(57)【要約】【課題】一対の電極間に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールによって露出される導電層と電極とのコンタクト抵抗が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法では、共通電位配線１７および画素電極１９を覆うように有機膜からなる層間絶縁膜２０を形成する工程と、層間絶縁膜２０の共通電位配線１７に対応する領域にコンタクトホール２０ａを形成する工程と、コンタクトホール２０ａによって露出された共通電位配線１７および層間絶縁膜２０の表面をエッチングする工程と、共通電位配線１７にコンタクトホール２０ａを介して接続され、層間絶縁膜２０を挟んで画素電極１９と対向するように設けられる共通電極２１を形成する工程とを備える。【選択図】図３
2010139600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電位または共通電位の一方を供給する第１導電層と、前記画素電位または共通電位
の他方を供給する第２導電層とを形成する工程と、
前記第１導電層および前記第２導電層を覆うように第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１導電層および前記第２導電層に対応する領域の前記第１層間絶縁膜にそれぞれ
第１接続孔および第２接続孔を形成することにより前記第１導電層および前記第２導電層
を露出させる工程と、
前記第１導電層に前記第１接続孔を介して接続するように第１電極を形成する工程と、
前記第２導電層および前記第１電極を覆うように有機膜からなる第２層間絶縁膜を形成
する工程と、
前記第２層間絶縁膜の前記第２導電層および前記第２接続孔に対応する領域に第３接続
孔を形成することにより前記第２導電層を露出させる工程と、
前記第３接続孔によって露出された前記第２導電層の表面をエッチングする工程と、
前記第２導電層に前記第３接続孔を介して接続され、前記第２層間絶縁膜を挟んで前記
第１電極と対向するように第２電極を形成する工程とを備えた、液晶表示装置の製造方法
。
【請求項２】
前記第２層間絶縁膜を形成する工程は、塗布法により前記第２層間絶縁膜を形成する工
程を含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングする工程は、前記第２導電層の表面の自然酸化物をエッチングにより除
去する工程を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１層間絶縁膜を形成する工程は、前記第２層間絶縁膜と同じ有機膜から前記第１
層間絶縁膜を形成する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の
製造方法。
【請求項５】
前記第１電極を形成する工程に先立って、前記第１導電層の表面をエッチングする工程
をさらに備える、請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１層間絶縁膜は、平坦化膜である、請求項４または５に記載の液晶表示装置の製
造方法。
【請求項７】
前記第２層間絶縁膜を形成する工程は、感光性の有機膜により前記第２層間絶縁膜を形
成する工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電層は、薄膜トランジスタのソース／ドレインの一方であるとともに、前記
第２導電層は、共通電位配線であり、
前記第１電極は、画素電極であるとともに、前記第２電極は、共通電極である、請求項
１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１導電層は、共通電位配線であるとともに、前記第２導電層は、薄膜トランジス
タのソース／ドレインの一方であり、
前記第１電極は、共通電極であるとともに、前記第２電極は、画素電極である、請求項
１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、一対の電極が層間絶縁膜を挟んで対
向するように設けられる液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の電極（画素電極および共通電極）が層間絶縁膜を挟んで対向するように設
けられる液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に
記載の液晶表示装置では、ＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）と、薄膜トランジスタの表面
上に形成される有機膜からなる平坦化膜と、平坦化膜上に形成される画素電極と、画素電
極と対向するように設けられる共通電極と、画素電極と共通電極との間に設けられる誘電
膜（層間絶縁膜）とを備えている。そして、画素電極と共通電極とは、薄膜トランジスタ
が設けられる側に設けられ、画素電極と共通電極との間に発生する横方向の電界により液
晶を駆動するＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式により液晶
表示装置が駆動されている。また、画素電極と共通電極との間に形成された誘電膜は、た
とえばＳｉＯ２やＳｉＮｘなどのＳｉ系膜から形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４８７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置におけるＳｉＯ２やＳｉＮｘなど
のＳｉ系膜からなる誘電膜（層間絶縁膜）は、一般的にはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖ
ａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法から形成されるものである一方、画素電極の下方の
有機膜からなる平坦化膜は耐熱性が低いので、誘電膜は低温下でのＣＶＤ法により形成さ
れる。そして、共通電極に電位を供給する共通電位配線と、誘電膜上に形成される共通電
極とは、誘電膜に設けられたコンタクトホールを介して接続される。この共通電極を形成
する工程に先立って、たとえば希フッ酸により共通電位配線の表面をエッチングすること
によって自然酸化膜を除去することが望ましい一方、共通電極下の誘電膜が低温下でのＣ
ＶＤ法により形成されているため、希フッ酸により過度にエッチングされてしまうという
不都合がある。このため、共通電位配線上の自然酸化物を除去するエッチングが行えない
という不都合がある。その結果、導電層（共通電位配線）と電極（共通電極）とのコンタ
クト抵抗が大きくなるという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つ
の目的は、一対の電極間に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールによって露出される
導電層と電極とのコンタクト抵抗が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置の
製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における液晶表示装置の製造方法は、
画素電位または共通電位の一方を供給する第１導電層と、画素電位または共通電位の他方
を供給する第２導電層とを形成する工程と、第１導電層および第２導電層を覆うように第
１層間絶縁膜を形成する工程と、第１導電層および第２導電層に対応する領域の第１層間
絶縁膜にそれぞれ第１接続孔および第２接続孔を形成する工程と、第１導電層に第１接続
孔を介して接続するように第１電極を形成する工程と、第２導電層および第１電極を覆う
ように有機膜からなる第２層間絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜の第２接続孔お
よび第２導電層に対応する領域に第３接続孔を形成する工程と、第３接続孔によって露出
された第２導電層の表面をエッチングする工程と、第２導電層に第３接続孔を介して接続
され、第２層間絶縁膜を挟んで第１電極と対向するように第２電極を形成する工程とを備
える。
【０００７】
この一の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、有機膜からなる第２
層間絶縁膜の表面に、第２層間絶縁膜の第３接続孔を介して接続される第２電極を形成す
ることによって、有機膜からなる第２層間絶縁膜は、エッチングに用いられるたとえば希
フッ酸によってほとんどエッチングされないので、第２電極を形成する前に、第２層間絶
縁膜の表面がほとんどエッチングされることなく、第２層間絶縁膜の第３接続孔によって
露出された第２導電層の表面をエッチングすることができる。これにより、第２導電層の
表面の自然酸化物を除去することができるので、第２電極と第２導電層とのコンタクト抵
抗が大きくなるのを抑制することができる。
【０００８】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２層間絶縁膜を
形成する工程は、塗布法により第２層間絶縁膜を形成する工程を含む。このように塗布法
を用いれば、有機膜からなる第２層間絶縁膜を容易に形成することができる。
【０００９】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、エッチングする工
程は、第２導電層の表面の自然酸化物をエッチングにより除去する工程を含む。このよう
に構成すれば、第２電極と第２導電層とのコンタクト抵抗を大きくする自然酸化物が容易
に除去される。
【００１０】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１層間絶縁膜を
形成する工程は、第２層間絶縁膜と同じ有機膜から第１層間絶縁膜を形成する工程を含む
。このように構成すれば、第１層間絶縁膜が第２層間絶縁膜と同じ有機膜から形成されて
いるので、第１層間絶縁膜がエッチングされるのを抑制しながら第１層間絶縁膜の第１接
続孔によって露出される第１導電層の表面をエッチングすることができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、第１電極を形成する工程に先立って、第１導電層の表面をエッ
チングする工程をさらに備える。このように構成すれば、第１導電層の表面の自然酸化物
を除去することができるので、第１電極と第１導電層とのコンタクト抵抗が大きくなるの
を抑制することができる。
【００１２】
上記第２層間絶縁膜と同じ有機膜からなる第１層間絶縁膜を形成する工程を含む液晶表
示装置の製造方法において、好ましくは、第１層間絶縁膜は、平坦化膜である。このよう
に構成すれば、平坦化膜からなる第１層間絶縁膜の表面上に平坦な第１電極を形成するこ
とができる。
【００１３】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２層間絶縁膜を
形成する工程は、感光性の有機膜により第２層間絶縁膜を形成する工程を含む。このよう
に構成すれば、フォトリソグラフィにより、容易に、第２層間絶縁膜に第２導電層を露出
するための第３接続孔を形成することができる。
【００１４】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１導電層は、薄
膜トランジスタのソース／ドレインの一方であるとともに、第２導電層は、共通電位配線
であり、第１電極は、画素電極であるとともに、第２電極は、共通電極である。このよう
に構成すれば、画素電極上に有機膜からなる第２層間絶縁膜を介して共通電極が配置され
るＦＦＳ方式の液晶表示装置を構成することができる。
【００１５】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１導電層は、共
通電位配線であるとともに、第２導電層は、薄膜トランジスタのソース／ドレインの一方
であり、第１電極は、共通電極であるとともに、第２電極は、画素電極である。このよう
に構成すれば、共通電極上に有機膜からなる第２層間絶縁膜を介して画素電極が配置され
るＦＦＳ方式の液晶表示装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。図２は、本発明の
第１実施形態による液晶表示装置の表示部の画素の平面図である。図３は、図２の２００
−２００線に沿った断面図および周辺回路形成領域の断面図である。図４は、図２の２５
０−２５０線に沿った断面図である。図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態によ
る液晶表示装置１００の構成について説明する。
【００１８】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、ガラスからなる基板１
上に、表示部２、Ｖドライバ３、Ｈドライバ４が設けられている。Ｖドライバ３およびＨ
ドライバ４には、それぞれ、複数のゲート線５および複数のデータ線６が接続されている
。ゲート線５とデータ線６とが交差する位置に画素７（図２参照）が配置されている。基
板１には、駆動ＩＣ８が設けられており、Ｖドライバ３およびＨドライバ４は、駆動ＩＣ
８に接続されている。表示部２は、駆動ＩＣ８に接続されており、後述する共通電極２１
に共通電位（ＣＯＭ）を供給するように構成されている。
【００１９】
次に、画素７の断面構造について説明する。図３に示すように、基板１の表面上には、
バッファ膜１１が形成されている。このバッファ膜１１は、ＳｉＯ２やＳｉＮなどからな
る。また、バッファ膜１１の表面上の画素選択用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２が形
成される領域には、能動層１２ａが形成されている。この能動層１２ａは、ポリシリコン
などからなる。また、バッファ膜１１の表面上には、能動層１２ａを覆うようにＳｉＯ２
やＳｉＮからなる絶縁膜１３が形成されている。なお、絶縁膜１３のゲート電極１４に対
応する部分は、後述のゲート絶縁膜として機能する。
【００２０】
また、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１３の表面上には、ゲート電極１４が形成さ
れている。このゲート電極１４は、クロムやモリブデンを含む金属などからなる。また、
ゲート電極１４は、図２に示すように、平面的に見てＵ字形状に形成されている。また、
絶縁膜１３およびゲート電極１４の表面上には、ＳｉＯ２やＳｉＮからなる絶縁膜１５が
形成されている。
【００２１】
表示部２に対応する領域の絶縁膜１３および絶縁膜１５には、能動層１２ａのソース領
域１２ｂを露出するためのコンタクトホール１３ａおよび１５ａと、ドレイン領域１２ｃ
を露出するためのコンタクトホール１３ｂおよび１５ｂとが形成されている。また、コン
タクトホール１３ａおよび１５ａを介してソース領域１２ｂに接続するとともに、絶縁膜
１５の表面上に延びるようにデータ線６が形成されている。このデータ線６は、Ｍｏ／Ａ
ｌ／Ｍｏがこの順で下層から上層に積層された金属などからなる。
【００２２】
また、コンタクトホール１３ｂおよび１５ｂを介してドレイン領域１２ｃに接続すると
ともに、絶縁膜１５の表面上に延びるようにドレイン電極１６が形成されている。なお、
ドレイン電極１６は、本発明の「第１導電層」の一例である。このドレイン電極１６は、
Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏがこの順で下層から上層に積層された金属などからなる。
【００２３】
図３に示すように、周辺回路（Ｖドライバ３やＨドライバ４など：図１参照）に対応す
る領域の絶縁膜１５の表面上には、共通電極２１に共通電位（ＣＯＭ）を供給するための
共通電位配線１７が形成されている。なお、共通電位配線１７は、本発明の「第２導電層
」の一例である。
【００２４】
また、データ線６、ドレイン電極１６、共通電位配線１７および絶縁膜１５の表面上に
は、アクリルやポリイミドなどの感光性を有する有機膜からなる層間絶縁膜１８が形成さ
れている。なお、第１実施形態では、層間絶縁膜１８は、平坦化膜として機能する。また
、層間絶縁膜１８は、本発明の「第１層間絶縁膜」の一例である。層間絶縁膜１８には、
ドレイン電極１６を露出するためのコンタクトホール１８ａと、共通電位配線１７を露出
するためのコンタクトホール１８ｂとが形成されている。なお、コンタクトホール１８ａ
および１８ｂは、それぞれ、本発明の「第１接続孔」および「第２接続孔」の一例である
。
【００２５】
層間絶縁膜１８の表面上には、コンタクトホール１８ａを介してドレイン電極１６と電
気的に接続される画素電極１９が形成されている。なお、画素電極１９は、本発明の「第
１電極」の一例である。この画素電極１９は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明
電極からなり、下層の平坦化膜としての層間絶縁膜１８の形状を反映して平坦な形状に形
成される。また、画素電極１９は、表示信号に応じた電圧がＴＦＴを介して印加されるよ
うに構成されている。
【００２６】
また、第１実施形態では、画素電極１９および層間絶縁膜１８の表面上には、アクリル
やポリイミドなどの感光性を有する有機膜からなる層間絶縁膜２０が形成されている。な
お、第１実施形態では、層間絶縁膜１８と層間絶縁膜２０とは同じ有機膜から形成されて
いる。また、層間絶縁膜２０は、本発明の「第２層間絶縁膜」の一例である。また、周辺
回路に対応する領域において、コンタクトホール１８ｂ（共通電位配線１７）に対応する
層間絶縁膜２０の領域には、コンタクトホール２０ａが形成されている。なお、コンタク
トホール２０ａは、本発明の「第３接続孔」の一例である。
【００２７】
層間絶縁膜２０の表面を覆うように、ＩＴＯなどの透明電極からなる共通電極２１が形
成されている。なお、共通電極２１は、本発明の「第２電極」の一例である。共通電極２
１は、コンタクトホール２０ａを介して共通電位配線１７と接続されている。
【００２８】
図２に示すように、共通電極２１は、複数の画素７に跨るように形成されているととも
に、矢印Ｙ方向に沿うように複数のスリット２１ａが設けられている。また、図４に示す
ように、層間絶縁膜２０は、画素電極１９の凹部１９ａを埋め込むように形成されている
。そして、凹部１９ａ上の層間絶縁膜２０の表面上にも共通電極２１が形成されている。
なお、図２および図４に示すように、凹部１９ａ上の共通電極２１のＸ方向の端部は、平
面的に見て、層間絶縁膜２０のコンタクトホール１８ａの開口部の端部（開口部の端部が
丸みを帯びている場合は、端部の丸みがなくなる上端部分）と略一致するように形成され
ている。
【００２９】
図３および図４に示すように、共通電極２１と対向するように、ガラスからなる基板３
１が設けられている。基板３１のドレイン電極１６に対向する領域の表面上には、ブラッ
クマトリクス３２が設けられている。また、共通電極２１と基板３１との間には、液晶層
３３が挟持されている。また、基板１に対向するようにバックライト３４が設けられてい
る。バックライト３４は、基板１側から基板３１側に向けて光が出射されるように構成さ
れている。
【００３０】
図５は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するためのフ
ロー図である。図６〜図１０は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセ
スを説明するための断面図である。次に、図３および図５〜図１０を参照して、本発明の
第１実施形態による液晶表示装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３１】
まず、図５に示すように、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の製造プロ
セスでは、工程Ｓ１において、図６に示すように、基板１の表面上にＳｉＯ２やＳｉＮか
らなるバッファ膜１１を形成する。次に、バッファ膜１１の表面上の所定の領域にポリシ
リコンからなる能動層１２ａを形成する。次に、バッファ膜１１および能動層１２ａの表
面上にゲート絶縁膜として機能し、ＳｉＯ２やＳｉＮからなる絶縁膜１３を形成する。次
に、能動層１２ａの表面の所定の領域にゲート電極１４を形成する。その後、絶縁膜１３
およびゲート電極１４の表面上にＳｉＯ２やＳｉＮからなる絶縁膜１５を形成する。この
絶縁膜１３および絶縁膜１５にコンタクトホール１３ａ、１３ｂ、１５ａおよび１５ｂを
形成する。コンタクトホール１３ａおよび１５ａにデータ線６を形成するとともに、コン
タクトホール１３ｂおよび１５ｂにドレイン電極１６を形成する。また、周辺回路に対応
する領域の絶縁膜１５の表面上に共通電位配線１７を形成する。
【００３２】
次に、第１実施形態では、工程Ｓ２において、図７に示すように、共通電位配線１７と
、絶縁膜１５と、データ線６と、ドレイン電極１６との表面上に、塗布法により、アクリ
ルやポリイミドなどの有機膜からなる感光性を有する層間絶縁膜１８を形成する。次に、
フォトリソグラフィにより、ドレイン電極１６上と共通電位配線１７上とに対応する層間
絶縁膜１８の領域にコンタクトホール１８ａとコンタクトホール１８ｂとを形成する。
【００３３】
次に、第１実施形態では、工程Ｓ３において、層間絶縁膜１８上と、層間絶縁膜１８に
設けられたコンタクトホール１８ａおよびコンタクトホール１８ｂによって露出したドレ
イン電極１６および共通電位配線１７の表面上とを希フッ酸を用いてエッチングを行う。
これにより、ドレイン電極１６および共通電位配線１７の表面上の自然酸化物が除去され
る。
【００３４】
次に、工程Ｓ４において、図８に示すように、ＩＴＯ等からなる透明電極をスパッタ法
等により層間絶縁膜１８上に形成した後、パターニングにより、画素電極１９を形成する
。なお、画素電極１９は、画素７ごとにそれぞれ設けられるとともに、画素電極１９は、
コンタクトホール１８ａを介してドレイン電極１６に電気的に接続される。
【００３５】
次に、工程Ｓ５において、図９に示すように、層間絶縁膜１８と、画素電極１９と、共
通電位配線１７との表面上に、塗布法により、アクリルやポリイミドなどの有機膜からな
る感光性を有する層間絶縁膜２０を形成する。そして、図１０に示すように、フォトリソ
グラフィにより、共通電位配線１７およびコンタクトホール１８ｂに対応する層間絶縁膜
２０の領域にコンタクトホール２０ａを形成する。
【００３６】
次に、工程Ｓ６において、層間絶縁膜２０上と、コンタクトホール２０ａによって露出
した共通電位配線１７の表面とを希フッ酸を用いてエッチングを行う。ここで、第１実施
形態では、層間絶縁膜２０が有機膜から形成されているので、層間絶縁膜２０は希フッ酸
によってほとんどエッチングされない。そして、共通電位配線１７の表面をエッチングす
ることにより、共通電位配線１７の表面上の自然酸化物が除去される。
【００３７】
次に、工程Ｓ７において、図３に示すように、ＩＴＯからなる透明電極をＣＶＤ法によ
り層間絶縁膜２０上に形成した後、パターニングにより、共通電極２１を形成する。なお
、共通電極２１は、画素７に跨るように設けられるとともに、共通電極２１は、液晶表示
装置１００の周辺回路に対応する領域において、共通電位配線１７に電気的に接続されて
いる。また、共通電極２１と、共通電極２１のスリット２１ａにより露出した層間絶縁膜
２０の表面上とに図示しない配向膜が形成されるとともに、配向膜にラビング処理が行わ
れる。そして、別途形成したブラックマトリクス（遮光膜）３２が形成される基板３１と
共通電極２１との間に液晶層３３を封入することにより、液晶表示装置１００が完成され
る。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、有機膜からなる層間絶縁膜２０の表面に、コンタク
トホール２０ａを介して接続される共通電極２１を形成することによって、有機膜からな
る層間絶縁膜２０は、エッチングに用いられる希フッ酸によってほとんどエッチングされ
ないので、共通電極２１を形成する前に、層間絶縁膜２０の表面がほとんどエッチングさ
れることなく、コンタクトホール２０ａによって露出された共通電位配線１７の表面をエ
ッチングすることができる。これにより、共通電位配線１７の表面の自然酸化物を除去す
ることができるので、共通電極２１と共通電位配線１７とのコンタクト抵抗が大きくなる
のを抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、上記のように、層間絶縁膜２０を塗布法により形成すること
によって、有機膜からなる層間絶縁膜２０を容易に形成することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、層間絶縁膜１８を層間絶縁膜２０と同じ有機
膜により形成することによって、層間絶縁膜１８が希フッ酸によってほとんどエッチング
されないので、層間絶縁膜１８がエッチングされるのを抑制しながら、層間絶縁膜１８の
コンタクトホール１８ａによって露出されるドレイン電極１６の表面をエッチングするこ
とができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記のように、画素電極１９を形成する工程に先立って、ド
レイン電極１６の表面をエッチングすることによって、ドレイン電極１６の表面の自然酸
化物を除去することができるので、画素電極１９とドレイン電極１６とのコンタクト抵抗
が大きくなるのを抑制することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、上記のように、層間絶縁膜１８が平坦化膜であることによっ
て、平坦化膜からなる層間絶縁膜１８の表面上に平坦な画素電極１９を形成することがで
きる。
【００４３】
また、第１実施形態では、上記のように、層間絶縁膜２０を感光性の有機膜により形成
することによって、フォトリソグラフィにより、容易に、層間絶縁膜２０に共通電位配線
１７を露出するためのコンタクトホール２０ａを形成することができる。
【００４４】
また、第１実施形態では、上記のように、有機膜からなる層間絶縁膜２０を挟んで画素
電極１９上に共通電極２１を配置することによって、ＦＦＳ方式の液晶表示装置１００を
構成することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図１１は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の平面図である。図１２は
、図１１の３００−３００線に沿った断面図である。この第２実施形態では、上記した第
１実施形態とは異なり、層間絶縁膜２０を挟んで共通電極１２１上に画素電極１１９が配
置されている。
【００４６】
第２実施形態による液晶表示装置１０１では、図１２に示すように、データ線６、ドレ
イン電極１１６、共通電位配線１１７および絶縁膜１５の表面上には、アクリルやポリイ
ミドなどの感光性を有する有機膜からなる層間絶縁膜１８が形成されている。なお、ドレ
イン電極１１６および共通電位配線１１７は、それぞれ、本発明の「第２導電層」および
「第１導電層」の一例である。なお、層間絶縁膜１８は、平坦化膜として機能する。層間
絶縁膜１８には、共通電位配線１１７を露出するためのコンタクトホール１８ｃと、ドレ
イン電極１１６を露出するためのコンタクトホール１８ｄとが形成されている。なお、コ
ンタクトホール１８ｃおよびコンタクトホール１８ｄは、それぞれ、本発明の「第１接続
孔」および「第２接続孔」の一例である。
【００４７】
層間絶縁膜１８の表面上には、コンタクトホール１８ｃを介して共通電位配線１１７と
電気的に接続される共通電極１２１が形成されている。共通電位配線１１７は、図１１に
示すように、Ｘ方向に沿った方向に延びるように形成されており、画素７ごとに共通電極
１２１と電気的に接続されている。また、共通電極１２１は、ＩＴＯ（酸化インジウムス
ズ）などの透明電極からなり、下層の平坦化膜としての層間絶縁膜１８の形状を反映して
平坦な形状に形成される。なお、共通電極１２１は、本発明の「第１電極」の一例である
。
【００４８】
共通電極１２１および層間絶縁膜１８の表面上には、アクリルやポリイミドなどの感光
性を有する有機膜からなる層間絶縁膜２０が形成されている。また、コンタクトホール１
８ｄ（ドレイン電極１１６）に対応する層間絶縁膜２０の領域には、コンタクトホール２
０ｂが形成されている。なお、コンタクトホール２０ｂは、本発明の「第３接続孔」の一
例である。
【００４９】
層間絶縁膜２０の表面を覆うように、ＩＴＯなどの透明電極からなる画素電極１１９が
形成されている。なお、画素電極１１９は、本発明の「第２電極」の一例である。画素電
極１１９は、コンタクトホール２０ｂを介してドレイン電極１１６と接続されている。ま
た、画素電極１１９は、図１１に示すように、Ｙ方向に沿った方向に複数のスリット１１
９ａが設けられている。なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様
である。
【００５０】
また、第２実施形態の製造プロセスでは、図５に示す工程Ｓ３において、層間絶縁膜１
８、ドレイン電極１１６および共通電位配線１１７の表面がエッチングされる。その後、
工程Ｓ４において、共通電極１２１が形成される。また、工程Ｓ６において、層間絶縁膜
２０およびドレイン電極１１６の表面がエッチングされる。その後、工程Ｓ７において、
画素電極１１９が形成される。なお、第２実施形態のその他の製造プロセスは、上記第１
実施形態と同様である。
【００５１】
第２実施形態では、上記のように、層間絶縁膜２０を挟んで共通電極１２１上に画素電
極１１９を配置することによって、ＦＦＳ方式の液晶表示装置１０１を構成することがで
きる。
【００５２】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと
考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範
囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。
【００５４】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、希フッ酸を用いてドレイン電極および共
通電位配線をエッチングする例を示したが、本発明はこれに限らず、希フッ酸以外により
ドレイン電極および共通電位配線をエッチングしてもよい。
【００５５】
また、上記第１および第２実施形態では、アクリルやポリイミドからなる有機膜により
層間絶縁膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、希フッ酸によってエッチン
グされにくい材料であれば、アクリルやポリイミド以外の材料により層間絶縁膜を形成し
てもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の画素の平面図である。
【図３】図２の２００−２００線に沿った断面図および周辺回路の断面図である。
【図４】図２の２５０−２５０線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の平面図である。
【図１２】図１１の３００−３００線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１２  薄膜トランジスタ
１６  ドレイン電極（第１導電層）
１７  共通電位配線（第２導電層）
１８  層間絶縁膜（第１層間絶縁膜）
１８ａ、１８ｃ  コンタクトホール（第１接続孔）
１８ｂ、１８ｄ  コンタクトホール（第２接続孔）
１９  画素電極（第１電極）
２０  層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）
２０ａ、２０ｂ  コンタクトホール（第３接続孔）
２１  共通電極（第２電極）
１００、１０１  液晶表示装置
１１６  ドレイン電極（第２導電層）
１１７  共通電位配線（第１導電層）
１１９  画素電極（第２電極）
１２１  共通電極（第１電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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