(57)【要約】【課題】回路規模が小さく信頼性の高い位相変調光信号を送信することができる光送信装置を提供する。【解決手段】光送信装置１は、アーム２１ａ，２１ｂにサブ変調器Ｍ２，Ｍ３がそれぞれ形成されたメイン変調器Ｍ１を有する変調部２０を備える。この変調部２０は、アーム２１ａ，２１ｂの各々を介する光信号Ｌ１１，Ｌ１２間の位相差を設定すると共に、外部から入力されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２及びデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２に応じて光信号Ｌ１１，Ｌ１２をそれぞれ変調する。バイアス制御部５０は、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２によって光信号Ｌ１１，Ｌ１２にディザ信号を重畳し、フォトダイオードＰＤからの受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号の検波結果に基づいてメイン変調器Ｍ１に設けられたバイアス電極２４ａに印加するバイアス信号Ｂ３を制御する。【選択図】図１
2010028741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光を分岐して得られる第１，第２光信号間の位相差を設定するとともに、外部から入力される第１，第２データ信号に応じて前記第１，第２光信号をそれぞれ変調する変調部を備えており、当該変調部を介した前記第１，第２光信号を結合した位相変調光信号を出力する光送信装置において、
前記位相変調光信号を受光して受光信号を出力する受光部と、
前記変調部を介する前記第１，第２光信号の少なくとも一方に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差を制御する制御部と
を備えることを特徴とする光送信装置。
【請求項２】
前記変調部は、前記第１光信号を更に分岐して得られる２つの第１分岐光信号間の位相差を設定するとともに、前記第１データ信号をなす２つのデータ信号に応じて前記第１分岐光信号をそれぞれ変調する第１変調部と、
前記第２光信号を更に分岐して得られる２つの第２分岐光信号間の位相差を設定するとともに、前記第２データ信号をなす２つのデータ信号に応じて前記第２分岐光信号をそれぞれ変調する第２変調部と
を備えることを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１変調部を介する前記第１分岐光信号に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記第１変調部で設定される第１分岐光信号間の位相差を制御する第１制御部と、
前記第２変調部を介する前記第２分岐光信号に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記第２変調部で設定される第２分岐光信号間の位相差を制御する第２制御部と、
前記第１，第２制御部の何れか一方によって重畳されて、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差を制御する第３制御部と
を備えることを特徴とする請求項２記載の光送信装置。
【請求項４】
前記第１データ信号をなす２つの信号及び前記第２データ信号をなす２つの信号は、互いに論理を反転した信号又は互いに関連のない個別の信号であることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の光送信装置。
【請求項５】
前記第１光信号に重畳されるディザ信号と第２光信号に重畳されるディザ信号とは周波数が異なることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の光送信装置。
【請求項６】
前記第１光信号に重畳されるディザ信号と第２光信号に重畳されるディザ信号とは周波数が同一であり、前記第１，第２光信号に対し時分割で重畳されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の光送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相変調光信号を送信する光送信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光伝送システムの大容量化及び長距離化を実現するための研究開発が盛んに行われている。特に、光伝送システムの最大伝送速度を１０Ｇｂｐｓ（bit per second）から４０Ｇｂｐｓに引き上げるべく、ＤＰＳＫ（Differential Phase Shift Keying：差動位相偏移変調）やＤＱＰＳＫ（Differential Quadrature Phase Shift Keying：差動４相位相偏移変調）等の位相変調方式を用いて変調された光信号の送受信を行う光伝送システムの実用化が期待されている。
【０００３】
以下の特許文献１，２には、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の電気光学効果を有する基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路を用いて、光源からの光を変調する光変調器が開示されている。具体的に、これら特許文献１，２に開示された光変調器は、光源からの光を分岐して分岐光の各々を互いに異なる光路を伝播させた後に合波するマッハツェンダ型光導波路（メイン導波路）と、メイン導波路の各々の光路に形成された２つのマッハツェンダ型光導波路（第１，第２サブ導波路）とを備えるネスト型の変調器である。この光変調器の第１，第２サブ導波路には変調信号を印加する電極が形成されており、各々の電極に印加される変調信号に応じて変調された光信号が光変調器から出力される。
【０００４】
上記の光変調器は、使用環境の温度変化による出力特性の変化（温度ドリフト）や、出力特性の経時的な変化（経時ドリフト）が生ずる。このため、光変調器の第１，第２サブ導波路には上記の電極に加えてドリフトを抑制するための直流バイアスを印加する電極（バイアス電極）がそれぞれ形成されており、またメイン導波路にも同様のバイアス電極が形成されている。そして、これらバイアス電極の各々に対応して、各バイアス電極に印加する直流バイアスの電圧を制御するバイアス制御回路が設けられている。
【０００５】
これらバイアス制御回路は、対応するバイアス電極に対して、互い異なる周波数を有するディザ信号を重畳した直流バイアスを印加する。そして、光変調器から出力される光信号を受光して得た受光信号を、上記の直流バイアスに重畳したディザ信号を用いてそれぞれ個別に同期検波し、この同期検波により得られた信号を用いて、対応するバイアス電極に印加する直流バイアスの電圧を制御する。以上の制御によって、温度ドリフトや経時ドリフトが抑制されている。
【特許文献１】特開２００４−３１８０５２号公報
【特許文献２】特開２００７−８２０９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したメイン導波路及び第１，第２サブ導波路に形成されたバイアス電極の各々に対応して設けられたバイアス制御回路は、互いに異なる周波数を有するディザ信号を直流バイアスに重畳するとともに、そのディザ信号を用いて受光信号を同期検波している。このため、従来の光送信装置は、各バイアス制御回路が同時に直流バイアスの電圧を制御することができるという利点を有する。しかしながら、バイアス制御回路の各々についてディザ信号源と同期検波回路とが必要になるため、回路規模が大きくなるという問題があった。
【０００７】
また、上述した光変調器は光送信装置に内蔵されて用いられるため、大きさ（実装面積）がある程度制限される。ここで、実装面積に合わせて光変調器自体を小型化しようとすると、メイン導波路及び第１，第２サブ導波路に設けられるバイアス電極の、光路に沿う方向の寸法が制限されることがある。バイアス電極の寸法が短くなると、上述したドリフトを抑制するためにはより高い電圧（例えば、数倍程度の電圧）を有する直流バイアスを印加する必要がある。ここで、光変調器を小型化する場合には、バイアス電極の寸法のみならず他の電極との間隔も狭くなることが多いため、印加される電圧が高くなることにより放電の虞も考えられ、信頼性が低下するという問題が生ずる可能性がある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、回路規模が小さく信頼性の高い位相変調光信号を送信することができる光送信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の光送信装置は、入力光を分岐して得られる第１，第２光信号（Ｌ１１、Ｌ１２）間の位相差を設定するとともに、外部から入力される第１，第２データ信号（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ４１、Ｄ４２）に応じて前記第１，第２光信号をそれぞれ変調する変調部（２０）を備えており、当該変調部を介した前記第１，第２光信号を結合した位相変調光信号（Ｌ１）を出力する光送信装置（１、２、２′、３、３′）において、前記位相変調光信号を受光して受光信号（Ｒ１）を出力する受光部（４０）と、前記変調部を介する前記第１，第２光信号の少なくとも一方に対して所定の周波数を有するディザ信号（Ｚ１〜Ｚ４）を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差を制御する制御部（５０、６０、８０）とを備えることを特徴としている。
この発明によると、変調部を介する第１，第２光信号の少なくとも一方に対して所定の周波数を有するディザ信号が制御部によって重畳され、受光部から出力される受光信号に含まれるディザ信号の検出結果に基づいて変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差が制御部によって制御される。
また、本発明の光送信装置は、前記変調部が、前記第１光信号を更に分岐して得られる２つの第１分岐光信号間の位相差を設定するとともに、前記第１データ信号をなす２つのデータ信号に応じて前記第１分岐光信号をそれぞれ変調する第１変調部（Ｍ２）と、前記第２光信号を更に分岐して得られる２つの第２分岐光信号間の位相差を設定するとともに、前記第２データ信号をなす２つのデータ信号に応じて前記第２分岐光信号をそれぞれ変調する第２変調部（Ｍ３）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の光送信装置は、前記制御部が、前記第１変調部を介する前記第１分岐光信号に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記第１変調部で設定される第１分岐光信号間の位相差を制御する第１制御部（５３ａ）と、前記第２変調部を介する前記第２分岐光信号に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記第２変調部で設定される第２分岐光信号間の位相差を制御する第２制御部（５３ｂ）と、前記第１，第２制御部の何れか一方によって重畳されて、前記受光部から出力される前記受光信号に含まれる前記ディザ信号の検出結果に基づいて前記変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差を制御する第３制御部（５３ｃ）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の光送信装置は、前記第１データ信号をなす２つの信号及び前記第２データ信号をなす２つの信号は、互いに論理を反転した信号又は互いに関連のない個別の信号であることを特徴としている。
また、本発明の光送信装置は、前記第１光信号に重畳されるディザ信号と第２光信号に重畳されるディザ信号とは周波数が異なることを特徴としている。
更に、本発明の光送信装置は、前記第１光信号に重畳されるディザ信号と第２光信号に重畳されるディザ信号とは周波数が同一であり、前記第１，第２光信号に対し時分割で重畳されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、変調部を介する第１，第２光信号の少なくとも一方に対して所定の周波数を有するディザ信号を重畳し、受光部から出力される受光信号に含まれるディザ信号の検出結果に基づいて変調部で設定される第１，第２光信号間の位相差を制御しており、第１，第２光信号間の位相差の制御を行うために従来必要であったディザ信号を重畳する構成を省略することができるため、光送信装置の回路規模を小さくすることができるという効果がある。
また、本発明では、第１，第２光信号間の位相差を制御するための制御信号（バイアス信号）に対してディザ信号を重畳する必要がないため、ディザ信号の振幅分だけ制御信号の電圧を抑えることができる。これにより放電を防止することができ、高い信頼性を得ることもできるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による光送信装置について詳細に説明する。
【００１２】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の光送信装置１は、光源１０、変調部２０、光方向性結合器３０、フォトダイオード４０（受光部）、及びバイアス制御部５０（制御部）を備えており、外部から入力されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２（第１データ信号）及びデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２（第２データ信号）に基づいて変調された位相変調光信号Ｌ１を生成して送信する。尚、本実施形態では、上記のデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２及びデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２はそれぞれ差動信号（互いに論理を反転した信号）であるとし、光送信装置１はＤＱＰＳＫ方式により変調した位相変調光信号Ｌ１を送信するものであるとする。
【００１３】
光源１０は、例えばレーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）であり連続光（ＣＷ光：Continuous Wave）を射出する。変調部２０は、一対のアーム２１ａ，２１ｂを有するマッハツェンダ変調器（以下、メイン変調器Ｍ１という）を備えており、光源１０からの連続光を、アーム２１ａを介する光信号Ｌ１１（第１光信号）とアーム２１ｂを介する光信号Ｌ１２（第２光信号）とに２分岐する。そして、光信号Ｌ１１，Ｌ１２間の位相差を設定するとともに、外部から入力されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２及びデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２に応じた変調を光信号Ｌ１１，Ｌ１２の各々に対して行い、その後にそれらを結合（合波）して位相変調光信号を生成する。
【００１４】
メイン変調器Ｍ１の一方のアーム２１ａには一対のアームを有するマッハツェンダ変調器（以下、サブ変調器Ｍ２という：第１変調部）が形成されており、他方のアーム２１ｂには一対のアームを有するマッハツェンダ変調器（以下、サブ変調器Ｍ３という：第２変調部）が形成されている。サブ変調器Ｍ２は、アーム２１ａを介する光信号Ｌ１１を更に２つの分岐光（第１分岐光信号）に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ１１，Ｄ１２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。同様に、サブ変調器Ｍ３は、アーム２１ｂを介する光信号Ｌ１２を更に２つの分岐光（第２分岐光信号）に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ２１，Ｄ２２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。
【００１５】
サブ変調器Ｍ２の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ１１が印加される変調電極２２ａとバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ１が印加されるバイアス電極２３ａとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ１２が印加される変調電極２２ｂが形成されている。変調電極２２ａ，２２ｂに印加されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２によって分岐光（光信号Ｌ１１の分岐光）の各々が変調され、バイアス電極２３ａに印加されるバイアス信号Ｂ１によって分岐光間の位相差が設定される。
【００１６】
同様に、サブ変調器Ｍ３の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ２１が印加される変調電極２２ｃとバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ２が印加されるバイアス電極２３ｂとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ２２が印加される変調電極２２ｄが形成されている。変調電極２２ｃ，２２ｄに印加されるデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２によって分岐光（光信号Ｌ１２の分岐光）の各々が変調され、バイアス電極２３ｂに印加されるバイアス信号Ｂ２によって分岐光間の位相差が設定される。
【００１７】
また、メイン変調器Ｍ１の一方のアーム２１ａには、バイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ３が印加されるバイアス電極２４ａが形成されている。このバイアス電極２４ａに印加されるバイアス信号Ｂ３によってメイン変調器Ｍ１のアーム２１ａ，２１ｂの各々を介する光信号Ｌ１１，Ｌ１２間の位相が設定される。尚、アーム２１ａ，２１ｂは変調部２０の出力端において結合されており、これにより、アーム２１ａ，２１ｂの各々を介した光信号Ｌ１１，Ｌ１２は合波されて位相変調光信号として出力される。
【００１８】
光方向性結合器３０は、変調部２０の後段に設けられており、変調部２０から出力される位相変調光信号を所定の分岐比（例えば、数百対一）で分岐する。つまり、変調部２０から出力される位相変調光信号のごく一部のみを反射又は分岐し、殆どを透過する。光方向性結合器３０で分岐（反射）された位相変調光信号はフォトダイオード（ＰＤ）４０に導かれ、光方向性結合器３０を透過した位相変調光信号は、位相変調光信号Ｌ１として外部に出力される。この光方向性結合器３０としては、例えばビームスプリッタ等の空間型の光分岐器、光ファイバ型の光分岐器、又は平面導波路型の光分岐器を用いることができる。尚、光方向性結合器３０の分岐比率は、フォトダイオード４０の感度等に応じて決定される。
【００１９】
フォトダイオード４０は、光方向性結合器３０で分岐（反射）された位相変調光信号を受光してその強度を示す受光信号Ｒ１を出力する。バイアス制御部５０は、ディザ信号生成部５１ａ，５１ｂ、同期検波回路５２ａ，５２ｂ、及びバイアス制御回路５３ａ〜５３ｃを備えており、ディザ信号を重畳したバイアス信号Ｂ１，Ｂ２をバイアス電極２３ａ，２３ｂにそれぞれ印加するとともに、受光信号Ｒ１に重畳されているディザ信号を同期検波し、この検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ１，Ｂ２及びバイアス信号Ｂ３の電圧を制御する。
【００２０】
ディザ信号生成部５１ａ，５１ｂは、所定の周波数を有するディザ信号Ｚ１，Ｚ２を生成する。ここで、本実施形態では、ディザ信号生成部５１ａが生成するディザ信号Ｚ１の周波数がｆ１であって、ディザ信号生成部５１ｂが生成するディザ信号Ｚ２の周波数がｆ２であるとする。尚、ディザ信号Ｚ１，Ｚ２の周波数は、任意の周波数に設定することができ、また同じであっても良い。
【００２１】
同期検波回路５２ａは、ディザ信号生成部５１ａで生成されたディザ信号Ｚ１を用いてフォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１を同期検波する。同様に、同期検波回路５２ｂは、ディザ信号生成部５１ｂで生成されたディザ信号Ｚ２を用いてフォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１を同期検波する。これにより、同期検波回路５２ａからは受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１の大きさ（電圧）を示す検波信号が出力され、同期検波回路５２ｂからは受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ２の大きさ（電圧）を示す検波信号が出力される。
【００２２】
バイアス制御回路５３ａは、ディザ信号生成部５１ａで生成されたディザ信号Ｚ１を重畳したバイアス信号Ｂ１を出力するとともに、同期検波回路５２ａから出力される検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ１の電圧を制御する。同様に、バイアス制御回路５３ｂは、ディザ信号生成部５１ｂで生成されたディザ信号Ｚ２を重畳したバイアス信号Ｂ２を出力するとともに、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ２の電圧を制御する。
【００２３】
バイアス制御回路５３ｃは、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号に基づいて、メイン変調器Ｍ１に設けられたバイアス電極２４ａに印加されるバイアス信号Ｂ３の電圧を制御する。ここで、バイアス制御回路５３ａに対してはディザ信号生成部５１ａ及び同期検波回路５２ａが設けられており、バイアス制御回路５３ｂに対してはディザ信号生成部５１ｂ及び同期検波回路５２ｂが設けられているが、バイアス制御回路５３ｃに対してはディザ信号生成部及び同期検波回路の双方が設けられておらず、しかもバイアス制御回路５３ｃによってバイアス信号Ｂ３にディザ信号が重畳されていない。これは、バイアス制御に係る回路の規模を小さくするためである。
【００２４】
バイアス制御部５０は、バイアス制御回路５３ａによるバイアス信号Ｂ１の電圧制御及びバイアス制御回路５３ｂによるバイアス信号Ｂ２の電圧制御を行わせた後に、バイアス制御回路５３ｃによるバイアス信号Ｂ３の電圧制御を行わせる。ここで、バイアス制御回路５３ａ，５３ｂがバイアス信号Ｂ１，Ｂ２にそれぞれ重畳する周波数は互いに異なる周波数（ｆ１，ｆ２）であるため、バイアス制御部５０は、バイアス制御回路５３ａによるバイアス信号Ｂ１の電圧制御とバイアス制御回路５３ｂによるバイアス信号Ｂ２の電圧制御とを同時に行わせる。
【００２５】
バイアス制御回路５３ｃは、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号が零となるようにバイアス電圧Ｂ３を制御する。図２は、バイアス信号Ｂ３と同期検波回路５２ｂから出力される検波信号との関係を示す図である。図２に示す通り、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号の電圧は、バイアス信号Ｂ３の電圧の変化に伴って、図中符号Ｐ１を付した線分に沿って変化する。このため、バイアス制御回路５３ｃはバイアス信号Ｂ３の電圧制御を行い、バイアス信号Ｂ３の電圧値を同期検波回路５２ｂから出力される検波信号が零となるバイアス電圧Ｖ１に設定する。
【００２６】
次に、本実施形態による光送信装置１の動作について説明する。光源１０からの連続光が変調部２０のメイン変調器Ｍ１に入射すると、例えば１対１の強度比でアーム２１ａを介する光信号Ｌ１１とアーム２１ｂを介する光信号Ｌ１２とに分岐される。アーム２１ａに分岐された光信号Ｌ１１はアーム２１ａに形成されたサブ変調器Ｍ２に入射して更に二分岐され、アーム２１ｂに分岐された光信号Ｌ１２はアーム２１ｂに形成されたサブ変調器Ｍ３に入射して更に二分岐される。
【００２７】
サブ変調器Ｍ２で分岐された一方の分岐光は変調電極２２ａに印加されるデータ信号Ｄ１１に応じた変調を受け、他方の分岐光は変調電極２２ｂに印加されるデータ信号Ｄ１２に応じた変調を受ける。また、データ信号Ｄ１１に応じた変調を受けた上記の一方の分岐光は、バイアス電極２３ａに印加されるバイアス信号Ｂ１によって位相が変化し、他方の分岐光に対して所定の位相差に設定された後に他方の分岐光と結合される。ここで、上記のバイアス信号Ｂ１にはディザ信号Ｚ１が重畳されているため、サブ変調器Ｍ２を介した光信号Ｌ１１にはディザ信号Ｚ１の周波数ｆ１を有する周波数成分が含まれる。
【００２８】
また、サブ変調器Ｍ３で分岐された一方の分岐光は変調電極２２ｃに印加されるデータ信号Ｄ２１に応じた変調を受け、他方の分岐光は変調電極２２ｄに印加されるデータ信号Ｄ２２に応じた変調を受ける。また、データ信号Ｄ２１に応じた変調を受けた上記の一方の分岐光は、バイアス電極２３ｂに印加されるバイアス信号Ｂ２によって位相が変化し、他方の分岐光に対して所定の位相差に設定された後に他方の分岐光と結合される。ここで、上記のバイアス信号Ｂ２にはディザ信号Ｚ２が重畳されているため、サブ変調器Ｍ３を介した光信号Ｌ１２にはディザ信号Ｚ２の周波数ｆ２を有する周波数成分が含まれる。
【００２９】
サブ変調器Ｍ２を介した光信号Ｌ１１はバイアス電極２４ａに印加されるバイアス信号Ｂ３によって位相がπ／２だけ変化される。これにより、光信号Ｌ１１は、サブ変調器Ｍ３を介した光信号Ｌ１２に対してπ／２の位相差が与えられる。その後、アーム２１ａを介する光信号Ｌ１１とアーム２１ｂを介する光信号Ｌ１２とが結合（合波）され、変調部２０からは光信号Ｌ１１，Ｌ１２が結合された位相変調光信号が出力される。この位相変調光信号は、光方向性結合器３０を介した後に位相変調光信号Ｌ１として外部に送信される。
【００３０】
ここで、光方向性結合器３０に入射した位相変調光信号は一部が分岐（反射）されてフォトダイオード４０で受光され、フォトダイオード４０からは受光信号Ｒ１が出力される。この受光信号Ｒ１は、バイアス制御部５０に入射して同期検波回路５２ａ，５２ｂの各々で同期検波される。これにより、同期検波回路５２ａからは受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１の大きさ（電圧）を示す検波信号が出力され、同期検波回路５２ｂからは受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ２の大きさ（電圧）を示す検波信号が出力される。
【００３１】
同期検波回路５２ａ，５２ｂの検波信号はバイアス制御回路５３ａ，５３ｂにそれぞれ入力され、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２の制御がバイアス制御回路５３ａ，５３ｂの各々で並行して行われる。バイアス信号Ｂ１，Ｂ２の制御が終了すると、図２を用いて説明した通り、バイアス制御回路５３ｃによって同期検波回路５２ｂから出力される検波信号が零となるようにバイアス電圧Ｂ３が制御される。以上の制御により、サブ変調器Ｍ２，Ｍ３に関するバイアス信号Ｂ１，Ｂ２と、メイン変調器Ｍ１に関するバイアス信号Ｂ３とが最適となるように設定される。
【００３２】
以上の通り、本実施形態では、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２に重畳すべきディザ信号Ｚ１，Ｚ２を生成するディザ信号生成部５１ａ，５１ｂと、フォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１，Ｚ２を同期検波する同期検波回路５２ａ，５２ｂとをバイアス制御部５０に設け、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号に基づいてバイアス制御回路５３ｃがバイアス信号Ｂ３の電圧を制御している。このため、バイアス制御回路５３ｃに対するディザ信号生成部及び同期検波回路が不要となり、バイアス制御部５０の回路規模を小さくすることができる。また、バイアス信号Ｂ３に対してはディザ信号を重畳する必要がなく、ディザ信号の振幅分だけバイアス信号Ｂ３の電圧を抑えることができるため、放電を防止することができ、高い信頼性を得ることもできる
【００３３】
尚、以上説明した実施形態では、図１に示す通り、バイアス制御回路５３ｃが同期検波回路５２ｂから出力される検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ３の電圧を制御する場合について説明したが、バイアス制御回路５３ｃによるバイアス信号Ｂ３の制御は同期検波回路５２ａから出力される検波信号に基づいて行っても良い。かかる制御を行う場合には、バイアス制御回路５３ｃは同期検波回路５２ａから出力される検波信号が零となるようにバイアス電圧Ｂ３を制御する。
【００３４】
また、以上説明した実施形態では、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２に重畳されるディザ信号Ｚ１，Ｚ２の周波数が異なる場合について説明したが、バイアス制御回路５３ａによる制御とバイアス制御回路５３ｂによる制御とを時分割で行うようにすれば、ディザ信号Ｚ１，Ｚ２の周波数は同じであっても良い。ディザ信号Ｚ１，Ｚ２の周波数が同じ場合には、１つのディザ信号生成部及び１つの同期検波回路をバイアス制御回路５３ａ，５３ｂで共用することができるため、より回路規模を小さくすることができる。
【００３５】
更に、上記実施形態では、データ信号Ｄ１１，Ｄ１２及びデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２がそれぞれ互いに論理を反転した差動信号である場合について説明した。しかしながら、これらデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２として、互いに関連のない個別の信号を用いることができる。これにより、光送信装置１から１６値変調された位相変調光信号Ｌ１を送信させることができる。
【００３６】
〔第２実施形態〕
図３は、本発明の第２実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。図３に示す通り、本実施形態の光送信装置２は、図１に示したサブ変調器Ｍ２，Ｍ３における変調電極２２ａ〜２２ｄの形成位置にサブ変調器Ｍ１１〜Ｍ１４が形成された変調部２０を備えており、バイアス制御部５０に代えてバイアス制御部６０を備えた構成である。
【００３７】
サブ変調器Ｍ１１は、サブ変調器Ｍ２で分岐された一方の分岐光を更に２つの分岐光に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ１１，Ｄ１２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。サブ変調器Ｍ１２は、サブ変調器Ｍ２で分岐された他方の分岐光を更に２つの分岐光に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ２１，Ｄ２２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。
【００３８】
サブ変調器Ｍ１３は、サブ変調器Ｍ３で分岐された一方の分岐光を更に２つの分岐光に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ３１，Ｄ３２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。サブ変調器Ｍ１４は、サブ変調器Ｍ３で分岐された他方の分岐光を更に２つの分岐光に分岐し、これら分岐光間の位相差を設定するとともに、データ信号Ｄ４１，Ｄ４２に応じた変調を分岐光の各々に対して行った後に合波する。
【００３９】
サブ変調器Ｍ１１の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ１１が印加される変調電極２５ａとバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ１１が印加されるバイアス電極２６ａとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ１２が印加される変調電極２５ｂが形成されている。変調電極２５ａ，２５ｂに印加されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２によって分岐光の各々が変調され、バイアス電極２６ａに印加されるバイアス信号Ｂ１１によって分岐光間の位相差が設定される。
【００４０】
また、サブ変調器Ｍ１２の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ２１が印加される変調電極２５ｃとバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ１２が印加されるバイアス電極２６ｂとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ２２が印加される変調電極２５ｄが形成されている。変調電極２５ｃ，２５ｄに印加されるデータ信号Ｄ２１，Ｄ２２によって分岐光の各々が変調され、バイアス電極２６ｂに印加されるバイアス信号Ｂ１２によって分岐光間の位相差が設定される。
【００４１】
また、サブ変調器Ｍ１３の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ３１が印加される変調電極２５ｅとバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ１３が印加されるバイアス電極２６ｃとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ３２が印加される変調電極２５ｆが形成されている。変調電極２５ｅ，２５ｆに印加されるデータ信号Ｄ３１，Ｄ３２によって分岐光の各々が変調され、バイアス電極２６ｃに印加されるバイアス信号Ｂ１３によって分岐光間の位相差が設定される。
【００４２】
更に、サブ変調器Ｍ１４の一方のアームには上記のデータ信号Ｄ４１が印加される変調電極２５ｇとバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ１４が印加されるバイアス電極２６ｄとが形成されており、他方のアームには上記のデータ信号Ｄ４２が印加される変調電極２５ｈが形成されている。変調電極２５ｇ，２５ｈに印加されるデータ信号Ｄ４１，Ｄ４２によって分岐光の各々が変調され、バイアス電極２６ｄに印加されるバイアス信号Ｂ１４によって分岐光間の位相差が設定される。
【００４３】
尚、サブ変調器Ｍ２に形成されるバイアス電極２３ａにはバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ２１が印加され、サブ変調器Ｍ３に形成されるバイアス電極２３ｂにはバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ２２が印加される。また、メイン変調器Ｍ１に形成されるバイアス電極２４ｂにはバイアス制御部６０からのバイアス信号Ｂ３１が印加される。
【００４４】
図４は、バイアス制御部６０の構成例を示すブロック図である。図４に示す通り、バイアス制御部６０は、ディザ信号生成部６１ａ〜６１ｄ、同期検波回路６２ａ〜６２ｄ、及びバイアス制御回路６３ａ〜６３ｇを備えており、ディザ信号を重畳したバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４をバイアス電極２６ａ〜２６ｄにそれぞれ印加するとともに、受光信号Ｒ１に重畳されているディザ信号を同期検波し、この検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４並びにバイアス信号Ｂ２１，Ｂ２２及びバイアス信号Ｂ３１の電圧を制御する。
【００４５】
ディザ信号生成部６１ａ〜６１ｄは、所定の周波数を有するディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を生成する。ここでディザ信号Ｚ１〜Ｚ４の周波数は互いに異なっていても良く、同じであっても良い。同期検波回路６２ａ〜６２ｄは、ディザ信号生成部６１ａ〜６１ｄで生成されたディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を用いてフォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１をそれぞれ同期検波する。これにより、同期検波回路６２ａ〜６２ｄからは受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１〜Ｚ４の大きさ（電圧）を示す検波信号がそれぞれ出力される。
【００４６】
バイアス制御回路６３ａ〜６３ｄは、ディザ信号生成部６１ａ〜６１ｄで生成されたディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を重畳したバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４をそれぞれ出力する。また、これらバイアス制御回路６３ａ〜６３ｄは、同期検波回路６２ａ〜６２ｄから出力される検波信号に基づいてバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４の電圧をそれぞれ制御する。バイアス制御回路６３ｅ，６３ｆは、同期検波回路６２ｂ，６２ｄから出力される検波信号に基づいて、サブ変調器Ｍ２，Ｍ３に設けられたバイアス電極２３ａ，２３ｂに印加されるバイアス信号Ｂ２１，Ｂ２２の電圧をそれぞれ制御する。
【００４７】
バイアス制御回路６３ｇは、同期検波回路６２ｄから出力される検波信号に基づいて、メイン変調器Ｍ１に設けられたバイアス電極２４ａに印加されるバイアス信号Ｂ３１の電圧を制御する。ここで、図４に示す通り、バイアス制御回路６３ｅ〜６３ｇに対しては、ディザ信号生成部及び同期検波回路の双方が設けられておらず、しかもバイアス制御回路６３ｅ〜６３ｇによってバイアス信号Ｂ２１，Ｂ２２及びバイアス信号Ｂ３１にはディザ信号が重畳されていない。このため、バイアス制御部６０の回路規模を小さくすることができる。
【００４８】
以上の構成における光送信装置２の基本的な動作は第１実施形態の光送信装置１と同様である。但し、バイアス信号の制御については、まずバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４の制御がバイアス制御回路６３ａ〜６３ｄの各々で並行して行われる。これらバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４の制御が終了すると、次にバイアス信号Ｂ２１，Ｂ２２の制御がバイアス制御回路６３ｅ，６３ｆで行われ、最後に、バイアス信号Ｂ３１の制御がバイアス制御回路６３ｇで行われる。
【００４９】
以上の通り、本実施形態では、バイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４に重畳すべきディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を生成するディザ信号生成部６１ａ〜６１ｄと、フォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を同期検波する同期検波回路６２ａ〜６２ｄとをバイアス制御部６０に設けている。そして、同期検波回路６２ｂから出力される検波信号に基づいてバイアス制御回路６３ｅがバイアス信号Ｂ２１の電圧を制御し、同期検波回路６２ｄから出力される検波信号に基づいてバイアス制御回路６３ｆ，６３ｇがバイアス信号Ｂ２２及びバイアス信号Ｂ３１の電圧をそれぞれ制御している。
【００５０】
このため、バイアス制御回路６３ｅ〜６３ｇに対するディザ信号生成部及び同期検波回路が不要となり、バイアス制御部６０の回路規模を小さくすることができる。また、バイアス信号Ｂ２１，Ｂ２２及びバイアス信号Ｂ３１に対してはディザ信号を重畳する必要がなく、ディザ信号の振幅分だけこれらの電圧を抑えることができるため、放電を防止することができ、高い信頼性を得ることもできる
【００５１】
尚、以上説明した実施形態においては、バイアス制御回路６３ｅによるバイアス信号Ｂ２１の制御は同期検波回路６２ａから出力される検波信号に基づいて行っても良く、バイアス制御回路６３ｆによるバイアス信号Ｂ２２の制御は同期検波回路６２ｃから出力される検波信号に基づいて行っても良い。また、バイアス制御回路６３ｇによるバイアス信号Ｂ３１の制御は同期検波回路６２ａ〜６２ｄから出力される検波信号の何れに基づいて行っても良い。
【００５２】
また、本実施形態においても、第１実施形態と同様にディザ信号Ｚ１〜Ｚ４の周波数を同じにすることができる。周波数が同じディザ信号Ｚ１〜Ｚ４を用いる場合には、バイアス制御回路６３ａ〜６３ｄによる制御を時分割で行うとともに、バイアス制御回路６３ｅ〜６３ｆによる制御を時分割で行う必要がある。ディザ信号Ｚ１〜Ｚ４の周波数が同じ場合には、１つのディザ信号生成部及び１つの同期検波回路をバイアス制御回路６３ａ〜６３ｄで共用することができるため、大幅に回路規模を小さくすることができる。
【００５３】
更に、外部から入力されるデータ信号Ｄ１１，Ｄ１２、データ信号Ｄ２１，Ｄ２２、データ信号Ｄ３１，Ｄ３２、及びデータ信号Ｄ４１，Ｄ４２は、それぞれ互いに論理を反転した差動信号であってもよく、互いに関連のない個別の信号であっても良い。これらのデータ信号が差動信号である場合には１６値変調された位相変調光信号Ｌ１を光送信装置２から送信することができ、互いに関連のない個別の信号である場合には１２８値変調された位相変調光信号Ｌ１を光送信装置２から送信することができる。
【００５４】
図５は、本発明の第２実施形態による光送信装置の変形例を示す図である。図５に示す通り、本実施形態の変形例に係る光送信装置２′は、図３に示すサブ変調器Ｍ１４に代えて光減衰器６５を備える。つまり、図３に示す光送信装置２は偶数個のサブ変調器Ｍ１１〜Ｍ１４を備えているのに対し、図５に示す光送信装置２′は奇数個のサブ変調器Ｍ１１〜Ｍ１４を備える。尚、図５においては図示を省略しているが、光送信装置２′にも図４に示すバイアス制御部６０と同様のバイアス制御部が設けられている。但し、図３に示すサブ変調器Ｍ１４に代えて光減衰器６５が設けられているため、バイアス信号Ｂ１４に係る構成は省かれている。
【００５５】
光減衰器６５は、サブ変調器Ｍ３内におけるサブ変調器Ｍ１３の挿入損失を補償するものであり、色ガラスや金属薄膜等を用いることができる。この光減衰器６５を設けることで、サブ変調器Ｍ３で分岐された分岐光の減衰量が等しくなるように調整することが可能となる。尚、光減衰器６５を設けたことにより生ずる分岐光の位相変化は、サブ変調器Ｍ３に設けられるバイアス電極２３ｂに印加されるバイアス信号Ｂ２２によって補償することができる。
【００５６】
〔第３実施形態〕
図６は、本発明の第３実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。図６に示す通り、本実施形態の光送信装置３は、図１に示す光送信装置１と同様に、光源１０、変調部２０、光方向性結合器３０、フォトダイオード４０、及びバイアス制御部５０を備える。但し、変調部２０の構成が第１実施形態とは異なり、またミキサ７４ａ，７４ｂを備える点も第１実施形態とは相違する。
【００５７】
変調部２０は、一対のアーム７１ａ，７１ｂを有するマッハツェンダ変調器（以下、変調器Ｍという）を備えており、光源１０からの連続光を、アーム７１ａを介する光信号Ｌ１１（第１光信号）とアーム７１ｂを介する光信号Ｌ１２（第２光信号）とに２分岐する。そして、光信号Ｌ１１，Ｌ１２間の位相差を設定するとともに、外部から入力されるデータ信号Ｄ１（第１データ信号）及びデータ信号Ｄ２（第２データ信号）に応じた変調を光信号Ｌ１１，Ｌ１２の各々に対して行い、その後にそれらを結合（合波）して位相変調光信号を生成する。
【００５８】
変調器Ｍの一方のアーム７１ａには上記のデータ信号Ｄ１及びバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ１が印加される電極７２ａとバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ２が印加される位相シフタ７３とが形成されており、他方のアーム７１ｂには上記のデータ信号Ｄ２及びバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ２が印加される電極７２ｂが形成されている。電極７２ａ，７２ｂに印加されるデータ信号Ｄ１，Ｄ２によって光信号Ｌ１１，Ｌ１２がそれぞれ変調され、電極７２ａ，７２ｂに印加されるバイアス信号Ｂ１，Ｂ２によって駆動点の調整が行われるとともに光信号Ｌ１１，Ｌ１２にディザ信号Ｚ１，Ｚ２がそれぞれ重畳される。
【００５９】
また、位相シフタ７３は、アーム７１ａを介する光信号Ｌ１１とアーム７１ｂを介する光信号Ｌ１２との間にπ／２の位相差を与えるものである。この 位相シフタ７３は、例えば光信号Ｌ１１が伝播する光導波路を挟むように配置された一対の電極を備えており、この一対の電極に上記のバイアス信号Ｂ３が印加されることにより、光信号Ｌ１１，Ｌ１２間にπ／２の位相差を与えるものである。尚、位相シフタ７３が備える一対の電極に印加するバイアス信号を微調整することによって位相差の微調整が可能である。
【００６０】
ミキサ７４ａは上記のデータ信号Ｄ１とバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ１とを乗算し、ミキサ７４ｂは上記のデータ信号Ｄ２とバイアス制御部５０からのバイアス信号Ｂ２とを乗算する。これらのミキサ７４ａ，７４ｂで乗算された信号が変調器Ｍのアーム７１ａ，７１ｂに設けられた電極７２ａ，７２ｂにそれぞれ印加される。
【００６１】
以上の構成における光送信装置３の基本的な動作は第１実施形態の光送信装置１と同様である。バイアス信号の制御について確認的に言及すると、まずバイアス信号Ｂ１，Ｂ２の制御がバイアス制御回路５３ａ，５３ｂの各々で並行して行われ、これらバイアス信号Ｂ１，Ｂ２制御が終了した後にバイアス信号Ｂ３の制御がバイアス制御回路５３ｃで行われる。
【００６２】
以上の通り、本実施形態では、第１実施形態と同様に、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２に重畳すべきディザ信号Ｚ１，Ｚ２を生成するディザ信号生成部５１ａ，５１ｂと、フォトダイオード４０から出力される受光信号Ｒ１に含まれるディザ信号Ｚ１，Ｚ２を同期検波する同期検波回路５２ａ，５２ｂとをバイアス制御部５０に設けている。そして、同期検波回路５２ｂから出力される検波信号に基づいてバイアス制御回路５３ｃがバイアス信号Ｂ３の電圧を制御している。
【００６３】
このため、バイアス制御回路５３ｃに対するディザ信号生成部及び同期検波回路が不要となり、バイアス制御部５０の回路規模を小さくすることができる。また、バイアス信号Ｂ３に対してはディザ信号を重畳する必要がなく、ディザ信号の振幅分だけこれらの電圧を抑えることができるため、放電を防止することができ、高い信頼性を得ることもできる。
【００６４】
尚、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、バイアス制御回路５３ｃによるバイアス信号Ｂ３の制御は同期検波回路５２ａから出力される検波信号に基づいて行っても良い。また、バイアス制御回路５３ａ，５３ｂによる制御を時分割で行うようにすれば信号Ｚ１，Ｚ２の周波数を同じにすることができる。ディザ信号Ｚ１，Ｚ２の周波数が同じ場合には、１つのディザ信号生成部及び１つの同期検波回路をバイアス制御回路５３ａ，５３ｂで共用することができるため、より回路規模を小さくすることができる。また、外部から入力されるデータ信号Ｄ１，Ｄ２は、互いに論理を反転した差動信号であってもよく、互いに関連のない個別の信号であっても良い。更に、位相シフタ７３は、アーム７１ｂに設けられていても良く、電極７２ａ，７２ｂの前段に設けられていても良い。
【００６５】
図７は、本発明の第３実施形態による光送信装置の変形例を示す図である。図７に示す通り、本実施形態の変形例に係る光送信装置３′は、図６に示すバイアス制御部５０に代えてバイアス制御部８０を設けてミキサ７４ａを省略した構成であり、電極７２ａに対するバイアス信号Ｂ１の印加を省略したものである。即ち、図７に示す光送信装置３′では、外部からのデータ信号Ｄ１のみが電極７２ａに印加されている。
【００６６】
バイアス制御部８０は、図６に示すバイアス制御部５０からディザ信号生成部５１ａ、同期検波回路５２ａ、及びバイアス制御回路５３ａを省略した構成であって、バイアス信号Ｂ２，Ｂ３のみを出力する。以上の構成にすることで、バイアス制御回路の回路規模を更に小さくすることができる。
【００６７】
以上、本発明の実施形態による光送信装置について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、前述した第１実施形態ではディザ信号が重畳されるバイアス信号Ｂ１，Ｂ２毎にバイアス制御回路５３ａ，５３ｂが設けられているバイアス制御部５０を例に挙げ、第２実施形態ではディザ信号が重畳されるバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４毎にバイアス制御回路６３ａ〜６３ｄが設けられているバイアス制御部６０を例に挙げて説明した。
【００６８】
しかしながら、バイアス制御部５０を、ディザ信号が重畳されるバイアス信号Ｂ１，Ｂ２に対して１つのディザ信号生成部、１つの同期検波回路、及び１つのバイアス制御回路のみが設けられた構成にすることができる。同様に、バイアス制御部６０を、ディザ信号が重畳されるバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４に対して１つのディザ信号生成部、１つの同期検波回路、及び１つのバイアス制御回路のみが設けられた構成にすることができる。そして、１つのバイアス制御回路が時分割でバイアス信号Ｂ１，Ｂ２或いはバイアス信号Ｂ１１〜Ｂ１４を制御する。これにより、バイアス制御部５０，６０の回路規模を更に縮小することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。
【図２】バイアス信号Ｂ３と同期検波回路５２ｂから出力される検波信号との関係を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。
【図４】バイアス制御部６０の構成例を示すブロック図である。
【図５】本発明の第２実施形態による光送信装置の変形例を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態による光送信装置の要部構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の第３実施形態による光送信装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１                光送信装置
２，２′          光送信装置
３，３′          光送信装置
２０              変調部
４０              フォトダイオード
５０              バイアス制御部
６０              バイアス制御部
８０              バイアス制御部
５３ａ〜５３ｃ    バイアス制御回路
６３ａ〜６３ｇ    バイアス制御回路
Ｄ１，Ｄ２        データ信号
Ｄ１１，Ｄ１２    データ信号
Ｄ２１，Ｄ２２    データ信号
Ｄ３１，Ｄ３２    データ信号
Ｄ４１，Ｄ４２    データ信号
Ｌ１              位相変調光信号
Ｌ１１，Ｌ１２    光信号
Ｍ                変調器
Ｍ１              メイン変調器
Ｍ２，Ｍ３        サブ変調器
Ｒ１              受光信号
Ｚ１〜Ｚ４        ディザ信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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