(57)【要約】【課題】試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室内で試料を吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理装置および真空処理方法において、試料載置面に試料１を支持する凸部を外周部とその内側に離間して設け、押上げピン穴２０６を前記凸部の面内に設け、伝熱ガス供給穴２０５を前記凸部以外に設けて、押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して試料を処理する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の圧力に減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ試料が配置される静電チャックを有する試料台と、前記静電チャックの温度を可変する温度可変手段と、前記静電チャックにより保持される試料と前記静電チャックの試料配置面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段とを具備する真空処理装置において、
前記静電チャックの試料載置面に貫通させて伝熱ガス供給穴と試料の押上げピンを配置する押上げピン穴とを設け、前記静電チャックの試料載置面には前記試料を支持する凸部が外周部とその内側に離間して設けられ、前記押上げピン穴を前記凸部の面内に設け、前記伝熱ガス供給穴を前記凸部以外に設けて、前記押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を前記凸部以外の伝熱ガス圧力よりも高く制御する制御手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
真空処理室内に配置され、静電チャックの試料載置面に試料を支持する凸部が外周部とその内側に離間して設けられ、押上げピン穴が前記凸部の面内に設けられ、伝熱ガス供給穴が前記凸部以外に設けられた試料台上に試料を静電吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理方法において、
前記押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して前記試料を処理することを特徴とする真空処理方法。
【請求項３】
試料を吸着する機構を備えた試料台と、前記試料台が配置される処理室と、前記処理室を排気する排気手段とを有する真空処理装置において、
前記試料台は、リング状凸部領域と、前記リング状凸部領域内に設けられた押し上げピン用穴と、前記リング凸部領域の内側に設けられた凹部領域と、前記凹部領域に設けられた伝熱ガス供給穴とを有し、
前記押し上げピン用穴へ供給される伝熱ガスの圧力は、前記伝熱ガス供給穴へ供給される伝熱ガスの圧力を超えた値に設定されるものであることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の真空処理装置において、
前記リング状凸部領域は、二重に設けられており、前記押し上げピン用穴は内側のリング状凸部領域に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の真空処理装置において、
前記試料を吸着する機構は、静電チャックであることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記押し上げピン用穴へ供給される伝熱ガスと、前記伝熱ガス供給穴へ供給される伝熱ガスとは供給源が同一であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記試料を吸着する機構は、前記凸部領域に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
請求項３乃至６のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記試料を吸着する機構は、前記凹部領域に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記真空処理装置は、ドライエッチング装置であることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空処理装置および真空処理方法に係り、特に吸着により試料を試料台に保持しての処理に好適な真空処理装置および真空処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイス製造工程においては、スループットの向上を目的として、フォトレジスト層、反射防止膜層、ハードマスク層、ポリシリコン層、メタル層といった異膜種のエッチングを連続して処理することが求められている。この複数ステップ連続処理において、加工後の最終的な膜形状には、従来の非連続処理時と同等あるいはそれ以上の加工精度が求められる。そのため、連続処理における各膜の加工精度は従来方法よりも厳しい値とする必要があり、すなわち加工精度と密接な関係にある半導体基板等の試料温度においては、試料面内で均一温度にする技術が必要である。従来の真空処理装置や真空処理方法に関する文献としては、例えば特許文献１〜特許文献４がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６０５８６号公報
【特許文献２】特開平７−３２１１８５号公報
【特許文献３】特開平１１−３３０２１５号公報
【特許文献４】特開平８−２７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
試料温度の制御に関し、特許文献１には、静電チャックにより保持される半導体基板などの試料と静電チャックとの間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段を具備する真空処理装置において、静電チャックの試料載置面に試料を支持する凸部が外周部とその内側に離間して設け、この試料支持部に試料を搬送するための押上げピンを設けた技術が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、静電チャックにより保持される試料などの試料と静電チャックとの間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段を具備する真空処理装置において、静電チャックにはガス供給穴を設け、さらに静電チャックには試料押上げ用のピンを格納するための押上げピン穴を設け、伝熱ガスの供給はこのガス供給穴、および押上げピン穴から行う技術が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３には、静電チャックにより保持される半導体基板などの試料と静電チャックとの間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段を具備する真空処理装置において、静電チャックにはガス供給穴を設け、伝熱ガスの供給はこのガス供給穴から行う技術が開示されている。
【０００７】
また、特許文献４には、静電チャックにより保持される半導体基板などの試料と静電チャックとの間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段を具備する真空処理装置において、静電チャックには試料押上げ用のピンを格納するための押上げピン穴を設け、伝熱ガスの供給はこの押上げピン穴から行う技術が開示されている。
【０００８】
しかしながら、上記の技術は、試料温度の面内均一性について十分に配慮がなされていなかった。すなわち、静電チャックには試料を搬送および載置するための搬送機構としての押上げピンを備える必要があり、そのため静電チャックの試料載置面には貫通穴を設けて、貫通穴の内部に試料の押上げピンを配置する必要がある。この静電チャックに設けた貫通穴直上に位置する試料から試料台への伝熱性能は、貫通穴周囲に位置する試料から試料台への伝熱性能よりも低いために、試料を静電チャックに載置してプラズマ等で加工処理すると、試料温度は貫通穴付近で周囲よりも上昇し試料面内で不均一となる。この試料温度の面内不均一が原因となり、最終的に得られる試料の加工形状が試料面内で不均一となる問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための一態様として、所定の圧力に減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ試料が配置される静電チャックを有する試料台と、前記静電チャックの温度を可変する温度可変手段と、前記静電チャックにより保持される試料と前記静電チャックの試料配置面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段とを具備する真空処理装置において、前記静電チャックの試料載置面に貫通させて伝熱ガス供給穴と試料の押上げピンを配置する押上げピン穴とを設け、前記静電チャックの試料載置面には前記試料を支持する凸部が外周部とその内側に離間して設けられ、押上げピン穴を前記凸部の面内に設け、前記伝熱ガス供給穴を前記凸部以外に設けて、前記押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を前記凸部以外の伝熱ガス圧力よりも高く制御する制御手段を設けることを特徴とする真空処理装置とする。
【００１１】
また、真空処理室内に配置され、静電チャックの試料載置面に試料を支持する凸部が外周部とその内側に離間して設けられ、押上げピン穴が前記凸部の面内に設けられ、伝熱ガス供給穴が前記凸部以外に設けられた試料台上に試料を静電吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理方法において、前記押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して前記試料を処理することを特徴とする真空処理方法とする。
【００１２】
また、試料を吸着する機構を備えた試料台と、前記試料台が配置される処理室と、前記処理室を排気する排気手段とを有する真空処理装置において、前記試料台は、リング状凸部領域と、前記リング状凸部領域内に設けられた押し上げピン用穴と、前記リング凸部領域の内側に設けられた凹部領域と、前記凹部領域に設けられた伝熱ガス供給穴とを有し、前記押し上げピン用穴へ供給される伝熱ガスの圧力は、前記伝熱ガス供給穴へ供給される伝熱ガスの圧力を超えた値に設定されるものであることを特徴とする真空処理装置とする。
【発明の効果】
【００１３】
押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高く制御することのより、試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第一の実施例に係る真空処理装置の概略を示す縦断面図である。
【図２】第一の実施例に係る試料台の詳細を示す縦断面図である。
【図３】第一の実施例に係る試料台の詳細を示す横断面図である。
【図４】第一の実施例に係る試料台における試料保持時の試料裏面の伝熱ガス圧力を示す図である。
【図５】第一実施例に係る新処理装置を用いた真空処理方法を示すタイムチャート図である。
【図６】第二の実施例に係る試料台の詳細を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施例により詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
以下、本発明の第一の実施例について、図１乃至図５により説明する。
【００１７】
図１はプラズマ真空処理装置の概略図であり、本実施例では、プラズマエッチング装置を示す。処理室３は、真空チャンバ１０２の上部に石英製のシャワープレート１０３と石英製の蓋１０１を設置し、真空チャンバの下面にはバルブ１０４を介して真空ポンプ１０５を接続して構成する。処理室３を構成する前記部材間の隙間は図示しないＯリング等の適切なシール手段によって気密されており、処理室内の圧力は１００００分の１Ｐａといった高真空に維持することができる。
【００１８】
処理室３の上部の空間は、シャワープレート１０３と蓋１０１とチャンバ１０２とガス導入穴１０７で構成したガスだまり１０９である。ガスだまり１０９の構成部材間の隙間は図示しないＯリング等のシール手段によって気密に接続されている。処理ガスは、処理ガス供給装置１０８からまずガスだまり１０９に導入され、次いでシャワープレート１０３に設けた多数の貫通穴１１０を通り、処理室３内にシャワー状に導入される。
【００１９】
処理ガスとしては、プロセス毎に単一の物質ガス、あるいは複数の物質を所定の比量で最適な流量比で混合したガスを用いる。たとえば、被エッチング材料がＳｉ系の材料であれば、ＨＢｒ／Ｃｌ２／Ｏ２のガス系もしくは、左記に組み合わせてＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のフッ素系ガスが好適に使用できる。
【００２０】
処理室３の上方には、円盤状のアンテナ１１１を設置する。アンテナ１１１にはマイクロ波発振器１１２を接続しており、アンテナ１１１に高周波電圧を印加して電磁波を生成することができる。処理室３に導入された電磁波と、真空チャンバの周囲を取り巻いて設置したコイル１１３によって生じる磁場との相互作用により、処理室内には高密度なプラズマを生成することができる。
【００２１】
処理室３の下方には、半導体基板等の試料１を配置する試料台２が設けられており、試料１が載置される面には静電チャック１４が取り付けられている。なお、試料台２には静電チャック１４によって保持する試料１にバイアス電圧を印加する高周波電源１１４と、試料１を吸着・保持するために静電吸着電源１１５と、試料と静電チャックの間に伝熱ガスを供給するための伝熱ガス供給装置１１６が接続されている。尚、符号１０６はフォーカスリング、符号１１７は制御装置である。
【００２２】
図２に試料台の詳細を示す。試料台２上部の静電チャック１４は、この場合、電気絶縁膜２００と静電吸着電極２０１と誘電体膜２０２を積層してなる。吸着電極２０１は２枚とし、外電極２０１ａと内電極２０１ｂを備えたダイポール型とし、それぞれの電極は静電吸着電源１１５に接続する。尚、押し上げピン２０６を挟んで内電極２０１ｂと反対側に記載されている電極は内電極２０１ｂと一体物である。すなわち、押し上げピン２０６は内電極２０１ｂを貫通して設けられた開口部内を上下に動く。
【００２３】
試料１の載置面の最外周部とそれから内側に離間した位置にリング状の凸部２０３、２０４が形成されている。試料裏面への伝熱ガスの供給は、凸部領域以外の凹部領域に設けられたガス供給穴２０５および凸部領域に設けられた押上げピン穴２０６を介して行う。
【００２４】
ガス供給穴２０５への伝熱ガス供給ラインにはバルブ２０８を備え、押上げピン穴２０６への伝熱ガス供給ラインにはバルブ２０７を備えている。バルブ２０７、２０８の開度はそれぞれ独立に調整することができ、伝熱ガス供給量およびガス圧力はそれぞれのラインで独立して調節することができる。なお、リング状の凸部２０３，２０４の間の空間には伝熱ガス供給穴２０５からの伝熱ガスが供給される。
【００２５】
また、試料台２は図示しない放熱手段および温度可変手段を備えている。符号２０９はシール、符号２１０は押し上げピン、符号２１１は押し上げピン駆動装置を示す。図３に、図２の試料台の吸着電極２０１を含む横断面図を示す。
【００２６】
なお、試料台２の材質としては、適度な強度があればどのような金属でも使用でき、たとえばステンレス、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンなどが好適に使用できる。または金属でなくとも構わない。
【００２７】
また、電気絶縁膜２００および誘電体膜２０２の材質は、絶縁性を維持することができ、かつプラズマ耐性があればどのような材質であっても構わないが、例えばアルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）やイットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）が好適に使用される。また、吸着電極２０１の材質としては、どのような金属でも構わないが、例えばタングステンやニッケルなどが好適に使用される。
【００２８】
なお、本実施例において吸着電極２０１は外電極２０１ａと内電極２０１ｂの２枚を備えたダイポール型としたが、必ずしもダイポール型である必要はなく、モノポール型であっても構わない。また、静電吸着以外による吸着方法であってもよい。
【００２９】
図２に示した本実施例としての試料台を用いて、静電チャック４によって試料１を静電吸着し、ガス供給穴２０５及び押上げピン穴２０６を介して試料裏面に伝熱ガスを供給したときの、試料裏面上における伝熱ガス圧力の分布を図４に示す。バルブ２０７およびバルブ２０８を調節しながら伝熱ガスを供給することで、押上げピン穴部に対して凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給することができる。なお、押上げピン穴部への伝熱ガス供給ラインにコンプレッサ等の圧縮手段を取り付けることにより、広範囲の圧力制御が可能となる。また、伝熱ガスは処理室３へ放出するため、反応に影響しないように、反応ガスに比べ数桁少ない流量としている。
【００３０】
押上げピン穴内２０６内に供給した伝熱ガスによって、伝熱ガスを介した熱移動が生じ、すなわち試料裏面−押上げピン穴の側壁面、試料裏面−押上げピン間、および押上げピン穴の側壁面−押上げピン間で熱移動が生じる。これらの伝熱ガスを介した熱移動によって、試料へのプラズマ等の入熱は試料裏面から伝熱ガスに伝わり、一部で押上げピン内を経由する熱があるものの最終的にはピン穴の側壁面に伝わり、試料台内部の図示しない放熱手段へと伝わる。
【００３１】
押上げピン穴直上部の試料の入熱が試料台に伝わる経路は、２種類に大別できる。１つ目は、前述のような押上げピン穴内部の伝熱ガスを経る伝熱経路であり、すなわち押上げピン直上の試料裏面から押上げピン内の伝熱ガス、ピン穴の側壁面、そして試料内部の図示しない冷却手段の順に熱が伝わる経路である。２つ目は、押上げピン穴内部の伝熱ガスを通らないものであり、すなわち押上げピン穴直上の試料上面への入熱はまず試料内部を水平方向に伝導伝熱で押上げピン穴以外の部分へ伝わり、ここで試料裏面から試料台凸部の静電チャックとの接触面あるいは押上げピン穴部以外の伝熱ガスを介して静電チャックに伝わり、さらに試料台表面へ伝わり、試料台内部の伝導伝熱によって図示しない放熱手段へ伝わる経路である。
【００３２】
前記に示したような２種類の伝熱経路のうち、押上げピン穴内部の伝熱ガスを通らない伝熱経路は、試料内部において水平方向の伝導伝熱を伴うために、試料面内で温度分布を生じさせてしまう。したがって、試料面内における温度を均一化するためには、押上げピン穴直上部の試料の入熱が押上げピン穴内部の伝熱ガスを介して試料台に伝わるようにする必要がある。
【００３３】
押上げピン穴直上部の試料の入熱が試料台に伝わるときの、前記に示したような２つの伝熱経路に対する伝熱量の配分は、図２に示した試料台において押上げピン穴内部の伝熱ガス圧力で調整することができる。押上げピン穴部において伝熱ガス圧力を増すとともに、伝熱ガス気体分子の密度が増して押上げピン穴部の伝熱ガスを介した伝熱性能が向上するので、前記の伝熱経路のうち押上げピン穴部の伝熱ガスを介する経路において伝熱量が増加する。これと相対的に、押上げピン穴部の伝熱ガスを通らない伝熱経路における伝熱量は減少する。
【００３４】
図４に、本実施例における試料処理時の伝熱ガス分布を示す。本実施例における伝熱ガス分布は、押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を押上げピン穴周縁の凸部以外の伝熱ガス圧力よりも高く制御している。また、図４には、比較例としての試料処理時の伝熱ガス分布をあわせて示す。比較例の伝熱ガス分布おいて、本実施例と比較して異なる点は、押上げピン穴内部の伝熱ガス圧力分布を押上げピン穴周縁の凸部以外の伝熱ガス圧力と略同一としていることである。
【００３５】
以下、図４に示す実施例と比較例を用いて、伝熱ガス圧力を押上げピン内部において凸部以外よりも高く制御することで試料面内の温度が均一化することを説明する。
【００３６】
まず、図４に示す比較例において、プラズマ等の試料上方から試料に対する入熱があって、この入熱が試料裏面から試料台あるいは静電チャックまで伝わるとき、試料裏面で伝熱ガス圧力は一定であるから、試料面内の伝熱性能の分布は伝熱距離の違いで決まってくる。
【００３７】
押上げピン穴の直径は数ｍｍオーダであり、試料裏面と静電チャック上面との間の距離はこれよりも１オーダ以上小さいので、伝熱距離は押上げピン穴の直上でその他の部分よりも長い。すなわち伝熱性能は押上げピン穴部で他の部分よりも低下する。したがって押上げピン穴直上部の試料への入熱があると、押上げピン穴部の伝熱ガスを介した伝熱量は低下し、伝熱性能が相対的に高い押上げピン穴部以外を介した伝熱量が増加する。すなわち試料内部において押上げピン穴部からそれ以外の部分に向かう水平方向の伝導伝熱が生じ、押上げピン穴直上における試料温度で周囲よりも高くなる。したがって、図４に示す比較例のように試料裏面で伝熱ガスを一定とした場合は、押上げピン穴直上における試料温度で周囲よりも高くなるために試料温度が面内で不均一となる。
【００３８】
一方で、図４に示す実施例においては、押上げピン穴部の伝熱ガス圧力Ａを押上げピン穴以外の伝熱ガス圧力Ｂよりも高く制御することで、試料上方から試料に対する入熱があって試料台あるいは静電チャックへ伝わる場合に、押上げピン穴部における伝熱性能が向上し、押上げピン穴内の伝熱ガスへの伝熱量が増すために、相対的に押上げピン穴直上の試料内部で水平方向への熱移動が解消し、試料温度は面内で均一となる。
【００３９】
次に、上記のように構成されたプラズマエッチング装置を用いた真空処理方法の実施例を図５により説明する。試料は、図示を省略したロック室および真空搬送室を介して真空容器内に搬入し、試料台に載置する。その後、静電吸着用電源をオンにして試料と試料台とを静電チャックを介して静電吸着に保持するとともに、伝熱ガスの供給を開始する（図５の時間ａ１）。以降、伝熱ガス圧は、押上げピン穴部で周囲よりも高くなるように、すなわちＡ＞Ｂとする（本実施例では、Ａ＝１．５Ｂ）。
【００４０】
その後、エッチングガスを導入開始するとともにマイクロ波を導入し、バイアス電源をオンにすることで、プラズマを発生させて処理を開始する（図２の時間ａ２）。試料を処理している間、伝熱ガス圧はＡ＞Ｂとしているので、試料温度は面内で均一とすることができる。本圧力に関し、好ましくは、５Ｂ＞Ａ＞Ｂであり、実用上は３Ｂ≧Ａ≧１．５Ｂが好適である。また、押し上げピン穴２０６へ供給する伝熱ガスと伝熱ガス供給穴２０５へ供給される伝熱ガスは同じである必要はないが、同じとすることにより、構成を簡略化できる。本実施例では処理を終了するときは、後から供給されたものを先に停止する。例えば、エッチングガスを停止後、伝熱ガス供給を停止する。伝熱ガスの残圧があるために、ウエハは弱い押し上げピン圧で取り外すことがきる。このように実行される真空処理方法によれば、試料の処理中にプラズマ等の入熱がある場合において、試料温度は面内で均一とすることができる。
【００４１】
以上示したように、本実施例によれば、押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を押上げピン穴以外の伝熱ガス圧力よりも高く制御することで試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供することができる。
【実施例２】
【００４２】
以下、本発明の第二の実施例について、図６により説明する。なお、実施例１に記載され、本実施例に未記載の事項は実施例１と同様である。
【００４３】
図６に、第二の実施例としての試料台の詳細を示す。第二の実施例は、静電チャックの構造で第一の実施例と異なっている。第二の実施例においては、静電チャックの誘電体膜を電気絶縁層上面の全体に備え、誘電体膜の上面に凹凸を形成し、この凹部に伝熱ガスを供給する。本実施例の試料台を図１に示したプラズマ真空処理装置内に設置し、伝熱ガス分布は図４に示すように押上げピン穴内部において押上げピン穴の外部よりも高い圧力に制御し（本実施例ではＡ＝２Ｂ）、図５に示すような真空処理方法を実施すれば、試料の処理中にプラズマ等の入熱がある場合において、試料温度は面内で均一とすることができる。
【００４４】
以上示したように、本実施例によれば、押上げピン穴部の伝熱ガス圧力を押上げピン穴以外の伝熱ガス圧力よりも高く制御することで試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供することができる。さらに、本実施例によれば、静電チャック領域を広く確保することができ、局所的な静電吸着ではなく、試料を広い領域で均等に吸着することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は静電チャックにより試料を保持するとともに試料の温度を制御して真空処理する装置に適用できる。
【符号の説明】
【００４６】
１：試料、２：試料台、３：処理室、４：静電チャック、１０１：蓋、１０２：真空チャンバ、１０３：シャワープレート、１０４：バルブ、１０５：真空ポンプ、１０６：フォーカスリング、１０７：ガス導入穴、１０８：処理ガス供給装置、１０９：ガスだまり、１１０：シャワープレート貫通穴、１１１：アンテナ、１１２：マイクロ波発振器、１１３：コイル、１１４：高周波電源、１１５：静電吸着電源、１１６：伝熱ガス供給装置、１１７：制御装置、２００：電気絶縁膜、２０１：静電吸着電極、２０２：誘電体膜、２０３：最外周凸部、２０４：リング状凸部、２０５：ガス供給穴、２０６：押上げピン穴、２０７：バルブ、２０８：バルブ、２０９：シール、２１０：押上げピン、２１１：押上げピン駆動装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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