(57)【要約】【課題】トップエミッション型有機ＥＬ表示装置において、額縁領域の寸法を増大させずに、画面の輝度傾斜を小さくする。【解決手段】多数の画素を有する素子基板１０に、封止基板４０が周辺部に形成されたシール材５０を介して接着している。画素において、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極２３の間に挟持されている。上部電極２３がシール材５０の外側で、素子基板１０の端部にまで存在している。シール材５０の外側において、導電ペーストによって形成された電源線６０が上部電極２３と接続し、上部電極２３の電位降下を防ぎ、輝度の傾斜を抑制する。電源線６０がシール材５０の外側に形成されるので、額縁の寸法を小さくすることが出来る。【選択図】図２
2010026350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素と、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の、前記端子部が形成されている辺と対向する辺において、接続していることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記電源線は、金属微粒子ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記電源線は、黒鉛ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素が複数形成され、前記画素と画素の間にはバンクが形成され、前記バンクの上には、前記上部電極と接続している金属による補助電極が形成され、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする請求項６に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素と、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板をおおって、保護膜が形成されたトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、
前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とする請求項８に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記電源線は導電性ペーストを印刷によって塗布して形成されていることを特徴とする請求項８に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に、画面の輝度が均一で、かつ、表示領域周辺の額縁領域が小さいトップエミッション型有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ層から発光した光を、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型は有機ＥＬ層の面積を多く取ることが出来るのでディスプレイの明るさを大きくすることが出来るという利点がある。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では下部電極と上部電極との間に有機ＥＬ層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機ＥＬ層の発光を制御することによって画像を形成する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われる。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置では、このＴＦＴ等の上にも有機ＥＬ層を形成することが出来るので発光面積を大きくすることが出来る。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では上部電極から有機ＥＬ層に電流を供給する必要がある。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置は上部電極を通して光を取り出す必要があるので、上部電極は透明でなければならない。透明電極としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ（酸化錫）等が存在するが、これらの金属酸化物導電膜は抵抗が高い。
【０００５】
上部電極は、表示領域全体に共通に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極の抵抗が大きいと、上部電極の電源を供給する端子部付近の電位と端子部から遠い部分の電位とが異なることになり、表示領域内で輝度傾斜を生ずる。すなわち、端子部に近い部分は明るく、端子部から遠い部分は暗くなるという現象を生ずる。
【０００６】
「特許文献１」には、上部電極の抵抗を減少させるための構成が記載されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ層等が形成された素子基板と、有機ＥＬ層を水分から保護するための封止基板を、周辺に形成されたシール材を介して、素子基板に対向させて配置している。「特許文献１」では、上部電極の電圧降下を小さくするために、封止基板側にも並列に電源線を形成している。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３５４２７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
「特許文献１」に記載の技術は、封止基板あるいは封止キャップに上部電極を補助する電極を形成するが、この場合、トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置では、画面輝度のムラを生ずるおそれがある。また、電源は素子基板に供給されるが、素子基板から封止基板への電気的な接続の構造が必要である。
【０００９】
上部電極の抵抗を小さくするためには、上部電極の膜厚を大きくすれば良いが、上部電極の膜厚を大きくすると、トップエミッションにおいては、有機ＥＬ層からの光が上部電極に吸収されてしまい、画面の輝度が低下するという問題を生ずる。そこで、上部電極における電圧降下を小さくするために、表示領域周辺に電源線を配置し、表示領域周辺の電源線を上部電極の補助として用いて、上部電極における電圧降下を小さくすることが行われている。
【００１０】
一方、携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ）等に使用される小型の液晶表示装置では、画像表示領域の所定の面積を保ったまま、外形を小さくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域周辺の額縁の寸法を小さくする必要がある。
【００１１】
しかし、表示領域周辺に電源線を配置すると、額縁寸法が大きくなってしまい、上記のような要請に応えられない。本発明の課題は、画面の輝度傾斜を小さく保ちつつ、所定の表示領域面積を確保しつつ、有機ＥＬ表示装置の外形を小さくすることが出来る構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的手段は次のとおりである。
【００１３】
（１）下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（２）前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする（１）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（３）前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の、前記端子部が形成されている辺と対向する辺において、接続していることを特徴とする（１）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（４）前記電源線は、金属微粒子ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする（１）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（５）前記電源線は、黒鉛ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする（１）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１８】
（６）下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素が複数形成され、前記画素と画素の間にはバンクが形成され、前記バンクの上には、前記上部電極と接続している金属による補助電極が形成され、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００１９】
（７）前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする（６）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００２０】
（８）下部電極と上部電極によって有機ＥＬ層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板をおおって、保護膜が形成されたトップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００２１】
（９）前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とする（８）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【００２２】
（１０）前記電源線は導電性ペーストを印刷によって塗布して形成されていることを特徴とする（８）に記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置において、上部電極をシール材の外側にまで延在させ、シール材の外側において、電源線とシール材を接続するので、額縁の寸法を小さく保ったまま、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下実施例に従い、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１は本発明が適用されるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の画素部の断面図である。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層２２の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機ＥＬ層２２の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図１はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明は同様に適用することが出来る。
【００２６】
図１において、素子基板１０の上にはＳｉＮからなる第１下地膜１１と、ＳｉＯ２からなる第２下地膜１２が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層１３を汚染することを防止するためである。第２下地膜１２の上には半導体層１３が形成される。半導体層１３はＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜が形成されたあと、レーザー照射によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換する。
【００２７】
半導体層１３を覆って、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１４が形成される。ゲート絶縁膜１４を挟んで、半導体層１３と対向する部分にゲート電極１５が形成される。ゲート電極１５をマスクにして、半導体層１３にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層１３にソース部あるいはドレイン部を形成する。
【００２８】
ゲート電極１５を覆って層間絶縁膜１６がＳｉＯ２によって形成される。ゲート配線とドレイン電極１７を絶縁するためである。層間絶縁膜１６の上にはドレイン電極１７が形成される。ドレイン電極１７は層間絶縁膜１６およびゲート絶縁膜１４のスルーホール６５を介して半導体層１３のドレイン部と接続する。
【００２９】
その後、ＴＦＴを保護するために、ＳｉＮからなる無機パッシベーション膜１８が被着される。無機パッシベーション膜１８の上には、有機パッシベーション膜１９が形成される。有機パッシベーション膜１９は無機パッシベーション膜１８とともに、ＴＦＴをより完全に保護する役割を有するとともに、有機ＥＬ層２２が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜１９は１〜４μｍと、厚く形成される。
【００３０】
有機パッシベーション膜１９の上には反射電極がＡｌまたはＡｌ合金によって形成される。ＡｌまたはＡｌ合金は反射率が高いので、反射電極として好適である。反射電極は有機パッシベーション膜１９および無機パッシベーション膜１８に形成されたスルーホール６５を介してドレイン電極１７と接続する。
【００３１】
本実施例はトップアノード型の有機ＥＬ表示装置なので、有機ＥＬ層２２の下部電極２１はカソードとなる。したがって、反射電極として使用されるＡｌあるいはＡｌ合金が有機ＥＬ層２２の下部電極２１を兼用することが出来る。ＡｌあるいはＡｌ合金は仕事関数が比較的小さいので、カソードとして機能することが出来るからである。
【００３２】
トップカソード型の場合は、下部電極２１がアノードとなるので、下部電極２１にＩＴＯを用いる。また、有機ＥＬ層２２からの光の取り出し効率を上げるために、下部電極２１であるＩＴＯの下に反射電極を形成する。この場合、反射電極は反射率の良い、ＡｌまたはＡｌ合金を用いる。反射電極の存在によって、有機ＥＬ層２２から出た光は、図１の白抜きの矢印Ｌの方向に出射する。
【００３３】
下部電極２１の上には有機ＥＬ層２２が形成される。有機ＥＬ層２２は複数の層によって形成される。本実施例では、下層から電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層が形成されている。なお、ホール輸送層と上部電極２３の間にホール注入層を設ける場合もある。有機ＥＬ層２２の上にはアノードとなる上部電極２３が形成される。本実施例では上部電極２３としてはＩＺＯを用いている。ＩＺＯはマスクを用いず、表示領域１００全体に蒸着される。ＩＺＯの厚さは光の透過率を維持するために、３０ｎｍ程度に形成される。ＩＺＯはアニールをしない状態においては、ＩＴＯよりも抵抗が低い。
【００３４】
有機ＥＬ層２２は複数の層から成っているが、構成は次のとおりである。電子輸送層としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[２-[２-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス[５−(ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル]ベンゼン等を用いることができる。
【００３５】
電子注入層は電子輸送層に用いた物質に対して電子供与性を示す材料を共蒸着して形成した、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類、あるいはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いてもかまわない。
【００３６】
ホール輸送層は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。
【００３７】
発光層材料としては電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。
【００３８】
また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。
【００３９】
最上層である上部電極２３は光を取り出すために透明導電膜である必要がある。本実施例では上部電極２３はＩＺＯであるが、光の透過率と電気抵抗との兼ね合いで他の透明導電膜を用いても良い。さらに、Ａｕ、Ａｇ等の金属膜も薄くすると透明となるので、場合によっては上部電極２３として使用することが出来る。
【００４０】
なお、有機ＥＬ層２２が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク２０が形成される。バンク２０は有機材料で形成する場合もあるし、ＳｉＮのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。
【００４１】
上部電極２３は、有機ＥＬ層２２の上およびバンク２０の上等、有機ＥＬ表示装置の表示領域１００全体に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極２３の上には空間を挟んでガラスによって形成された封止基板４０が設置されている。有機ＥＬ層２２は水分が存在すると発光効率が低下するので、水分から保護するために封止基板４０が配置される。封止基板４０は、端部において、ＴＦＴ基板とシール材５０によって接着している。封止基板４０とシール材５０によって素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２は水分から保護される。
【００４２】
図２は、本実施例による有機ＥＬ表示装置の平面図である。図２において、素子基板１０と封止基板４０が周辺において、シール材５０によって接着しており、素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２を水分から保護する。シール材５０は例えば、エポキシ樹脂によって形成される。シール材５０の内側には表示領域１００が形成されている。表示領域１００とシール材５０の間の素子基板１０には、図示しない乾燥剤が配置されている。
【００４３】
素子基板１０は封止基板４０よりも大きく形成されており、図２における下側で、素子基板１０が一枚となった部分には端子部７０が形成されている。端子部７０には、外部回路と接続するためのフレキシブル配線基板と接続する端子の他に、有機ＥＬ表示パネルを駆動するための図示しないＩＣドライバが設置されている。
【００４４】
図２の特徴は、上部電極２３が素子基板１０と封止基板４０を接着するシール材５０の外側にまで形成されていることである。そして、シール材５０の外側に電源線６０を形成し、この電源線６０から上部電極２３に対して電流を供給する。電源線６０は厚く形成することが出来るので、電流が流れることによる上部電極２３の電圧降下は抑えられ、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。
【００４５】
電源線６０は図２の端子部７０から供給される。電源線６０は表面に配置されるので、フレキシブル配線基板等から直接電源を供給することもできるし、フレキシブル配線基板等からドレイン層と同層で形成された層に電流を供給し、スルーホールを介して電源線６０に電流を供給してもよい。この場合のスルーホールは端子部７０に形成するので、有機ＥＬ表示パネルの外形を大きくすることはない。
【００４６】
図２における電源線６０はシール材５０の長辺外側と、端子部７０と反対側のシール材５０の短辺外側に形成されている。図２では、端子側の短辺には電源線６０は配置されていない。しかし、端子部７０におけるフレキシブル配線基板等の接続に支障のない限りにおいて、端子部７０側の短辺にも電源線６０を配置してもよい。
【００４７】
図３は図２のＡ−Ａ断面図である。図３において、有機ＥＬ層２２等が形成された素子基板１０と封止基板４０とは周辺に形成されたシール材５０を介して接着している。図３において、素子基板１０には上部電極２３が形成されている。図３においては、上部電極２３の下の構成は省略されている。図３における上部電極２３は、表示領域１００全体を覆って形成され、さらに、シール材５０の外側にまで存在している。上部電極２３はＩＺＯによって形成されているが、ＩＺＯは金属酸化物であり、化学的に安定な材料であるので、シール材５０の外側に存在しても信頼性上問題となることはない。
【００４８】
図３において、シール材５０の外側に上部電極２３であるＩＺＯが延在した部分には、電源線６０が配置されている。この電源線６０は、表示領域１００の光透過とは関係がないので厚く形成することが出来る。また、電源線６０は透明電極である必要は無い。電源線６０を厚く形成することによって電源線６０の抵抗を下げ、上部電極２３の電圧降下を抑制する。
【００４９】
図３における電源線６０の材料としては、銀ペースト等の導電性ペーストを使用することが出来る。銀ペーストはエポキシ樹脂に銀の微粒子が分散されたもので、抵抗を小さくすることが出来る。銀ペーストは塗布によって形成することが出来る。銀ペーストの母材（有機媒体）であるエポキシは紫外線硬化型のものを使用してもよいし、熱硬化型のものを使用してもよい。熱硬化型の場合は、１００℃以下で硬化する材料とする必要がある。有機ＥＬ層２２は高温になると破壊するからである。
【００５０】
図３における電源線６０の材料は、銀ペーストの他にＮｉペースト、Ａｌペースト等を使用することが出来る。Ｎｉペーストとは有機媒体にＮｉの微粒子を分散させたものである。また、Ａｌペーストは有機媒体にＡｌの微粒子を分散させたものである。銀ペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペースト等を金属微粒子ペーストと呼ぶ。
【００５１】
さらに、電源線６０の材料として、黒鉛ペーストを使用することが出来る。黒鉛としては、グラファイトが、抵抗率が小さいので好適である。黒鉛ペーストは化学的には非常に安定であるとう特徴がある。また、グラファイト等は、粒子が非常に微細であるので、細かな凹凸やピンホールにも入り込むことが出来るので、安定した導通を得ることが出来る。
【００５２】
以上の導電ペーストの有機媒体はエポキシであるとしたが、エポキシに限らず、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等を使用することが出来る。ただし、これらの樹脂は、紫外線硬化型か、１００℃以下で熱硬化するような材料であることが必要である。
【００５３】
図４は図２のコーナー部分拡大図である。図４において、シール材５０の内側には点線で示す表示領域１００が形成されている。上部電極２３はシール材５０の外側にまで存在している。シール材５０の外側において、上部電極２３に重ねて電源線６０が形成されている。電源線６０は、パネルの周辺を囲むように形成されている。したがって、表示領域１００の周辺全体はほぼ同じ電位に保つことが出来る。
【００５４】
図４の他の特徴は、表示領域１００の端部から有機ＥＬ表示パネルの端部までの寸法である、いわゆる額縁寸法ｆを小さくすることが出来る点である。すなわち、本発明においては、電源線６０をシール材５０の外側に配置し、従来は使用していなかった、シール部の外側に電源線６０を配置している。したがって、後に示す従来の構成で必要としている電源線６０の幅、および、電源線６０と上部電極２３を接続するためのスルーホール６５を省略することが出来るからである。
【００５５】
図５〜図７は本発明に対する比較例としての従来例である。図５は従来例の平面図である。図５において、素子基板１０と封止基板４０がシール材５０を介して接着している。シール材５０の内部には点線で示す表示領域１００が形成されている。上部電極２３は表示領域１００よりもやや大きな面積にベタで形成されている。上部電極２３の電位の変化を緩和するために、電源線６０が表示領域１００の外側で、シール材５０の内側に延在している。電源線６０への電流は端子部７０から供給される。
【００５６】
図６は図５のＢ−Ｂ断面図である。図６において、有機ＥＬ層２２等が形成された素子基板１０と封止基板４０とは周辺に形成されたシール材５０を介して接着している。図６において、素子基板１０には上部電極２３が形成されている。図６においては、上部電極２３の下の構成は省略されている。図６における上部電極２３は、表示領域１００よりやや大きな面積に形成されている。
【００５７】
シール材５０の内側で、上部電極２３の周辺部には電源線６０が形成されている。図６では電源線６０の上に直接上部電極２３が重なったように記載しているが、実際には、電源と上部電極２３の間には、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜等の絶縁膜が存在している。したがって、電源線６０と上部電極２３は、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜に形成したスルーホール６５を介して接続している。
【００５８】
図７は図５のコーナー部分拡大図である。図７において、シール材５０の内側には点線で示す表示領域１００が形成されている。上部電極２３はシール材５０の内側で、表示領域１００よりもやや大きい面積で形成されている。電源線６０は上部電極２３の端部に重なって形成されている。図７において、電源線６０はドレイン電極と同層で形成されている。したがって、上部電極２３と導通をとるためには、電源線６０よりも上に形成されている無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜にスルーホール６５を形成する必要がある。
【００５９】
したがって、図７の構成では、表示領域１００の外側で、シール材５０の内側に電源線６０およびスルーホール６５のためのスペースを確保しておく必要がある。このために、表示領域１００の端部から有機ＥＬ表示パネルの端部までの寸法である額縁寸法ｆは本発明である図４の構成に比較して大きくなっている。
【００６０】
以上のように、本発明によれば、上部電極２３の電圧降下を抑え、画面輝度の傾斜を抑制することが出来る。そして、輝度傾斜を抑制するための電源線６０を、従来は使用されていなかった、シール材５０の外側に形成するので、額縁の幅を小さく抑えることが出来る。
【実施例２】
【００６１】
実施例の構成では、有機ＥＬ表示パネルの周辺に電源線６０を形成しているので、画面の上下、あるいは左右の輝度の傾斜は抑えることが出来る。しかしながら、実施例１の構成では、画面の周辺と画面の中央の輝度差は依然存在する。すなわち、画面周辺には、抵抗の十分小さい電源線６０を塗布によって形成するので、画面周辺の輝度はほぼ一定とすることが出来る。しかし、画面の中央は画面周辺から電流が供給されるので、上部電極２３の抵抗が大きいと、画面の周辺と画面の中央とで電位が異なることになり、輝度傾斜を生ずる。
【００６２】
図８はこのような、画面の周辺と画面の中央部との輝度傾斜を抑制する構成を与えるものである。図８において、赤画素１０１、緑画素１０２、青画素１０３がそれぞれ縦方向に配列している。図８において、画素と画素の間にはバンク２０が形成されている。画素の縦方向の画素と画素の間隔ｓ、すなわち、バンク２０の幅は２５μｍから３０μｍである。
【００６３】
図８では、縦方向の画素と画素の間隔ｓの部分に補助電極３０を横方向に延在させてて、上部電極２３の電圧降下を抑制している。補助電極３０の幅ｗは１０μｍから１５μｍである。補助電極３０はバンク２０の上に形成するので、厚く形成することが出来る。また、透明である必要は無いので、抵抗率の低い、ＡｌあるいはＡｌ合金が使用される。
【００６４】
図９は、図８のＡ−Ａ断面図である。図９における構成は補助電極３０と除いて図１で説明した構成と同様である。図９において、補助電極３０がバンク２０の上に形成されている。補助電極３０は、上部電極２３の上に形成するだけで上部電極２３の電圧降下を抑えることが出来る。したがって、上部電極２３を形成しても、額縁部の寸法を小さくすることが出来るという、本発明の利点を享受することが出来る。
【実施例３】
【００６５】
実施例１および実施例２では、有機ＥＬ層２２を水分から保護するために、封止基板４０を用い、封止基板４０と素子基板１０を周辺においてシール材５０によって接着し、外部からの水分の浸入を防止している。本実施例は封止基板４０を使用せずに、有機ＥＬを水分から保護する構成に対して本発明を適用した場合である。
【００６６】
図１０は本発明の第３の実施例である。図１０において、素子基板１０の表示領域１００内には図示しない有機ＥＬ層２２が形成されている。有機ＥＬ層２２の上には上部電極２３がＩＺＯによって形成されている。上部電極２３は端子部７０を除き、素子基板１０全面に形成されている。上部電極２３を覆って、一点鎖線で示す保護膜２００が形成されている。この保護膜２００は、外気の水分から有機ＥＬ層２２を保護するものである。保護膜２００は、ＳｉＯ２あるいはＳｉＮ、あるいはその両方によって形成される。さらに、低温で硬化する有機材料が使用されることもある。
【００６７】
保護膜２００は、素子基板１０の最外周までは形成されておらす、最外周においては、上部電極２３は保護膜２００によって覆われていない。しかし、ＩＺＯ等の金属酸化物は化学的には安定であり、保護膜２００で覆われていなくとも信頼性上は問題ない。最外周において、上部電極２３が保護膜２００によって覆われていない部分に電源線６０が塗布によって形成される。保護膜２００は端子部７０までには形成する必要がない。端子部７０に延在する走査線あるいは映像信号線は無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜によって保護されているからである。
【００６８】
図１０における電源線６０も実施例１で説明したような、銀ペースト、黒鉛ペースト等の導電ペーストを使用することが出来る。図１０における電源線６０は、素子基板１０の上に形成するので、印刷によって容易に形成することが出来る。電源線６０は端子部７０まで、延在して端子部７０から電流の供給を受ける。端子部７０における電流の供給の仕方は、実施例１で説明したのと同様である。
【００６９】
図１１は図１０のＤ−Ｄ断面図である。図１１において、上部電極２３が素子基板１０全体に形成されている。なお、図１１においては、上部電極２３より下層は省略されている。図１１において、上部電極２３の上には、保護膜２００が形成されている。保護膜２００は素子基板１０の最外周までは形成されていない。
【００７０】
最外周において、上部電極２３が保護膜２００によって覆われていない部分には電源線６０が形成されている。電源線６０は上部電極２３と直接接している。この場合の電源線６０は、印刷によって容易に形成することが出来る。
【００７１】
本実施例においては、上部電極２３を保護膜２００よりも外側まで存在させ、保護膜２００に対して電源線６０を直接、印刷等で塗布することによって上部電極２３における電圧降下を抑え、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。また、実施例３においても、実施例２で説明したような、補助電極３０を用いることによって輝度傾斜の影響をさらに軽減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２のコーナー部拡大図である。
【図５】従来例の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】図５のコーナー部拡大図である。
【図８】実施例２の表示領域の平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ断面図である。
【図１０】実施例３の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０…素子基板、  １１…第１下地膜、  １２…第２下地膜、  １３…半導体層、  １４…ゲート絶縁膜、  １５…ゲート電極、  １６…層間絶縁膜、  １７…ドレイン電極、  １８…無機パッシベーション膜、  １９…有機パッシベーション膜、  ２０…バンク、  ２１…下部電極、  ２２…有機ＥＬ層、  ２３…上部電極、  ３０…補助電極、  ４０…封止基板、  ５０…シール材、  ６０…電源線、  ６５…スルーホール、  ７０…端子部、  １００…表示領域、  １０１…赤画素、  １０２…緑画素、  １０３…青画素、  ２００…保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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