(57)【要約】【課題】セル内の抵抗成分を考慮して自動配置配線が行われた高密度セルを備えた半導体集積装置及び自動配置配線方法を提供する。【解決手段】ライブラリ内に蓄積されたセルＸ１及びセルＹ２を含む２種類以上のセルから、所定の条件に基づいて選択されたセルが配列された半導体集積装置であって、ライブラリ内に格納された各々のセルの拡散抵抗値を示す情報に基づいて、隣接する列において自動配線配置における最大値ルールを満たすように選択されたセルＸ１、セルＹ２が配列されている。【選択図】図１
2010067778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライブラリ内に蓄積された２種類以上のセルから、所定の条件に基づいて選択されたセルが配列された半導体集積装置であって、
前記ライブラリ内に格納された各々のセルの拡散抵抗値を示す情報に基づいて、隣接する列において自動配線配置における最大値ルールを満たすように選択されたセルが配列されていることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項２】
隣接する列において、前記拡散抵抗性値が前記最大値ルール値を超えるセルと、前記拡散抵抗性値が前記最大値ルール値の半分以下のセルとが隣接することを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。
【請求項３】
前記拡散抵抗値が前記最大値ルールを超えるセルを互いに含む隣接する列において、一方の列と他方の列とがシフトして配置されたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。
【請求項４】
任意の列のセル同士の間に、幅が１グリッド以上でコンタクトを備えたフィールドセルが挿入されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。
【請求項５】
セル単体では不要なコンタクトを一つ以上備えたセルが配列されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の半導体集積装置。
【請求項６】
ライブラリ内に蓄積された２種類以上のセルから、所定の条件に基づいて選択したセルを配列する半導体装置の自動配置配線方法であって、
前記ライブラリ内に各々のセルの拡散抵抗値を示す拡散抵抗値情報を格納しておき、
前記拡散抵抗値情報に基づいて隣接するセルにおいて自動配置配線における最大値ルールを満たすように選択したセルを配列することを特徴とする自動配置配線方法。
【請求項７】
隣接する列において、前記拡散抵抗性値が前記最大値ルール値を超えるセルと、前記拡散抵抗性値が前記最大値ルール値の半分以下のセルとが隣接して配列することを特徴とする請求項６記載の自動配置配線方法。
【請求項８】
隣接する列において、前記拡散抵抗値が前記最大値ルールを超えるセルがオフセット配置されるように、一方の列と他方の列とがシフトして配置することを特徴とする請求項７記載の自動配置配線方法。
【請求項９】
任意の列のセル同士の間に、幅が１グリッド以上のスペースを挿入し、
該スペースにコンタクトを備えたフィールドセルを配置することを特徴とする請求項８記載の自動配置配線方法。
【請求項１０】
前記ライブラリに、セル単体では不要なコンタクトを一つ以上備えたセルと、そのセルの拡散抵抗値情報とを格納しておくことを特徴とする請求項６から９のいずれか１項記載の自動配置配線方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動配置配線で設計される半導体集積回路レイアウト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の自動配置配線に関する従来技術としては、特許文献１に開示される「半導体集積回路装置及びその設計方法」がある。
【０００３】
自動配置配線を行う上で、半導体集積回路の高密度化を行いコストダウンを実現するためには、スタンダードセルの低グリッド化が必要となっている。
【０００４】
低グリッドにおいては、図５に示す従来のスタンダードセルに対し、基板電位を削除（Tapless）し、さらに、拡散を引き回すことにより、セル面積をできる限り縮小したセルが存在する。このような高密度セルを図６に示す。
【特許文献１】特開２００６−１７３４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図６に示すような高密度セルにおいては、拡散抵抗成分によりセル性能に影響を及ぼす。
具体的には、拡散抵抗成分が、セル上下の電源又はGNDラインからの寄生抵抗成分となり、電源であれば電圧降下を発生し、特に低電圧動作ではスタンダードセルの性能を劣化させる。
【０００６】
すなわち、従来の高密度セルの自動配置配線においては、セル内の抵抗成分は考慮されていなかったため、セルの性能が劣化してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、セル内の抵抗成分を考慮して自動配置配線が行われた高密度セルを備えた半導体集積装置及び自動配置配線方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、第１の態様として、ライブラリ内に蓄積された２種類以上のセルから、所定の条件に基づいて選択されたセルが配列された半導体集積装置であって、ライブラリ内に格納された各々のセルの拡散抵抗値を示す情報に基づいて、隣接する列において自動配線配置における最大値ルールを満たすように選択されたセルが配列されていることを特徴とする半導体集積装置を提供するものである。
【０００９】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第２の態様として、ライブラリ内に蓄積された２種類以上のセルから、所定の条件に基づいて選択したセルを配列する半導体装置の自動配置配線方法であって、ライブラリ内に各々のセルの拡散抵抗値を示す拡散抵抗値情報を格納しておき、拡散抵抗値情報に基づいて隣接するセルにおいて自動配置配線における最大値ルールを満たすように選択したセルを配列することを特徴とする自動配置配線方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、セル内の抵抗成分を考慮して自動配置配線が行われた高密度セルを備えた半導体集積装置及び自動配置配線方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の好適な実施の形態について説明する。
図１〜４に、本発明の好適な実施の形態に係る半導体集積装置のセルの配置を示す。なお、比較のための従来の配置構成を図７に示す。
本実施形態に係る半導体集積装置は、図６に示す拡散抵抗成分ａを備えたセルＸと、拡散抵抗成分ａ／２を備えたセルＹとを有する。
【００１２】
ここで、距離ａは最大値ルール値ｂよりも大きく、距離ａ／２はｂよりも小さいとする。
【００１３】
図７は、セルＹ２については値ｂよりも小さいが、セルＸ１は１列目、２列目ともに値ｂよりも大きいため、好ましくない配置である。
【００１４】
図１は、セルＸ１とセルＹ２とをたすきがけに入れ替えた配置である。セル配置により値ａの間にコンタクトが配置され、値ｂを満たす間隔でコンタクトが位置するため、最大値ルールを満たすことが可能となる。
【００１５】
図２は、一つ目の列と二つ目の列とでセルＸ１をシフトした配置である。このような配置とすることにより、値ｂを満たす（ｂ未満の間隔でコンタクトを配置する）ことが可能となる。
【００１６】
図３は、セル間に強制的にスペースセル３を挿入してスペースを与え、セルＸ１に対する値ｂ内に、最終的にこのスペースには、コンタクトを備えるフィールドセルが挿入されることでルールを満たすことが可能である。
【００１７】
図４に示す配置では、本来ならばｃ位置にコンタクトがあるため、単体セル性能はどこに配置されても問題ないが、ｄ位置にコンタクトを配置する余裕がある場合、そこにコンタクトを配置し、第２の拡散距離情報としてライブラリに追加する。
このコンタクトｄ及び第２の拡散距離情報は、セル単体で必要なコンタクトのみに基づく拡散距離情報（第１の拡散距離情報）とともに、隣接する列の距離緩和に利用可能である。
【００１８】
本実施形態に係る半導体集積装置は、拡散抵抗値を目標以下とするセル配置がなされているため、自動配置配線領域の回路性能が劣化することがない。これは、既存フィード領域や第２の拡散距離情報を活用することにより実現可能である。
【００１９】
なお、上記実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれに限定されることなく様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る半導体集積装置のセル配置の一例を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施の形態に係る半導体集積装置のセル配置の一例を示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る半導体集積装置のセル配置の一例を示す図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る半導体集積装置のセル配置の一例を示す図である。
【図５】スタンダードセルの構成を示す図である。
【図６】高密度セルの構成を示す図である。
【図７】従来の半導体集積装置のセル配置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００２１】
１    セルＸ
２    セルＹ
３    スペースセル
【図１】
2010067778.tif 000003
【図２】
2010067778.tif 000004
【図３】
2010067778.tif 000005
【図４】
2010067778.tif 000006
【図５】
2010067778.tif 000007
【図６】
2010067778.tif 000008
【図７】
2010067778.tif 000009