(57)【要約】【課題】剥離を抑制して機構強度を向上させた有機発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明に係る有機発光表示装置は、 基板部材１１１と、基板部材１１１上に形成された絶縁膜１６０と、絶縁膜１６０上に形成された金属配線１７９と、金属配線１７９上に形成されたシーラント３５０と、シーラント３５０上に付着した密封部材２１０とを含み、金属配線１７９に複数の結合補強孔１７９５を形成して、シーラント３５０と絶縁膜１６０を接触させたことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材と、
前記基板部材上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されて複数の結合補強孔を有する金属配線と、
前記金属配線上に形成されたシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）と、
前記シーラント上に付着した密封部材と
を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜と前記シーラントは、前記金属配線の結合補強孔を通じて互いに接触していることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記結合補強孔が形成された面積の比率は、前記金属配線の全体面積対比５乃至６０％の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜及び前記シーラントは、全てセラミック系の素材を用いて作られていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記密封部材もセラミック系の素材を用いて作られていることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは機構強度を向上させた有機発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、自発光特性を有し、液晶表示装置とは違って別途の光源を必要としないため、厚さと重量を低減できる。また、有機発光表示装置は、低消費電力で高輝度かつ高反応速度など高性能を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
一般に有機発光表示装置は、薄膜トランジスタおよび有機発光素子が形成された表示基板と、表示基板を覆う密封部材と、表示基板と密封部材とを互いに合着させるシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）とを含んでいる。ここで、シーラントは両基板の周縁に沿って塗布され、表示基板と密封部材との間の空間を密封する役割を果たしている。この時、シーラントは、表示基板に形成された一部金属配線と接触する。
【０００４】
しかし、それぞれ異なる素材で形成されたシーラントと金属配線は、互いの間の界面接着力が余り良くない。そのため、外部の衝撃などによってシーラントと金属配線の接触部分で、表示基板から密封部材までの積層構造に含まれている金属層/非金属層、有機物層/金属酸化物層などの不均質接触構造が簡単に剥離するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決するためのものであり、その目的は、剥離を抑制して機構強度を向上させた有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、基板部材と、前記基板部材上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されて複数の結合補強孔を有する金属配線と、前記金属配線上に形成されたシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）と、前記シーラント上に付着した密封部材とを含んでいる。
【０００７】
前記絶縁膜と前記シーラントは、前記金属配線の結合補強孔を通じて互いに接触していることが好ましい。
【０００８】
前記結合補強孔が形成された面積の比率は、前記金属配線の全体面積対比５乃至６０％の範囲内であることが好ましい。
【０００９】
前記有機発光表示装置において、 前記絶縁膜及び前記シーラントは、全てセラミック系の素材を用いて作られていることが好ましい。
【００１０】
前記密封部材もセラミック系の素材を用いて作られていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の有機発光表示装置によれば、剥離を抑制し、機構強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図２】図１の表示領域の一部を拡大した配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線において切断した断面図である。
【図４】図１のシーラントが形成されている領域の一部を拡大した配置図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線において切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が、容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限られるわけではない。
【００１４】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明が図示したように限定されるわけではない。
【００１５】
また、図面において多様な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体にわたって類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」または「上に」あるという時には、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その間に他の部分がある場合も含んでいる。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるという時には、間に他の部分がないことを意味している。
【００１６】
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似な構成要素については同一の図面符号を付けた。
【００１７】
また、図面において、一つの画素に二つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されるわけではない。有機発光表示装置は、一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスタと二つ以上の蓄電素子を備えていることも可能であり、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成することもできる。ここで、画素とは、画像を表示する最小単位を言い、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。
【００１８】
図１に示しているように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置１００は、表示基板１１０と、表示基板１１０の上部を覆う密封部材２１０と、表示基板１１０と密封部材２１０との間に配置されたシーラント３５０とを含んでいる。
【００１９】
シーラント３５０は、密封部材２１０の周縁に沿って配置され、表示基板１１０と密封部材２１０とを互いに合着して密封する。以下、シーラント３５０によって囲まれた表示基板１１０と密封部材２１０との間の内部を表示領域（ＤＡ）と称する。そして、表示領域（ＤＡ）には多数の画素が形成されて画像を表示する。
【００２０】
また、密封部材２１０の大きさは、表示基板１１０よりも小さく形成される。密封部材２１０によって覆われていない表示基板１１０の片側周縁には、集積回路チップ３０１を実装することができる。
【００２１】
以下、図２及び図３を参照して、表示領域（ＤＡ）に形成された画素を中心にした有機発光表示装置１００の内部構造を説明する。
【００２２】
図２に示しているように、表示基板１１０は、一つの画素ごとにそれぞれ形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０と、駆動薄膜トランジスタ２０と、蓄電素子８０と、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０とを含んでいる。表示基板１１０は、一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、このゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１と、共通電源ライン１７２とをさらに含んでいる。ここで、一つの画素は、ゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界にして定義されるが、必ずこれに限定されるものではない。
【００２３】
有機発光素子７０は、第１電極７１０と、第１電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０（図３に図示）上に形成された第２電極７３０（図３に図示）とを含んでいる。ここで、第１電極７１０は、正孔注入電極の正極（＋）であり、第２電極７３０は電子注入電極の負極（-）である。しかし、本発明は必ずこれに限定されるわけではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法によって第１電極７１０を負極とし、第２電極７３０を正極とすることも可能である。第１電極７１０及び第２電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が、励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。
【００２４】
蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６０を間において配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８とを含んでいる。ここで、層間絶縁膜１６０は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８との間の電圧によって蓄電容量が決定される。
【００２５】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１と、スイッチングゲート電極１５２と、スイッチングソース電極１７３と、スイッチングドレイン電極１７４とを含んでいる。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２と、駆動ゲート電極１５５と、駆動ソース電極１７６と、駆動ドレイン電極１７７とを含んでいる。
【００２６】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１に連結されている。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１に連結されている。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から離隔して配置され、第１蓄電板１５８と連結されている。
【００２７】
駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるために駆動電源を第１電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、第１蓄電板１５８と連結されている。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８は、それぞれ共通電源ライン１７２と連結されている。駆動ドレイン電極１７７は、コンタクト孔１８２を通じて、有機発光素子７０の第１電極７１０と連結されている。
【００２８】
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されたデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を果たしている。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加された共通電圧とスイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯蔵され、蓄電素子８０に貯蔵された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を通じて有機発光素子７０に流れて、有機発光素子７０が発光することになる。
【００２９】
以下、図３を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置１００の構造について、積層順序にしたがって具体的に説明する。
【００３０】
また、以下では駆動薄膜トランジスタ２０を中心に薄膜トランジスタの構造について説明する。スイッチング薄膜トランジスタ１０については、駆動薄膜トランジスタ２０との相違点だけを簡略に説明する。
【００３１】
先ず、表示基板１１０から説明する。第１基板部材１１１は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板で形成されている。しかし、本発明をこれに限定するわけではない。従って、第１基板部材１１１をステンレス鋼などからなる金属性基板で形成することも可能である。
【００３２】
第１基板部材１１１の上にバッファ層１２０を形成する。バッファ層１２０は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割をするものであり、このような役割を遂行できる多様な物質で形成することもできる。一例として、バッファ層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか一つを用いる。しかし、バッファ層１２０は必ず必要なものではなく、第１基板部材１１１の種類及び工程条件によって省略することもできる。
【００３３】
バッファ層１２０の上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成されている。また、駆動半導体層１３２は、不純物をドーピングしないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ+ドーピングして形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７とを含んでいる。この時、ドーピングするイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６を用いている。ここで、このような不純物は薄膜トランジスタの種類によって変わる。
【００３４】
本発明の第１実施形態では駆動薄膜トランジスタ２０にＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスタを使用したが、これに限定するわけではない。従って、駆動薄膜トランジスタ２０にＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスタを用いることも可能である。
【００３５】
また、図２に示した駆動薄膜トランジスタ２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスタであるが、図２に図示していないスイッチング薄膜トランジスタ１０は、多結晶薄膜トランジスタであることも可能であり、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスタであってもよい。
【００３６】
駆動半導体層１３２の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０の上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線は、ゲートライン１５１、第１蓄電板１５８及びその他の配線をさらに含んでいる。駆動ゲート電極１５５は、駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００３７】
ゲート絶縁膜１４０の上には駆動ゲート電極１５５を覆って層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０は、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミック系の素材を使って形成される。
【００３８】
層間絶縁膜１６０の上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。また、データ配線は、データライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他の配線をさらに含んでいる。駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は、それぞれ層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に形成された複数の貫通孔を通じて、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と連結される。
【００３９】
このようにして、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスタ２０が形成される。駆動薄膜トランジスタ２０の構成は、前述した例に限定されるわけではなく、当該技術分野における専門家が容易に実施できるような公知の構成に多様に変形することができる。
【００４０】
層間絶縁膜１６０の上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０は、その上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化する役割を果たしている。また、平坦化膜１８０は、ドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクト孔１８２を有する。
【００４１】
平坦化膜１８０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質などで作ることができる。
【００４２】
また、本発明に係る第１実施形態は、前述した構造に限定されるわけではなく、場合によっては平坦化膜１８０と層間絶縁膜１６０のうちのいずれか一つを省略する場合もある。
【００４３】
平坦化膜１８０の上には有機発光素子７０の第１電極７１０が形成される。つまり、有機発光表示装置１００は、複数の画素ごとにそれぞれ配置された複数の第１電極７１０を含んでいる。この時、複数の第１電極７１０は、互いに離隔して配置されている。第１電極７１０は、平坦化膜１８０のコンタクト孔１８２を通じて、ドレイン電極１７７と連結されている。
【００４４】
また、平坦化膜１８０の上には第１電極７１０を露出するような開口部を有する画素定義膜１９０が形成されている。つまり、画素定義膜１９０は、各画素ごとに形成された複数の開口部を有する。そして、第１電極７１０は画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置されている。しかし、第１電極７１０が必ず画素定義膜１９０の開口部にだけ配置されるわけではなく、第１電極７１０の一部が画素定義膜１９０と重なるように画素定義膜１９０の下に配置されることも可能である。画素定義膜１９０は、ポリアクリール系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂またはシリカ系の無機物などで作ることができる。
【００４５】
第１電極７１０の上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０の上には第２電極７３０が形成される。このようにして、第１電極７１０、有機発光層７２０及び第２電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００４６】
有機発光層７２０は、低分子有機物または高分子有機物からなる。また、有機発光層７２０は、発光層、正孔注入層（ｈｏｌｅ-ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ-ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ-ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ-ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの一つ以上を含む多重膜で形成することができる。これら全てを含む場合、正孔注入層が正極である第１電極７１０の上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次積層される。
【００４７】
また、図３において、有機発光層７２０は画素定義膜１９０の開口部にだけ配置されているが、本発明の実施形態をこれに限定するわけではない。従って、有機発光層７２０は、画素定義膜１９０の開口部内で第１電極７１０の上にだけ形成されるわけではなく、画素定義膜１９０と第２電極７３０との間に配置することも可能である。具体的に、有機発光層７２０は、発光層と共に正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）等の様々な膜をさらに含むことができる。この時、発光層を除く残りの正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）は、製造過程でオープンマスク（ｏｐｅｎ  ｍａｓｋ）を使用して、第２電極７３０と同様に第１電極７１０の上だけではなく、画素定義膜１９０の上にも形成することができる。つまり、有機発光層７２０に属する様々な膜のうち、一つ以上の膜が画素定義膜１９０と第２電極７３０との間に配置することができる。
【００４８】
第１電極７１０及び第２電極７３０は、それぞれ透明な導電性物質で形成してもよいし、半透過型または反射型導電性物質で形成することも可能である。第１電極７１０及び第２電極７３０を形成する物質の種類によって、有機発光表示装置１００は前面発光型、背面発光型または両面発光型となる。
【００４９】
一方、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１００は、前面発光型で形成されている。つまり、有機発光素子７０は、封止基板２１０の方向に光を放出して画像を表示する。そして、第１電極７１０は反射型導電性物質で作られている。
【００５０】
透明な導電性物質としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の物質を使用できる。反射型物質及び半透過型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の物質を使用することができる。
【００５１】
第２電極７３０の上には密封部材２１０が対向配置されている。密封部材２１０は、ガラス及びプラスチックなどのような透明な物質で作られている。密封部材２１０は、周縁に沿って形成されたシーラント３５０（図１に図示）を通じて、表示基板１１０と互いに合着して密封される。
【００５２】
以下、図４及び図５を参照して、シーラント３５０が配置された領域を中心にした有機発光表示装置１００の内部構造を説明する。
【００５３】
図４及び図５に示しているように、基板部材１１１の上にバッファ層１２０、ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０が順次形成されている。バッファ層１２０、ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０に対する詳細な説明は前述した通りである。そして、層間絶縁膜１６０の上に金属配線１７９が形成され、このように層間絶縁膜１６０と金属配線１７９を対にした積層構造は一対積層に限らず二対積層、三対積層と多層化される場合が多い 。
【００５４】
金属配線１７９は、シーラント３５０が配置された領域に形成された薄膜トランジスタ２０のソース電極１７６、ドレイン電極１７７、蓄電素子８０の第２蓄電板１７８、データライン１７１、共通電源ライン１７２及びその他の連結ラインのうちの一つ以上である。ここで、連結ラインとは、シーラント３５０で囲まれた表示領域（ＤＡ）に形成された構成と、シーラント３５０外部の周辺領域に形成された構成とを互いに連結するための配線のことをいう。
【００５５】
従って、金属配線１７９は、表示領域（ＤＡ）に形成された薄膜トランジスタ２０のソース電極１７６、ドレイン電極１７７、蓄電素子８０の第２蓄電板１７８、データライン１７１及び共通電源ライン１７２と同一層に同一素材で形成される。
【００５６】
また、金属配線１７９は、複数の結合補強孔１７９５を有する。結合補強孔１７９５は、金属配線１７９の下にある層間絶縁膜１６０を露出させる。
【００５７】
金属配線１７９の上にはシーラント３５０が形成され、シーラント３５０の上に密封部材２１０が付着される。そして、シーラント３５０は、金属配線１７９の結合補強孔１７９５を通じて層間絶縁膜１６０と集積接触する。具体的に、シーラント３５０は、一方が密封部材２１０と接触し、他方が金属配線１７９、金属配線１７９の結合補強孔１７９５を通じて露出した層間絶縁膜１６０及び金属配線１７９が形成されていない領域の層間絶縁膜１６０とそれぞれ接触している。これにより、シーラント３５０は密封部材２１０と表示基板１１０とを互いに合着密封する。この時、層間絶縁膜１６０とシーラント３５０には樹脂系の素材（例えば、ポリイミドとＴＥＯＳ系ＳｉＯ２）を適宜選択して、金属配線１７９に結合補強孔１７９５を開口・形成して、なるべく直後に層間絶縁膜１６０の表面にシランカップリング処理を行い、シーラント３５０を塗布・重合することが望ましい。
【００５８】
また、シーラント３５０は、セラミック系（主に酸化物）の素材を用いて作られる。一例として、フリット（低融点金属酸化物混合組成物）が挙げられ、この場合の金属配線素材は酸化物親和性の高いアルミニウムを用いることが望ましい。
【００５９】
このように、セラミック系の素材で作られたシーラント３５０は、金属配線１７９との界面接着力が相対的に非常に弱い。その反面、シーラント３５０は、同じセラミック系の素材で作られた層間絶縁膜１６０とは相対的に高い界面接着力を有する。
【００６０】
従って、金属配線１７９に複数の結合補強孔１７９５を貫通形成することによって、互いに接着したシーラント３５０と金属配線１７９が他部の衝撃などによって剥離することを効果的に抑制することができる。つまり、シーラント３５０が金属配線１７９の結合補強孔１７９５を通じて、層間絶縁膜１６０と集積接着するので、シーラント３５０と金属配線１７９との間の相対的に弱い接着状態を補完できることになる。
【００６１】
また、結合補強孔１７９５を形成する面積の比率は、金属配線１７９の全体面積対比５％乃至６０％の範囲内に属する。ここで、結合補強孔１７９５が形成された面積の比率が５％より小さいと、シーラント３５０と金属配線１７９との間の相対的に弱い接着状態を補完することが難しい。その反面、結合補強孔１７９５が形成された面積の比率が６０％より大きいと、接着力は向上するが、金属配線１７９の抵抗が大きくなるという問題点がある。
【００６２】
また、密封部材２１０もシーラント３５０と同様に、セラミック系の素材で作られる。従って、密封部材２１０とシーラント３５０との間についても相対的に高い界面接着力を有する。
【００６３】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は剥離を抑制し、機構強度を向上させることができる。
【００６４】
以下、表１を参照して実験例及び比較例についての実験結果を説明する。
【００６５】
実験は、実験例となる多数の有機発光表示装置と、比較例となる多数の有機発光表示装置にそれぞれ圧力を加えて、強制的に剥離させる方法で実施した。この時、実験例に使用した有機発光表示装置は、本発明の実施形態で示したように金属配線に結合補強孔を形成した。そして、実験例に使用した有機発光表示装置における結合補強孔の形成された面積の比率は、金属配線の全体面積対比１０％である。一方、比較例に使用した有機発光表示装置は、金属配線に結合補強孔を形成していない。
【表１】
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【００６６】
表１に示しているように、実験例が比較例に比べて相対的に剥離していないことが分かる。また、剥離する時の圧力も実験例のほうが高いことが分かる。つまり、実験例が比較例よりも高い圧力に耐えられることが分かる。
【００６７】
このような実験を通じて、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置１００は、向上した機構強度を有することが分かる。
【００６８】
以上、前述したように、望ましい実施形態を通じて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるわけではなく、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることを、本発明の属する技術分野に従事する者であれば、簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００６９】
１０    スイッチング薄膜トランジスタ
２０    駆動薄膜トランジスタ
７０    有機発光素子
８０    蓄電素子
１００  有機発光表示装置
１１０  表示基板
１２０  バッファ層
１４０  ゲート絶縁膜
１５１  ゲートライン
１６０  層間絶縁膜
１７１  データライン
１７２  共通電源ライン
１７９  金属配線
２１０  密封部材
３０１  集積回路チップ
３５０  シーラント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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