(57)【要約】【課題】従来の電気光学装置では、製造工程を効率化することが困難である。【解決手段】第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光１５１を前記第２基板側に反射させる画素電極９５と、前記画素に対応して前記第１基板及び画素電極９５の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う画素電極９５同士間に設けられた絶縁膜９７と、を有しており、光１５１の波長をλとし、絶縁膜９７の屈折率をｎとし、互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙の幅をｄとしたときに、ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）を満たすことを特徴とする電気光学装置。【選択図】図１２
2010044138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、
互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有しており、
前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、
ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、
互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有しており、
前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとしたときに、
ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、
前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、
前記半導体層は、少なくともチャネル領域を有しており、
互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記チャネル領域までの距離をＤ1としたときに、
Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、
前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、
前記半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有しており、
互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記ＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、
Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板は、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光に対して透過性を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、
互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有する電気光学装置の設計方法であって、
前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、
ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）を満たすようにｄの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【請求項９】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、
互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有する電気光学装置の設計方法であって、
前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとしたときに、
ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）を満たすようにｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【請求項１０】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、
前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、
前記半導体層は、少なくともチャネル領域を有している電気光学装置の設計方法であって、
互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記チャネル領域までの距離をＤ1としたときに、
Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）を満たすように、Ｄ1、Ｔ、ｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【請求項１１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、
複数の画素と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、
前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、
前記半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有している電気光学装置の設計方法であって、
互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記ＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、
Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）を満たすように、Ｄ2、Ｔ、ｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つである液晶装置に適用され得るトランジスタ素子において、互いに対向する一対の遮光層の間にシリコン層を介在させた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２９３３２０号公報（第５〜６頁、図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に、トランジスタ素子において、シリコン層のチャネル領域に光が照射されると、リーク電流（以下、光リーク電流と呼ぶ）が発生しやすい。光リーク電流が発生すると、トランジスタ素子の特性が低下しやすくなる。このため、液晶装置の１つである表示装置において、トランジスタ素子に光リーク電流が発生すると、表示品位が低下しやすくなる。
これに対し、上記特許文献１に記載されたトランジスタ素子では、シリコン層に向かう光を遮光層によって遮ることができる。このため、光リーク電流の発生を低く抑えることができる。この結果、液晶装置の１つである表示装置において、表示品位の向上が図られ得る。
【０００５】
しかしながら、遮光層を有する構成では、遮光層を設けるための工程が必要であるため、液晶装置の製造工程を効率化することが困難となる。
つまり、従来の電気光学装置では、製造工程を効率化することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有しており、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【０００８】
この適用例の電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、屈折層と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。屈折層は、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に設けられている。
【０００９】
この適用例では、電気光学物質から第１基板側に向かう光の波長をλとし、屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、下記（式１）の関係が満たされている。
ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）
（式１）を満たすことにより、λ以上の波長を有する光を、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入させにくくすることができる。ここで、トランジスタ素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。このため、λ以上の波長を有する光がトランジスタ素子に照射されにくくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有しており、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとしたときに、ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【００１１】
この適用例の電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、屈折層と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。屈折層は、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に設けられている。
【００１２】
この適用例では、電気光学物質から第１基板側に向かう光の波長をλとし、屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとしたときに、下記（式２）の関係が満たされている。
ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）
（式２）を満たすことにより、λ以上の波長を有する光を、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入させにくくすることができる。ここで、トランジスタ素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。このため、λ以上の波長を有する光がトランジスタ素子に照射されにくくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００１３】
［適用例３］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、前記半導体層は、少なくともチャネル領域を有しており、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記チャネル領域までの距離をＤ1としたときに、Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【００１４】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。トランジスタ素子は、半導体層を有している。半導体層は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。半導体層は、少なくともチャネル領域を有している。
【００１５】
この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとし、半導体層及び反射膜の間の距離をＴとし、平面視で反射膜の縁部からチャネル領域までの距離をＤ1としたときに、下記（式３）の関係が満たされている。
Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）
互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が届く範囲は、（式３）中の（Ｔ×ｄ／ｔ）によって規定される範囲内にとどまる。このため、（式３）を満たすことにより、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光がチャネル領域に到達することを避けやすくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００１６】
［適用例４］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、前記半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有しており、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記ＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【００１７】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。トランジスタ素子は、半導体層を有している。半導体層は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。半導体層は、チャネル領域と、チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有している。
【００１８】
この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとし、半導体層及び反射膜の間の距離をＴとし、平面視で反射膜の縁部からＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、下記（式４）の関係が満たされている。
Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）
互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が届く範囲は、（式４）中の（Ｔ×ｄ／ｔ）によって規定される範囲内にとどまる。このため、（式４）を満たすことにより、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光がＬＤＤ領域に到達することを避けやすくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００１９】
［適用例５］上記の電気光学装置であって、前記第１基板は、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光に対して透過性を有していることを特徴とする電気光学装置。
【００２０】
この適用例の電気光学装置では、第１基板が光に対して透過性を有しているので、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光を、第１基板を介して電気光学装置の外に射出させやすくすることができる。このため、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が電気光学物質側に反射することを低く抑えることができる。この結果、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が反射した反射光がトランジスタ素子に照射されることを避けやすくすることができる。
【００２１】
［適用例６］上記の電気光学装置であって、前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【００２２】
この適用例の電気光学装置では、電気光学物質が液晶であるので、反射型の液晶装置を構成することができる。
【００２３】
［適用例７］上記の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【００２４】
この適用例の電子機器は、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる電気光学装置を有している。このため、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。
また、この電気光学装置では、製造工程を効率化しやすくすることができる。このため、この適用例では、製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００２５】
［適用例８］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有する電気光学装置の設計方法であって、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）を満たすようにｄの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【００２６】
この適用例の設計方法が適用され得る電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、屈折層と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。屈折層は、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に設けられている。
【００２７】
この適用例の設計方法によれば、電気光学物質から第１基板側に向かう光の波長をλとし、屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとしたときに、下記（式１）の関係が満たされる。
ｄ＜０．６１×λ／ｎ（式１）
この適用例によれば、λ以上の波長を有する光を、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入させにくくすることができる。ここで、トランジスタ素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。このため、λ以上の波長を有する光がトランジスタ素子に照射されにくくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００２８】
［適用例９］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有する電気光学装置の設計方法であって、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとしたときに、ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）を満たすようにｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【００２９】
この適用例の設計方法が適用され得る電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、屈折層と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。屈折層は、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に設けられている。
【００３０】
この適用例の設計方法によれば、電気光学物質から第１基板側に向かう光の波長をλとし、屈折層の屈折率をｎとし、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとしたときに、下記（式２）の関係が満たされる。
ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ（式２）
この適用例によれば、λ以上の波長を有する光を、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入させにくくすることができる。ここで、トランジスタ素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。このため、λ以上の波長を有する光がトランジスタ素子に照射されにくくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００３１】
［適用例１０］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、前記半導体層は、少なくともチャネル領域を有している電気光学装置の設計方法であって、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記チャネル領域までの距離をＤ1としたときに、Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）を満たすように、Ｄ1、Ｔ、ｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【００３２】
この適用例の設計方法が適用され得る電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。トランジスタ素子は、半導体層を有している。半導体層は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。半導体層は、少なくともチャネル領域を有している。
【００３３】
この適用例の設計方法によれば、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとし、半導体層及び反射膜の間の距離をＴとし、平面視で反射膜の縁部からチャネル領域までの距離をＤ1としたときに、下記（式３）の関係が満たされる。
Ｄ1＞Ｔ×ｄ／ｔ（式３）
この適用例によれば、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が届く範囲は、（式３）中の（Ｔ×ｄ／ｔ）によって規定される範囲内にとどめられる。このため、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光がチャネル領域に到達することを避けやすくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００３４】
［適用例１１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、を有しており、前記トランジスタ素子は、前記第１基板及び前記反射膜の間に設けられた半導体層を有しており、前記半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有している電気光学装置の設計方法であって、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、前記反射膜の厚みをｔとし、前記半導体層及び前記反射膜の間の距離をＴとし、平面視で前記反射膜の縁部から前記ＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）を満たすように、Ｄ2、Ｔ、ｄ及びｔの値を設定することを特徴とする電気光学装置の設計方法。
【００３５】
この適用例の設計方法が適用され得る電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、電気光学物質と、複数の画素と、反射膜と、トランジスタ素子と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。電気光学物質は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。反射膜は、第１基板及び電気光学物質の間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、電気光学物質から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。トランジスタ素子は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。トランジスタ素子は、画素に対応して設けられている。トランジスタ素子は、半導体層を有している。半導体層は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。半導体層は、チャネル領域と、チャネル領域とソース又はドレイン領域との間に設けられたＬＤＤ領域と、を有している。
【００３６】
この適用例の設計方法によれば、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙の幅をｄとし、反射膜の厚みをｔとし、半導体層及び反射膜の間の距離をＴとし、平面視で反射膜の縁部からＬＤＤ領域までの距離をＤ2としたときに、下記（式４）の関係が満たされる。
Ｄ2＞Ｔ×ｄ／ｔ（式４）
この適用例によれば、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光が届く範囲は、（式４）中の（Ｔ×ｄ／ｔ）によって規定される範囲内にとどめられる。このため、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙から第１基板側に進入した光がＬＤＤ領域に到達することを避けやすくすることができる。この結果、トランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。
また、この適用例では、互いに隣り合う反射膜同士間の間隙に遮光層などを設ける必要がないため、遮光層を設けるための工程が必要ない。このため、電気光学装置の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクタを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクタ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクタ１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーンＳなどに投射することができる。
【００３８】
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーンＳなどに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクタ１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
【００３９】
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーンＳに向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
【００４０】
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
【００４１】
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーンＳに投射され得る。
【００４２】
制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル制御部２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリ部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリ部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ１の動作を統括制御する。メモリ部２９は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
【００４３】
画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル制御部２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレイ）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル制御部２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
【００４４】
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成装置３３と、画像形成装置３５と、画像形成装置３７と、光合成部３９と、を有している。
分光部３１は、ランプ１１（図１）からの光４１が入射される。分光部３１は、図２に示すように、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
【００４５】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００４６】
分光部３１は、クロスダイクロイックミラー４３と、反射ミラー４５と、反射ミラー４７と、ダイクロイックミラー４９と、を有している。光４１は、クロスダイクロイックミラー４３に照射される。
クロスダイクロイックミラー４３は、分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂと、を有している。分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂとは、互いに交差している。分離ミラー部４３ａは、光４１の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部４３ｂも、光４１の入射方向に対して傾斜している。
【００４７】
このため、光４１は、分離ミラー部４３ａ及び分離ミラー部４３ｂの双方に対して斜めに照射される。
分離ミラー部４３ａは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを反射させることができる。他方で、分離ミラー部４３ｂは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを反射させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを透過させることができる。
【００４８】
従って、クロスダイクロイックミラー４３によって、光４１からＢの光４１Ｂが分離され得る。他方で、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇが混合した光５１が、光４１から分離され得る。
光４１Ｂの光軸５２ａと、光５１の光軸５２ｂとは、それぞれ、光４１の入射方向とは交差する。また、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
【００４９】
反射ミラー４５は、光４１Ｂの光軸５２ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４５は、光軸５２ａの方向に対して傾斜している。
また、反射ミラー４７は、光５１の光軸５２ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５２ｂの方向に対して傾斜している。光５１は、反射ミラー４７によって光軸５２ｂが光軸５２ｃに変えられてから、ダイクロイックミラー４９に導かれる。
【００５０】
ダイクロイックミラー４９は、光５１の光軸５２ｃと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４９は、光軸５２ｃの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４９は、光５１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４９によって、光５１からＲの光４１Ｒと、Ｇの光４１Ｇとが分離され得る。
【００５１】
光４１Ｒは、光軸５２ｄに沿って画像形成装置３３に導かれる。光４１Ｇは、光軸５２ｅに沿って画像形成装置３５に導かれる。また、光４１Ｂは、反射ミラー４５によって光軸５２ａが光軸５２ｆに変えられてから、画像形成装置３７に導かれる。
【００５２】
画像形成装置３３、画像形成装置３５及び画像形成装置３７は、それぞれ、画像形成パネル５３を有している。
また、画像形成装置３３は、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを有している。画像形成装置３５は、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを有している。画像形成装置３７は、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを有している。
【００５３】
光合成部３９は、クロスダイクロイックプリズム５７を有している。クロスダイクロイックプリズム５７は、面５７ａと、面５７ｂと、面５７ｃと、面５７ｄと、を有している。
各画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７に対向した状態で設けられている。
画像形成装置３３の画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａに対向している。画像形成装置３５の画像形成パネル５３は、面５７ｂに対向している。画像形成装置３７の画像形成パネル５３は、面５７ｃに対向している。
【００５４】
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、画像形成装置３３において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、画像形成装置３５において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、画像形成装置３７において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。
【００５５】
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１Ｒの光軸５２ｄと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光軸５２ｄの方向に対して傾斜しており、光４１Ｒを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１Ｇの光軸５２ｅと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光軸５２ｅの方向に対して傾斜しており、光４１Ｇを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１Ｂの光軸５２ｆと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光軸５２ｆの方向に対して傾斜しており、光４１Ｂを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
【００５６】
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１ＲのうちのＳ偏光４１Ｒｓを反射させ、光４１ＲのうちのＰ偏光４１Ｒｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１ＧのうちのＳ偏光４１Ｇｓを反射させ、光４１ＧのうちのＰ偏光４１Ｇｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１ＢのうちのＳ偏光４１Ｂｓを反射させ、光４１ＢのうちのＰ偏光４１Ｂｐを透過させることができる。
【００５７】
ここで、各画像形成パネル５３は、反射型の液晶パネルを有している。
各液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。各液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル５３は、図２に示すように、複数の画素に入射されたＳ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓを、画素ごとに選択的にＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐに変化させることができる。
【００５８】
画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過することができる。他方で、画像形成パネル５３で偏光状態が維持されたまま、画像形成パネル５３から射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射する。このため、画像形成装置３３では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＲｐでＲの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置３５では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＧｐでＧの画像を形成することができる。画像形成装置３７では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＢｐでＢの画像を形成することができる。
【００５９】
画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過してから、光合成部３９のクロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３５において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｇｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３７において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｂｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
【００６０】
Ｐ偏光４１Ｒｐは、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｇｐは、面５７ｂからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｂｐは、面５７ｃからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。
このため、面５７ａには、Ｒの画像が投影され、面５７ｂには、Ｇの画像が投影され、面５７ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【００６１】
クロスダイクロイックプリズム５７に入射したＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、クロスダイクロイックプリズム５７によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム５７によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム５７によって合成されたＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、画像光５９としてクロスダイクロイックプリズム５７の面５７ｄから射出される。
【００６２】
面５７ｄから射出された画像光５９は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５９は、投射光１７（図１）としてスクリーンＳなどに投射され得る。
【００６３】
ここで、画像形成パネル５３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル５３は、図３に示すように、液晶装置の１つである液晶パネル６１と、位相差板６３と、を有している。
ここで、画像形成パネル５３には、複数の画素６５が設定されている。後述するゲート線１３１が延在する方向をＸ方向とし、後述するソース線１１３が延在する方向をＹ方向とすれば、複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
【００６４】
なお、プロジェクタ１では、画像形成パネル５３は、位相差板６３側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム５７側に向けられている。画像形成パネル５３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。
【００６５】
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル５３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
【００６６】
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル５３では、位相差板６３は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。
【００６７】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図５に示すように、１つの画素列８１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８２を構成している。
【００６８】
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図５中のＣ−Ｃ線における断面図である図６に示すように、第１基板８３と、素子層８４とを有している。
第１基板８３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面８３ａと、底面７９側に向けられた第２面８３ｂとを有している。
【００６９】
素子層８４は、第１基板８３の第１面８３ａに設けられている。素子層８４には、絶縁膜８５と、絶縁膜８７と、絶縁膜８９と、配向膜９１とが含まれている。また、素子層８４には、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子９３と、画素電極９５と、が含まれている。
【００７０】
絶縁膜８５は、第１基板８３の第１面８３ａに設けられている。絶縁膜８７は、絶縁膜８５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜８９は、絶縁膜８７の表示面６９側に設けられている。画素電極９５は、絶縁膜８９の表示面６９側に設けられている。配向膜９１は、画素電極９５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜８５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜８５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ここで、互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙は、絶縁膜９７によって埋められている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００７１】
ＴＦＴ素子９３と、画素電極９５とは、それぞれ、画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子９３は、拡大図である図７に示すように、半導体層１０１と、ゲート電極１０３と、を有している。半導体層１０１は、絶縁膜８５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０１は、ゲート絶縁膜１０５によって表示面６９側から覆われている。
【００７２】
半導体層１０１としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０１として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１０５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１０５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００７３】
ゲート電極１０３は、ゲート絶縁膜１０５を挟んで半導体層１０１に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１０３の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１０３の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１０３として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
【００７４】
本実施形態では、半導体層１０１は、図８に示すように、チャネル領域１０１ａと、ソース領域１０１ｂと、ドレイン領域１０１ｃと、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１０１ｄと、ＬＤＤ領域１０１ｅと、を有している。
チャネル領域１０１ａは、平面視でゲート電極１０３に重なっている。ＬＤＤ領域１０１ｄは、チャネル領域１０１ａとソース領域１０１ｂとの間に設けられている。ＬＤＤ領域１０１ｅは、チャネル領域１０１ａとドレイン領域１０１ｃとの間に設けられている。
【００７５】
上記の構成を有するＴＦＴ素子９３は、絶縁膜８７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜８７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜８７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜８７及びゲート絶縁膜１０５には、図８に示すように、コンタクトホール１０７ａと、コンタクトホール１０７ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１０７ａは、ソース領域１０１ｂに及んでいる。コンタクトホール１０７ｂは、ドレイン領域１０１ｃに及んでいる。コンタクトホール１０７ａ内には、ソース電極１０９が設けられている。コンタクトホール１０７ｂ内には、ドレイン電極１１１が設けられている。
【００７６】
絶縁膜８７の表示面６９側には、図６に示すように、ソース線１１３が設けられている。ソース線１１３は、平面視でソース電極１０９に重なる位置に設けられている。ソース線１１３とソース電極１０９とは、互いに電気的につながっている。ソース線１１３は、ソース電極１０９を介して半導体層１０１のソース領域１０１ｂ（図８）に電気的につながっている。ソース線１１３は、図６に示すように、絶縁膜８９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜８９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜８９の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００７７】
ここで、図８に示すコンタクトホール１０７ｂは、絶縁膜８９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１１は、図６に示すように、絶縁膜８９の表示面６９側に及んでいる。画素電極９５とドレイン電極１１１とは、互いに電気的につながっている。画素電極９５は、ドレイン電極１１１を介して半導体層１０１のドレイン領域１０１ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極９５としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極９５の材料として、アルミニウムが採用されている。
【００７８】
画素電極９５及び絶縁膜９７は、図６に示すように、配向膜９１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜９１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜９１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜９１には、表示面６９側に配向処理が施されている。
【００７９】
対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００８０】
対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
【００８１】
配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。
【００８２】
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１０９は、図９に示すように、ソース線１１３を介して、画素列８１（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１０３は、図９に示すように、ゲート線１３１を介して、画素行８２（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数のソース線１１３は、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合うソース線１１３同士の間には、隙間が設けられている。
複数のゲート線１３１は、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合うゲート線１３１同士の間には、隙間が設けられている。
【００８３】
画素６５は、ソース線１１３と、ゲート線１３１との交差に対応して設定されている。
各画素電極９５は、図１０に示すように、各半導体層１０１に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素電極９５は、各ソース線１１３と、各ゲート線１３１とに重なっている。ソース線１１３とゲート線１３１との交差部は、対応する画素電極９５に重なっている。
【００８４】
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図６に示すように、配向膜９１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図６に示す第１基板８３の第１面８３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板８３及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜９１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
【００８５】
液晶７５は、図６に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／４波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
【００８６】
液晶パネル６１では、画素電極９５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極９５と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子９３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、画素電極９５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
プロジェクタ１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子９３のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【００８７】
図６に示す配向膜９１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜９１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
図１１（ａ）は、ＴＦＴ素子９３がＯＦＦ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、ＴＦＴ素子９３がＯＮ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図である。
【００８８】
画像形成装置３３では、偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１４１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、Ｓ偏光４１Ｒｓの偏光軸に対して直交している。
なお、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向がＰ偏光４１Ｒｐの偏光軸の方向を示し、Ｙ'方向がＳ偏光４１Ｒｓの偏光軸の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【００８９】
位相差板６３の遅相軸６３ａは、平面視でＸ'方向に対して、これらの図で見て反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板６３に入射されたＳ偏光４１Ｒｓは、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１４３として液晶７５に入射される。なお、直線偏光１４３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有している。
【００９０】
液晶７５に入射された直線偏光１４３は、ＴＦＴ素子９３がＯＦＦ状態のときに、図１１（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）直線偏光１４３として画素電極９５に向けて射出される。
画素電極９５に向けて射出された直線偏光１４３は、偏光状態が維持されたまま画素電極９５で反射され、液晶７５に入射される。
【００９１】
画素電極９５から液晶７５に入射された直線偏光１４３は、偏光状態が維持されたまま位相差板６３に入射される。位相差板６３に入射された直線偏光１４３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有するＳ偏光４１Ｒｓとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射するため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過できない。
【００９２】
他方で、ＴＦＴ素子９３がＯＮ状態のときに、液晶７５の配向方向７５ａは、図１１（ｂ）に示すように、Ｘ'方向に沿った方向になる。直線偏光１４３は、液晶７５の配向方向７５ａとは交差している。このため、この配向状態で液晶７５に入射された直線偏光１４３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１４５として画素電極９５に向けて射出される。
円偏光１４５は、画素電極９５で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１４５とは逆回転の円偏光１４７として液晶７５に入射される。
【００９３】
液晶７５に入射された円偏光１４７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する偏光軸を有する直線偏光１４９として位相差板６３に入射される。
位相差板６３に入射された直線偏光１４９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有するＰ偏光４１Ｒｐとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１４１の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過する。
【００９４】
このように、画像形成装置３３では、ＴＦＴ素子９３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｒの画像の形成が制御される。
なお、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置３３と同様である。このため、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、ＴＦＴ素子９３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｇの画像の形成及びＢの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
【００９５】
各液晶パネル６１では、互いに隣り合う２つの画素電極９５の間には、図６中のＤ部の拡大図である図１２に示すように、幅がｄの間隙が設けられている。間隙の幅ｄは、０．１６２μｍ以下が好ましい。本実施形態では、間隙の幅ｄは、約０．１６２μｍに設定されている。
間隙の幅ｄは、回折限界を示す式である式（１）に基づいて設定される。
ｄ＝０．６１×λ／（ｎ×Ｓｉｎθ）…（１）
上記の式（１）において、λは、光４１に含まれる波長のうち最短の波長を示している。また、ｎは絶縁膜９７の屈折率を示し、θは間隙内に向かう光１５１（Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ又は４１Ｂｓ）の集光角度を示している。なお、図１２では、Ｘ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙が図示されているが、Ｙ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間にも同様に間隙が設けられている。
【００９６】
光４１では、λは０．４μｍ程度である。また、絶縁膜９７では、ｎは約１．５である。ここで、Ｓｉｎθが１以下であることを考慮しつつ、λ及びｎの値を式（１）に代入すると、下記式（２）が導き出される。
ｄ＝０．６１×０．４／１．５≒０．１６２…（２）
間隙の幅ｄを上記の式（１）に基づいて設定することにより、λ以上の波長を有する光を、互いに隣り合う画素電極９５同士間から底面７９側に進入させにくくすることができる。
これにより、λ以上の波長を有する光がＴＦＴ素子９３に照射されることを低く抑えることができる。この結果、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。
【００９７】
本実施形態において、液晶パネル６１が電気光学装置に対応し、液晶７５が電気光学物質としての液晶に対応し、画素電極９５が反射膜に対応し、ＴＦＴ素子９３がトランジスタ素子に対応し、絶縁膜９７が屈折層に対応している。
本実施形態では、上述したように、λ以上の波長を有する光がＴＦＴ素子９３に照射されることを低く抑えることができる。
一般的に、半導体層１０１に光が照射されると、光リーク電流が発生しやすい。光リーク電流が発生すると、ＴＦＴ素子９３の特性が低下しやすくなる。
【００９８】
これに対し、本実施形態では、ＴＦＴ素子９３に光が照射されにくい。このため、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えやすくすることができる。この結果、プロジェクタ１における表示品位の低下を低く抑えやすくすることができる。
また、本実施形態では、画素電極９５同士間に遮光層などを設けることなく、光の進入を低く抑えることができる。このため、遮光層を設けるための工程が必要ない。この結果、液晶パネル６１の製造工程を効率化しやすくすることができ、ひいてはプロジェクタ１の製造工程を効率化しやすくすることができる。
【００９９】
なお、本実施形態では、画像形成装置３３、３５及び３７のそれぞれにおける液晶パネル６１において、間隙の幅ｄが約０．１６２μｍに設定されているが、間隙の幅ｄはこれに限定されない。間隙の幅ｄは、画像形成装置３３、３５及び３７において相互に異なる値に設定することができる。これは、画像形成装置３３、３５及び３７ごとに、Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ及び４１Ｂｓの波長域が異なるためである。
【０１００】
つまり、画像形成装置３３に適用する液晶パネル６１においては、Ｓ偏光４１Ｒｓに含まれる波長のうちで最短の波長をλとして、間隙の幅ｄを設定することができる。
画像形成装置３５に適用する液晶パネル６１においては、Ｓ偏光４１Ｇｓに含まれる波長のうちで最短の波長をλとして、間隙の幅ｄを設定することができる。
画像形成装置３７に適用する液晶パネル６１においては、Ｓ偏光４１Ｂｓに含まれる波長のうちで最短の波長をλとして、間隙の幅ｄを設定することができる。
このように、画像形成装置３３、３５及び３７ごとに、間隙の幅ｄを異なる値に設定することができる。
【０１０１】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態におけるプロジェクタ１は、間隙の幅ｄの設定が異なることを除いては、第１実施形態におけるプロジェクタ１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第１実施形態におけるプロジェクタ１と同一の構成については、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１０２】
第２実施形態では、間隙の幅ｄは、下記式（３）に基づいて設定される。
ｄ2＜０．６１×λ×（４×ｔ2＋ｄ2）0.5／ｎ…（３）
ここで、上記の式（３）において、ｔは、図１２に示すように、画素電極９５の厚みを示している。
前述の式（１）におけるＳｉｎθは、下記式（４）で表される。
Ｓｉｎθ＝（ｄ／２）／（（ｄ／２）2＋ｔ2）0.5…（４）
式（４）を式（１）に代入すると、上記の式（３）が得られる。
つまり、第２実施形態では、Ｓｉｎθが、ｔとｄとの関数に替えられている。
【０１０３】
第２実施形態では、上記の構成により、第１実施形態と同様の効果が得られる。第２実施形態は、間隙の幅ｄを０．１６２μｍ以下に設定することが困難である場合に有効である。つまり、間隙の幅ｄを０．１６２μｍ以下に設定することが困難である場合に、画素電極９５の厚みｔを、式（３）に基づいて間隙の幅ｄに応じた値に設定する。
これにより、間隙の幅ｄを第１実施形態よりも広く設定することができる。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、画像形成装置３３、３５及び３７ごとに、間隙の幅ｄを異なる値に設定することができる。
【０１０４】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態におけるプロジェクタ１は、間隙の幅ｄの設定が異なることを除いては、第１実施形態におけるプロジェクタ１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第１実施形態におけるプロジェクタ１と同一の構成については、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１０５】
第３実施形態では、間隙の幅ｄは、第１実施形態や第２実施形態における間隙の幅ｄよりも広く設定されている。このため、Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓのうちで波長が最も短いＳ偏光４１Ｂｓであっても、互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙から底面７９側に進入し得る。
第３実施形態では、各画素電極９５に対する各半導体層１０１の位置が、下記式（５）に基づいて設定される。
Ｅ＞Ｔ×ｄ／ｔ…（５）
上記の式（５）において、Ｅは、図１３に示すように、各画素電極９５の縁部からＬＤＤ領域１０１ｄ（１０１ｅ）までの平面視での距離を示している。また、Ｔは、各半導体層１０１と各画素電極９５との間の距離を示している。なお、図１３では、構成をわかりやすく示すため、ソース電極１０９、ソース線１１３及びドレイン電極１１１の図示が省略されている。また、図１３では、Ｘ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙が図示されているが、Ｙ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間にも同様に間隙が設けられている。
【０１０６】
間隙から底面７９側に進入した光１５３（Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ又は４１Ｂｓ）は、式（５）中のＴ×ｄ／ｔによって規定される範囲外には届かない。
第３実施形態では、上記の構成により、間隙から底面７９側に進入した光１５３がＬＤＤ領域１０１ｄ（１０１ｅ）に照射されることを避けることができる。
このため、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えることができる。
また、本実施形態では、画素電極９５同士間に遮光層などを設けることなく、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えることができる。このため、遮光層を省略することができる。この結果、液晶パネル６１の製造工程を効率化しやすくすることができ、ひいてはプロジェクタ１の製造工程を効率化しやすくすることができる。
なお、第３実施形態において、距離Ｅが距離Ｄ2に対応している。
【０１０７】
第４実施形態について説明する。
第４実施形態におけるプロジェクタ１は、半導体層１０１からＬＤＤ領域１０１ｄ及びＬＤＤ領域１０１ｅが省略されていることを除いては、第３実施形態におけるプロジェクタ１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第１実施形態におけるプロジェクタ１と同一の構成については、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１０８】
本実施形態では、各画素電極９５に対する各半導体層１０１の位置が、下記式（６）に基づいて設定される。
Ｆ＞Ｔ×ｄ／ｔ…（６）
上記の式（６）において、Ｆは、図１４に示すように、各画素電極９５の縁部からチャネル領域１０１ａまでの平面視での距離を示している。なお、図１４では、構成をわかりやすく示すため、ソース電極１０９、ソース線１１３及びドレイン電極１１１の図示が省略されている。また、図１４では、Ｘ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙が図示されているが、Ｙ方向に互いに隣り合う画素電極９５同士間にも同様に間隙が設けられている。
【０１０９】
この構成により、間隙から底面７９側に進入した光１５５（Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ又は４１Ｂｓ）がチャネル領域１０１ａに照射されることを避けることができる。
このため、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えることができる。また、本実施形態では、画素電極９５同士間に遮光層などを設けることなく、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えることができる。このため、遮光層を省略することができる。この結果、液晶パネル６１の製造工程を効率化しやすくすることができ、ひいてはプロジェクタ１の製造工程を効率化しやすくすることができる。
なお、第４実施形態において、距離Ｆが距離Ｄ1に対応している。
【０１１０】
第１〜第４実施形態では、それぞれ、第１基板８３が光透過性を有している。このため、間隙から光（Ｓ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓ）が底面７９側に進入しても、進入した光が第１基板８３を経て液晶パネル６１の外に射出されやすくすることができる。このため、間隙から底面７９側に進入した光が液晶７５側に反射することを低く抑えることができる。この結果、間隙から底面７９側に進入した光が反射した反射光がＴＦＴ素子９３に照射されることを避けやすくすることができる。この結果、反射光による光リーク電流の発生を一層抑制しやすくすることができ、プロジェクタ１における表示品位の低下を一層低く抑えやすくすることができる。
【０１１１】
さらに、第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構成を採用すれば、光リーク電流の発生を一層低く抑えることができる。第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構成とは、間隙の幅ｄが式（１）に基づいて設定され、且つ、半導体層１０１の位置が式（５）に基づいて設定されている構成である。
また、第１実施形態と第４実施形態とを組み合わせた構成を採用することによっても、同様の効果が得られる。第１実施形態と第４実施形態とを組み合わせた構成とは、間隙の幅ｄが式（１）に基づいて設定され、且つ、半導体層１０１の位置が式（６）に基づいて設定されている構成である。
また、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構成を採用することによっても、同様の効果が得られる。第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構成とは、間隙の幅ｄが式（３）に基づいて設定され、且つ、半導体層１０１の位置が式（５）に基づいて設定されている構成である。
また、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせた構成を採用することによっても、同様の効果が得られる。第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせた構成とは、間隙の幅ｄが式（３）に基づいて設定され、且つ、半導体層１０１の位置が式（６）に基づいて設定されている構成である。
【０１１２】
なお、液晶パネル６１の設計方法としては、以下に述べる順序が好ましい。
まず、間隙の幅ｄを、式（１）に基づいて算出する。このとき、算出された値ｄ１を採用することが可能である場合、その値ｄ１を間隙の幅ｄとして設定する。
算出された値ｄ１を採用することが困難である場合に、次のステップに移行する。このステップでは、間隙の幅ｄを、式（３）に基づいて算出する。このとき、算出された値ｄ２を採用することが可能である場合、その値ｄ２を間隙の幅ｄとして設定する。
算出された値ｄ２を採用することが困難である場合に、次のステップに移行する。このステップでは、各画素電極９５に対する各半導体層１０１の位置を、式（５）又は式（６）に基づいて算出する。そして、算出された値ｄ３を間隙の幅ｄとして設定する。
【０１１３】
なお、第１〜第４実施形態では、それぞれ、互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙に絶縁膜９７を設けた構成が採用されているが、液晶パネル６１の構成はこれに限定されない。液晶パネル６１の構成としては、絶縁膜９７に替えて空気層を設けた構成も採用され得る。空気層では、屈折率ｎを１とみなすことができるので、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、間隙の幅ｄを広くすることができる。
【０１１４】
第１〜第４実施形態では、それぞれ、液晶パネル６１をプロジェクタ１に適用した例を説明したが、液晶パネル６１の適用はプロジェクタ１に限定されない。液晶パネル６１は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
液晶パネル６１を表示装置に適用した例を、第５実施形態として説明する。
以下の第５実施形態では、重複した説明を避けるため、第１〜第４実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１１５】
表示装置１０は、図１５に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６３と、偏光板１６１と、を有している。
表示装置１０では、表示面６９を介して液晶７５に入射された外光を、画素電極９５で表示面６９側に反射させて、その反射光を表示面６９側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置１０の表示面６９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
【０１１６】
液晶パネル６１は、図１５中のＨ−Ｈ線における断面図である図１６に示すように、対向基板１６３を有している。第５実施形態での液晶パネル６１は、第１実施形態での液晶パネル６１の対向基板７３が対向基板１６３に替えられている。
偏光板１６１は、位相差板６３よりも表示面６９側に設けられている。偏光板１６１は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【０１１７】
なお、偏光板１６１よりも表示面６９側や、偏光板１６１と位相差板６３との間、位相差板６３と対向基板１６３との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶７５を表示面６９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶７５の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【０１１８】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【０１１９】
表示装置１０に設定されている複数の画素６５は、それぞれ、表示面６９から射出する光の色が、図１７に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素６５は、Ｒの光を射出する画素６５Ｒと、Ｇの光を射出する画素６５Ｇと、Ｂの光を射出する画素６５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素６５という表記と、画素６５Ｒ、６５Ｇ及び６５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【０１２０】
また、表示装置１０では、１つの画素列８１内の各画素６５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素６５ＲがＹ方向に配列した画素列８１Ｒと、複数の画素６５ＧがＹ方向に配列した画素列８１Ｇと、複数の画素６５ＢがＹ方向に配列した画素列８１Ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列８１Ｒ、画素列８１Ｇ及び画素列８１Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列８１という表記と、画素列８１Ｒ、画素列８１Ｇ及び画素列８１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【０１２１】
ここで、対向基板１６３の構成について説明する。
対向基板１６３は、図１７中のＪ−Ｊ線における断面図である図１８に示すように、対向層１６４を有している。対向層１６４は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。
対向層１６４には、カラーフィルタ１６５と、オーバーコート層１６７と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
カラーフィルタ１６５は、各画素６５に対応して設けられている。カラーフィルタ１６５は、第２基板１２１の対向面１２１ｂ側に設けられており、各画素６５の領域を底面７９側から覆っている。
【０１２２】
ここで、カラーフィルタ１６５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１６５は、画素６５Ｒ、画素６５Ｇ及び画素６５Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素６５Ｒに対応するカラーフィルタ１６５は、Ｒの光を透過させることができる。画素６５Ｇに対応するカラーフィルタ１６５はＧの光を透過させ、画素６５Ｂに対応するカラーフィルタ１６５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１６５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１６５Ｒ、１６５Ｇ及び１６５Ｂという表記が用いられる。
【０１２３】
オーバーコート層１６７は、カラーフィルタ１６５の底面７９側に設けられている。オーバーコート層１６７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、カラーフィルタ１６５を底面７９側から覆っている。
なお、対向基板１６３の構成としては、カラーフィルタ１６５をＲ、Ｇ及びＢごとに区画する遮光膜を設けた構成も採用され得る。この場合、遮光膜は、対向面１２１ｂに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。遮光膜の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
【０１２４】
本実施形態での液晶パネル６１においても、互いに隣り合う画素電極９５同士間の間隙の幅ｄは、第１〜第４実施形態のそれぞれに準じて設定される。
本実施形態での液晶パネル６１では、第１〜第４実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。このため、表示装置１０では、ＴＦＴ素子９３の特性の低下を低く抑えることができ、表示における表示品位が低下することを抑えやすくすることができる。
【０１２５】
なお、本実施形態では、液晶パネル６１を採用した表示装置１０を例に説明したが、表示装置１０の構成はこれに限定されない。表示装置１０の構成としては、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置も採用され得る。
有機ＥＬ装置では、画素電極と対向電極との間に、発光層を含む有機層が介在している。有機ＥＬ装置のなかでもトップエミッション型の有機ＥＬ装置では、液晶パネル６１に準じた構成が採用され得る。この場合、有機層の駆動を画素ごとに制御するトランジスタ素子の特性の低下を低く抑えることができる。これにより、有機ＥＬ装置における表示品位の低下を抑えやすくすることができる。
【０１２６】
また、第１〜第５実施形態では、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１２７】
また、第１〜第５実施形態では、それぞれ、半導体層１０１として多結晶シリコンが採用されているが、半導体層１０１はこれに限定されない。半導体層１０１としては、例えば、単結晶シリコンや非晶質シリコンなども採用され得る。単結晶シリコンや非晶質シリコンなどにおいても、第１〜第５実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
【０１２８】
上述した表示装置１０は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１０が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本実施形態におけるプロジェクタの主要構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態におけるプロジェクタの画像形成部の主要構成を示す図。
【図３】本実施形態におけるプロジェクタの画像形成パネルを示す斜視図。
【図４】図３中のＡ−Ａ線における断面図。
【図５】本実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。
【図６】本実施形態での液晶パネルの図５中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図７】図６中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図８】図６中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図９】本実施形態での半導体層、ソース線及びゲート線の配置を説明する平面図。
【図１０】本実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。
【図１１】本実施形態での画像形成パネルにおける偏光状態を説明する図。
【図１２】図６中のＤ部の拡大図。
【図１３】第３実施形態での半導体層の位置を説明する断面図。
【図１４】第４実施形態での半導体層の位置を説明する断面図。
【図１５】第５実施形態における表示装置の主要構成を示す斜視図。
【図１６】図１５中のＨ−Ｈ線における断面図。
【図１７】第５実施形態での表示装置における複数の画素の一部を示す平面図。
【図１８】第５実施形態での液晶パネルの図１７中のＪ−Ｊ線における断面図。
【図１９】第５実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１３０】
１…プロジェクタ、３…光学系、１０…表示装置、１１…ランプ、１３…画像形成部、１５…投射レンズ部、１７…投射光、２１…制御部、２３…画像処理部、２５…液晶パネル制御部、２７…ＣＰＵ、３１…分光部、３３，３５，３７…画像形成装置、３９…光合成部、４１…光、４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ…光、４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓ…Ｓ偏光、４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐ…Ｐ偏光、５３…画像形成パネル、５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ…偏光ビームスプリッタ、５７…クロスダイクロイックプリズム、５９…画像光、６１…液晶パネル、６３…位相差板、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８３…第１基板、８４…素子層、８５…絶縁膜、８７…絶縁膜、８９…絶縁膜、９１…配向膜、９３…ＴＦＴ素子、９５…画素電極、９７…絶縁膜、１０１…半導体層、１０１ａ…チャネル領域、１０１ｂ…ソース領域、１０１ｃ…ドレイン領域、１０１ｄ，１０１ｅ…ＬＤＤ領域、１０３…ゲート電極、１０５…ゲート絶縁膜、１０９…ソース電極、１１１…ドレイン電極、１１３…ソース線、１２１…第２基板、１２２…対向層、１２３…絶縁膜、１２５…対向電極、１２７…配向膜、１３１…ゲート線、１５１，１５３，１５５…光、１６１…偏光板、１６３…対向基板、１６４…対向層、１６５…カラーフィルタ、１６７…オーバーコート層、Ｅ…距離、Ｆ…距離、Ｍ…マトリクス、Ｔ…距離、ｔ…厚み、λ…波長。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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