(57)【要約】【課題】ウェーハにおけるドーパント元素による品質の低下を防止しつつ、処理の効率を向上させることのできる技術を提供する。【解決手段】ボート３３に載置されたウェーハＷにアニール処理を行う処理室１０と、処理室１０に隣接して設けられ、漏れたガスを一時的に収容するためのスカベンジャー２１と、処理室１０から取り出したボート３３に対するウェーハＷの移載を行うための移載室３２とを備えたアニール処理装置１において、スカベンジャー２１のパッキング１９、２０，２２をリン濃度が所定濃度以下の部材で構成するようにし、処理室１０にボート３３を収容するステップと、アニール処理を行うアニール処理ステップと、アニール処理後のウェーハＷが載置されたボート３３を処理室１０から移載室３２に移動させるステップとを実行するようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、前記熱処理室から取り出した前記ボートに対する前記ウェーハの移載を行うための移載室と、前記熱処理室から前記移載室への前記ボートの移動範囲の周囲に設けられ、前記熱処理時に漏れたガスを前記移載室に漏れないように収容するためのスカベンジャーとを備える熱処理装置において、
前記熱処理室から前記移載室への前記ボートの移動範囲の近傍に位置する前記スカベンジャーを、所定のドーパント元素の濃度が所定の濃度以下の部材により構成する
熱処理装置。
【請求項２】
前記所定の濃度は、１５０ｐｐｍ以下の濃度である
請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記所定の濃度は、５０ｐｐｍ以下の濃度である
請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
ボートに載置されたウェーハを加熱して所定の処理を行う熱処理室と、ボートに対するウェーハの移載を行うための移載室とを備える熱処理装置において、
前記加熱処理室から前記移載室への前記ボートの移動範囲の周囲の部材を、所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材により構成する
熱処理装置。
【請求項５】
ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、前記熱処理室から取り出した前記ボートに対する前記ウェーハの移載を行うための移載室と、前記熱処理室から前記移載室への前記ボートの移動範囲の周囲に設けられ、前記熱処理時に漏れたガスを前記移載室に漏れないように収容するためのスカベンジャーと、を備える高温処理装置において、
前記熱処理時において、前記スカベンジャーから外部へのガス漏れを防止するためのパッキング部材を、所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材で構成する
熱処理装置。
【請求項６】
熱処理装置により、ウェーハに対して熱処理を行なって所望のウェーハを製造する熱処理ウェーハ製造方法であって、
前記熱処理装置は、ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、前記熱処理室から取り出した前記ボートに対するウェーハの移載を行うための移載室と、前記熱処理室から前記移載室への前記ボートの移動範囲の周囲に設けられ、前記熱処理時に漏れたガスを前記移載室に漏れないように一時的に収容するためのスカベンジャーとを備え、前記スカベンジャーから外部へのガス漏れを防止するためのパッキング部材を所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材で構成し、
前記熱処理室に前記ウェーハが載置された前記ボートを収容する収容ステップと、
前記ウェーハを加熱して、所定の熱処理を行う熱処理ステップと、
前記熱処理が行われたウェーハが載置された前記ボートを前記熱処理室から前記移載室に移動させる処理後移動ステップと
を有する熱処理ウェーハ製造方法。
【請求項７】
前記処理後移動ステップは、前記ウェーハの温度が、７００度近傍の温度となった際に、前記ボートを前記熱処理室から前記移載室に移動させる
請求項６に記載の熱処理ウェーハ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを加熱して所定の処理を行う熱処理装置及びウェーハを加熱して所定の処理を施した熱処理ウェーハを製造する熱処理ウェーハ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェーハを加熱して、アニール処理、エピタキシャル処理、酸化処理等の所定の熱処理を行う熱処理装置が知られている。
【０００３】
例えば、アニール処理は、アルゴン雰囲気中にて、ウェーハを１２００度程度の高温とすることにより、ウェーハ表面の結晶完全性を高める処理である。このアニール処理では、アニール処理を施したウェーハ（アニールウェーハ）の表層抵抗率分布をフラット（均一）にすることが望ましい。
【０００４】
また、熱処理装置においては、加熱処理に要する時間を短縮して、ウェーハの製造効率を向上することが要請されている。
【０００５】
例えば、ウェーハに冷却用流体を噴射することにより、ウェーハの冷却を行うことにより、生産能力を向上する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１３０７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、熱処理装置における加熱処理を行う処理室から比較的高温の状態で引き出すことにより、処理室を早期に開放できるとともに、ウェーハの冷却を迅速に行うことができるので、熱処理装置におけるスループットを向上することが可能である。
【０００８】
しかしながら、熱処理装置において、ウェーハを比較的高温の状態で引き出した場合においては、例えば、Ｐ（リン）、Ｂ（ボロン）等のドーパントとなる元素（ドーパント元素）によって、ウェーハの表層抵抗率分布がフラットにならず、品質が低下してしまう問題が発生することがあった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ウェーハにおけるドーパント元素による品質の低下を防止しつつ、処理の効率を向上させることのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的達成のため、本発明は、加熱処理を行う処理室以外の部材の影響によりウェーハの品質が低下させる虞があることに着目してなされたものであり、本発明の第１の観点に係る熱処理装置は、ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、熱処理室から取り出した前記ボートに対するウェーハの移載を行うための移載室と、熱処理室から移載室へのボートの移動範囲の周囲に設けられ、熱処理時に漏れたガスを移載室に漏れないように収容するためのスカベンジャーとを備える熱処理装置において、熱処理室から移載室へのボートの移動範囲の周囲に位置するスカベンジャーを、所定のドーパント元素の濃度が所定の濃度以下の部材により構成する。係る熱処理装置によると、熱処理室から移載室にボートを移動させる際において、スカベンジャーの部材から所定のドーパント元素が発生（昇華）することを適切に低減することができ、例えば、ボート、断熱機構、ダミーウェーハ等へドーパント元素が付着することを適切に低減できる。このため、後続のウェーハに対する熱処理においてウェーハへドーパント元素が拡散されることを低減でき、ウェーハの品質の低下を抑制できる。
【００１１】
上記熱処理装置において、所定の濃度は、１５０ｐｐｍ以下の濃度であってもよい。係る熱処理装置によると、効果的にドーパント元素の発生を低減できる。また、上記熱処理装置において、所定の濃度は、５０ｐｐｍ以下の濃度であってもよい。より効果的に、ドーパント元素の発生を低減できる。
【００１２】
また、上記目的達成のため、本発明の第２の観点に係る熱処理装置は、ボートに載置されたウェーハを加熱して所定の処理を行う加熱処理室と、ボートに対するウェーハの移載を行うための移載室とを備える熱処理装置において、熱処理室から移載室へのボートの移動範囲の周囲の部材を、所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材により構成する。係る熱処理装置によると、熱処理室から移載室にボートを移動させる際において、ボートの移動範囲の周囲の部材から所定のドーパント元素が発生（昇華）することを適切に低減することができ、ボート等へドーパント元素が付着することを適切に低減できる。このため、後続のウェーハに対する熱処理においてウェーハへドーパント元素が拡散されることを低減でき、ウェーハの品質の低下を抑制できる。
【００１３】
また、上記目的達成のため、本発明の第３の観点に係る熱処理装置は、ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、熱処理室から取り出したボートに対するウェーハの移載を行うための移載室と、熱処理室から移載室へのボートの移動範囲の周囲に設けられ、熱処理時に漏れたガスを移載室に漏れないように収容するためのスカベンジャーと、を備える熱処理装置において、熱処理時において、スカベンジャーから外部へのガス漏れを防止するためのパッキング部材を、所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材で構成する。
【００１４】
また、上記目的達成のため、本発明の第４の観点に係る熱処理ウェーハ製造方法は、熱処理装置により、ウェーハに対して熱処理を行なって所望のウェーハを製造する熱処理ウェーハ製造方法であって、熱処理装置は、ボートに載置されたウェーハに熱処理を行う熱処理室と、熱処理室から取り出したボートに対するウェーハの移載を行うための移載室と、熱処理室から移載室へのボートの移動範囲の周囲に設けられ、熱処理時に漏れたガスを移載室に漏れないように一時的に収容するためのスカベンジャーとを備え、スカベンジャーから外部へのガス漏れを防止するためのパッキング部材を所定のドーパント元素の濃度が所定濃度以下の部材で構成し、熱処理室に前記ウェーハが載置されたボートを収容する収容ステップと、ウェーハを加熱して、所定の熱処理を行う熱処理ステップと、熱処理が行われたウェーハが載置されたボートを熱処理室から移載室に移動させる処理後移動ステップとを有する。係る熱処理ウェーハ製造方法によると、加熱処理室から移載室にボートを移動させる際において、ボートの移動範囲の周囲の部材から所定のドーパント元素が発生（昇華）することを適切に低減することができ、ボート等へドーパント元素が付着することを適切に低減できる。このため、ウェーハに対する熱処理においてウェーハへドーパント元素が拡散されることを低減でき、ウェーハの品質の低下を抑制できる。
【００１５】
上記熱処理ウェーハ製造方法は、処理後移動ステップは、ウェーハの温度が、７００度近傍の温度となった際に、ボートを熱処理室から移載室に移動させるようにしてもよい。係る熱処理ウェーハ製造方法によると、ウェーハの温度が７００度近傍の状態で、ボートを熱処理室から移載室に移動させるので、ボートからウェーハを取り出す処理を早期に開始することができ、ウェーハの処理効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るアニール処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るアニール処理装置のスカベンジャーの部材を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るアニール処理装置によるアニールウェーハ製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハと、比較例に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハとを説明する図である。
【図５】比較例に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハの汚染メカニズムの概要を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている諸要素及びその組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１８】
まず、本発明の一実施形態に係る熱処理装置の一例である縦型のアニール処理装置について説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係るアニール処理装置の概略構成図である。
【００２０】
アニール処理装置１は、ウェーハＷ（例えば、直径３００ｍｍ）を収容してアニール処理を実行するための処理室（熱処理室）１０を形成する反応管１１を備える。反応管１１は、例えば、石英（ＳｉＯ２）により、上端が閉塞し、下端が開口している円筒形状に形成されている。本実施形態では、処理室１０内に複数のウェーハＷが載置されたボート３３が収容されてアニール処理が実行される。従って、反応管１１の内径は、処理対象のウェーハＷの直径（例えば、３００ｍｍ）よりも大きくなっている。
【００２１】
反応管１１の外側には、反応管１１を取り囲むように、反応管１１内の熱分布を均一にするための均熱管（ライナー管）１２が備えられている。また、反応管１１の上部の略中央には、外部アニール処理に使用するプロセスガスを処理室１０内に導入するためのガス導入管１５が挿入されている。また、均熱管１２の外側には、反応管１１内を加熱するヒータ１３が備えられている。
【００２２】
反応管１１の下端は、例えば、図示しないＯリングを介して、略円筒形のフランジ１４によって支持されている。なお、反応管１１とフランジ１４とを一体構成としてもよい。
【００２３】
フランジ１４の側壁には、処理室１０内からガスを排気するためのガス排気管１６が連結されている。なお、ガス導入管１５は、フランジ１４の近傍を通って反応管１１の上部に配設されている。
【００２４】
フランジ１４の外周の周囲を取り囲みように、処理に関わるガスが漏れないように収容するためのスカベンジャー２１が設けられている。スカベンジャー２１は、フランジ１４の外周の周囲を取り囲むように下方に起立する壁部１７と、壁部１７の下方に装着され、フランジ１４の外周と壁部１７とにより形成される空間を密閉するためのスカベンジャーカバー１８とを有する。
【００２５】
図２は、本発明の一実施形態に係るアニール処理装置のスカベンジャーカバーを説明する図である。
【００２６】
スカベンジャーカバー１８は、フランジ１４の側面とスカベンジャーカバー１８とを密着させて、フランジ１４の周囲からのガス漏れを防ぐためのリング状のリングパッキング１９と、スカベンジャーカバー１８と壁部１７とを密着させて、スカベンジャーカバー１８と壁部１７との接合部分からのガス漏れを防ぐためのスカベンジャーパッキング２０と、スカベンジャーカバー１８を取り外すことなく内部を確認することのできる窓部分を塞ぐ窓板部２１と、窓板部２１を窓部分に密着させて、ガス漏れを防ぐためのカバーパッキング２２とを有する。本実施形態においては、各パッキング１９、２０、２２は、アニール処理後のボート３３を処理室１０から移載室３２に移動させる場合において、ボート３３の移動範囲の周囲に位置しているので、ボート３３等の熱の影響を受け易い。特に、リングパッキング１９は、その内側をボート３３が移動することとなるので熱の影響を受け易い。そこで、本実施形態では、各パッキング１９、２０、２２についてのリン（ドーピング元素）の濃度を所定の濃度以下とすることにより、リンの発生を低減するようにしている。所定の濃度としては、例えば、１５０ｐｐｍ以下の濃度であることが好ましく、５０ｐｐｍ以下の濃度であることがより好ましい。
【００２７】
図１の説明に戻り、処理室１０の下方には、筐体３１により画成された移載室３２が形成されている。移載室３２においては、ボート３３に対するウェーハＷの移載処理、すなわち、処理対象のウェーハＷをボート３３に装填する処理と、アニール処理が行われたウェーハＷ（アニールウェーハ）をボート３３から脱装する処理とが行われる。
【００２８】
ボート３３は、複数のウェーハＷを装填可能となっている。ボート３３においては、例えば、上方の１以上のウェーハ載置位置と、下方の１以上のウェーハ載置位置には、ダミーウェーハＤＷが載置され、中間部分のウェーハ載置位置に処理対象のウェーハＷが載置される。なお、ダミーウェーハＤＷは、複数のバッチに亘って継続して載置されている。ボート３３は、下方との間の熱の移動を遮断するための断熱機構３９に支持されている。断熱機構３９の下端には、フランジ１４の下面と当接して、処理室１０を密閉するためのシールキャップ３４が備えられている。
【００２９】
シールキャップ３４は、下方をボートエレベータ３６の支持アーム３５によって支持されている。支持アーム３５は、昇降部３８に接続されている。昇降部３８は、ねじ溝が形成されており、図示しないモーターが送りネジ軸３７を回転させる上下方向に移動可能となっている。したがって、ボート３３を上下方向に移動させることができる。
【００３０】
これにより、ボート３３を上昇させて移載室３２から処理室１０に収容でき、また、処理室１０内のボート３３を下降させて移載室３２に搬出することができる。
【００３１】
次に、アニールウェーハ製造方法について説明する。
【００３２】
図３は、本発明の一実施形態に係るアニール処理装置によるアニールウェーハ製造方法の各工程を示すフローチャートである。なお、このアニールウェーハ製造方法は、各バッチ毎に繰り返して実行される。
【００３３】
まず、移載室３２内において、処理対象の複数のウェーハＷをボート３３に移載（装填）する（ステップＳ１）。
【００３４】
次いで、ボートエレベータ３６により、ボート３３を上昇させてボート３３を処理室１０内に収容する（ステップＳ２）。この際、ボート３３のシールキャップ３４が、フランジ１４の下面に圧着して、処理室１０が密閉状態となる。
【００３５】
次いで、アルゴンガスを導入しつつ、処理室１０内部の温度を上昇させ、所定の温度（例えば、１０００度以上）になった後に、アニール処理が実行される（ステップＳ３）。
【００３６】
次いで、アニール処理を所定の時間実行した後に、アニール処理が行われたウェーハ（処理後ウェーハ：アニールウェーハ）の温度が所定の温度以下（略７００度）になった場合に、ボートエレベータ３６によりボート３３を下降させてボート３３を処理室１０から移載室３２に移動させ（ステップＳ４）、移載室３２において、所定時間（例えば、３０分）待機してウェーハＷを冷却させ（ステップＳ５）、その後、ボート３３からアニールウェーハＷを取り出す（ステップＳ６）。ここで、本実施形態においては、スカベンジャー２１の各パッキング１９、２０、２２のリン濃度を所定濃度以下としているので、ボート３３が各パッキング１９、２０、２２の近傍を通過しても、パッキングから発生するリンの量を抑制することができる。
【００３７】
図４は、本発明の一実施形態に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハと、比較例に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハとを説明する図である。
【００３８】
本実施例においては、リン濃度が５０ｐｐｍ以下のパッキングをスカベンジャー２１のパッキング１９、２０、２２として用いたアニール処理装置１において、処理対象のウェーハＷをボート３３に載置し、ボート３３を処理室１０に移動させ、アニール処理を実行し、アニール処理後にウェーハＷの温度が７００度になった後に、処理室１０からボート３３を下降させて移載室３２に移動させ、その後、ボート３３からウェーハＷを取り出す一連の処理を繰り返し実行した。
【００３９】
また、比較例１においては、リン濃度が１８００ｐｐｍのパッキングをスカベンジャーのパッキングとして用いたアニール処理装置において、処理対象のウェーハＷをボート３３に載置し、ボート３３を処理室に移動させ、アニール処理を実行し、アニール処理後にウェーハＷの温度が５００度になった後に、処理室からボート３３を下降させて移載室３２に移動させ、その後、ボート３３からウェーハＷを取り出す一連の処理を繰り返し実行した。
【００４０】
また、比較例２においては、リン濃度が１８００ｐｐｍのパッキングをスカベンジャーのパッキングとして用いたアニール処理装置において、処理対象のウェーハＷをボート３３に載置し、ボート３３を処理室に移動させ、アニール処理を実行し、アニール処理後にウェーハＷの温度が７００度になった後に、処理室１０からボート３３を下降させて移載室３２に移動させ、その後、ボート３３からウェーハＷを取り出す一連の処理を繰り返し実行した。
【００４１】
本実施例により、製造されたアニールウェーハは、図４に示すように、面内抵抗率の標準偏差を面内抵抗率の平均で除算して得られる値Ｓ（σ／ＡＶＥ）が、１．２７％となり、比較例２のアニールウェーハの値Ｓ（３５．５％）よりも非常に低い値であり、また、比較例１のアニールウェーハの値Ｓ（３．１１％）よりも低い値である。このことから、本実施例により得られたアニールウェーハは、比較例１及び比較例２により得られたアニールウェーハよりも面内抵抗率が均一であることがわかる。
【００４２】
また、本実施例により、製造されたアニールウェーハは、図４に示すように、バルクの抵抗率に対する表層の抵抗率の比率が１．００であり、比較例２のアニールウェーハの値（３５．７３）よりも非常に低い値であり、比較例１のアニールウェーハの値（１．０５）よりも低い値である。このことから、本実施例により得られたアニールウェーハは、比較例１及び比較例２により得られたアニールウェーハよりも、深さ方向の抵抗率が均一であることがわかる。
【００４３】
また、実施例により製造されたアニールウェーハは、面内抵抗率や、深さ方向の抵抗率を均一にすることができるとともに、取出温度を高く維持することができるので、アニールウェーハの製造効率を高く維持することができる。
【００４４】
図５は、比較例に係るアニールウェーハ製造方法により製造されたアニールウェーハの汚染メカニズムの概要を示す図である。なお、同図においては、リンを丸印で示している。
【００４５】
アニール処理を行った後に、ボート３３を移載室３２に下降させる場合には、図５Ａに示すように、ボート３３がスカベンジャー２１のパッキング（特に、リングパッキング１９）の近傍を通過することになる。この際、ボート３３の温度の影響を受けて、パッキングの温度が上昇するので、パッキングに含まれるリン濃度が高いほど、パッキングから発生するリンが多くなり、更に、ボート３３の温度が高いほどリンの量が多くなると推測できる。このように、リンが発生した場合には、リンが移載室３２や処理室１０内に漂うことが推測できる。
【００４６】
これにより、移載室３２に漂っているリンがボート３３、断熱機構３９、ダミーウェーハＤＷに付着し、図５Ｂに示すように、次の処理対象（次のバッチ）のウェーハＷをボート３３に移載した時点では、ボート３３、断熱機構３９、ダミーウェーハＤＷにリンが付着していたり、処理室１０の壁面（反応管１２の内面）に付着していたりすることが考えられる。
【００４７】
このため、図５Ｃに示すように、ウェーハＷを載置したボート３３を処理室１０に収容し、アニール処理を実行すると、ボート３３、断熱機構３９、ダミーウェーハＤＷ、反応管１２等に付着していたリンが飛散し、ウェーハＷに付着して拡散し、ウェーハＷの品質を低下させることが推測できる。
【００４８】
このため、上記したように、パッキングのリンの濃度を所定の濃度以下にすることにより、ボート３３が通過した際におけるパッキングからのリンの発生を低減でき、ウェーハＷの品質の低下を低減しつつ、ボート３３を取り出す際の取出温度を高く維持することができ、ウェーハＷの製造効率を向上することができる。
【００４９】
以上、本発明を実施形態に基づいて説明したが、本発明は上述した実施形態に限られず、他の様々な態様に適用可能である。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、各パッキング１９、２０、２２のリン濃度を所定の濃度以下にするようにしていたが、本発明はこれに限られず、スカベンジャー２１を構成する全ての部材を所定の濃度以下にするようにしてもよい。また、上記実施形態では、スカベンジャーの部材を所定の濃度以下にする例を示していたが、例えば、移載室３２の部材のように、ボート３３の移動範囲に望む全ての部材を所定の濃度以下にするようにしてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、各パッキング１９、２０、２２を所定の濃度以下にしていたが、例えば、ウェーハＷの汚染への影響度が大きい一部のパッキング（例えば、リングパッキング１９）のみについてリンの濃度を所定の濃度以下にするようにしてもよく、このようにしても、ウェーハＷの品質の低下を低減することができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、各部材について、リンの濃度について所定の濃度以下にするようにしていたが、本発明はこれに限られず、リンに代えて、又はリンとともにボロン等の他のドーピング元素（ドーピングに用いられる元素）について所定の濃度以下にするようにしてもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、アニール処理装置に本発明を適用した例を説明していたが、本発明はこれに限られず、例えば、ウェーハを酸化させる酸化装置や、ウェーハにエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置にも本発明を適用することもでき、要は、熱処理を行う熱処理装置であれば本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１  アニール処理装置、１１  反応管、１２  均熱管、１３  ヒータ、１４  フランジ、１５  ガス導入管、１６  ガス排気管、１７  壁部、１８  スカベンジャーカバー、１９  リングパッキング、２０  スカベンジャーパッキング、２１  スカベンジャー、３１  筐体、３２  移載室、３３  ボート、３４  シールキャップ、３５  支持アーム、３６  ボートエレベータ、３７  送りねじ軸、３８  昇降部、３９  断熱機構、Ｗ  ウェーハ、ＤＷ  ダミーウェーハ。
【図１】
2010258317.tif 000003
【図２】
2010258317.tif 000004
【図３】
2010258317.tif 000005
【図４】
2010258317.tif 000006
【図５】
2010258317.tif 000007