(57)【要約】【課題】個々の半導体装置について、試験工程での書き換え回数を信頼性高く管理できるようにした半導体装置の検査方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】データの書き換えが可能なメモリ回路２３を備えるＩＣチップの検査方法であって、メモリ回路２３に、ユーザによって使用される主記憶領域３１と、試験用記憶領域３３とを用意しておき、主記憶領域３１に対してデータの書き換え試験を行う工程と、書き換え試験を行う工程で主記憶領域３１に対して実際に行われたデータの書き換え回数を試験用記憶領域３３に記録する工程と、を含む。このような方法によれば、個々のＩＣチップについて、その出荷前の試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数を正確に管理することができる。【選択図】図３
2010067665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの書き換えが可能な不揮発性メモリを備える半導体装置の検査方法であって、
前記不揮発性メモリに、ユーザによって使用される主記憶領域と、副記憶領域とを用意しておき、
前記主記憶領域に対してデータの書き換え試験を行う工程と、
前記書き換え試験を行う工程で前記主記憶領域に対して実際に行われたデータの書き換え回数を前記副記憶領域に記録する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記副記憶領域に記録された前記データの書き換え回数に基づいて当該半導体装置の良否を判定する工程、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記データの書き換え試験を行う工程は、
前記主記憶領域に対して第１のデータを書き込む第１の試験工程と、
前記主記憶領域に対して第２のデータを書き込む第２の試験工程と、を有し、
前記データの書き換え回数を記録する工程は、
前記第１の試験工程で前記主記憶領域に対して実際に行われた前記データの書き換え回数を前記副記憶領域の第１領域に記録する第１の記録工程と、
前記第２の試験工程で前記主記憶領域に対して実際に行われた前記データの書き換え回数を前記副記憶領域の第２領域に記録する第２の記録工程と、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
データの書き換えが可能な不揮発性メモリを備える半導体装置であって、
前記不揮発性メモリは、
ユーザによって使用される主記憶領域と、
前記主記憶領域に対してデータの書き換え試験を行う工程で当該主記憶領域に対して実際に行われたデータの書き換え回数を記録する副記憶領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法及び半導体装置に関し、特に、個々の半導体装置について、試験工程での書き換え回数を信頼性高く管理することを可能とした技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリの一種として、ＥＥＰＲＯＭ（ｅｒａｓａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ  ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）が知られている。ＥＥＰＲＯＭはデータの書き換え（即ち、再書き込み）が可能なＲＯＭであり、通常は、書き換え保証回数が１０万回若しくはそれ以上の回数となっている。
一方で、不揮発性メモリを搭載する製品の中には、書き換えを頻繁に行う必要のない（例えば、数回程度の書き換えしか行わない）製品もある。このような製品には、書き換え保証回数が数回〜数十回程度であり、比較的安価に製造することができる不揮発性メモリを用いることが可能である。このような不揮発性メモリの一つとしてＭＴＰ（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｔｉｍｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｍｅｍｏｒｙ）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。ＭＴＰはユーザによる書き換え回数が数回〜１０回程度で足りることを前提として作られており、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）を駆動、制御するためのドライバ回路の特性調整等に使用されることがある。
【特許文献１】特開２００７−１０３６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＭＴＰのような、書き換え保証回数が数回〜数十回数程度の不揮発性メモリにおいても、他の１０万回程度の書き換えが可能な不揮発性メモリと同様、出荷前の検査処理で書き換え機能について試験（即ち、データの書き換え試験）が行われる。
ここで、ＭＴＰのような、書き換え保証回数が数回〜数十回数程度の不揮発性メモリにおいては、「書き換え保証回数」に対する「試験工程での書き換え回数」の割合が大きい。例えば、書き換え保証回数が１０回のＭＴＰについて、試験工程での書き換え回数が５回であれば、保証される残りの回数は５回となる。つまり、書き換え保証回数の半分が試験工程で費やされたことになる。このため、ユーザ側での書き換え可能な回数（即ち、出荷後の書き換え可能な回数）を信頼性高く保証するためには、試験工程で実際に行った書き換え回数を管理する必要がある。ここで、通常は、それぞれの試験工程で決まった回数の書き換えがなされるので、その決まった回数を実際に行った書き換え回数と見なしてよい。
【０００４】
しかしながら、試験工程で何らかのトラブル等が発生した場合には、ウエーハに形成されている個々のＩＣチップについて、書き換え回数を正確に把握できなくなる可能性があった。例えば、１枚のウエーハについて書き換え試験を行っている途中で、検査装置が異常停止したときには、既に書き換え試験が行われたＩＣチップと、未だ書き換え試験が行われていないＩＣチップとの区別がつかなくなり、個々のＩＣチップについて、その書き換え回数を正確に把握することができなくなる可能性があった。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、個々の半導体装置について、試験工程での書き換え回数を信頼性高く管理できるようにした半導体装置の検査方法及び半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の半導体装置の検査方法は、データの書き換えが可能な不揮発性メモリを備える半導体装置の検査方法であって、前記不揮発性メモリに、ユーザによって使用される主記憶領域と、副記憶領域とを用意しておき、前記主記憶領域に対してデータの書き換え試験を行う工程と、前記書き換え試験を行う工程で前記主記憶領域に対して実際に行われたデータの書き換え回数を前記副記憶領域に記録する工程と、を含むことを特徴とするものである。ここで、「不揮発性メモリ」とは、電源の供給を停止した後も記憶内容を保持し続けるタイプの記憶装置のことである。
【０００６】
このような方法によれば、個々の半導体装置について、その出荷前の試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数を正確に管理することができる。この管理は、ダイシング前も、ダイシング後も可能である。従って、個々の半導体装置について、ユーザによる「書き換え可能な回数」を信頼性高く保証することができる。
例えば、試験工程での再測定によりデータの書き換え回数が増えた場合や、データの書き換え回数が異なる半導体装置が１枚のウエーハの中に混在している場合でも、試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数は半導体装置の一部である副記憶領域に記録されており、試験工程でのデータの書き換え回数と半導体装置とが常に紐付けされている。従って、データの書き換え回数をダイシング前は勿論のこと、ダイシング後も正確に把握することができる。
【０００７】
〔発明２〕  発明２の半導体装置の検査方法は、発明１の半導体装置の検査方法において、前記副記憶領域に記録された前記データの書き換え回数に基づいて当該半導体装置の良否を判定する工程、をさらに備えることを特徴とするものである。
このような方法によれば、データの書き換え試験で、規定回数以上の書き換えが行われた半導体装置を不良品として処理することができる。
【０００８】
〔発明３〕  発明３の半導体装置の検査方法は、発明１又は発明２の半導体装置の検査方法において、前記データの書き換え試験を行う工程は、前記主記憶領域に対して第１のデータを書き込む第１の試験工程と、前記主記憶領域に対して第２のデータを書き込む第２の試験工程と、を有し、前記データの書き換え回数を記録する工程は、前記第１の試験工程で前記主記憶領域に対して実際に行われた前記データの書き換え回数を前記副記憶領域の第１領域に記録する第１の記録工程と、前記第２の試験工程で前記主記憶領域に対して実際に行われた前記データの書き換え回数を前記副記憶領域の第２領域に記録する第２の記録工程と、を有することを特徴とするものである。ここで、「第１のデータ」と「第２のデータ」は同一のデータであっても良いし、異なるデータであっても良い。例えば、「第１のデータ」と「第２のデータ」は、２進法で０と１の配列が完全に一致するデータであっても良いし、一致しないデータであっても良い。
【０００９】
このような方法によれば、個々の半導体装置について、その試験工程１での書き換え回数と、その試験工程２での書き換え回数とが副記憶領域に別々に記録される。つまり、試験工程別に書き換え回数が記録され、書き換え回数の内訳が記録される。従って、データの書き換え回数をより詳細に管理することができ、ユーザによる「書き換え可能な回数」をより信頼性高く保証することができる。
また、上記の方法によれば、例えば、第１の試験工程で規定回数以上の書き換えが行われた場合は、その半導体装置を第２の試験工程で試験することなく不良品として処理することができる。これにより、検査処理の効率を高めることができるので、検査コストの低減に寄与することができる。
【００１０】
〔発明４〕  発明４の半導体装置は、データの書き換えが可能な不揮発性メモリを備える半導体装置であって、前記不揮発性メモリは、ユーザによって使用される主記憶領域と、前記主記憶領域に対してデータの書き換え試験を行う工程で当該主記憶領域に対して実際に行われたデータの書き換え回数を記録する副記憶領域と、を有することを特徴とするものである。
このような構成であれば、個々の半導体装置について、その出荷前の試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数を正確に管理することができる。この管理は、ダイシング前も、ダイシング後も可能である。従って、個々の半導体装置について、ユーザによる「書き換え可能な回数」を信頼性高く保証することができる。
【００１１】
例えば、試験工程での再測定によりデータの書き換え回数が増えた場合や、データの書き換え回数が異なる半導体装置が１枚のウエーハの中に混在している場合でも、試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数は半導体装置の一部である副記憶領域に記録されており、試験工程でのデータの書き換え回数と半導体装置とが常に紐付けされている。従って、データの書き換え回数をダイシング前は勿論のこと、ダイシング後も正確に把握することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
図１は、本発明の実施形態に係る被検査物の構成例を示す図であり、図１（ａ）は複数個のＩＣチップ１１が形成されたウエーハ１の一例を示し、図１（ｂ）はＩＣチップ１１の構成例を示し、図１（ｃ）はＩＣチップ１１が有するメモリ回路２３の構成例を示す。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、本発明の実施形態に係るＩＣチップ１１は、例えばウエーハ１の表面に複数個形成されたものである。これらのＩＣチップ１１は、例えばプローブ検査が行われた後で、個々のチップに分割される（即ち、ダイシングされる）。また、図１（ｂ）に示すように、これらＩＣチップ１１の一つ一つは、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）を駆動、制御するためのドライバ回路２１と、このドライバ回路２１の特性調整等に使用されるメモリ回路２３と、その他の回路２５とを含んで構成されている。
【００１４】
さらに、図１（ｃ）に示すように、メモリ回路２３は、ユーザによって使用される（例えば、ユーザによって、特性調整等のためのプログラムが書き込まれる）主記憶領域３１と、この主記憶領域３１に対して行われる試験の履歴を記録するための試験用記憶領域３３と、を含んで構成されている。ここで、メモリ回路２３は、書き換え可能な回数が数回〜数十回程度であり、書き換え回数が例えば１０万回を超えるようなメモリと比べて、比較的安価に製造することのできる不揮発性メモリからなる。例えば、主記憶領域３１及び試験用記憶領域３３は、書き換え可能な回数が数回〜数十回程度のＭＴＰからなる。
なお、図１（ｂ）には示さないが、ドライバ回路２１とメモリ回路２３との間、メモリ回路２３とその他の回路２５との間、その他の回路２５とドライバ回路２１との間にはそれぞれ配線が設けられており、このような配線を介して各回路２１、２３、２５は互いに信号を授受できるようになっている。次に、上述のＩＣチップ１１の検査方法について説明する。
【００１５】
図２は、本発明の実施形態に係るＩＣチップ１１の検査方法を示すフローチャートである。ここでは、ウエーハ１に形成された複数個のＩＣチップ１１の一つ一つに対して、試験工程１、リペア／ベーク工程、試験工程２を含む検査処理を行い、その良否（即ち、製品として合格品か不合格品か）を判定する場合について説明する。
まず始めに、図２のステップ（Ｓ）１では、試験用記憶領域３３の初期化（即ち、データのクリア）を行う。この初期化は、例えばウエーハ１に作り込まれた個々のＩＣチップ１１ごとに、その初回測定時に行う。次に、図２のステップ（Ｓ）２では、主記憶領域３１に対して書き換え試験を行う。ここでは、主記憶領域３１に試験用のデータ（第１のデータ）を実際に書き込む。
【００１６】
次に、図２のステップ（Ｓ）３では、主記憶領域３１に対して実際に行われたデータの書き換え回数を試験用記憶領域３３に記録する。ここでは、試験用記憶領域３３内のデータを読出し、読み出したデータをインクリメント（即ち、１を加算する処理）して試験用記憶領域３３に書き込む。例えば、任意のＩＣチップ１１について、ステップ（Ｓ）２の実施回数が１回の場合は、試験用記憶領域３３から書き換え回数「０」を読み出し、読み出したデータ「０」に１を加算して、書き換え回数「１」を試験用記憶領域３３に書き込む。
【００１７】
図３は、試験用記憶領域３３の構成例を示す図（その１）である。図３に示すように、試験用記憶領域３３には、例えば、試験工程１における書き換え回数を記録するための第１領域４１と、試験工程２における書き換え回数を記録するための第２領域４２とが用意されている。図２のステップ（Ｓ）３では、試験用記憶領域３３が有する第１領域４１に、書き換え回数を書き込む。
【００１８】
なお、第１領域４１及び第２領域４２には、試験工程１、２でそれぞれ想定される書き換え回数を十分に記録できるだけの容量を持たせておく。例えば、試験工程１で不良品と判定されることになる書き換え回数（即ち、後述の規定回数）が４の場合、第１領域４１には１０進数で０〜４を意味する情報を記録できるように、３ビット若しくはそれ以上の容量を持たせておく。例えば、第１領域４１に３ビットの容量を持たせた場合は、書き換え回数「１」は２進法で００１と書き込まれる。第２領域４２についても同様であり、例えば、試験工程２の規定回数が３の場合、第２領域４２には１０進数で０〜３を意味する情報を記録できるように、２ビット若しくはそれ以上の容量を持たせておく。例えば、第２領域４２に２ビットの容量を持たせた場合は、書き換え回数「１」は２進法で０１と書き込まれる。また、第２領域４２に３ビットの容量を持たせた場合は、書き換え回数「１」は２進法で００１と書き込まれる。
【００１９】
次に、図２のステップ（Ｓ）４では、試験用記憶領域３３のうちの第１領域４１に書き込まれた書き換え回数が規定回数以上か否かを判断する。この判断は、例えば、ウエーハ１に作り込まれた複数個のＩＣチップ１１を個々に検査する検査装置が行う。書き換え回数が規定回数未満の場合は、図２のステップ（Ｓ）５へ進む。また、書き換え回数が規定回数以上の場合は、図２のステップ（Ｓ）１２へ進む。ここでは、試験工程１における規定回数が例えば４に設定されており、第１領域４１に書き込まれた回数が１である場合を想定し、ステップ（Ｓ）５へ進むものとする。
なお、ステップ（Ｓ）１２に進んだ場合は、当該ＩＣチップ１１を不合格品と認定することになる。試験工程１の結果に基づいて不合格品と認定されたＩＣチップ１１については、ステップ（Ｓ）６のリペア／ベーク工程と、ステップ（Ｓ）７〜１０からなる試験工程２を省略することができるので、検査コストの低減に寄与することができる。
【００２０】
次に、図２のステップ（Ｓ）５では、主記憶領域３１に対して第１のデータの書き換えを再度行う必要があるか否かを判断する。この判断は、例えば、主記憶領域３１に第１のデータが正しく書き込まれたか否かを調査し、その結果に基づいて判断する。或いは、ＩＣチップ１１に対して他の試験（例えば、ドライバ回路２１の特性調整が適切か否かを調査する等）を実施し、その結果に基づいて再書き換えの要否を判断しても良い。さらに、試験工程１で何らかのトラブル等が発生しているか否かを調査し、その調査結果に基づいて再書き換えの要否を判断しても良い。このような判断は、例えば上記の検査装置が行う。ステップ（Ｓ）５で再書き換えが不要と判断した場合は、ステップ（Ｓ）１〜５からなる試験工程１を終了し、図２のステップ（Ｓ）６へ進む。
【００２１】
また、再書き換えが必要である判断した場合は、図２のステップ（Ｓ）２へ戻る。ステップ（Ｓ）２へ戻った場合は、主記憶領域３１に対して、データの書き換え試験を再度行う。そして、これに続くステップ（Ｓ）３では、例えば、書き換え回数「１」をインクリメントして、書き換え回数「２」（例えば、２進法で０１１）を試験用記憶領域３３の第１領域４１に書き込むことになる。
【００２２】
次に、図２のステップ（Ｓ）６では、ＩＣチップ１１に例えばリペア、又は／及び、ベーク処理を施す。ここで、リペアとは、例えばドライバ回路２１の特性をトリミングで調整する工程のことである。また、ベークとは、メモリ回路２３に書き込まれたデータが正しく保持され続けることを保証、確認するための加速試験のことであり、ウエーハ１を一定時間の間、一定温度まで加熱することにより行う。このようなリペア／ベーク工程は、例えば、ウエーハ１に作り込まれた複数個のＩＣチップ１１の全てについて試験工程１を行った後で行うことができる。また、図２のステップ（Ｓ）７〜１０からなる試験工程２は、リペア／ベーク工程を行った後で、個々のＩＣチップ１１に対して行うことができる。
【００２３】
次に、図２のステップ（Ｓ）７では、主記憶領域３１に対して書き換え試験を行う。ここでは、主記憶領域３１に試験用のデータ（第２のデータ）を実際に書き込む。なお、上述の「第１のデータ」と「第２のデータ」は同一のデータであっても良いし、異なるデータであっても良い。例えば、「第１のデータ」と「第２のデータ」は、２進法で０と１の配列が完全に一致するデータであっても良いし、一致しないデータであっても良い。
【００２４】
次に、図２のステップ（Ｓ）８では、主記憶領域３１に対して実際に行われたデータの書き換え回数を試験用記憶領域３３に記録する。ここでは、例えば図３に示したように、試験用記憶領域３３のうちの第２領域４２からデータを読出し、読み出したデータをインクリメントして第２領域４２に書き込む。例えば、任意のＩＣチップ１１について、ステップ（Ｓ）７の実施回数が１回の場合は、第２領域４２から書き換え回数「０」を読み出し、読み出したデータ「０」に１を加算して、書き換え回数「１」（例えば、２進法で００１）を第２領域４２に書き込む。
【００２５】
次に、図２のステップ（Ｓ）９では、第２領域４２に書き込まれた書き換え回数が規定回数以上か否かを判断する。この判断は、例えば上記の検査装置が行う。書き換え回数が規定回数未満の場合は、図２のステップ（Ｓ）１０へ進む。また、書き換え回数が規定回数以上の場合は、ステップ（Ｓ）１２へ進む。ここでは、試験工程２における規定回数が例えば３に設定されており、第２領域４２に書き込まれた回数が１である場合を想定し、ステップ（Ｓ）１０へ進むものとする。
【００２６】
次に、図２のステップ（Ｓ）１０では、主記憶領域３１に対して第２のデータの書き換えを再度行う必要があるか否かを判断する。この判断は、例えば、主記憶領域３１に第２のデータが正しく書き込まれたか否かを調査し、その結果に基づいて判断する。或いは、ＩＣチップ１１に対して他の試験（例えば、ドライバ回路２１の特性調整が適切か否かを調査する等）を実施し、その結果に基づいて再書き換えの要否を判断しても良い。さらに、試験工程２で何らかのトラブル等が発生しているか否かを調査し、その調査結果に基づいて再書き換えの要否を判断しても良い。このような判断は、例えば上記の検査装置が行う。ステップ（Ｓ）１０で再書き換えが不要と判断した場合は、ステップ（Ｓ）７〜１０からなる試験工程２を終了し、図２のステップ（Ｓ）１１へ進む。
【００２７】
ステップ（Ｓ）１１では、試験工程１、２の結果に基づいて、当該ＩＣチップ１１を合格品と認定する。合格品は、例えば、試験工程１での書き換え回数が３以下で、且つ、試験工程２での書き換え回数が２以下のＩＣチップ１１のみである。本実施の形態では、このような合格品のみが次の出荷工程へ進むことになる。
このように本発明の実施形態によれば、個々のＩＣチップ１１について、その出荷前の試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数を正確に管理することができる。この管理は、ウエーハ１をダイシングする前も、ウエーハ１をダイシングした後も可能である。従って、個々のＩＣチップ１１について、ユーザによる「書き換え可能な回数」を信頼性高く保証することができる。例えば、試験工程での再測定によりデータの書き換え回数が増えた場合や、データの書き換え回数が異なるＩＣチップ１１が１枚のウエーハ１の中に混在している場合でも、試験工程で実際に行われたデータの書き換え回数はＩＣチップ１１の一部である試験用記憶領域３３に記録されており、試験工程でのデータの書き換え回数とＩＣチップ１１とが常に紐付けされている。従って、データの書き換え回数をダイシング前は勿論のこと、ダイシング後も正確に把握することができる。
【００２８】
また、上記の実施形態によれば、個々のＩＣチップ１１について、試験工程１での書き換え回数が試験用記憶領域３３の第１領域４１に記録され、試験工程２での書き換え回数が試験用記憶領域３３の第２領域４２に記録されている。つまり、データの書き換え回数が試験工程別に記録されており、書き換え回数の内訳が記録されている。従って、データの書き換え回数をより詳細に管理することができ、ユーザによる「書き換え可能な回数」をより信頼性高く保証することができる。
また、上記の実施形態によれば、例えば、第１の試験工程で規定回数以上の書き換えが行われた場合は、そのＩＣチップ１１を第２の試験工程で試験することなく不良品として処理することができる。これにより、検査処理の効率を高めることができるので、検査コストの低減に寄与することができる。
【００２９】
この実施形態では、ＩＣチップ１１が本発明の「半導体装置」に対応し、メモリ回路２３が本発明の「不揮発性メモリ」に対応し、試験用記憶領域３３が本発明の「副記憶領域」に対応している。
なお、上記の実施形態では、例えば図２に示したように、リペア／ベーク処理を挟んで２つの試験工程１、２を行う場合について説明したが、本発明はこれに限られることはない。例えば、試験工程は１つでも良いし、３つ以上であっても良い。
【００３０】
また、上記の実施形態では、試験工程別にデータの書き換え回数を記録する場合について説明したが、本発明はこれに限られることはない。例えば、試験工程１での書き換え回数と、試験工程２での書き換え回数を累積し、その累積値を試験用記憶領域３３に記録しても良い。その場合は、ＩＣチップ１１の良否判定の基準となる規定回数を、例えば「試験工程１での規定回数は３回、試験工程２での規定回数は５回」というように、後の試験工程になるほど数を増やすように設定すると良い。このような方法でも、不良品を早い段階で選別することができるので、上記の実施形態と同様、検査処理の効率を高めることができる。
【００３１】
或いは、例えば図４に示すように、試験用記憶領域３３のうちの領域４１、４２、４３、４４…に試験工程１、２、３、４…における書き換え回数をそれぞれ記録すると共に、これら各試験工程１、２、３、４…における書き換え回数の累積値を試験用記憶領域のうちの領域５１に記録するようにしても良い。図４に示すように、試験用記憶領域３３のうちの領域４１、４２、４３、４４…、５１の各容量は３ビットに限定されず、２ビットでも４ビットでも良いが、領域５１に記録される値は、領域４１、４２、４３、４４…に記録される値よりも大きな値となるので、領域５１の容量は少なくとも領域４１、４２、４３、４４…の容量以上に設定しておくことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態に係る被検査物の構成例を示す図。
【図２】本発明の実施形態に係るＩＣチップ１１の検査方法を示すフローチャート。
【図３】試験用記憶領域３３の構成例を示す図（その１）。
【図４】試験用記憶領域３３の構成例を示す図（その２）。
【符号の説明】
【００３３】
１  ウエーハ、１１  ＩＣチップ、２１  ドライバ回路、２３  メモリ回路、２５  その他の回路、３１  主記憶領域、３３  試験用記憶領域、４１〜４４、５１  領域（試験用記憶領域のうちの一領域）
【図１】
2010067665.tif 000003
【図２】
2010067665.tif 000004
【図３】
2010067665.tif 000005
【図４】
2010067665.tif 000006