(57)【要約】【課題】外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタであって、導電層の溶融液が周囲に意図しない弊害を与えることを防止することができるコネクタを提供すること。【解決手段】コネクタ５Ａは、配線基板１１Ａと、配線基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続するためのリード１２Ａと、リード１２Ａを配線基板１１Ａに連結する導電層１７Ａと、導電層１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａをリード１２Ａの延在方向に案内するガイド部１３Ａとを備える。リード１２Ａは、導電層１７Ａが接触する第１領域４１Ａと、第１領域４１Ａの外部基板５Ａ側に第２領域４５Ａとを備える。第２領域４５Ａは、第１領域４１Ａと比較して導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。【選択図】図２３
2010044976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板を外部基板に電気的に接続するためのリードと、前記リードを前記配線基板に連結する導電層と、前記導電層が溶融したとき、前記リードを前記リードの延在方向に案内するガイド部とを備えるコネクタであって、
前記リードは、前記導電層が接触する第１領域と、前記第１領域の前記外部基板側に第２領域とを備え、該第２領域は、前記第１領域と比較して前記導電層の溶融液に対する低濡れ性を有するコネクタ。
【請求項２】
前記リードは、前記第１領域に対して前記第２領域とは反対側に第３領域を更に備え、該第３領域は、前記第１領域と比較して前記導電層の溶融液に対する低濡れ性を有し、
前記配線基板は、前記導電層が接触する第１領域と、前記第１領域を挟むように前記リードの延在方向と平行な方向の両側に一対の第２領域とを備え、該第２領域は、前記第１領域と比較して前記導電層の溶融液に対する低濡れ性を有し、
前記リードの前記第１領域の中心は、前記配線基板の前記第１領域の中心に対して、前記外部基板から遠ざかる方向にずらして配置される請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記配線基板は、前記第１領域を挟むように前記リードの延在方向と垂直な方向の両側に一対の第３領域を更に備え、該第３領域は、前記第１領域と比較して前記導電層の溶融液に対する低濡れ性を有する請求項２記載のコネクタ。
【請求項４】
前記ガイド部は、前記リードの延在方向に延びるガイド溝を備える請求項１〜３いずれか一項記載のコネクタ。
【請求項５】
前記ガイド部は、前記ガイド溝付近に窓部を備える請求項４記載のコネクタ。
【請求項６】
前記配線基板を支持する絶縁性ハウジングを備える請求項１〜５いずれか一項記載のコネクタ。
【請求項７】
前記導電層は、半田で形成される請求項１〜６いずれか一項記載のコネクタ。
【請求項８】
前記半田は、無鉛半田である請求項７記載のコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部基板に実装するためのコネクタに関し、特に外部基板に実装するための平衡伝送用コネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
データの伝送の方式としては、データ毎に一本の電線を使用する通常の伝送方式と、データ毎に対をなす二本の電線を使用して、伝送すべき＋信号とこの＋信号とは大きさが等しく逆向きの−信号とを同時に伝送する平衡伝送方式がある。平衡伝送方式は、通常の伝送方式に比べてノイズの影響を受けにくいという利点を有しており、信号を高速で伝送する分野において多く採用されている。
【０００３】
図１は、従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。平衡伝送用コネクタ装置１は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とよりなる。プラグコネクタ２は、バックプレーン（外部基板）４に実装してあり、ジャックコネクタ３は、ドータボード（外部基板）５の端に実装してある。ジャックコネクタ３とプラグコネクタ２とが接続されて、コネクタ装置１によってドータボード５とバックプレーン４とが電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図２は、従来のジャックコネクタ３を分解して示す斜視図である。ジャックコネクタ３は、図２に示すように、第１絶縁性ハウジング６と、第２絶縁性ハウジング７と、複数のモジュール１０とを備える。第１絶縁性ハウジング６は、プラグコネクタ２のハウジング８内に嵌合されるものである。第２絶縁性ハウジング７は、複数のモジュール１０を互いに平行に支持するものである。
【０００５】
図３は、従来のモジュール１０を概略的に示す斜視図である。図４は、従来のモジュール１０を分解して示す斜視図である。モジュール１０は、複数のパッド電極１６を備える配線基板１１と、複数のリード１２と、複数の半田層１７と、絶縁性のスペーサ１３とを備える。複数のリード１２は、配線基板１１を外部基板５と電気的に接続するためのものである。各リード１２は、半田層１７を介して、対応するパッド電極１６に連結されている。
【０００６】
図５は、従来のモジュール１０の要部を示す断面図である。配線基板１１上には、スペーサ１３が固定されている。スペーサ１３は、配線基板１１と対向する面に、各リード１２の延在方向に延びる複数のガイド溝１３２を備える。各リード１２は、半田層１７が溶融したとき、対応するガイド溝１３２内を移動可能となる。
【０００７】
図６は、従来のジャックコネクタ３のドータボード５への載置状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。ドータボード５上には、複数のリード１２を接着するための半田ペースト１９が塗布されている。図６に示す例では、ドータボード５の面歪みに起因して、複数のリード１２の一部と半田ペースト１９との間に間隙がある。
【０００８】
図７は、図６の熱処理後の状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。加熱により半田ペースト１９が溶融する際に、各半田層１７が溶融し、各リード１２が対応するガイド溝１３２内を移動可能となる。この状態では、重力によって、各リード１２が、ドータボード５の面歪みを吸収するように、対応するガイド溝１３２内に押し込まれる。これにより、熱処理後にリード１２を外部基板５に確実に接続することができる。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／０１０８２３３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１記載の構成では、外部基板に実装する際に導電層が溶融するので、導電層の溶融液がリードや配線基板を移動して、周囲に意図しない弊害を与えることが考えられる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタであって、導電層の溶融液が周囲に意図しない弊害を与えることを防止することができるコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明は、配線基板と、前記配線基板を外部基板に電気的に接続するためのリードと、前記リードを前記配線基板に連結する導電層と、前記導電層が溶融したとき、前記リードを前記リードの延在方向に案内するガイド部とを備えるコネクタであって、
前記リードは、前記導電層が接触する第１領域と、前記第１領域の前記外部基板側に第２領域とを備え、該第２領域は、前記第１領域と比較して前記導電層の溶融液に対する低濡れ性を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタであって、導電層の溶融液が周囲に意図しない弊害を与えることを防止することができるコネクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１４】
図８は、本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。尚、実施例の各図中、図１−図７に示す構成部分と対応する構成部分には同じ符号を付す。Ｙ１−Ｙ２はジャックコネクタ３Ａのプラグコネクタ２Ａへの接続方向（プラグコネクタ２Ａのバックプレーン４Ａへの実装方向）、Ｚ１−Ｚ２はジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの実装方向（リード１２Ａの延在方向）、Ｘ１−Ｘ２はジャックコネクタ３Ａのモジュール１０Ａの配列方向である。Ｘ１−Ｘ２方向、Ｙ１−Ｙ２方向、及びＺ１−Ｚ２方向は、互いに直交する。
【００１５】
平衡伝送用コネクタ装置１Ａは、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとよりなる。プラグコネクタ２Ａは、バックプレーン（外部基板）４Ａに実装してあり、ジャックコネクタ３Ａは、ドータボード（外部基板）５Ａの端に実装してある。ジャックコネクタ３Ａとプラグコネクタ２Ａとが接続されて、コネクタ装置１Ａによってドータボード５Ａとバックプレーン４Ａとが電気的に接続される。
【００１６】
以下、ジャックコネクタ３Ａ、及びプラグコネクタ２Ａの構成について説明していくが、先ず、ジャックコネクタ３Ａの構成について説明し、次いで、プラグコネクタ２Ａの構成について説明する。
【００１７】
図９は、ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。ジャックコネクタ３Ａは、従来のジャックコネクタ３とは、モジュール１０Ａが特に相違する。ジャックコネクタ３Ａは、第１絶縁性ハウジング６Ａと、第２絶縁性ハウジング７Ａと、複数のモジュール１０Ａとを備える。
【００１８】
第１絶縁性ハウジング６Ａは、プラグコネクタ２Ａ（図８参照）の絶縁性ハウジング８Ａを嵌合するものである。尚、プラグコネクタ２Ａの絶縁性ハウジング８Ａ内には、図示しない複数のプラグ側のコンタクトが列方向（Ｚ１−Ｚ２方向）、行方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に並んで配列されている。
【００１９】
第１絶縁性ハウジング６Ａには、図９に示すように、複数のプラグ側のコンタクトに対応する複数の開口部６２Ａが形成してある。ジャックコネクタ３Ａとプラグコネクタ２Ａとは、ハウジング６Ａがハウジング８Ａ内に嵌合し、プラグ側のコンタクトが開口部６２Ａからハウジング６Ａの内部に挿入されてジャック側のコンタクトと接続することによって、電気的に接続される。
【００２０】
第２絶縁性ハウジング７Ａは、複数のモジュール１０Ａ（即ち、複数の配線基板１１Ａ）を互いに平行に支持するものである。第２絶縁性ハウジング７Ａは、例えば、図９に示すように、櫛状であって、複数のスリット７２Ａを備える。複数のスリット７２Ａは、Ｘ１−Ｘ２方向に並ぶように配列される。一のスリット７２Ａには、一のモジュール１０Ａが組み込まれる。
【００２１】
図１０は、第１絶縁性ハウジング６Ａ、第２絶縁性ハウジング７Ａ、及びモジュール１０Ａの係合関係を説明するための部分断面図である。図１１は、図１０の領域Ａの拡大図である。図１２は、図１０の領域Ｂの拡大図である。
【００２２】
図１０、１１に示すように、第２絶縁性ハウジング７Ａは、３つの第１舌片部７４Ａ（図９参照）を備える。一方、第１絶縁性ハウジング６Ａは、３つの第１舌片部７４Ａにそれぞれ対応する３つの切欠部６４Ａを備える。第１絶縁性ハウジング６Ａと第２絶縁性ハウジング７Ａとは、第１舌片部７４Ａが切欠部６４Ａに挿着されて、連結される。
【００２３】
また、第２絶縁性ハウジング７Ａは、３つの第２舌片部７６Ａを備える（図９参照）。一方、第１絶縁性ハウジング６Ａは、３つの第２舌片部７６Ａにそれぞれ対応する３つのスリット部６６Ａを備える（図９参照）。第１絶縁性ハウジング６Ａと第２絶縁性ハウジング７Ａとは、第２舌片部７６Ａがスリット部６６Ａに挿着されて、連結される。
【００２４】
更に、第２絶縁性ハウジング７Ａは、各スリット７２Ａ内に段差状の凸部７８Ａを備える（図１０参照）。一方、モジュール１０Ａ（配線基板１１Ａ、スペーサ１３Ａ）は、凸部７８Ａに対応する凹部１８Ａ（１１８Ａ、１３８Ａ）を備える（図１２参照）。ハウジング７Ａとモジュール１０Ａ（配線基板１１Ａ及びスペーサ１３Ａ）とは、凸部７８Ａが凹部１８Ａ（１１８Ａ、１３８Ａ）内に嵌合されて、連結される。
【００２５】
更に、また、第２絶縁性ハウジング７Ａは、固定用金具７１Ａ（図９参照）を備える。固定用金具７１Ａは、例えば、金属板をＬ字状に折り曲げ加工して形成される。固定用金具７１Ａの一端は、第２絶縁性ハウジング７Ａに圧入固定される。一方、固定用金具７１Ａの他端は、リード１２Ａが外部基板５Ａに接続される際に、外部基板５Ａに表面実装される。このように、固定用金具７１Ａを介して、第２絶縁性ハウジング７Ａが外部基板５Ａに装着される。
【００２６】
モジュール１０Ａは、従来のモジュール１０とは、リード１２Ａ及びパッド電極１６Ａが特に相違する。モジュール１０Ａは、図９に示すように、複数のパッド電極１６Ａを備える配線基板１１Ａと、複数のリード１２Ａと、絶縁性のスペーサ（ガイド部）１３Ａとを備える。パッド電極１６Ａとリード１２Ａとの間には、導電層１７Ａが配置されている。
【００２７】
図１３は、配線基板１１Ａの構成を示す斜視図である。配線基板１１Ａは、例えば、図１３に示すように、リン青銅等の金属板１１１Ａに、ポリイミド等の絶縁層１１２Ａ、ＣｕやＡｌ等の配線パターン１１３Ａ等が順次積層された３層構造である。
【００２８】
配線基板１１Ａの製造方法は、一般的なものであってよく、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００２９】
図１４は、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。図１５は、図１４の工程に続いて、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。図１４、図１５に示す例では、最初に、リン青銅製の金属板１１１Ａ上に感光性のポリイミドインクを塗布、乾燥して絶縁層１１２Ａを形成する（図１４（Ａ））。次いで、フォトマスクを用いて絶縁層１１２Ａを露光し、現像する（図１４（Ｂ））。次いで、スパッタリングによりＮｉ−Ｗ膜５１Ａを積層し（図１４（Ｃ））、電解めっきによりＣｕ膜５２Ａを積層する（図１４（Ｄ））。次いで、フォトレジストパターン５３Ａを形成する（図１５（Ｅ））。このフォトレジストパターン５３Ａを用いてＣｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａをエッチングする（図１５（Ｆ））。最後に、フォトレジストパターン５３Ａを除去し、Ｃｕ膜５２Ａからなる配線パターン１１３Ａ及びパッド電極１６Ａを形成する（図１５（Ｇ））。
【００３０】
尚、本実施例の配線基板１１Ａは、金属板１１１Ａ上に絶縁層１１２Ａ、配線パターン１１３Ａ等が順次積層された３層構造であるが、ポリイミド等の絶縁フィルム１１２Ａ上にＣｕ等の配線パターン１１３Ａ等が積層された２層構造であってもよい。２層構造の場合、隣り合う配線基板１１Ａの間には、クロストークを低減するため、グランド板が配置されてよい。また、配線基板１１Ａは、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。
【００３１】
配線基板１１Ａは、図１３に示すように、４つのコンタクト群１５０Ａと、４つのパッド電極群１６０Ａと、両者をつなぐ４つの信号配線対１４２Ａ（配線パターン１１３Ａ）とを備える。４つのコンタクト群１５０Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように配列されている。４つのパッド電極群１６０Ａは、Ｙ１−Ｙ２方向に一列に並ぶように配列されている。
【００３２】
各信号配線対１４２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する第１及び第２信号配線１４４Ａ、１４６Ａよりなる。尚、隣り合う信号配線対１４２Ａの間には、クロストークを低減するため、図示しないグランド配線が配置されてもよい。
【００３３】
各コンタクト群１５０Ａは、正負対称波形の信号を伝送する第１、第２信号コンタクト１５４Ａ、１５６Ａ（以下、「信号コンタクト対１５２Ａ」と称す）と、グランドコンタクト１５８Ａとからなる。尚、本実施例の説明において、第１、第２信号コンタクト１５４Ａ、１５６Ａ、及びグランドコンタクト１５８Ａを特に区別しない場合には、コンタクト１５Ａ（図９参照）と称す。
【００３４】
コンタクト１５Ａは、二叉に分岐したフォーク形状であって、配線基板１１Ａと一体的に形成されている。尚、コンタクト１５Ａは、配線基板１１Ａとは別部品として形成されてもよく、この場合、コンタクト１５Ａは、例えばインサートモールドや半田付け等により、配線基板１１Ａに固定される。
【００３５】
コンタクト１５Ａの先端は、その延出方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に対して垂直方向（Ｘ２方向）に突出するように、Ｖ字状に屈曲形成されており、Ｘ２−Ｘ１方向に押圧されると弾性変形する。この弾性変形を元に戻そうとする復元力によって、ジャック側のコンタクト１５Ａとプラグ側のコンタクトとを確実に接続することができる。これにより、ジャックコネクタ３Ａとプラグコネクタ２Ａとを電気的に確実に接続することができる。
【００３６】
第１、第２信号コンタクト１５４Ａ、１５６ＡのＸ２側の表面には、それぞれ、第１、第２信号配線１４４Ａ、１４６Ａの一端が二叉に分岐して延設してある。
【００３７】
グランドコンタクト１５８Ａは、隣り合う信号コンタクト対１５２Ａの間に配置され、クロストークを低減する。グランドコンタクト１５８ＡのＸ２側の表面には、グランド配線１４８Ａの一端が二叉に分岐して延設してある。グランド配線１４８Ａの他端は、絶縁層１１２Ａを貫通する貫通孔１１４Ａを介して、金属板１１１Ａに電気的に接続してある。
【００３８】
各パッド電極群１６０Ａは、正負対称波形の信号を伝送する第１、第２信号パッド電極１６４Ａ、１６６Ａ（以下、「信号パッド電極対１６２Ａ」と称す）、及びグランドパッド電極１６８Ａからなる。尚、本実施例の説明において、第１、第２信号パッド電極１６４Ａ、１６６Ａ、及びグランドパッド電極１６８Ａを特に区別しない場合には、パッド電極１６Ａ（図９参照）と称す。
【００３９】
第１、第２信号パッド電極１６４Ａ、１６６Ａは、それぞれ、第１、第２信号配線１４４Ａ、１４６Ａの他端に接続してある。
【００４０】
グランドパッド電極１６８Ａは、絶縁層１１２Ａを貫通する貫通孔１１５Ａを介して、背面側の金属板１１１Ａに電気的に接続してある。グランドパッド電極１６８Ａは、隣り合う信号パッド電極対１６２Ａの間に配置され、クロストークを低減する。
【００４１】
図１６は、パッド電極１６Ａの構成を示す斜視図である。パッド電極１６Ａは、例えば、図１６に示すように、矩形状である。パッド電極１６Ａは、その特徴的な構成として、導電層１７Ａが接触する第１領域４２Ａと、第１領域４２Ａを挟むようにリード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）と平行な方向の両側に一対の第２領域４４Ａとを備える。一対の第２領域４４Ａは、第１領域４２Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。即ち、パッド電極１６Ａは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４４Ａ、高濡れ性領域４２Ａ、低濡れ性領域４４Ａを備える。
【００４２】
尚、配線基板１１Ａは、パッド電極１６Ａの左右両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、パッド電極１６Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液（溶融半田）に対する低濡れ性を有する絶縁層１１２Ａ（第３領域）を備える。
【００４３】
導電層１７Ａは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域４２Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、一対の第２領域４４Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられる。図１７−図２０は、それぞれ、第１−第４例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【００４４】
図１７に示す例では、最初に、図１５（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、電解めっきによりＮｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１７（Ａ））。次いで、Ａｕ層９２Ａにフォトレジストパターン９３Ａを形成する（図１７（Ｂ））。次いで、フォトレジストパターン９３Ａを用いてＡｕ層９２Ａをエッチングする（図１７（Ｃ））。最後に、フォトレジストパターン９３Ａを除去する（図１７（Ｄ））。これにより、Ｎｉ層９１Ａの一部にＡｕ層９２Ａが積層される。Ｎｉ層９１Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００４５】
図１８に示す例では、最初に、図１５（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、フォトレジストパターン９４Ａを形成する（図１８（Ａ））。次いで、電解めっきにより、外部に露出するパッド電極１６Ａに、Ｎｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１８（Ｂ））。最後に、フォトレジストパターン９３Ａを除去する（図１８（Ｃ））。これにより、Ｃｕ製のパッド電極１６Ａの一部にＡｕ層９２Ａが積層される。Ｃｕ製のパッド電極１６Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００４６】
図１９に示す例では、最初に、図１５（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、電解めっきにより、Ｎｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１９（Ａ））。最後に、Ａｕ層９２Ａの一部にソルダレジストを塗布、乾燥して、エポキシ樹脂層９５Ａを形成する（図１９（Ｂ））。これにより、Ａｕ層９２Ａの一部にエポキシ樹脂層６４Ａが積層される。エポキシ樹脂層６４Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を作製することができる。尚、ソルダレジストを用いてエポキシ樹脂層９５Ａを形成する代わりに、ポリイミドインクを用いてポリイミド樹脂層を形成してもよい。
【００４７】
図２０に示す例では、最初に、図１５（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、フォトレジストパターン９６Ａを形成する（図２０（Ａ））。次いで、熱処理により、外部に露出するパッド電極１６ＡにＣｕの酸化皮膜９７Ａを形成する（図２０（Ｂ））。次いで、フォトレジストパターン９６Ａを除去する（図２０（Ｃ））。最後に、電解めっきにより、外部に露出するパッド電極１６Ａ上にＮｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１８（Ｂ））。これにより、Ｃｕの酸化皮膜９７ＡとＡｕ層９２Ａとの双方が外部に露出する。Ｃｕの酸化皮膜６６Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００４８】
上述の図１７−図２０に示すように、濡れ性の異なる領域を形成する方法は、下層の全域に濡れ性の異なる上層を積層し、積層した上層の一部をエッチングして下層を露出する方法であってもよいし、下層の一部に濡れ性の異なる上層を積層する方法であってもよい。尚、下層／上層は、高濡れ性層／低濡れ性層であってもよいし、低濡れ性層／高濡れ性層であってもよい。また、濡れ性の異なる領域を形成する方法は、基板上の異なる領域に、それぞれ、濡れ性の異なる２層を積層する方法であってもよい。
【００４９】
図２１は、リード１２Ａの構成を示す斜視図であり、（Ａ）はリード１２ＡのＸ２側面を示す斜視図、（Ｂ）はリード１２ＡのＸ１側面を示す斜視図である。リード１２Ａは、配線基板１１Ａを外部基板５Ａと電気的に接続するためのものであり、Ｚ１−Ｚ２方向に延在している。リード１２Ａは、リン青銅やＦｅ−４２Ｎｉ合金等の金属板をＬ字状に折り曲げ加工して形成される。
【００５０】
リード１２Ａは、その特徴的な構成として、導電層１７Ａが接触する第１領域４１Ａと、第１領域４１Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に第２領域４５Ａを備える。第２領域４５Ａは、第１領域４１Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００５１】
また、リード１２Ａは、その特徴的な構成として、第１領域４１Ａに対して第２領域４５Ａとは反対側に第３領域４７Ａを更に備えてもよい。第３領域４７Ａは、第１領域４１Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００５２】
更に、リード１２Ａは、第２領域４５Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する接着剤１９Ａ（図２６参照）が接触するための第４領域４３Ａを備えてもよい。第４領域４３Ａは、第２領域４５Ａと比較して、接着剤１９Ａの溶融液に対する高濡れ性を有する。言い換えると、第２領域４５Ａは、第４領域４３Ａと比較して、接着剤１９Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００５３】
従って、図２１に示す例では、リード１２Ａは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４７Ａ、高濡れ性領域４１Ａ、低濡れ性領域４５Ａ、高濡れ性領域４３Ａを備える。
【００５４】
各領域４１Ａ−４７Ａは、図２１に示すように、リード１２Ａの外周を囲むように、リード１２ＡのＸ１側面、Ｘ２側面、Ｙ１側面、Ｙ２側面の４面に設けられてもよい。
【００５５】
導電層１７Ａは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域４１Ａ及び第４領域４３Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、第２領域４５Ａ及び第３領域４７Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１７−図２０に示す方法が用いられる。
【００５６】
図２２は、リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの接合方法例を示す斜視図である。複数のリード１２Ａは、端板１２２Ａによって所定間隔で保持されている。複数のリード１２Ａと端板１２２Ａとは、リン青銅やＦｅ−４２Ｎｉ合金等の金属板を櫛状に打ち抜き加工して、一体的に形成される。端板１２２Ａは、配線基板１１Ａに設けられる一対の貫通孔１１６Ａに対応する一対の貫通孔１２６Ａを備える。
【００５７】
図２２に示す接合方法では、最初に、各パッド電極１６Ａ上に、図示しない半田ペースト（例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金：融点約１４０℃）を塗布する。半田ペーストを塗布する範囲は、各パッド電極１６Ａの第１領域４２Ａ、及び対応するリード１２Ａの第１領域４１Ａに対応する領域であってよい。この場合、後述の熱処理により溶融した半田ペーストが、ペースト内の空隙をつぶすように体積収縮しながら、第１領域４２Ａ及び第１領域４１Ａの双方に確実に濡れ拡がる。また、この場合、溶融した半田ペーストは、半田濡れ性の低い第２領域４４Ａ、４５Ａから半田濡れ性の高い第１領域４１Ａ、４２Ａに移動する。上記半田ペーストの塗布後、貫通孔１１６Ａと貫通孔１２６Ａとを位置合わせしたうえで、貫通孔１１６Ａ及び貫通孔１２６Ａに図示しないピンを挿通する。これにより、複数の電極パッド１６Ａと複数のリード１２Ａとを位置合わせする。次いで、熱処理により半田ペーストを溶融、固化して導電層（半田層）１７Ａを形成する。よって、各リード１２Ａが、半田層１７Ａを介して、対応するパッド電極１６Ａに連結される。最後に、ピンを取り外し、端板１２２Ａを折り取る。
【００５８】
図２３は、リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの位置関係を示す断面図である。配線基板１１Ａには、スペーサ１３Ａが固定されている。スペーサ１３Ａは、配線基板１１Ａと対向する面（Ｘ１側面）に複数のガイド溝１３２Ａを備える。各リード１２Ａは、半田層１７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。
【００５９】
図２４は、スペーサ１３Ａの構成を示す斜視図であり、（Ａ）はスペーサ１３ＡのＸ２側面の斜視図、（Ｂ）はスペーサ１３ＡのＸ１側面の斜視図である。スペーサ（ガイド部）１３Ａは、導電層（半田層）１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａをリード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に案内するものである。スペーサ１３Ａは、複数のガイド溝１３２Ａと、複数の窓部１３４Ａと、複数の凸部１３６Ａとを備える。
【００６０】
ガイド溝１３２Ａは、対応するリード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に延設されている。リード１２Ａは、半田層１７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。
【００６１】
窓部１３４Ａは、ガイド溝１３２Ａ付近に形成される。これにより、導電層（半田層）１７Ａをガイド溝１３２Ａの両端（Ｚ１側、Ｚ２側）から加熱することができる。その結果、熱処理により、導電層１７Ａを確実に溶融することができる。
【００６２】
凸部１３６Ａは、配線基板１１Ａに設けられる複数の凹部１１７Ａ（図２２参照）に対応するものである。凸部１３４Ａがそれぞれ対応する凹部１１７Ａ内に嵌合して、スペーサ１３Ａと配線基板１１Ａとが連結される。これにより、複数のガイド溝１３２Ａと複数のパッド電極１６Ａとを正確に位置合わせすることができる。
【００６３】
再度、図２３を参照するに、リード１２Ａの第１領域４１Ａの中心Ｃ１は、その特徴的な構成として、配線基板１１Ａ（パッド電極１６Ａ）の第１領域４２Ａの中心Ｃ２に対して、外部基板５Ａから遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずらして配置される。即ち、半田層（導電層）１７Ａは、リード１２Ａとの接触面が配線基板１１Ａとの接触面に対して外部基板５Ａから遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずれるように形成してある。従って、半田層１７Ａの断面形状は、例えば、図２３に示すように、略平行四辺形になっている。
【００６４】
この状態で、再加熱により半田層１７Ａを溶融させると、溶融した半田層１７Ａは、表面張力によって、表面積の小さな形状（即ち、断面形状が長方形）になろうとする。
【００６５】
仮に、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａを挟むように半田濡れ性の低い第２領域４５Ａ、第３領域４７Ａが存在しない場合、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、リード１２Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。また、仮に、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａを挟むように半田濡れ性の低い一対の第２領域４４Ａが存在しない場合、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、配線基板１１Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。
【００６６】
本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａを挟むように第２領域４５Ａ、第３領域４７Ａが存在し、且つ、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａを挟むように一対の第２領域４４Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、リード１２Ａ上や配線基板１１Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動することができない。従って、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、リード１２Ａを配線基板１１Ａに対して外部基板５Ａに近づく方向（Ｚ２方向）に相対的に移動させようとする。これにより、半田層１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａを外部基板５Ａに向けて付勢することができ、リード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができる。
【００６７】
また、本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａと外部基板５Ａが面接触するための第４領域４３Ａとの間に、半田濡れ性の低い第２領域４５Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、リード１２Ａ上をＺ２方向に移動して外部基板５Ａと接触することができない。これにより、溶融した半田層１７Ａがリード１２Ａと外部基板５Ａとの接合状態に悪影響を与えることを防止することができる。
【００６８】
また、本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａの両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、半田濡れ性の低い絶縁層（第３領域）１１３Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、配線基板１１Ａ上をＹ１−Ｙ２方向に移動することができない。これにより、溶融した半田層１７Ａが隣り合うパッド電極１６Ａを導通することを防止することができる。
【００６９】
図２５は、ジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの載置状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。外部基板５Ａ上には、リード１２Ａを接着するための接着剤１９Ａが配置されている。接着剤１９Ａは、例えば、導電層（半田層）１７Ａと比較して、高融点の半田ペースト（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金：融点２２０℃）であってよい。図２５に示す例では、外部基板５Ａの面歪みに起因して、リード１２Ａの一部と半田ペースト１９Ａとの間に間隙がある。
【００７０】
図２６は、図２５の熱処理後の状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。加熱により半田ペースト１９Ａが溶融する際に、半田層１７Ａが溶融し、各リード１２Ａが対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。この状態では、溶融した半田層１７Ａの表面張力によって、各リード１２Ａが、外部基板５Ａの面歪みを吸収するように、対応するガイド溝１３２Ａ内からＺ２方向に押し出される。これにより、熱処理後にリード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができ、リード１２Ａと外部基板５Ａとの接続の信頼性を高めることができる。
【００７１】
また、上述の構成によれば、半田層１７Ａが接触する第１領域４１Ａと半田ペースト１９Ａが接触する第４領域４３Ａとの間に、半田濡れ性の低い第２領域４５Ａが形成されているので、半田層１７Ａの溶融液と半田ペースト１９Ａの溶融液とを隔離して、その相互拡散を防止することができる。これにより、半田層１７Ａや半田ペースト１９Ａの組成を維持して、熱処理後に目標の接合強度や耐久性を得ることができ、リード１２Ａと外部基板５Ａとの接続の信頼性を高めることができる。
【００７２】
次に、プラグコネクタ２Ａの構成について説明する。図２７は、プラグコネクタ２Ａを概略的に示す断面図である。図２８は、図２７の領域Ａの拡大図である。図２９は、絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。
【００７３】
プラグコネクタ２Ａは、従来のプラグコネクタ２とは、リード２２Ａ及びパッド電極２６Ａが特に相違する。プラグコネクタ２Ａは、絶縁性ハウジング８Ａと、複数のパッド電極２６Ａを備える配線基板２１Ａと、複数のリード２２Ａとを備える。パッド電極２６Ａとリード２２Ａとの間には、導電層２７Ａが配置されている。
【００７４】
絶縁性ハウジング８Ａは、ジャックコネクタ３Ａの第１絶縁性ハウジング６Ａを嵌合する。絶縁性ハウジング８Ａ内には、図示しない複数のプラグ側のコンタクトが列方向（Ｚ１−Ｚ２方向）、行方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に並んで配列されている。ジャックコネクタ３Ａとプラグコネクタ２Ａとは、ハウジング６Ａがハウジング８Ａ内に嵌合し、プラグ側のコンタクトが開口部６２Ａからハウジング６Ａの内部に挿入されてジャック側のコンタクト１５Ａと接続することによって、電気的に接続される。
【００７５】
また、絶縁性ハウジング８Ａは、図２７に示すように、複数の配線基板２１Ａを互いに平行に支持する。絶縁性ハウジング８Ａは、例えば、図２９に示すように、複数のスリット８２Ａを備える。複数のスリット８２Ａは、Ｘ１−Ｘ２方向に並ぶように配列される。一のスリット８２Ａには、一の配線基板２１Ａが組み込まれる。従って、絶縁性ハウジング８Ａは、ジャックコネクタ３Ａにおける第２絶縁性ハウジング７Ａの機能を有する。
【００７６】
更に、絶縁性ハウジング８Ａは、図２８、図２９に示すように、リード２２Ａの延在方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に延びる複数のガイド溝８４Ａを備える。リード２２Ａは、導電層２７Ａを介して、パッド電極２６Ａに対して固定されており、半田層２７Ａが溶融したとき、ガイド溝８４Ａ内を移動可能となる。従って、絶縁性ハウジング８Ａは、ジャックコネクタ３Ａにおける、スペーサ（ガイド部）１３Ａの機能も有する。
【００７７】
パッド電極２６Ａは、図２８に示すように、その特徴的な構成として、導電層２７Ａが接触する第１領域２４２Ａと、第１領域２４２Ａを挟むようにリード２２Ａの延在方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と平行な方向の両側に一対の第２領域２４４Ａとを備える。一対の第２領域２４４Ａは、第１領域２４２Ａと比較して、導電層２７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。即ち、パッド電極２６Ａは、Ｙ２側からＹ１方向に順次、低濡れ性領域２４４Ａ、高濡れ性領域２４２Ａ、低濡れ性領域２４４Ａを備える。
【００７８】
尚、配線基板２１Ａは、パッド電極２６Ａの左右両側（Ｚ１側、Ｚ２側）に、パッド電極２６Ａと比較して、導電層２７Ａの溶融液（溶融半田）に対する低濡れ性を有する図示しない絶縁層（第３領域）を備える。
【００７９】
導電層２７Ａは、例えば、半田（例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金：融点約１４０℃）で形成されてよく、この場合、第１領域２４２Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、一対の第２領域２４４Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１７−図２０に示す方法が用いられる。
【００８０】
リード２２Ａは、配線基板２１Ａを外部基板４Ａと電気的に接続するためのものであり、Ｙ１−Ｙ２方向に延在している。リード２２Ａは、リン青銅やＦｅ−４２Ｎｉ合金等の金属板をＬ字状に折り曲げ加工して形成される。
【００８１】
リード２２Ａは、その特徴的な構成として、導電層２７Ａが接触する第１領域２４１Ａと、第１領域２４１Ａの外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に第２領域２４５Ａを備える。第２領域２４５Ａは、第１領域２４１Ａと比較して、導電層２７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００８２】
また、リード２２Ａは、その特徴的な構成として、第１領域２４１Ａに対して第２領域２４５Ａとは反対側に第３領域２４７Ａを更に備えてもよい。第３領域２４７Ａは、第１領域２４１Ａと比較して、導電層２７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００８３】
更に、リード２２Ａは、第２領域２４５Ａの外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に、リード２２Ａを外部基板４Ａに接着する接着剤が接触するための第４領域２４３Ａを備えてもよい。第４領域２４３Ａは、第２領域２４５Ａと比較して、接着剤の溶融液に対する高濡れ性を有する。言い換えると、第２領域２４５Ａは、第４領域２４３Ａと比較して、接着剤の溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００８４】
従って、図２８に示す例では、リード２２Ａは、Ｙ２側からＹ１方向に順次、低濡れ性領域２４７Ａ、高濡れ性領域２４１Ａ、低濡れ性領域２４５Ａ、高濡れ性領域２４３Ａを備える。
【００８５】
各領域２４１Ａ−２４７Ａは、リード２２Ａの外周を囲むように、リード２２ＡのＸ１側面、Ｘ２側面、Ｚ１側面、Ｚ２側面の４面に設けられてもよい。
【００８６】
導電層２７Ａは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域２４１Ａ及び第４領域２４３Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、第２領域２４５Ａ及び第３領域２４７Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１７−図２０に示す方法が用いられる。
【００８７】
再度、図２８を参照するに、リード２２Ａの第１領域２４１Ａの中心Ｄ１は、その特徴的な構成として、配線基板２１Ａ（パッド電極２６Ａ）の第１領域２４２Ａの中心Ｄ２に対して、外部基板４Ａから遠ざかる方向（Ｙ２方向）にずらして配置される。即ち、半田層（導電層）２７Ａは、リード２２Ａとの接触面が配線基板２１Ａとの接触面に対して外部基板４Ａから遠ざかる方向（Ｙ２方向）にずれるように形成してある。従って、半田層２７Ａの断面形状は、例えば、図２８に示すように、略平行四辺形になっている。
【００８８】
この状態で、再加熱により半田層２７Ａを溶融させると、溶融した半田層２７Ａは、表面張力によって、表面積の小さな形状（即ち、断面形状が長方形）になろうとする。
【００８９】
仮に、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４１Ａを挟むように半田濡れ性の低い第２領域２４５Ａ、第３領域２４７Ａが存在しない場合、溶融した半田層２７Ａは、その表面積を小さくするため、リード２２Ａ上をＹ１−Ｙ２方向に移動する。また、仮に、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４２Ａを挟むように半田濡れ性の低い一対の第２領域２４４Ａが存在しない場合、溶融した半田層２７Ａは、その表面積を小さくするため、配線基板２１Ａ上をＹ１−Ｙ２方向に移動する。
【００９０】
本実施例では、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４１Ａを挟むように第２領域２４５Ａ、第３領域２４７Ａが存在し、且つ、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４２Ａを挟むように一対の第２領域２４４Ａが存在する。このため、溶融した半田層２７Ａは、リード２２Ａ上や配線基板２１Ａ上をＹ１−Ｙ２方向に移動することができない。従って、溶融した半田層２７Ａは、その表面積を小さくするため、リード２２Ａを配線基板２１Ａに対して外部基板４Ａに近づく方向（Ｙ１方向）に相対的に移動させようとする。これにより、半田層２７Ａが溶融したとき、リード２２Ａを外部基板４Ａに向けて付勢することができ、リード２２Ａを外部基板４Ａに確実に接続することができる。
【００９１】
また、本実施例では、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４１Ａと外部基板４Ａが面接触するための第４領域２４３Ａとの間に、半田濡れ性の低い第２領域２４５Ａが存在する。このため、溶融した半田層２７Ａは、リード２２Ａ上をＹ１方向に移動して外部基板４Ａと接触することができない。これにより、溶融した半田層２７Ａがリード２２Ａと外部基板４Ａとの接合状態に悪影響を与えることを防止することができる。
【００９２】
また、本実施例では、半田層２７Ａが面接触する第１領域２４２Ａの両側（Ｚ１側、Ｚ２側）に、半田濡れ性の低い図示しない絶縁層（第３領域）が存在する。このため、溶融した半田層２７Ａは、配線基板２１Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動することができない。これにより、溶融した半田層２７Ａが隣り合うパッド電極２６Ａを導通することを防止することができる。
【００９３】
図３０は、ジャックコネクタの別の実施例を示す一部断面図である。図３１は、リード１２Ｂとパッド電極１６Ｂとの位置関係を示す断面図である。
【００９４】
ジャックコネクタ３Ｂは、ジャックコネクタ３Ａとは異なり、複数の絶縁性プレート６Ｂを積層し、Ｘ１側を図示しない蓋で覆う構造である。各絶縁性プレート６Ｂには、図３０に示すように、複数のパッド電極１６Ｂ（図３１参照）を備える配線基板１１Ｂと、複数のリード１２Ｂとが組み込まれている。パッド電極１６Ｂとリード１２Ｂとの間には、導電層１７Ｂ（図３１参照）が配置されている。
【００９５】
絶縁性プレート６Ｂ及び蓋部は、背面（Ｘ２側面）に複数のガイド溝１３２Ｂ（図３１参照）を備える。ガイド溝１３２Ｂは、絶縁性プレート６Ｂの背面側（Ｘ２側）に存在するリード１２Ｂの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に延びている。リード１２Ｂは、導電層１７Ｂを介して、パッド電極１６Ｂに対して固定されており、導電層１７Ｂが溶融したとき、ガイド溝１３２Ｂ内を移動可能となる。
【００９６】
パッド電極１６Ｂは、その特徴的な構成として、導電層１７Ｂが接触する第１領域４２Ｂと、第１領域４２Ｂを挟むようにリード１２Ｂの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）と平行な方向の両側に一対の第２領域４４Ｂとを備える。一対の第２領域４４Ｂは、第１領域４２Ｂと比較して、導電層１７Ｂの溶融液に対する低濡れ性を有する。即ち、パッド電極１６Ｂは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４４Ｂ、高濡れ性領域４２Ｂ、低濡れ性領域４４Ｂを備える。
【００９７】
尚、配線基板１１Ｂは、パッド電極１６Ｂの左右両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、パッド電極１６Ｂと比較して、導電層１７Ｂの溶融液（溶融半田）に対する低濡れ性を有する図示しない絶縁層（第３領域）を備える。
【００９８】
導電層１７Ｂは、例えば、半田（例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金：融点約１４０℃）で形成されてよく、この場合、第１領域４２Ｂは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、一対の第２領域４４Ｂは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１７−図２０に示す方法が用いられる。
【００９９】
リード１２Ｂは、その特徴的な構成として、導電層１７Ｂが接触する第１領域４１Ｂと、第１領域４１Ｂの外部基板側（Ｚ２側）に第２領域４５Ｂを備える。第２領域４５Ｂは、第１領域４１Ｂと比較して、導電層１７Ｂの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【０１００】
また、リード１２Ｂは、その特徴的な構成として、第１領域４１Ｂに対して第２領域４５Ｂとは反対側に第３領域４７Ｂを更に備えてもよい。第３領域４７Ｂは、第１領域４１Ｂと比較して、導電層１７Ｂの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【０１０１】
更に、リード１２Ｂは、第２領域４５Ｂの外部基板側（Ｚ２側）に、リード１２Ｂを外部基板に接着する接着剤が接触するための第４領域４３Ｂを備えてもよい。第４領域４３Ｂは、第２領域４５Ｂと比較して、接着剤の溶融液に対する高濡れ性を有する。言い換えると、第２領域４５Ｂは、第４領域４３Ｂと比較して、接着剤の溶融液に対する低濡れ性を有する。
【０１０２】
従って、図３１に示す例では、リード１２Ｂは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４７Ｂ、高濡れ性領域４１Ｂ、低濡れ性領域４５Ｂ、高濡れ性領域４３Ｂを備える。
【０１０３】
各領域４１Ｂ−４７Ｂは、リード１２Ｂの外周を囲むように、リード１２ＢのＸ１側面、Ｘ２側面、Ｙ１側面、Ｙ２側面の４面に設けられてもよい。
【０１０４】
導電層１７Ｂは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域４１Ｂ及び第４領域４３Ｂは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、第２領域４５Ｂ及び第３領域４７Ｂは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１７−図２０に示す方法が用いられる。
【０１０５】
再度、図３１を参照するに、リード１２Ｂの第１領域４１Ｂの中心Ｅ１は、その特徴的な構成として、配線基板１１Ｂ（パッド電極１６Ｂ）の第１領域４２Ｂの中心Ｅ２に対して、外部基板から遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずらして配置される。即ち、半田層（導電層）１７Ｂは、リード１２Ｂとの接触面が配線基板１１Ｂとの接触面に対して外部基板から遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずれるように形成してある。従って、半田層１７Ｂの断面形状は、例えば、図３１に示すように、略平行四辺形になっている。
【０１０６】
この状態で、再加熱により半田層１７Ｂを溶融させると、溶融した半田層１７Ｂは、表面張力によって、表面積の小さな形状（即ち、断面形状が長方形）になろうとする。
【０１０７】
仮に、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４１Ｂを挟むように半田濡れ性の低い第２領域４５Ｂ、第３領域４７Ｂが存在しない場合、溶融した半田層１７Ｂは、その表面積を小さくするため、リード１２Ｂ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。また、仮に、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４２Ｂを挟むように半田濡れ性の低い一対の第２領域４４Ｂが存在しない場合、溶融した半田層１７Ｂは、その表面積を小さくするため、配線基板１１Ｂ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。
【０１０８】
本実施例では、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４１Ｂを挟むように第２領域４５Ｂ、第３領域４７Ｂが存在し、且つ、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４２Ｂを挟むように一対の第２領域４４Ｂが存在する。このため、溶融した半田層１７Ｂは、リード１２Ｂ上や配線基板１１Ｂ上をＺ１−Ｚ２方向に移動することができない。従って、溶融した半田層１７Ｂは、その表面積を小さくするため、リード１２Ｂを配線基板１１Ｂに対して外部基板に近づく方向（Ｚ２方向）に相対的に移動させようとする。これにより、半田層１７Ｂが溶融したとき、リード１２Ｂを外部基板に向けて付勢することができ、リード１２Ｂを外部基板に確実に接続することができる。
【０１０９】
また、本実施例では、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４１Ｂと外部基板が面接触するための第４領域４３Ｂとの間に、半田濡れ性の低い第２領域４５Ｂが存在する。このため、溶融した半田層１７Ｂは、リード１２Ｂ上をＺ２方向に移動して外部基板と接触することができない。これにより、溶融した半田層１７Ｂがリード１２Ｂと外部基板との接合状態に悪影響を与えることを防止することができる。
【０１１０】
また、本実施例では、半田層１７Ｂが面接触する第１領域４２Ｂの両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、半田濡れ性の低い絶縁層（第３領域）が存在する。このため、溶融した半田層１７Ｂは、配線基板１１Ｂ上をＹ１−Ｙ２方向に移動することができない。これにより、溶融した半田層１７Ｂが隣り合うパッド電極１６Ｂを導通することを防止することができる。
【０１１１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述の実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１１２】
例えば、上述の実施例では、図１０−図１２に示したように、配線基板１１Ａは、凸部７８Ａ及び凹部１８Ａによって、第２絶縁性ハウジング７Ａに連結されているが、従来と同様に、第２絶縁性ハウジング７Ａに連結されていなくともよい。いずれの場合であっても、導電層１２Ａが溶融したとき、リード１２Ａを外部基板５Ａに向けて付勢することができるので、リード１２Ａと外部基板５Ａとの接続の信頼性を高めることができる。
【０１１３】
また、上述の実施例では、図１６に示したように、パッド電極１６Ａが第１領域４２Ａ及び一対の第２領域４４Ａを備えるが、本発明はこれに限定されない。例えば、図３２に示すように、パッド電極１６Ｃが第１領域４２Ｃを備え、パッド電極１６Ｃの両側（Ｚ１側、Ｚ２側）の絶縁層１１２Ｃ（及び配線パターン１１３Ｃ）が第２領域４４Ｃを備えてもよい。尚、樹脂やセラミックス製の絶縁層１１２Ｃは、一般に、金属製のパッド電極１６Ｃと比較して、半田濡れ性が低い。
【０１１４】
また、上述の実施例では、図２２に示したように、パッド電極１６Ａとリード１２Ａとの間に充填された半田ペーストを、熱処理により溶融、固化して導電層（半田層）１７Ａを形成するが、本発明はこれに限定されない。例えば、半田ペーストを充填する前に、パッド電極１６Ａの第１領域４２Ａ、及び／又は、リード１２Ａの第１領域４１Ａに半田層を形成してもよい。予め半田層を形成することにより、加熱により溶融した半田が第１領域４２Ａ及び第１領域４１Ａの双方に確実に濡れ拡がる。
【０１１５】
また、上述の実施例では、図２３に示したように、導電層１７Ａの断面形状が略平行四辺形であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、導電層１７Ａの断面形状は、台形であってもよく、この場合、溶融した導電層１７Ａの断面形状は、表面張力により等脚台形になろうとする。
【０１１６】
また、上述の実施例では、図２３に示したように、一のパッド電極１６Ａと一のリード１２Ａとの間には、一の導電層１７Ａが配置されるが、本発明は、これに限定されない。例えば、図３３に示すように、一のパッド電極１６Ｄと一のリード１２Ｄとの間には、複数の導電層１７Ｄが配置されてもよい。この場合、パッド電極１６Ｄは、隣り合う第１領域４２Ｄの間に第４領域４８Ｄを備え、リード１２Ｄは、隣り合う第１領域４１Ｄの間に第５領域４９Ｄを備える。第４領域４８Ｄ、第５領域４９Ｄは、第１領域４２Ｄ、第１領域４１Ｄに比較して、導電層１７Ｄの溶融液に対する低濡れ性を有する。そして、リード１２Ｄの第１領域４１Ｄの中心Ｆ１、Ｇ１は、それぞれ、配線基板１１Ｄ（パッド電極１６Ｄ）の第１領域４２Ｄの中心Ｆ２、Ｇ２に対して、外部基板から遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずらして配置される。
【０１１７】
また、上述の実施例では、導電層１７Ａは、半田で形成されるが、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する際に溶融することができる限り、導電層１７Ａの種類に制限はなく、例えば、半田以外の金属（例えば、Ｉｎ：融点約１６０℃）で形成されてもよい。また、導電層１７Ａの出発物質は、ペーストの形態であっても、箔の形態であってもよい。
【０１１８】
また、上述の実施例では、導電層１７Ａは、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着するための接着剤１９Ａと比較して低融点であるが、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する際に溶融することができる限り、接着剤１９Ａと比較して高融点であってもよい。
【０１１９】
また、上述の実施例では、接着剤１９Ａには、半田を用いたが、熱硬化性樹脂に金属微粒子を混ぜた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いてもよいし、半田以外の金属を用いてもよく、接着剤１９Ａの種類に限定はない。また、接着剤１９Ａは、ペーストの形態であっても、箔の形態であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】従来のジャックコネクタ３を分解して示す斜視図である。
【図３】従来のモジュール１０を概略的に示す斜視図である。
【図４】従来のモジュール１０を分解して示す斜視図である。
【図５】従来のモジュール１０の要部を示す断面図である。
【図６】従来のジャックコネクタ３のドータボード５への載置状態例を示す断面図である。
【図７】図６の熱処理後の状態例を示す断面図である。
【図８】本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。
【図９】ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。
【図１０】第１絶縁性ハウジング６Ａ、第２絶縁性ハウジング７Ａ、及びモジュール１０Ａの係合関係を説明するための部分断面図である。
【図１１】図１０の領域Ａの拡大図である。
【図１２】図１０の領域Ｂの拡大図である。
【図１３】配線基板１１Ａの構成を示す斜視図である。
【図１４】配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。
【図１５】図１４の工程に続いて、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。
【図１６】パッド電極１６Ａの構成を示す斜視図である。
【図１７】第１例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１８】第２例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１９】第３例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図２０】第４例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図２１】リード１２Ａの構成を示す斜視図である。
【図２２】リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの接合方法例を示す斜視図である。
【図２３】リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの位置関係を示す断面図である。
【図２４】スペーサ１３Ａの構成を示す斜視図である。
【図２５】ジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの載置状態例を示す断面図である。
【図２６】図２５の熱処理後の状態例を示す断面図である。
【図２７】プラグコネクタ２Ａを概略的に示す断面図である。
【図２８】図２７の領域Ａの拡大図である。
【図２９】絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。
【図３０】ジャックコネクタの別の実施例を示す一部断面図である。
【図３１】リード１２Ｂとパッド電極１６Ｂとの位置関係を示す断面図である。
【図３２】図１６の変形例を示す斜視図である。
【図３３】図２３の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
３Ａ    ジャックコネクタ
５Ａ    ドータボード（外部基板）
６Ａ    第１絶縁性ハウジング
７Ａ    第２絶縁性ハウジング
１１Ａ    配線基板
１２Ａ    リード
１３Ａ    スペーサ（ガイド部）
１６Ａ    パッド電極
１７Ａ    導電層
４１Ａ    リードの第１領域
４２Ａ    パッド電極（配線基板）の第１領域
４３Ａ    リードの第２領域
４４Ａ    パッド電極（配線基板）の第２領域
４５Ａ    リードの第３領域
４７Ａ    リードの第４領域
１３２Ａ    ガイド溝
１３４Ａ    窓部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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