(57)【要約】【課題】塗布装置における不活性ガスの使用量を低減する。【解決手段】塗布装置１の不活性ガス噴出機構は、内部に複数の分割チャンバ２１３を有するカバー部２１、および、複数の分割チャンバ２１３への不活性ガスの供給を個別に制御する噴出領域制御部を備える。塗布装置１では、基板９の相対移動に伴って基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との平面視における重複面積が増大するに従って、カバー部２１の複数の噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が、基板９の相対移動方向後側から前側の噴出口２１４に向かって順次開始される。このように、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９とは重なっていない噴出口２１４からは不活性ガスが噴出されないため、基板９上に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着等を抑制するための不活性ガスの使用量を低減することができる。【選択図】図５．Ｂ
2010227824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に流動性材料を塗布する塗布装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の主面に向けて流動性材料を吐出する吐出機構と、
前記吐出機構を前記主面に平行な主走査方向に前記基板に対して相対的に移動するとともに、前記主走査方向への移動が行われる毎に前記基板を前記吐出機構に対して前記主走査方向に垂直かつ前記主面に平行な副走査方向に相対的に移動する移動機構と、
前記副走査方向における前記基板の相対移動方向前側において前記吐出機構に隣接して配置され、前記基板の前記主面に塗布された前記流動性材料に向けて不活性ガスを噴出する不活性ガス噴出機構と、
を備え、
前記不活性ガス噴出機構が、
前記基板の前記主面に垂直な方向に関して前記基板から離間しつつ前記主面を前記主走査方向の全長に亘って覆うとともに不活性ガスの噴出領域が変更可能な噴出面を有するカバー部と、
前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記噴出面における前記噴出領域を、前記基板の前記相対移動方向前側へと拡大する噴出領域制御部と、
を備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記副走査方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが前記基板の前記主走査方向の全長に亘る複数の噴出口が前記カバー部の前記噴出面に設けられ、
前記噴出領域制御部により前記複数の噴出口への前記不活性ガスの供給が個別に制御され、前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記複数の噴出口からの前記不活性ガスの噴出が、前記相対移動方向後側の噴出口から前記相対移動方向前側の噴出口に向かって順次開始されることを特徴とする塗布装置。
【請求項３】
請求項２に記載の塗布装置であって、
前記複数の噴出口からそれぞれ噴出する前記不活性ガスの単位面積当たりの流量が互いに等しいことを特徴とする塗布装置。
【請求項４】
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記不活性ガス噴出機構が、前記噴出面に対向することにより前記噴出面からの不活性ガスの噴出を部分的に遮る遮蔽板をさらに備え、
前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記噴出領域制御部により、前記遮蔽板による前記噴出面全体の遮蔽が前記相対移動方向後側から前記相対移動方向前側に向かって順次開放されることを特徴とする塗布装置。
【請求項５】
請求項４に記載の塗布装置であって、
前記遮蔽板が、前記副走査方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが前記噴射面の前記主走査方向の全長に亘る板状であって前記主走査方向に平行な回転軸を中心として回転する複数の遮蔽要素を備え、
前記複数の遮蔽要素のうち最も前記相対移動方向後側に位置する遮蔽要素である後端遮蔽要素が回転して前記噴出面の一部が開放される際に、前記後端遮蔽要素が、前記基板の前記主面に近づくに従って前記相対移動方向後側に向かう姿勢とされることにより、前記後端遮蔽要素近傍において前記相対移動方向後側に向かう前記不活性ガスの流れが形成されることを特徴とする塗布装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の塗布装置であって、
前記基板保持部または前記不活性ガス噴出機構の前記カバー部が、前記基板の前記主面と前記カバー部の前記噴射面との間の空間を前記主走査方向の両側から覆う側板を備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布装置であって、
前記不活性ガス噴出機構が、
前記カバー部と前記吐出機構との間に配置されるとともに前記基板の前記主走査方向の全長に亘るスリット状の噴出口から、前記基板の前記主面に向けて前記噴出面からの前記不活性ガスの噴出速度よりも高速にて不活性ガスを噴出するスリット噴射部をさらに備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項８】
請求項７に記載の塗布装置であって、
前記不活性ガス噴出機構が、前記スリット噴射部と前記吐出機構との間に配置されてガスを吸引する吸引機構をさらに備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の塗布装置であって、
前記噴射面の前記副走査方向の長さが、前記基板の前記主面の前記副走査方向の長さよりも長いことを特徴とする塗布装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の塗布装置であって、
前記吐出機構近傍において前記基板の前記主面に向かう空気の流れが形成されており、
前記不活性ガス噴出機構が、前記噴射面の前記相対移動方向後側の端部近傍において前記空気の流れの中に配置されるとともに前記基板の前記主面に近づくに従って前記相対移動方向後側に向かう傾斜面を有することを特徴とする塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に流動性材料を塗布する塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機ＥＬ（Electro Luminescence）材料を利用した有機ＥＬ表示装置の開発が行われており、例えば、高分子有機ＥＬ材料を用いたアクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置の製造では、ガラス基板（以下、単に「基板」という。）に対して、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路の形成、陽極となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極の形成、隔壁の形成、正孔輸送材料を含む流動性材料（以下、「正孔輸送液」という。）の塗布、加熱処理による正孔輸送層の形成、有機ＥＬ材料を含む流動性材料（以下、「有機ＥＬ液」という。）の塗布、加熱処理による有機ＥＬ層の形成、陰極の形成、および、絶縁膜の形成が順次行われる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の製造において、正孔輸送液または有機ＥＬ液を基板に塗布する装置として、例えば、特許文献１および特許文献２に示されるように、流動性材料を連続的に吐出する複数のノズルを、基板に対して主走査方向および副走査方向に相対移動することにより、基板上に流動性材料をストライプ状に塗布する装置が知られている。また、特許文献３のように、インクジェット方式にて流動性材料の微小液滴を基板に向けて吐出することにより基板上に流動性材料を塗布する装置も知られている。
【０００４】
特許文献１ないし特許文献３では、基板上に塗布される流動性材料の酸化による品質劣化を防止するために、流動性材料の塗布に係る機構全体を不活性ガス雰囲気（すなわち、低酸素雰囲気）とされた密閉装置内に収容し、当該密閉装置内にて流動性材料の塗布を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２９５４２号公報
【特許文献２】特開２００７−２６０６００号公報
【特許文献３】特開２００３−２１７８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１ないし特許文献３の装置では、流動性材料の塗布に係る機構全体が密閉装置内に収容されるため、装置全体が大型化するとともに、装置に対する基板の搬出入に係る構造が複雑化してしまう。また、大型の密閉装置に不活性ガスを充填する必要があるため、不活性ガスが大量に必要となり、有機ＥＬ表示装置の製造コストが増大してしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、塗布装置における不活性ガスの使用量を低減することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、基板に流動性材料を塗布する塗布装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板の主面に向けて流動性材料を吐出する吐出機構と、前記吐出機構を前記主面に平行な主走査方向に前記基板に対して相対的に移動するとともに、前記主走査方向への移動が行われる毎に前記基板を前記吐出機構に対して前記主走査方向に垂直かつ前記主面に平行な副走査方向に相対的に移動する移動機構と、前記副走査方向における前記基板の相対移動方向前側において前記吐出機構に隣接して配置され、前記基板の前記主面に塗布された前記流動性材料に向けて不活性ガスを噴出する不活性ガス噴出機構とを備え、前記不活性ガス噴出機構が、前記基板の前記主面に垂直な方向に関して前記基板から離間しつつ前記主面を前記主走査方向の全長に亘って覆うとともに不活性ガスの噴出領域が変更可能な噴出面を有するカバー部と、前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記噴出面における前記噴出領域を、前記基板の前記相対移動方向前側へと拡大する噴出領域制御部とを備える。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の塗布装置であって、前記副走査方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが前記基板の前記主走査方向の全長に亘る複数の噴出口が前記カバー部の前記噴出面に設けられ、前記噴出領域制御部により前記複数の噴出口への前記不活性ガスの供給が個別に制御され、前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記複数の噴出口からの前記不活性ガスの噴出が、前記相対移動方向後側の噴出口から前記相対移動方向前側の噴出口に向かって順次開始される。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の塗布装置であって、前記複数の噴出口からそれぞれ噴出する前記不活性ガスの単位面積当たりの流量が互いに等しい。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の塗布装置であって、前記不活性ガス噴出機構が、前記噴出面に対向することにより前記噴出面からの不活性ガスの噴出を部分的に遮る遮蔽板をさらに備え、前記基板の前記副走査方向への相対移動に伴って前記基板の前記主面と前記噴出面との重複面積が増大するに従って、前記噴出領域制御部により、前記遮蔽板による前記噴出面全体の遮蔽が前記相対移動方向後側から前記相対移動方向前側に向かって順次開放される。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の塗布装置であって、前記遮蔽板が、前記副走査方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが前記噴射面の前記主走査方向の全長に亘る板状であって前記主走査方向に平行な回転軸を中心として回転する複数の遮蔽要素を備え、前記複数の遮蔽要素のうち最も前記相対移動方向後側に位置する遮蔽要素である後端遮蔽要素が回転して前記噴出面の一部が開放される際に、前記後端遮蔽要素が、前記基板の前記主面に近づくに従って前記相対移動方向後側に向かう姿勢とされることにより、前記後端遮蔽要素近傍において前記相対移動方向後側に向かう前記不活性ガスの流れが形成される。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の塗布装置であって、前記基板保持部または前記不活性ガス噴出機構の前記カバー部が、前記基板の前記主面と前記カバー部の前記噴射面との間の空間を前記主走査方向の両側から覆う側板を備える。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布装置であって、前記不活性ガス噴出機構が、前記カバー部と前記吐出機構との間に配置されるとともに前記基板の前記主走査方向の全長に亘るスリット状の噴出口から、前記基板の前記主面に向けて前記噴出面からの前記不活性ガスの噴出速度よりも高速にて不活性ガスを噴出するスリット噴射部をさらに備える。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の塗布装置であって、前記不活性ガス噴出機構が、前記スリット噴射部と前記吐出機構との間に配置されてガスを吸引する吸引機構をさらに備える。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の塗布装置であって、前記噴射面の前記副走査方向の長さが、前記基板の前記主面の前記副走査方向の長さよりも長い。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の塗布装置であって、前記吐出機構近傍において前記基板の前記主面に向かう空気の流れが形成されており、前記不活性ガス噴出機構が、前記噴射面の前記相対移動方向後側の端部近傍において前記空気の流れの中に配置されるとともに前記基板の前記主面に近づくに従って前記相対移動方向後側に向かう傾斜面を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、不活性ガスの使用量を低減することができる。また、請求項２ないし５の発明では、簡素な構造で不活性ガスの噴出制御を行うことができる。請求項６の発明では、不活性ガスの使用量をさらに低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る塗布装置の平面図である。
【図２．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図２．Ｂ】不活性ガス噴出機構の断面図である。
【図３】カバー部の底面図である。
【図４】塗布装置の断面図である。
【図５．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図５．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図５．Ｃ】塗布装置の断面図である。
【図６】不活性ガスの流量と経過時間との関係を示す図である。
【図７．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図７．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図８】塗布装置の断面図である。
【図９】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る塗布装置の断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る塗布装置の断面図である。
【図１２．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図１２．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図１２．Ｃ】塗布装置の断面図である。
【図１３】塗布装置の断面図である。
【図１４】塗布装置の断面図である。
【図１５．Ａ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１５．Ｂ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１５．Ｃ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１５．Ｄ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１５．Ｅ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１６．Ａ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１６．Ｂ】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１７】塗布装置の一部を示す断面図である。
【図１８．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図１８．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図１９．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図１９．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図２０．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図２０．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【図２１．Ａ】不活性ガス噴出機構の底面図である。
【図２１．Ｂ】不活性ガス噴出機構の底面図である。
【図２２．Ａ】塗布装置の断面図である。
【図２２．Ｂ】塗布装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る塗布装置１を示す平面図であり、図２．Ａは塗布装置１を図１中のＡ−Ａの位置にて切断した断面図である。また、図２．Ｂは、図２．Ａの一部を拡大して示す図である。図２．Ａでは、図の理解を容易にするために、断面よりも手前側の構造の一部、および、移動後の基板９および基板保持部１１を二点鎖線にて示しており、また、断面への平行斜線への付与を省略している（後述する他の断面図においても同様）。塗布装置１は、平面表示装置用のガラス基板９（以下、単に「基板９」という。）に、平面表示装置用の画素形成材料を含む流動性材料を塗布する装置である。塗布装置１は、空気中に設置されており、塗布装置１の上方から下方に向かう（すなわち、（＋Ｚ）側から（−Ｚ）方向へと向かう）空気の流れが形成されている。本実施の形態では、塗布装置１において、アクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置用の基板９に、有機ＥＬ材料を含む流動性材料（以下、「有機ＥＬ液」という。）が塗布される。
【００２１】
図１および図２．Ａに示すように、塗布装置１は、基板９を保持する基板保持部１１、基板保持部１１を基板９の両主面に平行な所定の方向（すなわち、図１中のＹ方向であり、以下、「副走査方向」という。）に水平移動する基板移動機構１２、基板保持部１１に保持された基板９の（＋Ｚ）側の主面９１（以下、「上面９１」という。）に向けて流動性材料を吐出する吐出機構である塗布ヘッド１４、および、塗布ヘッド１４を基板９の上面９１に平行かつ副走査方向に垂直な方向（すなわち、図１中のＸ方向であり、以下、「主走査方向」という。）に水平移動するヘッド移動機構１５を備える。ヘッド移動機構１５は、基板保持部１１および基板移動機構１２を跨いで設けられる門型の支持部１５０の上部に配置される。
【００２２】
塗布ヘッド１４は、同一種類の有機ＥＬ液を連続的に吐出する複数（本実施の形態では、３本）のノズル１４１を備える。３本のノズル１４１は、Ｘ方向（すなわち、主走査方向）に略直線状に配列されるとともにＹ方向（すなわち、副走査方向）に僅かにずれて配置される。３本のノズル１４１の吐出口は副走査方向に関して等間隔にて配列されており、隣接する２本のノズル１４１の間の副走査方向に関する距離は、基板９の上面９１に予め形成されている主走査方向に伸びる隔壁間のピッチ（以下、「隔壁ピッチ」という。）の３倍に等しくされる。
【００２３】
塗布装置１では、ヘッド移動機構１５および基板移動機構１２が、塗布ヘッド１４を基板９に対して主走査方向に相対的に移動するとともに基板９を塗布ヘッド１４に対して副走査方向に相対的に移動する移動機構となる。後述するように、塗布装置１では、基板９に対する有機ＥＬ液の塗布時に、基板９が基板保持部１１と共に副走査方向において図１中の（−Ｙ）側から（＋Ｙ）方向へと移動する。すなわち、図１中の（＋Ｙ）側が副走査方向における基板９の相対移動方向前側となり、（−Ｙ）側が副走査方向における基板９の相対移動方向後側となる。換言すれば、図１中の（＋Ｙ）側は、基板９の副走査方向における移動の下流側であり、（−Ｙ）側が基板９の移動の上流側である。
【００２４】
基板９に有機ＥＬ液が塗布される際には、基板９が図１および図２．Ａにおいて実線にて示す塗布開始位置に位置し、ヘッド移動機構１５により主走査方向に移動する塗布ヘッド１４の３本のノズル１４１から、基板９上の隔壁間に形成される３つの溝部に有機ＥＬ液が連続的に吐出されて塗布される。塗布装置１により有機ＥＬ液が塗布される各２つの溝部の間には、他の塗布装置等により他の種類の有機ＥＬ液が塗布される２つの溝部が挟まれている。
【００２５】
塗布ヘッド１４が主走査方向の一方側から他方側まで（例えば、基板９の（−Ｘ）側から（＋Ｘ）側まで）移動すると、基板移動機構１２により基板９が基板保持部１１と共に（＋Ｙ）方向（すなわち、副走査方向）に隔壁ピッチの９倍に等しい距離だけ移動する。副走査方向における基板９の移動が終了すると、塗布ヘッド１４が３本のノズル１４１から有機ＥＬ液を吐出しつつ（＋Ｘ）側から（−Ｘ）側まで主走査方向に移動することにより、基板９の上面９１の溝に有機ＥＬ液が塗布される。
【００２６】
塗布装置１では、基板保持部１１および基板９が、図１および図２．Ａ中において二点鎖線にて示す塗布終了位置に位置するまで、塗布ヘッド１４の主走査方向における移動、および、基板９の（＋Ｙ）側へのステップ移動が繰り返され（すなわち、塗布ヘッド１４の基板９に対する主走査方向における相対移動が行われる毎に、基板９が塗布ヘッド１４に対して副走査方向に相対的に移動され）、これにより、基板９の上面９１において、有機ＥＬ液が隔壁ピッチの３倍に等しいピッチにて配列されたストライプ状に塗布される。塗布装置１では、副走査方向に関し、基板９上において有機ＥＬ液の塗布が進行する方向（すなわち、塗布ヘッド１４の基板９に対する相対移動方向）は、基板移動機構１２による基板９の移動方向とは反対向きとなっている。
【００２７】
塗布装置１は、副走査方向における基板９の相対移動方向前側において塗布ヘッド１４に隣接して配置され（すなわち、塗布ヘッド１４の（＋Ｙ）側に隣接して配置され）、基板９の上面９１に塗布された有機ＥＬ液に向けて不活性ガスを噴出する不活性ガス噴出機構２を備える。本実施の形態では、不活性ガス噴出機構２により窒素（Ｎ２）ガスが噴出されるが、他の様々な不活性ガスが噴出されてもよい。
【００２８】
不活性ガス噴出機構２は、塗布終了位置に位置した基板９の（＋Ｚ）側に配置される略直方体状のカバー部２１を有し、カバー部２１は、基板９の上面９１に垂直なＺ方向に関して基板９から離間しつつ基板９の上面９１を全面に亘って（すなわち、主走査方向の全長および副走査方向の全長に亘って）覆う。図２．Ａに示すように、カバー部２１の基板９に対向する下面は、全面に亘って不活性ガスを噴出する噴出面２１１となっており、噴出面２１１の主走査方向および副走査方向のそれぞれの長さは、基板９の上面９１の主走査方向および副走査方向の長さよりも長い。図２．Ａでは、図の理解を容易にするために、不活性ガス噴出機構２のカバー部２１の噴出面２１１を破線にて示す（後述する他の断面図においても同様）。
【００２９】
図３は、不活性ガス噴出機構２のカバー部２１の底面図である。図２．Ａおよび図３に示すように、カバー部２１の内部空間には、Ｙ方向に配列されるとともにそれぞれがカバー部２１のＸ方向の全長に亘る薄板状の部材である複数の仕切り板２１２が設けられ、複数の仕切り板２１２によりカバー部２１の内部空間が分割されることにより、Ｙ方向に配列される互いに独立した複数（本実施の形態では、１０個）の分割チャンバ２１３が形成される。これにより、図２．Ａに示すように、カバー部２１の噴出面２１１において、Ｙ方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが基板９の主走査方向の全長に亘る複数の噴出口２１４が設けられる。
【００３０】
図２．Ｂに示すように、不活性ガス噴出機構２では、各分割チャンバ２１３の（＋Ｚ）側に、分割チャンバ２１３に不活性ガスを供給する配管２２１が接続されており、各配管２２１には、配管２２１内の不活性ガスの流量を調整するマスフローコントローラ２２２が設けられている。不活性ガス噴出機構２は、これら複数のマスフローコントローラ２２２の開閉および開度を個別に制御するコンピュータである噴出領域制御部２２を有し、噴出領域制御部２２により、複数の分割チャンバ２１３への不活性ガスの供給（すなわち、複数の複数の噴出口２１４への不活性ガスの供給）が個別に制御され、噴出面２１１における不活性ガスの噴出領域が変更可能とされる。
【００３１】
本実施の形態では、多数の貫通孔が形成された薄板状のパンチングメタル（図示省略）が、図２．Ａに示すカバー部２１の噴出面２１１において各噴出口２１４に設けられることにより、各分割チャンバ２１３において噴出口２１４へと向かう不活性ガスが噴出口２１４の全域に分散される。これにより、各噴出口２１４から噴出される不活性ガスの流量が各噴出口２１４の全域においておよそ均一となる。噴出面２１１と基板９の上面９１との間のＺ方向の距離は約１０ｍｍとされる。なお、各分割チャンバ２１３内では、上記パンチングメタルの上方にもう１枚のパンチングメタルが設けられ、噴出口２１４に向かう不活性ガスがより分散されてもよい。また、各分割チャンバ２１３において、配管２２１（図２．Ｂ参照）が接続される位置の下方に小さい薄板状の拡散板が設けられることにより、配管２２１から分割チャンバ２１３内に流入する不活性ガスが分割チャンバ２１３全体に拡散されてもよい。
【００３２】
図４は、塗布装置１を図１中のＢ−Ｂの位置にて切断した断面図である。図４では、図の理解を容易にするために、断面よりも（−Ｙ）側の構造を二点鎖線にて示す。図４に示すように、不活性ガス噴出機構２のカバー部２１は、基板９が塗布終了位置に位置した状態で、基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との間の空間を主走査方向の両側（すなわち、（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側）から覆う２つの側板２１５を備え、Ｙ方向においてカバー部２１の全長に亘って伸びる側板２１５の下端には、同じくＹ方向においてカバー部２１の全長に亘って伸びるとともに基板９の上面９１に平行に基板９および基板保持部１１に向かって突出する側底板２１５１が設けられる。なお、基板保持部１１の副走査方向への移動時に摩擦が生じないように、側底板２１５１と基板保持部１１との間には間隙が設けられる。塗布装置１では、図２．Ａに示すように、カバー部２１の（＋Ｙ）側にも、Ｘ方向においてカバー部２１の全長に亘って伸びるとともに基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との間の空間を覆う側板２１６が設けられる。
【００３３】
塗布装置１では、基板９に対する流動性材料の塗布の際に、基板９の副走査方向への相対移動に伴って、基板９の上面９１の（＋Ｙ）側の領域が不活性ガス噴出機構２のカバー部２１により覆われ、カバー部２１により覆われる上面９１上の領域が（−Ｙ）側に向かって拡がっていく。換言すれば、基板９の副走査方向への相対移動に伴って、基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との重複面積が増大する。
【００３４】
図５．Ａおよびし図５．Ｂは、基板９に対する流動性材料の塗布途上の様子を示す断面図であり、図５．Ｃは、基板９に対する流動性材料の塗布終了時の様子を示す断面図である。図５．Ａないし図５．Ｃは図２．Ａに対応する。図２．Ａに示すように、基板９が不活性ガス噴出機構２のカバー部２１よりも（−Ｙ）側の塗布開始位置に位置する状態では、カバー部２１の各分割チャンバ２１３に接続された配管２２１（図２．Ｂ参照）における流量が０とされており、各分割チャンバ２１３の噴出口２１４から不活性ガスは噴出されていない。
【００３５】
そして、基板９に対する流動性材料の塗布が開始され、図５．Ａに示すように、基板９の（＋Ｙ）側の部位が、カバー部２１の最も（−Ｙ）側に位置する分割チャンバ２１３の下方へと移動すると、噴出領域制御部２２（図２．Ｂ参照）の制御により当該分割チャンバ２１３に接続された配管２２１を介しての不活性ガスの流入が開始され、分割チャンバ２１３の噴出口２１４から不活性ガスの噴出が開始される。図５．Ａでは、図の理解を容易にするために、不活性ガスの噴出が行われている分割チャンバ２１３内に下向きの矢印を描いている（図５．Ｂおよび図５．Ｃにおいても同様）。
【００３６】
塗布装置１では、図５．Ａおよび図５．Ｂに示すように、基板９の（＋Ｙ）方向への相対移動に伴って基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との平面視における重複面積が増大するに従って、噴出領域制御部２２により複数のマスフローコントローラ２２２（図２．Ｂ参照）が制御されることにより、カバー部２１の複数の噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が、（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側の噴出口２１４に向かって順次開始される。換言すれば、上記重複面積の増大に従って、カバー部２１の噴出面２１１における噴出領域が（＋Ｙ）側へと拡大される。
【００３７】
これにより、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９の上面９１に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着（すなわち、流動性材料が水分と反応して劣化してしまうこと）等が防止される。このとき、基板９とは重なっていない噴出口２１４からは不活性ガスが噴出されないため、基板９上に塗布された流動性材料の酸化を抑制するための不活性ガスの使用量を低減することができ、その結果、基板９への流動性材料の塗布に要するコスト（すなわち、塗布装置１のランニングコスト）を低減することができる。また、基板９の上面９１上の小さい空間のみを不活性ガス雰囲気とすることにより、塗布装置１全体を密閉装置に収容することなく流動性材料の酸化や水分の吸着等を防止することができるため、塗布装置１の小型化および簡素化が実現される。
【００３８】
上述のように、カバー部２１の噴出面２１１における噴出領域の拡大は、噴出面２１１において副走査方向に配列された複数の噴出口２１４への不活性ガスの供給を、噴出領域制御部２２により個別に制御することにより実現される。このように、塗布装置１では、簡素な構造にて噴出面２１１からの不活性ガスの噴出制御を行うことができる。また、基板９の近傍に、不活性ガスの噴出制御に係る可動部を設ける必要がないため、パーティクル等による基板９の汚染をより一層抑制することができる。
【００３９】
塗布装置１では、カバー部２１の噴出面２１１の副走査方向の長さが、基板９の上面９１の副走査方向の長さよりも長くされることにより、図５．Ｃに示すように、基板９が塗布終了位置に位置した状態において、カバー部２１の全ての噴出口２１４から基板９の上面９１全域に向けて不活性ガスが噴出される。塗布装置１では、噴出領域制御部２２により、複数の噴出口２１４からそれぞれ噴出される不活性ガスの単位面積当たりの流量は互いに等しくされる。これにより、基板９の上面９１のうちカバー部２１の噴出面２１１と平面視にて重なる領域において、不活性ガスの均一な付与が実現される。
【００４０】
カバー部２１では、図４に示すように、基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との間の空間を（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側から覆う側板２１５が設けられることにより、カバー部２１の噴出面２１１から基板９の上面９１に向けて噴出された不活性ガスが、カバー部２１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側から外部へと流出することを抑制することができる。これにより、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度を維持しつつ不活性ガスの使用量をより低減することができる。
【００４１】
また、側板２１５の下端に基板９および基板保持部１１に向かって突出する側底板２１５１が設けられることにより、基板９の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側において側板２１５と基板９との間の間隙から不活性ガスが外部へと流出することがさらに抑制される。その結果、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度を維持しつつ不活性ガスの使用量をより一層低減することができる。さらに、図２．Ａに示すように、カバー部２１の（＋Ｙ）側にも側板２１６が設けられることにより、カバー部２１の（＋Ｙ）側から不活性ガスが流出することを抑制することができ、不活性ガスの使用量をより一層低減することができる。
【００４２】
上述の説明では、カバー部２１の分割チャンバ２１３と基板９とが重なり始めた時点で当該分割チャンバ２１３からの不活性ガスの噴出が開始されるとしたが、塗布装置１では、基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との重複面積が増大するに従って、噴出面２１１の複数の噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が、塗布ヘッド１４の主走査方向の移動経路に最も近い（−Ｙ）側の噴出口２１４から、塗布ヘッド１４の移動経路から最も離れた（＋Ｙ）側の噴出口２１４に向かって順次開始されるのであればよい。例えば、基板９が一の噴出口２１４に重なるよりも所定時間だけ前に、当該噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が開始されてもよい。
【００４３】
図６は、一の噴出口２１４から噴出される不活性ガスの流量と噴出開始からの経過時間との関係の一例を示す図である。図６では、当該噴出口２１４を有する分割チャンバ２１３内の酸素濃度の変化を、二点鎖線にて併せて描いている。図６に示す例では、基板９が噴出口２１４と重なり始めるよりも前の時刻ｔ０に、噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が開始され、流量Ｑ１にて不活性ガスの噴出が継続して行われることにより、噴出開始から所定時間の経過後の時刻ｔ１には、分割チャンバ２１３内の酸素濃度が所定濃度まで低下する。
【００４４】
そして、時刻ｔ１に基板９と分割チャンバ２１３とが重なり始め、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間、基板９と噴出口２１４との重複面積は増大し、時刻ｔ２にて噴出口２１４全体が基板９と重なる。これと並行して、噴出領域制御部２２による制御が行われ、噴出口２１４から噴出する不活性ガスの流量はＱ２まで減少する。その結果、分割チャンバ２１３に流入する不活性ガスの流量の減少と、分割チャンバ２１３の噴出口２１４から流出する不活性ガスの流量とが等しくされ、分割チャンバ２１３内の酸素濃度（基板９の上面９１において分割チャンバ２１３と平面視にて重なる領域上の酸素濃度にほぼ等しい。）が上述の所定濃度のまま維持される。基板９が当該噴出口２１４と重なっている間は常に、基板９の噴出口２１４と重なっている部位上の流動性材料の周囲の雰囲気が所定濃度の低酸素雰囲気とされ、流動性材料の酸化抑制や水分の吸着防止等が均一に行われる。
【００４５】
塗布装置１では、図７．Ａおよび図７．Ｂに示すように、カバー部２１および基板保持部１１のＸ方向およびＹ方向の全長に亘ってカバー部２１および基板保持部１１の下側を覆う下部閉塞部２６が設けられてもよい。下部閉塞部２６は、カバー部２１の（＋Ｙ）側の端部（すなわち、塗布ヘッド１４の移動経路に最も近い端部）から基板保持部１１の（−Ｙ）側の端部まで設けられており、下部閉塞部２６の一部はＹ方向に伸縮可能な蛇腹状の伸縮部２６１とされる。伸縮部２６１は、図７．Ａに示すように、基板９が塗布開始位置に位置した状態では伸張状態とされており、基板９が図７．Ｂに示す塗布終了位置に位置するまで、基板９の（＋Ｙ）方向への移動に伴って収縮する。下部閉塞部２６は、Ｚ方向においてカバー部２１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に設けられる側板２１５（図４参照）の下端部とほぼ同じ高さとされる。
【００４６】
塗布装置１では、上述のように、カバー部２１の噴出口２１４と基板９とが重なり始めた時点で当該噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が開始されるため、噴出口２１４の基板９と重なっていない領域から基板９の高さよりも下方へと不活性ガスが噴出されることとなるが、下部閉塞部２６によりカバー部２１の下方が覆われることにより、噴出口２１４から噴出された不活性ガスが大きく拡散することなく基板９の周囲に留まる。これにより、不活性ガスの使用量をより低減することができる。また、図６に示すように、カバー部２１の噴出口２１４と基板９とが重なり始めるよりも前から噴出口２１４からの不活性ガスの噴出が行われる場合には、特に、不活性ガスの拡散を抑制して不活性ガスの使用量をさらに低減することができる。
【００４７】
塗布装置１では、また、図８に示すように、カバー部２１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に不活性ガス循環機構２１７が設けられてもよい。不活性ガス循環機構２１７は、カバー部２１の側板２１５の外側を覆うとともに側板２１５と基板９との間の間隙を下側から覆うように配置される。そして、側板２１５と基板９との間隙から下側に流出する不活性ガスが、基板９の下方に位置する吸気口２１７１を介してポンプ２１７２により吸引され、側板２１５の外側に位置する給気口２１７３を介してカバー部２１の内側へと供給される。
【００４８】
これにより、側板２１５と基板９および基板保持部１１との間の空間の不活性ガス濃度が、カバー部２１の内部空間（すなわち、基板９上の空間）に比べると低くはあるものの増大される。その結果、配管２２１（図２．Ｂ参照）を介してカバー部２１の各分割チャンバ２１３に供給される不活性ガスが、基板９と側板２１５との間の間隙から下側に流出することが抑制され、不活性ガスの使用量をより低減することができる。
【００４９】
上述のように、塗布装置１は、（＋Ｚ）側から（−Ｚ）方向へと向かう空気の流れの中に設置されており、図２．Ａに示す塗布ヘッド１４近傍では、基板９の上面９１に向かう空気の流れが形成されている。塗布装置１では、図９に示す拡大図のように、不活性ガス噴出機構２のカバー部２１の（−Ｙ）側に、基板９の上面９１に近づくに従って（−Ｙ）側に向かう傾斜面２１８が設けられ、傾斜面２１８が、噴出面２１１の（−Ｙ）側の端部近傍において上記空気の流れの中に配置されてもよい。
【００５０】
これにより、図９中において細線の矢印にて示す空気の流れが、噴出面２１１の（−Ｙ）側の端部近傍において傾斜面２１８に沿って（−Ｙ）側へと向かう。その結果、基板９の上面９１に衝突して水平方向に拡がる空気が、カバー部２１の（−Ｙ）側からカバー部２１と基板９との間の空間に進入することを抑制することができ、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度の維持を容易とすることができる。なお、図９では、傾斜面２１８の下端縁は噴出面２１１の（−Ｙ）側のエッジとなっているが、例えば、図２．Ａに示すカバー部２１の（−Ｙ）側の上端縁と傾斜面２１８の上端縁とが一致するように傾斜面２１８が追加されてもよい。この場合、傾斜面２１８の（−Ｚ）側からは不活性ガスの噴出は行われない。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る塗布装置について説明する。図１０は、第２の実施の形態に係る塗布装置１ａを示す断面図であり、上述の図２．Ａに対応する。図１０に示すように、不活性ガス噴出機構２が、塗布ヘッド１４とカバー部２１との間に配置されるスリット噴射部２３、および、スリット噴射部２３と塗布ヘッド１４との間に配置される吸引機構２４をさらに備える点を除き、塗布装置１ａは、図１および図２．Ａに示す塗布装置１と同様の構成を備える。以下の説明では、塗布装置１の各構成に対応する塗布装置１ａの構成に同符号を付す。
【００５２】
図１０に示すスリット噴射部２３は、基板９のＸ方向（すなわち、主走査方向）の全長に亘るスリット状の噴出口２３１から、カバー部２１の噴出面２１１からの不活性ガスの噴出速度よりも高速にて、基板９の上面９１に向けて不活性ガスを噴出する。本実施の形態では、スリット噴射部２３から噴出される不活性ガスは、カバー部２１から噴出される不活性ガスと同様に窒素ガスとされるが、噴出面２１１から噴出される不活性ガスとは異なる種類の不活性ガスであってもよい。吸引機構２４は、スリット噴射部２３およびカバー部２１から噴出される不活性ガスの一部、並びに、下方へと流れて基板９の上面９１にて水平方向に拡がる空気の一部を吸引する。
【００５３】
基板９に対する流動性材料の塗布が行われる際の塗布装置１ａの動作は、スリット噴射部２３からの不活性ガスの噴出、および、吸引機構２４による周囲のガスの吸引が継続的に行われる点を除き、第１の実施の形態に係る塗布装置１とほぼ同様である。
【００５４】
塗布装置１ａでは、カバー部２１の（−Ｙ）側において、スリット噴射部２３により不活性ガスが噴出されてガスカーテンが形成される。これにより、基板９の上面９１にて水平方向に拡がる空気が、カバー部２１の（−Ｙ）側からカバー部２１と基板９との間の空間に進入することを抑制することができ、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度の維持を容易とすることができる。また、スリット噴射部２３の（−Ｙ）側において、吸引機構２４による吸引が行われることにより、空気がカバー部２１の（−Ｙ）側から進入することをより一層抑制することができ、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度の維持をさらに容易とすることができる。
【００５５】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る塗布装置について説明する。図１１は、第３の実施の形態に係る塗布装置１ｂを示す断面図であり、上述の図２．Ａに対応する。図１１に示すように、塗布装置１ｂでは、カバー部２１の内部空間に仕切り板は設けられておらず、カバー部２１の下端の噴出面２１１全体が１つの噴出口となる。また、不活性ガス噴出機構２は、噴出面２１１に対向することにより噴出面２１１からの不活性ガスの噴出を部分的に遮る遮蔽板２５をさらに備える。塗布装置１ｂの他の構成は、図１および図２．Ａに示す塗布装置１とほぼ同様の構成を備えるため、以下の説明では、塗布装置１の各構成に対応する塗布装置１ｂの構成に同符号を付す。
【００５６】
図１１に示すように、遮蔽板２５は、副走査方向であるＹ方向に互いに隣接して配列されるとともにそれぞれが噴出面２１１の主走査方向（Ｘ方向）の全長に亘る複数（本実施の形態では、１０個）の板状の遮蔽要素２５１を備え、各遮蔽要素２５１は、Ｘ方向に平行な回転軸２５１１を中心として回転可能とされる。塗布装置１ｂでは、噴出領域制御部２２ａにより、複数の遮蔽要素２５１にそれぞれ対応する複数の遮蔽要素回転機構（図示省略）が個別に制御されることにより、複数の遮蔽要素２５１が個別に回転する。
【００５７】
図１２．Ａおよびし図１２．Ｂは、基板９に対する流動性材料の塗布途上の様子を示す断面図であり、図１２．Ｃは、基板９に対する流動性材料の塗布終了時の様子を示す断面図である。図１２．Ａないし図１２．Ｃは図１１に対応する。図１１に示すように、基板９が塗布開始位置に位置する状態では、配管を介してカバー部２１の内部空間に不活性ガスが供給されているが、カバー部２１の噴出面２１１全体が遮蔽板２５の複数の遮蔽要素２５１により覆われているため、噴出面２１１から基板９に向けての不活性ガスの噴出は行われていない。なお、図１１に示す状態において、カバー部２１の噴出面２１１は、噴出面２１１に近接する遮蔽板２５によりおよそ全域に亘って覆われていればよく、カバー部２１と遮蔽板２５との間に僅かな隙間が存在していてもよい。
【００５８】
塗布装置１ｂにおいて基板９に対する流動性材料の塗布が開始され、図１２．Ａに示すように、基板９の（＋Ｙ）側の部位が、遮蔽板２５の最も（−Ｙ）側に位置する遮蔽要素２５１（すなわち、塗布ヘッド１４の主走査方向の移動経路に最も近い遮蔽要素２５１）の下方へと移動すると、噴出領域制御部２２ａ（図１１参照）の制御により当該遮蔽要素２５１が図１２．Ａ中における時計回りに９０°だけ回転し、基板９の上面９１に垂直な姿勢とされる。これにより、噴出面２１１のうち（−Ｙ）側の一部が開放され、当該開放された領域から基板９に向けて不活性ガスが噴出する。
【００５９】
塗布装置１ｂでは、図１２．Ａないし図１２．Ｃに示すように、基板９の（＋Ｙ）方向への相対移動に伴って基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との平面視における重複面積が増大するに従って、噴出領域制御部２２ａにより複数の遮蔽要素回転機構が制御されることにより、複数の遮蔽要素２５１が（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側に向かって（すなわち、基板９の相対移動方向後側から相対移動方向前側に向かって）順次９０°だけ回転される。さらに換言すれば、遮蔽板２５によるカバー部２１の噴出面２１１全体の遮蔽が、塗布ヘッド１４の移動経路に最も近い（−Ｙ）側から塗布ヘッド１４の移動経路から最も離れた（＋Ｙ）側に向かって順次開放され、噴出面２１１において不活性ガスが噴出される領域が（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側に向かって拡大される。
【００６０】
これにより、第１の実施の形態と同様に、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９の上面９１に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着等が防止される。このとき、噴出面２１１のうち基板９とは重なっていない領域は遮蔽板２５により覆われており、当該領域からは不活性ガスは噴出されないため、不活性ガスの使用量を低減することができ、その結果、基板９への流動性材料の塗布に要するコストを低減することができる。また、基板９の上面９１上の小さい空間のみを不活性ガス雰囲気とすることにより、塗布装置１ｂの小型化および簡素化が実現される。
【００６１】
塗布装置１ｂでは、上述のように、カバー部２１の噴出面２１１における噴出領域の拡大は、遮蔽板２５による噴出面２１１の遮蔽を開放することにより実現されるため、簡素な構造にて噴出面２１１からの不活性ガスの噴出制御を行うことができる。また、カバー部２１の内部空間を複数に仕切る必要がないため、カバー部２１に対する不活性ガスの供給機構を簡素化することができる。
【００６２】
塗布装置１ｂでは、図１３に示すように、遮蔽板２５の複数の遮蔽要素２５１のうち、基板９の相対移動方向の最も後側（すなわち、最も（−Ｙ）側）に位置する遮蔽要素（以下、「後端遮蔽要素２５１ａ」という。）が、基板９の上面９１に近づくに従って（−Ｙ）側に向かう姿勢とされてもよい。後端遮蔽要素２５１ａが図１３に示す姿勢とされることにより、後端遮蔽要素２５１ａ近傍において（−Ｚ）側かつ（−Ｙ）側（すなわち、カバー部２１から離れる方向）に向かう不活性ガスの流れが形成される。その結果、カバー部２１の（−Ｙ）側からカバー部２１と基板９との間の空間に空気が進入することをより一層抑制することができ、カバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度の維持を容易とすることができる。また、基板９上に噴射される不活性ガスの流れを基板９の上面９１全体においておよそ均一とするために、図１４に示すように、遮蔽板２５の全ての遮蔽要素２５１が後端遮蔽要素２５１ａと同様の姿勢とされてもよい。
【００６３】
塗布装置１ｂでは、第１の実施の形態に係る塗布装置１と同様に、カバー部２１および基板保持部１１の下側を覆う下部閉塞部２６（図７．Ａおよび図７．Ｂ参照）が設けられてもよく、カバー部２１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に不活性ガス循環機構２１７（図８参照）が設けられてもよい。また、カバー部２１の（−Ｙ）側に、基板９の上面９１に近づくに従って（−Ｙ）側に向かう傾斜面２１８（図９参照）が設けられてもよい。さらには、第２の実施の形態に係る塗布装置１ａと同様に、塗布ヘッド１４とカバー部２１との間に配置されるスリット噴射部２３（図１０参照）、および、スリット噴射部２３と塗布ヘッド１４との間に配置される吸引機構２４（図１０参照）が設けられてもよい。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００６５】
第１の実施の形態に係る塗布装置１では、側板２１５の下端部において、側底板２１５１と基板保持部１１との間に、図１５．Ａないし図１５．Ｅに例示するラビンリンス構造２１９が形成されてもよい。このようなラビリンス構造２１９が設けられることにより、側板２１５と基板９との間からカバー部２１の内部空間へ空気が進入することがより一層抑制される。また、図１５．Ｅに示すラビリンス構造２１９では、溝部２１５２に液体が充填されることによりラビリンス構造２１９がシールされ、カバー部２１の内部空間への空気の進入が防止される。なお、溝部２１５２に充填される液体を磁性流体とし、溝部２１５２の底部に磁石２１５３を設けることにより、当該液体が溝部２１５２から流出することが容易に防止される。
【００６６】
側底板２１５１は、図１６．Ａに示すように、基板保持部１１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側の側面から側方に突出するように設けられもよい。また、図１６．Ｂに示すように、基板保持部１１から突出する側底板２１５１と側板２１５との間にラビリンス構造２１９が設けられてもよい。さらには、図１７に示すように、カバー部２１の下端縁を基板９の上面９１よりも上方に位置させ、基板９の上面９１とカバー部２１の噴出面２１１との間の空間を（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側から覆う２つの側板２１５が、基板保持部１１のＸ方向の両側に設けられてもよい。
【００６７】
第１の実施の形態に係る塗布装置１では、図７．Ａおよび図７．Ｂに示す蛇腹状の伸縮部２６１を有する下部閉塞部２６に代えて、図１８．Ａおよび図１８．Ｂに示すシャッター状の伸縮部２６１ａを有する下部閉塞部２６ａや、図１９．Ａおよび図１９．Ｂに示す軸２６２を中心としてロール状に巻き取られる伸縮部２６１ｂを有する下部閉塞部２６ｂが設けられてもよい。また、図２０．Ａおよび図２０．Ｂに示すように、カバー部２１の噴出面２１１の（−Ｙ）側の領域を覆うとともに、基板９の（＋Ｙ）方向への移動に伴って（＋Ｙ）側へと移動する下部閉塞部２６ｃが塗布装置１に設けられてもよい。
【００６８】
図２１．Ａは、不活性ガス噴出機構２の他の例を示す底面図である。図２１．Ａに示す例では、下部閉塞部２６ｄは、略Ｃ字状の固定部２６３、および、固定部２６３の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側の部位から内側へと突出する複数の板状の可動部２６４を備える。そして、図２１．Ｂに示すように、基板保持部１１（下部閉塞部２６ｄと同じ高さにおける断面にて示す。）が下部閉塞部２６ｄと重なる位置まで移動する際には、複数の可動部２６４が基板保持部１１を避けるように移動することにより、カバー部２１の下方が下部閉塞部２６ｄにより覆われた状態が維持され、不活性ガスの使用量を低減することができる。
【００６９】
塗布装置１では、流動性材料の塗布が終了した基板９がカバー部２１の下方を通過してカバー部２１の（＋Ｙ）側から装置外に搬出されてもよい。基板９がカバー部２１の（＋Ｙ）側から搬出される場合、カバー部２１の（＋Ｙ）側の側板２１６は省略される。また、基板９の通過に伴い、複数の分割チャンバ２１３からの不活性ガスの噴出が、（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側に向かって順次停止される。なお、基板９通過後も分割チャンバ２１３から少量の不活性ガスの噴出が継続されてもよく、これにより、次の基板９に対する所定の流量の不活性ガスの噴出を迅速に行うことができる。
【００７０】
第２の実施の形態に係る塗布装置１ａでは、スリット噴射部２３によるガスカーテンによりカバー部２１と基板９との間の空間における不活性ガスの濃度維持が実現できるのであれば、吸引機構２４は省略されてもよい。また、塗布装置１ａでは、スリット噴射部２３に代えて、ボールバルブ等の局所的にガスを噴出する複数の機構をＸ方向に配列することにより、上述のガスカーテンが形成されてもよい。
【００７１】
第３の実施の形態に係る塗布装置１ｂでは、図１１に示す複数の遮蔽要素２５１が、Ｘ方向に平行な回転軸を中心として回転することなく、噴出面２１１の（＋Ｘ）側または（−Ｘ）側へと個別に移動することにより、噴出面２１１の一部が開放されてもよい。また、複数の遮蔽要素２５１を有する遮蔽板２５に代えて、図２２．Ａおよび図２２．Ｂに示す１枚の遮蔽板２５ａがカバー部２１の下方に設けられてもよい。遮蔽板２５ａは破線にて簡略化して示す連結部材２５３を介して基板保持部１１に連結されており、基板９が基板保持部１１と共に（＋Ｙ）方向へ移動する際に、当該移動に伴って遮蔽板２５ａも（＋Ｙ）方向へと移動し、これにより、噴出面２１１の遮蔽板２５ａによる遮蔽が（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側に向かって順次開放される。
【００７２】
上記実施の形態に係る塗布装置では、基板移動機構１２による基板９および基板保持部１１の移動に代えて、塗布ヘッド１４が副走査方向に移動することにより、副走査方向における基板９の塗布ヘッド１４に対する相対移動が行われてもよい。また、ヘッド移動機構１５による塗布ヘッド１４の移動に代えて、基板９および基板保持部１１が主走査方向に移動することにより、主走査方向における塗布ヘッド１４の基板９に対する相対移動が行われてもよい。さらには、塗布ヘッド１４から吐出される有機ＥＬ液は、隔壁が設けられていない基板９の上面９１にストライプ状に塗布されてもよい。
【００７３】
塗布装置では、正孔輸送材料を含む流動性材料が基板９に塗布されてもよい。ここで、「正孔輸送材料」とは、有機ＥＬ表示装置の正孔輸送層を形成する材料であり、「正孔輸送層」とは、有機ＥＬ材料により形成された有機ＥＬ層へと正孔を輸送する狭義の正孔輸送層のみを意味するのではなく、正孔の注入を行う正孔注入層も含む。また、上記塗布装置は、必ずしも有機ＥＬ表示装置用の有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を含む流動性材料の塗布のみに利用されるわけではなく、例えば、液晶表示装置やプラズマ表示装置等の平面表示装置用の基板に対し、着色材料や蛍光材料等の他の種類の画素形成材料を含む流動性材料を塗布する場合に利用されてもよく、半導体基板等の様々な基板に対する様々な種類の流動性材料の塗布に利用されてもよい。さらには、塗布装置の不活性ガスの噴出に係る構造は、インクジェット方式のように断続的に流動性材料を吐出して基板上に塗布する装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１，１ａ，１ｂ    塗布装置
２    不活性ガス噴出機構
９    基板
１１    基板保持部
１２    基板移動機構
１４    塗布ヘッド
１５    ヘッド移動機構
２１    カバー部
２２，２２ａ    噴出領域制御部
２３    スリット噴射部
２４    吸引機構
２５    遮蔽板
９１    上面
２１１    噴出面
２１４    噴出口
２１５    側板
２１８    傾斜面
２３１    噴出口
２５１    遮蔽要素
２５１ａ    後端遮蔽要素
２５１１    回転軸
【図１】
2010227824.tif 000003
【図２．Ａ】
2010227824.tif 000004
【図２．Ｂ】
2010227824.tif 000005
【図３】
2010227824.tif 000006
【図４】
2010227824.tif 000007
【図５．Ａ】
2010227824.tif 000008
【図５．Ｂ】
2010227824.tif 000009
【図５．Ｃ】
2010227824.tif 000010
【図６】
2010227824.tif 000011
【図７．Ａ】
2010227824.tif 000012
【図７．Ｂ】
2010227824.tif 000013
【図８】
2010227824.tif 000014
【図９】
2010227824.tif 000015
【図１０】
2010227824.tif 000016
【図１１】
2010227824.tif 000017
【図１２．Ａ】
2010227824.tif 000018
【図１２．Ｂ】
2010227824.tif 000019
【図１２．Ｃ】
2010227824.tif 000020
【図１３】
2010227824.tif 000021
【図１４】
2010227824.tif 000022
【図１５．Ａ】
2010227824.tif 000023
【図１５．Ｂ】
2010227824.tif 000024
【図１５．Ｃ】
2010227824.tif 000025
【図１５．Ｄ】
2010227824.tif 000026
【図１５．Ｅ】
2010227824.tif 000027
【図１６．Ａ】
2010227824.tif 000028
【図１６．Ｂ】
2010227824.tif 000029
【図１７】
2010227824.tif 000030
【図１８．Ａ】
2010227824.tif 000031
【図１８．Ｂ】
2010227824.tif 000032
【図１９．Ａ】
2010227824.tif 000033
【図１９．Ｂ】
2010227824.tif 000034
【図２０．Ａ】
2010227824.tif 000035
【図２０．Ｂ】
2010227824.tif 000036
【図２１．Ａ】
2010227824.tif 000037
【図２１．Ｂ】
2010227824.tif 000038
【図２２．Ａ】
2010227824.tif 000039
【図２２．Ｂ】
2010227824.tif 000040