(57)【要約】【課題】大判基板からシール材の部分を切断して表示パネルを切り出すこと。【解決手段】この製造方法によれば、スクライブ工程において、二次冷却された状態の大判基板１５０を共通のシール材５ｃと重なった部分に形成されたスクライブラインＢ１２，Ｂ２２に沿って切断し、単品の表示パネル１００を切り出す。よって、低温になって硬くなるとともに脆くなった状態で、切断工程を行うことにより、常温下では困難であった切断を可能とすることができる。【選択図】図１
2010204236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２枚の基板と、
２枚の前記基板間において電気光学物質を挟持した表示領域と、
前記表示領域を区画するシール材とを含んで構成された電気光学装置を、１つ以上の前記電気光学装置が面付けされた大判基板から切り出すための製造方法であって、
前記大判基板を冷却する冷却工程と、
前記大判基板における２枚の前記基板のうち、少なくとも一方の前記基板にスクライブラインを形成する罫書き工程と、
前記スクライブラインに沿って加圧することにより、前記大判基板を切断する切断工程と、を含み、
前記スクライブラインの一部が前記シール材と重なって形成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の材質は、無機ガラスであり、
前記シール材は、前記一方の基板に液状のシール原料を塗布した後、前記シール原料を硬化して形成された樹脂からなり、
前記冷却工程における冷却温度は、前記シール原料の融点以下の温度であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記電気光学物質は、有機発光物質を含む有機ＥＬ材料であり、
前記表示領域において、前記有機ＥＬ材料は、充填材によって覆われてなり、
前記充填材は、前記有機ＥＬ材料を覆うように液状の充填材原料を塗布した後、前記充填材原料を硬化して形成された樹脂からなり、
前記冷却温度は、前記シール原料の融点以下の温度であり、かつ、前記充填材原料の融点よりも高い温度であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記冷却温度は、−１０℃〜−３５℃の範囲内の温度であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記罫書き工程において、前記スクライブラインは、他方の前記基板にも形成されてなり、
前記他方の基板における前記スクライブラインは、平面視において前記一方の基板に形成された前記スクライブラインと重なるように形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記切断工程において、前記大判基板がセットされるテーブルには、前記スクライブラインと重なる部分が間隙となり、前記スクライブラインを挟んだ両側が支点となるような、凹形状が形成されてなり、
前記加圧は、前記大判基板に対して前記間隙の反対側の面から圧力を加えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記大判基板には、複数個の前記電気光学装置が面付けされてなり、
隣り合う前記電気光学装置間には、２つの前記表示領域に跨る共通の前記シール材が設けられており、
前記罫書き工程では、少なくともその一部が前記共通のシール材に重なるように前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記冷却工程から、前記切断工程までの各工程が、前記冷却工程における温度環境と略同じ温度環境下で行われることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記シール原料には、ビーズ状のスペーサーが添加されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、無アルカリガラスであり、
前記シール原料は、エポキシ樹脂を含有した紫外線硬化型の液状原料であり、
前記充填材原料は、熱硬化型の透明な液状原料であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表示領域は、略長方形をなし、
前記長方形における一辺には、端子部が形成され、
前記共通のシール材は、少なくとも前記一辺と隣り合う２つの辺に形成されていることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、および当該製造方法により製造された電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶や、有機ＥＬ（Electro Luminescence）などの電気光学物質を用いた電気光学装置を製造する場合、製造効率を高めるために、当該電気光学装置が複数個面付けされた大判基板の状態で略完成状態まで製造し、その後、個別の電気光学装置を切り出す方法が採用されていた。
【０００３】
図１１（ａ），（ｂ）は従来の電気光学装置における大判基板の平面図である。
図１１（ａ）は、複数の液晶パネル（液晶表示装置）４００が面付けされた大判基板４５０の拡大平面図であり、図面に正対して横方向（Ｘ軸方向）に液晶パネル４００が２つ配列された様子が示されている。大判基板４５０は、略同じ大きさの２枚の基板を貼り合せて形成されており、表裏となる２枚の基板間には、シール材５で区画された領域内に液晶が封入された表示領域６が形成されていた。
例えば、図１１（ａ）の大判基板４５０では、隣り合う液晶パネル４００間には、シール材５が形成されていない間隙Ｇが設けられており、縦方向（Ｙ軸方向）に液晶パネル４００を切断する際には、間隙Ｇ間の中央の破線で示されたスクライブラインｓ１に沿って切断していた。また、横方向においても、シール材５が形成されていない間隙Ｇに形成されたスクライブラインｓ２に沿って切断していた。
【０００４】
つまり、切り出された液晶パネル４００の周縁部にシール材が露出しない位置で、各パネルを切り分けていたが、この方法では、以下のような問題があった。
まず、間隙Ｇを設ける構成であるため、当該間隙分、表示領域６を囲む額縁のサイズが大きくなってしまい、液晶パネルの外形サイズが大きくなってしまうという問題があった。換言すれば、狭額縁化が困難であるという問題があった。
また、端子部８の両隣りに、シール材５が充填されておらず、かつ、２枚の基板で囲まれた空洞部４０５（ハッチングで示した部分）が形成されてしまうという問題があった。この空洞部４０５があると、例えば、液晶パネルの洗浄工程などで洗浄液が溜まり易く、滞留した洗浄液によって、端子部８が劣化してしまうという問題があった。さらに、空洞部４０５に浸入した洗浄液などは、乾燥し難いため、乾燥工程に時間を要してしまうという問題もあった。
【０００５】
特許文献１には、上記問題を解決するための一つの技術的思想が開示されている。
図１１（ｂ）は、当該文献の製造方法に係る大判基板４６０の平面図であり、図１１（ａ）に対応している。
この製造方法では、隣り合う液晶パネル４１０におけるシール材５を２つの表示領域６に跨って共通に形成した後、当該共通のシール材５に重なる位置にスクライブラインｓ１を形成している。換言すれば、隣り合う表示領域６間に間隙Ｇを設けずに、両者に跨る共通のシール材５の部分を切断するという方法である。当該文献では、これにより、液晶パネルの幅Ｌ２を、図１１（ａ）の幅Ｌ１よりも短くすることが可能であり、さらに、空洞部４０５が形成されないとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９６８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１（従来）の製造方法では、以下の理由からシール材の部分を切断することは困難であると考察される。
まず、シール材を挟持した２枚のガラス基板をシール材の部分で切断する場合、シール材とガラス基板との硬度差が大きすぎると、ガラス基板が切断されても、シール材は切断されない状況が想定されるが、当該文献には、シール材の硬度に関する記載は元より、材質（種類）に関する記載すら見当たらない。特に、当該文献によれば、２枚のガラス基板のいずれか一方にスクライブラインを形成した後、ブレイク装置によって衝撃を加えて分断（切断）を行うと記載されているが、仮に、一般的な樹脂によるシール材が用いられていた場合には、上記硬度差からして、スクライブラインから成長したガラス基板の亀裂を、樹脂製のシール材に連続して生じさせることは困難であると考察される。
つまり、当該製造方法では、大判基板４６０からシール材５の部分を切断して液晶パネル４１０を切り出すことは困難であるという課題があった。換言すれば、上記問題を解決することは困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【０００９】
（適用例）
対向する２枚の基板と、２枚の基板間において電気光学物質を挟持した表示領域と、表示領域を区画するシール材とを含んで構成された電気光学装置を、１つ以上の電気光学装置が面付けされた大判基板から切り出すための製造方法であって、大判基板を冷却する冷却工程と、大判基板における２枚の基板のうち、少なくとも一方の基板にスクライブラインを形成する罫書き工程と、スクライブラインに沿って加圧することにより、大判基板を切断する切断工程と、を含み、スクライブラインの一部がシール材と重なって形成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１０】
この製造方法によれば、冷却工程において大判基板を冷却した後に、シール材と重なった部分に形成されたスクライブラインに沿って電気光学装置を切り出すことになる。
よって、例えば、基板の材質が無機ガラスで、シール材の材質が樹脂であった場合において、冷却工程で冷却することにより、基板の硬度、およびシール材の硬度が常温下における硬度よりも高くなっているため、スクライブラインに沿って成長したガラス基板の亀裂を、シール材に連続して生じさせることが可能となる。換言すれば、低温になって硬くなるとともに脆くなった状態で、切断工程を行うことにより、常温下では困難であった切断を可能とすることができる。
従って、大判基板からシール材の部分を切断して表示パネルを切り出すことが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。さらに、これによって、背景技術で説明した問題も解決することができる。
【００１１】
また、基板の材質は、無機ガラスであり、シール材は、一方の基板に液状のシール原料を塗布した後、シール原料を硬化して形成された樹脂からなり、冷却工程における冷却温度は、シール原料の融点以下の温度であることが好ましい。
また、電気光学物質は、有機発光物質を含む有機ＥＬ材料であり、表示領域において、有機ＥＬ材料は、充填材によって覆われてなり、充填材は、有機ＥＬ材料を覆うように液状の充填材原料を塗布した後、充填材原料を硬化して形成された樹脂からなり、冷却温度は、シール原料の融点以下の温度であり、かつ、充填材原料の融点よりも高い温度であることが好ましい。
また、冷却温度は、−１０℃〜−３５℃の範囲内の温度であることが好ましい。
また、罫書き工程において、スクライブラインは、他方の基板にも形成されてなり、他方の基板におけるスクライブラインは、平面視において一方の基板に形成されたスクライブラインと重なるように形成されることが好ましい。
【００１２】
また、切断工程において、大判基板がセットされるテーブルには、スクライブラインと重なる部分が間隙となり、スクライブラインを挟んだ両側が支点となるような、凹形状が形成されてなり、加圧は、大判基板に対して間隙の反対側の面から圧力を加えることが好ましい。
また、大判基板には、複数個の電気光学装置が面付けされてなり、隣り合う電気光学装置間には、２つの表示領域に跨る共通のシール材が設けられており、罫書き工程では、少なくともその一部が共通のシール材に重なるようにスクライブラインを形成することが好ましい。
また、冷却工程から、切断工程までの各工程が、冷却工程における温度環境と略同じ温度環境下で行われることが好ましい。
【００１３】
また、シール原料には、ビーズ状のスペーサーが添加されていることが好ましい。
また、基板は、無アルカリガラスであり、シール原料は、エポキシ樹脂を含有した紫外線硬化型の液状原料であり、充填材原料は、熱硬化型の透明な液状原料であることが好ましい。
また、表示領域は、略長方形をなし、長方形における一辺には、端子部が形成され、共通のシール材は、少なくとも一辺と隣り合う２つの辺に形成されていることが好ましい。
【００１４】
上記記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１に係る大判基板の一態様を示す平面図。
【図２】表示パネルの一態様を示す斜視図。
【図３】図２のｐ−ｐ断面における表示パネルの断面図。
【図４】表示パネルの製造方法の流れを示すフローチャート図。
【図５】（ａ）シール材の塗布工程を示す図、（ｂ）充填材の塗布工程および基板貼り合せ工程を示す図。
【図６】（ａ）スクライブ装置の概要図、（ｂ）カッター部の拡大図。
【図７】ブレイク装置の概要を示す斜視図。
【図８】（ａ），（ｂ）ブレイク時の拡大図。
【図９】（ａ），（ｂ）実施形態２に係る製造方法のブレイク工程における一態様を示す図。
【図１０】実施形態３に係る製造方法のブレイク工程における一態様を示す図。
【図１１】（ａ），（ｂ）従来の電気光学装置における大判基板の平面図。
【図１２】変形例１に係る大判基板の一態様を示す平面図。
【図１３】変形例２に係るブレイク装置の拡大図。
【図１４】変形例３に係る表示パネルにおけるシール材の拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１７】
（実施形態１）
「表示パネルの製造方法（概要）」
図１は、本実施形態に係る大判基板の一態様を示す平面図である。図２は、表示パネルの一態様を示す斜視図である。
まず、本発明の実施形態１に係る電気光学装置の製造方法の概要について、図１および図２を用いて説明する。なお、図１１と同一の構成部位については、同一の番号を附している。
【００１８】
大判基板１５０には、電気光学装置としての表示パネル１００が４つ面付けされている。長方形状をなした表示パネル１００は、大判基板１５０においてＸ軸方向に２列、Ｙ軸方向に２行の行列をなして配置されている。なお、ここでは説明を容易にするために、２行２列の事例を用いて説明するが、面付け数はいくつであっても良い。
大判基板１５０は、厚さ方向（Ｚ軸方向）に２枚の大判基板を重ねた構成となっており、各表示パネル１００は、シール材５で区画されている。詳しくは、各表示パネル１００においてシール材５で囲まれた領域は、電気光学物質が封入された表示領域６となっている。
また、各表示パネル１００には、外部との電気的接続を取るための複数の端子が形成された端子部８がそれぞれ形成されている。
【００１９】
図１の場合、紙面に向って上段（Ｙ軸（＋）側）の行における表示パネル１００は上方に端子部８が形成されており、下段（Ｙ軸（−）側）の行における表示パネル１００は下方に端子部８が形成されている。
換言すれば、上段と下段の表示パネル１００は、端子部８の反対側の辺同士を向い合わせて配置されている。また、当該間には、共通のシール材５ｃが配置されており、その幅は、例えば、端子部８に沿った辺におけるシール材５の幅ｗの約２倍（幅２ｗ）に設定されている。また、上段において隣り合う２つの表示領域６の間にも、共通のシール材５ｃが配置されており、その幅は、約幅２ｗに設定されている。
つまり、隣り合う２つの表示領域６の間には共通のシール材５ｃが配置され、シール材５ｃの幅は、その他の部分（例えば、端子部８に沿った辺）におけるシール材５の幅よりも広く（概ね２倍に）設定されている。なお、シール材５の幅ｗは、好適例として約０．８〜１．６ｍｍに設定されている。
【００２０】
ここで、本実施形態における製造方法は、このような大判基板１５０から図２に示すような単品の表示パネル１００を切り出す際に、大判基板１５０を冷却した状態で、共通のシール材５ｃと重なる部分を切断することを特徴の一つとしている。
図１には、この際の切断位置が示されている。縦方向（Ｙ軸方向）における切断位置は、スクライブライン（切断線）Ｂ１１〜Ｂ１３となる。このうち、スクライブラインＢ１２は、共通のシール材５ｃの略中央に形成される。
また、横方向（Ｘ軸方向）における切断位置は、スクライブラインＢ２１〜Ｂ２３となる。このうち、スクライブラインＢ２２は、共通のシール材５ｃの略中央に形成される。
なお、図１の場合、縦横方向における共通のシール材５ｃはそれぞれ１本ずつであるが、表示パネル１００の面取り数が増えれば、複数本形成されることになる。
仔細は後述するが、大判基板１５０から、各スクライブラインに沿って、表裏の２枚の基板、または表側の基板（ＣＦ基板）のみを切断することによって、図２の表示パネル１００が切り出される。
【００２１】
「表示パネルの構成」
表示パネル１００は、素子基板１、ＣＦ（Color Filter）基板３０、シール材５などから構成されている。
表示パネル１００は、素子基板１とＣＦ基板３０との間に、電気光学物質として有機ＥＬ材料を挟持した有機ＥＬパネルである。また、有機ＥＬ材料は、平面的には、シール材５に囲まれた領域内に配置されており、当該領域が表示領域６となっている。
表示領域６には、複数の画素がマトリックス状に配置されている。詳しくは、赤色、緑色、青色の３色の画素が、周期的に配列されている。
表示パネル１００は、これらの画素が放つ光をＣＦ基板３０側から出射するトップエミッション型の有機ＥＬパネルである。
【００２２】
素子基板１には、その一辺がＣＦ基板３０の外形から張出した張出し領域が形成されており、張出し領域には、端子部８が形成されている。このため、当該領域を切り出す際には、図１におけるスクライブラインＢ２１，Ｂ２３を大判のＣＦ基板３０側に形成し、張出し領域に被さる部分のＣＦ基板３０のみを切り取ることになる。
また、前述した通り、端子部８が形成された一辺に隣り合う２つの辺、および当該一辺の反対側の辺では、共通のシール材５ｃ部と重なる部分を切断しているため、側面（切断面）にシール材５が露出した状態となっている。換言すれば、張出し領域におけるシール材以外の連続する３辺においては、平面視における表示パネル１００の外形と、シール材５の形状とが略一致している。
【００２３】
図３は、図２のｐ−ｐ断面における表示パネルの断面図である。
表示パネル１００は、素子基板１、素子層３、平坦化層９、画素電極１０、ＥＬ層１５、共通電極１７、電極保護層１９、緩衝層２０、ガスバリア層２２、充填材２３、ＣＦ基板３０などから構成されている。
素子基板１は、透明な無機ガラスから構成されている。好適には、厚さが０．３〜０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスを用いる。
素子層３には、各画素をアクティブ駆動するための画素回路が形成されている。画素回路には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる画素を選択するための選択トランジスターや、ＥＬ層１５に電流を流すための駆動トランジスターなどが含まれており、画素ごとに対応して形成されている。
【００２４】
素子層３の上層（Ｚ軸（−）方向）には、平坦化層９と、画素電極１０とがこの順番で積層されている。
画素電極１０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、ＺｎＯなどの透明電極から構成されており、画素ごとに素子層３の駆動トランジスターＴＲのドレイン端子と平坦化層９を貫通するコンタクトホールにより接続されている。
また、樹脂などの透明な絶縁材料から構成される平坦化層９内には、画素電極１０と重なるようにＡｌやＡｇ、またはそれらの合金などから構成された薄膜の反射層２６が形成されている。
隔壁１２は、光硬化性の黒色樹脂などから構成され、各画素を格子状に区画している。
【００２５】
ＥＬ層１５は、図３においては一層の構成となっているが、実際は、正孔輸送層、発光層、電子注入層などから構成されており、画素電極１０上にこの順番に積層されている。
正孔輸送層は、芳香族ジアミン（ＴＰＡＢ２Ｍｅ−ＴＰＤ，α−ＮＰＤ）などの昇華性の材料から構成されており、電流が流れると白色光を放射する。
発光層は、ＲＧＢの画素ごとに組成は異なるが、Ａｌｑ3（アルミキノリノール錯体）などの昇華性の材料から構成されている。
電子注入層は、ＬｉＦ（フッ化リチウム）などから構成されている。
【００２６】
共通電極１７は、ＭｇＡｇなどの金属を、光を透過するようにごく薄く成膜した金属薄膜層である。
電極保護層１９は、ＳｉＯ2や、Ｓｉ3Ｎ4などの透明で、かつ、水分を遮断する機能を有する材質から構成されている。
緩衝層２０は、熱硬化性のエポキシ樹脂などの透明な有機緩衝層である。
ガスバリア層２２は、ＳｉＯ2や、Ｓｉ3Ｎ4などの透明で、かつ、水分を遮断する機能を有する封止層であり、ＥＬ層１５への水分の浸入を防止する機能を担う。
充填材２３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などからなる透明な接着層であり、ガスバリア層２２とＣＦ基板３０との間の凹凸面に充填されるとともに、両者を接着する。また、外部から、ＥＬ層１５への水分の浸入を防ぐ機能も果たす。
【００２７】
ＣＦ基板３０は、素子基板１と同様な無機ガラスから構成されており、ＥＬ層１５側にはＣＦ層２４が形成されている。
ＣＦ層２４には、赤色カラーフィルター２５Ｒ、緑色カラーフィルター２５Ｇ、青色カラーフィルター２５Ｂが画素配置と同様に配置されている。詳しくは、各色のカラーフィルターは、画素電極１０と重なるように配置されており、各カラーフィルター間には、ハッチングで示した遮光部が形成されている。平面視において遮光部は、隔壁１２と重なるように格子状に形成されており、光学的には、ブラックマトリックスの機能を果たす。
このように構成された表示パネル１００の一つの画素は、図３の左側において点線で囲まれた、反射層２６から赤色カラーフィルター２５Ｒまでの積層構造から構成される。
この赤色画素の場合、ＥＬ層１５で放射された白色光のうち、赤色カラーフィルター２５Ｒ側に進む光は、当該カラーフィルターを透過して赤色の光となってＣＦ基板３０から出射される。また、反射層２６側へ進む光は、反射層２６で反射された後、ＥＬ層１５を透過し、赤色カラーフィルター２５Ｒを透過して赤色の光となってＣＦ基板３０から出射される。なお、緑色、青色の画素においても同様である。
【００２８】
「シール材、および充填材の材質について」
ここで、後述する冷却工程において、重要な役割りを担うシール材５、および充填材２３の特性について詳しく説明する。
なお、図３においては、ＥＬ層１５を含む各層の積層構造を明確にするために、積層構造部を拡大して描写している。実際は、当該層の厚さは、合計でも５〜１００μｍ程度である。換言すれば、シール材５の厚さも、当該寸法と同一となる。
シール材５としては、紫外線硬化型の接着剤が好ましい。詳しくは、後述の冷却工程における温度条件で、その硬度が常温下での硬度よりも高くなり、無機ガラスの硬度に近づく材料であれば良い。
【００２９】
本実施形態では、好適例としてエポキシ樹脂系の紫外線硬化型の接着剤を用いている。当該接着剤は、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、光重合開始剤、シランカップリング剤などを含んでおり、常温（２０±１５℃）下では、液体である。なお、このシール材５の液状原料のことを、シール原料という。
このようなシール原料は、シール原料の状態では結晶性ポリマーに近い特性を示し、例えば、約−１０℃の融点を有する。また、紫外線照射によって硬化した後は、非晶性ポリマーに近い特性を示す。
本実施形態では、好適例として、積水化学工業（株）製のフォトレック（登録商標）をシール原料として用いている。
【００３０】
充填材２３は、表示領域６全域において、ＥＬ層１５を含む各層を覆っているため、冷却工程の低温環境下における収縮により、表示パネル１００を反らせてしまう恐れがある。このため、充填材２３には、透明性および接着性に加えて、熱膨張係数が小さいことが要求される。
本実施形態では、好適例として熱硬化型のエポキシ系接着剤を用いている。また、当該接着剤は、常温下では液体であり、この液状原料のことを、充填材原料という。
このような充填材原料は、当該原料の状態では結晶性ポリマーに近い特性を示し、例えば、約−４０℃の融点を有する。また、加熱によって硬化した後は、非晶性ポリマーに近い特性を示す。
【００３１】
「表示パネルの製造方法（詳細）」
図４は、表示パネルの製造方法の流れを示すフローチャートである。図５（ａ）はシール材の塗布工程を示す図であり、（ｂ）は充填材の塗布工程、および基板貼り合せ工程を示す図である。
ここでは、表示パネルの製造方法について、図４のフローチャートに沿って詳細に説明する。
【００３２】
ステップＳ１では、大判のＣＦ基板３０ａにシール原料を塗布した後、紫外線を照射してシール材５を半硬化する。
シール原料は、例えば、塗布位置、および塗布量の管理が可能なディスペンサー装置によって図５（ａ）に示すように格子状に塗布される。なお、塗布位置、および塗布量の制御が可能であれば、例えば、スクリーン印刷法などの他の塗布方法であっても良い。なお、共通のシール材５ｃ部については、例えば、外周における幅ｗのシール材を塗布するノズルを用いて、平行に隣接させて２回塗布することにより形成する。
そして、シール原料を塗布した後、紫外線を所定の条件で照射する。この所定の条件は、シール材５自体が流れず、かつ、後述する充填材を保持可能な程度に硬化するための紫外線強度、および照射時間に設定されている。
【００３３】
ステップＳ２では、大判のＣＦ基板３０ａに充填材原料２３ａを塗布した後、大判の素子基板１ａを貼り合せる。なお、図５（ｂ）では、充填材原料２３ａを液滴状に示しているが、シール材５によって区画された領域（表示領域）内において、略均一な厚さとなるように塗布される。また、ステップＳ１およびＳ２は、異物の付着や気泡の発生を低減するために減圧されたクリーン室環境下で行われることが好ましい。
また、大判の素子基板１ａのシール材側の面には、この段階において図３で説明したＥＬ層１５を含む積層構造が既に形成されている。
ステップＳ３では、貼り合わされた大判基板を加熱し充填材を硬化させる。加熱条件は、例えば、８０〜１２０℃の温度環境で約４時間に設定されている。なお、この加熱によってシール材５の硬化も促進されるが、同時に紫外線を照射しても良い。
ステップＳ１〜Ｓ３までの工程により、図１の大判基板１５０が完成する。
【００３４】
図６（ａ）はスクライブ装置の概要図であり、（ｂ）はカッター部の拡大図である。
ステップＳ４では、大判基板を常温まで一次冷却する。詳しくは、大判基板を冷却プレートの上に載せて約１０分間冷却する。冷却プレートの内部には、水が巡回するための配管が設けられているため、約１０分で大判基板を常温に戻すことができる。
ステップＳ５では、大判基板を所定の温度まで二次冷却する。なお、大判基板を二次冷却する必要がある工程は、ブレイク工程（Ｓ７，Ｓ９）のみであるが、本実施形態の工程フローでは、スクライブ工程とブレイク工程とが交互に行われるため、これらの４つの工程全てを所定の温度に設定された恒温室内にて行うことにより、ステップＳ５の二次冷却工程としている。
また、二次冷却における所定の温度は、常温よりも低い５℃以下に設定されている。詳しくは、５℃以下で、かつ−４０℃以上の温度である。また、−１０℃以下で、かつ−３０℃以上の低温環境であることがより好ましい。本実施形態では、好適例として−１０℃としている。
【００３５】
ステップＳ６では、図６（ａ）に示すように、大判基板１５０をスクライブ装置２００に搭載し、大判の素子基板１ａ側にスクライブライン（罫書き線）を入れる（第１スクライブ工程）。
詳しくは、スクライブ装置２００のテーブル２１０上に大判の素子基板１ａ側が上になるようにセットし、先端に回転刃２２１を備えた罫書き部２２０により押圧しながら、スクライブラインを形成する。テーブル２１０は、Ｘ軸方向、およびＹ軸方向に移動可能であり、さらに、回転矢印で示すように、その中央部を中心にして旋回可能に設けられている。罫書き部２２０は、Ｚ軸方向に移動可能に設けられており、白抜きの矢印で示すように、大判基板にスクライブラインを入れるための押圧を加えることが可能に設けられている。つまり、テーブル２１０により、大判基板１５０を罫書き部２２０に対して相対移動させることにより、スクライブラインを形成する。
【００３６】
図６（ａ）は、図１におけるＸ軸方向のスクライブラインＢ２２を形成している状態を示しており、当該ラインの形成後、テーブル２１０を９０°回して、Ｙ軸方向のスクライブラインＢ１１〜Ｂ１３を形成する。
図６（ｂ）は、（ａ）において罫書き部２２０をＸ軸方向から観察した様子を示している。超鋼などの切削ホイールからなる回転刃２２１には、周縁部にエッヂが形成されていおり、その角度θは、例えば、１１５°〜１２５°に設定されている。
また、押圧は、例えば、０．０５〜０．１８Ｍｐに設定されており、切り込み深さｄが、例えば、０．０９〜０．１８ｍｍとなるような条件設定がなされている。
【００３７】
図７は、ブレイク装置の概要を示す斜視図である。図８（ａ）は、ブレイク時の拡大図である。
ステップＳ７では、図７に示すように、大判基板１５０をブレイク装置２５０に搭載し、大判の素子基板１ａ側のみを切断する（第１ブレイク工程）。
詳しくは、ブレイク装置２５０のテーブル２６０上に大判のＣＦ基板３０ａ側が上になるようにセットし、スクライブラインに沿って延在するブレイクバー２７０により押圧することにより、大判の素子基板１ａ側のみを分断する。
【００３８】
テーブル２６０は、Ｘ軸方向、およびＹ軸方向に移動可能であり、さらに、回転矢印で示すように、その中央部を中心にして旋回可能に設けられている。また、ブレイクバー２７０は、ボールねじなどを含む伝達部２７５を介して、駆動モータ２７８と連結されており、当該モータの回転運動が伝達部２７５によりＺ軸方向にブレイクバーを押し下げる力に変換され、当該押圧力により大判基板１５０を押付ける。
また、駆動モータとしては、サーボモータ、パルスモータ、リニアモータなどの回転速度を精密に制御可能なモータを使用しているため、例えば、エアシリンダーを用いて押圧を制御する装置に比べて、より押圧を精度良く制御することができる。さらに、エアシリンダーを用いた装置の場合、ブレイクバーの動きが急激（衝撃的）なものとなってしまうのに対し、駆動モータを用いた装置によれば、必要な押圧力を確保するとともに、下降速度を一定に保つ（安定させる）ことができる。
【００３９】
図８（ａ）は、ブレイク装置２５０によりスクライブラインＢ２２に沿って大判の素子基板１ａを切断するときの様子を、図７のＸ軸方向から観察した拡大図である。
テーブル２６０は、ステンレスや、アルミなどの金属製の台座２６１上に、ゴムなどの弾性体２６２を貼り付けた構成となっている。また、弾性体２６２の上に、さらにステンレスなどの金属板を設けた構成であっても良い。
また、ブレイクバー２７０は、金属製の支持棒２７１の先端に硬質ゴムなどの弾性体からなる押圧体２７２を取り付けた構成となっている。図８（ａ）に示すように、押圧体２７２の断面は、略三角形をなしており、大判基板１５０側の頂点には丸み（先端Ｒ）が設けられている。
スクライブラインＢ２２に沿って大判の素子基板１ａを分断する場合には、当該ラインがブレイクバー２７０における押圧体２７２の先端Ｒの直下に位置するように、換言すれば、スクライブラインと先端Ｒの延在方向とが重なるようにテーブル２６０が移動する。
そして、ブレイクバー２７０が降下し、大判のＣＦ基板３０ａを押圧することにより、押圧体２７２の先端Ｒを支点とした応力が発生し、スクライブラインＢ２２の三角形の切れ込み形状から亀裂が生じ、破線で示すように、当該三角形の頂点から、先端Ｒに向って大判の素子基板１ａが割れることになる。
【００４０】
ここで、大判の素子基板１ａが分断されるのに伴い共通のシール材５ｃも分断される。詳しくは、破線に沿って生じた亀裂が、シール材にも伝播し、破線に沿って共通のシール材５ｃも分断される。これは、ブレイク工程が二次冷却環境下で行われているため、大判基板１５０の温度が下がり、常温下よりも硬度が増した状態となっているからである。
特に、常温下との硬度差という観点において、ガラス基板では若干硬度が増すものの、その割合は僅かなものであるが、シール材５の硬度は、ガラス基板よりも大きな割合で硬度が増加する。
つまり、二次冷却環境下においては、ガラス基板とシール材５との硬度差が常温下よりも小さくなるため、亀裂が伝わり易くなり、シール材５も一緒に切断されることになる。
【００４１】
特に、本実施形態では、好適な二次冷却の温度設定として−１０℃としているが、これは、前述したようにシール原料の融点が約−１０℃であるからである。
詳しくは、硬化後のシール材５は非晶性に近い特性となるため、結晶性ポリマーに近い特性を示すシール原料の融点との相関性は乏しいように考えられるが、発明者等の実験データーからの知見によれば、当該融点はシール材５の物性における一つの閾値となっているからである。
また、同様に二次冷却における下限温度設定を−４０℃としているのも、充填材原料の融点が約−４０℃であるからである。
詳しくは、硬化後の充填材２３は非晶性に近い特性となるため、結晶性ポリマーに近い特性を示す充填材原料の融点との相関性は乏しいように考えられるが、発明者等の実験データーからの知見によれば、当該融点は充填材２３の物性における一つの閾値となっているからである。
【００４２】
図８（ｂ）は、ブレイク装置２５０によりスクライブラインＢ２２に沿って大判のＣＦ基板３０ａを切断するときの様子を、図７のＸ軸方向から観察した拡大図である。
ステップＳ８では、素子基板１ａ側が分断された状態の大判基板１５０の天地を反転し、大判のＣＦ基板３０ａ側にスクライブラインを入れる（第２スクライブ工程）。
詳しくは、スクライブ装置２００のテーブル２１０上に大判のＣＦ基板３０ａ側が上になるようにセットし、罫書き部２２０により第１スクライブ工程と同じ条件で、スクライブラインを形成する。なお、素子基板１ａ側が平面的に分断された状態であっても、分断されていない１体のＣＦ基板３０ａに対して表示領域６や、シール材５が厚さ方向で固定（接着）されているため、１つの大判基板１５０として反転するなどの取り扱いが可能である。
スクライブラインは、図１におけるＸ軸方向のスクライブラインＢ２１〜Ｂ２３を形成した後、テーブル２１０を９０°回して、Ｙ軸方向のスクライブラインＢ１１〜Ｂ１３を形成する。ここで、スクライブラインＢ２２，Ｂ１１〜Ｂ１３は、素子基板１ａに形成された当該ラインと厚さ方向（Ｚ軸方向）で重なるように形成される。換言すれば、大判基板１５０の表裏両面において平面的に同じ部分にスクライブラインが形成される。また、スクライブラインＢ２１，Ｂ２３は、ＣＦ基板３０ａ側のみに形成される。
【００４３】
ステップＳ９では、大判基板１５０をブレイク装置２５０に搭載し、大判のＣＦ基板３０ａ側を切断する（第２ブレイク工程）。
詳しくは、ブレイク装置２５０のテーブル２６０上に大判の素子基板１ａ側が上になるようにセットし、スクライブラインに沿ってブレイクバー２７０で押圧することにより、大判基板１５０を分断する。
図８（ｂ）に示すように、スクライブラインＢ２２に沿って大判のＣＦ基板３０ａを分断する場合には、当該ラインがブレイクバー２７０における押圧体２７２の先端Ｒの直下に位置するように、換言すれば、スクライブラインと先端Ｒの延在方向とが重なるようにテーブル２６０が移動する。
そして、ブレイクバー２７０が降下し、大判の素子基板１ａ側を押圧することにより、押圧体２７２の先端Ｒを支点とした応力が発生し、スクライブラインＢ２２の三角形の切れ込み形状から亀裂が生じ、破線で示すように、当該三角形の頂点から、素子基板１ａの分断線（先端Ｒ側）に向って大判のＣＦ基板３０ａが割れることになる。また、スクライブラインＢ２１，Ｂ２３においては、大判のＣＦ基板３０ａ側のみが切断され、端子部８が露出される。
これにより、大判基板１５０が図２に示す単品の表示パネル１００の状態に切り分けられる。
【００４４】
なお、第１ブレイク工程において共通のシール材５ｃが完全に切断されていない場合であっても、この第２ブレイク工程で、確実に分断されることになる。
また、切断時の押圧は、第１および第２ブレイク工程で同じ設定であるものとして説明したが、異ならせても良い。例えば、第１ブレイク工程の押圧を第２ブレイク工程の押圧よりも低くして、第２ブレイク工程において、共通のシール材５ｃを一緒に切断することであっても良い。
また、単品の表示パネル１００の状態に切り分けられた後、複数の表示パネルは、恒温槽内に入れられ、結露しないように徐々に常温温度に戻される。
また、上記実施形態においては、ステップＳ６〜Ｓ９の４つの工程全てを二次冷却の温度設定とした恒温室内にて行うものとして説明したが、ステップＳ７，Ｓ９のブレイク工程において、大判基板１５０が当該温度となっていれば良い。例えば、ブレイク工程を行う前において、大判基板１５０を冷却し、常温下で素早くブレイク工程を行うことであっても良い。なお、この場合、大判基板１５０が結露しないような環境設定をすることが好ましい。
【００４５】
上述した通り、本実施形態に係る表示パネル１００、およびその製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
この製造方法によれば、ステップＳ７（Ｓ９）のブレイク工程において、二次冷却された状態の大判基板１５０を共通のシール材５ｃと重なった部分に形成されたスクライブラインＢ１２，Ｂ２２に沿って切断し、単品の表示パネル１００を切り出す。
よって、低温になって硬くなるとともに脆くなった状態で、切断工程を行うことにより、常温下では困難であった切断を可能とすることができる。換言すれば、ガラス基板とシール材５との硬度差が常温下よりも小さくなった状態で、切断工程を行うことにより、亀裂が伝わり易く、ガラス基板とシール材５とを一緒に切断することができる。
従って、大判基板からシール材の部分を切断して表示パネルを切り出すことが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００４６】
隣り合う表示領域６間にシール材が形成されていない間隙Ｇが設けられていた従来の表示パネル（図１１（ａ））と異なり、表示パネル１００によれば、図１に示すように、当該間には共通のシール材５ｃが形成されており、当該シール材上を切断する構成となっている。
従って、従来の表示パネルの外形サイズ（Ｌ１×Ｈ１）よりも、当該間隙分、表示パネル１００の外形サイズ（Ｌ２×Ｈ２）を小さくすることができる。換言すれば、狭額縁化を図ることができる。
さらに、端子部８の両隣りに空洞部４０５が形成されていた従来の表示パネル（図１１（ａ））と異なり、表示パネル１００によれば、図２に示すように、端子部８が形成された一辺を除く３辺の端面はシール材５が露出しており、空洞部が形成されていない。
従って、従来の表示パネルに比べて、洗浄液溜りの発生や、滞留した洗浄液による端子部８の劣化の心配を低減することができる。さらに、端面の乾燥を速やかに行うことができる。
【００４７】
（実施形態２）
図９（ａ），（ｂ）は、実施形態２に係る製造方法のブレイク工程における一態様を示す図であり、図８（ａ），（ｂ）に対応している。
以下、本発明の実施形態２に係る製造方法について、図９を中心に説明する。
本実施形態における製造方法は、ブレイク工程におけるブレイク装置２５０（図７）のテーブルの構造が、実施形態１と異なる。
ここでは、実施形態１における説明と重複する部分は省略し、テーブルの構成を中心に説明する。また、同一の構成部位については同一の番号を附して説明する。
【００４８】
本実施形態の製造方法は、てこの原理を利用してより効率的にブレイク工程における切断を行うものである。
図９（ａ）に示すように、ブレイク装置２５０（図７）は、テーブル２６５を備えている。テーブル２６５は、金属製の台座２６１上に、ゴムなどの弾性体２６６を貼り付けた構成となっている。
ここで、弾性体２６６には、スクライブラインＢ２２と重なる部分に凹部２６７が形成されている。換言すれば、スクライブラインの直下が間隙となるような凹部２６７が形成されている。この点以外は、実施形態１のテーブル２６０と同様である。
【００４９】
また、製造工程も図４のフローチャートと同様である。
ステップＳ７においては、大判の素子基板１ａ側のみを切断することになるが、この際のテーブル２６５側の支点は、凹部２６７を形成する弾性体２６６における壁面上端（大判基板側）の支点ｅ，ｆとなる。また、凹部２６７の幅ｊ１は、例えば、約３〜２０ｍｍに設定されており、幅ｊ１の真ん中にスクライブラインが来るように位置設定される。
ステップＳ９においても同様に、凹部２６７の真ん中にスクライブラインが来るように位置設定された状態で、換言すれば、スクライブラインを凹部２６７の間隙によって跨いだ状態で、ブレイクバー２７０が降下し、大判基板１５０を押圧することにより、大判基板を切断する。
また、上記では、スクライブラインＢ２２について説明したが、ステップＳ７，Ｓ９における他のスクライブラインについても同様に、当該ラインを跨ぐように凹部２６７を配置した状態でブレイク工程が行われる。
【００５０】
上述した通り、本実施形態によれば、実施形態１における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
この製造方法によれば、スクライブラインを跨ぐ凹部２６７が形成されたことにより、ブレイク工程におけるテーブル２６５側の大判基板１５０の支点が、幅ｊ１離れた支点ｅ，ｆとなる。
よって、力点となる押圧体２７２の先端Ｒで押圧したときに、てこの原理によって大判基板１５０が支点ｅ，ｆを支点として撓み易くなるため、小さい押圧であってもスクライブラインの三角形の頂点（作用点）からの亀裂が成長し易くなる。
また、押圧は、幅ｊ１の長さと相関関係があるため、大判基板の大きさや厚さに応じて最適化を図ることができ、工程設計に幅を持たせることができる。
従って、大判基板からシール材の部分を切断して効率良く表示パネルを切り出すことが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００５１】
（実施形態３）
図１０は、実施形態３に係る製造方法のブレイク工程における一態様を示す図であり、図９（ａ）に対応している。
以下、本発明の実施形態３に係る製造方法について、図１０を中心に説明する。
本実施形態における製造方法は、スクライブ工程およびブレイク工程が１回ずつであることと、スクライブ工程において、大判基板の表裏両面に全てのスクライブラインを入れてしまうことが、実施形態２と異なる。
ここでは、実施形態１および２における説明と重複する部分は省略し、相違点を中心に説明する。また、同一の構成部位については同一の番号を附して説明する。
【００５２】
本実施形態の製造方法は、てこの原理を利用してブレイク工程を行うことは実施形態２の製造方法と同様であるが、大判基板の切断を片面の基板ずつ行うのではなく、２枚の基板を一括して切断する点が実施形態２と異なる。
本実施形態の製造方法は、図４の工程フローにおけるステップＳ８，Ｓ９をなくした流れとなっている。
詳しくは、ステップＳ６において、ステップＳ８で入れていたスクライブラインも入れる。つまり、大判の素子基板１ａにはスクライブラインＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２２を入れ、大判のＣＦ基板３０ａにはスクライブラインＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２１〜Ｂ２３を入れる。
そして、ステップＳ７において、テーブル２６５上に大判の素子基板１ａ側が上になるようにセットし、まず、スクライブラインＢ２１，Ｂ２３に沿って大判のＣＦ基板３０ａのみを切断する。これにより、端子部８が露出した状態となる。
【００５３】
次に、スクライブラインＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２２に沿って、順次、大判基板１５０を切断する。図１０には、スクライブラインＢ２２を切断するときの様子が示されており、大判基板１５０の表裏両面に当該ラインの三角形状が入っている。
ここで、凹部２６７の幅ｊ２は、図９のＷ１より幅広に設定されている。幅ｊ２は、例えば、約５〜３０ｍｍに設定されており、幅ｊ２の真ん中にスクライブラインが来るように位置設定される。
この状態で、ブレイクバー２７０が降下し、大判基板１５０を押圧することにより、大判基板の基板２枚を一緒に切断する。
大判基板１５０の表裏の同じ位置にスクライブラインが形成されていることと、幅ｊ２の凹部２６７によるてこの原理とにより、支点ｅ，ｆを支点とした大判基板はより撓み易くなっている。このため、ＣＦ基板３０ａにおけるスクライブラインＢ２２の三角形の頂点から発生した亀裂は、素子基板１ａ側のスクライブラインＢ２２の三角形の頂点（先端Ｒ側）に向かって、一気に成長し、共通のシール材５ｃを含む２枚の基板を破線に示すラインで一緒に切断することができる。
【００５４】
なお、ステップＳ７において、スクライブラインＢ２１，Ｂ２３に沿った切断時におけるブレイクバーの押圧は、その他のスクライブラインに沿った切断時の押圧よりも小さくすることが好ましい。これは、前者の場合は、基板１枚の切断に必要な押圧であれば良いからである。
また、本実施形態の製造方法の場合、二次冷却は、ステップＳ７のみ行うことであっても良い。
【００５５】
上述した通り、本実施形態によれば、実施形態１，２における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
実施形態２の工程フローに比べて、２工程（ステップＳ８，９）省略することができるため、製造効率を向上させることができる。
従って、大判基板からシール材の部分を切断してより効率良く表示パネルを切り出すことが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００５６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００５７】
（変形例１）
図１２は、変形例１に係る大判基板の一態様を示す平面図であり、図１に対応している。実施形態１では、４枚の表示パネルが面付けされた大判基板１５０について説明したが、面付け数は１枚であっても良い。
以下、上記各実施形態における記載と重複する部分は省略して説明する。なお、同一の構成部位については、同一の番号を附して説明する。
【００５８】
図１２の大判基板１６０には、図１の表示パネル（幅Ｌ２）よりも大きな表示パネル１１０（幅Ｌ３）が１枚面付けされている。
大きな表示パネル１１０を製造する場合には、製造設備の都合上１枚取りという構成もあり得る。このような場合、表示パネル１１０の余白部（耳部）に、製造工程上必要な合わせマークＭを入れることが多く、この場合においても、シール材５と重なる位置で、大判基板１６０を切断することができる。
詳しくは、端子部８が形成された一辺を除く３辺においてシール材５を幅広に形成し、当該部の真ん中で、上記各実施形態のいずれかの方法で、大判基板１６０を切断すれば良い。この方法であっても、上記各実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５９】
（変形例２）
図１３は、変形例２に係るブレイク装置の拡大図であり、図８（ａ）に対応している。
実施形態１のブレイク装置では、テーブル側に面した基板を切断する構成であったが、ブレイクバー側の基板を切断する構成であっても良い。
以下、上記各実施形態における記載と重複する部分は省略して説明する。なお、同一の構成部位については、同一の番号を附して説明する。
図１３のブレイク装置２９０は、図８（ａ）のブレイク装置とは異なる構成のブレイクバー２９１、およびテーブル２９２を備えている。
詳しくは、ブレイクバー２９１の先端は、二股に分かれている。この二股に分かれた、それぞれの先端を先端Ｒａ、Ｒｂとする。また、大判基板１５０は、テーブル２９２上において、大判の素子基板１ａ側を上に（ブレイクバー側に）向けてセットされている。
つまり、スクライブラインＢ２２を跨いでブレイクバー２９１の先端Ｒａ、Ｒｂが配置されている。
【００６０】
テーブル２９２は、金属製の台座２６１上に、ゴムなどの弾性体２９３を貼り付けた構成となっている。
ここで、弾性体２９３には、スクライブラインＢ２２と重なる部分に凸部２９４が形成されている。
換言すれば、スクライブラインの直下を凸形状するための凸部２９４が形成されている。なお、図１３では、１つの凸部のみが示されているが、大判基板１５０を略平行に支持するために、周期的に複数の凸部が形成されている。この点以外は、実施形態１のテーブル２６０と同様である。
この構成において、力点であるブレイクバー２９１が下降すると、てこの原理により凸部２９４を支点として大判基板が撓み、作用点となるスクライブラインＢ２２の三角形状の頂点から、破線で示すように亀裂が成長し、大判の素子基板１ａおよび共通のシール材５ｃが分断される。
上述した通り、本変形例に係るブレイク装置２９０は、各実施形態および変形例への適用が可能であるとともに、同様の作用効果を得ることができる。
【００６１】
（変形例３）
図１４は、変形例３に係る表示パネルにおけるシール材の拡大図であり、図８（ａ）に対応している。
各実施形態および変形例におけるシール材にビーズ状のスペーサーを混入させる構成であっても良い。
以下、上記各実施形態における記載と重複する部分は省略して説明する。なお、同一の構成部位については、同一の番号を附して説明する。
図１４は、図８（ａ）のブレイク工程において、スクライブラインＢ２２から発生した亀裂ＢＬが、共通のシール材５ｃに伝播して行く状態を示した拡大図である。
ここで、本変形例に係るシール原料には、ビーズ状のスペーサーｊが混入されている。スペーサーｊとしては、樹脂ビーズ、ガラスビーズ、シリカビーズ、ガラスファイバー等を用いることができる。本変形例では、好適例として、ガラス製のスペーサーｊをシール原料に適量混入した。スペーサーｊの直径は、セルギャップ（電気光学物質の積層）と略同じに設定した。詳しくは、ＥＬ層１５（図３）を含む各層の積層の層厚（例えば、約５〜１００μｍ）に合せている。
【００６２】
このため、図１４に示すように、硬化後の共通のシール材５ｃにおいて、セルギャップと略同じ直径のスペーサーｊが複数個観察されている。
ここで、ブレイク工程において、スクライブラインＢ２２から発生した亀裂ＢＬが共通のシール材５ｃに達すると、最寄りのスペーサーｊの外周を伝わって伝播されることになる。なお、スペーサーｊは球状であるため、亀裂が伝播される部分は略点状であるが、スクライブラインと重なる部分に複数のスペーサーｊが散在しているため、共通のシール材５ｃにおける当該ラインに沿った亀裂の成長が促される。
よって、スペーサーが混入されていない場合よりも、シール材５ｃの切断を容易に行うことができる。
従って、シール材にビーズ状のスペーサーを混入させることによって、各実施形態および変形例での作用効果に加えて、よりシール材を効率良く切断することができる。
【００６３】
（変形例４）
図３を用いて説明する。
前記各実施形態、および変形例において、表示パネルは、トップエミッション型の有機ＥＬパネルであるとして説明したが、素子基板１側から光を出射するボトムエミッション方であっても良い。
また、有機ＥＬパネルに限定するものではなく、２枚の基板間において、シール材に囲まれた表示領域内に、電気光学物質を挟持する表示パネルであれば良い。例えば、液晶パネル、プラズマパネル、無機ＥＬパネルなどであっても良い。
これらの構成であっても、前記各実施形態、および変形例と略同様な作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１…素子基板、５…シール材、５ｃ…共通のシール材、６…表示領域、８…端子部、１５…電気光学物質としてのＥＬ層、２３…充填材、１００，１１０…電気光学装置としての表示パネル、１５０，１６０…大判基板、２６０，２６５，２９２…テーブル、２６７…凹形状としての凹部、ｊ…スペーサー、Ｂ１１〜１３，Ｂ２１〜２３…スクライブライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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