(57)【要約】【課題】引き出し電極と電極との接続を確実に行う電子部品、圧電振動子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】励振電極（第１励振電極２６、第２励振電極３０）と前記励振電極に接続された引き出し電極（第１引き出し電極２８、第２引き出し電極３２）とを有する圧電振動片１４を、ベース基板４４上に搭載して形成される圧電振動子１０の製造方法であって、前記引き出し電極と前記ベース基板４４の第１面４４ａとを蝋材３６により接合し、前記ベース基板４４の前記第１面４４ａの反対側の第２面４４ｂから前記第１面４４ａの方向に向かって前記ベース基板４４及び前記蝋材３６を掘り込んで孔（第１孔４６、第２孔４８）を形成し、前記孔の内壁４６ａ、４８ａに電極（第１電極５０、第２電極５２）を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する電子素子片を、基板上に搭載して形成される電子部品の製造方法であって、
前記電極と前記基板の第１面とを蝋材により接合し、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで孔を形成し、
前記孔の内壁に電極を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
電極を有する電子素子片を、基板上に搭載して形成される電子部品であって、
前記電子部品は、前記電極と前記基板の第１面とを接続する蝋材と、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、
前記孔の内壁に形成された電極と、を有することを特徴とする電子部品。
【請求項３】
励振電極と前記励振電極に接続された引き出し電極とを有する圧電振動片を、基板上に搭載して形成される圧電振動子の製造方法であって、
前記引き出し電極と前記基板の第１面とを蝋材により接合し、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで孔を形成し、
前記孔の内壁に電極を形成することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
励振電極と前記励振電極に接続された引き出し電極とを有する圧電振動片を、基板上に搭載して形成される圧電振動子であって、
前記圧電振動子は、
前記引き出し電極と前記基板の第１面とを接続する蝋材と、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、
前記孔の内壁に形成された電極と、を有することを特徴とする圧電振動子。
【請求項５】
前記孔は、サンドブラストにより前記第２面から前記第１面側に向かって漸次内径が小さくなるテーパー状に形成されたことを特徴とする請求項４に記載の圧電振動子。
【請求項６】
前記孔をサンドブラストにより形成されたのち、前記内壁にエッチング処理を行うことを特徴とする請求項５に記載の圧電振動子。
【請求項７】
前記第２面の前記蝋材が接合する領域には凸部が形成され、前記孔は前記凸部を貫通することを特徴とする請求項４乃至６に記載の圧電振動子。
【請求項８】
前記孔は、前記基板及び前記蝋材とともに、前記引き出し電極を掘り込んで形成されたことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の圧電振動子。
【請求項９】
基板、圧電振動片層、リッドの順に積層された圧電振動子であって、
前記圧電振動片層は、
励振電極を有する圧電振動片と、
前記圧電振動片を支持する支持枠と、
前記圧電振動片に接続された引き出し部と、
前記励振電極に接続され前記引き出し部の前記基板に対向する面に引き出され、前記基板の第１面と蝋材により接合された引き出し電極と、を有し、
前記圧電振動子は、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かってサンドブラストにより前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、
前記孔の内壁に形成された電極と、を有するとともに、
前記引き出し部を前記リッドに固定する固定部を有することを特徴とする圧電振動子。
【請求項１０】
前記固定部は、蝋材であることを特徴とする請求項９に記載の圧電振動子。
【請求項１１】
前記固定部は、バンプであることを特徴とする請求項９に記載の圧電振動子。
【請求項１２】
前記固定部は、前記引き出し部に形成された第２凸部であることを特徴とする請求項９に記載の圧電振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子や力検出素子等の積層構造を有する電子部品について、他層間の電極の電気的接続の信頼性を向上させて、歩留を向上させるとともに、コストダウンを可能とする電子部品及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年に代表される移動体通信機器や携帯電話は個人向け携帯電話の小型軽量化及び高周波化に伴い、それらに用いられる圧電振動子やフィルタ等も、より一層の小型化及び高周波化が求められている。この要求に応えるため、従来の圧電部品は小型化、薄型化のパッケージへの適用が急速に求められてきている。一方、水晶振動子、水晶フィルタやＳＡＷフィルタなどの圧電素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な異物に影響されて特性が微妙に変化することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすい。このため上述の素子は、パッケージに封止して使用に供されている。
【０００３】
従来のパッケージは、素子個別にパッケージを形成しているが、これに対し、複数の素子が同時に切り出されているウェハレベルで、封止された状態としたのち、個々の素子（チップ）に切り出してパッケージされたチップの状態とする技術も提案されている。
【０００４】
第１の従来技術として、図１５に示すように、特許文献１には、枠付の水晶振動子の両面をガラスからなる蓋体を直接接合で封止した３層パッケージに関して、第１電極に接続して圧電振動子１０２の接続部１０６を介しての引き出し電極形成工程と、第２電極に接続して圧電振動子１０２の接続部１０６を介しての引き出し電極形成工程と、前記引き出し電極の蓋体に当接する箇所に切欠き部のある蓋体を用意し、枠部１０１とこの内側に配置した圧電振動子１０２とが一体形成された矩形の圧電振動片と前記圧電振動片の引き出し電極の蓋体に対向する箇所に切欠き部のある第１の蓋体１０４と第２の蓋体１０５とを直接接合する工程と、前記直接接合工程を終えてから前記蓋体の切欠き部を蓋体にある貫通孔を通じて蒸着や蝋材などにより封止する工程と、からなる製造方法が開示されている。
【０００５】
また、励振電極から引き出された引き出し電極と外部電極とを、基板を貫通する貫通電極により導通を図るという技術的思想及びこれを実現するための製造方法は、以下の複数の特許文献においても提案されている。
【０００６】
第２の従来技術として、図１６（ａ）に示すように、特許文献２においては、枠部２０３Ａと振動部２０３Ｂとが一体で形成される水晶からなる圧電基板２０３を、共にガラスからなる蓋２０１と基板２０２とで挟んで構成された圧電振動子２００が開示されており、基板２０２にスルーホール２０４が形成されている。このスルーホール２０４は、特許文献３に開示されているように（図１６（ｂ））、振動部２０３Ｂに形成された励振電極に接続された中間層の引き出し電極２０３Ｃに当接するとともに、蓋２０１の外側面に向かって開口部の径が大きくなるようにテーパーをつけて形成されており、その表面にはスパッタリングにより、ＣｒとＡｕの２層からなる外部電極２０５（テーパーの部分は貫通電極）が形成されている。
【０００７】
第３の従来技術として、図１７に特許文献４に開示された圧電振動子の製造工程を、図１８に特許文献４に開示された圧電振動子を構成する第１水晶基板を示す。図１８（ａ）は平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図１７に示すように、特許文献４には、シロキサン結合による直接接合により圧電振動片３０２が形成された第１水晶基板３０１ａを第２水晶基板３０１ｂ及び第３水晶基板３０１ｃにより挟み込む態様で積層された３層Ａｌｌ  Ｑｕａｒｔｚ  Ｐａｃｋａｇｅにおいて（図１７（ａ）、図１７（ｂ））、電極貫通孔が、フッ酸を用いたウェットエッチングや公知のドライエッチング技術を用いて第１水晶板３０１ａに第１貫通孔３０６ｍを形成し（図１７（ｃ））、第１貫通孔３０６ｍにクロムからなる導電ペーストを充填して焼結し、ビアホールによる第１貫通電極３０６ａを形成し（図１７（ｄ））、第１貫通電極３０６ａは第１水晶基板３０１ａの一主面における両端側の各電極パッド３０４（ｘｙ）に接続するとともに、第１水晶基板３０１ａの他主面に露出した第１貫通電極３０６ａに接続して外周寄りの電極パッド３０７（ｘｙ）を蒸着等によって形成する（図１７（ｅ））することが開示されている。
【０００８】
特許文献５及び６には、直接接合により積層された３層Ａｌｌ  Ｑｕａｒｔｚ  Ｐａｃｋａｇｅにおいて、気密封止される凹部を水晶基板からサンドブラスト加工とエッチング加工とを用いて形成することが開示されている。尚、エッチング加工はサンドブラスト加工により形成された凹部表面の応力緩和と加工変質層を除去するためになされるものであって、凹部表面をライトエッチングするだけなので、水晶基板特有のエッチチャンネルに起因したエッチトンネルが生成される問題は生じない。
【０００９】
第４の従来技術として、図１９（ａ）に示すように、蓋体４１２と、無アルカリガラスからなる絶縁基板４１３と、絶縁基板４１３上に導電性接着剤４１８で固定された圧電振動片４１１を有する圧電振動子４０１において、絶縁基板４１３に対して（図１９（ａ）、（ｂ））サンドブラスト加工を用いて、径が漸次小さくなるようにテーパーを有するスルーホール４１４を形成し（図１９（ｃ））、前記スルーホール４１４の表面（内壁）には、スパッタリング法によりクロム薄膜（厚み：０．１μｍ）を形成し、このクロム薄膜上に、スパッタリング法によりパラジウム薄膜（厚み：０．０５μｍ）を形成した後、このパラジウム薄膜上に、電界メッキ法により金薄膜（厚み：０．５〜１．０μｍ）を形成することにより、クロム薄膜、パラジウム薄膜及び金薄膜からなる導電膜４３０を形成し（図１９（ｄ））、エッチングにより導電性接着剤４１８と接続する接続電極４１５ａ、貫通電極４１５ｂ、外部電極４１５ｃを形成し（図１９（ｅ））、スルーホール４１４を金属部材４１７により封止する構成が提案されている（図１９（ｆ））。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２１１４１１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６７７７号公報
【特許文献３】特許第３３９０３４８号公報
【特許文献４】特開２００８−１８２６６５号公報
【特許文献５】特許第３５５０８２２号公報
【特許文献６】特開平９−１０２７２１号公報
【特許文献７】特開２００６−２９５２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献４を除く上述の圧電振動子は、積層前に各層を形成することになるので、積層すると引き出し電極と貫通電極との間に隙間が形成され、引き出し電極と貫通電極とが点接触となるため、導通を確実に行うことが困難であった。
【００１２】
一方、図１７に示すように、特許文献４の方法においては第１水晶基板３０１ａと第３水晶基板３０１ｃとを直接接合により接合したのちに第１貫通孔３０６ｍをエッチングにより形成し、この第１貫通孔に導電ペーストを貫通電極として充填して、引き出し電極と貫通電極との導通を確実なものとする方法が提案されている。しかし、図１８に示すように、第１水晶基板３０１ａには圧電振動片３０２が形成されるとともに、圧電振動片３０２の外周は間隙を隔てて枠部が形成され、更に圧電振動片３０２は基部３０２ａと基部３０２ａから延出された２本の振動ビームからなる音叉腕３０２ｂとから構成されているので、音叉腕３０２ｂのスリットや圧電振動片３０２と枠部との間に隙間を有しているため、これらのスリットや隙間を埋めない限り第１水晶基板３０１ａの第３水晶基板３０１ｃ側及び第３水晶基板３０１ｃの内側がエッチングされてしまう問題があり、またその問題を回避する方法が開示されていない。さらに第１水晶基板３０１ａの圧電振動片３０２の音叉腕３０２ｂに励振電極や側面電極等が形成されている場合において、第３水晶基板３０１ｃ側に対向する励振電極をエッチングに備えてマスクすることはできず、またその反対側の励振電極はエッチングに備えてマスクすることは可能であるが、マスクを施す工程とマスクを剥がす工程が必要になるためコストアップにつながる。また仮に第１水晶基板３０１ａの隙間が埋められていたとしても、第１水晶基板３０１ａと第３水晶基板３０１ｃとの直接接合において、電極パッド３０４ｘ（３０４ｙ）は第１水晶基板３０１ａと当接するもののシロキサン結合による接合はできないので、第１貫通孔３０６ｍを形成する際にエッチング液が電極パッド３０４ｘ（３０４ｙ）と第１水晶基板３０１ａとの間から漏洩する問題がある。
【００１３】
さらに、貫通孔をドライエッチングで形成しようとするとエッチング時間に長時間を要す問題がある。また一般に水晶部品に使用される人工水晶は、その育成中に結晶の一部に線状の格子欠陥が生成されることが良く知られている。この線状格子欠陥は、水晶基板をウェットエッチングしたときに、エッチチャンネルと呼ばれるトンネル状の穴や貫通孔を形成するという問題がある。さらに、水晶のエッチチャンネルは、通常のエッチングの約２倍のエッチングレートで進行するので、ウェットエッチングの加工量が多くなると、それだけエッチチャンネルを生じ易くなり、圧力センサ１内部に所望の真空度を実現したり維持することが困難になる虞がある。よって、これらエッチングによる問題を回避するため、上述の貫通孔を特許文献７に示すようにサンドブラストにより形成することが提案されている。
【００１４】
しかしながら、いずれの特許文献においても貫通孔（スルーホール）をサンドブラストを用いて形成する場合、貫通孔において基板の引き出し電極に対向する側に基板材料によるチッピングが発生することになるが、貫通孔に形成すべき貫通電極の下地金属層をチッピング部に安定して形成することができず、貫通電極―引き出し電極間にギャップ（空隙）が形成されてしまうことにより断線する虞があるため、貫通電極に接続された外部電極と引き出し電極とを確実に接続することができず、その分歩留まりの低下を招く問題があった。更にチッピングにより凹凸がある表面に確実に貫通電極を形成するためには、貫通電極の膜厚が厚くなってしまうので、生産性が悪くコストアップにつながる問題があった。
【００１５】
そこで、本発明は上記問題点に着目し、圧電振動片に形成された励振電極から引き出された引き出し電極と外部電極とを基板を貫通する貫通電極により導通する構成を有する圧電振動子において、貫通電極と引き出し電極との導通を確実に行って歩留まりを向上させるとともにコストダウンを可能とする電子部品、圧電振動子及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］電極を有する電子素子片を、基板上に搭載して形成される電子部品の製造方法であって、前記電極と前記基板の第１面とを蝋材により接合し、前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで孔を形成し、前記孔の内壁に電極を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１７】
上記方法により、基板の第２面側の蝋材により接合された領域に貫通孔を形成するため、孔に形成される電極は引き出し電極と確実に電気的に接続されることになる。よって電子部品の歩留まりを高めることができる。
【００１８】
［適用例２］電極を有する電子素子片を、基板上に搭載して形成される電子部品であって、前記電子部品は、前記電極と前記基板の第１面とを接続する蝋材と、前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、前記孔の内壁に形成された電極と、を有することを特徴とする電子部品。
【００１９】
上記構成により、基板の第２面側の蝋材により接合された領域に孔を形成するため、孔に形成される貫通電極は引き出し電極と確実に電気的に接続されることになる。よって歩留まりを高めた電子部品となる。
【００２０】
［適用例３］励振電極と前記励振電極に接続された引き出し電極とを有する圧電振動片を、基板上に搭載して形成される圧電振動子の製造方法であって、前記引き出し電極と前記基板の第１面とを蝋材により接合し、前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで孔を形成し、前記孔の内壁に電極を形成することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【００２１】
上記方法により、基板の第２面側の蝋材により接合された領域に孔を形成するため、孔に形成される電極は引き出し電極と確実に電気的に接続されることになる。よって圧電振動子の歩留まりを高めることができる。
【００２２】
［適用例４］励振電極と前記励振電極に接続された引き出し電極とを有する圧電振動片を、基板上に搭載して形成される圧電振動子であって、前記圧電振動子は、前記引き出し電極と前記基板の第１面とを接続する蝋材と、前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かって前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、前記孔の内壁に形成された電極と、を有することを特徴とする圧電振動子。
【００２３】
上記構成により、基板の第２面側の蝋材により接合された領域に孔を形成するため、孔に形成される電極は引き出し電極と確実に電気的に接続されることになる。よって歩留まりを高めた圧電振動子となる。
【００２４】
［適用例５］前記孔は、サンドブラストにより前記第２面から前記第１面側に向かって漸次内径が小さくなるテーパー状に形成されたことを特徴とする適用例４に記載の圧電振動子。
【００２５】
上記構成により、第１面と蝋材は接合され、その接合された領域に孔を形成するため、前記領域にチッピングが発生することはなく、そのまま蝋材にサンドブラストが進行する。よって、孔に形成される電極においてチッピングによる断線が発生することを回避して歩留まりを高めた圧電振動子となる。またチッピングが発生することがないので、それを補うため電極として大量の金属材料を用いる必要がないのでコストダウンが可能な圧電振動子となる。さらに孔がテーパー状に形成されたため、電極を均一に形成することができるので、製品ごとの電気的特性のばらつきを抑制することができる。
【００２６】
［適用例６］前記孔をサンドブラストにより形成されたのち、前記内壁にエッチング処理を行うことを特徴とする適用例５に記載の圧電振動子。
これにより、孔の内壁の残留応力を低減して圧電振動子への悪影響を防止するとともに、孔の内壁を平滑化することにより電極の形成を容易に行うことができる。
【００２７】
［適用例７］前記第２面の前記蝋材が接合する領域には凸部が形成され、前記孔は前記凸部を貫通することを特徴とする適用例４乃至６のいずれか１例に記載の圧電振動子。
これにより蝋材の基板との接触面積が増大して接合が安定するとともに、凸部を形成した分だけ蝋材を節約できるのでコストダウンを図ることができる。
【００２８】
［適用例８］前記孔は、前記基板及び前記蝋材とともに、前記引き出し電極を掘り込んで形成されたことを特徴とする適用例４乃至７のいずれか１例に記載の圧電振動子。
これにより電極と引き出し電極とが直接的に接合するため、導電性の蝋材を用いる必要はなくコストダウンを図ることができる。
【００２９】
［適用例９］基板、圧電振動片層、リッドの順に積層された圧電振動子であって、前記圧電振動片層は、励振電極を有する圧電振動片と、前記圧電振動片を支持する支持枠と、前記圧電振動片に接続された引き出し部と、前記励振電極に接続され前記引き出し部の前記基板に対向する面に引き出され、前記基板の第１面と蝋材により接合された引き出し電極と、を有し、前記圧電振動子は、前記基板の前記第１面の反対側の第２面から前記第１面の方向に向かってサンドブラストにより前記基板及び前記蝋材を掘り込んで形成された孔と、前記孔の内壁に形成された電極と、を有するとともに、前記引き出し部を前記リッドに固定する固定部を有することを特徴とする圧電振動子。
【００３０】
上記構成により、圧電振動子は内部空間を有する３層構造となるが、基板の第２面側の蝋材により接合された領域に孔を形成するため、サンドブラスト用の研削粒子が前記内部空間に入り込むことはない。またサンドブラストは基板の第２面側から第１面側に向かって行われ、その際引き出し部はサンドブラストによりリッド側に応力を受けることになるが、固定部により引き出し部をリッドに固定することにより、サンドブラストの衝撃による引き出し部の破損を防止し、また引き出し部と蝋材との境界にサンドブラストによる衝撃が集中することを回避して引き出し部と蝋材との剥離を防止し、孔の形成を容易に行うことができる。
【００３１】
［適用例１０］前記固定部は、蝋材であることを特徴とする適用例９に記載の圧電振動子。これにより孔が形成される蝋材と同一材料を用いることにより材料数を増やすことなくコストダウンを図ることができる。
【００３２】
［適用例１１］前記固定部は、バンプであることを特徴とする適用例９に記載の圧電振動子。バンプはリッドと引き出し部とを強固に接合できるのでサンドブラストによる引き出し部の振動を抑制して、サンドブラストを効果的に行うことができる。
【００３３】
［適用例１２］前記固定部は、前記引き出し部に形成された第２凸部であることを特徴とする適用例９に記載の圧電振動子。これにより引き出し部とリッドとの相対位置がリジッドに決まるので、サンドブラストによる引き出し部の振動を抑制して、サンドブラストを効果的に行うことができるとともに、圧電振動片層を形成する材料を用いて第２凸部を形成することになるので、コストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る圧電振動子の模式図である。
【図２】第１実施形態に係る圧電振動子の模式図である。
【図３】第１実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る圧電振動子の製造工程を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る圧電振動子の製造工程を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る圧電振動子の製造工程を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る圧電振動子の変形例の模式図である。
【図８】第２実施形態に係る圧電振動子の模式図である。
【図９】第２実施形態に係る圧電振動子の第１の変形例の模式図である。
【図１０】第２実施形態に係る圧電振動子の第２の変形例の模式図である。
【図１１】圧電振動子を構成する圧電振動片層の変形例の模式図である。
【図１２】第３実施形態に係る力検出素子の模式図である。
【図１３】第３実施形態に係る力検出素子の基板側からみた分解斜視図である。
【図１４】第３実施形態に係る力検出素子のダイアフラム側からみた分解斜視図である。
【図１５】第１の従来技術に係る圧電振動子の模式図である。
【図１６】第２の従来技術に係る圧電振動子の模式図である。
【図１７】第３の従来技術に係る圧電振動子の模式図である。
【図１８】第３の従来技術に係る圧電振動子を構成する第１水晶基板の模式図である。
【図１９】第４の従来技術に係る圧電振動子の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００３６】
図１は本発明に係る電子部品の第１実施形態である圧電振動子であって、図１（ａ）に圧電振動子の側面方向から見た側面断面図、図１（ｂ）に圧電振動子を構成する圧電振動片の平面図、図１（ｃ）に圧電振動片の底面図、図２（ａ）に圧電振動子を構成する基板の平面図、図２（ｂ）に基板の底面図、図２（ｃ）に圧電振動子を構成するリッドの平面図を示す。また図３（ａ）にリッド側からみた分解斜視図、図３（ｂ）にベース基板側からみた分解斜視図を示す。
【００３７】
本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、励振電極（第１励振電極２６、第２励振電極３０）と前記励振電極に接続された引き出し電極（第１引き出し電極２８、第２引き出し電極３２）とを有する圧電振動片１４を、ベース基板４４の主面上に搭載して形成される圧電振動子１０の製造方法であって、前記引き出し電極と前記ベース基板４４の一方の主面である第１面４４ａとを金属製の蝋材３６により接合し、前記ベース基板４４の前記第１面４４ａの反対側の他方の主面である第２面４４ｂから前記第１面４４ａの方向に向かって前記ベース基板４４及び前記蝋材３６を掘り込んで孔（第１孔４６、第２孔４８）を形成し、前記孔の内壁面４６ａ、４８ａに電極（第１電極５０、第２電極５２）を形成するものである。
【００３８】
よってこれを具現化する第１実施形態に係る圧電振動子１０は、励振電極（第１励振電極２６、第２励振電極３０）と前記励振電極に接続された引き出し電極（第１引き出し電極２８、第２引き出し電極３２）とを有する圧電振動片１４を、ベース基板４４の主面上に搭載して形成される圧電振動子１０であって、前記圧電振動子１０は、前記引き出し電極と前記ベース基板４４の第１面４４ａとを接続する金属製の蝋材３６と、前記ベース基板４４の前記第１面４４ａの反対側の他方の主面である第２面４４ｂから前記第１面４４ａの方向に向かって前記ベース基板４４及び前記蝋材３６を掘り込んで形成された孔（第１孔４６、第２孔４８）と、前記孔の内壁面４６ａ、４８ａに形成された電極（第１電極５０、第２電極５２）と、を有するものであり、ベース基板４４、圧電振動片層１２、リッド４２により内部空間１０ａを有する３層構造となっている。なお図面を含めた以下の説明においては直交座標系（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）を用いるものとする。
【００３９】
圧電振動片層１２は、水晶等の圧電基板により形成され、圧電振動片１４、連結部（第１連結部１６、第２連結部１８）、引き出し部（第１引き出し部２０、第２引き出し部２２）、支持枠２４により形成されており、圧電振動片層１２の外形はフォトリソ技法とエッチング技法を併用して形成することができる。
【００４０】
圧電振動片１４は、音叉型振動片、厚みすべり振動片等として形成されたものであるが、本実施形態においては支持枠２４より薄く形成された逆メサ型の厚みすべり振動片を用いている。圧電振動片１４は、長手方向（±Ｘ方向）の一端の辺の両端において、支持枠内の−Ｘ方向側の２つのコーナーから延び、支持枠２４の−Ｘ方向側のコーナーに接続する第１連結部１６、及び第２連結部１８と接続され、圧電振動片１４は長手方向の一端（−Ｘ方向の一端）を片持ち支持状態で支持枠２４に支持されている。
【００４１】
また圧電振動片１４の両面にはスパッタ等により励振電極（第１励振電極２６、第２励振電極３０）が形成され、リッド４２に対向する第１励振電極２６には同様にスパッタ等により第１引き出し電極２８が接続され、ベース基板４４に対向する第２励振電極３０にもスパッタ等により第２引き出し電極３２が接続されている。
【００４２】
また圧電振動片層１２には第１引き出し部２０及び第２引き出し部２２が形成されている。第１引き出し部２０は支持枠２４内の−Ｘ方向側のコーナーであって第１連結部１６と一体となって形成されている。また第２引き出し部２２は支持枠２４内の＋Ｘ方向側のコーナーに形成され、第１引き出し部２０及び第２引き出し部２２は支持枠２４の対角線上に形成されている。また第２引き出し部２２と第２連結部１８は、支持枠２４に接続した延伸部３４により接続されている。よって第２引き出し部２２は、延伸部３４及び第２連結部１８を介して圧電振動片１４に接続されている。
【００４３】
第１励振電極２６に接続された第１引き出し電極２８は、第１連結部１６においてベース基板４４側に引き回され、第１引き出し部２０のベース基板４４に対向する側にまで引き出される。一方第２励振電極３０に接続された第２引き出し電極３２は、第２連結部１８及び延伸部３４の基板に対向する側に引き出され、第２引き出し部２２のベース基板４４に対向する側に引き出される。
【００４４】
そして第１引き出し部２０及び第２引き出し部２２は、それぞれ共晶金属で形成された導電性の蝋材３６によりベース基板４４の第１面４４ａと接合している。またベース基板４４の周縁と支持枠２４とは第２の蝋材３８により接合され、支持枠２４とリッド４２の周縁も第２の蝋材３８により接合されている。蝋材３６及び第２の蝋材３８はスパッタ等によりリッド４２及びベース基板４４上にパターニングされる。一方、第２の蝋材３８に当接する支持枠２４の両面には第２の蝋材３８との接合を容易にするためメタライズ４０が施され、メタライズ４０は励振電極及び引き出し電極の形成と同時に行うことができる。そして、ベース基板４４、圧電振動子層１２、リッド４２を積層したのち加熱加圧することにより蝋材３６及び第２の蝋材３８による接合を行うことができる。なお蝋材３６及び第２の蝋材３８は同一材料でも異なった材料でもよい。
【００４５】
またベース基板４４の第１面４４ａの反対側の第２面４４ｂから第１面４４ａに向かって漸次内径を小さくするテーパー状に孔（第１孔４６、第２孔４８）が形成され、第１孔４６はベース基板４４、蝋材３８、第１引き出し電極２８を貫通し、第１引き出し部２０に達するとともに所定の深さまで及んでいる。また第２孔４８はベース基板４４、蝋材３６、第２引き出し電極３２を貫通し、第２引き出し部２２に達するとともに所定の深さの位置まで及んでいる。
【００４６】
そして、孔の内壁には電極（第１電極５０、第２電極５２）が形成され、第１孔４６には第１電極５０が形成され、第２孔４８には第２電極５２が形成されている。よって第１電極５０の側面と第１引き出し電極２８の端面が接続され、第２電極５２の側面と第２引き出し電極３２の端面が接続される。またベース基板４４の第２面４４ｂには第１外部電極５４、第２外部電極５６が形成され、第１外部電極５４は第１電極５０と接続され、第２外部電極５６は第２電極５２と接続されている。
【００４７】
よって、第１励振電極２６は、第１引き出し電極２８、第１電極５０を介して第１外部電極５４に接続され、第２励振電極３０は、第２引き出し電極３２、第２電極５２を介して第２外部電極５６と接続されている。したがって第１外部電極５４、第２外部電極５６に圧電振動片１４を駆動する駆動回路（不図示）を接続することにより、圧電振動片１４は固有の共振周波数により振動することができる。
【００４８】
上述のテーパー状の孔はサンドブラストにより形成される。サンドブラストは、被研削面において被研削箇所を残してマスクをし、直径２０μｍ程度のＳｉＣ等の研削粒子を高速のエアーとともに研削箇所に吹き付けることにより行う。ここでサンドブラストを行うとベース基板４４の第２面４４ｂから第１面４４ａに向かって掘り込まれ第１面４４ａに到達して蝋材３６を掘り込むことになるが、第１面４４ａと蝋材３６は接合され、その接合された領域に孔を形成するため、前記領域にチッピングが発生することはなく、そのまま蝋材３６にサンドブラストが進行する。よって、孔に形成される第１電極５０、第２電極５２においてチッピングによる断線が発生することを回避して歩留まりを高めた圧電振動子１０となる。またチッピングが発生することがないので、それを補うため第１電極５０、第２電極５２として大量の金属材料を用いる必要がなく、コストダウンが可能な圧電振動子１０となる。さらに孔がテーパー状に形成されたため、第１電極５０、第２電極５２を均一に形成することができるので、製品ごとの電気的特性のばらつきを抑制することができる。なお、蝋材３６は引き出し電極及び第１電極５０、第２電極５２と面接触となるため、引き出し電極と第１電極５０、第２電極５２との導通を確実に行うことができる。またベース基板４４、圧電振動片１４、リッド４２を積層した後に前記孔を形成しているので、内壁面に段差を有しない孔を形成することができる。
【００４９】
また孔をサンドブラストにより形成されたのち、孔の内壁にエッチング処理（ライトエッチング）を行うことが好適である。これにより、孔の内壁の残留応力を低減して圧電振動子１０への悪影響を防止するとともに、孔の内壁を平滑化することにより貫通電極の形成を容易に行うことができる。
【００５０】
なお蝋材３６が導電性を有するため、引き出し電極と第１電極５０、第２電極５２との電気的接続の媒体となることができるので、孔は引き出し電極を貫通しない構成としてもよい。また孔が引き出し電極を貫通し引き出し部にまで及ぶ場合は、第１電極５０、第２電極５２と引き出し電極が直接的に接続するため、蝋材３６は導電性を有する必要はない。
【００５１】
リッド４２には封止孔（不図示）が形成され、ベース基板４４、圧電振動片層１２、リッド４２の順に積層したのち封止孔（不図示）から真空吸引して内部空間１０ａを真空にしたのち封止孔（不図示）を封止することができる。
【００５２】
なおベース基板４４、圧電振動片層１２、リッド４２を同一材料（水晶等の圧電材料）とすることにより、線膨張係数が各層で互いに一致するため、温度変化に伴う圧電振動片１４への応力の発生を抑制して圧電振動片１４の発振周波数の誤差を抑制することができる。
【００５３】
図４、図５、図６に第１実施形態に係る圧電振動子１０の製造工程を示す。まず図４（ａ）に示すように、ベース基板４４の圧電振動片層１２に対向する面である第１面４４ａにおいて、第１引き出し電極２８及び第２引き出し電極３２に対応する位置に蝋材３６をスッパタ等により形成し、第１面４４ａの周縁であって圧電振動片層１２の支持枠２４に対向する位置に第２の蝋材３８を形成する（図４（ｂ））。ここで蝋材３６と第２の蝋材３８とが互いに同一の材料である場合は同時に形成することができる。一方、図５（ａ）に示すように、リッド４２の圧電振動片層１２に対向する面の周縁であって圧電振動片層１２の支持枠２４に対向する位置に同様に第２の蝋材３８を形成する（図５（ｂ））。
【００５４】
次に図６（ａ）に示すように、圧電振動片層１２用の水晶基板５８を用意し、水晶基板５８に支持枠２４、第１連結部１６（不図示）、第２連結部１８（不図示）、第１引き出し部２０、第２引き出し部２２の外形を残して圧電振動片１４の厚みまでハーフエッチングを行い（図６（ｂ））、支持枠２４、第１連結部１６（不図示）、第２連結部１８（不図示）、第１引き出し部２０、第２引き出し部２２、圧電振動片１４の外形を残して水晶基板５８を貫通するまでエッチングすることにより圧電振動片層１２の外形を形成し（図６（ｃ））、ＣｒやＡｕ等の金属を用いスパッタ等により第１励振電極２６、第２励振電極３０、第１引き出し電極２８、第２引き出し電極３２を形成し、同様に支持枠２４の両面にメタライズ４０を形成する（図６（ｄ））。この状態で圧電振動片１４は固有の発振周波数により発振可能となるので、第１引き出し電極２８及び第２引き出し電極３０に駆動回路（不図示）を接続して圧電振動片１４を駆動させ、図６（ｅ）に示すように第１励振電極２６の一部を蒸着法により厚膜化またはアルゴンプラズマ照射によるドライエッチング法を用いて薄膜化することにより周波数調整を行う。
【００５５】
そして図６（ｆ）に示すように、ベース基板４４、圧電振動片層１２、リッド４２を積層する。このときベース基板４４と圧電振動片層１２において、ベース基板４４上に形成された蝋材３６と第１引き出し電極２８、蝋材３６と第２引き出し電極３２、第２の蝋材３８とメタライズ４０とを当接させる。また圧電振動片層１２とリッド４２において、メタライズ４０と第２の蝋材３８とを当接させる。そしてこのように積層した状態で圧電振動子１０の±Ｚ方向から加圧して加熱することにより蝋材３６と各引き出し電極を接合させ、第２の蝋材３８とメタライズ４０と接合させる。
【００５６】
次に図６（ｇ）に示すように、サンドブラストにより孔（第１孔４６、第２孔４８）を形成する。平面視して第１引き出し部２０、第２引き出し部２２と重なる第２面４４ｂ上の位置にあって一定の径を有する領域を残して第２面４４ｂをマスクし、第２面４４ｂが露出した領域にＳｉＣ等の研削粒子を高速のエアーと共に吹きつけてベース基板４４の第２面４４ｂ側から研削し、ベース基板４４を貫通して蝋材３６に到達するまで研削を行う、または蝋材３６を貫通して引き出し電極、引き出し部に到達するまで研削を行う、このとき孔は第２面４４ｂから第１面４４ａに向かって漸次内径を小さくするテーパー状に形成されるが、研削粒子が内部空間１０ａに入り込まないように孔の蝋材３６を貫通する位置における直径は蝋材３６の外形より小さくなるように調整する。こうして形成された第１孔４６の内壁面４６ａはベース基板４４、蝋材３６、第１引き出し電極２８、第１引き出し部２０により形成され、第２孔４８の内壁面４８ａはベース基板４４、蝋材３６、第２引き出し電極３２、第２引き出し部２２により形成される。孔を形成したのちフッ酸等を用いて内壁面４６ａ、４８ａのエッチング処理（ライトエッチング）を行い、内壁面４６ａ、４８ａの残留応力を除去し、平坦度を向上させる。そして孔にハンダボール（不図示）を挿入し、ハンダボール（不図示）にレーザー等を照射してハンダボール（不図示）を溶解させて電極（第１電極５０、第２電極５２）を形成し、最後に第２面４４ｂの孔及び第２面４４ｂの孔の周囲に外部電極（第１外部電極５４、第２外部電極５６）をスパッタ法やメッキ等により形成することにより圧電振動子１０が形成される（図６（ｈ））。
【００５７】
図７に第１実施形態の変形例を示す。図７（ａ）は正面図、図７は基板の平面図である。図７に示すように、基板４５の第１面４５ａの蝋材３６が接合する領域には凸部４５ｃを形成し、孔が凸部４５ｃを貫通する構成としてもよい。基板が水晶で形成されている場合は、フォトリソ加工とエッチング加工を併用して凸部４５ｃを基板４５と一体で形成することができる。すなわち、基板４５の材料となる水晶素板（不図示）の第１面４５ａとなる側に凸部４５ｃの外形を残して他の領域を基板４５の厚みとなるまでハーフエッチングを行い、凸部４５ｃと基板４５の外形を残して基板４５を抜き出すようにエッチングすることにより基板４５の外形が形成される。そして、凸部４５ｃを覆うように蝋材３６をスパッタ等により形成し、基板４５の周縁に第２の蝋材３８を形成することにより積層用の基板４５が形成される。このように凸部４５ｃを形成することにより、蝋材３６の基板４５との接触面積が増大して接合が安定するとともに、凸部４５ｃを形成した分だけ蝋材３６を節約できるのでコストダウンを図ることができる。
【００５８】
第２実施形態に係る圧電振動子を図８に示す。図８（ａ）は圧電振動子の正面図、図８（ｂ）は圧電振動片層の平面図である。第２実施形態に係る圧電振動子７０は基本的には第１実施形態と共通するが、引き出し部（第１引き出し部７４、第２引き出し部７６）をリッド４２に固定する固定部を有する。
【００５９】
固定部の材料としてリッド４２に形成された第３の蝋材７８とすることができる。第３の蝋材７８はリッド４２の圧電振動片層７２側に対向する面の第１引き出し部７４及び第２引き出し部７６に対向する位置に形成されるが、第３の蝋材７８をリッド４２の周縁に形成される第２の蝋材３８と同一材料にすることにより第２の蝋材３８と同時に形成することができる。一方、第１引き出し部７４及び第２引き出し部７６のリッド４２に対向する面側にはメタライズ８０を形成する。このメタライズ８０は支持枠２４に形成するメタライズ４０と同時に形成することができる。そして第１実施形態で述べた積層時に他の蝋材と同様に第３の蝋材７８をメタライズ８０に加圧して加熱することにより、第１引き出し部７４及び第２引き出し部７６をリッド４２に固定することができる。第２実施形態においても孔はサンドブラストにより形成するが、サンドブラストはベース基板４４の第２面側４４ｂから第１面４４ａ側に向かって行われ、その際引き出し部はサンドブラストによりリッド４２側に応力を受けることになるが、第３の蝋材７８（固定部）により引き出し部をリッド４２に固定することによりサンドブラストの衝撃による引き出し部の破損を防止し、また引き出し部と蝋材３６との境界にサンドブラストによる衝撃が集中することを回避して引き出し部と蝋材３６との剥離を防止し、貫通孔の形成を容易に行うことができる。また固定部の材料として、貫通孔が形成される蝋材３６と同一材料を用いることにより材料数を増やすことなくコストダウンを図ることができる。
【００６０】
図９に固定部の第１の変形例を示す。図９（ａ）は圧電振動子７０の正面図、図９（ｂ）はリッド４２の平面図であり、圧電振動片層７２の平面図は図８（ｂ）と共通である。固定部の材料として第１引き出し部７４及び第２引き出し部７６のリッド４２側に配置されＡｕ等で形成されたバンプ８２を用いることができる。なお、バンプ８２による接続を容易にするため、上述同様にメタライズ８０と、上述のリッド４２の第３の蝋材７８を形成する位置にメタライズ８４を形成する。そして第１実施形態で述べた積層時に他の蝋材と同様にバンプ８２をリッド４２に押し付けた状態で加熱若しくはリッド４２側から超音波を当ててバンプ８２を潰すことにより、各引き出し部はリッド４２に固定される。
【００６１】
図１０に固定部の第２の変形例を示す。図１０（ａ）は圧電振動子の正面図、図１０（ｂ）は圧電振動片層の平面図である。固定部としては、引き出し部に形成された第２凸部８６とすることができる。第２凸部８６は圧電振動片層７２と同一材料であり、圧電振動片層７２は第２凸部８６とともに一体で形成することができる。すなわち圧電振動片層７２の材料となる水晶素板（不図示）上に第２凸部８６の外形を残して支持枠２４等と同じ厚みになるまでハーフエッチングを行い、次に第２凸部８６、支持枠２４、第１連結部１６、第２連結部１８、第１引き出し部２０、第２引き出し部２２の外形を残して圧電振動片１４と同じ厚みになるまでハーフエッチングを行い、第２凸部８６、支持枠２４、第１連結部１６、第２連結部１８、第１引き出し部２０、第２引き出し部２２、圧電振動１４片の外形を残して水晶素板（不図示）を貫通するまでエッチングすることにより圧電振動片層７２を形成することができる。
【００６２】
このように第２凸部８６を形成することにより、第１実施形態で述べた積層時に第２凸部８６とリッド４２とが当接する。よって引き出し部とリッド４２との相対位置がリジッドに決まるので、サンドブラストによる引き出し部の振動を抑制して、サンドブラストを効果的に行うことができるとともに、圧電振動片層７２を形成する材料を用いて第２凸部８６を形成することになるので、コストダウンを図ることができる。
【００６３】
図１１に圧電振動片層の変形例を示す。図１１（ａ）は正面図、図１１（ｂ）は圧電振動片層の平面図、図１１（ｃ）は圧電振動片層の底面図である。図１１に示すように、圧電振動片層１３は、圧電振動片１５、連結部（第１連結部１７、第２連結部１９）、引き出し部（第１引き出し部２１、第２引き出し部２３）、支持枠２５により外形が形成されている。第１引き出し部２１は支持枠２５内の−Ｘ方向側のコーナーであって第１連結部１７と一体となって形成されている。また第２引き出し部２３は支持枠２５内の＋Ｘ方向側のコーナーに形成され、第１引き出し部２１及び第２引き出し部２３は支持枠２５の対角線上に形成されている。また第２引き出し部２３と第２連結部１９は、支持枠２５に接続した延伸部３５により接続されている。よって第２引き出し部２３は、延伸部３５及び第２連結部１９を介して圧電振動片１４に接続されている。
【００６４】
そして、第１励振電極２７に接続された第１引き出し電極２９は、第１連結部１７においてベース基板４４側に引き回され、延伸部３５を介して第２引き出し部２３のベース基板４４側に引き出される。一方、第２励振電極３１に接続された第２引き出し電極３３は、圧電振動片層１３のベース基板４４側の面において、第２連結部１９および第１引き出し部２１に形成されている。
【００６５】
図１１に示すように第１引き出し部２１、第２引き出し部２３は、それぞれ第１引き出し部２０、第２引き出し部２２に対して、支持枠２５の短辺２５ａの中央を通る線を基準に±Ｙ方向に反転した関係を有するため、ベース基板４４に形成される第１孔４７、第２孔４９はベース基板４４上で上述同様に反転した位置に形成される。こうして形成された圧電振動片層１３は第１実施形態及び第２実施形態に適用できる。
【００６６】
図１２、図１３、図１４は、本発明に係る電子部品の第３実施形態である力検出素子であって、図１２（ａ）に力検出素子の側面方向からみた側面断面図、図１２（ｂ）に力検出素子を構成する感圧素子片の底面図、図１３はベース基板側からみた分解斜視図、図１４はダイアフラム側からみた分解斜視図を示す。
【００６７】
力を直接受けて撓む、例えば被測定圧力を受圧して撓む可撓部を有するダイアフラムに支持部を介して搭載された圧電振動子は、例えば、板状の圧電基板上に電極パターンが形成され、力の検出方向に検出軸を設定しており、前記検出軸の方向に直交する方向から被測定圧力がダイアフラムの受圧部で受圧すると前記可撓部が撓み、前記支持部を介して前記圧電振動子に力が加わると、前記圧電振動子は検出軸の方向に引張り応力が生じるため前記圧電振動子の共振周波数が変化し、前記共振周波数の変化から前記被測定圧力の圧力値を検出する。圧力センサー、受圧手段としてのダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成した支持部に搭載された感圧素子（双音叉振動子）とを有し、これらを容器に収容しつつダイアフラムの受圧面を外面に臨ませるようにして真空封止した構成となっている。
【００６８】
第３実施形態に係る力検出素子７００は、感圧素子としての双音叉振動子７０５の２本の柱状ビームに形成した励振電極７０１と、前記励振電極７０１に接続された引き出し電極（第１引き出し電極７０２、第２引き出し電極７０３）とを有する感圧素子片７７２を、ダイアフラム７０４の受圧面７０４ａとは反対側の内側の主面７０４ｂ上に形成した支持部７０６に搭載された双音叉振動子７０５であって、前記双音叉振動子７０５は、前記引き出し電極と、前記ベース基板７４２の前記第１面７４２ａとを接続する接着手段（例えば、低融点ガラス等の蝋材）７５０と、前記ベース基板７４２の前記第１面７４２ａの反対側の第２面７４２ｂから前記第１面７４２ａの方向に向かって前記ベース基板７４２及び前記接着手段７５０を掘り込んで形成された孔（第１孔４６、第２孔４８）と、前記孔の内壁面４６ａ、４８ａ上に形成された電極（第１電極５０、第２電極５２）と、を有するものであり、ベース基板７４２、感圧素子片層７７２、ダイアフラム７０４により内部空間１０ａを有する３層構造となっている。
【００６９】
ダイアフラム７０４は、可撓部７０４ｃと前記可撓部７０４ｃの外縁を囲む厚肉部７０４ｄとを有する。
感圧素子片層７７２は、２本の柱状ビームからなる振動部７０５ａと前記振動部７０５ａの両端に位置する基部７０５ｂとから構成される双音叉振動子７０５と、前記双音叉振動子７０５を囲む矩形の支持枠部７７３と、前記支持枠部７７３と前記基部７０５ｂとを連結する梁７０７とを有する。なお図１２において励振電極７０１はベース基板７４２側にのみ形成されたように描かれているが、実際には両面に形成されているものとする。
【００７０】
そして感圧素子片層７７２の支持部枠７７３の両面にはそれぞれ、前記ダイアフラム７０４の厚肉部７０４ｂとベース基板７４２の外縁部７４２ａとが前記接着手段７５０を用いて接合されている。ベース基板７４２の第１面７４２ａの反対側の第２面７４２ｂから第１面７４２ａに向かって漸次内径を小さくするテーパー状に孔（第１孔４６、第２孔４８）が形成され、第１孔４６はベース基板７４２、前記接着手段７５０、第１引き出し電極７０２を貫通し、支持枠部７７３に達するとともに所定の深さの位置まで及んでいる。また第２孔４８は、ベース基板４４、蝋材３６、第２引き出し電極７０３を貫通し、支持部枠７７３に達するとともに所定の深さの位置まで及んでいる。
【００７１】
上述のテーパー状の孔は、前述の第１実施形態及び第２実施形態に係る孔と同様に形成すればよい。従って、第１面７４２ａと前記接着手段７５０は接合され、その接合された領域に孔を形成するため、前記領域にチッピングが発生することはなく、そのまま前記接着手段７５０にサンドブラストが進行する。よって、孔に形成される第１電極５０、第２電極５２において、チッピングによる断線が発生することを回避して歩留を高めた力検出素子７００となる。またチッピングが発生することがないので、それを補うため第１電極５０、第２電極５２として大量の金属材料を用いる必要がないのでコストダウンが可能な力検出素子７００となる。またベース基板７４２、感圧素子片層７７２、ダイアフラム７０４を積層した後に前記孔（第１孔４６、第２孔４８）を形成しているので、内壁面に段差を有しない孔を形成することができる。また前記第１電極５０、第２電極５２と感圧素子である双音叉振動子７０５とは離間されているので、双音叉振動子７０５の振動を阻害することはない。
【００７２】
また孔をサンドブラストにより形成したのち、孔の内壁にエッチング処理（ライトエッチング）を行うことが好適であって、これにより孔の内壁の残留応力を低減して力検出素子７００への悪影響を防止するとともに、孔の内壁を平滑化することにより電極の形成を容易に行うことができることは言うまでもない。
【００７３】
以上、実施形態として、圧電振動子、力検出素子を前提として述べてきたがこれに限定されることはなく、積層構造の電子部品において、電子部品を構成し電極を有する電子素子片を、同じく電子部品を構成する基板上に積層する場合においても、電子素子片の電極を蝋材や接着手段を用いて基板に接続し、基板の下面からサンドブラストにより基板と接着手段等とを掘り込んで孔を形成し、孔の内壁に電極を形成して電子素子片の電極と基板側の電極との電気的接続を高い信頼性で実現することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０………圧電振動子、１２………圧電振動片層、１４………圧電振動片、１６………第１連結部、１８………第２連結部、２０………第１引き出し部、２２………第２引き出し部、２４………支持枠、２６………第１励振電極、２８………第１引き出し電極、３０………第２励振電極、３２………第２引き出し電極、３４………延伸部、３６………蝋材、３８………第２の蝋材、４０………メタライズ、４２………リッド、４４………ベース基板、４５………基板、４６………第１孔、４８………第２孔、５０………第１電極、５２………第２電極、５４………第１外部電極、５６………第２外部電極、５８………水晶基板、７０………圧電振動子、７２………圧電振動片層、７４………第１引き出し部、７６………第２引き出し部、７８………第３の蝋材、８０………メタライズ、８２………バンプ、８４………メタライズ、８６………第２凸部、１０１………枠部、１０２………圧電振動子、１０４………第１の蓋体、１０５………第２の蓋体、１０６………接続部、２００………圧電振動子、２０１………蓋、２０２………基板、２０３………圧電基板、２０３Ａ………枠部、２０３Ｂ………振動部、２０３Ｃ………引き出し電極、２０４………スルーホール、２０５………外部電極、３０１ａ………第１水晶基板、３０１ｂ………第２水晶基板、３０１ｃ………第３水晶基板、３０２………圧電振動片、３０２ａ………基部、３０２ｂ………音叉腕、３０４（ｘｙ）………電極パッド、３０６ａ………第１貫通電極、３０６ｍ………第１貫通孔、３０７（ｘｙ）………電極パッド、４０１………圧電振動子、４１１………圧電振動片、４１２………蓋体、４１３………絶縁基板、４１４………スルーホール、４１５ａ………接続電極、４１５ｂ………貫通電極、４１５ｃ………外部電極、４１７………金属部材、４１８………導電性接着剤、４３０………導電膜、７００………力検出素子、７０１………励振電極、７０２………第１引き出し電極、７０３………第２引き出し電極、７０４………ダイアフラム、７０５………双音叉振動子、７０６………支持部、７０７………梁、７４２………ベース基板、７５０………接着手段、７７２………感圧素子片層、７７３………支持枠部。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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