(57)【要約】      （修正有）【課題】封止樹脂へのボイドの残留が抑制された回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】混成集積回路装置１０は、導電パターン４０およびトランジスタ３６等（回路素子）から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１４と、額縁状の形状を有して回路基板１４に当接することで混成集積回路が封止される空間を形成するケース材１２と、ケース材１２に囲まれる空間に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂２２と、導電パターン４０から成るパッドに固着されて外部に延在するリード１８、２０とを有する構成となっている。更に、ケース材１２に設けられる支持部（第１支持部２８および第２支持部３０）の下面を傾斜面としている。【選択図】図１
2010010569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板と、
回路基板の周囲を囲む側壁と、一方の側壁から他方の側壁に渡り内壁を連続させた支持部とを備え、前記回路基板の周辺部に当接することで前記回路素子が封止される空間を前記回路基板の上面に構成するケース材と、
前記空間に充填されて前記回路基板の上面に形成された前記混成集積回路を封止する封止樹脂と、を備え、
前記回路基板に面する前記ケース材の前記支持部の面を、前記回路基板の面に対して傾斜させることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記支持部は、４つの側壁から成る前記ケース材の中央よりも一方側に配置された第１支持部と、他方側に配置された第２支持部とを備え、
前記回路基板に面する前記第１支持部および前記第２支持部の主面は、中央部側よりも周辺部側の方が前記回路基板から離間する傾斜面であることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
回路素子および導電パターンから成る混成集積回路が組み込まれた回路基板を用意する工程と、
額縁状に構成された４つの側壁と、対向する前記側壁の内壁を連続させる支持部とを備えたケース材の周辺部を前記回路基板に固着させることにより、前記回路素子が封止される空間を前記回路基板の上面に構成する工程と、
液状または半固形状の封止樹脂を前記ケース材の空間に供給して固化させることで、前記混成集積回路を封止する工程と、を備え、
前記封止する工程では、傾斜面である前記支持部の主面に沿って、前記封止樹脂に含まれるボイドが外部に放出されることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記ケース材には２つの前記支持部が設けられ、
前記封止する工程では、前記支持部どうしの間から前記封止樹脂を供給することにより、周囲に向かって広がる前記封止樹脂に含まれる前記ボイドを、前記支持部の前記主面に沿って外部に逃がすことを特徴とする請求項３記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、回路基板の上面に構築された混成集積回路がケース材を用いて封止される回路装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７を参照して、ケース材１１１が採用された構成集積回路装置１００の構成を説明する。先ず、矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成され、この導電パターン１０３の所望の箇所に回路素子が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子１１３が固着されている。そして、半導体素子１１３の上面に形成された電極は、金属細線１１４を経由して所望の導電パターン１０３と接続されている。また、リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッドに接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
【０００３】
ケース材１１１は、略額縁形状を有して基板１０１の側面に当接しており、このことにより、基板１０１の上面に封止樹脂１０８を貯留するための空間が確保される。
【０００４】
上記構成の混成集積回路装置１００の製造方法は次の通りである。先ず、上面が樹脂から成る絶縁層１０２により被覆された基板１０１の上面に、所定形状の導電パターン１０３を形成する。次に、半導体素子１１３等の回路素子を基板１０１の上面に載置して、所定の導電パターン１０３と半導体素子１１３とを電気的に接続する。同時に、パッド状に形成された導電パターン１０３にリード１０４を固着する。次に、ケース材１１１を取り付け、ケース材１１１により囲まれる空間に、液状又は半固形状の封止樹脂１０８を注入した後に加熱硬化することにより、半導体素子１１３や金属細線１１４を樹脂封止する。
【０００５】
また、ケース材１１１は、金型を用いた樹脂の射出成形により形成され、成形後の後収縮によるケース材１１１の反りを低減すること、及び封止樹脂１０８を注入した後の加熱硬化により発生する硬化収縮による、混成集積回路装置１００全体の反りを低減するため、ケース材１１１の内壁を橋渡しするように支持部１１２が設けられている。ここでは、紙面に対して手前から紙面の裏に向かってケース材と一体の支持部１１２が設けられ、支持部１１２の下面および側面は封止樹脂１０８により被覆されている。
【特許文献１】特開２００７−０３６０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した混成集積回路装置１００では、封止樹脂１０８にボイド１１５が残留してしまう問題があった。具体的には、封止樹脂１０８は、液状又は半固形状で供給された後に硬化されることで充填されている。そして、ケース材１１１の内部に供給される液状の封止樹脂１０８の内部には、微細な気泡が含まれた状態となっている。この気泡には浮力が作用するので、大部分の気泡は封止樹脂１０８の内部を上方に向かって移動して外部に放出される。しかしながら、上記したようにケース材１１１には支持部１１２が設けられているので、気泡の一部分は支持部１１２の下面に接触してしまい、上昇が阻害され、封止樹脂１０８の内部に残留してしまう。硬化した結果、封止樹脂１０８にボイド１１５が残留してしまうと、封止樹脂１０８による封止の効果が低減してしまい、接続信頼性が低下する。
【０００７】
例えば、図７に示すように、半導体素子１１３の接続に用いられる金属細線１１４が、支持部１１２の下方に位置すると、金属細線１１４の一部がボイド１１５により囲まれることとなる。この様になると、使用状況下で、ヒートサイクルが混成集積回路装置１００に作用した場合、金属細線１１４のボイド１１５に接触する部分と、封止樹脂１０８に接触する部分とで膨張量が異なる。結果的に、ヒートサイクルによる大きな熱ストレスが金属細線１１４に作用することとなり、金属細線１１４が断線してしまう問題が発生する。
【０００８】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、封止樹脂へのボイドの残留が抑制された回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の回路装置は、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板と、回路基板の周囲を囲む側壁と、一方の側壁から他方の側壁に渡り内壁を連続させた支持部とを備え、前記回路基板の周辺部に当接することで前記回路素子が封止される空間を前記回路基板の上面に構成するケース材と、前記空間に充填されて前記回路基板の上面に形成された前記混成集積回路を封止する封止樹脂と、を備え、前記回路基板に面する前記ケース材の前記支持部の面を、前記回路基板の面に対して傾斜させることを特徴とする。
【００１０】
本発明の回路装置の製造方法は、回路素子および導電パターンから成る混成集積回路が組み込まれた回路基板を用意する工程と、額縁状に構成された４つの側壁と、対向する前記側壁の内壁を連続させる支持部とを備えたケース材の周辺部を前記回路基板に固着させることにより、前記回路素子が封止される空間を前記回路基板の上面に構成する工程と、液状または半固形状の封止樹脂を前記ケース材の空間に供給して固化させることで、前記混成集積回路を封止する工程と、を備え、前記封止する工程では、傾斜面である前記支持部の主面に沿って、前記封止樹脂に含まれるボイドが外部に放出されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、回路基板に面するケース材の支持部の主面を傾斜面としている。従って、封止樹脂に含まれるボイドは、傾斜面である支持部の主面に沿って外部に放出されるので、封止樹脂にボイドが残留することが抑制される。結果的に、封止樹脂による封止の効果が適正に発揮されて、回路基板の上面に構成された混成集積回路の接続信頼性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１から図３を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。図１（Ａ）は斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線部の断面図である。
【００１３】
混成集積回路装置１０は、導電パターン４０およびトランジスタ３６等（回路素子）から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１４と、額縁状の形状を有して回路基板１４に当接することで混成集積回路が封止される空間を形成するケース材１２と、ケース材１２に囲まれる空間に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂２２と、導電パターン４０から成るパッドに固着されて外部に延在するリードとを有する構成となっている。更に本実施形態では、ケース材１２に設けられる支持部（第１支持部２８および第２支持部３０）の下面を傾斜面としている。
【００１４】
本実施の形態では、回路基板１４の上面に、導電パターン４０および回路素子から成る所定の機能を有する混成集積回路が構成されている。具体的には、先ず、四角形形状（ここでは長方形）の回路基板１４の上面は絶縁層３８により被覆され、絶縁層３８の上面に形成された導電パターン４０の所定の箇所に、トランジスタ３６や受動素子３２等の回路素子が電気的に接続されている。更に、回路基板１４の上面に形成された導電パターン４０および回路素子は封止樹脂２２により被覆されている。また、第１リード１８および第２リード２０は、装置に内蔵された混成集積回路と電気的に接続されて封止樹脂２２から外部に導出し、入出力端子として機能している。
【００１５】
回路基板１４は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等を主材料とする金属基板である。回路基板１４としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１４の両主面は陽極酸化膜により被覆されても良い。ここで、樹脂材料や、セラミックに代表される無機材料等の絶縁材料から回路基板１４が構成されても良い。また、回路基板１４は、絶縁層３８を部分的に開口し、この露出した金属部分と導電パターン４０が接続されることにより、固定電位（接地電位や電源電位）と接続される。一般にはアース接地される。
【００１６】
絶縁層３８は、回路基板１４の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層３８は、フィラーが充填されたエポキシ樹脂等から成る。フィラーが混入されることにより、絶縁層３８の熱抵抗が低減されるので、内蔵される回路素子から発生した熱を、絶縁層３８および回路基板１４を経由して良好に外部に放出することができる。
【００１７】
図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１４の下面には絶縁基板１６が接触している。絶縁基板１６は、回路基板１４と同様に両主面に陽極酸化膜が形成されたアルミニウム基板から成り、回路基板１４に接触する上面は樹脂から成る絶縁膜により被覆されている。そして、絶縁基板１６は回路基板１４より面積が大きく形成されており、回路基板１４の側面と絶縁基板１６の側面とは離間される。この様にすることで、金属材料が露出する回路基板１４の側面が外部から離間され、回路基板１４が実装されるシャーシーやヒートシンク等とショートすることが抑制される。
【００１８】
導電パターン４０は厚みが４０μｍ程度の銅等の金属から成り、所定の電気回路が形成されるように絶縁層３８の表面に形成される。また、リード（第１リード１８、第２リード２０）が固着される部分に、導電パターン４０からなるパッドが設けられる。更に、トランジスタ３６の周囲にも多数個のパッドが形成され、このパッドとトランジスタ３６とは金属細線４２により接続される。ここでは単層の導電パターン４０が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン４０が回路基板１４の上面に形成されても良い。
【００１９】
導電パターン４０に電気的に接続される回路素子としては、能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン４０に固着することができる。図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１４の上面には、回路素子としてトランジスタ３６、ＬＳＩ３４、チップ素子３２が配置されている。ここで、発熱量の多いパワー素子がトランジスタ３６として採用された場合は、導電パターン４０の上面に固着された金属片から成るヒートシンクの上面にトランジスタ３６が載置されても良い。ここでは、ケース材１２の第１支持部２８の下方に、トランジスタ３６を接続させる金属細線４２が形成されている。
【００２０】
封止樹脂２２は、ケース材１２により囲まれる回路基板１４の上面の空間に充填されている。封止樹脂２２は、回路基板１４の上面に形成された導電パターン４０、トランジスタ３６等の回路素子、リードおよびその接合箇所を封止している。封止樹脂２２の材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が採用される。更に、封止樹脂２２には、熱伝導性の向上等を目的として、酸化シリコン等の粒状のフィラーが混入されても良い。更に、封止樹脂２２は、第１支持部２８および第２支持部３０の下面および側面を被覆しており、これらの支持部の上面と封止樹脂２２の上面とは同一平面上に位置していることが望ましいが、支持部下面を被覆していれば、封止樹脂２２の上面は支持部の上面より１ｍｍ程度下方でも良い。
【００２１】
第１リード１８および第２リード２０は、回路基板１４の対向する側辺に沿って、パッドに固着されており、混成集積回路装置１０の入出力端子として機能している。これらのリードは、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）またはＦｅ−Ｎｉの合金等などを主成分とした金属から成る。図では、各リードは上方に引き出されているが、リードは途中で直角に曲折されて側方に引き出されても良い。
【００２２】
図１（Ａ）を参照して、額縁状の形状を呈するケース材１２は、回路基板１４の４つの側辺に対応して、４つの側壁を有する。具体的には、第１側壁１２Ａ、第２側壁１２Ｂ、第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄから主にケース材１２は構成されている。また、ケース材１２の第３側壁１２Ｃと第４側壁１２Ｄとは、第１支持部２８および第２支持部３０により連続されている。更に、図１（Ｂ）を参照すると、第１側壁１２Ａおよび第２側壁１２Ｂの内側の下端部には、回路基板１４および絶縁基板１６を収納するための段差部が設けられている。同様の段差部は、図１（Ａ）に示す第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄにも設けられる。この様にケース材１２の側壁に段差部を設けることにより、回路基板１４および絶縁基板１６をケース材１２に収納し、ケース材１２の下面と絶縁基板１６の下面とを同一平面上に位置させることができる。また、回路基板１４および絶縁基板１６は、絶縁性接着材を介してケース材１２に接着される。
【００２３】
更に、第１支持部２８、第２支持部３０の少なくとも下面は、回路基板１４の上面に対して傾斜する傾斜面２８Ａとされている。この様に、第１支持部２８および第２支持部３０の下面を傾斜面とすることにより、第１支持部２８および第２支持部３０の下方にて封止樹脂２２にボイドが残留することが抑制される。ここで「少なくとも下面は」としたが、この理由は以下による。つまり図１（Ｂ）の支持部は、下面が傾斜し、上面は、水平である。しかし全て同じ厚みにして、下面、上面も傾斜させてあっても、同等の効果があるからである。この事項の詳細は、図３を参照して後述する。
【００２４】
図２を参照して、次に、樹脂封止の為に用いられるケース材１２の構成を説明する。ケース材１２は、第１側壁１２Ａ、第２側壁１２Ｂ、第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄから額縁状に構成されている。紙面上における各側壁の位置を説明すると、第１側壁１２Ａは下側に位置し、第２側壁１２Ｂは上側に位置し、第３側壁１２Ｃは左側に位置し、第４側壁１２Ｄは右側に位置する。なお、ケース材１２は、熱可塑性樹脂材料を射出成形して一体的に形成されたものである。また、第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄを部分的に貫通して貫通孔２４が形成されている。この貫通孔２４は、混成集積回路装置をヒートシンク等に取り付けるためのネジ締めの際に使用される。
【００２５】
本実施形態では、第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄの内壁を連続させるように、２つの支持部２６（第１支持部２８および第２支持部３０）が設けられている。この支持部２６は、樹脂を射出成形することによりケース材１２を成形後の、後収縮により第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄが内側に変形を低減するため、及び図１の封止樹脂２２を注入した後の加熱硬化により発生する硬化収縮による、回路装置１０全体の反りを低減するために設けられている。即ち、射出成形樹脂の後収縮及び封止樹脂の硬化収縮により第３側壁１２Ｃおよび第４側壁１２Ｄを内側に反らす応力が作用しても、両側壁が支持部２６により内側から支持されることにより、両側壁の反りが低減される。
【００２６】
ここでは、２本の平行する第１支持部２８および第２支持部３０が示されているが、支持部の個数は２本以外でも良く、１本でも良いし３本以上でも良い。また、図では、短手方向の側壁（第３側壁１２Ｃと第４側壁１２Ｄ）を接続する支持部２６が設けられているが、長手方向の側壁（第１側壁１２Ａと第２側壁１２Ｂ）を連続する支持部が設けられても良い。
【００２７】
図３を参照して、ケース材１２に設けられる第１支持部２８および第２支持部３０の詳細を説明する。図３（Ａ）−図３（Ｄ）は、第１支持部２８および第２支持部３０の各種形状を示す断面図である。
【００２８】
図３（Ａ）を参照して、第１支持部２８の下面は回路基板１４の上面に対して傾斜する傾斜面２８Ａであり、第２支持部３０の下面も傾斜面３０Ａとなっている。ここでは、傾斜面２８Ａおよび傾斜面３０Ａは、中心部よりも周辺部の方が上方に位置する傾斜面と成っている。傾斜面２８Ａ、３０Ａをこの様な形状とすることにより、液状の封止樹脂２２を両支持部の間から塗布した場合、この封止樹脂２２に含まれるボイドを好適に外部に放出させることができる。
【００２９】
ここで、傾斜面２８Ａおよび傾斜面３０Ａの断面の形状としては、直線形状以外の形状でも良く、下側に膨らむ曲線でも良いし、上方に膨らむ曲線でも良い。
【００３０】
図３（Ｂ）を参照すると、第１支持部２８の傾斜面２８Ａおよび第２支持部３０の傾斜面３０Ａは、同じ方向に傾斜する傾斜面と成っている。紙面上では、傾斜面２８Ａおよび傾斜面３０Ａとは、共に右上方に向かって傾斜している。
【００３１】
図３（Ｃ）を参照すると、傾斜面２８Ａおよび傾斜面３０Ａは、周辺部よりも中心部の方が上方に位置する傾斜面と成っている。
【００３２】
図３（Ｄ）を参照すると、第１支持部２８および第２支持部３０を部分的に溝状に除去してスリット４４が設けられている。図２を参照して、このスリット４４は、第１支持部２８および第２支持部３０に、連続して設けられても良いし、不連続に形成されても良い。この様に、第１支持部２８および第２支持部３０にスリット４４を設けることにより、塗布された液状の封止樹脂２２に含まれるボイドが、スリット４４を経由して外部に放出されるので、ボイドの封止樹脂２２への残留が更に抑制される。また、スリット４４は、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示す形状の両支持部に設けられても良い。
【００３３】
次に、図４から図６を参照して、上記した混成集積回路装置の製造方法を説明する。
【００３４】
図４を参照して、先ず、回路基板１４の上面に導電パターン４０および回路素子から成る混成集積回路を形成する。回路基板１４は、上述したようにアルミニウム等の金属を主材料とした大判の金属基板を、所定の大きさの四角形状に分離して形成される。金属基板を回路基板１４に分離する方法としては、打ち抜き金型を使用したパンチング加工、ダイシング、曲折加工等が考えられる。また、回路基板１４として、樹脂製の基板やセラミック等の無機物から成る絶縁基板を採用することも可能である。
【００３５】
ここでは、回路基板１４としてアルミニウムから成る基板が採用され、回路基板１４の上面は樹脂を主成分とする絶縁層３８により被覆されており、この絶縁層３８の上面に所定形状の導電パターン４０が形成される。導電パターン４０の形成は、所望の厚さの銅などから成る導電箔を、選択的エッチング加工によりパターニングすることで得られる。
【００３６】
導電パターン４０の所定の箇所には、トランジスタ３６、ＬＳＩ３４、チップ素子３２から成る回路素子が固着されている。トランジスタ３６は導電性または絶縁性の接着剤を介して、その裏面がランド状の導電パターン４０の上面に固着され、上面の電極が金属細線４２を経由してパッド形状の導電パターン４０と接続される。更に、チップ素子３２は両端の電極が半田等の導電性接着剤を介して、パッド形状の導電パターン４０に固着される。また、導電パターン４０から成るパッドの上面には、第１リード１８および第２リード２０が固着される。ここで、第１リード１８および第２リード２０の固着は、後述するケース材１２と回路基板１４との接着が終了した後に行われても良い。
【００３７】
上記した回路素子およびリードの固着は、導電パターン４０の所定の位置に半田クリームを塗布して、各種部品（回路素子およびリード）を半田クリームの上面に載置した後に、この半田クリームを溶融させることで行われる。この様な実装方法はリフロー工程と称されている。
【００３８】
図５を参照して、次に、回路基板１４にケース材１２を接着する。図５（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図５（Ｂ）はケース材１２を部分的に拡大して示す平面図である。
【００３９】
図５（Ａ）を参照して、本工程では、所定の箇所に接着剤が塗布されたケース材１２を、上方から回路基板１４に嵌合させて接着する。ケース材１２の構成は、図２を参照して説明したとおりである。ケース材１２の側壁の下端には、内側を窪ませた段差が設けられており、この段差の側面および底面が、回路基板１４の側面および上面に当接される。
【００４０】
ここでは、ケース材１２には、回路基板１４と共に絶縁基板１６が嵌合される。絶縁基板１６は、上面が絶縁層により被覆されたアルミニウムから成る基板であり、回路基板１４よりも広く形成されている。この様に回路基板１４の下面を絶縁基板１６により被覆することで、回路基板１４の耐圧性が向上される。
【００４１】
図５（Ｂ）に、本工程が終了した状態のケース材１２の斜視図を示す。ケース材１２に回路基板１４を嵌合させることにより、回路基板１４の上面に構成された混成集積回路装置は、ケース材１２の側壁により囲まれる空間に収納される。更に、回路基板１４の上面に固着された第１リード１８および第２リード２０は、ケース材１２から上方に突出している。
【００４２】
図６を参照して、次に、ケース材１２により囲まれる回路基板１４の上面の空間に封止樹脂２２を供給して硬化し、回路基板１４の上面に形成された混成集積回路を樹脂封止する。図６（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図６（Ｂ）は第１支持部２８が形成された部分を拡大した断面図である。
【００４３】
図６（Ａ）を参照して、先ず、本工程では、液状または半固形状の封止樹脂２２を、ノズル４６から回路基板１４の上面に供給する。封止樹脂２２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂またはアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂であり、熱抵抗を低減させるためにアルミナ等の粒状のフィラーが混入されている。
【００４４】
封止樹脂２２は、第１支持部２８と第２支持部３０との間の上方に位置するノズル４６から、回路基板１４の上面に供給される。ノズル４６から供給された封止樹脂２２は、中央部から周辺部に徐々に移動し、最終的にはケース材１２に囲まれる空間は封止樹脂２２により満たされる。従って、回路基板１４の上面、トランジスタ３６やＬＳＩ３４等の回路素子、金属細線４２が樹脂封止される。更に、第１リード１８および第２リード２０と、導電パターン４０のパッドとの接続部も、封止樹脂２２により被覆される。封止樹脂２２が熱硬化性樹脂の場合は、供給された封止樹脂２２を加熱硬化させる。
【００４５】
図６（Ｂ）を参照して、ノズル４６から供給される半固形状の封止樹脂２２には、微細なボイド４８が混入されている。このボイド４８は、複数の樹脂を混同して封止樹脂２２を製造する工程や、ノズル４６から封止樹脂２２を塗布する工程にて、封止樹脂２２に不可避的に混入する。一般的には、封止樹脂２２を回路基板１４の上面に供給すると、浮力が作用することにより、ボイド４８は封止樹脂２２の内部から外部に放出される。しかしながら、本形態では、ケース材１２に第１支持部２８および第２支持部３０を設けているので、これらの支持部により上昇が阻害されたボイド４８が封止樹脂２２の内部に残留する恐れがある。
【００４６】
本実施の形態では、ボイド４８の残留を軽減するために、第１支持部２８の下面を、回路基板１４の上面に対して傾斜する傾斜面２８Ａとしている。このようにすることで、封止樹脂２２に含まれるボイド４８が上昇して第１支持部２８に接触しても、ボイド４８は傾斜面２８Ａに沿って斜め上方に移動し、最終的には封止樹脂２２から外部に放出される。図６（Ｂ）では、傾斜面２８Ａに反ってボイド４８が移動する方向を矢印にて示している。この現象は、第２支持部３０に設けられる傾斜面３０Ａに関しても同様である。
【００４７】
従って、第１支持部２８の下方に、ヒートシンクに載置されたトランジスタ３６を接続させる金属細線４２が位置しても、残留したボイド４８が金属細線４２に接触してしまうことがないので、ボイド４８に起因した金属細線４２の断線が防止されている。
【００４８】
更に、図６（Ａ）を参照すると、第１支持部２８および第２支持部３０に設けられる傾斜面は、中央部側よりも周辺部側の方が上方に位置する傾斜面と成っている。具体的には、第１支持部２８の傾斜面２８Ａは、中央部側である右側よりも、周辺部側である左側の方が上方に位置するように傾斜している。また、第２支持部３０の傾斜面３０Ａは、中央部側である左側よりも、周辺部側である右側の方が上方に位置している。両傾斜部の傾斜面をこの様にすることで、回路基板１４の中央部付近にノズル４６から封止樹脂２２を供給すると、封止樹脂２２が中央部から周辺部に向かって流動し、この流動と共に傾斜面（傾斜面２８Ａ、３０Ａ）に沿ってボイド４８が良好に外部に放出される。このことにより、ボイド４８をより積極的に外部に放出させることができる。
【００４９】
ここで、両支持部に設けられる傾斜面の形状として、図３（Ｂ）−図３（Ｄ）に示す形状が採用されても良い。
【００５０】
上記工程が終了した後は、機種名等を封止樹脂２２の上面にレーザー照射により印刷する工程、第１リード１８および第２リード２０が所定形状となるように折り曲げ加工を行う工程、混成集積回路をテストする工程、等を経て図１に構成を示す混成集積回路装置１０が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は拡大された断面図である。
【図７】従来の混成集積回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０      回路装置
１２      ケース材
１２Ａ      第１側壁
１２Ｂ      第２側壁
１２Ｃ      第３側壁
１２Ｄ      第４側壁
１４      回路基板
１６      絶縁基板
１８      第１リード
２０      第２リード
２２      封止樹脂
２４      貫通孔
２６      支持部
２８      第１支持部
２８Ａ      傾斜面
３０      第２支持部
３０Ａ      傾斜面
３２      チップ素子
３４      ＬＳＩ
３６      トランジスタ
３８      絶縁層
４０      導電パターン
４２      金属細線
４４      スリット
４６      ノズル
４８      ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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