(57)【要約】【課題】一括リセット処理を行っても放射線検出素子やＴＦＴに残存する電荷量に差を生じることを防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線５および複数の信号線６により区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７を備える検出部Ｐと、走査線５にオン電圧Ｖonが印加されると放射線検出素子７から電荷を放出させ、走査線５にオフ電圧Ｖoffが印加されると放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるスイッチ手段８と、各走査線５を介してスイッチ手段８に印加する電圧Ｖを制御する走査駆動手段１５とを備え、走査駆動手段１５は、放射線検出素子７のリセット処理の終了時には、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとし、各走査線５を介して各スイッチ手段８を一括してオフ状態とする。【選択図】図７
2010263343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となって前記放射線検出素子内で発生した電荷を放出させ、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となって前記放射線検出素子内で発生した電荷を前記放射線検出素子内に蓄積させるスイッチ手段と、
前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧を制御する走査駆動手段と、
を備え、
前記走査駆動手段は、前記放射線検出素子のリセット処理の終了時には、前記各走査線に印加する前記電圧を所定の前記オン電圧から徐々にまたは段階的に低下させて所定の前記オフ電圧とし、前記各走査線を介して前記各スイッチ手段を一括してオフ状態とすることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記走査駆動手段は、前記放射線検出素子のリセット処理の終了時に、仮に前記各走査線に印加する前記電圧を所定の前記オン電圧から所定の前記オフ電圧に瞬時に低下させた場合に前記信号線の電位が一旦降下した後回復するまでの時間以上の時間をかけて、前記各走査線に印加する前記電圧を所定の前記オン電圧から徐々にまたは段階的に低下させて所定の前記オフ電圧とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記走査駆動手段は、電源回路とゲートドライバとを備え、前記放射線検出素子のリセット処理の終了時には、前記電源回路から前記ゲートドライバを介して前記各走査線に印加する前記電圧を所定の前記オン電圧から徐々にまたは段階的に所定の前記オフ電圧に低下させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記走査駆動手段は、電源回路とゲートドライバとを備え、前記ゲートドライバには抵抗器が設けられており、前記放射線検出素子のリセット処理の終了時には、前記電源回路から前記電源回路から前記ゲートドライバを介して前記各走査線に印加する前記電圧を前記オン電圧から前記オフ電圧に切り替える際に、前記ゲートドライバの前記抵抗器を介して前記各走査線に前記オフ電圧を印加することで前記電圧を所定の前記オン電圧から徐々にまたは段階的に所定の前記オフ電圧に低下させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線検出素子内に蓄積された余分な電荷を放出させる放射線検出素子のリセット処理を行う放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
ところで、放射線画像撮影装置の内部構造は、後述する図４や図７等に示すように、通常、基板上に互いに交差するように配設された複数の走査線５と複数の信号線６とで区画された各小領域ｒにそれぞれ放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて形成されている。そして、前述したように、放射線検出素子７では照射された放射線の線量に応じてその内部に電荷が発生し、各放射線検出素子７の電荷がそれぞれ読み出され、読み出し回路１７で電荷電圧変換され増幅される等して画像データとして取り出される。
【０００５】
しかし、放射線画像撮影装置に放射線が照射されない場合でも、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等によりその内部で電荷が発生しており、その電荷はいわゆる暗電荷として各放射線検出素子７内に蓄積される。また、前回の放射線画像撮影での放射線の照射により発生した電荷の読み残し分が各放射線検出素子７内に残存している場合もある。そして、各放射線検出素子７内に暗電荷や読み残し分の電荷が残存した状態で放射線画像撮影を行うと、それらの暗電荷や読み残し分の電荷が今回の放射線画像撮影で各放射線検出素子７から読み出される画像データにノイズ成分として重畳されてしまう。
【０００６】
そこで、この暗電荷等によるノイズ成分を可能な限り除去するため、通常、放射線画像撮影装置に対して放射線が照射される直前や放射線照射後等に、放射線検出素子７内等に蓄積された暗電荷等の余分な電荷を除去するためのリセット処理が行われる。
【０００７】
放射線検出素子７のリセット処理では、図４や図７等に示したように各走査線５に接続された各放射線検出素子７のスイッチ手段であるＴＦＴ８（Thin Film Transistor）のゲート電極８ｇに走査線５を介してオン電圧を印加してＴＦＴ８のゲートを開き、ＴＦＴ８を介して放射線検出素子７内に蓄積された余分な電荷を信号線６に放出させる。
【０００８】
その際、特許文献４等に記載されているように、画像データの読み出し処理と同様の要領でＴＦＴ８のゲート電極８ｇにオン電圧を印加する走査線５を逐次切り替えながら（すなわち走査しながら）、ＴＦＴ８を介して走査線５に接続されている各放射線検出素子７のリセット処理を走査線５ごとに行うように構成することも可能である。
【０００９】
しかし、リセット処理を行っている間は撮影を行うことができないため、リセット処理を可能な限り短時間で行うことが要求されるが、上記の手法でリセット処理を行う場合、数千本の走査線５を順次切り替えて全ての放射線検出素子７のリセット処理を行うため、走査線１本あたりのオン電圧の印加時間が非常に短くなり、各放射線検出素子７内に蓄積された余分な電荷を十分に放出し切れない場合が生じ得る。
【００１０】
そこで、例えば特許文献５では、全ての走査線５に一斉にオン電圧を印加し、全ての放射線検出素子７に対して一括してリセット処理を行うことが提案されている。このように一括してリセット処理を行うと、各放射線検出素子７についてはオン電圧の印加時間を十分に長くとれるため、各放射線検出素子７内に蓄積された余分な電荷を信号線６に十分に放出することが可能となるとともに、放射線検出素子７全体のリセット処理を短時間で行うことが可能となることが期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２００７−２８２６８４号公報
【特許文献５】特開平９−１３１３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、例えば、放射線画像撮影装置の全画像領域に一様な線量の放射線を照射し、読み出し処理を行った後、上記のようにして全ての放射線検出素子７に対して一括してリセット処理を行った場合、リセット処理後、各ＴＦＴ８を介して１本の信号線６に接続された各放射線検出素子７に着目して、暗時の画像データすなわち放射線を照射しない状態での画像データを読み出すと、各放射線検出素子７からは、図２３に示すように、周期的に増減する画像データが得られることが見出されている。なお、図２３では、暗電荷の影響は排除されている。
【００１３】
このような現象は、他の信号線６に接続された各放射線検出素子７でも観察され、同じ周期で同様に増減する画像データが得られる。前述したように、信号線６にはそれぞれ、ゲート電極８ｇが各走査線５に接続されたＴＦＴ８がそれぞれ接続されていることを考慮すると、上記の現象は、一括リセット処理の際に各放射線検出素子７やＴＦＴ８に電荷が発生し、流入し、或いは残存する等して、その電荷量に、走査線５やそれを駆動するゲートＩＣ（後述する図９等参照）の特性に依存して差が生じることにより発生すると考えられる。
【００１４】
このような現象が生じる原因は、現在のところ明確には解明されていないが、このような現象を放置すると、一括リセット処理後の放射線画像撮影で得られた放射線画像に、走査線５の延在方向に沿って筋状に濃淡が現れる虞れがある。そして、例えばこのような放射線画像を用いた診断において誤診を生じる等の不都合を生じる虞れがあるため、放射線画像撮影装置には、このような現象の影響を排除した状態でリセット処理を行うことができることが望まれる。
【００１５】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、一括リセット処理を行っても放射線検出素子やＴＦＴに残存する電荷量に差を生じることを防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となって前記放射線検出素子内で発生した電荷を放出させ、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となって前記放射線検出素子内で発生した電荷を前記放射線検出素子内に蓄積させるスイッチ手段と、
前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧を制御する走査駆動手段と、
を備え、
前記走査駆動手段は、前記放射線検出素子のリセット処理の終了時には、前記各走査線に印加する前記電圧を所定の前記オン電圧から徐々にまたは段階的に低下させて所定の前記オフ電圧とし、前記各走査線を介して前記各スイッチ手段を一括してオフ状態とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、放射線検出素子のリセット処理において、一括リセット方式を採用したため、各スイッチ素子をオン状態とする時間を十分に長くとることができ、各放射線検出素子内に蓄積された余分な電荷を信号線に十分に放出することが可能となり、リセット効率を向上させることが可能となる。また、それとともに、放射線検出素子全体としてはリセット処理を十分短時間で行うことが可能となる。
【００１８】
また、一括リセット処理の終了時には、走査駆動手段から各走査線に印加する電圧を所定のオン電圧から徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧とし、各走査線を介して各スイッチ素子を一括してオフ状態とすることで、従来のように走査駆動手段から各走査線に印加する電圧を所定のオン電圧から所定のオフ電圧に瞬時に低下させる場合に生じる信号線から放射線検出素子やスイッチ素子への電荷の流入を的確に防止し、また、仮にそのような電荷の流入が発生したとしても流入した電荷を的確に信号線に流出させることが可能となる。
【００１９】
そのため、一括リセット処理を行っても、走査駆動手段のゲートＩＣへの各走査線の接続位置に依存して当該走査線に接続されたスイッチ素子や放射線検出素子に残存する電荷量に差を生じることを的確に防止することが可能となる。また、そのため、このような現象の影響を排除した状態でリセット処理を行うことが可能となり、撮影された放射線画像に、走査線の延在方向に沿って筋状に濃淡が現れることを的確に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とスイッチ手段等の構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】画像データの走査線ごとの周期とゲートＩＣとの対応を説明する図である。
【図１０】（Ａ）はゲートＩＣの中央部に接続されている走査線の遅延時間、（Ｂ）はゲートＩＣの端部に接続されている走査線の遅延時間を示す図である。
【図１１】オン電圧からオフ電圧に一斉に低下させると信号線の電位が一旦降下した後回復する現象を説明する図である。
【図１２】（Ａ）各走査線にオン電圧が印加された状態を表すグラフであり、（Ｂ）ゲートＩＣの中央部に接続された走査線の電圧が低下すると信号線の電圧も低下することを表すグラフである。
【図１３】エネルギが高い信号線側からエネルギが低い放射線検出素子側に電子が流入する状態を説明するグラフである。
【図１４】図１２（Ｂ）の状態からさらにゲートＩＣの中間部に接続された走査線の電圧が低下し、信号線の電圧もさらに低下することを表すグラフである。
【図１５】エネルギが高い信号線側からエネルギが低い放射線検出素子側に電子がさらに流入する状態を説明するグラフである。
【図１６】電圧を瞬時にオフ電圧とした場合に信号線の電位が一旦降下した後回復するまでの時間以上の時間をかけて電圧を徐々に低下させることを説明する図である。
【図１７】実験で用いた走査駆動手段の構成を示す図である。
【図１８】各走査線に印加する電圧を所定のオン電圧から徐々に低下させて所定のオフ電圧とする例を説明する図である。
【図１９】図１８の時刻ｔ３付近を時間軸方向に拡大した図である。
【図２０】本実施形態の手法で一括リセット処理を行った後、各放射線検出素子から読み出された画像データの例を表すグラフである。
【図２１】走査駆動手段の変形例の構成を示す図である。
【図２２】基板の変形例の構成を示す平面図である。
【図２３】従来の手法で一括リセット処理を行った後、各放射線検出素子から読み出された画像データの例を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４等が収納された可搬型（カセッテ型）の装置として構成されている。
【００２４】
筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【００２５】
また、図１に示すように、筐体２の側面部分には、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７、図示しないバッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材３８の側面部には、外部と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置３９が埋め込まれている。
【００２６】
また、図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
【００２７】
シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００２８】
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、それぞれ放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００２９】
このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００３０】
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００３１】
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５により、接続された走査線５にオン電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内で発生し蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５にオフ電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内で発生した電荷を放射線検出素子７内に蓄積させるようになっている。
【００３２】
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００３３】
基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００３４】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００３５】
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【００３６】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
【００３７】
放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。
【００３８】
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。
【００３９】
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００４０】
図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０に結束されている。
【００４１】
本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂとして機能するゲートＩＣ１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００４２】
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００４３】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００４４】
前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。
【００４５】
また、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２は、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を制御するようになっている。なお、本実施形態では、バイアス線９の結線１０に、結線１０（バイアス線９）を流れる電流の電流量を検出する電流検出手段４３が設けられており、結線１０を流れる電流の増減を検出して放射線の照射の開始や終了を検出できるようになっている。
【００４６】
また、本実施形態では、放射線検出素子７のｐ層７７側（図５参照）に第２電極７８を介してバイアス線９が接続されていることからも分かるように、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７８にバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７４側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。
【００４７】
各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７、図８中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７、図８中ではＧと表記されている。）は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる各走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７、図８中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００４８】
走査駆動手段１５は、本実施形態では、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを備えており、本実施形態では、ゲートドライバ１５ｂは、前述したゲートＩＣ１２ａが複数並設されて形成されている。また、走査駆動手段１５は、ゲートドライバ１５ｂに接続されている各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧を制御するようになっている。
【００４９】
具体的には、走査駆動手段１５の電源回路１５ａは、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５に印加するオン電圧やオフ電圧の電圧値をそれぞれ所定の電圧値に設定して、ゲートドライバ１５ｂに供給するようになっている。また、走査駆動手段１５は、各放射線検出素子７のリセット時には、前述したように各放射線検出素子７を一括リセット処理するようになっているが、この点については後で詳しく説明する。
【００５０】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７が設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。
【００５１】
読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００５２】
本実施形態では、増幅回路１８はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されて構成されている。また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００５３】
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で、放射線検出素子７のＴＦＴ８がオン状態とされると（すなわち、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに走査線５を介してオン電圧が印加されると）、当該放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力されるようになっている。
【００５４】
増幅回路１８は、このようにして、各放射線検出素子７から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態とされると、増幅回路１８の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ１８ｂに蓄積された電荷が放電されて増幅回路１８がリセットされるようになっている。なお、増幅回路１８を、放射線検出素子７から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。
【００５５】
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が接続されている。相関二重サンプリング回路１９は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路１９におけるサンプルホールド機能は、制御手段２２から送信されるパルス信号によりそのオン／オフが制御されるようになっている。
【００５６】
すなわち、相関二重サンプリング回路１９は、増幅回路１８がリセットされ、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた後、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し時に、放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され始めた時点で制御手段２２から１回目のパルス信号を受信すると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値を保持する。
【００５７】
そして、その時点から所定時間経過した後、放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積された時点で制御手段２２から２回目のパルス信号を受信すると、その時点で再び増幅回路１８から出力されている電圧値を保持して、それらの電圧値の差分値を下流側に画像データとして出力するようになっている。
【００５８】
相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データは、アナログマルチプレクサ２１に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信される。そして、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段４０に出力されて順次保存されるようになっている。
【００５９】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータやＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段４０が接続されている。
【００６０】
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段４０、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。このように、バッテリ４１は、放射線画像撮影装置１のハウジング２内に内蔵されており、バッテリ４１には、外部装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ４１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。
【００６１】
前述したように、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり、読み出し回路１７の増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃのオン／オフを制御したり、相関二重サンプリング回路１９にパルス信号を送信して、そのサンプルホールド機能のオン／オフを制御する等の各種の処理を実行するようになっている。
【００６２】
また、制御手段２２は、各放射線検出素子７のリセット処理時や放射線画像撮影後の各放射線検出素子７からの画像データの読み出し時に、走査駆動手段１５に対して、走査駆動手段１５から各走査線５を介して各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えさせるためのパルス信号を送信するようになっている。
【００６３】
以下、各放射線検出素子７のリセット時に行われる走査駆動手段１５の一括リセット処理における本発明特有の処理構成について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００６４】
ここで、本発明特有の一括リセット処理について説明する前に、まず、通常の一括リセット処理において、一括リセット処理後に、図２３に示したように、各ＴＦＴ８を介して信号線６に接続された各放射線検出素子７から走査線５ごとに周期的に増減する画像データが得られることを説明する現象について説明する。
【００６５】
まず、図２３に示した各放射線検出素子７の画像データの走査線５ごとの周期について解析すると、図９に示すように、画像データの極小の部分から極大の部分を経て再度極小の部分に至るまでの部分（すなわちデータのいわゆる谷の部分から次の谷の部分までの部分）が、それぞれ、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成する１つのゲートＩＣ１２ａ（図６参照）に対応するという知見が得られている（以下、この現象を現象１という。）。なお、図９では、各ゲートＩＣ１２ａが物理的に連続して並設されているように表現されているが、実際には、物理的に連続して並設される必要はない。
【００６６】
また、前述したように、上記のような周期的な増減現象が生じる原因は明確には解明されていないが、本願発明者らの研究によれば、一括リセット処理で、走査駆動手段１５から各放射線検出素子７のＴＦＴ８のゲート電極８ｇに各走査線５を介して一斉にオン電圧が印加された後、走査駆動手段１５から各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに一斉にオフ電圧を印加する際の過渡的な現象に起因している可能性があると考えられている。
【００６７】
［現象２］それに関連する現象として、図９に示した各ゲートＩＣ１２ａに接続されている各走査線５のうち、各ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａと各ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂとでは、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、制御手段２２からのパルス信号Ｓｐが立ち下がってから（なお、図１０（Ａ）、（Ｂ）では反転して立ち上がっている。）、実際に電圧Ｖがオン電圧Ｖonからオフ電圧Ｖoffに切り替わるまでの遅延時間Ｔｄが異なる。なお、以下、この現象を現象２という。
【００６８】
本実験で用いた放射線画像撮影装置１では、ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂの方が中央部に接続されている走査線５ａよりも遅延時間Ｔｄが長くなる傾向があり、ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａでの遅延時間Ｔｄが約１００［ｎｓ］であるのに対し、ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂでの遅延時間Ｔｄは約４００［ｎｓ］であった。
【００６９】
また、図示を省略するが、各ゲートＩＣ１２ａ上で中央部の走査線５ａと端部の走査線５ｂとの間の位置に接続されている走査線５ｃ（図９参照）では、遅延時間Ｔｄは、走査線５ａの場合の遅延時間Ｔｄと走査線５ｂの場合の遅延時間Ｔｄの間の時間となる。
【００７０】
［現象３］また、図８に示したように、各信号線６が接続された増幅回路１８の入力側の非反転入力端子に基準電位Ｖ０（本実施形態では０［Ｖ］）が印加されているため、一括リセット処理時においても各信号線６の電位は基準電位Ｖ０になっているはずであるが、実際には、図１１に示すように、各ゲートＩＣ１２ａから各走査線５を介して各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖon（例えば＋１５［Ｖ］）から所定のオフ電圧Ｖoff（例えば−１５［Ｖ］）に一斉に低下させると、信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０から一旦降下した後、基準電位Ｖ０に回復する現象が発生する。なお、以下、この現象を現象３という。
【００７１】
本実験で用いた放射線画像撮影装置１では、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧Ｖを一斉にオフ電圧Ｖoffに低下させた後、信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０に回復するまでの時間Ｔｒは約１０［μｓ］であった。なお、図１０、図１１および後述する図１６の各図中において、制御手段２２からのパルス信号Ｓｐは各図の縦軸方向の適宜の位置に表示されている。
【００７２】
上記の現象３において、本来基準電位Ｖ０であるはずの各信号線６の電位Ｖsigが、基準電位Ｖ０から一旦降下して基準電位Ｖ０に回復する理由は、以下のように考えられる。
【００７３】
すなわち、まず、構造の点から見ると、例えば図４に示したように、各信号線６には絶縁層を介して各走査線５と上下方向に対向する部分があるため、その部分が一種のコンデンサ状になっており、寄生容量が生じている。
【００７４】
そして、各ゲートＩＣ１２ａから各走査線５に印加される電圧Ｖがオン電圧Ｖonからオフ電圧Ｖoffに低下すると、絶縁層を介して信号線６と走査線５とが対向するコンデンサ状の部分に電荷が供給されて所定の電位差が生じるまでに時間がかかるため、電圧Ｖがオン電圧Ｖonからオフ電圧Ｖoffに切り替わった初期には信号線６の電位Ｖsigが走査線５の低下したオフ電圧Ｖoffに引きずられて低下するが、電荷が供給されるに従って走査線５のオフ電圧Ｖoffとの電位差が生じ、最終的に、信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０に回復した時点で電荷の供給が終了するためであると考えられる。
【００７５】
この場合、信号線６の基準電位Ｖ０よりも走査線５のオフ電圧Ｖoffの方が低いため、コンデンサ状の部分の走査線５側に電子が供給され、信号線６側には正孔が供給される。すなわち、実際には信号線６側から電子が下流の読み出し回路１７（図７等参照）側に流出する。そして、走査線５と信号線６とが交差する部分が非常に多数存在し、それらの部分に対して一斉に電荷の供給（すなわち電子の流入と流出）が行われるため、電荷の供給に時間がかかるものと考えられる。
【００７６】
ところで、上記の現象３は約１０［μｓ］すなわち約１００００［ｎｓ］といった比較的長い時間スケールでの現象であるが、上記の現象２はそれより短い約１００［ｎｓ］から約４００［ｎｓ］の時間スケールで生じる。ここで、上記の現象２と現象３とを短い時間スケールで再度検討する。
【００７７】
制御手段２２からのパルス信号Ｓｐが立ち下がると（図１０（Ａ）、（Ｂ）では立ち上がると）、上記の例では約１００［ｎｓ］が経過した時点で、各ゲートＩＣ１２ａ（図９参照）の中央部に接続されている走査線５ａの電圧Ｖがオン電圧Ｖonからオフ電圧Ｖoffに低下する。
【００７８】
すなわち、電子は負の電荷を有するため、電位が下がるほど電子のエネルギは上昇するため、この状況をエネルギ的に表すと、図１２（Ａ）のようにゲートＩＣ１２ａの中央部、端部、その中間部に接続されている走査線５ａ、５ｂ、５ｃに印加されていたオン電圧Ｖonのうち、ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａの電圧Ｖだけが、図１２（Ｂ）に示すようにオフ電圧Ｖoffに低下する。
【００７９】
そして、前述したように、図１２（Ｂ）に示すように、低下した走査線５ａのオフ電圧Ｖoffに引きずられて信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０から低下し始める。すなわち、信号線６内の電子のエネルギが上昇し始める。そのため、絶縁層を介して走査線５ａと信号線６とが交差するコンデンサ状の部分への電荷の供給が開始され、信号線６側では、コンデンサ状の部分から電子が信号線６内に流出し始める。
【００８０】
その際、各放射線検出素子７に着目すると、コンデンサ状の部分から電子が信号線６内に流出し始め、しかも、信号線６の電位Ｖsigが低下することで信号線６内の電子のエネルギが高くなるため、図１３に示すように、電子がエネルギ的に高い信号線６の側からＴＦＴ８を介してエネルギ的に低い放射線検出素子７の第１電極７４側に流入する状態になる。
【００８１】
しかし、ゲートＩＣ１２ａの中央部の走査線５ａに接続されているＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される電圧Ｖはオフ電圧Ｖoffに切り替わっているため、ゲートＩＣ１２ａの中央部の走査線５ａに接続されているＴＦＴ８はオフ状態になる。そのため、ゲートＩＣ１２ａの中央部の走査線５ａに接続されているＴＦＴ８では、信号線６から電子が流入せず、或いは流入したとしてもその量は少量である。
【００８２】
そのため、図９に示した上記の現象１のように、一括リセット処理後、各放射線検出素子７から画像データを読み出すと、ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａに対応する放射線検出素子７から読み出される画像データの値が小さくなる。
【００８３】
一方、本実験で用いた放射線画像撮影装置１では、前述したように、各ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂやその中間部に接続されている走査線５ｃでは、実際にオン電圧Ｖonからオフ電圧Ｖoffに切り替わるまでの遅延時間Ｔｄが長い。そのため、ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａの電圧Ｖがオフ電圧Ｖoffになった後も、走査線５ｂ、５ｃにはしばらくオン電圧Ｖonが印加されている。
【００８４】
そのため、図１３に示したように、走査線５ｂ、５ｃにゲート電極８ｇが接続されているＴＦＴ８は、図１３に示したようにオン状態のままゲートが開いており、ＴＦＴ８や放射線検出素子７に電子が流入する。
【００８５】
そして、少々遅れて各ゲートＩＣ１２ａの中央部と端部の中間部に接続されている走査線５ｃにオフ電圧Ｖoffが印加されると、図１４に示すように、信号線６の電位Ｖsigがさらに低下して信号線６内の電子のエネルギがさらに高くなる。図１５に示すように、走査線５ｂ、５ｃにＴＦＴ８を介して接続されている放射線検出素子７には既に電子が流入しているため、放射線検出素子７の第１電極７４がエネルギ的にある程度上昇しているが、それ以上に信号線６内の電子のエネルギが高くなるため、信号線６の方が放射線検出素子７の第１電極７４側よりもエネルギ的に高い状態が維持される。
【００８６】
しかし、ゲートＩＣ１２ａの中間部の走査線５ｃに接続されているＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される電圧Ｖはオフ電圧Ｖoffに切り替わるため、走査線５ｃに接続されているＴＦＴ８はオフ状態になる。そのため、ゲートＩＣ１２ａの中間部の走査線ｃａに接続されているＴＦＴ８では、信号線６から電子がさらに流入せず、或いは流入したとしてもその量は少量である。
【００８７】
一方、ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂには依然としてオン電圧Ｖonが印加されているため、走査線５ｂに接続されているＴＦＴ８のゲートは開いたままである。従って、ゲートＩＣ１２ａの端部の走査線５ｂに接続されているＴＦＴ８や放射線検出素子７に電子が流入する。そして、その後、ゲートＩＣ１２ａの端部の走査線５ｂに接続されているＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される電圧Ｖがオフ電圧Ｖoffに切り替わり、ＴＦＴ８がオフ状態になってゲートが閉じる。
【００８８】
そのため、図９に示した上記の現象１のように、一括リセット処理後、各放射線検出素子７から画像データを読み出すと、ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂに対応する放射線検出素子７から読み出される画像データの値が大きくなり、ゲートＩＣ１２ａの中間部に接続されている走査線５ｃに対応する放射線検出素子７から読み出される画像データは、ゲートＩＣ１２ａの中央部に接続されている走査線５ａに対応する放射線検出素子７から読み出される画像データの値と、ゲートＩＣ１２ａの端部に接続されている走査線５ｂに対応する放射線検出素子７から読み出される画像データの値の中間的な値になると考えられる。
【００８９】
なお、その後、走査線５ａ、５ｂ、５ｃに接続されている全てのＴＦＴ８がオフ状態となった後も走査線５と信号線６とが交差するコンデンサ状の部分への電荷の供給が続き、約１０［μｓ］の時間をかけて、全てのコンデンサ状の部分に、基準電位Ｖ０とオフ電圧Ｖoffの電位差に相当する電荷（すなわち前記電位差を寄生容量で除算して算出される電荷量）が供給され、最終的に信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０に回復する。
【００９０】
上記のようなモデルに基づいて考察すると、上記の現象１が生じる主な原因は、リセット処理が終了してＴＦＴ８をオフ状態とする際に、（ａ）制御手段２２から同じパルス信号Ｓｐで駆動しても各ゲートＩＣ１２ａの中央部や端部に接続されている走査線５ａ、５ｂで実際にオフ電圧Ｖoffが印加されるタイミングがずれること、および（ｂ）走査線５や信号線６の本数が多く、絶縁層を介して走査線５と信号線６とが交差するコンデンサ状の部分が多数存在するため、その全ての寄生容量に電荷が供給されるまでに時間がかかることの２点が挙げられる。
【００９１】
ゲートＩＣ１２ａに接続されている各走査線５にオフ電圧Ｖoffを印加するタイミングを揃えて上記の（ａ）の要因を解消するためには、ゲートＩＣ１２ａの内部の回路構成の変更、改造や付属回路の設置等が必要となる。しかし、タイミングを同一に揃えるためには走査線５ごとの微調整が必要となるが、手間やコストがかかる。また、１つのゲートＩＣ１２ａに接続されている数百〜数千本の走査線５について微調整を行い、ナノ秒（ｎｓ）単位でタイミングを揃えることは事実上困難である。
【００９２】
そこで、本実施形態では、（ａ）の要因が存在することを前提として、（ｂ）の要因を解消することを考え、走査駆動手段１５は、各放射線検出素子７の一括リセット処理において、一括リセット処理の終了時に、ゲートドライバ１５ｂの各ゲートＩＣ１２ａから各走査線５（５ａ、５ｂ、５ｃ）に印加する電圧Ｖを、所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとして各ＴＦＴ８を一括してオフ状態とするように構成されている。なお、一括リセット処理の開始時には、オン電圧Ｖonを各走査線５に一斉に印加して各走査線５を介して各ＴＦＴ８を一括してオン状態にする。
【００９３】
その際、本実験で用いた放射線画像撮影装置１では、図１１に示したように、各ＴＦＴ８に印加する電圧Ｖを即座にオフ電圧Ｖoffに低下させた場合に信号線６の電位Ｖsigが一旦降下してから基準電位Ｖ０に回復するまでの時間Ｔｒが約１０［μｓ］であることが分かっている。そのため、本実施形態では、図１６に示すように、それ以上の時間ＴＲをかけて、すなわち例えば１００マイクロ秒から数ミリ秒の時間ＴＲをかけて、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとするようになっている。
【００９４】
本実験で用いた走査駆動手段１５では、図１７に簡略化して示すように、ゲートドライバ１５ｂの各ゲートＩＣ１２ａの内部に、各走査線５にそれぞれ対応して、走査線５に印加する電圧Ｖをオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffの間で切り替えるためのスイッチ素子１２ｂが設けられている。そして、スイッチ素子１２ｂの＋端子と−端子には、電源回路１５ａからそれぞれオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffが供給されている。そして、制御手段２２から送信されるパルス信号Ｓｐの立ち上がりや立ち下がりに応じて各スイッチ素子１２ｂの切り替えが行われるようになっている。
【００９５】
以下、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとする具体的な手法について説明する。
【００９６】
従来の放射線画像撮影装置では、スイッチ素子１２ｂの＋端子と−端子に予め所定のオン電圧Ｖon（例えば＋１５［Ｖ］）と所定のオフ電圧Ｖoff（例えば−１５［Ｖ］）を供給しておき、スイッチ素子１２ｂが切り替えられることにより、各走査線５に印加される電圧Ｖが瞬時にオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffの間で切り替えるようになっていた。なお、瞬時といっても各走査線５ごとに遅延時間Ｔｄを有することは前述した通りである。
【００９７】
一方、本実施形態においても、一括リセット処理の前にはゲートＩＣ１２ａの各スイッチ素子１２ｂの＋端子と−端子にそれぞれ所定のオン電圧Ｖonと所定のオフ電圧Ｖoffとを供給しておき、各スイッチ素子１２ｂを−端子側に切り替えて各走査線５に所定のオフ電圧Ｖoffを印加した状態としておく。
【００９８】
そして、例えば図１８に示すように、時刻ｔ１に制御手段２２からのパルス信号Ｓｐが切り替わり一括リセット処理を行う指示を受けると、ゲートＩＣ１２ａは、各スイッチ素子１２ｂを一斉に＋端子側に切り替え、各走査線５に印加される電圧Ｖを一斉にオン電圧Ｖonに切り替える。ここまでは従来と同様である。
【００９９】
本実施形態では、電源回路１５ａは、その後、走査線５と接続されているスイッチ素子１２ｂの＋端子側には所定のオン電圧Ｖonを供給しながら、走査線５と接続されていないスイッチ素子１２ｂの−端子側に供給するオフ電圧Ｖoffを例えば０［Ｖ］まで上昇させる。そして、時刻ｔ１から所定の時間が経過した時刻ｔ２に、走査線５と接続されているスイッチ素子１２ｂの＋端子側にはオン電圧Ｖonを低下させ始め、例えば０［Ｖ］に向けて徐々に低下させていく。なお、この所定の時間は、オン状態とされている各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から余分な電荷が十分に各信号線６に放出され得る時間に予め設定される。
【０１００】
そして、時刻ｔ３に制御手段２２からのパルス信号Ｓｐが切り替わり、一括リセット処理を終了する指示を受けると、ゲートＩＣ１２ａは、各スイッチ素子１２ｂを一斉に−端子側に切り替える。その際、上記のように、スイッチ素子１２ｂの−端子側には電源回路１５ａから０［Ｖ］が供給されているため、各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される電圧Ｖが段階的に０［Ｖ］に変わる。
【０１０１】
なお、時刻ｔ３において、低下させたオン電圧Ｖonと０［Ｖ］との差が大きいと、図１１に示したように、絶縁層を介して走査線５と信号線６とが交差するコンデンサ状の部分への電荷の供給に時間がかかり、信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０から一旦降下して基準電位Ｖ０に回復する現象（すなわち現象３）が発生する可能性がある。そのため、時刻ｔ３に各スイッチ素子１２ｂが−端子側に切り替えられる前に、オン電圧Ｖonを０［Ｖ］に近い値にまで低下させておくことが好ましい。
【０１０２】
時刻ｔ３にゲートＩＣ１２ａの各スイッチ素子１２ｂが一斉に−端子側に切り替えられると、電源回路１５ａは、走査線５に接続されたスイッチ素子１２ｂの−端子側に供給するオフ電圧Ｖoffを０［Ｖ］から所定のオフ電圧Ｖoffまで例えば１［ｍｓ］の時間ＴＲをかけて低下させる。また、走査線５との接続が解除されたスイッチ素子１２ｂの＋端子側に供給するオン電圧Ｖonは低下させた値から所定のオン電圧Ｖonに戻しておく。
【０１０３】
このように構成すると、一方で各走査線５に印加される電圧Ｖが低下し、他方で信号線６の電位Ｖsigは基準電位Ｖ０に維持されようとするため、走査線５と信号線６とが交差するコンデンサ状の部分への電荷の供給が必要になるが、各走査線５に印加される電圧Ｖが徐々に低下されるため、十分な時間的余裕をもって電荷が供給される。
【０１０４】
そのため、従来のようにコンデンサ状の部分への電荷の供給が間に合わず信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０から一旦大きく降下してから基準電位Ｖ０に回復する現象（すなわち現象３）が発生しない。或いは、発生しても電位Ｖsigの降下を効果的に抑制することが可能となる。
【０１０５】
図１８の時刻ｔ３付近の様子を時間軸方向に拡大した図１９に示すように、時刻ｔ３の後、電源回路１５ａから各走査線５に供給するオフ電圧Ｖoffを徐々に低下させた場合、オフ電圧Ｖoffを低下させるごとに信号線６の電位Ｖsigが若干降下するがすぐに基準電位Ｖ０に回復し、しかも、信号線６の電位Ｖsigが基準電位Ｖ０に回復するまでの時間が非常に短い。
【０１０６】
そのため、各放射線検出素子７について見た場合、図１３に示したように信号線６内の電子のエネルギが放射線検出素子７の第１電極７４側の電子のエネルギよりも高くなって電子が信号線６側からＴＦＴ８を介して放射線検出素子７の第１電極７４側に流入する現象が発生しない。また、仮にそのような現象が発生したとしても、すぐに信号線６側のエネルギが低下して放射線検出素子７の第１電極７４側よりも低くなり、その時点でＴＦＴ８は完全にはオフ状態となっておらずにゲートが開いているため、一旦流入した電子はＴＦＴ８を介して信号線６に流出する。
【０１０７】
このように、上記のように各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとするように構成することで、信号線６から放射線検出素子７やＴＦＴ８への電子の流入を的確に防止し、また、仮に電子が流入したとしても流入した電子を的確に信号線６に流出させることが可能となる。
【０１０８】
実際、本実施形態のようにして一括リセット処理を行った後、各放射線検出素子７から画像データを読み出すと、図２０に示すように、従来の一括リセット処理で見られたように画像データがゲートＩＣ１２ａに対する走査線５の接続位置に依存して周期的に増減する状態（図９や図２３参照）は見られず、各走査線５でリセット効率が均等になる。なお、図２０において、図中右側の大きな画像データは、欠陥を有する放射線検出素子７によるものであり、本発明の一括リセット処理とは関係ない。
【０１０９】
なお、一括リセット処理の終了時に、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとして各ＴＦＴ８を一括してオフ状態とする手法としては、本実施形態では、上記のように、電源回路１５ａから供給するオン電圧Ｖonやオフ電圧Ｖoffを可変させるようにして実行する場合について説明したが、他の手法を用いることも可能である。
【０１１０】
例えば、図２１に簡略化して示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１２ａの内部に、各走査線５にそれぞれ対応する上記と同様のスイッチ素子１２ｂを設け、さらに、電源回路１５ａから各スイッチ素子１２ｂの＋端子と−端子にオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを供給する各配線にそれぞれ可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを設ける。
【０１１１】
そして、電源回路１５ａからはそれぞれ固定値のオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffをそれぞれ供給するが、一括リセット処理時には、各可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介してオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffをそれぞれ供給するように構成する。
【０１１２】
このように構成すると、一括リセット処理時に、各走査線５が接続される各スイッチ素子１２ｂの端子が＋端子と−端子の間で切り替えられる際に、電源回路１５ａから各走査線５に各可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介してオン電圧Ｖonやオフ電圧Ｖoffが供給されるため、各走査線５に供給されるオン電圧Ｖonやオフ電圧Ｖoffの立ち上がりや立ち下がりが滑らかになる。
【０１１３】
そのため、少なくとも一括リセット処理の終了時には、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとすることが可能となる。また、このように電圧Ｖが徐々にまたは段階的に低下するように、可変抵抗器１２ｃ、１２ｄの抵抗値が適宜設定される。
【０１１４】
なお、放射線画像撮影後の画像データの読み出し処理では、本実施形態の一括リセット処理の場合と異なり、オン電圧Ｖonを印加する走査線５を逐次切り替えながら（すなわち走査しながら）、走査線５ごとに各放射線検出素子７から画像データを読み出す。そのため、各走査線５に印加するオン電圧Ｖonを瞬時に立ち上げ、所定時間経過後にオフ電圧Ｖoffを瞬時に立ち下げることが必要となる。
【０１１５】
そのため、図２１に示した走査駆動手段１５では、電源回路１５ａから各スイッチ素子１２ｂの＋端子と−端子にオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを供給する各配線に、それぞれ可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介してオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを供給するルートと、可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介さずにオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを直接供給するルートとを切り替えるためのスイッチ素子１２ｅ、１２ｅがそれぞれ設けられていることが好ましい。
【０１１６】
このように構成すれば、一括リセット処理時には可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介してオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを供給するルートに切り替え、また、放射線画像撮影後の画像データの読み出し処理では可変抵抗器１２ｃ、１２ｄを介さずにオン電圧Ｖonとオフ電圧Ｖoffを直接供給するルートに切り替えることが可能となり、それぞれの場合に適切なオン電圧Ｖonやオフ電圧Ｖoffの印加のさせ方を実現することが可能となる。
【０１１７】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、各放射線検出素子７のリセット処理において、一括リセット方式を採用した。そのため、各ＴＦＴ８をオン状態とする時間を十分に長くとることが可能となり、各放射線検出素子７内に蓄積された余分な電荷を信号線６に十分に放出することが可能となるため、リセット効率を向上させることが可能となる。また、それとともに、放射線検出素子７全体としてはリセット処理を十分短時間で行うことが可能となる。
【０１１８】
また、一括リセット処理の終了時には、走査駆動手段１５から各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとし、各走査線５を介して各ＴＦＴ８を一括してオフ状態とすることで、従来のように走査駆動手段１５から各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから所定のオフ電圧Ｖoffに瞬時に低下させる場合に生じる信号線６から放射線検出素子７やＴＦＴ８への電荷の流入を的確に防止し、また、仮にそのような電荷の流入が発生したとしても流入した電荷を的確に信号線６に流出させることが可能となる。
【０１１９】
そのため、一括リセット処理を行っても、走査駆動手段１５のゲートＩＣ１２ａへの各走査線５の接続位置に依存して当該走査線５に接続されたＴＦＴ８や放射線検出素子７に残存する電荷量に差を生じることを的確に防止することが可能となる。また、そのため、このような現象の影響を排除した状態でリセット処理を行うことが可能となり、撮影された放射線画像に、走査線５の延在方向に沿って筋状に濃淡が現れることを的確に防止することが可能となる。
【０１２０】
なお、上記の実施形態では、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとする手法として、例えば図１６に示したように、所定のオン電圧Ｖonから所定のオフ電圧Ｖoffに向けて徐々に低下させる場合や、図１８や図１９に示したように、所定のオン電圧Ｖonから徐々に電圧Ｖを低下させた後、一旦０［Ｖ］に段階的に低下させ、その後、徐々に所定のオフ電圧Ｖoffまで低下させる場合を示した。
【０１２１】
しかし、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとする手法はこれらに限定されず、他の手法で電圧Ｖを徐々にまたは段階的に低下させるように構成することも可能である。
【０１２２】
すなわち、例えば、所定のオン電圧Ｖonから０［Ｖ］まで徐々に低下させた後、一斉に所定のオフ電圧Ｖoffに段階的に低下させてもよく、また、所定のオン電圧Ｖonから０［Ｖ］まで一斉に段階的に低下させた後、０［Ｖ］から所定のオフ電圧Ｖoffまで徐々に低下させるように構成してもよい。
【０１２３】
さらに、例えば、所定のオン電圧Ｖonから０［Ｖ］まで一斉に低下させた後、０［Ｖ］の状態をしばらくの間維持し、その後、一斉に所定のオフ電圧Ｖoffに低下させるようにして電圧Ｖを段階的に低下させるように構成してもよい。これは、例えば、図１７に示したゲートＩＣ１２ａのスイッチ素子１２ｂに、オン電圧Ｖonが供給される＋端子やオフ電圧Ｖoffが供給される−端子の他に接地された端子（すなわち０［Ｖ］の端子）を設けておき、スイッチ素子１２ｂを＋端子と接地端子と−端子との間で切り替えることにより実現することができる。
【０１２４】
このように、図２３に示したような現象（すなわち前述した現象１）を生じさせない限り、種々の手法を用いて各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとするように構成することが可能である。
【０１２５】
ところで、上記のような一括リセット処理を行って、図２０に示したように、ゲートＩＣ１２ａに対する走査線５の接続位置に依存せず、均等なリセット効率で各放射線検出素子７のリセット処理を的確に行うことができたとしても、その後の放射線画像撮影で被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線を照射すると、被写体を透過した放射線、すなわち被写体の情報を担持する放射線が照射された放射線検出素子７（或いは被写体を透過した放射線が入射されたシンチレータ３で変換された電磁波が照射された放射線検出素子７）から読み出される画像データに比較的大きなノイズが重畳される場合がある。
【０１２６】
そのため、得られた放射線画像では、被写体が撮影された肝心の領域でＳ／Ｎ比が悪化してしまい、例えばこのような放射線画像を用いた診断において誤診を生じる等の不都合を生じる虞れがあった。そのため、放射線画像撮影装置１では、このような現象の発生が的確に防止されるように構成されることが望まれる。
【０１２７】
本願発明者らの研究の結果、被写体が撮影された領域の放射線検出素子７から読み出される画像データに比較的大きなノイズが重畳される原因は以下のように考えられている。なお、以下では放射線をシンチレータ３で電磁波に変換する過程を省略して説明する。
【０１２８】
すなわち、放射線は被写体を透過すると被写体で吸収や散乱等が発生するため、被写体を透過した放射線が入射された放射線検出素子７のｉ層７６（図５参照）では、吸収され或いは散乱された分だけ線量が低下した放射線に対応する量の電子正孔対が発生する。それに対し、被写体を透過せず放射線が直接入射された放射線検出素子７のｉ層７６では、被写体で吸収や散乱等を受けず線量が低下していない大きな線量の放射線に対応する量の電子正孔対が発生する。
【０１２９】
そのため、被写体が撮影された領域の放射線検出素子７では相対的に少ない量の電荷が放射線検出素子７内に蓄積されて、相対的に小さい値の画像データが読み出されるのに対し、被写体が撮影されておらず放射線が直接入射した領域の放射線検出素子７では多量の電荷が放射線検出素子７内に蓄積され、相対的に大きな値の画像データが読み出される。
【０１３０】
そして、後者のように多量の電荷が蓄積された放射線検出素子７からは、ＴＦＴ８等を介して信号線６に比較的大きなリーク電流が流出するが、前者の被写体が撮影された領域の放射線検出素子７から信号線６を介して相対的に小さい値の画像データを読み出す際に、信号線６に漏れ出す上記の比較的大きなリーク電流が重畳されることが、被写体が撮影された領域の放射線検出素子７から読み出される画像データに比較的大きなノイズが重畳される原因であることが分かった。
【０１３１】
そこで、このような状態を解消するために、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１においては、検出部Ｐ（図３等参照）の各放射線検出素子７のうち、放射線が直接入射した領域の放射線検出素子７から先に画像データの読み出しを行い、それらの放射線検出素子７から信号線６へのリーク電流を低減させた後で、被写体が撮影された領域の放射線検出素子７から画像データの読み出しを行うように構成することが望ましい。
【０１３２】
そのためには、検出部Ｐ（図３等参照）の各放射線検出素子７のうち、どの領域に被写体を透過した放射線が照射され、或いは被写体を透過せず放射線が直接入射されたかを判別できるような構成とすることが望まれる。
【０１３３】
そこで、基板４の構成として、図３に示したように、バイアス線９を単に信号線６に平行に配設するだけでなく、例えば図２２に示すように、信号線６に平行に配設するバイアス線９をその延在方向で２等分し、図中上側の各バイアス線９Ａを検出部Ｐの外側で１本の結線１０Ａで結束し、また、図中下側の各バイアス線９Ｂは、各バイアス線９Ａとは別に１本の結線１０Ｂで結束するように構成する。
【０１３４】
そして、図示を省略するが、図７に示した電流検出手段４３として、バイアス線９Ａの結線１０Ａとバイアス線９Ｂの結線１０Ｂにそれぞれ接続された２つの電流検出手段４３Ａ、４３Ｂをそれぞれ設け、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂでそれぞれ結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流の電流量を検出するように構成する。
【０１３５】
このように構成した場合、放射線画像撮影時に放射線画像撮影装置１の放射線入射面Ｒ（図１参照）に放射線が照射されると、前述したように放射線がシンチレータ３に入射し、シンチレータ３で放射線が可視光等の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子７に入射する。そして、入射した電磁波が放射線検出素子７のｉ層７６に到達すると、ｉ層７６内で入射した電磁波の光量（すなわち照射された放射線の線量）に応じた量の電子正孔対が発生して放射線検出素子７内に蓄積される。
【０１３６】
そして、放射線検出素子７内に電荷が蓄積されると、前述したように、放射線検出素子７からＴＦＴ８等を介して信号線６にリーク電流が流出するが、放射線検出素子７のバイアス線９Ａ、９Ｂ側からもそれと等量の（電荷の正負は逆の）電荷が流出する。そして、各バイアス線９Ａ、９Ｂに流出した電荷がそれぞれ結線１０Ａ、１０Ｂに集まって流れ、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂでそれぞれ結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流の電流量が検出される。
【０１３７】
その際、例えば図２２に示した検出部Ｐの下側の部分に、被写体である患者の手等が載置された状態で放射線が照射されると、前述したように、放射線が被写体を透過する際に被写体で吸収や散乱等が生じて放射線の線量が減少するため、検出部Ｐの下側の部分の各放射線検出素子７には相対的に少量の電荷が蓄積される。一方、図２２に示した検出部Ｐの上側の部分では、放射線が直接入射するため、検出部Ｐの上側の部分の各放射線検出素子７には相対的に多量の電荷が蓄積される。
【０１３８】
そのため、検出部Ｐの下側よりも、上側の部分の各放射線検出素子７からのリーク電流の量が多くなり、各バイアス線９Ａや結線１０Ａに流出する電流の方が、各バイアス線９Ｂや結線１０Ｂに流出する電流よりも多くなる。そのため、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂによる電流量の検出結果を比較して、検出部Ｐの上側と下側のうち、結線１０Ａ、１０Ｂを流れる電流量が少ない方に被写体が撮影されていることが分かる。
【０１３９】
そこで、制御手段２２と電流検出手段４３Ａ、４３Ｂと接続しておき、制御手段２２で電流検出手段４３Ａ、４３Ｂが検出した結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流量を比較し、電流量が多い方の検出部Ｐの領域に存在する各放射線検出素子７から先に画像データの読み出し処理を行うように構成することが望ましい。
【０１４０】
上記の例の場合、電流検出手段４３Ａが検出した結線１０Ａ（バイアス線９Ａ）を流れる電流量の方が多くなるため、制御手段２２は、検出部Ｐの上側の領域に存在する各放射線検出素子７から先に画像データの読み出し処理を行い、その後、検出部Ｐの下側の領域に存在する各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理を行う。
【０１４１】
このように、検出部Ｐの上側の領域から先に画像データを読み出し、その後、下側の領域からの画像データの読み出し処理を行う場合、例えば図２２に示した例では、図中の最も上側の走査線５に所定のオン電圧Ｖonを印加し、その後、図中下方に向けてオン電圧Ｖonを印加する走査線５を逐次切り替えて読み出しが行われる。
【０１４２】
このように構成すれば、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂが検出した結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流量が多い方の検出部Ｐの領域に存在する各放射線検出素子７の方が蓄積している電荷量も多く、ＴＦＴ８等を介して信号線６に流出するリーク電流も多いため、それらの放射線検出素子７から先に画像データの読み出し処理を行うことで信号線６へのリーク電流の流出量を低減させることが可能となる。
【０１４３】
また、そのように信号線６へのリーク電流の流出量を低減させた後で、蓄積された電荷量が少なく被写体が撮影されている方の検出部Ｐの領域に存在する各放射線検出素子７から画像データを読み出すことで、被写体を撮影した放射線検出素子７から読み出される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、被写体が撮影された画像領域でのＳ／Ｎ比を向上させることが可能となる。また、そのため、例えばこのような放射線画像を用いた診断において誤診を生じる等の不都合が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１４４】
なお、例えば図２２に示した検出部Ｐの上側の領域で被写体の撮影が行われた場合には、結線１０Ａ、１０Ｂのうち、上側の結線１０Ａを流れる電流量よりも放射線が直接照射された下側の結線１０Ｂを流れる電流量の方が多くなるため、制御手段２２は、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂが検出した結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流量を比較して、電流量が多い方の検出部Ｐの下側の領域に存在する各放射線検出素子７から先に画像データの読み出し処理を行う。
【０１４５】
このように、検出部Ｐの下側の領域から先に画像データを読み出す場合、例えば図２２に示した例では、図中の最も下側の走査線５に所定のオン電圧Ｖonを印加し、その後、図中上方に向けてオン電圧Ｖonを印加する走査線５を逐次切り替えて読み出しが行われる。
【０１４６】
なお、電流検出手段４３Ａ、４３Ｂが検出した結線１０Ａ、１０Ｂ（バイアス線９Ａ、９Ｂ）を流れる電流量が多い方の検出部Ｐの領域に存在する各放射線検出素子７から先に読み出し処理を行うものであれば、各領域での読み出し方は、当該放射線画像撮影装置１の制御構成や記憶手段への書き込み、読み出し等のし易さ等に応じて適宜決められる。
【０１４７】
また、上記の例では、検出部Ｐを２分割する場合について説明したが、さらに多くの領域に分割することも可能であり、その場合には、各領域のバイアス線９やその結線１０を流れる電流を個別に検出できるように電流検出手段４３を設けておき、例えば、制御手段２２が、電流検出手段４３が検出した各結線１０（バイアス線９）を流れる電流量を比較して、電流量が多い方から順に、検出部Ｐの各領域に存在する各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理を行うように構成することが可能である。
【符号の説明】
【０１４８】
１  放射線画像撮影装置
５  走査線
６  信号線
７  放射線検出素子
８  ＴＦＴ（スイッチ手段）
１２ｃ、１２ｄ  抵抗器
１５  走査駆動手段
１５ａ  電源回路
１５ｂ  ゲートドライバ
Ｐ  検出部
ｒ  領域
Ｔｒ  信号線の電位が一旦降下した後回復するまでの時間
ＴＲ  時間Ｔｒ以上の時間
Ｖ  電圧
Ｖoff  オフ電圧
Ｖon  オン電圧
Ｖsig  信号線の電位
【図１】
2010263343.tif 000003
【図２】
2010263343.tif 000004
【図３】
2010263343.tif 000005
【図４】
2010263343.tif 000006
【図５】
2010263343.tif 000007
【図６】
2010263343.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2010263343.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2010263343.tif 000017
【図１６】
2010263343.tif 000018
【図１７】
2010263343.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2010263343.tif 000021
【図２０】
2010263343.tif 000022
【図２１】
2010263343.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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