(57)【要約】【課題】透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００は、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂを有する画素１１が設けられるとともに、液晶５０を挟むように配置された基板２０および基板４０と、基板２０の透過領域１１ａに設けられ、液晶５０に映像信号を印加するための透過表示用画素電極１４ａおよび液晶５０に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極１５ａと、基板２０の反射領域１１ｂに設けられ、透過表示用共通電極１５ａに電気的に接続されるとともに、透過表示用共通電極１５ａに透過表示用共通電位信号を供給するための共通電位配線２６とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域および反射領域を有する画素が設けられるとともに、液晶を挟むように配置された一方基板および他方基板と、
前記一方基板の透過領域に設けられ、前記液晶に映像信号を印加するための透過表示用画素電極および前記液晶に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極と、
前記一方基板の反射領域に設けられ、前記透過表示用共通電極に電気的に接続されるとともに、前記透過表示用共通電極に前記透過表示用共通電位信号を供給するための共通電位配線とを備えた、液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素の透過領域および反射領域にそれぞれ設けられた透過表示用画素トランジスタおよび反射表示用画素トランジスタと、
前記透過表示用画素トランジスタおよび前記反射表示用画素トランジスタのゲートに接続されるゲート線とをさらに備え、
複数の前記画素の透過領域および反射領域は、それぞれ、ゲート線の延びる方向に沿って隣接するように配置され、
前記共通電位配線は、前記ゲート線に沿って延びるように形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射領域から前記透過領域にわたって形成され、前記透過表示用共通電極と前記共通電位配線とを電気的に接続するように配置された中継配線をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透過表示用画素電極および前記反射表示用画素電極に映像信号を供給するための信号線を備え、
前記中継配線と前記信号線とは、同一層からなる、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通電位配線は、前記共通電位配線が接続される前記透過表示用共通電極と同一の画素の前記反射領域に形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ゲート線は、前記画素における透過領域および反射領域の境界に沿って延びるように配置され、
前記中継配線は、前記ゲート線を跨ぐように配置されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ゲート線に沿って延びるとともに、前記反射表示用画素電極の電位を保持するための保持容量配線をさらに備え、
前記中継配線は、前記ゲート線とともに前記保持容量配線を跨ぐように配置されている、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ゲート線は、前記画素における透過領域および反射領域の境界に沿って延びるように配置され、
前記共通電位配線は、前記共通電位配線が接続される前記透過表示用共通電極とは別の画素であって、前記ゲート線と交差する方向に隣接する画素の反射領域に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記一方基板の反射領域に設けられ、前記液晶に前記映像信号を印加するための反射表示用画素電極と、
前記他方基板の反射領域に設けられ、前記液晶に反射表示用共通電位信号を印加するための反射表示用共通電極とを備え、
前記反射表示用共通電位信号と前記透過表示用共通電位信号とは異なる信号である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、透過領域および反射領域を有する画素を備えた液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透過領域および反射領域を有する画素を備えた液晶表示装置が開示されている（たとえば、特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１には、液晶を挟むように配置された一対の基板と、基板上に配置されるとともに透過領域および反射領域を有する半透過型の画素とを備えた液晶表示装置が開示されている。上記特許文献１に開示された液晶表示装置における各画素の透過領域は、一対の基板のうち一方の基板側に画素電極および共通電極が絶縁膜を介して対向するように配置された横電界型の表示モードにより構成されている。そして、画素電極は、ＴＦＴ（画素トランジスタ）を介してドレイン配線（信号線）と電気的に接続されているとともに、共通電極は、透過領域内に設けられた共通電位配線と電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２９２６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、透過領域内に共通電位配線が配置されているため、共通電位配線によりバックライトから照射された光が遮光されるという不都合がある。このため、共通電位配線により光が遮光された分、透過領域における透過率が低下するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
この発明の第１の局面による液晶表示装置は、透過領域および反射領域を有する画素が設けられるとともに、液晶を挟むように配置された一方基板および他方基板と、一方基板の透過領域に設けられ、液晶に映像信号を印加するための透過表示用画素電極および液晶に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極と、一方基板の反射領域に設けられ、透過表示用共通電極に電気的に接続されるとともに、透過表示用共通電極に透過表示用共通電位信号を供給するための共通電位配線とを備える。
【０００８】
上記第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、共通電位配線を反射領域に配置することによって、透過領域に共通電位配線が配置される場合と異なり、共通電位配線によってバックライトからの光が遮光されるのを抑制することができる。これにより、透過領域における透過率が低下するのを抑制することができる。
【０００９】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、画素の透過領域および反射領域にそれぞれ設けられた透過表示用画素トランジスタおよび反射表示用画素トランジスタと、透過表示用画素トランジスタおよび反射表示用画素トランジスタのゲートに接続されるゲート線とをさらに備え、複数の画素の透過領域および反射領域は、それぞれ、ゲート線の延びる方向に沿って隣接するように配置され、共通電位配線は、ゲート線に沿って延びるように形成されている。このように構成すれば、各々の画素において共通電位配線が反射領域内に配置されるので、全ての画素において透過率が低下するのを抑制することができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、反射領域から透過領域にわたって形成され、透過表示用共通電極と共通電位配線とを電気的に接続するように配置された中継配線をさらに備える。このように構成すれば、中継配線により、透過領域に設けられた透過表示用共通電極と反射領域に設けられた共通電位配線とを容易に電気的に接続することができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、透過表示用画素電極および反射表示用画素電極に映像信号を供給するための信号線を備え、中継配線と信号線とは、同一層からなる。このように構成すれば、中継配線と信号線とを同一工程により形成することができるので、信号線および中継配線をそれぞれ異なる工程により形成する場合に比べて、工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電位配線は、共通電位配線が接続される透過表示用共通電極と同一の画素の反射領域に形成されている。このように構成すれば、各々の画素内において、透過領域の透過表示用共通電極と反射領域の共通電位配線とを容易に接続させることができる。
【００１３】
この場合、好ましくは、ゲート線は、画素における透過領域および反射領域の境界に沿って延びるように配置され、中継配線は、ゲート線を跨ぐように配置されている。このように構成すれば、中継配線とゲート線とを互いに接触させることなく中継配線により透過表示用共通電極と共通電位配線とを容易に接続させることができる。
【００１４】
上記中継配線がゲート線を跨ぐように配置される構成において、好ましくは、ゲート線に沿って延びるとともに、反射表示用画素電極の電位を保持するための保持容量配線をさらに備え、中継配線は、ゲート線とともに保持容量配線を跨ぐように配置されている。このように構成すれば、中継配線をゲート線および保持容量配線に接触させることなく透過表示用共通電極と共通電位配線とを容易に接続させることができる。
【００１５】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、ゲート線は、画素における透過領域および反射領域の境界に沿って延びるように配置され、共通電位配線は、共通電位配線が接続される透過表示用共通電極とは別の画素であって、ゲート線と交差する方向に隣接する画素の反射領域に配置されている。このように構成すれば、各々の画素の透過表示用共通電極と、隣接する画素に設けられた共通電位配線とを電気的に接続させる中継配線をゲート線を跨ぐように形成することなく容易に配置することができる。
【００１６】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、一方基板の反射領域に設けられ、液晶に映像信号を印加するための反射表示用画素電極と、他方基板の反射領域に設けられ、液晶に反射表示用共通電位信号を印加するための反射表示用共通電極とを備え、反射表示用共通電位信号と透過表示用共通電位信号とは異なる信号である。このように構成すれば、たとえば、透過表示用共通電位信号と反射表示用共通電位信号とを互いに逆相の信号にしてそれぞれ供給した場合には、透過領域を横電界型の駆動方式にするとともに反射領域を縦電界型の駆動方式にした際に、透過領域と反射領域とにおいて異なる方向にラビング処理を行う工程、または、透過領域と反射領域とにおいて異なる位相差になるように構成させることなく、容易に透過領域および反射領域において同一の黒表示および白表示を行うことができる。
【００１７】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記した構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を含む電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための等価回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための拡大平面図である。
【図５】図４の１１０−１１０線に沿った断面図である。
【図６】図４の１２０−１２０線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための拡大平面図である。
【図８】図７の２１０ー２１０線に沿った断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【図１２】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【図１３】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１〜図６を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。
【００２１】
本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、表示部１と、駆動ＩＣ２と、Ｖドライバ３と、Ｈドライバ４と、バックライト５と、透過ＣＯＭ６と、反射ＣＯＭ７とを備えている。
【００２２】
液晶表示装置１００は半透過型の液晶表示装置として構成されており、図１および図２に示すように、表示部１には、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂを含む複数の画素１１がマトリクス状に配置されている。駆動ＩＣ２は、液晶表示装置１００全体を駆動するための機能を有するとともに、後述する液晶５０に印加される電位差を制御する機能を有する。Ｖドライバ３およびＨドライバ４には、それぞれ、互いに直交するように配置された複数のゲート線３ａおよび信号線４ａが接続されている。Ｖドライバ３は、ゲート線３ａの駆動回路としての機能を有する。また、Ｈドライバ４は、駆動ＩＣ２から供給される信号（映像信号）を時分割するとともに、分割された信号を複数の信号線４ａのうちから対応する信号線４ａにそれぞれ出力する機能を有する。
【００２３】
また、バックライト５は、画素１１の透過領域１１ａの光源として構成されている。透過ＣＯＭ６は、画素１１の透過領域１１ａに配置された後述する透過表示用共通電極１５ａの電位を制御するための機能を有する。反射ＣＯＭ７は、画素１１の反射領域１１ｂに配置された後述する反射表示用共通電極１５ｂの電位を制御する機能を有する。
【００２４】
各々の画素１１における透過領域１１ａは、バックライト５からの光を透過させるとともにその透過光により画像を表示させるように構成されている。また、反射領域１１ｂは、外部から入射した光を反射させるとともにその反射光により画像を表示させるように構成されている。
【００２５】
透過領域１１ａは、図２に示すように、ｎ型からなる２つの画素トランジスタ（ＴＦＴ）１２ａおよび１３ａと、透過表示用画素電極１４ａと、透過表示用共通電極１５ａとを備えている。画素トランジスタ１２ａのドレイン領域（ソース）Ｄは信号線４ａに接続されているとともに、ソース領域（ドレイン）Ｓは隣接する画素トランジスタ１３ａのドレイン領域（ソース）Ｄに接続されている。画素トランジスタ１３ａのソース領域Ｓは、ソース電極２８ａを介して透過表示用画素電極１４ａに接続されている。画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのそれぞれのゲートＧは、ゲート線３ａに接続されているとともに、透過表示用共通電極１５ａは、透過ＣＯＭ６に接続されている。なお、保持容量１６ａは、透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａを絶縁膜３２を介して積層することによって形成される。また、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、それぞれ、本発明の「透過表示用画素トランジスタ」の一例である。
【００２６】
反射領域１１ｂにおいても、透過領域１１ａと同様に、ｎ型からなる２つの画素トランジスタ（ＴＦＴ）１２ｂおよび１３ｂと、反射表示用画素電極１４ｂと、反射表示用共通電極１５ｂと、保持容量１６ｂとにより構成されている。画素トランジスタ１２ｂのドレイン領域Ｄは、信号線４ａに接続されているとともに、ソース領域Ｓは、画素トランジスタ１３ｂのドレイン領域Ｄに接続されている。画素トランジスタ１３ｂのソース領域Ｓは、ソース電極２８ｂを介して反射表示用画素電極１４ｂに接続されている。また、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂのそれぞれのゲートＧはゲート線３ａに接続されているとともに、反射表示用共通電極１５ｂと保持容量１６ｂの他方の電極とは反射ＣＯＭ７（図１参照）に接続されている。なお、図２は、図面の簡素化のために１画素分の画素１１を図示している。また、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂは、それぞれ、本発明の「反射表示用画素トランジスタ」の一例である。
【００２７】
次に、画素１１の詳細な構造について説明する。図３、図４および図５（図４の１１０−１１０線に沿った断面図）に示すように、各々の画素１１は、透過領域１１ａと反射領域１１ｂとにより構成されている。図５に示すように、画素１１は、互いに対向するように配置された一対の基板２０および４０を備えているとともに、基板２０と基板４０との間に液晶５０が封入されている。なお、基板２０および４０は、それぞれ、本発明における「一方基板」および「他方基板」の一例である。基板２０および基板４０は、たとえば、ガラス基板などにより形成されている。また、基板２０と基板４０との間には、スペーサ６０が設けられているとともに、このスペーサ６０により、セルギャップが調整される。なお、第１実施形態では、後述のトップコート層４４により、反射領域１１ｂにおける液晶５０の厚み（セルギャップ）ｔ２は、透過領域１１ａにおける液晶５０の厚み（セルギャップ）ｔ１の約１／２倍になるように構成され、反射領域１１ｂと透過領域１１ａとにおいて液晶５０を通過する光の光路長が略同一となるようにしている。
【００２８】
基板２０の表面上には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜などからなるバッファ層２１が形成されている。バッファ層２１の表面上には、低温ポリシリコンからなる半導体層２２ａおよび２２ｂが形成されている。半導体層２２ａおよび２２ｂは、それぞれ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１２ａおよび１３ａと、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂとの能動層としての機能を有する。また、半導体層２２ａおよび２２ｂ上には、絶縁膜２３が形成されている。絶縁膜２３は、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａと、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂとのゲート絶縁膜としての機能を有する。また、半導体層２２ａおよび２２ｂ上には、それぞれ、絶縁膜２３を介して、ゲート電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃおよび２４ｄが形成されている。また、図４に示すように、ゲート電極２４ａ〜２４ｄは、平面的に見て、ゲート線３ａから突出するように設けられている。なお、ゲート電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよびゲート線３ａは、たとえば、アルミニウム、モリブデンまたはチタンなどの金属で構成されている。
【００２９】
また、透過領域１１ａにおいて、半導体層２２ａ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｂにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１２ａが構成されているとともに、半導体層２２ａ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ａにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１３ａが構成されている。また、反射領域１１ｂにおいて、半導体層２２ｂ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｃにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１２ｂが構成されているとともに、半導体層２２ｂ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｄにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１３ｂが構成されている。
【００３０】
また、絶縁膜２３上には、金属製の保持容量配線２５が形成されているとともに、保持容量配線２５は、絶縁膜２３を介して、半導体層２２ｂの一部に対向して配置されている。これにより、半導体層２２ｂおよび保持容量配線２５により保持容量１６ｂが構成されている。
【００３１】
ここで、第１実施形態では、反射領域１１ｂ内における絶縁膜２３上に、透過表示用共通電極１５ａ（図３参照）に透過ＣＯＭ６から出力される共通電位信号を供給するための共通電位配線２６が形成されている。共通電位配線２６は、各々の画素１１の反射領域１１ｂに跨って、ゲート線３ａが延びる方向に沿って延びるように形成されている。また、共通電位配線２６は、ゲート電極２４ａ〜２４ｄ、ゲート線３ａおよび保持容量配線２５と、同一の導電膜をパターニングすることにより形成されている。
【００３２】
図５に示すように、絶縁膜２３、ゲート電極２４ａ〜２４ｄ、ゲート線３ａ、保持容量配線２５および共通電位配線２６を覆うように、層間絶縁膜２７が形成されている。層間絶縁膜２７には、それぞれ、コンタクトホール２７ａ、２７ｂ、２７ｃおよび２７ｄが形成されている。層間絶縁膜２７の表面上には、接続部としてのコンタクトホール２７ａを介して半導体層２２ａ（画素トランジスタ１３ａのソース領域）に電気的に接続されるソース電極２８ａと、コンタクトホール２７ｂを介して半導体層２２ｂ（画素トランジスタ１３ｂのソース領域）に電気的に接続されるソース電極２８ｂと、コンタクトホール２７ｃおよび２７ｄを介して半導体層２２ｂ（画素トランジスタ１２ａおよび１２ｂのドレイン領域）に電気的に接続される信号線４ａとが形成されている。ソース電極２８ａ〜２８ｂは、信号線４と、同一の導電膜をパターニングすることにより形成されている。
【００３３】
また、第１実施形態では、図４および図６（図４の１２０−１２０線に沿った断面図）に示すように、層間絶縁膜２７には、反射領域１１ｂに設けられた共通電位配線２６にまで達するコンタクトホール２７ｅが形成されているとともに、コンタクトホール２７ｅを介して共通電位配線２６と電気的に接続される中継配線２９が形成されている。中継配線２９は、反射領域１１ｂから透過領域１１ａにわたってゲート線３ａおよび保持容量配線２５を跨ぐようにして信号線４ａに沿って延びるように形成されており、透過領域１１ａに形成された透過表示用共通電極１５ａと電気的に接続されている。なお、中継配線２９は、信号線４ａ、ソース電極２８ａおよび２８ｂ（図５参照）と、同一の導電膜をパターニングすることにより形成されている。
【００３４】
また、図５に示すように、ソース電極２８ａおよび２８ｂと中継電極２９との表面上には、ＳｉＮ膜などからなるパッシベーション層３０が形成されている。また、パッシベーション層３０上には、絶縁層３１が形成されている。透過領域１１ａにおいて、パッシベーション層３０および絶縁層３１にはコンタクトホール３０ａおよび３１ａと、コンタクトホール３０ｂおよび３１ｂとが形成されている。そして、絶縁層３１の表面上にはコンタクトホール３０ａおよび３１ａを介して中継配線２９に電気的に接続されるように透過表示用共通電極１５ａが形成されている。また、パッシベーション層３０、絶縁層３１および透過表示用共通電極１５ａの表面と、コンタクトホール３１ｂの内側面とを覆うように絶縁層３２が形成されている。絶縁層３２の表面上には、透過領域１１ａの透過表示用共通電極１５ａに対向するように透過表示用画素電極１４ａが形成されている。この透過表示用画素電極１４ａは、コンタクトホール３０ｂおよび３１ｂを介してソース電極２８ａに電気的に接続されている。また、透過表示用画素電極１４ａには、スリット１４ｃが設けられている。なお、透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。そして、絶縁層３２および透過表示用画素電極１４ａを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。
【００３５】
また、反射領域１１ｂにおいては、パッシベーション層３０および絶縁層３１上にコンタクトホール３０ｃおよび３１ｃが形成されているとともに、コンタクトホール３０ｃおよび３１ｃの内表面を覆うように絶縁層３２が形成されている。絶縁層３２の表面には反射層３３が形成されているとともに、反射層３３を覆うように、反射表示用画素電極１４ｂが形成されている。また、反射表示用画素電極１４ｂは、コンタクトホール３０ｃおよび３１ｃを介して、ソース電極２８ｂに電気的に接続されている。また、反射表示用画素電極１４ｂは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電材料から形成されている。そして、絶縁層３２、反射層３３および反射表示用画素電極１４ｂを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。
【００３６】
また、基板４０側には、遮光膜４１（ブラックマトリクス）が形成されているとともに、遮光膜４１を挟むように、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂのそれぞれに、透過表示用カラーフィルタ４２ａおよび反射表示用カラーフィルタ４２ｂが形成されている。また、遮光膜４１、透過表示用カラーフィルタ４２ａおよび反射表示用カラーフィルタ４２ｂを覆うように、オーバーコート層４３が形成されている。また、反射領域１１ｂにおいて、オーバーコート層４３を覆うようにトップコート層４４が形成されているとともに、トップコート層４４の表面上には反射表示用共通電極１５ｂが形成されている。そして、オーバーコート層４３、トップコート層４４および反射表示用共通電極１５ｂを覆うように配向膜（図示せず）形成されている。トップコート層４４の端部の光漏れの抑制と、後述の透過表示用共通電極１５ａおよび反射表示用共通電極１５ｂに異なる電位が供給されるため、透過表示用画素電極１４ａと反射表示用共通電極１５ｂとの電界に起因する光漏れを抑制するため、遮光膜４１は、トップコート層４４の端部および透過表示用画素電極１４ａの端部近傍に配置される。
【００３７】
ここで、透過領域１１ａの画素１１は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式による横電界型の駆動方式により構成されているとともに、反射領域１１ｂの画素１１は、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ−Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式による縦電界型の駆動方式により構成されている。なお、ＦＦＳ方式とは、一方の基板（基板２０）に透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａが絶縁膜３２を介して互いに対向するように配置されるとともに、画素電極および共通電極間に発生する横方向（基板に略平行な方向）の電界により液晶５０を駆動する構成である。また、ＥＣＢ方式とは、互いに対向する基板２０および４０に、それぞれ、反射表示用画素電極１４ｂおよび反射表示用共通電極１５ｂが配置されるとともに、反射表示用画素電極１４ｂおよび反射表示用共通電極１５ｂ間に発生する縦方向（基板に直交する方向）の電界により液晶５０を駆動する構成である。透過表示用画素電極１４ａおよび反射表示用画素電極１４ｂには、同じ映像信号が供給されるが、透過表示用共通電極１５ａおよび反射表示用共通電極１５ｂは、それぞれ、異なる透過表示用共通電位信号および反射表示用共通電位信号が供給される。たとえば、透過表示用共通電極１５ａには、反射表示用共通電極１５ｂと逆相の信号が供給される。これにより、透過領域１１ａがＦＦＳ方式と反射領域１１ｂがＥＣＢの駆動方式において、異なる方向のラビング処理あるいは位相差を異なるようにする処理を行わなくても、容易に透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂで同一の黒表示および白表示を行うことが可能である。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、共通電位配線２６を反射領域１１ｂに配置することによって、透過領域１１ａに共通電位配線２６が配置される場合と異なり、共通電位配線２６によってバックライト５からの光が遮光されるのを抑制することができる。これにより、透過領域１１ａにおける透過率が低下するのを抑制することができる。
【００３９】
また、上記第１実施形態では、複数の画素１１を、それぞれ、ゲート線３ａの延びる方向に沿って透過領域１１ａ同士および反射領域１１ｂ同士が隣接するように配置するとともに、共通電位配線２６を、複数の画素１１における各々の反射領域１１ｂが配置された領域に、ゲート線３ａに沿って延びるように形成することによって、各々の画素１１において共通電位配線２６が反射領域１１ｂ内に配置されるので、全ての画素１１において透過率が低下するのを抑制することができる。
【００４０】
また、上記第１実施形態では、反射領域１１ｂから透過領域１１ａにわたって形成するとともに、透過領域１１ａに設けられた透過表示用共通電極１５ａと反射領域１１ｂに設けられた共通電位配線２６とを電気的に接続するように配置された中継配線２９をさらに備えることによって、中継配線２９により、透過領域１１ａに設けられた透過表示用共通電極１５ａと反射領域１１ｂに設けられた共通電位配線２６とを容易に電気的に接続することができる。
【００４１】
また、上記第１実施形態では、透過表示用画素電極１４ａに映像信号を供給するための信号線４ａと中継配線２９とを同一層からなるように構成することによって、中継配線２９と信号線４ａとを同一工程により形成することができるので、信号線４ａおよび中継配線２９をそれぞれ異なる工程により形成する場合に比べて、工程数が増加するのを抑制することができる。
【００４２】
また、上記第１実施形態では、画素１１の透過領域１１ａの透過表示用共通電極１５ａに接続される共通電位配線２６を、同一の画素１１の反射領域１１ｂ内に形成することによって、各々の画素１１において、透過領域１１ａの透過表示用共通電極１５ａと反射領域１１ｂの共通電位配線２６とを容易に接続させることができる。
【００４３】
また、上記第１実施形態では、中継配線２９を、ゲート線３ａを跨ぐように配置することにより透過表示用共通電極１５ａと共通電位配線２６とを電気的に接続するように構成することによって、各々の画素１１の透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界にゲート線３ａが配置される場合においても、中継配線２９とゲート線３ａとを互いに接触させることなく中継配線２９により透過表示用共通電極１５ａと共通電位配線２６とを容易に接続させることができる。
【００４４】
また、上記第１実施形態では、中継配線２９を、ゲート線３ａとともに保持容量配線２５を跨ぐように配置することによって、中継配線２９がゲート線３ａに加えて保持容量配線２５に対しても交差するように配置される場合においても、中継配線２９をゲート線３ａおよび保持容量配線２５に接触させることなく透過表示用共通電極１５ａと共通電位配線２６とを容易に接続させることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
次に、図７および図８を参照して、第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、画素１１の透過領域１１ａに形成された透過表示用共通電極１５ａに接続される共通電位配線２６を、同一の画素１１内の反射領域１１ｂに形成した第１実施形態とは異なり、画素１１の透過表示用共通電極１５ａに接続される共通電位配線２２６を、隣接する画素１１の反射領域１１ｂに形成する例について説明する。
【００４６】
第２実施形態における液晶表示装置２００では、図７および図８（図７の２１０−２１０線に沿った断面図）に示すように、画素１１の透過領域１１ａに形成された透過表示用共通電極２１５ａに接続される共通電位配線２２６は、隣接する画素１１の反射領域１１ｂに形成されている。共通電位配線２２６の表面上には層間絶縁膜２７が形成されているとともに、層間絶縁膜２７にはコンタクトホール２２７ｅが形成されている。そして、層間絶縁膜２７の表面上には中継配線２２９が形成されているとともに、中継配線２２９は、コンタクトホール２２７ｅを介して共通電位配線２２６と電気的に接続されている。また、中継配線２２９は透過表示用共通電極２１５ａとコンタクトホール３０ａおよび３１ａを介して電気的に接続されており、これにより、中継配線２２９を介して、透過表示用共通電極２１５ａと、隣接する画素１１の反射領域１１ｂに形成された共通電位配線２２６とが電気的に接続される。また、共通電位配線２２６は、電気的に接続されている透過表示用共通電極２１５ａが含まれる画素１１に隣接する画素１１の反射領域１１ｂ内のうち、中央よりも、電気的に接続された透過表示用共通電極２１５ａが含まれる画素１１との境界に近い側の端部近傍に形成されている。
【００４７】
なお、第２実施形態のその他の構成は第１実施形態と同様である。
【００４８】
第２実施形態では、上記のように、画素１１の透過領域１１ａに設けられた透過表示用共通電極２１５ａに接続される共通電位配線２２６を、画素１１のゲート線３ａと交差する方向に隣接する画素１１の反射領域１１ｂに配置することによって、各々の画素１１の透過表示用共通電極２１５ａと、隣接する画素１１に設けられた共通電位配線２２６とを電気的に接続させる中継配線２２９を、ゲート線３ａおよび保持容量配線２５を跨ぐように形成することなく容易に配置することができる。
【００４９】
また、上記第２実施形態では、反射領域１１ｂに設けられた共通電位配線２２６を、平面的に見て、隣接する画素１１間の境界近傍に配置することによって、共通電位配線２２６を画素１１間の境界のより近傍に配置する分、透過表示用共通電極２１５ａと共通電位配線２２６との距離を小さくすることができるので、その分、中継配線２２９を短くすることができる。これにより、中継配線２２９の配線抵抗を小さくすることができる。
【００５０】
なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、図９を参照して、第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、透過表示用共通電極１５ａ上に絶縁層３２を介して透過表示用画素電極１４ａを形成した第１実施形態とは異なり、透過表示用画素電極３１４ａ上に絶縁層３３２を介して透過表示用共通電極３１５ａを形成する例について説明する。
【００５２】
第３実施形態における液晶表示装置３００は、図９に示すように、層間絶縁膜２７上に、中継配線２９、パッシベーション層３０および絶縁層３１が、この順に積層されているとともに、絶縁層３１の表面上には透過表示用画素電極３１４ａが形成されている。透過表示用画素電極３１４ａの表面上には、透過表示用画素電極３１４ａを覆うように絶縁層３３２が形成されている。そして、パッシベーション層３０、絶縁層３１および絶縁層３３２には、中継配線２９に達するようなコンタクトホール３０１ａ、３１１ａおよび３３２ａが形成されているとともに、絶縁層３３２の表面上には、コンタクトホール３０１ａ、３１１ａおよび３３２ａを介して中継配線２９に電気的に接続するように透過表示用共通電極３１５ａが形成されている。透過表示用共通電極３１５ａは、スリット３１５ｃを有する。また、透過表示用画素電極３１４ａには、透過表示用共通電極３１５ａと接触するのを抑制するための孔部３１４ｃが、コンタクトホール３３２ａを囲むように形成されている。
【００５３】
なお、第３実施形態のその他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００５４】
第３実施形態では、上記のように、透過表示用画素電極３１４ａ上に絶縁層３３２を介して透過表示用共通電極３１５ａが形成された構成に本発明を適用した場合においても、透過領域１１ａに共通電位配線２６が配置される場合と異なり、バックライト５からの光が遮光されるのを抑制することができる。したがって、透過領域１１ａにおける透過率が低下するのを抑制することができる。
【００５５】
なお、第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００５６】
（第４実施形態）
次に、図１０を参照して、第４実施形態について説明する。この第４実施形態では、透過表示用共通電極２１５ａ上に絶縁層３２を介して透過表示用画素電極１４ａを形成した第２実施形態とは異なり、透過表示用画素電極４１４ａ上に絶縁層４３２を介して透過表示用共通電極４１５ａを形成する例について説明する。
【００５７】
第４実施形態における液晶表示装置４００は、図１０に示すように、層間絶縁膜２７上に、中継配線２２９、パッシベーション層３０および絶縁層３１が、この順に積層されているとともに、絶縁層３１の表面上には透過表示用画素電極４１４ａが形成されている。透過表示用画素電極４１４ａの表面上には、透過表示用画素電極４１４ａを覆うように絶縁層４３２が形成されている。そして、パッシベーション層３０、絶縁層３１および絶縁層４３２には、中継配線２２９に達するようなコンタクトホール３０１ａ、３１１ａおよび４３２ａが形成されているとともに、絶縁層４３２の表面上に、コンタクトホール３０１ａ、３１１ａおよび４３２ａを介して中継配線２２９に電気的に接続するように透過表示用共通電極４１５ａが形成されている。透過表示用共通電極４１５ａは、スリット４１５ｃを有する。また、透過表示用画素電極４１４ａには、透過表示用共通電極４１５ａと接触するのを抑制するための孔部４１４ｃが、コンタクトホール４３２ａを囲むように形成されている。
【００５８】
なお、第４実施形態のその他の構成は第２実施形態と同様である。
【００５９】
第４実施形態では、上記のように、透過表示用画素電極４１４ａ上に絶縁層４３２を介して透過表示用共通電極４１５ａが形成された構成に本発明を適用した場合においても、透過領域１１ａに共通電位配線２２６が配置される場合と異なり、バックライト５からの光が遮光されるのを抑制することができる。したがって、透過領域１１ａにおける透過率が低下するのを抑制することができる。
【００６０】
なお、第４実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００６１】
図１１〜図１３を参照して、本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、２００、３００および４００を用いた電子機器について説明する。
【００６２】
本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、２００、３００および４００は、図１１〜図１３に示すように、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）５００、携帯電話５１０および情報携帯端末５２０（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。図１１のＰＣ５００においては、キーボードなどの入力部５００ａおよび表示画面５００ｂなどに本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、２００、３００および４００を用いることが可能である。図１２の携帯電話５１０においては、表示画面５１０ａに本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、２００、３００および４００が用いられる。図１３の情報携帯端末５２０においては、表示画面５２０ａに本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、２００、３００および４００が用いられる。
【００６３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６４】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、透過領域の駆動方式を、横電界型による駆動方式の一例であるＦＦＳモードにより構成する例を示したが、本発明はこれに限らず、透過領域を、たとえば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなど、ＦＦＳモード以外の横電界型の駆動方式により構成してもよい。
【００６５】
また、上記第１〜第４実施形態では、反射領域の駆動方式を、縦電界モードによる駆動方式の一例であるＥＣＢモードにより構成する例を示したが、本発明はこれに限らず、反射領域を、たとえば、ＴＮモードおよびＶＡモードなど、ＥＣＢモード以外の縦電界型の駆動方式により構成してもよい。
【００６６】
また、第２および第４実施形態では、所定の画素１１の透過表示用共通電極２１５ａ（４１５ａ）に接続される共通電位配線２２６を、隣接する画素１１の反射領域１１ｂの端部近傍に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、隣接する画素１１の反射領域１１ｂ内であれば、たとえば、中央部分など端部近傍以外に形成してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
３ａ  ゲート線
４ａ  信号線
１１  画素
１１ａ  透過領域
１１ｂ  反射領域
１２ａ、１３ａ  画素トランジスタ（透過表示用画素トランジスタ）
１２ｂ、１３ｂ  画素トランジスタ（反射表示用画素トランジスタ）
２５  保持容量配線
２６、２２６  共通電位配線
２９、２２９  中継配線
１４ａ、３１４ａ、４１４ａ  透過表示用画素電極
１４ｂ  反射表示用画素電極
１５ａ、２１５ａ、３１５ａ、４１５ａ  透過表示用共通電極
１５ｂ  反射表示用共通電極
２０  基板（一方基板）
４０  基板（他方基板）
５０  液晶
１００、２００、３００、４００  液晶表示装置
５００、５１０、５２０  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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