(57)【要約】【課題】  ２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現できる新規なＮｉＭｎＺｎ系フェライトを提供する。【解決手段】  主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．５〜４．７モル％、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有するＮｉＭｎＺｎ系フェライトであって、主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍを含有し、フェライト結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍであるように構成される。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．５〜４．７モル％、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有するＮｉＭｎＺｎ系フェライトであって、
前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍを含有し、
フェライト結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍであることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項２】
前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１６０〜９４０重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で９００〜２９００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５６０〜９６０重量ｐｐｍを含有する請求項１に記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項３】
焼結密度が４．９０ｇ／ｃｍ3以上である請求項１または請求項２に記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項４】
２ＭＨｚ、５０ｍＴ、２５℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ１が、３０００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、２５℃での飽和磁束密度Ｂｓは、５２０ｍＴ以上である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項５】
２ＭＨｚ、５０ｍＴ、１００℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ2が、２７００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、１００℃での飽和磁束密度Ｂｓは、４５０ｍＴ以上である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項６】
１ＭＨｚ、２５℃での初透磁率μiが８００以上である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のＮｉＭｎＺｎ系フェライトをコア（磁心）として、当該コアに巻き線を施してなる電子部品。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品をトランスおよび／またはチョークコイルとして用い、２ＭＨｚ以上のスイッチング周波数で動作させるスイッチング電源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現できるＮｉＭｎＺｎ系フェライトに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化に伴い、スイッチング電源の小型化が進められている。スイッチング電源用のトランスやチョークコイル等のインダクタンス素子には、飽和磁束密度が高いことから、ＭｎＺｎフェライトやＭｎＺｎＮｉフェライトが広く用いられている。
【０００３】
このような近時のスイッチング電源回路は、動作電圧を下げるために高い周波数でスイッチングされる傾向にあり、そこに用いられるファライトコアも高い周波数において、磁気損失（コアロス）が低いことが要望されている。
【０００４】
なお、フェライトコアの磁気損失（コアロス）は、ヒステリシス損失、渦電流損失、残留損失から構成される。ヒステリシス損失は、直流ヒステリシスにより、周波数に比例して変化し、渦電流損失は電磁誘導作用により生じた渦電流によって発生する起電力により、周波数の二乗に比例して増加する。残留損失は残りの損失であって、いわゆる磁壁共鳴、自然共鳴、拡散共鳴がその要因であるとされている。
【０００５】
本願と関連すると思われる先行技術として以下の文献がある。
（１）特開２００７−５１０５２
２ＭＨｚ以上の周波数であっても、広い温度範囲で低電力損失とすることができるＭｎＺｎＮｉ系フェライトの提案がなされている。副成分としてＴａを必須としているが本願発明は、Ｔａを必須として含有させるものではない。
【０００６】
さらに、特開２００７−５１０５２には、Ｎｂの添加も示唆されているが、本願発明の添加範囲と異なっており、さらに、形成させる所望の平均結晶粒径も異なっている。
【０００７】
（２）特許第３５９７６６６（特開平１０−２７０２３１）
電源用トランス等の磁心に用いられる、１ＭＨｚ程度以上の高周波で損失の少ないＭｎＮｉフェライト系材料の提案が行われている。
【０００８】
Ｎｂの添加も示唆されているが、本願発明の添加範囲と異なっている。なお、形成させる所望の平均結晶粒径に関しては開示されていない。１ＭＨｚの周波数での実験のみであり、２ＭＨｚでの効果確認の実験はなされていない。
【０００９】
（３）特開平１０−３２６７０６
１ＭＨｚ程度以上の高周波域における損失が低く、かつ焼結密度が高くて高強度のフェライト材料の提案が行われている。
【００１０】
Ｎｂの添加は、開示も示唆もなされておらず、さらに、形成させる所望の平均結晶粒径に関しても開示されていない。１ＭＨｚの周波数での実験のみであり、２ＭＨｚでの効果確認の実験はなされていない。
【００１１】
（４）特許第３９１７２１６（特開平１０−６４７１５）
スイッチング電源などの電源トランス等に供せられる、高い飽和磁束密度を持ち、かつ低損失フェライト磁心材料の提案が行われている。
【００１２】
Ｎｂの添加も示唆されているが、本願発明の添加範囲と異なる。形成させる所望の平均結晶粒径に関しては開示されていない。１００ｋＨｚの周波数での実験のみであり、２ＭＨｚでの効果確認の実験はなされていない。
【００１３】
（５）特許第３５９７６７３（特開平１１−３８１３）
１ＭＨｚ程度以上の高周波域で損失の小さいフェライト材料の提案が行われている。
【００１４】
Ｎｂの添加も示唆されているが、本願発明の添加範囲と異なっている。形成させる所望の平均結晶粒径に関しては開示されていない。１ＭＨｚの周波数での実験のみであり、２ＭＨｚでの効果確認の実験はなされていない。
【００１５】
（６）特開平７−２１１５３３
スイッチング電源などに使用される高周波で低損失、かつ、残留磁束密度が小さい、酸化物磁性材料の製造方法の提案がなされている。
【００１６】
ＭｎＺｎフェライトに関するものであり、ＭｎＺｎＮｉフェライトに関するものではない。（Ｎｉ＝０の本願における比較例を参照）
【００１７】
５００ｋＨｚおよび１ＭＨｚの周波数の実験のみであり、２ＭＨｚでの効果確認の実験はなされていない。
【００１８】
このような実状のもと、より高周波対応可能なファライト、特に、２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現できる新規なＮｉＭｎＺｎ系フェライトの提案が望まれている。
【特許文献１】特開２００７−５１０５２公報
【特許文献２】特許第３５９７６６６号公報
【特許文献３】特開平１０−３２６７０６公報
【特許文献４】特許第３９１７２１６号公報
【特許文献５】特許第３５９７６７３号公報
【特許文献６】特開平７−２１１５３３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
このような実状のもとに、本発明は創案されたものであって、その目的は、２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現できる新規なＮｉＭｎＺｎ系フェライトを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような課題を解決するために、本発明は、主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．５〜４．７モル％、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有するＮｉＭｎＺｎ系フェライトであって、前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍを含有し、フェライト結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍであるように構成される。
【００２１】
また、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好ましい態様として、前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１６０〜９４０重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で９００〜２９００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５６０〜９６０重量ｐｐｍを含有するように構成される。
【００２２】
また、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好ましい態様として、焼結密度が４．９０ｇ／ｃｍ3以上であるように構成される。
【００２３】
また、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好ましい態様として、２ＭＨｚ、５０ｍＴ、２５℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ１が、３０００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、２５℃での飽和磁束密度Ｂｓは、５２０ｍＴ以上であるように構成される。
【００２４】
また、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好ましい態様として、２ＭＨｚ、５０ｍＴ、１００℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ2が、２７００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、１００℃での飽和磁束密度Ｂｓは、４５０ｍＴ以上であるように構成される。
【００２５】
また、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好ましい態様として、１ＭＨｚ、２５℃での初透磁率μiが８００以上であるように構成される。
【００２６】
本発明の電子部品は、上記のＮｉＭｎＺｎ系フェライトをコア（磁心）として、当該コアに巻き線を施して構成される。
【００２７】
本発明のスイッチング電源は、前記電子部品をトランスおよび／またはチョークコイルとして用い、２ＭＨｚ以上のスイッチング周波数で動作させるように構成される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．５〜４．７モル％、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有し、前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍを含有し、結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍとなるように構成されているので、２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトについて詳細に説明する。
【００３０】
〔本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトの説明〕
（主成分組成についての説明） 
本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％（好ましくは、５４．２〜５７．３モル％、より好ましくは、５４．４〜５７．１モル％）、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％（好ましくは、２．２〜６．８モル％、より好ましくは、２．４〜６．６モル％）、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．４〜４．７モル％（好ましくは、０．７〜４．５モル％、より好ましくは、０．９〜４．３モル％）、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有している。
【００３１】
上記の主成分組成において、Ｆｅ2Ｏ3量が５７．５モル％を超えると、初透磁率μiが低下するという不都合が生じる傾向にある。また、Ｆｅ2Ｏ3量が５４．５未満となると高い飽和磁束密度Ｂｓ（特に、Ｂｓ≧４５０）が得られないという不都合が生じる傾向にある。
【００３２】
上記の主成分組成において、ＺｎＯ量が２．０モル％未満であると、飽和磁束密度が低下するとともに磁気損失が大きくなるという不都合が生じる傾向にある。また、ＺｎＯ量が７．０モル％を超えると、磁気損失が大きくなるという不都合が生じる傾向にある。
【００３３】
上記の主成分組成において、ＮｉＯ量が０．５モル％未満となると、結晶粒径が異常成長してしまい磁気損失が大きくなるという不都合が生じる傾向にある。また、ＮｉＯ量が４．７モル％を超えると、初透磁率μiが低下するという不都合が生じる傾向にある。
【００３４】
（副成分組成についての説明） 
本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、副成分として、Ｓｉ、Ｃａ、およびＮｂを必須成分として含有する。副成分の原料としては、酸化物、あるいは加熱により酸化物となる化合物の粉末が用いられる。具体的には、添加時の形態で、ＳｉＯ2、ＣａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5を用いることができる。
【００３５】
このような副成分は、前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ（好ましくは、１３０〜９７０重量ｐｐｍ、より好ましくは、１６０〜９４０重量ｐｐｍ）、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ（好ましくは、８５０〜２９５０重量ｐｐｍ、より好ましくは、９００〜２９００重量ｐｐｍ）、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍ（好ましくは、５４０〜９８０重量ｐｐｍ、より好ましくは、５６０〜９６０重量ｐｐｍ）を含有している。
【００３６】
ＳｉＯ2量が１００重量ｐｐｍ未満となると、磁気損失が大きくなってしまうという不都合が生じる傾向にある。また、ＳｉＯ2量が１０００重量ｐｐｍを越えると、焼結密度が低下し、飽和磁束密度が低下してしまうという不都合が生じる傾向にある。
【００３７】
ＣａＣＯ3量が８００重量ｐｐｍ未満となると、磁気損失が大きくなってしまうという不都合が生じる傾向にある。また、ＣａＣＯ3量が３０００重量ｐｐｍを越えると、異常粒成長が発生し、磁気損失が大きくなってしまうという不都合が生じる傾向にある。
【００３８】
Ｎｂ2Ｏ5量が５２０重量ｐｐｍ未満となると、焼結密度が低下し、飽和磁束密度が低下してしまうという不都合が生じる傾向にある。また、Ｎｂ2Ｏ5量が１０００重量ｐｐｍを越えると、異常粒成長が発生し、磁気損失が増大してしまうという不都合が生じる傾向にある。
【００３９】
また、本発明の作用効果を逸脱しない範囲で、上記の副成分に加えて、ＺｒＯ2等の他の副成分を添加することができる。
【００４０】
（本発明のフェライト焼結体の結晶粒径および焼結密度についての説明） 
本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍ（好ましくは、２．６〜８．５μｍ、より好ましくは、３．１〜７．５μｍ）であり、焼結密度が４．９０ｇ／ｃｍ3以上（好ましくは、４．９２〜４．９８ｇ／ｃｍ3）である。
【００４１】
結晶粒の平均結晶粒径が２．１μｍ未満となると、初透磁率μiが低下してしまうという不都合が生じる傾向にある。また、結晶粒の平均結晶粒径が８．５μｍを越えると、渦電流損失の増加により磁気損失が大きくなってしまうという不都合が生じる傾向にある。
【００４２】
結晶の粒径を制御するためのパラメータとしては、フェライトの組成、焼成温度、焼成時の酸素分圧の制御、等を挙げることができる。
【００４３】
これらのパラメータの中で、結晶粒の平均結晶粒径を本発明範囲内の２．１〜８．５μｍに制御するためには、フェライト組成および焼成温度が特に重要となる。すなわち、フェライト組成を本願発明の範囲内にすること、および焼成温度を１０９０〜１１４０℃
とすることが重要である。
【００４４】
特に、フェライト組成が本願発明の範囲外となったり、焼成温度が上記範囲外となった場合には、結晶粒の平均結晶粒径を本発明範囲内の２．１〜８．５μｍに制御することが極めて困難となる。このことは、後述する具体的実験例を参照されたい。
【００４５】
フェライト焼結体の焼結密度は、４．９０ｇ／ｃｍ3以上とすることが好ましい。上限に特に制限はないが、通常、５．００ｇ／ｃｍ3程度とされる。焼結密度が、４．９０ｇ／ｃｍ3未満となると、飽和磁束密度が低下し、磁気損失が大きくなってしまうという不都合が生じる傾向にある。
【００４６】
（本発明のフェライト焼結体の物性についての説明） 
本発明のフェライトは、以下の物性を備えている。
すなわち、２ＭＨｚ、５０ｍＴ、２５℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ１は、３０００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、２５℃での飽和磁束密度Ｂｓは、５２０ｍＴ以上である。
【００４７】
また、２ＭＨｚ、５０ｍＴ、１００℃で測定した磁気損失Ｐｃｖ2は、２７００ｋＷ／ｍ3以下であり、かつ、１００℃での飽和磁束密度Ｂｓは、４５０ｍＴ以上である。
【００４８】
さらに、１ＭＨｚ、２５℃での初透磁率μiは、８００以上である。
【００４９】
〔ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの製造方法〕
次いで、本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトに関し、その製造方法の一例を以下に詳細に説明する。
【００５０】
主成分の原料としては、酸化物、あるいは加熱により酸化物となる化合物の粉末が用いられる。具体的には、Ｆｅ2Ｏ3粉末、ＮｉＯ粉末、ＺｎＯ粉末、Ｍｎ3Ｏ4粉末等が用いられる。
【００５１】
（Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、およびＭｎ3Ｏ4の他の原料粉末の形態）
ＮｉＯ以外の他の原料粉末の形態、例えば、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、およびＭｎ3Ｏ4の原料粉末の形態としては、通常使用されているごく一般的なものが使用される。
【００５２】
このような主成分の原料粉末は、目標のフェライトが得られるように金属イオンの比率が所定成分となるように秤量された後に、湿式混合され、仮焼きされる。
【００５３】
仮焼きの温度は７００〜１０００℃（好ましくは、８００〜９００℃）の範囲内とされ、仮焼き雰囲気は窒素雰囲気〜大気雰囲気とされる。仮焼きの保持時間は０．５〜５．０時間の範囲内で適宜設定される。仮焼き後に仮焼き物は粉砕される。
【００５４】
副成分の原料として、酸化物、あるいは加熱により酸化物となる化合物の粉末が添加される。具体的には、上述したＳｉＯ2、ＣａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5が用いられる。これらの副成分の原料粉末は、一般に、仮焼き後に粉砕された主成分の粉末と混合される。ただし、最初の時期に主成分の原料粉末と混合した後に、主成分とともに仮焼きに供することもできる。
【００５５】
仮焼き物を粉砕した後の混合粉末は、成形工程を円滑にするために顆粒に造粒される、造粒は例えばスプレードライヤを用いて行うことができる。混合粉末に例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加し、これをスプレードライヤで噴霧、乾燥する。顆粒の粒径は８０〜２００μｍ程度とされる。
【００５６】
得られた顆粒は、例えば所定形状の金型を有するプレスを用いて所定の形状に成形される。成形された成形体は焼成工程において焼成される。
【００５７】
焼成工程においては、上述したように焼成温度を制御する必要がある。焼成は１０９０〜１１４５℃の範囲、好ましくは、１１００〜１１３５℃の範囲で所定時間保持することにより行われる。この焼成温度が、１０９０℃未満となると、焼結密度が低下し、飽和磁束密度が低下するという不都合が生じる傾向がある。また、この焼成温度が１１４５℃を超えると、フェライト結晶粒の平均結晶粒径が所望の上限よりも大きくなり過ぎて、２ＭＨｚの高周波で特性が劣化してしまう傾向がある。
【００５８】
このようにして製造された本願発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、好適な使用態様の一例として、コア（磁心）形状に形成され、当該コアに巻き線を施して電子部品として使用される。さらに、このような電子部品をトランスおよび／またはチョークコイルとして用い、２ＭＨｚ以上のスイッチング周波数で動作させるスイッチング電源として用いるのも極めて好ましい態様である。
【実施例】
【００５９】
以下、具体的実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
〔実験例Ｉ〕
下記表１のサンプルＮｏ．Ｉ−５に示されるように、最終組成における酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で５６．０モル％、酸化マンガンがＭｎＯ換算で３６．９モル％、酸化亜鉛がＺｎＯ換算で４．３モル％、酸化ニッケルがＮｉＯ換算で２．８モル％となるように主成分となる主成分原料を秤量した。
【００６０】
秤量した原料を、湿式ボールミルを用いて１６時間湿式混合した後、乾燥させた。
次いで、乾燥物を大気中、８５０℃で３時間仮焼きした後、粉砕した
【００６１】
得られた仮焼き粉末に、副成分の原料として、ＳｉＯ2粉末、ＣａＣＯ3粉末、およびＮｂ2Ｏ5粉末を加え、混合粉砕して得られた混合物粉末にバインダを加え、顆粒化した後、成形してトロイダル形状の成形体を得た。なお、副成分原料は、主成分原料対して、ＳｉＯ2が重量３００ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で１１００重量ｐｐｍ、Ｎｂ2Ｏ5が６００重量ｐｐｍ含有されるように添加した。
【００６２】
トロイダル形状の成形物を、１１２５℃の温度で、４時間、酸素分圧を制御しつつ焼成して、下記表１に示されるサンプルＮｏ．Ｉ−５のフェライト焼成体を作製した。
【００６３】
このサンプルＮｏ．Ｉ−５のフェライト焼成体の作製手法をベースとし、これに準じて下記表１に示される種々のサンプルを作製した。
【００６４】
これら表１に示される各サンプルについて、下記の要領で（１）平均結晶粒径、（２）焼結密度ρ、（３）初透磁率μi、（４）磁気損失（コアロス）（５）飽和磁束密度Ｂｓ、をそれぞれ測定した。
【００６５】
（１）平均結晶粒径
光学顕微鏡の観察により、求めた。測定対象の粒径個数Ｎは、５０個とした。
【００６６】
（２）焼結密度ρ
サンプルの重量および水中におけるサンプルの重量とを測定しアルキメデスの原理に基づき計算により求めた。
【００６７】
（３）初透磁率μi
１ＭＨｚ、２５℃での初透磁率μiを求めた。
【００６８】
（４）磁気損失（コアロス）
Ｂ−Ｈアナライザーを用いて、２ＭＨｚ、５０ｍＴの正弦波交流磁界を印加し、２５℃と１００℃における損失をそれぞれ測定した。
【００６９】
（５）飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）
トロイダル形状試料にワイヤを二重に２０回巻線した後に印加磁界１１９４Ａ／ｍに設定し、直流磁化特性試験装置（メトロン技研製  ＳＹ１１０）で測定した。
【００７０】
結果を下記表１中に示した。
【００７１】
【表１】
2010083692.tif 000002
【００７２】
【表２】
2010083692.tif 000003
【００７３】
〔実験例ＩＩ〕
上記表１のサンプルＮｏ．Ｉ−５と同じ組成において、下記表２に示されるように焼成温度を変えることによって、平均結晶粒径を変えたサンプルＩＩ−１、サンプルＩＩ−２、サンプルＩＩ−３、およびサンプルＩＩ−４を作製し、これらのサンプルについて、上記実験例Ｉと同様な要領でフェライト物性の測定を行った。
【００７４】
結果を下記表２に示した。
【００７５】
【表３】
2010083692.tif 000004
【００７６】
〔実験例ＩＩＩ〕
上記表１のサンプルＮｏ．Ｉ−２９と同じ組成において、下記表３に示されるように焼成温度を変えることによって、平均結晶粒径を変えたサンプルＩＩＩ−１、サンプルＩＩＩ−２、サンプルＩＩＩ−３、およびサンプルＩＩＩ−４を作製し、これらのサンプルについて、上記実験例Ｉと同様な要領でフェライト物性の測定を行った。
【００７７】
結果を下記表３に示した。
【００７８】
【表４】
2010083692.tif 000005
【００７９】
〔実験例ＩＶ〕
上記表１のサンプルＮｏ．Ｉ−３０と同じ組成において、下記表４に示されるように焼成温度を変えることによって、平均結晶粒径を変えたサンプルＩＶ−１、サンプルＩＶ−２、サンプルＩＶ−３、およびサンプルＩＶ−４を作製し、これらのサンプルについて、上記実験例Ｉと同様な要領でフェライト物性の測定を行った。
【００８０】
結果を下記表４に示した。
【００８１】
【表５】
2010083692.tif 000006
【００８２】
上述してきた実験例Ｉ〜実験例ＩＶの結果より、本発明の効果は明らかである。
すなわち、本発明は、主成分として、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５４．０〜５７．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２．０〜７．０モル％、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．５〜４．７モル％、酸化マンガンを残部（ＭｎＯ換算）含有するＮｉＭｎＺｎ系フェライトであって、前記主成分に対して、副成分としてＳｉをＳｉＯ2換算で１００〜１０００重量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ3換算で８００〜３０００重量ｐｐｍ、ＮｂをＮｂ2Ｏ5換算で５２０〜１０００重量ｐｐｍを含有し、フェライト結晶粒の平均結晶粒径が２．１〜８．５μｍであるように構成されているので、２ＭＨｚ以上程度の高周波において、磁気損失（コアロス）を低減させることができ、かつ、高い焼結密度を形成しつつ、高い飽和磁束密度化を実現させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明のＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、幅広く各種の電気部品産業に利用できる。