(57)【要約】 【課題】  半導体チップのコーナ部に対応する熱硬化性樹脂の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体が筐体内に搭載され、高い信頼性を有する電子機器を提供する。【解決手段】  筐体と、前記筐体内に収納された回路基板と、前記回路基板に実装された半導体チップと、前記回路基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記回路基板と前記半導体チップとを接合した熱硬化性樹脂と、前記半導体チップのコーナ部に対応する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分以外の領域に比べて高い密度で存在する磁性体粉末とを備えることを特徴とする電子機器。【選択図】図１
2010263250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体内に収納された回路基板と、
前記回路基板に実装された半導体チップと、
前記回路基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記回路基板と前記半導体チップとを接合した熱硬化性樹脂と、
前記半導体チップのコーナ部に対応する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分以外の領域に比べて高い密度で存在する磁性体粉末と
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、前記回路基板と前記半導体チップの間および前記半導体チップの側面に配置されたことを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記磁性体粉末は、電磁波の発生源と対向する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分および前記コーナ部に対応する部分以外の領域に比べて高い密度でさらに存在することを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂は、前記回路基板の対向面と反対側に位置する前記半導体チップの表面までさらに延出して覆い、かつ前記磁性体粉末は前記半導体チップの表面を覆う前記熱硬化性樹脂部分にこの部分および前記コーナ部に対応する部分以外の領域に比べて高い密度で存在することを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【請求項５】
前記磁性体粉末がフェライト粉末であることを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【請求項６】
前記磁性体粉末が０．１〜１０μｍの平均粒径を有することを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板の回路パターンにベアチップのような半導体チップの電極をはんだバンプなどで接続するフェイスダウン、例えばＢＧＡ（Ball Grid Allay）またはＣＰＳ（Chip Scale Package）で実装した半導体チップ実装体が知られている。フェイスダウンによる実装は、実装占有面積を狭くできる利点を有する。しかしながら、フェイスダウンの実装は、回路基板の材料（例えばガラス・エポキシ樹脂）とチップの材料（シリコン）の間の熱膨張係数の差により接合部であるはんだに応力が発生して接合部が破壊される恐れがある。
【０００３】
このようなことから回路基板の回路パターンに半導体チップの電極をはんだバンプなどで接続するフェイスダウン実装後に回路基板と半導体チップの間に熱硬化性樹脂溶液を注入し、硬化させて接合部材を形成し、回路基板に半導体チップを固定することによって、ヒートサイクルなどの熱的応力に対する回路基板と半導体チップの間の接続信頼性の向上が図られている。
【０００４】
一方、特許文献１には回路基板と半導体チップの間に熱硬化性樹脂とこの樹脂より比誘電率が小さいフィラー、例えばシリカフィラーを含む封止物質で封止し、かつ封止物質の回路基板側に前記シリカフィラーを位置させて配線間のクロストークを低減する半導体装置の実装体が開示されている。また、同特許文献１の段落［００２９］には「樹脂組成物３に含有されたフィラー２を予め磁性体が内蔵されたもの、例えば金属粉末の周囲をテフロン（登録商標）でコーティングしてなるものとしておき、磁石によってフィラー２が引き付けられる性質を利用して樹脂組成物３中の回路基板１４側または半導体装置１１側に位置させることも可能である。」と記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２９４６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１にはフィラーの分散による封止物質自体の機械的強度を向上させることに関しては着目していない。
【０００７】
本発明は、半導体チップのコーナ部に対応する熱硬化性樹脂の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体が筐体内に搭載され、高い信頼性を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様によると、筐体と、
前記筐体内に収納された回路基板と、
前記回路基板に実装された半導体チップと、
前記回路基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記回路基板と前記半導体チップとを接合した熱硬化性樹脂と、
前記半導体チップのコーナ部に対応する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分以外の領域に比べて高い密度で存在する磁性体粉末と
を備えることを特徴とする電子機器が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体チップのコーナ部に対応する熱硬化性樹脂の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体が筐体内に搭載され、高い信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る半導体チップ実装体を示す要部平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】第１実施形態半導体チップ実装体の製造を説明するための要部平面図である。
【図４】図３のIII−III線に沿う断面図である。
【図５】第１実施形態の別の態様に係る半導体チップ実装体を示す要部平面図である。
【図６】図５のIV−IV線に沿う断面図である。
【図７】第１実施形態のさらに別の態様に係る半導体チップ実装体を示す要部平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿う断面図である。
【図９】第２実施形態に係るノート型のポータブルコンピュータ示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体チップ実装体を示す平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面図である。
【００１３】
半導体チップ実装体１は、実装面に回路パターン、例えばＣｕパッド２を有する回路基板３を備えている。半導体装置、例えば矩形状のシリコンベアチップ４の電極（図示せず）は、はんだボール５を介して回路基３のＣｕパッド２に接続するＢＧＡ実装されている。熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合部材７は、回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に配置され、シリコンチップ４を回路基板３に固定している。磁性体粉末６は、図１に示すようにシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する接合部材７の箇所に局在している。
【００１４】
接合部材を構成する熱硬化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。具体的なエポキシ樹脂は、熱硬化型一液性エポキシ樹脂を用いることができる。
【００１５】
接合部材の熱硬化性樹脂に分散される磁性体粉末は、フェライト（Ｆｅ2Ｏ3）粉末、ネオジ系磁石粉末、コバルト系磁石粉末、アルコニア系磁石粉末、フェライト系磁石粉末、ケイ素鋼粉末、鉄粉末、パーマロイ粉末、磁性ステンレス鋼粉末を用いることができる。磁性体粉末の中で、特に絶縁性のフェライトが好ましい。
【００１６】
磁性体粉末は、後述する磁力作用による熱硬化性樹脂内で容易に移動可能な球形であることが好ましい。磁性体粉末は、０．１〜１０μｍの平均粒径を有することが好ましい。
【００１７】
磁性体粉末は、接合部材中に３０〜９０重量％で充填されていること好ましい。
【００１８】
なお、『磁性体粉末６がシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する接合部材７の箇所に局在している』とは、例えば前記平均粒径を有する磁性体粉末６がシリコンベアチップ４のコーナ部に対応する接合部材７の箇所に６０〜９５重量％の密度で存在することを意味する。このような接合部材７において、シリコンベアチップ４のコーナ部に対応する箇所以外の領域では磁性体粉末６は２０〜４０重量％の密度で存在する。
【００１９】
このような第１実施形態に係る半導体チップ実装体の製造方法を以下に説明する。
【００２０】
回路基板のＣｕパッドに矩形状のシリコンベアチップの電極をはんだボールを介して接続するＢＧＡ実装を行う。回路基板１とシリコンベアチップの間およびシリコンベアチップの側面に熱硬化性樹脂および磁性体粉末を含む接合組成物、例えば５０重量％の磁性体粉末を含む熱硬化型一液性エポキシ樹脂溶液を供給し、磁性体粉末含有エポキシ樹脂の充填物を形成する。この回路基板をリフロー炉の搬送ベルトに載置し、搬送ベルトを移動する間に磁性体粉末含有エポキシ樹脂の充填物を加熱する。加熱による充填物の硬化の間に図３および図４に示すように鉄芯２１にコイル２２を捲回し、コイル２２を電源２３に接続した電磁石２４をシリコンベアチップ３の４つのコーナ部に垂直方向に延びる前記鉄芯２１が対向するように配置し、電源２４から図示しないコントロールユニットで制御された電圧をコイル２２に供給して磁力を発生させる。このとき、充填物中の磁性体粉末が磁力により鉄芯２１に向けて引っ張られてシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する充填物の箇所に集中する。その結果、磁性体粉末含有エポキシ樹脂の充填物の硬化後に回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に形成された接合部材７中の磁性体粉末６はシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する箇所に局在し、半導体チップ実装体１が製造される。
【００２１】
なお、磁力を加えた後の接合部材中の磁性体粉末は磁化され、この状態で製品として出荷すると、半導体チップ実装体周辺の機器に磁気的な悪影響を及ぼすため、磁力を加えた後に接合部材に消磁処理を施すことが望ましい。
【００２２】
以上説明したように、第１実施形態に係る半導体チップ実装体１は、回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合部材７を配置してシリコンチップ４を回路基板３に固定すると共に、接合部材７中の磁性体粉末６をシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する箇所に局在させることによって、接合部材７のコーナ部でのヤング率および硬度を向上できる。
【００２３】
すなわち、シリコンチップを回路基板に固定する接合部材において、外部からの衝撃は矩形状のシリコンベアチップの４つのコーナ部に対応する箇所に集中するため、それらの箇所が亀裂、破損し易くなる。熱硬化性樹脂中の磁性体粉末が一様に分散された接合部材では、外部衝撃に十分対応することができない。
【００２４】
第１実施形態のように接合部材７中の磁性体粉末６をシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する箇所に局在させることによって、接合部材７のコーナ部でのヤング率および硬度を向上できるため、外部からの衝撃が接合部材７のコーナ部に受けても吸収できる、つまり耐衝撃性を向上できる。その結果、接合部材７のコーナ部での亀裂、破損を防止できるため、回路基板３とシリコンベアチップ４間の接続信頼性を向上できる。
【００２５】
第１実施形態に係る半導体チップ実装体は、前述した図１および図２に示す構造に限定されない。
【００２６】
例えば、図５および図６に示す半導体チップ実装体１は、回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に配置される熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合部材７において、磁性体粉末６はシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する箇所のみならず、電磁波発生源側（右側）の接合部材６の右側面にも局在する。接合部材７の右側面に磁性体粉末６を局在させるには、回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に磁性体粉末含有エポキ樹脂を充填し、この充填物を加熱し、硬化させる間に前述した図３、図４に示す電磁石の鉄心を接合部材７の右側面となる前記充填物に平行した配置し、電磁石の電源から電圧を鉄心に捲回したコイルに供給して磁力を発生させることにより行うことができる。
【００２７】
このような図５および図６に示す構造の半導体チップ実装体１によれば、電磁波発生源からの電磁波の干渉を接合部材７の右側面に局在させた磁性体粉末６により低減できるため、シリコンベアチップ４を電磁波から保護することができる。
【００２８】
また、図７および図８に示す半導体チップ実装体１は、回路基板３とシリコンベアチップ４の間、シリコンベアチップ４の４つの側面およびシリコンベアチップ４に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合部材７が配置されている。つまり、シリコンベアチップ４ははんだボール５との接続箇所を除く全ての面が接合部材７で覆われている。磁性体粉末６はシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する接合部材７の箇所のみならず、シリコンベアチップ４表面を覆う接合部材７部分の表面にも局在する。接合部材７のシリコンベアチップ４を覆う部分の表面に磁性体粉末６を局在させるには、回路基板３とシリコンベアチップ４の間、シリコンベアチップ４の４つの側面およびシリコンベアチップ４の表面に磁性体粉末含有エポキ樹脂を充填し、この充填物を加熱し、硬化させる間に前述した図３、図４に示す電磁石の鉄心を接合部材７のコンベアチップ４を覆う部分の表面となる前記充填物に平行した配置し、電磁石の電源から電圧を鉄心に捲回したコイルに供給して磁力を発生させることにより行うことができる。
【００２９】
このような図７および図８に示す構造の半導体チップ実装体１によれば、電磁波がシリコンベアチップ４の表面にあたっても、電磁波の干渉をその表面を覆う接合部材７部分の表面に局在させた磁性体粉末６により低減できるため、シリコンベアチップ４を電磁波から保護することができる。
【００３０】
（第２実施形態）
図９は第２実施形態に係る電子機器、例えばノート型のポータブルコンピュータを示す斜視図である。
【００３１】
ポータブルコンピュータ３１は、機器本体３２と、機器本体３２に支持されたディスプレイユニット３３とを備えている。機器本体３２は、筐体３４を有する。この筐体３４は、矩形状のベース３５とこれに嵌合されたほぼ矩形状のカバー３６とを有し、偏平な箱状に形成されている。
【００３２】
筐体３４を構成するカバー３６は、アクリル等の光透過性を有する樹脂により形成されている。カバー３６の中央部および後半部に亘ってほぼ矩形状の開口３７が形成され、この開口３７内にキーボード３８が露出して設けられている。
【００３３】
キーボード３８下のベース３５上には、前述した図１および図２に示す半導体チップ実装体１が搭載されている。カバー３６のほぼ前半部分は、パームレスト３９を形成している。パームレスト３９の中央部には、開口４０が形成され、この開口４０内にトラックパッド４１が露出して設けられている。トラックパッド４１の手前側のパームレスト３９には、開口４２が形成され、開口４２内に決定スイッチ４３が露出して設けられている。決定スイッチ４３の左側のパームレスト３９には、開口４４が形成され、開口４４内に指紋読み取り部４５が設けられている。
【００３４】
ディスプレイユニット３３は、ディスプレイハウジング４６およびディスプレイハウジング４６に収容された液晶パネル４７を備えている。ディスプレイハウジング４６は一対のヒンジ部４８により機器本体３２の筐体３４に対して回動可能に支持されている。ディスプレイハウジング４６の前壁には、表示用の窓部４９が形成されている。窓部４９は前壁の大部分にわたる大きさを有し、この窓部４９を通して液晶パネル４７の表示画面がディスプレイハウジング４６の外方に露出している。
【００３５】
このような構成のポータブルコンピュータ３１は、回路基板３とシリコンベアチップ４の間およびシリコンベアチップ４の４つの側面に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合部材７を配置してシリコンチップ４を回路基板３に固定すると共に、接合部材７中の磁性体粉末６をシリコンベアチップ４の４つのコーナ部に対応する箇所に局在し、回路基板３とシリコンベアチップ４間の接続信頼性を向上された半導体チップ実装体１を筐体３４内に搭載しているため、高い信頼性を有する。
【００３６】
また、筐体３４内に前述した図５および図６、並びに図７および図８に示す半導体チップ実装体１を搭載すれば、半導体チップ実装体１のシリコンベアチップ４を電磁波から保護することができるため、より一層高い信頼性を有するポータブルコンピュータ３１を提供できる。
【００３７】
なお、第２実施形態に係る電子機器はノート型のポータブルコンピュータに限らず、携帯電話、ＰＨＳ，カメラ一体型ＶＴＲ等にも適用できる。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体チップ実装体、３…回路基板、４…シリコンベアチップ、６…磁性体粉末、７…接合部材、３１…ポータブルコンピュータ、３２…機器本体、３３…ディスプレイユニット３３、３４…筐体、４６…ディスプレイハウジング。
【図１】
2010263250.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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