(57)【要約】      （修正有）【課題】脱膜領域を形成する際に、効果的にレーザー加工深度を制御できる回路基板構造を提案する。【解決手段】斯かる回路基板は、第１誘電体層３１０と、第１誘電体層上に配置されているとともに脱膜領域Ｌの周縁部に位置している第１レーザーレジスト構造３２０と、第１誘電体層の上に配置されている第２誘電体層３３０と、第２誘電体層上に配置されている回路層３４０と、第２誘電体層上に配置されているとともに脱膜領域の周縁部に位置している第２レーザーレジスト構造３５０と、第２誘電体層上に配置されている第３誘電体層３６０とを備えている。第２レーザーレジスト構造は回路層とは絶縁状態になっている。第２レーザーレジスト構造と回路層の間には空隙Ｇが存在し、第１主面真上の空隙の垂直方向投射部は第１レーザーレジスト構造に重畳する。第３誘電体層は脱膜領域の範囲内にある回路層の一部を露出させている。【選択図】図３Ａ
2010245530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脱膜領域が設けられた回路基板であって、前記回路基板は、
第１誘電体層と、
前記第１誘電体層の第１主面上に配置されているとともに前記脱膜領域の周縁部に位置している第１レーザーレジスト構造と、
前記第１誘電体層の上に配置されているとともに前記第１レーザーレジスト構造を被覆している第２誘電体層と、
前記第２誘電体層の第２主面上に配置されている回路層であって、その一部は前記脱膜領域の外側から脱膜領域の内側に跨って延びている回路層と、
前記第２主面上に配置されているとともに脱膜領域の前記周縁部に位置しており、前記回路層とは絶縁状態にある第２レーザーレジスト構造であって、前記回路層との間には少なくとも１つの空隙が存在し、前記第１主面の真上の前記空隙の垂直方向投射部が前記第１レーザーレジスト構造に重畳している第２レーザーレジスト構造と、
前記第２誘電体層上に配置されているとともに前記脱膜領域に一致して開口が設けられている第３誘電体層とを備えており、前記開口は脱膜領域の範囲内に位置している前記回路層の一部を露出させており、前記第３誘電体層は前記第２レーザーレジスト構造の一部を被覆していることを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記第２主面上に配置されているとともに前記脱膜領域の前記周縁部に位置しており、尚且つ、脱膜領域の周縁部に位置している前記回路層の一部とは接続されているが前記第２レーザーレジスト構造とは絶縁状態にある第３レーザーレジスト構造をさらに備えている、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第２レーザーレジスト構造は環状構造体であり、前記環状体には少なくとも１個の切欠きが設けられており、前記回路層は前記切欠きから前記脱膜領域の内部まで延在していることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第２レーザーレジスト構造と前記回路層との間に多数の空隙が存在している場合には、前記第１レーザーレジスト構造には複数の点構造が互いに無関係に設けられていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１レーザーレジスト構造の一例として帯状構造または環状構造があり、前記帯状構造または環状構造は前記第１主面上の前記第２レーザーレジスト構造の垂直方向投射部に重畳していることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記第２誘電体層は前記空隙の真下の位置に少なくとも１個の空洞が設けられており、前記空洞は前記第１レーザーレジスト構造を露出させていることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記脱膜領域の内側に位置している回路層の前記一部を被覆している保護層を更に備えている、請求項１から請求項６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記開口は前記脱膜領域の内側に位置している前記第２レーザーレジスト構造の一部を露出させていることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
回路基板の製造方法であって、前記方法は、
（I）予備脱膜領域が設けられた基板を準備する工程であって、
（i）第１誘電体層と、
（ii）前記第１誘電体層の第１主面上に配置されているとともに前記予備脱膜
領域の周縁部に位置している第１レーザーレジスト構造と、
（iii）前記第１誘電体層の上に配置されているとともに前記第１レーザーレジ
スト構造を被覆している第２誘電体層と、
（iv）前記第２誘電体層の第２主面上に配置されている回路層であって、その
一部は前記予備脱膜領域の外側から予備脱膜領域の内側に跨って延びている回
路層と、
（v）前記第２主面上に配置されているとともに予備脱膜領域の前記周縁部に
位置しており、前記回路層とは絶縁状態にある第２レーザーレジスト構造であ
って、前記回路層との間には少なくとも１つの空隙が存在し、前記第１主面の
真上の前記空隙の垂直方向投射部が前記第１レーザーレジスト構造に重畳して
いる第２レーザーレジスト構造と、
（vi）前記第２誘電体層上に配置されているとともに前記回路層および前記第
２レーザーレジスト構造を被覆している第３誘電体層とを備えている、
基板を準備する工程と、
（II）予備脱膜領域の前記周縁部に位置している前記第３誘電体層をエッチングするようにレーザー加工プロセスを実施する工程と、
（III）前記予備脱膜領域の範囲内に位置している前記第３誘電体層の一部を除去する工程とを含んでいる、回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザー加工プロセスは前記空隙の真下に位置している前記第２誘電体層の一部をエッチングする工程を更に含んでいることを特徴とする、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１レーザーレジスト構造の一例として帯状構造または環状構造があり、前記帯状構造または環状構造は前記第１主面上の前記第２レーザーレジスト構造の垂直方向投射部に重畳していることを特徴とする、請求項９または請求項１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記基板は第３レーザーレジスト構造を更に備えており、前記第３レーザーレジスト構造は前記第２主面上に配置されているとともに予備脱膜領域の前記周縁部に位置しており、前記第３レーザーレジスト構造は、予備脱膜領域の周縁部に位置している前記回路層の一部と接続しているが前記第２レーザーレジスト構造とは絶縁状態にあることを特徴とする、請求項９から請求項１１のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
前記基板は保護層を更に備えており、前記保護層は前記予備脱膜領域の範囲内に位置している回路層の一部を被覆していることを特徴とする、請求項９から請求項１２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第２レーザーレジスト構造を除去するためにエッチングプロセスまたは機械加工プロセスを実施する工程と、
前記第１レーザーレジスト構造を除去するためにエッチングプロセスまたは機械加工プロセスを実施する工程とを更に含んでいる、請求項９から請求項１３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１５】
脱膜領域が設けられた回路基板であって、前記回路基板は、
第１誘電体層と、
前記第１誘電体層の主面上に配置されている回路層であって、その一部は前記脱膜領域の外側から脱膜領域の内側に跨って延びている回路層と、
前記主面上に配置されているとともに前記脱膜領域の周縁部に位置しており、前記回路層とは絶縁状態にあるレーザーレジスト構造であって、前記回路層との間には少なくとも１つの空隙が存在しているレーザーレジスト構造と、
前記第１誘電体層上に配置されているとともに前記脱膜領域に一致して開口が設けられている第２誘電体層とを備えており、前記開口は脱膜領域の範囲内に位置している前記回路層の一部を露出させていることを特徴とする、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に回路基板とその製造方法に関するものであり、特に、回路基板と、効果的なレーザー加工による深度制御を利用した回路基板製造方法に関連している。
【背景技術】
【０００２】
近年の市場は、小型化、薄型化、軽量化、高い携帯至便性を追求した設計の電子工学製品の需要がある。従って、このような電子工学製品の各種電子部品も小型かつ薄型に設計する必要がある。よって、従来から回路基板の一部の厚みを低減する技術が提案されている。
【０００３】
図１Ａから図１Ｃは従来の回路基板製造プロセスを例示した断面図であり、図２は図１Ａから図１Ｃの回路基板の頂面図であるが、図１Ａから図１Ｃは図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って破断した従来の回路基板の縦断面図である。
【０００４】
ここでまず、図１Ａおよび図２の両図を参照すると、回路基板１００には第１誘電体層１１０、第２誘電体層１２０、回路層１３０、第３誘電体層１４０、および、第４誘電体層１５０が設けられている。第２誘電体層１２０、第３誘電体層１４０、および、第４誘電体層１５０は第１誘電体層１１０の上にこの順で連続して積層され、回路層１３０は第２誘電体１２０の上に配置されているとともに、第２誘電体層１２０と第３誘電体層１４０の間に位置している。回路基板１００には予備脱膜領域Ｌが設けられている。
【０００５】
次に、図１Ｂを参照すると、第３誘電体層１４０と第４誘電体層１５０のうち予備脱膜領域Ｌの周縁部に位置している各部が、レーザー加工により除去される。次に、図１Ｃを参照すると、第３誘電体層１４０と第４誘電体層１５０のうち予備脱膜領域Ｌの範囲内に位置している各部が除去されて、脱膜領域Ｌ１を形成している。この時点で、回路基板Ｐが概ね形成される。回路基板Ｐの脱膜領域Ｌ１は回路基板Ｐの残余の領域よりも薄いせいで、実際の応用例においては、電子デバイス２００は脱膜領域Ｌ１の範囲内に配置されて、回路基板Ｐとその上に配備される電子デバイス２００の総合的な厚みを低減している。
【０００６】
しかしながら、第３誘電体層１４０および第４誘電体層１５０をレーザー加工により除去する場合、レーザー加工の深度を制御するのは困難である。その結果、第２誘電体層１２０どころか、第１誘電体層１１０までもが、過剰に掘削される恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明は回路基板を目的としており、特に、効果的にレーザー加工深度を制御できる回路基板構造を目的としている。
【０００８】
本発明の別な目的は、レーザー加工深度を効果的に制御することができる回路基板製造方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、脱膜領域が設けられた回路基板を提案している。斯かる回路基板は、第１誘電体層、第１レーザーレジスト構造、第２誘電体層、回路層、第２レーザーレジスト構造、第３誘電体層などから構成されている。第１レーザーレジスト構造は第１誘電体層の第１主面上に配置されているとともに、脱膜領域の周縁部に位置している。第２誘電体層は第１誘電体層の上に配置されているとともに、第１レーザーレジスト構造を被覆している。回路層は第２誘電体層の第２主面上に配置され、回路層の一部は脱膜領域の外側からその領域の内側まで跨って延びている。第２レーザーレジスト構造は上記第２主面上に配置されているとともに脱膜領域の周縁部に位置しており、第２レーザーレジスト構造は回路層とは絶縁状態にある。第２レーザーレジスト構造と回路層との間には少なくとも１つの空隙が存在し、第１主面の真上の空隙の垂直方向投射部が第１レーザーレジスト構造に重畳している。第３誘電体層は第２誘電体層上に配置されているとともに、脱膜領域に一致して開口が設けられているが、斯かる開口は脱膜領域の範囲内に位置している回路層の各部を露出させている。第３誘電体層は第２レーザーレジスト構造の一部を被覆している。
【００１０】
本発明の一実施例によれば、第２レーザーレジスト構造は、少なくとも１個の切欠きが設けられた環状構造体であり、回路層はこの切欠きから脱膜領域の内部まで延在している。
【００１１】
本発明のまた別な実施例によれば、第２レーザーレジスト構造と回路層との間に多数の空隙が存在している場合には、第１レーザーレジスト構造には複数の点構造が互いに無関係に設けられているようにしてもよい。
【００１２】
本発明のもう１つ別な実施例によれば、第１レーザーレジスト構造の一例として、帯状構造がある。
【００１３】
本発明の更に別な実施例によれば、上記帯状構造は第１主面上の第２レーザーレジスト構造の垂直方向投射部に重畳している。
【００１４】
本発明のまた別な実施例によれば、第２誘電体層には上記空隙の真下に少なくとも１個の空洞が設けられている。
【００１５】
本発明のまた１つの別な実施例によれば、上記空洞は第１レーザーレジスト構造を露出させている。
【００１６】
本発明の別な実施例によれば、回路基板は第３レーザーレジスト構造を更に有しており、第３レーザーレジスト構造は第２主面上に配置されているとともに予備脱膜領域の周縁部に位置しており、第３レーザーレジスト構造は、脱膜領域の周縁部に位置している回路層の一部と接続しているが、第２レーザーレジスト構造とは絶縁状態にある。
【００１７】
本発明の一実施例によれば、回路基板は保護層を更に有しており、斯かる保護層は脱膜領域の範囲内に位置している回路層の一部を被覆している。
【００１８】
本発明のまた別な実施例によれば、上記開口は、脱膜領域の範囲内に位置している第２レーザーレジスト構造の一部を露出させている。
【００１９】
本発明は回路基板の製造方法を提案している。まず最初に、予備脱膜領域が設けられた基板を準備する。基板は第１誘電体層、第１レーザーレジスト構造、第２誘電体層、回路層、第２レーザーレジスト構造、第３誘電体層などから構成されている。第１レーザーレジスト構造は第１誘電体層の第１主面上に配置されているとともに、予備脱膜領域の周縁部に位置している。第２誘電体層は第１誘電体層上に配置されているとともに、第１レーザーレジスト構造を被覆している。回路層は第２誘電体層の第２主面上に配置され、回路層の一部は予備脱膜領域の外側からその内側に跨って延びている。第２レーザーレジスト構造は第２主面上に配置されているとともに予備脱膜領域の周縁部に位置しており、第２レーザーレジスト構造は回路層とは絶縁状態にある。第２レーザーレジスト構造と回路層との間には少なくとも１つの空隙が設けられており、第１主面の真上の上記空隙の垂直方向投射部は第１レーザーレジスト構造に重畳している。第３誘電体層は第２誘電体層上に配置されているとともに回路層および第２レーザーレジスト構造を被覆している。次いで、レーザー加工プロセスを実施して、予備脱膜領域の周縁部に位置している第３誘電体層を蝕刻する。次に、予備脱膜領域の範囲内に位置している第３誘電体層の一部が除去される。
【００２０】
本発明の更に別な実施例によれば、レーザー加工プロセスは、空隙の真下に位置している第２誘電体層の一部を蝕刻する工程を含んでいる。
【００２１】
本発明のまた別な実施例によれば、レーザー加工プロセスは第１誘電体層を蝕刻することはない。
【００２２】
本発明の一実施例によれば、第３誘電体層を除去する技術の一例として、リフトオフ技術がある。
【００２３】
本発明の一実施例によれば、第２レーザーレジスト構造は、少なくとも１個の切欠きが設けられた環状構造体であり、回路層が切欠きから予備脱膜領域の中まで延びている。
【００２４】
本発明のまた別な実施例によれば、第２レーザーレジスト構造と回路層との間に多数の空隙が存在する場合は、第１レーザーレジスト構造には複数の点構造が互いに無関係に設けられているようにしてもよい。
【００２５】
本発明の一実施例によれば、第１レーザーレジスト構造の一例として、帯状構造がある。
【００２６】
本発明のまた別な実施例によれば、上記帯状構造は上記第１主面上の第１レーザーレジスト構造の垂直方向投射部に重畳している。
【００２７】
本発明の更に別な実施例によれば、基板は更に第３レーザーレジスト構造を更に有しており、第３レーザーレジスト構造は上記第２主面上に配置されているとともに予備脱膜領域の周縁部に位置しており、第３レーザーレジスト構造は、脱膜領域の周縁部に位置している回路層の一部に接続されているが第２レーザーレジスト構造とは絶縁状態にある。
【００２８】
本発明のもう１つの実施例によれば、基板は保護層を更に有しており、斯かる保護層は予備脱膜領域の範囲内に位置している回路層の一部を被覆している。
【００２９】
本発明の一実施例によると、上記製造方法は、エッチングプロセスを実施して第２レーザーレジスト構造を除去する工程を更に含んでいる。
【００３０】
本発明のまた別な実施例によると、上記製造方法は、機械加工プロセスを実施して予備脱膜領域の範囲内に位置している第２レーザーレジスト構造の一部を除去する工程を更に含んでいる。
【００３１】
本発明のもう１つ別な実施例によれば、上記製造方法は、エッチングプロセスを実施して第１レーザーレジスト構造を除去する工程を更に含んでいる。
【００３２】
本発明の更に別な実施例によれば、上記製造方法は、機械加工プロセスを実施して第１レーザーレジスト構造を除去する工程を更に含んでいる。
【００３３】
本発明は、脱膜領域が設けられている回路基板を提案している。回路基板は第１誘電体層、回路層、レーザーレジスト構造、第２誘電体層などから構成されている。回路層は第１誘電体層の主面上に配置され、回路層の一部は脱膜領域の外側からその内側まで跨って延びている。レーザーレジスト構造は脱膜領域の周縁部に位置している上記主面上に配置されているとともに回路層とは絶縁状態にあり、レーザーレジスト構造と回路層の間には少なくとも１つの空隙が設けられている。第２誘電体層は第１誘電体層上に配置されているとともに脱膜領域に一致する開口が設けられており、斯かる開口は、脱膜領域の範囲内に位置している回路層の一部を露出させている。
【００３４】
上述のように、本発明においては、回路基板は第１レーザーレジスト構造および第２レーザーレジスト構造を有しており、第２レーザーレジスト構造によりレーザー加工の深度を制御するとともに、第１レーザーレジスト構造の真下の第１誘電体層を第１レーザーレジスト構造によりレーザー加工プロセスから保護するように図っている。
【００３５】
本発明の上記特長および利点、ならびに、それ以外の特長および利点の理解を助けるために、添付の図面に関連づけて幾つかの実施例を後段に詳細に記載している。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】図１Ａは、従来の回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来の回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、従来の回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図２】図２は、図１Ａから図１Ｃの回路基板の頂面図である。
【図３Ａ】図３Ａは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図３Ｄ−１】図３Ｄ−１は本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。
【図５】図５は、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ａから図４Ｃの基板の回路層および第２レーザーレジスト構造の頂面図である。
【図６】図６は、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ａから図４Ｃの基板の第１レーザーレジスト構造の頂面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
添付の図面は本発明をより良好に理解するためにあるが、本明細書に編入してその一部を構成している。図面は本発明の実施例を例示しているとともに、後段の詳細な説明と併せて各実施例を解説するのに有用である。
【００３８】
ここで発明の好ましい実施例に詳細に言及してゆくが、それらの具体的態様が添付の図面に例示されている。図中の随所で、同一部材または類似部材を指すのに同一参照番号を図と説明文の両方で使用している。
【００３９】
図３Ａから図３Ｄ−１および図４Ａから図４Ｃは、本発明の一実施例による回路基板製造プロセスを例示した断面図である。図５は、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ａから図４Ｃの基板の回路層および第２レーザーレジスト構造の頂面図である。図６は、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ａから図４Ｃの基板の第１レーザーレジスト構造の頂面図である。
【００４０】
図５の線Ｉ−Ｉ’の位置は図６の線Ｉ−Ｉ’の位置と一致しており、図３Ａから図３Ｃは図５および図６の線Ｉ−Ｉ’に沿って破断した、本発明のもう１つの実施例による回路基板製造プロセスを例示している断面図である点に留意するべきである。図５の線ＩＩ−ＩＩ’の位置は図６の線ＩＩ−ＩＩ’の位置に一致しており、図４Ａら図４Ｃは、図５および図６の線ＩＩ−ＩＩ’に沿って破断した、本発明の更に別な実施例による回路基板製造プロセスを例示している断面図である。
【００４１】
まず最初に、図３Ａ、図４Ａ、図５、および、図６を参照すると、予備脱膜領域Ｌが設けられた基板Ｓが提示されている。基板Ｓは第１誘電体層３１０、第１レーザーレジスト構造３２０、第２誘電体層３３０、回路層３４０、第２レーザーレジスト構造３５０、第３誘電体層３６０などから構成されている。
【００４２】
第１レーザーレジスト構造３２０は第１誘電体層３１０の第１主面３１２上に配置されているとともに、予備脱膜領域Ｌの周縁部に位置している。第２誘電体層３３０は第１誘電体層３１０上に配置されているとともに、第１レーザーレジスト構造３２０を被覆している。回路層３４０は第２誘電体層３３０の第２主面３３２上に配置されており、回路層３４０の一部は予備脱膜領域Ｌの外側からその内側に跨って延在している。
【００４３】
第２レーザーレジスト構造３５０は第２主面上に配置されており、予備脱膜領域Ｌの周縁部に位置しているとともに回路層３４０とは絶縁状態にある。第２レーザーレジスト構造３５０の一部は予備脱膜領域Ｌに位置しており、第２レーザーレジスト構造３５０の別な一部は予備脱膜領域Ｌの外部に位置している。第２レーザーレジスト構造３５０と回路層３４０の間に複数の空隙Ｇが設けられており、第１主面３１２上の空隙Ｇの垂直方向投射部は第１レーザーレジスト構造３２０に重畳している。
【００４４】
第３誘電体層３６０は第２誘電体層３３０上に配置されているとともに回路層３４０および第２レーザーレジスト構造３５０を被覆している。本実施例においては、基板Ｓは第３誘電体層３６０上に配置されている第４誘電体層３７０を更に有している。
【００４５】
本実施例においては、基板Ｓは保護層３８０を更に有している。保護層３８０は予備脱膜領域Ｌの範囲内に位置している回路層３４０の一部を被覆し、その後に第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０を除去することによって回路層３４０が影響を受けないように図っている。
【００４６】
次に、図３Ｂ、図４Ｂ、図５、および、図６を参照すると、レーザー加工プロセスを実施し、予備脱膜領域Ｌに位置している第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０を蝕刻している。レーザー加工プロセスにより、第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０の上に複数の空洞Ｔが形成されており、これらの空洞Ｔは、予備脱膜領域Ｌの周縁部に位置している第２レーザーレジスト構造３５０および回路層３４０を露出させている。
【００４７】
詳細に説明すると、レーザー加工は予備脱膜領域Ｌ（すなわち、図５および図６において点線で記された領域Ｌ）の周縁部で行われる。  斯様に、第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０を透過するレーザービームは第２レーザーレジスト構造３５０により遮断される。従って、本実施例においては、第２レーザーレジスト構造３５０によりレーザー加工の深度を制御することができるようになり、また従って、製造歩留まりも向上させることができる。
【００４８】
更に、レーザー加工を遮断する際の第２レーザーレジスト構造３５０の性能を向上させるために、本実施例においては、第２レーザーレジスト構造３５０の幅Ｄはレーザービームの放射角度ラジアンよりも大きくなるように設計されている。従って、空洞Ｔは予備脱膜領域Ｌの周縁部に位置している第２レーザーレジスト構造３５０の一部を露出させるだけであるのが理想的である。
【００４９】
本実施例においては、基板Ｓは第１レーザーレジスト構造３２０を有しており、この第１レーザーレジスト構造３２０により、レーザービームは空隙Ｇの真下の第２誘電体層３３０を透過する際に遮断される点に留意するべきである。従って、第１レーザーレジスト構造３２０は第１レーザーレジスト構造３２０の真下に位置している第１誘電体層３１０がレーザー加工されることがないようにして、レーザー加工の深度を制御するのを支援することができる。本実施例では、レーザー加工プロセスは空隙Ｇの真下に位置している第２誘電体層３３０に複数の空洞３３４を形成している。
【００５０】
これに続いて、図３Ｃ、図４Ｃ、図５、および、図６を参照すると、予備脱膜領域Ｌの範囲内に位置している第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０の各部を除去して二次脱膜領域Ｌ１を形成するが、斯かる二次脱膜領域Ｌ１では第３誘電体層３６０が第２レーザーレジスト構造３５０の一部を被覆している。第３誘電体層３６０および第４誘電体層３７０はリフトオフ技術により除去されるとよい。本実施例においては、保護層３８０は除去される。
【００５１】
図３Ｄを参照すると、本実施例においては、二次脱膜領域Ｌ１の範囲内に位置している第２レーザーレジスト構造３５０の一部を機械処理により除去している。更に、第１レーザーレジスト構造３２０の一部が機械処理により除去される。
【００５２】
図３Ｄ−１を参照すると、上記以外の実施例においては、第２レーザーレジスト構造３５０をエッチング処理により除去している。これに加えて、第１レーザーレジスト構造３２０がエッチング処理により除去される。
【００５３】
以下に、回路基板３００の構成を詳細に説明してゆく。
【００５４】
図３Ｃ、図４Ｃ、図５、および、図６を参照すると、本実施例においては、回路基板３００は脱膜領域Ｌ１を有しており、脱膜領域Ｌ１は陥凹領域である。回路基板３００は第１誘電体層３１０、第１レーザーレジスト構造３２０、第２誘電体層３３０、回路層３４０、第２レーザーレジスト構造３５０、第３誘電体層３６０などから構成されている。
【００５５】
第１レーザーレジスト構造３２０は第１誘電体層３１０の第１主面３１２上に配置されているとともに、脱膜領域Ｌ１の周縁部に位置している。第２誘電体層３３０は第１誘電体層３１０上に配置されているとともに、第１レーザーレジスト構造３２０を被覆している。回路層３４０は第２誘電体層３３０の第２主面３３２上に配置されており、回路層３４０の一部は脱膜領域Ｌ１の外側からその内側に跨って延びている。
【００５６】
本実施例においては、回路基板３００は複数の第３レーザーレジスト構造３９０を有している。第３レーザーレジスト構造３９０は第２主面３３２上に配置されているとともに、脱膜領域Ｌ１の周縁部に位置している。第３レーザーレジスト構造３９０は脱膜領域Ｌ１の周縁部に位置している回路層３４０の一部と接続されているが、第２レーザーレジスト構造３５０とは絶縁状態にある。
【００５７】
第２レーザーレジスト構造３５０は第２主面３３２上に配置されているとともに脱膜領域Ｌ１の周縁部に位置しており、また、第２レーザーレジスト構造３５０は回路層３４０とは絶縁状態にある。第２レーザーレジスト構造３５０と回路層３４０の間には複数の空隙Ｇが設けられており、第１主面３１２上の空隙Ｇの垂直方向投射部は第１レーザーレジスト構造３２０に重畳している。
【００５８】
レーザー加工を遮断する際の第１レーザーレジスト構造３２０の性能を向上させるために、本実施例においては、第１レーザーレジスト構造３２０が第１主面３１２の真上の空隙Ｇの垂直方向投射部の領域よりも広くなるようにして、第１主面３１２の真上の空隙Ｇの垂直方向投射部が、全部、第１レーザーレジスト構造３２０の範囲に収まるように設計されている。更に、本実施例においては、第２誘電体層３３０は空隙Ｇの真下の位置に多数の空洞３３４が設けられている。空洞３３４は第１レーザーレジスト構造３２０を露出させている。
【００５９】
詳細に説明すると、本実施例においては、第２レーザーレジスト構造３５０は環状構造体である。環状構造体には複数の切欠きＢが設けられており、回路層３４０の一部は切欠きＢから脱膜領域Ｌ１の中まで延在している。その上、本実施例においては、第１レーザーレジスト構造３２０は互いに無関係な複数の点構造であってもよい。他の実施例では、第１レーザーレジスト構造３２０は帯状構造でもよいし、或いは、環状構造でもよく、帯状構造または環状構造は第１主面３１２上の第２レーザーレジスト構造３５０の垂直方向投射部に重畳している。
【００６０】
第３誘電体層３６０は第２誘電体層３３０上に配置されているとともに、脱膜領域Ｌ１に一致して開口Ｏが設けられている。本実施例においては、回路基板３００は第４誘電体層３７０を更に有している。第４誘電体層３７０は第３誘電体層３６０上に配置されているとともに、開口Ｏに一致して別な開口Ｏ１が設けられている。開口Ｏおよび開口Ｏ１は、脱膜領域Ｌ１の範囲内に位置している回路層３４０および第２レーザーレジスト構造３５０の各部を露出させている。更に、本実施例においては、保護層３８０は脱膜領域Ｌ１の範囲内に配置されており、保護層３８０は脱膜領域Ｌ１の範囲内に位置している回路層３４０の一部を被覆し、開口Ｏおよび開口Ｏ１により露出状態となった回路層３４０を保護している。
【００６１】
本実施例においては具体例として脱膜領域Ｌ１は１箇所のみと記載されているが、本発明はこれに限定されるものではない点に留意するべきである。例えば、他の実施例においては、回路基板には多数の脱膜領域が設けられていてもよく、これら脱膜領域は回路基板の同じ一方側または表裏両側に選択的に配置されているようにしてもよい。
【００６２】
上述のように、本発明により提案されている回路基板は第１レーザーレジスト構造および第２レーザーレジスト構造を有しており、第２レーザーレジスト構造によりレーザー加工の深度を制御することができる。その上、第１レーザーレジスト構造の真下の第１誘電体層は、レーザー加工を施しても第１レーザーレジスト構造により保護されている。
【００６３】
本発明の範囲および真髄から逸脱せずに多様な修正および変更を行うことができることは、当業者には認識できることである。前述の事柄に鑑みて、修正や変更は、添付の特許請求の範囲の各請求項とその均等物の範囲に入るのであれば、本発明が網羅しているものと解釈するべきである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｄ−１】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｄ’】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】                                                                       
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