(57)【要約】    【課題】  半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図る。    【解決手段】  基板１を所定枚数保持する基板保持具６と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉１３と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段１２と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する。    【選択図】          図２
2010010458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象となる製品基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記製品基板に処理を施す基板処理装置であって、前記製品基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理は、前記製品基板の代わりに、補充用ダミー基板とモニタ基板を前記基板保持具に装填し、該基板保持具を処理室に装入し、前記製品基板を所定の処理条件で処理することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の被処理基板に成膜、酸化処理、アニール処理、拡散処理等の基板処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
バッチ式の基板処理装置に於いては、被処理基板（ウェーハ）は所要枚数基板保持具（ボート）に保持され、処理炉内で所要の処理がなされる。
【０００３】
又、処理炉内では炉頂部、炉口部等放熱が大きい領域では温度条件が悪く均熱性に欠ける。この為、ボートの温度条件の悪い領域にはダミーウェーハ（サイドダミーウェーハ）が装填され、均熱領域には製品ウェーハが装填される。又、製品品質を測定する場合の測定用ウェーハ（モニタウェーハ）がボートの所定位置に装填される。更に、１バッチ分の製品ウェーハが少ない場合には、製品ウェーハが不足した部分にダミーウェーハ（補充用ダミーウェーハ）が、補充の為装填される。
【０００４】
製品ウェーハを処理（以下プロダクト処理）する場合は、処理する度にダミーウェーハ、製品ウェーハ、モニタウェーハをボートに順次装填していた。
【０００５】
上述した各ウェーハは、特許文献１記載の移載パターンに従って装填されていた。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２５６３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
プロダクト処理を実行するに先立ち、処理条件を決定する為、テスト処理を実行するが、テスト処理はプロダクト処理と同条件で実行される必要がある。この為、ボートにはサイドダミーウェーハ、モニタウェーハ、更に、製品ウェーハの代りに補充用ダミーウェーハが装填され、プロダクト処理と同様にテスト処理される。又、処理条件を決定する場合に、複数回連続してテスト処理される。従来テスト処理が繰返して行われる場合には、その都度、全てのダミーウェーハ、モニタウェーハがボートに対して装填され、更にテスト処理後全てのダミーウェーハ、モニタウェーハがボートから払出されていた。従って、ウェーハの装填、払出しに多くの時間が要されていた。
【０００８】
本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する基板処理装置に係るものである。
【００１０】
又、本発明は、上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象となる製品基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記製品基板に処理を施す基板処理装置であって、前記製品基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理は、前記製品基板の代わりに、補充用ダミー基板とモニタ基板を前記基板保持具に装填し、該基板保持具を処理室に装入し、前記製品基板を所定の処理条件で処理する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御するので、ウェーハの搬送時間が短縮され、テスト処理時間が短縮し、総合的な基板処理装置の基板処理迄の準備時間が短縮される。結果として、装置稼働率の向上が図れるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１３】
本発明では、テスト処理を連続して実行する場合、ダミーウェーハは基板処理の条件を決定することに対して実質的に寄与しないことに考慮し、２回目以降のウェーハの搬送動作に於いて、条件出しに必要なモニタウェーハのみを装填、払出しする様にし、ウェーハ搬送時間を大幅に短縮しようとするものである。
【００１４】
先ず、本発明が実施される基板処理装置の概要について図１、図２に於いて説明する。
【００１５】
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
【００１６】
シリコンから成るウェーハ１等の基板を収納した密閉式の基板収納容器（ＦＯＵＰ）（以下カセット２）を、外部から筐体３内へ搬入する為、及びその逆に該筐体３内から外部へ搬出する為のＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）４が前記筐体３の前面に設けられ、該筐体３内には搬入された前記カセット２を保管する為のカセット棚（保管手段）５が設けられている。
【００１７】
又、前記ウェーハ１の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持具）６のローディング、アンローディング空間となる気密室７が設けられている。
【００１８】
前記ウェーハ１に処理を行う時の前記気密室７の内部は、前記ウェーハ１の自然酸化膜を防止する為にＮ2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。
【００１９】
前記カセット２としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、前記カセット２の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気から前記ウェーハ１を隔離して搬送でき、前記蓋体を取去ることで前記カセット２内へ前記ウェーハ１を入出させることができる。前記カセット２の蓋体を取外し、該カセット２内と前記気密室７とを連通させる為に、該気密室７の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）１６，１７が複数組（図示では２組）設けられ、前記気密室７の前記カセット載置ステージ１６，１７対峙部分にはそれぞれカセットオープナ１８，１９（開閉手段）が設けられている。該カセットオープナ１８，１９は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ１６，１７に載置された前記カセット２を個別に開閉可能となっている。
【００２０】
前記カセット載置ステージ１６，１７、前記カセット棚５、及び前記Ｉ／Ｏステージ４間の前記カセット２の搬送は、カセット搬送機９によって行われる。該カセット搬送機９による前記カセット２の搬送空間８には、前記筐体３に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。
【００２１】
前記気密室７の内部には、複数の前記ウェーハ１を水平多段に積載する前記ボート６と、前記ウェーハ１のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置１１が設けられ、又前記カセット載置ステージ１６，１７上の前記カセット２と前記基板位置合わせ装置１１と前記ボート６との間で前記ウェーハ１の搬送を行うウェーハ移載機（基板移載手段）１２が１組設けられている。又、前記気密室７の上部には前記ウェーハ１を処理する為の処理炉１３が設けられており、該処理炉１３の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ１５によって開閉され、該炉口ゲートバルブ１５の開状態で、前記ボート６はボートエレベータ（昇降手段）１４によって前記処理炉１３へローディング、又は該処理炉１３からアンローディングされ、前記ボート６へのウェーハ１移載時には前記炉口ゲートバルブ１５が閉じられる様になっている。
【００２２】
次に、前記処理炉１３の一例について図３により説明する。
【００２３】
前記気密室７の上面に炉口フランジ４４が設けられ、該炉口フランジ４４の上端に有天筒状の外管４５が立設され、該外管４５と同心に上端が開放された内管４６が配設され、該内管４６は下端を前記炉口フランジ４４に支持されている。前記内管４６内は前記ボート６を収納する処理室４０が画成される。
【００２４】
炉口蓋５３に処理ガス導入ノズル４７が連通され、該処理ガス導入ノズル４７はガス供給ライン５０を介して処理ガス供給源（図示せず）、或は窒素ガス等不活性ガス供給源（図示せず）に接続されている。又、前記炉口フランジ４４の前記内管４６の下端より上方に排気管４８が連通され、該排気管４８は排気装置（図示せず）に接続されている。
【００２５】
前記外管４５と同心に筒状のヒータユニット４９が配設され、該ヒータユニット４９はヒータベース５１に立設されている。
【００２６】
前記ボートエレベータ１４が支持する昇降台５２には前記炉口蓋５３が設けられ、該炉口蓋５３は前記炉口フランジ４４の下端開口部（炉口部）を気密に閉塞する。前記炉口蓋５３の下面にはボート回転装置５４が設けられ、該ボート回転装置５４の回転軸５５が前記炉口蓋５３を気密に貫通している。前記回転軸５５の上端にボート受台５６が設けられ、該ボート受台５６に前記ボート６が載置される。
【００２７】
前記処理炉１３で処理される前記ウェーハ１の処理状態は主制御部５７によって制御される。該主制御部５７は、炉内の温度を制御する温度制御部５８、処理ガスの流量を制御するガス流量制御部５９、前記外管４５内の圧力を制御する圧力制御部６１、前記ボート回転装置５４を制御する駆動制御部６２を備えている。
【００２８】
前記内管４６と前記外管４５との間には温度検出器６３が設けられ、該温度検出器６３は前記外管４５内の温度を検出し、前記温度制御部５８には温度検出信号が入力される。前記ガス供給ライン５０にガス流量制御器６４が設けられ、前記ガス流量制御部５９により所要のガス流量に制御される。前記排気管４８には圧力検出器６５が設けられ、前記排気管４８は排気ライン６６を介して図示しない排気装置に接続され、該排気ライン６６には圧力制御弁６７が設けられている。前記圧力検出器６５により排気圧力が検出され、排気圧力の圧力検出信号は前記圧力制御部６１に入力され、該圧力制御部６１は前記圧力制御弁６７を制御して前記外管４５内の圧力の制御を行う。
【００２９】
図４は、本基板処理装置に於ける制御系の内、駆動制御系を示している。
【００３０】
上位コンピュータ２１からの指令は入出力制御部２２を介して前記主制御部５７に送信され、作業者からの指令は操作部２３から前記入出力制御部２２を介して前記主制御部５７に送信される様になっている。又、前記操作部２３から、シーケンスプログラムを実行する際の条件を設定可能となっており、例えば、メインシーケンスプログラム、テストシーケンスプログラムの選択、更に、テストシーケンスプログラムを実行する場合に連続して実行するかどうか、又連続して実行する場合はテスト処理の回数の設定を行う様になっている。
【００３１】
前記主制御部５７は、前記温度制御部５８、前記ガス流量制御部５９、前記圧力制御部６１、前記駆動制御部６２の他に、データ送信部２４、演算部（ＣＰＵ）２５、記憶部２６、データ入出力部２９を具備し、前記記憶部２６はＲＡＭ２７、ＲＯＭ２８等から構成されている。
【００３２】
該ＲＯＭ２８には前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４等の駆動部を動作させる為のシーケンスプログラムが格納され、前記ＲＡＭ２７には前記駆動部を動作させる為の指令、作動条件等に関するデータが一時的に格納される。又、前記シーケンスプログラムにはプロダクト処理を実行するメインシーケンスプログラム、及びテスト処理を実行するテストシーケンスプログラムが含まれている。
【００３３】
前記駆動制御部６２はシーケンスプログラムに従って、前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４等の駆動部を駆動制御し、前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４の動作状態を検知するセンサ、圧力センサ、温度センサ、流量検出器等、各種センサ３１からの検出信号は、前記データ入出力部２９を介して前記演算部２５に送出される。又、配管等に設けられている開閉弁を開閉するソレノイド３０等のアクチュエータの動作状態も前記データ入出力部２９を介して前記演算部２５に送出される様になっている。前記各種センサ３１からの検出信号、前記アクチュエータの動作状態は、前記駆動制御部６２による駆動部の制御に反映される。
【００３４】
以下、基板処理の作用について、図５〜図８を参照して説明する。
【００３５】
前記操作部２３により、プロダクト処理かテスト処理かを選択し、又テスト処理の場合で連続処理を実行する場合は、テスト処理の繰返し回数を設定する。
【００３６】
先ず、図５、図７に於いてプロダクト処理を選択した場合を説明する。
【００３７】
ＳＴＥＰ：０１  製品ウェーハを収納したカセット２、モニタウェーハを収納したカセット２、サイドダミーウェーハを収納したカセット２がそれぞれ必要数、外部搬送装置（図示せず）により前記Ｉ／Ｏステージ４に搬入されると、前記カセット搬送機９が前記カセット棚５に前記カセット２を搬送し、処理状況に応じて前記カセット棚５から前記カセット載置ステージ１６，１７に製品ウェーハを収納したカセット２、モニタウェーハを収納したカセット２、サイドダミーウェーハを収納したカセット２がシーケンスに従って搬送される。
【００３８】
ＳＴＥＰ：０２  先ず、サイドダミーウェーハ（ＳＤ）のカセット２が前記カセット載置ステージ１６，１７に移載され、前記カセットオープナ１８により前記カセット２の蓋が開放される。前記カセット載置ステージ１６，１７からサイドダミーウェーハ（ＳＤ）が前記ボート６の上部、下部に移載される（図５（Ａ）参照）。
【００３９】
ＳＴＥＰ：０３  前記カセット載置ステージ１６，１７の空となったカセット２が前記カセット棚５に搬送され、製品用カセットが前記カセット載置ステージ１６，１７に移載される。製品ウェーハが前記ボート６に移載される（図５（Ｂ）参照）。
【００４０】
ＳＴＥＰ：０４  前記カセット載置ステージ１６，１７のカセット２がモニタ用カセットに交換され、モニタウェーハ（Ｍ）が前記ボート６の所定の位置に装填される（図５（Ｃ）参照）。
【００４１】
ＳＴＥＰ：０５  前記ボート６への前記ウェーハ１の移載が完了すると、前記カセットオープナ１８，１９により前記カセット２の扉が閉じられ、前記気密室７が気密とされ、更に窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記炉口ゲートバルブ１５が開放される。
【００４２】
前記ヒータユニット４９により前記外管４５内の温度が所定温度となる様に加熱し、又前記ガス供給ライン５０から前記外管４５内を前記ガス流量制御器６４を制御して不活性ガスで充満しておく。前記ボートエレベータ１４により、前記ボート６が前記内管４６内に装入され、前記炉口蓋５３により炉口部（図示せず）が気密に閉塞され、前記ウェーハ１の処理が行われる。
【００４３】
ＳＴＥＰ：０６  前記ヒータユニット４９により前記外管４５内部を加熱し、該外管４５内部が所定の処理温度に維持される様、前記温度制御部５８により前記ヒータユニット４９が制御される。前記排気管４８を介して図示しない排気装置により前記外管４５内部が真空状態迄排気され、該外管４５内部の圧力は前記圧力検出器６５の検出結果に基づき前記圧力制御部６１によって前記圧力制御弁６７を介して制御される。前記駆動制御部６２により前記ボート回転装置５４が駆動され、前記ウェーハ１が均一処理される様前記ボート６が所定の速度で回転されると共に前記処理ガス導入ノズル４７を介して処理ガスが前記外管４５内に導入される。処理ガスの導入量は前記ガス流量制御器６４を介し、前記ガス流量制御部５９によって制御される。
【００４４】
尚、ウェーハの処理の一例として、ウェーハの成膜を行う場合は、ウェーハ温度は５３０℃、処理ガスはＳｉＨ4 及びＰＨ3 ／Ｈｅ、各ガス流量は８０（sccm）及び１０（sccm）、処理圧力は２００Ｐａである。
【００４５】
ＳＴＥＰ：０７  前記ウェーハ１の処理が完了すると、前記外管４５内が窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記気密室７内部と同圧化され、前記ボートエレベータ１４により前記ボート６が前記気密室７内部に降下される。
【００４６】
前記ボート６が完全に降下されると、前記炉口フランジ４４の炉口部が前記炉口ゲートバルブ１５により閉鎖される。前記気密室７内には前記クリーンユニットから送出され、図示しない排気口から排出される清浄な不活性ガスの定常流れが形成されている。
【００４７】
ＳＴＥＰ：０８  前記ボート６が降下され所定温度となる迄冷却される。前記ウェーハ１が所定温度迄冷却されると、前記ウェーハ移載機１２により前記ウェーハ１が前記ボート６より払出され、製品ウェーハ（ＰＤ）は製品用カセットに、モニタウェーハ（Ｍ）はモニタ用カセットに、サイドダミーウェーハ（ＳＤ）はダミー用カセットにそれぞれ移載される。
【００４８】
ＳＴＥＰ：０９  処理済の製品ウェーハが収納された製品用カセット、処理済モニタウェーハが収納されたモニタ用カセット、ダミー用カセットは、それぞれ外部搬送装置（図示せず）により前記Ｉ／Ｏステージ４から搬出され、プロダクト処理が終了する。
【００４９】
次に、図６、図８に於いてテスト処理が選択された場合を説明する。
【００５０】
ＳＴＥＰ：１１  モニタウェーハを収納したカセット２、ダミーウェーハ（サイドダミーウェーハと補充用ダミーウェーハ）を収納したカセット２がそれぞれ必要数、外部搬送装置（図示せず）により前記Ｉ／Ｏステージ４に搬入されると、前記カセット搬送機９が前記カセット棚５に前記カセット２を搬送し、処理状況に応じて前記カセット棚５から前記カセット載置ステージ１６，１７にモニタウェーハを収納したカセット２、ダミーウェーハを収納したカセット２がシーケンスに従って搬送される。
【００５１】
ＳＴＥＰ：１２、ＳＴＥＰ：１３  サイドダミーウェーハ（ＳＤ）及び補充用ダミーウェーハ（ＦＤ）のカセット２が前記カセット載置ステージ１６，１７に移載され、前記カセットオープナ１８により前記カセット２の蓋が開放される。前記カセット載置ステージ１６，１７からウェーハ１（サイドダミーウェーハと補充用ダミーウェーハ）が前記ボート６に移載される。先ず、サイドダミーウェーハ（ＳＤ）が前記ボート６の上部、下部に移載され、更に製品ウェーハ（ＰＤ）の代りに補充用ダミーウェーハ（ＦＤ）が移載される（図６（Ａ）参照）。尚、モニタウェーハ（Ｍ）を所定の位置に装填するようにしてもよい。
【００５２】
ＳＴＥＰ：１４  最後に同様にしてモニタウェーハ（Ｍ）が所定の位置に装填される（図６（Ｂ）参照）。
【００５３】
ＳＴＥＰ：１５  前記ボート６が炉内に装入される。
【００５４】
ＳＴＥＰ：１６  プロダクト処理と同様に、プロセス処理が実行される（図６（Ｃ）参照）。
【００５５】
ＳＴＥＰ：１７  前記ウェーハ１の処理が完了すると、前記ボート６が降下され所定温度となる迄冷却される。
【００５６】
ＳＴＥＰ：１８、ＳＴＥＰ：１９  前記ウェーハ１が所定温度迄冷却されると、前記ウェーハ移載機１２により処理済モニタウェーハのみが前記ボート６より払出され、モニタ用カセットに移載される。モニタ用カセットが基板処理装置から搬出される。
【００５７】
ＳＴＥＰ：２０  テスト処理が設定回数実行されたかどうかが判断され、設定回数実行されたと判断された場合は、テスト処理が終了する。
【００５８】
ＳＴＥＰ：２１  テスト処理が、設定回数に達していないと判断された場合は、次処理のモニタ用カセットが投入され（図６（Ｄ）参照）、更にモニタウェーハがボートの所定箇所に装填されＳＴＥＰ：１４〜ＳＴＥＰ：１９が繰返し実行される（図６（Ｅ）参照）。
【００５９】
而して、テスト処理が連続して繰返される間は、モニタウェーハのみが装填され、処理済のモニタウェーハのみが払出される。即ち、２回目以降のテスト処理では、ウェーハの搬送、移載作動はモニタウェーハのみに限定される。従って、ウェーハの搬送動作は大幅に簡略化され、ウェーハ搬送に要される時間も大幅に短縮される。
【００６０】
尚、テスト処理に引続いて、プロダクト処理が設定されている場合は、前記プロダクト処理（ＳＴＥＰ：０１〜ＳＴＥＰ：０９）が実行される。
【００６１】
尚、本発明は、半導体製造装置に限らず、液晶表示装置のガラス基板を処理する装置にも適用可能であり、又縦型装置だけでなく、横型装置にも実施可能であることは言う迄もない。
【００６２】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６３】
（付記１）上端部と下端部のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、該処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記処理対象基板に処理を施し、処理終了後、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記処理対象基板であって、基板処理条件を決定する為の基板（モニタ基板）のみを前記基板保持具より回収することを特徴とする基板処理方法。
【００６４】
（付記２）上端部と下端部のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象基板を保持し、全ての前記保持部に基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、該処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記処理対象基板に処理を施す基板処理方法であって、処理終了後、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記処理対象基板であって、前記基板処理装置における最適な処理条件を決定する為の基板のみを前記基板保持具より回収すると共に前記基板処理装置における最適な処理条件を規定する為の基板ではない基板はそのまま前記基板保持具に保持することを特徴とする基板処理方法。
【００６５】
（付記３）上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び／又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具（ボート）を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び／又は補充用ダミー基板に処理を施し、処理後、前記基板保持具を引出し、前記モニタ基板を前記基板保持具から引出すことを特徴とする基板処理方法。
【００６６】
（付記４）上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び／又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具（ボート）を処理室に装入する工程と、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び／又は補充用ダミー基板に処理を施す工程と、処理後、前記基板保持具を引出す工程を有する基板処理方法であって、前記処理が終了し、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記モニタ基板のみを前記基板保持具より回収するとともに前記ダミー基板及び前記補充用ダミー基板はそのまま前記基板保持具に保持する工程と、回収したモニタ基板が保持されていた保持部に新しいモニタ基板を装填する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【００６７】
（付記５）付記４記載の工程を所定の回数に達したら、前記基板保持具を前記処理室から引出す工程の後、前記モニタ基板及び／又は補充用ダミー基板を前記基板保持具から取出す基板処理方法。
【００６８】
（付記６）上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び／又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具（ボート）を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び／又は補充用ダミー基板に処理を施し、処理後、前記基板保持具を引出し、前記モニタ基板を前記基板保持具から引出すことを特徴とする基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略斜視図である。
【図２】同前基板処理装置の側面概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に使用される処理炉の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に於ける制御ブロック図である。
【図５】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本発明の実施の形態に於けるプロダクト処理の場合の基板移載動作を示す説明図である。
【図６】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、本発明の実施の形態に於けるテスト処理の場合の基板移載動作を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に於けるプロダクト処理の場合の基板移載動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態に於けるテスト処理の場合の基板移載動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７０】
１              ウェーハ
２              カセット
５              カセット棚
６              ボート
９              カセット搬送機
１２            ウェーハ移載機
１３            処理炉
１４            ボートエレベータ
２３            操作部
５７            主制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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