(57)【要約】【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延びた配線が配置された絶縁基板を有する配線基板を配置可能なテーブル面と、前記テーブル面に形成されるとともに第１方向と交差する方向に延びた直線状の溝部と、前記溝部に形成されるとともにガスが注入される注入口と、前記溝部に形成されるとともに前記注入口から注入されたガスを排出する排出口と、を有するテーブルを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記溝部は、第１方向と交差する第２方向に延びた第１溝部と、第１方向および第２方向と交差する第３方向に延びた第２溝部と、を有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
第１方向と平行な辺を有する矩形状のテーブル面と、前記テーブル面に形成されるとともに第１方向と交差する第２方向に延びた直線状の第１溝部と、第１方向および第２方向と交差する第３方向に延びた直線状の第２溝部と、を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
第１溝部と第２溝部とは、鋭角に交差することを特徴とする請求項２または請求項３の何れかの１項に記載の表示装置の製造装置。
【請求項５】
さらに、真空容器を備え、
前記テーブルは、前記真空容器内に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項３の何れかの１項に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置などに代表される平面表示装置には、絶縁基板の上に配置された配線を有する配線基板が用いられている。近年、表示パネルの大型化により、表示装置の配線基板には、大きいサイズの絶縁基板が用いられている。例えば、液晶表示装置の配線基板には、一辺が２ｍを超えるサイズの絶縁基板が用いられることがある。このような絶縁基板は、テーブル上に固定され、配線やスイッチング素子を形成するために、例えば、スパッタリング、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行う設備で処理される。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、基板冷却手段として、基板ホルダ内にアルゴンガスを供給する第１希ガス供給路と他の希ガスを供給する第２ガス供給路とを設け、それぞれのガス種および流量を選ぶ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３１７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、静電気破壊の発生を低減することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様によれば、第１方向に延びた配線が配置された絶縁基板を有する配線基板を配置可能なテーブル面と、前記テーブル面に形成されるとともに第１方向と交差する方向に延びた直線状の溝部と、前記溝部に形成されるとともにガスが注入される注入口と、前記溝部に形成されるとともに前記注入口から注入されたガスを排出する排出口と、を有するテーブルを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２態様によれば、第１方向と平行な辺を有する矩形状のテーブル面と、前記テーブル面に形成されるとともに第１方向と交差する第２方向に延びた直線状の第１溝部と、第１方向および第２方向と交差する第３方向に延びた直線状の第２溝部と、を有していることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、静電気破壊の発生を低減することが可能な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る基板処理装置によって処理された配線基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した配線基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、この発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示した基板処理装置のテーブルの構成を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図３に示した基板処理装置のテーブルの他の構成を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、基板処理装置によって配線基板を処理する方法を説明するための図である。
【図７】図７は、図６に示した基板処理装置およびマザー基板をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断したときの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
まず、基板処理装置により処理された表示パネルの配線基板の一例の構成について説明する。表示パネルとしては、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネルなどがあり、特に種類は問わない。
【００１２】
図１に示すように、配線基板３０は、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板１０を用いて形成されている。配線基板３０は、配線として、行方向に沿って配置された走査線Ｙ、列方向に沿って配置された複数の信号線Ｘ、走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたスイッチング素子Ｗなどを備えている。また、配線基板３０は、画素電極ＥＰなども備えている。
【００１３】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙに接続されている（あるいは、走査線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳは、信号線Ｘに接続されている（あるいは信号線Ｘと一体的に形成されている）。また、スイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤは、画素電極ＥＰに接続されている。走査線Ｙおよび信号線Ｘは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などの遮光性を有する導電材料によって形成されている。この走査線Ｙは、例えば、１ｍｍの幅に複数本配置されている。
【００１４】
図２に示す配線基板３０は、スイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰなどを備えている。各スイッチング素子Ｗは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタであり、絶縁基板１０の上に配置された半導体層１２を備えている。この半導体層１２は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。半導体層１２は、チャネル領域１２Ｃを挟んだ両側にそれぞれソース領域１２Ｓおよびドレイン領域１２Ｄを有している。この半導体層１２は、ゲート絶縁膜１４によって覆われている。このゲート絶縁膜１４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）によって形成されている。
【００１５】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙと一体に形成され、ゲート絶縁膜１４上に配置され、半導体層１２のチャネル領域１２Ｃの直上に位置している。これらのゲート電極ＷＧおよび走査線Ｙは、層間絶縁膜１６によって覆われている。
【００１６】
スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜１６の上においてゲート電極ＷＧの両側に配置されている。ソース電極ＷＳは、信号線Ｘと一体に形成され、半導体層１２のソース領域１２Ｓにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、半導体層１２のドレイン領域１２Ｄにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、及び、信号線Ｘは、有機絶縁膜１８によって覆われている。
【００１７】
画素電極ＥＰは、有機絶縁膜１８の上に配置され、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。
【００１８】
次に、上述した配線基板３０を形成するために、配線基板３０の製造に用いられる基板処理装置の構成について説明する。基板処理装置としては、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、貼り合せ装置などがある。
【００１９】
図３に示すように、基板処理装置６０は、真空容器５０と、真空容器５０内に配置されたテーブル４０を有している。このテーブル４０は、配線基板３０の保持機構として機能する。
【００２０】
テーブル４０は、配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、溝部４１と、注入口４２Ａと、排出口４３Ａと、を有している。テーブル４０は、例えば、金属材料によって形成されている。テーブル面４０Ｓは、略平坦に形成されている。溝部４１は、テーブル面４０Ｓに形成され、テーブル面４０Ｓから奥行きＤだけ後退し、テーブル面４０Ｓと同一平面に開口面を有する。注入口４２Ａは、溝部４１に形成され、注入路４２Ｂと接続されている。また、排出口４３Ａは、溝部４１に形成され、排出路４３Ｂと接続されている。ガス供給部（図示しない）が注入路４２Ｂに接続され、ガス供給部から種々の用途に応じたガスが溝部４１に供給されている。テーブル面４０Ｓに配置された配線基板３０は、溝部４１に供給されたガスと接する。このような基板処理装置６０は、配線基板３０に接する種々のガスにより、配線基板３０の温度制御を行ったり、処理後の配線基板３０の脱離を容易にしたりすることが可能である。
【００２１】
図４には、テーブル４０の構成例が示されている。テーブル面４０Ｓは、第１方向Ｄ１に延びた長辺Ｌ１、Ｌ２と、第１方向Ｄ１に直交する方向に延びた短辺Ｓ１、Ｓ２と、を有する矩形状である。このテーブル面４０Ｓの面積は、例えば、配線基板３０のテーブル面４０Ｓに接する面の面積より大きく形成されている。
【００２２】
溝部４１は、直線状であり、第１方向Ｄ１と交差する方向に延びている。つまり、溝部４１は、テーブル面４０Ｓの長辺Ｌ１、Ｌ２と交差する方向に延びている。この溝部４１の幅は、数ｍｍである。
【００２３】
ここでは、溝部４１は、第１溝部４１Ａと、第２溝部４１Ｂと、を有している。第１溝部４１Ａは、第２方向Ｄ２に延びた複数の直線状の溝である。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と鋭角θ１に交差する方向である。第２溝部４１Ｂは、第３方向Ｄ２に延びた複数の直線状の溝である。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２と交差するする方向であり、第１方向Ｄ１と鋭角θ２に交差する方向である。これらの第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとは、複数の箇所で交差し、格子状に形成されている。
【００２４】
図４に示した例では、第２方向Ｄ２は、第３方向Ｄ３と直角をなす方向である。すなわち、第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとは、直角に交差している。第１溝部４１Ａは、テーブル４０の長辺Ｌ１、Ｌ２および短辺Ｓ１、Ｓ２と交差する方向に延びている。また、第２溝部４１Ｂは、テーブル４０の長辺Ｌ１、Ｌ２および短辺Ｓ１、Ｓ２と交差する方向に延びている。
【００２５】
図５には、テーブル４０の他の構成例が示されている。ここに示した例では、第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとが鋭角に交差している点で、図４に示した例と相違している。つまり、第１溝部４１Ａが延びた第２方向Ｄ２は、第２溝部４１Ｂが延びた第３方向Ｄ３と鋭角θ３をなす方向である。また、これらの第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１とそれぞれ鋭角θ４、θ５に交差する方向である。つまり、第１溝部４１Ａは、テーブル４０の長辺Ｌ１、Ｌ２および短辺Ｓ１、Ｓ２と交差する方向に延びている。また、第２溝部４１Ｂは、テーブル４０の長辺Ｌ１、Ｌ２および短辺Ｓ１、Ｓ２と交差する方向に延びている。
【００２６】
次に、上述した配線基板３０の製造方法の一例について説明する。
【００２７】
まず、長方形状の絶縁基板１０を用意する。絶縁基板１０の上に、半導体層１２を形成する。半導体層１２の上にゲート絶縁膜１４を形成する。その後、ゲート絶縁膜１４の上に、所望の形状の走査線Ｙ、及び、ゲート電極ＷＧを形成する。このとき、走査線Ｙを絶縁基板１０の長辺に沿って形成する。その後、ゲート絶縁膜１４、走査線Ｙ及びゲート電極ＷＧの上に、層間絶縁膜１６を形成する。その後、層間絶縁膜１６の上に、所望の形状の信号線Ｘ、ドレイン電極ＷＤ、及び、ソース電極ＷＳを形成する。このとき、信号線Ｘを絶縁基板１０の短辺に沿って形成する。その後、層間絶縁膜１６、信号線Ｘ、ドレイン電極ＷＤ、及び、ソース電極ＷＳの上に、有機絶縁膜１８を形成し、さらに、有機絶縁膜１８の上に画素電極ＥＰを形成する。このような工程により、配線基板３０が形成される。
【００２８】
このような、製造過程の中では、薄膜を成膜するためのスパッタ装置やＣＶＤ装置、薄膜をパターニングするためのエッチング装置などの各種基板処理装置６０が利用される。
【００２９】
ここで、半導体層１２及び走査線Ｙを形成済みの配線基板３０を上述した基板処理装置６０によって処理する方法について説明する。ここでは、配線基板３０を冷却しながら処理する方法について説明する。
【００３０】
図６に示すように、まず、一対の長辺ＭＬ１及びＭＬ２及び一対の短辺ＭＳ１及びＭＳ２を有する長方形状のマザー基板Ｍを用意する。このマザー基板Ｍは、例えば、４つの配線基板形成領域３０Ａを有している。マザー基板Ｍの配線基板形成領域３０Ａには、各々、マザー基板Ｍの長辺ＭＬ１及びＭＬ２に平行に延びた走査線Ｙが形成済みである。
【００３１】
また、マザー基板Ｍから面取りされ最終的には表示装置となる各々の配線基板は、長辺ｌ１及びｌ２、短辺ｓ１及びｓ２を有している。
【００３２】
そして、このマザー基板Ｍを長方形状のテーブル４０のテーブル面４０Ｓに配置する。このとき、マザー基板Ｍは、その長辺ＭＬ１及びＭＬ２がテーブル４０の長辺Ｌ１及びＬ２と平行となり、しかも、マザー基板Ｍの短辺ＭＳ１及びＭＳ２がテーブル４０の短辺Ｓ１及びＳ２と平行となるように配置される。つまり、配線基板形成領域３０Ａに形成済みの走査線Ｙは、テーブル４０の長辺Ｌ１及びＬ２が延びる第１方向と平行となり、テーブル４０の短辺Ｓ１及びＳ２と直交している。そして、マザー基板Ｍを、静電気により静電吸着やクランプ機構などにより、テーブル面４０Ｓに保持させる。
【００３３】
ここで、適用するテーブル４０は、長辺Ｌ１及びＬ２が延びる第１方向Ｄ１と鋭角に交差する第２方向Ｄ２に延びた第１溝部４１Ａと、第１方向Ｄ１と鋭角に交差するとともに第２方向Ｄ２と直角に交差する第３方向Ｄ３に延びた第２溝部４１Ｂと、を有している。また、テーブル面４０Ｓの面積は、マザー基板Ｍの面積より大きい。つまり、走査線Ｙは、第１溝部４１Ａ及び第２溝部４１Ｂと複数の箇所で交差している。
【００３４】
図７に示すように、マザー基板Ｍがテーブル４０のテーブル面４０Ｓに配置された際に溝部４１を覆うため、マザー基板Ｍと溝部４１とによって閉空間が形成される。
【００３５】
そして、ガス供給部（図示しない）から供給されたガスを注入路４２Ｂを介して注入口４２Ａから溝部４１へ注入する。このガスは、例えば、熱交換用のガスであり、熱導電性が高いヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などである。ガスは、第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとが互いにつながっているため、第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂを通流する。そして、ガスは、溝部４１に形成された排出口４３Ａから排出路４３Ｂを介して溝部４１外へ排出される。
【００３６】
このような基板処理装置６０によれば、配線基板３０が熱を帯びた際に、絶縁基板１０の熱をガスが吸収し、ガスと絶縁基板１０との間で熱交換が行われ、配線基板３０を冷却することが可能である。
【００３７】
本実施の形態の基板処理装置６０において、テーブル４０の第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂが第１方向Ｄ１と交差するように形成されているため、第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂと第１方向に延びた走査線Ｙとは、交差する。つまり、溝部４１が走査線Ｙと平行に形成された場合と比べて、溝部４１と走査線Ｙとが重なる面積が小さくなる。したがって、ガスを溝部４１に供給した際に静電気が発生しても、走査線Ｙと半導体層１２との間での静電気破壊の発生を低減することが可能となる。つまり、本実施の形態の基板処理装置６０によれば、配線基板３０の静電気破壊の発生を低減することが可能となる。
【００３８】
また、本実施の形態の基板処理装置６０において、信号線Ｘを形成済みの配線基板３０を処理する際、テーブル４０の第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂが第１方向Ｄ１と鋭角に交差するように形成されているため、第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂと、図示していないが第１方向Ｄ１に直交する方向に延びた信号線Ｘとは、交差する。つまり、溝部４１が信号線Ｘと平行に形成された場合と比べて、溝部４１と信号線Ｘとが重なる面積が小さくなる。したがって、ガスを溝部４１に供給した際に静電気が発生しても、信号線Ｘと他の導電層との間での静電気破壊の発生を低減することが可能となる。つまり、本実施の形態の基板処理装置６０によれば、配線基板３０の静電気破壊の発生を低減することが可能となる。
【００３９】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、静電気破壊の発生を低減することが可能な基板処理装置６０を提供することが可能となる。
【００４０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４１】
本実施の形態において、第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとが互いにつながり、一体的に形成された例を説明したが、この例に限らず、第１溝部４１Ａおよび第２溝部４１Ｂのそれぞれの溝は、別個に形成されてもよい。このとき、各溝に注入口４２Ａおよび排出口４３Ａを形成することによって、本実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４２】
本実施の形態において、溝部４１が互いに交差する第１溝部４１Ａと第２溝部４１Ｂとを有する例について説明したが、この例に限らず、溝部４１は、第１溝部４１Ａまたは第２溝部４１Ｂのいずれか一方を有していればよい。このような構成においても、本実施の形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００４３】
Ｄ１…第１方向  Ｚ…配線  ３０…配線基板  １０…絶縁基板  ４０…テーブル  ４０Ｓ…テーブル面  ４１…溝部  ４２Ａ…注入口  ４３Ａ…排出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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