(57)【要約】【課題】簡便な手法により、ウェハに対する微細パーティクルの発生及び／又は付着を低減させることを目的とする。【解決手段】反応炉を昇温する工程と、前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉を昇温する工程と、
前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、
該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ウェハを、ウェハ搬入用の支持部材を用いて搬入し、かつ前記遮熱板を、前記支持部材のウェハの搬入方向前方に互いに対面するように４〜２０枚配置する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウェハを、ウェハ搬入用の支持部材を用いて搬入し、かつ前記遮熱板を、ウェハの厚みの１〜２０倍の厚みで互いに対面するように前記支持部材に配置する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
反応炉を昇温する工程と、
前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、
該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を一時停止又は低減することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度低下を４℃以上、１０℃以下とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの時間を５分以内とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、反応炉内で発生／付着するパーティクルを低減し得る半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造プロセスは、例えば、枚葉式又はバッチ式等の手法で、ウェハ表面に所望の薄膜を気相成長させるＣＶＤ(化学気相成長)法等を利用している。特に、バッチ式のＣＶＤ法では、ラダーボートと称される支持部材に、ウェハを上下方向に並置するように複数枚搭載し、反応炉内で一度に大量のウェハを処理することができる。
このような方法では、一般に、室温程度の支持部材／ウェハは、昇温させた反応炉内に導入されるため、ウェハの搬送後、反応炉内部の温度が急激に低下する。従って、この温度低下を補うために、通常、反応炉内部の温度を維持又は上昇させるための制御が行われている。具体的には、ウェハの搬送時に反応炉の外部ヒータのパワーを増大させる等の方策が採られている。
【０００３】
上述したＣＶＤ法のような熱処理を伴う場合、ラダーボートに搭載されたウェハを加熱するという性質上、ラダーボートとウェハとの間に熱膨張差が生じ、その摩擦により、微細なパーティクルが発生することがある。特に、ウェハの大口径化に伴い、３００ｍｍ径のウェハは、その自重が影響し、摩擦による微細パーティクルの発生が顕著になる。
特に近年、製品パターンの微細化が進んでいることから、さらなるパーティクルの抑制が求められている。
【０００４】
例えば、ウェハと支持部材との間の摩擦を低減させるために、非反応性の加熱又は冷却ガスをウェハに向けて噴射することにより、ウェハ自体の温度変化を緩やかにする方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
また、ウェハを反応炉内に導入した後、物理的にウェハと支持部材とを接触させないように、ウェハを、ガスによって浮上させる方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開２０００−１３３６０６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４４５０号公報
【０００５】
しかし、ウェハ及び支持部材の温度を緩やかに上昇させる方法は、反応シーケンスの制御が煩雑となり、加えて、時間を要することから、製造コストの増大をもたらす。
また、ウェハへの加熱又は冷却ガスの噴射では、ウェハの大口径化に伴い、その面内での温度制御に未だ課題が残る。
さらに、ウェハを浮上させる方法では、大口径のウェハの自重の増加に伴って浮上させるためのガス流が増加し、反応炉内に乱気流を発生させることとなる。これによって、ウェハと支持部材との摩擦以外に、微細なパーティクルをウェハに付着させるさらなる要因が発生するという新たな課題を招く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、簡便な手法により、ウェハに対する微細パーティクルの発生及び／又は付着を低減させることを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する際、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示された半導体装置の製造方法では、反応炉内へのウェハの搬入の際に、ウェハに負荷される熱量を抑制することにより、ウェハの温度を緩やかに上昇させることができる。これによって、ウェハの熱膨張を最小限にとどめ、ウェハの熱膨張に起因するパーティクルの発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いられる反応炉は、半導体製造プロセスにおいて、成膜、アニール、エッチング、アッシング、酸化又は拡散等の熱処理を伴うプロセスを実現することができる反応炉であれば、どのような原理を用いたものであってもよい。
【００１０】
例えば、図１に示したような、一般的なバッチ式の熱ＣＶＤ装置等の熱処理装置における反応炉１０を例示することができる。このような反応炉１０は、ウェハ１３が保持される反応炉１０内の温度が均一になるように、少なくともウェハ１３の収容位置の回りを覆うように加熱手段を備えているものが好ましい。加熱手段として、例えば、ヒータ１２、高温ガス導入口等が配設されていることが好ましい。具体的には、ヒータ１２又はガス導入口が、チャンバ１１の外側面及び／又は上面の外側に、１以上配設されていることが例示される。
また、通常、その上、下及び／又は側面に、複数のガス等の導入口（図示せず）が配設されている。また、反応炉１０内部には、反応炉内の温度を測定するために、適所に熱電対１５が配設されている。
【００１１】
反応炉の大きさは特に限定されるものではなく、種々の大きさのものが包含される。特に、近年の大口径のウェハに適用できるものが適しており、例えば、３００ｍｍ径以上のウェハを搬入し、処理するのに適用できるものが好ましい。
反応炉の形状は、例えば、縦型、シリンダ型、クラスタ型、枚葉型等の種々の形態のものが例示される。なかでも、鉛直又は略鉛直方向にチャンバが配設され、下方から上方にウェハを搬入し得るような、縦型のもの（例えば、図１参照）が好ましい。
【００１２】
また、図１に示すように、ウェハ１３を、反応炉１０の縦方向、つまり上下方向に対面するように１枚以上配置して、処理できる形態のものが好ましい。
このように、縦型チャンバを備え、上下方向にウェハを搬出入する反応炉では、特にウェハを搬入した直後、反応炉の深部に搬送されたウェハに急激に負荷される熱量が大きくなりやすい。しかし、本発明の一実施形態は、このようなウェハへの急激な負荷熱量を緩和させて、微細なパーティクルの発生及び／又は付着をより低減させることに有効である。
【００１３】
通常、反応炉にウェハを搬入する前に、反応炉内を、所定の温度に昇温する。この場合の温度は、処理態様、用いるガス種、搬入するウェハの数及び大きさ等に応じて適宜調整することができる。例えば、昇温した反応炉内の温度は、３００〜８００℃程度が例示され、４５０〜６５０℃程度が適しており、５００〜６００℃程度が好ましい。反応炉をこのような温度に昇温する方法は、用いる装置によって適宜選択することができ、例えば、反応炉内又は外に配設されたヒータによる輻射熱による昇温、ヒータで加熱された炉内ガスによる伝導加熱による昇温等が挙げられる。
【００１４】
続いて、昇温された反応炉内にウェハを搬入する。
ここでのウェハは、通常、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体のいずれを用いてもよい。
ウェハの搬入は、上述したように、反応炉の下方側から行うことが好ましいが、このような搬入のためには、例えば、図１に示すような、複数のウェハを支持することができる支持部材１４を用いることが好ましい。このような支持部材１４は、複数のウェハを容易に搬入することができ、反応炉内でウェハを適切な位置に設置して処理することができる。
【００１５】
支持部材１２は、図１に示したように、縦型で、縦方向にウェハを搬出入する形態の反応炉を用いる場合には、ウェハを１枚以上、通常、ウェハを５０〜１００枚程度、上下方向に対面するように搭載できるものが好ましい。
支持部材１２は、反応炉内での反応温度に耐え得る材料及び／又は絶縁性の材料を用いて形成することができる。また、支持部材は、搭載するウェハの熱膨張係数との差が小さい（例えば、０．５程度以下）ものを用いることが好ましい。具体的には、支持部材１４は、石英を用いて形成することが好ましい。支持部材の外形は、ウェハよりも若干大きい直径を有する略円筒形状が例示される（図２（ｂ）参照）。具体的には、直径１５０〜３００ｍｍ程度、好ましくは、２００〜３００ｍｍ程度が例示される。この支持部材１４は、ウェハ１３を所定のピッチ（図２（ａ）中、Ｐ参照）で載置するために突出部１４ａを２〜５箇所設ける。さらに好ましくは、突出部１４ａは３箇所に設けられている。
一般に、ウェハを載置するピッチは、反応炉の形態、処理態様、用いるガス種等に応じて適宜調整することができる。しかし、一般にウェハの厚みが０．５〜１ｍｍ程度であるため、例えば、ウェハの載置するピッチは、５〜１５ｍｍ程度が例示される。また、別の観点から、ピッチは、ウェハの厚みの１０〜１５倍程度が例示される。
【００１６】
一実施形態では、ウェハの搬入に際して、ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、この遮熱板とともにウェハを反応炉へ搬入する。遮熱板は、搬入時に、ウェハが搬入方向前方で直接高温雰囲気に曝されることから保護する役割がある。また、この遮熱板が、搬入方向前方近傍において、反応炉内の熱量を吸収することにより、反応炉内でのウェハに負荷される熱量を抑制する役割を有している。言い換えると、遮熱板は、反応炉に搬入されたウェハに負荷される熱量を、遮熱板自体で吸収することにより、低減させることができる。これにより、ウェハの急激な温度変化を緩和させ、ウェハと支持部材との接触等による微細なパーティクルの発生を抑制することができる。
【００１７】
このような遮熱板を伴うウェハの反応炉内への搬入は、例えば、上述したような支持部材を用いて行うことができる。この支持部材は、例えば、図２（ａ）に示したように、反応炉への搬入方向（矢印Ａ方向）の前方側に、１以上の遮熱板１４ｂを備えている。この遮熱板の形状は、通常、ウェハよりも若干程度大きな板状のものが例示される。また、上述したような、高温雰囲気から保護することができ、適切な熱吸収が可能であれば、表面の一部に、規則的又は不規則的に、凹凸又は穴を有していてもよい。このような表面形状により、より表面積を増大して、熱吸収を促進することができる。
【００１８】
遮熱板の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、反応炉内の温度、遮熱板の厚み及び材料等によって適宜調整することができる。例えば、上述したような反応炉内の温度の範囲では、遮熱板の厚みは、ウェハの厚みの１〜２０倍程度、好ましくは１〜１０倍程度が例示される。また、別の観点から、１〜１０ｍｍ程度、好ましくは２〜５ｍｍ程度が挙げられる。薄すぎると、遮熱効果を十分に得ることができず、厚すぎると、搬入後において反応炉の温度の安定性に悪影響を与えることがあるからである。
【００１９】
遮熱板の数は、上述した範囲の厚み等の場合には、例えば、４〜２０枚程度が例示され、８〜２０枚程度が適しており、１０〜１６枚程度が好ましい。遮熱板の数が少なすぎると、ウェハの温度上昇抑制効果を十分に発揮させることができず、ウェハと支持部材との摩擦量を低減しにくくなる。また、遮熱板の数が多すぎると、過度に熱を吸収することにより、反応炉内の温度を過度に低減る等、ウェハ搬入後の反応炉内の温度安定性に悪影響を与えることがある。さらに、遮熱板自体の温度安定に時間がかかり、プロセス時間の増大をもたらし、生産効率を低減させることがある。なお、遮熱板がこの範囲の枚数で配置される場合、上述した支持部材へのウェハの搭載枚数は、ウェハと遮熱板との合計枚数に略相当するものとなる。
【００２０】
遮熱板のピッチは、上述した範囲の厚みの場合には、例えば、０．５〜２ｍｍ程度、好ましくは、０．６〜１．２ｍｍ程度が例示される。また、別の観点から、ピッチは、支持部材に搭載するウェハの厚みの１０〜１５倍程度が例示される。
なお、遮熱板の形状、厚み、ピッチ等は、各遮熱板の全てが同じであることが好ましいが、部分的に又は全部にわたって異なっていてもよい。
【００２１】
遮熱板の位置は、図２（ａ）に示すように、必ずしも、搬入方向（矢印Ａ方向）の前方の略端部に配置されていなくてもよく、前方に若干の空間が形成されていてもよい。複数の遮熱板が配置されている場合には、ウェハと同様に、遮熱板が上下方向にそれぞれ対面するように配置されていることが好ましい。また、ウェハの搬入方向の最前面に遮熱板が設けられていれば、ウェハ間に遮熱板が配置されていてもよい。
【００２２】
遮熱板は、反応炉内の温度に耐え得る材料、絶縁性の材料、反応炉へのウェハの導入時に効果的に遮熱し得る材料及び／又は熱を効率的に吸収し得る材料によって形成されていることが好ましい。特に、後述する支持部材との一体化を考慮すると、支持部材との熱膨張係数の差が小さい（例えば、０．５程度以下）もの、略同じもの（例えば、±０．１程度の差）、同一のものが好ましい。このようなことから、遮熱板は、支持部材と同じ材料で形成されていることが好ましく、石英によって形成されていることがより好ましい。
【００２３】
また、遮熱板は、上述したように、支持部材と一体化して形成されていることが好ましい。ここでの一体化とは、支持部材との間に反応ガス等が侵入し得る隙間を有さないことを意味する。一体化は、支持部材の成形時に、遮熱板をも成形して、両者を同時に一部材として形成する方法、別個の部品として形成し、例えば、溶接等により一体的に接合する方法などが挙げられる。
【００２４】
このように、遮熱板を利用することにより、高温に保持された反応炉にウェハを搬入する際、ウェハ自体の急激な温度上昇を緩和させることができる。つまり、ウェハに負荷される熱量を抑制することができる。これにより、ウェハと支持部材との摩擦を低減させることができ、微細パーティクルの発生及びウェハへの付着を防止することが可能となる。
【００２５】
上述した実施形態では、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を一時停止又は低減させてもよい。
また、他の実施形態として、ウェハの搬入に際して、上述した遮熱板を用いずに、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を一時停止又は低減させるような制御を行ってもよい。
このような制御は、例えば、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間において、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を行った場合にウェハに負荷される熱量よりも小さな熱量を負荷しながらウェハを搬入するという制御、ウェハに負荷される熱量を抑制するような制御と言い換えることができる。
なお、上述した遮熱板を利用する実施形態と、反応炉内の温度維持／昇温制御を停止／低減する実施形態とを組み合わせて利用する場合には、意図する作用を達成させるために、種々のパラメータを調節することが好ましい。
【００２６】
ここで、反応炉内の温度維持制御又は昇温制御とは、上述した一般的な熱処理装置において、少なくともウェハの搬入開始から搬入終了までの間に行われ、ウェハの搬入による温度低下を最小限に止める制御の全てを意味する。この実施形態では、反応炉内の温度維持制御又は昇温制御とは、当該分野においてこの種の装置によって行われている温度に関する制御の全てを包含する。
【００２７】
反応炉内の温度維持制御又は昇温制御を一時停止させるとは、少なくともウェハの搬入開始から搬入終了までの間に、好ましくはこの間のみ、反応炉の加熱手段のパワーをオフすることを意味する。また、反応炉の温度制御が自動制御されている場合であっても、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間には、いかなる温度変動が生じても、加熱手段をオンしないように予め設定しておくことを意味する。
【００２８】
反応炉内の温度維持制御又は昇温制御を一時低減させるとは、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間に、この実施形態において意図する温度変化を生じさせるために、加熱手段のパワーを十分量低減させることを意味する。反応炉の温度制御が自動制御されている場合であっても、上記と同様に、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間で加熱手段のパワーを維持又は上昇させないように予め設定しておくことを意味する。
この実施形態では、制御の簡便さ等から、少なくともウェハの搬入開始から搬入終了までの間に、反応炉内の温度維持制御又は昇温制御を一時停止させることが好ましい。
【００２９】
このような制御は、ウェハの急激な温度変化の緩和をもたらす。つまり、ウェハの温度を緩やかに上昇させ、ウェハと支持部材との摩擦等による微細パーティクルの発生を抑制する。
【００３０】
なお、上述の一般的な温度低下を最小限に止める制御では、用いる反応炉の大きさ及び設定温度等によって異なるが、通常、ウェハの搬入時の反応炉内の温度変化が５℃未満、４℃未満又は３℃程度以内の温度低下に設定されている。しかし、この実施形態では、上述したような特有の制御により、結果的に、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、上述の一般的な制御よりも、反応炉内の温度変化を、２℃程度以上、さらに３℃程度以上大きくすることができる。また、この反応炉内の温度変化は、一般的な制御よりも、７℃程度以下で大きくすることが好ましい。
【００３１】
具体的には、ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度低下が４℃以上であることが適しており、５℃以上であることが好ましい。温度低下が小さすぎると、ウェハに負荷される熱量を十分に緩和することができない。これは後述する実験結果に基づいて確認されている。また、温度低下の上限は、１０℃程度が適している。温度低下が大きすぎると、その後の反応工程に悪影響を及ぼすとともに、搬入したウェハを反応温度に到達させるためにより長時間を必要とし、製造工程の煩雑化及び製造コストの増大をもたらすからである。また、１０℃を超えるあたりから、ウェハに付着するパーティクルの量のより一層の低減が認められないことが確認されている。従って、製造の効率化及びパーティクルの低減効果を総合的に考慮して、１０℃以内の温度低下でこの実施形態が意図する必要かつ十分な効果を発揮させることができる。
【００３２】
また、通常、ウェハの反応炉への搬入は、反応炉の設定温度、用いるウェハの大きさ及び数等によって異なるが、通常、５分以内が例示され、４分以内が適しており、３分以内が好ましい。極短時間での急激な温度低下は、反応炉内の温度分布を悪化させ、その後の製造プロセスに悪影響を与えることがあるからである。
【００３３】
ウェハを反応炉に搬入した後、ウェハを熱処理する。この場合の熱処理は、高温を負荷して行う処理であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＣＶＤ法等による成膜、熱拡散、熱酸化、アニール、アッシング、エッチング等が例示される。この場合の温度は、特に限定されるものではなく、例えば、３００℃程度から１２００℃程度が例示される。この熱処理は、通常、ウェハ搬入後、反応炉の温度を低下させることなく、反応炉の温度を維持又は上昇させて行われる。また、熱処理は、反応炉内及び／又はウェハ温度が安定した後に行うことが好ましい。
【００３４】
半導体装置の製造方法の一実施形態を、以下に詳細に説明する。
実施例
反応炉を有する装置として、図１に示すような、チャンバ１１の側面外周に加熱手段１２としてヒータを備えた、バッチ式縦型の熱ＣＶＤ装置を用いた。
ウェハの支持部材として、図２に示すような、石英製のラダーボートを用いた。このラダーボートは、３００ｍｍ径のウェハ（厚さ：０．８ｍｍ）を搭載することができるものであり、その上部に、遮熱板を一体化して１３枚備えている。遮熱板の厚みは、約１ｍｍである。
【００３５】
このような熱ＣＶＤ装置及びラダーボートを用いて、反応炉を昇温し、５００℃に設定した。
温度が安定した後、昇温された反応炉内に、上述したウェハを搭載したラダーボートを、搬入開始から搬入終了までの時間を３分間として搬入した。なお、この間の反応炉は、内部熱電対１５と外部ヒータのカスケード制御によってヒータのオンオフ及び／又はパワーの強弱を制御して、５００℃±１℃となるように設定した。
【００３６】
このように、昇温した反応炉内にウェハを搬入し、熱処理した後のウェハの金属顕微鏡による裏面観察及びパーティクルの発生状況の観察を行った。その結果を表１に示す。
【００３７】
なお、参照のために、ラダーボートにおける遮熱板の数を８枚又は３枚に減らした以外、上記実施例と同様に、熱処理後のウェハの金属顕微鏡による裏面観察及びパーティクルの発生状況の観察を行った。その結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
2010045198.tif 000003
表１から、金属顕微鏡によるウェハの裏面観察では、遮熱板８枚以上で、摩擦による傷を１．０ｍｍ未満に低減できることが確認された。つまり、ウェハ裏面とラダーボートとの接触による傷を比較的短くできることが確認された。
また、パーティクルの発生状況の観察では、遮熱板８枚以上では、各パーティクルが局所的に独立して点在する程度であることが確認された。一方、３枚以下では、集落状に、パーティクルが集中して付着する部位が認められた。
【００３９】
さらに、上述したように、３種類のラダーボートを用いて、昇温した反応炉内にウェハを搬入した場合の反応炉内の温度変化を測定した。その結果を図３（ａ）〜（ｃ）に示す。
図３（ａ）〜（ｃ）では、点Ａがウェハ搬入開始、点Ｂがウェハ搬入完了を意味し、その間は３分間である。また、図３（ａ）では、反応炉の温度が約６℃程度低下していることが確認された。同様に、図３（ｂ）では約４℃、図３（ｃ）では約２℃、温度が低下していることが確認された。
【００４０】
これらの結果から、ウェハの搬入時において、遮熱板を利用することにより、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を行った場合に変化する温度範囲よりも、より大きな温度変化を得ることができることが確認された。つまり、ウェハの搬入時において、ウェハに負荷される熱量を結果的に抑制することができる。これにより、ウェハの温度上昇をより緩やかに行わせることができ、急激な熱膨張を低減させることが可能となる。
【００４１】
また、図３（ａ）〜（ｃ）の結果から、遮熱板の有無にかかわらず、ウェハの搬入時において、反応炉内の温度変化を比較的大きくすることにより、ウェハに負荷される熱量を抑制することができることが確認された。
【００４２】
以上の実施形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
反応炉を昇温する工程と、
前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、
該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
反応炉を昇温する工程と、
前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、
該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を一時停止又は低減することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４３】
（付記３）
前記ウェハを上下方向に対面するように１又は複数枚搭載し得る支持部材の上部に１以上の遮熱板を配置し、鉛直又は略鉛直方向に配設された縦型反応炉に、前記支持部材をウェハとともに下方から上方に向けて搬入する付記１の方法。
（付記４）
前記ウェハを、ウェハ搬入用の支持部材を用いて搬入し、かつ前記遮熱板を、前記支持部材のウェハの搬入方向前方に互いに対面するように４〜２０枚配置する付記１〜３のいずれか１つの方法。
（付記５）
前記ウェハを、ウェハ搬入用の支持部材を用いて搬入し、かつ前記遮熱板を、ウェハの厚みの１〜２０倍の厚みで互いに対面するように前記支持部材に配置する付記１〜４のいずれか１つの方法。
【００４４】
（付記６）
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度維持及び／又は昇温制御を一時停止又は低減する付記１の方法。
（付記７）
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの間、反応炉内の温度低下を４℃以上、１０℃以下とする付記１〜６のいずれか１つの方法。
（付記８）
前記ウェハの搬入開始から搬入終了までの時間を５分以内とする付記１〜８のいずれか１つの方法。
（付記９）
前記遮熱板は、支持部材と同じ熱膨張係数を有する材料により形成されている付記３〜５のいずれか１つの方法。
（付記１０）
前記遮熱板は、支持部材と一体的に形成されている付記３〜５及び９のいずれか１つの方法。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法で利用する反応炉の要部の概略縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法で利用するウェハの支持部材の縦断面図及び平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における特有の制御を行った場合の反応炉内温度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１０  反応炉
１１  チャンバ
１２  加熱手段
１３  ウェハ
１４  支持部材
１４ａ  突出部
１４ｂ  遮熱板
１５  内部熱電対
【図１】
2010045198.tif 000004
【図２】
2010045198.tif 000005
【図３】
2010045198.tif 000006