(57)【要約】【課題】スタンパから分離された後の被形状転写層表面に形成された凹凸パターンに残存された残渣を容易に除去することができるスタンパ及びこのスタンパを用いた光インプリントリソグラフィ方法を提供する。【解決手段】基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターン１２を有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパ１０ａであって、凹凸パターン１２は、遮光性を有する凸部１２１ｓと透光性を有する凹部１２２ｔとを有する。本光インプリントリソグラフィ法は、ネガ型光硬化性を有する被形状転写層にスタンパ１０ａを圧接する工程と、スタンパ１０ａを被形状転写層に圧接した状態で被形状転写層を露光する工程と、スタンパ１０ａと露光後の被形状転写層とを分離する工程と、分離後の被形状転写層に形成された凹凸パターンを洗浄する工程と、を備える。【選択図】図１
2010245130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターンを有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、
前記凹凸パターンは、遮光性を有する凸部と透光性を有する凹部とを有することを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
（ａ）ネガ型光硬化性を有する被形状転写層に、請求項１に記載のスタンパを圧接する圧接工程と、
（ｂ）前記スタンパを前記被形状転写層に圧接した状態で、被形状転写層を露光する露光工程と、
（ｃ）前記スタンパと前記露光後の被形状転写層とを分離する分離工程と、
（ｄ）前記分離後の被形状転写層に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とする光インプリントリソグラフィ方法。
【請求項３】
基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターンを有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、
前記凹凸パターンは、遮光性を有する凹部と透光性を有する凸部とを有することを特徴とするスタンパ。
【請求項４】
（ａ）ポジ型光硬化性を有する被形状転写層に、請求項３に記載のスタンパを圧接する圧接工程と、
（ｂ）前記スタンパを前記被形状転写層に圧接した状態で、被形状転写層を露光する露光工程と、
（ｃ）前記スタンパと前記露光後の被形状転写層とを分離する分離工程と、
（ｄ）前記分離後の被形状転写層に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とする光インプリントリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスタンパ及びこれを用いた光インプリントリソグラフィ方法に関する。更に詳しくは、本発明は、遮光性凸部と透光性凹部とを有するスタンパ、透光性凸部と遮光性凹部とを有するスタンパ、及びこれらのスタンパを用いたスタンパ及びこれを用いた光インプリントリソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。従って、フォトリソグラフィ技術では、近年、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、１５７ｎｍ（Ｆ２）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）の短波長光を用いたフォトリソグラフィ技術が開発されている。しかしながら、光の波長が短くなると、それに伴い、その波長で透過できる物質が限られるため、微細構造の作成に限界がある。
一方、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法では、分解能が光の波長に依存せず、微細構造の作成が可能であるものの、スループットの悪さが問題となっている。
これに対して、光の波長以下の微細構造を高スループットで作成する手法としては、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作成したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するインプリント法が知られている（例えば、非特許文献１及び２並びに特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号公報
【特許文献２】米国特許第５，９５６，２１６号公報
【特許文献３】特開２００８−１６２１９０号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】エス．ワイ．チョウ（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ），「ナノインプリントリソグラフィ技術（Ｎａｎｏ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」
【非特許文献２】アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）第７６巻，１９９５年，ｐ．３１１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記インプリント方法では被形状転写層からスタンパを分離した後に、被形状転写層に形成されたパターン間（即ち、凹凸パターンの凹部）の残渣除去を行うことでより鮮明なパターンを得ることができる。しかし、光硬化を行う光インプリントリソグラフィ法では、パターン間で硬化されてしまった残渣を除去することは困難であるという問題があり、容易に残渣を除去できる技術が求められている。
本発明は前記実情に鑑みてなされたものであり、スタンパから分離された後の被形状転写層表面に形成された凹凸パターンに残存された残渣を容易に除去することができるスタンパ及びこのスタンパを用いた光インプリントリソグラフィ方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
即ち、本発明は以下に示す通りである。
〈１〉基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターンを有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、
前記凹凸パターンは、遮光性を有する凸部と透光性を有する凹部とを有することを特徴とするスタンパ。
〈２〉（ａ）ネガ型光硬化性を有する被形状転写層に、前記〈１〉に記載のスタンパを圧接する圧接工程と、
（ｂ）前記スタンパを前記被形状転写層に圧接した状態で、被形状転写層を露光する露光工程と、
（ｃ）前記スタンパと前記露光後の被形状転写層とを分離する分離工程と、
（ｄ）前記分離後の被形状転写層に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とする光インプリントリソグラフィ方法。
〈３〉基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターンを有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、
前記凹凸パターンは、遮光性を有する凹部と透光性を有する凸部とを有することを特徴とするスタンパ。
〈４〉（ａ）ポジ型光硬化性を有する被形状転写層に、前記〈３〉に記載のスタンパを圧接する圧接工程と、
（ｂ）前記スタンパを前記被形状転写層に圧接した状態で、被形状転写層を露光する露光工程と、
（ｃ）前記スタンパと前記露光後の被形状転写層とを分離する分離工程と、
（ｄ）前記分離後の被形状転写層に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とする光インプリントリソグラフィ方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の遮光性を有する凸部と透光性を有する凹部とを有するスタンパによれば、スタンパから分離された被形状転写層の表面に転写形成された凹凸パターンの洗浄を容易に行うことができる。特に凹部の残渣が光硬化されないために容易に除去できると共に、得られる凹凸パターンもより鮮明にすることができる。
本発明の遮光性を有する凸部と透光性を有する凹部とを有するスタンパを用いた光インプリントリソグラフィ方法によれば、スタンパから分離された被形状転写層の表面に転写形成された凹凸パターンの洗浄を容易に行うことができる。特に凹部の残渣が光硬化されないために容易に除去できると共に、得られる凹凸パターンもより鮮明にすることができる。
本発明の遮光性を有する凹部と透光性を有する凸部とを有するスタンパによれば、スタンパから分離された被形状転写層の表面に転写形成された凹凸パターンの洗浄を容易に行うことができる。特に凹部の残渣が光硬化されないために容易に除去でできると共に、得られる凹凸パターンもより鮮明にすることができる。
本発明の遮光性を有する凹部と透光性を有する凸部とを有するスタンパを用いた光インプリントリソグラフィ方法によれば、スタンパから分離された被形状転写層の表面に転写形成された凹凸パターンの洗浄を容易に行うことができる。特に凹部の残渣が光硬化されないために容易に除去できると共に、得られる凹凸パターンもより鮮明にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のスタンパの一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明のスタンパの一例における遮光性部及び透光性部を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明のスタンパの一例の製造方法を示す説明図である。
【図４】本発明のスタンパの一例を用いた光インプリントリソグラフィ方法を示す説明図である。
【図５】本発明のスタンパの他例を示す模式的な断面図である。
【図６】本発明のスタンパの他例における遮光性部及び透光性部を示す模式的な断面図である。
【図７】本発明のスタンパの他例の製造方法を示す説明図である。
【図８】本発明のスタンパの他例を用いた光インプリントリソグラフィ方法を示す説明図である。
【図９】凹凸パターンを説明する模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図１〜９を用いて詳細に説明する。尚、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルを意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及びメタクリレートを意味する。
【００１０】
［１］スタンパ
本発明の第１のスタンパ１０ａ（図１参照）は、基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターン１２を有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、前記凹凸パターン１２は、遮光性を有する凸部１２１ｓと透光性を有する凹部１２２ｔとを有することを特徴とする（以下「第１スタンパ」ともいう）。
【００１１】
本発明の第２のスタンパ１０ｂ（図５参照）は、基板上に設けられた被形状転写層に転写するための凹凸パターン１２を有する光インプリントリソグラフィ法に用いられるスタンパであって、前記凹凸パターン１２は、遮光性を有する凹部１２２ｓと透光性を有する凸部１２１ｔとを有することを特徴とする（以下「第２スタンパ」ともいう）。
【００１２】
尚、以下では、前記遮光性を有する凸部１２１ｓを「遮光性凸部」、前記透光性を有する凹部１２２ｔを「透光性凹部」、前記透光性を有する凸部１２１ｔを「透光性凸部」、前記遮光性を有する凹部１２２ｓを「遮光性凹部」ともいう。更に、第１スタンパ１０ａ及び第２スタンパ１０ｂを総称する場合は「スタンパ」１０という。
【００１３】
前記「光インプリントリソグラフィ」とは、スタンパ１０（１０ａ及び１０ｂ）が有する凹凸パターン１２を、基板２０上に設けられた被形状転写層３０に転写して、被形状転写層３０に凹凸パターン３１（スタンパの凹凸パターンとは凹凸形状が反転したパターン）を形成するにあたって、インプリント法と光リソグラフィ法とを併用した方法である。即ち、スタンパ１０を被形状転写層３０に圧接して、スタンパ１０表面の凹凸パターン１２を被形状転写層３０へ転写するインプリント方法と、この圧接状態を維持したまま、スタンパ１０を透過させて露光することより被形状転写層３０を光硬化させて、転写された凹凸パターンの形状を固定する光リソグラフィ方法と、を併用して前記凹凸パターン３１を被形状転写層３０の表面に形成するものである。
【００１４】
前記「スタンパ（１０）」は、被形状転写層３０へ転写するための凹凸パターン１２を表面に有するものである。また、本発明の第１スタンパ１０ａでは遮光性凸部１２１ｓと透光性凹部１２２ｔとを有し、第２スタンパ１０ｂでは遮光性凹部１２２ｓと透光性凹部１２１ｔとを有し、各々凸部又は凹部のいずれかが遮光性となっている。
即ち、図２に例示されるように、第１スタンパ１０ａを介して露光を行うと、遮光性凸部１２１ｓでは光が透過されないか又は光の透過量が透光性凹部１２２ｔよりも少ない。一方、透光性凹部１２２ｔでは光の透過量が遮光性凸部１２１ｓより多くなる。同様に、図６に例示されるように、第２スタンパ１０ｂを介して露光を行うと、遮光性凹部１２２ｓでは光が透過されないか又は光の透過量が透光性凸部１２１ｔよりも少ない。一方、透光性凸部１２１ｔでは光の透過量が遮光性凹部１２２ｓより多くなる。
【００１５】
従って、スタンパ１０を介して被形状転写層３０を露光すると、被形状転写層３０のうち、第１スタンパ１０ａの遮光性凸部１２１ｓが圧接された部分、及び、第２スタンパ１０ｂの遮光性凹部１２２ｓが圧接された部分、は各々光が遮光され、この部分は硬化されず、又は、硬化の進行が他部に比べて遅延され、この部分をより容易に洗浄除去することができる。
特に図４及び図８に例示されるように、被形状転写層３０に転写して形成された凹凸パターン３１の凹部３１２内に残存された被形状転写層３０の残渣４０の除去性に優れ、この残渣４０を除去することでより解像性に優れた凹凸パターン３１を被形状転写層３０の表面に形成できる。
【００１６】
遮光性凸部１２１ｓ及び遮光性凹部１２２ｓ（以下、まとめて「遮光性部」ともいう）は、透光性凹部１２１ｔ及び透光性凸部１２１ｔ（以下、まとめて「透光性部」ともいう）に比べて光透過率がより低い部分であって、遮光性部の光透過率は、遮光を目的とする光に対して０％であってもよいが、０％を越えてもよい。遮光性部の光透過率は、通常０〜５０％であり、０〜２０％が好ましく、０〜１％がより好ましい。一方、透光性部の光透過率は、透過を目的とする光に対して通常７０％以上であり、７５〜１００％が好ましく、８０〜１００％が更に好ましく、９０〜１００％が特に好ましい。
【００１７】
また、上記遮光を目的とする光及び透過を目的とする光は、光硬化に利用される波長の光であれば特に限定されず、目的とする凹凸パターンのサイズ、被形状転写層中に含まれる感光剤の特性等に応じて適宜選択できる。なかでも上記光透過率は可視光線（波長３６０〜８３０ｎｍ）に対するものであることが好ましく、特に波長３６０〜６６０ｎｍのより短波長の光に対するものであることが好ましく、とりわけ３６５ｎｍの紫外線に対するものであることが好ましい。
尚、遮光性部及び透光性部における前記光透過率は紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、型式「ＪＡＳＣＯ  Ｖ７１００」）で測定した値である。
【００１８】
前記遮光性部を構成する遮光性材料は特に限定されず、露光に用いられる露光光に対する遮光性を有すればよく、特に紫外領域での遮光性に優れた材料としては、金属材料、セラミックス材料等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、金属材料が好ましい。
金属材料としては、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｓｎ（スズ）、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐｂ（鉛）及びこれらの合金等が挙げられる。これらのなかでは、遮光性、成形性の観点においてＣｒ、Ｎｉが好ましい。また、被形状転写層への金属イオン付着の抑制の観点からは、イオン化され難く安定な材料から構成されることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｉ及びこれらの合金等が好ましい。
尚、これらの金属材料を用いて遮光性部を形成する場合は、少なくとも厚さ５ｎｍ以上の厚さに形成することが好ましい。この厚さは５〜２００ｎｍがより好ましく、５〜７０ｎｍ更に好ましい。
【００１９】
前記透光性部及び遮光性部の各々の凸部１２１（１２１ｓ及び１２１ｔ）及び凹部１２２２（１２２ｓ及び１２２ｔ）の形状は特に限定されず、どのような形状であってもよい。例えば、凸条（図９の符合５１）、２段以上の階段部を有する凸条（図９の符合５２）、凸島状部（図９の符合５３）、突起（図９の符合５４）等の凸部や、凹条（図９の符合５５）、２段以上の階段部を有する凹条（図９の符合５６）、凹島状部（図９の符合５７）、有底孔（図９の符合５８）等の凹部などが挙げられる。
この凸部及び凹部の大きさ（幅及び深さなど）は特に限定されないが、通常、幅は１０μｍ以下であり、特に１０〜１０００ｎｍとすることができ、更には、１０〜５００ｎｍとすることができ、とりわけ１０〜１００ｎｍとすることができる。即ち、例えば、図１及び図５に示すように、凸部における幅は先端部の幅ｗ１を意味し、凹部における幅は開口幅ｗ２を意味する。
尚、第２スタンパ１０ｂでは、露光光の漏れを防ぐために、被形状転写層へのパターン形成に影響しない範囲において、透光性凸部１２１ｔの側面（即ち、遮光性凹部の内側面）に遮光性を有してもよい。
【００２０】
これらの凸部１２１及び凹部１２２の形成方法は特に限定されず、どのような方法を用いてもよい。
前記第１スタンパ１０ａ（図１参照）は、例えば、図３に例示される方法により形成することができる。
一面に透光性電極層１３が配設された基体１１の透光性電極層１３の表面にめっきレジスト層１４を形成するめっきレジスト層形成工程と、
このめっきレジスト層１４を光リソグラフィ法によりパターンニング（パターニングによりめっきレジスト層１４下の透光性電極層１３が露出されるように行う）するパターニング工程と、
透光性電極層１３に通電して電解めっき法により、パターニングされためっきレジスト層１４の凹部１４１に金属材料を堆積するめっき工程と、
用いためっきレジスト層１４を除去（溶媒による除去及び／又は加熱による焼失など）するめっきレジスト層除去工程と、を備え、第１スタンパ１０ａを得ることができる。
【００２１】
一方、前記第２スタンパ１０ｂ（図５参照）は、例えば、図７に例示される方法により形成することができる。即ち、
一面に透光性電極層１３が配設された基体１１の透光性電極層１３の表面にめっきレジスト層１４を形成するめっきレジスト層形成工程と、
このめっきレジスト層１４を光リソグラフィ法によりパターンニング（パターニングによりめっきレジスト層１４下の透光性電極層１３が露出されるように行う）するパターニング工程と、
透光性電極層１３に通電して電解めっき法により、パターニングされためっきレジスト層１４の凹部１４１に金属材料を堆積（めっきレジスト層の凸部の高さよりも低く堆積することで凹部を維持できる）するめっき工程と、を備え、第２スタンパ１０ｂを得ることができる。この第２スタンパでは、めっきレジスト層が透光性凸部１２１ｔとして機能されることとなる。
【００２２】
前記基体１１は、スタンパとしての機械的特性を有しつつ透光性を有すればよい。このような観点から、基体１１を構成する材料としては透光性無機材料（通常、非金属性の無機材料）が好ましい。この透光性無機材料といては、石英質材料｛石英（単結晶、多結晶）、各種ガラス（石英ガラス、フッ化物ガラス、リン酸カルシウム系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、ホウケイ酸塩系ガラス等）｝、シリコン、スピネル、コランダム、サファイア等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでも透光性に優れるという観点から石英質材料が好ましく、なかでも耐熱衝撃性に優れることから石英（ＳｉＯ２）が特に好ましい。
【００２３】
この基体１１は、１層のみからなってもよく２層以上からなってもよい。更に、各層は同じ材質の層からなってもよく、異なる材質の層からなってもよい。
また、基体１１の厚さは限定されないが、通常０．０１μｍ〜１０００μｍである。
更に、基体１１の透光性の程度は特に限定されないが、前記遮光性部及び透光性部に関する前記基準の光透過率において、通常７０％以上である。更に、この好ましい光透過率は、前記放射線として紫外光（とりわけ３６５ｎｍの紫外光）を選択した場合の特性であることがとりわけ好ましい。
【００２４】
前記透光性電極層１３は、スタンパ１０の基体１１の表面に形成された透光性を有する導電層である。この透光性電極層１３を備えることにより、前記めっき工程を行うことができると共に、スタンパ１０を光インプリントリソグラフィに用いる際に後述する露光工程を行うことができる。
この透光性電極層１３を構成する材料としては、酸化物半導体材料が挙げられる。即ち、例えば、酸化インジウム系材料｛酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムマグネシウム、フッ素含有酸化インジウムスズ等｝、酸化亜鉛、酸化亜鉛系材料（Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛）、酸化スズ、酸化スズ系材料｛アンチモン含有酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）等｝、酸化チタン系材料（ニオブ添加二酸化チタン等）などが挙げられる。これらのなかでは透光性に優れるという観点においては酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ、酸化亜鉛、及び、ニオブ添加二酸化チタン等が好ましい。
【００２５】
この透光性電極層１３は、１層のみからなってもよく２層以上からなってもよい。更に、各層は同じ材質の層からなってもよく、異なる材質の層からなってもよい。また、透光性電極層１３の膜厚は特に限定されないが、通常０．１〜１０００ｎｍであり、０．１〜１００ｎｍが好ましく、０．１〜５０ｎｍがより好ましい。
更に、透光性電極層１３の透光性の程度は特に限定されないが、前記遮光性部及び透光性部に関する前記基準の光透過率において、通常７０％以上である。更に、この好ましい光透過率は、前記放射線として紫外光（とりわけ３６５ｎｍの紫外光）を選択した場合の特性であることがとりわけ好ましい。
【００２６】
前記めっきレジスト層１４は、透光性電極層１３の表面にめっき（遮光性凸部１２１ｓとなる）を堆積させる際（めっき工程の際）に、めっきの堆積を防止するための層である。このめっきレジスト層１４は、前述のようにパターニングによりめっきを堆積させるための凹部１４１を形成して用いられる。その形成方法は特に限定されないものの、通常、光リソグラフィ法による。
【００２７】
めっきレジスト層はどのように形成してもよいが、通常、めっきレジスト層用組成物を塗布（塗布した後に加熱処理を行うこともできる）して形成される。めっきレジスト層組成物はどのようなものを用いてもよいが、例えば、下記式（１）で表される構造単位及び下記式（２）で表される構造単位を含有する重合体（Ａ）、少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）及び感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）を含むめっきレジスト層組成物を用いることができる。
【化１】
2010245130.tif 000003
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２は炭素数６〜１２の直鎖状、環状もしくは芳香族の炭化水素基、又はこれらの基の少なくとも１つの水素原子が炭化水素基に置換された置換炭化水素基を表し、Ｒ３は−（ＣｎＨ２ｎ）−基を表わし、ｍは１〜１０の整数であり、ｎは２〜４の整数である。〕
【化２】
2010245130.tif 000004
〔式（２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。〕
【００２８】
重合体（Ａ）に前記式（１）で表される構造単位が含まれることで、これが含まれない場合に比べて、めっきレジスト層と下層との密着性が向上され、めっき液がめっきレジスト層と下層との間への滲出を防止できる。
また、重合体（Ａ）に前記式（２）で表される構造単位が含まれることで、これが含まれない場合に比べて、めっきレジスト層のめっき液に対する耐膨潤性が向上され、めっきレジスト層の下層からの浮きや剥れを防止できる。更に、めっきレジスト層の架橋密度を抑えて解像性を良好にする効果がある。
重合体（Ａ）中に占める前記式（１）で表される構造単位の合計は、通常１〜４０質量％であり、１０〜３０質量％が好ましい。更に、重合体（Ａ）中に占める前記式（２）で表される構造単位の合計は、通常１〜３０質量％であり、１０〜２０質量％が好ましい。各々の範囲では分子量の大きな重合体（Ａ）とすることができ、めっき液に対する耐膨潤性がより向上される。
【００２９】
前記式（１）におけるＲ２のうち炭素数６〜１２の直鎖状としてはヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基などが挙げられる。Ｒ２のうち炭素数６〜１２の環状炭化水素基としてはシクロアルキル基（シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基など）、有橋式炭化水素類に由来する基（アダマンタン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカン、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンなど）等が挙げられる。Ｒ２のうち炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、１−ナフチル基、ベンジル基などが挙げられる。更に、Ｒ２において前記各基に置換可能な炭化水素基としてはメチル基及びエチル基などが挙げられる。
【００３０】
前記式（１）の構造単位を重合体（Ａ）に導入する単量体としては、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレートが好ましく、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシトリエチレングリコールアクリレート、フェノキシテトラエチレングリコールアクリレートが好ましい。
【００３１】
前記式（２）の構造単位を重合体（Ａ）に導入する単量体としては、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノールなどの水酸基含有芳香族ビニル化合物が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらなかでは、長時間のめっき処理耐性に優れることからｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノールが好ましく、ｐ−イソプロペニルフェノールがより好ましい。
【００３２】
重合体（Ａ）には、前記式（１）及び前記式（２）に各々表される構造単位以外にも他の単量体から導入された構造単位を含むことができる。この他の単量体としては、芳香族ビニル化合物（スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレンなど）、ヘテロ原子含有脂環式ビニル化合物（Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなど）、シアノ基含有ビニル化合物（アクリロニトリル、メタクリロニトリルなど）、共役ジオレフィン類（１．３−ブタジエン、イソプレンなど）、カルボキシル基含有ビニル化合物（アクリル酸、メタクリル酸など）、（メタ）アクリル酸エステル類｛アルキル（メタ）アクリレート、ヒドロキアルキル（メタ）アクリレート、ポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレートなど｝、及び、ｐ−ヒドロキシフェニル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３３】
前記少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）は、分子中にエチレン性不飽和基を少なくとも１個有する常温で液体又は固体の化合物である。化合物（Ｂ）としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシルアミル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、トリシクロ〔５．２．１．０２，６〕デカジエニル（メタ）アクリレート、トリシクロ〔５．２．１．０２，６〕デカニル（メタ）アクリレート、トリシクロ〔５．２．１．０２，６〕デセニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔｅｒｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、エチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、（メタ）アクリロニトリルなどが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３４】
更に、（メタ）アクリレート化合物としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルに（メタ）アクリル酸を付加させたエポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシメチルエチルエーテル、テトラメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３５】
前記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として、市販されている製品をそのまま用いることもできる。具体的には、アロニックスＭ−２１０、同Ｍ−３０９、同Ｍ−３１０、同Ｍ−４００、同Ｍ−７１００、同Ｍ−８０３０、同Ｍ−８０６０、同Ｍ−８１００、同Ｍ−９０５０、同Ｍ−２４０、同Ｍ−２４５、同Ｍ−６１００、同Ｍ−６２００、同Ｍ−６２５０、同Ｍ−６３００、同Ｍ−６４００、同Ｍ−６５００（以上、東亞合成株式会社製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｒ−５５１、同Ｒ−７１２、同ＴＭＰＴＡ、同ＨＤＤＡ、同ＴＰＧＤＡ、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＭＡＮＤＡ、同ＨＸ−２２０、同ＨＸ−６２０、同Ｒ−６０４、同ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０（以上、日本化薬株式会社製）、ビスコート＃２９５、同３００、同２６０、同３１２、同３３５ＨＰ、同３６０、同ＧＰＴ、同３ＰＡ、同４００（以上、大阪有機化学工業株式会社製）などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３６】
化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常３０〜８０質量部であり、４０〜７０質量部が好ましい。この範囲では、得られるめっきレジスト層の露光感度が良好であり、更には、重合体（Ａ）との相溶性に優れ、組成物の保存安定性が向上される。
開始剤（Ｃ）は、放射線（紫外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などを含む）の照射により、ラジカルを発生して化合物（Ｂ）の重合を開始する成分である。この開始剤（Ｃ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常１〜４０質量部であり、５〜３０質量部が好ましく、１０〜２０質量部がより好ましい。
【００３７】
この開始剤（Ｃ）として、少なくともビイミダゾール系化合物が含まれることが好ましい。ビイミダゾール系化合物としては、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−メチルフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ジフェニル−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールなどが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
このビイミダゾール系化合物の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常１〜３０質量部であり、１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。この範囲内では、得られるめっきレジスト層の露光感度が良好であり、更に、放射線の透過性に優れ、えぐれのないストレート形状のパターンを形成できる。
【００３８】
開始剤（Ｃ）として、ビイミダゾール系化合物以外にも他の化合物を併用できる。他の開始剤（Ｃ）としては、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モンフォリノプロパノン−１などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。また、この他の開始剤（Ｃ）としては、下記市販品を用いることができる。即ち、イルガキュア３６９（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製）、イルガキュア９０７（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製）などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３９】
前記めっきレジスト層用組成物は、重合体（Ａ）、化合物（Ｂ）及び開始剤（Ｃ）以外にも他の成分を含有できる。他の成分としは有機溶媒（Ｄ）が挙げられる。有機溶媒（Ｄ）としては、多価アルコールのアルキルエーテル類（エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなど）、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類（エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど）、エステル類（３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルなど）、ジアセトンアルコールなどのケトン類が好ましい。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。
【００４０】
更に、前記めっきレジスト層用組成物は、熱重合禁止剤を含有できる。熱重合禁止剤としては、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’−［１−〔４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル〕エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４"−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４’，４"−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパンなどが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。熱重合禁止剤の使用量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下である。
【００４１】
また、前記めっきレジスト層用組成物には、界面活性剤を含有できる。界面活性剤を含有することで、塗布性、消泡性及びレベリング性等を向上させることができる。
界面活性剤としては、市販されている化合物をそのまま用いることもできる。即ち、たとえば、ＦＴＸ−２０４Ｄ、ＦＴＸ−２０８Ｄ、ＦＴＸ−２１２Ｄ、ＦＴＸ−２１６Ｄ、ＦＴＸ−２１８、ＦＴＸ−２２０Ｄ、ＦＴＸ−２２２Ｄ（以上、株式会社ネオス製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（以上、ＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（以上、住友スリーエム株式会社製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（以上、旭硝子株式会社製）、ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８（以上、東レダウコーニングシリコーン株式会社製）などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。界面活性剤の使用量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下である。
【００４２】
更に、前記めっきレジスト層用組成物には、接着助剤を含有できる。接着助剤を含有することで、めっきレジスト層と下層（特に前記基体１１が石英質材料からなる場合に好ましい）との接着性を向上させることができる。
接着助剤としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有する官能性シランカップリング剤が好ましい。この官能性シランカップリング剤としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。その使用量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して２０質量部以下とすることが好ましい。
【００４３】
本発明のスタンパ１０には、前記透光性電極層１３以外にも他の層を備えることができる。他の層としては、離型層、イオン化抑制層、密着性向上層｛各種層間（スタンパと透光性電極層との層間など）の密着性を向上する層｝、熱拡散層、各種光学的機能層｛反射抑制、屈折率制御層、光透過性向上層（酸化ケイ素から構成）など｝、絶縁層等が挙げられる。これらの各種層は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、各層は１層のみを有してもよく２層以上の多層構造としてもよい。また、１種の層を２層以上有する場合には、同種の層間に他種の層を介したサンドイッチ構造とすることもできる。
また、これら他の層の厚さは各々特に限定されないが、各１層の厚みは、通常１〜１００ｎｍであり、１〜５０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍが特に好ましい。
【００４４】
前記他の層のうち、離型層は、スタンパと被形状転写層との分離を容易にするための層である。離型層を備える場合、離型層はスタンパ１０が有する凹凸パターン１２の外表面の一部又は全面に配設されることが好ましい。
この離型層としてはハロゲン化アルキル基を有するシラン系化合物を用いることが好ましい。このようなシラン系化合物を用いた場合には、ハロゲン化アルキル基が表面に位置するように自己組織化された有機単分子膜からなる離型層を得ることができる。
前記シラン系化合物としては、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリクロロシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリメトキシシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリエトキシシラン、パーフルオロデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。尚、この離型層の有無に関わらず、スタンパ表面に各種離型剤を塗布して用いることができる。
【００４５】
前記他の層のうち、イオン化抑制層は透光性無機材料から形成することができる。イオン化抑制層を備える場合、イオン化抑制層はスタンパ１０が有する凹凸パターン１２の外表面の一部又は全面に配設されることが好ましい。
透光性無機材料としては、窒化物、酸化物、酸窒化物及び水素化窒化物等が挙げられる。このうち、窒化物としては、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化スズ、窒化ホウ素、窒化クロム、窒化炭化ケイ素等が挙げられる。酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化イットリウ、酸化エルビウム、酸化セリウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム等が挙げられる。酸窒化物としては、酸窒化ケイ素、酸窒化スズ、酸窒化ホウ素、酸窒化アルミニウム、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化クロム、酸窒化炭化ケイ素等が挙げられる。水素化窒化物としては、水素化窒化アルミニウム、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウム、水素化窒化ケイ素、水素化窒化スズ、水素化窒化ホウ素、水素化窒化クロム、水素化窒化炭化ケイ素等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４６】
このイオン化抑制層の屈折率は特に限定されないものの、１．５以上が好ましく、１．８〜５．５がより好ましく、２．０〜３．５が特に好ましい。尚、この屈折率は、ＪＩＳ  Ｋ００６２（化学製品の屈折率測定方法）による。
更に、このイオン化抑制層の光透過率は７０％以上であることが好ましく、７５〜１００％がより好ましく、８０〜１００％が更に好ましく、９０〜１００％が特に好ましい。尚、この光透過率の基準について前述の通りである。
【００４７】
前記透光性電極層１３及び前記他の層の形成方法は特に限定されないが、通常、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の物理的蒸着法、及び、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学堆積法などの乾式プロセスが好ましい。これらのプロセスは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４８】
［２］光インプリントリソグラフィ方法
以下、本発明の光インプリントリソグラフィ方法について詳述する。尚、本発明には、２つの光インプリントリソグラフィ方法が含まれ、下記第１インプリント方法が、第１スタンパ及びネガ型光硬化性被形状転写層を用いるのに対して、第２インプリント方法は、第２スタンパ及びポジ型光硬化性被形状転写層を用いる点で異なっているが、以下では、これらをまとめて説明する。
【００４９】
本発明の第１の光インプリントリソグラフィ方法（図４参照）は、（ａ）ネガ型光硬化性を有する被形状転写層３０に、第１スタンパ１０ａを圧接する圧接工程ＰＲ１と、（ｂ）前記スタンパ１０ａを前記被形状転写層３０に圧接した状態で、被形状転写層３０を露光する露光工程ＰＲ２と、（ｃ）前記スタンパ１０ａと前記露光後の被形状転写層３０とを分離する分離工程ＰＲ３と、（ｄ）前記分離後の被形状転写層３０に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程ＰＲ４と、を備えることを特徴とする（以下「第１インプリント方法」ともいう）。
【００５０】
本発明の第２の光インプリントリソグラフィ方法（図８参照）は、（ａ）ポジ型光硬化性を有する被形状転写層３０に、第２スタンパ１０ｂを圧接する圧接工程と、（ｂ）前記スタンパ１０ｂを前記被形状転写層３０に圧接した状態で、被形状転写層３０を露光する露光工程ＰＲ２と、（ｃ）前記スタンパ１０ｂと前記露光後の被形状転写層３０とを分離する分離工程ＰＲ３と、（ｄ）前記分離後の被形状転写層３０に形成された凹凸パターンを洗浄する洗浄工程ＰＲ４と、を備えることを特徴とする（以下「第２インプリント方法」ともいう）。
【００５１】
前記「圧接工程ＰＲ１」は、前記第１インプリント方法では、ネガ型光硬化性を有する被形状転写層に、第１スタンパを圧接する工程であり、前記第２インプリント方法では、ポジ型光硬化性を有する被形状転写層に、第２スタンパを圧接する工程である。
【００５２】
前記「被形状転写層３０」は、スタンパ１０が有する凹凸パターン１１が圧接されて、この凹凸パターンが転写される層である。この被形状転写層３０は、硬化された凹凸パターンを有するまで（即ち、パターン層となるまで）の過程の全ての状態の層をいうものとする。即ち、凹凸パターンが圧接される前段階の層、凹凸パターンが圧接された層、半硬化された凹凸パターンを有する層などが含まれる。
また、通常、この被形状転写層３０は、基板２０の表面に形成されており、凹凸パターンが形成されることで、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。
【００５３】
被形状転写層３０は、各方法においてネガ型及びポジ型の違い以外は共用することができ、通常、被形状転写層用組成物を基板に塗布して製膜することにより得られる。被形状転写層用組成物を構成する成分は特に限定されないが、通常、硬化可能な重合体が含有される。この重合体としては、シラン系重合体、（メタ）アクリル系重合体、エポキシ系重合体、オキセタン系重合体、ビニル系重合体等が挙げられる。これらのなかではシラン系重合体を用いることが好ましい。
即ち、例えば、シラン系重合体と空孔形成剤とが含有された被形状転写層用組成物を基板上に製膜して得られた被形状転写層に対してパターン形成を行った後、硬化させて、次いで、得られた硬化物（半硬化物などを含む）から前記空孔形成剤を除去することでシラン系重合体を主成分とする層間絶縁膜（パターン層）を得ることができる。特に低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする場合に好適である。
【００５４】
前記シラン系重合体としては、加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られた重合体が好ましい。更に詳しくは、下記式（１）で表される加水分解性シラン化合物（以下、単に「化合物（１）」という）、及び、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物（以下、単に「化合物（２）」という）、から選ばれる少なくとも１種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体であることが好ましい。
ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ    …  （１）
〔式（１）において、Ｒは水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基、又はアルキルカルボニルオキシ基を表し、Ｒ１は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数を示す。〕
Ｓｉ（ＯＲ２）４          …  （２）
〔式（２）において、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
【００５５】
前記式（１）のＲ１における１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリル基、グリシジル基等が挙げられる。
前記化合物（１）の具体例としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等が好ましい。尚、化合物（１）は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５６】
前記式（２）のＲ２における１価の有機基としては、前記式（１）のＲ１における１価の有機基をそのまま適用できる。但し、式（２）のＲ２と式（１）のＲ１とは同じであってもよく異なっていてもよい。
前記化合物（２）の具体例としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン等が挙げられる。これらのなかでも、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。尚、化合物（２）は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５７】
前記シラン系重合体を構成する加水分解性シラン化合物としては、化合物（１）及び化合物（２）のみを用いてもよいが、必要に応じて、下記式（３）で表わされる加水分解性シラン化合物（以下、「化合物（３）」という）を併用できる。
【００５８】
Ｒ３ｘ（Ｒ４Ｏ）３−ｘＳｉ−（Ｒ７）ｚ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｙＲ６ｙ  …（３）
〔式（３）において、Ｒ３〜Ｒ６は同一又は異なり、それぞれ１価の有機基を表し、ｘ及びｙは同一又は異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７は酸素原子、フェニレン基、又は−（ＣＨ２）ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）を表し、ｚは０又は１を示す。〕
この化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。式（３）のＲ３〜Ｒ６における１価の有機基としては、それぞれ、式（１）のＲ１における１価の有機基をそのまま適用できる。但し、式（３）のＲ３〜Ｒ６と式（１）のＲ１とは各々同じであってもよく異なっていてもよい。
【００５９】
前記化合物（３）のうち、式（３）においてｚ＝０である化合物（３）としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン等が好ましい。これらのｚ＝０である化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６０】
また、前記化合物（３）のうち、式（３）においてｚ＝１である化合物（３）としては、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン等が好ましい。これらのｚ＝１である化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６１】
前記シラン系重合体に含まれる全ての構成単位の合計を１００モル％とした場合に、化合物（１）由来の構成単位の含有割合は、３０〜１００モル％であることが好ましく、６０〜１００モル％がより好ましく、７０〜１００モル％が更に好ましい。３０〜１００モル％では、硬化処理時のプロセスマージンと硬化物の物性のバランスを良好にできる。
また、化合物（２）由来の構成単位の含有割合は、０〜７０モル％であることが好ましく、０〜４０モル％がより好ましく、０〜３０モル％が更に好ましい。０〜７０モル％では、硬化処理時のプロセスマージンと硬化物の物性のバランスをより良好にできる。
更に、化合物（１）由来の構成単位、及び、化合物（２）由来の構成単位の合計含有量は、１００モル％以下であることが好ましく、３０〜１００モル％がより好ましく、６０〜１００モル％が更に好ましい。３０〜１００モル％では、凹凸パターン形成においてシラン系重合体中の化合物（１）及び化合物（２）の各化合物に由来する構成単位を含むことによる効果をより効果的に得ることができる。
また、化合物（３）由来の構成単位の含有割合は、５０モル％以下であることが好ましく、０〜４０モル％がより好ましく、０〜３０モル％が更に好ましい。５０モル％以下では、凹凸パターン形成においてシラン系重合体中の化合物（１）及び化合物（２）の各化合物に由来する構成単位を含むことによる効果を阻害することなく、凹凸パターン形成において化合物（３）由来の構成単位を含む効果をより効果的に得ることができる。
【００６２】
前記シラン系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、より好ましくは１０００〜１００００である。このＭｗが１０００〜１０００００では、硬化前の不要なゲル化を抑制しつつ、優れた塗布性と高い保存安定性を両立させることができる。
【００６３】
前記シラン系重合体は、加水分解性シラン化合物｛前記化合物（１）〜（３）｝を出発原料として用い、加水分解縮合反応させることにより得ることができる。
このシラン系重合体を調製する際には、［１］化合物（１）、（２）及び（３）の混合物を加水分解縮合反応させてもよく、［２］各化合物の加水分解物及びその縮合物のうちの少なくとも一方や、選択された化合物の混合物の加水分解物及びその縮合物のうちの少なくとも一方を用いて、加水分解縮合反応又は縮合反応させてもよい。
また、硬化特性を調整するため、架橋基を有するシルセスキオキサン類、例えば、オクタ［（１，２−エポキシ−４−シクロヘキシル）ジメチルシロキシ］シルセスキオキサン、オクタ［（３−グリシドキシプロピル）ジメチルシロキシ］シルセスキオキサン等を添加してもよい。
また、加水分解縮合反応を行った後には、例えば、メタノール、エタノール等の低級アルコール類等の反応副生成物の除去処理を行うことが好ましい。これにより、前記有機溶媒の純度が高くなるため、より優れた塗布性が得られると共に、優れた保存安定性を得ることもできる。
本発明におけるシラン系重合体は、重合体溶液から単離して用いてもよく、重合体溶液のまま用いてもよい。尚、重合体溶液として用いる場合、必要に応じて、後述の溶媒（Ｃ）に溶剤置換されていてもよい。
【００６４】
前記空孔形成剤としては、加熱により除去（蒸散、昇華、焼失、反応気化など）できる各種有機成分を用いることができる。この有機成分としては、（メタ）アクリル系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド，ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体等が挙げられる。これらのなかでは、（メタ）アクリル系重合体及びポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体が好ましく、特に（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
これらの有機成分は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６５】
このうち（メタ）アクリル系重合体は、（メタ）アクリル系単量体を用いて得られた重合体である。この（メタ）アクリル系単量体としては、単官能アクリレート及び多官能アクリレートが挙げられる他、アクリル酸、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、及び、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６６】
この空孔形成剤としての（メタ）アクリル系重合体には、前記各種単量体のなかでも、特にイソブチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアダマンチル（メタ）アクリレート、γ−ブチロラクチル（メタ）アクリレート、ノルボルナンカルボラクチル（メタ）アクリレートが好ましい。
更に、この（メタ）アクリル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、１０００〜１５０００が更に好ましい。このＭｗが１０００〜１５０００では、低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする被形状転写層用組成物内に特に良好な相溶性をもって混合することができる。
【００６７】
また、前記ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造等が挙げられる。具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩等のエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル等のエーテルエステル型化合物等が挙げられる。
【００６８】
また、前記ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては、下記のブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−（Ｘ’）ｌ−（Ｙ’）ｍ−
−（Ｘ’）ｌ−（Ｙ’）ｍ−（Ｘ’）ｎ−
〔式中、Ｘ’は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−で表される基を示し、Ｙ’は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−で表される基を示し、ｌは１〜９０、ｍは１０〜９９、ｎは０〜９０の数を示す。〕
【００６９】
この空孔形成剤としてのポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体には、前記各種重合体のなかでも、特にポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル等のエーテル型化合物が好ましい。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
更に、このポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、１０００〜１５０００が更に好ましい。このＭｗが１０００〜１５０００では、低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする被形状転写層用組成物内に特に良好な相溶性をもって混合することができる。
【００７０】
また、被形状転写層には、露光により酸を発生する感放射線性酸発生剤（以下、単に「光酸発生剤」ともいう）が含有される。光酸発生剤が含有されることで、光酸発生剤から発生された酸は、重合体の架橋を促進し、その結果、被形状転写層の硬化が進行されて機械的特性に優れた凹凸パターンの形成を行うことができる。この光酸発生剤は、露光｛例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線（ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）などを含む。以下同様）により酸を発生する成分である。
この光酸発生剤としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。
【００７１】
具体的には、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩化合物；
【００７２】
４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物；
【００７３】
４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物；
【００７４】
トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムカンファースルホネート等のトリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム塩化合物；
【００７５】
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のジフェニルヨードニウム塩化合物；
【００７６】
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート等のビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩化合物；
【００７７】
１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物；
【００７８】
１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物；
【００７９】
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド等のスクシンイミド類化合物；
【００８０】
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等のビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。
尚、これらの光酸発生剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００８１】
前記光酸発生剤の使用量は、感度及び解像性を確保する観点から、前記被形状転写層を構成する組成物（以下、単に「被形状転写層用組成物」という）に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、０．１〜３０質量部であり、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１５質量部がより好ましい。前記好ましい範囲では感度及び解像性に優れると共に、放射線に対する透明性を十分に得ることができ、凹凸パターンをより得易い。
【００８２】
この被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも溶剤を含有できる。
溶剤としては、有機溶剤を用いることが好ましく、通常は前記各成分が有機溶剤に溶解又は分散される。この有機溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤、芳香族系溶剤及び含ハロゲン溶剤からなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
これらの溶剤のなかでも、沸点が１５０℃未満の有機溶剤を使用することが好ましい。特に、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤及びエステル系溶剤のうちの１種又は２種以上を使用することが好ましい。
【００８３】
前記溶剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、１００〜３５００質量部であり、２００〜３５００質量部が好ましく、４００〜３５００質量部がより好ましい。前記好ましい範囲では被形状転写層の面内均一性が特に優れる。
【００８４】
更に、被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも酸拡散抑制剤を含有できる。
酸拡散制御剤は、被形状転写層内において、光酸発生剤から発生された酸の不要な拡散を制御し、非照射領域における意図しない化学反応を抑制する作用を有する成分である。この酸拡散制御剤を配合することにより、被形状転写層表面に形成する凹凸パターンの解像度を向上させることができると共に凹凸パターンの線幅変化を抑えることができる。
前記酸拡散制御剤としては、凹凸パターンの形成工程中の照射や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
【００８５】
前記含窒素有機化合物としては、３級アミン化合物、アミド基含有化合物、４級アンモニウムヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。
３級アミン化合物としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、２，６−ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類；トリエタノールアミン、ジエタノールアニリン等のアルカノールアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンテトラメチレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等が挙げられる。
【００８６】
アミド基含有化合物としては、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピロリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシ−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−モルフォリン等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。
【００８７】
４級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
含窒素複素環化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
尚、これらの酸拡散制御剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００８８】
前記酸拡散制御剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、１５質量部以下（０．００１質量部以上）であり、１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
【００８９】
また、被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも界面活性剤を含有できる。
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション等を改良する作用を示す成分である。この界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤等が挙げられる。
前記界面活性剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、０．００００１〜１質量部であり、０．００００１〜０．１質量部が好ましく、０．００００１〜０．０１質量部がより好ましい。
【００９０】
前記被形状転写層用組成物を用いて被形状転写層（凹凸パターンを圧接する前の被形状転写層）を形成する方法は特に限定されない。例えば、基板上に回転塗布、流延塗布、ロール塗布及びその他の方法により直接的に形成してもよく、予め他の場所に形成した被膜を乾燥させてシート化し、必要な大きさに裁断したうえでシール様に基板上に貼り付けて被形状転写層としてもよく、更にその他の方法を用いてもよい。
被形状転写層（基板上に膜化した後、溶剤等が含まれている場合には溶剤などを除去した状態における被形状転写層である）の厚さは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ以上（１００μｍ以下）である。この厚さは０．０１〜５０μｍが好ましく、０．０１〜１０μｍがより好ましく、０．０１〜１μｍが特に好ましい。前記好ましい範囲では、被形状転写層の優れた面内均一性及び高い光透過性を確保することができる。
【００９１】
また、被形状転写層が形成された基板の種類は特に限定されず種々のものを用いることができる。即ち、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等のＳｉ含有層で被覆されたウェハや、各種半導体装置製造段階における下層などが挙げられる。更に、例えば、特公平６−１２４５２号公報（特開昭５９−９３４４８号公報）等に開示されたように、有機系或いは無機系の反射防止膜が形成された基板であってもよい。
【００９２】
また、この圧接工程ＰＲ１における圧接の際の圧力は特に限定されないが、通常、０．１ＭＰａ以上（１００ＭＰａ以下）である。この圧力は０．１〜５０ＭＰａが好ましく、０．１〜３０ＭＰａがより好ましく、０．１〜２０ＭＰａが特に好ましい。更に、圧接する時間は特に限定されないが、通常、１秒以上（６００秒以下）である。この圧接時間は１〜３００秒が好ましく、１〜１８０秒がより好ましく、１〜１２０秒が特に好ましい。
【００９３】
前記「露光工程ＰＲ２」は、スタンパ１０を被形状転写層３０に圧接した状態で、被形状転写層３０に対して露光する工程である。更に、この露光はスタンパ１０を透過させて露光を行うことで、前記スタンパ１０が有する遮光性部及び透光性部が各々パターンマスクとして機能される。
この露光工程ＰＲ２により被形状転写層３０の硬化が促進され、被形状転写層のうちの、遮光性部（第１スタンパの遮光性凸部、第２スタンパの遮光性凹部）下の部位、透光性部（第１スタンパの透光性凹部、第２スタンパの透光性凹部）下の部位、とで硬化具合に差を生じる。即ち、ネガ型被形状転写層のうちの第１スタンパの遮光性凸部下の部分は、ネガ型被形状転写層のうちの第１スタンパの透光性凹部下の部分よりも、硬化が進行しないこととなる。また、ポジ型被形状転写層のうちの第２スタンパの透光性凸部下の部分は、ポジ型被形状転写層の第２スタンパの遮光性凹部下の部分よりも、硬化が進行しないこととなる。このような硬化具合の差を生じることにより、後述する洗浄工程ＰＲ４で残渣の除去を容易に行うことができるようになる。
【００９４】
この露光工程ＰＲ２では、前述のように被形状転写層３０を完全に硬化させてもよく不完全に硬化させてもよく、その硬化程度は特に限定されず、分離工程ＰＲ３を行うに際して、少なくとも転写された凹凸パターンの形状を維持できる程度の硬化が行われればよい。
光硬化に用いる放射線種は特に限定されず、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線｛ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）などを含む｝を用いることができる。
【００９５】
前記「分離工程ＰＲ３」は、スタンパ１０を被形状転写層３０から分離する工程である。分離に際する各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、基板２０を固定してスタンパ１０を基板２０から遠ざかるように移動させて分離してもよく、スタンパ１０を固定して基板２０をスタンパ１０から遠ざかるように移動させて分離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って分離してもよい。
【００９６】
前記「洗浄工程ＰＲ４」は、分離後の被形状転写層３０に形成された凹凸パターンを洗浄する工程である。この工程を行うことにより、図４及び図８に示すように、被形状転写層３０に凹凸パターン３１が形成される。
この洗浄工程においては、通常、アルカリ性水溶液を洗浄液として用い、残渣４０を溶解除去する。この洗浄液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を水に溶解させてなるアルカリ性水溶液が好ましい。
上記アルカリ性水溶液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常、０．０１〜０．１質量％である。
【００９７】
また、上記洗浄液は、上記成分以外に、有機溶媒及び／又は界面活性剤等を含有できる。有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、３−メチルシクロペンタノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用できる。
前記洗浄液による洗浄時間は、被形状転写層の組成及び残渣の量に等によって、適宜、選択されるが、通常、１〜３０分間である。また、この洗浄工程後には、必要に応じて、水洗及び乾燥等が行うことができる。
【００９８】
本発明の第１インプリント方法及び第２インプリント方法では、各々前記工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、加熱硬化工程が挙げられる。
この工程を備える場合には、分離工程ＰＲ３と洗浄工程ＰＲ４との間、及び／又は、洗浄工程ＰＲ４後に、行うことが好ましい。この加熱硬化工程を備えることで、スタンパ１０から分離された被形状転写層の硬化をより進行させることができ、更には、完全に硬化させることができる。更に、後述するように被形状転写層に空孔形成剤が含まれる場合には空孔形成剤を除去して空孔を形成することができる。
前記加熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で１００〜５００℃で加熱することができ、更には１５０〜３００℃で加熱することができる。この加熱においては、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いることができる。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、「部」及び「％」は、特記しない限り質量基準である。
【０１００】
［実施例１］第１スタンパの製造
窒素置換したドライアイス／メタノール還流器の付いたフラスコ中に、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル５．０ｇ、乳酸エチル１５０ｇを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。この溶液に、メタクリル酸（１０ｇ）、ｐ−イソプロペニルフェノール（１５ｇ）、イソボルニルアクリレート（４０ｇ）、ｎ−ブチルアクリレート（５ｇ）、トリシクロ（５．２．１．０２，６）デカニルメタクリレート（１５ｇ）、フェノキシトリプロピレングリコールアクリレート（１５ｇ）を仕込み、ゆるやかに攪拌を開始し、８０℃まで昇温した。その後、８０℃で６時間重合を行い、重合体Ａを得た。
【０１０１】
得られた重合体Ａを１００質量部、第１のエチレン性不飽和化合物Ｂ（東亜合成株式会社製、品名「アロニックスＭ８１００」）を６０質量部、第２のエチレン性不飽和化合物Ｂ（東亜合成株式会社製、品名「アロニックスＭ３２０」）を１０質量部、感放射線性ラジカル重合開始剤Ｃとして２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール（４質量部）、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モンフォリノプロパノン−１（１０質量部）、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（０．２質量部）、界面活性剤（株式会社ネオス製、品名「ＦＴＸ−２１８」）を０．３質量部、溶媒として乳酸エチル１５０質量部を混合し、攪拌して均一な溶液を調製した。この成物溶液を、孔径１０μｍのカプセルフィルターでろ過してめっきレジスト層用組成物を得た。
【０１０２】
膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、図３の符合１３）からなる透明電極を設けた石英基板（図３の符合１１）上に、前記めっきレジスト層用組成物をスピンコートし、１１０℃で５分間ベークすることにより５μｍのめっきレジスト層（図３の符合１４）を形成した。超高圧水銀灯（１０００Ｗ）を用いてパターンマスクを介した紫外光照射を行った後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像（２３℃、６０秒）した後、水洗し、乾燥することにより５０μライン／５０μスペースを有するネガ型パターンを得た。続いて、得られたネガ型パターンに超高圧水銀灯（１０００Ｗ）を用いて紫外光照射を５分間行い、残存している感放射線性ラジカル重合開始剤Ｃを分解させた。
【０１０３】
得られたネガ型パターン（図３の符合１４）を有する石英基板（図３の符合１１）に対し、電解クロムめっきを施し、めっきレジスト層の凹部１４１に厚さ５μｍのクロムめっき（遮光性凸部となる）を形成した。その後、ＣＭＰ法（化学機械研磨法）を用いて、石英基板１１、ＩＴＯ膜１３及びクロムめっきからなる遮光性凸部１４の面内高さバラツキが０．２μｍ以下となるように、スタンパ表面を研磨して平坦化を行った。
その後、ネガ型パターンをＯ２アッシングする（大気下で加熱焼失させる）ことにより、遮光性凸部（図１の１２１ｓ）と透光性凹部（図１の１２２ｔ）とを有する第１スタンパ１０ａを得た。得られた第１スタンパ１０ａには、走査型電子顕微鏡（日立計測器サービス株式会社製、型式「Ｓ９３８０」）で観察することにより、５０μライン／５０μスペースの凹凸パターンが形成されていることを確認した。
尚、３６５ｎｍの紫外線に光透過率｛紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、型式「ＪＡＳＣＯ  Ｖ７１００」）による｝は、遮光性凸部が０％、透光性凹部が１００％であった。
【０１０４】
［実施例２］第１スタンパを用いたネガ型光インプリントリソグラフィ方法
（１）ネガ型光硬化性を有する樹脂組成物の調製
窒素置換された石英製三口フラスコ内に、２０％マレイン酸水溶液２．１４ｇ及び超純水１３９．６ｇを加えて７５℃に加熱した。次いで、テトラメトキシシラン２５．７ｇ（０．１６９モル％）、メチルトリメトキシシラン２０６．７ｇ（１．５２モル）、及びエトキシプロパノール２５．９ｇを混合した溶液を１時間かけて反応容器に滴下し、７５℃で２時間撹拌させた。この反応液を室温まで戻し、固形分濃度が２５％となるまで減圧下で濃縮してケイ素含有樹脂が含まれたケイ素含有樹脂溶液４４０ｇを得た。この溶液に含まれたケイ素含有樹脂の構成モノマー比（ａ：ｂ）は｛前記式（３）における（ａ：ｂ）｝は１０：９０（ｍｏｌ％）であり、Ｍｗは８５００であった。
【化３】
2010245130.tif 000005
【０１０５】
次いで、得られたケイ素含有樹脂１ｇにオクタ［（１，２−エポキシ−４−シクロヘキシル）ジメチルシロキシ］シルセスキオキサンを６ｇ、オクタ［（３−グリシドキシプロピル）ジメチルシロキシ］シルセスキオキサンを３ｇ、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートを０．２ｇ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾールを０．０１７ｇ、加えた混合物を、２４ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、孔径０．１μｍのフィルタを用いてろ過し、ネガ型光硬化性を有する樹脂組成物（以下、「ネガ型樹脂組成物」という）を得た。
【０１０６】
（２）被形状転写層への凹凸パターンの形成
シリコンウエハ（図４の符合２０）上に、得られた前記ネガ型樹脂組成物をネガ型光硬化性を有する被形状転写層用組成物として利用し、これをスピンコートにて塗布し、１００℃で１分間、ホットプレート上で加熱することにより厚さ５μｍのネガ型光硬化性を有する被形状転写層（図４の符合３０）を形成した。
【０１０７】
得られた被形状転写層（図４の符合３０）に前記第１スタンパ１０ａを圧接（４ＭＰａ、１５秒）した状態で低圧水銀ランプ（１５０Ｗ）を用いて光照射（６０秒）を行った（圧接工程ＰＲ１及び露光工程ＰＲ２）。
続いて、１００℃で１分間、ホットプレート上で加熱した後、第１スタンパ１０ａを分離した（分離工程ＰＲ３）。
更に、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により洗浄（２３℃、６０秒）して（洗浄工程ＰＲ４）、凹凸パターン（図４の符合３１）を形成した。
【０１０８】
得られた凹凸パターン（図４の符合３１）の断面を走査型電子顕微鏡商品名「Ｓ−４８００」、日立ハイテクノロジーズ社製）で観測したところ、５０μｍライン／５０μｍスペースの矩形パターンが確認され、凹凸パターン（図４の符合３０）の凹部には残渣が認められなかった。
【０１０９】
［実施例３］第２スタンパの製造
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜（図７の符号１３）を有する石英基板上（図７の符号１１）に、前記実施例２（１）と同様に調製したネガ型樹脂組成物をめっきレジスト層用組成物として利用し、これを成膜して厚さ１μｍのネガ型光硬化性を有するめっきレジスト層（図７の符号１４）を得た。次いで、パターンマスクを介したＫｒＦ露光を行った後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像（２３℃、６０秒）した。次いで、水洗し、乾燥することにより４５０ｎｍライン／４５０ｎｍスペースの凹凸パターンをめっきレジスト層（図７の符号１４）に形成した。続いて、金めっきを施して凹部（図７の符号１４１）に厚さ１０ｎｍの厚みを有する金膜｛遮光性部に相当、図７の符号１２２（ｓ）｝を形成し、遮光性凹部｛図７の符号１２２（ｓ）｝と透光性凸部｛図１の符号１２２（ｔ）｝と有する凹凸パターン（図７の符合１２）を備えた第２スタンパ１０ｂを得た。得られた第２スタンパ１０ｂを走査型電子顕微鏡（日立計測器サービス株式会社製、型式「Ｓ９３８０」）で観察し、４５０ｎｍライン／４５０ｎｍスペースの凹凸パターン（図７の符合１２）が形成されていることを確認した。
尚、３６５ｎｍの紫外線に光透過率｛紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、型式「ＪＡＳＣＯ  Ｖ７１００」）による｝は、遮光性凹部が０％、透光性凸部が１００％であった。
【０１１０】
［実施例４］第２スタンパを用いたポジ型光インプリントリソグラフィ方法
シリコンウエハ（図８の符合２０）上にポジ型感放射線性樹脂組成物（ＪＳＲ株式会社製、品名「Ｍ２２１Ｙ」）をポジ型光硬化性を有する被形状転写層用組成物として利用し、これをスピンコート塗布し、１００℃で１分間、ホットプレート上で加熱することにより厚さ１μｍのポジ型光硬化性を有する被形状転写層（図８の符合３０）を形成した。
【０１１１】
得られた被形状転写層（図８の符合３０）に前記第２スタンパ１０ｂを圧接（１０ＭＰａ、６０秒）した状態で低圧水銀ランプ（１５０Ｗ）を用いて光照射（６０秒）を行った（圧接工程ＰＲ１及び露光工程ＰＲ２）。
続いて、１００℃で１分間、ホットプレート上で加熱した後、第２スタンパ１０ｂを分離した（分離工程ＰＲ３）。
更に、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により洗浄（２３℃、６０秒）して（洗浄工程ＰＲ４）、凹凸パターン（図８の符合３１）を形成した。
【０１１２】
得られた凹凸パターン（図８の符合３１）の断面を走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型式「Ｓ−４８００」）で観測し、４５０ｎｍライン／４５０ｎｍスペースの矩形の凹凸パターンが形成されていることを確認した。更に、凹凸パターン（図８の符合３１）の凹部に残渣は認められなかった。
【０１１３】
尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０（１０ａ及び１０ｂ）；スタンパ、１１；基体、
１２；凹凸パターン、１２１；凸部、１２１ｓ；遮光性凸部、１２１ｔ；透光性凸部、１２２；凹部、１２２ｓ；遮光性凹部、１２２ｔ；透光性凹部、
１３；透光性電極層、
１４；めっきレジスト層、１４１；めっきレジスト層の凹部、
２０；基板、３０；被形状転写層、３１；凹凸パターン（転写された凹凸パターン）、３１２；被形状転写層の凹部、４０；残渣、
５１；凸条、５２；２段以上の階段部を有する凸条、５３；凸島状部、５４；突起、５５；凹条、５６；２段以上の階段部を有する凹条、５７；凹島状部、５８；有底孔、
ＰＲ１；圧接工程、ＰＲ２；露光工程、ＰＲ３；分離工程、ＰＲ４；洗浄工程。
【図１】
2010245130.tif 000006
【図２】
2010245130.tif 000007
【図３】
2010245130.tif 000008
【図４】
2010245130.tif 000009
【図５】
2010245130.tif 000010
【図６】
2010245130.tif 000011
【図７】
2010245130.tif 000012
【図８】
2010245130.tif 000013
【図９】
2010245130.tif 000014