(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの外周側に位置するプロセスチャンバー部に設置されている、ウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部を仕切るゲートバルブ部近傍部の温度低下を改善する。【解決手段】ウェーハ搬送部２８とプロセスチャンバー部２１とを仕切るゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能とする。ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に新たな仕切部３２を設け、本仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質とし、さらに仕切部３２の内部には、温度制御可能なヒータ３３および熱電対３４を設け熱電対３４の温度に基づいてヒータ３３の制御を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー部と、前記チャンバー部に連結された前室部と、前記チャンバー部と前記前室部との間に設けられたゲートバルブ部と、前記ゲートバルブ部と前記チャンバー部との間に配置された開閉自在の仕切部と、前記仕切部に設けられた仕切部加熱手段とを備えた半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記仕切部加熱手段は仕切部用ヒータと仕切部用熱電対とを有する請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記チャンバー部にはチャンバー部用熱電対が設けられ、
前記仕切部用熱電対の温度および前記チャンバー部用熱電対の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による温度検出結果に基づき前記仕切部用熱電対の温度および前記チャンバー部用熱電対の温度が等しくなるように前記仕切部用ヒータを制御する制御手段とを備えた請求項２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記チャンバー部は内部に処理対象物を搭載する搭載部を有し、前記チャンバー部の内壁は、その水平断面が、曲率中心が前記搭載部上に位置する円弧の形状を有し、前記仕切部は前記チャンバー部の内壁とほぼ同曲率で曲率中心が前記搭載部上に位置する円弧状の形状を有する請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記チャンバー部は内部に処理対象物を搭載する搭載部を有し、前記チャンバー部の内壁は、その水平断面が、対角線の中心が前記搭載部上に位置する方形状の形状を有し、前記仕切部は前記チャンバー部の内壁とほぼ同一面を有する請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
チャンバー部と、前記チャンバー部に連結された前室部と、前記チャンバー部と前記前室部との間に設けられたゲートバルブ部と、前記ゲートバルブ部と前記チャンバー部との間に配置された開閉自在の仕切部と、前記仕切部に設けられた仕切部加熱手段とを備え、前記仕切部加熱手段が仕切部用ヒータと仕切部用熱電対とを有し、前記チャンバー部にはチャンバー部用熱電対が設けられた半導体装置の製造装置の制御方法であって、
前記仕切部用熱電対の温度と前記チャンバー部用熱電対の温度とを検出し、前記仕切部用熱電対の温度と前記チャンバー部用熱電対の温度とが等しくなるように、前記仕切部用ヒータを制御する半導体装置の製造装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハに対し成膜処理等の熱処理を行う、半導体装置の製造装置およびその制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスを製造するには、半導体ウェーハに成膜処理、酸化拡散処理等の各種の熱処理を繰り返し行って所望のデバイスを製造するが、半導体デバイスが高密度化、多層化及び高集積化するに伴ってその仕様が年々厳しくなっており、これらの各種の熱処理のウェーハ面内における均一性の向上が特に望まれている。
【０００３】
例えばこれらの熱処理の内のゲート絶縁膜のように非常に薄い酸化膜などに対しても更なる薄膜化が要求され、これと同時に更に高い絶縁性が要求されている。これらの絶縁膜としては、シリコン酸化膜を用いてきたが、最近にあっては、より絶縁特性の良好な材料である、金属酸化膜、例えば酸化ハフニウム等が用いられている。
【０００４】
酸化ハフニウムを形成する場合を例にすると、ハフニウムの有機化合物を用い、これを窒素ガス等でバブリングしながら供給し、半導体ウェーハを例えば４００℃程度のプロセス温度に維持し、真空雰囲気下でＡＬＤ(Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により酸化ハフニウム膜を堆積させている。
【０００５】
ここで、従来の熱処理装置について説明する。図５は従来の熱処理装置の一例の概略構成を示す縦断面図、図６は図５に示す熱処理装置の横断面図である。
【０００６】
真空引き可能なプロセスチャンバー部１内には、この底部より起立されて例えばアルミニウムよりなる円筒体状のウェーハステージ支持台２が設けられている。ウェーハステージ支持台２に支持された状態でウェーハステージ３が設置され、上記ウェーハステージ支持台２の上方側に対し、円形リング状の微量熱伝導板４が設けられている。
【０００７】
ウェーハステージ３は昇温可能な機構を有し（図示せず）、例えば酸化ハフニウムを堆積する場合は、４００℃程度に保持されている。
【０００８】
プロセスチャンバー部１の側壁内には、プロセスチャンバー部１内の側壁温度を均一にするためのヒータ５とプロセスチャンバー部１の側壁温度測定用の熱電対６とが設置されている。図５および図６の例では、ヒータ５が７本および、温度測定用の熱電対６が６本、プロセスチャンバー部１内の側壁内に設置されている。
【０００９】
さらに、プロセスチャンバー部１の天井部には、シャワーヘッド部７が設けられ、これにより処理ガス１１、すなわちハフニウムの有機化合物ガス等がプロセスチャンバー部１内に供給されるようになっている。
【００１０】
半導体ウェーハ１０はウェーハ搬送部８よりプロセスチャンバー部１に挿入され成膜処理が行われるが、ウェーハ搬送部８とプロセスチャンバー部１とを仕切るためのゲートバルブ部９が設置されている。ゲートバルブ部９の下端は、プロセスチャンバー部１およびウェーハ搬送部８において内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ１２を介してアクチュエータ１３に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−７６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来装置の課題について図５に即して説明する。従来装置では例えば酸化ハフニウムを半導体ウェーハ１０表面に堆積する場合、ウェーハ中心部よりも主としてウェーハ周縁部の一部にて膜厚が比較的薄くなり、膜厚の面内均一性が劣化してしまう現象が多く見られた。この理由は、半導体ウェーハ１０の外周側に位置する、プロセスチャンバー部１に設置されている、ウェーハ搬送部８とプロセスチャンバー部１を仕切るゲートバルブ部９の近傍１４の温度が、ゲートバルブ部９以外のプロセスチャンバー部１近傍部の温度よりも低いため、熱的に悪影響を与えてウェーハ面内の均一性を劣化させている。
【００１３】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、プロセスチャンバー部１のゲートバルブ部９の近傍１４の温度を低下させることなく、半導体ウェーハに対する熱処理の面内均一性を大幅に向上させることを可能とする、半導体装置の製造装置およびその制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造装置は、チャンバー部と、チャンバー部に連結された前室部と、チャンバー部と前室部との間に設けられたゲートバルブ部と、ゲートバルブ部とチャンバー部との間に配置された開閉自在の仕切部と、仕切部に設けられた仕切部加熱手段とを備えている。
【００１５】
この構成によれば、ゲートバルブ部よりチャンバー部側に仕切部を配置し、この仕切部を仕切部加熱手段によって加熱するようにしたので、チャンバー部内において、ゲートバルブ部の近傍の温度を制御することができ、ゲートバルブ部の近傍の温度をゲートバルブ部の近傍以外の温度に比べて低下することを回避し、チャンバー部内の温度分布の均一性を高めることができる。その結果、チャンバー部内での処理対象物の温度および成膜ガスの温度の均一性を向上させることができ、したがって処理対象物への堆積膜厚の均一性を向上させることができる。
【００１６】
上記の半導体装置の製造装置においては、仕切部加熱手段は仕切部用ヒータと仕切部用熱電対とを有することが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、仕切部用熱電対で温度を検出し、その検出結果に基づいて仕切部用ヒータを制御することが可能となり、仕切部の温度を制御できる。
【００１８】
また、上記のように、仕切部加熱手段は仕切部用ヒータと仕切部用熱電対とを有する構成の場合において、チャンバー部にはチャンバー部用熱電対が設けられた構成とし、仕切部用熱電対の温度およびチャンバー用熱電対の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段による温度検出結果に基づき仕切部用熱電対の温度およびチャンバー部用熱電対の温度が等しくなるように仕切部用ヒータを制御する制御手段とを備えることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、仕切部用熱電対の温度およびチャンバー部用熱電対の温度が等しくなるように仕切部用ヒータを制御することができ、その結果、チャンバー部内において、ゲートバルブ部近傍の部分とゲートバルブ部の近傍以外の部分の温度分布を均一化することできる。
【００２０】
また、上記構成の半導体装置の製造装置においては、チャンバー部は内部に処理対象物を搭載する搭載部を有し、チャンバー部の内壁は、その水平断面が、曲率中心が搭載部上に位置する円弧の形状を有し、仕切部はチャンバー部の内壁とほぼ同曲率で曲率中心が搭載部上に位置する円弧状の形状を有することが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、チャンバー部の内壁と仕切部の内壁とがほぼ連続した円を形成することとなり、ゲートバルブ部近傍の部分とゲートバルブ部の近傍以外の部分の温度分布をさらにいっそう均一化することできる。
【００２２】
また、上記構成の半導体装置の製造装置においては、チャンバー部は内部に処理対象物を搭載する搭載部を有し、チャンバー部の内壁は、その水平断面が、対角線の中心（２本の対角線の交点）が搭載部上に位置する方形状の形状を有し、仕切部はチャンバー部の内壁とほぼ同一面を有していてもよい。
【００２３】
この構成によれば、チャンバー部の内壁と仕切部の内壁とがほぼ連続した方形状の形状を形成することとなり、ゲートバルブ部近傍の部分とゲートバルブ部の近傍以外の部分の温度分布をさらにいっそう均一化することできる。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造装置の制御方法は、チャンバー部と、チャンバー部に連結された前室部と、チャンバー部と前室部との間に設けられたゲートバルブ部と、ゲートバルブ部とチャンバー部との間に配置された開閉自在の仕切部と、仕切部に設けられた仕切部加熱手段とを備え、仕切部加熱手段が仕切部用ヒータと仕切部用熱電対とを有し、チャンバー部にはチャンバー部用熱電対が設けられた半導体装置の製造装置の制御方法であって、
仕切部用熱電対の温度とチャンバー部用熱電対の温度とを検出し、仕切部用熱電対の温度とチャンバー部用熱電対の温度とが等しくなるように、仕切部用ヒータを制御する。
【００２５】
この方法によれば、仕切部用熱電対の温度およびチャンバー部用熱電対の温度が等しくなるように仕切部用ヒータを制御することができ、その結果、チャンバー部内において、ゲートバルブ部近傍の部分とゲートバルブ部の近傍以外の部分の温度分布を均一化することできる。その結果、チャンバー部内での処理対象物の温度および成膜ガスの温度の均一性を向上させることができ、したがって処理対象物への堆積膜厚の均一性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造装置を用いることにより、チャンバー部内の温度分布の均一化を図ることができ、処理対象物（例えば、半導体ウェーハ）の周縁部の一部にて膜厚が薄くなることを抑え、処理対象物（例えば、半導体ウェーハ）の面内均一性の悪化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施例１の半導体装置の製造装置である成膜装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施例１の半導体装置の製造装置である成膜装置の概略構成を示す横断面図である。
【図３】本発明の実施例１の半導体装置の製造装置である成膜装置の概略構成を示すもう一つの縦断面図である。
【図４】本発明の実施例２の半導体装置の製造装置である成膜装置の概略構成を示す横断面図である。
【図５】従来技術の熱処理による成膜装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図６】従来技術の熱処理による成膜装置の概略構成を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２９】
本発明に係る枚葉式の熱処理装置の実施例１を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る枚葉式の熱処理装置の実施例１の概略構成を示す縦断面図、図２は図１に示す熱処理装置の横断面図である。
【００３０】
本実施例１では、枚葉式の熱処理装置（半導体装置の製造装置）として成膜処理装置を例にとって説明する。この成膜処理装置は、例えばアルミニウム等により内部が円筒状もしくは、箱状に形成されたプロセスチャンバー部２１を有しており、このプロセスチャンバー部２１の底部より起立させた、円筒状のウェーハステージ支持台２２が設けられている。
【００３１】
ウェーハステージ支持台２２に支持された状態でウェーハステージ２３が設置され、このウェーハステージ２３は、例えばＳｉＣにより形成され、昇温機構を有しプロセス処理温度まで昇温可能となる。
【００３２】
プロセスチャンバー部２１の内壁は、円弧状に形成されており、その曲率中心は、ウェーハステージ２３上に位置している。この場合、プロセスチャンバー部２１の内壁の曲率中心はほぼウェーハステージ２３の中心にほぼ一致している。これによって、処理対象物である円形のウェーハ３０の周縁部からプロセスチャンバー部２１の内壁までの距離がほぼ一定となっている。
【００３３】
上記ウェーハステージ支持台２３の上方側に対し、円形リング状の微量熱伝導板２４が設けられている。この微量熱伝導板２４は例えば窒化アルミニウムのような比較的熱伝導率が低く、かつ処理対象物であるウェーハ３０に対し汚染の恐れがない断熱材料よりなる。
【００３４】
プロセスチャンバー部２１の側壁内には、プロセスチャンバー部２１内の側壁温度を均一にするためのヒータ２５とプロセスチャンバー部２１の側壁温度測定用の熱電対２６とが設置されている。ヒータ２５と熱電対２６とでチャンバー部加熱手段が構成される。図１および図２の例では、ヒータ２５が７本および、温度測定用の熱電対２６が６本、プロセスチャンバー部２１内の側壁内に設置されている。
【００３５】
ウェーハステージ２３と対向するプロセスチャンバー部２１の天井部には、成膜ガス（処理ガス）３５等をプロセスチャンバー部２１内へ導入するためにシャワーヘッド部２７が設けられている。
【００３６】
プロセスチャンバー部２１の底部には排気口３１が設けられ、この排気口３１には図示していない真空ポンプが接続され、プロセスチャンバー部２１内を所定の真空度に真空引きし得るようになっている。
【００３７】
そして、プロセスチャンバー部２１と前室部であるウェーハ搬送部２８とが連結されているが、プロセスチャンバー部２１と前室部であるウェーハ搬送部２８との間には、ウェーハ３０を搬出入する際に開閉させるゲートバルブ部２９が設けられている。ゲートバルブ部２９の下端は、プロセスチャンバー部２１およびウェーハ搬送部２８において内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３６を介してアクチュエータ３７に接続されている。
【００３８】
さらに、本発明の特徴とするプロセスチャンバー部２１およびゲートバルブ部２９の間に温度制御可能な仕切部３２が設置されている。本温度制御可能な仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質を使用する。例として、本プロセスチャンバー部２１ではアルミニウムを使用しており、同材料にて温度制御可能な仕切部３２を設ける。
【００３９】
温度制御可能な仕切部３２の内部には温度制御用のヒータ３３が挿入されており、さらに、温度測定用の熱電対３４を設けることでヒータ３３に対し、プロセスチャンバー部２１と同等の温度制御を可能とする。ヒータ３３と熱電対３４とで仕切部加熱手段が構成される。図１および図２の例では、ヒータ３３が１本および、温度測定用の熱電対３４が２本、温度制御可能な仕切部３２に設置されている。
【００４０】
温度制御可能な仕切部３２の下端は、プロセスチャンバー部２１内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３８を介してアクチュエータ３９に接続されている。
【００４１】
次に、以上のように構成された本実施例１に係る半導体装置の製造装置の動作について図１および図３を用いて説明する。図３のウェーハ３０表面に例えば酸化ハフニウムのような金属酸化膜のＡＬＤ成膜処理を施す場合には、プロセスチャンバー部２１とウェーハ搬送部２８との間に設置された、ゲートバルブ部２９および温度制御可能な仕切部３２を開き、搬送アーム（図示せず）により矢印で示すように、プロセスチャンバー部２１にウェーハ３０を挿入する。
【００４２】
次に、図１に示すように、ゲートバルブ部２９および温度制御可能な仕切部３２を閉め、排気口３１から内部雰囲気を排気することによりプロセスチャンバー部２１内を所定の真空度、例えば１３３０Ｐａ以下の範囲に設定する。
【００４３】
上記動作と並行して、温度制御可能な仕切部３２の温度をプロセスチャンバー部２１内に設置している熱電対２６と同温に制御するため、上記温度制御可能な仕切部３２内に設置しているヒータ３３および熱電対３４によって温度制御することで、プロセスチャンバー部２１の温度まで昇温し、同温に制御することが可能となる。
【００４４】
例えばプロセスチャンバー温度を１５０℃程度に制御する場合、温度制御可能な仕切部３２の熱電対３４の温度も同温の１５０℃になるように、温度制御可能な仕切部３２内のヒータ３３を昇温させる。
【００４５】
温度制御回路については、詳細な回路図は省くが、熱電対２６、３４の温度を検出する温度検出部と、この温度検出部の検出信号に基づいて、ヒータ２５および３３への供給電力を制御する制御部とを有している。この制御部は、具体的には、熱電対２６の温度を検出し、その検出温度が所定の目標温度、例えば１５０℃になるように、ヒータ２５への電力供給を制御し、これと併せて、熱電対３４の温度を検出し、その検出温度が同じ目標温度の１５０℃となるように、ヒータ３３への供給電力を制御する。
【００４６】
以上のような温度制御動作によって、プロセスチャンバー部２１内において、ゲートバルブ部２９近傍部分とそれ以外の部分の温度分布が均一化される。したがって、処理対象物である半導体ウェーハ３０の温度分布も成膜ガスの温度分布も均一化される。その結果、半導体ウェーハ３０の表面の堆積膜厚の均一性が高くなる。
【００４７】
次に成膜ガス３５をシャワーヘッド部２７へ所定量供給し成膜処理を行う。
【００４８】
ここで、従来装置にあっては、ウェーハステージ支持台２２の上方側に対し、円形リング状の微量熱伝導板２４が設けられているのみであり、ゲートバルブ部２９近傍の温度を積極的に制御できていない。
【００４９】
そのため、上記ゲートバルブ部２９近傍の温度低下に起因する膜厚低下が発生し、成膜された半導体ウェーハ３０の面内均一性は１０〜１５％程度である。
【００５０】
なお、ここで面内均一性は以下のように求められる。すなわち、測定条件として、ウェーハ面内をｎ点（ｎは自然数）測定するとした場合、その測定結果の最大値(Max)、最小値(Min)、ｎ点の平均値(Ave)として、で面内均一性は、
面内均一性（％）＝１００×(Max-Min)/(2×Ave)
で計算される。
【００５１】
本発明の実施例１により、プロセスチャンバー部２１のゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能となり、ゲートバルブ部２９の近傍において温度低下が発生することがない、そのため成膜される半導体ウェーハに対する熱処理の面内均一性は、約５％前後まで大幅に改善することが可能となる。
【００５２】
以上説明したように、この実施例１によれば、ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に仕切部３２を配置し、この仕切部３２をヒータ３３および熱電対３４によって温度制御しながら加熱するようにしたので、プロセスチャンバー部２１内において、ゲートバルブ部２９の近傍の温度を制御することができ、ゲートバルブ部２９の近傍の温度をゲートバルブ部２９の近傍以外の温度に比べて低下することを回避し、プロセスチャンバー部２１内の温度分布の均一性を高めることができる。その結果、プロセスチャンバー部２１内での処理対象物の温度および成膜ガスの温度の均一性を向上させることができ、したがって処理対象物への堆積膜厚の均一性を向上させることができる。
【００５３】
また、熱電対３４で温度を検出し、その検出結果に基づいてヒータ３３を制御することが可能となり、仕切部３２の温度を制御できる。
【００５４】
さらに、熱電対３４の温度および熱電対２６の温度が等しくなるようにヒータ３３を制御することができ、その結果、プロセスチャンバー部２１内において、ゲートバルブ部２９近傍の部分とゲートバルブ部２９の近傍以外の部分の温度分布を均一化することできる。
【実施例２】
【００５５】
図４は本発明の実施例２に係る半導体装置の製造装置の断面図を示す。本実施例２が前記実施例１と異なる点は、温度制御可能な仕切部３２Ａを円弧状に形成し、プロセスチャンバー部２１Ａの内壁の曲率と仕切部３２Ａの内壁の曲率をほぼ等しくし、プロセスチャンバー部２１Ａの曲率中心と仕切部３２Ａの曲率中心とを同じ位置にしたことである。
【００５６】
これらの曲率中心を、ウェーハステージ２３の中心、つまり半導体ウェーハ３０の中心に位置させることで、プロセスチャンバー部２１Ａおよび温度制御可能な仕切部３２Ａと円板状の半導体ウェーハ３０との距離を一定にすることが可能であり、半導体ウェーハ３０への周縁部の温度バラツキを抑制することができる。その結果、半導体ウェーハ３０に対する熱処理の面内均一性を大幅に向上させることが可能となる。
【００５７】
なお、プロセスチャンバー部２１Ａの曲率中心と仕切部３２Ａの曲率中心は、ウェーハステージ２３の中心にあることが好ましいが、少なくともウェーハステージ２３上にあればよい。
【００５８】
また、上記実施例１、２では、熱処理として酸化ハフニウムを成膜する場合を例に説明したが、これに限定されず、タンタル酸化膜、酸化チタン膜、酸化ジルコニウム等を成膜する場合にも適用し得ることは勿論である。さらに、金属酸化膜のみならず、窒化膜等の成膜を行う全ての成膜についても本発明装置を適用し得る。また、成膜による熱処理に限定されず、本発明は温度依存性のある熱処理全て適用することができる。
【００５９】
以上説明したように、この実施例２によれば、プロセスチャンバー部２１Ａの内壁と仕切部３２Ａの内壁とがほぼ連続した円を形成することとなり、実施例１に比べてゲートバルブ部２９近傍の部分とゲートバルブ部２９の近傍以外の部分の温度分布をさらにいっそう均一化することできる。その他の効果は、実施例１と同様である。
【００６０】
なお、上記実施例１、２において、プロセスチャンバー部の内壁は、その水平断面（すなわちウェーハステージを含む平面と平行な平面で切った断面）が、対角線の中心が搭載部上に位置する正方形や長方形の形状を有し、仕切部は前記チャンバー部の内壁とほぼ同一面を有するものであればよい。また、プロセスチャンバー部の内壁が、その水平断面が、対角線の中心が搭載部上に位置する多角形、例えば六角形や八角形の形状を有するものであってもよい。上記多角形としては、温度分布の観点から、特に正多角形であることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上説明したように、本発明はウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部間のゲートバルブ部近傍の温度低下に起因する膜厚低下を抑えることで、半導体ウェーハの面内均一性の悪化を抑制できる、半導体装置の製造装置を提供できる。
【符号の説明】
【００６２】
２１、２１Ａ    プロセスチャンバー部
２２    ウェーハステージ支持台
２３    ウェーハステージ
２４    微量熱伝導板
２５    ヒータ
２６    熱電対
２７    シャワーヘッド部
２８    ウェーハ搬送部
２９    ゲートバルブ部
３０    半導体ウェーハ
３１    排気口
３２、３２Ａ    仕切部
３３    ヒータ
３４    熱電対
【図１】
2010245228.tif 000003
【図２】
2010245228.tif 000004
【図３】
2010245228.tif 000005
【図４】
2010245228.tif 000006
【図５】
2010245228.tif 000007
【図６】
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