(57)【要約】【課題】ナノホール深さのメディア間のバラツキに基づく、リード／ライト特性のメディア間のバラツキを抑制することができる磁気記録媒体及びその製造方法の提供。【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、アルミニウム含有層形成工程と、ナノホール構造体形成工程と、磁性材料充填工程と、エッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法において、ナノホール構造体が、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含み、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量を制御することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、アルミニウム含有層を形成するアルミニウム含有層形成工程と、前記アルミニウム含有層を陽極酸化して、前記基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成されたナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程と、前記ナノホールの内部に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、前記ナノホール構造体をイオンミリングによりエッチングするエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法において、前記ナノホール構造体が、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含み、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量を制御することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を質量分析装置により検出する請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程においてエッチングされずに残存した酸化アルミニウム含有層は、前記エッチング工程においてエッチングされた酸化アルミニウム含有層よりも、硬度が高い請求項１乃至２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記添加物が、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗ、及びそれらの混合物のいずれかを含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、表面の突起高さが５ｎｍ以下である請求項５に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に関し、特に、アルミニウムの陽極酸化により形成されたナノホール構造体を用いて製造されたナノホール垂直パターンドメディア及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムの陽極酸化により形成されるアルミナナノホールは、通常、ハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法により形成されたナノドットに較べて、安価に製造できるメリットがある。
【０００３】
また、二段陽極酸化法やインプリント法を用いることにより、ナノホールの規則配列も可能となっており、斯かるナノホールが形成されたナノホール構造体の研究・開発が盛んに行われている。
ナノホール構造体の応用例として、光学素子、量子効果デバイス、ガスセンサー、電解放出型ディスプレー、分子センサー、など多方面への応用が期待されている。さらに、ナノホール構造体におけるアルミナナノホールの中に金属を充填し、センサーや磁気記録媒体を作製する研究も古くから行われている。
【０００４】
図５、図６Ａ、及び図６Ｂは、ナノホール構造体を用いて作製された磁気記録媒体の一例を示している（例えば、特許文献１）。
図５において、磁気記録媒体５００は、基板５０１と、基板５０１上に形成された下地層５０２と、下地層５０２上に形成された酸化アルミニウム含有層５０３と、酸化アルミニウム含有層５０３に形成されたアルミナナノホール内に充填された強磁性金属５０４とを備える。
図６Ａ及び図６Ｂにおいて、磁気記録媒体６００は、基板６０１と、基板６０１上に形成された裏打ち層６０２と、裏打ち層６０２上に形成された下地電極層６０３と、下地電極層６０３上に形成された酸化アルミニウム含有層（アルミナ層）６０４と、酸化アルミニウム含有層（アルミナ層）６０４に形成されたアルミナナノホール内に充填された記録部６０５とを備える。
【０００５】
ここで、例えば、図７Ａに示すような陽極酸化装置７００を用いて、陽極酸化によりナノホールを形成した場合、ナノホールは、基板面に対し略直交する方向に細長く（高アスペクト比で）成長する。このナノホール中に磁性材料を充填すると、充填された磁性材料が形状異方性効果により垂直方向に磁化するため垂直記録膜として使用することができる。
なお、図７Ａにおいて、陽極酸化装置７００は、陽極酸化浴としての酸性電解溶液７０１に浸漬された試料（Ａｌ）７０２及び陰極７０３と、試料（Ａｌ）７０２及び陰極７０３間に配設された電流計７０４、スイッチ７０５、及び直流電源７０６とを備える。
【０００６】
陽極酸化によるナノホール形成は以下のように行われる。図７Ｂ及び図８Ａ〜Ｄに示されるように、陽極酸化電圧印加と同時に、Ａｌ膜８００表面にバリア層（酸化膜層）８０１が形成され（図７ＢにおけるＡ、図８Ａ）、バリア層（酸化膜層）８０１表面に複数の凹部が形成され（図７ＢにおけるＢ、図８Ｂ）、形成された凹部のうち陽極酸化電圧に対応した間隔にある部分の窪みが成長し（図７ＢにおけるＣ、図８Ｃ）、成長した窪みがさらに成長してナノホールが形成される（図７ＢにおけるＤ、図８Ｄ）。
このように陽極酸化によりナノホールを形成する場合、ナノホールの初期層（バリア層における凹部）の成長に時間が必要となることから、ナノホールの深さが揃うまでは５０ｎｍ以上のナノホール深さが必要となる（図７Ｂ及び図８Ａ〜Ｄ）。一方、高密度記録のためには、記録層厚さは２０ｎｍ以下であることが望ましい。このため、ナノホール垂直パターンドメディアにおいてナノホール深さ（＝記録層厚さ）を浅くするためには、ＣＭＰ法などの研磨法が用いられている。
【０００７】
しかしながら、ＣＭＰ法により研磨した場合、研磨後のナノホール深さの制御が困難であることから、研磨後のメディア間において、ナノホール深さ（＝記録層厚さ）のバラツキに基づいて、リード／ライト特性にバラツキが生じ、問題となっている。
なお、特許文献２には、半導体基体にその表面から正確な深さの凹部を形成する方法が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７５６２１号公報
【特許文献２】特開昭６０−１５４５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、ナノホール深さのメディア間のバラツキに基づく、リード／ライト特性のメディア間のバラツキを抑制することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上に、アルミニウム含有層を形成するアルミニウム含有層形成工程と、前記アルミニウム含有層を陽極酸化して、前記基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成されたナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程と、前記ナノホールの内部に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、前記ナノホール構造体をイオンミリングによりエッチングするエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法において、前記ナノホール構造体が、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含み、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量を制御することを特徴とする。
該磁気記録媒体の製造方法では、前記アルミニウム含有層形成工程において、基板上に、アルミニウム含有層が形成され、前記ナノホール構造体形成工程において、前記アルミニウム含有層が陽極酸化され、前記基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成されたナノホール構造体が形成され、前記磁性材料充填工程において、前記ナノホールの内部に磁性材料が充填され、前記エッチング工程において、前記ナノホール構造体がイオンミリングによりエッチングされ、前記ナノホール構造体が、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含み、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号が検出され、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量が制御される。その結果、ナノホール深さのメディア間のバラツキに基づく、リード／ライト特性のメディア間のバラツキを抑制することができる。
【００１１】
本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする。
該磁気記録媒体では、本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造されたので、ナノホール深さのメディア間のバラツキに基づく、リード／ライト特性のメディア間のバラツキを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、ナノホール深さのメディア間のバラツキに基づく、リード／ライト特性のメディア間のバラツキを抑制することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、アルミニウム含有層形成工程と、ナノホール構造体形成工程と、磁気材料充填工程と、エッチング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
【００１４】
＜アルミニウム含有層形成工程＞
前記アルミニウム含有層形成工程は、基板上にアルミニウム含有層を形成する工程である。
【００１５】
＜＜基板＞＞
前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材質等について特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記形状としては、前記磁気記録媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合には、円板状であり、また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、前記材質としては、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、等が挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、前記基板として、後述する電極層と一体化された導電性基体としてのｎ＋＋またはＰ＋＋のＳｉ基板を用いてもよい。
なお、前記基板は、適宜製造したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
【００１６】
＜＜アルミニウム含有層＞＞
前記アルミニウム含有層は、添加物を含むアルミニウム含有層と、前記添加物を含まないアルミニウム含有層とを含む多層構造であれば、その形状、構造等について目的に応じて適宜選択することができ、例えば、添加物（例えば、後述するＴｉ）を含むアルミニウム含有層と、前記添加物（例えば、後述するＴｉ）を含まないアルミニウム含有層からなる２層構造であるアルミニウム含有層、添加物（例えば、後述するＴｉ）を含むアルミニウム含有層と、前記添加物（例えば、後述するＴｉ）を含まず、前記添加物とは異なる添加物（例えば、後述するＷ）を含むアルミニウム含有層の２層構造であるアルミニウム含有層などが挙げられる。
【００１７】
前記添加物としては、後述するエッチング工程において、飛散されたものに由来する信号を検出することができるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗ、及びそれらの混合物のいずれかを含むものが好ましい。
【００１８】
＜ナノホール構造体形成工程＞
前記ナノホール構造体形成工程は、アルミニウム含有層を陽極酸化して、前記基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成されたナノホール構造体を形成する工程である。
【００１９】
＜＜ナノホール構造体＞＞
前記ナノホール構造体としては、基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成され、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層との多層構造であること以外には特に制限はなく、その形状、構造、大きさ等について目的に応じて適宜選択することができる。
【００２０】
前記形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、板状、円板状（ディスク状）などが好適に挙げられる。これらの中でも、円板状（ディスク状）であるのが好ましい。
なお、前記形状が、板状、円板状等である場合には、前記ナノホール（細孔）は、これらの一の露出面（板面）に対し、略直交する方向に形成される。該ナノホールとしては、前記ナノホール構造体を貫通して孔として形成されていてもよいし、前記ナノホール構造体を貫通せず穴（窪み）として形成されていてもよいが、例えば、前記ナノホール構造体を前記磁気記録媒体として使用する場合には、前記ナノホールが前記ナノホール構造体を貫通する貫通孔として形成されているのが好ましい。
【００２１】
前記構造としては、多層構造であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、既存のハードディスク等の大きさに対応した大きさが好ましい。
【００２２】
前記ナノホール列の配列としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、一方向に平行に配列していてもよいし、同心円状及び螺旋状の少なくともいずれかに配列していてもよい。後者の配列が好ましく、特に、ハードディスク用途の場合にはアクセスの容易性の観点から同心円状が好ましく、ビデオディスク用途の場合には連続再生の容易性の観点から螺旋状が好ましい。
なお、隣接するナノホール列におけるナノホールが、半径方向に配列しているのが好ましい。この場合、磁気記録媒体は、磁気ヘッドの書込み電流を増やすことなく高密度記録・高速記録が可能で大容量であり、オーバーライト特性に優れ、均一な特性を有し、特にクロスリードやクロスライト等の問題がなく、極めて高品質である。
【００２３】
隣接する前記ナノホール列の間隔としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜５００ｎｍが好ましく、１０〜２００ｎｍがより好ましい。
前記間隔が、５ｎｍ未満であると、ナノホールの形成が困難であり、５００ｎｍを超えると、ナノホールの規則的配列が困難である。
【００２４】
前記ナノホール列の幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜４５０ｎｍが好ましく、８〜２００ｎｍがより好ましい。
前記ナノホール列の幅が、５ｎｍ未満であると、ナノホールの形成が困難であり、４５０ｎｍを超えると、ナノホールの規則配列が困難である。
【００２５】
前記ナノホールにおける開口径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その強磁性層を単磁区とすることができる大きさが好ましく、具体的には、１００ｎｍ以下が好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましい。
前記ナノホールにおける開口径が、１００ｎｍを超えると前記ナノホール構造体を適用した磁気記録媒体が単磁区構造にならないことがある。
【００２６】
前記ナノホールにおける深さと開口径とのアスペクト比（深さ／開口径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、高アスペクト比であると、形状異方性が大きくなり、磁気記録媒体の保持力を向上させることができる点で好ましく、例えば、前記ナノホール構造体をハードディスク等の磁気記録媒体に適用する場合、２以上であるのが好ましく、３〜１５であるのがより好ましい。
前記アスペクト比が、２未満であると、磁気記録媒体の保持力を十分に向上させることができないことがある。
【００２７】
前記ナノホール構造体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２８】
また、前記ナノホールのピッチは、陽極酸化処理における電圧によって適宜決定され、ほぼ陽極酸化電圧（Ｖ）の２．５倍（ｎｍ）となる。したがって、前記陽極酸化処理における電圧としては、特に制限はないが、例えば、３〜４０Ｖが好ましく、３〜１０Ｖがより好ましい。
前記電圧が、３〜４０Ｖであると、前記記録媒体の高密度化を実現することができ、３〜１０Ｖであると、前記ナノホールのピッチを、７〜２５ｎｍとすることができ、前記磁気記録媒体の更なる高密度化を図ることができる点で、特に有利である。
なお、前記陽極酸化処理における電解液の種類、濃度、温度、時間等としては、特に制限はなく、形成するナノホールの数、大きさ、アスペクト比等に応じて適宜選択することができる。例えば、前記電解液の種類としては、希釈リン酸溶液、希釈蓚酸溶液、希釈硫酸溶液等が好適に挙げられる。いずれの場合も、前記ナノホールのアスペクト比の調整は、陽極酸化処理後にリン酸溶液に浸漬させて前記ナノホール（アルミナポア）の直径を増加させることにより行うことができる。
【００２９】
前記ナノホール構造体は、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含む多層構造であれば、その形状、構造等について目的に応じて適宜選択することができ、例えば、添加物（例えば、後述するＴｉ）を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物（例えば、後述するＴｉ）を含まない酸化アルミニウム含有層とからなる２層構造である酸化アルミニウム含有層、添加物（例えば、後述するＴｉ）を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物（例えば、後述するＴｉ）を含まず、前記添加物とは異なる添加物（例えば、後述するＷ）を含む酸化アルミニウム含有層との２層構造である酸化アルミニウム含有層などが挙げられる。
【００３０】
前記添加物としては、後述するエッチング工程において、飛散されたものに由来する信号を検出することができるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗ等のバルブ金属及びそれらの混合物のいずれかを含むものが好ましい。
【００３１】
＜磁性材料充填工程＞
前記磁性材料充填工程は、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）に形成された前記ナノホールの内部に磁性材料を充填する工程であり、強磁性材料を前記ナノホールに充填する強磁性層形成工程を少なくとも含み、更に、軟磁性材料を前記ナノホールに充填する軟磁性層形成工程、非磁性材料を前記ナノホールに充填する非磁性層形成工程などを含んでいてもよい。
【００３２】
前記軟磁性層形成工程は、前記ナノホールの内部に軟磁性層を形成する工程である。
前記軟磁性層の形成は、後述する軟磁性層の材料を電着等により前記ナノホールの内部に堆積乃至充填させることにより行うことができる。
前記電着の方法、条件等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、軟磁性下地層又は電極層を電極として、前記軟磁性層の材料を含む溶液を１種又は２種以上用い、電圧を印加させることにより、前記電極上に析出乃至堆積させる方法、などが好適に挙げられる。
前記軟磁性層形成工程により、前記ナノホール構造体におけるナノホールの内部に、例えば、前記基板上、前記軟磁性下地層上又は前記電極層上に前記軟磁性層が形成される。
【００３３】
前記強磁性層形成工程は、前記ナノホールの内部に強磁性層を形成する工程であり、例えば、前記軟磁性層上（又は該軟磁性層上に前記非磁性層が形成されている場合には該非磁性層上）に強磁性層を形成する工程である。
前記強磁性層の形成は、後述する強磁性層の材料を電着等により前記ナノホールの内部
に形成した前記軟磁性層上に堆積乃至充填させることにより行うことができる。
前記電着の方法、条件等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記軟磁性下地層又は前記電極層（シード層）を電極として、前記強磁性層の材料を含む溶液を１種又は２種以上用い、電圧を印加させることにより、前記ナノホール内に析出乃至堆積させる方法、などが好適に挙げられる。
前記強磁性層形成工程により、前記ナノホール構造体におけるナノホールの内部に前記強磁性層が形成される。
【００３４】
前記非磁性層形成工程は、前記軟磁性層上に非磁性層を形成する工程である。
前記非磁性層の形成は、後述する非磁性層の材料を電着等により前記ナノホールの内部に形成した前記軟磁性層上に堆積乃至充填させることにより行うことができる。
前記電着の方法、条件等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記軟磁性下地層又は前記電極層を電極として、前記非磁性層の材料を含む溶液を１種又は２種以上用い、電圧を印加させることにより、ナノホール内に析出乃至堆積させる方法、などが好適に挙げられる。
前記非磁性層形成工程により、前記ナノホール構造体におけるナノホールの内部であって、前記軟磁性層上等に前記非磁性層が形成される。
【００３５】
＜エッチング工程＞
前記エッチング工程は、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）をイオンミリングによりエッチングする工程である。また、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）のエッチング量が制御される。
【００３６】
前記エッチングは、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の表面をエッチングし、平坦化する工程である。該エッチング工程により、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の表面を一定の厚みで除去すると、より高密度記録・高速度記録を確保することができ、前記磁気記録媒体の表面が平滑化されると、垂直磁気記録ヘッド等の磁気ヘッドの安定浮上が可能となり、低浮上化による高密度記録と信頼性確保の双方を達成することができる点で有利である。
前記エッチング工程は、前記磁性材料充填工程の後に行われるのが好ましい。前記磁性層形成工程の前に前記エッチング処理を行うと、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の破壊、前記ナノホール内部にスラリー、削り滓等が充填されてしまい、メッキ不良が生ずることがある。
【００３７】
前記エッチング工程におけるエッチング量としては、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の最表面からの厚みで、１５ｎｍ以上が好ましく、４０ｎｍ以上がより好ましい。
前記エッチング量が１５ｎｍ以上であると、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の表面近傍に存在する、余剰ナノホール（アルミナポア）を有しアルミナポアの配列間隔に乱れが生じている層を除去することができ、エッチング後の前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の表面には、ナノホールが規則的に配列してなるナノホール列を一定間隔で形成させることができる。
【００３８】
エッチングの方法は、イオンミリング（イオンビームエッチング）である。酸化アルミニウムをＲＩＥ等の化学的エッチングで行う場合、イオンミリングは物理的エッチングであるため効率的にエッチングを行うことができる点で有利である。なお、イオンミリング（イオンビームエッチング）の前に荒削りとして、ＣＭＰ等による研摩を行ってもよい。
【００３９】
前記イオンミリングとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ａｒイオンミリングが好適に挙げられる。
前記イオンミリングの際には、イオンビームを、前記基材表面に対する鉛直方向に対して傾斜させた方向から照射するのが好ましい。
【００４０】
また、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量が制御される。
前記添加物に由来する信号は、質量分析装置により検出され、前記検出された信号に基づいて、前記ナノホール構造体のエッチング量が制御される。
【００４１】
また、作製された磁気記録媒体のクラッシュ耐性の観点から、前記エッチング工程においてエッチングされずに残存した酸化アルミニウム含有層は、前記エッチング工程においてエッチングされた酸化アルミニウム含有層よりも、硬度が高いことが好ましい。
【００４２】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、起点形成工程等が挙げられる。
【００４３】
＜＜起点形成工程＞＞
前記起点形成工程は、アルミニウム含有層に、ナノホール形成用起点を形成する工程である。
前記ナノホール形成用起点は、ナノホールを形成するための起点として機能するものを意味し、該ナノホール形成用起点としては、例えば、規則配列した微細な凹部を有する凹凸パターンが挙げられる。
【００４４】
前記起点形成工程は、形成するナノホールの配列パターンに対応した凸凹パターンを表面に有するモールドの該凸凹パターンを、前記アルミニウム含有層上に形成したポリマー層にインプリント転写することを含むのが好ましい。
前記モールドとしては、その材料（材質）等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、半導体分野で微細構造作製用材料として最も広範囲に使用されているという観点からは、シリコン、シリコン酸化膜、これらの組み合わせ等が挙げられ、連続使用耐久性の観点からは、炭化珪素などが挙げられ、また、光ディスクの成形等に使用されているＮｉなどが挙げられる。該モールドは、複数回使用することができる。
【００４５】
前記モールドにおける凸凹パターンとしては、形成するナノホール形成用起点における凹部及び凸部にそれぞれ対応した凸部及び凹部を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記凸部の形状が円形状である、ドットパターンが好ましい。
また、前記凸部の配列パターンとしては、該凸部が一定間隔で配列する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、三角格子状配列、四角格子状配列などが挙げられる。例えば、前記凸部が三角格子状に配列している場合には、前記モールドにおける凸凹パターンを、前記アルミニウム含有層にインプリント転写すると、該アルミニウム含有層の表面に、円形状の凹部が一定間隔で三角格子状に配列した凹凸パターン（ナノホール形成用起点）が形成され、該凹部に、ナノホールを形成されると、該ナノホールが三角格子状に配列したナノホール構造体が得られる。
更に、前記凸部は、同心円状又は螺旋状に配列しているのが好ましく、特に、ハードディスク用途の場合にはアクセスの容易性の観点から同心円状が好ましく、ビデオディスク用途の場合には連続再生の容易性の観点から螺旋状が好ましい。前記凸部が同心円状又は螺旋状に配列している場合、形成するナノホールを、同心円状又は螺旋状に配列させることができる。
【００４６】
前記凸凹パターンにおける凸部の高さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選
択することができるが、例えば、１０ｎｍ以上が好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ま
しい。
なお、ソフトインプリント（熱インプリント、ＵＶインプリント）を用いる場合は、前記凸凹パターンにおける凸部の高さは高い方が好ましい。
【００４７】
前記インプリント転写の方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、前記ナノホール構造体を磁気記録媒体に適用する場合には、高密度記録及び量産性向上の実現を図る点で、ソフト・インプリントが好適に挙げられる。
前記ソフト・インプリントとしては、例えば、熱インプリントが好適に挙げられ、該熱インプリントによる前記凸凹パターンの転写は、例えば、前記アルミニウム含有層上に形成したポリマー層に熱を印加すると共に、前記モールドを押し付けることにより行うことができる。
前記ポリマー層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記熱インプリントの場合、例えば、公知のレジスト材料、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）等の熱可塑性ポリマーなどが挙げられる。
【００４８】
前記起点形成工程は、前記アルミニウム含有層上に保護金属層及びポリマー層を、該アルミニウム含有層からこの順に形成した後、該ポリマー層に、前記モールドにおける前記凸凹パターンをインプリント転写し、形成された凹凸パターンを用いて前記保護金属層をエッチングした後、残存する保護金属層をマスクとして前記アルミニウム含有層をエッチングするのが好ましい。
なお、前記エッチングは、公知のエッチング装置、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置、イオンミリング装置などを用いて行うことができる。
前記アルミニウム含有層と前記ポリマー層との間に前記保護金属層を形成してエッチングすることにより、前記アルミニウム含有層に、前記ナノホール形成用起点として充分機能することができる深さの凹部を形成することができる。
【００４９】
前記保護金属層としては、その材料、厚みなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記保護金属層の材料としては、アルミニウムのエッチングレートとの関係で、Ｔａ、Ｔｉなどが好適に挙げられる。また、この場合、前記保護金属層のエッチングは、ＣＦ系ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）により行われるのが好ましく、前記アルミニウム含有層のエッチングは、ＣＯ−アンモニア系ＲＩＥにより行われるのが好ましい。
【００５０】
また、前記起点形成工程は、前記アルミニウム含有層上に前記ポリマー層を形成した後、該ポリマー層に、前記モールドにおける凸凹パターンをインプリント転写して凹凸パターン形成し、該ポリマー層の表面に形成された凹部の底面に位置する該ポリマー層をエッチングにより除去した後、該凹部内に表出された前記アルミニウム含有層及び前記ポリマー層に対して保護金属を付与することにより保護金属層を形成し、前記ポリマー層に形成された凹部に位置する保護金属層及び該保護金属層の下層に位置する前記アルミニウム含有層表面をエッチングし、更に残存した前記ポリマー層及び前記保護金属層の残渣を除去するのが好ましい。この場合、前記ナノホール形成用起点を、他の起点形成方法によりナノホール形成起点を形成した場合よりも効率的に作製することができる。
【００５１】
また、前記起点形成工程は、前記アルミニウム含有層上に前記ポリマー層を形成した後、該ポリマー層に、前記モールドにおける凸凹パターンをインプリント転写して凹凸パターンを形成し、前記基材表面及び前記ポリマー層表面に対する鉛直方向に対して傾斜させた方向から、該ポリマー層に対して保護金属を付与することにより保護金属層を形成し、前記ポリマー層に形成された凹部の底面に位置する該ポリマー層をエッチングにより除去した後、該ポリマー層が除去された前記金属層表面をエッチングし、更に前記ポリマー層を前記保護金属層と共に除去することにより行ってもよい。
【００５２】
前記ポリマー層及び前記保護金属層（前記保護金属層の残渣）の除去の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、有機溶剤を用いたリフトオフ処理が好適に挙げられる。
前記有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセトン、レジスト剥離液、キシレン、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
【００５３】
以上の工程により、前記アルミニウム含有層に、前記モールドにおける凸凹パターンが転写されて凹凸パターンが形成される。該凹凸パターンは、ナノホールを形成するための起点として機能し、前記ナノホール構造体形成工程において、ナノホールが前記凹凸パターンにおける凹部に形成され、該ナノホールが規則配列してなるナノホール構造体が形成される。
【００５４】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、本発明の前記磁気記録媒体の製造方法により製造され、基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を少なくとも有し、さらに必要に応じて、非磁性下地層、軟磁性下地層（ＳＵＬ（Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）層）、及びその他の層を有する。
また、本発明の磁気記録媒体は、表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、表面の突起高さが５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５５】
＜ナノホール構造体＞
前記ナノホール構造体の詳細は、上述した通りである。
前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５００ｎｍ以下が好ましく、５〜２００ｎｍがより好ましい。
前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の厚みが、５００ｎｍを超えると、ナノホール内への磁性材料の充填が困難になることがある。
【００５６】
前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）における前記ナノホールは、該ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）を貫通して貫通孔として形成されていてもよいし、貫通せず穴として形成されていてもよいが、該ナノホールに磁性材料を充填して磁性層を形成し、更にその下方にも磁性層を形成する場合等を考慮すると、該ナノホールが貫通孔として形成されているのが好ましい。
【００５７】
前記ナノホールの内部に、磁性材料が充填されて磁性層が形成されているのが好ましい。前記磁性層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、強磁性層、軟磁性層、などが挙げられる。本発明においては、前記ナノホールの内部に、前記強磁性層が少なくとも形成されていればよく、更に必要に応じて、前記軟磁性層が、前記基板と前記強磁性層との間に形成されていてもよく、更に前記強磁性層及び前記軟磁性層の間に非磁性層（中間層）が形成されていてもよい。
【００５８】
前記強磁性層は、前記磁気記録媒体において記録層として機能し、前記軟磁性層と共に磁性層を構成する。
前記強磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ及びＮｉＰｔから選択される少なくとも１種、などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記強磁性層は、前記材料により垂直磁化膜として形成されていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、Ｌｌ０規則構造を有し、Ｃ軸が前記基板と垂直方向に配向しているもの、ｆｃｃ構造あるいはｂｃｃ構造を有し、Ｃ軸が前記基板と垂直方向に配列しているもの、などが好適に挙げられる。
【００５９】
前記強磁性層の厚みとしては、本発明の効果を害さない限り特に制限はなく、記録時に使用される線記録密度等に応じて適宜選択することができるが、例えば、（１）前記軟磁性層の厚み以下である態様、（２）記録時に使用される線記録密度で決まる最小ビット長の１／３倍〜３倍である態様、（３）前記軟磁性層及び前記軟磁性下地層の厚みの合計以下である態様、などが好ましく、例えば、通常５〜１００ｎｍ程度が好ましく、５〜５０ｎｍがより好ましく、１Ｔｂ／ｉｎ２をターゲットにした線記録密度１，５００ｋＢＰＩで磁気記録を行う場合には、５０ｎｍ以下（２０ｎｍ程度）であるのが好ましい。
なお、ここでの前記「強磁性層」の厚みは、該強磁性層が、積層構造、又は複数層に分割された構造（例えば、非磁性層等の中間層により分割され連続層になっていない構造）を有する場合には、各強磁性層の厚みの合計を意味する。また、前記「軟磁性層」の厚みは、該軟磁性層が、積層構造、又は複数層に分割された構造（例えば、非磁性層等の中間層により分割され連続層になっていない構造）を有する場合には、各軟磁性層の厚みの合計を意味する。また、前記「軟磁性層及び軟磁性下地層の厚みの合計」は、該軟磁性層及び該軟磁性下地層の少なくともいずれかが、積層構造、又は複数層に分割された構造（例えば、非磁性層等の中間層により分割され連続層になっていない構造）を有する場合には、各軟磁性層及び軟磁性下地層の厚みの合計を意味する。
【００６０】
前記強磁性層及び前記軟磁性層を有する磁気記録媒体の場合、磁気記録の際に使用する単磁極ヘッドと前記軟磁性層との間の距離を、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の厚みよりも短く、該強磁性層の厚みと略等しくすることができるため、前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）の厚みに拘らず該強磁性層の厚みだけで、前記単磁極ヘッドからの磁束の集中、使用される記録密度での最適な磁気記録再生特性などが制御可能となる。その結果、該磁気記録媒体においては、従来の磁気記録媒体に比し、書込み効率が大幅に向上し、書込み電流が小さくて済み、オーバーライト特性を著しく向上させることができる。
前記強磁性層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、電着（電着法）等により行うことができる。
【００６１】
前記軟磁性層としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＣ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ及びＣｏＺｒＮｂから選択される少なくとも１種、などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
前記軟磁性層の厚みとしては、本発明の効果を害さない限り特に制限はなく、前記多孔質層における前記ナノホールの深さ、前記強磁性層の厚み等に応じて適宜選択することができるが、例えば、（１）前記強磁性層の厚み超である態様、（２）前記軟磁性下地層の厚みとの合計が前記強磁性層の厚み超である態様、などが挙げられる。
【００６３】
前記軟磁性層は、磁気記録に使用する磁気ヘッドからの磁束を効果的に前記強磁性層に収束させることができ、該磁気ヘッドの磁界の垂直成分を大きくさせることができる点で有利である。また、前記軟磁性層は、軟磁性下地層とともに前記磁気ヘッドと共に該磁気ヘッドから入力させる記録磁界の磁気回路を形成可能であるのが好ましい。
前記軟磁性層としては、前記基板面に略直交する方向に磁化容易軸を有しているのが好ましい。この場合、垂直磁気記録用ヘッドで記録を行うと、該垂直磁気記録用ヘッドからの磁束の集中、使用される記録密度での最適な磁気記録再生特性などが制御可能となり、磁束が前記強磁性層に集中する結果、従来の磁気記録装置に比し、書込み効率が大幅に向上し、書込み電流が小さくて済み、オーバーライト特性が著しく向上する。
前記軟磁性層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、電着（電着法）等により行うことができる。
【００６４】
前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）における前記ナノホール中には、前記強磁性層と前記軟磁性層との間に非磁性層（中間層）を有していてもよい。該非磁性層（中間層）が存在すると、前記強磁性層と前記軟磁性層との間の交換結合力の作用を弱める結果、予想とは異なる磁気記録の再生特性となってしまう場合に、それを所望の再生特性に制御することができる。
前記非磁性層の材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ及びＴｉから選択される少なくとも１種、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
前記非磁性層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記非磁性層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、電着（電着法）等により行うことができる。
【００６６】
本発明の磁気記録媒体においては、前記基板と前記ナノホール構造体（酸化アルミニウム含有層）との間に、非磁性下地層、軟磁性下地層（ＳＵＬ（Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）層）などを有していてもよい。
【００６７】
＜＜非磁性下地層＞＞
前記非磁性下地層の材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、前記非磁性層の材料として上述したものが好適に挙げられる。
これらの材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、また、前記非磁性層の材料と互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
＜＜軟磁性下地層＞＞
前記軟磁性下地層の材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、前記軟磁性層の材料として上述したものが好適に挙げられる。
これらの材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、また、前記軟磁性層の材料と互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００６９】
前記軟磁性下地層は、前記基板面の面内方向に磁化容易軸を有しているのが好ましい。この場合、磁気記録に使用する磁気ヘッドからの磁束が効果的に閉じた磁気回路を形成し、該磁気ヘッドの磁界の垂直成分を大きくさせることができる。該軟磁性下地層は、ビットサイズ（前記ナノホールの開口径）が１００ｎｍ以下の単磁区記録においても有効である。
前記軟磁性下地層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、電着（電着法）や無電界メッキ等により行うことができる。
【００７０】
＜その他の層＞
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、電極層、保護層、潤滑層などが挙げられる。
【００７１】
＜＜電極層＞＞
前記電極層は、磁性層（前記強磁性層及び前記軟磁性層）を電着等により形成する際の電極として機能する層であり、一般に、前記基板上であって前記強磁性層の下方に設けられる。なお、前記磁性層を電着により形成する場合、該電極層を電極として使用してもよいが、前記軟磁性下地層等を電極として使用してもよい。
前記電極層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７２】
前記電極層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。該電極層は、１層のみ設けられていてもよいし、２層以上設けられていてもよい。
前記電極層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、スパッタ法、蒸着法等により行うことができる。
【００７３】
＜＜保護層＞＞
前記保護層は、前記強磁性層を保護する機能を有する層であり、前記強磁性層の表面乃至上方に設けられる。該保護層は、１層のみ設けられていてもよいし、２層以上設けられていてもよく、また、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記保護層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、などが挙げられる。
【００７４】
前記保護層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記保護層の形成は、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法に従って行うことができるが、例えば、プラズマＣＶＤ法、塗布法、などにより行うことができる。
【００７５】
＜＜潤滑層＞＞
前記潤滑層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７６】
本発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドを用いた各種の磁気記録に使用することができるが、単磁極ヘッドによる磁気記録に好適に使用することができ、後述する本発明の磁気記録装置及び磁気記録方法に好適に特に使用することができる。
本発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドの書込み電流を増やすことなく高密度記録・高速記録が可能で大容量であり、オーバーライト特性に優れ、均一な特性を有し、高品質である。このため、該磁気記録媒体は、各種の磁気記録媒体として設計し使用することができ、例えば、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置、などに設計し使用することができ、ハードディスク等の磁気ディスクに特に好適に設計し使用することができる。
【実施例】
【００７７】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
材料としてガラスを使用したＨＤＤ媒体用基板１００上に、非磁性下地層１０１としてＴａ（５ｎｍ）を成膜し、次に、軟磁性下地層（ＳＵＬ（Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）層）１０２としてＮｉＦｅ膜を成膜し、次に、中間層（非磁性下地層）１０３としてＷ（１０ｎｍ）を成膜し、次に、Ａｌ−Ｔｉ膜１０４（４０ｎｍ）／Ａｌ膜１０５（７０ｎｍ）を成膜した（図１Ａ）。
【００７９】
次に、ナノインプリント法及びエッチング法を用いて、パターンドメディアのパターンに合わせてＡｌ膜１０５の表面を約１０ｎｍ窪ませたのち、パターンピッチに合わせた陽極酸化電圧でナノホール（アルマイトポア）１０６を形成した（図１Ｂ）。ナノインプリント用レジストとしてＰＭＭＡを、エッチング法としてＲＩＥ法を用いた。以下に、ナノインプリント法及びエッチング法の詳細について記載する。
【００８０】
（１）ナノインプリント
Ｅｂｂ描画装置により、ピッチ４０ｎｍのドット（データ部）とサーボパターンを描画し、Ｎｉモールドを作製し、これを熱インプリント法により媒体上に塗布したレジストに押し付けて、パターニングを行った。
モールドのデータ部のピッチは４０ｎｍとし、突起高さは５０ｎｍとし、塗布したレジスト厚は７０ｎｍとした。
モールドを１２０℃程度の高温下で、例えば４０ｂａｒの押圧力でレジストに押し付けた。これにより、レジストにモールドの突起部によるパターンを転写した。
【００８１】
（２）エッチング
パターン転写後レジスト凹部の残渣をＲＩＥによりＡｒ＋Ｏ２ガスを用いて除去した後、イオンミリング法で凹底の露出したＡｌの表面のエッチングを行った。条件は、プロセスガス：Ａｒ、流量：２０ｓｃｃｍ、グリッド電圧：３００Ｖ、イオン電流：３００ｍＡとした。
【００８２】
なお、ナノホール１０６のピッチは、下記の式１で求められる。
ナノホール１０６のピッチ（ｎｍ）＝陽極酸化時の直流電圧（Ｖ）×２．５・・・（式１）
【００８３】
図２は、４０ｎｍピッチモールドを用いてＡｌ膜１０５表面のインプリント及びエッチングを行った後、陽極酸化電圧１６Ｖで作製したナノホール（アルマイトポア）のＳＥＭ像を示す。
図２において、式１で求めたとおり、４０ｎｍピッチの規則配列が得られている。
【００８４】
次に、ＡＣめっき法により磁気記録層用磁性材料（充填材料）としてのＣｏの充填を行って、ナノホール１０６内に強磁性層１０９を形成した（図１Ｃ）。Ｃｏ充填はナノホール１０６から溢れるまでめっきを行った。
【００８５】
次に、磁気記録層（Ａｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層１０７及びＡｌ−Ｏｘ層１０８）の薄膜化を目的として、質量分析器１１０付きイオンビームエッチング装置により、磁気記録層の表面（Ａｌ−Ｏｘ層１０８の表面）を下記イオンミリング条件でエッチングを行った（図１Ｄ）。
【００８６】
プロセスガス：Ａｒ  流量  ２０ｓｃｃｍ
グリッド電圧：３００Ｖ
イオン電流：３００ｍＡ
エッチングレート：Ｃｏ（ナノホール１０６から溢れたＣｏ（２０±１０ｎｍ））０．８ｎｍ／秒、Ｃｏ充填済みＡｌ−Ｏｘ層１０８（ナノホール１０６にＣｏが充填されたＡｌ−Ｏｘ層１０８（７０ｎｍ））０．６ｎｍ／秒
【００８７】
質量分析器１１０のＴｉ強度をモニターしながらエッチングを行い、Ｔｉ強度が観察されたらエッチングを終了する（図２）。なお、エッチング時間は、１２９秒（１０÷０．８＋７０÷０．６）〜１５４秒（３０÷０．８＋７０÷０．６）であった。
【００８８】
以上の工程により、厚さが４０ｎｍのＡｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層１０７の磁気記録層を形成した（図１Ｅ）。
【００８９】
最後に、スパッタリング法により保護層（カーボン層）１１１を成膜し、さらにディップ法により潤滑層１１１を形成した（図１Ｆ）。
【００９０】
以上のような製造方法により磁気記録媒体を５個作製したが、作製された５個の全ての磁気記録媒体における磁気記録層が、厚さ４０ｎｍのＡｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層であり、磁気記録媒体間のリード／ライト特性のメディア間のバラツキがなかった。
【００９１】
(比較例１)
実施例１において、質量分析器１１０のＴｉ強度をモニターしながらエッチングを行い、Ｔｉ強度が観察されたらエッチングを終了することに代えて、エッチング時間が１４１秒となった時点でエッチングを終了したこと以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を５個（サンプルＡ〜Ｅ）作製した。
表１に、作製された磁気記録媒体サンプルＡ〜Ｅの磁気記録層（サンプルＡ及びＤ：Ｃｏが充填されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層、サンプルＢ、Ｃ、及びＥ：Ｃｏが充填されたＡｌ−Ｏｘ層及びＡｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層）の厚さを示す。
【００９２】
【表１】
2010044804.tif 000003
【００９３】
また、図４Ａは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と飽和磁化（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフであり、図４Ｂは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフであり、図４Ｃは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と出力（ａ．ｕ．）との関係（磁気記録層の膜厚（ｎｍ）とリード／ライト特性との関係）を示すグラフであり、図４Ｄは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）とＳＮ比（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。
【００９４】
図４Ａに示されるように、磁気記録層の飽和磁化は、磁気記録層の膜厚の増加に伴い増加する。よって、磁気記録層の膜厚が、表１のようにばらついているサンプルＡからＥは、飽和磁化もばらつくことが判る。
【００９５】
図４Ｂに示されるように、保磁力Ｈｃは、磁気記録層の膜厚が４０ｎｍ以下に減少することに伴い減少を始める。これは、磁気記録層の薄膜化に伴い、Ｃｏピラーのアスペクト比が下がり、ある一定以下のアスペクト比（例えば、４以下のアスペクト比）になると形状異方向性エネルギーが大きく減少するからである。よって、磁気記録層の膜厚が、表１のようにばらついているサンプルＡからＥは、保磁力Ｈｃもばらつくことが判る。
【００９６】
図４Ｃに示されるように、出力は、磁気記録層の膜厚が４０ｎｍ以下では、膜厚の増加に伴い増加するが、磁気記録層の膜厚が４０ｎｍを超えると、磁気記録層が厚くなり、書き込み不十分となって、膜厚の増加に伴い出力も減少した。よって、磁気記録層の膜厚が、表１のようにばらついているサンプルＡからＥは、出力もばらつくことが判る。
【００９７】
図４Ｄに示されるように、磁気記録層の膜厚が４０ｎｍより薄いとき、垂直磁化が十分でないため、膜厚の減少に伴いＳＮ比は減少した。また、磁気記録層の膜厚が４０ｎｍより厚いときも、同様に、垂直磁化が十分でないため、膜厚の増加に伴いＳＮ比は減少した。よって、磁気記録層の膜厚が、表１のようにばらついているサンプルＡからＥは、ＳＮ比もばらつくことが判る。
【００９８】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）基板上に、アルミニウム含有層を形成するアルミニウム含有層形成工程と、前記アルミニウム含有層を陽極酸化して、前記基板面に対し略直交する方向にナノホールが形成されたナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程と、前記ナノホールの内部に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、前記ナノホール構造体をイオンミリングによりエッチングするエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法において、前記ナノホール構造体が、添加物を含む酸化アルミニウム含有層と、前記添加物を含まない酸化アルミニウム含有層とを含み、前記エッチング工程において、前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を検出し、前記検出された信号に基づいて前記ナノホール構造体のエッチング量を制御することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記２）前記添加物を含む酸化アルミニウム含有層から飛散された添加物に由来する信号を質量分析装置により検出する付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記３）前記エッチング工程においてエッチングされずに残存した酸化アルミニウム含有層は、
前記エッチング工程においてエッチングされた酸化アルミニウム含有層よりも、硬度が高い付記１乃至２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記４）前記添加物が、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗ、及びそれらの混合物のいずれかを含む付記１乃至３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記５）付記１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記６）表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、表面の突起高さが５ｎｍ以下である付記５に記載の磁気記録媒体。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明の磁気記録媒体は、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置等に好適に使用することができる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明の磁気記録媒体の製造に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その１）。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その２）。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その３）。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その４）。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その５）。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である（その６）。
【図２】図２は、質量分析器により検出された各元素の質量強度を示すグラフである。
【図３】図３は、４０ｎｍピッチのナノホールを示す写真である。
【図４Ａ】図４Ａは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と飽和磁化（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。
【図４Ｂ】図４Ｂは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフである。
【図４Ｃ】図４Ｃは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）と出力（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。
【図４Ｄ】図４Ｄは、磁気記録層の膜厚（ｎｍ）とＳＮ（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。
【図５】図５は、従来の磁気記録媒体の構造を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、従来の磁気記録媒体の磁気記録後の状態を示す上面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａのおける線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、陽極酸化装置のブロック図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、アノード電流の時間変化を示すグラフである。
【図８Ａ】図８Ａは、陽極酸化法によるナノホール形成を示す図である（その１）。
【図８Ｂ】図８Ｂは、陽極酸化法によるナノホール形成を示す図である（その２）。
【図８Ｃ】図８Ｃは、陽極酸化法によるナノホール形成を示す図である（その３）。
【図８Ｄ】図８Ｄは、陽極酸化法によるナノホール形成を示す図である（その４）。
【符号の説明】
【０１０１】
１００      基板
１０１      下地層（非磁性下地層）
１０２      ＳＵＬ層（軟磁性下地層）
１０３      中間層（非磁性下地層）
１０４      Ａｌ−Ｔｉ層（添加物を含むアルミニウム含有層）
１０５      Ａｌ層（添加物を含まないアルミニウム含有層）
１０６      ナノホール
１０７      Ａｌ−Ｔｉ−Ｏｘ層（添加物を含む酸化アルミニウム含有層）
１０８      Ａｌ−Ｏｘ層（添加物を含まない酸化アルミニウム含有層）
１０９      Ｃｏ層（強磁性層）
１１０      質量分析器
１１１      保護層／潤滑層
５００      磁気記録媒体
５０１      基板
５０２      下地層
５０３      酸化アルミニウム含有層
５０４      強磁性金属
６００      磁気記録媒体
６０１      基板
６０２      裏打ち層
６０３      下地電極層
６０４      酸化アルミニウム含有層（アルミナ層）
６０５      記録部
７００      陽極酸化装置
７０１      酸性電解溶液
７０２      試料（Ａｌ）
７０３      陰極
７０４      電流計
７０５      スイッチ
７０６      直流電源
８００      Ａｌ膜
８０１      バリア層（酸化膜層）
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2010044804.tif 000005
【図１Ｃ】
2010044804.tif 000006
【図１Ｄ】
2010044804.tif 000007
【図１Ｅ】
2010044804.tif 000008
【図１Ｆ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図６Ａ】
2010044804.tif 000017
【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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