(57)【要約】【課題】オーバーエッチングによって反射層の端面に、保護層に対して大きなアンダーカットが生じると、例えば保護層上に形成する上層膜が反射層の端面をカバーできずにカバレッジ不良が発生してしまう虞がある。【解決手段】島状に形成されたレジストと、保護層１２０と平面的に重なる領域以外の反射膜とを、エッチング液でエッチングする。本実施例では、エッチング液として、非水系溶剤でアミンを含んだアルカリ溶剤液を用いることとする。アミンを含んだアルカリ溶剤液は、銀又は銀の合金を材料とする金属膜である反射膜を、レジストと同時にエッチングすることができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光を反射する反射層と、当該反射層の反射面を保護する保護層とが少なくとも形成された電気光学装置であって、
前記反射層は、銀又は銀の合金を材料として形成され、
前記保護層は、透明な無機絶縁物を材料とし、前記反射層に対して前記基板と反対側の面に、平面視で前記反射層とほぼ重なるように積層形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記保護層は、前記無機絶縁物として窒化シリコンまたは酸化シリコンを材料として形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板上に、少なくとも光を反射する反射層と、当該反射層の反射面を保護する保護層とが形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、銀又は銀の合金を材料とする反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に無機絶縁物を材料とする保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に所定のパターン形状を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして、前記レジスト部分以外の前記保護膜をドライエッチング処理によって除去することによって前記保護層を形成する工程と、
前記レジストと、前記ドライエッチング処理によって露出した前記反射膜とを、ウエットエッチング処理で同時に除去して前記反射層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記保護膜は、前記無機絶縁物として窒化シリコンまたは酸化シリコンを材料として形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ウエットエッチング処理において用いるエッチング液は、非水系溶剤で、アミンを含んだアルカリ溶剤液であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項７】
請求項３ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置が、電気光学装置の一つとして実用化されている。トップエミッション方式は、発光素子を挟み基板側に形成された一方の電極である陽極と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟むもう一方の電極である陰極側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。
【０００３】
さらに、トップエミッション方式において、陰極からの光の取り出し効率を高めるために、反射層を形成する材料として、通常使用されるアルミニウムに替えて、光の反射率が高い銀（Ａｇ）または銀の合金を用いた有機ＥＬ装置が提案されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５５９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、通常反射層は、基板上に反射金属材料膜（反射膜）を形成した後、レジストをマスクとしてエッチング処理する方法によって、反射金属材料膜を所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【０００６】
しかしながら、反射層に銀または銀の合金を用いた場合は、銀または銀の合金をエッチングして形成した反射層において、反射面がエッチング処理中は勿論、エッチング処理後においても常に保護層によって保護されている状態であることが必要である。なぜなら、銀または銀の合金は、酸化、硫化、凝集、拡散という現象が生じ易く、有機ＥＬ装置のその後の製造工程における熱処理やエッチング処理、あるいはスパッタ処理やＣＶＤ処理などによって、反射面にマイグレーションを伴う荒れを生じ、反射率が低下してしまうからである。
【０００７】
また、反射層が所定の形状に形成されるように、銀または銀の合金のエッチングを制御することも必要な課題である。特に反射層の端面において、銀または銀の合金が大きくオーバーエッチングされないようにすることが重要である。なぜなら、オーバーエッチングによって反射層の端面に、保護層に対して大きなアンダーカットが生じると、例えば保護層上に形成する上層膜が反射層の端面をカバーできずにカバレッジ不良が発生してしまう虞があるからである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］基板上に、光を反射する反射層と、当該反射層の反射面を保護する保護層とが少なくとも形成された電気光学装置であって、前記反射層は、銀又は銀の合金を材料として形成され、前記保護層は、透明な無機絶縁物を材料とし、前記反射層に対して前記基板と反対側の面に、平面視で前記反射層とほぼ重なるように積層形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、保護層が反射層上に重なるように積層形成されるので、例えば保護層をマスクとして、銀または銀の合金からなる金属膜をエッチングして反射層を形成することができる。また、無機絶縁物を材料とする保護層が反射層上に積層形成されるので、例えば、反射層がエッチングによって形成される場合において、エッチング液から反射面を保護することができる。従って、反射面がエッチングで荒らされることなく反射層を形成することができる。
【００１１】
［適用例２］上記電気光学装置であって、前記保護層は、前記無機絶縁物として窒化シリコンまたは酸化シリコンを材料として形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、窒化シリコンまたは酸化シリコンは形成が容易であり、無機絶縁物として好適である。また、エッチング液によってエッチングされにくい材料であることが期待できる。
【００１３】
［適用例３］基板上に、少なくとも光を反射する反射層と、当該反射層の反射面を保護する保護層とが形成された電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、銀又は銀の合金を材料とする反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に無機絶縁物を材料とする保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に所定のパターン形状を有するレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして、前記レジスト部分以外の前記保護膜をドライエッチング処理によって除去することによって前記保護層を形成する工程と、前記レジストと、前記ドライエッチング処理によって露出した前記反射膜とを、ウエットエッチング処理で同時に除去して前記反射層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、レジストを除去するのと同時に、銀又は銀の合金を材料とする反射膜を、エッチング液で除去する。従って、レジストが除去されても、形成された保護層が反射膜上に残留しているので、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層を形成することができる。また、レジストのエッチング液によって銀または銀の合金をエッチングするので、銀のエッチング液よりもエッチングレートを低く制御することができる。この結果、銀または銀の合金のエッチングを制御し、反射膜の端面において、銀または銀の合金が大きくオーバーエッチングされないようにすることが可能となる。
【００１５】
［適用例４］上記電気光学装置の製造方法であって、前記保護膜は、前記無機絶縁物として窒化シリコンまたは酸化シリコンを材料として形成されることを特徴とする。
【００１６】
この方法によれば、窒化シリコンまたは酸化シリコンは形成が容易であり、無機絶縁物として好適である。また、レジストのエッチング液によってエッチングされにくい材料であることが期待できる。
【００１７】
［適用例５］上記電気光学装置の製造方法であって、前記ウエットエッチング処理において用いるエッチング液は、非水系溶剤で、アミンを含んだアルカリ溶剤液であることを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、アミンを含んだアルカリ溶剤液は、レジストと同時に銀又は銀の合金を材料とする金属膜をエッチングすることができる。
【００１９】
［適用例６］上記電気光学装置を備えた電子機器。
【００２０】
この構成によれば、反射層の反射効率が良く、従って明るい画像表示が得られる電子機器を提供することができる。この結果、電子機器の消費電力を抑制することが出来る。
【００２１】
［適用例７］上記電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えた電子機器。
【００２２】
この構成によれば、反射層の反射効率が良く、従って明るい画像表示が得られる電子機器を提供することができる。この結果、電子機器の消費電力を抑制することが出来る。また、レジストと同時に銀又は銀の合金を材料とする反射膜をエッチングするので、製造工程が少なくコスト上昇を抑制した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施例となる電気光学装置としての有機ＥＬパネルを、電子機器としての一実施例である携帯電話に備えた形態を示した説明図。
【図２】有機ＥＬパネルの全体のレイアウトを、回路構成とともに示した模式図。
【図３】有機ＥＬパネルに形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各画素の構成を示す模式図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図４】基板側に形成された各機能層について拡大表示した模式断面図。
【図５】反射層をエッチングで形成する方法についての工程フローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｄ）はエッチング工程の状態を示す模式図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）はエッチング工程の状態を示す模式図。
【図８】エッチングレートを説明するグラフ。
【図９】第１変形例の有機ＥＬ素子の構造を示す模式図。
【図１０】第２変形例で、画素領域が総て反射表示領域である液晶パネルの断面を示した模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本実施例の説明に際して用いる図面は、説明のために必要に応じて誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
【００２５】
図１は、本発明の一実施例となる電気光学装置としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル１００を、電子機器としての一実施例である携帯電話１に備えた形態を示した説明図である。本実施例の有機ＥＬパネル１００は、自発光素子である有機ＥＬ素子を発光素子として備えたものであり、バックライトが不要で薄型化が可能であることから、画像や文字を表示する薄型の電子機器には好適な表示装置である。従って、本実施例の有機ＥＬパネル１００は、携帯電話に搭載する表示装置として有効である。
【００２６】
有機ＥＬパネル１００には、本実施例では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色に相当する波長光のうちいずれか１色の光を発光可能な画素がそれぞれ複数形成され、画像や文字などの所定のカラー画像を表示するように構成されている。なお、本実施例では、以降の説明を簡単にするために、図１に示すように、有機ＥＬパネル１００は、列方向（図面縦方向）に４画素、行方向（図面横方向）に６画素の計２４個の画素が形成されているものとする。もとより、実際には、行列それぞれの方向に数百画素ないし数千画素といった多くの画素が形成されていることは言うまでもない。
【００２７】
次に、本実施例の有機ＥＬパネル１００について、その具体的な構成について図２を用い、また発光素子となる有機ＥＬ素子の構成について図３を用いて、それぞれ順次説明する。
【００２８】
図２は、有機ＥＬパネル１００の全体のレイアウトを、回路構成とともに示した模式図である。有機ＥＬパネル１００は、基板１０上に形成され略矩形形状を有する陽極１３０の領域を凡そ発光領域とする画素（不図示）が形成されている。画素は、陽極１３０の配列に応じて、基板１０上の所定の領域に行方向および列方向に規則正しく配列されている。なお、陽極１３０の形状は矩形形状以外の形状であってもよい。また陽極１３０の配列、すなわち画素の配列も不規則であってもよいことは勿論である。
【００２９】
また、有機ＥＬパネル１００は、画素ごとに発光駆動されるアクティブマトリックス型の装置である。すなわち、各画素には、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を発光駆動するための駆動素子とが形成されている。駆動素子は、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）１４，１５と保持容量１６とから構成されている。本実施例では、有機ＥＬパネル１００はトップエミッション構造を有しているものとする。従って、駆動素子は、後述する反射層と平面的に重なる位置であって、反射層に対して基板１０側に形成されている。
【００３０】
基板１０の端部には、走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２、および給電端子１３とが形成されている。走査線駆動回路１１からは走査線Ｇａｔｅが、データ線駆動回路１２からはデータ線Ｓｉｇが、また、給電端子１３からはこれに接続された電源供給線Ｃｏｍが、それぞれ各画素に形成された駆動素子に対して図示したように配線され、有機ＥＬ素子を発光駆動する。
【００３１】
まず、走査線Ｇａｔｅは、ＴＦＴ１４のゲートに接続され、走査線Ｇａｔｅを介して供給される電圧信号または電流信号に応じて、ＴＦＴ１４をオン／オフ制御する。そしてＴＦＴ１４がオンすると、ＴＦＴ１４のソースに接続されたデータ線Ｓｉｇから供給される画像信号に応じた電圧が、電源供給線Ｃｏｍから供給される電源によって保持容量１６に保持される。すると、保持容量１６に保持された電圧は、ＴＦＴ１５のゲートに印加され、ＴＦＴ１５をオン状態にする。ＴＦＴ１５のドレインおよびソースは、それぞれ電源供給線Ｃｏｍと陽極１３０に接続され、保持容量１６に保持された電圧に応じた、つまり画像信号に応じた電流が、電源供給線Ｃｏｍを介して陽極１３０に印加される。
【００３２】
各画素に形成される有機ＥＬ素子は、陽極１３０と、総ての画素（発光領域）の表面に渡って形成された陰極１７０（図中二点鎖線）との間に電流を流すことによって発光する。従って、陽極１３０に印加された電流が陰極１７０に流れることによって、有機ＥＬ素子は画像信号に応じた明るさで発光する。つまり、陽極１３０と有機ＥＬ素子と陰極１７０とが重なって積層形成された平面領域が電流の流れる発光領域となる。この結果、この発光領域は、凡そ陽極１３０の領域となるのである。なお、陰極１７０は、外周端部において接地されている。
【００３３】
次に、有機ＥＬパネル１００における具体的な画素構成について、図３を用いて説明する。図３は、有機ＥＬパネル１００に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各画素についての構成を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示した各画素のうち、行方向（図面横方向）にＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の発光領域が並んだ部分を示した平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面を模式的に示した模式断面図である。
【００３４】
図３（ａ）に示したように、各画素は隔壁（図中ハッチング部分）によって区画された画素領域内に発光領域を有している。発光領域は、前述したように凡そ陽極１３０の領域であり略矩形形状を呈している。そして各画素の画素領域には、図３（ｂ）に示したように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色フィルターが所定の配列で並んだカラーフィルターが、各発光領域に重なるように配置されている。
【００３５】
カラーフィルターは、ガラス板上に遮光領域ＢＭによって区分されたＲフィルター、Ｇフィルター、Ｂフィルターが形成されたもので、発光領域から射出された白色光を、このＲフィルター、Ｇフィルター、Ｂフィルターによって、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光に変換する。こうして、各発光領域の明るさに応じた色の光がカラーフィルターから射出されることによって、それぞれＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成し、有機ＥＬパネル１００はカラー画像を表示する。
【００３６】
なお、既に周知構造であることから具体的な説明は省略するが、カラーフィルターは、有機ＥＬ素子が形成される基板１０に対して所定の間隔を保ちながら、その外周部分において樹脂等を介して封止接着されている。また、各色フィルターや遮光領域ＢＭからのガスの流出を防止する保護膜が必要に応じて形成されている。
【００３７】
次に、発光領域について説明する。発光領域は、図３（ｂ）に示したように、陽極１３０と陰極１７０と有機ＥＬ素子１４０とによって構成される。すなわち、陽極１３０と陰極１７０とに挟まれた有機ＥＬ素子１４０に電流が流れることによって、有機ＥＬ素子１４０が発光する発光領域が形成される。
【００３８】
有機ＥＬ素子１４０は、陽極１３０側から図示しない正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各機能層が順に積層され、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素とも総て同じ層厚で形成されたものである。各機能層は、例えば、アミン系有機材料などといった有機材料によって形成されている。また、発光層は、青色発光機能層と黄色発光機能層が積層され、発光領域から白色光を射出するように構成されている。
【００３９】
また、有機ＥＬパネル１００は、トップエミッション構造を有していることから、有機ＥＬ素子１４０の発光光が陰極１７０側から射出するように、陽極１３０に対して基板１０と対向する面側には、反射層１１０が形成されている。反射層１１０に対して基板１０と反対側には、反射層１１０の反射面を保護する目的のために形成された保護層１２０が積層形成されている。
【００４０】
本実施例の有機ＥＬパネル１００においては、反射層１１０は、平面的に陽極１３０と凡そ重なる領域形状を有し、銀または銀を主成分とする銀の合金（例えば、銀とパラジウムの合金、銀と銅の合金など）を材料として形成されている。銀は光の反射率が高い材料であり、有機ＥＬ素子１４０の発光光のうち陽極１３０を透過し基板１０側に射出される光を反射して、陰極１７０側から射出される光束を多くすることができる。
【００４１】
なお、陽極１３０は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）またはＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のように光透過性のある材料で形成された導電層である。同じく陰極１７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの光透過性を有する材料で形成された導電層である。なお、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの光透過性を有する材料以外の金属材料であっても、光が透過する程度に薄く形成されたものであれば陰極材料として使用することは可能である。
【００４２】
ところで、有機ＥＬ素子１４０を発光駆動するための駆動素子は、前述したように反射層１１０と平面的に重なる位置に形成されている。具体的には、図３（ｂ）に示したように、反射層１１０と基板１０との間に位置し表面全体が図示しない平坦化膜で平坦化されたデバイス層２０の内部に、駆動素子であるＴＦＴ１４，１５や保持容量１６が形成されている。そして、ＴＦＴ１５のソース電極は、デバイス層２０において形成された図示しないコンタクトホールによって陽極１３０と結線されている。
【００４３】
さて、本実施例の有機ＥＬパネル１００において、基板１０上に形成された各機能層、特に反射層１１０、保護層１２０、陽極１３０について、図４を参照して更に詳しく説明する。図４は、図３（ｂ）のうち、基板１０側に形成された各機能層について拡大表示した模式断面図である。
【００４４】
図示するように、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素に形成された陽極１３０は、それぞれ異なる層数の導電層で形成されている。本実施例では、Ｒ画素は３層、Ｇ画素は２層、Ｂ画素は１層で形成されるものとした。このように導電層の形成層数を異ならせることによって、陰極１７０と反射層１１０との間の距離を、Ｂ画素において最も短く、Ｒ画素において最も長くしている。こうすることによって、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそれぞれにおいて、反射層１１０と陰極１７０との間でＲ光、Ｇ光、Ｂ光のそれぞれの波長が共振するように調節するのである。
【００４５】
デバイス層２０には、前述したように駆動素子が形成されている。ここでは一例としてＲ画素に対応して形成されたＴＦＴ１５を図示している。もとより、図示および説明は省略するが、Ｇ画素およびＢ画素においても同様に駆動素子が形成されている。
【００４６】
ＴＦＴ１５は、基板１０上に形成された半導体層１５ａのドレイン領域に接続されたドレイン電極１５ｄと、半導体層１５ａのソース領域と接続されたソース電極１５ｓと、半導体層１５ａを覆うゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１５ｇで構成されている。ドレイン電極１５ｄおよびソース電極１５ｓは層間絶縁膜上に形成され、ドレイン電極１５ｄは図示しない電源供給線Ｃｏｍと接続されている。ソース電極１５ｓは、ソース電極１５ｓ（ドレイン電極１５ｄ）を覆うように形成されたカバー層と、このカバー層上に形成された平坦化膜に設けられたコンタクトホールを介して陽極１３０と接続されている。
【００４７】
さて、本実施例では、銀または銀の合金を材料として形成された反射層１１０において、反射面の劣化を抑制するために、平面視で反射層とほぼ重なるように透明な無機絶縁物を材料とする保護層１２０を積層形成する。
【００４８】
この構成によれば、保護層１２０が反射層１１０上に重なるように積層形成されるので、例えば保護層１２０をマスクとして、銀または銀の合金からなる反射膜をエッチングして反射層１１０を形成することができる。また、銀または銀の合金をエッチングするエッチング液に対して耐性を有する無機絶縁物を材料とする保護層１２０が反射層１１０上に積層形成されるので、例えば、反射層１１０がエッチングによって形成される場合において、エッチング液から反射面を保護することができる。従って、反射面がエッチングで荒らされることなく反射層１１０を成形することができる。また、反射層１１０の端面において銀または銀の合金が大きくオーバーエッチングされることなく、平面視で反射層１１０とほぼ重なるように保護層１２０が積層形成されるので、例えば保護層１２０上に形成する上層膜が反射層１１０の端面をカバーできずにカバレッジ不良が発生してしまう確率も低くなる。
【００４９】
それでは、上述する効果を奏する方法である反射層１１０のエッチングによる製造方法について、図６および図７を参照しつつ、図５に示した工程フローチャートにしたがって説明する。なお、図６および図７は、図５における工程の状態を適宜示す模式図である。
【００５０】
図５に示すように、まず、ステップＳ１００にて反射膜の形成処理を行う。具体的には、図６（ａ）に示すように、銀または銀の合金を材料とする反射膜を、デバイス層２０に形成された平坦化膜上に、スパッタリング法や真空蒸着法、ＣＶＤ法などによって堆積形成する。
【００５１】
次に、ステップＳ１０１にて保護膜の形成処理を行う。具体的には、図６（ｂ）に示すように、無機絶縁物を材料とする保護膜を、形成された反射膜上に、スパッタリング法や真空蒸着法、ＣＶＤ法などによって堆積形成する。なお、本実施例では、無機絶縁物として窒化シリコンまたは酸化シリコンを用いることが好ましい。窒化シリコンまたは酸化シリコンは半導体プロセスなどで汎用的に使用されていることから形成が容易であり、無機絶縁物として好適である。また、後述するレジストのエッチング処理において、レジストのエッチング液に対して耐性を有し、エッチングされにくい材料である。
【００５２】
次に、ステップＳ１０２にてレジストの形成処理を行う。具体的には、図６（ｃ）に示すように、例えばレジスト材料を、形成された保護膜上に、スピンコート法や印刷法などによって塗布形成する。なお、本実施例では、レジスト材料として露光部分が除去されるポジ型のフォトレジストを用いるものとする。
【００５３】
次に、ステップＳ１０３にてレジストのパターニング処理を行う。具体的には、塗布されたレジストを、最終的に反射層１１０の平面形状に相当する所定の形状部分以外を露光し、露光した部分を現像除去する。現像後のレジストの形成状態を図６（ｄ）に示した。図示するように、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素に対応する位置に所定のパターン形状を有する島状のレジストが形成される。
【００５４】
次に、ステップＳ１０４にてドライエッチング処理を行う。具体的には、図７（ａ）において矢印で示したように、島状に形成されたレジストをマスクとして、エッチングガスを曝して、無機絶縁物からなる保護膜をドライエッチングする。本実施例では、無機絶縁物が窒化シリコンまたは酸化シリコンであることから、フッ素系のエッチングガスを用いる。なお、イオンやラジカルによって保護膜をエッチングすることとしてもよい。
【００５５】
続いて、ステップＳ１０５にて保護層の形成処理を行う。具体的には、ステップＳ１０４におけるドライエッチング処理においてレジストが形成されていない部分の保護膜が完全に除去されるまでドライエッチングすることによって保護層１２０を形成する。保護層１２０の形成状態を図７（ｂ）に示した。図示するように、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素に対応する位置に所定のパターン形状を有する島状の保護層１２０が、レジストとほぼ重なるように形成される。なお、このドライエッチング処理において、保護膜が完全に除去されるまでドライエッチングすることによって反射膜が部分的にエッチングされることが起こり得るが、レジストが形成されていない部分の反射膜については、次工程で除去されるため、特に問題は生じない。
【００５６】
次に、ステップＳ１０６にてウエットエッチング処理を行う。ここでは、島状に形成されたレジストと、保護層１２０と平面的に重なる領域以外の反射膜とを、エッチング液で同時にエッチングする。こうすることによって、レジストと反射膜とを別々にエッチングする場合に比べて、製造工程が少なくコスト上昇を抑制することができる。本実施例では、このようにレジストと反射膜とを同時にエッチングするエッチング液として、非水系溶剤でアミンを含んだアルカリ溶剤液を用いることとする。アミンを含んだアルカリ溶剤液は、銀又は銀の合金を材料とする金属膜である反射膜を、レジストと同時にエッチングすることができる。
【００５７】
続いて、ステップＳ１０７にて反射層の形成処理を行う。具体的には、ステップＳ１０６におけるウエットエッチング処理において、保護層１２０が積層形成された平面領域以外の反射膜とレジストが完全に除去されるまでウエットエッチングすることによって反射層１１０を形成する。反射層１１０の形成状態を図７（ｃ）に示した。図示するように、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素に対応する位置に所定のパターン形状を有する島状の反射層１１０が、保護層１２０と平面的にほぼ重なるように形成される。
【００５８】
ここで本実施例では、このウエットエッチング処理において、反射膜が保護層１２０の端部において、保護層１２０の内部深くエッチングされるオーバーエッチングが生じないように制御することが可能である。すなわち、銀または銀の合金を材料とする反射膜を専用のエッチング液を用いてエッチングする場合、エッチングレートは例えば、７０Å／ｓｅｃ〜３５０Å／ｓｅｃ（４２００Å／ｍｉｎ〜２１０００Å／ｍｉｎ）と高い値である。このため、エッチング制御が困難になり、例えばサイドエッチ量が所望の量（例えば０．５μｍ）以上になってしまうことが生じる。
【００５９】
これに対して、本実施例の銀または銀の合金を材料とする反射膜をエッチングするエッチング液は、非水系のアミンを含んだレジスト剥離液である。従って、レジストのエッチングレートが凡そ３００００Å／ｍｉｎであるのに対して、銀または銀の合金に対するエッチングレートは例えば、図８に示したように、ディップ（浸漬）処理で約１００Å／ｍｉｎ、シャワー処理で約１６０Å／ｍｉｎと低い値である。
【００６０】
このように、レジストのエッチングレートが銀または銀の合金を材料とする反射膜のエッチングレートより格段に早いことから、これらのディップ処理やシャワー処理を適宜用いることで、レジストを剥離すると同時に銀または銀の合金を材料とする反射膜のエッチング加工を制御することが可能となる。この結果、銀または銀の合金を材料とする反射膜のエッチング制御が容易になり、例えばサイドエッチ量が所望の量（例えば０．５μｍ以内）に制御することができるので、保護層１２０と平面的にほぼ重なるように、反射層１１０を形成することが可能となるのである。
【００６１】
その後、基板１０において、陽極１３０、隔壁、有機ＥＬ素子１４０、陰極１７０が順に形成され、基板１０上に、有機ＥＬパネル１００を構成する各機能層が形成される。なお、各機能層の形成については、既に周知な製造方法を用いることができる。従って、ここではこれらの製造方法の説明を省略する。
【００６２】
上述したように、本実施例の反射層１１０の形成方法によれば、保護層１２０が反射層１１０上に重なるように積層形成されるので、例えば、反射面がエッチングで荒らされることなく反射層１１０を成形することができる。また、例えば保護層１２０上に形成する上層膜が反射層１１０の端面をカバーできずにカバレッジ不良が発生してしまう確率も低くなるのである。
【００６３】
以上、本発明について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００６４】
（第１変形例）
上記実施例は、有機ＥＬ素子は発光光が白色光であり、カラーフィルターにてＲＧＢの各色に変換して射出する有機ＥＬパネルについて実施することとして説明したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、有機ＥＬ素子が、それぞれのＲＧＢの異なる色を発光する有機ＥＬパネルであっても実施することが可能である。この変形例について図９を用いて説明する。図９は、本変形例の有機ＥＬ素子の構造を示す模式図である。なお、基板１０上に形成されるデバイス層２０は図示を省略している。
【００６５】
図示するように、基板１０上に形成された陽極１３０の周囲には導電性を有しない有機材料からなる隔壁が形成され、この隔壁によって囲まれた領域に、発光色が異なるＲ発光層、Ｇ発光層、Ｂ発光層が形成されている。そして、隔壁を含めて各発光層全体を覆うように陰極１７０が形成され、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光を発光する有機ＥＬ素子１４０がそれぞれ構成されている。従って、陽極１３０と陰極１７０との間に所定の電流を流すことによって、それぞれの有機ＥＬ素子１４０は、発光層に応じたＲＧＢの発光色を射出して、それぞれＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素となる。
【００６６】
本変形例では、発光層は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を示す蛍光材料を溶質とする機能液など、有機ＥＬ素子１４０を構成する機能層を形成するための機能液を、隔壁で囲まれた領域に噴射し、真空乾燥などの熱処理を行って、所定の厚さの膜を形成したものである。
【００６７】
一方、陽極１３０の基板１０側には順に、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の各画素の発光領域と凡そ同じ平面領域を有する保護層１２０と反射層１１０が、上記実施例と同様な製造方法でほぼ重なるように形成されている。
【００６８】
本変形例によれば、反射層１１０は、保護層１２０に対して大きなアンダーカットが発生しないように抑制して形成されているので、陽極１３０は反射層１１０の端面を確実にカバーすることができる。この結果、端面をカバーできずにカバレッジ不良が発生してしまう確率が低くなる。また、有機ＥＬ素子１４０の形成時など、その後の製造工程における熱処理やエッチング処理、あるいはスパッタ、ＣＶＤ処理などによって、反射層１１０の反射面が荒れることもない。従って、高い反射率を維持することが可能である。
【００６９】
（第２変形例）
上記実施例では、電気光学装置として有機ＥＬパネル１００を用いて説明したが、特にこれに限るものでないことは勿論である。反射層を備えた電気光学装置であれば、本発明を適用することが可能である。例えば、電気光学装置として液晶パネルとしてもよい。本変形例について、図１０を用いて説明する。
【００７０】
図１０は、画素領域が総て反射表示領域である液晶パネル２００の断面を示した模式図である。図示するように、液晶パネル２００は、素子基板２１０と対向基板２３０とによって液晶層２４０を挟持した構成を有している。また、液晶層２４０は、素子基板２１０の基板面に沿う横方向に印加される電界によって液晶分子の配向制御が行われるＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式と呼ばれる横電界方式の液晶パネルである。
【００７１】
対向基板２３０は、ガラス材料からなる平板２３１に対して、液晶層２４０と反対側の面に偏光板２４５が、また液晶層２４０側の面に、遮光層２３２、フィルター層２３３、オーバーコート層２３４、配向膜２３６が順次形成されたものである。一方、素子基板２１０は、ガラス材料からなる平板２１４に対して、液晶層２４０と反対側の面に偏光板２４４が、液晶層２４０側の面に、ゲート電極２２０ｇおよび電源供給線Ｃｏｍ、ゲート絶縁層２１５、半導体層２２０ａ、ソース電極２２０ｓおよびドレイン電極２２０ｄ、層間絶縁層２１６、平坦化層２１７、共通電極２１３、絶縁層２１８、第２絶縁層２１８ｓ、画素電極２１１、配向膜２１９が順次形成されたものである。
【００７２】
図示するように、ドレイン電極２２０ｄ、ゲート電極２２０ｇ、ソース電極２２０ｓおよび半導体層２２０ａによってトランジスター２２０が形成される。また、ドレイン電極２２０ｄはデータ線Ｓｉｇと電気的に接続され、ゲート電極２２０ｇは走査線Ｇａｔｅと電気的に接続されている。なお、本変形例において、走査線Ｇａｔｅおよび電源供給線Ｃｏｍ、データ線Ｓｉｇは、上記実施例と同様な機能を司るものであり、従って上記実施例と同符号を付し、これらについての説明は省略する。
【００７３】
画素電極２１１には、コンタクトホールＣＨ１を介してソース電極２２０ｓと接続され、データ線Ｓｉｇから供給される電圧が印加される。一方、共通電極２１３には、コンタクトホールＣＨ２を介して電源供給線Ｃｏｍと接続され、この電源供給線Ｃｏｍから供給される共通電圧（接地電位）が印加されるように電気的な回路が形成されている。この結果、画素電極２１１と共通電極２１３との間で電圧が発生し、液晶層２４０に横方向の電界を印加して液晶分子を駆動する。
【００７４】
さて、本変形例では、共通電極２１３が反射層として機能するように構成されている。すなわち、共通電極２１３は、銀あるいは銀の合金（例えば、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）など）を材料として形成されている。そして、共通電極２１３上には、平面領域がほぼ重なるように保護膜２１３ａが積層形成されている。
【００７５】
従って、本変形例の液晶パネル２００によれば、保護膜２１３ａを覆うように形成される絶縁層２１８（さらには第２絶縁層２１８ｓ）は、反射層である共通電極２１３の端面を確実にカバーすることができる。この結果、画素電極２１１の形成時など、その後の製造工程におけるスパッタ処理やＣＶＤ処理などによって、共通電極２１３の反射面が荒れることなく、高い反射率を維持することが可能である。
【００７６】
（その他の変形例）
上記実施例では、保護層１２０を形成する無機絶縁物を材料として窒化シリコンまたは酸化シリコンを用いることとしたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。保護層１２０は、透明性を有し、レジストのエッチング処理において、エッチング液に対して耐性を有する材料であれば、他の無機絶縁物を用いてもよい。
【００７７】
また、上記実施例では、画素がＲ光、Ｇ光、Ｂ光をそれぞれ発光することとしたが、これに限らず、他の色の光（例えば黄色など）を発光することとしてもよい。あるいは、単色のみを発光することとしてもよい。また各画素において各色光が共振する共振構造を形成するため、導電層（陽極）の層数を異ならせることとしたが、これに限らず、形成する導電層の層数を同じ数（例えば１層）としてもよい。
【００７８】
また、上記実施例では、電子機器として携帯電話を例示したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、プロジェクター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン、モバイルコンピューター、オーディオ機器などであってもよい。なお、電子機器をプロジェクターとした場合は、組み込む電気光学装置は、上記変形例のごとく、外光を用いて表示を行う液晶パネル２００とすることが好ましい。
【符号の説明】
【００７９】
１…携帯電話、１０…基板、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…給電端子、１４，１５…ＴＦＴ、１５ａ…半導体層、１５ｄ…ドレイン電極、１５ｇ…ゲート電極、１５ｓ…ソース電極、１６…保持容量、２０…デバイス層、１００…有機ＥＬパネル、１１０…反射層、１２０…保護層、１３０…陽極、１４０…有機ＥＬ素子、１７０…陰極、２００…液晶パネル、２１０…素子基板、２１１…画素電極、２１３…共通電極、２１３ａ…保護膜、２１４…平板、２１５…ゲート絶縁層、２１６…層間絶縁層、２１７…平坦化層、２１８…絶縁層、２１８ｓ…第２絶縁層、２１９…配向膜、２２０…ＴＦＴ、２２０ａ…半導体層、２２０ｄ…ドレイン電極、２２０ｇ…ゲート電極、２２０ｓ…ソース電極、２３０…対向基板、２３１…平板、２３２…遮光層、２３３…フィルター層、２３４…オーバーコート層、２３６…配向膜、２４０…液晶層、２４４…偏光板、２４５…偏光板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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