(57)【要約】【課題】露光不良を抑制できる露光方法、デバイスの製造方法及び露光装置を提供すること。【解決手段】保持部材に保持された基板を用いて露光処理を行う露光方法であって、前記基板に所定の保持力を作用させて該基板を前記保持部材で保持させる保持工程と、保持された前記基板の変形に関する情報に応じて、前記基板に作用する前記保持力を解除する解除工程とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持部材に保持された基板を用いて露光処理を行う露光方法であって、
前記基板に所定の保持力を作用させて該基板を前記保持部材で保持させる保持工程と、
保持された前記基板の変形に関する情報に応じて、前記基板に作用する前記保持力を解除する解除工程と
を備える露光方法。
【請求項２】
前記解除工程は、前記基板の形状を検出することによって前記変形に関する情報を求める請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記解除工程は、前記露光処理の条件に基づいて前記変形に関する情報を求める請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記解除工程は、前記基板に照射される露光光の照射量に基づいて前記変形に関する情報を求める請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記解除工程は、前記基板を前記保持部材から離間させることで前記保持力を解除する請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記解除工程は、前記基板を離間させた状態で当該基板を冷却する冷却工程をさらに含む請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記解除工程は、前記基板を離間させた状態で当該基板を整形する整形工程をさらに含む請求項５又は請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記保持工程は、前記基板を前記保持部材に吸着させることで前記保持力を作用させる吸着工程を含み、
前記解除工程は、前記保持力が作用する方向とは異なる方向に前記基板に対して圧力を加える請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記保持工程では、前記保持部材が前記基板を保持した状態で当該基板の温度を調節する請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記基板は所定のパターンが形成されたマスクであり、
前記解除工程は、前記パターンを介して露光されるウエハ上に設定された複数の区画領域の何れか１つに対する露光処理を終えてから次の区画領域に対する露光処理を開始するまでの間に行われる請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記解除工程は、前記マスクを前記保持部材から離間させて露光光の光路上から退避させた位置で冷却するマスク冷却工程を含む請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
リソグラフィ工程を有するデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程は請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の露光方法を含むデバイスの製造方法。
【請求項１３】
保持部材に保持された基板を用いて露光処理を行う露光装置であって、
前記基板に所定の保持力を作用させて該基板を前記保持部材で保持させると共に、保持された前記基板の変形に関する情報に応じて、前記基板に作用する前記保持力を解除させる制御装置
を備える露光装置。
【請求項１４】
前記制御装置は、前記基板の形状を検出することによって前記変形に関する情報を求める請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記制御装置は、前記露光処理の条件に基づいて前記変形に関する情報を求める請求項１３又は請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記制御装置は、前記基板に照射される露光光の照射量に基づいて前記変形に関する情報を求める請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記制御装置は、前記基板を前記保持部材から離間させることで前記保持力を解除させる請求項１３から請求項１６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記制御装置は、前記基板を離間させた状態で当該基板を冷却させる請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記基板を離間させた状態で当該基板を整形させる請求項１７又は請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記基板を前記保持部材に吸着させることで前記保持力を作用させ、前記保持力が作用する方向とは異なる方向に前記基板に対して圧力を加えさせる請求項１３から請求項１６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記制御装置は、前記保持部材が前記基板を保持した状態で当該基板の温度を調節させる請求項１３から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記基板は所定のパターンが形成されたマスクであり、
前記制御装置は、前記パターンを介して露光されるウエハ上に設定された複数の区画領域の何れか１つに対する露光処理を終えてから次の区画領域に対する露光処理を開始するまでの間に行わせる請求項１３から請求項２１のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御装置は、前記マスクを前記保持部材から離間させて露光光の光路上から退避させた位置で冷却させる請求項２２に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、デバイスの製造方法及び露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、マスクの中央部を露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で基板を露光する。露光に用いられるマスクは、露光装置のマスクステージに保持される。マスクステージにてマスクを保持する際には、例えばマスクステージにマスクを保持部材上に吸着させるなどの手法が知られている。
【０００３】
露光光の照射回数を重ねるにつれて、露光光の照射を受けるマスクの温度が上昇し、熱膨張によってマスクが変形して歪みが発生する。マスクの形状に歪みが生じると、当該マスクを介して基板上に投影されるパターンが歪んでしまう。マスクが熱膨張によって変形する場合、変形の成分に線形成分を多く含むため、例えば当該マスクを介して投影されるパターンに対し投影光学系の倍率を変化させるなど線形の補正を行うことで、当該パターンの歪みを容易に低減させることができる。  
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０２４８７４４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、マスクが保持部材によって吸着されている場合、当該吸着部分においてマスクの変形が部分的に抑制されることになり、マスクの変形の成分に非線形成分を多く含んだ状態となる。非線形成分を多く含んで変形したマスクを介して投影されるパターンに対して、例えば投影光学系の倍率を変化させるなど線形の補正を行っても、当該パターンの歪みを低減させることは困難である。パターンが歪んだ状態で基板上に投影されてしまうと、露光不良が発生する可能性がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、露光不良を抑制できる露光方法、デバイスの製造方法及び露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る露光方法は、保持部材（２８）に保持された基板（Ｍ）を用いて露光処理を行う露光方法であって、前記基板に所定の保持力を作用させて該基板を前記保持部材で保持させる保持工程と、保持された前記基板の変形に関する情報に応じて、前記基板に作用する前記保持力を解除する解除工程とを備える。
【０００７】
本発明によれば、保持部材によって保持された基板の変形に関する情報に応じて、基板に作用する保持力を解除することとしたので、当該保持力に起因する基板の非線形の変形成分を解消させることができる。基板を介して投影されるパターンを線形に補正可能な状態とすることができるため、パターンの歪みを低減させることができる。
【０００８】
本発明に係るデバイスの製造方法は、リソグラフィ工程を有するデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程は上記の露光方法を含む。
【０００９】
本発明によれば、基板を介して投影されるパターンを線形に補正可能な状態にすることができ、パターンの歪みを低減させることができるので、高性能のデバイスを得ることができる。
【００１０】
本発明に係る露光装置（ＥＸ）は、保持部材（２８）に保持された基板（Ｍ）を用いて露光処理を行う露光装置であって、前記基板に所定の保持力を作用させて該基板を前記保持部材で保持させると共に、保持された前記基板の変形に関する情報に応じて、前記基板に作用する前記保持力を解除させる制御装置（３）を備える。
【００１１】
本発明によれば、制御装置により、保持部材によって保持された基板の変形に関する情報に応じて、基板に作用する保持力を解除することとしたので、当該保持力に起因する基板の非線形の変形成分を解消させることができる。基板を介して投影されるパターンを線形に補正可能な状態とすることができるため、パターンの歪みを低減させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、露光不良を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３と、計測等を行う計測ステージ４とを備えている。制御装置３は、例えばコンピュータシステムを含む。また、露光装置ＥＸは、基板Ｐが処理される内部空間Ｌを形成するチャンバ装置５を備えている。チャンバ装置５は、内部空間Ｌの環境（温度、湿度及びクリーン度を含む）を調整可能である。
【００１５】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐにおいて、感光膜上に保護膜（トップコート膜）のような各種の膜が形成されていてもよい。
【００１６】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型マスクを用いるが、反射型マスクでもよい。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射する。照明系ＩＬの照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含み、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。
【００１８】
露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の床面ＦＬ上に設けられた第１コラム６、及び第１コラム６上に設けられた第２コラム７を含むボディ８を備えている。第１コラム６は、複数の第１支柱９と、それら第１支柱９に防振装置１０を介して支持された第１プレート１１とを有する。第２コラム７は、第１プレート１１上に設けられた複数の第２支柱１２と、それら第２支柱１２に支持された第２プレート１３とを有する。第２プレート１３は、露光光ＥＬが通過する第２開口１７を有する。
【００１９】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。マスクＭは、照明系ＩＬの照明領域ＩＲ（露光光ＥＬの照射位置）に移動可能である。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２０】
マスクステージ１は、ガスベアリングにより、第２プレート１３の上面（ガイド面）１３Ｇに非接触で支持されている。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１５の作動により、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置（照明系ＩＬの照明領域ＩＲ）を含む第２プレート１３の上面１３Ｇに沿って、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ１は、例えば基板Ｐの露光時、あるいは露光光ＥＬを用いる計測時等に露光光ＥＬが通過する第１開口１６を有する。
【００２１】
マスクステージ１は、露光光ＥＬが照射されるマスクＭを保持するマスク保持部１４を有する。マスク保持部１４は、マスクＭを着脱可能である。本実施形態において、マスク保持部１４は、マスクＭの下面（パターン形成面）ＭｂとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。
【００２２】
第２プレート１３上には、マスクステージ１のＹ軸方向の一方の方向（例えば＋Ｙ方向）への移動に応じてそのマスクステージ１とは反対の方向（例えば−Ｙ方向）へ移動するカウンタマス１８が設けられている。カウンタマス１８は、エアパッドを含む自重キャンセル機構により、第２プレート１３の上面１３Ｇに非接触で支持されている。本実施形態において、カウンタマス１８は、マスクステージ１の周囲に設けられている。
【００２３】
マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ａによって計測される。レーザ干渉計１９Ａは、マスクステージ１の反射面１Ｒに計測光ＬＢを照射する。レーザ干渉計１９Ａは、マスクステージ１の反射面１Ｒに照射した計測光ＬＢを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関するマスクステージ１の位置情報を計測する。制御装置３は、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ａ）の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置１５を作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２４】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。基板Ｐは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲ（露光光ＥＬの照射位置）に移動可能である。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２０に保持されている。鏡筒２０は、フランジ２１を有する。フランジ２１は、第１プレート１１に支持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２５】
基板ステージ２は、露光光ＥＬが照射される基板Ｐを保持する基板保持部２２を有する。基板保持部２２は、基板Ｐを着脱可能である。本実施形態において、基板保持部２２は、基板Ｐの露光面（上面）ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、ガスベアリングにより、第３プレート２３の上面（ガイド面）２３Ｇに非接触で支持されている。本実施形態において、第３プレート２３の上面２３ＧとＸＹ平面とはほぼ平行である。第３プレート２３は、床面ＦＬに防振装置２４を介して支持されている。基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置２５の作動により、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置（投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲ）を含む第３プレート２３の上面２３Ｇに沿って、基板Ｐを保持して移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２２に基板Ｐを保持した状態で、第３プレート２３上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２６】
基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ｂによって計測される。レーザ干渉計１９Ｂは、基板ステージ２の反射面２Ｒに計測光ＬＢを照射する。レーザ干渉計１９Ｂは、基板ステージ２の反射面２Ｒに照射した計測光ＬＢを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの露光面Ｐａの面位置情報（Ｚ軸、θＸ及びθＹ方向に関する位置情報）が、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。制御装置３は、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ｂ）の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置２５を作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００２７】
計測ステージ４は、図１において基板ステージ２にＸ方向に重なる位置に配置されており、基板ステージ２と同様、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能に設けられている。計測ステージ４には、マスクＭのアライメントや投影光学系ＰＬの調整等の各種計測を行う不図示の計測装置が搭載されている。
【００２８】
図２は、本実施形態に係るマスクステージ１、カウンタマス１８及び第２プレート１３近傍の斜視図である。図３は、マスクステージ１の一部の構成を示す斜視図である。図２及び図３において、マスクステージ１は、マスク保持部１４が設けられたマスクステージ本体２７を備えている。
【００２９】
図２に示すように、マスクステージ本体２７は、ＸＹ平面内においてほぼ矩形の第１部材２８と、第１部材２８の＋Ｘ側の端に接続されたＹ軸方向に長い第２部材２９とを有している。第１部材２８は、＋Ｙ側の側面に、レーザ干渉計１９Ａの計測光ＬＢが照射される反射面１Ｒを有する。第１部材２８の反射面１Ｒは、Ｙ軸とほぼ垂直になっている。カウンタマス１８の＋Ｙ側の側面には、レーザ干渉計１９Ａの計測光ＬＢが透過可能な透過領域１８Ｙが配置されている。レーザ干渉計１９Ａは、透過領域１８Ｙを介して、第１部材２８の反射面１Ｒに計測光ＬＢを照射可能である。
【００３０】
第２プレート１３のほぼ中央には、凸部１３Ａが設けられている。第２プレート１３のガイド面１３Ｇは、凸部１３Ａの上面を含む。第１部材２８のうちガイド面１３Ｇに対向する面には真空予圧型のエアパッド５７が設けられている。このエアパッド５７は、ガイド面１３Ｇに向かってエア（空気）を吹き付けることにより、ガイド面１３Ｇに対して第１部材２８を、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持（非接触支持）させる。また、このエアパッド５７は、第１部材２８とガイド面１３Ｇとの間のエアを吸引することにより、当該クリアランスを維持できるようにもなっている。マスクステージ本体２７は、当該エアパッド５７によって凸部１３Ａの上面１３Ｇに非接触で支持されるようになっている。第２プレート１３の凸部１３Ａのほぼ中央には、第２開口１７が設けられている。
【００３１】
マスク保持部１４は、第１部材２８のうち第１開口１６の周囲に配置された台座４３と、当該台座４３に設けられた吸着パッド４４とを有する。吸着パッド４４は、台座４３の上面４３Ｔに設けられている。台座４３及び吸着パッド４４は、第１開口１６の４辺のうち対向する２辺に沿って配置されており、Ｙ軸方向に長手方向を有する。吸着パッド４４は、マスクＭの下面Ｍｂの少なくとも一部を保持する保持面４５を有する。
【００３２】
保持面４５は、台座４３の上面４３Ｔの少なくとも一部を含む。本実施形態において、保持面４５は、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、本実施形態において、当該保持面４５を含む凹部４０内の面がマスクＭの載置される載置面４５ａである。吸着パッド４４は、台座４３の上面４３Ｔの一部に形成された溝４６と、溝４６の内側に形成された吸引口４７とを有する。保持面４５は、台座４３の上面４３Ｔのうち、溝４６が形成されていない部分を含む。吸引口４７は、流路４８ａを介して、圧力調節装置４８に接続されている。制御装置３により圧力調節装置４８を制御することで、吸引口４７の気体を吸引すると共に、当該気体をマスクＭ側に噴射することができるようになっている。
【００３３】
吸着パッド４４は、マスクＭの下面Ｍｂの少なくとも一部を吸着するように保持する。吸着パッド４４の保持面４５と、マスクＭの下面Ｍｂの一部とを接触させた状態で、吸引口４７に接続されている圧力調節装置４８が作動することにより、マスクＭの下面Ｍｂと溝４６の内面とで囲まれた空間の気体が吸引口４７によって吸引され、その空間が負圧になる。これにより、マスクＭの下面Ｍｂが保持面４５に吸着保持される。マスクステージ１は、保持面４５でマスクＭを保持しながら移動可能である。また、吸引口４７を用いる吸引動作が停止されることによって、マスク保持部１４よりマスクＭを外すことができる。
【００３４】
マスクＭは、その下面Ｍｂの一部に、パターンが形成されたパターン形成領域を有し、保持面４５を含む吸着パッド４４は、そのマスクＭの下面Ｍｂのうち、パターン形成領域以外の領域を保持する。マスク保持部１４は、マスクＭのパターン形成領域が第１開口１６に配置されるようにマスクＭを保持する。
【００３５】
第２部材２９は、＋Ｘ側の側面に、レーザ干渉計１９Ａの計測光ＬＢが照射される反射面１Ｒを有する。第２部材２９の反射面１Ｒは、Ｘ軸とほぼ垂直になっている。カウンタマス１８の＋Ｘ側の側面には、レーザ干渉計１９Ａの計測光ＬＢが透過可能な透過領域１８Ｘが配置されている。レーザ干渉計１９Ａは、透過領域１８Ｘを介して、第２部材２９の反射面１Ｒに計測光ＬＢを照射可能である。
【００３６】
マスクステージ駆動装置１５は、マスクステージ１を移動可能である。マスクステージ駆動装置１５は、マスクステージ１をＹ軸及びθＺ方向に移動可能な第１駆動装置３０と、マスクステージ１をＸ軸方向に移動可能な第２駆動装置３１とを有する。本実施形態において、第１駆動装置３０は、一対のリニアモータ３２、３３を含む。第２駆動装置３１は、ボイスコイルモータ３６を含む。
【００３７】
第１駆動装置３０は、Ｙ軸方向（移動方向）に沿って長い一対のガイド部材３４、３５を備えている。ガイド部材３４、３５は、カウンタマス１８の内側に配置されている。ガイド部材３４は第１部材２８の＋Ｘ側に配置されており、ガイド部材３５は第１部材２８の−Ｘ側に配置されている。したがって、これらガイド部材３４、３５は、Ｘ軸方向に関して離れた位置に設けられている。ガイド部材３４、３５の＋Ｙ側の端及び−Ｙ側の端は、所定の固定部材を介して、カウンタマス１８の内面に固定されている。ガイド部材３４、３５は、マスクステージ本体２７をＹ軸方向に移動可能に支持する。
【００３８】
このガイド部材３４、３５は、リニアモータ３２、３３の固定子として機能するコイルユニット５１をそれぞれ有する。マスクステージ１の第１部材２８は、リニアモータ３２、３３の可動子として機能する磁石ユニット５５を有する。磁石ユニット５５は、第１部材２８の＋Ｘ側の端面及び−Ｘ側の端面に配置されており、ガイド部材３４、３５のコイルユニット５１に対応するように、＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されている。
【００３９】
本実施形態においては、第１部材２８の＋Ｘ側の端に設けられた可動子、及びガイド部材３４に設けられた固定子によって、マスクステージ本体２７をＹ軸方向に移動可能なムービングマグネット方式のリニアモータ３２が形成される。同様に、第１部材２８の−Ｘ側の端に設けられた可動子、及びガイド部材３５に設けられた固定子によって、マスクステージ本体２７をＹ軸方向に移動可能なムービングマグネット方式のリニアモータ３３が形成される。
【００４０】
第２駆動装置３１は、Ｙ軸方向に長いガイド部材３７を備えている。ガイド部材３７は、ボイスコイルモータ３６の固定子として機能するコイルユニットを有する。ガイド部材３７は、カウンタマス１８の内側に配置されている。ガイド部材３７は、ガイド部材３５の−Ｘ側に配置されている。ガイド部材３７の＋Ｙ側の端及び−Ｙ側の端は、所定の固定部材を介して、カウンタマス１８の内面に固定されている。
【００４１】
マスクステージ本体２７の−Ｘ側の端には、ボイスコイルモータ３６の可動子として機能する磁石ユニットが配置されている。マスクステージ本体２７の−Ｘ側の端に設けられた可動子、及びガイド部材３７に設けられた固定子によって、マスクステージ本体２７をＸ軸方向に移動可能なムービングマグネット方式のボイスコイルモータ３６が形成される。
【００４２】
マスクステージ１は、第１、第２駆動装置３０、３１を含むマスクステージ駆動装置１５により、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ本体２７は、露光光ＥＬの照射位置（照明系ＩＬの照明領域）を含むＸＹ平面に沿って、マスク保持部１４にマスクＭを保持して移動可能である。
【００４３】
カウンタマス１８は、マスクステージ１を配置可能な開口を有する矩形の枠状の部材であり、マスクステージ１の移動に伴う反力を相殺するために、第２プレート１３の上面において移動可能である。カウンタマス１８は、マスクステージ１の移動方向とは反対方向に移動することにより、マスクステージ１の移動に伴う反力を相殺する。
【００４４】
また、図１に示すように、本実施形態では、フォーカス・レベリング検出系７０が設けられている。マスクＭの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、当該フォーカス・レベリング検出系７０によって検出されるようになっている。フォーカス・レベリング検出系７０は、マスク保持部１４に保持されたマスクＭのうち露光光ＥＬの照明領域ＩＲに検出光Ｌｂを投射する投射系７０ａと、マスクＭを介した検出光Ｌｂを受光可能な受光系７０ｂとを有している。投射系７０ａは、マスクＭの表面に斜め方向から検出光Ｌｂを投射する。受光系７０ｂは、投射系７０ａによってマスクＭの表面に投射され、その表面で反射した検出光Ｌｂを受光する。受光系７０ｂは制御装置３に接続されており、載置面の形状の変化に関する情報として、受光系７０ｂから制御装置３に当該受光光に基づいた信号が供給されるようになっている。
【００４５】
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。制御装置３は、チャンバ装置５により内部空間Ｌの環境（温度、湿度及びクリーン度を含む）を調整させる。この状態でマスクＭがマスク保持部１４に搬送されると、制御装置３は、マスクＭの下面Ｍｂを保持面４５に吸着させ、当該マスクＭが載置面４５ａに保持させる（保持工程）。
【００４６】
制御装置３は、マスクＭが保持された後、計測ステージ４に搭載されたレチクル顕微鏡等を用いたマスクアライメント、ベースライン計測等の準備作業が行わせる。その後、基板保持部２２に搬送された基板Ｐを保持させ、アライメントセンサを用いた基板Ｐのファインアライメント（ＥＧＡ；エンハンスト・グローバル・アライメント等）を行わせ、基板Ｐ上の複数のショット領域の配列座標を求める。そして、アライメント結果に基づいてレーザ干渉計の計測値をモニタしつつ、リニアモータを制御して基板Ｐの第１ショットの露光のための走査開始位置に基板ステージ２を移動させる。制御装置３は、マスクステージ１と基板ステージ２とのＹ方向の走査を開始させ、両ステージがそれぞれの目標走査速度に達すると、露光用照明光によってマスクＭのパターン領域を照明させ、走査露光を開始させる。
【００４７】
制御装置３は、この走査露光時に、マスクステージ１のＹ方向の移動速度と、基板ステージ２のＹ方向の移動速度とが投影光学系ＰＬの投影倍率に応じた速度比に維持されるようにマスクステージ１及び基板ステージ２を同期制御する。マスクＭのパターン領域の異なる領域が照明光で逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、基板Ｐ上の第１ショットの走査露光が完了する。これにより、マスクＭのパターンが投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上の第１ショット領域に縮小転写される。
【００４８】
このようにして、第１ショットの走査露光が終了すると、制御装置３は、基板ステージ２がＸ、Ｙ方向にステップ移動させ、第２ショットの露光のため走査開始位置に移動させる。このステップ移動の際に、基板ステージ２の位置（基板Ｐの位置）を検出するレーザ干渉計１９の計測値に基づいて、当該基板ステージ２のＸ、Ｙ、θＺ方向の位置をリアルタイムで計測する。この計測結果に基づいて基板ステージ２の位置を制御する。その後、制御装置３は、上記第１ショット領域と同様に、第２ショット領域に対して走査露光を行わせる。当該制御により、基板Ｐ上のショット領域の走査露光と次ショット露光のためのステップ移動とが繰り返し行われ、基板Ｐ上の露光対象ショット領域の全てにマスクＭのパターンが順次転写される。
【００４９】
露光光の照射回数を重ねるにつれて、図４（ａ）に示すように、露光光の照射を受けるマスクＭの照明領域ＩＲの温度が上昇する。図４（ｂ）に示すように、このときの温度分布は、マスクＭの照明領域ＩＲが最も高温となり、マスクＭの外周部に至るほど低温になる。マスクＭの温度が上昇すると、熱膨張によってマスクＭが変形し、歪みが発生する。マスクＭの形状に歪みが生じると、当該マスクＭを介して基板Ｐ上に投影されるパターンが歪んでしまう。
【００５０】
マスクＭが熱膨張によって変形する場合、図４（ｃ）に示すように、矩形の形状Ｍ０から各辺の中央部がマスクＭの外側へ湾曲した形状Ｍ１に変形する。このときの変形成分としては、非線形成分が若干含まれてはいるものの、線形成分が多く含まれた状態になっている。この場合、例えば当該マスクＭを介して投影されるパターンに対し投影光学系ＰＬの倍率を変化させるなど線形の補正を行うことで、当該パターンの歪みを容易に低減させることができる。
【００５１】
一方、本実施形態では、マスクＭがマスク保持部１４によって吸着されて保持されており、図５に示すように、吸着部分１４ＭにおいてマスクＭの変形が部分的に抑制されることになる。このため、マスクＭは、各辺の中央部がマスクＭの内側へ湾曲した形状Ｍ２となる。このときの変形成分は、非線形成分を多く含んだ状態となる。非線形成分を多く含んで変形したマスクＭを介して投影されるパターンに対して、例えば投影光学系ＰＬの倍率を変化させるなど線形の補正を行っても、当該パターンの歪みを低減させることは困難である。パターンが歪んだ状態で基板Ｐ上に投影されてしまうと、露光不良が発生する可能性がある。
【００５２】
そこで、本実施形態では、マスクＭに作用する保持力を解除する解除工程を制御装置３によって行わせるようにしている。具体的には、制御装置３は、圧力調節装置４８による吸引動作を停止させ、マスクＭから吸引力を開放させる。この制御により、マスクＭの吸着部分１４Ｍに加わる吸着力が解除され、変形の成分に含まれる非線形成分が除去されるため、マスクＭの形状は図６に示すように、線形成分を多く含んだ上記の形状Ｍ１となる。この場合、制御装置３が例えば投影光学系ＰＬの倍率を変化させるなどの補正を行わせることにより、マスクＭを介して投影されるパターンの歪みが補正される。
【００５３】
この解除工程においては、制御装置３は、吸引動作の停止を行わせるのみならず、保持力が作用する方向とは異なる方向に圧力を加えさせる、つまり、マスクＭの下面Ｍｂに接する空間が正圧となるように圧力調節装置４８を動作させることが好ましい。このような動作としては、例えば図７に示すように、吸引口４７へ気体を噴射させる動作などが挙げられる。この場合、当該気体の噴射によってマスクＭがマスク保持部１４から＋Ｚ軸方向へ離間することになる。例えばチャンバ装置５により内部空間Ｌの環境を調整する際に、マスクステージ１の＋Ｚ側が低温となるように調節しておくことで、マスクＭがマスク保持部１４から離間した状態において、当該マスクＭが冷却されることとなる。マスクＭの冷却により、当該マスクＭの変形量を減少させることができる。
【００５４】
次に、上記解除工程のタイミングについて説明する。本実施形態では、マスクＭに照射される露光光の照射量に基づいて当該マスクＭの変形量を求め、当該求めた変形量が予め設定される閾値Ｓを超えた場合に解除工程を行うようにする。解除工程を行うタイミングは、変形量が閾値Ｓを超えたショットの直後のインターバル期間に行うようにする。
【００５５】
なお、当該閾値Ｓは、例えばマスクＭを介して投影されるパターンの歪みを補正しきれずに基板Ｐ上に歪んだパターンが残ってしまうようなマスクＭの変形量とすることができる。当該閾値Ｓについては、予め実験やシミュレーションなどによって求めておくことができる。閾値Ｓについては、一定のマージンを持たせるように設定することが好ましい。
【００５６】
図８は、上記露光処理における露光光の照射量と時刻との関係を示すグラフである。グラフの縦軸が照射量であり、グラフの横軸が時刻である。図８に示すように、上記露光処理においては、例えば時刻ｔ０から時刻ｔ１の間に第１ショット露光を行い、時刻ｔ２から時刻ｔ３の間に第２ショット露光を行う。時刻ｔ１から時刻ｔ２の間はショット露光のインターバル期間となる。同様に、時刻ｔ３から次のショット露光の開始時刻である時刻ｔ４の間はショット露光のインターバル期間となる。ここでは、各ショット露光における露光光の照射量を一定としている。
【００５７】
図９は、マスクＭに図８に示す照射量及び時刻で露光光を照射したときの当該マスクＭの変形量を示すグラフである。グラフの縦軸がマスクＭの変形量であり、グラフの横軸が時刻である。図９のグラフの横軸に示す時刻は、図８のグラフの横軸に示す時刻と同一である。マスクＭの変形量としては、例えばマスクＭの各辺のいずれかにおける変形量を採用することができる。図９に示されるマスクＭの変形量は、マスクＭを保持していない状態における変形量であり、当該変形量については例えば予め実験やシミュレーションなどによって求めることができる。
【００５８】
図９に示すように、第１ショット露光が行われる時刻ｔ０から時刻ｔ１の間は、マスクＭの変形量が徐々に増加する。露光光が照射されないインターバル期間である時刻ｔ１から時刻ｔ２の間は、変形量は徐々に減少する。変形量の減少量は、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間の変形量の増加量に比べて小さく、インターバル期間をおいてもマスクＭの変形は残った状態となる。
【００５９】
インターバル期間後、マスクＭの変形が残った状態で第２ショット露光が行われる。第２ショット露光が行われる時刻ｔ２から時刻ｔ３の間は、第１ショット露光が行われる時刻ｔ０から時刻ｔ１の間と同様、マスクＭの変形量が徐々に増加する。この第２ショット露光が行われる期間内において、マスクＭの変形量が閾値Ｓを超えることとなる。
【００６０】
これらマスクＭに対する露光光の照射量とマスクＭの変形量との関係をデータとして制御装置３に予め記憶させておく。制御装置３は、当該データを用いることで、ショット露光の回数に基づいてマスクＭの変形量を求めることができる。本実施形態では、露光光のショット中、マスクＭの変形量が閾値Ｓを超えた場合、当該ショット露光後のインターバル期間において解除工程を行うようにする。
【００６１】
そこで、制御装置３は、第２ショット露光中にマスクＭの変形量が閾値Ｓを超えるという上記データに基づいて、第２ショット露光の直後のインターバル期間である時刻Ｓ３から時刻Ｓ４の間に上記の解除工程を行わせる。このように、制御装置３は、露光光の照射量に基づいてマスクＭの変形量を求め、当該求めた変形量に基づいて上記の解除工程を行わせる。
【００６２】
ここで、図９のグラフでは、時刻ｔ３から時刻ｔ４の間で変形量が減少し、時刻ｔ４において変形量が閾値Ｓを超えた状態になっているが、閾値Ｓの設定によっては、時刻ｔ３から時刻ｔ４の間の変形量の減少により変形量が閾値Ｓを下回ることが想定される場合も考えられる。このような場合であっても、ショット露光中に変形量が一旦閾値Ｓを超えたのであれば、直後のインターバル期間に上記解除工程を行うことが好ましい。
【００６３】
また、上記の露光処理においては、１枚の基板Ｐについて露光を終えた後、制御装置３は、基板ステージ２を基板Ｐの受け渡し位置に移動させ、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに計測ステージ４を移動させる。制御装置３は、基板Ｐの受け渡しの間、計測ステージ４を用いて再度のマスクＭのアライメントを行わせる。マスクＭの保持力を解除する場合にマスクＭのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置がずれる可能性を考慮し、当該アライメントを再度行わせることによって位置ずれを防ぐことができる。なお、制御装置３は、当該アライメントを行わせる際に、上記の解除工程を併せて行わせるようにしても構わない。
【００６４】
以上のように、本実施形態によれば、マスク保持部１４によって保持されたマスクＭの変形に関する情報に応じて、マスクＭに作用する保持力を解除することとしたので、当該保持力に起因するマスクＭの非線形の変形成分を解消させることができる。マスクＭを介して投影されるパターンを線形に補正可能な状態とすることができるため、パターンの歪みを低減させることができる。これにより、露光不良を抑制することができる。
【００６５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、解除工程を行う際に、圧力調節装置４８を用いてマスクＭをマスク保持部１４から離間させる例を説明したが、これに限られることは無く、例えば図１０に示すように、マスクステージ１の＋Ｚ側にマスクＭを保持してＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動させる移動装置６０を別途設ける構成であっても構わない。この移動装置６０は、マスクＭを保持する保持部６１とマスクＭを移動させる移動部６２とを有する構成になっている。制御装置３は、例えば圧力調節装置４８を用いてマスクＭの保持力を解除させた後、移動装置６０によってマスクＭを保持させ＋Ｚ方向へ移動させるようにすることができる。勿論、圧力調節装置４８を用いることなく、移動装置６０によってマスクＭを持ち上げて移動させても構わない。
【００６６】
また、上記実施形態において、１枚の基板Ｐに対する露光が終了し、基板Ｐの受け渡しを行う際、制御装置３は計測ステージ４に例えば投影光学系ＰＬの計測等を行わせることがある。当該計測では、計測ステージ４を投影領域ＰＲ上に配置させ露光光ＥＬを計測ステージ４に投影した状態行わせることになる。この計測を行う際には、露光光がマスクＭに照射された状態になっており、当該露光光の照射によってマスクＭが変形することが想定されうる。そこで、制御装置３は、当該計測を行う間、例えば図１１に示すように、上記の移動装置６０を用いてマスクＭをマスク保持部１４から＋Ｚ方向へ離間させると共に、露光光の光路ＡＸ上からＸ軸方向あるいはＹ軸方向に退避させた位置に移動させ、当該位置でマスクＭを冷却させることも可能である。図１１には、マスクＭをＸ軸方向に退避させた例を示しているが、Ｙ軸方向に退避させても構わない。
【００６７】
また、力を加えてマスクＭを整形させることが可能な整形装置を例えば上記の移動装置６０に設けておくようにしても構わない。この構成では、マスクＭを保持して移動させる際に、当該マスクＭを整形させるようにすることができる。マスクＭを再びマスク保持部１４上に吸着させる場合に、当該整形機構によってマスクＭを整形させたまま吸着させることで、マスクＭの整形された形状を維持させることができる。
【００６８】
また、図１２に示すように、マスクステージ１の第１部材２８の内部に温度調節装置７１を配置させる構成であっても構わない。この構成では、温度調節装置７１がマスクＭのうち露光光の照明領域ＩＲ以外の領域を温調可能となる位置に設けられている。具体的には、マスク保持部１４の−Ｚ側の位置を含む位置に設けられている。当該温度調節装置７１により、マスクＭのうち照明領域ＩＲ以外の領域の温度を上昇させることができる。熱膨張によるマスクＭの変形量は、一定の変形量以上になると飽和することが知られている。したがって、当該領域の温度を上昇させることにより、露光光ＥＬの照射の前にマスクＭを飽和変形量にまで変形させておくことができる。飽和変形量にまで変形すると露光光ＥＬの照射を受けてもマスクＭが変形しないため、マスクＭの形状を安定化させることができる。なお、飽和変形量にまで変形した状態のマスクＭの形状がパターンの歪みを発生させないような形状となるように、マスクＭを予め設計しておくことも可能である。
【００６９】
また、上記実施形態においては、マスクＭの変形量とマスクＭに対する露光光の照射量との関係を予め制御装置３に記憶させておき、制御装置３では当該関係を用いてマスクＭの変形量を求める例を説明したが、これに限られることは無く、例えばマスクＭの変形量を測定する測定装置を別途設けておき、当該測定結果が閾値Ｓを超える場合に解除工程を行わせるようにしても構わない。測定装置は、マスクＭのうち熱膨張による変形が抑制されない＋Ｙ側の辺又は−Ｙ側の辺におけるＹ軸方向の変形量を測定することが好ましい。
【００７０】
また、上記実施形態では、制御装置３は、露光処理の条件として、露光光の照射量に基づいてマスクＭの変形量を求める例を説明したが、これに限られることは無く、露光光の照射量以外の条件に基づいて、変形量を求める構成としても構わない。
【００７１】
また、上記実施形態では、マスクＭ上の露光光の照明領域ＩＲがＹ軸方向に長くなっている場合について説明したが、例えば図１３（ａ）に示すように、マスクＭ上の露光光の照明領域ＩＲがＹ軸方向に短くなっている場合も考えられる。この場合、図１３（ｂ）に示すように、吸着部分１４ＭにおいてマスクＭが保持された状態では、マスクＭの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺については辺全体が外側に湾曲するように熱膨張を起こす。一方、マスクＭの＋Ｘ側及び−Ｘ側の辺については、Ｙ軸方向上の中央部のみが外側に突出するように熱膨張する。この状態において、マスクＭは、４辺とも非線形成分を含んだ変形となっている。この状態でマスクＭの保持力を解除すると、図１３（ｃ）に示すように、マスクＭの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺においては外側への突出が緩和され、線形変形に近づけることができる。一方、マスクＭの＋Ｘ側及び−Ｘ側の辺においては、Ｙ軸方向上の中央部の突出が残った状態となり、＋Ｘ側及び−Ｘ側の辺の非線形成分が除去されない。そこで、図１３（ｄ）に示すように、吸着部分１４ＭのうちＹ軸方向上の中央部１４Ｍａの保持力を残したまま、他の部分の保持力を解除させるようにする。このように、マスクＭの＋Ｘ側及び−Ｘ側の辺のうちＹ軸方向上の中央部の形状を変えることなく、マスクＭ全体の形状を変形させることによって、＋Ｘ側及び−Ｘ側の辺をより線形変形に近い状態とすることができる。
【００７２】
なお、上記実施形態において、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００７３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７４】
また、例えば米国特許第第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００７５】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００７６】
また、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置に適用することもできる。また、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ光光源露光装置にも適用することができる。
【００７７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７８】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。
【００７９】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射される。
【００８０】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８１】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクを介した露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００８２】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係るマスクステージの近傍を示す斜視図である。
【図３】本実施形態に係るマスクステージの一部を拡大した斜視図である。
【図４】マスクの熱膨張の様子を示す図。
【図５】マスクの形状を示す図。
【図６】マスクの形状を示す図。
【図７】本実施形態に係る露光装置の一動作を示す図。
【図８】マスクに対する露光光の照射量と照射時刻との関係を示す図。
【図９】マスクの変形量と時刻との関係を示す図。
【図１０】本発明に係る露光装置の他の形態を示す図。
【図１１】本発明に係る露光装置の他の形態を示す図。
【図１２】本発明に係る露光装置の他の形態を示す図。
【図１３】本発明に係る露光装置の他の形態を示す図。
【図１４】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００８４】
ＥＸ…露光装置  Ｍ…マスク  １…マスクステージ  ３…制御装置  １４…マスク保持部  １４Ｍ…吸着部分  ４８…圧力調節装置  ６０…移動装置  ６１…保持部  ６２…移動部  ７０…温度調節装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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