(57)【要約】【課題】フレキシブルプリント配線板等の可撓性配線部材に対する更なる高屈曲特性の要求に対応するために、優れた屈曲特性を有しかつ低コストな圧延銅箔を提供する。【解決手段】本発明に係る圧延銅箔は、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、前記圧延銅箔は酸素含有量が300ppm以下である純銅からなり、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度＝45°におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークが少なくともβ角度の90±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒が存在する特徴を有する。【選択図】  図６
2010150597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、
前記圧延銅箔は酸素含有量が300ppm以下である純銅からなり、
圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度＝45°におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークが少なくともβ角度の90±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒が存在することを特徴とする圧延銅箔。
【請求項２】
請求項１に記載の圧延銅箔において、
前記圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度を横軸とし各α角度におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度を縦軸としてグラフ表記した際に、
α＝25〜35°の間に前記規格化強度の極大値Ｐが存在し、α＝40〜50°の間に前記規格化強度の極大値Ｑが存在し、α＝85〜90°の間は前記規格化強度が単調増加しており、
前記極大値Ｐと前記極大値Ｑと前記α＝90°における前記規格化強度の値Ｒとが「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」であることを特徴とする圧延銅箔。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧延銅箔において、
前記圧延面に対するＸ線回折２θ/θ測定により得られる結果で、銅結晶の回折ピークの強度が「I{200}Cu ≧ I{220}Cu」であることを特徴とする圧延銅箔。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の圧延銅箔に対して温度300℃で60分間の再結晶焼鈍を施した後の圧延銅箔であって、
前記圧延面で見える平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とする圧延銅箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧延銅箔に関し、特に、フレキシブルプリント配線板等の可撓性配線部材に好適な優れた屈曲特性を有する圧延銅箔に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuit、以下、FPCと称す）は、厚みが薄く可撓性に優れる特長から、電子機器等への実装形態における自由度が高い。そのため、現在では、折り畳み式携帯電話の折り曲げ部・デジタルカメラ・プリンターヘッドなどの可動部、ならびに、HDD （Hard Disk Drive）やDVD （Digital Versatile Disc），CD （Compact Disk）など、ディスク関連機器の可動部の配線等にFPCが広く用いられている。
【０００３】
FPCの導電体としては、種々の表面処理が施された純銅箔または銅合金箔（以下、単に「銅箔」という）が一般的に用いられている。銅箔は、その製造方法の違いにより、電解銅箔と圧延銅箔に大別される。FPCは、前述のように繰り返し可動する部分の配線材として用いられることから優れた屈曲特性（例えば、100万回以上の屈曲特性）が要求され、銅箔としては圧延銅箔が使用されることが多い。
【０００４】
一般的に、圧延銅箔の製造は、原材料となるタフピッチ銅（JIS H3100 C1100）や無酸素銅（JIS H3100 C1020）等の純銅の鋳塊に熱間圧延を施した後、所定の厚さまで冷間圧延と中間焼鈍を繰り返し施すことによって行われる。FPC用の圧延銅箔に要求される厚さは、通常、50μm以下であるが、最近では十数μm以下と更に薄くなる傾向にある。
【０００５】
FPCの製造工程は、概略的に、「FPC用銅箔と、ポリイミドなどの樹脂からなるベースフィルム（基材）とを貼り合わせてCCL （Copper Claded Laminate）を形成する工程（CCL工程）」と、「該CCLにエッチング等の手法により回路配線を形成する工程」と、「該回路上に配線保護のための表面処理を行う工程」などから構成されている。CCL工程には、接着剤を介して銅箔と基材を積層した後、熱処理により接着剤を硬化して密着させる（３層CCL）方法と、接着剤を介さず、表面処理の施された銅箔を基材に直接張り合わせた後、加熱・加圧により一体化する（２層CCL）方法の２種類がある。
【０００６】
ここで、FPCの製造工程においては、製造の容易性の観点から冷間圧延加工上がり（加工硬化した硬質な状態）の銅箔が用いられることが多い。銅箔が焼鈍された（軟化した）状態にあると、銅箔の裁断や基材との積層時に銅箔の変形（例えば、伸び、しわ、折れ、等）が生じ易く、製品不良になりやすいためである。
【０００７】
一方、銅箔の屈曲特性は、再結晶焼鈍を行うことにより、圧延加工上がりの状態よりも著しく向上する。そこで、上述のCCL工程における基材と銅箔とを密着・一体化させるための熱処理で、銅箔の再結晶焼鈍を兼ねる製造方法が一般的に選択されている。なお、このときの熱処理条件は、180〜300℃で１〜60分間（代表的には200℃で30分間）であり、銅箔は再結晶組織に調質した状態となる。
【０００８】
FPCの屈曲特性を高めるためには、その素材となる圧延銅箔の屈曲特性を高めることが有効である。また、一般的に、再結晶焼鈍後の銅箔の屈曲特性は、立方体集合組織が発達するほど向上することが知られている。なお、一般に言われている「立方体集合組織が発達」とは、圧延面において{２００}Cu面の占有率が高いこと（例えば、85％以上）のみを意味する。
【０００９】
従来、屈曲特性に優れた圧延銅箔やその製造方法として、次のようなものが報告されている。最終冷間圧延工程の総加工度を高くすること（例えば、90％以上）によって立方体集合組織を発達させる方法、および再結晶焼鈍後の立方体集合組織の発達度合を規定した銅箔（例えば、圧延面のＸ線回折で求めた(２００)面の強度が粉末Ｘ線回折で求めた(２００)面の強度の20倍より大きい銅箔）。最終冷間圧延工程前の中間焼鈍の際に立方体集合組織を発達させておき、最終冷間圧延工程の総加工度を93％以上にして再結晶後の立方体集合組織を更に発達させる方法。銅箔板厚方向の貫通結晶粒の割合を規定した銅箔（例えば、断面面積率で40％以上が貫通結晶粒である銅箔）。微量添加元素の添加により軟化温度を制御した銅箔（例えば、120〜150℃の半軟化温度に制御した銅箔）。双晶境界の長さを規定した銅箔（例えば、長さ５μmを超える双晶境界が１mm2の面積あたり合計長さ20 mm以下である銅箔）。微量添加元素の添加により再結晶組織を制御した銅箔（例えば、Snを0.01〜0.2質量％添加し、平均結晶粒径を５μm以下、最大結晶粒径を15μm以下に制御した銅箔）などが報告されている（例えば、特許文献１乃至７参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−２６２２９６号公報
【特許文献２】特許第３００９３８３号公報
【特許文献３】特開２００１−３２３３５４号公報
【特許文献４】特開２００６−１１７９７７号公報
【特許文献５】特開２０００−２１２６６１号公報
【特許文献６】特開２０００−２５６７６５号公報
【特許文献７】特開２００５−６８４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述したように、従来技術では、最終冷間圧延工程の総加工度を高くするほど再結晶焼鈍後に圧延銅箔の立方体集合組織が発達して屈曲性が向上すると報告されている。しかしながら、冷間圧延加工においては、総加工度が高くなるほど加工硬化によって材料（銅箔）が硬くなることから、１パスあたりの加工度の制御が難しくなり圧延銅箔の製造効率が低下する問題がある。具体的には、冷間圧延の総加工度が約90％以上（特に93％以上）になると、１パスあたりの加工度制御や圧延加工自体が急激に難しくなる。
【００１２】
また、総加工度93％以上の冷間圧延加工を施すと、銅箔への加工ひずみの蓄積が大きく再結晶焼鈍時に銅箔の結晶粒が著しく粗大化しやすい。このような銅箔では、FPC製造工程で最近問題になっている「Dish Down現象」という不具合を生じてしまう。「Dish Down現象」とは、FPC製造工程中において銅箔をハーフエッチングする際、結晶粒単位でエッチングされる傾向があるために粒径の大きい結晶粒が優先的にエッチングされ、銅箔表面がクレーター状になり凹凸が目立ってしまう現象をいう。
【００１３】
一方、近年、電子機器類の小型化、高集積化（高密度実装化）や高性能化等の進展に伴い、FPCには従来よりも更なる高屈曲特性の要求が益々高まってきている。FPCの屈曲特性は実質的に銅箔のそれによって決まるため、要求を満たすためには銅箔の屈曲特性を更に向上させることが必須である。また、電子部品に対する低コスト化の要求は強まる一方である。
【００１４】
従って、本発明の目的は、フレキシブルプリント配線板（FPC）等の可撓性配線部材に適しており、優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を提供することにある。さらには、最終冷間圧延工程において従来のような高い総加工度を実施しなくても高屈曲特性を有する圧延銅箔を安定して効率良く製造できる、すなわち低コストな圧延銅箔を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、圧延銅箔における金属結晶学的な詳細検討を行い、生地焼鈍の後で最終冷間圧延工程前の圧延銅箔および最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔における結晶粒の方位・配向状態が、再結晶焼鈍後の結晶粒配向状態および銅箔の屈曲特性との間に特定の相関関係を有することを見出した。また、その現象がこれまで考えられていた原理と異なる現象と思われることを見出したことに基づき、本発明を完成した（詳細は後述する）。
【００１６】
本発明は、上記目的を達成するため、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、前記圧延銅箔は酸素含有量が300ppm以下である純銅からなり、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度＝45°におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークがβ角度の少なくとも90±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒が存在することを特徴とする圧延銅箔を提供する。なお、本発明における純銅とは、JIS H3100規格における「純銅」（例えば、タフピッチ銅や無酸素銅）と同等以上の銅純度（99.9％以上）を有する希薄銅合金を含むものとする。
【００１７】
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る圧延銅箔において、以下のような改良や変更を加えることができる。
（１）前記圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度を横軸とし各α角度におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度を縦軸としてグラフ表記した際に、α＝25〜35°の間に前記規格化強度の極大値Ｐが存在し、α＝40〜50°の間に前記規格化強度の極大値Ｑが存在し、α＝85〜90°の間は前記規格化強度が単調増加しており、前記極大値Ｐと前記極大値Ｑと前記α＝90°における前記規格化強度の値Ｒとが「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」である。
（２）前記圧延面に対するＸ線回折２θ/θ測定により得られる結果で、銅結晶の回折ピークの強度が「I{200}Cu ≧ I{220}Cu」であることを特徴とする圧延銅箔を提供する。
（３）前記圧延銅箔に対して温度300℃で60分間の再結晶焼鈍を施した後の圧延銅箔であって、前記圧延面で見える平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とする圧延銅箔を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フレキシブルプリント配線板（FPC）等の可撓性配線部材に適しており、優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を提供することができる。さらには、高屈曲特性を有する圧延銅箔を安定して効率良く製造できる、すなわち低コストな圧延銅箔を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明に関係する銅結晶の主な結晶面を示す模式図を図１に示す。銅の結晶構造は立方晶であることから、{２００}Cu面と{２２０}Cu面のなす角度は45°になる。なお、{  }は等価な面を表すものとする（図１参照）。
【００２０】
図２は、Ｘ線回折（以下、XRDと表記する場合もある）における入射Ｘ線・検出器・試料・走査軸の関係を示す概略図である。以下、図２を用いてXRDによる圧延銅箔の結晶粒配向状態に関する評価方法を説明する。なお、図２における３つの走査軸は、一般的に、θ軸が試料軸、α軸があおり軸、β軸が面内回転軸と呼ばれている。また、本発明におけるＸ線回折は、すべてCu Kα線によるものとする。
【００２１】
入射Ｘ線に対して、試料と検出器をθ軸で走査し、試料の走査角をθ、検出器の走査角を２θで走査する測定方法を２θ/θ測定という。２θ/θ測定による回折ピークの強度よって、多結晶体である圧延銅箔の試料面（本発明では圧延面）において、どの結晶面が優勢であるのかを評価できる。
【００２２】
極点図測定の特徴を利用した評価方法の１つに面内配向測定がある。これは、着目した{ｈｋｌ}Cu面と幾何学的に対応する結晶面{ｈ'ｋ'ｌ'}Cuが該{ｈｋｌ}Cu面となす角度をα'とした場合、「α＝９０−α'」となるようにα軸走査し（試料を傾け）、{ｈ'ｋ'ｌ'}Cu面の２θ値に対して（検出器の走査角２θを固定して）、試料をβ軸走査（０〜360°まで面内回転（自転））させる測定方法である。この測定による{ｈ'ｋ'ｌ'}Cu面ピークの半価幅または積分幅で、{ｈ'ｋ'ｌ'}Cu面と幾何学的に対応する{ｈｋｌ}Cu面の圧延面内２軸方向の配向度が評価できる。このとき、前述と同様に、該回折ピークの半価幅または積分幅の値が小さいほど圧延面内方向の結晶配向性に優れているといえる（以下、「圧延面内方向の結晶配向性」を「面内配向性」と称する）。なお、本発明のXRD極点図測定では、試料面に垂直な方向をα＝90°と定義し、測定の基準とする。また、極点図測定には、反射法（α＝15〜90°）と透過法（α＝０〜15°）があるが、本発明における極点図測定は、反射法（α＝15〜90°）のみの測定を考慮する。
【００２３】
〔本発明の第１の実施形態〕
（面内配向測定）
本実施の形態における圧延銅箔は、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、前記圧延銅箔は酸素含有量が300ppm以下である純銅からなり、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度＝45°におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークがβ角度の少なくとも90±５°毎に存在して４回対称性を示すことを特徴とする。例えば、極点図測定において銅箔の圧延方向をβ＝０°とした場合、４回対称の回折ピークの中心はそれぞれβ＝０±５°（360±５°）, 90±５°, 180±５°, 270±５°となる。
【００２４】
上述の面内配向測定結果において、{２２０}Cu面回折ピークが90±５°毎の４回対称性を示さない場合、再結晶焼鈍を施しても高屈曲特性を有する圧延銅箔が得られない。よって、上記のように規定する。なお、極点図測定のα角度＝45°においてβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークが90±５°毎の４回対称性を示すということは、該{２２０}Cu面と結晶幾何学的に45°の角度をなす{２００}Cu面が銅箔の圧延面で面内配向していることを意味する。また、当該４回対称性の回折ピークは、それぞれの回折ピーク強度がβ軸走査（０〜360°までの面内回転）で得られる{２２０}Cu面回折の最小強度に対して1.5倍以上を有することが望ましい。
【００２５】
〔本発明の第２の実施形態〕
（規格化強度）
本実施の形態における圧延銅箔は、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、前記圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度を横軸とし各α角度におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度を縦軸としてグラフ表記した際に、α＝25〜35°の間に前記規格化強度の極大値Ｐが存在し、α＝40〜50°の間に前記規格化強度の極大値Ｑが存在し、α＝85〜90°の間は前記規格化強度が単調増加しており、前記極大値Ｐと前記極大値Ｑと前記α＝90°における前記規格化強度の値Ｒとが「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」であることを特徴とする。上述のXRD極点図測定の結果において、{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度がα＝25〜35°の極大値Ｐとα＝40〜50°の極大値Ｑとα＝85〜90°の単調増加とを示さず、前記極大値Ｐと前記極大値Ｑと前記α＝90°における規格化強度の値Ｒとが「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」の関係を示さない場合、再結晶焼鈍を施しても高屈曲特性を有する圧延銅箔が得られない。よって、上記のように規定する。
【００２６】
なお、規格化強度Ｒｃとは、XRD極点図測定において、各α角度におけるβ軸走査（面内回転軸走査）による所定の{ｈｋｌ}Cu回折ピーク強度を平均化したカウント数であり、次式（詳細は下記文献を参照）により算出することができる。なお、規格化の計算は通常コンピューターで実施される。また、XRDピーク強度を規格化して用いる理由は、XRD測定の際の管電圧や管電流などの条件設定の違いによる影響をなくして比較できるようにするためである（実質的に装置依存性がなくなる）。
Ｒｃ＝Ｉｃ / Ｉstd
ここで、
Ｉｃ：補正強度（バックグラウンド補正、吸収補正）
Ｉstd：計算で求めた規格化するための強度
である。
（文献名）「RAD  システム応用ソフトウェア  集合組織解析プログラム  取扱説明書（説明書番号：MJ201RE）」，理学電機株式会社，ｐ．22〜23．
（文献名）「CN9258E101  RINT2000シリーズ  アプリケーションソフトウェア  正極点  取扱説明書（説明書番号：MJ10102A01）」理学電機株式会社，ｐ．８〜10．
【００２７】
〔本発明の第３の実施形態〕
（２θ/θ測定）
本実施の形態における圧延銅箔は、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の状態において、前記圧延面に対するＸ線回折２θ/θ測定により得られる結果で、銅結晶の回折ピークの強度Ｉが「I{200}Cu ≧ I{220}Cu」であることを特徴とする。
【００２８】
前述したように本発明に係る圧延銅箔は、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の状態において、{２００}Cu面が銅箔の圧延面で配向している。このことは、多結晶体である銅箔の圧延面に{２００}Cu面配向した結晶粒が相当量存在することを意味する。図３は、本発明に係る圧延銅箔において、最終冷間圧延工程の後かつ再結晶焼鈍前の状態で、圧延面に対してＸ線回折２θ/θ測定を行った結果の１例である。
【００２９】
図３から明らかなように、圧延面は{２００}Cu面の回折ピーク強度I{200}Cuが{２２０}Cu面の回折ピーク強度I{220}Cuよりも強く、{２００}Cu面配向した結晶粒が多く存在していることを示している。銅箔の圧延面において{２００}Cu面が強く配向していないと、再結晶焼鈍を施しても高屈曲特性を有する圧延銅箔が得られない。よって、上記のように規定する。
【００３０】
〔圧延銅箔の製造方法〕
次に、図４を参照しながら、本発明に係る圧延銅箔の製造方法を説明する。図４は、本発明に係る圧延銅箔の製造工程の１例を示すフロー図である。
【００３１】
はじめに、原材料となる酸素含有量が300ppm以下である純銅のインゴット（鋳塊）を用意する（工程ａ）。次に、熱間圧延を行う熱間圧延工程（工程ｂ）を行う。熱間圧延工程の後、冷間圧延を行う冷間圧延工程（工程ｃ）と冷間圧延による加工硬化を緩和する中間焼鈍工程（工程ｄ）とを適宜繰り返し行うことにより「生地」と呼ばれる銅条が製造される。次に、生地焼鈍工程（工程ｄ’）が行われる。生地焼鈍工程においては、それ以前の加工歪が十分に緩和されること（例えば、略完全焼鈍）が望ましい。
【００３２】
その後、焼鈍した「生地」（「焼鈍生地」と称す）に対して最終冷間圧延工程（工程ｅ、「仕上げ圧延工程」と称される場合もある）を施して、所定厚さの圧延銅箔（「仕上げ銅箔」と称する場合もある）が製造される。最終冷間圧延工程後の圧延銅箔は、必要に応じて表面処理等が施され（工程ｆ）、FPC製造工程（工程ｇ）に供給される。前述したように、再結晶焼鈍は工程ｇの中（例えば、CCL工程）で為されることが多い。本発明において、「最終冷間圧延工程」とは工程ｅを意味し、「再結晶焼鈍」工程とは工程ｅよりも後で実施される工程を意味するものとする。
【００３３】
また、本発明に係る圧延銅箔の製造方法としては、少なくとも生地焼鈍工程（工程ｄ’）を制御することによって、焼鈍生地を以下のように調整する製造方法である。生地焼鈍（工程ｄ’）の後で最終冷間圧延工程（工程ｅ）前の圧延銅箔（焼鈍生地）において、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度を横軸とし各α角度におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度を縦軸としてグラフ表記した際に、α＝40〜50°の間に規格化強度の極大値Ｑが存在し、α＝20〜40°の間に規格化強度の極小値Ｓが存在し、前記極大値Ｑと前記極小値Ｓとの比が「２≦ Ｑ/Ｓ ≦３」である圧延銅箔を最終冷間圧延工程への焼鈍生地として用いる。さらに、そのような焼鈍生地に対して、総加工度が80％以上93％未満となるような最終冷間圧延工程（工程ｅ）を施す。なお、生地焼鈍条件としては、例えば、600℃以上700℃未満（銅箔の実態温度）で１〜30分間保持する条件が好ましい。より好ましい温度は650℃以上700℃未満である。
【００３４】
これにより、最終冷間圧延工程（工程ｅ）の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔における圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、極点図測定のα角度＝45°におけるβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークが少なくともβ角度の90±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒が存在し、加えて、極点図測定のα角度を横軸としβ走査で得られる銅結晶の{２２０}Cu面回折ピークの規格化強度を縦軸としてグラフ表記した際に、α＝25〜35°の間に規格化強度の極大値Ｐが存在し、α＝40〜50°の間に規格化強度の極大値Ｑが残存し、α＝85〜90°の間は規格化強度が単調増加しており、極大値Ｐと極大値Ｑとα＝90°における規格化強度の値Ｒとが「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」となる本発明に係る圧延銅箔が得られる。
【００３５】
前述したように、銅結晶の{２２０}Cu面と{２００}Cu面とは、幾何学的に45°（両結晶面のなす角が45°）の関係にある。よって、α＝40〜50°の間にある規格化強度の極大値Ｑは、圧延銅箔の圧延面において{２００}Cu面の結晶粒が面内配向している程度に関係していると考えられる。言い換えると、生地焼鈍（工程ｄ’）の後で最終冷間圧延工程（工程ｅ）前の生地において圧延面に存在した{２００}Cu面配向かつ面内配向の結晶粒が、最終冷間圧延工程（工程ｅ）を経て「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」の関係となる程度に残存しているところに本発明の特徴がある。
【００３６】
また、最終冷間圧延工程における総加工度を80％以上93％未満とすることにより、従来の高加工度圧延銅箔に比して圧延工程の総パス数を低減することができるのに加えて、過度の加工硬化による圧延加工制御の困難性を回避でき、製造設備への負荷低減および製造の低コスト化に寄与できる。さらに、そのような圧延銅箔に再結晶焼鈍を施すと、結晶粒が過剰に粗大化することなく、圧延面で見える結晶粒度（平均結晶粒径）を30μm以下とすることができる。なお、平均結晶粒径が30μmより大きくなると、エッチングによる表面凹凸が目立つようになり「Dish Down現象」として不具合が生じる。
【００３７】
一方、本発明に係る圧延銅箔は、酸素含有量が300ppm以下のである純銅からなることを特徴とする。酸素含有量が300ppmを超えると亜酸化銅や不可避不純物の酸化物などの粒子が粗大化しやすく、該粒子が銅箔圧延中における断裂（板切れ）の原因となったり、屈曲時における亀裂の起点となったり（すなわち屈曲特性の劣化原因となったり）することから好ましくない。また、該粒子は結晶中の転位の移動や結晶の回転現象に対する阻害点となることから、前述したような望ましい結晶粒配向状態（圧延集合組織）の形成・制御が困難になる。よって、酸素含有量を300ppm以下と規定する。なお、酸素含有量が少ないほど好ましいのは言うまでも無い。
【００３８】
〔他の実施の形態〕
工程ａにおいて、溶解・鋳造方法に制限はなく、また、材料の寸法にも制限はない。工程ｂ、工程ｃおよび工程ｄにおいても、特段の制限はなく、通常の方法・条件でよい。また、FPCに用いる圧延銅箔の厚みは一般的に50μm以下であり、本発明の圧延銅箔の厚みも、50μm以下であれば制限はないが、20μm以下が特に好ましい。
【００３９】
〔フレキシブルプリント配線板の製造〕
上記実施の形態の圧延銅箔を用いて、通常行われている製造方法により、フレキシブルプリント配線板を得ることができる。また、圧延銅箔に対する再結晶焼鈍は、通常のCCL工程で行われる熱処理でもよいし、別工程で行われてもよい。
【００４０】
〔実施の形態の効果〕
上記の本発明の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）従来よりも優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を得ることができる。
（２）従来よりも優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を安定して効率良く（すなわち、低コストで）製造することができる。
（３）従来よりも優れた屈曲特性を有するフレキシブルプリント配線板（FPC）等の可撓性配線を得ることができる。
（４）フレキシブルプリント配線板（FPC）のみに留まらず、高い屈曲特性（屈曲寿命）が要求される他の導電部材（例えば、耐振動性が必要な自動車用リチウムイオン電池の負極材料など）にも適用できる。
【００４１】
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００４２】
（作製手順）
はじめに、原料素材として無酸素銅（酸素含有量３ppm）およびタフピッチ銅（酸素含有量150〜400ppm）を作製し、厚さ200 mm、幅650 mmの鋳塊を製造した（実施例１〜４および比較例１〜４、表１参照）。その後、図４記載のフローにしたがって、10 mmの厚さまで熱間圧延を行った後、冷間圧延および中間焼鈍（生地焼鈍を含む）を適宜繰り返して、0.53 mmと0.2 mmと0.1 mmの厚さを有する焼鈍生地を製造した。生地焼鈍としては、約690℃の温度で約１分間保持する熱処理（実施例１〜３および比較例１）、約650℃の温度で約２分間保持する熱処理（実施例４および比較例４）、約800℃の温度で１分間保持する熱処理（比較例２）、約550℃の温度で約２分間保持する熱処理（比較例３）を行った。なお、生地焼鈍の温度は、焼鈍炉の設定温度ではなく銅箔の実態温度である。
【００４３】
つぎに、上記の焼鈍生地に対し、表１に示す条件で最終冷間圧延工程を行うことにより、厚さ16μmの圧延銅箔（実施例１〜４および比較例１〜４）を作製した。最終冷間圧延工程の総加工度は、焼鈍生地厚さの厚い方から約97％、約92％、約84％となる。
【００４４】
【表１】
2010150597.tif 000003
【００４５】
（圧延銅箔に対するXRD評価）
圧延銅箔（生地焼鈍後、最終冷間圧延工程途中、最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍後）に対するXRD評価は次のように行った。なお、各種XRD測定には、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製、型式：RAD−B）を用いた。対陰極（ターゲット）はCuを用い、管電圧および管電流はそれぞれ40 kV、30 mAとした。また、XRD測定に供する試料の大きさは、約15×約15 mm2とした。
【００４６】
XRD２θ/θ測定の条件は、一般的な広角ゴニオメータを用い、２θ＝40〜100°の範囲で測定した。２θ/θ測定におけるスリット条件は、発散スリットが１°、受光スリットが0.15 mm、散乱スリットが１°とした。
【００４７】
XRD極点図測定および面内配向測定の条件は、一般的なシュルツ反射法を用い、α＝15〜90°（圧延面に垂直方向がα＝90°）の範囲でβ角度を０〜360°まで走査（自転）しながら、{２２０}Cu面の回折強度を測定した（２θ≒74°で、２θ値は試料毎に予備測定した結果を用いた）。このときのスリット条件は、発散スリット＝１°、散乱スリット＝７mm、受光スリット＝７mmおよびシュルツスリット（スリット高さ１mm）を用いた。なお、面内配向測定はα＝45°に固定して行った。
【００４８】
（再結晶焼鈍後の圧延銅箔の屈曲特性）
上記のようにして作製した各仕上げ銅箔（実施例１〜４および比較例１〜４、厚さ16μm、最終冷間圧延工程上がり）に対し、温度300℃で60分間保持する再結晶焼鈍を施した。再結晶焼鈍後の各圧延銅箔に対する屈曲特性の評価は、次のように行った。図５は、屈曲特性評価（摺動屈曲試験）の概略を表した模式図である。摺動屈曲試験装置は信越エンジニアリング株式会社製、型式：SEK−31B2Sを用い、Ｒ＝2.5 mm、振幅ストローク＝10 mm、周波数＝25 Hz（振幅速度＝1500回/分）、試料幅＝12.5 mm、試料長さ＝220 mm、試料片の長手方向が圧延方向となる条件で測定した。測定は10試料ずつ行った。
【００４９】
（再結晶焼鈍後の圧延銅箔の結晶粒径測定）
上記のようにして作製した再結晶焼鈍後の各圧延銅箔（実施例１〜４および比較例１〜４、厚さ16μm）に対する結晶粒径の測定は、次のように行った。電子後方散乱パターン（EBSP, Electron Backscattering Pattern）法を用いて圧延銅箔の圧延面における結晶方位マップを測定した。このとき、隣接する２測定点間の方位差が５°以上ある場合に「該２測定点間に結晶粒界が存在する」と見なした。言い換えると、隣接する２測定点間の方位差が５°より小さい場合は、「該２測定点が同じ結晶粒内に存在する」と見なした。得られた結晶方位マップに対し、一般的な切断法（任意の場所に既知の長さの線分を引き、これを横切る結晶粒界の数で当該線分の長さを除して結晶粒径を求める方法）を用いて平均結晶粒径を測定した。
【００５０】
（実施例および比較例における測定・評価結果）
実施例および比較例における測定・評価結果を酸素含有量および最終冷間圧延工程の総加工度とともに表２に示す。
【００５１】
【表２】
2010150597.tif 000004
【００５２】
図６は、最終冷間圧延工程上がりの圧延銅箔（仕上げ銅箔）に対して面内配向測定（α＝45°における{２２０}Cu面の測定）を行った結果の1例である。図６(ａ)は実施例２における測定結果であり、図６(ｂ)は比較例２における測定結果である。図６から判るように、実施例２の圧延銅箔は90±５°毎に存在する４回対称性の回折ピーク（黒矢印で示す）が認められる。これは、銅箔の圧延面で{２００}Cu面が良好な面内配向性を有していることを意味している。これに対し、比較例２の圧延銅箔では、β≒０°(360°)，180°に弱い回折ピークが見られるものの、β≒90°，270°には回折ピークがほとんど認められない。
【００５３】
また、実施例１，３，４においても図６(ａ)と同様な４回対称性の回折ピークが認められた。一方、比較例２，４は図６(ｂ)と同様に４回対称性の回折ピークが認められなかった。なお、酸素含有量の多い比較例１では、最終冷間圧延工程の途中のパスで板切れが生じてしまい、仕上げ銅箔（厚さ16μm）まで作製することができなかった。
【００５４】
前述した図３は、実施例２における仕上げ銅箔に対して２θ/θ測定を行った結果である。前述したように、実施例２の圧延銅箔は、{２００}Cu面配向した結晶粒が圧延面で多く存在していることを示し、{２００}Cu面の回折ピーク強度I{200}Cuが{２２０}Cu面の回折ピーク強度I{220}Cuよりも強く現れている（I{200}Cu ≧ I{220}Cu）。また、実施例１，３，４においても図３と同様に「I{200}Cu ≧ I{220}Cu」の関係にあった。これに対し、比較例２〜４の仕上げ銅箔では「I{200}Cu ＜ I{220}Cu」の関係にあり、{２２０}Cu面配向の結晶粒の方が{２００}Cu面配向の結晶粒よりも銅箔の圧延面で圧倒的に優勢であった。言い換えると、{２００}Cu面配向の結晶粒が非常に少ないと言えた。
【００５５】
図７は、最終冷間圧延工程上がりの圧延銅箔（仕上げ銅箔）に対して{２２０}Cu面のXRD極点図測定を行った結果の1例である。図７(ａ)は実施例４、図７(ｂ)は実施例２、図７(ｃ)は比較例３、図７(ｄ)は比較例２、図７(ｅ)は比較例４である。図７から判るように、実施例２と実施例４の圧延銅箔は「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」の関係になっているが、比較例３の圧延銅箔は「Ｑ＞Ｐ，Ｑ＞Ｒ」となっており、比較例２，４の圧延銅箔では極大値Ｑがほとんど検出されない。また、実施例１，３は図７(ｂ)と同様な結果が得られた。
【００５６】
「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」の関係とは、面内配向した立方体組織の種結晶（{２００}Cu面配向している結晶粒）が適度な量で存在し、加工ひずみを蓄積した圧延集合組織が必要十分な量で存在していることを意味していると考えられる。これに対し、極大値Ｑがほとんど検出されなかった比較例２，４は、面内配向した立方体組織の種結晶がほとんど無いことを示唆している。また、「Ｑ＞Ｐ，Ｑ＞Ｒ」である比較例３では、面内配向した立方体組織の銅結晶が存在すると考えられるが、加工ひずみを蓄積した圧延集合組織の形成が不十分であることを示唆している。
【００５７】
以上の結果から判るように、仕上げ銅箔の段階における面内配向測定で{２２０}Cu面が４回対称性の回折ピークを示し、２θ/θ測定で「I{200}Cu ≧ I{220}Cu」の関係を有し、極点図測定で「Ｑ≦Ｐ≦Ｒ」の関係を有している実施例１〜４の圧延銅箔は高い屈曲特性を示すことが確認された（表２参照）。なお、比較例５の圧延銅箔は、良好な屈曲特性を示していたが、最終冷間圧延工程の総加工度が非常に高いことから再結晶焼鈍後の平均結晶粒径が120μmと極端に大きくなっていた。このような大きな結晶粒は、前述した「Dish Down現象」につながる不具合がある。これに対し、本発明に係る圧延銅箔（実施例１〜４）は、平均粒径が15〜18μmと粗大化が抑制されており、「Dish Down現象」が抑制される効果もあると言える。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に関係する銅結晶の主な結晶面を示す模式図である。
【図２】Ｘ線回折における入射Ｘ線・検出器・試料・走査軸の関係を示す概略図である。
【図３】本発明に係る圧延銅箔において、最終冷間圧延工程の後かつ再結晶焼鈍前の状態で、圧延面に対してＸ線回折２θ/θ測定を行った結果の１例である。
【図４】本発明に係る圧延銅箔の製造工程の１例を示すフロー図である。
【図５】屈曲特性評価（摺動屈曲試験）の概略を表した模式図である。
【図６】最終冷間圧延工程上がりの圧延銅箔に対して面内配向測定（α＝45°における{２２０}Cu面の測定）を行った結果の1例であり、図６(ａ)は実施例２、図６(ｂ)は比較例２である。
【図７】最終冷間圧延工程上がりの圧延銅箔に対して{２２０}Cu面のXRD極点図測定を行った結果の1例であり、図７(ａ)は実施例４、図７(ｂ)は実施例２、図７(ｃ)は比較例３、図７(ｄ)は比較例２、図７(ｅ)は比較例４である。
【符号の説明】
【００５９】
１…銅箔、２…試料固定板、２ａ…ねじ、３…振動伝達部、４…発振駆動体、
Ｒ…曲率。
【図１】
2010150597.tif 000005
【図２】
2010150597.tif 000006
【図３】
2010150597.tif 000007
【図４】
2010150597.tif 000008
【図５】
2010150597.tif 000009
【図６】
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【図７】
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