(57)【要約】【課題】反りの発生を抑制することができる極薄化された高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供することである。【解決手段】上面から下面にかけてコア用の配線導体２が配設されたコア用の絶縁基板３の上下面に、それぞれビルドアップ用の配線導体５が配設されたビルドアップ用の第１の絶縁層１１と、第２の絶縁層１５とをこの順に積層し、絶縁基板３および第１の絶縁層１１は、いずれも補強材を含有し、第２の絶縁層１５は補強材を含有しないと共に、絶縁基板３の厚さをａ、各第１の絶縁層１１の厚さをｂ、各第２の絶縁層１５の厚さをｃとしたとき、前記ａ，ｂおよびｃが、ａ＞ｂ＞ｃの関係を有する配線基板１０であり、その製造方法である。【選択図】図１
2010010329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面から下面にかけてコア用の配線導体が配設されたコア用の絶縁基板の上下面に、それぞれビルドアップ用の配線導体が配設されたビルドアップ用の第１の絶縁層と、第２の絶縁層とをこの順に積層した配線基板であって、
前記絶縁基板および第１の絶縁層は、いずれも補強材を含有し、
前記第２の絶縁層は、補強材を含有しないと共に、
前記絶縁基板の厚さをａ、各第１の絶縁層の厚さをｂ、各第２の絶縁層の厚さをｃとしたとき、前記ａ，ｂおよびｃが、ａ＞ｂ＞ｃの関係を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記補強材がガラス繊維である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板の厚さは２５０μｍ以下であり、各第１の絶縁層の厚さは５０μｍ以下であり、各第２の絶縁層の厚さは４０μｍ以下である請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア用の配線導体およびビルドアップ用の配線導体の厚さは、いずれも１０〜２５μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁基板に形成されたスルーホールの内部には、熱硬化性樹脂が充填されており、該熱硬化性樹脂は、前記第１の絶縁層を形成する熱硬化性樹脂と同一組成である請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁基板および第１の絶縁層の線膨張率は、いずれもＸ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｙ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｚ軸方向が３０ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
上面から下面にかけてコア用の配線導体が配設され、補強材を含有するコア用の絶縁基板を形成する工程と、
この絶縁基板の上下面に、ビルドアップ用の配線導体が配設され、前記絶縁基板より厚さが薄く、補強材を含有するビルドアップ用の第１の絶縁層を積層する工程と、
この上下に位置する第１の絶縁層上に、ビルドアップ用の配線導体が配設され、前記第１の絶縁層より厚さが薄く、補強材を含有しないビルドアップ用の第２の絶縁層を積層する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁層を絶縁基板の上下面に積層する工程は、補強材を含む未硬化の熱硬化性樹脂から成る第１の絶縁層用フィルムを前記絶縁基板の上下面に張着して熱硬化させる工程を含み、
さらに前記第１の絶縁層用フィルムを絶縁基板の上下面に張着したとき、未硬化の熱硬化性樹脂を絶縁基板に形成されたスルーホール内に流入させて、該スルーホール内部を前記熱硬化性樹脂で充填する工程を含む請求項７記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極薄化された高密度配線の配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路素子等の電子部品を実装するために用いられる高密度配線の配線基板として、ビルドアップ配線基板がある。図４は、従来の配線基板を示す断面図である。同図に示すように、この配線基板１２０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３を有している。このコア用の絶縁基板１０３の上下面には、ビルドアップ用の絶縁層１０４と、ビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層されている。さらに、その最表面には、保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されている。
【０００３】
コア用の絶縁基板１０３の上面から下面にかけては、複数のスルーホール１０７が形成されている。絶縁基板１０３の上下面およびスルーホール１０７の内面には、コア用の配線導体１０２が被着されている。スルーホール１０７の内部には、埋め込み樹脂１０８が充填されている。ビルドアップ用の絶縁層１０４には、それぞれに複数のビアホール１０９が形成されている。各絶縁層１０４の表面およびビアホール１０９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０５がそれぞれ被着形成されている。
【０００４】
そして、絶縁層１０４を挟んで上層に位置する配線導体１０５と、下層に位置する配線導体１０５とをビアホール１０９内の配線導体１０５を介して電気的に接続することにより、高密度配線が立体的に形成される。
【０００５】
一方、配線導体１０５のうち、配線基板１２０の上面側における最外層の絶縁層１０４上に被着された一部は、半導体素子接続用の帯状配線導体１０５Ａをなす。該帯状配線導体１０５Ａは、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａがフリップチップ接続される接続パッド１０５ａを一部に有し、帯状に複数並設されている。接続パッド１０５ａは、複数横に並んだ状態でソルダーレジスト層１０６に形成された開口部から露出している。この露出した接続パッド１０５ａに、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａが半田バンプ１１０を介して電気的に接続される。
【０００６】
また、配線基板１２０の下面側における最外層の絶縁層１０４上に被着された一部は、配線導体１０５Ｂをなす。該配線導体１０５Ｂは、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される外部接続用の接続パッド１０５ｂを有し、複数並設されている。接続パッド１０５ｂは、ソルダーレジスト層１０６に形成された開口部から露出している。この露出した接続パッド１０５ｂに、外部電気回路基板の配線導体が半田ボール１１１を介して電気的に接続される。
【０００７】
このような配線基板１２０上に半導体集積回路素子１０１を実装するには、先ず、接続パッド１０５ａに予め半田バンプ１１０を形成しておき、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａと半田バンプ１１０を当接させる。次に、加熱して半田バンプ１１０を溶融させることにより、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａと接続パッド１０５ａとを半田バンプ１１０を介して電気的に接続する。その後、半導体集積回路素子１０１と配線基板１２０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂（不図示）を充填し、半導体集積回路素子１０１が配線基板１２０上に実装される。
【０００８】
近時、半導体集積回路素子１０１は、その小型化、薄型化、高集積度化が急激に進み、電極端子１０１ａは狭ピッチ化、多端子化されている。そして、この半導体集積回路素子１０１を実装する配線基板１２０にも極薄化等が要求されている。
【０００９】
しかしながら、上記のような配線基板１２０を極薄化すると、配線基板１２０の剛性が低下して、半導体集積回路素子１０１や充填樹脂の線膨張率の影響を受けやすくなる。そのため、半導体集積回路素子１０１実装後に配線基板１２０に反りが発生して、パッケージのコプラナリティー（平坦性）を維持することができず、実装性および電気的接続信頼性に問題が生じている。
【００１０】
前記反りの発生を抑制するには、ガラス繊維等の補強材を用いて配線基板１２０の剛性を向上させればよいとも考えられる。例えば特許文献１には、外側絶縁層がガラス繊維を補強材として含むビルドアップ配線基板が記載されている。
【００１１】
しかしながら、この配線基板を極薄化すると、厚さを薄くした前記絶縁層の表面にガラス繊維に起因する凹凸が発生して平滑性が低下する。また、ガラス繊維を補強材として含む絶縁層は、その表面の微細な粗化が困難である。そのため、絶縁層と配線導体との間に微細な粗化面を介して十分な密着性および絶縁信頼性を得られず微細な配線導体を形成することができないという問題がある。外側絶縁層、すなわち最外層に位置する絶縁層上に微細な配線導体を形成することができないと、狭ピッチ化・多端子化された電極端子を有する半導体集積回路素子を実装することができない。
【００１２】
特許文献２には、内層基材層としてガラスエポキシ基板等のプリント配線板を使用し、外層基材層には、ガラス繊維等の無機充填剤を含有しない硬化性樹脂組成物を使用したビルドアップ配線基板が記載されている。
【００１３】
しかしながら、内層基材層、すなわちコア用の絶縁基板の厚さを薄くすると、ガラス繊維のフィラメント径が小さくなり、ガラス繊維の強度やコア用の絶縁基板自体の剛性も低下する。また、外層基材層、すなわちビルドアップ用の絶縁層は、ガラス繊維を含有していないので、厚さを薄くすると剛性が著しく低下する。したがって、特許文献２に記載されたビルドアップ配線基板を極薄化すると、前記反りが発生する。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−１６８２２８号公報
【特許文献２】特開平９−２４６７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、反りの発生を抑制することができる極薄化された高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の知見を得た。すなわち、コア用の絶縁基板１０３は、通常、ガラス繊維等の補強材を含有しているので十分な剛性を有しているが、厚さを薄くすると、補強材により得られる強度や絶縁基板１０３自体の剛性が低下する。また、ビルドアップ用の絶縁層１０４は、通常、熱硬化性樹脂からなり、前記補強材を含有していないので、厚さを薄くすると剛性が著しく低下する。そのため、厚さを薄くした絶縁基板１０３，絶縁層１０４を積層すると、配線基板１２０の剛性が低下して、前記反りが発生する。
【００１７】
ここで、絶縁層１０４が補強材を含有すれば、配線基板１２０を極薄化しても反りの発生を抑制することができるとも考えられる。
しかし、全ての絶縁層１０４が補強材を含有すると、厚さを薄くした絶縁層１０４の表面に補強材に起因する凹凸が発生して平滑性が低下する。また、ガラス繊維を補強材として含む絶縁層は、その表面の微細な粗化が困難である。そのため、絶縁層表面との間に十分な密着性および絶縁信頼性を確保した上で微細な配線導体１０５を形成することができない。また、いわゆるマイグレーションの問題も懸念される。
【００１８】
そこで、半導体集積回路素子１０１や外部電気回路基板を実装する上で、特に微細な配線導体１０５が要求される最外層に位置する絶縁層１０４のみが補強材を含有しなければよく、さらに絶縁基板１０３と、該絶縁基板１０３の上下面に積層される絶縁層１０４とが補強材を含有すれば厚さを薄くしても剛性を確保することができるとの着想を得、さらに研究を重ねて本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち、本発明の配線基板およびその製造方法は、以下の構成からなる。
（１）上面から下面にかけてコア用の配線導体が配設されたコア用の絶縁基板の上下面に、それぞれビルドアップ用の配線導体が配設されたビルドアップ用の第１の絶縁層と、第２の絶縁層とをこの順に積層した配線基板であって、前記絶縁基板および第１の絶縁層は、いずれも補強材を含有し、前記第２の絶縁層は、補強材を含有しないと共に、前記絶縁基板の厚さをａ、各第１の絶縁層の厚さをｂ、各第２の絶縁層の厚さをｃとしたとき、前記ａ，ｂおよびｃが、ａ＞ｂ＞ｃの関係を有することを特徴とする配線基板。
（２）前記補強材がガラス繊維である前記（１）記載の配線基板。
（３）前記絶縁基板の厚さは２５０μｍ以下であり、各第１の絶縁層の厚さは５０μｍ以下であり、各第２の絶縁層の厚さは４０μｍ以下である前記（１）または（２）記載の配線基板。
（４）前記コア用の配線導体およびビルドアップ用の配線導体の厚さは、いずれも１０〜２５μｍである前記（１）〜（３）のいずれかに記載の配線基板。
（５）前記絶縁基板に形成されたスルーホールの内部には、熱硬化性樹脂が充填されており、該熱硬化性樹脂は、前記第１の絶縁層を形成する熱硬化性樹脂と同一組成である前記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線基板。
（６）前記絶縁基板および第１の絶縁層の線膨張率は、いずれもＸ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｙ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｚ軸方向が３０ｐｐｍ／℃以下である前記（１）〜（５）のいずれかに記載の配線基板。
【００２０】
（７）上面から下面にかけてコア用の配線導体が配設され、補強材を含有するコア用の絶縁基板を形成する工程と、この絶縁基板の上下面に、ビルドアップ用の配線導体が配設され、前記絶縁基板より厚さが薄く、補強材を含有するビルドアップ用の第１の絶縁層を積層する工程と、この上下に位置する第１の絶縁層上に、ビルドアップ用の配線導体が配設され、前記第１の絶縁層より厚さが薄く、補強材を含有しないビルドアップ用の第２の絶縁層を積層する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（８）前記第１の絶縁層を絶縁基板の上下面に積層する工程は、補強材を含む未硬化の熱硬化性樹脂から成る第１の絶縁層用フィルムを前記絶縁基板の上下面に張着して熱硬化させる工程を含み、さらに前記第１の絶縁層用フィルムを絶縁基板の上下面に張着したとき、未硬化の熱硬化性樹脂を絶縁基板に形成されたスルーホール内に流入させて、該スルーホール内部を前記熱硬化性樹脂で充填する工程を含む前記（７）記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、補強材を含有する絶縁基板の上下面に、補強材を含有する第１の絶縁層と、補強材を含有しない第２の絶縁層とをこの順に積層する。そして、絶縁基板の厚さを最も大きくし、第２の絶縁層の厚さを最も薄くした。これにより、配線基板全体を極薄化しても、絶縁基板および該絶縁基板の上下面に積層される第１の絶縁層によって剛性が確保されているので、反りの発生を抑制することができる。しかも、第２の絶縁層は補強材を含有しないので、厚さを薄くしても補強材を含有することによる凹凸発生の問題がない。また、ビアホールの形成が補強材により阻害されることなく、微細なビアホールを高密度で形成することができる。さらに、その表面を微細に粗化することが可能であり、この微細に粗化された表面を介して配線導体との間に十分な密着性および絶縁信頼性を確保した上で微細な配線導体を形成することができ、狭ピッチ化・多端子化された電極端子を有する半導体集積回路素子を実装することができる。したがって、本発明によれば、半導体集積回路素子等の電子部品実装後のパッケージのコプラナリティーを維持することができ、実装性および電気的接続信頼性に優れる極薄化された高密度配線の配線基板が得られるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明にかかる配線基板の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態にかかる配線基板を示す断面図であり、図２は、その部分拡大断面図である。図３は、本実施形態にかかる配線基板を示す平面図である。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態にかかる配線基板１０はビルドアップ配線基板であり、上面から下面にかけてコア用の配線導体２が配設されたコア用の絶縁基板３を有する。このコア用の絶縁基板３の上下面に、それぞれビルドアップ用の配線導体５が配設されたビルドアップ用の第１の絶縁層１１と、第２の絶縁層１５とがこの順に積層されている。さらに、その最表面には、保護用のソルダーレジスト層６が被着されている。
【００２４】
具体的に説明すると、絶縁基板３は配線基板１０のコア部材として機能する。絶縁基板３の上面から下面にかけて複数のスルーホール７が形成されている。絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面には、コア用の配線導体２が被着されている。配線導体２は、絶縁基板３の上下面では、主として銅箔等から形成されており、スルーホール７の内面では、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されている。絶縁基板３の上下面に形成された配線導体２，２同士が、スルーホール７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。また、スルーホール７の内部には、埋め込み樹脂８が充填されている。
【００２５】
第１の絶縁層１１，第２の絶縁層１５には、直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されている。第１の絶縁層１１，第２の絶縁層１５の表面およびビアホール９の内面には、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るビルドアップ用の配線導体５が被着形成されている。
【００２６】
そして、第１の絶縁層１１または第２の絶縁層１５を挟んで上層に位置する配線導体５と、下層に位置する配線導体５とをビアホール９内の配線導体５を介して電気的に接続することにより、高密度配線が立体的に形成されている。
【００２７】
配線導体５のうち、配線基板１０の上面側における第２の絶縁層１５上に被着された一部は、帯状配線導体５Ａをなす。該帯状配線導体５Ａは、半導体集積回路素子１０１の電極１０１ａと半田バンプ１１０を介して電気的に接続される半導体素子接続用の接続パッド５ａを一部に有し、帯状に複数並設されている。また、配線基板１０の下面側における第２の絶縁層１５上に被着された一部は、配線導体５Ｂをなす。該配線導体５Ｂは、外部電気回路基板の配線導体に半田ボール１１１を介して電気的に接続される外部接続用の接続パッド５ｂを有し、複数並設されている。
【００２８】
より具体的には、帯状配線導体５Ａは、図３に示すように、半導体集積回路素子１０１の外周部に対応する位置に、半導体集積回路素子１０１の外周辺に対して直角な方向に延びるようにして所定のピッチで帯状に複数並設されている。そして、各帯状配線導体５Ａは、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａに対応する位置に、半導体素子接続用の接続パッド５ａを有している。この接続パッド５ａ上には、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａをフリップチップ接続により電気的に接続するための半田バンプ１１０が形成されている。
【００２９】
第２の絶縁層１５上およびその上の配線導体５上には、ソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、最外層の配線導体５を熱や外部環境から保護するための保護膜である。上面側のソルダーレジスト層６は、各接続パッド５ａを一括して露出させるスリット状の開口６ａを有している。この開口６ａの幅に対応した長さで帯状配線導体５Ａの一部を露出させることにより、長方形状の接続パッド５ａが画定される。また、各接続パッド５ａは、複数横に並んだ状態でソルダーレジスト層６の開口６ａから露出している。一方、下面側のソルダーレジスト層６は、外部接続用の接続パッド５ｂを露出させる円形の開口を有するようにして被着されている。ソルダーレジスト層６の厚さとしては、例えば１０〜５０μｍ程度が挙げられる。
【００３０】
ここで、絶縁基板３および第１の絶縁層１１は、いずれも補強材を含有する。これにより、絶縁基板３，第１の絶縁層１１の機械的強度が向上すると共に、熱に対する強度も向上するので、低熱膨張化することができる。
【００３１】
一方、第２の絶縁層１５は補強材を含有していない。これにより、第２の絶縁層１５の厚さを薄くしても補強材を含有することによる凹凸発生の問題はない。また、ビアホール９の形成が補強材により阻害されることなく、微細なビアホール９を高密度で形成することができる。さらに、その表面を微細に粗化することが可能であり、この微細に粗化された表面を介して配線導体５との間に十分な密着性および絶縁信頼性を確保できる。すなわち、第２の絶縁層１５上に形成される配線導体５の一部は、接続パッド５ａ，５ｂを有する帯状配線導体５Ａ，配線導体５Ｂをなすが、前記凹凸発生の問題がないことや表面を微細に粗化して十分な密着性や絶縁信頼性を確保できることから、これらを微細に形成することが可能になる。
【００３２】
そして、図２に示すように、絶縁基板３の厚さをａ、各第１の絶縁層１１の厚さをｂ、各第２の絶縁層１５の厚さをｃとしたとき、前記ａ，ｂおよびｃが、ａ＞ｂ＞ｃの関係を有する。これにより、厚さの薄い第２の絶縁層１５は剛性が低下するものの、絶縁基板３、および該絶縁基板３の上下面に積層される第１の絶縁層１１，１１によって剛性を確保することができ、配線基板１０全体を極薄化しても反りの発生を抑制することができる。
【００３３】
前記補強材としては、例えばガラス繊維、アルミナ繊維等の無機繊維；アラミド繊維、全芳香族ポリエステル繊維等の有機繊維等が挙げられ、特にガラス繊維が好ましい。補強材は、絶縁基板３中に３０〜６０重量％、第１の絶縁層１１中に２０〜４０重量％の割合でそれぞれ含有されているのが好ましい。
【００３４】
絶縁基板３の厚さとしては２５０μｍ以下、好ましくは５０〜２４０μｍであるのがよい。これにより、十分な剛性を確保することができると共に、スルーホール７の内部に埋め込み樹脂８を充填できる厚みが確保される。
【００３５】
また、各第１の絶縁層１１の厚さとしては５０μｍ以下、好ましくは３０〜５０μｍであるのがよい。これにより、小径のビアホール９を形成しやすくなる。各第２の絶縁層１５の厚さとしては４０μｍ以下、好ましくは２０〜４０μｍであるのがよい。これにより、絶縁基板３，第１の絶縁層１１の回路密度よりも高密度化、ファインピッチ化を達成することができる。
【００３６】
コア用の配線導体２，ビルドアップ用の配線導体５の厚さとしては、いずれも１０〜２５μｍ、好ましくは１２〜２０μｍであるのがよい。これにより、絶縁基板３の上下面に形成されるコア用の配線導体２を微細に形成することができる。また、絶縁基板３の上下面に形成される配線導体２と、スルーホール７の内面に形成される配線導体２とを略同一の厚さで形成することができる。第１の絶縁層１１上および第２の絶縁層１５上に形成される配線導体５を微細に形成することができる。
【００３７】
第１の絶縁層１１において、隣接する配線導体５，５同士の間隔は４０〜８０μｍ、隣接するビアホール９，９同士の間隔は１６０〜２１０μｍであるのが好ましい。第２の絶縁層１５において、隣接する配線導体５，５同士の間隔は３０〜５０μｍ、隣接するビアホール９，９同士の間隔は１００〜１４０μｍであるのが好ましい。
【００３８】
一方、前記した通り、絶縁基板３に形成されたスルーホール７の内部には埋め込み樹脂８が充填されている。後述するように第１の絶縁層１１は、補強材を含有する熱硬化性樹脂からなり、埋め込み樹脂８は、第１の絶縁層１１を形成する前記熱硬化性樹脂と同一組成の熱硬化性樹脂からなる。この理由としては、以下の理由が挙げられる。
【００３９】
すなわち、埋め込み樹脂８は、通常、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂をスルーホール７内にスクリーン印刷法等により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。
【００４０】
埋め込み樹脂８として、第１の絶縁層１１と同一組成からなる熱硬化性樹脂を採用すると、後述するように熱硬化後の略平坦に研磨する工程が不要になり、配線導体２を、セミアディティブ法にて４０〜６０μｍピッチ、サブトラクティブ法にて６５〜８０μｍピッチでそれぞれ形成することができる。また、第１の絶縁層１１を、通常のビルドアップ用の絶縁層の樹脂量と同じ樹脂量管理領域で使用することができる。さらに、樹脂量が不足することによる補強材と配線導体２，５との接触や、層間剥離を抑制することができる。スルーホール７は、直径が１２０μｍ以下、好ましくは５０〜１２０μｍであるのがよい。
【００４１】
また、反りの発生を抑制する上で、絶縁基板３，第１の絶縁層１１の線膨張率は、いずれもＸ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｙ軸方向が１５ｐｐｍ／℃以下であり、Ｚ軸方向が３０ｐｐｍ／℃以下であるのがよい。前記線膨張率は、含有する補強材の割合で所望の値に調整することができる。すなわち、補強材を多く含有すると、絶縁基板３，第１の絶縁層１１を低熱膨張化することができる。なお、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向における各線膨張率は、絶縁基板３，第１の絶縁層１１を水平配置したとき、これらが温度の上昇に対してＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に変化した長さの割合を示している。
【００４２】
さらに、反りの発生をより効果的に抑制する上で、第２の絶縁層１５の線膨張率は、１００ｐｐｍ／℃以下であるのがよく、特には３０〜６０ｐｐｍ／℃が好ましい。第２の絶縁層１５の線膨張率は、絶縁層１５中にシリカ等の無機フィラーを含有させることにより調整できる。
【００４３】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。先ず、電気絶縁材料から成る絶縁基板３を形成する。該絶縁基板３は、例えばガラス繊維の束を縦横に織ったガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを得、該シートの上下面に配線導体２用の銅箔を張着した後、そのシートを熱硬化させ、これに上面から下面にかけてスルーホール７用のドリル加工を施して得られる。
【００４４】
なお、前記ガラスクロスを用いたシートに代えて、未硬化の熱硬化性樹脂に補強材を分散させたシートを用いることもできる。前記熱硬化性樹脂としては、例えばビスマレイミドトリアジン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４５】
配線導体２は、例えば以下のようにして形成することができる。先ず、絶縁基板３用のシートの上下全面に配線導体２用の銅箔を張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔する。次に、このスルーホール７の内面および銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施す。次に、この上下面の銅箔および銅めっきを、フォトリソグラフィ技術等を用いて所定のパターンにエッチング加工する。これにより、配線導体２が、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。
【００４６】
上記のようにして得た絶縁基板３の上下面に、配線導体５が配設された第１の絶縁層１１を積層する。具体的には、第１の絶縁層１１は、先ず、絶縁基板３と同様にガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料や、未硬化の熱硬化性樹脂に補強材を分散させた電気絶縁材料から成るフィルムを、絶縁基板３の上下面に張着する。
【００４７】
このとき、前記未硬化の熱硬化性樹脂がスルーホール７内に流入して、スルーホール７の内部が前記熱硬化性樹脂にて充填される。この熱硬化性樹脂を熱硬化させることによって、埋め込み樹脂８が形成される。したがって、従来のように埋め込み樹脂を形成するときに熱硬化後の略平坦に研磨する工程が不要になる。
【００４８】
前記熱硬化性樹脂としては、絶縁基板３において例示した熱硬化性樹脂と同じ熱硬化性樹脂が挙げられる。前記フィルムの厚さは、熱硬化後の厚さが絶縁基板３よりも薄くなるように形成する。
【００４９】
次に、絶縁基板３の上下面に張着したフィルムを熱硬化させると共に、レーザ加工によりビアホール９を穿孔し、配線導体５を形成する。配線導体５は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。セミアディティブ法は、先ず、ビアホール９が形成された第１の絶縁層１１の表面に電解めっき用の下地金属層を無電解銅めっきにより形成する。次に、その上に配線導体５に対応した開口を有するめっきレジスト層を形成する。次に、下地金属層を給電用の電極として開口から露出する下地金属層上に電解銅めっきを施すことで配線導体５を形成する。次に、めっきレジストを剥離した後、露出する下地金属層をエッチング除去することによって各配線導体５を電気的に独立させる。
【００５０】
上記のようにして得た第１の絶縁層１１に、配線導体５が配設された第２の絶縁層１５を積層する。該第２の絶縁層１５は、前記フィルムを、補強材を含有しない未硬化の熱硬化性樹脂のみで形成し、かつ熱硬化後の厚さが第１の絶縁層１１よりも薄くなるように形成し、表面を粗化液で処理して微細に粗化する以外は、前記した第１の絶縁層１１と同様にして形成することができる。なお、第２の絶縁層１５上の配線導体５の一部は、接続パッド５ａ，５ｂを有する帯状配線導体５Ａ，配線導体５Ｂをなすが、これらはいずれも前記セミアディティブ法により形成することができる。
【００５１】
この第２の絶縁層１５上およびその上の配線導体５上にソルダーレジスト層６を被着する。ソルダーレジスト層６は、例えば感光性を有するソルダーレジスト層用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して第２の絶縁層１５上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって、各接続パッド５ａを一括して露出させるスリット状の開口６ａと、接続パッド５ｂを露出させる円形の開口とをそれぞれ形成した後、これを熱硬化させることによって形成することができる。あるいは、ソルダーレジスト層用の未硬化の樹脂フィルムを第２の絶縁層１５上に張着した後、これを熱硬化させ、しかる後、接続パッド５ａ，５ｂに対応する位置にレーザ光を照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去して、前記開口を有するようにしても形成することができる。
【００５２】
得られた配線基板１０は、図１に示すように、ペリフェラル型の半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａを、接続パッド５ａ上に形成された半田バンプ１１０を介して電気的に接続することにより、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａと接続パッド５ａとが電気的に接続される。そして、半導体集積回路素子１０１と配線基板１０との間の隙間に充填樹脂を充填することによって、半導体集積回路素子１０１が配線基板１０上に実装される。半導体集積回路素子１０１実装後の配線基板１０は、前記した理由からパッケージのコプラナリティーを維持することができ、優れた実装性および電気的接続信頼性を示すことができる。
【００５３】
なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更は可能である。例えば上述の実施形態例では、本発明の配線基板をペリフェラル型の半導体集積回路素子１０１を搭載する配線基板１０に適用した例を示したが、本発明の配線基板は、半導体集積回路素子の下面の全域にわたり格子状の並びに電極端子が形成されたエリアアレイ型の半導体集積回路素子を搭載するための配線基板に適用してもよく、更には、ペリフェラル型の半導体集積回路素子とエリアアレイ型の半導体集積回路素子とを混在して搭載する配線基板や、その他の電子装置を搭載する配線基板に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す平面図である。
【図４】従来の配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
２  コア用の配線導体
３  コア用の絶縁基板
５  ビルドアップ用の配線導体
５Ａ  帯状配線導体
５Ｂ  配線導体
５ａ，５ｂ  接続パッド
６  ソルダーレジスト層
６ａ  開口
７  スルーホール
８  埋め込み樹脂
９  ビアホール
１０  配線基板
１１  ビルドアップ用の第１の絶縁層
１５  ビルドアップ用の第２の絶縁層
１０１  半導体集積回路素子
１０１ａ  電極端子
１１０  半田バンプ
１１１  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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