(57)【要約】【課題】  基板を保持するステージを支持する定盤の温度均一性を高める。【解決手段】  基板の複数のショット領域を順に露光する露光装置であって、基板を保持するステージと、前記ステージを支持する定盤と、前記ステージを前記定盤に対して平行な平面内で駆動する平面モータと、前記定盤を冷却する冷却ユニットと、を備え、前記定盤は、最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了されるまでの露光処理期間においてその中に前記ステージの一部が常に存在する領域の外縁を規定する第１境界線と、前記露光処理期間において前記ステージが駆動される領域の外縁を規定する第２境界線と、の間に設定される第３境界線によってその外縁を規定される第１領域と、前記第３境界線によってその内縁を規定され、前記第１領域よりも前記露光処理期間内における温度上昇が小さい第２領域とを含み、前記冷却ユニットは、前記第１領域内で冷媒を流す第１冷却路と前記第２領域内で冷媒を流す第２冷却路とを含む。【選択図】図４
2010258108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の複数のショット領域を順に露光する露光装置であって、
基板を保持するステージと、
前記ステージを支持する定盤と、
前記ステージを前記定盤に対して平行な平面内で駆動する平面モータと、
前記定盤を冷却する冷却ユニットと、を備え、
前記定盤は、最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了されるまでの露光処理期間においてその中に前記ステージの一部が常に存在する領域の外縁を規定する第１境界線と、前記露光処理期間において前記ステージが駆動される領域の外縁を規定する第２境界線と、の間に設定される第３境界線によってその外縁を規定される第１領域と、前記第３境界線によってその内縁を規定され、前記第１領域よりも前記露光処理期間内における温度上昇が小さい第２領域とを含み、
前記冷却ユニットは、前記第１領域内で冷媒を流す第１冷却路と前記第２領域内で冷媒を流す第２冷却路とを含む、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ステージが前記第２領域に位置するとき、基板を位置決めするための当該基板の位置計測、前記ステージへの基板のロード、及び、前記ステージからの基板のアンロードの少なくともいずれかがなされることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１冷却路を流れる冷媒の温度は、前記第１領域を目標温度とするように前記ステージの駆動プロファイルに基づいてフィードフォワード制御されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１領域は、前記第１境界線によってその外縁が規定される第３領域と、前記第１境界線によってその外縁が規定され前記第３境界線によってその内縁が規定され、前記第３領域よりも前記露光処理期間内における温度上昇が小さい第４領域とを含み、
前記第１冷却路は、前記第３領域内で冷媒を流す第３冷却路と前記第４領域内で冷媒を流す第４冷却路とを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第３冷却路を流れる冷媒の温度は、前記第３領域を目標温度とするように前記ステージの駆動プロファイルに基づいてフィードフォワード制御され、前記第４冷却路を流れる冷媒の温度は、前記第４領域を目標温度とするように、前記ステージの駆動プロファイルに基づくフィードフォワード制御及び前記第４領域に設置された温度センサの検出結果に基づくフィードバック制御の少なくともいずれかがなされることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記定盤の前記ステージとは反対方向の面に断熱部材が取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか1項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記平面モータは、可変の磁気抵抗により駆動する平面モータ、または、ローレンツ力で駆動する平面モータであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置では、高速で且つ機械的な精度に依存することなく高精度に位置を制御し且つ機械的な摩擦を回避し長寿命を得るために、ステージが定盤と非接触で二次元方向に駆動し、XY方向に位置を制御し得るステージ装置が開発されている。このステージ装置の駆動源として、可変の磁気抵抗により駆動する平面モータやローレンツ力による電磁力で駆動する平面モータが使用されている。平面モータは、コイルやコアといった発熱部が定盤と非常に接近した位置に配置されるため、冷却部を定盤とステージとの間に設置することが難しい。そのためステージから発生した熱が熱伝達によって定盤に伝達され、定盤の表面の温度を上昇させる。また、ステージと定盤とを通して磁気回路が形成されるため、ステージが動くと定盤に鉄損が発生する。これらの発熱及び伝熱による温度上昇のために、ステージ直下の定盤の表面はその他の部分と比べて温度が高くなり、この温度差が露光空間における熱揺らぎの原因の一つとなっていた。
図１に従来の露光装置の定盤における冷却配管の例を示す。これまでは一系統の冷却配管１３に所望の温度に調整された冷媒を流すことで定盤１１の温度を調整していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９５１４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の露光装置における定盤の冷却方式では一定程度の熱回収が可能であるため、ステージが動かなければ定盤１１を所望の温度で平衡状態にすることができる。しかし、ステージが動いているときには定盤１１の表面に温度差が生じる。露光装置内に温度差があると干渉計システムへの熱揺らぎとなって正確な位置決めができなくなる恐れがある。また、位置決めシステムとしてエンコーダシステムを採用した場合においても、定盤１１とグレーティングとの間に輻射による熱のやり取りがあるため、正確な位置決めができなくなることがある。
本発明は、基板を保持するステージを支持する定盤の温度均一性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板の複数のショット領域を順に露光する露光装置であって、基板を保持するステージと、前記ステージを支持する定盤と、前記ステージを前記定盤に対して平行な平面内で駆動する平面モータと、前記定盤を冷却する冷却ユニットと、を備え、前記定盤は、最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了されるまでの露光処理期間においてその中に前記ステージの一部が常に存在する領域の外縁を規定する第１境界線と、前記露光処理期間において前記ステージが駆動される領域の外縁を規定する第２境界線と、の間に設定される第３境界線によってその外縁を規定される第１領域と、前記第３境界線によってその内縁を規定され、前記第１領域よりも前記露光処理期間内における温度上昇が小さい第２領域とを含み、前記冷却ユニットは、前記第１領域内で冷媒を流す第１冷却路と前記第２領域内で冷媒を流す第２冷却路とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、基板を保持するステージを支持する定盤の温度均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】従来例における定盤を冷却する冷却路を示す図
【図２】定盤表面における発熱量の存在確率分布を示す図
【図３】従来例における定盤表面の温度分布を示す図
【図４】第１実施形態における定盤を冷却する冷却路を示す図
【図５】ステージの駆動プロファイルを示す図
【図６】第１実施形態における冷却路を流れる冷媒の温度制御を示す図
【図７】第１実施形態の定盤表面の温度分布を示す図
【図８】第２実施形態における定盤を冷却する冷却路を示す図
【図９】第２実施形態における冷却路を流れる冷媒の温度制御を示す図
【図１０】第２実施形態における冷却路を流れる冷媒の別の温度制御を示す図
【図１１】露光装置の概略構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
まず、図１１を用いて本発明に係る露光装置について説明する。露光装置は、照明装置８、レチクル６を支持するレチクルステージ５、投影光学系４、基板３を保持するステージ（基板ステージ）２、ステージ２を支持する定盤１とを有する。露光装置は、磁場の作用によって発生する力によって基板ステージ２を定盤１に対して平行な平面内で駆動する平面モータと、定盤１を冷却する冷却ユニットと、アライメントスコープ７をさらに有する。アライメントスコープ７は、基板ステージ２に保持された基板３を位置決めするために基板３の位置計測を行う。平面モータとしては、可変の磁気抵抗を駆動する方式の平面モータやローレンツ力を利用する平面モータを使用し得る。露光装置は、基板３の複数のショット領域を順に露光する。
【０００９】
照明装置８は回路パターンが形成されたレチクル６を照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約193nmのArFエキシマレーザ、波長約248nmのKrFエキシマレーザ、波長約153nmのF2エキシマレーザなどを使用することができる。しかし、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、YAGレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化する光学系を使用し得る。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。照明光学系はレチクル６を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。
投影光学系４は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。
次に、図４〜図１０を用いて、本発明に係る定盤１を冷却する冷却路について説明する。
【００１０】
〔第１実施形態〕
図４に第１実施形態の冷却路の構成を示す。定盤１の表面を不図示の平面モータによって基板ステージ２が移動可能である。最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了されるまでの露光処理期間において、第１境界線４４の内側に基板ステージ２の一部が常に存在する。すなわち、第１境界線４４によってその外縁が規定される領域（第３領域）は、露光処理期間において基板ステージ２の一部が常に存在する領域である。そのため、第１境界線４４で囲まれる領域は、常に定盤１の渦電流発熱及び基板ステージ２からの伝達熱量に曝されるため最も熱量が存在する部分である。
露光処理期間において基板ステージ２は、第２境界線４３によって囲まれる領域内で駆動される。第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域では、基板ステージ２は、その駆動プロファイルに従って存在したりしなかったりを繰り返す。したがって、定盤１の熱量は、第１境界線４４内部の領域（第３領域）で最も大きく、次いで第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域で２番目に大きく、第２境界線４３の外側で最も小さい。このような熱量の偏在は、図２に示される"熱量の存在確率"に従う。定盤１の各位置での熱量は、定盤１の総熱量と図２の"熱量の存在確率"との積として求めることができる。図２の領域２１は図４の第１境界線４４内部の領域に対応し、図２の領域２３は図４の第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域に対応し、図２の領域２２は、図４の第２境界線４３の外側の領域に対応する。
【００１１】
本実施形態では、第１境界線４４と第２境界線４３との間に第３境界線４８を設定し、第３境界線４８によってその外縁を規定される領域を第１領域とし、第３境界線４８によってその内縁を規定される領域を第２領域とする。基板ステージ２が第２領域に位置するとき、基板３を位置決めするためのアライメントスコープ７による基板の位置計測、基板３のロード及び基板３のアンロードの少なくともいずれかがなされる。露光処理期間内において、定盤１の第２領域における温度上昇は、第１領域における温度上昇よりも小さい。第１実施形態では冷却ユニットは、熱量が大きく偏在する第３境界線４８の内側の第１領域内で冷媒を流す冷却管（第１冷却路）４５と、第３境界線４８の外側の第２領域内で冷媒を流す冷却管（第２冷却路）４７とを含む。第１冷却路４５を流れる冷媒は、第２冷却路４７を流れる冷媒よりも温度が低く制御される。定盤１の基板ステージ２とは反対方向の底面には断熱部材４２が設けられる。
【００１２】
図５は、基板ステージ２の駆動プロファイルである。図５の上側の図は基板ステージ２の速度プロファイルを示し、下側の図は基板ステージ２の加速度プロファイルを示している。図６は、第１領域を目標温度とするように、図５の駆動プロファイルに基づいて冷媒の温度をフィードフォワード制御する第１冷却路４５の冷媒の温度制御プロセスを示したブロック線図である。冷媒温度演算器６２が駆動プロファイルから定盤１で発生する熱量を演算し、冷媒温度制御器６３に第１冷却路４５に流入する冷媒の温度を指令する。冷媒温度制御器６３は第１冷却路４５の冷媒を指示された温度に調整する。第１実施形態では、駆動プロファイルから第２境界線４３で囲まれる領域における発熱量を見積もることができ、且つ第１冷却路４５に流入する冷媒の温度を算出できれば駆動プロファイルのフィードフォワードによって冷媒の温度を調整できる。
次に駆動プロファイルのフィードフォワードによる、第１冷却路４５に流入する冷媒の温度の制御について説明する。まず定盤１の熱量および図２の" 熱量の存在確率"を駆動プロファイルから算出できることを示し、次いで第１冷却路に流す冷媒の温度が算出できることを説明する。
【００１３】
＜固定子の熱量＞
平面モータは、定盤１の側にコイルがある場合と、基板ステージ２の側にコイルがある場合とがある。以下では基板ステージ２の側にコイルがあるとして説明する。定盤１から回収したい熱量は、定盤１の渦電流発熱量と基板ステージ２から伝達される熱量である。定盤１の渦電流発熱Q_eddyは図５の駆動プロファイルから下記の式１で求められる。なお、V_duty及びAcc_dutyは式２及び式３を用いてそれぞれ計算できる。また、Aは実験、解析から求めることができる定数である。
【数１】
2010258108.tif 000003
・・（式１）
【数２】
2010258108.tif 000004
・・・（式２）
【数３】
2010258108.tif 000005
・・・（式３）
基板ステージ２から伝達される熱量Q_trnsは、基板ステージ２の総発熱量Q_sldrと熱量の伝達割合γとから式４を用いて計算できる。
【数４】
2010258108.tif 000006
・・・（式４）
【００１４】
基板ステージ２の総発熱量Q_sldrの内訳は銅損Q_cと渦電流損Q_eであり、図５の駆動プロファイルから式５で求めることができる。なお、Q_c及びQ_eは式６及び式７を用いてそれぞれ計算できる。係数B、Cは定数であり、駆動プロファイルが決まると解析、実験等から決定できる。
【数５】
2010258108.tif 000007
・・・（式５）
【数６】
2010258108.tif 000008
・・・（式６）
【数７】
2010258108.tif 000009
・・・(式７)
式１、式４より定盤１から回収したい総熱量Q_pltnは、定盤１の渦電流発熱と基板ステージ２からの伝達熱量の和であるから式８となる。
【数８】
2010258108.tif 000010
・・・（式８）
以上で駆動プロファイルから定盤１から回収したい熱量Q_pltnを求めることできた。
【００１５】
次に図２の熱量の存在確率が駆動プロファイルから算出できることを説明する。
【００１６】
＜熱量の存在確率＞
定盤１の温度上昇の原因は渦電流による定盤１自らの発熱と、基板ステージ２から伝達される熱量の２つがある。まず定盤１自らの発熱について考える。定盤１の発熱は磁場の変動に起因する鉄損である。鉄損は渦電流成分とヒステリシス成分に分けられる。露光装置におけるステージ装置は高周波な磁場の切り替えを行っているため渦電流成分が支配的であり、本実施形態においては鉄損は「速度の２乗と加速度の２乗の積」に比例するとして計算する。
【００１７】
定盤１の表面をＮ個の領域に分割したときの"ｉ"番目の領域に注目して、この領域での定盤１自らの発熱量の存在確率をPe_iとすると、Pe_iは式９、式１０のように求めることができる。
【数９】
2010258108.tif 000011
・・・（式９）
【数１０】
2010258108.tif 000012
・・・（式１０）
式９は領域iにおける発熱量の時間平均に比例する量である。従って、式９を定盤１の表面において規格化した式１０は定盤１の表面の領域iにおける発熱量存在確率となる。Pe_iと式１のQ_eddyとの積が領域iにおける定盤１の渦電流発熱である。
【００１８】
次に基板ステージ２から定盤１への伝達熱量について考える。基板ステージ２側から定盤１への伝達熱量は銅損と鉄損の両方がある。銅損は加速度の２乗に比例する。基板ステージ２の鉄損成分について前述の定盤１の渦電流発熱と同様の考え方をすると、各領域における発熱量の存在確率は式１０と同じ式になる。ただし、領域iにおける熱量はQ_e×Pe_iとなり、定盤１に伝達される熱量はγ×Q_e×Pe_iとなる。
【００１９】
基板ステージ２の銅損による発熱量の存在確率については以下のように求めることができる。
【数１１】
2010258108.tif 000013
・・・（式１１）
【数１２】
2010258108.tif 000014
・・・（式１２）
領域iにおける銅損の熱量はQ_c×Pacc_iとなり、定盤１に伝達される熱量はγ×Q_c×Pacc_iとなる。
以上まとめると、定盤１の各領域における露光プロセス１回あたりの熱量Qplt_iは式１３で求めることができる。
【数１３】
2010258108.tif 000015
・・・（式１３）
【００２０】
次に定盤１の各領域での熱量の存在確率は、式１４で表される。
【数１４】
2010258108.tif 000016
・・・（式１４）
式１３を以下のように変形して式１４に代入すると式１５となる。
【数１５】
2010258108.tif 000017
・・・（式１５）
ここで、以下の式１６と置いて式１５を変形すると式１７となる。
【数１６】
2010258108.tif 000018
・・・(式１６)
【数１７】
2010258108.tif 000019
・・・（式１７）
式１７のA、B、C、γ、ηは、駆動プロセスおよび、実験、解析等によって決まる定数であるから、Pe_iとPacc_iの係数は定数である。
【００２１】
Pe_iとPacc_iの係数を式１８のように置くとKと(1-K)はそれぞれ定盤１に発生する銅損と鉄損の割合になっており、定盤１の各位置での熱量の存在確率は式１９のように算出される。
【数１８】
2010258108.tif 000020
・・・(式１８)
【数１９】
2010258108.tif 000021
・・・(式１９)
図２は式１９で表される各位置での定盤１の" 熱量の存在確率"を定盤１の表面の座標に合わせて表示したものである。ここまでで、定盤１の熱量の存在確率を駆動プロファイルから求めることを示した。
【００２２】
次に第１冷却路４５に流す冷媒の温度制御ができることを示す。
【００２３】
＜温調冷媒の温度制御＞
基板ステージ２の駆動範囲（第２境界線４３の内部領域）に対応する部分は、図２における領域２１と領域２３である。図２の領域２１と領域２３の熱量の存在確率の和をM％とすると基板ステージ２の駆動範囲において回収したい熱量Q_ctrlは式２０で表される。
【数２０】
2010258108.tif 000022
・・・（式２０）
一方、質量流量W[kg/s]、比熱C[J/(kg・K)]、流入温度T_ctrl[℃]の冷媒を流したときに第１冷却路４５の出口の温度がT_elm[℃]であったとすると、回収熱量Q_elmは式２１で表される。
【数２１】
2010258108.tif 000023
・・・（式２１）
【００２４】
このとき、温度制御された冷媒で基板ステージ２の駆動範囲の熱量を全て回収したいのだから、Q_ctrl=Q_elmとなる冷媒流入温度T_ctrlを計算すると、冷媒流入温度T_ctrlは式２２で表される。
【数２２】
2010258108.tif 000024
・・・（式２２）
従って、図６のように駆動プロファイルをフィードフォワードすることで冷媒温度演算器６２は冷媒温度を算出し、冷媒温度制御器６３によって第１冷却路４５に入る冷媒は熱回収に適した温度に制御される。
【００２５】
図７は第１実施形態における定盤１の表面の温度分布を示したものである。図３の従来技術における定盤１の表面の温度分布と比べ、冷媒の温度が異なる第１冷却路４５と第２冷却路４７とを配置することで発熱量の大きい基板ステージ２の動作範囲から集中的に熱回収することができる。また、第１冷却路４５を、基板ステージ２の動作範囲である第２境界線４３の内側ではなく、当該第２境界線４３より内側に配置される第３境界線４８の内側領域に配置した。その結果、第２境界線４３と第３境界線４８とで囲まれる領域が目標温度から大きく外れることを抑制することができる。本実施形態ではコイルが基板ステージ２の側にあることを前提としたが、これに代えて定盤１の側にコイルがある平面モータであってもよい。
【００２６】
［第２実施形態］
第１実施形態では、第１冷却路４５と第２冷却路４７との境界部分で定盤１の表面温度が上下に振れる。定盤１の発熱量が大きくなるとこの温度の振れ幅は大きくなる。第２実施形態では第１冷却路４５の冷媒によって冷却される領域（第１領域）をさらに２つの領域に分け、それぞれに個別の冷却路を設けることで固定子表面の温度の振れを低減する。図８に第２実施形態の冷却路を示す。
【００２７】
定盤１の表面を不図示の基板ステージ２が移動可能である。基板ステージ２は動作範囲８３を露光動作のために移動する。露光処理期間において第１境界線４４によってその外縁が規定される領域（第３領域）に基板ステージ２が常に存在する。そのため、第３領域は常に定盤１の渦電流発熱及び基板ステージ２からの伝達熱量に曝されるため最も大きな熱量が存在する部分である。第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域では駆動プロファイルに従って基板ステージ２が存在したりしなかったりを繰り返す。したがって、定盤１の熱量は、第１境界線４４で囲まれる領域（第３領域）で最も大きく、次いで第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域で２番目に大きく、第２境界線４３の外側で最も小さい。
【００２８】
このような熱量の偏在は、第１実施形態と同様に図２の"熱量の存在確率"に従う。定盤１の各位置での熱量は、定盤１の総熱量と図２の"熱量の存在確率"の積として求めることができる。図２の領域２１及び領域２３は、それぞれ、図８の第１境界線４４の内側領域、及び、第１境界線４４と第２境界線４３とで囲まれる領域に対応する。
【００２９】
第２実施形態では熱量が最も大きく偏在する、第１境界線４４の内側領域（第３領域）に第３冷却路４５ａを配置する。そして、第１境界線４４によってその外縁が規定され第３境界線によってその内縁が規定され、第３領域よりも露光処理期間内における温度上昇が小さい第４領域に第４冷却路４５ｂを配置する。すなわち、本実施形態では、第１領域が第３領域と第４領域とに分割され、第３領域内と第４領域内に個別の冷却路が設置される。第４冷却路４５ｂには、第３冷却路４５ａよりも低温の冷媒が流される。第３境界線４８の外側の第２領域には、第２冷却路４７が配置され、第２冷却路４７を流れる冷媒の温度は、第３冷却路４５ａ、第４冷却路４５ｂを流れる冷媒よりも温度が高い。定盤１の底面には断熱部材４２を設けられる。
【００３０】
第２実施形態では、第２境界線４３と第３境界線４８とで囲まれる領域における温度の振れを抑えるため、第３冷却路４５ａと第４冷却路４５ｂとに別個に温度制御した冷媒を流す。第３冷却路４５ａを流れる冷媒の温度は、図９の９aのような、基板ステージ２の駆動プロファイルに基づいてフィードフォワード制御される。これは前述の第１実施形態の第１冷却路４５に流す冷媒と同様の制御である。第４冷却路を流れる冷媒は、図９の９aに示されるフィードフォワード制御、又は、第４領域に設置された温度センサの検出結果に基づいてフィードバック制御が行われる。第１領域を第３冷却路４５ａと第４冷却路４５ｂを流れる温度の異なる２種類の冷媒によって冷却することで定盤１の発熱量が大きくなっても第２境界線４３と第３境界線４８とで囲まれる領域の表面温度の振れを抑えることができる。また、第４冷却路４５ｂを流れる冷媒の温度制御は、図１０のように、フィードバック制御とフィードフォワード制御とを組み合わせてもよい。第４冷却路４５ｂを流れる冷媒に対してフィードバック制御のみを行う場合、冷媒温度制御器１０５から定盤１までの距離が離れているなどして時定数が大きいと制御温度は目標値から大きくオーバーシュートすることが予想される。このような場合、フィードフォワード制御をフィードバック制御に加えることでオーバーシュートを小さくし、第２境界線４３と第３境界線４８とで囲まれる領域の温度変動への追随性を向上させることができる。
【００３１】
［デバイス製造方法］
次に、上記露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。その場合、デバイスは、前述の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、他の周知の工程とを経ることにより製造する。デバイスは、半導体集積回路素子、液晶表示素子等でありうる。基板は、ウエハ、ガラスプレート等でありうる。当該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、ダイシング、ボンディング、パッケージング等の各工程である。
【図１】
2010258108.tif 000025
【図２】
2010258108.tif 000026
【図３】
2010258108.tif 000027
【図４】
2010258108.tif 000028
【図５】
2010258108.tif 000029
【図６】
2010258108.tif 000030
【図７】
2010258108.tif 000031
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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