(57)【要約】【課題】少ない個数の処理ユニットを効率的に使用して、処理条件を変更する際に生じる生産ロスを抑える技術を提供する。【解決手段】処理レシピに含まれる任意の処理工程について、当該処理工程を実行可能な処理ユニット（使用可能ユニットＵｐ）の数が例えば８個の場合、当該処理工程を実際に実行させる処理ユニットの個数を、これより少ない数（例えば５個）に設定する。すると、使用可能ユニットＵｐのうち、１以上の処理ユニットが当該レシピに係る処理に用いられない処理ユニット（予備ユニットＵｏ）となる。このレシピの次に実行されるレシピにおいては、当該処理工程を実際に実行させる処理ユニット（使用ユニットＵｒ）として、この予備ユニットＵｏを優先的に選択する。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、
前記処理レシピに記述された一連の処理工程に含まれる１以上の対象処理工程のそれぞれについて、前記基板処理装置の備える複数の処理ユニットのうちで当該対象処理工程を実行可能な処理ユニットである使用可能ユニットを複数個指定して、前記処理レシピに記述する使用可能ユニット指定手段と、
前記１以上の対象処理工程のそれぞれについて、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットの個数である使用数を、当該対象処理工程について指定された前記使用可能ユニットの個数よりも少ない値で指定して前記処理レシピに記述する使用数指定手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際に、当該処理レシピに含まれる前記１以上の対象処理工程のそれぞれについて、当該対象処理工程について指定された前記複数個の使用可能ユニットのうちから、当該処理工程について指定された前記使用数分の処理ユニットを、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットとして選択する使用ユニット選択手段、
を備え、
前記使用ユニット選択手段が、
前記対象処理工程について指定された前記複数個の使用可能ユニットのうちで、前記処理レシピに先行する先行処理レシピに係る処理に用いられていない処理ユニットがある場合、これを、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットとして優先的に選択することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記使用ユニット選択手段が、
前記先行処理レシピに係る処理に用いられていない処理ユニットだけでは前記使用数として指定された個数の処理ユニットを確保できない場合に、前記先行処理レシピに係る処理に用いられている処理ユニットのうちで、前記処理レシピに係る被処理基板を早く搬入できる処理ユニットから順に、前記対象処理工程を実行させる処理ユニットとして選択することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
前記レシピに記述された一連の処理工程の被処理対象となる複数の基板のそれぞれについて、当該基板に対する前記対象処理工程に係る処理を実行させる処理ユニットである実行ユニットを、当該対象処理工程について前記使用ユニット選択手段が選択した使用ユニットのうちから選択する実行ユニット選択手段、
を備え、
前記実行ユニット選択手段が、
基板の実行ユニットを選択するにあたり、前記対象処理工程について選択された使用ユニットのうちで、当該基板を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットを、前記実行ユニットとして選択することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
外部からの入力に基づいて、前記処理レシピに記述された一連の処理工程のうちから、前記対象処理工程を選択する対象処理工程選択手段、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。
【０００３】
このような基板処理装置は、複数の処理ユニット（レジスト膜等の各種塗布膜の形成を行う処理ユニット、現像処理を行う処理ユニット、熱処理を行う熱処理ユニット等）と、処理ユニット間で基板を搬送する複数の搬送機構とがそれぞれ所定位置に配置される。制御部は、基板に対する処理の手順および処理の条件が記述された処理レシピ（以下、単に「レシピ」という）にしたがって、装置の各部を制御する。すなわち、各搬送機構にレシピに記述された順序で所定の処理ユニットに基板を搬送させるとともに、各処理ユニットにレシピに記述された処理条件で基板に対する処理を実行させる。これによって、レシピに記述された一連の処理プロセスが基板に施される。
【０００４】
ところで、レシピが異なれば、たとえそこに記述されている処理の流れ（処理フロー）が同じであっても、各処理工程の処理条件（例えば、熱処理における処理温度、薬液処理における薬液の温度等）が異なってくる。したがって、あるレシピに係るロットを処理した後に、別のレシピに係るロットを処理する際には、制御部は、処理ユニットの各部を制御して、各部の設定を新たな処理条件に応じたものに変更しなければならない。
【０００５】
ところが、処理ユニットにおいて、この設定変更が完了するまでは、当該処理ユニットで後続レシピに係るロットを処理することができない。この設定変更に要する時間がスループットの向上を妨げる大きな要因の１つとなっていた。
【０００６】
この問題を改善するために考えられる第１の手法は、設定変更に要する時間を短縮することである。ただ、この時間が短縮されることによってある程度はスループットが改善されるものの、いくら短縮されたといってもその時間をゼロにすることは不可能であるので、設定変更による生産ロスを完全になくすことはできなかった。
【０００７】
そこで、第２の手法として、予備の処理ユニット（予備ユニット）を装置に搭載しておくことが考えられている。あるレシピに係るロットを処理している間に、この予備ユニットを別のレシピに応じた処理条件に設定変更しておけば、先行ロットに引き続いて連続して別のレシピに係るロットを処理することができるので、生産ロスが生じない。
【０００８】
予備ユニットを用いることによって生産ロスの低減を図る技術は、例えば特許文献１，２に開示されている。ここでは、予備の熱処理ユニットを含む複数個の熱処理ユニットを備える装置構成において、現時点で各種の処理条件で処理を実行している熱処理ユニットと、現時点で処理を行っていない予備の熱処理ユニットとのうちで、次に処理すべき基板の処理温度へ最も早く設定変更できると予測される熱処理ユニットを特定し、これを後のレシピに係る処理に用いる処理ユニットに決定する。これは、次に処理すべき基板の処理条件と近い処理条件で処理を行っている処理ユニットがある場合は、わざわざ予備ユニットを設定変更するよりも、使用中の処理ユニットを設定変更して用いる方が時間的に効率がよい場合もありうるからである。処理条件の近い処理ユニットを選択してこれを設定変更すると、設定変更にかかる負担が軽減されるので、加熱プレートやヒータ等の構造材料の耐久性も向上する（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−５４５８７号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４４１３号公報
【特許文献３】特開平５−２４３１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１，２に開示された技術では、同一処理工程における同一条件の処理は、１個の処理ユニットで実行することが前提となっており、同一処理工程における同一条件の処理を複数の処理ユニットで並行して実行する処理態様（並行処理）は想定されていない。並行処理は、同一処理を並行して実行する処理ユニットの個数（並行数）を増やすことによって、処理効率を飛躍的に向上させることが可能となる有効な処理態様である。
【００１１】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、少ない個数の処理ユニットを効率的に使用して、処理条件を変更する際に生じる生産ロスを抑えることを可能とする技術であって、並行処理にも対応可能なものを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、前記処理レシピに記述された一連の処理工程に含まれる１以上の対象処理工程のそれぞれについて、前記基板処理装置の備える複数の処理ユニットのうちで当該対象処理工程を実行可能な処理ユニットである使用可能ユニットを複数個指定して、前記処理レシピに記述する使用可能ユニット指定手段と、前記１以上の対象処理工程のそれぞれについて、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットの個数である使用数を、当該対象処理工程について指定された前記使用可能ユニットの個数よりも少ない値で指定して前記処理レシピに記述する使用数指定手段と、を備える。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際に、当該処理レシピに含まれる前記１以上の対象処理工程のそれぞれについて、当該対象処理工程について指定された前記複数個の使用可能ユニットのうちから、当該処理工程について指定された前記使用数分の処理ユニットを、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットとして選択する使用ユニット選択手段、を備え、前記使用ユニット選択手段が、前記対象処理工程について指定された前記複数個の使用可能ユニットのうちで、前記処理レシピに先行する先行処理レシピに係る処理に用いられていない処理ユニットがある場合、これを、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットとして優先的に選択する。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記使用ユニット選択手段が、前記先行処理レシピに係る処理に用いられていない処理ユニットだけでは前記使用数として指定された個数の処理ユニットを確保できない場合に、前記先行処理レシピに係る処理に用いられている処理ユニットのうちで、前記処理レシピに係る被処理基板を早く搬入できる処理ユニットから順に、前記対象処理工程を実行させる処理ユニットとして選択する。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項２または３に記載の基板処理装置であって、前記レシピに記述された一連の処理工程の被処理対象となる複数の基板のそれぞれについて、当該基板に対する前記対象処理工程に係る処理を実行させる処理ユニットである実行ユニットを、当該対象処理工程について前記使用ユニット選択手段が選択した使用ユニットのうちから選択する実行ユニット選択手段、を備え、前記実行ユニット選択手段が、基板の実行ユニットを選択するにあたり、前記対象処理工程について選択された使用ユニットのうちで、当該基板を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットを、前記実行ユニットとして選択する。
【００１６】
請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、外部からの入力に基づいて、前記処理レシピに記述された一連の処理工程のうちから、前記対象処理工程を選択する対象処理工程選択手段、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明によると、使用数指定手段が、処理レシピに含まれる対象処理工程について、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットの個数である使用数を、当該対象処理工程について指定された使用可能ユニットの個数よりも少ない値で指定する。したがって、使用可能ユニットの個数にかかわらず、使用可能ユニットのうち少なくとも１個は、当該レシピに係る処理に用いられない予備ユニットして確保される。したがって、ある処理レシピに係る処理工程をいずれかの処理ユニットで行っている間に、この予備ユニットの設定を別の処理レシピに記述された処理条件に応じたものへと設定変更しておくことができるので、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。すなわち、基板処理装置に搭載される処理ユニットの個数が少ない場合であっても、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。また、使用数は、使用可能ユニットの個数よりも少ない任意の値に指定することが可能であるので、並行処理にも容易に対応することができる。
【００１８】
請求項２の発明によると、使用ユニット選択手段が、対象処理工程を実行させる処理ユニットを、処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際に選択する。処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際においては、対象処理工程について指定された複数個の使用可能ユニットのうちで、処理レシピに先行する先行処理レシピに係る処理に用いられていない予備ユニットがどれであるかを特定することが可能であり、使用ユニット選択手段は、この予備ユニットを、当該対象処理工程を実行させる処理ユニットとして優先的に選択する。この構成によると、存在している予備ユニットを有効活用して、処理条件の設定変更による生産ロスを確実に低減することができる。
【００１９】
請求項３の発明によると、使用ユニット選択手段が、対象処理工程を実行させる処理ユニットを、処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際に選択する。処理レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置にて実行する際においては、対象処理工程について指定された複数個の使用可能ユニットのうちで、処理レシピに係る被処理基板を早く搬入できる処理ユニットがどれであるかを特定することが可能であり、使用ユニット選択手段は、予備ユニットだけでは使用数として指定された個数の処理ユニットを確保できない場合に、このような処理ユニットから順に、対象処理工程を実行させる処理ユニットとして選択する。この構成によると、処理ユニットの稼働率が向上し、処理条件の設定変更による生産ロスをさらに低減することができる。
【００２０】
請求項４の発明によると、実行ユニット選択手段が、基板の実行ユニットを選択するにあたり、対象処理工程について選択された使用ユニットのうちで、当該基板を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットを、実行ユニットとして選択する。この構成によると、処理ユニットの稼働率が向上し、生産ロスを低減することができる。
【００２１】
請求項５の発明によると、対象処理工程選択手段が、外部からの入力に基づいて、処理レシピに記述された一連の処理工程のうちから、対象処理工程を選択する。この構成によると、オペレータは任意の処理工程を自動選択の対象とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。
【図５】基板処理装置の制御機構を示すブロック図である。
【図６】処理ユニットの自動選択に関する機能部を示すブロック図である。
【図７】基本レシピの変更処理の流れを示す図である。
【図８】基本レシピの変更処理の各段階においてメインパネルに表示される表示画面の構成例を示す図である。
【図９】基本レシピの変更処理の各段階において表示部に表示される表示画面の構成例を示す図である。
【図１０】使用ユニットの選択処理の流れを示す図である。
【図１１】使用ユニットの選択処理の流れを示す図である。
【図１２】使用可能ユニットの状態を模式的に例示する図である。
【図１３】基板処理装置において実行される処理の流れを示す図である。
【図１４】使用ユニットの使用状態の経時変化を模式的に示す図である。
【図１５】使用ユニットの使用状態の経時変化を模式的に示す図である。
【図１６】使用ユニットの使用状態の経時変化を模式的に示す図である。
【図１７】使用ユニットの使用状態の経時変化を模式的に示す図である。
【図１８】本発明の効果を説明するための図である。
【図１９】本発明の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
〈１．全体構成〉
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００２５】
本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。
【００２６】
本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。露光ユニットＥＸＰは、ホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して基板処理装置１と接続されている。
【００２７】
インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。
【００２８】
インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。
【００２９】
インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００３０】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００３１】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００３２】
次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００３３】
バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３４】
図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００３５】
図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２およびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３には６個の加熱ユニットＨＰ２３１〜ＨＰ２３６および２個の冷却ユニットＣＰ２３１，ＣＰ２３２が上下に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。
【００３６】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３６、冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２，ＣＰ２３１，ＣＰ２３２および密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００３７】
次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００３８】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００３９】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられていてもよい。
【００４０】
レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００４１】
レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００４２】
図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４３】
図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する３個の加熱ユニットＨＰ３２１，ＨＰ３２２，ＨＰ３２３および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも３個の加熱ユニットＨＰ３３１，ＨＰ３３２，ＨＰ３３３および２個の冷却ユニットＣＰ３３１，ＣＰ３３２が上下に積層配置されている。
【００４４】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４５】
次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００４６】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００４７】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられてもよい。
【００４８】
現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。
【００４９】
図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を上下に積層配置して構成されている。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００５０】
図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ４２１，ＨＰ４２２および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３には６個の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および２個の冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２が上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。
【００５１】
また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【００５２】
搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５および熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５３】
次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。
【００５４】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。
【００５５】
リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。
【００５６】
現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。
【００５７】
露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであってもよい。
【００５８】
以上のインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
【００５９】
また、上述したインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０は、基板処理装置１を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置１が構成されている。
【００６０】
〈２．制御機構〉
基板処理装置１の制御機構について説明する。はじめに、「セル」について説明する。この実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位（被制御区画）を、機械的に分割した「ブロック」とは別に構成しており、本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲやインターフェイスブロック５０の搬送機構ＩＦＲも含まれる。
【００６１】
基板処理装置１には、インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６の６つのセルが含まれている。インデクサセルＣ１は、載置台１１とインデクサロボットＩＲとを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１０と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルＣ２は、下地塗布処理部２１と２つの熱処理タワー２２，２３と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルＣ２も、機械的に分割した単位であるバークブロック２０と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルＣ３は、レジスト塗布処理部３１と２つの熱処理タワー３２，３３と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルＣ３も、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３０と結果として同じ構成になっている。
【００６２】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部４１と熱処理タワー４２と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してアクセスすることができず、現像処理セルＣ４に熱処理タワー４３は含まれない。この点において、現像処理セルＣ４は機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０と異なる。
【００６３】
また、露光後ベークセルＣ５は、現像処理ブロック４０に位置する熱処理タワー４３と、インターフェイスブロック５０に位置するエッジ露光ユニットＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルＣ５は、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
【００６４】
なお、熱処理タワー４３に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルＣ４の搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルＣ５の搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００６５】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構ＩＦＲを含んで構成されている。このインターフェイスセルＣ６は、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光ユニットＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５０とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルＣ６の搬送機構ＩＦＲとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００６６】
次に、基板処理装置１の制御機構について図５を参照しながら具体的に説明する。図５は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、この実施の形態の基板処理装置１は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【００６７】
第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、表示部ＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。表示部ＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対しては操作部ＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、表示部ＭＰをタッチパネルにて構成し、表示部ＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。
【００６８】
第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。
【００６９】
また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４および現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。上述した現像処理ブロック４０の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光後ベークセルＣ５のベークコントローラによって制御されている。
【００７０】
また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。また、表示部および操作部（いずれも図示省略）を備えており、オペレータは操作部から種々のコマンドを入力することができる。ホストコンピュータ１００には、この実施の形態に係る基板処理装置１が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置１に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置１のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。
【００７１】
なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。
【００７２】
〈３．レシピ〉
レシピについて説明する。はじめに、一般的に用いられるレシピ（基本レシピ）について図８を参照しながら説明する。図８は、表示部ＭＰに基本レシピＲが表示された状態を示す図である。
【００７３】
基本レシピには、フローレシピとライブラリレシピとが含まれる。フローレシピとは、プロセスシーケンスを示す情報である。図８に例示される基本レシピＲにおいては、フローレシピとして、処理工程step１〜処理工程step１５が記述されている。なお、図８に例示される基本レシピＲにおいて、「ＡＨＬ」は密着強化処理を、「ＣＰ」は冷却処理を、「ＢＡＲＣ」は反射防止膜の塗布形成処理を、「ＨＰ」は加熱処理を、「ＳＣ」はレジスト膜の塗布形成処理を、「ＥＥＷ」はエッジ露光処理を、それぞれ表している。また、「ＩＤ」は、インデクサブロック１０に対する基板Ｗの搬送工程を、「ＩＦＢ」は露光ユニットＥＸＰに対する基板Ｗの搬送工程を、それぞれ表している。
【００７４】
ライブラリレシピとは、各処理工程における処理条件、より具体的には、制御パラメータ（温度、圧力、薬液の種類・流量、ガスの種類・流量、処理時間等の制御目標値）を示す情報である。図８に例示される基本レシピＲにおいては、例えば、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step５）のライブラリレシピとして「２３０Ｃ９０ｓ」と記述されている。これは、当該処理工程で、目標温度が２３０度、処理時間が９０秒の加熱処理を実行すべきことを表している。
【００７５】
また、基本レシピには、各処理工程の「並行数」が記述されている。ただし、「並行数」とは、並行処理（同一処理工程における同一条件の処理を複数の処理部で並行して実行する処理）を行う処理ユニット（並行処理ユニット）の個数である。上述した通り、この実施の形態に係る基板処理装置１には、各種の処理工程について並行処理を実行可能とするべく複数個の並行処理ユニットが搭載されており、例えばレジスト膜の塗布形成処理を行う処理ユニットは４個（塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４）設けられている。図８に例示される基本レシピＲにおいては、例えば、レジスト膜の塗布形成処理（処理工程step７）を、３個の処理ユニットで並行して実行するように規定されている。すなわち、処理工程step７の並行数は「３」と記述されている。並行数が多くなると処理効率が向上するので、一連のプロセスの中でも特にスループットを律速する処理工程（処理に時間がかかる工程）の並行数は、多く設定することが望ましい。逆に、スループットを律速しない処理工程の並行数は、必ずしも多く設定する必要がない。すなわち、並行数として適切な数はフローレシピおよびライブラリレシピの内容によって規定される。
【００７６】
また、基本レシピには、各処理工程を実行する処理ユニットが指定されている。図８に例示される基本レシピＲにおいては、例えば、レジスト膜の塗布形成処理（処理工程step７）を、装置に搭載された４個の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，ＳＣ４のうち、「塗布処理ユニットＳＣ１」、「塗布処理ユニットＳＣ２」および「塗布処理ユニットＳＣ３」を用いて実行するように指定されている。
【００７７】
〈４．ユニットの自動選択機能〉
〈４−１．機能部〉
この実施の形態に係る基板処理装置１においては、基本レシピが与えられた場合に、そこに記述されたフローレシピに含まれる任意の処理工程を実行する処理ユニットを自動選択する機能部（ユニット自動選択処理部９０）を備えている。これについて、図６を参照しながら説明する。図６は、処理ユニットの自動選択に関する機能部を示すブロック図である。なお、これら各部は、メインコントローラＭＣにおいて、記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムが実行されることにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００７８】
ユニット自動選択処理部９０は、レシピ変更部９１と、使用ユニット選択部９２と、実行ユニット選択部９３とを備える。
【００７９】
〈レシピ変更部９１〉
レシピ変更部９１は、基本レシピが与えられた場合に、オペレータからの指示に応じてその記述を変更する。レシピ変更部９１は、対象処理工程選択部９１１と、使用可能ユニット指定部９１２と、使用数指定部９１３とを備える。
【００８０】
〈対象処理工程選択部９１１〉
対象処理工程選択部９１１は、外部からの入力に基づいて、基本レシピに記述された一連の処理工程のうちの１以上の処理工程を、処理ユニットの自動選択の対象とする処理工程（以下において、「対象処理工程」という）に選択する。上述した通り、基本レシピにおいては、そこに記述された一連の処理工程のそれぞれについて、当該処理工程をどの処理ユニットを用いて処理させるかの指定（ユニット指定）がされているが、対象処理工程については、そのユニット指定が無効とされる。
【００８１】
〈使用可能ユニット指定部９１２〉
使用可能ユニット指定部９１２は  対象処理工程について、その「使用可能ユニットＵｐ」を複数個指定してレシピに記述する。処理工程の「使用可能ユニットＵｐ」とは、基板処理装置１の備える複数の処理ユニットのうちで、その処理工程を実行可能な処理ユニットである。使用可能ユニットＵｐは、レシピと基板処理装置１の装置構成とから規定される。
【００８２】
例えば、上述した構成の基板処理装置１の場合、反射防止膜の塗布形成処理を実行可能な処理ユニットとして、下地塗布処理部２１が４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４を備えている。したがって、例えば図８に例示される基本レシピＲにおいて、反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step４）が対象処理工程とされた場合、この処理工程step４の使用可能ユニットＵｐとして、４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４が指定される。
【００８３】
また例えば、上述した構成の基板処理装置１の場合、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理を実行可能な処理ユニットとして、熱処理タワー２２，２３が複数個の加熱ユニットを備えている。したがって、例えば図８に例示される基本レシピＲにおいて、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step５）が対象処理工程とされた場合、この処理工程step５の使用可能ユニットＵｐとして、熱処理タワー２２，２３が備える複数個の加熱ユニットのうちの全部、または一部の加熱ユニットが指定される。なお、熱処理タワー２２，２３に配置された複数個の加熱ユニットのうちの何個を、処理工程step５の使用可能ユニットＵｐとして確保できるかは、熱処理タワー２２，２３に配置された各加熱ユニットが処理工程step５の他にどのような処理工程で用いられるかによって変わってくる。すなわち、レシピによって決まってくる。
【００８４】
〈使用数指定部９１３〉
使用数指定部９１３は、対象処理工程について、「使用ユニットＵｒ」の個数（以下において、「使用数Ｎ（Ｕｒ）」と示す）を指定してレシピに記述する。ただし、「使用ユニットＵｒ」とは、対象処理工程を実行させる処理ユニットである。使用数指定部９１３は、対象処理工程についての使用数Ｎ（Ｕｒ）を、当該対象処理工程について指定された使用可能ユニットＵｐの個数（以下において「可能数Ｎ（Ｕｐ）」と示す）よりも少ない値で指定する（すなわち、使用数Ｎ（Ｕｒ）＜可能数Ｎ（Ｕｐ））。
【００８５】
使用数Ｎ（Ｕｒ）とは、換言すると、並行数である。したがって、使用数Ｎ（Ｕｒ）として適切な数は、本来はレシピの内容によって規定される。レシピの内容から規定される使用数Ｎ（Ｕｒ）として適切な値を以下において「最適数」という。
【００８６】
使用数指定部９１３は、レシピの内容から規定される最適数を使用数Ｎ（Ｕｒ）としてレシピに記述する構成であってもよいし、外部から使用数Ｎ（Ｕｒ）の入力を受け付け、入力された値を使用数Ｎ（Ｕｒ）としてレシピに記述する構成であってもよい。
【００８７】
〈使用ユニット選択部９２〉
上述した通り、対象処理工程以外の処理工程は、予めレシピにてユニット指定がされており、レシピを受け取った基板処理装置１は、指定された処理ユニットを用いて処理を実行する。一方、対象処理工程は、レシピのユニット指定が無効とされている。以下に説明するように、対象処理工程については、実際にレシピを実行する段階において、その時点の基板処理装置１内の状態に基づいて、当該処理工程をどの処理ユニットを用いて処理させるかの選択（ユニット選択）を行い、選択されたユニットを用いて処理を実行する。
【００８８】
使用ユニット選択部９２は、レシピに記述された一連の処理工程を基板処理装置１にて実行する際に、当該レシピに含まれる対象処理工程のそれぞれについてユニット選択を行う機能部である。上述した通り、対象処理工程については、レシピに、使用可能ユニットＵｐの指定と、使用数Ｎ（Ｕｒ）の指定とがされており、使用ユニット選択部９２は、使用可能ユニットＵｐとして指定された処理ユニットのうちから、使用数Ｎ（Ｕｒ）として規定された個数分の処理ユニットを、使用ユニットＵｒとして選択する。
【００８９】
ただし、使用ユニット選択部９２は、対象処理工程について指定された使用可能ユニットＵｐのうちで、レシピを実行開始する段階において使用されていないもの（すなわち、先行するレシピに係る処理に用いられていない処理ユニットであり、以下においてこれを「予備ユニットＵｏ」という）がある場合、これを、当該対象処理工程を実行させる使用ユニットＵｒとして優先的に選択する。
【００９０】
予備ユニットＵｏだけでは使用数Ｎ（Ｕｒ）として指定された個数の処理ユニットを確保できない場合、対象処理工程について指定された使用可能ユニットＵｐであって先行するレシピに係る処理に用いられている処理ユニット（以下において、「占領ユニットＵｉ」という）から使用ユニットＵｒを選択しなければならない。この場合、使用ユニット選択部９２は、占領ユニットＵｉのうちで、レシピに係る被処理基板Ｗを早く搬入できる処理ユニット（すなわち、先行するレシピに係る処理を早く終了する処理ユニット）から順に、対象処理工程を実行させる使用ユニットＵｒとして選択する。
【００９１】
〈実行ユニット選択部９３〉
上述した通り、対象処理工程以外の処理工程については、予めレシピにてユニット指定がされており、レシピを受け取った基板処理装置１は、指定された処理ユニットを所定の順序（例えば、レシピの指定番号の昇順）で用いながら処理を実行する。例えば、ロットから１番目に搬出された基板Ｗを１番目に指定された処理ユニットに搬入し、２番目に搬出された基板Ｗを２番目に指定された処理ユニットに搬入し、といった具合である。一方、以下に説明するように、対象処理工程については、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットをどの順序で用いるかをその時々で判断しながら処理を実行する。すなわち、各基板Ｗに対する処理を実行する段階において、その時点の基板処理装置１内の状態に基づいて、当該基板Ｗを処理させるべき処理ユニットを使用ユニットＵｒのうちから選択する。
【００９２】
実行ユニット選択部９３は、レシピに記述された一連の処理工程の被処理対象となる複数の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板に対する対象処理工程に係る処理を実行させる処理ユニット（以下において「実行ユニットＵｔ」という）を、当該対象処理工程について使用ユニット選択部９２が選択した使用ユニットＵｒのうちから選択する機能部である。
【００９３】
ただし、実行ユニット選択部９３は、基板Ｗの実行ユニットＵｔを選択するにあたり、対象処理工程について選択された使用ユニットＵｒのうちで、当該基板Ｗを受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒを、当該基板Ｗの実行ユニットＵｔとして選択する。ただし、基板Ｗの実行ユニットＵｔを選択するタイミング（判断時点）は、当該基板Ｗに先行する先行基板Ｗの実行ユニットＵｔが選択された後であり、遅くとも、当該基板Ｗを使用ユニットＵｒのいずれかに搬入すべきタイミングよりも前である。
【００９４】
〈４−２．処理の流れ〉
ユニット自動選択処理部９０の備える各機能部に関連する処理の流れについて説明する。
【００９５】
〈ｉ．基本レシピの変更〉
基本レシピが与えられると、レシピ変更部９１が、オペレータからの指示に応じてその記述を変更する。この処理の流れを、図７を参照しながら説明する。図７は、基本レシピの変更処理の流れを示す図である。なお、以下においては、図８〜図９を併せて参照する。図８〜図９は、基本レシピの変更処理の各段階において表示部ＭＰに表示される表示画面の構成例を示す図である。
【００９６】
基本レシピの変更処理は、オペレータがユニット自動選択機能を能動化させることによって開始される。すなわち、基本レシピが与えられると、メインコントローラＭＣは、表示部ＭＰに与えられた基本レシピを表示させる（図８参照）。この表示画面中には、ユニット自動選択機能を能動化させる始動アイコンＥ１が表示される。オペレータが、この始動アイコンＥ１上にカーソルを移動させて、マウスなどのポインティングデバイスのボタンをクリックすると、ユニット自動選択処理部９０が能動化され、以下の処理が開始される。
【００９７】
まず、対象処理工程選択部９１１が、外部からの入力に基づいて、基本レシピに記述された一連の処理工程のうちから対象処理工程を選択する（ステップＳ１０１）。すなわち、オペレータが、表示画面に表示された基本レシピに含まれる一連の処理工程のうちの任意の処理工程の表示箇所にカーソルを移動させてマウスをクリックすると、対象処理工程選択部９１１は、当該入力を受け付け、指定された処理工程を対象処理工程として選択する。そして、対象処理工程として選択された処理工程の表示部分を、例えば赤色で表示する。図８には、処理工程step５が対象処理工程として選択された状態を示している。なお、上述した通り、対象処理工程として受け付けられた処理工程については、そのユニット指定が無効とされる。
【００９８】
続いて、使用可能ユニット指定部９１２が  ステップＳ１０１で選択された対象処理工程の使用可能ユニットＵｐを指定して、レシピに記述する（ステップＳ１０２）。
【００９９】
続いて、使用数指定部９１３が、ステップＳ１０１で選択された対象処理工程の使用数Ｎ（Ｕｒ）（ただし、使用数Ｎ（Ｕｒ）＜可能数Ｎ（Ｕｐ））を指定してレシピに記述する（ステップＳ１０３）。
【０１００】
なお、使用数指定部９１３は、最適数を使用数Ｎ（Ｕｒ）として採用する構成であってもよい。この場合、使用数指定部９１３は、基本レシピに基づいて対象処理工程の最適数を特定し、この最適数を当該対象処理工程の使用数Ｎ（Ｕｒ）としてレシピに記述する。
【０１０１】
また、使用数指定部９１３は、外部から入力された値を使用数Ｎ（Ｕｒ）として採用する構成であってもよい。この場合、使用数指定部９１３は、表示画面中に、使用数Ｎ（Ｕｒ）の入力を受け付ける指定ウインドウＥ１０を表示する。指定ウインドウＥ１０中には、使用数Ｎ（Ｕｒ）の入力エリアＥ１１が配置されている。また、使用数Ｎ（Ｕｒ）の入力を受け付け、選択された処理工程を対象処理工程として確定させる指示入力を受け付ける確定アイコンＥ１２ａおよびこれを無効にする指示入力を受け付ける無効アイコンＥ１２ｂが配置されている。また、入力指示をレシピに反映させてこれを保存する旨の指示入力を受け付ける保存アイコンＥ１３ａおよびこれをキャンセルする指示入力を受け付けるキャンセルアイコンＥ１３ｂが配置されている。オペレータが、入力エリアＥ１１に任意の値を入力した上で、確定アイコンＥ１２ａにカーソルを移動させてマウスをクリックすると、使用数指定部９１３は、入力された値を、ステップＳ１０２で選択された対象工程の使用数Ｎ（Ｕｒ）として受け付ける。オペレータがさらに保存アイコンＥ１３ａにカーソルを移動させてマウスをクリックすると、使用数指定部９１３は、入力内容をレシピに記述してこれを保存する。なお、指定ウインドウＥ１０中に、ステップＳ１０１で選択された対象処理工程の最適数を表示する構成としてもよい。この場合、オペレータは表示された最適数を参考にしながら、任意の値を使用数Ｎ（Ｕｒ）として入力することができる。ただし、オペレータは、使用数Ｎ（Ｕｒ）として可能数Ｎ（Ｕｐ）よりも少ない値しか入力することができない。オペレータが、使用数Ｎ（Ｕｒ）として可能数Ｎ（Ｕｐ）と同じ値、もしくは、これより大きな値を入力した場合は、使用数指定部９１３は、当該入力を受け付けずに無効にし、例えば、再入力を促すメッセージウインドウ等を表示する。
【０１０２】
続いて、レシピ変更部９１は、レシピの変更処理を終了する旨の入力が外部から行われたか否かを判断する（ステップＳ１０４）。レシピの変更処理を終了する旨の入力がなされずに、別の処理工程を対象処理工程と選択する旨の入力が外部から行われた場合には、再び、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０３の処理が行われることになる。すなわち、オペレータは、基本レシピに記述された一連の処理工程のうちの１以上の任意の処理工程を対象処理工程として選択することができる。一方、レシピの変更処理を終了する旨の入力が外部から行われた場合には（ステップＳ１０４でＹＥＳ）、レシピ変更部９１は、レシピを更新して保存し（ステップＳ１０５）、変更処理を終了する。なお、レシピ変更部９１は、表示画面中に、レシピの変更処理を終了する旨の指示入力を受け付ける更新アイコンＥ２を表示しており、オペレータは、更新アイコンＥ２にカーソルを移動させてマウスをクリックすることによって、レシピの変更処理を終了する旨の入力を行うことができる。
【０１０３】
〈ｉｉ．使用ユニットＵｒの選択〉
〈全体の処理の流れ〉
次に、レシピに含まれる対象処理工程の使用ユニットＵｒを選択する処理の流れを、図１０を参照しながら説明する。図１０は、使用ユニットＵｒの選択処理の流れを示す図である。なお、以下の処理は、基板処理装置１にてレシピに記述された一連の処理工程を実行開始する際に実行される。
【０１０４】
使用ユニット選択部９２は、まず、レシピを参照して、そこに含まれる対象処理工程を１つ抽出する（ステップＳ２０１）。
【０１０５】
続いて、ステップＳ２０２で抽出された対象処理工程について指定された使用可能ユニットＵｐをレシピから読み取って特定する（ステップＳ２０２）。
【０１０６】
続いて、ステップＳ２０２で特定された使用可能ユニットＵｐそれぞれの状態情報を取得する（ステップＳ２０３）。処理ユニットの状態情報には、当該処理ユニットが先行するレシピに係る処理に使用されているか否か（すなわち、当該処理ユニットが、占領ユニットＵｉ、もしくは、予備ユニットＵｏのいずれであるか）を示す情報が含まれる。また、先行するレシピに係る処理に使用されている処理ユニット（占領ユニットＵｉ）である場合は、先行するレシピに係るロットの何枚目の基板Ｗがそこで処理されているか（もしくは、処理される予定であるか）、を示す情報が含まれる。
【０１０７】
続いて、ステップＳ２０３で取得された状態情報に基づいて、使用可能ユニットＵｐとして指定された処理ユニットのうちから、使用数Ｎ（Ｕｒ）として指定された個数の処理ユニットを使用ユニットＵｒとして選択する（ステップＳ２０４）。この処理については、後により具体的に説明する。
【０１０８】
レシピに含まれる全ての対象処理工程について使用ユニットＵｒが選択されると（ステップＳ２０５でＹＥＳ）、当該レシピについての使用ユニットＵｒの選択処理は終了する。
【０１０９】
〈ステップＳ２０４の処理の流れ〉
次に、上述したステップＳ２０４の処理の流れを、図１１を参照しながらより具体的に説明する。図１１は、ステップＳ２０４の処理の流れを示す図である。
【０１１０】
使用ユニット選択部９２は、はじめに、ステップＳ２０３で取得された状態情報に基づいて、使用可能ユニットＵｐとして指定された処理ユニットのうちから、全ての予備ユニットＵｏを抽出する（ステップＳ２４１）。
【０１１１】
続いて、ステップＳ２４１で抽出された予備ユニットＵｏの個数が、使用数Ｎ（Ｕｒ）以上であるか否かを判断する（ステップＳ２４２）。
【０１１２】
ステップＳ２４１で抽出された予備ユニットＵｏの個数が、使用数Ｎ（Ｕｒ）以上であると判断した場合は（ステップＳ２４２でＹＥＳ）、抽出された予備ユニットＵｏから使用数Ｎ（Ｕｒ）分の処理ユニットを使用ユニットＵｒとして選択して（ステップＳ２４３）、処理を終了する。この場合は、全ての使用ユニットＵｒが予備ユニットＵｏで確保されることになる。
【０１１３】
一方、予備ユニットＵｏの個数が、使用数Ｎ（Ｕｒ）よりも少ないと判断した場合は（ステップＳ２４２でＮＯ）、抽出された予備ユニットＵｏの全てを使用ユニットＵｒとして選択する（ステップＳ２４４）。この場合は、さらにステップＳ２４５に進み、足りない分の使用ユニットＵｒを占領ユニットＵｉから選択する必要がある。
【０１１４】
ステップＳ２４５では、ステップＳ２０３で取得された状態情報に基づいて、先行するレシピに係る処理に用いられている占領ユニットＵｉであって使用ユニットＵｒとして選択されていない処理ユニットのうち、最も早く次のレシピに係る処理に用いることが可能な状態となる処理ユニット（すなわち、先行するレシピに係る処理を最も早く終了する処理ユニット）を特定し、これを使用ユニットＵｒとして選択する。
【０１１５】
続いて、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数が使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達したか否かを判断し（ステップＳ２４６）、使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達していないと判断した場合は再びステップＳ２４５の処理を行う。すなわち、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数が使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達するまで、ステップＳ２４５の処理を繰り返して行う。使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数が使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達すると、処理を終了する。
【０１１６】
〈ステップＳ２０４の処理の流れの具体例〉
次に、上述したステップＳ２０４の処理の流れを具体例を用いて説明する。ここでは、図８に例示される基本レシピＲにおいて反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step５）が対象処理工程として選択されているものとし、この処理工程step５の使用ユニットＵｒを選択する場合について説明する。ただし、処理工程step５の使用可能ユニットＵｐとして８個の加熱ユニット（加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３６）が指定されており、使用数Ｎ（Ｕｒ）が「５」と指定されているとする。したがって、使用ユニット選択部９２は、ステップＳ２０３の処理において、これら８個の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３６のうちから５個の処理ユニットを使用ユニットＵｒとして選択することになる。
【０１１７】
なおここでは、各使用可能ユニットＵｐは図１２に例示される状態にあるものとする。すなわち、８個の使用可能ユニットＵｐ中、５個の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３３は先行するレシピに係る処理に使用されており、他の加熱ユニットＨ２３４〜ＨＰ２３６は先行するレシピに係る処理に使用されていない。また、加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３３のそれぞれにおいて、先行するレシピに係るロットの２２枚目の基板Ｗ（２２）、２３枚目の基板Ｗ（２３）、２４枚目の基板Ｗ（２４）、２５枚目の基板Ｗ（２５）、２１枚目の基板Ｗ（２１）が処理されているとする。ただし、先行するレシピに係るロットには２５枚の基板Ｗが収納されており、基板Ｗ（２５）は、先行するレシピの処理対象となる最後の基板Ｗであるとする。
【０１１８】
したがって、使用ユニット選択部９２は、ステップＳ２０３において、加熱ユニットＨＰ２２１の状態情報として「先行するレシピに係るロットの２２枚目の基板Ｗを処理中」との情報、加熱ユニットＨＰ２２２の状態情報として「先行するレシピに係るロットの２３枚目の基板Ｗを処理中」との情報を、加熱ユニットＨＰ２３１の状態情報として「先行するレシピに係るロットの２４枚目の基板Ｗを処理中」との情報を、加熱ユニットＨＰ２３２の状態情報として「先行するレシピに係るロットの２５枚目の基板Ｗを処理中」との情報を、加熱ユニットＨＰ２３３の状態情報として「先行するレシピに係るロットの２１枚目の基板Ｗを処理中」との情報を、それぞれ取得している。また、加熱ユニットＨＰ２３４，ＨＰ２３５，ＨＰ２３６の各状態情報として、「先行するレシピに係る処理に使用されていない（すなわち、予備ユニットＵｏである）」との情報を取得している。
【０１１９】
まず、使用ユニット選択部９２は、使用可能ユニットＵｐとして指定された処理ユニットのうちから、全ての予備ユニットＵｏを抽出するところ（ステップＳ２４１）、ここでは、３個の加熱ユニットＨＰ２３４〜ＨＰ２３６が予備ユニットＵｏとして抽出される。
【０１２０】
続いて、ステップＳ２４１で抽出された予備ユニットＵｏの個数が、使用数Ｎ（Ｕｒ）以上であるか否かを判断するところ（ステップＳ２４２）、ステップＳ２４１で抽出された予備ユニットＵｏの個数は「３」で使用数Ｎ（Ｕｒ）「５」より小さいので、ここでは否定的判断結果を得る。
【０１２１】
この場合、ステップＳ２４１で抽出された予備ユニットＵｏ（加熱ユニットＨＰ２３４〜ＨＰ２３６）の全てを、使用ユニットＵｒとして選択する（ステップＳ２４４）。これで、３個の処理ユニットが使用ユニットＵｒとして選択されたことになる。
【０１２２】
続いて、ステップＳ２４５で、足りない分の使用ユニットＵｒを占領ユニットＵｉから選択する。すなわち、占領ユニットＵｉであって使用ユニットＵｒとして選択されていない処理ユニット（ここでは、加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３３）のうち、先行するレシピに係る処理を最も早く終了する処理ユニットを特定し、これを使用ユニットＵｒとして選択する。加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３３のうち、先行するレシピに係る処理を最も早く終了する処理ユニットは、加熱ユニットＨＰ２３３であると特定される。加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１〜ＨＰ２３３のいずれもが、現在処理している基板Ｗを搬出した後は次のロットに係る基板Ｗを処理可能であり、中でも現在処理している基板Ｗの処理を最も早く終了できるのは、最も若い２１番目の基板Ｗ（２１）を処理している加熱ユニットＨＰ２３３であると予想されるからである。したがって、ステップＳ２４５では、加熱ユニットＨＰ２３３が、４個目の使用ユニットＵｒとして選択されることになる。
【０１２３】
続いて、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数が使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達したか否かを判断するところ（ステップＳ２４６）、この段階では、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数は「４」であり使用数Ｎ（Ｕｒ）「５」に到達していないので、ここでは否定的判断を得る。したがって、再びステップＳ２４５の処理を行うことになる。
【０１２４】
２回目のステップＳ２４５の処理では、占領ユニットＵｉであって使用ユニットＵｒとして選択されていない処理ユニット（ここでは、加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１，ＨＰ２３２）のうち、先行するレシピに係る処理を最も早く終了する処理ユニットを特定し、これを使用ユニットＵｒとして選択する。加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１，ＨＰ２３２のうち、先行するレシピに係る処理を最も早く終了する処理ユニットは、加熱ユニットＨＰ２２１であると特定される。加熱ユニットＨ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１，ＨＰ２３２の中で、現在処理している基板Ｗの処理を最も早く終了できるのは、最も若い２２番目の基板Ｗ（２２）を処理している加熱ユニットＨＰ２２１であると予想されるからである。したがって、２回目のステップＳ２４５では、加熱ユニットＨＰ２２１が、５個目の使用ユニットＵｒとして選択されることになる。
【０１２５】
続いて、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数が使用数Ｎ（Ｕｒ）に到達したか否かを判断するところ（ステップＳ２４６）、この段階では、使用ユニットＵｒとして選択された処理ユニットの個数は「５」であり使用数Ｎ（Ｕｒ）「５」に到達している。したがって、ここで使用ユニットＵｒの選択処理を終了することになる。
【０１２６】
〈iii．基板処理装置１における処理動作〉
次に、基板処理装置１において実行される処理の流れを、図１３を参照しながら説明する。図１３は、基板処理装置１において実行される処理の流れの一例を示す図である。なお、上述した通り、基板処理装置１において実行される処理動作は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容にしたがってメインコントローラＭＣが図５に示す制御機構が各部を制御することにより実行される。
【０１２７】
ここでは、基板処理装置１において、図８に例示されるレシピＲに記述された一連の処理工程を実行する場合の処理について説明する。ただし、基本レシピＲにおいては、そこに含まれる反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step５）が対象処理工程として選択されているものとする。
【０１２８】
まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる（処理工程step１）。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【０１２９】
処理工程step２は、２個の密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１，ＡＨＬ２２２で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は、その基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２の密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１，ＡＨＬ２２２のいずれかに搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１，ＡＨＬ２２２のそれぞれでは、基板Ｗに対する密着強化処理が行われる（処理工程step２）。
【０１３０】
処理工程step３は、２個の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ１は、密着強化処理された基板Ｗを、熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２３度、処理時間５０秒）が行われる（処理工程step２）。
【０１３１】
処理工程step４は、３個の塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ１は、冷却された基板Ｗを、冷却ユニットから下地塗布処理部２１の塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のそれぞれでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される（処理工程step４）。この処理によって、基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【０１３２】
処理工程step５は、レシピ変更部９１により、対象処理工程に設定されている。したがって、レシピに記述されたユニット指定は無効にされた上で、使用ユニット選択部９２が、使用数Ｎ（Ｕｒ）に規定される個数分の使用ユニットＵｒを選択している。この場合、搬送ロボットＴＲ１は、塗布処理が終了した基板Ｗを、使用ユニット選択部９２が選択した使用ユニットＵｒのいずれか（具体的には、実行ユニット選択部９３が、当該基板Ｗを処理させるべき処理ユニット（実行ユニットＵｔ）として選択した処理ユニット）に搬送する。実行ユニットＵｔでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度２３０度、処理時間９０秒）が行われる（処理工程step５）。この加熱処理によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される。なお、実行ユニット選択部９３が実行ユニットＵｔを選択する態様については後に説明する。
【０１３３】
処理工程step６は、２個の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ１は、加熱ユニットから取り出した基板Ｗを熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２では、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２３度、処理時間１５秒）が行われる（処理工程step６）。搬送ロボットＴＲ１は、冷却後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【０１３４】
処理工程step７は、３個の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２は、その基板Ｗを受け取って、レジスト塗布処理部３１の塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のそれぞれでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される（処理工程step７）。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。
【０１３５】
処理工程step８は、６個の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ２は、レジスト塗布処理が終了して塗布処理ユニットから搬出された基板Ｗを、熱処理タワー３２，３３の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のいずれかに搬送する。加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１４０度、処理時間９０秒）が行われる（処理工程step８）。この加熱処理(Post Applied Bake)によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【０１３６】
処理工程step９は、２個の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ２は、レジスト塗布処理が終了して塗布処理ユニットから搬出された基板Ｗを、熱処理タワー３２，３３の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２３度、処理時間１５秒）が行われる（処理工程step９）。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【０１３７】
処理工程step１０は、２個のエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入する（処理工程step１０）。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。
【０１３８】
処理工程step１１は、露光ユニットＥＸＰに対する基板Ｗの搬送工程である。すなわち、搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取って、露光ユニットＥＸＰに搬入する。露光ユニットＥＸＰでは、基板Ｗに対するパターン露光処理が行われる。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。搬送機構ＩＦＲは、パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１３９】
処理工程step１２は、６個の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ４は、露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、その基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬送する。加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１００度、処理時間９０秒）が行われる（処理工程step１２）。この加熱処理によって、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニット内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１４０】
処理工程step１３は、２個の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、その基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２３度、処理時間１５秒）が行われる（処理工程step１３）。この冷却処理によって、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。
【０１４１】
処理工程step１４は、５個の現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５で並行処理するようにレシピに記述されている。したがって、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットから取り出した基板Ｗを、現像処理部４１の現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる（処理工程step１４）。
【０１４２】
やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される（処理工程step１５）。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【０１４３】
〈iv．実行ユニットＵｔの選択〉
上述した通り、対象処理工程については、各基板Ｗに対する処理を実行する段階において、実行ユニット選択部９３が、使用ユニット選択部９２が選択した使用ユニットＵｒのうちから、当該基板Ｗの実行ユニットＵｔを選択する。この処理を、図１４〜図１７を参照しながら説明する。図１４〜図１７は、使用ユニットＵｒの使用状態の経時変化を模式的に示す図である。
【０１４４】
以下においては、実行ユニット選択部９３が、「基板Ｗ（Ｂｎ）」に対して対象処理工程に係る処理を実行させる実行ユニットＵｔを選択する場合の処理を説明する。ただし、基板Ｗ（Ｂｎ）とは、先行するレシピ（「レシピＡ」）に引き続いて実行されるレシピ（「レシピＢ」）が処理対象とするロット（「ロットＢ」）に収納されたｎ番目の基板Ｗである。また、レシピＢは、図８に例示される基本レシピＲにおいて反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step５）が対象処理工程として選択されたものであるとする。さらに、処理工程step５の使用ユニットＵｒとして加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２３３〜ＨＰ２３６の５個の処理ユニットが選択されているとする（図１２参照）。なお、先行するレシピＡが処理対象とするロット（「ロットＡ」）に収納されたｎ番目の基板Ｗについては、「基板Ｗ（Ａｎ）」と示す。
【０１４５】
実行ユニット選択部９３は、対象処理工程である処理工程step５について基板Ｗ（Ｂｎ）の実行ユニットＵｔを選択するにあたり、まず、処理工程step５の使用ユニットＵｒのそれぞれについて、各使用ユニットＵｒが基板Ｗ（Ｂｎ）を受け入れ可能となる時刻（受入可能時刻）を特定する。そして、受入可能時刻が最も早い使用ユニットＵｒを、基板Ｗ（Ｂｎ）の実行ユニットＵｔとして選択する。
【０１４６】
例えば、５個の使用ユニットＵｒが図１４に例示される状態にあるときに、基板Ｗ（Ｂ１）の実行ユニットＵｔを選択する場合を考える。この場合、基板Ｗ（Ｂ１）を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒは、加熱ユニットＨＰ２３４〜ＨＰ２３６であり、実行ユニット選択部９３は、そのうちの任意の処理ユニット（例えば、加熱ユニットＨＰ２３４）を、基板Ｗ（Ｂ１）の実行ユニットＵｔとして選択する。
【０１４７】
ただし、加熱ユニットＨＰ２２１のように、先行するレシピＡに係る処理に使用されている使用ユニットＵｒの受入可能時刻は、基板Ｗ（Ａ２２）に対する処理を終了し、さらに設定変更処理が完了する時刻となる。なお、設定変更処理とは、処理ユニットの設定をレシピに応じた処理条件に変更する処理であり、具体的には、メインコントローラＭＣが、レシピＡに記述された処理条件に設定されている加熱ユニットＨ２２１の各部の設定を、レシピＢに記述された処理条件に応じたものに変更する処理である。
【０１４８】
また、加熱ユニットＨＰ２３４のように、先行するレシピＡに係る処理に使用されていない使用ユニットＵｒの受入可能時刻は、設定変更処理が完了する時刻となる。ただし、このような使用ユニットＵｒの場合、他の処理ユニットにて先行するレシピＡに係る処理が行われている間に設定変更処理が行われるので、通常は、図１４に示されるように、レシピＢに係る処理を開始する以前に設定変更処理が完了し、ロットＢに収納された基板Ｗを受け入れ可能な状態となるように制御されている場合が多い。
【０１４９】
また例えば、５個の使用ユニットＵｒが図１５に例示される状態にあるときに、基板Ｗ（Ｂ２）の実行ユニットＵｔを選択する場合を考える。この場合、基板Ｗ（Ｂ２）を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒは、加熱ユニットＨＰ２３５，ＨＰ２３６であり、実行ユニット選択部９３は、そのうちの任意の処理ユニット（例えば、加熱ユニットＨＰ２３５）を、基板Ｗ（Ｂ２）の実行ユニットＵｔとして選択する。
【０１５０】
ただし、加熱ユニットＨＰ２３４のように、レシピＢに係る処理に使用されている使用ユニットＵｒの受入可能時刻は、現在処理している基板Ｗ（Ｂ１）が搬出される時刻となる。
【０１５１】
また例えば、５個の使用ユニットＵｒが図１６に例示される状態にあるときに、基板Ｗ（Ｂ４）の実行ユニットＵｔを選択する場合を考える。ここでは、加熱ユニットＨＰ２３３がロットＡに収納された基板Ｗ（Ａ２１）に対する処理を終了し、さらに設定変更処理が完了する時刻（加熱ユニットＨＰ２３３の受入可能時刻）の方が、加熱ユニットＨＰ２３４から基板Ｗ（Ｂ１）が搬出される時刻（加熱ユニットＨＰ２３４の受入可能時刻）よりも早い。したがってこの場合、基板Ｗ（Ｂ４）を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒは、加熱ユニットＨＰ２３３であり、実行ユニット選択部９３は、この加熱ユニットＨＰ２３３を、基板Ｗ（Ｂ４）の実行ユニットＵｔとして選択する。
【０１５２】
一方、設定変更処理に要する時間や、処理に要する時間等によっては、図１７に示される状態も想定できる。５個の使用ユニットＵｒが図１７に例示される状態にあるときに、基板Ｗ（Ｂ４）の実行ユニットＵｔを選択する場合を考える。ここでは、加熱ユニットＨＰ２３４から基板Ｗ（Ｂ１）が搬出される時刻（加熱ユニットＨＰ２３４の受入可能時刻）の方が、加熱ユニットＨＰ２３３がロットＡに収納された基板Ｗ（Ａ２１）に対する処理を終了し、さらに設定変更処理が完了する時刻（加熱ユニットＨＰ２３３の受入可能時刻）よりも早い。したがってこの場合、基板Ｗ（Ｂ４）を受け入れ可能となる時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒは、加熱ユニットＨＰ２３４であり、実行ユニット選択部９３は、この加熱ユニットＨＰ２３４を、基板Ｗ（Ｂ４）の実行ユニットＵｔとして選択する。
【０１５３】
〈５．効果〉
上記の実施の形態によると、ユニット自動選択処理部９０が、対象処理工程を実行する処理ユニットを自動選択する。この構成によると、少ない個数の処理ユニットを効率的に使用して、処理条件を変更する際に生じる生産ロスを抑えることができる。その理由について、図１８〜図１９を参照しながら説明する。
【０１５４】
なお、図１８〜図１９において、「基板Ｗ（Ａ１），基板Ｗ（Ａ２）・・，基板Ｗ（Ａ２５）」は、あるレシピ（「レシピＡ」）が処理対象とするロットＡに収納された１番目，２番目・・・，２５番目の各基板Ｗを示す。また、以下において、レシピＡに続いて実行されるレシピを「レシピＢ」と示す。
【０１５５】
〈第１の効果〉
図１８を参照する。いま、基板処理装置１が、例えば、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（塗布後熱処理）に用いることができる熱処理ユニット（すなわち、使用可能ユニットＵｐ）として、１０個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ１０を搭載しているとする。ここで、例えば、レシピＡにおいて、塗布後熱処理の並行数が「５」と設定されているとすると、ロットＡの塗布後熱処理に５個の熱処理ユニット（例えば熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５）が使用される。この場合、残りの５個の熱処理ユニットＵ６〜Ｕ１０は予備の熱処理ユニットとして確保されている。したがって、レシピＢに係るロットの塗布後熱処理には、少なくともこの５個の予備の熱処理ユニットＵ６〜Ｕ１０を用いることができる。この場合、ロットＡの塗布後熱処理を熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５で行っている間に、予備の熱処理ユニットＵ６〜Ｕ１０をレシピＢに記述された処理条件に応じたものへと設定変更することができるので、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。
【０１５６】
ただし、これは、十分な個数の予備ユニットが装置に搭載されている場合の話である。通常は、装置のフットプリントや生産コストからの制限を受けて、十分な個数の予備ユニットを搭載できない場合が多い。例えば、図１８（ｂ）や図１８（ｃ）に示すように、基板処理装置１が、塗布後熱処理に用いることができる熱処理ユニットとして、５個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５しか搭載できなかったとする。
【０１５７】
この場合に、上記の例と同様、レシピＡにおいて、ロットＡの塗布後熱処理の並行数が「５」と設定されているとすると、ロットＡの塗布後熱処理に、５個全ての熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５が使用されるので、予備の熱処理ユニットを１個も確保することができない（図１８（ｂ））。したがって、熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５においてロットＡの塗布後熱処理が終了した後に、これをレシピＢに記述された処理条件に応じたものへと設定変更しなければならないので、処理条件の設定変更による生産ロスが大きくなってしまう。
【０１５８】
一方、上記の実施の形態においては、処理工程が自動選択の対象とされると、使用数指定部９１３が、使用数Ｎ（Ｕｒ）をレシピに記述するところ、この使用数Ｎ（Ｕｒ）は、使用可能ユニットＵｐの個数（可能数Ｎ（Ｕｐ））よりも少ない値で指定される。したがって、例えば、レシピＡの塗布後熱処理が自動選択の対象とされた場合には、この工程の使用数Ｎ（Ｕｒ）は、可能数Ｎ（Ｕｐ）「５」よりも少ない値、すなわち、多くとも「４」と指定される。したがって、５個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５のうちの少なくとも１個は予備の熱処理ユニットとして確保されることになる（図１８（ｃ））。したがって、ロットＡの塗布後熱処理をいずれかの熱処理ユニットで行っている間に、予備の熱処理ユニットをレシピＢに記述された処理条件に応じたものへと設定変更することができるので、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。このように、上記の実施の形態においては、装置に搭載される処理ユニットの個数が少ない場合であっても、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。
【０１５９】
〈第２の効果〉
図１９を参照する。いま、基板処理装置１が、塗布後熱処理に用いることができる熱処理ユニット（使用可能ユニットＵｐ）として、８個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ８を搭載しているとする。
【０１６０】
ところで、上述した通り、通常は、どの処理ユニットを用いて処理を実行するかは予めレシピに指定されている。例えば、レシピＡにおいて、８個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ８のうちの５個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５を用いて塗布後熱処理を実行するように指定されているとする。この場合、残りの３個の熱処理ユニットＵ６〜Ｕ８は、予備の熱処理ユニットとして確保される。
【０１６１】
一方、レシピＢにおいても、８個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ８のうちのどの熱処理ユニットを用いて塗布後熱処理を実行するかが指定されている。ただし、レシピＢの作成時点においては、レシピＢに先行してレシピＡに係る処理が実行されることはわからない。すなわち、レシピＢの作成時点においては、どの熱処理ユニットが予備の熱処理ユニットとなるかは予測できない。したがって、最悪の場合、図１９（ａ）に示されるように、熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５を用いて塗布後熱処理を実行するように指定されてしまう可能性もある。このような場合、存在している予備の熱処理ユニットＵ６〜Ｕ８を全く有効活用できないことになってしまう。
【０１６２】
上記の実施の形態においては、処理工程が自動選択の対象とされると、基本レシピに記述されていた、当該処理工程をどの処理ユニットを用いて処理させるかについての指定は無効とされる。そして、使用ユニット選択部９２が、レシピに記述された処理を基板処理装置１にて実行開始する際に、当該処理工程の処理に用いる処理ユニット（使用ユニットＵｒ）を選択する。レシピに記述された処理を基板処理装置１にて実行開始する時点においては、ユニット自動選択処理部９０は、どの処理ユニットが予備ユニットになっているのかを特定することができる。そして、上述した通り、ユニット自動選択処理部９０は、予備ユニットを特定し、それを優先的に使用ユニットＵｒとして選択する（図１１、図１２参照）（図１９（ｃ））。この構成によると、存在している予備ユニットを有効活用して、処理条件の設定変更による生産ロスを低減することができる。また、各処理ユニットの稼働率が正確に予測可能となるので、生産量の予測を正確に行うことも可能となる。
【０１６３】
特に、先のレシピにおいても当該処理工程が自動選択の対象とされている場合、必ず１個以上の予備ユニットが存在している。したがって、この場合は、この予備ユニットを活用することによって、処理条件の設定変更による生産ロスを確実に低減することができる。
【０１６４】
また、レシピＢにて、８個の熱処理ユニットＵ１〜Ｕ８のうちのどの熱処理ユニットを用いて塗布後熱処理を実行するかを指定している場合、レシピＢの作成時点においては、レシピＢに先行してレシピＡに係る処理が実行されることはわからないので、当然、どの処理ユニットでレシピＡに係るロットの何番目の基板Ｗが処理されているのかを特定することもできない。したがって、図１９（ｂ）に示されるように、熱処理ユニットＵ１〜Ｕ５の中で、ロットＡの基板Ｗが他よりも遅く搬出されると予想される熱処理ユニット（例えば、２５番目の基板Ｗ（Ａ２５）を処理している熱処理ユニットＵ５）を用いて塗布後熱処理を実行するように指定されてしまう可能性もある。このような場合、熱処理ユニットの生産効率が低下してしまう。
【０１６５】
一方、上記の実施の形態のように、使用ユニット選択部９２が、レシピに記述された処理を基板処理装置１にて実行開始する際に使用ユニットＵｒを選択する構成によると、このような不都合も回避できる。すなわち、レシピに記述された処理を基板処理装置１にて実行開始する時点においては、ユニット自動選択処理部９０は、どの処理ユニットで先のレシピに係るロットの何番目の基板Ｗが処理されているのかを特定することができる。上述した通り、ユニット自動選択処理部９０は、先のレシピに係るロットの基板Ｗが最も早く搬出されると予想される熱処理ユニット（すなわち、次のレシピに係るロットの基板Ｗを早く搬入できる熱処理ユニット）を特定し、それを優先的に使用ユニットＵｒとして選択する（図１１、図１２参照）（図１９（ｃ））。この構成によると、処理ユニットの稼働率が向上し、生産ロスを低減することができる。
【０１６６】
〈第３の効果〉
上記の実施の形態によると、実行ユニット選択部９３が、基板Ｗの実行ユニットＵｔを選択するにあたり、対象処理工程について選択された使用ユニットＵｒのうちで、当該基板Ｗを受け入れ可能となる時刻である受入可能時刻が最も早いと予測される使用ユニットＵｒを、実行ユニットＵｔとして選択する。この構成によると、処理ユニットの稼働率が向上し、生産ロスを低減することができる。
【０１６７】
〈第４の効果〉
上記の実施の形態によると、対象処理工程選択部９１１が、外部からの入力に基づいて、基本レシピに記述された一連の処理工程のうちから対象処理工程を選択する。すなわち、オペレータは任意の処理工程を自動選択の対象とすることができる。
【０１６８】
〈６．変形例〉
上記の実施の形態においては、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（塗布後加熱処理(Post Applied Bake)）が処理ユニットの自動選択の対象とする処理工程（対象処理工程）として選択された場合を例示して説明したが、それ以外の各種の処理工程を対象処理工程として選択することができる。また、複数の処理工程を対象処理工程として選択することができる。
【０１６９】
特に、設定変更処理にある程度の時間を要する類の処理工程においては、設定変更処理時間に起因する生産ロスが発生する可能性が高いため、このような処理工程を対象処理工程として選択すれば本発明が特に有効に機能する。例えば、熱処理工程（上述した塗布後加熱処理や、露光後加熱処理(Post Exposure Bake)等）においては、ホットプレートやコールドプレートの設定温度を処理条件に応じて変更する必要等があるため、設定変更処理にある程度の時間を要する場合が多い。また、薬液を用いた処理工程（レジスト膜の塗布形成処理等）においては、薬液の温調を処理条件に応じて薬液を温調する必要等があるため、ここでも設定変更処理にある程度の時間を要する場合が多い。
【０１７０】
また、上記の実施の形態においては、オペレータからの指示に応じて対象処理工程を選択する構成としていたが、対象処理工程を選択する構成はこれに限らない。例えば、特定の処理工程（例えば、設定変更処理に要する時間が所定値以上である処理工程）を対象処理工程として選択する構成としてもよい。
【０１７１】
また、この発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。
【符号の説明】
【０１７２】
１  基板処理装置
１０  インデクサブロック
２０  バークブロック
３０  レジスト塗布ブロック
４０  現像処理ブロック
５０  インターフェイスブロック
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４  塗布処理ユニット
ＩＦＲ  搬送機構
ＩＲ  インデクサロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  基板載置部
ＳＤ１〜ＳＤ５  現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４  搬送ロボット
９０  ユニット自動選択処理部
９１  レシピ変更部
９２  使用ユニット選択部
９３  実行ユニット選択部
９１１  対象処理工程選択部
９１２  使用可能ユニット指定部
９１３  使用数指定部
Ｗ  基板
【図１】
2010171248.tif 000003
【図２】
2010171248.tif 000004
【図３】
2010171248.tif 000005
【図４】
2010171248.tif 000006
【図５】
2010171248.tif 000007
【図６】
2010171248.tif 000008
【図７】
2010171248.tif 000009
【図８】
2010171248.tif 000010
【図９】
2010171248.tif 000011
【図１０】
2010171248.tif 000012
【図１１】
2010171248.tif 000013
【図１２】
2010171248.tif 000014
【図１３】
2010171248.tif 000015
【図１４】
2010171248.tif 000016
【図１５】
2010171248.tif 000017
【図１６】
2010171248.tif 000018
【図１７】
2010171248.tif 000019
【図１８】
2010171248.tif 000020
【図１９】
2010171248.tif 000021