(57)【要約】【課題】隣り合う光反射性画素電極の間に介在する隙間領域を通過した光が回折により発散しながら進行しようとした場合でも、画素トランジスターへの光の入射を抑制することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０では、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっている。画素トランジスター３０に対して下層側で重なるように光吸収膜５ａが形成され、かかる光吸収膜５ａにおいて、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置には開口部５ｂが形成されている。また、画素トランジスター３０より上層側には、隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側に集光させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の基板面側に複数の光反射性画素電極が形成された素子基板と、該素子基板の前記一方の基板面に対向する透光性の対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する液晶装置であって、
前記素子基板の前記一方の基板面側に、前記光反射性画素電極に対して下層側で重なる画素トランジスターと、該画素トランジスターに対して下層側で重なる光吸収膜と、隣り合う前記光反射性画素電極により挟まれた隙間領域に対して重なる位置に設けられ、前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光を当該隙間領域に対して重なる領域に向けて集光させる集光用光学素子部と、を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記集光用光学素子部は、前記画素トランジスターと前記光反射性画素電極との間に形成された透光性の第１絶縁層の表面に形成された集光用凹部と、当該第２絶縁層よりも大きな屈折率をもって前記集光用凹部内に充填された第２絶縁層と、により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記集光用凹部は、断面円弧状の凹部であり、
前記集光用光学素子部は、凸レンズを構成していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記素子基板は、透光性基板であり、
前記光吸収膜は、前記隙間領域に対して重なる領域に開口部を備え、
前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光は、前記開口部を通過することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光は、前記開口部の内側で集光することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記素子基板は、前記光吸収膜より下層側に前記開口部を通過した光を発散させる発散用光学素子部を備えていることを特徴とする請求項４または５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記発散用光学素子部は、前記光吸収膜の下層側に形成された第３絶縁層の表面のうち、前記開口部に対して重なる位置に形成された発散用凹部と、該第３絶縁層よりも小さな屈折率をもって前記発散用凹部内に充填された第４絶縁層と、により構成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記発散用凹部は、断面円弧状の凹部であり、
前記発散用光学素子部は、凹レンズを構成していることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置と、該液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板上に光反射性画素電極および画素トランジスターが形成された液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
反射型の液晶装置は、一方の基板面側に複数の光反射性画素電極が形成された素子基板と、素子基板に対向する透光性の対向基板と、素子基板と対向基板との間に保持された液晶層とを有しており、対向基板の側から入射した光が光反射性画素電極で反射して対向基板側から出射される間に液晶層によって光変調を行なう。
【０００３】
ここで、素子基板には、複数の絶縁膜が積層されているとともに、光反射性画素電極に電気的に接続する画素トランジスターが形成されている。また、隣り合う光反射性画素電極の間には隙間領域が存在するため、対向基板側から入射した光の一部は、隙間領域を通過する。従って、隙間領域を通過した光が絶縁膜の界面などで反射を起こして画素トランジスターの能動層に到達すると、光リーク電流などに起因して画素トランジスターが誤動作を起こしてしまい、表示品位を低下させる。そこで、画素トランジスターより下層側において、隣り合う光反射性画素電極間の隙間領域、および画素トランジスターに対して平面視で重なる領域に光吸収膜を形成した構成が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１０９００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、隣り合う光反射性画素電極の間に介在する隙間領域を光が通過する際に隙間領域での回折によって発散しながら進行すると、画素トランジスターの上層側から能動層に光が入射するという事態が発生するが、かかる光の入射については、特許文献１に記載の光吸収膜では防止することができないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隣り合う光反射性画素電極の間に介在する隙間領域を通過した光が回折により発散しながら進行しようとした場合でも、画素トランジスターへの光の入射を抑制することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、一方の基板面側に複数の光反射性画素電極が形成された素子基板と、該素子基板の前記一方の基板面に対向する透光性の対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する液晶装置であって、前記素子基板の前記一方の基板面側に、前記光反射性画素電極に対して下層側で重なる画素トランジスターと、該画素トランジスターに対して下層側で重なる光吸収膜と、隣り合う前記光反射性画素電極により挟まれた隙間領域に対して重なる位置に設けられ、前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光を当該隙間領域に対して重なる領域に向けて集光させる集光用光学素子部と、を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、画素トランジスターが光反射性画素電極に対して下層側で重なっているので、対向基板側から入射した光が画素トランジスターに直接、入射することがない。また、対向基板側から入射した光が、隣り合う光反射性画素電極により挟まれた隙間領域を通過する際に回折作用によって発散しようとした場合でも、集光用光学素子部は、隙間領域を通過した光を隙間領域に対して重なる領域に向けて集光させる。このため、隙間領域を通過した光が画素トランジスターに向けて上層側から入射することを抑制することができる。また、画素トランジスターに対して下層側で重なる位置に光吸収膜が設けられているため、隙間領域を通過した光が画素トランジスターより下層側で反射しても、かかる光が画素トランジスターに対して下層側から入射することを抑制することができる。それ故、画素トランジスターにおいて光リーク電流に起因する誤動作が発生することを抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記集光用光学素子部は、前記画素トランジスターと前記光反射性画素電極との間に形成された透光性の第１絶縁層の表面に形成された集光用凹部と、当該第２絶縁層よりも大きな屈折率をもって前記集光用凹部内に充填された第２絶縁層と、により構成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、集光用光学素子部を凸レンズ状あるいはプリズム状に形成することができる。
【００１０】
本発明において、前記集光用凹部は、断面円弧状の凹部であり、前記集光用光学素子部は、凸レンズを構成していることが好ましい。かかる構成によれば、プリズム状の集光用光学素子部に比較して、隙間領域を通過する際に発散しようとする光を効率よく集光することができる。
【００１１】
本発明において、前記素子基板は透光性基板であり、前記光吸収膜は、前記隙間領域に対して重なる領域に開口部を備え、前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光は、前記開口部を通過することが好ましい。かかる構成によれば、隙間領域を通過した光は、開口部を通過して光吸収膜より下層側に抜けるので、開口部を通過した光が光吸収膜より下層側で多重反射した場合でも、画素トランジスターに対して下層側から入射することがない。また、素子基板は透光性基板であるため、開口部を通過した光は、素子基板を通過して液晶装置の外部に放出される。従って、開口部を通過した光が、光吸収膜より下層側で反射して開口部から上層側に抜けることを抑制することができる。
【００１２】
本発明において、前記対向基板側から入射して前記隙間領域を通過した光は、前記開口部の内側で集光することが好ましい。かかる構成によれば、隙間領域を通過した光を開口部を介して下層側に通過させることができる。
【００１３】
本発明において、前記素子基板は、前記光吸収膜より下層側に前記開口部を通過した光を発散させる発散用光学素子部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、開口部を通過した光が、光吸収膜より下層側で反射して開口部から上層側に抜けることを抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記発散用光学素子部は、前記光吸収膜の下層側に形成された第３絶縁層の表面のうち、前記開口部に対して重なる位置に形成された発散用凹部と、該第３絶縁層よりも小さな屈折率をもって前記発散用凹部内に充填された第４絶縁層と、により構成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、発散用光学素子部を凸レンズ状あるいはプリズム状に形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記発散用凹部は断面円弧状の凹部であり、前記発散用光学素子部は、凹レンズを構成していることが好ましい。かかる構成によれば、プリズム状の発散用光学素子部に比較して、開口部を通過する光を広い角度範囲に向けて発散させることができるので、開口部を通過した光が、光吸収膜より下層側で反射して開口部から上層側に抜けることをより確実に抑制することができる。
【００１６】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピューターなどの電子機器の他、投射型表示装置のライトバルブとして用いることができる。この場合、投射型表示装置は、本発明を適用した液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。かかる投射型表示装置では、強い光が液晶装置に入射する分、画素トランジスターに光が入射するおそれがあるが、本発明を適用すれば、画素トランジスターに光が入射することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた素子基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた素子基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る液晶装置に用いた素子基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る液晶装置に用いた素子基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明を適用した液晶装置を用いた電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、液晶装置１００は、反射型液晶装置であり、反射型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延在しており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての画素トランジスター３０、および後述する光反射性画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、光反射性画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、光反射性画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
【００２２】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板１０の基板本体１０ｄは、石英基板やガラス基板などからなる透光性基板であり、対向基板２０の基板本体２０ｄも、素子基板１０と同様、石英基板やガラス基板などからなる透光性基板である。
【００２３】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０の基板面１０ｘ、１０ｙのうち、対向基板２０と対向する一方の基板面１０ｘには、光反射性画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１が形成されている。なお、対向基板２０には光反射性画素電極９ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。また、画素領域１０ｂには、額縁１０８に対して重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００２５】
このように形成した液晶装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が光反射性画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機などといった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２６】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた素子基板１０の一部を拡大して示す断面図である。なお、図３（ａ）において、光反射性画素電極９ａについては長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短くて細い点線で示してある。また、互いに隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓには、右上がりの点線を付してある。
【００２７】
図３（ａ）、（ｂ）および図４に示すように、素子基板１０において、対向基板２０側に位置する基板面１０ｘにはシリコン酸化膜などからなる透光性の絶縁膜１５（下地絶縁層）が形成されているとともに、その上層側において、光反射性画素電極９ａに対して重なる位置にＮチャネル型の画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、島状のポリシリコン膜からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面に、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延在部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。なお、本形態において、画素トランジスター３０はＬＤＤ構造を備えていたが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法などにより形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。また、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法などにより形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などとの積層膜を用いることもできる。
【００２８】
画素トランジスター３０の上層側には、シリコン酸化膜などの透光性の絶縁膜７、８、１１が順に積層されている。ここで、絶縁膜７、８、１１は、以下に説明するように、層間絶縁膜として機能するとともに、絶縁膜８、１１は、後述する集光用光学素子部を構成するのに利用されている。
【００２９】
まず、絶縁膜７の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａは、絶縁膜７およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、絶縁膜７およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３０】
絶縁膜１１の表面には、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射性の光反射性画素電極９ａが形成され、その上層には配向膜１９が形成されている。光反射性画素電極９ａは、絶縁膜８，１１を貫通するコンタクトホール８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。配向膜１９は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１９は、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなり、かかる無機配向膜を用いた場合、配向膜１９と光反射性画素電極９ａとの層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜が形成されることもある。また、光反射性画素電極９ａについては、ＩＴＯ膜などの透光性導電膜の下層側にアルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射層を積層した構成を採用することもある。
【００３１】
ここで、光反射性画素電極９ａは、複数の画素１００ａ毎に独立して形成されている。このため、隣り合う光反射性画素電極９ａの間には隙間領域９ｓが介在している。本形態では、隣り合う光反射性画素電極９ａの間に形成された凹部（隙間領域９ｓ）は、透光性の絶縁膜１６ａで覆われており、絶縁膜１６ａの表面と光反射性画素電極９ａの表面とは連続した平坦面を形成している。
【００３２】
このように構成した素子基板１０は、光反射性画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向基板２０に対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７（図２参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、光反射性画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成された配向膜１９、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、配向膜２６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１９と同様、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなり、かかる無機配向膜を用いた場合、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜が形成されることもある。
【００３３】
（光反射性画素電極９ａの隙間からの入射光対策）
このように構成した液晶装置１００において、素子基板１０では、隣接する光反射性画素電極９ａの間に隙間領域９ｓが存在し、かかる隙間領域９ｓから素子基板１０に入射した光が直接、あるいは素子基板１０上での反射の繰り返しによって、画素トランジスター３０に入射すると、画素トランジスター３０では、光リーク電流に起因する誤動作が発生するおそれがある。
【００３４】
そこで、本形態では、まず、素子基板１０には光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なる位置に画素トランジスター３０が形成されている。また、画素トランジスター３０に対して下層側で重なる位置には光吸収膜５ａが形成されている。より具体的には、素子基板１０の基板面１０ｘにおいて、画素トランジスター３０に対して平面視で重なる領域を含む広い領域にわたって光吸収膜５ａが形成されており、かかる光吸収膜５ａの上層に絶縁膜１５が形成されている。光吸収膜５ａは、ドープトシリコン膜や、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属の単体膜、合金膜、金属シリサイド膜、金属ナイトライド膜、ポリシリサイド膜、あるいはそれらの積層膜等からなる。本形態において、光吸収膜５ａには、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓに対して平面視で重なる領域に沿って開口部５ｂが形成されている。このため、光吸収膜５ａは、光反射性画素電極９ａに対して平面視で重なる領域に形成されている。
【００３５】
また、本形態では、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓに対して平面視で重なる領域には、画素トランジスター３０よりも上層側に、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を隙間領域９ｓに対して重なる領域に向けて集光させる集光用光学素子部４ａが形成されている。かかる集光用光学素子部４ａを構成するにあたって、本形態では、絶縁膜８の表面には、隙間領域９ｓに対して平面視で重なる領域に沿って溝状の集光用凹部８ｅが形成されている。本形態において、溝状の集光用凹部８ｅは、断面円弧状であり、平面視において光反射性画素電極９ａの隙間領域９ｓよりわずかに幅寸法が広い。また、溝状の集光用凹部８ｅの内部には、絶縁膜１１が充填されている。ここで、絶縁膜１１は、絶縁膜８より屈折率の高い材料からなる。本形態では、例えば、絶縁膜８をシリコン酸化物（可視領域における屈折率＝約１．４６）により形成したため、絶縁膜１１には、シリコン窒化物（可視領域における屈折率＝約２．０）が用いられている。このため、集光用光学素子部４ａは、溝状の集光用凹部８ｅと絶縁膜１１とによって凸レンズとして構成され、かかる集光用光学素子部４ａの絶縁膜１１と絶縁膜８との界面では、以下の条件
ｎ1・ｓｉｎΘ1＝ｎ2・ｓｉｎΘ2
ｎ1：絶縁膜１１の屈折率
ｎ2：絶縁膜８の屈折率
Θ1：絶縁膜１１と絶縁膜８との界面への入射角
Θ2：絶縁膜１１と絶縁膜８との界面からの出射角
に従って屈折が発生する。
【００３６】
従って、矢印Ｌ１０で示すように、対向基板２０側から入射した光が、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓを通過する際に回折作用によって発散しようとした場合でも、集光用光学素子部４ａは、矢印Ｌ１１で示すように、隙間領域９ｓを通過した光を隙間領域９ｓに対して重なる開口部５ｂに向けて集光させる。ここで、素子基板１０の法線方向において、溝状の集光用凹部８ｅの頂部を通る部分での絶縁膜１１の光学長Ｌａと、集光用凹部８ｅの頂部を通る部分での絶縁膜７、８の光学長の和Ｌｂと、集光用光学素子部４ａの焦点距離ｆとの間には、下式の関係
１／Ｌａ＋１／Ｌｂ＝１／ｆ
が成立する。このため、集光用光学素子部４ａは、概ね、隙間領域９ｓを通過した光を開口部５ｂの内側に集光させる。
【００３７】
また、矢印Ｌ１２で示すように、集光用光学素子部４ａによって開口部５ｂに集光できなかった光が画素トランジスター３０より下層側で多重反射して画素トランジスター３０に向かおうとした場合でも、かかる光は光吸収膜５ａで吸収される。さらに、矢印Ｌ１３で示すように、開口部５ｂを通過した光が、光吸収膜５ａより下層側で反射して画素トランジスター３０に向かおうとした場合でも、かかる光は光吸収膜５ａで吸収される。
【００３８】
（液晶装置１００の製造方法）
以下、図５および図６を参照して、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程を説明する。図５および図６はいずれも、本発明の実施の形態１の液晶装置１００の製造方法を示す工程断面図である。
【００３９】
図１〜図４を参照して説明した液晶装置１００の素子基板１０を製造するには、まず、図５（ａ）に示すように、素子基板１０（基板本体１０ｄ）の一方の基板面１０ｘに対して、ドープトシリコン膜や、チタン、クロム、タンタル、モリブデン等の金属の単体膜、合金膜、金属シリサイド膜、金属ナイトライド膜、ポリシリサイド膜、あるいはそれらの積層膜等からなる光吸収膜５を形成する。次に、光吸収膜５の上層にフォトリソグラフィ技術などを用いてエッチングマスクを形成した後、光吸収膜５をエッチングする。次に、エッチングマスクを除去すると、図５（ｂ）に示すように、開口部５ｂを備えた光吸収膜５ａが形成される。
【００４０】
次に、図５（ｃ）に示すように、光吸収膜５ａの上層に、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜１５を形成する。
【００４１】
次に、図５（ｄ）に示すように、絶縁膜１５の上層において、光吸収膜５ａに対して平面視で重なる領域に画素トランジスター３０および保持容量６０を形成するとともに、走査線３ａおよび容量線３ｂを形成する。かかる工程は、周知の方法を組み合わせることにより行なわれるので、説明を省略する。次に、図５（ｅ）に示すように、画素トランジスター３０、保持容量６０、走査線３ａおよび容量線３ｂの上層側に絶縁膜７を形成した後、絶縁膜７にコンタクトホール７ａ、７ｂを形成する。次に、絶縁膜７の上層に導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、図５（ｆ）に示すように、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示すように、シリコン酸化物によって絶縁膜８を形成した後、絶縁膜８の表面にエッチングマスク９１を形成する。例えば、絶縁膜８の表面に感光性樹脂を塗布した後、感光性樹脂を露光、現像し、エッチングマスク９１を形成する。なお、エッチングマスク９１を形成するにあたっては、金属膜を形成した後、金属膜をパターニングしてエッチングマスク９１を形成してもよい。いずれの構成を採用した場合でも、エッチングマスク９１には、光吸収膜５ａの開口部５ｂに対して平面視で重なる領域に開口部９１ａが形成される。かかるエッチングマスク９１は、光吸収膜５ａをパターニング形成する際のエッチングマスクと同一のパターンを有する。従って、エッチングマスクを形成する際の露光マスクとしては共通のものを用いることができる。
【００４３】
次に、凹部形成工程において、エッチングマスク９１の開口部９１ａから絶縁膜８の表面に対して等方性エッチングを行い、断面円弧状の集光用凹部８ｅを溝状に形成する。かかる等方性エッチングとしては、ウエットエッチングなどを利用する。しかる後に、図６（ｂ）に示すように、エッチングマスク９１を除去する。
【００４４】
次に、凹部充填工程では、図６（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、絶縁膜８の表面にシリコン窒化物などの高屈折率材料からなる絶縁膜１１を堆積させる。その結果、溝状の集光用凹部８ｅに絶縁膜１１が充填され、凸レンズ状の集光用光学素子部４ａが形成される。
【００４５】
次に、必要に応じてＣＭＰなどの研磨により、絶縁膜１１の表面を研磨して表面を平坦化した後、図６（ｄ）に示すように、絶縁膜８、１１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール８ａを形成する。次に、絶縁膜１１の上層に、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射性導電膜を形成した後、光反射性導電膜をパターニングし、光反射性画素電極９ａを形成する。ここで、光反射性画素電極９ａは画素毎に独立して形成される。このため、隣り合う光反射性画素電極９ａの間には隙間領域９ｓが形成され、かかる隙間領域９ｓは、集光用光学素子部４ａ、および光吸収膜５ａの開口部５ｂに対して平面視で重なる。かかる光反射性画素電極９ａは、エッチングマスク９１や光吸収膜５ａと同一のパターンを有する。従って、光反射性画素電極９ａ、エッチングマスク９１および光吸収膜５ａを形成する際の露光マスクとしては共通のものを用いることができる。
【００４６】
次に、図６（ｅ）に示すように、光反射性画素電極９ａの上層側に絶縁膜１６を形成した後、ＣＭＰなどの研磨処理によって、光反射性画素電極９ａの表面が露出するまで絶縁膜１６を研磨する。その結果、図３（ｂ）および図４に示すように、隣り合う光反射性画素電極９ａの間に形成されている凹部（隙間領域９ｓ）は絶縁膜１６ａで埋められた状態となるとともに、光反射性画素電極９ａの表面と絶縁膜１６ａの表面は連続した平坦面を形成する。しかる後に、光反射性画素電極９ａおよび絶縁膜１６ａの表面を覆うように配向膜１９を形成すると、素子基板１０が完成する。
【００４７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の反射型の液晶装置１００では、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっているので、対向基板１０側から入射した光が画素トランジスター３０に直接、入射することがない。また、対向基板２０側から入射した光が、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓを通過する際に回折作用によって発散しようとした場合でも、集光用光学素子部４ａは、隙間領域９ｓを通過した光を隙間領域９ｓに対して重なる領域に向けて集光させる。このため、隙間領域９ｓを通過した光が画素トランジスター３０に向けて上層側から入射することを抑制することができる。
【００４８】
また、画素トランジスター３０に対して下層側で重なるように光吸収膜５ａが形成され、かかる光吸収膜５ａにおいて、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置には開口部５ｂが形成されている。また、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光は、集光用光学素子部４ａによって光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側で集光する。このため、隙間領域９ｓを通過した光が光吸収膜５ａに向かう光を最小限に止めることができるので、光吸収膜５ａが多少の光反射性を備えている場合でも、光吸収膜５ａで反射した光が画素トランジスター３０に対して下層側から入射することを抑制することができる。また、隙間領域９ｓを通過した光の一部が集光用光学素子部４ａによって開口部５ｂに集光されず、画素トランジスター３０より下層側で多重反射して画素トランジスター３０に向かおうとしてしても、かかる光は光吸収膜５ａによって吸収される。このため、画素トランジスター３０に対して下層側から光が入射することを抑制することができる。
【００４９】
さらに、光吸収膜５ａにおいて、隙間領域９ｓと重なる領域には開口部５ｂが形成され、かつ、素子基板１０は透光性を有している。このため、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光のうち、集光用光学素子部４ａによって開口部５ｂに集光された光は、開口部５ｂから下層側に抜けた後、素子基板１０を抜ける。また、開口部５ｂを通過した光が、光吸収膜５ａより下層側で反射して画素トランジスター３０に向かおうとした場合でも、かかる光は光吸収膜５ａで吸収される。それ故、画素トランジスター３０に対して下層側から入射することがない。
【００５０】
それ故、本形態によれば、画素トランジスター３０において光リーク電流に起因する誤動作が発生することを抑制することができる。
【００５１】
また、集光用光学素子部４ａは、透光性の絶縁膜８（第１絶縁層）の表面に形成された集光用凹部８ｅと、第１絶縁層よりも大きな屈折率をもって集光用凹部８ｅ内に充填された絶縁膜１１（第２絶縁層）とにより、凸レンズ状に形成されている。このため、隙間領域９ｓを通過する際に発散しようとする光を効率よく光吸収膜５ａの開口部５ｂに集光することができる。
【００５２】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００に用いた素子基板１０の一部を拡大して示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５３】
図７に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっている。また、画素トランジスター３０に対して下層側で重なるように光吸収膜５ａが形成され、かかる光吸収膜５ａにおいて、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置には開口部５ｂが形成されている。
【００５４】
また、素子基板１０において、画素トランジスター３０より上層側には、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側で集光する。
【００５５】
かかる集光用光学素子部４ａを構成するにあたって、本形態では、絶縁膜８の表面には、隙間領域９ｓに対して平面視で重なる領域に沿って溝状の集光用凹部８ｅが形成されている。また、溝状の集光用凹部８ｅの内部には、絶縁膜８より屈折率の高い材料からなる絶縁膜１１ａが充填されている。このため、集光用光学素子部４ａは、溝状の集光用凹部８ｅと絶縁膜１１ａとによって凸レンズとして構成され、かかる集光用光学素子部４ａでは、絶縁膜１１と絶縁膜８との界面では、凸レンズと同様な屈折が発生する。
【００５６】
ここで、絶縁膜１１ａは集光用凹部８ｅの内部のみに形成され、集光用凹部８ｅの外部には絶縁膜１１ａが形成されていない。このため、光反射性画素電極９ａは、絶縁膜８の上層に形成されている。なお、絶縁膜１１ａの表面と絶縁膜８の表面とは連続した平坦面を構成している。かかる構成の素子基板１０および液晶装置１００を製造するには、図６（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、絶縁膜８の表面にシリコン窒化物などの高屈折率材料からなる絶縁膜１１を堆積させた後、ＣＭＰなどの研磨により、絶縁膜８の表面が露出するまで絶縁膜８の表面を研磨する。
【００５７】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、対向基板２０側から入射した光が、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓを通過する際に回折作用によって発散しようとした場合でも、集光用光学素子部４ａは、隙間領域９ｓを通過した光を隙間領域９ｓに対して重なる領域に向けて集光させる。このため、隙間領域９ｓを通過した光が画素トランジスター３０に向けて上層側から入射することを抑制することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５８】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００に用いた素子基板１０の一部を拡大して示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５９】
図８に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっている。また、画素トランジスター３０に対して下層側で重なるように光吸収膜５ａが形成され、かかる光吸収膜５ａにおいて、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置には開口部５ｂが形成されている。
【００６０】
また、素子基板１０において、画素トランジスター３０より上層側には、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ｃが形成されており、かかる集光用光学素子部４ｃは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側で集光する。
【００６１】
かかる集光用光学素子部４ｃを構成するにあたって、実施の形態１では、隙間領域９ｓと重なる領域に沿って溝状に延在する断面円弧状の集光用凹部８ｅに絶縁膜１１を充填したが、本形態では、隙間領域９ｓと重なる領域に沿って溝状に延在する断面Ｖ字状の集光用凹部８ｆの内部に絶縁膜１１を充填した構成になっている。このため、集光用光学素子部４ｃはプリズム状に形成されている。また、絶縁膜１１は絶縁膜８よりも屈折率が高い材料からなる。このため、集光用光学素子部４ｃは、溝状の集光用凹部８ｆと絶縁膜１１とによってプリズムとして構成され、かかる集光用光学素子部４ｃの絶縁膜１１と絶縁膜８との界面では、以下の条件
ｎ1・ｓｉｎΘ1＝  ｎ2・ｓｉｎΘ2
ｎ1：絶縁膜１１の屈折率
ｎ2：絶縁膜８の屈折率
Θ1：絶縁膜１１と絶縁膜８との界面への入射角
Θ2：絶縁膜１１と絶縁膜８との界面からの出射角
に従って、屈折が発生する。
【００６２】
それ故、本形態でも、実施の形態１と略同様、矢印Ｌ１０で示すように、対向基板２０側から入射した光が、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓを通過する際に回折作用によって発散しようとした場合でも、集光用光学素子部４ｃは、矢印Ｌ１１で示すように、隙間領域９ｓを通過した光を隙間領域９ｓに対して重なる開口部５ｂに向けて集光させる。このため、隙間領域９ｓを通過した光が画素トランジスター３０に向けて上層側から入射することを抑制することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６３】
なお、断面Ｖ字状の集光用凹部８ｆを形成するには、図６（ａ）に示すように、絶縁膜８の表面にエッチングマスク９１を形成した後、エッチングマスク９１をエッチング可能な条件で、エッチングマスク９１の開口部９１ａから絶縁膜８の表面に対してドライエッチングを行なえばよい。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なＩＣＰドライエッチング装置を用い、エッチングエリアに高密度プラズマを均一に形成できるエッチングガスとして、例えば、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3等のフッ化物系ガスを用いる。その結果、図８に示すように、絶縁膜８の表面は、エッチングマスク９１の開口部９１ａからエッチングされるとともに、エッチングマスク９１もエッチングされて開口部９１ａが徐々に拡大していく。従って、絶縁膜８に対するエッチング速度とエッチングマスク９１に対するエッチング速度の比や、エッチングマスク９１の厚さなどに対応する傾きの斜面や深さを有する断面Ｖ字状の集光用凹部８ｆが形成される。また、絶縁膜１１については、図７を参照して説明した構成のように集光用凹部８ｅの内部のみに形成してもよい。
【００６４】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００に用いた素子基板１０の一部を拡大して示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６５】
図９に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっている。また、画素トランジスター３０に対して下層側で重なるように光吸収膜５ａが形成され、かかる光吸収膜５ａにおいて、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置には開口部５ｂが形成されている。
【００６６】
また、素子基板１０において、画素トランジスター３０より上層側には、隣り合う光反射性画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側で集光する。
【００６７】
また、本形態では、光吸収膜５ａより下層側に開口部５ｂを通過した光を発散させる発散用光学素子部４ｇが形成されている。かかる発散用光学素子部４ｇを構成するにあたって、本形態では、光吸収膜５ａの下層側に形成された透光性の絶縁膜１７（第３絶縁層）の表面のうち、開口部５ｂに対して重なる位置に発散用凹部１７ｅが形成され、かかる発散用凹部１７ｅには、絶縁膜１７よりも小さな屈折率をもつ透光性の絶縁膜１８（第４絶縁層）が充填されている。本形態では、絶縁膜１７には、シリコン窒化物（可視領域における屈折率＝約２．０）が用いられ、絶縁膜１８にはシリコン酸化物（可視領域における屈折率＝約１．４６）が用いられている。また、発散用凹部１７ｅは断面円弧状の溝状凹部である。このため、発散用光学素子部４ｇは、溝状の発散用凹部１７ｅと絶縁膜１８とによって凹凸レンズとして構成され、かかる集光用光学素子部４ａの絶縁膜１１と絶縁膜８との界面では、以下の条件
ｎ3・ｓｉｎΘ3＝ｎ4・ｓｉｎΘ4
ｎ3：絶縁膜１７の屈折率
ｎ4：絶縁膜１８の屈折率
Θ3：絶縁膜１７と絶縁膜１８との界面への入射角
Θ4：絶縁膜１７と絶縁膜１８との界面からの出射角
に従って屈折が発生する。
【００６８】
従って、矢印Ｌ２０で示すように、開口部５ｂを通過した光は、発散用光学素子部４ｇによって発散しながら基板本体１０ｄに向けて進行し、基板本体１０ｄを抜けていく。このため、本形態によれば、開口部５ｂを通過した光が、光吸収膜５ａより下層側で反射して開口部５ｂから上層側に抜けることを抑制することができる。また、発散用凹部１７ｅは、断面円弧状の凹部であり、発散用光学素子部４ｇは、凹レンズとして機能する。このため、開口部５ｂを通過した光を広い角度範囲に向けて発散させることができるので、開口部５ｂを通過した光が、光吸収膜５ａより下層側で反射して開口部５ｂから上層側に抜けることをより確実に抑制することができる。
【００６９】
なお、発散用光学素子部４ｇの形成方法は、集光用光学素子部４ａと同様であるため、説明を省略する。本形態では、発散用光学素子部４ｇを凹レンズ状に形成したが、図８を参照して説明した集光用光学素子部４ｃのように、発散用凹部１７ｅを断面Ｖ字形状に形成して、発散用光学素子部４ｇをプリズム状に形成してもよい。また、絶縁膜１８については、図７を参照して説明した構成のように発散用凹部１７ｅの内部のみに形成してもよい。
【００７０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、低屈折率材料としてシリコン酸化物を用い、高屈折率材料としてシリコン窒化物を用いたが、高屈折率材料としては、光学部品の製造に用いられている高屈折率低融点ガラス（可視領域における屈折率＝約１．６０〜２．０）や、塩化ビニリデン樹脂（可視領域における屈折率＝約１．６１）、塩化ビニル樹脂（可視領域における屈折率＝約１．５４）、ポリカーボネート（可視領域における屈折率＝約１．５９）、エピチオ系樹脂（可視領域における屈折率＝約１．７０〜１．７４）などの樹脂材料を用いてもよい。
【００７１】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る液晶装置１００は、図１０（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクター／電子機器）や、図１０（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００７２】
図１０（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によりスクリーン８６０（被投射部材）に投写する。
【００７３】
また、図１０（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１０（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。
【００７４】
さらに、対向基板２０などにカラーフィルターを形成すれば、カラー表示可能な液晶装置１００を形成することができる。また、カラーフィルターを形成した液晶装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【符号の説明】
【００７５】
１ａ・・半導体層、４ａ、４ｃ・・集光用光学素子部、４ｇ・・発散用光学素子部、８・・絶縁膜（第１絶縁層）、８ｅ・・集光用凹部、９ａ・・光反射性画素電極、９ｓ・・隣り合う画素電極の隙間領域、１０・・素子基板、１０ｄ・・基板本体、１１・・絶縁膜（第２絶縁層）、１７・・絶縁膜（第３絶縁層）、１８・・絶縁膜（第４絶縁層）、３０・・画素トランジスター、５０・・液晶層、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素
【図１】
2010256671.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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