(57)【要約】【課題】もともと薄い基板を使用して電気光学装置を形成する場合は、マイクロクラックを除去するエッチングによって基板の厚さが設計値の厚さを下回ってしまうなど、望ましい厚さ以下になってしまうことがある。【解決手段】スクライブブレークによって生じたマイクロクラックを端面部のみエッチングすることによって除去するので、すくなくとも表示部が形成されている領域部分の基板の厚さがエッチングによって薄くなることが生じない。従って、パネルの薄型化のためにもともと基板が薄く形成された場合において、基板が更に薄くなることがないので、基板の強度が確保された薄型で割れを生じない信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。【選択図】図３
2010026133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板を貼り合わせた構成を有し、電気信号を光学変化に変換する表示部が形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記２枚の基板において少なくとも一辺をスクライブによってブレークする工程と、
前記スクライブによってブレークされた前記基板の端面をエッチング液で所定量エッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング工程は、前記端面を前記エッチング液に浸漬後、前記エッチング液の液面よりも重力方向で高い位置に前記端面を引き上げて行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング工程は、前記エッチング液を浸透保持することが可能な保液部材に前記エッチング液を湿潤させ、前記保液部材に前記端面を当接させて行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング工程は、前記エッチング液に対して耐エッチング性を有する材料からなるスペーサを介して、前記表示部に沿った前記電気光学装置の外表面同士を、少なくとも前記表示部に対応する前記外表面の領域に前記エッチング液が浸透しないように密着させ、複数の前記電気光学装置を重ね合わせた状態でエッチングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記スペーサは、前記表示部と平面的に重ならない形状を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学装置は前記２枚の基板のうち少なくとも一方の基板において他方の基板と対向しない露出面を有し、当該露出面に電気配線部が形成されており、
前記エッチング工程に先んじて、前記エッチング液に対して耐エッチング性を有する材料を用いて、前記電気配線部をマスクする工程を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング工程における前記所定量は、前記スクライブによってブレークされたときに前記２枚の基板において発生するマイクロクラックの前記端面に対する垂直方向への最大深さであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング液はフッ酸系水溶液であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
２枚の基板を貼り合わせた構成を有し、電気信号を光学変化に変換する表示部が形成された電気光学装置であって、
前記２枚の基板において少なくとも一辺がスクライブによってブレークされた端面を有するとき、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法によって前記端面がエッチングされたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法および電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気信号を光学変化に変換する電気光学装置として、有機ＥＬパネルや液晶パネルが種々の電子機器において多く使用されている。例えば、有機ＥＬパネルは、電気信号としての電流を流すことによって光学変化としての発光に変換する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を、表示素子として形成した自発光型の薄型の表示パネル（有機ＥＬパネルとも呼ぶ）であることから、携帯電話などの薄型の電子機器において多く用いられている。また同様に、電気光学素子としての液晶パネルも、バックライトの薄型化などもあって、薄型の電子機器において多く用いられているのである。
【０００３】
さて、このような電気光学装置の製造に際しては、周知のように、大板の基板が２枚貼り合わされた状態で形成された大板パネルを切断（ブレーク）して、個々の電気光学装置に分離することが行われる。切断方法は、一般的にブレークする基板の表面に機械的な溝を形成する（これを「スクライブ」とも呼ぶ）ことによって行われることが多い。つまり、スクライブによって形成された溝（「スクライブ溝」とも呼ぶ）に物理的な応力を加えることによって、凡そ形成したスクライブ溝の位置で基板を割る（スクライブブレークとも称す）ことができるので、基板の切断作業が容易に行えるからである。
【０００４】
しかしながら、スクライブ溝は機械的に基板を削って形成されるため、スクライブ溝の形成に際して、細かい割れつまりマイクロクラックが発生する場合がある。発生したマイクロクラックは、電気光学装置の製造工程あるいはその後の電子機器への組み込み状態において基板に応力が加わると、マイクロクラックが成長して基板にヒビ割れを引き起こす。すると、２枚の基板の対向面内に形成された機能層が破断されるなどして機能しなくなる虞がある。
【０００５】
そこで、電気光学装置の外面をエッチングしてガラス基板外面に存在する傷やクラックを除去する製造方法が、特許文献１に提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１６２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されたエッチング方法は、基板の外面つまり表示面となる平面部分をエッチングするために、基板の厚さ方向が、エッチング処理によって薄くなる。このため、薄型の電子機器に用いるべく、もともと薄い基板を使用して電気光学装置を形成する場合は、エッチングによって基板の厚さが設計値の厚さを下回ってしまうなど、望ましい厚さ以下になってしまうことがある。すると、基板の曲げ強度など機械的強度が弱くなり、電気光学装置を電子機器に組み込むまでの工程や、電子機器に組み込んだ後の電子機器への衝撃などによって、電気光学装置が破壊される虞が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］２枚の基板を貼り合わせた構成を有し、電気信号を光学変化に変換する表示部が形成された電気光学装置の製造方法であって、前記２枚の基板において少なくとも一辺をスクライブによってブレークする工程と、前記スクライブによってブレークされた前記基板の端面をエッチング液で所定量エッチングするエッチング工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
この方法によれば、スクライブブレークによって生じたマイクロクラックを端面部のみエッチングすることによって除去するので、表示部が形成されている領域部分のそれぞれの基板の厚さがエッチングによって薄くなることが生じない。従って、パネルの薄型化のためにもともと基板が薄く形成された場合において、基板が更に薄くなることがないので、基板の強度が確保された薄型で基板割れを生じない信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例２］上記電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング工程は、前記端面を前記エッチング液に浸漬後、前記エッチング液の液面よりも重力方向で高い位置に前記端面を引き上げて行うことを特徴とする。
【００１２】
この方法によれば、エッチング液が端面にのみ浸漬する状態となる確率が高くなるので、端面のみを確実にエッチングする確率が高くなる。
【００１３】
［適用例３］上記電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング工程は、前記エッチング液を浸透保持することが可能な保液部材に前記エッチング液を湿潤させ、前記保液部材に前記端面を当接させて行うことを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、エッチング液が端面にのみ浸漬する状態となる確率が高くなるので、端面のみを確実にエッチングする確率が高くなる。
【００１５】
［適用例４］上記電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング工程は、前記エッチング液に対して耐エッチング性を有する材料からなるスペーサを介して、前記表示部に沿った前記電気光学装置の外表面同士を、少なくとも前記表示部に対応する前記外表面の領域に前記エッチング液が浸透しないように密着させ、複数の前記電気光学装置を重ね合わせた状態でエッチングすることを特徴とする。
【００１６】
この方法によれば、電気光学装置をエッチング液中に浸漬しても、表示部に対応する基板の外表面領域にエッチング液が触れない状態で複数の電気光学装置の端面を同時にエッチングすることができる。従って、少なくとも表示部の形成領域において基板が更に薄くなることがないので、基板の強度が確保された薄型で割れを生じない信頼性の高い電気光学装置を、効率よく製造することができる。
【００１７】
［適用例５］上記電気光学装置の製造方法であって、前記スペーサは、前記表示部と平面的に重ならない形状を有していることを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、密着時において電気光学装置に加わる応力を表示部に伝えないので、表示部において基板のそりなどの変形がない。従って、例えば表示部に形成された機能層の破壊など、電気信号を光学変化に変換する機能への影響が抑制できる。従って、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例６］上記電気光学装置の製造方法であって、前記電気光学装置は前記２枚の基板のうち少なくとも一方の基板において他方の基板と対向しない露出面を有し、当該露出面に電気配線部が形成されており、前記エッチング工程に先んじて、前記エッチング液に対して耐エッチング性を有する材料を用いて、前記電気配線部をマスクする工程を備えたことを特徴とする。
【００２０】
この方法によれば、電気光学装置をエッチングする際に、エッチング液が電気配線部に接触しないことから、電気配線部をエッチングすることなく電気光学装置の端面のみをエッチングすることができる。従って、基板の強度が確保された割れを生じない信頼性の高い薄型の電気光学装置を製造することができる。
【００２１】
［適用例７］上記電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング工程における前記所定量は、前記スクライブによってブレークされたときに前記２枚の基板において発生するマイクロクラックの前記端面に対する垂直方向への最大深さであることを特徴とする。
【００２２】
こうすれば、基板に発生するマイクロクラックを確実に除去することができる。
【００２３】
［適用例８］上記電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング液はフッ酸系水溶液であることを特徴とする。
【００２４】
通常、基板はガラスである場合が多く、フッ酸系水溶液はガラスをエッチングする好適なエッチング液である。
【００２５】
［適用例９］２枚の基板を貼り合わせた構成を有し、電気信号を光学変化に変換する表示部が形成された電気光学装置であって、前記２枚の基板において少なくとも一辺がスクライブによってブレークされた端面を有するとき、上記電気光学装置の製造方法のいずれかによって前記端面がエッチングされたことを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、特に基板が薄く形成された薄型化のパネルにおいて、基板が更に薄くなることなくマイクロクラックが除去されるので、基板の強度が確保された薄型で割れを生じない信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。図１は、本発明の電気光学装置の一実施形態としての有機ＥＬパネル１００について、その製造方法の概略を示した説明図である。図１に従って、本実施形態の有機ＥＬパネル１００の製造工程を説明する。なお、図１を含め以降使用する図面において、説明の都合上寸法を誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさを示すものでないことは勿論である。
【００２８】
本実施形態の有機ＥＬパネル１００は、大板パネルに形成された複数の有機ＥＬパネルを一つずつ分離して製造するものとする。大板パネルは、図中上側に示したように、貼り合わされたＴＦＴ基板１０と対向基板２０の２枚の大板基板に複数の有機ＥＬパネルが形成されたものである。ＴＦＴ基板１０は、貼り合わせ面に、周知の有機ＥＬ素子を構成する所定の機能層、有機ＥＬ素子を発光駆動するためのスイッチング素子（ＴＦＴ）を構成する機能層などが形成された基板であり、対向基板２０は貼り合わせ面に赤、青、緑などの色フィルタ層が形成されたカラーフィルタである。各層は周知技術を用いて形成可能であるので、ここでは説明を省略する。
【００２９】
これら２枚の大板基板には、破線で示した破断線の位置に、スクライブ溝ＬＨ１，ＬＨ２，ＬＶが形成されている。スクライブ溝は、２枚の基板の貼り付け面とは反対側の外表面に形成され、ＴＦＴ基板１０には図示しないがスクライブ溝ＬＨ１とスクライブ溝ＬＶとが、対向基板２０にはスクライブ溝ＬＨ１とスクライブ溝ＬＨ２とスクライブ溝ＬＶとが、それぞれ形成される。
【００３０】
この２枚の大板基板を、それぞれスクライブブレーク処理すると、大板パネルにおいて複数形成されていたそれぞれの有機ＥＬパネルが分離される。例えば、図中上側において網掛けで示した部分が、図中下側に示したように、一つの有機ＥＬパネル１００として切り出される。切り出された有機ＥＬパネル１００は、対向基板２０の周辺に貼り付け部２を有し、対向基板２０が対向しないＴＦＴ基板１０の貼り付け面側には、上述した機能層と電気的に接続した電気配線部３が露出した状態となる。もとより、有機ＥＬパネル１００は、この電気配線部３から所定の電流を流すことによって有機ＥＬ素子が発光し、有機ＥＬ素子の形成領域となる表示部１に画像等を表示するのである。
【００３１】
さて、このように切り出された有機ＥＬパネル１００は、スクライブブレーク処理において、特にスクライブ溝を形成した位置である基板の端部において、マイクロクラックが発生している確率が高い。そこで、端面をエッチング処理することによって、マイクロクラックを除去し、信頼性の高い有機ＥＬパネル１００を製造する。以上が、本実施形態の有機ＥＬパネル１００の製造工程である。
【００３２】
次に、端面エッチング処理について、端面エッチング処理を行う対象となる場所と、エッチング方法について詳しく説明する。
【００３３】
図２は、切り出された有機ＥＬパネル１００を示した斜視図である。有機ＥＬパネル１００において、対向基板２０の表示部１に沿う外表面（図中上側）において、その端部となる４つの稜線部分には、前述の説明から明らかなように、スクライブ溝ＬＨ１、スクライブ溝ＬＨ２が各一本、スクライブ溝ＬＶが２本、図示したように形成されている。また、ＴＦＴ基板１０の表示部１に沿う外表面（図中下側）において、その端部となる４つの稜線部分には、同じく前述の説明から明らかなように、スクライブ溝ＬＨ１が２本、スクライブ溝ＬＶが２本、図示したように、形成されている。
【００３４】
このようにスクライブ溝ＬＨ１，ＬＨ２，ＬＶが形成された各稜線部分には、一例として図中円形部分に示した対向基板２０の稜線部分のように、マイクロクラックが発生する場合がある。発生するマイクロクラックは、各基板の外表面方向、および外表面に対して垂直方向である基板の厚み方向（つまり端面に沿う方向）に対して所定量発生する。ちなみに、本実施形態では、各基板の外表面方向へは１５０μｍ以内、各基板の厚み方向へは１００μｍ以内の寸法である場合が殆どであった。
【００３５】
従って、このように発生したマイクロクラックを除去するためには、基板の外表面方向、つまり端面に対して垂直方向へ所定量エッチングすればよいことになる。ちなみに、本実施形態では、有機ＥＬパネル１００についてその端面を、端面に対して垂直方向に、発生しているマイクロクラックの最大深さ分すなわち１５０μｍエッチングすることによって、マイクロクラックが確実に除去される。なお、所定量は、必ずしも発生するマイクロクラックの最大深さとせず、基板割れが抑制できる深さまでエッチングすればよい。
【００３６】
この結果、エッチング処理の対象となる端面は、マイクロクラックが発生することが想定されるＴＦＴ基板１０および対向基板２０の端部を含む面、すなわち、スクライブ溝が形成された稜線部分を含む端面となる。従って、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０の総ての端面が、端面エッチング処理を行う対象となる場所である。
【００３７】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１００に対して行う端面のエッチング方法について以下説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬパネル１００に対しては、２つの実施例（第１実施例と第２実施例）によって、端面エッチング処理が行われる。
【００３８】
（第１実施例）
図３は、第１実施例の端面エッチング方法を示す説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、切り出された１つの有機ＥＬパネル１００について、エッチング対象となる１つの端面を、容器に溜められたエッチング液に浸漬する。浸漬する量は、エッチング対象の端面部分が確実にエッチング液で濡れる範囲であって、表示部１に到達しない範囲内が好ましい。こうすれば、表示部１に対応する基板の外表面がエッチングされる虞がない。
【００３９】
エッチング液は、本実施例ではフッ酸系水溶液（フッ酸液、フッ化硫酸液など）であるものとする。通常、対向基板またはＴＦＴ基板は基板材料がガラスである場合が多く、フッ酸系水溶液はガラスをエッチングする好適なエッチング液であるからである。もとより、フッ酸系水溶液以外のエッチング溶液（例えば水酸化カリウムなどのアルカリ性薬液）を用いることとしてもよい。基板材料（例えばセラミックや樹脂など）に応じて適切なエッチング液とすればよい。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、浸漬された有機ＥＬパネル１００の端面が、エッチング液の液面よりも重力方向（図面上下方向）において高い位置になるように、浸漬した有機ＥＬパネル１００を引き上げる。こうすれば、エッチング液が端面よりも重力方向で上側に上昇する可能性が低いので、有機ＥＬパネル１００の外表面がエッチングされる虞がない。従って、対向基板２０およびＴＦＴ基板１０の厚さがエッチングによって薄くなる虞がない。
【００４１】
なお、このとき図示するように、エッチング対象となる有機ＥＬパネル１００の端面にエッチング液が保持される範囲において、有機ＥＬパネル１００の端面に保持されるエッチング液の液面と容器内におけるエッチング液の液面との間の液面差△ｈを、できるだけ大きくすることが望ましいことは言うまでもない。
【００４２】
その後、端面が所定量エッチングされたと推定される所定時間この状態を維持し、所定時間経過後、エッチング液から引き上げ、端面を洗浄してエッチング処理は終了する。この結果、マイクロクラックは除去される。
【００４３】
（第２実施例）
図４は、第２実施例の端面エッチング方法を示す説明図である。図４（ａ）に示した図は、有機ＥＬパネル１００のエッチング状態を容器の上方向から見た平面図であり、図４（ｂ）に示した図は、有機ＥＬパネル１００のエッチング状態を、容器の側面方向から見た正面図（一部断面図）である。
【００４４】
図示するように、エッチング液を保有する容器の中央部分には、エッチング液を浸透保持する平板状の保液部材５０が設置されている。そして、エッチング液は、液面の高さが保液部材５０の平面部を覆わない範囲であって、有機ＥＬパネル１００の一つの端面が押し当てられる保液部材５０の平面部においてエッチング液が湿潤状態を呈することができる範囲の液面高さで、保液部材５０の周辺に充填されている。
【００４５】
本実施例のエッチング方法は、切り出された１つの有機ＥＬパネルについて、エッチング対象となる１つの端面を、この保液部材５０の平面部に対して所定の力（もしくは自重）で押し当てる。すると、保液部材５０に湿潤したエッチング液は、押し当てられている端面に接触して端面をエッチングする。端面は、エッチング液が常に平面部において湿潤状態に保たれていることから、押し当てられている間継続してエッチングされる。従って、端面が所定量エッチングされたと推定される時間この状態を維持し、その後、有機ＥＬパネル１００を保液部材５０の平面部から引き離し、端面を洗浄してエッチング処理は終了する。
【００４６】
なお、エッチング液は、本実施例では第１実施例と同様、フッ酸系水溶液（フッ酸液、フッ化硫酸液など）であるものとする。また、保液部材５０は、エッチング液を浸透保持することが可能な材料であれば何でもよい。一例として、金やチタンを材料としたメッシュ金属を平板としたものや、テフロン（登録商標）やポリエチレンあるいは綿などを材料とした布を用いることができる。
【００４７】
上述したように、第１実施例あるいは第２実施例のエッチング方法によれば、スクライブ溝に発生したマイクロクラックを、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０の厚さを薄くすることなく端面のみをエッチングしてほぼ除去することができるので、信頼性の高い有機ＥＬパネル１００を製造することができる。
【００４８】
なお、第１実施例および第２実施例における端面エッチング処理は、有機ＥＬパネル１００の端面のうち、スクライブ溝ＬＨ２が形成された対向基板２０の端面部分を除く総ての端面が対象となる。スクライブ溝ＬＨ２が形成された対向基板２０の端面部分は、本実施例のエッチング方法を用いて端面エッチングすることは構造上明らかに困難である。従って、必要に応じて他のエッチング方法を用いて行えばよい。
【００４９】
以上、本発明について、実施形態および実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態および実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００５０】
（第１変形例）
上記実施例では、有機ＥＬパネル１００を１つずつ端面エッチング処理することとして説明したが、これに限らず、複数の有機ＥＬパネル１００を同時に端面エッチングすることとしてもよい。こうすれば、信頼性の高い有機ＥＬパネル１００を、効率よく製造することができる。本変形例について図５を用いて説明する。図５は一例として３つの有機ＥＬパネル１００を重ね合わせた状態で、同時に端面エッチングする場合を示した説明図である。
【００５１】
図５（ａ）は、３つの有機ＥＬパネル１００の重ね合わせの構成を示す構成図である。図示するように、３つの有機ＥＬパネル１００は、四角の枠形状を有するスペーサ４を挟んで互いに重ね合わされる。なお、重ね合わせ時において、各有機ＥＬパネルの端面を、定盤などの平面治具を用いて揃えておくことが好ましい。
【００５２】
そして、重ね合わせられたときに最も外側に位置する２つの有機ＥＬパネル１００が、スペーサ４を介して押さえ板５によって重ね合わせ方向に押圧される。なお、押さえ板５は耐エッチング性を有する材料で形成され、図示しない押圧機構によって押し圧される。この結果、スペーサ４は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０のそれぞれに密着し、端面をエッチングする際に、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間へのエッチング液の侵入を防止する。
【００５３】
スペーサ４は、外形が対向基板２０と凡そ一致し、枠の部分が前述した貼り付け部２（図１参照）と平面的に重なる形状を有している。こうすることで、重ね合わされたときに、表示部１を押さないようにできるので、重ね合わせ時の表示部１の変形を防止し、機能層の破壊を回避することができる。なお、機能層の破壊の虞がない場合は、スペーサ４の形状は、枠形状ではなく平板形状であっても差し支えない。
【００５４】
スペーサ４の材料は、耐エッチング性を有する材料であれば何でもよい。また、有機ＥＬパネル１００との密着性を確保できるように弾性を有する材料であればさらに好ましい。ちなみに本変形例ではテフロン（登録商標）シートを用いる。
【００５５】
そして、図示しないが、重ね合わされた３つの有機ＥＬパネル１００は、押さえ板５によって押圧された状態のまま、上記実施例において説明したように、各端面のエッチング処理を行うことによって、同時に３つの有機ＥＬパネル１００について端面エッチング処理を行うことができるのである。
【００５６】
ところで、本変形例では、上記実施例とは異なるようにエッチング処理することとしてもよい。例えば、図５（ｂ）に示したように、重ね合わされた３つの有機ＥＬパネル１００を、押さえ板５によって押圧された状態のままエッチング液に浸漬するエッチング方法としても良い。上述したように、スペーサ４によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間へのエッチング液の侵入が防止されているので、有機ＥＬパネル１００の各基板の外表面がエッチングされる虞がない。従って、通常の浸漬エッチング処理によって端面のみをエッチングすることができるからである。
【００５７】
なお、このように端面を浸漬エッチングする場合において、スペーサ４の重ね合わせ位置を図６に示したようにするとよい。すなわち、図示するように、スペーサの位置をＴＦＴ基板１０の端面および対向基板２０の端面に対してエッチングすべき量ＥＲ分短くなるようにするのである。具体的には、対向基板２０の外形形状よりもエッチングすべき量ＥＲ分小さい外形形状に形成し、位置合わせ治具等を用いて、スペーサの外形位置が、対向基板２０の端面およびＴＦＴ基板１０の端面からエッチングすべき量ＥＲ分ずれた位置となるようにセットして重ね合わせる。
【００５８】
こうすることによって、通常行う浸漬エッチング処理であっても、端面において、エッチング量ＥＲまでのエッチング速度とエッチング量ＥＲ以降のエッチング速度とが異なることが期待できることから、エッチングすべき量ＥＲを管理することが容易になる。また、特にスクライブ溝が形成された稜線部分にエッチング液が直接触れることから、マイクロクラックの発生領域を確実にエッチングすることが期待できる。
【００５９】
（第２変形例）
上記実施例では、端面エッチング処理において、ＴＦＴ基板１０に形成された電気配線部３を露出したまま端面エッチングすることとしているが、電気配線部３を接着剤等によってマスクしてエッチングすることとしてもよい。上記実施例では言及しなかったが、例えば、上記第２実施例において、図４に示したように、電気配線部３はエッチング液に近い位置に存在するため、例えば保液部材５０からエッチング液が飛散し、電気配線部３に付着する場合も考えられる。そこで、このような場合を想定して、端面エッチング処理に先立って、電気配線部３をマスクする。
【００６０】
図７は、一例として、耐エッチング性を有する接着剤８をマスク材料として用い、電気配線部３をマスクした場合を示した模式図である。図示するように、マスクは、電気配線部がエッチング液に触れないように、電気配線部を完全に覆うように接着剤８を塗布し乾燥することによって行われる。接着剤８は、耐エッチング性を有する材料であれば、いずれの材料でも用いることができる。本変形例では、エポキシ接着剤を用いる。なお、マスク材料は接着剤以外の材料でもよい。また、エッチング処理後剥離が可能な材料が好ましい。
【００６１】
ここで、マスクの形成時、図示するようにスクライブ溝ＬＨ２をマスクしないように接着剤８を塗布することが好ましい。こうすれば、スクライブ溝ＬＨ２が形成された対向基板２０の端面を電気配線部３がエッチングされない状態でエッチング処理することができる。従って、例えば図８に示したエッチング方法とすることによって、有機ＥＬパネル１００においてエッチング対象となる総ての端面を、同時にエッチングすることができる。
【００６２】
図８は、電気配線部３を接着剤８でマスクした有機ＥＬパネル１００を、上記第１変形例のようにスペーサ４を介して複数（図では６つ）重ね合わせた状態にしたのち、有機ＥＬパネル１００全体をエッチング液中に浸漬させた状態を示した説明図である。図示するように、重ね合わされた６つの有機ＥＬパネル１００は、押さえ板５によって押圧された状態のまま、全体をエッチング液中に浸す。そして、エッチング量が所定量になる時間この状態を維持する。このように、各端面のエッチング処理を行うのである。この結果、同時に複数（ここでは６つ）の有機ＥＬパネル１００について、マイクロクラックが発生している確率の高い総ての端面を同時にエッチング処理を行うことができるのである。
【００６３】
（その他の変形例）
本発明の電気光学装置については、上述したように有機ＥＬパネル１００を実施形態として説明したが、これに限るものでないことは勿論である。電気光学装置として、前述の特許文献１から明らかなように、液晶パネルを実施形態とすることもできる。もとより、２枚の基板を用いて構成され、端面にマイクロクラックが発生する虞のあるスクライブ溝が形成されるパネルであれば、いずれの電気光学装置に対しても本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法の概略を示した説明図。
【図２】切り出された有機ＥＬパネルを示した斜視図。
【図３】第１実施例の基板の端面エッチング方法を示す説明図で、（ａ）は最初に浸漬した状態、（ｂ）は端面エッチング状態を示す。
【図４】第２実施例の基板の端面エッチング方法を示す説明図。
【図５】第１変形例で、（ａ）は、３つの有機ＥＬパネルの重ね合わせの構成を示す構成図、（ｂ）は重ね合わせ後の３つの有機ＥＬパネルの端面エッチング状態を示す。
【図６】第１変形例においてスペーサの重ね合わせ位置を示した説明図。
【図７】第２変形例で、電気配線部をマスクした状態を示した模式図。
【図８】電気配線部をマスクした有機ＥＬパネルを複数重ね合わせ、有機ＥＬパネル全体をエッチング液中に浸漬させた状態を示した説明図。
【符号の説明】
【００６５】
１…表示部、２…貼り付け部、３…電気配線部、４…スペーサ、５…押さえ板、８…接着剤、１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、５０…保液部材、１００…有機ＥＬパネル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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