(57)【要約】【課題】半導体発光素子を構成する発光素子部が形成された発光素子製造用基板を他の基板に貼り合わせたとき、発光素子部に応力が生じ難い半導体発光素子組立体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子組立体の製造方法は、（Ａ）積層構造体１０Ｂ及び第２電極１５を有する複数の発光素子部１０Ａを設けた後、（Ｂ）各発光素子部の第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部１７Ａを有する絶縁層１７を全面に形成し、その後、（Ｃ）各発光素子部に、開口部１７Ａの底部に露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層１７上に亙りパターニングされた取出し電極１６を設け、次いで、（Ｄ）全面を覆う接着層１８を形成した後、該接着層１８を用いて支持基板２０を接着する各工程を具備し、工程（Ｄ）において、取出し電極１６の一部分が露出した接着層１８を、取出し電極１６上に、直接、形成する。【選択図】  図１
2010245365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）発光素子製造用基板上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有し、相互に分離された複数の発光素子部を設けた後、
（Ｂ）各発光素子部の第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層を全面に形成し、その後、
（Ｃ）各発光素子部に、開口部の底部に露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙りパターニングされた取出し電極を設け、次いで、
（Ｄ）全面を覆う接着層を形成した後、該接着層を用いて支持基板を接着する、
各工程を具備し、
前記工程（Ｄ）において、取出し電極の一部分が露出した接着層を、取出し電極上に、直接、形成する半導体発光素子組立体の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）において形成される絶縁層の開口部の平面形状は矩形である請求項１に記載の半導体発光素子組立体の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ｃ）において、開口部の底部に露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り物理的気相成長法に基づき取出し電極層を形成した後、取出し電極層をパターニングすることで、各発光素子部にパターニングされた取出し電極を設ける請求項１に記載の半導体発光素子組立体の製造方法。
【請求項４】
第２電極の頂面上における取出し電極の平均厚さは、０．１μｍ乃至１μｍである請求項３に記載の半導体発光素子組立体の製造方法。
【請求項５】
各発光素子部の外周部における接着層の最大厚さｔmaxは、１．５μｍ以下である請求項１に記載の半導体発光素子組立体の製造方法。
【請求項６】
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層が形成されており、取出し電極の残部の上には第２絶縁層が形成されていない半導体発光素子。
【請求項７】
第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第２電極の頂面上における取出し電極の平均厚さは、０．１μｍ乃至１μｍである請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
外周部における第２絶縁層の最大厚さｔmaxは、１．５μｍ以下である請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である半導体発光素子。
【請求項１１】
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された電子機器であって、
各半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成し、
接着剤から成る第２絶縁層が、取出し電極の一部の上に、直接、形成されており、取出し電極の残部の上には形成されていない電子機器。
【請求項１２】
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された電子機器であって、
各半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成し、
第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である電子機器。
【請求項１３】
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された画像表示装置であって、
各半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成し、
接着剤から成る第２絶縁層が、取出し電極の一部の上に、直接、形成されており、取出し電極の残部の上には形成されていない画像表示装置。
【請求項１４】
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された画像表示装置であって、
各半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成し、
第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小な素子を表示装置用基板に実装することで製造される電子機器が多々あり、その一例として、発光ダイオード表示装置を挙げることができる。発光ダイオード表示装置においては、赤色発光ダイオードが赤色発光副画素（サブピクセル）として機能し、緑色発光ダイオードが緑色発光副画素として機能し、青色発光ダイオードが青色発光副画素として機能し、これらの３種類の副画素の発光状態によってカラー画像を表示する。
【０００３】
発光ダイオード表示装置は、通常、第１の方向に延びる複数の第１の配線、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、並びに、第１接続部及び第２接続部に接続された複数の発光ダイオードから構成されている。そして、第１の配線と第２の配線とが重複する領域に発光ダイオードが配置され、第１接続部が第１の配線と接続され、第２接続部が第２の配線と接続されている。
【０００４】
例えば、対角４０インチのフルＨＤ（High Definition）高精細フルカラー表示装置においては、画面の水平方向の画素数が１９２０、画面の垂直方向の画素数が１０８０である。従って、この場合、実装する発光ダイオードの個数は、１９２０×１０８０×（１画素を構成するのに要する赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードの３種の発光ダイオードの個数）であり、約６００万個となる。それ故、このような膨大な数の発光ダイオードを公称４０インチの表示装置用基板に実装するための方法として、画面サイズよりも小さなサイズで発光ダイオードをアレイ状に形成し、この発光ダイオード・アレイから発光ダイオードを表示装置用基板に位置をずらしながら順次実装する方法、即ち、ステップ転写法（ステップ実装法）が知られている（例えば、特開２００４−２７３５９６、特開２００４−２８１６３０参照）。
【０００５】
通常、多数の発光素子部５１０Ａを、発光素子製造用基板にアレイ状に作製する。そして、これらの発光素子部５１０Ａのそれぞれを、発光素子製造用基板から表示装置用基板に移動（例えば転写）する。ここで、発光素子製造用基板に形成された発光素子部５１０Ａは、模式的な一部端面図を図２９に示すように、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層５１１、活性層５１３、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層５１２が順次形成されて成る。更には、第２化合物半導体層５１２上にはｐ側電極５１５が形成されており、第１化合物半導体層５１１上にはｎ側電極が形成される。尚、図２９に示した構造は、ｎ側電極が形成される以前の工程における構造である。ここで、参照番号５１９は発光素子製造用基板を指し、参照番号５２０は、ステップ転写法（ステップ実装法）に用いられる支持基板を指す。そして、発光素子部５１０Ａと発光素子部５１０Ａとの間の発光素子製造用基板５１９の部分の上には絶縁層５１７が形成されており、各発光素子部５１０Ａにあっては、ｐ側電極５１５の頂面から絶縁層５１７に亙り取出し電極５１６が設けられている。更には、ステップ転写法（ステップ実装法）における第２の配線（図示せず）との電気的な接続のために、取出し電極５１６上には銅メッキ層５３０が形成されている。また、銅メッキ層５３０と銅メッキ層５３０との間の絶縁層５１７の部分の上には、支持基板５２０との貼り合わせのために接着層５１８が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２７３５９６
【特許文献２】特開２００４−２８１６３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、絶縁層５１７の上方にあっては、銅メッキ層５３０の厚さは２μｍ程度である。従って、銅メッキ層５３０と銅メッキ層５３０との間の絶縁層５１７の部分の上にも、２μｍ程度、あるいはそれ以上の厚さを有する接着層５１８が形成される。このような状態で支持基板５２０を貼り合わせると、接着層５１８の硬化に伴い接着層５１８が収縮し、発光素子部５１０Ａに応力（図２９において、白抜きの矢印で示す）が生じる。その結果、最終的に得られる発光ダイオードの駆動電圧が上昇したり、光出力が低下するといった特性劣化が発光ダイオードに生じてしまう。
【０００８】
従って、本発明の目的は、半導体発光素子を構成する発光素子部が形成された発光素子製造用基板を他の基板に貼り合わせたとき、発光素子部に応力が生じ難い半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子組立体の製造方法は、
（Ａ）発光素子製造用基板上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有し、相互に分離された複数の発光素子部を設けた後、
（Ｂ）各発光素子部の第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層を全面に形成し、その後、
（Ｃ）各発光素子部に、開口部の底部に露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙りパターニングされた取出し電極を設け、次いで、
（Ｄ）全面を覆う接着層を形成した後、該接着層を用いて支持基板を接着する、
各工程を具備し、
前記工程（Ｄ）において、取出し電極の一部分が露出した接着層を、取出し電極上に、直接、形成する。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備している。
【００１１】
そして、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、取出し電極の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層が形成されており、取出し電極の残部の上には第２絶縁層が形成されていない。
【００１２】
また、本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る電子機器あるいは画像表示装置は、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された電子機器あるいは画像表示装置であり、
各半導体発光素子は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第２化合物半導体層の上に設けられた第２電極を有する発光素子部、
（ｂ）発光素子部の側面から第２化合物半導体層の頂面外周部を被覆し、第２電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層、
（ｃ）露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り形成された取出し電極、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を具備しており、
取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成する。
【００１４】
そして、本発明の第１の態様に係る電子機器あるいは画像表示装置にあっては、接着剤から成る第２絶縁層が、取出し電極の一部の上に、直接、形成されており、取出し電極の残部の上には形成されていない。
【００１５】
また、本発明の第２の態様に係る電子機器あるいは画像表示装置にあっては、第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体発光素子組立体の製造方法、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子、本発明の第１の態様に係る電子機器、あるいは、本発明の第１の態様に係る画像表示装置にあっては、基本的には、取出し電極の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層（あるいは接着層）が形成されており、取出し電極の残部の上には第２絶縁層（あるいは接着層）が形成されていない。従って、第２絶縁層（あるいは接着層）の収縮量を減少させることができる結果、半導体発光素子を構成する発光素子部が形成された発光素子製造用基板を他の基板に貼り合わせたとき、半導体発光素子あるいは発光素子部に生じる応力の低減を図ることができる。また、本発明の第２の態様に係る半導体発光素子、本発明の第２の態様に係る電子機器、あるいは、本発明の第２の態様に係る画像表示装置にあっては、第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である。従って、取出し電極上を占める第２絶縁層（あるいは接着層）の面積の減少を図ることができる結果、半導体発光素子あるいは発光素子部に生じる応力の低減を図ることができる。そして、以上の結果として、駆動電圧が上昇したり、光出力が低下するといった特性劣化が半導体発光素子に生じるといった問題の発生を確実に回避することができる。更には、取出し電極の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層（あるいは接着層）が形成されており、取出し電極の残部の上には第２絶縁層（あるいは接着層）が形成されていないので、半導体発光素子あるいは発光素子部の高い平坦性を保持することができ、プロセスの信頼性、半導体発光素子あるいは発光素子部の信頼性向上につながる。尚、取出し電極が、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成するので、特に、取出し電極上には銅メッキ層を形成する必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図１の（Ａ）は、支持基板を貼り合わせる前の状態を示す図であり、図１の（Ｂ）は、支持基板を貼り合わせた後の状態を示す図である。
【図２】図２は、実施例１の半導体発光素子における第２化合物半導体層の頂面外周部の縁部、第２電極、絶縁層に設けられた開口部の配置を模式的に示す図である。
【図３】図３は、実施例１の半導体発光素子における取出し電極の縁部の形状を模式的に示す図である。
【図４】図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１の本発明の半導体発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子製造用基板等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５は、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図６】図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿った模式的な一部断面図である。
【図７】図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図である。
【図８】図８の（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図８の（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図９の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２２】図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２３】図２３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２４】図２４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２５】図２５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２６】図２６は、実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図２７】図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【図２８】図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【図２９】従来の発光素子製造用基板に形成された発光ダイオードの模式的な一部端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の半導体発光素子組立体の製造方法、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、及び、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、及び、本発明の半導体発光素子組立体の製造方法）
３．実施例２（本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、及び、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置）
４．実施例３（実施例２の変形、その他）
【００１９】
本発明の半導体発光素子組立体の製造方法にあっては、前記工程（Ｂ）において形成される絶縁層の開口部の平面形状は矩形である構成とすることができる。尚、第２化合物半導体層の平面形状も矩形であり、絶縁層の開口部の平面形状と第２化合物半導体層の平面形状とは相似であることが望ましい。また、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子において、第２化合物半導体層の平面形状及び絶縁層の開口部の平面形状は矩形である構成とすることができる。尚、絶縁層の開口部の平面形状と第２化合物半導体層の平面形状とは相似であることが望ましい。本発明の第２の態様に係る半導体発光素子においても、絶縁層の開口部の平面形状と第２化合物半導体層の平面形状とは相似であることが望ましい。
【００２０】
上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子組立体の製造方法にあっては、前記工程（Ｃ）において、開口部の底部に露出した第２電極の頂面上から絶縁層上に亙り物理的気相成長法（ＰＶＤ法）に基づき取出し電極層を形成した後、取出し電極層をパターニングすることで、各発光素子部にパターニングされた取出し電極を設ける形態とすることができる。そして、この場合、あるいは又、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、電子機器、画像表示装置において、第２電極の頂面上における取出し電極の平均厚さを０．１μｍ乃至１μｍとすることが望ましい。
【００２１】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の半導体発光素子組立体の製造方法、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置において、各発光素子部あるいは半導体発光素子の外周部における接着層（あるいは第２絶縁層）の最大厚さｔmaxは１．５μｍ以下であることが望ましい。
【００２２】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の半導体発光素子組立体の製造方法、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置（以下、これらを総称して、単に『本発明』と呼ぶ場合がある）において、活性層と接する面と対向する第１化合物半導体層の面を基準とした、発光素子部と発光素子部との間に位置する発光素子製造用基板の領域に形成された絶縁層の最も薄い部分の高さをＨ0、第２電極の外周部を被覆する絶縁層の最も厚い部分の高さをＨ1としたとき、（Ｈ1−Ｈ0）の値は、０．５μｍ乃至１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器あるいは画像表示装置にあっては、取出し電極は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成するが、前者の形態にあっては、第２接続部の延在部が取出し電極まで延びている形態、第２接続部と取出し電極とが導電材料層によって接続されている形態を挙げることができ、一方、後者の形態にあっては、取出し電極それ自体が第２接続部となっている形態を挙げることができる。一方、第１電極は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成するが、前者の形態にあっては、第１接続部の延在部が第１電極まで延びている形態、第１接続部と第１電極とが導電材料層によって接続されている形態を挙げることができ、一方、後者の形態にあっては、第１電極それ自体が第１接続部となっている形態を挙げることができる。
【００２４】
本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器あるいは画像表示装置において、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザを挙げることができる。
【００２５】
半導体発光素子の大きさ（例えばチップサイズ）は特に制限されないが、典型的には微小なものであり、具体的には、例えば１ｍｍ以下、あるいは、例えば０．３ｍｍ以下、あるいは、例えば０．１ｍｍ以下、より具体的には０．０３ｍｍ以下の大きさである。電子機器（あるいは画像表示装置）を構成する半導体発光素子は複数であり、電子機器の用途や機能、電子機器や画像表示装置に要求される仕様等に応じて、半導体発光素子の数、種類、実装（配置）、間隔等が決められる。
【００２６】
本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置において、複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。尚、全体として帯状である配線は、帯状に延びる幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２７】
一方、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器において、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として第１の方向に延びており、第２の配線も、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びており、第２の配線は、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。尚、配線は、例えば、幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２８】
第１の配線、第２の配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）錫（Ｓｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；これらの金属から成る導電性粒子；これらの金属を含む合金の導電性粒子；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。第１の配線、第２の配線の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザ・アブレーション法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法；及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。第１の配線を構成する材料と、第２の配線を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた第１の配線、第２の配線を形成することも可能である。
【００２９】
取出し電極を構成する材料として、第１の配線、第２の配線を構成する上述した各種材料を挙げることができる。また、取出し電極の形成方法として、上述した各種のＰＶＤ法を挙げることができる。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた取出し電極を形成することも可能である。
【００３０】
絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。また、感光性の絶縁材料（例えば、感光性ポリイミド系樹脂やポリアミド系樹脂）を用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯX系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。絶縁層の形成方法として、上述の各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スピンコート法；上述した各種印刷法；上述した各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；及び、スプレー法の内のいずれかを挙げることができる。
【００３１】
以上に説明した好ましい構成を含む本発明において、接着層、第２絶縁層を構成する接着剤は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等のエネルギー線や、熱、圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。ここで、容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤材料、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。感光性接着剤としては従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケイ皮酸ビニルやポリビニルアジドベンザル等の光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミド等の光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポジ型のものなどを用いることができる。また、熱硬化性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド系樹脂等を用いることができる。更には、熱可塑性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド系樹脂等を用いることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、感光性接着剤に光や紫外線を照射することによって、感光性接着剤に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、熱プレス装置等により加熱することによって、熱硬化性接着剤に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により熱可塑性接着剤の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせた後、冷却することで、熱可塑性接着剤に接着機能を発揮させることができる。接着層や接着剤を構成する材料として、その他、例えば、感圧性接着剤（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等や、形成しただけで接着機能を有するものを挙げることもできる。
【００３２】
電子機器として、例えば、発光ダイオード表示装置、発光ダイオードを用いたバックライト、発光ダイオード照明装置、広告媒体を挙げることができる。電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含み、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品等である。赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードとして、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いたものを用いることができ、赤色発光ダイオードとして、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いたものを用いることもできる。
【００３３】
本発明における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層を構成する化合物半導体として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶を含む）、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。赤色を発光する発光ダイオード、緑色を発光する発光ダイオード、青色を発光する発光ダイオードを製造するためには、上記の化合物半導体やその組成を、適宜、選択すればよい。
【００３４】
尚、第１導電型をｎ型とする場合、第２導電型はｐ型であるし、第１導電型をｐ型とする場合、第２導電型はｎ型である。
【００３５】
第１化合物半導体層へ第１電極を電気的に接続するためには、例えば、第１電極を第１化合物半導体層上に形成すればよい。同様に、第２電極を第２化合物半導体層上に形成すればよい。第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする場合、第１電極はｎ側電極であり、第２電極はｐ側電極となる。一方、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とする場合、第１電極はｐ側電極であり、第２電極はｎ側電極となる。ここで、ｐ側電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇｅを挙げることができる。また、ｎ側電極として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ｔｉを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、第１電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。透明導電材料から成る層を電流拡散層として用いて、第１電極をｎ側電極とする場合、第１電極をｐ側電極とする場合に挙げた金属積層構造とを組み合わせてもよい。
【００３６】
発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。尚、赤色を発光する発光ダイオード、緑色を発光する発光ダイオード、青色を発光する発光ダイオードを製造するためには、これらの基板から、適宜、選択すればよい。
【００３７】
支持基板や、各種の製造工程にて用いられる各種の基板を構成する材料として、上述した発光素子製造用基板を構成する材料の他、サファイア基板、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。また、各種の基板の貼り合わせ方法、固定方法として、接着材料を用いる方法、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を例示することができる。一方、各種基板を剥離する方法、基板の除去方法として、例えば、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法といった方法を挙げることができる。
【００３８】
半導体発光素子あるいは発光素子部を支持基板等から分離方法として、レーザ照射法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、ダイシング法を例示することができる。
【実施例１】
【００３９】
実施例１は、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る半導体発光素子、及び、本発明の半導体発光素子組立体の製造方法に関する。
【００４０】
実施例１の半導体発光素子（具体的には、実施例１にあっては、発光ダイオード，ＬＥＤ）の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。また、実施例１の半導体発光素子における第２化合物半導体層の頂面外周部の縁部、第２電極、絶縁層に設けられた開口部の配置を模式的に図２に示し、実施例１の半導体発光素子における取出し電極１６の縁部の形状を模式的に図３に示す。
【００４１】
実施例１の半導体発光素子（発光ダイオード１０）は、
（ａ）第１導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層１１、活性層１３、及び、第１導電型とは異なる第２導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層１２が順次積層されて成る積層構造体１０Ｂ、並びに、第２化合物半導体層１２の上に設けられた第２電極１５を有する発光素子部１０Ａ、
（ｂ）発光素子部１０Ａの側面から第２化合物半導体層１２の頂面外周部を被覆し、第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部１７Ａを有する絶縁層１７、
（ｃ）露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層１７上に亙り形成された取出し電極１６、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１４、
を具備している。尚、図１の（Ａ）は、支持基板２０を貼り合わせる前の状態を示す図であり、図１の（Ｂ）は、支持基板２０を貼り合わせた後の状態を示す図である。また、図１の（Ａ）及び（Ｂ）には、第１電極１４は図示していない。
【００４２】
そして、実施例１の半導体発光素子（発光ダイオード１０）にあっては、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子に則して表現すれば、取出し電極１６の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層（接着層）１８が形成されており、取出し電極１６の残部の上には第２絶縁層（接着層）１８が形成されていない。また、本発明の第２の態様に係る半導体発光素子に則して表現すれば、図２に絶縁層１７に設けられた開口部１７Ａの部分的平面図を示すように、絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状は矩形である。ここで、第２化合物半導体層１２の平面形状も矩形（一辺の長さ１４μｍ±１μｍ）である。更には、絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状と第２化合物半導体層１２の平面形状とは相似である。尚、図２において、第２化合物半導体層１２の頂面外周部の縁部を実線で示し、第２電極１５の縁部を点線で示し、絶縁層１７に設けられた開口部１７Ａを一点鎖線で示す。
【００４３】
実施例１において、半導体発光素子が赤色を発光する場合、第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から構成し、緑色を発光する場合、第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成し、青色を発光する場合、第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成すればよい。また、第１化合物半導体層１１は第１電極１４に電気的に接続されているが、具体的には、後述する図８の（Ｂ）に示すように、第１電極１４は第１化合物半導体層１１上に形成されている。実施例１においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としているので、第１電極１４はｎ側電極であり、第２電極１５はｐ側電極となる。ここで、第２電極１５は、具体的には、Ｎｉ等のオーミックコンタクト材料から構成されており、第１電極１４は、具体的には、Ｔｉ等のオーミックコンタクト材料から構成されている。また、絶縁層１７は感光性ポリイミド系樹脂から成り、第２絶縁層（接着層）１８はエポキシ系熱硬化性樹脂から成る。
【００４４】
以下、図１の（Ａ）、（Ｂ）、図４の（Ａ）〜（Ｃ）の発光素子製造用基板等の模式的な一部端面図を参照して、実施例１の半導体発光素子組立体の製造方法を説明する。
【００４５】
［工程−１００］
先ず、周知の方法に基づき、発光素子製造用基板１９Ａ上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、活性層１３、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２が順次積層されて成る積層構造体１０Ｂ、並びに、第２化合物半導体層１２の上に設けられた第２電極１５を有し、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを設ける（図４の（Ａ）参照）。
【００４６】
具体的には、例えば、公称口径２インチのサファイア基板から成る発光素子製造用基板１９Ａの上にＭＯＣＶＤ法に基づきバッファ層１９Ｂを形成し、その上に、更に、ＭＯＣＶＤ法に基づき、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、活性層１３、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１２を順次形成する。そして、第２化合物半導体層１２上に、リフトオフ法及び真空蒸着法にてｐ側電極である第２電極１５を形成した後、第１化合物半導体層１１、活性層１３及び第２化合物半導体層１２をパターニングして、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを得る。あるいは又、第１化合物半導体層１１、活性層１３及び第２化合物半導体層１２をパターニングして、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを得た後、第２化合物半導体層１２上に、リフトオフ法及び真空蒸着法にてｐ側電極である第２電極１５を形成してもよい。
【００４７】
［工程−１１０］
その後、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部１７Ａを有する絶縁層１７を全面に形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面に、感光性ポリイミド系樹脂を塗布する。その後、図示しないマスクを用いて、感光性ポリイミド系樹脂の露光を行い、更に、感光性ポリイミド系樹脂の現像、硬化を行うことで、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部１７Ａを有する絶縁層１７を得ることができる（図４の（Ｂ）参照）。尚、絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状は矩形であり、しかも、絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状と第２化合物半導体層１２の平面形状とは相似である（図２参照）。
【００４８】
［工程−１２０］
次に、各発光素子部１０Ａに、開口部１７Ａの底部に露出した第２電極１２の頂面上から絶縁層１７上に亙りパターニングされた取出し電極１６を設ける（図４の（Ｃ）参照）。具体的には、開口部１７Ａの底部に露出した第２電極１２の頂面上から絶縁層１７上に亙り、スパッタリング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）に基づき、チタン層（下層）／銅層（上層）の積層構造から成る取出し電極層を形成した後、取出し電極層を周知の方法でパターニングすることで、取出し電極１６を得ることができる。尚、第２電極１２の頂面上における取出し電極１６の平均厚さを０．５５μｍとした。また、図４の（Ｂ）に示すように、活性層１３と接する面と対向する第１化合物半導体層１１の面を基準とした、発光素子部１０Ａと発光素子部１０Ａとの間に位置する発光素子製造用基板１９Ａの領域に形成された絶縁層１７の最も薄い部分の高さをＨ0、第２電極１５の外周部を被覆する絶縁層１７の最も厚い部分の高さをＨ1としたとき、
Ｈ1−Ｈ0≦１．５（μｍ）
である。
【００４９】
［工程−１３０］
その後、全面を覆う接着層１８を形成した後、この接着層１８を用いて支持基板２０を接着する。ここで、取出し電極１６の一部分が露出した接着層１８を取出し電極１６上に、直接、形成する（図１の（Ａ）参照）。具体的には、エポキシ系熱硬化性樹脂から成る接着層１８を、スピンコート法に基づき全面に形成し、接着層１８を乾燥させる。具体的には、取出し電極１６の一部分が露出した取出し電極１６上に（発光素子製造用基板１９Ａの中心に）、接着剤を１滴、滴下し、発光素子製造用基板１９Ａを熱プレス機により圧着することで、接着剤を均一に延ばせばよい。接着層１８の粘度等の物性の調整、スピンコート条件の最適化等によって、取出し電極１６の一部分が露出した接着層１８を取出し電極１６上に、直接、形成することができる。尚、各発光素子部１０Ａ（あるいは発光ダイオード１０）の外周部における接着層（第２絶縁層）１８の最大厚さｔmax（図１の（Ａ）参照）は１μｍ以下であった。その後、熱プレス装置を使用し、接着層１８によって、サファイア基板から成る支持基板２０を接着する（図１の（Ｂ）参照）。
【００５０】
こうして実施例１にて得られた発光素子部１０Ａから発光ダイオードを作製した。併せて、図２９に図示した従来の構造を有する発光ダイオード（比較例１）を作製した。そして、実施例１及び比較例１の発光ダイオードの動作電圧、光出力を測定したところ、比較例１にあっては、実施例１と比べて、動作電圧が最大１．５ボルト増加し、光出力は最大で約５０％減少していた。尚、実施例１及び比較例１の発光ダイオードの各部位の厚さは以下の表１のとおりである。ここで、表１中、「樹脂層上の厚さ」とは、支持基板２０と接着層１８及び取出し電極１６との間に設けられた層（図示せず）の厚さを指す。
【００５１】
［表１］
実施例１          比較例１
樹脂層上の厚さ              ２．１μｍ        ０．８μｍ
銅メッキ層の厚さ            −−−            １．３μｍ
取出し電極の厚さ            ０．５５μｍ      ０．５５μｍ
第２電極の厚さ              ０．３５μｍ      ０．３５μｍ
積層構造体の厚さ            ２．８μｍ        ２．８μｍ
【００５２】
実施例１の半導体発光素子にあっては、取出し電極１６の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層（あるいは接着層）１８が形成されており、取出し電極１６の残部の上には第２絶縁層（あるいは接着層）１８が形成されていない。従って、第２絶縁層（あるいは接着層）１８の硬化時の収縮量を減少させることができる結果、半導体発光素子を構成する発光素子部１０Ａが形成された発光素子製造用基板１９Ａを他の基板（支持基板２０）に貼り合わせたとき、半導体発光素子あるいは発光素子部１０Ａに生じる応力の低減を図ることができる。また、第２化合物半導体層１２の平面形状及び絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状は矩形である。従って、取出し電極１６上を占める第２絶縁層（あるいは接着層）１８の面積の減少を図ることができる。その結果、半導体発光素子あるいは発光素子部に生じる応力の低減を図ることができる。そして、以上の結果として、上述したとおり、駆動電圧が上昇したり、光出力が低下するといった特性劣化が半導体発光素子に生じるといった問題の発生を確実に回避することができる。更には、取出し電極１６の一部の上に、直接、接着剤から成る第２絶縁層（あるいは接着層）１８が形成されており、取出し電極１６の残部の上には第２絶縁層（あるいは接着層）１８が形成されていないので、半導体発光素子あるいは発光素子部の高い平坦性を保持することができ、プロセスの信頼性、半導体発光素子あるいは発光素子部の信頼性向上につながる。
【００５３】
以上で、実施例１の半導体発光素子を得ることができる。但し、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置を得るためには、以上の工程に引き続き、実施例２において説明する工程を実行する必要がある。
【実施例２】
【００５４】
本発明の第１の態様〜第２の態様に係る電子機器、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る画像表示装置に関する。
【００５５】
実施例２における電子機器あるいは画像表示装置は、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１接続部及び第２接続部を備え、第１接続部が第１の配線に電気的に接続され、第２接続部が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成された電子機器あるいは画像表示装置である。
【００５６】
そして、各半導体発光素子（発光ダイオード１０）は、具体的には、実施例１にて説明した半導体発光素子（発光ダイオード）から構成されている。即ち、具体的には、各半導体発光素子（発光ダイオード１０）は、
（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、活性層１３、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２が順次積層されて成る積層構造体１０Ｂ、並びに、第２化合物半導体層１２の上に設けられた第２電極１５を有する発光素子部１０Ａ、
（ｂ）発光素子部１０Ａの側面から第２化合物半導体層１２の頂面外周部を被覆し、第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部１７Ａを有する絶縁層１７、
（ｃ）露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層１７上に亙り形成された取出し電極１６、並びに、
（ｄ）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１４、
を具備しており、
取出し電極１６は、第２接続部に電気的に接続され、若しくは、第２接続部を構成し、
第１電極１４は、第１接続部に電気的に接続され、若しくは、第１接続部を構成する。
【００５７】
そして、接着剤から成る第２絶縁層１８が、取出し電極１６の一部の上に、直接、形成されており、取出し電極１６の残部の上には形成されていない。あるいは又、絶縁層１７の開口部１７Ａの平面形状は矩形である。
【００５８】
実施例２の画像表示装置は、より具体的には、発光ダイオード表示装置から構成されている。ここで、発光ダイオード表示装置における１画素（１ピクセル）は、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０の組（発光ユニット）から構成されている。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれが、実施例１にて説明した半導体発光素子から構成されている。そして、複数の発光ユニットが、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されている。また、各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第１電極１１４、第２発光ダイオード２１０の第１電極２１４及び第３発光ダイオード３１０の第１電極３１４は、第１接続部（以下、『副共通電極４３』と呼ぶ場合がある）に接続されている。一方、第２方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第２電極（より具体的には、取出し電極１１６）は、第２方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第１の共通電極』あるいは『第１の共通配線』４０１と呼ぶ）に接続されている。また、第２発光ダイオード２１０の第２電極（より具体的には、取出し電極２１６）は、第２方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第２の共通電極』あるいは『第２の共通配線』４０２と呼ぶ）に接続されている。更には、第３発光ダイオード３１０の第２電極（より具体的には、取出し電極３１６）は、第２方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第３の共通電極』あるいは『第３の共通配線』４０３と呼ぶ）に接続されている。尚、第２方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極４３は、第１方向に沿って延びる第１の配線（以下、『第４の共通電極』あるいは『第４の共通配線』４０４と呼ぶ）に接続されている。
【００５９】
尚、発光ユニットを構成する第１発光ダイオードの所望の数をＮ1、発光ユニットを構成する第２発光ダイオードの所望の数をＮ2、発光ユニットを構成する第３発光ダイオードの所望の数をＮ3としたとき、Ｎ1として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ2として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ3として１又は２以上の整数を挙げることができる。Ｎ1とＮ2とＮ3の値は、等しくともよいし、異なっていてもよい。Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3の値が２以上の整数である場合、１つの発光ユニット内において、発光ダイオードは直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せとして、限定するものではないが、（１，１，１）、（１，２，１）、（２，２，２）、（２，４，２）を例示することができる。尚、実施例２にあっては、具体的には、（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せを、（１，１，１）とした。そして、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器は、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード１１０、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード２１０、並びに、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成された発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る。
【００６０】
実施例２において、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から構成し、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成し、青色を発光する第３発光ダイオード３１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成した。
【００６１】
１つの発光ユニットの模式的な平面図を図５に示し、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図を、それぞれ、図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。尚、図５においては、１つの発光ユニットを一点鎖線で囲み、発光ダイオードを点線で示し、３本の第２の配線（第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３）の縁部にクロスハッチングを付し、第２接続部（第２Ａ接続部１２４，第２Ｂ接続部２２４，第２Ｃ接続部３２４）、第３接続部４２４、第１の配線（第４の共通電極４０４）の縁部を実線で示した。
【００６２】
ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、表示装置用基板６１の上に形成されており、副共通電極４３は、表示装置用基板６１の上に固定された固定層３４に形成されている。更には、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、固定層３４に固定されており、固定層３４は、第２絶縁材料層７１によって囲まれている。ここで、第２絶縁材料層７１は、表示装置用基板６１の上に形成された第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３を覆っている。
【００６３】
実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０からの光は、第１電極側から射出される。そして、副共通電極４３は、光を透過させる構造を有する。副共通電極４３は、金属層又は合金層から成る構成とすることができる。あるいは又、副共通電極４３は、光透過電極４２、及び、光透過電極４２から延在する金属層４１から成る。そして、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、それぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された状態で、副共通電極４３上に配置されている。具体的には、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４は光透過電極４２と接している。より具体的には、光透過電極４２は、第１電極１１４，２１４，３１４の上、及び、第１電極１１４，２１４，３１４の周辺に形成されている。一方、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１と接している。具体的には、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１の上に形成されている。ここで、光透過電極４２はＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料から構成されている。一方、金属層４１を構成する材料を、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌといった一般的な金属配線材料とした。
【００６４】
副共通電極４３は、例えば、金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、副共通電極４３をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。あるいは又、副共通電極４３は、例えば、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、光透過電極をＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料から構成したり、光透過電極をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。尚、光を透過させる構造を有する限りにおいて、メッシュ状電極や櫛型電極それ自体は光透過性を有していなくともよい。また、金属層又は合金層を構成する材料として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ等の単体金属あるいはこれらの合金を挙げることができるし、副共通電極４３を２層以上の多層構成とすることもできる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は光透過電極と接しているが、具体的には、光透過電極を、第１電極上、あるいは、第１電極上及び第１電極の周辺に形成すればよい。また、第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している構成とすることが好ましいが、具体的には、金属層又は合金層上に第４コンタクトホール部を形成すればよい。
【００６５】
第１発光ダイオード１１０の第２電極（より具体的には、取出し電極１１６）は、固定層３４に形成された第１コンタクトホール部１２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ａ接続部１２４）を介して、第１の共通電極４０１に接続されている。第２発光ダイオード２１０の第２電極（より具体的には、取出し電極２１６）は、固定層３４に形成された第２コンタクトホール部２２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｂ接続部２２４）を介して、第２の共通電極４０２に接続されている。第３発光ダイオード３１０の第２電極（より具体的には、取出し電極３１６）は、固定層３４に形成された第３コンタクトホール部３２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｃ接続部３２４）を介して、第３の共通電極４０３に接続されている。第１接続部（副共通電極４３）は、固定層３４に形成された第４コンタクトホール部４２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１上に亙り形成された第３接続部４２４を介して、第２絶縁材料層７１上に形成された第１の配線（第４の共通電極４０４）に接続されている。尚、実施例２にあっては、第１コンタクトホール部１２１と第２Ａ接続部１２４との間には、固定層３４に形成された第１パッド部１２２が備えられている。第２コンタクトホール部２２１と第２Ｂ接続部２２４との間には、固定層３４に形成された第２パッド部２２２が備えられている。第３コンタクトホール部３２１と第２Ｃ接続部３２４との間には、固定層３４に形成された第３パッド部３２２が備えられている。第４コンタクトホール部４２１と第３接続部４２４との間には、固定層３４に形成された第４パッド部４２２が備えられている。
【００６６】
第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されており、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２、第４パッド部４２２は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。また、第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４、第３接続部４２４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。
【００６７】
第１化合物半導体層１１は第１電極１１４，２１４，３１４に電気的に接続されているが、具体的には、第１電極１１４，２１４，３１４は第１化合物半導体層１１上に形成されている。同様に、第２化合物半導体層１２は第２電極に電気的に接続されているが、具体的には、第２電極は第２化合物半導体層１２上に形成されている。また、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、第４の共通電極４０４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。固定層３４は、例えば、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、紫外線硬化型樹脂から成る。また、第２絶縁材料層７１は、ポリイミド系樹脂から成る。第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０の固定層３４への固定方法として、予め、埋込み材料層３３の一部を硬化させておき、残部を未硬化とした状態で、未硬化の埋込み材料層３３の部分に第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込み、その後、未硬化の埋込み材料層３３の部分を硬化させる方法を例示することができる。
【００６８】
埋込み材料層３３は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって硬化や固化し得る材料、熱や圧力等を加えることによって硬化や固化し得る材料等、何らかの方法に基づき硬化や固化させ得る材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよく、具体的には、接着層（第２絶縁層）を構成する接着剤にて説明した各種材料を挙げることができる。
【００６９】
第１コンタクトホール部、第２コンタクトホール部、第３コンタクトホール部、第４コンタクトホール部は、例えば、上述した電極材料から構成すればよく、これらのコンタクトホール部の形成方法も、リソグラフィ技術に基づく固定層における開口領域の形成、及び、上述した電極材料に基づく電極の形成方法と同様の方法で形成することができる。また、第１コンタクトホール部から固定層上を延びる第１パッド部の形成方法、第２コンタクトホール部から固定層上を延びる第２パッド部の形成方法、第３コンタクトホール部から固定層上を延びる第３パッド部の形成方法、第４コンタクトホール部から固定層上を延びる第４パッド部の形成方法も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。更には、第２接続部（第２Ａ接続部，第２Ｂ接続部，第２Ｃ接続部）の固定層から第２絶縁材料層に亙る形成、第３接続部の固定層から第２絶縁材料層に亙る形成も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。
【００７０】
以下、図８の（Ａ）〜（Ｃ）、図９の（Ａ）、（Ｂ）、図１０の（Ａ）、（Ｂ）、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図１１の（Ａ）、図１２の（Ａ）、図１３の（Ａ）、図１４の（Ａ）、図１５の（Ａ）、図１６の（Ａ）、図１７の（Ａ）、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）、図２０の（Ａ）は、図５の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１１の（Ｂ）、図１２の（Ｂ）、図１３の（Ｂ）、図１４の（Ｂ）、図１５の（Ｂ）、図１６の（Ｂ）、図１７の（Ｂ）、図１８の（Ｂ）、図１９の（Ｂ）、図２０の（Ｂ）は、図５の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１１の（Ｃ）、図１２の（Ｃ）、図１３の（Ｃ）、図１４の（Ｃ）、図１５の（Ｃ）、図１６の（Ｃ）、図１７の（Ｃ）、図１８の（Ｃ）、図１９の（Ｃ）、図２０の（Ｃ）は、図５の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【００７１】
［工程−２００］
先ず、実施例１に説明した方法に基づき、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。
【００７２】
（工程−２１０）
その後、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板５３に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード１１０、所望の数の第２発光ダイオード２１０及び所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成され、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットを得る。
【００７３】
［工程−２１０Ａ］
具体的には、第１の支持基板上の第１発光ダイオード１１０を固定層３４に転写し、第２の支持基板上の第２発光ダイオード２１０を固定層３４に転写し、第３の支持基板上の第３発光ダイオード３１０を固定層３４に転写する。尚、これらの転写の順序は、本質的に任意である。そのために、固定層３４が設けられた第１転写基板３１を準備しておく。固定層３４は、前述したとおり、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、感光性樹脂から成る。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込むべき埋込み材料層３３の部分を未硬化とし、埋込み材料層３３の他の部分を硬化させておく。
【００７４】
［工程−２１０Ａ−（１）］
そして、先ず、実施例１にて説明したと同様に、支持基板（仮固定用基板）２０に取出し電極１６が接するように支持基板２０に貼り合わせる（図１の（Ｂ）参照）。次いで、発光素子製造用基板１９Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から除去する。その後、露出した第１化合物半導体層１１にｎ側電極である第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を形成する。具体的には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）（より具体的には、第１化合物半導体層１１）と発光素子製造用基板１９Ａとの界面に、発光素子製造用基板１９Ａを介してエキシマレーザを照射する。すると、レーザ・アブレーションが生じる結果、発光素子製造用基板１９Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から剥離することができる（図８の（Ａ）参照）。その後、リフトオフ法と真空蒸着法にてｎ側電極である第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を第１化合物半導体層１１上に形成する。こうして、図８の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。その後、エッチングを行うことで、発光ダイオード１０を分離する。こうして、図８の（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００７５】
［工程−２１０Ａ−（２）］
次に、所望の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を支持基板２０から中継基板２２に転写する。即ち、支持基板２０に貼り合わされた発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、中継基板２２に付着させる。具体的には、先ず、図２７の（Ａ）に模式的に図示するように、発光ダイオード１０がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された支持基板２０上の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に、ガラス板から成る中継基板２２の表面に形成された微粘着層２３を押し当てる（図９の（Ａ）及び図９の（Ｂ）参照）。尚、図２７の（Ａ）、（Ｂ）及び図２８の（Ａ）、（Ｂ）において、中心に「Ｇ」が記載された丸印は、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０を示し、図２８の（Ｂ）において、中心に「Ｒ」が記載された丸印は、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０を示し、中心に「Ｂ」が記載された丸印は、青色を発光する第３発光ダイオード３１０を示す。微粘着層２３は、例えば、シリコーンゴムから成る。中継基板２２は、図示しない位置決め装置に保持されている。そして、位置決め装置の作動によって、中継基板２２と支持基板２０との位置関係を調整することができる。次いで、実装すべき発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に対して、支持基板２０の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図１０の（Ａ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、支持基板２０から剥離する。その後、中継基板２２と発光ダイオード１０との接触を解くと、支持基板２０から剥離した発光ダイオード１０は、微粘着層２３に付着した状態となる（図１０の（Ｂ）参照）。支持基板２０の状態を図２７の（Ｂ）に模式的に図示するが、第２の方向にあっては６個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、また、第１の方向にあっては３個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、微粘着層２３に付着した状態となる。
【００７６】
そして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３の上に配置（移動あるいは転写）する。具体的には、第１転写基板３１上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を中継基板２２から第１転写基板３１の埋込み材料層３３の上に配置する。発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は微粘着層２３に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板２２を第１転写基板３１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、未硬化状態の埋込み材料層３３の上に残される。更には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）をローラー等で埋込み材料層３３に深く埋入することで、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を固定層３４に固定（配置）することができる。第１転写基板３１の状態を図２８の（Ａ）に模式的に図示する。
【００７７】
このような中継基板２２を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が、微粘着層２３に２次元マトリクス状に付着し、第１転写基板３１上に転写される。具体的には、実施例２にあっては、１回のステップ転写において、１２０×９０＝１０８００個の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、微粘着層２３に２次元マトリクス状に付着させ、第１転写基板３１上に転写する。これを４×３回繰り返す。更には、発光ダイオード１１０、発光ダイオード２１０、発光ダイオード３１０のそれぞれについて、第１転写基板３１上への転写を行うので、合計４×３×３回＝３６回の転写を行う。こうして、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで第１転写基板３１に実装することができる。第１転写基板３１の状態を図２８の（Ｂ）に模式的に図示する。図２８の（Ｂ）において、発光ユニットを一点鎖線で囲って示した。また、最終的には、発光ユニットを表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得るが、このときには、４８０×２７０＝１２９６００個の発光ユニットを一度に表示装置用基板６１に転写するとすれば、１６回の転写を行うことで、１９２０×１０８０の発光ユニットから構成された発光ダイオード表示装置を得ることができる。
【００７８】
その後、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が配置された状態の、感光性樹脂から成る未硬化状態の埋込み材料層３３に紫外線を照射することで、埋込み材料層３３を構成する感光性樹脂を硬化させる。こうして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が埋込み材料層３３に固定された状態となる（図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。この状態にあっては、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）の第１電極１４（１１４，２１４，３１４）は露出した状態にある。
【００７９】
［工程−２１０Ｂ］
次に、発光ユニットを形成すべき所望の数（実施例２にあっては、Ｎ1＝１）の第１発光ダイオード１１０、所望の数（実施例２にあっては、Ｎ2＝１）の第２発光ダイオード２１０及び所望の数（実施例２にあっては、Ｎ3＝１）の第３発光ダイオード３１０から成る発光ダイオード群１１０，２１０，３１０におけるそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４上から固定層３４上に亙り、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、副共通電極４３を形成する。
【００８０】
具体的には、先ず、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、第１電極１１４，２１４，３１４から離れた位置に位置する固定層３４の部分の上に、金属層４１を形成する（図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８１】
次いで、金属層４１上から第１電極１１４，２１４，３１４上に亙り、固定層３４の上に、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、光透過電極４２を形成する（図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８２】
［工程−２１０Ｃ］
その後、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板３１を除去する。具体的には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂といったレーザ・アブレーション性を有する樹脂層から成るレーザ剥離層５２、及び、エポキシ系樹脂等から成り、接着層としても機能する第３絶縁層５１が形成された発光ユニット製造用基板５３を準備し、固定層３４及び副共通電極４３を、第３絶縁層５１に貼り合わせて仮固定する（図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。その後、第１転写基板３１の側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、第１転写基板３１は絶縁材料層３２から剥離する（図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８３】
［工程−２１０Ｄ］
次に、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６に接続された第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、この第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２を形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６に接続された第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、この第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２を形成する。更には、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６に接続された第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、この第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２を形成する。併せて、副共通電極４３に接続された第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、この第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２を形成する。こうして、発光ユニットを得ることができる。具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の絶縁材料層３２に開口領域５０１，５０２，５０３，５０４を設ける。そして、係る開口領域５０１，５０２，５０３，５０４内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第１パッド部１２２、第２コンタクトホール部２２１、第２パッド部２２２、第３コンタクトホール部３２１、第３パッド部３２２、第４コンタクトホール部４２１、第４パッド部４２２を得ることができる（図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照、並びに、図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８４】
［工程−２１０Ｅ］
次いで、発光ダイオード群１１０，２１０，３１０から構成された発光ユニットを、固定層３４においてレーザ照射法に基づき分離する。尚、図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）において、レーザを照射する部分を、白抜きの矢印で示す。
【００８５】
実施例２にあっては、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０の配置ピッチは、第１の支持基板における第１発光ダイオード１１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第２発光ダイオード２１０の配置ピッチは、第２の支持基板における第２発光ダイオード２１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第３発光ダイオード３１０の配置ピッチは、第３の支持基板における第３発光ダイオード３１０の製造ピッチの整数倍である。具体的には、第２方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの６倍とし、第１方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの３倍とした。
【００８６】
（工程−２２０）
具体的には、先ず、発光ユニットを発光ユニット製造用基板５３から表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置あるいは電子機器を得る。
【００８７】
具体的には、第２絶縁材料層７１、並びに、第２方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、第２絶縁材料層７１によって覆われている。表示装置用基板６１は第４絶縁層６２で覆われており、第４絶縁層６２上に第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成されている。また、第４絶縁層６２、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、接着層としても機能する第５絶縁層６３で覆われている。更には、第２絶縁材料層７１は、より具体的には、第５絶縁層６３の上に形成されている。発光ユニットを固定すべき表示装置用基板６１の部分には、第２絶縁材料層７１は形成されていない。また、発光ユニットを固定すべき第５絶縁層６３の部分は未硬化状態であり、第５絶縁層６３のその他の部分は硬化状態にある。このような構成、構造を有する表示装置用基板６１は、周知の方法で作製することができる。
【００８８】
［工程−２２０Ａ］
具体的には、先ず、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。具体的には、［工程−２１０Ａ−（２）］と実質的に同じ工程を実行すればよい。具体的には、発光ユニット製造用基板５３の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、発光ユニット製造用基板５３がレーザ剥離層５２から剥離する。
【００８９】
［工程−２２０Ｂ］
次いで、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する。具体的には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を、第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置（移動あるいは転写）する（図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。より具体的には、第２転写基板上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第２転写基板３１から第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置する。発光ユニット及びその周囲の固定層３４は、第２転写基板に設けられた微粘着層（図示せず）に弱く付着しているだけなので、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３と接触させた（押し付けた）状態で第２転写基板を表示装置用基板６１から離れる方向に移動させると、発光ユニット及びその周囲の固定層３４は第５絶縁層６３の上に残される。更には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４をローラー等で第５絶縁層６３に深く埋入することで、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３に固定（配置）することができる。全ての発光ユニットの配置が完了した後、第５絶縁層６３を硬化させる。
【００９０】
［工程−２２０Ｃ］
その後、絶縁性樹脂から成る平坦化層７２をスピンコーティング法にて全面に形成することで、平滑化された平坦化層７２を得る。こうして、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００９１】
［工程−２２０Ｄ］
次いで、第１パッド部１２２と第１の共通電極４０１とを電気的に接続する第２Ａ接続部１２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第２パッド部２２２と第２の共通電極４０２とを電気的に接続する第２Ｂ接続部２２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第３パッド部３２２と第３の共通電極４０３とを電気的に接続する第２Ｃ接続部３２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、更には、第４パッド部４２２と第４の共通電極４０４とを電気的に接続する第３接続部４２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１上に亙り形成する。
【００９２】
具体的には、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び第５絶縁層６３に開口領域（図２０に図示した例では、開口領域５１２）を形成し、次いで、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びエッチング法に基づき、第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４、第３接続部４２４を形成する。こうして、図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した構造を得ることができる。
【００９３】
実施例２、あるいは、後述する実施例３にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットの複数を表示装置用基板６１に転写するので、更には、第２電極が上を向いた状態で表示装置用基板６１に固定されるので、その後の第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第２電極の共通電極（共通配線）４０１，４０２，４０３への引き回し、第１電極１１４，２１４，３１４の第１の配線（第４の共通電極４０４）への引き回しが容易となる。その結果、微細加工プロセスの低減を図ることができ、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造プロセスの簡素化を図ることができる。また、１画素中を占める発光ダイオード１１０，２１０，３１０の面積の割合が小さいので、また、発光ダイオード１１０，２１０，３１０が近接して配置されているので、所謂色割れが生じ難くなる。
【実施例３】
【００９４】
実施例３は、実施例２の変形である。図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造は、第１パッド部、第２パッド部、第３パッド部及び第４パッド部が形成されていない点を除き、実質的に、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【００９５】
以下、図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図２３の（Ａ）、図２４の（Ａ）、図２５の（Ａ）は、図５の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２３の（Ｂ）、図２４の（Ｂ）、図２５の（Ｂ）は、図５の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２３の（Ｃ）、図２４の（Ｃ）、図２５の（Ｃ）は、図５の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【００９６】
［工程−３００］
先ず、実施例２の［工程−２００］と同様の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。次いで、実施例２の［工程−２１０Ａ］、［工程−２１０Ｂ］を実行し、更に、実施例２の［工程−２１０Ｃ］である、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板３１を除去する。その後、実施例２の［工程−２１０Ｅ］と同様の工程を実行することで、発光ユニットを固定層３４において分離する。
【００９７】
（工程−３１０）
一方、実施例２と同様に、第２絶縁材料層７１、並びに、第２絶縁材料層７１によって覆われた、第１方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。
【００９８】
［工程−３１０Ａ］
そして、実施例２の［工程−２２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
【００９９】
［工程−３１０Ｂ］
次いで、実施例２の［工程−２２０Ｂ］及び［工程−２２０Ｃ］と同様にして、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する（図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１００】
［工程−３１０Ｃ］
その後、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６と第１の共通電極４０１とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、且つ、第１接続部１２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６と第２の共通電極４０２とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、且つ、第２接続部２２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６と第３の共通電極４０３とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、且つ、第３接続部３２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、副共通電極４３と第４の共通電極４０４とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、且つ、第４接続部４２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。
【０１０１】
具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域５２１，５２２，５２３，５２４を設ける。併せて、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、及び、第４の共通電極４０４の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域を設ける（図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。尚、図２５の（Ａ）には、開口領域５２６のみを図示した。そして、係る開口領域５２１，５２２，５２３，５２４，５２６内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１、第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４、第３接続部４２４を得ることができる（図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１０２】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体発光素子（発光ダイオード）、並びに、係る発光ダイオードが組み込まれた発光ダイオード表示装置、電子機器の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。実施例において挙げた数値、材料、構成、構造、形状、各種基板、原料、プロセス等はあくまでも例示に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構成、構造、形状、基板、原料、プロセス等を用いることができる。絶縁層に設けられた開口部の平面形状は矩形に限定されず、場合によっては円形とすることもできる。
【０１０３】
実施例においては、副共通電極４３を金属層４１及び光透過電極４２から構成したが、代替的に、発光ダイオードからの光の出射を妨げない限り、金属層や合金層のみで構成してもよい。また、場合によっては、第１電極１１４，２１４，３１４を、例えば、実施例２の［工程−２１０Ａ−（２）］の後に、あるいは又、［工程−２１０Ｂ］において、形成してもよい。半導体発光素子（発光ダイオード）における化合物半導体層の積層の順序は、逆であってもよい。即ち、実施例においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、これとは逆に、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。
【０１０４】
発光ユニットを構成する発光ダイオードとして、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードに、更に、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を加えてもよい。このような例として、例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた発光ユニットを挙げることができる。そして、これらの場合、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を構成する第１電極を副共通電極に接続すればよい。
【０１０５】
画像表示装置（発光ダイオード表示装置）は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末に代表されるカラー表示の平面型・直視型の画像表示装置だけでなく、人の網膜に画像を投影する形式の画像表示装置、プロジェクション型の画像表示装置とすることもできる。尚、これらの画像表示装置においては、限定するものではないが、例えば、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの発光／非発光状態を時分割制御することで画像を表示する、フィールドシーケンシャル方式の駆動方式を採用すればよい。
【０１０６】
実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図を図２６に示す。この変形例においては、第１コンタクトホール部１２１（図２６では点線で示す）を塞いでいる第１パッド部１２２（図２６では細い実線で示す）の中心は、第１コンタクトホール部１２１の中心と一致しておらず、第１パッド部１２２の中心は、第１の共通配線４０１側にずれている。また、第２コンタクトホール部２２１（図２６では点線で示す）を塞いでいる第２パッド部２２２（図２６では細い実線で示す）の中心は、第２コンタクトホール部２２１の中心と一致しておらず、第２パッド部２２２の中心は、第２の共通配線４０２側にずれている。更には、第３コンタクトホール部３２１（図２６では点線で示す）を塞いでいる第３パッド部３２２（図２６では細い実線で示す）の中心は、第３コンタクトホール部３２１の中心と一致しておらず、第３パッド部３２２の中心は、第３の共通配線４０３側にずれている。このような構成を採用すれば、たとえ、第１接続部１２４、第２接続部２２４及び第３接続部３２４の形成時、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に距離的なゆとりを得ることができ、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に短絡が生じることを確実に防止することができる。
【０１０７】
電子機器の構造に依っては、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用してもよいし、あるいは又、第１の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用し、第２の配線を、共通の配線（コモン電極）から成る構成してもよいし、あるいは又、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から構成してもよい。尚、共通の配線は、電子機器の構造に依存して、１枚のシート状であってもよいし、複数のシート状あるいは帯状であってもよい。半導体発光素子（発光ダイオード）を交流駆動する場合には、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）、及び、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）が混在してもよい。尚、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）にあっては、第１の配線と接触している第２接続部を「第１接続部」と読み替え、第２の配線と接触している第１接続部を「第２接続部」と読み替えればよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１０・・・半導体発光素子（発光ダイオード）、１０Ａ・・・発光素子部、１０Ｂ・・・積層構造体、１１・・・第１化合物半導体層、１２・・・第２化合物半導体層、１３・・・活性層、１４，１１４，２１４，３１４・・・第１電極、１５，・・・第２電極、１６，１１６，２１６，３１６・・・取出し電極、１７・・・絶縁層、１７Ａ・・・開口部、１８・・・第２絶縁層（接着層）、１９Ａ・・・発光素子製造用基板、１９Ｂ・・・バッファ層、２０・・・支持基板（仮固定用基板）、１１０・・・第１発光ダイオード、２１０・・・第２発光ダイオード、３１０・・・第３発光ダイオード、１２１・・・第１コンタクトホール部、２２１・・・第２コンタクトホール部、３２１・・・第３コンタクトホール部、４２１・・・第４コンタクトホール部、１２２・・・第１パッド部、２２２・・・第２パッド部、３２２・・・第３パッド部、４２２・・・第４パッド部、１２４・・・第２接続部（第２Ａ接続部）、２２４・・・第２接続部（第２Ｂ接続部）、３２４・・・第２接続部（第２Ｃ接続部）、４２４・・・第３接続部、４０１・・・第２の配線（第１の共通電極，第１の共通配線）、４０２・・・第２の配線（第２の共通電極，第２の共通配線）、４０３・・・第２の配線（第３の共通電極，第３の共通配線）、４０４・・・第１の配線（第４の共通電極，第４の共通配線）、２２・・・中継基板、２３・・・微粘着層、３１・・・第１転写基板、３２・・・絶縁材料層、３３・・・埋込み材料層、３４・・・固定層、４１・・・金属層、４２・・・光透過電極、４３・・・副共通電極、５１・・・第３絶縁層、５２・・・レーザ剥離層、５３・・・発光ユニット製造用基板、５０１，５０２，５０３，５０４，５１２、５２１，５２２，５２３，５２４，５２６・・・開口領域、６１・・・表示装置用基板、６２・・・第４絶縁層、６３・・・第５絶縁層、７１，１７１・・・第２絶縁材料層、７２・・・平坦化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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