(57)【要約】【課題】外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタ、及びその製造方法であって、小型化することができるコネクタ、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板１１Ａと、配線基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続するためのリード１２Ａと、リード１２Ａを配線基板１１Ａに連結する導電層１７Ａと、導電層１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａをリード１２Ａの延在方向に案内するガイド部１３Ａとを備えるコネクタ３Ａであって、リード１２Ａ及び導電層１７Ａは、複数であって、配線基板１１Ａの両側に配置される。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板を外部基板に電気的に接続するためのリードと、前記リードを前記配線基板に連結する導電層と、前記導電層が溶融したとき、前記リードを前記リードの延在方向に案内するガイド部とを備えるコネクタであって、
前記リード及び前記導電層は、複数であって、前記配線基板の両側に配置されるコネクタ。
【請求項２】
前記配線基板は、金属板と、前記金属板の両側に配線パターンとを備え、
前記金属板は、クロストーク防止用のグランド板である請求項１又は２記載のコネクタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のコネクタの製造方法において、
前記複数のリードの一部を前記配線基板の表面に高融点の導電層により連結する第１熱処理工程と、前記第１熱処理工程後に前記複数のリードの残部を前記配線基板の裏面に低融点の導電層により連結する第２熱処理工程とを備え、該第２熱処理工程は、前記高融点の導電層の融点未満、前記低融点の導電層の融点以上の温度で行われるコネクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部基板に実装するためのコネクタ及びその製造方法に関し、特に外部基板に実装するための平衡伝送用コネクタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
データの伝送の方式としては、データ毎に一本の電線を使用する通常の伝送方式と、データ毎に対をなす二本の電線を使用して、伝送すべき＋信号とこの＋信号とは大きさが等しく逆向きの−信号とを同時に伝送する平衡伝送方式がある。平衡伝送方式は、通常の伝送方式に比べてノイズの影響を受けにくいという利点を有しており、信号を高速で伝送する分野において多く採用されている。
【０００３】
図１は、従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。平衡伝送用コネクタ装置１は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とよりなる。プラグコネクタ２は、バックプレーン（外部基板）４に実装してあり、ジャックコネクタ３は、ドータボード（外部基板）５の端に実装してある。ジャックコネクタ３とプラグコネクタ２とが接続されて、コネクタ装置１によってドータボード５とバックプレーン４とが電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図２は、従来のジャックコネクタ３を分解して示す斜視図である。ジャックコネクタ３は、図２に示すように、第１絶縁性ハウジング６と、第２絶縁性ハウジング７と、複数のモジュール１０とを備える。第１絶縁性ハウジング６は、プラグコネクタ２のハウジング８内に嵌合されるものである。第２絶縁性ハウジング７は、複数のモジュール１０を互いに平行に支持するものである。
【０００５】
図３は、従来のモジュール１０を概略的に示す斜視図である。図４は、従来のモジュール１０を分解して示す斜視図である。モジュール１０は、複数のパッド電極１６を備える配線基板１１と、複数のリード１２と、複数の半田層１７と、絶縁性のスペーサ１３とを備える。各リード１２は、配線基板１１を外部基板５に電気的に接続するためのものであり、半田層１７を介して、対応するパッド電極１６に連結されている。
【０００６】
図５は、従来のモジュール１０の要部を示す断面図である。配線基板１１上には、スペーサ１３が固定されている。スペーサ１３は、配線基板１１と対向する面に、各リード１２の延在方向に延びる複数のガイド溝１３２を備える。各リード１２は、半田層１７が溶融したとき、対応するガイド溝１３２内を移動可能となる。
【０００７】
図６は、従来のジャックコネクタ３のドータボード５への載置状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。ドータボード５上には、複数のリード１２を接着するための半田ペースト１９が塗布されている。図６に示す例では、ドータボード５の面歪みに起因して、複数のリード１２の一部と半田ペースト１９との間に間隙がある。
【０００８】
図７は、図６の熱処理後の状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。加熱により半田ペースト１９が溶融する際に、各半田層１７が溶融し、各リード１２が対応するガイド溝１３２内を移動可能となる。この状態では、重力によって、各リード１２が、ドータボード５の面歪みを吸収するように、対応するガイド溝１３２内に押し込まれる。これにより、熱処理後にリード１２を外部基板５に確実に接続することができ、リード１２と外部基板５との接続の信頼性を高めることができる。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／０１０８２３３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１記載のコネクタのように、外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができる発明がこれまでにもなされているが、現在もなお、小型化することができるコネクタ、及びその製造方法が望まれていた。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタ、及びその製造方法であって、小型化することができるコネクタ、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
配線基板と、前記配線基板を外部基板に電気的に接続するためのリードと、前記リードを前記配線基板に連結する導電層と、前記導電層が溶融したとき、前記リードをそれぞれ前記リードの延在方向に案内するガイド部とを備えるコネクタであって、
前記リード及び前記導電層は、複数であって、前記配線基板の両側に配置される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外部基板に実装する際に外部基板の面歪みを吸収するようにリードを移動させることができるコネクタ、及びその製造方法であって、小型化することができるコネクタ、及びその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１４】
図８は、本発明の平衡伝送用ジャックコネクタのモジュールの要部の一実施例を示す模式図である。図９は、図８の矢視Ａ−Ａから見た断面図であり、図５に相当する断面図である。尚、実施例の各図中、図１−図７に示す構成部分と対応する構成部分には同じ符号を付す。
【００１５】
ジャックコネクタ３Ａは、従来のジャックコネクタ３とは、モジュール１０Ａが相違する。その他の構成は、従来と同様であるので説明を省略する。
【００１６】
モジュール１０Ａは、複数のパッド電極１６Ａを備える配線基板１１Ａと、複数のリード１２Ａと、複数の導電層１７Ａと、絶縁性のガイド部１３Ａとを備える。各リード１２Ａは、配線基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続するためのものであり、導電層１７Ａを介して、対応するパッド電極１６に連結されている。配線基板１１Ａ上には、ガイド部１３Ａが固定されている。ガイド部１３Ａは、配線基板１１Ａと対向する面（Ｘ１側面、Ｘ２側面）に、各リード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に延びる複数のガイド溝１３２Ａを備える。各リード１２Ａは、導電層１７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。言い換えると、ガイド部１３Ａは、導電層１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａをリード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に案内する。
【００１７】
配線基板１１Ａは、その特徴的な構成として、リン青銅等の金属板１１１Ａの表面（Ｘ２側面）及び裏面（Ｘ１側面）に、ポリイミド等の絶縁層１１２Ａ、ＣｕやＡｌ等の配線パターン１１３Ａ等が順次積層された５層構造である。金属板１１１Ａは、クロストーク防止用のグランド板であり、金属板１１１Ａの両側（Ｘ１側、Ｘ２側）に配置された配線パターン１１３Ａ間のクロストークを防止することができる。
【００１８】
配線基板１１Ａの製造方法は、一般的なものであってよく、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００１９】
図１０は、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。図１１は、図１０の工程に続いて、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。図１０、図１１に示す例では、最初に、リン青銅製の金属板１１１Ａの表面（Ｘ２側面）に感光性のポリイミドインクを塗布、乾燥して絶縁層１１２Ａを形成する（図１０（Ａ））。次いで、フォトマスクを用いて絶縁層１１２Ａを露光し、現像する（図１０（Ｂ））。次いで、スパッタリングによりＮｉ−Ｗ膜５１Ａを積層し（図１０（Ｃ））、電解めっきによりＣｕ膜５２Ａを積層する（図１０（Ｄ））。次いで、フォトレジストパターン５３Ａを形成する（図１１（Ｅ））。このフォトレジストパターン５３Ａを用いてＣｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａをエッチングする（図１１（Ｆ））。次いで、フォトレジストパターン５３Ａを除去し、Ｃｕ膜５２Ａからなる配線パターン１１３Ａ及びパッド電極１６Ａを形成する（図１１（Ｇ））。最後に、リン青銅製の金属板１１１Ａの裏面（Ｘ１側面）に、図１０（Ａ）−図１１（Ｇ）に示した工程を繰り返して、絶縁層１１２Ａ、配線パターン１１３Ａ及びパッド電極１６Ａを形成する（図１１（Ｈ））。
【００２０】
尚、本実施例の配線基板１１Ａは、金属板１１１Ａの表面（Ｘ２側面）及び裏面（Ｘ１側面）に絶縁層１１２Ａ、配線パターン１１３Ａ等が順次積層された５層構造であるが、ポリイミド等の絶縁フィルム１１２Ａの表面（Ｘ２側面）及び裏面（Ｘ１側面）にＣｕ等の配線パターン１１３Ａ等が積層された３層構造であってもよい。また、隣り合う配線基板１１Ａの間には、クロストークを低減するため、グランド板が配置されてよい。また、配線基板１１Ａは、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。
【００２１】
パッド電極１６Ａは、配線パターン１１３Ａの一端に接続されるものである（図８参照）。パッド電極１６Ａは、複数であって、配線基板１１Ａの表面（Ｘ２側面）及び裏面（Ｘ１側面）に設けられる。パッド電極１６Ａは、導電層１７Ａが接触する第１領域４２Ａと、第１領域４２Ａを挟むようにリード１２Ａの延在方向（Ｚ１−Ｚ２方向）と平行な方向の両側に一対の第２領域４４Ａとを備える。一対の第２領域４４Ａは、第１領域４２Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。即ち、パッド電極１６Ａは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４４Ａ、高濡れ性領域４２Ａ、低濡れ性領域４４Ａを備える。
【００２２】
尚、配線基板１１Ａは、パッド電極１６Ａの左右両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、パッド電極１６Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液（溶融半田）に対する低濡れ性を有する絶縁層１１２Ａ（第３領域）を備える（図８参照）。
【００２３】
導電層１７Ａは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域４２Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、一対の第２領域４４Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられる。図１２−図１５は、それぞれ、第１−第４例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【００２４】
図１２に示す例では、最初に、図１１（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、電解めっきによりＮｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１２（Ａ））。次いで、Ａｕ層９２Ａにフォトレジストパターン９３Ａを形成する（図１２（Ｂ））。次いで、フォトレジストパターン９３Ａを用いてＡｕ層９２Ａをエッチングする（図１２（Ｃ））。最後に、フォトレジストパターン９３Ａを除去する（図１２（Ｄ））。これにより、Ｎｉ層９１Ａの一部にＡｕ層９２Ａが積層される。Ｎｉ層９１Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００２５】
図１３に示す例では、最初に、図１１（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、フォトレジストパターン９４Ａを形成する（図１３（Ａ））。次いで、電解めっきにより、外部に露出するパッド電極１６Ａに、Ｎｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１３（Ｂ））。最後に、フォトレジストパターン９３Ａを除去する（図１３（Ｃ））。これにより、Ｃｕ製のパッド電極１６Ａの一部にＡｕ層９２Ａが積層される。Ｃｕ製のパッド電極１６Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００２６】
図１４に示す例では、最初に、図１１（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、電解めっきにより、Ｎｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１４（Ａ））。最後に、Ａｕ層９２Ａの一部にソルダレジストを塗布、乾燥して、エポキシ樹脂層９５Ａを形成する（図１４（Ｂ））。これにより、Ａｕ層９２Ａの一部にエポキシ樹脂層６４Ａが積層される。エポキシ樹脂層６４Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を作製することができる。尚、ソルダレジストを用いてエポキシ樹脂層９５Ａを形成する代わりに、ポリイミドインクを用いてポリイミド樹脂層を形成してもよい。
【００２７】
図１５に示す例では、最初に、図１１（Ｇ）で形成したＣｕ製のパッド電極１６Ａに、フォトレジストパターン９６Ａを形成する（図１５（Ａ））。次いで、熱処理により、外部に露出するパッド電極１６ＡにＣｕの酸化皮膜９７Ａを形成する（図１５（Ｂ））。次いで、フォトレジストパターン９６Ａを除去する（図１５（Ｃ））。最後に、電解めっきにより、外部に露出するパッド電極１６Ａ上にＮｉ層９１Ａ、Ａｕ層９２Ａを順次積層する（図１３（Ｂ））。これにより、Ｃｕの酸化皮膜９７ＡとＡｕ層９２Ａとの双方が外部に露出する。Ｃｕの酸化皮膜６６Ａは、Ａｕ層９２Ａと比較して、半田濡れ性が低い。従って、半田濡れ性の異なる領域を形成することができる。
【００２８】
上述の図１２−図１５に示すように、濡れ性の異なる領域を形成する方法は、下層の全域に濡れ性の異なる上層を積層し、積層した上層の一部をエッチングして下層を露出する方法であってもよいし、下層の一部に濡れ性の異なる上層を積層する方法であってもよい。尚、下層／上層は、高濡れ性層／低濡れ性層であってもよいし、低濡れ性層／高濡れ性層であってもよい。また、濡れ性の異なる領域を形成する方法は、基板上の異なる領域に、それぞれ、濡れ性の異なる２層を積層する方法であってもよい。
【００２９】
リード１２Ａは、配線基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続するためのものであり、Ｚ１−Ｚ２方向に延在している。リード１２Ａは、リン青銅やＦｅ−４２Ｎｉ合金等の金属板をＬ字状に折り曲げ加工して形成される。リード１２Ａは、その特徴的な構成として、複数であって、配線基板１１Ａの両側（Ｘ１側、Ｘ２側）に配置される。
【００３０】
リード１２Ａは、導電層１７Ａが接触する第１領域４１Ａと、第１領域４１Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に第２領域４５Ａを備える。第２領域４５Ａは、第１領域４１Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００３１】
また、リード１２Ａは、第１領域４１Ａに対して第２領域４５Ａとは反対側に第３領域４７Ａを更に備えてもよい。第３領域４７Ａは、第１領域４１Ａと比較して、導電層１７Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００３２】
更に、リード１２Ａは、第２領域４５Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する接着剤１９Ａ（図１８参照）が接触するための第４領域４３Ａを備えてもよい。第４領域４３Ａは、第２領域４５Ａと比較して、接着剤１９Ａの溶融液に対する高濡れ性を有する。言い換えると、第２領域４５Ａは、第４領域４３Ａと比較して、接着剤１９Ａの溶融液に対する低濡れ性を有する。
【００３３】
従って、リード１２Ａは、Ｚ１側からＺ２方向に順次、低濡れ性領域４７Ａ、高濡れ性領域４１Ａ、低濡れ性領域４５Ａ、高濡れ性領域４３Ａを備える。
【００３４】
各領域４１Ａ−４７Ａは、リード１２Ａの外周を囲むように、リード１２ＡのＸ１側面、Ｘ２側面、Ｙ１側面、Ｙ２側面の４面に設けられてもよい。
【００３５】
導電層１７Ａは、例えば、半田で形成されてよく、この場合、第１領域４１Ａ及び第４領域４３Ａは、半田濡れ性の高い金属で形成され、他方、第２領域４５Ａ及び第３領域４７Ａは、半田濡れ性の低い金属、樹脂、又は酸化被膜で形成される。このような濡れ性の異なる領域を形成する方法は、任意の適切な方法であってよい。この方法には、パッド電極１６Ａの場合と同様に、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術が用いられ、例えば図１２−図１５に示す方法が用いられる。
【００３６】
図１６は、ジャックコネクタ３Ａの製造方法の一部である、リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの接合方法例を示す斜視図であり、（Ａ）は第１熱処理工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は第２熱処理工程を示す斜視図である。
【００３７】
図１６（Ａ）では、最初に、配線基板１１Ａの表面（Ｘ２側面）に設けられた各パッド電極１６Ａ上に、高融点半田ペースト（例えば、Ｓｎ−Iｎ合金：融点約１９０℃）を塗布する。高融点半田ペーストを塗布する範囲は、各パッド電極１６Ａの第１領域４２Ａ、及び各リード１２Ａの第１領域４１Ａに対応する領域であってよい。この場合、後述の熱処理により溶融した高融点半田ペーストが、ペースト内の空隙をつぶすように体積収縮しながら、第１領域４２Ａ及び第１領域４１Ａの双方に確実に濡れ拡がる。また、この場合、溶融した高融点半田ペーストは、半田濡れ性の低い第２領域４４Ａ、４５Ａから半田濡れ性の高い第１領域４１Ａ、４２Ａに移動する。上記高融点半田ペーストの塗布後、図示しない第１固定用治具を用いて、電極パッド１６Ａとリード１２Ａとを位置合わせして、固定する。次いで、熱処理により高融点半田ペーストを溶融、固化して高融点の導電層（半田層）１７Ａを形成する。よって、リード１２Ａが、高融点の半田層１７Ａを介して、対応するパッド電極１６Ａに連結される。次いで、第１固定用治具を取外す。
【００３８】
続いて、図１６（Ｂ）では、配線基板１１Ａの裏面（Ｘ１側面）に設けられた各パッド電極１６Ａ上に、低融点半田ペースト（例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金：融点約１４０℃）を塗布する。次いで、図示しない第２固定用治具を用いて、配線基板１１Ａの裏面（Ｘ１側面）に設けられた各電極パッド１６Ａと複数のリード１２Ａの残部とを位置合わせし、固定する。次いで、高融点の半田層１７Ａの融点未満、低融点半田ペーストの融点以上の温度で熱処理する。これにより、低融点半田ペーストを溶融、固化して低融点の導電層（半田層）１７Ａを形成する。よって、複数のリード１２Ａの残部が、それぞれ、低融点の半田層１７Ａを介して、対応するパッド電極１６Ａに連結される。最後に、第２固定用治具を取外す。
【００３９】
図１６に示す接合方法例では、その特徴的な工程として、第２熱処理工程が、高融点の半田層１７Ａの融点未満の温度で行われるので、高融点の半田層１７Ａの溶融を防止することができる。これにより、第１熱処理工程において位置決めされた、複数のリード１２Ａの一部とパッド電極１６Ａとの位置関係を保持することができる。
【００４０】
再度、図９を参照するに、リード１２Ａの第１領域４１Ａの中心Ｃ１は、配線基板１１Ａ（パッド電極１６Ａ）の第１領域４２Ａの中心Ｃ２に対して、外部基板５Ａから遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずらして配置される。即ち、半田層（導電層）１７Ａは、リード１２Ａとの接触面が配線基板１１Ａとの接触面に対して外部基板５Ａから遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずれるように形成してある。従って、半田層１７Ａの断面形状は、例えば、図９に示すように、略平行四辺形になっている。
【００４１】
この状態で、再加熱により半田層１７Ａを溶融させると、溶融した半田層１７Ａは、表面張力によって、表面積の小さな形状（即ち、断面形状が長方形）になろうとする。
【００４２】
仮に、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａを挟むように半田濡れ性の低い第２領域４５Ａ、第３領域４７Ａが存在しない場合、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、リード１２Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。また、仮に、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａを挟むように半田濡れ性の低い一対の第２領域４４Ａが存在しない場合、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、配線基板１１Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動する。
【００４３】
本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａを挟むように第２領域４５Ａ、第３領域４７Ａが存在し、且つ、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａを挟むように一対の第２領域４４Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、リード１２Ａ上や配線基板１１Ａ上をＺ１−Ｚ２方向に移動することができない。従って、溶融した半田層１７Ａは、その表面積を小さくするため、リード１２Ａを配線基板１１Ａに対して外部基板５Ａに近づく方向（Ｚ２方向）に相対的に移動させようとする。これにより、半田層１７Ａが溶融したとき、リード１２Ａを外部基板５Ａに向けて付勢することができ、リード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができる。
【００４４】
また、本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４１Ａと外部基板５Ａが面接触するための第４領域４３Ａとの間に、半田濡れ性の低い第２領域４５Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、リード１２Ａ上をＺ２方向に移動して外部基板５Ａと接触することができない。これにより、溶融した半田層１７Ａがリード１２Ａと外部基板５Ａとの接合状態に悪影響を与えることを防止することができる。
【００４５】
また、本実施例では、半田層１７Ａが面接触する第１領域４２Ａの両側（Ｙ１側、Ｙ２側）に、半田濡れ性の低い絶縁層（第３領域）１１３Ａが存在する。このため、溶融した半田層１７Ａは、配線基板１１Ａ上をＹ１−Ｙ２方向に移動することができない。これにより、溶融した半田層１７Ａが隣り合うパッド電極１６Ａを導通することを防止することができる。
【００４６】
また、本実施例では、配線基板１１Ａの両側（Ｘ１側、Ｘ２側）にリード１２Ａが配置されるので、リード１２Ａの設置間隔が同じ場合、配線基板１１Ａの片側にリード１２Ａを配置する従来の場合と比較して、リード１２Ａの設置数を増やすことができる。従って、コネクタ３Ａを小型化することができる。
【００４７】
図１７は、ジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの載置状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。外部基板５Ａ上には、リード１２Ａを接着するための接着剤１９Ａが配置されている。接着剤１９Ａは、例えば、導電層（半田層）１７Ａと比較して、高融点の半田ペースト（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金：融点２２０℃）であってよい。図１７に示す例では、外部基板５Ａの面歪みに起因して、リード１２Ａの一部と半田ペースト１９Ａとの間に間隙がある。
【００４８】
図１８は、図１７の熱処理後の状態例を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。加熱により半田ペースト１９Ａが溶融する際に、半田層１７Ａが溶融し、各リード１２Ａが対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。この状態では、溶融した半田層１７Ａの表面張力によって、各リード１２Ａが、外部基板５Ａの面歪みを吸収するように、対応するガイド溝１３２Ａ内からＺ２方向に押し出される。これにより、熱処理後にリード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができ、リード１２Ａと外部基板５Ａとの接続の信頼性を高めることができる。
【００４９】
また、上述の構成によれば、半田層１７Ａが接触する第１領域４１Ａと半田ペースト１９Ａが接触する第４領域４３Ａとの間に、半田濡れ性の低い第２領域４５Ａが形成されているので、半田層１７Ａの溶融液と半田ペースト１９Ａの溶融液とを隔離して、その相互拡散を防止することができる。これにより、半田層１７Ａや半田ペースト１９Ａの組成を維持して、熱処理後に目標の接合強度や耐久性を得ることができ、リード１２Ａと外部基板５Ａとの接続の信頼性を高めることができる。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述の実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５１】
例えば、上述の実施例では、本発明の構成をジャックコネクタ３Ａに適用したが、本発明はこれに限定されない。例えば、本発明の構成をプラグコネクタ２に適用してもよい。
【００５２】
また、上述の実施例では、複数のリード１２Ａの一部を配線基板１１Ａの表面（Ｘ２側面）に高融点の半田層１７Ａにより連結し、その後、複数のリード１２Ａの残部を配線基板１１Ａの裏面（Ｘ１側面）に低融点の半田層１７Ａにより連結するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、複数のリード１２Ａの全部を配線基板１１Ａの表面（Ｘ２側面）及び裏面（Ｘ１側面）に同時に同じ融点の半田層１７Ａにより連結してもよい。
【００５３】
また、上述の実施例では、図１６に示したように、パッド電極１６Ａとリード１２Ａとの間に充填された半田ペーストを、熱処理により溶融、固化して導電層（半田層）１７Ａを形成するが、本発明はこれに限定されない。例えば、半田ペーストを充填する前に、パッド電極１６Ａの第１領域４２Ａ、及び／又は、リード１２Ａの第１領域４１Ａに半田層を形成してもよい。予め半田層を形成することにより、加熱により溶融した半田が第１領域４２Ａ及び第１領域４１Ａの双方に確実に濡れ拡がる。
【００５４】
また、上述の実施例では、図９に示したように、導電層１７Ａの断面形状が略平行四辺形であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、導電層１７Ａの断面形状は、台形であってもよく、この場合、溶融した導電層１７Ａの断面形状は、表面張力により等脚台形になろうとする。
【００５５】
また、上述の実施例では、図９に示したように、一のパッド電極１６Ａと一のリード１２Ａとの間には、一の導電層１７Ａが配置されるが、本発明は、これに限定されない。例えば、図１９に示すように、一のパッド電極１６Ｄと一のリード１２Ｄとの間には、複数の導電層１７Ｄが配置されてもよい。この場合、パッド電極１６Ｄは、隣り合う第１領域４２Ｄの間に第４領域４８Ｄを備え、リード１２Ｄは、隣り合う第１領域４１Ｄの間に第５領域４９Ｄを備える。第４領域４８Ｄ、第５領域４９Ｄは、第１領域４２Ｄ、第１領域４１Ｄに比較して、導電層１７Ｄの溶融液に対する低濡れ性を有する。そして、リード１２Ｄの第１領域４１Ｄの中心Ｆ１、Ｇ１は、それぞれ、配線基板１１Ｄ（パッド電極１６Ｄ）の第１領域４２Ｄの中心Ｆ２、Ｇ２に対して、外部基板から遠ざかる方向（Ｚ１方向）にずらして配置される。
【００５６】
また、上述の実施例では、導電層１７Ａは、半田で形成されるが、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する際に溶融することができる限り、導電層１７Ａの種類に制限はなく、例えば、半田以外の金属（例えば、Ｉｎ：融点約１６０℃）で形成されてもよい。また、導電層１７Ａの出発物質は、ペーストの形態であっても、箔の形態であってもよい。
【００５７】
また、上述の実施例では、導電層１７Ａは、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着するための接着剤１９Ａと比較して低融点であるが、リード１２Ａを外部基板５Ａに接着する際に溶融することができる限り、接着剤１９Ａと比較して高融点であってもよい。
【００５８】
また、上述の実施例では、接着剤１９Ａには、半田を用いたが、熱硬化性樹脂に金属微粒子を混ぜた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いてもよいし、半田以外の金属を用いてもよく、接着剤１９Ａの種類に限定はない。また、接着剤１９Ａは、ペーストの形態であっても、箔の形態であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】従来のジャックコネクタ３を分解して示す斜視図である。
【図３】従来のモジュール１０を概略的に示す斜視図である。
【図４】従来のモジュール１０を分解して示す斜視図である。
【図５】従来のモジュール１０の要部を示す断面図である。
【図６】従来のジャックコネクタ３のドータボード５への載置状態例を示す断面図である。
【図７】図６の熱処理後の状態例を示す断面図である。
【図８】本発明の平衡伝送用ジャックコネクタのモジュールの要部の一実施例を示す模式図である。
【図９】図８の矢視Ａ−Ａから見た断面図である。
【図１０】配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。
【図１１】図１０の工程に続いて、配線基板１１Ａの製造法例を示す工程図である。
【図１２】第１例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１３】第２例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１４】第３例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１５】第４例となる濡れ性の異なる領域を形成する方法を示す工程図である。
【図１６】ジャックコネクタ３Ａの製造方法の一部である、リード１２Ａとパッド電極１６Ａとの接合方法例を示す斜視図である。
【図１７】ジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの載置状態例を示す断面図である。
【図１８】図１７の熱処理後の状態例を示す断面図である。
【図１９】図９の変形例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
３Ａ    ジャックコネクタ
５Ａ    ドータボード（外部基板）
１１Ａ    配線基板
１２Ａ    リード
１３Ａ    ガイド部
１６Ａ    パッド電極
１７Ａ    導電層
１１１Ａ    金属板（グランド板）
１１３Ａ    配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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