(57)【要約】【課題】下地となるサイドウォールにダメージを与えることなく外側のサイドウォールを除去可能で、これにより狭スペース化したゲート電極間に自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１上にゲート構造体Ａを形成し、さらにノンドープシリコン系絶縁膜１１と、不純物ドープ窒化シリコン膜１３と順に成膜する。これらの膜１１，１３を異方性エッチングし、ゲート構造体Ａの側壁に第１サイドウォール１１ａと第２サイドウォール１３ａとを形成する。半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、オフセット絶縁膜をこの順に積層したゲート構造体を形成する第１工程と、
前記ゲート構造体を覆う状態で、ノンドープシリコン系絶縁膜と、不純物ドープ窒化シリコン膜とをこの順に成膜する第２工程と、
前記不純物ドープ窒化シリコン膜と前記ノンドープシリコン系絶縁膜とを異方性エッチングすることにより、前記ゲート構造体の側壁に当該ノンドープシリコン系絶縁膜からなる第１サイドウォールと前記不純物ドープ窒化シリコン膜からなる第２サイドウォールとを形成する第３工程と、
前記ゲート構造体、前記第１サイドウォール、および前記第２サイドウォールをマスクにした不純物導入により前記半導体基板の表面側にソース／ドレイン拡散層を形成する第４工程と、
アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、前記第１サイドウォールに対して選択的に前記第２サイドウォールを除去する第５工程と、
前記第４工程および第５工程の後に前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する第６工程と、
前記第２サイドウォールをストッパとしたエッチングにより前記層間絶縁膜に前記ソース／ドレイン拡散層に達する接続孔を形成する第７工程とを行う
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不純物ドープ窒化シリコン膜は、ホウ素含有窒化シリコン膜である
請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にはセルフアラインでソース／ドレイン拡散層にコンタクトを形成する方法に適用される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、ゲート電極脇に配置されるソース／ドレインに対するコンタクト形成に自己整合プロセスを適用している。図６には、その製造工程図を示す。
【０００３】
先ず図６（1）に示すように、半導体基板１０１上に、ゲート絶縁膜１０３、ゲート電極１０５、オフセット絶縁膜１０７を積層したゲート構造体ａを形成し、このゲート構造体ａをマスクに用いた不純物注入により、半導体基板1０１の表面側にＬＤＤ拡散層１０９を形成する。次に、ゲート構造体ａの側壁に第１サイドウォール１１１と第２サイドウォール１１３とからなる２層構造のサイドウォールを形成し、これらをマスクに用いた不純物注入により、半導体基板１０１の表面側にソース／ドレイン拡散層１１５を形成する。その後、これらを覆う状態で層間絶縁膜１１７を形成する。
【０００４】
次に、図６（２）に示すように、層間絶縁膜１１７上にレジストパターン１１９を形成し、これをマスクにした層間絶縁膜１１７のエッチングによって、ソース／ドレイン拡散層１１５に達する接続孔１１７ａを形成する。この際、オフセット絶縁膜１０７およびサイドウォール１１１，１１３をエッチングストッパとすることにより、ソース／ドレイン拡散層１１５に達する接続孔１１７ａを自己整合的に形成する。
【０００５】
以上の後には、図６（３）に示すように、接続孔１１７ａを介してソース／ドレイン拡散層１１５に接続された配線１２１を形成する。
【０００６】
ここで、サイドウォール１１１，１１３の幅Ｗは、トランジスタ特性によって必要な値に設定されている。このため、半導体装置の高集積化にともないゲート電極１０３−１０３間の狭スペース化が進行するに伴い、接続孔１１７ａの開口径も縮小される傾向にある。このため、図６（２）で示した接続孔１１７ａの形成においては、接続孔１１７ａの底部の層間絶縁膜１７のエッチング除去が困難となり、エッチング渣残ｂが生じ易くなっている。このようなエッチング渣残ｂは、接続孔１１７ａを介してのコンタクト抵抗の上昇を引き起こす。
【０００７】
そこで、図６（１）で示したようにソース／ドレイン拡散層１１５を形成した後で、層間絶縁膜１１７を成膜する前に、積層構造のサイドウォール１１１，１１３のうち、外側の第２サイドウォール１１３を除去する方法が提案されている。この際、外側の第２サイドウォール１１３を窒化物質とし、その下地絶縁膜（例えば第１サイドウォール１１１）を酸化物で構成する。そして、リン酸を含むエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、外側の第２サイドウォール１１３を第１サイドウォール１１１に対して５〜６：１の選択比で除去する。これにより、接続孔を形成される空間が十分に確保されるとしている（下記特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２５０８６４号公報（特に段落００３９、００４５，００４６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した特許文献１に記載された製造方法では、外側の第２サイドウォール１１３を除去する場合の下地絶縁膜（例えば第１サイドウォール１１１）に対する選択比が、たかだか５〜６：１程度であるため第１サイドウォール１１１にダメージが加わり易い。このようにダメージが加わった第１サイドウォール１１１は、接続孔を形成する際のエッチングストッパとして機能し難くなり、接続孔形成においての自己整合性が損なわれる。また、層間絶縁膜１１７は主にシリコン酸化膜により形成されるために、特許文献１に記載された製造方法では、第１サイドウォール１１１をエッチングストッパとした自己整合的な接続孔の形成は難しい。
【００１０】
そこで本発明は、下地となるサイドウォールにダメージを与えることなく外側のサイドウォールを除去可能で、これにより狭スペース化したゲート電極間に自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するための本発明は、次のように行なうことを特徴としている。先ず第１工程では、半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、オフセット絶縁膜をこの順に積層したゲート構造体を形成する。次の第２工程では、ゲート構造体を覆う状態で、酸化シリコンや窒化シリコン等のノンドープシリコン系絶縁膜と、不純物ドープ窒化シリコン膜とをこの順に成膜する。この材料構成が、本発明の１つ目のポイントになる。その後第３工程では、不純物ドープ窒化シリコン膜とノンドープシリコン系絶縁膜とを異方性エッチングすることにより、ゲート構造体の側壁にノンドープシリコン系絶縁膜からなる第１サイドウォールと不純物ドープ窒化シリコン膜からなる第２サイドウォールとを形成する。第４工程では、ゲート構造体、第１サイドウォール、および第２サイドウォールをマスクにしてソース／ドレイン拡散層を形成する。また第５工程では、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第１サイドウォールに対して選択的に第２サイドウォールを除去することが、本発明の２つ目のポイントになる。その後第６工程では、半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、さらに第７工程では第２サイドウォールをストッパとしたエッチングにより、ソース／ドレイン拡散層に達する接続孔を層間絶縁膜に形成する。
【００１２】
アルカリエッチング溶液でのウェットエッチングにおいて、第２サイドウォールを構成する不純物ドープ窒化シリコン膜は、第１サイドウォールを構成するノンドープシリコン系絶縁膜に対して３０倍の高エッチング選択比でのエッチングが可能となる。このため、第５工程では、第１サイドウォールに対するダメージを確実に防止した状態で第２サイドウォールを除去することができる。これにより、第７工程では、第１サイドウォールをエッチングストッパとした機能させた層間絶縁膜のエッチングにより、当該層間絶縁膜に側壁開口形状が拡大された接続孔を形成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように本発明によれば、下地となる第１サイドウォールにダメージを与えることなく外側の第２サイドウォールの除去が可能となってことにより、層間絶縁膜に側壁開口形状が拡大された接続孔を形成することができる。したがって、狭スペース化したゲート電極間であっても、自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔をエッチング渣残無く形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
先ず、図１（１）に示すように、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板１を用意し、この上部にゲート絶縁膜３、ゲート電極５、オフセット絶縁膜７を積層したゲート構造体Ａをパターン形成する。次に、ゲート構造体Ａをマスクに用いた不純物注入により、半導体基板1の表面側にＬＤＤ拡散層９を形成する。ここまでは、通常の手順で行なわれる。尚、オフセット絶縁膜７は、以降に行なわれる接続孔形成のためのエッチングにおいてエッチングストッパとなる材質（例えば窒化シリコン)で構成されることとする。
【００１６】
次に、図１（２）に示すように、ゲート構造体を覆う状態で、ノンドープシリコン系絶縁膜１１と、不純物ドープ窒化シリコン膜１３との積層膜を成膜する。ここでノンドープシリコン系絶縁膜１１は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、または酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなり、不純物ドープ窒化シリコン膜１３をエッチングする際のエッチングストッパとなる程度の膜厚で形成されることとする。一方、不純物ドープ窒化シリコン膜１３は、不純物としてホウ素（Ｂ）を含有する窒化シリコン（以下、ＳｉＢＮ）からなることとする。この不純物ドープ窒化シリコン膜１３は、これらの膜１１，１３を異方性エッチングして得られるサイドウォールが、所定幅で形成される程度に十分な膜厚で形成されることとする。
【００１７】
以下、ノンドープシリコン系絶縁膜１１とＳｉＢＮ膜１３の成膜の具体例を説明する。
【００１８】
＜第１例＞
窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１をＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)法によって成膜する。成膜ガスには、シリコン（Ｓｉ）を含有するガス（Ｓｉ系ガス）として、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、シラン（ＳｉＨ4）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ3）などを用いる。また、窒素（Ｎ）を含有するガス（Ｎ系ガス）としてアンモニア（ＮＨ3）を用いる。
【００１９】
そして、Ｓｉ系ガスを供給したＳｉ原子層の成膜工程と、Ｎ系ガスをラジカル化してＳｉ原子層を窒化する工程とを繰り返し行なうことにより、窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１を成膜する。
【００２０】
この際、成膜温度は５００℃付近を最適値とし、４００℃〜６５０℃の範囲での成膜を行なう。また各成膜ガスは適宜の流量で用いることとする。例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）を５００〜２０００ｓｃｃｍで供給し、アンモニア（ＮＨ3）を１０００〜５０００ｓｃｃｍで供給する。
【００２１】
次に、不純物ドープ窒化シリコン膜１３を、ＡＬＤ法によって成膜する。成膜ガスには、上記と同様のＳｉ系ガスおよびＮ系ガスの他、ホウ素（Ｂ）を含有するガス（Ｂ系ガス）として、トリクロロボラン（ＢＣｌ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、トリメチルボロン[Ｂ（ＣＨ3）3：ＴＭＢ]、ボラン（ＢＨ3）を用いる。Ｂ系ガスの添加量は、Ｓｉ系ガスの１％程度を最適値とし、０．３％〜３％（好ましくは０．３％〜１．２％）の範囲とする。
【００２２】
そして、Ｂ系ガスをＳｉ系ガスに添加して供給することによりＢ含有Ｓｉ原子層の成膜工程と、Ｎ系ガスをラジカル化してＢ含有Ｓｉ原子層を窒化する工程とを繰り返し行なう。これにより、ＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３成膜する。
【００２３】
この際、成膜温度は５００℃付近を最適値とし、４００℃〜６５０℃（好ましくは４００℃〜６００℃）の範囲での成膜を行なう。また各成膜ガスは適宜の流量で用いることとする。例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）を５００〜２０００ｓｃｃｍで供給し、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）に対してトリクロロボラン（ＢＣｌ3）を０．３％〜３％（好ましくは０．３％〜１．２％）の流量範囲で添加して用いる。さらにアンモニア（ＮＨ3）を１０００〜５０００ｓｃｃｍで供給する。
【００２４】
上述した窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１の成膜、およびＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３の成膜において、Ｓｉ系ガスおよびＮ系ガスを共通化することにより、これらの成膜を連続して行なうことが可能である。
【００２５】
ここで、図３には、ＡＬＤ法によってＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３を成膜する場合においての、Ｓｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、成膜された膜中におけるボロン濃度（Boron Conc.）との関係を示す。この図に示すように、成膜温度４００℃〜６００℃の範囲では、Ｂ系ガス添加流量の比が高いほど、また成膜温度が低いほど、膜中におけるボロン濃度が高くなることが分かる。
【００２６】
また、図４には、ＳｉＢＮ膜を成膜する場合においてのＳｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、希フッ酸（ＤＨＦ）を用いたウェットエッチングにおいてエッチングレートとの関係を示す。この図に示すように、成膜温度５００℃では、Ｂ系ガス添加流量比に係わり無く、エッチングレートがほぼ一定に保たれることが分かる。このため、成膜温度５００℃付近で窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１およびＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３を成膜することにより、後工程で行なわれる希フッ酸（ＤＨＦ）によるウェット処理において、どちらか一方のエッチングが進み過ぎることを防止できる。
【００２７】
＜第２例＞
窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１を減圧ＣＶＤ法によって成膜する。成膜ガスには、ＡＬＤ法と同様のガスが用いられる。すなわち、シリコン（Ｓｉ）を含有するガス（Ｓｉ系ガス）として、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、シラン（ＳｉＨ4）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ3）などを用いる。また、窒素（Ｎ）を含有するガス（Ｎ系ガス）としてアンモニア（ＮＨ3）を用いる。
【００２８】
そして、Ｓｉ系ガスとＮ系ガスとのＣＶＤ反応により、窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１を成膜する。
【００２９】
この際、成膜温度は６３０℃〜８００℃の範囲の適用が可能である。また各成膜ガスは、適宜の流量で用いることとする。例えば成膜雰囲気内圧力０．１〜１．０ｔｏｒｒに設定し、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）を５０〜５００ｓｃｃｍで供給し、アンモニア（ＮＨ3）を３００〜１０００ｓｃｃｍで供給する。
【００３０】
次に、不純物ドープ窒化シリコン膜１３を、減圧ＣＶＤ法によって成膜する。成膜ガスには、ＡＬＤ法と同様のガスが用いられる。すなわち、上記と同様のＳｉ系ガスおよびＮ系ガスの他、ホウ素（Ｂ）を含有するガス（Ｂ系ガス）として、トリクロロボラン（ＢＣｌ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、トリメチルボロン[Ｂ（ＣＨ3）3：ＴＭＢ]、ボラン（ＢＨ3）を用いる。Ｂ系ガスの添加量は、Ｓｉ系ガスの１％程度を最適値とし、０．３％〜３％の範囲とする。
【００３１】
そして、Ｂ系ガスをＳｉ系ガスに添加し、Ｎ系ガスとのＣＶＤ反応により、ＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３を成膜する。
【００３２】
この際、成膜温度は６３０℃〜８００℃の範囲の適用が可能である。また各成膜ガスは、適宜の流量で用いることとする。例えば成膜雰囲気内圧力０．１〜１．０ｔｏｒｒに設定し、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）を２０〜５００ｓｃｃｍで供給し、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）に対してトリクロロボラン（ＢＣｌ3）を０．３％〜３％の流量範囲で添加して用いる。さらにアンモニア（ＮＨ3）を２００〜１０００ｓｃｃｍで供給する。
【００３３】
尚、上述した窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１の成膜、およびＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３の成膜において、Ｓｉ系ガスおよびＮ系ガスを共通化することにより、これらの成膜を連続して行なうことが可能である。
【００３４】
＜第３例＞
上記ＡＬＤ法によって窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１を成膜した後、上記減圧ＣＶＤ法によって不純物ドープ窒化シリコン膜１３を成膜する。
【００３５】
＜第４例＞
上記減圧ＣＶＤ法によって窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１を成膜した後、上記ＡＬＤ法によって不純物ドープ窒化シリコン膜１３を成膜する。
【００３６】
以上の後、図１（３）に示すように、ＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３と窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１とを異方性エッチングし、ゲート構造体Ａの側壁のみにこれらの膜１１，１３を残す。これにより、ゲート構造体Ａの側壁から半導体基板１表面に沿って、ノンドープシリコン系絶縁膜１１からなる第１サイドウォール１１ａが形成され、その外側に不純物ドープ窒化シリコン膜１３からなる第２サイドウォール１３ａが形成され、積層構造のサイドウォールが得られる。この工程は、通常と同様の異方性のドライエッチング（プラズマエッチング）によって行なう。
【００３７】
サイドウォール１１ａ，１３ａ形成後には、フッ酸などの酸性薬液を用いた半導体基板１表面の洗浄を行なう。この際、窒化シリコンからなるサイドウォール１１ａおよびからなるサイドウォール１３ａ共に、酸性薬液に対する耐性がシリコン酸化膜に比べて優れているためサイドウォール形状の変化は問題にならない程度に抑えられる。
【００３８】
特に、図４を用いて説明したように、ＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜１３と窒化シリコンからなるノンドープシリコン系絶縁膜１１との成膜を成膜温度５００℃付近としたＡＬＤ法によって行った場合には、これらの材料膜の希フッ酸（ＤＨＦ）に対するエッチングレートが同等である。このため、例えば、ノンドープシリコン系絶縁膜１１（窒化シリコン）からなる第１サイドウォール１１ａのエッチングが進み過ぎることによるサイドウォール形状の崩れを防止できる。
【００３９】
次に、図１（４）に示すように、ゲート構造体Ａおよび積層構造のサイドウォール１１ａ，１３ｂをマスクにした不純物注入により、半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成する。この工程は、通常通りに行なえば良い。
【００４０】
次いで、図１（５）に示すように、ＳｉＢＮからなる第２サイドウォール１３ａを、窒化シリコンからなる第１サイドウォール１１ａに対して選択的にエッチング除去する。ここでは、アンモニア溶液を用いたアルカリ系の薬液によるウェットエッチングを行なう。これにより、窒化シリコンからなる第１サイドウォール１１ａに対して１：３０程度の項選択比でＳｉＢＮからなる第２サイドウォール１３ａをエッチング除去する。
【００４１】
この状態においては、第１サイドウォール１１ａが、第２サイドウォール１３ａの幅に応じて半導体基板１上に張り出した状態となる。このため、図１（４）を用いて説明したソース／ドレイン拡散層１５の形成は、第２サイドウォール１３ａをエッチング除去した状態で行っても良い。
【００４２】
その後、図２（１）に示すように、ゲート構造体Ａ、第１サイドウォール１１ａ、およびソース／ドレイン拡散層１５を覆う状態で、半導体基板１上に層間絶縁膜１７を形成する。この層間絶縁膜１７は、例えば酸化シリコン膜からなることとする。
【００４３】
次に、図２（２）に示すように、層間絶縁膜１７上にレジストパターン１９を形成し、これをマスクにした層間絶縁膜１７のエッチングによって、ゲート構造体Ａ間のソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔１７ａを形成する。この際、オフセット絶縁膜７および第１サイドウォール１１ａをエッチングストッパとすることにより、ソース／ドレイン拡散層１５に対して自己整合的に接続孔１７ａを形成する。
【００４４】
以上の後には、図２（３）に示すように、接続孔１７ａを介してソース／ドレイン拡散層１５に接続された配線２１を形成し、半導体装置２３を得る。
【００４５】
以上説明した実施形態によれば、窒化シリコンからなる第１サイドウォール１１ａとＳｉＢＮからなる第２サイドウォール１３ａとの積層構造とした。これにより、図１（５）を用いて説明したアルカリエッチング溶液でのウェットエッチングにおいては、窒化シリコンからなる第１サイドウォール１１ａに対して、ＳｉＢＮからなる第２サイドウォール１３ａのエッチング選択比を３０倍にまで高めることができる。
【００４６】
図５には、ＳｉＢＮ膜を成膜する場合においてのＳｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、アルカリエッチング溶液であるアンモニア水溶液（ＮＨ4ＯＨ）でのウェットエッチングレートとの関係を示す図である。この図に示すように、ガス流量比０％で成膜したＳｉＢＮ膜、すなわち窒化シリコン膜のエッチングレートに対して、Ｂ系ガス添加流量比を高くするほど、エッチングレートが上昇することが分かる。そして、成膜温度４５０℃であれば、Ｂ系ガス添加流量比を０．８％程度にすることで、ガス流量比０％で成膜した窒化シリコン膜に対するＳｉＢＮ膜のエッチング選択比を３０倍にすることができる。
【００４７】
これにより、図１（５）に示した第２サイドウォール１３ａをアンモニア溶液を用いたウェットエッチングで除去する工程では、第１サイドウォール１１ａに対するダメージを確実に防止することができる。このため、図２（２）に示した接続孔１７ａの形成工程では、第１サイドウォール１１ａをエッチングストッパとした機能させた層間絶縁膜１７のエッチングにより、層間絶縁膜１７に側壁開口形状が拡大された接続孔１７ａを形成することができる。
【００４８】
この結果、狭スペース化したゲート電極５−５間であっても、自己整合的にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔１７ａをエッチング渣残無く形成することが可能になる。またエッチング渣残を防止できるため、コンタクト抵抗の上昇を抑えることも可能である。
【００４９】
尚、上述した実施形態においては、サイドウォールを２層構造としたが、さらに多層構造のサイドウォールであっても良い。この場合、最外部のサイドウォールを第１サイドウォール１３ａとして不純物ドープ窒化シリコン膜１３で構成し、この下層のサイドウォールを第２サイドウォール１１ａとしてノンドープシリコン系絶縁膜１１で構成すれば良く、同様の効果を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態の製造手順を示す断面工程図（その１）である。
【図２】実施形態の製造手順を示す断面工程図（その２）である。
【図３】ＡＬＤ法によってＳｉＢＮからなる不純物ドープ窒化シリコン膜を成膜する場合においての、Ｓｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、成膜された膜中におけるボロン濃度（Boron Conc.）との関係を示す図である。
【図４】ＳｉＢＮ膜を成膜する場合においてのＳｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、希フッ酸（ＤＨＦ）を用いたウェットエッチングにおいてエッチングレートとの関係を示す図である。
【図５】ＳｉＢＮ膜を成膜する場合においてのＳｉ系ガス流量に対するＢ系ガス添加流量の比と、アルカリエッチング溶液であるアンモニア水溶液（ＮＨ4ＯＨ）でのウェットエッチングレートとの関係を示す図である。
【図６】従来の半導体装置の製造手順の一例を示す断面工程図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…半導体基板、３…ゲート絶縁膜、５…ゲート電極、７…オフセット絶縁膜、１１…ノンドープシリコン系絶縁膜、１３…不純物ドープ窒化シリコン膜、１１ａ…第１サイドウォール、１３ａ…第２サイドウォール、１５…ソース／ドレイン拡散層、１７…層間絶縁膜、１７ａ…接続孔、２３…半導体装置、Ａ…ゲート構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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