(57)【要約】【課題】外周領域に補強用凸部を形成したワークにおいて、カセットとワークとの衝突を回避することができるワーク収納機構およびワーク収納方法を提供すること。【解決手段】表面にデバイス６１が形成されるデバイス形成領域６２とデバイス形成領域６２の周囲の外周領域６３とを有し、裏面のデバイス形成領域６２に対応する領域を除去して凹部６５が形成されたワークの凹部底面６５ａを保持し、半導体ウェーハＷを搬出用カセット３に形成されたＶ溝２７に収納させる搬入搬出アーム１４と、半導体ウェーハＷの収納時に、搬出用カセット３に対して搬入搬出アーム１４を相対移動させ、凹部６５の深さ分を補正して半導体ウェーハＷをＶ溝２７に対して位置合わせする構成とした。【選択図】図５
2010171100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と前記デバイス形成領域の周囲の外周領域とを有し、裏面の前記デバイス形成領域に対応する領域を除去して、裏面の前記外周領域に対応する領域から補強用凸部が突出するように凹部が形成されたワークの凹部底面を保持し、前記ワークをカセットに形成されたカセット溝に収納させる収納部と、
前記ワークの収納時に、前記カセットに対して前記収納部を相対移動させ、前記凹部の深さ分を補正して前記ワークを前記カセット溝に対して位置合わせする位置合わせ部とを備えたことを特徴とするワーク収納機構。
【請求項２】
前記カセット溝は、対向する一対のＶ溝で構成され、
前記位置合わせ部は、前記ワークの厚さ方向を二分するワーク中心面が前記一対のＶ溝の底部を含む平面と同一平面内に位置するように位置合わせすることを特徴とする請求項１に記載のワーク収納機構。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のワーク収納機構と、前記ワークに前記凹部を形成する加工部とを備え、
前記ワーク収納機構は、前記加工部による加工後に前記ワークを前記カセットに収納することを特徴とする加工装置。
【請求項４】
前記位置合わせ部は、前記加工部に設定された加工条件に基づいて、前記凹部の深さ分を補正して位置合わせすることを特徴とする請求項３に記載の加工装置。
【請求項５】
表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と前記デバイス形成領域の周囲の外周領域とを有し、裏面の前記デバイス形成領域に対応する領域を除去して、裏面の前記外周領域に対応する領域から補強用凸部が突出するように凹部が形成されたワークの凹部底面を保持するステップと、
前記凹部の深さ分を補正して前記ワークをカセットに形成されたカセット溝に対して位置合わせするステップと、
前記カセット溝に対し前記ワークを収納するステップとを有することを特徴とするワーク収納方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送用のカセットに半導体ウェーハを収納するワーク収納機構およびワーク収納方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハをカセットに収納するワーク収納機構として、半導体ウェーハをカセット内に形成されたカセット溝に挿入するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このワーク収納機構は、真空吸着により半導体ウェーハを吸着保持する吸着パッドを有し、この吸着パッドにより半導体ウェーハの表面中央を吸着した状態でカセット溝に対して位置合わせを行い、位置合わせ後に半導体ウェーハをカセット溝に挿入している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４０９４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、半導体チップの製造工程において、電子機器の小型化や軽量化の他、熱放散性の向上を目的として、半導体ウェーハの薄化が望まれている。しかしながら、薄化された半導体ウェーハは、薄化前の半導体ウェーハと比較して剛性が低下し、反りの発生や搬送リスクが高いという問題があった。
【０００５】
そこで、この問題を解決するために、半導体ウェーハの裏面中央であって、デバイスが形成されるデバイス形成領域に対応する領域のみを研削して凹状とし、デバイス領域の外周領域に補強用突部を形成している。半導体ウェーハは、この補強用凸部により剛性が確保され、反りや搬送リスクが低減される。
【０００６】
しかしながら、上述したような従来のワーク収納機構を用いて、凹状に形成された半導体ウェーハをカセットに収納する場合には、薄化された凹部の底面が吸着パッドにより吸着されるため、凹部の深さに応じて半導体ウェーハとカセット溝との位置関係にズレが生じていた。したがって、従来のワーク収納機構を用いてカセットに半導体ウェーハを収納する際には、半導体ウェーハがカセット溝から外れてカセットの側壁に衝突する可能性があった。
【０００７】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、外周領域に補強用凸部を形成したワークにおいて、カセットとワークとの衝突を回避することができるワーク収納機構およびワーク収納方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のワーク収納機構は、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と前記デバイス形成領域の周囲の外周領域とを有し、裏面の前記デバイス形成領域に対応する領域を除去して、裏面の前記外周領域に対応する領域から補強用凸部が突出するように凹部が形成されたワークの凹部底面を保持し、前記ワークをカセットに形成されたカセット溝に収納させる収納部と、前記ワークの収納時に、前記カセットに対して前記収納部を相対移動させ、前記凹部の深さ分を補正して前記ワークを前記カセット溝に対して位置合わせする位置合わせ部とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明のワーク収納方法は、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と前記デバイス形成領域の周囲の外周領域とを有し、裏面の前記デバイス形成領域に対応する領域を除去して、裏面の前記外周領域に対応する領域から補強用凸部が突出するように凹部が形成されたワークの凹部底面を保持するステップと、前記凹部の深さ分を補正して前記ワークをカセットに形成されたカセット溝に対して位置合わせするステップと、前記カセット溝に対し前記ワークを収納するステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、ワークの凹部底面が保持された状態で、凹部の深さ分を補正してワークがカセット溝に対して位置合わせされるため、ワーク中心線とカセット溝との位置関係にズレが生じることがない。したがって、外周領域に補強用凸部を形成したワークをカセット溝に収納させる際に、ワークとカセットとの衝突を回避することができる。
【００１１】
また本発明は、上記ワーク収納機構において、前記カセット溝は、対向する一対のＶ溝で構成され、前記位置合わせ部は、前記ワークの厚さ方向を二分するワーク中心面が前記一対のＶ溝の底部を含む平面と同一平面内に位置するように位置合わせしている。
【００１２】
本発明の加工装置は、上記ワーク収納機構と、前記ワークに前記凹部を形成する加工部とを備え、前記ワーク収納機構は、前記加工部による加工後に前記ワークを前記カセットに収納するようにしている。
【００１３】
また本発明は、上記加工装置において、前記位置合わせ部は、前記加工部に設定された加工条件に基づいて、前記凹部の深さ分を補正して位置合わせしている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、外周領域に補強用凸部を形成したワークにおいて、カセットとワークとの衝突を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、加工前の半導体ウェーハの外観斜視図である。
【図２】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、加工後の半導体ウェーハの外観斜視図である。
【図３】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、研削装置の外観斜視図である。
【図４】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、搬出用カセットの正面模式図である。
【図５】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、搬入搬出アームの上面模式図である。
【図６】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、搬入搬出アームの搬入動作および搬出動作の一例を説明する図である。
【図７】本発明に係るワーク収納機構の実施の形態を示す図であり、搬入搬出アームによる位置合わせの一例を示す説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係るワーク収納機構は、加工ユニットにおいて半導体ウェーハの裏側の外周縁部が残存するように加工された半導体ウェーハをカセット内に収納させるものである。最初に、本発明の実施の形態に係るワーク収納機構について説明する前に、加工対象となる半導体ウェーハについて簡単に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る加工前の半導体ウェーハの外観斜視図であり、図２は、本発明の実施の形態に係る加工後の半導体ウェーハの外観斜視図である。なお、図１においては、半導体ウェーハの表面を上側に向けた状態を示し、図２においては、半導体ウェーハの裏面を上側に向けた状態を示している。
【００１７】
図１に示すように、加工前の半導体ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された図示しない分割予定ラインによって複数の領域に区画されている。分割予定ラインによって区画された各領域には、半導体ウェーハＷの中央においてＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６１が形成されている。また、半導体ウェーハＷの表面は、中央部分に位置するデバイス６１が形成されたデバイス形成領域６２と、デバイス形成領域６２の周囲に位置する外周領域６３とに分けられる。なお、デバイス形成領域６２とは、最終的に製品化されるチップが存在する領域であり、外周領域６３とは製品化されるチップが存在しない領域である。
【００１８】
このように構成された半導体ウェーハＷは、搬入用カセット２（図３参照）に収容された状態で研削装置１に搬入される。研削装置１に搬入された半導体ウェーハＷは、図２に示すように、裏面のデバイス形成領域６２に対応する領域が研削され、外周領域６３に対応する領域が環状に突出して補強用凸部６４が形成される。このように、半導体ウェーハＷの裏面には凹部６５が形成され、デバイス形成領域６２だけが薄化されている。凹部６５が形成された半導体ウェーハＷは、搬出用カセット３（図３参照）に収容された状態で搬出される。
【００１９】
なお、本実施の形態においては、ワークとしてシリコンウェーハやＧａＡｓ等の半導体ウェーハＷを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではなく、セラミック、ガラス、サファイヤ系の無機材料基板、板状金属や樹脂の延性材料、ミクロンオーダーからサブミクロンオーダの平坦度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。また、補強用凸部６４は、環状に形成されたものに限定されるものではなく、ワークの反りや強度を補強するものであればよく、例えば、円弧状に形成されたものでもよい。
【００２０】
次に、図３を参照して本発明の実施の形態に係る研削装置について説明する。図３は、本発明の実施の形態に係る研削装置の外観斜視図である。図４は、本発明の実施の形態に係る搬出用カセットの正面模式図である。なお、以下の説明では、ワーク収納機構を研削装置に適用した例について説明するが、研削装置にだけでなく、外周領域のみを残存させて薄化された半導体ウェーハをカセット内に収納させる機構を含む加工装置に適用することも可能である。
【００２１】
図３に示すように、研削装置１は、加工前の半導体ウェーハＷを搬入する他、加工後の半導体ウェーハＷを搬出する搬入搬出ユニット４と、搬入搬出ユニット４から搬入された半導体ウェーハＷの裏面のデバイス形成領域６２に対応する領域を研削して薄化するウェーハ加工ユニット５とから構成されている。搬入搬出ユニット４は、直方体状の基台１１を有し、基台１１には搬入用カセット２、搬出用カセット３がそれぞれ載置されるカセット載置部１２、１３が前面１１ａから前方に突出するように設けられている。
【００２２】
カセット載置部１２は、搬入口として機能し、加工前の半導体ウェーハＷが収容された搬入用カセット２が載置される。カセット載置部１３は、搬出口として機能し、加工後の半導体ウェーハＷが収容される搬出用カセット３が載置される。基台１１の上面には、カセット載置部１２、１３に面して搬入搬出アーム１４が設けられ、搬入搬出アーム１４に隣接してウェーハ加工ユニット５側の一の角部に仮置き部１５、他の角部にスピンナー洗浄部１６がそれぞれ設けられている。また、基台１１の上面において、仮置き部１５とスピンナー洗浄部１６との間には、ウェーハ供給部１７、ウェーハ回収部１８が設けられている。
【００２３】
搬入搬出アーム１４は、カセット載置部１２に載置された搬入用カセット２から仮置き部１５に加工前の半導体ウェーハＷを搬入する他、スピンナー洗浄部１６からカセット載置部１３に載置された搬出用カセット３に加工後の半導体ウェーハＷを収納する。なお、搬入搬出アーム１４の詳細については後述する。仮置き部１５は、仮置きテーブル２１と、撮像部２２を有しており、仮置きテーブル２１に載置された半導体ウェーハＷの外周部分を撮像して、画像処理により半導体ウェーハＷの中心位置と仮置きテーブル２１の中心位置（後述するチャックテーブル３２の中心位置）との位置ズレ量を算出する。
【００２４】
ウェーハ供給部１７は、仮置きテーブル２１に載置された加工前の半導体ウェーハＷの位置ズレ量を補正しつつ、ウェーハ加工ユニット５のチャックテーブル３２に載置する。ウェーハ回収部１８は、チャックテーブル３２に載置された加工後の半導体ウェーハＷをスピンナー洗浄部１６のスピンナー洗浄テーブル２３に載置する。スピンナー洗浄部１６は、基台１１内においてスピンナー洗浄テーブル２３に載置された半導体ウェーハＷを回転させ、洗浄水を噴射して洗浄する。
【００２５】
図４に示すように、搬出用カセット３は、半導体ウェーハＷを収容するボックス状に形成され、側壁２５の対向面に対をなすＶ溝２７が高さ方向に離間して複数形成されている。半導体ウェーハＷは、周縁部が一対のＶ溝２７に挿入されることで、デバイス形成領域６２が傷つけられることなく搬出用カセット３内に水平状態で収納される。なお、搬入用カセット２も搬出用カセット３と同様な構成を有している。
【００２６】
図３に戻り、ウェーハ加工ユニット５は、荒研削ユニット３６および仕上げ研削ユニット３７と加工前の半導体ウェーハＷを保持したチャックテーブル３２とを相対回転させて半導体ウェーハＷを研削するように構成されている。また、ウェーハ加工ユニット５は、直方体状の基台３１を有し、基台３１の前面には搬入搬出ユニット４が接続されている。基台３１の上面には、３つのチャックテーブル３２が配置されたターンテーブル３３が設けられ、ターンテーブル３３の後方には支柱部３４が立設されている。
【００２７】
ターンテーブル３３は、大径の円盤状に形成されており、上面には周方向に１２０度間隔で３つのチャックテーブル３２が配置されている。そして、ターンテーブル３３は、図示しない回転駆動機構に接続され、回転駆動機構によりＤ１方向に１２０度間隔で間欠回転される。これにより、３つのチャックテーブル３２は、ウェーハ供給部１７およびウェーハ回収部１８との間で半導体ウェーハＷを受け渡す載せ換え位置、荒研削ユニット３６に半導体ウェーハＷを対向させる荒研削位置、仕上げ研削ユニット３７に半導体ウェーハＷを対向させる仕上げ研削位置の間を移動される。
【００２８】
基台３１の上面において、ターンテーブル３３の荒研削位置および仕上げ研削位置の近傍には接触式センサ３８が設けられている。この接触式センサ３８は、２つの接触子３８ａ、３８ｂを有し、一方の接触子３８ａが半導体ウェーハＷの裏面のデバイス形成領域６２に対応する領域に接触され、他方の接触子３８ｂがチャックテーブル３２の上面に接触されている。そして、２つの接触子３８ａ、３８ｂの高さの差分から研削深さが制御される。
【００２９】
支柱部３４は、一対の斜面を有する上面視ベース状に形成され、この一対の斜面にはチャックテーブル３２の上方において荒研削ユニット３６および仕上げ研削ユニット３７を移動させる研削ユニット移動機構４１、４５が設けられている。研削ユニット移動機構４１は、支柱部３４に対してボールねじ式の移動機構によりＲ１方向に移動するＲ軸テーブル４２と、Ｒ軸テーブル４２に対してボールねじ式の移動機構により上下方向に移動するＺ軸テーブル４３とを有している。Ｚ軸テーブル４３には、前面に取り付けられた支持部４４を介して荒研削ユニット３６が支持されている。また、研削ユニット移動機構４５も、研削ユニット移動機構４１と同様の構成を有し、仕上げ研削ユニット３７が支持されている。
【００３０】
荒研削ユニット３６は、図示しないスピンドルの下端に着脱自在に装着された研削砥石４９を有している。研削砥石４９は、ダイヤモンドの砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。また、研削砥石４９は、薄型円筒状に形成されており、リング状の研削面を有している。なお、仕上げ研削ユニット３７は、荒研削ユニット３６と同様の構成を有しているが、研削砥石５０として粒度が細かいものを使用している。
【００３１】
そして、荒研削ユニット３６は、研削ユニット移動機構４１により研削砥石４９の半導体ウェーハＷに対する半径方向に位置調整され、接触式センサ３８により研削深さを監視しつつ上下方向に研削送りされる。さらに、荒研削ユニット３６において荒研削が行われた後、仕上げ研削ユニット３７において同様な動作により仕上げ研削が行われる。その結果、図２に示すように、半導体ウェーハＷの裏面にはデバイス形成領域６２に対応する領域だけが薄化されて凹部６５が形成される。
【００３２】
次に、図５を参照して、搬入搬出アームについて詳細構成に説明する。図５は、本発明の実施の形態に係る搬入搬出アームの上面模式図である。
【００３３】
図５に示すように、搬入搬出アーム１４は、上下方向に移動可能な支持台５１と、支持台５１上に設けられた多節リンク機構５２と、多節リンク機構５２の先端に設けられ、半導体ウェーハＷを吸着保持する吸着保持部５３とを有している。また、支持台５１の内部には、搬入搬出アーム１４を統括制御する制御部５４が設けられている。
【００３４】
支持台５１は、図示しないＺ軸モータにより上下動し、吸着保持部５３の高さ方向の位置合わせを行う。多節リンク機構５２は、３節リンク機構で構成され、吸着保持部５３を水平移動可能としている。また、多節リンク機構５２は、駆動領域が広くとられており、搬入用カセット２、仮置きテーブル２１、スピンナー洗浄テーブル２３、搬出用カセット３の設置位置を含む範囲で吸着保持部５３を移動可能としている。
【００３５】
吸着保持部５３は、半導体ウェーハＷを真空吸着する吸着パッド５６と、吸着パッド５６を支持するパッド支持部５７とから構成されている。吸着パッド５６は、半導体ウェーハＷの補強用凸部６４の内周縁部よりも小径な円盤状に形成され、加工後の半導体ウェーハＷの凹部６５の底面６５ａを吸着可能に構成されている。また、吸着パッド５６には、半導体ウェーハＷに接触する側の表面に吸着面５８が形成され、この吸着面５８は支持台５１の内部に配置された図示しない吸引源に接続されている。
【００３６】
パッド支持部５７は、多節リンク機構５２の先端に回動可能に支持され、吸着パッド５６に半導体ウェーハＷを吸着保持させた状態で表裏反転する。この構成により、例えば、搬入用カセット２内において半導体ウェーハＷが表面を上側に向けて収納されていた場合であっても、半導体ウェーハＷの裏面を上側に向けて仮置きテーブル２１に載置することが可能となる。
【００３７】
制御部５４は、支持台５１、多節リンク機構５２、吸着保持部５３を駆動し、加工前の半導体ウェーハＷの搬入動作および加工後の半導体ウェーハＷの搬出動作を制御する。このとき、加工前の半導体ウェーハＷの裏面は平坦であるのに対し、加工後の半導体ウェーハＷの裏面には凹部６５が形成されているため、搬出動作においては半導体ウェーハＷの凹部６５の深さ分だけ支持台５１の上下方向の移動量が補正される。この場合、制御部５４は、ウェーハ加工ユニット５に設定された加工条件から加工後の半導体ウェーハＷのデバイス形成領域６２の研削量を取得し、この研削量に応じて搬出動作時の搬入搬出アーム１４の上下方向の移動量を補正する。
【００３８】
この構成により、生産ラインに加工条件の異なる半導体ウェーハＷが混在する場合であっても、ウェーハ加工ユニット５に設定された加工後の半導体ウェーハＷのデバイス形成領域６２の研削量に応じて搬出用カセット３と半導体ウェーハＷとの位置合わせが自動で補正されるため、加工条件が変わる度に仕上げ厚みを入力（研削量）する必要がなく、入力ミスも発生しない。
【００３９】
ここで、図６を参照して、搬入搬出アームの搬入動作および搬出動作について説明する。図６は、搬入搬出アームの搬入動作および搬出動作の一例を説明する図である。なお、図６においては、半導体ウェーハは搬入用カセットおよび搬出用カセット内に裏面を上側に向けて収納されているものとする。
【００４０】
先ず、搬入動作について説明する。図６（ａ）に示すように、搬入搬出アーム１４が搬入用カセット２内に侵入し、搬入用カセット２内に収納された加工前の半導体ウェーハＷの裏面を吸着保持する。次に、搬入搬出アーム１４が加工前の半導体ウェーハＷの裏面を吸着保持した状態で搬入用カセット２から引き出し、仮置きテーブル２１の上方に位置させる。次に、搬入搬出アームが下動し、加工前の半導体ウェーハＷを仮置きテーブル２１に載置して吸着を解除する。このようにして、搬入用カセット２から加工前の半導体ウェーハＷが研削装置１に搬入される。
【００４１】
続いて、搬出動作について説明する。研削装置１による加工後の半導体ウェーハＷの裏面は、デバイス形成領域６２に対応する領域だけが薄化されて凹部６５が形成されている。図６（ｂ）に示すように、搬入搬出アーム１４がスピンナー洗浄テーブル２３の上方において下動し、加工後の半導体ウェーハＷの凹部６５の底面６５ａを吸着保持する。このとき、加工前の半導体ウェーハＷの裏面を基準面と仮定した場合に、この基準面から凹部６５の深さＬだけ余計に下動し、吸着パッド５６を加工後の半導体ウェーハＷの凹部６５の底面６５ａに接触させている。
【００４２】
次に、搬入搬出アーム１４が加工後の半導体ウェーハＷの凹部６５を吸着保持した状態で上動し、搬出用カセット３のＶ溝２７との高さ方向の位置合わせを行う。このとき、半導体ウェーハＷの厚さ方向を二分するワーク中心面Ａの高さが、搬出用カセット３の対をなすＶ溝２７の底部２７ａを含む平面Ｂの高さに一致するように位置合わせを行う。
【００４３】
具体的には、先ず前段階の準備として、図７（ａ）に示すように、凹部６５の形成されていない半導体ウェーハＷを搬出用カセット３内に収納した際に、凹部６５の形成されていない半導体ウェーハＷのワーク中心面Ａの高さがＶ溝２７の底部２７ａを含む平面Ｂの高さに一致するように搬入搬出アーム１４の動作設定を行う。この動作設定により位置合わせされる位置を搬入搬出アーム１４の基準位置とする。そして、ウェーハ加工ユニット５に加工後の半導体ウェーハＷのデバイス形成領域６２の研削量がＬとして設定されて加工が行われた場合、図７（ｂ）に示すように、搬入搬出アーム１４が基準位置から凹部６５の深さＬだけ下方に移動し、半導体ウェーハＷのワーク中心面Ａの高さをＶ溝２７の底部２７ａを含む平面Ｂの高さに一致させる。
【００４４】
このように、加工後の半導体ウェーハＷの凹部６５の深さに応じて、搬入搬出アーム１４の上下方向の移動量が補正されるため、半導体ウェーハＷのワーク中心面ＡをＶ溝２７に対して常に一定の位置となるように位置合わせすることが可能となる。したがって、半導体ウェーハＷのワーク中心面ＡとＶ溝２７との高さ方向における位置関係にズレが生じることがなく、加工後の半導体ウェーハＷと搬出用カセット３の側壁２５とが衝突することがない。
【００４５】
位置合わせが完了すると、搬入搬出アーム１４が半導体ウェーハＷの凹部を吸着保持した状態で搬出用カセット３内に侵入し、半導体ウェーハＷの周縁部をＶ溝２７に挿入する。このようにして、加工後の半導体ウェーハＷが研削装置１から搬出用カセット３内に収納される。
【００４６】
以上のように、本実施の形態に係る研削装置１によれば、半導体ウェーハＷの凹部６５の底面が搬入搬出アーム１４に吸着保持された状態で、凹部６５の深さ分を補正して半導体ウェーハＷがＶ溝２７に対して位置合わせされるため、半導体ウェーハＷとＶ溝２７との位置関係にズレが生じることがない。したがって、外周領域６３に補強用凸部６４を形成した半導体ウェーハＷをＶ溝２７に収納させる際に、半導体ウェーハＷと搬出用カセット３との衝突を回避することが可能となる。
【００４７】
なお、本実施の形態においては、予め加工条件としてウェーハ加工ユニット５に設定された研削量に応じて搬入搬出アーム１４の上下方向の移動量を補正する構成としたが、接触式センサ３８により検出された研削深さに応じて補正するようにしてもよい。
【００４８】
また、上記した実施の形態においては、搬入搬出アーム１４の支持台５１を上下動させることにより、半導体ウェーハＷを搬出用カセット３のＶ溝２７に位置合わせする構成としたが、この構成に限定されるものではない。半導体ウェーハＷを搬出用カセット３のＶ溝２７に位置合わせする可能な構成であればどのような構成であってもよく、例えば、カセット載置部１３を上下動可能に構成し、カセット載置部１３の上下動により半導体ウェーハＷと搬出用カセット３のＶ溝２７とを位置合わせしてもよい。
【００４９】
また、上記した実施の形態においては、半導体ウェーハＷのワーク中心面Ａの高さを搬出用カセット３の対となすＶ溝２７の底部２７ａを含む平面Ｂの高さに一致させる構成としたが、ここでいう一致とは完全一致している場合に限定されるものではない。搬出用カセット３と半導体ウェーハＷの側壁２５とが衝突して半導体ウェーハＷが破損しないのであれば、半導体ウェーハＷと搬出用カセット３のＶ溝２７とに多少位置ズレが生じていてもよい。
【００５０】
また、上記した実施の形態においては、搬出用カセット３にＶ溝２７を形成する構成としたが、この構成に限定されるものではない。搬出用カセット３内において半導体ウェーハＷの周縁部を保持可能な構成であれば、どのような構成であってもよい。
【００５１】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上説明したように、本発明は、外周領域に補強用凸部を形成したワークにおいて、カセットとワークとの衝突を回避することができるという効果を有し、特に、搬送用のカセットに半導体ウェーハを収納するワーク収納機構およびワーク収納方法に有用である。
【符号の説明】
【００５３】
１  研削装置（加工装置）
３  搬出用カセット（カセット）
４  搬入搬出ユニット
５  ウェーハ加工ユニット（加工部）
１３  カセット載置部（位置合わせ部）
１４  搬入搬出アーム
２５  側壁
２７  Ｖ溝（カセット溝）
２７ａ  底部
３６  荒研削ユニット
３７  研削ユニット
３８  接触式センサ
５１  支持台（位置合わせ部）
５２  多節リンク機構（収納部）
５３  吸着保持部（収納部）
５４  制御部（位置合わせ部）
５６  吸着パッド
５７  パッド支持部
５８  吸着面
６１  デバイス
６２  デバイス形成領域
６３  外周領域
６４  補強用凸部
６５  凹部
６５ａ  底面
Ｗ  半導体ウェーハ（ワーク）
【図１】
2010171100.tif 000003
【図２】
2010171100.tif 000004
【図３】
2010171100.tif 000005
【図４】
2010171100.tif 000006
【図５】
2010171100.tif 000007
【図６】
2010171100.tif 000008
【図７】
2010171100.tif 000009