(57)【要約】【課題】半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法では、ベースプレート１の所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を供給する工程と、マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を溶融する工程と、所定位置のマウント用ロウ材２上に半導体チップ１０を搭載する工程と、予備ロウ材３の少なくとも一部を、ベースプレート１上で半導体チップ１０に向かって移動させて、マウント用ロウ材２と一体化させる工程と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートの所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材及び予備ロウ材を供給する工程と、
前記マウント用ロウ材及び予備ロウ材を溶融する工程と、
前記所定位置のマウント用ロウ材上に半導体チップを搭載する工程と、
前記予備ロウ材の少なくとも一部を、前記ベースプレート上で前記半導体チップに向かって移動させて、前記マウント用ロウ材と一体化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記予備ロウ材の移動は、前記マウント用ロウ材が半固相状態であり、前記予備ロウ材が流動性を有する状態で行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マウント用ロウ材には、前記半導体チップの金属層から金属成分が溶け込む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記予備ロウ材は、前記半導体チップに隣接する部品の固定に用いるマウント用ロウ材の一部である、請求項１〜３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記予備ロウ材を複数領域に供給する、請求項１〜４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記搭載する工程が、又は、該搭載する工程に後続して、治具を用いて前記半導体チップを前記ベースプレート上に押し付ける工程を含み、
前記一体化させる工程は、前記治具を用いて予備ロウ材の供給路を形成する工程を含む、請求項１〜５の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記供給路の形成は、前記予備ロウ材の表面張力を利用する、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記マウント用ロウ材及び予備ロウ材が、フラックスを含まない半田である、請求項１〜７の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記予備ロウ材が、前記半田の流動性を阻害する成分を含有する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは、半導体チップをベースプレート上にマウントして製造される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、ミリ波等の高周波帯域で使用されるミリ波帯デバイスが知られている。ミリ波帯デバイスの製造工程には、半導体チップをベースプレートにマウントする工程が含まれる。マウントの際には、半導体チップとベースプレートとが半田によって接合される。
【０００３】
特許文献１には、ベースプレート上に半導体チップを半田接合する方法が記載されている。この方法では、半導体チップを保持治具で吸着保持し、半導体チップとベースプレートとの間に毛細管現象が生じる程度の隙間を形成した後に、保持治具の開口部から溶融させた半田を隙間に侵入させて、半田接合を行う。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−０８７８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体チップをベースプレートにマウントする際には、半導体チップは、半田が溶融する高温状態に晒されることになる。近年、ミリ波帯デバイス用途の半導体チップでは、高出力化に伴って発生する熱を効率的に放出し、また、高集積化を図るために、薄型化や面積の拡大化が進められている。そのため、高温状態に晒された半導体チップは、溶融された半田に接触する底面の金属層と、その上部のチップ基材との熱膨張の差により、金属層がチップ基板よりも膨張して、半導体チップの周縁部で反り上がる場合がある。
【０００６】
半導体チップの反り上がりにより、半導体チップの周縁部とベースプレートとの間に空隙が形成される。この状態でマウントを完了し、その後に、ワイヤーボンディングを行い、半導体チップの周縁部に配置されたワイヤーボンディングパッドにワイヤーを接合すると、半導体チップの破損等の障害を引き起こす場合がある。そのため、マウント後には、半導体チップの周縁部とベースプレートとの間の空隙を半田で埋めて、半導体チップの周縁部を固定する必要がある。
【０００７】
また、半導体チップの中央部は、主な発熱域となるため、半導体チップの中央部直下の半田は、主な放熱経路となる。従って、中央部直下の半田の厚さを薄くして、放熱性を損なわないようにする必要がある。特許文献１では、半導体チップの反り上がりを考慮しておらず、反り上がりが発生した際には、半導体チップとベースプレートとの間の半田の厚さを調整することは困難である。
【０００８】
一方、半導体チップの反り上がりを外部拘束により矯正することも考えられる。しかし、この場合には、半導体チップ内部の応力バランスが崩れる可能性が高い。つまり、高温に晒された状態で外部拘束という物理的なストレスを加えると、特にビアホール等の構造的にストレスに弱い箇所が多数点在している半導体チップでは、品質を損なってしまう場合がある。なお、半導体チップは、一般に、圧縮応力には強いが引張応力には極端に弱い性質を有する。
【０００９】
反り上がった半導体チップの周縁部とベースプレートとの空隙を半田で埋めるために、半田の供給量を増量することが考えられる。しかし、半田を増量すれば、半導体チップの中央部直下の半田が厚くなり、放熱性を損なうことになる。さらに、溶融状態の多量の半田を一定面積に留めておくことは技術的に困難であり、半導体チップの周囲に配置している他の構成部品や、半導体チップの上面にも半田が滲み出してしまい、電気的特性に影響を与える可能性もある。
【００１０】
本発明は、半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、ベースプレートの所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材及び予備ロウ材を供給する工程と、
前記マウント用ロウ材及び予備ロウ材を溶融する工程と、
前記所定位置のマウント用ロウ材上に半導体チップを搭載する工程と、
前記予備ロウ材の少なくとも一部を、前記ベースプレート上で前記半導体チップに向かって移動させて、前記マウント用ロウ材と一体化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の例示的な実施の形態について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を順次に示す断面図である。以下では、ミリ波帯デバイスの製造工程に含まれるダイマウント工程を例として説明する。ダイマウント工程とは、ミリ波帯デバイス用途の半導体チップをベースプレートに搭載（マウント）する工程をいう。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、ベースプレート１上の所定領域１ａにマウント用の金属ロウ材（マウント用ロウ材）２を供給する。この所定領域１ａは、図１（ｃ）に示す工程でベースプレート１上にマウントされる半導体チップ１０の位置に対応している。ベースプレート１は、Ｃｕ系合金である。マウント用ロウ材２は、ＡｕＳｎ系ハードソルダであり、窒素雰囲気中でロウ付けを行うノンフラックス半田である。
【００１５】
また、図１（ａ）に示す工程では、ベースプレート１上で所定領域１ａに隣接する領域に、ＡｕＳｎ系の予備ロウ材３を供給する。予備ロウ材３は、固形シート状のペレット、又はペーストの状態でベースプレート１上に供給される。この予備ロウ材３が供給された領域を、以下、ロウ材溜り部３ａと称する。ロウ材溜り部３ａは、半導体チップ１０の種類に応じて、予備ロウ材３の量や位置、形状が適宜変更される。一例として、ロウ材溜り部３ａは、２×３ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ程度とする。なお、マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３は、ピンセット等の治具４を用いてベースプレート１上に供給される。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示す工程では、ベースプレート１を昇温して、ベースプレート１の所定領域１ａのマウント用ロウ材２と、ロウ材溜り部３ａの予備ロウ材３とを溶融する。マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３は、ノンフラックス半田であるから、フラックスを含有する半田に比べて濡れ性が低く、急激に周囲に拡散することがない。そのため、溶融状態のマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３は、周囲に徐々に拡散するものの、溶融前と略同様な範囲内に留まっている。
【００１７】
続いて、図１（ｃ）に示す工程では、ベースプレート１上で溶融状態のマウント用ロウ材２が留まっている所定領域１ａに、半導体チップ１０をマウントする。さらに、ピンセット等の治具４で半導体チップ１０を保持し、治具４を含むツール部を用いてスクラブ作業を行う。このスクラブ作業により、半導体チップ１０の下面にマウント用ロウ材２が馴染んでロウ付けが行われる。
【００１８】
図２は、半導体チップ１０の構成を示す模式的断面図である。半導体チップ１０は、ＧａＡｓを構成材料とする。半導体チップ１０は、金属層１１とチップ基材１２とからなる積層構造を有する。金属層１１は、チップ基材１２の下面側に配置されている。また、金属層１１は、ロウ付けを容易にし、かつ、熱を拡散するために、例えばＡｕを含有する。半導体チップ１０は、図２（ａ）に示すように、通常時には平坦である。
【００１９】
一方、半導体チップ１０は、図１（ｃ）に示す工程では、高温状態に晒されており、特に金属層１１は溶融状態のマウント用ロウ材２に接触している。このため、半導体チップ１０は、スクラブ作業中に金属層１１とチップ基材１２との熱膨張の差によって、金属層１１がチップ基材１２よりも大きく膨張する。その結果、半導体チップ１０は、図２（ｂ）に示すように、高温状態に晒されている時には、金属層１１側を凸として周縁部が反り上がる。
【００２０】
図３は、図１に続く工程を順次に示す図である。スクラブ作業後の図３（ａ）に示す工程では、半導体チップ１０は、中央部１０ａでマウント用ロウ材２を介してベースプレート１にマウントされ、周縁部１０ｂでベースプレート１との間に空隙１３が形成された状態となる。
【００２１】
半導体チップ１０の中央部１０ａは発熱域であるから、中央部直下のマウント用ロウ材２は放熱経路となる。そこで、マウント用ロウ材２の伝熱性が低いことを考慮すれば、放熱性を阻害しないために、中央部直下のマウント用ロウ材２の厚さ（初期マウント高）を増加させることなく、空隙１３を埋めることが好ましい。
【００２２】
図３（ａ）に示す工程では、作業温度が同じでありながら、マウント用ロウ材２が半固相状態となり、また、ロウ材溜り部３ａに留まっている予備ロウ材３が溶融状態となっている。以下、この理由について説明する。マウント用ロウ材２は、半導体チップ１０の金属層１１及びベースプレート１に溶融状態で既に接触している。この接触状態により、金属層１１及びベースプレート１の表層成分であるＡｕ等が、マウント用ロウ材２の内部に混入し急激に拡散が進行する。そのために、マウント用ロウ材２の融点は、初期溶融時よりも上昇することになる。一方、ロウ材溜り部３ａに留まっている予備ロウ材３の融点は、初期溶融時と比べて変化が小さい。このような融点の違いによって、作業温度が同じであっても、マウント用ロウ材２が半固相状態となり、予備ロウ材３が溶融状態となる。なお、半固相状態とは、固定した対象物を取り外すことは可能であるが、その対象物を再び固定しようとしても取り付けることが困難な状態をいう。つまり、図３（ａ）に示す工程では、半導体チップ１０の中央部１０ａは、半固相状態のマウント用ロウ材２によって仮固定されており、初期マウント高が維持されており、放熱性が低下することがない。
【００２３】
さらに、図３（ａ）に示す工程では、スクラブ作業中に用いた治具４を含むツール部を半導体チップ１０の周囲に滑らして（オーバースクラブ）、ロウ材溜り部３ａに留まっている溶融状態の予備ロウ材３を空隙１３に供給するための供給経路５を形成する。
【００２４】
溶融状態の予備ロウ材３は、表面張力によって、表面積が小さな形状を維持できる方向で高い位置から低い位置に流れる性質を有する。このため、溶融状態の予備ロウ材３は、供給経路５に沿ってロウ材溜り部３ａから空隙１３へ流れ込むことができる。空隙１３まで流れ込んだ溶融状態の予備ロウ材３は、半固相状態のマウント用ロウ材２に吸われて一体化し、空隙１３を埋める。なお、半固相状態のマウント用ロウ材２及び溶融状態の予備ロウ材３は、その表面に酸化膜が形成されておらず、図３（ａ）に示す工程で汚染が発生する虞は小さい。
【００２５】
最後に、図３（ｂ）に示す工程では、半導体チップ１０の周縁部１０ｂとベースプレート１との間の空隙１３に、ロウ材溜り部３ａから予備ロウ材３が流れ込み続けて、予備ロウ材３で空隙１３が埋められる。その後で、ベースプレート１の温度を下げ、一体化したマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を固化させることで、ダイマウント工程を完了する。なお、ロウ材溜り部３ａや供給経路５上には、表面酸化膜層や異物が僅かに残留するが、電気的特性に悪影響を及ぼすことがないので、残留する半田は放置しても構わない。
【００２６】
本実施形態の製造方法では、ベースプレートの所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材及び予備ロウ材を供給する工程と、マウント用ロウ材及び予備ロウ材を溶融する工程と、所定位置のマウント用ロウ材上に半導体チップを搭載する工程と、予備ロウ材の少なくとも一部を、半導体チップに向かって移動させて、マウント用ロウ材と一体化させる工程と、を有する。このため、半導体チップが高温状態に晒されることで反り上がり、半導体チップの周縁部でマウント用ロウ材が不足している場合であっても、予備ロウ材をマウント用ロウ材と一体化させることで、不足分を補充できる。また、半導体チップの中央部直下でのマウント用ロウ材の厚みは、上記搭載する工程で維持される場合がある。従って、半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる。
【００２７】
また、予備ロウ材の移動は、マウント用ロウ材が半固相状態であり、予備ロウ材が流動性を有する状態で行っている。マウント用ロウ材が半固相状態であるので、半導体チップを仮固定できる。従って、半導体チップの発熱域である中央部直下でのマウント用ロウ材の厚さを維持した状態で、半導体チップの周縁部直下に生じた空隙を、溶融状態の予備ロウ材で埋めることができる。
【００２８】
また、マウント用ロウ材には、半導体チップの金属層から金属成分が溶け込むため、マウント用ロウ材の融点が、上記溶融する工程で最初に溶融したときの融点よりも上昇する。従って、同じ作業温度の下で、マウント用ロウ材が半固相状態となり、予備ロウ材が溶融状態となる。
【００２９】
また、スクラブ作業で用いた治具を用いて予備ロウ材の供給路を形成するため、専用の治具が不要となる。
【００３０】
また、供給路の形成は、予備ロウ材の表面張力を利用する。このため、予備ロウ材は、表面積が小さな形状を維持できる方向で高い位置から低い位置に流れる性質を有し、供給量を適宜調整する必要がない。
【００３１】
また、マウント用ロウ材及び予備ロウ材が、フラックスを含まない半田であってもよいため、フラックスを含有する半田と比べて、周囲に急激に拡散することがなく、ベースプレート上に供給された領域に留まることができる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、半導体チップ１０の発熱域となる中央部１０ａを半固相状態のマウント用ロウ材２で仮固定した上で、マウント用ロウ材２に溶融状態の予備ロウ材３を一体化させて、空隙１３を埋めることができる。従って、半導体チップ１０の中央部直下でのマウント用ロウ材２の厚さを維持したまま、即ち、マウント用ロウ材２の厚さを増すことなく、半導体チップ１０全面をベースプレート１にマウントできる。
【００３３】
また、図１（ａ）に示す工程でマウント用ロウ材２を供給する際に、予備ロウ材３も供給し、図３（ａ）に示す工程でスクラブ作業時に使用した治具４を用いて、供給経路５を形成できるので、製造プロセスを大幅に変更する必要がない。
【００３４】
また、供給経路５を形成するだけで、予備ロウ材３が表面張力により空隙１３へ流れ込むので、供給量が適量に調整される。そのため、予備ロウ材３の供給量を調整するためのプロセスが不要となる。さらに、上記ダイマウント工程は、新たな設備が不要であるから、既存の製造設備を流用できる。
【００３５】
次に、図４を参照して、比較例としての半導体装置の製造方法について説明する。比較例では、ベースプレート１上にマウント用ロウ材２を多量に供給し、予備ロウ材３を供給しない点で、第１の実施形態に係る製造方法と異なる。まず、図４（ａ）に示すように、ベースプレート１上にマウント用ロウ材２Ａを供給する。マウント用ロウ材２Ａの供給量は、半導体チップ１０の周縁部１０ｂが反り上がった場合でも、ベースプレート１との間に空隙が生じない程度の量とする。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、ベースプレート１を昇温して、マウント用ロウ材２Ａを溶融する。続いて、図４（ｃ）に示す工程では、溶融状態のマウント用ロウ材２Ａを介して半導体チップ１０をベースプレート１上にマウントし、治具４を用いてスクラブ作業を行う。
【００３７】
高温状態に晒された半導体チップ１０は、図４（ｄ）に示すように、反り上がった形状となる。比較例では、ベースプレート１上に供給したマウント用ロウ材２Ａの量が多く、半導体チップ１０の周縁部１０ｂとベースプレート１との間には空隙が生じない。最後に、この状態でベースプレート１の温度を下げて、マウント用ロウ材２Ａを固化させてダイマウント工程を完了する。
【００３８】
しかし、比較例での製造方法では、マウント用ロウ材２Ａを過剰に供給するので、半導体チップ１０の中央部１０ａでマウント用ロウ材２Ａの厚みが大きくなり、放熱性が損なわれる。また、高価なＡｕ系のマウント用ロウ材２Ａの使用量が増加するので、製造コストが高くなる。
【００３９】
また、溶融状態のマウント用ロウ材２Ａは、供給された量が多い程、表面張力により曲面化して、中央部が突出した形状となる。そのため、半導体チップ１０のマウント時に、半導体チップ１０の中央部１０ａのみが急激に加熱され、半導体チップ１０の反り上がりが助長される。
【００４０】
さらに、溶融状態の多量のマウント用ロウ材２Ａを一定面積に留めることは困難である。このため、半導体チップ１０の周囲に配置された他の構成部品のインタフェース部や、半導体チップ１０の上面にマウント用ロウ材２Ａが溢れ出し、これらの箇所を侵食、汚染し、悪影響を与える可能性がある。
【００４１】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を工程順に示す断面図である。本実施形態では、図１（ａ）に示す工程で、予備ロウ材３をベースプレート１上の複数の領域に供給し、図５（ａ）に示す工程で、予備ロウ材３の供給経路を複数形成する点で、第１の実施形態に係る製造方法と異なる。
【００４２】
まず、図１（ａ）に示す工程では、ベースプレート１上の所定領域１ａに隣接する２つの領域に、予備ロウ材３をそれぞれ供給する。２つの領域は、図５（ａ）に示すロウ材溜り部３ａ，３ｂであり、ベースプレート１上の所定領域１ａに対して略対称となる箇所に位置している。
【００４３】
次に、図１（ｂ）に示す工程では、ベースプレート１を昇温させて、ロウ材溜り部３ａ，３ｂの予備ロウ材３を溶融する。続いて、図１（ｃ）に示す工程では、マウント用ロウ材２を介して、半導体チップ１０をベースプレート１にマウントし、治具４を用いてスクラブ作業を行う。
【００４４】
続いて、図５（ａ）に示す工程では、図１（ｃ）のスクラブ作業で使用した治具４をオーバースクラブさせて、ロウ材溜り部３ａ，３ｂと空隙１３とを接続する供給経路５，６を形成する。溶融状態の予備ロウ材３は、ロウ材溜り部３ａ，３ｂから供給経路５，６に沿って空隙１３に流れ込む。
【００４５】
最後に、図５（ｂ）に示す工程では、溶融状態の予備ロウ材３が半固相状態のマウント用ロウ材２に吸われて一体化し、空隙１３を埋める。その後に、ベースプレート１の温度を下げて、一体化したマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を固化させ、ダイマウント工程を完了する。
【００４６】
本実施形態の製造方法では、予備ロウ材３をベースプレート１上の複数領域に供給したので、予備ロウ材３をより多く確保できる。従って、半導体チップ１０の反り上がりにより形成された空隙１３が大きく、空隙１３を埋めるために必要な予備ロウ材３の量が多い場合でも対処できる。
【００４７】
また、複数のロウ材溜り部３ａ，３ｂから供給経路５，６に沿って予備ロウ材３が空隙１３に供給されるので、空隙１３を短時間で埋めることができる。そのため、予備ロウ材３の粘度が上がり流動性が損なわれて、予備ロウ材３の空隙１３への供給が滞ってしまうことを回避できる。
【００４８】
上記各実施形態では、半導体チップ１０の空隙１３を、半導体チップ１０のために予め用意した予備ロウ材３で埋めるようにしたが、これに限定されない。一例として、ベースプレート１上にマウントされる他の構成部品のために予め用意した他のマウント用ロウ材や予備ロウ材を流用してもよい。このようにすれば、ベースプレート１上のロウ材溜り部の数を減らすことができるので、簡略化を図ると共に、マウント用ロウ材や予備ロウ材の全体での使用量を削減できる。
【００４９】
また、供給経路５，６は、スクラブ作業時に用いた治具４をオーバースクラブすることで形成したが、これに限定されない。一例として、熱拡散により供給経路５，６を形成してもよい。なお、この際には、ベースプレート１上の所定領域１ａから近い位置に予備ロウ材３を供給することが望ましい。
【００５０】
また、半導体チップ１０を上方から所定の治具で押し付けて、マウント用ロウ材２を周囲に溢れ出させて、供給経路５，６を形成してもよい。所定の治具としては、ピンセットや、金属製、樹脂製、セラミック製のコレットチャック等が挙げられる。所定の治具による半導体チップ１０の押し付けを解除すれば、周囲に溢れ出たマウント用ロウ材２は、ベースプレート１の所定領域１ａに、表面張力により再び吸われる。これにより、半導体チップ１０の周囲から余分なマウント用ロウ材２を排除できる。また、溢れ出したマウント用ロウ材２が、マウント用ロウ材が不足している他の構成部品に届いた際には、その不足分を補充できる。
【００５１】
また、マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３の状態、表面清浄度、温度管理等を最適化することで、ベースプレート１上にマウントされた構成部品を一括加熱して溶融接合を行うリフロー工法を適用することも考えられる。例えば、供給経路５，６が形成される位置に、融点の異なるロウ材を適量ダムとして供給し、加熱溶融後の熱拡散により供給経路５，６を遅延して形成すればよい。これにより、リフロー工法によっても、半導体チップ１０の空隙１３を予備ロウ材３で埋めることができる。
【００５２】
また、予備ロウ材３に濡れ性を阻害する材質を含有させてもよい。この材質としては、酸化／窒化膜、有機系のポリイミド／エポキシ膜、セラミック等が挙げられる。このようにすれば、ロウ材溜り部３ａ，３ｂに留まる予備ロウ材３の量を多くできる。また、ロウ材溜り部３ａ，３ｂからの予期せぬ予備ロウ材３の流出を防止できる。
【００５３】
また、半導体チップ１０は、ミリ波帯デバイス用途のものについて説明したが、これに限定されない。即ち、半導体装置がミリ波帯デバイス用途でなくても、マウント用ロウ材２を用いて半導体チップ１０をベースプレート１にダイマウントする際には、上記各実施形態での製造方法を適用可能である。
【００５４】
また、予備ロウ材３で埋められる空隙１３としては、ダイマウント時に半導体チップ１０の周縁部１０ｂが反り上がる例を示したが、これに限定されない。一例として、反り上がりが発生しない状況であっても、半導体チップ１０のダイ面積が極端に大きい場合では、半導体チップ１０の中央部１０ａにマウント用ロウ材２が集まり、周縁部１０ｂでマウント用ロウ材２が不足する状況がある。このような状況であっても、上記各実施形態での製造方法を適用して、予備ロウ材３によりマウント用ロウ材２の不足分を補充できる。
【００５５】
さらに、上記各実施形態では、ロウ材溜り部３ａ，３ｂは、ベースプレート１上に予備ロウ材３が単に供給された領域としたが、これに限定されない。一例として、ベースプレート１の表面に溝を形成し、又は、Ａｕメッキ表面に濡れ性を阻害するような細工を施すことで、予備ロウ材３の拡散を抑えてもよい。
【００５６】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を工程順に示す断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、半導体チップの構成を示す模式的断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、図１に続く工程を順次に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、比較例である半導体装置の製造方法の工程を順次に示す断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１：ベースプレート
２：マウント用ロウ材
３：予備ロウ材
３ａ，３ｂ：ロウ材溜り部
４：治具
５，６：供給経路
１０：半導体チップ
１０ａ：半導体チップの中央部
１０ｂ：半導体チップの周縁部
１１：金属層
１２：チップ基材
１３：空隙
【図１】
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【図２】
2010067877.tif 000004
【図３】
2010067877.tif 000005
【図４】
2010067877.tif 000006
【図５】
2010067877.tif 000007