(57)【要約】【課題】インプリントテンプレートに対する基板の位置を決定する方法を記載する。【解決手段】インプリントテンプレートは少なくとも３つの格子を有し、基板は、各インプリントテンプレート格子が関連する基板格子と共に複合格子を形成するように配置された少なくとも３つの格子を有し、これら少なくとも３つのインプリントテンプレート格子と、関連する基板格子とは互いにずれている。本方法は、３つの複合格子で反射される放射の強度を検出すること、及び検出された強度を用いて、ある位置からの基板又はインプリントテンプレートの変位を決定することを含む。【選択図】図２ａ
2010067969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントテンプレートが少なくとも３つの格子を有し、基板が各インプリントテンプレート格子が関連する基板格子と共に複合格子を形成するように配置された少なくとも３つの格子を有し、前記少なくとも３つのインプリントテンプレート格子と関連する基板格子とが互いにずれている、インプリントテンプレートに対する基板の位置を決定する方法であって、
前記３つの複合格子で反射される放射の強度を検出するステップと、
前記検出された強度を用いて、ある位置からの前記基板又はインプリントテンプレートの変位を決定するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも３つの格子すべてが同一方向に延在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インプリントテンプレートが少なくとも３つの追加格子を有し、前記基板が少なくとも３つの追加格子を有し、前記少なくとも３つの追加格子が前記少なくとも３つの格子に対し横方向に延在する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ずれのうちの１つがゼロのずれであり、他の２つのずれが、別々の値の非ゼロのずれである、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
アライメント放射ビームが所与の格子に向けられ、その格子で反射される放射の強度が、前記アライメント放射ビームが別の格子に向けられる前に検出される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
アライメント放射ビームが複数の格子に同時に向けられ、別々の格子で反射される放射の強度が別々のディテクタで検出される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記アライメント放射ビームが、チップ傾斜鏡を使用して格子に向けられる、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記インプリントテンプレート格子がアライメント放射ビームの断面寸法よりも大きい、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２０本の格子ラインがアライメント放射ビームの断面寸法内に入るように、前記格子のピッチがアライメント放射ビームの断面寸法に対して十分に小さい、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記格子のピッチ、前記格子の寸法、及び前記格子の離隔距離が、非ゼロ回折次数のアライメント放射ビームが前記基板格子に入射するようにしてある、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記基板又はインプリントテンプレートを特定の位置になるまで移動させるステップと、前記基板及びインプリントテンプレートが前記特定の位置にあるときに、干渉計を使用して基板テーブル及びインプリントテンプレートホルダの位置を測定するステップと、引き続いて前記特定の位置からの前記基板テーブル及びインプリントテンプレートホルダの変位を測定し補正するステップとを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記インプリントテンプレートに対する前記基板の位置を決定するステップが、前記基板上にあるインプリント可能媒体を化学線放射ビームに露光している間に実行される、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記インプリントテンプレートが、独立して移動できる複数のインプリントテンプレートのうちの１つであり、前記方法がさらに、前記複数のインプリントテンプレートのうちの１つのインプリントテンプレートの位置を、前記複数のインプリントテンプレートのうちの別のインプリントテンプレートがパターンをインプリントしている間に決定するステップを含む、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートによってインプリントされる基板を保持するように構成された基板テーブルと、
アライメント放射ビームを前記インプリントテンプレート上のそれぞれ異なる場所に向けるように配置されたアライメント放射ビーム源及びビーム誘導装置と、
前記インプリントテンプレート及び前記基板の上に設けられた格子から反射されるアライメント放射の強度を検出するように配置されたディテクタとを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記ディテクタからの信号を受け取り、受け取られた前記信号を使用して前記インプリントテンプレートと前記基板の位置を決定するように構成されたプロセッサをさらに含む、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記ビーム誘導装置がチップ傾斜鏡を含む、請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
別々の格子で反射されたアライメント放射の強度を同時に検出するように配置された複数のディテクタを含む、請求項１３から１５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記インプリントテンプレートホルダ及び前記基板テーブルの位置を監視するように構成された干渉計をさらに含む、請求項１３から１６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記プロセッサが、前記ディテクタ及び前記干渉計から信号を受け取り、前記ディテクタ及び前記干渉計から受け取られた前記信号を使用して前記インプリントテンプレートと前記基板の位置を決定するように構成される、請求項１４及び１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記インプリントテンプレートホルダが、独立して移動できる複数のインプリントテンプレートホルダのうちの１つであり、前記装置が、前記インプリントテンプレートホルダのそれぞれに対し別個のビーム誘導装置を含む、請求項１３から１８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はインプリントリソグラフィに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィの分野では、与えられた基板面積あたりのフィーチャ密度を高めるために、リソグラフィパターンにおけるフィーチャサイズの微細化を実現させたいという要望が継続的に存在している。フォトリソグラフィの分野において、より微細なフィーチャを求めるための取組みが、液浸リソグラフィ及び超紫外線（EUV）放射リソグラフィなどの技術の発達をもたらしたが、これらを実施するには、かなり高いコストがかかってしまう。
【０００３】
[0003]  近年注目を集めている低コストなフィーチャの微細化実現手段として、いわゆるインプリントリソグラフィがある。インプリントリソグラフィは、一般に、パターンを基板上に転写するための「スタンプ」（インプリントテンプレートと称されることが多い）の使用を伴う。そして、インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、例えば放射源の波長又は投影システムの開口数等による制限を受けないことである。その代わり、解像度は、主にインプリントテンプレート上のパターン密度に制限されてしまう。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、一般的に複数のパターンを基板上に付する工程を伴い、これらのパターンが次々に積層され、それら複数のパターンが組み合わせられて、集積回路等のデバイスを形成する。各パターンの、先に形成されたパターンとのアライメントは、考慮すべき重要な事項である。各パターンが互いに十分正確にアライメントされない場合には、層間のいくつかの接続が行われないことになりうる。こうなると、デバイスが機能しなくなることもある。したがって、リソグラフィ装置は通常、各パターンを先に形成されたパターンとアライメントさせるためのアライメント装置を含む。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  したがって、例えば、新規で発明性のあるインプリントリソグラフィアライメントの装置及び方法を提供することは有利である。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートに対する基板の位置を決定する方法が提供され、このインプリントテンプレートは少なくとも３つの格子を有し、基板は、各インプリントテンプレート格子が関連する基板格子と共に複合格子を形成するように配置された少なくとも３つの格子を有し、これら少なくとも３つのインプリントテンプレート格子と、関連する基板格子とが互いにずれており、この方法は、３つの複合格子で反射される放射の強度を検出すること、及び検出された強度を用いて、ある位置からの基板又はインプリントテンプレートの変位を決定することを含む。
【０００７】
[0007]  本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、このインプリントテンプレートによってインプリントされるべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、アライメント放射ビームをインプリントテンプレート上のそれぞれ異なる場所に向けるように配置されたアライメント放射ビーム源及びビーム誘導装置と、インプリントテンプレート及び基板の上に設けられた格子から反射されるアライメント放射の強度を検出するように配置されたディテクタとを含む、リソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008]  添付の図を参照して本発明の特定の実施形態を説明する。
【図１ａ】[0009]マイクロコンタクトプリンティングの例を概略的に示す図である。
【図１ｂ】熱インプリントの例を概略的に示す図である。
【図１ｃ】紫外線（UV）放射インプリントの例を概略的に示す図である。
【図２ａ】[00010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【図２ｂ】[00010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【図３ａ】[00011]本発明の一実施形態によるインプリントテンプレートと基板のアライメントを概略的に示す図である。
【図３ｂ】[00011]本発明の一実施形態によるインプリントテンプレートと基板のアライメントを概略的に示す図である。
【図４】[00012]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の他の部分を概略的に示す図である。
【図５】[00013]本発明の一実施形態を適用できる代替リソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[00014]  図１ａ〜１ｃに、インプリントリソグラフィの３つの既知の手法の例が示されている。
【００１０】
[00015]  図１ａは、マイクロコンタクトプリンティングと称されることが多い、インプリントリソグラフィの一例を示すものである。マイクロコンタクトプリンティングは、分子１１（一般にチオールなどのインク）の層を、テンプレート１０（例えばポリジメチルシロキサンテンプレート）から、基板１２、平坦化及び転写層１２’によって支持されているインプリント可能媒体層１３の上に転写する工程を伴う。テンプレート１０は、その表面にフィーチャのパターンを有しており、フィーチャ上に分子層が設けられる。テンプレートをインプリント可能媒体層に押圧すると、分子１１の層がインプリント可能媒体層の上に転写される。テンプレートを取り除いた後、インプリント可能媒体をエッチングして、転写された分子層で覆われていないインプリント可能媒体の領域を、基板まで下方へとエッチングする。マイクロコンタクトプリンティングのさらなる情報については、米国特許第６１８０２３９号を参照されたい。
【００１１】
[00016]  図１ｂは、いわゆる熱インプリントリソグラフィ（又は熱エンボス）の一例を示す。典型的に、熱インプリントプロセスでは、基板１２の表面に設けられた熱硬化性又は熱可塑性のインプリント可能媒体１５にテンプレート１４をインプリントする。このインプリント可能媒体は、例えば樹脂であってよい。インプリント可能媒体は、例えば、基板表面上、又は図に示されているように平坦化及び転写層１２’上にスピン塗布して焼成することができる。熱硬化性ポリマー樹脂が使用される場合は、テンプレートとの接触時に、樹脂が十分に流動可能であり、テンプレート内に画定されたパターンフィーチャへと流れ込む温度にまで、樹脂を加熱する。次に、樹脂が固化して不可逆的に所望とするパターンとなるように、樹脂の温度を上昇させて樹脂を熱硬化（架橋）させる。その後、テンプレートは取り除かれ、パターン化された樹脂が冷却される。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用する熱インプリントリソグラフィでは、テンプレートによるインプリンティングの直前に熱可塑性樹脂が自由に流動可能な状態になるように、熱可塑性樹脂が加熱される。熱可塑性樹脂は、当該樹脂のガラス転移温度よりかなり高い温度まで加熱される必要がある。次に、テンプレートを流動可能となった樹脂に押し込み、テンプレートが同じ位置にある状態で、樹脂のガラス転移温度を下回るまで当該樹脂を冷却させ、パターンを硬化させる。その後、テンプレートは取り除かれる。パターンは、残存する樹脂層に浮かび上がった形のフィーチャからなり、次に、この残存層を適切なエッチング処理によって除去してパターンフィーチャだけを得ることができる。熱インプリントリソグラフィプロセスに使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例としては、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリスチレン、ポリ（メタクリル酸ベンジル）、又はポリ（メタクリル酸シクロヘキシル）がある。熱インプリントのさらなる情報については、米国特許第４７３１１５５号及び米国特許第５７７２９０５号を参照されたい。
【００１２】
[00017]  図１ｃは、ＵＶ放射インプリントリソグラフィの一例を示し、これは、透明テンプレート及びインプリント可能媒体としてのＵＶ放射硬化性液の使用を伴うものである（ここでは「ＵＶ」という用語を便宜上使用するが、これはインプリント可能媒体を硬化させるための任意の適切な化学線放射を含むものと解釈されたい）。ＵＶ放射硬化性液は、熱インプリントリソグラフィで使用される熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂よりも粘性が低いことが多いので、より高速に移動してテンプレートパターンフィーチャを充填可能である。図１ｂのプロセスと同様に、水晶テンプレート１６を基板１２の上（及び任意選択で平坦化及び転写層１２の上）のＵＶ放射硬化性樹脂１７に接触させる。しかし、熱インプリントのように熱サイクリング又は温度サイクリングを使用するのではなく、インプリント可能媒体上に水晶テンプレートを通して加えられるＵＶ放射でインプリント可能媒体を硬化させることによって、パターンを固化させる。その後、テンプレートが取り除かれる。パターンは、残存する樹脂層に浮かび上がった形のフィーチャからなり、次に、この残存層を適切なエッチング処理によって除去してパターンフィーチャだけを得ることができる。ＵＶ放射インプリントリソグラフィにより基板をパターニングする１つの特定の方法は、いわゆるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ（ＳＦＩＬ）であり、これを使用して、集積回路（ＩＣ）製造において従来から使用されている光学ステッパと同様に、小さな段差で基板をパターニングすることができる。ＵＶ放射インプリントのさらなる情報については、例えば、米国特許出願公開第２００４−０１２４５６６号、米国特許第６３３４９６０号、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ０２／０６７０５５、及びＪ．Ｈａｉｓｍａの「Ｍｏｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  ｒｅｌｉａｂｌｅ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ」という名称のＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１４（６）、Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  １９９６の論文を参照されたい。
【００１３】
[00018]  上記の各インプリント技術の組合せが可能である。例えば、インプリント可能媒体の加熱とＵＶ放射硬化との組合せを記載している米国特許出願公開第２００５−０２７４６９３号を参照されたい。
【００１４】
[00019]  図２は、本発明の一実施形態によるインプリントリソグラフィ装置を概略的に示す。図２ａを参照すると、インプリント可能媒体の層を載せた基板２０が、基板テーブル２２の上に用意されている。インプリントテンプレート２４がインプリントテンプレートホルダ２６によって保持されている。インプリントテンプレートホルダ２６の上に化学線放射源２８（例えばＵＶ放射源）が設けられている。放射源２８は、焦点領域又は焦点３０（化学線放射源２８が拡大放射源の場合は焦点領域、化学線放射源２８が点放射源の場合は焦点）を通過する化学線放射２９の集束ビームを供給するように構成される。焦点３０を越えたある距離のところに配置されたレンズ３２は、化学線放射ビーム２９を平行にし、それをインプリントテンプレートホルダ２６及びインプリントテンプレート２４に通して基板２０の上に向けるように構成される。
【００１５】
[00020]  リソグラフィ装置はさらに、非化学線放射源３４を備える。以下でアライメントビーム源３４と呼ぶこの放射源は、以下でアライメント放射ビームと呼ぶ平行化放射ビーム３５を発生する。チップ傾斜鏡３６がインプリントテンプレートホルダ２６の上に設けられている。チップ傾斜鏡３６は、２つの軸周りに傾斜させることができ、複数の向きの間で動かせるように構成される。回転可能な鏡３６のそれぞれ異なる向きにより、インプリントテンプレート２４の上に形成された別々のアライメントターゲット４２、４３に（又はこれらのアライメントターゲットの別々の部分に）アライメント放射ビームを向けることができる。各軸は、それを中心にチップ傾斜鏡３６を回して傾斜でき、例えば、基板テーブル２２の面に対して平行と直角にすることができる。
【００１６】
[00021]  リソグラフィ装置はさらに、ビームスプリッタ３８及びディテクタ４０を備える。ビームスプリッタ３８は、以下で説明するように、基板２０又はインプリントテンプレート２４から反射された、アライメント放射ビーム３５の一部分をディテクタ４０に向けるように構成される。ディテクタ４０は、プロセッサ４６に接続され、このプロセッサは、ディテクタからの出力を受け取り、この出力を使用して基板２０をインプリントテンプレート２４に対してアライメントさせる（あるいはインプリントテンプレートを基板に対してアライメントさせる）。
【００１７】
[00022]  化学線放射ビーム２９は、化学線放射ビーム２９をチップ傾斜鏡に当てないでチップ傾斜鏡３６をインプリントテンプレートホルダ２６の上に設けることができるように、焦点又は焦点領域３０を通過する。化学線放射及びチップ傾斜鏡３６の他の配置も使用することができる。例えば、チップ傾斜鏡をどこか別の場所に設けて、及び／又はチップ傾斜鏡以外のビーム誘導装置を使用して、アライメント放射ビームをインプリントテンプレートに向けることができる。例えば、レンズシステム、ミラーアレイ、又は他の光学デバイスを使用してもよい。化学線放射源を別の場所に設けて、例えばビーム操向鏡によって化学線放射ビームをインプリントテンプレートに向けることもできる。
【００１８】
[00023]  アライメント時、化学線放射源２８は、化学線放射ビーム２９がインプリントテンプレート２４又は基板２０の上に向けられないように、スイッチをオフにする（又は化学線放射ビームを遮る）。次に、インプリント可能媒体を備えて用意された基板２０を基板テーブル２２の上に置く。インプリントテンプレート２４の真下に基板が位置決めされるまで基板テーブルを移動させて、基板上に形成されたアライメントターゲット４４、４５の上にインプリントテンプレートアライメントマーク４２、４３を配置する。インプリントテンプレート２４は、基板２０の上に用意されたインプリント可能媒体と接触させることができる。基板テーブル２２は、例えばモータによって移動させることができる。基板テーブルの位置は、以下でさらに説明するように、例えば１つ又は複数の干渉計によって監視することができる。
【００１９】
[00024]  この最初のアライメント段階（粗動アライメントと呼ばれることがある）で基板テーブルが位置決めされる精度は、インプリントテンプレートアライメントマーク４２、４３と基板アライメントマーク４４、４５が、マーク４２〜４５を使用してアライメントを実施すること（微動アライメントと呼ばれることがある）を可能にするのに十分なだけ接近してアライメントされるような精度である。最終アライメントが行われた後、インプリント可能媒体がインプリントテンプレート２４のパターン凹部に流れ込むように、インプリントテンプレートホルダ２６を下降させる（及び／又は基板テーブルを上昇させる）。次に、インプリント可能媒体を硬化させる（かつそれによって固体化させる）ために、化学線放射ビーム２９をインプリント可能媒体の上に向ける。次に、インプリントテンプレート２４と基板２０を分離し、処理のために基板２０をリソグラフィ装置から取り外す。
【００２０】
[00025]  基板２０とインプリントテンプレート２４の間のアライメントは、以下のように実施する。チップ傾斜鏡３６を、それがアライメント放射ビーム３５を第１のインプリメントテンプレートアライメントターゲット４２の一部に向けるような向きにする。アライメント放射ビーム３５の一部がインプリントテンプレートアライメントターゲット４２から反射され、アライメント放射ビームの一部が基板アライメントターゲット４４の上まで進む。次に、アライメント放射ビーム３５の一部が基板アライメントターゲット４４から反射される。反射されたアライメント放射（すなわち、インプリントテンプレートアライメントターゲット４２及び／又は基板アライメントターゲット４４から反射されたアライメント放射）は、鏡３６まで後方に進む。鏡３６は、反射されたアライメント放射をビームスプリッタに向け、ビームスプリッタは、反射されたアライメント放射をディテクタ４０の上に向ける。ディテクタは出力信号を生成し、この信号はプロセッサ４６へ行く。
【００２１】
[00026]  次に、チップ傾斜鏡３６を、それがアライメント放射ビーム３５を第１のインプリントテンプレートアライメントターゲット４２の別の部分に向けるように新しい向き（図示せず）に動かすと、ディテクタ４０は再び出力信号を生成し、この信号はプロセッサ４６へ行く。こうすることを第１のインプリントテンプレートアライメントターゲット４２の他のそれぞれ異なる部分に対して繰り返すことができる。
【００２２】
[00027]  図２ｂを参照すると、次にチップ傾斜鏡３６を、アライメント放射ビーム３５が第２のインプリントテンプレートアライメントターゲット４３の一部及び関連する基板アライメントターゲット４５の一部に向けられるように、新しい向きに動かす。再び、アライメント放射ビーム３５の一部が反射して、鏡３６及びビームスプリッタ３８を介してディテクタ４０まで戻される。ディテクタ４０は再び出力信号を生成し、この信号はプロセッサ４６へ行く。
【００２３】
[00028]  次に、アライメント放射ビーム３５を第２のインプリントテンプレートアライメントターゲット４３の別の部分に向けるように、チップ傾斜鏡３６を別の向きに動かす。
【００２４】
[00029]  チップ傾斜鏡３６は、アライメント放射ビーム３５を別のインプリントテンプレートアライメントターゲット（図示せず）に向けるように、別の向きに動かすことができる。
【００２５】
[00030]  プロセッサ４６は、ディテクタ４０からの信号出力を使用して基板２０（及び／又はテンプレート２４）の、所望のアライメント位置からの距離を決定する。所望のアライメント位置とは、例えば、インプリントテンプレート２４上に形成されたパターンが、基板２０上に形成されたパターンとアライメントする位置である。次に、プロセッサは、基板２０が所望のアライメント位置になるまで基板テーブル２２を（及び／又はインプリントテンプレート２４が所望のアライメント位置になるまでインプリントテンプレートホルダ２６を）移動させる。
【００２６】
[00031]  インプリント基板２０をインプリントテンプレート２４に対して（又はその逆に）アライメントさせるのに使用できる信号をテンプレートアライメントターゲット４２、４３と基板アライメントターゲット４４、４５が生成する方法は、図３に概略的に示されている。
【００２７】
[00032]  図３ａは、インプリントテンプレート２４及び基板２０の、図２ａで点線の丸で囲まれた部分をより詳細に示す。図３ａから分かるように、第１のインプリントテンプレートアライメントターゲット４２は、インプリントテンプレート２４の最下面に形成された少なくとも３つの格子４２ａ〜ｃを含む。関連する基板アライメントターゲット４４もまた、基板２０の最上面に形成された少なくとも３つの格子４４ａ〜ｃを含む。インプリント可能媒体の層５０が、インプリントテンプレート２４と基板２０の間に形成されている。
【００２８】
[00033]  各格子４２ａ〜ｃ、４４ａ〜ｃの周期は同一である。しかし、基板格子４４ａ〜ｃは、インプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃに対してずれている。図３ａに示された例では、理解しやすいようにインプリントテンプレート２４と基板２０は、中央のインプリント格子４２ｂと中央の基板格子４４ｂがアライメントするように位置合わせされている。右側のインプリントテンプレート格子４２ａに対する右側の基板格子４４ａのずれは、距離「−ｄ」である。左側のインプリントテンプレート格子４２ｃに対する左側の基板格子４４ｃのずれは、距離「＋ｄ」である。
【００２９】
[00034]  本発明の一実施形態の動作を図３ｂに関して説明する。基板２０とインプリントテンプレート２４の間の粗動アライメントは、前述のように実施される。この粗動アライメントの結果、インプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃは基板格子４４ａ〜ｃの上に配置される。しかし、図３ａに示されるように、これらはアライメントしていなく、ある程度のミスアライメントを含む。
【００３０】
[00035]  チップ傾斜鏡３６を使用して、アライメント放射ビーム３５をインプリントテンプレートアライメントターゲット４２に向ける。アライメント放射ビーム３５は、アライメントターゲット４２全体を照射するのではなく、インプリントテンプレートアライメントターゲット４２ａ〜ｃそれぞれを順に照射する。
【００３１】
[00036]  最初にアライメント放射ビーム３５を右側のインプリントテンプレートアライメントマーク４２ａに向ける（アライメント放射ビームをここでは３５ａと表示）。アライメント放射ビーム３５ａが格子の縁部を越えて広がらないように、アライメント放射ビーム３５ａの断面寸法（例えば、直径又は幅）は、インプリントテンプレート格子４２ａの寸法と比べて十分に小さい。インプリントテンプレート格子４２ａと基板格子４４ａ（ならびにインプリントテンプレート格子４２ｂと基板格子４４ｂ、インプリントテンプレート格子４２ｃと基板格子４４ｃ）は、一緒に複合格子を形成すると考えることができる。この複合格子は、アライメント放射ビーム３５ａの一部を反射してディテクタ（図２ａ参照）まで戻す。反射されたアライメント放射は、アライメント放射を反射したゼロ次回折を受けたと考えることができる。ディテクタ４０は、ゼロ次アライメント放射だけを検出する。これは、１次又はそれより高次の回折放射の有意な量は検出しない。
【００３２】
[00037]  複合格子という用語は、一方の格子で回折された放射のうちのかなりの部分が他方の格子に入射するように構成された２つの格子を意味すると解釈することができる。複合格子で反射される放射の量は、それぞれのインプリントテンプレート格子と基板格子のアライメントの程度によって決まる。格子のピッチは、アライメント放射ビームの波長と同じ程度とすることができるが、その結果、複合格子による放射の反射を決定する物理的過程が複雑になる。以下は、直感的な理解を助けるための、幾何光学に基づく簡略化した説明である。
【００３３】
[00038]  基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃの反射ラインは、それぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃの反射ラインに加えて、放射を上方にディテクタ４０まで反射する。基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃ、ならびにそれぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃで反射される放射の量は、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃがそれぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃとアライメントする程度によって決まる。インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃと、それぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃとが、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃの線がそれぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃの線の直下に配置された場合、アライメント放射ビーム３５ａのほとんどが、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃから反射されない。これは、インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃの反射ラインの間を通過するアライメント放射がそれぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃの反射ラインに入射するのではなく、かなりの割合の放射が反射されずにこれらのラインの間を通過するからである。反対の極端な場合では、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃが、それぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃに対して位相がずれるように（すなわち基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃのラインがそれぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃの隙間の下にあるように）配置されるものとすれば、インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃのラインの間を通過したアライメント放射は、それぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃのラインに入射することになる。したがって、かなりの量のアライメント放射が基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃで反射されるはずである。
【００３４】
[00039]  インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃと、それぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃによって形成された複合格子によるアライメント放射の反射を決定する物理的過程は、上記で説明したものよりも複雑である。しかし、その結果、すなわち、ディテクタ４０に入射する放射の量は、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃがそれぞれのインプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃとアライメントする程度によって決まるということは同じである。
【００３５】
[00040]  図３ｂは、基板２０がインプリントテンプレート２４に対してあまりに左側に（すなわち負のｘ方向のあまりに遠くに）配置された状況を示す。この場合では、左側の基板格子４４ｃと組み合わされた左側のインプリントテンプレート格子４２ｃからディテクタ４０（図２参照）で検出される反射されたアライメント放射の強度は、中央の基板格子４４ｂと組み合わされた左側のインプリントテンプレート格子４２ｂから検出される強度よりも大きい。中央の基板格子４４ｂと組み合わされた中央のインプリントテンプレート格子４２ｂからディテクタ４０で検出される反射されたアライメント放射の強度は、右側の基板格子４４ａと組み合わされた右側のインプリントテンプレート格子４２ａから検出される強度よりも大きい。
【００３６】
[00041]  チップ傾斜鏡３６を使用して、アライメント放射ビーム３５をインプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃそれぞれに順に向ける。これは、図３ｂに３つの矢印３５ａ〜ｃで示されている。各格子で反射される放射の強度は、ディテクタ４０によって毎回検出される。
【００３７】
[00042]  ディテクタ４０に入射する、（格子から反射された）ゼロ次反射強度として考えることができる反射の強度は、ｘ方向の変位の二次式の関数として変化しうる。これは、次式で表すことができる。
Ｉ＝Ｉ０＋Ｋｘ２            （式１）
【００３８】
[00043]  これを図３に示された３つの格子対のそれぞれに適用すると、次式が得られる。
Ｉａ＝Ｉ０＋Ｋ（ｘ−ｄ）２
Ｉｂ＝Ｉ０＋Ｋｘ２            （式２）
Ｉｃ＝Ｉ０＋Ｋ（ｘ＋ｄ）２
ここでＩ０及びＫは定数であり、ｄはインプリントテンプレート格子に対する基板格子のずれを表し、ｘは基板とインプリントテンプレートの間のミスアライメントである。
【００３９】
[00044]  式２を用いて、基板とインプリントテンプレートの間のミスアライメントｘを決定することができる。ＩｃとＩａの差を取ると次式が得られる。
Ｉｃ−Ｉａ＝４Ｋｘｄ            （式３）
ＩｃとＩａの平均を取り、この平均にＩｂを加えると次式が得られる。
Ｉａ＋Ｉｃ−２Ｉｂ＝２Ｋｄ２      （式４）
最後に、各式からｋを消去して次式を得ることができる。
【００４０】
【数１】
2010067969.tif 000003
【００４１】
[00045]  式５に基づくアルゴリズムを用いることにより、プロセッサ４６は、ディテクタ４０から出力された強度値を処理して、基板２０とインプリントテンプレート２４の間のミスアライメントｘを求めることができる。ミスアライメントｘを決定した後、基板テーブル２２を移動させて基板２０をインプリントテンプレート２４とアライメントさせる（すなわちミスアライメントを除去又は縮小する）。別法として、又は加えて、インプリントテンプレートホルダ２６を移動させてインプリントテンプレート２４を基板２０にアライメントさせることもできる。
【００４２】
[00046]  基板２０をインプリントテンプレート２４にアライメントさせた後、インプリントテンプレートを基板２０の方に押し下げて、インプリント可能媒体５０が、インプリントテンプレート上に形成されたパターンの凹部に流れ込むようにする。化学線放射源２８のスイッチをオンに（又は化学線放射ビーム２９が遮られないように）して、化学線放射のビームをインプリント可能媒体５０に向ける。インプリント可能媒体が固体化し、それによって、インプリントテンプレート２４によってインプリントされたパターンが保持される。次に、インプリントテンプレート２４と基板２０を、例えば、基板テーブル２２をインプリントテンプレートから離して下方へ移動させることによって、あるいはインプリントテンプレートホルダ２６を基板から離して上方へ移動させることによって分離する。次に、基板２２を基板テーブル２２から取り除き、別の基板を基板テーブルの上に置く。次いで、アライメントプロセス及びインプリントプロセスを繰り返す。
【００４３】
[00047]  式１〜５は、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃのずれ＋ｄ、−ｄがなぜ有用であるかを示す。これらのずれは、それぞれの格子で反射されたアライメント放射の強度により有用な情報が確実に得られるようにするのに役立つ。ずれが与えられないものとすれば、基板とインプリントテンプレートアライメントの各組合せは同じ情報をもたらし、基板とインプリントテンプレートのミスアライメントを決定するために利用できる情報が十分にはないことになる。
【００４４】
[00048]  図では基板格子４４ａ〜ｃをずらして示しているが、追加して、あるいは別法として、インプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃをずらすこともできる。実際、これらのずれが基板格子とインプリント格子の間の相対的なずれであるので、基板格子の正のずれは、インプリントテンプレート格子の負のずれと等価と考えることができる。
【００４５】
[00049]  図示のずれは、反対の位置にある２つの等しいずれ、及びゼロのずれ（−ｄ、＋ｄ、及び０）を含むが、他のずれを使用することもできる。３つの未知のパラメータ、すなわちアライメント誤差、反射されたアライメント放射の平均値（I0）、及び式１で定義される放物線の曲率（K）があるので、３つの異なるずれが用いられるべきである。ずれは任意の適切な値を有することができる。オフセットの１つはゼロとすることができる（本明細書では、ゼロを１つのずれとみなす）。
【００４６】
[00050]  アライメント放射ビーム３５は、例えばレーザビーム（例えば単色ビーム）、あるいは別法として、分散光源により発生させる白色光又は他の何らかの広帯域放射でよい。アライメント放射ビーム３５は、例えば６３２ｎｍの波長を有し、例えばヘリウム−ネオンレーザによって発生させる。
【００４７】
[00051]  格子は、例えば４０×４０μｍという寸法である。格子は、他の任意の適当な寸法としてよい。しかし、上述のように格子は、アライメント放射ビームが格子の縁部を越えて広がらないように、アライメント放射ビームの断面と比べて十分に大きくなければならない。
【００４８】
[00052]  基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃは、部分的に反射性とすることができる。インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃは、部分的に反射性とすることができる。
【００４９】
[00053]  インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃと、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃとは、格子間を伝搬するための、非ゼロ回折次数を可能にするのに十分なだけ大きいピッチを有しなければならない（「非ゼロ回折次数」という用語は、本明細書ではゼロ次以外の回折次数を指す）。このピッチがあまりに小さいものとすれば、インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃによって形成される非ゼロ回折次数は、それぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃの外側にくる。アライメント放射ビーム３５が６３２ｎｍの波長を有するものとすれば、格子のピッチは、例えば３００ｎｍ以上になる。
【００５０】
[00054]  少なくとも２０本の格子ラインが測定スポットの直径内に入るように、インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃのピッチと、基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃのピッチとは、それぞれのアライメント放射ビーム３５ａ、３５ｂ、及び／又は３５ｃの断面寸法（以下では測定スポット径と呼ぶ）と比べて十分に小さくすることができる。測定スポットは、例えば２０〜３０ミクロンの直径を有する。この場合、格子の最大ピッチは約１．５ミクロンになる。
【００５１】
[00055]  図３で、インプリントテンプレート２４の最下面と基板２０の最上面の間に隙間「Ｚ」が表示されている。この隙間Ｚは、インプリント可能媒体５０で充填される。隙間Ｚの寸法は、インプリントテンプレート格子４２ａ、４２ｂ、及び／又は４２ｃから送出されたアライメント放射が発散し始めるけれども、その発散するアライメント放射がそれぞれの基板格子４４ａ、４４ｂ、及び／又は４４ｃの上に完全にくるような寸法とすることができる。一般に、この隙間は、インプリント可能媒体５０の存在する量など、インプリントリソグラフィの態様によって定めることができる。通常、隙間が１〜２ミクロン以上になることはほとんどないが、数ミクロンになることもある。
【００５２】
[00056]  ディテクタ４０は、例えば１０以上のスペクトル分解能を有する波長識別装置を含むことができる。この波長識別装置は、例えばアライメント放射源３４が広帯域放射源である場合に使用することができる。フィルタなどの波長識別装置は、反射されるアライメント放射の、隙間Ｚの関数としての変化が波長に依存するので有用である。アライメント放射源３４がヘリウム−ネオンレーザなどの狭帯域放射源である場合には、ディテクタ４０は、例えば、波長識別装置のないフォトダイオードでよい。
【００５３】
[00057]  基板とインプリントテンプレートの間の最初のアライメント（粗動アライメント）は、ターゲット４２、４４によって与えられるキャプチャレンジ内でなければならない。「キャプチャレンジ」という用語は、アライメント位置からの基板及び／又はテンプレートのミスアライメントの、格子を使用してアライメントを実施できる範囲を意味するものである。本発明の一実施形態のキャプチャレンジは、格子のピッチよりも小さい。このキャプチャレンジは、ターゲット４２、４４の格子のピッチの約４分の１である。キャプチャレンジと格子ピッチの間のこの関連は、使用される格子ピッチに影響を及ぼすことがある。より小さい格子ピッチでは、粗動アライメントで格子をキャプチャレンジ内にアライメントさせることを確実にするのに、粗動アライメントのより高い精度が必要になる。
【００５４】
[00058]  アライメント放射ビーム３５がインプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃのそれぞれに順に連続して向けられる本発明の一実施形態を説明してきたが、本発明の一実施形態では、アライメント放射ビームをインプリントテンプレート格子のそれぞれに同時に向けることもできる。これは、例えば、３つのインプリントテンプレート格子４２ａ〜ｃを同時に照射する３つの別個のビームにアライメント放射ビームを分割することにより行うことができる。反射されたアライメント放射を同時に測定するには、３つのディテクタを使用することができる。一実施形態では、任意の数の別個のアライメントビーム及びディテクタを使用することができる。任意の数のチップ傾斜鏡又は他のビーム誘導装置を使用することもできる。
【００５５】
[00059]  インプリントテンプレートは、（例えば図２に示されているように）１回で基板全体をインプリントするのに十分な大きさのインプリントテンプレートとすることができる。この場合、インプリントテンプレートは、それぞれが別個のデバイスを形成できる多数のパターンを備えることができる。
【００５６】
[00060]  別法として、インプリントテンプレートで基板の一部をインプリントすることもできる。この場合には、次に、インプリントされた基板の部分からインプリントテンプレートを取り外し、それを基板の別の部分をインプリントするために使用する。これを基板の所望の部分すべてがインプリントされるまで繰り返す。必要とされるとおりにインプリントテンプレートが基板の各部分とアライメントできるように、アライメントターゲット（アライメント格子を含む）を基板上の多数の場所に設けることができる。
【００５７】
[00061]  本明細書に記載のアライメントターゲットは、ｘ方向に延びる格子を含むことができ、したがって、ｘ方向における基板とインプリントテンプレートの間のアライメントが可能になる。別法として、又は加えて、ｙ方向に延びるアライメント格子を含むアライメントターゲットを設けて、ｙ方向における基板とインプリントテンプレートの間のアライメントを得ることもできる。
【００５８】
[00062]  図示の実施形態では、２つのインプリントテンプレートターゲット４２、４３だけが示されているが、任意の数のインプリントテンプレートアライメントターゲットを設けることができる。例えば、ｘ方向のアライメントを可能にする２つのインプリントテンプレートアライメントターゲットと、ｙ方向のアライメントを可能にする２つのインプリントテンプレートアライメントターゲットとを設けることができる（この数は、インプリントテンプレートと基板のアライメントを実現するためのアライメントターゲットの有用な数でありうる）。ｘ方向のアライメントを可能にする３つ、又は４つ以上のインプリントテンプレートアライメントターゲットと、ｙ方向のアライメントを可能にする３つ、又は４つ以上のインプリントテンプレートアライメントターゲットとを設けることもできる。
【００５９】
[00063]  説明した実施形態では、アライメントは、基板テーブル２０をｘ方向及びｙ方向に移動させることによって実施される。しかし、インプリントテンプレート２４をｘ方向及びｙ方向に移動させてアライメントを実施することが可能である。これは、基板テーブル２０をｘ方向及びｙ方向に移動させる代わりに、又はそれと共に行うことができる。大まかには、基板とインプリントテンプレートの間に相対的な移動があるといえる。
【００６０】
[00064]  本発明の実施形態の利点の１つは、それが（位相−格子アライメントに基づくシステムの場合のように）、アライメント信号を得るために各格子を互いにスキャンすることを必要としないことである。
【００６１】
[00065]  本発明の一実施形態の別の利点は、それが画像ディテクタを必要とせず、その代わりに強度検出に依拠できることである（強度ディテクタは一般に、画像ディテクタよりも安価である）。
【００６２】
[00066]  本発明の上記の実施形態は、上述のように、インプリントテンプレート２４と基板２０の間のアライメントに用いることができる。場合によっては、インプリントテンプレート２４と基板２０の間のアライメントをある期間にわたり監視することが望ましいことがある。インプリント可能媒体が確実に硬化し、それによって固体化するように、例えば、インプリント可能媒体５０を化学線放射ビーム２９に数秒間露光させる。この期間中、インプリントテンプレート２４と基板２０の間のアライメントを監視して、この期間中のアライメント位置からの偏移を最小化又は縮小することが望ましい。
【００６３】
[00067]  上記の本発明の実施形態では、応答の速度が比較的遅く（例えば０．１秒、又はそれより遅い）、したがって、これよりも速く発生するアライメント偏移を測定及び補償できないことがある。より速い応答速度を有することができ、したがって、そのようなアライメント偏移を測定及び補償できるアライメント装置が図４に示されている。
【００６４】
[00068]  図４は、インプリントリソグラフィ装置の一部を示す。図４に示されたフィーチャの多くは、図２に示されたフィーチャに対応する。この場合、それらのフィーチャには共通の参照数字が示されており、ここでは詳細に説明しない。
【００６５】
[00069]  図４で、基板２０が基板テーブル２２上に保持され、インプリントテンプレート２４がテンプレートホルダ２６によって保持されている。アライメントターゲット４２、４３がインプリントテンプレート上に設けられ、かつそれらが基板２０上に設けられた対応するアライメントターゲット４４、４５の上に配置されている。インプリント可能媒体５０がインプリントテンプレート２４と基板２０の間に与えられている。
【００６６】
[00070]  図４の装置はさらに干渉計６０を含み、この干渉計は、基板テーブル２２の側面に設けられた鏡６２にコヒーレント放射ビームを向けるように配置される。この干渉計は、以下では基板テーブル干渉計６０と呼ぶ。この装置はさらに干渉計６４を含み、この干渉計は、インプリントテンプレートホルダ２６の側面に設けられた鏡６６に放射ビームを向けるように配置される。この干渉計は、以下ではインプリントテンプレートホルダ干渉計６４と呼ぶ。干渉計６０、６４からの出力は、プロセッサ４６へと進む（図２に示された、ディテクタ４０からの信号出力を受け取るプロセッサと同じ）。
【００６７】
[00071]  干渉計６０、６４は、それぞれ基板テーブル２２及びインプリントテンプレートホルダ２６の位置を例えば数ナノメートル程度の高精度で測定することができる。これらの干渉計は、図２及び図３に関して上記で説明したアライメント装置よりも速い応答速度を有することができる。干渉計は、例えばキロヘルツ程度の帯域幅を有する。
【００６８】
[00072]  基板２０は、基板テーブル２２にしっかりと固定することができる。これは、例えば、基板テーブル２２を介して基板２０の最下面に真空を加えることによって実施することができる。基板２０が基板テーブル２２にしっかりと固定されているので、干渉計６０が基板テーブル２２の動きを検出するときには基板２０もまた同じ動きをしていることになる。したがって、基板２０の動きは基板テーブル干渉計６０を使用して監視することができる。
【００６９】
[00073]  インプリントテンプレート２４は、テンプレートホルダ２６によってしっかりと保持される。したがって、インプリントテンプレート２４の動きは、インプリントテンプレートホルダ干渉計６４を使用して監視することができる。
【００７０】
[00074]  ディテクタ４０（図２参照）と干渉計６０、６４は、これらが互いに相対的に動かないように（満足なアライメントを実現するのに必要な許容範囲内にあるように）固定して保持することができる。例えば、ディテクタ４０と干渉計６０、６４は、リソグラフィ装置のフレーム（メトロロジーフレームと呼ばれることがある）上に取り付けられる。
【００７１】
[00075]  アライメント中、基板２０とインプリントテンプレート２４の間のアライメント位置は、アライメントターゲット４２〜４５及びディテクタ４０を使用して決定される。このアライメント位置での基板テーブル２２及びインプリントテンプレートホルダ２６のそれぞれの位置は、干渉計６０、６４を使用して測定することができる。基板テーブル２０又はインプリントテンプレートホルダ２６の、続いて起こるアライメント位置から離れる偏移は、干渉計６０、６４によって測定し、プロセッサによって補正することができる。こうすることで、例えば、加熱、機械的外乱、又は他の要因により生じうるアライメント位置からの偏移を補正することが可能になる。
【００７２】
[00076]  干渉計６０、６４を使用して、インプリントテンプレートを基板から取り外す間に（すなわち、インプリント可能媒体５０が硬化した後に）、基板２０及び／又はインプリントテンプレート２４のアライメント位置から離れる偏移を縮小又は最小化することができる。
【００７３】
[00077]  ディテクタ４０と干渉計６０、６４は同じフレーム上に保持されると説明したが、別々のフレーム上に保持することもできる。この場合には、１つの干渉計を使用して各フレーム間の相対的な動きを監視することができる。
【００７４】
[00078]  本発明の一実施形態を適用できる別のインプリントリソグラフィ装置が図５に概略的に示されている。基板２０が、基板テーブル２２上に保持されインプリント可能媒体５０を備える。基板２０は、複数のアライメントターゲット４４、４５、１４４、１４５を備える（他にもアライメントターゲットが存在するが符号を付けていない）。第１のインプリントテンプレートホルダ２６ａが第１のインプリントテンプレート２４ａを保持し、第２のインプリントテンプレートホルダ２６ｂが第２のインプリントテンプレート２４ｂを保持する。インプリントテンプレートホルダ２６ａ、２６ｂそれぞれは両方がＺ方向に独立して移動可能であり、任意選択で、基板テーブル２２の面と平行な面内で独立して移動可能である。各インプリントテンプレート２４ａ、２４ｂは、複数のアライメントターゲット４２、４３、１４２、１４３を備える。
【００７５】
[00079]  第１及び第２のインプリントテンプレート２４ａ、２４ｂは、別々に基板２０の方へ、又はその上のそれぞれ異なる場所まで移動させ、前述のようにパターンを基板上にインプリントするのに使用する。第１及び第２のインプリントテンプレート２４ａ、２４ｂは基板２０よりも小さく、したがって、基板の表面を覆ってパターンをインプリントするために、複数のインプリントテンプレートによる複数回のインプリントが必要である。
【００７６】
[00080]  場合によって、第１のインプリントテンプレート２４ａがすでにアライメントされており、それがパターンをインプリント可能媒体５０にインプリントする一方で、第２のインプリントテンプレート２４ｂを基板２０に対してアライメントさせること（又はその逆）が望ましいことがある。これは図５に、第１のインプリントテンプレート２４ａを介して基板上に向けられた化学線放射１２９を示す矢印と、第２のインプリントテンプレート２４ｂのｘ方向の移動を示す両方向矢印とで表されている。この場合には、第２のインプリントテンプレート２４ｂのアライメント中に基板テーブル２２を移動させないことが望ましいことがある。
【００７７】
[00081]  従来の位相格子をベースとするアライメントシステムでは、第２のインプリントテンプレート２４ｂをアライメントさせながら、第１のインプリントテンプレート２４ａを用いてインプリントするのは不可能なことがある。これは、位相格子アライメント信号を発生させるために基板テーブル２２を移動させることが必要になることがあるからである。位相格子アライメントシステムを使用する代わりに、図２及び図３に関して前に説明したアライメントシステムを使用することもできる。このアライメントシステムでは、アライメントを確定するために基板２２を移動させる必要がなく、したがって、基板２０を移動させることなく第２のインプリントテンプレート２４ｂを基板２０に対してアライメントさせることが可能になる。
【００７８】
[00082]  したがって、このアライメントシステムでは、第１のインプリントテンプレート２４ａが、基板上に用意されたインプリント可能媒体５０にパターンをインプリントしている一方で、第２のインプリントテンプレート２４ｂと基板２０の間をアライメントさせることが可能になる。これは、インプリントテンプレート２４ａ、２４ｂを互いに関係なく移動させることを可能にし、したがって、基板２０の上でのインプリントテンプレートの経路選択の融通性が与えられ、またそれによって、インプリントリソグラフィ装置のスループットの改善が容易になる。
【００７９】
[00083]  アライメントシステムは、図４及び図５を過度に複雑にすることを避けるために、図４及び図５に示されていない。しかし、図４及び図５のインプリント装置用のアライメントシステムを実現できる方法は簡単である。例えば、図５の場合では、チップ傾斜鏡３６（図２参照）などのアライメントシステムの要素は、インプリントテンプレート２４ａ、２４ｂそれぞれに別々に設けることができ、ディテクタ４０は、インプリントテンプレートそれぞれに別々に設けることができ、あるいは２つ以上のインプリントテンプレートで共同で使用することができる。
【００８０】
[00084]  前述のように、図２及び図３に関して説明したアライメントシステムは画像ディテクタを必要としないが、その代わりに強度ディテクタ（例えばフォトダイオード）を使用することがある。各インプリントテンプレートに別々のアライメントシステムが設けられるマルチテンプレートインプリントリソグラフィシステムでは、可能であれば、アライメントシステムのコストを最小にするのが望ましいことがある。アライメントシステムに画像ディテクタではなく強度ディテクタを使用することは、アライメントシステムのコストの低減をもたらす。このコスト低減は、リソグラフィ装置内に２つ以上のインプリントテンプレートが設けられる場合に重要になりうる。図５には２つのテンプレートが示されているが、任意の数のインプリントテンプレート（及び対応するアライメントシステム）を使用することができる。インプリントテンプレートの数が多いほど、画像ディテクタではなく強度ディテクタを使用することによって実現されるコスト節約が大きくなる。もちろん、画像ディテクタをベースとしたアライメントシステムは、本明細書に記載のアライメントシステムと組み合わせて使用することができる。例えば、１つのテンプレートが画像ディテクタをベースとしたアライメントシステムを有し、もう１つのテンプレートが、本明細書に記載のアライメントシステムを有することができる。
【００８１】
[00085]  説明した本発明の実施形態では紫外線放射インプリントリソグラフィを使用するが、本明細書の一実施形態では、熱インプリントリソグラフィなど別の形式のインプリントリソグラフィを使用することもできる。
【図１ａ】
2010067969.tif 000004
【図１ｂ】
2010067969.tif 000005
【図１ｃ】
2010067969.tif 000006
【図２ａ】
2010067969.tif 000007
【図２ｂ】
2010067969.tif 000008
【図３ａ】
2010067969.tif 000009
【図３ｂ】
2010067969.tif 000010
【図４】
2010067969.tif 000011
【図５】
2010067969.tif 000012
【外国語明細書】
2010067969000001.pdf