(57)【要約】【課題】あらゆる方向から飛来する電磁波を簡単な構成で遮断することができ、安価に製造することができる音響的トランスデューサユニットを提供する。【解決手段】（ａ）開口３９と、開口３９に連通する空洞部３８とを有する第１部材３０と、（ｂ）第１部材３０に接合され、第１部材３０の開口３９を塞ぐ第２部材２０と、（ｃ）音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部４を有し、第１部材３０の空洞部３８と第２部材２０とにより形成された内部空間４０内に配置される音響変換素子２とを備える。第１部材３０と第２部材２０のうち少なくとも一方３０に、内部空間と外部空間とを連通する音響経路３６が形成されている。第１部材３０及び第２部材２０は、高誘電率材料からなる。【選択図】図２
2010258720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、
前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、
音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子と、
を備え、
前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成され、
前記第１部材及び前記第２部材は高誘電率材料からなることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
【請求項２】
開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、
前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、
音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子と、
を備え、
前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成され、
前記第１部材は導電材料からなり、前記第２部材は高誘電率材料からなることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
【請求項３】
開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、
前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、
音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子と、
を備え、
前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成され、
前記第１部材は高誘電率材料からなり、前記第２部材は導電材料からなることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
【請求項４】
両端に開口を有し、該開口間を連通する中空穴が形成された中間部材と、
前記中間部材の両端にそれぞれ接合され、前記開口を塞ぐ第１及び第２の端部材と、
音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記中空部材の前記中空穴と前記第１及び第２の端部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子と、
を備え、
前記中間部材と前記第１の端部材と前記第２の端部材とのうち少なくとも１つに、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成され、
前記中間部材と前記第１及び第２の端部材とのうち、一方は高誘電率材料からなり、他方は導電材料からなることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
【請求項５】
前記高誘電率材料の比誘電率が１０以上であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項６】
前記高誘電率材料の比誘電率が３０以上であることを特徴とする、請求項５に記載の音響的トランスデューサユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響的トランスデューサユニットに関し、詳しくは、マイクやスピーカーなどの音響変換素子がハウジング内に収納された音響的トランスデューサユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、音響的トランスデューサユニットについて、電磁干渉信号（ノイズ）を防ぐための構成が種々提案されている。
【０００３】
例えば図１０の断面図に示すマイクロフォンパッケージ１０１は、セラミック多層基板１０３に形成された凹部１１３の底面１１３ａにマイクロフォンチップ１０５やＬＳＩチップ１０７が搭載され、凹部１１３を覆うように、セラミック多層基板１０３の上面１０３ａに蓋部材１３１が接合されている。蓋部材１３１は導電材料で形成されており、蓋部材１３１を透過する電磁気的なノイズを遮断することができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６６９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１０の構成において、セラミック多層基板１０３自体に電磁波のシールド機能を持たせることは開示されていない。そのため、側面や底面から飛来し、セラミック多層基板１０３を透過する電磁波の影響を受けやすい。
【０００６】
これに対しては、例えばセラミック多層基板１０３に導電層を形成するなどして、周囲を導電材料で取り囲み、電磁シールドすることが考えられる。しかし、そのためには構成が複雑にならざるを得ないため、作りにくく、製造コストの増大を招く。また、電磁シールドのための構成によって、設計の自由度が制約される。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、あらゆる方向から飛来する電磁波を簡単な構成で遮断することができ、安価に製造することができる音響的トランスデューサユニットを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
【０００９】
音響的トランスデューサユニットは、（ａ）開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、（ｂ）前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、（ｃ）音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子とを備える。前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成されている。前記第１部材及び前記第２部材は、高誘電率材料からなる。
【００１０】
上記構成において、音響変換素子の音響変換素子部は、高誘電率材料によって周囲が取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料を透過する際に主に反射により減衰するので、あらゆる方向から飛来する電磁波を遮断することができる。第１部材及び第２部材自体を高誘電率材料で形成すればよいので、簡単な構成にすることができる。
【００１１】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
【００１２】
音響的トランスデューサユニットは、（ａ）開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、（ｂ）前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、（ｃ）音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子とを備える。前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成されている。前記第１部材は導電材料からなり、前記第２部材は高誘電率材料からなる。
【００１３】
上記構成において、音響変換素子の音響変換素子部は、高誘電率材料又は導電材料によって周囲が取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料又は導電材料を透過する際に主に反射により減衰するので、あらゆる方向から飛来する電磁波を遮断することができる。第１部材自体を導電材料で、第２部材自体を高誘電率材料で形成すればよいので、簡単な構成にすることができる。
【００１４】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
【００１５】
音響的トランスデューサユニットは、（ａ）開口と、該開口に連通する空洞部とを有する第１部材と、（ｂ）前記第１部材に接合され、前記第１部材の前記開口を塞ぐ第２部材と、（ｃ）音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記第１部材の前記空洞部と前記第２部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子とを備える。前記第１部材と前記第２部材のうち少なくとも一方に、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成されている。前記第１部材は高誘電率材料からなり、前記第２部材は導電材料からなる。
【００１６】
上記構成において、音響変換素子の音響変換素子部は、高誘電率材料又は導電材料によって周囲が取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料又は導電材料を透過する際に主に反射により減衰するので、あらゆる方向から飛来する電磁波を遮断することができる。第１部材自体を高誘電率材料で、第２部材自体を導電材料で形成すればよいので、簡単な構成にすることができる。
【００１７】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
【００１８】
音響的トランスデューサユニットは、（ａ）両端に開口を有し、該開口間を連通する中空穴が形成された中間部材と、（ｂ）前記中間部材の両端にそれぞれ接合され、前記開口を塞ぐ第１及び第２の端部材と、（ｃ）音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子部を有し、前記中空部材の前記中空穴と前記第１及び第２の端部材とにより形成された内部空間内に配置される音響変換素子とを備える。前記中間部材と前記第１の端部材と前記第２の端部材とのうち少なくとも１つに、前記内部空間と外部空間とを連通する音響経路が形成されている。前記中間部材と前記第１及び第２の端部材とのうち、一方は高誘電率材料からなり、他方は導電材料からなる。
【００１９】
上記構成において、音響変換素子の音響変換素子部は、高誘電率材料又は導電材料によって周囲が取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料又は導電材料を透過する際に主に反射により減衰するので、あらゆる方向から飛来する電磁波を遮断することができる。中間部材及び端部材自体を、導電材料又は高誘電率材料で形成すればよいので、簡単な構成にすることができる。
【００２０】
好ましくは、上記各構成において、前記高誘電率材料の比誘電率が１０以上である。
【００２１】
この場合、高誘電率材料によって、１０ｄＢ以上の電磁シールド効果が期待できる。
【００２２】
より好ましくは、前記高誘電率材料の比誘電率が３０以上である。
【００２３】
この場合、高誘電率材料によって、２０ｄＢ以上の電磁シールド効果が期待できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の音響的トランスデューサユニットは、あらゆる方向から飛来する電磁波を簡単な構成で遮断することができ、安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】音響的トランスデューサユニットの（ａ）分解斜視図、（ｂ）組立斜視図である。（実施例１）
【図２】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例１）
【図３】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例２）
【図４】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例３）
【図５】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例４）
【図６】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例５）
【図７】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例６）
【図８】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例７）
【図９】誘電率と減衰量の関係を示すグラフである。
【図１０】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図９を参照しながら説明する。
【００２７】
＜実施例１＞  実施例１の音響的トランスデューサユニット１０について、図１、図２及び図９を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、音響的トランスデューサユニット１０の（ａ）分解斜視図、（ｂ）組立斜視図である。図２は、音響的トランスデューサユニット１０の構成を示す断面図である。図１及び図２に示すように、音響的トランスデューサユニット１０は、大略、第１部材３０と第２部材２０とにより構成されるハウジング内に、音響変換素子であるマイク素子２が収納されている。
【００２９】
第１部材３０は、筒部３２と底部３４とが結合された部材であり、筒部３２と底部３４とによって凹部３８が形成されている。凹部３８は、第１部材３０の上面３１に形成された開口３９に連通する空洞部である。第１部材３０は高誘電率材料からなり、例えば、樹脂材料中に高誘電率のセラミック等の粉末が分散している複合材料を用いて、インサートモールド法により端子部材５０と一体に形成される。
【００３０】
端子部材５０は、第１部材３０の凹部３８内に延在する内部端子部５２と、ハウジングの外側の外部空間に延在する外部端子部５６と、内部端子部５２と外部端子部５６とを接続する中間部分５４とを有し、中間部分５４が第１部材３０の底部３４に埋め込まれている。端子部材５０は、金属などの導電材料、例えば銅により形成される。
【００３１】
マイク素子２は第１部材３０の底部３４に搭載され、上面２ａが第２部材２０に対向し、マイク素子２の下面２ｂに形成された接続端子６に、端子部材５０の内部端子部５２が導電接着材、半田付け、超音波接合などで接続される。例えば、Ａｕバンプ、半田バンプ、導電ペースト、ナノペーストなどを用いて接続される。
【００３２】
第２部材２０は、高誘電率材料からなる板状の部材であり、例えば、樹脂材料中に高誘電率のセラミック等の粉末が分散している複合材料を用いて形成される。第２部材２０は、第１部材３０の上面３１に形成された開口３９を塞ぐように、接着剤、熱圧着、熱融着等によって、第１部材３０の上面３１に接合される。これによって、マイク素子２は、第１部材３０の凹部３４と第２部材２０とによって形成された内部空間４０内に封止される。
【００３３】
第１部材３０の底部３４には、マイク素子２が配置された内部空間４０と外部空間とを連通する音響経路として、貫通孔３６が形成されている。
【００３４】
なお、マイク素子２が配置された内部空間４０と外部空間とを連通する音響経路は、第２部材２０に形成しても、第１部材３０と第２部材２０の両方に形成してもよい。また、内部空間４０から第１部材３０、第２部材２０を経て外部空間に至るように形成しても、内部空間４０から第２部材３０、第１部材２０を経て外部空間に至るように形成してもよい。また、複数本を形成しても、合流あるいは分岐するように形成してもよい。
【００３５】
端子部材５０の外部端子部５６は、音響的トランスデューサユニット１０が不図示の外部回路に実装される際に、不図示の外部回路に電気的に接続される。
【００３６】
マイク素子２は、音響を電気信号に変換する音響変換素子部（センサ部）４と周辺回路とを含むモジュール部品であり、例えばＭＥＭＳマイクである。マイク素子２の代わりに、スピーカー素子など、電気信号を音響に変換する音響変換素子を用いてもよい。
【００３７】
マイク素子２は、第１部材３０の凹部３８と第２部材２０とによって形成された内部空間４０内に配置され、マイク素子２の周囲は、第１部材３０及び第２部材２０で取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料からなる第１部材３０又は第２部材２０を透過する際に主に反射により減衰するため、あらゆる方向からマイク素子２に飛来する電磁波が遮断され、マイク素子２は電磁シールドされる。
【００３８】
すなわち、媒質１中の振幅Ｅｉの入射電場が、媒質２において、振幅Ｅｔの透過波と、振幅Ｅｒの反射波に分かれたとき、透過係数ｔと反射係数ｒは、次のように表される。
【数１】
2010258720.tif 000003
ここで、εｒ１、μｒ１は媒質１中の比誘電率と比透磁率であり、εｒ２、μｒ２は媒質２中の比誘電率と比透磁率である。
【００３９】
このとき、反射率Ｒ、透過率Ｔは、
【数２】
2010258720.tif 000004
である。
【００４０】
媒質１中の比誘電率εｒ１に対する媒質２中の比誘電率εｒ２の比をＡとすると、媒質１中と媒質２中の誘電率の比は、Ａ＝εｒ２／εｒ１となる。
これらの式から、ｒの値はＡの値よって算出される。ここで特に、媒質１が空気である場合について媒質２中の比誘電率εｒ２を比誘電率εｒとして、εｒの変化に対する減衰量の変化を計算すると、図９のグラフに示すようになる。ここで、媒質１から媒質２に入射する電磁波の透過率がＴであるので減衰量は１０ｌｏｇＴによってｄＢで定義される。
【００４１】
空気中に音響的トランスデューサユニットが存在する場合、図９から、例えば、比誘電率εｒが１０以上であると１０ｄＢ以上の減衰効果が得られ、比誘電率εｒが３０以上であると２０ｄＢ以上の減衰効果が得られることが分かる。図９に示した比誘電率εｒと減衰量の関係に基づいて、期待する電磁シールド効果に応じて比誘電率εｒを選び、その比誘電率εｒの材料を用いて第１部材３０及び第２部材２０を形成したことで、音響的トランスデューサユニット１０において所望の電磁シールド効果、特に電磁波の周波数が１００Ｈｚから１０ＧＨｚの範囲において良好な電磁シールド効果を得ることができる。
【００４２】
例えば、第１部材３０及び第２部材１０を形成する高誘電率材料の比誘電率が１０以上であると、１０ｄＢ以上の電磁シールド効果が期待できるため、好ましい。第１部材３０及び第２部材１０を形成する高誘電率材料の比誘電率が３０以上であると、２０ｄＢ以上電磁シールド効果が期待できるため、より好ましい。なお、媒質１が空気以外の媒質、例えば、比誘電率εｒ１ａの樹脂または接着剤などの場合は、比誘電率εｒ1をεｒ１ａに置き換えれば、上記と同様に減衰量が算出できる。また、真空中の誘電率ε０をε０＝８．８５×１０−１２[Ｆ／ｍ]として、例えば、媒質１が乾いた空気であるとき、空気の誘電率が真空中の誘電率ε０に近似できると仮定すると、媒質２中の比誘電率εｒが１０の場合は、媒質２中の誘電率ε２はε２＝８．８５×１０−１１[Ｆ／ｍ]である。
【００４３】
マイク素子２の周囲全体を取り囲む第１部材３０と第２部材２０とは、構成が簡単であり、高誘電率材料を用いてインサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができ、組み立ても容易である。
【００４４】
また、音響的トランスデューサユニット１０は、マイク素子２を収納するハウジング、すなわち第１部材３０及び第２部材２０に、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の電磁シールドのための構成による制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００４５】
＜実施例２＞  実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａについて、図３を参照しながら説明する。
【００４６】
実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａは、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と略同様に構成されている。以下では、実施例１と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００４７】
図３は、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａの断面図である。図３に示すように、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａは、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と略同様に、第１部材３０ａと第２部材２０ａとによりハウジングが構成され、第１部材３０ａの凹部３８と第２部材２０ａとにより形成される内部空間４０内にマイク素子２が収納されている。
【００４８】
実施例１と異なり、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａは、板状の第２部材２０ａにマイク素子２が搭載され、マイク素子２は、凹部３８が形成された第１部材３０ａによって覆われている。
【００４９】
第１部材３０ａは、筒部３３と天部３５とが結合された部材であり、筒部３３と天部３５とによって、第１部材３０ａの下面３１ａに形成された開口３９ａに連通する凹部３８が形成されている。第１部材３０ａは、金属や導電性樹脂等の導電材料からなり、例えば射出成型、プレス加工、切削加工等により形成される。
【００５０】
第２部材３０ａは、実施例１と同じく高誘電率材料からなるが、実施例１と異なり、インサートモールド法により、端子部材５０と一体に形成される。第２部材２０ａは、第１部材３０ａの下面３１ａに形成された開口３９ａを覆うように、接着剤、熱圧着、熱融着等によって、第１部材３０ａの下面３１ａに接合される。
【００５１】
端子部材５０は、実施例１と同様に、内部端子部５２と外部端子部５６とが中間部分５４によって接続されている。内部端子部５２には、マイク素子２の下面２ｂに形成された接続端子６が接続される。第２部材２０ａには、内部空間４０と外部空間との間を連通する音響経路として、貫通孔２４が形成されている。
【００５２】
実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａにおいて、マイク素子２は、高誘電率材料からなる第２部材２０ａと導電材料からなる第１部材３０ａとによって周囲が取り囲まれている。外部からの電磁波は、高誘電率材料からなる第２部材２０ａ又は導電材料からなる第１部材３０ａを透過する際に主に反射により減衰するので、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａは、あらゆる方向から飛来する電磁波を遮断することができる。
【００５３】
また、ハウジングを構成する第１部材３０ａ及び第２部材２０ａは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。
【００５４】
また、音響的トランスデューサユニット１０ａは、第１部材３０ａ及び第２部材２０ａに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００５５】
＜実施例３＞  実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｂについて、図４を参照しながら説明する。
【００５６】
図４は、実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｂの構成を示す断面図である。図４に示すように、実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｂは、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と略同様に構成されている。
【００５７】
ただし、実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｂは、第１部材２０ｂが高誘電率材料ではなく導電材料からなる点が、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と異なる。
【００５８】
実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｂは、マイク素子２の周囲が、高誘電率材料からなる第１部材３０ｂと導電材料からなる第２部材２０ｂとによって取り囲まれているため、あらゆる方向から飛来する電磁波が遮断される。また、ハウジングを構成する第１部材３０ｂ及び第２部材２０ｂは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニット１０ｂは、第１部材３０ｂ及び第２部材２０ｂに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００５９】
＜実施例４＞  実施例４の音響的トランスデューサユニット１０ｃについて、図５を参照しながら説明する。
【００６０】
図５は、実施例４の音響的トランスデューサユニット１０ｃの構成を示す断面図である。図５に示すように、実施例４の音響的トランスデューサユニット１０ｃは、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａと略同様に構成されている。
【００６１】
ただし、実施例４の音響的トランスデューサユニット１０ｃは、第２部材２０ｃが高誘電率材料ではなく導電材料からなる点が、実施例２の音響的トランスデューサユニット１０ａと異なる。
【００６２】
実施例４の音響的トランスデューサユニット１０ｃは、マイク素子２の周囲が、高誘電率材料からなる第１部材３０ｃと導電材料からなる第２部材２０ｃとによって取り囲まれているため、あらゆる方向から飛来する電磁波が遮断される。また、ハウジングを構成する第１部材３０ｃ及び第２部材２０ｃは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニット１０ｃは、第１部材３０ｃ及び第２部材２０ｃに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００６３】
＜実施例５＞  実施例５の音響的トランスデューサユニット１０ｄについて、図６を参照しながら説明する。
【００６４】
図６は、実施例５の音響的トランスデューサユニット１０ｄの構成を示す断面図である。図６に示すように、実施例５の音響的トランスデューサユニット１０ｄは、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と略同様に構成されている。
【００６５】
ただし、実施例５の音響的トランスデューサユニット１０ｄは、第１部材３０ｄが高誘電率材料ではなく導電材料からなる点が、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と異なる。
【００６６】
実施例５の音響的トランスデューサユニット１０ｄは、マイク素子２の周囲が、高誘電率材料からなる第２部材２０ｄと導電材料からなる第１部材３０ｄとによって取り囲まれているため、あらゆる方向から飛来する電磁波が遮断される。また、ハウジングを構成する第１部材３０ｄ及び第２部材２０ｄは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニット１０ｄは、第１部材３０ｄ及び第２部材２０ｄに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００６７】
＜実施例６＞  実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｅについて、図７を参照しながら説明する。
【００６８】
図７は、実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｅの構成を示す断面図である。図７に示すように、実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｅは、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と略同様に構成されているが、実施例１の音響的トランスデューサユニット１０と異なり、第１部材の筒部と底部とが別個に形成されている。
【００６９】
すなわち、実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｂは、中間部材３０ｅと、第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅとを備える。
【００７０】
中間部材３０ｅは導電材料からなり、両端に開口３９ｓ，３９ｔを有し、開口３９ｓ，３９ｔ間を連通する中空穴３７が形成された筒状の部材である。中間部材３０ｅは、実施例１の音響的トランスデューサユニットにおける第１部材３０の筒部３２に相当する。
【００７１】
第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅは、高誘電率材料からなり、導電材料からなる中間部材３０ｅの両端面３１ｅ，３３ｅにそれぞれ接合され、中間部材３０ｅの開口３９ｓ，３９ｔを塞ぐ。第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅのうち、一方２２ｅは実施例１の音響的トランスデューサユニット１０における第１部材３０の底部３４に相当し、他方２０ｅは実施例１の音響的トランスデューサユニット１０における第２部材２０に相当する。中間部材３０ｅの中空穴３７と第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅとにより、内部空間４０が形成され、内部空間４０内にはマイク素子２が配置される。
【００７２】
第２の端部材２２ｅは、インサートモールド法によって端子部材５０と一体に形成され、端子部材５０の中間部分５４が埋め込まれている。マイク素子２の下面２ｂに形成された接続端子６は、第２の端部材２２ｅの上面側に露出する端子部材５０の内部端子部５２に接続される。第２の端部材２２ｅには、内部空間４０と外部空間との間を連通する音響経路として、貫通孔２５が形成されている。
【００７３】
実施例３の音響的トランスデューサユニット１０ｅは、マイク素子２の周囲が、高誘電率材料からなる第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅと導電材料からなる中間部材３０ｅとによって取り囲まれているため、あらゆる方向から飛来する電磁波が遮断される。また、ハウジングを構成する中間部材３０ｅと第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅとは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニット１０ｅは、中間部材３０ｅと第１及び第２の端部材２０ｅ，２２ｅとに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００７４】
＜実施例７＞  実施例７の音響的トランスデューサユニット１０ｆについて、図８を参照しながら説明する。
【００７５】
図８は、実施例７の音響的トランスデューサユニット１０ｆの構成を示す断面図である。図８に示すように、実施例７の音響的トランスデューサユニット１０ｆは、実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｅと略同様に構成されている。実施例６の音響的トランスデューサユニット１０ｅと異なるのは、中間部材３０ｆが導電材料ではなく高誘電率材料からなり、第１及び第２の端部材２０ｆ，２２ｆが高誘電率材料ではなく導電材料からなる点である。
【００７６】
実施例７の音響的トランスデューサユニット１０ｆは、マイク素子２の周囲が、高誘電率材料からなる中間部材３０ｆと導電材料からなる第１及び第２の端部材２０ｆ，２２ｆとによって取り囲まれているため、あらゆる方向から飛来する電磁波が遮断される。また、ハウジングを構成する中間部材３０ｆと第１及び第２の端部材２０ｆ，２２ｆとは構成が簡単であり、インサートモールド法等によって、容易に、かつ安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニット１０ｆは、中間部材３０ｆと第１及び第２の端部材第１部材２０ｆ，２２ｆとに、電磁シールドのための導電層等を形成する必要がないため、導電層等の制約を受けることなく、音響的な最適設計を行うことができる。
【００７７】
＜まとめ＞  以上に説明したように、音響変換素子の周囲を取り囲むハウジングの少なくとも一部が高誘電率材料を用いて形成された本発明の音響的トランスデューサユニットは、あらゆる方向から飛来する電磁波を簡単な構成で遮断することができ、安価に製造することができる。また、音響的トランスデューサユニットの設計の自由度が向上する。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００７９】
例えば、実施例１〜７においてマイク素子２はフェイスダウン構造でハウジング内に実装されていたが、ワイヤボンディング等によりフェイスアップ構造でハウジング内に実装されてもよい。
【００８０】
また、端子部材５０の外部端子部５６側を延長し、ハウジングの底面から、側面、上面に沿って折り曲げ、音響的トランスデューサユニットを外部回路に実装するための端子部を、ハウジングの底面ではなく、ハウジングの上面に設けるようにしてもよい。この場合、同一パッケージで端子部材５０の折り曲げ方向を変えるだけで、実装時の音響経路の方向を簡単に変更でき、例えば、１種類のパッケージで上穴と下穴に対応できる。
【００８１】
また、端子部材５０の内部端子部５２側が内部空間４０内に突出し、突出した部分が弾力性を持ち、端子部材５０の内部端子部５２に接続されたマイク素子２を付勢して、マイク素子２の上面２ａを内部空間４０の天面４０ｘに弾力的に当接させるように構成してもよい。この場合、第１部材３０と第２部材２０の接合と同時に、マイク素子２の上面２ａを内部空間４０の天面４０ｘに当接させることにより、安価な組み立てが可能となる。また、内部空間４０内においてマイク素子２のシールを完全に行うことで、音漏れによる感度特性劣化をなくすことができる。
【符号の説明】
【００８２】
２  マイク素子（音響変換素子）
２ａ  上面
２ｂ  下面
４  音響変換素子部
６  接続端子
１０，１０ａ〜１０ｆ  音響的トランスデューサユニット
２０，２０ａ〜２０ｄ  第２部材
２０ｅ，２０ｆ  第１の端部材
２２ｅ，２２ｆ  第２の端部材
２４，２５  貫通孔（音響経路）
３０，３０ａ〜３０ｄ  第１部材
３０ｅ，３０ｆ  中間部材
３１  上面
３１ａ  下面
３１ｅ  端面
３２，３３  筒部
３３ｅ  端面
３４  底部
３５  天部
３６  貫通孔（音響経路）
３７  中空穴
３８  凹部（空洞部）
３９，３０ａ，３９ｓ，３９ｔ  開口
４０  内部空間
４０ｘ  天面
５０  端子部材
５２  内部端子部
５４  中間部分
５６  外部端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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