(57)【要約】【課題】特定の表面に特定のコーティングが与えられるリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】コーティングは、遷移金属酸化物、卑金属酸化物、硫化物若しくはセレン化物、式ＡＴｉＯｎ（ここで、Ａは周期律表の２族の元素）を有する化合物、又は周期律表の３、５若しくは７族の金属をドープしたＴｉＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成され、コーティングは４９ｎｍ以下の厚さを有する。【選択図】図６
2010067967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置のコンポーネントの表面に光触媒コーティングを備え、前記表面が、
（ｉ）センサの表面であって、前記リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置であり、また前記コーティングが少なくとも９９重量パーセントの光触媒である、センサの表面と、
（ｉｉ）基板テーブルによって少なくとも部分的に画定された開口に隣接する表面と、
（ｉｉｉ）基板交換中に投影システムの最終要素に接触する液浸液を保持するシャッター部材の表面と、
（ｉｖ）基板テーブルの表面であって、前記リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置である、基板テーブルの表面と、
（ｖ）マスクの表面と、
（ｖｉ）流体ハンドリングシステムの表面であって、該表面が、半径方向内側の表面、液浸液のための空間を画定する表面、望ましくは半径方向内側の、上を向いた表面、半径方向外側の下面、開口のない単一の連続するコーティングを有する最下部の下面、又は低い接触角の部分を持つ上部及び／又は底部を有する流体ハンドリングシステムの全体のグループのうちの少なくとも１つである、流体ハンドリングシステムの表面と、
（ｖｉｉ）基板テーブルの上面に液浸流体を提供する通路の表面と、
（ｖｉｉｉ）測定ステージの表面と、
（ｉｘ）基板テーブルの平面視外縁部の表面であって、該平面視外縁部から半径方向内側の表面が、コーティングを有さない、厚さが異なるコーティングを有する、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で異なる、基板テーブルの平面視外縁部の表面と、
（ｘ）基板テーブルに又はその一部に画定された開口付近又はその内部の表面と、
（ｘｉ）基板テーブル上に基板を支持する基板サポートの表面と、
を含むグループから選択される、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記表面が、基板テーブルの表面であり、前記コーティングが、基板テーブルの平面視外縁部に与えられ、該縁部から半径方向内側の基板テーブルの領域が前記コーティングを有さない、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記表面が、基板テーブルの表面であり、リムの表面である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記表面が、シャッター部材の表面であり、該シャッター部材が、関連する基板テーブルから独立して動作可能である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記表面が、シャッター部材の表面であり、該シャッター部材が、閉鎖ディスク、ブリッジ部材、又は測定テーブルや第２の基板テーブルなどの第２のテーブルのグループから選択されるシャッター部材である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記表面が、センサの表面であり、該センサ上の前記コーティングが、コーティングを有する、厚さが異なるコーティングを有する、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で基板テーブルの周囲の部分とは異なる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記表面が、センサの表面であり、該センサが、スポットセンサ、ＩＬＩＡＳセンサ、透過イメージセンサ、収差センサ、又は放射ドーズ量センサのグループから選択されるセンサを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記表面が、基板テーブルによって少なくとも一部が画定された開口に隣接する表面で、且つ基板と基板サポートとの間の液体の流れに抵抗する特徴部の表面であり、又は基板の縁部と基板テーブルとの間のギャップからのガスが該基板及び／又は該基板テーブル上の液浸流体に入り込む可能性を低減する特徴部の表面である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記コーティングが、親液体性であり、望ましくは超親液体性である、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記光触媒が、光活性遷移金属酸化物又は化合物半導体である、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＳｒＴｉＯ３、又はＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含み、コーティングが４９ｎｍ以下の厚さを有する、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
ＳｉＯ２とＴｉＯ２の二層から構成されるコーティングを有する表面を含むリソグラフィ装置。
【請求項１３】
遷移金属酸化物、卑金属酸化物、硫化物若しくはセレン化物、式ＡＴｉＯｎ（ここで、Ａは周期律表の２族の元素）を有する化合物、又は周期律表の３、５若しくは７族の金属をドープしたＴｉＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含み、
前記コーティングが４９ｎｍ以下の厚さを有する、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
リソグラフィ装置のためのコンポーネントを製造する方法であって、原子層蒸着を用いて前記コンポーネントの表面にコーティングを与えることを含む、方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置のためのコンポーネントを製造する方法であって、ゾルゲルルートを用いて前記コンポーネントの表面に二層コーティングを与えることを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置用の物品を製造する方法及びデバイス製造方法に関する。
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。実施形態では液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することができる。本発明の実施形態は液体に関して説明されている。しかし別の流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族、例えばデカリン、フルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  液浸装置では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸液を供給することができ、従って流体供給システムとすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体を閉じ込めることができ、よって流体閉じ込めシステムとすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、よってバリア部材とすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば、液体のハンドリングを助けるために、流体（ガスなど）の流れを生成又は使用することができる。ある実施形態では、液浸液は液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムとすることができる。
【０００６】
[0006]  提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に（矢印により又は文字「Ｎ」で示したように）、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に（矢印により又は文字「Ｔ」で示したように）少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００７】
[0007]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口及び出口は動作しない）。
【０００８】
[0008]  欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【０００９】
[0009]  ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、実質的に基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載されている。全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  いかなる種類のリソグラフィ装置においても、汚染物がコンポーネント上に堆積することがある。この結果、性能が低下することがある。特に液浸リソグラフィでは、有機汚染物が液浸液と接触するコンポーネント上に堆積する可能性がある。
【００１１】
[0011]  液浸リソグラフィ、特にオールウェットの概念における問題点の１つは、基板及び／又は基板テーブルの一部のディウェッティング(de-wetting)のリスクである。ディウェッティングは、基板及び／又は基板テーブル上の流体層にドライパッチが自然に又は誘発されて生成し、その後成長することである。ディウェッティングは、基板テーブル及び／又は基板の熱調節メンテナンスの欠如などの熱制御の喪失、並びに／又は液飛び(splashing)、抽出上の問題及び望ましくない動的力と欠陥（乾燥汚れ及び泡）をもたらし得る基板テーブル外への液体の乱れた大量の流れを引き起こすことがある。
【００１２】
[0012]  例えば、汚染物の洗浄が改善され、及び／又はディウェッティングのリスクが低減されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、
リソグラフィ装置のコンポーネントの表面に光触媒のコーティングを備えるリソグラフィ装置が提供され、表面が、
（ｉ）センサの表面であって、リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置であり、またコーティングが少なくとも９９重量パーセントの光触媒である、センサの表面と、
（ｉｉ）基板テーブルによって少なくとも部分的に画定された開口に隣接する表面と、
（ｉｉｉ）基板交換中に投影システムの最終要素に接触する液浸液を保持するシャッター部材の表面と、
（ｉｖ）基板テーブルの表面であって、リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置である、基板テーブルの表面と、
（ｖ）マスクの表面と、
（ｖｉ）流体ハンドリングシステムの表面であって、該表面が、半径方向内側の表面、液浸液のための空間を画定する表面、望ましくは半径方向内側の、上を向いた表面、半径方向外側の下面、開口のない単一の連続するコーティングを有する最下部の下面、又は低い接触角の部分を持つ上部及び／又は底部を有する流体ハンドリングシステムの全体のグループのうちの少なくとも１つである、流体ハンドリングシステムの表面と、
（ｖｉｉ）基板テーブルの上面に液浸流体を提供する通路の表面と、
（ｖｉｉｉ）測定ステージの表面と、
（ｉｘ）基板テーブルの平面視外縁部の表面であって、該平面視外縁部から半径方向内側の表面が、コーティングを有さない、厚さが異なるコーティングを有する、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で異なる、基板テーブルの平面視外縁部の表面と、
（ｘ）基板テーブルに又はその一部に画定された開口付近又はその内部の表面と、
（ｘｉ）基板テーブル上に基板を支持する基板サポートの表面と、
を含むグループから選択される。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、原子層蒸着を用いてコンポーネントの表面にコーティングを与えることを含む、リソグラフィ装置のためのコンポーネントを製造する方法が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＳｒＴｉＯ３、又はＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含み、コーティングが４９ｎｍ以下の厚さを有する、リソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、遷移金属酸化物、卑金属酸化物、硫化物若しくはセレン化物、式ＡＴｉＯｎ（ここで、Ａは周期律表の２族の元素）を有する化合物、又は周期律表の３、５若しくは７族の金属をドープしたＴｉＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含み、コーティングが４９ｎｍ以下の厚さを有する、リソグラフィ装置が提供される。
【００１７】
[0017]  本発明の一態様によれば、ＳｉＯ２及びＴｉＯ２の二層から構成されるコーティングを有する表面を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１８】
[0018]  本発明の一態様によれば、ゾルゲルルートを用いてコンポーネントの表面に二層コーティングを塗布することを含む、リソグラフィ装置のコンポーネントを製造する方法が提供される。
【００１９】
[0019]  添付の概略図を参照しながら、本発明の実施形態を以下に説明するが、これは単なる例示としてのものにすぎない。図面において、対応する参照符号はその対応する部材を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】[0020]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0021]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】[0021]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。
【図４】[0022]リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0023]リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。
【図６】[0024]本発明のある実施形態による基板テーブルの平面図である。
【図７】[0025]図６の基板テーブルの断面図である。
【図８】[0026]洗浄中に使用される紫外線（ＵＶ）放射源の概略図である。
【図９】[0027]液体ハンドリングシステムの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0028]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２２】
[0029]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２３】
[0030]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２４】
[0031]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２５】
[0032]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２６】
[0033]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２７】
[0034]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２８】
[0035]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２９】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３０】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えられる場合もあるし、考えられない場合もある。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、リソグラフィ装置からは別のエンティティであってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをそれに搭載できるように構成することができる。オプションとして、イルミネータＩＬは、着脱可能で、別に提供することができる（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００３１】
[0038]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３２】
[0039]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３３】
[0040]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３４】
[0041]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３５】
[0042]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３６】
[0043]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３７】
[0044]  投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供する構成は、２つの一般的カテゴリに分類することができる。それは、基板Ｗの全体及び任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体槽に浸される槽型構成と、液体が基板の局所領域に提供されるだけである液体供給システムを使用するいわゆる局所液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体によって充填された空間が基板の上面より平面図で小さく、液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して静止したままである。本発明の実施形態が指向しているさらなる構成は、液体が閉じ込められないオールウェットの解決法である。この構成では、基板Ｗの露光中に実質的に基板の上面全体、及び基板テーブルの全部又は一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜でよい。図２から図５の液体供給デバイスのいずれも、このようなシステムに使用できるが、その密封特徴部が存在しないか、動作していないか、通常ほど効率的でないか、それ以外にも局所領域のみに液体を密封するには有効でない。図２から図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが図示されている。図２から図４に開示した液体供給システムは、以上で説明されている。
【００３８】
[0045]  提案された構成では、液体供給システムは、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を備える。このような構成を図５に示す。
【００３９】
[0046]  図５は、バリア部材１２、ＩＨがある局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。バリア部材１２、ＩＨは投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文章で基板Ｗの表面に言及する場合、それは他に明記しない限り、追加的又は代替的に基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、バリア部材１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールとすることができる。
【００４０】
[0047]  バリア部材１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に液体を少なくとも部分的に封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＬの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触シール１６を投影システムの画像フィールドの周囲に形成できる。空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に位置しそれを取り囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３を通して、投影システムの下方で、バリア部材１２内の空間に流し込まれる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素より少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素より上まで上昇する。ある実施形態では、バリア部材１２は、その上端で投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有し、例えば円形である。底部では、内周がイメージフィールドの形状に非常に一致し、例えば矩形であるが、そうである必要はない。
【００４１】
[0048]  ある実施形態では、液体は、使用時にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態ではＮ2又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは、圧力化で入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。液体を閉じ込める内側への高速のガス流１６が存在するように、ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何形状がアレンジされる。バリア部材１２と基板Ｗとの間の液体にかかるガスの力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝であってもよい開口である。環状溝は、連続的であっても不連続的であってもよい。ガス１６の流れは、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４２】
[0049]  本発明のある実施形態は、任意のタイプのリソグラフィ装置で使用することができるコーティングに関する。コーティングは、特に液浸リソグラフィに適しており、局所液体システムとオールウェットシステムとの両方に適している。特に、本発明のある実施形態は、光触媒であるコーティングに関する。ある実施形態では、コーティングは二層コーティングである。二層コーティングは光触媒であってもよく、又はそうでなくてもよい。コーティングは、汚染される可能性があるリソグラフィ装置のコンポーネントの表面に与えられる。この汚染は、具体的には有機汚染である。光触媒の作用は、その汚染の洗浄の役に立つ。例えば、紫外線放射（望ましくは波長が１９３ｎｍ（通常の投影システムの波長）を超える放射）を用いて光触媒を活性化することができる。コーティングは、任意のタイプのリソグラフィ装置で使用することができる。特に、光触媒は、極端紫外線（ＥＵＶ）放射リソグラフィ装置で使用することができる。この場合、反射型パターニングデバイス（例えばマスク）が汚染されると、パターニングデバイスの反射機能が低下することがある。本発明のある実施形態のコーティングをＥＵＶリソグラフィで使用する反射型パターニングデバイスに塗布することができる。洗浄のためには、一定の雰囲気ガス（例えば、酸素、水分子）をＥＵＶ装置に導入することが必要になり得る。ある種のコーティング、特に二層コーティングの場合、コーティングを親液体性（すなわち親液性）に保つためのＵＶ放射は必要でない場合がある。すなわち、コーティングは、自然で、持続性があり（例えば数日間）及び／又は再生可能である（ＵＶ放射を用いて、及び／又は例えば水などの液浸液ですすぐことで）親液体性を示すことができる。二層コーティングは、液浸リソグラフィ装置に特に適している。
【００４３】
[0050]  本発明のある実施形態のコーティングは、液浸リソグラフィで特に有用である。液浸リソグラフィでは、例えばレジスト、トップコート又はスキャナ環境（例えば空気汚染）による有機汚染物が液浸液中で装置のコンポーネントの表面に運ばれることがある。このような表面の汚染によって、例えば、その表面との液浸液の接触角が変化して直接に性能の低下を招くことがある。
【００４４】
[0051]  本発明のある実施形態を用いてコーティングを含む表面を清潔に保ち、それによりその親液体性（すなわち親液性、例えば液体が水のときは親水性）を維持することができる。
【００４５】
[0052]  特に、センサの汚染は問題である。この汚染によってセンサ表面の親液体性が低下する。その結果、液滴が表面に形成され、それにより測定エラーを引き起こすことがある。センサの表面を親液体性又は超親液体性に保つことができれば、センサの表面上に液体があればすべて薄膜となり、液滴を形成することなく均一に蒸発するはずである。これは望ましい。
【００４６】
[0053]  コーティングは、ある種類の材料から選択される材料を含む。これらの材料は、光触媒材料である。すなわち、コーティングとして塗布すると、材料は、ＵＶ放射（例えば１９３ｎｍ又は２５６ｎｍの波長を有する）の助けにより有機汚染物の分解を誘発し、材料の表面に有機汚染物が付着しないようにし、それ故、永続的に超親液体性に、例えば液体が水のときは超親水性に保つ。
【００４７】
[0054]  これらの材料（光触媒）は、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯ２、又はそれらの混合物を含む、しかしこれに限定されない、光活性遷移金属酸化物である。ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＣｄＳなどの化合物半導体も有用な光触媒である。遷移金属酸化物（望ましくは周期律表の４〜６族のもの）は適した光触媒である。これらは、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３を含む。卑金属酸化物、硫化物又はセレン化物（望ましくは周期律表の２及び４族のもの）は適した光触媒である。これらは、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅを含む。式ＡＴｉＯｎ及びＡＴａＯｎ（ここで、Ａは周期律表の２族の元素）を有する化合物は適した光触媒である。周期律表の３、５及び７族の金属（例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｐｔ）をドープした基本的にＴｉＯ２から構成される光触媒は適した光触媒である。ドーパントは、望ましくは、０．５〜１．０重量パーセントの濃度である。望ましくは、コーティングは、９９重量パーセントの光触媒である。望ましくは、コーティングは、９９重量パーセントの純度を有する。上記化合物の任意の混合物は適している。一定のレベルを超えるリアクタンスを有する化合物のみが適切な場合もある。コーティングは、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳ、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＺｎＯ２の任意の組合せ又はその混合物以外の化合物であってもよい。しかし、これらの半導体のうち、ＴｉＯ２は、広範な環境用途に最も適していることがわかっている。ある実施形態では、ＴｉＯ２は、アナターゼ結晶型である。ある実施形態では、ＴｉＯ２は、アナターゼとルチル及び／又は板チタン石結晶構造の混合物である。望ましくは、アナターゼ型は、容積で少なくとも７０％、望ましくは８０％を構成する。ＴｉＯ２は、生物学的及び化学的に不活性の材料である。ＴｉＯ２は、光腐食及び化学腐食に関して実質的に安定しており、安価で、強い酸化／還元力を有する。
【００４８】
[0055]  ある実施形態では、コーティングは薄膜である。薄膜は、必ずしも全コーティング表面を覆うわけではない。場合によっては覆われていない部分がある。これは、例えば、堆積上の膜の位置が事前決定されていない（すなわちランダムであってよい）スパッタリングなどの薄膜塗布方法の結果である。コーティングは、少なくとも６０、７０、８０、９０、９５、９８、又は１００％の被覆面積を有する。
【００４９】
[0056]  上記の材料は、光触媒活性を有する。塗布された光活性材料は、ＵＶ波長の光子、それ故ＵＶエネルギーなどのＵＶ放射によって励起されると、電子を量子状態に変化させ、すなわちエネルギー状態を増加させる。換言すれば、ＵＶ放射源は、光触媒の帯域ギャップを励起する波長を有し、それにより光触媒の活性を誘発する。電子状態の変化によってコーティング内に自由キャリア、すなわち伝導帯電子及び価電子帯正孔、すなわち電子−正孔ペアが生成される。電子−正孔ペアが生成されると（又は電子が伝道帯でより高いエネルギー状態に変化すると）、コーティング表面で水又は水分子などの液体又は分子と相互作用が生じる。価電子帯の正孔は、直接のオキシダントとして作用できる。電子−正孔ペアと液体分子との相互作用によって、液体分子には構成成分のフリーラジカルに解離する十分なエネルギーが供給される。これは、液体分子又は液体分子の分子成分とペアでない電子又はオープンシェル構成である。空気などのガスへの暴露など、酸素が存在する状態で光触媒相互作用が生じると、液体は、例えば水の時に、水酸基ラジカルに実質的に解離する場合がある。水酸基ラジカルは、価電子帯正孔とＯＨ又は表面チタノール族との反応によっても形成することができる。水酸基ラジカルは、強力な反応体で、コーティング表面の主要なオキシダントである。この例では、水酸基ラジカルは、有機物質と反応する主要な反応体である。炭化水素化合物の場合、一次分解生成物は、多くの場合二酸化炭素と水である。
【化１】
2010067967.tif 000003
【００５０】
[0057]  本発明のある実施形態を用いて、アルカン、脂肪族アルコール、脂肪族カルボン酸、アルケン、フェノール、芳香族カルボン酸、染料、単環芳香族化合物、ハロゲン化アルカン及びアルケン、界面活性物質、及び上記構成成分のうちの１つ又は複数から導出されたより大きい分子などの多様な化合物（しかしこれらのリストに限定されない）の洗浄に使用することができる。
【００５１】
[0058]  ある実施形態では、水が液体形態でコーティング表面に存在することがある。ある実施形態では、水は、（例えば、コーティングに与える前の液体を介した泡立ち酸素又は酸素含有ガスによって）その内部に作為的に溶解した酸素を有することができる。その結果、反応時に水酸基ラジカル及び酸素ラジカルが生成される。ある実施形態では、コーティングはガス／酸素雰囲気内で照射される。ある実施形態では、ガス／酸素は加湿されたガス／酸素である。
【００５２】
[0059]  コーティング層は、ソルゲル、スパッタリング、位相反応マグネトロンスパッタリング、化学蒸着(chemical vapor deposition CVD)、プラズマ化学蒸着(plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD)、有機金属化学蒸着(metal-organic chemical vapor deposition MDCVD)、物理蒸着(physical vapor deposition PVD)、プラズマ蒸着(plasma-activated evaporation)、及び／又は原子層蒸着(atomic layer deposition ALD)を含む、集積回路製造における薄膜形成のいくつかの従来技術を用いて、薄膜（４９ｎｍ以下の、又は例えば０．５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲から選択した４０ｎｍ未満の、又は２００ｎｍ未満の）として与えることができる。薄層は、触媒機能の面で厚層より作用が優れている。これは、層が厚すぎると、形成された電子−正孔ペアのどれもコーティング表面に到達できないからである。０．５〜２ｎｍの薄い層は可能であり望ましいが、コーティングを厚くして磨耗／傷に対する堅牢性を向上させることができる。従って、０．５〜１００ｎｍの範囲、望ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲、より望ましくは０．５〜５ｎｍの範囲から選択した厚さが予測される。ある実施形態では、コーティングは１原子の厚さである。ある実施形態では、コーティングは均一のコーティングである。原子層蒸着を使用する場合は、特に、厚さが均一になる（すなわち、一定になる）ようにコーティングの厚さを正確に制御することができる。ある実施形態では、コーティングの厚さは５０原子層未満、望ましくは、４０又は２５又は１０原子層未満だけ変化する。さらに、例えばより厚い堅牢な層の場合、一定の厚さは、１０００原子層、望ましくは５００原子層、又は更には１００原子層にまで一定にされる。
【００５３】
[0060]  すでに説明したように、液浸リソグラフィなどでの液体の使用の結果、露光装置、例えばセンサ、例えば透過イメージセンサのコンポーネントの表面が汚れる。一般に露光装置で発生し得るその他の問題は、周囲大気からの汚染物が装置のさまざまな部分に堆積することである。本発明のある実施形態は、上記のいずれか又は両方の場合に使用してコンポーネントの表面の洗浄（清潔に保つこと）に役立てることができる。
【００５４】
[0061]  ある実施形態では、コーティングは、露光装置の一部、例えば投影システムの一部又は基板テーブルの一部に提供することができる。ある実施形態では、コーティングは、装置の動作時に放射に曝される１つ又は複数の部分に使用される。ある実施形態では、コーティングは、センサ、例えば収差センサ、放射ドーズ量センサ、透過イメージセンサ、アラインメントセンサ、投影システムの特性を感知するように構成されたセンサ及び／又は反射型イメージセンサに使用される。ある実施形態では、例えばコーティングを液浸リソグラフィ装置で使用する時に、コーティングは、装置の動作時に液浸液、例えば水などの水性液体に暴露される。
【００５５】
[0062]  ある実施形態では、コーティングは実質的にボイドがない。ある実施形態では、コーティングは、１００％単一の光触媒から構成される。例えば、コーティングは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯ２のグループの化学物質の１つのみで構成される。
【００５６】
[0063]  ある実施形態では、コーティングは、親液体性、例えば、水に対して親水性又は超親水性であり、静水接触角が３０°未満、例えば、２０°未満、例えば１５°未満、１０°未満である。後退接触角は、できるだけ小さくなければならない。親液体性接触角は、９０°未満と考えられる。疎液体性の接触角（すなわち、水に対する疎水性の接触角）は、９０°より大きいと考えられる。接触角は、任意のタイプのゴニオメータ、例えば、ＦＴＡ２００ダイナミック接触角アナライザ（英国ケンブリッジシャーＥｌｓｗｏｒｔｈのＣａｍｔｅｌ  ＬＴＤから販売されている）で室温で決定できる。親液体性コーティングは、例えば液浸リソグラフィなどで、水性液体などによるコーティング部分の汚染を回避することができる。親液体性コーティングは、液滴の形成を防止し、それにより、液体内部に存在する可能性がある汚染物が液滴の外周に流入してその周囲に集中することを防止することができる。親液体性コーティングは、ウェッティングさえ促進し、それにより液体層の液滴への分解を防止する。本明細書に記載するコーティングは、当然親水性である。しかし、コーティングが汚染されると、親水性を失い、着実に疎水性に近づき、疎水性に変化し、又はより疎水性になる。液浸リソグラフィ装置では特に、使用による及び使用時の接触角の変化、すなわち疎液体性及び親液体性特性の変化は、（特に、制御されず予想されない変化）は望ましくない。これは、位置に応じて表面が疎液体性又は親液体性であることが選択されるからである。従って、コーティングの洗浄は、（汚染物の除去によって）コーティングの親液体性の性質を確実に保持できるため、コーティングを洗浄する能力は有利である。適した保守体制を以下に述べる。
【００５７】
[0064]  親液体性のコーティングは、疎液体性のコーティングを塗布した表面の隣の表面に塗布するのに特に適している。疎液体性コーティングは、オゾン（Ｏ３）によって損傷することがある。他のタイプの疎液体性コーティングは、オゾンで洗浄できる。しかし、そのような洗浄は選択的なものでなく（Ｏ３はガス形態で供給されるため）、隣接する疎液体性コーティングを損傷することがある。本明細書に記載する親液体性コーティングの洗浄では、親液体性コーティングだけを選択的に照射するＵＶ放射による洗浄が可能で、隣接する疎液体性コーティングを損傷することがない。ある実施形態では、親液体性及び疎液体性表面の洗浄が水などの液体の下で実行される。これは、ＵＶ放射が空気中にＯ３を生成することがあるためである。薄い液体層であっても疎液体性層を保護でき、洗浄中の親液体性層には十分である。従って、親液体性コーティングは、疎液体性コーティングに隣接させるのが適している。疎液体性及び親液体性表面を互いに隣に配置することには利点がある。例えば、この組合せを用いて２つの表面の界面に液体メニスカスをピン止めすることができる。
【００５８】
[0065]  コーティングは、一定周期でＵＶ放射を照射することができる。例えば、ＵＶ放射は、基板のバッチの露光が済むたびに、また基板の各ロットの後などの露光のたびに実行される。ある実施形態では、ＵＶ放射は２６６ｎｍの波長を有する。
【００５９】
[0066]  コーティングを洗浄するには、ＵＶ放射は、１００Ｗの中圧水銀ランプなどによるＵＶ−Ａ（４００〜３２０ｎｍ）放射であってよい。ＵＶ−Ｂ又はＵＶ−Ｃ放射も使用することができる。ＵＶの強度は、１μＷ／ｃｍ２から１０ｍＷ／ｃｍ２である。ある実施形態では、１ｍＷ／ｃｍ２の強度が使用される。洗浄周期は、１分あたり２〜２０秒の範囲から選択した継続時間から１日あたり１〜３０分の範囲（例えば、１ｍＷ／ｃｍ２の強度の場合）から選択した継続時間であってよい。それより短い周期（例えば、１μＷ／ｃｍ２）では、より長い継続時間が必要である。
【００６０】
[0067]  コーティングは、粒子状ではなく固体状であってもよい。これは、コーティングを作成する製作技術の結果である。
【００６１】
[0068]  コーティングは、任意の適した方法又は工程で基板上に提供することができる。ある実施形態では、コーティングは、反応性マグネトロンスパッタリングによって与えられる。ある実施形態では、コーティングは、スピンコーティング又はディップコーティングによって与えられる。ある実施形態では、基板は、ガラス基板（例えば、クロムなどの金属で部分的にコートされたガラス基板）又はハロゲン化金属（例えば、ＣａＦ２）基板である。コーティングは、コーティングが施される表面上の薄膜として形成される。
【００６２】
[0069]  コーティングは、任意の適した厚さを有することができる。ある実施形態では、コーティングの厚さは、１ｎｍ未満の範囲、０．４ｎｍ〜０．９ｎｍの範囲、２．０ｎｍ〜２．９ｎｍの範囲、４ｎｍ〜６ｎｍの範囲、８ｎｍ〜１４ｎｍの範囲、１６ｎｍ〜２９ｎｍの範囲、３１ｎｍ〜４９ｎｍの範囲又は５１ｎｍ〜７４ｎｍの範囲から選択される。ある実施形態では、コーティングは、実質的に２００ｎｍ、１８０ｎｍ〜２２０ｎｍの範囲、１９０ｎｍ〜２１０ｎｍの範囲、オプションで２００ｎｍ未満の範囲の厚さを有する。コーティングが厚すぎる場合、コーティングは光触媒活性を失うことがある。ある実施形態では、コーティングは、２０ｎｍ未満の厚さである。その結果、１０個の層で約１ｎｍが形成されるため、約２００原子の厚さのコーティングが形成される。
【００６３】
[0070]  ある実施形態では、複数の化合物の混合物から光触媒を形成できる。これらの化合物のうち１つだけが光触媒である。一実施形態では、コーティングは、ＴｉＯ２にＳｉＯ２を添加した混合物又はＳｉＯ２にＴｉＯ２を添加した混合物を含む。このような表面は、純ＴｉＯ２コーティングよりも親液体性が持続する。この改善は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２の界面でのＳｉ−Ｏ−Ｔｉ結合の酸性度が強まったためであろう。これによってコーティング表面のヒドロキシル族の量が増す。ある実施形態では、コーティングは、ＳｉＯ２上層によって全面的に覆われたＴｉＯ２膜、又はＴｉＯ２上層によって全面的に覆われたＳｉＯ２膜から構成されている。各層及び上層は、本明細書に記載する単一層コーティングの厚さを有することもできる。別の層（又は上層）によって覆われた層の構成は、二層と呼ぶことができる。
【００６４】
[0071]  一実施形態では、コーティングは、ゾルゲル誘導ＳｉＯ２−ＴｉＯ２複合膜である。ゾルゲル誘導膜は、シリカ及びチタニアゾルから蒸着することができる。ＳｉＯ２ポリマーゾルは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を無水エタノール、脱イオン化水及び塩酸（ＨＣＩ）に希釈することで調製できる。この溶液は、温度上昇により数時間で老化することがある。その場合、追加の無水エタノールで希釈することができる。
【００６５】
[0072]  ＴｉＯ２膜は、２つの異なるゾルゲルルートを用いて調製される２種類のＴｉＯ２ゾルから蒸着することができる。一実施形態では、オルトチタン酸テトライソプロピル（ＴｉＰＴ）を溶剤としての脱イオン水、塩酸、及び無水エタノールと混合することでポリマー母溶液（ＭＳ）が調製される。この溶液は、蒸着前に室温で２日間で老化することがある。別の実施形態では、ＴｉＯ２ナノ結晶の結晶懸濁液（ＣＳ）が無水エタノール内で調製される。この懸濁液は、母溶液から調製される。母溶液は、まず過剰な脱イオン水（Ｈ２Ｏ）内で希釈され、次に数時間高温で加圧滅菌される。加圧滅菌によって液相にＴｉＯ２粒子の結晶が生じる。次いで、交換手順を実行してゾルから水を除去し、無水エタノール内に結晶懸濁液を形成する。直径が約６ｎｍのＴｉＯ２ナノ結晶からなる最終的なゾルゲルが適している。
【００６６】
[0073]  例えば、スピンコーティングによって室温で二層の膜を蒸着することができる。蒸着後に、例えば、約５００℃で２時間、熱処理を行う必要がある。一般に、１番目の層を塗布した後で２番目の層を塗布する。
【００６７】
[0074]  ＭＳのＴｉＯ２のコーティング上にＳｉＯ２を蒸着するか又はＳｉＯ２のコーティング上にＣＳのＴｉＯ２を蒸着することで、光活性と親液体性とを備えた二層膜が形成される。しかし、少し経ってから親液体性を復元するためにＵＶ放射の照射が必要になろう。ＣＳのＴｉＯ２のコーティング上に蒸着したＳｉＯ２は、周期的にＵＶ放射を行う必要なしに、自然で、持続的、かつ再生可能な親液体性を示す（このような二層膜は光活性がある）。従って、望ましい実施形態では、コーティングは、結晶懸濁液から得たＴｉＯ２の下塗りとその上に与えられたＳｉＯ２を含む。ある実施形態では、ＳｉＯ２の外層は、１〜２０単分子層、望ましくは、１０単分子層未満又は５単分子層以下の厚さを有する。このようなコーティングは、親液体性を失った場合、脱イオン水で洗浄することで親液体性を取り戻すことができる。一部の液浸リソグラフィ装置では、脱イオン水が液浸液として用いられる。従って、この場合、これ以上の洗浄ルーチンは不要で、少なくとも他の洗浄装置は不要である。ある実施形態では、二層は、２００ｎｍ（例えば、２２０ｎｍ〜１５０ｎｍ、望ましくは、２１０ｎｍ〜１９０ｎｍの範囲の）の厚さを有するＳｉＯ２の層と、実質的に４０ｎｍの厚さを有するＴｉＯ２の層とを含む約２５０ｎｍの厚さを有することができる。ＳｉＯ２層は、ＴｉＯ２層の上層であってよい。二層膜、特にＳｉＯ２／ＴｉＯ２の二層膜に関する詳細情報は、S.Permpoon他のThin Solid Films 516 (2008) pp957-966における"Natural and Persistent Superhydrophilicity of SiO2/TiO2 and TiO2/SiO2 Bi-Layer Films"という論文に記載されている。
【００６８】
[0075]  本発明のある実施形態は、特に、オールウェット液浸システムを対象とする。オールウェットシステムのある実施形態が、米国特許出願ＵＳ２００８−００７３６０２号に開示されている。米国特許出願ＵＳ２００８−００７３６０２号のオールウェット解決策では、図１に示す液体ハンドリングシステムＩＨによって投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間に液体を供給することができる。液体ハンドリングシステムＩＨは、空間に液体を直接供給することができる複数の開口を含む。液体ハンドリングシステムＩＨは、投影システムの最終要素と基板との間の空間を少なくとも部分的に囲むバリアを含むことができる。この実施形態では、液体ハンドリングシステムＩＨは、基板テーブルとは別である。液体ハンドリングシステムＩＨは、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。基板テーブルＷＴは、液体ハンドリングシステムに対して移動することができる。液体ハンドリングシステムＩＨを用いて基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの残りの部分の上に液体を漏らさせあふれさせることができる。
【００６９】
[0076]  特に基板の外縁部でのディウェッティングの可能性の問題が、共に２００７年１２月３日出願の米国特許出願第６０／９９６，７３８号及び第６０／９９６，７３７号で扱われている。米国特許出願第６０／９９６，７３８号及び第６０／９９６，７３７号に、基板テーブルＷＴの縁部のドレーン５００の一例が示されている。こうしたドレーン５００は、図７に概略図示されている。こうして液体は、基板テーブルの縁部からドレーン５００内へ流れ落ちることができる。ドレーン５００に入った液体は処理できる。これは、米国特許出願ＵＳ２００８−００７３６０２号に開示された液体収集システムにとって代わる構成である。本発明のある実施形態のコーティングは、オールウェットシステムでのディウェッティングのリスクをさらに低減する助けになる。
【００７０】
[0077]  基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上の液体の層の厚さが低減すると、ディウェッティングのリスクが増大する。また、基板Ｗの表面にガス気泡が存在する、例えば付着していると、ディウェッティングのリスクが増大する。液浸液の基板Ｗ又は基板テーブルＷＴへの接触角が大きいと、ディウェッティングの可能性が高くなる。従って、本明細書に記載するコーティングの液浸液にさらされた基板テーブルＷＴの上面全体をコーティングすることによって、ディウェッティングの可能性を低減する際の助けとなる。
【００７１】
[0078]  基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上の液体膜の層の薄膜化は、蒸発、基板テーブルＷＴの縁部からの液体の流出、及び／又は基板テーブルＷＴの移動のうちの１つ又は複数によって促進される。ディウェッティングは、特に基板テーブルＷＴの縁部で開始しがちである。基板テーブル及び／又は基板上の液体の厚い層は、液体ハンドリングシステムＩＨからの高い大量フロー供給レートにより達成することができる。しかし、これは、フロー管理と特に基板テーブルの縁部での液抜きを複雑にする。ディウェッティングは、基板テーブルＷＴを本明細書に記載するコーティングでコートすることで緩和され、少なくとも低減される。特に大量フローレートが限られている場合は、基板テーブルＷＴの縁部４９０にコーティングを有すること、又は基板テーブルＷＴの縁部４９０に向かって逓減する接触角を有するコーティングを有することが望ましい。コーティングは、縁部４９０の水平及び／又は垂直表面上にあってよい。コーティングは、基板テーブルＷＴの外周全体にあるのが望ましい。縁部でのコーティングの存在、すなわち接触角の低減によって、基板テーブルＷＴを覆う液浸液の層は、基板テーブルの縁部４９０に実質的にピン止めされる。このピン止め効果によって、液浸液の層の表面にわたってメニスカスに張力がかかり、層の厚さとディウェッティングのリスクが低減する。
【００７２】
[0079]  図６に示すように、基板テーブルＷＴの上面に液浸液を供給する開口３００、４００が基板テーブルＷＴ内に設けられる。開口３００、４００は、基板テーブルの上面に画定してもよい。開口３００、４００は、液体ハンドリングシステムＩＨに加えて液浸液を供給することができる。液体ハンドリングシステム１２、ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間に液体を供給することができる。開口３００、４００は、特に、ディウェッティングのリスクが高い領域の隣に配置できる。この領域は、使用時に基板が配置される基板サポートの縁部と基板テーブルＷＴの縁部とを含む。開口３００は、基板テーブルの縁部４９０から半径方向内向きであってもよい。例えば、開口３００は、例えば、露光中に基板を支持する基板サポート１０１の実質的に外周などの基板の周囲の基板テーブルの表面に画定してもよい。開口は、例えば、縁部の表面が下方に屈曲する前の基板テーブルの縁部４９０に向かって半径方向外側に基板テーブルの表面に画定してもよい。
【００７３】
[0080]  図６は、本発明のある実施形態による基板テーブルＷＴの平面図である。基板テーブルＷＴの表面に、第１の開口３００と第２の開口４００が画定されている。
【００７４】
[0081]  基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴの上面にくぼみ１００を含む。くぼみ１００には、基板サポート１０１が設けられる。基板サポート１０１は、本明細書に記載するコーティングを塗布してもよい。基板サポート１０１の半径方向外側のくぼみ１００の縁部に、基板テーブルＷＴの上面に液浸液を供給することができる第１の開口３００が画定される。第１の開口３００は、くぼみ１００の縁部の周囲に設けてもよい。第１の開口３００は、基板サポート１０１を取り囲んでいてもよい。開口３００は、実質的に環状であってもよい。開口３００は、基板サポート１０１及び／又は基板Ｗの形状と実質的に同じ形状であってもよい。
【００７５】
[0082]  第２の開口４００は、基板テーブルＷＴの表面に画定してもよい。第２の開口４００は、基板テーブルＷＴの縁部４９０に隣接してもよい。開口４００は、基板テーブルＷＴの縁部と実質的に同じ形状であってもよい。
【００７６】
[0083]  第１及び第２の開口３００、４００の両方は、それぞれ基板サポート１０１及び基板縁部４９０の一部の周囲にしか提供することができない。例えば、ある実施形態では、液体は、基板テーブルＷＴの２つの縁部の上を流れることしかできない。その場合、第２の開口４００は、液体がその上を流れることができる基板テーブルＷＴの２つの縁部にのみ隣接して位置できる。
【００７７】
[0084]  ある実施形態では、第１及び第２の開口３００、４００は各々、連続する開口である。ある実施形態では、開口３００、４００は、複数の離散的な開口である。開口（離散的又は連続的な）は、あるパターンに配置できる。離散的な開口のパターンでは、開口は、反復パターンに配置される。離散的な開口は、間隔が等距離であってよい。各々の開口３００、４００は、それぞれの毛管通路３１０、４１０を通してそれぞれのチャンバ３２０、４２０に接続することができる。ある実施形態では、毛管通路３１０、４１０は連続する。ある実施形態では、チャンバ３２０、４２０は連続する。チャンバ３２０、４２０は、１つ又は複数の離散的な場所に液浸液を供給してもよい。毛管通路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０は環状であってもよい。
【００７８】
[0085]  望ましくは、開口３００、４００から流出する液体の圧力変化を低減する手段が講じられる。これは、それぞれのチャンバ３２０、４２０を有することで達成できる。チャンバは、圧力の変動とフローの変動を緩衝して抑えることができる。緩衝は、チャンバの容積を対応する開口の容積より大幅に大きくすることで達成することができる。
【００７９】
[0086]  各毛管通路３１０、４１０は、望ましくは、液浸液が小さい接触角を有する表面を有する。毛管通路３１０、４１０の表面は、本明細書に記載するコーティングを塗布できる。これによって、毛管通路３１０、４１０内を流れる液体内の気泡の発生が低減されるか解消する。望ましくは、毛管通路３１０、４１０の表面と液浸液との前進接触角は、３０°未満、２５°未満、又は２０°未満である。
【００８０】
[0087]  毛管通路３１０、４１０は、望ましくは、１ｍｍ未満の幅を有し、従って通路内の毛細力が開口３００、４００からの液体の一様な又は均一な流出を強化する。毛管通路３１０、４１０の望ましい幅によって、毛管通路３１０、４１０の局所的な排水が防止される。開口３００、４００を複数の離散的な開口として、複数の離散的な開口が複数の毛管通路３１０、４１０の開口になるようにすることが望ましい。複数の離散的な開口を有することで、開口からの液浸液の流出は、一様な又は均一な流出に向かう。このような流出は、開口が単一の環状でスリット形状の開口である場合、開口３００、４００からの流出より、一様な又は均一な流出により近いであろう。
【００８１】
[0088]  図７から分かるように、基板テーブルの縁部４９０は、湾曲した外側半径を有する。米国特許出願第６０／９９６，７３８号及び第６０／９９６，７３７号によれば、縁部４９０の一部の曲率半径は、望ましくは、少なくとも５ｍｍである。第２の開口４００は、望ましくは縁部４９０に隣接して、望ましくは基板テーブルＷＴの平坦な上面が下方にカーブし始める場所に設けられる。曲率半径は、外向きに減少してもよい。湾曲した縁部は、メニスカスをピン止めする助けになり、基板テーブルＷＴの縁部にコーティングを備えた場合と同様の効果を液浸液に与える。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの表面の縁部４９０に、開口４００から５ｍｍ以内に（望ましくは３ｍｍ以内に）液浸液が３０°未満、２０°未満、又は１５°未満の前進接触角を有する表面が存在する。これによって液体の均一な分布が促進され、可能な気泡の表面上での発生、例えば表面への付着が低減される。表面には、本明細書に記載するコーティングを施すことができる。
【００８２】
[0089]  コントローラ３３０は、開口３００、４００からの液体のフローを制御することができる。コントローラ３３０の動作は、開口３００、４００から流出する液体が確実に基板テーブルＷＴの上面に供給されるようにする助けとなる。フローは、望ましくは厚さが１０〜５０００μｍの範囲、望ましくは１００〜１０００μｍの範囲、望ましくは１００〜５００μｍの範囲の液体層を基板テーブルＷＴの上面に生成するのに十分である。
【００８３】
[0090]  図７に示すように、開口３００は、基板テーブルＷＴの他の部分から断熱された部材２００内に画定してもよい。これは、開口３００についてのみ図示されている。しかし、第２の開口４００についても同様のシステム、例えば第２の開口４００を画定してもよい部材を使用することができる。
【００８４】
[0091]  基板テーブルＷＴの残りの部分から分離された部材２００を用いて基板テーブルＷＴの縁部を形成すると、次に毛管通路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０をその部材２００と基板テーブルＷＴの残りの部分との間に形成することができる。代替又は追加的実施形態では、両方の開口３００、４００は、基板テーブルＷＴと基板テーブルＷＴの上面のくぼみ（図示せず）に配置されたインサート（図示せず）との間に画定される。インサートは、開口３００、４００の間に基板テーブルＷＴの上面の一部を形成することができる。毛管通路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０並びに開口３００、４００を形成する他の多くの方法が可能であることを理解されたい。
【００８５】
[0092]  図６は、例えば、３つのセンサの位置を示す。これらは、透過イメージセンサ(transmission image sensor TIS)１１０、スポットセンサ１２０及び、Integrated Lens Interferometer At Scanner (ILIAS)センサ１３０である。他のセンサは、放射ドーズ量センサ(radiation dose sensor)又は収差センサ(aberration sensor)である。基板テーブルＷＴは、測定及び露光中に基板のアラインメントのためと投影システムの特性を感知するために任意のタイプのセンサを有することができる。基板テーブルは、任意の数のセンサを有することができる。くぼみ１００内に、表面１６０を形成する毛管通路がある。毛管通路形成表面１６０は、基板Ｗがくぼみ１００（基板サポート１０１上の）内にある時に毛管通路の一方の側面を形成する。基板Ｗの底面は、毛管通路の第２の側面を形成する。この構成の詳細は、２００８年６月２日出願の米国特許出願第６１／１２９，０４７号に記載されている。上記コーティングが与えられたことで利益を得る表面は、任意の１つのセンサ、例えば、ＴＩＳセンサ１１０、スポットセンサ１２０及びＩＬＩＡＳセンサ１３０の上面を含む。
【００８６】
[0093]  上記のコーティングを施したセンサの場合、コーティングは、望ましくはセンサに入射する放射の波長よりはるかに小さい厚さを有する。例えば、コーティングは、センサ表面で１０ｎｍ未満の厚さでなければならない。ある実施形態では、センサ上のコーティングは、コーティング、厚さが異なるコーティング、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で基板テーブルの周囲の部分とは異なっている。これは、センサは基板テーブルの他の部分よりも清潔に保たれねばならないためであり、又は基板テーブルの別の部分はセンサとは異なる接触角要件を有するためである。毛管通路形成表面１６０は、望ましくはコーティングが与えられる。毛管通路形成表面は、基板Ｗと基板サポート１０１との間の液体のフローに抵抗するように構成された表面特徴である。
【００８７】
[0094]  図示はしていないが、代替的に又は追加的に封止を設けることができる。このような封止は、基板縁部封止と呼ばれる。基板縁部封止は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴとの間のギャップから発生するガスが基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上の液浸液内に拡散する可能性を低減するように構成されたフィーチャを有することができる。基板縁部封止の表面特徴は、上記のコーティングが施されることができる。従って、本明細書に記載するコーティングは、基板テーブルＷＴ又はその一部に画定された開口付近にあってもよいし、又はその内部にあってもよい。
【００８８】
[0095]  コーティングが与えられた毛管通路形成表面１６０の表面は、疎液体性を有する表面に隣接していてもよい。コーティングが与えられた基板縁部封止の表面は、疎液体性特性を有する表面に隣接していてもよい。疎液体性特性は、コーティングが下地表面に与えられた結果であるか、又はコーティングなしの材料の表面の性質によるものである。こうして、親液体性の表面と疎液体性の表面との界面での液体メニスカスの付着／ピン止めが促進される。これはリソグラフィ装置の他の領域、例えば流体ハンドリング構造ＩＨ上の領域で有利である。このような実施形態について図９を参照しながら詳述する。
【００８９】
[0096]  図６は、基板テーブルＷＴ上に配置された閉鎖部材１５０（すなわち、閉鎖ディスク）などのシャッター部材を示す。シャッター部材は、液浸液を液体ハンドリング構造内に保持するために液体ハンドリングシステム１２、ＩＨの下に配置する。例えば、基板Ｗの交換中、空間１１内に液浸液を保持することが望ましい。ある実施形態では、シャッター部材は、液体ハンドリングシステム１２、ＩＨ内に画定された開口を閉塞することができる。シャッター部材１５０は、ダミー基板Ｗ又は閉鎖ディスク１５０として考えられる。代替的に又は追加的に、シャッター部材は、（個別に、又は組み合わせて、また非制限的なリストで）、基板テーブルＷＴの上面の一部であるか、基板テーブルＷＴの上面から、例えば、第２の基板テーブルＷＴ又は測定ステージ１５５などの基板テーブルに隣接する位置から相対的に取り外し可能であるか、基板の交換中に２つのステージ（２つの基板ステージ又は基板ステージと測定ステージ）の間に配置される、例えば引き込み式ブリッジなどのブリッジ部材２６０である。ブリッジ部材は、例えば、基板の交換中に、第１の基板テーブルと第２の基板テーブルとの間のギャップを埋める。シャッター部材１５０は、本明細書に記載するコーティングが施されてもよい。
【００９０】
[0097]  望ましくは、基板テーブルＷＴの上面全体を本明細書に記載するコーティングが施されてもよい。オールウェットシステムの場合、基板テーブルＷＴの縁部４９０にコーティングを与えることが望ましい。これは、すでに説明したように、縁部の乾燥を防止し、基板テーブルのウェッティングを維持する助けになる。
【００９１】
[0098]  図８は、液体ハンドリングシステムＩＨ、１２、特に、本明細書に記載するコーティングから利益を得る液体ハンドリングシステムＩＨの表面を示す。超親液体性（すなわち、水の場合は、超親水性）であってもよい本明細書に記載するコーティングは、液体ハンドリングシステムＩＨ、１２への液浸液の付着及びピン止めを容易にすることができる。
【００９２】
[0099]  コートされた表面は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに対向する液体ハンドリングシステムＩＨの底面又は下面８０１である。下面８０１にコーティングを備えることで空間１１の充填が容易になり、空間１１からの液浸液の漏れと空間１１への気泡の拡散が防止される。表面８０１は、最下部の下面である。表面８０１は、開口がない連続するコーティングを有してもよい。
【００９３】
[00100]  空間１１と境界を接する（従って部分的に空間１１を画定する）液体ハンドリングシステムＩＨの表面８０３は、コーティングを塗布できる。液体ハンドリングシステムＩＨのコーティング表面は、投影システムＰＳに対向する液体ハンドリングシステムの上面８０５であってもよい。表面８０５は、コートする上面の半径方向内側の部分を含むことが望ましい。上面８０５の半径方向外側の上面の半径方向外側の部分８０７の接触角は、表面８０５の接触角と比べて大きい。ある実施形態では、上面８０５は、本明細書に記載する親液体性コーティング（例えば、超親液体性コーティング）が施されない。液浸液のメニスカスは、表面８０５の半径方向外縁部にピン止めすることができる。望ましくは、ピン止めを改善するため、表面８０７に疎液体性コーティングを施してもよい。これは、液浸液の液滴が液体ハンドリングシステム１２、ＩＨの上部及び投影システムＰＳの表面に付かないようにする助けになり、これらの表面に印加される熱負荷を低減する。
【００９４】
[00101]  半径方向外側の下面８０９には、本明細書に記載するコーティングを施してもよい。表面８０９の半径方向外側に半径方向外側の最下面８１１がある。半径方向外側の最下面８１１は、望ましくは、コートされず、親液体性でもない。ある実施形態では、疎液体性コーティングを施してもよい。最下面８１１は、表面８０９の接触角より大きい接触角を有する。表面８０９の半径方向外側の縁部は、液浸液のメニスカスをピン止めする役割を果たす。オールウェット装置では、表面８０９の外縁部にピン止めされたメニスカスは、基板テーブルＷＴの縁部４９０にピン止めすることができる。ある実施形態では、表面８１１は、親液体性の接触角を有することができる（また、コートできる）。
【００９５】
[00102]  図９は、本明細書に記載するコーティングを塗布する領域にＵＶ放射を加えるいくつかの方法を示す。投影システムＰＳからの放射を使用することができる。例えば、放射ＰＢのビームが、コーティングに覆われた基板テーブルの領域（例えば、１つ又は複数のセンサ１１０、１２０、１３０、シャッター部材１５０、１５５、１６０、縁部４９０、液体ハンドリング構造１２、ＩＨの上を向いた表面８０３、８０５、及び開口３００、４００の表面及びそれに関連する表面）に入射するように、基板テーブルＷＴを投影システムＰＳの下方に移動することができる。液体ハンドリングシステムＩＨの底面８０１、８０９、８１１を照射するため、反射板６００を使用することができる。反射板６００は、基板テーブルＷＴ上又は基板テーブルＷＴに設けることができる。
【００９６】
[00103]  ある実施形態では、別の洗浄ステーションＵＶ放射源６１０が提供される。ある実施形態では、ＵＶ放射は、例えば、２００８年１月２５日出願の米国特許出願第６１／００６，６６１号で開示された光ファイバ６２０を用いて供給することができる。このような光ファイバを用いて、他の方法では、照明が困難な領域（例えば、毛管通路３１０、４１０の内部）を照明することができる。ある実施形態では、毛管通路３１０、４１０は、自然反射及び／又は散乱によって照明することができる。ある実施形態では、毛管通路３１０、４１０は、以下の方法で照明することができる。毛管通路３１０、４１０は、液体（例えば水）で部分的に満たされる。その結果、メニスカスが液体の上面に形成される。このメニスカスは、レンズとして使用することができる。すなわち、ＵＶ放射がメニスカスを上から照射し、メニスカスは、放射を曲げ、放射を毛管通路３１０、４１０の側壁に向かわせる。毛管通路内でメニスカス（幅がおよそ０．５ｍｍである）を上下させることで、毛管通路の側面上に長さ方向にＵＶ放射を照射することができる。
【００９７】
[00104]  ある実施形態では、本明細書に記載するコーティングが施された表面は、ＵＶ放射を透過する材料で構成される。例えば、コートする表面は、ガラスでできていてもよい（すなわち、表面と接触するコーティングの側から）。次に、ガラスを通してコーティングを照射できる。これは、特にコーティング側からのアクセスが困難な表面の場合に有利である。ＵＶ放射を光学的に透過する材料は、ＵＶ放射が吸収されるほど厚く製作してはならない。
【００９８】
[00105]  ＵＶ放射源又は排出口は、コーティングに対して可動であってもよく、又はそうでなくてもよい。
【００９９】
[00106]  上記の二層コートを施されたコンポーネントの場合、洗浄のためにＵＶ放射源を有する必要は必ずしもない。正確な接触角の洗浄及び保守に必要なものは、二層上の液浸液（超純水など）のフローを含む洗浄液のフローである。従って、洗浄液の供給源を設けてもよい。こうして、ＵＶ放射源の数、又はすべてのコートされた表面を確実に照射する複雑さを低減することができる（例えば、放射源のうちの１つ又は複数を投影システムによって提供されたメインのＵＶ放射源から切り離してもよい）。二層の実施形態では、別のＵＶ放射源を有する必要はない。通常の使用中に二層の上を液浸液が流れる場合、洗浄液の別の供給源を設ける必要はない。
【０１００】
[00107]  本明細書に記載するコーティングを与えるよい方法は、原子層蒸着である。原子層蒸着は、アスペクト比が大きいチャネル（例えば、毛管通路３１０、４１０）のような複雑な形状をコートするのに適した層ごとの蒸着技術である。原子層蒸着では、酸素前駆体（例えば、水蒸気又は水と過酸化水素の混合物）が表面に吸収され、例えば、ヒドロキシル族を形成する。ＴｉＯ２前駆体は、反応チャンバ内に伝わる。前駆体は、吸収された酸素前駆体と反応し、廃棄物と層とを生成する。表面が不動態化されるまで反応は継続する。ＴｉＯ２前駆体はそれ自身とは反応しないので、反応は、１つの層の反応の後に終了する。その結果、完全に均一な層の厚さが得られる。過剰な前駆体は、廃棄物と共に放出される。この工程は、次に、層と反応して新しい層を形成する酸素前駆体を導入することで再開することもできる。ＴｉＯ２前駆体が再度導入されると、これは層と反応し、１つの層を蒸着する周期が完了する。
【０１０１】
[00108]  この周期は、所望の層の厚さが得られるまで繰り返すことができる。各周期は、パルシングとポンピングを含めて、約３秒かかる。ＴｉＯ２の共通の前駆体は、ＴｉＣｌ４、ＴｉＩ４並びにチタンイソプロポキシド（Ｔｉ（ＯＰｒ）４）、チタンエトキシド（Ｔｉ（ＯＥｔ）４）、チタンｔ−ブトキシド（Ｔｉ（ＯＢｕ）４）及びチタンメトキシド（Ｔｉ（ＯＭｅ）４）などのチタンアルコキシドである。Chemical Vapor Deposition 2004, 10, No.3 pp 143147に掲載されたViljami Pore他の論文は、ＡＬＤによるＴｉＯ２の蒸着の１つの方法を詳細に説明している。ＡＬＤは、例えば、ＴｉＯ２を含む（これに限定はされないが）コーティングの上記すべての組成物のような標準の化学蒸着を用いてコートできるすべての材料に適している。ＡＬＤは、二層コーティングを形成するために使用することができる。
【０１０２】
[00109]  上記任意の特徴を任意の他の特徴と一緒に使用することができ、本出願が対処とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。
【０１０３】
[00110]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及してきたかもしれないが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光システム、磁気ドメインメモリの案内及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含むその他の用途を有することができることを理解されたい。当業者であれば明らかなように、このような別の用途においては、本明細書で使用する「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はいずれも、それぞれ、より一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載する基板は、露光の前又は後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツール内で処理されてもよい。本明細書中の開示内容を、適宜、上記の基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作成するために、複数回処理できるので、本明細書で使用する基板という用語は、すでに多重処理層を含む基板を指すこともできる。
【０１０４】
[00111]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの、あるいはこれら辺りの波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射光学コンポーネントを含むさまざまなタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ又は組合せを意味することができる。
【０１０５】
[00112]  ある実施形態では、リソグラフィ装置のコンポーネントの表面上の光触媒のコーティングを含むリソグラフィ装置が提供される。表面は、（ｉ）センサの表面であって、リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置であり、またコーティングが少なくとも９９重量パーセントの光触媒である、センサの表面と、（ｉｉ）基板テーブルによって少なくとも部分的に画定された開口に隣接する表面と、（ｉｉｉ）基板交換中に投影システムの最終要素に接触する液浸液を保持するシャッター部材の表面と、（ｉｖ）基板テーブルの表面であって、リソグラフィ装置が、使用時に露光に利用可能な基板表面が露光中に全面的に液浸液に覆われるリソグラフィ装置である、基板テーブルの表面と、（ｖ）マスクの表面と、（ｖｉ）流体ハンドリングシステムの表面であって、該表面が、半径方向内側の表面、液浸液の空間を画定する表面、望ましくは半径方向内側の、上を向いた表面、半径方向外側の下面、開口のない単一の連続するコーティングを有する最下部の下面、又は低い接触角の部分を持つ上部及び／又は底部を有する流体ハンドリングシステムの全体のグループのうちの少なくとも１つである、流体ハンドリングシステムの表面と、（ｖｉｉ）基板テーブルの上面に液浸流体を供給する通路の表面と、（ｖｉｉｉ）測定ステージの表面と、（ｉｘ）基板テーブルの平面視外縁部の表面であって、該平面視外縁部から半径方向内側の表面が、コーティングを有さない、厚さが異なるコーティングを有する、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で異なる、基板テーブルの平面視外縁部の表面と、（ｘ）基板テーブルに又はその一部に画定された開口付近又はその内部の表面と、（ｘｉ）基板テーブル上に基板を支持する基板サポートの表面とを含むグループから選択される。
【０１０６】
[00113]  表面は、基板テーブルの表面であってよく、コーティングは、基板テーブルの平面視外縁部に与えることができる。ある実施形態では、縁部の半径方向内側の基板テーブルの領域はコーティングを有さない。
【０１０７】
[00114]  表面は、基板テーブルの表面であってもよく、またリムの表面であってもよい。
【０１０８】
[00115]  表面は、シャッター部材の表面であってもよい。シャッター部材は、関連する基板テーブルから独立して動作可能である。シャッター部材は、閉鎖ディスク、ブリッジ部材、又は測定テーブルや第２の基板テーブルなどの第２のテーブルのグループから選択することができる。
【０１０９】
[00116]  表面は、センサの表面であってよい。センサ上のコーティングは、コーティングを有する、厚さが異なるコーティングを有する、又は組成物が異なるコーティングを有するという点で、基板テーブルの周囲の部分と異なっていてよい。センサは、スポットセンサ、ＩＬＩＡＳセンサ、透過イメージセンサ、収差センサ、又は放射ドーズ量センサのグループから選択されるセンサであってよい。
【０１１０】
[00117]  表面は、基板テーブルによって少なくとも一部が画定された開口に隣接する表面であってよい。表面は、基板と基板サポートとの間の液体のフローに抵抗する特徴部の表面であってよい。表面は、基板の縁部と基板テーブルとの間のギャップから発生するガスが基板及び／又は基板テーブル上の液浸流体に拡散する可能性を低減する特徴部の表面であってよい。
【０１１１】
[00118]  コーティングは親液体性、望ましくは超親液体性である。光触媒は、光活性遷移金属酸化物又は化合物半導体である。光触媒は、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯ２を含むグループから選択される少なくとも１つの光触媒であってもよい。コーティングは二層を含むことができる。コーティングは、ＴｉＯ２及びＳｉＯ２を含むことができる。コーティングは、ＴｉＯ２又はＳｉＯ２の一方が与えられたＴｉＯ２又はＳｉＯ２の他方の基層を含むことができる。基層及び／又は与えられたＴｉＯ２又はＳｉＯ２は、ゾルゲルルートによって蒸着することができる。ゾルゲルルートは、ポリマー母溶液及び／又は結晶懸濁液を使用することができる。基層は、ＴｉＯ２を含むことができる。ＴｉＯ２は、結晶懸濁液として蒸着することができる。
【０１１２】
[00119]  リソグラフィ装置は、液浸リソグラフィ装置であってよい。
【０１１３】
[00120]  コーティングは、少なくとも９９重量パーセントの光触媒であってよい。コーティングは、４９ｎｍ以下の厚さの層を有する。
【０１１４】
[00121]  ある実施形態では、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＳｒＴｉＯ３、又はＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含むリソグラフィ装置が提供される。コーティングは、４９ｎｍ以下の厚さを有する。
【０１１５】
[00122]  コーティングは、ＣａＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ及び／又はＺｎＳｅであってよい。コーティングは、二層を含むことができる。コーティングは、ＴｉＯ２及びＳｉＯ２を含むことができる。
【０１１６】
[00123]  ある実施形態では、ＳｉＯ２とＴｉＯ２の二層から構成されるコーティングを有する表面を含むリソグラフィ装置が提供される。
【０１１７】
[00124]  コーティングは、ＴｉＯ２又はＳｉＯ２の一方が与えられたＴｉＯ２又はＳｉＯ２の他方の基層を含むことができる。基層及び／又は与えられたＴｉＯ２又はＳｉＯ２は、ゾルゲルルートによって蒸着することができる。ゾルゲルルートは、ポリマー母溶液及び／又は結晶懸濁液を使用することができる。基層は、ＴｉＯ２を含むことができる。ＴｉＯ２は、結晶懸濁液として蒸着することができる。コーティングは、センサ上にあってよい。センサは、スポットセンサ、ＩＬＩＡＳセンサ又は透過イメージセンサ、収差センサ、又は放射ドーズ量センサを含むことができる。
【０１１８】
[00125]  表面は、基板と基板サポートとの間の液体のフローに抵抗するフィーチャの表面、基板の縁部と基板テーブルとの間のギャップから発生するガスが基板及び／又は基板テーブル上の液浸流体に拡散する可能性を低減するフィーチャの表面、基板交換中に投影システムの最終要素に接触した状態を保つように基板交換中に液体ハンドリングシステムの開口を閉塞するシャッター部材、基板テーブル、マスク、液体ハンドリングシステム、第１の基板テーブルと第２の基板テーブル又は測定ステージとの間のギャップを埋めるブリッジ部材、測定ステージ、基板テーブルの上面に液浸流体を提供する通路の表面を含むグループから選択される表面であってよい。
【０１１９】
[00126]  ある実施形態では、遷移金属酸化物、卑金属酸化物、硫化物若しくはセレン化物、式ＡＴｉＯｎ（ここで、Ａは周期律表の２族の元素）を有する化合物、又は周期律表の３、５若しくは７族の金属をドープしたＴｉＯ２のうちの少なくとも１つのうちの少なくとも９９重量パーセントから構成されるコーティングを有する表面を含むリソグラフィ装置が提供される。コーティングは、４９ｎｍ以下の厚さを有する。
【０１２０】
[00127]  装置は、液浸装置であってよく、使用時の表面は、液浸流体と接触している。コーティングは、実質的にボイドがない。光触媒は、アナターゼ型のＴｉＯ２、又はアナターゼ型とルチル型及び／又は板チタン石型を組合せたＴｉＯ２であってもよい。コーティングは、１００％光触媒であってもよい。
【０１２１】
[00128]  コーティングは、０．４ｎｍ〜０．９ｎｍの範囲、２．０ｎｍ〜２．９ｎｍの範囲、４ｎｍ〜６ｎｍの範囲、８ｎｍ〜１４ｎｍの範囲、１６ｎｍ〜２９ｎｍの範囲、３１ｎｍ〜４９ｎｍの範囲又は５１ｎｍ〜７４ｎｍの範囲から選択される厚さを有する層を含むことができる。コーティングは、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲から選択される厚さを有する層を含むことができる。コーティングは、２００ｎｍ以下の厚さを有する層を含むことができる。コーティングは二層であってもよい。
【０１２２】
[00129]  コーティングは、粒子状ではなく固体状であってもよい。
【０１２３】
[00130]  リソグラフィ装置は、コーティングを照射するＵＶ放射源を含むことができる。ＵＶ放射源は、光触媒の帯域ギャップを励起して光触媒の活性を誘発する波長を有する。ＵＶ放射源の波長は、１９３ｎｍより大きくてもよい。
【０１２４】
[00131]  リソグラフィ装置は、洗浄中にコーティング上に液浸液を提供する液体供給源を備えることができる。コーティングは、疎液体性の表面に隣接してもよい。コーティングは、５０原子層、オプションで１００、５００、又は１０００原子層の範囲内で一定の厚さを有することができる。液浸液のコーティングとの接触角が３０°未満、２５°未満、２０°未満、１５°未満又は１０°未満であるようにコーティングが形成されてもよい。液浸液のコーティングとの接触角が１５°を超えるようにコーティングが形成されてもよい。
【０１２５】
[00132]  ある実施形態では、原子層を用いてコンポーネントの表面にコーティングを塗布するステップを含むリソグラフィ装置のコンポーネントを製造する方法が提供される。
【０１２６】
[00133]  コーティングは、光触媒であってもよい。コーティングは、二層であってもよい。
【０１２７】
[00134]  ある実施形態では、ゾルゲルルートを用いてコンポーネントの表面に二層コーティングを塗布するステップを含むリソグラフィ装置のコンポーネントを製造する方法が提供される。
【０１２８】
[00135]  第１の層で、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の一方を与え、その上にＴｉＯ２とＳｉＯ２の他方を与えることができる。第１の層は、ＴｉＯ２を含むことができる。結晶懸濁液によって、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２又はその両方を与えることができる。
【０１２９】
[00136]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１３０】
[00137]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１３１】
[00138]本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１３２】
[00139]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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