(57)【要約】【課題】半導体チップの放熱を考慮した半導体装置において、半導体チップの放熱効率を低下させること無く、製造コストを低く抑えることができるようにする。【解決手段】半導体チップ３と、これを表面５ａに配した板状のステージ部５と、半導体チップ３の周囲に配される複数のリード７と、リード７及び半導体チップ３を相互に電気接続するワイヤ９と、半導体チップ３、ステージ部５、リード７及びワイヤ９を一体に固定する樹脂モールド１１とを備え、リード７がステージ部５の厚さ方向に関してステージ部５の表面５ａよりも上方に配され、ステージ部５の裏面５ｂには、この裏面５ｂよりも広い面積を有する板状の放熱ステージ部１３が固定され、ステージ部５の裏面５ｂと同じ方向に向く放熱ステージ部１３の裏面１３ｂが、樹脂モールド１１の外方に露出している半導体装置１を提供する。【選択図】図３
2010040846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、該半導体チップを表面に配した板状のステージ部と、前記半導体チップの周囲に配される複数のリードと、当該リード及び前記半導体チップを相互に電気接続するワイヤと、前記半導体チップ、前記ステージ部、前記リード及び前記ワイヤを一体に固定する樹脂モールドとを備え、
前記複数のリードが、前記ステージ部の厚さ方向に関して当該ステージ部の表面よりも上方に配され、
前記ステージ部の裏面には、当該ステージ部の裏面よりも広い面積を有する板状の放熱ステージ部が固定され、
前記ステージ部の裏面と同じ方向に向く前記放熱ステージ部の裏面が、前記樹脂モールドの外方に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱ステージ部の面方向の周縁に一体に形成され、当該放熱ステージ部に対して前記樹脂モールドの内方側に折曲された折曲板部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱ステージ部に対する前記折曲板部の傾斜角度が、２０度以上かつ７０度以下に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ステージ部と前記放熱ステージ部とが接合剤を介して相互に接合され、
前記ステージ部の裏面及び当該裏面に接合される前記放熱ステージ部の表面の少なくともいずれか一方に、凹凸面が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステージ部と、当該ステージ部の面方向の周囲に配されて前記複数のリードを有するフレーム部と、当該フレーム部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを備える金属性薄板からなり、さらに、前記連結リードの少なくとも一部に前記金属性薄板の厚さ方向に延びるダウンセット部を形成することで前記ステージ部の表面が前記フレーム部よりも下方に配置されたリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
前記ステージ部の表面に前記半導体チップを固着するチップ配置工程と、
前記半導体チップと前記複数のリードとをワイヤで接続する配線工程と、
前記ステージ部の裏面に前記放熱ステージ部を接合する接合工程と、
前記半導体チップ、前記ステージ部、前記リード、前記連結リード及び前記ワイヤを一体に固定する前記樹脂モールドを成形する樹脂モールド工程と、を順番に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接合工程においては、前記ステージ部と前記放熱ステージ部とが接合剤を介して相互に接合され、さらに、前記連結リードを下方に押下げることで、前記ステージ部を前記放熱ステージ部の表面に向けて押し付けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記連結リードは、前記フレーム部と前記ダウンセット部との間に形成されて前記ステージ部の表面と同じ方向に向くリードの表面よりも上方に位置するアップセット部を備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合工程においては、前記ダウンセット部よりも前記ステージ部側に位置する前記連結リードの一端が、前記ステージ部と共に前記放熱ステージ部の表面に接合されることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップの放熱を考慮した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、例えば特許文献１のように、表面に半導体チップ（ペレット）を配したステージ部（タブ）の周囲に、ワイヤによって半導体チップと電気接続される複数のリードを配し、これら半導体チップ、ステージ部、リード及びワイヤを樹脂パッケージにより封止した構成のものがある。このような構成の半導体装置の製造には、その取り回しの良さから、ステージ部やリードを一体に成形したリードフレームを使用することが多い。
この種の半導体装置では、半導体チップにおいて発生する熱を効率よく放熱できるように様々な工夫が施されている。例えば、特許文献１に記載の半導体装置では、ステージ部の周囲から一体に延びる放熱フィンリードを設け、この放熱フィンリードの先端部をリードと同様に樹脂パッケージの外方に露出させている。これにより、半導体チップにおいて発生した熱が、ステージ部から放熱フィンリードに伝播され、樹脂パッケージの外方に放熱されるようになっている。
また、半導体チップの熱を効率よく放熱する従来の手法としては、ステージ部の裏面を樹脂パッケージの外方に露出させることがある。この構成では、放熱フィンリードを使用する場合と比較して、半導体チップの放熱効率をさらに高めることができる。
【特許文献１】特開平３−２５０６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、半導体チップは年々小型化する傾向にあるが、ステージ部の大きさに対して半導体チップが小さくなると半導体チップとリードとの距離が大きくなり、結果として、これらを接続するワイヤが長くなるという問題が生じる。特に、ワイヤとしては信頼性に優れるもののコストの高い金ワイヤが使用されることが多いため、ワイヤが延長されると半導体装置の製造コストが高くなってしまう、という問題がある。
一方、半導体チップの大きさに合わせてステージ部の大きさを小さくすれば、半導体チップとリードとの距離を小さく設定することは可能となるが、外方に露出するステージ部裏面の面積も小さくなってしまうため、半導体チップの放熱効率が低下する、という問題が生じる。
【０００４】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体チップの放熱効率を低下させること無く、製造コストを低く抑えることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記この課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップを表面に配した板状のステージ部と、前記半導体チップの周囲に配される複数のリードと、当該リード及び前記半導体チップを相互に電気接続するワイヤと、前記半導体チップ、前記ステージ部、前記リード及び前記ワイヤを一体に固定する樹脂モールドとを備え、前記複数のリードが、前記ステージ部の厚さ方向に関して当該ステージ部の表面よりも上方に配され、前記ステージ部の裏面には、当該ステージ部の裏面よりも広い面積を有する板状の放熱ステージ部が固定され、前記ステージ部の裏面と同じ方向に向く前記放熱ステージ部の裏面が、前記樹脂モールドの外方に露出していることを特徴とする。
【０００６】
この発明に係る半導体装置によれば、ステージ部を小さく形成しても、このステージ部よりも大きい放熱ステージ部の裏面が樹脂モールドの外方に露出しているため、半導体チップの放熱効率の低下を防止することができる。
また、ステージ部を半導体チップの大きさに合わせて小さく形成することで、リードから半導体チップまでの距離が長くなることを容易に防止できるため、これらを接続するワイヤの長さも短く設定することが可能となる。したがって、半導体装置の製造コストを低く抑えることが可能となる。
なお、リードはステージ部の表面よりも上方に配置されているため、ステージ部の裏面に固定された放熱ステージ部の一部がステージ部の周縁から面方向に突出し、この放熱ステージ部の突出部分がリードに対向して配置されていても、この突出部分とリードとの間には隙間が形成される。したがって、リードが放熱ステージ部に接触することはなく、半導体装置の電気回路が短絡することはない。
【０００７】
なお、前記半導体装置は、前記放熱ステージ部の面方向の周縁に一体に形成され、当該放熱ステージ部に対して前記樹脂モールドの内方側に折曲された折曲板部を備えることが好ましい。
このように折曲板部が樹脂モールド内に埋設されることで、放熱ステージ部と樹脂モールドとが相互に係合するため、放熱ステージ部が樹脂モールドから剥離することを防止できる。
【０００８】
そして、前記半導体装置においては、前記放熱ステージ部に対する前記折曲板部の傾斜角度が２０度以上かつ７０度以下に設定されていることがより好ましい。
これは、折曲板部の傾斜角度が２０度よりも小さいと、放熱ステージ部の裏面の周囲に形成される樹脂モールドに樹脂バリが発生し易くなるためである。また、折曲板部の傾斜角度が７０度よりも大きいと、樹脂モールドに対する放熱ステージ部の固定強度が弱くなり、放熱ステージ部が樹脂モールドから剥離する虞が生じるためである。
すなわち、折曲板部の傾斜角度を２０度以上かつ７０度以下に設定することで、樹脂バリのない樹脂モールドを形成することができると共に、放熱ステージ部が樹脂モールドから剥離することも確実に防止できる。
【０００９】
また、前記半導体装置においては、前記ステージ部と前記放熱ステージ部とが接合剤を介して相互に接合され、前記ステージ部の裏面及び当該裏面に接合される前記放熱ステージ部の表面の少なくともいずれか一方に、凹凸面が形成されていてもよい。
このようにステージ部の裏面や放熱ステージ部の表面に凹凸面を形成することで、接合剤に接触するステージ部の裏面や放熱ステージ部の表面の面積が増加する。すなわち、ステージ部と放熱ステージ部との実質的な接合面積を増加させることができ、ステージ部と放熱ステージ部との接合強度向上を図ることができる。
【００１０】
そして、本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置を製造する方法であって、前記ステージ部と、当該ステージ部の面方向の周囲に配されて前記複数のリードを有するフレーム部と、当該フレーム部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを備える金属性薄板からなり、さらに、前記連結リードの少なくとも一部に前記金属性薄板の厚さ方向に延びるダウンセット部を形成することで前記ステージ部の表面が前記フレーム部よりも下方に配置されたリードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記ステージ部の表面に前記半導体チップを固着するチップ配置工程と、前記半導体チップと前記複数のリードとをワイヤで接続する配線工程と、前記ステージ部の裏面に前記放熱ステージ部を接合する接合工程と、前記半導体チップ、前記ステージ部、前記リード、前記連結リード及び前記ワイヤを一体に固定する前記樹脂モールドを成形する樹脂モールド工程と、を順番に実施することを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置の製造方法によれば、配線工程が終了した後に接合工程を実施することで、放熱ステージ部の大きさがステージ部よりも大きく設定され、さらに、ステージ部に接合された放熱ステージ部の一部がステージ部の周縁から面方向に突出していても、半導体装置を容易に製造することが可能となる。
すなわち、配線工程においてリードの表面にワイヤをボンディングする際には、リードをその裏面側から支持する必要があるため、配線工程の前にリードの裏面側に放熱ステージ部の一部が対向配置されていると、上記ワイヤボンディングの実施が困難となる。これに対し、上述したように、放熱ステージ部を接合する前に配線工程を実施しておくことで、配線工程におけるリードの支持が放熱ステージ部によって阻害されることを防止できるため、上記ワイヤボンディングを容易かつ確実に行うことができる。
【００１２】
また、リードフレームの連結リードにダウンセット部を形成しておくことで、リードを含むフレーム部がステージ部の表面よりも上方に配置されるため、ステージ部の裏面に接合された放熱ステージ部の一部が、ステージ部の周縁から面方向に突出し、この放熱ステージ部の突出部分がリードの裏面に対向配置されていても、この突出部分とリードとの間には隙間が形成されるため、放熱ステージ部とリードとの接触を回避できる。
さらに、連結リードにダウンセット部を形成しておくことで、このダウンセット部が無い場合と比較して、ステージ部に固着された半導体チップに対してリードをその面方向により近づけることができる。したがって、半導体チップとリードとを接続するワイヤ長さを短く設定することができる。
【００１３】
なお、前記接合工程においては、前記ステージ部と前記放熱ステージ部とが接合剤を介して相互に接合され、さらに、前記連結リードを下方に押下げることで、前記ステージ部を前記放熱ステージ部の表面に向けて押し付けることが好ましい。
具体的には連結リードにクランパー等を押し付けることで、連結リードを下方に押下げることができる。そして、ステージ部を放熱ステージ部の表面に押し付けることで、これらの間に介在する接合剤をステージ部の裏面や放熱ステージ部の表面に馴染ませることができ、ステージ部と放熱ステージ部との接合強度を向上させることができる。
また、クランパー等によりステージ部を直接放熱ステージ部に押し付ける場合と比較して、クランパー等がワイヤに接触することも容易に回避でき、半導体装置の製造に際してワイヤを保護することができるため、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【００１４】
また、前記半導体装置の製造方法において、前記連結リードは、前記フレーム部と前記ダウンセット部との間に形成されて前記ステージ部の表面と同じ方向に向くリードの表面よりも上方に位置するアップセット部を備えることがより好ましい。
この場合には、リードが連結リードに隣接して配置されていても、ステージ部に放熱ステージ部を接合する際にクランパー等によりアップセット部を下方に押下げることで、クランパー等がリードの表面に接触することを確実に防止できる。すなわち、放熱ステージ部の接合を行う際にリードとワイヤとの接合部分を確実に保護でき、半導体装置の信頼性をさらに向上させることができる。
【００１５】
さらに、前記接合工程においては、前記ダウンセット部よりも前記ステージ部側に位置する前記連結リードの一端が、前記ステージ部と共に前記放熱ステージ部の表面に接合されてもよい。
この場合には、ステージ部と放熱ステージ部との実質的な接合面積の増加を図ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体チップの放熱効率を低下させること無く、半導体装置の製造コストも低く抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図１から図１３を参照して本発明の第１実施形態に係る半導体装置１について説明する。図１〜４に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、半導体チップ３と、半導体チップ３を表面５ａに配した板状のステージ部５と、半導体チップ３の周囲に配された複数のリード７と、半導体チップ３と各リード７とを相互に電気接続する複数のワイヤ９と、これら半導体チップ３、ステージ部５、リード７及びワイヤ９を封止して一体に固定する樹脂モールド１１とを備えて構成されている。なお、この実施形態における半導体装置１は、各リード７の一部が樹脂モールド１１の側部から突出するＱＦＰ（Quad Flat Package）として構成されている。
【００１８】
各リード７は、半導体チップ３に向けて延びる細幅帯状に形成されており、各リード７のうち樹脂モールド１１内に埋設された一端部７ａがワイヤ９によって半導体チップ３に電気接続されている。また、各リード７のうち樹脂モールド１１の外方に突出する他端部７ｂは、樹脂モールド１１の下面１１ｂに向けて折り曲げられており、半導体装置１を実装する回路基板４１（図１２参照）に電気接続されるようになっている。
【００１９】
ステージ部５は、その表面５ａの輪郭形状が半導体チップ３の平面視形状と略等しく形成されており、図示例において平面視略矩形状に形成されている。また、ステージ部５の表面５ａの面積は、平面視した半導体チップ３の面積と略同等若しくは僅かに大きく形成されている。
前述したリード７の一端部７ａは、ステージ部５の厚さ方向に関してステージ部５の表面５ａよりも上方に配されている。
【００２０】
また、この半導体装置１は、ステージ部５の裏面５ｂに板状の放熱ステージ部１３を固定して構成されている。
放熱ステージ部１３は、金属性の板材によってステージ部５と同様の平面視略矩形状に形成されており、平面視でステージ部５よりも広い面積を有している。これにより、放熱ステージ部１３の面方向の周縁がステージ部５の周縁から外側に突出し、この突出部分がリード７に対向して配置されている。なお、各リード７は、前述したようにステージ部５の表面５ａよりも上方に配されているため、放熱ステージ部１３の突出部分とリード７との隙間には樹脂モールド１１が入り込んでおり、リード７と放熱ステージ部１３とが相互に接触することはない。
そして、ステージ部５の裏面５ｂと同じ方向に向く放熱ステージ部１３の裏面１３ｂは樹脂モールド１１の下面１１ｂから外方に露出している。具体的には、放熱ステージ部１３の裏面１３ｂが樹脂モールド１１の下面１１ｂと共に同一平面を形成している。
【００２１】
さらに、平面視矩形状に形成された放熱ステージ部１３の各辺（面方向の周縁）には、樹脂モールド１１の内方側に折曲された折曲板部１５が一体に形成されている。この折曲板部１５は放熱ステージ部１３の角部を避けるように４つに分割して形成されている。
ここで、放熱ステージ部１３に対する折曲板部１５の傾斜角度θ１は、２０度以上かつ７０度以下に設定されることが好ましい。これは、折曲板部１５の傾斜角度θ１が２０度よりも小さいと、放熱ステージ部１３の裏面１３ｂの周囲に位置する樹脂モールド１１が薄く形成されて、樹脂モールド１１に樹脂バリが発生し易くなるためである。また、折曲板部１５の傾斜角度θ１が７０度よりも大きい場合には、樹脂モールド１１に対する放熱ステージ部１３の固定強度が弱くなり、放熱ステージ部１３が樹脂モールド１１から剥離する虞が生じるためである。
なお、樹脂バリの発生をより確実に防止するためには、折曲板部１５の傾斜角度θ１を３０度以上とすることがより好ましく、４５度以上とすることがさらに好ましい。
【００２２】
以上のように構成された半導体装置１を製造する場合には、はじめに、例えば図５〜７に示すように、Ｃｕ系合金、４２Ａｌｌｏｙ等からなる金属性薄板に、エッチング加工又はプレス加工、あるいは、これら両方の加工を適宜組み合わせた加工を施して形成されるリードフレーム２１を用意する（フレーム準備工程）。
リードフレーム２１は、平面視略矩形の板状に形成されたステージ部５と、その面方向の周囲に配される複数のリード７を有するフレーム部２３と、ステージ部５をフレーム部２３に連結する複数の連結リード２５とを備えている。フレーム部２３は、リード７の他端部７ｂ側に形成されて全てのリード７を一体に連結する環状のフレーム枠２７を備えている。そして、連結リード２５の一端２５ａは矩形状に形成されたステージ部５の角部に連結され、連結リード２５の他端２５ｂがフレーム枠２７に連結されている。したがって、このリードフレーム２１は、ステージ部５及びリード７を一体に形成して構成されている。
【００２３】
各連結リード２５の一端２５ａは、ステージ部５の面方向に延びて形成され、ステージ部５と同じ高さ位置に配されている。一方、各連結リード２５の他端２５ｂは、ステージ部５の面方向に延びて形成され、リード７及びフレーム枠２７と同じ高さ位置に配されている。そして、各連結リード２５は、その一端２５ａ及び他端２５ｂの間に金属性薄板の厚さ方向に延びるダウンセット部２５ｃを形成して構成されており、これによって、ステージ部５の表面５ａがフレーム部２３よりも下方に配置されている。
すなわち、ステージ部５の表面５ａと、この表面５ａと同じ方向に向くリード７の一端部７ａの表面との高さ位置の差は、ダウンセット部２５ｃによって設定されるが、例えば半導体チップ３の厚さ寸法等に対応付けて設定することが好ましい。例えば、ワイヤ９の両端が接合されるリード７の一端部７ａの表面及び半導体チップ３の表面がほぼ同じ高さ位置に配されるように、ステージ部５の表面５ａとリード７の一端部７ａの表面との高さ位置の差を設定することがより好ましい。また、ステージ部５の表面に対するダウンセット部２５ｃの屈曲角度θ２は、後述する接合工程を考慮すると９０度あるいはこれに近い角度に設定されることが望ましいが、ダウンセット部２５ｃの形成加工におけるリードフレーム２１の型抜きを考慮すると、８５度以下とすることが好ましい。
【００２４】
さらに、各連結リード２５は、その他端２５ｂとダウンセット部２５ｃとの間に形成されてリード７の一端部７ａの表面よりも上方に位置するアップセット部２５ｄを備えて構成されている。なお、リード７の表面に対するアップセット部２５ｄの高さ位置は、後述する接合工程を考慮して金属性薄板の板厚の半分以上とすることが好ましい。
上述したダウンセット部２５ｃやアップセット部２５ｄの形成加工は、金属性薄板にステージ部５やリード７、連結リード２５を成形する加工と同時に実施しても良いし、この成形加工とは個別に実施されても構わない。
【００２５】
フレーム準備工程の後には、図８に示すように、ステージ部５の表面５ａに接合ペースト３０を介して半導体チップ３を固着し（チップ配置工程）、その後、図９に示すように、半導体チップ３と複数のリード７の一端部７ａとをワイヤ９で接続する（配線工程）。
この配線工程は、リードフレーム２１を配線用冶具３１に取り付けた状態で行われる。配線用冶具３１には、その上面３１ａから窪んでステージ部５を収容する凹部３２、並びに、上面３１ａから窪んで連結リード２５の一端２５ａ及びダウンセット部２５ｃを収容する収容溝（不図示）が形成されている。リードフレーム２１は、この配線用冶具３１の上面３１ａにフレーム部２３や連結リード２５の他端２５ｂが配置された状態で、凹部３２の底面３２ａにステージ部５が配置されると共に収容溝に連結リード２５の一端２５ａ及びダウンセット部２５ｃが配置されるようになっている。したがって、ステージ部５及びリード７の両方が配線用冶具３１によってこれらの裏面側から支持されることになる。
また、配線用冶具３１は、これに取り付けられたリードフレーム２１に熱をかけることが可能なヒート駒としても構成されている。
【００２６】
そして、この配線工程における半導体チップ３とリード７との間のワイヤボンディングは、キャピラリ３３を用いてボールボンディングによってワイヤ９の一端を半導体チップ３の表面のパッド電極に接合した後に、キャピラリ３３によりワイヤ９の他端をリード７の一端部７ａに押し付けるウェッジボンディングによってワイヤ９の他端をリード７の一端部７ａに接合する。なお、このウェッジボンディングにおいては、リード７の一端部７ａ及びワイヤ９の他端に超音波及び熱が加えられるが、クランパー３４によりリード７の一端部７ａ側を配線用冶具３１の上面３１ａに押さえつけてリード７の一端部７ａの振動を抑制している。
【００２７】
配線工程の後には、図１０に示すように、ステージ部５の裏面５ｂに放熱ステージ部１３を接合する（接合工程）。なお、放熱ステージ部１３及びこれに一体に形成される折曲板部１５は、少なくとも当該接合工程を行う前に用意されていればよく、金属性板材にプレス加工やエッチング加工を施して金属性板材から切り出すことで得ることができる。また、放熱ステージ部１３に対して折曲板部１５を傾斜させる折り曲げ加工は、放熱ステージ部１３及び折曲板部１５を金属性板材から切り出すと同時に実施してもよいし、個別に実施してもよい。
この接合工程は、リードフレーム２１及び放熱ステージ部１３を接合用冶具３５に取り付けた状態で行われる。接合用冶具３５にはその上面３５ａから窪んで放熱ステージ部１３を収容する収容凹部３６が形成されており、この収容凹部３６内にはステージ部５並びに連結リード２５の一端２５ａ及びダウンセット部２５ｃも配されるようになっている。また、接合用冶具３５は、これに取り付けられたリードフレーム２１及び放熱ステージ部１３に熱をかけることが可能なヒート駒としても構成されている。
【００２８】
この接合用冶具３５にリードフレーム２１及び放熱ステージ部１３を取り付けた状態においては、接合用冶具３５の上面３５ａに少なくともフレーム枠２７が配されていればよく、また、リード７の一端部７ａや連結リード２５のアップセット部２５ｄが収容凹部３６の上方に配置されていればよい。すなわち、リード７の他端部７ｂや連結リード２５の他端２５ｂは、接合用冶具３５の上面３５ａに配されていてもよいし、収容凹部３６の上方に配置されていてもよい。
さらに、この状態においては、放熱ステージ部１３の表面１３ａ上にステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａが配される。すなわち、放熱ステージ部１３の表面１３ａの面積は、ステージ部５だけではなく連結リード２５の一端２５ａも配される程度の大きさに形成されている。また、連結リード２５は、図１１に示すように、平面視で折曲板部１５が形成されていない放熱ステージ部１３の角部を通るように配されており、連結リード２５と放熱ステージ部１３の折曲板部１５とが互いに接触することは無い。
そしてこの状態においては、ステージ部５の面方向の周縁から突出する放熱ステージ部１３の突出部分の上方には、隙間を介してリード７の一端部７ａが対向して配置される。
【００２９】
そして、接合工程においては、図１０に示すように、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａと放熱ステージ部１３との間に熱硬化性の接合剤３７を介在させ、この接合剤３７を接合用冶具３５によって加熱硬化することで、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａが放熱ステージ部１３の表面１３ａに接合される。
接合剤３７としては、アウトガスの発生が抑えられると共に、半導体チップ３や接合ペースト３０等への影響を考慮して低温かつ短時間で硬化（キュア）するものを使用することが好ましく、また、熱伝導率の高いものを使用することが好ましい。このような接合剤３７の具体例としては、例えば日立化成工業（株）のＥＮ４６００Ｂが挙げられる。
【００３０】
また、接合工程において接合剤３７を加熱硬化する際には、複数のクランパー３８により連結リード２５のアップセット部２５ｄを収容凹部３６内に向けて押さえつけることで、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａを放熱ステージ部１３の表面１３ａに押さえつける。これにより、ステージ部５の裏面５ｂや放熱ステージ部１３の表面１３ａ、連結リード２５の一端２５ａに接合剤３７を馴染ませることができる。
また、連結リード２５のアップセット部２５ｄを押さえつけた際には、連結リード２５が弾性変形することでアップセット部２５ｄの高さ位置が低くなるが、前述したように、リード７の一端部７ａの表面に対するアップセット部２５ｄの高さ位置を金属性薄板の板厚の半分以上とすることで、クランパー３８がリード７に接触することを確実に防止できる。
【００３１】
さらに、各連結リード２５のアップセット部２５ｄに対するクランパー３８の押し付け力を個別に調整することで、放熱ステージ部１３の表面１３ａに対するステージ部５の傾きを補正し、ステージ部５が放熱ステージ部１３に対して傾斜することも防止できる。
以上のように、リードフレーム２１及びこれに固定された放熱ステージ部１３によって、リードフレームユニット２９が構成されている。
なお、この接合工程においては、複数のクランパー３８により複数のアップセット部２５ｄを個別に押さえつけることに限らず、例えば同一のクランパーにより複数のアップセット部２５ｄを一括して押さえつけてもよい。
【００３２】
接合工程の終了後には、半導体チップ３、ステージ部５、リード７、連結リード２５、ワイヤ９及び放熱ステージ部１３を封止して一体に固定する樹脂モールド１１を成形する（樹脂モールド工程）。この際には、樹脂モールド１１の外形をなす不図示の金型のキャビティ内に、半導体チップ３、ステージ部５、リード７、連結リード２５、ワイヤ９及び放熱ステージ部１３を配置する。なお、樹脂モールド１１から外方に露出させる放熱ステージ部１３の裏面１３ｂはキャビティの内面に配され、リード７の他端部７ｂ、連結リード２５の他端２５ｂ及びフレーム枠２７はキャビティの外側に配される。そして、この状態においてキャビティ内に溶融樹脂を流し込むことによって図１〜４に示す樹脂モールド１１が成形されることになる。
最後に、樹脂モールド１１を形成したリードフレーム２１を金型から取り出し、樹脂モールド１１の外側に位置する連結リード２５及びフレーム枠２７を切り落とすことで半導体装置１の製造が完了する。
【００３３】
なお、上述した半導体装置１の製造方法において、樹脂モールド１１から突出するリード７の他端部７ｂには、樹脂モールド１１の下面１１ｂに向けて折り曲げる屈曲加工も施す必要があるが、この屈曲加工は、フレーム準備工程において、金属性薄板にステージ部５、リード７、連結リード２５を成形する加工や、ダウンセット部２５ｃやアップセット部２５ｄを形成する加工と同時、あるいはこれらと個別に行ってもよい。また、リード７の他端部７ｂの屈曲加工は、リードフレーム２１を金型により挟み込む樹脂モールド工程と同時に実施しても良い。ただし、リード７の一端部７ａとワイヤ９との接合部分に応力がかからないようにするためには、例えば、配線工程の前、あるいは、樹脂モールド工程の後に実施することがより好ましい。
【００３４】
以上のように製造される半導体装置１を回路基板に実装する場合には、例えば図１２に示すように、半導体装置１のリード７及び放熱ステージ部１３に対応する複数の電極パッド４２及び放熱用パッド４３が形成された回路基板４１の実装面４１ａに、樹脂モールド１１の下面１１ｂを対向させる。そして、半田４４を介してリード７の他端部７ｂを電極パッド４２に接合すると共に、半田４５を介して放熱ステージ部１３の裏面１３ｂを放熱用パッド４３に接合すればよい。
この実装状態においては、半導体チップ３からステージ部５、放熱ステージ部１３及び半田４５を介して放熱用パッド４３に至るまでの放熱経路が形成されることになる。
【００３５】
上記半導体装置１によれば、ステージ部５の大きさを小さく形成しても、ステージ部５よりも大きい放熱ステージ部１３の裏面１３ｂが樹脂モールド１１の下面１１ｂから外方に露出しているため、半導体チップ３の放熱効率の低下を防止することができる。
また、半導体チップ３の大きさに合わせてステージ部５の大きさを小さく形成することで、リード７から半導体チップ３までの距離が長くなることを容易に防止できるため、これらを接続するワイヤ９の長さも短く設定することが可能となる。したがって、半導体装置１の製造コストを低く抑えることが可能となる。
【００３６】
また、放熱ステージ部１３の折曲板部１５が樹脂モールド１１の内部に埋設されることで放熱ステージ部１３と樹脂モールド１１とが相互に係合するため、放熱ステージ部１３が樹脂モールド１１から剥離することを防止できる。
特に、折曲板部１５の傾斜角度θ１が２０度以上かつ７０度以下に設定されていることで、樹脂バリのない樹脂モールド１１を形成することができると共に、放熱ステージ部１３が樹脂モールド１１から剥離することを確実に防止できる。
【００３７】
また、上記実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、配線工程が終了した後に接合工程を実施することで、放熱ステージ部１３の大きさがステージ部５よりも大きく設定され、さらに、ステージ部５に接合された放熱ステージ部１３の一部がステージ部５の周縁から面方向に突出していても、半導体装置１を容易に製造することが可能となる。
すなわち、配線工程においてはリード７の一端部７ａをその裏面側から支持した状態でワイヤボンディングする必要があるが、配線工程の前にリード７の裏面側に放熱ステージ部１３の一部が対向配置されていると、上記ワイヤボンディングの実施が困難となる。そこで、前述のように、放熱ステージ部１３を接合する前に配線工程を実施しておくことで、配線工程におけるリード７の支持が放熱ステージ部１３によって阻害されることを防止できるため、上記ワイヤボンディングを容易かつ確実に行うことができる。
【００３８】
また、リードフレーム２１の連結リード２５にダウンセット部２５ｃを形成しておくことで、リード７を含むフレーム部２３がステージ部５の表面５ａよりも上方に配置されるため、ステージ部５の裏面５ｂに接合された放熱ステージ部１３の一部が、ステージ部５の周縁から面方向に突出し、この放熱ステージ部１３の突出部分がリード７の一端部７ａの裏面に対向配置されていても、この突出部分とリード７との間には隙間が形成されるため、放熱ステージ部１３とリード７との接触を回避できる。
さらに、連結リード２５にダウンセット部２５ｃを形成しておくことで、このダウンセット部２５ｃが無い場合と比較して、ステージ部５に固着された半導体チップ３に対してリード７をその面方向により近づけることができる。したがって、半導体チップ３とリード７とを接続するワイヤ９の長さを短く設定することができる。
【００３９】
また、接合工程においては、連結リード２５の一端２５ａがステージ部５と共に放熱ステージ部１３の表面１３ａに接合されるため、ステージ部５と放熱ステージ部１３との実質的な接合面積の増加を図ることができる。さらに、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａを放熱ステージ部１３の表面１３ａに押さえ付けて、ステージ部５の裏面５ｂや放熱ステージ部１３の表面１３ａ、連結リード２５の一端２５ａに接合剤３７を馴染ませるため、ステージ部５と放熱ステージ部１３との実質的な接合強度を向上させることができる。
【００４０】
また、接合工程において、ステージ部５を放熱ステージ部１３に押し付けるためには、連結リード２５をクランパー３８により押し下げるため、クランパー３８によりステージ部５を直接放熱ステージ部１３に押し付ける場合と比較して、クランパー３８がワイヤ９に接触することも容易に回避でき、半導体装置１の製造に際してワイヤ９を保護することができる。特に、上記実施形態では、クランパー３８により連結リード２５のアップセット部２５ｄを押し下げるため、クランパー３８がリード７に接触することも確実に防止できる。したがって、放熱ステージ部１３の接合を行う際にリード７とワイヤ９との接合部分を確実に保護でき、半導体装置１の信頼性向上を図ることができる。
【００４１】
次に、図１３から図２２を参照して本発明の第２実施形態に係る半導体装置５１について説明する。なお、この第２実施形態の半導体装置のうち、第１実施形態の半導体装置１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
図１３〜１６に示すように、この実施形態に係る半導体装置５１を構成する放熱ステージ部１３の突出部分には、その厚さ方向に貫通する貫通孔５２が形成されており、この貫通孔５２内には樹脂モールド１１が充填されている。なお、この貫通孔５２は、全てのリード７の一端部７ａとステージ部の厚さ方向に対向する位置に形成されており、連結リード２５に対向する位置には形成されていない。したがって、連結リード２５の一端２５ａは、第１実施形態と同様に、ステージ部５と共に放熱ステージ部１３の表面１３ａに接合されている。
【００４３】
この半導体装置５１を製造する場合には、はじめに第１実施形態と同様のリードフレーム２１を用意する（フレーム準備工程）。
次いで、図１７に示すように、ステージ部５の裏面５ｂに放熱ステージ部１３を接合する（接合工程）。ここで使用する放熱ステージ部１３に貫通孔５２を形成する加工は、放熱ステージ部１３及び折曲板部１５を金属性板材から切り出すと同時、あるいは、放熱ステージ部１３に対する折曲板部１５の折り曲げ加工と同時に実施されてもよいが、個別に実施されてもよい。
【００４４】
この接合工程は、リードフレーム２１及び放熱ステージ部１３を第１実施形態と同様の接合用冶具３５に取り付けた状態で行われる。
すなわち、この接合工程においては、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａと放熱ステージ部１３との間に熱硬化性の接合剤３７を介在させた状態で、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａを放熱ステージ部１３の表面１３ａに配置し、複数のクランパー３８により各連結リード２５のアップセット部２５ｄをそれぞれ収容凹部３６内に向けて押さえつけることで、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａを放熱ステージ部１３の表面１３ａに押さえつければよい。
なお、この接合工程においては、第１実施形態と同様に、例えば同一のクランパーにより複数のアップセット部２５ｄを一括して押さえつけてもよい。
【００４５】
以上のように、ステージ部５及び連結リード２５の一端２５ａが放熱ステージ部１３の表面１３ａに接合された状態においては、図１８，１９に示すように、全てのリード７の一端部７ａが、放熱ステージ部１３の突出部分に形成された貫通孔５２とステージ部５の厚さ方向に対向して配されている。これらリードフレーム２１及び放熱ステージ部１３によってリードフレームユニット５３が構成されている。
【００４６】
接合工程の後には、図２０に示すように、ステージ部５の表面５ａに接合ペースト３０を介して半導体チップ３を固着し（チップ配置工程）、その後、図２１に示すように、半導体チップ３と複数のリード７の一端部７ａとをワイヤ９で接続する（配線工程）。
この配線工程は、リードフレームユニット５３を配線用冶具５５に取り付けた状態で行われる。配線用冶具５５は、これに取り付けられたリードフレーム２１に熱をかけることが可能なヒート駒として構成されており、この配線用冶具５５には、その上面５５ａから窪んでステージ部５、連結リード２５の一端２５ａ及びダウンセット部２５ｃ、並びに、放熱ステージ部１３を収容する凹部５６が形成されている。なお、配線用冶具５５の上面５５ａには、リード７の他端部７ｂやフレーム枠２７が配されるようになっている。
【００４７】
平面視した凹部５６の大きさは、放熱ステージ部１３及び折曲板部１５をあわせた大きさに依存しており、リード７の一端部７ａは凹部５６の上方に配置されている。なお、図示例においては、連結リード２５のアップセット部２５ｄも凹部５６の上方に配置されているが、このアップセット部２５ｄの一部は、放熱ステージ部１３や折曲板部１５に対向配置されていないため（図１８参照）、凹部５６の平面視形状を工夫して配線用冶具５５の上面５５ａ上に配置してもよい。
さらに、放熱ステージ部１３が配置される凹部５６の底面５６ａには、上方に延びる支持ピン５７が形成されている。この支持ピン５７は、放熱ステージ部１３を凹部５６内に配した状態で、放熱ステージ部１３の貫通孔５２に挿通され、支持ピン５７の先端面５７ａがリード７の一端部７ａをその裏面側から支持する。なお、図示例においては、支持ピン５７の先端面５７ａが、配線用冶具５５の上面５５ａと略同一平面上に位置している。
【００４８】
そして、この配線工程における半導体チップ３とリード７との間のワイヤボンディングは、第１実施形態と同様に、キャピラリ３３によりワイヤ９の一端を半導体チップ３のパッド電極に接合した後に、ワイヤ９の他端をリード７の一端部７ａに押し付けて接合する。ワイヤ９の他端をリード７の一端部７ａに接合する際には、リード７の一端部７ａ及びワイヤ９の他端に超音波及び熱が加えられるが、クランパー３４によりリード７の一端部７ａを支持ピン５７の先端面５７ａに押さえつけてリード７の一端部７ａの振動を抑制している。
【００４９】
配線工程の終了後には、第１実施形態と同様に、半導体チップ３、ステージ部５、リード７、連結リード２５、ワイヤ９及び放熱ステージ部１３を封止して一体に固定する樹脂モールド１１を成形する（樹脂モールド工程）。樹脂モールド１１の成形後には、樹脂モールド１１の外側に位置する連結リード２５及びフレーム枠２７を切り落とすことで半導体装置５１の製造が完了する。
なお、上述した半導体装置５１の製造方法において、樹脂モールド１１から突出するリード７の他端部７ｂを樹脂モールド１１の下面１１ｂに向けて折り曲げる屈曲加工は、第１実施形態と同様のタイミングで実施すればよい。
【００５０】
そして、図２２に示すように、この半導体装置５１を回路基板４１に実装する場合には、第１実施形態と同様に、半田４４を介してリード７の他端部７ｂを電極パッド４２に接合すると共に、半田４５を介して放熱ステージ部１３の裏面１３ｂを放熱用パッド４３に接合すればよい。ここで、放熱ステージ部１３の裏面１３ｂのうち貫通孔５２が形成されている部分、すなわち樹脂モールド１１が充填された部分には半田４５が接合しないため、貫通孔５２が形成された放熱ステージ部１３の裏面１３ｂの面積分だけ放熱ステージ部１３と回路基板４１との接合面積が小さくなる。
【００５１】
上記半導体装置５１やその製造方法、半導体装置５１の製造に使用するリードフレームユニット５３によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
また、この半導体装置５１によれば、放熱ステージ部１３に形成される貫通孔５２の大きさを調整することで、放熱ステージ部１３と回路基板４１との接合面積を調整することができる。このため、回路基板４１を湾曲させる力が発生しても、回路基板４１のうち、放熱ステージ部１３との接合部分をこの湾曲に追従させることができ、リード７の他端部７ｂと回路基板４１との接合部分に応力が集中することを防止できる。したがって、リード７が回路基板４１から剥がれることを防ぎ、回路基板４１と半導体チップ３との電気接続を保持することができる。
さらに、半導体装置５１によれば、放熱ステージ部１３の貫通孔５２内に樹脂モールド１１が充填されることによって放熱ステージ部１３と樹脂モールド１１とが相互に係合するため、放熱ステージ部１３と樹脂モールド１１との固定強度向上を図ることができる。
【００５２】
また、上述した半導体装置５１の製造方法やリードフレームユニット５３によれば、放熱ステージ部１３のうちリード７の一端部７ａの裏面側に対向する位置に貫通孔５２が形成されているため、配線工程においては、配線用冶具５５の支持ピン５７によりリード７の一端部７ａをその裏面側から支持することができる。したがって、リード７の一端部７ａの裏面側に放熱ステージ部１３の突出部分が対向して配されていても、配線工程を容易に実施することができる。
そして、樹脂モールド工程を除く半導体装置５１の製造工程を配線工程よりも前に実施できることで、半導体チップ３やリード７、ワイヤ９が外力を受けることを防止できる、すなわち、半導体チップ３やリード７とワイヤ９との接合部分に応力がかかることを回避できるため、半導体装置５１の電気的な信頼性向上を図ることができる。
【００５３】
なお、上記実施形態において、連結リード２５の一端２５ａは、ステージ部５と同じ高さ位置に配置されるとしたが、例えばダウンセット部２５ｃに含まれていてもよい。さらに、連結リード２５の他端２５ｂは、フレーム部２３と同じ高さ位置に配置されるとしたが、例えばアップセット部２５ｄに含まれていてもよい。
また、連結リード２５は、アップセット部２５ｄを備えて構成されるとしたが、少なくともダウンセット部２５ｃを備えて構成されていればよい。ただし、連結リード２５にアップセット部２５ｄを形成しない場合には、上記実施形態のように、連結リード２５の他端２５ｂをフレーム部２３と同じ高さ位置に形成しておくことが好ましい。このように形成しておくことで、接合工程においてクランパー３８を連結リード２５の他端２５ｂに押し付けることができる。また、アップセット部２５ｄを形成しない場合には、接合工程においてクランパー３８がリード７に接触しない程度に、連結リード２５の他端２５ｂとリード７との間に十分な隙間が形成されていることが好ましい。
【００５４】
さらに、折曲板部１５の傾斜角度θ１は、樹脂バリの発生や樹脂モールド１１からの剥離を考慮して設定されるだけに限らず、例えば、リード７と放熱ステージ部１３の突出部分との隙間と折曲板部１５の大きさとの関係を考慮し、折曲板部１５がリード７に接触しない角度に設定されることが好ましい。
また、折曲板部１５は、例えば放熱ステージ部１３の角部に形成されてもよいが、この場合には、折曲板部１５と連結リード２５とが互いに接触しないように、折曲板部１５の傾斜角度θ１や連結リード２５のダウンセット部２５ｃの屈曲角度θ２等を適宜設定することが好ましい。例えば放熱ステージ部１３の表面１３ａに対する連結リード２５のダウンセット部２５ｃの屈曲角度θ２を８５度に設定した場合には、放熱ステージ部１３に対する折曲板部１５の傾斜角度θ１を２０度以上かつ７０度以下に設定することが好ましい。
【００５５】
また、例えば図２３に示すように、放熱ステージ部１３に対して折曲板部１５を傾斜させる折り曲げ部分には、他の部分よりも薄く形成された易変形部１４が形成されていてもよい。この場合には、放熱ステージ部１３に対して折曲板部１５を容易に折り曲げて傾斜させることができるため、放熱ステージ部１３に対する折曲板部１５の傾斜角度θ１を高精度に設定することが可能となる。なお、易変形部１４は、図示例のように放熱ステージ部１３の表面１３ａ側から窪む溝１４Ａによって形成されることがより好ましい。
【００５６】
また、例えば図２３に示すように、接合剤３７を介して相互に接合されるステージ部５の裏面５ｂ及び放熱ステージ部１３の表面１３ａには、エッチング加工やプレス加工によって凹凸面１６Ａ，１６Ｂが形成されていてもよい。この場合には、接合剤３７に接触するステージ部５の裏面５ｂや放熱ステージ部１３の表面１３ａの面積が増加する。すなわち、ステージ部５と放熱ステージ部１３との実質的な接合面積を増加させることができ、ステージ部５と放熱ステージ部１３との接合強度向上を図ることができる。ここで、凹凸面１６Ａ，１６Ｂの具体例としては、形成される複数の凹部１８Ａ，１８Ｂが挙げられ、凹部１８Ａ，１８Ｂとしては、例えば平面視円形状の有底穴や細長い溝が挙げられる。
なお、凹凸面１６Ａ，１６Ｂは、図示例のようにステージ部５の裏面５ｂ及び放熱ステージ部１３の表面１３ａの両方に形成される必要は無く、少なくともステージ部５の裏面５ｂ及び放熱ステージ部１３の表面１３ａのいずれか一方に形成されていればよい。
【００５７】
さらに、放熱ステージ部１３には折曲板部１５が形成されるとしたが、ステージ部５と放熱ステージ部１３とが十分な強度で接合されている場合には、特に形成しなくてもよい。
また、放熱ステージ部１３は、平面視略矩形状に形成されるとしたが、特にステージ部５の平面視形状に合わせる必要はなく、任意の平面視形状とすることが可能である。
さらに、放熱ステージ部１３は、金属性の板材によって構成されるとしたが、これに限ることは無く、少なくとも半導体チップ３の熱を効率よく外方に放熱できるように、熱伝導性の高い板材によって構成されていればよい。
【００５８】
また、上記実施形態においては、本願発明の半導体装置１，５１をＱＦＰに適用して説明したが、本願発明の半導体装置は、これを実装する回路基板４１の実装面４１ａに樹脂モールド１１の下面１１ｂを対向配置させるタイプに適用することが可能であり、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）に適用することもできる。この場合には、例えばリード７の他端部７ｂを樹脂モールド１１内に配すると共にリード７の他端部７ｂのうち回路基板４１の電極パッド４２に接続する接続面だけを樹脂モールド１１の下面１１ｂから露出させればよい。
【００５９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図２】図１の半導体装置を樹脂モールドの下面側から見た状態を示す概略平面図である。
【図３】図１，２のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】図１，２のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】図１の半導体装置の製造に使用するリードフレームを示す概略平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図７】図５のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の製造方法において、チップ配置工程を示す概略断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の製造方法において、配線工程を示す概略断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造方法において、接合工程を示す概略断面図である。
【図１１】図１０の接合工程後の状態を示す概略平面図である。
【図１２】図１の半導体装置を回路基板に実装した例を示す概略断面図である。
【図１３】この発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図１４】図１３の半導体装置を樹脂モールドの下面側から見た状態を示す概略平面図である。
【図１５】図１３，１４のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１６】図１３，１４のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図１７】図１３に示す半導体装置の製造方法において、接合工程を示す概略断面図である。
【図１８】図１７の接合工程後に得られるリードフレームユニットを示す概略平面図である。
【図１９】図１８のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図２０】図１３に示す半導体装置の製造方法において、チップ配置工程を示す概略断面図である。
【図２１】図１３に示す半導体装置の製造方法において、配線工程を示す概略断面図である。
【図２２】図１３の半導体装置を回路基板に実装した例を示す概略断面図である。
【図２３】この発明の第１実施形態及び第２実施形態に係る半導体装置において、ステージ部、放熱ステージ部及び折曲板部の変形例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１，５１…半導体装置、３…半導体チップ、５…ステージ部、５ａ…表面、５ｂ…裏面、７…リード、９…ワイヤ、１１…樹脂モールド、１３…放熱ステージ部、１３ｂ…裏面、１５…折曲板部、１６Ａ，１６Ｂ…凹凸面、２１…リードフレーム、２３…フレーム部、２５…連結リード、２５ａ…一端、２５ｂ…他端、２５ｃ…ダウンセット部、２５ｄ…アップセット部、３７…接合剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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