(57)【要約】【課題】集積型の半導体レーザ素子における設計の自由度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、青紫色半導体レーザ素子１０と、島状に設けられた融着層１ａ〜１ｄを介して青紫色半導体レーザ素子１０と接合される２波長半導体レーザ素子７０と、青紫色半導体レーザ素子１０の表面上の融着層１ａ〜１ｄが配置されていない領域に、２波長半導体レーザ素子７０に対して空隙を隔てて対向するように形成された引き出し用配線１７ａを有するｐ側の電極１７とを備える。【選択図】図３
2010258245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体レーザ素子と、
島状に設けられた融着層を介して前記第１半導体レーザ素子と接合される第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と接合される側の前記第１半導体レーザ素子の表面の、少なくとも前記融着層が配置されていない領域に、前記第２半導体レーザ素子に対して空隙を隔てて対向するように形成された引き出し用配線を有する配線部とを備える、半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記融着層は、前記第２半導体レーザ素子と前記配線部とを電気的に接続するための第１接合領域と、前記配線部を除く前記表面上において、前記第２半導体レーザ素子を前記表面に接合するための第２接合領域とに配置されている、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子は、前記融着層が配置されていない領域に位置するように各々の共振器端面が形成されており、
前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子とは、前記共振器端面近傍において空隙を隔てて対向するように配置されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第２半導体レーザ素子は、少なくとも３箇所以上の接合領域によって前記融着層を介して前記表面と接合されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第２半導体レーザ素子の前記表面側にはリッジが形成されており、
前記第２半導体レーザ素子は、前記リッジに電気的に接続されるとともに前記リッジが形成された領域から前記リッジが形成されていない領域上に延びる電極部を含み、
前記第２半導体レーザ素子は、前記リッジが形成されていない領域に対応する前記電極部の部分に配置された前記融着層によって前記配線部と電気的に接続されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第２半導体レーザ素子の前記表面側にはリッジが形成されており、
前記配線部は、前記引き出し用配線が、前記リッジに対して空隙を隔てて対向することにより前記リッジを跨いで引き出されるように構成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関し、特に、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが接合された半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが接合された多波長半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子の表面上にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子が接合された多波長半導体レーザ装置が開示されている。この多波長半導体レーザ装置は、接着材（融着層など）を使用せずに、双方の半導体レーザ素子のオーミック電極層同志を所定の温度条件（室温程度）下で加熱しながら接合する、いわゆるダイレクトボンディング方式の接合技術を用いて形成されている。したがって、共振器方向に沿って延びるオーミック電極層の略全面を接合面（接合領域）として、双方の半導体レーザ素子は互いに接合されている。また、接合されたオーミック電極層が半導体レーザ素子の接合領域の外側まで引き出されることにより、双方の半導体レーザ素子は共通のパッド電極に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された多波長半導体レーザ装置では、双方の半導体レーザ素子は、共振器方向に沿って延びるオーミック電極層の略全面を接合領域として接合されるため、たとえば、オーミック電極層とは異なる接続配線（引き出し電極）などを、この接合領域を横断する方向に容易に設けることができないと考えられる。すなわち、オーミック電極層の略全面が半導体レーザ素子の接合領域として使用されるため、この領域をレーザ素子を接合する目的以外の用途に使用することができない。このため、上記特許文献１に記載の多波長半導体レーザ装置を、個々の半導体レーザ素子を電気的に独立させた状態で個別に駆動させる多波長半導体レーザ装置などに適用する場合、たとえば、個々の半導体レーザ素子から引き出される接続配線を、半導体レーザ素子同志の接合領域を迂回させて配置するような素子構造に形成する必要がある。したがって、集積型の半導体レーザ素子における設計の自由度が低下するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、集積型の半導体レーザ素子における設計の自由度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ素子は、第１半導体レーザ素子と、島状に設けられた融着層を介して第１半導体レーザ素子と接合される第２半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と接合される側の第１半導体レーザ素子の表面の、少なくとも融着層が配置されていない領域に、第２半導体レーザ素子に対して空隙を隔てて対向するように形成された引き出し用配線を有する配線部とを備える。
【０００８】
この発明の一の局面による半導体レーザ素子では、上記のように、第１半導体レーザ素子と、島状に設けられた融着層を介して第１半導体レーザ素子と接合される第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子の表面の少なくとも融着層が配置されていない領域に、第２半導体レーザ素子に対して空隙を隔てて対向するように形成された引き出し用配線を有する配線部とを備えることによって、第２半導体レーザ素子が島状に設けられた融着層の部分で第１半導体レーザ素子に対して接合されるのと同時に、第２半導体レーザ素子と第１半導体レーザ素子との間の融着層が配置されていない空隙部分を利用して配線部を設けることができる。これにより、個々の半導体レーザ素子を電気的に独立させた状態で個別に駆動させる多波長半導体レーザ素子などを形成する場合においても、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが平面的に重なる領域に引き出し用配線を有する配線部を設けることが可能であるので、集積型の半導体レーザ素子における設計の自由度を向上させることができる。
【０００９】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、融着層は、第２半導体レーザ素子と配線部とを電気的に接続するための第１接合領域と、配線部を除く表面上において、第２半導体レーザ素子を表面に接合するための第２接合領域とに配置されている。このように構成すれば、第２半導体レーザ素子は、第１接合領域および第２接合領域の部分で第１半導体レーザ素子の表面に接合されるので、第２半導体レーザ素子を確実に第１半導体レーザ素子に接合することができる。また、この際、融着層の厚みを調整することにより、第１半導体レーザ素子に対する第２半導体レーザ素子の平行度を容易に得ることができる。
【００１０】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子は、融着層が配置されていない領域に位置するように各々の共振器端面が形成されており、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とは、共振器端面近傍において空隙を隔てて対向するように配置されている。このように構成すれば、製造プロセスにおいて、ウェハ状態の第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とを接合した後にバー状に劈開して共振器端面を形成する際、融着層が配置されていない領域でウェハを劈開することができる。これにより、融着層が配置された領域でウェハを劈開する場合と異なり、融着層が存在しない分、劈開が良好に行われた劈開面からなる共振器端面を得ることができる。
【００１１】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第２半導体レーザ素子は、少なくとも３箇所以上の接合領域によって融着層を介して表面と接合されている。このように構成すれば、多波長からなる第２半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子に接合する場合であっても、３箇所の接合領域を利用して確実に接合することができるとともに、融着層の厚みを調整することにより、第１半導体レーザ素子に対する第２半導体レーザ素子の平行度を容易に得ることができる。
【００１２】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第２半導体レーザ素子の表面側にはリッジが形成されており、第２半導体レーザ素子は、リッジに電気的に接続されるとともにリッジが形成された領域からリッジが形成されていない領域上に延びる電極部を含み、第２半導体レーザ素子は、リッジが形成されていない領域に対応する電極部の部分に配置された融着層によって配線部と電気的に接続されている。このように構成すれば、第２半導体レーザ素子を、リッジが形成されていない領域に対応する電極部の部分で第１表面と接合することができるので、第２半導体レーザ素子のリッジに、接合時および接合後に過度な圧力が加わるのを抑制することができる。
【００１３】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第２半導体レーザ素子の表面側にはリッジが形成されており、配線部は、引き出し用配線が、リッジに対して空隙を隔てて対向することによりリッジを跨いで引き出されるように構成されている。このように構成すれば、第２半導体レーザ素子は、リッジが引き出し用配線に接触しない状態で第１半導体レーザ素子に接合されるので、第２半導体レーザ素子のリッジと引き出し用配線との不用な接続を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ素子から２波長半導体レーザ素子を取り除いた状態の青紫半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図３】図１に示した半導体レーザ素子の９１０−９１０線に沿った断面図である。
【図４】図１に示した半導体レーザ素子の９２０−９２０線に沿った断面図である。
【図５】図１に示した半導体レーザ素子の９３０−９３０線に沿った断面図である。
【図６】図１に示した半導体レーザ素子の９４０−９４０線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための平面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態による半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図１４】図１３に示した半導体レーザ素子の９５０−９５０線に沿った断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図１６】図１５に示した半導体レーザ素子の９６０−９６０線に沿った断面図である。
【図１７】図１５に示した半導体レーザ素子の９７０−９７０線に沿った断面図である。
【図１８】図１５に示した半導体レーザ素子の９８０−９８０線に沿った断面図である。
【図１９】本発明の第３実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図２０】図１９に示した半導体レーザ素子の１１１０−１１１０線に沿った断面図である。
【図２１】図１９に示した半導体レーザ素子の１１２０−１１２０線に沿った断面図である。
【図２２】本発明の第３実施形態の変形例による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
まず、図１〜図６を参照して、第１実施形態による半導体レーザ素子１００の構造について説明する。
【００１７】
第１実施形態による半導体レーザ素子１００は、図１および図３に示すように、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子１０の表面上に、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子３０と約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子５０とによって、少なくとも２つ以上の半導体レーザ素子が隣接して並ぶように構成された２波長半導体レーザ素子７０が、ＡｕＳｎ半田などからなる融着層１ａ〜１ｄ（図１において破線で示す）を介して接合されている。なお、青紫色半導体レーザ素子１０は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例であり、２波長半導体レーザ素子７０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子５０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００１８】
また、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０は、約１００μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ基板１１の表面上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２と、アンドープＧａＩｎＮからなる４つの障壁層とアンドープＧａＩｎＮからなる３つの井戸層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する活性層１３と、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４とが形成されている。
【００１９】
また、ｐ型クラッド層１４は、素子のＢ方向の略中央部に形成されるとともにＣ１方向に突出する凸部と、凸部の両側に広がる平坦部とを有している。また、ｐ型クラッド層１４の凸部上に、アンドープＧａＩｎＮからなるｐ側コンタクト層１５が形成されている。このｐ型クラッド層１４の凸部とｐ側コンタクト層１５とによって、活性層１３の部分に光導波路を構成するためのリッジ２５が形成されている。また、ｐ型クラッド層１４の平坦部の上面とリッジ２５の側面とを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層１６が形成されている。また、ｐ側コンタクト層１５の上面に接触するとともにリッジ２５の周辺に位置する電流ブロック層１６の上面を覆うように、約１μｍの厚みを有するｐ側の電極１７が形成されている。なお、電極１７は、本発明の「配線部」の一例である。
【００２０】
ここで、第１実施形態では、図２に示すように、電極１７は、青紫色半導体レーザ素子１０のＡ方向の略中央部からＢ１方向に突出して延びる引き出し用配線１７ａと、引き出し用配線１７ａのＢ１側の端部領域に形成されたワイヤボンド部１７ｂとを有している。
【００２１】
また、第１実施形態では、青紫色半導体レーザ素子１０のＢ１側の電流ブロック層１６の表面上の引き出し用配線１７ａおよびワイヤボンド部１７ｂが形成されている領域とは異なる領域に、引き出し用配線２１ａを有する略Ｌ字形状の配線部２１が形成されるとともに、Ｂ２側の電流ブロック層１６の表面上に、引き出し用配線２２ａを有する略Ｌ字形状の配線部２２が形成されている。なお、配線部２１および２２は、共に約１μｍの厚みを有している。ここで、電流ブロック層１６は、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とを絶縁するための絶縁層を兼ねている。
【００２２】
また、図３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上に、ｎ側電極１８が形成されている。なお、ｎ側電極１８は、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面の全面を覆うのではなく、Ｂ方向の側端部近傍には形成されていない。これにより、２波長半導体レーザ素子７０のウェハと、青紫色半導体レーザ素子１０のウェハとを接合する際、透光性を有するｎ型ＧａＮ基板１１のｎ側電極１８が形成されていない領域を通して、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面から２波長半導体レーザ素子７０のウェハの位置を確認できるので、接合の位置決めを容易に行うことが可能である。
【００２３】
また、図３に示すように、２波長半導体レーザ素子７０は、約１００μｍの厚みを有するｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上に、赤色半導体レーザ素子３０と赤外半導体レーザ素子５０とがＢ方向に所定の間隔（１００μｍ以下）を隔てて形成されている。また、赤色半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層３２と、ＭＱＷ構造を有する活性層３３と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層３４とが形成されている。
【００２４】
また、ｐ型クラッド層３４の下面には、２つの凹部３４ｃを挟んで下方（Ｃ２方向）に突出する３つの凸部（１つの凸部３４ａおよび２つの凸部３４ｂ）が形成されている。そして、各々の凸部の下面上に、ｐ型ＧａＩｎＰからなる中間層３５と、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ側コンタクト層３６とが形成されている。なお、Ｂ方向の中央の凸部３４ａ、中間層３５およびｐ側コンタクト層３６によって、活性層３３の部分に光導波路を構成するためのリッジ４５が形成されている。また、Ｂ方向の両端の凸部３４ｂ、中間層３５およびｐ側コンタクト層３６によって、赤色半導体レーザ素子３０を青紫色半導体レーザ素子１０に接合する際の一対の支持部４６が形成されている。なお、リッジ４５および一対の支持部４６は、共に共振器方向（図１のＡ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００２５】
また、リッジ４５の両側面から凹部３４ｃを経て凸部３４ｂ下に形成されたｐ側コンタクト層３６の下面までを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層３７が形成されている。また、リッジ４５におけるｐ側コンタクト層３６の下面に接触するとともに左右の電流ブロック層３７の下面を覆うように、ｐ側電極３８が形成されている。また、ｐ側電極３８は、Ｃ方向に略一様な厚みを有することによって、表面（下面）が電流ブロック層３７の凹凸形状に対応する形状に形成されている。
【００２６】
また、赤外半導体レーザ素子５０は、上記赤色半導体レーザ素子３０における素子構造と同様に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層５２と、ＭＱＷ構造を有する活性層５３と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層５４とが形成されている。
【００２７】
また、ｐ型クラッド層５４の下面には、２つの凹部５４ｃを挟んで３つの凸部（１つの凸部５４ａおよび２つの凸部５４ｂ）が形成されている。そして、各々の凸部の下面上に、ｐ型ＧａＩｎＰからなる中間層５５と、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ側コンタクト層５６とがそれぞれ形成されている。なお、中央の凸部５４ａ、中間層５５およびｐ側コンタクト層５６によって、活性層５３の部分に光導波路を構成するためのリッジ６５が形成されている。また、両端の凸部５４ｂ、中間層５５およびｐ側コンタクト層５６によって、赤外半導体レーザ素子５０を青紫色半導体レーザ素子１０に接合する際の一対の支持部６６が形成されている。なお、リッジ６５および一対の支持部６６は、共に共振器方向（図１のＡ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００２８】
また、リッジ６５の両側面から凹部５４ｃを経て凸部５４ｂ下に形成されたｐ側コンタクト層５６の下面までを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層５７が形成されている。また、リッジ６５におけるｐ側コンタクト層５６の下面に接触するとともに電流ブロック層５７の下面を覆うように、ｐ側電極５８が形成されている。また、ｐ側電極５８は、Ｃ方向に略一様な厚みを有することによって、表面（下面）が電流ブロック層５７の凹凸形状に対応する形状に形成されている。
【００２９】
また、図３〜図６に示すように、２波長半導体レーザ素子７０において、一対の支持部４６（６６）は、電流ブロック層３７（５７）が形成されていないリッジ４５（６５）の下面よりも下方（Ｃ２方向）に位置するように構成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０に対して２波長半導体レーザ素子７０を接合する際に、リッジ４５および６５に過度な圧力が加えられるのが抑制されるように構成されている。
【００３０】
ここで、第１実施形態では、２波長半導体レーザ素子７０は、図３に示した位置（図１の９１０−９１０線断面）において、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８が、融着層１ａにより青紫色半導体レーザ素子１０に設けられた引き出し用配線２１ａに電気的に接続されている。すなわち、融着層１ａは、凹凸形状を有するｐ側電極５８の表面から引き出し用配線２１ａの上面までの空間（約２μｍ）に埋め込まれている。また、図６に示した位置（図１の９４０−９４０線断面）では、ｐ側電極５８は、融着層１ａとは厚みの異なる融着層１ｂにより青紫色半導体レーザ素子１０のＢ１側の表面（電流ブロック層１６の平坦部）に接合されている。すなわち、融着層１ｂは、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８が、配線部２１と電気的に接続しない領域に配置されている。なお、図６に示すｐ側電極５８の表面（最下面）から電流ブロック層１６の平坦部までの距離は約３μｍであり、融着層１ｂは、凹凸形状を有するｐ側電極５８の表面から電流ブロック層１６の上面までの空間に埋め込まれるように形成されている。
【００３１】
一方、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８は、図３および図６に示した位置では、青紫色半導体レーザ素子１０とは接合されずにＢ２側に形成された電流ブロック層１６の上方（Ｃ１方向）に空隙（約３μｍ）を隔てて対向した状態で配置されている。
【００３２】
また、２波長半導体レーザ素子７０は、図５に示した位置（図１の９３０−９３０線断面）において、融着層１ｃが凹凸形状を有するｐ側電極３８の表面から引き出し用配線２２ａの上面までの空間（約２μｍ）に埋め込まれることにより、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８が、青紫色半導体レーザ素子１０に設けられた引き出し用配線２２ａに電気的に接続されている。一方、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８は、青紫色半導体レーザ素子１０とは接合されずにＢ１側に形成された電流ブロック層１６の上方（Ｃ１方向）に空隙（約３μｍ）を隔てて対向した状態で配置されている。また、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８は、図１における９１０−９１０線よりも若干Ａ２側の領域で、融着層１ｃとは厚みの異なる融着層１ｄにより青紫色半導体レーザ素子１０のＢ２側の表面（電流ブロック層１６の平坦部）に接合されている。すなわち、融着層１ｄは、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８が、配線部２２と電気的に接続しない領域に配置されている。なお、融着層１ｄの厚みおよび形状は、図６に示した融着層１ｂと略同じように形成されている。
【００３３】
また、図４に示した位置（図１の９２０−９２０線断面）において、２波長半導体レーザ素子７０は、青紫色半導体レーザ素子１０とは接合されずに引き出し用配線１７ａの上方（Ｃ１方向）に空隙（約２μｍ）を隔てて対向した状態で配置されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０の電極１７は、図４に示した位置において、２波長半導体レーザ素子７０とは接触することなく引き出し用配線１７ａにより２波長半導体レーザ素子７０が上方に配置されていないＢ１側の外部まで引き出されている。なお、図１に示すように、引き出し用配線１７ａは、９２０−９２０線において、融着層１ａおよび１ｂの間を通って赤外半導体レーザ素子５０のリッジ６５に対して空隙を隔てた状態（図４参照）でリッジ６５をＢ方向に跨いだ状態で延びるように配置されている。
【００３４】
以上から、第１実施形態では、２波長半導体レーザ素子７０（図１参照）は、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０の表面の４箇所に島状に設けられた融着層１ａ、１ｂ、１ｃおよび１ｄの部分で、青紫色半導体レーザ素子１０と接合されている。
【００３５】
また、図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上面（Ｃ１側の表面）上にｎ側電極７１が形成されている。このｎ側電極７１は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の端部（基板の端から約１０μｍ内側に入った領域）を除く領域に形成されている。これにより、２波長半導体レーザ素子７０は、ｎ側電極７１が形成されていない部分でウェハの素子分離が行われるように構成されている。また、ｎ側電極７１は、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子５０に共通に用いられる。なお、図１では、図面の都合上、ｎ側電極７１を取り除いた状態で半導体レーザ素子１００の平面的に見た場合を示している。
【００３６】
また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子５０のＡ方向の両端部には、一対の共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａが形成されている。なお、Ａ１側の各々の共振器端面、および、Ａ２側の各々の共振器端面は、それぞれの側において互いに同一平面上に揃えられて形成されている。また、共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａには、それぞれ、ＡｌＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜などからなる反射率制御の機能を兼ねる保護膜（図示せず）が形成されている。なお、共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａが形成された領域近傍には、上記の融着層１ａ、１ｂ、１ｃおよび１ｄは配置されておらず、共振器端面１０ａに対して共振器端面３０ａおよび５０ａは、互いに接触せずに空隙を隔てて対向するように配置されている。
【００３７】
また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０は、ワイヤボンド部１７ｂにボンディングされた金属線８１を介してリード端子（図示せず）に接続されるとともに、ｎ側電極１８が融着層（図示せず）を介して基台（図示せず）などに電気的に固定される。また、赤外半導体レーザ素子５０は、配線部２１のワイヤボンド部２１ｂにボンディングされた金属線８２を介してリード端子（図示せず）に接続される。また、赤色半導体レーザ素子３０は、配線部２２のワイヤボンド部２２ｂにボンディングされた金属線８３を介してリード端子（図示せず）に接続される。また、２波長半導体レーザ素子７０は、融着層１ｄと反対側の位置のｎ側電極７１の表面にボンディングされた金属線８４を介して基台に電気的に接続される。
【００３８】
次に、図１〜図３、図５および図６〜図１２を参照して、第１実施形態による半導体レーザ素子１００の製造プロセスについて説明する。
【００３９】
まず、図３に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面上に、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４およびｐ側コンタクト層１５を順次積層する。その後、ｐ側コンタクト層１５およびｐ型クラッド層１４の一部の領域をエッチングすることによりリッジ２５を形成するとともに、プラズマＣＶＤを用いて、リッジ２５の両側面からｐ型クラッド層１４の平坦部までを覆うように電流ブロック層１６を形成する。その後、リッジ２５上の電流ブロック層１６を除去した後、真空蒸着法およびリフトオフ法を用いて、ｐ側コンタクト層１５および電流ブロック層１６上の所定領域を覆うように電極１７を形成する。
【００４０】
この際、第１実施形態では、図７に示すように、電極１７の形成と同時に、電流ブロック層１６の表面に、引き出し用配線２１ａを有する配線部２１と、引き出し用配線２２ａを有する配線部２２とを形成する。このようにして、ｎ側電極１８（図３参照）を除く青紫色半導体レーザ素子１０のウェハが作製される。
【００４１】
また、図８に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上面上に、赤色半導体レーザ素子３０となるｎ型クラッド層３２、活性層３３、ｐ型クラッド層３４、中間層３５およびｐ側コンタクト層３６を順次形成する。その後、ｐ側コンタクト層３６からＣ１方向にエッチングしてｎ型ＧａＡｓ基板３１の一部を露出させて、その露出した部分の一部に、凹部３１ａおよび３１ｂとなる領域を残して、赤外半導体レーザ素子５０となるｎ型クラッド層５２、活性層５３、ｐ型クラッド層５４、中間層５５およびｐ側コンタクト層５６を順次形成する。
【００４２】
その後、図９に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて、ｐ側コンタクト層３６（５６）、中間層３５（５５）およびｐ型クラッド層３４（５４）の所定の領域をこれらの膜の合計膜厚の半分程度まで除去することによって、リッジ４５（６５）を形成する。また、リッジの形成と同時に、リッジ４５（６５）のＢ方向の両側に凹部３４ｃ（５４ｃ）を挟んで一対の支持部４６（６６）を形成する。これにより、凹凸形状を有する半導体層の表面が形成される。
【００４３】
その後、図１０に示すように、プラズマＣＶＤを用いて、半導体層の上面を覆うように電流ブロック層３７（５７）を形成する。この際、ｎ型ＧａＡｓ基板３１が露出する凹部３１ａおよび３１ｂにも電流ブロック層３７（５７）が積層される。その後、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて、リッジ４５（６５）の上面上の電流ブロック層３７（５７）を除去する。これにより、電流ブロック層３７が除去されていない支持部４６（６６）は、リッジ４５（６５）の上面よりも電流ブロック層３７の厚みの分だけ上方（Ｃ２方向）に位置した状態となる。
【００４４】
その後、真空蒸着法およびリフトオフ法を用いて、チップ化後の２波長半導体レーザ素子７０の形状に対応するように、リッジ４５（６５）の上面上と電流ブロック層３７（５７）の所定の領域の上面上とに金属層３８および５８を積層する。
【００４５】
その後、エッチングを用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３１が約１００μｍの厚みを有するようにｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面をエッチングした後、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上の所定の領域に金属層７１をパターニングする。この状態で、ウェハに対して約４００℃の熱処理を行う。これにより、図１０に示すように、リッジ４５（６５）の上面上の金属層が合金化されてｐ側電極３８（５８）が形成されるとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面側の金属層が合金化されてｎ側電極７１が形成される。このようにして、２波長半導体レーザ素子７０のウェハが作製される。
【００４６】
その後、ウェハ状態の青紫色半導体レーザ素子１０の表面に、約２〜３μｍの厚みを有する融着層１ａ、１ｂ、１ｃおよび１ｄ（図２参照）を島状に配置する。この際、融着層１ａおよび１ｃは、それぞれ、引き出し用配線２１ａおよび２２ａの表面上に配置される一方、融着層１ｂおよび１ｄは、それぞれ、電流ブロック層１６の表面上に配置される。また、図１１に示すように、ウェハ状態の２波長半導体レーザ素子７０の、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８の表面上に融着層１ｅおよび１ｆを島状に形成するとともに、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８の表面上に融着層１ｇおよび１ｈを島状に形成する。
【００４７】
そして、図１２に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０が形成されたウェハと２波長半導体レーザ素子７０が形成されたウェハとを約２００℃以上約３５０℃以下の熱を加えることによって接合する。この際、第１実施形態では、２波長半導体レーザ素子７０に設けられた融着層１ｅ〜１ｈの位置（図１１参照）と、青紫色半導体レーザ素子１０に設けられた融着層１ａ〜１ｄの位置（図２参照）とをそれぞれ対向させて接合する。これにより、融着層１ａと１ｅとが溶融して、凹凸形状のｐ側電極５８の表面と引き出し用配線２１ａとの空間（図３参照）が埋め尽くされるとともに、融着層１ｃと１ｇとが溶融して、凹凸形状のｐ側電極３８の表面と引き出し用配線２２ａとの空間（図５参照）を埋め尽くされる。同様に、融着層１ｂ（１ｄ）と１ｆ（１ｈ）とが溶融して、ｐ側電極５８（３８）の表面と電流ブロック層１６との空間（図６参照）が埋め尽くされる。
【００４８】
その後、図１２に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１が約１００μｍの厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上の所定の領域にｎ側電極１８をパターニングする。なお、ｎ側電極１８を形成する際、熱処理は行われない。なお、予め、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、ｎ側電極１８を形成した青紫色半導体レーザ素子１０のウェハを２波長半導体レーザ素子７０のウェハに接合してもよい。
【００４９】
その後、約８００μｍの共振器長を有するように青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とが接合されたウェハをバー状に劈開して、各半導体レーザ素子の共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａを形成する。そして、端面コート処理により、光出射側の共振器端面に低反射率の保護膜（図示せず）を形成するとともに、光反射側の共振器端面に高反射率の保護膜を形成する。
【００５０】
その後、図１２に示す素子分離位置において、ｎ側電極７１の表面（上面）をＡ方向（紙面に垂直な方向）にスクライブすることにより、ワイヤボンド部１７ｂ、２１ｂおよび２２ｂ（図１参照）に対向する領域のｎ型ＧａＡｓ基板３１の部分が２波長半導体レーザ素子７０から除去されて、ワイヤボンド部１７ｂ、２１ｂおよび２２ｂが外部（Ｃ１方向）に露出される。最後に、図１２に示す素子分割位置において、バーを共振器方向に沿って素子分割（チップ化）する。このようにして、第１実施形態による半導体レーザ素子１００（図１参照）の複数個のチップが形成される。
【００５１】
第１実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子１０の表面上の融着層１ａ〜１ｄが配置されていない領域に、２波長半導体レーザ素子７０に対して空隙を隔てて対向する引き出し用配線１７ａを有する電極１７を設けることによって、２波長半導体レーザ素子７０が島状に設けられた融着層１ａ〜１ｄの部分で青紫色半導体レーザ素子１０に対して接合されるのと同時に、２波長半導体レーザ素子７０と青紫色半導体レーザ素子１０との間の融着層１ａ〜１ｄが配置されていない空隙部分を利用して、電極１７の引き出し用配線１７ａを設けることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とを電気的に独立させた状態で個別に駆動させる半導体レーザ素子１００を形成する場合においても、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とが平面的に重なる領域に電極１７（引き出し用配線１７ａ）を設けることが可能であるので、集積型の半導体レーザ素子１００における設計の自由度を向上させることができる。
【００５２】
また、第１実施形態では、融着層１ａおよび１ｃを、２波長半導体レーザ素子７０と配線部２１および２２とを電気的に接続するための第１接合領域（引き出し用配線２１ａおよび２２ａ）に配置するとともに、融着層１ｂおよび１ｄを、電極１７と配線部２１および２２とが形成されていない青紫色半導体レーザ素子１０の表面（電流ブロック層１６）上に配置することによって、２波長半導体レーザ素子７０は、２箇所以上の接合領域を利用して青紫色半導体レーザ素子１０に接合されるので、２波長半導体レーザ素子７０を確実に青紫色半導体レーザ素子１０に接合することができる。また、この際、融着層１ａ〜１ｄの厚みを調整することにより、青紫色半導体レーザ素子１０に対する２波長半導体レーザ素子７０の平行度を容易に得ることができる。
【００５３】
また、第１実施形態では、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とを、融着層１ａ〜１ｄが配置されていない共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａの近傍において互いに接触せずに空隙を隔てて対向するように配置することによって、ウェハ状態の青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子７０とを接合した後にバー状に劈開して共振器端面を形成する際、融着層１ａ〜１ｄが配置されていない領域でウェハを劈開することができる。これにより、融着層１ａ〜１ｄが配置された領域でウェハを劈開する場合と異なり、融着層１ａ〜１ｄが存在しない分、劈開が良好に行われた劈開面からなる共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａを得ることができる。
【００５４】
また、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子７０のｐ側電極は、融着層１ａ〜１ｄと同様に、共振器端面１０ａ（３０ａ、５０ａ）近傍には形成されていない。すなわち、上述の融着層の形成状態と同様に、ｐ側電極が配置された領域でウェハを劈開する場合と異なり、融着層１ａ〜１ｄが存在しない分、劈開が良好に行われた劈開面からなる共振器端面１０ａ、３０ａおよび５０ａを得ることができる。
【００５５】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子５０からなる２波長半導体レーザ素子７０を、融着層１ａ〜１ｄを用いて４箇所の接合領域で青紫色半導体レーザ素子１０と接合することによって、平面積の大きな２波長半導体レーザ素子７０を青紫色半導体レーザ素子１０に接合する場合であっても、４箇所の接合領域を利用して確実に接合することができるとともに、融着層１ａ〜１ｄの厚みを調整することにより、青紫色半導体レーザ素子１０に対する２波長半導体レーザ素子７０の平行度を容易に得ることができる。
【００５６】
また、第１実施形態では、電極１７の引き出し用配線１７ａが、青紫色半導体レーザ素子１０のリッジ２５と電気的に接続された位置から赤外半導体レーザ素子５０のリッジ６５に対して空隙を隔てて対向することによりリッジ６５をＢ１方向に跨いで引き出されることによって、赤外半導体レーザ素子５０は、赤外半導体レーザ素子５０のリッジ６５が引き出し用配線１７ａに接触しない状態で青紫色半導体レーザ素子１０に接合されるので、赤外半導体レーザ素子５０のリッジ６５と引き出し用配線１７ａとの不用な接続を防止することができる。
【００５７】
また、第１実施形態では、金属線８４が、融着層１ｄと反対側の位置でｎ側電極７１と接続されているので、接続時の衝撃に起因して２波長半導体レーザ素子７０に損傷が入るのを抑制することができる。
【００５８】
（第１実施形態の変形例）
図１、図１３および図１４を参照して、第１実施形態の変形例について説明する。この第１実施形態の変形例では、上記第１実施形態と異なり、赤色半導体レーザ素子１３０と赤外半導体レーザ素子１５０とを青紫色半導体レーザ素子１０の表面上に個別に接合して半導体レーザ素子１１０を形成する場合について説明する。なお、赤色半導体レーザ素子１３０および赤外半導体レーザ素子１５０は、それぞれ、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００５９】
第１実施形態の変形例における半導体レーザ素子１１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に形成された赤色半導体レーザ素子１３０と、ｎ型ＧａＡｓ基板５１上に形成された赤外半導体レーザ素子１５０とが、個々に青紫色半導体レーザ素子１０に接合されている。なお、半導体レーザ素子１１０は、この点を除いて、図１に示した上記第１実施形態の半導体レーザ素子１００と同様の素子構造を有している。すなわち、図１３および図１４に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０の電極１７は、赤色半導体レーザ素子１３０および赤外半導体レーザ素子１５０にＢ方向に挟まれた領域において半導体レーザ素子１１０の外部（Ｃ１方向）に露出するように構成されている。
【００６０】
したがって、赤外半導体レーザ素子１５０は、図１４に示した位置（図１３の９５０−９５０線断面）において、ｐ側電極５８が、融着層１ａにより青紫色半導体レーザ素子１０に設けられた引き出し用配線２１ａに電気的に接続されるとともに、図１３に示すように、引き出し用配線１７ａをＡ１方向に跨いだ後、融着層１ｂにより青紫色半導体レーザ素子１０の電流ブロック層１６と接合されている。同様に、赤色半導体レーザ素子１３０は、図１３に示すように、引き出し用配線２２ａの部分で融着層１ｃを介して青紫色半導体レーザ素子１０と電気的に接続される一方、Ａ２方向に離間した領域に配置された融着層１ｄにより青紫色半導体レーザ素子１０の電流ブロック層１６と接合されている。なお、赤色半導体レーザ素子１３０のｐ側電極３８は、図１４に示した位置（図１３の９５０−９５０線断面）では青紫色半導体レーザ素子１０とは接合されずに電流ブロック層１６の上方（Ｃ１方向）に空隙を隔てて対向した状態で配置されている。
【００６１】
また、図１３に示すように、赤外半導体レーザ素子１５０は、ｎ側電極５９の表面にボンディングされた金属線８４ａを介して基台に電気的に接続されるとともに、赤色半導体レーザ素子３０は、ｎ側電極３９の表面にボンディングされた金属線８４ｂを介して基台に電気的に接続される。
【００６２】
なお、半導体レーザ素子１１０の製造プロセスについては、個々に形成された赤色半導体レーザ素子１３０および赤外半導体レーザ素子１５０を青紫色半導体レーザ素子１０のウェハに個別に接合する工程を除いて、上記第１実施形態の製造プロセスと同様である。
【００６３】
第１実施形態の変形例では、上記のように、融着層１ａを、赤外半導体レーザ素子１５０と配線部２１とを電気的に接続するための第１接合領域（引き出し用配線２１ａ）に配置するとともに、融着層１ｂを、電極１７および配線部２１が形成されていない青紫色半導体レーザ素子１０の表面（電流ブロック層１６）上に配置することによって、赤外半導体レーザ素子１５０は、２箇所の接合領域を利用して青紫色半導体レーザ素子１０に接合されるので、赤外半導体レーザ素子１５０を確実に青紫色半導体レーザ素子１０に接合することができるとともに、青紫色半導体レーザ素子１０に対する赤外半導体レーザ素子１５０の平行度を容易に得ることができる。なお、赤色半導体レーザ素子１３０と青紫色半導体レーザ素子１０との接合に関しても、上記と同様の効果を有する。
【００６４】
また、第１実施形態の変形例では、本発明の「第２半導体レーザ素子」が一方の面に基板を有しているので、金属線８４ａおよび８４ｂの接続時の衝撃に起因して「第２半導体レーザ素子」に損傷が入るのを抑制することができる。なお、第１実施形態の変形例のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６５】
（第２実施形態）
図１３および図１５〜図１８を参照して、第２実施形態について説明する。この第２実施形態における半導体レーザ素子２００では、上記第１実施形態の変形例と異なり、個々に形成された赤色半導体レーザ素子２３０および赤外半導体レーザ素子２５０が、リッジに隣接する支持部に形成されたｐ側電極の部分で青紫色半導体レーザ素子１０に接合される場合について説明する。なお、赤色半導体レーザ素子２３０および赤外半導体レーザ素子２５０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００６６】
第２実施形態における半導体レーザ素子２００は、青紫色半導体レーザ素子１０に接合される赤色半導体レーザ素子２３０および赤外半導体レーザ素子２５０のリッジ周辺の素子構造が上記第１実施形態の変形例とは若干異なる点を除いて、図１３に示した半導体レーザ素子１１０と同様の素子構造を有している。
【００６７】
また、図１６に示すように、赤色半導体レーザ素子２３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上に、上記第１実施形態と同様の半導体層が積層されている。なお、製造プロセスにおいて、リッジ２４５を素子のＢ方向の中央からＢ１側に寄せて形成することにより、素子のＢ２側に、支持部４６よりも大きな平面積を有する支持部２４６を形成している。そして、リッジ２４５および支持部２４６の凹凸形状に沿って、最表面にｐ側電極２３８が形成されている。同様に、赤外半導体レーザ素子２５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１の下面上に、上記第１実施形態と同様の半導体層が積層されており、リッジ２６５を素子のＢ方向の中央からＢ２側に寄せて形成することにより、素子のＢ１側に、支持部６６よりも大きな平面積を有する支持部２６６を形成している。そして、リッジ２６５および支持部２６６の凹凸形状に沿って、最表面にｐ側電極２５８が形成されている。なお、ｐ側電極２３８および２５８は、本発明の「電極部」の一例である。
【００６８】
ここで、第２実施形態では、赤外半導体レーザ素子２５０は、図１６に示した位置（図１５の９６０−９６０線断面）において、ｐ側電極２５８の支持部２６６の下側の部分が、融着層２ａにより配線部２３の引き出し用配線２３ａに電気的に接続されている。また、図１８に示した位置（図１５の９８０−９８０線断面）において、ｐ側電極２５８の支持部２６６の下側の部分が、融着層２ａよりも厚い融着層２ｂにより青紫色半導体レーザ素子１０のＢ１側の表面（電流ブロック層１６の平坦部）に接合されている。
【００６９】
また、赤色半導体レーザ素子２３０は、図１８に示した位置において、ｐ側電極２３８の支持部２４６の下側の部分が、融着層２ｃにより配線部２４の引き出し用配線２４ａに電気的に接続されている。また、図１６に示した位置では、ｐ側電極２３８の支持部２４６の下側の部分が、融着層２ｃよりも厚い融着層２ｄにより青紫色半導体レーザ素子１０のＢ２側の表面（電流ブロック層１６の平坦部）に接合されている。
【００７０】
また、図１７に示した位置（図１５の９７０−９７０線断面）では、赤色半導体レーザ素子２３０および赤外半導体レーザ素子２５０は、共に、青紫色半導体レーザ素子１０には接合されておらず、青紫色半導体レーザ素子１０と赤外半導体レーザ素子２５０との空隙部分にＢ方向に延びる引き出し用配線１７ａが配置されている。
【００７１】
なお、第２実施形態における半導体レーザ素子２００のその他の構造および製造プロセスは、上記第１実施形態の変形例と同様である。
【００７２】
第２実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子２３０をリッジ２４５の下部以外の部分のｐ側電極２３８に配置された融着層２ｃによって引き出し用配線２４ａと電気的に接続するとともに、赤外半導体レーザ素子２５０を、リッジ２６５の下部以外の部分のｐ側電極２５８に配置された融着層２ａによって引き出し用配線２３ａと電気的に接続することによって、赤色半導体レーザ素子２３０および赤外半導体レーザ素子２５０を、リッジ２４５および２６５の下部以外で青紫色半導体レーザ素子１０と接合することができるので、リッジ２４５および２６５に、接合時および接合後に過度な圧力が加わるのを抑制することができる。なお、第２実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７３】
（第３実施形態）
図１９〜図２１を参照して、第３実施形態について説明する。この第３実施形態における半導体レーザ素子３００では、上記第１実施形態と異なり、リッジ２５が素子のＢ方向の中央から一方側（Ｂ１側）に寄せられて形成された青紫色半導体レーザ素子３１０に、上記第１実施形態と略同様の素子構造を有する２波長半導体レーザ素子７５が接合される場合について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子３１０および２波長半導体レーザ素子７５は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」および「第２半導体レーザ素子」の一例である。なお、図１９では、図面の都合上、ｎ側電極７１を取り除いた状態で半導体レーザ素子３００の平面的に見た場合を示している。
【００７４】
ここで、第３実施形態では、２波長半導体レーザ素子７５は、図２０に示した位置（図１９の１１１０−１１１０線断面）において、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８が、融着層３ａにより配線部３２１の引き出し用配線３２１ａに電気的に接続されるとともに、図１９に示すように、ｐ側電極５８は、引き出し用配線３１７ａをＡ２方向に跨いだ後、融着層３ｂが配置された領域で青紫色半導体レーザ素子１０の電流ブロック層１６と接合されている。同様に、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８は、融着層３ｃにより配線部３２２の引き出し用配線３２２ａに電気的に接続される一方、ｐ側電極３８は、引き出し用配線３１７ａおよび３２１ａをＡ１方向に跨いだ後、融着層３ｄが配置された領域で青紫色半導体レーザ素子１０の電流ブロック層１６と接合されている。
【００７５】
また、図２１に示した位置（図１９の１１２０−１１２０線断面）では、２波長半導体レーザ素子７５は、青紫色半導体レーザ素子３１０には接合されていない。これにより、青紫色半導体レーザ素子３１０の電極３１７からＢ２方向に延びる引き出し用配線３１７ａが、青紫色半導体レーザ素子３１０のＢ２側の端部近傍まで引き出されている。なお、電極３１７は、本発明の「配線部」の一例である。加えて、図１９に示すように、赤外半導体レーザ素子５０（本発明の「第２半導体レーザ素子」の一方の半導体レーザ素子）のｐ側電極５８（図２０参照）からＢ２方向に延びる引き出し用配線３２１ａが、青紫色半導体レーザ素子３１０のＢ２側の端部近傍まで引き出されている。ここで、引き出し用配線３２１ａは、融着層３ｃおよび３ｄの間を通って、赤色半導体レーザ素子３０（本発明の「第２半導体レーザ素子」の他方の半導体レーザ素子）のリッジ４５に対して空隙を隔てた状態でリッジ４５をＢ方向に跨いだ状態で延びるように配置されている。
【００７６】
また、図１９に示すように、青紫色半導体レーザ素子３１０は、ワイヤボンド部３１７ｂにボンディングされた金属線３８１を介してリード端子（図示せず）に接続されるとともに、ｎ側電極１８が融着層（図示せず）を介して基台（図示せず）などに電気的に固定される。また、赤外半導体レーザ素子５０は、配線部３２１のＢ２側のワイヤボンド部３２１ｂにボンディングされた金属線３８２を介してリード端子（図示せず）に接続される。また、赤色半導体レーザ素子３０は、配線部３２２のＢ２側のワイヤボンド部３２２ｂにボンディングされた金属線３８３を介してリード端子（図示せず）に接続される。また、２波長半導体レーザ素子７５は、ｎ側電極７１の表面にボンディングされた金属線３８４を介して基台に電気的に接続される。
【００７７】
なお、第３実施形態における半導体レーザ素子３００のその他の構造および製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００７８】
第３実施形態では、上記のように、ワイヤボンド部３１７ｂ、３２１ｂおよび３２２ｂが、青紫色半導体レーザ素子３１０の片側（Ｂ２側）に、共振器方向（Ａ方向）に並ぶように形成されているので、チップの幅を狭く形成することができる。なお、第３実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７９】
（第３実施形態の変形例）
図２２を参照して、第３実施形態の変形例について説明する。この第３実施形態の変形例における半導体レーザ素子３６０では、上記第３実施形態と異なり、青紫色半導体レーザ素子３１５のリッジ２５が形成された側（Ｂ１側）とは反対側（Ｂ２側）の端部に寄せて２波長半導体レーザ素子７５を配置するとともに、青紫色半導体レーザ素子３１５のリッジ２５と、２波長半導体レーザ素子７５とによってＢ方向に挟まれた領域に各配線部のワイヤボンド部を設ける場合について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子３１５は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例である。
【００８０】
ここで、第３実施形態の変形例では、図２２に示すように、青紫色半導体レーザ素子３１５のリッジ２５が形成された側とは反対側の電流ブロック層１６上に、略Ｌ形状を有する配線部３２５およ３２６が配置されている。また、各配線部のワイヤボンド部３２５ｂおよび３２６ｂと、青紫色半導体レーザ素子３１５のワイヤボンド部３１７ｂとが、Ａ方向に沿って直線状に並ぶように形成されている。そして、この状態で、２波長半導体レーザ素子７５は、融着層３ａ〜３ｄ（破線で示す）を介して、青紫色半導体レーザ素子３１５と接合されている。
【００８１】
具体的には、２波長半導体レーザ素子７５は、赤外半導体レーザ素子５０のｐ側電極５８が、融着層３ａにより配線部３２５の引き出し用配線３２５ａに電気的に接続されるとともに、ｐ側電極５８は、引き出し用配線３２６ａをＡ２方向に跨いだ後、融着層３ｂが配置された領域で青紫色半導体レーザ素子３１５の電流ブロック層１６と接合されている。同様に、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８は、融着層３ｃにより配線部３２６の引き出し用配線３２６ａに電気的に接続される一方、Ａ１方向に離間した領域に配置された融着層３ｄにより青紫色半導体レーザ素子３１５の電流ブロック層１６と接合されている。なお、青紫色半導体レーザ素子３１５の電極３１７は、２波長半導体レーザ素子７５とは平面的に重ならないように構成されている。
【００８２】
なお、第３実施形態の変形例における半導体レーザ素子３６０のその他の構造および製造プロセスは、上記第３実施形態と同様である。また、第３実施形態の変形例における効果は、上記第３実施形態と同様である。
【００８３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８４】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、本発明の「第２半導体レーザ素子」のｎ型ＧａＡｓ基板に金属層を形成した後にオーミック特性を得るために熱処理（アロイ工程）を行ってｎ側電極７１などを形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、熱処理を必要としないオーミック特性のｎ側電極を形成してもよい。この場合、ｎ型ＧａＡｓ基板をエッチングによって薄膜化（たとえば厚みを約５０μｍ程度にする）した後にｎ側電極を形成することができる。
【００８５】
また、上記第１および第３実施形態では、青紫色半導体レーザ素子の発光点と２波長半導体レーザ素子の発光点とが素子の厚み方向にずれた状態で接合される例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子の接合面の形状と２波長半導体レーザ素子の接合面の形状とを工夫することによって、青紫色半導体レーザ素子の発光点と２波長半導体レーザ素子の発光点とが横方向（Ｂ方向）に略直線状に揃うように構成してもよい。
【００８６】
また、上記第１〜第３実施形態では、青紫色半導体レーザ素子と赤色・赤外半導体レーザ素子とによって３波長半導体レーザ素子を構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、本発明の「第１半導体レーザ素子」とした赤色半導体レーザ素子に、本発明の「第２半導体レーザ素子」とした赤外半導体レーザ素子を接合して赤色・赤外の２波長半導体レーザ素子を構成してもよい。
【００８７】
また、上記第１〜第３実施形態では、青紫色半導体レーザ素子と赤色・赤外半導体レーザ素子とによって３波長半導体レーザ素子を構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、赤色半導体レーザ素子に、青色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とを接合してＲＧＢ３波長半導体レーザ素子を構成してもよい。
【００８８】
また、上記第１〜第３実施形態では、融着層にＡｕＳｎ半田を用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、融着層は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ａｇ、ＣｕまたはＳｉなどの半田材料またはその合金材料からなるように構成してもよい。また、半田を用いない他の接合方法を用いてもよい。
【００８９】
また、上記第１〜第３実施形態では、基板としてｎ型ＧａＮ基板およびｎ型ＧａＡｓ基板を用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＰ基板およびＳｉ基板などの他の基板を用いてもよい。
【００９０】
また、上記第１〜第３実施形態では、ウェハ状態の青紫色半導体レーザ素子１０の表面と、ウェハ状態の２波長半導体レーザ素子７０の表面の双方に融着層を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子１０の表面または２波長半導体レーザ素子７０の表面のいずれか一方の表面のみに融着層を形成した状態で接合するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９１】
１ａ〜１ｈ、２ａ〜２ｄ、３ａ〜３ｄ  融着層
１０、３１０、３１５  青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
１７、３１７  電極（配線部）
１７ａ、３１７ａ、２３ａ、２４ａ、３２１ａ、３２６ａ  引き出し用配線
２１、２２、２３、２４、３２１、３２２、３２５、３２６  配線部
３０、１３０、２３０  赤色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
５０、１５０、２５０  赤外半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
７０、７５  ２波長半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
４５、６５、２４５、２６５  リッジ
２３８、２５８  ｐ側電極（電極部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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