(57)【要約】【課題】従来の基板の処理方法では、積み重ねられた複数の層における電気的な特性を向上させることが困難である。【解決手段】撥液性を有する絶縁膜６１と、絶縁膜６１に積層された正孔注入層６５と、を有する基板４１ｂの処理方法であって、絶縁膜６１から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を正孔注入層６５に拡散させる拡散工程を有することを特徴とする基板の処理方法。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
撥液性を有する撥液層と、前記撥液層に積層された第１層と、を有する基板の処理方法であって、
前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記第１層に拡散させる拡散工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記拡散工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記拡散工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも前記第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板に、前記第１液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第１液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、
前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で第１層を形成する第１層形成工程と、
前記第１層形成工程の後に、前記第２液状体を前記第１層に重ねて配置する液状体配置工程と、
前記液状体配置工程の後に、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で第２層を形成する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
前記第１液状体と、前記第２液状体とが、互いに異なる組成を有していることを特徴とする請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記第１層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする請求項６又は７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１３】
互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層が少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも前記第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で前記撥液層に重なる領域を含む領域に、前記第１液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第１液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、
前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で前記第１層を形成する第１層形成工程と、
前記第１層形成工程の後に、前記第２液状体を前記第１層に重ねて配置する液状体配置工程と、
前記液状体配置工程の後に、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で前記第２層を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記一対の電極と、前記有機層とが、複数の画素の前記画素ごとに設けられており、
前記撥液層は、平面視で各前記画素を囲む領域に設けられており、
前記液状体膜形成工程では、前記第１液状体を、前記撥液層を越えて複数の前記画素にまたがる領域に配置し、
前記液状体配置工程では、前記第２液状体を、前記撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置することを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層を形成する工程を有しており、
前記撥液層を形成する工程では、レジスト層と、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成され、前記レジスト層に平面視で重なる撥液材料層と、を形成してから、前記レジスト層及び前記撥液材料層をパターニングすることにより、前記撥液層を形成することを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法、成膜方法及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示装置の１つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置が知られている。
このような有機ＥＬ装置では、従来、一対の電極のうちの一方と、正孔注入輸送層とが形成された基板に撥液化処理を施すことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１２４３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された基板の処理方法によれば、正孔注入輸送層に撥液性が付与される。このため、発光層を構成する材料を含む液状体を正孔注入輸送層上に配置したときに、液状体を所定範囲にとどめることができる。このため、液状体を堰き止めるための隔壁を省略することができる。
特許文献１には、撥液化処理の例として、基板にＣＦ4プラズマ処理を施す方法や、基板にフッ化アルキルカップリング剤を塗布する方法などが記載されている。
【０００５】
しかしながら、基板にＣＦ4プラズマ処理を施す方法では、正孔注入輸送層の表面が粗くなってしまうことがある。正孔注入輸送層の表面が粗いと、正孔注入輸送層と発光層との間の電流の流れが阻害されやすくなる。
また、基板にフッ化アルキルカップリング剤を塗布する方法では、正孔注入輸送層と発光層との間に新たな層が形成されやすい。正孔注入輸送層と発光層との間に新たな層が介在すると、正孔注入輸送層と発光層との間の電流の流れが阻害されやすくなる。
【０００６】
つまり、従来の基板の処理方法では、積み重ねられた複数の層における電気的な特性を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］撥液性を有する撥液層と、前記撥液層に積層された第１層と、を有する基板の処理方法であって、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記第１層に拡散させる拡散工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【０００９】
適用例１の基板の処理方法は、拡散工程を有している。この処理方法が適用され得る基板は、撥液層と、第１層とを有している。撥液層は、撥液性を有している。第１層は、撥液層に積層されている。拡散工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を第１層に拡散させる。これにより、第１層に撥液性が発現し得る。このため、液状体を第１層に配置したときに、液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この処理方法によれば、例えば第１層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第１層に損傷を与えにくい。このため、第１層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この処理方法によれば、例えば第１層に撥液性を有する層を積層してから新たな層を積層する場合などに比較して、第１層と新たな層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第１層に新たな層を積層したときに、第１層と新たな層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記拡散工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。
【００１１】
適用例２では、拡散工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を第１層に拡散させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。
【００１３】
適用例３の処理方法が適用され得る基板では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、撥液性を有する成分を第１層に拡散させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記拡散工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００１５】
適用例４では、拡散工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。
【００１６】
［適用例５］上記の基板の処理方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする基板の処理方法。
【００１７】
適用例５では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。
【００１８】
［適用例６］第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも前記第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板に、前記第１液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第１液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層形成工程の後に、前記第２液状体を前記第１層に重ねて配置する液状体配置工程と、前記液状体配置工程の後に、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で第２層を形成する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
【００１９】
適用例６の成膜方法は、液状体膜形成工程と、第１層形成工程と、液状体配置工程と、第２層を形成する工程と、を有している。液状体膜形成工程では、第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板に、第１液状体を撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、第１液状体で液状体膜を形成する。第１層形成工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜に拡散させながら、第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第１液状体に含まれる物質で第１層を形成する。液状体配置工程では、第２液状体を第１層に重ねて配置する。第２層を形成する工程では、第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第２液状体に含まれる物質で第２層を形成する。
この成膜方法によれば、第１層形成工程において、第２液状体に対して撥液性を示す成分の少なくとも一部を撥液層から液状体膜に拡散させるので、第１層に第２液状体に対する撥液性が発現し得る。このため、液状体配置工程において第２液状体を第１層に配置したときに、第２液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この成膜方法によれば、例えば第１層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第１層に損傷を与えにくい。このため、第１層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この成膜方法によれば、例えば第１層に撥液性を有する層を積層してから第２層を積層する場合などに比較して、第１層と第２層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第１層と第２層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
【００２０】
［適用例７］上記の成膜方法であって、前記第１液状体と、前記第２液状体とが、互いに異なる組成を有していることを特徴とする成膜方法。
【００２１】
適用例７では、第１液状体と、第２液状体とが、互いに異なる組成を有しているので、互いに異なる性質を有する第１層と第２層とを形成することができる。
【００２２】
［適用例８］上記の成膜方法であって、前記第１層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする成膜方法。
【００２３】
適用例８では、第１層形成工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。
【００２４】
［適用例９］上記の成膜方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする成膜方法。
【００２５】
適用例９の処理方法が適用され得る基板では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。
【００２６】
［適用例１０］上記の成膜方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする成膜方法。
【００２７】
適用例１０では、液状体膜形成工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。
【００２８】
［適用例１１］上記の成膜方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする成膜方法。
【００２９】
適用例１１では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、撥液層に撥液性を付与することができる。
【００３０】
［適用例１２］上記の成膜方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする成膜方法。
【００３１】
適用例１２では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。
【００３２】
［適用例１３］互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層が少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも前記第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で前記撥液層に重なる領域を含む領域に、前記第１液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第１液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で前記第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層形成工程の後に、前記第２液状体を前記第１層に重ねて配置する液状体配置工程と、前記液状体配置工程の後に、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で前記第２層を形成する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３３】
適用例１３の有機ＥＬ装置の製造方法は、液状体膜形成工程と、第１層形成工程と、液状体配置工程と、第２層を形成する工程と、を有している。この製造方法が適用され得る有機ＥＬ装置は、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、を有している。有機層は、少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している。
液状体膜形成工程では、第１液状体及び第２液状体のうちで少なくとも第２液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で撥液層に重なる領域を含む領域に、第１液状体を撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、第１液状体で液状体膜を形成する。
第１層形成工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜に拡散させながら、第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第１液状体に含まれる物質で第１層を形成する。
液状体配置工程では、第２液状体を第１層に重ねて配置する。
第２層を形成する工程では、第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第２液状体に含まれる物質で第２層を形成する。
この製造方法によれば、第１層形成工程において、第２液状体に対して撥液性を示す成分の少なくとも一部を撥液層から液状体膜に拡散させるので、第１層に第２液状体に対する撥液性が発現し得る。このため、液状体配置工程において第２液状体を第１層に配置したときに、第２液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この製造方法によれば、例えば第１層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第１層に損傷を与えにくい。このため、第１層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この製造方法によれば、例えば第１層に撥液性を有する層を積層してから第２層を積層する場合などに比較して、第１層と第２層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第１層と第２層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記一対の電極と、前記有機層とが、複数の画素の前記画素ごとに設けられており、前記撥液層は、平面視で各前記画素を囲む領域に設けられており、前記液状体膜形成工程では、前記第１液状体を、前記撥液層を越えて複数の前記画素にまたがる領域に配置し、前記液状体配置工程では、前記第２液状体を、前記撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３５】
適用例１４の製造方法が適用され得る有機ＥＬ装置では、一対の電極と、有機層とが、画素ごとに設けられている。また、撥液層は、平面視で各画素を囲む領域に設けられている。
この製造方法では、液状体膜形成工程において、第１液状体を、撥液層を越えて複数の画素にまたがる領域に配置する。
液状体配置工程では、第２液状体を、撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置する。
これにより、第２層を画素ごとに形成することができる。
【００３６】
［適用例１５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３７】
適用例１５では、第１層形成工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。
【００３８】
［適用例１６］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３９】
適用例１６の製造方法が適用され得る有機ＥＬ装置では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。
【００４０】
［適用例１７］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００４１】
適用例１７では、液状体膜形成工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。
【００４２】
［適用例１８］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００４３】
適用例１８では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、撥液層に撥液性を付与することができる。
【００４４】
［適用例１９］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００４５】
適用例１９では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。
【００４６】
［適用例２０］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層を形成する工程を有しており、前記撥液層を形成する工程では、レジスト層と、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成され、前記レジスト層に平面視で重なる撥液材料層と、を形成してから、前記レジスト層及び前記撥液材料層をパターニングすることにより、前記撥液層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００４７】
適用例２０の製造方法は、液状体膜形成工程の前に、撥液層を形成する工程を有している。撥液層を形成する工程では、レジスト層と撥液材料層とを形成してから、レジスト層及び撥液材料層をパターニングすることにより、撥液層を形成する。これにより、撥液性を有する撥液層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００４９】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００５０】
第１実施形態における表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、面１５側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、封止基板１３の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００５１】
封止基板１３は、素子基板１１よりも底面１５側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって底面１５側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００５２】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５３】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００５４】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５５】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２１と、駆動トランジスタ２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスタ２１及び駆動トランジスタ２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３４と、データ線駆動回路３５と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００５６】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００５７】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスタ２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のドレイン電極は、各駆動トランジスタ２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００５８】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスタ２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００５９】
選択トランジスタ２１は、この選択トランジスタ２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００６０】
駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が素子基板１１を介して表示面３から射出されるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００６１】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面１５側に向けられた第１面４２ａと、表示面３側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００６２】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の底面１５側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の底面１５側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって底面１５側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００６３】
ゲート絶縁膜４３の底面１５側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって底面１５側から覆われている。
【００６４】
絶縁膜４５の底面１５側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって底面１５側から覆われている。
【００６５】
絶縁膜４７の底面１５側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などが採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００６６】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜６１は、平面視で、表示領域７にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６１は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜６１の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
【００６７】
画素電極２９の底面１５側には、有機層３１が設けられている。
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、画素電極２９の底面１５側に設けられている。
【００６８】
本実施形態では、正孔注入層６５は、絶縁膜６１をまたいで複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。このため、各画素電極２９と、絶縁膜６１とは、正孔注入層６５によって底面１５側から覆われている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。本実施形態では、正孔注入層６５の有機材料として、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物が採用されている。
【００６９】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、画素５ごとに個別に設けられている。各正孔輸送層６７は、正孔注入層６５の底面１５側に設けられている。各正孔輸送層６７は、平面視で各画素電極２９に重なる領域に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００７０】
【化１】
2010040355.tif 000003
【００７１】
発光層６９は、有機材料で構成されており、画素５ごとに個別に設けられている。各発光層６９は、正孔輸送層６７の底面１５側に設けられている。各発光層６９は、平面視で各画素電極２９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各発光層６９は、各正孔輸送層６７を底面１５側から覆っている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００７２】
【化２】
2010040355.tif 000004
【００７３】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００７４】
【化３】
2010040355.tif 000005
【００７５】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００７６】
有機層３１の底面１５側には、図５に示すように、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウム、フッ化リチウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層７１の材料として、カルシウムが採用されている。
本実施形態では、電子注入層７１は、平面視で絶縁膜６１をまたいで複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。
【００７７】
電子注入層７１の底面１５側には、共通電極３３が設けられている。本実施形態では、共通電極３３は、平面視で絶縁膜６１をまたいで複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。
共通電極３３は、例えば、アルミニウム等の金属や、アルミニウムを含有する合金（アルミニウム合金）などが採用され得る。本実施形態では、共通電極３３として、アルミニウム合金が採用されている。
【００７８】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【００７９】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面１５側に向けられた外向面１３ａと、表示面３側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００８０】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００８１】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述した選択トランジスタ２１（図４）、駆動トランジスタ２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７が含まれている。
【００８２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、平面視で各画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の形成では、まず、各画素電極２９の底面１５側にスピンコート技術などを活用することにより、平面視で各画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う樹脂膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６１が形成され得る。
なお、駆動素子層８１から絶縁膜６１までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ａと呼ばれる。
【００８３】
次いで、図７（ａ）に示すように、基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極２９に後述する液状体６５ａに対する親液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。
ここで、本実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置８３は、概略の構成を示す断面図である図８に示すように、チャンバー（処理室）８５と、テーブル８７と、コイル８９と、シャワープレート９１と、を有している。
【００８４】
チャンバー８５には、外部からチャンバー８５内に処理ガスを導く導入管９３と、チャンバー８５内から外部にガスを排出する排気管９５とが接続されている。チャンバー８５の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート９７が設けられている。
テーブル８７は、チャンバー８５内に配設されている。コイル８９は、チャンバー８５の外側で誘電プレート９７に対向した状態で設けられている。シャワープレート９１は、チャンバー８５内で誘電プレート９７に対向した状態で設けられている。誘電プレート９７とシャワープレート９１との間には、隙間が設けられている。
テーブル８７には、整合器９９を介して高周波バイアス電源１０１が接続されている。コイル８９の一端には、整合器１０３を介して高周波電源１０５が接続されている。なお、コイル８９の他端は、接地されている。
【００８５】
導入管９３は、チャンバー８５の外側から、誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に至っている。導入管９３には、チャンバー８５の外側にバルブ１０７が接続されている。処理ガスは、バルブ１０７を経由してから導入管９３を通って、誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に導かれる。誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート９１を介してチャンバー８５内に導入される。
排気管９５には、チャンバー８５の外側に真空ポンプ１０９が接続されている。チャンバー８５内は、真空ポンプ１０９で排気管９５を介してチャンバー８５内のガスをチャンバー８５の外側に排出することによって減圧される。
【００８６】
基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す工程では、まず、基板４１ａをテーブル８７に載置する。
次いで、真空ポンプ１０９を駆動して、チャンバー８５内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１０７を開いて酸素をチャンバー８５内に導入する。
次いで、高周波電源１０５及び高周波バイアス電源１０１を駆動して、コイル８９に高周波電圧を印加し、テーブル８７にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー８５内に酸素プラズマが誘起される。
【００８７】
本実施形態では、酸素プラズマ処理の条件として、チャンバー８５内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、酸素の導入量を約５００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を１分間とした。
【００８８】
基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す工程に次いで、図７（ｂ）に示すように、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、絶縁膜６１に、後述する液状体６５ａに対する撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。
【００８９】
ＣＦ4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置８３（図８）が適用され得る。本実施形態では、ＣＦ4プラズマ処理の条件として、チャンバー８５内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、ＣＦ4ガスの導入量を約９００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を３分間とした。
なお、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【００９０】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程に次いで、図９（ａ）に示すように、各画素電極２９及び絶縁膜６１の底面１５側に、液状体６５ａで液状体膜６５ｂを形成する。液状体６５ａには、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれている。液状体膜６５ｂは、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体６５ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、純水、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。本実施形態では、液状体６５ａの溶媒として、純水が採用されている。
なお、駆動素子層８１から液状体膜６５ｂまでの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ｂと呼ばれる。
【００９１】
液状体膜６５ｂの形成工程に次いで、基板４１ｂに加熱処理を施す。これにより、図９（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。
本実施形態では、加熱処理の方法として、基板４１ｂを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜６１が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【００９２】
正孔注入層６５の形成に次いで、図９（ｂ）に示すように、正孔注入層６５の底面１５側で且つ平面視で各画素電極２９に重なる領域に液状体６７ａを配置する。このとき、液状体６７ａは、画素５ごとに個別に配置される。
液状体６７ａには、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれている。本実施形態では、液状体６７ａとして、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用されている。溶媒として、シクロヘキシルベンゼンが採用されている。
【００９３】
液状体６７ａの配置には、液滴吐出ヘッド１２１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド１２１から液状体６７ａなどを液滴６７ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６７ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００９４】
画素５ごとに個別に配置された液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ａ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。
減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、本実施形態では、液状体６７ａの焼成条件として、環境温度を約１３０℃とし、保持時間を約１時間とする条件が採用されている。
【００９５】
次いで、図１０（ａ）に示すように、正孔輸送層６７の底面１５側で且つ平面視で各画素電極２９に重なる領域に、液状体６９ａを配置する。このとき、液状体６９ａは、画素５ごとに個別に配置される。
液状体６９ａには、発光層６９を構成する有機材料が含まれている。本実施形態では、液状体６９ａとして、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用されている。溶媒として、シクロヘキシルベンゼンが採用されている。
各液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド１２１から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、各正孔輸送層６７は、各液状体６９ａによって覆われる。
【００９６】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す各発光層６９が形成され得る。本実施形態では、液状体６９ａの焼成条件として、環境温度を約１３０℃とし、保持時間を約１時間とする条件が採用されている。
【００９７】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、フォトマスク１２３を介して、正孔注入層６５に紫外光１２５を照射する。
ここで、フォトマスク１２３は、開口部１２７と、各画素５に対応する遮光部１２９とを有している。各開口部１２７は、平面視で領域６２に重なる領域にわたっている。各遮光部１２９は、平面視で各画素５の領域にわたっている。
正孔注入層６５には、開口部１２７を介して紫外光１２５が照射される。このため、紫外光１２５は、平面視で、領域６２だけに照射される。このとき、紫外光１２５は、各正孔輸送層６７の一部と、各発光層６９の一部とにも照射される。換言すれば、本実施形態では、各画素５の領域をマスキングした状態で、正孔注入層６５、各正孔輸送層６７及び各発光層６９に紫外光１２５を照射する。
【００９８】
本実施形態では、波長３６５ｎｍの紫外光１２５を、約１５００ｍＷ／ｃｍ2の強度で、約１５分間だけ照射する条件が採用されている。
紫外光１２５の照射により、正孔注入層６５は、正孔注入層６５としての機能が失われ、絶縁性を発現する。
また、各正孔輸送層６７及び各発光層６９においても、紫外光１２５が照射された部位は、それぞれの機能が失われ、絶縁性を発現する。
【００９９】
なお、以下においては、正孔注入層６５のうちで機能が失われた部位は、失活部６５ｃと表現される。また、各正孔輸送層６７のうちで機能が失われた部位が失活部６７ｃと表現され、各発光層６９のうちで機能が失われた部位が失活部６９ｃと表現される。
これらの失活部６５ｃ，６７ｃ及び６９ｃにより、隣り合う画素５同士間の電気的な絶縁性が強化され得る。
【０１００】
紫外光１２５の照射に次いで、蒸着技術などを活用してカルシウムの膜を、有機層３１の底面１５側に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム合金の膜を形成することにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【０１０１】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【０１０２】
本実施形態では、絶縁膜６１が撥液層に対応し、正孔注入層６５が第１層に対応し、基板４１ｂが基板に対応し、正孔輸送層６７が第２層に対応し、液状体６５ａが第１液状体に対応し、液状体６７ａが第２液状体に対応し、画素電極２９及び共通電極３３が一対の電極に対応している。また、基板４１ｂに加熱処理を施す工程が、加熱工程としての拡散工程に対応している。また、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【０１０３】
本実施形態では、図９（ａ）に示す液状体膜６５ｂが、絶縁膜６１を越えて複数の画素５（図５）間をまたぐ領域にわたって一連した状態で設けられる。このため、例えば、各画素５を区画する隔壁を有する構成に比較して、正孔注入層６５を平坦に形成しやすくすることができる。
【０１０４】
ここで、各画素５を区画する隔壁を有する構成において、正孔注入層６５を画素５ごとに個別に形成すると、各正孔注入層６５には、膜厚にばらつきが発生しやすくなる。この膜厚のばらつきは、各正孔輸送層６７や各発光層６９に反映されやすい。このため、各画素５を区画する隔壁を有する構成では、各有機層３１の膜厚にばらつきが発生しやすい。有機ＥＬ装置では、各有機層３１の膜厚にばらつきが発生すると、各発光層６９における発光輝度がばらつきやすい。この結果、各画素５を区画する隔壁を有する構成では、発光輝度のばらつきに起因して、表示品位が損なわれることがある。
【０１０５】
これに対し、本実施形態では、正孔注入層６５を平坦に形成しやすくすることができるので、各有機層３１の膜厚のばらつきを軽減しやすくすることができる。これにより、本実施形態では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１０６】
また、本実施形態では、液状体膜６５ｂを形成した後に、且つ図９（ｂ）に示す液状体６７ａを配置する前に、基板４１ｂに加熱処理を施す工程がある。これにより、絶縁膜６１から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜６５ｂ中に拡散させやすくすることができる。この結果、正孔注入層６５に撥液性が発現しやすい。このため、正孔注入層６５の底面１５側に各液状体６７ａを配置したときに、各液状体６７ａを各画素電極２９に平面視で重なる領域にとどめやすくすることができる。これにより、例えば、各画素５を区画する隔壁を有する構成に比較して、隔壁を省略することができ、表示装置１にかかるコストを軽減することができる。
【０１０７】
また、本実施形態では、例えば正孔注入層６５にプラズマ処理などを施すことによって正孔注入層６５に撥液性を付与する場合に比較して、正孔注入層６５に損傷を与えにくい。このため、正孔注入層６５の表面粗さが損なわれることを低く抑えることができる。
また、本実施形態では、例えば正孔注入層６５に撥液性を有する層を積層してから正孔輸送層６７を形成する場合に比較して、正孔注入層６５及び正孔輸送層６７間に余分な層が介在することを避けることができる。
これらの理由により、各有機層３１における電気的な特性を向上させやすくすることができ、表示品位を一層向上させやすくすることができる。
【０１０８】
なお、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜６１に撥液性を付与する方法が採用されているが、絶縁膜６１に撥液性を付与する方法はこれに限定されない。絶縁膜６１を構成する材料として、例えばフッ素やフッ素化合物を含有する材料を採用することにより、撥液性を発現する絶縁膜６１を構成することができる。これにより、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、表示装置１の製造方法における効率化が図られる。
【０１０９】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図１１に示すように、素子基板２０を有している。第２実施形態における表示装置１は、第１実施形態における素子基板１１が素子基板２０に替えられていることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。このため、以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１１０】
素子基板２０では、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図１２に示すように、絶縁膜６１が、レジスト層６１ａと、撥液層６１ｂとを有している。
ここで、素子基板２０を製造する工程について説明する。
素子基板２０を製造する工程では、図１３（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、駆動素子層８１の底面１５側に、レジスト層６１ａと、撥液層６１ｂとをこの順に重ねた状態で設ける。
【０１１１】
ここで、レジスト層６１ａと撥液層６１ｂとは、図１４に示すように、ベースフィルム１３１に積層された状態で供給され得る。ベースフィルム１３１にレジスト層６１ａなどが積層された積層フィルム１３３は、ドライフィルムレジストと呼ばれることがある。
積層フィルム１３３では、ベースフィルム１３１に撥液層６１ｂが積層されており、撥液層６１ｂにレジスト層６１ａが積層されている。ベースフィルム１３１に積層されたレジスト層６１ａと撥液層６１ｂとは、カバーフィルム１３５によって保護されている。
【０１１２】
駆動素子層８１の底面１５側にレジスト層６１ａと撥液層６１ｂとを設ける工程では、積層フィルム１３３からカバーフィルム１３５を剥がしてから、レジスト層６１ａを駆動素子層８１の底面１５側に貼り付ける。このとき、レジスト層６１ａは、レジスト層６１ａと各画素電極２９とが対面した状態で駆動素子層８１に貼り付けられる。
レジスト層６１ａを駆動素子層８１に貼り付けることにより、図１３（ｂ）に示すように、レジスト層６１ａと、撥液層６１ｂと、ベースフィルム１３１とがこの順に積層される。なお、レジスト層６１ａは、感光性を有している。
【０１１３】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、フォトマスク１４１を介してレジスト層６１ａに紫外光１４３で露光処理を施す。フォトマスク１４１は、開口部１４５と、遮光部１４７とを有している。各開口部１４５は、平面視で領域６２（図１２）に重なる領域にわたっている。各遮光部１４７は、平面視で各画素５（図１２）の領域にわたっている。
露光処理に次いで、ベースフィルム１３１を剥がしてから、レジスト層６１ａに現像処理を施す。これにより、図１５（ａ）に示すように、絶縁膜６１が形成され得る。
次いで、図１５（ｂ）に示すように、基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極２９に親液性が付与される。
【０１１４】
次いで、各画素電極２９及び絶縁膜６１の底面１５側に、液状体６５ａで液状体膜６５ｂを形成する。
なお、液状体膜６５ｂの形成から共通電極３３の形成までの工程については、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
第２実施形態において、撥液層６１ｂが撥液材料層に対応し、絶縁膜６１が撥液層に対応している。
第２実施形態では、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１５】
また、第２実施形態では、絶縁膜６１がレジスト層６１ａと撥液層６１ｂとを有しているので、撥液性を有する絶縁膜６１を構成することができる。このため、絶縁膜６１に撥液性を付与する工程を省略することができる。
第１実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜６１に撥液性を付与する方法が採用されている。このため、第１実施形態と比較すると、第２実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が省略され得る。
これにより、表示装置１の製造方法における効率化が図られる。
【０１１６】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、図６（ｂ）に示す基板４１ａを試料とした。同じ条件で作成した３つの試料を準備した。３つの試料は、試料１、試料２及び試料３として識別される。
試料１〜試料３に、酸素プラズマ処理、及びＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次いで、試料１〜試料３に、液状体膜６５ｂを形成した。
【０１１７】
（実施例１）
温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件で、試料１に加熱処理を施した。これにより、液状体膜６５ｂから正孔注入層６５を形成した。
次いで、正孔注入層６５上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計ＦＴＡ４０００（First Ten Angstroms社製）を使用した。
試料１における接触角は、４５度であった。
【０１１８】
（実施例２）
温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件で、試料２に加熱処理を施した。これにより、液状体膜６５ｂから正孔注入層６５を形成した。
次いで、正孔注入層６５上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。
試料２における接触角は、４０度であった。
【０１１９】
（比較例）
試料３に加熱処理を施さずに、液状体膜６５ｂを自然乾燥させた。これにより、液状体膜６５ｂから正孔注入層６５を形成した。
次いで、正孔注入層６５上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。
試料３における接触角は、１０度であった。
【０１２０】
実施例１、実施例２及び比較例の結果から、液状体膜６５ｂに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、同じ保持時間であれば、温度が高い方が好ましいことが理解される。逆の観点から、温度を低くすると、同等の撥液性を得るのにかかる保持時間が長くなることが理解される。
【０１２１】
実施例１、実施例２及び比較例における各条件で作成した表示装置１の表示状態を観察した。その結果、実施例１及び実施例２のそれぞれに対応する表示装置１では、比較例に対応する表示装置１よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。
【０１２２】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１２３】
また、本実施形態では、絶縁膜６１が光透過性を有する材料で構成されているが、絶縁膜６１の材料はこれに限定されない。絶縁膜６１の材料としては、光吸収性が高い材料も採用され得る。絶縁膜６１の材料に光吸収性が高い材料を採用すれば、隣り合う画素５同士間における遮光性が高められる。これにより、表示におけるコントラストを向上させやすくすることができ、表示品位を一層向上させやすくすることができる。
【０１２４】
また、本実施形態では、正孔輸送層６７を第２層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層６９に送出することができる層が第１層として設けられていれば、発光層６９を第２層とする構成も採用され得る。
【０１２５】
また、本実施形態では、有機層３１からの光を素子基板１１を介して表示面３から射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を封止基板１３を介して底面１５から射出するトップエミッション型も採用され得る。
トップエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、トップエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、トップエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１２６】
上述した表示装置１は、例えば、図１６に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、各画素５における輝度ムラが低く抑えられる。
【０１２７】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】第１実施形態における表示装置を図１中のＡ−Ａ線で切断したときの断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】第１実施形態における表示装置を図３中のＣ−Ｃ線で切断したときの断面図。
【図６】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】本実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図９】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１０】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】第２実施形態における表示装置を図１中のＡ−Ａ線で切断したときの断面図。
【図１２】第２実施形態における表示装置を図３中のＣ−Ｃ線で切断したときの断面図。
【図１３】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１４】第２実施形態での素子基板の製造工程に適用され得る積層フィルムの構成を説明する斜視図。
【図１５】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１６】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１２９】
１…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１，２０…素子基板、１５…底面、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…有機層、３３…共通電極、４１…第１基板、４１ａ…基板、４１ｂ…基板、６１…絶縁膜、６１ａ…レジスト層、６１ｂ…撥液層、６２…領域、６５…正孔注入層、６５ａ…液状体、６５ｂ…液状体膜、６５ｃ…失活部、６７…正孔輸送層、６７ａ…液状体、６７ｂ…液滴、６７ｃ…失活部、６９…発光層、６９ａ…液状体、６９ｂ…液滴、６９ｃ…失活部、７１…電子注入層、８１…駆動素子層、８３…プラズマ処理装置、１２１…液滴吐出ヘッド、１３１…ベースフィルム、１３３…積層フィルム、１３５…カバーフィルム、５００…電子機器、５１０…表示部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010040355.tif 000013
【図９】
2010040355.tif 000014
【図１０】
2010040355.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2010040355.tif 000018
【図１４】
2010040355.tif 000019
【図１５】
2010040355.tif 000020
【図１６】
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