(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接する画素からの混色を抑制すると共に画素出力（感度）の低下を防止する。【解決手段】固体撮像装置は、複数の受光部２が行列状に形成された半導体基板１と、半導体基板上に形成された透明膜３と、透明膜３上に形成された複数の光吸収層４と、透明膜３及び複数の光吸収層４上に、色差順次配列で形成されたイエローフィルタ４Ｙ、シアンフィルタ４Ｃ、グリーンフィルタ４Ｇ、及びマゼンタフィルタ４Ｍとを備える。複数の光吸収層４は、グリーンフィルタ４Ｇとマゼンタフィルタ４Ｍとが行方向に交互に複数並んでなる各行と、該各行と列方向に交互に隣り合い、且つ、イエローフィルタ４Ｙとシアンフィルタ４Ｃとが行方向に交互に複数並んでなる各行との各境界近傍に配置されている。【選択図】図１
2010245119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された透明膜と、
前記透明膜の上に形成された複数の光吸収層と、
前記透明膜及び前記複数の光吸収層の上に、前記複数の受光部の各々に対応するように色差順次配列で形成された、複数のイエローフィルタ、複数のシアンフィルタ、複数のグリーンフィルタ、及び、複数のマゼンタフィルタとを備え、
前記複数の光吸収層の各々は、
行方向に交互に複数並ぶ前記グリーンフィルタ及び前記マゼンタフィルタと、行方向に交互に複数並ぶ前記イエローフィルタ及び前記シアンフィルタとの各境界近傍に配置されている、固体撮像装。
【請求項２】
前記光吸収層の各々は、対応する前記各境界に対し、行方向に交互に複数並ぶ前記イエローフィルタ及び前記シアンフィルタ側よりも、行方向に交互に複数並ぶ前記グリーンフィルタ及び前記マゼンタフィルタ側にずれて配置されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された透明膜と、
前記透明膜の上に形成された複数の光吸収層と、
前記透明膜及び前記複数の光吸収層の上に、前記複数の受光部のそれぞれに対応するようにベイヤー配列で形成された、複数のグリーンフィルタ、複数のレッドフィルタ、及び複数のブルーフィルタとを備え、
前記複数の光吸収層の各々は、
列方向に交互に複数並ぶ前記グリーンフィルタと前記レットフィルタとの各境界近傍に配置されていると共に、
列方向に交互に複数並ぶ前記グリーンフィルタと前記ブルーフィルタとの各境界近傍に配置されている、固体撮像装置。
【請求項４】
前記光吸収層の各々は、対応する前記各境界に対し、前記レットフィルタ側又は前記ブルーフィルタ側よりも、前記グリーンフィルタ側にずれて配置されている、請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光吸収層はグリーンフィルタである、請求項３又は請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記光吸収層はブラックフィルタである、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記光吸収層の断面形状は、上底が下底よりも小さい台形形状である、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記光吸収層の断面形状は、三角形形状である、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に開示する技術は、固体撮像装置に関し、特に、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）撮像装置、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型撮像装置に関する。さらに詳しくは、固体撮像装置上の光吸収層に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置は画素サイズの微細化が進んでいる。その結果、固体撮像装置の混色問題が発生している。特に、補色フィルタを搭載した色差順次配列方式では、レッド光又はブルー光といったカラー光が入射するときに混色問題が発生しやすい。この混色問題は、一般的にライン濃淡と呼ばれている。
【０００３】
ここで、補色フィルタを搭載した色差順次配列方式の固体撮像装置に生じる混色について、図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図１２は、上記固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【０００５】
図１２に示すように、補色カラーフィルタは、イエローフィルタ１０４Ｙ、シアンフィルタ１０４Ｃ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍから構成されており、その配列は色差順次配列である。また、イエローフィルタ１０４Ｙがある画素をイエロー画素Ｙ、シアンフィルタ１０４Ｃがある画素をシアン画素Ｃ、グリーンフィルタ１０４Ｇがある画素をグリーン画素Ｇ、マゼンタフィルタ１０４Ｍがある画素をマゼンタ画素Ｍと記載している。
【０００６】
図１３（ａ）は、図１２におけるXIIIa-XIIIa線であるライン１の断面図である。
【０００７】
図１３（ａ）に示すように、表面に受光部１０２を有する半導体基板１０１の上には、アクリル平坦化膜１０３が形成されている。アクリル平坦化膜１０３の上には、補色カラーフィルタが形成され、該補色カラーフィルタの上には、マイクロレンズ１０５が形成されている。補色カラーフィルタでは、シアンフィルタ１０４Ｃ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順に列方向（ライン１方向）に並んでいる。
【０００８】
図１３（ｂ）は、図１２におけるXIIIb-XIIIb線であるライン２の断面図である。
【０００９】
図１３（ｂ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された補色カラーフィルタでは、シアンフィルタ１０４Ｃ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、シアンフィルタ１０４Ｃ、及びグリーンフィルタ１０４Ｇの順に列方向（ライン２方向）に並んでいる。
【００１０】
図１３（ｃ）は、図１２におけるXIIIc-XIIIc線であるライン３の断面図である。
【００１１】
図１３（ｃ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された補色カラーフィルタでは、イエローフィルタ１０４Ｙ、シアンフィルタ１０４Ｃ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びシアンフィルタ１０４Ｃの順に行方向（ライン３方向）に並んでいる。
【００１２】
図１３（ｄ）は、図１２におけるXIIId-XIIId線であるライン４の断面図である。
【００１３】
図１３（ｄ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された補色カラーフィルタでは、グリーンフィルタ１０４Ｇ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順に行方向（ライン４方向）に並んでいる。
【００１４】
次に、補色フィルタを搭載した上記色差順次配列方式の固体撮像装置の製造方法について、図１４（ａ）〜（ｃ）及び図１５（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。なお、各図には、左側にライン１の工程断面図、右側にライン２の工程断面図を示している。
【００１５】
まず、図１４（ａ）に示すように、入射光を電気信号に変換するための受光部１０２を表面部に有する半導体基板１０１上に、アクリル樹脂を全面回転塗布した後、加熱乾燥させてアクリル平坦膜１０３を形成する。
【００１６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、イエローのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をイエローカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、イエローフィルタ１０４Ｙが形成される。
【００１７】
次に、図１４（ｃ）に示すように、シアンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をシアンカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、シアンフィルタ１０４Ｃが形成される。
【００１８】
次に、図１５（ａ）に示すように、グリーンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（ 波長３６５ｎｍ）等の紫外光をグリーンのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、グリーンフィルタ１０４Ｇが形成される。
【００１９】
次に、図１５（ｂ）に示すように、マゼンタのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をマゼンタのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、マゼンタフィルタ１０４Ｍが形成される。
【００２０】
次に、図１５（ｃ）に示すように、イエローフィルタ１０４Ｙ、シアンフィルタ１０４Ｃ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの上に、例えばアクリル系の樹脂よりなる合成樹脂膜を全面回転塗布した後、低温乾燥させる。この後、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光を合成樹脂膜に照射し、各画素に分離独立するように合成樹脂膜をパターンニングする。続いて、該合成樹脂膜に対して紫外線による全面露光を行い、可視光領域の透過率を全領域で９０％以上に向上させる。続いて、全面加熱溶融処理（リフロー）を行うことにより、該合成樹脂膜を所望の曲率をもった上凸型の半球状に熱変形させて、マイクロレンズ１０５を形成する。
【００２１】
図１６は、上記固体撮像装置において、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍにおける列方向の隣接画素からのレッド光又はブルー光の混色イメージ図である。
【００２２】
図１６に示すように、補色カラーフィルタが、イエローフィルタ１０４Ｙ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍには、列方向の隣接画素からのレッド光又はブルー光の混色が発生する。
【００２３】
同様に、補色カラーフィルタが、シアンフィルタ１０４Ｃ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、シアンフィルタ１０４Ｃ、及びグリーンフィルタ１０４Ｇの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍには、列方向の隣接画素からのレッド光又はもしくはブルー光の混色が発生する。
【００２４】
ここで、補色カラーフィルタが、イエローフィルタ１０４Ｙ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順で列方向に並んだ状態で、イエロー画素出力をＹｅ、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力を△Ｍｇ、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力を△Ｇｒ、グリーン画素出力をＧｒ、列方向に隣接するイエロー画素Ｙからの混色出力を△Ｙｅ、マゼンタ画素出力をＭｇとする。
【００２５】
また、補色カラーフィルタが、シアンフィルタ１０４Ｃ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、シアンフィルタ１０４Ｃ、及びグリーンフィルタ１０４Ｇの順で列方向に並んだ状態で、シアン画素出力をＣｙ、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力を△Ｍｇ、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力を△Ｇｒ、グリーン画素出力をＧｒ、列方向に隣接するシアン画素Ｃからの混色出力を△Ｃｙ、マゼンタ画素出力をＭｇとする。
【００２６】
このとき、図１２におけるエリアＡの４画素の出力は、
（Ｙｅ＋△Ｍｇ＋△Ｇｒ＋Ｇｒ＋２・△Ｙｅ）＋（Ｃｙ＋△Ｇｒ＋△Ｍｇ＋Ｍｇ＋２・△Ｃｙ）
と表される。
【００２７】
また、図１２におけるエリアＢの４画素の出力は、
（Ｙｅ＋△Ｇｒ＋△Ｍｇ＋Ｍｇ＋２・△Ｙｅ）＋（Ｃｙ＋△Ｍｇ＋△Ｇｒ＋Ｇｒ＋２・△Ｃｙ）
と表される。
【００２８】
したがって、ライン濃淡は、これらの出力の差分であるから、簡易的に、
[（Ｙｅ＋△Ｍｇ＋△Ｇｒ＋Ｇｒ＋２・△Ｙｅ）＋（Ｃｙ＋△Ｇｒ＋△Ｍｇ＋Ｍｇ＋２・△Ｃｙ）]−[（Ｙｅ＋△Ｇｒ＋△Ｍｇ＋Ｍｇ＋２・△Ｙｅ）＋（Ｃｙ＋△Ｍｇ＋△Ｇｒ＋Ｇｒ＋２・△Ｃｙ）]  ・・・・・（１）
で表され、式（１）の結果として０になるのが最良である。
【００２９】
しかしながら、レッド光は、グリーン又はシアンの波長領域を含まないため、グリーン又はシアンのフィルタに対しては遮光される。混色を引き起こす斜め光は、隣接する２つのフィルタを両方通過するが、そのうちの一つがグリーン又はシアンのフィルタであれば、その出力はゼロとなる。
【００３０】
補色カラーフィルタが、イエローフィルタ１０４Ｙ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順で列方向に並んだ状態において、イエロー画素出力はＹｅ、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力は△Ｍｇ、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力は０、グリーン画素出力は０、列方向に隣接するイエロー画素からの混色出力は０（グリーン画素Ｇ上のグリーンフィルタで遮光されるため）、マゼンタ画素出力はＭｇ、列方向に隣接するイエロー画素からの混色出力は２・△Ｙｅとなる。
【００３１】
また、補色カラーフィルタが、シアンフィルタ１０４Ｃ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、シアンフィルタ１０４Ｃ、及びグリーンフィルタ１０４Ｇの順で列方向に並んだ状態において、シアン画素出力は０、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力は０（シアン画素上のシアンフィルタで遮光されるため）、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力は０、グリーン画素出力は０、列方向に隣接するシアン画素Ｃからの混色出力は０、マゼンタ画素出力はＭｇ、列方向に隣接するシアン画素Ｃからの混色出力は０となる。
【００３２】
これらを、エリア１２Ａ及び１２Ｂについて表した上記（１）式にあてはめると、式（１）の結果は、２・△Ｙとなり、ライン濃淡が発生することが分かる。
【００３３】
また、同様に、ブルー光は、グリーン又はイエローの波長領域を含まないため、グリーン又はイエローのフィルタに対しては遮光される。混色を引き起こす斜め光は、隣接する２つのフィルタを両方通過するが、そのうちの一つがグリーン又はイエローのフィルタであれば、出力はゼロとなる。
【００３４】
補色カラーフィルタが、イエローフィルタ１０４Ｙ、グリーンフィルタ１０４Ｇ、イエローフィルタ１０４Ｙ、及びマゼンタフィルタ１０４Ｍの順で列方向に並んだ状態において、イエロー画素出力は０、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力は０（イエロー画素Ｙ上のイエローフィルタで遮光されるため）、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力は０、グリーン画素出力は０、列方向に隣接するイエロー画素Ｙからの混色出力は０、マゼンタ画素出力はＭｇ、列方向に隣接するイエロー画素Ｙからの混色出力は０となる。
【００３５】
また、補色カラーフィルタが、シアンフィルタ１０４Ｃ、マゼンタフィルタ１０４Ｍ、シアンフィルタ１０４Ｃ、及びグリーンフィルタ１０４Ｇの順で列方向に並んだ状態において、シアン画素出力はＣｙ、列方向に隣接するマゼンタ画素Ｍからの混色出力は△Ｍｇ、列方向に隣接するグリーン画素Ｇからの混色出力は０、グリーン画素出力は０、列方向に隣接するシアン画素Ｃからの混色出力は０（グリーン画素Ｇ上のグリーンフィルタで遮光されるため）、マゼンタ画素出力はＭｇ、列方向に隣接するシアン画素Ｃからの混色出力は２・△Ｃｙとなる。
【００３６】
これらを、エリア１７Ａ−エリア１７Ｂについて表した上記（１）にあてはめると、式（１）の結果は、２・△Ｃｙとなり、ライン濃淡が発生することになる。
【００３７】
このように、レッド光及びブルー光の入射時に混色が発生し、ライン濃淡が発生することが問題であった。
【００３８】
次に、ベイヤー配列方式の固体撮像装置に生じる混色について、図面を参照しながら説明する。
【００３９】
図１７は、上記固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【００４０】
図１７に示すように、原色カラーフィルタは、グリーンフィルタ１０４ｇ、ブルーフィルタ１０４ｂ、及びレッドフィルタ１０４ｒから構成されており、その配列はベイヤー配列である。また、グリーングリーンフィルタ１０４ｇがある画素をグリーン画素ｇ、ブルーフィルタ１０４ｂがある画素をブルー画素ｂ、レッドフィルタ１０４ｒがある画素をレッド画素ｒと記載している。
【００４１】
図１８（ａ）は、図１７におけるXVIIIa-XVIIIa線であるライン１の断面図である。
【００４２】
図１８（ａ）に示すように、表面に受光部１０２を有する半導体基板１０１の上には、アクリル平坦化膜１０３が形成されている。アクリル平坦化膜１０３の上には、原色カラーフィルタが形成され、該原色カラーフィルタの上には、マイクロレンズ１０５が形成されている。原色カラーフィルタでは、レッドフィルタ１０４ｒ及びグリーンフィルタ１０４ｇの順で列方向に並んでいる。
【００４３】
図１８（ｂ）は、図１７におけるXVIIIb-XVIIIb線であるライン２の断面図である。
【００４４】
図１８（ｂ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された原色カラーフィルタでは、ブルーフィルタ１０４ｂ及びグリーンフィルタ１０４ｇの順で列方向に並んでいる。
【００４５】
図１８（ｃ）は、図１７におけるXVIIIc-XVIIIc線であるライン３の断面図である。
【００４６】
図１８（ｃ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された原色カラーフィルタでは、グリーンフィルタ１０４ｇ及びレッドフィルタ１０４ｒの順で行方向に並んでいる。
【００４７】
図１８（ｄ）は、図１７におけるXVIIId-XVIIId線であるライン４の断面図である。
【００４８】
図１８（ｄ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３の上に形成された原色カラーフィルタでは、ブルーフィルタ１０４ｂ及びグリーンフィルタ１０４ｇの順で行方向に並んでいる。
【００４９】
次に、原色フィルタを搭載した上記固体撮像装置の製造方法について、図１９（ａ）〜（ｃ）並びに図２０（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。なお、各図には、左側にライン１の工程断面図、右側にライン２の工程断面図を示している。
【００５０】
まず、図１９（ａ）に示すように、入射光を電気信号に変換するための受光部１０２を表面部に有する半導体基板１０１上に、アクリル樹脂を全面回転塗布した後、加熱乾燥させてアクリル平坦膜１０３を形成する。
【００５１】
次に、図１９（ｂ）に示すようにグリーンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をグリーンカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、グリーンフィルタ１０４ｇが形成される。
【００５２】
次に、図１９（ｃ）に示すように、ブルーのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をブルーカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、ブルーフィルタ１０４ｂが形成される。
【００５３】
次に、図２０（ａ）に示すように、レッドのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をレッドのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃ で加熱乾燥することにより、レッドフィルタ１０４ｒが形成される。
【００５４】
次に、図２０（ｂ）に示すように、グリーンフィルタ１０４ｇ、ブルーフィルタ１０４ｂ、及びレッドフィルタ１０４ｒ上に、例えばアクリル系の樹脂よりなる合成樹脂膜を全面回転塗布した後、低温乾燥させる。この後、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光を合成樹脂膜に照射し、各画素に分離独立するように合成樹脂膜をパターンニングする。続いて、該合成樹脂膜に対して紫外線による全面露光を行い、可視光領域の透過率を全領域で９０％以上に向上させる。続いて、全面加熱溶融処理（リフロー）を行い、該合成樹脂膜を所望の曲率をもった上凸型の半球状に熱変形させ、マイクロレンズ１０５を形成する。
【００５５】
図２１は、上記固体撮像装置において、グリーン画素ｇにおける列方向の隣接画素からのホワイト光の混色イメージ図である。
【００５６】
図２１に示すように、原色カラーフィルタが、レッドフィルタ１０４ｒ及びグリーンフィルタ１０４ｇの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素ｇにおける列方向の隣接画素からのホワイト光の混色が発生する。
【００５７】
同様に、原色カラーフィルタが、ブルーフィルタ１０４ｂ及びグリーンフィルタ４ｇの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素ｇにおける列方向の隣接画素からのホワイト光の混色が発生する。
【００５８】
ここで、原色カラーフィルタが、ベイヤー配列に並んだ状態において、グリーン画素出力をｇ、列方向に隣接するブルー画素ｂからの混色出力を△ｂ、列方向に隣接するレッド画素ｒからの混色出力を△ｒとする。原色カラーフィルタのベイヤー配列時のライン濃淡は、各々のｇ出力の比率であるため、図１７のエリア１７Ａでは、ｇ＋△ｒとなり、図１７のエリア１７Ｂでは、ｇ＋△ｂとなる。したがって、比率は、
（ｇ＋△ｂ）／（ｇ＋△ｒ）・・・・・（２）
で表され、式（２）の結果として１になるのが最良である。
【００５９】
しかしながら、レッド光又はブルー光が入射すると、△ｂ、△ｒの出力は異なるので、上記式（２）の結果は１にならない。その結果、ライン濃淡が発生することになる。
【００６０】
この混色問題に対しては、図２２に示すように、画素境界に光吸収層としてブラックフィルタ１０４を設けることにより、隣接画素からの混色を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６１】
【特許文献１】特開昭６０−１００１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００６２】
しかしながら、上記図２２に示した構成では、各ブラックフィルタの半分の領域がイエロー画素及びシアン画素を覆っている。このため、イエロー画素及びシアン画素の出力（感度）が低下してしまうという問題が発生する。
【００６３】
前記に鑑み、本発明の目的は、隣接する画素からの混色を抑制する構成を備えた固体撮像装置を提供することである。また、画素出力（感度）の低下を防止する構成を備えた固体撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００６４】
前記の目的を達成するために、本発明の第１の形態の固体撮像装置は、複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、半導体基板上に形成された透明膜と、透明膜の上に形成された複数の光吸収層と、透明膜及び複数の光吸収層の上に、複数の受光部の各々に対応するように色差順次配列で形成された、複数のイエローフィルタ、複数のシアンフィルタ、複数のグリーンフィルタ、及び、複数のマゼンタフィルタとを備え、複数の光吸収層の各々は、行方向に交互に複数並ぶグリーンフィルタ及びマゼンタフィルタと、行方向に交互に複数並ぶイエローフィルタ及びシアンフィルタとの各境界近傍に配置されている。
【００６５】
本発明の第１の形態の固体撮像装置において、光吸収層の各々は、対応する各境界に対し、行方向に交互に複数並ぶイエローフィルタ及びシアンフィルタ側よりも、行方向に交互に複数並ぶグリーンフィルタ及びマゼンタフィルタ側にずれて配置されていることが好ましい。
【００６６】
本発明の第２の形態の固体撮像装置は、複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、半導体基板上に形成された透明膜と、透明膜の上に形成された複数の光吸収層と、透明膜及び複数の光吸収層の上に、複数の受光部のそれぞれに対応するようにベイヤー配列で形成された、複数のグリーンフィルタ、複数のレッドフィルタ、及び複数のブルーフィルタとを備え、複数の光吸収層の各々は、列方向に交互に複数並ぶグリーンフィルタとレットフィルタとの各境界近傍に配置されていると共に、列方向に交互に複数並ぶグリーンフィルタとブルーフィルタとの各境界近傍に配置されている。
【００６７】
本発明の第２の形態の固体撮像装置において、光吸収層の各々は、対応する各境界に対し、レットフィルタ側又はブルーフィルタ側よりも、グリーンフィルタ側にずれて配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００６８】
本発明によると、隣接する画素からの混色を抑制できる。また、画素出力（感度）の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１におけるIIa-IIa線の断面図であり、図２（ｂ）は、図１におけるIIb-IIb線の断面図であり、図２（ｃ）は、図１におけるIIc-IIc線の断面図であり、図２（ｄ）は、図１におけるIId-IId線の断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置において、グリーン画素及びマゼンタ画素の各々における列方向の隣接画素となるシアン画素及びイエロー画素の集光イメージ図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置における光吸収層の変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【図８】図８（ａ）は、図７におけるVIIIa-VIIIa線の断面図であり、図８（ｂ）は、図１におけるVIIIb-VIIIb線の断面図であり、図８（ｃ）は、図１におけるVIIIc-VIIIc線の断面図であり、図８（ｄ）は、図１におけるVIIId-VIIId線の断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置において、グリーン画素における列方向の隣接画素となるレッド画素及びブルー画素の集光イメージ図である。
【図１２】図１２は、補色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、図１２におけるXIIa-XIIa線の断面図であり、図１３（ｂ）は、図１２におけるXIIb-XIIb線の断面図であり、図１３（ｃ）は、図１２におけるXIIc-XIIc線の断面図であり、図１３（ｄ）は、図１２におけるXIId-XIId線の断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は、補色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は、補色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１６】図１６は、補色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置において、グリーン画素及びマゼンタ画素の各々における列方向の隣接画素となるシアン画素及びイエロー画素の混色イメージ図である。
【図１７】図１７は、原色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【図１８】図１８（ａ）は、図１７におけるXVIIIa-XVIIIa線の断面図であり、図１８（ｂ）は、図１７におけるXVIIIb-XVIIIb線の断面図であり、図１８（ｃ）は、図１７におけるXVIIIc-XVIIIc線の断面図であり、図１８（ｄ）は、図１７におけるXVIIId-XVIIId線の断面図である。
【図１９】図１９（ａ）〜（ｃ）は、原色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２０】図２０（ａ）及び（ｂ）は、原色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２１】図２１は、原色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置において、グリーン画素における列方向の隣接画素となるレッド画素及びブルー画素の混色イメージ図である。
【図２２】図２２は、混色を防止する構造を備え、補色フィルタを搭載した従来の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【００７１】
図１に示すように、後述の半導体基板１の表面部に行列上に形成された複数の受光部２の各々に対応するように補色カラーフィルタが設けられている。補色カラーフィルタは、行方向及び列方向に（水平方向及び垂直方向に）配置され、イエローフィルタ４Ｙ、シアンフィルタ４Ｃ、グリーンフィルタ４Ｇ、及びマゼンタフィルタ４Ｍから構成され、かつ、その配列は色差順次配列である。補色カラーフィルタの各々の列方向の境界近傍には、例えばブラックフィルタである光吸収層４が設けられている。ここで、光吸収層４は、具体的には、行方向に交互に並ぶグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍのそれぞれにおける列方向に隣り合う画素との境界近傍に設けられており、さらに、該光吸収層４は、境界近傍に対し、その列方向に隣り合う画素側よりもグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍのそれぞれ側にずれて配置されている。また、イエローフィルタ４Ｙがある画素をイエロー画素Ｙ、シアンフィルタ４Ｃがある画素をシアン画素Ｃ、グリーンフィルタ４Ｇがある画素をグリーン画素Ｇ、マゼンタフィルタ４Ｍがある画素をマゼンタ画素Ｍと記載している。
【００７２】
図２（ａ）は、図１におけるIIa-IIa線であるライン１の断面図である。
【００７３】
図２（ａ）に示すように、表面に複数の受光部２を有する半導体基板１の上には、アクリル平坦化膜３が形成されている。アクリル平坦化膜３の上には、例えばブラックフィルタである光吸収層４が形成されている。アクリル平坦化膜３及び光吸収層４の上には、各受光部２に対応するように補色カラーフィルタが形成されている。該補色カラーフィルタの上には、複数の受光部２のそれぞれの上方に位置し、入射光をそれぞれ下方に位置する受光部２に集光するマイクロレンズ５が形成されている。補色カラーフィルタでは、シアンフィルタ４Ｃ、グリーンフィルタ４Ｇ、イエローフィルタ４Ｙ、及びマゼンタフィルタ４Ｍの順に列方向（ライン１方向）に並んでいる。ここで、光吸収層４は、上述の通り、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍのそれぞれに隣り合うイエロー画素Ｙとの境界近傍に設けられており、さらに、該光吸収層４は、境界近傍に対し、その列方向に隣り合うイエロー画素Ｙ及びシアン画素Ｃ側よりもグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍのそれぞれ側にずれて配置されている。
【００７４】
図２（ｂ）は、図１におけるIIb-IIb線であるライン２の断面図である。
【００７５】
図２（ｂ）に示すように、上記アクリル平坦化膜３及び光吸収層４の上に形成された補色カラーフィルタは、シアンフィルタ４Ｃ、マゼンタフィルタ４Ｍ、シアンフィルタ４Ｃ、及びグリーンフィルタ４Ｇの順に列方向（ライン２方向）に並んでいる。なお、光吸収層４の配置は、図２（ａ）で説明した通りである。
【００７６】
図２（ｃ）は、図１におけるIIc-IIc線であるライン３の断面図である。
【００７７】
図２（ｃ）に示すように、上記アクリル平坦化膜３及び光吸収層４の上に形成された補色カラーフィルタは、イエローフィルタ４Ｙ、シアンフィルタ４Ｃ、イエローフィルタ４Ｙ、及びシアンフィルタ４Ｃの順に行方向（ライン３方向）に並んでいる。
【００７８】
図２（ｄ）は、図１におけるIId-IId線であるライン４の断面図である。
【００７９】
図２（ｄ）に示すように、上記アクリル平坦化膜３及び光吸収層４の上に形成された補色カラーフィルタは、グリーンフィルタ４Ｇ、マゼンタフィルタ４Ｍ、グリーンフィルタ４Ｇ、及びマゼンタフィルタ４Ｍの順に行方向（ライン４方向）に並んでいる。
【００８０】
次に、本発明の第１の実施形態に係る上記固体撮像装置の製造方法について、図３（ａ）〜（ｄ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。なお、各図には、左側にライン１の工程断面図、右側にライン２の工程断面図を示している。
【００８１】
まず、図３（ａ）に示すように、入射光を電気信号に変換するための受光部２を表面部に有する半導体基板１上に、アクリル樹脂を全面回転塗布した後、加熱乾燥させてアクリル平坦膜３を形成する。
【００８２】
次に、図３（ｂ）に示すように、例えばブラックレジストを０．１〜２．０μｍの厚みで回転塗布した後に、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（３６５ｎｍ）等の紫外光をブラックレジストに照射することにより、ブラックレジストからなる光吸収層４を形成する。この際、光吸収層４が、行方向に交互に並ぶグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々における列方向に隣り合う画素との境界近傍に位置し、且つ、境界に対し、その隣り合う画素側よりもグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々の側にずれて（つまり、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々の中心寄りに）位置するように、ブラックレジストを０．１〜０．３μｍの幅でパターンニングして各々を分離独立させる。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥して、ブラックフィルタからなる光吸収層４を形成する。なお、ここでは、光吸収層４が、行方向に交互に並ぶグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍにおける列方向の画素境界近傍に並んで位置する場合について説明したが、行方向の画素境界近傍に並んで位置してもかまわない。また、ブラックレジストは、ネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれであってもかまわないし、顔料系又は染料系のいずれであってもかまわない。さらに、光吸収層４の代表例としてブラックレジストを挙げたが、光を吸収できる膜であればブラックレジストに限定されるものではない。
【００８３】
次に、図３（ｃ）に示すように、アクリル平坦膜３及び光吸収層４の上に、イエローのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をイエローカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、イエローフィルタ４Ｙが形成される。
【００８４】
次に、図３（ｄ）に示すように、シアンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をシアンカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、シアンフィルタ４Ｃが形成される。
【００８５】
次に、図４（ａ）に示すように、グリーンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（ 波長３６５ｎｍ）等の紫外光をグリーンのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、グリーンフィルタ４Ｇが形成される。
【００８６】
次に、図４（ｂ）に示すように、マゼンタのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をマゼンタのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するようにカラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、マゼンタフィルタ４Ｍが形成される。
【００８７】
次に、図４（ｃ）に示すように、イエローフィルタ４Ｙ、シアンフィルタ４Ｃ、グリーンフィルタ４Ｇ、及びマゼンタフィルタ４Ｍの上に、例えばアクリル系の樹脂よりなる合成樹脂膜を全面回転塗布した後、低温乾燥させる。この後、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光を合成樹脂膜に照射し、各画素に分離独立するように合成樹脂膜をパターンニングする。続いて、該合成樹脂膜に対して紫外線による全面露光を行い、可視光領域の透過率を全領域で９０％以上に向上させる。続いて、全面加熱溶融処理（リフロー）を行うことにより、該合成樹脂膜を所望の曲率をもった上凸型の半球状に熱変形させて、マイクロレンズ５を形成する。
【００８８】
図５は、以上のようにして製造された固体撮像装置において、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々における列方向の隣接画素となるシアン画素Ｃ及びイエロー画素Ｙの集光イメージ図である。
【００８９】
図５に示すように、補色カラーフィルタが、イエローフィルタ４Ｙ、グリーンフィルタ４Ｇ、イエローフィルタ４Ｙ、及びマゼンタフィルタ４Ｍの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍには、列方向の隣接画素となるシアン画素Ｃ及びイエロー画素Ｙからの混色は抑制されることが分かる。
【００９０】
同様に、補色カラーフィルタが、シアンフィルタ４Ｃ、マゼンタフィルタ４Ｍ、シアンフィルタ４Ｃ、及びグリーンフィルタ４Ｇの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍには、列方向の隣接画素となるシアン画素Ｃ及びイエロー画素Ｙからの混色は抑制されることが分かる。
【００９１】
これらの結果が得られるのは、上述したように、光吸収層４が、行方向に並ぶグリーン画素Ｇとマゼンタ画素Ｍの各々における列方向に隣り合う画素との境界近傍に位置し、且つ、光吸収層４が、境界に対し、その隣り合う画素側よりもグリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々の側にずれて（つまり、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々の中心寄りに）位置しているため、シアン画素Ｃ及びイエロー画素Ｙからの混色が抑制されるからである。また、光吸収層４が、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々の中心寄りにずれて位置しているため、画素出力に寄与の大きいイエロー画素Ｙ及びシアン画素Ｃの出力低下をさらに抑制でき、より高出力でライン濃淡を抑制できる。
【００９２】
図６（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態における上記光吸収層４の形状の変形例を示している。
【００９３】
まず、図６（ａ）に示す光吸収層４０ａの形状は、行方向（ライン３及びライン４方向）及び列方向（ライン１及びライン２方向）のいずれの断面においても、上底が下底よりも小さい台形状になっている。また、図６（ｂ）に示す光吸収層４０ｂの形状は、列方向（ライン１及びライン２方向）の断面において三角形状になっている。光吸収層４０ａ及び４０ｂのいずれの形状も、上部から下部に向かって幅が広がる形状であるため、上記と同様に、グリーン画素Ｇ及びマゼンタ画素Ｍの各々に隣接するイエロー画素Ｙ及びシアン画素Ｃからの混色を抑制すると共に、画素出力に寄与の大きいイエロー画素Ｙ及びシアン画素Ｃの出力低下をさらに抑制でき、より高出力でライン濃淡を抑制できる。
【００９４】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。
【００９５】
図７に示すように、後述の半導体基板１の表面部に行列状に形成された複数の受光部２の各々に対応するように原色カラーフィルタが設けられている。原色カラーフィルタは、行方向及び列方向に（水平方向及び垂直方向に）配置され、グリーンフィルタ４ｇと、ブルーフィルタ４ｂと、及びレッドフィルタ４ｒから構成され、且つ、その配列はベイヤー配列である。グリーン画素ｇの各々の列方向の境界近傍には、例えばブラックフィルタである光吸収層４が設けられており、該光吸収層４は、その境界近傍に対し、列方向に隣り合う画素側よりもグリーン画素ｇ側にずれて（グリーン画素ｇの中心寄りに）配置されている。また、グリーンフィルタ４ｇがある画素をグリーン画素ｇ、ブルーフィルタ４ｂがある画素をブルー画素ｂ、レッドフィルタ４ｒがある画素をレッド画素ｒと記載している。
【００９６】
図８（ａ）は、図７におけるVIIIa-VIIIa線であるライン１の断面図である。
【００９７】
図８（ａ）に示すように、表面部に複数の受光部２を有する半導体基板１の上には、アクリル平坦化膜３が形成されている。アクリル平坦化膜３の上には、例えばブラックフィルタである光吸収層４が形成されている。アクリル平坦化膜３及び光吸収層４の上には、各受光部２に対応するように原色カラーフィルタが形成されている。該原色カラーフィルタの上には、複数の受光部２のそれぞれの上方に位置し、入射光をそれぞれ下方に位置する受光部２に集光するマイクロレンズ５が形成されている。原色カラーフィルタでは、レッドフィルタ４ｒ及びグリーンフィルタ４ｇの順に列方向（ライン１方向）に並んでいる。ここで、光吸収層４は、上述の通り、グリーン画素ｇの各々の列方向の境界近傍に設けられており、さらに、該光吸収層４は、境界近傍に対し、その列方向に隣り合う画素側よりもグリーン画素ｇ側にずれて（グリーン画素ｇの中心寄りに）配置されている。
【００９８】
図８（ｂ）は、図７におけるVIIIb-VIIIb線であるライン２の断面図である。
【００９９】
図８（ｂ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３及び光吸収層４の上に形成された原色カラーフィルタでは、ブルーフィルタ４ｂ及びグリーンフィルタ４ｇの順で列方向（ライン２方向）に並んでいる。なお、光吸収層４の配置は、図８（ａ）で説明した通りである。
【０１００】
図８（ｃ）は、図７におけるVIIIc-VIIIc線であるライン３の断面図である。
【０１０１】
図８（ｃ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３及び光吸収層４の上に形成された原色カラーフィルタでは、グリーンフィルタ４ｇ及びレッドフィルタ４ｒの順で行方向（ライン３方向）に並んでいる。
【０１０２】
図８（ｄ）は、図７におけるVIIId-VIIId線であるライン４の断面図である。
【０１０３】
図８（ｄ）に示すように、上記アクリル平坦化膜１０３及び光吸収層４の上に形成された原色カラーフィルタでは、ブルーフィルタ４ｂ及びグリーンフィルタ４ｇの順で行方向（ライン４方向）に並んでいる。
【０１０４】
次に、本発明の第２の実施形態に係る上記固体撮像装置の製造方法について、図９（ａ）〜（ｄ）並びに図１０（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。なお、各図には、左側にライン１の工程断面図、右側にライン２の工程断面図を示している。
【０１０５】
まず、図９（ａ）に示すように、入射光を電気信号に変換するための受光部２を表面部に有する半導体基板１上に、アクリル樹脂を全面回転塗布した後、加熱乾燥させてアクリル平坦膜３を形成する。
【０１０６】
次に、図９（ｂ）に示すように、例えばブラックレジストを０．１〜２．０μｍの厚みで回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をブラックレジストに照射することにより、ブラックレジストからなる光吸収層４を形成する。この際、光吸収層４が、グリーン画素ｇにおける列方向に隣り合う画素との境界近傍に位置し、且つ、境界に対し、その列方向に隣り合う画素側よりもグリーン画素ｇ側にずれて（つまり、グリーン画素ｇの中心寄りに）位置するように、ブラックレジストを０．１〜０．３μｍの幅でパターンニングして各々を分離独立させる。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥して、ブラックレジスト（フィルタ）からなる光吸収層４を形成する。なお、ここでは、光吸収層４が、グリーン画素における列方向の画素境界近傍に並んで位置する場合を説明したが、行方向の画素境界近傍に並んで位置する場合であってもかまわない。また、ブラックレジストは、ネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれであってもかまわないし、顔料系又は染料系のいずれであってもかまわない。さらに、光吸収層４の代表例としてブラックレジストを挙げたが、光を吸収できる膜であればブラックレジストに限定されるものではない。原色の場合は、グリーンフィルタ４ｇを大きくすることでもかまわない。
【０１０７】
次に、図９（ｃ）に示すように、グリーンのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ 線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をグリーンカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、グリーンフィルタ４ｇが形成される。
【０１０８】
次に、図９（ｄ）に示すように、ブルーのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をブルーカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、ブルーフィルタ４ｂが形成される。
【０１０９】
次に、図１０（ａ）に示すように、レッドのカラーレジストを回転塗布した後で、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光をレッドのカラーレジストに照射し、各画素に分離独立するように該カラーレジストをパターンニングする。その後、２００〜２５０℃で加熱乾燥することにより、レッドフィルタ４ｒが形成される。
【０１１０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、グリーンフィルタ４ｇ、ブルーフィルタ４ｂ、及びレッドフィルタ４ｒ上に、例えばアクリル系の樹脂よりなる合成樹脂膜を全面回転塗布した後、低温乾燥させる。この後、フォトマスクを用いて所定のパターンとなるように、ｇ線（波長４３６ｎｍ）又はｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外光を合成樹脂膜に照射し、各画素に分離独立するように合成樹脂膜をパターンニングする。続いて、該合成樹脂膜に対して紫外線による全面露光を行い、可視光領域の透過率を全領域で９０％以上に向上させる。続いて、全面加熱溶融処理（リフロー）を行い、該合成樹脂膜を所望の曲率をもった上凸型の半球状に熱変形させ、マイクロレンズ５を形成する。
【０１１１】
図１１は、以上のようにして製造された固体撮像装置において、グリーン画素ｇにおける列方向の隣接画素となるレッド画素ｒ及びブルー画素ｂの集光イメージ図である。
【０１１２】
図１１に示すように、原色カラーフィルタが、グリーンフィルタ４ｇ及びレッドフィルタ４ｒの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素ｇには、列方向の隣接画素となるレッド画素ｒからの混色は抑制されることが分かる。
【０１１３】
同様に、原色カラーフィルタが、ブルーフィルタ４ｂ及びグリーンフィルタ４ｇの順で列方向に並んだ状態で、グリーン画素ｇには、列方向の隣接画素となるブルー画素ｂからの混色は抑制されることが分かる。
【０１１４】
これらの結果が得られるのは、上述したように、光吸収層４が、グリーン画素ｇにおける列方向に隣り合う画素との境界近傍に位置し、且つ、光吸収層４が、境界に対し、その隣り合う画素側よりもグリーン画素ｇ側にずれて（つまり、グリーン画素ｇの中心寄りに）位置しているため、レッド画素ｒ及びブルー画素ｂからの混色が抑制されるからである。
【０１１５】
なお、本実施形態においても、上述した第１の実施形態と同様に、光吸収層４の形状として、上記図６（ａ）及び（ｂ）に示したように、台形状又は三角形状に構成することもできる。このようにすると、同様に、グリーン画素ｇに隣接するブルー画素ｂ及びレッド画素ｒからの混色を抑制でき、ライン濃淡をより抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法にとって有用であり、特には、カラーフィルタ構造を有する固体撮像装置及びその製造方法にとって有用である。
【符号の説明】
【０１１７】
１  半導体基板
２  受光部
３  アクリル平坦化膜
４、４０ａ、４０ｂ  光吸収層
４ｂ  ブルーフィルタ
４ｒ  レッドフィルタ
４ｇ、４Ｇ  グリーンフィルタ
４Ｙ  イエローフィルタ
４Ｃ  シアンフィルタ
４Ｍ  マゼンタフィルタ
４Ｗ  ホワイト
ｂ  ブルー画素
ｒ  レッド画素
ｇ  グリーン画素
Ｙ  イエロー画素
Ｃ  シアン画素
Ｍ  マゼンタ画素
５  マイクロレンズ
【図１】
2010245119.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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