(57)【要約】【課題】半導体装置の製造工程の中で、半導体ウエハと配線基板を貼り合わせる場合に、両者の電気的かつ機械的な接続を、高い信頼性をもって行なえるようにする。【解決手段】電極パッドを有する半導体ウエハを作製するウエハ作製工程Ｆ１と、電極パッドの位置に合わせて形成された配線部を有する配線基板を作製する基板作製工程Ｆ２と、半導体ウエハと配線基板を貼り合わせる貼り合わせ工程Ｆ３と、を有する半導体装置の製造方法において、ウエハ作製工程Ｆ１では、電極パッドの表面を覆う状態で酸化防止膜を形成し、貼り合わせ工程Ｆ３では、酸化防止膜を除去してから半導体ウエハと配線基板を貼り合わせる。【選択図】図１
2010067654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドを有する半導体ウエハを作製するウエハ作製工程と、
前記電極パッドの位置に合わせて形成された配線部を有する配線基板を作製する基板作製工程と、
前記半導体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
を有し、
前記ウエハ作製工程では、前記電極パッドの表面を覆う状態で酸化防止膜を形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記酸化防止膜を除去してから前記半導体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記貼り合わせ工程では、プラズマ処理により、前記酸化防止膜を除去する
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記貼り合わせ工程では、前記プラズマ処理により、前記電極パッドの表面を粗面化する
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ウエハ作製工程では、前記電極パッドの部分を開口させた状態で保護膜を形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記プラズマ処理により、前記保護膜の表面を粗面化する
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエハ作製工程では、前記電極パッドの表面に接着層を介して前記酸化防止膜を形成する
請求項１、２、３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板作製工程では、前記配線部を有する配線基板の基材に、前記配線部に通じる孔を形成し、当該孔を、熱硬化性樹脂を含有する導電性材料で埋め込む
請求項１、２、３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線基板の基材にＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材を用い、
前記半導体ウエハと前記配線基板を真空中で加熱加圧することにより貼り合わせる
請求項１、２、３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。詳しくは、ＷＬＰ（ウエハ・レベル・パッケージ）と呼ばれる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話をはじめとする携帯用機器は、持ち運びに便利なように小さく軽くなってきている。このため、このようなセットに搭載される半導体装置にも、小型軽量化が求められてきている。半導体装置の小型軽量化のためには、いわゆるＷＬＰ（ウエハ・レベル・パッケージ）又はＷＬ（ウエハ・レベル）−ＣＳＰ（チップ・スケール・パッケージ）と呼ばれる半導体パッケージが非常に有効であり、近年さかんに各社が採用している。
【０００３】
ＷＬＰを採用した半導体装置の製造方法としては、例えば、特許文献１に開示された方法が知られている。特許文献１に記載の製造方法では、電極パッド付きの半導体ウエハを作製した後、半導体ウエハ上に再配線層を形成し、その後、再配線層の電極部分に外部接続用の端子を形成している。
【０００４】
より具体的に記述すると、まず、図９（Ａ）に示すように、電極パッド５２を有する半導体ウエハ５１を準備する。次に、図９（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ５１の電極パッド５２を覆っている保護膜５３を含めて、半導体ウエハ５１の全面（電極パッド形成面）に樹脂層５４を形成した後、これをパターニングして電極パッド２の部分を露出（開口）させる。樹脂層５４は、例えば１０μｍ程度の厚さで形成する。
【０００５】
次に、図９（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ５１の全面に、拡散防止層と銅のシード層からなるめっき下地層５５を形成する。拡散防止層は、例えばチタンによって形成する。次に、図９（Ｄ）に示すように、レジスト５６をスピンコート法等により塗布した後、これをパターニングする。
【０００６】
次に、図１０（Ａ）に示すように、めっき下地層５５の上に、銅めっきによって再配線部５７を形成する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、上記レジスト５６を除去した後、再配線部５７以外の部分で、上記めっき下地層５５をエッチングにより除去する。次に、図１０（Ｃ）に示すように、感光性の液状のポリイミド樹脂をスピンコート法等で塗布することにより絶縁層５８を形成した後、当該絶縁層５８をパターニングして、再配線部５７の電極部分を露出させる。次に、図１０（Ｄ）に示すように、再配線部５７の電極部分に外部接続用の端子となるはんだボール５９を搭載する。
【０００７】
上述した半導体装置（ＷＬＰ）の製造方法では、一連の工程がすべてウエハ状態で連続的に行なわれる。このため、製造のリードタイムが長くなる。また、再配線の形成などを、半導体ウエハ用の高価な製造装置（露光装置、現像装置など）を用いて行なう必要がある。
【０００８】
そこで、ＷＬＰを採用した半導体装置の他の製造方法として、例えば、特許文献２に開示された方法も知られている。特許文献２に記載の製造方法では、電極パッドを有する半導体ウエハと再配線用の配線基板を別々の工程で作製し、それらを接着材で貼り合わせるようにしている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３３５９１５号公報
【特許文献２】特開２０００−３６５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献２に記載の製造方法においては、半導体ウエハの電極パッドをアルミニウムで形成した場合に、当該アルミニウムパッドの表面が、配線基板との貼り合わせまでに酸化する。このため、半導体ウエハの電極パッドに対し、当該パッド表面に生成された酸化膜を介して、配線基板の電極部分を接合することになる。このため、接合不良や接合部の電気抵抗の増大などを招く恐れがある。
【００１１】
本発明は、半導体装置の製造工程の中で、半導体ウエハと配線基板を貼り合わせる場合に、両者の電気的かつ機械的な接続を、高い信頼性をもって行なうことができる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極パッドを有する半導体ウエハを作製するウエハ作製工程と、前記電極パッドの位置に合わせて形成された配線部を有する配線基板を作製する基板作製工程と、前記半導体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有し、前記ウエハ作製工程では、前記電極パッドの表面を覆う状態で酸化防止膜を形成し、前記貼り合わせ工程では、前記酸化防止膜を除去してから前記半導体ウエハと前記配線基板を貼り合わせるものである。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、ウエハ作製工程で電極パッドの表面を酸化防止膜で覆っておき、その後の貼り合わせ工程で、酸化防止膜を除去してから半導体ウエハと配線基板の貼り合わせを行なう。このため、電極パッドの表面に酸化膜が介在しない状態で、半導体ウエハと配線基板を貼り合わせることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電極パッドの表面に酸化膜が介在しない状態で、半導体ウエハと配線基板を貼り合わせることができる。このため、両者の電気的かつ機械的な接続を、高い信頼性をもって行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は以下に記述する実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００１６】
発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態）については、以下の順序で説明する。
１．第１の実施の形態
２．変形例
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
［製造工程の概略的な流れ］
本発明で製造対象とする半導体装置は、ＷＬＰと呼ばれる半導体パッケージであり、図１に示す工程の流れで製造される。まず、ウエハ作製工程Ｆ１と基板作製工程Ｆ２とを、別々の工程で行なう。その後、貼り合わせ工程Ｆ３と後工程Ｆ４を順に行なう。
【００１８】
ウエハ作製工程Ｆ１は、半導体ウエハを作製する工程である。基板作製工程Ｆ２は、再配線のための配線基板を作製する工程である。貼り合わせ工程Ｆ３は、ウエハ作製工程Ｆ１で作製された半導体ウエハと、基板作製工程Ｆ２で作製された配線基板を、貼り合わせる工程である。後工程Ｆ４は、個片化された半導体装置（ＷＬＰ）を得る工程である。各々の工程Ｆ１〜Ｆ４の詳細について、後段で詳しく説明する。
【００１９】
本発明においては、ウエハ作製工程Ｆ１と基板作製工程Ｆ２を別工程としている。このため、半導体ウエハの作製と配線基板の作製を並行して行なうことができる。したがって、ウエハの状態で再配線の形成から個片化までの工程を直列的に連続して行なう場合に比較して、製造のリードタイムを短縮することができる。また、半導体ウエハ用の製造装置よりも安価な製造装置を使用して配線基板を作製することができる。また、基板作製工程で作製された配線基板に配線の不良が生じた場合は、その不良品を工程中から除いて（廃棄して）、良品の配線基板だけを半導体ウエハに貼り合わせることができる。このため、半導体装置の製造の歩留まりを向上させることができる。
【００２０】
［ウエハ作製工程：Ｆ１］
ウエハ作製工程Ｆ１では、例えばシリコン基板からなる半導体ウエハに、周知の素子形成プロセス、電極形成プロセスを適用することにより、半導体ウエハの表層部分に半導体素子を形成するとともに、半導体ウエハの表面に電極パッドと保護膜を形成する。
【００２１】
図２はウエハ作製工程で得られる半導体ウエハの構成を示す概略図である。図２においては、半導体ウエハ１の表面に電極パッド２が形成されている。電極パッド２は、１個の半導体装置につき、複数個ずつ形成されている。半導体ウエハ１の表面には、電極パッド２の部分を開口させた状態で保護膜３が形成されている。電極パッド２は、例えば、アルミニウムなどの金属の電極材料で形成されている。保護膜３は、例えば、窒化シリコンなどの絶縁材料で形成されている。保護膜３は、電極パッド２の周縁部を被覆し、それよりも内側のパッド部分を外部に露出するように、電極パッド２のパッド形状に合わせて窓開けされている。電極パッド２の開口寸法は、例えば８０μｍ角に設定され、パッド厚は、例えば１〜２μｍに設定されている。
【００２２】
電極パッド２の窓開けは、電極パッド２を覆う状態で保護膜３を形成した後、当該保護膜３を、真空チャンバを用いたドライエッチングで開口（パッド表面を露出）させることにより行なう。その際、電極パッド形成、保護膜開口、アニールなどの各工程においては、空気ではなく、フォーミング（水素／アルゴン混合還元）ガスや窒素ガスを使用する。その後、電極パッド２付きの半導体ウエハ１を大気暴露させないように、例えば図示しない真空ロボットを用いて、半導体ウエハ１を真空中でエッチング用のチャンバから成膜用のチャンバに移送する。そして、成膜用のチャンバに収容された半導体ウエハ１の全面（電極パッド形成面）に、例えばスパッタ法により、接着層５と酸化防止膜６を順に積層して形成する。
【００２３】
接着層５は、電極パッド２及び保護膜３と酸化防止膜６との接着性を上げるために形成されるものである。酸化防止膜６は、電極パッド２のパッド表面の酸化を防止するために、当該電極パッド２を覆う状態で形成されるものである。電極パッド２をアルミニウムで形成した場合は、酸化によって、パッド表面にアルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）が生成される。この酸化物（酸化膜）は、電気的な絶縁性が高く、機械強度が高いため、除去しにくいものとなる。また、アルミニウムは酸素に対して化学的に高い反応性を示すため、ｐｐｍオーダーの僅かな濃度の酸素でも反応し、酸化膜を生じやすいものとなる。このため、ウエハ作製工程Ｆ１の中で酸化防止膜６を形成することにより、電極パッド２の酸化を防止することができる。酸化防止膜６は、例えば、金を用いて形成する。接着層５は、例えば、チタンを用いて形成する。その場合、例えば、チタンを成膜材料として接着層５を１０ｎｍの厚みで形成した後、金を成膜材料として酸化防止膜６を１０ｎｍの厚みで形成する。このように電極パッド２をアルミニウムで形成し、酸化防止膜６を金で形成する場合は、両者の密着性を、接着層５の介在によって高めることができる。このため、酸化防止膜６の剥がれ等を防止することができる。
【００２４】
［基板作製工程：Ｆ２］
基板作製工程Ｆ２では、まず、図３（Ａ）に示すように、銅箔７が片面に形成された基材８を準備する。基材８としては、有機基材、詳しくは、熱可塑性の樹脂基材、好ましくは、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材を用いることとする。ここでは一例として、銅箔７の厚さは１０μｍとし、基材８の厚さは５０μｍとする。このような銅箔７付きの基材８を準備したら、図３（Ｂ）に示すように、銅箔７をパターニングすることにより、再配線となる銅の配線部（配線パターン）７ａを形成する。銅箔７のパターニングは、例えば、次のような方法で行なう。まず、銅箔７を覆う状態で基材８の片面にドライフィルムをラミネートした後、当該ドライフィルムを露光、現像することで、ドライフィルムに開口部を形成する。次に、この開口部付きのドライフィルムをエッチングマスクに用いて、銅箔７をエッチングした後、ドライフィルムを基材８から剥離する。
【００２５】
次に、図３（Ｃ）に示すように、基材８に孔９を形成する。孔９を形成する位置は、半導体ウエハ１の電極パッド２の位置に対応させる。孔９は、配線部７ａが形成されている面と反対側の面から、当該配線部７ａに通じるように、基材８を厚み方向に貫通する状態で形成する。基材８への孔加工は、例えばＣｏ2レーザ孔あけ装置を用いて行なう。孔あけ加工後は、孔９の内部に残りやすい樹脂残渣等を除去する処理（デスミヤ処理）を行なうことが望ましい。
以下に、孔あけ加工に適用する加工条件の一例を示す。
加工方式：サイクル加工
レーザのパルス幅：５μｓ
周波数：２５ｋＨｚ
レーザ出力：１５０Ｗ
【００２６】
次に、図３（Ｄ）に示すように、先ほど基材８に形成した孔９に導電性材料１０を埋め込む。導電性材料１０は、後述する貼り合わせ工程Ｆ３で半導体ウエハ１の電極パッド２に電気的に接続される電極部に相当するものとなる。導電性材料１０としては、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する材料を用いることが望ましい。具体的には、例えば、銀の金属微粉末を熱硬化性樹脂と混練してペースト状にしたもの（銀ペースト）を用いることが望ましい。ただし、熱硬化性樹脂と混ぜ合わせる金属微粉末に関しては、銀以外の金属であってもよい。具体的には、金を用いた金ペースト、銅を用いた銅ペーストなどを用いることができる。はんだペーストは、加熱すると再溶融する懸念があるため、ここでは使用しないこととする。
【００２７】
導電性材料１０の充填処理には、例えば図４に示すように、スクリーン印刷法を利用することができる。スクリーン印刷法では、基材８の孔９が設けられている側の面に、例えば、厚さ０．０５ｍｍのメタルマスクからなるスクリーンマスク１１を被せる。この状態でスクリーンマスク１１上に供給された導電性材料（銀ペースト等）１１をスキージ１２の移動により、スクリーンマスク１１の開口を通して基材８の孔９に埋め込む。このとき、基材８に押し付ける方向でスキージ１２を加圧すると、スクリーンマスク１１の開口を通して導電性材料１０が押し込まれる。このため、基材８の孔９に導電性材料１０が充填された状態となる。これにより、基材８の片面に再配線用の配線部７ａが形成され、かつ基材８に設けられた孔９に導電性材料１０が埋め込まれた構造の配線基板１５が得られる。以上の基板作製工程Ｆ２で得られた配線基板１５は、孔９に埋め込まれた導電性材料１０を加熱硬化させないままで（室温のままで）、次の貼り合わせ工程Ｆ３に送られる。
【００２８】
［貼り合わせ工程：Ｆ３］
貼り合わせ工程Ｆ３は、「貼り合わせ前処理工程」と「貼り合わせ本処理工程」の２ステップで行なわれる。
【００２９】
「貼り合わせ前処理工程」
貼り合わせ前処理工程においては、上述したウエハ作製工程Ｆ１で作製された半導体ウエハ１を処理の対象とする。半導体ウエハ１には電極パッド２を覆う状態で酸化防止膜６と接着層５が形成されている。そこで、貼り合わせ前処理工程では、それらの酸化防止膜６と接着層５を除去することにより、電極パッド２の表面を露出させる。酸化防止膜６と接着層５の除去は、プラズマ処理によって行なう。プラズマ処理では、真空チャンバ内で、例えば、アルゴンガスを主体としたプラズマ処理により、酸化防止膜６と接着層５を除去（エッチング）する。アルゴンガスを用いた場合は、プラズマ中のアルゴン正イオンが加速され、半導体ウエハ１の表面に衝突することになる。
【００３０】
ここで、上述したウエハ作製工程Ｆ１においては、半導体ウエハ１の全面（電極パッド形成面）に、接着層５と酸化防止膜６の金属材料層を積層して形成している。このため、半導体ウエハ１内のすべての電極パッド２が、電気的に短絡した状態となっている。そこで、貼り合わせ前処理工程においては、電極パッド２間の電気的な接続を断つために、図５に示すように、酸化防止膜６と接着層５をプラズマ処理によって完全に除去する。酸化防止膜６と接着層５を完全に除去するには、プラズマ処理によって除去可能な金属材料層の厚み寸法が、酸化防止膜６と接着層５を合わせた総厚（本形態例では２０ｎｍ）よりも大きくなるように、処理条件（例えば、処理時間）を設定する必要がある。したがって、半導体ウエハ１から酸化防止膜６と接着層５を除去する場合は、いわゆるオーバーエッチングによって、加速されたアルゴン正イオンが電極パッド２の表面や保護膜３の表面に衝突し、そこから元素をたたき出すことになる。その結果、電極パッド２の表面や保護膜３の表面は、プラズマ処理によって凹凸がついた状態、即ち、粗面化された状態となる。また、仮に、電極パッド２の表面に極薄く酸化膜が形成されていたとしても、当該酸化膜をプラズマ処理によって除去することができる。こうして半導体ウエハ１からパッド表面を覆っている接着層５及び酸化防止膜６を除去したら、当該半導体ウエハ１を用いて直ちに貼り合わせ本処理工程に進む。
【００３１】
「貼り合わせ本処理工程」
貼り合わせ本処理工程においては、図６（Ａ）に示すように、上述した基板作製工程Ｆ２で作製された配線基板１５と、上記貼り合わせ前処理工程で処理された半導体ウエハ１を、位置合わせして重ね合わせる。この場合は、半導体ウエハ１に形成された電極パッド２と、配線基板１５に形成された導電性材料１０の埋め込み部（電極部）とが、対向するように、両者を重ね合わせる。また、半導体ウエハ１に形成された電極パッド２の位置と、当該電極パッド２の位置に対応して配線基板１５に形成された導電性材料１０の埋め込み部の位置を合わせる。両者の位置合わせは、例えば、半導体ウエハ１と配線基板１５の双方に位置合わせ用のマークを設けておき、当該マークを用いて行なってもよい。
【００３２】
このように半導体ウエハ１と配線基板１５を位置合わせして重ね合わせた状態で、半導体ウエハ１と配線基板１５を真空中で加熱加圧することにより貼り合わせる。貼り合わせ装置としては、例えば、周知の真空加熱プレス装置を用いることができる。貼り合わせ条件は、例えば、圧力＝１〜１００ｍｍＨｇ、基板加熱温度＝１５０〜２５０℃、基板加圧力＝１０〜１００Ｋｇ重／１０ｃｍ2、処理時間＝３０分〜２時間とする。これにより、図６（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ１と配線基板１５が熱圧着される。その際、半導体ウエハ１に形成されているＬＳＩ等の半導体素子が静電気によって破壊されないように、装置のアースや、イオナイザー等によって十分な静電気対策を行なうことが望ましい。
【００３３】
貼り合わせ本処理工程においては、配線基板１５の孔９に埋め込まれている導電性材料１０が、対応する電極パッド２に密に押し付けられた状態で、加熱により硬化する。このとき、電極パッド２の表面状態は、上記貼り合わせ前処理工程で接着層５と酸化防止膜６を除去した直後の状態であるため、酸化膜が介在していない、純粋なアルミニウム面が露出した状態となる。このため、相対応する導電性材料１０と電極パッド２を、電気的かつ機械的に強固に接続させることができる。また、導電性材料１０と電極パッド２を、酸化膜の介在なしに接続することから、電気的に低い抵抗で接続させることができる。さらに、電極パッド２の表面は上記貼り合わせ前処理工程のプラズマ処理で粗面化されている。このため、電極パッド２の表面が粗面化されていない場合に比較して、相対応する導電性材料１０と電極パッド２を、機械的に、より強固に接続させることができる。また、一度硬化した導電性材料１０は、熱硬化性樹脂を含有したものであることから、はんだ材料とは異なり、再溶融することがない。したがって、完成した半導体装置（ＷＬＰ）をマザー基板等にリフロー等によって実装する場合に、導電性材料１０が再溶融することを回避することができる。
【００３４】
半導体ウエハ１と配線基板１５の貼り合わせに際しては、配線基板１５の基材としてＰＥＥＫ材を用いることにより、真空中での加熱加圧によってＰＥＥＫ材が接着性を奏するものとなる。このため、接着材等を用いることなく、半導体ウエハ１と配線基板１５を貼り合わせることができる。また、ＰＥＥＫ材は、真空中での加熱加圧により、半導体ウエハ１の電極パッド２等による凹凸を吸収しながら厚み方向に収縮する。このため、半導体ウエハ１に対して配線基板１５を密に貼り合わせることができる。さらに、上記貼り合わせ前処理工程では、電極パッド２の表面や保護膜３の表面がプラズマ処理で粗面化されている。このため、貼り合わせ本処理工程では、粗面化に伴う接着面積の増大やアンカー効果等により、半導体ウエハ１と配線基板１５を強固に貼り合わせることができる。
【００３５】
［後工程：Ｆ４］
後工程においては、図７（Ａ）に示すように、外部接続用の端子部分を除いて、配線基板１５の配線部７ａを覆うように外装保護膜１６を形成する。この場合は、外装保護膜１６の開口部分が、外部接続用の端子形成部分となる。外装保護膜１６の成膜材料としては、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。その場合は、成膜材料となるソルダーレジストを、例えばスクリーン印刷法により配線基板１５上に塗布した後、加熱によってソルダーレジストを硬化させることにより、配線基板１５上に外装保護膜１６を形成する。
【００３６】
次に、図７（Ｂ）に示すように、外装保護膜１６の開口部分にフラックス１７を塗布した後、当該フラックス１７の上からはんだボール１８を配線基板１５上に搭載する。はんだボール１８は、外部接続用の端子となるものである。配線基板１５の面方向で隣り合うはんだボール１８のピッチは、製造対象とする半導体装置の仕様に合わせて、例えば、５００μｍピッチに設定される。その後、図７（Ｃ）に示すように、リフロー処理によってはんだボール１８を配線基板１５に固着（はんだ付け）する。リフロー処理の後は、洗浄処理によってフラックスを除去する。
【００３７】
次に、図８（Ａ）に示すように、半導体ウエハ１とこれに貼り合わせられた配線基板１５を、周知のダイシング装置を用いて、ダイシングブレード１９により切断する。ダイシングライン（個片化のための切断ライン）は、例えば、半導体ウエハ１に予め格子状に設定されている。その際、ダイシング前又はダイシング後に、必要に応じて、半導体ウエハ１の裏面（配線基板１５の貼り合わせ面と反対側の面）を研削し、ウエハ厚を薄くしてもよい。
【００３８】
上記のダイシングを行なうことにより、１枚の半導体ウエハ１と配線基板１５から、図８（Ｂ）に示すように、個片化された状態の半導体装置（ＷＬＰ）２０が複数同時に得られる。半導体装置２０は、半導体ウエハ１から切り出された半導体チップ１ａと、配線基板１５から切り出された再配線部１５ａと、ソルダーレジストからなる外装保護膜１６と、はんだボール１８からなる外部接続端子１８ａとを有するものとなる。このようにして製造された半導体装置２０は、その後、図示しないソート工程により、１個ずつトレイやテープに収納された状態で梱包される。
【００３９】
＜２．変形例＞
上記実施の形態においては、接着層５をチタンで形成するものとしたが、これに限らず、他の金属材料、例えば、クロムを用いて接着層５を形成してもよい。但し、ウエハ作製工程Ｆ１で半導体ウエハ１上に形成される接着層５は、その後の貼り合わせ工程Ｆ３で酸化防止膜６とともに除去する必要がある。このため、プラズマ処理で除去しやすい材料を用いて接着層５を形成することが望ましい。
【００４０】
上記実施の形態においては、ウエハ作製工程Ｆ１で半導体ウエハ１に形成される電極パッド２の材料として、アルミニウムを用いるとしたが、本発明はこれに限らず、アルミニウム以外の電極材料で、酸化しやすい材料であれば、同様の効果が得られる。
【００４１】
上記実施の形態においては、ウエハ作製工程Ｆ１で保護膜３の開口により電極パッド２の表面を露出させた後に、接着層５及び酸化防止膜６を形成するものとしたが、本発明はこれに限らない。例えば、ウエハ作製工程Ｆ１の中で、電極パッド２を含むアルミニウムの配線パターンを形成する際（保護膜３を形成する前）に、当該配線パターンを覆うように、当該配線パターンの形状に合わせて、接着層５及び酸化防止膜６を形成してもよい。その場合は、保護膜３を開口させた際に、接着層５を介して電極パッド２を覆っている酸化防止膜６が露出した状態となる。このため、上記実施の形態と同様に、電極パッド２の酸化を防止することができる。また、貼り合わせ工程Ｆ３においては、上記実施の形態と同様にプラズマ処理を行なうことにより、保護膜３の開口部分で電極パッド２を覆っている接着層５と酸化防止膜６を除去することができる。
【００４２】
上記実施の形態においては、外装保護膜１６を後工程Ｆ４で形成するものとしたが、これに限らず、外装保護膜１６を基板作製工程Ｆ３で形成してもよい。その場合は、耐熱性の高い材料で外装保護膜１６を形成することが好ましい。
【００４３】
上記実施の形態においては、外部接続用の端子として、配線基板１５にはんだボール１８を取り付けるため、最終的に個片化によって得られる半導体装置のパッケージ形態は、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）タイプとなる。但し、本発明はこれに限らず、最終的に得られる半導体装置のパッケージ形態がＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）タイプであってもよい。ＬＧＡタイプの半導体装置を製造する場合は、外装保護膜１６の開口部分が外部接続用の端子部分となる。このため、配線基板１５に外部接続用の端子（はんだボール等）を取り付ける必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の工程順を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれるウエハ作製工程を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる基板作製工程を説明する図（その１）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる基板作製工程を説明する図（その２）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる貼り合わせ工程を説明する図（その１）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる貼り合わせ工程を説明する図（その２）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる後工程を説明する図（その１）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に含まれる後工程を説明する図（その２）である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する図（その１）である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する図（その２）である。
【符号の説明】
【００４５】
１…半導体ウエハ、２…電極パッド、３…保護膜、５…接着層、６…酸化防止膜、７ａ…配線部、８…基材、９…孔、１０…導電性材料、１５…配線基板、２０…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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