(57)【要約】【課題】画像中の残像発生を最小限に抑制する。【解決手段】基体；前記基体上に設けられ、エポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物及び金属酸化物を含有する、下引き層；電荷発生層；及び少なくとも１つの電荷輸送層を備えた構成を有する光導電体を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体；
前記基体上に設けられ、エポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物及び金属酸化物を含有する、下引き層；
電荷発生層；及び
少なくとも１つの電荷輸送層
を含む光導電体。
【請求項２】
前記金属酸化物が、下引き層成分の総重量に対して２０〜８０重量パーセントの量で存在し、
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のジグリシジルエーテル、テトラフェノールエタン型エポキシ樹脂のテトラグリシジルエーテル、エポキシフェノールノボラック樹脂、エポキシビスフェノールＡノボラック樹脂、エポキシビスフェノールＦノボラック樹脂、エポキシクレゾールノボラック樹脂、エポキシポリアクリレート、エラストマー修飾エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の水素化ジグリシジルエーテル、脂環式グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ、アルキルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、クレシルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ブチルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ひまし油グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、およびこれらのエポキシ樹脂のうちいずれか複数からなる混合物からなる群から選択され、
前記カルボキシル樹脂が、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の誘導体、メタクリル酸の誘導体、およびこれらのうちいずれか複数からなる混合物が重合してなるアクリルカルボキシル樹脂であり、かつ、
前記少なくとも１つの電荷輸送層が、１層からなる電荷輸送層、２層からなる電荷輸送層、または３層からなる電荷輸送層である、請求項１に記載の光導電体。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物が触媒の存在下で架橋しており、
前記触媒が、シュウ酸、マレイン酸、カルボン酸、アスコルビン酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、クエン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、およびこれらのうちいずれか複数からなる混合物から選択され、前記混合物の総重量に対して０．１〜５重量パーセント存在する酸触媒であるか、または、トリエチルアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、イソホロンジアミン、ビス−ｐ−アミノシクロヘキシルメタン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ジアミノジフェニルメタン等、およびこれらのうちいずれか複数からなる混合物から選択され、前記混合物の総重量に対して０．１〜１０重量パーセント存在する塩基触媒であり、
前記下引き層の厚さが１〜１５μｍの範囲にあり、
前記金属酸化物が、酸化チタン、酸化亜鉛、または酸化スズであり、
前記電荷輸送材料が、下記一般式（１）または一般式（２）で表される構造を有するアリールアミンを含有し、
前記電荷発生層が、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ハロガリウムフタロシアニン、またはこれらのうちいずれか複数からなる混合物のうち少なくとも１つを含む電荷発生顔料を含有し、かつ、
前記少なくとも１つの電荷輸送層が、１層からなる電荷輸送層、または２層からなる電荷輸送層である、請求項２に記載の光導電体。
【化１】
2010204659.tif 000009
（一般式（１）及び（２）中、複数存在するＸは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アリール基、またはハロゲンを表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は正孔阻止層に関する。より詳細には、例えばエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物および金属酸化物を含む正孔阻止層または下引き層（ＵＣＬ）を備え、該正孔阻止層または下引き層が支持基体と電荷発生層（photogenerating layer）層との間に位置し得る光導電体に関する。さらに詳細には、本発明はエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物を含有する下引き層または正孔阻止層であって、本明細書で参照する同時係属出願中に記載されている二酸化チタン等の金属酸化物等の成分の一部を更に含む該下引き層または正孔阻止層に関する。
【背景技術】
【０００２】
ゼログラフィーシステムにおいて、特にカラー印刷の出現と共に、優れた印刷品質が必要とされている。一般的な印刷品質の課題は、下引き層（ＵＣＬ）の成分に依存し得る。特定の状況では、より厚い下引きが望ましいが、場合によっては、光注入された電子の発生層から基体への輸送が不十分であるために、下引き層に使用される材料の厚さが制限されることがある。下引き層が薄すぎると、局所的な汚れた基体表面領域における漏れのため、基体の被覆が不完全になることがある。被覆が不完全だとピンホールが発生し、これにより電荷不足スポット（ｃｈａｒｇｅ  ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ  ｓｐｏｔ：ＣＤＳ）、バイアス帯電ロール（ＢＣＲ）のリークによるブレークダウン等の印刷欠陥が次々に生じることがある。その他の問題としては、感光体のどこかに電荷が蓄積することで生じるとされている「残像発生（ｇｈｏｓｔｉｎｇ）」が含まれる。画像形成部材中の捕捉された電子および正孔を除去することが、残像発生を予防する要因となる。その結果、連続画像印刷時に、蓄積された電荷によって、現在印刷中の画像濃度が変化し、前回の印刷画像が現れてしまう。そこで、下引き層の所望の厚さを犠牲にすることなく感光体中での電荷の蓄積を最小限に抑えるか取り除く必要があり、他の光導電層（電荷発生層等）にＵＣＬが長時間（例えばゼログラフィー画像形成のシミュレーションサイクル約２，０００，０００回分）適切に接着できるようにする必要がある。したがって、下引き層または阻止層に使用される従来の材料は、印刷品質特性を低下させるいくつもの欠点を有し、そのような欠点としては、例えば残像発生、電荷不足スポット、およびバイアス帯電ロールのリークによるブレークダウン等が含まれ、これらは一般的に発生する問題である。残像発生は光導電体中に電荷が蓄積することによると考えられており、そのため、連続してゼログラフィー画像を印刷した時に、蓄積した電荷が画像濃度を変化させ、前回の印刷画像が現れてしまう。
【０００３】
厚い下引き層は、光導電体に長寿命および炭素繊維耐性を与え得るため、ゼログラフィー用の光導電体に望ましいと考えられる。更に、下引き層をより厚くすることで、経済的な基体を感光体中に使用することができる。しかし、下引き層の厚さが約１５μｍよりも厚いと、主に乾燥・寒冷環境における電子導電性が不十分であるため、例えば相対湿度１０パーセント、７０°Ｆ等の条件下で、残留電位が高くなり得、更に、ＵＣＬの接着が不良になり得るが、これらの欠点は本開示のＵＣＬを用いることで回避されるか最小限に抑えられる。また、本明細書に記載の光導電性デバイスを用いた画像形成および印刷の方法も本開示の範囲に含まれる。概括的には、これらの方法では、画像形成部材上に静電潜像を形成し、その後、例えば熱可塑性樹脂、顔料等の着色剤、帯電添加剤、表面添加剤を含むトナー組成物を用いて画像を現像し、その後、画像を好適な基材に転写し、そこに画像を永久的に定着させる。デバイスが印刷モードで使用される環境での画像形成方法も、露光がレーザーデバイスまたはイメージバーを用いて達成され得ること以外は同じ動作を含む。
【０００４】
米国特許第６，９１３，８６３号は、必要に応じて設けられる支持基体と、その上の正孔阻止層と、電荷発生層と、電荷輸送層とを備えた光導電性画像形成部材であって、正孔阻止層が金属酸化物とフェノール系樹脂混合物とを含み、樹脂の少なくとも１種が２個の水酸基を含む、光導電性画像形成部材を記載している。米国特許第６，２５５，０２７号、同第６，１７７，２１９号、および同第６，１５６，４６８号は、例えば、バインダー中に複数の光散乱粒子が分散された電荷阻止層を備えた感光体を記載しており、例えば、米国特許第６，１５６，４６８号の実施例Ｉは、オキシケム社（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ）から入手可能な特定の直鎖状フェノール系バインダーＶＡＲＣＵＭ（登録商標）中に二酸化チタンを分散させた電荷阻止層を記載している。
【０００５】
米国特許第４，９２１，７６９号は、特定のポリウレタンよりなる阻止層を有する光導電性画像形成部材を記載している。
【０００６】
複数の下引き層または電荷阻止層が、米国特許第４，４６４，４５０号、同第５，４４９，５７３号、同第５，３８５，７９６号、および同第５，９２８，８２４号に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，９１３，８６３号
【特許文献２】米国特許第６，２５５，０２７号
【特許文献３】米国特許第６，１７７，２１９号
【特許文献４】米国特許第６，１５６，４６８号
【特許文献５】米国特許第４，９２１，７６９号
【特許文献６】米国特許第４，４６４，４５０号
【特許文献７】米国特許第５，４４９，５７３号
【特許文献８】米国特許第５，３８５，７９６号
【特許文献９】米国特許第５，９２８，８２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
許容可能な印刷品質を可能にする光導電体が提供され、転写電流の大きなシステムで印刷された画像中の残像発生が最小限に抑えられるか実質的に除去され、例えば電荷発生層に由来し印刷欠陥を生じる電荷不足スポット（ＣＤＳ）が最小限に抑えられる。より具体的には、公知の正孔阻止層を備えた同様な光導電体と比べてＣＤＳが例えば約３０〜約９０パーセント低くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞基体；前記基体上に設けられ、エポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物及び金属酸化物を含有する、下引き層；電荷発生層；及び少なくとも１つの電荷輸送層を含む光導電体。
＜２＞支持基体；前記基体上に設けられ、金属酸化物の混合物及びエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物を含む下引き層；電荷発生層；及び電荷輸送層を含む光導電体。
＜３＞支持基体；エポキシ樹脂とカルボキシル樹脂の混合物、及び、例えば酸化チタン、を含む正孔阻止層；電荷発生層；および電荷輸送層を順に含む、剛体または可撓体である光導電体。
＜４＞基体；堅牢な、本明細書に記載の下引き層；及び、前記下引き層上に形成された、電荷発生層および１または複数の電荷輸送層等からなる群より選択される少なくとも１つの画像形成層を含む、光導電性部材または光導電性デバイス。
＜５＞電荷発生層が電荷輸送層と基体の間に位置し、電荷発生層が樹脂バインダーを含む、光導電体。
＜６＞典型的には少なくとも基体層及び下引き層を備えた電子写真画像形成部材であって、前記下引き層が通常、前記基体と、前記下引き層の上に順に堆積される電荷発生層および電荷輸送層との間に位置する、電子写真画像形成部材。
＜７＞基体；前記基体上に設けられ、本明細書に記載の樹脂混合物と金属酸化物とを含む下引き層；電荷発生層；及び少なくとも１つの電荷輸送層を含む光導電体。
＜８＞基体；前記基体上に設けられ、金属酸化物とエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物を含む下引き層；電荷発生層；及び電荷輸送層を含む光導電体。
＜９＞支持基体；樹脂混合物と金属酸化物とを含有する正孔阻止層；電荷発生層；及び少なくとも１つの電荷輸送層を順に含む、剛体または可撓体である光導電体。
【００１０】
上記のように、本明細書に開示される本発明のある実施形態には、基体、基体上に積層または堆積された本明細書に記載の下引き層、ならびに下引き層上に形成された電荷発生層および電荷輸送層を備えた光導電体が含まれる。また、本明細書に開示される本発明のある実施形態には、基体および基体上に堆積された下引き層を備えた光導電体であって、下引き層が、二酸化チタン等の金属酸化物、および、主に光導電体の残像発生特性を抑制するように機能するエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂との混合物を含む、光導電体が含まれる。
【発明の効果】
【００１１】
本明細書に記載される本発明のある実施形態によれば、転写電流の大きなシステムで印刷された画像中の残像発生が最小限に抑えられるか実質的に除去され、また例えば電荷発生層に由来し印刷欠陥を生じる電荷不足スポット（ＣＤＳ）を最小限に抑えた、許容可能な印刷品質を実現する光導電体が提供される。より具体的には、公知の正孔阻止層を備えた同様な光導電体と比べてＣＤＳが例えば約３０〜約９０パーセント減少し得る。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ある実施形態では、本開示の正孔阻止層または下引き層を備えた光導電体は、例えば、種々の相対湿度における優れた残像発生特性を含む、ゼログラフィー画像等の現像像上における望ましくない残像発生の最小限化または実質的除去；優れたサイクル特性および安定した電気的特性；電荷不足スポット（ＣＤＳ）の最小限化；ポリカーボネート等の電荷発生・電荷輸送樹脂バインダーとの共存等を可能にする。電荷阻止層および正孔阻止層は一般的に「下引き層」という語と同義で使用される。
【００１３】
ある実施形態では、ＴｉＯ2等の下引き層金属酸化物は表面処理されてもされなくてもよい。表面処理の例としては、金属酸化物を、ラウリン酸アルミニウム、アルミナ、ジルコニア、シリカ、シラン、メチコーン、ジメチコーン、メタリン酸ナトリウム等、およびその混合物と混合することが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ＴｉＯ2の例としては、ＭＴ−１５０Ｗ（商標；メタリン酸ナトリウムで表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＳＴＲ−６０Ｎ（商標；表面処理なし、堺化学工業株式会社から入手可能）、ＦＴＬ−１００（商標；表面処理なし、石原産業株式会社から入手可能）、ＳＴＲ−６０（商標；Ａｌ2Ｏ3で表面処理、堺化学工業株式会社から入手可能）、ＴＴＯ−５５Ｎ（商標；表面処理なし、石原産業株式会社から入手可能）、ＴＴＯ−５５Ａ（商標；Ａｌ2Ｏ3で表面処理、石原産業株式会社から入手可能）、ＭＴ−１５０ＡＷ（商標、表面処理なし、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１５０Ａ（商標；表面処理なし、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００Ｓ（商標；ラウリン酸アルミニウムおよびアルミナで表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００ＨＤ（商標；ジルコニアおよびアルミナで表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００ＳＡ（商標；シリカおよびアルミナで表面処理、テイカ株式会社から入手可能）等が挙げられる。
【００１４】
好適な量（例えば下引き層の全重量に対して約５〜約８０重量パーセント、好ましくは約２０〜約８０重量パーセント、より好ましくは約４０〜約７０重量パーセントの量）で存在する金属酸化物の例としては、酸化チタンおよびその金属酸化物の混合物が挙げられる。ある実施形態では、金属酸化物は、直径が約５〜約３００ナノメートルであり、約５０〜約６５０キログラム／ｃｍ2の圧力で印加した場合の粉末抵抗（ｐｏｗｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が約１×１０3〜約６〜１０5オーム／ｃｍである。より好ましくは酸化チタンは、一次粒径が約１０〜約２５ナノメートル、より好ましくは約１２〜約１７ナノメートル、更により好ましくは約１５ナノメートル、推定アスペクト比が約４〜約５であり、必要に応じて、例えばメタリン酸ナトリウム等のアルカリ金属を例えば約１〜約３重量パーセント含む成分で表面処理されてもよく、約６５０〜約５０キログラム／ｃｍ2の圧力で印加した場合の粉末抵抗が約１×１０4〜約６×１０4オーム／ｃｍである。ＭＴ−１５０Ｗ（商標）、この酸化チタンはテイカ株式会社から入手可能であり、正孔阻止層は約０．１〜約１５μｍ等の好適な厚さであり、それにより、電荷の漏洩が回避または最小化される。チタン以外の金属酸化物の例としては、クロム、亜鉛、スズ、銅、アンチモン等の酸化物が挙げられ、具体例としては酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化シリコーン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化モリブデン、およびこれらの混合物が挙げられる。
【００１５】
選択されたエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ樹脂のジグリシジルエーテル、ならびにその修飾樹脂および混合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１６】
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂のジグリシジルエーテルの具体例としては、ＥＰＯＮ（商標）８２５（１７５〜１８０エポキシ当量(weight per epoxide)）、８３４（２３０〜２８０エポキシ当量）、８２４（１９２〜２０４エポキシ当量）、８２８０（１８５〜１９５エポキシ当量）、および８７２（６２５〜７２５エポキシ当量）が含まれる。具体的なビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂のジグリシジルエーテルとしては、ＥＰＯＮ（商標）８６２（１６５〜１７３エポキシ当量）、および８６３（１６５〜１７４エポキシ当量）が挙げられる。ビスフェノールＦとビスフェノールＡとの混合物である液状エポキシ樹脂のジグリシジルエーテルの具体例としては、ＥＰＯＮ（商標）２３５（１７７〜１８２エポキシ当量）が挙げられる。これらは全て、オハイオ州コロンブスのヘキシオン・スペシャルティ・ケミカルズ社（ＨＥＸＩＯＮ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）から市販されている。これらの液状エポキシ樹脂は更に、ＥＰＯＮ（商標）８１３２のようにアルキルグリシジルエーテルと混合してもよく、ＥＰＯＮ（商標）８１３のようにクレシルグリシジルエーテルと混合してもよく、ＥＰＯＮ（商標）８１５Ｃのようにブチルグリシジルエーテルと混合してもよく、ＥＰＯＮ（商標）８１３１のようにひまし油グリシジルエーテルと混合してもよく、その他のグリシジルエーテルと混合してもよい。これらは全て、オハイオ州コロンブスのヘキシオン・スペシャルティ・ケミカルズ社から市販されている。
【００１７】
ビスフェノールＡ溶液エポキシ樹脂のジグリシジルエーテルの具体例としては、ＥＰＯＮ（商標）８２８−Ｘ−９５（１９３〜２０４エポキシ当量、キシレン中固体９５パーセント）、８５２１−ＭＸ−６０（７５０〜８５０エポキシ当量、エチレングリコールモノブチルエーテル／キシレン中固体６０パーセント）、１００１−Ｔ−７５（４５０〜５５０エポキシ当量、トルエン中固体７５パーセント）、１００４−Ｏ−６５（８５０〜１，０５０エポキシ当量、メチルｎ−アミルケトン中固体６５パーセント）、１００７−ＣＴ−５５（１，６００〜２，３００エポキシ当量、ＭＩＢＫ／トルエン中固体５５パーセント）、および１００９−ＭＶ−４０（２，５００〜４，０００エポキシ当量、エチレングリコールモノブチルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル中固体４０パーセント）が挙げられる。以上は全てオハイオ州コロンブスのヘキシオン・スペシャルティ・ケミカルズ社から市販されている。これらの溶液エポキシ樹脂は更に、ＥＰＯＮ（商標）ＣＳ２４３のように炭素原子数１２〜１４のアルキルグリシジルエーテルと混合してもよく、ＥＰＯＮ（商標）ＣＳ３７７のようにｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテルと混合してもよい。以上は全てオハイオ州コロンブスのヘキシオン・スペシャルティ・ケミカルズ社から市販されている。
【００１８】
樹脂混合物を含有する正孔阻止層（下引き層）の一部として選択することのできるエポキシ樹脂の具体例としては他に、ＥＰＯＮ（商標）１０３１（１９５〜２３０エポキシ当量）等の、テトラフェノールエタン樹脂のテトラグリシジルエーテル；ＥＰＯＮ（商標）１５４（１７６〜１８１エポキシ当量）等のエポキシフェノールノボラック樹脂；ＥＰＯＮ（商標）ＳＵ−２．５（１８０〜２００エポキシ当量）等のエポキシビスフェノールＡノボラック樹脂；ＥＰＯＮ（商標）１６０（１６８〜１７８エポキシ当量）等のエポキシビスフェノールＦノボラック樹脂；ＥＰＯＮ（商標）１６４（２００〜２４０エポキシ当量）等のエポキシクレゾールノボラック樹脂；ＥＰＯＮ（商標）８１１１（１４０エポキシ当量）等のエポキシポリアクリレート；ＥＰＯＮ（商標）５８００５（３２５〜３７５エポキシ当量）等のエラストマー修飾エポキシ樹脂；ＥＰＯＮＥＸ（商標）１５１０（２１０〜２２０エポキシ当量）等のビスフェノールＡ（脂環式グリシジルエーテル）樹脂の水素化ジグリシジルエーテル；およびＥＰＯＮ（商標）１１８３（６２５〜７２５エポキシ当量）等の臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。これらは全てオハイオ州コロンブスのヘキシオン・スペシャルティ・ケミカルズ社から市販されている。
【００１９】
エポキシ樹脂は、例えば数平均分子量が約５０〜約１０，０００、約２００〜約４，０００、または約４００〜約１，０００であり、重量平均分子量が約６０〜約３０，０００、約２５０〜約１２，０００、または約５００〜約３，０００であり、正孔阻止層（下引き層）の固体全量に対して約５〜約９０重量パーセントまたは約１０〜約４０重量パーセントの量で存在する。
【００２０】
カルボキシル樹脂の具体例としてはアクリルカルボキシル樹脂が挙げられるが、これらに限定されない。ある実施形態におけるアクリルカルボキシル樹脂の例としては、アクリル酸および／もしくはメタクリル酸のコポリマーならびに／またはその誘導体、例えばアクリルおよびメタクリルのエステル、ならびにニトリル基、アミド基、および必要に応じてその他モノマーを含有する成分が含まれる。ある実施形態では、アクリルエステルは、アルキル部分が炭素数が１〜約２５のアルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、またはヘキサデシルのアクリレート）であるｎ−アルキルアクリレート；第二級および分岐鎖のアルキルアクリレート（例えば、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、２−エチルヘキシル、または２−エチルブチルのアクリレート）；オレフィンアクリレート（例えば、アリル、２−メチルアリル、フルフリル、または２−ブテニルのアクリレート）；アミノアルキルアクリレート（例えば、２−（ジメチルアミノ）エチル、２−（ジエチルアミノ）エチル、２−（ジブチルアミノ）エチル、または３−（ジエチルアミノ）プロピルのアクリレート）；エーテルアクリレート（例えば、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、テトラヒドロフルフリル、または２−ブトキシエチルのアクリレート）；シクロアルキルアクリレート（例えば、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、または３，３，５−トリメチルシクロヘキシルのアクリレート）；ハロゲン化アルキルアクリレート（例えば、２−ブロモエチル、２−クロロエチル、または２，３−ジブロモプロピルのアクリレート）；グリコールアクリレートおよびグリコールジアクリレート（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコール、１，５−ペンタンジオール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、２，５−ヘキサンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、または１，１０−デカンジオールのアクリレートおよびジアクリレート）からなる群から選択することができる。メタクリルエステルの例は、アルキルメタクリレート（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、イソオクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−デシル、またはテトラデシルのメタクリレート）；不飽和アルキルメタクリレート（例えば、ビニル、アリル、オレイル、または２−プロピニルのメタクリレート）；シクロアルキルメタクリレート（例えば、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、３−ビニルシクロヘキシル、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル、ボルニル、イソボルニル、またはシクロペンタ−２，４−ジエニルのメタクリレート）；アリールメタクリレート（例えば、フェニル、ベンジル、またはノニルフェニルのメタクリレート）；ヒドロキシアルキルメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプロピル、または３，４−ジヒドロキシブチルのメタクリレート）；エーテルメタクリレート（例えば、メトキシメチル、エトキシメチル、２−エトキシエトキシメチル、アリルオキシメチル、ベンジルオキシメチル、シクロヘキシルオキシメチル、１−エトキシエチル、２−エトキシエチル、２−ブトキシエチル、１−メチル−（２−ビニルオキシ）エチル、メトキシメトキシエチル、メトキシエトキシエチル、ビニルオキシエトキシエチル、１−ブトキシプロピル、１−エトキシブチル、テトラヒドロフルフリル、またはフルフリルのメタクリレート）；オキシラニルメタクリレート（例えば、グリシジル、２，３−エポキシブチル、３，４−エポキシブチル、２，３−エポキシシクロヘキシル、または１０、１１−エポキシウンデシルのメタクリレート）；アミノアルキルメタクリレート（例えば、２−ジメチルアミノエチル、２−ジエチルアミノエチル、２−ｔ−オクチルアミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノエチル、３−ジエチルアミノプロピル、７−アミノ−３，４−ジメチルオクチル、Ｎ−メチルホルムアミドエチル、または２−ウレイドエチルのメタクリレート）；グリコールジメタクリレートからなる群から選択することができる。メタクリルアミドおよびメタクリルニトリルは、例えば、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）メタクリルアミド、１−メタクリロイルアミド−２−メチル−２−プロパノール、４−メタクリロイルアミド−４−メチル−２−ペンタノール、Ｎ−（メトキシメチル）メタクリルアミド、Ｎ−（ジメチルアミノエチル）メタクリルアミド、Ｎ−（３−ジメチルアミノプロピル）メタクリルアミド、Ｎ−アセチルメタクリルアミド、Ｎ−メタクリロイルマレアミド酸、メタクリロイルアミドアセトニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）メタクリルアミド、１−メタクリロイルウレアの少なくとも１つからなる群から選択することができる。
【００２１】
アクリルカルボキシル樹脂の具体例としては、ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−８５（Ｔg＝９℃、酸価＝６５、アロマティック１５０（Ａｒｏｍａｔｉｃ  １５０）／ブチルセルソルブ＝８７／１３中固体５５．５パーセント）、ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−８１（Ｔg＝４０℃、酸価＝６５、アロマティック１５０／ブチルセルソルブ＝８７／１３中固体５５．５パーセント）、ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−７６（Ｔg＝２５℃、酸価＝３８、アロマティック１５０／ブチルセルソルブ＝７５／２５中固体４１パーセント）、ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−１４８（Ｔg＝９℃、酸価＝６５、ブチルセルソルブ中固体５５パーセント）、ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−１４７（Ｔg＝４０℃、酸価＝６５、ブチルセルソルブ中固体５５パーセント）、およびＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−９ＬＯ（Ｔg＝３０℃、酸価＝３５、アロマティック１５０／ブチルセルソルブ＝９０／１０中固体４５パーセント）が挙げられる。これらは全てローム・アンド・ハース社（Ｒｏｈｍ  ａｎｄ  Ｈａａｓ）から市販されている。
【００２２】
カルボキシル樹脂の数平均分子量は、例えば約４００〜約５０，０００または約１，０００〜約１０，０００である。カルボキシル樹脂の重量平均分子量は、約５００〜約１００，０００または約１，５００〜約２０，０００である。カルボキシル樹脂は、正孔阻止層の固体全量の約５〜約９０重量パーセントまたは約１０〜約４０重量パーセントの量で存在する。
【００２３】
正孔阻止層（下引き層）は更に、２つの樹脂間の架橋反応を加速するために、酸触媒または塩基触媒を用いて作製されてもよい。酸触媒の例としては、シュウ酸、マレイン酸、カルボン酸、アスコルビン酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、クエン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等、およびこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。酸触媒の典型的な濃度は、２種類の樹脂の総重量を基準にして約０．１〜約５重量パーセントまたは約０．５〜約２重量パーセントである。塩基触媒の例としては、トリエチルアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、イソホロンジアミン、ビス−ｐ−アミノシクロヘキシルメタン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ジアミノジフェニルメタン等、およびその混合物等のアミンが挙げられるが、これらに限定されない。塩基触媒の典型的濃度は、２種類の樹脂の総重量を基準にして約０．１〜約１０重量パーセントまたは約０．５〜約４重量パーセントである。
【００２４】
正孔阻止層（下引き層）中に存在する樹脂混合物の量は多様であり得るが、例えば（下引き層）に含有される成分の重量を基準にして約１０〜約９５重量パーセント、好ましくは約２０〜約６０重量パーセント、より好ましくは約３０〜約４０重量パーセントである。
【００２５】
樹脂混合物におけるエポキシ樹脂とカルボキシル樹脂の重量比は、約１０／９０〜約９０／１０、約２０／８０〜約８０／２０、または約４０／６０〜約６０／４０である。
【００２６】
ある実施形態では、正孔阻止層（下引き層）は複数の公知の方法で作製することができ、当該作製方法におけるパラメーターは、例えば、所望する光導電体部材に依存する。正孔阻止層は、例えば、分散体の状態で、スプレーコーター、ディップコーター、押し出しコーター、ローラーコーター、ワイヤーバーコーター、スロットコーター、ドクターブレードコーター、グラビアコーター等を用いて基体上に塗布し、約４０〜約２４０℃または約１４０〜約２００℃で、約１分〜約１０時間または約１０〜約６０分等の好適な時間、静的条件または空気流中で乾燥することにより形成され得る。当該塗布は、乾燥後の最終的な塗布層厚が約０．１〜約３０μｍ、約１〜約２０μｍ、約１〜約１５μｍ、または約５〜約１５μｍとなるように達成され得る。
【００２７】
ある実施形態では、正孔阻止層（下引き層）は、有機顔料、有機染料等の種々の着色剤を含んでもよい。そのような着色剤としては、例えばアゾ顔料、キノリン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、チオインジゴ顔料、ビスベンズイミダゾール顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、アゾレーキ顔料、アントラキノン顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクアリリウム染料、ピリリウム染料、トリアリルメタン染料、キサンテン染料、チアジン染料、およびシアニン染料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。種々の実施形態において、正孔阻止層は、非晶質シリコーン、非晶質セレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、硫化亜鉛、およびこれらの混合物等の無機材料を含んでもよい。着色剤は、約０．５〜約２０重量パーセント、好ましくは１〜約１２重量パーセント等、種々の好適な量で選択することができる。
【００２８】
種々の実施形態において、正孔阻止層（下引き層）は更に、必要に応じて光散乱粒子を含んでもよい。種々の実施形態で、光散乱粒子は樹脂混合物と屈折率が異なり、数平均粒子径は約０．８μｍより大きい。光散乱粒子としては例えば非晶質シリカおよびシリコーン球（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  ｂａｌｌ）が挙げられる。種々の実施形態において、光散乱粒子は正孔阻止層の総重量の約０〜約１０重量パーセントの量で存在し得る。
【００２９】
＜光導電性層＞
光導電性基体層の厚さは、経済的な検討事項、電気的特性等の多くの要因によって決定される。この層の実質的な厚さは、例えば３，０００μｍ超、例えば約５００〜約２，０００μｍ、また例えば約３００〜約７００μｍであってもよく、または最小限の厚さであってもよい。ある実施形態では、この層の厚さは約７５〜約３００μｍまたは約１００〜約１５０μｍである。
【００３０】
基体は、不透明または実質的に透明であってよく、所望の機械的特性を有する任意の好適な材料を含んでよい。基体は、非導電性の材料または導電性の材料、例えば無機組成物または有機組成物を含んでいてもよい。非導電性の材料としては、薄いウェブ状とした際に柔軟性を有する、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等、本用途において公知の種々の樹脂を採用することができる。導電性基体は、例えばアルミニウム、ニッケル、スチール、銅等の任意の好適な金属であってよく、あるいは上述したようなポリマー材料に、炭素、金属粉末等、または導電性有機材料等の導電性物質を充填したものであってもよい。電気絶縁性基体または導電性基体は、可撓性無端ベルト、ウェブ、剛性シリンダー、シート等の形態であってよい。基体層の厚さは、所望の強度、経済的な検討事項等の多くの要因に依存する。本明細書で参照している同時係属出願に開示されているように、ドラムにおける基体層の実質的な厚さは、例えば数センチメートルまでの厚さであってもよく、１ミリメートル未満の最小限の厚さであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、最終的な電子写真デバイスに悪影響を与えなければ、例えば実質的に約２５０μｍの厚さを有してもよく、約５０μｍ未満の最小限の厚さであってもよい。基体層が導電性でない実施形態では、導電性コーティングによってその表面に電気伝導性を付与してもよい。この導電性コーティングの厚さは、光学的透明性、所望の可撓性の程度、および経済的要因に応じて広範な範囲で変化し得る。
【００３１】
基体の具体例は本明細書に記載している通りであり、好ましくは、本開示の画像形成部材に選択される基体である。この基体は不透明または実質的に透明であってもよく、無機または有機ポリマー材料を含む絶縁性材料（例えば、チタンを含有する市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ（登録商標）等）の層、半導電性（例えば、酸化インジウムスズ）の層もしくはアルミニウム層等を表面層として配置した有機または無機材料の層、または導電性材料（例えば、アルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅等）を有する。基体は、可撓体、シームレス、または剛体であってよく、例えばプレート、円筒形ドラム、巻物（ｓｃｒｏｌｌ）、可撓性無端ベルト等、多様な形状をとることができる。ある実施形態では、基体は可撓性シームレスベルトの形態である。いくつかの状況では、基体の裏にコーティングすることが望ましい場合がある。特に基体が可撓性の有機ポリマー材料である場合には、例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販されているポリカーボネート材料等のカーリング防止層を設けることが望ましい。
【００３２】
ある実施形態において電荷発生層は、例えば複数の公知の電荷発生顔料および樹脂バインダーを含み得る。該複数の公知の電荷発生顔料としては例えば、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ＩＶ型またはＶ型のチタニルフタロシアニンまたはハロガリウムフタロシアニンが挙げられ、該樹脂バインダーとしては例えば、ＶＭＣＨ（ダウ・ケミカル社から入手可能）等のポリ（塩化ビニル−ｃｏ−酢酸ビニル）コポリマー、ポリカーボネート等が挙げられる。一般的に、電荷発生層は公知の電荷発生顔料を含んでもよく、該金属電荷発生顔料としては例えば、フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン（特にビス（ベンズイミダゾ）ペリレン）、チタニルフタロシアニン等が挙げられ、より具体的にはバナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンが挙げられる。またセレン、セレン合金、三方晶セレン等の無機成分等も用い得る。電荷発生層においては、電荷輸送層用に選択される樹脂バインダーと同様の樹脂バインダー中に電荷発生顔料が分散されていてもよく、または、樹脂バインダーが存在しなくてもよい。一般に、電荷発生層の厚さは、その他の層の厚さ、電荷発生層に含有される電荷発生材料の量等、複数の要因に依存する。したがって、電荷発生層の厚さは、例えば電荷発生組成物が約３０〜約７５体積パーセントの量で存在する場合、例えば約０．０５〜約１０μｍ、より好ましくは約０．２５〜約２μｍであり得る。ある実施形態では、電荷発生層の最大厚さは、感光性、電気的特性、機械的事項等の要因に主に依存する。
【００３３】
電荷発生層においてバインダー樹脂は、例えば約１〜約５０重量パーセント、より好ましくは約１〜約１０重量パーセントの、種々の好適な量で存在し、この樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリレートおよびポリメタクリレート、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマー、フェノール系樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン等の、複数の公知のポリマーから選択することができる。デバイスに既にコーティングされている他の層を実質的に乱さないかそれに悪影響を与えないコーティング溶媒を選択することが望ましい。
【００３４】
一般的には、約５〜約９０体積パーセントの電荷発生顔料が約１０〜約９５体積パーセントの樹脂系バインダーに分散されるか、約２０〜約３０体積パーセントの電荷発生顔料が約７０〜約８０体積パーセントの樹脂系バインダー組成物に分散される。ある実施形態では、約８体積パーセントの電荷発生顔料が約９２体積パーセントの樹脂系バインダー組成物に分散される。電荷発生層コーティング溶媒の例としては、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げられる。溶媒の具体例としては、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メトキシエチル等が挙げられる。
【００３５】
電荷発生層は、真空蒸着法または真空堆積法で作製された非晶質膜を含んでもよい。該非晶質膜としては例えば、セレン、セレンと他金属（ヒ素、テルル、ゲルマニウム等）との合金、水素化非晶質シリコーン、またはシリコーンと他元素（ゲルマニウム、炭素、酸素、窒素等）との化合物からなる非晶質膜が挙げられる。電荷発生層はまた、結晶性セレンおよびその合金の無機顔料、ＩＩ族〜ＶＩ族の化合物、キナクリドン、ジブロモアントアントロン顔料等の多環式顔料、ペリレンジアミン、ペリノンジアミン、多環式芳香族キノン、ビス−、トリス−、およびテトラキス−アゾを含むアゾ顔料等の有機顔料等を成膜性ポリマーバインダー中に分散して塗布する溶媒コーティング技術により作製される膜を含んでもよい。
【００３６】
電荷発生層成分のマトリックスとして選択できるポリマーバインダー材料の例としては、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ポリスチレンとアクリロニトリルのコポリマー、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマー、アクリレートコポリマー、アルキド樹脂、セルロース膜形成剤（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ  ｆｉｌｍ  ｆｏｒｍｅｒｓ）、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレン−アルキド樹脂、ポリ（ビニルカルバゾール）等の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂が挙げられる。これらのポリマーはブロックコポリマー、ランダムコポリマー、または交互コポリマーであってもよい。
【００３７】
電荷発生層コーティング混合物を混合して、その後、基体、より具体的には正孔阻止層や他の層に塗布するために、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻線ロッドコーティング法（ｗｉｒｅ  ｗｏｕｎｄ  ｒｏｄ  ｃｏａｔｉｎｇ）、真空昇華等、従来から公知の種々の好適なプロセスを選択することができる。いくつかの用途では、電荷発生層をドットパターンまたはラインパターンに加工してもよい。溶媒を用いてコーティングされた層の溶媒除去は、オーブン乾燥、赤外線照射乾燥、風乾等の任意の公知の従来技術で行うことができる。
【００３８】
本開示のある実施形態の正孔阻止層上への電荷発生層のコーティングは、電荷発生層の最終的な乾燥厚さが本明細書に例示されている厚さとなるように行うことができ、例えば約４０〜約１５０℃で約１〜約９０分間乾燥した後に例えば約０．０１〜約３０μｍとなるように行うことができる。より好ましくは、例えば約０．１〜約３０μｍまたは約０．５〜約２μｍの厚さの電荷発生層を、基体上、あるいは基体と電荷輸送層との間にあるその他の構成の表面等に塗布するかまたは堆積させることができる。電荷発生層を塗布する前に、正孔阻止層または下引き層（ＵＣＬ）を導電性の支持基体表面に塗布してもよい。
【００３９】
光導電体は公知の好適な接着層を含んでもよい。典型的な接着層材料としては、例えばポリエステル、ポリウレタン等が挙げられる。接着層の厚さは種々に変わり得るが、ある実施形態では、例えば約０．０５〜約０．３μｍである。接着層は、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻線ロッドコーティング法、グラビアコーティング法、バードアプリケータコーティィング法等によって正孔阻止層上に堆積させることができる。堆積させたコーティングの乾燥は、例えばオーブン乾燥、赤外線照射乾燥、風乾等によって行うことができる。
【００４０】
通常は正孔阻止層と電荷発生層に接触するか正孔阻止層と電荷発生層の間に位置する、必要に応じて設けてもよい接着層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリアクリロニトリルを含む種々の公知の物質を選択することができる。接着層の厚さは、例えば約０．００１〜約１μｍ、または約０．１〜約０．５μｍである。必要に応じて、接着層は、例えば本開示のある実施形態において更に望ましい電気的特性および光学的特性を提供するために、好適且つ効果的な量（例えば約１〜約１０重量パーセント）の導電性粒子および／または非導電性粒子（例えば酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコーン、カーボンブラック等）を含んでもよい。
【００４１】
複数の電荷輸送材料、特に公知の正孔輸送分子を、電荷輸送層用に選択することができる。この層は通常、約５〜約７５μｍ、より好ましくは約１０〜約４０μｍの厚さである。電荷輸送材料の例としては、下記一般式（１）または一般式（２）で表される構造を有するアリールアミン、ならびに下記一般式（３）または一般式（４）で表される分子が挙げられる。
【００４２】
【化１】
2010204659.tif 000002
【００４３】
【化２】
2010204659.tif 000003
【００４４】
（一般式（１）及び（２）中、複数存在するＸは、それぞれ独立に、炭化水素基、ハロゲン、またはハロゲン含有炭化水素基を表す。）Ｘの表す炭化水素基の例としてはアルキル基、アルコキシ基、アリール基が挙げられる。ある実施形態では、アルキル基、アルコキシ基、アリール基は、置換基を有していてもよい。Ｘの具体例としては塩素（−Ｃｌ）およびメチル基（−ＣＨ3）が挙げられる。
【００４５】
【化３】
2010204659.tif 000004
【００４６】
【化４】
2010204659.tif 000005
【００４７】
（一般式（３）及び（４）中、複数存在するＸ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立に、炭化水素基、ハロゲン、またはハロゲン含有炭化水素基を表す。）Ｘの表す炭化水素基の例としてはアルキル基、アルコキシ基、アリール基が挙げられ、Ｘの表すハロゲン含有炭化水素基の例としてはハロゲンで置換されたアルキル基、ハロゲンで置換されたアルコキシ基、ハロゲンで置換されたアリール基が挙げられる。
【００４８】
前記一般式群において、Ｘ、Ｙ、またはＺで表され得るアルキル基およびアルコキシ基は、例えば１〜約２５個の炭素原子、より好ましくは１〜約１２個の炭素原子を含むものであり得る。具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、およびこれらのいずれかを有機基として有するアルコキシドが挙げられる。Ｘ、Ｙ、またはＺで表され得るアリール基は、炭素原子を６〜約３６個含むものであり得る。具体例としてはフェニル基が挙げられる。Ｘ、Ｙ、またはＺで表され得るハロゲン含有炭化水素基の例としては、塩化物、臭化物、ヨウ化物、フッ化物が挙げられる。ある実施形態では、Ｘ、Ｙ、またはＺで表され得るアルキル基、アルコキシ基、アリール基は、置換基を有していてもよい。
【００４９】
少なくとも１つの電荷輸送層とは、例えば単層構造（１層構造）でもよく、または例えば１〜約７層を含む構造、または例えば１〜約４層を含む構造、または例えば１〜約３層を含む構造、または例えば１〜約２層を含む構造であり得る。
【００５０】
アリールアミンの具体例としては、アルキル基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等からなる群から選択されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン；ハロゲン置換基がクロロ置換基であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン等が挙げられる。また、例えば米国特許第４，９２１，７７３号および同第４，４６４，４５０号に記載の公知の電荷輸送層分子を選択してもよい。
【００５１】
ポリマーバインダー材料の具体例としては、ポリカーボネート、ポリアリーレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、およびこれらのランダムコポリマーまたは交互コポリマーが挙げられ、より具体的には、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートともいう）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートともいう）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートともいう）等のポリカーボネートが挙げられる。ある実施形態では、電気的に不活性なバインダーは、分子量が約２０，０００〜約１００，０００または好ましくは分子量Ｍwが約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネート樹脂を含有する。一般的に、輸送層は約１０〜約７５重量パーセントの電荷輸送材料、より好ましくは約３５〜約５０パーセントの電荷輸送材料を含有する。
【００５２】
１または複数の電荷輸送層、より好ましくは電荷発生層に接触している第１の電荷輸送層およびその上にある最上層または第２の電荷輸送オーバーコート層は、電気的に不活性な成膜性ポリマー（ポリカーボネート等）に溶解または分子的に分散している電荷輸送小分子を含有していてもよい。ある実施形態において、「溶解している」とは、例えば、ポリマーに小分子が溶解して均一相を形成した状態の溶液を形成していることを意味する。実施形態において「分子的に分散している」とは、例えば、ポリマー中に電荷輸送分子の小分子が分子スケールで分散されていることを意味する。種々の電荷輸送小分子または電気的活性小分子を１または複数の電荷輸送層に選択して用いることができる。ある実施形態では、電荷輸送とは、例えば、電荷発生層で生成した自由電荷が輸送層を横断して輸送されることを可能にするモノマーとしての電荷輸送分子を意味する。
【００５３】
１または複数の電荷輸送層用に選択されて種々の有効量で存在する正孔輸送分子の例としては、例えば、１−フェニル−３−（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４’’−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ`−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン等のアリールアミン；Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン；および２，５−ビス（４−Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール、スチルベン等のオキサジアゾール等が挙げられる。電荷発生層への効率の良い正孔注入を可能にし、短い通過時間でそれらを電荷輸送層を横断して輸送する、小分子の電荷輸送化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、及びこれらの混合物が挙げられる。所望であれば、電荷輸送層中の電荷輸送材料は、ポリマー電荷輸送材料、または小分子電荷輸送材料とポリマー電荷輸送材料との組合せを含有してもよい。
【００５４】
例えば側方電荷移動（ｌａｔｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ；ＬＣＭ）の抵抗を改善する目的で、複数の電荷輸送層または少なくとも１つの電荷輸送層に必要に応じて導入し得る成分または材料の例としては、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０１０；チバ・スペシャルティーケミカルズ社（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）から入手可能）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）等のヒンダードフェノール系酸化防止剤、ならびにＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭ、およびＧＳ（住友化学株式会社から入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、および５６５（チバ・スペシャルティーケミカルズ社から入手可能）、ＡＤＥＫＡ  ＳＴＡＢ（商標）ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０、ＡＯ−３３０（旭電化工業株式会社から入手可能）等のその他のヒンダードフェノール系酸化防止剤；ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０、およびＬＳ−７４４（三共株式会社から入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（商標）１４４および６２２ＬＤ（チバ・スペシャルティーケミカルズ社から入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８、およびＬＡ６３（旭電化工業株式会社から入手可能）、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（住友化学株式会社から入手可能）等のヒンダードアミン系酸化防止剤；ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（住友化学株式会社から入手可能）等のチオエーテル系酸化防止剤；ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９Ｋ、およびＨＰ−１０（旭電化工業株式会社から入手可能）等の亜リン酸エステル系酸化防止剤（ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ  ａｎｔｉｏｘｉｄａｎｔ）；ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）等のその他の分子が挙げられる。電荷輸送層の少なくとも１つに含まれる酸化防止剤の重量は、約０〜約２０重量パーセント、約１〜約１０重量パーセント、または約３〜約８重量パーセントである。
【００５５】
１または複数の電荷輸送層のコーティング混合物を混合し、その後電荷発生層に塗布する方法としては、複数のプロセスが考えられる。典型的な塗布技術としては、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻線ロッドコーティング法等が挙げられる。塗布された電荷輸送コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線照射乾燥、風乾等の任意の好適な従来技術を用いて実施し得る。
【００５６】
実施形態における電荷輸送層のそれぞれの厚さは、例えば約１０〜約７５μｍ、約１５〜約５０μｍであり得るが、実施形態によってはこの範囲外の厚さを選択することもできる。電荷輸送層は、その上の静電潜像の形成および保持を防止するのに十分な程度の照射がない場合には正孔輸送層上の静電荷が伝導されない程度の絶縁性を有する絶縁体であるべきである。一般的に、電荷輸送層と電荷発生層の厚さの比は約２：１〜約２００：１であり、場合によっては４００：１であってもよい。電荷輸送層は、意図された使用領域において可視光または可視線を実質的に吸収しないが、光導電層または電荷発生層で生成した正孔の注入を可能にし、この正孔を電荷輸送層自体を通して輸送して活性層表面上の表面電荷を選択的に放電することを可能にするという点で、電気的に「活性」である。
【００５７】
連続する電荷輸送層の厚さの選択は、採用するシステム中の帯電部（バイアス帯電ロール）、クリーニング部（ブレードまたはウェブ）、現像部（ブラシ）、転写部（バイアス転写ロール）等の摩耗性によって変わり、最大で約１０μｍになり得る。ある実施形態では、各電荷輸送層の厚さは、例えば約１〜約５μｍであり得る。オーバーコート電荷輸送最上層用のコーティング混合物を混合し、その後光導電体に塗布するためには、種々の好適な従来の方法を用い得る。
【００５８】
典型的な塗布技術としては、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻線ロッドコーティング法等が含まれる。塗布されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線照射乾燥、風乾等の任意の好適な従来技術を用いて行うことができる。本開示の乾燥オーバーコート層は、画像形成中に正孔を輸送する必要があり、またフリーキャリア濃度が高すぎない必要がある。オーバーコート層中のフリーキャリア濃度は暗減衰を増大させる。
【実施例】
【００５９】
［比較例１］
正孔阻止層形成用分散液は、１８グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、日本のテイカ株式会社製造）と２４グラムのフェノール系樹脂（ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９（オキシケム社製、キシレン／１−ブタノール＝５０／５０中に約５０パーセント）とを、キシレンと１−ブタノールの溶媒混合物（５０／５０混合物）中における固体重量比を約６０：約４０、全固体含量を約４８パーセントとして、磨砕ミル中で０．４〜０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズを用いて６．５時間ミリングし、その後、２０μｍのナイロンフィルターを用いて濾過することで調製した。次いで、本明細書に記載した公知のコーティング技術を用いて、上記で作製した分散液を３０ミリメートルのアルミニウムドラム基体に塗布した。１６０℃で２０分間乾燥した後、フェノール樹脂中にＴｉＯ2を含む（ＴｉＯ2／フェノール樹脂＝６０／４０）厚さ約１５μｍの正孔阻止層を得た。
【００６０】
クロロガリウムフタロシアニン（Ｃ型）を含む電荷発生層を上記の正孔阻止層または下引き層上に厚さ約０．２μｍで堆積させた。この電荷発生層のコーティング分散液は以下のように調製した。２．７グラムのクロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰｃ）Ｃ型顔料を２．３グラムのポリマーバインダー（カルボキシル修飾ビニルコポリマー、ＶＭＣＨ、ダウケミカル社製）、１５グラムのｎ−酢酸ブチル、および３０グラムのキシレンと混合した。次いで、得られた混合物を、１ミリメートルのＨｉ−Ｂｅａボロシリケートガラスビーズ約２００グラムを用いて磨砕ミル中で３時間ミリングした。得られた分散混合物をその後、２０μｍのナイロンフィルターを用いて濾過し、分散液の固体含量を約６重量パーセントに希釈した。
【００６１】
その後、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（５．３８グラム）、三菱ガス化学株式会社から入手可能な成膜性ポリマーバインダーＰＣＺ−４００［ポリ（４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−１−１−シクロヘキサン、ＭW＝４０，０００）］（７．１３グラム）、およびダイキン工業株式会社から入手可能なＰＴＦＥ  ＰＯＬＹＦＬＯＮ（商標）Ｌ−２微粒子（１グラム）を２０グラムのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）と６．７グラムのトルエンの溶媒混合物にＣＡＶＩＰＲＯ（商標）３００ナノマイザー（オハイオ州クリーブランドのファイブ・スター・テクノロジー社（Ｆｉｖｅ  Ｓｔａｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）製）を用いて溶解／分散させることにより分散液を調製し、２９μｍ（Ａ）または１５μｍ（Ｂ）の電荷輸送層を電荷発生層の上にコーティングした。この電荷輸送層を約１２０℃で約４０分間乾燥させて光導電体を得た。ここで２９μｍの電荷輸送層をコーティングして得られた光導電体を比較例１（Ａ）、１５μｍの電荷輸送層をコーティングして得られた光導電体を比較例１（Ｂ）とする。
【００６２】
［実施例Ｉ］
１９．５グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、日本のテイカ株式会社製造）と、７グラムのエポキシ樹脂（ＥＰＯＮ（商標）１００１−Ｔ−７５、４５０〜５５０エポキシ当量、トルエン中固体７５パーセント、ヘキシオン・スペシャルティー・ケミカルズ（ＨＥＸＩＯＮ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）社から入手）と、９．４６グラムのカルボキシル樹脂（ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−８１、Ｔg＝４０℃、酸価＝６５、芳香族溶媒１５０／ブチルセルソルブ＝８７／１３中固体５５．５パーセント、ローム・アンドハース社から入手）とを、キシレンおよび１−ブタノールの溶媒混合物（５０／５０混合物）中における固体重量比を約６５：約１７．５：約１７．５、全固体含量約４５パーセントとして、磨砕ミル中で約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズを用いて６．５時間ミリングし、その後２０μｍのナイロンフィルターを用いて濾過することで正孔阻止層形成用分散液を調製したこと以外はそれぞれ比較例１（Ａ）および比較例１（Ｂ）と同様のプロセスにより、２種類の光導電体（実施例１（Ａ）および実施例１（Ｂ））を作製した。ここでは該分散液に０．３グラムの塩基触媒トリエチルアミンを添加し、１時間混合した上で、本明細書に記載した公知のコーティング技術を用いて、上記で作製した分散液を３０ミリメートルのアルミニウムドラム基体に塗布し、１８０℃で２０分間乾燥することにより、架橋されたエポキシ／カルボキシル樹脂混合物中にＴｉＯ2を含む厚さ約１５μｍの正孔阻止層（ＴｉＯ2／エポキシ樹脂／カルボキシル樹脂＝６５／１７．５／１７．５）を得た。
【００６３】
［実施例ＩＩ］
正孔阻止層を２００℃で２０分間乾燥して形成したこと以外はそれぞれ実施例Ｉ（Ａ）およびＩ（Ｂ）と同様のプロセスにより、２種類の光導電体（実施例ＩＩ（Ａ）及び実施例ＩＩ（Ｂ））を作製した。
【００６４】
［実施例ＩＩＩ］
１９．５グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、日本のテイカ株式会社製造）、４．２グラムのエポキシ樹脂（ＥＰＯＮ（商標）１００１−Ｔ−７５、４５０〜５５０エポキシ当量、トルエン中固体７５パーセント、ヘキシオン・スペシャルティー・ケミカルズ社から入手）、および１３．２４グラムのカルボキシル樹脂（ＰＡＲＡＬＯＩＤ（登録商標）ＡＴ−８１、Ｔg＝４０℃、酸価＝６５、芳香族溶媒１５０／ブチルセルソルブ＝８７／１３中固体５５．５パーセント、ローム・アンドハース社から入手）とを、キシレンおよび１−ブタノールの溶媒混合物（５０／５０混合物）中における固体重量比を約６５：約１０．５：約２４．５、全固体含量約４５パーセントとして、磨砕ミル中で約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズを用いて６．５時間ミリングし、その後２０μｍのナイロンフィルターを用いて濾過することで正孔阻止層形成用分散液を調製したこと以外はそれぞれ比較例１（Ａ）および１（Ｂ）と同様に２種類の光導電体（実施例ＩＩＩ（Ａ）および実施例ＩＩＩ（Ｂ））を作製した。ここでは該分散液にに０．３グラムの塩基触媒トリエチルアミンを添加し、１時間混合した上で、本明細書に記載した公知のコーティング技術を用いて、上記で作製した分散液を３０ミリメートルのアルミニウムドラム基体に塗布し、１８０℃で２０分間乾燥することにより、エポキシ／カルボキシル樹脂混合物中にＴｉＯ2を含む厚さ約１５μｍの正孔阻止層（ＴｉＯ2／エポキシ樹脂／カルボキシル樹脂＝６５／１０．５／２４．５）を得た。
【００６５】
電気的特性試験
上記で作製した比較例１（Ａ）、実施例Ｉ（Ａ）、ＩＩ（Ａ）、ＩＩＩ（Ａ）およびＩＶ（Ａ）の光導電体を、１回の荷電−除電サイクルに続けて１回の荷電−露光−除電サイクルの順で行う光放電サイクルが得られるように設定したスキャナを用いて試験した。サイクルと共に光強度を漸増させて、測定した種々の露光強度における感光性および表面電位から一連の光放電特性（ＰＩＤＣ）曲線を得た。表面電位を漸増させながら一連の荷電−除電サイクルを行い種々の電圧に対する電荷密度曲線を描き、更なる電気的特性を得た。スキャナには、種々の表面電位で一定の電圧を荷電するように設定したスコロトロンを取り付けた。これら２種類の光導電体を、一連の減光フィルター（neutral density filter）を調整することで露光強度を漸増させながら、表面電位７００ボルトで試験した。露光光源には７８０ナノメートルの発光ダイオードを用いた。ゼログラフィーのシミュレーションは、環境を周囲の条件（相対湿度４０パーセント、２２℃）に調節した遮光チャンバーで行った。
【００６６】
Ｖr（除電後の残留電位）から光導電体を評価した。その結果を表１に示す。本開示の実施例Ｉ（Ａ）、ＩＩ（Ａ）、ＩＩＩ（Ａ）、およびＩＶ（Ａ）の光導電体のＶrは、比較例１（Ａ）の光導電体のＶrよりも約３０〜約５０ボルト低かった。
【００６７】
【表１】
2010204659.tif 000006
【００６８】
残像発生の測定
比較例１（Ａ）、実施例Ｉ（Ａ）、ＩＩ（Ａ）、ＩＩＩ（Ａ）、およびＩＶ（Ａ）の光導電体を室温で２４時間慣らした後、Ａゾーン（８５°Ｆ、湿度８０パーセント）で残像発生の試験を行った。印刷試験は、ｔ＝５００プリントカウント（ｔ＝０が最初の印刷であり、ｔ＝５００は５００回目の印刷である。）にて、ゼロックスコーポレーション社製ＷｏｒｋＣｅｎｔｒｅ（商標）Ｐｒｏ  Ｃ３５４５中でＫ（ブラックトナー）ステーションを用いて行った。上記の光導電体を、カラーのＷｏｒｋＣｅｎｔｒｅ（商標）Ｐｒｏ  Ｃ３５４５のＣＭＹステーションでｔ＝０からｔ＝５００プリントカウントまで使用した。残像発生特性を決定するための印刷はＸ印またはハーフトーンイメージの文字を含む。Ｘが視認される場合の残像発生レベルをグレード０とし、Ｘがかすかに見える場合の残像発生レベルをグレード１とした。グレード２〜グレード５はＸの可視度のレベルを意味し、グレード５はＸが濃く見られることをを意味する。残像発生レベルは、経験的スケールに基づき視覚的に測定した。残像発生グレード（絶対値）が低いほど、印刷品質が高い。残像発生の結果を表２にまとめる。
【００６９】
【表２】
2010204659.tif 000007
【００７０】
５００回の印刷後でも実施例の光導電体の残像発生レベルはグレード−１〜−１．５と低いままであったのと対照的に、比較例１（Ａ）の光導電体は残像発生レベルがグレード−５に上昇していた。エポキシ／カルボキシル樹脂混合物を含有する本開示の正孔阻止層はほとんど残像発生を示さなかったが、一方、フェノール系樹脂を含有する比較例の正孔阻止層は残像発生度が高かった。
【００７１】
バックグラウンド／電荷不足スポットの測定
比較例１（Ｂ）、実施例Ｉ（Ｂ）、ＩＩ（Ｂ）、ＩＩＩ（Ｂ）、およびＩＶ（Ｂ）の光導電体を室温で２４時間慣らした後、Ａゾーン（８５°Ｆ／湿度８０パーセント）でバックグラウンド／電荷不足スポット（ＣＤＳ）の試験を行った。印刷試験は、ゼロックスコーポレーション社製ＷｏｒｋＣｅｎｔｒｅ（商標）Ｐｒｏ  Ｃ３５４５を用いて白黒コピーモードで行った。バックグラウンド／ＣＤＳを試験するｔ＝０で、機械の速度は１６５ミリメートル／秒に達した。バックグラウンド／ＣＤＳレベルは経験的スケールに基づき視覚的に測定した。バックグラウンド／ＣＤＳグレードレベルが低いほど、印刷品質が高い。結果を表３に示す。具体的には、バックグラウンド／ＣＤＳは白紙上のグレー（ｇｒａｙｎｅｓｓ）のパーセンテージの測定値であり、本スケールにおいてグレード１はほとんど白色、グレード２は許容不可能な濃い印刷を意味する。
【００７２】
【表３】
2010204659.tif 000008
【００７３】
エポキシ／カルボキシル樹脂混合物を含む本開示の正孔阻止層を含む光導電体はバックグラウンド／ＣＤＳをほとんど生じなかったのに対し、フェノール系樹脂を含む比較例の正孔阻止層は１００パーセント高いバックグラウンド／ＣＤＳを示した。