(57)【要約】  【課題】  配線基板領域の境界において母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供する。  【解決手段】  セラミック焼結体からなる母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列形成されてなり、配線基板領域２の境界２ｂでダイシング加工により分割される多数個取り配線基板９であって、母基板１の配線基板領域２の境界２ｂに、母基板１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔５が、互いに平行に、配線基板領域２の境界２ｂが延びる方向に対して傾斜して形成され、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口の外縁と他方の貫通孔５の下側の開口の外縁とが重なっている多数個取り配線基板９である。ダイシング加工で実際に切断される母基板１の厚さが薄くなるので、欠け等の発生を抑えながら切断速度を速くすることができ、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板９とすることができる。【選択図】  図１
2010171354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記配線基板領域の境界でダイシング加工により切断される多数個取り配線基板であって、
前記母基板の前記配線基板領域の境界に、前記母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、互いに平行に、前記配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方の前記貫通孔の上側の開口の外縁と他方の前記貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記母基板の外周部に複数の前記配線基板領域を取り囲むダミー領域が設けられており、該ダミー領域に、前記配線基板領域の境界に形成された前記貫通孔の前記配線基板領域側の外縁を通り前記配線基板領域の境界と平行に延びる直線に対して前記貫通孔と反対側に、前記直線を外縁の位置とした、前記母基板を厚み方向に貫通する複数のダミー領域内貫通孔が、互いに平行に、前記配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方の前記ダミー領域内貫通孔の上側の開口の外縁と他方の前記ダミー領域内貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔および前記ダミー領域内貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とする請求項２記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するための配線基板となる配線基板領域が複数個、母基板に縦横の並びに配列されてなり、配線基板領域の境界においてダイシング加工により切断される多数個取り配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる四角形板状の絶縁基体の上面に電子部品を搭載するための搭載部を有し、この搭載部またはその周辺から絶縁基体の側面や下面にかけてタングステン等の金属材料から成る複数の配線導体が形成された構造を有している。
【０００３】
このような配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。
【０００４】
多数個取り配線基板は、例えば、平板状の母基板に配線基板となる配線基板領域が縦横の並びに複数個配列形成された構造を有している。
【０００５】
このような多数個取り配線基板は、配線基板領域の境界において母基板にダイシング加工等の切断加工を施すことにより、個片の配線基板に分割される。ダイシング加工は、ダイヤモンドや酸化アルミニウム等からなる粒状の研削材（砥粒）を樹脂等の結合材で結合してなる円盤状のダイシングブレードを高速で回転させて母基板を切断することにより行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2005−129912号公報
【特許文献２】特開2005−276855号公報
【特許文献３】特開2005−311231号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板は、ダイシングブレードを用いて母基板を分割する際に、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体等からなる、例えば厚みが約１〜３ｍｍ程度と比較的厚い母基板を切断する必要があるため、切断の速度を速くすることが難しい。また、切断の速度を速くするためにダイシングブレードの回転速度や母基板の送り速度を無理に速くした場合には、母基板に負荷がかかって欠けや亀裂等が発生しやすくなるという問題があった。このような欠けや亀裂が発生すると、個片の配線基板に、欠けや亀裂に伴う配線導体の断線や寸法不良等の不具合を発生させやすくなる。そのため、母基板を分割する際の作業性を高めることが難しく、個片の配線基板の生産性を高くすることが難しいという問題があった。
【０００８】
特に、近年、搭載される電子部品の高機能化，高集積化に応じて電子部品と電気的に接続される配線導体数が増える傾向があり、多数の配線導体を形成するスペースを確保するために母基板（個片の絶縁基体）の厚さが、例えば約３ｍｍ以上と厚くなる場合もある。また、母基板を形成する材料として、酸化アルミニウム質焼結体に比べて機械的な強度が低く欠け等が発生しやすいガラスセラミック焼結体が多く用いられるようになってきている。そのため、前述したような欠け等の不具合の防止や分割時の作業性の向上がさらに難しくなってきている。
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、配線基板領域の境界でダイシング加工により母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の多数個取り配線基板は、セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記配線基板領域の境界でダイシング加工により切断される多数個取り配線基板であって、前記母基板の前記配線基板領域の境界に、前記母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、互いに平行に、前記配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方の前記貫通孔の上側の開口の外縁と他方の前記貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記母基板の外周部に複数の前記配線基板領域を取り囲むダミー領域が設けられており、該ダミー領域に、前記配線基板領域の境界に形成された前記貫通孔の前記配線基板領域側の外縁を通り前記配線基板領域の境界と平行に延びる直線に対して前記貫通孔と反対側に、前記直線を外縁の位置とした、前記母基板を厚み方向に貫通する複数のダミー領域内貫通孔が、互いに平行に、前記配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方の前記ダミー領域内貫通孔の上側の開口の外縁と他方の前記ダミー領域内貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記ダミー領域内貫通孔を備えた構成において、前記貫通孔および前記ダミー領域内貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の多数個取り配線基板によれば、セラミック焼結体からなる母基板の配線基板領域の境界に、母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、互いに平行に、配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方の貫通孔の上側の開口の外縁と他方の貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっていることから、ダイシング加工される配線基板領域の境界で、貫通孔の分、母基板の厚さを薄くすることができる。すなわち、複数の貫通孔は、互いに平行であり、配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜しているため、母基板の切断される厚さを、それぞれの貫通孔によってほぼ同じ程度に薄くすることができる。また、隣り合う一方の貫通孔の上側の開口の外縁と他方の貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっているため、このような厚みが薄い部分を、配線基板領域の境界に沿って途切れることなく形成することができる。
【００１５】
そのため、母基板のダイシング加工で実際に切断される厚さが薄くなるので、ダイシング加工をより容易とすることができ、切断速度を速くすることができる。したがって、本発明の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域の境界でダイシング加工により母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供することができる。
【００１６】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、母基板の外周部に複数の配線基板領域を取り囲むダミー領域が設けられ、そのダミー領域に、配線基板領域の境界に形成された貫通孔の配線基板領域側の外縁を通り配線基板領域の境界と平行に延びる直線に対して空間と反対側に、その直線を外縁の位置とした、母基板を厚み方向に貫通する複数のダミー領域内貫通孔が、互いに平行に、配線基板領域の境界が延びる方向に対して傾斜して形成されており、隣り合う一方のダミー領域内貫通孔の上側の開口の外縁と他方のダミー領域内貫通孔の下側の開口の外縁とが平面視で重なっている場合には、ダミー領域において、ダミー領域内貫通孔により、上記の貫通孔と同様に母基板の切断を容易とする効果を得ることができる。また、ダイシング加工に用いるダイシングブレードの磨耗にばらつきが生じることを抑制することが可能な多数個取り配線基板とすることができる。
【００１７】
すなわち、配線基板領域の境界に形成された貫通孔は、個片の配線基板の側面に貫通孔の跡が残ることを防ぐために、母基板のダイシングブレードで切断される幅（ダイシングブレードの幅）よりも狭く設定する場合がある。この場合、貫通孔が形成されている部分（ダイシングブレードの幅方向の中央部分）では、母基板の実際に切断される厚さが薄いため、ダイシングブレードの磨耗が、その外側の貫通孔が形成されていない部分（ダイシングブレードの幅方向の外周部分）に比べて小さくなる傾向がある。
【００１８】
これに対し、上記のようにダミー領域内貫通孔を形成しておけば、ダミー領域では、ダミー領域内貫通孔の分、ダイシングブレードの幅方向の外周部分で磨耗を小さくすることができる。そのため、ダミー領域内貫通孔の分、配線基板領域の境界におけるダイシングブレードの磨耗のばらつきを打ち消して、ダイシングブレードの磨耗のばらつきを抑制することができる。なお、配線基板領域の境界に形成された貫通孔の配線基板領域側の外縁を通り配線基板領域の境界と平行に延びる直線は、このダイシングブレードの磨耗に差が生じる可能性がある中央部分と外周部分との境界に相当する。
【００１９】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されている場合には、この樹脂材をダイシングブレードが切断する際に、ダイシングブレードの表面に露出している砥粒と樹脂材に分散された硬質粒子との接触により、磨耗した砥粒を脱落させることができる。そのため、結合材の内部の砥粒が新たにダイシングブレードの表面に露出することが促進され、ダイシングブレードの母基板を切断する機能（切断力）をより確実に高く維持することができる。したがって、この場合には、ダイシング加工による母基板の分割の作業性をより高くすることが可能な多数個取り配線基板とすることができる。
【００２０】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記ダミー領域内貫通孔を備えた構成において、貫通孔およびダミー領域内貫通孔の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されている場合には、上記と同様に貫通孔の内面に被着させた樹脂材および硬質粒子により、ダイシング加工の作業性をより高くする効果を得ることができる。これに加えて、ダミー領域内貫通孔の内面に被着された樹脂材をダイシングブレードが切断する際に、ダイシングブレードの幅方向の外周部分においても、上記と同様にダイシングブレードにおける磨耗した砥粒の脱落と新たな砥粒の露出とを促進することができる。
【００２１】
したがって、この場合には、ダイシングブレードの幅方向の全域において、ダイシングブレードの磨耗および切断力のばらつきをより効果的に抑制することができるため、ダイシング加工による母基板の分割の作業性をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の平面図であり、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ（ａ）のＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線における断面図である。
【図２】図１に示す多数個取り配線基板の要部を示す要部拡大平面図である。
【図３】本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図であり、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。
【図７】本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線における断面図である。図１において、１は母基板、２は配線基板領域である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列されて多数個取り配線基板９が基本的に形成されている。
【００２５】
母基板１は、ガラスセラミック焼結体，酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁材料により形成されている。
【００２６】
母基板１に配列された複数の配線基板領域２は、それぞれが個片の配線基板（図示せず）となる領域である。母基板１が配線基板領域２の境界２ｂにおいて切断されることにより、複数の配線基板が同時集約的に製作される。
【００２７】
個片の配線基板が電子部品搭載用基板として使用される場合には、配線基板領域２の上面の中央部や下面等に電子部品の搭載部が設けられる。この実施の形態の例においては、配線基板領域２の上面の中央部に凹部２ａが設けられ、その凹部２ａの底面が電子部品の搭載部（符号なし）とされた例を示している。
【００２８】
なお、母基板１は、このような凹部２ａを配線基板領域２に有しているものである必要はなく、平板状のもの（図示せず）として、配線基板領域２の平坦な上面や下面の一部を搭載部としたものでもよい。
【００２９】
搭載部に搭載される電子部品（図示せず）としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００３０】
電子部品は、搭載部に、例えばエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂接着剤や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｐｂ等のはんだや、ガラス等で接着される。
【００３１】
また、この例においては、母基板１に、搭載部の外周部分から配線基板領域２の下面にかけて配線導体３が形成されている。配線導体３は、搭載部に搭載される電子部品と電気的に接続されて、電子部品を外部の電気回路に電気的に接続する導電路として機能する。
【００３２】
配線導体３は、銅や銀，パラジウム，白金，金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料により形成されている。
【００３３】
電子部品と配線導体３との電気的な接続は、例えば、配線導体３のうち搭載部の周辺に露出している部位に電子部品の電極（図示せず）を、ボンディングワイヤやはんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して接続することにより行なうことができる。
【００３４】
このような、それぞれが配線導体３を有する複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１は、例えばガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。
【００３５】
まず、酸化ケイ素や酸化ホウ素等のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とを主成分する原料粉末を、有機溶剤，バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。次に、銅や銀等の金属材料の粉末を有機溶剤，バインダとともに混練して、金属ペーストを作製する。次に、セラミックグリーンシートを母基板１の形状および寸法に切断するとともに、配線基板領域２となる領域のそれぞれに、所定の配線導体３のパターンにスクリーン印刷法等の印刷法で金属ペーストを印刷する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層した後、約900〜1000℃程度の焼成温度で焼成することにより、それぞれが配線導体３を有する複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１を製作することができる。
【００３６】
なお、母基板１は、未焼成のセラミック材料を金型等を用いて所定の板状に成型し、これを焼成することにより製作することもできる。
【００３７】
なお、この実施の形態の例において、母基板１の外周には、配列された複数の配線基板領域２を取り囲むようにダミー領域４が設けられている。ダミー領域４は、多数個取り配線基板９の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。また、ダミー領域４は、配線導体３の露出表面にニッケルや金等のめっき層（図示せず）を被着させるための電解めっきを施すときに、めっき用の電流を流す導電路（図示せず）を形成するためのスペースとして機能させることもできる。
【００３８】
多数個取り配線基板９は、配線基板領域２の境界２ｂ（この例では、配線基板領域２同士の境界および配線基板領域２とダミー領域４との境界）においてダイシング加工を施して個々の配線基板領域２毎に切断することにより、個片の配線基板に分割される。
【００３９】
ダイシング加工による母基板１の切断は、ダイヤモンド等の砥粒がガラスや樹脂材料等の結合材で結合されてなるダイシングブレードを高速（約5000〜15000回転／分）で回転させて、配線基板領域２の境界２ｂにおいて母基板１を切断することにより行なわれる。ダイシングブレードの母基板１に対する位置決めは、例えば母基板１にあらかじめ位置決め用のマーク（図示せず）を形成しておいて、その位置を画像認識装置で認識させることにより行なう。この位置決め用のマークは、例えば配線導体３と同様の材料を用い、同様の方法で母基板１に形成することができる。また、位置決め用のマークは、母基板１を形成するのと同様の材料に顔料等の着色剤を添加して形成したパターンや、母基板１の外縁部分等の一部を切り欠いてなる切り欠き部等により形成してもよい。
【００４０】
また、この多数個取り配線基板９は、例えば上記の図１（ｃ）や図２に示すように、母基板１の配線基板領域２の境界２ｂに、母基板１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔５が、互いに平行に、配線基板領域２の境界２ｂが延びる方向に対して傾斜して形成されている。また、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口の外縁と他方の貫通孔５の下側の開口の外縁とが重なっている。なお、図２は、図１に示す多数個取り配線基板９の要部を拡大して示す要部拡大平面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４１】
多数個取り配線基板９について、上記構成を備えることから、ダイシング加工される配線基板領域２の境界２ｂで、貫通孔５の分、母基板１の厚さを薄くすることができる。すなわち、複数の貫通孔５は、互いに平行であり、配線基板領域２の境界２ｂが延びる方向に対して傾斜しているため、母基板１の切断される厚さを、それぞれの貫通孔５においてほぼ同じ程度に薄くすることができる。また、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口の外縁（符号なし）と他方の貫通孔５の下側の開口の外縁（符号なし）とが平面視で重なっているため、このような厚みが薄い部分を、配線基板領域２の境界２ｂに沿って途切れることなく設けることができる。
【００４２】
そのため、母基板１のダイシング加工で実際に切断される厚さが薄くなるので、ダイシング加工をより容易とすることができ、切断速度を速くすることができる。したがって、本発明の多数個取り配線基板９によれば、配線基板領域２の境界２ｂでダイシング加工により母基板１を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００４３】
なお、貫通孔５が配線基板領域２の境界２ｂが延びる方向に対して傾斜していない（直交している）と、配線基板領域２の境界２ｂにおいて貫通孔５が形成された部分と形成されていない部分とが交互に存在することになるので、ダイシング加工時の加工性（切削しやすさ）がばらつき、母基板１の切断を容易とする効果が低くなる可能性がある。そのため、貫通孔５は、互いに平行に、配線基板領域２の境界２ｂに対して傾斜して形成され、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口（符号なし）の外縁と他方の貫通孔５の下側の開口（符号なし）の外縁とが接し合うように、つまり同じ程度に厚みが薄くなった部分が配線基板領域２の境界２ｂに沿って続くように形成されている。
【００４４】
このような貫通孔５は、例えば、母基板１となるセラミックグリーンシートのうち配線基板領域２の境界２ｂに、レーザ光による孔あけ加工等の孔あけ加工を施すことにより形成することができる。なお、貫通孔５を、母基板１となるセラミックグリーンシートに傾斜させて形成するには、例えば、レーザ光を鏡で屈曲させてセラミックグリーンシートの主面に対して傾斜させて照射すればよい。
【００４５】
なお、それぞれの貫通孔５における母基板１の厚みを薄くする作用は、貫通孔５の長さ方向に直交する方向における断面の面積が同じであれば、境界２ｂに対する角度（母基板１の境界２ｂに沿った縦断面において貫通孔５の内側面と境界２ｂにおける母基板１の主面とのなす角度）が直角に近いほど大きくなる。ただし、この角度が直角に近づくほど、配線基板領域２の境界２ｂにより多くの貫通孔５を形成する必要があるため、多数個取り配線基板９の生産性を低下させる可能性がある。また、配線基板領域２の境界２ｂにおける母基板１の機械的な強度が低くなるため、この境界２ｂ付近で亀裂等の不具合を生じやすくなる可能性がある。また、貫通孔５の境界２ｂに対する角度が小さくなり過ぎると、個々の貫通孔５の長さが長くなり、孔あけの作業が難しくなる傾向がある。そのため、貫通孔５の境界２ｂの上下面に対する角度は、約45〜65度の範囲が適当である。
【００４６】
また、貫通孔５は、配線基板領域２の境界２ｂにおける母基板１の厚みを境界２ｂに沿って同じ程度に薄くする上では、上下の開口が四角形状であるものが適している。貫通孔５の上下の開口を四角形状としておけば、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口の外縁と他方の貫通孔５の下側の開口の外縁とを平面視で重ねたときに、例えば開口がともに円形状であるような場合に比べて、両者の間に隙間が生じることを防ぐことが容易である。
【００４７】
なお、隣り合う一方の貫通孔５の上側の開口の外縁と他方の貫通孔５の下側の開口の外縁との平面視における重なりの範囲は、例えばこのような貫通孔５を形成する作業における加工精度程度の範囲（数十μｍ程度）であれば、ばらついてもかまわない。
【００４８】
貫通孔５の上下の開口を四角形状とするには、例えば、貫通孔５の横断面（母基板１の厚み方向と直交する方向における断面）が四角形状となるように、四角形状の孔（レーザが通過する部分）を設けたマスク材を通して照射範囲を四角形状としたレーザ光をセラミックグリーンシートに照射し、孔あけ加工をすればよい。
【００４９】
また、貫通孔５のそれぞれの開口および横断面の寸法は、母基板１を構成する材料や母基板１の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。例えば、母基板１がホウケイ酸系のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とを主成分としたガラスセラミック焼結体からなり、厚さが１〜３ｍｍ程度の場合であれば、貫通孔５は、横断面の１辺の長さが約0.1〜0.3ｍｍ程度の四角形状に形成すればよい。この場合、配線基板領域２の境界２ｂに対する貫通孔５の傾斜の角度を約60度に設定すれば、平面視したときの貫通孔５の長さは、母基板１の厚さの約（１／√３）倍なので約0.6〜1.7ｍｍ程度である。そして、このような貫通孔５が、例えば母基板１の長さが約30〜50ｍｍ程度の母基板１において、配線基板領域２の境界２ｂのそれぞれに約17〜83個程度ずつ配列形成される。
【００５０】
なお、貫通孔５の開口は四角形状（長方形状）に限らず、例えば図３に示すように、四角形状であって辺部分に凹凸がある形状や、円形状や楕円形状のものでもよく、複数の貫通孔５のそれぞれで互いに異なる形状でもよい。なお、図３は、本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５１】
開口が円形状や楕円形状の貫通孔５は、例えばレーザ光を用いた加工による形成が、マスク材による照射範囲の調整等が不要なので、四角形状の場合に比べて容易である。また、開口が、四角形状であって辺部分に凹凸がある形状の貫通孔５は、例えば、形成しようとする貫通孔５よりも小さい範囲に絞った円形状のレーザ光を用い、複数回に分けて孔あけ加工を繰り返したことにより形成されたものである。この円形状のレーザ光の外形に応じて、開口の辺部分の一部が円弧状に凸になっている。この場合にも、マスク材を用いてレーザ光の照射範囲を四角形状とすることなく開口が四角形状に近い貫通孔５を形成することができるので、その分の作業性を向上させる上では有効である。
【００５２】
また、貫通孔５の幅（母基板１の主面において境界２ｂに直交する方向における寸法）は、配線基板領域２の境界２ｂの、ダイシング加工により切断される幅、つまり切断に用いるダイシングブレードの幅よりも少し狭いものであることが好ましい。貫通孔５の幅がダイシングブレードの幅より大きい場合には、切断した後の個片の配線基板の側面に貫通孔５の跡が残り、外観不良や寸法不良等の不具合を発生させる可能性がある。
【００５３】
例えば、ダイシングブレードの幅が約50〜300μｍであれば、貫通孔５の幅は、それよりも５〜30μｍ程度（ダイシングブレードの幅に対して約10％程度）狭い寸法に設定すればよい。
【００５４】
このような貫通孔５を形成した多数個取り配線基板９について、例えば母基板１が上記のようなホウケイ酸系ガラスと酸化アルミニウムとを主成分としてなるガラスセラミック焼結体であり、１辺の長さが37.5ｍｍの正方形板状の場合において、母基板１の厚みが約３ｍｍ程度である場合を例に挙げれば、以下のように切断速度を効果的に速くすることが可能であることが確認されている。なお、貫通孔５は、上下の開口が0.2×0.23ｍｍの長方形状であり、配線基板領域２の境界２ｂに対して60度の角度で傾斜しているものとした。貫通孔５は、マスク材を用いて照射範囲を１辺が0.2ｍｍの正方形状としたレーザ光を用いて形成し、貫通孔５の長さ方向に直交する方向での断面形状は、１辺の長さが約0.2ｍｍの正方形状であった。
【００５５】
この場合、刃厚が約0.05ｍｍのダイシングブレード（砥粒としてダイヤモンドを用いたもの）を約5000回転／分で回転させて母基板１を切断したとき、約20ｍｍ／秒以上の速度で切断した場合にも、切断された個片の配線基板における欠け等の不良の発生率は約0.05％以下に抑えることができた。
【００５６】
これに対し、このような貫通孔５を形成しない、従来の多数個取り配線基板（図示せず）の場合であれば、上記と同様の条件において、母基板の切断速度は約15ｍｍ／秒程度が上限であり、これ以上速くしたときには亀裂等の不良の発生が約１％程度に増えてしまうことが確認された。
【００５７】
また、この多数個取り配線基板９は、例えば図４（ａ）および（ｂ）に示すように、貫通孔５の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子８が分散された樹脂材７が被着されている場合には、この樹脂材７をダイシングブレード（図示せず）が切断する際に、ダイシングブレードの表面に露出している砥粒（図示せず）と樹脂材７に分散された硬質粒子８との接触により、磨耗した砥粒を脱落させることができる。そのため、結合材の内部の砥粒が新たにダイシングブレードの表面に露出することが促進され、ダイシングブレードによる母基板１を切断する力（切断力）をより確実に高く維持することができる。したがって、この場合には、ダイシング加工による母基板１の分割の作業性をより高くすることが可能な多数個取り配線基板９とすることができる。なお、図４（ａ）は本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の破線で囲んだ一部分をさらに拡大して示す要部拡大断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５８】
なお、硬質粒子８は、樹脂材７と結合しているだけであるため、母基板１に比べて研削されやすい樹脂材７が研削されるのに伴って母基板１から容易に脱落して除去される。そのため、このような樹脂材７および硬質粒子８が貫通孔５の内面に被着していたとしても、これらの樹脂材７および硬質粒子８が母基板１の切断の妨げになるような可能性は小さい。
【００５９】
樹脂材７としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂等の熱硬化性や光（紫外線）硬化性の樹脂材料が用いられる。
【００６０】
また、硬質粒子８は、ダイヤモンドや酸化アルミニウム質焼結体からなる砥粒と硬さの差が小さい材料が用いられる。このような硬質粒子８としてのセラミック材料には、酸化アルミニウム質焼結体，窒化ホウ素質焼結体，窒化ケイ素質焼結体，炭化ケイ素質焼結体等の材料を用いることができる。また、硬質粒子８としての酸化ケイ素は、例えば石英やクリストバライト等の結晶性の二酸化ケイ素を用いることができる。
【００６１】
また、硬質粒子８の形状は、球状や表面に凹凸を有する球状，不定形の破片状等である。このような硬質粒子８は、例えば、より大きな石英や酸化アルミニウム等の原材料を機械的な加工で粉砕する方法等の方法により製作することができる。
【００６２】
このような硬質粒子８が分散された樹脂材７は、例えば、硬質粒子８である酸化ケイ素の粉末をエポキシ樹脂の未硬化物とともに混練して、ペースト状の樹脂材に酸化ケイ素の粉末が分散されてなる混合物（図示せず）を作製し、その後、この混合物を母基板１の貫通孔５の少なくとも内面に、真空吸引しながらスクリーン印刷する方法等の印刷法で塗布した後、樹脂の未硬化物を加熱や紫外線照射等の硬化手段で硬化させることにより形成することができる。この場合の酸化ケイ素の粉末としては、平均粒径が約10〜30μｍの球状のもの等を用いることができる。また、硬質粒子８の添加量は、ダイシングブレードからの磨耗した砥粒の脱落を効果的に促進させるとともに、樹脂材７への分散を均一なものとするために、例えば樹脂材７に対して20〜80質量％程度とすればよい。
【００６３】
また、このようなペースト状の樹脂材と硬質粒子８との混合物について、貫通孔５内への印刷を容易とするために、エチルセロソルブアセテートや酢酸ブチル，トルエン，キシレン等の有機溶剤を用いて粘度を調整してもよい。
【００６４】
なお、硬質粒子８が分散された樹脂材７は、貫通孔５の内面に層状に被着されているものに限らず、図５（ａ）に示すように、貫通孔５を充填しているものでもよい。この場合には、ダイシングブレードと接触する樹脂材７の量をより大きくすることが容易であるため、ダイシングブレードにおける新たな砥粒の露出をより効果的に促進することができる。
【００６５】
また、硬質粒子８が分散された樹脂材７は、例えば図５（ｂ）に示すように、部分的に厚みが異なるようなものでもよい。この場合には、例えば、母基板１の上面や下面に近い部分で樹脂材７の厚みを薄くすれば、この樹脂材７が母基板１の上面や下面に沿って広がり、配線基板領域２の配線導体３に誤って付着するようなことを防止する上でより有効である。このような部分的に厚みが異なる樹脂材７は、例えばペースト状の混合物の粘度や、真空吸引の真空度等を調整して印刷厚みを調整することにより被着させることができる。なお、図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図５において図１および図４と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６６】
また、硬質粒子８が分散された樹脂材７は、例えば図６に示すように、貫通孔５の開口が四角形状のときに、配線基板領域２の境界２ｂに直交する辺のみに被着させるようにしてもよい。この場合には、ダイシングブレードの幅方向において、ダイシング加工時に同じ程度の厚みで樹脂材７が接触するので、磨耗した砥粒を脱落させる効果をダイシングブレードの幅方向において同じ程度に揃える上で有効である。なお、図６は、本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図６において図１および図４と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６７】
この多数個取り配線基板９において、例えば図７に示すように、母基板１の外周部に複数の配線基板領域２を取り囲むダミー領域４が設けられており、そのダミー領域４に、配線基板領域２の境界２ｂに形成された貫通孔５の配線基板領域２側の外縁を通り配線基板領域２の境界２ｂと平行に延びる直線Ｌに対して貫通孔５と反対側に、直線Ｌを外縁の位置とした、母基板１を厚み方向に貫通する複数のダミー領域内貫通孔６が、互いに平行に、配線基板領域２の境界２ｂが延びる方向に対して傾斜して、隣り合う一方のダミー領域内貫通孔６の上側の開口の外縁と他方のダミー領域内貫通孔６の下側の開口の外縁とが平面視で重なるように形成されている場合には、ダミー領域４において、ダミー領域内貫通孔６により、上記の貫通孔５と同様に母基板１の切断を容易とする効果を得ることができる。また、ダイシング加工に用いるダイシングブレードの磨耗にばらつきが生じることを抑制することが可能な多数個取り配線基板９とすることができる。なお、図７は、本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図７において、図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６８】
すなわち、配線基板領域２の境界２ｂに形成された貫通孔５は、個片の配線基板の側面に貫通孔５の跡が残ることを防ぐために、母基板１のダイシングブレードで切断される幅（ダイシングブレードの幅）よりも狭く設定する場合がある。この場合、貫通孔５が形成されている部分（ダイシングブレードの幅方向の中央部分）では、母基板１の実際に切断される厚さが薄いため、ダイシングブレードの磨耗が、その外側の貫通孔５が形成されていない部分（ダイシングブレードの幅方向の外周部分）に比べて小さくなる傾向がある。これに対し、上記のようにダミー領域内貫通孔６を形成しておけば、ダミー領域４では、ダミー領域内貫通孔６の分、母基板１の切断される厚さが薄くなるため、ダイシングブレードの幅方向の外周部分で、中央部部分に比べて磨耗を小さくすることができる。そのため、ダミー領域内貫通孔６の分、配線基板領域２の境界２ｂにおけるダイシングブレードの磨耗を打ち消して、ダイシングブレードの磨耗のばらつきを抑制することができる。
【００６９】
また、ダミー領域内貫通孔６の分、母基板１のダイシング加工で切断される厚さを薄くすることもできるので、ダイシング加工の作業性を良好に確保することもできる。
【００７０】
なお、配線基板領域２の境界２ｂに形成された貫通孔５の配線基板領域２側の外縁を通り配線基板領域２の境界２ｂと平行に延びる直線Ｌは、このダイシングブレードの磨耗に差が生じる可能性がある、ダイシングブレードの幅方向の中央部分と外周部分との境に相当する。ダミー領域内貫通孔６が、この直線Ｌを外縁の位置として形成されているので、直線Ｌを境として生じるダミーブレードの磨耗の差を効果的に打ち消し合わせる（幅方向において磨耗の程度を均す）ことができる。
【００７１】
ダミー領域内貫通孔６についても、配線基板領域２の境界２ｂに形成した貫通孔５と平行になるように形成すればよい。
【００７２】
ダミー領域内貫通孔６は、直線Ｌとダイシングブレードで切断される範囲の外縁との間に形成されていれば、ダイシングブレードの磨耗を均す効果を得ることができるが、母基板１のダイシングブレードにより切断される範囲よりも外側まで延びて形成されていてもよい。
【００７３】
このようなダミー領域内貫通孔６は、直線Ｌを外縁の位置とするため、開口および横断面が、直線Ｌ側の外縁が直線状である形状、例えば長方形状や正方形状、平行四辺形状等の四角形状に形成される。
【００７４】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、貫通孔５およびダミー領域内貫通孔６の少なくとも内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子８が分散された樹脂材７が被着されている場合には、前述した場合と同様に、貫通孔５の内面に被着させた樹脂材７および硬質粒子８により、ダイシング加工の作業性をより高くする効果を得ることができる。これに加えて、ダミー領域内貫通孔６の内面に被着された樹脂材（図示せず）をダイシングブレードが切断する際に、ダイシングブレードの幅方向の外周部分においても、前述した貫通孔６の内面に同様の樹脂材７を被着させた場合と同様にダイシングブレードにおける磨耗した砥粒の脱落と新たな砥粒の露出とを促進することができる。したがって、この場合には、ダイシングブレードの幅方向の全域において、ダイシングブレードの磨耗および切断力のばらつきをより効果的に抑制することができるため、ダイシング加工による母基板１の分割の作業性をさらに向上させることができる。
【００７５】
ダミー領域内貫通孔６の内面に被着させる硬質粒子が分散された樹脂材は、貫通孔５の内面に被着させる樹脂材７および硬質粒子８と同様の材料を用いることができる。これらの硬質粒子（８）が分散された樹脂材（７）は、前述の貫通孔５の場合と同様の方法により、同様の形態でダミー領域内貫通孔６の内面に被着させればよい。
【００７６】
また、多数個取り配線基板９の個片への分割は、配線基板領域２に電子部品を搭載した後で行なってもよい。配線基板領域２に電子部品を搭載した後にダイシング加工を行なうときに、特に電子部品がＭＥＭＳ素子や弾性表面波素子のように機械的な動きをする機構を有するものの場合には、ダイシングに伴う切削屑が電子部品に付着すると、その機械的な動きが妨げられて誤作動する可能性が大きくなる。そのため、この場合には、まず蓋体や封止樹脂等の封止手段（図示せず）で電子部品を封止してから、母基板１にダイシング加工を施すことが好ましい。
【００７７】
個片の配線基板に電子部品が搭載されてなる電子装置は、コンピュータや携帯電話，デジタルカメラ，加速度や圧力等の各種センサ等の種々の電子機器において部品として使用される。電子装置と電子機器（電子機器を構成する回路基板等）との電気的な接続は、例えば配線導体３のうち配線基板（配線基板領域２）の下面に露出する部位を、はんだや導電性接着剤等の導電性接合材を介して接合することにより行なわせることができる。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・母基板
２・・・配線基板領域
２ａ・・凹部
２ｂ・・配線基板領域の境界
３・・・配線導体
４・・・ダミー領域
５・・・貫通孔
６・・・ダミー領域内貫通孔
７・・・樹脂材
８・・・硬質粒子
９・・・多数個取り配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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