(57)【要約】【課題】ソルダーバンプと配線パターンの整合度を向上させ、ソルダーバンプに別途のコイニング工程が不要なソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層１２０；前記絶縁層１２０の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ１１６；前記ソルダーバンプ１１６の下面に形成された配線パターン１１８；及び前記配線パターン１１８に連結され、前記絶縁層１２０と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層１０８ａを含む。【選択図】図２Ｂ
2010118633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層；
前記絶縁層の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ；
前記ソルダーバンプの下面に形成された配線パターン；及び
前記配線パターンに連結され、前記絶縁層と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層；
を含むことを特徴とする、埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板。
【請求項２】
前記ソルダーバンプ及び前記配線パターンの高さは前記回路層の高さと同一であることを特徴とする、請求項１に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板。
【請求項３】
前記ソルダーバンプは表面が平たい構造を持つことを特徴とする、請求項１に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板。
【請求項４】
前記ソルダーバンプはすず、すず及び銀の合金、またはソルダーペーストで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板。
【請求項５】
前記絶縁層には、前記ソルダーバンプを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板。
【請求項６】
（Ａ）回路層、ソルダーバンプ、及び前記ソルダーバンプ上の配線パターンが形成されたキャリア部を製作する段階；
（Ｂ）前記回路層、前記ソルダーバンプ、及び前記配線パターンが絶縁層に埋め込まれるように、前記絶縁層に前記キャリア部を加圧する段階；及び
（Ｃ）前記キャリア部を除去する段階；
を含むことを特徴とする、埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ａ）段階は、
（Ａ１）前記キャリア部に第１感光性レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成するためにパターニングを行う段階；
（Ａ２）前記回路形成用開口部に銅メッキ層を形成し、第２感光性レジストを塗布する段階；
（Ａ３）バンプが形成される領域の前記第１感光性レジストにウィンドウを形成し、前記ウィンドウによって露出した前記銅メッキ層を除去することで、回路層及びバンプ形成用開口部を形成する段階；及び
（Ａ４）前記バンプ形成用開口部にソルダーバンプ及び配線パターンを順に形成し、前記第１感光性レジスト及び第２感光性レジストを除去する段階；
を含むことを特徴とする、請求項６に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ａ２）段階において、前記第２感光性レジストは前記第１感光性レジスト及び前記銅メッキ層上に形成されることを特徴とする、請求項７に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ａ３）段階において、前記ウィンドウはレーザーの照射によって形成されることを特徴とする、請求項７に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ａ４）段階において、前記ソルダーバンプはすず、またはすず及び銀合金のメッキによって形成されることを特徴とする、請求項７に記載の埋込み型ソルダーバンプを持メッキによって形成されることを特徴とする、請求項７に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ａ４）段階において、前記ソルダーバンプはソルダーペーストを充填して形成されることを特徴とする、請求項７に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｃ）段階の後、（Ｄ）前記ソルダーバンプを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ソルダーバンプ及び前記配線パターンの高さは前記回路層の高さと同一であることを特徴とする、請求項６に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ソルダーバンプは表面が平たい構造を持つことを特徴とする、請求項６に記載の埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業の発達につれて電子部品の高性能化、高機能化、小型化が要求されており、これに応えて、ＳＩＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）、３Ｄパッケージなどの表面実装部品用基板においても固集積化、薄型化、微細回路パターン化の要求が増加している。
【０００３】
特に、電子部品の基板への表面実装技術において、半導体チップとプリント基板の電気的連結のために、ワイヤボンディング方式及びフリップチップボンディング方式が使用されている。
【０００４】
ここで、ワイヤボンディング方式は、プリント基板に設計回路が印刷された半導体チップを接着剤でプリント基板にボンディングさせ、プリント基板のリードフレームと半導体チップの金属端子（つまり、パッド）の間に情報送受信のために金属ワイヤで接続させた後、電子素子及びワイヤを熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などでモールディングさせるものである。
【０００５】
また、フリップチップボンディング方式は、半導体チップに金、半田あるいはその他の金属などの素材で数十μｍないし数百μｍの大きさの外部接続端子（つまり、バンプ）を形成し、既存のワイヤボンディングによる実装法とは反対に、バンプが形成された半導体チップを覆して（ｆｌｉｐ）、表面が基板方向に向かうように実装させるものである。
【０００６】
しかし、ワイヤボンディング方式は、他のパッケージング方式に比べて生産性が高いが、ワイヤを利用してプリント基板と連結しなければならないため、モジュールの大きさが大きくなって、追加の工程が必要な欠点があり、フリップチップボンディング方式が多く使用されている実情である。
【０００７】
図１は従来技術によるフリップチップボンディングに使用されるソルダーバンプを持つプリント基板の断面図を示す。
【０００８】
図１に示すように、従来技術によるフリップチップボンディングのためのプリント基板１０は、絶縁層１２上に形成されたパッド部１４を露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層１６を形成し、このパッド部１４に、半導体チップとプリント基板１０の間に介在して相互間の電気的連結のためのソルダーバンプ１８が形成された構造を持つ。
【０００９】
しかし、従来技術によるフリップチップボンディングのためのプリント基板及びその製造方法は次のような問題点があった。
【００１０】
まず、パッド部１４が絶縁層１２上に形成されるが、ソルダーレジスト層１６に形成されたオープン部によって露出する構造を持つため、段差が発生することができ、これによりソルダーバンプ１８とパッド部１４の整合度が低下して接合信頼性が落ちる問題点があった。
【００１１】
また、高密度基板において、パッド部１４はメッキ工程によって形成されるが、メッキ公差によって高さ差があるため、印刷されるソルダーの量が少ない場合、半導体チップに連結されないソルダーバンプ１８が生じる問題点があった。
【００１２】
また、パッド部１４を露出させるためにソルダーレジスト層１６にオープン部を形成する過程で、パッド部１４とオープン部の間に段差が発生してソルダーバンプ１８の印刷が均一にならない問題点があった。
【００１３】
また、半導体チップとプリント基板１０の間の電気的接続信頼性を確保するために、ソルダーバンプ１８の上面を平たくして高さを一定にするコイニング（ｃｏｉｎｉｎｇ）工程を実施しなければならない。このようなコイニング工程はユニットのそれぞれに行われる工程で、長いリードタイム（ｌｅａｄｔｉｍｅ）が必要な問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、ソルダーバンプと配線パターンの整合度を向上させることができる埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、配線パターンが埋込み構造に形成されて絶縁層と同一の表面高さを持つことにより、メッキ公差によって高さ差が発生しなくて、半導体チップとソルダーバンプの連結信頼性を向上させることができる埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００１６】
本発明のさらに他の目的は、ソルダーレジスト層に形成されるオープン部と配線パターン及びソルダーバンプとの間に段差が発生しない埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００１７】
本発明のさらに他の目的は、ソルダーバンプのコイニング工程が不要な埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一観点によれば、本発明は、絶縁層；前記絶縁層の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ；前記ソルダーバンプの下面に形成された配線パターン；及び前記配線パターンに連結され、前記絶縁層と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層；を含むこと、埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板を提供する。
【００１９】
前記ソルダーバンプ及び前記配線パターンの高さは前記回路層の高さと同一であることができる。
【００２０】
前記ソルダーバンプは表面が平たい構造を持つことができる。
【００２１】
前記ソルダーバンプはすず、すず及び銀の合金、またはソルダーペーストで形成されることができる。
【００２２】
前記絶縁層には、前記ソルダーバンプを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることができる。
【００２３】
本発明の他の観点によれば、本発明は、（Ａ）回路層、ソルダーバンプ、及び前記ソルダーバンプ上の配線パターンが形成されたキャリア部を製作する段階；（Ｂ）前記回路層、前記ソルダーバンプ、及び前記配線パターンが絶縁層に埋め込まれるように、前記絶縁層に前記キャリア部を加圧する段階；及び（Ｃ）前記キャリア部を除去する段階；を含む、埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を提供する。
【００２４】
前記（Ａ）段階は、（Ａ１）前記キャリア部に第１感光性レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成するためにパターニングを行う段階；（Ａ２）前記回路形成用開口部に銅メッキ層を形成し、第２感光性レジストを塗布する段階；（Ａ３）バンプが形成される領域の前記第１感光性レジストにウィンドウを形成し、前記ウィンドウによって露出した前記銅メッキ層を除去することで、回路層及びバンプ形成用開口部を形成する段階；及び（Ａ４）前記バンプ形成用開口部にソルダーバンプ及び配線パターンを順に形成し、前記第１感光性レジスト及び第２感光性レジストを除去する段階；を含むことができる。
【００２５】
前記（Ａ２）段階において、前記第２感光性レジストは前記第１感光性レジスト及び前記銅メッキ層上に形成されることができる。
【００２６】
前記（Ａ３）段階において、前記ウィンドウはレーザーの照射によって形成されることができる。
【００２７】
前記（Ａ４）段階において、前記ソルダーバンプはすず、またはすず及び銀合金のメッキによって形成されることができる。
【００２８】
前記（Ａ４）段階において、前記ソルダーバンプはソルダーペーストを充填して形成されることができる。
【００２９】
前記方法は、前記（Ｃ）段階の後、（Ｄ）前記ソルダーバンプを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００３０】
前記ソルダーバンプ及び前記配線パターンの高さは前記回路層の高さと同一であることができる。
【００３１】
前記ソルダーバンプは表面が平たい構造を持つことができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ソルダーバンプが埋め込まれた配線パターン上に形成され、ソルダーバンプも絶縁層と同じ表面高さに埋め込まれることにより、ソルダーバンプと配線パターンの整合度を向上させる効果がある。
【００３３】
また、本発明によれば、配線パターンが埋込み構造に形成されるので、メッキ公差によって高さ差が発生しなくて、半導体チップとソルダーバンプの連結信頼性を向上させる効果がある。
【００３４】
また、本発明によれば、配線パターン及びソルダーバンプが埋込み構造に形成されるので、ソルダーレジスト層に形成されるオープン部の段差が発生しない効果がある。
【００３５】
また、本発明によれば、ソルダーバンプが絶縁層と同じ表面高さを持つように埋込み構造に形成されるので、別途のコイニング工程が不要になり、リードタイムを減少させる効果がある。
【００３６】
また、本発明によれば、ソルダーバンプが埋め込まれた構造を持つので、ソルダーレジスト層を薄く形成することができ、これにより薄型化、材料の節減が可能になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来技術によるフリップチップボンディングに使用されるソルダーバンプを持つプリント基板の断面図である。
【図２Ａ】本発明の好適な第１実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の平面図である。
【図２Ｂ】本発明の好適な第１実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の断面図である。
【図３Ａ】本発明の好適な第２実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の平面図である。
【図３Ｂ】本発明の好適な第２実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図５】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図６】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１４】本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は添付図面に基づく以下の詳細な説明と好適な実施例からより明らかになるであろう。本明細書において、“第１”、“第２”などの用語は特定の量、順序または重要度を示すものではなく、構成要素を互いに区別するために使用するものであり、各図の構成要素に参照符号を付けるに際して、同一構成要素は、たとえ相異なる図上に表示されても、できるだけ同一符号を有するようにすることに気をつけなければならない。また、本発明を説明することにおいて、関連公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。
【００３９】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００４０】
埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板
【００４１】
図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ本発明の好適な第１実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の平面図及び断面図、図３Ａ及び図３Ｂはそれぞれ本発明の好適な第２実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の平面図及び断面図である。
【００４２】
以下、これら図に基づいて本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ａ、１００Ｂについて説明する。
【００４３】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、本発明の好適な第１実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ａは、絶縁層１２０の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ１１６、ソルダーバンプ１１６の下面に形成された配線パターン１１８、及び配線パターン１１８に連結され、絶縁層１２０と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層１０８ａを含むことを特徴とする。ここで、本実施例はエリアアレイタイプ（ａｒｅａ ａｒｒａｙ ｔｙｐｅ）のフリップチップボンディングパッド構造に形成されたことを特徴とする。
【００４４】
ここで、配線パターン１１８とこの配線パターン１１８上に形成されたソルダーバンプ１１６は回路層１０８ａと同一の高さを持つ状態に絶縁層１２０上に埋め込まれている。
【００４５】
また、ソルダーバンプ１１６は絶縁層１２０と同一の表面高さを持つとともに平たい構造を持つもので、すず（Ｓｎ）、すず／銀合金、またはソルダーペーストで形成される。
【００４６】
一方、絶縁層１２０上にはソルダーバンプ１１６が露出されるオープン部１２４を持つソルダーレジスト層１２２が形成される。
【００４７】
すなわち、本実施例はソルダーバンプ１１６が絶縁層１２０に埋め込まれた構造を持ち、絶縁層１２０と同一の表面高さを持つように形成されるので、別途のコイニング工程が不要になり、ソルダーレジスト層１２２も薄層に形成することができ、ソルダーレジスト層１２２のオープン部１２４に対して段差が発生する問題も発生しなくなる。
【００４８】
一方、図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、本発明の好適な第２実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ｂは、周辺型（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｔｙｐｅ）のフリップチップボンディングパッドの構造に形成されたことを特徴とする。これを除き、第１実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ａと類似の構造を持つので、その詳細な説明は省略する。
【００４９】
ソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法
【００５０】
図４〜図１０は本発明の好適な実施例によるソルダーバンプ及び配線パターンを持つキャリア部を製造する方法を説明するための工程断面図である。
【００５１】
以下、これら図に基づいて本発明によるソルダーバンプ１１６及び配線パターン１１８を持つキャリア部を製造する方法を説明する。
【００５２】
まず、図４に示すように、メタルベース部１０２にメタルバリア層１０４が形成されたキャリア部に第１感光性レジスト１０６を塗布し、露光／現象工程によって回路形成用開口部１０６ａを持つように、第１感光性レジスト１０６をパターニングする。
【００５３】
ここで、第１感光性レジスト１０６は液状の感光材またはドライフィルムレジスト（ｄｒｙ ｆｉｌｍ ｒｅｓｉｓｔ）が使用できる。
【００５４】
一方、キャリア部のメタルバリア層１０４上には無電解銅メッキ工程またはスパッタリング工程によってシード層（図示せず）が形成できる。
【００５５】
ついで、図５に示すように、回路形成用開口部１０６ａに電解銅メッキ工程によって銅メッキ層１０８を形成する。
【００５６】
この際、銅メッキ層１０８は第１感光性レジスト１０６と同一の高さに形成されることが好ましい。また、銅メッキ層１０８の形成の後、第１感光性レジスト１０６は剥離せずにそのまま残しておく。
【００５７】
ついで、図６に示すように、銅メッキ層１０８及び第１感光性レジスト１０６上に第２感光性レジスト１１０を塗布する。
【００５８】
ここで、第２感光性レジスト１１０は液状の感光材またはドライフィルムレジスト（ｄｒｙ ｆｉｌｍ ｒｅｓｉｓｔ）が使用できる。
【００５９】
ついで、図７に示すように、ソルダーバンプ形成領域（Ａ）の第２感光性レジスト１１０にウィンドウ１１２を形成する。
【００６０】
この際、ウィンドウ１１２は、ＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザーのようなレーザーを照射して加工するか、あるいはウィンドウに対応するパターンを持つマスクを用いて露光及び現象工程によって形成することができる。ここで、レーザーの照射によってウィンドウ１１２を形成する場合は、レーザービームのサイズを制御してウィンドウのサイズを調節し、マスクを利用してウィンドウ１１２を形成する場合は、マスクパターンを調節してウィンドウのサイズを調節する。
【００６１】
ついで、図８に示すように、ウィンドウ１１２を通じて露出されたソルダーバンプ形成領域（Ａ）の銅メッキ層１０８をエッチングで除去することで、ソルダーバンプ１１６及び配線パターン１１８の形成のための開口部１１４を形成する。
【００６２】
この際、エッチングによって除去されてから残った銅メッキ層は回路層１０８ａの役目をする。
【００６３】
ついで、図９に示すように、開口部１１４の一部分にソルダーバンプ１１６を形成する。
【００６４】
この際、ソルダーバンプ１１６は回路層１０８ａの高さより低い高さを持ち、その側面が回路層１０８ａと接触するように形成される。
【００６５】
また、ソルダーバンプ１１６は、すず（Ｓｎ）またはすず／銀（Ｓｎ／Ａｇ）合金をメッキして形成するか、あるいはソルダーペーストを充填することで形成することができる。
【００６６】
ついで、図１０に示すように、開口部１１４に形成されたソルダーバンプ１１６上に配線パターン１１８を形成し、第１感光性レジスト１０６及び第２感光性レジスト１１０を剥離することにより、ソルダーバンプ１１６及び配線パターン１１８を持つキャリア部を製造する。
【００６７】
この際、配線パターン１１８は、回路層１０８ａと同一の高さを持つように、開口部１１４内にメッキ工程によって形成され、その側面が回路層１０８ａと接触して電気的に連結される。
【００６８】
埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法
【００６９】
図１１〜図１４は本発明の好適な実施例による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００７０】
以下、これら図に基づいて本発明による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板の製造方法を説明する。
【００７１】
まず、図１１に示すように、絶縁層１２０にキャリア部を加圧してソルダーバンプ１１６及び配線パターン１１８を含浸させる。
【００７２】
この際、含浸工程は、絶縁層１２０を軟化温度以上に加熱しながらキャリア部を加圧することでなされる。ここで、絶縁層１２０の他面には、加圧のための加圧キャリア（図示せず）を置いて同じ圧力を加えるようにすることがよい。
【００７３】
一方、図１１は、絶縁層１２０の一面にキャリア部を加圧して絶縁層１２０の一面にだけソルダーバンプ１１６及び配線パターン１１８を含浸させるものを示しているが、二つのキャリア部を使用して両面に同時に含浸させることも本発明の範疇内に含まれるものである。
【００７４】
ついで、図１２ 及び 図１３ に示すように、メタルベース部１０２及びメタルバリア層１０４を除去する。
【００７５】
この際、メタルベース部１０２及びメタルバリア層１０４はエッチングによって除去可能であり、両者は他のメタルで形成されるので、相異なるエッチング液によって除去される。
【００７６】
最後に、図１４に示すように、絶縁層１２０上にソルダーレジスト層１２２を形成し、ソルダーバンプ１１６を露出させるオープン部１２４を形成する。
【００７７】
ここで、オープン部１２４はＬＤＡ（Ｌａｓｅｒ ｄｉｒｅｃｔ ａｂｌａｔｉｏｎ）などのような機械的加工によって形成可能である。
【００７８】
前述したような工程によって、図２に示すような埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ａが製造される。一方、図３に示す埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板１００Ｂの製造方法もこのような製造工程によって当業者が容易に変更可能であるので、それについての詳細な説明は省略する。
【００７９】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による埋込み型ソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法はこれに限定されないし、本発明の技術的思想内で当業者によってその変形または改良が可能であることは明らかである。
【００８０】
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明確に決められる。
【符号の説明】
【００８１】
１０２    メタルベース部
１０４    メタルバリア層
１０６    第１感光性レジスト
１０８    銅メッキ層
１０８ａ    回路層
１１０    第２感光性レジスト
１１２    ウィンドウ
１１４    バンプ形成用開口部
１１６    ソルダーバンプ
１１８    配線パターン
１２０    絶縁層
１２２    ソルダーレジスト層
１２４    オープン部
【図１】
2010118633.tif 000003
【図２Ａ】
2010118633.tif 000004
【図２Ｂ】
2010118633.tif 000005
【図３Ａ】
2010118633.tif 000006
【図３Ｂ】
2010118633.tif 000007
【図４】
2010118633.tif 000008
【図５】
2010118633.tif 000009
【図６】
2010118633.tif 000010
【図７】
2010118633.tif 000011
【図８】
2010118633.tif 000012
【図９】
2010118633.tif 000013
【図１０】
2010118633.tif 000014
【図１１】
2010118633.tif 000015
【図１２】
2010118633.tif 000016
【図１３】
2010118633.tif 000017
【図１４】
2010118633.tif 000018