(57)【要約】【課題】位置検出誤差を補正して位置検出精度を向上させることができる電磁誘導式位置検出器及び電磁誘導式位置検出方法を提供する。【解決手段】スライダ側コイル３，４に励磁電流Ｉｓ，Ｉｃを流すことにより、スケール側コイル５に誘起電圧Ｖを発生させて、このVをフィルタ２２，２３で誘起電圧ＶoとＶpに分離し、Voの振幅が０になるように励振位置αを調整し、このαに基づいてＩｓ，Ｉｃを調整し、Voの振幅が０となるαの値が(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数、Ｐ：コイルピッチ）に等しいときにはＶｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値として記憶し、Vps(X)の値と、Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、Voの振幅が０となるαの値とに基づいて不平衡度δを算出し、このδの値と、Voの振幅が０となるαの値とに基づいて位置検出誤差εを算出し、このεと、Voの振幅が０となるαに基づいて検出位置Ｘ＝α−εを算出する構成とする。【選択図】図１
2010156583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部と、この検出部を制御する制御部とを備えた電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記第１の一次側コイルに下記（１）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに下記（２）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、
Ｉｓ＝Is1＋Is2＝I・cos(kα)・sin(ωt)＋Ip・cos(ωp・t)    ・・・（１）
Ｉｃ＝Ic1＋Ic2＝−I・sin(kα)・sin(ωt)＋Ip・sin(ωp・t)    ・・・（２）
但し、Ｉ，Ip：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの値
ω，ωｐ：励磁電流の角周波数（ω≠ωp）
ｔ：時間
α：励振位置
前記二次側コイルに下記（３）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより下記（４）式と（５）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、
Ｖ＝Ｖo＋Ｖp    ・・・（３）
Ｖo＝K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]・sin(ωt)  ・・・(４)
Ｖp＝K(ωp)・Ip・[sin(kX)・cos(ωp・t)＋(1＋δ)・cos(kX)・sin(ωp・t)]…(５)
但し、K(ω)，K(ωp)：結合係数
Ｘ：検出部の位置
前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、下記（６）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、
Vps(X)＝K(ωp)・Ip・[1＋δ・cos(kX)］    ・・・（６）
前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（７）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝[Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1))−1]／cos(kα)    ・・・（７）
この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（８）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、
tan(kε) ≒(δ／2)・sin(2kα)／[1−δ・cos(kα)]    ・・・（８）
この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする電磁誘導式位置検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（９）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（１０）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（９）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（１０）
前記二次側コイルに上記（４）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（１１）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには下記（１２）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、
Is11＝Ip・cos(ωp・t)    ・・・（１１）
Ic11＝０    ・・・（１２）
下記（１３）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、
Ｖas＝K(ωp) ・Ip・[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]  ・・・(13)
次に、前記第１の一次側コイルには下記（１４）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに下記（１５）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝０    ・・・（１４）
Ic11＝Ip・sin(ωp・t)    ・・・（１５）
下記（１６）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、
Ｖbs＝K(ωp)・(1＋δ)・Ip・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]  …(16)
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて下記（１７）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ・cos(kα) 
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（１７）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（８）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（１７）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（８）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする電磁誘導式位置検出器。
【請求項３】
請求項１に記載の電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（１８）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（１９）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（１８）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（１９）
前記二次側コイルに上記（４）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（２０）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（２１）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（２０）
Ic11＝−I・sin(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（２１）
下記（２２）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、
Ｖcs≒K(ω)・I・[1＋δ・cos(kα)2]    ・・・（２２）
次に、前記第１の一次側コイルに下記（２３）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（２４）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(ωt)    ・・・（２３）
Ic11＝I・sin(ωt)    ・・・（２４）
下記（２５）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、
Ｖds≒K(ω)・I・[1＋δcos(kα)]    ・・・（２５）
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて下記（２６）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝(Ｖds−Ｖcs)／(Ｖcs・cos(kα)−Ｖds・cos(kα)2)    ・・・（２６）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（８）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（２６）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（８）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする電磁誘導式位置検出器。
【請求項４】
第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部を利用する電磁誘導式位置検出方法において、
前記第１の一次側コイルに下記（２７）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに下記（２８）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、
Ｉｓ＝Is1＋Is2＝I・cos(kα)・sin(ωt)＋Ip・cos(ωp・t)    ・・・（２７）
Ｉｃ＝Ic1＋Ic2＝−I・sin(kα)・sin(ωt)＋Ip・sin(ωp・t)  ・・・（２８)
但し、Ｉ，Ip：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの値
ω，ωｐ：励磁電流の角周波数（ω≠ωp）
ｔ：時間
α：励振位置
前記二次側コイルに下記（２９）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより下記（３０）式と（３１）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、
Ｖ＝Ｖo＋Ｖp    ・・・（２９）
Ｖo＝K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]・sin(ωt)  ・・・(３０)
Ｖp＝K(ωp)・Ip・[sin(kX)・cos(ωp・t)＋(1＋δ)・cos(kX)・sin(ωp・t)] …(31)
但し、K(ω)，K(ωp)：結合係数
Ｘ：検出部の位置
前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、下記（３２）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、
Vps(X)＝K(ωp)・Ip・[1＋δ・cos(kX)］    ・・・（３２）
前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（３３）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝[Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1))−1]／cos(kα)    ・・・（３３）
この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（３４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、
tan(kε) ≒(δ／2)・sin(2kα)／[1−δ・cos(kα)]    ・・・（３４）
この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする電磁誘導式位置検出方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電磁誘導式位置検出方法において、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（３５）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（３６）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（３５）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（３６）
前記二次側コイルに上記（３０）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（３７）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには下記（３８）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、
Is11＝Ip・cos(ωp・t)    ・・・（３７）
Ic11＝０    ・・・（３８）
下記（３９）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、
Ｖas＝K(ωp) ・Ip・[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]  ・・・(３９)
次に、前記第１の一次側コイルに下記（４０）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに下記（４１）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝０    ・・・（４０）
Ic11＝Ip・sin(ωp・t)    ・・・（４１）
下記（４２）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、
Ｖbs＝K(ωp)・(1＋δ)・Ip・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]  …(４２)
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて下記（４３）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ・cos(kα) 
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（４３）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（４３）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする電磁誘導式位置検出方法。
【請求項６】
請求項４に記載の電磁誘導式位置検出方法において、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（４４）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（４５）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（４４）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（４５）
前記二次側コイルに上記（３０）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（４６）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（４７）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（４６）
Ic11＝−I・sin(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（４７）
下記（４８）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、
Ｖcs≒K(ω)・I・[1＋δ・cos(kα)2]    ・・・（４８）
次に、前記第１の一次側コイルに下記（４９）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（５０）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(ωt)    ・・・（４９）
Ic11＝I・sin(ωt)    ・・・（５０）
下記（５１）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、
Ｖds≒K(ω)・I・[1＋δcos(kα)]    ・・・（５１）
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて下記（５２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝(Ｖds−Ｖcs)／(Ｖcs・cos(kα)−Ｖds・cos(kα)2)    ・・・（５２）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（５２）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする電磁誘導式位置検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリニア形スケールなどの電磁誘導式位置検出器及び電磁誘導式位置検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁誘導式位置検出器であるインダクトシン方式のスケールは、工作機械、自動車、ロボットなどの各種機械の位置検出部に適用される。インダクトシン方式のスケールにはリニア形スケールとロータリ形スケールがあり、リニア形スケールは例えば工作機械の直線移動軸に適用されて当該直線移動軸上の移動位置を検出し、ロータリ形スケールは例えば工作機械の回転軸に適用されて当該回転軸の回転角度を検出する。
【０００３】
リニア形スケール及びロータリ形スケールは何れも、平行に向かい合わせに配置したコイルパターンの電磁誘導により位置を検出するものである。この検出原理を図３の原理図に基づいて説明する。図３（ａ）はリニア形スケールのスライダとスケールを平行に向かい合わせにした状態を示す斜視図、図３（ｂ）は前記スライダと前記スケールを並べて示す図、図３（ｃ）は前記スライダと前記スケールの電磁結合度を示す図である。なお、図３にはリニア形スケールの原理図を示しているが、ロータリ形スケールの原理もこれと同様であり、ロータリ形スケールのステータとロータがそれぞれ、リニア形スケールのスライダとスケールに対応している。
【０００４】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、リニア形スケールの検出部は一次側部材としてのスライダ１と、二次側部材としてのスケール２とを有している。可動部であるスライダ１は第１の一次側コイルとしての第１スライダ側コイル３と、第２の一次側コイルとしての第２スライダ側コイル４とを有しており、固定部であるスケール２は二次側コイルとしてのスケール側コイル５を有している。これらのコイル３，４，５はジグザグ状に折り返され（即ち櫛型パターンに形成され）且つ全体が直線状になっている。
【０００５】
そして、図３（ａ）に示すように、スライダ１（即ち第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４）と、スケール２（即ちスケール側コイル５）は、これらの間に規定の範囲内のギャップ（隙間）ｇを保持した状態で平行に向かい合わせて配置されている。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１スライダ側コイル３と第１スライダ側コイル４は、スケール側コイル５との位置関係が１／４ピッチずれている。
【０００６】
このため、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４に励磁電流（交流電流）を流し、スライダ１が図３（ａ）の矢印Ａの如くスケール２の長さ方向に沿って移動すると、このスライダ１の移動による第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４と、スケール側コイル５との相対的な位置関係の変化に応じて、図３（ｃ）に示すように第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５との電磁結合度が周期的に変化するため、スケール側コイル５には周期的に変化する誘起電圧が発生する。
従って、この誘起電圧に基づいてスケール２の位置（即ちスケール２に対するスライダ１の移動位置）を検出することができる。
【０００７】
この位置検出処理について詳述すると、第１スライダ側コイル３には下記の（１）式で示す励磁電流Ｉｓを流し、第２スライダ側コイル４には下記の（２）式で示す励磁電流Ｉｃを流す。
Ｉｓ＝I・cos(kα)・sin(ωt)        ・・・（１）
Ｉｃ＝−I・sin(kα)・sin(ωt)      ・・・（２）
但し、Ｉ：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの長さ（ロータリ形スケールでは角度）
ω：励磁電流（交流電流）の角周波数
ｔ：時間
α：励振位置
【０００８】
その結果、スケール側コイル５には、第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５との間の電磁誘導により、下記の（３）式で示す誘起電圧Ｖが発生する。
Ｖ＝K(ω)・sin(kX)・[I・cos(kα)・sin(ωt)]＋K(ω)・cos(kX)
・[−I・sin(kα)・sin(ωt)]
＝K(ω)・I・sin(k(X−α))・sin(ωt)      ・・・（３）
但し、K(ω)：結合係数（スライダ側コイルとスケール側コイルとの間                                        の電磁結合度に関する係数）
Ｘ：スケールの位置（スケールに対するスライダの位置）
【０００９】
そして、リニア形スケールの演算部（図示せず）では、誘起電圧Ｖの振幅K(ω)・I・sin(k(X−α))に応じてＰＩ制御により励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて励磁電流Ｉｓ及び励磁電流Ｉｃを調整することにより、誘起電圧Ｖの振幅が０となるようにし、誘起電圧Ｖの振幅が０（即ちα＝Ｘ）になったときの励振位置αを、検出位置Ｘとして求める。従って、K(ω)・Iに関係なく位置Ｘが求まる。
つまり、スライダ１の移動（矢印Ａ参照）にともなう位置Ｘの変位に対して、励振位置α（励磁電流Ｉｓ及び励磁電流Ｉｃ）を追従させてα＝Ｘとなるようにフィードバック制御をすることにより、誘起電圧Ｖの振幅が０となるようにし、誘起電圧Ｖの振幅が０（即ちα＝Ｘ）になったときの励振位置αの値を、検出位置Ｘとする。
【００１０】
本願に関連する先行技術文献としては次のものがある。
【特許文献１】特開２００３−１５６３６５号公報
【特許文献２】特開２０００−３１４６４０号公報
【特許文献３】特開２０００−３１４６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
スライダ１（第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４）とスケール２（スケール側コイル５）の電磁結合度は、これらの間のギャップｇに依存する。このため、リニア形スケール（スライダ１，スケール２）を工作機械などに取り付ける際には、ギャップｇがスケール２の全長に亘って一定となるように調整する。
【００１２】
ところが、スライダ１とスケール２の取り付け誤差やスケール２のうねり（曲がり）などによって、スライダ１とスケール２が相対的に傾いている場合、第１スライダ側コイル３とスケール側コイル５の間の第１電磁結合度と、第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５の間の第２電磁結合度のバランスが崩れてしまう。
【００１３】
このときの第１電磁結合度と第２電磁結合度の不平衡の割合（不平衡度）をδ（＜＜１）とすると（不平衡度δ＝（第１電磁結合度−第２電磁結合度）／第１電磁結合度）、スケール側コイル５に発生する誘起電圧Ｖは、下記の（４）式のようになる。
Ｖ＝K(ω)・sin(kX)・[I・cos(kα)・sin(ωt)]＋K(ω)・(1＋δ)・cos(kX)
・[−I・sin(kα)・sin(ωt)]
＝K(ω)・I・sin(ωt)・[sin(kX)・cos(kα)−(1＋δ)・cos(kX)・sin(kα)]
＝K(ω)・I・sin(ωt)
・[sin(kX)・cos(kα)−cos(kX)・sin(kα)−δ・cos(kX)・sin(kα)]
＝K(ω)・I・sin(ωt)・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]  …(４）
【００１４】
ここで、不平衡度δによる位置検出誤差をεとし、励振位置α＝Ｘ＋εのときに誘起電圧Ｖの振幅が０になるとすると、上記（４）式から、下記のとおり、（５）式が得られる。即ち、スライダ１とスケール２の相対的な傾きによる不平衡度δの発生によって、下記の（５）式で表されるような位置検出誤差εが発生するため、位置検出精度が低下する。
sin(k(X−α))＝δ・cos(kX)・sin(kα)
sin(kε)＝δ・cos(kX)・sin(k(X＋ε))
＝δ・cos(kX)・[sin(kX)・cos(kε)＋cos(kX)・sin(kε)]
sin(kε)・(1−δ・cos(kX))＝δ・cos(kX)・sin(kX)・cos(kε)
tan(kε)＝δ・cos(kX)・sin(kX)／[1−δ・cos(kX)]
tan(kε)＝(δ／2)・sin(2kX)／[1−δ・cos(kX)]       ・・・（５）
【００１５】
従って本発明は上記の事情に鑑み、位置検出誤差を補正して位置検出精度を向上させることができる電磁誘導式位置検出器及び電磁誘導式位置検出方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決する第１発明の電磁誘導式位置検出器は、第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部と、この検出部を制御する制御部とを備えた電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記第１の一次側コイルに下記（６）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに下記（７）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、
Ｉｓ＝Is1＋Is2＝I・cos(kα)・sin(ωt)＋Ip・cos(ωp・t)    ・・・（６）
Ｉｃ＝Ic1＋Ic2＝−I・sin(kα)・sin(ωt)＋Ip・sin(ωp・t)    ・・・（７）
但し、Ｉ，Ip：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの値
ω，ωｐ：励磁電流の角周波数（ω≠ωp）
ｔ：時間
α：励振位置
前記二次側コイルに下記（８）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより下記（９）式と（１０）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、
Ｖ＝Ｖo＋Ｖp    ・・・（８）
Ｖo＝K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)] ・sin(ωt)  ・・・（９）
Ｖp＝K(ωp)・Ip・[sin(kX)・cos(ωp・t)＋(1＋δ)・cos(kX)・sin(ωp・t)]  …(10)
但し、K(ω)，K(ωp)：結合係数
Ｘ：検出部の位置
前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、下記（１１）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、
Vps(X)＝K(ωp)・Ip・[1＋δ・cos(kX)］    ・・・（１１）
前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（１２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝[Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1))−1]／cos(kα)    ・・・（１２）
この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、
tan(kε) ≒(δ／2)・sin(2kα)／[1−δ・cos(kα)]    ・・・（１３）
この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする。
【００１７】
また、第２発明の電磁誘導式位置検出器は、第１発明の電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（１４）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（１５）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（１４）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（１５）
前記二次側コイルに上記（９）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（１６）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには下記（１７）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、
Is11＝Ip・cos(ωp・t)    ・・・（１６）
Ic11＝０    ・・・（１７）
下記（１８）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、
Ｖas＝K(ωp) ・Ip・[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]  ・・・（18)
次に、前記第１の一次側コイルには下記（１９）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに下記（２０）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝０    ・・・（１９）
Ic11＝Ip・sin(ωp・t)    ・・・（２０）
下記（２１）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、
Ｖbs＝K(ωp)・(1＋δ)・Ip・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]  …(21)
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて下記（２２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ・cos(kα) 
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（２２）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（２２）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする。
【００１８】
また、第３発明の電磁誘導式位置検出器は、第１発明の電磁誘導式位置検出器において、
前記制御部では、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（２３）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（２４）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（２３）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（２４）
前記二次側コイルに上記（９）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（２５）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（２６）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（２５）
Ic11＝−I・sin(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（２６）
下記（２７）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、
Ｖcs≒K(ω)・I・[1＋δ・cos(kα)2]    ・・・（２７）
次に、前記第１の一次側コイルに下記（２８）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（２９）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(ωt)    ・・・（２８）
Ic11＝I・sin(ωt)    ・・・（２９）
下記（３０）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、
Ｖds≒K(ω)・I・[1＋δcos(kα)]    ・・・（３０）
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて下記（３１）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝(Ｖds−Ｖcs)／(Ｖcs・cos(kα)−Ｖds・cos(kα)2)    ・・・（３１）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（３１）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なう構成としたことを特徴とする。
【００１９】
また、第４発明の電磁誘導式位置検出方法は、第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部を利用する電磁誘導式位置検出方法において、
前記第１の一次側コイルに下記（３２）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに下記（３３）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、
Ｉｓ＝Is1＋Is2＝I・cos(kα)・sin(ωt)＋Ip・cos(ωp・t)    ・・・（３２）
Ｉｃ＝Ic1＋Ic2＝−I・sin(kα)・sin(ωt)＋Ip・sin(ωp・t)  ・・・（３３）
但し、Ｉ，Ip：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの値
ω，ωｐ：励磁電流の角周波数（ω≠ωp）
ｔ：時間
α：励振位置
前記二次側コイルに下記（３４）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより下記（３５）式と（３６）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、
Ｖ＝Ｖo＋Ｖp    ・・・（３４）
Ｖo＝K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)] ・sin(ωt)  ・・・(35)
Ｖp＝K(ωp)・Ip・[sin(kX)・cos(ωp・t)＋(1＋δ)・cos(kX)・sin(ωp・t)]  …(36)
但し、K(ω)，K(ωp)：結合係数
Ｘ：検出部の位置
前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、下記（３７）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、
Vps(X)＝K(ωp)・Ip・[1＋δ・cos(kX)］    ・・・（３７）
前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（３８）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝[Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1))−1]／cos(kα)    ・・・（３８）
この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、下記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、
tan(kε) ≒(δ／2)・sin(2kα)／[1−δ・cos(kα)]    ・・・（３９）
この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする。
【００２０】
また、第５発明の電磁誘導式位置検出方法は、第４発明の電磁誘導式位置検出方法において、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（４０）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（４１）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（４０）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（４１）
前記二次側コイルに上記（３５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（４２）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには下記（４３）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、
Is11＝Ip・cos(ωp・t)    ・・・（４２）
Ic11＝０    ・・・（４３）
下記（４４）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、
Ｖas＝K(ωp) ・Ip・[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]    ・・・(44)
次に、前記第１の一次側コイルに下記（４５）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに下記（４６）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝０    ・・・（４５）
Ic11＝Ip・sin(ωp・t)    ・・・（４６）
下記（４７）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、
Ｖbs＝K(ωp)・(1＋δ)・Ip・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]  …(47)
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて下記（４８）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ・cos(kα) 
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（４８）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（４８）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする。
【００２１】
また、第６発明の電磁誘導式位置検出方法は、第４発明の電磁誘導式位置検出方法において、
前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、
まず、前記第１の一次側コイルに下記（４９）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（５０）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（４９）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（５０）
前記二次側コイルに上記（３５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、
次に、前記第１の一次側コイルに下記（５１）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（５２）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（５１）
Ic11＝−I・sin(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（５２）
下記（５３）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、
Ｖcs≒K(ω)・I・[1＋δ・cos(kα)2]    ・・・（５３）
次に、前記第１の一次側コイルに下記（５４）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに下記（５５）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、
Is11＝I・cos(ωt)    ・・・（５４）
Ic11＝I・sin(ωt)    ・・・（５５）
下記（５６）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、
Ｖds≒K(ω)・I・[1＋δcos(kα)]    ・・・（５６）
前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて下記（５７）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、
δ＝(Ｖds−Ｖcs)／(Ｖcs・cos(kα)−Ｖds・cos(kα)2)    ・・・（５７）
この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、
その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（５７）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、
という処理を行なうことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
第１発明の電磁誘導式位置検出器によれば、第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部と、この検出部を制御する制御部とを備えた電磁誘導式位置検出器において、前記制御部では、前記第１の一次側コイルに上記（６）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに上記記（７）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、前記二次側コイルに上記（８）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより上記（９）式と（１０）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、上記（１１）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（１２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【００２３】
第２発明の電磁誘導式位置検出器によれば、第１発明の電磁誘導式位置検出器において、前記制御部では、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、まず、前記第１の一次側コイルに上記（１４）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（１５）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、前記二次側コイルに上記（９）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（１６）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには上記（１７）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、上記（１８）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、次に、前記第１の一次側コイルには上記（１９）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに上記（２０）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（２１）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて上記（２２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（２２）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【００２４】
第３発明の電磁誘導式位置検出器によれば、第１発明の電磁誘導式位置検出器において、前記制御部では、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、まず、前記第１の一次側コイルに上記（２３）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（２４）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、前記二次側コイルに上記（９）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（２５）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（２６）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（２７）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（２８）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（２９）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（３０）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて上記（３１）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（３１）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（１３）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【００２５】
第４発明の電磁誘導式位置検出方法によれば、第１の一次側コイルと第２の一次側コイルとを備えた一次側部材と、二次側コイルを備え且つ前記一次側部材に対しギャップを保持して平行に向かい合わせに配置された二次側部材とを有し、且つ、前記一次側部材と前記二次側部材とが相対的に移動可能な検出部を利用する電磁誘導式位置検出方法において、前記第１の一次側コイルに上記（３２）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、前記第２の一次側コイルに上記（３３）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、前記二次側コイルに上記（３４）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vをフィルタにより上記（３５）式と（３６）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is1及び前記励磁電流Ic1を調整し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、上記（３７）式で表わされる前記誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（３８）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なうことを特徴としているため、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【００２６】
第５発明の電磁誘導式位置検出方法によれば、第４発明の電磁誘導式位置検出方法において、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、まず、前記第１の一次側コイルに上記（４０）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（４１）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、前記二次側コイルに上記（３５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（４２）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルには上記（４３）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、上記（４４）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖasを取得し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（４５）式のように励磁電流Is11を流さず、前記第２の一次側コイルに上記（４６）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（４７）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖbsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて上記（４８）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（４８）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なうことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【００２７】
第６発明の電磁誘導式位置検出方法によれば、第４発明の電磁誘導式位置検出方法において、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止して、まず、前記第１の一次側コイルに上記（４９）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（５０）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、前記二次側コイルに上記（３５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（５１）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（５２）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（５３）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖcsを取得し、次に、前記第１の一次側コイルに上記（５４）式で表わされる励磁電流Is11を流し、前記第２の一次側コイルに上記（５５）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（５６）式で表わされる前記二次側コイルに発生する誘起電圧の振幅Ｖdsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて上記（５７）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後は前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、前記一次側部材と前記二次側部材の相対的な移動を禁止しているときに上記（５７）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（３９）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なうことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
図１は本発明の実施の形態例に係るリニア形スケールの機能を表すブロック図、図２はリニア形スケールの位置検出誤差の変化を示すグラフである。
【００３０】
図１に示すように、電磁誘導式位置検出器であるリニア形スケールは、検出部（スケール部）１１と、この検出部１１を制御するための制御部１２とを備えている。
【００３１】
リニア形スケールの検出部１１は従来のリニア形スケールの検出部と同様の構成である（図３（ａ）〜図３（ｃ）参照）。即ち、リニア形スケールの検出部１１は一次側部材としてのスライダ１と、二次側部材としてのスケール２とを有している。可動部であるスライダ１は第１の一次側コイルとしての第１スライダ側コイル３と、第２の一次側コイルとしての第２スライダ側コイル４とを有しており、固定部であるスケール２は二次側コイルとしてのスケール側コイル５を有している。これらのコイル３，４，５はジグザグ状に折り返され（即ち櫛型パターンに形成され）且つ全体が直線状になっている。そして、スライダ１（即ち第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４）と、スケール２（即ちスケール側コイル５）は、これらの間に規定の範囲内のギャップ（隙間）ｇを保持した状態で平行に向かい合わせて配置されている。また、第１スライダ側コイル３と第１スライダ側コイル４は、スケール側コイル５との位置関係が１／４ピッチずれている。
【００３２】
このため、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４に励磁電流（交流電流）を流し、スライダ１がスケール２の長さ方向に沿って移動すると、このスライダ１の移動による第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４と、スケール側コイル５との相対的な位置関係の変化に応じて、第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５との電磁結合度が周期的に変化するため（図３（ｃ）参照）、スケール側コイル５には周期的に変化する誘起電圧が発生する。
従って、この誘起電圧に基づいてスケール２の位置（即ちスケール２に対するスライダ１の移動位置）を検出することができる。
【００３３】
かかる検出処理は、リニア形スケールの制御部１２で行われる。制御部１２は増幅回路２１と、第１フィルタ２２と、第２フィルタ２３と、演算回路２４と、ＡＤ変換器２５と、整流回路２６と、ＡＤ変換器２７と、ＤＡ変換器２８とを有している。
また、演算回路２４は振幅値取得部３１と、補正値計算部３２と、振幅値取得部３３と、位置変化量演算部３４と、励磁電流波形形成部３５とを有している。なお、演算回路２４には任意のものを用いることができるが、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）を用いてもよい。
ＤＡ変換器２８は第１励磁電源４１と、励磁電流４２と、第３励磁電源４３と、第４励磁電源４４とを有している。
【００３４】
第１励磁電源４１と第２励磁電源４２は第１スライダ側コイル３に直列に接続され、第３励磁電源４３と第４励磁電源４４は第２スライダ側コイル４に直列に接続されている。スケール側コイル５には、増幅回路２１を介して第１フィルタ２２と第２フィルタ２３が並列に接続されている。
【００３５】
以下、はじめに、制御部１２で行われる位置検出処理について全体的に詳述し、その後に、この位置検出処理に関する制御部１２の各機能部の処理内容について詳述する。
【００３６】
位置検出を行うため、まず、第１スライダ側コイル３には下記の（６０）式で示す励磁電流Ｉｓを流し、第２スライダ側コイル４には下記の（６３）式で示す励磁電流Ｉｃを流す。
（６０）式の励磁電流Ｉｓは、下記の（５８）式で示す励磁電流Is1と下記の（５９）式で示す励磁電流Is2を合成したものであり、（６３）式の励磁電流Ｉｃは、下記の（６１）式で示す励磁電流Ic1と下記の励磁電流Ic2を合成したものである。（５８）式と（６１）式の励磁電流Is1，Ic1は従来の（１）式と（２）式の励磁電流Ｉｓ，Ｉｃと同様のものである。
なお、励磁電流Is1及び励磁電流Ic1の角周波数ωと、励磁電流Is2及び励磁電流Ic2の角周波数ωpは、異なる値（ω≠ωp）とする。
【００３７】
Is1＝I・cos(kα)・sin(ωt)    ・・・（５８）
Is2＝Ip・cos(ωp・t)     ・・・（５９）
Ｉｓ＝Is1＋Is2＝I・cos(kα)・sin(ωt)＋Ip・cos(ωp・t)    ・・・（６０）
Ic1＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（６１）
Ic2＝Ip・sin(ωp・t)     ・・・（６２)
Ｉｃ＝Ic1＋Ic2＝−I・sin(kα)・sin(ωt)＋Ip・sin(ωp・t)  ・・・（６３）
但し、Ｉ，Ip：励磁電流の大きさ
ｋ：２π／Ｐ
Ｐ：コイルの１ピッチの長さ（ロータリ形スケールでは角度）
ω，ωｐ：励磁電流（交流電流）の角周波数
ｔ：時間
α：励振位置
【００３８】
その結果、スケール側コイル５には、第１スライダ側コイル３及び第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５との間の電磁誘導により、下記の（６４）式で示す誘起電圧Ｖが発生する。
この誘起電圧Ｖは下記の（６５）式で示す誘起電圧Ｖoと、下記の（６６）式で示す誘起電圧Ｖpとを合成したものとなる。誘起電圧Ｖoは従来の（４）式の誘起電圧Ｖと同様のものであり、励磁電流Is1，Ic1に基づいて誘起される電圧である一方、誘起電圧Ｖpは励磁電流Is2，Ic2に基づいて誘起される電圧である。（６４）式の誘起電圧Ｖはフィルタによって誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離できる。
なお、スライダ１とスケール２の取り付け誤差やスケール２のうねり（曲がり）などによって、スライダ１とスケール２が相対的に傾くことにより、第１スライダ側コイル３とスケール側コイル５の間の第１電磁結合度と、第２スライダ側コイル４とスケール側コイル５の間の第２電磁結合度のバランスが崩れているときの第１電磁結合度と第２電磁結合度の不平衡の割合（不平衡度）を、δ（＜＜１）とする（不平衡度δ＝（第１電磁結合度−第２電磁結合度）／第１電磁結合度）。
【００３９】
Ｖ＝Ｖo＋Ｖp    ・・・（６４）
Ｖo＝K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)] ・sin(ωt)  ・・・(６５)
Vp＝K(ωp)・sin(kX)・Ip・cos(ωp・t)＋K(ωp)・(1＋δ)・cos(kX)・Ip・sin(ωp・t)
＝K(ωp)・Ip・[sin(kX)・cos(ωp・t)＋(1＋δ)・cos(kX)・sin(ωp・t)]  …(66)
但し、K(ω)，K(ωp)：結合係数（スライダ側コイルとスケール側コイルとの間                                        の電磁結合度に関する係数）
Ｘ：スケールの位置（スケールに対するスライダの位置）
【００４０】
上記（６６）式から、下記のとおり、誘起電圧Ｖpの振幅Ｖp(X)は（６７）式のようになる。
【数１】
2010156583.tif 000003
【００４１】
上記（６７）式から、下記の（６８）式及び（６９）式が得られる。
Vps(X)／（K(ωp)・Ip)＝１＋δ・cos(kα)    ・・・（６８）
δ＝[Vps(X)／（K(ωp)・Ip)−1]／cos(kα)    ・・・（６９）
【００４２】
そこで、以下のようにして、不平衡度δを求める式が得られる
スライダ１とスケール２の相対的な傾きによる不平衡度δによって生じる位置検出誤差をεとし、上記（６５）式の誘起電圧Ｖoの振幅K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]が０となる励振位置α＝X＋εであるとすると、このときの励振位置α＝X＋ε≒(π／(2k))・(2n＋1)＝(P／4)・(2n＋1)であるとき（ｎ：整数）、上記（６７）式から、下記のとおり、不平衡度δを求めるための（７２）式が得られる。
Vps((P／4)・(2n＋1)) ≒K(ωp)・Ip    ・・・（７０）
Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1)）≒1＋δ・cos(kα)    ・・・（７１）
δ＝[Vps(X)／Vps((P／4)・(2n＋1))−1]／cos(kα)    ・・・（７２）
【００４３】
このことを、図２を参照して説明する。図２はスケール位置Ｘに応じた位置検出誤差εの変化を表しており、実線は補正無しの位置検出誤差εの変化であり、点線は補正後の位置検出誤差εの変化である。また、図２にはコイル３，４，５の１ピッチＰの長さが２ｍｍで、不平衡度δが０・０１の場合を例示している。
位置検出誤差εは上記（５）式で表されるため、図２に示すように正弦波状に変化する。その概要を述べると、δ＜＜１であるため、（５）式の[1−δ・cos(kX)]は１に近似でき、また、ε＜＜であるため、tan(kε)＝sin(kε)／cos(kε)におけるcos(kε)はほぼ１、sin(kε)はほぼkεとなり、ε≒(δ／(2k)) sin(2kX)となる。ことからも位置検出誤差εが図２のように正弦波状に変化することがわかる。
そして、図２から、スケール位置Ｘが0.5mm、1mm、1.5mmなどのとき、即ちＰ／４の奇数（２ｎ＋１）倍のときには、不平衡度δの値に関わらず、位置検出誤差εが０になることがわかる。
【００４４】
従って、上記（６５）式の誘起電圧Ｖoが０となる励振位置α＝(π／(2k))・(2n＋1)＝(P／4)・(2n＋1)ときには、位置検出誤差εがほぼ０であり、スケール位置Ｘの値が励振位置αの値にほぼ等しいため、上記（６７）式のcos(kα)は０になり、[1−δ・cos(kX)]は１になる。このため、上記（７０）式が得られ、上記（７０）式から上記（７１）式が得られ、上記（７１）式から上記（７２）式が得られる。上記（７１）式は上記（６８）式に相当し、上記（７２）式は上記（６９）式に相当する。
【００４５】
上記（７２）の不平衡度δの式を用いれば、Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、誘起電圧Ｖoの振幅Vps(X)の値と、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αの値とに基づいて、不平衡度δを算出することができる。そして、ここで得られた不平衡度δと、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αと、下記の（７３）式（即ち上記（５）式）から、下記の（７４）式が得られる。
tan(kε)＝(δ／2)・sin(2kX)／[1−δ・cos(kX)]      ・・・（７３）
tan(kε) ≒(δ／2)・sin(2kα)／[1−δ・cos(kα)]    ・・・（７４）
【００４６】
従って、上記の不平衡度δと、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αに基づいて、この（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出することができ、この位置検出誤差εと、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αに基づいて、真値又は真値に非常に近い補正後の検出位置Ｘ＝α−εを求めることができる。
【００４７】
但し、上記（７２）式を用いて不平衡度δを求めようとしても、スライダ１が移動して (P／4)・(2n＋1)のスケール位置Ｘに達しないと（図２のコイルピッチＰ＝２ｍｍの例では、スライダ１が移動して0.5mm、1mm、1.5mmなどのＰ／４の奇数倍のスケール位置Ｘに達しないと）、Vps((P／4)・(2n＋1))の値が得られないため、上記（７２）式に基づいて不平衡度δを算出することができないという問題点がある。
例えば、コイルピッチＰ＝２ｍｍの例では、初期（例えば電源投入時）のスケール位置Ｘ（スケール２に対するスライダ１の位置）が0.7ｍｍであったとすると、このときにはVps((P／4)・(2n＋1))の値を得ることができず、上記（７２）式に基づいて不平衡度δを算出することができない。その後、スライダ１が移動して0.5mm又は1mmのスケール位置Ｘに達したときにはじめて、Vps((P／4)・(2n＋1))の値を得ることができるため、上記（７２）式に基づいて不平衡度δを算出することができる。
【００４８】
この問題点を解決する手段としては、下記の手段１と手段２がある。なお、手段１と手段２は何れも、初期（例えばリニア形スケールの電源投入直後）のスライダ１が移動を開始する前（スケール１が静止状態時）に、スライダ１の第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４に流す励磁電流Is11，Ic11を３通りに切り換えることによって、不平衡度δを求める手段である。
【００４９】
＜手段１＞
手段１では、まず、第１スライダ側コイル３に下記の（７５）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（７６）式で示す励磁電流Ic11を流す。このときの励磁電流Is11，Ic11は、上記（５８）式及び（６１）式の励磁電流Is1，Ic1と同じものである。
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)      ・・・（７５）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（７６）
その結果、スケール側コイル５には、上記（６５）式で示すような誘起電圧Ｖoが発生するため、この誘起電圧Ｖoの振幅K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]が０になる励振位置α＝Ｘ＋εを求める。
【００５０】
次に、第１スライダ側コイル３に下記の（７７）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（７８）式で示す励磁電流Ic11を流す。即ち、第１スライダ側コイル３にだけ励磁電流を流して、第２スライダ側コイル４には励磁電流を流さない。このときの励磁電流Is11は、上記（５９）式の励磁電流Is2と同じものである。
Is11＝Ip・cos(ωp・t)    ・・・（７７）
Ic11＝０    ・・・（７８）
その結果、スケール側コイル５には次の（７９）式で示す誘起電圧Ｖａが発生する。従って、この誘起電圧Ｖａから、下記の（８０）式で示す振幅Ｖasが得られる。
Ｖａ＝K(ωp)・sin(kX)・Ip・cos(ωp・t)    ・・・（７９）
Ｖas＝K(ωp) ・Ip・sin(kX)
＝K(ωp) ・Ip・[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]  ・・・(80)
【００５１】
次に、第１スライダ側コイル３に下記の（８１）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（８２）式で示す励磁電流Ic11を流す。即ち、第１スライダ側コイル３には励磁電流を流さず、第２スライダ側コイル４にだけ励磁電流を流す。このときの励磁電流Ic11は、上記（６２）式の励磁電流Ic2と同じものである。
Is11＝０    ・・・（８１）
Ic11＝Ip・sin(ωp・t)     ・・・（８２)
その結果、スケール側コイル５には下記の（８３）式で示す誘起電圧Ｖｂが発生する。従って、この誘起電圧Ｖｂから、下記の（８４）式で示すの振幅Ｖbsが得られる。
Ｖｂ＝K(ωp)・(1＋δ)・cos(kX)・Ip・sin(ωp・t)    ・・・（８３）
Ｖbs＝K(ωp)・(1＋δ)・cos(kX)・Ip
＝K(ωp)・(1＋δ)・Ip・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]  …(84)
【００５２】
そして、上記（８０）式の振幅Ｖasと上記（８４）式の振幅Ｖbsから、下記の（８５）式が得られ、更に下記の（８６）式が得られる。
Ｖbs／Ｖas＝(1＋δ)・[cos(kα)・cos(kε)＋sin(kα)・sin(kε)]
／[sin(kα)・cos(kε)−cos(kα)・sin(kε)]    ・・・（８５）
[Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＋δ・Ｖas・cos(kα)]
／[Ｖas・sin(kα)＋δ・Ｖas・sin(kα)＋Ｖbs・cos(kα)] ＝tan(kε)  …(86)
【００５３】
この（８６）式と、上記（７４）式から、下記の（８７）式が得られる。
δ・δ・Vas・[sin(kα)・sin(kα)・cos(kα)−cos(kα)・cos(kα)]＋δ・cos(kα)
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（８７）
【００５４】
この（８７)式において、δ・δの項は非常に小さく、無視できるため、下記（８８）の不平衡度δの式が得られる。
δ・cos(kα) 
・[Vas・sin(kα)2＋Vbs・cos(kα)・sin(kα)＋Vas＋Vbs・sin(kα)−Vas・cos(kα)]
−Ｖbs・sin(kα)＋Ｖas・cos(kα)＝０    ・・・（８８）
従って、振幅Ｖasと、振幅Ｖbsと、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、この（８８）式から、不平衡度δを求めることができる。
そこで、スライダ１が移動を開始して (P／4)・(2n＋1)のスケール位置Ｘに達するまでは、即ち、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１が移動を開始する前に上記（８８）式で求めた不平衡度δを上記（７４）式に適用する。
【００５５】
＜手段２＞
手段２では、まず、第１スライダ側コイル３に下記の（８９）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（９０）式で示す励磁電流Ic11を流す。このときの励磁電流Is11，Ic11は、上記（５８）式及び（６１）式の励磁電流Is1，Ic1と同じものである。
Is11＝I・cos(kα)・sin(ωt)      ・・・（８９）
Ic11＝−I・sin(kα)・sin(ωt)    ・・・（９０）
その結果、スケール側コイル５には、上記（６５）式で示す誘起電圧Ｖoが発生するため、この誘起電圧Ｖoの振幅K(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]が０になる励磁電流α＝Ｘ＋εを求める。
【００５６】
次に、第１スライダ側コイル３に下記の（９１）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（９２）式で示す励磁電流Ic11を流す。
Is11＝I・cos(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)      ・・・（９１）
Ic11＝−I・sin(k(α−π／(2k)))・sin(ωt)    ・・・（９２）
その結果、スケール側コイル５には下記の（９３）式で示す誘起電圧Ｖｃが発生する。従って、この誘起電圧Ｖｃから、下記の（９４）式で示すの振幅Ｖcsが得られる。
Ｖｃ＝K(ω)・I・[cos(k(X−α))＋δ・cos(kX)・cos(kα)]・sin(ωt)  ・・・(93)
Ｖcs＝K(ω)・I・[cos(k(X−α))＋δ・cos(kX)・cos(kα)]
≒K(ω)・I・[1＋δ・cos(kα)2]    ・・・（９４）
【００５７】
次に、第１スライダ側コイル３に下記の（９５）式で示す励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に下記の（９６）式で示す励磁電流Ic11を流す。
Is11＝I・cos(ωt)      ・・・（９５）
Ic11＝I・sin(ωt)      ・・・（９６）
その結果、スケール側コイル５には下記の（９７）式で示す誘起電圧Ｖｄが発生する。従って、この誘起電圧Ｖｄから、下記の（９８）式で示すの振幅Ｖdsが得られる。
Vｄ＝K(ω)・sin(kX)・I・cos(ωt)＋K(ω)・(1＋δ)・cos(kX)・I・sin(ωt)  …(97)
Ｖds＝K(ω)・I・[1＋δcos(kX)] ≒K(ω)・I・[1＋δcos(kα)]    ・・・（９８）
【００５８】
上記（９４）式の振幅Ｖcsと上記（９８）式の振幅Ｖdsから、下記（９９）の不平衡度δの式が得られる。
δ＝(Ｖds−Ｖcs)／(Ｖcs・cos(kα)−Ｖds・cos(kα)2)    ・・・（９９）
【００５９】
従って、振幅Ｖcsと、振幅Ｖdsと、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、この（９９）式から、不平衡度δを求めることができる。
そこで、スライダ１が移動を開始して (P／4)・(2n＋1)のスケール位置Ｘに達するまでは、即ち、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１が移動を開始する前に上記（９９）式で求めた不平衡度δを上記（７４）式に適用する。
【００６０】
ここで、上記のような位置検出処理を行う制御部１２の各機能部の処理内容について詳述する。
【００６１】
制御部１２では、まず、手段１又は手段２による位置検出処理（補正処理）を行い、その後に通常の位置検出処理（補正処理）を行う。
即ち、リニア形スケールの電源が投入されて位置検出処理が可能な状態になると、まず、スライダ１の移動を禁止して（スライダ１を静止状態にして）、スライダ１の移動開始前に、上記の手段１又は手段２による位置検出処理（補正処理）を行う。
【００６２】
はじめに、手段１を採用（実施）する場合ついて説明する。
【００６３】
この場合、スライダ１の移動を禁止して、まず、励磁電流波形形成部３５で上記（７５）式の励磁電流Is11の波形と、上記（７６）式の励磁電流Ic11の波形を形成する。
なお、手段１の位置検出処理を開始するときの初期の励振位置αの値は、初期設定値又は前回の位置検出処理において最後に調整された値などの任意の値でよい。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（７５）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換（デジタル値からアナログ値に変換）した後、励磁電流４１から第１スライダ側コイル３に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（７６）式の励磁電流Ic11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第３励磁電源４３から第２スライダ側コイル４に流す。
【００６４】
その結果、スケール側コイル５には上記（６５）式で示すような誘起電圧Ｖoが発生し、この誘起電圧Ｖoを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。
第１フィルタ２２はカットオフ角周波数がωpのフィルタであり、第２フィルタ２３はカットオフ角周波数がωのフィルタである。従って、第１フィルタ２２では角周波数ωの誘起電圧Ｖoを出力し、第２フィルタ２３では角周波数ωの誘起電圧Ｖoをカットするため出力が０になる。
【００６５】
ＡＤ変換器２５では、第１フィルタ２２から入力したアナログ値の誘起電圧Ｖoを、デジタル値に変換（ＡＤ変換）する。
振幅値取得部３３では、ＡＤ変換器２５でＡＤ変換された誘起電圧Ｖoから、当該誘起電圧Ｖoの振幅（上記（６５）式のK(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]）の値を取得する。
位置変化量演算部３４では、誘起電圧Ｖoの振幅が０となるようにするため、振幅値取得部３３で取得した誘起電圧Ｖoの振幅に応じてＰＩ（比例積分）制御を行うことにより（即ち振幅Ｖｓに比例ゲインを掛けたものに、振幅Ｖｓに積分ゲインを掛けて積分したもの加えることにより）、励振位置αを求める（調整する）。
励磁電流波形形成部３５では、位置変化量演算部３４で求めた励振位置αに基づいて、上記（７５）式の励磁電流Is11の波形及び上記（７６）式の励磁電流Ic11の波形を形成する（調整する）。
【００６６】
そして、この励磁電流波形形成部３５で波形形成された励磁電流Is11と励磁電流Ic11を、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第１励磁電源４１と第３励磁電源４３から、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４にそれぞれ流す。このようなフィードバック制御により、ついには励振位置α＝Ｘ＋εとなって誘起電圧Ｖoの振幅が０になる。かくして、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置α（＝Ｘ＋ε）が得られる。
このような誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αを求める処理は、従来と同様のものであり、常時行われる。即ち、スライダ１が移動して誘起電圧Ｖoの振幅が０でなくなれば、上記の処理が行われることにより、新たに誘起電圧Ｖoの振幅を０する励振位置αが求められる。
【００６７】
上記の処理で求められた誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αは、補正値計算部３２に記憶される。
【００６８】
次に、励磁電流波形形成部３５で上記（７７）式の励磁電流Is11の波形を形成する一方、励磁電流Ic11は上記（７８）式の如く０とする。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（７７）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４１から第１スライダ側コイル３に流す。一方、Ic11＝０であるため、第２スライダ側コイル４には励磁電流を流さない。
【００６９】
その結果、スケール側コイル５には上記（７９）式で示す誘起電圧Ｖａが発生し、この誘起電圧Ｖａが増幅回路２１で増幅された後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力させる。第１フィルタ２２では角周波数ωpの誘起電圧Ｖａをカットするため出力が０になり、第２フィルタ２３では角周波数ωpの誘起電圧Ｖａを出力する。
【００７０】
整流回路２６では、第２フィルタ２３から入力した誘起電圧Ｖａを整流して、上記（８０）で示す誘起電圧Ｖａの振幅Ｖasを得る。
ＡＤ変換器２７では、整流回路２６で得たアナログ値の振幅Ｖasを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３１では、ＡＤ変換器２７でＡＤ変換された振幅Ｖasの値を取得する。
補正値計算部３２では、振幅値取得部３１で取得した振幅Ｖasを記憶する。
【００７１】
次に、励磁電流波形形成部３５で上記（８２）式の励磁電流Ic11の波形を形成する一方、励磁電流Is11は上記（８１）式の如く０とする。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（８２）式の励磁電流Ic11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第３励磁電流４３から第２スライダ側コイル４に流す。一方、Is11＝０であるため、第１スライダ側コイル３には励磁電流を流さない。
【００７２】
その結果、スケール側コイル５には上記（８３）式で示す誘起電圧Ｖｂが発生し、この誘起電圧Ｖａを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。第１フィルタ２２では角周波数ωpの誘起電圧Ｖａをカットするため出力が０になり、第２フィルタ２３では角周波数ωpの誘起電圧Ｖｂを出力する。
【００７３】
整流回路２６では、第２フィルタ２３から入力した誘起電圧Ｖｂを整流して、上記（８４）で示す誘起電圧Ｖｂの振幅Ｖbsを得る。
ＡＤ変換器２７では、整流回路２６で得たアナログ値の振幅Ｖbsを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３１では、ＡＤ変換器２７でＡＤ変換された振幅Ｖbsの値を取得する。
補正値計算部３２では、振幅値取得部３１で取得した振幅Ｖbsを記憶する。
【００７４】
更に、補正値計算部３２では、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αと、振幅Ｖasと、振幅Ｖbsに基づいて、上記（８８）式から、不平衡度δを算出して記憶する。更に、補正値計算部３２では、この不平衡度δと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７４）式から、位置検出誤差εを算出する。そして、補正値計算部３２では、この位置検出誤差εと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、これを補正後の検出位置Ｘとして出力する。
【００７５】
その後は通常の位置検出処理（補正処理）に移行し、スライダ１の移動を許可する。
但し、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１の移動を禁止しているとき（スライダ１が移動を開始する前）に上記（８８）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する。
【００７６】
そして、スライダ１の移動により、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、 (P／4)・(2n＋1)の値（例えばコイルピッチＰ＝２ｍｍの場合にはP／4の奇数倍である0.5mm、1mm、1.5mmなどの値）に等しくなったときには、このときの誘起電圧Ｖpの振幅Vps(X)の値をVps((P／4)×(2n＋1))の値として記憶し、これ以降は、このVps((P／4)×(2n＋1))の値と、Vps(X)の値と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値に基づいて上記（７２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δを上記（７４）の位置検出誤差εの式に適用する。
なお、手段１において、はじめから（スライダ１の移動開始前から）、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、 (P／4)・(2n＋1)の値に等しければ、その時点で通常の位置検出処理（補正処理）に移行し、このときの誘起電圧Ｖpの振幅Vps(X)の値をVps((P／4)×(2n＋1))の値として記憶し、このVps((P／4)×(2n＋1))の値と、Vps(X)の値と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値に基づいて上記（７２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δを上記（７４）の位置検出誤差εの式に適用する。これ以降、スライダ１の移動を許可する。
【００７７】
次に、手段２を採用（実施）する場合について説明する。
【００７８】
この場合、スライダ１の移動を禁止して、まず、励磁電流波形形成部３５で上記（８９）式の励磁電流Is11の波形と、上記（９０）式の励磁電流Ic11の波形を形成する。
なお、手段２の位置検出処理を開始するときの初期の励振位置αの値は、初期設定値又は前回の位置検出処理において最後に調整された値などの任意の値でよい。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（８９）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４１から第１スライダ側コイル３に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（９０）式の励磁電流Ic11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第３励磁電源４３から第２スライダ側コイル４に流す。
【００７９】
その結果、スケール側コイル５には上記（６５）式で示すような誘起電圧Ｖoが発生し、この誘起電圧Ｖoを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。
第１フィルタ２２では角周波数ωの誘起電圧Ｖoを出力し、第２フィルタ２３では角周波数ωの誘起電圧Ｖoをカットするため出力が０になる。
【００８０】
ＡＤ変換器２５では、第１フィルタ２２から入力したアナログ値の誘起電圧Ｖoを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３３では、ＡＤ変換器２５でＡＤ変換された誘起電圧Ｖoから、当該誘起電圧Ｖoの振幅（上記（６５）式のK(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]）の値を取得する。
位置変化量演算部３４では、誘起電圧Ｖoの振幅が０となるようにするため、振幅値取得部３３で取得した誘起電圧Ｖoの振幅に応じてＰＩ制御を行うことにより、励振位置αを求める（調整する）。
励磁電流波形形成部３５では、位置変化量演算部３４で求めた励振位置αに基づいて、上記（８９）式の励磁電流Is11の波形及び上記（９０）式の励磁電流Ic11の波形を形成する（調整する）。
【００８１】
そして、この励磁電流波形形成部３５で波形形成された励磁電流Is11と励磁電流Ic11を、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第１励磁電源４１と第３励磁電源４３から、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４にそれぞれ流す。このようなフィードバック制御により、ついには励振位置α＝Ｘ＋εとなって誘起電圧Ｖoの振幅が０になる。かくして、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置α（＝Ｘ＋ε）が得られる。
このような誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αを求める処理は、従来と同様のものであり、常時行われる。即ち、スライダ１が移動して誘起電圧Ｖoの振幅が０でなくなれば、上記の処理が行われることにより、新たに誘起電圧Ｖoの振幅を０する励振位置αが求められる。
【００８２】
上記の処理で求められた誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αは、補正値計算部３２に記憶される。
【００８３】
次に、励磁電流波形形成部３５で上記（９１）式の励磁電流Is11の波形と、上記（９２）式の励磁電流Ic11の波形を形成する。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（９１）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４１から第１スライダ側コイル３に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（９２）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４３から第１スライダ側コイル３に流す。
【００８４】
その結果、スケール側コイル５には上記（９３）式で示す誘起電圧Ｖｃが発生し、この誘起電圧Ｖｃを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。第１フィルタ２２では角周波数ωの誘起電圧Ｖｃを出力し、第２フィルタ２３では角周波数ωの誘起電圧Ｖｃをカットするため出力が０になる。
【００８５】
ＡＤ変換器２５では、第１フィルタ２２から入力したアナログ値の誘起電圧Ｖｃを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３３では、ＡＤ変換器２５でＡＤ変換された誘起電圧Ｖｃから、上記（９４）式のような誘起電圧Ｖｃの振幅Ｖcsの値を取得する。
補正値計算部３２では、振幅値取得部３３で取得した振幅Ｖcsを記憶する。
【００８６】
次に、励磁電流波形形成部３５で上記（９５）式の励磁電流Ic11の波形と、上記（９６）式の励磁電流Ic11の波形を形成する。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（９５）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４１から第１スライダ側コイル３に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（９６）式の励磁電流Is11は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、励磁電流４３から第１スライダ側コイル３に流す。
【００８７】
その結果、スケール側コイル５には上記（９７）式で示す誘起電圧Ｖｄが発生し、この誘起電圧Ｖｄを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。第１フィルタ２２では角周波数ωの誘起電圧Ｖｄを出力し、第２フィルタ２３では角周波数ωの誘起電圧Ｖｄをカットするため出力が０になる。
【００８８】
ＡＤ変換器２５では、第１フィルタ２２から入力したアナログ値の誘起電圧Ｖｄを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３３では、ＡＤ変換器２５でＡＤ変換された誘起電圧Ｖｄから、上記（９８）式のような誘起電圧Ｖｄの振幅Ｖdsの値を取得する。
補正値計算部３２では、振幅値取得部３３で取得した振幅Ｖdsを記憶する。
【００８９】
更に、補正値計算部３２では、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αと、振幅Ｖcsと、振幅Ｖdsに基づいて、上記（９９）式から、不平衡度δを算出して記憶する。更に、補正値計算部３２では、この不平衡度δと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７４）式から、位置検出誤差εを算出する。そして、補正値計算部３２では、この位置検出誤差εと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、この算出結果を補正後の検出位置Ｘとして出力する。
【００９０】
その後は通常の位置検出処理（補正処理）に移行し、スライダ１の移動を許可する。
但し、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１の移動を禁止しているとき（スライダ１が移動を開始する前）に上記（９９）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する。
【００９１】
そして、スライダ１の移動により、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、 (P／4)・(2n＋1)の値（例えばコイルピッチＰ＝２ｍｍの場合にはP／4の奇数倍である0.5mm、1mm、1.5mmなどの値）に等しくなったときには、このときの誘起電圧Ｖpの振幅Vps(X)の値をVps((P／4)×(2n＋1))の値として記憶し、これ以降は、このVps((P／4)×(2n＋1))の値と、Vps(X)の値と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値に基づいて上記（７２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δを上記（７４）の位置検出誤差εの式に適用する。
なお、手段２において、はじめから（スライダ１の移動開始前から）、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、 (P／4)・(2n＋1)の値に等しければ、その時点で通常の位置検出処理（補正処理）に移行し、このときの誘起電圧Ｖpの振幅Vps(X)の値をVps((P／4)×(2n＋1))の値として記憶し、このVps((P／4)×(2n＋1))の値と、Vps(X)の値と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値に基づいて上記（７２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δを上記（７４）の位置検出誤差εの式に適用する。これ以降、スライダ１の移動を許可する。
【００９２】
次に、通常の位置検出処理（補正処理）を実施する場合について説明する。
【００９３】
先にも述べたとおり、初期（例えばリニア形スケールの電源投入直後）にスライダ１の移動を禁止して、スライダ１が移動を開始する前（スケール１が静止状態時）に上記の手段１又は手段２を実施した後、通常の位置検出処理（補正処理）に移行して、スライダ１の移動を許可して、スライダ１の移動を開始する。
【００９４】
このとき、制御部１２では、まず、励磁電流波形形成部３５で上記（５８）式の励磁電流Is1の波形と、上記（５９）式の励磁電流Is2の波形と、上記（６１）式の励磁電流Ic1の波形と、上記（６２）式の励磁電流Ic2の波形を形成する。
なお、この通常の位置検出処理を開始するときの初期の励振位置αの値は、初期設定値や、上記の手段１又は手段２で調整された値などの任意の値でよい。
【００９５】
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（５８）式の励磁電流Is1は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第１励磁電源４１から第１スライダ側コイル３に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（５９）式の励磁電流Is2は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第２励磁電源４２から第１スライダ側コイル３に流す。従って、第１スライダ側コイル３には、励磁電流Is1と励磁電流Is2を合成した上記（６０)式の励磁電流Ｉｓが流れる。
励磁電流波形形成部３５で形成された上記（６１）式の励磁電流Ic1は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第３励磁電源４３から第２スライダ側コイル４に流す。励磁電流波形形成部３５で形成された上記（６２）式の励磁電流Ic2は、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換された後、第４励磁電源４４から第２スライダ側コイル４に流す。従って、第２スライダ側コイル４には、励磁電流Ic1と励磁電流Ic2を合成した上記（６３)式の励磁電流Ｉｃが流れる。
【００９６】
その結果、スケール側コイル５には上記（６４）式の誘起電圧Ｖが発生し、この誘起電圧Ｖを増幅回路２１で増幅した後、第１フィルタ２２と第２フィルタ２３にそれぞれ入力する。
【００９７】
第１フィルタ２２では誘起電圧Ｖの電圧成分である誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpのうち、角周波数ωpの誘起電圧Ｖp（上記（６６）式）はカットし、角周波数ωの誘起電圧Ｖo（上記（６５）式）を出力する。第２フィルタ２３では誘起電圧Ｖの電圧成分である誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpのうち、角周波数ωの誘起電圧Ｖoはカットし、角周波数ωpの誘起電圧Ｖpを出力する。
【００９８】
ＡＤ変換器２５では、第１フィルタ２２から入力したアナログ値の誘起電圧Ｖoを、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３３では、ＡＤ変換器２５でＡＤ変換された誘起電圧Ｖoから、当該誘起電圧Ｖoの振幅（上記（６５）式のK(ω)・I・[sin(k(X−α))−δ・cos(kX)・sin(kα)]）の値を取得する。
位置変化量演算部３４では、誘起電圧Ｖoの振幅が０となるようにするため、振幅値取得部３３で取得した誘起電圧Ｖoの振幅に応じてＰＩ制御を行うことにより、励振位置αを求める（調整する）。
励磁電流波形形成部３５では、位置変化量演算部３４で求めた励振位置αに基づいて、上記（５８）式の励磁電流Is1の波形（即ち上記（６０）式の励磁電流Ｉｓの波形）、及び、上記（６１）式の励磁電流Ic1の波形（即ち上記（６３）式の励磁電流Ｉｃの波形）を形成する（調整する）。
【００９９】
そして、この励磁電流波形形成部３５で波形形成された励磁電流Is1と励磁電流Ic1を、ＤＡ変換器２８でＤＡ変換した後、第１励磁電源４１と第３励磁電源４３から、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４にそれぞれ流す。なお、第２励磁電源４２と第４励磁電源４４からは、前述のとおり上記（５９）式の励磁電流Is2と上記（６２）式の励磁電流Ic2をそれぞれ流す。このようなフィードバック制御により、ついには励振位置α＝Ｘ＋εとなって誘起電圧Ｖoの振幅が０になる。かくして、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置α（＝Ｘ＋ε）が得られる。
このような誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αを求める処理は、従来と同様のものであり、常時行われる。即ち、スライダ１が移動して誘起電圧Ｖoの振幅が０でなくなれば、上記の処理が行われることにより、新たに誘起電圧Ｖoの振幅を０するような励振位置αが求められる。
【０１００】
上記の処理で求められた誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αは、補正値計算部３２に記憶される。
【０１０１】
整流回路２６では、第２フィルタ２３から入力した誘起電圧Ｖpを整流して、上記（６７）で示す誘起電圧Ｖpの振幅Vps(X)を得る。
ＡＤ変換器２７では、整流回路２６で得たアナログ値の振幅Vps(X)を、デジタル値に変換する。
振幅値取得部３１では、ＡＤ変換器２７でＡＤ変換された振幅Vps(X)の値を取得する。
補正値計算部３２では、この振幅値取得部３１で取得した振幅Vps(X)の値を記憶する。
しかも、補正値計算部３２では、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αの値が、 (P／4)・(2n＋1)の値に等しいときには、振幅値取得部３１で取得した振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値としても記憶する。
【０１０２】
そして、補正値計算部３２では、振幅Vps(X)と、Vps((P／4)・(2n＋1))と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７２）式により、不平衡度δを算出する。
但し、先にも述べたとおり、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、上記の手段１又は手段２でスライダ１の移動を禁止しているとき（スライダ１が移動を開始する前）に上記（８８）又は（９９）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用する。
例えば、コイルピッチＰ＝２ｍｍの場合、初期（例えば電源投入時）の誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が0.7ｍｍであったとすると、スライダ１が移動して誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が0.5mm又は1mmになるまでは、初期（誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が0.7ｍｍのとき）に手段１又は手段２で上記（８８）又は（９９）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用する。誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が0.5mm又は1mmになれば、それ以降は、振幅Vps(X)と、Vps((P／4)・(2n＋1))と、誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７２）式により、不平衡度δを算出する。
【０１０３】
従って、補正値計算部３２では、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、上記（８８）又は（９９）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７４）式から、位置検出誤差εを算出し、この算出した位置検出誤差εと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、これを補正後の検出位置Ｘとして出力する。
そして、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなると、それ以降、補正値計算部３２では、上記（７２）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、上記（７４）式から、位置検出誤差εを算出し、この算出した位置検出誤差εと、上記の誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、これを補正後の検出位置Ｘとして出力する。
【０１０４】
なお、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が (P／4)・(2n＋1)の値に等しくなって記憶されたVps((P／4)・(2n＋1))の値は、誘起電圧Ｖoを０にする励振位置αの値が、次の(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまで、上記（７２）式による不平衡度δの算出に利用される。
即ち、上記のような振幅Vps(X)の値をVps((P／4)・(2n＋1))の値として記憶する処理は、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αの値が(P／4)・(2n＋1)の値（コイルピッチＰ＝２mmの場合には0.5mm、1mm、1.5mmなどのP／4の奇数倍の値）に等しくなる度に行なう。
そして、誘起電圧Ｖoを０にする励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の第１の値（コイルピッチＰ＝２mmの場合には例えば1mm）に等しくなってから、スライダ１の移動により、その次の(P／4)・(2n＋1)の第２の値（コイルピッチＰ＝２mmの場合には例えば第１の値が1mmであれば、その次の1.5mm又は0.5mm）に等しくなるまでの間は、誘起電圧Ｖoを０にする励振位置αの値が第１の値（例えば前記1mm）に等しくなったときに記憶したVps((P／4)・(2n＋1))の値と、スライダ１の移動に応じて上記の処理により求められる誘起電圧Ｖoを０にする励振位置αの値と、誘起電圧Ｖｐの振幅値Vps(X)の値に基づいて上記（７２）式から、不平衡度δを算出し、この算出した不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoを０にする励振位置αに基づいて上記（７４）式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと前記不平衡度δとに基づいて検出位置Ｘ＝α−εを算出し、これを補正後の検出位置Ｘとして出力する。
なお、誘起電圧Ｖoが０となる励振位置αの値が(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなる度（コイルピッチＰ＝２mmの場合には0.5mm、1mm、1.5mmなどの値に等しくなる度）に不平衡度δを求めるのは、不平衡度δが、スケール２のうねりなどによりスケール２の全長に亘って一定にはならず、スケール位置Ｘに応じて異なる可能性があるためである。
【０１０５】
以上のように、本実施の形態例のリニア形スケールによれば、第１スライダ側コイル３と第２スライダ側コイル４とを備えたスライダ１と、スケール側コイル５を備え且つスライダ１に対しギャップｇを保持して平行に向かい合わせに配置されたスケール２とを有し、且つ、スライダ１とスケール２とが相対的に移動可能（この場合にはスライダ１が移動可能）な検出部１１と、この検出部１１を制御する制御部１２とを備えたリニア形スケールにおいて、制御部１２では、第１スライダ側コイル３に上記（６０）式で表わされる励磁電流Ｉｓを流し、第２スライダ側コイル４に上記（６３）式で表わされる励磁電流Ｉｃを流すことにより、スケール側コイル５に上記（６４）式で表わされる誘起電圧Ｖを発生させて、この誘起電圧Vを第１フィルタ２２と第２フィルタ２３により上記（６５）式及び（６６）式で表わされる誘起電圧Ｖoと誘起電圧Ｖpに分離し、前記誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Ｉｓ及び前記励磁電流Ｉｃを調整し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、(P／4)・(2n＋1)の値（n：整数）に等しいときには、上記（６７）式で表わされる誘起電圧Ｖｐの振幅Vps(X)の値を、Vps((P／4)・(2n＋1))の値とし、前記Vps(X)の値と、前記Vps((P／4)・(2n＋1))の値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（７２）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この算出した不平衡度δの値と、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値とに基づいて、上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この算出した位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
例えば、図２に示すように、実線で表す補正無しの位置検出誤差εに比べて、点線で表す補正後の位置検出誤差εは非常に小さくなるため、位置検出精度が向上する。
【０１０６】
また、本実施の形態例のリニア形スケールによれば、制御部１２では、スライダ１とスケール２の相対的な移動（この場合にはスライダ１の移動）を禁止して、まず、第１スライダ側コイル３に上記（７５）式で表わされる励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に上記（７６）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、スケール側コイル５に上記（６５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、第１スライダ側コイル３に上記（７７）式で表わされる励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４には上記（７８）式のように励磁電流Ic11を流さないことにより、上記（８０）式で表わされるスライダ側コイル５に発生する誘起電圧Ｖａの振幅Ｖasを取得し、次に、第１スライダ側コイルには上記（８１）式のように励磁電流Is11を流さず、第２スライダ側コイル４に上記（８２）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（８４）式で表わされるスライダ側コイル５に発生する誘起電圧Ｖｂの振幅Ｖbsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖasと、前記振幅Ｖbsに基づいて上記（８８）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出して記憶し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後はスライダ１スケール２の相対的な移動（この場合にはスライダ１の移動）を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１とスライダ２の相対的な移動（この場合にはスライダ１の移動）を禁止しているときに上記（８８）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【０１０７】
また、本実施の形態例のリニア形スケールによれば、制御部１２では、スライダ１とスケール２の相対的な移動（この場合にはスケールの移動）を禁止して、まず、第１スライダ側コイル３に上記（８９）式で表わされる励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に上記（９０）式で表わされる励磁電流Is11を流すことにより、スケール側コイル５に上記（６５）式で表わされる誘起電圧Ｖoを発生させて、この誘起電圧Voの振幅が０になるように前記励振位置αを調整し、この励振位置αに基づいて前記励磁電流Is11及び前記励磁電流Ic11を調整し、次に、第１スライダ側コイル３に上記（９１）式で表わされる励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に上記（９２）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（９４）式で表わされるスケール側コイル５に発生する誘起電圧Ｖｃの振幅Ｖcsを取得し、次に、第１スライダ側コイル３に上記（９５）式で表わされる励磁電流Is11を流し、第２スライダ側コイル４に上記（９６）式で表わされる励磁電流Ic11を流すことにより、上記（９８）式で表わされるスケール側コイル５に発生する誘起電圧Ｖｄの振幅Ｖdsを取得し、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αと、前記振幅Ｖcsと、前記振幅Ｖdsに基づいて上記（９９）の不平衡度δの式から、不平衡度δを算出し、この不平衡度δと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出し、その後はスライダ１とスケール２の相対的な移動（この場合にはスライダ１の移動）を許可して、前記誘起電圧Voの振幅が０となる前記励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでは、スライダ１とスケール２の相対的な移動（この場合にはスライダ１の移動）を禁止しているときに上記（９９）の不平衡度δの式で算出した不平衡度δを利用して、この不平衡度δと、前記誘起電圧Ｖoの振幅が０となる励振位置αに基づいて上記（７４）の位置検出誤差εの式から、位置検出誤差εを算出し、この位置検出誤差εと、前記誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αに基づいて、検出位置Ｘ＝α−εを算出する、という処理を行なう構成としたことを特徴としているため、誘起電圧Voの振幅が０となる励振位置αの値が、最初に(P／4)・(2n＋1)の値に等しくなるまでの間も、位置検出誤差εを補正した検出位置Ｘを求めることができ、位置検出精度を向上させることができる。
【０１０８】
なお、本発明は特にリニア形スケールに適用して有用なものであるが、必ずしもこれに限定するものではなく、ロータリ形スケールにも適用することができる。
図示は省略するが、ロータリ形スケールの概要について説明すると、ロータリ形スケールは検出部と、この検出部を制御する制御部とを備えている。ロータリ形スケールの検出部は従来のロータリ形スケールの検出部と同様の構成であり、一次側部材としてのステータと、二次側部材としてのロータとを有している。
固定部であるステータは、第１の一次側コイルとしての第１ステータ側コイルと、第２の一次側コイルとしての第２ステータ側コイルとを有している。回転部であるロータは、二次側コイルとしてのロータ側コイルを有している。これらのコイルはジグザグ状に折り返され且つ全体が円環状に形成されている。ステータ（即ち第１ステータ側コイル及び第２ステータ側コイル）と、ロータ（即ちロータ側コイル）は、これらの間に規定範囲内のギャップを保持した状態で平行に向かい合わせに配置されており、相対的に移動可能（この場合にはロータが回転可能）になっている。また、第１ステータ側コイルと第２ステータ側コイルは、ロータ側コイルとの位置関係が１／４ピッチずれている。
かかる検出部に対して制御部では、上記リニア形スケールの制御部１２と同様の制御を行う。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は電磁誘導式位置検出器及び電磁誘導式位置検出方法に関するものであり、特にリニア形スケールの位置検出精度の向上を図る場合に適用して有用なものであるが、ロータリ形スケールの位置検出精度の向上を図る場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の実施の形態例に係るリニア形スケールの機能を表すブロック図である。
【図２】リニア形スケールの位置検出誤差の変化を示すグラフである。
【図３】（ａ）はリニア形スケールのスライダとスケールを平行に向かい合わせにした状態を示す斜視図、（ｂ）は前記スライダと前記スケールを並べて示す図、（ｃ）は前記スライダと前記スケールの電磁結合度を示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  スライダ
２  スケール
３  第１スライダ側コイル
４  第２スライダ側コイル
５  スケール側コイル
１１  検出部（スケール部）
１２  制御部
２１  増幅回路
２２  第１フィルタ
２３  第２フィルタ
２４  演算回路
２５  ＡＤ変換器
２６  整流回路
２７  ＡＤ変換器
２８  ＤＡ変換器
３１  振幅値取得部
３２  補正値計算部
３３  振幅値取得部
３４  位置変化量演算部
３５  励磁電流波形形成部
４１  第１励磁電源
４２  第２励磁電源
４３  第３励磁電源
４４  第４励磁電源
【図１】
2010156583.tif 000004
【図２】
2010156583.tif 000005
【図３】
2010156583.tif 000006