(57)【要約】【課題】ヒートサイクル時の応力を充分に低減でき、半導体素子や回路基板とのアンダーフィル材との密着性が充分に高く、さらに、ブリードの発生を抑制できるアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有するアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ基を有するシランカップリング剤とアミノ基を有するポリシロキサン化合物との反応生成物を、組成物全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とするアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を用いる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有するアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ基を有するシランカップリング剤とアミノ基を有するポリシロキサン化合物との反応生成物を、組成物全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とするアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記反応生成物が、１００〜１２０℃で加熱溶融した前記ポリシロキサン化合物に、前記ポリシロキサン化合物１００質量部に対して５〜３０質量部の前記シランカップリング剤を添加し、２０〜１２０分間攪拌混合して反応して得られるものである請求項１に記載のアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物で半導体素子と回路基板との間を封止成形して形成されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物、及び該組成物で半導体素子と回路基板との間を封止成形して形成される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、シリコンチップ等の半導体素子を封止材料で封止して半導体パッケージを形成することにより得られる。また、半導体装置は、高密度化、高集積化、及び動作の高速化等が求められる傾向にあり、それに伴って、小型化及び薄型化等を達成できる半導体パッケージが要求されている。このような要求に対応する実装としては、例えば、フリップチップ実装等が挙げられる。
【０００３】
フリップチップ実装とは、半導体素子の外部接続用パッドに、はんだ等からなるバンプ電極を直接形成し、このバンプ電極を用いて回路基板にフェイスダウンで接続し、搭載する方法である。そして、フリップチップ実装の場合、半導体素子と回路基板との間にはアンダーフィル材を充填して封止する。アンダーフィル材は、半導体素子と回路基板との熱膨張率の差異によってバンプ接合部等に発生する応力を緩和し、耐湿性や気密性等を確保して半導体装置の信頼性を高める機能を有している。フリップチップ実装による半導体パッケージは、上記のような構造であるため、実装面積は、半導体素子とほぼ同じ面積と小さく、さらにバンプの高さは、通常数十μｍ以下と低い。また、ワイヤボンディング接続の場合のようにワイヤまで樹脂封止する必要がないので、実装後の高さも低くすることができる。よって、フリップチップ実装は、小型化及び薄型化等の要求に応えることができる。
【０００４】
上記のようなアンダーフィル材としては、半導体素子と回路基板との間に侵入させる必要があり、例えば、液状のエポキシ樹脂組成物等が挙げられる。そして、アンダーフィル材として用いられるエポキシ樹脂組成物、特に、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）用途、や鉛フリーはんだ用途等のものには、バンプ接合部に発生する応力を緩和できる低応力化が要求されている。すなわち、フリップチップ実装においては、半導体チップ、回路基板及びバンプ電極が固定されているので、温度の上昇と下降とを繰り返すヒートサイクル時に、それぞれの熱膨張率に差異が生じ、それによって発生する応力を緩和できることが要求される。
【０００５】
そこで、アンダーフィル材のヒートサイクル時の低応力化を達成するために、シリコーンゴム、シリコーンパウダー、及びシリコーンオイル等のポリシロキサン化合物を低応力化剤としてアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物に配合することが提案されている。
【０００６】
ポリシロキサン化合物が含有されているエポキシ樹脂組成物としては、例えば、特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、硬化性エポキシ樹脂、ポリエーテル変性オルガノシラン、及びアミノ変性オルガノシランとエポキシ変性オルガノシランとの反応物を主剤とする硬化性エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【特許文献１】特開平４−４１５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１によれば、アミノ変性オルガノシランとエポキシ変性オルガノシランとの反応物は、ポリエーテル変性オルガノシランが相溶化剤として働くことにより、エポキシ樹脂との親和性を高めて、耐衝撃性を改善できることが開示されている。
【０００８】
しかしながら、低応力化剤として含有させたポリシロキサン化合物は、特に低分子量である場合、アンダーフィル材からブリードするおそれがあった。ブリードが発生した場合、アンダーフィル材中の低応力化剤の量が減少し、ヒートサイクル時の応力を低減させることが困難であった。また、ブリードした前記ポリシロキサン化合物により半導体素子や回路基板との密着性が低下するおそれがあった。また、前記ポリシロキサン化合物は、アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物の流動性を低下させる場合があった。このような場合、半導体素子と回路基板との間に封止材料を侵入させにくくなり、アンダーフィル材が充分に充填されず、このことによっても半導体素子と回路基板との密着性が低下するおそれがあった。
【０００９】
本発明は、ヒートサイクル時の応力を充分に低減でき、半導体素子や回路基板とのアンダーフィル材との密着性が充分に高く、さらに、ブリードの発生を抑制できるアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。また、該組成物で半導体素子と回路基板との間を封止成形して形成される半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有するアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ基を有するシランカップリング剤とアミノ基を有するポリシロキサン化合物との反応生成物を、組成物全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とするものである。
【００１１】
このような構成によれば、ヒートサイクル時の応力を低減でき、半導体素子や回路基板とのアンダーフィル材との密着性が高く、さらに、ブリードの発生を抑制できる。
【００１２】
このことは、以下のことによると推察される。
【００１３】
前記反応生成物の、アミノ基を有するポリシロキサン化合物に由来するシロキサン骨格によって、アンダーフィル材を低弾性率化してヒートサイクル時の応力を低減できる。
【００１４】
そして、前記反応生成物の、エポキシ基を有するシランカップリング剤のアルコキシ基によって、半導体素子や回路基板とのアンダーフィル材との密着性が高めることができる。
【００１５】
さらに、前記生成物が、アミノ基を有するポリシロキサン化合物とエポキシ基を有するシランカップリング剤とを予め反応させて得られるものであるので、低分子量成分や硬化反応に寄与しない成分が除去されており、ブリードの発生が抑制される。
【００１６】
また、前記反応生成物が、１００〜１２０℃で加熱溶融した前記ポリシロキサン化合物に、前記ポリシロキサン化合物１００質量部に対して５〜３０質量部の前記シランカップリング剤を添加し、２０〜１２０分間攪拌混合して反応して得られるものであることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、前記アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物で半導体素子と回路基板との間を封止成形して形成されるものである。
【００１８】
このような構成によれば、半導体素子や回路基板とアンダーフィル材との密着性に優れ、さらに、ヒートサイクル時にアンダーフィル材に発生する応力を低減されるので、ヒートサイクル時の耐熱性に優れた信頼性の高い半導体装置が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、連続成形における金型表面の汚染を効果的に抑制できる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することができる。また、該組成物で半導体素子を封止成形して形成される半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有するアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ基を有するシランカップリング剤とアミノ基を有するポリシロキサン化合物との反応生成物を、組成物全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とするものである。
【００２１】
前記エポキシ樹脂としては、室温（２５℃）におけるアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物が液状となるのであれば、特に限定なく使用でき、半導体封止用エポキシ樹脂に使用される公知のエポキシ樹脂を使用することができる。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中では、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましく、さらに、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂とを併用することがより好ましい。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量としては、１５０〜２００であることが好ましい。
【００２２】
前記硬化剤としては、前記エポキシ樹脂を硬化させるためのものであれば、特に限定なく使用でき、公知の硬化剤を使用することができる。具体的には、例えば、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物系硬化剤、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン等のアミン系硬化剤、フェノールノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中では、酸無水物系硬化剤が好ましい。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２３】
前記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂に対する割合（硬化剤／エポキシ樹脂）が、当量比で、０．６〜１．４であることが好ましく、０．７５〜１であることがより好ましい。硬化剤の含有量が少なすぎる場合、硬化不足になり、硬化物の耐熱性が不充分になったり、硬化物の強度が不充分となったりする傾向がある。また、硬化剤の含有量が多すぎる場合、硬化物の耐熱性が不充分になったり、硬化物の吸湿量が増加したりする。
【００２４】
前記硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との硬化反応を促進することができるものであれば、特に制限することなく使用することができる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等の第三級アミン、マイクロカプセル型硬化促進剤等が挙げられる。これらは、単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２５】
前記硬化促進剤の含有量は、組成物全量に対して、０．３〜５質量％であることが好ましい。硬化促進剤の含有量が少なすぎると、ゲル化時間の遅延をもたらす傾向にある。また、多すぎると、硬化の進行が早くなりすぎる場合がある。
【００２６】
また、前記アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物は、熱膨張の低減および強度の向上のために無機充填材を含有するのが通常である。前記無機充填材としては、特に限定なく、従来公知の無機充填材を用いることができる。具体的には、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、微分シリカ、アルミナ、窒化珪素、及びマグネシア等が挙げられる。これらは、単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。無機充填材としては、上記無機充填剤の中でも、低粘度化と流動特性との向上の点から、球状の溶融シリカが好ましい。また、前記無機充填材が球状である、例えば、球状の溶融シリカの場合、平均粒子径が０．２〜３０μｍが好ましく、０．２〜５μｍがより好ましい。なお、平均粒子径は、レーザ回折散乱法等により測定することができる。
【００２７】
また、前記無機充填材の含有量は、組成物全量の３０〜７５質量％であることが好ましい。前記無機充填材が少なすぎる場合、熱膨張係数が大きくなり半導体装置の信頼性が低下する傾向があり、また、多すぎる場合、粘度が高くなり半導体素子と回路基板との間への充填性が低下する傾向がある。
【００２８】
また、前記アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物には、上記以外の組成として、エポキシ基を有するシランカップリング剤とアミノ基を有するポリシロキサン化合物との反応生成物を含有する。
【００２９】
前記シランカップリング剤としては、エポキシ基を有するシランカップリング剤であれば、特に制限なく使用できる。具体的には、例えば、下記一般式（１）で表される化合物等が挙げられる。
【００３０】
【化１】
2010144144.tif 000002
【００３１】
（式（１）中、ＯＲ１、ＯＲ２、及びＯＲ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。）
また、前記シランカップリング剤としては、より具体的には、例えば、下記式（２）〜（４）で表される化合物等が挙げられる。
【００３２】
【化２】
2010144144.tif 000003
【００３３】
【化３】
2010144144.tif 000004
【００３４】
【化４】
2010144144.tif 000005
【００３５】
【化５】
2010144144.tif 000006
【００３６】
なお、上記式（２）で表される化合物は、２−（３，４エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシランであり、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ−３０３が挙げられる。上記式（３）で表される化合物は、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランであり、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ−４０３が挙げられる。上記式（４）で表される化合物としては、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランであり、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＢＥ−４０２が挙げられる。上記式（５）で表される化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランであり、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＢＥ−４０３が挙げられる。
【００３７】
前記アルコキシ基としては、炭素数１〜３のアルコキシ基であれば特に限定されず、具体的には、例えば、メトキシ基やエトキシ基等が挙げられる。
【００３８】
前記ポリシロキサン化合物としては、アミノ基を有するポリシロキサン化合物であれば、特に制限なく使用できる。具体的には、例えば、下記一般式（６）〜（８）で表される化合物等が挙げられる。
【００３９】
【化６】
2010144144.tif 000007
【００４０】
（式（６）中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立してアルキレン基を示す。）
【００４１】
【化７】
2010144144.tif 000008
【００４２】
（式（７）中、Ｒ６は、アルキレン基を示す。）
【００４３】
【化８】
2010144144.tif 000009
【００４４】
（式（８）中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立してアルキレン基を示す。）
また、上記一般式（６）で表される化合物としては、例えば、信越化学工業株式会社製の、ＫＦ−８５９、ＫＦ−３９３、ＫＦ−８６０、ＫＦ−８８０、ＫＦ−８００４、ＫＦ−８００２、ＫＦ−８００５、ＫＦ−８６７、Ｘ−２２−３８２０Ｗ、ＫＦ−８６９、ＫＦ−８６１等が挙げられる。上記一般式（７）で表される化合物としては、例えば、信越化学工業株式会社製の、ＫＦ−８６４、ＫＦ−８６５、ＫＦ−８６８等が挙げられる。上記一般式（８）で表される化合物としては、例えば、信越化学工業株式会社製の、Ｘ−２２−３９３９Ａ等が挙げられる。
【００４５】
また、前記ポリシロキサン化合物としては、例えば、信越化学工業株式会社製の、ＫＦ−８７７のような、特殊アミノ型のものも挙げられる。
【００４６】
前記反応生成物は、前記シランカップリング剤と前記ポリシロキサン化合物とを反応させて得られた生成物であればよい。また、前記反応生成物は、１００〜１２０℃で加熱溶融した前記ポリシロキサン化合物に、前記シランカップリング剤を添加し、２０〜１２０分間攪拌混合して反応して得られるものが好ましい。その際、前記ポリシロキサン化合物１００質量部に対する前記シランカップリング剤の添加量は、５〜３０質量部であることが好ましい。
【００４７】
そして、前記反応生成物としては、具体的には、例えば、前記シランカップリング剤と前記ポリシロキサン化合物とを反応させて得られた生成物等が挙げられる。より具体的には、以下のように反応させることによって、得られる。より具体的には、例えば、１００〜１２０℃に加熱して溶融させた、前記ポリシロキサン化合物１００質量部に足して５〜３０重量部の、前記シランカップリング剤を添加し、２０〜１２０分間攪拌して反応させる。その際、前記シランカップリング剤を均一に分散させるため、５重量部ずつに分けて滴下する。また、２０〜１２０分間の攪拌途中に、容器壁面や底面をヘラやパテでそぎ取ることが好ましい。そうすることによって、均一かつ組成の偏在化していない反応物を生成することができる。
【００４８】
また、前記反応生成物の含有量は、組成物全量に対して０．１〜１質量％含有し、０．５〜１質量％であることが好ましい。前記反応生成物の含有量が少なすぎると、応力低減効果や密着付与効果等が充分に得られない場合があり、また、多すぎると、ブリードが発生する場合がある。したがって、前記反応生成物の含有量が、前記範囲内であると、ヒートサイクル時の応力を低減でき、半導体素子や回路基板とのアンダーフィル材との密着性が高く、さらに、ブリードの発生を抑制できる。
【００４９】
前記アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物には、上記以外の組成として、本発明の目的とする所望の特性を阻害しない範囲で従来公知の添加剤、例えば、難燃剤、着色剤、溶剤、反応性希釈剤、レベリング剤、消泡剤等を必要に応じて添加してもよい。
【００５０】
前記アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂、前記硬化剤、前記硬化促進剤、前記反応生成物、及び必要に応じて前記無機充填材や前記各添加剤等を所定の含有量となるように、同時又は別々に配合し、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら、攪拌、溶解、混合、及び分散を行うことにより調製することができる。
【００５１】
前記攪拌、溶解、混合、及び分散には、ディスパー、プラネタリーミキサー、ボールミル、３本ロール等を組み合わせて用いて実施できる。
【００５２】
本発明の半導体装置は、上記のようにして得られたアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物により、ＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの半導体チップと回路基板（インターポーザ）との間を封止することにより製造することができる。例えば、セラミック基板やＦＲグレードなどの回路基板の回路パターン面に多数のバンプを介して半導体チップが搭載されたもののバンプ間の間隙に本発明のアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサーなどを用いて塗布、充填した後、加熱硬化し、次いで半導体チップ全体の封止を行うなどの後工程を経て、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。
【００５３】
なお、加熱硬化の条件は、特に限定されるものではなくアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物の配合組成などに応じて適宜に変更すればよいが、例えば１２０〜１７０℃、０．５〜５時間である。
【００５４】
本発明の半導体装置におけるパッケージ形態の具体例としては、各種のエリアアレイ型パッケージ、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などが挙げられる。
【００５５】
以下に、本発明を実施例により、さらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に
限定されるものではない。
【実施例】
【００５６】
表１に示す配合割合（質量部）で、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、反応生成物及び無機充填材等の各成分を常法に従って、攪拌、溶解、混合、及び分散することにより、アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を調製した。なお、実施例及び比較例においては次の原材料を用いた。
【００５７】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート８２８（エポキシ当量１８９）
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート８０６（エポキシ当量１６５）
酸無水物系硬化剤：メチルテトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化株式会社製のＭＨ−７００（酸無水物当量１６６）
硬化促進剤：１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、四国化成工業株式会社製のキュアゾール１Ｂ２ＭＺ
反応生成物１：１１０℃に加熱溶融したポリシロキサン化合物（オルガノポリシロキサン、信越化学工業株式会社性のＫＦ−８８０）１００質量部に対して、５質量部のシランカップリング剤（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ４０３）を添加し、２０分間攪拌混合して反応して得られた反応生成物である。
【００５８】
反応生成物２：シランカップリング剤を、ポリシロキサン化合物１００質量部に対して１０質量部添加したこと以外、反応生成物１と同様の反応条件で得られた反応生成物である。
【００５９】
反応生成物３：シランカップリング剤を、ポリシロキサン化合物１００質量部に対して２０質量部添加したこと以外、反応生成物１と同様の反応条件で得られた反応生成物である。
【００６０】
反応生成物４：シランカップリング剤を、ポリシロキサン化合物１００質量部に対して３０質量部添加したこと以外、反応生成物１と同様の反応条件で得られた反応生成物である。
【００６１】
シランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ４０３
ポリシロキサン化合物：オルガノポリシロキサン、信越化学工業株式会社性のＫＦ−８８０
無機充填材：球状の溶融シリカ、株式会社アドマテックス製のＳＯ−Ｃ１（平均粒子径０．３μｍ）
上記のように調製された各組成物を用いて、以下に示す方法により評価を行った。
【００６２】
［ブリード性試験］
前記各組成物をセラミック基板に０．０３ｇ塗布し、これを予め１００℃に加熱した熱板上に１０分間放置して、前記組成物を硬化させた。そして、前記組成物の硬化物とセラミック基板との界面に、浸出物（ブリード）が発生しているかを目視で確認し、下記基準にしたがって評価した。
【００６３】
○：ブリードの発生を確認できない。
【００６４】
×：ブリードの発生を確認できる。
【００６５】
［密着性試験］
前記各組成物をセラミック基板に塗布し、塗布面に２ｍｍ角のポリイミド膜コートされたシリコンチップを設置し、１５０℃で２時間加熱することによって、セラミック基板とシリコンチップとが接着された。そのセラミック基板とシリコンチップとの接着力を、株式会社アークテック製のボンドテスターシリーズ４０００を用いて測定し、下記基準にしたがって評価を行った。
【００６６】
○：９０ＭＰａ以上
△：５０ＭＰａ以上９０ＭＰａ未満
×：５０ＭＰａ未満
［ヒートサイクル試験］
半導体チップ（１０ｍｍ×７００μｍ）、バンプ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ  ２０００ピン）、基板（熱硬化性ソルダーレジストコート樹脂基板）を用いたＴＥＧ（Test Elementary Group）の半導体チップと基板との間に各組成物を１００℃で充填し、その後、１５０℃で１時間硬化したものを評価用ＴＥＧとした。
【００６７】
温度サイクル試験は、液槽ヒートサイクル機によって、−５５℃を５分間、＋１２５℃を５分間を１サイクルとして、それを１０００サイクル連続で処理することによって行った。この処理後の評価用ＴＥＧの、剥離及びクラックを目視で確認し、さらに、電気的導通を確認した。いずれにおいても異常がないものを「○」と評価し、いずれかに異常があったものを「×」と評価した。
【００６８】
それらの評価の結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2010144144.tif 000010
【００７０】
表１からわかるように、前記反応生成物を組成物全量に対して０．１〜１質量％含有する場合（実施例１〜６）は、前記反応生成物を含有していない場合（比較例１）、前記反応生成物の含有量が組成物全量に対して０．１質量％未満である場合（比較例２，４）、前記反応生成物の含有量が組成物全量に対して１質量％を超える場合（比較例３）、前記反応生成物の代わりに、前記反応生成物の原料であるシランカップリング剤やポリシロキサン化合物を含有する場合（比較例５，６）と比較して、ブリード性及び密着性に優れ、ヒートサイクル試験においても良好な結果を示した。