(57)【要約】【課題】本発明の目的は、表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射した場合であっても、デバイスを形成する領域に転位層を発生させることなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行うことができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。【解決手段】表面を含む表層部分に欠陥１１を有するシリコンウェーハ１０の表面に対し、レーザービーム２０を照射し、前記表層部分１２を溶融させた後、凝固させることで、溶融した表層部分１２を、ウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化させ、前記レーザービームの寸法Ｌ、Ｗのうち、その少なくとも最大寸法（図１(ａ)ではレーザービーム寸法Ｌ）が、前記シリコンウェーハ１０の表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上となることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射し、前記表層部分を溶融させた後、凝固させることで、前記表層部分をウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記レーザービームの寸法のうち、その少なくとも最大寸法が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上となることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記レーザービームは、前記最大ビーム寸法が平行移動するように、前記シリコンウェーハ表面上を一方向に走査する請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射し、前記表層部分を溶融させた後、凝固させることで、前記表層部分をウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記レーザービームの形状が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、チップと実質的に同じ形状となることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記レーザービームは、波長が193〜1064nmの範囲である請求項１〜３のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記シリコンウェーハの表層部分は、前記シリコンウェーハの表面から、0.2〜2μmの範囲の深さ位置までのウェーハ部分である請求項１〜４のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記欠陥は、ボイド、転位ループ又は酸素析出物である請求項１〜５のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法、特に、表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射し、前記表層部分を溶融し、再結晶化させることで、欠陥のないエピタキシャル膜を得るエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、単結晶の引き上げ方法等の技術の進歩により、直径が３００ｍｍ以上の大口径のウェーハが開発されている。ここで、前記大口径ウェーハは、１枚のウェーハから多くの製品を製造できるため、製造効率の点では有利であるものの、ウェーハの製造プロセス中に欠陥が発生しやすいという問題があった。ウェーハに発生する欠陥は、半導体デバイスの電気特性に種々の悪影響を与えるため、欠陥の発生を抑制すべく、多くのシリコンウェーハの製造方法が開発されている。
【０００３】
ここで、前記シリコンウェーハの製造方法としては、例えば、特許文献１に開示されているように、ＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引上げ時において、引上げ速度及びＣ濃度の適正化によって欠陥の発生を抑制する製造方法や、特許文献２に開示されているように、ＣＺ法による単結晶引上げ時において、シリコン融液から成長するインゴットの急速な冷却を防止し、インゴットの中心部と周縁部との垂直温度勾配を同程度に維持しながら成長速度を制御することにより、悪影響を及ぼす欠陥の発生を抑制する製造方法が挙げられる。
【０００４】
しかし、特許文献１及び２の製造方法では、引上げ時の条件の適正化を図ることにより、欠陥の発生を抑制する方法であって、一旦、ウェーハに発生した欠陥については、低減を図ることはできなかった。
【０００５】
また、シリコンウェーハの機械的加工（切断、研削等）によって、ウェーハ表層部に生じたアモルファス層及び転位層からなる加工変質層を、修復し、単結晶化する技術として、例えば非特許文献１で開示されているように、特定条件で所定のレーザー（例えば、パルス発振のYAGレーザー等）を加工変質層に照射することによって、加工変質層のアモルファス部分のみをナノ秒速で溶融させると同時に、転位を液相・固相の界面に向けて移動させることで消滅させ、その後、溶融した部分について無転位のバルク領域を種として液相エピタキシャル成長させるという技術がある。        
この非特許文献１の技術を、シリコンウェーハ中に発生した欠陥に適用すれば、上述の一旦発生した欠陥を低減するという課題に対して、優れた効果を発揮できると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−０８６３９３号公報
【特許文献２】特開２００２−１４５６９７号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Jiwang Yan, Tooru Asami and Tsumemoto Kuriyagawa、Semicond. Sci. Technol. 22 、2007年、p392-395
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、非特許文献１の技術を、単純に、欠陥を有するシリコンウェーハの欠陥の修復に用いた場合、前記レーザーを前記シリコンウェーハ表面に照射することで、前記レーザーを照射した部分については有効に再結晶化できるものの、レーザーを照射した領域の周縁部には、前記レーザーの熱の影響を受けて転位層が発生するという問題があった。
【０００９】
本発明の課題は、表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射した場合であっても、デバイスを形成する領域に転位層を発生させることなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行うことができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射して、前記表層部分を溶融させた後、凝固させることで、前記表層部分をウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化させるエピタキシャルウェーハの製造方法について、上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、前記レーザービームの寸法のうち、少なくともその最大寸法が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上となるように、レーザービームの適正化を図ることで、ウェーハの直径よりも大きな寸法をもつレーザーの照射領域を形成することができ、該レーザー照射領域の端部がウェーハ外に位置し、レーザー照射領域の端部周縁に発生する転位層を防止することができるとともに、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行うことができることを見出した。
【００１１】
さらに、本発明者らは、前記レーザービームの形状が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、チップと実質的に同じ形状のレーザー照射領域を形成するように、レーザービームの適正化を図ることで、少なくともデバイスを形成する領域には転位層の発生がなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化が行われた、所望のサイズのエピタキシャル膜を得ることができることを見出した。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射し、前記表層部分を溶融させた後、凝固させることで、前記表層部分をウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記レーザービームの寸法のうち、その少なくとも最大寸法が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上となることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１３】
（２）前記レーザービームは、前記最大ビーム寸法が平行移動するように、前記シリコンウェーハ表面上を一方向に走査する上記（１）記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１４】
（３）表面を含む表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射し、前記表層部分を溶融させた後、凝固させることで、前記表層部分をウェーハ内部の単結晶と同様な結晶構造に再結晶化するエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記レーザービームの形状が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、チップと実質的に同じ形状となることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１５】
（４）前記レーザービームは、波長が193〜1064nmの範囲である上記（１）〜（３）のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１６】
（５）前記シリコンウェーハの表層部分は、前記シリコンウェーハの表面から、0.2〜2μmの範囲の深さ位置までのウェーハ部分である上記（１）〜（４）のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１７】
（６）前記欠陥は、ボイド、転位ループ又は酸素析出物である上記（１）〜（５）のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射した場合であっても、デバイスを形成する領域に転位層を発生させることなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行うことができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に従うエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザーが照射されているシリコンウェーハの状態を示した図であり、(ａ)はウェーハを上方から見たときの状態、(ｂ)はウェーハの側方からみたときの状態を示している。
【図２】本発明に従うエピタキシャルウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の他の実施形態に従うエピタキシャルウェーハの製造方法よって、レーザーが照射されているシリコンウェーハの状態を示した図である。
【図４】(ａ)は、従来のエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザーが照射されているシリコンウェーハの状態を示した図であり、(ｂ)は(ａ)中のＩ−Ｉ断面を拡大して示している。
【図５】従来のレーザービームの照射を行うエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザービームを照射した後のウェーハ断面を示したTEM（Transmission Electron Microscope）写真であって、 (ａ)は、照射領域直下のウェーハ表層部分、 (ｂ)は、レーザービームを照射領域の端部周縁のウェーハ表層部分の断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に従うエピタキシャルウェーハの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に従うエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザーが照射されているシリコンウェーハの状態を示した図であり、(ａ)はウェーハを上方から見た状態、(ｂ)はウェーハを側方から見た状態を示している。図２は、本発明に従うエピタキシャルウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。図３は、本発明の他の実施形態に従うエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザーが照射されているシリコンウェーハを上方から見た状態を示している。図４(ａ)は、従来のエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザーが照射されているシリコンウェーハの状態を示した図であり、 図４(ｂ)は(ａ)中のＩ−Ｉ断面を拡大して示している。
【００２１】
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、図２(ａ)〜(ｃ)に示すように、表面を含む表層部分に欠陥１１を有するシリコンウェーハ１０（図２(ａ)）の表面に対し、レーザービーム２０を照射し、前記表層部分１２を溶融させた後（図２(ｂ)）、凝固させることで、溶融した表層部分１２を、ウェーハ内部の単結晶（シリコン単結晶）と同様な結晶構造に再結晶化させることでエピタキシャル膜１３を得る（図２(ｃ)）エピタキシャルウェーハの製造方法である。この製造方法を用いれば、ウェーハ裏面の温度を数100℃に維持してウェーハ表層の前記欠陥を修復できるのでスリップの発生を防止できること、材料の除去を伴わないためウェーハ形状の精度が維持できることや、極めて短時間でエピタキシャル膜を得ることができること、環境に悪影響を与えないクリーンな技術であること等の利点がある。
【００２２】
そして、本発明の第１の実施形態は、図１(ａ)及び(ｂ)に示すように、前記レーザービームの寸法Ｌ、Ｗのうち、その少なくとも最大寸法（図１(ａ)ではレーザービーム寸法Ｌ）が、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上となることを特徴とする。
【００２３】
従来の、レーザービームの照射を行うエピタキシャルウェーハの製造方法では、図４(ａ)に示すように、レーザー２００をシリコンウェーハ１０の表面に照射したとき、該ウェーハ１０のサイズよりも小さなレーザー照射領域２１０を形成し、該レーザー照射領域２１０を、走査すること（図４(ａ)では破線の矢印方向に走査）で前記シリコンウェーハ１０の表層部の溶融・再結晶化を図っていた。しかしながら、この方法では、図４(ｂ)に示すように、レーザー照射領域２１０直下のウェーハ表層部部分については、溶融・再結晶化して所望のエピタキシャル膜１３０が得られるものの、レーザー照射領域２１０の端部２１０ａ、２１０ｂ周縁のウェーハ表層部分については、溶融が不十分であること等に起因して、転位層１４０が発生するという問題があった。        
ここで、図５(ａ)は、従来のレーザービームの照射を行うエピタキシャルウェーハの製造方法によって、レーザービーム照射領域２１０直下のウェーハ表層部分の断面について、TEMを用いて観察した写真であり、図５(ｂ)は、レーザービーム照射領域２１０の端部２１０ａ、２１０ｂ周縁のウェーハ表層部分の断面について、TEMを用いて観察した写真である。図５(ａ)及び(ｂ)からもわかるように、レーザー照射領域２１０直下のウェーハ表層部部分については、欠陥のないエピタキシャル膜１３０が得られるものの（図５(ａ)）、レーザー照射領域２１０の端部２１０ａ、２１０ｂ周縁のウェーハ表層部分については、転位が発生している（図５(ｂ)）ことがわかる。
【００２４】
本発明の第１実施形態は、上記構成を採用することで、図１(ａ)に示すように、ウェーハの直径よりも大きな寸法Ｌをもつレーザー照射領域２１を形成することができるため、該レーザー照射領域２１の端部２１ａ、２１ｂがウェーハ１０の外部に位置する結果、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行い、大面積の良質のエピタキシャル膜１３を得ることができるとともに、レーザー照射領域２１の端部２１ａ、２１ｂ周縁に発生する転位層を有効に防止することができる。
【００２５】
さらに、本発明の第１実施形態では、図１(ａ)に示すように、前記レーザービーム２０は、前記最大ビーム寸法Ｌが平行移動するように、前記シリコンウェーハ１０表面上を一方向（図１(ａ)の矢印）に走査することが好ましい。これによって、シリコンウェーハ１０の表層部分全体を効率的に溶融・再結晶化できるからである。さらにまた、長軸側のサイズＬはシリコンウェーハ１０のサイズよりも大きく、短軸側のサイズＷが小さな、ライン状のレーザー照射領域２１を形成することがより好適である。レーザー照射領域２１の面積が大きくなることに伴って、エネルギーは小さくなるため、ライン状としなければ、前記シリコンウェーハ表層１０を溶融するために必要なエネルギーを得ることができない恐れがあるからである。
なお、図１(ａ)に示すように、レーザー照射領域２１の進行方向（矢印）の前後にある端部２１ｃ、２１ｄについては、溶融が不十分であること等に起因した転位層１４０が発生する恐れはない。端部２１ｃについては、溶融が不十分であっても、その後レーザー２０が照射されるため、ウェーハ表層部分は完全に溶融し、端部２１ｄについては、すでにシリコンウェーハ表層部分が溶融した状態で、端部２１ｄが通過するためである。
【００２６】
ここで、前記レーザービーム２０の寸法とは、レーザービーム２０の前記シリコンウェーハ１０の表面と平行な方向に延びるレーザービームの長さをいい、例えば、図１(ｂ)の寸法Ｍと寸法Ｌの長さが異なるように、レーザーを照射するための装置から前記シリコンウェーハまでの位置によってレーザービームの寸法は異なるが、本発明では、前記シリコンウェーハ１０に照射したときの前記レーザービームの寸法Ｌを、レーザービームの寸法としている。
【００２７】
また、本発明の第２の実施形態は、図３に示すように、前記レーザービーム２０の形状が、前記シリコンウェーハ１０の表面に照射したとき、チップと実質的に同じ形状となることを特徴とする。
【００２８】
本発明の第２実施形態は、上記構成を採用することで、図３に示すように、チップに必要なサイズのレーザー照射領域２２を形成することができるため、少なくともデバイスを形成する領域には転位層の発生がなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化が行われた所望のサイズのエピタキシャル膜を得ることができる。なお、チップと実質的に同じ形状とは、得られるエピタキシャル膜のサイズがチップと同じ形状になればよく、前記シリコンウェーハ１０の表面に照射したときのレーザー照射領域２２のサイズが、チップよりも多少大きくなることもある。
【００２９】
また、本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法で用いられるレーザービームは、上述の寸法又は形状を満たしていれば、特に限定されることはなく、その種類については、例えば、YAGレーザーやエキシマレーザー等のパルスレーザーを用いることが可能である。
【００３０】
さらに、前記レーザービームは、波長が193〜1064nmの範囲であることが好ましい。193nm未満では、波長が短すぎるため、レーザービームのシリコンウェーハへの侵入が浅くウェーハ表層を一定の深さまで溶融させることが困難となり、一方、1064nmを超えると波長が長すぎるため、シリコンウェーハ表層を溶融するために必要なエネルギーが大きくなり、ウェーハ表面にダメージが発生する恐れがあるためである。
【００３１】
なお、前記シリコンウェーハの表層部分とは、エピタキシャル膜１３として必要なシリコンウェーハ１０の表面から一定の深さ位置までのウェーハの部分をいい、前記シリコンウェーハ１０の表面から、0.2〜2μmの範囲の深さ位置までのウェーハ部分であることが好ましい。0.2μm未満では、表層部分が薄すぎるため、所望のエピタキシャル膜１３が得られない恐れがあり、一方、2μmを超えると、シリコンウェーハ表層を溶融するために必要なエネルギーが大きくウェーハ表面にダメージが発生する恐れがあるからである。
【００３２】
また、前記シリコンウェーハ１０中に発生している欠陥１１は、ボイド、転位ループ又は酸素析出物であることが好ましい。これらの欠陥については、一旦発生すると、従来の製造方法では、気相成長によりエピタキシャル層を形成する方法や、高温でのアニール処理による方法で有効に修復できるが、特に大口径のウェーハではスリップが発生し易いという問題があった。そして、本発明では、ウェーハ裏面の温度を数100℃に維持して、ウェーハ表層の前記欠陥を修復できるため、スリップの発生を防止できる効果がある。
なお、上述のボイドとは、接着界面の未接合部や異物の付着に起因した欠陥をいい、転位ループとは、フローパターン欠陥等のことをいい、空孔型と格子間シリコン型がある。酸素析出物とは、その名の通り、酸素が凝集し析出することに起因した欠陥をいう。
【００３３】
なお、上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
実施例１は、図２(ａ)に示すように、ＣＺ法により育成されたシリコンインゴットからスライスした直径：300mm、RIE（Reactive Ion Etching）法によって測定された欠陥密度：1.0×108個／cm3のシリコンウェーハ１０を用意し、図２(ｂ)に示すように、該シリコンウェーハ１０の表面に対し、レーザービーム２０（波長：532μm）を照射し、前記表層部分１２（シリコンウェーハの表面から1μmの負荷載置までのウェーハ部分）を溶融させ、図２(ｃ)に示すように、凝固させることで、溶融した表層部分１２を、ウェーハ内部の単結晶（シリコン単結晶）と同様な結晶構造に再結晶化させることで、膜厚1μmのエピタキシャル膜１３を有するエピタキシャルウェーハ１０´の製造を行った。
なお、上述のRIE法とは、シリコンと酸化シリコンとのエッチング速度比が大きなエッチング条件でウェーハ表面をエッチングし、光学顕微鏡で円錐状突起の個数を測定する欠陥評価方法であり、酸素析出物や、内壁が酸化膜で覆われたボイドを検出することができる。
また、前記レーザービーム２０は、図１(ａ)に示すように、その最大寸法Ｌが、前記シリコンウェーハ表面に照射したとき、シリコンウェーハのサイズ以上（320mm）となり、レーザービーム最大寸法Ｌを図１(ａ)に示す矢印方向に走査することによって、前記シリコンウェーハ１０の表層部分を溶融させた。
【００３５】
（実施例２）
実施例２は、図３に示すように、前記レーザービーム２０の形状が、前記シリコンウェーハ１０の表面に照射したとき、チップ（15mm×15mm）と実質的に同じ形状となり、前記レーザービーム２０を移動させながら、レーザービーム２０を照射することで、前記シリコンウェーハ１０の表層部分を部分的に溶融・再結晶化させてエピタキシャル膜１３を得たこと以外は、実施例１と同様の条件で、サンプルとなるエピタキシャルウェーハ１０´を製造した。
【００３６】
（比較例１）
比較例１は、図４(ａ)に示すように、レーザー２００をシリコンウェーハ１０の表面に照射したとき、該ウェーハ１０のサイズよりも小さなレーザー照射領域２１０を形成し、該レーザー照射領域２１０を、矢印方向に走査することで前記シリコンウェーハ１０の表層部の溶融・再結晶化を図ったこと以外は、全て同様の条件でサンプルとなるエピタキシャルウェーハを製造した。
【００３７】
（比較例２）
比較例２は、実施例１のレーザーを照射する前のシリコンウェーハ１０をサンプルとして用いた。
【００３８】
（評価方法）
各実施例及び比較例で得られたサンプルについて、以下の評価項目（１）、（２）に従って評価を行った。
【００３９】
（１）欠陥密度
各実施例及び各比較例のサンプルについて、RIE法を用いて、シリコンウェーハ中の任意の20箇所における、シリコンウェーハの表面から1μmまでに存在するの欠陥密度（個／cm3）を光学顕微鏡で観察した。観察結果について、以下の基準に従って評価を行い、評価結果を表１に示す。
○：欠陥密度が1.0×106個／cm3未満
△：欠陥密度が1.0×106〜1.0×107個／cm3
×：欠陥密度が1.0×107個／cm3超え
【００４０】
（２）転位層の有無
実施例１、比較例１及び比較例２の各サンプルについて、TEMを用いて、シリコンウェーハ中の転位層の有無を観察した。また、実施例２については、レーザーを照射した領域での転位層の有無を観察した。観察結果は、以下の基準に従って評価を行い、評価結果を表１に示す。
○：転位層の発生なし
×：転位層の発生あり
【００４１】
【表１】
2010245316.tif 000003
【００４２】
表１の結果から、実施例１及び２のサンプルは、いずれも、欠陥の数が少ない単結晶が得られており、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化が有効に行われていることがわかり、さらに、レーザー照射に伴った転位層の発生についても防止できていることがわかった。一方、比較例１のサンプルは、レーザービームを照射した部分については、有効に再結晶化できているものの、レーザー照射領域の周縁部に転位層が発生していることがわかった。また、比較例２のサンプルは、レーザービームを照射していないため、シリコンウェーハ中に多くの欠陥が残存していることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
この発明によれば、表層部分に欠陥を有するシリコンウェーハの表面に対し、レーザービームを照射した場合であっても、デバイスを形成する領域に転位層を発生させることなく、ウェーハ表層部分の溶融・再結晶化を有効に行うことができるエピタキシャルウェーハの製造方法の提供が可能になった。
【符号の説明】
【００４４】
１０    シリコンウェーハ
１０´  エピタキシャルウェーハ
１１    欠陥
１２    溶融したシリコンウェーハの表層部分
１３、１３０  エピタキシャル膜
２０、２００  レーザービーム
２１、２１０、２２  レーザー照射領域
【図１】
2010245316.tif 000004
【図２】
2010245316.tif 000005
【図３】
2010245316.tif 000006
【図４】
2010245316.tif 000007
【図５】
2010245316.tif 000008