(57)【要約】【課題】電子部品と回路基板とのハンダ付け実装品質を向上させる。【解決手段】電子部品１は、ガラスで構成されたベース３と、リッド２を接合することによりパッケージが形成されている。空洞部１３には、水晶振動子６が支持部５により支持され封止されている。水晶振動子６には電極が形成されており、当該電極は、ベース３を貫通するスルーホールに形成された貫通電極７、１７によりベース３の底面部に導通している。ベース３の底面には外部電極８、１８が形成されており、外部電極８、１８は、それぞれ貫通電極７、１７に接続している。外部電極８、１８は、Ｃｒ層（第１層）〜Ａｕ層（第６層）まで、ＣｒＡｕ層を３層重ねた構造を有している。外部電極８、１８を回路基板にハンダ付けすると、第２、４、６層のＡｕ層がハンダ中に拡散し、ハンダと金属間化合物を形成しない第３、５層のＣｒ層がハンダ中に離脱する。【選択図】図１
2010267738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、
内部に形成された中空部に前記電子素子を収納する収納容器と、
前記電子素子と電気的に接続し、前記収納容器の内部から外部にかけて形成された容器電極と、
前記容器電極と電気的に接続し、前記収納容器の底面に形成された外部電極と、
を具備した電子部品であって、
前記外部電極は、
前記収納容器の底面に形成され、ハンダと接合する第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第２の金属層と、
前記第２の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第３の金属層と、
を用いて形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記外部電極には、
前記第３の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第４の金属層と、
前記第４の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第５の金属層と、
が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
最表面層として酸化防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記収納容器はガラスを用いて形成されていることを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記電子部品は、水晶振動子であることを特徴とする請求項１から請求項４までの内の何れか１の請求項に記載の電子部品。
【請求項６】
ベースに、電子素子と、当該電子素子と電気的に接続する配線用の容器電極と、を設置する電子素子設置工程と、
前記電子素子と前記容器電極を設置したベースに、リッドを接合することにより、前記電子素子を前記ベースと前記リッドからなる収納容器に封入する封入工程と、
前記収納容器の底面にハンダと接合する第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面にハンダに溶解する第２の金属層を形成し、前記第２の金属層の表面にハンダに溶解しない第３の金属層を形成して外部電極を形成する外部電極形成工程と、
を用いて構成された電子部品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、及び電子部品製造方法に関し、回路基板とのハンダ付け実装品質を向上させるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動子や半導体など、電子素子には、パッケージに封入されて提供されるものがある。
これらパッケージには外部電極が形成されており、電子素子は、当該外部電極をハンダ付けすることによりパッケージごと回路基板に電気的、及び物理的に接続される。
【０００３】
図４は、従来の外部電極８を説明するための図である。
外部電極８は、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕによる３層構造を有している。
Ｃｒ層はパッケージのベース３を構成するガラスとの密着性がよいため、ベース３の底面に形成されている。
そして、Ｃｒ層の上面には、ハンダの主成分であるＳｎとの金属間化合物を形成するＮｉ層が形成されており、更にその上面には、Ｎｉの酸化を防止するＡｕ層が形成されている。
【０００４】
このように構成された外部電極８を回路基板にハンダ付けすると、Ａｕ層はハンダ中に拡散すると共に、Ａｕ層が形成されていた側のＮｉがハンダのＳｎと金属間化合物層を構成し、Ｓｎとの金属間化合物を形成しなかったＮｉ層とＣｒ層が当該金属間化合物層とハンダを介して回路基板に接合する。
このように基材がガラスの場合にＣｒを用いる技術は、下の特許文献１、２に提案されている。
【０００５】
特許文献１では、ガラス上に外部電極をＣｒとＡｕ、あるいはＣｒとＮｉ合金−Ａｕの薄膜２層で形成する技術が提案されている。
特許文献２では、外部電極をＣｒとＮｉ合金−Ａｕの薄膜２層で形成する技術が提案されている。
また、基材がガラスでない場合には、Ｎｉを下地として酸化防止のためのＡｕを表層に覆ったものや、Ｃｕを下地として、その上にＳｎを形成するものなどが知られている。
【０００６】
ところで、ハンダ接合で加熱される際に、ハンダ中（または電極皮膜中）のＳｎとＣｕやＮｉが金属間化合物層を形成するが、金属間化合物層は、母材に比べ脆いので、外力が加わった時にクラックが入りやすいという問題があった。
また、高温化では、金属間化合物層が成長し、ＮｉやＣｕの層が完全に反応してしまうと、強度低下が発生するため、ある程度の厚さが必要になるという問題もあった。
（特にガラスの場合、）ＮｉやＣｕの厚さが大きいと、形成（メッキ）時や、膜そのものの応力が大きくなり、耐基板曲げ性などが不十分になる場合がある。例えば、特許文献１に記載されているＣｒとＡｕの２層構造の場合は強度が低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００７−５２８５９１公報
【特許文献２】特開２００６−１９７２７８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、電子部品と回路基板とのハンダ付け実装品質を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、電子素子と、内部に形成された中空部に前記電子素子を収納する収納容器と、前記電子素子と電気的に接続し、前記収納容器の内部から外部にかけて形成された容器電極と、前記容器電極と電気的に接続し、前記収納容器の底面に形成された外部電極と、を具備した電子部品であって、前記外部電極は、前記収納容器の底面に形成され、ハンダと接合する第１の金属層と、前記第１の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第２の金属層と、前記第２の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第３の金属層と、を用いて形成されていることを特徴とする電子部品を提供する。
請求項２に記載の発明では、前記外部電極において、前記第３の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第４の金属層と、前記第４の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第５の金属層と、が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品を提供する。
請求項３に記載の発明では、最表面層として酸化防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の電子部品を提供する。
請求項４に記載の発明では、前記収納容器はガラスを用いて形成されていることを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３に記載の電子部品を提供する。
請求項５に記載の発明では、前記電子部品は、水晶振動子であることを特徴とする請求項１から請求項４までの内の何れか１の請求項に記載の電子部品を提供する。
請求項６に記載の発明では、ベースに、電子素子と、当該電子素子と電気的に接続する配線用の容器電極と、を設置する電子素子設置工程と、前記電子素子と前記容器電極を設置したベースに、リッドを接合することにより、前記電子素子を前記ベースと前記リッドからなる収納容器に封入する封入工程と、前記収納容器の底面にハンダと接合する第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面にハンダに溶解する第２の金属層を形成し、前記第２の金属層の表面にハンダに溶解しない第３の金属層を形成して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を用いて構成された電子部品製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
外部電極のハンダに溶解する金属層の上にハンダに溶解しない金属層を設けることにより、回路基板とのハンダ付け実装品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】電子部品の断面図などを示した図である。
【図２】回路基板に接合した場合の電子部品の断面図などを示した図である。
【図３】実験結果を説明するための図である。
【図４】従来例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（１）実施形態の概要
電子部品１（図１）は、ガラスで構成されたベース３と、凹部を有するリッド２を接合することにより空洞部１３を有するパッケージが形成されている。リッド２は、ガラスや金属などで構成されている。
空洞部１３には、水晶振動子６が支持部５により片持ちで支持され封止されている。水晶振動子６には電極が形成されており、当該電極は、ベース３を貫通するスルーホールに形成された貫通電極７、１７によりベース３の底面部（底部）に導通している。
【００１３】
ベース３の底面には外部電極８、１８が形成されており、外部電極８、１８は、それぞれ貫通電極７、１７に接続している。
外部電極８、１８は、Ｃｒ層（第１層）〜Ａｕ層（第６層）まで、ＣｒＡｕ層を３層重ねた構造を有している。
【００１４】
外部電極８、１８を回路基板にハンダ付けすると、第２、４、６層のＡｕ層がハンダ中に拡散し、ハンダと金属間化合物を形成しない第３、５層のＣｒ層がハンダ中に離脱して拡散する。
そして、ハンダ付け後の外部電極８、１８は、高い剪断強度、耐曲げ性を実現することができる。
これは、ハンダ中にＣｒ層が微細になって混入ないし包含されることによる効果であると推定される。
【００１５】
（２）実施形態の詳細
図１（ａ）は、本実施の形態に係る電子部品１を示しており、回路基板に接合した場合に、当該回路基板の表面に平行な方向に電子部品１を見た場合の断面図である。
ただし、図を分かりやすくするため、図１（ｂ）では、図１（ａ）よりも貫通電極７、１７の直径を大きく描いている。
以下では、実装時に電子部品１の回路基板に面する側を底面側、これに対向する側を上面側とする。
【００１６】
電子部品１は、ベース３、リッド２、支持部５、水晶振動子６、内部電極４、１６、貫通電極７、１７、外部電極８、１８などを用いて構成されている。
水晶振動子６は、例えば、音叉型水晶振動子により構成された電子素子であって、音叉型の基部が支持部５によって保持されている。
図示しないが、水晶振動子６の音叉腕部には電極が設置してあり、この電極に所定のパルスを供給することにより、水晶振動子６を所定の周波数で発振させることができる。
【００１７】
支持部５は、水晶振動子６の音叉腕が空洞部１３内で振動できるように、水晶振動子６をベース３に対して所定の姿勢に片持ちで保持している。
なお、本実施の形態では、電子素子の一例として水晶振動子６を用いるが、半導体など、他の電子素子でもよい。
【００１８】
ベース３は、例えばガラスで構成された板状の部材であり、上面に支持部５が保持する水晶振動子６が取り付けられている。
ベース３の素材としては、例えば、安価で陽極接合可能などの利点を有するソーダガラスが用いられており、厚さは例えば、０．０５〜２［ｍｍ］、好ましくは０．１〜０．５［ｍｍ］程度である。
また、ソーダガラスの他に、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス（場合によっては強化処理したもの）などを用いることができる。
【００１９】
ベース３の上面部には、水晶振動子６の電極に電気的に接続する内部電極４、１６が形成されている。
また、ベース３には、上面部から底面部に貫通するスルーホールが形成されており、スルーホール内に貫通電極７、１７が形成されている。
内部電極４と貫通電極７、及び内部電極１６と貫通電極１７は、それぞれ電気的に接続している。
【００２０】
リッド（蓋）２は、ガラスや金属などで形成されており、ベース３に面する面の中央部がえぐられて水晶振動子６を収納するための凹部が形成されている。金属リッドの場合は、線膨張係数がガラスに近いものが望ましい。
リッド２の凹部のへこみ量は、例えば、０．０５〜１．５［ｍｍ］程度であり、エッチング、サンドブラスト、ホットプレス、レーザなどにより加工することができる。
【００２１】
リッド２の開口部は、陽極接合や接合材を用いてベース３に接合されており、ベース３の上面とリッド２の凹部により水晶振動子６を収納する空洞部１３が形成されている。
また、ベース３とリッド２の接合方法には、陽極接合の他に、直接接合、金属接合、低融点ガラス、ろう材、溶接、高融点ハンダによるものなどがある。
更に、ベース３とリッド２の間に中間材料を用いる場合もある。
【００２２】
空洞部１３は、リッド２とベース３によって密閉されて外気から遮断されており、例えば、真空が保たれたり、あるいは所定のガスを封入するなど、気密封止されている。
なお、電子部品１では、リッド２に凹部を設けて空洞部１３を形成したが、ベース３に凹部を設けると共に平板状のリッド２を接合して空洞部１３を形成してもよいし、あるいは、リッド２とベース３の両方に凹部を設けて形成してもよい。
【００２３】
このように、電子部品１では、ベース３とリッド２によりガラスケースによるパッケージが電子素子を収納している。
パッケージをガラスで構成すると、材料費が安価である上、電子部品１の下面の側の外部から水晶振動子６をレーザによってトリミング・接合・ゲッタリングすることができる。
ここで、ゲッタリングとは、真空封止を行う場合に、空間内に配置したＡｌパターンなどにレーザを照射して加熱することにより、Ａｌと周囲の空気（酸素）を反応させて消費させることにより真空度を向上させる技術である。
【００２４】
外部電極８は、ハンダなどで回路基板上の電極ランドに電気的、及び機械的に接合するための薄膜などで構成された接合部であり、ベース３の底面上に金属膜を形成して貫通電極７と導通している。
【００２５】
なお、電子部品１では、貫通電極７、１７により水晶振動子６の電極が外部電極８、１８と電気的に接続するが、例えば、内部電極４、１６がリッド２とベース３の接合部を介して電子部品１の外部に引き出され、更に、引き出された電子部品１、１６をベース３の側面から底面に至るまで延設し、ベース３の底面にて内部電極４、１６が外部電極８、１８と電気的に接続するように構成することもできる。
この場合、ベース３に貫通電極７、１７を形成する必要はない。
【００２６】
図１（ｃ）は、外部電極８の構成を詳細に示した図である。
外部電極８は、ベース３の表面に形成されたＣｒから成る第１層、当該第１層の表面に形成されたＡｕから成る第２層、当該第２層の表面に形成されたＣｒから成る第３層、当該第３層の表面に形成されたＡｕから成る第４層、当該第４層の表面に形成されたＣｒから成る第５層、当該第５層の表面に形成されたＡｕから成る第６層から構成されている。
【００２７】
即ち、Ｃｒ層の表面にＡｕ層が形成されたＣｒＡｕ層が３層形成されており、ベース３に近い側から第１ＣｒＡｕ層、第２ＣｒＡｕ層、第３ＣｒＡｕ層とする。
なお、最上層を構成する第１層のＣｒ層は、ベース３のガラスとの密着層としての機能を有しており、最表面層を構成する第６層のＡｕ層は、酸化防止用の保護膜としての機能を有している。
電子部品１では、一例として、ＣｒＡｕ層を３回繰り返して３層重ねたが、これは、２回以上繰り返し、２層以上あればよい。
【００２８】
Ｃｒは、ガラスとの密着性がよいため、ベース３の表面の第１層としてＣｒ層が形成されている。
Ｃｒは、ハンダ（Ｓｎが主成分）との金属間化合物を形成しない性質があり、Ａｕは、ハンダ付けをする際に、ＡｕＳｎ２や、ＡｕＳｎ４などの金属間化合物（合金）を生成してハンダ中に拡散しやすいという性質がある。
【００２９】
このように、Ｃｒは、ハンダとの金属間化合物を形成せず、また、ハンダ中に溶解せず、Ａｕは、ハンダとの金属間化合物を作るため、ハンダ中に溶解する。
このように、外部電極８は、ハンダとの金属間化合物を形成せず、ハンダに溶解しない金属元素の層と、ハンダとの金属間化合物を形成し、ハンダ中に溶解しやすい金属元素の層を交互に重ね合わせて構成されている。
なお、第２、４、６層は、ハンダ中に溶解しやすければよく、必ずしもハンダとの金属間化合物を形成する必要はない。
【００３０】
このように、外部電極８では、ハンダと化合物を形成しない金属元素としてＣｒを用いたが、この他に、Ｔｉを用いることが可能であり、更に、Ｗ、Ｔａなどを用いることも可能である。
また、ハンダ中に拡散しやすい金属元素としてＡｕを用いたが、この他に、Ａｇ、Ｐｄなどを用いることも可能である。
そして、例えば、第１層をＣｒ、第２層をＡｕ、第３層をＴｉ、第４層をＡｇ、第５層をＷ、第６層をＡｕとするなど、各金属を組み合わせて外部電極８を形成することも可能である。
【００３１】
外部電極８を構成するこれらの各層は、例えば、スパッタリングを用いたスパッタ法でベース３の底面にこれら金属元素の膜（薄膜）を形成することにより形成することができる。
即ち、スパッタ法により、ベース３の底面にＣｒの薄膜による第１層を形成し、次いでＣｒの薄膜表面にスパッタ法によりＡｕの薄膜による第２層を形成し、以後、これを２回繰り返すことにより外部電極８が形成される。
なお、各層の厚みがある程度以上の場合には、メッキ法によってこれら各層を形成することも可能である。
以上、外部電極８について説明したが、外部電極１８の構成も同様である。
【００３２】
以上のような構成を有する電子部品１は、次のようにして製造することができる。
ベース３にスルーホールを形成し、当該スルーホール内に貫通電極７、１７を形成する。
そして、ベース３に水晶振動子６を設置して貫通電極７、１７と接続し、その後、リッド２をベース３に陽極接合などにより接合して、パッケージを形成する。
次に、ベース３の底面にメッキなどで外部電極８、外部電極１８をスパッタ法で形成し、電子部品１が完成する。
【００３３】
なお、ベース３に外部電極８、１８を形成してからベース３にリッド２を接合するなど、工程順序を変更することも可能である。
また、ベース３を多数個取りできるベースウエハに貫通電極７、１７と水晶振動子６を設置し、これにリッド２を多数個取りできるリッドウエハを接合して、電子部品１が多数形成されたウエハを形成し、外部電極８、１８の形成後、これを切断して電子部品１を多数個取りするように構成することもできる。
【００３４】
図２（ａ）は、電子部品１をハンダによって回路基板３１に接合したところの断面図を示した図である。
図に示したように、外部電極８は、ハンダ３３を介して回路基板３１上の基板配線３２と電気的、及び物理的に接合し、外部電極１８は、ハンダ３４を介して回路基板３１上の基板配線３５と電気的、及び物理的に接合し、これによって、電子部品１は、回路基板３１に電気的、及び物理的に接合する。
【００３５】
図２（ｂ）は、外部電極８のハンダとの接合面の詳細を示した図である。
第１層のＣｒ層は、ハンダとの金属間化合物を形成しないため、ベース３に接合した状態でハンダ３３と接合している。
第２、４、６層のＡｕ層は、ハンダ３３に拡散してしまっている。
第３、５層のＣｒ層は、ハンダとの金属間化合物を形成しないため、第２、４層のＡｕ層が拡散すると、外部電極８から離脱し、ハンダ３３の何れかの場所に存在する。
【００３６】
図３（ａ）は、ＣｒＡｕ層の積層と外部電極８の剪断強度の関係を表す実験結果を表にして示したものである。
剪断試験方法は、ＪＩＳ  Ｚ  ３１９８−７に準拠し、剪断速度は、５［ｍｍ／ｍ］とした。
電極仕様は、Ｃｒ層の厚さを６００［Å］、Ａｕ層の厚さを１５００［Å］とした。
表に示したように、ＣｒＡｕ層を１層だけ形成した場合の剪断強度を１．０とすると、２層の場合には１．９、３層の場合には２．１となっている。これらの値は各層に対して１０回ずつ実験し、平均をとったものである。
図３（ｂ）は、これをグラフにしたものである。
【００３７】
このように、ＣｒＡｕ層を２〜３層とすることにより、１層の倍程度の剪断強度を実現することができる。
更に層数を増やしてみたところ、２〜４層、好ましくは３層あたりが最も剪断強度が高いらしいとの感触を得ている。
【００３８】
図３（ｃ）は、基板の曲げ耐性を表す実験結果を表として示したものである。
曲げ試験方法は、ＪＥＩＴＡ  ＥＴ−７４０９／１０４に準拠し、１．６［ｍｍ］厚のガラスエポキシ回路基板を用い、押し込み量１、２、３［ｍｍ］で外観上のクラックの有無を判断することにより行った。
電極仕様は、Ｃｒ層の厚さを０．０６［μｍ］（６００［Å］）、Ａｕ層の厚さを０．１５［μｍ］（１５００［Å］）としたＣｒＡｕ層を３層重ねた外部電極８、Ｃｒ層の厚さを０．０６［μｍ］、Ｃｕ層の厚さを１０．５［μｍ］、Ｓｎ層の厚さを１０［μｍ］とした第１の比較電極、及びＣｒ層の厚さを０．０６［μｍ］、Ｃｕ層の厚さを０．５［μｍ］、Ｎｉ層の厚さを２［μｍ］、Ｓｎ層の厚さを１０［μｍ］とした第２の比較電極である。
【００３９】
これらの電極を電子部品１に形成して回路基板３１に接合し、当該回路基板を押し込み機構により押し込んだところ、押し込み量が１［ｍｍ］の場合、外部電極８の場合は２０回中クラックが生じた回数は０回であり、第１の比較電極の場合は、５回中１回、第２の比較電極の場合は、５回中０回であった。
押し込み量が２［ｍｍ］の場合、それぞれ、２０回中０回、５回中４回、５回中２回であり、押し込み量が３［ｍｍ］の場合、それぞれ、２０回中０回、５回中４回、５回中４回であった。
【００４０】
外部電極８を形成した電子部品１は、何れの切込量に対してもクラックが発生せず、第１の比較電極、２に対して高い耐曲げ性を有している。
このように、ＣｒＡｕ層を３回積層した外部電極８は、優れた剪断強度と耐曲げ性を実現することができる。
このように、ＣｒＡｕ層を積層した外部電極８が、優れた剪断強度と曲げ性を発揮するのは、次のような理由によると推測している。
【００４１】
即ち、図１（ｃ）に示した外部電極８では、第２、４、６層のＡｕ層は、ハンダ中に拡散してしまい、第３、５層のＣｒ層が外部電極８から遊離する。
遊離したＣｒ層は、ハンダと化合物を形成しないため、ハンダに溶解せずにハンダ中に残り、これがハンダを補強する補強材として機能する。
離脱したＣｒ層がどのような状態でハンダ中に存在するか、本願発明者が分析機器などを用いて探索したところ、帯状のＣｒがハンダの領域を介して外部電極８の付近に見出されたことがある。
【００４２】
このように、遊離したＣｒ層がちぎれて帯状に存在することもあるし、あるいは、もっと小さいＣｒ片として存在することも考えられるし、更には、もっと小さいＣｒ粒として存在したり、他の反応や粒成長している可能性も考えられる。
何れにせよ、ハンダ中に離脱したＣｒ層が何らかの働きをして外部電極８のハンダ接合面の機械的特性に影響し、高い剪断強度、耐曲げ性を発揮していると考えられる。
または、ハンダ中に拡散したＡｕによる効果も寄与していることも考えられる。
【００４３】
以上に説明した本実施の形態により、
電子素子（例えば、水晶振動子６、半導体なども可能）と、内部に形成された中空部（空洞部１３）に電子素子を収納する収納容器（リッド２とベース３から成るパッケージ）と、電子素子と電気的に接続し、前記収納容器の内部から外部にかけて形成された容器電極（内部電極４、１４、及び貫通電極７、１７など）と、容器電極と電気的に接続し、収納容器の底面に形成された外部電極（外部電極８、１８）と、を備えた電子部品（電子部品１）を提供することができる。
そして、この外部電極（外部電極８、１８）は、収納容器の底面（ベース３の底面）に形成され、ハンダと接合する第１の金属層（Ｃｒ層など）と、第１の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第２の金属層（Ａｕ層など）と、第２の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第３の金属層（Ｃｒ層など）と、を用いて形成されている。
そして、この構成は、表面に酸化防止用のＡｕ層を形成すればＣｒＡｕ層を２回繰り返したものに該当し、更にその上にＣｒＡｕ層を積層すれば、３回繰り返したものに該当する。なお、複数の金属の合金を金属層として用いることも可能である。
【００４４】
第１、３の金属層には、ハンダと金属間化合物を構成しない金属元素が用いられ、第２の金属層には、ハンダと金属間化合物を構成する金属元素が用いられる。
そのため、この外部電極（外部電極８、１８）は、収納容器の底面（ベース３の底面）に形成され、ハンダと金属間化合物を構成しない第１の金属層（Ｃｒ層など）と、第１の金属層の表面に形成され、ハンダと金属間化合物を構成する第２の金属層（Ａｕ層など）と、第２の金属層の表面に形成され、ハンダと金属間化合物を形成しない第３の金属層（Ｃｒ層など）と、を用いて形成されていると言うこともできる。
【００４５】
更に、外部電極８、１８には、第３の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解する第４の金属層（Ａｕ層など）と、第４の金属層の表面に形成され、ハンダに溶解しない第５の金属層（Ｃｒ層）を形成することができる。
そして、最表面層としてＡｕ層を酸化防止膜を形成することができる。
【００４６】
また、電子部品１は、回路基板３１に接合されて、容量やコイルなどの他の電子素子と共に発振回路を構成し、当該発振によりコンピュータが動作タイミングを取得したり、時計が時間を計測したりするのに用いられるため、電子部品を用いて発振する発振手段（発振回路）と、発振手段の発振により動作タイミングを取得して動作する動作手段（ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）など）を備えた各種の電子装置を提供することができる。
【００４７】
この場合、電子素子（水晶振動子６など）と、内部に形成された中空部に電子素子を収納する収納容器（リッド２とベース３から成るパッケージ）と、電子素子と電気的に接続し、収納容器の内部から外部にかけて形成された容器電極（貫通電極７、１７など）と、容器電極と電気的に接続し、前記収納容器の底面に形成され、ハンダと接合した金属層（Ｃｒ（第１層））と、ハンダを介して当該金属層と接合され、他の電子素子が設けられた回路基板（回路基板３１）と、を備えた電子装置が構成されている。
そして、当該ハンダには、ハンダに溶解しない金属（第３、５層のＣｒ層）が離脱し、拡散している。
【００４８】
また、ベース（ベース３）に、電子素子（水晶振動子６など）と、当該電子素子と電気的に接続する配線用の容器電極（貫通電極７、１７など）と、を設置する電子素子設置工程と、当該電子素子と容器電極を設置したベースに、リッド（リッド２）を接合することにより、電子素子をベースとリッドからなる収納容器に封入する封入工程と、収納容器の底面にスパッタ法などでハンダと接合する第１の金属層（Ｃｒ層）を形成し、第１の金属層の表面にハンダに溶解する第２の金属層（Ａｕ層）を形成し、第２の金属層の表面にハンダに溶解しない第３の金属層（Ｃｒ）を形成して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を用いて構成された電子部品製造方法により電子部品１を製造することができる。
【００４９】
以上に説明した本実施の形態により次のような効果を得ることができる。
（１）金属層を積層することによりベース３の底面に形成された金属層が酸化されにくくなるため、電子部品１の実装強度が高まり、リペア性に優れる。
（２）ＣｒＡｕ層において、Ａｕ層は、ハンダ中に均一に拡散し、外部電極８の接合界面はＣｒとＳｎになるが、ＣｒとＳｎは、リフローや高温試験の温度範囲（〜２６０℃）では合金の形成・成長が殆どなく、また、耐熱性・耐衝撃性に優れる。
（３）Ｃｒとハンダによる合金の成長がないため、Ｃｒ層を厚く形成する必要がなく、膜応力を小さく抑えられるので、耐基板曲げ性などが優れる。
（４）内部電極４、１６などにＣｒ−Ａｕが使用されている場合、外部電極８、１８の形成に際して装置を兼用化することができる。更に、各層の膜厚を内部と外部で同一にすれば、装置の条件変更も不要になり、設備投資を抑え、生産性を高めることができる。
（５）セラミックなどに比べ、脆く強度が低いが、コストが安く透明なガラスパッケージを採用することが可能である。
（６）外部電極８の形成領域に段差部が存在する場合、積層することによって断線のリスクを低減することができる。
（７）外部電極８をスパッタ法で形成することができるため、ドライ雰囲気で金属層が成膜可能であり、これによって、貫通電極７の溶出などを防ぐことができる。
（８）実装強度・リペア性・耐熱性・耐基板曲げ性などを両立した品質の高いガラスパッケージを実現することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  電子部品
２  リッド
３  ベース
４  内部電極
５  支持部
６  水晶振動子
７  貫通電極
８  外部電極
１３  空洞部
１６  内部電極
１７  貫通電極
１８  外部電極
３１  回路基板
３２  基板配線
３３  ハンダ
３４  ハンダ
３５  基板配線
【図１】
2010267738.tif 000003
【図２】
2010267738.tif 000004
【図３】
2010267738.tif 000005
【図４】
2010267738.tif 000006