(57)【要約】【課題】単に導電層の厚さを厚くした場合や、２つの導電層同士を、相互の距離を考慮せずに単に貼り合わせた場合に比べて、導電層の抵抗が同じであっても、より優れた電磁波遮蔽性を発揮するプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用電磁波遮蔽体およびこれを用いたＰＤＰ装置の提供。【解決手段】２つ以上の透明導電体（４３、４４）が、体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の高抵抗率体（４２）を介してそれぞれ離間配置されており、前記各透明導電体は、それぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、少なくとも２つの隣り合う透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であり、前記高抵抗率体は、透明基材層および透明気体層から選ばれる１層以上からなることを特徴とするＰＤＰ用電磁波遮蔽体（４１）。ＰＤＰ（４５）と、該ＰＤＰ（４５）の視認側に配置された前記ＰＤＰ用電磁波遮蔽体（４１）とを備えるＰＤＰ装置（４０）。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の透明導電体が、体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の高抵抗率体を介してそれぞれ離間配置されており、前記各透明導電体は、それぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、少なくとも２つの隣り合う透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であり、前記高抵抗率体は透明基材層および透明気体層から選ばれる１層以上からなることを特徴とするプラズマディスプレイ用電磁波遮蔽体。
【請求項２】
全ての透明導電体が、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜であって、ｎは１以上の整数である請求項１に記載のプラズマディスプレイ用電磁波遮蔽体。
【請求項３】
体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の透明基材層と、該透明基材層の両面上に各々積層された１対の透明導電体とを有し、前記透明導電体はそれぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、前記各透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であることを特徴とするプラズマディスプレイ用電磁波遮蔽体。
【請求項４】
全ての透明導電体が、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜であって、ｎは１以上の整数である請求項３に記載のプラズマディスプレイ用電磁波遮蔽体。
【請求項５】
プラズマディスプレイと、該プラズマディスプレイの視認側に配置された請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ用電磁波遮蔽体とを備えるプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰと略記する。）用電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰの前面からは電磁波が放射されており、この電磁波は近くにある電子機器へ影響を及ぼし、誤作動を起こすことがある。そのため、従来から、ＰＤＰの視認側には、電磁波を遮蔽する目的で、電磁波遮蔽体が設置されている（たとえば特許文献１〜２参照）。
電磁波遮蔽体としては、ガラス基板、透明プラスチックフィルム等の透明な基材上に透明な導電層を積層したものが一般的に用いられており、導電層としては、金属、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物などの導電性材料を用いて形成された導電膜、導電性メッシュ等が使用されている。導電膜としては、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン等の酸化物層と金属層とが交互に積層された多層導電膜、ＩＴＯ層単層またはＩＴＯ層と他の層とが積層された多層の導電膜等が知られている。
【０００３】
ＰＤＰ用の電磁波遮蔽体には、高い透明性（可視光線透過率）と高い電磁波遮蔽性とが要求される。これまで、電磁波遮蔽体の電磁波遮蔽性を向上させる方法としては、導電層の材質や構成を変更し、その抵抗値を下げる方法が一般的である。
抵抗値を下げる方法としては、たとえば酸化物層と金属層とを交互に積層した多層導電膜の場合は、金属層の積層数を増やし、合計の厚さを厚くする方法が一般的である。また、その際、透明性を損なうことなく抵抗率を下げるために、各層の厚さを調整すること、酸化物層として、より屈折率の高い材料を使用すること等が行われている。例えば、特許文献２には、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面にＩＴＯ層と銀層とを積層した導電膜を形成して得られる透明導電性積層体を２枚作成し、その２枚の積層体を、粘着剤を用いて重ね合わせたものが開示されている。しかし、前記構成では、２つの導電膜間の距離が小さいため、充分な電磁波遮蔽効果が得られない問題があった。
【特許文献１】国際公開第９８／１３８５０号パンフレット
【特許文献２】特開平１０−１１９１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、従来技術においては、単に抵抗を変化させることにより電磁波遮蔽性を調整しており、他に、電磁波遮蔽性を高める有効な手段は見出されていないのが現状である。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、単に導電層の厚さを厚くした場合や、２つの導電層同士を、相互の距離を考慮せずに単に貼り合わせた場合に比べて、導電層の抵抗が同じであっても、より優れた電磁波遮蔽性を発揮するＰＤＰ用電磁波遮蔽体およびこれを用いたＰＤＰ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、２つ以上の透明導電体を、それぞれ、体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の高抵抗率体を介し、１ｍｍ以上の距離を空けて離間配置することによって電磁波遮蔽性が向上することを見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下の態様を有する。
［１］  ２つ以上の透明導電体が、体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の高抵抗率体を介してそれぞれ離間配置されており、前記各透明導電体は、それぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、少なくとも２つの隣り合う透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であり、前記高抵抗率体は透明基材層および透明気体層から選ばれる１層以上からなることを特徴とするＰＤＰ用電磁波遮蔽体。
［２］  全ての透明導電体が、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜であって、ｎは１以上の整数である［１］に記載のＰＤＰ用電磁波遮蔽体。
［３］  体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の透明基材層と、該透明基材層の両面上に各々積層された１対の透明導電体とを有し、前記透明導電体はそれぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、前記各透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であることを特徴とするＰＤＰ用電磁波遮蔽体。
［４］  全ての透明導電体が、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜であって、ｎは１以上の整数である［３］に記載のＰＤＰ用電磁波遮蔽体。
［５］  ＰＤＰと、該ＰＤＰの視認側に配置された［１］〜［３］のいずれか一項に記載のＰＤＰ用電磁波遮蔽体とを備えるＰＤＰ装置。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、単に厚さを厚くした導電層や、２つの導電層同士を単に貼り合わせた場合に比べて、導電層の抵抗が同じであっても、より優れた電磁波遮蔽性を発揮するＰＤＰ用電磁波遮蔽体およびこれを用いたＰＤＰ装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体（以下、単に電磁波遮蔽体ということがある。）においては、２つ以上の透明導電体が、体積抵抗率０．１Ω・ｍ以上の高抵抗率体を介して離間配置されている。
各透明導電体は、それぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、少なくとも２つの隣り合う透明導電体間の距離が１ｍｍ以上である。
前記高抵抗率体は透明基材層および透明気体層から選ばれる１層以上からなる。
【０００８】
ここで、本明細書および特許請求の範囲において、高抵抗率体（透明基材層、透明気体層）および透明導電体における「透明」とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味する。
高抵抗率体および透明導電体は、ＰＤＰ用電磁波遮蔽体全体としての視感透過率（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている刺激値Ｙ）が、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上となる透明性を有することが好ましい。
【０００９】
［高抵抗率体］
本発明における高抵抗率体は、体積抵抗率が０．１Ω・ｍ以上であり、１．０Ω・ｍ以上が好ましく、１０Ω・ｍ以上がより好ましい。体積抵抗率の上限としては、特に限定されないが、１×１０２０Ω・ｍ以下が好ましく、１×１０１７Ω・ｍ以下がより好ましい。
また、高抵抗率体は、比透磁率が１以上であることが好ましい。比透磁率が高いほど、電磁波遮蔽性が向上する。比透磁率の上限は特に限定されないが、１０００以下が好ましく、１００以下がより好ましい。
前記の体積抵抗率と比透磁率の値は、ともに２０℃における値である。
高抵抗率体の体積抵抗率および比透磁率は、それぞれ、当該高抵抗率体を構成する物質によって決まる。
高抵抗率体を構成する物質の体積抵抗率および比透磁率としては、たとえば理科年表（平成９年度版  国立天文台編  丸善  ５３８〜５４１頁及び５２６〜５３５頁）に記載の値を採用できる。
【００１０】
高抵抗率体は、透明基材層および透明気体層から選ばれる１層以上からなる。
透明基材層を構成する材質としては、体積抵抗率が０．１Ω・ｍ以上の透明な材料であればよく、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。これらの中でも、ガラス（体積抵抗率は１×１０１１Ω・ｍ、比透磁率は１）とＰＥＴ（体積抵抗率は１×１０１７Ω・ｍ）が好ましい。なおＰＥＴなどの樹脂の比透磁率は、通常１以上である。
本発明においては、高抵抗率体が、少なくともガラスからなる透明基材層（以下、ガラス基材という。）を有することが好ましい。また、ガラス基材と、ＰＥＴ等のプラスチックフィルムからなる透明基材層との両方を有することが好ましい。
本発明における高抵抗率体は、２層以上の透明基材層を含むものであってもよい。たとえば、後述するように、透明導電体として、２つの導電層フィルム（フィルム基材上に透明導電体が形成されたフィルム）の透明導電体を用いる場合、前記２つの導電層フィルムのフィルム基材側の面をガラス基材の両面に積層することにより、高抵抗率体は、フィルム基材／ガラス基材／フィルム基材の３層の透明基材層を有するものとなる。該フィルム基材の材質としては、前記で挙げたプラスチックと同様のものを用いうる。
高抵抗率体が２層以上の透明基材層を含む際に、該透明基材層同士を接着させるため、または透明基材層と透明導電体とを接着させるために粘着剤層が用いられてもよい。この場合、透明基材層と粘着剤層を合わせた積層体が高抵抗率体となる。
該粘着剤層における粘着剤としては、市販されている粘着剤が利用でき、たとえば、アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、スチレン−ブタジエン共重合体系ゴム、ブチルゴム、シリコーン樹脂等の粘着剤が挙げられる。これらのうち、良好な耐湿性が得られることから、アクリル系の粘着剤が特に好ましい。粘着剤層には、紫外線吸収剤等の添加剤が配合されてもよい。
粘着剤層の厚さは、５〜５００μｍが好ましく、１０〜４０μｍがより好ましい。粘着剤層の厚さが上記範囲の下限値以上であると、充分な密着力を得ることができ、上限値以下であると、加工容易性や得られる電磁波遮蔽体の透明性が向上する。本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体では、粘着剤層の厚さは、厚さ１ｍｍ以上の高抵抗率体全体に比べて非常に小さいことから、厚さ１ｍｍ以上の高抵抗率体における厚さにおいて粘着剤層の厚さは考慮しなくてもよい。さらに、前記粘着剤の体積抵抗率は通常０．１Ω・ｍ以上であるので、高抵抗率体の体積抵抗率において、粘着剤層は考慮しなくてもよい。前記粘着剤層の比透磁率は通常１以上であるので、体積抵抗率の場合と同様に、高抵抗率体の比透磁率において粘着剤層は考慮しなくてもよい。
【００１１】
透明気体層を構成する透明気体としては、体積抵抗率が０．１Ω・ｍ以上の透明な気体であればよく、たとえば空気等が挙げられる。透明気体は、減圧されていてもよい。透明気体としては、常圧ないし減圧された空気が好ましい。該空気の体積抵抗率はガラスよりも大きく、比透磁率は１である。
【００１２】
高抵抗率体は、１層のみから構成されてもよく、２層以上の複数の層から構成されてもよい。
また、高抵抗率体は、透明基材層のみから構成されてもよく、透明気体層のみから構成されてもよく、透明基材層および透明気体層の両方から構成されてもよい。
本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体中の少なくとも１つの高抵抗率体の厚さは、１ｍｍ以上であることが好ましく、１．２〜２０ｍｍであることがより好ましく、２〜１０ｍｍであることがさらに好ましい。高抵抗率体が２つ以上ある場合、１つの高抵抗率体が１ｍｍ以上であれば、その他の高抵抗率体は１ｍｍ未満でもよい。１ｍｍ未満とする場合には、５〜５００μｍとすることが好ましく、１００〜４００μｍとすることがより好ましい。その他の高抵抗率体を前記の範囲とすることにより、本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体の厚さを薄くでき、デザインの優れたＰＤＰとすることができるため好ましい。しかし、電磁波遮蔽性能の観点からは、すべての高抵抗率体の厚さが１ｍｍ以上であることが好ましく、１．２〜２０ｍｍであることがより好ましく、２〜１０ｍｍであることがさらに好ましい。
【００１３】
［透明導電体］
本発明における各透明導電体は、導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなる層である。
各透明導電体の抵抗はそれぞれ、２０Ω／□以下であることが好ましく、３．５Ω／□以下がより好ましく、２Ω／□以下がさらに好ましく、１Ω／□以下が特に好ましい。また、電磁波遮蔽体の光学性能等が良好であることから、該抵抗は、０．０２Ω／□以上が好ましく、０．０５Ω／□以上がより好ましい。各透明導電体の抵抗は、それぞれ異なっていてもよく、全て同じであってもよい。
透明導電体は、通常、フィルム基材上に形成されて透明導電体フィルム（プラスチックフィルム基材上に透明導電体が形成されたフィルム）として用いられる。フィルム基材の材質としては、前記高抵抗率体における透明基材層の材質として挙げたプラスチックと同様のものが挙げられる。透明導電体フィルムを用いる場合のフィルム基材は、導電膜ではなく、透明基材層すなわち高抵抗率体を構成する層に該当する。たとえばガラス基材の両面に、それぞれ透明導電体フィルムのフィルム基材が接するように積層して積層体とした場合、各透明導電体フィルムのフィルム基材の厚さとガラス基材の厚さとの合計が「導電層間の距離」となる。
また、透明導電体は、ガラス基材表面に直接形成されていてもよい。ガラス基材の両面にそれぞれ透明導電体が直接形成されている場合は、ガラス基材の厚さが導電層間の距離となる。
【００１４】
導電膜としては、たとえば、下記（１）、（２）等が挙げられる。
（１）（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜［ｎは１以上の整数］。
（２）導電性金属酸化物層を有する単層または多層構造の導電膜
【００１５】
（１）の導電膜において、酸化物層は、金属酸化物を含有する層である。
酸化物層は、屈折率が１．５５〜２．５であることが好ましく、１．８〜２．５がより好ましく、１．９〜２．５が特に好ましい。屈折率をこの範囲とすることにより、金属層との干渉効果で可視光の透過率を高くできる。屈折率とは、波長５５５ｎｍにおける屈折率を意味する。
屈折率が１．５５〜２．５である金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ等を主成分とする金属酸化物が挙げられる。これらのうち、金属層との相性がよく、耐久性を高めることができる点から、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブが好ましい。
【００１６】
酸化物層としては、スズ、アルミニウム、クロム、チタン、ケイ素、ホウ素、マグネシウムおよびガリウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有する酸化亜鉛からなる層が好ましく、アルミニウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＡＺＯと記す。）またはガリウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＧＺＯと記す。）またはチタンを含有する酸化亜鉛（以下、ＴＺＯと記す。）を主成分として含有する層が特に好ましい。
酸化物層は、酸化物換算でＡｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３またはＴｉＯ２とＺｎＯとを合計で９０質量％以上含有することが好ましく、９５質量％以上含有することがより好ましく、９９質量％以上含有することが特に好ましい。酸化物層におけるＡｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３またはＴｉＯ２とＺｎＯとの合計含有量が前記範囲であると、隣り合う金属層との密着性に優れ、耐湿性に優れる。
【００１７】
ＡＺＯにおけるアルミニウムの量は、アルミニウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。
ＧＺＯにおけるガリウムの量は、ガリウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。
ＴＺＯにおけるチタンの量は、チタンと亜鉛との総量に対して２〜２０原子％が好ましく、３〜１５原子％がより好ましい。
アルミニウム、ガリウム、チタンの量が前記範囲内であると、酸化物層の内部応力を低減することができるため、割れが生じる可能性を小さくすることができる。また、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００１８】
（ｎ＋１）層の酸化物層において、個々の酸化物層の構造は、一種類の酸化物層からなる単層構造であってもよく、複数の酸化物層が積層された積層構造であってもよい。たとえば、１つの酸化物層を、ＡＺＯを主成分とする層のみからなる単層構成としてもよく、ＡＺＯを主成分とする層とＴＺＯを主成分とする層との積層構成としてもよい。
【００１９】
金属層は、導電膜の抵抗値を低くする観点からは、純銀からなる層であることが好ましい。純銀とは、金属層（１００質量％）中に銀を９９．９質量％以上含有することを意味する。
金属層は、銀の拡散を抑制し、結果として耐湿性を高くできる観点からは、金、パラジウムおよびビスマスからなる群から選ばれる１種以上の他の金属を含有する銀合金からなる層が好ましい。他の金属の合計は、比抵抗を１０．０μΩｃｍ以下、特に５μΩｃｍ以下にするために、金属層（１００質量％）中、０．２〜３．０質量％が好ましく、０．２〜１．５質量％がより好ましい
（１）の導電膜中、すべての金属層の膜厚を合計した合計膜厚は、たとえば、得られる透明導電体の表面抵抗の目標を１．５Ω／□とした場合、２５〜６０ｎｍが好ましく、２５〜５０ｎｍがより好ましく、表面抵抗の目標を０．９Ω／□とした場合、３５〜８０ｎｍが好ましく、３５〜７０ｎｍがより好ましい。各金属層の膜厚は、合計膜厚を金属層の数で適宜配分する。
【００２０】
（１）の導電膜において、ｎは２以上であることが好ましい。金属層が２層以上であれば、抵抗を充分に低くすることができる。また、ｎは、８以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。金属層が、８層以下であれば、導電膜の透明性を充分に確保できる。
【００２１】
図９に、フィルム基材上に（１）の導電膜が形成された透明導電体フィルム（導電膜フィルム）の一例の概略断面図を示す。
本例の導電膜フィルム２１は、フィルム基材２３と、該フィルム基材２３上に形成された導電膜２２とからなる。導電膜２２は、フィルム基材２３側から順に、第一の酸化物層２３ａと、第一の金属層２４ａと、第二の酸化物層２３ｂと、第二の金属層２４ｂと、第三の酸化物層２３ｃと、第三の金属層２４ｃと、第四の酸化物層２３ｄと、第四の金属層２４ｄと、第五の酸化物層２３ｅとが積層された多層膜である。
第一の酸化物層２３ａおよび第五の酸化物層２３ｅはそれぞれ１層の酸化物層から構成され、それ以外の酸化物層（第二の酸化物層２３ｂ、第三の酸化物層２３ｃおよび第四の酸化物層２３ｄ）はそれぞれ２層の酸化物層から構成されている。
第一の酸化物層２３ａおよび第五の酸化物層２３ｅの物理的膜厚（以下、単に膜厚と記す。）は、１０〜６０ｎｍが好ましく、２０〜６０ｎｍがより好ましく、３０〜５０ｎｍが特に好ましい。それ以外の酸化物層の膜厚は、４０〜１４０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍが特に好ましい。
【００２２】
（１）の導電膜は、最も外側の酸化物層（たとえば図９の酸化物層２３ｅ）の上に、さらに、保護膜を有していてもよい。保護膜を有することにより、酸化物層および金属層を水分、磨耗、高温環境、高温高湿環境等から保護できる。また、導電膜上に、さらに別の層、たとえば後述する機能性フィルムを、粘着剤層（特にアルカリ性の粘着剤）等を介して積層する場合に、当該粘着剤層と接する酸化物層を保護できる。
保護膜としては、スズ、ガリウム、インジウム、チタン、ケイ素等の酸化物膜、窒化物膜等が挙げられ、インジウムおよびスズを酸化物として含む膜（ＩＴＯ膜）や、インジウム、スズおよびガリウムを酸化物として含む膜（ＧＩＴ膜）が好ましい。
保護膜の膜厚は、２〜３０ｎｍが好ましく、３〜２０ｎｍがより好ましい。
【００２３】
（１）の導電膜の形成方法としては、たとえば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法等が挙げられる。品質、特性の安定性が良好であることから、スパッタ法が好ましい。スパッタ法としては、パルススパッタ法、ＡＣスパッタ法等が挙げられる。
スパッタ法による（１）の導電膜の形成方法の一例として、たとえば、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含む方法が挙げられる。
（ｉ）：酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、金属酸化物を含むターゲットを用いてパルススパッタを行い、フィルム基材表面に酸化物層を形成する。
（ｉｉ）：アルゴンガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金のターゲットを用いてパルススパッタを行い、酸化物層表面に金属層を形成する。
（ｉｉｉ）：（ｉ）、（ｉｉ）の操作を繰り返し、最後に（ｉ）と同様の方法で酸化物層を形成することにより、多層構造の導電膜を形成する。
【００２４】
（２）の導電膜において、導電性金属酸化物層は、導電性金属酸化物を主成分とする層である。「導電性金属酸化物」とは、一般に体積抵抗率が１×１０−４Ω・ｍ以下の金属酸化物であり、たとえば、他の元素を含んでもよい酸化スズ（アンチモンやフッ素のドーピングされた酸化スズ等）、他の元素を含んでもよい酸化インジウム（スズのドーピングされた酸化インジウム等）等が挙げられる。
（２）の導電膜は、単層の導電性金属酸化物層からなるものであってもよく、該導電性金属酸化物層と、非導電性層との積層体であってもよい。非導電性層としては、シリカ、弗化マグネシウム等の、体積抵抗率が１×１０１０Ω・ｍ以上の酸化物を主成分として含有する層が挙げられる。
（２）の導電膜は、前記（１）の導電膜と同様の方法により形成できる。
【００２５】
導電性メッシュとしては、開口率が６０〜９５％であることが好ましく、６５〜９０％がより好ましく、７０〜８５％が特に好ましい。
導電性メッシュの開口部の形状は、正三角形、正四角形、正六角形、円形、長方形、菱形等である。開口部は、形状が揃っていて、かつ面内に並んでいることが好ましい。これらの単位の単独の繰り返し、または２種類以上を組み合わせて使うことも可能である。
開口部のサイズは、１辺または直径が５〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１５０μｍであることがより好ましい。開口部の１辺または直径を２００μｍ以下とすることにより、電磁波遮蔽性が向上し、５μｍ以上とすることにより、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
メッシュを構成する導電性材料のラインの幅は、５〜５０μｍが好ましい。ラインの幅が５μｍ以上であると、加工が容易であり、５０μｍ以下であると、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
開口部の配列ピッチは、１０〜２５０μｍが好ましい。
【００２６】
導電性材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、銀、タングステン、クロム、チタンなどの金属の内の１種または２種以上を組み合わせた合金を使うことができる。導電性、回路加工の容易さ、価格の点から銅、アルミニウム、ニッケルが好ましく、特に銅が好ましい。
【００２７】
導電性メッシュは、通常、フィルム基材上に、銅箔等の金属箔を貼り合わせた後、メッシュ状に加工することにより製造される。
銅箔としては、圧延銅、電界銅のどちらでもよく、適宜必要に応じて公知のものを用いればよい。金属箔は、各種表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、クロメート処理、粗面化処理、酸洗、ジンク・クロメート処理等が挙げられる。
金属箔の厚さは、３〜３０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましく、７〜１０μｍが特に好ましい。金属箔の厚さを３０μｍ以下とすることにより、メッシュ状に加工しやすくなり、たとえばエッチング時間を短くすることができる。また、３μｍ以上とすることにより、電磁波遮蔽性が高くなる。
金属箔をフィルム基材にラミネートする際には、透明な接着剤を用いることが好ましい。接着剤としては、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、ポリエステル系接着剤等が挙げられる。接着剤のタイプとしては、２液型または熱硬化タイプが好ましい。また、接着剤としては、耐薬品性に優れたものが好ましい。
金属箔をメッシュ状に加工する方法としては、フォトレジスト法が挙げられる。印刷法では、スクリーン印刷によって開口部のパターン形成をする。フォトレジスト法では、ロールコーティング法、スピンコーティング法、全面印刷法、転写法等により、銅箔上にフォトレジスト材料を形成し、露光、現像、エッチングによって開口部のパターンを形成する。導電性メッシュ層を形成する他の方法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷法やレーザー光線、Ｘ線、紫外線等によって、開口部のパターンを形成する方法が挙げられる。また、繊維メッシュが挙げられる。
【００２８】
本発明の電磁波遮蔽体中、透明導電体の数、およびそれらの合計の厚さは、当該電磁波遮蔽体の所望の抵抗に応じて適宜設定すればよい。
たとえば透明導電体の合計の厚さが厚いほど該電磁波遮蔽体の所望の抵抗が低下し、電磁波遮蔽性が向上する。また、透明導電体の数が多いほど、電磁波遮蔽性が向上する。ただし、透明性、生産性等を考慮すると、透明導電体の数は、２〜１０層が好ましく、２〜６層がより好ましく、２〜４層が特に好ましい。
電磁波遮蔽性能を充分に確保するためには、本発明の電磁波遮蔽体の抵抗が、１０Ω／□以下であることが好ましく、３．５Ω／□以下がより好ましく、２Ω／□以下がさらに好ましく、１Ω／□以下が特に好ましい。また、電磁波遮蔽体の光学性能等が良好であることから、該抵抗は、０．０１Ω／□以上が好ましく、０．０５Ω／□以上がより好ましい。
【００２９】
本発明の電磁波遮蔽体中に含まれる透明導電体のうち、最もＰＤＰ側に設置される透明導電体（第１層の透明導電体）は、ＰＤＰの視認側表面に直接設置されてもよく、ＰＤＰの視認側表面から間隙を設けて設置されてもよい。
ＰＤＰの視認側表面に第１層の透明導電体を直接設置する方法としては、たとえば、透明基板（ガラス基板、プラスチック基板等）から構成されるＰＤＰの視認側表面に、前記透明導電体フィルムを、粘着剤層等を介して積層する方法、前記ＰＤＰの視認側表面に、導電膜を、蒸着法、スパッタリング法などにより直接形成する方法等が挙げられる。また、透明基材層と、該透明基材層の片面または両面上に積層された透明導電体とを有する積層体を、前記ＰＤＰの視認側表面に直接積層してもよい。
【００３０】
本発明における透明導電体は、導電膜のみからなることが好ましい。導電膜は、導電性メッシュに比べて、３００ＭＨｚ以上の周波数でのＫＥＣ磁界性遮蔽性能に優れるため好ましい。また、導電性メッシュを用いた場合に比べ、導電膜を用いた場合は、モアレの発生がなく、近赤外線遮蔽性能に優れる。電磁波遮蔽性能と可視光透過率がより優れることから、導電膜のなかでも、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造の導電膜であることがより好ましい。
【００３１】
［ＰＤＰ用電磁波遮蔽体］
本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体は、複数の透明導電体を有しており、該複数の透明導電体間には、それぞれ、前記高抵抗率体が配置されている。本発明においては、前記複数の透明導電体のうち、少なくとも２つの隣り合う透明導電体間の距離（以下、導電層間の距離ということがある。）が１ｍｍ以上である。
また、導電層間の距離は、１．２ｍｍ以上であることが好ましく、１．４ｍｍ以上がより好ましく、２．０ｍｍ以上がさらに好ましい。該導電層間の距離が長いほど、電磁波遮蔽性が向上する。導電層間の距離の上限は特に限定されないが、ＰＤＰ装置とした際の大きさ、デザイン等を考慮すると、実用上、２０ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましい。
【００３２】
また、本発明の別の態様のＰＤＰ用電磁波遮蔽体は、前記透明基材層と、該透明基材層の両面上に各々積層された１対の透明導電体とを有し、前記透明導電体はそれぞれ独立に導電膜および導電性メッシュから選ばれる１つ以上からなり、前記各透明導電体間の距離が１ｍｍ以上である積層体を備える。
この場合、本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体は、該積層体のみから構成されてもよく、さらに、高抵抗率体を介して離間配置された１層以上の他の透明導電体を有していてもよい。
透明導電体が３つ以上ある場合は、全ての隣り合う透明導電体間の距離が１ｍｍ以上であり、前記の範囲であることが、電磁波遮蔽性能を優れたものにできるため好ましい。しかし、ＰＤＰのデザインの観点からは、より薄い方が好ましいため、１対の隣り合う透明導電体の間の距離のみが１ｍｍ以上であることが好ましい。この場合、その他の隣り合う透明導電体間の距離は５〜５００μｍが好ましく、１００〜４００μｍがより好ましい。
本発明においては、２以上の透明導電体を用い、前記２以上の透明導電体間相互の距離を１ｍｍ以上とすることにより、それらの透明導電体を近接させて貼り合わせた場合と比較して、飛躍的に優れた電磁波遮蔽性が発揮される。そのため、本発明によれば、低コストで高い電磁波遮蔽性を達成できる。
上記効果は、透明導電体間の距離を１ｍｍ以上とすることにより、高抵抗率体からノイズ源（ＰＤＰのパネル）側を見たインピーダンスが高くなることによると推測される。透明導電体によりノイズ源の電磁波遮蔽を行う場合、透明導電体の抵抗よりもノイズ源の波動インピーダンスが高ければ充分な電磁波遮蔽効果を得ることができる。ＰＤＰ装置のように磁界成分が強いノイズ源において、前記ノイズ源との距離が近い位置（近傍界）に１つの透明導電体が設置される場合、ノイズ源の波動インピーダンスが低く、透明導電体による電磁波遮蔽効果が充分に得られない。
これに対し、本発明は、少なくとも２つの透明導電体を、高抵抗率体を介して離間配置した際の、高抵抗率体からノイズ源側を見たインピーダンスに着目した。隣り合う前記透明導電体間の距離を１ｍｍ以上とすることにより、導電層の抵抗よりも、高抵抗率体からノイズ源側を見たインピーダンスを高くすることができるため、ＰＤＰ用として充分な電磁波遮蔽効果が得られると推測される。
このように、導電層の抵抗を低くするだけでなく、２以上の導電層を用い、前記導電層間の距離を調節することで電磁波遮蔽性を向上させ得ることは、これまで全く知られていない。
【００３３】
本発明の電磁波遮蔽体は、さらに、機能性フィルムを有することが好ましい。本発明において、機能性フィルムは必ずしも必須ではないが、設けることによって電磁波遮蔽体に所望の機能を付与できる。
機能性フィルムとしては、防眩フィルム、反射防止フィルム、着色フィルム、防湿フィルム、飛散防止フィルム、近赤外線遮蔽フィルム、近赤外線吸収フィルム等が挙げられる。機能性フィルムは、公知のフィルムを利用できる。また、２種以上の機能性フィルムを積層してもよい。また、１つの機能性フィルムに複数の機能を持たせてもよい。
【００３４】
本発明の電磁波遮蔽体においては、通常、各透明導電体に電気的に接続された電極が設置される。
電極としては、たとえば、アルミニウムテープや銅テープ等の導電性金属テープ、導電性布テープ；銀とガラスフリットとを含む銀ペースト、銅とガラスフリットとを含む銅ペースト等の導電性ペーストを印刷することにより形成される印刷層等が挙げられる。
【００３５】
［ＰＤＰ装置］
また、本発明のＰＤＰ装置は、ＰＤＰと、該ＰＤＰの視認側に配置された前記本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体とを備えている。
本発明のＰＤＰ装置におけるＰＤＰとしては、特に限定されず、任意のＰＤＰを利用できる。
本発明のＰＤＰ装置において、本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体に含まれる透明導電体のうち、最もＰＤＰ側に設置される透明導電体（以下、第１の透明導電体ということがある。）は、ＰＤＰの視認側表面に直接設置されてもよく、ＰＤＰの視認側表面から間隙を設けて設置されてもよい。
【００３６】
以下、本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の構成を、図面を用いて説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。なお、以下に示す図面において、各層の寸法比は、説明の便宜上、実際とは異なるものとなっている。
図１は、第１実施形態の電磁波遮蔽体４１および該電磁波遮蔽体４１を備えたＰＤＰ装置４０の概略構成図である。
ＰＤＰ装置４０は、ＰＤＰ４５と、ＰＤＰ４５の視認側に設置された電磁波遮蔽体４１とを備える。
電磁波遮蔽体４１は、透明基材層４２と、該透明基材層４２の両面上に各々積層された１対の透明導電体４３、４４とから構成される積層体である。
本実施形態では、透明導電体４３および４４の間に、高抵抗率体として透明基材層４２が介在する。この場合、透明基材層４２の厚さが１ｍｍ以上である。
ＰＤＰ装置４０において、電磁波遮蔽体４１は、透明導電体４４がＰＤＰ４５側となるように、ＰＤＰ４５の視認側表面から間隙を設けて配置されている。
ＰＤＰ４５の視認側表面と、電磁波遮蔽体４１との間の距離は特に限定されず、任意の距離であってよい。
【００３７】
図２は、第２実施形態の電磁波遮蔽体５１および該電磁波遮蔽体５１を備えたＰＤＰ装置５０の概略構成図である。
ＰＤＰ装置５０は、ＰＤＰ５２と、ＰＤＰ５２の視認側に設置された電磁波遮蔽体５１とを備える。
電磁波遮蔽体５１は、ＰＤＰ５２の視認側表面に設置された透明導電体５３と、透明導電体５３の視認側に設けられた透明気体層５５と、該透明気体層５５の視認側に設置された積層体５４とから構成される。
積層体５４は、透明基材層５４ａと、その片面に設置された透明導電体５４ｂとを有し、透明導電体５４ｂが透明導電体５３側となるように配置されている。
本実施形態では、透明導電体５４ｂおよび透明導電体５３の間に、高抵抗率体として透明気体層５５が介在する。この場合、透明気体層５５の厚さが１ｍｍ以上である。
【００３８】
図３は、第３実施形態の電磁波遮蔽体６１および該電磁波遮蔽体６１を備えたＰＤＰ装置６０の概略構成図である。
ＰＤＰ装置６０は、ＰＤＰ６２と、ＰＤＰ６２の視認側に設置された電磁波遮蔽体６１とを備える。
電磁波遮蔽体６１は、ＰＤＰ６２の視認側表面に設置された透明導電体６３と、透明導電体６３の視認側に設けられた透明気体層６５と、該透明気体層６５の視認側に設置された積層体６４とから構成される。
積層体６４は、透明基材層６４ａと、その片面に設置された透明導電体６４ｂとを有し、透明基材層６４ａが透明導電体６３側となるように配置されている。
本実施形態では、透明導電体６４ｂおよび透明導電体６３の間に、高抵抗率体として透明気体層６５および透明基材層６４ａが介在する。この場合、透明気体層６５および透明基材層６４ａの合計の厚さが１ｍｍ以上である。
【００３９】
図４は、第４実施形態の電磁波遮蔽体７１および該電磁波遮蔽体７１を備えたＰＤＰ装置７０の概略構成図である。
ＰＤＰ装置７０は、ＰＤＰ７２と、ＰＤＰ７２の視認側表面に直接設置された透明導電体７１とを備える。
透明導電体７１は、ＰＤＰ７２の視認側表面に直接設置された透明導電体７３と、透明導電体７３の視認側に設けられた透明気体層７４と、透明気体層７４の視認側に設置された積層体７５とから構成される。
積層体７５は、透明基材層７５ａと、該透明基材層７５ａの両面上に各々積層された１対の透明導電体７５ｂ、７５ｃとから構成され、透明導電体７５ｃが透明導電体７３側となるように配置されている。
本実施形態では、透明導電体７３と透明導電体７５ｃとの間に高抵抗率体として透明気体層７４が介在し、透明導電体７５ｃと透明導電体７５ｂとの間に高抵抗率体として透明基材層７５ａが介在する。この場合、透明気体層７４の厚さおよび透明基材層７５ａ厚さのうち、少なくとも一方、好ましくは両方の厚さが１ｍｍ以上である。
【００４０】
図５は、第５実施形態の電磁波遮蔽体８１および該電磁波遮蔽体８１を備えたＰＤＰ装置８０の概略構成図である。
ＰＤＰ装置８０は、ＰＤＰ８２と、ＰＤＰ８２の視認側に、所定の幅の間隙を設けて設置された電磁波遮蔽体８１とを備える。
電磁波遮蔽体８１は、積層体８３と、積層体８３の視認側に設けられた透明気体層８５と、該透明気体層８５の視認側に設置された積層体８４とを備える。
積層体８３は、透明基材層８３ａと、その片面に設置された透明導電体８３ｂとを有し、透明基材層８３ａがＰＤＰ８２側となるように配置されている。
積層体８４は、透明基材層８４ａと、その片面に設置された透明導電体８４ｂとを有し、透明基材層８４ａが積層体８３側となるように配置されている。
本実施形態では、透明導電体８３ｂと透明導電体８４ｂとの間に、高抵抗率体として透明気体層８６および透明基材層８４ａが介在する。この場合、透明気体層８６および透明基材層８４ａの合計の厚さが１ｍｍ以上である。
ＰＤＰ８２の視認側表面と、積層体８３との間の距離は特に限定されず、任意の距離であってよい。
【００４１】
図６は、第６実施形態の電磁波遮蔽体９１および該電磁波遮蔽体９１を備えたＰＤＰ装置９１の概略構成図である。
ＰＤＰ装置９０は、ＰＤＰ９２と、ＰＤＰ９２の視認側に、所定の幅の間隙を設けて設置された電磁波遮蔽体９１とを備える。
電磁波遮蔽体９１は、積層体９３と、積層体９３の視認側に設けられた透明気体層９６と、透明気体層９６の視認側に設置された積層体９４と、積層体９４の視認側に設けられた透明気体層９７と、透明気体層９７の視認側に設置された積層体９５とを備える。
積層体９３は、透明基材層９３ａと、その片面に設置された透明導電体９３ｂとを有し、透明基材層９３ａがＰＤＰ９２側となるように配置されている。
積層体９４は、透明基材層９４ａと、その片面に設置された透明導電体９４ｂとを有し、透明導電体９４ｂが積層体９３側となるように配置されている。
積層体９５は、透明基材層９５ａと、その片面に設置された透明導電体９５ｂとを有し、透明導電体９５ｂが積層体９４側となるように配置されている。
本実施形態では、透明導電体９３ｂと透明導電体９４ｂとの間に、高抵抗率体として透明気体層９６が介在する。また、透明導電体９４ｂと透明導電体９５ｂとの間に、高抵抗率体として透明基材層９４ａおよび透明気体層９７が介在する。この場合、透明気体層９６の厚さ、ならびに透明基材層９４ａおよび透明気体層９７の合計の厚さの少なくとも一方、好ましくは両方の厚さが１ｍｍ以上である。
ＰＤＰ９２の視認側表面と、積層体９３との間の距離は特に限定されず、任意の距離であってよい。
【００４２】
図７に、本発明の第７の実施形態の電磁波遮蔽体３１および該電磁波遮蔽体３１を備えたＰＤＰ装置３０の概略構成図を示す。
ＰＤＰ装置３０は、ＰＤＰ３２と、ＰＤＰ３２の視認側に、所定の幅の間隙を設けて設置された電磁波遮蔽体３１とを備える。
電磁波遮蔽体３１は、透明基板１４と、該透明基板１４の両面上にそれぞれ粘着剤層１５を介して積層された透明導電体フィルム１３とを有する積層体である。
透明導電体フィルム１３は、フィルム基材１１と、該フィルム基材１１上に形成された透明導電体１２とからなる。
本実施形態においては、２つの透明導電体１２の間の層、つまり、２層のフィルム基材１１と、２層の粘着剤層１５と、１層の透明基板１４との合計の厚さが「導電層間の距離」である。
【００４３】
電磁波遮蔽体３１は、透明基板１４の両面に、それぞれ、透明導電体フィルム１３を、粘着剤層１５を介して積層することにより製造できる。
粘着剤層１５としては、前記と同様のものが挙げられる。
透明導電体フィルム１３としては、たとえば、透明導電体１２が導電膜である導電膜フィルム、透明導電体１２が導電性メッシュである導電性メッシュフィルムが挙げられる。
２層の透明導電体フィルム１３は、それぞれ、同じであってもよく、異なっていてもよい。たとえば、透明導電体フィルム１３の一方に前記導電膜フィルムを用い、他方に前記導電性メッシュフィルムを用いてもよい。
【００４４】
なお、本実施形態では、透明導電体フィルム１３を用いたが、本発明はこれに限定されず、たとえば透明導電体１２が直接透明基板１４表面に形成されていてもよい。
また、本実施形態では、２つの透明導電体フィルム１３が、それぞれ、フィルム基材１１側が粘着剤層１５側となるように積層されているが、いずれか一方または両方の透明導電体フィルムが、透明導電体１２側が粘着剤層１５側となるように積層されていてもよい。
また、２層の透明導電体フィルム１３の間に、空気層等の透明気体層が介在してもよい。たとえば、電磁波遮蔽体１０における透明基板１４が透明気体層に置換されていてもよく、また、フィルム基材１１と透明基板１４との間に、さらに透明気体層が介在してもよい。この場合、たとえば、２枚の透明導電体フィルム１３を、所定の間隙を空けた状態で配置し、フレームや筐体等の固定手段で固定することによって、間に透明気体層が介在する電磁波遮蔽体が得られる。
【００４５】
図８に、本発明の第８の実施形態の電磁波遮蔽体３４および該電磁波遮蔽体３４を備えたＰＤＰ装置３６の概略構成図を示す。
ＰＤＰ装置３６は、ＰＤＰ３５と、ＰＤＰ３５の視認側に、所定の幅の間隙を設けて設置された電磁波遮蔽体３４とを備える。
電磁波遮蔽体３４は、前記第７の実施形態の電磁波遮蔽体３１における２層の透明導電体１２のうち、一方の透明導電体１２上に粘着剤層１７を介して機能性フィルム１６が積層され、他方の透明導電体１２上に粘着剤層１９を介して機能性フィルム１８が積層され、２層の透明導電体１２に電気的に接続された電極２０が設置されたものである。
【００４６】
電磁波遮蔽体３４において、機能性フィルム１６、１８は、それぞれ、同じ機能性フィルムであってもよく、異なる機能性フィルムであってもよい。
粘着剤層１７、１９としては、前記粘着剤層１５として挙げたものと同様のものが挙げられる。
電極２０は、たとえば以下の手順で形成できる。まず、一方の透明導電体フィルム１３周縁部上に、導電性テープを、幅方向の一部が重なるように、導電性粘着剤層を介して貼り付け、残った部分を、透明基板１４の端部に沿って折り返し、他方の透明導電体フィルム１３の周縁部上に、導電性粘着剤層を介して貼り付けることにより、２層の透明導電体１２と電気的に接続された電極２０を形成できる。
導電性粘着剤層としては、ニッケル粉、銀粉、銅粉、カーボン粉等のフィラーおよび導電性高分子から選ばれる１種以上の導電材料を含有する粘着剤が挙げられる。前記粘着剤の種類としては、前記粘着剤層の粘着剤と同様のものが挙げられる。導電性粘着剤層としては、良好な耐熱性が得られることから、ニッケル粉のフィラーを含むアクリル系またはシリコーン樹脂の粘着剤が特に好ましい。
導電性粘着剤層の厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜６０μｍがより好ましい。
【００４７】
以上説明した本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽体は、電磁波遮蔽性が高い。そのため高い電磁波遮蔽性が必要とされるＰＤＰ用として有用である。
また、本発明のＰＤＰ装置は、ＰＤＰの視認側において、ＰＤＰから放射される電磁波が高度に遮蔽される。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明する。下記実施例１〜７および比較例１〜２では、以下の評価方法を用いた。
［抵抗］
抵抗は、Ｎａｇｙ社製渦電流型抵抗測定器ＳＲＭ１２により測定した。
【００４９】
［電磁波シールド性］
電磁波遮蔽体の電磁波シールド性は、ＫＥＣ法により磁界シールドレベル（ｄＢ）を測定することにより評価した。評価に用いた測定装置を図２１に示す。該測定装置は、試験片１０１を間に挟んで対向配置される一対の磁界シールド効果評価器１０５と、信号発信器１０６と、信号の強度測定器１０７とを備える。該磁界シールド効果評価器１０５においては、金属製の箱型の筐体１０９内に円形のループアンテナ１０８が配置されており、各磁界シールド効果評価器１０５のループアンテナ１０８に、それぞれ、信号発信器１０６と強度測定器１０７とが接続されている。筐体１０９の、試験片１０１と接する面の中央には凹部１０５ａ設けられ、該凹部１０５ａから、筐体１０９の外側にループアンテナ１０８の１／４が露出している。
信号発生器１０６としては、ＲＯＨＤＥ  ＡＮＤ  ＳＣＨＷＡＲＺ社製ＳＩＧＮＡＬ  ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ  ＳＭＬ０１を用い、強度測定器１０７としては、アンリツ（株）社製スペクトラム・アナライザＭＳ２６６１Ｃを用いた。
ＫＥＣ法による磁界シールドレベルの測定は、具体的には、まず、試験片１０１がない状態で磁界の強度を測定し、これを入射磁界とし、次に試験片１０１を所定の位置に設置して磁界強度を測定し、これを透過磁界として、下記式により、電磁波シールドレベルを求めた。該電磁波シールドレベルが高いほど、電磁波シールド性が高いことを示す。
電磁波シールドレベル［ｄＢ］＝−２０×ｌｏｇ（透過磁界／入射磁界）
【００５０】
［放射電界強度］
電磁波遮蔽体の放射電界強度は、情報処理装置等電波障害自主規制協議会（以下、ＶＣＣＩという。）の技術基準に規定された方法に準じて測定した。
具体的には、ＶＣＣＩの規格に準じ、ＶＣＣＩに登録された電波暗室内で、回転テーブル上の木製テーブルに電磁波遮蔽体を取りつけたプラズマティスプレイ（松下電器産業（株）社製、品名：ＴＨ−４２ＰＨ９ＴＲＫ）を設置した。次に、木製テーブルから１０ｍの位置に、アンテナを設置した。検出器は、アンリツ（株）社製スペクトラム・アナライザＭＳ２６６１ＣとＲＯＨＤＥ  ＡＮＤ  ＳＣＨＷＡＲＺ社製ＥＭＩ  Ｔｅｓｔ  ｒｅｓｅｉｖｅｒ  ＥＳＣＳ３０を用いた。プラズマディスプレイの電源を入れて動作させた状態で前記回転テーブルを回転させること、及びアンテナの高さを１〜４ｍ間で調節することにより、検出器が検出する値が最大となる位置での電界強度（周波数が３０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚ帯域における放射電界強度）を測定した。
放射電界強度は、水平偏波１００ＭＨｚ付近の準尖頭値検波（ＱＰ）で評価した。該放射電界強度が低いほど、電磁波シールド性が高いことを示す。
【００５１】
［試験例１］
導電層間の距離と電磁波シールド性との関係を調べるために、導電層間の距離を０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍまたは１．２ｍｍとした以外は後述する実施例１と同様にして電磁波遮蔽体を作成し、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。
これらの結果と、後述する実施例１〜３および比較例１の結果から、横軸に導電層間の距離、縦軸に周波数３００ＭＨｚにおける磁界シールドレベル（ｄＢ）をとったグラフを作成した。該グラフを図２２に示す。
図２２に示すように、磁界シールドレベルは、導電層間の距離１ｍｍ前後で大きな変化が見られた。
【００５２】
［実施例１］
図１０に示す構成の電磁波遮蔽体を、以下の手順で作製した。
まず、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（体積抵抗率は１×１０１７Ω・ｍ（２５μｍ当り））上に、洗浄を目的としたイオンビームによる乾式洗浄を以下のようにして行い、これを基材（１１）とした。
（乾式洗浄）：まず、アルゴンガスに約３０％の酸素を混合して、１００Ｗの電力を投入し、イオンビームソースによりイオン化されたアルゴンイオンおよび酸素イオンを基体に照射した。
【００５３】
次に、フィルム基材（１１）上に、以下の手順により透明導電体（１２）を形成し、透明導電体フィルム（１３）を得た。
マグネトロンスパッタリング法により、酸化亜鉛と酸化チタンを含む酸化物層（ａ）と、Ａｇを含む金属層（ｂ）と、酸化亜鉛と酸化アルミニウムを含む酸化物層（ｃ）とを繰り返し４回成膜し、ついで、酸化ガリウムと酸化インジュームと酸化スズを含む保護層（ｄ）を成膜した。
積層に際しての膜厚は以下の通りとおりとした。
基材（１１）側から、ａ：４０ｎｍ／ｂ：１０ｎｍ／ｃ：４０ｎｍ／ａ：４０ｎｍ／ｂ：１３ｎｍ／ｃ：４０ｎｍ／ａ：４０ｎｍ／ｂ：１３ｎｍ／ｃ：４０ｎｍ／ａ：４０ｎｍ／ｂ：１０ｎｍ／ｃ：３５ｎｍ／ｄ：５ｎｍ
【００５４】
酸化物層（ａ）は、酸化亜鉛および酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．７３Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、電力密度４．５Ｗ／ｃｍ２、反転パルス幅１μ秒のパルススパッタを行い形成した。
金属層（ｂ）は、金を０．２５質量％ドープした銀合金ターゲットを用いてアルゴンガスを導入し、０．７３Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、電力密度２．３Ｗ／ｃｍ２、反転パルス幅５μ秒のパルススパッタを行い形成した。
酸化物層（ｃ）は、アルミナを５質量％ドープした酸化亜鉛ターゲットを用いて、アルゴンガスを導入し、０．４５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、電力密度２．７Ｗ／ｃｍ２、反転パルス幅１μ秒のパルススパッタを行い形成した。
保護層（ｄ）は、ＧＩＴターゲット［酸化ガリウム：酸化インジューム：酸化スズ＝４：５：９１（質量比）］を用いて、アルゴンに５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、電力密度１．３Ｗ／ｃｍ２、反転パルス幅１μ秒のパルススパッタを行い形成した。
得られた透明導電体フィルム（１３）の抵抗は１．１２Ω／□であり、視感透過率は７０％であった。
【００５５】
次に、得られた透明導電体フィルム（１３）を半分の大きさ（９７６ｍｍ×５６６ｍｍ）にカットし、これらをそれぞれ、図１０に示すように、ガラス製の透明基板（１４）（旭硝子社製、９７８．６ｍｍ×５６８．３ｍｍ、厚さ１．８ｍｍ、体積抵抗率１×１０１１Ω・ｍ、比透磁率１）の両面に、アクリル系粘着剤からなる粘着剤層（１５）（体積抵抗率：０．１Ω・ｍ以上、比透磁率：１以上）を介して貼り付けて電磁波遮蔽体を作成した。
この電磁波遮蔽体において、導電層間の距離は２．０ｍｍであった。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体から、ＫＥＣ法による電磁波シールド性の評価のために、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさの試験片を得て、該試験片について、電磁波シールド性を評価した。その結果から、横軸に周波数（１０〜１０００ＭＨｚ）、縦軸に磁界シールドレベル（ｄＢ）をとったグラフを作成し、周波数２００ＭＨｚ、および３００ＭＨｚにおける磁界シールドレベル（ｄＢ）を求めた。その結果をそれぞれ図１４および表１に示す。
【００５６】
［実施例２］
厚さ３．６ｍｍのガラス製の透明基板（１４）を用いた以外は実施例１と同様にして電磁波遮蔽体を作成した。
この電磁波遮蔽体における導電層間の距離は３．８ｍｍであった。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図１５および表１に示す。
【００５７】
［実施例３］
厚さ５．４ｍｍのガラス製の透明基板（１４）を用いた以外は実施例１と同様にして電磁波遮蔽体を作成した。
この電磁波遮蔽体における導電層間の距離は５．６ｍｍであった。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図１６および表１に示す。
【００５８】
［実施例４］
実施例１と同様にして２枚の透明導電体フィルムを作製した。前記２枚の透明導電体フィルムは、しわがよらないように、またフィルム基材が対向するようにして図２１の測定装置の２つの筐体（１０９）で挟んだ。挟むときに、前記２枚の透明導電体フィルムの間には、筐体の凹部（１０５ａ）と重ならないようにして厚さ１．８ｍｍのスペーサガラスを４箇所に設置した。以上により、図２１の試料（１０１）の構成は、図１０の電磁波遮蔽体におけるガラス基板（１４）および２層の粘着剤層（１５）の代わりに空気層とした構成であった。
この電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図１７および表１に示す。
【００５９】
［実施例５］
厚さ３．６ｍｍのスペーサガラスを用いた以外は実施例４と同様にして電磁波遮蔽体を作成した。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図１８および表１に示す。
【００６０】
［実施例６］
厚さ５．４ｍｍのスペーサガラスを用いた以外は実施例４と同様にして電磁波遮蔽体を作成した。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図１９および表１に示す。
【００６１】
［比較例１］
実施例１と同様にして２枚の透明導電体フィルム（１３）を作製した。そして、図１１に示すように、一方の透明導電体フィルム（１３）の基材（１１）側表面と、他方の透明導電体フィルム（１３）の導電層（１２）側表面とを、厚さ２５μｍの粘着剤層（１５）を介して重ねて電磁波遮蔽体を作成した。
この電磁波遮蔽体における導電層間の距離は０．１ｍｍであった。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の電磁波シールド性を実施例１と同様にして評価した。その結果を図２０および表１に示す。
【００６２】
【表１】
2010171028.tif 000003
【００６３】
［実施例７］
図１２に示す手順で、電磁波遮蔽体を作製した。
実施例１と同様にして２枚の透明導電体フィルム（１３）を作製した。該透明導電体フィルム（１３）を半分の大きさ（９７６ｍｍ×５６６ｍｍ）にカットし、これらをそれぞれ１枚ずつ、図１２（ａ）に示すように、ガラス製の透明基板（１４）（旭硝子社製、９７８．６ｍｍ×５６８．３ｍｍ、厚さ２．５ｍｍ）の両面に、粘着剤層（１５）を介して貼り付けた。
この電磁波遮蔽体において、導電層間の距離（フィルム基材（１１）、粘着剤層（１５）、透明基板（１４）、粘着剤層（１５）およびフィルム基材（１１）のトータルの厚さ）は２．０ｍｍであった。
次に、ＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ、東洋紡績社製、商品名：Ａ４３００）上に視感透過率４２％の着色層を設けた着色フィルム（機能性フィルム（１６））を、９５０ｍｍ×５４０ｍｍの大きさにカットし、これを、図１２（ｂ）に示すように、一方の透明導電体フィルム（１３）上に、粘着剤層（１７）を介して貼り付けた。
次に、反射防止フィルム（機能性フィルム（１８））（日本油脂社製、反射防止フィルム、商品名：リアルック）を、９５０ｍｍ×５４０ｍｍの大きさにカットし、これを、図１２（ｃ）に示すように、もう一方の透明導電体フィルム（１３）上に粘着剤層（１９）を介して貼り付けた。
次に、幅２８ｍｍの導電性テープ（寺岡製作所製、導電性粘着剤付きアルミニウムテープ、品番８３０３）を、一方の透明導電体（１２）の端部に１２ｍｍ重なるように貼り付け、はみ出した導電性テープを基板（１４）の端面にそって折り返し、反対側の透明導電体（１２）に貼り付けて電極（２０）を形成して、図１２（ｄ）に示す構成の電磁波遮蔽体を作製した。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の放射電界強度を測定した。その結果を表２に示す。
【００６４】
［比較例２］
図１３に示す手順で、電磁波遮蔽体を作製した。
実施例１と同様にして２枚の透明導電体フィルム（１３）を作製した。該透明導電体フィルム（１３）を、９７６ｍｍ×５６６ｍｍの大きさと９６２ｍｍ×５５２ｍｍの大きさとにカットし、これら２枚を、図１３（ａ）に示すように、大きいほうの透明導電体フィルム（１３）から順に、ガラス製の透明基板（１４）（旭硝子社製、９７８．６ｍｍ×５６８．３ｍｍ、厚さ２．５ｍｍ）の片面上に、粘着剤層（１５）を介して貼り付けた。
次に、ＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ、東洋紡績社製、商品名：Ａ４３００）上に視感透過率４２％の着色層を設けた着色フィルム（機能性フィルム（１６））を、９５０ｍｍ×５４０ｍｍの大きさにカットし、これを、図１３（ｂ）に示すように、ガラス製の透明基板（１４）上に、粘着剤層（１７）を介して貼り付けた。
次に、反射防止フィルム（機能性フィルム（１８））（日本油脂社製、反射防止フィルム、商品名：リアルック）を、９５０ｍｍ×５４０ｍｍの大きさにカットし、これを、図１３（ｃ）に示すように、透明導電体フィルム（１３）上に粘着剤層（１９）を介して貼り付けた。
次に、幅２８ｍｍの導電性テープ（寺岡製作所製、導電性粘着剤付きアルミニウムテープ、品番８３０３）を、まず小さい方の透明導電体フィルム（１３）の透明導電体（１２）の端部に１２ｍｍ重なるように貼り付け、次にはみ出した導電性テープを、大きい方の透明導電体フィルム（１３）の透明導電体（１２）の端部の露出している部分に重なるように貼り付け、さらに前記導電性テープを基板（１４）の端面にそって折り返し、基板（１４）の反対側に貼り付けて電極（２０）を形成して、図１３（ｄ）に示す構成の電磁波遮蔽体を作製した。
該電磁波遮蔽体の抵抗を測定したところ、０．５６Ω／□であった。
また、該電磁波遮蔽体の放射電界強度を測定した。その結果を表２に示す。
【００６５】
【表２】
2010171028.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第１実施形態を示す概略断面図。
【図２】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第２実施形態を示す概略断面図。
【図３】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第３実施形態を示す概略断面図。
【図４】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第４実施形態を示す概略断面図。
【図５】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第５実施形態を示す概略断面図。
【図６】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第６実施形態を示す概略断面図。
【図７】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第７実施形態を示す概略断面図。
【図８】本発明の電磁波遮蔽体およびＰＤＰ装置の第８実施形態を示す概略断面図。
【図９】導電膜の一例を示す概略断面図。
【図１０】実施例１〜６の電磁波遮蔽体の構成を示す概略断面図。
【図１１】比較例１の電磁波遮蔽体の構成を示す概略断面図。
【図１２】実施例７の電磁波遮蔽体の製造工程を示す概略図。
【図１３】比較例２の電磁波遮蔽体の製造工程を示す概略図。
【図１４】実施例１の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図１５】実施例２の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図１６】実施例３の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図１７】実施例４の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図１８】実施例５の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図１９】実施例６の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図２０】比較例１の電磁波シールド性の測定結果を示すグラフ。
【図２１】電磁波シールド性の評価方法を説明する概略図。
【図２２】導電層間の距離と磁界シールドレベル（ｄＢ）との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００６７】
１１…フィルム基材、１２…透明導電体、１３…透明導電体フィルム、１４…透明基板、１５…粘着剤層、１６…機能性フィルム、１７…粘着剤層、１８…機能性フィルム、１９…粘着剤層、２０…電極、３０…ＰＤＰ装置、３１…電磁波遮蔽体、３２…ＰＤＰ、３４…電磁波遮蔽体、３５…ＰＤＰ、３６…ＰＤＰ装置、４０…ＰＤＰ装置、４１…電磁波遮蔽体、４２…透明基材層、４３…透明導電体、４４…透明導電体、４５…ＰＤＰ、１０１…試験片、１０５…磁界シールド効果評価器、１０６…信号発信器、１０７…強度測定器、１０８…ループアンテナ、１０９…筐体
【図１】
2010171028.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2010171028.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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