(57)【要約】【課題】  ベアチップ等からなる半導体構成体の半導体ウエハ等からなる基板上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されないようにする。【解決手段】  まず、２×２＝４個の半導体構成体を形成するための領域を示す半導体ウエハ３１上に樹脂からなる平面正方形で枠状の位置決め膜８を形成する。この場合、位置決め膜８の中央部には平面正方形状の開口部９が形成されている。次に、位置決め膜８の口部９内の半導体ウエハ３１上に平面正方形状の半導体構成体１１を位置決めすることなくただ単に配置する。次に、半導体ウエハ３１を微傾斜させ、あるいは半導体ウエハ３１に微振動を与えることにより、半導体構成体１１の相隣接する二辺を位置決め膜８の開口部９の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めする。これにより、半導体構成体１１の半導体ウエハ３１上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されないようにすることができる。【選択図】  図７
2010171311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられ、方形状の開口部を有する位置決め膜と、前記位置決め膜の開口部内の前記基板上に、相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接された状態で、設けられ、上面に複数の接続用電極を有する方形状の半導体構成体と、前記半導体構成体の残りの二辺と前記位置決め膜の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に設けられた仮固定膜と、前記半導体構成体、前記位置決め膜および前記仮固定膜上に設けられた絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記基板は、上面に集積回路および該集積回路に接続された複数の接続パッドを有する半導体基板からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線が前記半導体基板の接続パッドおよび前記半導体構成体の接続用電極に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板上に前記接続用電極としての接続パッドを有するものからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板上に配線を有するものからなり、前記接続用電極は当該配線の接続パッド部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記基板はシリコン基板からなり、該シリコン基板と前記半導体構成体との間に遮光膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記基板はシリコン基板からなり、該シリコン基板と前記半導体構成体との間に伝熱膜が設けられ、前記シリコン基板の下面に放熱膜が前記伝熱膜に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記基板は、前記伝熱膜の周囲における上面に集積回路および該集積回路に接続された複数の接続パッドを有する半導体基板からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線が前記半導体基板の接続パッドおよび前記半導体構成体の接続用電極に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体、前記位置決め膜、前記仮固定膜、前記絶縁膜および前記配線は層間絶縁膜を介して複数層積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、上側の前記配線は下側の前記配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の発明において、前記位置決め膜の開口部の周囲における前記位置決め膜に別の方形状の開口部が設けられ、前記位置決め膜の別の開口部内の前記基板上に方形状の電子部品がその相隣接する二辺を前記位置決め膜の別の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接された状態で設けられ、前記電子部品の残りの二辺と前記位置決め膜の別の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に別の仮固定膜が設けられ、前記電子部品および前記別の仮固定膜は前記絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項３または９に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
基板上に方形状の複数の開口部を有する位置決め膜を形成する工程と、
前記位置決め膜の開口部内の前記基板上に、上面に複数の接続用電極を有する方形状の半導体構成体をただ単に配置する工程と、
ただ単に配置された前記半導体構成体の相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めする工程と、
前記半導体構成体の残りの二辺と前記位置決め膜の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に仮固定膜を形成する工程と、
前記半導体構成体、前記位置決め膜および前記仮固定膜上に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発明において、ただ単に配置された前記半導体構成体の相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めする工程は、前記基板を微傾斜させ、あるいは前記基板に微振動を与える工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線を前記半導体構成体の接続用電極に接続させて形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の発明において、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体を基板の上面にＤＡＦ（ダイアタッチメントフィルム）と呼ばれる接着剤層を介して接着し、半導体構成体の周囲における基板の上面に絶縁層を設け、半導体構成体および絶縁層の上面に上層絶縁膜を設け、上層絶縁膜の上面に上層配線を設け、上層配線の接続パッド部を除く部分を最上層絶縁膜で覆い、上層配線の接続パッド部上面に半田ボールを設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、上層配線の一端部は、上層絶縁膜に設けられた開口部を介して半導体構成体の柱状電極に接続されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１４２２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置では、半導体構成体をその下面に予め設けられたＤＡＦと呼ばれる接着剤層を介して基板の上面に接着する際に、高精度の位置決めが要求される。すなわち、半導体構成体の柱状電極の位置とその上に形成された上層絶縁膜にフォトリソグラフィ法により形成される開口部の位置とにずれが生じると、上層配線の一端部を半導体構成体の柱状電極に接続することができなくなってしまうため、半導体構成体の基板上への配置に際し、高精度の位置決めが要求される。この結果、高精度のプレイスメント装置やボンダーが必要になるという問題がある。また、ＤＡＦと呼ばれる接着剤層の厚さの分だけ、半導体装置が厚くなってしまうという問題もある。
【０００５】
そこで、この発明は、半導体構成体の基板上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されることがなく、且つ、薄型化することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられ、方形状の開口部を有する位置決め膜と、前記位置決め膜の開口部内の前記基板上に、相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接された状態で、設けられ、上面に複数の接続用電極を有する方形状の半導体構成体と、前記半導体構成体の残りの二辺と前記位置決め膜の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に設けられた仮固定膜と、前記半導体構成体、前記位置決め膜および前記仮固定膜上に設けられた絶縁膜とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記基板は、上面に集積回路および該集積回路に接続された複数の接続パッドを有する半導体基板からなることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線が前記半導体基板の接続パッドおよび前記半導体構成体の接続用電極に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板上に前記接続用電極としての接続パッドを有するものからなることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板上に配線を有するものからなり、前記接続用電極は当該配線の接続パッド部であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記基板はシリコン基板からなり、該シリコン基板と前記半導体構成体との間に遮光膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記基板はシリコン基板からなり、該シリコン基板と前記半導体構成体との間に伝熱膜が設けられ、前記シリコン基板の下面に放熱膜が前記伝熱膜に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記基板は、前記伝熱膜の周囲における上面に集積回路および該集積回路に接続された複数の接続パッドを有する半導体基板からなることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項８に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線が前記半導体基板の接続パッドおよび前記半導体構成体の接続用電極に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体、前記位置決め膜、前記仮固定膜、前記絶縁膜および前記配線は層間絶縁膜を介して複数層積層されていることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１０に記載の発明において、上側の前記配線は下側の前記配線に接続されていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記位置決め膜の開口部の周囲における前記位置決め膜に別の方形状の開口部が設けられ、前記位置決め膜の別の開口部内の前記基板上に方形状の電子部品がその相隣接する二辺を前記位置決め膜の別の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接された状態で設けられ、前記電子部品の残りの二辺と前記位置決め膜の別の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に別の仮固定膜が設けられ、前記電子部品および前記別の仮固定膜は前記絶縁膜で覆われていることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３または９に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１３に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１４に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に方形状の複数の開口部を有する位置決め膜を形成する工程と、前記位置決め膜の開口部内の前記基板上に、上面に複数の接続用電極を有する方形状の半導体構成体をただ単に配置する工程と、ただ単に配置された前記半導体構成体の相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めする工程と、前記半導体構成体の残りの二辺と前記位置決め膜の開口部の内壁面の残りの二辺との間に形成された隙間内に仮固定膜を形成する工程と、前記半導体構成体、前記位置決め膜および前記仮固定膜上に絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、ただ単に配置された前記半導体構成体の相隣接する二辺を前記位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めする工程は、前記基板を微傾斜させ、あるいは前記基板に微振動を与える工程であることを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、前記絶縁膜上に配線を前記半導体構成体の接続用電極に接続させて形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１８に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項２０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１９に記載の発明において、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項２１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項２０に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、位置決め膜の開口部内の基板上に半導体構成体をただ単に配置し、この後このただ単に配置された半導体構成体の相隣接する二辺を位置決め膜の開口部の内壁面の相隣接する二辺に当接させて位置決めしているので、半導体構成体の基板上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されることがなく、またＤＡＦと呼ばれる接着剤層を用いていないので、その分、薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示し、図２は図１のII−II線に沿う横断平面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、平面正方形状（または平面長方形状）のシリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路２が設けられている。集積回路２は、詳細には図示していないが、特に、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子によって構成されている。シリコン基板１の上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３が集積回路２に接続されて設けられている。
【０００９】
接続パッド３の中央部を除くシリコン基板１の上面には窒化シリコン等からなるパッシベーション膜４が設けられ、接続パッド３の中央部はパッシベーション膜４に設けられた開口部５を介して露出されている。パッシベーション膜４の上面にはポリイミド系樹脂等からなる第１の保護膜６が設けられている。パッシベーション膜４の開口部５に対応する部分における第１の保護膜６には開口部７が設けられている。
【００１０】
第１の保護膜６の周辺部を除く上面にはポリイミド系樹脂等からなる平面正方形状（または平面長方形状）で枠状の位置決め膜８が設けられている。この場合、位置決め膜８の中央部には平面正方形状（または平面長方形状）の開口部９が設けられている。また、第１の保護膜６の開口部７に対応する部分における位置決め膜８には開口部１０が設けられている。
【００１１】
位置決め膜８の開口部９内における第１の保護膜６の上面には平面正方形状（または平面長方形状）の半導体構成体１１が設けられている。この場合、半導体構成体１１は、ベアチップからなり、平面正方形状（または平面長方形状）のシリコン基板（半導体基板）１２を備えている。シリコン基板１２の上面には所定の機能の集積回路、特に、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド（接続用電極）１３が当該集積回路に接続されて設けられている。接続パッド１３の中央部を除くシリコン基板１２の上面には窒化シリコン等からなるパッシベーション膜１４が設けられ、接続パッド１３の中央部はパッシベーション膜１４に設けられた開口部１５を介して露出されている。
【００１２】
ここで、位置決め膜８の開口部９のサイズは半導体構成体１１のサイズよりも縦横ともにある程度例えば５０〜２００μｍ大きくなっている。そして、図２に示すように、半導体構成体１１の上辺および右辺（相隣接する二辺）は位置決め膜８の開口部９の内壁面の上辺および右辺に当接されている。したがって、この状態では、半導体構成体１１の左辺および下辺（残りの二辺）と位置決め膜８の開口部９の内壁面の左辺および下辺との間には平面Ｌ字形状の隙間１６が形成されている。この隙間１６内にはポリイミド系樹脂等からなる仮固定膜１７が設けられている。この場合、仮固定膜１７は位置決め膜８と同一の材料によって形成するのが好ましい。
【００１３】
また、図１では、位置決め膜８の厚さは半導体構成体１１の厚さよりも薄くなるように図示しているが、これに限らず、半導体構成体１１の厚さと同じかそれよりも厚くなるようにしてもよい。例えば、半導体構成体１１の厚さは２０〜３００μｍ、位置決め膜８の厚さは１０〜２００μｍである。特に、半導体装置の薄型化のため、半導体構成体１１の厚さは１００μｍ以下が好ましい。一例として、半導体構成体１１の厚さは８０μｍ、位置決め膜８の厚さは３０〜５０μｍである。また、仮固定膜１７の厚さは位置決め膜８の厚さよりも薄くなるように図示しているが、これに限らず、位置決め膜８の厚さと同じかそれよりも厚くなるようにしてもよい。
【００１４】
半導体構成体１１、位置決め膜８および仮固定膜１７の上面にはポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜（絶縁膜）１８が設けられている。位置決め膜８の開口部１０に対応する部分における第２の保護膜１８には開口部１９が設けられている。また、半導体構成体１１のパッシベーション膜１４の開口部１５に対応する部分における第２の保護膜１８には開口部２０が設けられている。
【００１５】
第２の保護膜１８の上面には配線２１が設けられている。配線２１は、第２の保護膜１８の上面に設けられた銅を含む金属からなる下地金属層２２と、下地金属層２２の上面に設けられた銅からなる上部金属層２３との２層構造となっている。配線２１は、パッシベーション膜４、第１の保護膜６、位置決め膜８および第２の保護膜１８の開口部５、７、１０、１９を介して接続パッド３に接続されている。また、配線２１は、半導体構成体１１のパッシベーション膜１４および第２の保護膜１８の開口部１５、２０を介して半導体構成体１１の接続パッド１３に接続されている。
【００１６】
配線２１の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極２４が設けられている。配線２１を含む第２の保護膜１８の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜２５が設けられている。柱状電極２４は、その上面が封止膜２５の上面と面一乃至数μｍ低くなるように設けられている。柱状電極２４の上面には半田ボール２６が設けられている。
【００１７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３および図４に示すものを準備する。この場合、図３はウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ３１という）の一部つまり２×２＝４個の半導体装置を形成するための領域の平面図を示し、図４は図３のIV−IV線に沿う部分の断面図を示す。なお、図３および図４において、符号３２で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１８】
この準備したものでは、半導体ウエハ３１上に所定の機能の集積回路２、接続パッド３、パッシベーション膜４および第１の保護膜６が形成され、接続パッド３の中央部がパッシベーション膜４および第１の保護膜６に形成された開口部５、７を介して露出されている。
【００１９】
次に、図５および図６に示すように、第１の保護膜６の上面に、ポリイミド系樹脂等をスピンコート法等により塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、平面正方形状で枠状の位置決め膜８を形成する。この状態では、位置決め膜８の中央部には平面正方形状の開口部９が形成されている。この場合、位置決め膜８の開口部９のサイズは、図１および図２に示す半導体構成体１１のサイズよりも縦横ともにある程度例えば５０〜２００μｍ大きくなっている。また、第１の保護膜６の開口部７に対応する部分における位置決め膜８には開口部１０が形成されている。さらに、ダイシングストリート３２およびその両側に対応する部分におけるにおける位置決め膜８には溝３３が形成されている。
【００２０】
次に、図７および図８に示すように、位置決め膜８の開口部９内に半導体構成体１１を位置決めすることなくただ単に配置する。この場合、半導体構成体１１は、平面正方形状のシリコン基板１２上に所定の機能の集積回路（図示せず）、接続パッド１３およびパッシベーション膜１４が形成され、接続パッド１３の中央部がパッシベーション膜１４に形成された開口部１５を介して露出された構造となっている。
【００２１】
この状態では、位置決め膜８の開口部９内に半導体構成体１１を位置決めすることなくただ単に配置するため、位置決め膜８の開口部９内に配置された半導体構成体１１の位置はバラバラである。この場合、位置決め膜８の開口部９内に半導体構成体１１を位置決めすることなくただ単に配置すればよいので、半導体構成体１１の第１の保護膜６上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されることがなく、高精度のプレイスメント装置やボンダーは必要とせず、比較的安価なチップ配置装置での対応が可能である。
【００２２】
次に、半導体ウエハ３１を所定の方向に（例えば、図７において右上が下となるように）微傾斜させ、あるいは半導体ウエハ３１に微振動を与えることにより、図９および図１０に示すように、すべての半導体構成体１１の上辺および右辺を位置決め膜８の開口部９の内壁面の上辺および右辺に当接させ、すべての半導体構成体１１の位置を予め設定された所期位置となるように一度に位置決めする。この状態では、半導体構成体１１の左辺および下辺と位置決め膜８の開口部９の内壁面の左辺および下辺との間には平面Ｌ字形状の隙間１６が形成されている。
【００２３】
次に、図１１および図１２に示すように、すべての半導体構成体１１の位置を予め設定された所期位置に位置決めした状態を維持したままで、隙間１６内に、ポリイミド系樹脂等をインクジェット法、ディスペンサ法、印刷法、スプレー塗布法等により塗布し、プリベークを行うことにより、仮固定膜１７を形成する。この状態では、仮固定膜１７の形成により、半導体構成体１１は予め設定された所期位置に仮固定される。
【００２４】
次に、図１３に示すように、半導体構成体１１、位置決め膜８および仮固定膜１７の上面に、ポリイミド系樹脂等をスピンコート法等により塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、第２の保護膜１８を形成する。この状態では、接続パッド３の中央部は、パッシベーション膜４、第１の保護膜６、位置決め膜８および第２の保護膜１８に形成された開口部５、７、１０、１９を介して露出されている。また、半導体構成体１１の接続パッド１３は、パッシベーション膜１４および第２の保護膜１８に形成された開口部１５、２０を介して露出されている。また、ダイシングストリート３２およびその両側に対応する部分における第１の保護膜６の上面は、位置決め膜８および第２の保護膜１８に形成された溝３３を介して露出されている。
【００２５】
さらに、半導体構成体１１は、その上に形成された第２の保護膜１８により覆われることにより、予め設定された所期位置に本固定される。この場合、半導体構成体１１は、半導体構成体１１と同一の平面に形成された仮固定膜１７により仮固定され、半導体構成体１１上に形成された第２の保護膜１８により本固定されるため、ＤＡＦと呼ばれる接着剤層を用いる必要がなく、当該接着剤層の厚さの分だけ、半導体装置を薄型化することができる。
【００２６】
次に、図１４に示すように、開口部５、７、１０、１９を介して露出された接続パッド３の上面、開口部１５、２０を介して露出された半導体構成体１１の接続パッド１３の上面および溝３３を介して露出された第１の保護膜６の上面を含む第２の保護膜１８の上面全体に下地金属層２２を形成する。この場合、下地金属層２２は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２７】
次に、下地金属層２２の上面にメッキレジスト膜３４をパターン形成する。この場合、上部金属層２３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３４には開口部３５が形成されている。次に、下地金属層２２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３４の開口部３５内の下地金属層２２の上面に上部金属層２３を形成する。次に、メッキレジスト膜３４を剥離する。
【００２８】
次に、図１５に示すように、上部金属層２３を含む下地金属層２２の上面にメッキレジスト膜３６をパターン形成する。この場合、上部金属層２３の接続パッド部つまり柱状電極２４形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３６には開口部３７が形成されている。次に、下地金属層２２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３６の開口部３７内の上部金属層２３の接続パッド部上面に柱状電極２４を形成する。
【００２９】
次に、メッキレジスト膜３６を剥離し、次いで、上部金属層２３をマスクとして下地金属層２２の不要な部分をウェットエッチングして除去すると、図１６に示すように、上部金属層２３下にのみ下地金属層２２が残存される。この状態では、上部金属層２３およびその下に残存された下地金属層２２により、配線２１が形成されている。また、配線２１は、開口部５、７、１０、１９を介して接続パッド３に接続され、且つ、開口部１５、２０を介して半導体構成体１１の接続パッド１３に接続されている。
【００３０】
次に、図１７に示すように、配線２１および柱状電極２４を含む第２の保護膜１８の上面および溝３３を介して露出された第１の保護膜６の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂からなる封止膜２５をその厚さが柱状電極２４の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極２４の上面は封止膜２５によって覆われている。
【００３１】
次に、封止膜２５の上面側を適宜に研削し、図１８に示すように、柱状電極２４の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極２４の上面を含む封止膜２５の上面を平坦化する。次に、柱状電極２４の上面にバリや酸化膜が形成されている場合には、柱状電極２４の上面を数μｍエッチングして、これらを除去する。
【００３２】
次に、図１９に示すように、柱状電極２４の上面に半田ボール２６を形成する。次に、図２０に示すように、封止膜２５、第１の保護膜６、パッシベーション膜４および半導体ウエハ３１を溝３３内の中央部のダイシングストリート３２に沿って切断すると、図１および図２に示す半導体装置が複数個得られる。なお、封止膜２５を形成した後で半田ボール２６を形成する前にあるいは半田ボール２６を形成した後、半導体ウエハ３１の下面側を研削し、半導体ウエハ３１の厚さを薄くするようにしてもよい。
【００３３】
ところで、半導体構成体１１の接続パッド１３の数が増大し、そのサイズが微細化した場合には、図９および図１０に示すように、半導体構成体１１の上辺および右辺を位置決め膜８の開口部９の内壁面の上辺および右辺に当接させ、半導体構成体１１の位置を予め設定された所期位置となるように位置決めするだけでは、半導体構成体１１の接続パッド１３の位置とその上に形成された第２の保護膜１８にフォトリソグラフィ法により形成される開口部２０の位置とに比較的大きなずれが生じた場合には、配線２１を半導体構成体１１の接続パッド１３に接続することができなくなってしまうおそれがある。
【００３４】
そこで、次に、半導体構成体１１の位置とその上に形成された第２の保護膜１８にフォトリソグラフィ法により形成される開口部２０の位置とに比較的大きなずれが生じた場合でも、上層配線２１を半導体構成体１１の接続パッド１３に確実に接続することができる実施形態について説明する。
【００３５】
（第２実施形態）
図２１はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と大きく異なる点は、半導体構成体１１を次に述べるような構造とした点である。すなわち、パッシベーション膜１４の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜４１が設けられている。パッシベーション膜１４の開口部１５に対応する部分における保護膜４１には開口部４２が設けられている。
【００３６】
保護膜４１の上面には配線４３が設けられている。配線４３は、保護膜４１の上面に設けられた銅を含む金属からなる下地金属層４４と、下地金属層４４の上面に設けられた銅からなる上部金属層４５との２層構造となっている。配線２１の一端部は、パッシベーション膜１４および保護膜４１の開口部１５、４２を介して接続パッド１３に接続されている。
【００３７】
そして、配線２１の所定の箇所は、第２の保護膜１８の開口部２０を介して半導体構成体１１の配線４３の接続パッド部（接続用電極）４３ａに接続されている。この場合、半導体構成体１１の配線４３の接続パッド部４３ａのサイズは第２の保護膜１８の開口部２０のサイズよりもかなり大きくなっている。したがって、半導体構成体１１の配線４３の接続パッド部４３ａの位置とその上に形成された第２の保護膜１８にフォトリソグラフィ法により形成される開口部２０の位置とに比較的大きなずれが生じた場合でも、配線２１を半導体構成体１１の配線４３の接続パッド部４３ａに確実に接続することができ、ひいては半導体構成体１１の接続パッド１３に確実に接続することができる。
【００３８】
（第３実施形態）
図２２はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と大きく異なる点は、集積回路２および接続パッド３を有するシリコン基板１の代わりに、集積回路２および接続パッド３を有しない単なるシリコン基板５１を用い、このシリコン基板５１と半導体構成体１１のシリコン基板１２との間に遮光膜５２を設けた点である。
【００３９】
この場合、単なるシリコン基板５１の上面中央部には遮光膜５２が設けられている。遮光膜５２は、スパッタ法等により形成された、クロム等の金属膜、クロム酸化膜等の金属酸化膜、ニッケル−モリブデン系合金等の合金膜、それらの多層金属膜等によって形成されている。遮光膜５２の上面周辺部およびその周囲におけるシリコン基板５１の上面には位置決め膜８が設けられている。位置決め膜８の開口部９内の遮光膜５２の上面には半導体構成体１１および仮固定膜１７が設けられている。
【００４０】
このように、この半導体装置では、単なるシリコン基板５１と半導体構成体１１のシリコン基板１２との間に遮光膜５２を設けているので、薄型化に伴い、半導体構成体１１のシリコン基板１２の厚さが２０μｍ程度、シリコン基板５１の厚さが５０μｍ程度と薄くなっても、シリコン基板５１の下面側からの光の透過による半導体構成体１１の集積回路（図示せず）の誤動作を防止することができる。
【００４１】
なお、遮光膜５２をシリコン基板５１の下面に設けることも考えられるが、遮光膜５２が傷等の影響を受けやすくなり、またシリコン基板５１の下面にレーザー加工により識別番号を入れる場合には、好ましくない。また、シリコン基板５１の代わりに、ガラス基板、ガラス布エポキシ基板等からなる樹脂系基板、アルミニウムや銅等からなる金属基板、アルミナや窒化アルミ等からなるセラミック基板等を用いるようにしてもよい。この場合、基板自体が遮光性を有するものであれば、遮光膜５２は省略してもよい。
【００４２】
（第４実施形態）
図２３はこの発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２２に示す半導体装置と大きく異なる点は、遮光膜５２を銅からなる伝熱膜（第１の金属膜）６１とし、シリコン基板５１の下面全体に銅からなる放熱膜（第２の金属膜）６２を設けた点である。この場合、伝熱膜６１は、シリコン基板５１に設けられた貫通孔６３を介して放熱膜６２に接続されている。
【００４３】
このように、この半導体装置では、シリコン基板５１と半導体構成体１１のシリコン基板１２との間に伝熱膜６１を設け、シリコン基板５１の下面全体に放熱膜６２を伝熱膜６１に接続させて設けているので、半導体構成体１１のシリコン基板１２の上面に設けられた集積回路（図示せず）で発生する熱を伝熱膜６１および放熱膜６２を介して外部に速やかに放熱することができる。なお、伝熱膜６１および放熱膜６２により、電磁遮蔽を行うようにすることも可能である。
【００４４】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、図２３に示すシリコン基板５１よりもある程度厚めの単なる半導体ウエハの上面側にエッチング法により貫通孔６３形成用凹部を形成する。次に、貫通孔６３形成用凹部内を含むシリコン基板の上面に、スパッタ法、めっき法等により、銅からなる伝熱膜６１を形成する。次に、伝熱膜６１を含む半導体ウエハ上に、上記第１実施形態の場合と同様に、封止膜２５等を形成する。
【００４５】
次に、半導体ウエハの下面側を少なくとも貫通孔６３形成用凹部内に形成された伝熱膜６１が露出するまで研削する。次に、露出された伝熱膜６１を含む半導体ウエハの下面に、スパッタ法、めっき法等により、銅からなる放熱膜６２を形成する。次に、柱状電極２４の上面に半田ボール２６を形成する。次に、ダイシングを行うと、図２３に示す半導体装置が複数個得られる。
【００４６】
なお、シリコン基板５１の代わりに、ガラス基板、ガラス布エポキシ基板等からなる樹脂系基板、アルミニウムや銅等からなる金属基板、アルミナや窒化アルミ等からなるセラミック基板等を用いるようにしてもよい。この場合、基板自体が熱伝導性に優れたものであれば、例えば、熱伝導性の高い銅や窒化アルミ、あるいはそれらとシリコンとの複合材料を用いる場合には、伝熱膜６１および放熱膜６２は省略してもよい。
【００４７】
（第５実施形態）
図２４はこの発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と大きく異なる点は、シリコン基板１の上面周辺部のみに集積回路２を設け、集積回路２の内側における第１の保護膜６の上面に伝熱膜６１を設け、シリコン基板１の下面全体に放熱膜６２を設けた点である。
【００４８】
この場合、伝熱膜６１は、シリコン基板１、パッシベーション膜４および第１の保護膜６に設けられた貫通孔６３を介して放熱膜６２に接続されている。伝熱膜６１の上面周辺部およびその周囲における第１の保護膜６の上面には位置決め膜８が設けられている。位置決め膜８の開口部９内の伝熱膜６１の上面には半導体構成体１１および仮固定膜１７が設けられている。
【００４９】
（第６実施形態）
図２５はこの発明の第６実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２３に示す半導体装置と大きく異なる点は、半導体構成体１１、位置決め膜８、仮固定膜１７および第２の保護膜１８を層間絶縁膜７１を介して複数層例えば４層積層した点である。この場合、下側の配線２１を含む第２の保護膜１８の上面にはポリイミド系樹脂等からなる層間絶縁膜７１が設けられ、層間絶縁膜７１の上面には上側の半導体構成体１１、位置決め膜８および仮固定膜１７が設けられている。上側の配線２１の所定の箇所は、層間絶縁膜７１、上側の位置決め膜８および上側の第２の保護膜１８に設けられた開口部７２を介して下側の配線２１の接続パッド部に接続されている。
【００５０】
（第７実施形態）
図２６はこの発明の第７実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２３に示す半導体装置と大きく異なる点は、伝熱膜６１の周囲におけるシリコン基板５１の上面に抵抗、コンデンサ等からなるチップ部品７１を設けた点である。この場合、チップ部品７１は、平面正方形状（または平面長方形状）であり、半導体構成体１１の場合と同様に、位置決め膜８に設けられた平面正方形状（または平面長方形状）の開口部９ａ内に位置決めされ、仮固定膜１７ａによって仮固定され、その上に設けられた第２の保護膜１８によって本固定されている。そして、配線２１の所定の箇所は、第２の保護膜１８に設けられた開口部７２を介してチップ部品７１の電極７３に接続されている。
【００５１】
なお、チップ部品７１の代わりに、別の半導体構成体を配置するようにしてもよい。この場合、別の半導体構成体は、伝熱膜６１を延長させて、その上に配置するようにしてもよい。また、チップ部品７１のほかに、別の半導体構成体を配置するようにしてもよい。この場合も、別の半導体構成体は、伝熱膜６１を延長させて、その上に配置するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１のII−II線に沿う横断平面図。
【図３】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初準備したものの一部の平面図。
【図４】図３のIV−IV線に沿う部分の断面図。
【図５】図３に続く工程の平面図。
【図６】図５のVI−VI線に沿う部分の断面図。
【図７】図５に続く工程の平面図。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿う部分の断面図。
【図９】図７に続く工程の平面図。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う部分の断面図。
【図１１】図９に続く工程の平面図。
【図１２】図１１のXII−XII線に沿う部分の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２２】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２３】この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２４】この発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２５】この発明の第６実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２６】この発明の第７実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１  シリコン基板
２  集積回路
３  接続パッド
４  パッシベーション膜
６  第１の保護膜
８  位置決め膜
９  開口部
１１  半導体構成体
１２  シリコン基板
１３  接続パッド
１４  パッシベーション膜
１６  隙間
１７  位置決め膜
１８  第２の保護膜
２１  配線
２４  柱状電極
２５  封止膜
２６  半田ボール
３１  半導体ウエハ
３２  ダイシングストリート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2010171311.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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