(57)【要約】【課題】基板との密着性に優れた回路を有し、且つ、非回路部の残渣が低減された微細な回路基板を、比較的簡易な方法で作製可能な回路基板の作製方法回路基板の作製方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板の表面に密着補助層を形成する工程と、該密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成し、該密着層にエネルギーを付与して、当該密着層を前記密着補助層に固定する工程と、該固定した密着層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、該めっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する工程と、形成された金属薄膜を用いて電気めっきを行う工程と、を含み、且つ、前記密着補助層、密着層、及び金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する工程を更に含む回路基板の作製方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）絶縁基板の表面に密着補助層を形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程で形成された密着層にエネルギーを付与して、該密着層を前記密着補助層に固定する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層に、めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜を用いて、電気めっきを行う工程と、
を含み、且つ、
（ｇ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層、前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層、及び、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する工程
を更に含む回路基板の作製方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程における密着補助層の形成に、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いる請求項１に記載の回路基板の作製方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程における密着層の形成に、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いる請求項１又は請求項２に記載の回路基板の作製方法。
【請求項４】
前記（ｅ）工程で形成される金属薄膜の膜厚が０．２μｍ〜２．０μｍである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の回路基板の作製方法。
【請求項５】
前記（ｂ）工程で用いられるめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物が、疎水性化合物である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の回路基板の作製方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程で用いられるめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物が、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基としてシアノ基を有する化合物である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の回路基板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁基板の表面に回路を形成した回路基板が広く用いられている。
この回路基板の作製方法の１つとして、例えば、特許文献１には、絶縁性基材の表面に、めっき用触媒、その化合物、金属膜などのめっき下地層を形成し、このめっき下地層を非回路部のパターンに応じてレーザー等を照射することで、照射部のめっき下地層を除去した後、めっき下地層にめっきを施し、回路部を形成する方法が開示されている。
この回路基板の作製方法の場合、めっき下地層は、めっき用触媒を基材に直接付与させたり、金属箔を基材に張り付けることで形成されるため、このめっき下地層と基材との間の密着性が弱く、また、十分な密着性を得るためには、基材表面を粗面化する必要があった。この基材表面の粗面化を行った場合、粗面化による表面の凹凸が形成したい回路の微細度に近くなってくると、微細回路の微細な配線形状、パターンに対して粗面化の影響が大きくなってしまい、形成したい微細な形状の回路が形成できないといった問題や、形成しようとすると断線や回路のショートといった問題を生じることがある。
【０００３】
また、例えば、特許文献２には、絶縁基板上に形成された絶縁樹脂層の表面に、二重結合を有する化合物を塗布し、パターン状に紫外光を照射して、該絶縁材料層上にグラフトポリマーを生成させ、該グラフトポリマーの生成領域と非生成領域とのパターンを形成した後、このグラフトポリマー生成領域に無電解めっき、電気めっきを施して、導電性パターンを形成する方法が開示されている。
この方法の場合、グラフトポリマーの生成領域と非生成領域とのパターンを形成する際、紫外光によるパターン露光領域以外を、現像液を用いた現像により除去する必要がある。また、現像が十分でない場合、導電性パターン間に残渣が存在することになり、品質が低下してしまうといった問題もある。
以上のことから、微細な導電性パターン（回路）を作製する上で、導電性パターン間（非回路部）に残渣を比較的容易な方法で除去する方法が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−６６５３３号公報
【特許文献２】特開２００６−６０１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の技術の欠点を考慮してなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、基板との密着性に優れた回路を有し、且つ、非回路部の残渣が低減された微細な回路基板を、比較的簡易な方法で作製することが可能な回路基板の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題に鑑みて鋭意検討した結果、以下に示す手段により上記目的を達成しうることを見出した。
本発明の回路基板の作製方法は、（ａ）絶縁基板の表面に密着補助層を形成する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成する工かん程と、（ｃ）前記（ｂ）工程で形成された密着層にエネルギーを付与して、該密着層を前記密着補助層に固定する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層に、めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜を用いて、電気めっきを行う工程と、を含み、且つ、（ｇ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層、前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層、及び、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する工程を更に含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明においては、（ａ）工程における密着補助層の形成に、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いることが好ましい。
また、（ｂ）工程における密着層の形成に、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いることも好ましい。
更に、（ｅ）工程で形成される金属薄膜の膜厚が０．２μｍ〜２．０μｍであることが好ましい。
【０００８】
また、本発明においては、（ｂ）工程で用いられるめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物が、疎水性化合物であることが好ましい。
また、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物が、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基としてシアノ基を有する化合物であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板との密着性に優れた回路を有し、且つ、非回路部の残渣が低減された微細な回路基板を、比較的簡易な方法で作製することが可能な回路基板の作製方法を提供することができる。
本発明の回路基板の作製方法を用いれば、絶縁基板に粗面化処理を施すことなく、基板との密着性に優れた微細回路を形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の回路基板の作製方法は、（ａ）絶縁基板の表面に密着補助層を形成する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程で形成された密着層にエネルギーを付与して、該密着層を前記密着補助層に固定する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層に、めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜を用いて、電気めっきを行う工程と、を含み、且つ、（ｇ）前記（ａ）工程で形成された密着補助層、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層、前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層、及び、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する工程を更に含むことを特徴とする。
以下、本発明における各工程を順次に説明する。
【００１１】
＜（ａ）工程＞
（ａ）工程では、絶縁基板の表面に密着補助層を形成する。
本発明における密着補助層は、後述する（ｂ）工程で用いられる、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物との間に、相互作用を形成しうる活性点を発生する活性種を含むことが好ましい。密着補助層として具体的には、例えば、重合開始剤を含有する重合開始層や、重合開始可能な官能基を有する樹脂からなる重合開始層であることが好ましい。
【００１２】
本発明における密着補助層として、より具体的には、高分子化合物と重合開始剤とを含む層や、重合性化合物と重合開始剤とを含む層、重合開始可能な官能基を有する樹脂からなる層が挙げられる。
【００１３】
本発明では、隣接する基板に絶縁基板を用いていることから、該絶縁基板との密着性の観点から、密着補助層は絶縁樹脂を含むことが好ましい。
以下、絶縁樹脂を含む密着補助層の態様について説明する。
【００１４】
密着補助層を形成する際に用いられる絶縁樹脂は、絶縁基板を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、絶縁基板を構成する絶縁樹脂と同じ種類の絶縁樹脂を使用することが、密着性向上の点で好ましい。
【００１５】
絶縁樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
【００１６】
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。これはそれぞれの欠点を補いより優れた効果を発現する目的で行われる。
【００１７】
また、密着補助層に用いられる絶縁樹脂としては、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物との間に、相互作用を形成し得る活性点を発生させる骨格を有する樹脂を用いることもできる。例えば、特開２００５−３０７１４０号公報の段落番号〔００１８〕〜〔００７８〕に記載の重合開始部位を骨格中に有するポリイミドが用いられる。
【００１８】
更に、密着補助層を形成する際には、層内での架橋を進めるために重合性の二重結合を有する化合物、具体的には、アクリレート化合物、メタクリレート化合物を用いてもよい。特に、多官能のものを用いることが好ましい。その他、重合性の二重結合を有する化合物として、熱硬化性樹脂、若しくは熱可塑性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等に対し、その一部を、メタクリル酸やアクリル酸等を用いて、（メタ）アクリル化させた樹脂を用いてもよい。
【００１９】
本発明における密着補助層には、本発明の効果を損なわない限りにおいて、目的に応じて、種々の化合物を添加することができる。
具体的には、例えば、加熱時に応力を緩和させることができる、ゴム、ＳＢＲラテックスのような物質、膜性改良のためのバインダー、可塑剤、界面活性剤、粘度調整剤などが挙げられる。
【００２０】
また、本発明における密着補助層には、被膜の機械強度、耐熱性、耐候性、難燃性、耐水性、電気特性などの特性を強化するために、樹脂と他の成分とのコンポジット（複合素材）も使用することができる。複合化するのに使用される材料としては、紙、ガラス繊維、シリカ粒子、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂などを挙げることができる。 
【００２１】
更に、この密着補助層には、必要に応じて、一般の配線板用樹脂材料に用いられる充填剤、例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマーなどの有機フィラーを一種又は二種以上配合してもよい。
また、更にこの密着補助層には、必要に応じて、着色剤、難燃剤、接着性付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの各種添加剤を、１種又は２種以上添加してもよい。
【００２２】
これらの材料を添加する場合は、いずれも、主成分となる樹脂に対して、０〜２００質量％の範囲で添加されることが好ましく、より好ましくは０〜８０質量％の範囲で添加される。密着補助層と隣接する基材とが、熱や電気に対して同じ若しくは近い物性値を示す場合には、これら添加物は必ずしも添加する必要はない。添加物を、樹脂に対して２００質量％を超える範囲で用いる場合には、樹脂自体が本来有する強度などの特性が低下する懸念がある。
【００２３】
密着補助層には、密着層を形成する際に用いられるめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物との間に、相互作用を形成し得る活性点を発生させる活性種（化合物）が用いられることが好ましい。この活性点を発生させるためには、何らかのエネルギーを付与すればよく、好ましくは、光（紫外線、可視光線、Ｘ線など）、プラズマ（酸素、窒素、二酸化炭素、アルゴンなど）、熱、電気、等が用いられる。更に、酸化性の液体（過マンガン酸カリウム溶液）などによって表面を化学的に分解することで活性点を発生させてもよい。
【００２４】
活性種の例としては、熱重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。具体的には、特開２００７−１５４３０６公報の段落番号〔００４４〕に記載されているものや、特開２００４−１６１９９５公報の段落番号〔００１１〕〜〔０１５８〕に記載の、重合開始能を有する官能基が側鎖にペンダントしてなるポリマー等が挙げられ、ここに代表される公知の重合開始剤を目的に応じて、適宜選択して用いることができる。中でも、光重合を利用することが製造適性の観点から好適であり、このため、光重合開始剤を用いることが好ましい。
また、光重合開始剤は、照射される活性光線に対して活性であり、活性点を発現し得るものであれば、特に制限はなく、例えば、ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤などを用いることができるが、反応性の観点からはラジカル重合開始剤が好ましい。
【００２５】
ここで、密着補助層に含有させる重合開始剤の量は、固形分で０．１質量％〜５０質量％であることが好ましく、１．０質量％〜３０質量％であることがより好ましい。
【００２６】
本発明における密着補助層は、上述のような各成分を溶解可能な溶媒に溶解し、塗布などの方法で絶縁基板表面に付与し、加熱又は光照射により硬膜することで、形成することができる。
特に、密着補助層の形成には、加熱及び／又は光照射を行って硬膜することが好ましい。特に、加熱により乾燥した後、光照射を行って予備硬膜しておくと、重合性化合物を含んでいる場合には、ある程度の硬化が予め行なわれるので、密着補助層上に密着層を固定した後に、密着補助層ごと脱落するといった事態を効果的に抑制し得るため好ましい。
加熱温度と時間は、塗布溶剤が充分乾燥し得る条件を選択すればよいが、製造適正の点からは、温度が１００℃以下、乾燥時間は３０分以内が好ましく、乾燥温度４０〜８０℃、乾燥時間１０分以内の範囲の加熱条件を選択することがより好ましい。
【００２７】
密着補助層は、絶縁基材表面に、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法を適用して形成される。特に、３次元の形状をした被塗布物に塗布し易いといった点から、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いることが好ましい。
密着補助層を塗布にて形成する際に用いる溶媒は、上述のような各成分を溶解し得るものであれば特に制限されない。乾燥の容易性、作業性の観点からは、沸点が高すぎない溶媒が好ましく、具体的には、沸点４０℃〜１５０℃程度のものを選択すればよい。
具体的には、特開２００７−１５４３０６公報の段落番号〔００４５〕に記載されている、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。上記例示溶媒は、単独或いは混合して使用することができる。そして塗布溶液中の固形分の濃度は、２質量％〜５０質量％が適当である。
なお、密着補助層の形成に転写法を適用する場合には、密着層と密着補助層との２層構成を有する転写積層体を作製し、ラミネート法によって一度に絶縁基材の表面に転写してもよい。
【００２８】
本発明における密着補助層の厚みは、一般に、０．１μｍ〜１０μｍの範囲であり、０．２μｍ〜５μｍの範囲であることが好ましい。
【００２９】
＜（ｂ）工程＞
（ｂ）工程では、前記（ａ）工程で形成された密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成する。
まず、本工程で用いられる、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物（特定ポリマー）について説明する。
特定ポリマーは、相互作用性基を有するために、めっき触媒等を効率的に吸着するとともに、重合性基を有することから、隣接する密着補助層と直接化学結合する。
【００３０】
（特定ポリマー）
本発明における特定ポリマー中の相互作用性基としては、極性基（親水性基）や、多座配位を形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などの非解離性官能基（解離によりプロトンを生成しない官能基）が挙げられる。特に、密着層の吸水性、吸湿性を低減するためには、金属イオン吸着能を示す部位としての非解離性官能基を用いることが好ましい。
また、密着層の吸水性、吸湿性を低減するためには、前記極性基（親水性基）や、多座配位を形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などの非解離性官能基（解離によりプロトンを生成しない官能基）を有しつつも、特定ポリマー全体としての性質は疎水性であることが好ましい。
ここで、疎水性化合物とは、水に対する吸水性、膨潤性、濡れ性が低く、例えば、好ましくは、この特定ポリマーを単独で用いて成膜した膜（具体的には、本発明における（ａ）工程から（ｃ）工程を経て得られた膜）が、下記１〜４の条件のいずれかを満たし、より好ましくは、全て満たす化合物である。
条件１：２５℃−５０％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０１〜１０質量％
条件２：２５℃−９５％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０５〜２０質量％
条件３：１００℃煮沸水に１時間浸漬した後の吸水率が０．１〜３０質量％
条件４：２５℃−５０％相対湿度環境下において、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の表面接触角が５０〜１５０度
【００３１】
前記極性基としては、アンモニウム、ホスホニウムなどの正の荷電を有する官能基、若しくは、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスホン酸基などの負の荷電を有するか負の荷電に解離しうる酸性基が挙げられる。これらは解離基の対イオンの形で金属イオンと吸着する。
また、例えば、水酸基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、シアノ基などの非イオン性の極性基も用いることもできる。
その他、イミノ基、１〜２級のアミノ基、アミド基、ウレタン基、水酸基（フェノールも含む）、チオール基などを用いることもできる。
【００３２】
また、前記非解離性官能基としては、具体的には、金属イオンと配位形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などが好ましく、具体的には、イミド基、ピリジン基、３級のアミノ基、アンモニウム基、ピロリドン基、アミジノ基、トリアジン環構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）などの含窒素官能基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基、フォスフィン基などの含リン官能基、塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基、及び不飽和エチレン基等が挙げられる。また、隣接する原子又は原子団との関係により非解離性を示す態様であれば、イミダゾール基、ウレア基、チオウレア基を用いてもよい。
中でも、極性が高く、めっき触媒等への吸着能が高いことから、エーテル基（より具体的には、−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ｎは１〜５の整数）で表される構造）、又はシアノ基が特に好ましく、シアノ基が最も好ましいものとして挙げられる。
【００３３】
一般的に、高極性になるほど吸水率が高くなる傾向であるが、シアノ基は密着層中にて互いに極性を打ち消しあうように相互作用しあうため、膜が緻密になり、且つ、密着層全体としての極性が下がるため、吸水性が低くなる。また、密着層の良溶剤にて触媒を吸着させることで、シアノ基が溶媒和されてシアノ基間の相互作用がなくなり、めっき触媒と相互作用できるようになる。以上のことから、シアノ基を有する密着層は低吸湿でありながら、めっき触媒とはよく相互作用をする、相反する性能を発揮する点で、好ましい。
また、本発明における相互作用性基としては、アルキルシアノ基であることが更に好ましい。これは、芳香族シアノ基は芳香環に電子を吸引されており、めっき触媒等への吸着性として重要な不対電子の供与性が低めになるが、アルキルシアノ基はこの芳香環が結合していないため、めっき触媒等への吸着性の点で好ましい。
【００３４】
本発明において、特定ポリマーは、相互作用性基を有するモノマーを用いて得られるホモポリマーやコポリマーに、重合性基として、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基（重合性基）を導入したポリマーであることが好ましく、この相互作用性基及び重合性基を有するポリマーは、少なくとも主鎖末端又は側鎖に重合性基を有するものであり、側鎖に重合性基を有するものが好ましい。
具体的な合成方法やそれに用いる原料モノマー等、更には、原料モノマーに由来するユニットの含有比の好ましい範囲などについては、国際公開第０８／０５０７１５号パンフレットの段落［０１０７］〜［０１１５］に記載の方法が適用される。
【００３５】
以下、本発明において好適に用いられる相互作用性基及び重合性基を有するポリマーの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３６】
【化１】
2010239057.tif 000002
【００３７】
【化２】
2010239057.tif 000003
【００３８】
【化３】
2010239057.tif 000004
【００３９】
次に、本発明における特定ポリマーとして最も好ましいシアノ基及び重合性基を有するポリマー（以下、適宜、「シアノ基含有重合性ポリマー」と称する。）について説明する。
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーは、疎水性化合物の１つであり、例えば、下記式（１）で表されるユニット、及び、下記式（２）で表されるユニットを含む共重合体であることが好ましい。
【００４０】
【化４】
2010239057.tif 000005
【００４１】
上記式（１）及び式（２）中、Ｒ１〜Ｒ５は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Ｘ、Ｙ及びＺは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、Ｌ１及びＬ２は、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
【００４２】
Ｒ１〜Ｒ５が、置換若しくは無置換のアルキル基である場合、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられ、また、置換アルキル基としては、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
なお、Ｒ１としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシ基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
Ｒ２としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシ基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
Ｒ３としては、水素原子が好ましい。
Ｒ４としては、水素原子が好ましい。
Ｒ５としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシ基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
【００４３】
Ｘ、Ｙ及びＺが、置換若しくは無置換の二価の有機基の場合、該二価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基が挙げられる。
置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、又はこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニル基、若しくは、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたフェニル基が好ましい。
中でも、−（ＣＨ２）ｎ−（ｎは１〜３の整数）が好ましく、更に好ましくは−ＣＨ２−である。
【００４４】
Ｌ１は、ウレタン結合又はウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、ウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、中でも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ１の総炭素数とは、Ｌ１で表される置換若しくは無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ１の構造として、より具体的には、下記式（１−１）、又は、式（１−２）で表される構造であることが好ましい。
【００４５】
【化５】
2010239057.tif 000006
【００４６】
上記式（１−１）及び式（１−２）中、Ｒａ及びＲｂは、夫々独立して、炭素原子、水素原子、及び酸素原子からなる群より選択される２つ以上の原子を用いて形成される２価の有機基であり、好ましくは、置換若しくは無置換の、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、又はブチレン基、エチレンオキシド基、ジエチレンオキシド基、トリエチレンオキシド基、テトラエチレンオキシド基、ジプロピレンオキシド基、トリプロピレンオキシド基、テトラプロピレンオキシド基が挙げられる。
【００４７】
また、Ｌ２は、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、又はこれらを組み合わせた基であることが好ましい。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、更に、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。中でも、Ｌ２は総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ２の総炭素数とは、Ｌ２で表される置換若しくは無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、及びこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
【００４８】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーとしては、前記式（１）で表されるユニットが、下記式（３）で表されるユニットであることが好ましい。
【００４９】
【化６】
2010239057.tif 000007
【００５０】
上記式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しく無置換のアルキル基を表し、Ｚは、単結合、置換若しくは無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、Ｗは、酸素原子、又はＮＲ（Ｒは、水素原子、又はアルキル基を表し、好ましくは、水素原子、又は炭素数１〜５の無置換のアルキル基である。）を表し、Ｌ１は、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
【００５１】
式（３）におけるＲ１及びＲ２は、前記式（１）におけるＲ１及びＲ２と同義であり、好ましい例も同様である。
【００５２】
式（３）におけるＺは、前記式（１）におけるＺと同義であり、好ましい例も同様である。
また、式（３）におけるＬ１も、前記式（１）におけるＬ１と同義であり、好ましい例も同様である。
【００５３】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーとしては、前記式（３）で表されるユニットが、下記式（４）で表されるユニットであることが好ましい。
【００５４】
【化７】
2010239057.tif 000008
【００５５】
式（４）中、Ｒ１及びＲ２は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しく無置換のアルキル基を表し、Ｖ及びＷは、夫々独立して、酸素原子、又はＮＲ（Ｒは、水素原子、又はアルキル基を表し、好ましくは、水素原子、又は炭素数１〜５の無置換のアルキル基である。）を表し、Ｌ１は、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
【００５６】
式（４）におけるＲ１及びＲ２は、前記式（１）におけるＲ１及びＲ２と同義であり、好ましい例も同様である。
【００５７】
式（４）におけるＬ１は、前記式（１）におけるＬ１と同義であり、好ましい例も同様である。
【００５８】
前記式（３）及び式（４）において、Ｗは、酸素原子であることが好ましい。
また、前記式（３）及び式（４）において、Ｌ１は、無置換のアルキレン基、或いは、ウレタン結合又はウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、ウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、これら中でも、総炭素数１〜９であるものが特に好ましい。
【００５９】
また、本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーとしては、前記式（２）で表されるユニットが、下記式（５）で表されるユニットであることが好ましい。
【００６０】
【化８】
2010239057.tif 000009
【００６１】
上記式（５）中、Ｒ５は、水素原子、又は置換若しく無置換のアルキル基を表し、Ｕは、酸素原子、又はＮＲ’（Ｒ’は、水素原子、又はアルキル基を表し、好ましくは、水素原子、又は炭素数１〜５の無置換のアルキル基である。）を表し、Ｌ２は、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
【００６２】
式（５）におけるＲ５は、前記式（１）におけるＲ１及びＲ２と同義であり、水素原子であることが好ましい。
【００６３】
また、式（５）におけるＬ２は、前記式（２）におけるＬ２と同義であり、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、又はこれらを組み合わせた基であることが好ましい。
特に、式（５）においては、Ｌ２中のシアノ基との連結部位が、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、この二価の有機基が総炭素数１〜１０であることが好ましい。
また、別の好ましい態様としては、式（５）におけるＬ２中のシアノ基との連結部位が、芳香族基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、該二価の有機基が、総炭素数６〜１５であることが好ましい。
【００６４】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーは、前記式（１）〜式（５）で表されるユニットを含んで構成されるものであり、重合性基とシアノ基とを側鎖に有するポリマーである。
このシアノ基含有重合性ポリマーは、例えば、以下のように合成することができる。
【００６５】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーを合成する際の重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合が挙げられる。反応制御の観点から、ラジカル重合、カチオン重合を用いることが好ましい。
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーは、１）ポリマー主鎖を形成する重合形態と側鎖に導入される重合性基の重合形態とが異なる場合と、２）ポリマー主鎖を形成する重合形態と側鎖に導入される重合性基の重合形態とが同一の場合と、で、その合成方法が異なる。
１）ポリマー主鎖を形成する重合形態と側鎖に導入される重合性基の重合形態が異なる場合、１−１）ポリマー主鎖形成がカチオン重合で行われ、側鎖に導入される重合性基の重合形態がラジカル重合である態様と、１−２）ポリマー主鎖形成がラジカル重合で行われ、側鎖に導入される重合性基の重合形態がカチオン重合である態様と、がある。
また、２）ポリマー主鎖を形成する重合形態と側鎖に導入される重合性基の重合形態とが同一の場合は、２−１）両者がカチオン重合の態様と、２−２）両者がラジカル重合である態様と、がある。
具体的な合成方法については、国際公開第０８／０５０７１５号パンフレットの段落［０１９６］〜［０２４３］に記載の方法が適用される。
【００６６】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーの重量平均分子量は、１０００以上７０万以下が好ましく、更に好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーの重量平均分子量は、２００００以上であることが好ましい。
また、本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーの重合度としては、１０量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは２０量体以上のものである。また、７０００量体以下が好ましく、３０００量体以下がより好ましく、２０００量体以下が更に好ましく、１０００量体以下が特に好ましい。
ここに記載されている分子量及び重合度の好ましい範囲は、本発明において用いられるシアノ基含有重合性ポリマー以外の特定ポリマーに関しても好適な範囲である。
【００６７】
本発明におけるシアノ基含有重合性ポリマーの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
なお、これらの具体例の重量平均分子量は、いずれも、３０００〜１０００００の範囲である。
【００６８】
【化９】
2010239057.tif 000010
【００６９】
【化１０】
2010239057.tif 000011
【００７０】
【化１１】
2010239057.tif 000012
【００７１】
【化１２】
2010239057.tif 000013
【００７２】
【化１３】
2010239057.tif 000014
【００７３】
【化１４】
2010239057.tif 000015
【００７４】
【化１５】
2010239057.tif 000016
【００７５】
【化１６】
2010239057.tif 000017
【００７６】
前述のように、本発明における密着層を形成するためには、特定ポリマーを含有する液状組成物を用いることが好ましい。
上記組成物に使用する溶剤は、組成物の主成分である、特定ポリマーが溶解可能ならば特に制限はない。
使用できる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンの如きケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンの如きアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルの如きニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルの如きエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートの如きカーボネート系溶剤などが挙げられる。
この中でも、シアノ基含有重合性ポリマーを用いた組成物とする場合には、アミド系、ケトン系、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネートが好ましい。
また、シアノ基含有重合性ポリマーを含有する組成物を塗布する場合は、取り扱い安さから沸点が５０℃〜１５０℃の溶剤が好ましい。なお、これらの溶剤は単一で使用してもよいし、混合して使用してもよい。
【００７７】
特定ポリマーを含有する液状組成物には、界面活性剤、可塑剤、重合禁止剤、重合開始層の硬化を進めるための硬化剤及び／又は硬化促進剤、更には、ゴム成分（例えば、ＣＴＢＮ）、難燃化剤（例えば、りん系難燃化剤）、希釈剤やチキソトロピー化剤、顔料、消泡剤、レべリング剤、カップリング剤などを添加してもよい。
これらの添加剤については、国際公開第０８／０５０７１５号パンフレットの段落［０１２５］〜［０１３０］に記載のものが適用される。
【００７８】
本工程において、特定ポリマーを含有する液状組成物は、任意の方法で密着補助層の表面に付与すればよいが、特に、３次元の形状をした被塗布物に塗布し易いといった点から、ディップ塗布、スプレー塗布、及びインクジェット塗布のいずれか１の方法を用いることが好ましい。
上記のような塗布法を用いる場合、その塗布量は、めっき触媒又はその前駆体との充分な相互作用性、及び、均一な塗布膜とを得る観点からは、固形分換算で０．１ｇ／ｍ２〜１０ｇ／ｍ２が好ましく、特に０．５ｇ／ｍ２〜５ｇ／ｍ２が好ましい。
なお、（ｂ）工程においては、特定ポリマーを含有する液状組成物を密着補助層の表面に付与した後、乾燥させて、液状組成物中の溶剤を除去してもよい。
【００７９】
＜（ｃ）工程＞
（ｃ）工程では、前記（ｂ）工程で形成された密着層にエネルギーを付与して、該密着層を前記密着補助層に固定する。
本工程では、前記（ｂ）工程で形成された密着層にエネルギーを付与することで、密着補助層の表面に発生する活性点と特定ポリマーの重合性基とが反応し、また、特定ポリマー間の重合性基が反応することで、密着層が密着補助層に固定される。
【００８０】
（エネルギーの付与）
エネルギー付与には、例えば、露光等の輻射線照射や加熱を用いることができる。特に、密着補助層の活性種を発生させうるエネルギーを用いることが好ましい。
また、エネルギーの付与をパターン状に行うこともできる。パターン状にエネルギーを付与することで、そのエネルギーの付与された領域にのみ、密着補助層に固定した密着層が形成される。
【００８１】
本発明では、例えば、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射が可能である。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
また、熱記録ヘッド等により直接パターン状に加熱する方法、紫外線レーザー、赤外線レーザーによる走査露光などの方法が挙げられ、更には、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光や赤外線ランプ露光なども好適な方法として挙げられる。
エネルギー付与に要する時間としては、目的とする密着層の硬化性、及び光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。
【００８２】
なお、エネルギーの付与を露光にて行う場合、その露光パワーは、グラフト重合を容易に進行させるため、また、生成されたグラフトポリマーの分解を抑制するため、１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であることが好ましく、より好ましくは、５０ｍＪ／ｃｍ２〜３０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。
また、特定ポリマーとして、平均分子量２万以上、重合度２００量体以上のポリマーを使用すると、低エネルギーの露光で反応が容易に進行するため、固定された後の密着層の分解を更に抑制することができる。
【００８３】
本発明においては、エネルギーの付与をレーザー露光、特に、紫外線レーザーを用いた露光にて行うことが好ましい。特に、パターン状のエネルギー付与を紫外線レーザーにより行うことが好ましい。
具体的には、密着層に対し、波長が２５６ｎｍの紫外線レーザーを用いて照射スポットが１０００ｍＪとなるようにスキャン時間を調節して、最終的に得たい分離独立した回路パターンの部分を通電ブリッジ部によって接続し、連続した回路パターンとなる部分に、レーザーを照射する。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、密着層とレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分にレーザーの照射が行われるようにする。レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量をレンズの焦点距離又は密着層までの距離を調節して、密着層の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に密着層を一致させて細いビームを作ることによって描画する。
【００８４】
形成された密着層が、例えば、ｐＨ１２のアルカリ性溶液に添加し、１時間攪拌したときの重合性基部位の分解が５０％以下である場合は、未硬化の特定ポリマーを除去するために、高アルカリ性溶液による洗浄を行うことができる。
【００８５】
本工程において、前述のように、前記（ｂ）工程で形成された密着層にパターン状にエネルギーを付与する場合には、エネルギーの非付与領域（非回路部に相当）の密着層を現像する必要がでてくる。また、後述する（ｇ１）工程のように、密着補助層をレーザーを用いて部分的に除去した場合にも、その後の本工程（（ｃ）工程）において、密着補助層が除去された領域に付与された密着層の現像が必要となる。
そのため、本発明においては、製造工程の簡易化の観点から、上記のような態様ではなく、密着層の現像処理が不要な態様を選択することが好ましい。
【００８６】
＜（ｄ）工程＞
（ｄ）工程では、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層に、めっき触媒又はその前駆体を付与する。本工程においては、密着層を構成するポリマーが有する相互作用性基（好ましくは、シアノ基）が、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、又は、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、付与されためっき触媒又はその前駆体を付着（吸着）する。
ここで、めっき触媒又はその前駆体としては、後述する（ｅ）工程における無電解めっきの触媒として機能するものが挙げられる。つまり、本工程で用いられるめっき触媒又はその前駆体は、無電解めっき触媒又はその前駆体である。
【００８７】
（無電解めっき触媒）
本発明において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、ものであり、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられ、具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数、触媒能の高さから、Ｐｄが特に好ましい。
この無電解めっき触媒は、金属コロイドとして用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができる。
【００８８】
（無電解めっき触媒前駆体）
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、樹脂組成物層へ付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
【００８９】
実際には、無電解めっき前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて樹脂組成物層上に付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ（ＮＯ３）ｎ、ＭＣｌｎ、Ｍ２／ｎ（ＳＯ４）、Ｍ３／ｎ（ＰＯ４）、Ｍ（ＯＡｃ）ｎ（Ｍは、ｎ価の金属原子、Ａｃはアセチル基を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数、及び触媒能の点で、Ｐｄイオンが好ましい。
【００９０】
また、前記（ｂ）工程において、特定ポリマーを含有する組成物を密着補助層に接触させるが、この組成物中に、無電解めっき触媒又はその前駆体を添加する方法を用いてもよい。特定ポリマーと、無電解めっき触媒又はその前駆体と、を含有する組成物を、密着補助層に接触させて、その後、前記（ｃ）工程を行うことで、相互作用性基を有し、且つ、密着補助層と直接化学結合したポリマーと、めっき触媒又はその前駆体と、を含有する密着層を形成することができる。なお、この方法を用いれば、本発明における（ｂ）工程と（ｄ）工程とが同時に行えることになる。
【００９１】
（めっき触媒液）
めっき触媒又はその前駆体を、密着層表面に付与する場合、めっき触媒又はその前駆体を含有するめっき触媒液を用いることが好ましい。
めっき触媒液には、有機溶剤を含有することができる。この有機溶剤を含有することで、密着層に対するめっき触媒又はその前駆体の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒又はその前駆体を吸着させることができる。
めっき触媒液の調製に用いられる有機溶剤としては、密着層に浸透しうる溶剤であれば特に制限は無いが、めっき触媒液の主たる溶媒（分散媒）として一般に水が用いられることから、下記に示す水溶性有機溶剤、即ち、水と任意の比率で均一に溶解しうる有機溶剤であることが好ましい。但し、一般的に「非水性」の有機溶剤であっても、水を主成分とする限りは後述する溶剤の含有量範囲で溶解する場合は、水溶性の有機溶剤だけに限定されず、「非水性」の有機溶剤も使用することができる。
【００９２】
−水溶性の有機溶剤−
本発明におけるめっき触媒液に使用される水溶性有機溶剤としては、水と任意の割合で混合することができる有機溶剤であれば、特に限定されない。例えば、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、アミン系溶媒、チオール系溶媒、ハロゲン系溶媒などの水溶性有機溶媒が挙げられる。
【００９３】
ケトン系溶媒としては、アセトン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、γ−ブチロラクトン、ヒドロキシアセトンなどが挙げられる。
エステル系溶媒としては、酢酸エチル、酢酸２−(２−エトキシエトキシ)エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセテート、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、グリコール酸メチル、グリコール酸エチルなどが挙げられる。
アルコール系溶媒としては、エタノール、イソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、３−アセチル−１−プロパノール、２−(アリルオキシ)エタノール、２−アミノエタノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、(±)−２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、２−ジメチルアミノエタノール、２,３−エポキシ−１−プロパノール、エチレングリコール、２−フルオロエタノール、ジアセトンアルコール、２−メチルシクロヘキサノール、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、グリセリン、２,２',２”−ニトリロトリエタノール、２−ピリジンメタノール、２,２,３,３−テトラフルオロ−１−プロパノール、２−(２−アミノエトキシ)エタノール、２−[２−(ベンジルオキシ)エトキシ]エタノール、２,３−ブタンジオール、２−ブトキシエタノール、２,２'−チオジエタノール、１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、２−メチル−２,４−ペンタンジオール、１,３−プロパンジオール、ジグリセリン、２,２'−メチルイミノジエタノール、１,２−ペンタンジオールなどが挙げられる。
【００９４】
エーテル系溶媒としては、ビス(２−エトキシエチル)エーテル、ビス[２−(２−ヒドロキシエトキシ)エチル]エーテル、１、２−ビス(２−メトキシエトキシ)エタン、ビス[２−(２−メトキシエトキシ)エチル]エーテル、ビス(２−メトキシエチル)エーテル、２−(２−ブトキシエトキシ)エタノール、２−[２−(２−クロロエトキシ)エトキシ]エタノール、２−エトキシエタノール、２−(２−エトキシエトキシ)エタノール、２−イソブトキシエタノール、２−(２−イソブトキシエトキシ)エタノール、２−イソプロポキシエタノール、２−[２−(２−メトキシエトキシ)エトキシ]エタノール、２−(２−メトキシエトキシ)エタノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸、２−メトキシエタノールなどが挙げられる。
グリコール系溶媒としては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどが挙げられる。
アミン系溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド
などが挙げられる。
チオール系溶媒としては、メルカプト酢酸、２−メルカプトエタノールなどが挙げられる。
ハロゲン系溶媒としては、３−ブロモベンジルアルコール、２−クロロエタノール、３−クロロ−１,２−プロパンジオールなどが挙げられる。
【００９５】
その他、水溶性有機溶媒として、以下の表１に挙げられる溶剤も使用することができる。
【００９６】
【表１】
2010239057.tif 000018
【００９７】
本発明におけるめっき触媒液中の水溶性有機溶剤の含有量は、後述する密着層への浸透性などの観点から、めっき触媒液全量に対して、０．１質量％〜４０質量％が好ましく、５質量％〜４０質量％がより好ましい。
【００９８】
触媒金属による酸化懸念の観点より、アルコールが含まれないことが、めっき触媒液としての液保存性の観点で好ましく、そのため、本発明における水溶性有機溶剤として好ましくは、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が挙げられる。具体的には、アセトン、ジメチルカーボネート、エチレングリコールジメチルエーテル、酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチル、１−アセトキシ−２−メトキシエタン、ビス（２−エトキシエチル）エーテル（別称：ジエチレングリコールジエチルエーテル）、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エーテル、ビス（２−メトキシエチル）エーテル（別称：ジエチレングリコールジメチルエーテル）などが好ましい。
【００９９】
めっき触媒液には、めっき触媒又はその前駆体に加え、本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。
他の添加剤としては、以下に示すものが挙げられる。
即ち、例えば、酸（塩酸、硝酸などの無機酸、酢酸、クエン酸などの有機酸）膨潤剤（ケトン、アルデヒド、エーテル、エステル類等の有機化合物など）や、界面活性剤（アニオン性、カチオン性、双性、ノニオン性および低分子性または高分子性など）などが挙げられる。
【０１００】
密着層中の相互作用性基との相互作用形成を充分に行なわせるという観点からは、めっき触媒液中の金属濃度、又は溶液中の金属イオン濃度は、０．００１質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０．００５質量％〜３０質量％の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。
【０１０１】
＜（ｅ）工程＞
（ｅ）工程では、前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する。
本工程で行う無電解めっきについて説明する。
【０１０２】
（無電解めっき）
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行なう。使用される無電解めっき浴としては一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が密着層に吸着又は含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬される。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体（主に金属イオン）を０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、０．１質量％〜５０質量％、好ましくは１質量％〜３０質量％がよい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ヂメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
【０１０３】
一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
【０１０４】
このめっき浴に用いられる有機溶剤の種類の選択や、その含有量は、密着層に対する親和性に応じて適宜決定すればよい。例えば、密着層が疎水性化合物である特定ポリマーを用いてなるものであれば、疎水性の密着層となるため、この疎水性の密着層に対して親和性の高い有機溶剤を用いることが好ましい。
【０１０５】
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。例えば、銅の無電解めっきの浴は、銅塩としてＣｕＳＯ４、還元剤としてＨＣＨＯ、添加剤として銅イオンの安定剤であるＥＤＴＡやロッシェル塩などのキレート剤、トリアルカノールアミンなどが含まれている。また、ＣｏＮｉＰの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして（Ｐｄ（ＮＨ３）４）Ｃｌ２、還元剤としてＮＨ３、Ｈ２ＮＮＨ２、安定化剤としてＥＤＴＡが含まれている。これらのめっき浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。
【０１０６】
このようにして形成される無電解めっきによるめっき膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、或いは、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．２μｍ〜２．０μｍであることが好ましく、０．３μｍ〜１．５μｍであることがより好ましく、０．５μｍ〜１．０μｍであることが更に好ましい。
また、無電解めっき触媒又はその前駆体が付与された基板の、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。
【０１０７】
以上のようにして得られた無電解めっきによるめっき膜は、ＳＥＭによる断面観察により、密着層中に無電解めっき触媒やめっき金属からなる微粒子がぎっしりと分散しており、更に密着層上にめっき金属が析出していることが確認された。密着層とめっき膜との界面は、ポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基板（有機成分）と無機物（触媒金属又はめっき金属）との界面が平滑（例えば、凹凸差が５００ｎｍ以下）であっても、密着性が良好となる。
【０１０８】
＜（ｆ）工程＞
（ｆ）工程では、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜を用いて、電気めっきを行う。
本工程で行われる電気めっきについて説明する。
【０１０９】
（電気めっき）
本工程おいては、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜を電極として、電気めっきを行う。
この電気めっきにより、任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。
【０１１０】
本発明における電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、本工程の電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
【０１１１】
また、電気めっきにより得られる金属膜の膜厚については、回路基板の用途に応じて異なるものであり、めっき浴中に含まれる金属濃度、或いは、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。なお、一般的な電気配線などに用いる場合の膜厚は、導電性の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。
【０１１２】
本発明において、前述のめっき触媒又はその前駆体に由来する金属や金属塩、及び／又は、無電解めっきにより、密着層中に析出した金属が、該層中でフラクタル状の微細構造体として形成されていることによって、金属膜と密着層との密着性を更に向上させることができる。
密着層中に存在する金属量は、基板断面を金属顕微鏡にて写真撮影したとき、密着層の最表面から深さ０．５μｍまでの領域に占める金属の割合が５〜５０面積％であり、密着層と金属界面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ０６３３−２００１）が０．０５μｍ〜０．５μｍである場合に、更に強い密着力が発現される。
【０１１３】
＜（ｇ）工程＞
（ｇ）工程では、前記（ａ）工程で形成された密着補助層、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層、前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層、及び、前記（ｅ）工程で形成された金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する。
つまり、本工程では、（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）工程後の、密着補助層、密着層、又は金属薄膜のいずれかをレーザーを用いて部分的に除去する。
このように、非回路部をレーザーにて除去することで、回路間の残渣を低減することができる。
なお、本工程は、回路基板を作製する上で、後述する（ｇ１）〜（ｇ５）工程のうち２つ以上の工程を併用し、回路間の残渣を更に低減させることも可能である。
【０１１４】
本工程において、レーザーにて除去される箇所は非回路部に対応した領域であるが、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の全ての領域であることが好ましい。連続した回路パターンを残すことで、（ｆ）工程における電気めっきをより簡易に行うことができる。
【０１１５】
本工程において、（ａ）工程で形成された密着補助層における非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する場合（以下、適宜、（ｇ１）工程と称する。）には、以下のようにすればよい。
即ち、（ｇ１）工程では、（ａ）工程後（ｂ）工程前に、絶縁基板の表面に形成された密着補助層に対し、レーザーを照射する。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、密着補助層が形成された基板とレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分全面（例えば、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の全ての領域）にレーザーの照射が行われるようにする。
レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着補助層までの距離にて調節して、密着補助層の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に密着補助層を一致させて細いビームを作ることによって描画する。
レーザーのパワーは０．１Ｊ／ｃｍ２〜１．０Ｊ／ｃｍ２となるように操作速度又はレーザー発振強度を調節するとよい。
このように処理することによって、レーザー照射部は密着補助層の大部分が除去された状態になる。
更に、レーザーの照射後、この密着補助層が形成された基板を、エタノール、アセトン、トルエン、又はメチルエチルケトン等の有機溶剤を用いて洗浄することによって、上記のレーザー照射部に僅かに残っている密着補助層は、レーザー照射によって変質した絶縁基板の表面部と共に除去される。この時、超音波洗浄を併用するとより一層効果がある。また、溶剤をしみ込ませた不織布によって拭き取ってもよい。
【０１１６】
本工程において、（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層における非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する場合（以下、適宜、（ｇ２）工程と称する。）には、以下のようにすればよい。
即ち、（ｇ２）工程では、（ｃ）工程後（ｄ）工程前に、密着補助層に固定した密着層に対し、レーザーを照射する。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、密着層が形成された基板とレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分全面（例えば、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の全ての領域）にレーザーの照射が行われるようにする。
レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着層までの距離にて調節して、密着層の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に密着層を一致させて細いビームを作ることによって描画する。
レーザーのパワーは０．１Ｊ／ｃｍ２〜１．０Ｊ／ｃｍ２となるように操作速度又はレーザー発振強度を調節するとよい。
このように処理することによって、レーザー照射部は密着層の大部分が除去された状態になる。また、密着層を除去する際に、その下層である密着補助層も合わせて除去してもよい。その際には、レーザーのパワーを上記の範囲よりも更に上げて操作すればよい。
更に、レーザーの照射後、この密着層が形成された基板を、エタノール、アセトン、トルエン、又はメチルエチルケトン等の有機溶剤を用いて洗浄することによって、上記のレーザー照射部に僅かに残っている密着層は、レーザー照射によって変質した密着補助層の表面部と共に除去される。この時、超音波洗浄を併用するとより一層効果がある。また、溶剤をしみ込ませた不織布によって拭き取ってもよい。
【０１１７】
本工程において、（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層における非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する場合（以下、適宜、（ｇ３）工程と称する。）には、以下のようにすればよい。
即ち、（ｇ３）工程では、（ｄ）工程後（ｅ）工程前に、めっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に対し、レーザーを照射する。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、密着層が形成された基板とレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分全面（例えば、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の全ての領域）にレーザーの照射が行われるようにする。
レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着層までの距離にて調節して、密着層の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に密着層を一致させて細いビームを作ることによって描画する。
レーザーのパワーは０．１Ｊ／ｃｍ２〜１．０Ｊ／ｃｍ２となるように操作速度又はレーザー発振強度を調節するとよい。
このように処理することによって、レーザー照射部はめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層の大部分が除去された状態になる。また、めっき触媒又はその前駆体が付与された密着層を除去する際に、その下層である密着補助層も合わせて除去してもよい。その際には、レーザーのパワーを上記の範囲よりも更に上げて操作すればよい。
更に、レーザーの照射後、この密着層が形成された基板を、エタノール、アセトン、トルエン、又はメチルエチルケトン等の有機溶剤を用いて洗浄することによって、上記のレーザー照射部に僅かに残っている密着層は、レーザー照射によって変質した密着補助層の表面部と共に除去される。この時、超音波洗浄を併用するとより一層効果がある。また、溶剤をしみ込ませた不織布によって拭き取ってもよい。
【０１１８】
本工程において、（ｅ）工程で形成された金属薄膜における非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する場合（以下、適宜、（ｇ４）工程と称する。）には、以下のようにすればよい。
即ち、（ｇ４）工程では、（ｅ）工程後（ｆ）工程前に、金属薄膜に対し、レーザーを照射する。このときのレーザー照射には、ＹＡＧレーザー等を用いることができ、該レーザーを用い、必要な部分全面（例えば、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の全ての領域）にレーザーの照射が行われるようにする。レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は金属薄膜（密着層）までの距離にて調節して、金属薄膜（密着層）の表面のビーム径を調節することによって行う。なお、太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に金属薄膜（密着層）を一致させて細いビームを作ることによって描画する。また、レーザーの照射エネルギーは１０μＪ／ｐｕｌｓｅ〜３００μＪ／ｐｕｌｓｅとすることが好ましい。
このように処理することによって、レーザー照射部は金属薄膜の大部分が除去された状態になる。なお、密着層の表面部を薄く金属薄膜と共に除去するように、レーザーの照射条件を設定すれば、金属薄膜の除去をより確実に行うことができる。また、金属薄膜を除去する際に、その下層である密着層や密着補助層も合わせて除去してもよい。その際には、レーザーの照射エネルギーを上記の範囲よりも更に上げて操作すればよい。
更に、レーザーの照射後、この金属薄膜が形成された基板を、エタノールを用いて洗浄することによって、上記のレーザー照射部に僅かに残っている金属薄膜は、レーザー照射によって変質した密着層の表面部と共に除去される。この時、超音波洗浄を併用するとより一層効果がある。
【０１１９】
（ｅ）工程で形成された金属薄膜における非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する態様の１つのとして、以下に示す態様（以下、適宜、（ｇ５）工程と称する。）がある。
即ち、（ｇ５）工程は、（ｅ）工程で形成された金属薄膜が既にパターン状である場合に、このパターン状の金属薄膜を、更に、レーザーの照射により部分的に除去する工程である。
【０１２０】
ここで、パターニングされた金属薄膜とは、以下のようにして得られたものが挙げられる。
即ち、（１）密着層をパターン状に形成し、この密着層に対して前記（ｄ）及び前記（ｅ）工程を行うことで、パターン状に金属薄膜が形成されたもの、（２）（ｅ）工程で基板の全面に形成された金属薄膜をパターン状にしたもの、が挙げられる。
上記（１）の場合、パターン状の密着層は、（１−１）前記（ｃ）工程においてエネルギーの付与をパターン状に行うこと、（１−２）本工程（（ｇ）工程）にて、前記（ａ）工程で形成された密着補助層をレーザーの照射により部分的に除去し、その後、前記（ｃ）工程にて密着層を形成すること、（１−３）本工程（（ｇ）工程）にて、前記（ｃ）工程で密着補助層に固定した密着層、及び前記（ｄ）工程でめっき触媒又はその前駆体が付与された密着層のいずれかをレーザーの照射により部分的に除去すること、で形成される。
また、（２）の場合、パターン状の金属薄膜は、本工程（（ｇ）工程）にて、（ｅ）工程で形成された金属薄膜をレーザーの照射により部分的に除去すること、（ｅ）工程で形成された金属薄膜をレジストを用いてパターニングすること、で形成される。
ここで、（ｅ）工程で形成された金属薄膜をレジストを用いてパターニングする方法としては、後述する（ｆ’）工程のような方法を用いればよい。
このように、本工程（（ｇ）工程）は、回路基板を作製する上で、２種類の態様を併用してもよい。
【０１２１】
この（ｇ５）工程として、具体的には、以下の方法が挙げられる。
例えば、上記の各種方法により、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンとなっている金属薄膜（パターニングされた金属薄膜）を形成し、この回路パターンとなっている金属薄膜の通電ブリッジ部のみを、レーザーの照射により部分的に除去する（（ｇ５）工程）する方法である。
【０１２２】
また、本工程において、（ｅ）工程で形成された金属薄膜に対してレーザー照射を行う場合、レーザー照射と洗浄とを行った後に、更に、レーザー照射部に露出した密着層中に付着しているめっき触媒又はその前駆体に由来する金属を完全に除去する処理を行ってもよい。
この処理を行うことで、このレーザー照射部に金属が残らず、回路間の良好な絶縁信頼性が得られると共に、（ｆ）工程において活性の高い電気めっき液を用いても、非回路部に金属膜が析出することもなく、精度のよい回路基板を効率よく形成することができる。
この処理として具体的には、硫酸や硝酸などの酸性の液や、それらの酸性な液を用いた市販のエッチング液などに浸漬したり、これらの液によるシャワーによって洗い流したりする方法が挙げられる。
また、（ｅ）工程で形成された金属薄膜に対してレーザー照射の際の照射エネルギーを５Ｊ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２とし、めっき触媒又はその前駆体を含む密着層を除去するようにしてもよい。このようにすることによって、密着層の深い凹部に入っているめっき触媒又はその前駆体も完全に除去することができ、回路間の絶縁信頼性が向上すると共に、精度のよい回路を得ることができる。
【０１２３】
本工程においてレーザーにて除去される箇所は、連続した回路パターン輪郭線の外周部を含む比較的狭い部分にのみ行うこともできる。このようにした場合、（ｆ）工程における電気めっきは、連続した回路パターンに相当する金属薄膜にのみ通電するようにし、この部分にのみ、（ｆ）工程において電気めっきによる金属膜を積み上げ、回路の厚みを厚くすればよい。
なお、この方法を採用する場合、連続した回路パターン以外の領域に残存する金属薄膜は、連続した回路パターンを構成する通電ブリッジ部と共に、後述する（ｆ’）工程に記載の方法と同様にして除去することができる。その結果、分離独立した回路が得られる。
このような態様を採用することで、レーザーの照射面積が少なくなるため、（ｇ）工程を短時間で完了することができ、効率的に回路基板を形成することができる。
【０１２４】
また、レーザー照射後の洗浄には、上述のように、有機溶剤による方法の他、以下のような種々の方法を用いることができる。
例えば、１つ目の方法として、プラズマ洗浄が挙げられる。例えば、レーザー照射後の基板を真空チャンバー内の放電用電極に載せ、アース電極との間に１３．５６ＭＨｚの高周波を０．５Ｗ／ｃｍ２〜５Ｗ／ｃｍ２加えてプラズマを発生させ、このプラズマによって洗浄するものである。また、真空チャンバー内には、水素ガス及びアルゴンガスが１０パスカル〜５０パスカルに減圧されて導入されていることが好ましい。
【０１２５】
２つ目の方法としては、紫外線洗浄が挙げられる。レーザー照射後の基板を、上部に紫外線透過ガラスを有するチャンバーに置き、この基板に対し、水銀ランプ（又はキセノンランプ）より発生する紫外線を照射する。また、チャンバー内には、オゾンを３％〜７０％含む窒素ガス等が導入されていることが好ましく、オゾンの結合及び炭素の結合に相当する波長１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線を照射することによって、洗浄を行うものである。
【０１２６】
その他、ウォータージェットのノズルを操作し、レーザー照射部に当てて、強度１ｋｇｆ／ｃｍ２〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２で洗浄を行ってもよい。このとき微細な砥粒としてシリカ又はアルミナ等の粉末を含む懸濁液を用いると効果的である。また、ウォータージェットのノズルを走査し、全面に洗浄をおこなってもよいが、強度を２ｋｇｆ／ｃｍ２〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２と弱くする必要がある。
また、レーザー照射後の基板に対し、更に、エキシマレーザー又は紫外線レーザーを用いて０．１Ｊ／ｃｍ２〜１Ｊ／ｃｍ２のエネルギーで照射を行い、洗浄を行うことも可能である。この場合、２回目のレーザー照射は、１回目のレーザー照射部のみに行ってもよいし、全面に行ってもよい。
【０１２７】
＜（ｆ’）工程＞
前述のように、本工程では、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターン以外の箇所をレーザーで除去することが好ましい。
そのため、（ｆ）工程では、通電ブリッジ部を含む連続した回路パターンとなった金属薄膜に電気めっきを行うことになるが、分離独立した回路を得るためには、更に、連続した回路パターンとなった金属薄膜から、通電ブリッジ部を除去する工程（（ｆ’）工程）を含むことが好ましい。
通電ブリッジ部の除去する工程（（ｆ’）工程）としては、以下の方法が挙げられる。
即ち、まず、（ｆ）工程における電気めっきの前に、分離独立した回路を接続して連続した回路パターンとしている通電ブリッジ部に、レジストを塗布する。このレジストの塗布は、インクジェット方式によって行えば、必要カ所にうまくレジストを塗布することができる。また、レジストを全面に塗布した後、レーザー等を用いてパターニングしてもよい。
次に、この連続した回路パターンに（ｆ）工程にて電気めっきを行い、電気めっきによる金属膜を無電解めっきによる金属薄膜上に積み上げ、分離独立した回路に相当する領域の金属膜の厚みを厚くする。
その後、この通電ブリッジ部上のレジストをレジスト剥離液によって除去する。続いて、エッチング液に、電気めっき後の基板を浸漬する等して処理するか、前述の（ｇ５）工程のようにレーザーの照射を行うことで、通電ブリッジ部の無電解めっきによる金属薄膜を除去する。
以上の工程を経ることで、絶縁基板上には、分離独立した回路が形成される。
【０１２８】
上述のような工程において、エッチング液に電気めっき後の基板を浸漬した際には、通電ブリッジ部の金属薄膜だけでなく、分離独立した回路に相当する領域の金属膜（無電解めっきによる金属薄膜＋電気めっきによる金属膜）の側面も同時に同じ量エッチングされるが、通電ブリッジ部の金属薄膜を薄く形成してあるので、回路厚み及び回路幅にはほとんど影響がないものである。
また、このエッチング液としては、極めて薄い通電ブリッジ部の金属薄膜をエッチングするのみであるので、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチングスピードの遅い液を用いて簡単に行うことができる。
【０１２９】
なお、レジストは、通電ブリッジ部のみでなく連続した回路パターンの一部にも形成し、通電ブリッジ部のレジストだけを剥離してエッチングすることもできる。このようにすれば、薄膜と厚膜の混成した分離独立した回路を形成することができる。この際には、２種類の溶解性の異なるレジストを使用すればよく、このような２種類のレジストを使用することで、通電ブリッジ部のレジストのみを剥離することが容易となる。
【０１３０】
以上のように、本発明のように（ａ）〜（ｇ）工程を経ることで、先ず厚みの薄い無電解めっきによる金属薄膜からなる連続した回路パターンを、従来のように複雑な工程のフォトレジストを使用することなく形成することができる。そして、（ｆ’）工程のように、分離独立した回路パターンとなる部分にのみ電気めっきを行い、回路の厚みを厚くし、また、分離独立した回路を接続している通電ブリッジ部の金属薄膜を薄いままとすることで、極めて弱くエッチッグするだけで通電ブリッジ部の金属薄膜が容易に除去することができる。更に、電気めっきは析出スピードが速いので、回路厚みを厚くすることは容易であり、効率的に回路を形成できる。
【実施例】
【０１３１】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「％」「部」は質量基準である。
【０１３２】
〔実施例１〕
［密着補助層の形成］
絶縁基板として、液晶ポリマー（商品名  ベクトラ、ポリプラスチックス（株）製）を用いて射出成形し、３次元立体的な成型品を作成した。次いで、これを脱脂し、１０ＮＫＯＨ水溶液にてその表面の全面を表面処理した後、ＨＣＬ水溶液にて中和した。
続いて、この基板に、密着補助層をその表面に形成するために、後述する密着補助層形成用の塗布液のスプレーコートを行った。この後、１８０℃で３０分加熱処理を行った。形成された密着補助層の平均厚みは２μｍであった。
ここで、密着補助層が形成された基板を、基板Ａとする。
【０１３３】
（密着補助液形成用の塗布液）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５、油化シェルエポキシ（株）製エピコート８２８）２０質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業（株）製エピクロンＮ−６７３）４５質量部、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、大日本インキ化学工業（株）製フェノライト）３０質量部を、エチルジグリコールアセテート２０部、及びソルベントナフサ２０部に、攪拌しながら加熱溶解させ室温まで冷却した後、そこへ前記エピコート８２８とビスフェノールＳとからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス（油化シェルエポキシ（株）製ＹＬ６７４７Ｈ３０、不揮発分３０質量％、重量平均分子量４７０００）３０質量部、２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール０．８質量部、微粉砕シリカ２質量部、シリコン系消泡剤０．５質量部を添加し、更にこの混合物中に、下記の方法で合成した重合開始ポリマーＰを１０部添加し、重合開始剤を含有する密着補助液を得た。
【０１３４】
（重合開始ポリマーＰの合成）
３００ｍｌの三口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＧ）３０ｇを加え７５度に加熱した。そこに、［２−（Ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ）ｅｔｈｙｌ］（４−ｂｅｎｚｏｙｌｂｅｎｚｙｌ）ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｒｏｍｉｄｅ８．１ｇと、２−Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌｍｅｔｈａａｃｒｙｌａｔｅ９．９ｇと、ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈａａｃｒｙｌａｔｅ１３．５ｇと、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．４３ｇと、ＭＦＧ３０ｇと、の溶液を２．５時間かけて滴下した。その後、反応温度を８０度に上げ、更に２時間反応させ、重合開始基を有するポリマーＰを得た。
【０１３５】
［密着層の形成］
次に、密着補助層の表面に、密着層を形成するために、密着層形成用の塗布液のスプレーコートを行った。この密着層の平均厚みは１μｍであった。続いて、８０℃にて３０分乾燥した後、三永電機製のＵＶ露光機（型番：ＵＶＦ−５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用い、１．５ｍＷ／ｃｍ２の照射パワー（ウシオ電機製紫外線積算光量計ＵＩＴ１５０−受光センサーＵＶＤ−Ｓ２５４で照射パワー測定）にて、６６０秒間照射させた後、１４０℃で３０分加熱処理を行った。
ここで、密着層が形成された基板を、基板Ｂとする。
【０１３６】
（密着層形成用の塗布液）
まず、下記のようにして、重合性基及び相互作用性基を有するポリマーＡ（特定ポリマー）を合成した。
１０００ｍｌの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇを入れ、窒素気流下、７５℃まで加熱した。そこへ、２−ヒドロキシエチルアクリレート６．６０ｇ、２−シアノエチルアクリレート２８．４ｇ、Ｖ−６０１（和光純薬製）０．６５ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇ溶液を、２．５時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃まで加熱し、更に３時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。
上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン０．２９ｇ、ジブチルチンジラウレート０．２９ｇ、カレンズＡＯＩ（昭和電工（株）製）１８．５６ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１９ｇを加え、５５℃、４時間反応を行った。その後、反応液にメタノールを３．６ｇ加え、更に１．５時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１で再沈を行い、固形物を取り出し、重合性基及び相互作用性基を有するポリマーＡを３２ｇ得た。
この重合性基及び相互作用性基を有するポリマーＡは、これを単独で用いて成膜した膜が、２５℃−５０％相対湿度環境下において、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の表面接触角が６５度であることから、疎水性化合物であることが分かる。
【０１３７】
続いて、重合性基及び相互作用性基を有するポリマーＡ：１０．５質量部、アセトン７３．３質量部、メタノール３３．９質量部、及びＮ，Ｎジメチルアセトアミド４．８質量部を混合攪拌し、密着層形成用の塗布液を調製した。
【０１３８】
［めっき触媒の付与］
密着層が形成された基板Ｂを、硝酸パラジウムの１％アセトン溶液に、３０分間浸漬し後、アセトンに浸漬して洗浄した。
続いて、１％ジメチルボラン−水／メタノール（水／メタノール＝１／３）混合溶液を触媒活性化液（還元液）として用い、この溶液中に、基板Ｂを１５分浸漬させた後、アセトンに浸漬し洗浄を行った。
ここで、めっき触媒が付与された密着層を有する基板を、基板Ｃとする。
【０１３９】
［無電解めっき］
上記のようにして、めっき触媒が付与された密着層を有する基板Ｃに対し、下記組成の無電解めっき浴を用い、６０℃で５分間、無電解めっきを行った。得られた無電解銅めっき膜の厚みは０．３μｍであった。
ここで、無電解銅めっき膜を有する基板を、基板Ｄとする。
【０１４０】
（無電解めっき浴の組成）
・蒸留水                                                    ８５９ｇ
・メタノール                                                ８５０ｇ
・硫酸銅                                                  １８．１ｇ
・エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム塩                  ５４．０ｇ
・ポリオキシエチレングリコール（分子量１０００）          ０．１８ｇ
・２，２’ビピリジル                                      １．８ｍｇ
・１０％エチレンジアミン水溶液                              ７．１ｇ
・３７％ホルムアルデヒド水溶液                              ９．８ｇ
以上の組成のめっき浴のｐＨを、水酸化ナトリウム及び硫酸で１２．５（６０℃）に調整した。
【０１４１】
［レーザーの照射及び洗浄］
続いて、以下のようにしてレーザー照射を行った。
レーザーとしてはＹＡＧレーザーを用いた。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は無電解銅めっき膜（密着層）までの距離にて調節して、無電解銅めっき膜（密着層）の表面のビーム径を調節することによって行った。この方法で、基板Ｄの無電解銅めっき膜における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域に対し、レーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは、１００μＪ／ｐｕｌｕｓｅとした。また、連続した回路パターンを除く領域の金属が完全になくなるまでレーザーの照射を繰り返した（（ｇ４）工程）。
その後、レーザー照射後の基板Ｄを、エタノール液に５分間浸漬し、その後、水／エタノール混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
【０１４２】
このようにして、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続した回路パターン部分のみが無電解めっきで析出した銅薄膜（無電解銅めっき膜）で覆われた基板が形成される。
なお、この基板を、奥野製薬工業社製「エースクリンＡ−２２０」の５０ｇ／Ｌ溶液を用いて５０℃２秒の条件で脱脂した。
以上のようにして得られた、銅薄膜パターンを有する基板を、基板Ｅとする。
【０１４３】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］
まず、過水硫酸系のソフトエッチング液にて、基板Ｅの銅薄膜パターン表面を洗浄した。その後、基板Ｅの銅薄膜パターン上に、温度１１０±１０℃、圧力０．３５±０．０５Ｍｐａにて、ドライフィルムレジスト（ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ３０２５：ニチゴー・モートン（株）社製）をラミネートした。
銅薄膜パターンのうち、最終的に不要となる通電ブリッジ部のみを覆うように、ガイド穴を基準として、超高圧水銀ランプで１３０ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線を照射してパターン露光を実施した。その後、１．５％炭酸ナトリウム水溶液を用い、３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａにてドライフィルムレジストを現像して、電気めっき用のめっきレジストパターンを形成した。
【０１４４】
［電気めっき］
その後、銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を給電層とし、下記組成の電気銅めっき浴を用い電気めっきを行った。その際、パターン形状から無電解銅めっき膜で覆われている面積（銅薄膜パターンの面積）を計算し、この面積をもとに単位面積あたり３Ａ／ｄｍ２の条件で、液温を２５℃とし、電気めっきを２０分間行った。得られた電気銅めっき膜の厚みは１８μｍであった。
【０１４５】
（電気めっき浴の組成）
・硫酸銅                                                      ３８ｇ
・硫酸                                                        ９５ｇ
・塩酸                                                        １ｍＬ
・カッパーグリームＰＣＭ（メルテックス（株）製）              ３ｍＬ
・水                                                        ５００ｇ
【０１４６】
更に、得られた電気銅めっき膜に対して電気ニッケルめっきを以下のように施した。
即ち、奥野製薬工業社製「アクナＢ−４０」の１８ｍｌ／Ｌ溶液、「アクナＢ−１０」の１ｍｌ／Ｌ溶液、硫酸ニッケルの２７０ｇ／Ｌ溶液、及び塩化ニッケルの５０ｇ／Ｌ溶液の混合液をめっき浴として用い、パターン形状から電気銅めっき膜で覆われている面積を計算し、この面積をもとに単位面積あたり３Ａ／ｄｍ２の条件で、液温を５０℃とし、電気めっきを２５分間行った。
続いて、得られたニッケルめっき膜に対して電気金めっきを以下のように施した。
即ち、「テンペレックス４０１」をめっき浴として用い、パターン形状から電気ニッケルめっき膜で覆われている面積を計算し、この面積をもとに単位面積あたり１Ａ／ｄｍ２の条件で、液温を６５℃とし、電気めっきを９０秒間行った。
【０１４７】
［めっきレジストパターンの剥離とエッチング］
５％の水酸化ナトリウム水溶液からなるレジスト剥離液を用い、６０℃、スプレー圧０．２ＭＰａにてめっきレジストパターンを剥離除去処理した。
この後、ＹＡＧレーザーを用いエッチングを行った。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は電気めっき膜までの距離にて調節して、電気めっき膜の表面のビーム径を調節して行い、最終的に得たい分離独立した回路を接続している通電ブリッジ部のみにレーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは１００μＪ／ｐｕｌｕｓｅとした。また、通電ブリッジ部の金属が完全になくなるまでレーザーの照射を繰り返した（（ｇ５）工程）。これにより、所望の分離独立した回路を有する回路基板を得た。
この後、この回路基板を、エタノール液に５分間浸漬させた後、水／エタノール混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
このようにして、実施例１における回路基板を得た。
【０１４８】
〔実施例２〕
実施例１と同様にして、密着層を有する基板Ｂを得た。
その後、この基板Ｂを、下記の工程に供した。
【０１４９】
［レーザーの照射及び洗浄］
続いて、以下のようにしてレーザー照射を行った。
レーザーとしては炭酸ガスレーザーを用いた。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着層までの距離にて調節して、密着層の表面のビーム径を調節することによって行った。この方法で、基板Ｂの密着層における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域に対し、レーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは０．２Ｊ／ｃｍ２とした（（ｇ２）工程）。
この後、レーザー照射後の基板Ｂをアセトン液に５分浸漬した後、水／アセトン混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
【０１５０】
［めっき触媒の付与、及び無電解めっき］
レーザー照射後の基板に対し、実施例１と同様にして、［めっき触媒の付与］、［無電解めっき］を行った。
【０１５１】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成、電気めっき、及びめっきレジストパターンの剥離とエッチング］
続いて、上記無電解めっきにより得られた銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を有する基板に対し、実施例１と同様にして、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、［電気めっき］、及び［めっきレジストパターンの剥離とエッチング（（ｇ５）工程）］を行い、実施例２における回路基板を得た。
【０１５２】
〔実施例３〕
実施例１と同様にして、めっき触媒が付与された密着層を有する基板Ｃを得た。
その後、この基板Ｃを、下記の工程に供した。
【０１５３】
［レーザーの照射及び洗浄］
続いて、以下のようにしてレーザー照射を行った。
レーザーとしては炭酸ガスレーザーを用いた。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着層までの距離にて調節して、密着層の表面のビーム径を調節することによって行った。この方法で、基板Ｃの密着層における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域に対し、レーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは１５Ｊ／ｃｍ２とした（（ｇ３）工程）。
この後、レーザー照射後の基板Ｃをアセトン液に５分浸漬した後、水／アセトン混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
【０１５４】
［無電解めっき］
レーザー照射後の基板に対し、実施例１と同様にして、［無電解めっき］を行った。
【０１５５】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成、電気めっき、及びめっきレジストパターンの剥離とエッチング］
続いて、上記無電解めっきにより得られた銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を有する基板に対し、実施例１と同様にして、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、［電気めっき］、及び［めっきレジストパターンの剥離とエッチング（（ｇ５）工程）］を行い、実施例３における回路基板を得た。
【０１５６】
〔実施例４〕
実施例１と同様にして、密着補助層を有する基板Ａを得た。
その後、この基板Ａを、下記の工程に供した。
【０１５７】
［レーザーの照射及び洗浄］
続いて、以下のようにしてレーザー照射を行った。
レーザーとしては炭酸ガスレーザーを用いた。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着補助層までの距離にて調節して、密着補助層の表面のビーム径を調節することによって行った。この方法で、基板Ａの密着補助層における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域に対し、レーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは０．８Ｊ／ｃｍ２とした（（ｇ１）工程）。
この後、レーザー照射後の基板Ａをアセトン液に５分浸漬した後、水／アセトン混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
【０１５８】
［密着層の形成］
次に、レーザー照射後の密着補助層の表面に、実施例１で使用した密着層形成用の塗布液のスプレーコートを行った。この密着層の平均厚みは１μｍであった。続いて、８０℃にて３０分乾燥した後、三永電機製のＵＶ露光機（型番：ＵＶＦ−５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用い、１．５ｍＷ／ｃｍ２の照射パワー（ウシオ電機製紫外線積算光量計ＵＩＴ１５０−受光センサーＵＶＤ−Ｓ２５４で照射パワー測定）にて、６６０秒間照射させた。
次いで、攪拌した状態のアセトン中に、この基板を５分間浸漬し、続いて、蒸留水にて洗浄した。その後、この基板を１４０℃で３０分加熱処理を行った。
これによりパターン状の密着層が形成された基板を得た。
【０１５９】
［めっき触媒の付与、及び無電解めっき］
パターン状の密着層が形成された基板に対し、実施例１と同様にして、［めっき触媒の付与］、及び［無電解めっき］を行った。
【０１６０】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成、電気めっき、及びめっきレジストパターンの剥離とエッチング］
続いて、上記無電解めっきにより得られた銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を有する基板に対し、実施例１と同様にして、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、［電気めっき］、及び［めっきレジストパターンの剥離とエッチング（（ｇ５）工程）］を行い、実施例４における回路基板を得た。
【０１６１】
〔実施例５〕
実施例１と同様にして、［密着補助層の形成］、［密着層の形成］、［めっき触媒の付与］、［無電解めっき］、［レーザーの照射（（ｇ４）工程）及び洗浄］、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、及び［電気めっき］を行い、その後、下記に示す［めっきレジストパターンの剥離とエッチング］を行って、実施例５における回路基板を得た。
【０１６２】
［めっきレジストパターンの剥離とエッチング］
５％の水酸化ナトリウム水溶液からなるレジスト剥離液を用い、６０℃、スプレー圧０．２ＭＰａにてめっきレジストパターンを剥離除去処理した。
その後、最終的に得たい分離独立した回路を接続している通電ブリッジ部を、過水硫酸系のソフトエッチング液にて除去した。これにより、所望の分離独立した回路を有する回路基板を得た。
このようにして、実施例５における回路基板を得た。
【０１６３】
〔実施例６〕
実施例１と同様にして、密着補助層を有する基板Ａを得た。
その後、この基板Ａを、下記の工程に供した。
【０１６４】
［密着層の形成］
次に、密着補助層の表面に、実施例１で使用した密着層形成用の塗布液のスプレーコートを行った。この塗膜の平均厚みは１μｍであった。続いて、波長２６６ｎｍの紫外線ＹＡＧレーザー（ＹＡＧ４次高調波）を用いて、照射スポットが１０００ｍＪとなるようにスキャン時間を調節して、塗膜における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンに対し、レーザー照射を行った。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、基板Ａとレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分にレーザーの照射が行われるようにする。レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、または基板Ａの位置にて調節し、基板Ａの塗膜の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に基板Ａの塗膜を一致させて細いビームを作ることによって描画した。
次いで、攪拌した状態のアセトン中に、この基板を５分間浸漬し、続いて、蒸留水にて洗浄した。その後、この基板を１４０℃で３０分加熱処理を行った。
これによりパターン状の密着層が形成された基板を得た。
【０１６５】
［めっき触媒の付与、及び無電解めっき］
パターン状の密着層が形成された基板に対し、実施例１と同様にして、［めっき触媒の付与］、及び［無電解めっき］を行った。
【０１６６】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成、電気めっき、及びめっきレジストパターンの剥離とエッチング］
続いて、上記無電解めっきにより得られた銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を有する基板に対し、実施例１と同様にして、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、［電気めっき］、及び［めっきレジストパターンの剥離とエッチング（（ｇ５）工程）］を行い、実施例６における回路基板を得た。
【０１６７】
〔実施例７〕
実施例１と同様にして、密着補助層を有する基板Ａを得た。
その後、この基板Ａを、下記の工程に供した。
【０１６８】
［密着層の形成］
次に、密着補助層の表面に、実施例１で使用した密着層形成用の塗布液のスプレーコートを行った。この密着層の平均厚みは１μｍであった。続いて、波長２６６ｎｍの紫外線ＹＡＧレーザー（ＹＡＧ４次高調波）を用いて、照射スポットが１０００ｍＪとなるようにスキャン時間を調節して、塗膜における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンに対し、レーザー照射を行った。このときのレーザー照射は、レーザーをレンズで集光し、基板Ａとレーザーとを相対的に移動させ、必要な部分にレーザーの照射が行われるようにする。レーザー照射のパターン幅の制御は、例えば、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、または基板Ａの位置にて調節し、基板Ａの塗膜の表面のビーム径を調節することによって制御する。太いビームで描画できないパターンの細部は、焦点位置に基板Ａの塗膜を一致させて細いビームを作ることによって描画した。
次いで、攪拌した状態のアセトン中に、この基板を５分間浸漬し、続いて、蒸留水にて洗浄した。その後、この基板を１４０℃で３０分加熱処理を行った。
これによりパターン状の密着層が形成された基板を得た。
【０１６９】
［レーザーの照射及び洗浄］
続いて、以下のようにしてレーザー照射を行った。
レーザーとしては炭酸ガスレーザーを用いた。レーザー照射のパターン幅の制御は、デフォーカス量を、レンズの焦点距離、又は密着補助層までの距離にて調節して、密着補助層の表面のビーム径を調節することによって行った。この方法で、密着補助層における、最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域（密着層が形成されていない領域）に対し、レーザー照射を行った。レーザーの照射エネルギーは０．８Ｊ／ｃｍ２とした（（ｇ１）工程）。
この後、レーザー照射後の基板をアセトン液に５分浸漬した後、水／アセトン混合溶液をシャワーで吹きかけ、次いで、蒸留水にてかけ洗いをすることにより洗浄を実施した。
【０１７０】
［めっき触媒の付与、及び無電解めっき］
パターン状の密着層が形成された基板に対し、実施例１と同様にして、［めっき触媒の付与］、及び［無電解めっき］を行った。
【０１７１】
［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成、電気めっき、及びめっきレジストパターンの剥離とエッチング］
続いて、上記無電解めっきにより得られた銅薄膜パターン（無電解銅めっき膜）を有する基板に対し、実施例１と同様にして、［電気めっき用のめっきレジストパターンの形成］、［電気めっき］、及び［めっきレジストパターンの剥離とエッチング（（ｇ５）工程）］を行い、実施例７における回路基板を得た。
【０１７２】
〔比較例１〕
絶縁基板として、液晶ポリマー（商品名  ベクトラ、ポリプラスチックス（株）製）を用いて射出成形し、３次元立体的な成型品を作成した。次いで、これを脱脂し、１２．５ＮＮａＯＨ水溶液を用いて、８０℃にて６０分間その表面全面を表面処理し、微細な凸凹を形成した。この後、６０℃５分間の条件で湯洗し、エッチングされた樹脂を細部まで取り除いたのち、ＨＣＬ水溶液にて中和した。
【０１７３】
この基板を用いて、実施例１と同様にして、［めっき触媒の付与］、及び［無電解めっき］を行った。続いて、実施例１と同様に、ＹＡＧレーザーを用いて最終的に得たい分離独立した回路を通電ブリッジ部によって接続してなる、連続した回路パターンを除く領域に対し、レーザー照射を行い実施例１と同様に金属パターンを形成した。続いて、この金属パターンの通電ブリッジ部のみを覆うようにレジストパターンを形成し、更に、実施例１と同様にして、電気銅めっき、ニッケルめっき、金めっきを実施し、レジスト剥離を行った。その後、通電ブリッジ部の無電解銅めっき膜を実施例５と同様に、通電ブリッジ部の無電解銅めっき膜を銅がなくなるように過水硫酸系のソフトエッチング液にて除去し、比較例１の回路基板が得た。
【０１７４】
＜評価＞
（微細回路の形成性）
微細回路の形成性に関しては、各実施例、比較例において回路基板を作製する際、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍの櫛形配線パターンの回路形成を目指してレーザービーム径を調整してサンプルを作製することで評価した。
上記のようにして１０サンプルを作製し、その１０サンプルにおけるショート故障や断線故障の有無を調べた。ショート故障や断線故障が全くないものを○、１〜２箇所あるものを△○、３箇所以上あるものを△、配線が形成できないものを×とした。結果を表２に示す。
【０１７５】
（配線形状の観察）
上記微細回路の形成性の評価と同様の方法によって櫛型配線パターンに形成された微細配線を、カラー３Ｄレーザー顕微鏡ＶＫ−９７００（キーエンス株式会社製）で観察し、その形状について比較した。結果を表２に示す。
【０１７６】
（回路間の残渣の観察）
上記微細回路の形成性の評価と同様の方法によって櫛型配線パターンに形成された微細配線の間を、カラー３Ｄレーザー顕微鏡ＶＫ−９７００（キーエンス株式会社製）で観察し、めっき金属の残渣物や、めっき触媒の残渣物が残っていないか調べた。残渣が全くないものを○、僅かな痕跡があるものを△○、数箇所残渣が認められるものを△、残渣がかなり認められるものを×とした。結果を表２に示す。
【０１７７】
（密着性の評価）
密着性に関しては、各実施例、比較例の回路基板を作製する際、２ｃｍ角のべた金属パターンを形成し、ＪＩＳ  Ｈ８５０４及びＣ５０１２に準拠した方法で、得られためっき層の密着性について、１００個の碁盤目剥離評価にて評価した。１００個の碁盤目から剥離した箇所が全くないものを○、１〜２個あるものを△○、３〜５個あるものを△、それ以上あるものを×とした。結果を表２に示す。
【０１７８】
【表２】
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【０１７９】
表２のように、本発明の回路基板の作製方法では、基板との密着性に優れた回路を有し、且つ、非回路部の残渣が低減された回路基板が得られることが分かる。また、本発明の回路基板の作製方法によれば、ショート故障や弾性故障のない、又は少ない１０μｍの微細配線を形成しうることが分かる。
なお、微細配線の形成性、配線間残渣、及び密着性の観点からは、（ｇ２）工程を採用し、密着層の現像工程が不要な、実施例２の態様が好ましい。
また、表２に明らかなように、（ｂ）工程の態様や、（ｇ）工程の態様によって、密着層の現像を必要としない場合があり、密着層の現像を必要としない態様の選択により、製造工程の簡易化を図ることができる。