(57)【要約】【課題】基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置を提供する。【解決手段】イオン注入装置に備えられた基板支持装置２００において、基板の外側を支持する複数の外側支持台２０１，２０３と、基板の内側を支持する内側支持台２０２と、を備え、外側支持台２０１，２０３と内側支持台２０２は、フレーム部２０１ａ及び該フレーム部２０１ａに積層し形成されて抗静電性を有する物質からなる基板接触部２０１ｂを備える。【選択図】図３Ａ
2010267952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置に備えられた基板支持装置において、
基板の外側を支持する複数の外側支持台と、
前記基板の内側を支持する内側支持台と、
を備え、
前記外側支持台と前記内側支持台は、フレーム部及び前記フレーム部に積層し形成されて抗静電性を有する物質からなる基板接触部を備えることを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記外側支持台に備えられる前記基板接触部は、前記フレーム部のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成され、
前記基板は、前記フレーム部に接触しないことを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記基板のコーナ部分が前記フレーム部と０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持することを特徴とする請求項１または２に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記基板接触部は、
前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第１部材と、
前記第１部材と垂直方向に前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第２部材と、
を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記基板接触部は、
前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずに前記フレーム部が現れるように形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板支持装置。
【請求項６】
前記基板接触部は、抗静電性を有するシリコンラバーであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の基板支持装置。
【請求項７】
前記フレーム部は、
ジュラルミン、アルミニウム特殊鋼またはアルミニウム合金のうち少なくとも一つから形成される第１層と、
アルマイト、リン酸鉄、リン酸亜鉛またはクロム化物質のうち少なくとも一つから形成され、前記第１層上にコーティングされる第２層と、
を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の基板支持装置。
【請求項８】
イオン注入装置の基板支持装置に備えられた支持台において、
基板を支持して移送する複層のフレーム部と、
前記フレーム部の外郭に沿って積層し形成された基板接触部と、
を備え、
前記基板接触部は、抗静電性を有する材料から形成されることを特徴とする支持台。
【請求項９】
前記支持台に搭載された基板は、前記基板のコーナ部分が前記基板接触部に接触しないことを特徴とする請求項８に記載の支持台。
【請求項１０】
前記基板のコーナ部分は、前記フレーム部と０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持することを特徴とする請求項９に記載の支持台。
【請求項１１】
前記基板接触部は、前記フレーム部の外郭のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成されることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の支持台。
【請求項１２】
前記基板接触部は、
前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第１部材と、
前記第１部材と垂直方向に前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第２部材と、
を備えることを特徴とする請求項８に記載の支持台。
【請求項１３】
前記基板接触部は、前記第１部材と前記第２部材とが前記フレーム部上にΓ字状または┐字状に配されたことを特徴とする請求項１２に記載の支持台。
【請求項１４】
前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずに前記フレーム部が現れるように形成されたことを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の支持台。
【請求項１５】
前記基板接触部は、抗静電性を有するシリコンラバーであることを特徴とする請求項８から１４のいずれか１項に記載の支持台。
【請求項１６】
前記フレーム部は、
ジュラルミン、アルミニウム特殊鋼またはアルミニウム合金のうち少なくとも一つから形成される第１層と、
アルマイト、リン酸鉄、リン酸亜鉛またはクロム化物質のうち少なくとも一つから形成され、前記第１層上にコーティングされた第２層と、
を備えることを特徴とする請求項８から１５のいずれか１項に記載の支持台。
【請求項１７】
基板を支持して移送する複層のフレーム部と、
前記フレーム部の外郭に沿って積層し形成された基板接触部と、
を備える支持台を備え、
前記基板接触部は、抗静電性を有する物質からなることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項１８】
前記支持台に搭載された基板のコーナ部分は、前記支持台の前記基板接触部に接触しないことを特徴とする請求項１７に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記支持台のフレーム部と前記基板のコーナ部分とは、０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持することを特徴とする請求項１７または１８に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記支持台の基板接触部は、前記フレーム部の外郭のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成されたことを特徴とする請求項１７から１９のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項２１】
前記支持台の前記基板接触部は、
前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第１部材と、
前記第１部材と垂直方向に前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第２部材と、
を備えることを特徴とする請求項１７から２０のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項２２】
前記支持台の基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずに前記フレーム部が現れるように形成されたことを特徴とする請求項１７から２０のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置の基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置に係り、さらに詳細には、基板の損傷を防止する支持台の構造、該支持台を備える基板支持装置及びイオン注入装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）パネル、半導体ウェーハで導電層を形成する方法として、イオンソースで生成したイオンを加速してイオンビームで基板に注入するイオン注入技術が利用される。
【０００３】
イオン注入装置を使用してイオンを注入する時には、プロセスチャンバに搬入された基板を支持装置によって固定した後、所望の角度に調節して基板にイオンを注入する。このように、イオン注入が完了すれば、基板が搭載された支持台は、底面と水平な状態に配され、基板は、ロボットアームによってイオンソース部から搬送される。
【０００４】
このような搬送過程で、支持台に搭載された基板がロボットアームによって揚げられる時、支持台と基板との間には、剥離帯電現象が起きる。すなわち、相互密着されていた基板と支持台との分離過程で、自由電子が放出及び吸入されて、基板と支持台とに異なる種類の電荷が帯電されて、静電気が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７７１８１号公報
【特許文献２】特開２００７−２４２９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、イオン注入装置の基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置に係り、さらに詳細には、基板の損傷を防止する支持台の構造、該支持台を備える基板支持装置及びイオン注入装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を達成するために、本発明の一側面によれば、イオン注入装置に備えられた基板支持装置において、基板の外側を支持する複数の外側支持台と、前記基板の内側を支持する内側支持台と、を備え、前記外側支持台と前記内側支持台は、フレーム部及び前記フレーム部に積層し形成されて抗静電性を有する物質からなる基板接触部を備える基板支持装置を提供する。
【０００８】
ここで、前記外側支持台に備えられる前記基板接触部は、前記フレーム部のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成され、前記基板は、前記フレーム部に接触しないことを特徴とする。
【０００９】
ここで、前記基板のコーナ部分が前記フレーム部と０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持する。
【００１０】
ここで、前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭コーナの頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、フレーム部の横側外郭に沿って形成された第１部材と、前記フレーム部の最外郭コーナの頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、フレーム部の縦側外郭に沿って形成され、前記第１部材と垂直方向に配された第２部材と、を備える。
【００１１】
ここで、前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずに前記フレーム部が現れるように形成されることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記基板接触部は、抗静電性を有するシリコンラバーであることを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記フレーム部は、ジュラルミン、アルミニウム特殊鋼またはアルミニウム合金のうち少なくとも一つから形成される第１層と、アルマイト、リン酸鉄、リン酸亜鉛またはクロム化物質のうち少なくとも一つから形成され、前記第１層上にコーティングされる第２層と、を備える。
【００１４】
本発明の他の一側面によれば、イオン注入装置の基板支持装置に備えられた支持台において、基板を支持して移送する複層のフレーム部と、前記フレーム部の外郭に沿って積層し形成された基板接触部と、を備え、前記基板接触部は、抗静電性を有する材料から形成される支持台を提供する。
【００１５】
ここで、前記支持台に搭載された基板は、前記基板のコーナ部分が前記基板接触部に接触しないことを特徴とする。
【００１６】
ここで、前記基板のコーナ部分が前記フレーム部と０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持する。
【００１７】
ここで、前記基板接触部は、前記フレーム部の外郭のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成されることを特徴とする。
【００１８】
ここで、前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、フレーム部の横側外郭に沿って形成された第１部材と、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、フレーム部の縦側外郭に沿って形成され、前記第１部材と垂直方向に配された第２部材と、を備える。
【００１９】
ここで、前記基板接触部は、前記第１部材と第２部材とが前記フレーム部上にΓ字状または┐字状に配されたことを特徴とする。
【００２０】
ここで、前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずにフレーム部が現れるように形成されたことを特徴とする。
【００２１】
ここで、前記基板接触部は、抗静電性を有するシリコンラバーであることを特徴とする。
【００２２】
ここで、前記フレーム部は、ジュラルミン、アルミニウム特殊鋼またはアルミニウム合金のうち少なくとも一つから形成される第１層と、アルマイト、リン酸鉄、リン酸亜鉛またはクロム化物質のうち少なくとも一つから形成され、前記第１層上にコーティングされた第２層と、を備える。
【００２３】
本発明のさらに他の一側面によれば、基板を支持して移送する複層のフレーム部と、前記フレーム部の外郭に沿って積層し形成された基板接触部と、を備える支持台を備え、前記基板接触部は、抗静電性を有する物質からなるイオン注入装置を提供する。
【００２４】
ここで、前記支持台に搭載された基板のコーナ部分が前記支持台の基板接触部に接触しないことを特徴とする。
【００２５】
ここで、前記支持台のフレーム部と前記基板のコーナ部分とが０.１ｍｍ〜１.２ｍｍのギャップを維持することを特徴とする。
【００２６】
ここで、前記支持台の基板接触部は、前記フレーム部の外郭のコーナ部分の上部には形成されずに非連続的に形成されたことを特徴とする。
【００２７】
ここで、前記支持台の前記基板接触部は、前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第１部材と、前記第１部材と垂直方向に前記フレーム部の最外郭のコーナ頂点から５０〜１００ｍｍ離れた地点から始まって、前記フレーム部の外郭に沿って形成された第２部材と、を備える。
【００２８】
ここで、前記支持台の基板接触部は、前記フレーム部の最外郭の頂コーナ頂点から半径５０〜１００ｍｍの上部には積層されずに前記フレーム部が現れるように形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の実施形態による支持台を通じて基板を搬送することによって、基板の搬送時に発生する剥離帯電が除去されて、基板の破れや損傷が防止される。
【００３０】
また、本発明による支持台及び基板支持装置は、既存装置の問題点を改善することによって生産性を向上させうる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による基板支持装置を備えたイオン注入装置を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による基板支持装置を概略的に示す斜視図である。
【図３Ａ】図２の基板支持装置に備えられた支持台の第１実施形態を示す概略図である。
【図３Ｂ】図２の基板支持装置に備えられた支持台の第１実施形態を示す概略図及である。
【図３Ｃ】図２の基板支持装置に備えられた支持台の第１実施形態を示す断面図である。
【図４Ａ】図２の基板支持装置に備えられた支持台の第２実施形態を示す概略図である。
【図４Ｂ】図２の基板支持装置に備えられた支持台の第２実施形態を示す概略図である。
【図５Ａ】本発明の基板支持装置が基板を移送する過程を示す概略図である。
【図５Ｂ】本発明の基板支持装置が基板を移送する過程を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明による支持台及び支持装置の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明し、図面で同一または対応する構成要素は、同じ図面番号を付与し、これについての重複説明は、省略する。
【００３３】
図１は、本発明によるイオン注入装置を示した概略図である。
【００３４】
図１を参照すれば、イオン注入装置１０は、基板にイオンを注入する装置である。イオン注入装置１０は、基板供給部１００、ロードラック部１１０、プロセスチャンバ部１２０、イオンソース部１３０で構成される。
【００３５】
基板供給部１００は、複数のカセット１０１及びロボットアーム１０２を備える。カセット１０１は、工程に入る基板が収納されており、前記基板供給部１００にある基板をロボットアーム１０２がロードラック部１１０のロードラックチャンバ１１１に自動移送して供給する役割を行う。
【００３６】
ロードラック部１１０は、複数のロードラックチャンバ１１１及びロボットアーム１１２を備える。ロードラックチャンバ１１１は、内部を大気圧状態に維持し、搬送チャンバ上のロボットアーム１１２は、ロードラックチャンバ１１１内の基板をプロセスチャンバ１２１に搬入する。
【００３７】
プロセスチャンバ部１２０は、プロセスチャンバ１２１に搬入された基板にイオン注入を実施する。この時、基板は、ガラスを使用でき、プロセスチャンバ１２１に備えられた支持装置１２２を通じて基板の位置を変更した後、イオン注入を実施する。
【００３８】
イオンソース部１３０は、基板に注入するためのイオンを照射するイオンソース１３１を備える。
【００３９】
前記プロセスチャンバ部１２０でイオン注入が実施される過程を具体的に表せば、次の通りである。
【００４０】
まず、ロードラックチャンバ１１１からプロセスチャンバ１２１に搬入された基板は、基板支持装置２００を構成する支持台に底面と水平状態にローディングされる。次いで、基板支持装置２００は、基板を搭載した支持台を底面と垂直状態に転換した後、イオンソース１３１を通じてイオン注入を実施する。イオン注入が完了すれば、支持台は、底面と水平状態に戻る。次いで、支持台に搭載された基板は、ロボットアームによって搬送される。すなわち、イオン注入が完了すれば、基板は、これまでの工程の逆順でロードラックチャンバ１１１を経て再びカセット１０１に戻る。
【００４１】
図２は、本発明の一実施形態による基板支持装置２００を示した概略図である。
【００４２】
基板支持装置２００は、イオン注入装置１０に備えられ、ロードラックチャンバ１１１からプロセスチャンバ１２１に移送された基板を装着してイオン注入を実施する時、基板を所望の角度に支持する役割を行い、複数の支持台２０４をそれぞれ連結する継ぎ部２０５を備える。
【００４３】
複数の支持台２０４は、図２に示したように、長方形のバーが３個並んで配された形態に構成されうる。しかし、支持台の形態は、台形、四角形も可能であり、支持台の数も２個、４個で多様に構成されうる。
【００４４】
複数の支持台２０４は、外側支持台と内側支持台とに区分できる。外側支持台は、基板が接触する面を基準に基板の角や外側部分が接して支持され、内側支持台は、基板の中心部の内側に近く接触して支持する。
【００４５】
一実施形態として、図２を参照すれば、長方形の基板３００の短辺を縦側とし、基板の長辺を横側とする時、縦側に近い２０１及び２０３は、外側支持台に当たり、基板の中心部を支持する２０２は、内側支持台に当たる。外側及び内側支持台という名称は、支持台が基板を支持する部分によって指示されるものであるので、図２に開示された内容に限定されず、多様に表現できる。
【００４６】
図３Ａないし図３Ｃは、図２の支持装置２００に備えられた支持台２０４を示した概略図及び断面図である。図３Ａは、継ぎ部２０５から見る時、右側に位置した外側支持台２０１の概略図であり、図３Ｂは、継ぎ部２０５から見る時、左側に位置した外側支持台２０３を示した断面図である。図３Ａと図３Ｂとは、鏡対称形態となるので、図３Ａを基準に説明し、図３Ｂについての重複説明は、省略する。図３Ｃは、図３Ａ及び図３Ｂに示された外側支持台２０１,２０３のＡ−Ａ’部分を切断して示した断面図である。
【００４７】
図３Ｃを参照して、外側支持台２０１の積層構造について説明する。支持台は、フレーム部２０１ａと基板接触部２０１ｂとを備える。また、フレーム部と基板接触部との間には、コーティング層２０１ｃがさらに形成されることもある。
【００４８】
フレーム部２０１ａは、基板を支持して、底面と水平または垂直角度に基板を固定する支持台の枠に当たる。一実施形態によれば、フレーム部２０１ａは、ジュラルミンで形成でき、それ以外にも、アルミニウム特殊鋼またはアルミニウム合金のようなメタルで形成されうる。
【００４９】
コーティング層２０１ｃは、フレーム部２０１ａに、表面抵抗が大きい物質をコーティングしたものであり、場合によって省略されることもある。一例として、ジュラルミンで形成されたフレーム部２０１ａ上に表面抵抗が１０６Ω／ｓｑであり、耐蝕、耐摩耗性のあるアルマイトをコーティングしてコーティング層２０１ｃを形成できる。コーティング層２０１ｃは、リン酸鉄、リン酸亜鉛またはクロム化物質のうちいずれか一つで形成されることもあり、前記フレーム部２０１ａの材料及びコーティング層２０１ｃの種類及び数は、これに限定されず、コーティング層が複数の層で形成されることもある。
【００５０】
基板接触部２０１ｂは、フレーム部２０１ａまたはコーティング層２０１ｃ上に積層されて形成され、基板と直接接触する部分である。前記基板接触部２０１ｂは、超薄型基板との間で発生する静電気を防止するために、抗静電性（ｃａｎｔｉｓｔａｔｉｃ）を有する絶縁材料を使用することが望ましい。静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）現象は、露出される素子やシステムが破壊される性能低下をはじめとして、本発明のように、基板を損傷させて不良率を高める問題がある。したがって、これを防止するために使われる抗静電性絶縁物質は、表面抵抗値が１０１０ないし１０１３Ω／ｓｑ範囲内である物質を採択することが望ましい。本発明の一実施形態において、前記基板接触部２０１ｂは、表面抵抗が１０１３Ω／ｓｑに当たるシリコンラバーを使用できる。しかし、基板接触部２０１ｂの材料は、これに限定されず、前述した表面抵抗範囲内の抗静電性物質は、いずれのものでも使用できる。
【００５１】
また、基板接触部２０１ｂは、０.１ｍｍ〜１.２ｍｍの厚さを有することが望ましい。基板接触部２０１ｂは、図３Ａ及び図３Ｂに示された構造による時、フレーム部２０１ａのコーナ部分が空いている‘Γ’字または‘┐’字状に構成される。したがって、支持台２０４に置かれる基板３００のコーナとフレーム部２０１ａとの間には、基板接触部２０１ｂの厚さである０.１ｍｍ〜１.２ｍｍほどのギャップが生じる。このようなギャップが形成されることによって、支持台２０４及び基板３００のコーナ部分は、接触及び分離過程が発生しないので、静電気が発生せず、剥離帯電による基板３００の損傷が起きない特徴がある。前記ギャップが１.２ｍｍより大きい場合、支持台２０４に搭載された基板３００のコーナ部分が支持台２０４のフレーム部２０１ａと非常に離れていて、イオンを注入する過程で基板３００のコーナが不安定に震える問題が発生する。また、ギャップが０.１ｍｍより小さい場合には、基板３００とフレーム部２０１ａとの間に静電気が起きる可能性がある。
【００５２】
図３Ａ及び図３Ｂは、図２の基板支持装置２００に含まれた外側支持台２０１,２０３の第１実施形態を示した斜視図である。
【００５３】
前述したように、図３Ｂは、その積層構造が図３Ａと同一であり、基板接触部２０１ｂの形態は、図３Ａと鏡対称形態になるので、図３Ａを中心に説明し、図３Ｂについての個別的な説明は省略する。
【００５４】
基板接触部２０１ｂは、基板の外郭エッジ部分が接する地点に形成されるので、これに対応して、フレーム部２０１ａの外郭に沿って形成される。本発明の第１実施形態による外側支持台２０１上の基板接触部２０１ｂは、図３Ａ及び図３Ｂに示したように、外郭のコーナ部分が空いているように非連続的に形成される。ここで、外側支持台２０１の外側のコーナに位置する基板接触部２０１ｂは、基板支持装置２００の継ぎ部２０５側から見る時、頂点が空いている‘Γ’字または‘┐’字状に形成される。基板３００を搭載したとすると、基板の縦側に近いフレーム部２０１ａの最外郭のコーナ頂点から５０ｍｍ〜１００ｍｍほど離れた地点から第１基板接触部２０１ｂ_１が始まって、基板支持装置の継ぎ部２０５までつながる。また、第２基板接触部２０１ｂ_２は、前記第１基板接触部２０１ｂ_１と垂直方向に、基板の横側に近いフレーム部２０１ａの最外郭のコーナ頂点から５０ｍｍ〜１００ｍｍほど離れた地点から始まってフレーム部２０１ａの外郭に沿って形成される。
【００５５】
基板接触部２０１ｂがフレーム部２０１ａのコーナ頂点から１００ｍｍを超過して離れた地点から形成される場合、超薄型の基板の場合コーナ部分が反ることがあり、基板の水平状態が維持されなくてイオン注入が難しくなる問題がある。また、フレーム部２０１ａのコーナ頂点から５０ｍｍ未満に離れた地点から形成される場合、基板のコーナ部分と基板接触部２０１ｂとが接触し、剥離帯電を防止するための本発明の目的を達成できない。
【００５６】
本発明の第１実施形態による支持台２０４は、基板のコーナ部分と支持台との間に基板接触部２０１ｂの厚さに当たるギャップが形成されて、基板が搬送される時、基板のコーナ部分と支持台との基板接触部２０１ｂで発生する剥離帯電を防止する特徴がある。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂは、図２の基板支持装置２００に備えられた外側支持台２０１’,２０３’の第２実施形態を示した概略図である。
【００５８】
本発明の第２実施形態による外側支持台のＡ−Ａ’部分を切断して示した断面は、図３Ｃで説明した通りであるので、それについての説明は省略し、基板接触部の形状について説明する。
【００５９】
図４Ｂは、外側支持台のうち、図４Ａと反対側に形成された支持台であって、その構造は、図４Ａと同じであり、形態も図４Ａと鏡対称に当たるので、図４Ａを重点的に説明し、図４Ｂについての個別的な説明は省略する。
【００６０】
第２実施形態による基板接触部２０１ｂ’は、フレーム部２０１ａ’の最外郭の頂点から半径５０〜１００ｍｍを除いて、フレーム部２０１ａ’に積層されている構造である。空いている基板接触部２０１ｂ’の形態は、図示したように、円形であり、これに限定されず、フレーム部２０１ａ’の最外郭の頂点から半径５０〜１００ｍｍを除外する範囲で多角形に形成されることもある。
【００６１】
本発明の第２実施形態による支持台は、基板のコーナ部分と支持台との間に基板接触部の厚さに当たるギャップが形成されて、基板が搬送される時、基板のコーナ部分と支持台との基板接触部で発生する剥離帯電を防止する特徴がある。
【００６２】
基板接触部がフレーム部２０１ａ’のコーナ頂点から１００ｍｍを超過して離れた地点から形成される場合、超薄型基板のコーナ部分が反ることがあって、基板の水平状態が維持されなくてイオン注入が難しくなる問題がある。また、フレーム部２０１ａ’のコーナ頂点から５０ｍｍ未満に離れた地点から形成される場合、基板のコーナ部分と基板接触部とが接触され、剥離帯電を防止するための本発明の目的を達成できない。
【００６３】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の支持台２０４を備えた支持装置が基板３００を移送する過程を示した斜視図である。
【００６４】
図５Ａを参照すれば、プロセスチャンバで基板３００にイオン注入を完了した後、ロボットアームは、支持台２０４上に搭載された基板３００をプロセスチャンバから送出するために、支持台２０４の下部にロボットアームハンド１１２ａを伸ばす。次いで、図５Ｂによれば、前記ロボットアームハンド１１２ａが支持台２０４の下部から上部に基板３００を上げることによって、基板３００を搬送する。
【００６５】
前記図５Ｂ過程で、支持台２０４に搭載された基板３００が上げられる時、支持台２０４と基板３００との接触及び分離過程で自由電子が放出及び吸入されて静電気が発生する。このように、剥離帯電が発生した基板と支持台との距離が遠くなれば、基板と支持台との間の引力が弱くなり、基板の弾力性によって基板が上下に振動する。工程で使用する基板は、超薄型であるため、このように発生した上下の振動及び反れによって割られたり欠けたりして損傷される問題があった。
【００６６】
しかし、図５Ｂによれば、本発明による支持台２０４は、コーナ部分の一部が基板３００と接触されないことによって、密着された物体が離れる時、電荷の分離によって発生する静電気が支持台２０４と基板３００との間に発生しない。したがって、基板３００の搬送過程で基板３００が損傷される問題点を解決し、これにより、生産性を向上させる特徴がある。
【００６７】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者ならば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させうるということが分かるであろう。前述した実施形態以外の多くの実施形態が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、イオン注入関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  イオン注入装置、
１００  基板供給部、
１０１  カセット、
１０２、１１２  ロボットアーム、
１１０  ロードラック部、
１１１  ロードラックチャンバ、
１２０  プロセスチャンバ部、
１２１  プロセスチャンバ、
１３０  イオンソース部、
１３１  イオンソース、
２００  支持装置、
２０４  支持台、
２０５  継ぎ部、
３００  基板。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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