(57)【要約】【課題】基板をより高い生産性で露光する。【解決手段】基板を露光する露光方法において、第１露光光ＥＬ１と第２露光光ＥＬ２とからそれぞれ第３露光光ＥＬ３と第４露光光ＥＬ４とを分岐する合成光学素子２０を有する投影光学系ＰＬによって、第１及び第３露光光ＥＬ１，ＥＬ３でそれぞれ第１基板Ｐ１の第１被露光領域及び第２基板Ｐ２の第１ショット領域を露光し、投影光学系ＰＬによって、第２及び第４露光光ＥＬ２，ＥＬ４でそれぞれ第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２の第１ショット領域に隣接する第２ショット領域を露光する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光方法において、
第１露光光と第２露光光とからそれぞれ第３露光光と第４露光光とを分岐する光学素子を有する光学システムによって、前記第１及び第３露光光でそれぞれ第１基板の第１被露光領域及び第２基板の第１被露光領域を露光し、
前記光学システムによって、前記第２及び第４露光光でそれぞれ前記第１基板及び前記第２基板の前記第１被露光領域に隣接する第２被露光領域を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記第１及び第２露光光は、それぞれ第１及び第２パターンを通過して前記光学素子に入射することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１パターンと前記第２パターンとは同じパターンであることを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第１及び第２基板の前記第１被露光領域を露光する際に、
前記第１パターンと前記第１基板とを前記第１露光光に対して相対移動するとともに、前記第２基板を前記第３露光光に対して相対移動し、
前記第１及び第２基板の前記第２被露光領域を露光する際に、
前記第２パターンと前記第１基板とを前記第２露光光に対して相対移動するとともに、前記第２基板を前記第４露光光に対して相対移動することを特徴とする請求項２又は３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１基板の前記第１及び第２被露光領域は、前記第１基板の前記第１露光光に対する相対移動の方向に隣接し、
前記第２基板の前記第１及び第２被露光領域は、前記第２基板の前記第３露光光に対する相対移動の方向に隣接することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第１及び第２基板はそれぞれ互いに独立に駆動される第１及び第２基板ステージ上に載置されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
前記第１及び第２基板は同じ基板ステージ上に載置されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項９】
基板を露光する露光装置において、
第１露光光と第２露光光とからそれぞれ第３露光光と第４露光光とを分岐する光学素子を有する光学システムと；
第１基板及び第２基板を移動する基板ステージと；
前記光学システムからの前記第１及び第３露光光でそれぞれ第１基板の第１被露光領域及び第２基板の第１被露光領域を露光し、
前記光学システムからの前記第２及び第４露光光でそれぞれ前記第１基板及び前記第２基板の前記第１被露光領域に隣接する第２被露光領域を露光するように前記基板ステージを制御する制御装置と；
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
第１パターンを保持する第１マスクステージと、
第２パターンを保持する第２マスクステージとを備え、
前記第１及び第２露光光は、それぞれ前記第１及び第２パターンを介して前記光学素子に入射することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１パターンと前記第２パターンとは同じパターンであることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２基板の前記第１被露光領域を露光する際に、
前記第１マスクステージ及び前記基板ステージを駆動して、前記第１パターンと前記第１基板とを前記第１露光光に対して相対移動するとともに、前記第２基板を前記第３露光光に対して相対移動し、
前記第１及び第２基板の前記第２被露光領域を露光する際に、
前記第１マスクステージ及び前記基板ステージを駆動して、前記第２パターンと前記第１基板とを前記第２露光光に対して相対移動するとともに、前記第２基板を前記第４露光光に対して相対移動することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１基板の前記第１及び第２被露光領域は、前記第１基板の前記第１露光光に対する相対移動の方向に隣接し、
前記第２基板の前記第１及び第２被露光領域は、前記第２基板の前記第３露光光に対する相対移動の方向に隣接することを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記基板ステージは、前記第１基板を移動する第１基板ステージと、前記第２基板を移動する第２基板ステージとを有することを特徴とする請求項９から１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種デバイス（電子デバイス）用のパターンを形成するために基板を露光する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、複数の露光光を合成光学素子で合成及び分岐し、分岐された２つの露光光で２つの基板を並行してそれぞれ多重露光する露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この露光装置によれば、１枚の基板毎に露光する場合に比べて高いスループット（生産性）が得られる。
【特許文献１】国際公開第２００７／０９４４７０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体デバイス等の各種デバイス（電子デバイス）をより高いスループットで製造するために、基板はますます大型化しており、最近は直径が例えば４５０ｍｍの半導体ウエハも使用され始めている。基板内のショット領域（デバイス）の個数はほぼ基板の大きさの自乗に比例するため、そのように基板が大型化すると、１枚の基板の露光に要する時間もほぼその基板の大きさの自乗に比例して増加する。これは従来の露光装置のように２枚の基板に並行に露光を行う場合も同様であり、特に大型化する基板に対する露光工程の生産性を高めることが望まれている。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑み、基板をより高い生産性で露光できる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による露光方法は、基板を露光する露光方法において、第１露光光と第２露光光とからそれぞれ第３露光光と第４露光光とを分岐する光学素子を有する光学システムによって、その第１及び第３露光光でそれぞれ第１基板の第１被露光領域及び第２基板の第１被露光領域を露光し、その光学システムによって、その第２及び第４露光光でそれぞれその第１基板及びその第２基板のその第１被露光領域に隣接する第２被露光領域を露光するものである。
【０００６】
また、本発明による露光装置は、基板を露光する露光装置において、第１露光光と第２露光光とからそれぞれ第３露光光と第４露光光とを分岐する光学素子を有する光学システムと；第１基板及び第２基板を移動する基板ステージと；その光学システムからのその第１及び第３露光光でそれぞれ第１基板の第１被露光領域及び第２基板の第１被露光領域を露光し、その光学システムからのその第２及び第４露光光でそれぞれその第１基板及びその第２基板のその第１被露光領域に隣接する第２被露光領域を露光するようにその基板ステージを制御する制御装置と；を備えるものである。
【０００７】
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、１回の露光で、第１基板の第１及び第２被露光領域と、第２基板の第１及び第２被露光領域とに並行して露光が行われる。従って、各露光間の基板の移動（ステップ移動）の回数をほぼ１／２にできるため、基板をより高い生産性で露光できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明においては、次のＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。即ち、水平面内における直交座標軸をＸ軸及びＹ軸として、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向（即ち鉛直方向）に沿ってＺ軸を取り、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の周りの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、第１パターンＰＡ１を有する第１マスクＭ１を保持して移動可能な第１マスクステージ１と、第２パターンＰＡ２（本実施形態では第１パターンＰＡ１と同じパターン）を有する第２マスクＭ２を保持して移動可能な第２マスクステージ２と、第１基板Ｐ１を保持して移動可能な第１基板ステージ４と、第２基板Ｐ２を保持して移動可能な第２基板ステージ５と、各ステージの位置情報を計測可能な計測システム３と、第１露光光ＥＬ１で第１マスクＭ１の第１パターンＰＡ１を照明する第１照明系ＩＬ１と、第２露光光ＥＬ２で第２マスクＭ２の第２パターンＰＡ２を照明する第２照明系ＩＬ２と、投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１００とを備えている。
【００１１】
即ち、露光装置ＥＸは２台のマスクステージと２台の基板ステージとを備えている。基板Ｐ１，Ｐ２は、例えば直径が３００ｍｍ又は４５０ｍｍ等の円板状の半導体ウエハであり、その表面にレジスト（感光材料）が塗布されている。
投影光学系ＰＬは、第１露光光ＥＬ１及び第２露光光ＥＬ２からそれぞれ第３露光光ＥＬ３及び第４露光光ＥＬ４を分岐して、第１露光光ＥＬ１で照明された第１パターンＰＡ１の像及び第２露光光ＥＬ２で照明された第２パターンＰＡ２の像を、第１基板Ｐ１上に投影し、第３露光光ＥＬ３による第１パターンＰＡ１の像及び第４露光光ＥＬ４による第２パターンＰＡ２の像を第２基板Ｐ２上に投影する。投影光学系ＰＬの投影倍率は、例えば１／４，１／５，１／８等の縮小倍率である。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５は、投影光学系ＰＬの光射出側、即ち投影光学系ＰＬの像面側で、べ一ス部材ＢＰ上で移動可能である。また、制御装置１００には、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置１０２が接続されている。
【００１２】
第１、第２照明系ＩＬ１，ＩＬ２は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、光源と、照明光学系とを含み、照明光学系は、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系（いずれも不図示）、及びブラインドＭＢ１，ＭＢ２（可変視野絞り）等を有する。照明系ＩＬ１，ＩＬ２は、ブラインドＭＢ１，ＭＢ２で規定されたマスクＭ１，Ｍ２上のスリット状の照明領域を露光光ＥＬ１，ＥＬ２によりほぼ均一な照度で照明する。同じ波長の露光光ＥＬ１，ＥＬ２としては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。なお、露光光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波、又は水銀ランプの輝線（ｉ線等）なども使用できる。
【００１３】
また、本実施形態の投影光学系ＰＬは、第１パターンＰＡ１からの第１露光光ＥＬ１と第２パターンＰＡ２からの第２露光光ＥＬ２とが入射する合成光学素子２０を有している。合成光学素子２０は、第１露光光ＥＬ１及び第２露光光ＥＬ２のそれぞれからほぼ１／２の強度の第３露光光ＥＬ３及び第４露光光ＥＬ４を分岐し、分岐によって残された２つの露光光（これも第１露光光ＥＬ１及び第２露光光ＥＬ２と呼ぶ）を合成し、第３露光光ＥＬ３及び第４露光光ＥＬ４を合成する。従って、合成光学素子２０は、第１パターンＰＡ１からの第１露光光ＥＬ１及び第２パターンＰＡ２からの第２露光光ＥＬ２をハーフミラー面２０Ａで分岐する分岐光学素子（例えば、ハーフプリズム）としても作用する。
【００１４】
また、投影光学系ＰＬは、その像面側の第１基板Ｐ１上に第１露光領域ＡＲ１と第２露光領域ＡＲ２とを所定位置関係で設定するとともに、第２基板Ｐ２上に第３露光領域ＡＲ３と第４露光領域ＡＲ４とを所定位置関係で設定する。そして、投影光学系ＰＬは、合成光学素子２０からの第１露光光ＥＬ１による第１パターンＰＡ１の像と第２露光光ＥＬ２による第２パターンＰＡ２の像とを第１露光領域ＡＲ１と第２露光領域ＡＲ２とに形成可能であるとともに、合成光学素子２０からの第３露光光ＥＬ３による第１パターンＰＡ１の像と第４露光光ＥＬ４による第２パターンＰＡ２の像とを第３露光領域ＡＲ３と第４露光領域ＡＲ４とに形成可能である。
【００１５】
本実施形態では、露光領域ＡＲ１，ＡＲ３と露光領域ＡＲ２，ＡＲ４とはＹ方向に例えば基板Ｐ１，Ｐ２上の複数のショット領域間のスクライブライン領域ＳＬの幅程度の間隔で離れている（図６（Ａ）参照）。そして、後述のように、１回の走査露光によって、第１基板Ｐ１上で投影光学系ＰＬを介して第１露光領域ＡＲ１で第１のショット領域を露光した後、第２露光領域ＡＲ２で第２のショット領域を露光するのと並行して、第２基板Ｐ２上で投影光学系ＰＬを介して第３露光領域ＡＲ３で第１のショット領域を露光した後、第４露光領域ＡＲ４で第２のショット領域を露光することができる。
【００１６】
即ち、本実施形態の露光装置ＥＸは、第１マスクＭ１及び第２マスクＭ２と第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２とを所定の走査方向に同期移動しつつ、第１マスクＭ１の第１パターンＰＡ１の像及び第２マスクＭ２の第２パターンＰＡ２の像を第１及び第２基板Ｐ１，Ｐ２上に投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５による第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２の走査方向（同期移動方向）をＹ方向（Ｙ軸に平行な方向）とする。
【００１７】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２のＹ方向への移動と同期して、第１マスクステージ１によって第１マスクＭ１をＹ方向に移動し、第２マスクステージ２によって第２マスクＭ２をＺ方向に移動する。即ち、本実施形態においては、第１マスクＭ１の走査方向（同期移動方向）をＹ方向とし、第２マスクＭ２の走査方向（同期移動方向）をＺ方向とする。
【００１８】
次に、第１マスクステージ１は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第１マスクステージ駆動装置１Ｄの駆動により、第１マスクＭ１を保持して、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。第１マスクステージ１は、第１マスクＭ１の第１パターンＰＡ１が形成された第１パターン形成面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、第１マスクＭ１を保持する。第１マスクステージ１（ひいては第１マスクＭ１）の位置情報は、計測システム３のレーザ干渉計３１によって計測される。レーザ干渉計３１は、第１マスクステージ１上に設けられた移動鏡の反射面３１Ｋを用いて第１マスクステージ１の位置情報を計測する。制御装置１００は、レーザ干渉計３１の計測結果に基づいて第１マスクステージ駆動装置１Ｄを駆動し、第１マスクステージ１に保持されている第１マスクＭ１の位置制御を行う。
【００１９】
また、第２マスクステージ２は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第２マスクステージ駆動装置２Ｄの駆動により、第２マスクＭ２を保持して、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。第２マスクステージ２は、第２マスクＭ２の第２パターンＰＡ２が形成された第２パターン形成面とＸＺ平面とがほぼ平行となるように、第２マスクＭ２を保持する。第２マスクステージ２（ひいては第２マスクＭ２）の位置情報は、計測システム３のレーザ干渉計３２によって計測される。レーザ干渉計３２は、第２マスクステージ２上に設けられた移動鏡の反射面３２Ｋを用いて第２マスクステージ２の位置情報を計測する。制御装置１００は、レーザ干渉計３２の計測結果に基づいて第２マスクステージ駆動装置２Ｄを駆動し、第２マスクステージ２に保持されている第２マスクＭ２の位置制御を行う。
【００２０】
図２（Ａ）は、第１マスクステージ１に保持された第１マスクＭ１を示す平面図、図２（Ｂ）は、第２マスクステージ２に保持された第２マスクＭ２を示す平面図である。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１マスクＭ１上での第１露光光ＥＬ１による第１照明領域ＩＡ１、及び第２マスクＭ２上での第２露光光ＥＬ２による第２照明領域ＩＡ２は、それぞれＸ方向を長手方向とする矩形状（スリット状）に設定されている。
【００２１】
第１マスクステージ１は、第１マスクＭ１を第１照明領域ＩＡ１に対してＹ方向に移動可能である。また、第２マスクステージ２は、第２マスクＭ２を第２照明領域ＩＡ２に対してＺ方向に移動可能である。制御装置１００は、第１、第２基板Ｐ１，Ｐ２を露光するとき、第１マスクＭ１のうち第１パターンＰＡ１が形成された第１パターン形成領域ＳＡ１が第１照明領域ＩＡ１を通過するように、第１マスクステージ１をＹ方向に移動する。また、制御装置１００は、第１、第２基板Ｐ１，Ｐ２を露光するとき、第２マスクＭ２のうち第２パターンＰＡ２が形成された第２パターン形成領域ＳＡ２が第２照明領域ＩＡ２を通過するように、第２マスクステージ２をＺ方向に移動する。
【００２２】
また、第１マスクＭ１は、第１パターンＰＡ１と所定位置関係で形成された第１アライメントマークＲＭ１を備えており、第２マスクＭ２は、第２パターンＰＡ２と所定位置関係で形成された第２アライメントマークＲＭ２を備えている。本実施形態では、第１、第２アライメントマークＲＭ１，ＲＭ２はそれぞれ２次元マーク、例えば十字状マークを含む。実際には、アライメントマークＲＭ１，ＲＭ２は照明領域ＩＡ１，ＩＡ２のＸ方向の幅内の領域に形成されている。
【００２３】
本実施形態では、マスクＭ１，Ｍ２のアライメント時に、第１、第２アライメントマークＲＭ１，ＲＭ２は第１、第２マスクステージ１，２により第１、第２照明領域ＩＡ１，ＩＡ２内に配置され、かつアライメントマークＲＭ１，ＲＭ２の像は第１、第２基板ステージ４，５の光センサ１７０（図３参照）（空間像計測系）のスリット１７３Ａ，１７３Ｂを介して検出される。なお、アライメントマークＲＭ１，ＲＭ２の数や配置は任意である。
【００２４】
次に、図１において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子は不図示の鏡筒で保持されている。また、投影光学系ＰＬは、第１パターンＰＡ１からの第１露光光ＥＬ１を合成光学素子２０へ導く第１光学系１１（第１結像系）と、第２パターンＰＡ２からの第２露光光ＥＬ２を合成光学素子２０へ導く第２光学系１２（第２結像系）と、合成光学素子２０からの第１露光光ＥＬ１及び第２露光光ＥＬ２をそれぞれ第１露光領域ＡＲ１及び第２露光領域ＡＲ２へ導く第３光学系１３（第３結像系）と、合成光学素子２０からの第３露光光ＥＬ３及び第４露光光ＥＬ４をそれぞれ第３露光領域ＡＲ３及び第４露光領域ＡＲ４へ導くミラー１５及び第４光学系１４（第４結像系）とを備えている。
【００２５】
合成光学素子２０は、ほぼ同程度の反射率と透過率とを有している。合成光学素子２０は、上述のように第１マスクＭ１及び第１光学系１１を介して入射された第１露光光ＥＬ１の一部（ＥＬ１）を通過させるとともに残りの一部（ＥＬ３）を反射し、第２マスクＭ２及び第２光学系１２を介して入射された第２露光光ＥＬ２の一部（ＥＬ２）を反射するとともに残りの一部（ＥＬ４）を通過させ、通過する第１露光光ＥＬ１と反射する第２露光光ＥＬ２とを合成するとともに、反射する第３露光光ＥＬ３と通過する第４露光光ＥＬ４とを合成する。
【００２６】
また、投影光学系ＰＬには、投影光学系ＰＬによる第１パターンＰＡ１の像及び第２パターンＰＡ２の像の結像特性をそれぞれ独立に調整可能な第１結像特性調整装置ＬＣ１及び第２結像特性調整装置ＬＣ２が設けられている。第１、第２結像特性調整装置ＬＣ１，ＬＣ２は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子の少なくとも１つを移動可能な光学素子駆動機構を含む。
【００２７】
第１結像特性調整装置ＬＣ１は、第１光学系１１の特定の光学素子を駆動することによって、第１露光領域ＡＲ１及び第３露光領域ＡＲ３に形成される第１パターンＰＡ１の像の結像特性を調整可能である。第２結像特性調整装置ＬＣ２は、第２光学系１２の特定の光学素子を駆動することによって、第２露光領域ＡＲ２及び第４露光領域ＡＲ４に形成される第２パターンＰＡ２の像の結像特性を調整可能である。
【００２８】
結像特性調整装置ＬＣ１，ＬＣ２は、制御装置１００によって制御される。制御装置１００は、結像特性調整装置ＬＣ１，ＬＣ２を用いて、投影光学系ＰＬ（光学系１１，１２）の特定の光学素子を駆動することで、投影光学系ＰＬの各種収差（例えば、ディストーション、非点収差、球面収差、波面収差等）、投影倍率及び像面位置（焦点位置）等を含む結像特性を調整することができる。
【００２９】
また、制御装置１００は、結像特性調整装置ＬＣ１，ＬＣ２を用いて、パターンＰＡ１，ＰＡ２の像のＸ方向、Ｙ方向、及び／又はθＺ方向の位置調整（即ち、シフト調整及び／又はローテーション調整）を行うこともできる。
なお、さらに第３光学系１３の少なくとも１つの光学素子を、第３光学系１３の光軸と平行なＺ方向、及びＸ方向、Ｙ方向に移動可能、かつθＸ、θＹ方向に回転可能とする結像特性調整装置、及び／又は、第４光学系１４の少なくとも１つの光学素子を、第４光学系１４の光軸と平行なＺ方向、及びＸ方向、Ｙ方向に移動可能、かつθＸ、θＹ方向に回転可能とする結像特性調整装置を設けてもよい。
【００３０】
なお、投影光学系によるパターンの像の結像特性を調整可能な結像特性調整装置を備えた露光装置については、例えば特開昭６０−７８４５４号公報（対応米国特許第４，６６６，２７３号）、特開平１１−１９５６０２号公報（対応米国特許第６，２３５，４３８号）、国際公開第０３／６５４２８号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００５／０２０６８５０号）等に開示されている。
【００３１】
さらに、本実施形態の露光装置ＥＸは液浸法で露光を行うため、投影光学系ＰＬの第３光学系１３及び第４光学系１４の下端の光学部材とその下方の基板Ｐ１及びＰ２との間の露光領域ＡＲ１，ＡＲ２を含む局所的な領域（液浸領域４１Ｌ）、及び露光領域ＡＲ３，ＡＲ４を含む局所的な領域（液浸領域４２Ｌ）に露光光を透過する液体Ｌｑ（例えば純水等）を供給して回収する局所液浸機構が備えられている。局所液浸機構は、第３光学系１３及び第４光学系１４の下端に設けられて、液体Ｌｑの供給口及び回収口を有するリング状のノズルヘッド４１及び４２と、ノズルヘッド４１，４２に配管を介して液体Ｌｑを供給し、ノズルヘッド４１，４２から配管を介して液体Ｌｑを回収する液体供給装置４３及び４４とを備えている。液体供給装置４３及び４４の動作は制御装置１００によって制御される。なお、局所液浸機構の構成は任意であり、局所液浸機構として、例えば、国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレットに開示されている液浸機構、あるいは欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書に開示されている液浸機構なども使用可能である。
【００３２】
次に、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５について説明する。第１基板ステージ４は、露光領域ＡＲ１及びＡＲ２を含む所定領域内で第１基板Ｐ１を保持して移動可能である。第１基板ステージ４は、ステ一ジ本体４Ｂと、ステージ本体４Ｂ上に搭載された第１基板テーブル４Ｔと、第１基板テーブル４Ｔに設けられ、第１基板Ｐ１を保持する基板ホルダ４Ｈとを備えている。基板ホルダ４Ｈは、第１基板Ｐ１の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように第１基板Ｐ１を保持する。
【００３３】
露光装置ＥＸは、第１基板ステージ４を駆動する第１基板ステージ駆動装置４Ｄを備えている。第１基板ステージ駆動装置４Ｄは、ステージ本体４Ｂを、べ一ス部材ＢＰ上でＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体４Ｂ上に搭載されている第１基板テーブル４ＴをＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系４ＤＨと、ステージ本体４Ｂに対して第１基板テーブル４ＴをＺ方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系４ＤＶとを備えている。図１に示すように、第１基板ステージ４のステージ本体４Ｂは、エアベアリング４Ａにより、べ一ス部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。べ一ス部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行であり、第１基板ステージ４は、べ一ス部材ＢＰ上をＸＹ平面に沿って移動可能である。
【００３４】
第１基板ステージ駆動装置４Ｄの第１駆動系４ＤＨは、例えば平面モータ又は複数軸のリニアモータ等のアクチュエータを含み、第２駆動系４ＤＶは、ステージ本体４Ｂと第１基板テーブル４Ｔとの間の少なくとも３箇所に設けられた、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ４Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。
制御装置１００は、後述の計測システム３の計測情報及び基板Ｐ１，Ｐ２の表面のフォーカス位置（Ｚ位置）を計測するオートフォーカスセンサ（不図示）の計測情報に基づいて、駆動系４ＤＨ，４ＤＶを含む第１基板ステージ駆動装置４Ｄを介して、第１基板ステージ４の第１基板テーブル４Ｔ（第１基板Ｐ１）を、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。
【００３５】
また、第２基板ステージ５は、第１基板ステージ４とほぼ同等の構成及び作用を有し、ステージ本体５Ｂと、ステージ本体５Ｂ上に搭載された第２基板テーブル５Ｔと、第２基板テーブル５Ｔに設けられ、第２基板Ｐ２を保持する基板ホルダ５Ｈとを備えている。ステージ本体５Ｂは、エアベアリング５Ａにより、べ一ス部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。基板ホルダ５Ｈは、第２基板Ｐ２の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、第２基板Ｐ２を保持する。第２基板ステージ５は、露光領域ＡＲ３及びＡＲ４を含む所定領域内で第２基板Ｐ２を保持して移動可能である。
【００３６】
第２基板ステージ５は、第２基板ステージ駆動装置５Ｄによって駆動される。第２基板ステージ駆動装置５Ｄは、第１基板ステージ駆動装置４Ｄとほぼ同等の構成を有し、ステージ本体５ＢをＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系５ＤＨと、ステージ本体５Ｂに対して第２基板テーブル５ＴをＺ方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系５ＤＶとを備えている。制御装置１００は、後述の計測システム３の計測情報に基づいて、第２基板ステージ駆動装置５Ｄを制御することにより、第２基板テーブル５Ｔの基板ホルダ５Ｈ（第２基板Ｐ２）の表面のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。
【００３７】
第１基板ステージ４（第１基板Ｐ１）及び第２基板ステージ５（第２基板Ｐ２）の位置情報は、計測システム３のレーザ干渉計３４，３６，３５，３７によって計測される。計測システム３は、基板ステージ４，５の基板テーブル４Ｔ，５Ｔの所定位置に設けられた反射面３４Ｋ，３６Ｋ，３５Ｋ，３７Ｋを用いて、基板テーブル４Ｔ，５ＴのＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置情報を計測可能である。
【００３８】
レーザ干渉計３４及び３５は、Ｘ方向を計測軸とする複数の計測光と、Ｙ方向を計測軸とする複数の計測光とを反射面３４Ｋ及び３５Ｋに照射可能であり、基板テーブル４Ｔ及び５ＴのＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に関する位置を計測する。レーザ干渉計３６及び３７は、Ｚ方向を計測軸とする複数の計測光を反射面３６Ｋ及び３７Ｋに照射可能であり、基板テーブル４Ｔ及び５ＴのＺ方向、θＸ、及びθＹ方向に関する位置を計測する。反射面３６Ｋ，３７Ｋは、ＸＹ平面に対して所定角度（例えば４５度）傾斜しており、レーザ干渉計３６，３７から射出され、基板テーブル４Ｔ，５Ｔの反射面３６Ｋ，３７Ｋに照射された計測光は、反射面３６Ｋ，３７Ｋで反射し、所定の支持部材（例えば、前述の計測フレームなど）に設けられた反射面３８Ｋ，３９Ｋに照射される。そして、その反射面３８Ｋ，３９Ｋで反射した計測光は、反射面３６Ｋ，３７Ｋを介して、レーザ干渉計３６，３７に受光される。
【００３９】
また、計測システム３は、スケールの周期的な格子パターンを検出するエンコーダシステムも備えている。
図３は、図１の基板ステージ４，５を示す平面図である。図３において、そのエンコーダシステムは、基板ステージ４，５の基板テーブル４Ｔ，５Ｔ上に基板Ｐ１，Ｐ２を囲むように配置されて、Ｙ方向に例えば１００ｎｍ〜４μｍのピッチ（例えば１μｍピッチ）で反射型の格子パターンが形成された１対のＹスケール４Ｙ１，４Ｙ２及び５Ｙ１，５Ｙ２と、Ｘ方向に同様のピッチで反射型の格子パターンが形成されたＸスケール４Ｘ１，４Ｘ２及び５Ｘ１，５Ｘ２と、Ｙスケール４Ｙ１，４Ｙ２及び５Ｙ１，５Ｙ２の格子パターンを検出する複数のＹヘッド４５Ｙ及び４６Ｙと、Ｘスケール４Ｘ１，４Ｘ２及び５Ｘ１，５Ｘ２の格子パターンを検出する複数のＸヘッド４５Ｘ及び４６Ｘとを備えている。
【００４０】
Ｙヘッド４５Ｙ，４６Ｙ及びＸヘッド４５Ｘ，４６Ｘは、それぞれ検出対象のスケールの格子パターンに上方からレーザ光を照射し、格子パターンから発生する０次光及び１次回折光等を検出することによって、その格子パターンの変位をレーザ干渉計と同等の分解能で検出する。Ｙヘッド４５Ｙ，４６Ｙ及びＸヘッド４５Ｘ，４６Ｘは、例えば不図示のフレームに取り付けられている。この場合、露光中に基板ステージ４，５がＸ方向、Ｙ方向に移動しても、いずれかの１対のＹヘッド４５Ｙ，４６Ｙ及び１対のＸヘッド４５Ｘ，４６ＸがＹスケール４Ｙ１，４Ｙ２及び５Ｙ１，５Ｙ２並びにＸスケール４Ｘ１，４Ｘ２及び５Ｘ１，５Ｘ２の格子パターンを検出可能である。なお、図３では、図面の錯綜を避けるため、基板Ｐ１，Ｐ２の上方に位置するＹヘッド及びＸヘッドは図示を省略している。従って、Ｙヘッド４５Ｙ，４６Ｙ及びＸヘッド４５Ｘ，４６Ｘの検出結果を切り替えることによって、露光中に連続的に、光路の揺らぎの影響を低減して、基板ステージ４，５のＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向の位置を高精度に検出できる。
【００４１】
制御装置１００は、上記の干渉計システム及び／又はエンコーダシステムの計測情報を用いて基板ステージ４，５の位置及び速度を高精度に制御する。また、基板ステージ４，５の上面の基板Ｐ１，Ｐ２を囲む領域（Ｙスケール４Ｙ１，４Ｙ２，５Ｙ１，５Ｙ２及びＸスケール４Ｘ１，４Ｘ２，５Ｘ１，５Ｘ２の表面を含む）には液体Ｌｑをはじくための撥液処理が施されている。
【００４２】
また、図１の露光装置ＥＸの第３光学系１３及び第４光学系１４の側面に、それぞれ基板Ｐ１及びＰ２上の所定のアライメントマーク（不図示）の位置を検出するオフアクシス方式で例えば画像処理型のアライメント系９１及び９２が配置されている。アライメント系９１，９２の検出結果及び予め計測されているベースライン（マスクＭ１，Ｍ２のパターンの像とアライメント系９１，９２の検出中心との位置関係）に基づいて、制御装置１００は基板Ｐ１，Ｐ２のアライメントを行う。さらに、図３に示すように、基板ステージ４，５の基板テーブル４Ｔ，５Ｔ上に基準部材１７１Ａ，１７１Ｂが設けられ、基準部材１７１Ａ，１７１Ｂに光センサ１７０が設けられ、光センサ１７０のスリット１７３Ａ，１７３Ｂの間に２次元マークよりなる基準マーク１７２が形成されている。アライメント系９１，９２で基準マーク１７２を検出することによって、そのベースラインを求めることができる。
【００４３】
次に、本実施形態の露光装置ＥＸの露光動作の一例につき図４〜図６、及び図７のフローチャートを参照して説明する。この露光動作は図１の制御装置１００によって制御される。図４及び図５は、図１の投影光学系ＰＬとマスクＭ１，Ｍ２と基板Ｐ１，Ｐ２との位置関係の一例を示す図、図６（Ａ）〜（Ｃ）は基板Ｐ１，Ｐ２上の走査露光中の２つのショット領域を示す平面図である。この場合、露光対象の基板Ｐ１及びＰ２の表面（露光面）は、一例として図３のように、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ所定ピッチで多数のショット領域Ｓに区画されており、Ｙ方向に第ｉ行（ｉ＝１，２，…）でＸ方向に第ｊ列（ｊ＝１，２，…）のショット領域ＳをＳ（ｉ，ｊ）で表す。本実施形態では、基板Ｐ１，Ｐ２上の２層目以降に重ね合わせ露光を行うものとして、１回の走査露光中に、基板Ｐ１及びＰ２上の或るショット領域Ｓ（ｉ，ｊ）を露光する際に、これにＹ方向（走査方向）に隣接するショット領域Ｓ（ｉ＋１，ｊ）（又はＳ（ｉ−１，ｊ）も可能）にも露光を行う。さらに、基板Ｐ１及びＰ２に対して並行して露光を行う。この際に、基板Ｐ１，Ｐ２のショット領域Ｓ（ｉ，ｊ）に図１の第１マスクＭ１の第１パターンＰＡ１の像が露光される場合には、基板Ｐ１，Ｐ２の隣接するショット領域Ｓ（ｉ＋１，ｊ）には第２マスクＭ２の第２パターンＰＡ２の像が露光される。本実施形態ではパターンＰＡ１及びＰＡ２の像は同一であるため、基板Ｐ１，Ｐ２上の全部のショット領域Ｓ（ｉ，ｊ）にそれぞれ同一のパターンの像が露光される。
【００４４】
露光に際してマスクＭ１及びＭ２のアライメントは完了しており、照明系ＩＬ１，ＩＬ２のブラインドＭＢ１，ＭＢ２は閉じているものとして、基板ステージ４，５上に基板Ｐ１，Ｐ２がロードされた後、アライメント系９１，９２を用いて基板Ｐ１，Ｐ２のアライメントが行われる（図７のステップ２４０）。その後、第１、第２基板ステージ４，５を走査開始位置に移動（ステップ移動）する（ステップ２４１）。なお、ここでは説明の便宜上、図３の基板Ｐ１，Ｐ２上のショット領域Ｓ（５，１）及びＳ（６，１）に続けて露光する場合を想定する。このとき、図１の第１マスクステージ１は＋Ｙ方向の端部に移動し、第２マスクステージ２は−Ｚ方向の端部に移動している。
【００４５】
この状態から基板ステージ４，５の−Ｙ方向への走査が開始され（ステップ２４２）、これとほぼ同時に第１マスクステージ１の−Ｙ方向への走査が開始される（ステップ２５０）。その後、第１照明系ＩＬ１のブラインドＭＢ１を開き（ステップ２５１）、図４に示すように、第１マスクＭ１からの第１露光光ＥＬ１の第１露光領域ＡＲ１で第１基板Ｐ１上のショット領域Ｓ（５，１）を走査露光し、これと並行して第１露光光ＥＬ１から分岐された第３露光光ＥＬ３の第３露光領域ＡＲ３で第２基板Ｐ２上のショット領域Ｓ（５，１）を走査露光する（ステップ２５２）。この走査露光中に、基板ステージ４，５はそれぞれ基板Ｐ１，Ｐ２上のショット領域Ｓ（５，１）と第１マスクＭ１のパターンの像との重ね合わせ誤差が最小になるように同期誤差を補正しながらほぼＹ方向に駆動される。この走査露光中に第２マスクステージ２の＋Ｚ方向への走査が開始される（ステップ２６０）。
【００４６】
そして、図６（Ａ）の状態から図６（Ｂ）に示すように、第１露光領域ＡＲ１（第３露光領域ＡＲ３）のエッジ部が基板Ｐ１（Ｐ２）上のショット領域Ｓ（５，１）の＋Ｙ方向の端部のスクライブライン領域ＳＬにかかってから図１のブラインドＭＢ１を閉じ始める（ステップ２５３）。そして、露光領域ＡＲ１（ＡＲ３）が閉じた後、図１の第２照明系ＩＬ２のブラインドＭＢ２を開き（ステップ２６１）、図５及び図６（Ｃ）に示すように、第２マスクＭ２からの第２露光光ＥＬ２の第２露光領域ＡＲ２で第１基板Ｐ１上のショット領域Ｓ（６，１）を走査露光し、これと並行して第２露光光ＥＬ２から分岐された第４露光光ＥＬ４の第４露光領域ＡＲ４で第２基板Ｐ２上のショット領域Ｓ（６，１）を走査露光する（ステップ２６２）。この走査露光中に、基板ステージ４，５はそれぞれ基板Ｐ１，Ｐ２上のショット領域Ｓ（６，１）と第２マスクＭ２のパターンの像との重ね合わせ誤差が最小になるように、同期誤差を補正しながらほぼＹ方向に駆動される。この走査露光中に、第１マスクステージ１の走査は終了する（ステップ２５４）。
【００４７】
その後、図６（Ｃ）の状態から、第２露光領域ＡＲ２（第４露光領域ＡＲ４）のエッジ部が基板Ｐ１（Ｐ２）上のショット領域Ｓ（６，１）の＋Ｙ方向の端部のスクライブライン領域ＳＬにかかってから図１のブラインドＭＢ２を閉じ始める（ステップ２６３）。そして、露光領域ＡＲ２（ＡＲ４）が閉じた後、第２マスクステージ２の走査が終了し（ステップ２６４）、これとほぼ同時に基板ステージ４，５のＹ方向への走査が終了する（ステップ２７０）。この１回の走査露光によって、図３の基板Ｐ１及びＰ２上の２つのショット領域Ｓ（５，１），Ｓ（６，１）にマスクＭ１，Ｍ２の同じパターンの像が露光される。
【００４８】
その後、基板Ｐ１，Ｐ２上で未露光のショット領域があるかどうかが判定され（ステップ２７１）、未露光のショット領域がある場合にはステップ２４１から２７０までの動作が繰り返される。なお、次の隣接する２つのショット領域に露光する場合には、基板ステージ４，５及びマスクステージ１，２の走査方向が反転する。従って、図７のステップ２４２の動作（走査方向は逆）に続いて、先ずステップ２６０，２６１の動作（走査方向は逆）が行われた後、ステップ２６２〜２６４の動作とステップ２５０〜２５２の動作（走査方向は逆）とがほぼ並行に実行される。この場合、図３において、基板Ｐ１及びＰ２に対して第１露光領域ＡＲ１（又は第２露光領域ＡＲ２）及び第３露光領域ＡＲ３（又は第４露光領域ＡＲ４）がそれぞれ軌跡４７Ａ及び４７Ｂで示すように相対的に移動して、基板Ｐ１，Ｐ２の全面のショット領域Ｓ（ｉ，ｊ）に対してマスクＭ１（又はＭ２）のパターンの像が露光される。なお、基板Ｐ１，Ｐ２の周辺部において、１回の走査露光で１つのショット領域のみを露光すればよい場合には、１回の走査露光中に図１のマスクステージ１又はマスクステージ２のみを駆動して、マスクＭ１又はＭ２のパターンの像を当該ショット領域に露光すればよい。
【００４９】
本実施形態によれば、１回の走査露光で基板Ｐ１，Ｐ２上でそれぞれ走査方向に配列された２つのショット領域にマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像を露光できるため、１回の走査露光で１つのショット領域に露光する場合に比べて基板ステージ４，５のステップ移動の回数、及び走査露光のための加速と減速との回数がそれぞれほぼ１／２になる。さらに、基板Ｐ１，Ｐ２に対して並行して露光が行われる。従って、露光工程のスループットを大幅に向上できる。
【００５０】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の露光装置ＥＸによる露光方法は、第１露光光ＥＬ１と第２露光光ＥＬ２とからそれぞれ第３露光光ＥＬ３と第４露光光ＥＬ４とを分岐する合成光学素子２０を有する投影光学系ＰＬ（光学システム）によって、第１及び第３露光光ＥＬ１，ＥＬ３でそれぞれ第１基板Ｐ１のショット領域Ｓ（５，１）及び第２基板Ｐ２のショット領域Ｓ（５，１）を露光し（ステップ２５２）、投影光学系ＰＬによって、第２及び第４露光光ＥＬ２，ＥＬ４でそれぞれ第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２のショット領域Ｓ（５，１）に隣接するショット領域Ｓ（６，１）を露光している。
【００５１】
また、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと、基板Ｐ１，Ｐ２を移動する基板ステージ４，５と、基板ステージ４，５の動作を制御する制御装置１００とを備えている。
従って、各露光間で基板Ｐ１，Ｐ２のステップ移動の回数をほぼ１／２にできるため、基板をより高い生産性で露光できる。
（２）また、露光光ＥＬ１及びＥＬ２はマスクＭ１及びＭ２を通過した露光光であり、マスクＭ１及びＭ２には投影像の段階で同じパターンが形成されているため、基板Ｐ１，Ｐ２の全部のショット領域に同じパターンの像を露光できる。なお、マスクＭ１及びＭ２のパターンは異なっていてもよい。この場合には、１回の走査露光で基板Ｐ１，Ｐ２の隣接するショット領域Ｓ（ｉ，ｊ），Ｓ（ｉ＋１，ｊ）には異なるパターンの像が露光される。
【００５２】
（３）また、露光装置ＥＸは走査露光型であるため、基板Ｐ１，Ｐ２上の隣接するショット領域Ｓ（ｉ，ｊ），Ｓ（ｉ＋１，ｊ）に極めて短時間でマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像を露光できる。
（４）本実施形態では、露光領域ＡＲ１（ＡＲ３）と露光領域ＡＲ２（ＡＲ４）とはＹ方向に離れているが、露光領域ＡＲ１（ＡＲ３）と露光領域ＡＲ２（ＡＲ４）とをＹ方向に一部重なるように配置することも可能である。この場合にも、ブラインドＭＢ１，ＭＢ２の開閉によって、実際に露光光ＥＬ１（ＥＬ３）と露光光ＥＬ２（ＥＬ４）とが基板上の同じ位置に重ねて照射されることはない。
【００５３】
なお、本実施形態では、基板ステージ４側にＸスケール４Ｘ１及びＹスケール４Ｙ１等を固定し、その上方のフレーム（不図示）にＸヘッド４５Ｘ及びＹヘッド４５Ｙ等を固定している。しかしながら、それとは逆に、基板ステージ４側にＸヘッド４５Ｘ及びＹヘッド４５Ｙ等を固定し、その上方のフレーム（不図示）にＸスケール４Ｘ１及びＹスケール４Ｙ１等を固定してもよい。これは基板ステージ５についても同様である。
【００５４】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態の露光装置ＥＸにつき図８を参照して説明する。この実施形態は、２枚の基板Ｐ１，Ｐ２を１台の基板ステージで保持するものであり、図８において図１に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略又は簡略化する。即ち、この実施形態の露光装置は、２台のマスクステージと１台の基板ステージとを備えている。
【００５５】
図８は、本実施形態の露光装置ＥＸを示す。図８の露光装置ＥＸは、２枚の基板Ｐ１，Ｐ２を並列に保持して移動する基板ステージ４’と、基板ステージ４’の位置情報を計測する計測システム３’とを備え、基板ステージ４’は、べ一ス部材ＢＰ上を移動するステージ本体１４０と、基板Ｐ１，Ｐ２をそれぞれ吸着保持する基板ホルダ１４１，１４２とを備えている。また、基板ステージ４’には、図１の基板ステージ駆動装置４Ｄと同様の基板ステージ駆動装置１４０Ｄが備えられている。この場合、基板ステージ駆動装置１４０Ｄは、基板ホルダ１４１，１４２のＺ方向、θＸ、θＹ方向の位置を互いに独立に制御可能である。さらに、基板ステージ駆動装置１４０Ｄは、ステージ本体１４０のＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向の位置を制御するとともに、例えば一方の基本ホルダ１４１（基板Ｐ１）のＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向の位置を微調整することも可能である。
【００５６】
また、計測システム３’は、レーザ干渉計１３４を備え、このレーザ干渉計１３４は、ステージ本体１４０のＸ方向、Ｙ方向、θＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の位置を計測するとともに、基板ホルダ１４１，１４２のＸ方向、Ｙ方向、θＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の位置をも計測する。さらに、図１のＺ方向の位置計測用のレーザ干渉計３６も備えられている（図８では図示省略）。図８の露光装置ＥＸの制御装置（不図示）は、計測システム３’の計測情報に基づいて基板ステージ４’及び例えば基板ステージ４’に対する基板ホルダ１４１，１４２の相対位置を６自由度で制御する。この他の構成は図１の実施形態と同様である。
【００５７】
図８の露光装置ＥＸにおいても、基板Ｐ１，Ｐ２の露光時には、図７の露光シーケンスと同様に、１回の走査露光で、基板ステージ４’上の基板Ｐ１，Ｐ２のＹ方向に隣接する２つのショット領域に対してマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像が露光される。従って、露光工程のスループットが向上する。
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態の露光装置につき図９を参照して説明する。この実施形態は、４台の基板ステージを使用するものであり、図９において図１及び図３に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略又は簡略化する。即ち、この実施形態の露光装置は、２台のマスクステージと、４台の基板ステージとを備えている。
【００５８】
図９は、本実施形態の露光装置のべ一ス部材ＢＰ上の４台のそれぞれ基板Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を保持して移動する基板ステージ４，５，４００，５００を示す。基板ステージ４００及び５００の構成はそれぞれ基板ステージ４及び５と同様であり、基板ステージ４００及び５００上の基準部材１７１Ｃ，１７１Ｄにもそれぞれ基準マーク１７２が形成されている。また、べ一ス部材ＢＰ上で−Ｘ方向側の２箇所に図１の投影光学系ＰＬの第３光学系１３（露光領域ＡＲ１，ＡＲ２）及び第４光学系１４（露光領域ＡＲ３，ＡＲ４）が配置され、＋Ｘ方向側の２箇所に基板上のアライメントマークの位置を検出するための例えば画像処理型のアライメント系ＡＬＡ及びＡＬＢが配置されている。また、基板ステージ４，５，４００，５００のＸ方向の両端部には、後述のように２台の基板ステージを近接又は密着させる際の位置検出用の近接センサ、及び近接又は密着した状態を維持するための連結機構が備えられている。この他の構成は図１及び図３の実施形態と同様である。
【００５９】
図９の実施形態において、基板ステージ４，５上の基板Ｐ１，Ｐ２のアライメントが完了しているものとすると、基板Ｐ１，Ｐ２の露光時には、図７の露光シーケンスと同様に、１回の液浸法の走査露光で、基板ステージ４，５上の基板Ｐ１，Ｐ２のＹ方向に隣接する２つのショット領域に対して図１のマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像が露光される。従って、露光工程のスループットが向上する。この際に、基板Ｐ１，Ｐ２はそれぞれ第３光学系１３の下の液浸領域４１Ｌ及び第４光学系１４の下の液浸領域４２Ｌで相対走査される。
【００６０】
次に基板ステージ４００，５００上の基板Ｐ３，Ｐ４の露光を行う場合、先ずアライメント系ＡＬＡ，ＡＬＢによって基準部材１７１Ｃ，１７１Ｄの基準マーク１７２を基準として、基板Ｐ３，Ｐ４の所定のアライメントマークの位置を検出することによって、基板Ｐ３，Ｐ４の全部のショット領域の配列座標の算出（アライメント）が行われる。
その後、一例として図１０に示すように、基板ステージ４及び５の＋Ｘ方向の側面に基板ステージ４００及び５００の−Ｘ方向の側面を近接又はほとんど密着させて、第３光学系１３の液浸領域４１Ｌ及び第４光学系１４の液浸領域４２Ｌに対して基板ステージ４及び４００と基板ステージ５及び５００とを同期して−Ｘ方向に移動する。これによって、矢印５３Ａ及び５３Ｂで示すように、液浸領域４１Ｌ及び４２Ｌがそれぞれ基板ステージ４，５上から基板ステージ４００，５００上に移動するため、基板ステージ４００，５００上の基板Ｐ３，Ｐ４に対しても迅速に液浸露光を行うことが可能になる。
【００６１】
なお、この際に、基板ステージ４（基板ステージ５）のＹ方向の中心と、基板ステージ４００（基板ステージ５００）のＹ方向の中心とは所定量だけずれている。これによって、その後の基板ステージ４（基板ステージ５）と基板ステージ４００（基板ステージ５００）との位置の交換を迅速に行うことが可能である。
即ち、軌跡５１Ａ，５１Ｂで示すように基板ステージ４，５はアライメント系ＡＬＡ，ＡＬＢの下方に移動して、この移動の過程で基板Ｐ１，Ｐ２のアンロード及び次の露光対象の基板のロードが行われる。そして、アライメント系ＡＬＡ，ＡＬＢによって基板ステージ４，５上の基板に対してアライメントが行われる。
【００６２】
一方、基板ステージ４００，５００は軌跡５２Ａ，５２Ｂで示すように順次、第３光学系１３及び第４光学系１４の下方に移動して、例えば基準部材１７１Ｃ，１７１Ｄの基準マーク１７２と図１のマスクＭ１，Ｍ２のアライメントマークの像の位置との関係が計測される。この後は、予めアライメント系ＡＬＡ，ＡＬＢによって計測されている基板Ｐ３，Ｐ４のショット配列の情報に基づいて、基板Ｐ３，Ｐ４の各ショット領域とマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像との位置合わせを高精度に行うことができる。そこで、図７の露光シーケンスと同様に、１回の液浸法の走査露光で、基板ステージ４００，５００上の基板Ｐ３，Ｐ４のＹ方向に隣接する２つのショット領域に対して順次図１のマスクＭ１，Ｍ２のパターンの像が露光される。従って、露光工程のスループットが向上する。
【００６３】
その後、同様に基板ステージ４００，５００から基板ステージ４，５上に液浸領域４１Ｌ，４２Ｌが受け渡された後、一例として基板ステージ４，５は軌跡５１Ａ，５１Ｂで示すように第３光学系１３及び第４光学系１４の下方に移動し、基板ステージ４００，５００は軌跡５２Ａ，５２Ｂで示すようにアライメント系ＡＬＡ，ＡＬＢの下方に移動する。
このようにして本実施形態によれば、基板Ｐ１，Ｐ２の露光中に基板Ｐ３，Ｐ４のアライメントを実行できるため、露光工程のスループットをさらに高めることができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、液浸領域４１Ｌ，４２Ｌの受け渡しを基板ステージ４，５のＸ方向の端部で行っているが、液浸領域４１Ｌ，４２Ｌの受け渡しを基板ステージ４，５のＹ方向の端部で行うことも可能である。
また、本発明は、ステッパ等の一括露光方式の投影露光装置で露光する場合にも適用できる。また、本発明は、液浸法を使用しないドライ露光型の露光装置で露光する場合にも同様に適用できる。
【００６５】
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のデバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造する場合、このデバイスは、図１１に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板（ウエハ等）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸ（投影露光装置）によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、並びに検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００６６】
言い換えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて基板を露光する工程と、露光された基板を処理する工程（ステップ２２４）とを含んでいる。このデバイス製造方法によれば、露光工程の生産性を高めることができるため、特に基板が大型化した場合にデバイスの生産性を高めることがきる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子（ＣＭＯＳ型、ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイス（電子デバイス）の製造プロセスにも広く適用できる。このように本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１の実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】（Ａ）は第１マスクステージ１を示す平面図、（Ｂ）は第２マスクステージ２を示す平面図である。
【図３】基板ステージ４，５を示す平面図である。
【図４】投影光学系ＰＬ、マスクＭ１，Ｍ２、及び基板Ｐ１，Ｐ２の位置関係の一例を示す図である。
【図５】投影光学系ＰＬ、マスクＭ１，Ｍ２、及び基板Ｐ１，Ｐ２の位置関係の別の例を示す図である。
【図６】（Ａ）はショット領域Ｓ（５，１）を露光領域ＡＲ１（ＡＲ３）で露光する状態を示す平面図、（Ｂ）はショット領域Ｓ（５，１）の端部を露光領域ＡＲ１（ＡＲ３）で露光する状態を示す平面図、（Ｃ）はショット領域Ｓ（６，１）を露光領域ＡＲ２（ＡＲ４）で露光する状態を示す平面図である。
【図７】第１の実施形態の露光動作の一例を示すフローチャートである。
【図８】第２の実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。
【図９】第３の実施形態の露光装置の基板ステージの配置の一例を示す図である。
【図１０】第３の実施形態の基板ステージの位置を交換する状態を示す図である。
【図１１】デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
ＥＸ…露光装置、ＩＬ１，ＩＬ２…照明系、Ｍ１，Ｍ２…マスク、ＰＬ…投影光学系、ＥＬ１〜ＥＬ４…露光光、ＡＲ１〜ＡＲ４…露光領域、Ｐ１，Ｐ２…基板、１，２…マスクステージ、４，５…基板ステージ、２０…合成光学素子、１００…制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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