(57)【要約】【課題】  本発明の態様は、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供する。  【解決手段】  セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満とし、快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下を特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることで、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供できる。【選択図】  図1
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料。
【請求項２】
前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下であることを特徴とする請求項1に記載の快削性セラミックス複合材料。
【請求項３】
前記快削性セラミックス複合材料は（a）ZrO２、Al2O３、またはZrSiO４のいずれか1つ以上と、（b）h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られ、前記（b）成分の、前記複合材料中の含有量は20〜40ｖｏｌ％であり、前記（a）成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記（b）成分は、前記（a）成分の粒界に存在し、前記（b）成分の累積50%粒径が0.5〜2μmであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の快削性セラミックス複合材料。
【請求項４】
さらにSi３N４、またはZrO２が添加されていることを特徴とする請求項３に記載の快削性セラミックス複合材料。
【請求項５】
プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、請求項1〜４のいずれか１項に記載の快削性セラミックス複合材料を含むことを特徴とするプローブガイド部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の態様は、一般に、快削性及び機械的物性値に優れた快削性セラミックス複合材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
精密機器や半導体製造・検査装置の構成部品の材料としてマシナブルセラミックスが知られており、このマシナブルセラミックスとしてはAlNやSi3N4、ZrO2のマトリックス中にh-BNが分散したものが快削性、機械的熱的物性に優れている。このマシナブルセラミックスの先行技術としては特許文献１、２、３に挙げるものが知られている。
【０００３】
特許文献１には、マシナブルセラミックスの製造方法として、ZrO2とBN、Si3N4 、焼結助剤(Al2O3、Y2O3等）を湿式混合し、これを乾燥させた粉末をホットプレスにて窒素雰囲気中1600℃ 2時間、30MPaで焼成することが開示されている。BNを多量に添加しているため、快削性には優れるが、曲げ強度やヤング率等の機械的物性値に劣る。
【０００４】
特許文献２には、マトリックスがAlN、Si3N4、またはサイアロンの結晶粒内または結晶粒界に粒径が80nm以下のh-BNを均一に分散させた焼結体が開示されている。h-BNの粒径が80nm以下のナノ粒子を使用し均一に分散させていることを特徴としており、従来のマイクロメーターサイズのh-BNを使用したものより機械的物性値は優れているが、硬度が高く工具摩耗を引き起こし加工性が劣る。また、マトリックスの原料粉末に尿素とホウ酸を混合し熱処理して、マトリックス原料粉末に微細な1次粒子であるh-BNを析出させる方法を行っており、大量の粉末を均一に処理するのは困難であり、工業的に適用できる技術ではない。
【０００５】
特許文献３には、マシナブルセラミックスの製造方法として、ZrO2、h-BN、ZrSiO4湿式混合し、これを乾燥させた粉末をホットプレスにて窒素雰囲気中で焼成することが開示されている。
【特許文献１】特開2005−119941号公報
【特許文献２】特許第3586784号
【特許文献３】特開2008−24530号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
精密機器や半導体製造・検査装置の構成部品の材料物性として、材料の大型化、加工の微細化に伴い従来品よりさらに高い強度、ヤング率を持つ快削性セラミックス材料が必要となる。その中でもプローブガイド部材であるプローブカードダイは、材料にマイクロメートルサイズの孔加工を施すが、孔径は小さくなり、狭ピッチ・薄肉化している。
【０００７】
また、検査の効率化に伴ってプローブカードダイは大型化しており、今まで以上に高い強度、ヤング率、優れた加工精度が要求されている。これらの要求を満たすには、上記材料では、機械的物性、加工性に問題がある。
【０００８】
本発明の態様は、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一実施形態においては、セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることができる。
【００１０】
本発明の好ましい態様においては、前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下である快削性セラミックス複合材料とすることができる。
【００１１】
本発明の好ましい態様においては、（a）ZrO２、Al２O３、またはZrSiO４、（b）h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られる快削性セラミックス複合材料であって、前記（b）成分の、前記複合材料中の含有量は5〜40ｖｏｌ％であり、前記（a）成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記（b）成分は、前記（a）成分の粒界に存在し、前記（b）成分の平均粒径は0.1〜21μmである快削性セラミックス複合材料とすることができる。
【００１２】
本発明の好ましい態様においては、さらにSi３N４、またはZrO２が添加されている快削性セラミックス複合材料とすることができる。  
【００１３】
本発明に係るプローブガイド部品は、プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料を含むプローブガイド部品とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の態様によれば、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例によるセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示す図である。
【図２】比較例１に示すセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本件で使用する語句の説明を以下に行う。
（h-BNの粒径）  
SEM像を２値化して各々のh-BNの粒径を算出する。その粒径は、h-BNの面積を円の面積とし、その円の面積より直径を算出し、その直径をh-BNの粒径として定義する。
（h-BNの累積５０%粒径）
h-BNの個数を基準としたとき、その累積個数が総個数の５０％に達したときの粒径。
（h-BNの累積９０%粒径）
h-BNの個数を基準としたとき、その累積個数が総個数の９０％に達したときの粒径。
（h-BNの面積比）
SEM像を２値化して各々のh-BNの面積を算出し積算したものがh-BNの面積である。そのSEM像を２値化した画像の中の積算したh-BNの面積の割合を面積比と定義する。
（h-BNの面積比の標準偏差）
SEM像を２値化して各々のh-BNの面積を算出し積算したものがh-BNの面積である。そのSEM像を２値化した画像の中の積算したh-BNの面積の割合を面積比とし、その面積比を数ヶ所算出して、その標準偏差を求めた。
（孔位置精度）
孔加工した基板の裏面孔の中心位置と設定した基準孔位置からの位置誤差の平均値に位置誤差の標準偏差の3倍を加えたものを孔位置精度として定義する。
（狭ピッチ）
プローブガイド部品は、半導体デバイスの導通検査をするためのピンをガイドする部品であり、多数の孔加工が施されている。隣り合う2つの孔の中心の間隔をピッチと呼ぶ。そのピッチが狭くなっていくことを狭ピッチと呼ぶ。
（薄肉化）
孔径が変わらず、狭ピッチになっていくと隣り合う2つの孔の肉厚が薄くなっていく。このことを薄肉化と呼ぶ。
プローブガイド部品が狭ピッチ、薄肉化していくと、プローブガイド部品に使用する材料には高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が要求される。
【００１７】
本発明の一実施形態においては、セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることにより、加工性、機械的物性値に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。
ヤング率が150GPa未満であると、プローブによるプローブガイド部品への応力によりたわみが発生し位置精度が悪くなる可能性がある。
3点曲げ強度が280MPa未満であると、基板が薄肉、狭ピッチ化したときにプローブガイド部品の孔と孔の肉厚部分が破損する可能性がある。
【００１８】
本発明の好ましい態様においては、前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下である快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製が可能となる。また、h-BNの平均粒径を小さくすることで曲げ強度の向上を達成し、h-BNの面積比の標準偏差が0.15以下となるようにマトリックス中の粒界にh-BNを存在させることで従来より加工精度に優れた快削性セラミックス複合材料の作製が可能となる。
【００１９】
本発明の一実施形態においては、（a）ZrO２、Al２O３、またはZrSiO４、（b）h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られる快削性セラミックス複合材料であって、前記（b）成分の、前記複合材料中の含有量は5〜40ｖｏｌ％であり、前記（a）成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記（b）成分は、前記（a）成分の粒界に存在し、前記（b）成分の平均粒径は0.1〜21μmである快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。
【００２０】
本発明の好ましい態様においては、さらにSi３N４、またはZrO２が添加されている快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。
【００２１】
本発明に係るプローブガイド部品は、プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料を含むプローブガイド部品とすることができる。
プローブガイド部品は、シリコンウェハーの大型化、半導体デバイスの検査効率化に伴って、プローブガイド部品も大型化している。また、半導体デバイスは高集積化しており、プローブガイド部品のピンの径が小さく数も多くなり、狭ピッチ、薄肉化している。
本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料は、高い曲げ強度、ヤング率を持ち、加工精度にも優れることから、プローブガイド部品に求められる上記性能を満たすことができる。
【００２２】
以下に本発明の一実施形態の詳細を説明する。
【００２３】
本発明の一実施形態におけるh-BNがマトリックス粒子の粒界に存在する量は、20〜40vol%である。
【００２４】
このh-BNの平均粒径は、0.1〜21μmであり、好ましくは0.1〜9μmである。さらに好ましくは0.1〜6μmである。h-BNは強度が低いため、複合材料としたときにh-BNの粒径が強度に及ぼす影響が大きい。そのため、h-BNの平均粒径が小さければ、強度の低下が抑制できる。
【００２５】
h-BNの面積比の標準偏差は、0.15以下であり、好ましくは0.1以下である。さらに好ましくは0.05以下である。h-BNの面積比の標準偏差は、h-BNの分散性を示すものであり、標準偏差が低ければ、加工精度が良くなり安定した加工が可能となる。
【００２６】
h-BNをマトリックス粒子の粒界に上記量を存在させることにより機械的物性値の低下を抑え、快削性、優れた加工精度を発現する。h-BNの量が上記上限値を超えると、セラミックス複合材料は快削性には優れるが、曲げ強度、ヤング率等の機械的物性値が低下する。また、h-BNの量が上記下限値未満であると、機械的物性値は優れているが、快削性の効果は軽微になり好ましくない。
【００２７】
マトリックス粒子に存在するh-BNの粒径、面積比の標準偏差の算出方法について詳細に説明する。
【００２８】
作製した焼成体を観察用試験片に切り出し、表面を1〜3μmの砥粒を使用し、ラップ加工を施し鏡面を出す。ラップ加工した試験片を走査型電子顕微鏡（SEM）にて観察する。観察倍率は1000〜3000倍が望ましい。また、マトリックス粒子とh-BN粒子のコントラストを出すために2次電子像より反射電子像で撮ることが望ましい。撮影した画像は画像処理ソフトを使用し、不要部分を削るためトリミングを行い、画像のノイズを軽減するためにメディアンフィルタ処理を行う。画像の明度、コントラストを調整し、2値化処理を行う。2値化処理した画像を粒子画像解析ソフトを使用して、h-BNの粒子径、粒子面積を算出した。この処理を複数部位に対して行った。
【００２９】
加工精度の評価方法について詳細に説明する。
【００３０】
ステージに加工用サンプルを固定し、マシニングセンタ等にワイヤ放電加工にて自製したφ40μmの焼結ダイヤ製の平ドリルを取り付け、300孔の孔加工を行った。自製平ドリル用焼結ダイヤは、トーメイダイヤ製ＴＤＣ−ＧＭ（平均粒径3μm）を使用した。加工用サンプルの裏面の孔を光学顕微鏡により観察し、画像処理を行い孔位置精度を測定した。
【００３１】
各種物性値について詳細に説明する。
【００３２】
ヤング率は共振法により測定し、測定数は3で平均値である。
曲げ強度は3点曲げ試験により測定し、測定数は5〜10で平均値である。
熱膨張係数は示差方式の熱膨張計により室温〜200℃まで測定し、測定数は2で平均値である。
【００３３】
ビッカース硬度はビッカース硬度計により荷重を2.5kgかけて15s保持し測定した。測定数は30で平均値である。
【００３４】
上記の物性値の持つ意味について詳しく説明する。
プローブガイド部材は大型化、高集積化が進んでおり、高いヤング率が求められている。ヤング率が100GPa未満であると部材への応力によるたわみの影響により位置精度誤差に影響を及ぼしかねない。
【００３５】
プローブガイド部材の高集積化により孔と孔の間隔が小さくなり薄肉化している。そのため300MPa以上の高い強度が必要となる。さらに好ましくは350MPa以上あると良い。
【００３６】
プローブガイド部材の大型化、高集積化、高温試験の普及に伴って部材の熱膨張によるプローブ位置の誤差が無視できないような状況になっている。そのためシリコン（3.9×10-6/K）に近い熱膨張係数が要求されている。高温試験ではヒーターにシリコンウェハーが接している状態であり、その上にプローブガイド部材があるためプローブガイド部材の温度はシリコンウェハーより若干低い温度である。そのため熱膨張係数は3.9〜5.0×10-6/Kであることが好ましい。
【００３７】
以下、本発明の快削性セラミックス複合材料の作製方法について詳細に説明する。
【００３８】
本発明の快削性セラミックス複合材料は、h-BNとマトリックス粒子となる原料粉末を湿式混合、乾燥を行いホットプレスにより焼結させて得る。
【００３９】
ここで、h-BNとマトリックス粒子となる原料粉末は、h-BNは1次粒径が0.1μm以上1μm未満のものが好適である。1μmを超えると焼結性が悪くなり、0.1μm未満であれば硬度が上がり加工性が悪くなる可能性がある。h-BNの1次粒径の測定はSEM像により計測する。
マトリックス粒子は累積50%粒径が１μm未満のものが好適である。マトリックス粒子原料の粒径測定方法は、レーザー回折法により行い、累積50%粒径は体積平均径である。
マトリックス粒子としてのZrO2は安定化したものを使用することが好適である。部分安定化ZrO2を使用して快削性セラミックス複合材料を作製し、この材料を100℃以上の高温下で使用したときに相変態を起こし、孔位置精度が悪くなる可能性がある。
【００４０】
これらの原料をボールミル等により湿式混合を行い、スプレードライヤー等で造粒を行う。これを黒鉛の型に詰めて、ホットプレスにより焼結させる。雰囲気は不活性もしくは中性雰囲気である。ホットプレス温度は1400〜1800℃の範囲で行う。温度が低すぎると焼結が不十分となり優れた物性を発現しない。温度が高すぎると、ZrSiO4が分解したり、ZrO2やAl2O3は粒成長してしまう問題が発生する。加圧力は10〜50MPaの範囲で行い、ホットプレスの最高温度での保持時間は寸法にもよるが1〜4時間が適当である。
【００４１】
この快削性セラミックス複合材料は、快削性、加工精度に優れ、かつ高強度、高ヤング率を持ち、熱膨張係数もシリコンに近い値を持つ。また、h-BNの粒子径を小さくし、面積比の標準偏差も小さくしたことにより加工精度が大幅に向上し、半導体検査装置に使用されるプローブガイド部材が半導体の高集積化、検査効率の向上に伴い、大型化し、孔径、孔間隔も小さくなっていくが十分に対応できる。
【００４２】
本発明の一実施形態による快削性セラミックス複合材料は、快削性、加工精度に優れ、ヤング率、曲げ強度が高く、室温〜200℃での熱膨張係数もシリコンに近く低熱膨張であることから、最近、高集積化し孔間隔が小さくなり壁厚みは薄く、また一括検査の要望が強く大型化しているプローブカード用部材として好適である。
【実施例】
【００４３】
以下に本発明の実施の形態について説明する。
【００４４】
ZrSiO4、ZrO2 、h-BNからなる原料粉末をボールミル、ビーズミルにより湿式混合した後乾燥させ、ホットプレスまたは窒素雰囲気による焼成、熱間静水圧プレス（HIP）により焼結してセラミックス焼結体を得る。
【００４５】
上記セラミックス焼結体から物性値測定用の試験片を切り出し、ヤング率を共振法、曲げ強度を3点曲げ試験で測定した。さらに、この焼結体の熱膨張係数を室温（25℃）〜200℃で測定した。
【００４６】
加工精度を評価するため、ステージに加工用サンプルを固定し、マシニングセンタに自製したφ40μmの焼結ダイヤ製の平ドリルを取り付け、ドリル回転数15000rpm、切り込み量2.5μm／step、送り速度3.0mm／minで300孔の孔加工を行った。加工用サンプルの裏面の孔を光学顕微鏡により観察し、画像処理を行い孔位置精度を測定した。
【００４７】
さらに、作製した焼成体を観察用試験片に切り出し、表面を1μmの砥粒を使用し、2hラップ加工を施し鏡面を出す。ラップ加工した試験片を走査型電子顕微鏡（SEM）にて観察する。観察倍率は1000倍である。
【００４８】
また、マトリックス粒子とh-BN粒子のコントラストを出すために反射電子像を撮影した。撮影した画像は画像処理ソフト（多機能統合画像ビューワＶｉＸ）を使用し、不要部分を削るためトリミングを行い、画像のノイズを軽減するためにメディアンフィルタ処理を画像処理ソフト（ＰａｉｎｔＳｈｏｐＰｒｏ４）を使用し行った。画像の明度、コントラストを調整し、2値化処理を行う。2値化処理した画像を自製した粒子画像解析ソフトを使用して、h-BNの粒子径、粒子面積を算出した。粒子画像解析ソフトの分解能は0.155μm／ピクセルである。この処理を9ヶ所に対して行った。
【００４９】
（実施例１〜５）
まず、原料としてZrSiO4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ0.9μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
【００５０】
上記原料をそれぞれ45vol%、25vol%、30vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより2〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。
【００５１】
この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。
【００５２】
（実施例６〜１１）
まず、原料としてZrSiO4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ0.9μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
【００５３】
上記原料をそれぞれ65vol%、15vol%、20vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより1〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。
【００５４】
この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。
【００５５】
（実施例１２〜１５）
まず、原料としてSi3N4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ1μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
【００５６】
上記原料をそれぞれ25vol%、45vol%、30vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより1〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。
【００５７】
この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。
【００５８】
表１に作製した快削性セラミックス複合材料に画像処理を施して算出した、h-BNの粒径分布を示す。比較例1について、BNが60vol%と多量に入りマトリックスを形成していることから、h-BNの粒径分布、面積比率の算出は行っていない。
【００５９】
【表１】
2010083749.tif 000003
【００６０】
表２にh-BNの面積比率の標準偏差、加工精度を示す。
【００６１】
【表２】
2010083749.tif 000004
【００６２】
表３に作製した快削性セラミックス複合材料の物性値を測定したものを示す。
【００６３】
【表３】
2010083749.tif 000005
【００６４】
表1、表2より、    実施例1では、h-BNの粒径は0.1〜21μmであり、孔位置精度は5μm未満の範囲であり良好である。実施例４では、h-BNの粒径は0.1〜9μmであり、孔位置精度は2μm未満の範囲であり、良好である。さらに実施例５では、h-BNの粒径は0.1〜6μmであり、孔位置精度は１μm未満の範囲となり、非常に良好である。
実施例10、11、14、15では、h-BNの粒径は0.1〜21μmであり、孔位置精度は5μm未満の範囲であり良好である。実施例6〜9、12、13では、h-BNの粒径は0.1〜6μmであり、孔位置精度は2μm未満の範囲となり、良好である。
【００６５】
表2、3より、実施例1〜15は良好な孔位置精度を保持しつつ、高いヤング率が発現している。また、実施例４、５、6〜9、12、13は、h-BNの粒径が小さいことから曲げ強度が向上している。比較例１の孔位置精度は良好であるが、BNを多量に添加していることから曲げ強度、ヤング率が低い。
高い曲げ強度、ヤング率を発現させるための好ましいh-BN粒子の最大粒径は17μm未満であり、好ましいh-BNの面積比の標準偏差は0.06未満である。
【００６６】
図1は本発明の一実施例によるセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示している。図2には、比較例１に示すセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示している。どちらもチッピングがなく良好な状態であるが、比較例１に示すセラミックス複合材料はBNが多量に添加されているため表面が粗い。このため、曲げ強度の低下やプローブガイド部品と検査用のピンの摺動により摩耗する可能性がある。
【００６７】
実施例は発明の一例に過ぎず適宜応用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明の一実施形態に係る快削性セラミックス複合材料は、例えばICやLSIなどの半導体素子の導通を検査するプローブカード等として用いることができる。
【図１】
2010083749.tif 000006
【図２】
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