(57)【要約】      （修正有）【課題】ギャップから液体が浸入することを抑制できるステージ装置を提供する。【解決手段】基板Ｐの側面Ｐｃは、基板Ｐの表面Ｐａとほぼ垂直な垂直領域６１を有する。プレート部材Ｔの側面Ｔｃの少なくとも一部は、側面Ｐｃの垂直領域６１と対向するように配置される。プレート部材Ｔの側面Ｔｃは、基板Ｐの側面Ｐｃに沿うように設けられている。プレート部材Ｔは、側面Ｔｃと基板Ｐの側面ＰｃとがギャップＧ１を介して対向するように配置される。ギャップＧ１の大きさは、側面Ｔｃの境界部５３と側面Ｐｃの垂直領域６１との距離である。形成された液浸空間が、基板Ｐの表面Ｐａとプレート部材Ｔの上面Ｔａとに跨って形成される場合がある。ギャップＧ１を介して基板Ｐの裏面Ｐｂ側の空間に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の側面とギャップを介して対向する側面、及び液体が供給される上面を有する所定部材を備え、
前記側面の表面粗さは、前記上面の表面粗さより大きいステージ装置。
【請求項２】
前記側面は、前記上面側から下方向、且つ前記物体の中央に対して外側に向かう第１方向に延びる第１斜面を複数含む請求項１記載のステージ装置。
【請求項３】
前記側面は、前記上面側から下方向、且つ前記第１方向と逆向きの第２方向に延びる第２斜面を複数含み、
前記上面とほぼ垂直な方向に関して、前記第１斜面と前記第２斜面とが交互に配置される請求項２記載のステージ装置。
【請求項４】
前記上面とほぼ垂直な軸と前記第１斜面とがなす角度は、前記軸と前記第２斜面とがなす角度より大きい請求項３記載のステージ装置。
【請求項５】
前記上面とほぼ垂直な方向に関して、前記第１斜面は前記第２斜面より小さい請求項４記載のステージ装置。
【請求項６】
前記側面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜５のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項７】
前記所定部材と前記物体を保持する第１保持部とを有する可動ステージを備え、
前記所定部材は、前記第１保持部に保持された前記物体の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１〜６のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項８】
前記可動ステージは、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持部を有する請求項７記載のステージ装置。
【請求項９】
前記所定部材は、前記物体が配置される開口を有するプレート部材を含む請求項８記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記物体は、露光光で露光される基板を含む請求項７〜９のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１１】
前記物体は、露光光を計測する計測部材を含む請求項７〜１０のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１２】
第１可動ステージと、
前記第１可動ステージとは異なる第２可動ステージと、を備え、
前記物体は、前記第１可動ステージの少なくとも一部を含み、
前記所定部材は、前記第２可動ステージの少なくとも一部を含み、
前記第１可動ステージ及び前記第２可動ステージは、前記ギャップを維持した状態で同時に移動可能である請求項１〜６のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１３】
前記第１可動ステージは前記物体をリリース可能に保持する保持部を有し、及び／又は前記第２可動ステージは前記所定部材をリリース可能に保持する保持部を有する請求項１２記載のステージ装置。
【請求項１４】
前記第１可動ステージ及び前記第２可動ステージの少なくとも一方は、露光光で露光される基板を保持する保持部を有する請求項１２又は１３記載のステージ装置。
【請求項１５】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項１〜１４のいずれか一項に記載のステージ装置を備える露光装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【特許文献１】米国特許公開第２００６／０１３９６１４号明細書
【特許文献２】米国特許第７１９９８５８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置において、基板とその基板のエッジの周囲に配置された部材とのギャップから液体が浸入すると、様々な問題が発生する可能性がある。例えば、その浸入した液体が気化すると、液体の気化熱によって基板が熱変形したり、基板に液体の付着跡（ウォーターマーク）が形成されたりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。したがって、ギャップから液体が浸入することを抑制するための更なる改良が求められている。
【０００４】
本発明の態様は、ギャップから液体が浸入することを抑制できるステージ装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、物体の側面とギャップを介して対向する側面、及び液体が供給される上面を有する所定部材を備え、側面の表面粗さは、上面の表面粗さより大きいステージ装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１の態様のステージ装置を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ギャップから液体が浸入することを抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１１】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃを保持して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。
【００１２】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００１３】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００１４】
計測部材Ｃは、露光光ＥＬを計測可能である。計測ステージ３に保持される計測部材Ｃとして、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部、及び例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等が挙げられる。なお、基板を保持して移動可能な基板ステージと、基板を保持せずに、露光光を計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されている。
【００１５】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００１６】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、例えばリニアモータを含む。本実施形態において、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００１７】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００１８】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。
【００１９】
本実施形態において、基板ステージ２は、ステージ本体１１と、ステージ本体１１上に配置された基板テーブル１２とを有する。基板Ｐは、基板テーブル１２に保持される。計測ステージ３は、ステージ本体１３と、ステージ本体１３上に配置された計測テーブル１４とを有する。計測部材Ｃは、計測テーブル１４に保持される。
【００２０】
駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上においてステージ本体１１を移動可能な粗動システム５Ａと、ステージ本体１１上において基板テーブル１２を移動可能な微動システム５Ｂとを含む。粗動システム５Ａは、例えばリニアモータを含み、微動システム５Ｂは、例えばボイスコイルモータを含む。ステージ本体１１は、粗動システム５Ａの作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。基板テーブル１２は、微動システム５Ｂの作動により、ステージ本体１１上において、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２１】
駆動システム６は、ガイド面１０Ｇ上においてステージ本体１３を移動可能な粗動システム６Ａと、ステージ本体１３上において計測テーブル１４を移動可能な微動システム６Ｂとを含む。粗動システム６Ａは、例えばリニアモータを含み、微動システム６Ｂは、例えばボイスコイルモータを含む。ステージ本体１３は、粗動システム６Ａの作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。計測テーブル１４は、微動システム６Ｂの作動により、ステージ本体１３上において、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２２】
本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む干渉計システム１１によって計測される。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板テーブル１２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測テーブル１４に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置情報を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。
【００２３】
液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。
【００２４】
終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１２と、終端光学素子１２から射出される露光光ＥＬの照射位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。
【００２５】
本実施形態において、液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１４を有する。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００２６】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００２７】
図２は、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に配置された基板テーブル１２（基板ステージ２）の一例を示す側断面図である。図２に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００２８】
また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを備えている。供給口１５は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように液浸部材７の所定位置に配置されている。供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１
８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。
【００２９】
回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲に配置されている。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。回収口１６には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１９が配置されている。なお、回収口１６に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、多孔部材１９の下面を含む。回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。
【００３０】
本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５を用いる液体供給動作と並行して、回収口１６を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００３１】
なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００３２】
基板テーブル１２は、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１を備えている。第１保持部３１は、基板Ｐの裏面Ｐｂと対向可能な基板テーブル１２のチャック面２２に設けられており、基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する。本実施形態において、第１保持部３１は、所謂、ピンチャック機構を含み、チャック面２２に配置され、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域と対向する環状の第１リム部２３と、チャック面２２において第１リム部２３の内側に配置され、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する複数のピン部材２４と、チャック面２２において第１リム部２３の内側に配置され、気体を吸引可能な第１吸引口２５とを含む。制御装置８は、第１吸引口２５を用いて、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１リム部２３とチャック面２２とで囲まれた空間の気体を排気して、その空間を負圧にすることによって、基板Ｐをピン部材２４で吸着保持する。また、制御装置８は、第１吸引口２５を用いる吸引動作を停止することにより、第１保持部３１より基板Ｐをリリースすることができる。
【００３３】
また、本実施形態においては、基板テーブル１２（基板ステージ２）は、米国特許公開第２００７／０１７７１２５号明細書等に開示されているような、基板Ｐの周囲に配置されるプレート部材Ｔを備えている。基板テーブル１２は、第１保持部３１の周囲に配置され、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２を備えている。第２保持部３２は、第１保持部３１の周囲に配置されている。プレート部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＨを有する。第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。
【００３４】
第２保持部３２は、プレート部材Ｔの裏面（下面）と対向可能な基板テーブル１２のチャック面２６に設けられており、プレート部材Ｔの下面Ｔｂを保持する。本実施形態において、第２保持部３２は、所謂、ピンチャック機構を含み、チャック面２６において第１リム部２３の周囲に配置され、開口ＴＨ近傍においてプレート部材Ｔの下面Ｔｂの内縁領域と対向する環状の第２リム部２７と、チャック面２６において第２リム部２７の周囲に配置され、プレート部材Ｔの下面Ｔｂの外縁領域と対向する環状の第３リム部２８と、チャック面２６において第２リム部２７と第３リム部２８との間に配置され、プレート部材Ｔの下面Ｔｂを支持する複数のピン部材２９と、チャック面２６において第２リム部２７と第３リム部２８との間に配置され、気体を吸引可能な第２吸引口３０とを含む。制御装置８は、第２吸引口３０を用いて、プレート部材Ｔの下面Ｔｂと第２リム部２７と第３リム部２８とチャック面２６とで囲まれた空間の気体を排気して、その空間を負圧にすることによって、プレート部材Ｔをピン部材２９で吸着保持する。また、制御装置８は、第２吸引口３０を用いる吸引動作を停止することにより、第２保持部３２よりプレート部材Ｔをリリースすることができる。
【００３５】
本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、プレート部材Ｔの上面ＴａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面Ｐａと第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。
【００３６】
第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面Ｐａ、及び第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａは、終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４と対向可能である。供給口１５からの液体ＬＱは、開口７Ｋを介して、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面Ｐａ、及び第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一方に供給される。
【００３７】
基板Ｐは、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの開口ＴＨに配置される。第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面Ｐａの周囲に配置される。本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの側面Ｐｃと、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの側面（内側面）ＴｃとがギャップＧ１を介して対向するように、基板Ｐを保持する。側面Ｔｃは、開口ＴＨを規定する。
基板Ｐの側面ＰｃとギャップＧ１を介して対向するプレート部材Ｔの側面Ｔｃの上端は、供給口１５からの液体ＬＱが供給される上面Ｔａの内側のエッジと結ばれている。
【００３８】
図３は、計測テーブル１４（計測ステージ３）の一例を示す側断面図である。計測テーブル１４は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する第３保持部３３を備えている。第３保持部３３は、計測部材Ｃの下面Ｃｂの周縁領域と対向可能な計測テーブル１４のチャック面３５に設けられており、計測部材Ｃの下面Ｃｂを保持する。本実施形態において、第３保持部３３は、所謂、ピンチャック機構を含み、チャック面３５に配置され、計測部材Ｃの下面Ｃｂと対向する環状の第４リム部３６と、チャック面３５において第４リム部３６の周囲に配置され、計測部材Ｃの下面Ｃｂの周縁領域と対向する環状の第５リム部３７と、チャック面３５において第４リム部３６と第５リム部３７との間に配置され、計測部材Ｃの下面Ｃｂを支持する複数のピン部材３８と、チャック面３５において第４リム部３６と第５リム部３７との間に配置され、気体を吸引可能な第３吸引口３９とを含む。
【００３９】
本実施形態において、計測テーブル１４は、第４リム部３６の内側に凹部４５を有する。凹部４５には、光センサ４６が配置されている。本実施形態において、計測部材Ｃは、例えば石英など、露光光ＥＬを透過可能な部材を含み、計測部材Ｃの少なくとも一部は、露光光ＥＬを透過可能な透過部を含む。第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａに照射された露光光ＥＬは、計測部材Ｃの透過部を介して、光センサ４６に照射される。光センサ４６は、終端光学素子１２より射出され、計測部材Ｃを介した露光光ＥＬを受光する。
【００４０】
また、本実施形態においては、計測テーブル１４（計測ステージ３）は、計測部材Ｃの周囲に配置されるプレート部材Ｓを備えている。計測テーブル１４は、第３保持部３３の周囲に配置され、プレート部材Ｓをリリース可能に保持する第４保持部３４を備えている。第４保持部３４は、第３保持部３３の周囲に配置されている。プレート部材Ｓは、計測部材Ｃを配置可能な開口ＳＨを有する。第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの周囲に配置される。
【００４１】
第４保持部３４は、プレート部材Ｓの下面Ｓｂと対向可能な計測テーブル１４のチャック面４０に設けられており、プレート部材Ｓの下面Ｓｂを保持する。本実施形態において、第４保持部３４は、所謂、ピンチャック機構を含み、チャック面４０において第５リム部３７の周囲に配置され、開口ＳＨ近傍においてプレート部材Ｓの下面Ｓｂの内縁領域と対向する環状の第６リム部４１と、チャック面４０において第６リム部４１の周囲に配置され、プレート部材Ｓの下面Ｓｂの外縁領域と対向する環状の第７リム部４２と、チャック面４０において第６リム部４１と第７リム部４２との間に配置され、プレート部材Ｓの下面Ｓｂを支持する複数のピン部材４３と、チャック面４０において第６リム部４１と第７リム部４２との間に配置され、気体を吸引可能な第４吸引口４４とを含む。
【００４２】
本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの上面ＣａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。第４保持部３４は、プレート部材Ｓの上面ＳａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｓを保持する。本実施形態において、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａと第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。
【００４３】
第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａ、及び第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａは、終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４と対向可能である。供給口１５からの液体ＬＱは、開口７Ｋを介して、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａ、及び第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａの少なくとも一方に供給される。
【００４４】
計測部材Ｃは、第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの開口ＳＨに配置される。第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａの周囲に配置される。本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの側面Ｃｃと、第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの側面（内側面）ＳｃとがギャップＧ２を介して対向するように、計測部材Ｃを保持する。側面Ｓｃは、開口ＳＨを規定する。計測部材Ｃの側面ＣｃとギャップＧ２を介して対向するプレート部材Ｓの側面Ｓｃの上端は、供給口１５からの液体ＬＱが供給される上面Ｓａの内側のエッジと結ばれている。
【００４５】
また、本実施形態においては、計測テーブル１４は、基板テーブル１２と面する−Ｙ側の側面にロッド部材４７を備えている。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関して、ロッド部材４７のサイズは、プレート部材Ｓのサイズより小さい。ロッド部材４７は、終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４と対向可能な上面４８と、基板テーブル１２の側面と対向可能な側面４９とを有する。本実施形態において、上面４８は、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、ロッド部材４７の上面４８と、第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。
【００４６】
供給口１５からの液体ＬＱは、開口７Ｋを介して、ロッド部材４７の上面４８に供給可能である。基板テーブル１２の側面と対向可能なロッド部材４７の側面４９の上端は、供給口１５からの液体ＬＱが供給される上面４８の−Ｙ側のエッジと結ばれている。
【００４７】
ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａを適宜、基板テーブル１２（基板ステージ２）の上面２Ｕ、と称し、第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面Ｓａ及びロッド部材４７の上面４８を合わせて適宜、計測テーブル１４（計測ステージ３）の上面３Ｕ、と称する。
【００４８】
図４は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例を示す図である。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置８は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方が終端光学素子１２及び液浸部材７との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面２Ｕ及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一方と終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４とを対向させつつ、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態、及び終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、制御装置８は、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとの間で液体ＬＱの液浸空間ＬＳを移動可能である。
【００４９】
以下の説明において、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面２Ｕ及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一方と終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４とを対向させつつ、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。
【００５０】
本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、制御装置８は、基板ステージ２の＋Ｙ側の側面と計測ステージ３のロッド部材４７の側面４９とを所定のギャップＧ３を介して対向させる。そして、制御装置８は、そのギャップＧ３を維持した状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３を同時に移動（同期移動）させる。本実施形態においては、スクラム移動時において、液浸空間ＬＳは、ロッド部材４７の上面４８を移動する。また、本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、制御装置８は、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとがほぼ同一平面内に配置されるように、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとの位置関係を調整する。
【００５１】
例えば、計測部材Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子１２と計測部材Ｃとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測部材Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測部材Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、基板Ｐの露光処理に反映される。
【００５２】
また、基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２とを対向させ、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００５３】
なお、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。
【００５４】
図５は、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面Ｐｃ、及び第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの側面Ｔｃの近傍を拡大した側断面図（ＹＺ断面図）である。以下、基板Ｐが第１保持部３１に保持され、プレート部材Ｔが第２保持部３２に保持されている状態について説明する。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態においては、プレート部材Ｔの側面Ｔｃの表面粗さは、上面Ｔａの表面粗さより大きい。本実施形態において、上面Ｔａは、ほぼ平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００５６】
本実施形態において、側面Ｔｃは、上面Ｔａ側（＋Ｚ側）から下方向（−Ｚ方向）、且つ基板Ｐの中央に対して外側に向かう第１方向に延びる第１斜面５１を複数含む。本実施形態において、第１方向は、開口ＴＨの中心に対して外側に向かう方向である。
【００５７】
また、本実施形態において、側面Ｔｃは、上面Ｔａ側（＋Ｚ側）から下方向（−Ｚ方向）、且つ第１方向と逆向きの第２方向に延びる第２斜面５２を複数含む。本実施形態において、第２方向は、開口ＴＨの中心に向かう方向である。
【００５８】
以下の説明において、第１斜面５１を適宜、下向き斜面５１、と称し、第２斜面５２を適宜、上向き斜面５２、と称する。
【００５９】
本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、下向き斜面５１と上向き斜面５２とが交互に配置されている。
【００６０】
本実施形態においては、Ｚ軸と下向き斜面５１とがなす角度θ１は、Ｚ軸と上向き斜面５２とがなす角度θ２とほぼ同じである。本実施形態において、角度θ１及び角度θ２は、約４５度である。
【００６１】
また、本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、下向き斜面５１のサイズＬ１は、上向き斜面５２のサイズＬ２とほぼ同じである。  
【００６２】
また、本実施形態において、下向き斜面５１の上端と上向き斜面５２の下端との境界部５３は、尖っている。下向き斜面５１及び上向き斜面５２は、例えば旋盤加工を用いて形成可能である。なお、境界部５３が、丸みを帯びていてもよい。
【００６３】
本実施形態において、プレート部材Ｔの上面Ｔａと下面Ｔｂとはほぼ平行である。本実施形態において、プレート部材Ｔの上面Ｔａと下面Ｔｂとの距離（プレート部材Ｔの厚み）は、基板Ｐの表面Ｐａと裏面Ｐｂとの距離（基板Ｐの厚み）とほぼ同じである。本実施形態において、基板Ｐの厚みは、約０．７７５ｍｍである。
【００６４】
本実施形態において、下向き斜面５１及び上向き斜面５２を含む側面Ｔｃは、液体ＬＱに対して撥液性である。また、上面Ｔａ及び下面Ｔｂも、液体ＬＱに対して撥液性である。
【００６５】
本実施形態においては、プレート部材Ｔは、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。本実施形態において、プレート部材Ｔの上面Ｔａ、下面Ｔｂ、及び側面Ｔｃは、撥液性材料の膜の表面を含む。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。これにより、上面Ｔａ、下面Ｔｂ、及び側面Ｔｃのそれぞれが、液体ＬＱに対して撥液性となる。液体ＬＱに対する上面Ｔａ、下面Ｔｂ、及び側面Ｔｃの接触角は、例えば９０度以上である。本実施形態においては、プレート部材Ｔの基材は、ステンレス（ＳＵＳ３１６）であり、膜を形成する撥液性材料は、ＰＦＡである。本実施形態においては、液体ＬＱに対する上面Ｔａ、下面Ｔｂ、及び側面Ｔｃの接触角（前進接触角）は、約１１０度である。なお、プレート部材Ｔ自体が撥液性材料で形成されてもよい。
【００６６】
基板Ｐの側面Ｐｃは、基板Ｐの表面Ｐａとほぼ垂直な垂直領域６１を有する。プレート部材Ｔの側面Ｔｃの少なくとも一部は、側面Ｐｃの垂直領域６１と対向するように配置される。
【００６７】
プレート部材Ｔの側面Ｔｃは、基板Ｐの側面Ｐｃに沿うように設けられている。プレート部材Ｔは、側面Ｔｃと基板Ｐの側面ＰｃとがギャップＧ１を介して対向するように配置される。本実施形態において、ギャップＧ１の大きさは、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。本実施形態において、ギャップＧ１の大きさは、側面Ｔｃの境界部５３と側面Ｐｃの垂直領域６１との距離である。
【００６８】
本実施形態においては、例えば図２に示すように、供給口１５からの液体ＬＱで形成された液浸空間ＬＳが、基板Ｐの表面Ｐａとプレート部材Ｔの上面Ｔａとに跨って形成される場合がある。すなわち、ギャップＧ１上に液浸空間ＬＳが形成される場合がある。本実施形態によれば、ギャップＧ１を介して基板Ｐの裏面Ｐｂ側の空間に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。
【００６９】
図６は、第１部材の表面１０１と第２部材の表面１０２との間のギャップＧに浸入した液体ＬＱの一般的な挙動を示す模式図である。ここで、以下の説明において、液体ＬＱに対する表面１０１の接触角をθａ、液体ＬＱに対する表面１０２の接触角をθｂ、液体ＬＱの表面張力をγ、ギャップＧの大きさをｄ、とする。
【００７０】
表面１０１、１０２間のギャップＧに浸入した液体ＬＱの内部圧力ＩＰ、及びギャップＧにおける液体ＬＱの界面の曲率半径Ｒについて、一般に、以下の式が成り立つ。
【００７１】
【数１】
2010040702.tif 000003
【００７２】
なお、（１）式では、重力の作用を無視している。（１）式に示すように、液体ＬＱの界面の曲率半径Ｒは、表面１０１、１０２の条件に応じて変化する。表面１０１、１０２の条件は、接触角θａ、θｂ、及び大きさｄを含む。また、内部圧力ＩＰは、曲率半径Ｒに応じて変化する。
【００７３】
図６は、表面１０１及び表面１０２のそれぞれがＺ軸と平行であり、接触角θａと接触角θｂとが等しい場合を示す。また、図６に示す例においては、図６（Ａ）に示す表面１０１、１０２の接触角θａ、θｂのほうが、図６（Ｂ）に示す表面１０１、１０２の接触角θａ、θｂより大きい。
【００７４】
図６（Ａ）に示すように、ギャップＧにおける液体ＬＱの界面の形状が、−Ｚ方向に凸状になると、液体ＬＱの表面張力により、＋Ｚ方向に向く内部圧力ＩＰが発生する。この場合、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動が抑制され、ギャップＧに対する液体ＬＱの浸入が抑制される。一方、図６（Ｂ）に示すように、ギャップＧにおける液体ＬＱの界面の形状が、＋Ｚ方向に凸状になると、毛細管現象により、−Ｚ方向に向く内部圧力ＩＰが発生する。この場合、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動が促進され、ギャップＧに対する液体ＬＱの浸入が促進される。
【００７５】
ここで、以下の説明において、ギャップＧにおける液体ＬＱの界面が、−Ｚ方向に凸状である状態を適宜、抑制状態、と称し、＋Ｚ方向に凸状である状態を適宜、非抑制状態、と称する。したがって、液体ＬＱの界面が抑制状態では、液体ＬＱの浸入が抑制され、非抑制状態では、液体ＬＱの浸入が促進される。
【００７６】
表面１０１、１０２間のギャップＧに液体ＬＱの界面が形成される場合において、その界面が位置する表面１０１、１０２の条件に応じて、界面の形状（曲率半径）が変化する。換言すれば、表面１０１と表面１０２との間に液体ＬＱの界面が形成される場合において、表面１０１、１０２の条件が、液体ＬＱの内部圧力ＩＰの向き、すなわち液体ＬＱの浸入が抑制されるか否かを決定する。
【００７７】
図７は、本実施形態に係るプレート部材Ｔの側面Ｔｃと基板Ｐの側面Ｐｃとの間のギャップＧ１に形成される液体ＬＱの界面ＭＳの形状を説明するための図である。
【００７８】
上述したように、本実施形態においては、側面Ｔｃが液体ＬＱに対して撥液性なので、界面ＭＳは、抑制状態になる可能性が高い。例えば、界面ＭＳが上向き斜面５２に位置する場合でも、抑制状態になる可能性が高い。
【００７９】
さらに、界面ＭＳが下向き斜面５１に位置する場合、図７に示すように、下向き斜面５１に位置する界面ＭＳは、高い確率で抑制状態になる。下向き斜面５１と液体ＬＱの界面とがなす角度θＬが、例えば約１１０度である場合、界面ＭＳが下向き斜面５１に位置することによって、界面ＭＳの曲率半径は十分に小さくなる。したがって、内部圧力ＩＰが増大し、ギャップＧ１に対する液体ＬＱの浸入を抑制することができる。換言すれば、界面ＭＳが下向き斜面５１に位置することによって、液体ＬＱに対する側面Ｔｃの実質的な前進接触角が大きくなるので、界面ＭＳが−Ｚ方向へ移動することを抑制することができる。
【００８０】
また、例えば図７中、第１の下向き斜面５１Ａに位置していた界面ＭＳが、−Ｚ方向に移動しても、その第１の下向き斜面５１Ａの下方に、第２の下向き斜面５１Ｂが存在するので、その第２の下向き斜面５１Ｂによって、液体ＬＱの浸入（界面ＭＳの−Ｚ方向への移動）をくい止めることができる。すなわち、複数の下向き斜面５１がＺ軸方向に配置されているので、液体ＬＱの浸入（界面ＭＳの−Ｚ方向への移動）をより良好にくい止めることができる。例えば、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して基板テーブル１２をＸＹ方向に移動することによって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの圧力が変動し、その圧力変動によって、ギャップＧ１に液体ＬＱが浸入し易くなる可能性がある。そのような場合でも、複数の下向き斜面５１がＺ軸方向に配置されているので、それら下向き斜面５１によって、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。
【００８１】
このように、本実施形態においては、側面Ｔｃの表面粗さを大きくして、液体ＬＱに対する側面Ｔｃの実質的な前進接触角を大きくしたので、液体ＬＱの界面ＭＳの−Ｚ方向への移動を抑制することができる。したがって、ギャップＧ１からの液体ＬＱの浸入を抑制することができ、液体ＬＱが基板Ｐの裏面Ｐｂ側に回り込んだり、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着したりすることを抑制することができる。また、液体ＬＱがプレート部材Ｔの下面Ｔｂ側に回り込んだり、プレート部材Ｔの下面Ｔｂに付着したりすることを抑制することができる。
【００８２】
また、ここでは、基板テーブル１２に配置されるプレート部材Ｔについて主に説明したが、計測テーブル１４に配置されるプレート部材Ｓの側面Ｓｃの表面粗さを、上面Ｓａの表面粗さより大きくすることができる。例えば、プレート部材Ｔの側面Ｔｃと同様、プレート部材Ｓの側面Ｓｃに、下向き斜面及び上向き斜面を形成することができる。これにより、ギャップＧ２からの液体ＬＱの浸入を抑制することができ、液体ＬＱが計測部材Ｃの下面Ｃｂ側に回り込んだり、計測部材Ｃの下面Ｃｂに付着したりすることを抑制することができる。また、液体ＬＱがプレート部材Ｓの下面Ｓｂ側に回り込んだり、プレート部材Ｓの下面Ｓｂに付着したりすることを抑制することができる。
【００８３】
また、図８に示すように、ロッド部材４７の側面４９の表面粗さを、上面４８の表面粗さより大きくすることができる。例えば、プレート部材Ｔの側面Ｔｃと同様、ロッド部材４７の側面４９に、下向き斜面及び上向き斜面を形成することができる。これにより、スクラム移動するために、ギャップＧ３を維持した状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３を同時に移動する場合でも、ギャップＧ３に対する液体ＬＱの浸入を抑制することができる。したがって、液体ＬＱが漏出したり、飛散したりすることを抑制することができる。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの周囲の少なくとも一部に形成されたギャップＧ１からの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。また、本実施形態によれば、ギャップＧ２、Ｇ３からの液体ＬＱの浸入も抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【００８５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８６】
図９は、第２実施形態に係るプレート部材Ｔ２の側面Ｔｃの近傍を拡大した側断面図（ＹＺ断面図）である。プレート部材Ｔ２は、第１保持部３１に保持され、基板Ｐは、第２保持部３２に保持されている。
【００８７】
図９に示すように、本実施形態においては、Ｚ軸と下向き斜面５１とがなす角度θ１は、Ｚ軸と上向き斜面５２とがなす角度θ２より大きい。
【００８８】
また、本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、下向き斜面５１のサイズＬ１は、上向き斜面５２のサイズＬ２より小さい。
【００８９】
図１０は、本実施形態に係るプレート部材Ｔ２の側面Ｔｃと基板Ｐの側面Ｐｃとの間のギャップＧ１に形成される液体ＬＱの界面ＭＳの形状を説明するための模式図である。
【００９０】
本実施形態においては、Ｚ軸と下向き斜面５１とがなす角度θ１が大きいので、界面ＭＳが下向き斜面５１に位置することによって、界面ＭＳの曲率半径は十分に小さくなる。すなわち、界面ＭＳが下向き斜面５１に位置することによって、液体ＬＱに対する側面Ｔｃの実質的な前進接触角が十分に大きくなる。したがって、界面ＭＳが−Ｚ方向へ移動することを効果的に抑制することができ、ギャップＧ１に対する液体ＬＱの浸入を抑制することができる。
【００９１】
また、例えば図１０中、下向き斜面５１Ｃに位置していた界面ＭＳが、−Ｚ方向に移動しても、その下向き斜面５１Ｃの下方の下向き斜面５１Ｄによって、液体ＬＱの浸入（界面ＭＳの−Ｚ方向への移動）をくい止めることができる。
【００９２】
また、本実施形態においては、ギャップＧ１に対する液体ＬＱの浸入が抑制されるとともに、ギャップＧ１からの液体ＬＱの排出が良好に実行される。
【００９３】
図１１は、露光装置ＥＸの動作の一例を示す模式図である。例えば、図１１（Ａ）に示すように、終端光学素子１１及び液浸部材７とプレート部材Ｔ２との間に液浸空間ＬＳが形成されている状態から、基板ステージ２を＋Ｙ方向へ移動する場合、図１１（Ｂ）に示すように、液浸空間ＬＳがギャップＧ１上に形成される状態を経て、図１１（Ｃ）に示すように、終端光学素子１１及び液浸部材７と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成される状態に変化する。本実施形態においては、図１１（Ａ）に示す状態から図１１（Ｂ）に示す状態に変化する場合においても、ギャップＧ１に対して液体ＬＱが浸入することを十分に抑制することができる。また、本実施形態においては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部がギャップＧ１に僅かに入り込んだ場合でも、図１１（Ｂ）に示す状態から図１１（Ｃ）に示す状態に変化する際に、そのギャップＧ１からの液体ＬＱの排出を良好に実行することができる。
【００９４】
図１２は、本実施形態に係るプレート部材Ｔ２の側面Ｔｃと基板Ｐの側面Ｐｃとの間のギャップＧ１から液体ＬＱが排出される状態の一例を示す模式図である。
【００９５】
本実施形態においては、Ｚ軸と下向き斜面５１とがなす角度θ１が大きく、液体ＬＱに対する下向き斜面５１の実質的な後退接触角は十分に大きい。また、本実施形態においては、Ｚ軸と上向き斜面５２とがなす角度θ２は小さく、液体ＬＱに対する上向き斜面５２の実質的な後退接触角は大きい。すなわち、本実施形態に係るプレート部材Ｔ２の側面Ｔｃは、ギャップＧ１上に液浸空間ＬＳが形成され、そのギャップＧ１に液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が僅かに入り込んでも、ギャップＧ１に対する液浸空間ＬＳの移動に伴って、液浸空間ＬＳと一緒に、ギャップＧ１の液体ＬＱが排出されやすい形状を有している。これにより、例えば図１１（Ｂ）に示す状態から図１１（Ｃ）に示す状態に変化する際に、ギャップＧ１からの液体ＬＱの排出が良好に実行される。
【００９６】
なお、ここでは、基板テーブル１２に配置されるプレート部材Ｔ２について主に説明したが、計測テーブル１４に配置されるプレート部材Ｓの側面Ｓｃ、及びロッド部材４７の側面４９の少なくとも一方に、図９、図１０、図１２等を参照して説明したような、下向き斜面及び上向き斜面を形成することができる。
【００９７】
なお、第１実施形態で説明したプレート部材Ｔであっても、ギャップＧ１に対する液体ＬＱの浸入が抑制されるとともに、ギャップＧ１からの液体ＬＱの排出が良好に実行される。
【００９８】
なお、上述の第１，第２実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【００９９】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１００】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１０１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１０２】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１０３】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１０４】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１０５】
また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０１０６】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１０７】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１０８】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１０９】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【０１１０】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１１１】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１１２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１１３】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る基板テーブル及び液浸部材の一例を示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係る計測テーブルの一例を示す側断面図である。
【図４】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図５】第１実施形態に係るプレート部材の一例を示す図である。
【図６】ギャップに浸入した液体の挙動を説明するための模式図である。
【図７】第１実施形態に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。
【図８】第１実施形態に係る計測ステージの一例を示す図である。
【図９】第２実施形態に係るプレート部材の一例を示す図である。
【図１０】第２実施形態に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。
【図１１】露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。
【図１３】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１５】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、１２…基板テーブル、１４…計測テーブル、
３１…第１保持部、３２…第２保持部、３３…第３保持部、３４…第４保持部、５１…第１斜面、５２…第２斜面、Ｃ…計測部材、Ｃａ…上面、Ｃｂ…下面、Ｃｃ…側面、Ｇ１…ギャップ、Ｇ２…ギャップ、Ｇ３…ギャップ、Ｐ…基板、Ｐａ…表面、Ｐｂ…裏面、Ｐｃ…側面、Ｓ…プレート部材、Ｓａ…上面、Ｓｂ…下面、Ｓｃ…側面、ＳＨ…開口、Ｔ…プレート部材、Ｔａ…上面、Ｔｂ…下面、Ｔｃ…側面、ＴＨ…開口、ＥＬ…露光光、ＬＱ…液体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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