(57)【要約】【課題】本発明は、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、チャンバー２と、チャンバーを真空排気する配管７と、ガスを導入するガスライン１３と、ターゲット５と、ウェハ４を保持するステージ台３と、ターゲットに電力を印加する電源と、ターゲットとステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定器９と、チャンバーに設けられた開口部と、開口部に連結したイオンゲージ１２ａと、開口部を遮蔽可能に設けられたシャッター１１ｂと、シャッターにスイッチ８を介して電気的に接続されたアースと、シャッター、イオンゲージ及び電流測定器に電気的に接続された制御機構１０と、を具備し、制御機構は、スイッチのオンとオフを制御するとともに、シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。【選択図】図１
2010150572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバーを真空排気する排気機構と、
前記チャンバー内にガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに対向して配置された被成膜基板を保持するステージ台と、
前記スパッタリングターゲットに電力を印加する電源と、
前記スパッタリングターゲットに前記電力を印加することにより前記スパッタリングターゲットと前記ステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定機構と、
前記チャンバーに設けられた開口部と、
前記開口部に連結して配置され、前記チャンバー内の圧力を測定するイオンゲージと、
前記チャンバーの内側に配置され、前記開口部を遮蔽可能に設けられたシャッターと、
前記シャッターにスイッチを介して電気的に接続されたアースと、
前記シャッター、前記イオンゲージ及び前記電流測定機構に電気的に接続された制御機構と、
を具備し、
前記制御機構は、前記スイッチのオンとオフを制御するとともに、前記シャッターの開閉動作を制御することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１において、前記制御機構は、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記シャッターに印加するように制御し、また、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項１において、前記制御機構は、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記シャッターに印加するように制御し、その後、前記スパッタリングターゲットに前記電源によって電力を印加することにより、前記スパッタリングターゲットと前記被成膜基板との間にプラズマ放電が開始され、前記スパッタリングターゲットと前記被成膜基板との間に電流が流れ、この電流を前記電流測定機構によって検知すると、前記チャンバー内の圧力を低下させるように前記ガス導入機構及び前記排気機構を制御し、その後、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項１において、前記開口部に配置された金属メッシュをさらに具備し、前記金属メッシュは前記スイッチを介して前記アースに電気的に接続されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
請求項４において、前記制御機構は、前記イオンゲージによってチャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記金属メッシュ及び前記シャッターに印加するように制御し、また、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記金属メッシュ及び前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
スパッタリング装置を用いて被成膜基板上に膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記スパッタリング装置は、
チャンバーと、
前記チャンバーを真空排気する排気機構と、
前記チャンバー内にガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに対向して配置された被成膜基板を保持するステージ台と、
前記スパッタリングターゲットに電力を印加する電源と、
前記スパッタリングターゲットに前記電力を印加することにより前記スパッタリングターゲットと前記ステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定機構と、
前記チャンバーに設けられた開口部と、
前記開口部に連結して配置され、前記チャンバー内の圧力を測定するイオンゲージと、
前記チャンバーの内側に配置され、前記開口部を遮蔽可能に設けられたシャッターと、
前記シャッターにスイッチを介して電気的に接続されたアースと、
前記シャッター、前記イオンゲージ及び前記電流測定機構に電気的に接続された制御機構と、
を具備し、
前記制御機構は、前記スイッチのオンとオフを制御するとともに、前記シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法に係わり、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造に用いられるスパッタリング装置は、真空チャンバーを有し、この真空チャンバーは、例えばドライポンプ等によって真空排気されることにより、チャンバーの真空度を保持している。チャンバーの真空度は、チャンバーに設置されているイオンゲージにおいて真空圧力を常時測定することによって監視している。
【０００３】
次に、上述した真空チャンバーの動作について説明する。
まず、真空チャンバーを開放し、ウェハを真空チャンバー内に搬入する。その後、搬入されたウェハをステージ台へセットし、静電チャック等によって固定される。また、ウェハを搬入するために開放された真空チャンバーは、密閉状態にし、ドライポンプを作動させることにより真空排気を開始する。
【０００４】
真空チャンバーの真空排気は、真空チャンバーからドライポンプへの排気速度を調整し、アルゴンガスを真空チャンバーに導入する。真空チャンバー内を例えば１．５Ｐａの真空状態まで排気する。また、真空チャンバー内の圧力は、真空チャンバーと連結して設置されているイオンゲージによって測定される。
【０００５】
真空チャンバー内が規定の圧力に保たれた後、ターゲットに電圧が印加されることにより、ターゲットとウェハ間においてプラズマ放電が開始される。プラズマ放電時に流れる電流は電流測定器により測定され、プラズマ放電状態を監視しながらウェハ表面への成膜が行われる。
【０００６】
放電開始が困難、且つ放電遅れが発生するスパッタ材料を用いる場合、真空チャンバーにアルゴンガスを導入し、一時的に真空チャンバー内の圧力を高くすることにより、放電開始を容易にする。放電開始後においては、放電を維持しながら規定の圧力に下げて成膜処理を行っている。これと類似する技術が例えば特許文献１に記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−７４０４１号公報（００１９〜００２４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、一時的に真空チャンバー内の圧力が高くなるように、ガストリガとしてアルゴンガスを導入することにより、放電開始を容易にし、ターゲットとウェハ間で放電を開始している。
【０００９】
しかしながら、ガストリガによるアルゴンガスで放電を開始する前に、真空チャンバーと連結して設置しているイオンゲージから発生する１次電子または２次電子がトリガとなって放電を開始してしまうことがある。これにより、イオンゲージを破損させ、さらに、ターゲットとウェハ間での放電に失敗してしまうことがある。そのため、ターゲットとウェハ間での安定した放電開始を行うことが困難となってしまう。
【００１０】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、本発明に係る態様は、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係るスパッタリング装置は、チャンバーと、
前記チャンバーを真空排気する排気機構と、
前記チャンバー内にガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに対向して配置された被成膜基板を保持するステージ台と、
前記スパッタリングターゲットに電力を印加する電源と、
前記スパッタリングターゲットに前記電力を印加することにより前記スパッタリングターゲットと前記ステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定機構と、
前記チャンバーに設けられた開口部と、
前記開口部に連結して配置され、前記チャンバー内の圧力を測定するイオンゲージと、
前記チャンバーの内側に配置され、前記開口部を遮蔽可能に設けられたシャッターと、
前記シャッターにスイッチを介して電気的に接続されたアースと、
前記シャッター、前記イオンゲージ及び前記電流測定機構に電気的に接続された制御機構と、
を具備し、
前記制御機構は、前記スイッチのオンとオフを制御するとともに、前記シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。
【００１２】
上記スパッタリング装置によれば、前記チャンバーの内側に配置されたシャッターによって、前記開口部を遮蔽している。これにより、前記イオンゲージで発生する１次電子または２次電子をトリガとして放電することを防止できる。その為、イオンゲージの破損も防止することが可能となる。その結果、スパッタリングターゲットと被成膜基板との間で安定して放電を開始させることができる。
【００１３】
また、本発明に係るスパッタリング装置において、前記制御機構は、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記シャッターに印加するように制御し、また、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係るスパッタリング装置において、前記制御機構は、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記シャッターに印加するように制御し、その後、前記スパッタリングターゲットに前記電源によって電力を印加することにより、前記スパッタリングターゲットと前記被成膜基板との間にプラズマ放電が開始され、前記スパッタリングターゲットと前記被成膜基板との間に電流が流れ、この電流を前記電流測定機構によって検知すると、前記チャンバー内の圧力を低下させるように前記ガス導入機構及び前記排気機構を制御し、その後、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係るスパッタリング装置において、前記開口部に配置された金属メッシュをさらに具備し、前記金属メッシュは前記スイッチを介して前記アースに電気的に接続されていることも可能である。
【００１６】
また、本発明に係るスパッタリング装置において、前記制御機構は、前記イオンゲージによってチャンバー内が第１の圧力となったことを検知すると、前記シャッターを閉じて前記開口部を遮蔽するとともに前記スイッチをオン状態としてアース電位を前記金属メッシュ及び前記シャッターに印加するように制御し、また、前記イオンゲージによって前記チャンバー内が前記第１の圧力より低い第２の圧力となったことを検知すると、前記スイッチをオフ状態として前記金属メッシュ及び前記シャッターの電位をアース状態からフローティング状態に切り替えるように制御することも可能である。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、スパッタリング装置を用いて被成膜基板上に膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記スパッタリング装置は、
チャンバーと、
前記チャンバーを真空排気する排気機構と、
前記チャンバー内にガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに対向して配置された被成膜基板を保持するステージ台と、
前記スパッタリングターゲットに電力を印加する電源と、
前記スパッタリングターゲットに前記電力を印加することにより前記スパッタリングターゲットと前記ステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定機構と、
前記チャンバーに設けられた開口部と、
前記開口部に連結して配置され、前記チャンバー内の圧力を測定するイオンゲージと、
前記チャンバーの内側に配置され、前記開口部を遮蔽可能に設けられたシャッターと、
前記シャッターにスイッチを介して電気的に接続されたアースと、
前記シャッター、前記イオンゲージ及び前記電流測定機構に電気的に接続された制御機構と、
を具備し、
前記制御機構は、前記スイッチのオンとオフを制御するとともに、前記シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１に示す図は、本発明の第１の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図である。
【００１９】
図１に示すスパッタリング装置１は、真空チャンバー２に連結しているウェハ待機室（図示せぬ）を有し、このウェハ待機室（図示せぬ）は、真空排気と大気開放を交互に行うことによりウェハの搬出入を行っている。そのため、スパッタリング装置１を連続的に稼動させる場合は、真空チャンバー２を大気開放することなくウェハの搬出入を行うことができる。
【００２０】
真空チャンバー２内の上部に、バッキングプレート６に取り付けられたターゲット５を配置している。真空チャンバー２内の下部且つターゲットの直下には、ステージ台３が配置されており、このステージ台３はウェハ４を載置するものである。真空チャンバー２にはドライポンプ（図示せぬ）に繋がる配管７が設けられており、この配管７を矢印に示す方向へ真空排気されるようになっている。真空チャンバー２には、チャンバー内の圧力を測定するためのイオンゲージ１２ａがチャンバーと連結して取り付けられている。
【００２１】
また、イオンゲージ１２ａとチャンバー２との連結箇所であるイオンゲージ１２ａの開口部周辺には、シャッター１１ｂが設置されており、このシャッター１１ｂは、シャッター軸１１ａによって開閉動作するようになっている。また、シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａは、例えば、金属によって形成されている。シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａは制御機構１０に電気的に接続されており、この制御機構１０によってシャッター１１ｂの開閉動作が制御されるようになっている。
【００２２】
この制御機構１０は切り替え用スイッチ８の一方端に電気的に接続されており、切り替え用スイッチ８の他方端はアースに電気的に接続されている。このアースは、切り替え用スイッチ８及び制御機構１０を通してシャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａにアース電位を印加するものである。切り替え用スイッチ８は制御機構１０によって制御され、切り替え用スイッチ８が開いた状態（図１に示す状態）ではシャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａを電気的にフローティングの状態とすることができる。
【００２３】
また、制御機構１０は配線を介してイオンゲージ１２ａに電気的に接続されており、イオンゲージ１２ａの測定結果を示す信号が制御機構１０に送られるようになっている。また、制御機構１０は配線を介して電流測定器９に電気的に接続されており、電流測定器９の測定結果を示す信号が制御機構１０に送られるようになっている。
【００２４】
ターゲット５はバッキングプレート６及び配線を介して直流電源１５に電気的に接続されており、この直流電源１５は配線及びステージ台３を介してウェハ４に電気的に接続されている。ウェハ４はステージ台３及び配線を介してアースに電気的に接続されている。また、プラズマ放電時にウェハ４とターゲット５との間に流れる電流は、電流測定器９によって測定されている。また、真空チャンバー２には、ガスライン１３が設置されており、ガスライン１３を通してアルゴンガスが真空チャンバー２内へ導入されている。
【００２５】
次いで、上述したスパッタリング装置における動作を図４に示すフローチャートを用いて説明する。図４は、シャッター１１ｂの動作順序を示すフローチャートである。
【００２６】
まず、処理するウェハ４を真空チャンバー２内に搬入する。搬入されたウェハ４は、ステージ台３へセットされ、例えば静電チャック等によってステージ台３へ固定される。また、ウェハ４を搬入後は、ドライポンプを作動させ、真空排気を開始する。なお、真空チャンバー２内の圧力は常時イオンゲージ１２ａによって測定され監視されている。
【００２７】
次いで、アルゴンガスがガスライン１３を通して真空チャンバー２内に導入される（Ｓ１）。次いで、放電開始を容易にするために、真空チャンバー２内の圧力を一時的に高くし、イオンゲージ１２ａによって真空チャンバー２内の圧力が１．５Ｐａとなったことを検知すると（Ｓ２）、１．５Ｐａの圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取る。すると、制御機構１０によってシャッター軸１１ａを動かしてシャッター１１ｂを閉じ、このシャッター１１ｂによってイオンゲージ１２ａの開口部周辺を遮蔽するとともに、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオン状態とし、アース電位をシャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａに印加する（Ｓ３）。
【００２８】
このように、シャッター１１ｂによりイオンゲージ１２ａの開口部周辺を遮蔽し、さらに、シャッター１１ｂをアースに接続することによって、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子をシャッター１１ｂが遮断している。これにより放電開始の準備が整う。
【００２９】
次いで、ターゲット５とウェハ４間に直流電源１５によって電圧が印加される（Ｓ４）。次いで、ターゲット５とウェハ４間においてプラズマ放電が開始され、ターゲット５とウェハ４間には電流が流れ、この電流が電流測定器９によって検知される（Ｓ５）。次いで、一次的に高くしていた真空チャンバー２内の圧力を、例えば１．０Ｐａ以下まで低下させるようにアルゴンガスの流量と排気を制御する。次いで、真空チャンバー２内の圧力が１．０Ｐａ以下であることをイオンゲージ１２ａにより検知すると（Ｓ６）、１．０Ｐａ以下の圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取る。すると、制御機構１０によってシャッター軸１１ａを動かしてシャッター１１ｂを開け、このシャッター１１ｂによってイオンゲージ１２ａの開口部を開放するとともに、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオフ状態とし、シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａの電位をアース状態からフローティング状態に切り替える（Ｓ７）。
【００３０】
次いで、ウェハ４へのスパッタリングが続けられ、所定の時間の成膜処理が行われる。その後、真空チャンバー２からウェハが搬出され、ウェハ待機室において待機している次のウェハと交換される。
【００３１】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、放電開始前に、イオンゲージ１２ａの開口部周辺をシャッター１１ｂにより遮蔽し、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子をシャッター１１ｂによって遮断している。そして、ターゲットとウェハ間で放電が開始されたことを確認した後、シャッター１１ｂを開け、イオンゲージ１２ａの開口部周辺を開放している。これにより、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子をトリガとして放電することを防止できる。その為、イオンゲージの破損も防止することが可能となる。その結果、ターゲットとウェハ間で安定して放電を開始させることができる。
【００３２】
図２は、本発明の第２の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００３３】
イオンゲージ１２ａとチャンバーの連結箇所であるイオンゲージ１２ａの開口部には金属メッシュ１２ａが取り付けられている。なお、本実施形態では、図１に示すシャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａは取り付けられていない。
【００３４】
また、金属メッシュ１２ｂは、制御機構１０に電気的に接続されている。この制御機構１０は切り替え用スイッチ８の一方端に電気的に接続されており、切り替え用スイッチ８の他方端はアースに電気的に接続されている。このアースは、切り替え用スイッチ８及び制御機構１０を通して金属メッシュ１２ｂにアース電位を印加するものである。切り替え用スイッチ８は制御機構１０によって制御され、切り替え用スイッチ８が開いた状態（図２に示す状態）では金属メッシュ１２ｂを電気的にフローティングの状態とすることができる。
【００３５】
次に、図２に示すスパッタリング装置における動作に関し、図１に示すスパッタリング装置と異なる部分を説明する。
【００３６】
イオンゲージ１２ａによって真空チャンバー２内の圧力が１．５Ｐａとなったことを検知し（Ｓ２）、１．５Ｐａの圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取ると、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオン状態とし、アース電位を金属メッシュ１２ｂに印加する（Ｓ３に対応）。
【００３７】
このように、金属メッシュ１２ｂによりイオンゲージ１２ａの開口部を覆い、さらに、金属メッシュ１２ｂをアースに接続することによって、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子を金属メッシュ１２ｂが遮断している。これにより放電開始の準備が整う。
【００３８】
また、真空チャンバー２内の圧力が１．０Ｐａ以下であることをイオンゲージ１２ａにより検知し（Ｓ６）、１．０Ｐａ以下の圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取ると、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオフ状態とし、金属メッシュ１２ｂの電位をアース状態からフローティング状態に切り替える（Ｓ７に対応）。
【００３９】
以上、本発明の第２の実施形態によれば、イオンゲージ１２ａの開口部を金属メッシュ１２ｂで覆うことにより、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子を金属メッシュによって遮断している。その為、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子をトリガとして放電することを防止でき、イオンゲージの破損も防止することが可能となる。結果、ターゲットとウェハ間での安定した放電開始を行うことができる。
【００４０】
図３は、本発明の第３の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４１】
図３に示すように、イオンゲージ１２ａと真空チャンバー２の連結箇所であるイオンゲージ１２ａの開口部には金属メッシュ１２ｂが取り付けられている。つまり、本実施形態は、第１の実施形態と第２の実施形態を組み合わせたものである。
【００４２】
また、金属メッシュ１２ｂは、制御機構１０に電気的に接続されている。アースは、切り替え用スイッチ８及び制御機構１０を通して金属メッシュ１２ｂ、シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａにアース電位を印加するものである。
【００４３】
次に、図３に示すスパッタリング装置における動作に関し、図１に示すスパッタリング装置と異なる部分を説明する。
【００４４】
イオンゲージ１２ａによって真空チャンバー２内の圧力が１．５Ｐａとなったことを検知し（Ｓ２）、１．５Ｐａの圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取ると、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオン状態とし、アース電位を金属メッシュ１２ｂ、シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａに印加する（Ｓ３に対応）。
【００４５】
金属メッシュ１２ｂ及びシャッター１１ｂによりイオンゲージ１２ａの開口部周辺を遮蔽し、さらに、シャッター軸１１ａ、シャッター１１ｂ及び金属メッシュ１２ｂをアースに接続することによって、イオンゲージ１２ａで発生する１次電子または２次電子をシャッター１１ｂと金属メッシュ１２ｂが遮断している。これにより放電開始の準備が整う。
【００４６】
また、真空チャンバー２内の圧力が１．０Ｐａ以下であることをイオンゲージ１２ａにより検知し（Ｓ６）、１．０Ｐａ以下の圧力を検知したという信号を制御機構１０が受け取ると、制御機構１０によって切り替え用スイッチ８をオフ状態とし、金属メッシュ１２ｂ、シャッター１１ｂ及びシャッター軸１１ａの電位をアース状態からフローティング状態に切り替える（Ｓ７に対応）。
【００４７】
以上、本発明の第３の実施形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。また、上述した実施例においては、スパッタリング装置について説明したが、他の真空成膜装置にも適用可能である。
【００４９】
また、上記第１乃至第３の実施形態のいずれかのスパッタリング装置を用いて、ウェハ上に薄膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法も本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るスパッタリング装置を模式的に示す図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るシャッターの動作順序を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・スパッタリング装置、２・・・真空チャンバー、３・・・ステージ台、４・・・ウェハ、５・・・ターゲット、６・・・バッキングプレート、７・・・配管、８・・・スイッチ、９・・・電流測定器、１０・・・制御機構、１１ａ・・・シャッター軸、１１ｂ・・・シャッター、１２ａ・・・イオンゲージ、１２ｂ・・・金属メッシュ、１３・・・ガスライン、１５・・・直流電源
【図１】
2010150572.tif 000003
【図２】
2010150572.tif 000004
【図３】
2010150572.tif 000005
【図４】
2010150572.tif 000006