(57)【要約】【課題】低温でウエハに貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、通常に行われる切断条件においてウエハと同時に切断可能である接着フィルムを提供する。【解決手段】半導体装置の製造工程に使用される接着フィルムであって、前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであり、ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする接着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造工程に使用される接着フィルムであって、
前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであり、
ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする接着フィルム。
【請求項２】
前記接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成し、未硬化の未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分が海相を形成していること特徴とする請求項１記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記（ｃ）高分子量成分は、ガラス転移温度が−３０℃〜５０℃であり、重量平均分子量が５万〜１００万であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記（ｃ）高分子量成分の含有量が、樹脂組成物の全質量中、５０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着フィルム。
【請求項５】
前記（ｂ）熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着フィルム。
【請求項６】
さらにフィラーを、樹脂組成物の全質量中、１〜８０質量％含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着フィルム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとを積層してなる、ダイシングテープ一体型接着フィルム。
【請求項８】
接着フィルムを介してダイシングテープと半導体ウエハが積層してなる積層体を作製する工程（Ｉ）、前記半導体ウエハ及び前記接着フィルムをダイシングし、次いで前記接着フィルムと前記ダイシングテープ間で剥離して接着フィルム付き半導体チップを得る工程（ＩＩ）、前記接着フィルム付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材又は半導体チップに接着する工程（ＩＩＩ）を含む半導体装置の製造方法であって、
前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであって、
ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ＩＩ）において、半導体ウエハ及び前記接着フィルムをダイシングソーによりダイシングすることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ＩＩＩ）において、接着フィルムを加熱硬化して未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分を硬化することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には銀ペーストが主に使用されているが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、接着剤層のボイド発生などの問題があった。これらの問題を解決するために、近年、フィルム状接着剤、すなわち接着フィルムが使用されるようになってきた。
【０００３】
接着フィルムは、個片貼付け方式あるいは半導体ウエハ裏面貼付け方式において使用されている。個片貼付け方式は、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、その個片を支持部材に接着する。接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られる。しかし、個片貼付け方式は、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、半導体ウエハ裏面貼付け方式は、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と表すこともある。）の裏面に接着フィルムを貼付け、さらに接着フィルムの他面にダイシングテープを貼り合わせた後、ダイシング工程によって半導体素子を個片化する。個片化した接着フィルム付き半導体素子をピックアップし、支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て半導体装置が得られる。半導体ウエハ裏面貼付け方式は、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま使用、あるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できるため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００５】
しかしながら、この半導体ウエハ裏面貼付け方式は、ダイシング工程までに、接着フィルムとダイシングテープを貼付するといった２つの貼付工程が必要であることから、作業工程の簡略化が求められている。そこで、接着フィルムをダイシングテープ上に付設し、これをウエハに貼り付ける方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。また、半導体ウエハ裏面貼付け方式は、ウエハのダイシング時に接着フィルムも同時に切断することが必要であるが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法では、ウエハと接着フィルムを同時に切断するために切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。
【０００６】
一方、ウエハの切断方法として、ウエハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する方法（ハーフカットダイシング）や切断予定ライン上のウエハ内部にレーザ光を照射して改質領域を形成する方法（ステルスダイシング）など、ウエハを容易に切断可能とする工程を施し、その後に外力を加えるなどして切断する方法が近年提案されている（例えば、特許文献４、５参照）。これらの方法は、特にウエハの厚さが薄い場合にチッピングなどの不良を低減する効果があり、カーフ幅を必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。
【０００７】
上記ハーフカットダイシングやステルスダイシングを用いて、半導体ウエハ裏面貼付け方式による半導体装置の製造工程を行うためには、接着フィルムをウエハと同時に切断する必要が生じるが、一般的な接着フィルムを用いた場合には、ウエハと接着フィルムを同時に切断することは困難であった。また、接着フィルムとして破断性の良い、非伸縮性のものを使用した場合には、ウエハと接着フィルムの切断面をほぼ一致させて同時に切断することができるが、非伸縮性の接着フィルムはその流動性が低いために、１００℃以下の低温でウエハに貼付することが難しく、また、接着フィルム自体が脆いため、クラックが発生し、接着信頼性が低下する恐れがあった。
【０００８】
このように半導体ウエハ裏面貼付け方式において、ウエハと接着フィルムを効率的に切断できる手法が見出されていなかった。そのため、ダイシング工程において、上記ウエハを切断可能とする加工を行った後、ウエハと同時に切断することが可能な接着フィルムが求められていた。また、半導体装置の製造における半導体素子と支持部材の接合工程において、接着信頼性に優れる接着フィルムが求められていた。
【０００９】
接着フィルムをウエハと同時に切断する方法として、接着フィルムにフィラーを高充填して、接着フィルムの破断伸びを抑制し、破断性を向上させる方法が提案されている。この方法において接着フィルム中に充填されたフィラーは、ダイシング工程において削られ、粒径が小さな削りかすとなってダイシング面を研磨し切断面を平滑にするという効果をもたらしていた。しかし、この方法では、膜厚が１０μｍ以下の極薄の接着フィルムでは、フィラーの最大粒径を接着フィルムの膜厚以下、好ましくは膜厚の１／３以下程度にしないとフィラーが接着フィルムの表面に飛び出し、塗膜表面に凹凸が生じ表面平滑性に劣るという問題があった。一方、フィラーの最大粒径を膜厚の１／３以下にすると、相対的に微粒子の比率が増加し、接着フィルムの流動性や被着体へのぬれ性が低下し、ひいては、充填性や接着性が低下するという問題が生じていた。このような背景下、接着フィルムの膜厚以下で、塗膜表面に凹凸を生じさせない範囲で、粒径が大きく、ダイシング工程において研磨効果をもたらすフィラー粒子を含んでなる接着フィルムの開発が検討されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−２２６７９６号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８２７６号公報
【特許文献３】特開平２−３２１８１号公報
【特許文献４】特開２００２−１９２３７０号公報
【特許文献５】特開２００３−３３８４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、低温でウエハに貼付可能であり、室温で取り扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、フィルムの表面平滑性に優れ、通常に行われる切断条件においてウエハと同時に切断可能で、切断面の平滑性に優れた接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、（１）半導体装置の製造工程に使用される接着フィルムであって、
前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであり、
ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする接着フィルムに関する。
【００１３】
また、本発明は、（２）前記接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成し、未硬化の未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分が海相を形成していること特徴とする前記（１）記載の接着フィルムに関する。
【００１４】
また、本発明は、（３）前記（ｃ）高分子量成分は、ガラス転移温度が−３０℃〜５０℃であり、重量平均分子量が５万〜１００万であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の接着フィルムに関する。
【００１５】
また、本発明は、（４）前記（ｃ）高分子量成分の含有量が、樹脂組成物の全質量中、５０質量％以下であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の接着フィルムに関する。
【００１６】
また、本発明は、（５）前記（ｂ）熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の接着フィルムに関する。
【００１７】
また、本発明は、（６）さらにフィラーを、樹脂組成物の全質量中、１〜８０質量％含むことを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の接着フィルムに関する。
【００１８】
また、本発明は、（７）前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとを積層してなる、ダイシングテープ一体型接着フィルムに関する。
【００１９】
また、本発明は、（８）接着フィルムを介してダイシングテープと半導体ウエハが積層してなる積層体を作製する工程（Ｉ）、前記半導体ウエハ及び前記接着フィルムをダイシングし、次いで前記接着フィルムと前記ダイシングテープ間で剥離して接着フィルム付き半導体チップを得る工程（ＩＩ）、前記接着フィルム付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材又は半導体チップに接着する工程（ＩＩＩ）を含む半導体装置の製造方法であって、
前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであって、
ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【００２０】
また、本発明は、（９）前記工程（ＩＩ）において、半導体ウエハ及び前記接着フィルムをダイシングソーによりダイシングすることを特徴とする前記（８）に記載の半導体装置の製造方法に関する。
【００２１】
また、本発明は、（１０）前記工程（ＩＩＩ）において、接着フィルムを加熱硬化して未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分を硬化することを特徴とする前記（８）又は（９）に記載の半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、８０℃程度の低温でウエハに貼付可能であり、室温で取り扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、フィルムの表面平滑性に優れ、通常に行われる切断条件においてウエハと同時に切断可能で、切断面の平滑性に優れた接着フィルムを提供することを目的とする。特に本発明では、１００μｍ以下の薄いウエハを用いた場合でも、バックグラインドテープの耐熱温度以下でウエハに貼付可能であり、ウエハと同時に切断が可能であるため、近年の薄型ウエハを用いた小型化・薄型化の半導体装置の開発に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明における工程Ｉａの好適な一実施形態を示す概念図である。
【図２】本発明における工程Ｉｂの好適な一実施形態を示す概念図である。
【図３】本発明における工程（Ｉ）の好適な一実施形態を示す概念図である。
【図４】本発明における工程（ＩＩ）の好適な一実施形態を示す概念図である。
【図５】本発明における工程（ＩＩ）の好適な一実施形態を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の接着フィルムは、半導体の製造工程に使用される接着フィルムであって、前記接着フィルムが、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムであり、ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする接着フィルムである。
【００２５】
本発明の接着フィルムは、ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射して海島構造を形成させることが重要であり、それによって接着フィルムの破断伸びが抑制され、破断性が向上しウエハと接着フィルムの同時切断が可能になり、平滑性に優れた切断面が得られる。本発明の接着フィルムにおいて、島相は（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子により構成され、海相は未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分により構成されている。海島構造は、連続につながった海相（連続相）に島相（分散相）が点在している構成をしており、エネルギー線照射後の接着フィルムを電子顕微鏡を用いて確認することができる。本発明の接着フィルムにおける未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分は、半導体装置の製造工程の接着フィルム付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材又は半導体チップに接着する工程において、加熱することにより硬化する。加熱硬化した接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成し、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分が硬化して海相を形成している。
【００２６】
無機フィラーなどを添加する従来技術の方法では、フィラーの最大粒径を接着フィルムの膜厚の１／３下程度にしないと塗膜表面に凹凸が生じるという問題があり、特に薄膜フィルムの場合はフィラー粒子の粒径を小さくしなければならず、微粒子の比率が増えることにより接着フィルムの流動性や被着体へのぬれ性が低下し、ひいては、充填性や接着性が低下するという問題が生じていた。本発明では、接着フィルムの構成成分である（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成して相分離するため、島相の大きさは必然的に接着フィルムの膜厚より小さくなるため、膜厚３μｍ程度の薄膜フィルムにおいてもフィルム表面に凹凸はほとんど発生せず、表面平滑性に優れたフィルムが得られる。本発明の接着フィルムの表面平滑性を示す指標としては表面粗さがある。前記（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子は、粒径のバラツキが狭いことが好ましい。
【００２７】
本発明の接着フィルムにおいて、前記（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子の充填率は、樹脂組成物中の（ａ）エネルギー線重合性化合物の配合量やエネルギー線の照射条件などにより異なり適宜調整される。
【００２８】
以下に、本発明について詳細に説明する。
【００２９】
［樹脂組成物の各成分］
本発明の接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分とを含有する樹脂組成物からなる接着フィルムである。
【００３０】
（ａ）エネルギー線重合性化合物
本発明で用いられる（ａ）エネルギー線重合性化合物としては、紫外線や電子ビームなどのエネルギー線の照射により、重合し、硬化して合成粒子を形成するものであれば、特に制限は無い。前記（ａ）エネルギー線重合性化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレートなどが挙げられる。これらのなかでも、短時間での反応性が優れる点でジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレートが好ましい。なお、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸またはメタアクリル酸をいずれかを意味し、以下、（メタ）は同じ意味を有するものとする。
【００３１】
（ｂ）熱硬化性樹脂
本発明で用いられる（ｂ）熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等が挙げられるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。これらのなかでも、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
このようなエポキシ樹脂の市販品の一例として、以下のものが挙げられる。上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、３０１、３６１、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤ８１２５などが挙げられる。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、ＹＳＬＶ−８０ＸＹなどが挙げられる。上記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２、１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４、７００−１０などが挙げられる。上記多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセ化成株式会社製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、６１４、６１４Ｂ、６２２、５１２、５２１、４２１、４１１、３２１などが挙げられる。上記アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート６０４、東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。上記複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、４２９９、４２２１、４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３３】
（ｃ）高分子量成分
本発明で用いられる（ｃ）高分子量成分としては、ガラス転移温度（以下、Ｔｇ）が−３０℃〜５０℃で、重量平均分子量が５万〜１００万であることが好ましい。前記Ｔｇが５０℃を超えると、接着フィルムの柔軟性が低下し不都合であり、−３０℃未満であると、接着フィルムの柔軟性が高すぎるため、ウエハ破断時に接着フィルムが破断し難い点で都合が悪い。また、前記重量平均分子量が５万未満であると、接着フィルムの耐熱性が徐々に低下する点で不都合であり、分子量が１００万を超えると接着フィルムの流動性が徐々に低下する点で不都合である。
【００３４】
ウエハ切断時における接着フィルムの破断性や耐熱性の観点から、Ｔｇが−２０℃〜５０℃で重量平均分子量が５万〜１００万の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分が特に好ましく、Ｔｇが−１０℃〜３０℃で重量平均分子量が５０万〜９０万の高分子量成分が最も好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして日立製作所製Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０、及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍ直径×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。
【００３５】
（ｃ）高分子量成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びこれらの混合物などが挙げられる。特に、官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が好ましく、該官能基はポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。前記官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴムなどを使用することができ、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体等からなるゴムである。このようなエポキシ基含有アクリルゴムとしては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３シリーズなどが市販されている。
【００３６】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体中のエポキシ基含有モノマーの量は、好ましくは０．５〜６．０質量％、より好ましくは０．５〜５．０質量％、特に好ましくは０．８〜５．０質量％である。前記エポキシ基含有モノマーの量が０．５〜６．０質量％であると、接着フィルムの接着力が確保し易く、またゲル化を防止し易くなる。
【００３７】
（ｃ）高分子量成分の含有量は、樹脂組成物中の樹脂固形分に対し、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは２５質量％以上３５質量％以下である。前記含有量が５０質量％を超えると接着フィルムの破断性が悪化する傾向があり、２５質量％未満だと接着時の流動性が大きすぎるため、ボイドが発生する傾向がある。前記樹脂組成物中の樹脂固形分とは、（ｂ）熱硬化性樹脂、（ｃ）高分子量成分及び熱硬化性樹脂の硬化剤の合計量を意味する。
【００３８】
（その他の成分）
本発明では、（ａ）エネルギー線重合性化合物の重合を促進させる目的で光硬化開始剤を用いることが好ましい。光硬化開始剤としては、使用する露光機のエネルギー線に吸収波長を有する化合物が使用できる。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェノン、４，４−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、ベンゾインブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、メチルベンゾイルホルメート、３，３，４，４−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６，−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイドなどが例示される。このような光硬化開始剤の市販品の一例として、チバガイギー株式会社製、商品名：イルガキュア６５１、イルガキュア３６９、イルガキュア８１９などが挙げられる。
【００３９】
前記光硬化開始剤の添加量は、特に限定されないが、（ａ）エネルギー線重合性化合物１００質量部に対して、通常、０.１〜５質量部である。
【００４０】
本発明では、（ｂ）熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合はエポキシ樹脂硬化剤や硬化促進剤を用いることが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類；ポリアミド；酸無水物；ポリスルフィド；三フッ化ホウ素；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノール樹脂；などが挙げられる。
【００４１】
エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬＣ−シリーズ、ＸＬシリーズ、並びに、ＤＩＣ株式会社製、商品名：プライオーフェンシリーズ等が挙げられる。
【００４２】
エポキシ樹脂硬化剤の含有量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数に対する全硬化剤の水酸基数の当量比（全硬化剤の水酸基数／全エポキシ樹脂のエポキシ基数）が０．５〜２で配合することが好ましい。
【００４３】
硬化促進剤としては、特に制限なく、例えば、４級ホスホニウム塩類、４級アンモニウム塩類、イミダゾール類、ＤＢＵ脂肪酸塩類、金属キレート類、金属塩類、トリフェニルフォスフィン類等を用いることができる。これらは１種を単独で又は２種以上を併用して用いられる。これら硬化促進剤のなかでも、イミダゾール類が好ましく、その具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。
【００４４】
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤との総質量１００質量部に対して、０．００３〜５質量部であることが好ましく、０．００５〜３質量部であることがより好ましい。前記含有量が０．００３質量部未満であると硬化性が劣る傾向があり、５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００４５】
本発明の接着フィルムは、半導体素子搭載用基板（支持部材）に半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有するものであることが好ましい。また、本発明の接着フィルムは、適当なタック強度を有しフィルム状での取り扱い性が良好であることから、フィラーを含むことが好ましく、さらに硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
【００４６】
さらに、本発明の接着フィルムには、Ｂステージ状態の接着フィルムの破断強度の低減、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合してもよい。無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。
【００４７】
上記フィラー量の配合量は、樹脂組成物の全質量の０〜８０質量％であることが好ましく、３〜２０質量％であることがより好ましく、さらに好ましくは５〜１５質量％である。配合量が多くなると、接着フィルムの貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので５〜１０質量％とするのが特に好ましい。また、フィラーの比重は１〜１０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
【００４８】
フィラーの最大粒径は、接着フィルムの表面平滑性、接着フィルムの流動性や被着体へのぬれ性、充填性や接着性の観点から、接着フィルムの膜厚に対して適宜調整することが好ましい。
【００４９】
カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキシエトキシ）シラン等のメタクリロイルシラン類、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン等のエポキシ基含有シラン類、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン等を使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００５０】
前記カップリング剤の含有量は、樹脂組成物の総質量１００質量部に対し、０．１〜１０質量部であることが好ましい。
【００５１】
［接着フィルムの作製］
本発明の接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性成分、（ｃ）高分子量成分及びその他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材フィルムを除去することによりＢステージ状態の接着フィルムを得ることができる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００５２】
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。有機溶媒の使用量は、接着フィルム製造後の残存揮発分が全質量基準で０．０１〜３質量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全質量基準で０．０１〜２質量％であることが好ましく、全質量基準で０．０１〜１．５質量％であることがさらに好ましい。
【００５３】
前記基材フィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用することもできる。
【００５４】
また、切断可能である範囲で、本発明の接着フィルムを複数重ね合わせ、複層の接着フィルムにしてもよい。また、接着フィルムと、例えば、熱可塑フィルム、粘着剤、熱硬化性樹脂などからなるフィルムを組み合わせ、フィルムの両面に接着フィルムを重ね合わせるなどし、複層の接着フィルムにしても良い。このようなフィルムとして、例えば、ポリイミド、ポリエステルなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、およびこれらの混合物等からなるフィルムを挙げることができる。これらのフィルムは、各種フィラーを含んでいてもよい。
【００５５】
前記接着フィルムの膜厚は、特に制限はないが、１〜２５０μｍが好ましい。１μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない、破断が困難になる傾向がある。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で３〜３０μｍが好ましく、さらに好ましくは３〜１２μｍである。
【００５６】
本発明の接着フィルムは、半導体装置の製造方法に使用される接着フィルムであって、ダイシング工程の前に接着フィルムにエネルギー線を照射することにより、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化して合成粒子を形成し、該合成粒子が未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなる接着フィルムである。
【００５７】
エネルギー線照射前の接着フィルム（以下、接着フィルム（ｉ）と記すこともある。）は、未硬化の所謂、Ｂステージ状態の接着フィルムであり、（ａ）エネルギー線重合性化合物、（ｂ）熱硬化性成分及び（ｃ）高分子量成分は概ね均一に相溶している。エネルギー線照射後の接着フィルム（以下、接着フィルム（ｉｉ）と記すこともある。）は、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成し、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分が海相を形成して相分離を起しており、破断伸びが低下し、破断性が向上しウエハと接着フィルム（ｉｉ）の同時切断が可能となる。また、前記合成粒子は接着フィルム（ｉ）の構成成分である（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化して成るため、島相の大きさは必然的に接着フィルム（ｉｉ）の膜厚より小さくなり、フィルム表面の平滑性に優れたフィルムが得られる。また、合成粒子の粒径は略均一であり、粒径のバラツキが狭い方が好ましい。
【００５８】
前記エネルギー線照射の条件は、照射後の接着フィルム（ｉｉ）が海島構造を形成していれば特に限定されないが、接着フィルム（ｉ）を構成する樹脂組成物の配合、接着フィルム（ｉ）の膜厚、エネルギー線の種類、照射量などに応じて適宜選択される。照射するエネルギー線は１５０〜１０００ｎｍの波長域を持つ活性光線であれば特に限定されず、紫外線、遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤外線などが例示され、これらのなかでも、紫外線が好ましい。紫外線の発生源としては、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプ等が挙げられる。
【００５９】
［ダイシングテープ一体型接着フィルム］
本発明の接着フィルムは、ダイシングテープと個別に用いても構わないが、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済み、作業の効率化が可能となる点で、接着フィルムとダイシングテープを張り合わせたダイシングテープ一体型フィルムとして用いることが好ましい。前記ダイシングテープ一体型フィルムは、接着フィルムをダイシングテープに積層することで得られる。積層する接着フィルムは、Ｂステージ状態の接着フィルム（ｉ）でも、加熱又はエネルギー線を照射した接着フィルム（ｉｉ）でも構わない。接着フィルムをダイシングテープに積層する方法としては、印刷のほか、予め作成した接着フィルムをダイシングテープ上にプレスする方法、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが必要であり、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００６０】
また、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着フィルムの膜厚やダイシングテープ一体型接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で６０〜１５０μｍ、好ましくは７０〜１３０μｍである。
【００６１】
また、本発明の接着フィルムまたはダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムは、半導体装置を製造する際、ダイシング時には半導体チップが飛散しない接着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離可能である必要がある。例えば、接着フィルムやダイシングテープの粘着性が高すぎると、溝端部の樹脂が融着して分離が困難になることがある。それゆえ、本発明の接着フィルムとダイシングテープとのＢステージ状態における９０°ピール強度は、１５０Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５〜１００Ｎ／ｍであることがより好ましく、５〜５０Ｎ／ｍであることがさらに好ましい。ピール強度が１５０Ｎ／ｍを超えるとピックアップ時に半導体チップが割れやすくなる傾向がある。なお、ピール強度は、２５℃の雰囲気中で、９０℃の角度で、５０ｍｍ／分の引張り速度で接着フィルムをダイシングテープから剥がすことにより求めることができる。上記９０°ピール強度が１５０Ｎ／ｍ以下となるようにするためには、適宜、接着フィルムのタック強度を調節することが望ましい。タック強度を調節する方法としては、接着フィルムの室温（２５℃、以下同様）における流動性を上昇させると接着強度及びタック強度が上昇する傾向があり、流動性を低下させると接着強度及びタック強度が低下する傾向があるという性質を利用して行えばよい。例えば、流動性を上昇させる場合には、可塑剤含有量の増加、粘着付与剤含有量の増加等の方法がある。逆に流動性を低下させる場合には、可塑剤含有量の減少、粘着付与剤含有量の減少などの方法がある。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００６２】
［半導体装置の製造方法］
上記した本発明の接着フィルムを用いることにより、半導体装置を製造することができる。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、接着フィルムを介してダイシングテープと半導体ウエハが積層してなる積層体を作製する工程（Ｉ）、前記半導体ウエハ及び前記接着フィルムをダイシングし、次いで前記接着フィルムと前記ダイシングテープ間で剥離して接着フィルム付き半導体チップを得る工程（ＩＩ）、前記接着フィルム付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材又は半導体チップに接着する工程（ＩＩＩ）を含む半導体装置の製造方法であって、ダイシング工程の前に、接着フィルムにエネルギー線を照射することにより形成した（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が、未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｃ）高分子量成分中に分散してなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００６３】
本発明の半導体の製造方法は上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の各工程を含むものであり、ダイシング工程の前に接着フィルムにエネルギー線を照射することにより、接着フィルムの破断伸びを抑制し、破断性を向上させてウエハと接着フィルムの同時切断が可能になる。
【００６４】
［工程（Ｉ）］
まず、工程（Ｉ）では、接着フィルムを介してダイシングテープと半導体ウエハが積層してなる積層体を作製する。
【００６５】
本工程（Ｉ）では、接着フィルムとダイシングテープをそれぞれ個別に用いる場合と、ダイシングテープ一体型接着フィルムとして用いる場合があり、作業の効率が良い点でダイシングテープ一体型接着フィルムを用いる方が好ましい。
【００６６】
接着フィルムとダイシングテープをそれぞれ個別に用いる場合は、例えば、半導体ウエハに接着フィルムを貼り付ける工程（工程Ｉａ）と、接着フィルムにダイシングテープを貼り付ける工程（工程Ｉｂ）とを、（工程Ｉａ）−（工程Ｉｂ）又は（工程Ｉｂ）−（工程Ｉａ）の順で備える。
【００６７】
接着フィルムにエネルギー線を照射するのは、ダイシング工程の前であれば、特に限定されず、前記工程Ｉａ、工程Ｉｂの工程のいずれにおいて行なってもよい。例えば、工程Ｉａであれば、半導体ウエハに接着フィルムを貼付した後に接着フィルムにエネルギー線を照射する方法、接着フィルムにエネルギー線を照射した後に半導体ウエハを貼付する方法などが挙げられる。工程Ｉｂであれば、接着フィルムにダイシングテープを貼り付けた後に接着フィルムにエネルギー線を照射する方法、接着フィルムにエネルギー線を照射した後にダイシングテープを貼り付ける方法などが挙げられる。これらのなかでも、接着フィルムにエネルギー線を照射した後にダイシングテープを貼り付け、半導体ウエハに前記接着フィルムを貼付する方法が好ましい。
【００６８】
また、ダイシングテープ一体型接着フィルムとして用いる場合は、例えば、半導体ウエハにダイシングテープ一体型接着フィルムを貼付した後に接着フィルムにエネルギー線を照射する方法、ダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムにエネルギー線を照射した後に半導体ウエハを貼付する方法などが挙げられる。
【００６９】
まず、接着フィルムとダイシングテープをそれぞれ個別に用いる場合について、説明する。
【００７０】
図１には、半導体ウエハＡに接着フィルム１を貼り付ける工程（工程Ｉａ）を、図２には、接着フィルム１に粘着剤層２ａと基材層２ｂとからなるダイシングテープ２を貼り付ける工程（工程Ｉｂ）を、それぞれ示す。
【００７１】
半導体ウエハＡとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体などが使用される。半導体ウエハの厚さは特に制限されないが、１０〜１０００μｍであることが好ましく、２５〜８００μｍであることがより好ましい。
【００７２】
上記工程Ｉａにおける接着フィルム１を半導体ウエハＡに貼り付ける温度、即ち、ラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには、２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜７０℃の範囲であることがさらに好ましい。
【００７３】
工程Ｉｂにおいては、従来公知の方法により、ダイシングテープ２を、接着フィルム１の半導体ウエハＡが貼り付けられている面とは反対の面に貼り付ければよい。貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜６０℃の範囲で行われることが好ましく、１０℃〜４０℃の範囲で行われることがより好ましく、１５℃〜３０℃の範囲で行われることがさらに好ましい。
【００７４】
本発明の半導体装置の製造方法において、工程（Ｉ）は、作業の効率性の点で、ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて行ってもよい。図３には、半導体ウエハＡにダイシングテープ一体型接着フィルム３を貼り付ける工程を示す。半導体ウエハＡにダイシングテープ一体型接着フィルム３を貼り付ける際には、半導体ウエハＡとダイシングテープ一体型接着フィルム３における接着フィルムの１面が接するように貼り付ける。貼り付ける温度、即ち、ラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜７０℃の範囲であることが特に好ましい。
【００７５】
［工程（ＩＩ）］
工程（ＩＩ）では、前記工程Ｉで作製した積層体の前記半導体ウエハ及び前記接着フィルムを切断し、次いで前記接着フィルムと前記ダイシングテープ間で剥離して接着フィルム付き半導体チップを得る。
【００７６】
半導体ウエハ及び前記接着フィルムの切断は、例えばダイシングブレード２３等の切断装置を用いて半導体ウエハＡを切断する。ここで、接着フィルムに切り込みを接着フィルムの厚み方向に入れてもよいし、接着フィルムを完全に切断してもよい。接着フィルム１を完全に切断する工法をフルカット（図４参照）といい、接着フィルム１を完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカット（図５参照）という。半導体ウエハを切断することによって、複数の半導体チップが得られる。接着フィルムに切り込みを入れる場合、次工程のピックアップ工程時にダイシングテープを拡張（エキスパンド）する、ピックアップ工程時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込み部を起点として分割することもできる。これにより個片化した接着フィルム付き半導体チップが得られる。ハーフカットする際の切り込み深さは、好ましくは接着フィルムの厚みの１／１０〜９／１０、より好ましくは１／５〜４／５である。
【００７７】
切断装置としては、一般に上市されているダイサーやブレードを使用することができる。例えば、ダイサーとしては株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが使用できる。ブレードとしては株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。また、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて半導体ウェハを切断してもよい。
【００７８】
［工程（ＩＩＩ）］
工程（ＩＩＩ）では、前記工程（ＩＩ）で得た接着フィルム付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材又は半導体チップに接着することによって半導体装置が得られる。本工程（ＩＩＩ）では、接着フィルム付き半導体チップを搭載用支持部材の半導体チップ搭載部に載せるか、接着フィルム付き半導体チップを半導体チップに積層して、接着フィルムを加熱硬化する。加熱硬化は、通常１００〜２２０℃の間で行われる。この加熱処理によって、本発明の接着フィルムにおける未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分は硬化する。加熱硬化した接着フィルムは、（ａ）エネルギー線重合性化合物が硬化してなる合成粒子が島相を形成し、（ｂ）熱硬化性樹脂及び（ｂ）高分子量成分が硬化して海相を形成している。
【００７９】
本発明の製造方法において、半導体装置の製造方法は、上記工程に制限するものではなく、任意の工程を含み得る。例えば、工程（ＩＩＩ）を行った後には、必要に応じ、ワイヤボンディング工程、封止工程等が含まれるものとする。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８１】
［接着フィルムの組成と製造方法］
（実施例１）
（ａ）エネルギー線重合性化合物として多不飽和アクリレートである、ジペンタエリトリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製、商品名：ＤＰＣＡ）２０質量部、（ｂ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ）３０質量部及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）１０質量部、（ｃ）高分子量成分としてエポキシ基含有アクリル系共重合体であるエポキシ基含有アクリルゴム（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ）５０質量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２）２７質量部、光硬化開始剤として２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバガイギー株式会社製、商品名：イルガキュア６５１）０．３質量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１質量部、シランカップリング剤として日本ユニカー株式会社製、商品名：Ａ−１８９  ０．２５質量部および日本ユニカー株式会社製、商品名：Ａ−１１６０  ０．５質量部とからなる樹脂組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
【００８２】
この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の接着フィルム（ａ−ｉ）を作製した。
【００８３】
上記Ｂステージ状態の接着フィルム（ａ−ｉ）に、紫外線を照射して接着フィルム（ａ−ｉｉ）を得た。接着フィルム（ａ−ｉｉ）を電子顕微鏡で観察したところ、海島構造が形成されていた。島相は（ａ）エネルギー線重合性化合物として用いたジペンタエリトリトールヘキサアクリレートが硬化してなる合成粒子であり、海相は未硬化の（ｂ）熱硬化性樹脂として用いたエポキシ樹脂及び（ｃ）高分子量成分として用いたエポキシ基含有アクリルゴムにより構成されていた。接着フィルム（ａ−ｉｉ）の表面粗さは０．２μｍ以下であり、平滑な表面であることが確認された。
【００８４】
（比較例１）
（ｂ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃを）３０質量部及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）１０質量部、（ｃ）高分子量成分としてエポキシ基含有アクリル系共重合体であるエポキシ基含有アクリルゴム（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ）２８質量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２）２７質量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１質量部、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名：Ｓ０−Ｃ２、比重：２．２ｇ／ｃｍ３、最大粒径５μｍ、平均粒径０．５μｍ）９５質量部、シランカップリング剤として日本ユニカー株式会社製、商品名：Ａ−１８９  ０．２５質量部及び日本ユニカー株式会社製、商品名：Ａ−１１６０  ０．５質量部とからなる樹脂組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
【００８５】
この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の接着フィルム（ｂ−ｉ）を作製した。接着フィルム（ｂ−ｉ）の表面粗さは１〜２μｍであり、フィラー粒子が塗膜表面に飛び出しフィルム表面に凹凸が確認された。
【００８６】
実施例１で得られた接着フィルム（ａ−ｉ）、（ａ−ｉｉ）及び比較例１で得られた接着フィルム（ｂ−ｉ）について下記の諸特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【００８７】
［接着フィルムの評価方法］
（１）ラミネート性
ホットロールラミネータ（６０℃、０．３ｍ／分、０．３ＭＰａ）を用いて、幅１０ｍｍの接着フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後、ＴＯＹＯＢＡＬＷＩＮ製、ＵＴＭ−４−１００型テンシロンを用いて、２５℃の雰囲気中で、９０°の角度で、５０ｍｍ／分の引張り速度で接着フィルムを剥がしたときの９０°ピール強度を求めた。結果を表１に示す。
【００８８】
９０°ピール強度が３０Ｎ／ｍ以上の場合はラミネート性が良好、９０°ピール強度が３０Ｎ／ｍ未満の場合はラミネート性が不良とした。
【００８９】
（２）ハーフカットダイシングによる切断性
ダイシングテープとして、古河電工株式会社製、商品名：ＵＣ３００４Ｍ−８０（膜厚８０μｍ）を用いた。ダイシングテープ上に接着フィルムが積層されるように配置し、これらをホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製、Ｒｉｓｔｏｎ）を用いて２５℃でラミネートしてダイシングテープ一体型接着フィルムを得た。
【００９０】
次にダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルム面にダイシング加工すべき半導体ウエハ（厚さ８０μｍ）を６０℃で貼着した。続いて、ダイシングカッターを用いて半導体ウエハ及び接着フィルムをハーフカットダイシング（切り込み深さ６０μｍ）し、さらに洗浄、乾燥を行い、半導体ウエハに外力を加えた際に少なくとも２以上の半導体チップが得られるように、ウエハを切断可能に加工した。その後、ダイシングテープ一体型接着フィルムを曲げることにより接着フィルムおよび半導体ウエハを５ｍｍ×５ｍｍ角になるように切断して、接着フィルム付き半導体チップを得た（サンプル総数１０個）。ここで、半導体ウエハと接着フィルムが同時に切断されたものが、サンプル総数の９０％以上であったものを切断性良好「○」、９０％未満のものを不良「×」とした。
【００９１】
（３）耐リフロークラック性、耐温度サイクル性
上記（２）で作製した５ｍｍ×５ｍｍ角の接着フィルム付き半導体チップと、厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を１７０℃、１時間、荷重１ｋｇｆの条件で貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と耐温度サイクル試験を適用した。
【００９２】
耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２６０℃でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温で６０秒間放置することにより冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラックを超音波顕微鏡で視察した。サンプル１０個すべてでクラックが発生していないものを「○」とし、１個以上発生していたものを「×」とした。
【００９３】
耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃の雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイクル繰り返した後、超音波顕微鏡を用いて、半導体チップと接着フィルム間の剥離、接着フィルムと配線基板間の剥離、クラック等の破壊がサンプル１０個すべてで発生していないものを「○」、１個以上発生したものを「×」とした。
【００９４】
（４）切断面の平滑性
ダイシングテープとして、古河電工株式会社製、商品名：ＵＣ３００４Ｍ−８０（膜厚８０μｍ）を用いた。ダイシングテープ上に接着フィルムが積層されるように配置し、これらをホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製、Ｒｉｓｔｏｎ）を用いて２５℃でラミネートしてダイシングテープ一体型接着フィルムを得た。
【００９５】
次にダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルム面にダイシング加工すべき半導体ウエハ（厚さ８０μｍ）を６０℃で貼着した。続いて、ダイシングカッターを用いて半導体ウエハ及び接着フィルムをフルカットダイシングして、接着フィルムの切断面の平滑性を観察した。
【表１】
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【００９６】
本発明例の接着フィルム（ａ−ｉｉ）は、６０℃で半導体ウエハに貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、切断面の平滑性に優れている。また、本発明例の接着フィルムを用いて作製した半導体装置は耐リフロークラック性及び耐温度サイクル性が良好であった。
【符号の説明】
【００９７】
Ａ  半導体ウエハ
１  接着フィルム
２  ダイシングテープ
２ａ  粘着剤層
２ｂ  基材層
３  ダイシングテープ一体型接着フィルム
４  ダイシングブレード
５  配線付基板
２３  ダイシングブレード
６  ボンディングワイヤ
７  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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