(57)【要約】【課題】角度制御トレランスが大きく、運用時の透過帯域特性の劣化が少ない波長多重伝送装置を提供することである。【解決手段】立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、固定減衰量でポートの配列方向に対して垂直方向に制御する。光信号のレベルがしきい値以上となったなら、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポートの配列方向にフィードバック制御する。【選択図】図２
2010139854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長多重された光信号が入力または出力される複数のポートと、
波長多重された光信号を分波する分波手段と、
分波された各波長の光信号の出力ポートに対する結合方向を制御して減衰量を制御する減衰手段と、
出力側の光信号のレベルを検出する検出手段と、
前記検出手段で前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する制御手段とを備える波長多重伝送装置。
【請求項２】
前記制御手段は、波長選択スイッチの出力側の前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったとき、前記減衰手段の前記出力ポートに対する前記結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値以上となったことが検出されたとき、前記ポートの配列方向に対して垂直方向の制御量を減らし、前記ポートの配列方向の制御量を増やす請求項１記載の波長多重伝送装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記光信号が第２のしきい値以上となった後、前記結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御して前記検出手段で検出される前記光信号のレベルが最大値となった時点に、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する請求項２記載の波長多重伝送装置。
【請求項４】
前記減衰手段は、角度が調整可能な複数のミラーを有し、
前記制御手段は、前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったとき、前記複数のミラーの内の該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったとき、前記該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に制御する請求項１、２または３記載の波長多重伝送装置。
【請求項５】
複数の入力ポートの波長多重された光信号を分波し、
波長選択スイッチの出力側の光信号のレベルを検出し、
前記光信号のレベルがしきい値以下となったことが検出されたとき、出力ポートに対する結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが前記しきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記結合方向を前記ポートの配列方向に制御して減衰量を制御する波長多重伝送方法。
【請求項６】
波長多重された光信号を分波する分波手段と、
分波された各波長の光信号の出力ポートに対する結合方向を制御して減衰量を制御する減衰手段と、
出力側の光信号のレベルを検出する検出手段と、
前記検出手段で前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する制御手段とを備える波長選択スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長分割多重装置及びその伝送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信トラヒックの増大に伴い、ロングホール領域、メトロ領域、ユーザの利用するアクセス領域で波長多重技術をベースとした伝送ネットワークの構築が進んでいる。光伝送ネットワークではより柔軟なネットワークを構築するために、光の波長単位でノードをスルー（Thru）、アド（Add）またはドロップ（Drop）することのできる光分岐挿入装置（ＯＡＤＭ：Optical Add-Drop Multiplexer）が求められている。
【０００３】
光分岐挿入装置、端局装置、中継装置などでは長距離伝送を実現するために波長多重信号をモニタして各波長のレベル調整を行っている。
光分岐挿入装置は、各波長の光信号のレベルを調整する波長選択スイッチ（ＷＳＳ：Wavelength Selective Switch）を有している。波長選択スイッチは、波長多重された光を、デマルチプレクサにより波長毎に分離し、光スイッチによりスルー信号を通過させるか、アド信号を通過させるかを選択する。そして、光可変減衰器（ＶＯＡ：Variable Optical Attenuator）で減衰された後、マルチプレクサで波長多重される。波長多重された信号のレベルは光チャネルモニタ（ＯＣＭ：Optical Channel Monitor）でモニタされ、各波長の信号が目標レベルとなるように光可変減衰器の減衰量が制御される。
【０００４】
波長選択スイッチとして、信号の透過帯域特性、損失、偏波依存性の点で有利なＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）方式が主流となっている。
また、光分岐挿入装置では、コストを低減するために、装置の入力側のモニタを削減し、波長選択スイッチの後段で各波長の光信号レベルをモニタし、減衰量を制御することも行われている。
【０００５】
図１５は、ＭＥＭＳを用いた波長選択スイッチ１１の構成を示す図である。波長選択スイッチ１１は、コリメータ（Collimator）１２と、グレーティング（Grating）１３と、レンズ１４と、ＭＥＭＳミラー１５とを有する。
【０００６】
各入力ポート２〜４から入力する光は、コリメータ１２により空間的な光に変換され、グレーティング１３により各波長の光に分波される。分波された光はレンズ１４により集光され、各波長の光はＭＥＭＳミラー１５により減衰量が制御され、出力ポート１に出力される。ＭＥＭＳミラー１５は、波長の分割数分のミラーを有し、それぞれのミラーはポート１〜４の配列方向（図１５のｙ方向）に対して垂直方向（図１５のｘ方向）に配列されている。
【０００７】
図１６は、従来の波長選択スイッチ１１の制御動作を示す図である。図１６には、光カプラ（ＣＰＬ）２１と光チャネルモニタ（ＯＣＭ）２２と制御部２３を併せて示してある。
【０００８】
光カプラ（ＣＰＬ）２１は、出力ポート１の出力光を分岐させて光チャネルモニタ２２に出力する。光チャネルモニタ２２は、各波長の光信号レベルをモニタする。制御部２３は、光チャネルモニタ２２の検出レベルに応じてＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する。
【０００９】
例えば、入力ポート４のｃｈ１６の光信号をポート１に出力する場合には、制御部２３は、出力ポート１の信号レベルが所望の値となるように、ＭＥＭＳミラー１５のチャネル
ｃｈ１６に対応するミラーの角度を制御する。ミラーは各chごとに設けられ、図１５に対応させると実際にはｃｈ１６の位置に重なって見える。
【００１０】
図１７（Ａ）、（Ｂ）は、ＭＥＭＳミラー１５の制御方向の説明図である。図１７（Ａ）は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポートの配列方向（ｙ方向）に制御する場合の例を示している。また、図１７（Ｂ）は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポートの配列方向に対して垂直な方向（ｘ方向）に制御してアッテネーションをかける場合の例を示している。
【００１１】
図１７（Ａ）に破線で示す光路ａは、ＭＥＭＳミラー１５の角度をｙ方向に変化させたときの光路を示している。ＭＥＭＳミラー１５の角度を調整することで、出力ポート１に入力する光の量を増減して減衰量を制御できる。この制御方法は、減衰量を大きくするために光軸のずれ量を大きくしたときに、隣接するポートに光が漏れ込む（クロストーク）可能性があるために、ポート間の距離を一定以上にする必要がある。そのため装置のサイズが大きくなるという問題点がある。また、ミラーの角度をポートの配列方向に制御する場合は、ＭＥＭＳミラー１５の角度制御トレランス（角度制御の余裕度）が小さくなるので、ＭＥＭＳミラー１５の減衰量の制御、すなわちミラーの角度制御を高精度で行う必要がある。
【００１２】
図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）の矢印方向から見た上面図である。ＭＥＭＳミラー１５の角度をポート１〜４の配列方向に対して垂直に制御する場合には、角度を大きくしても、隣接するポートに光が漏れこむことがないのでクロストークの問題は発生しないが、信号の透過帯域特性が劣化するという問題点がある。
【００１３】
通過帯域特性の劣化について、特許文献３に次のように記載されている。ミラー（可動反射体）の端面付近からの反射光ビームが削られる量が増加するため、回折の影響が強くなり、逆台形状の減衰量−帯域特性となる。その結果、ミラーの反射光の減衰量−帯域特性は台形状ではなく、ある波長帯域で減衰量が大きくなる略Ｍ型形状となり、通過帯域特性が劣化する。
【００１４】
ここで、従来のＭＥＭＳミラー１５の制御方法について具体的に説明する。図１８は、従来例１の立ち上げシーケンスを示す図である。この従来例１は、立ち上げ時にポートの配列方向にＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する場合の例である。
【００１５】
光入力レベルがしきい値以下のときには（図１８、Ｓ１１）、固定減衰量を与えるようにポート方向にＭＥＭＳミラー１５の角度を調整する（Ｓ１２）。ステップＳ１２で固定の減衰量を設定しているのは、次の理由からである。光入力レベルがしきい値以下の状態でフィードバック制御をかけると、光入力レベルが低い状態では減衰量が最小となる。その状態で正常レベルの光信号が入力すると、過大な光信号が後段に出力され、後段の光部品の破壊等が発生する可能性があるからである。
【００１６】
光入力レベルが正常レベルとなり（Ｓ１３）、出力ポートの光チャネルモニタ（ＯＣＭ）２２で光入力レベルがしきい値より大きくなったことが検出されると(Ｓ１４）、減衰量のフィードバック制御を開始する（Ｓ１５）。このフィードバック制御では、光チャネルモニタ２２で検出される光信号レベルに基づいてＭＥＭＳミラー１５の角度をｙ方向に調整して減衰量を制御する（Ｓ１６）。光チャネルモニタで検出される光信号レベルが所望のレベルに達したなら運用を開始する（Ｓ１７）。
【００１７】
図１９（Ａ）、（Ｂ）は、従来例１の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。従来例１はＭＥＭＳミラー１５の角度をポートの配列方向に制御する場合の例である。
ポート２〜４からは、波長多重された光信号が出力されるが、説明を簡単するためにポ
ート４のチャネルｃｈ１６の光信号をポート１に出力する場合について説明する。
【００１８】
光入力レベルがしきい値より大きいときは、図１９（Ａ）に示すように、ポート４から入力するチャネルｃｈ１６の波長の光は、ＭＥＭＳミラー１５のチャネル１６に対応するミラーの角度がフィードバック制御され、適正な減衰量で減衰された光がポート１に入力する。このとき、ポート２及び３のチャネルｃｈ１６の光もＭＥＭＳミラー１５で反射されるが、それらの光はポート１には入力しない。
【００１９】
光信号が断となり、光入力レベルがしきい値以下となると、図１９（Ｂ）に示すように、ＭＥＭＳミラー１５のチャネルｃｈ１６に対応するミラーの角度は、固定減衰量でポートの配列方向に制御される。この場合、減衰量が大きく、ミラーの角度が大きくなるのでポート３のチャネルｃｈ１６の光が出力ポート１に入力してクロストークが発生する可能性がある。
【００２０】
図２０は、従来例１の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。図２０において、白丸は各ポート１〜４の位置を示し、黒または灰色の丸はＭＥＭＳミラー１５の反射光の位置を示す。
【００２１】
ＭＥＭＳミラー１５が固定減衰量でポート方向に制御された場合には、図２０に示すように、ポート３の光の反射光ａ’が出力ポート１に入射し、クロストークが発生する可能性がある。
【００２２】
上述した従来例１の制御方法は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を固定減衰量でポートの配列方向に制御しているために、運用時にクロストークが発生する可能性がある。
図２１は、従来例２の立ち上げシーケンスを示す図である。この従来例２は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポートの配列方向に対して垂直方向に制御するものである。
【００２３】
光入力レベルがしきい値以下のとき（図２１、Ｓ２１）、制御部２３は、固定減衰量を与えるためにＭＥＭＳミラー１５を、ポートの配列方向に対して垂直方向（分光方向）に制御する（Ｓ２２）。
【００２４】
正常レベルの光信号が入力されたなら（Ｓ２３）、光チャネルモニタ２２により各チャネルの光信号レベルを検出する（Ｓ２４）。そして、光チャネルモニタ２２で検出される光信号レベルに応じてフィードバック制御を開始する（Ｓ２５）。
【００２５】
フィードバック制御を開始したなら、出力ポートの光信号レベルが所望レベルになるように、ＭＥＭＳミラー１５をポートの配列方向に対して垂直方向（図１６のｘ方向）に制御する。そして、所望のレベルに到達したなら運用を開始する（Ｓ２７）。
【００２６】
図２２（Ａ）、（Ｂ）は、従来例２の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。以下、ポート４のチャネルｃｈ１６の光信号をポート１に出力する場合について説明する。
光入力レベルがしきい値より大きいときは、図２２（Ａ）に示すように、ＭＥＭＳミラー１５のチャネルｃｈ１６に対応するミラーの角度は、ポートの配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）にフィードバック制御される。このとき、ポート２とポート３のチャネルｃｈ１６の光もＭＥＭＳミラー１５の同じミラーで反射されるが、ＭＥＭＳミラー１５の角度がｘ方向に制御されているために、ポート３から出力される光はポート１には入力しない。
【００２７】
光入力レベルがしきい値以下のときには、大きな固定減衰量を与えるようにＭＥＭＳミラー１５の角度が制御される。このとき、ＭＥＭＳミラー１５は、図２２（Ｂ）に示すよ
うに、ポートの配列方向に対して垂直方向に制御されるので、他のポートの光は出力ポート１に入力しない。この場合、クロストークは発生しないが、運用時の通過帯域特性が劣化する。
【００２８】
図２３は、従来例２の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。図２３において、白丸は各ポート１〜４の位置を示し、黒または灰色の丸はＭＥＭＳミラー１５の反射光の位置を示す。
【００２９】
ＭＥＭＳミラー１５が固定減衰量でポートの配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）に制御された場合には、図２３に示すように、他のポートの光の反射光は出力ポート１に入射しないのでクロストークは発生しない。
【００３０】
上述した従来例２の制御方法は、立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を固定減衰量でポートの配列方向に対して垂直方向に制御しているために、クロストークは発生しないが、光信号のレベルがしきい値より大きくなる運用時に通過帯域の劣化が生じる。
【００３１】
図２４は、従来例における透過帯域の劣化の説明図である。図２４は、周波数と相対減衰量と、ＭＥＭＳミラー１５の減衰量の関係を示し、横軸に光周波数、縦軸に相対減衰値が示されている。１．９３４×Ｅ+１４は、１．９３４×１０１４(193.4[THz])を意味している。減衰量とともに透過帯域の左右に耳(Ear)のような帯域劣化が生じていることがわかる。
ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポートの配列方向に対して垂直方向（分光方向）に制御した場合、減衰量を大きくするほど波長選択スイッチ１１の透過帯域が劣化する。
【００３２】
図２５は、従来例における送信信号の劣化の説明図である。横軸は光周波数、縦軸は相対減衰値[dB]である。複数の光分岐挿入装置（ＯＡＤＭ）をリング状に接続したリングネットワークにおいて、ＭＥＭＳミラー１５の角度を分光方向に制御した場合、各光分岐挿入装置を通過する毎に信号が劣化する。図２５は、光信号が通過する波長分岐挿入装置のスパンの数と信号の劣化の状態を示したものである。
【００３３】
図２６は、従来例におけるＱペナルティの説明図である。ここでＱペナルティとは、帯域劣化がない場合（Ear=0dB）に比べて、帯域劣化による信号品質の劣化を示す値である。図２６は、光信号が通過する光分岐挿入装置の数を示すスパン数と、Ｑペナルティと帯域劣化量(図24のEarの大きさ)の関係を示す図である。図２６に示すように、帯域劣化(Ear)が大きいほど、スパン数が大きいほどＱペナルティの値が大きくなる。
【００３４】
図２７（Ａ）、（Ｂ）は、従来の制御方法の透過帯域特性とミラー制御トレランスを示す図である。
ポートの配列方向（ｙ方向）にＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する従来例１は、図２７（Ａ）に示すように、立ち上げ時、運用時（通常動作時）の両方で透過帯域特性は良い。しかしながら、ミラーの角度制御トレランスは、立ち上げ時、運用時の両方で小さい。
【００３５】
ポートの配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）にＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する従来例２は、図２７（Ｂ）に示すように、立ち上げ時、運用時の両方でミラーの角度制御トレランスは大きい。しかしながら、透過帯域特性は、立ち上げ時、運長時の両方で悪い。
【００３６】
他の従来技術として、特許文献１には、波長選択スイッチの出力ポートの端面で反射され入力ポートに戻された光をチャネルモニタでモニタすることで、各チャネルの光パワーをモニタすることが記載されている。
【００３７】
特許文献２には、波長多重された光Ａ、Ｂを波長に応じた出射角度を保持して出射するＶＩＰＡと、光Ａ、Ｂをマイクロミラーアレイのマイクロミラー上の一点に集光させるフォーカスレンズとを備える波長選択スイッチについて記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２４３５７１号公報
【特許文献２】特開２００４−２５８４０９号公報
【特許文献３】特開２００６−１３３３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
本発明の課題は、角度制御トレランスが大きく、運用時の透過帯域特性の劣化が少ない波長多重伝送装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
開示の波長多重伝送装置は、波長多重された光信号が入力または出力される複数のポートと、波長多重された光信号を分波する分波手段と、分波された各波長の光信号の出力ポートに対する結合方向を制御して減衰量を制御する減衰手段と、出力側の光信号のレベルを検出する検出手段と、前記検出手段で前記光信号のレベルが第1のしきい値以下となったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記減衰手段の前記結合方向を前記ポートの配列方向に制御する制御手段とを備える。
【００４０】
この波長多重伝送装置によれば、立ち上げ時の角度制御トレランスを大きくし、運用時の透過帯域特性の劣化を少なくできる。
【発明の効果】
【００４１】
開示の波長多重伝送装置によれば、角度制御トレランスを大きくし、運用時の透過帯域の劣化を少なくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。図１は、実施の形態の波長分割多重された光信号が伝送されるリングネットワーク例を示す図である。
リングネットワークには、複数のＯＡＤＭ（Optical Add Drop Multiplexer）装置３１−１、３１−２・・・３１−ｎが接続されている。
【００４３】
ＯＡＤＭ装置３１−１は、入力側の光アンプ３２、光カプラ（ＣＰＬ）３３、分波器（ＤＭＵＸ）３４、合波器（ＭＵＸ）３５、波長選択スイッチ３６、出力側の光カプラ３７、光アンプ３８、光チャネルモニタ（ＯＣＭ）３９及び制御部４０を有する。また、分波器３４には、受信機４１−１〜４１−ｎが接続され、合波器３５には、送信機４２−１〜４２−ｎが接続されている。
【００４４】
リングネットワークを伝送される光信号は、光アンプ３２で増幅された後、光カプラ３３で分岐され分波器３４と波長選択スイッチ３６に出力される。波長選択スイッチ３６は、リングネットワークを伝送される光信号と合波器３５から出力される光信号の一方を選択し、各波長の光信号が所望のレベルとなるように減衰量を調整して出力する。
【００４５】
波長選択スイッチ３６は、分波器５１、複数のスイッチ５２−１〜５２−ｎ、光可変減衰器（ＶＯＡ：Variable Optical Attenuator）５３−１〜５３−ｎ、合波器（ＭＵＸ）５４、分波器５５を有する。図１の波形選択スイッチ３６の分波器５１，スイッチ５２−
１〜５２−ｎ、可変減衰器５３−１〜５３−ｎ等は、波形選択スイッチ３６の機能を示すものである。実施の形態においては、具体的構成の一例として、図３（Ａ）に示す、コリメータ１２とグレーティング１３とレンズ１４とＭＥＭＳミラー１５とを有する波長選択スイッチ３６を用いる。
【００４６】
合波器５５の後段には各チャネルの光信号をモニタするモニタ５６を設けても良いが、コストを削減するため、装置の入力側のモニタを削減しWSSの後段で各波長のパワーレベルをモニタして、WSSでの各chのアッテネーション量を制御し、装置の出力でレベルが均等（あるいはchごとの目標レベル）になるように制御する方式が提案されている(特許第3954072号)。
【００４７】
分波器５１は、波長多重された光信号を各波長チャネルの光信号に分波する。スイッチ５２−１〜５２−ｎは、分波器５１から出力される複数チャネルの光信号と、分波器５５から出力される複数チャネルのａｄｄ信号の一方を選択して出力する。光可変減衰器５３−１〜５３−ｎは、各チャネルの光信号が所望のレベルになるように減衰量を調整する。合波器５４は、各波長の光信号を合波して光カプラ３７に出力する。
【００４８】
光チャネルモニタ３９は、光カプラ３７で分岐される光信号の各チャネルの光信号レベルをモニタする。制御部４０は、各波長の光信号が所望のレベルとなるように光可変減衰器５３−１〜５３−ｎの減衰量を制御する。
【００４９】
図１の波長選択スイッチ３６の内部構成は、機能を実現するブロックで表したものであり、実施の形態においては、図１６に示したコリメータ１２とグレーティング１３とレンズ１４とＭＥＭＳミラー１５とを有する波長選択スイッチ１１を用いる。
【００５０】
ここで、ＯＡＤＭ装置３１−１に入力する光信号のレベルがしきい値以下となり、その後、正常レベルの光信号が入力した場合の波長選択スイッチ３６と制御部４０の動作を説明する。
【００５１】
図２は、第１の実施の形態の波長選択スイッチ３６の立ち上げシーケンスを示す図である。立ち上げシーケンスとは、光信号のレベルがしきい値以下となった状態から所望のレベルとなるまでＭＥＭＳミラー１５による減衰量を調整する処理である。
【００５２】
光チャネルモニタ３９が光信号のレベル（光入力レベル）がしきい値以下となったことを検出すると（図２、Ｓ３１）、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をｘ方向に固定減衰量で制御する。ｘ方向とは、図１５のポート１〜４の配列方向に対して垂直な方向である。
【００５３】
波長選択スイッチ３６に正常レベルの光信号が入力されると（Ｓ３３）、光チャネルモニタ３９により該当する波長の光信号のレベルがしきい値より大きいことが検出される（Ｓ３４）。
【００５４】
光信号のレベルがしきい値より大きいことが検出されると、制御部４０は、該当するチャネルの固定減衰量を開放、つまりＭＥＭＳミラー１５のｘ方向の制御を中止する（Ｓ３５）。その後、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５に対してｙ方向（ポートの配列方向）のフィードバック制御を開始する（Ｓ３６）。そして、光チャネルモニタ３９で検出される各チャネルの光信号のレベルが所望のレベルとなるように、ＭＥＭＳミラー１５の該当するチャネルのミラーの角度、つまり減衰量を制御する（Ｓ３７）。そして、光チャネルモニタ３９で検出される光信号のレベルが所望のレベルに達したなら、該当するチャネルの運用を開始する。このような制御を各チャネルについて行う。
【００５５】
上記のステップＳ３４〜Ｓ３７の処理では、光チャネルモニタ３９で、任意のチャネルの光信号レベルがしきい値より大きくなった時点で、ＭＥＭＳミラー１５の制御方向を、ポート１〜４の配列方向に対して垂直な方向から、ポート１〜４の配列方向に切り換える。ステップＳ３３〜Ｓ３８のシーケンスが光分岐挿入装置３１−１の立ち上げ時の処理である。
【００５６】
図３及び図４は、第１の実施の形態の波長選択スイッチ３６の制御動作を示す図である。
図３（Ａ）に示すように、波形選択スイッチ３６は、コリメータ（Collimator)１２と、グレーティング（Grating）１３と、レンズ１４と、ＭＥＭＳミラー１５を有する。コリメータ１２、グレーティング１３及びレンズ１４は、例えば、図１の分波器５１及び合波器５４に対応し、ＭＥＭＳミラー１５は、スイッチ５２−１〜５２−ｎ及び可変減衰器５３−１〜５３−ｎに対応する。
【００５７】
波長選択スイッチ３６の各ポート（例えば、ポート１）から出力される光信号は、光カプラ（ＯＰＬ）３７で分岐され、光チャネルモニタ（ＯＣＭ）３９に出力される、光チャネルモニタ３９は各波長の光信号レベルをモニタする。制御部４０は、光チャネルモニタ３９の検出レベルに応じてＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する。なお、図３（Ａ）以降の図面には、光カプラ３７，光チャネルモニタ３９、制御部４０を省略してある。
【００５８】
図３（Ａ）は、１列に配列されたポート１〜４を含む面を上方から見た図であり、図３（Ｂ）は、ポートの配列方向から見た図である。図３（Ａ）で、ＭＥＭＳミラー１５は紙面垂直方向に各ｃｈごとに備えられている。
【００５９】
説明を簡単にするために、ポート４のチャネルｃｈ１６の光信号をポート１に出力する場合について説明する。光チャネルモニタ３９で検出される光信号のレベルがしきい値以下になると、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５の該当するチャネルのミラーの角度を、一定の減衰量となるようにポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（分光方向）に制御する。
【００６０】
図３（Ａ）、（Ｂ）は、ＭＥＭＳミラー１５で反射される光の出力ポートに対する結合方向を示している。図３（Ｂ）のポート１の紙面の垂直方向にポート４が配置されており、そのポート４から出力された光が、ＭＥＭＳミラー１５で反射されて出力ポート１に入射する。
【００６１】
この場合、ＭＥＭＳミラー１５の角度は、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向に制御されるので、ポート３及び２から出力され、ＭＥＭＳミラー１５で反射された反射光は、図３（Ａ）に示すように、出力ポート１から離れた位置に入射する。従って、クロストークが発生する可能性は少ない。
【００６２】
図４（Ａ）、（Ｂ）は、第１の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。図４（Ａ）は、ｘ方向の固定減衰量を０にしたときに、ＭＥＭＳミラー１５で反射される光の結合方向を示している。
【００６３】
固定減衰量を０にすると、ＭＥＭＳミラー１５のｘ方向の角度はほぼ０になる。このとき、図４の紙面の裏面方向に配置されているポート４から出力された光は、ＭＥＭＳミラー１５で反射されて出力ポート１に入射する。
【００６４】
図４（Ｂ）は、ポート１〜４の配列方向のフィードバック制御が開始されたときの入射
光と反射光の経路を示している。
フィードバック制御を開始した時点で、光信号のレベルは目的とする信号レベルに近くなっているので、ＭＥＭＳミラー１５のｙ方向の角度はそれほど大きくする必要はない。従って、入力ポート２と入力ポート３から入力し、ＭＥＭＳミラー１５で反射された反射光は、出力ポート１から離れた位置に入射する。よって、ポート２とポート３の反射光は、出力ポート１には漏れ込まず、クロストークが発生する可能性が少ない。この場合、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に制御しているので、運用時の波長選択スイッチ３６の透過帯域特性は劣化しない。
【００６５】
図５は、第１の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。図５において、白丸はポートの位置を示し、黒と灰色の丸はＭＥＭＳミラー１５の反射光の位置を示す。
【００６６】
ＭＥＭＳミラー１５の角度を、固定減衰量でポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）に制御する場合には、図５に示すように反射光は出力ポート１に対してｘ方向にずれた位置に入射する。この場合、他のポートの反射光もｘ方向にずれた位置に入射するので、クロストークの発生する可能性は少ない。ＭＥＭＳミラー１５の反射角度をｘ方向に制御した場合、光信号の透過帯域特性が劣化する可能性があるが、減衰量の調整の段階で運用前であるのでその点は問題にならない。
【００６７】
次に、ｘ方向の固定減衰量が０に設定されると、図６に示すように、反射光のｘ方向のずれがなくなる。
次に、ポート１〜４の配列方向（ｙ方向）にフィードバック制御が行われると、ＭＥＭＳミラー１５の反射光は、出力ポート１に対してｙ方向にずれた位置に入射する。ＭＥＭＳミラー１５の角度をｙ方向に制御すると、他のポートの反射光の入射位置が出力ポート１に近づくことになる。しかしながら、この段階では、光チャネルモニタ３９で検出される信号レベルが目的とする信号レベルに近くなっている。そのため、ＭＥＭＳミラー１５の角度は小さくなっており、他のポートの反射光の入射位置は、出力ポート１の位置から離れている。
【００６８】
上述した第１の実施の形態は、立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向に制御する。そして、光信号のレベルがしきい値より大きくなった時点で、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向にフィードバック制御を行う。これにより、立ち上げ時にはミラーの角度制御トレランスを大きくして角度制御を容易にし、運用時には、透過帯域特性の劣化を少なくできる。通過帯域特性の劣化を減らすことで、高速通信における伝送距離を延ばすことができる。
【００６９】
図６は、第２の実施の形態の波長選択スイッチ３６の立ち上げシーケンスを示す図である。
光チャネルモニタ３９により、任意のチャネルの光信号のレベルがしきい値以下であることが検出されると（図６、Ｓ４１）、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５を固定減衰量でｘ方向に制御する（Ｓ４２）。ステップＳ４２の処理では、ＭＥＭＳミラー１５の該当するチャネルのミラーの角度を、固定減衰量でポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（分波方向）に制御する。
【００７０】
次に、正常レベルの光信号が入力し（Ｓ４３）、光チャネルモニタ３９により光信号のレベルがしきい値以上であることが検出されると（Ｓ４４）、制御部４０は、ｘ方向の角度を小さくし、減衰量を減らす（Ｓ４５）。
【００７１】
次に、光チャネルモニタ３９で検出される光信号のモニタレベルが所定レベル（第２の
しきい値）より大きいか否かを判別する（Ｓ４６）。モニタレベルが所定レベル以下のときには（Ｓ４６、ＮＯ）、ステップＳ４５に戻る。
【００７２】
モニタレベルが所定レベルより大きいときには（Ｓ４６、ＹＥＳ）、ステップＳ４７に進み、ｙ方向の減衰量を増やす。ステップＳ４７の処理では、ＭＥＭＳミラー１５の該当するミラーのポート１〜４の配列方向の角度を大きくする（本例と異なる構成では小さくなるように制御する場合もある）。
【００７３】
次に、ｘ方向の減衰量を減らす（Ｓ４８）。ステップＳ４８の処理では、例えば、ＭＥＭＳミラー１５の該当するミラーのポート１〜４の配列方向に対して垂直方向の角度を小さくする。減衰量を減らす方向であれば、垂直方向の角度を小さくする制御方法に限らず、他の制御方法でも良い。
【００７４】
すなわち、モニタレベルが所定レベルより大きくなった時点で、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）とポート１〜４の配列方向（ｙ方向）の２方向で制御して減衰量を調整する。
【００７５】
次に、ＭＥＭＳミラー１５の角度をｘ方向に制御して、モニタレベルの最大値が得られたか否かを判別する（Ｓ４９）。最大値が得られていないときには（Ｓ４９、ＮＯ）、ステップＳ４７に戻る。
【００７６】
ｘ方向のモニタレベルの最大値が得られた場合には（Ｓ４９、ＹＥＳ）、ステップＳ５０に進み、ｙ方向のフィードバック制御を開始する。そして、光チャネルモニタ３９で検出されるモニタレベルが所望のレベルとなるようにｙ方向の減衰量を制御する（Ｓ５１）。所望の信号レベルに達したなら該当するチャネルの運用を開始する。
【００７７】
上記のステップＳ５０及び５１の処理では、ＭＥＭＳミラー１５の反射光の信号レベルが所望のレベルとなるように、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポート１〜４の配列方向にフィードバック制御する。
【００７８】
図６の処理において、ＭＥＭＳミラー１５の角度をｘ方向とｙ方向に同時に制御しても良い。また、光信号のレベルの基準となるしきい値と所定レベルは、波長毎に異なる値に設定しても良い。
【００７９】
図７〜図９は、第２の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。
図７（Ａ）は、１列に配列されたポート１〜４を含む面を上方から見た図であり、図７（Ｂ）は、ポートの配列方向から見た上面図である。
【００８０】
説明を簡単にするために、入力ポート４のチャネルｃｈ１６の光信号を出力ポート１に出力する場合について説明する。光チャネルモニタ３９で検出される光信号のレベルがしきい値以下になると、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５の該当するチャネルのミラーの角度を、一定の減衰量が得られるように、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（分光方向）に制御する。
【００８１】
図７（Ａ）、（Ｂ）は、光信号のレベルがしきい値以下のときの制御動作を示している。この場合、ＭＥＭＳミラー１５の角度は、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）に制御される。従って、ポート３及び２から出力され、ＭＥＭＳミラー１５のチャネルｃｈ１６のミラーで反射された光は、図７（Ａ）に示すように、出力ポート１から離れた位置に入射する。従って、他のポートの反射光が、出力ポート１に漏れ込む可能性は少ない。
【００８２】
図７（Ｂ）に示すように、ポート４（図７のポート１の紙面裏側に存在する）から出力されたチャネルｃｈ１６の光は、ＭＥＭＳミラー１５でｘ方向に反射され出力ポート１に入射する。このとき、ＭＥＭＳミラー１５の反射角度は、光信号に対して固定減衰量が得られるように制御される。
【００８３】
図８（Ａ）、（Ｂ）は、光信号のレベルが所定レベル以上となったときの波長選択スイッチの制御動作を示す図である。
光チャネルモニタ３９で検出される光信号レベルが所定レベル以上となると、制御部４０は、図８（Ａ）に示すように、ｘ方向の角度を小さくして減衰量を減らす。
【００８４】
このとき、ｙ方向の制御を開始して角度を大きくしていくが、光信号レベルが所定レベル以上となっているので、角度をそれほど大きくする必要がない。従って、ポート２とポート３から出力され、ＭＥＭＳミラー１５のチャネルｃｈ１６のミラーで反射された光は、図８（Ｂ）に示すように、出力ポート１から離れた位置に入射する。従って、他のポートの反射光が出力ポート１に漏れ込む可能性は少ない。
【００８５】
図９（Ａ）、（Ｂ）は、ｘ方向のモニタレベルが最大値となり、フィードバック制御を開始したときの制御動作を示す図である。
制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をｘ方向とｙ方向に制御して、ｘ方向の制御でモニタレベルが最大値となる位置、図９（Ａ）に示す位置を特定する。
【００８６】
モニタレベルが最大値となったなら、ｘ方向の角度を固定し、ｙ方向、つまりポート１〜４の配列方向のフィードバック制御を開始する。
ｙ方向のフィードバック制御を開始する時点で、光信号の信号レベルはｘ方向のモニタレベルの最大値になっているので、ＭＥＭＳミラー１５のｙ方向の角度はそれほど大きくする必要はない。従って、ポート２とポート３から出力され、ＭＥＭＳミラー１５のチャネルｃｈ１６のミラーで反射された光は、図９（Ｂ）に示すように、出力ポート１から離れた位置に入射する。これにより他のポートの光が出力ポート１に漏れ込む可能性は少なくなる。
【００８７】
図１０は、第２の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。図１０において、白丸はポート１〜４の位置を示し、黒と灰色の丸はＭＥＭＳミラー１５で反射された光の入射位置を示す。
【００８８】
信号レベルがしきい値以下のときには、ＭＥＭＳミラー１５を、固定減衰量でポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）に制御する。この場合、図１０に示すように反射光は出力ポート１に対してｘ方向にずれた位置に入射する。このとき、他のポートの反射光もｘ方向に大きくずれた位置に入射するので、クロストークの発生する可能性は少ない。ＭＥＭＳミラー１５の反射角度をｘ方向に制御した場合、光信号の透過帯域特性が劣化する可能性があるが、減衰量の調整の途中の段階であるので、信号の劣化は問題にならない。
【００８９】
次に、信号レベルがしきい値以上となったことが検出されると、ｘ方向の減衰量が減らされる。このときの反射光の位置は、図１０の正面から見て水平左方向にずれて、出力ポート１の位置に近づいて行く。
【００９０】
次に、信号レベルが所定レベル以上となったことが検出されると、ＭＥＭＳミラー１５に対してｘ方向の制御と同時にｙ方向の制御が開始される。ｙ方向の制御が開始されると、図１０に示すように、反射光は出力ポート１に対してｙ方向にずれた位置に入射する。
【００９１】
その後、ｘ方向の制御で、モニタレベルの最大値が得られたなら、ｘ方向の角度は固定し、ｙ方向のフィードバック制御を行う。
従って、運用時には、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポート１〜４の配列方向に制御することで透過帯域特性の劣化を少なくできる。
【００９２】
上述した第２の実施の形態は、立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポート１〜４の配列方向に対して垂直方向に制御することで、他のポートの反射光が出力ポートに漏れ込むことを防止できる。また。信号レベルが一定値以上となったときに、ポート１〜４の配列方向の制御と、配列方向に垂直方向の制御を併用して、配列方向に対して垂直方向でモニタレベルが最大値となる角度を特定し、その後、ポートの配列方向にフィードバック制御行うことで、クロストークを抑制し、透過帯域特性の劣化が少ないＭＥＭＳミラー１５の制御を実現できる。
【００９３】
次に、図１１は、第３の実施の形態の波長選択スイッチの立ち上げシーケンスを示す図である。
光チャネルモニタ３９により光信号のレベルがしきい値以下となったことを検出すると（図１１、Ｓ５１）、制御部４０は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、固定減衰量で、ポートの配列方向に対して垂直方向（Ｘ方向）に制御する（Ｓ５２）。
【００９４】
正常レベルの光信号が入力されると（Ｓ５３）、光チャネルモニタ３９により該当する波長の光信号のレベルがしきい値より大きいことが検出される（Ｓ５４）。
光信号のレベルがしきい値より大きいことが検出されると、制御部４０は、該当するチャネルの固定減衰量を所定値以下に設定する。この結果、ＭＥＭＳミラー１５の該当するミラーの角度はそれまでより小さい角度に設定される。
【００９５】
次に、ＭＥＭＳミラー１５に対してｙ方向、つまり、ポートの配列方向のフィードバック制御を開始する（Ｓ５６）。フィードバック制御が開始されると、光チャネルモニタ３９で検出される各チャネルの光信号のレベルが所望のレベルとなるように、ＭＥＭＳミラー１５の角度が制御される（Ｓ５７）。そして、光信号のレベルが所望のレベルに到達すると、該当するチャネルの運用が開始される（Ｓ５８）。
【００９６】
図１２は、第３の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。図１３において、白丸はポート１〜４の位置を示し、黒と灰色の丸はＭＥＭＳミラー１５で反射された反射光の位置を示す。
【００９７】
信号レベルがしきい値以下のときには、ＭＥＭＳミラー１５を、固定減衰量でポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）に制御する。この場合、図１２に示すように反射光は出力ポート１に対してｘ方向に、固定減衰量分ずれた位置に入射する。このとき、他のポートの反射光もｘ方向にずれた位置に入射するので、クロストークの発生する可能性は少ない。
【００９８】
次に、信号レベルがしきい値以上となったことが検出されると、ｘ方向の減衰量が所定値以下に設定され、ｙ方向のフィードバック制御が開始される。この場合、図１２に示すように、反射光は出力ポート１に対してｙ方向にずれた位置に入射する。このとき、ｘ方向の所定減衰量での制御も同時に行われるので、反射光はｘ方向の制御とｙ方向のフィードバック制御により定まる位置に入射する。
【００９９】
上述した第３の実施の形態は、立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度をポート１〜４の配列方向に対して垂直方向に制御することで、他のポートの反射光が出力ポートに漏
れ込むことを防止できる。また。信号レベルが一定値以上となったときに、ポート１〜４の配列方向の制御と、配列方向に垂直方向の所定減衰量の制御を併用することで、クロストークが少なく、透過帯域特性の劣化が少ないＭＥＭＳミラー１５の制御を実現できる。
【０１００】
図１３は、第４の実施の形態の波長選択スイッチ３６の制御動作を示す図である。第４の実施の形態は、第１の実施の形態で、立ち上げ時にｘ方向に行っていたＭＥＭＳミラー１５の角度制御を、ｘ方向とｙ方向のベクトルで決まる方向に制御するものである。
【０１０１】
ＭＥＭＳミラー１５の角度を制御する場合、ポートの配列方向、あるいはその垂直方向と完全に一致させることは部品のばらつき、制御誤差等により難しい。実施の形態の制御方法は、ＭＥＭＳミラー１５の角度制御の制御トレランスを緩和し、かつ透過帯域特性の劣化を防止することを目的としたものであるから、厳密にｘ方向またはｙ方向のみに制御方向が限定されるものではない。すなわち、ｘ方向とｙ方向のベクトルを関数としたＺ（ｘ，ｙ）方向に制御し、ｘ方向の制御またはｙ方向の制御を主体に行えば良い。
【０１０２】
図１３は、上記のようなｘ方向とｙ方向の制御を行った場合のポート１〜４の位置と、反射光の経路を示している。この場合でも、立ち上げ時は、ｘ方向の減衰量を大きくすることで、他のポートの反射光が、出力ポート１に漏れ込む可能性を少なくできる。
【０１０３】
上記の第４の実施の形態によれば、光信号のレベルがしきい値以下の立ち上げ時には、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向（ｘ方向）の制御量を大きくすることで、クロストークの発生を抑制できる。そして、光信号のレベルがしきい値より大きくなった時点で、ポート１〜４の配列方向のフィードバック制御を主体に行うことで、透過帯域特性の劣化を少なくできる。
【０１０４】
図１４は、実施の形態の制御方法の透過帯域特性とミラー制御トレランスを示す図である。
実施の形態の制御方法は、立ち上げ時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に対して垂直方向に制御することでクロストークの発生する可能性を少なくできる。従って、立ち上げ時のミラーの角度制御トレランスを大きくできる。また、運用時は、ＭＥＭＳミラー１５の角度を、ポート１〜４の配列方向に制御することで透過帯域特性の劣化を防止できる。
【０１０５】
本発明は、上述した実施の形態に限らず、例えば、以下のように構成しても良い。
（１）波長選択スイッチの減衰量を制御するものは、ＭＥＭＳミラー１５に限らず、反射光の位置を制御するものであれば他の光学素子もでも良い。
（２）本発明は、ＯＡＤＭ装置に限らず、端局装置（Terminal）やアド、ドロップ機能のない中継装置にも適用できる。また、リングネットワークに限らず、ポイントーポイント、メッシュ等の他のネットワークにも適用できる。さらに本説明文中のOADM構成は一例であり、他の構成にも適用できる。
【０１０６】
（付記１）
波長多重された光信号が入力または出力される複数のポートと、
波長多重された光信号を分波する分波手段と、
分波された各波長の光信号の出力ポートに対する結合方向を制御して減衰量を制御する減衰手段と、
出力側の光信号のレベルを検出する検出手段と、
前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する制御手段とを備える波長多重伝送装置。
（付記２）
前記制御手段は、波長選択スイッチの出力側の前記光信号のレベルが前記しきい値以下となったとき、前記減衰手段の前記出力ポートに対する前記結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値以上となったことが検出されたとき、前記ポートの配列方向に対して垂直方向の制御量を減らし、前記ポートの配列方向の制御量を増やす制御を行う付記１記載の波長多重伝送装置。
（付記３）
前記制御手段は、前記光信号が第２のしきい値以上となった後、前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御して前記検出手段で検出される光信号のレベルが最大値となった時点で、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する付記２記載の波長多重伝送装置。
（付記４）
前記減衰手段は、角度が調整可能な複数のミラーを有し、
前記制御手段は、前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったとき、前記複数のミラーの内の該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったとき、前記該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に制御する付記１、２または３記載の波長多重伝送装置。
（付記５）
前記制御手段は、前記減衰手段の結合方向を、前記ポートの配列方向の制御と、前記ポートの配列方向に対して垂直方向の制御を同時に行う付記１乃至４のいずれか１項に記載の波長多重伝送装置。
（付記６）
前記減衰手段は、角度が調整可能な複数のミラーを有するＭＥＭＳミラーであり、
前記制御手段は、前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったとき、前記ＭＥＭＳミラーの該当するミラーの角度を、前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったとき、前記該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に制御する付記１乃至４の何れか１項に記載の波長多重伝送装置。
（付記７）
前記しきい値を波長毎に設定する付記１乃至６のいずれか１項に記載の波長多重伝送装置。
（付記８）
複数の入力ポートの波長多重された光信号を分波し、
波長選択スイッチの出力側の光信号のレベルを検出し、
前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったことが検出されたとき、出力ポートに対する光の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記出力ポートに対する結合方向を前記ポートの配列方向に制御して減衰量を制御する波長多重伝送方法。
（付記９）
前記光信号のレベルが前記しきい値以下となったことが検出されたとき、出力ポートに対する光の前記結合方向を複数のポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値以上となったことが検出されたとき、前記ポートの配列方向に対して垂直方向の制御量を減らし、前記ポートの配列方向の制御量を増やす制御を行う付記８記載の波長多重伝送方法。
（付記１０）
前記光信号が第２のしきい値以上となった後、前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御して前記光信号のレベルが最大値となった時点で、光の前記結合方向を前記ポートの配列方向に制御する付記８記載の波長多重伝送方法。
（付記１１）
前記光信号のレベルが第１のしきい値以下となったとき、複数のミラーを有するＭＥＭＳミラーの該当するミラーの角度を、前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったとき、前記該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に制御する付記８、９または１０記載の波長多重伝送方法。
（付記１２）
波長多重された光信号を分波する分波手段と、
分波された各波長の光信号の出力ポートに対する結合方向を制御して減衰量を制御する減衰手段と、
出力側の光信号のレベルを検出する検出手段と、
前記検出手段で前記光信号のレベルがしきい値以下となったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値より大きくなったことが検出されたとき、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する制御手段とを備える波長選択スイッチ。
（付記１３）
前記制御手段は、出力側の前記光信号のレベルが前記しきい値以下となったとき、前記減衰手段の前記出力ポートに対する前記結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記検出手段により前記光信号のレベルが第２のしきい値以上となったことが検出されたとき、前記ポートの配列方向に対して垂直方向の制御量を減らし、前記ポートの配列方向の制御量を増やす付記１２記載の波長選択スイッチ。
（付記１４）
前記制御手段は、前記光信号が第２のしきい値以上となった後、前記結合方向を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御して前記検出手段で検出される前記光信号のレベルが最大値となった時点に、前記減衰手段の結合方向を前記ポートの配列方向に制御する付記３記載の波長選択スイッチ。
（付記１５）
前記減衰手段は、角度が調整可能な複数のミラーを有し、
前記制御手段は、前記光信号のレベルがしきい値以下となったとき、前記複数のミラーの内の該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に対して垂直方向に制御し、前記光信号のレベルがしきい値より大きくなったとき、前記該当するミラーの角度を前記ポートの配列方向に制御する付記１２，１３または１４記載の波長選択スイッチ。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】実施の形態のリングネットワークを示す図である。
【図２】第１の実施の形態の立ち上げシーケンスを示す図である。
【図３】第１の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図（１）である。
【図４】第１の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図（２）である。
【図５】第１の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。
【図６】第２の実施の形態の立ち上げシーケンスを示す図である。
【図７】第２の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図（１）である。
【図８】第２の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図（２）である。
【図９】第２の実施の形態の波長選択スイッチの制御動作を示す図（３）である。
【図１０】第２の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。
【図１１】第３の実施の形態の立ち上げシーケンスを示す図である。
【図１２】第３の実施の形態の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。
【図１３】第４の実施の形態の制御動作を示す図である。
【図１４】実施の形態の制御方法の透過帯域特性とミラー制御トレランスを示す図である。
【図１５】ＭＥＭＳミラーを用いた波長選択スイッチの構成を示す図である。
【図１６】従来の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。
【図１７】ＭＥＭＳミラーの制御方向の説明図である。
【図１８】従来例１の立ち上げシーケンスを示す図である。
【図１９】従来例１の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。
【図２０】従来例１の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。
【図２１】従来例２の立ち上げシーケンスを示す図である。
【図２２】従来例２の波長選択スイッチの制御動作を示す図である。
【図２３】従来例２の出力ポートに対する光結合イメージを示す図である。
【図２４】従来例における透過帯域特性の劣化の説明図である。
【図２５】従来例における送信信号の劣化の説明図である。
【図２６】従来例におけるＱペナルティの説明図である。
【図２７】従来の制御方法の透過帯域特性とミラー制御トレランスを示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１〜４      ポート
１１      波長選択スイッチ
１２      コリメータ
１３      グレーティング
１４      レンズ
１５      ＭＥＭＳミラー
２１      光カプラ
２２      光チャネルモニタ
２３      制御部
３１−１〜３１−ｎ      ＯＡＤＭ装置
３６      波長選択スイッチ
３９      光チャネルモニタ
４０      制御部
５２−１〜５２−ｎ      スイッチ
５３−１〜５３−ｎ      ＶＯＡ
【図１】
2010139854.tif 000003
【図２】
2010139854.tif 000004
【図３】
2010139854.tif 000005
【図４】
2010139854.tif 000006
【図６】
2010139854.tif 000007
【図７】
2010139854.tif 000008
【図８】
2010139854.tif 000009
【図９】
2010139854.tif 000010
【図１１】
2010139854.tif 000011
【図１３】
2010139854.tif 000012
【図１４】
2010139854.tif 000013
【図１６】
2010139854.tif 000014
【図１８】
2010139854.tif 000015
【図１９】
2010139854.tif 000016
【図２１】
2010139854.tif 000017
【図２２】
2010139854.tif 000018
【図２７】
2010139854.tif 000019
【図５】
2010139854.tif 000020
【図１０】
2010139854.tif 000021
【図１２】
2010139854.tif 000022
【図１５】
2010139854.tif 000023
【図１７】
2010139854.tif 000024
【図２０】
2010139854.tif 000025
【図２３】
2010139854.tif 000026
【図２４】
2010139854.tif 000027
【図２５】
2010139854.tif 000028
【図２６】
2010139854.tif 000029