(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性が高く、実装部品高さの違いに影響されずに確実に優れた放熱性を有することができる半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板１１にフェイスダウン実装した半導体素子１２の上に、他の電子部品と共に、１枚の金属板を、切断部や端部、点線での折曲等を用いて、上部１７、中間部１８、下部１９等を設けた金属折曲構造物１４をセットし、前記半導体素子１２等と共に、封止樹脂体１３で封止することで、前記半導体素子１２の厚みバラツキ等の影響を受けることなく、効率的に前記半導体素子１２を前記金属折曲構造物１４で冷却する。【選択図】図１
2010245373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
配線基板の上に、フェイスダウン実装された半導体素子と、
前記半導体素子の上に載せた金属折曲構造物と、
前記配線基板上で、前記配線基板と前記半導体素子と前記金属折曲構造物と、を覆う封止樹脂体と、
からなる半導体装置であって、
前記金属折曲構造物は、金属板を折り曲げたものである半導体装置。
【請求項２】
配線基板と、
配線基板の上に、フェイスダウン実装された半導体素子と、
前記半導体素子の上に載せた金属折曲構造物と、
前記配線基板上で、前記配線基板と前記半導体素子と前記金属折曲構造物と、を覆う封止樹脂体と、
からなる半導体装置であって、
前記金属折曲構造物の周縁部に設けたバリは、前記金属折曲構造物の内側を向いている半導体装置。
【請求項３】
配線基板と、
配線基板の上に、フェイスダウン実装された半導体素子と、
前記半導体素子の上に載せた金属折曲構造物と、
前記配線基板上で、前記配線基板と前記半導体素子と前記金属折曲構造物と、を覆う封止樹脂体と、
からなる半導体装置であって、
前記金属折曲構造物の周縁部に設けたバリは、前記金属折曲構造物の内側を向き、
前記金属折曲構造物の一部が平面状であって、前記封止樹脂体の天面に略平行である半導体装置。
【請求項４】
前記金属折曲構造物の一部は、前記封止樹脂体の表面に露出している請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子と前記金属折曲構造物は、接着剤によって互いに固定している請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
配線基板と、
配線基板の上に、フェイスダウン実装された半導体素子と、
前記半導体素子の上に載せた金属折曲構造物と、
前記配線基板上で、前記配線基板と前記半導体素子と前記金属折曲構造物と、を覆う封止樹脂体と、
からなる半導体装置の製造方法であって、
所定形状の金属板を折り曲げて金属折曲構造物を作製する工程と、
前記金属折曲構造物を、前記半導体素子上にセットする工程と、
前記金属折曲構造物を、前記半導体素子と共に、封止樹脂で封止する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤレスＬＡＮや、デジタル携帯端末に使う、モジュール型の半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板上に、半導体や電子部品が高密度実装され、更に封止樹脂で覆われた、半導体装置が使われている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
しかし、こうした電子機器は、小型化、高密度化するに伴い、半導体等における放熱性が課題となる場合がある。
【０００４】
例えば、特許文献２では、半導体装置の放熱構造が提案されている。図８は、従来の半導体装置の放熱構造の一例を説明する断面図である。図８において、半導体素子３と金属板１との間には、熱伝導弾性体２が挿入されている。そして、半導体素子３に発生した熱は、熱伝導弾性体２を介して、金属板１に伝わり、放熱される。なお半導体素子３を、他の電子部品と共に配線基板（図示せず）の上に高密度実装し、熱伝導弾性体２や金属板１を、封止樹脂で覆うことで、十分な機械的強度を得ることが可能となる。
【０００５】
このように発熱が課題となる半導体と、放熱板となる金属板との間に熱伝導弾性体を挿入することで、各部分の寸法バラツキ等を効果的に吸収することができる。
【０００６】
しかし、従来の熱伝導性弾性体は、柔軟性を有する樹脂部材に、熱伝導性の高いセラミックフィラー等を充填したものであったため、熱伝導率が低く、放熱効果に限界があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３９００７号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本願発明は、従来の柔軟性を有する樹脂部材に熱伝導性の高いセラミックフィラー等を添加してなる熱伝導弾性体より、熱伝導率が優れた金属折曲構造物を用いることで、より放熱性の優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、配線基板と、配線基板の上に、フェイスダウン実装された半導体素子と、前記半導体素子の上に載せた金属折曲構造物と、前記配線基板上で、前記配線基板と前記半導体素子と前記金属折曲構造物と、を覆う封止樹脂体と、からなる半導体装置であって、前記金属折曲構造物は、金属板を折り曲げたものである半導体装置とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成により本願発明の半導体装置は、封止樹脂体に内蔵された半導体等の発熱部品の実装時の寸法バラツキの影響を受けることなく、従来の柔軟性を有する樹脂部材に熱伝導性の高いセラミックフィラー等を添加してなる熱伝導弾性体より放熱効果を高めることが出来る。
【００１１】
また必要に応じて、前記金属折曲構造物の周縁部にバリ等を設けることで、半導体素子等に影響を与えることなく、封止樹脂体と金属構造物との密着強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（Ａ）は、本願発明の実施の形態１における半導体装置の断面図、（Ｂ）は、本願発明の実施の形態１における半導体装置の熱伝導メカニズムを説明する断面図
【図２】（Ａ）は電子部品を内蔵した半導体装置の断面図、（Ｂ）は電子部品を内蔵した半導体装置の部分断面図
【図３】（Ａ）は、本願発明の半導体装置について説明する断面図、（Ｂ）（Ｃ）は、共に従来の半導体装置について説明する断面図
【図４】（Ａ）は、金属折曲構造物の形状を示す斜視図、（Ｂ）（Ｃ）は、共に金属折曲構造物の平面図
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、共に金属折曲構造物の追従性について説明する断面図
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は、複数個の半導体装置を一括して製造する様子を説明する断面図
【図７】金属折曲構造物の他の構造について説明する断面図
【図８】従来の半導体装置の放熱構造の一例を説明する断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１の半導体装置について図面を用いて説明する。図１（Ａ）は、本願発明の実施の形態１における半導体装置の断面図、図１（Ｂ）は、本願発明の実施の形態１における半導体装置の熱伝導メカニズムを説明する断面図である。
【００１４】
図１（Ａ）（Ｂ）において、１１は配線基板である。配線基板１１としては、セラミック基板やガラス繊維にエポキシ樹脂等を含浸してなるガラスエポキシ樹脂基板等を使うことができる。なおセラミック基板、ガラスエポキシ樹脂基板は、共に市販の多層基板（層間接続にビア電極等を用いたもの）を使うことができる。１２は半導体素子、１３は封止樹脂体、１４は金属折曲構造物であり、金属折曲構造物１４は、金属板を所定形状に折り曲げたものである。１５はバンプ、１６は外部端子である。半導体素子１２は、バンプ１５等を用いて、配線基板１１の一面に実装され、他の電子部品（図示していない）と共に、封止樹脂体１３で封止されている。１６は外部端子であり、配線基板１１の他の面（例えば、半導体素子１２や封止樹脂体１３が形成されていない面）に形成されている。
【００１５】
１７は上部、１８は中間部、１９は下部であり、それぞれが金属折曲構造物１４を構成する。
【００１６】
２０は半導体装置であり、半導体装置２０は、少なくとも、配線基板１１と、配線基板１１の上に、フェイスダウン実装された半導体素子１２と、前記半導体素子１２の上に載せた金属折曲構造物１４と、前記配線基板１１上で、前記配線基板１１と前記半導体素子１２と前記金属折曲構造物１４と、を覆う封止樹脂体１３と、から構成されている。
【００１７】
２１は、バリであり、例えば、金属板を、金型を使って所定形状に打ち抜いたとき、あるいはレーザー切断したときに発生するバリ（なおレーザー切断の場合、ドロス等と呼ばれる場合もある）である。バリ２１は、金属折曲構造物１４の周縁部（あるいは所定形状に打ち抜いた部分、あるいは打ち抜き面等）に設けており、バリ２１は、前記金属折曲構造物１４の内側を向くように形成している。ここで金属折曲構造物１４の内側とは、例えば、金属折曲構造物１４の上部１７においては、中間部１８側である。同様に金属折曲構造物１４の下部１９側においては、中間部１８側である。なお金属折曲構造物１４が、例えば、上部１７と下部１９と、から構成されており、中間部１８が無い（あるいは中間部１８が、下部１９もしくは上部１７を兼用している）場合、上部１７の内側とは下部１９側になる。このように、バリ２１の方向を、金属折曲構造物１４の内側とすることで、下部１９と半導体素子１２との接触を安定化できる。また金型等を用いて封止樹脂体１３を、所定形状に形成する場合、前記金型と、上部１７との接触を安定化でき、封止樹脂体１３の成形精度を高める。
【００１８】
図１（Ｂ）における矢印２２は、半導体素子１２に発生した熱が、金属折曲構造物１４を介して、外部に伝わる様子を示す。図１（Ｂ）に示すように、金属折曲構造物１４の下部１９の半導体素子１２側にはバリ２１を設けていないため、これら部材の接触面積を増加させる効果が得られる。またバリ２１によって、金属折曲構造物１４と、封止樹脂体１３とのアンカー効果が得られる。
【００１９】
矢印２２に示すように、半導体素子１２に発生した熱は、下部１９から、中間部１８を介して、上部１７へ伝わり、半導体装置２０の外へ放出される。
【００２０】
なお金属折曲構造物１４を構成する下部１９、中間部１８、上部１７は、１つの金属板を所定形状に折り曲げて形成したものと（あるいは一枚もの構造と）することで、互いの部分間の熱伝導効率を高められる。
【００２１】
次に図２（Ａ）（Ｂ）を用いて、半導体装置２０の一部に、電子部品を内蔵した場合について説明する。図２（Ａ）は電子部品を内蔵した半導体装置の断面図、図２（Ｂ）は電子部品を内蔵した半導体装置の部分断面図である。
【００２２】
図２（Ａ）（Ｂ）において、２３は電子部品であり、例えば、積層セラミックコンデンサや角チップ抵抗器、チップインダクタ等である。
【００２３】
図２（Ａ）に示すように、金属折曲構造物１４の下部１９の大きさを、半導体素子１２に合わせ、上部１７の大きさを半導体装置２０の天井面と略同じ大きさとしても良い。こうすることで、上部１７からの放熱効果を高められる。
【００２４】
図２（Ｂ）において２４は窓であり、金属折曲構造物１４の上部１７に形成した開口部である。なお窓２４の一辺以上は開放状態（すなわち、切り欠き構造、あるいはコの字）であっても良い。なお窓２４を、上部１７の周縁部に設けた切り欠き構造とした状態は、図示していない。
【００２５】
例えば、電子部品２３に熱を伝えたくない場合、図２（Ｂ）に示すように、電子部品２３の付近の上部１７に窓２４を形成することで、電子部品２３への熱伝導を抑えることが出来る。
【００２６】
また封止樹脂体１３を透明樹脂等で形成した場合、電子部品２３に受光素子（例えば、光センサ、あるいはＣＣＤ素子等）とした場合、上部１７に窓２４を形成しておくことで、半導体装置２０からの光を効率的に電子部品２３に届けることができる。
【００２７】
また半導体装置２０に内蔵された電子部品２３を、アンテナとした場合、上部１７に形成した窓２４を介した電磁波の受信あるいは送信効率を高められる。
【００２８】
次に、図３（Ａ）〜（Ｃ）を用いて、厚みの異なる複数個の半導体素子１２を、１つの半導体装置２０に内蔵する場合について説明する。なお厚みの異なる複数個の半導体素子１２は、半導体素子１２に限定する必要は無く、発熱が課題となる部材で有れば良く、例えば電子部品２３等であっても良い。
【００２９】
図３（Ａ）は、本願発明の半導体装置について説明する断面図、図３（Ｂ）（Ｃ）は共に、従来の半導体装置について説明する断面図である。
【００３０】
図３（Ａ）に示すように、金属折曲構造物１４を用いることで、複数個の異なる高さの半導体素子１２を、１つの金属折曲構造物１４で冷却することができ、半導体装置２０の低コスト化が可能となる。
【００３１】
また図３（Ａ）に示すように、１つの金属折曲構造物１４を用いることで、複数個の異なる高さの半導体素子１２同士を、略同じ温度に揃えることができ、回路動作の安定化が可能となる。なおこの場合、金属折曲構造物１４の一端である上部１７を、封止樹脂体１３から露出する必要は無い。
【００３２】
図３（Ｂ）（Ｃ）は、従来の半導体装置における課題を説明する断面図である。図３（Ｂ）（Ｃ）において、２５ａ、２５ｂは従来の半導体装置、２６ａ〜２６ｄは放熱体である。図３（Ｂ）（Ｃ）に示すように、異なる厚みを有する半導体素子１２ｃ〜１２ｆを放熱する場合、それぞれの厚みに応じて、異なる厚みの放熱体２６ａ〜２６ｄを用意する必要がある。しかし厚みのバラツキは、半導体素子１２ｃ〜１２ｆだけでなく、実装部分（例えば、バンプ１５の厚みや厚みバラツキ）、配線基板１１の厚みバラツキや反りの有無等があるため、図３（Ｃ）の矢印２２に示すような成形バラツキが発生し、その放熱性が低下する場合がある。
【００３３】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２として、実施の形態１で説明した金属折曲構造物１４の形状について、説明する。
【００３４】
図４（Ａ）は、金属折曲構造物１４の形状を示す斜視図、図４（Ｂ）（Ｃ）は共に金属折曲構造物１４の平面図である。
【００３５】
図４（Ａ）〜（Ｃ）において、２７は金属板、２８ａ、２８ｂは切断部である。２９ａ、２９ｂは端部であり、端部２９ａ、２９ｂとして、円形（あるいは一部に切り欠きを設けた円形）の終端部とすることで、折曲性を高め、応力集中の抑制効果が得られる。切断部２８ａ、２８ｂは、金型による打ち抜き加工（パンチングプレス等も含む）や、ＣＯ２レーザー等による切断加工で形成している。点線３０ａ、３０ｂは、折曲部分を示している。例えば、金型によって、金属板２７から、金属折曲構造物１４を作製する場合、切断部２８ａ、２８ｂの作製と、点線３０ａ、３０ｂによる折曲とを、同時（あるいは一連の動作の中）に行なうことで、生産性を高められる。
【００３６】
図４（Ａ）において、金属折曲構造物１４は、図４（Ｂ）に示した金属板２７を、点線３０ａに示す位置で折り曲げたものである。なお図４（Ａ）におけるバリ２１は、金属板２７を金型で打ち抜いた際に発生したバリや、金属板２７をレーザーで所定形状に切断した際に発生したドロス等である。このように金属折曲構造物１４の周縁部等にバリ２１を残すことで、封止樹脂体１３と金属折曲構造物１４との密着性を高められる。
【００３７】
図４（Ｃ）は、中間部１８ｂを、渦巻き状とした金属折曲構造物１４について説明する上面図である。図４（Ｃ）に示す金属折曲構造物１４を、点線３０ｂで示す位置で折り曲げることで、寸法精度の高い金属折曲構造物１４を、大量に安価で製造できる。
【００３８】
なお図４（Ｂ）（Ｃ）における切断部２８ａ、２８ｂにおけるクリアランスは、０．２ｍｍ以下が望ましい。クリアランスが０．２ｍｍを超えると、バリ２１の形成性に影響を与える可能性がある。なおクリアランスはゼロ（あるいは略ゼロ）としても良い。クリアランスを略ゼロとすることで、切断部２８ａ、２８ｂに、バリ２１を所定位置に積極的に形成することができる。
【００３９】
なお図４（Ａ）において、金属折曲構造物１４を、上下反転させても良い。すなわち半導体素子１２と接している下部１９ａの代わりに、上部１７ａを半導体素子１２の天面にセットしても良い。すなわち、（上部１７の面積）＞（下部１９の面積）としても、（上部１７の面積）＜（下部１９の面積）としても良い。
【００４０】
これは、本願発明における金属折曲構造物１４が、半導体素子１２に発生する熱を、外部に伝えるための一種の「伝熱高速線路、あるいは熱輸送高速道、あるいは一種のヒートスプレッダ」と機能するためである。すなわち図４（Ａ）において、金属折曲構造物１４を、上下反転させ、半導体装置２０（図４では図示していない）の表面に露出した下部１９に、強制冷却装置（例えば、冷水循環装置等）を取り付けても良い。このように積極的に冷却させる冷却装置を取り付けることで、半導体素子１２に発生した熱を、効率良く外部に放出できる。これは金属折曲構造物１４が、アルミニウムや銅のように熱伝導の高い材料で形成されているためであり、半導体素子１２に面接触する金属折曲構造物１４（例えば、下部１９）に伝わった熱が、中間部１８を介して、冷却装置に面接触した金属折曲構造物１４（例えば、上部１７）に効率良く（言い換えれば、高速、大容量として、あるいは一種のヒートパイプのように）伝熱するためである。
【００４１】
なお本願発明の半導体装置２０の一例は、ＣＰＵモジュールである。またほかにも半導体モジュール、ＧＰＵモジュール（ＧＰＵはグラフィック用ＣＰＵの意味）が有る。
【００４２】
また半導体装置２０として、超小型電源等も含む。すなわち従来のノートパソコン等は、ＡＣコンセントから、数ｃｍ角の箱状のＡＣ−ＤＣコンバータを介して給電されている。しかし、本願発明の半導体装置２０を用いることで、こうしたＡＣ−ＤＣコンバータの超小型化が可能となる。すなわち、ＡＣコンセントに差し込むコンセント部分（あるいはコンセントキャップ部）を、そのままＡＣ−ＤＣコンバータとすることができ、機器の小型化、軽量化が可能となる。なお半導体装置２０を、超小型電源とした場合、金属折曲構造物１４で冷却する部材は、パワー半導体等の半導体素子１２のみならず、超小型のトランス、超小型のチョークコイル等の電子部品２３とすることは有用である。このような発熱が課題となる電子部品２３は厚み寸法等にバラツキが発生しやすく、従来の放熱部材ではこれら課題に対応できない場合があった。
【００４３】
次に、図５（Ａ）〜（Ｃ）を用いて、金属折曲構造物１４による、寸法バラツキの吸収効果について説明する。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、共に金属折曲構造物１４の追従性について説明する断面図である。
【００４４】
図５（Ａ）において、半導体素子１２ａ〜１２ｃの厚みは略同じであるが、バンプ１５ａ〜１５ｃの厚みが異なっている。例えば、半導体素子１２ａ〜１２ｃの接続端子数の違いであり、例えば接続端子数が多い半導体素子１２の場合、より小径のバンプ１５を使う必要が発生する場合がある。
【００４５】
矢印２２ａ〜２２ｃは、共に、バンプ１５ａ〜１５ｃの厚みが異なっていることを示す。なお図５（Ａ）（Ｂ）において、バンプの大きさ（あるいは高さ）は、１５ａ＞１５ｃ＞１５ｂであり、矢印で示す配線基板１１の表面と、半導体素子の裏面との間隔は、２２ａ＞２２ｃ＞２２ｂで有る。
【００４６】
図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、金属折曲構造物１４の折曲構造（すなわち、上部１７や下部１９を、折曲可能な中間部１８で接続すること）によって、バンプの大きさ（あるいは高さ）を、効率的に吸収することができる。なお中間部１８の途中で、更に折ったり、曲げていれば良い。このように本発明における金属折曲構造物１４は、熱伝導性の面から金属を用いているものであって、どこか１箇所以上に折ったり、曲げたりしている部分を有しているものである。
【００４７】
図５（Ｃ）は、配線基板１１のうねりや反りによって、半導体素子１２ｄ〜１２ｆが互いに傾く様子を示す。なお図５（Ｃ）において、配線基板１１は図示していない。図５（Ｃ）に示すように、半導体素子１２ｄ〜１２ｆが互いに不規則に傾いた場合であっても、図５（Ｃ）に示すように、金属折曲構造物１４の折曲構造によって、これらの傾きを、効率的に吸収することができる。
【００４８】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３として、実施の形態１で説明した半導体装置２０の製造方法の一例について説明する。
【００４９】
図６（Ａ）〜（Ｅ）は、複数個の半導体装置２０を一括して製造する様子を説明する断面図である。
【００５０】
図６（Ａ）〜（Ｅ）において、３１ａ、３１ｂは成形金型、３２はキャビティである。なお配線基板１１において、内層や表層の銅箔パターンやソルダーレジスト、層間接続用のビア等は図示していない。こうした配線基板１１としては、市販のガラスエポキシ樹脂からなる多層基板を使うことができる。図６（Ａ）において、複数個の半導体素子１２は、前述の図５（Ａ）（Ｂ）に示したように、互いに厚み（例えば、バンプ１５の厚み）が、ばらついているが、これは配線基板１１の反りや、フェイスダウン実装による実装バラツキ等で発生する場合がある。なお図６（Ａ）において、電子部品２３等は図示していない。
【００５１】
図６（Ｂ）は、複数個の半導体素子１２の上に、金属折曲構造物１４をセットした様子を示す断面図である。なお金属折曲構造物１４は、接着剤（アルミナ等の熱伝導性の高いセラミックフィラーを添加したエポキシ樹脂等を使うことが望ましい）や、熱伝導性のテープ（両面テープも含む）で固定することは有用である。なおこれらの工程において、金属折曲構造物１４に設けた窓２４や、中間部１８や下部１９を折り曲げて作った窓２４（共に図示していない）を使うことが有用である。また半導体素子１２の上への、金属折曲構造物１４の位置決めの際にも、中間部１８や下部１９を折り曲げて作った窓２４（共に図示していない）を使うことが有用である。
【００５２】
なお図６（Ｂ）において、複数個の半導体素子１２の上に、１つの金属折曲構造物１４をセットした後、これを図６（Ｅ）に示すように複数に分割しても良い。こうすることで、生産性を高められるが、これは本願発明の金属折曲構造物１４による折曲構造による。
【００５３】
図６（Ｃ）は、成形金型３１ａ、３１ｂを用いて、封止樹脂体１３を所定形状に成形する様子を説明する断面図である。図６（Ｃ）において、成形金型３１ａ、３１ｂの間には、キャビティ３２が設けられている。次に、このキャビティ３２に、封止用の樹脂を注入し、図６（Ｄ）の状態とする。その後、図６（Ｅ）に示すように、これらを所定寸法に切断し、半導体装置２０とする。
【００５４】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４として、実施の形態１で説明した半導体装置２０に用いる金属折曲構造物１４等に用いる部材について説明する。
【００５５】
まず金属折曲構造物１４としては、厚み０．０５ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下（望ましくは０．１０ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下）、の金属板２７を用いることが望ましい。金属板２７の厚みが０．０５ｍｍ未満の場合、放熱効果（あるいは熱伝導効率）が低い場合がある。また金属板２７の厚みが、０．５０ｍｍより厚い場合、半導体装置２０の薄型化に影響を与える場合がある。
【００５６】
金属折曲構造物１４に用いる金属の種類としては、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）、あるいはこれらの合金を用いることが望ましい。銅やアルミニウムは、熱伝導性と、加工性や成形性（折曲性も含む）に富んでいる。また切り抜き、あるいは打ち抜き加工時に、その切り抜き側面や打ち抜き側面等にバリを形成することも容易である。
【００５７】
なお金属折曲構造物１４の表面に、メッキ（半田メッキ、ニッケルメッキ、錫メッキ等）や防錆処理等を行なうことは有用である。また金属折曲構造物１４の表面に、絶縁性部材を塗布等で形成しても良い。また金属折曲構造物１４として、市販のフープ材（フープは、ｈｏｏｐの意味。コイル材、帯板、ストリップ材と呼ばれることもある。またメッキされたフープ材を用いることも有用である）を用いても良い。
【００５８】
なお半導体装置２０の寸法形状としては、２ｍｍ角以上５０ｍｍ角以下が望ましい。２ｍｍ角より小さい半導体装置２０の場合、図１等で示した金属折曲構造物１４を用いても、所定の放熱効果が得られない場合がある。また５０ｍｍ角を越えた場合、用途が限定される場合がある。
【００５９】
なお半導体装置２０の厚みは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下が望ましい。０．５ｍｍより薄い場合、金属折曲構造物１４の形状が複雑となる場合がある。また厚みが５．０ｍｍより厚くなった場合、用途が限定される場合がある。
【００６０】
（実施の形態５）
以下、実施の形態５として、実施の形態１で説明した金属折曲構造物１４の他の構成について説明する。
【００６１】
図７は、金属折曲構造物１４の他の構造について説明する断面図である。図７において、金属折曲構造物１４は、一枚の金属板２７（図示していない）を、略中央で折曲げたものである。図７に示すような金属折曲構造物１４としても良い。なお図７において、金属折曲構造物１４の周縁部のバリ２１等は図示していない。
【００６２】
なおバリ２１とは、「ｂｕｒｒ」とも書かれる、端部における出っ張り部分である。またバリ２１の大きさ（例えば、バリ２１の高さ）は、金属板２７の厚みの０．５倍以上、もしくは指先で存在を感じるものであることが望ましい。０．５倍未満の場合、アンカー効果が低い場合がある。また金属折曲構造物１４の周縁部を、指先で触っても、存在を感じないような微細なバリ２１は、所定のアンカー効果が得られない場合がある。
【００６３】
またバリ２１の形成位置としては、金属折曲構造物１４の上部１７、中間部１８、下部１９のいずれか一部分以上に設ければ良い。なお上部１７と中間部１８との接続部付近や、下部１９と中間部１８の接続（例えば図４（Ｂ）（Ｃ）の点線３０ａ、３０ｂで示した折曲部分付近）にバリ２１を形成することが望ましい。
【００６４】
また封止樹脂体１３は、封止用の樹脂が所定形状に形成されたものである。封止樹脂体１３に用いる樹脂材料としては、エポキシ樹脂に熱伝導性の高い無機フィラー（例えば、アルミナ粉）等を添加したものが、封止樹脂として市販されており、こうした市販品の中から、用途に応じて選べば良い。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の半導体装置を用いることで、携帯電話や携帯端末等の更なる小型化、高放熱化が可能となる。
【符号の説明】
【００６６】
１  金属板
２  熱伝導弾性体
３  半導体素子
１１  配線基板 
１２  半導体素子 
１３  封止樹脂体 
１４  金属折曲構造物 
１５  バンプ 
１６  外部端子
１７  上部
１８  中間部
１９  下部
２０  半導体装置
２１  バリ
２２  矢印
２３  電子部品
２４  窓
２５ａ、２５ｂ  従来の半導体装置
２６ａ〜２６ｄ  放熱体
２７  金属板
２８ａ、２８ｂ  切断部
２９ａ、２９ｂ  端部
３０ａ、３０ｂ  点線（折曲げ線）
３１ａ、３１ｂ  成形金型
３２  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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