(57)【要約】【課題】  トラッキングエラーを簡易に評価することが可能な、光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置を提供する。【解決手段】  光半導体装置の試験方法は、半導体レーザ（１１）が搭載された温度制御装置（１９）と半導体レーザと光結合する光学エレメントとを有する光半導体装置の試験方法であって、半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメント（１７，２１，３１）を通過しない光および所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように半導体レーザの利得を制御する利得制御ステップと、利得制御ステップ中に、温度制御制御装置の温度を変化させつつ、所定の光学エレメントを通過しない光および所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得ステップと、を含む。【選択図】        図２
2010040639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザが搭載された温度制御装置と、前記半導体レーザと光結合する光学エレメントと、を有する光半導体装置の試験方法であって、
前記半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメントを通過しない光および前記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように前記半導体レーザの利得を制御する利得制御ステップと、
前記利得制御ステップ中に、前記温度制御装置の温度を変化させつつ、前記所定の光学エレメントを通過しない光および前記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得ステップと、を含むことを特徴とする光半導体装置の試験方法。
【請求項２】
前記利得制御ステップにおいて前記所定の光学エレメントを通過した後の光の光強度が一定に保持される場合、前記取得ステップは、前記半導体レーザの利得領域への注入電力値を取得することによって光強度を取得するステップであることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の試験方法。
【請求項３】
前記利得制御には、あらかじめ用意された前記半導体レーザの温度特性を相殺する制御が含まれることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の試験方法。
【請求項４】
前記所定の光学エレメントは、集光光学系を有することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の試験方法。
【請求項５】
前記取得ステップにおいて取得される光強度に基づいて、前記光半導体装置のトラッキングエラーを評価する評価ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の試験方法。
【請求項６】
半導体レーザが搭載された温度制御装置と、前記半導体レーザと光結合する光学エレメントと、を有する光半導体装置の試験装置であって、
前記半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメントを通過しない光および前記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように前記半導体レーザの利得を制御する利得制御部と、
前記利得制御部による利得制御中に、前記温度制御装置の温度を変化させる制御を行うコントローラと、
前記所定の光学エレメントを通過しない光および前記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得部と、を備えることを特徴とする光半導体装置の試験装置。
【請求項７】
前記所定の光学エレメントを通過した後の光の光強度が前記利得制御部によって一定に保持される場合、前記取得部は、前記半導体レーザの利得領域への注入電力値の取得により光強度を取得することを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の試験装置。
【請求項８】
前記利得制御は、あらかじめ用意された前記半導体レーザの温度特性を相殺する制御であることを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の試験装置。
【請求項９】
前記所定の光学エレメントは、集光光学系を有することを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の試験装置。
【請求項１０】
前記取得部によって取得される光出力強度に基づいて、前記光半導体装置のトラッキングエラーを評価する評価手段をさらに備えることを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の試験装置。
【請求項１１】
前記取得部は、前記コントローラによる前記温度制御装置の制御と同期して前記光強度を取得することを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置には、トラッキングエラーと呼ばれる現象が生じることがある。トラッキングエラーとは、環境温度の変化に伴って、主として光学エレメントの位置ずれに起因して生じる光出力変動のことをいう。特許文献１には、光半導体装置を恒温槽内で駆動し、恒温槽の内部温度の変化に対する光出力変動を測定することによってトラッキングエラーの評価を行う技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開昭６０−１８６０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、恒温槽を利用した大がかりな測定には、多くの工数が必要となる。製品出荷試験として特許文献１に開示の試験を行うと、コストが増大してしまう。
【０００５】
本発明の目的は、トラッキングエラーを簡易に評価することが可能な、光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光半導体装置の試験方法は、半導体レーザが搭載された温度制御装置と半導体レーザと光結合する光学エレメントとを有する光半導体装置の試験方法であって、半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメントを通過しない光および上記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように半導体レーザの利得を制御する利得制御ステップと、利得制御ステップ中に、温度制御制御装置の温度を変化させつつ、上記所定の光学エレメントを通過しない光および上記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得ステップと、を含むことを特徴とするものである。本発明に係る光半導体装置の試験方法においては、所定の光学エレメントのトラッキングエラーを簡易に評価することができる。
【０００７】
利得制御ステップにおいて上記所定の光学エレメントを通過した後の光の光強度が一定に保持される場合、取得ステップは、半導体レーザの利得領域への注入電力値を取得することによって光強度を取得するステップであってもよい。
【０００８】
利得制御には、あらかじめ用意された半導体レーザの温度特性を相殺する制御が含まれていてもよい。
【０００９】
上記所定の光学エレメントは、集光光学系を有していてもよい。この場合、光学エレメントは、トラッキングを生じやすい。したがって、特に本発明の効果が得られる。
【００１０】
上記光半導体装置の試験方法は、取得ステップにおいて取得される光強度に基づいて、光半導体装置のトラッキングエラーを評価する評価ステップをさらに含んでいてもよい。
【００１１】
本発明に係る光半導体装置の試験装置は、半導体レーザが搭載された温度制御装置と半導体レーザと光結合する光学エレメントとを有する光半導体装置の試験装置であって、半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメントを通過しない光および上記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように半導体レーザの利得を制御する利得制御部と、利得制御部による利得制御中に温度制御装置の温度を変化させる制御を行うコントローラと、上記所定の光学エレメントを通過しない光および上記所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得部と、を備えることを特徴とするものである。本発明に係る光半導体装置の試験装置においては、所定の光学エレメントのトラッキングエラーを簡易に評価することができる。
【００１２】
上記所定の光学エレメントを通過した後の光の光強度が利得制御部によって一定に保持される場合、取得部は、半導体レーザの利得領域への注入電力値の取得により光強度を取得してもよい。
【００１３】
利得制御は、あらかじめ用意された半導体レーザの温度特性を相殺してもよい。
【００１４】
上記所定の光学エレメントは、集光光学系を有していてもよい。この場合、光学エレメントは、トラッキングを生じやすい。したがって、特に本発明の効果が得られる。
【００１５】
上記光半導体装置の試験装置は、取得部によって取得される光出力強度に基づいて、光半導体装置のトラッキングエラーを評価する評価手段をさらに備えていてもよい。取得部は、コントローラによる温度制御装置の制御と同期して光強度を取得してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、簡易にトラッキングエラーを評価することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００１８】
以下、図１および図２を参照しつつ、本発明の第１実施例に係る試験装置２００について説明する。図１は、試験装置２００を用いて試験される光半導体装置１００の模式図である。図２は、試験装置２００の全体構成を示すブロック図である。
【００１９】
図１に示すように、光半導体装置１００は、光出力部１０、レンズフォルダ２０およびファイバフォルダ３０がレーザ溶接等によって互いに接合された構造を有する。光出力部１０において、半導体レーザ１１は、ＬＤキャリア１２上に搭載されている。ＬＤキャリア１２は、サーミスタ１３とともに、サブキャリア１４上に搭載されている。モニタ受光素子１５は、半導体レーザ１１のリア出力光を検出するモニタであり、ＰＤキャリア１６の側面に搭載されている。第１レンズ１７は、半導体レーザ１１のフロント出力光を平行光に変換するレンズであり、レンズフォルダ１８に搭載されている。温度制御装置１９は、電流制御によって温度調節可能な装置である。
【００２０】
サブキャリア１４、ＰＤキャリア１６およびレンズフォルダ１８は、温度制御装置１９上に配置されている。温度制御装置１９は、複数のペルチェ素子が２枚の平板で挟まれた構造を有する。ＰＤキャリア１６は、モニタ受光素子１５が半導体レーザ１１のリア出力光を検出するように、位置決めされている。また、レンズフォルダ１８は、第１レンズ１７の光軸が光出力部１０のパッケージ本体の窓の中心に位置するように、位置決めされている。
【００２１】
レンズフォルダ２０は、第２レンズ２１を保持している。第２レンズ２１は、光出力部１０のフロント出力光の光軸上に配置されている。ファイバフォルダ３０は、光ファイバ３１を保持している。光ファイバ３１の端部は、第２レンズ２１によって集光された光の光軸上に配置されている。
【００２２】
光出力部１０、レンズフォルダ２０およびファイバフォルダ３０は、半導体レーザ１１と光ファイバ３１の端部との光結合度が所定の規格値の範囲内になるように、位置合わせされている。具体的には、半導体レーザ１１に発光させつつ、各フォルダの位置を調節して半導体レーザ１１と光ファイバ３１の端部との結合強度が規格値の範囲内に至るまで各フォルダの位置関係が探索される。この結合強度が規格値の範囲内に達した位置関係の下で、光出力部１０、レンズフォルダ２０およびファイバフォルダ３０がレーザ溶接によって固定される。それにより、光出力部１０、レンズフォルダ２０およびファイバフォルダ３０が位置合わせされる。
【００２３】
図２に示すように、試験装置２００は、制御部４１、メモリ４２、ＡＰＣコントローラ４３および温度コントローラ４４を備える。制御部４１は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含み、出力モニタ５０の検出結果に基づいて、ＡＰＣコントローラ４３および温度コントローラ４４を制御する。制御部４１は、光強度を取得する取得部として機能し、トラッキングエラーを評価する評価手段としても機能する。
【００２４】
メモリ４２は、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）等からなる。ＡＰＣコントローラ４３は、光半導体装置１００をＡＰＣ制御するためのコントローラであり、利得制御部として機能する。温度コントローラ４４は、温度制御装置１９の温度を制御するためのコントローラである。出力モニタ５０は、光半導体装置１００の出力側（フロント側）に配置された光検知器であり、第１レンズ１７、第２レンズ２１および光ファイバ３１を通過した光の光強度を検出する。
【００２５】
続いて、図３のフローチャートを参照しつつ、試験装置２００の動作の概要について説明する。まず、制御部４１は、メモリ４２が記憶している初期温度（例えば、２５℃）に温度制御装置１９の温度が制御されるように、温度コントローラ４４を制御する（ステップＳ１）。次に、制御部４１は、メモリ４２が記憶している初期駆動電力が半導体レーザ１１の利得領域に注入されるように、ＡＰＣコントローラ４３を制御する（ステップＳ２）。
【００２６】
次いで、制御部４１は、光半導体装置１００のＡＰＣ制御が開始されるように、ＡＰＣコントローラ４３を制御する（ステップＳ３）。本実施例においては、モニタ受光素子１５によって検出される光強度が一定に保持されるように、ＡＰＣコントローラ４３から半導体レーザ１１の利得領域への注入電力量がフィードバック制御される。なお、本実施例においては、モニタ受光素子１５は、半導体レーザと同じく温度制御装置１９上に搭載されている。このため、半導体レーザ１１とモニタ受光素子１５との相対的な位置関係は、温度制御装置１９の温度にかかわらず、ほぼ一定に維持される。
【００２７】
次に、制御部４１は、温度制御装置１９の温度スイープが実施されるように、温度コントローラ４４を制御するとともに、出力モニタ５０の検出値をサンプリングする（ステップＳ４）。具体的には、制御部４１は、温度制御装置１９の温度が所定のレート（例えば、１℃〜３℃／秒）で増減するように、温度コントローラ４４を制御する。また、制御部４１は、出力モニタ５０の検出値を、所定のレート（例えば、１００ミリ秒／回）でサンプリングする。次いで、制御部４１は、トラッキング判定を行う（ステップＳ５）。その後、制御部４１は、フローチャートの実行を終了する。
【００２８】
例えば、本発明によるトラッキングエラーの評価温度が１０℃〜８０℃である場合には、ステップＳ４の詳細は次の通りである。まず、前記した初期温度（例えば、２５℃）に制御されている温度制御装置１９の温度を１０℃に降下させる。このとき、光半導体装置１００のＡＰＣ制御は継続されている。
【００２９】
次に、試験温度範囲の下限値である１０℃から上限値である８０℃まで、温度制御装置１９の温度をスイープする。このときの温度上昇レートは、１℃〜３℃／秒程度の範囲で選択される。温度制御装置１９に搭載されたサーミスタ１３の出力である温度情報は、温度コントローラ４４を介して制御部４１でモニタされている。
【００３０】
制御部４１は、所定のレートで、サーミスタ１３の出力と出力モニタ５０の出力とを同期してメモリに格納する。温度制御装置１９の温度と光半導体装置１００からの光出力とを同期して取得することは、これらデータに相関が付与されることを意味する。そして、データの相関が備わるということは、後のトラッキングエラー評価において、傾向分析の詳細さの向上につながる。
【００３１】
ステップＳ４においては、半導体レーザ１１の温度特性が変化する。例えば、半導体レーザ１１の出力は、高温側において低下する。それにより、モニタ受光素子１５の検出値が変化する。ＡＰＣコントローラ４３は、半導体レーザ１１の温度特性が相殺されるように、半導体レーザ１１の利得領域への注入電力量を変化させる。この場合、半導体レーザ１１のフロント側においてトラッキングが生じていなければ、出力モニタ５０によって検出される光出力も一定となる。
【００３２】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、トラッキング判定について説明するための模式図である。図４（ａ）は、トラッキングエラーが生じていない場合を示す図である。図４（ａ）に示すようにトラッキングエラーが生じていない場合、各光学エレメント（本実施例においては、第１レンズ１７、第２レンズ２１および光ファイバ３１）が形成する光軸と理想光軸とがほぼ一致する。ここで、理想光軸とは、トラッキングエラー評価の対象となる光学系の両端の光学エレメントを最短距離で一直線に結ぶ仮想的な光軸のことである。
【００３３】
図４（ｂ）に示すようにトラッキングエラーが生じると、各光学エレメントが形成する光軸が、理想光軸から乖離し始める、さらに図４（ｃ）に示すようにトラッキングエラーが大きくなると、各光学エレメントが形成する光軸と理想光軸との乖離度が大きくなる。
【００３４】
ここで、各光学エレメントが理想光軸に近い光軸を形成するように配置された場合、環境温度の変化に伴って各光学エレメントの姿勢が変動したとしても、各光学エレメントが形成する光軸の変動を小さくすることができる。一方、各光学エレメントが理想光軸から乖離して光軸を形成するように配置された場合、各光学エレメントの微小な位置変動に起因して、各光学エレメントが形成する光軸の変動が大きくなってしまう。この変動がトラッキングエラーとして現れる。この傾向は、レンズ等を備える集光光学系において、特に顕著である。
【００３５】
本実施例においては、温度制御装置１９の温度をスイープすることによって、温度制御装置１９の上下面の温度差が多数のペルチェ素子に歪みを与えることになる。その結果、温度制御装置１９上面の姿勢が変動することになる。本実施例においては、温度制御装置１９の上面の姿勢変動によって、温度制御装置１９に搭載されている光学エレメントおよび半導体レーザ１１と第２レンズ２１との相対的な位置関係を意図的に変動させる。それにより、各光学エレメントが形成する光軸と理想光軸との乖離を評価することができる。
【００３６】
温度制御装置１９の温度のスイープの結果、光ファイバ端に対する光結合度の変動が大きい光半導体装置は、理想光軸と各光学エレメントが形成する光軸との乖離度が大きいと考えられる。したがって、その光半導体装置は、トラッキングエラーが大きい傾向にあると判断することができる。この評価方法は、温度制御装置１９の温度をスイープするだけで実施することができる。したがって、恒温槽を利用した大がかりな評価方法に比較して簡易に実施することができる。
【００３７】
以下、ステップＳ５の詳細について説明する。図５（ａ）は、モニタ受光素子１５の検出結果に基づいてＡＰＣ制御を行った場合の、モニタ受光素子１５の出力と温度制御装置１９の温度との関係を示す図である。図５（ａ）に示すように、モニタ受光素子１５の検出結果に基づいてＡＰＣ制御を行えば、温度制御装置１９の温度が変動しても、モニタ受光素子１５の検出結果はほぼ一定に維持される。
【００３８】
トラッキングエラーが生じると、各光学エレメントが形成する光軸が理想光軸から乖離する。この場合、図５（ｂ）に示すように、出力モニタ５０の出力が変動する。出力モニタ５０によって検出される光強度の変化に基づいて、トラッキングエラーを評価することができる。
【００３９】
トラッキングエラーの評価は、図５（ｂ）に示すように、例えば初期温度（本実施例においては２５℃）での出力モニタ５０の出力Ｐ１と、温度スイープ時（１０℃〜８０℃）の出力モニタの出力との乖離度を評価して求めることができる。また、乖離度の他にも、温度スイープ時における出力モニタ５０の出力の変化傾向を分析することで評価することも考えられる。
【００４０】
本実施例においては、半導体レーザ１１の温度特性変化が、リア側のモニタ受光素子１５で検出される光強度に基づいて相殺される。これに代えて、半導体レーザ１１の温度特性データをあらかじめ取得しておき、そのデータに基づいて半導体レーザ１１の温度特性変化を相殺してもよい。
【００４１】
具体的には、ＡＰＣコントローラ４３は、温度制御装置１９上に搭載されたサーミスタ１３による温度検知結果に対応する半導体レーザ１１の温度特性データをメモリ４２から取得する。その後、ＡＰＣコントローラ４３は、取得した温度特性データに基づいて、半導体レーザ１１の温度特性変化が相殺されるように半導体レーザ１１の利得領域への注入電力を制御する。この場合、モニタ受光素子１５を利用したフィードバック制御を行わなくても、半導体レーザ１１の温度特性変化を相殺することができる。
【００４２】
なお、半導体レーザ１１のフロント側の光強度（出力モニタ５０の検出結果）に基づいてＡＰＣ制御を行ってもよい。この場合、図６（ａ）に示すように、温度制御装置１９の温度が変動しても、出力モニタ５０の検出結果はほぼ一定に維持される。トラッキングエラーが生じると、各光学エレメントが形成する光軸が理想光軸から乖離する。モニタ受光素子１５の姿勢は温度制御装置１９の温度変化から影響を受けにくいため、出力モニタ５０の検出結果に基づくＡＰＣ制御を行えば、図６（ｂ）に示すようにモニタ受光素子１５の検出値が変動する。この場合、モニタ受光素子１５の検出結果は、図５（ｂ）の変動方向と逆方向に変動する。
【００４３】
なお、出力モニタ５０の検出結果に基づいてＡＰＣ制御を行う場合、半導体レーザ１１の利得領域への注入電力に基づいてトラッキングエラーを評価してもよい。本実施例においては、半導体レーザ１１への注入電力を発生させるＤ／Ａコンバータへの設定値に基づいて、トラッキングエラーを評価してもよい。ＡＰＣコントローラ４３が発生させる制御値は、フロント側の光強度をほぼ一定に制御するための値である。この値には、半導体レーザ１１の温度特性とフロント側の各光学エレメントの姿勢変動分とが合成された成分が含まれる。一方、半導体レーザ１１への注入電力は、半導体レーザ１１の温度特性とフロント側の各光学エレメントの姿勢変動とが加味された成分が含まれる。
【００４４】
図７（ｂ）は、出力モニタ５０に基づいてＡＰＣ制御する場合の、温度制御装置１９の温度と半導体レーザ１１の利得領域への注入電力との関係の一部を示す図である。図７（ｂ）においては、半導体レーザ１１の温度特性が半導体レーザ１１の温度に対してリニアに変化する部分が示されている。
【００４５】
図７（ｂ）の破線は、フロント側の各光学エレメントが形成する光軸が理想光軸に一致する場合の注入電力を示す。実線は、トラッキングエラーが生じた場合の注入電力を示す。図７（ｂ）に示すように、トラッキングエラーが生じると、温度制御装置１９の温度変化に対して傾きが変化する。一例として、この傾きの変化を検出することによって、トラッキングエラーを評価することができる。例えば、半導体レーザ１１の利得領域への注入電力の微分値に基づいて、トラッキングエラーを評価することができる。
【００４６】
図８は、温度制御装置１９の温度と半導体レーザ１１の利得領域への注入電力を温度制御装置１９の温度で微分した値との関係を示す図である。図８に示すように、トラッキングエラーが生じていない場合には、微分値は所定の値でほぼ一定となる。これに比較してトラッキングエラーが生じると、上記所定の値から乖離する。この乖離度に応じて、トラッキングエラーを評価することができる。
【００４７】
なお、半導体レーザ１１の温度特性が半導体レーザ１１の温度に対して２次関数的に変化する場合には、トラッキングエラーに起因して生じる上記温度特性からの乖離度に基づいて、トラッキングエラーを評価することができる。半導体レーザ１１の温度特性は、理論値であってもよく、あらかじめ基準用の半導体レーザ１１を用いて測定された測定値であってもよい。
【００４８】
なお、トラッキングエラーの評価方法は、上記の方法に限られない。例えば、半導体レーザ１１の理想的な温度特性に対する、測定された温度特性の乖離幅に応じて、トラッキングエラーを評価してもよい。この場合、理想的な温度特性を用いずに、あらかじめ基準用の半導体レーザ１１を用いて測定された温度特性を用いてもよい。
【実施例２】
【００４９】
実施例２においては、半導体レーザ１１のリア側の出力光およびフロント側の出力光のいずれか一方の光強度に基づいてＡＰＣ制御およびトラッキングエラーを評価する。図９は、実施例２に係る光半導体装置１００ａの全体構成を示す模式図である。光半導体装置１００ａが光半導体装置１００と異なる点は、第１レンズ１７と第２レンズ２１との間に光スプリッタ２２を備える点およびＰＤキャリア１６の配置箇所が異なる点である。本実施例においては、光スプリッタ２２によって反射された光がモニタ受光素子１５によって検出されるように、ＰＤキャリア１６が位置決めされている。
【００５０】
本実施例においては、ＡＰＣコントローラ４３は、モニタ受光素子１５の検出結果に基づいて半導体レーザ１１をＡＰＣ制御する。このＡＰＣ制御の際に、温度コントローラ４４は、温度制御装置１９の温度を変化させる。さらに、制御部４１は、出力モニタ５０の検出結果をメモリ４２に記憶させ、その検出結果に基づいてトラッキングエラーを評価する。この場合、第１レンズ１７を経由した光が通過する光学エレメントのトラッキングエラーを評価することができる。本実施例においては、第２レンズ２１および光ファイバ３１のトラッキングエラーを評価することができる。
【００５１】
また、ＡＰＣコントローラ４３は、出力モニタ５０の検出結果に基づいて半導体レーザ１１をＡＰＣ制御してもよい。この場合、制御部４１は、モニタ受光素子１５の検出結果をメモリ４２に記憶させ、その検出結果に基づいてトラッキングエラーを評価する。この場合においても、第１レンズ１７を経由した光が通過する光学エレメントのトラッキングエラーを評価することができる。
【００５２】
本実施例によれば、第１レンズ１７を通過した光に基づいてＡＰＣ制御を行っても、第１レンズ１７以外の光学エレメントのトラッキングエラーを評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】試験装置を用いて試験される光半導体装置の模式図である。
【図２】試験装置の全体構成を示すブロック図である。
【図３】試験装置の動作の概要について説明するためのフローチャートを示す図である。
【図４】トラッキング判定について説明するための模式図である。
【図５】モニタ受光素子の検出光強度に基づいてＡＰＣ駆動を行った場合の、トラッキングエラーを示す模式図である。
【図６】出力モニタの検出光強度に基づいてＡＰＣ駆動を行った場合の、トラッキングエラーを示す模式図である。
【図７】出力モニタの検出光強度に基づいてＡＰＣ駆動を行った場合の、トラッキングエラーを示す模式図である。
【図８】温度制御装置の温度と半導体レーザの利得領域への注入電力を温度制御装置の温度で微分した値との関係を示す図である。
【図９】実施例２に係る光半導体装置の全体構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  光出力部
１１  半導体レーザ
１３  サーミスタ
１５  モニタ受光素子
１７  第１レンズ
１９  温度制御装置
２１  第２レンズ
３１  光ファイバ
４１  制御部
４２  メモリ  
４３  ＡＰＣコントローラ
４４  温度コントローラ
５０  出力モニタ
１００  光半導体装置
２００  試験装置
【図１】
2010040639.tif 000003
【図２】
2010040639.tif 000004
【図３】
2010040639.tif 000005
【図４】
2010040639.tif 000006
【図５】
2010040639.tif 000007
【図６】
2010040639.tif 000008
【図７】
2010040639.tif 000009
【図８】
2010040639.tif 000010
【図９】
2010040639.tif 000011