(57)【要約】【課題】レーザー光を利用した積層薄膜の加工方法において、デブリの影響を低減した積層薄膜の加工方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも第一薄膜層と第二薄膜層とが形成され、該第一薄膜層及び該第二薄膜層に対してそれぞれレーザー光を照射することで該第一薄膜層及び該第二薄膜層のパターニングを行う積層薄膜の加工方法において、以下の工程（１）及び（２）を含むことを特徴とする、積層薄膜の加工方法。  （１）第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３との差分領域１ｂにレーザー光を照射して第一薄膜層を加工する工程  （２）第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３との共通領域１ａにレーザー光を照射して第一薄膜層及び第二薄膜層を加工する工程【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも第一薄膜層と第二薄膜層とが形成され、
該第一薄膜層及び該第二薄膜層に対してそれぞれレーザー光を照射することで該第一薄膜層及び該第二薄膜層のパターニングを行う積層薄膜の加工方法において、
以下の工程〔１〕及び〔２〕を含むことを特徴とする、積層薄膜の加工方法。
〔１〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第一薄膜層を加工する工程
〔２〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第一薄膜層及び第二薄膜層を加工する工程
【請求項２】
前記第一薄膜層と前記第二薄膜層との間に第三薄膜層がさらに設けられ、前記工程〔２〕において該第三薄膜層の加工も同時に行うことを特徴とする、請求項１に記載の積層薄膜の加工方法。
【請求項３】
前記基板と前記第一薄膜層との間に第三薄膜層がさらに設けられ、前記工程〔２〕において該第三薄膜層の加工も同時に行うことを特徴とする、請求項１に記載の積層薄膜の加工方法。
【請求項４】
基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が複数の副画素を有し、
該副画素が少なくとも該基板上に設けられる第一電極層と、
該第一電極層上に設けられ第一発光層を有する第一有機化合物層と、
該第一有機化合物層上に設けられる第二電極層と、
該第二電極層上に設けられ第二発光層を有する第二有機化合物層と、
該第二有機化合物層上に設けられる第三電極層と、
該第三電極層上に設けられ第三発光層を有する第三有機化合物層と、
該第三有機化合物層上に設けられる第四電極層と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
以下の工程〔ｉ〕及び〔ｉｉ〕を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
〔ｉ〕第二電極層の加工領域と第三電極層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第二電極層を加工する工程
〔ｉｉ〕第二電極層の加工領域と第三電極層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第二電極層、第二有機化合物層及び第三電極層を同時に加工する工程
【請求項５】
前記工程〔ｉｉ〕において第一有機化合物層の加工も同時に行うことを特徴とする、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一発光層、前記第二発光層及び前記第三発光層の発光色がそれぞれ赤、青、緑のいずれかであり、
前記各副画素において非発光処理されている発光層の組み合わせが異なることを特徴とする、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記非発光処理は、非発光処理される発光層を有する有機化合物層を挟持する２つの電極層を短絡させることで行うことを特徴とする、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第一有機化合物層、前記第二有機化合物層及び前記第三有機化合物層が前記各画素に共通して形成されていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が少なくとも第一副画素と第二副画素とを有し、
該第一副画素が少なくとも該基板上に設けられる第一電極層と、
該第一電極層上に設けられ第三発光層を有する第三有機化合物層と、
該第三有機化合物層上に設けられる第四電極層と、を備え、
該第二副画素が少なくとも該基板上に設けられる第一電極層と、
該第一電極層上に設けられ第一発光層を有する第一有機化合物層と、
該第一有機化合物層上に設けられる第二電極層と、
該第二電極層上に設けられ第二発光層を有する第二有機化合物層と、
該第二有機化合物層上に設けられる第三電極層と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
以下の工程〔ａ〕及び〔ｂ〕を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
〔ａ〕第一有機化合物層の加工領域と第二有機化合物層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第一有機化合物層を加工する工程
〔ｂ〕第一有機化合物層の加工領域と第二有機化合物層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第二有機化合物層を加工する工程
【請求項１０】
前記工程〔ｂ〕において第二電極層の加工も同時に行うことを特徴とする、請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第二電極層及び前記第三電極層の電極材料が透明導電材料であることを特徴とする、請求項４乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザー光の光源がＫｒＦレーザーであることを特徴とする、請求項４乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層薄膜の加工方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、特定の形状を有する複数の画素（複数の副画素から構成されるものを含む）を組み合わせてなるデバイスである。ここで有機ＥＬ表示装置の構成部材である画素をそれぞれ形成する方法の１つとして、各画素に共通して形成される薄膜（電極層、有機化合物層）に対して物理的処理又は化学的処理を施してパターニングを行う方法が挙げられる。
【０００３】
特許文献１には、有機化合物層とこの有機化合物層上に設けられる金属電極に対してレーザー光を照射することにより、有機化合物層と金属電極とを同時にパターニングすることにより、所望のパターン形状を有する有機ＥＬ素子の製造方法が開示されている。
【０００４】
一方、特許文献２には、電極層と有機化合物層とが交互に積層されてなる有機ＥＬ表示装置が開示されている。また特許文献２に開示されている有機ＥＬ表示装置は、発光層を有する有機化合物層が少なくとも二層設けられ、当該二層の有機化合物層の間には二つの発光層を個別に発光させることを可能にする透明導電層が設けられている。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２２２３７１号公報
【特許文献２】米国特許５７０７７４５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示されるように、有機ＥＬ素子について所望のパターン形状にパターンニングする方法として、レーザー光を利用することは知られている。しかし、この方法では加工時に飛散物（以下、デブリという）が発生するという課題がある。この課題は、特に、電極層がＩＴＯやＩＺＯ等からなる無機導電膜である場合に顕著になる。
【０００７】
また、特許文献２に例示される電極層と有機化合物層とが交互に積層されている有機ＥＬ表示装置において、レーザー光を利用したパターンニングにより各電極層や各有機化合物層に相当する薄膜の加工を行うと、デブリ発生の問題がより深刻になる。
【０００８】
上述したようにデブリ発生の問題が深刻化する原因について、図面を参照しながら説明する。図１８は、従来の積層薄膜の加工方法の一例を示す平面概略図である。ここで図１８は、２つの層（第一薄膜層、第二薄膜層）を順次パターンニングを行ったときの加工例である。まず第一薄膜層を加工するときは、図１８（Ａ）に示すように、斜線部分で示される加工領域１００１にレーザー光を照射して領域１００２（非加工領域）で示される形状に加工する。次に、第二薄膜層を加工するときは、図１８（Ｂ）に示すように、斜線部分で示される加工領域１００３にレーザー光を照射して領域１００４（非加工領域）で示される形状に加工する。
【０００９】
ここで図１８に示されるようにパターンニングを行う際には、第一薄膜層と第二薄膜層とを順次加工する必要がある。このため第一薄膜層の加工を行った後、第二薄膜層の加工を行う前に、第一薄膜層の加工を行ったときに発生するデブリを取り除く必要があった。また第一薄膜層の加工を行ったときに発生するデブリが完全に取り除けない可能性がある。このとき図１８に示されるように第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域とが一部重複する場合、第一薄膜層を加工する際に発生するデブリが第二薄膜層内に混入する可能性がある。ここで当該デブリが第二薄膜層内に混入すると、第二薄膜層の膜形状が変化し膜中に欠陥が生じてしまう。こうなると電界集中が生じてしまいデバイスの特性が悪くなる。
【００１０】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、レーザー光を利用した積層薄膜の加工方法において、デブリの影響を低減した積層薄膜の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の積層薄膜の加工方法は、基板上に少なくとも第一薄膜層と第二薄膜層とが形成され、
該第一薄膜層及び該第二薄膜層に対してそれぞれレーザー光を照射することで該第一薄膜層及び該第二薄膜層のパターニングを行う積層薄膜の加工方法において、
以下の工程〔１〕及び〔２〕を含むことを特徴とする。
〔１〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第一薄膜層を加工する工程
〔２〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第一薄膜層及び第二薄膜層を加工する工程
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザー光を利用した積層薄膜の加工方法において、デブリの影響を低減した積層薄膜の加工方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の積層薄膜の加工方法とは、基板上に少なくとも二層の薄膜層が形成されている積層体において、各薄膜層を所望の形状にパターニングを行う加工方法である。尚、以下の説明において、当該二層の薄膜層について、基板に近い方からそれぞれ第一薄膜層、第二薄膜層と定義する。
【００１４】
また本発明の積層薄膜の加工方法は、第一薄膜層及び第二薄膜層に対してそれぞれレーザー光を照射することで第一薄膜層及び第二薄膜層のパターニングを行う加工方法である。具体的には、以下の工程〔１〕及び〔２〕を含むものである。
〔１〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第一薄膜層を加工する工程
〔２〕第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第一薄膜層及び第二薄膜層を加工する工程
【００１５】
以下、本発明に係る加工方法の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の加工方法の一実施形態を示す平面概略図である。
【００１６】
本発明に係る加工方法を行う際には、まず図１（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、第一薄膜層の加工領域１及び非加工領域２、並びに第二薄膜層の加工領域３及び非加工領域４を特定する。次に、第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３とを照合する。そして、第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３とが重複する領域（以下、共通領域という）１ａと、第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３とが重複しない領域（以下、差分領域という）１ｂとに分割する。
【００１７】
このようにして第一薄膜層について領域を特定した後、差分領域１ｂにのみレーザー光を照射して第一薄膜層の加工を行う（工程〔１〕）。この段階では第一薄膜層の共通領域１ａにおいてレーザー光による加工を行っていないので、加工の際に生じるデブリの影響を最小限に抑制することが可能になる。尚、本工程において加工される第一薄膜層として、基板上に公知の方法（蒸着法、塗布法等）で形成される薄膜を使用することができる。また照射するレーザー光の光源は、レーザー光を用いた薄膜加工において常用するものであれば特に限定されるものではないが、好ましくは、ＫｒＦレーザーである。
【００１８】
次に、第一薄膜層上に第二薄膜層を形成する。第二薄膜層として、公知の方法（蒸着法、塗布法等）で形成される薄膜を使用することができる。次に、図１（Ｂ）に示されるように、第二薄膜層の加工領域３にレーザー光を照射して第二薄膜層の加工を行う（工程〔２〕）。このとき第二薄膜層の加工領域３と重複する第一薄膜層の共通領域１ａについてもレーザー光を照射して第一薄膜層の加工も一括して行う。
【００１９】
このとき、第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域とが重複する領域を一括で加工するため、第一薄膜層のみの加工と比べて照射するレーザー光のエネルギー強度を高める必要がある。しかし加工後の形状を利用したデバイスへのダメージは軽微でありプロセス条件の調整で対処することが可能になる。また、第一薄膜層及び第二薄膜層のパターニングの外形形状を規定する加工を一括で行うことができるので、アライメントずれが生じないというメリットもある。
【００２０】
尚、本発明の積層薄膜の加工方法は、第一薄膜層と第二薄膜層との間、又は基板と第一薄膜層との間に介在層（例えば、第三薄膜層）をさらに設けられている形態においても実施をすることが可能である。具体的には、第三薄膜層を第一薄膜層と第二薄膜層との間、又は基板と第一薄膜層との間に設けた後、工程（２）において第二薄膜層の加工を行う際に第三薄膜層の加工を同時に行う。
【００２１】
本発明の積層薄膜の加工方法は、例えば、有機ＥＬ表示装置を製造する際に利用される。
【００２２】
本発明の積層薄膜の加工方法を利用することで製造される有機ＥＬ表示装置は、例えば、基板と、この基板上に設けられる複数の画素と、から構成される有機ＥＬ表示装置である。より具体的には、この画素が複数の副画素を有し、この副画素が少なくとも第一電極層と、第一有機化合物層と、第二電極層と、第二有機化合物層と、第三電極層と、第三有機化合物層と、第四電極層と、を備える有機ＥＬ表示装置である。ここで第一電極層は、基板上に設けられる電極層である。第一有機化合物層は、第一電極層上に設けられ第一発光層を有する有機化合物層である。第二電極層は、第一有機化合物層上に設けられる電極層である。第二有機化合物層は、第二電極層上に設けられ第二発光層を有する有機化合物層である。第三電極層は、第二有機化合物層上に設けられる電極層である。第三有機化合物層は、第三電極層上に設けられ第三発光層を有する有機化合物層である。第四電極層は、第三有機化合物層上に設けられる電極層である。
【００２３】
そこで以下に、本発明の加工方法を利用した有機ＥＬ表示装置の製造方法について、適宜図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図２（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の一例を示す斜視模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の有機ＥＬ表示装置を構成する１つの画素を示す断面模式図である。図２（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置１０は、基板１１と、基板１１上に設けられている複数の画素１２と、からなる。この複数の画素１２は、例えば、図２（ａ）に示されるように、基板上においてマトリックス状に配置され表示領域１３を形成している。
【００２５】
一方、基板１１上に設けられている画素１２は、複数の副画素を有している。具体的には、図２（ｂ）に示されるように、画素１２は二種類の副画素Ｐ１及びＰ２を有している。ただし、画素１２が有している副画素は二種類に限られない。
【００２６】
またこの二種類の副画素Ｐ１及びＰ２は、それぞれ第一電極層１４、第一有機化合物層１５、第二電極層１６ａ，１６ｂ、第二有機化合物層１７ａ，１７ｂ、第三電極層１８ａ，１８ｂ、第三有機化合物層１９ａ，１９ｂ及び第四電極層２０を備えている。
【００２７】
ここで図２（ｂ）において、第一電極層１４は、基板上に設けられる下部電極層である。第一有機化合物層１５は、第一電極層１４上に設けられ第一発光層（図示せず）を有する有機化合物層である。第二電極層１６ａ，１６ｂは、第一有機化合物層１５上に副画素単位で設けられる電極層である。第二有機化合物層１７ａ，１７ｂは、第二電極層１６ａ，１６ｂ上にそれぞれ設けられ第二発光層（図示せず）を有する有機化合物層である。第三電極層１８ａ，１８ｂは、第二有機化合物層１７ａ，１７ｂ上にそれぞれ設けられる電極層である。第三有機化合物層１９は、第一有機化合物層１５上、及び第三電極層１８ａ，１８ｂ上に設けられ、第三発光層（図示せず）を有し、各副画素に共通して形成される有機化合物層である。第四電極層２０は、第三有機化合物層１９上に設けられ各副画素に共通して形成される電極層である。また図２（ｂ）で示される副画素Ｐ１，Ｐ２は、それぞれコンタクトホール２１ａ，２１ｂを設けている。そして、図２（ｂ）の有機ＥＬ表示装置は、各画素及び各副画素を保護する目的で保護層２２が設けられている。
【００２８】
ただし、本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置はこれに限定されるものではない。例えば、図３に示されるように、第一有機化合物層を副画素単位（１５ａ，１５ｂ）で形成してもよい。
【００２９】
ここで図２（ｂ）及び図３で示される有機ＥＬ表示装置の主要な構成部材について説明する。
【００３０】
上述したように、有機化合物層（１５，１７，１９）は発光層を有する層であるが、その層構成は特に限定されるものではない。具体的な層構成として、例えば、下記１〜５に示す構成を挙げることができる。
１．発光層（単層型）
２．発光層／正孔注入層（２層型）
３．電子輸送層／発光層／正孔輸送層（３層型）
４．電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層（４層型）
５．電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層（５層型）
【００３１】
このように有機化合物層（１５，１７，１９）は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各機能を持つ層を適宜積層した積層体であるが、全部又は一部の層において複合機能を持たせてもよい。
【００３２】
また各有機化合物層（１５，１７，１９）に含まれる発光層（第一発光層、第二発光層、第三発光層）の発光色は、それぞれ赤、青、緑のいずれかである。このとき各発光層の発光色は、それぞれ異なっていることが好ましい。
【００３３】
さらに、各有機化合物層（１５，１７，１９）は、成膜・形成する際に各画素に共通して形成されていることが好ましい。
【００３４】
一方、各副画素において一部の発光層が非発光処理されている。このとき各副画素において、非発光処理されている発光層又はその組み合わせがそれぞれ異なることが好ましい。
【００３５】
この非発光処理の方法として、好ましくは、非発光処理される発光層を有する有機化合物層を挟持する２つの電極層を短絡させる方法が挙げられる。具体的には、図２（ｂ）及び図３にて示されるコンタクトホール２１ａ，２１ｂを設けて該当する２つの電極層を短絡する。より具体的には、副画素Ｐ１においては、第二有機化合物層１７ａの一部を加工し、第二電極層１６ａと第三電極層１８ａとを短絡させるためのコンタクトホール２１ａを設ける。副画素Ｐ２においては、第一有機化合物層１５（１５ａ）の一部を加工し、第一電極層１４と第二電極層１６ｂとを短絡させるためのコンタクトホール２１ｂを設ける。
【００３６】
電極層（１４，１６，１８）の構成材料としては、公知の電極材料を使用することができる。その詳細については後述する。ここで、第一電極層１４の構成材料が透明性を有する電極材料であれば製造される有機ＥＬ表示装置はボトムエミッションタイプの表示装置となる。一方、第一電極層１４の構成材料が反射性を有する電極材料であれば製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッションタイプの表示装置となる。
【００３７】
また電極層（１４，１６，１８）は、その一部が図２（ｂ）及び図３に示される電源手段２３に接続される。
【００３８】
ところで本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、以下の工程（ｉ）及び（ｉｉ）を含むことを特徴とする。
〔ｉ〕第二電極層の加工領域と第三電極層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第二電極層を加工する工程
〔ｉｉ〕第二電極層の加工領域と第三電極層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第二電極層、第二有機化合物層及び第三電極層を同時に加工する工程
【００３９】
本発明において、上記工程〔ｉｉ〕を行うにあたり第二電極層と第三電極層との間に挟持される第二有機化合物層の加工を同時に行ってもよい。また上記工程〔ｉｉ〕を行うにあたり第二電極層の下方に設けられる第一有機化合物層の加工を同時に行ってもよい。さらに上記工程〔ｉｉ〕を行うにあたり第一有機化合物層、第二電極層、第二有機化合物層及び第三電極層を一括して加工してもよい。
【００４０】
次に、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法についてより具体的に説明する。
【００４１】
（第一電極層の形成・加工工程）
本発明の製造方法により有機ＥＬ表示装置を製造する際には、まず基板上に第一電極層（下部電極）を形成する。図４は、第一電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。尚、図４は、画素及び副画素を形成する前のバックプレーンを示している。
【００４２】
図４（ｂ）に示されるように、基板１０は、絶縁性基材１１１、絶縁性基材１１１上に形成される駆動用ＴＦＴ１１２ａ（又は１１２ｂ）、層間絶縁層１１３、保護膜１１４及び平坦化層１１５よりなる部材である。
【００４３】
また第一電極層１４は平坦化層１１５上に形成される共通電極であり、コンタクトホール１１６ａ及び１１６ｂを介して駆動用ＴＦＴ１１２ａ、１１２ｂへそれぞれ電気接続されている。
【００４４】
ここで第一電極層１４の構成材料は、好ましくは、光反射性の材料である。例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料が好ましい。これら金属材料の中でも反射率が高い材料は、光取り出し効率を向上できるのでより好ましい。ただし、第一電極層１４を、反射性の高い薄膜（例えば、金属薄膜）と、ＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電性材料からなる薄膜とからなる積層体としてもよい。
【００４５】
次に、第一電極層１４を所望のパターン形状に加工する。図５は、加工された第一電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【００４６】
第一電極層１４の加工方法としては、例えば、フォトリソ工程及びエッチング工程を行う方法が挙げられる。上記工程を経て第一電極層１４は、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、３種類の電極領域１４１、１４２ａ及び１４２ｂに分割される。
【００４７】
（第一有機化合物層の形成・加工工程）
次に、第一有機化合物層１５を形成する。図６は、第一有機化合物層まで形成されている基板を示す断面模式図である。図６に示すように、第一有機化合物層１５は画素全体を覆う形で形成する。即ち、第一有機化合物層１５は各副画素に共通する層として形成される。
【００４８】
第一有機化合物層１５の構成材料として、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料より選ばれる材料から少なくとも一種を使用することができる。尚、正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、又は電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。一方、第一有機化合物層１５は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００４９】
有機発光材料として、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等が使用できる。また、これらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体も使用できる。ただし、本発明において有機発光材料は上述した材料に限定されるものではない。
【００５０】
正孔注入・輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。
【００５１】
電子注入・輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。
【００５２】
第一有機化合物層１５の膜厚は、０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が良く、好ましくは、０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度である。
【００５３】
次に、第一有機化合物層１５を所望のパターン形状に加工する。図７は、加工された第一有機化合物層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。この加工工程は、具体的には、第一有機化合物層１５の一部の領域にコンタクトホール１５１ａ，１５１ｂ，１５１ｃを形成する工程である。
【００５４】
コンタクトホール（１５１ａ，１５１ｂ，１５１ｃ）の形成方法としては、レーザー加工が好ましい。具体的には、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザー等一般に薄膜加工に使用されるレーザー光を利用してコンタクトホールの形成を行う。より具体的には、これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、コンタクトホールを形成する領域を透過するマスクを介して面状光源にして照射したりして、基板上に所定のパターンで照射する。別法として、ＫｒＦ（λ＝２４８ｎｍ）放射光をアッテネータ、集光光学系を介して５対１の縮小光学系を形成した加工装置を用いて第一有機化合物層１５のパターンニングを行ってもよい。具体的には、減圧下に設置したサンプルに例えば５０ｍＪ，１ショットの条件でマスク露光することで実施する。
【００５５】
コンタクトホールの径としては、２μｍ〜１５μｍが好ましい。また、レーザー加工を実施する雰囲気は、第一有機化合物層１５を構成する有機材料の劣化を防止する観点では不活性ガス中であることが望ましい。さらには、デブリを軽減する観点では飛散した粒子の平均自由工程を延ばすために１００Ｐａ以下の減圧下で実施するのが望ましい。
【００５６】
このようにレーザー光を利用した加工工程（レーザーパターニング）を経て第一有機化合物層１５には、第一電極層１４まで達しているコンタクトホール１５１ａ，１５１ｂ，１５１ｃが形成されている。尚、これら３種のコンタクトホールのうち１５１ｃは、図２（ｂ）及び図３に示されるコンタクトホール２１ｂに相当し、次の工程で第二電極層１６が形成されるときに、第一電極層１４と第二電極層１６とを電気接続する（短絡する）役割を果たす。
【００５７】
（第二電極層の形成工程）
次に、第二電極層１６を形成する。図８は、第二電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【００５８】
図８（ｂ）に示されるように、第二電極層１６は、画素全体を覆う形で形成する。即ち、第二電極層１６は各副画素に共通する層として形成される。
【００５９】
ここで第二電極層１６の構成材料は、好ましくは、光透過率の高い材料である。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜や、ポリアセチレン等の有機導電膜からなることが好ましい。ただし、Ａｇ、Ａｌ等の金属を膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度で形成した半透過膜であってもよい。
【００６０】
第二電極層１６は、例えば、スパッタリングにより形成される。
【００６１】
（第二電極層の加工工程）
次に、第二電極層１６を所望のパターン形状に加工する。具体的には、図８（ａ）に示される加工領域１６１について加工する。第二電極層１６の加工方法（パターニング方法）としては、第一有機化合物層１５を加工するときに利用したレーザー加工法で行う。具体的には、第一有機化合物層１５を加工するときに使用した装置を用いて、減圧下で設置したサンプルに、例えば、７０ｍＪ、１ショットの条件でマスク露光することにより実施する。
【００６２】
ここで加工領域１６１は、第二電極層１６の加工領域と第三電極層１８の加工領域との差分領域に相当する。またレーザー加工を行う際にデブリが発生する場合があるが、そのデブリの発生量はミニマムで済むのでデブリの影響が発生しにくい。
【００６３】
（第二有機化合物層の形成・加工工程）
次に、第二有機化合物層１７を形成する。図９は、第二有機化合物層まで形成されている基板を示す断面模式図である。図９に示すように、第二有機化合物層１７は画素全体を覆う形で形成する。即ち、第二有機化合物層１７は各副画素に共通する層として形成される。
【００６４】
第二有機化合物層１７の構成材料としては、上述した第一有機化合物層１５の構成材料として例示された材料を挙げることができる。ただし、この第二有機化合物層１７が有する第二発光層の構成材料は第一発光層の発光色とは異なる発光色を有する発光材料が含まれる。
【００６５】
次に、第二有機化合物層１７を所望のパターン形状に加工する。図１０は、加工された第二有機化合物層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。この加工工程は、具体的には、第二有機化合物層１７の一部の領域にコンタクトホール１７１ａ，１７１ｂを形成する工程である。
【００６６】
コンタクトホール（１７１ａ，１７１ｂ）の形成方法としては、第一有機化合物層１５と同様にレーザー加工法が好ましい。レーザー加工法を利用してコンタクトホールを形成する際に、その具体的な方法、コンタクトホールの径、及び加工条件については第一有機化合物層１５と同様であってもよい。
【００６７】
このようにレーザー光を利用した加工（レーザーパターニング）の工程を経て第二有機化合物層１７には、第二電極層１６まで達しているコンタクトホール１７１ａ，１７１ｂが形成されている。尚、これら３種のコンタクトホールのうち１７１ａは、図２（ｂ）及び図３に示されるコンタクトホール２１ａに相当し、次の工程で第三電極層１８が形成されるときに、第二電極層１６と第三電極層１８とを電気接続する（短絡する）役割を果たす。
【００６８】
（第三電極層の形成工程）
次に、第三電極層１８を形成する。図１１は、第三電極層まで形成されている基板を示す断面模式図である。尚、図１１は、図１０（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面模式図である。
【００６９】
図１１に示されるように、第三電極層１８は、画素全体を覆う形で形成する。即ち、第三電極層１８は各副画素に共通する層として形成される。
【００７０】
ここで第三電極層１８の構成材料は、第二電極層１６と同様に光透過率の高い材料が好ましい。また第三電極層１８は、例えば、スパッタリングにより形成される。
【００７１】
（第三電極層の加工工程）
次に、第三電極層１８を所望のパターン形状に加工する。図１２は、加工された第三電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。第三電極層の加工方法とは、具体的には、図１２（ａ）に示されるように、第三電極層を２つの領域（１８１，１８２）に分割する加工方法である。尚、当該２つの領域のうち、領域１８１は副画素Ｐ１に含まれるものであり、領域１８２は副画素Ｐ２に含まれるものである。また副画素Ｐ２には、紙面垂直方向に向かって直線的に形成されている開口部１８３を有する。
【００７２】
第三電極層１８の加工は、レーザー光を利用した加工（レーザーパターニング）により行う。第三電極層１８の加工工程を行う際に使用する装置は、第二電極層１６の加工工程の際に使用した装置を使用することができる。また本工程は、例えば、減圧下に設置したサンプルに、１００ｍＪ、２ショットの条件でマスク露光することで実施する。このとき、第三電極層１８だけでなく、第三電極層１８の下方にある第二有機化合物層１７、第二電極層１６及び第一有機化合物層１５についてもレーザー光を照射して加工を行う。
【００７３】
このとき、第三電極層１８を加工した後の形状を利用したデバイスへのダメージは軽微でありプロセス条件の調整で対処することが可能になる。また、第二電極層１６と第三電極層１８とを個別に加工するのと比べてアライメントずれが生じないというメリットもある。
【００７４】
（第三有機化合物層の形成工程）
次に、第三有機化合物層１９を形成する。図１３は、第三有機化合物層まで形成されている基板を示す断面模式図である。図１３に示すように、第三有機化合物層１９は画素全体を覆う形で形成する。即ち、第三有機化合物層１９は各副画素に共通する層として形成される。
【００７５】
第三有機化合物層１９の構成材料としては、上述した第一有機化合物層１５の構成材料として例示された材料を挙げることができる。ただし、この第三有機化合物層１９が有する第三発光層の構成材料は第一発光層及び第二発光層の発光色とは異なる発光色を有する発光材料が含まれる。
【００７６】
（第四電極層の形成工程）
次に、第四電極層２０を形成する。図１４は、第四電極層まで形成されている基板を示す断面模式図である。図１４に示すように、第四電極層２０は画素全体を覆う形で形成する。即ち、第四電極層２０は各副画素に共通する層として形成される。尚、第四電極層２０は画素全体だけでなく外部取り出し電極（図示せず）を形成する領域まで成膜する。
【００７７】
第四電極層２０を形成した後、装置全体を覆うように保護膜（図示せず）を形成することにより有機ＥＬ表示装置が完成する。保護膜の構成材料として、窒化酸化シリコン等が挙げられる。
【００７８】
尚、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法には、上述した工程の他に画素分離膜２２の形成・加工工程も含まれるが、画素分離膜２２の形成・加工工程の順番は特に限定されるものではない。
【００７９】
図１５は、完成した有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【００８０】
各副画素は、スイッチング用ＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂと駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂと、積層された有機ＥＬ素子部（１５０，１７０，１９０）と、コンデンサー３０３ａ、３０３ｂで構成されている。ここで、スイッチング用ＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂのゲート電極は、ゲート信号線３０５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂのソース領域はソース信号３０６ａ、３０６ｂに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソース領域は電源供給線３０７に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子部の一方の電極に接続されている。具体的には、副画素Ｐ１においては、第三電極層１８ａに接続されている。一方、副画素Ｐ２においては、第三電極層１８ｂに接続されている。尚、有機発光素子部の他方の電極は、第一電極層１４及び第四電極層２０にそれぞれ接続されている。またコンデンサー３０３ａ、３０３ｂは電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのゲート電極とＧＮＤとに接続されるように形成されている。このように、駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂと有機発光素子部が直列に接続されており、有機ＥＬ素子部に流れる電流を駆動用ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂで制御する。
【００８１】
次に、完成した有機ＥＬ表示装置の駆動方法について図面を参照して説明する。図１６は、有機ＥＬ表示装置を駆動したときの主要部材の電圧及び電流の制御の一例を示す図である。
【００８２】
まず時間ｔ1において、ゲート信号線３０５の電位をＶgに設定する。そうすると、スイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂがＯＮの状態となる。そして開始時から設定されているソース信号線３０６ａ、３０６ｂの電位Ｖsig1が、スイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂを介してコンデンサー３０３ａ、３０３ｂ及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのゲート容量に時間ｔ1から時間ｔ2までの間充電される。
【００８３】
次に、時間ｔ2において、ゲート信号線３０５の電位が０Ｖに設定される。そうすると、スイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂがＯＦＦの状態となり、コンデンサー３０３ａ、３０３ｂに充電された電圧が保持される。
【００８４】
次に、時間ｔ3において、第一電極層１４及び第四電極層２０の電位がＶcに設定される。このとき、電源供給線３０７の電位は０Ｖのままなので、有機ＥＬ素子部及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソースドレイン間にＶcの電位差が生じる。これにより、第二電極層１６ａと第三電極層１８ｂを介して副画素Ｐ１が有する第一有機ＥＬ素子部１５０及び副画素Ｐ２が有する第二有機ＥＬ素子部１７０に電子が注入される。同時に、第一電極層１４及び第二電極層１６ｂを介して副画素Ｐ１が有する第一有機ＥＬ素子部１５０及び副画素Ｐ２が有する第二有機ＥＬ素子部１７０にホールが注入される。そして電子とホールとが再結合することにより励起された有機発光分子が基底状態に緩和するときに発光が生じて、この発光は基板の反対側（保護層側）から放出される。尚、このとき第三有機ＥＬ素子部１９０には逆方向の電圧が印加されるため発光しない。ここで各有機ＥＬ素子部に印加する電流は、駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂで制御される。即ち、コンデンサー３０３ａ、３０３ｂに充電された電圧に応じて、駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ1が流れる。この状態は、時間ｔ4まで維持される。
【００８５】
次に、時間ｔ4において、第一電極層１４及び第四電極層２０の電位が０Ｖに設定される。すると、有機ＥＬ素子部及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第一有機ＥＬ素子部１５０及び第二有機ＥＬ素子部１７０は発光しなくなる。続いて、第三有機発光素子部１９０を発光させるための信号となる電位Ｖsig2がソース信号線３０６ａ、３０６ｂに設定される。
【００８６】
次に、時間ｔ5において、ゲート信号線３０５の電位をＶgに設定する。そうすると、スイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂがＯＮの状態となる。そして、ソース信号線３０６ａ、３０６ｂで設定した電位Ｖsig2がスイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂを介してコンデンサー３０３ａ、３０３ｂ及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのゲート容量に充電される。
【００８７】
次に、時間ｔ6において、ゲート信号線３０５の電位が０Ｖに設定される。そうすると、スイッチングＴＦＴ３０１ａ、３０１ｂがＯＦＦの状態となり、コンデンサー３０３ａ、３０３ｂに充電された電圧が保持される。
【００８８】
次に、時間ｔ7において、電源供給線３０７の電位がＶcに設定される。このとき、第一電極層１４及び第四電極層２０の電位が０Ｖなので、有機ＥＬ素子部及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、各副画素（Ｐ１，Ｐ２）が有する第三有機ＥＬ素子部１９０に、第四電極層２０から電子が注入されると共に、第三電極層１８ａ，１８ｂからホールが注入される。そして電子とホールとが再結合することにより励起された有機発光分子が基底状態に緩和するときに発光が生じて、この発光は基板の反対側（保護層側）から放出される。尚、このとき第一有機ＥＬ素子部１５０及び第二有機ＥＬ素子部１７０には逆方向電圧が印加されるため発光しない。ここで各有機ＥＬ素子部に流れる電流は、駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂで制御され、コンデンサー３０３ａ、２０３ｂに充電された電圧に応じて、駆動ＴＦＴ２０２ａ、２０２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ2が流れる。この状態は、時間ｔ8まで維持される。
【００８９】
次に、時間ｔ8において、電源供給線３０７の電位が０Ｖに設定される。すると、有機ＥＬ素子部及び駆動ＴＦＴ３０２ａ、３０２ｂのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第三有機Ｅ素子部１９０は発光しなくなる。
【００９０】
以上の一連の動作を繰り返すことで、有機ＥＬ素子部１５０，１７０，１９０をそれぞれ時分割で発光させることができる。具体的には、電源手段２４は、人間が識別できない程度、例えば、６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第一発光層及び第二発光層の発光色と第三発光層の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。
【００９１】
またこのような有機ＥＬ表示装置においては、電圧が印加される有機化合物層（有機ＥＬ素子部）は１層のみとなる。このため電源手段２４から有機化合物層に印加する電圧としては、有機化合物層１層分の印加電圧、即ち、約５Ｖ程度で十分となる。さらに、各有機化合物層（１５、１７、１９）は、副画素ごとに発光層を塗分ける必要が無いこと、及び副画素の数が２つであることにより、開口率を高くすることができる。
【００９２】
尚、以上の説明は、本発明の積層薄膜の加工方法を第二電極層と第三電極層とをそれぞれ加工する場合の一例であるが、本発明の積層薄膜の加工方法はこれに限定されるものではない。また、本発明の積層薄膜の加工方法を用いて電極層や有機化合物層を加工する際にその加工形状は、特に限定されることはない。
【００９３】
また本発明の積層薄膜の加工方法を利用して製造される有機ＥＬ表示装置の態様は、図２（ｂ）や図３の態様に限定されるものではない。例えば、基板と、この基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、この画素が少なくとも第一副画素と第二副画素とを有している有機ＥＬ表示装置において、各副画素が備える有機化合物層の数が異なる態様も含まれる。例えば、第一副画素は、基板上に少なくとも第一電極層と、第三発光層を有する第三有機化合物層と、第四電極層と、をこの順に備えている。一方、第二副画素は、基板上に少なくとも第一電極層と、第一発光層を有する第一有機化合物層と、第二電極層と、第二発光層を有する第二有機化合物層と、第三電極層と、をこの順に備えている。
【００９４】
次に、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の他の例について図面を参照しながら説明する。
【００９５】
図１７は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の他の例を示す断面模式図である。
【００９６】
図１７の有機ＥＬ表示装置は、基板（図示せず）と、この基板上に設けられる複数の画素と、から構成される。この画素は少なくとも第一副画素Ｐ１’と第二副画素Ｐ２’とを有する。
【００９７】
第一副画素Ｐ１’は、少なくとも第一電極層１４ａと、第三有機化合物層１９ａと、第三電極層１８と、を備えている。第一副画素Ｐ１’において、第一電極層１４ａは、基板上に設けられる電極層である。第三有機化合物層１９ａは、第一電極層１４ａ上に設けられ第三発光層を有する有機化合物層である。第三電極層１８は、第三有機化合物層１９ａ上に設けられる電極層であり、各副画素（Ｐ１’，Ｐ２’）に共通する電極層である。
【００９８】
第二副画素Ｐ２’は、少なくとも第一電極層１４ｂと、第一有機化合物層１５ｂと、第二電極層１６ｂと、第二有機化合物層１７ｂと、第三電極層１８と、を備えている。第二副画素Ｐ２’において、第一電極層１４ｂは、基板上に設けられる電極層である。第一有機化合物層１５ｂは、第一電極層１４ｂ上に設けられ第一発光層を有する有機化合物層である。第二電極層１６ｂは、第一有機化合物層１５ｂ上に設けられる電極層である。第二有機化合物層１７ｂは、第二電極層１６ｂ上に設けられ第二発光層を有する第二有機化合物層と、第三電極層１８は、第二有機化合物層１７ｂ上に設けられる電極層である。
【００９９】
本発明の製造方法において、図１７の有機ＥＬ表示装置を製造する場合は、全製造工程のうち、以下の工程〔ａ〕及び〔ｂ〕が含まれる。
【０１００】
〔ａ〕第一有機化合物層の加工領域と第二有機化合物層の加工領域との差分領域にレーザー光を照射して第一有機化合物層を加工する工程
〔ｂ〕第一有機化合物層の加工領域と第二有機化合物層の加工領域との共通領域にレーザー光を照射して第二有機化合物層を加工する工程
尚、工程〔ｂ〕において、第一有機化合物層と第二有機化合物層との間に設けられる第二電極層の加工も同時に行ってもよい。
【０１０１】
また本発明の製造方法において、図１７の有機ＥＬ表示装置を製造する場合は、第二電極層１６ｂ及び第三電極層１８の電極材料が透明導電材料であることが好ましい。
【０１０２】
さらに本発明の製造方法において、使用するレーザー光の光源は、好ましくは、ＫｒＦレーザーである。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の加工方法の一実施形態を示す平面概略図である。
【図２】（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の一例を示す斜視模式図であり、（ｂ）は、図２（ａ）の有機ＥＬ表示装置を構成する１つの画素を示す断面模式図である。
【図３】図２（ｂ）の変形例を示す断面概略図である。
【図４】第一電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図５】第一電極層が加工されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図６】第一有機化合物層まで形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図７】加工された第一有機化合物層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図８】加工された第二電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図９】第二有機化合物層まで形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図１０】加工された第二有機化合物層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図１１】第三電極層まで形成されている基板を示す断面模式図である。
【図１２】加工された第三電極層が形成されている基板を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）中に示されるＸ−Ｘ’の断面図である。
【図１３】第三有機化合物層まで形成されている基板を示す断面模式図である。
【図１４】第四電極層まで形成されている基板を示す断面模式図である。
【図１５】完成した有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【図１６】有機ＥＬ表示装置を駆動したときの主要部材の電圧及び電流の制御の一例を示す図である。
【図１７】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の他の例を示す断面模式図である。
【図１８】従来の積層薄膜の加工方法の一例を示す平面概略図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１  第一薄膜層の加工領域
１ａ  第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域とが重複する領域（共通領域）
１ａ  第一薄膜層の加工領域と第二薄膜層の加工領域とが重複しない領域（差分領域）
２  第一薄膜層の非加工領域
３  第二薄膜層の加工領域
４  第二薄膜層の非加工領域
１０  有機ＥＬ表示装置
１１  基板
１１１  絶縁性基材
１１２ａ、１１２ｂ  駆動用ＴＦＴ
１１３  層間絶縁層
１１４  保護膜
１１５  平坦化層
１１６ａ、１１６ｂ  コンタクトホール
１２  画素
１３  表示領域
１４  第一電極層
１４１，１４２ａ，１４２ｂ  （第一電極層の）電極領域
１５  第一有機化合物層
１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ  コンタクトホール
１６  第二電極層
１６１  第二電極層の加工領域
１７  第二有機化合物層
１７１ａ、１７１ｂ  コンタクトホール
１８  第三電極層
１８１  （副画素Ｐ１における）第三電極層の領域
１８２  （副画素Ｐ２における）第三電極層の領域
１８３  開口部
１９  第三有機化合物層
２０  第四電極層
２１ａ、２１ｂ  コンタクトホール
２２  保護膜
２３  電源手段
３０１ａ、３０１ｂ  スイッチング用ＴＦＴ
３０２ａ，３０２ｂ  駆動用ＴＦＴ
３０３ａ、３０３ｂ  コンデンサー
３０５  ゲート信号線
３０６ａ、３０６ｂ  ソース信号線
３０７  電源供給線
Ｐ１  第１副画素
Ｐ２  第２副画素
【図１】
2010118180.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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