(57)【要約】【課題】耐熱性を与える元素が付与された共材をペーストに添加し、該ペーストにより形成された未焼成の内部電極膜を焼成する際に共材粒子自身の粒成長と該内部電極膜の熱収縮とをともに抑制することにより、焼成後に得られる内部電極層が緻密化且つ薄層化される導体ペーストを提供する。【解決手段】本発明によって積層セラミックコンデンサにおける内部電極層を形成するために用いられる導体ペーストが提供される。かかる導体ペーストは、導電性の金属粉末と、誘電体セラミックスから構成された共材粉末とを含んでおり、３００〜６００℃の焼成温度で焼成処理を行うことにより前記共材粉末の表面部にＤｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素が付与されていることを特徴とする。前記焼成処理後には、湿式粉砕処理を実施しないことがより好ましい。【選択図】図１０Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミック電子部品における内部電極層を形成するために用いられる導体ペーストであって、
導電性の金属粉末と、誘電体セラミックスから構成された共材粉末とを含んでおり、
前記共材粉末の表面部にＤｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素が付与されており、
ここで前記共材粉末は、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を含むように調製された原料と前記誘電体セラミックスの粉末とを混合し、該混合物を３００〜６００℃の焼成温度で焼成することにより得られたものであることを特徴とする、導体ペースト。
【請求項２】
前記共材粉末は、前記焼成処理後に湿式粉砕処理を実施しないで得られたものであることを特徴とする、請求項１に記載の導体ペースト。
【請求項３】
前記金属粉末は、Ｎｉ粉末であることを特徴とする、請求項１または２に記載の導体ペースト。
【請求項４】
前記誘電体セラミックスは、ＢａＴｉＯ３であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の導体ペースト。
【請求項５】
前記Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素は、前記共材粉末の全量を１００ｍｏｌ％としてその１０ｍｏｌ％以下の割合で付与されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の導体ペースト。
【請求項６】
前記共材粉末は、前記金属粉末の全量を１００質量％としてその２０質量％以下の割合で含まれることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の導体ペースト。
【請求項７】
積層セラミック電子部品における内部電極層を形成するために用いられる導体ペーストを製造する方法であって：
誘電体セラミック粉末を用意すること；
Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を含むように調製された原料に前記誘電体セラミック粉末を加えて混合すること；
前記セラミック粉末混合物を３００〜６００℃の焼成温度で焼成することにより、前記誘電体セラミック粉末の表面部にＤｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を付与すること；および
前記選択された１種または２種以上の元素が表面部に付与された誘電体セラミックスの焼成体から構成される共材粉末と、用意された導電性の金属粉末とを有機ビヒクルに添加して混練すること；
を包含する、導体ペーストの製造方法。
【請求項８】
前記焼成後に、前記焼成体に対して湿式粉砕処理を実施しないことを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記金属粉末として平均粒径が１０ｎｍ〜５００ｎｍであるＮｉ粉末を用い、前記誘電体セラミック粉末として平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍであるＢａＴｉＯ３粉末を用いることを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品における導体膜（典型的には内部電極層）を形成するために用いられる導体ペースト、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子部品の小型化および高度集積化に伴い、誘電体層（セラミック層）と内部電極層とを交互に積層、焼成してなるいわゆる積層セラミックコンデンサが多用されており、かかる誘電体層および／または内部電極層の多層化、薄層化が強く求められている。このような要求に対しては、例えば特許文献１〜７に記載されるように、様々な技術が提案されている。
内部電極層を形成するためにペースト状（あるいはスラリー状）に調製された導電性材料（以下、「導体ペースト」という。）は、典型的には、導電性粉末材料を有機ビヒクル（分散媒）に分散することにより得られる。また、この導電性粉末材料は、導電成分の金属粉末に加えて、種々の組成の材料粉末からなる共材を含んでおり、かかる共材に工夫を施すことにより、内部電極層の構成粒子の粒成長を抑制して内部電極層を薄層化する技術も提案されている。例えば、特許文献８〜１０には、内部電極層形成用の導体ペーストに所望の効果（例えば、導電性粉末材料の粒成長抑制の効果）を持たせるために、かかる効果を供する元素等を上記ペーストに添加する技術として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とするセラミック粒子（誘電体粒子）の表面に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や三酸化二クロム（Ｃｒ２Ｏ３）等の酸化物、貴金属、あるいは希土類元素からなる被覆層を備えた共材を用いることが記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２３２０３２号公報
【特許文献２】特開２０００−２６９０７３号公報
【特許文献３】特開２００１−１１０２３３号公報
【特許文献４】特開２００３−１００５４４号公報
【特許文献５】特開２００３−１２４０４９号公報
【特許文献６】特開２００５−３４７２８８号公報
【特許文献７】特開２００６−２６９３２０号公報
【特許文献８】特開２００６−３２４６３７号公報
【特許文献９】特開２００７−１２８７３０号公報
【特許文献１０】特開２００７−１２３１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献８および９記載の技術では、上記共材を含む導体ペーストにより形成された未焼成の内部電極膜（すなわち、焼成すると内部電極層を形成する膜状導体）を焼成するときに、共材粒子の焼結による影響（例えば共材粒子自身の粒成長）が考慮されていない。
また、所望の効果を与える被覆層を表面に備えたセラミック粒子を共材として用いる際に、上記被覆層を形成する際の処理条件によっては、上記被覆層の効果が十分に発揮されない虞がある。例えば、特許文献１０記載の技術では、内部電極層の構成粒子の粒成長を抑制するために、希土類元素からなる被覆層がコア部（すなわち上記セラミック粒子）の周囲に形成された共材を採用している。しかし、かかる被覆層を形成するための熱処理温度が高温（例えば、凡そ８００℃）であると、上記共材を含む導体ペーストにより形成された未焼成の内部電極膜を焼成する際には、セラミック粒子のＢａＴｉＯ３同士のネッキングやＢａＴｉＯ３粒子自体の粒成長が起こり得る。
また、特許文献１０記載の技術では、上記のような高温下で被覆層を形成した共材粉末
を含む導体ペーストを用いた場合には、１３００℃程度の温度域下で上記未焼成膜を焼成すると、４００℃程度の低温域下で上記被覆層を形成した場合に比べて、得られた内部電極層の熱収縮が増大し得る（耐熱性が低下し得る）。
また、上記被膜層を備えた共材粒子をボールミルで粉砕してなる共材粉末を含む導体ペーストを用いて未焼成の内部電極膜を形成した場合には、該未焼成膜を１３００℃程度の温度域下で焼成すると、未粉砕の場合に比べて、得られた内部電極層の熱収縮が増大し得る。したがって、内部電極層の薄層化を実現することが困難である。
【０００５】
本発明は、かかる従来の内部電極層形成用の導体ペーストに関する課題を解決し、積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品における内部電極層をより薄層化するべく創出されたものであり、その目的は、耐熱性を与える元素が付与された共材をペーストに添加し、該ペーストにより形成された未焼成の内部電極膜を焼成する際に共材粒子自身の粒成長と該内部電極膜の熱収縮とをともに抑制することにより、焼成後に得られる内部電極層が緻密化且つ薄層化される導体ペーストを提供することである。また、他の目的は、そのような導体ペーストを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を実現するべく、本発明によって積層セラミック電子部品における内部電極層を形成するために用いられる導体ペーストが提供される。本発明により提供される導体ペーストは、導電性の金属粉末と、誘電体セラミックスから構成された共材粉末とを含んでおり、上記共材粉末の表面部にＤｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素が付与されている導体ペーストである。ここで上記共材粉末は、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を含むように調製された原料（典型的には溶液または分散液の状態に調製される。）と前記誘電体セラミックスの粉末とを混合し、該混合物を３００〜６００℃の焼成温度で焼成することにより得られたものであることを特徴とする。
【０００７】
導体ペーストに所望の特性を与えるために、この導体ペーストに上記特性を発揮させる他元素を例えば酸化物の粉末として添加しようとする場合、かかる粉末をこの導体ペーストに均一に分散させにくいという問題があった。しかし、本発明に係る導体ペーストによると、該ペーストに含まれる共材粉末の表面には、添加したい元素が付与されているので、上記ペーストに共材粉末を均一に分散すれば、該共材粉末とともに上記添加元素も均一に分散され得る。
また、上記共材粉末の表面に付与される元素が、ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）およびイットリウム（Ｙ）からなる群から選択される１種または２種以上の元素であること、およびかかる元素を３００〜６００℃の焼成温度下での焼成処理により付与することにより、この共材粉末を含む導体ペーストにより形成される未焼成の内部電極膜等の導体膜（膜状導体）を、例えば１２００〜１３００℃の焼成温度で焼成しても、焼成後に得られる内部電極層等の導体膜の熱収縮が抑制される。すなわち、上記付与される元素は、上記導体ペーストにより形成される焼成時の導体膜に耐熱性（耐熱効果）を与えることができる。さらに、上記共材粉末自身についても、かかる元素が上記焼成温度での焼成処理により表面に付与されることによって、当該導体ペーストにより形成された内部電極膜等の導体膜を焼成する際に上記共材粉末の粒子（共材粉末粒子）の焼結に伴う粒成長が抑制される。このため、当該ペーストにより形成された未焼成の上記導体膜は、焼成時に上記粒成長が抑制される結果、従来よりも緻密化および薄層化された導体膜となり得る。すなわち、かかる導体ペーストにより内部電極層等の導体膜の更なる緻密化および薄層化の効果が得られる。
【０００８】
ここに開示される導体ペーストの好ましい一態様では、上記共材粉末は上記焼成処理後に湿式粉砕処理を実施しないで得られたものであることを特徴とする。
かかる構成の導体ペーストでは、上記共材粉末が湿式粉砕処理（典型的にはボールミル、ロッドミル等による湿式ミル処理）されることなく製造されていることにより、これを含む導体ペーストによって、該ペーストにより形成された内部電極膜等の導体膜における耐熱性が向上するとともに、焼成後にはより薄層化された緻密な内部電極層等の導体膜が得られ得る。なお、本明細書における「粉砕処理」とは、ＢＥＴ法による比表面積測定を実施した際に、処理前に対する処理後の測定値が２５％以上上昇するように粉体を細かく処理することをいう。
【０００９】
ここに開示される導体ペーストの別の好ましい一態様では、前記金属粉末は、Ｎｉ粉末であることを特徴とする。
かかる態様の導体ペーストは、かかるペーストに含まれる金属粉末がニッケル（Ｎｉ）粉末であることにより、導電性が高く、且つ焼成時における内部電極膜等の導体膜の耐熱性がより向上した好ましい導体ペーストとなり得る。
【００１０】
また、ここに開示される導体ペーストのさらに好ましい別の一態様では、前記誘電体セラミックスは、ＢａＴｉＯ３であることを特徴とする。
かかる態様の導体ペーストは、該ペーストに含まれる共材粉末を構成する誘電体セラミックスがチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であることにより、共材粉末粒子の粒成長抑制に伴う上記導体膜の緻密化および薄層化がより進んだ好ましい導体ペーストとなり得る。
【００１１】
ここに開示される導体ペーストの別の好ましい一態様では、前記Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素は、前記共材粉末の全量を１００ｍｏｌ％としてその１０ｍｏｌ％以下の割合で付与されることを特徴とする。
かかる分量で上記の元素が共材粉末の表面部に付与されることにより、焼成時における内部電極膜等の導体膜の耐熱効果、および共材粉末粒子の粒成長抑制に伴う上記導体膜の緻密化および薄層化の効果のいずれもが良好に奏される導体ペーストが得られる。
【００１２】
ここに開示される導体ペーストの別の好ましい一態様では、前記共材粉末は、前記金属粉末の全量を１００質量％としてその２０質量％以下の割合で含まれることを特徴とする。
かかる配合比で共材粉末が導体ペーストに含まれることにより、この導体ペーストにより形成された内部電極膜等の未焼成の導体膜を焼成すると、熱収縮が抑制されて高い耐熱性を備えた好ましい内部電極層等の導体膜が得られる。
【００１３】
また、本発明は、上記目的を実現するべく、積層セラミック電子部品における内部電極層等の導体膜を形成するために用いられる導体ペーストを製造する方法を提供する。かかる方法は、以下（１）〜（４）を包含することを特徴とする。すなわち（１）誘電体セラミック粉末を用意すること、（２）Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を含むように調製された原料（典型的には溶液または分散液の状態に調製する。）に前記誘電体セラミック粉末を加えて混合すること、（３）前記セラミック粉末混合物を３００〜６００℃の焼成温度で焼成することにより、前記誘電体セラミック粉末の表面部にＤｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の元素を付与すること、および（４）前記選択された１種または２種以上の元素が表面部に付与された誘電体セラミックスの焼成体から構成される共材粉末と、用意された導電性の金属粉末とを有機ビヒクルに添加して混練すること、を包含することを特徴とする。
かかる方法によると、焼成時の内部電極膜等の導体膜の耐熱効果、および粉末粒子自身の粒成長の抑制効果を発揮し得る共材粉末を含む好ましい導体ペーストであって、積層セラミック電子部品の内部電極層等の導体膜の薄層化に好適な導体膜形成用の材料（導体ペースト）を好ましく製造することができる。
【００１４】
ここで開示される製造方法の好ましい一形態では、前記焼成後に前記焼成体に対して湿式粉砕処理を実施しないことを特徴とする。
かかる方法では、上記共材粉末を湿式粉砕処理（典型的にはボールミル、ロッドミル等による湿式ミル処理）することなく製造する。このことによって、上記内部電極膜等の導体膜の耐熱効果と、共材粉末自身の粒成長抑制効果に伴う導体膜の緻密化および薄層化の効果とをいずれも良好に得られる導体膜を形成するために用いられる材料（導体ペースト）を製造することができる。
【００１５】
ここに開示される製造方法の好ましい別の一態様では、前記金属粉末の平均粒径は、１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、前記共材粉末の平均粒径は、１ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする。
かかる範囲の平均粒径を有する粉末材料を用いることにより、導体ペースト中の粉末粒子を良好に分散させる効果、焼成時における内部電極膜等の導体膜の耐熱効果、および粉末粒子の過剰な粒成長の抑制効果のいずれもが好ましく発揮され、内部電極層等の導体膜の薄層化により好適な導体膜形成用の導体ペーストが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
【００１７】
本発明の導体ペーストは、導電性金属粉末と共材粉末とを含む導体ペーストであって、一つの実施形態として、３００〜６００℃での焼成処理により該共材粉末粒子の表面部にＤｙ（典型的にはＤｙの酸化物あるいはＤｙの金属単体）が付与されていることで特徴づけられる積層セラミック電子部品における導体膜（典型的には内部電極層）形成用の導体ペーストが挙げられる。また、他の一つの実施形態として、上記温度下での焼成処理により該共材粉末粒子の表面部にＨｏ（典型的にはＨｏの酸化物あるいはＨｏの金属単体）が付与されていることで特徴づけられる積層セラミック電子部品における導体膜（典型的には内部電極層）形成用の導体ペーストが挙げられる。また、他の一つの実施形態として、上記温度下での該共材粉末粒子の表面部にＹ（典型的にはＹの酸化物あるいはＹの金属単体）が付与されていることで特徴づけられる積層セラミック電子部品における導体膜（典型的には内部電極層）形成用の導体ペーストが挙げられる。また、上記目的を達成し得る限りにおいて、本発明の導体ペーストに含まれ得る他の副成分の内容や組成に特に制限はない。
【００１８】
まず、本発明の導体ペーストに含まれる導電性の金属粉末として、略球状の銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはそれらの合金からなる貴金属粉末、またはニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の卑金属粉末を好ましく用いることができる。製造コストの観点から、卑金属、中でも特にＮｉを導電性金属粉末として好ましく用いることができる。かかるＮｉ粉末は、典型的には、酸化ニッケル（ＮｉＯ）粒子を主体に構成されている。なお、このＮｉＯ粉末に一般的な還元処理を施すことにより、単体のＮｉ粒子を主体とするＮｉ粉末を得ることができる。
かかる金属粉末は、従来公知の製造方法によって製造されたものでよく、特別な製造手段に制限されるものではない。例えば、周知の還元析出法、気相反応法、ガス還元法等によって製造された金属粉末を使用することができる。また、所望する粒径や純度の市販品を用いることもできる。
かかる金属粉末の平均粒径は、本発明の導体ペーストを用いて焼成後の導体膜（内部電極層）を極力薄層化し、且つ高い被覆率で形成することを考慮すれば、１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度（より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍ、特に好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば１５０ｎｍ±２０ｎｍ）が好ましい。また、かかる金属粉末の比表面積は、１〜１００ｍ２／ｇであることが好ましい。
ここで、上記平均粒径とは、当該金属粉末の粒度分布におけるＤ５０（メジアン径）をいう。かかるＤ５０は、例えば従来公知のレーザー回折方式、光散乱方式等に基づく粒度分布測定装置によって容易に測定することができる。また、上記比表面積は、ＢＥＴ法に基づいて測定されるものである。
【００１９】
一方、上記のような導電性金属粉末とともに本発明の導体ペーストに含まれる共材粉末は、誘電体セラミックス（誘電体セラミック粉末）から構成されている。かかる誘電体セラミックスとしては、導体膜と誘電体膜とを備える積層セラミック電子部品（例えば内部電極層と誘電体層とを備える積層セラミックコンデンサ）における該誘電体膜を構成するセラミックスと実質的に同じ組成のセラミックスであることが好ましい。導体膜形成用の上記導体ペーストに含まれる共材粉末の材質（組成）と、当該ペーストが付与（典型的には塗布または印刷）される対象の未焼成の誘電体膜（いわゆるグリーンシートと呼ばれる誘電体シート）の材質（組成）とを一致させることにより、焼成時の誘電体膜と導体膜との熱収縮率の差をより縮めて、クラック等の発生を抑制することができる。このような誘電体セラミックスとして、例えば、誘電率の高いＢａＴｉＯ３やチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）が好ましく、ＢａＴｉＯ３が特に好ましい。また、このＢａＴｉＯ３を含むセラミックスでもよい。
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径（上述のＤ５０）は、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ(例えば３０ｎｍ〜５０ｎｍ、あるいは５０ｎｍ〜１００ｎｍ)である。上記平均粒径がかかる範囲の上限を上回ると、上記導電性金属粒子同士の間隙に共材粉末粒子（すなわち誘電体セラミック粒子）が入りにくく（充填性が低く）、共材粒子の良好な分散性に欠ける。また、そのような充填性の低い共材粉末を含んだ導体ペーストにより形成される導体膜を焼成すると、該膜の熱収縮が大きく生じ得る。一方、上記平均粒径が上記範囲の下限を下回ると、共材粉末の凝集が大きくなって良好な分散性に欠けるとともに、共材粉末の取り扱いが困難になる。また、かかる誘電体セラミック粉末の比表面積は、１０〜１０００ｍ２／ｇ（より好ましくは、２０〜５００ｍ２／ｇ）であることが好ましい。
【００２０】
本発明の導体ペーストに含まれる共材粉末において、該共材粉末粒子（すなわち上記誘電体セラミック粒子）の表面部には、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上（典型的には１種）の金属元素が付与されている。かかる元素の付与とは、最終的（すなわち共材粉末の調製後）に、上記誘電体セラミック粒子の表面部（表面および表面近傍の深さ領域を含む部分）に上記の金属元素が付着していることをいう。好ましくは、上記金属元素の被膜層が上記表面部を覆うように形成されることにより、上記金属元素が上記表面部に固定化されている。かかる被膜層は、上記表面部の全域を被覆していることが好ましいが、該表面部の一部を被覆していればよい。また、この被膜層は、上記金属元素の酸化物（金属単体に近い部分酸化物を含む）、または還元物（すなわち金属単体）のいずれから構成されていてもよいが、上記導体ペーストの耐熱性と導体膜の緻密化および薄層化をより高いレベルで両立するには、上記金属元素の酸化物から構成される被膜層がより好ましい。
【００２１】
上記共材粉末の調製方法については、上記誘電体セラミック粒子の表面部に付与したい金属元素（すなわち、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の金属元素）を含む溶液または分散液を調製し、この調製液に上記誘電体セラミック粉末を加えて混合し、該調製液と該誘電体セラミック粉末との混合物に焼成処理を施すことによって、共材粉末が調製される。
【００２２】
すなわち、まず該金属元素を構成元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシドまたはキレート化合物（該金属元素の前駆体）を、トルエン、キシレン、各種アルコール等の適当な有機溶剤に溶解もしくは分散することにより調製液（溶液または分散液）を得る。あるいは、上記金属元素を構成元素とする硝酸塩、酢酸塩、塩化物塩、あるいは水溶性有機酸塩等の水に可溶の塩（水溶性塩）を該金属元素の前駆体として、水に溶解することにより調製液を得ることもできる。
次いで、得られた調製液に上記誘電体セラミック粉末を混合し、分散、懸濁する。この懸濁液を所定時間静置または撹拌することによって、当該懸濁液中の誘電体セラミック粒子の表面部に、上記金属元素の前駆体を（膜状に）吸着させる（付与する）ことができる。このとき、特に限定するものではないが、好ましくは、上記金属元素が、上記誘電体セラミック粉末の全量を１００ｍｏｌ％としたときに、その１０ｍｏｌ％以下の割合になるように上記表面部に付与する。より好ましくは０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％、特に好ましくは１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％の割合になるように付与する。上記金属元素の付与量が、上記範囲の下限よりも少なすぎる場合には、付与の効果（すなわち焼成時の導体膜の耐熱効果および共材粉末粒子の粒成長抑制効果）が希薄であり、本発明に関する上記目的を達成しがたい。その一方で、上記金属元素の付与量が上記範囲の上限よりも多すぎる場合には、焼成後に得られる導体膜の被覆率（導体ペーストが塗布されてなる未焼成の導体膜の面積を１００％として、該導体膜を焼成後に下地（誘電体シート）が露出しなかった部分の面積の割合）が低下し得るので、途切れの無い連続した導体膜の薄層化には好ましくない。
【００２３】
次いで、上記懸濁液を乾燥させて溶剤もしくは水を蒸発させた後に、得られた塊状の粉末を、乳鉢および乳棒等を用いて該粉末が破断しない程度に軽く解砕して粉末状にする。ここで「解砕」とは、凝固している塊を解きほぐすことをいい、具体的には、解砕後のＢＥＴ法による比表面積の測定値が、解砕前の測定値に比べて２５％より小さくなる程度で粉末を細かくする処理をいうこととする。したがって、本明細書における「解砕」と「粉砕」は、粉末を細分化する程度が互いに異なる処理であり、以下同様とする。
このようにして得られた粉末に対して焼成処理を行い、共材粉末粒子の表面部に上記金属元素が付与された（すなわち、上記金属元素の被膜層が形成された）共材粉末を調製する。
ここで、上記焼成処理の好ましい焼成温度（最高焼成温度）は、３００〜６００℃（より好ましくは４００〜６００℃、例えば５００±５０℃）である。かかる範囲の下限よりもかなり低温で焼成すれば、上記金属元素の前駆体が分解せず、該前駆体に含まれる炭素成分が共材粒子の表面部に残存し得る。かかる残存炭素は未焼成の導体膜を焼成する際に生じるクラックの一因となり得るため、低温での上記焼成処理は好ましくない。他方、上記範囲の上限より高温（例えば８００℃以上）で焼成すると、誘電体セラミック粒子（例えばＢａＴｉＯ３粒子）同士（すなわち共材粉末粒子）のネッキングや粒成長が生じ得るので導体膜の薄層化には好ましくない。また、かかる高温で焼成して得られた共材粉末を含む導体ペーストにより未焼成の導体膜を形成し、この導体膜を１２００〜１３００℃で焼成すると、該導体膜の熱収縮が増大する。すなわち、上記導体膜の耐熱効果が低下するので高温での上記焼成処理は好ましくない。
また、上記焼成処理は、３０分〜１２時間（好ましくは３０分〜５時間）行う。この焼成処理時間のうちの５分〜５時間（好ましくは１０分〜２時間）は、最高焼成温度で維持する時間であることが好ましい。かかる焼成処理の後、得られた塊状の焼成体を粉末状にする際には、乳棒や乳鉢等で粒子が破断されない程度に行う（解砕処理する）ことが好ましい。一方、共材粉末が上記粉砕処理（典型的にはボールミルやロッドミル等を用いた湿式ミル処理）された場合には、かかる共材粉末を含む導体ペーストにより形成された未焼成の導体膜を１２００〜１３００℃で焼成すると、該導体膜の熱収縮率が増大する。また、共材粉末粒子もネッキングや粒成長により粒径が増大し、導体ペースト中で導電性金属粉末粒子の間隙に充填しにくくなる。このため、共材粉末粒子の分散性および充填性が低下し得るとともに、未焼成の導体膜の焼成時における熱収縮を抑制する効果が低下し得る。したがって、上記焼成処理後のミル処理による過度な「粉砕」（すなわち、上記焼成体の比表面積値が処理前後で２５％以上上昇し得るような粉末化処理）は好ましくない。
【００２４】
以上のような方法により調製された共材粉末においては、その共材粒子の表面部に０．１ｎｍ〜１００ｎｍ（好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍ）の被膜層として、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の金属元素が付与される。このような共材粉末を含む導体ペーストは、該ペーストにより形成された未焼成の導体膜を焼成したときの耐熱効果、およびこの共材粉末粒子同士の粒成長抑制効果に伴う導体膜の緻密化および薄層化の効果をともに備えた好ましい導体ペーストとなり得る。
【００２５】
次に、上記共材粉末を含む導体ペーストについて説明する。本発明の導体ペーストは、上記の導電性金属粉末および上記共材粉末から主に構成される導体形成用粉末材料に加え、該粉末材料を分散させておくための有機ビヒクル（媒質）を含む。かかるビヒクルとしては、従来の導体ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。ここで上記ビヒクルの構成成分の一つとして使用され得る有機バインダとしては、焼成時の脱バインダ処理（典型的には酸化雰囲気中で２５０〜５００℃の加熱処理）において蒸発除去（脱脂）し得るものであればよく、従来と同様の用途の導体ペーストに含有されていた樹脂であれば特に制限無く用いることができる。かかる観点から好適な有機バインダとして、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系高分子、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等をベースとする有機バインダが挙げられる。
また、上記ビヒクルの構成成分の一つとして使用され得る有機溶剤としては、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のエステル系溶剤、ブチルカルビトール等のエーテル系溶剤、エチレングリコールおよびジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ミネラルスピリット、ターピネオール等の高沸点有機溶媒等を用いることができる。本発明の導体ペーストでも、これら有機ビヒクルを従来の導体ペーストと同様の比率で含ませることができる。
また、本発明の導体ペーストには、必要に応じて界面活性剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、重合禁止剤等の各種添加剤を適宜添加することができる。
さらに、種々の酸化物ガラス粉末を上記導体形成用粉末材料の副成分として添加することもできる。これらの添加物は、従来の導体ペーストの調製に用いられ得るものであればよく、詳細な説明は省略する。
【００２６】
次に、上記のようにして得られた共材粉末を含む導体ペーストの調製について説明する。この導体ペーストは、上述したように、導電性金属粉末（例えばＮｉ粉末）と、Ｄｙ，ＨｏおよびＹからなる群から選択される１種または２種以上の金属元素が表面部に付与された共材粉末（誘電体セラミック粉末）と、有機ビヒクルとを混練（混和）することによって容易に調製することができる。このとき、必要に応じて上述したような添加剤を添加・混合してもよい。例えば、ボールミルや三本ロールミルその他の混練機を用いて、上記導体形成用粉末材料と、各種添加剤を有機ビヒクルとともに所定の配合比で直接混合し、相互に練り合わせる。
【００２７】
ここで、本発明の導体ペースト中の上記導電性金属粉末および共材粉末の含有率については、該共材粉末は、好ましくは金属粉末の全量を１００質量％としてその２０質量％以下（好ましくは５〜２０質量％、より好ましくは１０〜２０質量％）の割合となるようにする。かかる共材粉末の含有量が、上記金属粉末の全量の２０質量％よりも多すぎる場合には、金属粉末の粒子同士の間隙を上回る容積量の共材粉末が添加される虞がある。また、得られる導体ペーストの導電性が低下し得るので好ましくない。
また、特に限定するものではないが、好ましくは、上記導体ペーストにおける導電性金属粉末の含有率は、ペースト全体を１００質量％として、その３０〜９０質量％（より好ましくは４０〜６０質量％程度）の割合となるようにする。
以上のようにして、本発明の導体ペーストを調製する。
【００２８】
次に、本発明の導体ペーストを用いた導体膜（内部電極層）の形成方法、および積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構築方法について、その好適例の一つを説明する。本発明の導体ペーストは、未焼成の導体膜（内部電極膜）を誘電体材料からなるグリーンシート（焼成後に誘電体膜となる未焼成の誘電体シート）上に形成するのに従来用いられてきた導体ペーストと同様に取り扱うことができ、従来公知の方法を特に制限なく採用することができる。典型的には、スクリーン印刷法やディスペンサー塗布法等によって、所望する形状・厚みとなるようにして導体ペーストを上記グリーンシートに塗布（印刷または転写）する。このように未焼成の導体膜が形成されたグリーンシートを複数枚作製し、これらを積層、圧着する。このようにして未焼成の導体膜と誘電体膜とが積層された未焼成の積層チップを得る。次いで、該積層チップを乾燥し、その後加熱器中で適当な加熱条件（最高焼成温度が概ね６００〜１３００℃、好ましくは８００〜１３００℃、特に好ましくは１１００〜１３００℃）で所定時間（最高焼成温度で維持する時間としては、例えば１０分〜２時間程度）加熱することにより、上記チップを焼成（焼き付け）・硬化させる。この一連の処理を行うことによって、目的とする導体膜（内部電極層）と誘電体膜とが積層されたコンデンサ等の電子部品の本体が得られる。最後に、この電子部品本体の所定箇所に外部電極形成用のペースト（上記導体ペーストと同じものでもよい）を塗布して焼成することにより外部電極を形成する。このようにして、積層セラミック電子部品を構築することができる。なお、かかる構築方法自体は、特に本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。なお、用途限定を意図するものではないが、上述のとおり、本発明の導体ペーストを用いることにより、従来の導体ペーストに比べて、導電性金属粉末の粒成長が抑制されるだけでなく、焼成時の熱収縮が抑制されて耐熱性が向上し、そして共材粉末粒子自身の粒成長が抑制されてより一層の薄層化が実現された緻密な導体膜を好ましく形成することができる。このため、本発明の導体ペーストによると、１０μｍ以下（例えば０．５μｍ〜３μｍ）の膜厚を有する導体薄膜をも好適に形成することができる。
【００２９】
以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に限定することを意図したものではない。
【００３０】
＜I．共材粉末の調製＞
表面部に各種元素が付与された共材粉末を、以下の手順（１）〜（６）で調製した。
（１）５０ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒径（Ｄ５０）である誘電体セラミック粒子としてＢａＴｉＯ３粉末を用意した。
（２）付与したい金属元素の硝酸塩または酢酸塩（前駆体）を用意し、これを水７０ｇに溶解させてかかる金属元素の前駆体水溶液を調製した。
（３）この前駆体水溶液に、（１）で用意したＢａＴｉＯ３粉末を２０〜３０ｇを加えて、該溶液中にＢａＴｉＯ３粉末を混合、懸濁させた。
（４）上記懸濁液を攪拌しながら乾燥処理を行い、水分を蒸発させた。得られた粉末を乳鉢および乳棒で塊状を粉末状に崩す程度に軽く解砕した。
（５）解砕後の粉末に対して、最高焼成温度５００℃、酸化雰囲気（空気中）の下で、最高焼成温度で２５分間維持する焼成処理を行った。
（６）得られた焼成後の焼結体を軽く乳鉢および乳棒等で軽く解砕することにより、付与したい元素がＢａＴｉＯ３粒子の表面部に付与（被膜層として形成）された共材粉末を得た。
【００３１】
＜ＩＩ．共材粉末の焼結性評価＞
上記Ｉの手順に沿って得られた共材粉末の焼結性評価として、未焼成密度と焼成密度の評価、およびＳＥＭ観察を以下のようにして実施した。
（１）上記Ｉにしたがって、所定の金属元素が付与された共材粉末を調製した。
（２）樹脂バインダ（ブチラール系樹脂；共材粉末全量の１質量％）、トルエン（７ｇ）、変性アルコール（１０〜１５ｇ）および上記共材粉末（５〜１５ｇ）を混合し、この混合物に直径２ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ２）ボール８０〜１１０ｇを加えた後に、ボールミルにより３時間の湿式混合粉砕を行った。
（３）上記混合物をろ過し、乾燥処理を行った。その後、軽く解砕処理を行った。
（４）このようにして得られた粉末を０．５ｇ秤量して、直径６ｍｍの金型に充填し、プレス機を用いて加圧（加圧５００ｋｇ／ｃｍ２で２０秒間）することにより円柱状の成形体を得た。
（５）マイクロメータで上記得られた成形体の高さを測定し、電子天秤で重量を測定することにより、「焼成前の成形体密度（未焼成密度）」を求めた。
（６）上記の成形体を酸素雰囲気中で４５０℃の温度条件で１時間の脱バインダ処理を行った。その後、５％の水素ガスと９５％の窒素を含んだ還元雰囲気中で最高焼成温度１２５０℃の下で１０分間維持する焼成処理を行った。
（７）得られた焼成体の高さ、直径および重量を測定して、「焼成後の成形体密度（焼成密度）」を求めた。
（８）上記焼成体の表面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した。
なお、ここでは上記未焼成密度を共材粉末粒子の充填性の指標（あるいは充填密度）として用いる。すなわち、かかる未焼成密度が小さいと上記共材粉末粒子の充填性が低く、導体ペーストが調製された際に、そのペースト中で共材粉末粒子が導電性金属粒子の間隙に密に充填され難いことを示す。他方、上記未焼成密度が大きいと共材粉末粒子の充填性（充填密度）が大きく、導電性金属粒子の間隙に密に充填され得るため、導体ペースト（により形成された導体膜）の焼成時に該導体膜の熱収縮が好適に抑制され得ることや、緻密な導体膜が得られ得ることを示す。また、上記焼成密度は、かかる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性（耐熱収縮性）の指標として用いている。焼成密度が小さいとその焼成温度での共材粉末粒子の焼結性が小さい。すなわち、焼結の進行が小さいため熱収縮が起こりにくく、この結果、共材粉末のみならず、導体ペーストにおいてもその耐熱性が高くなることを示し得る。また、かかる場合には、粒成長が抑制された（粒径の小さい）粒子が多く存在し、該粒子同士の間隙も多く存在していることがいえる。このため、このような共材粉末を含む導体ペーストの導体膜は緻密且つ薄い膜となり得る。他方、焼成密度が大きいと、焼結性が高く熱収縮が起こり易いとともに、共材粉末粒子のネッキングや粒成長が発生して粒径の大きい粒子が多く存在し得る。このような共材粉末を含む導体ペーストも熱収縮が起こり易く耐熱性が低くなることを示し得る。
【００３２】
＜ＩＩＩ．導体ペーストの調製＞
上記方法により得られた共材粉末を用いた導体ペーストは、以下のようにして調製した。
すなわち、所定平均粒径（後述の例１〜６では２００ｎｍ、例８および９では１５０ｎｍ）のＮｉ粉末、上記Ｉにしたがって得られた共材粉末（Ｎｉ粉末の全量の２０質量％）および有機ビヒクル（有機バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤としてターピネオール）を用意し、各原料を所定量混練することにより導体ペーストを得た。
【００３３】
＜ＩＶ．導体膜（焼成シート）の形成＞
上記方法により調製した導体ペーストを用いて、以下のような手順で導体膜（焼成シート）を形成した。
（１）導体膜を形成するための下地用の誘電体シートを作製した。すなわち、ＢａＴｉＯ３を主体とする誘電体セラミック粉末、可塑剤（フタル酸ジブチル；ＤＢＰ）、有機ビヒクル（有機バインダとしてブチラール系樹脂、有機溶剤としてトルエンとエタノールの混合溶媒）とを１２時間程度混練した。これによりスラリー化した誘電体ペーストをドクターブレード法にてシート状にし、室温で一晩乾燥させた。このシートを２〜４枚重ねて８０℃でプレス接着することにより、誘電体シートを作製した。
（２）この誘電体シート状に上記得られた導体ペーストをスクリーン印刷し、１２０℃で乾燥させた。ここで、かかる導体ペーストの印刷量（Ｎｉ粒子の単位面積当たりの印刷重量、すなわちＮｉレイダウン）については、ガラス基板に上記導体ペーストを所定面積（パターン）で印刷して、１２０℃で乾燥した後の重量からガラス基板の重量を差し引くことにより算出した。
（３）上記印刷された導体膜が形成されている誘電体シートに対して、酸素雰囲気下で２８０℃の温度条件で１０時間の脱バインダ処理を行った。その後、５％の水素ガスと９５％の窒素を含んだ混合ガス（還元）雰囲気中で焼成処理（昇温速度３６００℃／時間、降温速度３６００℃／時間、最高焼成温度１２５０℃で４０分間維持）を実施した。このようにして、導体膜が誘電体膜上に形成された焼成シートを得た。
【００３４】
＜Ｖ．電極抵抗および電極被覆率測定＞
上記ＩＶにしたがって得られた焼成シートの電極抵抗値と電極被覆率をそれぞれ測定した。
（１）得られた焼成シートの電極部（導体膜の部分）の抵抗(電極抵抗)を４探針法（端子間距離１．５ｍｍ）で測定した。
（２）上記焼成シートの電極部のＳＥＭ観察の画像解析から焼成シートにおける導体膜の被覆率（電極被覆率）を求めた。なお、ここでの電極被覆率は、導体ペーストが塗布（印刷）された未焼成の導体膜の面積を１００％としたときの、焼成後に（導体膜が収縮しても）下地の誘電体シートが露出しなかった部分の面積（すなわち、誘電体シートが露出した部分を除いた残りの部分の面積）の割合をさすこととする。
【００３５】
＜ＶＩ．内部電極膜の耐熱性評価＞
上記ＩＩＩにしたがって得られた導体ペーストを用いて形成した導体膜の熱収縮率を以下の手順で求め、その耐熱性評価を行った。
（１）アプリケーターを用いて、上記導体ペーストを塗布して膜厚２５０μｍのペースト膜（導体膜）を形成し、これを乾燥して直径２ｃｍの円板を作製した。
（２）かかる円板に対して、昇温速度２００℃／時間で昇温し、最高温度３００℃で２０分間維持する脱バインダ処理を実施した。
（３）その後、５％の水素ガスと９５％の窒素を含んだ混合ガス（還元）雰囲気中で焼成処理（昇温速度３６００℃／時間、降温速度３６００℃／時間、所定の最高焼成温度で１０分間維持）を実施した。
（４）焼成後に得られた円板の直径を測定した。そして、上記最高焼成温度で焼成したときの円板収縮率を算出した。円板収縮率とは、焼成後の円板の直径から焼成前の円板の直径（２ｃｍ）を引いた差を、焼成前の円板の直径（２ｃｍ）で割った商の百分率である。
（５）上記（１）〜（４）と同様にして、最高焼成温度１０００℃、１２００℃、１３００℃のそれぞれで焼成したときの円板収縮率を算出した。
（６）以上のようにして得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。
【００３６】
＜例１：各種金属元素を付与した共材粉末の焼結性評価＞
ＢａＴｉＯ３（以下、単に「ＢＴ」という。）粒子の表面部に各種金属元素を付与して得られた共材粉末（サンプル１１〜１８）の焼結性評価を以下のようにして実施した。
（１）上記Ｉにしたがって、サンプル１１〜１８を調製した。
サンプル１１：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＬａがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１２：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＣｅがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１３：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１４：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＨｏがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１５：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＭｇがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１６：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＳｒがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１７：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＢａがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
サンプル１８：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末。
（２）上記ＩＩに沿って、サンプル１１〜１８の焼成密度を求め、ＳＥＭ観察を実施した。
（３）金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末（比較サンプル）については、上記ＩＩ（（１）を除く）にしたがって同様に評価した。これらの評価結果を図１に示す。
【００３７】
上記例１の焼結性評価の結果について、図１を参照しつつ説明する。
図１に示されるように、表面部に金属元素が付与されたＢＴ粒子からなる共材粉末（サンプル１１〜１８）は、比較サンプルと比較して、全ての金属元素において焼成密度が低下した。しかし、サンプル１１（Ｌａ）、サンプル１２（Ｃｅ）、サンプル１５（Ｍｇ）、サンプル１６（Ｓｒ）、サンプル１７（Ｂａ）では、焼成密度が比較的大きかった（全て４ｇ／ｃｍ３以上）。
ＳＥＭ観察結果より、サンプル１１（Ｌａ）、サンプル１２（Ｃｅ）、サンプル１５（Ｍｇ）、サンプル１６（Ｓｒ）、サンプル１７（Ｂａ）では、焼成後の共材粉末（ＢＴ）粒子の粒径が比較的大きく、粒成長が認められた。
一方、サンプル１３（Ｄｙ）、サンプル１４（Ｈｏ）およびサンプル１８（Ｙ）では、焼成密度が４ｇ／ｃｍ３以下と小さくなっていることに加え、ＳＥＭ観察結果でも粒径が小さく、粒成長が抑制されていることが認められた。
この結果、Ｄｙ，ＨｏおよびＹは、共材（ＢＴ）粒子の粒成長を抑制する効果を発揮する好適な元素であることが確認されるとともに、上記焼成密度が比較サンプル（共材粒子単体）に比べてかなり低いことから、導体ペーストの耐熱効果も発揮し得る好適な元素であることがわかった。
【００３８】
＜例２：電極抵抗および電極被覆率の相関性に関する評価＞
次に、以下に示すようにして得られた導体ペーストの電極抵抗値と電極被覆率をそれぞれ測定し、両者の相関性について評価した。
（１）上記ＩおよびＩＩＩにしたがって、以下の共材粉末を含む導体ペースト５種類を用意した。
サンプル２１：ＢＴ粉末の全量に対して３ｍｏｌ％のＭｇがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル２２：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＨｏがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル２３：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル２４：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
比較サンプル：金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を含む導体ペースト。
（２）上記ＩＶに沿って、上記５種類の導体ペーストを用いて５種類の焼成シートを形成した。
（３）上記Ｖに沿って、得られた５種類の焼成シートの電極部（導体膜の部分）の電極抵抗値と電極被覆率を求めた。
（４）上記５種類の焼成シートの電極抵抗値と電極被覆率とを一つのグラフにプロットすることにより、電極抵抗と電極被覆率との相関性を評価した。このグラフを図２に示す。
【００３９】
上記例２の評価結果について、図２を参照しつつ説明する。
図２に示されるように、電極抵抗値は電極被覆率が低下するにつれて上昇する傾向があり、この傾向は、サンプル２１〜２４および比較サンプルを用いた全ての導体膜においてもほぼ一致していた。したがって、電極抵抗値が低ければ導体膜の被覆率が高くなることから、Ｎｉレイダウンが同じで電極抵抗値が低下するならば、その分導体膜は薄層化されたといえる。このことより、電極抵抗値を測定することにより、導体膜がより薄く形成されたか否かを判断することができ得る。
【００４０】
＜例３：導体ペーストの耐熱性および導体膜の薄層化の評価＞
次に、Ｄｙ，ＨｏおよびＹをそれぞれＢＴ粒子の表面部に付与した共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性、および該導体ペーストを用いて形成した導体膜の薄層化の評価を以下の手順で実施した。
（１）上記ＩおよびＩＩにしたがって、以下の導体ペースト（サンプル３１〜３３および比較サンプル）を用意した。
サンプル３１：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル３２：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＨｏがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル３３：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
比較サンプル：金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を含む導体ペースト。
＜例３−１：導体ペーストの耐熱性の評価＞
（１）サンプル３１について、上記Ｖにしたがって、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率を算出した。
（２）サンプル３２，３３および比較サンプルについても、同様に円板収縮率を算出した。
（３）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図３Ａに示す。
＜例３−２：導体ペーストの導体膜の薄層化の評価＞
（１）サンプル３１〜３３および比較サンプルについて、上記ＩＶにしたがって、焼成シート（導体膜）を作製した。このときのＮｉレイダウンも測定した。
（２）上記Ｖにしたがって、電極抵抗値を測定した。
（３）上記各焼成シートにおけるＮｉレイダウンと電極抵抗値の相関性をプロットした。この結果を図３Ｂに示す。
【００４１】
上記例３の評価結果について、図３Ａおよび図３Ｂを参照しつつ説明する。
サンプル３１〜３３の全てについて、図３Ａに示されるように、比較サンプルに比べて、円板収縮率が低下した。このことから、上記各金属元素が付与されることにより、付与されない場合に比べて、焼成温度１０００℃付近においては特に、導体ペーストの耐熱性が向上することがわかった。
また、図３Ｂに示されるように、全てのサンプル３１〜３３について、同じＮｉレイダウン（印刷量）では、比較サンプルに比べて電極抵抗値が低下した。このことから、上記各金属元素が付与されることにより、導体膜がより薄く形成され得ることがわかった。
したがって、Ｄｙ，ＨｏおよびＹのいずれかがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末を用いると、かかる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性が向上し、該ペーストにより形成される導体膜はより薄層化され得ることがわかった。
なお、例３で用いたＢＴ粉末の平均粒径は５０ｎｍであるが、３０ｎｍおよび１０ｎｍの平均粒径を持つ各ＢＴ粉末を用いて例３と同様の評価を行ったところ、例３と同様の傾向を示す結果を得た。この結果、平均粒径が１０ｎｍ〜３０ｎｍのＢＴ粉末であっても好ましく用いることができることが分かった。
【００４２】
＜例４：金属元素の付与量が異なる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性および導体膜の薄層化の評価＞
次に、ＤｙをＢＴ粒子の表面部に付与する量が異なる導体ペーストを用いることにより、その付与量が与える影響を評価した。この評価は以下の手順で行った。
（１）上記ＩおよびＩＩにしたがって、以下の共材粉末を含む５種類の導体ペースト（サンプル４１〜４４および比較サンプル）を用意した。
サンプル４１：ＢＴ粉末の全量に対して０．５ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル４２：ＢＴ粉末の全量に対して１ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル４３：ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
サンプル４４：ＢＴ粉末の全量に対して１０ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペースト。
比較サンプル：金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を含む導体ペースト。
＜例４−１：導体ペーストの耐熱性の評価＞
（１）サンプル４１について、上記Ｖにしたがって、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率を算出した。
（２）サンプル４２〜４４および比較サンプルについても、同様に円板収縮率を算出した。
（３）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図４Ａに示す。
＜例４−２：導体ペーストの導体膜の薄層化の評価＞
（１）サンプル４２〜４４および比較サンプルについて、上記ＩＶにしたがって、焼成シート（導体膜）を作製した。このときのＮｉレイダウンも測定した。
（２）上記Ｖにしたがって、電極抵抗値を測定した。
（３）上記各焼成シートにおけるＮｉレイダウンと電極抵抗値の相関性をプロットした。この結果を図４Ｂに示す。
【００４３】
上記例４の評価結果について、図４Ａおよび図４Ｂを参照しつつ説明する。
図４Ａに示されるように、Ｄｙを付与する（サンプル４１〜４４）と、付与しない場合（比較サンプル）に比べて円板収縮率が低下し、耐熱性が向上することが確認された。そして、付与されるＤｙの量が増加するにつれて耐熱性が向上することがわかった。
また、図４Ｂに示されるように、電極抵抗値については、サンプル４４に係る焼成シートでは、比較サンプルとほぼ同等であり、導体膜の薄層化の効果はほとんど認められなかった。しかし、サンプル４２および４３では、比較サンプルに比べて電極抵抗値が低下しており、上記導体膜の薄層化の効果が認められた。
【００４４】
＜例５：共材粉末へのＤｙの添加方法が異なる導体ペーストの耐熱性および導体膜の薄層化の評価＞
次に、Ｄｙを共材粉末に添加（付与）する方法が異なる導体ペーストを用いることにより、その付与方法の相違が与える影響を評価した。この評価は以下の手順で行った。
（１）まず、Ｄｙの添加方法を以下の方法１〜４のようにそれぞれ変えて、ＢＴ粒子の全量に対して５ｍｏｌ％のＤｙが添加されたＢＴ粉末を含む導体ペースト（サンプル５１〜５４）を４種類用意した。比較サンプルとして金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を含む導体ペーストも用意した。
サンプル５１（方法1）：金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末と、Ｄｙ前駆体粉末とを上記有機ビヒクルに混練することにより得られた導体ペースト。
サンプル５２（方法２）：上記Ｉ（１）〜（４）にしたがって、調製したＤｙ前駆体水溶液にＢＴ粉末を混合、懸濁させて乾燥処理することにより、ＢＴ粒子の表面部にＤｙ前駆体を吸着させた未焼成の共材粉末を調製し、上記ＩＩＩにしたがって得られた導体ペースト。
サンプル５３（方法３）：上記Ｉ（１）〜（６）にしたがって、ＢＴ粒子の表面部にＤｙが付与された共材粉末を調製し、上記ＩＩＩにしたがって得られた導体ペースト。
サンプル５４（方法４）：金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末と、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）粉末（平均粒径１５ｎｍ以下）とを上記有機ビヒクルに混練することにより得られた導体ペースト。
＜例５−１：導体ペーストの耐熱性の評価＞
（１）サンプル５１について、上記Ｖにしたがって、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率を算出した。
（２）サンプル５２〜５４および比較サンプルについても、同様に円板収縮率を算出した。
（３）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図５Ａに示す。
＜例５−２：導体ペーストの導体膜の薄層化の評価＞
（１）サンプル５１〜５４および比較サンプルについて、上記ＩＶにしたがって、焼成シート（導体膜）を作製した。このときのＮｉレイダウンも測定した。
（２）上記Ｖにしたがって、電極抵抗値を測定した。
（３）上記各焼成シートにおけるＮｉレイダウンと電極抵抗値の相関性をプロットした。この結果を図５Ｂに示す。
【００４５】
上記例５の評価結果について、図５Ａおよび図５Ｂを参照しつつ説明する。
図５Ａに示されるように、サンプル５１〜５４において、比較サンプルに比べて円板収縮率が低減されており、耐熱性が向上していた。サンプル５１〜５４については、いずれも焼成温度が上昇するにつれて円板収縮率が増大する傾向が認められた。ここで、サンプル５２〜５４では、焼成温度が８００℃〜１０００℃の間における円板収縮率の変化（勾配）に比べて、１０００℃〜１３００℃の間での円板収縮率の変化が大きく、焼成温度が１０００℃から１２００℃に至る間で円板収縮率が急激に増大した。一方、サンプル５１では、８００℃〜１３００℃の間の円板収縮率はほぼ直線的に（ほぼ一定の割合で）変化しており、焼成温度の上昇に伴ってほぼ正比例するように増大した。
また、図５Ｂに示されるように、電極抵抗値については、サンプル５１および５２に係る導体ペーストの電極抵抗値は、Ｎｉレイダウンが低い領域で特に増大する傾向が認められた。一方、サンプル５３および５４の電極抵抗値は上記Ｎｉレイダウンが低い領域でも低く抑えられており、中でもサンプル５３の方がより抵抗値が低いことから、かかるペーストを用いた導体膜において薄層化の効果が認められた。したがって、上記方法３（すなわち、ＢＴ粒子の表面部にＤｙを吸着（付着）させた後、焼成処理を行ってＤｙを固定化させることにより、該表面部にＤｙが付与（添加）する方法）を用いて得られる共材粉末の採用により、得られる導体ペーストの耐熱性を向上させる効果と、導体膜の薄層化の効果の両方が発揮されることがわかった。
【００４６】
＜例６:共材粉末にＤｙを付与する際の焼成処理の雰囲気が異なる導体ペーストの耐熱収縮性および導体膜の薄層化の評価＞
次に、ＢＴ粒子の表面部にＤｙを付与する際に行われる焼成処理を経て得られる共材粉末を含む導体ペーストにおいて、該焼成処理の雰囲気の相違が与える影響を評価した。この評価は以下のようにして行った。
（１）ＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＤｙがＢＴ粒子の表面に付与された共材粉末を含む導体ペーストを２種類用意した（サンプル６１，６２）。
ここで、サンプル６１は、該サンプルに含まれる共材粉末が酸素雰囲気（空気中）で５００℃の最高焼成温度で１５分間の焼成処理を行って得られたものである。サンプル６２は、該サンプルに含まれる共材粉末が５％の水素ガスと９５％の窒素を含んだ混合ガス雰囲気（還元雰囲気）中で５００℃の最高焼成温度で１５分間の焼成処理を行って得られたものである。比較サンプルとして、金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を含む導体ペーストを用意した。
＜例６−１：導体ペーストの耐熱性の評価＞
（１）サンプル６１について、上記ＶＩにしたがって、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率を算出した。
（２）サンプル６２および比較サンプルについても、同様に円板収縮率を算出した。
（３）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図６Ａに示す。
＜例６−２：導体ペーストの導体膜の薄層化の評価＞
（１）サンプル６１，６２および比較サンプルについて、上記ＩＶにしたがって、焼成シート（導体膜）を作製した。このときのＮｉレイダウンも測定した。
（２）上記Ｖにしたがって、電極抵抗値を測定した。
（３）上記各焼成シートにおけるＮｉレイダウンと電極抵抗値の相関性をプロットした。この結果を図６Ｂに示す。
【００４７】
上記例６の評価結果について、図６Ａおよび図６Ｂを参照しつつ説明する。
図６Ａに示されるように、導体ペーストの耐熱性については、サンプル６１および６２は、（焼成処理雰囲気によらず）比較サンプルに比べて向上した。
また、電極抵抗値については、図６Ｂに示されるように、サンプル６１および６２ではいずれも、比較サンプルに比べて大幅に低下した。焼成雰囲気の相違による電極抵抗値の相違については、酸化雰囲気中で焼成処理を行う場合（サンプル６１）の方が、行わない場合（サンプル６２）に比べて若干電極抵抗値がより低下した。
以上から、共材粉末粒子（ＢＴ粒子）の表面部に付与されている金属元素の化学状態は、酸化物であっても、金属状態（還元状態）であっても、かかる金属元素が上記表面部に付与された共材粉末を好ましく用いることができるが、上記金属元素の酸化物が付与された共材粉末の方がより一層好ましいことがわかった。
【００４８】
＜例７：ＹをＢＴ粒子の表面部に付与する際の焼成処理の温度が共材粉末の焼結性に与える影響についての評価＞
次に、ＹをＢＴ粒子の表面部に付与する際の焼成処理の温度の相違によって、得られる共材粉末の焼結性がどのように影響され得るかについて、以下のように評価した。
（１）上記ＩにしたがってＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末を４種類得た（サンプル７１〜７４）。かかる４種類の共材粉末は、上記Ｉ（５）において、焼成温度が４００℃、５００℃、６００℃および８００℃でそれぞれ異なったものである。ここで、上記共材粉末において、サンプル７１は４００℃で焼成したもの、サンプル７２は５００℃で焼成したもの、サンプル７３は６００℃で焼成したもの、およびサンプル７４は８００℃で焼成したものとした。また、比較サンプルとして、金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を用意した。
（２）サンプル７１〜７４および比較サンプルのそれぞれについて、ＢＥＴ比表面積測定装置にてＢＥＴ法に基づく比表面積を測定した。
（３）上記ＩＩにしたがって、未焼成密度、焼成密度を求めた。
（４）サンプル７１〜７４および比較サンプルのＢＥＴ比表面積、未焼成密度および焼成密度を表１に示すとともに、５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末の未焼成密度および焼成密度（成形体密度）が焼成処理温度によってどのように変化するかを図７に示す。
【００４９】
【表１】
2010067418.tif 000003
【００５０】
上記例７の評価結果について、表１および図７を参照しつつ説明する。
表１に示されるように、サンプル７１〜７４ではいずれも、比較サンプルに比べてＢＥＴ比表面積が低下した。また、サンプル７１〜７４の中では、焼成温度が高くなるにつれてＢＥＴ比表面積が低下し、サンプル７４で最も低下した。このことにより、サンプル７４では、ＢＴ粒子のネッキングや粒成長が生じている可能性が最も高いことが分かった。
表１および図７に示されるように、サンプル７１〜７４によれば、比較サンプルに比べて未焼成密度および焼成密度が低下した。また、サンプル７１〜７３（４００℃、５００℃、６００℃で焼成したもの）においては、未焼成密度が比較サンプルよりも僅かに低下する程度であり、共材粉末粒子の充填性は良好といえる。また、焼成密度については、上記未焼成密度をわずかに上回る程度であり、比較サンプルよりも大幅に低下していた。このことにより、サンプル７１〜７３は導体ペーストに耐熱効果を与える好ましい共材粉末となり得ることがわかった。
【００５１】
一方、サンプル７４（８００℃で焼成したもの）においては、焼成密度は他の全てのサンプルに比べて低下したものの、逆に最も未焼成密度が小さくなった。すなわち、サンプル７４は、導電性金属粒子同士の間隙には最も充填されにくい傾向を有し得ることがわかった。このように密に充填されにくい共材粉末を導体ペーストに用いれば、このペーストを用いて形成される内部電極膜を焼成した際には原料粉末粒子および空隙がいずれも大きくなって緻密な導体膜を得にくく、したがってペースト材料としては好ましくない。
【００５２】
以上より、ＢＴ粒子の表面部に金属元素を付与する際の焼成処理における焼成温度は、約４００℃〜６００℃程度の低温条件が好ましく、このような焼成温度の共材粉末を導体膜の薄層化に好適な導体ペーストの原料（構成成分）として採用することが好ましい。ただし、上記焼成温度が低すぎる共材粉末は、付与する金属元素の前駆体に由来する炭素成分が除去しきれずにＢＴ粒子の表面部に残存したものとなるため、このような共材粉末を用いた導体ペーストにより形成された内部電極膜を焼成すると、クラックを発生し易くなる虞がある。このため、上記金属元素を付与する際の焼成処理における焼成温度は、付与する金属元素の前駆体が分解する温度以上であることが好ましい。
【００５３】
＜例８：ＹをＢＴ粒子の表面部に付与する際の焼成処理の焼成温度が導体ペーストの耐熱性に与える影響についての評価＞
次に、ＹをＢＴ粒子の表面部に付与する際の焼成処理の焼成温度の相違によって、かかる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性がどのように影響され得るかについて、以下のように評価した。
（１）上記ＩにしたがってＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末を４種類得た（サンプル８１〜８４）。かかる４種類の共材粉末は、上記Ｉ（５）において、焼成温度が４００℃、５００℃、６００℃および８００℃でそれぞれ異なったものである。ここで、上記共材粉末において、サンプル８１は４００℃で焼成したもの、サンプル８２は５００℃で焼成したもの、サンプル８３は６００℃で焼成したもの、およびサンプル８４は８００℃で焼成したものとした。また、比較サンプルとして、金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を用意した。
（２）上記ＩＩＩにしたがって、サンプル８１〜８４および比較サンプルをそれぞれ含む導体ペーストを計５種類調製した。ここで、Ｎｉ粉末の平均粒径は０．１５μｍである。
（３）上記ＶＩにしたがって、上記サンプル８１〜８４および比較サンプルに係る導体ペーストについて、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率をそれぞれ算出した。
（４）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図８に示す。
【００５４】
上記例８の評価結果について、図８を参照しつつ説明する。
サンプル８１〜８４をそれぞれ含む導体ペーストでは、比較サンプルを含む導体ペーストに比べて、８００〜１２００℃程度の焼成温度領域では円板収縮率が低かった。しかし、約１２００〜１３００℃程度の高温域での焼成温度では、サンプル８４を含む導体ペーストにおいて、その円板収縮率が比較サンプルを含む導体ペーストに比べて増大した。したがって、金属元素を付与する際の焼成処理を８００℃程度の高温条件で行うと、これにより得られる共材粉末を含む導体ペーストでは、特に１２００〜１３００℃程度での温度領域下での耐熱効果が発揮されないことがわかった。
【００５５】
＜例９：焼成処理により金属元素が付与された共材粉末を粉砕することの有無が導体ペーストの耐熱性に与える影響についての評価１＞
次に、焼成処理を行った後に得られる塊状の共材粉末であってＢＴ粒子の表面部にＹが付与された共材粉末を湿式粉砕処理するか否かによって、かかる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性にどのような影響があるのかについて評価した。
（１）上記ＩにしたがってＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末を２種類得た（サンプル９１，９２）。ここで、サンプル９１は、Ｙを付与する焼成処理（上記Ｉの（５））の後、ボールミルを用いて十分に粉末状になるまで湿式粉砕処理して得られたものである。サンプル９２は、乳棒および乳鉢を用いて適度な粉末状になるまで軽く解砕処理して得られたものである。なお、上記焼成処理の焼成温度は８００℃である。また、比較サンプルとして、金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を用意した。
（２）サンプル９１，９２および比較サンプルのそれぞれについて、ＢＥＴ比表面積測定装置にてＢＥＴ法に基づく比表面積を測定した。その結果を表２に示す。
（３）上記ＩＩにしたがって、未焼成密度および焼成密度を測定した。その結果を表２に示す。
（３）上記ＶＩにしたがって、サンプル９１，９２および比較サンプルを含む導体ペーストについて、最高焼成温度８００℃、１０００℃、１２００℃、１３００℃の各温度で焼成した際の円板収縮率をそれぞれ算出した。
（４）得られた最高焼成温度と円板収縮率の関係をプロットした。この結果を図９に示す。
【００５６】
【表２】
2010067418.tif 000004
【００５７】
上記例９の評価結果について、表２および図９を参照しつつ説明する。
表２に示されるように、サンプル９１は、サンプル９２に比べてＢＥＴ比表面積が大幅に上昇した。また、サンプル９１では、サンプル９２に比べて未焼成密度が小さかった。このことより、サンプル９１は、共材粉末粒子が大きくなって密に充填されにくく、導体ペーストの構成成分（材料）としては好ましくないことが分かった。一方、サンプル９１は、サンプル９２に比べて焼成密度は大きく、ネッキングや粒成長が生じている等により熱収縮が生じて耐熱性が低下していることがわかった。
また、図９に示されるように、サンプル９１は、サンプル９２に比べて、特に１２００〜１３００℃の高温域での円板収縮率の増大が認められ、耐熱性の低下が認められた。このことから、表面部に金属元素を付与した共材粉末において、焼成処理後に粉砕処理を行った場合には、その共材粉末を含む導体ペーストは耐熱性が低下する虞があるので、かかる粉砕処理は実施しないことが好ましいことがわかった。
【００５８】
＜例１０：焼成処理により金属元素が付与された共材粉末を粉砕することの有無が導体ペーストの耐熱性に与える影響についての評価２＞
次に、上記例１０と同様に、焼成処理を行った後に得られる塊状の共材粉末であってＢＴ粒子の表面部にＹが付与された共材粉末をボールミル等で湿式粉砕することが、かかる共材粉末を含む導体ペーストの耐熱性にどのような影響を与えるかについて評価した。
（１）上記ＩにしたがってＢＴ粉末の全量に対して５ｍｏｌ％のＹがＢＴ粒子の表面部に付与された共材粉末を２種類得た（サンプル１０１，１０２）。ここで、サンプル１０１では、Ｙを付与する焼成処理（上記Ｉの（５））として、最高焼成温度５００℃で１５分間維持する焼成処理を実施し、その後、乳棒および乳鉢を用いて適度な粉末状になるまで軽く解砕した。サンプル１０２では、上記焼成処理として、最高焼成温度８００℃で５時間維持する焼成処理を実施し、その後ボールミルを用いて十分に粉末状になるまで湿式粉砕処理を行った。また、比較サンプルとして、金属元素が表面部に付与されていないＢＴ粉末を用意した。
（２）サンプル１０１，１０２および比較サンプルのそれぞれについて、ＢＥＴ比表面積測定装置にてＢＥＴ法に基づく比表面積を測定した。その結果を表３に示す。
（３）上記ＩＩにしたがって、未焼成密度および焼成密度を測定し、ＳＥＭ観察を行った。その結果を表３、図１０Ａおよび図１０Ｂに示す。なお、図１０Ａは、サンプル１０１のＳＥＭ観察結果であり、図１０Ｂは、サンプル１０２のＳＥＭ観察結果である。
【００５９】
【表３】
2010067418.tif 000005
【００６０】
上記例１０の評価結果について、表３、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照しつつ説明する。
表３に示されるように、サンプル１０１と、サンプル１０２とは、Ｙの付与量、およびＢＥＴ比表面積がほぼ同じであった。しかし、未焼成密度については、サンプル１０２が、サンプル１０１に比べて小さかった。また、焼成密度については、サンプル１０２の方がサンプル１０１に比べて大きかった。
また、図１０Ａおよび図１０Ｂに示されるように、サンプル１０２の方がサンプル１０１に比べて粒子の形状が大きく、粒成長が進行していることが確認された。以上より、金属元素を表面に付与する焼成処理では、５００℃程度の焼成温度で行い、その後粉砕処理をしないで得られる共材粉末が好ましいことが分かった。
【００６１】
以上、本発明を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、本発明は、それを逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】実施例の例１における評価結果を示した図である。
【図２】実施例の例２における電極被覆率と電極抵抗値との相関性を示したグラフである。
【図３Ａ】実施例の例３における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図３Ｂ】実施例の例３における導体膜の薄層化の評価結果を示したグラフである。
【図４Ａ】実施例の例４における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図４Ｂ】実施例の例４における導体膜の薄層化の評価結果を示したグラフである。
【図５Ａ】実施例の例５における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図５Ｂ】実施例の例５における導体膜の薄層化の評価結果を示したグラフである。
【図６Ａ】実施例の例６における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図６Ｂ】実施例の例６における導体膜の薄層化の評価結果を示したグラフである。
【図７】実施例の例７における共材粉末の焼結性の評価結果を示したグラフである。
【図８】実施例の例８における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図９】実施例の例９における導体ペーストの耐熱性の評価結果を示したグラフである。
【図１０Ａ】実施例の例１０における共材粉末（サンプル１０１）のＳＥＭ観察結果を示した図である。
【図１０Ｂ】実施例の例１０における共材粉末（サンプル１０２）のＳＥＭ観察結果を示した図である。
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
2010067418.tif 000013
【図６Ｂ】
2010067418.tif 000014
【図７】
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【図８】
2010067418.tif 000016
【図９】
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【図１】
2010067418.tif 000018
【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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