(57)【要約】【課題】高周波帯域のノイズ成分の除去を効果的に行える積層コンデンサを提供する。【解決手段】積層コンデンサ２０は容量取得階層Ｈｃａを有するコンデンサ本体２１に高周波帯域のノイズ成分を通過させるのに適したノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを有する。積層コンデンサ２０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際においてシグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になって該ノイズ成分が容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を流れ難くなる現象を生じた場合でも、該ノイズ成分をノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由する経路により通過させてその除去を効果的に行うことができる。【選択図】図５
2010010289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路の信号ラインとアースライン間に接続する外部端子の複数対をコンデンサ本体の表面に備えた積層コンデンサにおいて、
前記コンデンサ本体は、位置と接続するラインが異なる一対の引出部を有する導体層を誘電体層を介し交互に積層して構成された容量取得階層と、前記導体層の引出部に積層方向でそれぞれ対向する補助導体層を誘電体層を介し積層して構成されたノイズ電流通過補助階層とを有し、
前記容量取得階層の導体層の引出部は、該引出部と積層方向で対向する前記ノイズ電流通過補助階層の補助導体層と共に一方のラインに接続される外部端子に接続され、かつ、容量取得階層の他方のラインに接続される導体層の引出部は、該引出部と積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層の補助導体層と共に他方のラインに接続される外部端子に接続されている、
ことを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記コンデンサ本体は、前記容量取得階層と前記ノイズ電流通過補助階層の他に、誘電体層を積層して構成された絶縁体階層をさらに有し、
前記容量取得階層と前記ノイズ電流通過補助階層と前記絶縁体階層とは、コンデンサ本体の積層方向において前記絶縁体階層、前記ノイズ電流通過補助階層、前記絶縁体階層、前記容量取得階層、前記絶縁体階層、前記ノイズ電流通過補助階層、前記絶縁体階層の順に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記コンデンサ本体は、前記容量取得階層と前記ノイズ電流通過補助階層の他に、前記誘電体層を積層して構成された絶縁体階層をさらに有し、
前記容量取得階層と前記ノイズ電流通過補助階層と前記絶縁体階層とは、前記コンデンサ本体の積層方向において前記絶縁体階層、前記ノイズ電流通過補助階層、前記容量取得階層、前記ノイズ電流通過補助階層、前記絶縁体階層の順に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記コンデンサ本体は所定の長さ、幅及び高さを有する直方体形状を成し、
前記容量取得階層を構成する接続するラインが異なる導体層は相対する幅方向側縁に第１，第２引出部をそれぞれ有し、一方のラインに接続される導体層の第１，第２引出部は他方のラインに接続される導体層の第１，第２引出部と誘電体層を介して幅方向でそれぞれ向き合っており、
前記ノイズ電流通過補助階層を構成する補助導体層は、一平面に位置し、かつ、一方のラインに接続される導体層の第１，第２引出部と積層方向でそれぞれ対向する第１補助導体層と、第１補助導体層と同一平面に位置し、かつ、他方のラインに接続される導体層の第１，第２引出部と積層方向でそれぞれ対向する第２補助導体層とを含む、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
幅方向で向き合う前記第１補助導体層と前記第２補助導体層は幅方向で近接する形状を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
長さ方向で隣り合う前記第１補助導体層と前記第２補助導体層は長さ方向で近接する形状を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デカップリングの用途に適した積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
デカップリングの用途に適した積層コンデンサには低ＥＳＬ（ＥＳＬ：等価直列インダクタンス）が求められる。その一例を図１〜図３に示す。図１は積層コンデンサの斜視図、図２は図１に示した積層コンデンサをＤＲ２方向から見た側面拡大図、図３は図１に示したコンデンサ本体の層構成を示す図である。
【０００３】
図１〜図３に示した積層コンデンサ１０は、所定の長さ、幅、及び高さを有する直方体形状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の幅方向両側面に４個ずつ設けられた接続ラインが異なる第１，第２外部端子１２，１３とを備える。
【０００４】
コンデンサ本体１１の幅方向一側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子１２，１３は接続するラインが交互に異なるように長さ方向に間隔をおいて第１外部端子１２，第２外部端子１３，第１外部端子１２，第２外部端子１３の順に配置されており、また、コンデンサ本体１１の幅方向他側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子１２，１３は接続するラインが交互に異なり、且つ、幅方向一側面の第１，第２外部端子１２，１３と接続するラインが異なって向き合うように長さ方向に間隔をおいて第２外部端子１３，第１外部端子１２，第２外部端子１３，第１外部端子１２の順に配置されている。
【０００５】
コンデンサ本体１１は、図２に示すように、容量取得階層Ｈｃａの上下に絶縁体階層Ｈｉｏを有する構造となっている。
【０００６】
図３に示すように、容量取得階層Ｈｃａは、相対する幅方向側縁に矩形状の第１，第２引出部１４ａ，１４ｂを１個ずつ有し、且つ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第１導体層１４と、相対する幅方向側縁の第１導体層１４の第１，第２引出部１４ａ，１４ｂと異なる位置に矩形状の第１，第２引出部１５ａ，１５ｂを１個ずつ有し、かつ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第２導体層１５とを、誘電体層ＤＬを介し所定数交互に積層して構成されており、第１導体層１４の第１，第２引出部１４，１４ｂは第２導体層１５の第１，第２引出部１５ａ，１５ｂと誘電体層ＤＬを介して幅方向でそれぞれ向き合っている。また、絶縁体階層Ｈｉｏは、誘電体層ＤＬを所定数積層して構成されている。
【０００７】
容量取得階層Ｈｃａの第１導体層１４の第１，第２引出部１４ａ，１４ｂは各々に対応する第１外部端子１２にそれぞれ接続され、また、容量取得階層Ｈｃａの第２導体層１５の第１，第２引出部１５ａ，１５ｂは各々に対応する第２外部端子１３にそれぞれ接続されている。
【０００８】
前述の積層コンデンサ１０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際、該積層コンデンサ１０の第１，第２外部端子１２，１３の一方は信号ラインに接続されるシグナル端子として用いられ第１，第２外部端子１２，１３の他方はアースラインに接続されるグラウンド端子として用いられる。
【０００９】
先に述べたように、コンデンサ本体１１の幅方向両側面に設けられた各４個の第１，第２外部端子１２，１３は交互に接続されるラインが異なるため、隣接する第１，第２外部端子１２，１３と第１，第２引出部１４ａ，１５ａと第１，第２引出部１４ｂ，１５ｂのそれぞれに流れる電流の向きが逆になり、これにより各電流によって形成される磁界が相殺されて積層コンデンサ１０自体のＥＳＬ低減が図られる。
【００１０】
低ＥＳＬ化が図られた積層コンデンサは特許文献１や特許文献２等にも開示されており、これら積層コンデンサの構造は前述の積層コンデンサ１０と異なるがＥＳＬ低減の基本原理は前述の積層コンデンサ１０と同様である。
【特許文献１】特表２００２−５０８１１４
【特許文献２】特開２００２−１５１３４９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、積層コンデンサ１０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行うに際して、例えば第１外部端子１２をシグナル端子として用い第２外部端子１３をグラウンド端子として用いた場合、シグナルに含まれるノイズ成分（交流成分）は、第１外部端子１２→第１，第２引出部１４ａ，１４ｂ→第１導体層１４→誘電体層ＤＬ→第２導体層１５→第１，第２引出部１５ａ，１５ｂ→第２外部端子１３の順に通過して、要するに容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を通じてグラウンドにバイパスされることになる。
【００１２】
しかし、シグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高くなると、具体的にはノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になると、ノイズ成分が流れる経路長に依存したインピーダンス増加等が影響して、該ノイズ成分が前記経路を流れ難くなる現象が生じ、結果的に該ノイズ成分を十分に除去することが難しくなる。
【００１３】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、高周波帯域のノイズ成分の除去を効果的に行える積層コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するため、本発明は、半導体回路の信号ラインとアースライン間に接続する外部端子の複数対をコンデンサ本体の表面に備えた積層コンデンサにおいて、前記コンデンサ本体は、位置と接続するラインが異なる一対の引出部を有する導体層を、誘電体層を介し交互に積層して構成された容量取得階層と、前記導体層の引出部に積層方向でそれぞれ対向する補助導体層を、誘電体層を介し積層して構成されたノイズ電流通過補助階層とを有し、前記容量取得階層の導体層の引出部は、該引出部と積層方向で対向する前記ノイズ電流通過補助階層の補助導体層と共に一方のラインに接続される外部端子に接続され、かつ、容量取得階層の他方のラインに接続される導体層の引出部は、該引出部と積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層の補助導体層と共に他方のラインに接続される外部端子に接続されている積層コンデンサである。
【００１５】
この積層コンデンサによれば、容量取得階層を有するコンデンサ本体に高周波帯域のノイズ成分を接地ラインに通過させるのに適したノイズ電流通過補助階層を設けてあるので、積層コンデンサを回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際においてシグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になって該ノイズ成分が容量取得階層を経由する経路を流れ難くなる現象を生じた場合でも、該ノイズ成分はノイズ電流通過補助階層を経由する経路によりバイパスし、その除去を効果的におこなうことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高周波帯域のノイズ成分の除去を効果的におこなえる積層コンデンサを提供することができる。
【００１７】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
図４は本発明の第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図、図５は図４に示した積層コンデンサをＤＲ５方向から見た側面拡大図、図６は図４に示したコンデンサ本体の層構成を示す分解斜視図である。
【００１９】
図４〜図６に示した積層コンデンサ２０は、所定の長さ、幅及び高さを有する直方体形状のコンデンサ本体２１と、コンデンサ本体２１の幅方向の両側面に４個ずつ設けられた接続するラインが異なる第１，第２外部端子２２，２３とを備える。ここで接続するラインとは、電源ラインでもある信号ラインと接地ラインとのことをいう。
【００２０】
コンデンサ本体２１の幅方向一側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子２２，２３は接続するラインが交互に異なるように長さ方向に間隔をおいて第１外部端子２２，第２外部端子２３，第１外部端子２２，第２外部端子２３の順に配置されており、また、コンデンサ本体２１の幅方向他側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子２２，２３は接続するラインが交互に異なり、かつ、幅方向一側面の第１，第２外部端子２２，２３と接続するラインが異なって向き合うように長さ方向に間隔をおいて第２外部端子２３，第１外部端子２２，第２外部端子２３，第１外部端子２２の順に配置されている。
【００２１】
なお、本発明の最小単位はこの実施形態で説明するうちの第１外部端子２２の対と第２外部端子２３の対である。すなわち、コンデンサ本体２１の幅方向の両側面に２個ずつ設けられた積層コンデンサである。
【００２２】
コンデンサ本体２１は、図５に示すように、容量取得階層Ｈｃａの上下に内側絶縁体階層Ｈｉｉを有し、該内側絶縁体階層Ｈｉｉの上下にノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを有し、該ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの上下に外側絶縁体階層Ｈｉｏを有する構造となっている。
【００２３】
図６に示すように、容量取得階層Ｈｃａは、相対する幅方向側縁に矩形状の第１，第２引出部２４ａ，２４ｂを１個ずつ有し、かつ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第１導体層２４と、相対する幅方向側縁の第１導体層２４の第１，第２引出部２４ａ，２４ｂと異なる位置に矩形状の第１，第２引出部２５ａ，２５ｂを１個ずつ有し、かつ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第２導体層２５とを、誘電体層ＤＬを介し所定数交互に積層して構成されており、第１導体層２４の第１，第２引出部２４，２４ｂは第２導体層２５の第１，第２引出部２５ａ，２５ｂと誘電体層ＤＬを介して幅方向でそれぞれ向き合っている。
【００２４】
また、内側絶縁体階層Ｈｉｉと外側絶縁体階層Ｈｉｏは、誘電体層ＤＬを所定数積層して構成されている。
【００２５】
さらに、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは、一平面に位置し、且つ、計２個の第１導体層２４の第１，第２引出部２４ａ，２４ｂと積層方向でそれぞれ対向する計４個の第１補助導体層２６ａ，２６ｂと、第１補助導体層２６ａ，２６ｂと同一平面に位置し、かつ、計２個の第２導体層２５の第１，第２引出部２５ａ，２５ｂと積層方向でそれぞれ対向する計４個の第２補助導体層２７ａ，２７ｂを、誘電体層ＤＬを介し所定数積層して構成されている。
【００２６】
第１補助導体層２６ａ，２６ｂのうち、幅方向の一側に存する２個の第１補助導体層２６ａの形状は該第１補助導体層２６ａと対向する第１導体層２４の第１引出部２４ａとほぼ同じ幅の矩形状をしており、また、幅方向の他側に存する２個の第１補助導体層２６ｂの形状は該第１補助導体層２６ｂと対向する第１導体層２４の第２引出部２４ｂとほぼ同じ幅で長さが長い矩形状をしている。
【００２７】
第２補助導体層２７ａ，２７ｂのうち、幅方向の一側に存する２個の第２補助導体層２７ａの形状は該第２補助導体層２７ａと対向する第２導体層２５の第１引出部２５ａとほぼ同じ幅で長さが長い矩形状をしており、また、幅方向他側に存する２個の第２補助導体層２７ｂの形状は該第２補助導体層２７ｂと対向する第２導体層２５の第２引出部２５ｂとほぼ同じ矩形状をしている。
【００２８】
容量取得階層Ｈｃａの第１導体層２４の第１，第２引出部２４ａ，２４ｂは該第１，第２引出部２４ａ，２４ｂと積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第１補助導体層２６ａ，２６ｂと共に各々に対応する第１外部端子２２にそれぞれ接続され、また、容量取得階層Ｈｃａの第２導体層２５の第１，第２引出部２５ａ，２５ｂは該第１，第２引出部２５ａ，２５ｂと積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第２補助導体層２７ａ，２７ｂと共に各々に対応する第２外部端子２３にそれぞれ接続されている。
【００２９】
前述の積層コンデンサ２０を半導体回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際、該積層コンデンサ２０の第１，第２外部端子２２，２３の一方はシグナル端子として用いられ第１，第２外部端子２２，２３の他方はグラウンド端子として用いられる。
【００３０】
先に述べたように、コンデンサ本体２１のコンデンサ本体２１の幅方向の両側面に設けられた各４個の第１，第２外部端子２２，２３は交互に接続するラインが異なるため、隣接する異なるライン接続の第１，第２外部端子２２，２３と第１，第２引出部２４ａ，２５ａと第１，第２引出部２４ｂ，２５ｂのそれぞれに流れる電流の向きが逆になり、これにより各電流によって形成される磁界が相殺されて積層コンデンサ２０自体のＥＳＬ低減が図られる。
【００３１】
前述の積層コンデンサ２０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行うに際して、例えば第１外部端子２２をシグナル端子として用い第２外部端子２３をグラウンド端子として用いた場合、シグナルに含まれるノイズ成分（交流成分）は、基本的には、第１外部端子２２→第１，第２引出部２４ａ，２４ｂ→第１導体層２４→誘電体層ＤＬ→第２導体層２５→第１，第２引出部２５ａ，２５ｂ→第２外部端子２３の順に通過して、要するに容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を通過してグラウンドにバイパスされ除去されることになる。
【００３２】
シグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高くなると、具体的にはノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になると、ノイズ成分が流れる経路長に依存したインピーダンス増加等が影響して、該ノイズ成分が前記経路を流れ難くなる現象が生じる。しかし、このような状況下では、図６右下に太線矢印で示すように、シグナルに含まれるノイズ成分は、第１外部端子２２→第１補助導体層２６ａ，２６ｂ→誘電体層ＤＬ→第２補助導体層２７ａ，２７ｂ→第２外部端子２３の順に通過して、要するにノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由した経路を通過してグラウンドにバイパスされ除去されることになる。
【００３３】
また、先に述べたノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第１補助導体層２６ａ，２６ｂと第２補助導体層２７ａ，２７ｂの態様にあっては、長さの長い第１補助導体層２６ｂと第２補助導体層２７ａの存在によって、幅方向で向き合う第１補助導体層２６ｂと第２補助導体層２７ａの幅方向間隔が第１補助導体層２６ａと第２補助導体層２７ｂの幅方向間隔よりも小さく、各々が幅方向で近接していることから、幅方向で向き合う第１補助導体層２６ｂと第２補助導体層２７ａとの間でもノイズの通過になる。
【００３４】
シグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高くなると何故に該ノイズ成分が後者の経路で通過され除去されるのかは定かではないが、該経路にあってはノイズ成分が流れる経路長に依存したインピーダンスが前者の経路のそれに比べて小さいこと、とりわけ補助導体層間の誘電体層ＤＬはそれ自体の物性から純水は容量結合を形成させ高周波帯域のノイズ成分の通過を許容すること等がその理由として考えられる。勿論、高周波帯域のノイズ成分の通過には前者の経路も併用され、低・中周波帯域のノイズ成分の通過には後者の経路も併用されると考えられる。
【００３５】
このように、前述の積層コンデンサ２０によれば、容量取得階層Ｈｃａを有するコンデンサ本体２１に高周波帯域のノイズ成分を通過させるのに適したノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを設けてあるので、積層コンデンサ２０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際においてシグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になって該ノイズ成分が容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を流れ難くなる現象を生じた場合でも該ノイズ成分を、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由する経路により通過してその除去を効果的に行うことができる。
【００３６】
また、前述の積層コンデンサ２０によれば、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは容量取得階層Ｈｃａとは異なる階層としてコンデンサ本体２１に設けられているので、積層コンデンサ２０自体に静電容量低下やＥＳＬ値増加や特性変化等の弊害を生じることもない。しかも、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは従前の積層コンデンサ１０（図２参照）における絶縁体階層Ｈｉｏの一部をノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐに置換することで配置できるので、積層コンデンサ２０のサイズ、特に高さが増加することも防止することができる。
【００３７】
尚、前述の説明では、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを構成する第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂを複数層としたものを例示したが、該第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂは１層あれば用を成す。
【００３８】
また、前述の説明では、第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂとして図６に示した態様のものを例示したが、図７（Ａ）〜図（Ｄ）にそれぞれ示す態様を採用しても前記同様の作用効果を得ることができる。
【００３９】
図７（Ａ）に示した第１補助導体層２６ａ１，２６ｂと第２補助導体層２７ａ，２７ｂ１が図６に示した第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂと異なるところは、幅方向の一側に存する２個の第１補助導体層２６ａ１の形状を該第１補助導体層２６ａ１と対向する第１導体層２４の第１引出部２４ａとほぼ同じ幅で長さが長い矩形状とした点と、幅方向の他側に存する２個の第２補助導体層２７ｂ１の形状を該第２補助導体層２７ｂ１と対向する第２導体層２５の第２引出部２５ｂとほぼ同じ幅で長さが長い矩形状とした点と、計４個の第１補助導体層２６ａ１，２６ｂと計４個の第２補助導体層２７ａ，２７ｂ１の長さを全て等しくした点にある。
【００４０】
この第１，第２補助導体層２６ａ１，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ１の態様によれば、幅方向で近接して向き合う第１補助導体層２６ｂと第２補助導体層２７ａとの間の他に、幅方向で近接して向き合う第１補助導体層２６ａ１と第２補助導体層２７ｂ１との間でもノイズ通過を行うことができる。
【００４１】
図７（Ｂ）に示した第１補助導体層２６ａ，２６ｂ１と第２補助導体層２７ａ１，２７ｂが図６に示した第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂと異なるところは、幅方向の他側に存する２個の第１補助導体層２６ｂ１の形状を第１補助導体層２６ｂよりも広い幅で長さが若干短い矩形状とした点と、幅方向の一側に存する２個の第２補助導体層２７ａ１の形状を第２補助導体層２７ａよりも広い幅で長さが若干短い矩形状とした点にある。
【００４２】
この第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ１，２７ａ１，２７ｂの態様によれば、幅広の第１補助導体層２６ｂ１と第２補助導体層２７ａ１の存在によって、長さ方向で隣り合う第１補助導体層２６ａと第２補助導体層２７ａ１との長さ方向間隔と長さ方向で隣り合う第１補助導体層２６ｂ１と第２補助導体層２７ｂとの長さ方向間隔が小さく、各々が長さ方向で近接していることから、第１補助導体層２６ａ，２６ｂ１→誘電体層ＤＬ→第２補助導体層２７ａ１，２７ｂのノイズ通過を的確に行うことができる。勿論、第１補助導体層２６ａと第２補助導体層２７ｂの幅も同様に広くすれば、前記長さ方向間隔をより小さくして前記ノイズ通過をより的確に行うことができる。
【００４３】
図７（Ｃ）に示した第１補助導体層２６ａ，２６ｂ２と第２補助導体層２７ａ２，２７ｂが図６に示した第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂと異なるところは、幅方向の他側に存する２個の第１補助導体層２６ｂ２の形状を該第１補助導体層２６ｂ２と対向する第１導体層２４の第２引出部２４ｂとほぼ矩形状とした点と、幅方向の一側に存する２個の第２補助導体層２７ａ２の形状を該第２補助導体層２７ａ２と対向する第２導体層２５の第１引出部２５ａとほぼ同じ矩形状とした点にある。この場合、第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ２，２７ａ２，２７ｂの幅を図７（Ｂ）の第１補助導体層２６ｂ１と第２補助導体層２７ａ１と同様に広くすれば、各々の長さ方向間隔を小さくしてノイズ通過を的確に行うことができる。
【００４４】
図７（Ｄ）に示した第１補助導体層２６ａ２，２６ｂ３と第２補助導体層２７ａ３，２７ｂ２が図６に示した第１，第２補助導体層２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂと異なるところは、計８個の第１，第２補助導体層２６ａ２，２６ｂ３，２７ａ３，２７ｂ２の全ての形状を三角形とした点にある。この場合、第１補助導体層２６ａ２，２６ｂ３，２７ａ３，２７ｂ２のサイズを大きくすれば、各々の長さ方向間隔を小さくしてノイズ通過を的確に行うことができるし、幅方向で向き合う補助導体層の間でのノイズ通過も可能となる。
【００４５】
さらに、前述の説明では、第１，第２外部端子２２，２３を計８個備えるものを例示したが、積層コンデンサ２０を長さ方向の中央で分断した構造の４端子積層コンデンサであっても前記同様の作用効果を得ることができる。
【００４６】
［第２実施形態］
図８は本発明の第２実施形態に係る積層コンデンサの斜視図、図９は図８に示した積層コンデンサをＤＲ９方向から見た側面拡大図、図１０は図８に示したコンデンサ本体の層構成を示す図である。
【００４７】
図８〜図１０に示した積層コンデンサ３０は、所定の長さ、幅及び高さを有する直方体形状のコンデンサ本体３１と、コンデンサ本体３１の幅方向両側面に４個ずつ設けられた接続するラインが異なる第１，第２外部端子３２，３３とを備える。
【００４８】
コンデンサ本体３１の幅方向の一側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子３２，３３は接続ラインが交互に異なるように長さ方向に間隔をおいて第１外部端子３２，第２外部端子３３，第１外部端子３２，第２外部端子３３の順に配置されており、また、コンデンサ本体３１の幅方向他側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子３２，３３は接続ラインが交互に異なり、且つ、幅方向の一側面の第１，第２外部端子３２，３３と接続ラインが異なって向き合うように長さ方向に間隔をおいて第２外部端子３３，第１外部端子３２，第２外部端子３３，第１外部端子３２の順に配置されている。
【００４９】
コンデンサ本体２１は、図９に示すように、容量取得階層Ｈｃａの上下に内側絶縁体階層Ｈｉｉを有し、該内側絶縁体階層Ｈｉｉの上下にノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを有し、該ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの上下に外側絶縁体階層Ｈｉｏを有する構造となっている。
【００５０】
図１０に示すように、容量取得階層Ｈｃａは、相対する幅方向側縁に矩形状の第１，第２引出部３４ａ，３４ｂを１個ずつ有し、且つ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第１導体層３４と、相対する幅方向側縁の第１導体層３４の第１，第２引出部３４ａ，３４ｂと異なる位置に矩形状の第１，第２引出部３５ａ，３５ｂを１個ずつ有し、且つ、同一平面に長さ方向に間隔をおいて位置する２個の第２導体層３５とを、誘電体層ＤＬを介し所定数交互に積層して構成されており、第１導体層３４の第１，第２引出部３４，３４ｂは第２導体層３５の第１，第２引出部３５ａ，３５ｂと誘電体層ＤＬを介して幅方向でそれぞれ向き合っている。
【００５１】
また、内側絶縁体階層Ｈｉｉと外側絶縁体階層Ｈｉｏは、誘電体層ＤＬを所定数積層して構成されている。
【００５２】
さらに、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは、一平面に位置し、且つ、計２個の第１導体層３４の第１，第２引出部３４ａ，３４ｂと積層方向でそれぞれ対向する計４個の第１補助導体層３６ａ，３６ｂと、第１補助導体層３６ａ，３６ｂと同一平面に位置し、かつ、計２個の第２導体層３５の第１，第２引出部３５ａ，３５ｂと積層方向でそれぞれ対向する計４個の第２補助導体層３７ａ，３７ｂと、第１，第２補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂと同一平面に位置し、かつ、幅方向で斜めに向き合う１組の第１補助導体層３６ａ，３６ｂと幅方向で斜めに向き合う２組の第２補助導体層３７ａ，３７ｂをそれぞれ相互導通させる計３個の第３補助導体層３８ａ，３８ｂとを、誘電体層ＤＬを介し所定数積層して構成されている。
【００５３】
第１補助導体層３６ａ，３６ｂの形状は該第１補助導体層３６ａ，３６ｂと対向する第１導体層３４の第１引出部３４ａとほぼ同じ矩形状を成しており、第２補助導体層３７ａ，３７ｂの形状は該第２補助導体層３７ａ，３７ｂと対向する第２導体層３５の第１引出部３５ａ，３５ｂとほぼ同じ矩形状を成している。
【００５４】
第３補助導体層３８ａの形状は帯状を成していてその幅は第１補助導体層３６ａ，３６ｂとほぼ同じであり、図１０において誘電体層ＤＬの図面奥側の左から３番目に位置する第１補助導体層３６ａと誘電体層ＤＬの図面手前側の左から２番目に位置する第１補助導体層３６ｂとを相互導通させている。第３補助導体層３８ｂの形状は帯状を成していてその幅は第２補助導体層３７ａ，３７ｂとほぼ同じであり、図１０において誘電体層ＤＬの図面奥側の左から２番目に位置する第２補助導体層３７ａと図面手前側の左から１番目に位置する第２補助導体層３７ｂと、図面奥側の左から４番目に位置する第２補助導体層３７ａと図面手前側の左から３番目に位置する第２補助導体層３７ｂとをそれぞれ相互導通させている。第３補助導体層３８ａ，３８ｂの傾き角度はほぼ同じで、計３個の第３補助導体層３８ａ，３８ｂは互いにほぼ平行である。
【００５５】
容量取得階層Ｈｃａの第１導体層３４の第１，第２引出部３４ａ，３４ｂは該第１，第２引出部３４ａ，３４ｂと積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第１補助導体層３６ａ，３６ｂと共に各々に対応する第１外部端子３２にそれぞれ接続され、また、容量取得階層Ｈｃａの第２導体層３５の第１，第２引出部３５ａ，３５ｂは該第１，第２引出部３５ａ，３５ｂと積層方向で対向するノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第２補助導体層３７ａ，３７ｂと共に各々に対応する第２外部端子３３にそれぞれ接続されている。
【００５６】
前述の積層コンデンサ３０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際、該積層コンデンサ３０の第１，第２外部端子３２，３３の一方はシグナル端子として用いられ第１，第２外部端子３２，３３の他方はグラウンド端子として用いられる。
【００５７】
先に述べたように、コンデンサ本体３１のコンデンサ本体３１の幅方向両側面に設けられた各４個の第１，第２外部端子３２，３３は交互に接続ラインが異なるため、隣接する第１，第２外部端子３２，３３と第１，第２引出部３４ａ，３５ａと第１，第２引出部３４ｂ，３５ｂのそれぞれに流れる電流の向きが逆になり、これにより各電流によって形成される磁界が相殺されて積層コンデンサ３０自体のＥＳＬ低減が図られる。
【００５８】
前述の積層コンデンサ３０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行うに際して、例えば第１外部端子３２をシグナル端子として用い第２外部端子３３をグラウンド端子として用いた場合、シグナルに含まれるノイズ成分（交流成分）は、基本的には、第１外部端子３２→第１，第２引出部３４ａ，３４ｂ→第１導体層３４→誘電体層ＤＬ→第２導体層３５→第１，第２引出部３５ａ，３５ｂ→第２外部端子３３の順に通過して、要するに容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を通過してグラウンドにバイパスされ除去されることになる。
【００５９】
シグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高くなると、具体的にはノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になると、ノイズ成分が流れる経路長に依存したインピーダンス増加等が影響して、該ノイズ成分が前記経路を流れ難くなる現象が生じる。しかし、このような状況下では、図１０右下に太線矢印で示すように、シグナルに含まれるノイズ成分は、第１外部端子３２→第１補助導体層３６ａ，３６ｂ→誘電体層ＤＬ→第２補助導体層３７ａ，３７ｂ→第２外部端子３３の順に通過して、要するにノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由した経路を通過してグラウンドにバイパスされ除去されることになる。
【００６０】
また、先に述べたノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの第１補助導体層３６ａ，３６ｂと第２補助導体層３７ａ，３７ｂと第３補助導体層３８ａ，３８ｂの態様にあっては、幅方向で斜めに向き合う１組の第１補助導体層３６ａ，３６ｂが第３補助導体層３８ａで相互導通され、且つ、幅方向で斜めに向き合う２組の第２補助導体層３７ａ，３７ｂが第３補助導体層３８ｂでそれぞれ相互導通されていることから、互いがほぼ平行な第３補助導体層３８ａと２個の第３補助導体層３８ｂとの間でもノイズ通過が行われる。
【００６１】
シグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高くなると何故に該ノイズ成分が後者の経路で通過され除去されるのかは定かではないが、該経路にあってはノイズ成分が流れる経路長に依存したインピーダンスが前者の経路のそれに比べて小さいこと、誘電体層ＤＬはそれ自体の物性から高周波帯域のノイズ成分の通過を許容すること等がその理由として考えられる。勿論、高周波帯域のノイズ成分の通過には前者の経路も併用され、低・中周波帯域のノイズ成分の通過には後者の経路も併用されると考えられる。
【００６２】
このように、前述の積層コンデンサ３０によれば、容量取得階層Ｈｃａを有するコンデンサ本体３１に高周波帯域のノイズ成分をバイパスするのに適したノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを設けてあるので、積層コンデンサ３０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際においてシグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になって該ノイズ成分が容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を流れ難くなる現象を生じた場合でも、該ノイズ成分をノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由する経路により通過してその除去を効果的に行うことができる。
【００６３】
また、前述の積層コンデンサ３０によれば、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは容量取得階層Ｈｃａとは異なる階層としてコンデンサ本体３１に設けられているので、積層コンデンサ３０自体に静電容量低下やＥＳＬ値増加や特性変化等の弊害を生じることもない。しかも、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐは従前の積層コンデンサ１０（図２参照）における絶縁体階層Ｈｉｏの一部をノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐに置換することで配置できるので、積層コンデンサ３０のサイズ、特に高さが増加することも防止することができる。
【００６４】
尚、前述の説明では、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを構成する第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂを複数層としたものを例示したが、該第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂは１層あれば用を成す。
【００６５】
また、前述の説明では、第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂとして図１０に示した態様のものを例示したが、図１１（Ａ）と図１１（Ｂ）にそれぞれ示す態様を採用しても前記同様の作用効果を得ることができる。
【００６６】
図１１（Ａ）に示した第１補助導体層３６ａ，３６ｂ１と第２補助導体層３７ａ１，３７ｂと第３補助導体層３８ａ１，３８ｂ１が図１０に示した第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂと異なるところは、第３補助導体層３８ａ，３８ｂを除外した点と、幅方向他側に存する２個の第１補助導体層３６ｂ１の形状を長さが長い矩形状とした点と、幅方向一側に存する２個の第２補助導体層３７ａ１の形状を長さが長い矩形状とした点と、幅方向他側に存する２個の第１補助導体層３６ｂ１の端部を帯状の第３補助導体層３８ａ１で相互導通させた点と、幅方向一側に存する２個の第２補助導体層３７ａ１の端部を第３補助導体層３８ａ１と幅方向でほぼ平行に向き合う帯状の第３補助導体層３８ｂ１で相互導通させた点にある。
【００６７】
この第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ１，３７ａ１，３７ｂ，３８ａ１，３８ｂ１の態様によれば、幅方向でほぼ平行に向き合う２個の第３補助導体層３８ａ１，３８ｂ１との間と、第３補助導体層３８ｂ１とその内側に位置する第１補助導体層３６ａとの間と、第３補助導体層３８ａ１とその内側に位置する第２補助導体層３７ｂとの間でもノイズ通過を行うことができる。
【００６８】
図１１（Ｂ）に示した第１補助導体層３６ａ，３６ｂ１と第２補助導体層３７ａ１，３７ｂと第３補助導体層３８ａ２，３８ｂ２が図１０に示した第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂと異なるところは、第３補助導体層３８ａ，３８ｂを除外した点と、幅方向他側に存する２個の第１補助導体層３６ｂ１の形状を長さが長い矩形状とした点と、幅方向一側に存する２個の第２補助導体層３７ａ１の形状を長さが長い矩形状とした点と、幅方向他側に存する２個の第１補助導体層３６ｂ１の端部を帯状の第３補助導体層３８ａ２で相互導通させ該第３補助導体層３８ａ２の端部を幅方向他側の端部に存する第２補助導体層３７ｂまで延長した点と、幅方向一側に存する２個の第２補助導体層３７ａ１の端部を第３補助導体層３８ａ２と幅方向でほぼ平行に向き合う第３補助導体層３８ｂ２で相互導通させ該第３補助導体層３８ｂ２の端部を幅方向一側の端部に存する第１補助導体層３６ａまで延長した点にある。
【００６９】
この第１〜第３補助導体層３６ａ，３６ｂ１，３７ａ１，３７ｂ，３８ａ２，３８ｂ２の態様によれば、幅方向でほぼ平行に向き合う２個の第３補助導体層３８ａ２，３８ｂ２との間と、第３補助導体層３８ｂ２とその内側に位置する第１補助導体層３６ａとの間と、第３補助導体層３８ａ２とその内側に位置する第２補助導体層３７ｂとの間と、第３補助導体層３８ｂ２の端部と幅方向一側の端部に存する第１補助導体層３６ａとの間と、第３補助導体層３８ａ２の端部と幅方向他側の端部に存する第２補助導体層３７ｂとの間でもノイズ通過を行うことができる。
【００７０】
［第３実施形態］
図１２は本発明の第３実施形態に係る積層コンデンサの斜視図、図１３は図１２に示した積層コンデンサをＤＲ１３方向から見た側面拡大図である。
【００７１】
図１２及び図１３に示した積層コンデンサ４０は、所定の長さ、幅及び高さを有する直方体形状のコンデンサ本体４１と、コンデンサ本体４１の幅方向両側面に４個ずつ設けられた接続するラインが異なる第１，第２外部端子４２，４３とを備える。
【００７２】
コンデンサ本体４１の幅方向一側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子４２，４３は極性が交互に異なるように長さ方向に間隔をおいて第１外部端子４２，第２外部端子４３，第１外部端子４２，第２外部端子４３の順に配置されており、また、コンデンサ本体４１の幅方向他側面に設けられた計４個の第１，第２外部端子４２，４３は接続ラインが交互に異なり、且つ、幅方向一側面の第１，第２外部端子４２，４３と接続ラインが異なって向き合うように長さ方向に間隔をおいて第２外部端子４３，第１外部端子４２，第２外部端子４３，第１外部端子４２の順に配置されている。
【００７３】
コンデンサ本体４１は、図１３に示すように、容量取得階層Ｈｃａの上下にノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを有し、該ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐの上下に外側絶縁体階層Ｈｉｏを有する構造となっている。要するに、コンデンサ本体４１は第１，第２実施形態のコンデンサ本体２１，３１から内側絶縁体階層Ｈｉｉを除外したような構造となっているが、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐと外側絶縁体階層Ｈｉｏの厚さの和は第１，第２実施形態のコンデンサ本体２１，３１の内側絶縁体階層Ｈｉｉとノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐと外側絶縁体階層Ｈｉｏの厚さの和と同じである。
【００７４】
容量取得階層Ｈｃａとノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐと外側絶縁体階層Ｈｉｏの層構成並び各導体層と第１，第２外部端子４２，４３との接続関係は第１，第２実施形態で説明したものと同じであるため、ここでの説明を省略する。
【００７５】
前述の積層コンデンサ４０でも、第１，第２実施形態と同様に、容量取得階層Ｈｃａを有するコンデンサ本体４１に高周波帯域のノイズ成分を通過させるのに適したノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを設けてあるので、積層コンデンサ４０を回路基板に実装して所期のデカップリングを行う際においてシグナルに含まれるノイズ成分の周波数が高周波帯域に相当する数百ＭＨｚ以上になって該ノイズ成分が容量取得階層Ｈｃａを経由する経路を流れ難くなる現象を生じた場合でも該ノイズ成分を、ノイズ電流通過補助階層Ｈｎｐを経由する経路により通過させてその除去を効果的に行うことができる。他の作用効果は第１，第２実施形態と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】従前の積層コンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示した積層コンデンサをＤＲ２方向から見た側面拡大図である。
【図３】図１に示したコンデンサ本体の層構成を示す分解斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図５】図４に示した積層コンデンサをＤＲ５方向から見た側面拡大図である。
【図６】図４に示したコンデンサ本体の層構成を示す図である。
【図７】図６に示した補助導体層の変形例を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図９】図８に示した積層コンデンサをＤＲ８方向から見た側面拡大図である。
【図１０】図８に示したコンデンサ本体の層構成を示す図である。
【図１１】図１０に示した補助導体層の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図１３】図１２に示した積層コンデンサをＤＲ１３方向から見た側面拡大図である。
【符号の説明】
【００７７】
２０、３０，４０…積層コンデンサ、２１，３１，４１…コンデンサ本体、Ｈｃａ…容量取得階層、Ｈｉｉ…内側絶縁体階層、Ｈｎｐ…ノイズ電流通過補助階層、Ｈｉｏ…外側絶縁体階層、２２，３２，４２…第１外部端子、２３，３３，４３…第２外部端子、２４，３４…第１導体層、２５，３５…第２導体層、２４ａ，２５ａ，３４ａ，３５ａ…第１引出部、２４ｂ，２５ｂ，３４ｂ，３５ｂ…第２引出部、２６ａ，２６ａ１，２６ａ２，２６ｂ，２６ｂ１，２６ｂ２，２６ｂ３，３６ａ，３６ｂ，３６ｂ１…第１補助導体層、２７ａ，２７ａ１，２７ａ２，２７ｂ，２７ｂ１，２７ｂ２，２７ａ３，３７ａ，３７ａ１…第２補助導体層、３８ａ，３８ａ１，３８ａ２，３８ｂ，３８ｂ１，３８ｂ２…第３補助導体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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