(57)【要約】【課題】本発明は、光の取出し効率を向上させた光半導体装置と、この光半導体装置を構成するインナーリードの製造方法を提供する。【解決手段】光半導体装置は、白色樹脂材からなり開口部６を備えた中空筒体であるケース５と、このケースの一側端に内包される端部を備え開口部に対向して平面実装部１０を備えた第１のインナーリード２Ａおよび、第１のインナーリードとは電気的に独立し、第１のインナーリードとともにケースの開口部一側端を閉塞する第２のインナーリード２Ｂと、第１のインナーリードの平面実装部に実装され、表面に発光層と金属ワイヤ４を介して第１のインナーリードの平面実装部と第２のインナーリードに電気的に接続される電極１ａ，１ｂを備えた光半導体素子１と、ケースの開口部に充填され光半導体素子を封止する透光性を有する樹脂材である封止部材７とを具備し、第１のインナーリードのケースに内包される端部に、開口部の形成方向に沿って突出する突起部Ｔが設けられる。【選択図】    図２
2010258394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色樹脂材からなり、開口部を備えた中空筒体である反射部材と、
前記反射部材の一側端に内包される端部を備え、前記開口部に対向して平面実装部を備えた第１のインナーリードおよび、前記第１のインナーリードとは電気的に独立して設けられ、第１のインナーリードとともに反射部材の開口部一側端を閉塞する第２のインナーリードと、
前記第１のインナーリードの前記平面実装部に実装され、表面に発光層および電極を備え、前記電極は金属ワイヤを介して第１のインナーリードの平面実装部と、前記第２のインナーリードに電気的に接続される光半導体素子と、
前記反射部材の開口部に充填され、前記第１のインナーリードの平面実装部に実装される光半導体素子を封止する、透光性を有する樹脂材である封止部材と、
を具備し、
前記第１のインナーリードは、前記反射部材に内包される端部に、開口部の形成方向に沿って突出する突起部が設けられる
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１のインナーリードの平面実装部は、互いに並行な第１の辺部と、これら第１の辺部と直交する方向に、かつ第１の辺部よりも長く形成される第２の辺部とで四辺形状をなし、
前記突起部は、前記平面実装部における前記第２の辺部に設けられ、
前記光半導体素子は、前記第２の辺部に設けられる前記突起部相互間に位置する
ことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
光半導体装置を構成するインナーリードであって、
固定された第１の金型に備えられる凸部上に、両側部を前記第１の金型の凸部両側端から突出させた状態でインナーリード素材を載置し、凹部を備え移動自在な第２の金型と対向する第１の工程と、
前記第２の金型を移動して前記インナーリード素材に接触させ、なお移動を継続してインナーリード素材を加圧し、インナーリード素材の両側部に段部が生じるように塑性変形させる第２の工程と、
前記第２の金型を第１の金型から離間し、一対のカッタをインナーリード素材両側部の加工された段部に対向する第３の工程と、
前記一対のカッタを移動しインナーリード素材を切断することで、両側部に段部である突起部を有するインナーリードを得る第４の工程と、
とを具備することを特徴とするインナーリードの製造方法。
【請求項４】
光半導体装置を構成するインナーリードであって、
固定された第１の金型に備えられる凸部上に、両側部を前記第１の金型の凸部両側端から突出させた状態でインナーリード素材を載置し、凹部を備え移動自在な第２の金型と対向する第１の工程と、
前記第２の金型を移動して前記インナーリード素材に接触させ、なお移動を継続してインナーリード素材を加圧し、インナーリード素材の両側部に段部が生じるように塑性変形させる第２の工程と、
第１の金型と第２の金型との間からインナーリード素材を取出し、インナーリード素材の両側段部相互間と、段部の必要領域にのみ保護膜を塗布する第３の工程と、
前記インナーリード素材をエッチング処理し、前記保護膜を塗布しなかった部分を腐蝕消滅させ、保護膜でコートした部分のみを残す第４の工程と、
前記保護膜を化学的に除去し、両側部に段部である突起部を有するインナーリードを得る第５の工程と、
とを具備することを特徴とするインナーリードの製造方法。
【請求項５】
光半導体装置を構成するインナーリードであって、
固定された第１の金型に備えられる凸部上に、この凸部の幅寸法Ｄよりも長い幅寸法Ｌａを有するインナーリード素材を載置するとともに、インナーリード素材の両側部を凸部の両側端から突出させ、前記インナーリード素材幅寸法Ｌａより短く、第１の金型の凸部幅寸法Ｄよりも長い幅寸法Ｌの凹部を備え移動自在な第２の金型と対向する第１の工程と、
前記第２の金型を移動して前記インナーリード素材に接触させ、なお移動してインナーリード素材を加圧し、インナーリード素材の両側部を第１の金型凸部側面と、第２の金型凹部側面との間に沿って突出するように塑性変形させる第２の工程と、
さらに前記第２の金型の降下を継続し、ついには第２の金型凹部全面がインナーリード素材に接してインナーリード素材の板厚を薄く圧印加工するとともに、第１の金型凸部側面と第２の金型凹部側面との間のインナーリード素材両側部をさらに延ばす圧印加工をなし、第２の金型が第１の金型に接した状態で圧印加圧を終了する第３の工程と、
第２の金型を第１の金型から離間させ、これら金型間から取出すことで、両側部に突起部を備えたインナーリードを得る第４の工程と、
を具備することを特徴とするインナーリードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば液晶ディスプレイパネルのバックライト用光源として用いられる薄型で側面発光タイプの光半導体装置と、この光半導体装置を構成するインナーリードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高い輝度が得られる、青色光を発光する光半導体素子（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）が開発されている。このことにより、青色光半導体素子と、青色光を黄色光に波長変換可能な蛍光体とを用いて、白色光を発光する光半導体装置が得られるようになった。
【０００３】
光半導体装置を用いた照明器具は、白熱電球に比して小型であり、投入電力の割に得られる輝度が高く、長寿命である。また、水銀などの有害物質が使用されていないという特徴から、携帯電話のボタン下光源、カメラのフラッシュ光源、車載用のインテリア光源・エクステリア光源などへの適用が進められている。
【０００４】
［特許文献１］に開示されている発光素子収納用パッケージは、平面視で正方形状に形成されている。絶縁基体の上面には、発光素子（以下、「光半導体素子」と言う）を収容するための凹部が設けられ、この凹部の底面に光半導体素子が搭載される搭載部および発光素子の電極が電気的に接続される配線層が形成される。
【０００５】
発光素子収納用パッケージにおける凹部は、前記光半導体素子が発光した光を光半導体装置外に効率よく反射するための光反射部（リフレクタ）として機能する。凹部の傾斜角度に変化部を設けたことを特徴としているが、一般的には傾斜角度を４５度にして、効率よく反射するように設計されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３１１９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これに対して、たとえばカーナビやパソコンに使用される液晶ディスプレイパネルのバックライト用光源として、側面発光タイプの光半導体装置がある。この種の光半導体装置は、液晶ディスプレイパネルの薄型化の要求が高いために、パッケージ厚さが１．０ｍｍ以下と非常に薄いことが特徴である。
【０００８】
なお説明すると、白色光半導体装置の適用製品の１つとして、小型化、薄型化が可能である特徴を生かした液晶のバックライト光源がある。現在では、たとえば携帯電話に使用される３ｉｎｃｈ前後のバックライト光源の多くに、０．８ｍｍ幅のスリムタイプの光半導体装置が多用されている。
【０００９】
図８は、上記した極く薄型タイプの液晶バックライト光源である側面発光タイプの光半導体装置Ｋａの模式的な正面図であり、図９は図８に示す光半導体装置ＫａのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１０】
ここで光半導体装置Ｋａの外形寸法は、０．８（Ｈ）×２．８（Ｗ）×１．２（Ｃ）ｍｍ３に設定されている。青色光を発光する光半導体素子１は、０．２５（Ｓａ）×０．５（Ｓｂ）×０．１５（Ｓｃ）ｍｍ３であり、２０ｍＡの電流を流すと８０ｌｍ／ｗの出力が得られる高効率タイプである。
【００１１】
光半導体素子１は、基材としてＡｌ２Ｏ３が用いられ、最上面には青色に発光する発光層が形成されていて、発光層上にアノード電極１ａとカソード電極１ｂとの２つの電極が設けられる。光半導体素子１は、金属フレームである第１のインナーリード２Ａの平面実装部１０に接続用樹脂材（熱硬化性樹脂材）３を介してダイマウントされている。
【００１２】
上記アノード電極１ａは、金属ワイヤ４を介して第１のインナーリード２Ａの平面実装部１０に電気的に接続される。カソード電極１ｂは、金属ワイヤ４を介して前記第１のインナーリード２Ａとは電気的に独立した第２のインナーリード２Ｂ主面に電気的に接続される。
【００１３】
前記第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂは、配線基材として厚さが０．１５ｍｍ（ｃ）の銅材が用いられ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキされるが、他のメッキされた金属材であってもよい。第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂにおける主面側と反主面側に突出し、白色の熱可塑性樹脂材からなるケース（反射部材）５がモールド形成されている。
【００１４】
前記ケース５の外形は、０．８（Ｈ）×２．５（Ｗａ）×１．２（Ｃ）×ｍｍ３であり、光半導体素子１と金属ワイヤ４のインナーリード２接続部およびこれら周辺の主面一部が露出するよう０．５（Ｈａ）×２．２（Ｗｂ）×０．５（Ｃｂ）ｍｍ３に形成された開口部６が設けられる。
【００１５】
ケース５の縦横外形寸法（Ｈ×Ｗａ）から開口部６の縦横外形寸法（Ｈａ×Ｗｂ）を差し引いた寸法ａ分が、開口部６周りの厚み（肉厚）として確保されている。開口部６周面は、後述するように光半導体素子１から発光された光を反射する光反射部であるリフレクタとして機能させている。
【００１６】
このようにして、ケース５における第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂから一端側は、開口部６を有する中空筒体であり、他端側は開口部を有さない中実体に形成される。第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂを基準として見ると、互いに対向する辺の端部を除く端部がケース５に内包され、開口部６一側端を閉塞する。
【００１７】
モールド成型樹脂であるケース５は、主剤としてポリフタルアミドが用いられ、μｍオーダの高密度でＴｉＯ２粒子が充填されて、光が入射するとＴｉＯ２粒子が効率よく光を反射する。ケース５の開口部６内全ては、青色光を黄色光に波長変換する蛍光体を含有した、透明性を有するシリコーン樹脂材である封止部材７によって封止される。
【００１８】
ところで、上記光半導体装置Ｋａでは、ケース５における開口部６周りの厚み寸法ａが、全周に亘って０．１５ｍｍと極めて薄い。そのため、光半導体素子１から封止部材７を介して照射された光の一部が開口部６周面で反射されることなく、そのまま開口部６周りの厚み部分を透過し、外部へ漏れる不具合がある。
【００１９】
図１０（Ａ）は以上の現象を説明するための、配光角の測定方向を示す図であり、図１０（Ｂ）は配光角と光相対強度の特性図である。  
図１０（Ａ）に示すように配光角の測定方向を設定して測定したとき、図１０（Ｂ）に示すように出光すべき方向である発光面に対して、９０度（垂直）方向にも出光している。したがって、光半導体装置Ｋａにおける本来の発光面（正面方向）の輝度が低下してしまうという課題がある。
【００２０】
このような光半導体装置Ｋａにおける発光面の垂直方向へ出光する理由は、以下の通りと考えられる。  
すなわち、開口部６周面をリフレクタとして機能させるケース５は、モールド成型樹脂材からなり、これは透明樹脂材中に高い光反射率を有するＴｉＯ２の粒子を混合したものである。光半導体素子１から照射された光は封止部材７を透過し、ケース５の開口部６周面からＴｉＯ２粒子に衝突して反射される。
【００２１】
ケース５の樹脂材全てがＴｉＯ２粒子であるならば光を効率よく反射できるが、実際には透明樹脂材中にＴｉＯ２粒子が混在しているために、照射した光の全てが開口部６周面で反射されることはない。光の一部は開口部６周りの厚み部分に侵入し、ここに存在するＴｉＯ２粒子によって発光面もしくは発光面以外の方向へ反射されてしまう。
【００２２】
図１１（Ａ）は樹脂厚さに対する透過率の関係を示す特性図、図１１（Ｂ）は樹脂厚さと反射率の関係を示す特性図であり、いずれも樹脂厚さとして、ケース開口部６周りの厚み（肉厚）部寸法ａを意味している。
【００２３】
図１１（Ａ）の実線変化で示す入射光波長が５７０ｎｍの場合も、破線変化で示す入射光波長が４６０ｎｍの場合も、樹脂厚さが略０．１ｍｍ程度で透過率が最も高く、略０．１ｍｍから略０．２ｍｍの間で激減する。樹脂厚さが略０．２ｍｍから略０．３ｍｍの間は透過率の低下が緩やかになり、略０．３ｍｍ以上はほとんど変りがない。
【００２４】
図１１（Ｂ）において、実線変化で示す入射光波長が５７０ｎｍの場合も、破線変化で示す入射光波長が４６０ｎｍの場合も、樹脂厚さが略０．１ｍｍ程度で反射率が最も低く、樹脂厚さが略０．１ｍｍから略０．２ｍｍの間で急激に増大する。樹脂厚さが略０．２ｍｍを越え０．３ｍｍに至る間で反射率の増加がなくなり一定を保持する。
【００２５】
以上の特性図によれば、ケース５の厚み寸法ａが０．３ｍｍよりも薄くなった場合に、一部の光がケース５の開口部６周りの厚みを構成するＴｉＯ２粒子間を透過して、透過率が増大するとともに、反射率が低下している。
【００２６】
この現象が、従来構造の光半導体装置におけるケース５の開口部６周りの厚みが薄い（０．１５ｍｍ）状態で、光半導体素子１の出力に対して光半導体装置の発光面（正面）方向で得られる輝度が低下し、かつ光半導体装置の発光面の垂直方向まで出光してしまう理由と考えられる。
【００２７】
本発明は前記事情にもとづきなされたものであり、その目的とするところは、たとえば液晶ディスプレイパネルのバックライト光源として用いられる薄型で側面発光タイプでありながら、光の取出し効率を向上させた光半導体装置と、この光半導体装置を構成するインナーリードの製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記目的を満足するため本発明の光半導体装置は、白色樹脂材からなり開口部を備えた中空筒体である反射部材と、反射部材の一側端に内包される端部を備え開口部に対向して平面実装部を備えた第１のインナーリードおよび、第１のインナーリードとは電気的に独立して設けられ第１のインナーリードとともに反射部材の開口部一側端を閉塞する第２のインナーリードと、第１のインナーリードの平面実装部に実装され表面に発光層および電極を備え、電極は金属ワイヤを介して第１のインナーリードの平面実装部と第２のインナーリードに電気的に接続される光半導体素子と、反射部材の開口部に充填され第１のインナーリードの平面実装部に実装される光半導体素子を封止する透光性を有する樹脂材である封止部材とを具備し、第１のインナーリードは反射部材に内包される端部に開口部の形成方向に沿って突出する突起部が設けられる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、たとえば、液晶ディスプレイパネルのバックライト光源として用いられる薄型で側面発光タイプの光半導体装置でありながら、光の取出し効率の向上化を得られる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明における実施の形態に係る、光半導体装置の模式的な正面図。
【図２】同実施の形態に係る、図１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図。
【図３】同実施の形態に係る、光半導体装置の模式的な下面図と側面図。
【図４】同実施の形態に係る、光半導体装置を構成する第１のインナーリードと、光半導体素子の実装状態を説明する図。
【図５】本発明における第１の実施の形態に係る、光半導体装置を構成する第１のインナーリードの製造方法を順に示す図。
【図６】本発明における第２の実施の形態に係る、光半導体装置を構成する第１のインナーリードの製造方法を順に示す図。
【図７】本発明における第３の実施の形態に係る、光半導体装置を構成する第１のインナーリードの製造方法を順に示す図。
【図８】従来例である、光半導体装置の平面図。
【図９】同従来例である、図８のＡ−Ａ線に沿う縦断面図。
【図１０】同従来例である、光半導体装置における配光角の測定方向を説明する図と、配光角に対する光相対強度の特性図。
【図１１】同従来例である、光半導体装置のケース樹脂の厚さ寸法に対する透過率の特性図と、ケース樹脂の厚さ寸法に対する反射率の特性図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて説明する。  
図１は光半導体装置Ｋの正面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３（Ａ）は光半導体装置Ｋの下面図、図３（Ｂ）は光半導体装置Ｋの側面図であり、いずれも模式的に示している。
【００３２】
この光半導体装置Ｋの外形寸法は０．８×２．８×１．２ｍｍ３である。青色光を発光する光半導体素子１の外形寸法は、０．２５×０．５×０．１５ｍｍ３であり、２０ｍＡの電流を流すと８０ｌｍ／ｗの出力が得られる高効率タイプであることは、先に説明したものと変りがない。
【００３３】
光半導体素子１の素材と構造も同様であり、同一素材で同一厚さに形成される第１のインナーリード２Ａの平面実装部１０に接続用樹脂材３を介してダイマウントされる。アノード電極１ａとカソード電極１ｂが金属ワイヤ４を介して第１のインナーリード２Ａの平面実装部１０と第２のインナーリード２Ｂに電気的に接続されることも変りがない。  
なお、第１のインナーリード２Ａについては後述する。
【００３４】
第１のインナーリード２Ａおよび第２のインナーリード２Ｂにおける主面側と反主面側に先に説明したものと同一素材で同一外形寸法のケース（反射部材）５がモールド形成される。すなわち、第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂの端部（互いに対向する辺の端部は除く）が、ケース５に内包されている。
【００３５】
このケース５は、第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂの主面側が中空筒体に形成され、リフレクタとして機能する開口部６を備えていることと、開口部６内全てが先に説明したものと同一素材の封止部材７によって封止されることも変りがない。
【００３６】
したがって、ケース５の開口部６周りの厚み寸法ａが、全周に亘って０．１５ｍｍと極めて薄く、そのままでは光半導体素子１から封止部材７を介して照射された光の一部が開口部６周面で反射されることなく、開口部６周りの厚み部分を透過して外部へ漏れてしまう。
【００３７】
つぎに、上記第１のインナーリード２Ａについて詳細に説明する。  
図４はケース５と封止部材７を省略して示し、光半導体素子１を実装する第１のインナーリード２Ａと、第２のインナーリード２Ｂの正面図である。ここでも、第１、第２のインナーリード２Ａ，２Ｂを模式的に示している。以下、第１のインナーリード２Ａを、単に、「インナーリード２Ａ」と呼ぶ。
【００３８】
インナーリード２Ａを構成する平面実装部１０は、正面視で四辺形状をなしていて、この周辺部は、互いに並行な縦辺である第１の辺部ｄと、これら第１の辺部ｄと直交する方向に、互いに並行である横辺である第２の辺部ｅとから形成される。第１の辺部ｄよりも第２の辺部ｅが長く形成されている。
【００３９】
したがって、インナーリード平面実装部１０の正面視形状は、先に説明したケース５における開口部６の正面視形状と相似形をなす。平面実装部１０の一方の短辺側である第１の辺部ｄに沿って、外部接続端子部Ｆが一体に折曲形成されていて、この外部接続端子部Ｆは表面実装時に基板にはんだ接続される。
【００４０】
さらに、インナーリード２Ａにおける平面実装部１０の側端部である第２の辺部ｅに沿い、特に光半導体素子１と対向する部位のみ突起部Ｔが一体に設けられる。なお説明すると、光半導体素子１は平面実装部１０の一側部に実装され、図において光半導体素子１の上辺部と下辺部にそれぞれ並行な第２の辺部ｅに、前記突起部Ｔが存在する。
【００４１】
突起部Ｔの左右幅寸法ｔａは、先に図８で説明したように光半導体素子１の左右幅寸法Ｓｂ（０．５ｍｍ）と少なくとも同一の長さであり、好ましくは前記Ｓｂよりも長く必要である。いずれにしても、それぞれの突起部Ｔは光半導体素子１と正しく対向しなければならない。
【００４２】
後述するように、突起部Ｔはケース５の開口部６周りの厚み部分に内包する位置に形成するので、突起部Ｔの厚み寸法ｔｂは、先に図９で説明したように開口部６周りの厚み寸法ａ（０．１５ｍｍ）に対して余裕がある、たとえば０．０５ｍｍ（５０μｍ）とし、開口部６周りの厚み部分の略中央部に突起部Ｔが位置することが望ましい。
【００４３】
再び図１に示すように、インナーリード２Ａにおける平面実装部１０の側端部である上辺部と下辺部で、かつ光半導体素子１と対向する部位に、光半導体素子１よりも長く形成される突起部Ｔが設けられている。突起部Ｔはケース５の開口部６周りに内包されるインナーリード２Ａの端部に設けられる。
【００４４】
再び図２に示すように、突起部Ｔは平面実装部２の側端部に、たとえば段部を加工することで形成される。先に図９で説明したように、インナーリード２Ａの板厚寸法ｃが０．１５ｍｍであるので、突起部Ｔの突出高さ寸法はインナーリード２の板厚寸法ｃの略半分ｃ／２（０．０７５ｍｍ＝７５μｍ）とすれば、無理のない加工で得られる。
【００４５】
このようにして構成される光半導体装置であり、実際には、光半導体素子１は青色光を発光する。この青色光が封止部材７を構成する蛍光体入りシリコーン樹脂材を透過することで、青色光の一部が黄色光に波長変更される。ケース５の開口部６周面がリフレクタとして機能し、封止部材７を透過する光を反射案内する。
【００４６】
上述したように、中空筒体であるケース５における開口部６周りの厚み寸法ａが、全周に亘って０．１５ｍｍと極めて薄い。そのため、光半導体素子１から封止部材７を介して照射された光の一部が開口部６周面で反射されることなく、そのまま開口部６周りの厚み部分を透過し、かつ外部へ漏れようとする。
【００４７】
しかしながら、ここではインナーリード２Ａの平面実装部１０における第２の辺部ｅ側端から、平面実装部１０の面方向に、少なくとも光半導体素子１と同一長さで、好ましくは光半導体素子１よりも長い長さ寸法の一対（２条）の突起部Ｔが設けられていて、これら突起部Ｔは、ケース５の開口部６周りの厚み部分に内包されている。
【００４８】
一方、開口部６周面をリフレクタとして機能させるケース５は、透明樹脂材中に高い光反射率を有するＴｉＯ２の粒子を混合したものである。封止部材７を透過したあと、開口部６周面のＴｉＯ２粒子に衝突して封止部材７へ反射される光と、ＴｉＯ２粒子に衝突せずに、そのまま開口部６周りの厚み部分に侵入してくる光がある。
【００４９】
上記突起部Ｔは金属フレームからなるので、開口部６周りのケース５厚み部分に侵入してきた一部の光はここで反射され、再び封止部材７へ導かれる。この種の光半導体装置においては、光反射特性が１％向上することでも極めて有効であるところ、数％の光反射特性の向上が見込まれる。
【００５０】
青色光と黄色光とが封止部材７から出た状態で、人間の視覚が擬似的に白色と認め、白色を発光する光半導体装置として適用される。たとえば、液晶ディスプレイパネルのバックライト光源として光半導体素子１をインナーリード２Ａに備えて発光するから、投入電力に見合う、もしくは投入電力以上の高輝度が得られ、発光効率の向上を図れる。
【００５１】
以上述べた光半導体装置は、白色を発光する発光光源であるので、それ単独で照明装置の光源として用いるのに最適である。あるいは他の色の発光光源と併用して表示装置の光源として用いるのにも最適である。そして、特に薄型に構成されサイドビュー状態で発光するところから、液晶ディスプレイパネルのバックライト用として最適である。
【００５２】
つぎに、突起部Ｔを有するインナーリード２Ａの製造方法について説明する。  
図５（Ａ）ないし（Ｄ）は、第１の実施の形態に係る、突起部Ｔを有するインナーリード２Ａの製造方法を順に示す図である。
【００５３】
図５（Ａ）に示すように、第１の工程として、下金型（第１の金型）２０に形成される凸部２０ａ上にインナーリード素材２２Ａを載置し、上金型（第２の金型）３０と対向させる。上金型３０には凹部３０ａが形成されていて、この凹部３０ａと下金型２０の凸部２０ａとが正しく対向して組立てられている。
【００５４】
インナーリード素材２２Ａの板厚寸法をｃ、下金型凸部２０ａの突出寸法と、上金型凹部３０ａの凹陥寸法は互いにｃ／２とし、下金型凸部２０ａと上金型凹部３０ａの幅寸法Ｄを、先に図９で説明したインナーリード２Ａの幅寸法Ｄと同一に設定する。
【００５５】
ただし、インナーリード素材２２Ａでの幅寸法は、前記幅寸法Ｄよりも長いものを用意する。したがって、インナーリード素材２２Ａの両側部は下金型２０の凸部２０ａ両側端から突出した状態で載置される。
【００５６】
図５（Ｂ）に示すように、第２の工程として、上金型３０を降下させる。上金型３０の凹部３０ａ以外の下面がインナーリード素材２２Ａ上面に接触してもなお降下を継続し、上金型３０の凹部３０ａ以外の下面と下金型２０の凸部２０ａ以外の上面との差が、ｃの位置で上金型３０の降下を停止する。
【００５７】
このことにより、上金型３０は下金型凸部２０ａ上のインナーリード素材２２Ａを、ｃ／２分だけ加圧する。インナーリード素材２２Ａは前記幅寸法Ｄの両側部で塑性変形し、ｃ／２分だけの段差が生じる。
【００５８】
すなわち、インナーリード素材２２Ａの下金型凸部２０ａに載っていた部分はそのまま残り、インナーリード素材２２Ａの凸部２０ａと上金型凹部３０ａの両側端部分は板厚がｃ／２となり、前記両側端部分よりも外側部位のインナーリード素材２２Ａはｃ／２分だけ落ち込んだ段部ｂとなる。
【００５９】
図５（Ｃ）に示すように、第３の工程として、上金型３０を上昇させてから、一対のカッタＫをインナーリード素材２２Ａの段部ｂの上方に対向する。これらカッタＫの刃先相互間寸法Ｌは、インナーリード２Ａの幅寸法Ｄに、先に図４で説明した突起部Ｔ厚み寸法ｔｂの２倍（Ｄ＋２ｔｂ）に設定する。
【００６０】
図５（Ｄ）に示すように、第４の工程として、一対のカッタＫを同時に降下させてインナーリード素材２２Ａに形成された段部ｂを切断する。インナーリード素材２Ａから切り離された部分Ｚを廃棄し、カッタＫ相互間部分を取出して、天地逆にすれば、先に説明したような寸法形状の突起部Ｔを有するインナーリード２Ａを得られることとなる。
【００６１】
第１の実施の形態における製造方法では、インナーリード素材２２Ａを下金型２０と上金型３０で塑性加工したあと、カッタＫにより切断する機械的処理により所望の形状構造のインナーリード２Ａを得ている。すなわち、全工程を機械的に処理するので、比較的短時間で多量に製造でき、コストの低減化を図れる。
【００６２】
図６（Ａ）ないし（Ｄ）は、第２の実施の形態に係る、突起部Ｔを有するインナーリード２Ａの製造方法を順に示す図である。  
図６（Ａ）に示す第１の工程と、図６（Ｂ）に示す第２の工程は、先に図５（Ａ）と図５（Ｂ）で説明した第１の実施の形態に係る第１の工程と第２の工程と全く同一の作用をなし、同一の結果を得られるので、ここでは同図を適用して新たな説明は省略する。
【００６３】
図６（Ｃ）に示すように、第３の工程として、上金型３０を上昇させてから、インナーリード素材２２Ａに対して部分的にマスクを当て、段部ｂをパターンとして保護膜ｇを塗布する。  
保護膜ｇの塗布領域Ｌは、両側段部ｂ相互間と、段部ｂの必要領域である。なお説明すると、インナーリード２Ａの幅寸法Ｄに、先に図４で説明した突起部Ｔ厚み寸法ｔｂの２倍（Ｄ＋２ｔｂ）に設定する。
【００６４】
図６（Ｄ）に示すように、第４の工程として、インナーリード素材２２Ａに対するエッチング処理を行う。保護膜ｇでコートされなかった部分は腐蝕して消滅し、保護膜ｇでコートされた部分２Ａａのみが残る。
【００６５】
図６（Ｅ）に示すように、第５の工程として、保護膜ｇを化学的に除去する処理を行う。そのあと天地逆にすれば、先に説明したような寸法形状の突起部Ｔを有するインナーリード２Ａを得られることとなる。
【００６６】
第２の実施の形態における製造方法では、インナーリード素材２２Ａを下金型２０と上金型３０で塑性加工したあと、保護膜ｇ塗布、エッチング処理、保護膜ｇ除去の、化学的処理により所望の寸法形状構造のインナーリード２Ａを得ている。手間がかかるが、切断加工時に生じ易い残留応力が全く無いので、より高精度化を図れる。
【００６７】
図７（Ａ）ないし（Ｄ）は、第３の実施の形態に係る、突起部Ｔを有するインナーリード２の製造方法を順に示す図である。  
図７（Ａ）に示すように、第１の工程として、下金型（第１の金型）４０に形成される凸部４０ａ上にインナーリード素材２２Ｂを載置し、上金型（第２の金型）５０と対向させる。上金型５０には凹部５０ａが形成されていて、この凹部５０ａと下金型４０の凸部４０ａとが正しく対向して組立てられている。
【００６８】
ここではインナーリード素材２２Ｂの板厚寸法をｃａとし、得られるインナーリード２の板厚寸法ｃよりも若干厚い寸法となす。インナーリード素材２２Ｂの幅寸法をＬａとするが、これはインナーリード２の幅寸法Ｌに、得られる突起部Ｔの幅寸法ｔｂを２倍してプラス（Ｌａ＝Ｌ＋２ｔｂ）したものである。
【００６９】
また、下金型凸部４０ａの突出寸法は、得られるインナーリード２の板厚ｃの半分（ｃ／２）とし、幅寸法Ｄは、得られるインナーリード２の突起部Ｔ相互間の幅寸法Ｄと同じとする。したがって、下金型４０の上面からインナーリード素材２Ｂ上面までの寸法Ｃ２は、ｃ／２＋ｃａとなる。
【００７０】
これに対して上金型５０の凹部５０ａにおける幅寸法Ｌは、先に図５（Ｃ）と図６（Ｃ）に示すように、インナーリード２の幅寸法Ｄに突起部Ｔ厚み寸法ｔｂの２倍（Ｄ＋２ｔｂ）に設定する。凹部５０ａの深さ寸法Ｃ１は、インナーリード２の板厚寸法ｃに突起部Ｔの高さ寸法ｃ／２をプラス（ｃ＋ｃ／２）したものとなる。
【００７１】
図７（Ｂ）に示すように、第２の工程として、上金型５０を降下させ、上金型５０の凹部５０ａ以外の下面がインナーリード素材２２Ｂ上面に接触してもなお降下を継続する。したがって、上金型５０が、上金型凹部５０ａから外側のインナーリード素材２２Ｂ側端部を加圧し、凹部５０ａ周面でインナーリード素材２２Ｂを塑性変形させる。
【００７２】
インナーリード素材２２Ｂの両側端部は、下金型４０の凸部４０ａ周面に沿って下方に突出する。この状態では、インナーリード素材２２Ｂの塑性変形される両側端部相互間におけるインナーリード素材２２Ｂの上面と上金型５０の凹部５０ａ面とは離間している。したがって、インナーリード素材２２Ｂの板厚ｃａは変化なく、そのまま保持される。
【００７３】
さらに上金型５０の降下を継続するので、ついには上金型凹部５０ａ面がインナーリード素材２２Ｂの上面に接する。しかしながら、上金型５０の降下を継続して、第３の工程となる。
【００７４】
図７（Ｃ）に示すように、第３の工程として、上金型５０の降下を継続することで、凹部５０ａ面がインナーリード素材２２Ｂの板厚を薄くするよう加圧する。これにともない、下金型４０の凸部４０ａ両側部に突出する部分がさらに延びる。上金型５０の下面が下金型４０の凸部４０ａ以外の上面に接したとき、上金型５０の加圧を終了する。
【００７５】
図７（Ｄ）に示すように、第４の工程として、上金型５０を上昇し、下金型４０の凸部４０ａ上にある変形したインナーリード２を取り出す。この場合のインナーリード２は、幅寸法Ｌが上金型凹部５０ａの幅寸法と同一で、板厚寸法ｃが上金型凹部５０ａの深さ寸法Ｃ１から下金型凸部４０ａの突出寸法ｃ／２を差し引いた値となる。
【００７６】
そして、インナーリード２の両側部には、下方に略Ｌ字状に突出する突起部Ｔが形成されていて、それぞれの突起部Ｔ相互間の幅寸法Ｄは下金型凸部４０ａの幅寸法Ｄと同一である。上金型凹部５０ａの幅寸法Ｌ（Ｄ＋ｔｂ）から、突起部Ｔの幅寸法はｔｂとなり、突出寸法ｃ／２は下金型突部４０ａの突出寸法ｃ／２と同一である。
【００７７】
このようにして、いわゆる「圧印（コイニング）」と呼ばれる圧力加工方法により、段差の無い、所望寸法構造のインナーリード２が得られる。前記した第１、第２の実施の形態では生じていた棄材がなく、材料費の低減化を得られる。ただし、極めて正確な曲げ精度を得るために、極めて大なる加圧力を備えた大掛かりな設備が必要である。
【００７８】
なお、本発明は上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。そして、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより種々の発明を形成できる。
【符号の説明】
【００７９】
ｄ…第１の辺部、ｅ…第２の辺部、１０…平面実装部、２Ａ…第１のインナーリード、２Ｂ…第２のインナーリード、１ａ，１ｂ…電極、４…金属ワイヤ、１…光半導体素子、６…開口部、５…ケース（反射部材）、７…封止部材、Ｔ…突起部、２０…下金型（第１の金型）、２０ａ…凸部、３０ａ…凹部、３０…上金型（第２の金型）、２２Ａ…インナーリード素材、Ｋ…カッタ、ｇ…保護膜、４０…下金型（第１の金型）、４０ａ…凸部、５０…上金型（第２の金型）、５０ａ…凹部、２２Ｂ…インナーリード素材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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