(57)【要約】  【課題】生産性の低下を招くことなく、優れた繰り返し記録耐久性を得ることができる光記録媒体およびその製造方法を提供する。  【解決手段】光記録媒体は、第１の主面および第２の主面を有する基板と、光の照射により情報信号の記録または再生が行われる、基板の第１の主面上に形成された１または複数の情報記録層と、基板の第２の主面からのガス放出を抑制する、基板の第２の主面上に形成されたバリア層とを備える。基板の第２の主面のうち、バリア層から露出する領域の露出面積が、６８８ｍｍ2以下である。【選択図】図２
2010267359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面および第２の主面を有する基板と、
光の照射により情報信号の記録または再生が行われる、上記基板の第１の主面上に形成された１または複数の情報信号層と、
上記基板の第２の主面からのガス放出を抑制する、上記基板の第２の主面上に形成されたバリア層と
を備え、
上記基板の第２の主面のうち上記バリア層から露出する領域の面積が、６８８ｍｍ2以下である光記録媒体。
【請求項２】
上記露出の面積が、３９８．２ｍｍ2以下である請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記バリア層が、誘電体を含んでいる請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】
上記基板の第１の主面上に順次形成された第１情報信号層、および第２情報信号層を備え、
上記第２情報信号層が、ビスマス、ゲルマニウムおよびテルルを含んでいる請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
上記基板の第１の主面上に形成された複数の情報信号層を備え、
上記複数の情報信号層の間に、樹脂材料を含む中間層を有する請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】
上記基板が、吸水性を有する樹脂材料を含んでいる請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】
第１の主面および第２の主面を有する基板を成形する工程と、
上記基板の第１の主面上に第１情報信号層を形成する工程と、
上記第１情報信号層上に中間層を形成する工程と、
上記中間層上に第２情報信号層を形成する工程と、
上記基板の成形工程後、上記第２情報信号層の形成工程前に、上記基板の第２の主面に、上記基板の第２の主面からのガス放出を抑制するバリア層を形成する工程と
を備え、
上記バリア層の形成工程では、上記基板の第２の主面のうち上記バリア層から露出する領域の面積を、６８８ｍｍ2以下にする光記録媒体の製造方法。
【請求項８】
上記中間層の成形工程後、上記第２情報信号層の形成工程前に、上記中間層が形成された基板を搬送する工程をさらに備え、
上記搬送の区間の露点が、−５℃以下である請求項７記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項９】
上記搬送の区間の露点が、−１５℃以下である請求項８記載の光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、光の照射により情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、情報信号層にレーザー光を照射することにより、情報信号の読み出しや書き込みが行われる書換型の光記録媒体が広く普及している。通常、書換型のBlu-ray Discなどで用いられている情報記録層には、レーザー光の照射によって結晶相と非晶質相とが可逆的に変化する相変化記録材料が用いられている（例えば特許文献１参照）。この相変化記録材料では、レーザー光の照射によって熱せられた記録層の温度を急峻に低下させることにより非晶質相（記録マーク）を形成し、比較的パワーの小さいレーザー光を比較的長時間照射することにより非晶質相を結晶相に戻すことが可能となっている。この為、複数回の書き換えが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１８９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、記録回数が多数回に及ぶ場合に、相変化記録層に熱ダメージが蓄積することとなり、結晶質相と非晶質相とを可逆的に変化する機能が失われ、記録マークの再生特性が劣化する傾向が一般的にある。この劣化の程度は製造条件に依存する。これまでの本発明者らの知見によると、相変化記録層を成膜する直前の真空度が比較的悪い場合に、上記劣化が顕著となることが分かっている。例えば、２層書き換え型のBlu-ray Discでは、基板成形からＬ１層成膜までの時間がどうしても長くなってしまうために、樹脂基板中およびＵＶ硬化型の樹脂で形成された中間層中に水分が吸収されてしまう。この吸収された水分がＬ１層成膜の真空スパッタリング装置内に解放されると、Ｌ１層の記録再生特性、特に繰り返し書き換え後のジッタが悪化してしまう。この影響を抑制するためには、図１のフローチャートに示すように、Ｌ０層および中間層が形成された基板を、８０℃の高温下に長時間置き、基板および中間層中の水分を脱気、乾燥した後、Ｌ１層成膜用の真空スパッタリング装置に投入することが考えられる。しかし、脱気には、４時間以上と長い時間が掛かるために、生産性が著しく低下してしまう。
【０００５】
したがって、この発明の目的は、生産性の低下を招くことなく、繰り返し記録耐久性を向上できる光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、第１の発明は、
第１の主面および第２の主面を有する基板と、
光の照射により情報信号の記録または再生が行われる、基板の第１の主面上に形成された１または複数の情報信号層と、
基板の第２の主面からのガス放出を抑制する、基板の第２の主面上に形成されたバリア層と
を備え、
基板の第２の主面のうちバリア層から露出する領域の面積が、６８８ｍｍ2以下である光記録媒体である。
【０００７】
第２の発明は、
第１の主面および第２の主面を有する基板を成形する工程と、
基板の第１の主面上に第１情報信号層を形成する工程と、
第１情報信号層上に中間層を形成する工程と、
中間層上に第２情報信号層を形成する工程と、
基板の成形工程後、第２情報信号層の形成工程前に、基板の第２の主面に、基板の第２の主面からのガス放出を抑制するバリア層を形成する工程と
を備え、
バリア層の形成工程では、基板の第２の主面のうちバリア層から露出する領域の面積を、６８８ｍｍ2以下にする光記録媒体の製造方法である。
【０００８】
この発明では、基板の第２の主面上にガス放出を抑制するバリア層を形成すると共に、基板の第２の主面のうちバリア層から露出する領域の面積を６８８ｍｍ2以下にしている。これにより、情報信号記録層を形成する際に、効率的に基板内の脱ガスを抑えることができる。このため、情報信号層を形成する際に、水分などの不純物ガスで真空度が悪化することが抑制される。したがって、繰り返し記録劣化の少ない情報信号層を得ることができる。すなわち、高温での脱気処理を行わずとも、繰り返し記録耐久性に優れた光記録媒体を得ることができる。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、この発明によれば、生産性の低下を招くことなく、優れた繰り返し記録耐久性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、脱気処理の工程を有する光記録媒体の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、第１情報信号層の一構成例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、第２情報信号層の一構成例を示す概略断面図である。
【図５】図５は、基板の裏面に形成されるバリア層の成膜エリアを示す平面図である。
【図６】図６は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の製造方法の一例について説明するためのフローチャートである。
【図７】図７は、外周マスク３１および内周マスク３２の配置の一例を示す概略図である。
【図８】図８は、この発明の第２の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図９】図９は、実施例１〜４、比較例１、２の光記録媒体の相変化記録層を成膜する真空室の真空度を示すグラフである。
【図１０】図１０は、実施例１〜４、比較例１、２の光記録媒体の１０００回書き換え後のジッタを示すグラフである。
【図１１】図１１は、実施例１〜４、比較例１、２の光記録媒体の相変化記録層の形成時における真空度とＤＯＷ１０００回後のLimit EQ Jitterとの関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、実施例１〜４、比較例１、２の光記録媒体における繰り返し書き換え回数とTiming Jitterとの関係を示すグラフである。
【図１３】図１３は、実施例１〜４、比較例１、２の光記録媒体におけるレーザパワーＰｐとTiming Jitterとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施形態（２層光記録媒体の例）
２．第２の実施形態（単層光記録媒体の例）
【００１２】
＜１．第１の実施形態＞
［光記録媒体の構成］
図２は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す。この光記録媒体は、データの消去や書換が可能である書換型の光記録媒体である。図２に示すように、光記録媒体は、基板１と、基板１の一主面（第１の主面）上に順次積層された第１情報信号層（Ｌ０層）２、中間層３、第２情報信号層（Ｌ１層）４、およびカバー層５と、基板１の他主面（第２の主面）上に積層されたバリア層６とを備える。なお、以下では、第１情報信号層２、および第２情報信号層４が積層される基板１の一主面を信号面と適宜称し、それとは反対側の他主面を裏面と適宜称する。
【００１３】
この光記録媒体では、カバー層５側から第１情報信号層２または第２情報信号層４にレーザー光を照射することによって、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザー光が０．８４〜０．８６の開口数を有する対物レンズ１０により集光され、カバー層５側から第１情報信号層２または第２情報信号層４に照射されることで、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体としては、例えばＢＤ−ＲＥ（Blu-ray Disk ReWritable）が挙げられる。
【００１４】
この光記録媒体は、レーザー光が入射される入射面と、この入射面とは反対側の裏面とを有している。そして、入射面を基準として、手前側に第２情報信号層４が配置され、奥側に第１情報信号層２が配置されている。第２情報信号層４は、第１情報信号層２に照射されるレーザー光を透過可能に構成された半透明層である。したがって、第１情報信号層２に対する情報信号の記録または再生は、第２情報信号層４を透過したレーザー光を第１情報信号層２に照射することにより行われることになる。
【００１５】
以下、光記録媒体を構成する基板１、第１情報信号層２、中間層３、第２情報信号層４、カバー層５、バリア層６について順次説明する。
【００１６】
（基板）
基板１は、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に第１情報信号層２が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
【００１７】
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
【００１８】
基板１の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
【００１９】
基板１は、例えば、吸水性を有するプラスチック樹脂材料を主成分として含んでいる。基板１の材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂もしくはアクリル系樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
【００２０】
（第１情報信号層）
図３は、第１情報信号層の一構成例を示す。図３に示すように、第１情報信号層２は、例えば、反射層１１、第２誘電体層１２、第１誘電体層１３、記録層１４、第１誘電体層１５、第２誘電体層１６、第３誘電体層１７をこの順序で基板１上に積層してなる積層膜である。
【００２１】
反射層１１を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系の材料を用いることが好ましい。
【００２２】
第１誘電体層１３、第２誘電体層１２、第１誘電体層１５、第２誘電体層１６および第３誘電体層１７は、記録層１４を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。これらの誘電体層を構成する誘電体材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔａ、ＡｌもしくはＮｂなどの酸化物、ＳｉもしくはＡｌなどの窒化物、Ｚｎなどの硫化物、またはこれらの誘電体材料を２種以上混合したものを用いることができる。具体的には、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（以下適宜ＳＩＺと称する）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（以下適宜ＳＣＺと称する）、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5などを用いることができる。第１誘電体層１３および第１誘電体層１５が、互いに異なる材料から構成されるようにしてもよい。また、第２誘電体層１２および第２誘電体層１６が、互いに異なる材料から構成されるようにしてもよい。
【００２３】
記録層１４は、例えば、レーザー光の照射により情報信号を繰り返し記録可能な記録層である。具体的には、記録層１４は、例えば、レーザー光の照射により非晶質相と結晶質相との間を可逆的に変化させることにより、情報信号の記録および書き換えが行われる相変化記録層である。この相変化記録層の材料としては、例えば、共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができる。具体的には、相変化材料としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＢｉＧｅＴｅ、ＢｉＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅまたはＧｅＳｎＳｂＴｅなどを主成分とした相変化材料が挙げられる。これらを主成分とした相変化材料に、必要に応じて、Ａｇ、Ｉｎ、ＣｒおよびＭｎなどの金属材料を１種以上添加するようにしてもよい。
【００２４】
（中間層）
基板１に形成された第１情報信号層２上には、例えば、厚さ２５μｍを有する樹脂層としての中間層３が形成される。この中間層３は、例えば、透明性および吸水性を有する樹脂材料を主成分として含んでいる。このような樹脂材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂などのプラスチック材料を用いることができる。中間層３のカバー層５側となる面は、例えば基板１と同様に、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonからなる凹凸面となっている。この凹凸面上に第２情報信号層４が成膜される。
【００２５】
この凹状のイングルーブＧinおよび凸状のオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
【００２６】
（第２情報信号層）
図４は、第２情報信号層の一構成例を示す。図４に示すように、第２情報信号層４は、例えば、透過率調整層２１、反射層２２、第２誘電体層２３、第１誘電体層２４、記録層２５、第１誘電体層２６、第２誘電体層２７、第３誘電体層２８をこの順序で中間層３上に積層してなる積層膜である。
【００２７】
透過率調整層２１は、第２情報信号層４の透過率を増幅する層である。透過率調整層２１を構成する材料としては、例えば、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5などの高屈折率材料を用いることができる。
【００２８】
反射層２２は、入射されたレーザー光を反射し光学特性を向上させるとともに、記録層２５に吸収された熱を速やかに放熱させる層である。反射層２２を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系の材料を用いることが好ましい。
【００２９】
第１誘電体層２４、第２誘電体層２３、第１誘電体層２６、第２誘電体層２７および第３誘電体層２８は、記録層２５を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。これらの誘電体層を構成する誘電体材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔａ、ＡｌもしくはＮｂなどの酸化物、ＳｉもしくはＡｌなどの窒化物、Ｚｎなどの硫化物、またはこれらの誘電体材料を２種以上混合したものを用いることができる。具体的には、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＳＣＺ、ＳＩＺ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5などを用いることができる。第１誘電体層２４および第１誘電体層２６が、互いに異なる材料から構成されるようにしてもよい。また、第２誘電体層２３および第２誘電体層２７が、互いに異なる材料から構成されるようにしてもよい。
【００３０】
反射層２２に隣接する第２誘電体層２３の熱伝導率は、記録層２５に隣接する第１誘電体層２４の熱伝導率に比べて高く設定されていることが好ましい。これにより、レーザー光の照射により熱せられた記録層２５の熱を速やかに反射層２２へと逃がすことが可能となり、第２情報信号層４の繰り返し記録耐久性を向上することができる。第１誘電体層２４および第２誘電体層２３がＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2を主成分とする場合、それぞれの誘電体層に含まれるＩｎ2Ｏ3の比率が以下の関係を満たすことが好ましい。すなわち、記録層２５に隣接する第１誘電体層２４に含まれるＩｎ2Ｏ3の比率をａ（ｍｏｌ％）、反射層２２に隣接する第２誘電体層２３に含まれるＩｎ2Ｏ3の比率をｂ（ｍｏｌ％）としたとき、ａ＜ｂの関係を満たすことが好ましい。このような関係を満たすことで、第２誘電体層２３の熱伝導率を第１誘電体層２４の熱伝導率に比べて高く設定することができる。ここで、比率は、第１誘電体層２４または第２誘電体層２３に含まれるＳｉＯ2とＩｎ2Ｏ3とＺｒＯ2との総量を１００ｍｏｌ％としている。ここで、熱伝導率は、薄膜の厚さ方向の熱伝導率である。
【００３１】
具体的には、第１誘電体層２４および第２誘電体層２３がＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2を主成分とする場合、第１誘電体層２４が以下の式（１）の組成を有し、第２誘電体層２３が以下の式（２）の組成を有することが好ましい。
（ＳｉＯ2）x1（Ｉｎ2Ｏ3）y1（ＺｒＯ2）z1  ・・・（１）
（但し、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１００、５≦ｘ１≦２０、４０≦ｙ１≦６０、３０≦ｚ１≦５０）
（ＳｉＯ2）x2（Ｉｎ2Ｏ3）y2（ＺｒＯ2）z2  ・・・（２）
（但し、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００、５≦ｘ２≦２０、６０≦ｙ２≦９０、５≦ｚ２≦２０）
【００３２】
記録層２５は、例えば、レーザー光の照射により情報信号を繰り返し記録可能な記録層である。具体的には、記録層２５は、例えば、レーザー光の照射により非晶質相と結晶質相との間を可逆的に変化させることにより、情報信号の記録および書き換えが行われる相変化記録層である。この相変化記録層の材料としては、例えば、共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができる。具体的には、相変化材料としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＢｉＧｅＴｅ、ＢｉＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅまたはＧｅＳｎＳｂＴｅなどを主成分とした相変化材料が挙げられる。これらを主成分とした相変化材料に、必要に応じて、Ａｇ、Ｉｎ、ＣｒおよびＭｎなどの金属材料を１種以上添加するようにしてもよい。
【００３３】
第１情報信号層２の記録層１４として共晶系相変化材料を主成分とする相変化記録層を用い、第２情報信号層４の記録層２５として化合物系相変化材料を主成分とする相変化記録層を用いることが好ましい。このような構成にする場合、共晶系相変化材料としてはＧｅＳｂＴｅ系材料を用い、化合物系材料としてＢｉＧｅＴｅ系材料を用いることが好ましい。このような構成を有する記録層１４と記録層２５とを組み合わせることで、記録特性を向上することができるからである。
【００３４】
化合物系相変化材料であるＢｉＧｅＴｅ系材料としては、以下の式（３）に示す組成を有するものが好ましい。
ＢｉxＧｅyＴｅz  ・・・（３）
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２≦ｘ≦１０、３５≦ｙ≦４５、４５≦ｚ≦５５である。）
【００３５】
（カバー層）
保護層であるカバー層５は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とからカバー層を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）からなる。
【００３６】
カバー層５の厚さは、好ましくは１０μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄いカバー層５と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
【００３７】
（バリア層）
バリア層６は、成膜工程において基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制するものである。また、バリア層６は、基板１の裏面における水分の吸収を抑制する防湿層としても機能する。
【００３８】
バリア層６を構成する材料としては、基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制することができるものであればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、ガス透過性が低い誘電体を用いることができる。このような誘電体としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＴｉＮ、ＡｌＮ、およびＺｎＳ−ＳｉＯ2の少なくとも１種を用いることができる。バリア層６の水分透過率は、５×１０-5g/cm2・day以下であることが好ましい。バリア層６の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定することが好ましい。５ｎｍ未満であると、基板裏面からの脱ガスを抑制するバリア機能が低下する傾向がる。一方、４０ｎｍを超えると、脱ガスを抑制するバリア機能がそれ以下の膜厚の場合と殆ど変わらず、また、生産性の低下を招く傾向があるからである。
【００３９】
図５は、基板の裏面に形成されるバリア層の成膜エリアを示す平面図である。上述したように、基板１の中央部にはセンターホール１ａが形成されている。基板１の裏面には、基板１の内周から外周に向かって、内周側の基板露出エリアＲ1、バリア層６の成膜エリアＲ2、外周側の基板露出エリアＲ3が設定されている。バリア層６の成膜エリアＲ２の面積は、後述するバリア層６の成膜工程において、基板１の内周部および外周部をそれぞれ覆う内周マスクおよび外周マスクにより調整される。これらの内周マスクおよび外周マスクにより基板１の内周部および外周部を覆うことにより、バリア層６が形成されず、基板１が露出した内周側の基板露出エリアＲ1および外周側の基板露出エリアＲ3が形成される。
【００４０】
基板裏面の露出エリアの面積（すなわち、内周側の基板露出エリアＲ1と外周側の基板露出エリアＲ3との合計の面積）は、６８８ｍｍ2以下、好ましくは３９８．２ｍｍ2以下である。これにより、第２情報信号層４、具体的には第２情報信号層４の記録層２５の成膜時における真空度の低下を抑制し、多数回の記録後における再生特性の低下を抑制することができる。
【００４１】
［光記録媒体の製造方法］
次に、図６を参照しながら、上述の構成を有する光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
まず、ステップＳ１において、例えば射出成形装置などの成形装置により、基板１を成形する。次に、成形した基板を成形装置からＬ０層成膜装置に搬送する。次に、ステップＳ２において、Ｌ０層成膜装置にて第１情報信号層２を形成する。このＬ０層成膜装置は枚葉式成膜装置であることが好ましい。この枚葉式成膜装置の各真空室を用いて、反射層１１、第２誘電体層１２、第１誘電体層１３、記録層１４、第１誘電体層１５、第２誘電体層１６、第３誘電体層１７をこの順序で基板１上に真空を破らずに連続的に積層することができるからである。枚葉式成膜装置としては、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空薄膜形成技術が適用されたものを用いることができる。次に、第１情報信号層２が形成された基板１を、Ｌ０層成膜装置からバリア層成膜装置に搬送する。
【００４３】
次に、ステップＳ４において、図７に示すように、バリア層成膜装置にて基板１の裏面の外周部および内周部をそれぞれ、外周マスク３１および内周マスク３２により覆い、バリア層６を基板１の裏面上に形成する。バリア層成膜装置としては、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空薄膜形成技術が適用されたものを用いることができる。なお、Ｌ０層成膜装置とバリア層成膜装置とを一体のものとし、第１情報信号層２およびバリア層６を１つの成膜装置内にて連続的に成膜できるようにしてもよい。次に、バリア層６が形成された基板１を、バリア層成膜装置から中間層形成装置に搬送する。
【００４４】
次に、ステップＳ３において、中間層形成装置にて、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を第１情報信号層２上に均一に塗布する。その後、第１情報信号層２上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これらにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層３が形成される。次に、中間層３が形成された基板１を、中間層形成装置からＬ１層成膜装置に搬送する。中間層形成装置からＬ１層成膜装置の搬送区間の露点を、好ましくは−５℃以下、より好ましくは−１５℃以下に調整することが好ましい。これにより、中間層形成装置からＬ１層成膜装置の搬送工程において、中間層３への水分吸収を抑え、Ｌ１層成膜装置の各真空室、例えば記録層２５を形成するための真空室において中間層３から脱ガス（水分放出）を抑制することができる。したがって、記録層２５を成膜する際の真空度を良好に保つことができ、これにより、繰り返し記録により劣化の少ない記録層２５を形成することができる。
【００４５】
次に、ステップＳ５において、Ｌ１層成膜装置にて、中間層３上に第２情報信号層４を形成する。このＬ０層成膜装置は枚葉式成膜装置であることが好ましい。この成膜装置の各真空室を用いて、例えば、透過率調整層２１、反射層２２、第２誘電体層２３、第１誘電体層２４、記録層２５、第１誘電体層２６、第２誘電体層２７、第３誘電体層２８をこの順序で中間層３上に真空を破らずに連続的に積層できるからである。枚葉式成膜装置としては、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空薄膜形成技術が適用されたものを用いることができる。次に、Ｌ１層が形成された基板１をＬ１層成膜装置からカバー層形成装置に搬送する。
【００４６】
次に、ステップＳ６において、カバー層形成装置にて、保護層であるカバー層５を第２情報信号層４上に形成する。カバー層形成装置としては、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を第２情報信号層４上にスピンコートし、紫外線などの光を感光性樹脂に照射することにより、カバー層５を形成する装置を用いることができる。また、光透過性シートを接着剤を用いて、基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成する装置を用いることもできる。具体的には例えば、第２情報信号層４上に塗布された紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を用いて、光透過性シートを基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成する装置を用いることができる。また、光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成する装置を用いることもできる。
以上の工程により、図２に示す光記録媒体が得られる。
【００４７】
上述したように、この発明の第１の実施形態では、基板１の裏面にバリア層６を形成し、基板１の裏面のうちバリア層６から露出する部分の面積を、６８８ｍｍ2以下、好ましくは３９８．２ｍｍ2以下に設定している。これにより、効率的に基板裏面からの脱ガスを抑えることができる。このため、記録層２５を成膜する際の真空度を、水分などの不純物ガスで悪化させることが無く、繰り返し記録劣化の少ない情報信号層を形成できる。すなわち、光記録媒体の繰り返し記録耐久性を向上することができる。
【００４８】
また、中間層形成装置からＬ１層成膜装置の搬送区間の露点を、好ましくは−５℃以下、より好ましくは−１５℃以下に調整することが好ましい。これにより、中間層形成装置からＬ１層成膜装置の搬送工程において、中間層３への水分吸収を抑え、Ｌ１層成膜装置において中間層３からの脱ガス（水分放出）を抑制することができる。したがって、Ｌ１層成膜装置の真空室にて記録層２５を成膜する際の真空度を良好に保つことができる。よって、光記録媒体の繰り返し記録耐久性をさらに向上することができる。
【００４９】
また、反射層２２に隣接する第２誘電体層２３の熱伝導率を、記録層２５に隣接する第１誘電体層２４の熱伝導率よりも高くすることが好ましい。これにより、レーザー光の照射により熱せられた記録層２５の熱を速やかに反射層２２へと逃がすことが可能となり、第２情報信号層４の繰り返し記録耐久性を向上することができる。すなわち、多層の書換型の光記録媒体において、繰り返し記録耐久性を向上することができる。
【００５０】
また、第２情報信号層４を透過するレーザー光の透過率を制御するために、反射層２２の膜厚を薄くした場合にも、レーザー光の照射により熱せられた記録層２５の熱を反射層２２へと速やかに逃がすことが可能となる。したがって、多層の書換型の光記録媒体において、繰り返し記録耐久性を向上することができる。
【００５１】
また、ＳｉＯ2とＩｎ2Ｏ3とＺｒＯ2とを主成分とする第１誘電体層２４および第２誘電体層２３を用いた場合には、これら２つの誘電体層におけるＩｎ2Ｏ3の比率を調整することにより、これら２つの誘電体層の熱伝導率を容易に制御することが可能となる。具体的には、それらの比率は、記録層２５に隣接する第１誘電体層２４のＩｎ2Ｏ3の比率をａ（ｍｏｌ％）、反射層２２に隣接する第２誘電体層２３のＩｎ2Ｏ3の比率をｂ（ｍｏｌ％）としたときに、ａ＜ｂの関係を満たすように設定することが好ましい。このように設定することで、反射層２２に隣接する第２誘電体層２３の熱伝導率を、記録層２５に隣接する第１誘電体層２４の熱伝導率よりも高く設定できるからである。
【００５２】
また、第１誘電体層２４および第２誘電体層２３としてＳｉＯ2とＩｎ2Ｏ3とＺｒＯ2とを主成分とするものを用い、記録層２５としてＢｉとＧｅとＴｅを主成分とする記録層２５を用いることが好ましい。このようにすることで、記録層２５の結晶生成を制御し、より良好な信号特性を得ることができる。
【００５３】
＜２．第２の実施形態＞
図８は、この発明の第２の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す。図８に示すように、第２の実施形態による光記録媒体は、単層の情報信号層７を有する点において、第１の実施形態とは異なっている。なお、上述の第１の実施形態と同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。情報信号層７は、例えば第１の実施形態における第１情報信号層２と同様のものを用いることができる。この第２の実施形態において、バリア層６は、例えば、基板１の成形工程後、情報信号層７の成形工程前に形成される。
【００５４】
この第２の実施形態によれば、単層の書換型の光記録媒体において、繰り返し記録耐久性を向上することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００５６】
（実施例１）
まず、直径φ１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、トラックピッチ０．３２μｍの溝を有するポリカーボネート基板を射出成形装置により成形した。このポリカーボネート基板は、Blu-ray Disc Rewritable Format part1Basic Format Specifications  Ver2.1に準拠したものである。次に、射出成形装置から第１の枚葉式スパッタリング装置（エリコン製、ＤＶＤスプリンター）に、成形した基板を搬送した。次に、マグネトロンスパッタリング方式により、以下の組成および膜厚を有する反射層、第２誘電体層、第１誘電体層、相変化記録層、第１誘電体層、第２誘電体層を基板表面上に順次積層した。これにより、第１情報信号層（Ｌ０層）が基板表面上に形成された。
第２誘電体層：ＳｉＮ、４０ｎｍ
第１誘電体層：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、１０ｎｍ
相変化記録層：ＧｅＳｂＴｅ、１２ｎｍ
第１誘電体層：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、５ｎｍ
第２誘電体層：ＳｉＮ、５ｎｍ
反射層：Ａｇ合金、１００ｎｍ
【００５７】
次に、第１情報信号層が形成された基板を、第１の枚葉式スパッタリング装置からバリア層形成用スパッタリング装置に搬送した。次に、内径（直径）２５ｍｍの内周マスクおよび外径（直径）１１８ｍｍの外径マスクによりそれぞれ、基板裏面の内周部および外周部を覆った後、マグネトロンスパッタリング方式により、ＳｉＮからなる、厚さ５ｎｍのバリア層を基板裏面に形成した。
【００５８】
次に、バリア層形成用スパッタリング装置から中間層形成装置に基板を搬出し、スピンコート法により紫外線硬化樹脂を第１情報信号層上に均一に塗布した。その後、第１情報信号層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、厚さ２５μｍ、トラックピッチ０．３２μｍの溝を有する中間層が形成された。
【００５９】
次に、中間層形成装置から第２の枚葉式スパッタリング装置（エリコン製、ＤＶＤスプリンター）に基板を搬送した。次に、マグネトロンスパッタリング方式により、以下の組成および膜厚を有する透過率調整層、反射層、第２誘電体層、第１誘電体層、相変化記録層、第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層を中間層上に順次積層した。これにより、第２情報信号層が中間層上に形成された。
第３誘電体層：ＳｉＮ、３０ｎｍ
第２誘電体層：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、１０ｎｍ
第１誘電体層：ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2、２ｎｍ
相変化記録層：Ｂｉ8Ｇｅ40Ｔｅ52、６ｎｍ
第１誘電体層：ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2、２ｎｍ（但し、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2の組成比は、ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝１５ｍｏｌ％：５０ｍｏｌ％：３５ｍｏｌ％である。）
第２誘電体層：ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2、８ｎｍ（但し、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2の組成比は、ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝１５ｍｏｌ％：７０ｍｏｌ％：１５ｍｏｌ％である。）
反射層：Ａｇ合金、１０ｎｍ
透過率調整層：ＴｉＯ2、２０ｎｍ
【００６０】
次に、第２の枚葉式スパッタリング装置からスピンコート装置に基板を搬送し、この第２情報信号層上にスピンコート法により紫外線硬化樹脂を塗布し、この紫外線硬化樹脂に対して紫外線を照射して、厚さ７５μｍのカバー層を形成した。
以上により、目的とする光記録媒体が得られた。
【００６１】
（実施例２）
内周マスクの内径（直径）を１６ｍｍとする以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
【００６２】
（実施例３）
中間層形成装置から第２の枚葉式スパッタリング装置の搬送区間の露点を−５℃に調整する以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を得た。
【００６３】
（実施例４）
中間層形成装置から第２の枚葉式スパッタリング装置の搬送区間の露点を−１５℃に調整する以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
【００６４】
（比較例１）
基板裏面に対するバリア層の形成を省略する以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
【００６５】
（比較例２）
内周マスクの内径（直径）を４０ｍｍとする以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
【００６６】
（真空度）
上述したように、実施例および比較例では、枚葉式スパッタリング装置（エリコン製、ＤＶＤスプリンター）を用いて各層の成膜を行った。相変化記録層は１３個ある成膜室のうち７番目の成膜室で成膜される。しかしながら、ＤＶＤスプリンターでは、連続稼働中、実際に成膜を行う成膜装置には、プロセス用のアルゴンガスなどを導入するので、相変化記録層用である７番目の真空室にてベースとなる真空度を正しく測定することができない。そこで、６番目の成膜室を成膜用には使用せずに、この真空室の真空度を以下のようにして測定した。すなわち、透過率調整層、反射層、第２誘電体層、第１誘電体層を中間層上に順次積層するまでの工程を各実施例および各比較例と同様に行った。次に、７番目の真空室に基板を搬入した後、プロセスガスなどの投入、およびスパッタリングを行わず、単に真空引きのみ行い、その真空室における真空度を測定した。その結果を表１および図９に示す。
【００６７】
（１０００回書き換え後のジッタ）
上述のようにして得られた実施例１〜４、および比較例１、２の光記録媒体の１０００回書き換え後のジッタを以下のようにして評価した。
評価機としては、NA=0.85の対物レンズ、レーザー光波長405nmの光学系を有したBlu-ray disc評価用ODU-1000(パルステック製)を用いた。この評価機に上記光記録媒体をセットし、基本速度である4.917m/sの２倍の9.834m/sの線速となるよう回転させた。そして、最適なN-1ライトストラテジーを用い、記録パワーPpを変化させて、Blu-ray Disc Rewritable Format part1Basic Format Specifications  Ver2.1に準拠した方法を用い、limit Eqを用いたタイミングジッタ（以下単に Jitterと記す。）を測定した。この結果を図１３に示す。この際に最小のJitterが得られる記録パワーをPoとする。このPoなる記録パワーに同一箇所に1000回の書き換えを行ない、その際に1,2,5,10,20,50,100,200,500,1000回書き換え後のJitterを測定した。
1,2,5,10,20,50,100,200,500,1000回書き換え後のJitterを図１２に、1000回書き換え後のjitterをまとめて表１および図１０に示す。
さらに、図９と図１０からベースの真空度とJitterの関係が分かり、これを図１１に示す。
【００６８】
表１は、実施例１〜４、および比較例１、２のバリア層の構成、ならびに真空度およびジッタの評価結果を示す。
【表１】
2010267359.tif 000003
【００６９】
表１から以下のことがわかる。
・実施例１、２、比較例１の評価結果から、基板裏面にバリア層を形成することにより、相変化記録層を形成する際のベース真空度が向上することがわかる。
・実施例１、２、比較例２の評価結果から、基板裏面の露出面積が低下するに従って、相変化記録層を形成する際のベース真空度が向上することがわかる。具体的には、露出面積を６８８ｍｍ2以下、好ましくは３９８．２ｍｍ2以下にすることで、相変化記録層を形成する際のベース真空度を向上できることがわかる。
・実施例１〜４の評価結果から、中間層の形成工程から第２情報信号層の形成工程までの搬送区間の露点を、好ましくは−５℃以下、より好ましくは−１５℃以下に調整することで、ベース真空度をさらに向上できることがわかる。
・実施例１〜４、比較例１、２の評価結果から、ベース真空度が向上するに従って、書き換え１０００回後のジッタが向上することがわかる。すなわち、繰り返し記録耐久性を向上できることがわかる。
【００７０】
以上、この発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００７１】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【００７２】
また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００７３】
また、上述の実施形態および実施例では、単層または２層の情報信号層を有する光記録媒体に対してこの発明を適用した例について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、３層以上の情報信号層を有する光記録媒体に対しても適用可能である。情報信号層を３層以上とする場合、各情報信号層の間には中間層が形成される。また、基板に近い側から第１情報信号層（Ｌ０層）、第２情報信号層（Ｌ１層）、第３情報信号層（Ｌ２）、・・・、第ｎ情報信号層（Ｌｎ−１層）とした場合、基板の成形後、第２情報信号層の形成前に、基板裏面のバリア層を形成することが好ましい。
【００７４】
また、上述の実施形態および実施例では、カバー層側からレーザー光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してこの発明を適用した例について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に情報信号層を有し、基板側からレーザー光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してもこの発明は適用可能である。また、２枚の基板を貼り合わせてなり、一方の基板の側からレーザー光を基板間の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してもこの発明は適用可能である。
【００７５】
また、上述の実施形態および実施例では、第１誘電体層および第２誘電体層からなる２層の誘電体層を、記録層と反射層との間に形成する例について説明したが、３層以上の誘電体層を記録層と反射層との間に形成するようにしてもよい。このような構成にする場合、記録層と反射層との間に形成された３層以上の誘電体層の熱伝導率が、記録層から反射層に向かって順次高くなるようにすることが好ましい。
【００７６】
また、上述の実施形態において、信頼性などの特性を考慮して、記録層と反射層との間に誘電体層、界面層またはそれら以外の層をさらに形成するようにしてもよい。
【００７７】
また、上述の実施形態および実施例では、第２情報信号層において、反射層側となる第２誘電体層の熱伝導率を、記録層側となる第１誘電体層の熱伝導率に比べて高くする構成について説明したが、この発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、第１情報信号層において、反射層側となる第２誘電体層の熱伝導率を、記録層側となる第１誘電体層の熱伝導率に比べて高くする構成を採用してもよい。
【００７８】
また、上述の実施形態および実施例では、書き換え型の光記録媒体に対してこの発明を適用したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、再生専用型および追記型などの光記録媒体に対しても適用可能である。
【００７９】
上述の実施形態および実施例では、第１情報信号層の形成工程後、中間層の形成工程前に、バリア層を形成する工程を備える場合を例として説明したが、バリア層の形成工程の位置はこの例に限定されるものではない。すなわち、バリア層は、基板の成形工程後、第２情報信号層の形成工程前に、バリア層の形成工程を備えていれば同様の効果を得ることができる。例えば、基板の成形工程後、第１情報信号層の形成工程前、または中間層の形成工程後、第２情報信号層の形成工程前に、バリア層の形成工程を備えるようにしてもよい。
【００８０】
第１情報信号層および第２情報信号層の形成工程における真空度を良好に保つ観点からすると、基板の形成工程後、第１情報信号層の形成工程前に、バリア層の形成工程を備えることが好ましい。第２情報信号層の形成工程における真空度を良好に保つ観点からすると、第１情報信号層の形成後、中間層の形成工程前、または中間層の形成工程後、第２情報信号層の形成工程前に、バリア層の形成工程を備えることが好ましい。
【００８１】
また、中間層の形成工程後、第２情報信号層の形成工程前に、バリア層の形成工程を備える場合には、例えば以下のように搬送区間の露点を調整することが好ましい。すなわち、中間層の形成工程からバリア層の形成工程までの搬送区間、および／またはバリア層の形成工程から第２情報信号層の形成工程前までの搬送区間の露点を、好ましくは−５℃以下、より好ましくは−１５℃以下に調整することが好ましい。
【００８２】
また、上述の実施形態および実施例では、記録層として相変化記録層を用いる場合を例として説明したが、記録層はこれに限定されるものではなく、レーザー光の照射により情報信号を繰り返し記録可能な記録層であれば用いることが可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１  基板
１ａ  センターホール
２  第１情報信号層（Ｌ０層）
３  中間層
４  第２情報信号層（Ｌ１層）
５  カバー層
６  バリア層
７  情報信号層
１１、２２  反射層
１３、１５、２４、２６  第１誘電体層
１２、１６、２３、２７  第２誘電体層
１４、２５  記録層
３１  外周マスク
３２  内周マスク
Ｒ1  内周側の基板露出エリア
Ｒ2  バリア層の成膜エリア
Ｒ3  外周側の基板露出エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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