(57)【要約】【課題】応力が加わった場合においても破損等のおそれがなく、溝の側面の形状が高精度で制御された光素子用基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光素子用基板の製造方法は、ＬＮ基板１１の表面１１ａにマスク１４を形成し、次いで、サンドブラスト法により、マスク１４を用いてＬＮ基板１１の表面１１ａに、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３となった溝を形成し、次いで、フッ硝酸等を用いてマスク１４を除去する。【選択図】図２
2010156996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光素子に用いられる基板の製造方法であって、
板状体の一主面に、ヤング率が１．０×１０１１Ｐａ以上の金属からなる微細パターンのマスクを形成し、次いで、サンドブラスト法により、前記マスクを用いて前記一主面に、底面と側面との角部の曲率半径が０．５μｍ以上の凹面とされた断面略矩形状の溝または凹部を形成し、次いで、前記マスクを前記一主面から除去することを特徴とする光素子用基板の製造方法。
【請求項２】
前記サンドブラスト法は、半径が０．５μｍ〜２０μｍの砥粒を用いることを特徴とする請求項１記載の光素子用基板の製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、クロム、ニッケル、ニッケルクロム合金のいずれか１種からなることを特徴とする請求項１または２記載の光素子用基板の製造方法。
【請求項４】
前記板状体は、ニオブ酸リチウム、ガリウムヒ素、インジウムリンのいずれか１種からなることを特徴とする請求項１、２または３記載の光素子用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速光変調が可能な光変調素子等の光素子を集積した光集積回路（ＯＩＣ：optical integrated circuit）、光電子集積回路（ＯＥＩＣ：opto-electronic integrated circuit）等に用いて好適な光素子用基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、大伝送容量かつ低損失の光通信ネットワークの進展に伴い、高速光変調が可能な光変調素子等の光素子を基板上に集積した光集積回路、あるいは光素子と電子部品（素子）を基板上に集積した光電子集積回路等においても、より小型化、より高性能化が要望されている。
例えば、基板上に光変調素子等の光素子を集積した光集積回路では、広帯域で動作可能かつ低電圧駆動の光変調器を作製するために、ＬｉＮｂＯ3基板（以下、ＬＮ基板と略記する）上に、幅が数〜十数μｍ、間隔が十数〜数十μｍのリッジ形状の光導波路が形成されている。
【０００３】
この光導波路の加工方法としては、主に液状の化学薬品を用いるウエットエッチングと、反応性ガス等を用いるドライエッチングがある。
ウエットエッチングは、化学反応を用いているために、エッチング材料による選択性が高いという特徴を有する。
図１６は、ウエットエッチングにより溝加工が施された基板を示す断面図であり、等方性エッチングの場合、同図（ａ）に示すように、基板１の主面１ａにパターニングされたマスク２を用いて溝３を形成している。また、選択性エッチングの場合、同図（ｂ）に示すように、基板１の主面１ａにマスク２を用いて溝３を形成している。
【０００４】
ところで、近年、プロセス全体をドライ化する傾向にあることから、ドライエッチングによる加工が一般的に行われている。このドライエッチングは、選択比の制御が可能、異方性エッチングが可能、加工精度が高い、加工効率がよい、安全性に優れている等の利点を有する。
ドライエッチングには、プラズマ放電中で発生する活性ラジカルを用いたプラズマエッチングと、プラズマエッチングにスパッタリング効果を加えた反応性イオンエッチング（反応性スパッタエッチングとも称される）があるが、一般的には、等方性エッチングが可能、微細パターンのエッチングが可能、等の特徴を有するプラズマエッチングが用いられている。
【０００５】
図１７は、プラズマエッチングにより溝加工が施された基板を示す断面図であり、同図（ａ）は溝３の側面３ａと底面３ｂとの角部４の形状がシャープなエッチング断面であり、同図（ｂ）は溝３の側面３ａと底面３ｂとの角部４の形状がノッチ状のエッチング断面である。
このようにして得られた基板１に、変調器用回路等の集積回路を形成することで、所望の電気的特性を有する集積回路が得られる。
また、基板上に集積した集積回路の特性を向上させるために、この基板の裏面の前記集積回路に対応する位置に溝を形成し、基板の厚みを部分的に薄くした形状のものが提案され、実用に供されている。
この溝の加工は、例えば、エキシマレーザ等の高出力レーザから出射されるレーザ光を基板の裏面に照射することによりなされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した従来のウエットエッチングにおいては、等方性エッチングの場合、アンダーカットされ易いために、溝３の側面３ａがオーバーエッチング（サイドエッチング）され易くなるという問題点があった。また、選択性エッチングの場合、結晶構造によりエッチング深さにむらが生じ易く、例えば、側面３ａが難エッチング結晶面の場合には、この側面３ａが易エッチング結晶面の底面３ｂに対して傾斜し、垂直な面にならないという問題点があった。
このように、従来のウエットエッチングでは、側面３ａの形状の制御が困難であった。
【０００７】
また、従来のプラズマエッチングにおいては、角部４の形状が、シャープなエッチング断面やノッチ状のエッチング断面とされているために、基板１の応力によって、溝３の加工中や加工後にリッジの損傷や基板１の破損等が生じるおそれがあった。そこで、破損を防止するために、角部４の断面を曲面とすることが試みられているが、この曲面の曲率半径が高々０．２μｍ程度であることから、破損が無くなるまでには至っていない。
また、プラズマエッチングにより溝加工が施された基板１に、変調器用回路等の集積回路を形成した場合、ドリフトが大きくなり過ぎて回路特性に悪影響を及ぼすおそれがあるという問題点があった。その原因は、プラズマエッチングが主に化学的な反応によって基板のエッチングを行うために、エッチング中に基板表面に反応生成物が堆積されてしまうためである。
また、基板の厚みを部分的に薄くするために裏面に溝加工を施した基板の場合では、レーザ光を照射することによる基板の損傷が大きく、形状制御が困難であるという問題点があった。
【０００８】
一般に、プラズマディスプレイ等の加工工程においては、ドライエッチングの一種である砥粒を用いたサンドブラスト法と称される方法が用いられている。この方法では、加工用マスクとして、ブラストに対する耐久性が優れているゴム系のネガレジストが主に用いられている。しかしながら、このネガレジストでは、一般に、露光・現像を施した後、レジストを焼き固めるための熱処理を施しているために、この熱処理の際に膨張し易く、したがって、微細なパターンを形成することが難しく、微細形状のサンドブラスト加工が困難であった。
【０００９】
なお、プラズマエッチングにおいてよく用いられる金属製のマスクは、展性が大きいために、加工中に変形し易く、微細構造のエッチングには用いることができない。したがって、この金属製のマスクは、サンドブラスト法には向かないとされており、ＬＮ基板の加工に用いられた例は報告されていない。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、応力が加わった場合においても破損等のおそれがなく、溝の側面の形状が高精度で制御された光素子用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は次のような光素子用基板の製造方法を提供した。
すなわち、本発明の光素子用基板の製造方法は、光素子に用いられる基板の製造方法であって、板状体の一主面に、ヤング率が１．０×１０１１Ｐａ以上の金属からなる微細パターンのマスクを形成し、次いで、サンドブラスト法により、前記マスクを用いて前記一主面に、底面と側面との角部の曲率半径が０．５μｍ以上の凹面とされた断面略矩形状の溝または凹部を形成し、次いで、前記マスクを前記一主面から除去することを特徴とする。
【００１２】
前記サンドブラスト法は、半径が０．５μｍ〜２０μｍの砥粒を用いることが好ましい。
前記マスクは、クロム、ニッケル、ニッケルクロム合金のいずれか１種からなることが好ましい。
前記板状体は、ニオブ酸リチウム、ガリウムヒ素、インジウムリンのいずれか１種からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光素子用基板の製造方法によれば、板状体の一主面に、ヤング率が１．０×１０１１Ｐａ以上の金属からなる微細パターンのマスクを形成し、次いで、サンドブラスト法により、前記マスクを用いて前記一主面に、底面と側面との角部の曲率半径が０．５μｍ以上の凹面とされた断面略矩形状の溝または凹部を形成し、次いで、前記マスクを前記一主面から除去するので、応力集中等に起因する破損が生じ難くなり、基板の加工歩留まりを向上させることができる。
また、応力集中等に起因する破損が生じ難くなるので、基板の機械的強度を高めることができ、基板の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態の基板を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の基板の加工方法を示す断面図である。
【図３】加工方法の異なるＬＮ基板の溝の形状を触針法により測定したプロファイルを示す図である。
【図４】粒径が１０〜２０μｍの砥粒を用いた場合の、サンドブラスト法によるＬＮ基板の溝のプロファイルを示す図である。
【図５】粒径が２μｍの砥粒を用いた場合の、サンドブラスト法によるＬＮ基板の溝のプロファイルを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の光導波路基板を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の光導波路基板の加工方法を示す過程図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の光導波路基板の加工方法を示す過程図である。
【図９】本発明の第４の実施形態の光導波路基板を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態の光導波路基板の変形例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態の光導波路基板の他の変形例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態の光導波路基板のさらに他の変形例を示す断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態の光導波路基板を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態の基板を示す平面図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態の基板の要部拡大断面図である。
【図１６】従来のウエットエッチングにより溝加工が施された基板を示す断面図である。
【図１７】従来のプラズマエッチングにより溝加工が施された基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の各実施形態について図面に基づき説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態の基板を示す断面図であり、図において、符号１１は板状体であるＬＮ基板、１２はＬＮ基板１１の表面（一主面）１１ａに形成された断面略矩形状の溝である。
この溝１２の底面１２ａと側面１２ｂとの角部は、０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされている。
この凹面１３の形状は、サンドブラスト法において用いられる砥粒の半径や形状により一義的に決定される。例えば、砥粒の半径を０．５μｍ〜２０μｍの範囲の任意の値とすることにより、凹面１３の曲率半径を０．５μｍ〜２０μｍの範囲で任意に変えることが可能である。
【００１７】
このＬＮ基板１１では、溝１２の底面１２ａと側面１２ｂとの角部を０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３としたことにより、ＬＮ基板１１に応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損が生じるおそれが無くなる。これにより、ＬＮ基板１１の機械的強度が向上し、ＬＮ基板１１の信頼性が向上する。
【００１８】
次に、サンドブラスト法により、ＬＮ基板１１の表面１１ａに溝１２を形成する方法について、図２に基づき説明する。
まず、ＬＮ基板１１の表面１１ａに、リフトオフ法またはメッキ法を用いて微細パターンを有するマスク１４を形成する。
【００１９】
このマスク１４は、ヤング率が１．０×１０１１Ｐａ以上の金属により構成されている。この金属としては、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金等が好適に用いられる。ここで、Ｃｒをマスク材料とした場合、ＬＮ基板１１との選択比は１：４となるので、Ｃｒの方が４倍削れ難いことになる。したがって、Ｃｒはマスク材料として非常に好ましいものである。
【００２０】
次いで、サンドブラスト法により、マスク１４を用いてＬＮ基板１１の表面１１ａに微細溝加工を施す。ここで用いられる砥粒１５は、形成すべき凹面１３の曲率半径に対応して、その半径及び形状が選択される。例えば、凹面１３の曲率半径を０．５μｍ〜２０μｍの範囲の所望の値とするためには、この所望の値に対応して砥粒の半径を決定すればよい。
このサンドブラスト法によるＬＮ基板１１のエッチングレートは１５０ｎｍ／ｍｉｎ以上であるから、従来のプラズマエッチングのエッチングレート（約１２ｎｍ／ｍｉｎ）の１０倍以上である。
【００２１】
このようにして、ＬＮ基板１１の表面１１ａに、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３となった溝１２を形成することができる。
次いで、フッ硝酸等を用いてマスク１４を除去する。
【００２２】
次いで、フッ酸、硝酸、塩酸等を用いて溝１２に酸処理を施し、溝１２の内面に形成された加工歪層１６を除去する。
このようにして得られたＬＮ基板１１は、基板加工中においても破損が発生せず、従来のプラズマエッチングにおいて加工中に７０％以上破損したものと比べて加工工程における歩留まりが格段に向上している。その結果、ＬＮ基板１１の信頼性が大幅に向上したものとなる。
【００２３】
図３は、加工方法の異なるＬＮ基板の溝の形状を触針法により測定したプロファイルを示す図であり、同図（ａ）は従来のプラズマエッチングにより通常得られるシャープな断面形状の溝、同図（ｂ）は従来のプラズマエッチングの入力パワーが強い場合に起こるノッチ形状の溝、同図（ｃ）は本実施形態の加工方法により得られた、サンドブラスト法により角部が凹面とされた溝である。
以上によれば、サンドブラスト法により、ＬＮ基板１１の表面１１ａに、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３であるような溝１２を形成することができる。
【００２４】
図４及び図５は、異なる半径の砥粒を用いてサンドブラスト法による溝加工を行ったＬＮ基板の溝の形状を触針法により測定したプロファイルを示す図であり、図４は半径が５〜１０μｍの砥粒を用いた場合の溝形状を、図５は半径が１μｍの砥粒を用いた場合の溝形状をそれぞれ示している。
これらの図によれば、半径が１μｍの砥粒を用いることにより、ＬＮ基板１１の表面１１ａに、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が１μｍの曲率半径の凹面１３であるような溝１２を形成することができることが明らかになった。
【００２５】
本実施形態のＬＮ基板１１によれば、ＬＮ基板１１の表面１１ａに形成した溝１２の底面１２ａと側面１２ｂとの角部を、０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３としたので、このＬＮ基板１１に応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損が生じるおそれが無く、ＬＮ基板１１の機械的強度を高めることができる。その結果、ＬＮ基板１１の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
本実施形態のＬＮ基板の加工方法によれば、サンドブラスト法を用いて、ＬＮ基板１１の表面１１ａに、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３となるような溝１２を形成するので、溝加工中においても応力集中等に起因する破損が生じ難くなり、ＬＮ基板の加工歩留まりを向上させることができる。
【００２７】
また、溝加工後においても応力集中等に起因する破損が生じ難くなるので、ＬＮ基板の機械的強度を高めることができ、ＬＮ基板の信頼性を向上させることができる。
また、砥粒１５の半径及び形状を凹面１３の曲率半径に対応して選択することにより、凹面１３の曲率半径を０．５μｍ〜２０μｍの範囲の任意の値とすることができる。
【００２８】
また、溝１２に酸処理を施すことにより、溝１２の内面に形成された加工歪層１６を除去するので、ドライエッチングによる加工では除去することができなかった加工歪層１６を溝１２から除去することができ、応力集中等による破損が起こり難い基板を作製することができる。
また、マスク１４の材料として、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金のいずれか１種を用いたので、精度が良くかつ所望の厚みを有する微細マスクパターンを形成することができる。したがって、加工中のマスクに変形が生じるのを防止することができる。
【００２９】
［第２の実施形態］
図６は本発明の第２の実施形態の光導波路基板を示す斜視図であり、図において、符号２１は板状体であるＬＮ基板１１の表面１１ａに形成されたリッジ形状の光導波路であり、この光導波路２１の両側に、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされた溝１２が形成されている。
【００３０】
この光導波路基板では、光導波路２１の両側に、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３となる溝１２を形成したので、ＬＮ基板１１に応力が加わった場合においても、光導波路２１に応力集中等に起因する破損が生じるおそれが無くなる。したがって、光導波路基板の信頼性が向上する。
【００３１】
次に、リフトオフ法により作製した金属マスクを用いて、サンドブラスト法により光導波路２１の両側に溝１２を形成する方法について、図７に基づき説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、光導波路２１が形成されたＬＮ基板１１全面に、スピンコート法を用いてフォトレジスト２２を塗布する。
【００３２】
次いで、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより、リッジ形状の光導波路に対応する部分のフォトレジスト２２ａを除去する。
次いで、図７（ｃ）に示すように、ＬＮ基板１１全面にマスク材料であるＣｒ膜２３を蒸着する。
【００３３】
次いで、図７（ｄ）に示すように、リフトオフ法によりＣｒ膜２３をパターン化することで、ＬＮ基板１１上にマスク２４を形成する。リフトオフ法で形成することのできるマスクの厚みは０．５μｍ程度であるから、短時間のエッチングに向いたマスクである。
【００３４】
次いで、図７（ｅ）に示すように、サンドブラスト法により、マスク２４を用いてＬＮ基板１１の光導波路２１の両側の部分をエッチングし、光導波路２１の両側に、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３であるような溝１２を形成する。
次いで、図７（ｆ）に示すように、酸を用いてマスク２４を除去し、リッジ形状の光導波路２１を有する光導波路基板とする。
【００３５】
このようにして得られた光導波路基板は、溝加工中においても破損が発生せず、従来のプラズマエッチングを用いた光導波路基板と比べて加工工程における歩留まりが格段に向上している。その結果、光導波路基板の信頼性が大幅に向上したものとなる。
【００３６】
本実施形態の光導波路基板によれば、光導波路２１の両側に、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされた溝１２を形成したので、この光導波路基板に応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損が生じるおそれが無く、光導波路基板の機械的強度を高めることができる。その結果、光導波路基板の信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の光導波路基板の加工方法においても、上述した第１の実施形態の光導波路基板の加工方法と同様の効果を奏することができる。
【００３７】
［第３の実施形態］
図８は本発明の第３の実施形態の光導波路基板の加工方法を示す過程図であり、メッキ法により作製した金属マスクを用いて、サンドブラスト法により光導波路２１の両側に溝１２を形成する方法を示したものである。この溝１２は、底面と側面との角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面とされている。
この光導波路基板の加工方法では、まず、図８（ａ）に示すように、光導波路２１が形成されたＬＮ基板１１全面にＣｒ膜３１を蒸着する。
次いで、図８（ｂ）に示すように、Ｃｒ膜３１全面に、スピンコート法を用いてフォトレジスト３２を塗布する。
【００３８】
次いで、図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィにより、リッジ形状の光導波路に対応する部分のフォトレジスト３２ａを除去する。
次いで、図８（ｄ）に示すように、ＬＮ基板１１上のフォトレジスト３２ａを除去した部分に、メッキ法によりＣｒからなるマスク３３を形成する。
次いで、図８（ｅ）に示すように、残ったフォトレジスト３２を除去し、次いで、ウェットエッチングにより、マスク３３の下のＣｒ膜３１ａ以外のＣｒ膜３１を除去する。
【００３９】
このようにして、光導波路２１上にマスクパターンを形成することができる。
メッキ法で形成することのできるマスクの厚みは数μｍ〜数十μｍ程度であるから、長時間のエッチングが可能である。
次いで、図８（ｆ）に示すように、サンドブラスト法により、マスク３３を用いてＬＮ基板１１の光導波路２１の両側の部分をエッチングし、光導波路２１の両側に、底面と側面との角部を０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とした溝１２を形成する。
【００４０】
次いで、酸を用いてマスク３３及びＣｒ膜３１ａを除去し、図８（ｇ）に示すリッジ形状の光導波路を有する光導波路基板とする。
本実施形態の光導波路基板の加工方法においても、上述した第２の実施形態の光導波路基板の加工方法と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
［第４の実施形態］
図９は本発明の第４の実施形態の光導波路基板を示す斜視図であり、ＬＮ基板１１の裏面（他の主面）１１ｂの光導波路２１に対応する位置に溝４１が形成され、この溝４１の底面４１ａと側面４１ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされた構成である。
このＬＮ基板１１では、裏面１１ｂに溝４１を形成したことにより、光導波路２１の光伝送損失特性が向上し、その結果、光導波路２１の信頼性が向上する。
【００４２】
この溝４１は、サンドブラスト法を用いて形成される。すなわち、ＬＮ基板１１の裏面１１ ｂに、リフトオフ法またはメッキ法を用いて微細パターンを有するマスクを形成し、次いで、サンドブラスト法により、このマスクを用いてＬＮ基板１１の裏面１１ａに微細溝加工を施すことにより、ＬＮ基板１１の裏面１１ｂに、底面４１ａと側面４１ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３となった溝４１を形成することができる。
ここで用いられる砥粒の経や形状、ＬＮ基板１１のエッチングレート、酸処理によるマスクや溝４１内面の加工歪層の除去等については、上述した第１の実施形態と全く同様である。
【００４３】
図１０は本実施形態の光導波路基板の変形例を示す断面図であり、ＬＮ基板１１の裏面１１ｂの光導波路２１に対応する位置に、光導波路２１の半分だけの長さの溝４１が形成された構成である。
図１１は本実施形態の光導波路基板の他の変形例を示す断面図であり、ほぼ光導波路２１の長さの溝４１が形成された構成である。
図１２は本実施形態の光導波路基板のさらに他の変形例を示す断面図であり、光導波路２１の中央部のみに溝４１が形成された構成である。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の光導波路基板によれば、基板加工中においても破損が発生せず、従来のプラズマエッチングにより加工したものと比べて加工工程における歩留まりが格段に向上し、その結果、ＬＮ基板１１の信頼性が大幅に向上したものとなる。
【００４５】
［第５の実施形態］
図１３は本発明の第５の実施形態の光導波路基板を示す斜視図であり、ＬＮ基板１１の表面１１ａにリッジ形状の光導波路２１が複数、互いに平行になるように形成され、それぞれの光導波路２１の両側に溝１２が形成された構成である。
この溝１２は、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされている。
これらのリッジ形状の光導波路２１、２１、…は、上記形状の他、光導波路２１、２１同士が途中交差する場合、隣接する光導波路２１の間隔が狭くなったり、広くなったりする場合もある。
【００４６】
この光導波路基板においても、各光導波路２１の両側に、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされた溝１２を形成したので、ＬＮ基板１１に応力が加わった場合においても、各光導波路２１に応力集中等に起因する破損が生じるおそれが無くなり、光導波路基板の信頼性を向上させることができる。
【００４７】
［第６の実施形態］
図１４は本発明の第６の実施形態の基板を示す平面図、図１５は同基板の要部拡大断面図であり、基板５１の裏面５１ａに、断面矩形状の凹部５２が複数個、斑点状（ランダム状）に形成された構成である。これらの凹部５２、５２、…は、底面５２ａと側面５２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面とされている。
【００４８】
この基板によれば、基板５１の裏面５１ａに、底面５２ａと側面５２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面とされた凹部５２を複数個、斑点状（ランダム状）に形成したので、裏面５１ａからの信号反射を除去することができる。
【００４９】
以上、本発明の各実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、溝１２は、底面１２ａと側面１２ｂとの角部が０．５μｍ以上の曲率半径の凹面１３とされたものであればよく、その長さや断面形状は、ＬＮ基板１１の用途や設計事項に合わせて適宜変更可能である。
【００５０】
また、第４の実施形態の光導波路基板では、ＬＮ基板１１の裏面１１ｂの光導波路２１に対応する位置に溝４１を形成した構成としたが、集積回路基板の裏面の前記集積回路に対応する位置に溝を形成してもよい。このような構成とすることにより、集積回路へのノイズの侵入を防止することができ、したがって、集積回路の信頼性を向上させることができる。
【００５１】
また、第６の実施形態の基板では、裏面５１ａからの信号反射を十分に除去することができるように、複数の凹部５２を斑点状（ランダム状）に形成してあればよく、上記形状に限定されない。
【００５２】
[効果]
上記記載の基板によれば、板状体の一主面または両面に断面略矩形状の溝を形成し、当該溝の底面と側面との角部を曲率半径が０．５μｍ以上の凹面としたので、この基板に外部から応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損を防止することができ、したがって、基板の信頼性を向上させることができる。
【００５３】
上記記載の基板によれば、前記板状体の一主面に光導波路を形成し、該光導波路の両側に前記溝を形成してリッジ形状の光導波路としたので、この基板に外部から応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損を防止することができ、したがって、光導波路基板の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
上記記載の基板によれば、前記板状体の一主面に光導波路を形成し、前記板状体の他の主面の前記光導波路に対応する位置に前記溝を形成したので、光導波路の光伝送損失特性を向上させることができ、したがって、光導波路の信頼性を向上させることができる。
【００５５】
上記記載の基板によれば、前記板状体の一主面に集積回路を形成し、前記板状体の他の主面の前記集積回路に対応する位置に前記溝を形成したので、集積回路へのノイズの侵入を防止することができ、したがって、集積回路の信頼性を向上させることができる。
【００５６】
上記記載の基板によれば、板状体の一主面に断面略矩形状の凹部を複数個形成し、これらの凹部の底面と側面との角部を曲率半径が０．５μｍ以上の凹面としたので、この一主面からの反射を除去することができる。
【００５７】
上記記載の基板によれば、前記溝または前記凹部を、サンドブラスト法により形成し、前記凹面の曲率半径を前記サンドブラスト法に用いられる砥粒の半径に略等しいとしたので、加工中及び加工後の応力集中等に起因する破損を防止することができ、基板の信頼性を向上させることができる。
このサンドブラスト法は、選択的エッチングがなく、また、フッ酸の様なエッチング液を使用することがないので、ウェットエッチングのような危険性もない。
【００５８】
上記記載の基板によれば、前記砥粒の半径を０．５μｍ〜２０μｍとしたので、前記凹面の曲率半径を０．５μｍ〜２０μｍの範囲で任意に変えることができる。
【００５９】
上記記載の基板によれば、前記サンドブラスト法に用いられるマスクのヤング率を１．０×１０11Ｐａ以上としたので、リフトオフ法やメッキ法により精度が良くかつ所望の厚みを有する微細マスクパターンを形成することができ、金属の展性が原因で発生する加工中のマスクの変形を回避することができる。
【００６０】
上記記載の光素子によれば、上記記載の基板を用いたので、基板に応力が加わった場合においても、応力集中等に起因する破損を防止することができ、光素子の信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１１  ＬＮ基板
１１ａ  表面（一主面）
１１ｂ  裏面（他の主面）
１２  溝
１２ａ  底面
１２ｂ  側面
１３  凹面
１４  マスク
１５  砥粒
１６  加工歪層
２１  光導波路
２２、２２ａ  フォトレジスト
２３  Ｃｒ膜  
２４  マスク
３１  Ｃｒ膜
３２、３２ａ  フォトレジスト
３３  マスク
４１  溝
４１ａ  底面
４１ｂ  側面
５１  基板
５１ａ  裏面
５２  凹部
５２ａ  底面
５２ｂ  側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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