(57)【要約】【課題】無機配向膜を用いた電気光学装置において、導通端子部における電気的導通を確保し、かつ無機配向膜の汚染や異物の付着を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質を挟持してなり、前記第１の基板が前記第２の基板よりも張り出した張り出し部上に導通端子が配設された電気光学装置の製造方法において、前記張り出し部に前記導通端子を形成する導通端子形成工程と、前記第１の基板上に無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記導通端子上の前記無機配向膜を除去して前記導通端子を露出させる無機配向膜除去工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、をこの順に行なうことを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質を挟持してなり、前記第１の基板が前記第２の基板よりも張り出した張り出し部上に導通端子が配設された電気光学装置の製造方法であって、
前記張り出し部に前記導通端子を形成する導通端子形成工程と、
前記第１の基板上に前記導通端子を覆うように無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記導通端子上の前記無機配向膜を除去して前記導通端子を露出させる無機配向膜除去工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
をこの順に行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜除去工程は、前記導通端子上の前記無機配向膜にＣＦ系ガスのプラズマを局所的に照射することにより行われるものであって、
さらに、前記配向膜除去工程後に、前記無機配向膜を純水又はハイドロフルオロエーテルを用いて超音波洗浄する洗浄工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄工程において、前記超音波洗浄後にアルコールを用いて前記無機配向膜表面を乾燥させることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記配向膜除去工程は、前記導通端子上の前記無機配向膜にＡｒガスのプラズマを局所的に照射することにより行われることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記配向膜除去工程において、第１の基板と第２の基板との間の電気的導通を行うための上下導通端子上の前記無機配向膜を除去することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に、電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法に関し、特に無機配向膜を具備した電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学物質である液晶を用いた電気光学装置は、ガラス基板、石英基板等からなる一対の基板間に液晶が挟持されて構成されている。前記電気光学装置は、例えば一方の基板に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴと称す）等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両電極間に介在する液晶の配向を画像信号に応じて変化させることで、液晶を透過する光を変調し、画像表示を可能としている。
【０００３】
このような電気光学装置において、少なくとも一方の基板の液晶に接する表面には、液晶の配向を規制する配向膜が形成されている。配向膜としては、ＳｉＯ２等の無機材料を基板表面に対し所定の角度をもって蒸着することにより形成される無機配向膜が知られている。
【０００４】
電気光学装置の基板上には、電気光学装置と外部との電気的な導通を行うための導通端子部等が形成されているが、基板上に無機配向膜を形成した場合、ＳｉＯ２等のシリコン酸化物は電気絶縁性を有するため、実装端子部等において導通不良が生じ易い。したがって従来、導通端子部上に無機配向膜が形成されないように、無機配向膜の形成時に導通端子部上をマスクにより覆うことが行われていた。しかしながら、蒸着工程においてマスクを使用することは、異物の発生の原因となり電気光学装置の表示不良の原因となるおそれがある。
【０００５】
この問題を解決する技術として、例えば特開２００８−８３３２８号公報には、無機配向膜の形成時にマスクを用いず導通端子部上にも無機配向膜を形成し、一対の基板を貼り合わせた後に、エッチングにより導通端子部上の無機配向膜を除去する方法が開示されている。
【０００６】
また、上記問題を解決する技術として、無機配向膜の形成時にマスクを用いず導通端子部上にも無機配向膜を形成した後に、ＣＦ４ガスを用いた大気圧プラズマを導通端子部上の無機配向膜に照射することにより、導通端子部上の無機配向膜のみを局所的に除去する方法も知られている。
【特許文献１】特開２００８−８３３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＣＦ４ガスを用いた大気圧プラズマを導通端子部上の無機配向膜に照射することによって、導通端子部上の無機配向膜のみを局所的に除去する場合、画素電極上の無機配向膜がフッ素により汚染されることで仕事関数が変化し、画素電極の基準電位が変化してしまう。画素電極の基準電位が変化してしまうと、電気光学装置の表示画像にフリッカや焼き付き等の表示不良が生じる。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、無機配向膜を用いた電気光学装置において、導通端子部における電気的導通を確保し、かつ無機配向膜の汚染や異物の付着を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質を挟持してなり、前記第１の基板が前記第２の基板よりも張り出した張り出し部上に導通端子が配設された電気光学装置の製造方法であって、前記張り出し部に前記導通端子を形成する導通端子形成工程と、前記第１の基板上に前記導通端子を覆うように無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記導通端子上の前記無機配向膜を除去して前記導通端子を露出させる無機配向膜除去工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、をこの順に行なうことを特徴とする。
【００１０】
このような構成を有する本発明によれば、無機配向膜の蒸着時にマスクを用いないことから蒸着時における異物の発生を抑制することができ、表示画像にフリッカや焼き付き等の表示不良が生じることのない電気光学装置を製造することが可能となる。
【００１１】
また本発明は、前記配向膜除去工程は、前記導通端子上の前記無機配向膜にＣＦ系ガスのプラズマを局所的に照射することにより行われるものであって、さらに、前記配向膜除去工程後に、前記無機配向膜を純水又はハイドロフルオロエーテルを用いて超音波洗浄する洗浄工程を具備することが好ましい。
【００１２】
このような構成によれば、洗浄工程によって無機配向膜の汚染を防止することができ、表示不良が生じることのない電気光学装置を製造することが可能となる。
【００１３】
また本発明は、前記超音波洗浄後にアルコールを用いて前記無機配向膜表面を乾燥させることが好ましい。
【００１４】
このような構成によれば、無機配向膜上におけるシミの発生を防止することができる。
【００１５】
また本発明は、前記配向膜除去工程は、前記導通端子上の前記無機配向膜にＡｒガスのプラズマを局所的に照射することにより行われることが好ましい。
【００１６】
このような構成によれば、無機配向膜の蒸着時にマスクを用いないことから蒸着時における異物の発生を抑制し、また無機配向膜の汚染を防止することができる。
【００１７】
また本発明は、前記配向膜除去工程において、第１の基板と第２の基板との間の電気的導通を行うための上下導通端子上の前記無機配向膜を除去することが好ましい。
【００１８】
このような構成によれば、第１の基板と第２の基板との間の電気的な接続を確実に行うことが可能となり、電気光学装置の表示不良の発生をより抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について図１から図７を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。
【００２１】
図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電気光学装置１００は、対向して配設された一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）との間に、液晶５０が挟持されてなる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、ガラス、石英等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材５２により相互に接着されて張り合わせられている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶５０は、シール材５２とＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とに囲まれた領域に充填されている。
【００２３】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て対向基板２０よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置１００を、ＴＦＴアレイ基板１０の法線と平行に対向基板２０の側から見た視点であり、図１と同様の視点のことを指す。図１及び図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して位置決めして貼り合せた状態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板２０よりも外側に張り出した張り出し部１１０を有している。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０のシール材５２が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張り出し部１１０が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路１０１及び導通端子１０２が設けられている。
【００２５】
導通端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部１１０の液晶５０側の表面上に露出して形成されている。導通端子１０２は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置１００と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。導通端子１０２の最表面部は、例えばＡｌ（アルミニウム）もしくはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる導電性の膜により構成されている。
【００２６】
なお、導通端子１０２は、本実施例に限らず、他に例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。
【００２７】
例えば、図示しないが、導通端子１０２上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置１００と電気光学装置１００を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。
【００２８】
枠状のシール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置１００では、画像表示領域１０ａの中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられるものであってもよい。
【００２９】
走査線駆動回路１０４は、張り出し部１１０が形成された一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域内に設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部１１０が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域には、複数の配線１０５が設けられている。該配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は、互いに電気的に接続されている。
【００３０】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であり、かつ画像表示領域１０ａ内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるＴＦＴが積層されて形成されている。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上には、ＴＦＴに対応して複数の画素電極９ａが形成されており、さらに画素電極９ａ上には無機配向膜１６が形成されている。
【００３２】
無機配向膜１６は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、本実施形態ではＳｉＯ２により構成されている。無機配向膜１６は、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成されるものである。
【００３３】
他方、対向基板２０の液晶５０側の表面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に無機配向膜２２が形成されている。無機配向膜２２は、無機配向膜１６と同様に、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、本実施形態ではＳｉＯ２により構成されている。無機配向膜２２は、対向基板２０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
【００３４】
液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の無機配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００３５】
次に、図３を参照して、上述した電気光学装置１００の電気的な構成について説明する。図３に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。
【００３６】
ＴＦＴ３０のゲート３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４により、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、所定のタイミングで順次供給される。走査線１１ａを介してゲート３ａに走査信号が供給されることにより、当該走査線１１ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ３０はＯＮ状態となる。
【００３７】
ＴＦＴ３０のソースには、画像信号が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには、データ線駆動回路１０１により、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査信号が供給されることによってＯＮ状態となったＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。
【００３８】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが書き込まれた画素電極９ａと、対向基板に形成された対向電極２１との間の電位差、すなわち液晶５０に印加される電圧に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶５０を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。
【００３９】
また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極９ａには、蓄積容量７０の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量７０の他方の電極は、走査線１１ａに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線４００に電気的に接続されている。
【００４０】
上述した構成を有する電気光学装置１００においては、液晶分子を配向規制するための配向膜を、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成される無機配向膜により形成している。無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、長期に亘って表示品位が低下することのない電気光学装置を実現できる。
【００４１】
また、電気光学装置１００と、例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続を行う導通端子１０２上には、電気絶縁性を有する無機配向膜が形成されていない。このため、導通端子１０２における電気的導通を確実に得ることができる。
【００４２】
なお、上述したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４３】
以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置１００の製造方法について、図４から図７を参照して説明する。
【００４４】
図４は、マザー基板の構成を説明する平面図である。図５及び図６は、図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。図７は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【００４５】
本実施形態に係る電気光学装置１００は、まず複数の電気光学装置１００が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置１００は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。
【００４６】
以下に、電気光学装置１００の製造方法の詳細について説明する。  
まず、図４に示すように、略円板形状を有するマザー基板３５の表面上に、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するための積層構造である複数のＴＦＴアレイ構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔でマトリクス状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する（ステップＳ０１）。
【００４７】
ここでＴＦＴアレイ構造１０ｂは、上述のＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側表面上であって、画素電極９ａ以下の積層構造のことを指す。すなわち、ＴＦＴアレイ構造１０ｂは、走査線１１ａ、データ線６ａ、容量配線４００、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、画素電極９ａ等の素子及び配線を具備して構成されるものである。また、本実施形態においては、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１も、ＴＦＴアレイ構造１０ｂに含まれるものである。
【００４８】
ＴＦＴアレイ構造１０ｂを形成する詳細の工程については、公知の半導体製造工程と同様であるため、説明を省略する。
【００４９】
なお、本実施形態では、マザー基板３５は略円板形状のものとしているが、マザー基板３５の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板３５が構成されるものであってもよい。
【００５０】
次に、図５（ａ）に示すように、複数の導通端子１０２を、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部１１０に対応する領域にそれぞれ形成する導通端子部形成工程を実施する（ステップＳ０２）。なお、該導通端子部形成工程は、上述した積層構造形成工程と同時に実施されるものであってもよい。例えば、導通端子１０２の最表面を、画素電極９ａと同一工程により形成されるＩＴＯ膜により構成することにより、製造工程の短縮を図ることが可能となる。
【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、マザー基板３５の表面上に、斜方蒸着法によりＳｉＯ２からなる無機配向膜１６ａを蒸着し形成する無機配向膜形成工程を実施する（ステップＳ０３）。ここで、無機配向膜１６ａは、マザー基板３５のＴＦＴアレイ構造１０ｂが形成された表面上の全面に形成される。
【００５２】
次に、図５（ｃ）に示すように、マザー基板３５の表面上において、無機配向膜１６ａの導通端子１０２上に形成された領域のみにＣＦ４ガス等のＣＦ系ガスの大気圧プラズマを局所的に照射する、いわゆるドライエッチング法により当該領域の無機配向膜を除去し、導通端子１０２を露出させる無機配向膜除去工程を実施する（ステップＳ０４）。これにより、ＴＦＴアレイ構造１０ｂ上のみに無機配向膜１６が配設された状態となる。
【００５３】
次に、マザー基板３５の表面上の無機配向膜１６を、純水又はハイドロフルオロエーテル（Hydro Fluoro Ether：以下、ＨＦＥと称する）を用いた超音波洗浄を行う洗浄工程を実施する（ステップＳ０５）。
【００５４】
次に、図６（ａ）に示すように、複数の対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴアレイ構造１０ｂ上に貼り合せ、マザー基板３５と複数の対向基板２０との間に液晶５０を充填する基板貼り合わせ工程を実施する（ステップＳ０６）。ここで、対向基板２０には、あらかじめ別工程において、液晶５０側表面上に、対向電極２１及び無機配向膜２２を形成しておく。なお、マザー基板３５と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法は、液晶注入方式であってもよいし液晶滴下方式であってもよい。これにより、複数の電気光学装置１００となる複数の構造１００ａが、一体に形成される。
【００５５】
次に、図６（ｂ）に示すように、マザー基板３５をスクライブ工程及びブレイク工程により分断することで、個々の電気光学装置１００を切り出す分断工程を実施する（ステップＳ０７）。以上により、本実施形態の電気光学装置１００が完成するのである。
【００５６】
以上に説明した電気光学装置の製造方法では、ステップＳ０３の無機配向膜形成工程においてマスクを用いずに無機配向膜を蒸着することにより導通端子１０２上にも無機配向膜１６ａを形成した後に、ステップＳ０４の無機配向膜除去工程において導通端子部１０２上の無機配向膜１６ａをＣＦ４ガスを用いた大気圧プラズマを照射することにより除去する。そして、ステップＳ０５の洗浄工程において、純水又はＨＦＥを用いた超音波洗浄によりＴＦＴアレイ構造１０ｂ上の無機配向膜１６を洗浄する。この洗浄工程により、無機配向膜洗浄工程においてＴＦＴアレイ構造１０ｂ上の無機配向膜１６に付着したフッ素が除去される。
【００５７】
すなわち、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、無機配向膜１６の蒸着時にマスクを用いないことから蒸着時における異物の発生を抑制し、また洗浄工程によって無機配向膜１６の汚染を防止することができる。よって、本実施形態によれば、表示画像にフリッカや焼き付き等の表示不良が生じることのない電気光学装置を製造することが可能となる。
【００５８】
なお、ステップＳ０４の無機配向膜除去工程において、張り出し部１１０の導通端子１０２上の無機配向膜１６ａのみではなく、さらに上下導通端子上の無機配向膜１６ａも除去する形態であってもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的な接続を確実に行うことが可能となり、電気光学装置１００の表示不良の発生をより抑制することができる。
【００５９】
また、ステップＳ０５の洗浄工程において純水を用いた超音波洗浄を実施した後に、イソプロピルアルコール等のアルコールを用いて無機配向膜１６に付着した純水を除去し乾燥する、いわゆるアルコール蒸気乾燥を行ってもよい。この場合、純水が蒸発することによって無機配向膜１６上、すなわち電気光学装置１００の表示領域内に生じるシミを防止することができる。
【００６０】
なお、上述した本実施形態では、電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０側に導通端子１０２を有する張り出し部１１０が形成されているが、導通端子１０２を有する張り出し部１１０は、対向基板２０側に設けられる構成であってもよい。
【００６１】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図８を参照して説明する。図８は、第２の実施形態に係る電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【００６２】
なお、以下では第１の実施形態との相違点のみを説明するものとし、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
【００６３】
本実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、ステップＳ０３までは第１の実施形態と同様である。すなわち、ステップＳ０１及びステップＳ０２において、マザー基板３５にＴＦＴアレイ基板１０となるＴＦＴアレイ構造１０ｂと導通端子部１０２を形成し、ステップＳ０３において、マザー基板３５に無機配向膜１６ａをマスクを用いずに蒸着する。
【００６４】
次に、ステップＳ０４ａにおいて、無機配向膜１６ａの導通端子１０２上に形成された領域のみにＡｒ（アルゴン）ガスのプラズマを局所的に照射する、いわゆる逆スパッタ法により当該領域の無機配向膜を除去し、導通端子１０２を露出させる無機配向膜除去工程を実施する。これにより、ＴＦＴアレイ構造１０ｂ上のみに無機配向膜１６が配設された状態となる。
【００６５】
そして、第１の実施形態と同様に、ステップＳ０６において、対向基板２０をＴＦＴアレイ構造１０ｂ上に貼り合せ、その間に液晶５０を充填し、ステップＳ０７において、マザー基板３５を分断し個々の電気光学装置１００を切り出す。
【００６６】
以上に説明した電気光学装置の製造方法では、ステップＳ０４ａの無機配向膜除去工程において、Ａｒガスのプラズマを照射することにより導通端子部１０２上の無機配向膜１６ａを除去する。このため本実施形態では、無機配向膜除去工程において、ＴＦＴアレイ構造１０ｂ上の無機配向膜１６がフッ素等により汚染されることがない。
【００６７】
したがって、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、無機配向膜１６の蒸着時にマスクを用いないことから蒸着時における異物の発生を抑制し、またＴＦＴアレイ構造１０ｂ上の無機配向膜１６の汚染を防止することができる。よって、本実施形態によれば、表示画像にフリッカや焼き付き等の表示不良が生じることのない電気光学装置を製造することが可能となる。
【００６８】
なお、ステップＳ０４ａの無機配向膜除去工程において、張り出し部１１０の導通端子１０２上の無機配向膜１６ａのみではなく、さらに上下導通端子上の無機配向膜１６ａも除去する形態であってもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的な接続を確実に行うことが可能となり、電気光学装置１００の表示不良の発生をより抑制することができる。
【００６９】
なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００７０】
また、上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、パッシブマトリクス駆動方式を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型や半透過半反射型の電気光学装置にも本発明を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】電気光学装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】マザー基板の構成を説明する平面図である。
【図５】図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。
【図６】図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。
【図７】電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図８】第２の実施形態に係る電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００７２】
１０  ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）、  １６  無機配向膜、  ２０  対向基板（第２の基板）、  ３５  マザー基板、  ５０  液晶、  １００  電気光学装置、  １０２  接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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