(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子や集積回路などの電子素子を搭載するための電子素子用パッケージにおいて、高い放熱性と高い抗折強度の両方を得られる手段を提供する。【解決手段】発光素子用パッケージ７２は、セラミック製の基体２と、基体２の上面に設置されたセラミック製の枠体３とから構成され、枠体３の内側には発光素子を収容するためのキャビティ３ａが形成され、基体２には、キャビティ３ａの下方位置に、基体２の上面から下面に貫通するビア４が形成され、ビア４の内部には熱伝導材５が充填されている。そして、ビア４の内壁４１には、ビア４の中心に向かって突出する突出部４２が形成され、突出部４２は、ビア４の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法Ｌが貫通方向に沿う厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック製の基体（２）と、該基体（２）の上面に設置されたセラミック製の枠体（３）とから構成され、該枠体（３）の内側には電子素子を収容するためのキャビティ（３ａ）が形成され、前記基体（２）には、前記キャビティ（３ａ）の下方位置に、基体（２）の上面から下面に貫通するビア（４）が形成され、該ビア（４）の内部には熱伝導材（５）が充填されている電子素子用パッケージにおいて、
ビア（４）の内壁（４１）には、ビア（４）の中心に向かって突出する突出部（４２）が形成され、該突出部（４２）は、前記ビア（４）の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法が貫通方向に沿う厚さ寸法以上の大きさを有していることを特徴とする電子素子用パッケージ。
【請求項２】
前記ビア（４）の内壁（４１）には、上端位置及び下端位置の両方の位置に前記突出部（４２）が形成され、該ビア（４）は、該突出部（４２）が形成されている位置にて狭くなっている請求項１に記載の電子素子用パッケージ。
【請求項３】
前記ビア（４）の内壁（４１）の内、互いに対向する２つの側面壁部（４１１，４１２）のそれぞれに前記突出部（４２）が形成されており、異なる側面壁部に属する突出部（４２）は、互いに前記貫通方向にずれている請求項１又は請求項２に記載の電子素子用パッケージ。
【請求項４】
前記貫通方向に直交する前記ビア（４）の断面積が、該ビア（４）の上端位置から下端位置まで略同一である請求項３に記載の電子素子用パッケージ。
【請求項５】
前記基体（２）は、複数のセラミックシート（２１）を積層して焼成することにより作製されており、前記突出部（４２）の長さ寸法は該セラミックシート（２１）の厚さ寸法以上の大きさを有している請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子素子用パッケージ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れかに記載の電子素子用パッケージと、該電子素子用パッケージに搭載された電子素子（１）とを具え、該電子素子（１）は、前記電子素子用パッケージの枠体（３）の内側に形成されているキャビティ（３ａ）内にて、前記ビア（４）の上方位置に配置されている電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や集積回路などの電子素子を搭載するための電子素子用パッケージ、及び該電子素子用パッケージを具えた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光素子を搭載するための発光素子用パッケージは、セラミック製の基体と枠体とを接合一体化して構成されており、枠体の内側には、発光素子を収容するキャビティが形成されている。
【０００３】
セラミック製の基体には、サーマルビアを形成することが可能であり（例えば、特許文献１参照）、基体にサーマルビアが形成されている発光素子用パッケージにおいては、キャビティ内に収容した発光素子の熱を外部に発散することが可能である。尚、サーマルビアは、基体を貫通したビアに熱伝導材が充填されることにより構成される。
【０００４】
サーマルビアがセラミック製の基体を上面から下面に貫通し、該サーマルビアがキャビティ内に露出した発光素子用パッケージにおいては、キャビティ内に収容した発光素子の熱が、サーマルビアを通って基体の下面に向かって移動すると共に、その一部が基体中に拡散することになる。その結果、熱による発光素子の不具合が発生しにくくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２２９１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サーマルビアを構成する熱伝導材はセラミックよりも抗折強度が低いため、サーマルビアを基体に形成した場合、発光素子用パッケージの放熱性が高まる反面、発光素子用パッケージの抗折強度が低下するという問題があった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、発光素子や集積回路などの電子素子を搭載するための電子素子用パッケージ及び該電子素子用パッケージを具えた電子部品において、高い放熱性と高い抗折強度の両方を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電子素子用パッケージは、セラミック製の基体（２）と、該基体（２）の上面に設置されたセラミック製の枠体（３）とから構成され、該枠体（３）の内側には電子素子を収容するためのキャビティ（３ａ）が形成され、前記基体（２）には、前記キャビティ（３ａ）の下方位置に、基体（２）の上面から下面に貫通するビア（４）が形成され、該ビア（４）の内部には熱伝導材（５）が充填されている電子素子用パッケージであって、ビア（４）の内壁（４１）には、ビア（４）の中心に向かって突出する突出部（４２）が形成され、該突出部（４２）は、前記ビア（４）の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法が貫通方向に沿う厚さ寸法以上の大きさを有している。
【０００９】
上記電子素子用パッケージにおいては、ビア（４）の内壁（４１）に形成された突出部（４２）が、ビア（４）の内部に充填された熱伝導材（５）内に突出することになる。又、該電子素子用パッケージを作製する際の焼成工程において基体（２）と熱伝導材（５）は収縮するが、それぞれの収縮率は相違するため、焼成後の電子素子用パッケージにおいては、熱伝導材（５）と、該熱伝導材（５）内に突出した突出部（４２）とは、互いに噛み合うことになる。
【００１０】
そして、上記電子素子用パッケージにおいては、突出部（４２）は、ビア（４）の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法が貫通方向に沿う厚さ寸法以上の大きさを有しているので、熱伝導材（５）と突出部（４２）とは互いに強固に噛み合うことになる。
従って、基体（２）にビア（４）を形成した場合であっても、基体（２）の抗折強度の低下が抑制されることになり、その結果、電子素子用パッケージの抗折強度は高く維持されることになる。
【００１１】
又、上記電子素子用パッケージにおいては、枠体（３）のキャビティ（３ａ）内に電子素子（１）を収容した場合、該電子素子（１）から発生した熱は、ビア（４）に充填された熱伝導材（５）を通って基体（２）の下面に向かって移動すると共に、その一部がセラミック製の基体（２）中に拡散することとなるので、電子素子用パッケージにおいて高い放熱性が得られる。
【００１２】
上記電子素子用パッケージの具体的構成において、前記ビア（４）の内壁（４１）には、上端位置及び下端位置の両方の位置に前記突出部（４２）が形成され、該ビア（４）は、該突出部（４２）が形成されている位置にて狭くなっている。
【００１３】
上記電子素子用パッケージの他の具体的構成において、前記ビア（４）の内壁（４１）の内、互いに対向する２つの側面壁部（４１１，４１２）のそれぞれに前記突出部（４２）が形成されており、異なる側面壁部に属する突出部（４２）は、互いに前記貫通方向にずれている。
【００１４】
より具体的な構成において、前記貫通方向に直交する前記ビア（４）の断面積が、該ビア（４）の上端位置から下端位置まで略同一である。これにより、電子素子（１）から発生した熱が、ビア（４）に充填された熱伝導材（５）を通って基体（２）の下面まで移動し易くなる。従って、電子素子用パッケージの放熱性がより高められることになる。
【００１５】
上記電子素子用パッケージの更なる他の具体的構成において、前記基体（２）は、複数のセラミックシート（２１）を積層して焼成することにより作製されており、前記突出部（４２）の長さ寸法は該セラミックシート（２１）の厚さ寸法以上の大きさを有している。
【００１６】
更に又、本発明に係る電子部品は、上記電子素子用パッケージと、該電子素子用パッケージに搭載された電子素子（１）とを具え、該電子素子（１）は、前記電子素子用パッケージの枠体（３）の内側に形成されているキャビティ（３ａ）内にて、前記ビア（４）の上方位置に配置されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高い放熱性と高い抗折強度の両方を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る発光デバイスの製造に用いられるセラミック体を示す断面図である。
【図２】該セラミック体を焼成して作製された発光素子用パッケージを示す断面図である。
【図３】該発光素子用パッケージに発光素子を設置した状態を示す断面図である。
【図４】作製された発光デバイスを示す断面図である。
【図５】上記発光素子用パッケージにおいてビアの断面積が変化した形態の一例を示す断面図である。
【図６】該一例に係る発光素子用パッケージの製造に用いられるセラミック体を示す断面図である。
【図７】上記発光素子用パッケージにおいてビアの断面積が変化した形態の他の例を示す断面図である。
【図８】該他の例に係る発光素子用パッケージの製造に用いられるセラミック体を示す断面図である。
【図９】上記発光素子用パッケージにおいてビアの断面積が変化した形態の更なる他の例を示す断面図である。
【図１０】該更なる他の例に係る発光素子用パッケージの製造に用いられるセラミック体を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、発光素子を搭載するための発光素子用パッケージ及び該発光素子用パッケージを具えた発光デバイスに本発明を適用した形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
図１〜図４は、本発明の一実施形態に係る発光デバイスについて、その製造方法を工程順に示した断面図である。
【００２０】
まず、セラミック体形成工程において、図１に示す如く、セラミックから作製された複数のセラミックシート２１を積層することにより、セラミックシート２１の積層体７１１を形成する。複数のセラミックシート２１のそれぞれには、充填材５１が充填された貫通孔２１ａが形成されており、貫通方向に直交する貫通孔２１ａの断面形状（図示せず）は、積層される全てのセラミックシート２１において略同一である。
尚、充填材５１には、熱伝導率が高い銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。又、セラミックシート２１を形成するセラミックには、充填材５１との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられる。
【００２１】
図１に示す様にセラミックシート２１を積層する際には、隣接するセラミックシート２１，２１は、それらに属する貫通孔２１ａ，２１ａが積層方向に垂直な方向に沿って互いに所定の距離Ｄだけずれると共に該貫通孔２１ａ，２１ａの一部が重なるように、配置される。ここで、所定の距離Ｄは、セラミックシート２１の厚さ寸法Ｔ１以上の距離である。
【００２２】
具体的には、第ｎ番目（ｎは２以上の整数）に積層される第ｎセラミックシート２１と、第ｎセラミックシート２１の下側に隣接する第（ｎ−１）セラミックシート２１においては、第ｎセラミックシート２１に属する貫通孔２１ａは、第（ｎ−１）セラミックシート２１に属する貫通孔２１ａに対して、積層方向に垂直な一方向に所定の距離Ｄだけずれている。一方、第ｎセラミックシート２１と、第ｎセラミックシート２１の上側に隣接する第（ｎ＋１）セラミックシート２１においては、第（ｎ＋１）セラミックシート２１に属する貫通孔２１ａは、第ｎセラミックシート２１に属する貫通孔２１ａに対して、前記一方向とは反対方向に所定の距離Ｄだけずれている。
【００２３】
従って、第ｎセラミックシート２１の一部が、第（ｎ−１）及び第（ｎ＋１）セラミックシート２１，２１の貫通孔２１ａ，２１ａの内壁に対して、積層方向に垂直な上記一方向に所定の距離Ｄだけ突出し、第（ｎ＋１）セラミックシート２１の一部が、第ｎ及び第（ｎ＋２）セラミックシート２１，２１に属する貫通孔２１ａ，２１ａの内壁に対して、前記一方向とは反対方向に所定の距離Ｄだけ突出することになる。
【００２４】
積層体７１１の形成後、積層体７１１の上面に、セラミックから作製された枠形成体３１を積層する。このとき枠形成体３１は、積層体７１１の最上層に位置するセラミックシート２１の貫通孔２１ａに充填されている充填材５１が、枠形成体３１の内側に形成されている空間３１ａに露出するように、積層体７１１の上面に配置される。これにより、積層体７１１と枠形成体３１とから構成されたセラミック体７１が形成される。
尚、枠形成体３１を形成するセラミックには、充填材５１との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられる。枠形成体３１を形成するセラミックには、セラミックシート２１を形成するセラミックと同じセラミックを用いてもよいし、異なるセラミックを用いてもよい。
【００２５】
次に焼成工程において、セラミック体形成工程にて形成したセラミック体７１を焼成することにより、図２に示す発光素子用パッケージ７２を作製する。セラミック体７１の焼成により、図２に示す様に、積層体７１１と枠形成体３１がそれぞれ焼結して基体２と枠体３が形成されると共に、基体２と枠体３とが接合一体化される。
そして、積層体７１１の焼結により、積層体７１１を形成しているセラミックシート２１の貫通孔２１どうしが互い連結し、基体２を上面２ａから下面２ｂに貫通するビア４となる。又、枠形成体３１の焼結により、枠形成体３１の内側に形成されていた空間３１ａが、発光素子１を収容するためのキャビティ３ａとなる。
【００２６】
更に、セラミック体７１の焼成により、セラミックシート２１の貫通孔２１ａに充填されている充填材５１も焼結して一体化し、ビア４の内部に充填された熱伝導材５となる。
【００２７】
本実施の形態においては、セラミック体７１を形成するセラミックとして低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられているので、８００℃〜９５０℃の温度にて該セラミックを焼結させることが出来る。従って、充填材５１に用いた金属の異常収縮などを抑制しつつ、充填材５１を焼結させることが出来る。
尚、セラミック体７１のセラミック部分と充填材５１は何れも焼結によって収縮することになるが、セラミック部分と充填材５１とでは材質が異なるため、それぞれの収縮率は相違することになる。
【００２８】
上述の如くセラミック体７１においては、第ｎセラミックシート２１の一部が積層方向に垂直な一方向に所定の距離Ｄだけ突出し、第（ｎ＋１）セラミックシート２１の一部が該一方向とは反対方向に所定の距離Ｄだけ突出しているので、図２に示す様に発光素子用パッケージ７２においては、ビア４の内壁４１の内、互いに対向する２つの側壁面部４１１，４１２のそれぞれに、ビア４の中心に向かって突出する突出部４２が形成されることになる。即ち、基体２を形成するセラミックが、ビア４の内壁４１から、ビア４の内部に充填された熱伝導材５内に突出することになる。
又、セラミック体７１のセラミック部分と充填材５１とでは焼成時の収縮率が相違しているため、焼成後の発光素子用パッケージ７２においては、熱伝導材５と、該熱伝導材５内に突出した突出部４２とが、互いに噛み合うことになる。
【００２９】
更に、焼成前のセラミック体７１においては、所定の距離Ｄがセラミックシート２１の厚さ寸法Ｔ１以上の距離であるので、発光素子用パッケージ７２においては、突出部４２は、ビア４の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法Ｌが貫通方向に沿う厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有することになる。従って、熱伝導材５と突出部４２とは互いに強固に噛み合うことになる。
ここで、長さ寸法Ｌ及び厚さ寸法Ｔ２はそれぞれ、所定の距離Ｄ及び厚さ寸法Ｔ１よりも、セラミック体７１が収縮した分だけ小さい大きさを有している。従って、突出部４２の長さ寸法Ｌは、セラミックシート２１の厚さ寸法Ｔ１以上の大きさを有することになる。
【００３０】
尚、本実施の形態に係る発光素子用パッケージ７２においては、一方の側壁面部４１１に属する突出部４２と、他方の側壁面部４１２に属する突出部４２とは、互いに貫通方向に沿ってずれることになる。
【００３１】
上記発光素子用パッケージによれば、上述の如く熱伝導材５と突出部４２とが互いに強固に噛み合うことになるので、基体２にビア４を形成した場合であっても、基体２の抗折強度の低下が抑制されることになり、その結果、発光素子用パッケージの抗折強度は高く維持されることになる。又、図２に示す構造においては、静的強度である抗折強度だけでなく、ひずみ応力に対する動的強度も高められる。
【００３２】
次に発光素子設置工程において、図３に示す如く、焼成工程にて作製した発光素子用パッケージ７２に発光素子１を設置する。具体的には発光素子１は、キャビティ３ａ内において、ビア４の上方位置、即ち基体２の上面２ａのうち熱伝導材５が露出している領域に設置される。
そして樹脂充填工程において、図４に示す如くキャビティ３ａの内部に、蛍光体を含む樹脂６を充填し、該樹脂６を硬化させる。これにより、本発明の一実施形態に係る発光デバイスが作製される。
【００３３】
作製された発光デバイスにおいては、発光素子１から発生した熱が、ビア４に充填されている熱伝導材５を通って基体２の下面２ｂに向かって移動すると共に、その一部がセラミック製の基体２中に拡散することになる。
【００３４】
しかも、本実施形態においては、焼成前のセラミック体７１を構成する全てのセラミックシート２１において、貫通孔２１ａの断面形状が略同一であるので、図４に示す様に発光素子用パッケージ７２においては、貫通方向に直交するビア４の断面積が、ビア４の上端位置から下端位置まで略同一になっている。このため、発光素子１から発生した熱は、ビア４に充填された熱伝導材５を通って基体２の下面２ｂまで移動し易い。
従って、上記発光素子用パッケージ７２を具えた発光デバイスにおいて高い放熱性を得ることが可能である。
【００３５】
よって、上記発光素子用パッケージ７２によれば、高い放熱性と高い抗折強度の両方を得ることが出来る。
【００３６】
発光素子用パッケージ７２の放熱性は、ビア４の断面積だけでなくビア４の体積にも依存する。即ち、ビア４の体積が大きいほど、発光素子用パッケージ７２の放熱性は高まることになる。従って、ビア４の断面積がビア４の上端位置から下端位置まで略同一でない場合でも、ビア４の体積を調節することにより、発光素子用パッケージ７２において十分な放熱性を得ることが可能である。
【００３７】
図５は、ビア４の断面積が変化している発光素子用パッケージ７２を具えた発光デバイスの一例を示した断面図である。図５に示す発光素子用パッケージ７２においては、ビア４の上端位置と下端位置の両方の位置にて、突出部４２がビア４の内壁に形成され、ビア４は、該突出部４２が形成されている位置にて狭くなっている。
又、突出部４２の何れにおいても、ビア４の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法Ｌは、貫通方向に沿う厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有している。
【００３８】
上記発光素子用パッケージ７２においては、上端位置にて突出した突出部４２と下端位置にて突出した突出部４２との間に熱伝導材５が介在し、これにより熱伝導材５と突出部４２とが噛み合うことになる。従って、該発光素子用パッケージ７２によれば、図２に示す発光素子用パッケージ７２と同様、基体２にビア４を形成した場合であっても、基体２の抗折強度の低下が抑制されることになり、その結果、発光素子用パッケージ７２の抗折強度は高く維持されることになる。
【００３９】
図５に示す発光素子用パッケージ７２は、図６に示すセラミック体７１を焼成することにより作製される。図６に示すセラミック体７１は、貫通方向に直交する貫通孔２１ａの断面積が異なる２種類のセラミックシート２１，２２を積層して形成される。
【００４０】
具体的には、最上層と最下層の位置に、断面積が小さい一方のセラミックシート２２が配置され、これらのセラミックシート２に挟まれた状態で、断面積が大きい他方のセラミックシート２１が複数積層されている。そして、他方のセラミックシート２１の貫通孔２１ａに充填されている充填材５１には、その中央部に、一方のセラミックシート２２の貫通孔２２ａに充填されている充填材５１が重なり、該中央部の周辺部に、一方のセラミックシート２２が重なっている。
尚、図６に示すセラミック体７１においては、一方のセラミックシート２２には、他方のセラミックシート２１よりも薄いシートが用いられている。
【００４１】
図７は、ビア４の断面積が変化している発光素子用パッケージ７２を具えた発光デバイスの他の例を示した断面図である。図７に示す発光素子用パッケージ７２は、図５に示す発光素子用パッケージ７２において、ビア４の上端位置と下端位置だけでなく該上端位置と下端位置の間の位置にも突出部４２が形成されたものであり、ビア４は、該突出部４２が形成されている位置にて狭くなっている。
又、突出部４２の何れにおいても、ビア４の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法Ｌは、貫通方向に沿う厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有している。
【００４２】
上記発光素子用パッケージ７２においては、上端位置にて突出した突出部４２と下端位置にて突出した突出部４２との間にも突出部４２が形成されているので、図５に示す発光素子用パッケージ７２と比較して、熱伝導材５と突出部４２とが強固に噛み合うことになる。従って、図７に示す発光素子用パッケージ７２によれば、図２に示す発光素子用パッケージ７２と同様、基体２にビア４を形成した場合であっても、基体２の抗折強度の低下が抑制されることになり、その結果、発光素子用パッケージ７２の抗折強度は高く維持されることになる。
【００４３】
図７に示す発光素子用パッケージ７２は、図８に示すセラミック体７１を焼成することにより作製される。図８に示すセラミック体７１は、図６に示すセラミック体７１において、最上層と最下層との中間位置にも、断面積が小さい一方のセラミックシート２２が配置されたものであり、３つのセラミックシート２２に挟まれた状態で、断面積が大きい他方のセラミックシート２１が複数積層されている。
【００４４】
図９は、ビア４の断面積が変化している発光素子用パッケージ７２を具えた発光デバイスの更なる他の例を示した断面図である。図９に示す発光素子用パッケージ７２は、図５に示す発光素子用パッケージ７２において、ビア４の上端位置と下端位置だけでなく該上端位置と下端位置の間の位置にも突出部４２が形成されたものであり、ビア４は、上端位置と下端位置にて狭くなっているが、該上端位置と下端位置との間の位置では断面積が略同一である。
又、突出部４２の何れにおいても、ビア４の貫通方向に垂直な方向に沿う長さ寸法Ｌは、貫通方向に沿う厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有している。
【００４５】
上記発光素子用パッケージ７２においては、上端位置にて突出した突出部４２と下端位置にて突出した突出部４２との間にも突出部４２が形成されているので、図５に示す発光素子用パッケージ７２と比較して、熱伝導材５と突出部４２とが強固に噛み合うことになる。従って、図９に示す発光素子用パッケージ７２によれば、図２に示す発光素子用パッケージ７２と同様、基体２にビア４を形成した場合であっても、基体２の抗折強度の低下が抑制されることになり、その結果、発光素子用パッケージ７２の抗折強度は高く維持されることになる。
【００４６】
図９に示す発光素子用パッケージ７２は、図１０に示すセラミック体７１を焼成することにより作製される。図１０に示すセラミック体７１は、図６に示すセラミック体７１において、隣接する他方のセラミックシート２２の貫通孔２２ａが、図１に示すセラミック体７１の如く、積層方向に垂直な方向に沿って所定の距離Ｄだけずれたものである。
【００４７】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、突出部の長さ寸法Ｌが厚さ寸法Ｔ２以上の大きさを有していれば、ビア４の内壁に形成される突出部４２の配置や形状などは、上述した実施形態に限定されるものではない。
又、上述した実施形態においては、発光素子を搭載するための発光素子用パッケージに本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、集積回路などの電子素子を搭載するための種々の電子素子用パッケージに適用することが出来る。
【符号の説明】
【００４８】
１  発光素子
２  基体
２ａ  基体の上面
２ｂ  基体の下面
２１  セラミックシート
３  枠体
３ａ  キャビティ
４  ビア
４１  ビアの内壁
４１１，４１２  側面壁部
４２  突出部
５  熱伝導材
Ｌ  突出部の長さ寸法
Ｔ１  セラミックシートの厚さ寸法
Ｔ２  突出部の厚さ寸法
【図１】
2010171157.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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