(57)【要約】【課題】センス電流の検出精度を高めることができる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００では、同一の半導体基板５にセンス素子領域１８と、非素子領域１９が設けられている。センス素子領域１８には、センス素子領域１８内のＩＧＢＴ素子を流れるセンス電流が流れ込む第１のエミッタ電極１０が形成されている。非素子領域１９には、第１のエミッタ１０と導通する配線部９が形成されている。配線部９は、第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃと、第１抵抗領域群８ａ、８ｂと、第２抵抗領域８ｃを備えている。第１抵抗領域群８ａ、８ｂと第２抵抗領域８ｃは、第１のエミッタ電極１０と第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃの間を直列に接続している。配線部９では、第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃにおいて外部配線が電気的に接続可能となっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が設けられているセンス素子領域と、半導体素子が設けられていない非素子領域とが、同一の半導体基板に形成されている半導体装置であり、
前記センス素子領域には、前記センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流が流れ込む第１の主電極が形成されており、
前記非素子領域には、半導体基板の表面又は表面に臨む範囲に、前記第１の主電極と導通する配線部が形成されており、
その配線部は、複数箇所において外部配線が電気的に接続可能となるとともに、その少なくとも一部の領域が第１の主電極の電気抵抗よりも大きな電気抵抗を有しており、
配線部の外部配線が接続可能な複数箇所の少なくとも一箇所が前記配線部の電気抵抗の大きな領域を介して第１の主電極と導通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
配線部の電気抵抗の大きな領域は、非素子領域の半導体基板の表面に臨む範囲に形成されていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
配線部は、非素子領域の半導体基板の表面に形成された複数の第２の主電極と、それら第２の主電極を直列に接続する複数の第１抵抗領域からなる第１抵抗領域群と、それら直列に接続された第２の主電極の一端に位置する第２の主電極と第１の主電極を接続する第２抵抗領域と、を有しており、
前記第１抵抗領域の電気抵抗と前記第２抵抗領域の電気抵抗のそれぞれが、第１の主電極の電気抵抗より大きく、かつ、第２の主電極の電気抵抗よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２の半導体装置。
【請求項４】
配線部は、非素子領域の半導体基板の表面に形成されており、配線部の電気抵抗が第１の主電極の電気抵抗より大きいことを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項５】
複数の半導体素子が設けられているセンス素子領域と、半導体素子が設けられていない非素子領域とが、同一の半導体基板に形成されている半導体装置を製造する方法であり、
前記センス素子領域において、前記センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流が流れ込む第１の主電極を形成する第１の主電極形成工程と、
前記非素子領域において、前記半導体基板の表面又は表面に臨む範囲に、前記第１の主電極と導通するととも複数箇所において外部配線が電気的に接続可能となっている配線部を形成する配線部形成工程と、
前記第１の主電極と前記配線部のうちのいずれかの部位に外部配線を仮接続して、前記センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流の電流値を測定する測定工程と、
その測定工程で測定した結果に基づいて、前記第１の主電極と前記配線部のうちの外部配線を仮接続した部位の中から選択された部位に外部配線を電気的に接続する接続工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。特に、同一の半導体基板にメイン素子領域とセンス素子領域が形成されている半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
同一の半導体基板にメイン素子領域とセンス素子領域が形成されている半導体装置が知られている。メイン素子領域とセンス素子領域には、複数の半導体素子が設けられている。センス素子領域内には、メイン素子領域内に設けられている半導体素子と同じ構造の半導体素子が設けられている。このため、メイン素子領域に設けられた半導体素子の電気抵抗とセンス素子領域に設けられた半導体素子の電気抵抗の比は、メイン素子領域の半導体素子数とセンス素子領域の半導体素子数の比で決まり、その結果、メイン素子領域を流れる電流（以下、メイン電流と称する）とセンス素子領域を流れる電流（以下、センス電流と称する）の比も一定となる。このため、センス電流の電流値を検出することで、メイン電流の電流値を知ることができる。検出されたセンス電流の電流値から、メイン電流が過電流である場合には、メイン電流を制御して半導体装置が短絡することを防止する。例えば、特許文献１には、同一の半導体基板に主ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）（メイン素子領域に相当する）と電流検出用ＩＧＢＴ（センス素子領域に相当する）が形成されている半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２３５８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同一の半導体基板にメイン素子領域とセンス領域が形成されている半導体装置では、メイン素子領域内とセンス素子領域内にそれぞれ設けられる半導体素子の構造の間に製造ばらつきが生じることがある。両者に製造ばらつきが生じると、メイン電流とセンス電流の比が半導体装置毎にばらつく。その結果、半導体装置の電流検出精度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するために創作されたものである。本発明は、電流検出精度を高めることができる半導体装置を提供することを目的とする。またそのような半導体装置を製造する方法を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の半導体素子が設けられているセンス素子領域と、半導体素子が設けられていない非素子領域とが、同一の半導体基板に形成されている半導体装置に関する。この半導体装置では、センス素子領域に、センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流が流れ込む第１の主電極が形成されている。非素子領域には、半導体基板の表面又は表面に臨む範囲に、第１の主電極と導通する配線部が形成されている。配線部は、複数箇所において外部配線が電気的に接続可能となっている。さらに、配線部は、その少なくとも一部の領域が第１の主電極の電気抵抗よりも大きな電気抵抗を有している。配線部の外部配線が接続可能な複数箇所の少なくとも一箇所は、配線部の電気抵抗の大きな抵抗領域を介して第１の主電極と導通している。
【０００７】
上記の半導体装置では、第１の主電極に導通する配線部が形成され、第１の主電極と配線部のいずれにも外部配線が電気的に接続可能となっている。配線部の少なくとも一部の領域は第１の主電極よりも大きな電気抵抗を有するため、第１の主電極に外部配線を接続した場合と、配線部の外部配線が接続可能な複数箇所のうちの一箇所に外部配線接続した場合とで、センス電流が流れる電流経路の電気抵抗が変化する。このため、第１の主電極に外部配線を接続した場合と、配線部の外部配線が接続可能な複数箇所のうちの一箇所に外部配線を接続した場合とでは、センス電流の電流値が変化する。従って、メイン電流の電流値とセンス電流の電流値のばらつきに応じて外部配線を接続する部位を選択することで、センス電流の電流値を調整することができる。その結果、電流値のばらつきを補正することができ、電流検出精度を高めることができる。
【０００８】
上記の半導体装置では、配線部の電気抵抗の大きな領域は、非素子領域の半導体基板の表面に臨む範囲に形成されていることが好ましい。この場合、例えば、非素子領域の表面に臨む範囲の一部に不純物を導入することによって、非素子領域の表面に臨む範囲の一部に第１の主電極よりも電気抵抗の大きな領域を形成することができる。
【０００９】
上記の半導体装置では、配線部が、非素子領域の半導体基板の表面に形成された複数の第２の主電極と、それら第２の主電極を直列に接続する複数の第１抵抗領域からなる第１抵抗領域群と、直列に接続された第２の主電極の一端に位置する第２の主電極と第１の主電極を接続する第２抵抗領域を有していることが好ましい。さらに、第１抵抗領域の電気抵抗と第２抵抗領域の電気抵抗のそれぞれが、第１の主電極の電気抵抗より大きく、かつ、第２の主電極の電気抵抗よりも大きいことが好ましい。この場合、外部配線を接続する配線部の部位を変えることで、第１の主電極と外部配線を接続した部位との間の配線部の抵抗値が変化し、センス電流の電流値が変化する。このため、メイン電流の電流値とセンス電流の電流値のばらつきに応じて、外部配線を接続する部位を変えることで、センス電流の電流値を高い精度で調整することができる。これによって、電流値のばらつきを効果的に補正することができる。
【００１０】
上記の半導体装置では、配線部が、非素子領域の半導体基板の表面に形成されており、配線部の電気抵抗が第１の主電極の電気抵抗より大きいことが好ましい。この場合、外部配線を電気的に接続する配線部の部位を変更することで、センス素子領域を流れるセンス電流の電流値が変化する。このため、メイン電流とセンス電流の電流値のばらつきに応じて、センス電流の電流値を調整することができる。これによって、電流値のばらつきを効果的に補正することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が設けられているセンス素子領域と、半導体素子が設けられていない非素子領域とが、同一の半導体基板に形成されている半導体装置を製造する方法に関する。この製造方法は、第１の主電極形成工程と、配線部形成工程と、測定工程と、接続工程を備えている。第１の主電極形成工程では、センス素子領域において、センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流が流れ込む第１の主電極を形成する。配線部形成工程では、非素子領域において、半導体基板の表面又は表面に臨む範囲に、第１の主電極と導通するととも複数箇所において外部配線が電気的に接続可能となっている配線部を形成する。測定工程では、第１の主電極と配線部のうちのいずれかの部位に外部配線を仮接続して、センス素子領域内の半導体素子を流れるセンス電流の電流値を測定する。接続工程では、測定工程で測定した結果に基づいて、第１の主電極と配線部のうちの外部配線を仮接続した部位の中から選択された部位に外部配線を電気的に接続する。
【００１２】
上記の製造方法では、測定工程で測定したセンス電流に基づいて外部配線を接続する配線部の部位を選択する。このため、メイン電流とセンス電流の電流値のばらつきを効果的に補正することができる。電流検出精度が高い半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、電流検出精度を高めることができる半導体装置を提供することができる。またそのような半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体装置１００の上面図を示す。
【図２】実施例１に係る半導体装置１００のメイン素子領域とセンス素子領域の境界近傍の断面図を示す。
【図３】実施例１に係る半導体装置１００のセンス素子領域と非素子領域の境界近傍の断面図を示す。
【図４】半導体装置１００の等価回路を示す。
【図５】半導体装置１００を製造する方法の工程（１）を示す。
【図６】半導体装置１００を製造する方法の工程（２）を示す。
【図７】半導体装置１００を製造する方法の工程（３）を示す。
【図８】実施例２に係る半導体装置２００のセンス素子領域の断面図を示す。
【図９】実施例３に係る半導体装置３００のセンス素子領域の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態の特徴をいくつか説明する。
（形態１）接続工程では、測定工程においてメイン電流とセンス電流の比が許容範囲内となるときのセンス電流の電流値（以下、設計値と称する）に最も近い電流値が測定されたエミッタ電極に外部配線を電気的に接続する。この形態によると、メイン電流の電流値とセンス電流の電流値の比のばらつきを効果的に補正することができる。
【実施例１】
【００１６】
図１に、実施例１に係る半導体装置１００の上面図を示す。半導体装置１００は、縦型のＩＧＢＴ構造を有している。半導体装置１００には、メイン素子領域４４と、センス素子領域１８と、非素子領域１９が形成されている。メイン素子領域４４の上面の一部には、複数のＩＧＢＴ素子のエミッタ電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃが形成されている。センス素子領域１８の上面の一部には、第１のエミッタ電極１０が形成されている。非素子領域１９の上面の一部には、第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃが形成されている。
【００１７】
図２に、図１のＡ−Ａ断面の断面図を示す。図２は、メイン素子領域４４とセンス素子領域１８の境界近傍の断面図を示している。メイン素子領域４４とセンス素子領域１８の間には、両者を分離する非素子領域１９が形成されている。メイン素子領域４４内とセンス素子領域１８内にはＩＧＢＴの素子構造が形成されている。即ち、メイン素子領域４４の半導体基板５の表面にエミッタ電極３２ｂが形成されており、センス素子領域１８の半導体基板５の表面に第１のエミッタ電極１０（第１の主電極の一例）が形成されており、半導体基板５の裏面にコレクタ電極１６が形成されている。エミッタ電極３２ｂおよび第１のエミッタ電極１０は、Ａｌで形成することができる。エミッタ電極３２ｂには、コレクタ電極１６からメイン素子領域４４内のＩＧＢＴ素子を通過して電流が流れ込む。第１のエミッタ電極１０には、コレクタ電極１６からセンス素子領域１８内のＩＧＢＴ素子を通過して電流が流れ込む。メイン素子領域４４の半導体基板５内には、コレクタ領域１と、ドリフト領域２と、ボディ領域３１と、エミッタ領域３３と、トレンチゲート電極３５が形成されている。センス素子領域１８の半導体基板５内には、コレクタ領域１と、ドリフト領域２と、ボディ領域４と、エミッタ領域１２と、トレンチゲート電極１４が形成されている。コレクタ領域１は、ｐ＋型であり、半導体基板５の裏面に臨む範囲に形成されている。ドリフト領域２は、ｎ−型であり、コレクタ領域１の表面に形成されている。ボディ領域３１、４は、ｐ＋型であり、半導体基板５の表面に臨む範囲に形成されている。ボディ領域３１、４は、非素子領域１９によって不連続となっている。エミッタ領域３３は、ｎ＋型であり、半導体基板５の表面に臨む範囲の一部であってメイン素子領域４４内に形成されている。エミッタ領域３３は、ｎ＋型であり、半導体基板５の表面に臨む範囲の一部であってセンス素子領域１８内に形成されている。トレンチゲート電極３５は、半導体基板５の表面からボディ領域３１を貫通してドリフト領域２に達するまで伸びている。トレンチゲート電極１４は、半導体基板５の表面からセンス素子領域１８内のボディ領域４を貫通してドリフト領域２に達するまで伸びている。トレンチゲート電極３５、１４は、内部にポリシリコン（図示しない）が充填されており、壁面が絶縁膜（図示しない）で被覆されている。トレンチゲート電極３５、１４には、半導体装置１００の外部から半導体装置１００を駆動するための電圧が印加される。
【００１８】
図３に、図１のＢ−Ｂ断面の断面図を示す。図３は、センス素子領域１８と非素子領域１９の境界近傍の断面図を示している。図３に示すように、非素子領域１９には、半導体基板５の表面および表面に臨む範囲に、第１のエミッタ電極１０と導通する配線部９が形成されている。配線部９は、第２のエミッタ電極（第２の主電極の一例）６ａ、６ｂ、６ｃと、第１抵抗領域群８ａ、８ｂと、第２抵抗領域８ｃを備えている。第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃは、半導体基板５の表面に臨む範囲に形成されている。第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃは、第１のエミッタ電極１０と同様にＡｌで形成することができる。第１抵抗領域群８ａ、８ｂは、半導体基板５の表面に臨む範囲に形成されており、第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃを直列に接続している。第２抵抗領域８ｃは、半導体基板５の表面に臨む範囲に形成されており、第２のエミッタ電極６ｃと第１のエミッタ電極１０を直列に接続している。第１抵抗領域群８ａ、８ｂの抵抗値と第２抵抗領域８ｃの抵抗値はいずれも、第１のエミッタ電極１０の抵抗値と第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃの抵抗値より大きい。例えば、第１抵抗領域群８ａ、８ｂの抵抗値は２Ωとし、第２抵抗領域８ｃの抵抗値は３Ωとすることができる。第１エミッタ電極の抵抗値と第２エミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃの抵抗値は０．１Ωとすることができる。
【００１９】
図４に、半導体装置１００の等価回路３６を示す。図示３２は、メイン素子領域のエミッタ電極を示している。図示２６は、センス素子領域１８のエミッタ電極を示している。図３で示したように、センス素子領域１８には第１のエミッタ電極１０と第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃが形成されているため、図４の等価回路３６ではエミッタ電極が可変抵抗Ｒ３を有している。図示３４は、メイン素子領域におけるコレクタ電極１６とエミッタ電極３２の間のドリフト抵抗Ｒ１を示している。図示２２は、センス素子領域１８におけるコレクタ電極１６とエミッタ電極２６の間のドリフト抵抗Ｒ２を示している。図示２４は、センス素子領域１８におけるコレクタ電極１６とエミッタ電極２６の間の可変抵抗Ｒ３（図３の配線部９）を示している。図示２８は、メイン素子領域４４におけるエミッタ電極３２とセンス素子領域１８におけるエミッタ電極２６の間の抵抗ＲＳを示している。図示３０は、図２で示すように、センス素子領域１８内のボディ領域４（ｐ＋型）からドリフト領域２（ｎ−型）を介してメイン素子領域４４の内のボディ領域３１（ｐ＋型）に向かう経路の抵抗ＲＰＮＰを示している。ここで、センス素子領域１８のエミッタ電極２６に流れる電流（センス電流に等しい）をＩＳとし、メイン素子領域４４のエミッタ電極３２に流れるメイン電流をＩＣとすると、ＩＳは下記の式で表すことができる。
[Ｒ１×ＲＰＮＰ／｛ＲＰＮＰ×Ｒ２＋（ＲＳ＋Ｒ３）×Ｒ２＋（ＲＳ＋Ｒ３）×ＲＰＮＰ｝]×ＩＣ
上記の式から明らかなように、可変抵抗Ｒ３の値を調整することで、センス電流の電流値を調整することができる。
【００２０】
以下に、半導体装置１００の製造方法を説明する。以下では、センス素子領域１８と非素子領域１９の境界近傍の断面図（図３の断面図に相当）を参照して説明する。まず、半導体基板５のメイン素子領域４４とセンス素子領域１８にそれぞれＩＧＢＴの素子構造を形成する。即ち、ドリフト領域２と、ボディ領域３１、４と、コレクタ領域１と、エミッタ領域３３、１２と、トレンチゲート電極３５、１４を形成する。次に、図５に示すように、非素子領域１９において、半導体基板５の表面に臨む範囲の一部にボロンなどの不純物を注入して熱拡散することにより、第１抵抗領域群８ａ、８ｂと、第２抵抗領域８ｃを形成する。第１抵抗領域群８ａ、８ｂおよび第２抵抗領域８ｃの各抵抗値は同一であってもよいし、各々異なっていてもよい。次に、半導体基板５の表面の全面に金属膜を形成する。次に、金属膜の一部をエッチングによって除去し、エミッタ電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、第１のエミッタ電極１０および第２のエミッタ電極６ａ、６ｂ、６ｃを形成する（図３の状態）。
【００２１】
次に、図５に示すように、コレクタ電極１６と第１のエミッタ電極１０の間に電流測定回路４５を接続する（測定工程の一例）。即ち、電流測定回路４５は、電源４６と、接地部４８と、電流計５０を備えている。電源４６の陽極をコレクタ電極１６に仮接続し、電源４６の陰極を接地部４８に仮接続する。そして、エミッタ電極１０を電流計を介して接地部に仮接続する。これにより、センス領域１８内を電流が流れ、その電流の電流値が電流計５０で計測される。仮接続は、例えば検査用プローブを用いて接続する。次に、電流測定回路４５の一方をコレクタ電極１６に接続させた状態で、電流測定回路４５の他方をエミッタ電極６ｃに接続する。次に、コレクタ電極１６とエミッタ電極６ｃの間を流れる電流の電流値を測定する。以降、同様の手順により、コレクタ電極１６とエミッタ電極６ｂの間を流れる電流の電流値、コレクタ電極１６とエミッタ電極６ａの間を流れる電流の電流値を測定する。次に、測定した電流値のうち、設計値に最も近い電流値が測定されたエミッタ電極１０、６ａ、６ｂ、６ｃを選択する。
【００２２】
次に、図７に示すように、測定工程で選択したエミッタ電極（本実施例では、エミッタ電極６ｂを選択している）にボンディングワイヤ（外部配線の一例）５４を電気的に接続する（接続工程の一例）。これによって、半導体装置１００が完成する。
なお、本実施例ではワイヤボンディングによって第２のエミッタ電極６ｂに外部配線５４を接続しているが、外部配線５４を接続する手法は限定されない。例えばテープ状のアルミニウムを電極上にボンディングしてもよい。または、ブロック状の外部配線５４をはんだ付けしてもよい。または、外部配線５４を溶接してもよい。半導体装置１００の仕様に応じて外部配線５４の接続方法を変更することができる。
【００２３】
半導体装置１００を製造する方法では、測定工程において設計値に最も近い電流値が測定されたエミッタ電極に外部配線５４を電気的に接続する。このため、メイン電流とセンス電流の電流値のばらつきを効果的に補正することができる。これによって、電流検出精度が高い半導体装置１００を製造することができる。メイン電流は製造ばらつきが小さいため、センス電流を調整することでメイン電流とセンス電流の比を設計値に近づけることができ、半導体装置１００の電流検出精度を高めることができる。なお、上述した実施例では、センス電流のみを測定したが、メイン電流とセンス電流をそれぞれ測定し、外部配線５４を接続するエミッタ電極１０、６ａ〜６ｃを選択してもよい。具体的には、測定したメイン電流とセンス電流の比が設計値に最も近くなるようにエミッタ電極１０、６ａ〜６ｃを選択すればよい。
【実施例２】
【００２４】
図８に、実施例２に係る半導体装置２００のセンス素子領域７８と非素子領域７９の境界近傍の断面図を示す。図８において、図３の参照符号に６０を加えた部材は、図３で説明した部材と同一である。半導体装置２００の非素子領域７９には、半導体基板６５の表面に第１抵抗体群（第１抵抗領域の一例）６８ａ、６８ｂと、第２抵抗体（第２抵抗領域の一例）６８ｃが形成されている。第１抵抗体群６８ａ、６８ｂは、第２のエミッタ電極６６ａ、６６ｂ、６６ｃを直列に接続している。第２抵抗体は、第２のエミッタ電極６６ｃと第１のエミッタ電極７０を直列に接続している。第１抵抗体群６８ａ、６８ｂと第２抵抗体６８ｃは、例えばポリシリコンで形成されており、抵抗値は２Ωである。この場合、実施例１の半導体装置１００と同様に、第１のエミッタ電極７０または第２のエミッタ電極６６ａ、６６ｂ、６６ｃのいずれかの電極に外部配線を電気的に接続することができる。これによって、電流値のばらつきを効果的に補正することができる。
【実施例３】
【００２５】
図９に、実施例３に係る半導体装置３００のセンス素子領域９８と非素子領域９９の境界近傍の断面図を示す。図９において、図３の参照符号に８０を加えた部材は、図３で説明した部材と同一である。半導体装置３００の非素子領域９９には、半導体基板８５の表面に、第１のエミッタ電極９０に導通する抵抗体（配線部の一例）８８が形成されている。抵抗体８８上には、いずれの位置にも外部配線を接続することができる。抵抗体８８は第１のエミッタ電極９０に隣接して形成されている。抵抗体８８は、例えばポリシリコンで形成されている。この場合、外部配線を電気的に接続する抵抗体８８の部位を変更することで、センス電流の電流値を調整することができる。これによって、電流値のばらつきを効果的に補正することができる。
【００２６】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００２７】
１、６１、８１：コレクタ領域
２、６２、８２：ドリフト領域
４、３１、６４、８４：ボディ領域
６ａ、６ｂ、６ｃ、６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、：第２のエミッタ電極
８ａ、８ｂ：第１抵抗領域
８ｃ、６８ｃ：第２抵抗領域
９、６９、８９：配線部
１０、７０、９０：第１のエミッタ電極
１２、３３、７２、９２：エミッタ領域
１４、３５、７４、９４：トレンチゲート電極
１６、７６、９６：コレクタ電極
１８：センス素子領域
１９：非素子領域
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ：エミッタ電極
４４：メイン素子領域
４５：電流測定回路
６８ａ、６８ｂ：第１抵抗体群
６８ｃ：第２抵抗体
８８：抵抗体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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