(57)【要約】【課題】  低雑音でかつ 100ｎ秒以下の高速起動により通常動作の１／10程度の間欠動作を可能とする。【解決手段】  第１の抵抗とバイアス端子を接続するように第１のスイッチを制御し、第２のスイッチをオフに制御して第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを動作状態に設定し、第１の抵抗と接地端子を接続するように第１のスイッチを制御し、第２のスイッチをオンに制御して第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを休止状態に設定し、動作状態と休止状態を繰り返して間欠動作させるミキサ回路において、動作状態から休止状態へ遷移するとき、または休止状態から動作状態に遷移するときに、第１の抵抗および第２の抵抗の抵抗値を所定時間だけ下げた状態に設定して遷移させる構成である。【選択図】        図１
2010028511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動対を構成し、ゲートにＲＦ信号と局部発振信号を入力し、これらを乗算して得られる相補的な中間周波数信号を２つの出力端子に出力する複数の第１のトランジスタと、
前記複数の第１のトランジスタのゲートとバイアス端子との間に接続され、前記局部発振信号に重畳するバイアス電圧を供給するための第１の抵抗と、
前記２つの出力端子と電源端子との間にそれぞれ接続される第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの負荷となり、前記第２のトランジスタのゲート間を接続するノードＩＦとそれぞれのドレインとを接続する第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記バイアス端子または接地端子とを相補的に接続する第１のスイッチと、
オンオフによって前記ノードＩＦと前記電源端子の接続または非接続を切り替える第２のスイッチと
を備え、前記第１の抵抗と前記バイアス端子を接続するように前記第１のスイッチを制御し、前記第２のスイッチをオフに制御して前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタを動作状態に設定し、前記第１の抵抗と前記接地端子を接続するように前記第１のスイッチを制御し、前記第２のスイッチをオンに制御して前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタを休止状態に設定し、動作状態と休止状態を繰り返して間欠動作させるミキサ回路において、
前記動作状態から前記休止状態へ遷移するとき、または前記休止状態から前記動作状態に遷移するときに、前記第１の抵抗および前記第２の抵抗の抵抗値を所定時間だけ下げた状態に設定して遷移させる構成である
ことを特徴とするミキサ回路。
【請求項２】
請求項１に記載のミキサ回路において、
前記第１の抵抗に並列に接続される第３のスイッチ、前記第２の抵抗に並列に接続される第４のスイッチ、前記第２の抵抗と前記第２のトランジスタのドレインとの間に接続して前記動作状態のときにオン、前記休止状態のときにオフに設定される第５のスイッチを備え、
前記動作状態から前記休止状態へ遷移するときに、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチおよび前記第５のスイッチを前記動作状態に設定したまま前記第３のスイッチおよび前記第４のスイッチをオンとし、所定時間の経過後に前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチおよび前記第５のスイッチを前記休止状態に設定する構成である
ことを特徴とするミキサ回路。
【請求項３】
請求項１に記載のミキサ回路において、
前記第１の抵抗に並列に接続される第３のスイッチ、前記第２の抵抗に並列に接続される第４のスイッチ、前記第２の抵抗と前記第２のトランジスタのドレインとの間に接続して前記動作状態のときにオン、前記休止状態のときにオフに設定される第５のスイッチを備え、
前記休止状態から前記動作状態へ遷移するときに、前記第３のスイッチおよび前記第４のスイッチをオンとしたまま前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチおよび前記第５のスイッチを前記動作状態に設定し、所定時間の経過後に前記第３のスイッチおよび前記第４のスイッチをオフに設定する構成である
ことを特徴とするミキサ回路。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載のミキサ回路において、
前記第２のスイッチがオフのときに、前記第２のトランジスタのゲートに所定のバイアス電圧を印加する構成である
ことを特徴とするミキサ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦ（無線周波数）信号と局部発振器から出力される局部発振信号とを乗算し、ＩＦ（中間周波数）信号を出力するミキサ回路に関し、特に間欠動作に適する高速起動が可能なミキサ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来のミキサ回路の構成を示す（非特許文献１）。
図７において、ここに示すギルバートセル型のダブルバランス・ミキサは、差動対を構成するＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ９と、定電流源となるＮＭＯＳトランジスタＭＮ１０と、負荷となる抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２で構成される。
【０００３】
正相ＲＦ信号ＲＦＰおよび逆相ＲＦ信号ＲＦＮは、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ８，ＭＮ９のゲートにそれぞれ入力される。また、正相局部発振信号ＬＯＰおよび逆相局部発振信号ＬＯＮは、差動対をなすＮＭＯＳトランジスタＭＮ４，ＭＮ７およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ５，ＭＮ６のゲートにそれぞれ入力される。ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４，ＭＮ６のドレインに接続された出力端子ＯＵＴＰには、正相ＲＦ信号ＲＦＰと正相局部発振信号ＬＯＰを乗算した信号と、逆相ＲＦ信号ＲＦＮと逆相局部発振信号ＬＯＮを乗算した信号の和が出力される。ＮＭＯＳトランジスタＭＮ５，ＭＮ７のドレインに接続された出力端子ＯＵＴＮには、正相ＲＦ信号ＲＦＰと逆相局部発振信号ＬＯＮを乗算した信号と、逆相ＲＦ信号ＲＦＮと正相局部発振信号ＬＯＰを乗算した信号の和が出力される。このとき、出力端子ＯＵＴＰと出力端子ＯＵＴＮから出力される信号は、互いに逆相のＩＦ信号となる。このようなミキサ回路を低電圧源（ＶＤＤ）で駆動させた場合、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２で大きな電圧降下が生じるためにトランジスタに必要な駆動電圧を与えることができない。
【０００４】
これを低電圧源で駆動させるには、図８に示すような構成をとる。すなわち、出力端子ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮがそれぞれＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２を介して電源電位ＶＤＤに接続され、また出力端子ＯＵＴＰと出力端子ＯＵＴＮが抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２を介して接続され、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のゲートと抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２の接続点がノードＩＦで接続されることにより低電圧動作が可能になる。すなわち、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２は、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２を介してゲートとドレインが接続され、ＤＣ電圧を共通にする自己バイアス構成になっている。
【０００５】
なお、図８に示す構成では、入力信号のＤＣバイアスの影響を除くため、正相局部発振信号ＬＯＰがキャパシタを介してＮＭＯＳトランジスタＭＮ４，ＭＮ７のゲートに接続されるとともに、それぞれのゲートが抵抗ＲＬＯＰを介してノードＬＯに接続され、逆相局部発振信号ＬＯＮがキャパシタを介してＮＭＯＳトランジスタＭＮ５，ＭＮ６のゲートに接続されるとともに、それぞれのゲートが抵抗ＲＬＯＮを介してノードＬＯに接続され、ノードＬＯにバイアス電圧ＢＩＡＳＬＯを接続することによりＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートにバイアス電圧を与える。また、正相ＲＦ信号ＲＦＰがキャパシタを介してＮＭＯＳトランジスタＭＮ８のゲートに接続されるとともに、そのゲートが抵抗ＲＲＦＰを介してノードＲＦに接続され、逆相ＲＦ信号ＲＦＮがキャパシタを介してＮＭＯＳトランジスタＭＮ９のゲートに接続されるとともに、そのゲートが抵抗ＲＲＦＮを介してノードＲＦに接続され、ノードＲＦにバイアス電圧ＢＩＡＳＲＦを接続することによりＮＭＯＳトランジスタＭＮ８，ＭＮ９のゲートにバイアス電圧を与える。この構成により、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ９のゲートにはＲＦ信号および局部発振信号の交流成分のみが入力される。
【０００６】
図９は、間欠動作が可能な従来のミキサ回路の構成例を示す。ここでは、図８に示す低電圧動作が可能なミキサ回路に適用した例を示す。
【０００７】
図９において、ノードＩＦと電源電位ＶＤＤがスイッチＴＧ５を介して接続され、ノードＬＯとバイアス電圧ＢＩＡＳＬＯがスイッチＴＧ７を介して接続され、ノードＬＯと接地電位ＧＮＤがスイッチＴＧ８を介して接続される。
【０００８】
間欠動作させる場合の休止状態では、図９に示すように、スイッチＴＧ７を開放してスイッチＴＧ８を接続し、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートを接地電位ＧＮＤに接続し、かつスイッチＴＧ５を接続してＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のゲートを電源電位ＶＤＤに接続する。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７がオフになり、ミキサ回路の動作は停止する。
【０００９】
一方、動作時には、スイッチＴＧ７を接続してスイッチＴＧ８を開放し、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートをバイアス電圧ＢＩＡＳＬＯに接続し、かつスイッチＴＧ５を開放してＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のゲートを電源電位ＶＤＤから開放する。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７がオンになり、ミキサ回路は動作する。
【非特許文献１】B.Razavi,"RF MICROELECTRONICS", Prentice Hall, pp.180-200,1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ユビキタス情報社会の実現に向けて、センサを備えた多数の情報送受信端末により構成されるセンサネットワークの研究開発が進んでいる。これらの情報送受信端末は極めて低電力で動作することが求められており、その課題の一つに無線受信機のフロントエンド回路の低電力化があり、その一手法として間欠動作が検討されている。また、無線受信機のフロントエンド回路は、微弱な無線信号を復調するため、低電力性能とともに低ノイズ性能が求められている。
【００１１】
図１０は、無線受信機のフロントエンド回路の構成例を示す。
図１０において、フロントエンド回路は、低雑音増幅回路（ＬＮＡ）１１、ミキサ回路１２、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１３、サンプリング回路１４および後段の信号処理回路１５を縦続に接続し、電源スイッチおよびスイッチ制御回路を用いてＬＮＡ１１とミキサ回路１２を含む全ての回路を間欠動作させ、その間欠周期をサンプリング回路１４のサンプリング周波数と同期させる。また、ミキサ回路１２の出力をＬＰＦ１３を介してサンプリング回路１４に入力し、希望信号に対して周波数が大きく異なる不要信号を除去して信号帯域を狭くすることにより、間欠動作と合わせて消費電力の大幅な低減が可能になっている。
【００１２】
例えば、ＬＮＡ１１に入力する受信信号はＲＦ帯で数百ＭHz〜数ＧHzであり、典型的な無線システム帯域は数十ＭHz程度である。ＬＮＡ１１の出力信号をミキサ回路１２に入力し、例えば10ｋHzのＩＦ信号にダウンコンバージョンする。このとき、チャネル帯域は10ｋHz程度であるので、ＩＦ信号を数十ｋHz程度のＬＰＦ１３でフィルタリングし、その後にサンプリング処理する。この場合のサンプリング周波数は、ＬＰＦ帯域の２倍程度の数十ｋHzでよいことになる。そこで、ＬＮＡ１１とミキサ回路１２を数十ｋHzのサンプリング周波数に合わせて間欠動作させる。
【００１３】
図１１は、無線受信機のフロントエンド回路の間欠動作例を示す。ここでは、 500ｋHzのサンプリング周波数（周期：２μ秒）に合わせて、 200ｎ秒間ずつ回路を間欠動作させる。このため、動作時の間欠比率は10であり、通常動作の１／10に消費電力を削減することができる。ここで、 200ｎ秒の間にＩＦ信号が高精度に再生され、 500ｋHzのサンプリング周波数で10ｋHzのＩＦ信号を取り込むには、出力電位を 100ｎ秒程度保持している間にサンプリングを行う必要があり、ＬＮＡ１１およびミキサ回路１２の立ち上がり時間はともに約 100ｎ秒以下であることが要求される。この立ち上がり時間が短ければ、ミキサ回路１２の動作停止時間をより長くすることができるため、ミキサ回路１２およびそれを組み込む無線受信機の低消費電力化が期待できる。
【００１４】
しかし、ミキサ回路１２として図９に示すギルバートセル型のダブルバランス・ミキサを用いた場合、その立ち上げ時間は、それを構成するＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートおよびドレイン（図９のＩＦ、ＬＯＰ、ＬＯＮ、ＯＵＴＰ、ＯＵＴＮ）のそれぞれと、接地電位ＧＮＤとの間に存在する寄生容量に電荷を充放電する時間に相当する。また、この充放電時間は、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２，ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮと寄生容量との積に依存する。これは、立ち下げ時間についても同様である。
【００１５】
例えば、上記の例でミキサ回路の消費電力を通常動作の１／10にするために、サンプリング周期２μ秒に対してその動作時間を 200ｎ秒以下にする場合、ミキサ回路の立ち上げ時間も 200ｎ秒以下にする必要がある。しかし、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２，ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮが数十ｋΩ、寄生容量が数ｐＦと見積もると、立ち上げ時間を 200ｎ秒以下にすることは困難である。すなわち、図９に示すような従来のミキサ回路の構成では高速起動が困難で、間欠動作を１／10にすることができなかった。
【００１６】
本発明は、低雑音でかつ 100ｎ秒以下の高速起動により通常動作の１／10程度の間欠動作を可能とするミキサ回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、差動対を構成し、ゲートにＲＦ信号と局部発振信号を入力し、これらを乗算して得られる相補的な中間周波数信号を２つの出力端子に出力する複数の第１のトランジスタと、複数の第１のトランジスタのゲートとバイアス端子との間に接続され、局部発振信号に重畳するバイアス電圧を供給するための第１の抵抗と、２つの出力端子と電源端子との間にそれぞれ接続される第２のトランジスタと、第１のトランジスタの負荷となり、第２のトランジスタのゲート間を接続するノードＩＦとそれぞれのドレインとを接続する第２の抵抗と、第１の抵抗とバイアス端子または接地端子とを相補的に接続する第１のスイッチと、オンオフによってノードＩＦと電源端子の接続または非接続を切り替える第２のスイッチとを備え、第１の抵抗とバイアス端子を接続するように第１のスイッチを制御し、第２のスイッチをオフに制御して第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを動作状態に設定し、第１の抵抗と接地端子を接続するように第１のスイッチを制御し、第２のスイッチをオンに制御して第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを休止状態に設定し、動作状態と休止状態を繰り返して間欠動作させるミキサ回路において、動作状態から休止状態へ遷移するとき、または休止状態から動作状態に遷移するときに、第１の抵抗および第２の抵抗の抵抗値を所定時間だけ下げた状態に設定して遷移させる構成である。
【００１８】
また、本発明は、第１の抵抗に並列に接続される第３のスイッチ、第２の抵抗に並列に接続される第４のスイッチ、第２の抵抗と第２のトランジスタのドレインとの間に接続して動作状態のときにオン、休止状態のときにオフに設定される第５のスイッチを備え、動作状態から休止状態へ遷移するときに、第１のスイッチ、第２のスイッチおよび第５のスイッチを動作状態に設定したまま第３のスイッチおよび第４のスイッチをオンとし、所定時間の経過後に第１のスイッチ、第２のスイッチおよび第５のスイッチを休止状態に設定する構成である。
【００１９】
また、本発明は、第１の抵抗に並列に接続される第３のスイッチ、第２の抵抗に並列に接続される第４のスイッチ、第２の抵抗と第２のトランジスタのドレインとの間に接続して動作状態のときにオン、休止状態のときにオフに設定される第５のスイッチを備え、休止状態から動作状態へ遷移するときに、第３のスイッチおよび第４のスイッチをオンとしたまま第１のスイッチ、第２のスイッチおよび第５のスイッチを動作状態に設定し、所定時間の経過後に第３のスイッチおよび第４のスイッチをオフに設定する構成である。
【００２０】
また、本発明は、第２のスイッチがオフのときに、第２のトランジスタのゲートに所定のバイアス電圧を印加する構成である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、ミキサ回路を構成するトランジスタにバイアス電圧を供給するための抵抗および負荷となる抵抗にスイッチを並列接続し、ミキサ回路の動作状態から休止状態へ遷移するとき（立ち下げ時）、または休止状態から動作状態に遷移するとき（立ち上げ時）にこれらのスイッチをオンにしてその抵抗値を下げることにより、トランジスタのゲートまたはドレインと接地電位との間に存在する寄生容量を急速に充・放電させることができる。これにより、ミキサ回路の立ち上げ時および立ち下げ時に 100ｎ秒以下の高速起動が可能となり、通常動作の１／10程度の間欠動作が可能なミキサ回路を実現することができる。
【００２２】
また、本発明のミキサ回路を無線送受信機に適用した場合、ミキサ回路をサンプリングする間だけ動作させ、それ以外の期間は休止させることができるので、無線送受信機の消費電力を大幅に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明のミキサ回路の第１の実施形態を示す。
本実施形態のミキサ回路は、図９の間欠動作に対応するギルバートセル型のダブルバランス・ミキサにおいて、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２，ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮのそれぞれに、スイッチＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ９，ＴＧ１０を並列接続し、さらに抵抗ＲＬＤＯ１とＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレインとの間にスイッチＴＧ３を接続し、抵抗ＲＬＤＯ２とＰＭＯＳトランジスタＭＰ２のドレインとの間にスイッチＴＧ４を接続した構成である。
【００２４】
ここで、請求項１〜請求項３に示す第１の抵抗はＲＬＯＰ，ＲＬＯＮに対応し、第２の抵抗はＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２に対応し、第１のスイッチはＴＧ７，ＴＧ８に対応し、第２のスイッチはＴＧ５に対応し、第３のスイッチはＴＧ９，ＴＧ１０に対応し、第４のスイッチはＴＧ１，ＴＧ２に対応し、第５のスイッチはＴＧ３，ＴＧ４に対応する。
【００２５】
図２および図３は、本発明のミキサ回路の第１の実施形態の動作例および制御手順を示す。以下、図１〜図３を参照して本実施形態の動作（動作状態−休止状態−動作状態）について説明する。
【００２６】
ここで、スイッチＴＧ３，ＴＧ４，ＴＧ７に与える制御信号をｐとし、スイッチＴＧ５，ＴＧ８に与える制御信号をｐとし、スイッチＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ９，ＴＧ１０に与える制御信号をｓとする。制御信号がハイのときにスイッチはオン（接続状態）となり、ローのときにスイッチはオフ（開放状態）となる。制御信号ｐと制御信号ｐは論理反転しており、スイッチＴＧ３，ＴＧ４，ＴＧ７とスイッチＴＧ５，ＴＧ８は相補的にオンオフする。
【００２７】
本実施形態のミキサ回路が動作状態のとき、制御信号ｐはハイ、制御信号ｓ，ｐはローであり、スイッチＴＧ３，ＴＧ４，ＴＧ７はオン、スイッチＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ５，ＴＧ８，ＴＧ９，ＴＧ１０はオフである（図３：Ｓ０）。ここで、休止状態に入るための立ち下げ期間に入るときは、まず制御信号ｓのみをローからハイに切り替え、スイッチＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ９，ＴＧ１０をオンにする（図２：ｔ１、図３：Ｓ１）。これにより、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２，ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮの各抵抗値は、各スイッチと各抵抗の並列抵抗となるために小さくなる。
【００２８】
次に、制御信号ｐ（ｐ）をハイからロー（ローからハイ）に切り替えてスイッチＴＧ３，ＴＧ４，ＴＧ７をオフにし、スイッチＴＧ５，ＴＧ８をオンにする（図２：ｔ２、図３：Ｓ２）。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７はオフとなる（図３：Ｓ３）。このとき、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のドレインは電気的に切断され、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートと接地電位ＧＮＤとの間に存在する寄生容量を急速に放電することができ、ミキサ回路の高速な立ち下げが実現し、休止状態に入る。図１の各スイッチの状態は休止状態に対応するものである。
【００２９】
次に、動作状態に入るための立ち上げ期間に入るときは、まず制御信号ｐ（ｐ）のみをローからハイ（ハイからロー）に切り替え、スイッチＴＧ３，ＴＧ４，ＴＧ７をオンにし、スイッチＴＧ５，ＴＧ８をオフにする（図２：ｔ３、図３：Ｓ４）。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７はオンとなる（図３：Ｓ５）。このとき、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２，ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮはほぼ短絡状態であるので、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のドレインは電気的に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のゲートと接地電位ＧＮＤとの間に存在する寄生容量を急速に充電することができ、ミキサ回路の高速な立ち上げが実現する。
【００３０】
次に、制御信号ｓをハイからローに切り替え、スイッチＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ９，ＴＧ１０をオフにする（図２：ｔ４、図３：Ｓ６）。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２およびＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７が定常動作状態になり、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４〜ＭＮ７のドレインから出力端子ＯＵＴＰおよび出力端子ＯＵＴＮに互いに逆相のＩＦ信号が出力される（図３：Ｓ７）。
【００３１】
ここで、制御信号ｓをローからハイにした後、制御信号ｐをハイからローにするまでの期間（図２：ｔ１〜ｔ２）は、制御信号ｓをローからハイにするタイミングｔ１が制御信号ｐをハイからローにするタイミングｔ２より先行していれば十分であり、例えば10ｎ秒以下になるように設定される。これにより、ミキサ立ち下げ時間を大幅に短くすることができる。一方、制御信号ｐをローからハイにした後、制御信号ｓをハイからローにするまでの期間（図２：ｔ３〜ｔ４）は、上記の寄生容量の充電に要する時間である。
【００３２】
図４は、本発明のミキサ回路の第１の実施形態のシミュレーション結果を示す。ここでは、時刻 0.3μ秒から 2.3μ秒の間欠動作における「立ち下げ」、「休止」、「立ち上げ」、「動作」について示す。実線は、第１の実施形態のミキサ回路における出力端子ＯＵＴＰから出力されるＩＦ信号の波形を示す。破線は、図９に示す従来のミキサ回路における同波形を示す。第１の実施形態の構成における立ち下げおよび立ち上げに要する時間は、従来構成に比べて大幅に短縮されていることがわかる。例えば、従来構成では立ち上げに約 300ｎ秒を要していたが、第１の実施形態の構成では 100ｎ秒以下に短縮されており、２μ秒に対して 200ｎ秒を動作させる１／10の間欠動作が可能になっている。
【００３３】
（第２の実施形態）
図１に示す第１の実施形態のミキサ回路では、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２は、抵抗ＲＬＤＯ１，ＲＬＤＯ２を介してゲートとドレインが接続され、ＤＣ電圧を共通にする自己バイアス構成になっている。そのため、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のドレイン電圧がゲート電圧に帰還し、ゲート電圧およびドレイン電圧が起動時や停止時などに振動する可能性がある。
【００３４】
そこで、図５および図６に示すように、制御信号ｐで開閉するスイッチＴＧ６を介してノードＩＦをバイアス電圧ＢＩＡＳＩＦに接続し、立ち上げ期間および立ち下げ期間（図５）および定常動作時（図６）にスイッチＴＧ５をオフに設定するとともに、スイッチＴＧ６をオンに設定してノードＩＦにバイアス電圧ＢＩＡＳＩＦを与える。これにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２のゲート電圧およびドレイン電圧の振動を強制的に抑えることができる。このバイアス電圧ＢＩＡＳＩＦは 2.5Ｖ程度であればよい。
【００３５】
なお、本実施形態のミキサ回路においても、図４に示すシミュレーション結果と同様に高速立ち下げおよび高速立ち上げが可能なことを確認している。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のミキサ回路の第１の実施形態を示す図。
【図２】本発明のミキサ回路の第１の実施形態の動作例を示すタイムチャート。
【図３】本発明のミキサ回路の第１の実施形態の制御手順を示すフローチャート。
【図４】本発明のミキサ回路の第１の実施形態のシミュレーション結果を示す図。
【図５】本発明のミキサ回路の第２の実施形態を示す図。
【図６】本発明のミキサ回路の第２の実施形態を示す図。
【図７】従来のミキサ回路の構成例を示す図。
【図８】低電圧駆動が可能な従来のミキサ回路の構成例を示す図。
【図９】間欠動作が可能な従来のミキサ回路の構成例を示す図。
【図１０】無線受信機のフロントエンド回路の構成例を示す図。
【図１１】無線受信機のフロントエンド回路の間欠動作例を示すタイムチャート。
【符号の説明】
【００３７】
ＭＮ  ＮＭＯＳトランジスタ
ＭＰ  ＰＭＯＳトランジスタ
ＴＧ  スイッチ
ＲＬＯＰ，ＲＬＯＮ，ＰＬＤＯ１，ＰＬＤＯ２，ＲＲＦＰ，ＲＲＦＮ  抵抗
ＬＯＰ，ＬＯＮ  局部発振信号
ＲＦＰ，ＲＦＮ  ＲＦ信号
ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮ  出力端子
ＩＦ，ＬＯ，ＲＦ  ノード
ＶＤＤ  電源電位
ＧＮＤ  接地電位
ＢＩＡＳＬＯ，ＢＩＡＳＲＦ，ＢＩＡＳＩＲ，ＢＩＡＳＩＦ  バイアス電圧
ｐ，ｓ  制御信号
【図１】
2010028511.tif 000003
【図２】
2010028511.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010028511.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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