(57)【要約】【目的】同一の基板に繰り返しアース端子を接触させる場合に、パーティクルの発生を抑制する荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法を提供する。【構成】基板にアース端子を接触させる第１のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第１のアース端子離間ステップと、基板に、第１のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらしてアース端子を接触させる第２のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第２のアース端子離間ステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にアース端子を接触させる第１のアース端子接触ステップと、
前記基板から前記アース端子を離間させる第１のアース端子離間ステップと、
前記基板に、前記第１のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらして前記アース端子を接触させる第２のアース端子接触ステップと、
前記基板から前記アース端子を離間させる第２のアース端子離間ステップと、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
【請求項２】
前記アース端子が基板の外周部を覆うよう基板上に載置可能な基板カバーに設けられ、
前記第１および第２のアース端子接触ステップにおいて、前記基板カバーを前記基板上に載置することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
【請求項３】
描画用チャンバとは独立した基板カバーを収納する基板カバー収納チャンバにおいて、前記第１および第２のアース端子接触ステップおよび前記第１および第２のアース端子離間ステップが行われることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
【請求項４】
前記アース端子の先端が半径Ｒの半球形状を有し、前記第２のアース端子接触ステップにおける接触位置のずらし量が２Ｒより大きいことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
【請求項５】
基板を載置する描画用ステージと、
前記描画用ステージに載置される基板に接触可能なアース端子と、
同一の基板と前記アース端子をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して接触させる際に、前記基板と前記アース端子の接触位置をｎ回ともずらした状態で接触することを可能にするアース端子接触位置制御手段と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム描画装置でマスク基板等の基板にパターンを描画する際、基板が帯電することにより荷電粒子ビームの軌道が曲げられてしまう。荷電粒子ビームの軌道が曲がると、基板の所望の位置にパターンを描画できないといった問題が生じる。この問題を解決するために、基板にアース端子を接触させて帯電を防止する方法がとられる（たとえば、特許文献１）。
【０００３】
もっとも、たとえば、荷電粒子ビーム描画装置のパーティクルテストや、同一基板への２度描画のように、同一基板の搬送を描画装置内で繰り返すような場合、基板の同一箇所にアース端子が接触し、基板表面が削れることでパーティクルが発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３２９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、同一の基板に繰り返しアース端子を接触させる場合に、パーティクルの発生を抑制する荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法は、基板にアース端子を接触させる第１のアース端子接触ステップと、前記基板から前記アース端子を離間させる第１のアース端子離間ステップと、前記基板に、前記第１のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらして前記アース端子を接触させる第２のアース端子接触ステップと、前記基板から前記アース端子を離間させる第２のアース端子離間ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法において、前記アース端子が基板の外周部を覆うよう基板上に載置可能な基板カバーに設けられ、前記第１および第２のアース端子接触ステップにおいて、前記基板カバーを前記基板上に載置することが望ましい。
【０００８】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法において、描画用チャンバとは独立した基板カバーを収納する基板カバー収納チャンバにおいて、前記第１および第２のアース端子接触ステップおよび前記第１および第２のアース端子離間ステップが行われることが望ましい。
【０００９】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法において、前記アース端子の先端が半径Ｒの半球形状を有し、前記第２のアース端子接触ステップにおける接触位置のずらし量が２Ｒより大きいことが望ましい。
【００１０】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、基板を載置する描画用ステージと、前記描画用ステージに載置される基板に接触可能なアース端子と、同一の基板と前記アース端子をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して接触させる際に、基板とアース端子の接触位置をｎ回ともずらした状態で接触することを可能にするアース端子接触位置制御手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、同一の基板に繰り返しアース端子を接触させる場合に、パーティクルの発生を抑制する荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。
【図２】第１の実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の構成図である。
【図３】図１の荷電粒子ビーム描画装置の上面図である。
【図４】第１の実施の形態で用いられるマスクカバーの構造を説明する図である。
【図５】第１の実施の形態でアース端子の接触部の先端が接触する位置を模式的に示す上面図である。
【図６】第２の実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。
【図７】第３の実施の形態で用いられるアース端子の構造を説明する図である。
【図８】第３の実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置は、基板を載置する描画用ステージと、ステージに載置される基板に接触可能なアース端子と、同一の基板とアース端子をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して接触させる際に、基板とアース端子の接触位置をｎ回ともずらした状態で接触することを可能にする接触位置変更手段と、を備える。
【００１５】
上記構成を備えることにより、本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置は、同一の基板を繰り返して荷電粒子ビーム描画装置内で搬送する際に、アース端子の基板への接触によるパーティクル発生を抑制することが可能となる。
【００１６】
図２は、本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の構成図である。図３は、図１の荷電粒子ビーム描画装置の上面図である。ここでは、荷電粒子ビーム描画装置として電子ビーム描画装置を例に説明する。また、基板として半導体製造のリソグラフィー工程で用いられるマスク基板を例に説明する。そして、描画時の帯電防止のためマスク基板をカバーする基板カバーを、マスクカバーと称するものとする。
【００１７】
電子ビーム描画装置１０は、描画用チャンバ１２と、描画用チャンバ１２に隣接する搬送室１４と、搬送室１４に隣接するロードロックチャンバ１５、アライメントチャンバ１６、マスクカバー収納チャンバ１７を備えている。描画用チャンバ１２の天井部には、描画用ステージ上の基板に電子ビームを照射するビーム照射手段として、電子鏡筒１８が備えられている。
【００１８】
描画用チャンバ１２には、互いに直交する水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在な描画用ステージ２０が設けられている。装置外からロードロックチャンバ１５に搬入されたマスク基板Ｗが、搬送ロボット２２によりアライメントチャンバ１６に搬送され、アライメントチャンバ１６で定位置に位置決めするよう構成されている。
【００１９】
また、アライメントチャンバ１６で定位置に位置決めされたマスク基板Ｗが搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７に搬送され、マスクカバー収納チャンバ１７に格納されたマスクカバー５０をマスク基板Ｗ上に載置するよう構成されている。そして、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を載置した状態で、搬送ロボット２２により基板Ｗを描画用ステージ２０上に搬送するよう構成されている。
【００２０】
マスク基板Ｗは、たとえば、ガラス基板上にクロム膜等の遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスク基板である。また、マスクカバー５０には、描画中にマスク基板Ｗの帯電を防止するためのアース端子が設けられている。
【００２１】
搬送ロボット２２は、Ｘ方向およびＹ方向に直交するＺ方向の軸線回りに回転自在な回転軸２２ａと、回転軸２２ａに固定された伸縮自在なロボットアーム２２ｂと、ロボットアーム２２ｂの先端に取り付けられた、基板Ｗを保持するロボットハンド２２ｃとで構成されている。ロボットアーム２２ｂの伸縮方向は、描画用ステージ２０上に基板Ｗを載置する際に、Ｙ方向と平行になる。また、ロボットハンド２２ｃは、ロボットアーム２２ｂの伸縮方向に一致する姿勢に常時維持される。なお、本実施の形態においては、ロボットアーム２２ｂを一対のアームの屈伸動作で伸縮するもので構成しているが、テレスコピック型のアームでロボットアーム２２ｂを構成しても構わない。
【００２２】
電子鏡筒１８は、内蔵する電子銃から発せられた電子ビームを所要の断面形状に成形した後偏向させて基板Ｗに照射するよう構成されている。電子鏡筒１８は照射制御部２４により制御される。また、描画用ステージ２０はステージ制御部２６により制御される。また、搬送ロボット２２はロボット制御部２８により制御される。そして、これら照射制御部２４、ステージ制御部２６、およびロボット制御部２８は全体制御部３０で統括制御されるよう構成されている。
【００２３】
全体制御部３０には、第１メモリ３２と第２メモリ３４が接続されている。第１メモリ３２にはパターンデータが記憶されている。全体制御部３０は、パターンデータに基づいて描画すべき図形の形状、位置を規定する描画データを作成し、これを第２メモリ３４に記憶させる。
【００２４】
また、電子ビーム描画装置１０は、ステージ２０のＸ方向およびＹ方向の位置を測定するステージ位置測定手段としてステージ位置測定器３６を備えている。
【００２５】
基板Ｗへのパターン描画に際しては、全体制御部３０からステージ制御部２６に動作指令が出され、ステージ２０が移動する。また、照射制御部２４では、全体制御部３０から入力される描画データに基づき、ステージ位置測定器３６で測定した描画用ステージ２０の位置を確認しつつ、電子鏡筒１８内の電子ビームの成形制御、偏向制御を行って、基板Ｗの所要の位置に電子ビームを照射する。
【００２６】
さらに、電子ビーム描画装置１０は、マスク基板Ｗに載置されるマスク基板カバー５０に設けられたアース端子と、マスク基板表面との接触位置を制御するアース端子接触位置制御手段として、アース端子接触位置制御部７０を備えている。アース端子接触位置制御部７０も全体制御部３０で統括制御されるよう構成されている。
【００２７】
また、このアース端子接触位置制御部７０でロボット制御部２８が制御され、同一のマスク基板Ｗをｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して搬送する際、すなわち、同一のマスク基板Ｗと同一のアース端子とをｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して接触させる際、マスク基板Ｗとアース端子の接触位置をｎ回ともずらした状態で接触することを可能にするよう構成されている。
【００２８】
アース端子接触位置制御部７０は、ソフトウェアによって構成されるものであっても、ハードウェアによって構成されるものであっても、またその双方の組み合わせによって構成されるものであっても構わない。同一のマスク基板Ｗをｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して描画用ステージに載置する際に、接触位置を変更するか否か、あるいは、どの程度接触位置を変更するかが、入力端末（図示せず）を介した外部の指令により選択できるよう構成されていることが制御のフレキシビリティを向上させる観点から望ましい。
【００２９】
このように、本実施の形態の電子ビーム描画装置１０では、同一のマスク基板Ｗと同一のアース端子をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返して接触させる際に、マスク基板Ｗとアース端子の接触位置をｎ回ともずらした状態で接触することを可能にするよう構成されている。このため、同一のマスク基板Ｗの同一箇所がアース端子と繰り返し接することにより削れて、パーティクルが発生することを抑制できる。このため、電子ビーム描画装置１０内のパーティクルによる汚染を防止することができる。
【００３０】
さらに、本実施の形態の電子ビーム描画装置１０は、マスクカバー収納チャンバにマスクカバーを収納する構成にすることにより、マスクカバーの交換が容易になるという利点がある。すなわち、マスクカバーを描画用チャンバ内に備え付けるのではなく、描画用チャンバと独立させることにより、マスクカバー交換時に電子ビーム描画装置１０を真空状態から大気圧にもどすことを不要とし、交換作業を容易にしている。
【００３１】
次に、本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法について説明する。本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法は、基板にアース端子を接触させる第１のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第１のアース端子離間ステップと、基板に、第１のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらしてアース端子を接触させる第２のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第２のアース端子離間ステップと、を備える。
【００３２】
ここでは、特に、図２、図３の電子ビーム描画装置１０を用いる方法について説明する。また、電子ビーム描画装置１０内のパーティクルテストを行うために、同一のマスク基板を繰り返し描画用ステージに搬送する場合を例に説明する。
【００３３】
図４は、本実施の形態で用いられるマスクカバーの構造を説明する図である。図４（ａ）が上面図、図４（ｂ）が描画用ステージに載置した状態での図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００３４】
基板カバー５０は、フレーム５２、アース端子５４を備えている。フレーム５２は、板材により構成され、外周寸法がマスク基板の外周端よりも大きく、内側の中央部に形成された開口部の寸法がマスク基板Ｗの外周端よりも小さく形成されている。そして、１個以上、例えば３つのアース端子５４がフレーム５２に取り付けられている。
【００３５】
フレーム５２は全体が導電性材料で形成されているもの、あるいは全体が絶縁材料で形成され、その表面に導電性材料がコーティングされているもの等が好適である。導電性材料としては、金属材料、たとえばチタン（Ｔｉ）およびその合金等が好適であり、絶縁材料としては、たとえばセラミック材料等が好適である。
【００３６】
このように、導電性のフレーム５２を備えることで、描画中のマスク基板Ｗの帯電、特に、マスク基板Ｗの側面部に露出するガラス等の絶縁性材料部分への帯電を防止し、パターンの描画精度を向上することが可能となる。
【００３７】
アース端子５４は、導電性材料で形成される。そしてマスク基板表面に接触し導通をとる接触部５４ａは、たとえば、先端が半径２０μｍ程度の半球状（ＳＲ＝２０μｍ）を呈する。接触部５４ａは、導電性と強度を両立させるため導電性ダイヤモンド等を用いることが好適である。
【００３８】
図４（ｂ）に示すように、マスクカバー５０を載せたマスク基板Ｗは、描画用チャンバ１２内の描画用ステージ２０上に支持ピン６０で支持される。この時、アース端子５４の接触部５４ａの先端がマスク基板Ｗの表面に突き刺さる。たとえば、ガラス基板の表面に形成されたクロム膜とレジスト膜に突き刺さり、場合によってはガラス基板まで到達する。このため、繰り返しマスク基板Ｗ表面の同一箇所に接触部５４ａが接触すると、たとえば、削れたクロム膜、レジスト膜あるいはガラス基板がはがれパーティクルとなる。
【００３９】
また、アース端子５４は、図４（ｂ）に示すようにたとえば、描画用ステージ２０に設けられた導電性のばね状部材６４によって、アース接地される。このアース端子５４により、特にマスク基板Ｗ表面の帯電を防止し、パターンの描画精度を向上することが可能となる。
【００４０】
図１は、本実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。パーティクルテスト用のマスク基板には、描画用に用いられるマスク基板と同様の構造、たとえばガラス基板表面にクロム膜とレジスト膜を形成した構造を有している。
【００４１】
まず、初期状態のマスク基板Ｗ上のパーティクル量を公知のパーティクルカウンタを用いてカウントする。（ステップＳ１００）
【００４２】
次に、外部から電子ビーム描画装置１０にマスク基板Ｗをロードロックチャンバ１５へ搬入する。（ステップＳ１０１）
【００４３】
次に、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバ１５からアライメントチャンバ１６へ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗをアライメントチャンバ１６からマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を載置する。これにより、マスクカバー５０に取り付けられたアース端子５４がマスク基板Ｗ表面に接触すると共に突き刺さる。（ステップＳ１０２）
【００４４】
図５は、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を載置した際に、アース端子５４の接触部５４ａの先端が接触する位置を模式的に示す上面図である。ステップＳ１０１においては、たとえば、デフォルト位置（通常の描画時の位置）、すなわち、図５のＰ０に接触する。
【００４５】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７から描画用ステージ２０上に搬送し載置する。（ステップＳ１０３）
【００４６】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを搬送ロボット２２により描画用ステージ２０上から離脱させる。（ステップＳ１０４）
【００４７】
マスク基板Ｗを描画用ステージ２０上から離脱させる前に、描画用ステージ２０の移動によるパーティクル発生を検証するために、描画用ステージ２０を所望の方向に所望の量だけ移動させてもかまわない。
【００４８】
その後、マスク基板Ｗをマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗからマスクカバーを取り除く。これにより、アース端子５４がマスク基板Ｗ表面から離間することになる。（ステップＳ１０５）
【００４９】
次に、マスクカバー５０を取り除いたマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７からロードロックチャンバ１５に搬送し、電子ビーム描画装置１０外に搬出する。（Ｓ１０６）
【００５０】
次に、同一のマスク基板Ｗを再度、ロードロックチャンバ１５へ搬入する。（ステップＳ１０７）
【００５１】
次に、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバ１５からアライメントチャンバ１６へ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗをアライメントチャンバ１６からマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を再度載置する。これにより、マスクカバー５０に取り付けられたアース端子５４がマスク基板Ｗ表面に再度接触すると共に突き刺さる。（ステップＳ１０８）
【００５２】
ここで、アース端子接触位置制御部７０によりロボット制御部２８を制御し、最初のマスクカバー５０載置時に、マスク基板Ｗにアース端子５４が接触した位置とずらして、アース端子５４が接触するようにする。たとえば、図５でＰ０から距離ｄｙだけ図面下方にずれたＰ１にアース端子５４が接触するようにする。
【００５３】
この接触位置をずらす処理は、たとえば、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗをマスクカバー収納チャンバ１７に搬送する際に、マスクカバー収納チャンバ１７内で位置が固定されたマスクカバー５０に対するマスク基板Ｗの相対位置をずらして搬送することで実現可能である。
【００５４】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７から描画用ステージ２０上に搬送し載置する。（ステップＳ１０９）
【００５５】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２により描画用ステージ２０上から離脱させる。（ステップＳ１１０）
【００５６】
その後、マスク基板Ｗをマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗからマスクカバーを取り除く。これにより、アース端子５４がマスク基板Ｗ表面から離間することになる。（ステップＳ１１１）
【００５７】
次に、マスクカバー５０を取り除いたマスク基板Ｗを搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７からロードロックチャンバ１５に搬送し、電子ビーム描画装置１０外に搬出する。（ステップＳ１１２）
【００５８】
その後、公知のパーティクルカウンタでマスク基板Ｗ上のパーティクル量をカウントし、ステップＳ１００で測定した初期状態のパーティクル量と比較する。（ステップＳ１１３）
【００５９】
本実施の形態の基板搬送方法によれば、同一のマスク基板Ｗの同一の箇所にアース端子５４が接触することを回避する。したがって、マスク基板Ｗ表面の削れによるパーティクルの発生を抑制する。よって、パーティクルテスト時に複数回、同一マスクの同一箇所にアース端子が接触することによるパーティクルの付加的な増加を防ぎ、精度の高いパーティクルテストを実現することが可能となる。
【００６０】
また、パーティクルテスト時に複数回、同一マスクの同一箇所にアース端子が接触することによるパーティクルの付加的な増加を防ぐために、毎回新しいマスク基板をテスト用に用いることも不要となる。このため、パーティクルテスト用のマスク基板枚数が削減でき、テストコストの削減も可能である。さらに、マスク基板交換作業も不要となりテスト時間が短縮されることからもテストコストが削減される。
【００６１】
さらに、本実施の形態では、電子ビーム描画装置がマスクカバー収納チャンバにマスクカバーを収納する構成にしている。そして、この構成にすることで、アース端子のマスク基板への接触が描画用チャンバではなく、マスクカバー収納チャンバで行われる。したがって、パーティクルテストの際にパーティクルが発生した場合に、アース端子起因でパーティクルが発生しているのか、それ以外の箇所でパーティクルが発生しているのかの切り分けを行うことが簡単である。
【００６２】
なお、ここではマスク基板Ｗの描画用ステージへの搬送を２回繰り返す場合を例に説明したが、３回以上搬送を繰り返すパーティクルテストであってもかまわない。その場合、マスク基板Ｗ表面とアース端子５４との接触位置が、図５で、たとえば、順次、Ｐ０→Ｐ１→Ｐ２→Ｐ３→Ｐ４→Ｐ５→Ｐ６→Ｐ７→Ｐ８・・・と、毎回ずらした位置となるよう制御すればよい。
【００６３】
また、アース端子５４の接触部分５４ａの先端が半径Ｒの半球形状を有する場合、アース端子の接触位置のずらし量が２Ｒより大きいことが望ましい。すなわち、図５の距離ｄｘやｄｙが２Ｒより大きいことが望ましい。これは、ずらし量が２Ｒより大きければ、マスク表面の削れる位置が重複しにくいため、パーティクル発生量がより低減できるからである。
【００６４】
一方、ずらし量があまり大きいと、たとえば、アース端子５４とばね状部材６４との接触マージンの低下や、マスクカバー５０の帯電防止効果の低減等が生ずる恐れがある。このため、ずらし量はマスクとマスクカバーの寸法関係等から一定量以上ずれないように制限することが望ましい。
【００６５】
（第２の実施の形態）
本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法は、第１の実施の形態がパーティクルテストにおける基板搬送方法であるの対し、同一基板に再描画（２度描画）する場合の基板搬送方法である点で異なっている。第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
【００６６】
なお、本実施の形態においても、図２、図３に示す荷電粒子ビーム描画装置１０を用いるものとして説明する。
【００６７】
図６は、本実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。マスク基板は、描画用の構造、たとえばガラス基板表面にクロム膜とレジスト膜を形成した構造を有している。
【００６８】
まず、装置外部から電子ビーム描画装置１０のロードロックチャンバ１５に、マスク基板Ｗを搬入する。（ステップＳ２００）
【００６９】
次に、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバ１５からアライメントチャンバ１６へ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗをアライメントチャンバ１６からマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を載置する。これにより、マスクカバー５０に取り付けられたアース端子５４がマスク基板Ｗ表面に接触すると共に突き刺さる。（ステップＳ２０１）
【００７０】
ステップＳ１０１においては、デフォルト位置（通常の描画時の位置）、すなわち、図５のＰ０にアース端子５４が接触する。
【００７１】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７から描画用ステージ２０上に搬送し載置する。（ステップＳ２０２）
【００７２】
次に、電子鏡筒１８から電子ビームを照射し、マスク基板Ｗに所望のパターンを描画する。（ステップＳ２０３）
【００７３】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを搬送ロボット２２により描画用ステージ２０上から離脱させる。（ステップＳ２０４）
【００７４】
その後、マスク基板Ｗをマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗからマスクカバーを取り除く。これにより、アース端子５４がマスク基板Ｗ表面から離間することになる。（ステップＳ２０５）
【００７５】
次に、マスクカバー５０を取り除いたマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７からロードロックチャンバ１５に搬送し、電子ビーム描画装置１０外に搬出する。（ステップＳ２０６）
【００７６】
次に、レジスト現像、エッチング、レジスト除去を行い、所望のパターンが形成された同一のマスク基板Ｗを再度、ロードロックチャンバ１５へ搬入する。（ステップＳ２０７）
【００７７】
次に、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバ１５からアライメントチャンバ１６へ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボット２２によりマスク基板Ｗをアライメントチャンバ１６からマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗ上にマスクカバー５０を再度載置する。これにより、マスクカバー５０に取り付けられたアース端子５４がマスク基板Ｗ表面に再度接触すると共に突き刺さる。（ステップＳ２０８）
【００７８】
ここで、アース端子接触位置制御部７０によりロボット制御部２８を制御し、最初のマスクカバー５０載置時に、マスク基板Ｗに、アース端子５４が接触した位置とずらして、アース端子５４が接触するようにする。たとえば、図５で、Ｐ０から距離ｄｙだけ図面下方にずれたＰ１にアース端子５４が接触するようにする。
【００７９】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７から描画用ステージ２０上に搬送し載置する。この時、マスク基板Ｗの描画用ステージ上の載置位置は、１回目に描画されたパターンとの合わせのため、１回目の載置位置と同じとなるよう搬送ロボット２２を制御する（ステップＳ２０９）
【００８０】
次に、電子鏡筒１８から電子ビームを照射し、マスク基板Ｗに所望のパターンを描画する。（ステップＳ２１０）
【００８１】
次に、マスクカバー５０を載置したマスク基板Ｗを搬送ロボット２２により描画用ステージ２０上から離脱させる。（ステップＳ２１１）
【００８２】
その後、マスク基板Ｗをマスクカバー収納チャンバ１７に搬送し、マスク基板Ｗからマスクカバーを取り除く。これにより、アース端子５４がマスク基板Ｗ表面から離間することになる。この時、マスクカバーがマスクカバー収納チャンバ内の所定の位置に収まるよう搬送ロボット２２を制御する。（ステップＳ２１２）
【００８３】
次に、マスクカバー５０を取り除いたマスク基板Ｗを、搬送ロボット２２によりマスクカバー収納チャンバ１７からロードロックチャンバ１５に搬送し、電子ビーム描画装置１０外に搬出する。（Ｓ２１３）
【００８４】
その後、レジスト現像、エッチング、レジスト除去を行い所望のパターンを形成する。
【００８５】
本実施の形態の基板搬送方法によれば、同一マスクへの２度描画の際に、同一のマスク基板Ｗの同一の箇所にアース端子５４が接触することを回避する。したがって、マスク基板表面の削れによるパーティクルの発生を抑制する。よって、描画時にパーティクルがマスク基板上にのり、パターン不良が生ずることを防止することができる。
【００８６】
なお、望ましい接触位置ずらし量等は、第１の実施の形態と同様である。
【００８７】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置およびその基板搬送方法は、あらかじめ描画用チャンバ内に設けられたアース端子により基板の帯電を防止する機構を備えた電子ビーム描画装置を用いる点で、第１の実施の形態と異なっている。なお、第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
【００８８】
図７は、本実施の形態で用いられるアース端子の構造を説明する図である。図７は、マスク基板を描画用ステージに載置した状態での断面図である。
【００８９】
アース端子７４は、描画用ステージのある描画用チャンバ内に設けられている。
【００９０】
図７に示すように、マスク基板Ｗは、描画用チャンバ内の描画用ステージ２０上に支持ピン６０で支持される。マスク基板Ｗを載置後、アース端子７４が下方に移動し、アース端子７４の接触部７４ａの先端がマスク基板Ｗの表面につきささるよう構成されている。
【００９１】
また、アース端子７４は、たとえば、描画用ステージ２０に設けられた導電性のばね状部材６４によって、アース接地されている。
【００９２】
図８は、本実施の形態の基板搬送方法のフロー図である。マスク基板は、描画用の構造、たとえばガラス基板表面にクロム膜とレジスト膜を形成した構造を有している。
【００９３】
まず、初期状態のマスク基板Ｗ上のパーティクル量を、公知のパーティクルカウンタを用いてカウントする。（ステップＳ３００）
【００９４】
次に、外部からマスク基板Ｗをロードロックチャンバへ搬入する。（ステップＳ３０１）
【００９５】
次に、搬送ロボットによりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバからアライメントチャンバへ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボットによりマスク基板Ｗをアライメントチャンバから描画用ステージ上に搬送し載置する。（ステップＳ３０２）
【００９６】
この時、マスク基板Ｗが描画用ステージ上のデフォルト位置（通常の描画時の位置）へ載置されるよう搬送ロボットを制御する。その後、アース端子７４を下方に移動させ、アース端子７４の接触部７４ａの先端が、マスク基板Ｗの表面に接触するようにする。（ステップＳ３０３）
【００９７】
次に、アース端子７４を上方に移動させ、アース端子７４の接触部７４ａの先端がマスク基板Ｗの表面から離間するようにする。（ステップＳ３０４）
【００９８】
次に、マスク基板Ｗを搬送ロボットにより描画用ステージ上から離脱させロードロックチャンバに搬送する。（ステップＳ３０５）
【００９９】
次に、マスク基板Ｗをロードロックチャンバから電子ビーム描画装置外に搬出する。（Ｓ３０６）
【０１００】
次に、同一のマスク基板Ｗを再度、ロードロックチャンバへ搬入する。（ステップＳ３０７）
【０１０１】
次に、搬送ロボットによりマスク基板Ｗを、ロードロックチャンバからアライメントチャンバへ搬送し、マスク基板Ｗの位置決めを行う。その後、搬送ロボットによりマスク基板Ｗをアライメントチャンバから描画用ステージ上に搬送し載置する。（ステップＳ３０８）
【０１０２】
この時、マスク基板Ｗが描画用ステージ上のデフォルト位置（通常の描画時の位置）から所定の距離ずれた位置に載置されるよう搬送ロボットを制御する。その後、アース端子７４を下方に移動させ、アース端子７４の接触部７４ａの先端がマスク基板Ｗの表面に再度接触するようにする。（ステップＳ３０９）
【０１０３】
このように、マスク基板Ｗを描画用ステージ上のデフォルト位置（通常の描画時の位置）から所定の距離ずれた位置に載置することで、最初に、マスク基板Ｗにアース端子７４が接触した位置とずらして、アース端子７４が接触するようにする。
【０１０４】
次に、アース端子７４を上方に移動させ、アース端子７４の接触部７４ａの先端がマスク基板Ｗの表面から離間するようにする。（ステップＳ３１０）
【０１０５】
次に、マスク基板Ｗを搬送ロボットにより描画用ステージ上から離脱させロードロックチャンバに搬送する。（ステップＳ３１１）
【０１０６】
次に、マスク基板Ｗをロードロックチャンバから電子ビーム描画装置外に搬出する。（ステップＳ３１２）
【０１０７】
その後、公知のパーティクルカウンタでマスク基板Ｗ上のパーティクル量をカウントし、ステップＳ３００で測定した初期状態のパーティクル量と比較する。（ステップＳ３１３）
【０１０８】
本実施の形態の基板搬送方法によれば、第１の実施の形態同様、同一のマスク基板Ｗの同一の箇所にアース端子７４が接触することを回避する。したがって、マスク基板表面の削れによるパーティクルの発生を抑制する。よって、パーティクルテスト時に複数回、同一マスクの同一箇所にアース端子が接触することによるパーティクルの付加的な増加を防ぎ、精度の高いパーティクルテストを実現することが可能となる。
【０１０９】
また、本実施の形態によれば、移動式のアース端子を用いないため、装置構成や装置制御が簡便となるという利点がある。
【０１１０】
また、ここでは描画用チャンバ内にアース端子のみが設けられる場合を例に説明したが、アース端子と独立して別途基板カバーが設けられる構成であっても構わない。また、第１の実施の形態のようにアース端子が取り付けられた基板カバーが描画用チャンバ内に設けられる構成であってもかまわない。
【０１１１】
また、ここでは２度目の搬送時は、描画用ステージにマスク基板を載置する際に、搬送ロボットにより載置位置をずらす場合を説明した。しかし、アース端子の移動機構に水平移動機能を儲け、アース端子自体をずらす構成をとることも可能である。
【０１１２】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。たとえば、各実施の形態の要素を選択して適宜組み合わせることも可能である。
【０１１３】
また、たとえば、荷電粒子ビーム描画装置について電子ビーム描画装置を例に説明したが、たとえば、プロトンなどを用いるイオンビーム描画装置についても、本発明は適用可能である。
【０１１４】
また、基板としてマスク基板を例に説明したが、半導体ウェハを基板とし、ウェハ上に電子ビームで直接パターンを描画する場合にも本発明を適用することが可能である。
【０１１５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法、荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１１６】
１０        電子ビーム描画装置
１８        電子鏡筒
２０        描画用ステージ
５０        基板カバー
５２        フレーム
５４        アース端子
５４ａ      アース端子接触部
７０        アース端子接触位置制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010267757.tif 000009
【図８】
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