(57)【要約】【課題】  サイズが異なる必要半導体装置形成領域２２ａおよび不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃを有する半導体ウエハを、必要半導体装置形成領域２２ａの４辺に沿うダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断することにより、必要半導体装置形成領域２２ａを有する半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じないようにする。【解決手段】  不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ銅からなる柱状電極１４を形成し、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１４は形成しない。これにより、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じないようにすることができる。この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極１４を形成する。【選択図】  図１１
2010067682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の前記半導体装置形成領域が必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とを含む半導体ウエハを形成し、且つ、前記半導体ウエハ上に低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する半導体ウエハ準備工程と、
前記低誘電率膜配線積層構造部の前記必要半導体装置形成領域のダイシングストリートに対応する領域をレーザビームの照射により除去して溝を形成するレーザビーム照射工程と、
前記溝内を含む前記低誘電率膜配線積層構造部上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜上に上層配線を前記配線に接続させて形成する上層配線形成工程と、
前記必要半導体装置形成領域内の前記上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成し、且つ、前記不必要半導体装置形成領域内における前記ダイシングストリートに対応する領域を含む非形成領域を除く領域の前記上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、
前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得るダイシング工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程において、前記不必要半導体装置形成領域は前記ダイシングストリートに対応する領域を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記不必要半導体装置形成領域内の前記ダイシングストリートと対応する領域の一部には、前記低誘電率膜配線積層構造部における低誘電率膜および配線が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記必要半導体装置形成領域の周囲における前記ダイシングストリートに対応する領域には、前記低誘電率膜は形成されているが、前記配線は形成されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程および前記ダイシングストリートに対応する領域における前記パッシベーション膜をフォトリソグラフィ法により除去して第１の溝を形成する工程を含み、前記レーザビーム照射工程は、前記第１の溝を介して露出された前記低誘電率膜をレーザビームの照射により除去して第２の溝を形成し、且つ、それ以外の前記ダイシングストリートに対応する領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームの照射により除去して第３の溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程および前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜をフォトリソグラフィ法により除去して第１の溝を形成する工程を含み、前記レーザビーム照射工程は、前記第１の溝を介して露出された前記低誘電率膜をレーザビームの照射により除去して第２の溝を形成し、且つ、それ以外の前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームの照射により除去して第３の溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有し、前記封止膜、前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の発明において、前記ダイシングストリートに対応する領域における前記保護膜に溝を形成する工程および当該溝内を含む前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有し、前記封止膜、前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記保護膜下にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程を含み、前記保護膜形成工程および前記上層配線形成工程は、前記保護膜上にフォトレジストを被着し、前記フォトレジストを、前記配線の接続パッド部に対応する部分における前記保護膜および前記パッシベーション膜に開口部を形成するための露光マスク部および前記上層配線を形成するための露光マスク部を有する１枚の露光マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記上層配線の接続パッド部上にフォトレジストを配置し、該フォトレジストを露光マスクを用いて露光する工程を含み、前記フォトレジストを、半導体形成領域の１つを必要半導体形成領域とし、他の半導体形成領域が不必要半導体形成領域とされ、且つ、必要半導体形成領域および不必要半導体形成領域が互いに異なる平面サイズの半導体形成領域とされた複数の露光マスク部を有する１枚の露光マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型電子機器等に代表される小型の電子機器に搭載される半導体装置として、半導体基板とほぼ同じ大きさ（サイズ＆ディメンション）を有するＣＳＰ(Chip Size Package)が知られている。ＣＳＰの中でも、ウエハ状態でパッケージングを完成させ、ダイシングにより個々の半導体装置に分離されたものは、ＷＬＰ（Wafer Level Package)とも言われている。
【０００３】
従来のこのような半導体装置には、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に配線が設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられ、配線を含む絶縁膜の上面に封止膜がその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けられ、柱状電極の上面に半田ボールが設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４９４６１号公報
【０００５】
ところで、上記のような半導体装置には、半導体基板と絶縁膜との間に、層間絶縁膜と配線との積層構造からなる層間絶縁膜配線積層構造部を設けたものがある。この場合、微細化に伴って層間絶縁膜配線積層構造部の配線間の間隔が小さくなると、当該配線間の容量が大きくなり、当該配線を伝わる信号の遅延が増大してしまう。
【０００６】
この点を改善するために、層間絶縁膜の材料として、誘電率が層間絶縁膜の材料として一般的に用いられている酸化シリコンの誘電率４．２〜４．０よりも低いｌｏｗ−ｋ材料と言われる等の低誘電率材料が注目されている。ｌｏｗ−ｋ材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ2）に炭素（Ｃ）をドープしたＳｉＯＣやさらにＨを含むＳｉＯＣＨ等が挙げられる。また、誘電率をさらに低くするため、空気を含んだポーラス（多孔性）型の低誘電率膜の検討も行われている。
【０００７】
ところで、層間絶縁膜としての低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を有する半導体装置の製造方法では、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）上に低誘電率膜と配線とを積層して形成し、その上に絶縁膜、上層配線、柱状電極、封止膜および半田ボールを形成し、この後に、ダイシングにより個々の半導体装置に分離することになる。
【０００８】
しかし、低誘電率膜をダイシングブレードで切断すると、低誘電率膜が脆いため、低誘電率膜の切断面に多数の切欠け、破損が生じてしまう。そこで、半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜のうちダイシングストリートに対応する部分をその上に形成された窒化シリコン等の無機材料からなるパッシベーション膜と共に比較的早い段階でレーザビームの照射により除去する検討も行われている。レーザビームは被照射体である低誘電率膜を瞬時に高温に過熱し溶融するために低誘電率膜の切り欠けや破損の防止に効果を奏する。
【０００９】
しかしながら、半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜のうちダイシングストリートに対応する部分をその上に形成されたパッシベーション膜と共に比較的早い段階でレーザビームの照射により除去するような半導体装置の製造方法では、レーザビームの照射による除去面における低誘電率膜とパッシベーション膜との間の密着強度が低いため、当該除去面から欠落物が生じることがある。このような欠落物は、その後の工程において何らかの支障を来す原因となってしまうという問題がある。
【００１０】
一方、上記のような半導体装置の製造に際し、開発実験用あるいは少量生産用の半導体装置を製造する場合には、１枚の半導体ウエハ上に回路構成、サイズ、機能等が異なる多種類の集積回路を形成し、必要な集積回路のみを半導体装置にして取り出すことがある。このような場合には、半導体ウエハはサイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の半導体装置形成領域は必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とからなっている。
【００１１】
すなわち、必要半導体装置形成領域は、今回必要とされ、半導体ウエハから取り出そうとする集積回路が形成された領域であり、それ以外の不必要半導体装置形成領域は、今回は半導体装置にして取り出す必要がない集積回路が形成された領域である。そして、必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートに沿って半導体ウエハを切断すると、必要半導体装置形成領域を有する半導体装置が得られる。
【００１２】
ところで、例えば、本願の図３に示す場合において、必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３は第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃと重なり合ってしまう。この結果、必要半導体装置形成領域２２ａを半導体装置として取り出すために、必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３に沿って切断すると、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの途中を切断することになる。この場合、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの途中をただ単に切断するだけであれば、別に問題はない。
【００１３】
しかしながら、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃ上に電解銅メッキからなる複数の柱状電極が形成されている場合において、これらの柱状電極のうち必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３上に形成された柱状電極をダイシングブレードで切断すると、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じ、ダイシングブレードの寿命が短くなってしまうという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
以上のように、半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜のうちダイシングストリートに対応する部分をその上に形成されたパッシベーション膜と共に比較的早い段階でレーザビームの照射により除去するような半導体装置の製造方法では、レーザビームの照射による除去面における低誘電率膜とパッシベーション膜との間の密着強度が低く、当該除去面から欠落物が生じると、その後の工程において何らかの支障を来す原因となってしまうという問題がある。
【００１５】
また、必要半導体装置形成領域および不必要半導体装置形成領域を有する半導体ウエハから必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得るような半導体装置の製造方法では、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃ上に電解銅メッキからなる複数の柱状電極が形成されている場合において、これらの柱状電極のうち必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３上に形成された柱状電極をダイシングブレードで切断すると、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じ、ダイシングブレードの寿命が短くなってしまうという問題がある。
【００１６】
そこで、この発明は、低誘電率膜のレーザビームの照射による除去面から欠落物が生じにくいようにすることができ、且つ、銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に記載の発明は、サイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の前記半導体装置形成領域が必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とを含む半導体ウエハを形成し、且つ、前記半導体ウエハ上に低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する半導体ウエハ準備工程と、前記低誘電率膜配線積層構造部の前記必要半導体装置形成領域のダイシングストリートに対応する領域をレーザビームの照射により除去して溝を形成するレーザビーム照射工程と、前記溝内を含む前記低誘電率膜配線積層構造部上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜上に上層配線を前記配線に接続させて形成する上層配線形成工程と、前記必要半導体装置形成領域内の前記上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成し、且つ、前記不必要半導体装置形成領域内における前記ダイシングストリートに対応する領域を含む非形成領域を除く領域の前記上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得るダイシング工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程において、前記不必要半導体装置形成領域は前記ダイシングストリートに対応する領域を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記不必要半導体装置形成領域内の前記ダイシングストリートと対応する領域の一部には、前記低誘電率膜配線積層構造部における低誘電率膜および配線が形成されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記必要半導体装置形成領域の周囲における前記ダイシングストリートに対応する領域には、前記低誘電率膜は形成されているが、前記配線は形成されていないことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程および前記ダイシングストリートに対応する領域における前記パッシベーション膜をフォトリソグラフィ法により除去して第１の溝を形成する工程を含み、前記レーザビーム照射工程は、前記第１の溝を介して露出された前記低誘電率膜をレーザビームの照射により除去して第２の溝を形成し、且つ、それ以外の前記ダイシングストリートに対応する領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームの照射により除去して第３の溝を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程および前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜をフォトリソグラフィ法により除去して第１の溝を形成する工程を含み、前記レーザビーム照射工程は、前記第１の溝を介して露出された前記低誘電率膜をレーザビームの照射により除去して第２の溝を形成し、且つ、それ以外の前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームの照射により除去して第３の溝を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項５または６に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有し、前記封止膜、前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得ることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記ダイシングストリートに対応する領域における前記保護膜に溝を形成する工程および当該溝内を含む前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有し、前記封止膜、前記保護膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得ることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハ準備工程は、前記保護膜下にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程を含み、前記保護膜形成工程および前記上層配線形成工程は、前記保護膜上にフォトレジストを被着し、前記フォトレジストを、前記配線の接続パッド部に対応する部分における前記保護膜および前記パッシベーション膜に開口部を形成するための露光マスク部および前記上層配線を形成するための露光マスク部を有する１枚の露光マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記上層配線の接続パッド部上にフォトレジストを配置し、該フォトレジストを露光マスクを用いて露光する工程を含み、前記フォトレジストを、半導体形成領域の１つを必要半導体形成領域とし、他の半導体形成領域が不必要半導体形成領域とされ、且つ、必要半導体形成領域および不必要半導体形成領域が互いに異なる平面サイズの半導体形成領域とされた複数の露光マスク部を有する１枚の露光マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、低誘電率膜配線積層構造部の必要半導体装置形成領域のダイシングストリートに対応する領域をレーザビームの照射により除去して溝を形成し、溝内を含む低誘電率膜配線積層構造部上に保護膜を形成しているので、低誘電率膜のレーザビームの照射による除去面が保護膜によって覆われ、したがって当該除去面から欠落物が生じにくいようにすることができる。また、必要半導体装置形成領域内の上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成し、且つ、不必要半導体装置形成領域内における必要半導体装置形成領域のダイシングストリートに対応する領域を含む非形成領域を除く領域の上層配線の接続パッド部上に柱状電極を形成しているので、不必要半導体装置形成領域において、柱状電極をダイシングブレードで切断することはなく、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じることはなく、したがって銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施形態）
図１（Ａ）はこの発明の第１実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図を示し、図１（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には集積回路部を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等（図示せず）が形成され、その上面には、上記各素子に接続するためのアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１上に多数配列されている。
【００２０】
また、シリコン基板１の上面には、集積回路部を構成する低誘電率膜配線積層構造部３が形成されている。低誘電率膜配線積層構造部３は、複数層例えば４層の低誘電率膜４と同数層のアルミニウム系金属等からなる配線５とが交互に積層された構造となっている。この場合、各層の配線５は層間で互いに接続されている。最下層の配線５の一端部は、最下層の低誘電率膜４に設けられた開口部６を介して接続パッド２に接続されている。最上層の配線５の接続パッド部５ａは最上層の低誘電率膜４の上面周辺部に配置されている。
【００２１】
低誘電率膜４の材料としては、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｈ結合を有するポリシロキサン系材料（ＨＳＱ：Hydrogen silsesquioxane、比誘電率３．０）、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−ＣＨ3結合を有するポリシロキサン系材料（ＭＳＱ：Methyl silsesquioxane、比誘電率２．７〜２．９）、炭素添加酸化シリコン（ＳｉＯＣ：Carbon doped silicon oxide、比誘電率２．７〜２．９）、有機ポリマー系のｌｏｗ−ｋ材料等が挙げられ、比誘電率が３．０以下でガラス転移温度が４００℃以上であるものを用いることができる。
【００２２】
有機ポリマー系のｌｏｗ−ｋ材料としては、Dow Chemical社製の「ＳｉＬＫ（比誘電率２．６）」、Honeywell
Electronic Materials社製の「ＦＬＡＲＥ（比誘電率２．８）」等が挙げられる。ここで、ガラス転移温度が４００℃以上であるということは、後述する製造工程における温度に十分に耐え得るようにするためである。なお、上記各材料のポーラス型も用いることができる。
【００２３】
また、低誘電率膜４の材料としては、以上のほかに、通常の状態における比誘電率が３．０よりも大きいが、ポーラス型とすることにより、比誘電率が３．０以下でガラス転移温度が４００℃以上であるものを用いることができる。例えば、フッ素添加酸化シリコン（ＦＳＧ：Fluorinated Silicate Glass、比誘電率３．５〜３．７）、ボロン添加酸化シリコン（ＢＳＧ：Boron-doped Silicate Glass、比誘電率３．５）、酸化シリコン（比誘電率４．０〜４．２）である。
【００２４】
最上層の配線５を含む最上層の低誘電率膜４の上面には窒化シリコン等の無機材料からなるパッシベーション膜７が設けられている。最上層の配線５の接続パッド部５ａに対応する部分におけるパッシベーション膜７には開口部８が設けられている。パッシベーション膜７の上面にはポリイミド系樹脂等の有機材料からなる保護膜９が設けられている。パッシベーション膜７の開口部８に対応する部分における保護膜９には開口部１０が設けられている。
【００２５】
保護膜９の上面には上層配線１１が設けられている。上層配線１１は、保護膜９の上面に設けられた銅等からなる下地金属層１２と、下地金属層１２の上面に設けられた銅からなる上部金属層１３との２層構造となっている。上層配線１１の一端部は、パッシベーション膜７および保護膜９の開口部８、１０を介して最上層の配線５の接続パッド部５ａに接続されている。
【００２６】
上層配線１１の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１４が設けられている。上層配線１１を含む保護膜９の上面にはエポキシ系樹脂等の有機材料からなる封止膜１５がその上面が柱状電極１４の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１４の上面には半田ボール１６が設けられている。この場合、複数の半田ボール１６つまり柱状電極１４はマトリクス状に配置されている。
【００２７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の一部の長方形状の領域２２内は、平面形状（正方形状あるいは長方形状）およびサイズが異なる必要半導体装置形成領域２２ａ、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃおよびそれ以外の余剰領域２２ｄとなっている。
【００２８】
この場合、必要半導体装置形成領域２２ａは、領域２２内の左右方向中央部において上下方向に連続して配置された同一形状および同一サイズの８つの領域からなっている。第１の不必要半導体装置形成領域２２ｂは、領域２２内の左側において上下方向に連続して配置された同一形状および同一サイズの３つの領域からなっている。第２の不必要半導体装置形成領域２２ｃは、領域２２内の右側において上下方向に連続して配置された同一形状および同一サイズの５つの領域からなっている。
【００２９】
そして、半導体ウエハ２１の上面において各半導体装置形成領域２２ａ、２２ｂ、２２ｃには多種類の集積回路（図示せず）が形成されている。このことについて付言すると、この半導体ウエハ２１は、開発実験用あるいは少量生産用の半導体装置を製造するために、１枚の半導体ウエハ２１に回路構成、サイズ、機能等が異なる多種類の集積回路を形成したものであり、必要な集積回路のみを半導体装置にして取り出すものである。
【００３０】
ここで、符号２２ａで示す８つの必要半導体装置形成領域は、今回必要とされ、この半導体ウエハ２１から取り出そうとする集積回路が形成された領域であり、それ以外の符号２２ｂ、２２ｃで示す第１、第２の不必要半導体装置形成領域は、今回は集積回路装置として取り出す必要がない集積回路が形成された領域であるとする。
【００３１】
なお、この実施形態においては、２２ａを必要半導体装置形成領域、２２ｂ、２２ｃを不必要半導体装置形成領域としているが、各領域２２ａ〜２２ｃは、全て、必要半導体装置形成領域とも不必要半導体装置形成領域ともなり得るものであり、その時に半導体ウエハ２１から取り出す必要がある半導体装置形成領域を必要半導体装置形成領域と呼称するだけであることに留意されたい。そして、各半導体形成領域、つまり、必要半導体装置形成領域２２ａ、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃはいずれも、低誘電率膜配線積層構造部３が形成された状態で所定の機能を果たすための集積回路が構成されているものである。
【００３２】
このような条件下では、最終的には、符号２２ａで示す８つの必要半導体装置形成領域を個片化して分離し、それ以外の符号２２ｂ、２２ｃで示す第１、第２の不必要半導体装置形成領域および余剰領域２２ｄは全て不要部分として廃棄することになる。このため、図３において二点鎖線で示すように、直線状のダイシングストリート２３は、８つの必要半導体装置形成領域２２ａの各４辺に沿った領域とし、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの集積回路が形成された領域上に設定されても差し支えないことになる。このように、図３において、必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３は、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの各領域内を通過している。
【００３３】
さて、半導体ウエハ２１の必要半導体装置形成領域２２ａから図１（Ａ）、（Ｂ）に示す半導体装置を製造する場合には、まず、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すものを準備する。この場合、図４（Ａ）は図３のIVA−IVA線に沿う部分における必要半導体装置形成領域２２ａの部分の断面図であり、図４（Ｂ）は図３のIVB−IVB線に沿う部分における不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分の断面図である。
【００３４】
この準備したものでは、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分のいずれにおいても、半導体ウエハ２１上に、接続パッド２と、各４層の低誘電率膜４および配線５と、パッシベーション膜７とが形成され、最上層の配線５の接続パッド部５ａの中央部がパッシベーション膜７に形成された開口部８を介して露出されている。なお、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃは理解を容易とするため、同一のものとして説明することとする。
【００３５】
ここで、図４（Ａ）において、符号２３で示す領域は、図３のIVA−IVA線に沿う部分における必要半導体装置形成領域２２ａの左辺および右辺に沿うダイシングストリートに対応する領域であるが、図４（Ｂ）において、符号２４で示す領域は、図３のIVB−IVB線に沿う部分における第１の不必要半導体装置形成領域２２ｂの上辺および下辺に沿う仮想のダイシングストリートに対応する領域である。別の表現をすれば、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、符号２３に対応する領域は集積回路部の中間領域に対応する領域であり、集積回路部の端部に対応する領域、つまり、本来、ダイシングすべき領域ではない。
【００３６】
この場合、図４（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分では、図３のIVB−IVB線に沿う部分における不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの右側の必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３と重なり合っている。
【００３７】
そして、図４（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分では、接続パッド２および配線５はダイシングストリート２３の内側に配置されている。すなわち、必要半導体装置形成領域２２ａの周囲におけるダイシングストリート２３に対応する領域には、低誘電率膜４は形成されているが、配線５は形成されていない。一方、図４（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分では、ダイシングストリート２３と重なり合う領域の一部に低誘電率膜４および配線５が形成されている。
【００３８】
さて、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すものを準備したら、次に、図５（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの周囲におけるダイシングストリート２３に対応する領域におけるパッシベーション膜７に、フォトリソグラフィ法により、第１の溝２５を形成する。この場合、図５（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、パッシベーション膜７にそのような溝は形成しない。
【００３９】
次に、図６（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分において、レーザビームを照射するレーザ加工により、パッシベーション膜７の第１の溝２５（つまりダイシングストリート２３）に対応する領域における４層の低誘電率膜４に第２の溝２６を形成する。この状態では、ダイシングストリート２３上における半導体ウエハ２１の上面は第１、第２の溝２５，２６を介して露出されている。また、半導体ウエハ２１上に積層された４層の低誘電率膜４およびパッシベーション膜７が第１、第２の溝２５，２６により分離されることにより、図１に示す低誘電率膜配線積層構造部３が形成されている。
【００４０】
また、図６（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分において、レーザビームを照射するレーザ加工により、ダイシングストリート２３上におけるパッシベーション膜７および４層の低誘電率膜４に第３の溝２７を形成する。この場合、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃでは、配線５の一部がダイシングストリート２３と重なり合っているため、この重なり合った部分における配線５は除去される。また、この状態では、ダイシングストリート２３上における半導体ウエハ２１の上面は第３の溝２７を介して露出されている。
【００４１】
ところで、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分では、ダイシングストリート２３上の一部において、レーザビームの照射によりパッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５を除去して第３の溝２７を形成しているので、これらの除去面が露出される。この場合、低誘電率膜４とパッシベーション膜７および配線５との間の密着強度が低く、当該除去面から欠落物が生じることがある。
【００４２】
一方、必要半導体装置形成領域２２ａの部分では、その４辺に沿ったダイシングストリート２３において、パッシベーション膜７にフォトリソグラフィ法により第１の溝２５を形成した後に、レーザビームの照射により４層の低誘電率膜４のみを除去して第２の溝２６を形成しているので、４層の低誘電率膜４の除去面相互間の密着強度が上記の異種材料間の密着強度よりも高く、当該除去面から欠落物が比較的生じにくい。
【００４３】
そこで、次に、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分において、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、パッシベーション膜７の開口部８を介して露出された最上層の配線５の接続パッド部５ａの上面、第１、第２の溝２５，２６を介して露出された半導体ウエハ２１の上面および第３の溝２７を介して露出された半導体ウエハ２１の上面を含むパッシベーション膜７の上面にポリイミド系樹脂等の有機材料からなる保護膜９を形成する。
【００４４】
したがって、この状態では、図７（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分では、低誘電率膜４のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われているので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。また、図７（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分では、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われているので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。
【００４５】
次に、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜９上にフォトレジスト（図示せず）を被着し、フォトリソグラフィ法により、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分において、最上層の配線５の接続パッド部５ａに対応する部分における保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成する。
【００４６】
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パッシベーション膜７および保護膜９の開口部８、１０を介して露出された最上層の配線５の接続パッド部５ａの上面を含む保護膜９の上面全体に下地金属層１２を形成する。この場合、下地金属層１２は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００４７】
次に、下地金属層１２の上面にメッキレジスト膜３１をパターン形成する。この場合、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分においては、すべての上部金属層１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３１に開口部３２が形成されている。次に、下地金属層１２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３１の開口部３２内の下地金属層１２の上面に上部金属層１３を形成する。次に、メッキレジスト膜３１を剥離する。
【００４８】
次に、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上部金属層１３を含む下地金属層１２の上面にフォトレジストを被着し、フォトリソグラフィ法によりメッキレジスト膜３３をパターン形成する。この場合、必要半導体装置形成領域２２ａの部分においては、すべての上部金属層１３の平面円形状の接続パッド部（柱状電極１４形成領域）に対応する部分におけるメッキレジスト膜３３に平面円形状の開口部３４が形成されている。
【００４９】
一方、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域における上部金属層１３の接続パッド部上面に柱状電極１４が形成されないようにするために、それ以外の領域における上部金属層１３の接続パッド部に対応する部分におけるメッキレジスト膜３３に平面円形状の開口部３４が形成されている。
【００５０】
次に、下地金属層１２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜３３の開口部３４内の上部金属層１３の接続パッド部上面に平面円形状の柱状電極１４を形成する。この状態では、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域における上部金属層１３の接続パッド部上面には柱状電極１４は形成されていない。
【００５１】
ここで、この状態における平面図を図１１に示す。図１１に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａにおいては、柱状電極１４が所期の通り形成されている。不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、必要半導体装置形成領域２２ａ上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１４が所期の通り形成され、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１４は形成されていない。
【００５２】
図１０に戻って説明を続けると、次に、メッキレジスト膜３３を剥離し、次いで、上部金属層１３をマスクとして下地金属層１２の不要な部分をエッチングして除去すると、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上部金属層１３下にのみ下地金属層１２が残存される。この状態では、上部金属層１３およびその下に残存された下地金属層１２により、２層構造の上層配線１１が形成されている。また、上層配線１１の一端部は、パッシベーション膜７および保護膜９の開口部８、１０を介して最上層の配線５の接続パッド部５ａに接続されている。
【００５３】
次に、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、上層配線１１および柱状電極１４を含む保護膜９の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜１５をその厚さが柱状電極１４の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１４の上面は封止膜１５によって覆われている。
【００５４】
次に、封止膜１５の上面側を適宜に研削し、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、柱状電極１４の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１４の上面を含む封止膜１５の上面を平坦化する。次に、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａにおいては、柱状電極１４の上面に半田ボール１６を形成するが、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、柱状電極１４の上面に半田ボール１６は形成しない。これは、半田ボール１６の使用量を最小限とし、その分、コストダウンを図るためである。
【００５５】
次に、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、封止膜１５、保護膜９および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２３に沿って切断する。すると、必要半導体装置形成領域２２ａの部分から図１（Ａ）、（Ｂ）に示す半導体装置が得られ、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分からは不要な半導体装置が得られる。
【００５６】
ここで、封止膜１５、保護膜９および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２３に沿って切断する場合について、図１１を参照して説明する。不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、必要半導体装置形成領域２２ａの上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域に柱状電極１４を形成していないので、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいて、柱状電極１４をダイシングブレード（図示せず）で切断することはない。
【００５７】
このように、上記製造方法では、ダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断するとき、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいて、柱状電極１４を切断することはないので、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じにくく、この銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を抑制することができる。
【００５８】
なお、ダイシングブレードの目詰まりを抑制するために、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃ全体に柱状電極１４を１本も形成しないことが考えられる。しかしながら、このようにした場合には、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃ全体に柱状電極１４を１本も形成しないため、必要半導体装置形成領域２２ａのみに柱状電極１４を形成するための電解メッキを行なうとき、メッキ電流が必要半導体装置形成領域２２ａに集中して増大し、柱状電極１４の高さや形状の均一性が損なわれるので好ましくない。
【００５９】
これに対し、図１１に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、必要半導体装置形成領域２２ａ上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１４を所期の通り形成し、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域に柱状電極１４を形成しないようにすると、メッキの均一性を向上することができる。
【００６０】
なお、上記において、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいて柱状電極１４を形成しない範囲は、必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングストリート２３の直上に対応する領域のみでなく、電解メッキにより形成する柱状電極１４の高さ、形状等の均一性が維持されることを前提に、必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングストリート２３の直上に対応する領域から所定の範囲に亘って形成しないようにしてもよい。すなわち、の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおける、必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングストリート２３の直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に柱状電極１４を形成すればよい。
【００６１】
（第２実施形態）
図１７はこの発明の第２実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置において、図１（Ｂ）に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板１の上面において接続パッド２の外側の周辺部を除く領域に低誘電率膜配線積層構造部３を設け、低誘電率膜配線積層構造部３の外側におけるシリコン基板１の周辺部上面に封止膜１５を設けた点である。
【００６２】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すものを準備した後に、図１８（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの４辺に沿ったダイシングストリート２３上およびその両側の領域におけるパッシベーション膜７に、フォトリソグラフィ法により、第１の溝４１を形成する。この場合も、図１８（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、パッシベーション膜７にそのような溝は形成しない。
【００６３】
次に、図１９（Ａ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分において、レーザビームを照射するレーザ加工により、パッシベーション膜７の第１の溝４１（つまりダイシングストリート２３上およびその両側の領域）に対応する領域における４層の低誘電率膜４に第２の溝４２を形成する。この状態では、ダイシングストリート２３上およびその両側の領域における半導体ウエハ２１の上面は第１、第２の溝４１、４２を介して露出されている。
【００６４】
また、図１９（Ｂ）に示すように、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分において、レーザビームを照射するレーザ加工により、ダイシングストリート２３およびその両側の領域におけるパッシベーション膜７および４層の低誘電率膜４に第３の溝４３を形成する。この場合も、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃでは、配線５の一部がダイシングストリート２３と重なり合っているため、この重なり合った部分における配線５は除去される。また、この状態では、ダイシングストリート２３上およびその両側の領域における半導体ウエハ２１の上面は第３の溝４３を介して露出されている。
【００６５】
次に、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、必要半導体装置形成領域２２ａのパッシベーション膜７の開口部８を介して露出された最上層の配線５の接続パッド部５ａの上面、第１、第２の溝４１、４２を介して露出された半導体ウエハ２１の上面および第３の溝４３を介して露出された半導体ウエハ２１の上面を含むパッシベーション膜７の上面にポリイミド系樹脂等の有機材料からなる保護膜９を形成する。
【００６６】
次に、図２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分において、最上層の配線５の接続パッド部５ａに対応する部分における保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成し、且つ、ダイシングストリート２３上およびその両側の領域における保護膜９、パッシベーション膜７および４層の低誘電率膜４に溝４４を形成する。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、必要半導体装置形成領域２２ａの部分から図１７に示す半導体装置が得られ、不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分からは不要な半導体装置が得られる。
【００６７】
ところで、必要半導体装置形成領域２２ａの部分から得られた図１７に示す半導体装置では、完成した状態において、シリコン基板１上の周辺部を除く領域に低誘電率膜配線積層構造部３が設けられ、低誘電率膜配線積層構造部３、パッシベーション膜７および保護膜９の側面が封止膜１５によって覆われているので、シリコン基板１から低誘電率膜配線積層構造部３が剥離しにくい構造とすることができる。
【００６８】
（第３実施形態）
図２２はこの発明の第３実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置において、図１（Ｂ）に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板１の上面において接続パッド２の外側の周辺部を除く領域に低誘電率膜配線積層構造部３を設け、低誘電率膜配線積層構造部３の外側におけるシリコン基板１の周辺部上面に保護膜９を設けた点である。
【００６９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図２１に示す工程において、開口部８、１０のみを形成し、溝４４を形成しない。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、必要半導体装置形成領域２２ａの部分から図２２に示す半導体装置が得られ、の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃの部分からは不要な半導体装置が得られる。
【００７０】
ところで、必要半導体装置形成領域２２ａの部分から得られた図２２に示す半導体装置では、完成した状態において、シリコン基板１上の周辺部を除く領域に低誘電率膜配線積層構造部３が設けられ、低誘電率膜配線積層構造部３およびパッシベーション膜７の側面が保護膜９によって覆われているので、シリコン基板１から低誘電率膜配線積層構造部３が剥離しにくい構造とすることができる。
【００７１】
（第４実施形態）
図３において、符号２２ｂで示す領域を必要半導体装置形成領域とし、符号２２ａおよび符号２２ｃで示す領域を不必要半導体装置形成領域とした場合には、図１１と同様の工程の平面図である図２３に示すように、符号２２ｂで示す必要半導体装置形成領域の上辺および下辺に沿う領域がダイシングストリート２３となる。
【００７２】
そして、この場合には、符号２２ｂで示す必要半導体装置形成領域においては、柱状電極１４が所期の通り形成されている。符合２２ａ、２２ｃで示す不必要半導体装置形成領域においては、符号２２ｂで示す必要半導体装置形成領域の上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１４が所期の通り形成され、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１４は形成されていない。
【００７３】
（第５実施形態）
図３において、符号２２ｃで示す領域を必要半導体装置形成領域とし、符号２２ａおよび符号２２ｂで示す領域を不必要半導体装置形成領域とした場合には、図１１と同様の工程の平面図である図２４に示すように、符号２２ｃで示す必要半導体装置形成領域の上辺および下辺に沿う領域がダイシングストリート２３となる。
【００７４】
そして、この場合には、符号２２ｃで示す必要半導体装置形成領域においては、柱状電極１４が所期の通り形成されている。符合２２ａ、２２ｂで示す不必要半導体装置形成領域においては、符号２２ｃで示す必要半導体装置形成領域の上辺および下辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１４が所期の通り形成され、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１４は形成されていない。
【００７５】
（その他の実施形態その１）
例えば、上記第１実施形態において、フォトリソグラフィ法により、保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成し、また上部金属層形成用のメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成し（図９）、さらに柱状電極形成用のメッキレジスト膜３３に開口部３４を形成する（図１０）場合には、それぞれ専用の露光マスクを用いる。
【００７６】
この場合、図２５に示すように、露光マスク（一般に、レチクルといわれる）５１として、１枚のガラス板５２の上面に、保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成するための第１の露光マスク部（一般に、フィールドといわれる、以下同様）５３（但し、開口部１０（または８）に対応する領域の遮光部の図示は省略されている）、上部金属層形成用のメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成するための第２の露光マスク部５４（但し、開口部３２に対応する領域の遮光部の図示は省略されている）および柱状電極形成用のメッキレジスト膜３３に開口部３４を形成するための第３の露光マスク部５５が形成されたものを用いると、露光マスクは１枚で済む。但し、この露光マスク５１では、柱状電極形成用の第３の露光マスク部５５は、半導体形成領域２２ａを必要半導体形成領域とするものであり、半導体形成領域２２ｂ、２２ｃは、不必要半導体形成領域として廃棄されるものとしてのマスクパターンとなっている。
【００７７】
上述の如く、半導体形成領域２２ａを必要半導体形成領域とした場合に、１枚の露光マスクが必要であるから、同様に、半導体形成領域２２ｂおよび２２ｃをそれぞれ必要半導体形成領域とする露光マスクを形成しなければならず、図２５に示すような、それぞれの半導体形成領域を必要半導体形成領域とする露光マスクにする方法では、合計３枚の露光マスクが必要となる。そこで、次に、このような場合において、露光マスクを低減することが可能な露光マスクの作製方法ついて説明する。
【００７８】
まず、図２６に図示されるように、ガラス基板６２上の左側および右側に、保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成するための露光マスク部６３（但し、開口部１０（または８）に対応する領域の遮光部の図示は省略されている）および上部金属層形成用のメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成するための露光マスク部６４（但し、開口部３２に対応する領域の遮光部の図示は省略されている）を有する第１の露光マスク６１を作製する。
【００７９】
また、図２７に図示されるように、ガラス基板７２上に、各半導体形成領域の２２ａ、２２ｂ、２２ｃの１つを必要半導体形成領域とし、他の２つを不必要半導体形成領域とする３つの露光マスク部７３〜７５を有する第２の露光マスク７１を作製する。図２７の場合、左側の露光マスク部７３は、半導体形成領域２２ａを必要半導体形成領域とし、半導体形成領域、２２ｂ、２２ｃを不必要半導体形成領域とするものであり、中央部の露光マスク部７４は、半導体形成領域２２ｂを必要半導体形成領域とし、半導体形成領域、２２ａ、２２ｃを不必要半導体形成領域とするものであり、右側の露光マスク部７５は、半導体形成領域２２ｃを必要半導体形成領域とし、半導体形成領域、２２ａ、２２ｃを不必要半導体形成領域とするものである。
【００８０】
つまり、保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成するための露光マスク部６３および上部金属層形成用のメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成するための露光マスク部６４を１枚の第１の露光マスク６１に形成し、柱状電極形成用のメッキレジスト膜３３に開口部３４を形成するための露光マスク部につき、それぞれ、１つの半導体形成領域を必要半導体形成領域とする３つの露光マスク部７３〜７５を１枚の第２の露光マスク７１に形成することにより、露光マスクは２枚で済む。
【００８１】
なお、露光マスクの左右方向に余裕がある場合には、図２６に示す露光マスク６１の代わりに、図２８に示すように、１枚のガラス板６２の上面左側に、保護膜９およびパッシベーション膜７に開口部１０、８を形成するための露光マスク部６３が２つ左右方向に並べて形成され、ガラス板６２の上面左側に、上部金属層形成用のメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成するための露光マスク部６４が２つ左右方向に並べて形成されたものを用いるようにしてもよい。
【００８２】
このような露光マスク６１を用いた場合には、例えば図１１に示す領域２２の左右方向に隣接する２つに対して、２つの露光マスク部６３あるいは２つの露光マスク部６４により、１度で露光することができるので、１枚の半導体ウエハ２１に対する露光回数が低減し、露光時間を短縮することができる。
【００８３】
（その他の実施形態その２）
上記第１実施形態では、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および第１の不必要半導体装置形成領域２２ｂの部分において、すべての上部金属層１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３１に開口部３２が形成している。
【００８４】
これに対し、第１の不必要半導体装置形成領域２２ｂの部分においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域に少なくとも上部金属層１３の接続パッド部が形成されないようにするために、それ以外の領域における上部金属層１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３１に開口部３２を形成するようにしてもよい。
【００８５】
このようにした場合には、第１の不必要半導体装置形成領域２２ｂの部分においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域に少なくとも上部金属層１３の接続パッド部が形成されないため、図１１を参照して説明すると、ダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断するとき、第１、第２の不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいて、柱状電極１４のみならず、その台座となる上層配線１１の接続パッド部をも切断することはないので、ダイシングブレードに銅の目詰まりがより一層生じにくく、この銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化をより一層抑制することができる。
【００８６】
なお、本実施形態では、集積回路部の各素子を接続する回路配線が低誘電率膜を有する場合で説明したが、本発明は、通常の誘電率を有する絶縁膜と配線によって集積回路部の各素子を接続する構造の場合にも適用可能であり、その場合には、絶縁膜はシリコン基板を切断して個々の半導体装置を得る時にのみ切断するだけでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】（Ａ）はこの発明の第１実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図２】開発実験用あるいは少量生産用の半導体ウエハの一部の平面状態を説明するために示す平面図。
【図３】図２に示す半導体ウエハに対するダイシングストリートを説明するために示す平面図。
【図４】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初準備したものの断面図を示し、（Ａ）は図３のIVA−IVA線に沿う部分における必要半導体装置形成領域の部分の断面図、（Ｂ）は図３のIVB−IVB線に沿う部分における不必要半導体装置形成領域の部分の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に示す状態における平面図。
【図１２】図１０に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】この発明の第２実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図１８】図１７に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の図４同様の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】図２０に続く工程の断面図。
【図２２】この発明の第３実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２３】この発明の第４実施形態としての製造方法において図１１同様の工程の平面図。
【図２４】この発明の第５実施形態としての製造方法において図１１同様の工程の平面図。
【図２５】第１実施形態の製造方法において用いる露光マスクの一例の平面図。
【図２６】その他の製造方法において用いる露光マスクの一例の平面図。
【図２７】同じくその他の製造方法において用いる他の露光マスクの一例の平面図。
【図２８】図２６に示す露光マスクの他の例の平面図。
【符号の説明】
【００８８】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  低誘電率膜配線積層構造部
４  低誘電率膜
５  配線
７  パッシベーション膜
９  保護膜
１１  上層配線
１４  柱状電極
１５  封止膜
１６  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２２ａ  必要半導体装置形成領域
２２ｂ  第１の不必要半導体装置形成領域
２２ｃ  第２の不必要半導体装置形成領域
２２ｄ  余剰領域
２３  ダイシングストリート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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