(57)【要約】【課題】第１の電極と、第１の有機層と、第２の電極と、第２の有機層と、第３の電極とを支持基材上に少なくとも有する構成において、有機層を選択的に除去する場合において、プロセスマージンが広く加工安定性に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１の電極の上と隣り合う前記第１の電極の間に第１の有機層を形成する工程と、前記隣り合う第１の電極の間に形成されている第１の有機層の一部領域をレーザーにより除去することで前記第１の有機層の除去領域を設ける工程とを有し、該第１の有機層の除去領域を設ける工程は、前記支持基材をレーザーにより除去加工する場合のレーザー除去加工条件よりも低いエネルギー密度、短い照射時間または少ない照射回数で、前記第１の有機層を除去する工程である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第１の有機層と、第２の電極と、第２の有機層と、第３の電極とを支持基材上に少なくとも有する積層型有機ＥＬ素子を面内に複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
複数の第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極の上と隣り合う前記第１の電極の間に第１の有機層を形成する工程と、
前記隣り合う第１の電極の間に形成されている第１の有機層の一部領域をレーザーにより除去することで前記第１の有機層の除去領域を設ける工程と、
前記第１の有機層の上および前記第１の有機層の除去領域に第２の電極を設ける工程と、
少なくとも前記第２の電極の上に第２の有機層を形成する工程と、
少なくとも前記第１の有機層の除去領域において前記第２の有機層を除去する工程と、
前記第２の有機層の上に第３の電極を設ける工程とを有し、
前記第１の有機層の除去領域を設ける工程は、前記支持基材をレーザーアブレーションしない条件で前記第１の有機層をレーザーアブレーションすることにより除去領域を設ける工程であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザーはエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の有機層を除去する工程は、前記第２の有機層をレーザーにより除去する工程であり、
該第２の有機層の除去領域の面内方向の幅は、前記第１の有機層の除去領域の面内方向の幅以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の有機層を形成する工程の前に、隣り合う前記第１の電極の間の前記支持基材の上に該支持基材とは別の部材を形成する工程を有し、
該別の部材は、前記第１の有機層のレーザー除去加工条件よりも強いエネルギー密度、長い照射時間または多い照射回数で、レーザーにより除去加工される部材であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記別の部材は、前記第１の電極と同じ材料からなることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層を含む有機層が２つの電極に挟持された有機発光素子を少なくとも２つ以上積層する積層型の構成の有機ＥＬ表示装置の電極や有機層などを所望の形状にパターニングする手法の一つとしてレーザーを用いた微細加工方法が特許文献１に開示されている。
【０００３】
ここではレーザーアブレーション法により基板／透明電極／有機化合物層／金属系電極の構成からなる有機ＥＬ素子の有機化合物層／金属系電極の一部分を選択的に除去して微細パターン化している。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２２２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発光層を含む有機層が２つの電極に挟持された有機発光素子を積層する構成の有機ＥＬ表示装置を作製するには、基板上に複数の有機層と電極層を積層する必要がある。さらに各有機発光素子を駆動させるために各電極層をパターニングしたり、上層の電極層を下層の電極層、あるいは、基板に予め形成した配線層と接続することが必要になる。すなわち、電極層、および、有機層を選択的に除去する必要がある。
【０００６】
特許文献１の様にレーザーアブレーション法を用いて第１の有機層上に電極層及び第２の有機層が積層された構成で、第２の有機層を電極層に対して選択的に除去する場合、第２の有機層のみならず、下地層や支持基材にもアブレーションが引き起こされ、良好な加工形状が得られないことがある。
【０００７】
そこで、本発明は、第１の電極と、第１の有機層と、第２の電極と、第２の有機層と、第３の電極とを支持基材上に少なくとも有する構成で、有機層を選択的に除去する場合に、プロセスマージンが広く加工安定性に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の電極と、第１の有機層と、第２の電極と、第２の有機層と、第３の電極とを支持基材上に少なくとも有する積層型有機ＥＬ素子を面内に複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
複数の第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極の上と隣り合う前記第１の電極の間に第１の有機層を形成する工程と、
前記隣り合う第１の電極の間に形成されている第１の有機層の一部領域をレーザーにより除去することで前記第１の有機層の除去領域を設ける工程と、
前記第１の有機層の上および前記第１の有機層の除去領域に第２の電極を設ける工程と、
少なくとも前記第２の電極の上に第２の有機層を形成する工程と、
少なくとも前記第１の有機層の除去領域において前記第２の有機層を除去する工程と、
前記第２の有機層の上に第３の電極を設ける工程とを有し、
前記第１の有機層の除去領域を設ける工程は、前記支持基材をレーザーアブレーションしない条件で前記第１の有機層をレーザーアブレーションすることにより除去領域を設ける工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機層を選択除去する領域の下地層や支持基材はアブレーションされにくいので、レーザー強度が大きくなっても下地層や支持基材へのダメージが少ない。よってレーザー強度のマージンが拡大し有機層の除去を確実に行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
レーザーによるアブレーションとは、レーザー光を固体に照射した場合、レーザー光の照射強度がある大きさ（しきい値）以上になると、固体表面で、電子、熱的、光化学的および力学（機械）的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光（光子）が爆発的に放出され、固体の表面がエッチングされるプロセスである。
【００１１】
本発明では第１の有機層の除去領域をレーザーアブレーションにより設ける際の条件として、レーザーアブレーションにより支持基材がダメージを受けない条件とする。
【００１２】
より具体的にはレーザーアブレーションにより第１の有機層に除去領域を設ける際の条件は、そのレーザーアブレーションにより支持基材がダメージを受けない条件、即ち低いエネルギー密度あるいは短い照射時間あるいは少ない照射回数といった条件である。
【００１３】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００１５】
＜第１の形態＞
本発明により製造された有機ＥＬ表示装置は、第１の電極と、第１の有機層と、第２の電極と、第２の有機層と、第３の電極とを支持基材上に少なくとも有する積層型有機ＥＬ素子を面内に複数有する。
【００１６】
図１は本形態により製造された有機ＥＬ表示装置の１画素領域における詳細な断面構造の一例を模式的に示した図である。図２に示す様に、本形態の有機ＥＬ表示装置の表示領域１は、図１に示す画素２の複数により構成されている。
【００１７】
図１に示すように、１画素は、並列に配置した３個のサブピクセルＰ１〜Ｐ３で構成され、各々が異なる色に発光する有機層が電極で挟持された有機ＥＬ層を３層積層して構成している。有機層は、単層型（有機発光層）、２層型（有機発光層／正孔注入層）、３層型（電子輸送層／有機発光層／正孔輸送層）、４層型（電子注入層／有機発光層／正孔輸送層／正孔注入層）、５層型（電子注入層／電子輸送層／有機発光層／正孔輸送層／正孔注入層）のいずれを使用することにしてもよい。
【００１８】
図１の有機ＥＬ装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。１０は支持基材である絶縁性基板、１１ａ、１１ｂ、１１ｃは第１の電極、１２は第１の有機層、１３ａ、１３ｂ、１３ｃは第２の電極、１４は第２の有機層、１５ａ、１５ｂ、１５ｃは第３の電極、１６は第３の有機層、２１は第４の電極を示している。本形態の有機層は３層構成となっており、電子輸送層／有機発光層／正孔輸送層で構成されている。第２電極１３は、第１有機層１２の上電極としても機能するし、第２有機層１４の下電極としても機能する。また、第３電極１５は、第２有機層１４の上電極としても機能するし、第３有機層１６の下電極としても機能する。
【００１９】
以下、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法について図３（図３−１〜３）（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。
【００２０】
絶縁性基板１０上には必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子が形成され、その表面はガラス、石英、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂など絶縁性を有する材質により覆われているが、無機材料により覆われていることが望ましい。その画素領域に複数の第１電極１１ａ〜ｃを形成した。第１電極１１としては、導電性有機樹脂膜等であってもよいが、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。
【００２１】
このような基板に対して、公知の手段により、第１の電極１１の上と隣り合う第１の電極１１の間に第１有機層１２を堆積した（図３−１（ａ））。
【００２２】
ここで、有機層は、有機発光材料を含み、さらには正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料等との積層構成であってもよい。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００２３】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できるが、例示の材料に限定されるものではない。
【００２４】
有機層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。
【００２５】
有機層の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が良く、好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。
【００２６】
正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、例示の材料に限定されるものではない。
【００２７】
電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。
【００２８】
次に、隣り合う第１の電極１１の間に形成されている第１の有機層１２の一部領域、即ちコンタクトホールの形成及び後にコンタクトホールを形成する領域の第１有機層１２の除去を行った（図３−１（ｂ））。加工方法としては、レーザー加工であり、本形態においては波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを用いた。これを面状光源にして加工部分を透過するマスクを介して、基板上に所定のパターンで照射した。また第１有機層１２は単位面積あたりの出力が４０ｍＪ／ｃｍ2以下でも除去加工可能であり、絶縁性基板１０は２００ｍＪ／ｃｍ2においても除去加工されない。そのため４０〜２００ｍＪ／ｃｍ2のレーザー出力において有機層膜厚に応じた必要照射回数を選択し、除去加工を行えば良い。加工径としては、２μｍ〜１５μｍが好ましい。これにより、絶縁性基板１０に対してアブレーションを起こすなどの影響が小さく安定したレーザー除去が行える。
【００２９】
次に、透明電極を成膜、及び、パターニングを行い、第１の有機層１２の上および第１の有機層１２の除去領域に、第２電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成した。このとき、コンタクトホールを介して、第１電極１１ｂ、１１ｃと第２電極１３ｂ、１３ｃとが、それぞれ接続される。第２電極１３の材料としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。さらに、Ａｇ、Ａｌなどの金属を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度形成した半透過膜でもよい。パターニング方法としては、レーザー加工で行うことができるが、電極材料を加熱し、メタルマスクを使用して蒸着によって形成しても良い。また、電極材料が形成された基板を支持基材１０と対向させてレーザーアブレーションにより転写しても良い。
【００３０】
次に、公知の手段により、第２の電極１３の上と隣り合う第２の電極１３の間に第２有機層１４を堆積した（図３−１（ｃ））。
【００３１】
次に、レーザー２４により、第１の有機層１２の除去領域を含む第２の有機層１４の一部領域を除去（図３−２（ｄ））した。ここで、第２の有機層１４の除去領域の面内方向の幅は、第１の有機層１２の除去領域の面内方向の幅以下であることが好ましい。
【００３２】
次に、上述と同様の方法で、第２の有機層１４の上に、第３電極１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、第３有機層１６の形成（図３−２（ｅ））、第３有機層１６のレーザー除去（図３−２（ｆ））を順次行った。
【００３３】
次に、第４電極２１をスパッタ等により形成した。第３電極１５と第４電極２１の材料としては、第２電極１３と同様に透過率の高い材料が好ましい。
【００３４】
さらに保護膜２２として、窒化酸化シリコンを成膜し、電源手段２３と接続することにより表示装置を得た（図３−２（ｇ））。
【００３５】
本形態では、図３−１（ｂ）、図３−２（ｄ）、（ｆ）の有機層をレーザー除去する工程において最上層の有機層の下には別の有機層が存在しないため下層に対してアブレーションを起こすなどの影響が小さく安定したレーザー除去が行える。
【００３６】
このようにして形成された有機ＥＬ表示装置の等価回路を図４に示す。第１サブピクセルＰ１においては、第２有機層１４と第３有機層１６が短絡されており、第１有機層１２に電圧が印加される構成となっている。同様に、第２サブピクセルＰ２においては、第２有機層１４に電圧が印加され、第３サブピクセルＰ３においては第３有機層１６に電圧が印加される。
【００３７】
電圧が印加される有機層は１層のみとなり、電源手段２３の電圧としては、１層分の電圧、すなわち約５Ｖ程度でよい。さらに、有機層１２、１４、１６を塗分ける必要が無いため、開口率を高くすることが出来る。
【００３８】
図５に本形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路構成を示す。各サブピクセルは、スイッチング用ＴＦＴ１０１と駆動用ＴＦＴ１０２と、有機発光素子１０３と、コンデンサ１０４で構成されている。
【００３９】
ここで、スイッチング用ＴＦＴ１０１のゲート電極は、ゲート信号線１０５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１０１のソース領域はソース信号線１０６に、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１０２のソース領域は電源供給線１０７に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子１０３の一方の電極（サブピクセルＰ１においては、第１電極１１ａ、サブピクセルＰ２、Ｐ３についても同様に、１１ｂ、１１ｃそれぞれ）に接続されている。なお、有機発光素子１０３の他方の電極は対向電極１０８（第４電極２１）に接続されている。またコンデンサ１０４は電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電極と電源供給線１０７とに接続されるように形成されている。このように、駆動用ＴＦＴ１０２と有機ＥＬ素子１０３が直列に接続されており、有機ＥＬ素子１０３に流れる電流を駆動用ＴＦＴ１０２で制御する。
【００４０】
＜第２の形態＞
図６は本形態により製造された有機ＥＬ表示装置の断面を模式的に示した図である。
【００４１】
図６の有機ＥＬ装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。３０は第１の形態と同様の絶縁性基板、３１は第１の電極、３２は第１の有機発光層、３３ａ、３３ｂは第２の電極、３４は第２の有機層、３５ａ、３５ｂは第３の電極、３６は第３の有機層、４１は第４の電極を示している。本形態の有機層は３層構成となっており、電子輸送層／有機発光層／正孔輸送層で構成されている。第２電極３３は、第１有機層３２の上電極としても機能するし、第２有機層３４の下電極としても機能する。また、第３電極３５は、第２有機層３４の上電極としても機能するし、第３有機層３６の下電極としても機能する。
【００４２】
図６の有機ＥＬ装置は、１画素が、第１サブピクセルＰ１と第２サブピクセルＰ２とで構成されている。
【００４３】
必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子が形成された絶縁性基板３０上には、その画素領域に第１電極３１が形成されている。第１電極３１ａと３１ｂは基板面方向でつながっており導通されている。また、第１電極３１と第４電極４１は共通電極となっており、隣接するサブピクセル間で接続されている。さらに、第１電極３１と第４電極４１とは接続されており、接続箇所は表示領域内であっても表示領域外でもよく、同じ電圧が供給される。
【００４４】
レーザー加工で形成されたコンタクトホールにより、第１サブピクセルの第２電極３３ａと第３電極３５ａとが接続され、第２サブピクセルの第１電極３１ｂと第２電極３３ｂがそれぞれ接続されている。
【００４５】
以下、図６に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお本形態における有機層や電極の材料については第１の形態と同じである。
【００４６】
絶縁性基板３０上には必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子が形成され、その画素領域に複数の第１電極３１ａ，ｂを形成した。
【００４７】
このような基板に対して、公知の手段により、第１の電極３１の上と隣り合う第１の電極３１の間に第１有機層３２を堆積した（図７−１（ａ））。
【００４８】
次に、コンタクトホールの形成及び後にコンタクトホールを形成する領域の有機層除去を行った。共に加工方法としては、第１の形態と同様である（図７−１（ｂ））。
【００４９】
次に、透明電極を成膜、及び、パターニングを行い、第１の有機層３２の上および第１の有機層３２の除去領域に、第２電極３３ａ、３３ｂを形成した。このとき、コンタクトホールを介して、第１電極３１ｂと第２電極３３ｂとが、それぞれ接続される。
【００５０】
次に、第１の形態と同様の方法で、第２有機層３４を形成し（図７−１（ｃ））、レーザー４４による第２有機層３４除去（図７−２（ｄ））、第３電極３５ａ、３５ｂ、第３有機層３６形成、第４電極４１の形成（図７−２（ｅ））を順次行った。
【００５１】
次に保護膜４２として、窒化酸化シリコンを成膜し、電源手段４３と接続することにより表示装置を得た（図７−２（ｆ））。
【００５２】
本形態では、図７−１（ｂ）、図７−２（ｄ）の有機層をレーザー除去する工程において最上層の有機層の下には別の有機層が存在しないため下地への影響が小さく安定したレーザー除去が行える。
【００５３】
このようにして形成された有機ＥＬ表示装置の等価回路を図８に示す。
【００５４】
次に、上記構造の有機ＥＬ装置の駆動方法について図９を参照して説明する。図９は電源手段４３により有機ＥＬ装置の電極間に印加される電圧波形の一例を示す図である。
【００５５】
第１有機層３２と第２有機層３４を発光させる場合には、電源手段４３により第３電極３５ａ及び３５ｂにマイナス電圧、共通電極（第１電極３１、第４電極４１）にプラス電圧を印加する。これにより、第１有機層３２及び第２有機層３４に第２電極３３ａと第３電極３５ｂから電子が注入されるとともに、第１電極３１ａと第２電極３３ｂからホールが注入され、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。そして、この発光光が保護層４２側から射出される。なお、第３有機層３６には逆方向電圧が印加されるため発光しない。
【００５６】
次に、第３有機層３６を発光させる場合には、電源手段４３により、第３電極３５ａ、３５ｂにプラス電圧、第１電極３１及び第４電極４１にマイナス電圧を印加する。これにより、第３有機層３６には、第４電極４１から電子が注入されるとともに、画素電極（第３電極）３５ａ、３５ｂからホールが注入され、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。そして、この発光光が保護膜４２側から射出される。このとき、第１有機層３２と第２有機層３４には逆方向電圧が印加されるため発光しない。
【００５７】
また、第１有機層３２、第２有機層３４と第３有機層３６を発光させて、混合色を発光する場合には、図９に示すように電源手段４３により第３電極３５ａ、３５ｂと共通電極（第１電極３１、第４電極４１）間に交流電圧を印加して交流駆動を行う。具体的には、電源手段４３は、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で、電圧をプラス側とマイナス側とに切り替え制御して、各発光輝度を制御する。これにより、第１有機層３２、第２有機層３４の発光色と第３有機層３６の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。
【００５８】
このような有機ＥＬ表示装置においては、電圧が印加される有機ＥＬ層は１層のみとなり、電源手段４３の電圧としては、１層分の電圧、すなわち約５Ｖ程度でよい。さらに、有機層３２、３４、３６を塗分ける必要が無い上、サブピクセル数が２つと、第１の形態よりも少ないため、開口率を高くすることが出来る。
【００５９】
図１０に本形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路構成を示す。各サブピクセルは、スイッチング用ＴＦＴ１０１と駆動用ＴＦＴ１０２と、有機発光素子１０３と、コンデンサ１０４で構成されている。
【００６０】
ここで、スイッチング用ＴＦＴ１０１のゲート電極は、ゲート信号線１０５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１０１のソース領域はソース信号線１０６に、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１０２のソース領域は電源供給線１０７に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子１０３の一方の電極（サブピクセルＰ１においては、第３電極３５ａ、サブピクセルＰ２も同様に第３電極３５ｂ）に接続されている。なお、有機発光素子１０３の他方の電極は対向電極１０８（第１電極３１、第４電極４１）に接続されている。またコンデンサ１０４は電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電極とＧＮＤとに接続されるように形成されている。このように、駆動用ＴＦＴ１０２と有機ＥＬ素子１０３が直列に接続されており、有機ＥＬ素子１０３に流れる電流を駆動用ＴＦＴ１０２で制御する。
【００６１】
＜第３の形態＞
図１１は本形態により製造された有機ＥＬ表示装置の断面を模式的に示した図である。
【００６２】
本形態では第１の形態と同様の絶縁性基板５０上に第１電極５１を成膜した後、第１電極５１ａ、５１ｂとの間に、これらと絶縁された別の部材５１ｃが残るようにパターニングした。
【００６３】
この別の部材５１ｃは後で行うエキシマレーザー加工時の反射層として機能するものである。そのため別の部材５１ｃは波長２４８ｎｍのエキシマレーザー光に対して反射率が９０％以上あることが望ましく、前記第１の電極と同じ材料からなることが好ましい。また、別の部材５１ｃは第１の有機層５２及び第２有機層５４のレーザー除去加工条件よりも強いエネルギー密度、長い照射時間または多い照射回数で、レーザーにより除去加工される部材であることが好ましい。別の部材５１ｃがあることによりレーザー強度が大きくなってもレーザー光が別の部材５１ｃで反射し、下層へ影響を与えることはほとんど無く、より安定した加工が可能となり、結果的に確実に有機層の除去が行える。
【００６４】
第１電極５１パターニング後の工程は第２の形態と同様であるので説明は省略するが、第１有機層５２及び第２有機層５４の加工条件について以下に記載する。加工には波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを用いた。これを面状光源にして加工部分を透過するマスクを介して、基板上に所定のパターンで照射した。第１有機層５２及び第２有機層５４は単位面積あたりの出力が４０ｍＪ／ｃｍ2以下でも除去加工可能であり、別の部材５１ｃは５００ｍＪ／ｃｍ2においても除去加工されない。そのため４０〜５００ｍＪ／ｃｍ2のレーザー出力においてそれぞれの有機層膜厚に応じた必要照射回数を選択し、除去加工を行えば良い。ともに加工径としては、２μｍ〜１５μｍが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略断面図である。
【図２】第１の形態における有機ＥＬ表示装置を示す概略斜視図である。
【図３−１】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図３−２】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図３−３】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図４】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す図である。
【図５】第１の形態における有機ＥＬ表示装置の画素回路構成を示す図である。
【図６】第２の形態における有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略断面図である。
【図７−１】第２の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図７−２】第２の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図８】第２の形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す図である。
【図９】第２の形態における有機ＥＬ表示装置において、電源手段の交流電圧の波形の一例を示す図である。
【図１０】第２の形態における有機ＥＬ表示装置の画素回路構成を示す図である。
【図１１】第３の形態における有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  表示領域
２  画素
１０  支持基材
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ第１電極
１２  第１有機層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ第２電極
１４  第２有機層
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  第３電極
１６  第３有機層
２１  第４電極
２２  保護膜
２３  電源手段
２４  レーザー光
３０  支持基材
３１  第１電極
３２  第１有機層
３３ａ、３３ｂ  第２電極
３４  第２有機層
３５ａ、３５ｂ  第３電極
３６  第３有機層
４１  第４電極
４２  保護膜
４３  電源手段
４４  レーザー光
５０  支持基材
５１ａ、５１ｂ  第１電極
５１ｃ  別の部材
５２  第１有機層
５３ａ、５３ｂ  第２電極
５４  第２有機層
５５ａ、５５ｂ  第３電極
５６  第３有機層
６１  第４電極
６２  保護膜
６３  電源手段
１０１  スイッチング用ＴＦＴ
１０２  駆動用ＴＦＴ
１０３  有機発光素子
１０４  コンデンサ
１０５  ゲート信号線
１０６  ソース信号線
１０７  電源供給線
１０８  対向電極
Ｐ１  第１サブピクセル
Ｐ２  第２サブピクセル
Ｐ３  第３サブピクセル
【図１】
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【図２】
2010010041.tif 000004
【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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