(57)【要約】【課題】半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるために用いられるナノインプリントリソグラフィーに用いられるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を提供すること。【解決手段】下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、を含有し、その２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物である。2010258349.tif 000019【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物（Ａ）と、
光酸発生剤（Ｂ）と、を含有し、
その２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【化１】
2010258349.tif 000015
（前記一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。）
【請求項２】
前記化合物（Ａ）が、下記一般式（２）で表される化合物である請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【化２】
2010258349.tif 000016
（前記一般式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。Ｘは、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示す。）
【請求項３】
下記一般式（３）で表される置換基を有する化合物（Ｃ）を更に含有する請求項１又は２に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【化３】
2010258349.tif 000017
（前記一般式（３）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。）
【請求項４】
前記化合物（Ｃ）が、下記一般式（４）で表される化合物である請求項３に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【化４】
2010258349.tif 000018
（前記一般式（４）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｙは、炭素数１〜１０のｎ価の炭化水素基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有するｎ価の基を示す。ｎは、２以上の整数を示す。）
【請求項５】
前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｃ）の含有比（化合物（Ａ）／化合物（Ｃ））が、質量比で、１／９９〜９９／１である請求項３又は４に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【請求項６】
前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対し、前記化合物（Ｂ）の含有量が１〜３０質量部である請求項３〜５のいずれか１項に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【請求項７】
有機溶剤非含有組成物である請求項１〜６のいずれか１項に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程（１）と、
前記被形状転写層にスタンパを圧接する工程（２）と、
前記スタンパを圧接したまま前記被形状転写層を露光する工程（３）と、
前記スタンパを前記被形状転写層から剥離する工程（４）と、を含むナノインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物及びナノインプリント方法に関し、更に詳しくは、半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるために用いられるナノインプリントリソグラフィーに用いられるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物及びそれを用いたナノインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。従って、フォトリソグラフィ技術では、近年、１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザー）、１５７ｎｍ（Ｆ２エキシマレーザー）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）等の短波長光を用いたフォトリソグラフィ技術が開発されている。しかしながら、光の波長が短くなると、それに伴い、その波長の光を透過可能な物質が限られるため、微細構造の作製に限界が生じる。
【０００３】
一方、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法では、分解能が光の波長に依存せず、微細構造の作製が可能であるものの、スループットの悪さが問題となっている。
【０００４】
これに対して、光の波長以下の微細構造を高スループットで作製する手法として、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作製したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するナノインプリント法が開示されている（例えば、特許文献１〜３、並びに非特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号明細書
【特許文献２】米国特許第５９５６２１６号明細書
【特許文献３】特開２００８−１６２１９０号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】エス．ワイ．チョウ（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ）、「ナノインプリントリソグラフィ技術（Ｎａｎｏ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」
【非特許文献２】アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）第７６巻、１９９５年、ｐ．３１１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ナノインプリント法においては、これを実現する上で種々の解決すべき問題があるが、その中の一つに「レジスト膜のはがれ」という問題がある。ナノインプリント法では、レジストを塗布した基板をガラス転移温度以上に加熱してレジストを軟化させるために、押し付けたスタンパをレジスト膜から剥がす際に、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれるという不具合を生じることがあり、これを「レジスト膜のはがれ」と称している。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、被形状転写層にスタンパを用いて微細パターンを転写形成するナノインプリント方法において、レジスト膜がはがれることを抑制することができるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を提供することにある。また、その課題とするところは、被形状転写層にスタンパを用いて微細パターンを転写形成するナノインプリント方法において、レジスト膜がはがれることを抑制することができるナノインプリント方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、所定の置換基を有する化合物（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、を含有させ、その粘度を所定の値以下とすることによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。また、本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を用いることによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明によれば、以下に示すナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物及びナノインプリント方法が提供される。
【００１１】
［１］下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、を含有し、その２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００１２】
【化１】
2010258349.tif 000002
【００１３】
前記一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。
【００１４】
［２］前記化合物（Ａ）が、下記一般式（２）で表される化合物である前記［１］に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００１５】
【化２】
2010258349.tif 000003
【００１６】
前記一般式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。Ｘは、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示す。
【００１７】
［３］下記一般式（３）で表される置換基を有する化合物（Ｃ）を更に含有する前記［１］又は［２］に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００１８】
【化３】
2010258349.tif 000004
【００１９】
前記一般式（３）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。
【００２０】
［４］前記化合物（Ｃ）が、下記一般式（４）で表される化合物である前記［３］に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００２１】
【化４】
2010258349.tif 000005
【００２２】
前記一般式（４）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｙは、炭素数１〜１０のｎ価の炭化水素基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有するｎ価の基を示す。ｎは、２以上の整数を示す。
【００２３】
［５］前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｃ）の含有比（化合物（Ａ）／化合物（Ｃ））が、質量比で、１／９９〜９９／１である前記［３］又は［４］に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００２４】
［６］前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対し、前記化合物（Ｂ）の含有量が１〜３０質量部である前記［３］〜［５］のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００２５】
［７］有機溶剤非含有組成物である前記［１］〜［６］のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物。
【００２６】
［８］前記［１］〜［７］のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程（１）と、前記被形状転写層にスタンパを圧接する工程（２）と、前記スタンパを圧接したまま前記被形状転写層を露光する工程（３）と、前記スタンパを前記被形状転写層から剥離する工程（４）と、を含むナノインプリント方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、被形状転写層にスタンパを用いて微細パターンを転写形成するナノインプリント方法において、レジスト膜がはがれることを抑制することができるという効果を奏するものである。
【００２８】
また、本発明のナノインプリント方法によれば、被形状転写層にスタンパを用いて微細パターンを転写形成するナノインプリント方法において、レジスト膜がはがれることを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】基板上に被形状転写層を形成した後の状態の一例を示す模式図である。
【図２】被形状転写層にスタンパを圧接している状態の一例を示す模式図である。
【図３】スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光している状態の一例を示す模式図である。
【図４】スタンパを形状転写層から剥離した後の状態の一例を示す模式図である。
【図５】エッチングを行った後の状態の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
【００３１】
Ｉ  ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物
本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物（Ａ）（以下、単に「化合物（Ａ）」ともいう）と、光酸発生剤（Ｂ）と、を含有するものであり、その２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であるものである。また、下記一般式（３）で表される置換基を有する化合物（Ｃ）（以下、単に「化合物（Ｃ）」ともいう）を更に含有するものであることが好ましい。
【００３２】
【化５】
2010258349.tif 000006
【００３３】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。
【００３４】
【化６】
2010258349.tif 000007
【００３５】
一般式（３）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。
【００３６】
１  化合物（Ａ）
化合物（Ａ）は、上記一般式（１）で表される基を有する化合物であり、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
【００３７】
【化７】
2010258349.tif 000008
【００３８】
一般式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ５及びＲ６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。Ｘは、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示す。
【００３９】
一般式（１）及び（２）中、Ｒ１〜Ｒ３として表される基のうち、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等がある。また、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基等がある。更に、相互に結合して形成される環状の基としては、例えば、シクロヘキセン基、シクロへプテン基、シクロオクテン基等がある。
【００４０】
一般式（１）及び（２）中、Ｒ４として表される基のうち、炭素数２〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等がある。また、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基としては、例えば、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、アダマンチレン基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチレン基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニレン基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシレン基がある。
【００４１】
一般式（１）及び（２）中、Ｒ５及びＲ６として表される基のうち、フッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロへキシル基等がある。
【００４２】
一般式（２）中、Ｘとして表される置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基としては、例えば、アダマンチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基等がある。
【００４３】
化合物（Ａ）として、具体的には、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）アダマンタン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカン等を挙げることができる。
【００４４】
２  光酸発生剤（Ｂ）
光酸発生剤（Ｂ）としては、露光により酸を発生する作用を有するものであれば特に限定されないが、オニウム塩化合物（チオフェニウム塩化合物を含む）、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、ジアゾメタン化合物、スルホンイミド化合物、イミドスルホネート化合物、スルホナート化合物、キノンジアジド化合物等を用いることができる。
【００４５】
オニウム塩化合物として、具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、
【００４６】
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニル・フェニル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
【００４７】
シクロヘキシル・メチル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
【００４８】
１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
【００４９】
１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−テトラヒドロフラニルオキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシ）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
【００５０】
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等がある。より具体的には、（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体等が挙げられる。
【００５１】
ジアゾケトン化合物としては、例えば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等がある。より具体的には、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルが挙げられる。
【００５２】
スルホン化物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等がある。より具体的には、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等が挙げられる。
【００５３】
スルホン酸化合物として、具体的には、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
【００５４】
ジアゾメタン化合物として、具体的には、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−１，１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
【００５５】
スルホンイミド化合物として、具体的には、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．１．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファ−スルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【００５６】
イミドスルホネート化合物として、具体的には、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド等が挙げられる。
【００５７】
スルホナート化合物として、具体的には、ベンゾイントシラート、ピロガロールトリストリフレート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホナート、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−２−チエニルメチルシアニド、ｏ−（メタンスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、ｏ−（ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、（４−メチルスルホニルオキシイミノ−シクロヘキサ−２，５−ジエニリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−プロピルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（１０−カンファースルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−クロロフェニル）−アセトニトリル、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−［４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−プロパンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ］−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−プロパンスルホナート、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−［４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ］−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−ｐ−トルエンスルホナート等が挙げられる。
【００５８】
キノンジアジド化合物としては、例えば、ポリヒドロキシ化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル化合物等がある。好ましくは、１，２−キノンジアジドスルホニル基、例えば１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基、又は同種のものを有する化合物である。特に好ましくは、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を有する化合物である。特に適切なのは、（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，２，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等；ビス−［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン等；（ポリ）ヒドロキシフェニルアルカンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル、例えば、４，４’−ジヒドロキシトリフェニルメタン、４，４’，４’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、４，４’，５，５’−テトラメチル−２，２’，２’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，２，５，５’−テトラメチル−４，４’，４’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリ（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−［１−（ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル）エタン等；（ポリ）ヒドロキシフェニルフラバンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル、例えば、２，４，４−トリメチル−２’，４’，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバン、２，４，４−トリメチル−２’，４’，５’，６，７−ペンタヒドロキシ−２−フェニルフラバン等が挙げられる。
【００５９】
これらの中でも、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。なお、光酸発生剤（Ｂ）は１種単独で用いても良く、２種以上を用いても良い。
【００６０】
光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対して、１〜３０質量部であることが好ましく、１〜２０質量部であることが更に好ましく、１〜１５質量部であることが特に好ましい。含有量が１質量部未満であると、被形状転写層が露光により十分に硬化されない場合がある。一方、３０質量部超であると、異物発生など保存安定性が悪化する場合がある。
【００６１】
３  化合物（Ｃ）
化合物（Ｃ）は、上記一般式（３）で表される基を有する化合物であり、下記一般式（４）で表される化合物であることが好ましい。
【００６２】
【化８】
2010258349.tif 000009
【００６３】
一般式（４）中、Ｒ７〜Ｒ９は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ１０は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｙは、炭素数１〜１０のｎ価の炭化水素基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有するｎ価の基を示す。ｎは、２以上の整数を示す。
【００６４】
一般式（３）及び（４）中、Ｒ７〜Ｒ９として表される基のうち、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等がある。また、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基等がある。更に、相互に結合して形成される環状の基としては、例えば、シクロヘキセン基、シクロへプテン基、シクロオクテン基等がある。
【００６５】
一般式（３）及び（４）中、Ｒ１０として表される基のうち、炭素数２〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等がある。また、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基としては、例えば、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、アダマンチレン基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチレン基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニレン基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシレン基等がある。
【００６６】
一般式（４）中、Ｙとして表される基のうち、炭素数１〜１０のｎ価の炭化水素基としては、直鎖状又は分岐状のアルキル基やアルキレン基等がある。また、炭素数６〜１２の置換又は非置換の脂環式炭化水素構造を有するｎ価の基としては、例えば、アダマンチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基等がある。
【００６７】
一般式（４）中、ｎは、２以上の整数を示し、３以上の整数であることが好ましい。
【００６８】
化合物（Ｃ）は、ビニルエーテル基を有する化合物であれば良く、例えば、アルキルビニルエーテル類、芳香族ビニルエーテル類、α−置換ビニルエーテル類、β−置換ビニルエーテル類、オキセタン環含有ビニルエーテル類、及び分子内に２以上の官能基を有する多官能化合物（ジビニルエーテル類、トリビニルエーテル類等）等がある。
【００６９】
アルキルビニルエーテル類としては、例えば、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｉ−ブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、ｎ−ペンチルビニルエーテル、ｉ−ペンチルビニルエーテル、ｔ−ペンチルビニルエーテル、ｎ−ヘキシルビニルエーテル、ｉ−ヘキシルビニルエーテル、ｔ−ヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、ｎ−ヘプチルビニルエーテル、ｉ−ヘプチルビニルエーテル、ｔ−ヘプチルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、ノニルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル類がある。
【００７０】
芳香族ビニルエーテル類としては、例えば、フェニル、ベンジル、ｏ−クレジル、ｐ−クレジル、ｐ−クロルフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル等の芳香族性炭化水素基を分子内に有する芳香族ビニルエーテル類等がある。
【００７１】
α−置換ビニルエーテル類としては、例えば、α−メチルビニルエチルエーテル、α−エチルビニルエチルエーテル、α−フェニルビニルエチルエーテル等がある。また、β−置換ビニルエーテル類としては、例えば、β−メチルビニルエチルエーテル、β−メチルビニルイソプロピルエーテル、β−メチルビニルｎ−ブチルエーテル、β−メチルビニルイソブチルエーテル、β−メチルビニルｔ−ブチルエーテル等がある。
【００７２】
オキセタン環含有ビニルエーテル類としては、例えば、３−メチル−３−（ビニルオキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（ビニルオキシメチル）オキセタン、３−プロピル−３−（ビニルオキシメチル）オキセタン、３−メチル−３−（２−ビニルオキシエチル）オキセタン、３−エチル−３−（２−ビニルオキシエチル）オキセタン、３−プロピル−３−（２−ビニルオキシエチル）オキセタン、３−メチル−３−（３−ビニルオキシプロピル）オキセタン、３−エチル−３−（３−ビニルオキシプロピル）オキセタン、３−プロピル−３−（３−ビニルオキシプロピル）オキセタン、３−メチル−３−（３−ビニルオキシブチル）オキセタン、３−エチル−３−（３−ビニルオキシブチル）オキセタン、３−プロピル−３−（３−ビニルオキシブチル）オキセタン、エチレングリコール［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビニルエーテル、プロピレングリコール［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビニルエーテル等がある。
【００７３】
分子内に２つの官能基を有する化合物としては、例えば、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、１，４−シクロサンジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジアリルエーテル、１，４−ジエチルシクロヘキシルジビニルエーテル、１，８−オクタンジビニルエーテル、１，８−オクタンジアリルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、イソソルバイトジビニルエーテル、オキソノルボルネンジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、ノナンジオールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、チリエチレングリコールジビニルエーテル、シクロヘキサンメタノールジビニルエーテル等のジビニルエーテル類；ビスフェノール−Ａジビニルエーテル、ビスフェノール−Ｆジビニルエーテル、１，３−ベンゼンジメチルジビニルエーテル等の芳香族ジビニルエーテル類等がある。
【００７４】
分子内に３つ以上の官能基を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、チリメチロールプロパントリビニルエーテル等のトリビニルエーテル類（三官能体）；ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル等のテトラビニルエーテル類（四官能体）；ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル等のペンタビニルエーテル類（五官能体）；ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル等のヘキサビニルエーテル類（六官能体）等がある。
【００７５】
ビニルエーテル類の市販品としては、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル（ＨＥＶＥ）、ジエチレングリコールモノビニルエーテル（ＤＥＧＶ）、２−ヒドロキシブチルビニルエーテル（ＨＢＶＥ）、トリエチレングリコールジビニルエーテル（以上、丸善石油化学社製）、ＲＡＰＩ−ＣＵＲＥシリーズ、Ｖ−ＰＹＲＯＬＲ  （Ｎ−Ｖｉｎｙ−２−Ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）、Ｖ−ＣＡＰＴＭ  （Ｎ−Ｖｉｎｙｌ−２−Ｃａｐｒｏｌａｃｔａｍ）（以上、ＩＳＰ社製）等が入手可能である。
【００７６】
これらの化合物（Ｃ）は、公知の合成方法、例えば、アルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属アルコラート触媒の存在下で、対応するオキセタンアルコールとアセチレンとを気液接触応させる方法や、遷移金属錯体触媒の存在下で、対応するアルコールとアルキルビニルエーテルをエーテル交換反応させる方法等により合成することができる。
【００７７】
化合物（Ａ）と化合物（Ｃ）の含有比（化合物（Ａ）／化合物（Ｃ））は、質量比で、１／９９〜９９／１であることが好ましく、５／９５〜８０／２０であることが更に好ましく、１０／９０〜７０／３０であることが特に好ましい。含有比がこの範囲にない場合、テンプレートからの離型不良という問題が発生する場合がある。
【００７８】
４  有機溶剤
本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、有機溶剤非含有組成物であることが更に好ましい。なお、本明細書にいう「有機溶剤非含有」とは、本発明の効果を損なわない限り、有機溶剤を含有してもよいことをいう。より具体的には、化合物（Ａ）〜（Ｃ）の合計に対して、５０質量％以下の有機溶剤を含有してもよいことをいう。このように、有機溶剤の含有量を制限することで、有機溶剤の揮発を目的としたベーク工程が不要になったり、気泡を取り込んだりすることがないために好ましい。
【００７９】
有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；テトラヒドロフラン等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のジエチレングリコール類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン類；２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類等のエステル類等；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高沸点溶剤等がある。なお、これらは１種を単独使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
【００８０】
５  その他の成分
また、本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、離型剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、無機粒子、エラストマー粒子、酸化防止剤、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調整剤、消泡剤、分散剤等を含有してもよい。
【００８１】
（離型剤）
離型剤としては従来公知の離型剤、例えば、シリコーン系離型剤、ポリエチレンワックス、アミドワックス、テトラフルオロエチレンパウダー等の固形ワックス、フッ素系、リン酸エステル系化合物等がある。
【００８２】
シリコーン系離型剤は、オルガノポリシロキサン構造を基本構造とする離型剤であり、例えば、未変性又は変性シリコーンオイル、トリメチルシロキシケイ酸を含有するポリシロキサン、シリコーン系アクリル樹脂等がある。
【００８３】
離型剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．００１〜１０質量％であることが好ましく、０．０１〜５質量％であることがより好ましい。０．０１質量％未満であると、離型剤を含有することの効果が十分ではない場合がある。一方、１０質量％超であると、形状転写時に膜剥がれが起こる場合がある。
【００８４】
（シランカップリング剤）
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン；γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン等のアクリルシラン；β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエポキシシラン；Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン；γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン等がある。
【００８５】
シランカップリング剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．００１〜１０質量％であることが好ましい。０．００１質量％未満であると、シランカップリング剤を含有させる効果が十分ではない場合がある。一方、１０質量％超であると、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の安定性や、成膜性が劣る場合がある。
【００８６】
（酸化防止剤）
酸化防止剤の市販品としては、例えば、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、同１０３５、同１０７６、同１２２２（以上、チバガイギー社製）、Ａｎｔｉｇｅｎｅ  Ｐ、同３Ｃ、同ＦＲ、スミライザーＳ（以上、住友化学工業社製）等がある。酸化防止剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましい。
【００８７】
（紫外線吸収剤）
紫外線吸収剤の市販品としては、例えば、Ｔｉｎｕｖｉｎ  Ｐ、２３４、３２０、３２６、３２７、３２８、２１３（以上、チバガイギー社製）、Ｓｕｍｉｓｏｒｂ１１０、同１３０、同１４０、同２２０、同２５０、同３００、同３２０、同３４０、同３５０、同４００（以上、住友化学工業社製）等がある。紫外線吸収剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましい。
【００８８】
（光安定剤）
光安定剤の市販品としては、例えば、Ｔｉｎｕｖｉｎ  ２９２、同１４４、同６２２ＬＤ（以上、チバガイギー社製）、サノールＬＳ−７７０、同７６５、同２９２、同２６２６、同１１１４、同７４４（以上、三共化成工業社製）等がある。光安定剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましい。
【００８９】
（老化防止剤）
老化防止剤の市販品としては、例えば、Ａｎｔｉｇｅｎｅ  Ｗ、同Ｓ、同Ｐ、同３Ｃ、同６Ｃ、同ＲＤ−Ｇ、同ＦＲ、同ＡＷ（以上、住友化学工業社製）等がある。老化防止剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましい。
【００９０】
（可塑剤）
可塑剤としては、例えば、ジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、トリエチレングリコールジカプリレート、ジメチルグリコールフタレート、トリクレジルホスフェート、ジオクチルアジペート、ジブチルセバケート、トリアセチルグリセリン、ジメチルアジペート、ジエチルアジペート、ジ（ｎ−ブチル）アジペート、ジメチルスベレート、ジエチルスベレート、ジ（ｎ−ブチル）スベレート等がある。可塑剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましい。なお、可塑剤の含有効果を得るためには、０．１質量％以上であることが好ましい。
【００９１】
（密着促進剤）
密着促進剤としては、例えば、ベンズイミダゾール類やポリベンズイミダゾール類、低級ヒドロキシアルキル置換ピリジン誘導体、含窒素複素環化合物、ウレア又はチオウレア、有機燐化合物、８−オキシキノリン、４−ヒドロキシプテリジン、１，１０−フェナントロリン、２，２’−ビピリジン誘導体、ベンゾトリアゾール類、有機燐化合物とフェニレンジアミン化合物、２−アミノ−１−フェニルエタノール、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン，Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン及びその誘導体、ベンゾチアゾール誘導体等がある。密着促進剤の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることが更に好ましい。なお、密着促進剤の添加は効果を得るためには、０．１質量％以上であることが好ましい。
【００９２】
（熱重合開始剤）
熱重合開始剤としては、例えば、過酸化物、アゾ化合物がある。具体的には、ベンゾイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチル−パーオキシベンゾエート、アゾビスイソブチロニトリル等を挙げることができる。
【００９３】
（着色剤）
着色剤としては、ＵＶインクジェット組成物、カラーフィルター用組成物、及びＣＣＤイメージセンサ用組成物等で用いられている顔料や染料がある。顔料としては、従来公知の種々の無機顔料又は有機顔料がある。無機顔料としては、金属酸化物、金属錯塩等で示される金属化合物であり、具体的には、鉄、コバルト、アルミニウム、カドミウム、鉛、銅、チタン、マグネシウム、クロム、亜鉛、アンチモン等の金属酸化物、金属複合酸化物を挙げることができる。有機顔料として、具体的には、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １１、同２４、同３１、同５３、同８３、同９９、同１０８、同１０９、同１１０、同１３８、同１３９、同１５１、同１５４、同１６７、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ３６、同３８、同４３、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｒｅｄ  １０５、同１２２、同１４９、同１５０、同１５５、同１７１、同１７５、同１７６、同１７７、同２０９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  １９、同２３、同３２、同３９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １、同２、同１５、同１６、同２２、同６０、同６６、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｇｒｅｅｎ  ７、同３６、同３７、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２５、同２８、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌａｃｋ  １、同７、及びカーボンブラックを挙げることができる。
【００９４】
（無機粒子）
無機粒子としては、超微粒子サイズのものを用いることが好ましい。ここで「超微粒子」とは、サブミクロンオーダーの粒子のことをいい、一般的に「微粒子」と呼ばれている数μｍ〜数百μｍの粒子サイズを有する粒子よりも粒子サイズの小さいものをいう。具体的なサイズは、一次粒子サイズが１〜３００ｎｍの範囲のものを用いるのが好ましい。一次粒子サイズが１ｎｍ以上であると、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の賦型性、形状維持性、及び離型性を十分に向上させることができる。一方、一次粒子サイズが３００ｎｍ以下であると、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の硬化に必要な透明性を保つことができ、透明性の点で好ましい。
【００９５】
無機粒子の具体例としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物微粒子を挙げることができる。これらの中でも、コロイド状分散が可能であり、且つ、サブミクロンオーダーの粒子サイズを有するものが好ましく、コロイダルシリカ（ＳｉＯ２）微粒子が特に好ましい。
【００９６】
無機粒子の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、１〜７０質量％であることが好ましく、１〜５０質量％であることが特に好ましい。１質量％以上であると、賦型性、形状維持性、及び離型性を十分に向上させることができる。一方、７０質量％以下であると、露光硬化後の強度や表面硬度の点で好ましい。
【００９７】
（エラストマー粒子）
エラストマー粒子としては、例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／イソプレン共重合体、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／α−オレフィン系共重合体、エチレン／α−オレフィン／ポリエン共重合体、アクリルゴム、ブタジエン／（メタ）アクリル酸エステル共重合体、スチレン／ブタジエンブロック共重合体、スチレン／イソプレンブロック共重合体等のエラストマーの粒子がある。また、これらエラストマー粒子を、メチルメタアクリレートポリマー、メチルメタアクリレート／グリシジルメタアクリレート共重合体等で被覆したコア／シェル型の粒子を用いることもできる。更に、エラストマー粒子は架橋構造をとっていてもよい。
【００９８】
エラストマー粒子の市販品としては、例えば、レジナスボンドＲＫＢ（レジナス化成社製）、テクノＭＢＳ−６１、同６９（以上、テクノポリマー社製）等がある。なお、これらエラストマー粒子は１種単独で用いても良く、２種以上組み合わせて用いても良い。
【００９９】
エラストマー粒子の平均粒子サイズは、１０〜７００ｎｍであることが好ましく、３０〜３００ｎｍであることより好ましい。エラストマー粒子の含有割合は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物１００質量％に対して、１〜３５質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましく、３〜２０質量％であることが特に好ましい。
【０１００】
（酸化防止剤）
酸化防止剤は、光照射による退色、及びオゾン、活性酸素、ＮＯｘ、ＳＯｘ（ｘは、整数を示す）等の各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。このような酸化防止剤としては、例えば、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体等がある。
【０１０１】
（塩基性化合物）
塩基性化合物としては、例えば、アミン；キノリン、キノリジン等の含窒素複素環化合物；塩基性アルカリ金属化合物；塩基性アルカリ土類金属化合物等がある。これらの中でも、光重合性モノマーとの相溶性の面からアミンが好ましく、例えば、オクチルアミン、ナフチルアミン、キシレンジアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン、ジメチルアニリン、キヌクリジン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチル−１，６−ヘキサメチレンジアミン、ヘキサメチレンテトラミン、トリエタノールアミン等がある。
【０１０２】
本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の２５℃における粘度は５０ｍＰａ・ｓ以下であり、４０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、３０ｍＰａ・ｓ以下であることが更に好ましい。２５℃における粘度は５０ｍＰａ・ｓ超であると、本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物からなる被形状転写層にスタンパを圧接した場合に、パターンが正確に転写されない場合がある。なお、粘度の下限値は、通常、０．１ｍＰａ・ｓである。
【０１０３】
ＩＩ  ナノインプリント方法
本発明のナノインプリント方法は、「Ｉ  ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物」に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程（１）（以下、「被形状転写層形成工程」ともいう）と、被形状転写層にスタンパを圧接する工程（２）（以下、「圧接工程」ともいう）と、スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程（３）（以下、「露光工程」ともいう）と、スタンパを被形状転写層から剥離する工程（４）（以下、「剥離工程」ともいう）と、を含む方法である。なお、剥離工程の後に、エッチングを行う工程（５）（以下、「エッチング工程」ともいう）を更に含む方法が好ましい。
【０１０４】
１  工程（１）
被形状転写層形成工程は、基板上にナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を用いて、被形状転写層を形成する工程である。図１は、基板上に被形状転写層を形成した後の状態の一例を示す模式図である。被形状転写層形成工程は、図１に示すように、基板１上に被形状転写層２を形成する工程である。
【０１０５】
基板としては、通常、シリコンウェハが用いられるが、その他、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選んで用いることができる。
【０１０６】
被形状転写層を構成する成分は、「Ｉ  ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物」に記載のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物である。また、被形状転写層には、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物以外にも、硬化促進剤を含有させることができる。硬化促進剤として、例えば、感放射線性硬化促進剤や熱硬化促進剤がある。これらの中でも、感放射線性硬化促進剤が好ましい。感放射線性硬化促進剤は、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を構成する構成単位によって適宜選択できる。具体的には、光酸発生剤、光塩基発生剤、光ラジカル発生剤、及び光増感剤等を挙げることができる。なお、感放射線性硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１０７】
ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等により、塗布し、被形状転写層を形成することができる。なお、被形状転写層の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１〜５．０μｍである。
【０１０８】
２  工程（２）
圧接工程は、被形状転写層にスタンパを圧接する工程である。図２は、被形状転写層にスタンパを圧接している状態の一例を示す模式図である。図２に示すように、工程（１）で形成した被形状転写層２にスタンパ３を圧接することで、被形状転写層２中に、スタンパ３の凹凸パターンが形成される。
【０１０９】
スタンパとしては、例えば、光透過性の材料で構成される必要がある。具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等を挙げることができる。
【０１１０】
圧接の際の圧力は特に限定されないが、通常、０．１〜１００ＭＰａであり、０．１〜５０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜３０ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜２０ＭＰａであることが更に好ましい。また、圧接する時間は特に限定されないが、通常、１〜６００秒であり、１〜３００秒であることが好ましく、１〜１８０秒であることがより好ましく、１〜１２０秒であることが特に好ましい。
【０１１１】
３  工程（３）
露光工程は、スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程である。図３は、スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光している状態の一例を示す模式図である。図３に示すように、被形状転写層３を露光することにより、スタンパ２の凹凸パターンが被形状転写層３に転写される。このように凹凸パターンが転写されることで、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。
【０１１２】
露光源としては、特に限定されるものではない。例えば、ＵＶ光、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線（ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等を含む）を用いることができる。また、露光は被形状転写層の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。
【０１１３】
また、被形状転写層が熱硬化性を有する場合には、加熱硬化を更に行ってもよい。熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で、４０〜２００℃で加熱することができる。加熱は、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いて行うことができる。
【０１１４】
４  工程（４）
剥離工程は、スタンパ３を被形状転写層２から剥離する工程である。図４は、スタンパを形状転写層から剥離した後の状態の一例を示す模式図である。剥離工程はどのようにして行ってもよく、剥離に際する各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、基板１を固定してスタンパを基板１から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、スタンパを固定して基板１をスタンパから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って剥離してもよい。
【０１１５】
また、本発明のインプリント方法では離型剤を用いることができる。即ち、圧接工程前に、スタンパの凹凸パターンを有する表面に離型剤を付着させる離型剤付着工程を行ってもよい。
【０１１６】
離型剤を用いる場合、その種類は特に限定されないが、例えば、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等がある。なお、離型剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、シリコン系離型剤が特に好ましい。シリコン系離型剤として、具体的には、ポリジメチルシロキサン、アクリルシリコーングラフトポリマー、アクリルシロキサン、アリールシロキサン等を挙げることができる。
【０１１７】
５  工程（５）
エッチング工程は、形状転写層の残部の凹部をエッチングにより取り除く工程である。図５は、エッチングを行った後の状態の一例を示す模式図である。図５に示すように、エッチング処理を行うことで、形状転写層のパターン形状のうち、不要な部分を取り除き、所望のレジストパターン１０を形成することができる。
【０１１８】
エッチング方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを行うことで形成することができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜の元素組成によって適宜選択されるが、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス、Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。
【実施例】
【０１１９】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。また、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。
【０１２０】
［粘度（ｍＰａ・ｓ）］：Ｅ型粘度計（ＴＯＫＩＭＩＣ社製）を用いて２５℃における粘度を測定した。
【０１２１】
［離型性の評価］：走査型電子顕微鏡（Ｓ−４２００、日立ハイテクノロジーズ社製）にて断面形状を観察し、３５０ｎｍ線幅でパターン角度が８５度付近の場合を「良好」と評価し、そうでない場合「不良」と評価した。
【０１２２】
（実施例１）
下記式（Ａ−１）で表される化合物５０部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート（下記式（Ｂ−１）で表される化合物）２部、下記式（Ｃ−２）で表される化合物５０部を混合することで、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を調製した。なお、調製したナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の２５℃における粘度は、２ｍＰａ・ｓであった。
【０１２３】
【化９】
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【０１２４】
【化１０】
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【０１２５】
【化１１】
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【０１２６】
（比較例１）
表１に示す配合処方にしたこと以外は、実施例１と同様にしてナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を調製した。
【０１２７】
【表１】
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【０１２８】
なお、表１中、（Ｃ−１）で表される化合物（テトラシクロヘキシル−２，３−ジビニルエーテル）を以下に示す。
【０１２９】
【化１２】
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【０１３０】
（実施例２）
先ず、コータ／デベロッパ（商品名「ＣＬＥＡＮ  ＴＲＡＣＫ  ＡＣＴ８」、東京エレクトロン社製）を用いて、８インチシリコンウエハの表面に、膜厚３００ｎｍの有機下層膜（商品名「ＮＦＣ  ＣＴ０８」、ＪＳＲ社製）を形成した。次いで、膜厚４５ｎｍの無機中間膜（商品名「ＮＦＣ  ＳＯＧ０８」、ＪＳＲ社製）を形成した後、四分割して実験用基板とした。その後、実施例１で調製したナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を実験用基板の中心に約５０μＬスポットし、簡易インプリント装置（ＥＵＮ−４２００、エンジニアリングシステム社製）のワークステージに設置した。一方、離型剤（商品名「ＨＤ−１１００Ｚ」、ダイキン化成社製）を所定の方法であらかじめ塗布した石英テンプレート（ＮＩＭ−ＰＨ３５０、ＮＴＴ−ＡＴＮ社製）を、シリコーンゴム（厚さ０．２ｍｍ）を接着層として、簡易インプリント装置の石英製露光ヘッドへ貼り付けた。次いで、簡易インプリント装置の圧力を０．２ＭＰａとした後、露光ヘッドを下降し、テンプレートと実験基板とを、ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を介して密着させた後、ＵＶ露光を１５秒間実施した。１５秒後に露光ステージを上昇し、テンプレートを硬化した被形状転写層から剥離し、パターンを形成した。形成したパターンの離型性の評価は「良好」であった。
【０１３１】
（比較例２）
実施例１で調製したナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物の代わりに比較例１で調製したナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてパターンを形成した。形成したパターンの離型性の評価は「不良」であった。
【０１３２】
実施例２及び比較例２の結果からわかるように、本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物を用いると、離型性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明のナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物は、半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるために用いられるナノインプリントリソグラフィーに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１３４】
１：基板、２：被形状転写層、３：スタンパ、４：光、５：形状転写層、１０：レジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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