(57)【要約】【課題】圧入のためのめっきを改善し圧入性と耐熱性、耐衝撃性や長期信頼性に優れたシリンダー形の圧入封止型水晶振動子ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】ステムおよびリードのめっきを、Ｃｕめっき層１３、Ｓｎめっき層１４、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層１５の順に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状のステムと、前記ステム内を貫通する１本のリードと、前記ステム内に充填され前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材と、前記ステムと前記リードに同一構成のめっきを有する気密端子と、有底筒型のケースよりなり、前記ステムの外周面に前記ケースを圧入により水晶振動片の気密封止を行い、
前記水晶振動片の電極の外部への接続を、前記水晶振動片の一方の電極を前記リードの気密封止の内部側の内部リードと接合材により行い、前記水晶振動片の他方の電極を前記ステムとＡｕのワイヤボンディングで行う水晶振動子の製造方法において、
前記めっきが、下地金属との密着性とＳｎとの金属間化合物形成のためのＣｕめっき層と、圧入時の塑性変形により気密封止を主として担うＳｎめっき層と、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属めっき層とからなる水晶振動子の製造方法。
【請求項２】
前記Ｓｎめっき層を熱処理により金属間化合物化することにより高融点化を行うことを特徴とする請求項１に記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項３】
前記Ｓｎめっき層との金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属めっき層が第２のＣｕめっき層とＡｕめっき層との積層よりなることを特徴とする請求項１に記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｎめっき層との金属間化合物形成のための前記Ｃｕめっき層と前記第２のＣｕめっき層の総厚みが前記Ｓｎめっき層の厚みの４０％以上であることを特徴とする請求項３に記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項５】
前記金属間化合物の融点がＣｕ6Ｓｎ5の融点である４１５℃以上であることを特徴とする請求項４に記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理がＳｎの融点以下での熱処理工程を有することを特徴とする請求項２に記載の水晶振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディングで電極接続を行う圧入封止型シリンダー形水晶振動子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は、電子機器の基準発振源や、マイクロコンピュータのクロック源などとして用いられている。この水晶振動子の小型のものとしてシリンダー形で圧入封止型の水晶振動子が製造されている。
【０００３】
このシリンダー形水晶振動子は、図４に長手方向で切断して見た平面図として示すように、気密端子１と水晶振動片２とケース３とを主要部材として構成されている。
【０００４】
気密端子１は、円筒状のステム４と、このステム４内を貫通するリード６と、ステム４内に充填されてリード６をステム４内に固定するガラスよりなる充填材５とにより構成されている。リード６は充填材５により２つの部分に分離され、一方（内部リード６ａ）は導電性の接合材８により電極７を通じて水晶振動片２と接合されている。
【０００５】
ケース３は、一端面が開口し、他端面が閉塞した有底円筒形であり、たとえば洋白（Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ合金）の表面にＮｉめっきしたものである。このケース３は、内部リード６ａ及び水晶振動片２を内部に収納するように、真空中にて、ケース３の開口端面側がステム４の外周面に圧接するようにステム４に圧入されている。封止状態で水晶振動子の外部に出るリードの部分（外部リード６ｂ）は、回路基板等との接合に使用される。
【０００６】
図５は気密端子１のリード６を通る面での詳細な断面図であり、ステム４はステム下地金属１０とその表面に形成されためっき１２よりなり、リード６はリード下地金属１１とその表面に形成されためっき１２よりなる。ステム下地金属１０はたとえば４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）であり、リード下地金属１１はたとえばコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）よりなる。
【０００７】
リード下地金属１１の表面のめっき１２は、充填材５に囲まれた部分を除く内部リード６ａと外部リード６ｂに形成される。この内部リード６ａと外部リード６ｂは、ステムのめっきと同時にめっき付けするのがコスト的に有利なため、ステムの圧入のためのめっきと同じめっきが同時に形成される。
【０００８】
めっき１２は圧入封止に重要な役割をもち、圧入は固相接合で、軟らかく低応力でよく延びる金属が利用される。ケース３に気密端子１が圧入されるとステム４に形成されためっき１２が圧接され、気密封止を実現している。
【０００９】
そのようなめっきとして従来は、Ｐｂを主成分とする高融点はんだが使用されていた。なお、圧入のための軟質金属を主構成層とするめっき１２は、ケース３に形成すること
も可能であるが、この場合、圧入による金属削り粉が気密封止内に入るという問題が生じやすい。水晶振動片２の電極７と内部リード６ａとの接合材８には通常このめっき１２がはんだとして利用される。シリンダー形水晶振動子は、このままあるいは樹脂封止して直方体形状に成形し表面実装型水晶振動子とされ、はんだによって回路基板に接合される。
【００１０】
ところが近年有害物質の使用禁止が要求され、はんだにおいても無鉛化が要求されるようになり、シリンダー形の圧入封止型水晶振動子においても圧入のためのめっきの無鉛化が進められている。ここで回路基板への接合（主としてリフローはんだ付け）のためのはんだも無鉛化され、この場合にはたとえばＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕを代表とするような無鉛はんだが使用される。
【００１１】
この無鉛はんだの融点は２２０℃付近であり、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの１８３℃よりかなり高くなっている。このため圧入部およびリード部に形成されるめっきは、無鉛化、圧入性、耐熱性（耐リフロー性）、めっき形成性などが要求されることとなる。なかでも圧入には軟らかく、低応力で高延性を示す金属が求められ、Ｐｂ以外ではＳｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどが考えられるが、Ｐｂとともに再結晶温度が低く、めっきを形成しやすい無鉛Ｓｎ合金が主流となっている（たとえば特許文献１参照）。
【００１２】
この圧入による気密封止では圧入のための軟らかい金属たとえば無鉛Ｓｎ合金は１０μｍ前後の比較的厚い膜厚が必要となる。無鉛Ｓｎ合金は、回路基板のはんだ付けにも使用されているため、耐熱性（耐リフロー性）の向上が必要となる。耐熱性は、圧入部のリークでは問題になることは少ないが、特に内部リードと水晶振動片の接合（内部接合）において重要となる。
【００１３】
内部リードと水晶振動片の電極は、はんだ、導電接着剤、バンプなどの導電性の接合材により電気的接続と機械的固定を目的とする接合が行われるが、圧入のためのめっきが無鉛Ｓｎ合金の場合はこの無鉛Ｓｎ合金をはんだとして使用するのが普通であり、この接合部の接合材の部分溶融などによる微量の変動は水晶振動子の電気的特性に大きな影響を与える。このため無鉛Ｓｎ合金においてできるだけＣｕのような合金金属の量を多くして融点、正確には凝固開始温度を高くし、またリフロー温度での固相の量を多くするようにしている。
【００１４】
このシリンダー形水晶振動子では通常リードは２本であるが、小形化のためリードを一本とし、一方の水晶振動片の電極との接続はステムとワイヤボンディングで行うことが考えられている（たとえば特許文献２参照）。
【００１５】
このような場合無鉛Ｓｎ合金は、Ａｕとの反応性や溶解力が極めて強いため、たとえば水晶振動子との接合にＡｕのバンプやワイヤボンディングは使用できない。そこでこのワイヤボンディングのＡｕと圧入のためのめっきの反応を抑制するにはめいっきをＡｕと反応しないＡｇ（たとえば特許文献３参照）あるいはＣｕ−Ｚｎ合金とする（たとえば特許文献４参照）、または無鉛Ｓｎ合金の上に耐熱バリア層としてＡｇを厚めに形成する（たとえば特許文献５参照）、あるいはＣｕを厚めに形成する（たとえば特許文献６参照）などが考えられる。
【特許文献１】特開２００７−１１６６２２号公報
【特許文献２】特開２００７−１２９５２０号公報
【特許文献３】特開２００３−３２０６６号公報
【特許文献４】特開２００５−１５０３２２号公報
【特許文献５】特開２００３−４６０１０号公報
【特許文献６】特開２００６−１０８８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
圧入のためのめっきを無鉛Ｓｎ合金以外のＡｇやＣｕ−Ｚｎ合金にした場合、再結晶温度が高く、加工硬化が生じる、延性が小さい、硬いなどのため、圧入性が劣り、圧入作業が難しくなったり歩留まりの低下を生じたりする。無鉛Ｓｎ合金の上に耐熱バリア層としてＡｇやＣｕ層を形成した場合、ＡｇやＣｕと無鉛Ｓｎ合金の反応性が大きいため、厚いＡｇやＣｕ層を形成する必要があり、圧入性に悪影響を与える。またＳｎ合金めっきに伴う錯化剤等の影響による脱ガスによるＳｎ合金めっき層の上のめっきの破壊も生じる。
【００１７】
これらはいずれも無鉛Ｓｎ合金の融点を高くする、もっと正確には凝固開始温度を上昇させかつはんだリフロー温度での固相量を多くすることで溶融による接合力の低下を抑制しようとするものであり、一方で水晶振動子片の電極との接合用の高温はんだとしても機能するものであり、本発明のようにＡｕとの反応によるボンディング接合の低下を抑制することを主眼点にしていないためこの問題を解決できない。
【００１８】
本発明は、上記欠点を改善し、圧入性と耐熱性、長期信頼性に優れたＡｕのワイヤボンディングによる電極接続を行うシリンダー形の圧入封止型水晶振動子ならびにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明ではリードとステムに形成するめっきを下地金属との密着性とＳｎとの金属間化合物形成のためのＣｕ層、圧入時の塑性変形により気密封止を主として担うＳｎ層、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層の構成とする。
またＳｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層をＣｕとＡｕとの積層とする。
【００２０】
Ｓｎの両側に形成されるＳｎと金属間化合物形成するＣｕの総厚みをＳｎの厚みの４０％以上とする。
また金属間化合物形成の融点をＣｕ6Ｓｎ5の融点の４１５℃以上とする。
更に熱処理によりＳｎを金属間化合物化する。
また熱処理をＳｎの融点以下で行う。
【発明の効果】
【００２１】
Ｓｎ金属層の両側をＣｕ及びＳｎと金属間化合物を形成するＳｎより融点の高い金属よりなる層で挟む構成とすることによりＳｎ層の両側から金属間化合物の形成が行われ、圧入に必要な１０μｍ前後の厚いＳｎめっき層の金属間化合物化が可能となり、かつ、Ｓｎの上側のＳｎと金属間化合物を形成する圧入に悪影響を与えるＳｎより融点の高い金属よりなる層を圧入に悪影響を与えない程度に薄く、かつＳｎとＡｕの反応を抑制することができる程度の厚みとすることができる。
【００２２】
またＳｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層をＣｕとＡｕとの積層とすることで低コストなＣｕをＳｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制のための金属層、薄いＡｕをワイヤボンディングのための金属層とすることができ、コスト的に有利になる。
【００２３】
特にＳｎの両側にあるＳｎと金属間化合物を形成する金属を両側ともＣｕとすることでめっき工程が簡易になる。
【００２４】
Ｓｎの両側に形成されるＳｎと金属間化合物形成するＣｕの総厚みをＳｎの厚みの４０％以上とすることによりＡｕとの反応や接続の安定性に影響を与えない程度にＳｎの金属間化合物化が行われＳｎとワイヤボンディングのＡｕは反応しなくなる。
【００２５】
また金属間化合物としてＣｕ6Ｓｎ5の融点の４１５℃以上とすることで無鉛Ｓｎ合金系のはんだリフローにより溶融することがなくなる。また更に熱処理によりＳｎを金属間化合物化することにより高融点化がなされる。更にＳｎの融点以下での熱処理により固相でＳｎの金属間化合物化を行い高融点化することによりＳｎの溶融によるＡｕワイヤボンディングへの悪影響を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。図１は、本発明のシリンダー形圧入封止水晶振動子の圧入のためのステムとリードに形成されためっきの構成を示す断面図である。
【００２７】
リード下地金属１０（ステム下地金属でも同様である）に、Ｃｕめっき層１３、Ｓｎめっき層１４、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属めっき層１５の順にめっきが形成されている。
【００２８】
リード下地金属１０に形成されるＣｕめっき層１３は下地とめっきの密着性を良好にするとともにＳｎめっき層１４のＳｎと金属間化合物を形成し圧入のためのめっき層の高融点化を行う。
【００２９】
Ｓｎと金属間化合物を容易に形成する金属としてはＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＣｕなどがあるがＣｕは下地金属とのめっきの密着性向上とＳｎと金属間化合物を形成の両機能を兼ね備えており、またその上にＳｎのめっき形成性が良好であり他のＳｎと金属間化合物を形成する金属より好ましい。
【００３０】
また他の金属より材料が安価であることも有利である。
【００３１】
圧入での塑性変形を主として担う軟らかい金属はＳｎのほかにＡｇやＣｕと合金化した無鉛Ｓｎ合金もあり、Ｓｎ金属より高融点化で有利であるが、合金めっきでの錯化剤等の分解等によるガス発生がありそのためめっき層、特にＳｎ合金の上に形成されためっき層を破壊するという大きな欠点がある。したがって本発明のようにめっき層の上にＡｕワイヤボンディングを行うような用途には利用できない。
【００３２】
Ｓｎ１４の上のＳｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属めっき層１５としてはＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどの利用可能性がある。これらの金属はＳｎと固相においても比較的容易に数μｍ以上の金属間化合物を形成する。
【００３３】
ここで質量Ｍ、密度ρ、体積Ｖ、面積Ｓ、厚みをｔとすると、Ｍ＝ρＶ＝ρＳｔ  だから  ｔ＝Ｍ／（ρＳ）となり、面積Ｓが同じ条件では  ｔ＝Ｍ／ρとなり厚みの比は質量／密度の比となる。
【００３４】
これより一定のＳｎの厚みである特定の金属間化合物形成に必要なＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕの厚みを計算する。
【００３５】
Ａｇの場合はたとえば融点４８０℃のＡｇ3Ｓｎを形成するためには１０μｍ厚みのＳｎに対し約１９μｍのＡｇ層を形成する必要があり、この半分をＡｇでまかなうとしても約１０μｍとなり、これでは圧入は困難である。Ａｕの場合、融点２５２℃のＡｕＳｎ4でＳｎ１０μｍでＡｕ１．６μｍとなる。
Ｐｄの場合、融点２９５℃のＰｄＳｎ4でＳｎ１０μｍに対しＰｄ１．３μｍとなる。
【００３６】
これらの場合、厚みは圧入においては問題ないが材料が極めて高価であるという大きな欠点を有する。
【００３７】
一方Ｃｕでは融点４１５℃のＣｕ6Ｓｎ5ではＳｎ１０μｍでＣｕ５．５μｍとなり十分実用可能であり、材料コスト的にも他より有利である。
【００３８】
またＳｎと反応しやすいＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどの金属間化合物の融点は最も低いＡｕＳｎ4でも２５２℃であり、これは無鉛Ｓｎ合金系のはんだ融点でその高い方であるＳｎ―０．７重量％Ｃｕの２２７℃などより高い融点をもっている。
【００３９】
本発明で特に有用なＣｕでは融点の低いＣｕ6Ｓｎ5でも４１５℃であり十分な耐熱性をもっている。以上は最もＳｎの多い金属間化合物をあげたが、これらよりＳｎ量の少ない金属間化合物も形成されるため実際必要なＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ等はもっと厚くする必要があり、特に金属間化合物化のための熱処理温度が高くなるとその傾向がある。
【００４０】
またこれらＳｎの少ない金属間化合物はＳｎの多い金属間化合物より融点は高くなる。
【００４１】
ＡｕやＰｄは材料が高価であるためたとえばＣｕを基礎にＰｄやＡｕを積層することも可能である。この様な場合は３次元系以上の多元系の金属間化合物が形成される場合もある。
【００４２】
本発明ではＳｎめっき層の両側にＳｎと金属間化合物を形成する金属を配するためたとえばＳｎめっき１０μｍで両側に下地金属側にＣｕめっき約３μｍ、Ｓｎめっきの上にＣｕめっき約３μｍを形成するというようにすることでＳｎの両側から金属間化合物化を進めることができ金属間化合物の形成がしやすくなっており、特に固相での金属間化合物形成に有利な構造となっている。
【００４３】
一般にＳｎを溶融させての金属間化合物の形成は重力の影響による肉厚の偏り等組織・構造への影響を生じやすいが固相での反応はそのような問題を生じないため固相での熱処理による金属間化合物化は好ましいが、ＣｕはＳｎと融点以下でも数時間で約５μｍ程度の金属間化合物化が可能であり、この点でＣｕをＳｎの両側の形成することは好ましい。
【００４４】
ところでＳｎへの溶解性はＡｕ＞Ａｇ＞Ｐｄ＞Ｃｕという順であり、従ってたとえば下地金属の上のＣｕその上にＳｎ、更にその上にＡｕという構成にし、Ａｕの上にＡｕワイヤボンディングを行う構造だと、ＣｕよりＡｕがＳｎに溶解しやすいという欠点があり、その意味で両側を溶解・反応性のことなる異種金属にするより、両側をＣｕにすることは有利である。
【００４５】
あるいはＣｕと溶解性が近いＰｄをＳｎの上に形成することも可能である。しかしＡｕとＡｇはＣｕとの溶解性・反応性に差がありすぎ、好ましくない。つまりＣｕの上にＳｎ更にその上にＡｕあるいはＡｇの構成ではＡｕ、Ａｇが溶解性・反応性が大きいため、金属間化合物化が片側から極めて不均等に進むという欠点がある。
【００４６】
熱処理は当然圧入の後に行う。圧入の前に行えば、脆くて硬い金属間化合物の形成のため圧入は不可能となる。熱処理は回路基板へのはんだ付けのリフロー処理であってもいい。またＳｎの両側から金属間化合物化を行うため、Ｓｎの上のめっき層がＳｎ層全体の金属間化合物化に必要な厚みの半分程度と薄いことは圧入の際に、Ｓｎの塑性変形でステムとケースの空隙を十分埋めて気密性を高めるうえでも有利となる。
【００４７】
なお本発明ではＡｕとの反応や接続・封止の安定性に影響を与えない程度の若干の未反応Ｓｎ層が金属間化合物の間に残存していてもかまわない。
【００４８】
Ｓｎの完全金属間化合物化に必要なＣｕの最低量の総厚みは約５５％であるが、ＳｎとＡｕの反応抑制には約７０％のＳｎの金属間化合物化がなされればよく、ＣｕにおいてはＳｎの厚みの４０％の厚みであればこの目的が達成できる。たとえばＳｎめっき層１０μｍにたいし、Ｓｎめっき層の上と下に各々２μｍ以上のＣｕめっき層を形成すればよい。
【００４９】
この場合、ＳｎとＣｕとの界面から金属間化合物化がなされ、この金属間化合物が障壁層となってＳｎとＡｕの反応が抑制される。したがって若干の未反応Ｓめっき層があってもＡｕと直接反応、溶解することはない。あくまでもＡｕとの反応によるワイヤボンディングの接続強度の大きな低下や信頼性低下の抑制を目的とした金属間化合物の形成が本発明の主眼である。
【００５０】
Ｓｎめっき層の厚みは圧入性からその最小厚みが制約され、金属間化合物化、めっき膜の性質および品質から最大厚みが制限され５μｍから２５μｍにする必要がある。
【００５１】
ＡｕやＡｇ上にはＡｕワイヤボンディングの形成が可能であるがＣｕにはＡｕワイヤボンディングの形成ができない。そのため更にその上にＡｕめっきを行う必要がある。
【００５２】
このＡｕめっき層はワイヤボンディングを良好に行うためには０．１μｍ以上の厚みとすることが好ましい。
【００５３】
図２にはＣｕめっき層１３の上にＳｎめっき層１４、その上に第２のＣｕめっき層１６、更にその上にＡｕめっき層１７を形成した例を示す。図３に気密端子と水晶振動片の接合部を断面図で示すように、本発明では水晶振動片２の一方の電極７との接続をステムのめっき１２とワイヤボンディング１８で行う。
【００５４】
本発明では内部リードと接合のための接合材８としてＡｕバンプも利用できる。接合材８としてはそのほかに高温はんだ、導電接着剤なども利用できる。なお気密端子のステムは径が２段になっており、Ａｕワイヤボンディング部のめっきは圧入において変形しない構造となっている。以下に気密端子の圧入のためのリード及びステムのめっき構成を実施例により説明する。
【実施例１】
【００５５】
リード及びステム下地金属上にＣｕを３μｍ、その上にＳｎを１０μｍ、その上にＣｕ２．５μｍ、更にその上にＡｕを０．１５μｍ形成した。つまりＣｕをＳｎの上と下にＳｎの厚みの３０％と２５％形成した。
【実施例２】
【００５６】
リード及びステム下地金属上にＣｕを２μｍ、その上にＳｎを１０μｍ、その上にＣｕ２μｍ、更にその上にＡｕを０．１５μｍ形成した。つまりＣｕをＳｎの上と下にＳｎの厚みの各々２０％形成した。
【実施例３】
【００５７】
リード及びステム下地金属上にＣｕを４μｍ、その上にＳｎを１０μｍ、その上にＣｕ３μｍ、更にその上にＡｕを０．１５μｍ形成した。つまりＣｕをＳｎの上と下にＳｎの厚みの４０％と３０％形成した。
【実施例４】
【００５８】
リード及びステム下地金属上にＣｕを４μｍ、その上にＳｎを１０μｍ、その上にＰｄ０．８μｍ、更にその上にＡｕを０．１５μｍ形成した。
【００５９】
以上のようなめっき構成の気密端子のリードとステムに各々ＡｕワイヤバンプとＡｕワイヤボンディングで水晶振動片の電極と接合し、この水晶振動片付き気密端子をケースに圧入した。なおＳｎの厚みを変える場合、その両側のＣｕの厚みの割合を実施例と同じにすればＳｎが５μｍから２５μｍのめっき厚み範囲ではほぼ同様の結果が得られる。
【００６０】
以上の実施例のめっきですべて圧入は可能であり、しかもワイヤボンディング後の無鉛はんだ条件でのリフローにおいてＡｕワイヤボンディングとめっきの反応は起らず、十分使用に耐えうることが確認された。また２４５℃で１０分の熱処理においてもＡｕワイヤボンディングとめっきの反応は起らず、十分使用に耐えうることが確認された。
【００６１】
あるいは２００℃で１０時間の熱処理をした。このようにして製造した水晶振動子を無鉛はんだで回路基板にはんだ付けし、特性を測定したところ正常に動作した。
【００６２】
以上のように本発明によりガラス封止されたリードが１本で他方の電極接続をステムとワイヤボンディングで行う小型な圧入封止型シリンダー形水晶振動子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の水晶振動子のステムとリードに形成されためっきの構成を示す断面図。
【図２】本発明の実施例２の水晶振動子のステムとリードに形成されためっきの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例３を示す水晶振動子の水晶振動片を接合したリード部の部分断面図である。
【図４】シリンダー形水晶振動子を長手方向で切断して見た平面図である。
【図５】シリンダー形水晶振動子の気密端子の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  気密端子
２  水晶振動片
３  ケース
４  ステム
５  充填材
６  リード
６ａ  内部リード
６ｂ  外部リード
７  電極
８  接合材
１０  ステム下地金属
１１  リード下地金属
１２  めっき
１３  Ｃｕめっき層
１４  Ｓｎめっき層
１５  金属めっき層
１６  第２のＣｕめっき層
１７  Ａｕめっき層
１８  ワイヤボンディング
【図１】
2010010940.tif 000003
【図２】
2010010940.tif 000004
【図３】
2010010940.tif 000005
【図４】
2010010940.tif 000006
【図５】
2010010940.tif 000007