。
【図８】[0034]本発明の実施形態による放射ピーク強度検出装置を概略的に示した図である。
【図９】[0035]本発明の実施形態によりＬＥＤのアレイを制御する制御構成を概略的に示した図である。
【図１０】[0036]ＬＥＤを概略的に示した図である。
【図１１ａ】[0037]本発明の実施形態により、複数の光学要素を備える、又は複数の光学要素に隣接して配置されたＬＥＤを概略的に示した図である。
【図１１ｂ】[0037]本発明の実施形態により、複数の光学要素を備える、又は複数の光学要素に隣接して配置されたＬＥＤを概略的に示した図である。
【００２７】
[0038]  本発明の特徴及び利点は、以下で述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することにより、さらに明白になり、ここで同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、及び／又は構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
[0039]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は添付の請求の範囲によって画定される。
【００２９】
[0040]  記載される実施形態、及び「１つの実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される実施形態が特定のフィーチャ、構造、又は特徴を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定のフィーチャ、構造、又は特徴を含むことができない、又は含まないことを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定のフィーチャ、構造、又は特徴について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このようなフィーチャ、構造、又は特徴を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００３０】
[0041]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実現することができる。本発明の実施形態は、１つ又は複数の処理装置で読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実現することができる。機械読み取り式媒体は、機械（例えば計算デバイス）で読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、処理装置、制御装置、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００３１】
[0042]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００３２】
[0043]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００３３】
[0044]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００３４】
[0045]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。この方法で、反射ビームにパターンが与えられる。
【００３５】
[0046]  図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’を概略的に示したものである。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ、及び基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴを含む。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば１つ又は複数のダイを含む）Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも含む。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射性であり、リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過性である。
【００３６】
[0047]  照明システムＩＬは、放射Ｂを誘導、整形、又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００３７】
[0048]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。
【００３８】
[0049]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特別な機能層に相当することができる。
【００３９】
[0050]  パターニングデバイスＭＡは（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過性又は（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射性でよい。パターニングデバイスＭＡの例にはレチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームＢにパターンを与える。
【００４０】
[0051]  「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅することができる。ＥＵＶ又は電子ビーム放射には真空環境を使用することができる。というのは、他の気体は放射又は電子の吸収量が多すぎることがあるからである。したがって、真空壁及び真空ポンプの助けにより、ビーム経路全体に真空環境を提供することができる。
【００４１】
[0052]  リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使用するか、１つ又は複数の他の基板テーブルＷＴを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００４２】
[0053]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）の助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００４３】
[0054]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含んでもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネント（図１Ｂ）を含んでいてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームＢを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００４４】
[0055]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターンが与えられる。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射する。放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射した後、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００４５】
[0056]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。
【００４６】
[0057]  一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００４７】
[0058]  リソグラフィ装置１００及び１００’は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス状放射源ＳＯを使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、本明細書で言及するようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００４８】
[0059]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４９】
[0060]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００５０】
[0061]  さらに、本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線光（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で働く硬Ｘ線を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。通常、約７８０〜３０００ｎｍ（以上）の波長を有する放射をＩＲ放射と見なす。ＵＶとは、約１００〜４００ｎｍの波長の放射を指す。リソグラフィ内では通常、これは水銀放電ランプによって生成することができる波長にも適用される。つまりＧ線の４３６ｎｍ、Ｈ線の４０５ｎｍ及び／又はＩ線の３６５ｎｍである。真空ＵＶ又はＶＵＶ（つまり空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は通常、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、実施形態では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲にある特定の波長帯の放射に関連することを認識されたい。
【００５１】
[0062]  図２ａは放射源ＳＯを、例えば図１Ａ又は図１Ｂに示し、それを参照しながら説明した放射源を側面図で概略的に示している。放射源ＳＯは、放射２を放出することができる個々に制御可能な要素の２次元アレイ（１６×１６）を備える。この図はアレイの側面図であるので、１６個の要素しか図示されていない。この実施形態では、要素はＬＥＤ４である。この図は、ＬＥＤ２のアレイが１６×１６個のＬＥＤ４を備えていることを示す。ＬＥＤ４のこの数は例示によってのみ与えられたもので、実際には、アレイを形成するＬＥＤの数は、例えば数百個のＬＥＤ、又は数千個のＬＥＤにさえなることがある。
【００５２】
[0063]  以上で検討したように、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の部分を形成するか、放射源ＳＯからの放射を受けるようにリソグラフィを構成することができる。
【００５３】
[0064]  図２ａでは、放射源ＳＯはアレイ２のＬＥＤ４が放射を放出しない構成で図示されている。対照的に図２ｂでは、放射ＳＯはアレイ２のＬＥＤ４が放射を放出する構成（この図ではＬＥＤ４に影を付けて示されている）であるものとして側面図に図示されている。図２ａ及び図２ｂを組み合わせて参照すると、放射源ＳＯを制御して、放射源のＬＥＤ２の全部が放射を放出するのを防止することにより、放射源ＳＯのＬＥＤ４から放出された全放射がリソグラフィ装置を通過することを選択的に防止することができる。選択的に防止するということは、この文脈ではリソグラフィ装置が完全に動作しないという意味ではない。むしろ、選択的に防止するということは、例えば異なるターゲット部分を放射に露光できるように基板を移動している場合に、放射がリソグラフィ装置を通過するのを比較的短い期間だけ選択的に防止できるという意味である。これに関して、ＬＥＤ２のアレイの制御は、リソグラフィ装置のシャッタとして働くと認識される。ＬＥＤは高速で作動又は停止させる（又は言い換えると放射を放出するように制御するか、放射の放出を停止するように制御する）ことができるので、ＬＥＤの制御は、リソグラフィ装置に機械的シャッタなどを備える必要性に取って代わることができる。さらに、機械的シャッタは、繰り返しの始動のために時間の経過とともに磨耗又は損傷することがある。シャッタが例えばＥＵＶ放射に対する長期の露光に耐えられる必要がある場合、始動の速度が低下することがある。というのは、シャッタを、例えばＥＵＶ放射に対する長期の露光に耐えるのに適切な強力な材料から形成する必要があり得るからである。ＬＥＤの全部が放射を放出するということを防止することによって、放射を阻止するために必要な機械的始動が不必要になる。例えばＥＵＶ放射を長期間にわたって阻止又は抑制する必要がない。これは、例えばＥＵＶ放射による機械的シャッタの劣化に由来するような汚染を軽減することができる。
【００５４】
[0065]  図３ａはイルミネータＩＬを、例えば図１Ａ又は図１Ｂに示し、それを参照しながら説明したイルミネータを側面図で概略的に示している。この図は、イルミネータＩＬがＬＥＤ２のアレイ（１６×１６）を備えていることを示す。この図はアレイの側面図であるので、１６個のＬＥＤしか図示されていない。ＬＥＤ２のアレイは、１６×１６個のＬＥＤ４を備えているものとして図示されている。しかし、任意の数のＬＥＤ４でアレイ２を形成することができ、実際にはアレイ２は例えば数百個、又は数千個ものＬＥＤを備えることができる。
【００５５】
[0066]  イルミネータＩＬがＬＥＤ２のアレイを備えることにより、リソグラフィ装置は別の放射源を備える必要がない。イルミネータＩＬのＬＥＤ２のアレイは、リソグラフィ装置のただ一つの放射源として働くことができる。イルミネータＩＬのＬＥＤ２のアレイは、図２ａ及び図２ｂに関して上述したように、シャッタとしても機能することができる。
【００５６】
[0067]  アレイ２の１つ又は複数のＬＥＤ４は、放射を放出するか、放射を放出しないように選択的に制御することができる。このような選択的制御は、例えば総エネルギ又はアレイ２によって生成される放射の全体的な強度プロフィールを調整するために使用することができる。アレイ２によって放出される放射の角度強度分布は、例えばミラー又は回折要素などの個々に制御可能な要素のアレイを使用して、放射を選択的に再誘導することにより、又は１つ又は複数の回折光学要素などを使用することにより制御することができる。あるいは、アレイ２によって放出される放射の角度強度分布の制御は、放射を放出するためにアレイ２のＬＥＤ４の特定のパターン又は構成を選択することによって達成することができる。これは、アレイ２をイルミネータの瞳面６に、又はそれに隣接して配置することによって達成することができる。アレイ２によって放出される放射を瞳面６に結合するために、ＬＥＤ２のアレイとその瞳面６の間に追加の光学コンポーネント（図示せず）を提供してもよい。マイクロレンズアレイが、そのような光学コンポーネントの一例である。例えばアレイ２によって放出される放射を均質化するために、さらなる光学コンポーネント８を使用してもよい。石英の棒が、このような光学コンポーネントの一例である。
【００５７】
[0068]  図３ｂは、照明モードと呼ばれることもある、特定の角度強度分布を生成するためにアレイ２を制御できる方法の例を概略的に示している。図３ｂはアレイ２を正面図で示し、したがってアレイ２の１６個のＬＥＤ４全部が見える。図３ｂは、アレイ２のＬＥＤ４のサブセット１０のみが放射を放出するように制御されることを示す。ＬＥＤのこのサブセット１０は、アレイ２の各隅に配置された４つの放出領域を形成するように構成される。放出領域は、当技術分野で「４極」照明モードとして知られているものを形成する。放射を放出するためにＬＥＤ４の１つ又は複数の異なるサブセットを選択することにより、他の照明モードを制御することができる。例えば、放射を放出するために環状構成であるＬＥＤ４のサブセットを制御することにより、環状照明モードを生成することができる。
【００５８】
[0069]  本説明の残りの部分は、概してＬＥＤのアレイ、及びそのアレイを備えるＬＥＤに言及する。したがって、説明は、リソグラフィ装置のイルミネータ内に配置されている場合、アレイがリソグラフィ装置内の放射源を形成している場合、又はアレイがリソグラフィ装置用の放射源を形成している場合に、ＬＥＤのアレイに等しく当てはまる。
【００５９】
[0070]  図４ａは、上述したＬＥＤのアレイの望ましい放出プロフィール２０を示す。アレイのこの放出プロフィールは、アレイのＬＥＤが全部同じ放出プロフィールを有する（したがって図には１つの放出プロフィールのみが図示されている）という点で望ましい。したがって、アレイの放出帯域幅は狭い。このような望ましい放出プロフィール２０は、各ＬＥＤ２２の個々の放出プロフィールが実質的に均一であり、アレイ全体で一貫している場合にのみ達成可能である。実際には、これを達成又は維持することは困難である。
【００６０】
[0071]  以上で検討したように、ＬＥＤによって放出される放射の放出強度のピークがある波長（又は周波数）は、ＬＥＤの温度、ＬＥＤに加えられる電流、ＬＥＤの劣化、及び場合によっては異なるＬＥＤ間の製造の違いにも依存する。したがって、特定の時間にアレイのＬＥＤの放出プロフィールが均一であり、アレイ全体で一貫していることを保証することが可能である場合でも、このような均一性及び一貫性が任意の期間にわたって維持されるという保証はない。これは望ましくないことである。
【００６１】
[0072]  図４ｂは、期間２４の後に、ＬＥＤのアレイの全体的放出プロフィールを示す。期間２４の後のＬＥＤのアレイ全体の放出プロフィールと、図４ａに示し、それを参照しながら説明したＬＥＤ全体の所望の放出プロフィールとの間には、明確なコントラストがあることが分かる。戻って図４ｂを参照すると、アレイ２６内の各ＬＥＤの放出プロフィールは、もはや同じ波長にピークがない。したがって、アレイの放出帯域幅は図４ａに示したものより広い。このようなピーク放出波長間の不一致は、上述した理由（例えば温度変化、電流の変化など）により生じることがある。
【００６２】
[0073]  図５ａ及び図５ｂは、図４ａ及び図４ｂに関して説明した状況を要約している。図５ａは、ＬＥＤ２０のアレイ全体の望ましい放出プロフィールを示す。図５ｂは、望ましい放出プロフィールが時間の経過とともにいかに劣化又は変化して、アレイ２４全体で不均一な放出プロフィールになるかを示す。つまり、アレイのＬＥＤは、全てが同じ望ましいピーク波長で放射を放出するわけではない。アレイによって放出される放射が全体として、図５ｂに示したプロフィールとは対照的に、図５ａに示したものと実質的に同じプロフィールを有することを保証することが望ましい。しかし現在のところ、リソグラフィ装置内で、又はリソグラフィ装置との関連で使用されるＬＥＤの場合、アレイのＬＥＤのピーク強度放出が生じる波長の変化を識別し、この識別を使用してＬＥＤを制御し、より均一な放出プロフィールを有するように、ＬＥＤアレイの出力を全体的に変更する方法又は装置は提示されていない。
【００６３】
[0074]  本発明の実施形態によれば、アレイ状のＬＥＤのうち１つのＬＥＤの発光スペクトルの強度におけるピークを検出する放射ピーク強度検出装置を有するリソグラフィ装置が提供される。制御モジュール（例えば放射ピーク強度検出装置又はＬＥＤのコントローラ内に設けられる）は、検出されたピークに関する情報（例えばピークが生じる周波数又は波長）を処理し、ＬＥＤのアレイの放出プロフィールが全体としてさらに均一になることを保証するために、１つ又は複数のＬＥＤを制御することができる。したがって、フィードバックループが生成される。追加的又は代替的に、このようなピークの検出は、リソグラフィ装置が動作している場合、又はリソグラフィ装置の停止時間中に実行することができる。検出は、代替的又は追加的に較正ルーチンとして使用することができる。ＬＥＤのアレイのさらに均一な放出プロフィールが有利である。というのは、これによってＬＥＤのアレイを所望のピーク、例えば特定の波長又は周波数のピーク強度に合わせて調整することができるからである。所望のピークは、リソグラフィ装置及び／又は基板上のレジストの設計対象となる波長を有することができる。ＬＥＤ及びＬＥＤのアレイ全体のピークの調整（又は言い換えると調節）は、レジストコート基板へのパターンの結像を改良するか、結像の特定の品質又はレベルを維持するのを可能にすることができる。
【００６４】
[0075]  放射ピーク強度検出装置は、リソグラフィ装置に対して所定の位置に固定することができる。放射ピーク強度検出装置は、アレイのＬＥＤのいずれか１つによって放出された放射が放射ピーク強度検出装置に入射する位置に配置することができる。したがって、アレイのＬＥＤのいずれか１つを制御して、放射を放出することができ、次に放射ピーク強度検出装置がその１つのＬＥＤによって放出された放射の特性を検出することができる。放射ピーク強度検出装置は、所定の位置に固定しなくてもよく、代わりにアレイのＬＥＤのいずれか１つによって放出された放射を検出できる位置へと移動可能にすることができる。あるいは、放射ピーク強度検出装置は、１つ又は複数の特定のＬＥＤの放射を検出できる１つ又は複数の位置へと移動可能にすることができる。例えば、放射ピーク強度検出装置は、ＬＥＤのアレイの前方にて移動可能で、アレイのＬＥＤのうち１つ（又は他の例では１つ又は複数）の放出プロフィールの特性を割り出すために、そのＬＥＤの前方に配置することができる。次に、放射ピーク強度検出装置の特定の使用、位置及び設計の例を、図６ａ、図６ｂ、図７及び図８を参照しながら説明する。
【００６５】
[0076]  図６ａは、放射ピーク強度検出装置３０を概略的に示している。放射ピーク強度検出装置３０は、リソグラフィ装置（例えば図１に示し、それを参照しながら説明したリソグラフィ装置）の放射ビーム３２の中間焦点３１に位置するものとして図示されている。これは、例えばリソグラフィ装置のレチクル面とすることができる。一例では、放射ビーム３２は、上述したアレイのＬＥＤのうち１つ又は複数によって放出された放射を含むことができる。放射ピーク強度検出装置３０は中間焦点３１に位置するので、放射ピーク強度検出装置３０は、アレイのＬＥＤのうち任意の１つ又は複数によって放出された放射を検出することができる。つまり、放射を放出するためにアレイの１つのＬＥＤのみを選択的に制御することにより、そのＬＥＤの（及びそのＬＥＤのみの）放出プロフィールの特性を割り出すことができる。一例では、放射ピーク強度検出装置３０は、中間焦点に出入りするように移動可能である。したがって放射ピーク強度検出装置３０が使用されていない場合、これはリソグラフィ装置を通る放射ビーム３２の伝搬に影響しない。
【００６６】
[0077]  放射ピーク強度検出装置は、アレイの全ＬＥＤからの放射が入射するが、リソグラフィ装置を通る放射ビームの伝搬には影響しないリソグラフィ装置の領域に配置することができる。例えば、放射ピーク強度検出装置は、ＬＥＤのアレイによって放出される放射が入射するが、基板にパターンを与えるためには使用されない位置に配置することができる。例えば、放射ピーク強度検出装置は、放射が散乱又は反射するリソグラフィ装置の領域、又はパターニングデバイス、パターニングデバイスホルダ、又は基板ホルダの上又はその中に配置することができる。
【００６７】
[0078]  図６ｂは、放射ピーク強度検出装置に可能な位置の別の例を概略的に示している。この例では、放射ピーク強度検出装置３０は、基板テーブルＷＴ、例えば図１Ａ又は図１Ｂに示し、それを参照しながら説明した基板テーブルの中に配置される。放射ピーク強度検出装置３０は、図６ａに関して説明したのと同じ方法で機能する。基板テーブルＷＴは、例えばパターニングデバイス上に配置された基板にパターンを適用しない場合に、放射ビーム３２が放射ピーク強度検出装置３０に入射するように移動することができる。
【００６８】
[0079]  図６ｂは、基板テーブルＷＴに対する放射ピーク強度検出装置３０の位置を説明しているが、放射ピーク強度検出装置３０は同様に、パターニングデバイス又はパターニングデバイスのホルダの中又はその上に配置することができる。パターニングデバイス及び／又はパターニングデバイスホルダは、放射ピーク強度検出装置３０を放射ビーム３２が入射する位置へと運ぶように移動することができる。
【００６９】
[0080]  図６ａ及び図６ｂでは、放射ピーク強度検出装置が、アレイのＬＥＤのうち任意の１つの発光スペクトルの特性を割り出せる位置に固定されるか、このような位置に出入りするように移動可能であるように図示されている。別の例では、放射ピーク強度検出装置は、アレイの１つ又は複数の特定のＬＥＤの発光スペクトルの特性を割り出すことができる１つ又は複数の位置へと移動することができる。図７は、このような例を示す。
【００７０】
[0081]  図７は、本発明の１つの実施形態による放射ピーク強度検出装置３０を概略的に示している。放射ピーク強度検出装置３０は、第一支持体４０に沿ってＸ方向に移動可能である。放射ピーク強度検出装置３０は、モータ、リニアアクチュエータ、又は任意の他の適切な構成を使用して、第一支持体４０に沿って移動可能とすることができる。第一支持体４０は、実質的にＹ方向に延在する２つの第二支持体４２に接続している。第一支持体４０はこれらの第二支持体４２に沿って移動可能であり、したがって第一支持体４０はＹ方向に移動可能である。第一支持体４０は、１つ又は複数のモータ、リニアアクチュエータ又は任意の他の適切な構成を使用して、第二支持体４２に沿って移動可能とすることができる。放射ピーク強度検出装置３０は第一支持体４０に沿ってＸ方向に移動可能であり、第一支持体４０は第二支持体４２に沿ってＹ方向に移動可能であるので、放射ピーク強度検出装置３０はＸ及び／又はＹ方向に移動できることが理解される。
【００７１】
[0082]  図７は、本発明の実施形態による上述したＬＥＤ２のアレイも概略的に示している。放射ピーク強度検出装置３０の検出表面又は要素は、ＬＥＤ２のアレイに面して配置され、したがってアレイ２のＬＥＤ４によって放出された放射の特性を、放射ピーク強度検出装置３０によって割り出すことができる。放射ピーク強度検出装置３０は、放射ピーク強度検出装置３０をＸ及び／又はＹ方向に移動することにより、アレイの周囲で移動可能である。放射ピーク強度検出装置３０は、アレイ２に対して任意の特定の位置へと移動可能であり、したがってアレイ２の１つ又は複数の特定のＬＥＤ４の放出プロフィールの特性を割り出すことができる。例えば、放射ピーク強度検出装置は、１つのＬＥＤ４によって放出された放射のみを受けられるように構成及び／又は配置することができる。あるいは、放射ピーク強度検出装置３０は、複数のＬＥＤ４からの放射を受けられるように構成することができる。概して、放射ピーク強度検出装置３０は、放射ピーク強度検出装置３０が特定のＬＥＤ（又はＬＥＤのグループのうち１つ）の発光スペクトルを検出できる位置へと移動できるように、アレイ２のＬＥＤ４に隣接する位置間で移動可能である。
【００７２】
[0083]  放射を放出するようにアレイ２のＬＥＤ４を制御することにより、放射ピーク強度検出装置３０をアレイの周囲で移動させ、アレイの１つ又は複数の特定のＬＥＤの放出プロフィールの特性を割り出すことができる。特性の検出は、任意の一時に放射を放出するようにＬＥＤの１つのみ、又は選択したＬＥＤを制御すると、より簡単にすることができる。
【００７３】
[0084]  一例では、放射ピーク検出は、アレイの１つ又は複数のＬＥＤによって放出された放射の経路に出入りするように動作可能である１つ又は複数の光ファイバを備えることができる。１つ又は複数の光ファイバを、所定の位置に固定され、アレイの１つ又は複数のＬＥＤによって放出された放射の経路には配置されていない光検出器などに結合することができる。
【００７４】
[0085]  以上で言及した放射ピーク強度検出装置は、ＬＥＤによって放出された放射の発光スペクトルの強度におけるピーク及び／又はこのピークの変化、及びこのピークが生じる波長（又は波長の範囲）又は周波数（又は周波数の範囲）を検出することができる任意の装置でよい。したがって、放射ピーク強度検出装置は例えば分光計とすることができる。分光計は、放射の発光スペクトルのピーク強度を割り出すことができる。
【００７５】
[0086]  図８は、本発明の実施形態による放射ピーク強度検出装置３０を概略的に示している。放射ピーク強度検出装置３０はハウジング５０を備える。ハウジング５０は開口５２を備え、これを通して放射が放射ピーク強度検出装置３０に入ることができる。開口５２はレンズ４であるか、レンズ４を備えることができる。レンズは、放射の集光、集中、集束などに使用することができる。代替的又は追加的に、開口５２は、いかなる粒子又は汚染もハウジング５０に入るのを防止するために、膜又は他のカバーを備えることができる。
【００７６】
[0087]  ハウジング５０内には３つの放射強度検出器、つまり第一放射強度検出器５６、第二放射強度検出器５８、及び第三放射強度検出器６０が配置されている。放射検出器５６、５８及び６０は、例えばＬＥＤによって放出された放射に感応する光ダイオードなどとすることができる。放射強度検出器５６、５８及び６０それぞれの前方には、フィルタ、例えば狭帯域フィルタ（例えば約２〜３ｎｍの帯域通過フィルタ）が配置される。第一放射強度検出器５６の前方には、第一狭帯域フィルタ６２が配置される。第二放射強度検出器５８の前方には、第二狭帯域フィルタ６４が配置される。第三放射強度検出器６０の前方には、第三狭帯域フィルタ６６が配置される。狭帯域フィルタ６２、６４、６６はそれぞれ、異なる中心通過波長（又は周波数）を有する。狭帯域フィルタ６２、６４、６６それぞれの中心通過波長は、約２〜３ｎｍだけ分離されている（又は言い換えるとシフトしている）。狭帯域フィルタ６２、６４、６６はそれぞれ、約２〜３ｎｍ異なる帯域通過を有するので、３つの狭帯域フィルタ６２、６４、６６は一緒になって約６〜９ｎｍの範囲をカバーする。一例では、狭帯域フィルタの少なくとも１つが、ＬＥＤの望ましいピーク強度と等しい（例えば約３６５ｎｍの）中心通過波長を有する。したがって、狭帯域フィルタ６２、６４、６６に可能な構成は、第一狭帯域フィルタ６２が約３６２ｎｍの中心通過波長を有し、第二狭帯域フィルタ６４が約３６５ｎｍの中心通過波長を有し、第三狭帯域フィルタ６６が約３６８ｎｍの中心通過波長を有する。
【００７７】
[0088]  狭帯域フィルタ６２、６４、６６はそれぞれ、他の全てのフィルタ６２、６４、６６とは異なる帯域通過波長を有し、狭帯域フィルタの１つが望ましい中心通過波長を有するので、ＬＥＤの発光スペクトルのピーク強度の変化を検出することが可能である。奇数のフィルタ６２、６４、６６が使用されているので、ピーク放出が生じる波長の変化を容易に追跡し、波長の所望の周波数に感応するフィルタによって配置された検出器が最大強度を測定することを保証することによって、ピークが所望のピークを中心とすることを保証するようにダイオードを制御することが可能である。
【００７８】
[0089]  各検出器が異なる通過波長を有するフィルタを伴う（例えば備える）、３つの放射強度検出器を使用すると説明してきたが、他の構成が可能である。例えば、１つ又は複数の放射強度検出器を設けることができ、各放射検出器は、ある位置に配置されたフィルタを伴い、それによってアレイのＬＥＤによって放出された放射が放射強度検出器によって検出される前にフィルタを通過する。上述したように、それぞれが異なる通過波長を有するフィルタを伴う（例えば備える）奇数の放射強度検出器があると有利である。
【００７９】
[0090]  図で説明した放射ピーク強度検出装置３０は、分光器より単純で、小さく、組み立て及び維持が安価である。放射プロフィールのピークも、記載された放射ビーム強度検出装置３０を使用すると、分光器より迅速に割り出すことができる。
【００８０】
[0091]  放射強度検出器５６、５８、６０はそれぞれ、出力６８、７０、７２を備える。出力６８、７０、７２はそれぞれ、制御モジュールに接続する（又は言い換えると備える）ことができる。制御モジュールは、例えばＬＥＤの発光スペクトルのピーク強度の変化を考慮するために、アレイのＬＥＤを制御するように構成することができる。制御モジュールは、放射源の部分を形成する、放射ピーク強度検出装置の部分を形成する、又は独立した１つの装置とすることができる。制御モジュール及びその機能の例を、図９に関して説明する。
【００８１】
[0092]  図９は、例示的制御モジュール８０を概略的に示している。制御モジュール８０は、図８に示し、それを参照しながら説明した放射強度検出器からの出力６８、７０、７２を受けるように構成されるものとして図示されている。戻って図９を参照すると、制御モジュール８０は、さらなる入力８２を受けるようにも構成される。さらなる入力８２は、制御モジュール８０に、例えば周囲温度、ＬＥＤのアレイの温度、アレイ内の１つ又は複数のＬＥＤの温度、及びアレイのＬＥＤのピーク放出に必要な、又は望ましい周波数又は波長に関する情報を提供することができる。制御モジュール８０は、各ＬＥＤ、例えばＬＥＤ1、ＬＥＤ2・・・ＬＥＤN（ここでＮはアレイ内のＬＥＤの総数である）のドライバ８４に接続している。あるいは、制御モジュール８０は各ＬＥＤと直接接続することができる。
【００８２】
[0093]  放射強度検出器によって提供される情報及びさらなる入力８２によって提供される情報を使用して、制御モジュールは、ＬＥＤを制御するＬＥＤドライバ回路ＬＥＤ1〜ＬＥＤNを介してＬＥＤを制御し、ＬＥＤの発光スペクトルが所望の波長又は周波数と一致する波長又は周波数にピーク強度を有することを保証することができる。
【００８３】
[0094]  使用時には、１つのＬＥＤを制御して、放射を放出することができる。放射ピーク強度検出装置は、このＬＥＤによって放出された放射の放出プロフィールの少なくとも一部を検出し、この情報を制御モジュールに提供する。制御モジュールは、ＬＥＤの制御に使用される第一特性（例えば電流及び／又は電圧）を変化させる（例えばその掃引を実行する）。この実施形態では、電流が変化する。次に制御モジュールは、ＬＥＤの所望の出力（例えば３６５ｎｍ）に対応する狭帯域フィルタを備えたピーク放射強度検出器によって最大強度が測定される電流を割り出す。この検出器で強度のピークが検出されると、このピークを達成するために使用された電流の大きさを、将来の参照及びＬＥＤの制御のために記憶するか、短期間内にＬＥＤを制御するために使用する。したがって、この電流は上述したような特定の電流、又は特定の「第一特性」である。
【００８４】
[0095]  このプロセスを、所望の波長又は周波数のピーク強度をもたらすようにアレイの各ＬＥＤを駆動するために必要な電流を割り出すために、アレイの全要素で実行する。ＬＥＤの発光スペクトルのピーク強度を、電流ばかりでなく温度の関数としても測定するように、各ＬＥＤの温度も考慮することができる。必要な情報が全て収集されると、その情報を使用して、全てのＬＥＤに、アレイの全ＬＥＤが所望の波長又は周波数にピーク強度がある発光スペクトルを有することを保証するために必要な電流を提供することができる。
【００８５】
[0096]  一例では、各ＬＥＤの発光スペクトルのピーク強度が所望の波長又は周波数を有することを保証するばかりでなく、以上で言及した装置及び方法を使用して、そのピークにおける強度を測定することもできる。これを使用して、強度がアレイの全ＬＥＤで実質的に一貫していることを保証し、したがってＬＥＤアレイが全体として均一な放出プロフィール及び／又は所望の（例えば狭い）帯域幅を有することを保証することができる。放出強度は、ＬＥＤの制御に使用される電流の関数、又は電圧などのＬＥＤの制御に使用される別の特性とすることもできる。
【００８６】
[0097]  一例では、制御モジュールは、ＬＥＤが発光スペクトル内に所望のピークを有することを保証するために必要な特定の電流（又はさらに一般的には特定の特性）を割り出すことができる。代替的又は追加的に、制御モジュールには、このような特定の電流（又はさらに一般的には特定の特性）に関する情報、例えば大きさを提供することができる。
【００８７】
[0098]  図１０は、本発明の１つの実施形態によるＬＥＤ９０を概略的に示している。ＬＥＤは、ＬＥＤ９０が放出するように設計された放射（例えば３６５ｎｍの波長にピーク放出を有する放射）に対して実質的に透明であるケーシング９２を備える。ＬＥＤは、放射のプロフィールがコサイン放出則（ランバートの放出則と呼ばれることもある）に従うということから、ランバート放射であることが知られている。ＬＥＤの放出プロフィールがランバートの性質ではないことを保証することが望ましいことがある。
【００８８】
[0099]  本発明の実施形態によれば、ＬＥＤは、ランバート放出プロフィールをより望ましい放出プロフィール（例えばより円錐状、又は言い換えると円錐状放出プロフィール）に変換する（又は言い換えると変化させる）ために、複数の例えばレンズを備える。ＬＥＤ自体が一体の複数のレンズを備えるか、複数のレンズをＬＥＤに隣接して設けることができる。
【００８９】
[1000]  図１１ａは、本発明の実施形態によるＬＥＤ１００を示している。ＬＥＤは、ＬＥＤが放出するように設計された放射（例えば約３６５ｎｍの波長にピーク放出を有する放射）に対して実質的に透明であるケーシング１０２を備える。ケーシング１０２は、ＬＥＤ１００の固有のランバートプロフィールを変化させ、ＬＥＤ１００の放出プロフィールをさらに望ましいものにするように設計された複数のレンズ１０４、１０６、１０８、１１０を備える。
【００９０】
[1001]  図１１ｂは、本発明の実施形態によるＬＥＤ１２０を示している。ＬＥＤ１２０は、ＬＥＤ１２０が放出するように設計された放射（例えば約３６５ｎｍの波長にピーク放出を有する放射）に対して実質的に透明であるケーシング１２２を備える。ＬＥＤ１２０の隣には、複数のレンズ１２４、１２６、１２８、１３０が配置される。レンズ１２４、１２６、１２８、１３０は、ＬＥＤ１２０の固有のランバートプロフィールを変化させ、ＬＥＤ１２０の放出プロフィールをさらに望ましいものにするように設計される。
【００９１】
[1002]  ＬＥＤのランバート放出プロフィールを変化させるためにレンズを使用することを説明してきたが、任意の適切な光学要素を使用することができる。例えば、ＬＥＤは、ＬＥＤのランバート放出プロフィールを矯正するように構成された１つ又は複数の反射性、屈折性、回折性などの光学要素を備えるか、それに隣接して配置することができる。
【００９２】
[1003]  以上の実施形態は全て、アレイ内のＬＥＤの使用に関して説明してきた。しかし、本発明はＬＥＤの使用に限定されない。図２から図９に示し、それを参照しながら説明した実施形態に関して、ＬＥＤのアレイを、放射を放出することができる任意の他の個々に制御可能な要素のアレイで置き換えることができる。例えば、要素はレーザダイオードとすることができる。図１０、図１１ａ及び図１１ｂに示し、それを参照しながら説明した実施形態に関して、ＬＥＤの放出プロフィールを矯正及び／又は変化させるための１つ又は複数の光学要素の使用を追加的又は代替的に、例えばレーザダイオードなどの放射を放出することができる他の要素と組み合わせて使用することができる。図１０、図１１ａ及び図１１ｂに示し、それを参照しながら説明した実施形態は、１つのＬＥＤに関して説明してきたが、この実施形態は、ＬＥＤ又は放射を放出することができる他の要素のアレイにも当てはまる。例えば、複数のレンズを、アレイの各要素に設けるか、要素のアレイに隣接して配置されたシートなどの中に設けることができる。説明した実施形態のいずれにおいても、放射を放出することができる要素は、電磁スペクトルのＵＶ、ＥＵＶ、又はＥＵＶを超える範囲の波長に発光スペクトルのピーク強度を有する放射を放出するように構成することができる。これは、リソグラフィでは通常、ＵＶ、ＥＵＶ又はＥＵＶを超える放射が使用されているので有利である。
【００９３】
[1004]  以上の実施形態では、制御モジュールの使用について説明してきた。制御モジュールは、ある種の制御を提供することができるものでよい。例えば、制御モジュールは、コンピュータシステム、適切なプログラムを備えた組み込みプロセッサ、オシロスコープなどでよい。
【００９４】
結論
[0100]  請求の範囲を解釈するには発明の概要及び要約の項目ではなく、発明を実施するための形態を使用するよう意図されていることを認識されたい。発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００９５】
[0101]  以上では、特定の機能の実現を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明について説明してきた。機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って恣意的に規定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を規定することができる。
【００９６】
[0102]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されたい。
【００９７】
[0103]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
2010045356.tif 000003
【図１Ｂ】
2010045356.tif 000004
【図２ａ】
2010045356.tif 000005
【図２ｂ】
2010045356.tif 000006
【図３ａ】
2010045356.tif 000007
【図３ｂ】
2010045356.tif 000008
【図４ａ】
2010045356.tif 000009
【図４ｂ】
2010045356.tif 000010
【図５ａ】
2010045356.tif 000011
【図５ｂ】
2010045356.tif 000012
【図８】
2010045356.tif 000013
【図９】
2010045356.tif 000014
【図１０】
2010045356.tif 000015
【図１１ａ】
2010045356.tif 000016
【図１１ｂ】
2010045356.tif 000017
【図６ａ】
2010045356.tif 000018
【図６ｂ】
2010045356.tif 000019
【図７】
2010045356.tif 000020
【外国語明細書】
2010045356000001.pdf