(57)【要約】【課題】薄型の高圧電源装置を提供する。【解決手段】電源装置は、トランスモジュール１０８ａ，ｂ，ｃ，ｄを備える。トランスモジュール１０８ａ（，ｂ，ｃ，ｄ）は、１次コイル１０７ａ（，ｂ，ｃ，ｄ）と、２次コイル１０８ａ（，ｂ，ｃ，ｄ）と、２次コイル１０８ａ（，ｂ，ｃ，ｄ）の高圧側に接続されたダイオードＤ１（，Ｄ３，Ｄ５，Ｄ７）と、２次コイル１０８ａ（，ｂ，ｃ，ｄ）の高圧側に接続されたダイオードＤ１４（，Ｄ１５，Ｄ１６，Ｄ１７）とを含む。トランスモジュール１０８ａ，ｂ，ｃ，ｄは、リード１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃによって、直列に接続されている。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の高圧トランスモジュールを備え、
各前記高圧トランスモジュールは、
１次コイルと、
前記１次コイルの周囲に巻かれた２次コイルと、
前記２次コイルの第１の端にアノードが接続される第１のダイオードと、
前記２次コイルの前記第１の端と異なる第２の端にカソードが接続される第２のダイオードと、
前記１次コイル、前記２次コイル、前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードを収納するケースとを含み、
前記１次コイル、前記２次コイル、前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは、前記ケース内に樹脂封止されており、
隣り合う２つの前記高圧トランスモジュールを直列接続するリードと、
各前記１次コイルの第１の端に接続された駆動電源と、
各前記１次コイルの前記第１の端と異なる第２の端に接続されたスイッチと、
前記第２の端に接続される共振コンデンサと、
前記高圧トランスモジュールの前記第１のダイオードのカソードが出力する電圧を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に応じて前記スイッチをＰＷＭ制御するＰＷＭ制御手段とを備える、高圧電源装置。
【請求項２】
前記スイッチは、複数のスイッチ素子を含み、
各前記スイッチ素子は、少なくとも１つの前記１次コイルの前記第２の端に接続されており、
前記ＰＭＷ制御手段は、前記検出手段の出力に応じて、前記複数のスイッチ素子を同期してＰＷＭ制御する、請求項１に記載の高圧電源装置。
【請求項３】
前記複数の高圧トランスモジュールが置かれる基板をさらに備え、
各前記高圧トランスモジュールの電圧入力端子および電圧出力端子は、前記基板に平行である、請求項１または２に記載の高圧電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高圧電源装置に関する。特に、本発明は、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ；Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの薄型ディスレイ向けの高圧電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高圧トランスとしては、ブラウン管ＴＶに用いられていたフライバックトランスが一般的に知られている。例えば、特許文献１（特開平６−６９７５号公報）には、複数のトランスを直列接続した高圧電源回路が開示されている。
【特許文献１】特開平６−６９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ブラウン管ＴＶ向けのフライバックトランスは、ブラウン管自体がかなりの大きさ（体積）を有するため、ＴＶの筐体とブラウン管の隙間に収まる程度の大きさであればよかった。したがって、従来、フライバックトランスは、小型化や薄型化をあまり求められてこなかった。ところが、近年開発されているＦＥＤ等の薄型ディスプレイにフライバックトランスを利用する場合には、フライバックトランスを薄型化する必要がある。
【０００４】
しかし、従来のフライバックトランスには、出力電力に応じた断面積のコアが必要となるため、トランスを横置きにしたとしても、コア径とコイル径の合計がトランスの高さとなるため、薄型化が難しいという問題があった。また、ディスプレイの大画面化が進み、より高電力な電源が必要な場合、薄型化がさらに難しくなるという問題がある。
【０００５】
また、ＡＣ放電対策として、フライバックトランスとＴＶ等の製品筐体の導電部（シールド等）とは一定の距離を確保する必要があるため、平面ディスプレイの薄型化を難しくしていた。
【０００６】
薄型の高電圧電源の実現のためには、特許文献１に記載のような複数のトランスを直列接続する技術を用いることが考えられる。この技術によれば、多くのトランスを用いることで、所望の高電圧を得ることができる。各トランスは、高圧を出力できる大型のものである必要はない。
【０００７】
しかしながら、この技術を薄型テレビなどに応用した場合、トランス間を接続する接続点に高圧の交流電圧が印加されると、実装基板の接地電位、あるいはＴＶ等の製品内部の導電部（シールド等も含む）との間の電位差によってコロナ放電が起きる可能性がある。
【０００８】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、薄型の高圧電源装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの局面に従うと、高圧電源装置であって、複数の高圧トランスモジュールを備え、各高圧トランスモジュールは、１次コイルと、１次コイルの周囲に巻かれた２次コイルと、２次コイルの第１の端にアノードが接続される第１のダイオードと、２次コイルの第１の端と異なる第２の端にカソードが接続される第２のダイオードと、１次コイル、２次コイル、第１のダイオードおよび第２のダイオードを収納するケースとを含み、１次コイル、２次コイル、第１のダイオードおよび第２のダイオードは、ケース内に樹脂封止されており、隣り合う２つの高圧トランスモジュールを直列接続するリードと、各１次コイルの第１の端に接続された駆動電源と、各１次コイルの第１の端と異なる第２の端に接続されたスイッチと、第２の端に接続される共振コンデンサと、高圧トランスモジュールの第１のダイオードのカソードが出力する電圧を検出する検出手段と、検出手段の出力に応じてスイッチをＰＷＭ制御するＰＷＭ制御手段とを備える。
【００１０】
好ましくは、スイッチは、複数のスイッチ素子を含み、各スイッチ素子は、少なくとも１つの１次コイルの第２の端に接続されており、ＰＭＷ制御手段は、検出手段の出力に応じて、複数のスイッチ素子を同期してＰＷＭ制御する。
【００１１】
好ましくは、複数の高圧トランスモジュールが置かれる基板をさらに備え、各高圧トランスモジュールの電圧入力端子および電圧出力端子は、基板に平行である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る高圧電源装置は、直列接続された複数のトランスモジュールを備える。各トランスモジュールに含まれる２次コイルの両端には、ダイオードが接続されている。したがって、本高圧電源装置によれば、トランスモジュール同士を接続するリードの交流電位を接地電位とし、リードと実装基板との間の電位差をなくすことができ、高電圧の出力時のコロナ放電の発生を防ぐことができる。その結果、本発明によれば、トランスモジュールと実装基板、あるいはＴＶ等の製品内部の導電部（シールド等も含む）との間の距離を短くすることができ、高圧電源装置および製品筐体をより薄型化（低背化）できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部分には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００１４】
（概略的構成）
図１は、本実施の形態に係る電源装置１の構成の概略図である。図１を参照して、電源装置１は、基板１０と、４つのトランスモジュール１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、リード１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ，１３０ｄ，１５０，１６０と、分圧ユニット１４０とを備える。トランスモジュール１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄおよび分圧ユニット１４０は、基板１０上に配置されている。
【００１５】
トランスモジュール１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、各々、供給された電圧を昇圧する。以下、区別の必要がないときは、トランスモジュール１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄを総称して、トランスモジュール１００とよぶ。また、トランスモジュール１００の各部品についても、区別の必要がないときは、各部品を示す符号から添え字ａ，ｂ，ｃ，ｄを省略する。
【００１６】
図１を参照して、各トランスモジュール１００は、電圧入力端子１０１と、電圧出力端子１０２と、ケース１０４と、フェライト１１０とを含む。また、トランスモジュール１００は、トランス１０６（図１には示さず）を含む。トランス１０６は、ケース１０４内に格納されている。各トランスモジュール１００は、同様の構成をもつ。そのため、図中では、適宜、トランスモジュール１００の部品を示す符号を省略している。
【００１７】
トランス１０６およびフェライト１１０について、図２および図３を参照して説明する。図２は、トランスモジュール１００の内部部品の上面図である。図３は、トランスモジュール１００の内部部品の側断面図である。トランス１０６は、図３を参照して、１次コイル１０７と、１次コイル１０７の周囲に積層巻きされた２次コイル１０８とを含む。フェライト１１０は、１次コイル１０７を貫通するように配置されている。
【００１８】
電圧入力端子１０１には、駆動電源２００（図１には示さず）あるいは他のトランスモジュール１００から電圧が供給される。電圧出力端子１０２は、昇圧された電圧を出力する。
【００１９】
リード１３０ａ，ｂ，ｃは、各々、隣り合う２つのトランスモジュール１００を接続する。例えば、リード１３０ｂは、トランスモジュール１００ｂの電圧出力端子１０２ｂと、トランスモジュール１００ｃの電圧入力端子１０１ｃとを接続する。
【００２０】
トランスモジュール１００ａ，ｂ，ｃ，ｄは、リード１３０ａ，ｂ，ｃによって、直列接続されている。その結果、トランスモジュール１００ｄは、各トランスモジュールの出力電圧を合計した高電圧を出力することができる。
【００２１】
リード１３０ｄは、トランスモジュール１００ｄと分圧ユニット１４０とを接続する。
分圧ユニット１４０は、トランスモジュール１００ｄが出力する電圧を分圧する。分圧された電圧は、トランスモジュール１００ｄが出力する電圧値の測定のために用いられる。
【００２２】
なお、分圧ユニット１４０は、電源装置１が最終的に出力する電圧を検出できる検出装置であればよい。例えば、トランスモジュール１００ａ，ｂ，ｃの出力電圧から、トランスモジュール１００ｄの電圧が予測できるならば、トランスモジュール１００ａ，ｂ，ｃに接続されていてもよい。ただし、本実施の形態のように、最も高圧側のトランスモジュール１００ｄに検出装置を接続するのが、検出精度の面で好ましい。
【００２３】
図１に示すように、各トランスモジュール１００の電圧入力端子１０１および電圧出力端子１０２は、基板１０に平行である。すなわち、電圧入力端子１０１および電圧出力端子１０２の軸は、基板１０に平行である。
【００２４】
この構成によれば、電圧入力端子１０１および電圧出力端子１０２を基板１０に差し込む構成に比べ、リード１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ，１３０ｄと、基板１０上の他の電子部品との距離を長くすることができる。したがって、この構成によれば、寄生振動による発熱を低減できる。
【００２５】
リード１５０は、トランスモジュール１００ａと駆動電源２００（図１には示さず）とを接続する。リード１６０は、トランスモジュール１００ｄから出力された高電圧を出力する。
【００２６】
（トランスモジュール）
トランスモジュール１００の構成について、図４から７を参照してより詳しく説明する。図４から７は、各々、トランスモジュールの製造工程を示す図である。便宜上、図４〜７に示す製造工程を、それぞれ、第１〜第４の製造工程とよぶ。図４〜７は、それぞれ、第１〜第４の製造工程において組み立てられた、トランスモジュール１００を構成する部品を、基板１０に接続される側から見た斜視図である。
【００２７】
図４を参照して、第１の製造工程において、トランス１０６と、第１の部品１１２とが接続される。第１の部品１１２は、接地用の端子１１３を含む。
【００２８】
図５を参照して、第２の製造工程において、トランス１０６および第１の部品１１２に、さらに、第２の部品１１４と、フェライト１１０とが接続される。第２の部品１１４は、電圧入力端子１０１および電圧出力端子１０２が接続可能なコネクタとして機能する。
【００２９】
図６を参照して、第３の製造工程において、トランス１０６および第１の部品１１２（端子１１３を除く）を覆うようにケース１０４が設置される。ケース１０４内には、封止樹脂が充填される。その結果、ケース１０４内の各回路部品は、外部から絶縁される。
【００３０】
図７を参照して、第４の製造工程において、第２の部品１１４に、電圧入力端子１０１および電圧出力端子１０２が接続される。
【００３１】
（回路構成）
本実施の形態に係る電源装置１の回路構成について、図８を参照して説明する。図８は、電源装置１の回路図である。なお、図８中には、回路の各要素に対応させて、図１等に示した電源装置１の部品の符号も図示している。
【００３２】
図８を参照して、１次コイル１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄの図８中で下側の端には、駆動電源２００が接続されている。１次コイル１０７ａおよび１０７ｂの図８中で上側の端は、スイッチ素子Ｑ１の１つの端子に接続されている。１次コイル１０７ｃおよび１０７ｄの上側の端は、スイッチ素子Ｑ２の１つの端子に接続されている。
【００３３】
以下、各１次コイル１０７の端のうち、駆動電源２００が接続されている端（すなわち、図８中で下側の端）を「電源側の端」とよぶ。各１次コイル１０７の端のうち、スイッチ素子Ｑ１あるいはＱ２が接続されてる端（すなわち、図８中で上側の端）を「スイッチ側の端」とよぶ。
【００３４】
スイッチ素子Ｑ１およびＱ２は、ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；パルス幅変調）回路４００からの信号に応じて、開閉する。なお、スイッチ素子Ｑ１およびＱ２の１次コイル１０７に接続されていない端子は、グランドに接続されている。
【００３５】
１次コイル１０７ａおよび１０７ｂのスイッチ側の端には、スイッチ素子Ｑ１の他に、共振コンデンサＣ１２が接続されている。共振コンデンサＣ１２の、１次コイル１０７ａおよび１０７ｂに接続されていない電極には、ダイオードＤ１９のカソードおよびダイオードＤ２０のアノードが接続されている。ダイオードＤ１９のアノードは、接地されており、ダイオードＤ２０のカソードは、駆動電源２００に接続されている。ダイオードＤ１９およびＤ２０は制御の安定性を確保するためのダイオードであり、必要に応じて設けても設けなくてもよい。設けない場合は、共振コンデンサＣ１２の、１次コイル１０７ａおよび１０７ｂに接続されていない電極はそのまま接地される。また、本実施の形態においては明示していないが、スイッチ素子Ｑ１およびＱ２の寄生ダイオード成分がダンパーダイオードとして機能しており、これを別途外付けのダイオードで実現してもよい。
【００３６】
さらに、ダイオードＤ１９のカソードには、ダイオードＤ２０のアノードが接続されている。ダイオードＤ２０のカソードは、駆動電源２００に接続されている。
【００３７】
１次コイル１０７ｃおよび１０７ｄには、コンデンサＣ１１、ダイオードＤ１８およびダイオードＤ２１が接続される。コンデンサＣ１１、ダイオードＤ１８およびダイオードＤ２１は、それぞれ、スイッチ素子Ｑ１、コンデンサＣ１２、ダイオードＤ１９およびダイオードＤ２０に対応する。そのため、これらについての説明は繰り返さない。
【００３８】
２次コイル１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄの図８中で上側（高圧側）の端には、それぞれ、ダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５，Ｄ７のアノードが接続されている。ダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５，Ｄ７は、高圧ダイオードである。
【００３９】
２次コイル１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄの図８中で下側（低圧側）の端には、それぞれ、ダイオードＤ１４，Ｄ１５，Ｄ１６，Ｄ１７のカソードが接続されている。ダイオードＤ１４，Ｄ１５，Ｄ１６，Ｄ１７は、高圧ダイオードである。
【００４０】
トランスモジュール１００ａ（，ｂ，ｃ）の高圧側の端子とトランスモジュール１００ｂ（，ｃ，ｄ）の低圧側の端子とは、リード１３０ａ（，ｂ，ｃ）によって接続される。トランスモジュール１００ａの低圧側の端子は、グランドに接続されている。トランスモジュール１００ｄの高圧側の端子は、分圧ユニット１４０に接続される。
【００４１】
分圧ユニット１４０は、コンデンサＣ１０と、コンデンサＣ１３と、抵抗Ｒ５と、抵抗Ｒ６とを含む。コンデンサＣ１０およびコンデンサＣ１３は、直列接続されている。抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６は、直列接続されている。抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ６との間（あるいはコンデンサＣ１０とコンデンサＣ１３との間）の電圧が、フィルタ回路３００にかかる。
【００４２】
フィルタ回路３００は、分圧ユニット１４０からの電圧のノイズを除去する。フィルタ回路３００は、ノイズ除去後の電圧を、ＰＷＭ回路４００に与える。
【００４３】
ＰＷＭ回路４００は、スイッチ素子Ｑ１およびスイッチ素子Ｑ２をＰＷＭ制御する。すなわち、ＰＷＭ回路４００は、フィルタ回路３００からの入力電圧および鋸歯状波の振幅を比較し、入力電圧の大きさに応じたパルス幅のデュ−ティ比をもつパルスを出力する。ＰＷＭ回路４００の出力信号は、ＮＯＴ回路で反転され、スイッチ素子Ｑ１およびスイッチ素子Ｑ２に与えられる。
【００４４】
ＰＷＭ回路４００は、スイッチ素子Ｑ１およびスイッチ素子Ｑ２を同期してＰＷＭ制御する。各１次コイル１０７にフライバックパルスが発生するタイミングを合わせて、高電圧が得られるようにするためである。
【００４５】
なお、スイッチ素子Ｑ１およびスイッチ素子Ｑ２のかわりに、単一のスイッチ素子を用いてもよい。この場合は、ＰＷＭ制御の同期について考慮する必要はない。ただし、高電力容量タイプでトランスモジュール１００の個数が多い場合、単一のスイッチ素子では熱損失が大きくなり、ヒートシンクの大型化が避けられない。その結果、薄型化に逆行してしまうため、本実施の形態のように、複数のスイッチ素子を用いることが好ましい。
【００４６】
この回路の動作を説明する。スイッチ素子Ｑ１およびＱ２は、ＰＷＭ回路４００の出力信号に応じて、オンオフ動作を行なう。スイッチ素子Ｑ１（あるいはＱ２のオン時には、１次コイル１０７ａおよび１０７ｂ（あるいは１次コイル１０７ｃおよび１０７ｄ）に電磁エネルギーが蓄積される。スイッチ素子Ｑ１（あるいはＱ２）がオンからオフに切り替わると、１次コイル１０７と共振コンデンサＣ１２（あるいはＣ１１）との間のＬＣ共振により、各１次コイル１０７にフライバックパルスが発生する。発生したフライバックパルスは、２次コイル１０８により昇圧される。２次コイル１０８により昇圧された電圧が、電源装置１から出力される。
【００４７】
図８に示すように、電源装置１においては、各トランスモジュール１００の入力側および出力側にダイオードを入れている。そのため、トランスモジュール１００同士を接続するリード１３０ｂ，ｃ，ｄの交流的な電位を０Ｖ（ＡＣ＝０Ｖ）とすることができる。したがって、本実施の形態に係る電源装置１によれば、リード１３０ｂ、ｃ、ｄと基板１０との間での外部放電（コロナ放電）の発生を抑えることができる。
【００４８】
よって、電源装置１では、トランスモジュール１００と基板１０、あるいはＴＶ等の製品内部の導電部（シールド等も含む）との間の距離を、従来の電源装置に比べ、より短くできる。つまり、電源装置１を、薄型化（低背化）することが可能である。また、電源装置１を用いれば、ＦＥＤパネルと電源装置１をより近づけた、より薄型のＦＥＤを製作することができる。
【００４９】
参考のため、従来の高圧トランス５００を図９および図１０に示す。図９は、高圧トランス５００の斜視図である。図１０は、高圧トランス５００の側断面図である。高圧トランス５００は、樹脂ケース５１０と、巻線部５２０と、封止樹脂５５０とを備える。封止樹脂５５０は、樹脂ケース５１０内に充填されており、巻線部５２０などの回路部品を外部から絶縁している。巻線部５２０は、低圧巻専用ボビン５２０ａ、低圧巻線５２０ｂ、高圧巻専用ボビン５２０ｃ、および、高圧巻線５２０ｄを含む。
【００５０】
この高圧トランス５００は、単体で、高圧を得るように設計されている。そのため、巻線部５２０が大型である。本実施の形態に係る電源装置１では、各トランスモジュール１００を、高圧トランス５００に比べ、小型にできる。
【００５１】
さらに、入力側にダイオード（ダイオードＤ１４，Ｄ１５，Ｄ１６，Ｄ１７）を入れることにより、交流電圧の負成分がカットされ、リード１３０でのＡＣパルスレベル（ｐｅａｋ  ｔｏ  ｐｅａｋ電圧）が、入力側にダイオードを入れない場合に比べ、１／２になる。したがって、リードと外部との間の分布容量が低減する。その結果、電源装置１は、寄生振動の高調波の周波数をより高くすることができ、発熱等による電力の損失を減らせる。
【００５２】
さらに、電源装置１では、トランスモジュール１００の入出力側にダイオードが付けられている。そのため、入出力の片側だけにダイオードが付けられている電源装置に比べ、電源装置１のダイオードの耐圧は半分でよい。ダイオードによる損失が分散されるので、電源装置１のトランスモジュール１００の温度上昇は、抑制される。
【００５３】
さらに、いずれのトランスモジュール１００も、入力側と出力側とにダイオードを有するという同一の構成を有する。したがって、電源装置１を製造する際に、どのトランスモジュールを何番目に実装しなければならない、といった制約がない。つまり、電源装置１には、工場での生産性が高いという利点もある。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施の形態に係る電源装置１の構成の概略図である。
【図２】トランスモジュール１００の内部部品の上面図である。
【図３】トランスモジュール１００の内部部品の側断面図である。
【図４】トランスモジュールの第１の製造工程を示す図である。
【図５】トランスモジュールの第２の製造工程を示す図である。
【図６】トランスモジュールの第３の製造工程を示す図である。
【図７】トランスモジュールの第４の製造工程を示す図である。
【図８】電源装置１の回路図である。
【図９】高圧トランス５００の斜視図である。
【図１０】高圧トランス５００の側断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  電源装置、１０  基板、１００ａ，ｂ，ｃ，ｄ  トランスモジュール、１０１  電圧入力端子、１０２  電圧出力端子、１０４  ケース、１０６  トランス、１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ  １次コイル、１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ  ２次コイル、１１０  フェライト、１１２  第１の部品、１１３  端子、１１４  第２の部品、１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ，１３０ｄ  リード、１４０  分圧ユニット、１５０，１６０  リード、２００  駆動電源、３００  フィルタ回路、４００  ＰＷＭ回路、５００  高圧トランス、５１０  樹脂ケース、５２０ａ  低圧巻専用ボビン、５２０ｂ  低圧巻線、５２０  巻線部、５２０ｃ  高圧巻専用ボビン、５２０ｄ  高圧巻線、５５０  封止樹脂、Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ１２  コンデンサ、Ｃ１２  共振コンデンサ、Ｃ１３  コンデンサ、Ｄ１，Ｄ３，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ１４，Ｄ１５，Ｄ１６，Ｄ１７  ダイオード、Ｄ１８，Ｄ１９  ダイオード、Ｄ２０，Ｄ２１  ダイオード、Ｑ１  スイッチ素子、Ｑ２  スイッチ素子。
【図１】
2010148241.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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