(57)【要約】【課題】熱処理装置の支持ボート等との接触により半導体ウェーハに生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる半導体ウェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの周縁部に面取り面を形成する面取り工程Ｓ８と、面取り工程Ｓ８を経た前記半導体ウェーハに対して９００℃以上の雰囲気で熱処理を施す熱処理工程Ｓ１２と、熱処理工程Ｓ１２を経た前記半導体ウェーハの主面における該主面と前記周縁部との境界部の近傍の領域を、該境界部を含んで研磨する境界部研磨工程Ｓ１４と、を備えることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの周縁部に面取り面を形成する面取り工程と、
前記面取り工程を経た前記半導体ウェーハに対して９００℃以上の雰囲気で熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程を経た前記半導体ウェーハの主面における該主面と前記周縁部との境界部の近傍の領域を、該境界部を含んで研磨する境界部研磨工程と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程と前記境界部研磨工程との間に又は前記境界部研磨工程の後に、前記半導体ウェーハの両主面をそれぞれ研磨する両面研磨工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記境界部研磨工程を経た前記半導体ウェーハの直径が３００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程における雰囲気ガスは、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガス、又はアルゴンガスと水素ガスとの混合ガスからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の半導体ウェーハ（以下単に「ウェーハ」ともいう）においては、その主表面に鏡面研磨を施した後、高温のアルゴンガスや水素ガスの雰囲気中で熱処理を行うことにより、ウェーハの表面の改質を行うこと（以下「表面改質処理」ともいう）が一般的に行われている。表面改質処理とは、一般的に、ウェーハ１の表面に対して、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等の空孔が凝集して生じるボイド（空洞）欠陥（Ｖ欠陥）を消滅させることをいう。熱処理は、熱処理装置を用いて行われる。熱処理装置においては、熱処理炉の内部に炉心管が配置され、炉心管の内部にウェーハを支持する支持ボートが配置されており、支持ボートにウェーハを支持させた状態で、熱処理が行われる。
【０００３】
熱処理を経たウェーハの表面における、支持ボートにより支持されていた部位には、支持ボートとの接触に起因する痕（以下「接触痕」ともいう）が生じる。接触痕は、後工程において発塵源となり、支持ボートに支持されている周辺のウェーハにパーティクルの転写を引き起こす。また、ウェーハに接触痕があると、ウェーハの機械的強度が低下し、ウェーハの割れが発生しやすくなる。
【０００４】
このような接触痕に起因する各種不具合を防止するために、ウェーハにおける支持面側を研磨する方法が考案されている（例えば、下記特許文献１参照）。ここで、「支持面」とは、ウェーハにおける主面（平坦面である主表面及び裏面）における支持ボート等によって支持される面をいう。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２６０６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ウェーハにおける支持面側を研磨した場合においても、接触痕に起因すると思われるパーティクルの発生が依然として発生していた。また、半導体デバイスの高集積化に伴い、より高品質なウェーハが求められており、接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することが望まれている。
【０００７】
従って、本発明は、熱処理装置の支持ボート等との接触により半導体ウェーハに生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの周縁部に面取り面を形成する面取り工程と、前記面取り工程を経た前記半導体ウェーハに対して９００℃以上の雰囲気で熱処理を施す熱処理工程と、前記熱処理工程を経た前記半導体ウェーハの主面における該主面と前記周縁部との境界部の近傍の領域を、該境界部を含んで研磨する境界部研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
（２）前記熱処理工程と前記境界部研磨工程との間に又は前記境界部研磨工程の後に、前記半導体ウェーハの両主面をそれぞれ研磨する両面研磨工程を更に備えることが好ましい。
【００１０】
（３）前記境界部研磨工程を経た前記半導体ウェーハの直径が３００ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１１】
（４）前記熱処理工程における雰囲気ガスは、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガス、又はアルゴンガスと水素ガスとの混合ガスからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、熱処理装置の支持ボート等との接触により半導体ウェーハに生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の半導体ウェーハの製造方法の第１実施態様について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の半導体ウェーハの製造方法の第１実施態様の前半を示すフローチャートである。図２は、図１に示すフローの続きを示すフローチャートである。図３は、周縁部に面取り面２が形成されている半導体ウェーハ１における周縁部近傍を示す部分断面図である。図４は、支持ボート４に支持された半導体ウェーハ１を示す模式図である。
【００１４】
まず、図３を参照しながら、周縁部に面取り面２が形成されている半導体ウェーハ（以下単に「ウェーハ」ともいう）１について説明する。
ウェーハ１は、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハからなる。
厚み方向に視たウェーハ１の形状は、一般的には真円形状であり、その直径は、好ましくは２００ｍｍ以上、更に好ましくは３００ｍｍ以上である。具体的には、ウェーハ１の直径は、例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍである。なお、ここでいうウェーハ１の直径は、製造上の目標値であり、所定の公差（許容誤差）等を含むものとする。厚み方向に視たウェーハ１の形状は、楕円形状でもよい。
ウェーハ１の厚みｔ（図３参照）は、例えば６００〜２０００μｍであり、好ましくは７００〜１２００μｍである。
【００１５】
面取り工程Ｓ４（詳細は後述）を経たウェーハ１の周縁部には、図３に示すように、面取り面２が形成される。ウェーハ１の外面（表面）は、平坦な面である主面１０と、面取り面２とを備える。主面１０は、各種処理が行われ、半導体デバイスが形成される主表面１１と、その反対面である裏面１２とを備える。主表面１１は、半導体デバイスが形成される領域であるため、裏面１２に比して平坦度やパーティクルの低減等が高い水準で要求される。
主面１０（主表面１１、裏面１２）と周縁部（面取り面２）との境界を「境界部３」という。境界部３は、実質的に面積を有していない線状であり、ウェーハ１を平面視した場合（厚み方向に視た場合）に、略円形状となる。
【００１６】
〔第１実施態様〕
次に、本発明の第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法は、図３に示すような面取り面２を有するウェーハ１に対して各種工程を行い、所定の品質を有する半導体ウェーハを製造する方法である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法は、下記工程Ｓ１〜Ｓ１８及びＳ２１を備える。特に、第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法は、面取り工程としての面取り工程Ｓ４及び第１鏡面面取り工程Ｓ８と、熱処理工程Ｓ１２と、境界部研磨工程としての第２鏡面面取り工程Ｓ１４と、両面研磨工程としての第２両面研磨工程Ｓ１５及び第２鏡面研磨工程Ｓ１６と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
（Ｓ１）インゴット成長工程Ｓ１
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により半導体単結晶を引き上げて、単結晶半導体インゴットを成長させる。なお、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により半導体インゴットを成長させることもできる。
【００１９】
（Ｓ２）外形研削工程
インゴット成長工程Ｓ１を経て成長した半導体インゴットは、その先端部及び終端部が切断される。そして、未研削の半導体インゴットについて、その周面を真円形状に研削する。これにより断面が真円形状の半導体インゴットが得られる。半導体インゴットの周縁部には、必要に応じて、オリエンテーションフラットやノッチが形成される。
【００２０】
（Ｓ３）スライス工程
外形研削工程Ｓ２を経た半導体インゴットを、その中心軸に直交する方向にスライスする。スライスには、例えばワイヤソーが用いられる。これにより、半導体ウェーハが得られる。
【００２１】
（Ｓ４）面取り工程
スライス工程Ｓ３を経て得られたウェーハにおける周縁部に対して、ウェーハの周縁部の欠けやチッピングを防止するために面取り加工が施される。例えば、ウェーハの周縁部が面取り用砥石により所定の形状に面取りされる。これにより、図３に示すように、ウェーハ１の周縁部に、所定の角度を有する面取り面２が形成される。
【００２２】
（Ｓ５）ラッピング工程
面取り工程Ｓ４を経たウェーハ１に対して、スライス工程Ｓ３などで生じたウェーハ１における主面１０の凹凸が、ラッピングにより平坦化される。例えば、ウェーハ１を互いに平行なラッピング定盤の間に配置し、ラッピング定盤とウェーハ１との間に、アルミナ砥粒、分散剤、水などの混合物であるラッピング液を流し込む。そして、加圧下で互いに回転させ、擦り合わせを行ない、ウェーハ１における主表面１１及び裏面１２の両面がラッピングされる。これにより、ウェーハ１における主表面１１及び裏面１２の平坦度及びウェーハ１の平行度が高まる。
なお、ラッピング工程Ｓ５に代えて、両頭研削工程を行うこともできる。
【００２３】
（Ｓ６）平面研削工程
ラッピング工程Ｓ５を経たウェーハ１に対して、ウェーハ１における主面１０の平坦度を更に高めるために、平面研削加工が施される。平面研削加工は、例えば、ウェーハ１の片面を真空吸着により保持し、ウェーハ１及びカップ形状の微細ダイヤモンド砥石を回転させながら互いに接触させることによって行うことができる。  
【００２４】
（Ｓ７）エッチング工程
平面研削工程Ｓ６を経たウェーハ１は、エッチング液にディップされてエッチング処理が施される。例えば、ウェーハ１をスピンしながらウェーハ１の主面１０にエッチング液を供給して、供給したエッチング液をスピンによる遠心力によりウェーハ１の主面１０の全体に拡げてウェーハの主面１０の全体をエッチングし、ウェーハの主面１０の表面粗さＲａを所定の表面粗さに制御する。このようにして、面取り工程Ｓ４やラッピング工程Ｓ５のような機械加工プロセスによって生じた加工変質層をほぼ完全に除去することができる。
【００２５】
（Ｓ８）第１鏡面面取り工程
エッチング工程Ｓ７を経たウェーハ１の周縁部に対して、鏡面面取り加工が施される。これにより、ウェーハ１の面取り面２が鏡面仕上げされる。例えば、ウェーハ１の面取り面２に研磨液を供給しながら、軸線回りに回転している研磨布の外周面にウェーハ１の面取り面２を押し付けて、鏡面面取り加工が施される。
【００２６】
（Ｓ９）第１両面研磨工程
第１鏡面面取り工程Ｓ８を経たウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して、主表面１１及び裏面１２を同時に研磨する両面同時研磨装置を用いて、粗研磨としての両面研磨加工が施される。なお、第１両面研磨工程Ｓ９に代えて、ウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して片面ずつ粗研磨加工を施してもよい。
【００２７】
（Ｓ１０）第１鏡面研磨工程
第１両面研磨工程Ｓ９を経たウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して、主表面１１及び裏面１２を同時に研磨する両面同時研磨装置を用いて、鏡面研磨が行われる。なお、両面同時研磨に代えて、ウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して片面ずつ鏡面研磨加工を施してもよい。
【００２８】
（Ｓ１１）熱処理前洗浄工程
第１鏡面研磨工程Ｓ１０を経たウェーハ１に対して洗浄を行う。例えば、熱処理前洗浄は、例えば、ＲＣＡ洗浄に加えてＨＦ洗浄などにより行うことができる。これにより、熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２の直前のウェーハ１の外面を清浄化することができる。
【００２９】
（Ｓ１２）熱処理工程（表面改質工程）
熱処理前洗浄工程Ｓ１１を経たウェーハ１に対して９００℃以上の雰囲気で熱処理を施す。雰囲気の温度は、好ましくは１０００℃以上であり、更に好ましくは１１００℃以上である。雰囲気の温度は、好ましくは１３５０℃以下である。熱処理は、１０分〜１６時間行うことが好ましい。このようにしてウェーハ１に対して表面改質処理を施す。表面改質処理とは、ウェーハ１の表面に対して、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等の空孔が凝集して生じるボイド（空洞）欠陥（Ｖ欠陥）を消滅させることをいう。
【００３０】
熱処理における雰囲気ガスとしては、例えば、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガスと水素ガスとの混合ガスが用いられる。
なお、熱処理は、ウェーハの表面を実質的に改質させない処理でもよい。
さらに、格子間にシリコンを注入することによりＣＯＰを消失させるため、熱処理工程Ｓ１２に引き続き、雰囲気ガスをＯ２へ切り替えて、熱処理を行った後、酸化膜の剥離処理を実施してもよい。
【００３１】
（Ｓ１３）第１厚み測定工程
熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２を経たウェーハ１の厚みｔを測定する。これにより、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４の前におけるウェーハ１の厚みｔを確認する。
なお、第１厚み測定工程Ｓ１３は、エッチング工程Ｓ７と熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２との間に行うこともできる。例えば、第１厚み測定工程Ｓ１３は、第１鏡面研磨工程Ｓ１０と熱処理前洗浄工程Ｓ１１との間に行うことができる。
【００３２】
（Ｓ１４）第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）
熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２を経たウェーハの主面１０及び周縁部（面取り面２）に対して、主面１０（主表面１１及び裏面１２）と周縁部との境界部３を含んで（つまり境界部３を跨いで）、鏡面面取り加工を施す。
主面１０における境界部３の近傍の領域は、ウェーハ１の径方向に例えば、０．２〜２ｍｍの幅が鏡面研磨される。
また、面取り面２における境界部３の近傍の領域は、ウェーハ１の径方向に例えば、０．２ｍｍ以上の幅が鏡面面取りされる。従って、例えば、裏面１２側の境界部３から裏面１２の中心側に向けて０．２ｍｍ以上の幅が鏡面面取りされてもよく、裏面１２側の境界部３から主表面１１側に向けて０．２ｍｍ以上の幅が鏡面面取りされてもよい。
【００３３】
なお、ウェーハ１の主面１０における主面１０と周縁部との境界部３の近傍の領域を、少なくとも研磨すればよい。
主面１０については、主表面１１及び裏面１２の両面を同時に研磨してもよく、あるいは、主表面１１又は裏面１２の片面ずつを順に研磨をしてもよい。また、主面１０については、熱処理装置の支持ボート４（図４参照）に接触する面側のみを研磨してもよい。
鏡面面取りは、例えば、特開２００６−１５６６８８号公報、特開平９−１８３０５１号公報に記載の技術を用いて行うことができる（第１鏡面面取り工程Ｓ８においても同様）。
【００３４】
（Ｓ１５）第２両面研磨工程
第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４を経たウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して、第１両面研磨工程Ｓ９と同様に、両面研磨加工が施される。
【００３５】
（Ｓ１６）第２鏡面研磨工程
第２両面研磨工程Ｓ１５を経たウェーハ１の主表面１１及び裏面１２に対して、第１鏡面研磨工程Ｓ１０と同様に、鏡面研磨加工が施される。
【００３６】
（Ｓ１７）熱処理後洗浄工程
第２鏡面研磨工程Ｓ１６を経たウェーハ１に対して、洗浄を行う。この洗浄には、例えばＲＣＡ洗浄が用いられる。これにより、熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２及び各研磨工程Ｓ１４〜Ｓ１６におけるウェーハ１の汚染を清浄化することができる。
【００３７】
（Ｓ１８）第２厚み測定工程
熱処理後洗浄工程Ｓ１７を経たウェーハ１の厚みｔを測定する。これにより、熱処理後洗浄工程Ｓ１７の直後におけるウェーハ１の厚みｔを確認することができる。
【００３８】
（Ｓ２１）仕上げ洗浄工程
各工程Ｓ１〜Ｓ１８を経たウェーハに対して、仕上げ洗浄が行われる。仕上げ洗浄には、例えば、ＲＣＡ洗浄液が用いられる。
【００３９】
第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法によれば、例えば、以下の効果が奏される。
第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法においては、ウェーハ１に対して９００℃以上の雰囲気で熱処理を施す熱処理工程Ｓ１２経たウェーハ１の主面１０における境界部３の近傍の領域を、境界部３を含んで研磨する境界部研磨工程Ｓ１４を備えている。そのため、熱処理装置の支持ボート４（図４参照）等との接触によりウェーハ１に生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる。
【００４０】
第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法により、支持ボート４等との接触痕に起因するパーティクルの発生を抑制することができる理由としては、例えば以下のことが考えられる。従来、特に縦型の熱処理炉を備えた熱処理装置においては、ウェーハ１における接触痕は、主面１０（主表面１１、裏面１２）をウェーハ１の厚み方向に研磨すれば（通常の片面研磨又は両面研磨をすれば）、消去できると考えられていた。
【００４１】
しかし、実際には、特に複数のウェーハ１は一度に熱処理するバッチ式の縦型の熱処理炉を備えた熱処理装置においては、ウェーハ１の熱処理炉への出し入れの際にウェーハ１の面内方向の温度の不均一さに起因してウェーハ１に反りが発生していた。そのため、図４に示すように、ウェーハ１は、その主面１０における境界部３の近傍の領域において、支持ボート４に線接触していた。その結果、接触痕は、主として、主面１０における境界部３の近傍の領域に発生していた。境界部３は主面１０に対して角張っているため、境界部３には接触痕が深く形成される。境界部３に形成された接触痕は、通常の片面研磨又は両面研磨では研磨されずに、研磨後においても接触痕の多くが残存していた。そのため、残存した接触痕から、パーティクルが発生していた。
【００４２】
このような現象は、ウェーハ１の直径が大きくなるほど反りやすくなるため顕著となる。例えば、直径が３００ｍｍ、４５０ｍｍのウェーハ１において顕著となる。
また、このような現象は、熱処理工程における雰囲気の温度が高くなるほど、接触痕や歪みが広がりやすくなるため顕著となる。特に、転位の移動速度が増加する９００℃以上の雰囲気において顕著となる。
【００４３】
これに対して、第１実施態様の半導体ウェーハの製造方法においては、主面１０における境界部３の近傍の領域を研磨するため、通常の片面研磨又は両面研磨で研磨した場合に比べて、接触痕の大部分を除去することができる。そのため、支持ボート４等との接触痕に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。また、接触痕によるキズがなくなり、ウェーハ１の機械的強度が向上し、ウェーハ１の割れが発生しにくくなる。
【００４４】
また、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４を経たウェーハ１の両主面１０（主表面１１、裏面１２）をそれぞれ研磨する第２両面研磨工程Ｓ１５及び第２鏡面研磨工程Ｓ１６を更に備えているため、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４による両主面１０の荒れを除去することができると共に、境界部３のキズを完全に除去することができる。
【００４５】
次に、本発明の半導体ウェーハの製造方法の他の実施態様である第２実施態様及び第３実施態様について説明する。他の実施態様については、主として、第１実施態様とは異なる点を説明し、第１実施態様と同様の構成について同じ符号を付し、説明を省略する。他の実施態様について特に説明しない点については、第１実施態様についての説明が適宜適用される。他の実施態様においても、第１実施態様と同様の効果が奏される。
【００４６】
〔第２実施態様〕
図５は、本発明の半導体ウェーハの第２実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。図５に示すように、第２実施態様のウェーハの製造方法は、第１実施態様のウェーハの製造方法に比して、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４と第２両面研磨工程Ｓ１５との順序が異なる。それ以外は、第１実施態様と同じである。
【００４７】
〔第３実施態様〕
図６は、本発明の半導体ウェーハの第３実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。図６に示すように、第３実施態様のウェーハの製造方法は、第１実施態様のウェーハの製造方法に比して、第２両面研磨工程Ｓ１５と第２鏡面研磨工程Ｓ１６との間に、境界部研磨工程としての第３鏡面面取り工程Ｓ２２を備える。第３鏡面面取り工程Ｓ２２は、第２鏡面面取り工程Ｓ１４の後に行うものであるため、第２鏡面面取り工程Ｓ１４に比して、簡易な研磨を行うだけでよい。
【００４８】
〔第４実施態様〕
図７は、本発明の半導体ウェーハの第４実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。図７に示すように、第４実施態様のウェーハの製造方法は、第１実施態様のウェーハの製造方法に比して、エッチング工程Ｓ７と熱処理前洗浄工程Ｓ１１との間に、第１鏡面面取り工程Ｓ８、第１両面研磨工程Ｓ９、第１鏡面研磨工程Ｓ１０などの面取り工程、研磨工程などが行われない点が異なる。従って、エッチング工程Ｓ７を経たウェーハ１には、面取りや研磨などが施されることなく、熱処理前洗浄が行われ、その後、熱処理が施される。
【００４９】
なお、第２実施態様及び第３実施態様についても、第４実施態様と同様に、エッチング工程Ｓ７と熱処理前洗浄工程Ｓ１１との間に、第１鏡面面取り工程Ｓ８、第１両面研磨工程Ｓ９、第１鏡面研磨工程Ｓ１０などの面取り工程、研磨工程などが行われないようにすることができる。
【００５０】
以上、本発明の半導体ウェーハの製造方法の実施態様について説明したが、本発明は、前述した実施態様に制限されるものではない。
例えば、ウェーハ１の両主面１０（主表面１１、裏面１２）をそれぞれ研磨する両面研磨工程（第２両面研磨工程Ｓ１５及び第２鏡面研磨工程Ｓ１６）は、前述の実施態様においては、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４の後に行われているが、これに制限されず、熱処理工程Ｓ１２と境界部研磨工程Ｓ１４との間に行うこともできる。
熱処理装置においてウェーハ１と接触する部材は、支持ボート４に制限されない。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５２】
〔実施例１〕
インゴット成長工程Ｓ１においてチョクラルスキー法でシリコン単結晶を引き上げて単結晶シリコンインゴットを成長させる。この単結晶シリコンインゴットに対して、外形研削工程Ｓ２、スライス工程Ｓ３、面取り工程Ｓ４、ラッピング工程Ｓ５、平面研削工程Ｓ６、エッチング工程Ｓ７、第１鏡面面取り工程Ｓ８、第１両面研磨工程Ｓ９、第１鏡面研磨工程Ｓ１０、熱処理前洗浄工程Ｓ１１の各工程を順次行って、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを得る。熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２として、得られたシリコンウェーハに対して、縦型の熱処理装置を用いて、１２００℃のアルゴンガスの雰囲気中において、熱処理を６０分間行った。
【００５３】
その後、第１厚み測定工程Ｓ１３を行った後、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４として、シリコンウェーハにおける主面１０における境界部３の近傍の領域及び面取り面２における境界部３の近傍の領域を、境界部３を跨いで研磨パッドに接触させて、鏡面研磨（鏡面面取り）を行った。この鏡面研磨を行う際に使用する研磨剤などにより主表面１１が荒れるため、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４の後、第２両面研磨工程Ｓ１５及び第２鏡面研磨工程Ｓ１６を行い、その後、熱処理後洗浄工程Ｓ１７、第２厚み測定工程Ｓ１８及び仕上げ洗浄工程Ｓ２１の各工程を順次行った。
【００５４】
仕上げ洗浄工程Ｓ２１を経たウェーハ１に対して、表面欠陥検査装置（ＫＬＡ−テンコール社製  サーフスキャンＳＰ２）を用いて３７ｎｍサイズのＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ）を測定した。
【００５５】
〔実施例２〕
実施例１と比べて、アルゴンガスの温度を１１５０℃とし、熱処理時間を２４０分とした。それ以外は、実施例１と同じである。
【００５６】
〔比較例１〕
実施例１と比べて、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４を行わなかった。それ以外は、実施例１と同じである。
【００５７】
〔比較例２〕
実施例２と比べて、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４を熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２の前に行った。それ以外は、実施例１と同じである。
【００５８】
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２についてのＬＰＤを測定結果を下記〔表１〕に示す。
【００５９】
【表１】
2010040876.tif 000003
【００６０】
実施例１と比較例１との比較及び実施例２と比較例２との比較から、熱処理工程（表面改質工程）Ｓ１２の後に、第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）Ｓ１４を行うことにより、パーティクルの発生量が少ないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の半導体ウェーハの製造方法の第１実施態様の前半を示すフローチャートである。
【図２】図１に示すフローの続きを示すフローチャートである。
【図３】周縁部に面取り面２が形成されている半導体ウェーハ１における周縁部近傍を示す部分断面図である。
【図４】支持ボート４に支持された半導体ウェーハ１を示す模式図である。
【図５】本発明の半導体ウェーハの第２実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。
【図６】本発明の半導体ウェーハの第３実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。
【図７】本発明の半導体ウェーハの第４実施態様の後半を示すフローチャート（図２対応図）である。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体ウェーハ
２  面取り面
３  境界部
１０  主面
１１  主表面
１２  裏面
Ｓ４  面取り工程（面取り工程）
Ｓ８  第１鏡面面取り工程（面取り工程）
Ｓ１２  熱処理工程
Ｓ１４  第２鏡面面取り工程（境界部研磨工程）
【図１】
2010040876.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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