(57)【要約】【課題】製造工程において損傷を受けにくい金属構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に第１金属薄膜４が形成される。第１金属薄膜４の一部の上に第１ポジレジストパターン５が形成される。第１ポジレジストパターン５の上に空隙７が設けられ、かつ空隙７から離れた位置に開口部が設けられるように、ネガレジストパターン６が形成される。ネガレジストパターン６の開口部を充填するように第１金属薄膜４の上にめっきを行なうことによって第１めっき膜８が形成される。ネガレジストパターン６および第１めっき膜８を覆う第２金属薄膜９が形成される。第２金属薄膜９の上に、開口部を有する第２ポジレジストパターン１０が形成される。第２ポジレジストパターン１０の開口部を充填するように第２金属薄膜９の上にめっきを行なうことによって、第２めっき膜１１が形成される。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１金属薄膜を形成する工程と、
前記第１金属薄膜の一部の上に第１ポジレジストパターンを形成する工程と、
前記第１ポジレジストパターンの上に空隙が設けられ、かつ前記空隙から離れた位置に第１開口部が設けられるように、ネガレジストパターンを形成する工程と、
前記ネガレジストパターンの前記第１開口部を充填するように前記第１金属薄膜の上にめっきを行なうことによって第１めっき膜を形成する工程と、
前記ネガレジストパターンおよび前記第１めっき膜を覆う第２金属薄膜を形成する工程と、
前記第２金属薄膜の上に、第２開口部を有する第２ポジレジストパターンを形成する工程と、
前記第２ポジレジストパターンの前記第２開口部を充填するように前記第２金属薄膜の上にめっきを行なうことによって、第２めっき膜を形成する工程とを備えた、金属構造体の製造方法。
【請求項２】
前記ネガレジストパターンおよび前記第２ポジレジストパターンの各々の厚さは１０μｍ以上である、請求項１に記載の金属構造体の製造方法。
【請求項３】
前記ネガレジストパターンの厚さと前記第１めっき膜の厚さとは略同じである、請求項１または２に記載の金属構造体の製造方法。
【請求項４】
前記ネガレジストパターンの前記空隙の前記基板側における幅は、前記ネガレジストパターンの表面側における幅よりも大きい、請求項１〜３のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第２めっき膜を形成する工程の後に、前記第２ポジレジストパターンに紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射する工程の後に、前記第２ポジレジストパターンを現像することができる薬液を用いて前記第２ポジレジストパターンを除去する工程と、
前記第２ポジレジストパターンを除去する工程の後に、プラズマを用いて前記ネガレジストパターンおよび前記第１ポジレジストパターンを除去する工程とをさらに備えた、請求項１〜４のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。
【請求項６】
第１および第２の部分を有する金属構造体の製造方法であって、
請求項１〜４のいずれかに記載の金属構造体の製造方法により前記第１の部分を形成する工程と、
請求項１〜４のいずれかに記載の金属構造体の製造方法により、前記第１の部分の上に前記第２の部分を形成する工程とを備えた、金属構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２の部分を形成した後に、前記第２の部分の前記第２ポジレジストパターンに紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射する工程の後に、前記第２の部分の前記第２ポジレジストパターンを現像することができる薬液を用いて前記第２の部分の前記第２ポジレジストパターンを除去する工程と、
前記第２の部分の第２ポジレジストパターンを除去する工程の後に、プラズマを用いて前記第２の部分の前記ネガレジストパターンおよび前記第１ポジレジストパターンを除去する工程とをさらに備えた、請求項６に記載の金属構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属構造体の製造方法に関し、特にレジストを用いた金属構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロマシニングまたはＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical-Systems）技術を用いた３次元デバイスが注目されている。この技術では、高アスペクトの３次元構造、中空構造、可変構造などが容易に製作可能なため、安価なシリコン基板上に低コストで高機能・高性能なセンサー、アクチュエータ、光デバイス、高周波デバイス、流体デバイスなどの様々な斬新なデバイスが提案され、実現されつつある。特に、高周波デバイス分野では３次元の多層金属構造体形成技術をインダクタなどの受動デバイスに応用することにより、高性能化が期待できる。また、ＭＥＭＳ技術を応用して製作する発電素子やマイクロエンジンなどのエネルギー関連デバイス、いわゆるパワーＭＥＭＳデバイスの分野でも３次元多層金属構造体は重要な役割を果たしている。ＭＥＭＳデバイスの発展と共に既存のＬＳＩ回路との３次元集積化も進んでおり、異種デバイス間の３次元集積化により総体的なマイクロシステムが得られ、さらなる高機能化、低コスト化、小型化も期待できる。
【０００３】
上述の３次元多層金属構造体の製造には、一般的に、多層レジストによるパターニングとめっき技術とを用いる。金属構造体のアスペクト比が高い場合、厚膜レジストのパターン形成およびその除去に関する技術は、特に重要性が高く、その研究・開発が盛んになされている。
【０００４】
例えば特許文献１において、厚膜めっき皮膜を形成するため用いる厚膜レジスト層のパターン形成法（以下、第１従来例という）が開示されている。第１従来例においては、ポジレジスト層と、ネガレジスト層である厚膜レジスト層とが用いられる。この厚膜レジスト層は、露光およびベーキング処理によって架橋されることで化学的に安定になるため、剥離し難くなる。この剥離を容易に行なえるようにするため、厚膜レジスト層はポジレジスト層のパターンの上に形成される。また厚膜レジスト層には、剥離液がポジレジスト層まで到達できるようにスリットが設けられる。めっき皮膜の形成後、厚膜レジスト層は、剥離液に浸漬され、超音波振動が与えられることで、除去される。
【０００５】
また例えば特許文献２においても、厚膜レジストのパターン形成法（以下、第２従来例という）が開示されている。第２従来例に係る厚膜レジストのパターン形成法においては、感光性フィルムが用いられる。感光性フィルムは、基板上にラミネートされ、露光と現像工程とが行なわれることにより、厚膜めっき用の厚膜レジストパターンとして利用され得る。しかし、感光性フィルムが厚くなると、露光時に底部まで届く露光量が少なくなる。このため、感光性フィルム底部は、耐現像液性に劣り、また基板との密着性が悪くなるという問題がある。またパターンの断面形状が逆台形になり、矩形のパターンが得られなくなる問題がある。このため第２従来例では、露光後の加熱工程、および現像後の紫外線の照射工程または加熱工程が行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１７７５５５号公報
【特許文献２】特開平８−３６２６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の第１従来例に係る厚膜レジストのパターン形成法では、厚膜レジスト層に設けられたスリットを通って剥離液がポジレジスト層まで到達することにより厚膜レジストが除去される。このため、形成されるめっき皮膜の面積が小さい場合、すなわち厚膜レジスト層の面積が広い場合、厚膜レジストを容易に除去するためには、厚膜レジスト層に幅の広いスリットまたは多数のスリットを設ける必要がある。このため厚膜レジスト層の上にさらにレジスト層を設けることが困難になるので、めっき皮膜（めっき膜）の上に、めっき膜からなる構造をさらに付加することが困難であるという問題があった。
【０００８】
また厚膜レジストの除去時に与えられる超音波振動によって、めっき膜から構成される金属構造体が基板から剥離され得るという問題があった。
【０００９】
また、厚膜レジストとして使用されるネガレジストが剥離液によって膨潤剥離されるため、めっき膜からなる微細な金属構造体に剥離などの損傷が生じ得るという問題があった。
【００１０】
上述の第２の従来例に係る厚膜レジストのパターン形成法においては、通常のフォトレジストの代りに感光性フィルムが用いられる。感光性フィルムがめっき膜の形成に用いられた場合、感光性フィルムが除去される際に膨潤することで、めっき膜を含む金属構造体に損傷を与える問題があった。
【００１１】
また、金属構造体が多層構造を有する場合、めっき膜上にさらにめっきを行なうための感光性フィルムをラミネートする必要があり、この際の加圧によって、めっき膜が損傷を受け得るという問題があった。
【００１２】
また、基板と感光性フィルムとの密着不良に起因してめっき膜の形成不良が生じる問題や、感光性フィルムをラミネートするための装置が必要であるため工程コストが増大するという問題があった。
【００１３】
また、例えば厚さ１０μｍ未満の薄いめっき膜と厚さ１０μｍ以上の厚いめっき膜とが混在する金属構造体が製造される場合には、通常のフォトレジストを用いて薄いめっき膜を、感光性フィルムを用いて厚いめっき膜を形成することになる。しかしながら、フォトレジストと感光性フィルムとの塗れ性が悪いため、微細なパターンを精度よく形成することができないという問題があった。
【００１４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造工程において損傷を受けにくい金属構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の多層金属構造体の製造方法は、以下の工程を有する。
基板上に第１金属薄膜が形成される。第１金属薄膜の一部の上に第１ポジレジストパターンが形成される。第１ポジレジストパターンの上に空隙が設けられ、かつ空隙から離れた位置に第１開口部が設けられるように、ネガレジストパターンが形成される。ネガレジストパターンの第１開口部を充填するように第１金属薄膜の上にめっきを行なうことによって第１めっき膜が形成される。ネガレジストパターンおよび第１めっき膜を覆う第２金属薄膜が形成される。第２金属薄膜の上に、第２開口部を有する第２ポジレジストパターンが形成される。第２ポジレジストパターンの第２開口部を充填するように第２金属薄膜の上にめっきを行なうことによって、第２めっき膜が形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の金属構造体の製造方法によれば、第２ポジレジストパターンの形成にともないネガレジストパターンに加わる応力が空隙によって緩和されるので、製造工程において多層金属構造体が損傷を受けることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１における金属構造体の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う概略断面図である。
【図３】図２の金属構造体の製造方法の第１工程を概略的に示す断面図である。
【図４】図２の金属構造体の製造方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図５】図２の金属構造体の製造方法の第３工程を概略的に示す断面図である。
【図６】図２の金属構造体の製造方法の第４工程を概略的に示す断面図である。
【図７】図２の金属構造体の製造方法の第５工程を概略的に示す断面図である。
【図８】図２の金属構造体の製造方法の第６工程を概略的に示す断面図である。
【図９】図２の金属構造体の製造方法の第７工程を概略的に示す断面図である。
【図１０】図２の金属構造体の製造方法の第８工程を概略的に示す断面図である。
【図１１】図２の金属構造体の製造方法の第９工程を概略的に示す断面図である。
【図１２】図２の金属構造体の製造方法の第１０工程を概略的に示す断面図である。
【図１３】図２の金属構造体の製造方法の第１１工程を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における金属構造体の構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施の形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
【００１９】
（実施の形態１）
図１および図２を参照して、本実施の形態の多層金属構造体Ｍ１は母材ＢＤ上に設けられている。多層金属構造体Ｍ１は、第１金属薄膜４と、第１めっき厚膜８（第１めっき膜）と、第２金属薄膜９と、第２めっき厚膜１１（第２めっき膜）とを有する。母材ＢＤは、シリコン基板１と、絶縁膜２と、金属層３とを有する。多層金属構造体Ｍ１は、第１めっき厚膜８によって第２めっき厚膜１１を空中に支持しており、機械的または電気的な機能を有する。
【００２０】
次いで、多層金属構造体Ｍ１の製造方法について、以下に説明する。
図３を参照して、母材ＢＤが準備される。具体的には、まずシリコン基板１の上面に、例えば約１μｍの厚さの酸化膜などの絶縁材料を成膜することで、絶縁膜２を形成する。次に金属層３を、例えば金などの金属材料をスパッタリングすることによって形成する。金の厚さは例えば１μｍとし、金と絶縁膜２との密着力を強化するため、例えばクロムを絶縁膜２と金との間に敷いておく。クロムの厚さは絶縁膜２と金との密着力に問題が生じない例えば数十ｎｍ程度である。成膜後、フォトリソグラフィー工程とメタルエッチング工程とを行ない、金属層３をパターニングする。
【００２１】
主に図４を参照して、シリコン基板１上に第１金属薄膜４を、例えば金などのメタル材料をスパッタリングすることによって成膜する。次に第１金属薄膜４のうち、後に形成される第２めっき厚膜１１（図２）の空間を介した下方に位置する部分を、フォトリソグラフィー工程と金属エッチング工程とにより除去する。
【００２２】
第１金属薄膜４は、第１めっき厚膜８（図２）を電解めっき法により形成する際にシード層として働くものである。そのため、第１金属薄膜４の厚さは、電解めっきの際にめっきが形成される面において電極間の導通に問題が生じない厚さであることが望ましい。またこの厚さは、後に行なわれる第１金属薄膜４のエッチバック除去が他の膜へ与える影響が十分に小さくなる程度に薄いことが好ましい。
【００２３】
また、第１金属薄膜４の一部を除去する理由は、多層金属構造体Ｍ１（図２）の電気的なショートを防ぐためである。このショートは、後に第２めっき厚膜１１（図２）が形成されてから第１金属薄膜４をドライエッチング法で除去する際、第１金属薄膜４のうち第２めっき厚膜１１の陰の部分が完全に除去できなくなることで生じるものである。このため第１金属薄膜４のそのような部分を予め除去しておく必要がある。
【００２４】
主に図５を参照して、第１金属薄膜４の上において、ポジレジストの塗布、露光および現像を行なうことで、第１金属薄膜４の一部の上に第１ポジレジストパターン５を形成する。
【００２５】
第１ポジレジストパターン５は、後に第１めっき厚膜８（図７）を電解めっき法で形成する際に、第１金属薄膜４の上にめっきが形成されないようにし、第１ポジレジストパターン５の上に微細な空隙７（図７）を形成するためのレジストとして働く。そのため第１ポジレジストパターン５の厚さは、ネガレジストパターン６の厚さより充分小さいことが望ましい。また、第１ポジレジストパターン５のパターン幅は、微細な空隙７の下部の幅以上にする。
【００２６】
主に図６を参照して、ネガレジストの塗布、露光および現像を行なうことで、ネガレジストパターン６を形成する。ネガレジストパターン６は、第１ポジレジストパターン５の上に空隙７が設けられ、かつ空隙７から離れた位置に開口部（第１開口部）が設けられるように形成される。この開口部は、第１めっき厚膜８（図７）が形成されることになる領域である。またネガレジストパターン６の厚さは、第１ポジレジストパターン５の厚さよりも大きく、また第１めっき厚膜８の厚さとほぼ同じにされ、高アスペクト比を持つ多層金属構造体Ｍ１（図２）を形成するために例えば１０μｍ以上とされる。
【００２７】
ネガレジストパターン６のパターニングのための露光工程では、まず、露光量を弱めにすることで、微細な空隙７の形状が、下部の幅が上部の幅より広い逆テーパーを持つように形成する。このとき、ネガレジストパターン６の開口部（図７において第１めっき厚膜８が形成される部分）も、いったん逆テーパー状に形成される。次にこの開口部の側壁をまっすぐに矯正するため、第１めっき厚膜８のパターンに対応するフォトマスクを用いて、露光量を強めにしてもう一度露光を行う。その際に用いるフォトマスクのパターン幅は、１回目の露光の際に用いたものより逆テーパーで傾いた分だけ幅を広くしたものにする。
【００２８】
微細な空隙７は、後に行なわれる第２ポジレジストパターン１０（図９）の熱処理において、第２ポジレジストパターン１０とネガレジストパターン６との間の熱応力差に起因する第２金属薄膜９（図９）のうねりなどの変形を防ぐ働きをする。すなわち第２ポジレジストパターン１０の熱応力よりも大きいネガレジストパターン６の熱応力を、微細な空隙７を用いて緩和させることで、第２金属薄膜９の変形を防ぐ。これにより、第２金属薄膜９の上に形成される第２めっき厚膜１１を設計通りの寸法と形状とで製造できる。
【００２９】
また、微細な空隙７の形状を下部の幅が上部の幅より広い逆テーパーを持つように形成することにより、第２金属薄膜９の形成の際に空隙７の内部壁面に第２金属薄膜９が成膜されないようにする。すなわち、第２金属薄膜９が空隙７の内部壁面に成膜されることを抑制することによって、空隙７が熱応力の緩和用空間として機能しなくなることを防ぐ。また、空隙７の上部の開口部幅は、ネガレジストパターン６の厚さによって最適化される。また、第２金属薄膜９の成膜の際に、空隙７上部の開口部が充分小さい場合は、第２金属薄膜９が空隙７の開口部を塞ぐことになる。逆にこの開口部が広い場合は、空隙７の上部の開口部は開いたままであるが、空隙７が逆テーパーの形状であることによって、空隙７内における第２金属薄膜９の形成が抑制される。なお本実施の形態の図は、空隙７の上部の開口部が充分小さい場合の様子を示している。
【００３０】
また、微細な空隙７の形成数はネガレジストパターン６の厚さによって適宜に選ぶ。また、空隙７の形成位置は、第２めっき厚膜１１のパターンがない場所であり、第１めっき厚膜８のパターンと露光の際に確実に分離できる距離を持つ場所である。
【００３１】
図７を参照して、ネガレジストパターン６の開口部を充填するように第１金属薄膜４の上にめっきを行なうことによって、第１めっき厚膜８を形成する。このめっきは、例えば金などの金属材料を用いた電解めっき法によって行なわれる。第１めっき厚膜８の厚さは、電解めっきのレートを調整することでネガレジストパターン６の厚さに合わせる。
【００３２】
図８を参照して、ネガレジストパターン６および第１めっき厚膜８を覆うように第２金属薄膜９を形成する。形成方法としては、例えば金などのメタル材料を用いたスパッタリング法を用いることができる。第２金属薄膜９は、第２めっき厚膜１１を電解めっき法により形成する際にシード層として働く。
【００３３】
主に図９を参照して、ポジレジストの塗布、露光および現像を行なうことで、第２金属薄膜９の上に、開口部（第２開口部）を有する第２ポジレジストパターン１０を形成する。この開口部は、第２めっき厚膜１１（図１０）が形成されることになる領域である。第２ポジレジストパターン１０の厚さは、高アスペクト比を持つ多層金属構造体Ｍ１を形成するために１０μｍ以上とされ、ネガレジストパターン６の厚さと異なっても構わない。
【００３４】
図１０を参照して、第２ポジレジストパターン１０の開口部（第２開口部）を充填するように第２金属薄膜９の上にめっきを行なうことによって、第２めっき厚膜１１を形成する。形成方法としては、例えば金などのメタル材料を用いた電解めっき法を用いることができる。第２めっき厚膜１１の厚さは第２ポジレジストパターン１０の厚さ以下にする。
【００３５】
次いでシリコン基板１全面へ紫外線を照射することによって第２ポジレジストパターン１０全体に紫外線を照射する。次に、第２ポジレジストパターン１０を現像することができる薬液、すなわちレジスト現像液を用いて、第２ポジレジストパターン１０を溶解させる。これにより第２ポジレジストパターン１０が除去される。
【００３６】
第２ポジレジストパターン１０を除去する際に仮に一般的なレジストの除去剤であるアセトンなどの有機溶剤を用いた場合、有機溶剤が微細な空隙７または第２金属薄膜９の端部の隙間を通してネガレジストパターン６まで染み込むことで、ネガレジストパターン６の一部分を膨潤剥離させてしまう。この結果、第２金属薄膜９が持ち上げられるので、これにともなって第２めっき厚膜１１が変形されたり剥離されたりすることがある。
【００３７】
また、第２ポジレジストパターン１０を除去する際に仮に超音波を加えた場合、第１めっき厚膜８または第２めっき厚膜１１が剥離される可能性がある。
【００３８】
また、第２ポジレジストパターン１０を除去するために仮にプラズマによるドライ法が用いられた場合、ネガレジストパターン６も同時に除去されることになり、第２金属薄膜９の除去ができなくなる。
【００３９】
これらの場合に対して本実施の形態によれば、紫外線をシリコン基板１の全面に向かって照射することで、第２ポジレジストパターン１０は現像液に対して溶解性にし、ネガレジストパターン６は架橋されて現像液に対して非溶解性にすることにより、通常のレジスト現像液で多層金属構造体Ｍ１（図２）となる部分に損傷を与えずに第２ポジレジストパターン１０を除去することが可能になる。
【００４０】
図１１および図１２を参照して、ドライエッチング法を用いて第２金属薄膜９をエッチバックする。その結果、第２めっき厚膜１１の下部だけに第２金属薄膜９が残る。
【００４１】
次いでネガレジストパターン６および第１ポジレジストパターン５を、プラズマを用いたドライ法（例えばバレルアッシャー）を用いて同時に除去する。
【００４２】
ネガレジストパターン６と第１ポジレジストパターン５の除去の際にも、ネガレジストパターン６は架橋されており膨潤剥離性を持っているため、ウェットによる除去方法は適してない。すなわち、第１めっき厚膜８または第２めっき厚膜１１に損傷を与えることなくネガレジストパターン６および第１ポジレジストパターン５を除去するためには、ドライ法が適している。またネガレジストパターン６の除去に、水蒸気などの添加をともなうアッシング法を用いることで、アッシング速度を高めることができる。
【００４３】
図１３を参照して、ドライエッチング法を用いて第１金属薄膜４をエッチバックする。その結果、第１めっき厚膜８の下部だけに第１金属薄膜４が残る。
【００４４】
図１および図２を参照して、以上により多層金属構造体Ｍ１が得られる。多層金属構造体Ｍ１は、例えば、低損失な伝送線路またはインダクタとして使用できる。例えば、金属層３の端部３ａに印加された高周波は、第１金属薄膜４と第１めっき厚膜８と第２金属薄膜９と第２めっき厚膜１１とを流れ、第１メタル層３の端部３ｂに出力される。多層金属構造体Ｍ１は、メイン線路部である第２めっき厚膜１１がシリコン基板１から浮いている構造、すなわち中空構造を有する。このためシリコン基板１を介した誘電損失がなくなるので、多層金属構造体Ｍ１は低損失な伝送線路またはインダクタとして働く。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態の多層金属構造体Ｍ１の製造方法によれば、ネガレジストおよびポジレジストの２種類のフォトレジストをめっき厚膜形成用レジストとして利用し、ネガレジストのパターンには微細な空隙７が設けられる。これにより多層金属構造体Ｍ１の熱応力による変形を防止するとともに、多層金属構造体Ｍ１に損傷を与えない安全なレジストの除去方法を用いることにより、設計通りの安定した機械的または電気的な特性を有する多層金属構造体Ｍ１を得ることができる。
【００４６】
（実施の形態２）
図１４を参照して、本実施の形態の多層メタル構造体は、多層金属構造体Ｍ１（第１の部分）および多層金属構造体Ｍ２（第２の部分）を有する。多層金属構造体Ｍ２は、多層金属構造体Ｍ１上に積層されており、かつ多層金属構造体Ｍ１と同様に、第１金属薄膜４と、第１めっき厚膜８と、第２金属薄膜９と、第２めっき厚膜１１とを有する。
【００４７】
次に本実施の形態の多層メタル構造体の製造方法について説明する。まず実施の形態１における図３〜図１０と同様の工程が行なわれることによって多層金属構造体Ｍ１が形成される。次に、実施の形態１における図４〜図１０に示す工程が再度行なわれることによって多層金属構造体Ｍ２が形成される。次に実施の形態１における図１１〜図１３と同様の方法によって不要部分が除去されることにより、本実施の形態の多層金属構造体（図１４）が得られる。
【００４８】
本実施の形態によれば、実施の形態１に比して、積層数がより多い多層金属構造体や、より高いアスペクト比を持つ多層金属構造体Ｍ１が得られる。
【００４９】
なお上記の各実施の形態において、金属層３がスパッタ法により１μｍの厚さで形成される例を示したが、これ以外の成膜方法および厚さを用いることもできる。たとえば金属層３は、めっき法により１μｍ以上の厚さで形成されてもよい。
【００５０】
また第１めっき厚膜８および第２めっき厚膜１１のそれぞれは、柱状および直線状であるが、レジストでパターニングできる形状であれば、これら以外の形状であってもよい。
【００５１】
また第１めっき厚膜８および第２めっき厚膜１１の各々は両端が互いに繋がっているが、一端だけ接続されている構造が形成されてもよい。
【００５２】
また微細な空隙７の開口部形状は特に限定されない。
また多層金属構造体の全体がシリコン基板１に固定されているが、ネガレジストパターン６または第２ポジレジストパターン１０を犠牲層として、カンチレバーなどの可動部を有する構造が形成されてもよい。
【００５３】
また、金属層３と、第１金属薄膜４と、第１めっき厚膜８と、第２金属薄膜９と、第２めっき厚膜１１との各々の材料について金を例示したが、本発明はこれに限らず、銀や銅などの金属を用いてもよい。
【００５４】
また、シリコン基板１を用いているが、本発明はこれに限らず、ガラス基板などの誘電体基板、アルミナ基板、樹脂基板、もしくはＧａＡｓ基板などの半導体基板を用いてもよい。
【００５５】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、レジストを用いた金属構造体の製造方法に特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００５７】
１  シリコン基板、２  絶縁膜、３  金属層３、３ａ，３ｂ  金属層の端部、４  第１金属薄膜、５  第１ポジレジストパターン、６  ネガレジストパターン、７  空隙、８  第１めっき厚膜、９  第２金属薄膜、１０  第２ポジレジストパターン、１１  第２めっき厚膜、ＢＤ  母材、Ｍ１  多層金属構造体（第１の部分）、Ｍ２  第２の部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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