(57)【要約】【課題】被研磨体の高精度な平坦化を実現するリテーナリング及び化学機械研磨装置を提供すること。【解決手段】化学機械研磨装置において被研磨体を保持するリテーナリングは、第１リング１１と、第１リング１１と重ね合わされ、第１リング１１より被研磨体側に配される第２リング１２とを有する。第１リング１１と第２リング１２とは、少なくとも１つのボルト１３によって接合されている。第２リング１２は、第１リング１１と接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの溝１２ｂを有している。ボルト１３は、溝１２ｂ上に位置している。【選択図】図４
2010010351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨装置において被研磨体を保持するリテーナリングであって、
第１リングと、前記第１リングと重ね合わされ、前記第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有し、
前記第１リングと前記第２リングとは、少なくとも１つのボルトによって接合され、
前記第２リングは、前記第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有し、
前記ボルトは、前記凹部上に位置することを特徴とするリテーナリング。
【請求項２】
前記ボルトの軸部の径は、前記溝の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載のリテーナリング。
【請求項３】
化学機械研磨装置において被研磨体を保持するリテーナリングであって、
第１リングと、前記第１リングと重ね合わされ、前記第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有し、
前記第１リングと前記第２リングとは、接着剤によって接合され、
前記第２リングは、前記第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有し、
前記第１リング及び前記第２リングのうち少なくとも一方は、他方と接する面に、前記第１リングと前記第２リングとの間隔が所定の間隔になるように設定する凸部を有し、
前記凸部は、前記凹部上に位置することを特徴とするリテーナリング。
【請求項４】
前記凸部の幅は、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項３に記載のリテーナリング。
【請求項５】
前記凹部は、溝であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のリテーナリング。
【請求項６】
前記溝は、前記第２リングの外周側と内周側とを導通させるように形成されていることを特徴とする請求項５に記載のリテーナリング。
【請求項７】
前記第１リングは、金属製であり、前記第２リングは樹脂性であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のリテーナリング。
【請求項８】
回転可能な定盤と、
前記定盤上に配置され、被研磨体を研磨する研磨パッドと、
被研磨体を保持すると共に、被研磨体の下面を前記研磨パッドに対して押圧する保持ヘッドと、
前記研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給ノズルと、
前記研磨パッドの研磨面を調整するドレッサと、を備える化学機械研磨装置であって、
前記保持ヘッドは、ヘッド本体と、前記ヘッド本体の下部に取り付けられ、被研磨体の外周縁を保持するリテーナリングと、前記リテーナリング内に配置され、被研磨体の上面を押圧して被研磨体の下面を前記研磨パッドに対して押し付ける弾性体膜と、を備え、
前記リテーナリングは、第１リングと、前記第１リングと重ね合わされ、前記第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有し、
前記第１リングと前記第２リングとは、少なくとも１つのボルトによって接合され、
前記第２リングは、前記第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有し、
前記ボルトは、前記凹部上に位置することを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項９】
回転可能な定盤と、
前記定盤上に配置され、被研磨体を研磨する研磨パッドと、
被研磨体を保持すると共に、被研磨体の下面を前記研磨パッドに対して押圧する保持ヘッドと、
前記研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給ノズルと、
前記研磨パッドの研磨面を調整するドレッサと、を備える化学機械研磨装置であって、
前記保持ヘッドは、ヘッド本体と、前記ヘッド本体の下部に取り付けられ、被研磨体の外周縁を保持するリテーナリングと、前記リテーナリング内に配置され、被研磨体の上面を押圧して被研磨体の下面を前記研磨パッドに対して押し付ける弾性体膜と、を備え、
前記リテーナリングは、第１リングと、前記第１リングと重ね合わされ、前記第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有し、
前記第１リングと前記第２リングとは、接着剤によって接合され、
前記第２リングは、前記第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有し、
前記第１リング及び前記第２リングのうち少なくとも一方は、他方と接する面に、前記第１リングと前記第２リングとの間隔が所定の間隔になるように設定する凸部を有し、
前記凸部は、前記凹部上に位置することを特徴とする化学機械研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リテーナリング及び該リテーナリングを使用する研磨装置に関し、特にウェハを化学的機械的に研磨するためのリテーナリング及び研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化に伴い、半導体装置は多層配線化が施されているが、層数の増加に対応するためにはウェハの平坦度を高めることが要求される。そこで、ウェハの高度な平坦化を実現する装置として、ウェハを化学的及び機械的に研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）装置が用いられている。
【０００３】
ＣＭＰ装置においては、ウェハを保持するためにリテーナリングが用いられる。例えば、特許文献１には、繊維強化テフロン（登録商標）で形成されたリテーナリング（ガイドリング）が開示されている。特許文献１に記載のリテーナリングにおいては、研磨時にリテーナリングの外側から内側へ研磨スラリを効率よく供給できるように、又は研磨屑の排出を容易にするために、研磨面に放射状の溝が形成されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のように樹脂のみでガイドリング（リテーナリング）が形成されている場合、ガイドリングの使用時間が長くなると、変形等が生じ、均一な研磨ができなくなっていた。そこで、例えば特許文献２に記載のリテーナリングのように、リテーナリングの剛性を高めるために、樹脂性のリングに金属性のリングを積層したものが知られている。特許文献２に記載のリテーナリングは、金属性の第１リングとスーパエンジニアリングプラスチック製の第２リングとが圧入手段及び嵌合手段の少なくとも一方によって一体化され、第１リングと第２リングとの重ね合わせ部には接合剤が介在されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２６８１９４号公報
【特許文献２】特開２００７−１５８２０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
【０００７】
図１１に、背景技術に係る二層構造のリテーナリングの概略平面図を示し、図１２に、図１１のXII−XII線における概略断面図を示す。図１１に示すリテーナリング５０は、重ね合わされた金属性の第１リング５１及び樹脂性の第２リング５２を有し、第１リング５１と第２リング５２とはボルト５３によって接合されている。
【０００８】
しかしながら、図１１及び図１２に示すようなボルト接合による二層構造のリテーナリング５０においては、第２リング５２の下面（研磨パッドと接触する面）のうち、ボルト５３下部の領域とそれ以外の領域とでは、研磨パッドに対する押圧力が異なってしまう。したがって、リテーナリング５０全面において押圧力が均一にならず、高精度な平坦化を実現することができない。
【０００９】
また、複数のボルト５３間の締め付け力のわずかな違いや、ウェハの研磨に伴う振動及び応力によるボルト５３の緩みなどにより、複数のボルト５３下部の領域間で押圧力がばらついてしまうこともある。これによっても、リテーナリング５０全面において押圧力が均一にならず、高精度な平坦化を実現することができなくなる。
【００１０】
図１３に、図１１とは別の形態の背景技術に係る二層構造のリテーナリングの概略平面図を示し、図１４に、図１３のXIV−XIV線における概略断面図を示す。図１３及び図１４に示すリテーナリング６０においては、第１リング６１と第２リング６２とは接着剤６３によって接合されている。接着剤６３によって第１リング６１と第２リング６２とを接合する場合、通常、加圧接合することになるが、その際、圧力による接着剤の移動により、接着剤が均一に介在されないことがある。そこで、第１リング６１と第２リング６２との間に接着剤６３が均一に介在するように、図１３及び図１４に示すように、第１リング６１及び第２リング６２の少なくとも一方の接合面に、凸部６２ａが形成されている。これにより、凸部６２ａの高さ分だけ接着剤６３が塗布されることになる。
【００１１】
しかしながら、図１３及び図１４に示すような接着剤６３接合によるリテーナリング６０においては、研磨により第２リング６２が薄くなると、第２リング６２の下面に対する接着剤６３と第２リング６２（凸部６２ａ部分）の硬度差の影響が大きくなるために、第２リング６２の下面のうち、凸部６２ａ下部の領域とそれ以外の領域とで押圧力が異なってしまう。そのため、リテーナリング６０全面において押圧力が均一にならず、高精度な平坦化を実現することができなくなる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１視点によれば、化学機械研磨装置において被研磨体を保持するリテーナリングを提供する。リテーナリングは、第１リングと、第１リングと重ね合わされ、第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有する。第１リングと第２リングとは、少なくとも１つのボルトによって接合される。第２リングは、第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有する。ボルトは、凹部上に位置する。
【００１３】
本発明の第２視点によれば、化学機械研磨装置において被研磨体を保持するリテーナリングを提供する。第１リングと、第１リングと重ね合わされ、第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有する。第１リングと第２リングとは、接着剤によって接合される。第２リングは、第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有する。第１リング及び第２リングのうち少なくとも一方は、他方と接する面に、第１リングと第２リングとの間隔が所定の間隔になるように設定する凸部を有する。凸部は、凹部上に位置する。
【００１４】
本発明の第３視点によれば、回転可能な定盤と、定盤上に配置され、被研磨体を研磨する研磨パッドと、被研磨体を保持すると共に、被研磨体の下面を研磨パッドに対して押圧する保持ヘッドと、研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給ノズルと、研磨パッドの研磨面を調整するドレッサと、を備える化学機械研磨装置を提供する。保持ヘッドは、ヘッド本体と、ヘッド本体の下部に取り付けられ、被研磨体の外周縁を保持するリテーナリングと、リテーナリング内に配置され、被研磨体の上面を押圧して被研磨体の下面を研磨パッドに対して押し付ける弾性体膜と、を備える。リテーナリングは、第１リングと、第１リングと重ね合わされ、第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有する。第１リングと第２リングとは、少なくとも１つのボルトによって接合される。第２リングは、第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有する。ボルトは、凹部上に位置する。
【００１５】
本発明の第４視点によれば、回転可能な定盤と、定盤上に配置され、被研磨体を研磨する研磨パッドと、被研磨体を保持すると共に、被研磨体の下面を研磨パッドに対して押圧する保持ヘッドと、研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給ノズルと、研磨パッドの研磨面を調整するドレッサと、を備える化学機械研磨装置を提供する。保持ヘッドは、ヘッド本体と、ヘッド本体の下部に取り付けられ、被研磨体の外周縁を保持するリテーナリングと、リテーナリング内に配置され、被研磨体の上面を押圧して被研磨体の下面を研磨パッドに対して押し付ける弾性体膜と、を備える。リテーナリングは、第１リングと、第１リングと重ね合わされ、第１リングより被研磨体側に配される第２リングとを有する。第１リングと第２リングとは、接着剤によって接合される。第２リングは、第１リングと接する面とは反対側の面に、少なくとも１つの凹部を有する。第１リング及び第２リングのうち少なくとも一方は、他方と接する面に、第１リングと第２リングとの間隔が所定の間隔になるように設定する凸部を有する。凸部は、凹部上に位置する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、以下の効果のうち少なくとも１つを有する。
【００１７】
本発明においては、ボルト及び凸部による第２リングの押圧力への影響を凹部によって回避している。これにより、研磨パッドへの押圧力が均一となり、被研磨体を高精度に平坦化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の第１実施形態に係るＣＭＰ装置について説明する。以下の説明においては、被研磨体としてウェハを例にして説明する。図１に、本発明の第１実施形態に係るＣＭＰ装置の概略平面図を示す。図２に、図１のII−II線における概略部分断面図を示す。
【００１９】
ＣＭＰ装置１は、回転可能な定盤２と、定盤２上に配置され、ウェハ８を研磨する研磨パッド３と、ウェハ８を保持すると共に、ウェハ８の下面（被研磨面）８ａを研磨パッド３に対して押圧する保持ヘッド４と、研磨パッド３上に研磨剤（スラリ）６を供給する研磨剤供給ノズル５と、研磨パッドの研磨面を調整する（目立てする）ドレッサ１４とを備える。
【００２０】
保持ヘッド４は、ヘッド本体７と、ヘッド本体７の下部に取り付けられたリテーナリング１０と、リテーナリング１０内に配置され、ウェハ８の上面８ｂを押圧してウェハ８の下面８ａを研磨パッド３に対して押し付ける弾性体膜９と、を備える。保持ヘッド４は、ウェハ８を保持しながら回転し、研磨パッド３上を移動することができる。ウェハ８の押圧方法は特に限定されず適宜好適な方法を選択することができ、例えば空気加圧によってウェハ８を押圧することができる。リテーナリング１０は、ウェハ８の外周縁を保持し、研磨時にウェハ８が外れることを防止する。
【００２１】
次に、図１及び図２に示すＣＭＰ装置１に使用される本発明のリテーナリング１０について説明する。図３に、リテーナリング１０の概略上面図を示す。また、図４に、図３のIV−IV線における概略断面図を示す。
【００２２】
リテーナリング１０は、円環形であり、第１リング１１と第２リング１２とを有する。第１リング１１と第２リング１２とは、同一円環を形成するように、厚み方向に重ね合わされている。ＣＭＰ装置１において、第１リング１１が上層（ヘッド本体７）側に位置し、第２リング１２が下層（研磨パッド３）側に位置しており、第２リング１２の下面（第１リング１１と接している面とは反対側の面）が研磨パッド３と接することになる。したがって、第２リング１２は、樹脂製であると好ましく、エンジニアリングプラスチック製であるとより好ましく、例えばポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ；PolyPhenylene Sulfide）やポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ；Polyether Ether Ketone）等で形成することができる。第１リング１１は、リテーナリング１０として剛性を高めるために、第２リング１２より剛性の高いものが好ましい。例えば、第１リング１１は、金属製であると好ましく、例えばステンレス鋼等で形成することができる。
【００２３】
第１リング１１と第２リング１２とは、少なくとも１つのボルト１３によって接合されている。第１リング１１の上面側（第２リング１２と接している面とは反対側の面）には、ボルト１３の頭部を収容する少なくとも１つの第１凹部１１ａと、第１凹部１１ａの底面から第１リング１１を貫通し、ボルト１３の軸部（雄ネジ）と螺合する雌ネジとなるボルト孔１１ｂが形成されている。また、第２リング１２には、第１凹部１１ａ及びボルト孔１１ｂと対応する位置に、ボルト１３の軸部（雄ネジ）と螺合する雌ネジとなるボルト穴１２ａが形成されている。第１リング１１と第２リング１２とは、ボルト１３とボルト孔１１ｂ及びボルト穴１２ａとを螺合させて締め付けることによって、接合（一体化）されている。
【００２４】
第２リング１２の下面（研磨パッド３との接触面）には、少なくとも１つの溝１２ｂが形成されている。溝１２ｂは、スラリ６をウェハの被研磨面８ａと研磨パッド３との間に効率よく供給すると共に、発生した研磨屑を排出するために、円環内と円環外とを導通させるものであると好ましい。円環内と円環外とを導通させる形態として、図３においては、溝１２ｂは、リテーナリング１０の円環の中心を通る線上に沿って（円環の接線に対して垂直方向に）放射状に形成されているが、他の形態をとることもできる。例えば、溝１２ｂは、円環の中心を通る線に対して斜めであってもかまわない。また、溝１２ｂは、直線状や曲線状であってもかまわない。溝１２ｂの寸法は、例えば幅２ｍｍ〜５ｍｍ、深さ１ｍｍ〜８ｍｍとすることができる。複数の溝１２ｂが形成されている場合、複数の溝１２ｂは、外周縁又は内周縁に対して同様の角度で配列されると好ましい。また、複数の溝１２ｂは、第２リング１２の下面において、均等に配列されていると好ましい。
【００２５】
リテーナリング１０において、ボルト１３は、リテーナリング１０の厚さ方向に対して溝１２ｂ上に配置されている。すなわち、図３に示すような平面投影において、第２リング１２におけるボルト穴１２ａ及び溝１２ｂとは重なるように形成されている。図４に示すような断面においては、溝１２ｂの真上にボルト穴１２ａが形成されている。また、第１リング１１における第１凹部１１ａ及びボルト孔１１ｂも、図３に示すような平面投影において溝１２ｂと重なるように形成し、図４に示すような断面においては溝１２ｂの真上となるように形成する。
【００２６】
好ましくは、ボルト孔１１ｂ及びボルト穴１２ａの径（ボルト１３の軸部の径）ｄ１は、溝１２ｂの幅ｗ１よりも小さくする。例えば、図４に示すような断面において、幅ｗ１の範囲内に径ｄ１が存在すると好ましい。
【００２７】
本発明のリテーナリング１０によれば、研磨パッド３面に対して、少なくとも溝１２ｂとボルト１３の軸部とが重なっており、ボルト１３下部の第２リング１２の領域は、研磨パッド３と接触しない。これにより、ボルト１３下部の領域とそれ以外の領域とで押圧力が異なるという問題は発生しない。また、複数のボルト１３間で締め付け力の差異やボルトの緩み等が生じたとしても、複数のボルト１３の下部領域間において研磨パッド３への押圧力の差異は生じない。したがって、研磨パッド３に対する均一な押圧力が得られるので、ウェハ８の高精度の平坦化を実現することができる。
【００２８】
次に、本発明の第２実施形態に係るリテーナリングについて説明する。図５に、本発明の第２実施形態に係るリテーナリングの概略上面図を示す。また、図６に、図５のVI−VI線における概略断面図を示す。第２実施形態に係るリテーナリング２０は、ＣＭＰ装置１において、第１実施形態に係るリテーナリング１０の代わりに使用できるものであり、リテーナリング以外はＣＭＰ装置は第１実施形態と同様である。
【００２９】
第１実施形態に係るリテーナリング１０においては、第１リング１１と第２リング１２とはボルトを用いて接合されていたが、本実施形態に係るリテーナリング２０においては、第１リング２１と第２リング２２とは接着剤２３によって接合されている。
【００３０】
接着剤２３が塗布される第１リング２１の下面及び第２リング２２の上面のうち、少なくとも一方の面には、接着剤２３を均一に介在させるための少なくとも１つの凸部（図６においては第２リング２２上面の凸部２２ａ）が形成されている。
【００３１】
また、第２リング２２の下面には、溝２２ｂが形成されている。溝２２ｂの形態は、第１実施形態と同様であり、第１実施形態の説明を援用する。
【００３２】
リテーナリング２０において、凸部２２ａは、リテーナリング２０の厚さ方向に対して溝２２ｂ上に配置されている。すなわち、図５に示すような平面投影において、凸部２２ａと溝２２ｂとは重なるように形成されている。図６に示すような断面においては、溝２２ｂの真上に凸部２２ａが形成されている。好ましくは、凸部２２ａの幅ｗ２は、溝２２ｂの幅ｗ３より狭くする。例えば、図６に示すような断面において、幅ｗ３の範囲内に幅ｗ２が存在すると好ましい。
【００３３】
凸部２２ａは、溝２２ｂと重なるように形成されるので、円環の外周側と内周側とを結ぶように（円環の幅を横断するように）形成されている。凸部２２ａの高さは、例えば０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定することができる。また、凸部２２ａの幅は、例えば、溝２２ｂの幅以下であって、２ｍｍ〜４ｍｍに設定することができる。また、凸部２２ａの数は、接着剤２３の均一な塗布を実現できるように設定すればよく、すべての溝２２ｂ上に形成されていなくてもかまわない。図６においては、第２リング２２に凸部が形成された形態を示したが、第１リング２１に形成してもよく、又は第１リング２１及び第２リング２２の両方に形成してもよい。第１リング２１と第２リング２２の両方に凸部を形成する場合には、両方の凸部の高さを同一にし、第１リング２１と第２リング２２とを重ね合わせたときに第１リング２１の凸部と第２リング２２の凸部とが重ならないようにすると好ましい。
【００３４】
接着剤２３は、第１リング２１と第２リング２２の材質に応じて、研磨に必要な接合強度を得られるものであれば特に限定されるものではない。接着剤２３は、耐衝撃性をもたせるために、第２リング２２よりも硬度が低いと好ましい。例えば、第２リング２２がエンジニアリングプラスチック製である場合、接着剤２３としてはエポキシ系接着剤を使用することができる。
【００３５】
第２リング２２は、ウェハ８の研磨時における研磨パッド３との接触により、研磨され、その厚さは薄くなる。しかしながら、本発明のリテーナリング２０においては、凸部２２ａの下部領域において溝２２ｂによって第２リング２２と研磨パッド３とは接触していないので、リテーナリング２０が薄くなった際に接着剤２３と第２リング２２（凸部２２ａ）との間の硬度差が研磨パッド３への押圧力に影響することはない。これにより、研磨パッド３への均一な押圧力を得ることができ、ウェハの高精度な平坦化を実現することができる。
【００３６】
また、凸部２２ａによる押圧力への影響を小さくするためには、第２リング２２を厚く形成する必要があったが、本発明によれば、第２リング２２を薄く形成することができ、コストを抑えることができる。
【００３７】
第２実施形態に係るリテーナリング２０において、上記形態以外は第１実施形態と同様である。
【００３８】
次に、本発明の第３実施形態に係るリテーナリングについて説明する。図７に、本発明の第３実施形態に係るリテーナリングの概略上面図を示す。また、図８に、図７のVIII−VIII線における概略断面図を示す。第３実施形態においては、第１実施形態と第２実施形態とを組み合わせている。すなわち、リテーナリング３０において、第１リング３１と第２リング３２との接合に、ボルト３３と接着剤３４とを併用している。第３実施形態に係るリテーナリング３０は、ＣＭＰ装置１において、第１実施形態に係るリテーナリング１０の代わりに使用できるものであり、リテーナリング以外はＣＭＰ装置は第１実施形態と同様である。
【００３９】
第２リング３２のボルト穴３２ａは、凸部３２ｃに形成されている。リテーナリング３０において、ボルト３３及び凸部３２ｃは、リテーナリング３０の厚さ方向に対して溝３２ｂ上に配置されている。すなわち、図７に示すような平面投影において、第２リング３２におけるボルト穴３２ａ及び凸部３２ｃと溝３２ｂとは重なるように形成されている。図８に示すような断面においては、溝３２ｂの真上にボルト穴３２ａ及び凸部３２ｃが形成されている。また、第１リング３１における第１凹部３１ａ及びボルト孔３１ｂも、図７に示すような平面投影において溝３２ｂと重なるように形成し、図８に示すような断面においては溝３２ｂの真上となるように形成する。
【００４０】
好ましくは、ボルト孔３１ｂ及びボルト穴３２ａの径（ボルト３３の軸部の径）ｄ３及び凸部３２ｃの幅ｗ４は、溝３２ｂの幅ｗ５よりも小さくする。例えば、図８に示すような断面において、幅ｗ５の範囲内に径ｄ３及び幅ｗ４が存在すると好ましい。
【００４１】
第３実施形態に係るリテーナリング３０において、上記形態以外は第１実施形態及び第２実施形態と同様である。
【００４２】
次に、本発明の第４実施形態に係るリテーナリングについて説明する。図９に、本発明の第４実施形態に係るリテーナリングの概略上面図を示す。また、図１０に、図９のＸ−Ｘ線における概略断面図を示す。第１実施形態〜第３実施形態においては、第２リングに溝を形成していたが、第４実施形態においては溝の代わりに凹部を形成している。第４実施形態に係るリテーナリング４０は、ＣＭＰ装置１において、第１実施形態に係るリテーナリング１０の代わりに使用できるものであり、リテーナリング以外はＣＭＰ装置は第１実施形態と同様である。
【００４３】
第２リング４２は、下面（研磨パッドとの接触面）に少なくとも１つの第２凹部４２ｂを有している。リテーナリング４０において、ボルト４３は、リテーナリング４０の厚さ方向に対して第２凹部４２ｂ上に配置されている。すなわち、図９に示すような平面投影において、第２リング４２におけるボルト穴４２ａ及び第２凹部４２ｂとは重なるように形成されている。図１０に示すような断面においては、第２凹部４２ｂの真上にボルト穴４２ａが形成されている。また、第１リング４１における第１凹部４１ａ及びボルト孔４１ｂも、図９に示すような平面投影において第２凹部４２ｂと重なるように形成し、図１０に示すような断面においては第２凹部４２ｂの真上となるように形成する。
【００４４】
好ましくは、ボルト孔４１ｂ及びボルト穴４２ａの径（ボルト１３の軸部の径）ｄ４は、第２凹部４２ｂの幅ｗ６よりも小さくする。例えば、図１０に示すような断面において、幅ｗ６の範囲内に径ｄ４が存在すると好ましい。
【００４５】
図９においては、円形の第２凹部４２ｂを示しているが、第２凹部４２ｂの平面形状は円形に限定されることなく、多角形、楕円形等種々の形状を選択することができる。また、図１０においては、矩形断面を有する第２凹部４２ｂを示しているが、第２凹部４２ｂの断面形状は、矩形に限定されることなく、半円形、半楕円形又は多角形状であってもよい。
【００４６】
第４実施形態に係るリテーナリング４０において、上記形態以外は第１実施形態と同様である。
【００４７】
上記説明においては、第１実施形態のようなボルト接合の形態を例にして説明したが、第２実施形態のような接着剤接合の形態でも溝の代わりに本実施形態の凹部を適用できることはいうまでもない。同様に、本実施形態は第３実施形態にも適用できることはいうまでもない。
【００４８】
本発明のリテーナリング及び研磨装置は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【００４９】
本発明のさらなる課題、目的及び展開形態は、請求の範囲を含む本発明の全開示事項からも明らかにされる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
上記実施形態においては、被研磨体としてウェハを例にして説明したが、本発明のリテーナリング及び研磨装置に適用可能な被研磨体は、ウェハに限定されることなく、本発明のリテーナリングを適用可能な被研磨体であれば適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＭＰ装置の概略平面図。
【図２】図１のII−II線におけるＣＭＰ装置の概略部分断面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係るリテーナリングの概略平面図。
【図４】図３のIV−IV線におけるリテーナリングの概略断面図。
【図５】本発明の第２実施形態に係るリテーナリングの概略平面図。
【図６】図５のVI−VI線におけるリテーナリングの概略断面図。
【図７】本発明の第３実施形態に係るリテーナリングの概略平面図。
【図８】図７のVIII−VIII線におけるリテーナリングの概略断面図。
【図９】本発明の第４実施形態に係るリテーナリングの概略平面図。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線におけるリテーナリングの概略断面図。
【図１１】本発明が解決しようとする課題を説明するためのリテーナリングの概略平面図。
【図１２】図１１のXII−XII線におけるリテーナリングの概略断面図。
【図１３】本発明が解決しようとする課題を説明するためのリテーナリングの概略平面図。
【図１４】図１３のXIV−XIV線におけるリテーナリングの概略断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１  ＣＭＰ装置
２  定盤
３  研磨パッド
４  保持ヘッド
５  供給ノズル
６  研磨剤
７  ヘッド本体
８  被研磨体（ウェハ）
８ａ  下面
８ｂ  上面
９  弾性体膜
１０，２０，３０，４０  リテーナリング
１１，２１，３１，４１  第１リング
１１ａ，３１ａ，４１ａ  第１凹部
１１ｂ，３１ｂ，４１ｂ  ボルト孔
１２，２２，３２，４２  第２リング
１２ａ，３２ａ，４２ａ  ボルト穴
１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ  溝
４２ｂ  第２凹部
１３，３３，４３  ボルト
１４  ドレッサ
２２ａ，３２ｃ  凸部
２３，３４  接着剤
５０，６０  リテーナリング
５１，６１  第１リング
５２，６２  第２リング
６２ａ  凸部
５３  ボルト
６３  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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