(57)【要約】【課題】ビアホールにおいても、金属膜と絶縁層との良好な密着性を得る。【解決手段】金属膜付き基板の製造方法が、第１の絶縁層３１を準備することと、第１の絶縁層３１の第１面に第１の導体回路２１を形成することと、第１の絶縁層３１の第１面と第１の導体回路２１上に、第２の絶縁層３２を形成することと、第１面から第１の導体回路２１に向かってテーパーしている貫通孔（ビアホール４１）を第２の絶縁層３２に形成することと、重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を貫通孔の内壁に形成することと、組成物にエネルギーを照射することにより貫通孔の内壁にグラフトポリマー４１１を形成することと、グラフトポリマー４１１にめっき用の触媒４１２を付与することと、貫通孔の内壁に無電解めっき膜４１３を形成することと、を含む。第１の絶縁層３１の第１面と第２の絶縁層３２の第２面は対向している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の絶縁層を準備することと、
前記第１の絶縁層の第１面に第１の導体回路を形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面と第１の導体回路上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の絶縁層を形成することと、
第１面から前記第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を前記第２の絶縁層に形成することと、
重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、
前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む金属膜付き基板の製造方法において、
前記第１の絶縁層の第１面と前記第２の絶縁層の第２面は対向している、
ことを特徴とする金属膜付き基板の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記貫通孔の内壁にプラズマ処理を施すことを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記ポリマーを形成することは、前記触媒と結合するための官能基を有するポリマーを形成することからなる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記エネルギーはＵＶである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の絶縁層の前記第１面は平滑であって、前記めっき膜は前記第２の絶縁層の第１面上に形成することからなる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記めっき膜は、無電解めっき膜からなる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成することを有している、
ことを特徴とする請求項６に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記電解めっき膜は、前記貫通孔に充填されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項９】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の絶縁層を準備することと、
前記第１の絶縁層の第１面に第１の導体回路を形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面と第１の導体回路上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の絶縁層を形成することと、
第１面から前記第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を前記第２の絶縁層に形成することと、
前記第２の絶縁層の第１面と前記貫通孔の内壁にエネルギーを照射することと、
重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、
前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、
前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、
前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
を含む金属膜付き基板の製造方法において、
前記第１の絶縁層の第１面と前記第２の絶縁層の第２面は対向している、
ことを特徴とする金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エネルギーは、プラズマ処理、又はコロナ処理である、
ことを特徴とする請求項９に記載の金属膜付き基板の製造方法。
【請求項１１】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記第１面上に形成された第１の導体回路と、
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第１の絶縁層の前記第１面と前記第１の導体回路上に形成され、第１の導体回路に至り該第１面から第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を有する第２の絶縁層と、
前記貫通孔の内壁に形成されているポリマーと、
前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、
を有する、
ことを特徴とする金属膜付き基板。
【請求項１２】
前記ポリマーは、前記めっき膜を析出させる触媒と結合するための官能基を有している、
ことを特徴とする請求項１１に記載の金属膜付き基板。
【請求項１３】
前記めっき膜は、前記ポリマー上に形成されている、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の金属膜付き基板。
【請求項１４】
前記めっき膜は、無電解めっき膜からなる、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の金属膜付き基板。
【請求項１５】
さらに、前記無電解めっき膜上に電解めっき膜を有している、
ことを特徴とする請求項１４に記載の金属膜付き基板。
【請求項１６】
前記第２の絶縁層の第１面は平滑であって、前記めっき膜は前記第２の絶縁層の第１面上に形成されている、
ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の金属膜付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプリント配線板等に用いられる金属膜付き基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プリント配線板は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等からなる絶縁層の表面に、例えば銅からなる配線を有する。基板上に銅からなる配線を形成するために、基板上にポリマーを形成することが提案されている。そのような技術を開示する公報としては、例えば特許文献１がある。特許文献１に記載の製法は、基板上にカルボキシルグループ（carboxylic group）からなり、第２の金属イオンを吸着するポリマーを形成することと、第２の金属イオンを第２の金属に還元することと、第２の金属上に第１の金属を析出させること、とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１６０５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の製法では、基板はＵＶで照射され、そして、重合反応が進められている。特許文献１が開示する技術では、絶縁層を貫通するビアホールの内壁とビアホールを充填するビア導体がポリマーを介して密着することは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明は、ビアホールにおいても、金属膜と絶縁層との良好な密着性を得ることができる金属膜付き基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の絶縁層を準備することと、前記第１の絶縁層の第１面に第１の導体回路を形成することと、前記第１の絶縁層の第１面と第１の導体回路上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の絶縁層を形成することと、第１面から前記第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を前記第２の絶縁層に形成することと、重合開始剤及び重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む金属膜付き基板の製造方法であって、前記第１の絶縁層の第１面と前記第２の絶縁層の第２面は対向している。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る金属膜付き基板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の絶縁層を準備することと、前記第１の絶縁層の第１面に第１の導体回路を形成することと、前記第１の絶縁層の第１面と第１の導体回路上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の絶縁層を形成することと、第１面から前記第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を前記第２の絶縁層に形成することと、前記第２の絶縁層の第１面と前記貫通孔の内壁にエネルギーを照射することと、重合性化合物を含む組成物を前記貫通孔の内壁に形成することと、前記組成物にエネルギーを照射することにより、前記貫通孔の内壁にポリマーを形成することと、前記ポリマーにめっき用の触媒を付与することと、前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、を含む金属膜付き基板の製造方法であって、前記第１の絶縁層の第１面と前記第２の絶縁層の第２面は対向している。
【０００８】
なお、「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造する場合のほかに、完成品を購入して使用する場合なども含まれる。また、エネルギー照射には、電磁波の照射をはじめ、電子線、Ｘ線、プラズマ照射、コロナ放電、イオンビーム等の照射も含まれる。要は、所定の方向性をもって、エネルギーを照射するものであれば足りる。
【０００９】
本発明の第３の観点に係る金属膜付き基板は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記第１面上に形成された第１の導体回路と、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第１の絶縁層の前記第１面と前記第１の導体回路上に形成され、第１の導体回路に至り該第１面から第１の導体回路に向かってテーパーしている貫通孔を有する第２の絶縁層と、前記貫通孔の内壁に形成されているポリマーと、前記貫通孔の内壁に形成されためっき膜と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ビアホールにおいても、金属膜と絶縁層との良好な密着性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態１に係る金属膜付き基板を示す図である。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】金属膜付き基板の製造に用いる積層構造体を示す図である。
【図４】絶縁層にビアホールを形成する工程を説明するための図である。
【図５Ａ】ビアホールの形状の一例を示す断面図である。
【図５Ｂ】ビアホールの形状の別例を示す断面図である。
【図６】第１面側からビアホールを見た図である。
【図７】ビアホールの内壁も含め、絶縁層の表面に、組成物を塗布する工程を説明するための図である。
【図８】組成物にエネルギー照射する工程を説明するための図である。
【図９Ａ】エネルギーを照射した場合に、絶縁層の表面が活性化する過程を示す図である。
【図９Ｂ】エネルギーを照射した場合に、絶縁層と重合性化合物とが結合される過程を示す図である。
【図１０】グラフトポリマーが生成された絶縁層を示す図である。
【図１１】図８の一部拡大図である。
【図１２】金属イオンを還元して金属を形成する工程を説明するための図である。
【図１３】ビアホールの内壁も含め、絶縁層の表面に、無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。
【図１４Ａ】電解めっき方法の第１工程を説明するための図である。
【図１４Ｂ】電解めっき方法の第２工程を説明するための図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第１工程を説明するための図である。
【図１５Ｂ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第２工程を説明するための図である。
【図１５Ｃ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第３工程を説明するための図である。
【図１５Ｄ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第４工程を説明するための図である。
【図１６Ａ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第５工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第６工程を説明するための図である。
【図１６Ｃ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第７工程を説明するための図である。
【図１７Ａ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第８工程を説明するための図である。
【図１７Ｂ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第９工程を説明するための図である。
【図１７Ｃ】実施形態２に係る金属膜付き基板の製造方法における第１０工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態２に係る金属膜付き基板を示す図である。
【図１９Ａ】ビアホールにより露出するＳｎ膜を除去する金属膜付き基板の製造方法の第１工程を説明するための図である。
【図１９Ｂ】ビアホールにより露出するＳｎ膜を除去する金属膜付き基板の製造方法の第２工程を説明するための図である。
【図１９Ｃ】ビアホールにより露出するＳｎ膜を除去する金属膜付き基板の製造方法の第３工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
（実施形態１）
本実施形態に係る金属膜付き基板１００は、いわゆる多層プリント配線板である。具体的には、金属膜付き基板１００は、例えば図１に示すように、コア基板１０１の両面に、それぞれ配線層（導体回路）１０２と絶縁層１０３とが交互に積層されて構成される。なお、コア基板１０１は、例えばガラスクロス、アラミド不織布、ガラス不織布などの補強材と樹脂とからなる。配線層１０２は、例えば銅からなる。また、絶縁層１０３は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はフェノール系樹脂などの樹脂と無機粒子とからなる。
【００１４】
さらに、金属膜付き基板１００は、層間で複数の配線層１０２を電気的に接続するためのビア導体１０４及びスルーホール導体１０５も有する。ビア導体１０４及びスルーホール導体１０５の各端は、それぞれ矢印Ｙ１側の配線層１０２と矢印Ｙ２側の配線層１０２とに接続される。これにより、上下層の配線層１０２が電気的に接続される。
【００１５】
図２（図１中の領域Ｒ１の拡大図）に、ビア導体１０４の１つ（ビアホール４１）を拡大して示す。このビアホール（貫通孔）４１は、第２の絶縁層３２に形成されている。第１面（矢印Ｙ２側の面）と第１面とは反対側の第２面（矢印Ｙ１側の面）とを有する第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層３１と第１の導体回路２１上に形成される。詳しくは、第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層３１の第１面に形成されている。第１の絶縁層３１の第１面と第２の絶縁層３２の第２面が対向している。第１の絶縁層３１の第１面（矢印Ｙ２側の面）に第１の導体回路２１が形成されている。第２の絶縁層３２の第１面（矢印Ｙ２側の面）に第２の導体回路２２が形成されている。ビアホール４１には、ビア導体４１ａが充填されている。ビア導体４１ａは、第１の導体回路２１（導体パターン）と第２の導体回路２２（導体パターン）とを電気的に接続する。
【００１６】
ビアホール４１は、第２の絶縁層３２を貫通して第１の導体回路２１に達する貫通孔（開口）である。詳しくは、ビアホール４１の内壁は、第２の絶縁層３２の第１面側（矢印Ｙ２側）から第２面側（矢印Ｙ１側）に向かってテーパーしている。第１面から第２面に向かってテーパーしていることは、第１面から第２面（第１の導体回路２１）に向けて貫通孔（ビアホール４１）が徐々に細くなっていることを含んでいる。
【００１７】
ビア導体４１ａは、無電解めっき膜４１３と、無電解めっき膜４１３上の電解めっき膜４１４と、を有する。グラフトポリマー４１１は、ビアホール４１の内壁を含む第２の絶縁層３２の表面に形成される。グラフトポリマー４１１はポリマーやポリマー層と称することができる。第２の絶縁層の第２面とビアホール４１の内壁は平滑であることが好ましい。但し、第２面の凹凸が０．２５μｍ（Ra）以下の場合、本実施形態では第２面は平滑であると称する。ファインな導体回路を形成することができる。また、高速な信号（例えば３ＧＨｚ以上の信号）を伝送することが可能となる。さらに、第２面の凹凸は０．０１μｍ〜０．２μｍ（Ra）とすることができる。絶縁基板と絶縁基板上のポリマー間の密着強度が高くなる。また、ポリマー（ポリマー層）の厚みを薄くすることが出来る。グラフトポリマー４１１は、めっきを析出させるための触媒４１２との結合性を有する官能基を有する。触媒４１２は、グラフトポリマー４１１に結合している。無電解めっき膜４１３は、グラフトポリマー４１１及び触媒４１２を覆うように、ビアホール４１の内壁を含む第２の絶縁層３２の表面とビアホール４１に露出している第１の導体回路２１上に形成されている。電解めっき膜４１４は、無電解めっき膜４１３の第１面（矢印Ｙ２側の面）に形成されている。電解めっき膜４１４により、ビアホール４１の空洞が埋められる。また、無電解めっき膜４１３及び電解めっき膜４１４により、第２の導体回路２２が形成される。なお、各部の材質等の詳細については、後述の製造方法の説明の中で併せて説明する。また、ＲａはＪＩＳで定義されている粗さパラメーターのことである。
【００１８】
金属膜付き基板１００（図１）は、基本的には、積層配線板の一般的なビルドアッププロセスに従って、製造することができる。ただし、本実施形態では、例えば銅からなるビア導体１０４及び配線層１０２がポリマー層を介して第２の絶縁層３２上に形成されている。ビア導体や導体回路は第２の絶縁層３２と強固に密着する。以下、図１中の領域Ｒ１（図２に示す部分）に注目して、金属膜付き基板１００の製造方法について説明する。
【００１９】
図１は本実施形態のプリント配線板（金属膜付き基板１００）を示している。金属膜付き基板１００は一般的なビルドアッププロセスにより製造することができる。例えば図３に示すように、第１の導体回路２１を有するコア基板１０１（図１）に、第２の絶縁層３２を形成する。本実施形態ではコア基板１０１が第１の絶縁層３１に相当する。コア基板１０１は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する。第１の導体回路２１はコア基板１０１の第１面に形成されている。第２の絶縁層３２は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有している。第２の絶縁層３２はコア基板１０１の第１面と第１の導体回路２１上に形成されている。コア基板１０１の第１面と第２の絶縁層３２の第２面は向かい合っている。第２の絶縁層３２はビア導体用の貫通孔（ビアホール４１）を有している。ビアホール４１は第２の絶縁層３２の第１面から第１の導体回路２１に向かってテーパーしている。第２の絶縁層３２の第１面とビアホール４１の内壁は平滑である。
【００２０】
第２の絶縁層３２の表面（矢印Ｙ２側の面）は、例えばカルボキシアルキル基（−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＨ）等の官能基を有する。第２の絶縁層３２の官能基は、高分子化合物の相互作用性基（金属イオン等と相互作用する官能基）と、直接又は幹となる高分子化合物を介して、化学的に結合する。なお、第２の絶縁層３２の材料は樹脂であることが好ましい。厚さは任意である。第２の絶縁材料の樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルイミト樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アラミド樹脂、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、又はポリビニルアセタールなどが有効である。
【００２１】
第２の絶縁材料は上述の樹脂と無機粒子とからなる絶縁材料でもよい。無機粒子には、たとえば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、またはＳｉＯ２などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。
【００２２】
無機フィラーへのグラフトポリマー形成の場合には、例えば、一般的なシランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤は、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基等の有機材料と化学結合する官能基と、メトキシ基やエトキシ基等の無機材料と化学結合する官能基を有し、加水分解や縮合反応を経て、無機材料表面のヒドロキシル基（‐ＯＨ）と強固な化学結合を形成する。これにより、無機フィラー表面には、ビニル基、エポキシ基等の有機材料と化学結合する官能基が付与されるため、前述したグラフトポリマーを形成することができる。なお、予めシランカップリング処理が施された無機フィラーを含有する絶縁材料を用いる場合は、上述したシランカップリング剤を用いた処理を施す必要は無い。
【００２３】
続けて、例えばＣＯ２レーザ加工装置からＣＯ２レーザを第２の絶縁層３２に照射する。これにより、図４に示すように、第２の絶縁層３２に、第１の導体回路２１に達するビアホール４１が形成される。ビアホール４１は、第１の導体回路２１側（矢印Ｙ１側）に向かって縮径している。詳しくは、ビアホール４１の内壁は、第２の絶縁層３２の平坦な第１面から第１の導体回路２１に向かって、孔内側へ傾斜するテーパー状となる。図５Ａに示すように、ビアホール４１のトップ径Ｒ１１（第１面におけるビアホール４１の開口４１ｃの径）はビアホール４１のボトム径Ｒ１２（第１の導体回路２１の上面におけるビアホール４１の開口４１ｄの径）より大きい。また、ビアホール４１の内壁間の距離Ｒ１０は第１面から第１の導体回路２１に向かって徐々に小さくなっている（図５Ａ参照）。
【００２４】
なお、ビアホール４１の内壁は、例えば図５Ｂに示すように、曲面であってもよい。また、ビアホール４１の第１面側の開口４１ｃ及び第２面側の開口４１ｄの形状は、円形である（図６参照）。ビアホール４１の開口４１ｃは第２の絶縁層３２の第１面に形成されている。ただし、その開口形状は任意であり、例えば四角形、六角形、又は八角形等の多角形状であってもよい。また、開口４１ｃと開口４１ｄとは互いに異なる形状であってもよい。
【００２５】
続けて、デスミア（スミア除去）、ソフトエッチを行う。デスミアとしてはスパッタ等のドライデスミアが好ましい。その後、必要に応じて、絶縁基板１１の表面（第１面と第２面）、第１の開口１２ａ及び第２の開口１２ｂの壁面にプラズマ処理やコロナ処理等により表面改質を行なってもよい。
【００２６】
続けて、重合開始剤４１０ａ及び重合性化合物４１０ｂを適当な溶媒に溶かす。そして、図７に示すように、重合開始剤１３ａ及び重合性化合物１３ｂを含む組成物４１０を、ビアホール４１の内壁を含め、第２の絶縁層３２の第１面に形成する。組成物を基板表面に形成するには、例えば、組成物４１０を含む溶液にビアホール４１を有する基板を浸漬することで可能である。組成物１３を基板にスプレーしてもよい。あるいは、組成物１３を基板に塗布してもよい。
【００２７】
重合開始剤４１０ａは、例えばラジカル重合開始剤としての２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパンからなる。重合開始剤４１０ａは、ＵＶ（紫外線）照射等のエネルギー照射により、重合性化合物４１０ｂの重合を開始させる。重合性化合物４１０ｂは、例えば末端にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有するアクリル酸のモノマーからなる。重合性化合物４１０ｂは、相互作用性基としてのカルボキシル基により、第２の絶縁層３２と化学結合する。また、組成物４１０にエネルギー照射することによって、重合開始剤４１０ａの作用に基づき、重合性化合物４１０ｂは、グラフトポリマーとなる。重合性化合物４１０ｂの種類（成分や濃度等）は、生成すべきグラフトポリマーに応じて任意に選ぶことができる。組成物４１０の溶媒は、重合開始剤４１０ａ及び重合性化合物４１０ｂを溶解させる任意の液体からなる。乾燥の容易性等から、沸点が高すぎない溶媒、例えば沸点４０〜１５０℃程度のものが好ましい。
【００２８】
なお、重合開始剤４１０ａ及び重合性化合物４１０ｂ及び溶媒の種類は任意である。
【００２９】
重合開始剤１３ａは例えばアセトフェノン類、ケトン類、ベンゾインエーテル類、又はベンジルケタール類から選択することができる。アセトフェノン類としては、例えばｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどが有効である。ケトン類としては、例えばベンゾフェノン、４，４’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどが有効である。ベンゾインエーテル類としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどが有効である。ベンジルケタール類としては、ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが有効である。
【００３０】
重合開始剤４１０ａは、ラジカル重合開始剤に限定されず、例えばアニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤などを用いることもできる。また、上述した重合開始剤１３ａは、主に光重合開始剤を列挙している。光重合開始剤以外に、熱重合開始剤を用いることもできる。熱重合開始剤としては、アゾ系開始剤、過酸化物等が挙げられる。アゾ系開始剤としては、限定されるわけではないが、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（イソブチレート）、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル等が挙げられる。また、過酸化物としては、限定されるわけではないが、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウロイル等が挙げられる。
【００３１】
重合性化合物４１０ｂは、例えばイタコン酸、２−ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−モノメチロールアクリルアミド、Ｎ−ジメチロールアクリルアミド、アリルアミン、３−ビニルプロピオン酸、ビニルスルホン酸、２−スルホエチルアクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノアクリレート、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン等のモノマーのいずれか又は組合せであってもよい。
【００３２】
重合性化合物４１０ｂは、モノマーに限定されず、例えば分子内に重合性基を有する疎水性ポリマーであってもよい。疎水性ポリマーとしては、例えばポリブタジエン等のジエン系単独重合体、例えばアリルアクリレー卜等のアリル基含有モノマーの単独重合体、例えばジエン系単量体を含むスチレン等の二元又は多元共重合体、例えば不飽和ポリエステルや高密度ポリエチレン等の炭素−炭素二重結合を有する線状高分子又は３次元高分子類などが有効である。
【００３３】
重合性化合物４１０ｂの相互作用性基は、カルボキシル基のほか、例えばスルホン酸基、リン酸基、アミノ基、水酸基、アミド基、ホスフィン基、イミダゾール基、ピリジン基、又はエーテル基等の官能基であってもよい。
【００３４】
溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、３−メトキシプロパノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピルアセテートのいずれか又はこれらの組合せなどが有効である。
【００３５】
その後、加熱処理して、溶媒を乾燥除去する。また、必要に応じて、予備硬化の光照射をする。
【００３６】
続けて、図８に示すように、例えばＵＶランプ等により、ビアホール４１の内壁を含めた第２の絶縁層３２の表面に、ＵＶ（紫外線）照射する。この際、ビアホール４１の内壁が、第１の導体回路２１に向かってビアホール４１の内側へ傾斜するテーパー状の形状をしている。そのため、ＵＶはビアホール４１の内壁の全面に照射され易い。詳しくは、ビアホール４１の内壁の面は、第２の絶縁層３２の平坦な表面（第１面）から第１の導体回路２１にかけて、開口４１ｃにより露出されている。このため、ビアホール４１の内壁の全面に、概ね均一にＵＶが照射される。ＵＶは平行光が好ましく、ＵＶを照射する方向は第２の絶縁層３２の第１面に対し垂直であることが好ましい。
【００３７】
なお、エネルギー照射はＵＶ照射に限定されず、例えば電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、又は高密度エネルギービーム（レーザービーム）の照射等、他のエネルギー照射であってもよい。また、光源も任意である。光源は、例えば水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等であってもよい。
【００３８】
組成物４１０にエネルギー（ＵＶ）が照射されると、例えば図９Ａに示すように、ラジカル（活性種）が発生する。そして、活性化した重合開始剤４１０ａにより、第２の絶縁層３２表面の官能基（−ＣＨ２ＣＯＯＨ）の水素が引き抜かれ、第２の絶縁層３２の表面が活性化する。そして、その活性化した官能基（−ＣＨ・ＣＯＯＨ）が、例えば図９Ｂに示すように、重合性化合物４１０ｂ（アクリル酸）のビニル基（Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−）と反応する。第２の絶縁層３２と重合性化合物４１０ｂとは、カルボキシアルキル基（−ＣＨ２ＣＯＯＨ）とビニル基（Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−）との反応（カップリング反応／重合反応）により、化学的に結合される。これにより、例えば図１０に示すように、ビアホール４１の内壁も含め、第２の絶縁層３２の表面に、グラフトポリマー４１１が生成される。以上に説明した反応により、グラフトポリマー４１１が第２の絶縁層３２の第１面とビアホール４１の内壁に形成されると考えられる。グラフトポリマー４１１はポリマーやポリマー層と称されることがある。
【００３９】
また、活性化した重合開始剤１３ａによって重合性化合物１３ｂの水素が引き抜かれ、重合性化合物１３ａ同士が重合反応を繰り返すことによりポリマー１７が形成される。結果、活性化した官能基（−ＣＨ・ＣＯＯＨ）とポリマー１７とが結合することによって、第２の絶縁層３２の第１面と貫通孔の内壁にグラフトポリマー１４が形成されるメカニズムも考えられる。
【００４０】
なお、カップリング反応においては、（−ＣＯＯＨとアミン）、（−ＣＯＯＨとアジリジン）、（−ＣＯＯＨとイソシアネート）、（−ＣＯＯＨとエポキシ）、（−ＮＨ２とイソシアネート）、（−ＮＨ２とアルデヒド類）、（−ＯＨとアルコール）、（−ＯＨとハロゲン化化合物）、（−ＯＨとアミン）、（−ＯＨと酸無水物）等の組み合わせが有効である。したがって、第２の絶縁層３２と重合性化合物１３ｂはそれぞれ官能基を有し、第２の絶縁層３２が有している官能基と重合性化合物１３ｂが有している官能基は上述した組み合わせを満足していることが好ましい。なお、前述したように、デスミア処理後にプラズマ処理やコロナ処理等の表面改質を行なった場合、絶縁層表面にラジカルが形成されると考えられる。このラジカルと重合性化合物１３ｂが反応することで、第２の絶縁層３２の第１面と貫通孔の内壁にグラフトポリマーを形成することが出来ると考えられる。この場合、組成物１３は重合成化合物からなる。組成物１３は重合開始剤１３ａを含まなくても良い。
【００４１】
なお、カップリング反応においては、（−ＣＯＯＨとアミン）、（−ＣＯＯＨとアジリジン）、（−ＣＯＯＨとイソシアネート）、（−ＣＯＯＨとエポキシ）、（−ＮＨ２とイソシアネート）、（−ＮＨ２とアルデヒド類）、（−ＯＨとアルコール）、（−ＯＨとハロゲン化化合物）、（−ＯＨとアミン）、（−ＯＨと酸無水物）等の組み合わせが有効である。したがって、第２の絶縁層３２と重合性化合物４１０ｂはそれぞれ官能基を有し、第２の絶縁層３２とが有している官能基と重合性化合物４１０ｂが有している官能基は上述した組み合わせを満足していることが好ましい。
【００４２】
続けて、図１１（図１０中の領域Ｒ２の拡大図）に示すように、第２の絶縁層３２の第１面とビアホール４１の内壁に無電解めっき膜４１３（図２）を析出させるための触媒４１２（図１２参照）として機能する金属イオン４１２ａ（無電解めっきが開始するための触媒）を付与する。具体的には、例えばビアホール４１の内壁も含め、第２の絶縁層３２の表面を、塩化パラジウム溶液（パラジウムイオン濃度：０．１Ｍ）に浸漬して、金属イオン４１２ａとしてのパラジウムイオンをグラフトポリマー４１１に付与する。
【００４３】
触媒４１２は、グラフトポリマー４１１を介して第２の絶縁層３２の第１面とビアホール４１の内壁に付与される。絶縁基板の表面に付与することは、触媒として機能する金属イオンを付与することや触媒として機能する金属を有する化合物を付与することを含んでいる。触媒として機能する金属を有する化合物としては、金属塩、錯体、錯イオンやコロイドを挙げることができる。
【００４４】
触媒を付与する前に、ビアホール４１により露出する第１の導体回路２１の表面をエッチングしてもよい。ビアホール４１により露出する第１の導体回路２１の表面を第２の絶縁層３２で覆われている第１の導体回路２１の表面より凹ませることで、ビアホール４１により露出する第１の導体回路２１上にポリマー層が形成されることを防止できる。第１の導体回路２１とビア導体４１ａ（図２）との接続信頼性が高くなる。
【００４５】
グラフトポリマー４１１は、金属イオン４１２ａ（及びその金属塩）との結合性を有する官能基４１１ａ（−ＲＣＸ）を含む。すなわち、官能基４１１ａは、負電荷の非共有電子対を有するので、正の電荷を有する金属イオン４１２ａを吸着することができる。このため、金属イオン４１２ａを含む溶液に第１面とビアホール４１の内壁にポリマーが形成されている絶縁基板を浸漬することによりグラフトポリマー４１１に金属イオン４１２ａが吸着する。錯イオンはイオン性であるので、金属イオンと同様にポリマーに吸着する。コロイドが電荷を有する場合、コロイドは金属イオンと同様にポリマーに吸着する。
【００４６】
金属塩は、官能基４１１ａの非共有電子対と配位結合を形成する。錯体は官能基４１１ａの非共有電子対と配位結合を形成する。電荷を有しないコロイドは官能基４１１ａの非共有電子対と配位結合を形成する。
【００４７】
以上に説明したメカニズムにより、触媒もしくは触媒として機能する金属イオンもしくは触媒として機能する金属を含む化合物がグラフトポリマーに吸着すると考えられる。
【００４８】
なお、官能基４１１ａ及び金属イオン４１２ａの種類は任意である。官能基４１１ａとしては、例えばカルボキシル基、スルホニル基、ヒドロキシル基等の親水性基などが有効である。金属イオン４１２ａとしては、例えばパラジウム、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、鉄、Ｃｏ、金、Ｃｒ等のイオンなどが有効である。
【００４９】
また、金属イオン４１２ａを付与する手法も任意である。例えば金属塩を微粒子状にして、第２の絶縁層３２の表面に直接付着させることで、グラフトポリマー４１１に付与してもよい。また、金属塩を溶媒に溶かしたものを、第２の絶縁層３２の表面に塗布することで、グラフトポリマー４１１に付与してもよい。
【００５０】
また、金属イオン４１２ａに代えて、金属塩、錯体、錯イオン、コロイドを吸着させてもよい。
【００５１】
その後、必要に応じて、ビアホール４１の内壁も含め、第２の絶縁層３２の表面を水洗して、余分な金属イオン４１２ａを除去する。続けて、触媒が付いている絶縁基板は還元剤を含有する溶液に浸漬される。図１２に示すように、還元剤により金属イオン４１２ａは金属に還元され、無電解めっきが開始するための触媒４１２となる。第２の絶縁層３２の表面に吸着している金属イオン４１２ａが金属に還元される。そして、第２の絶縁層３２の表面に、金属微粒子（触媒４１２）が析出する。還元剤としては、ヒドラジン、酒石酸、ホウ素化物、アルデヒド類、次亜リン酸、ホスフィン酸及びホスホン酸の中から選ばれる少なくとも１種又はその塩が好ましい。ホウ素化物としては、テトラヒドロホウ酸ナトリウムのようなテトラヒドロホウ酸塩、トリメチルアミンボランやジメチルアミンボランのようなアミンボラン類等が、アルデヒド類としてはホルマリン、アセトアルデヒド等が挙げられる。本実施形態では１Ｍの次亜リン酸を使用している。
【００５２】
なお、還元剤を添加する手法は任意である。例えば第２の絶縁層３２の表面に直接、所定の濃度の還元剤水溶液を塗布又は滴下してもよい。
【００５３】
続けて、図１３に示すように、ビアホール４１の内壁も含め、第２の絶縁層３２の表面に、例えば銅からなる無電解めっき膜４１３（金属膜）を形成する。具体的には、例えばビアホール４１の内壁も含め、第２の絶縁層３２の表面を、所定の時間、所定の温度の無電解めっき浴に浸漬する。このめっきは、触媒４１２が核となって進行する。そのため、第２の絶縁層３２と無電解めっき膜４１３との間に、強固な結合（密着）が形成される。本実施形態では、触媒が付与された絶縁基板を上村工業社製の無電解銅めっき液（ＴＨＲＵ−ＣＵＰ）に浸漬し、絶縁基板の表面に０．３〜３μｍの無電解銅めっき膜を形成する。なお、無電解めっき浴は、例えばめっきされる金属イオン、還元剤、及び安定剤を含むものとする。ただしこれに限定されず、無電解めっき浴の種類は、任意である。めっきされる金属イオンは、銅のほか、例えばクロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、又は亜鉛等であってもよい。
【００５４】
続けて、例えばサブトラクティブ法又はセミアディティブ法（例えば、プリント配線技術読本、日刊工業新聞社発行参照）等により、ビア導体４１ａ及び第２の導体回路２２（図２）を形成する。具体的には、例えば無電解めっき膜４１３をシード層として、電解めっきにより、ビアホール４１に電解めっき膜４１４を充填するとともに、無電解めっき膜４１３の上にも電解めっき膜４１４を形成する。そして、熱処理後、無電解めっき膜４１３及び電解めっき膜４１４をパターニングすることにより、先の図２に示したようなビア導体４１ａ及び第２の導体回路２２を形成する。第２の絶縁層３２の第１面上の第２の導体回路２２と第１の絶縁層３１の第１面上の第１の導体回路２１はビア導体４１ａにより接続される。
【００５５】
以下に、本実施形態に使用できる電解めっき方法を図１４Ａ及び図１４Ｂに示す。
【００５６】
まず、無電解めっき膜４１３が形成されている基板を電解めっき液４１４ａに浸漬する。電解めっき液としては市販の電解銅めっき液を使用することができる。その後、図１４Ａに示すように、第２の絶縁層３２の第１面に絶縁体１０００を押し当てる。絶縁体１０００としては、スポンジやハケなどを利用することができる。次に、図１４Ｂに示すように、基板と絶縁体１０００との少なくとも一方を移動させる。つまり、基板と絶縁体１０００とは相対的に移動する。
【００５７】
その時、無電解めっき膜４１３をシードとして、無電解めっき膜４１３上に電解めっき膜４１４を形成する。第２の絶縁層３２の第１面に無電解めっき膜４１３と無電解めっき膜４１３上の電解めっき膜４１４とからなる導体層が形成される。ビアホール４１の内壁に無電解めっき膜４１３と無電解めっき膜４１３上の電解めっき膜４１４が形成される。ビアホール４１は電解めっき膜４１４で充填される。ビア導体４１ａが形成される（図２参照）。この電解めっきでは、無電解めっき膜４１３は無電解銅めっき膜であり、電解めっき膜４１４は電解銅めっき膜である。
【００５８】
この方法によれば、絶縁体１０００を使わない電解めっきに比べ、第１面上に形成される導体層の厚みが薄くなる。また、絶縁体１０００をポリマーに押し当てながら電解めっき膜４１４を形成するため、ポリマーと導体層との密着が強くなりやすい。このため、平滑な第２の絶縁層３２の第１面と導体層間の密着力が高くなりやすい。また、ポリマー層は絶縁基板より弾性率が低いので、絶縁体１０００が絶縁基板の表面に追従しやすくなる。その結果、コア基板１０１の第１面上の第２の絶縁層３２に形成される導体層の厚みとコア基板１０１の第２面上の第２の絶縁層３２に形成される導体層の厚みとが略同一厚みとなる。なお、図１はコア基板１０１の両面に第２の絶縁層３２が形成されている例を示している。
【００５９】
上記工程を所定の回数だけ繰り返すことで、所定層数の金属膜付き基板１００が完成する。金属膜付き基板１００は、例えば外形加工、反り修正、通電検査、外観検査、及び最終検査等を経ることにより、製品となる。
【００６０】
（実施形態２）
支持板として、シート状の０．２ｍｍ厚の銅板２０１を準備する。銅板２０１は、第１面（矢印Ｙ２側の面）と第１面とは反対側の第２面（矢印Ｙ１側の面）を有している。図１５Ａに示すように、銅板２０１の第１面に、開口２００１ａを有するめっきレジスト２００１を形成する。めっきレジスト２００１の厚みは、２５〜５０μｍ程度が好ましい。本実施形態２では３０μｍである。
【００６１】
続いて、銅板２０１を電極として、めっきレジスト２００１の開口２００１ａから露出する銅板２０１上に、金膜、パラジウム膜、ニッケル膜の順で金属層２０２ａを形成する（図１５Ｂ）。その後、銅板２０１を電極として、金属層２０２ａ上に電解銅めっき膜２０２ｂを形成する（図１５Ｃ）。電解銅めっき膜２０２ｂはマザーボードや電子部品と接続するための電極として機能する。
【００６２】
次に、図１５Ｄに示すように、めっきレジスト２００１が除去される。続いて、銅板２０１の第１面と電解銅めっき膜２０２ｂ上に層間樹脂絶縁層用のフィルムを貼り付ける。フィルムを熱硬化することで、銅板２０１の第１面と電解銅めっき膜２０２ｂ上に層間樹脂絶縁層２０３が形成される（図１６Ａ）。層間樹脂絶縁層２０３は第１の絶縁層に相当する。層間樹脂絶縁層２０３としては、熱硬化性樹脂と無機粒子とからなる絶縁層や熱硬化性樹脂と補強材とからなる絶縁層や熱硬化性樹脂と無機粒子と補強材とからなる絶縁層を例示することができる。補強材としては、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布などを使用することができる。無機粒子としては上述の実施形態と同様な粒子を利用できる。本実施形態２では、層間樹脂絶縁層２０３として、味の素ファインテクノ社製のＡＢＦフィルムＧＸ−１３が形成されている。
【００６３】
層間樹脂絶縁層２０３は第１面（矢印Ｙ２側の面）と第１面とは反対側の第２面（矢印Ｙ１側の面）を有しており、層間樹脂絶縁層２０３の第２面は銅板２０１の第１面と対向している。層間樹脂絶縁層２０３の第１面は平滑である。
【００６４】
層間樹脂絶縁層２０３の第１面側から層間樹脂絶縁層２０３に炭酸ガスレーザを照射する。電解銅めっき膜２０２ｂに至るビアホール２０４が層間樹脂絶縁層２０３に形成される（図１６Ｂ）。ビアホール２０４は層間樹脂絶縁層２０３の第１面から電解銅めっき膜２０２ｂ（電極）に向かってテーパーしている。
【００６５】
以降は、実施形態と実質的に同様である。ドライでデスミアを行い、ビアホール２０４から露出している電極表面の樹脂残渣を除去する。層間樹脂絶縁層２０３の第１面とビアホール２０４の内壁にポリマー層を形成する。その後、ポリマー層に触媒を付与する。この時、ビアホール２０４により露出される導体回路やビア導体、電極の表面に触媒が付与される。
【００６６】
次に、層間樹脂絶縁層２０３の第１面とビアホール２０４の内壁とビアホール２０４により露出する電極（導体回路）の表面に例えば無電解銅めっき膜などの無電解めっき膜を形成する。セミアディティブ法で層間樹脂絶縁層２０３上に第１の導体回路２０５ａを形成する。同時に、ビアホール２０４内をめっき膜で充填することでビア導体２０５ｂが形成される。ビア導体２０５ｂにより、電極（電解銅めっき膜２０２ｂ）と第１の導体回路２０５ａが接続される（図１６Ｃ参照）。
【００６７】
なお、第１の導体回路２０５ａとビア導体２０５ｂは、図１４Ａ及び図１４Ｂを参照して説明した方法により形成することもできる。
【００６８】
続いて、第１の導体回路２０５ａの表面とビア導体２０５ｂの表面にＳｎめっき膜を形成する（図示せず）。Ｓｎめっき膜は、例えば、５％程度のスズと１０％程度のチオ尿素を含む水溶液に基板を浸漬することで形成できる。この時、第１の導体回路２０５ａの表面とビア導体２０５ｂの表面は平滑であることが好ましい。層間樹脂絶縁層２０３の第１面と第１の導体回路２０５ａとビア導体２０５ｂ上に層間樹脂絶縁層２０６（第２の絶縁層）を形成する（図１７Ａ）。層間樹脂絶縁層２０６は層間樹脂絶縁層２０３と同じ材料を使用できる。層間樹脂絶縁層２０６は第１面（矢印Ｙ２側の面）と第１面とは反対側の第２面（矢印Ｙ１側の面）を有している。層間樹脂絶縁層２０３の第１面と層間樹脂絶縁層２０６の第２面が対向している。層間樹脂絶縁層２０６の第２面は平滑である。
【００６９】
図１６Ｂの工程と同様にして、層間樹脂絶縁層２０６にビアホール２０７を形成する（図１７Ｂ）。続けて、図１６Ｃの工程と同様にして、層間樹脂絶縁層２０６の第１面に第２の導体回路２０８ａを形成するとともに、ビアホール２０７内にビア導体２０８ｂを形成する（図１７Ｃ）。これにより、中間基板２００ａが完成する。中間基板２００ａからエッチングにより支持板（銅板２０１）が除去されることでプリント配線板（金属膜付き基板２００）が完成する（図１８）。
【００７０】
この時、ビアホール２０７により露出するＳｎ膜はアルカリ等のエッチング液で除去されることが好ましい。これにより、ビア導体２０８ｂ（第２のビア導体）とビア導体２０５ｂ（第１のビア導体）との間もしくはビア導体２０８ｂ（第２のビア導体）と第１の導体回路２０５ａとの間の接続信頼性が向上する。
【００７１】
ビアホールにより露出するＳｎ膜が除去される例を、図１９Ａ〜図１９Ｃに示す。図１９Ａは、表面にＳｎ膜３０１ａが形成されている導体３０１ｂ（例えば導体回路、ビア導体、又は電極等）を覆う絶縁層３０２にビアホール３０３が形成されている状態を示している。図１９Ｂは、ビアホール３０３に露出する導体３０１ｂ上のＳｎ膜３０１ａが除去されている状態を示している。図１９Ｃは、上層のビア導体３０４ｂと導体３０１ｂとが直接接続していることを示している。
【００７２】
ポリマー層形成後であって、触媒付与前に、ビアホール３０３により露出する導体３０１ｂの表面をエッチングしてもよい。ビアホール３０３により露出する導体３０１ｂの表面を絶縁層３０２で覆われている導体３０１ｂの表面より凹ませることで、ビアホール３０３により露出する導体３０１ｂ上にポリマー層が形成されることを防止できる。
【００７３】
ビアホール３０３により露出する導体３０１ｂはポリマー層から露出している。つまり、ビアホール３０３により露出する導体３０１ｂ上にはポリマー層は形成されていない。
【００７４】
ビアホール３０３の内壁がテーパーしているので、ポリマー層とビアホールの内壁（絶縁層の側壁）との接触面積が大きくなる。このため、ポリマー層とビアホール３０３の内壁との接着強度が高くなる。
【００７５】
本実施形態の製造方法によれば、ビアホールの内壁がテーパーしているので、エネルギー（例えばＵＶ）が、ビアホール４１の内壁の全面にほぼ均一に照射される。照射するＵＶは平行光が好ましい。絶縁層の第１面に対し垂直な方向から平行光を一度照射することで、ビアホールの内壁の全面がほぼ均一にＵＶ光で照射される。このため、例えば実施形態１において、無電解めっき膜４１３と第２の絶縁層３２との良好な密着がポリマー層を介して得ることができる。第２の絶縁層に形成されている貫通孔により露出している第１の導体回路は露出していることが好ましい。つまり、ポリマー層は第２の絶縁層の第１面と貫通孔の内壁に形成されているが、第２の絶縁層に形成されている貫通孔により露出している第１の導体回路の表面にポリマー層が形成されていないことが好ましい。
【００７６】
しかも、本実施形態の製造方法では、グラフトポリマー４１１に付与した触媒４１２を無電解めっきの核として、無電解めっき膜４１３を形成する。このため、平坦な第２の絶縁層３２においても、第２の絶縁層３２と金属膜（無電解めっき膜４１３）との高い密着性が得られる。
【００７７】
上記実施形態において、各層の材質、サイズ、層数等は、任意に変更可能である。
【００７８】
上記実施形態の工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【００７９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明の実施の形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【００８０】
１１  絶縁基板
１３  組成物
１３ａ  重合開始剤
１３ｂ  重合性化合物
２１  第１の導体回路
２２  第２の導体回路
３１  第１の絶縁層
３２  第２の絶縁層
４１  ビアホール
４１ａ  ビア導体
１００、２００  金属膜付き基板
１０１  コア基板
１０２  配線層
１０３  絶縁層
１０４  ビア導体
１０５  スルーホール導体
２００ａ  中間基板
２０２ａ  金属層
２０２ｂ  電解銅めっき膜
２０３  層間樹脂絶縁層
２０４  ビアホール
２０５ａ  第１の導体回路
２０５ｂ  ビア導体
２０６  層間樹脂絶縁層
２０７  ビアホール
２０８ａ  第２の導体回路
２０８ｂ  ビア導体
３０１ａ  Ｓｎ膜
３０１ｂ  導体
３０２  絶縁層
３０３  ビアホール
３０４ｂ  ビア導体
４１０  組成物
４１０ａ  重合開始剤
４１０ｂ  重合性化合物
４１１  グラフトポリマー
４１１ａ  官能基
４１２  触媒
４１２ａ  金属イオン
４１３  無電解めっき膜
４１４  電解めっき膜
４１４ａ  電解めっき液
【図１】
2010245517.tif 000003
【図２】
2010245517.tif 000004
【図３】
2010245517.tif 000005
【図４】
2010245517.tif 000006
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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