(57)【要約】【課題】一括樹脂封止のＭＡＰタイプの半導体装置に用いられるリードフレームを歪みや捩れ等の変形なく製造し、半導体装置の生産性と信頼性の向上を図る。【解決手段】半導体チップを各単位フレームの半導体チップ搭載部１１にそれぞれ搭載し、リードフレーム１０全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、タイバー１３に沿って樹脂封止体を切断することにより各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームにおいて、タイバー１３の半抜き領域又はコイニング領域に、スリット１５を設け、タイバー１３を挟んで隣接するリード群の一部を、タイバー１３を含んで一体的に半抜き又はコイニングしたリードフレーム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合して形成されたリードフレームであって、
前記タイバーは半抜き又はコイニングされ、かつ、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域に、スリットが設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部が、前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングされていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記スリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さを有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記スリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記スリットの端部には、拡幅部が形成されていることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記サポートバーも半抜き又はコイニングされていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかの項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に、穴部が形成されていることを特徴とする請求項６記載のリードフレーム。
【請求項８】
半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合して形成されたリードフレームの製造方法において、
前記タイバーに半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程と、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域にスリットを形成するスリット形成工程を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部を前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有することを特徴とする請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記スリット形成工程にて形成するスリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成することを特徴とする請求項８又は請求項９記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記スリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成することを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれかの項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１２】
前記スリットの端部に拡幅部を形成することを特徴とする請求項１０又は請求項１１記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
前記サポートバーも半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有することを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれかの項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に前記半抜き加工又はコイニング加工に先立ち予め穴部を形成する穴部形成工程を有することを特徴とする請求項１３記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１５】
半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合してリードフレームが形成され、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部にそれぞれ搭載し、前記リードフレーム全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記タイバーに沿って、前記樹脂封止体を切断することによって製造する各々の半導体装置であって、
前記タイバーは半抜き又はコイニングされ、かつ、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域に、スリットが設けられたリードフレームを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部が前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングされたリードフレームを有することを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記スリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成されたリードフレームを有することを特徴とする請求項１５又は請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記スリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成されたリードフレームを有することを特徴とする請求項１５〜請求項１７のいずれかの項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記スリットの端部に拡幅部が形成されたリードフレームを有することを特徴とする請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記サポートバーも半抜き又はコイニングされたリードフレームを有することを特徴とする請求項１５〜請求項１９のいずれかの項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に、穴部が形成されているリードフレームを有することを特徴とする請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２２】
半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合してリードフレームを形成し、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部に搭載し、前記リードフレーム全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記タイバーに沿って、前記樹脂封止体を切断することによって製造する各々の半導体装置の製造方法であって、
前記タイバーに半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程と、前記タイバーの前記半抜き領域又は前記コイニング領域にスリットを設けるスリット形成工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部を前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記スリット形成工程にて形成するスリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成するリードフレームを用いることを特徴とする請求項２２又は請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記スリット形成工程にて形成するスリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成するリードフレームを用いることを特徴とする請求項２２〜請求項２４のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記スリットの端部に拡幅部を形成したリードフレームを用いることを特徴とする請求項２４又は請求項２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記サポートバーも半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする請求項２２〜請求項２６のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に前記半抜き加工又はコイニング加工に先立ち予め穴部を形成する穴部形成工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一括樹脂封止（ＭＡＰ：Molded Array Package）タイプのリードフレームに関し、特にリードフレームの生産性と半導体装置の信頼性を向上させることが可能なリードフレーム及びこれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は従来技術によるＭＡＰタイプのリードフレームを示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図、（ｃ）は変形時のＤ−Ｄ断面図である。まず、銅合金などの薄板材料から、半導体チップ搭載部１１、リード１２、タイバー１３及びサポートバー１４を、スタンピング又はエッチング加工を行ってマトリックス状のリードフレーム１０を形成する。その後、リード１２が樹脂から抜け落ちるのを防止するため、リード１２にハーフエッチングにより段差部１２ａを形成して段差を設けることによって、樹脂との密着性を向上させることができる。前記技術については、特許文献１〜３に記載されている。
【０００３】
ところで、前記段差部１２ａをハーフエッチングで製造すると、生産性が低く製造コストもかかるため、ハーフエッチングに替えてスタンピングによって段差を形成することが望まれている。
【０００４】
図１０（ｂ）にはパンチ２２及びダイ（図示せず）からなる刃物を用いて半抜き（又はコイニング）により、段差部１２ａを加工している。
【０００５】
【特許文献１】特許第３８３９３２１号公報
【特許文献２】特開２００７−２９４７１５号公報
【特許文献３】特許第３６０６８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半抜きはタイバー１３を挟んで隣接するリード１２の段差部１２ａをそれぞれ別のパンチで加工するため、各パンチ２２が細くなり、強度が上げられずに、加工中に破損してしまうという問題が生じていた。また、半抜き時に加えられた加工応力が開放されず、図１１（ｃ）に示すようにリードフレーム１０に反りや捩れ等の変形が発生し、この変形によって、樹脂封止時に樹脂がリードフレームの裏面（パッケージより露出する側）に流れて付着してしまい、実装基板に載置した際の接続不良の原因となっていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ＭＡＰタイプリードフレームの生産性向上と製造コスト低減を図るとともに、歪みや捩れ等の変形を防止し、且つ、このリードフレームを用いた半導体装置の信頼性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明の第１の構成に係るリードフレームは、半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合して形成されたリードフレームであって、前記タイバーは半抜き又はコイニングされ、かつ、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域に、スリットが設けられていることを特徴とする。
この第１の構成に係る発明によれば、タイバーへの半抜き又はコイニングはハーフエッチングで加工する場合に比べ短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。さらに、スリットを設けることにより、半抜き又はコイニングによるリードフレームの応力残留を防ぐため、リードフレームの反りやねじれを防止することができ、樹脂がリードフレーム裏面に回り込むことが無いため、樹脂封止された半導体装置と実装基板との接続を確実に行うことができる。
【０００９】
本発明の第２の構成に係るリードフレームは、前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部が、前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングされていることを特徴とする。
これにより、リードへの段差を短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。また、隣接するリード群の加工を一つの幅広パンチで行うことができるため、パンチ強度が上がり破損を防止することができる。
【００１０】
本発明の第３の構成に係るリードフレームにおいては、前記スリットが前記リード群と少なくとも同等以上の長さを有することを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができる。
【００１１】
本発明の第４の構成に係るリードフレームにおいては、前記スリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成されていることを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができるほか、スリット形状の自由度を増すことができる。
【００１２】
本発明の第５の構成に係るリードフレームにおいては、前記スリットの端部には、拡幅部が形成されていることを特徴とする。
これにより、垂直及び平行の両方向の半抜き又はコイニングによる応力を緩和することができる。
【００１３】
本発明の第６の構成に係るリードフレームにおいては、前記サポートバーも半抜き又はコイニングされていることを特徴とする。
このように、単位フレームの半導体チップ搭載部を支持するサポートバーについても、リードと同様に半抜き又はコイニングを行って段差を施すことにより、樹脂との密着性を高めることができる。
【００１４】
本発明の第７の構成に係るリードフレームにおいては、前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に、穴部が形成されていることを特徴とする。
これにより、サポートバーを半抜き又はコイニングしたときの応力を緩和することができる。
【００１５】
本発明の第８の構成に係るリードフレームの製造方法は、半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合して形成されたリードフレームの製造方法において、前記タイバーに半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程と、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域にスリットを形成するスリット形成工程を有することを特徴とする。
これにより、タイバーへの半抜き又はコイニングはハーフエッチングの場合に比べ短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。さらに、スリットを設けることにより、半抜き又はコイニングによるリードフレームの応力残留を防ぐため、リードフレームの反りやねじれを防止することができ、樹脂がリードフレーム裏面に回り込むことが無く、正常な樹脂封止を行うことができる。
【００１６】
本発明の第９の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部を前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有することを特徴とする。
この第９の構成に係る発明によれば、リードへの段差をハーフエッチングで製造する場合に比べて短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。また、隣接するリード群の加工を一つの幅広パンチで行うことができるため、パンチ強度が上がり破損を防止することができる。
【００１７】
本発明の第１０の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記スリット形成工程にて形成するスリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成することを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができる。
【００１８】
本発明の第１１の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記スリットが前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成することを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができるほか、スリットの形状の自由度を増すことができる。
【００１９】
本発明の第１２の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記スリットの端部に拡幅部を形成することを特徴とする。
これにより、垂直及び平行の両方向の半抜き又はコイニングによる応力を緩和することができる。
【００２０】
本発明の第１３の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記サポートバーも半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有することを特徴とする。
このように、単位フレームの半導体チップ搭載部を支持するサポートバーについても、リードと同様に半抜き又はコイニングを行い段差を施すことにより、樹脂との密着性を高めることができる。
【００２１】
本発明の第１４の構成に係るリードフレームの製造方法は、前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に前記半抜き加工又コイニング加工に先立ち予め穴部を形成する穴部形成工程を有することを特徴とする。
これにより、サポートバーを半抜き又はコイニングしたときの応力を緩和することができる。
【００２２】
本発明の第１５の構成に係る半導体装置は、半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合してリードフレームが形成され、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部にそれぞれ搭載し、前記リードフレーム全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記タイバーに沿って、前記樹脂封止体を切断することによって製造する各々の半導体装置であって、前記タイバーは半抜き又はコイニングされ、かつ、前記タイバーの前記半抜き領域又はコイニング領域に、スリットが設けられたリードフレームを有することを特徴とする。
これにより、リードフレームの反りや捩れを防止することができ、樹脂がリードフレーム裏面に回り込むことが無く、正常な形態の樹脂封止がされた半導体装置を得ることができる。
【００２３】
本発明の第１６の構成に係る半導体装置は、前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部が前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングされたリードフレームを有することを特徴とする。
これにより、リードへの段差を短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。また、隣接するリード群の加工を一つの幅広パンチで行うことができるため、パンチ強度が上がり破損を防止することができる。
【００２４】
本発明の第１７の構成に係る半導体装置は、前記スリットが前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成されたリードフレームを有することを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができる。
【００２５】
本発明の第１８の構成に係る半導体装置は、前記スリットは前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成されたリードフレームを有することを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができるほか、スリット形状の自由度を増すことができる。
【００２６】
本発明の第１９の構成に係る半導体装置は、前記スリットの端部に拡幅部が形成されたリードフレームを有することを特徴とする。
これにより、垂直及び平行の両方向の半抜き又はコイニングによる応力を緩和することができる。
【００２７】
本発明の第２０の構成に係る半導体装置は、前記サポートバーも半抜き又はコイニングがされたリードフレームを有することを特徴とする。
このように、単位フレームの中央の半導体チップ搭載部を支持するサポートバーについても、リードと同様に半抜き又はコイニングにより段差を施すことにより、樹脂との密着性を高めることができる。
【００２８】
本発明の第２１の構成に係る半導体装置は、前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に、穴部が形成されているリードフレームを有することを特徴とする。
このように、サポートバーの延長線上にも穴部を設けることにより、サポートバーを半抜き又はコイニングしたときの応力を緩和することができる。
【００２９】
本発明の第２２の構成に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ搭載部と、該半導体チップ搭載部を支持するサポートバーとを含む単位フレームを、タイバーを介してマトリックス状に複数個集合してリードフレームを形成し、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部に搭載し、前記リードフレーム全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記タイバーに沿って、前記樹脂封止体を切断することによって製造する各々の半導体装置の製造方法であって、前記タイバーに半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程と、前記タイバーの前記半抜き領域又は前記コイニング領域にスリットを設けるスリット形成工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする。
これにより、リードフレームの反りや捩れを防止することができ、樹脂がリードフレーム裏面に回り込むことが無く、正常な形態の樹脂封止がされた半導体装置を得ることができる。
【００３０】
本発明の第２３の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記タイバーを挟んで隣接するリード群の一部を前記タイバーを含んで一体的に半抜き又はコイニングを行う半抜き加工又はコイニング加工工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする。
これにより、リードへの段差を短時間で加工でき、生産性が高く製造コストを抑制することができる。また、隣接するリード群の加工を一つの幅広パンチで行うことができるため、パンチ強度が上がり破損を防止することができる。
【００３１】
本発明の第２４の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記スリット形成にて形成するスリットは、前記リード群と少なくとも同等以上の長さに形成するリードフレームを用いることを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができる。
【００３２】
本発明の第２５の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記スリット形成工程において形成するスリットは、前記半抜き領域又はコイニング領域を超えて形成するリードフレームを用いることを特徴とする。
これにより、効果的に半抜き又はコイニングの応力を緩和することができるほか、スリット形状の自由度を増すことができる。
【００３３】
本発明の第２６の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記スリットの端部に拡幅部を形成したリードフレームを用いることを特徴とする。
これにより、垂直及び平行の両方向の半抜き又はコイニングによる応力を緩和することができる。
【００３４】
本発明の第２７の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記サポートバーも半抜き又はコイニングを行う半抜き又はコイニング加工工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする。
このように、単位フレームの中央の半導体チップ搭載部を支持するサポートバーについても、リードと同様に半抜き又はコイニングにより段差を施すことにより、樹脂との密着性を高めることができる。
【００３５】
本発明の第２８の構成に係る半導体装置の製造方法は、前記半抜き又はコイニングされたサポートバーの延長線上の、前記単位フレーム外周領域に前記半抜き加工又はコイニング加工に先立ち予め穴部を形成する穴部形成工程を有するリードフレームを用いることを特徴とする。
このように、サポートバーの延長線上にも穴部を設けることにより、サポートバーを半抜き又はコイニングしたときの応力を緩和することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、ＭＡＰタイプの半導体装置に用いられるリードフレームのリードの段差部を半抜き又はコイニングで形成すると、スリットが半抜き又はコイニングによる余肉を逃がすため、かかる応力を緩和することができ、ハーフエッチングで製造する場合に比べて短時間で加工でき、しかも生産性が高く、製造コストを低減することができる。
また、リードフレーム成形工程をスタンピング加工で行うと、リードフレーム成形工程からリードに段差を形成する工程までの一連の工程を停めることがなく、生産性をより高めることができる。
さらに、形成したスリットが半抜き又はコイニングによる応力の残留を防ぐため、リードフレームの反りや捩れを防止することができ、封止樹脂がリードフレームの裏面（パッケージより露出する側）に流れて付着することなく、正常な形態で樹脂封止された半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明のリードフレーム及びその製造方法について図面を参照して説明する。
図１〜図３は本発明の第１の実施の形態を示すものであり、図１（ａ）は本実施の形態のリードフレーム形成工程を示す平面図、図１（ｂ）はスリット形成工程及び段差加工工程を示す平面図、図２は半抜きを行う工具の拡大断面図、図３はコイニングを行う工具の拡大断面図である。
【００３８】
第１の実施の形態においては、まず図１（ａ）に示すように、銅合金などの導電率の高い薄板材料（例えば、板厚およそ０．２ｍｍ）から、パッド１１、リード１２、タイバー１３及びサポートバー１４を、スタンピング又はエッチングすることによって、一体的にリードフレーム１０を形成する（リードフレーム形成工程）。
【００３９】
次に、図１（ｂ）に示すように、複数の単位フレームをマトリックス状に配列するリードフレームのリード群の形成方向に沿って、スリット１５の形成を行う。スリット１５の幅ａはリードフレーム１０の厚さと同じ約０．２ｍｍ、長さｂはリードフレーム１０のリード群幅Ａと同等に形成する。（スリット形成工程）
【００４０】
次いで、プレスを用いて半抜きによる段差部（斜線部）１７を形成する（段差加工工程）。本実施の形態においては、スリット１５の長さｂをリード群幅Ａと同等にして段差部１７の領域未満となるように設定しているが、スリット１５の長さｂを少なくともリード幅Ａと同等以上にすることにより、リード部１２の半抜き又はコイニングの応力を緩和することができ、反りや捩れなどの変形のないリードフレーム１０を得ることができる。スリット１５の長さｂがリード群幅Ａより短くなると、前記の応力を緩和しにくくなり、好ましくない。
【００４１】
半抜きは、材料の送り方向順にまず第１エリア１８−１を半抜き状態にする。次に、第２エリア１８−２について半抜きを行い、その後第３エリア１８−３について半抜きを行なう。
第１エリア１８−１、第２エリア１８−２、及び第３エリア１８−３の半抜き用パンチがリードフレーム加工ラインに配置されており、これらの半抜き用パンチに対し、リードフレームを単位フレームの長さだけ搬送方向に移動することにより、リードフレームを連続的に半抜きする。
図１（ｂ）のように、タイバー１３を挟んで隣り合うリード群の一部をタイバー１３を含んで一体的に半抜きすることにより、半抜き用パンチを幅広く形成することができるため、量産においてもパンチの破損を防ぐことができる。
【００４２】
半抜きについては図２に示すようにストリッパー２１でリードフレーム材２０を押さえつつ、パンチ２２とダイ２３によって完全に打ち抜かず、途中まで、好ましくは、リードフレームの厚さの半分の寸法でストロークを制御する。
なお、半抜き後のリードの厚みは、０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。０．１ｍｍより小さくすると、半導体装置を個別にカットする際に、リードが欠落してしまう可能性が生じる。
【００４３】
この半抜きにおいては、リードフレーム材２０の厚みを保持したまま、パンチ２２にてリードフレーム材２０を押し下げるため、コイニングよりも比較的応力が小さい。
【００４４】
また、本実施の形態は、半抜きのみならずコイニングによってもリードの段差部を形成することができる。コイニングについては、図３（ａ）のようにパンチ２４にてコイニングを行い、リードフレーム材２０の厚みを薄く処理する工程である。このコイニングを行うことにより、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム全体の厚みを保持したまま、コイニング部２０ａを薄くすることができる。ただし、コイニング部２０ａにかかる応力は内部に留まるため、変形や捩れが発生しやすい。このため、コイニングによる厚み減少は、半抜きの０．１ｍｍ（板厚の半分）に対し、０．０５ｍｍ程度に抑えることが望ましい。
【００４５】
図４は、本発明の第２の実施の形態を示す平面図である。
【００４６】
第１の実施の形態ではスリット１５の長さｂはリードフレーム１０のリード群幅Ａと同等に形成したが、この第２の実施の形態においては、図４に示すように、スリット１５の長さｂをリード群幅Ａより長くし、更に段差部１７の領域を超えて形成した。この際、各スリット１５同士がつながらない程度、例えばＢ−Ｂ’間距離が少なくとも０．１ｍｍ以上確保される寸法にすることが好ましい。本実施の形態では、スリットの長さを段差部１７の領域を超えるように形成することによって、第１の実施の形態と比較して、より多くの半抜き又はコイニングによる応力を緩和し、反りや捩れのなどの変形のないリードフレームを得ることができ、パッケージの信頼性を向上させることができる。
【００４７】
この第２の実施の形態においては、スリット１５の形成後の半抜き又はコイニング工程は第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４８】
図５は、本発明の第３の実施の形態を示す平面図である。
この第３の実施の形態においては、第２の実施の形態におけるスリット１５の形状を図５の１５’のようにエ字状に形成したものである。ここで、スリット１５’の長さは、リード群幅Ａより長く、更に段差部１７の領域を超える長さに設定するものとする。
【００４９】
エ字状のスリット１５’は、両端部に拡幅部ｗを有することにより、垂直及び平行の両方向の応力を緩和することができる。また、スリット形成用パンチの強度が上がり、破損しにくくなる。
【００５０】
なお、本実施の形態では拡幅部ｗの形状は矩形であるが、円形等の他の形状でもよい。
【００５１】
上記第１、第２、第３の実施の形態により製造されたリードフレーム１０を用いて製造した半導体装置Ｐを図６に示す。すなわち、リードフレーム１０の各半導体チップ搭載部１１のそれぞれに、半導体チップを搭載し、リードフレーム１０全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、タイバー１３に沿って、樹脂封止体を切断することによって、各々の半導体装置を製造することができる。
なお、図６（ａ）は半導体装置Ｐを上面より見た斜視図、（ｂ）は底面より見た斜視図である。
【００５２】
図７は、本発明の第４の実施の形態を示すものであり（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。
【００５３】
この第４の実施の形態においては、第２の実施の形態に加え、サポートバー１４にも半抜き又はコイニングを施したものである。
【００５４】
この実施の形態では、まず、第２の実施の形態と同様の加工工程によりリードフレーム１０’を形成する。
【００５５】
その後、図７のようにサポートバー１４の延長線上の、リードフレーム外周領域に穴部１９を形成する。穴部１９は図示の例ではひし形を有しているが、三角形、円形、楕円形など、他の形状でもよい。
【００５６】
そして、サポートバー１４の半抜き又はコイニングを行う。穴部１９を予め形成しておくことにより、サポートバー１４の段差加工工程によって生じる応力を緩和することができ、その結果サポートバー１４の変形や捩れを防止することができる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、スリット形成工程、リード群の段差加工工程の後、リードフレーム外周領域の穴部形成工程、サポートバー１４の段差加工工程を行ったが、加工順序はこれに限定されない。
【００５８】
図８は本発明の第５の実施の形態を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
この第５の実施の形態では、リードフレーム３０のパッド３１がサポートバー３２によって一方向に連設されている。そして、サポートバー３２の連設方向と直交するように、スリット３３を形成する。なお、図中３６はタイバーである。
【００５９】
スリット３３の幅ｃはリードフレーム３０の厚さと同じ０．２ｍｍ、長さｄはリードフレーム３０のサポートバー３２の両端幅と同等に形成する。
次いで、プレスを用いて段差部（斜線部）３５を半抜き状態に形成する。なお、本実施の形態においては、スリット３３の長さｄをサポートバーの両端幅と同等で段差部３５の領域未満となるように設定している。
このようにスリット３３の長さｄをサポートバー３２の両端幅と同等に形成することにより、後に加工するサポートバー３２の半抜き又はコイニングの応力を緩和することができる。スリット３３の長さｄがサポートバー３２の両端幅より短くなると、前記の応力を緩和しにくくなり、好ましくない。
【００６０】
図９は本発明の第６の実施の形態を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
第５の実施の形態（図８）ではスリット３３の長さｄはリードフレーム３０の半抜き又はコイニングによるサポートバー３２の両端幅と同等に形成したが、本実施の形態においては、スリット３３の長さｄをサポートバー３２の両端幅より長くし、更に段差部３５の領域を超える長さに形成した。これにより多くの半抜き又はコイニングによる応力を緩和し、反りや捩れのなどの変形のないリードフレーム３０を得ることができ、パッケージの信頼性を向上させることができる。
【００６１】
上記、第４、第５、第６の実施の形態により製造されたリードフレーム１０’又は３０を用いて半導体装置を製造する。すなわち、リードフレーム１０’又は３０の各半導体チップ搭載部１１又は３１のそれぞれに半導体チップを搭載し、リードフレーム１０’又は３０全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、タイバー３６に沿って、樹脂封止体を切断することによって、各々の半導体装置（図示せず）を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態のリードフレーム形成工程、（ｂ）はスリット形成工程及び段差加工工程を示す平面図である。
【図２】半抜きを行う工具の拡大断面図である。
【図３】コイニングを行う工具の拡大断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す平面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す平面図である。
【図６】本発明の第１〜第３のいずれかの実施の形態により製造したリードフレームを用いて製造した半導体装置の形状を示すものであり、（ａ）は上面より見た斜視図、（ｂ）は底面より見た斜視図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態を示すものであり（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１０】リードフレームのリードに段差部を形成して樹脂封止型半導体装置を製造する従来例を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図、（ｃ）は変形時のＤ−Ｄ断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０、１０’  リードフレーム
１１  パッド（半導体チップ搭載部）
１２  リード
１２ａ  段差部
１３  タイバー
１４  サポートバー
１５、１５’  スリット
１６  半抜きライン
１７  段差部
１８−１  第１エリア
１８−２  第２エリア
１８−３  第３エリア
１９  穴部
２０  リードフレーム材
２０ａ  コイニング部
２１  ストリッパー
２２  パンチ
２３  ダイ
３０  リードフレーム
３１  パッド（半導体チップ搭載部）
３２  サポートバー
３３  スリット
３４  半抜きライン
３５  段差部
３６  タイバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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