(57)【要約】【課題】黒浮き現象が抑制され、好適に画像表示に用いることのできる発光素子、この発光素子を備えた信頼性の高い表示装置および電子機器を提供すること。【解決手段】発光装置１０１は、陰極１２と、陽極３と、陰極１２と陽極３との間に設けられ、陰極１２と陽極３との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、陽極３および発光層とは接しない部位に設けられ、陰極１２に電子を供給する陰極端子４０と、絶縁性を有する材料を含んで構成され、陰極端子４０から陰極１２に供給される電子の量を調節する電子調整層４１とを有し、陰極１２は、電子調整層４１を介して陰極端子４０と接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
2010267935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、前記陰極と前記陽極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記陽極および前記発光層とは接しない部位に設けられ、前記陰極に電子を供給する陰極端子と、
絶縁性を有する材料を含んで構成され、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節する電子調整層とを有し、
前記陰極は、前記電子調整層を介して前記陰極端子と接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記電子調整層の厚さ方向において、前記陰極端子と前記電子調整層とは、少なくとも一部が重複している請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記陰極の厚さ方向において、前記陰極端子の少なくとも一部および前記陰極の少なくとも一部と重複するように配置され、前記陰極よりも導電性の高い材料で構成された補助陰極を有する請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記補助陰極は、前記陰極と接触するように配置されている請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記陰極と前記発光層との間に、前記陰極の厚さ方向に、前記陰極の少なくとも一部とおよび前記発光層の少なくとも一部と重複するように設けられ、前記陰極から供給される電子の前記発光層への注入を促進する電子注入層とをさらに有し、
前記電子注入層と前記電子調整層とは、ともに、同一の材料を含んで構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記電子調整層は、その厚さ方向に、前記発光層と重複するように設けられており、前記発光部の前記電子注入層を兼ねている請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加を停止するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を防止する程度の絶縁性を有している請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有している請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記電子調整層は、強誘電体、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１種を含んで構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記電子調整層は、リチウム化合物を含んで構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
前記陰極と前記陽極との間には、複数の前記発光層が設けられている請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１２】
複数の前記発光層は、互いに異なる色に発光する請求項１ないし１１のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１３】
基板上に陽極および陰極端子を形成する工程と、
前記陽極上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、
平面視にて前記発光層および前記陰極端子と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層を形成する工程と、
前記電子調整層上に陰極を形成する工程とを有し、
前記電子調整層は、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、その一部が、前記陰極から前記発光層への電子の注入を促進する電子注入層として機能するように構成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色に対応する３層の発光層を積層し、白色発光させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような白色発光する発光素子は、照明や表示装置の発光装置（例えば、バックライト）として用いることができる。特に、このような発光装置とＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色が画素ごとに塗り分けられたカラーフィルタとを組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
【０００４】
ところで、このような発光素子を備えた発光装置では、発光素子には、通常、スイッチング素子としての駆動用トランジスタを介して駆動電圧の印加が行われる。すなわち、陰極（または陽極）および駆動用トランジスタ間には、常時一定の駆動電圧が印加されており、駆動用トランジスタが電源と陽極（または陰極）を導通させることにより、発光素子の陽極と陰極との間に駆動電圧が印加され、発光素子は発光する。一方で、駆動用トランジスタが電源と陽極（または陰極）とを導通させない場合、発光素子の陽極と陰極との間には駆動電圧が印加されず、発光素子は発光しないように設計されている。
【０００５】
しかしながら、駆動用トランジスタが電源と陽極（または陰極）とを導通させない場合においても、陰極と陽極との間には、微弱な電圧が印加される。このような微弱な電圧が印加された際において、特許文献１に記載のような発光素子は、わずかに発光する。このような発光しないように設定された状態においてわずかに発光する現象（黒浮き現象）が起こると、例えば、発光装置を備えた表示装置において、表示される画像のコントラスト比が高いものとならない問題があった。特に白色発光する発光素子とカラーフィルタとを組み合わせた場合、上記のような黒浮き現象が起こると、各発光層の発光バランスが、駆動電圧が印加された際とは異なってしまい、発光素子は設計された色とは異なる色で微弱に発光する問題があった。また、特に、各発光層の発光バランスが異なってしまう場合、発光が比較的容易な色（例えば、赤色）が主に発光しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２８７６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、黒浮き現象が抑制された発光装置、該発光装置を効率よく製造することのできる発光装置の製造方法、該発光装置を備えた高品位な画像を表示することのできる表示装置および電子機器および、該発光装置を効率よく製造できる発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、前記陰極と前記陽極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記陽極および前記発光層とは接しない部位に設けられ、前記陰極に電子を供給する陰極端子と、
絶縁性を有する材料を含んで構成され、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節する電子調整層とを有し、
前記陰極は、前記電子調整層を介して前記陰極端子と接続されていることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が抑制された発光素子を提供することができる。
【０００９】
本発明の発光装置では、前記電子調整層の厚さ方向において、前記陰極端子と前記電子調整層とは、少なくとも一部が重複していることが好ましい。
これにより、電子調整層は、より確実に陰極端子から電子を受け取ることができるとともに、陰極へ供給する電子の量を調整でき、黒浮き現象を防止することができるとともに、発光させる際には、好適に電子を陰極に供給することができる。
【００１０】
本発明の発光装置では、前記陰極の厚さ方向において、前記陰極端子の少なくとも一部および前記陰極の少なくとも一部と重複するように配置され、前記陰極よりも導電性の高い材料で構成された補助陰極を有することが好ましい。
これにより、発光装置全体としての駆動電圧を比較的低いものとすることができる。この結果、陰極と陽極との間に印加することを停止した際に、陰極端子と陽極との間にかかる電圧がより小さくなるため、黒浮き現象が好適に防止される。
【００１１】
本発明の発光装置では、前記補助陰極は、前記陰極と接触するように配置されていることが好ましい。
これにより、補助陰極が陰極の電子の輸送をより効率よく補助することができ、発光装置の駆動電圧をより低いものとすることができる。
本発明の発光装置では、前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記陰極と前記発光層との間に、前記陰極の厚さ方向に、前記陰極の少なくとも一部とおよび前記発光層の少なくとも一部と重複するように設けられ、前記陰極から供給される電子の前記発光層への注入を促進する電子注入層とをさらに有し、
前記電子注入層と前記電子調整層とは、ともに、同一の材料を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、電子調整層の一部が電子注入層を兼ねていない場合であっても、電子注入層と電子調整層とを同時に形成することが可能となる。
【００１２】
本発明の発光装置では、前記電子調整層は、その厚さ方向に、前記発光層と重複するように設けられており、前記発光部の前記電子注入層を兼ねていることが好ましい。
これにより、電子調整層と電子注入層とを一括で同時に形成できるため、効率よく発光装置が製造される。
本発明の発光装置では、前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加を停止するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を防止する程度の絶縁性を有していることが好ましい。
これにより、黒浮き現象が好適に防止される。
【００１３】
本発明の発光装置では、前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有していることが好ましい。
これにより、黒浮き現象を防止しつつ、発光素子を発光させる際には、効率よく陰極端子から陰極へ電子が供給され、発光素子は、好適に発光する。
【００１４】
本発明の発光装置では、前記電子調整層は、強誘電体、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１種を含んで構成されていることが好ましい。
これらの材料は、十分に高い絶縁性を有するとともに、比較的薄い膜とした場合に、駆動電圧を印加すると電子がホール効果によって通過できる。すなわち、黒浮きの発生が好適に抑制されるとともに、駆動電圧印加時においては、好適に発光素子が発光する。
【００１５】
本発明の発光装置では、前記電子調整層は、リチウム化合物を含んで構成されていることが好ましい。
これらの材料は、十分に高い絶縁性を有するとともに、比較的薄い膜とした場合に、駆動電圧を印加すると電子がホール効果によって通過できる。すなわち、黒浮きの発生が好適に抑制されるとともに、駆動電圧印加時においては、好適に発光素子が発光する。
【００１６】
本発明の発光装置では、前記陰極と前記陽極との間には、複数の前記発光層が設けられていることが好ましい。
一般に、複数の発光層を有する発光素子は、駆動電圧が高くなりやすいため、電源が出力する電圧が高いものとなりやすく、このため黒浮き現象が発生しやすい。しかしながら、本発明では、電子調整層を有することにより、発光素子が複数の発光層を有していても、黒浮き現象が好適に防止される。
【００１７】
本発明の発光装置では、複数の前記発光層は、互いに異なる色に発光することが好ましい。
従来は、黒浮き現象が発生した場合には、複数の発光層のうち、より長い波長の光を放出する発光層が発光しやすくなり、黒浮き現象時において目的以外の色が発光素子から放出される場合があった。特に、発光素子全体として複数の発光層から全体として白色を発光する場合には、このような問題は顕著になる。しかしながら、本発明では、黒浮き現象自体が防止されているため、このような問題が防止されている。
【００１８】
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に陽極および陰極端子を形成する工程と、
前記陽極上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、
平面視にて前記発光層および前記陰極端子と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層を形成する工程と、
前記電子調整層上に陰極を形成する工程とを有し、
前記電子調整層は、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、その一部が、前記陰極から前記発光層への電子の注入を促進する電子注入層として機能するように構成されていることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が抑制された発光装置を効率よく製造することのできる発光装置の製造方法を提供することができる。
【００１９】
本発明の表示装置は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を適用した発光装置の好適な実施形態を模式的に示す縦断面である。
【図２】本発明の表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。
【図３】図２に示す表示装置が備える発光装置の模式的な平面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図７】本発明を適用した発光装置の他の好適な実施形態の一例を模式的に示す縦断面である。
【図８】本発明を適用した発光装置の他の好適な実施形態の一例を模式的に示す縦断面である。
【図９】本発明を適用した発光装置の他の好適な実施形態の一例を模式的に示す縦断面である。
【図１０】本発明を適用した発光装置の他の好適な実施形態の一例を模式的に示す縦断面である。
【図１１】本発明を適用した発光装置の他の好適な実施形態の一例を模式的に示す縦断面である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の発光装置、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明を適用した発光装置の好適な実施形態を模式的に示す縦断面、図２は、本発明の表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図、図３は、図２に示す表示装置が備える発光装置の模式的な平面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２２】
図１に示す発光装置１０１は、発光素子１と、陰極端子（陰極コンタクト）４０と、電子調整層４１と、補助陰極４２と、陽極端子（陽極コンタクト）４３と、スイッチング素子２４と、電源２５とを有している。
発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）１は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）を発光させて、白色発光するものである。
【００２３】
また、発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層（第１の発光層）６と中間層７と青色発光層（第２の発光層）８と緑色発光層（第３の発光層）９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。
言い換えすれば、発光素子１は、膜状の各層および電極によって構成され、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層６と中間層７と青色発光層８と緑色発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層で積層された積層体１５が２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に介挿されて構成されている。
【００２４】
このような発光素子１にあっては、電源２５から陽極３および陰極１２に駆動電圧が印加されることにより、赤色発光層６、青色発光層８、および緑色発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。これにより、発光素子１は、白色発光する。
また、陰極１２は、膜状をなして発光素子１から延長されており、延長された部位の一部は、後述する陰極端子４０および電子調整層４１と重なって層をなしている。
そして、発光装置１０１は、電源２５を除くその全体が基板（図示せず）上に設けられるとともに、封止部材（図示せず）で封止されている。
【００２５】
基板は、陽極３、陽極端子４３および陰極端子４０等を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、封止部材側（基板と反対側、図１中上側）から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板および陽極３に光透過性は要求されない。
基板としては、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）な透明基板、または不透明基板が挙げられる。
【００２６】
基板が透明基板である場合の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構
成された基板等が挙げられる。
このような基板の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｍｍ以上３０ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であるのがより好ましい。
なお、発光素子１が基板側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）の場合、基板には、光透過性が要求されるため、基板として透明基板を用いることができる。
なお、基板には、電源からの陽極端子４３、陰極端子４０への配線や、後述するスイッチング素子２４等を備えた電子回路を有する電子回路層を備えておくこともできる。
【００２８】
以下、発光装置１０１の各部位について説明する。
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００２９】
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００３０】
（陰極）
陰極１２は、後述する電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極である。
この陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極１２の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００３１】
特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極１２の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。また、このような場合、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素の合金中の含有率は、１．０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であるのが好ましく、３．０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、上述したような効果をより顕著に得ることができる。
【００３２】
また、発光素子１は、トップエミッション型であるため、陰極１２に、光透過性が要求され、陰極１２は、光が透過できる程度の平均厚さとなっている。
このような陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、０．５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
特に、トップエミッション型の場合には０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるのが好ましく、より最適には０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であるのが好ましい。
また、特に、ボトムエミッション型の場合には１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より最適には５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００３３】
（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、下記化１に示すＮ，Ｎ'−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４'−ジアミン等が挙げられる。
【００３４】
【化１】
2010267935.tif 000003
【００３５】
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層４または後述する正孔輸送層５のどちらかは、省略することができる。
【００３６】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を赤色発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、下記化２に示される化合物（Ｎ，Ｎ，Ｎ’ ，Ｎ’ −テトラキス−ビフェニル−３−イル−ビフェニル−４，４’−ジアミン）や、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
【化２】
2010267935.tif 000004
【００３８】
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層５または前述した正孔注入層４のどちらかは、省略することができる。
【００３９】
（赤色発光層）
この赤色発光層（第１の発光層）６は、赤色（第１の色）に発光する第１の発光材料を含んで構成されている。
このように第１の色として比較的長い波長の光を用いることにより、最低非占有分子軌道（ＨＯＭＯ）と最高占有分子軌道（ＬＵＭＯ）とのエネルギー準位差（バンドギャップ）が比較的小さい発光材料を用いることができる。このようにバンドギャップが比較的小さい発光材料は、正孔や電子を捕獲しやすく、発光しやすい。したがって、陽極３側に赤色発光層６を設けることで、バンドギャップが大きく発光し難い青色発光層８や緑色発光層９を陰極１２側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
【００４０】
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化３に示すジベンゾ−テトラフェニルジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００４１】
【化３】
2010267935.tif 000005
【００４２】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００４３】
また、赤色発光層６の構成材料としては、前述したような赤色発光材料に加えて、この赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料（第１のホスト材料）を用いてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このような第１のホスト材料は、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープして用いることができる。
【００４４】
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ナフタセン誘導体、下記化４に示すようなアントラセン誘導体、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、下記化５に示されるテトラセン誘導体等のテトラセンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００４５】
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００４６】
【化４】
2010267935.tif 000006
【００４７】
【化５】
2010267935.tif 000007
【００４８】
赤色発光層６に第１のホスト材料が含まる場合、赤色発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する青色発光層８や緑色発光層９の発光量とのバランスをとりつつ赤色発光層６を発光させることができる。
また、赤色発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるのがより好ましい。これにより、発光素子１の各発光層をバランスよく発光させることができる。
【００４９】
（中間層）
中間層７は、前述した赤色発光層６と後述する青色発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層７は、青色発光層８から赤色発光層６へ輸送される電子の量を調節する機能を有する。また、中間層７は、赤色発光層６から青色発光層８へ輸送される正孔の量を調節する機能を有する。また、中間層７は、赤色発光層６と青色発光層８との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、赤色発光層６および青色発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。この結果、各発光層をバランスよく発光させることができ、発光素子１は目的とする色（本実施形態では白色）を発光することができるものとなるとともに、発光素子１の発光効率および発光寿命の向上を図ることができる。
【００５０】
このような中間層７の構成材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、正孔を輸送する機能を有する材料（正孔輸送材料）、電子を輸送する機能を有する材料（電子輸送材料）等を用いることができ、特に、正孔を輸送する機能を有する材料を用いることが好ましい。
一般に、電子と比較して正孔は、移動度が遅いが、中間層７が正孔輸送材料を含むことにより、正孔は円滑に中間層７から青色発光層８に受け渡され、各発光層がバランスよく発光しやすいものとなり、発光素子１は、目的とする色（白色）により確実に発光することができるとともに発光効率に優れたものとなる。
【００５１】
このような中間層７に用いられる正孔輸送材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有するアミン系材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層７に用いられるアミン系材料としては、２つ以上の芳香環基を導入したものが好ましく、テトラアリールベンジジン誘導体がより好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、前記化２に示される化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。
【００５２】
このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れている。したがって、赤色発光層６から中間層７を介して青色発光層８へ正孔を円滑に受け渡すことができる。また、各発光層の中で最も発光しにくい青色発光層８に正孔が十分に供給されるため、陽極３と陰極１２との間に印加される電圧が変化した場合であっても各発光層の発光バランスが変化しにくいものとなる。
【００５３】
また、特に、中間層７の構成材料として、正孔輸送材料に加え、電子輸送材料を同時に含むことが好ましい。これにより、中間層７は、電子輸送性および正孔輸送性を有する。すなわち、中間層７は、バイポーラ性を有する。このように中間層７がバイポーラ性を有すると、赤色発光層６から中間層７を介して青色発光層８へ正孔を円滑に受け渡すとともに、青色発光層８から中間層７を介して赤色発光層６へ電子を円滑に受け渡すことができる。その結果、赤色発光層６および青色発光層８にそれぞれ電子および正孔を効率的に注入して発光させることができる。
【００５４】
中間層７に用いることができる電子輸送材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、アセン系材料を用いることができる。アセン系材料は、電子輸送性に優れるため、青色発光層８から中間層７を介して赤色発光層６へ電子を円滑に受け渡すことができる。また、アセン系材料は励起子に対する体制に優れているため、中間層７の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子１の耐久性を優れたものとすることができる。
このようなアセン系材料としては、例えば、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体等が挙げられる。アントラセン誘導体としては、例えば、前記化４に示されるアントラセン誘導体等が挙げられる。テトラセン誘導体としては、例えば前記化５に示されるテトラセン誘導体等が挙げられる。
【００５５】
中間層７に正孔輸送材料と電子輸送材料とが同時に含まれる場合、中間層７中における正孔輸送材料の含有量は、特に限定されないが、３０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であるのが好ましく、４０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下であるのがより好ましく、５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下であるのがさらに好ましい。
また、中間層７中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、５ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であるのがより好ましく、２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのがさらに好ましい。
【００５６】
中間層７における正孔輸送材料の含有量をＣＨ［ｗｔ％］、電子輸送材料の含有量をＣＥ［ｗｔ％］としたとき、０．５≦ＣＨ／ＣＥ≦２０の関係を満足することが好ましく、１．０≦ＣＨ／ＣＥ≦１０の関係を満足することがよりこのましい。これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層７の耐性を優れたものとしつつ、赤色発光層６および青色発光層８にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができ、各発光層の発光バランスをより優れたものとすることができる。また、発光素子１に印加される電圧が変化した場合であっても各発光層の発光バランスがより変化しにくいものとなる。
中間層７の平均厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００５７】
（青色発光層）
青色発光層（第２の発光層）８は、青色（第２の色）に発光する青色発光材料（第２の発光材料）を含んで構成されている。
このように第２の色として比較的短い波長の光を用いることにより、バンドギャップが比較的大きい発光材料を用いることができる。このようにバンドギャップが比較的大きい発光材料は、バンドギャップが比較的小さい発光材料と比較して正孔や電子を捕獲しにくい。しかしながら、青色発光層８がこのような位置に配置されることにより、正孔および電子が十分に青色発光層８に供給され、青色発光層８を十分に発光させることができる。また、中間層７と青色発光層８との界面付近において電子と正孔とが再結合して生成した励起子のエネルギーが効率よく青色発光層８の発光に用いられる。このため、各発光層は、バランスよく発光することができる。また、発光素子１に印加される電圧が微弱な場合や電圧が変化した場合であっても、各発光層の発光バランスが変化しにくいものとなる。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５８】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化６で示されるジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５９】
【化６】
2010267935.tif 000008
【００６０】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００６１】
また、青色発光層８の構成材料としては、前述したような青色発光材料に加えて、この青色発光材料をゲスト材料とするホスト材料（第２のホスト材料）を用いてもよい。青色発光層８に用いることのできる第２のホスト材料としては、前述した赤色発光層６の第１のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
青色発光層８が第２のホスト材料を含む場合、青色発光層８中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのが好ましく、２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層６や後述する緑色発光層９の発光量とのバランスをとりつつ青色発光層８を発光させることができる。
また、青色発光層８の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００６２】
（緑色発光層）
緑色発光層（第３の発光層）９は、緑色（第３の色）に発光する緑色発光材料（第３の発光材料）を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６３】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化７に示すＮ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン等のアントラセン誘導体、フルオランテン誘導体などが挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６４】
【化７】
2010267935.tif 000009
【００６５】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。
【００６６】
また、緑色発光層９はホスト材料（第３のホスト材料）を含んでいてもよい。緑色発光層９の第３のホスト材料としては、前述した赤色発光層６のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
緑色発光層９が第３のホスト材料を含む場合、緑色発光層９中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層６や青色発光層８の発光量とのバランスをとりつつ緑色発光層９を発光させることができる。
また、緑色発光層９の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００６７】
（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を緑色発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、下記化９に示すトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
【化８】
2010267935.tif 000010
【００６９】
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００７０】
（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
本実施形態では、電子注入層１１は、後述する電子調整層４１が延長されて、電子調整層４１の厚さ方向に電子調整層４１と発光層とが重複する部分において、電子注入層１１を形成している。言い換えると、電子調整層４１は、その一部が電子注入層１１を兼ねている。これにより、電子調整層４１と電子注入層１１とを一括で同時に形成できるため、効率よく発光装置１０１が製造される。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００７１】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００７２】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００７３】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、本実施形態では、電子注入層１１は、電子調整層４１が延長されて形成されているため、電子調整層４１と同一の材料で構成されている。これにより、電子調整層４１の一部が電子注入層１１を兼ねていない場合であっても、電子注入層１１と電子調整層４１とを同時に形成することが容易となる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるのが好ましく、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００７４】
（電源）
電源２５は、陽極端子４３および陰極端子４０を介して陽極３と陰極１２との間に駆動電圧を印加する。電源２５は、発光に必要な駆動電圧の電気を供給している。
（陽極端子）
陽極端子４３は、電源２５と接続されており、電源２５から供給される正孔を駆動用トランジスタ２４を介して陽極３へ供給する。
陽極端子４３の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００７５】
（陰極端子）
陰極端子４０は、基板上において発光素子１とは離れた部位に、かつ電子調整層４１と接するように設けられ、電源２５と電気的に接続されている。陰極端子４０は、電源２５から供給される電子を陰極１２へ供給する。
陰極端子４０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００７６】
（スイッチング素子）
また、発光素子１に印加される駆動電圧の制御は、スイッチング素子２４によって行われる。スイッチング素子２４は、駆動用トランジスタであり、陽極３と電源２５との間に設置され、動作することにより、陽極３と電源２５とを導通させる。また、スイッチング素子２４は、動作を解除されることにより、陽極３と電源２５との導通を解除する。すなわち、スイッチング素子２４は、陽極３と、陰極１２との間に印加される駆動電圧の大きさを制御する。
【００７７】
（電子調整層）
そして、陰極端子４０と陰極１２との間には、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層４１が陰極端子４０および陰極１２と接するように設けられている。そして、陰極１２と陰極端子４０とは、電子調整層４１を介して接続されている。このような電子調整層４１は、陰極端子４０から陰極１２に供給される電子の量を調節する機能を有する。
【００７８】
本願発明は、上記の点に特徴を有する。
すなわち、スイッチング素子２４の駆動が解除された際に、陽極３および陰極端子４０の間には、本来、電圧がかからないように設定されている。しかしながら、実際には、陽極３および陰極端子４０との間に微弱な電圧が印加される。このような状況下において、従来の発光装置では、陰極と陽極との間に微弱な電圧が印加され、発光素子が発光しやすかった。このため、従来の発光装置は、黒浮き現象の問題が発生しやすいものであった。
【００７９】
これに対し、発光装置１０１では、電子調整層４１が絶縁性を有する材料を含んで構成されたものであるため、陰極端子４０と陰極１２との間での電気抵抗となり、この結果、陽極３および陰極端子４０との間に微弱な電圧が印加されている場合において、電子調整層４１が陰極端子４０から陰極１２への電子の移動を防止することができる。この結果、上記のような状況において、陽極３と陰極１２との間で微弱な電圧が印加することが防止され、発光素子１がわずかに発光することが防止される。すなわち、不本意な黒浮き現象が発生することが防止される。
【００８０】
また、電子調整層４１は、その厚さ方向において、その一部が陰極端子４０と重複するようにして設けられている。これにより、電子調整層４１は、より確実に陰極端子４０から電子を受け取ることができるとともに、陰極１２へ供給する電子の量を調整でき、黒浮き現象を防止することができるとともに、発光させる際には、好適に電子を陰極１２に供給することができる。
また、このような電子調整層４１は、スイッチング素子２４が駆動して、陽極３と陰極１２との間に駆動電圧を印加しようとする際には、陰極端子４０から陰極１２への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有している。これにより、黒浮き現象が好適に防止される。
【００８１】
さらに、電子調整層４１は、スイッチング素子２４が陽極３と陰極１２との間への電圧の印加を停止した場合には、陰極端子４０から陰極１２への電子の移動を防止する程度の絶縁性を有している。これにより、黒浮き現象を防止しつつ、発光素子１を発光させる際には、効率よく陰極端子４０から陰極１２へ電子が供給され、発光素子１は、好適に発光する。
【００８２】
具体的には、電子調整層４１は、陰極端子４０からホール注入効果によって陰極１２へ電子が通過できる程度の平均厚さを有している。
より具体的には、電子調整層４１の平均厚さは、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、陽極３および陰極１２との間に駆動電圧を印加しようとする際には、電子調整層４１を介して陰極端子４０から陰極１２へ電子がホール注入効果によって効率よく移動することができるとともに、スイッチング素子２４によって陽極３と陰極１２との間への電圧の印加が停止され、陽極３および陰極端子４０との間に微弱な電圧が印加されている際には、電子が電子調整層４１を通過することが防止される。
【００８３】
電子調整層４１は、絶縁性を有する材料を含むものであれば特に限定されないが、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム等の強誘電体、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、ＮａＯ等のアルカリ金属酸化物、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等のアルカリ金属ハロゲン化物、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＭｇＯ等のアルカリ土類金属酸化物、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等のアルカリ土類金属ハロゲン化物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの材料は、十分に高い絶縁性を有するとともに、比較的薄い膜とした場合に、駆動電圧を印加すると電子がホール効果によって通過できる。すなわち、黒浮きの発生が好適に抑制されるとともに、駆動電圧印加時においては、好適に発光素子１が発光する。
上述した中でも、絶縁性を有する材料は、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、ＬｉＦ等のリチウム化合物を含むことが好ましく、ＬｉＦを含むことがより好ましい。これにより、上述したような効果がより顕著なものとなる。
【００８４】
（補助陰極）
また、陰極１２の電子調整層４１と反対側の面には、陰極１２の厚さ方向において陰極端子４０と重複し、かつ、発光素子１と重複しない位置に、補助陰極４２が設けられている。補助陰極４２は、陰極１２よりも導電性が高いものとなっており、陰極１２の電子の輸送を補助する機能を有する。すなわち、陰極１２には、発光素子１の積層体１５への電子注入性が要求されるため、積層体１５の構成によっては、導電性が十分には高い材料を用いることができず、発光装置１０１全体としての駆動電圧が比較的高くなる場合があるが、補助陰極４２が陰極１２の電子の輸送を補助することにより、発光装置１０１全体としての駆動電圧を比較的低いものとすることができる。この結果、陰極１２と陽極３との間に印加することを停止いた際に、陰極端子４０と陽極３との間にかかる電圧がより小さくなるため、黒浮き現象が好適に防止される。
【００８５】
また、補助陰極４２は、その厚さ方向において発光素子１とは重複しないが、陰極１２の発光素子１付近まで配置されている。これにより、補助陰極４２が陰極１２の電子の輸送をより効率よく補助することができ、発光装置１０１の駆動電圧をより低いものとすることができる。
また、補助陰極４２は、陰極１２と接触するようにして配置されている。これにより、補助陰極４２が陰極１２の電子の輸送をより効率よく補助することができ、発光装置１０１の駆動電圧をより低いものとすることができる。
【００８６】
補助陰極４２を構成する材料としては、陰極１２を構成する材料よりも導電性の高い材料であれば特に限定されないが、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
また、補助陰極４２の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、補助陰極４２が陰極１２の電子の輸送をより効率よく補助することができるとともに、補助陰極４２が厚くなりすぎて、発光装置１０１の厚さが大きくなりすぎるのを防止することができる。
【００８７】
（封止部材）
封止部材は、電源２５を除く発光装置１０１の各部材を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する（図示せず）。封止部材を設けることにより、発光装置１０１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
【００８８】
封止部材の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材と陽極３、積層体１５、陰極１２、陰極端子４０、陽極端子４３、および補助陰極４２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材は、平板状として、基板と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
【００８９】
以上のような構成の発光装置１０１によれば、陰極端子４０と陰極１２とが電子調整層４１を介して接続されることにより、スイッチング素子２４が発光素子１への駆動電圧の印加を停止するように設定された場合において、陰極端子４０と陽極３との間に微弱な電圧が印加されていたとしても、電子調整層４１が陰極端子４０から陰極１２へ電子を輸送することを防止することができる。この結果、スイッチング素子２４が発光素子１への電圧の印加を停止するように設定された場合において、発光素子１が発光することが防止され、黒浮き現象が防止される。このため、発光装置１０１は、好適に画像表示に用いることができる。
【００９０】
特に、発光装置１０１の電子調整層４１の平均厚さが上述したような範囲内となっていることにより、黒浮き現象が好適に防止されるとともに、スイッチング素子２４を駆動させて陰極１２および陽極３に駆動電圧を印加した場合において、電子調整層４１は陰極端子４０から陰極１２へ好適に電子を異動させることができ、発光素子１は、好適に発光することができる。
【００９１】
また、特に、本実施形態においては、発光素子１は、複数の発光層を有している。一般に、複数の発光層を有する発光素子は、駆動電圧が高くなりやすいため、電源が出力する電圧が高いものとなりやすく、このため黒浮き現象が発生しやすい。しかしながら、本発明では、電子調整層４１を有することにより、発光素子１が複数の発光層を有していても、黒浮き現象が好適に防止される。
【００９２】
また、特に、本実施形態では、複数の発光層は、互いに異なる色に発光する。従来は、黒浮き現象が発生した場合には、複数の発光層のうち、より長い波長の光を放出する発光層が発光しやすくなり、黒浮き現象時において目的以外の色が発光素子から放出される場合があった。特に、発光素子全体として複数の発光層から全体として白色を発光する場合には、このような問題は顕著になる。しかしながら、本発明では、黒浮き現象自体が防止されているため、このような問題が防止されている。
【００９３】
次に、本発明の発光装置の製造方法について説明する。
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に陽極３および陰極端子４０を形成する工程と、陽極３上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、平面視にて発光層および陰極端子４０と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層４１を形成する工程と、電子調整層４１上に陰極を形成する工程とを有している。そして、電子調整層４１は、上述したように、陰極端子４０から陰極１２に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、陰極１２から発光層への電子の注入を促進する電子注入層１１として機能するように構成されている。
これにより、上述したような発光装置１０１を効率よく製造することができる。特に、電子調整層４１の一部が電子注入層１１として機能するように構成することにより、電子注入層１１と、電子調整層４１とを一括して形成することができるため、生産性に優れている。
【００９４】
以下、詳細に説明する。
［１］  まず、基板を用意し、陽極３を形成する。なお、必要であればこの基板上で、陽極３の下で、かつ所定の各画素毎に駆動用のトランジスタ回路を形成しても良い。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［２］  次に、基板上の陽極３から離れた部位に、陰極端子４０を形成する。
陰極端子４０は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００９５】
［３］  次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層４は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９６】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９７】
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【００９８】
［４］  次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９９】
［５］  次に、正孔輸送層５上に、赤色発光層６を形成する。
赤色発光層６は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［６］  次に、赤色発光層６上に、中間層７を形成する。
中間層７は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１００】
［７］  次に、中間層７上に、青色発光層８を形成する。
青色発光層８は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［８］  次に、青色発光層８上に、緑色発光層９を形成する。
緑色発光層９は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１０１】
［９］  次に、緑色発光層９上に電子輸送層１０を形成する。
電子輸送層１０は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層１０は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層９上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１０２】
［１０］  次に、電子輸送層１０上から陰極端子４０上にかけて連続して、電子調整層４１を形成する。
なお本実施形態では、電子調整層４１の一部は、電子注入層１１を兼ねており、電子調整層４１の形成と同時に、電子輸送層１０上に電子注入層１１が一括して形成される。
電子調整層４１は、例えば、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［１１］  次に、電子調整層４１上に、陰極１２を形成する。
陰極１２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
【０１０３】
［１２］  次に、平面視にて陰極１２上の陰極端子４０と重複する位置から陽極３付近に係る部位に、陽極３と重複しないようにして、補助陰極４２を形成する。
補助陰極４２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布法を用いて形成することができる。
［１３］  次に、陽極端子４３および陰極端子４０を電源２５と接続する。
［１４］  最後に、得られた発光素子１、陰極１２、電子調整層４１、および補助陰極４２を覆うように封止部材３４を被せ、基板に接合する。
以上のような工程を経て、発光素子１を備えた発光装置１０１が得られる。
【０１０４】
なお、スイッチング素子２４や、陽極端子４３、およびその他必要な配線等は、予め基板の一部として形成しておくことができる。
以上説明したような発光装置１０１は、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子１をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置（本発明の表示装置）を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
【０１０５】
次に、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
（表示装置）
図２に示すディスプレイ装置（表示装置）１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える発光装置１０１Ａと、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられたフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを備えるカラーフィルタ１０２とを有している。
【０１０６】
このようなディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂがサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【０１０７】
図２および図３に示すように、発光装置１０１Ａは、基板２１と、複数の陽極３と、陰極１２と、積層体１５と、複数のスイッチング素子２４と、２つの陰極端子４０と、複数の陽極端子４３とを有している。そして、基板２１を平面視した際において、各陽極３と、陰極１２とを含んで各陽極３と陰極１２に挟まれた各部分が、それぞれ、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを構成している。また、図３に示すように、基板２１の中央付近には、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれる略長方形の発光領域５０が設けられており、基板２１上の発光領域５０内に各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがマトリクス状（行列状）に配置されている。
【０１０８】
基板２１は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のスイッチング素子２４を支持するものである。
各スイッチング素子２４は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【０１０９】
スイッチング素子２４は、ゲート電極２４３に電圧が印加されることにより、動作し、ソース電極２４４とドレイン電極２４５とを導通させる。また、ゲート電極２４３に印加する電圧を調節することにより、ソース電極２４４とドレイン電極２４５とを流れる電流を調節することができ、ひいては、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに印加される電圧を調節することができる。
このような複数のスイッチング素子２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
【０１１０】
平坦化層２２上には、発光領域５０内において、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体１５、陰極１２、封止部材３４がこの順に積層されている。
複数の陽極３は、平面視にてマトリクス状に配置され、画素電極を構成しており、各スイッチング素子２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
【０１１１】
また、陰極１２は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの共通電極とされており、陰極１２は、平面視にて、陰極端子４０と交差するように発光領域５０からその長辺方向が延長されている。言い換えると、陰極１２は、長辺方向が発光領域５０よりも長い、点Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれる長方形をなしている。そして、陰極１２は、電子調整層４１を介して陰極端子４０と電気的に接続されている。
【０１１２】
また、積層体１５は、電子調整層４１を除いて、平面視にて、発光領域５０内に設けられている。また、電子調整層４１は、平面視にて、後述する陰極端子４０と交差して、陰極端子４０と接触するように発光領域５０からその長辺方向が延長されており、本実施形態では、陰極１２と同一の形状をなしている。
そして、平面視にて、各陽極３が配置された部位において、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体１５および陰極１２が各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを構成する。
【０１１３】
なお、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、発光素子１Ｒの構成と同様である。また、図２では、図１と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜３２の構成（特性）は、光の波長に応じて、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ間で異なっていてもよい。
また、隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１が設けられている。
また、図３に示すように、平面視にて発光領域５０の長手方向の両側には、略長方形の陰極端子４０が発光領域５０と垂直に設けられている。陰極端子４０は、電子調整層４１と接しており、電子調整層４１を介して陰極１２と接続されている。
【０１１４】
また、陰極１２上には、平面視にて、複数の補助陰極４２が、それぞれ、発光領域５０を通過して、２つの陰極端子４０と重複するように、かつ、発光領域５０の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと重複しない位置に設けられている。
このように構成された発光装置１０１Ａには、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３５を介して、カラーフィルタ１０２が接合されている。
【０１１５】
カラーフィルタ１０２は、基板２０と、複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂと、遮光層３６とを有している。
基板（封止基板）２０は、各フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂおよび遮光層３６を支持するものである。基板２０には、透明基板が用いられる。
このような基板２０の構成材料としては、基板２０が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板２１の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１１６】
フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられている。
フィルタ部１９Ｒは、発光素子１Ｒからの白色光ＷＲを赤色に変換するものである。また、フィルタ部１９Ｇは、発光素子１Ｇからの白色光ＷＧを緑色に変換するものである。また、フィルタ部１９Ｂは、発光素子１Ｂからの白色光ＷＢを青色に変換するものである。このようなフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
【０１１７】
隣接するフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。この遮光層３６は、意図しないサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが発光するのを防止する機能を有する。
このようなディスプレイ装置１００（本発明の表示装置）は、前述したような発光装置を用いるため、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる信頼性の高いものとなっている。
なお、以上説明したようなディスプレイ装置１００は、単色表示であってもよい。
また、以上説明したようなディスプレイ装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
【０１１８】
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１１９】
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１２０】
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１２２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１２３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１２４】
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１２５】
以上、本発明の発光装置、発光装置の製造方法、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、上述した実施形態では、発光装置が陰極端子、電子調整層、陰極、陰極端子とがこの順に積層した構成を有していたが、これに限定されない。
例えば、発光装置は、図７〜図１１のような構成とすることができる。
【０１２６】
図７では、発光装置１０１Ｂは、図１に示される発光装置１０１と比較して補助陰極が省略されている。
図８では、発光装置１０１Ｃにおいて、陰極１２Ａは、その厚さ方向において陰極端子４０と重複しておらず、電子調整層４１と比較して、発光素子１からの延長された部分が小さいものとなっている。また、補助陰極４２Ａは、電子調整層４１の陰極端子４０とは反対側に電子調整層４１と接して設けられており、その一端が陰極１２Ａとその厚さ方向において重複しつつ、接触している。
【０１２７】
図９では、発光装置１０１Ｄにおいて、補助陰極４２Ｂは、電子調整層４１の陰極端子４０とは反対側に電子調整層４１と接して設けられている。そして、陰極１２Ｂは、陰極端子４０とは反対側の電子調整層４１および補助陰極４２を覆うようにして設けられている。
図１０では、発光装置１０１Ｅにおいて、補助陰極４２Ｃは、電子調整層４１と陰極端子４０との間に介挿されている。
【０１２８】
図１１では、発光装置１０１Ｆにおいて、電子調整層４１Ａと電子注入層１１Ａとは連続いない。このような場合、電子調整層４１および電子注入層１１Ａは、それぞれ、別の層であるため、それぞれ各層に適した材料を用いることができる。
以上の発光装置１０１Ｂ〜１０１Ｆも、上述した発光装置１０１、１０１Ａと同様の効果を奏する。なお、図７〜１１においては、発光装置１０１、１０１Ａと同一の構成については、同一の符号を付した。
【０１２９】
また、例えば、前述した実施形態では、各発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が１層、２層または４層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。発光層が２層または４層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。例えば、発光層が２層である場合、青色の発光層と黄色の発光層とを組み合わせることで、白色発光させることができる。
【０１３０】
また、例えば、前記した実施形態では、発光素子は、全体として白色発光するものについて説明したが、これに限定されず、発光素子は、いかなる色に発光するものであってもよい。
また、前述した実施形態では、発光素子は、中間層を有するものとして説明したが、これに限定されず、中間層は、省略されてもよい。また、中間層は、必要に応じて、各発光層間に適宜設けることができる。
また、前述した実施形態では、発光素子は、基板と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であることとして説明したが、これに限定されず、発光素子は、基板側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であってもよい。
【実施例】
【０１３１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光装置の製造
（実施例）
＜１＞  まず、スイッチング素子、反射層、（電蝕）保護層、陽極端子およびその他必要な配線が配された、トップエミッション用で、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ８０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を陽極端子と接続されるように形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、純水にて超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１３２】
＜２＞  次に、基板上の陽極および陽極端子と離れた部位に平均厚さ：１００ｎｍの陰極端子を形成した。
陰極端子は、スパッタリング法によって形成した。
＜３＞  次に、ＩＴＯ電極上に、前記化１に示すＮ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミンを真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１３３】
＜４＞  次に、正孔注入層上に、前記化２に表わされるＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜５＞  次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として前記化３で表わされるジベンゾ−テトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記化５で表わされるビスビフェニリル−テトラセン誘導体を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１．０ｗｔ％とした。
【０１３４】
＜６＞  次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により付与し、平均厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、前記化２に表わされる化合物と、前記化４に示すアントラセン誘導体とを用い、中間層中の材料の使用割合を、重量比で前記化２に示す化合物：前記化４に示すアントラセン誘導体＝４：６となるようにした。
【０１３５】
＜７＞  次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として前記化７で示されるジスチリルジアミン系化合物を用い、ホスト材料として前記化４に示すアントラセン誘導体を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１０．０ｗｔ％とした。
【０１３６】
＜８＞  次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として前記化８に示すキナクリドン誘導体を用い、ホスト材料としてホスト材料として前記化４に示すアントラセン誘導体を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１０．０ｗｔ％とした。
【０１３７】
＜９＞  次に、緑色発光層上に、前記化９に示すトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜１０＞  次に、電子輸送層上および陰極端子上にかけて連続して、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子調整層を形成した。このとき、電子調整層の一部として、電子輸送層上に電子注入層が形成された。
【０１３８】
＜１１＞  次に、電子調整層上に、ＭｇＡｇを真空蒸着法により成膜した。これにより、ＭｇＡｇで構成される平均厚さ１０ｎｍの陰極を形成した。
＜１２＞  次に、陰極上の陰極端子と重複する位置から陽極付近に係る部位に、陽極と重複しないようにして、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの補助陰極を形成した。
＜１３＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子が白色発光する図１に示すような発光装置を製造した。
【０１３９】
（比較例）
前述した実施例の工程＜１０＞において、電子調整層の形成を行わず、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
また、前述した実施例の工程＜１１＞において、電子注入層上から陰極端子上にかけて連続して、ＭｇＡｇを真空蒸着法により成膜した。これにより、ＭｇＡｇで構成される平均厚さ１０ｎｍの陰極を形成した。
以上の２点以外は、前記実施例と同様にして発光装置を製造した。
【０１４０】
２．評価
２−１．黒浮き現象の評価
実施例および比較例の発光装置について、直流電源を用いて作製した発光装置（パネル）の陰極端子と陽極端子との間に２．５Ｖの電圧を印加し、輝度計を用いて輝度（ｃｄ／ｍ２）を測定した。なお、上記の電圧値は、スイッチング素子が陰極端子および陽極端子との間へ印加するのを停止した場合（黒表示させた場合）に、微弱な電圧が陰極端子と陽極端子との間に印加されたときに流れる電流値を仮定したものである。
【０１４１】
また、上記の評価と同時に、各発光素子から放出される光のスペクトル（発光スペクトル）および色度（ｘ，ｙ）を測定した。
この結果、実施例の発光装置では、輝度が０．００４ｃｄ／ｍ２であり、色度（ｘ、ｙ）が（０．５９，０．４０）であった。これに対し、比較例の発光装置では、輝度が０．０２ｃｄ／ｍ２であり、色度（ｘ、ｙ）が（０．６５，０．３３）であった。以上から、比較的小さい電流が流れた場合において、比較例の発光装置と比較し、実施例の発光装置は、黒浮き現象が抑制されているものであった。
【０１４２】
８．０Ｖの電圧を印加した場合には、実施例、比較例ともに輝度はおよそ８００ｃｄ／ｍ２であり、色度（ｘ、ｙ）は（０．５１，０．２５）であった。
なお、実際にパネル（発光装置）において最大輝度５００ｃｄ／ｍ２表示出来るように設定したところ、ＴＦＴ回路全体には１３．０Vの電圧が必要であった。その際、開発パネル（実施例の発光装置）では暗所コントラストが５００００：１であった。従来パネル（比較例の発光装置）においては３０００：１であった。
【符号の説明】
【０１４３】
１、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ……発光素子  ３……陽極  ４……正孔注入層  ５……正孔輸送層  ６……赤色発光層（第１の発光層）  ７……中間層  ８……青色発光層（第２の発光層）  ９……緑色発光層（第３の発光層）  １０……電子輸送層  １１、１１Ａ……電子注入層  １２、１２Ａ、１２Ｂ……陰極  １５……積層体  １９Ｂ、１９Ｇ、１９Ｒ……フィルタ部  １００……ディスプレイ装置  １００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ……サブ画素  １０１、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄ、１０１Ｅ、１０１Ｆ……発光装置  １０２……カラーフィルタ  ２０……基板  ２１……基板  ２２……平坦化層  ２４……スイッチング素子（駆動用トランジスタ）  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……電源  ２７……配線  ３１……隔壁  ３２……反射膜  ３３……腐食防止膜  ３４……封止部材  ３５……樹脂層  ３６……遮光層  ４０……陰極端子  ４１、４１Ａ……電子調整層  ４２、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ……補助陰極  ４３……陽極端子  ５０……発光領域  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  Ｗ……白色光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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