(57)【要約】【課題】導電層配線の形状が良好であるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、金属ナノ粒子を含むインクを用いたインクジェット法により、複数の部位に低抵抗導電層２３を形成する工程を含んでおり、絶縁性基板１１上にインクの受容層１２を形成する受容層形成工程と、低抵抗導電層２３が形成される複数の部位のうち、互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線が形成される各部位の間において、受容層１２にスリット１４を形成するスリット形成工程と、スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に低抵抗導電層２３を形成する導電層形成工程とを含んでいる。【選択図】図１
2010139741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子を含むインクを用いたインクジェット法により形成される複数の導電層配線を備えるアクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板上に上記インクの受容層を形成する受容層形成工程と、
上記複数の導電層配線のうちの互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線が形成される各部位の間において、上記受容層にスリットを形成するスリット形成工程と、
上記スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に上記導電層配線を形成する導電層形成工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
上記導電層形成工程では、上記スリットにより分割された領域の略中央に、上記導電層配線を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記スリットは、順テーパー状の断面形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
上記断面形状は、傾斜角が途中で変化している２段テーパー状であり、上記スリットの開口部側の壁面のテーパー角は、上記スリットの上記基板側の壁面のテーパー角よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
上記スリット形成工程では、上記スリットを形成した後または上記スリットの形成と同時に、上記スリットの側壁表面に対して、上記インクの溶媒の通過を低下させる処理をさらに施すことを特徴とする請求項１から４までの何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
上記基板がガラス基板であり、上記処理は、上記ガラス基板のドライエッチにより生じる副生成物により上記側壁表面を被覆することであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
上記受容層には樹脂成分が含まれており、上記処理は、上記側壁表面にある該樹脂成分をフッ素終端にすることであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
上記スリット形成工程では、上記受容層にさらにバンクを形成し、
上記導電層形成工程では、上記バンクの内側に上記導電層配線を形成することを特徴とする請求項１から７までの何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
上記スリット形成工程では、上記スリットと上記バンクとを同時に形成することを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
上記アクティブマトリクス基板はゲート配線を備えており、上記導電層配線は低抵抗導電層配線であり、
上記低抵抗導電層配線と、上記ゲート配線とを積層させる積層工程をさらに含むことを特徴とする請求項１から９までの何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
上記導電層配線は低抵抗導電層配線であり、上記受容層形成工程の前に上記基板上にゲート配線を形成し、
上記受容層形成工程では、上記基板上と上記ゲート配線上に上記受容層を形成し、
上記スリット形成工程では、上記ゲート配線上に積層している上記受容層に上記バンクを形成し、
上記受容層はスピンオンガラス材料から形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１２】
上記スリット形成工程では、さらに薄膜トランジスタ形成ホールを形成し、
上記薄膜トランジスタ形成ホールと上記スリットと上記バンクとを同時に形成することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
上記スリット形成工程では、上記スリットを形成する部位に上記薄膜トランジスタ形成ホールを形成することを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
上記薄膜トランジスタ形成ホールが形成される上記スリットを形成する部位は、上記ゲート配線上にあることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
金属粒子を含むインクを用いたインクジェット法により形成した複数の導電層配線を備えるアクティブマトリクス基板において、
上記インクの受容層を基板上に備えており、
上記複数の導電層配線は上記受容層上または上記受容層に挟まれて形成されており、
上記複数の導電層配線のうちの互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線の間において、上記受容層にスリットが形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を有し、様々な分野に広く用いられている。特に画素ごとに薄膜トランジスタなどのスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高いコントラスト比および優れた応答特性を有し、高性能であるため、テレビ、モニタおよびノートパソコン等に用いられており、近年その市場規模が拡大している。
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板上には、ゲート配線およびデータ配線が形成されており、これら配線の交差部近傍に画素をスイッチングするための薄膜トランジスタが設けられている。
【０００４】
基板上にゲート配線およびデータ配線などの導電層配線を形成する方法として、近年、金属微粒子を含むインクを基板上に印刷して配線を形成するインクジェット法が用いられている。しかし、インクジェット法において一般的に用いられているインクは水性インクであるため、基板と配線との付着力が弱く、インクが広がりやすいという問題が生じていた。
【０００５】
そこでインクジェット法を用いる場合に、基板上にインクの受理層を設け、配線の付着力を高めるとともに、インクの広がりを抑える技術が開発されている。例えば、特許文献１には、受理層の膜厚を配線の幅と等しくし、受理層の空隙率を、金属粒子が受理層の内部において電気的に接続できる空隙率とすることにより、インクの滲みを防止する技術が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、薄膜配線のパターンに沿った凹溝であって両縁にバンクを備える凹溝を基板上に設け、凹溝の表面に配線材料に対して親液性を持たせ、バンクの表面に配線材料に対して撥液性を持たせることにより、線幅が狭く、膜厚が厚い薄膜配線を形成した基板を実現する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−３４０３６０号公報（平成１７年１２月８日公開）
【特許文献２】特開２００６−７８８６０号公報（平成１８年３月２３日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、金属粒子インクを用いたインクジェット法により配線を形成する技術において、下地層としてインク溶媒を吸収する受理層を用いた場合には、複数の配線を同時に形成しようとすると描画形状が乱れ、良好な配線形状を得ることが困難となる。これは、吸収されたインク溶媒が受理層中を平面方向に進行して受理層中に広がり、隣接する他の描画領域のインク溶媒と互いに干渉しあうためである。特に、受理層の膜厚に対しインクの量が多い場合には、この乱れが生じ易くなる。
【０００８】
また、上記特許文献２の技術にあっては、親液と撥液とのコントラストを利用してインクを保持するため、バンクとしては親液性の膜を、表面層としては撥液性の膜を、それぞれに形成する必要があり、作業工程が繁雑になる。またバンク材料としてインク溶媒を吸収する素材を利用した場合には、インクが広がり、隣接する描画領域のインク溶媒により配線形状が乱れる可能性がある。
【０００９】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、インクジェット法により良好な形状を有する導電層配線を形成することができる、アクティブマトリクス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、上記課題を解決するために、金属粒子を含むインクを用いたインクジェット法により形成される複数の導電層配線を備えるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板上に上記インクの受容層を形成する受容層形成工程と、上記複数の導電層配線のうちの互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線が形成される各部位の間において、上記受容層にスリットを形成するスリット形成工程と、上記スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に上記導電層を形成する導電層形成工程とを含む構成である。
【００１１】
上記構成によれば、インクジェット法により導電層配線を形成する前に、まず基板上にインクの受容層を形成する。次いで、互いに隣り合う第１導電層配線と第２導電層配線とが形成される部位の間において、受容層にスリットを形成する。受容層にスリットを形成した後に、金属粒子を含むインクを用いて、インクジェット法により上記各部位に導電層配線を形成する。
【００１２】
導電層配線を形成する際に用いられたインク溶媒は受容層に吸収され、受容層内に拡散する。第１導電層配線の形成に用いられたインク溶媒が、隣り合う第２導電層配線の近傍まで受容層中で拡散すると、第２導電層配線の形成に用いられるインク溶媒の吸収および拡散が良好に進行しなくなる。その結果、描画形状が乱れ、導電層配線の良好な配線形状が得られなくなる。
【００１３】
上記した本発明の構成では、インクジェット法により導電層配線を形成する前に、第１導電層配線と第２導電層配線とが形成される各部位の間において、受容層にスリットを形成している。これにより、第１導電層配線を形成する部位に噴出されたインクが受容層に吸収されると、受容層中での拡散はスリット部分で停止する。そのため、第１導電層配線形成に由来するインクが第２導電層配線の近傍に到達することがなくなり、第１導電層配線に由来するインクの干渉による第２導電層配線におけるインク溶媒の吸収および拡散の阻害が防止される。その逆もまた同様である。したがって、描画形状が乱れることがなくなり、導電層配線の配線形状が良好なものとなる。すなわち、本発明の製造方法を用いることにより、導電層配線の配線形状が良好なアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【００１４】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記導電層形成工程では、上記スリットにより分割された領域の略中央に、上記導電層配線を形成することが好ましい。
【００１５】
上記構成によれば、導電層配線はスリットにより分割された領域の略中央に形成される。そのため受容層に吸収されたインク溶媒は、導電層配線形成部を中心に受容層内で対称に拡散し得る。これにより、描画形状が安定し、導電層配線の配線形状が乱れることを防ぐことができる。
【００１６】
ここで、スリットにより分割された領域とは、周囲全てがスリットにより囲まれているものに限らず、複数のスリットにより囲まれ、一部が他の領域とつながっているもの、または一部が基板端部となっているものも含むものである。
【００１７】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリットは、順テーパー状の断面形状を有することが好ましい。
【００１８】
上記構成によれば、受容層におけるインク溶媒の吸収拡散領域が広くなる。そのため、受容層はインク溶媒をより多く吸収できるとともに、受容層のインク溶媒の保持効果が高まる。これにより、製造過程において描画形状が安定し、導電層配線の配線形状がさらに良好なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００１９】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記断面形状は、傾斜角が途中で変化している２段テーパー状であり、上記スリットの開口部側の壁面のテーパー角は、上記スリットの上記基板側の壁面のテーパー角よりも小さいことが好ましい。
【００２０】
上記構成によれば、基板に近い側において受容層の体積が増加し、受容層におけるインク溶媒の吸収拡散領域がさらに広くなる。そのため、製造過程において描画形状がさらに安定し、導電層配線の配線形状がさらに良好なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００２１】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリット形成工程では、上記スリットを形成した後または上記スリットの形成と同時に、上記スリットの側壁表面に対して、上記インクの溶媒の通過を低下させる処理をさらに施すことが好ましい。
【００２２】
上記構成によれば、インク溶媒がスリットから受容層外部に流出することを防止することができる。そのため、インク溶媒がスリットを越えて他の導電層配線形成領域に進行することを防ぐことができ、描画形状の乱れをより確実に防止することができる。これにより、導電層配線の配線形状がさらに良好なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００２３】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法では、上記基板がガラス基板であり、上記処理は、上記ガラス基板のドライエッチにより生じる副生成物により上記側壁表面を被覆することであることが好ましい。
【００２４】
上記構成によれば、スリットの側壁表面がエッチング副生成物であるガラス成分に覆われることになり、インク溶媒がスリットから外部に流出しづらくなる。これにより、インク溶媒がスリットを越えて他の導電層配線形成領域に進行することをより確実に防ぐことができる。そのため、より微細なスリットを用いて、導電層配線の配線形状を良好なものとすることができる。
【００２５】
また、スリットをドライエッチにより形成する場合には、ドライエッチの時間を延ばすことにより、ガラス基板のエッチングを行うことができる。そのため、スリットの側壁表面を処理するための特別な工程が不要となり、作業を単純化することができるという効果を奏する。
【００２６】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法では、上記受容層には樹脂成分が含まれており、上記処理は、上記側壁表面にある該樹脂成分をフッ素終端にすることであることが好ましい。
【００２７】
上記構成によれば、フッ素終端によりスリットの側壁表面が撥液化し、インク溶媒がスリットから外部に流出しづらくなる。これにより、インク溶媒がスリットを越えて他の導電層配線形成領域に進行することをより確実に防ぐことができる。そのため、より微細なスリットを用いて、導電層配線の配線形状を良好なものとすることができる。
【００２８】
また、フッ素系ガスを用いたドライエッチによりスリットを形成すれば、自然に、スリットの側壁表面がフッ素終端になる。そのため、スリットの側壁表面を処理するための特別な工程が不要となり、作業を単純化することができるという効果を奏する。
【００２９】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリット形成工程では、上記受容層にさらにバンクを形成し、上記導電層形成工程では、上記バンクの内側に上記導電層配線を形成することが好ましい。
【００３０】
導電層配線をバンク内に設けることにより、インクジェット法により導電層配線を形成する際のインクの保持効果が高まることになる。これにより多くのインクにて配線を形成することが可能となる。また、膜厚の大きい導電層配線を基板上に形成しても段差が生じず、アクティブマトリクス基板として良好な表示特性を得ることができる。
【００３１】
なお、バンクとは、内部に導電層配線を保持するための溝状の構造体である。
【００３２】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリット形成工程では、上記スリットと上記バンクとを同時に形成することが好ましい。
【００３３】
上記構成によれば、バンクを形成するための新たな工程を必要とせず、製造方法の簡略化を図ることができる。
【００３４】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記アクティブマトリクス基板はゲート配線を備えており、上記導電層配線は低抵抗導電層であり、上記低抵抗導電層配線と、上記ゲート配線とを積層させる積層工程をさらに含むことが好ましい。
【００３５】
上記構成によれば、ゲート配線の直上または直下に、形状が良好な低抵抗導電層配線を形成することができる。これによりゲート配線の低抵抗化を実現できる。したがって、ゲート配線において信号遅延の問題が生じることを防ぐことができる。
【００３６】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記導電層配線は低抵抗導電層配線であり、上記受容層形成工程の前に上記基板上にゲート配線を形成し、上記受容層形成工程では、上記基板上と上記ゲート配線上に上記受容層を形成し、上記スリット形成工程では、上記ゲート配線上に積層している上記受容層に上記バンクを形成し、上記受容層はスピンオンガラス材料から形成されていることが好ましい。
【００３７】
上記構成によれば、ゲート配線よりも上層に受容層を形成することができ、この受容層をスピンオンガラス材料からなる層にすることができる。そのため、受容層が層間絶縁層として機能し得、層間絶縁層を形成するさらなる工程が不要となる。したがって、製造方法を簡略化できる。
【００３８】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリット形成工程では、さらに薄膜トランジスタ形成ホールを形成し、上記薄膜トランジスタ形成ホールと上記スリットと上記バンクとを同時に形成することが好ましい。
【００３９】
上記構成によれば、薄膜トランジスタ形成ホールと、スリットと、バンクとを同時に形成するため、スリットおよびバンクを形成するための新たな工程を必要としない。そのため、製造工程が簡略化される。また、フォトリソグラフィー技術により各構成を形成する場合には、使用するフォトマスクの枚数を増加させずに、薄膜トランジスタ形成ホール、スリットおよびバンクの各構成を形成することができる。
【００４０】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記スリット形成工程では、上記スリットを形成する部位に上記薄膜トランジスタ形成ホールを形成することが好ましい。
【００４１】
上記構成によれば、スリットを形成する位置に薄膜トランジスタ形成ホールが形成される。これにより、薄膜トランジスタ形成ホールをスリットとして機能させることができ、スリットを有するアクティブマトリクス基板の構成を簡略化することができる。
【００４２】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記薄膜トランジスタ形成ホールが形成される上記スリットを形成する部位は、上記ゲート配線上にあることが好ましい。
【００４３】
上記構成によれば、ゲート配線上に薄膜トランジスタ形成ホールが形成される。そのため、アクティブマトリクス基板としての開口率を向上させることができる。
【００４４】
本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記課題を解決するために、金属粒子を含むインクを用いたインクジェット法により形成した複数の導電層配線を備えるアクティブマトリクス基板において、上記インクの受容層を基板上に備えており、上記複数の導電層配線は上記受容層上または上記受容層に挟まれて形成されており、上記複数の導電層配線のうちの互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線の間において、上記受容層にスリットが形成されている構成である。
【００４５】
上記構成によれば、隣り合う導電層配線の間にある受容層にはスリットが設けられている。そのため、形成されている導電層配線の形状が良好なものとなる。したがって、導電層配線の形状が良好なアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００４６】
以上のように、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上にインクの受容層を形成する受容層形成工程と、互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線が形成される各部位の間において、受容層にスリットを形成するスリット形成工程と、スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に導電層配線を形成する導電層形成工程とを含む構成である。そのため、インクジェット法により描画されたインクの溶媒が受容層に吸収された後、スリットにおいて進行が停止し、隣り合う他の描画領域におけるインク溶媒との干渉が生じない。それにより、インクの描画形状が乱されることがなく、形状が良好な導電層を有するアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について、図１〜３、５および７〜１１に基づいて説明すれば以下の通りである。まず、図２および３を参照しながら、本実施形態のアクティブマトリクス基板の構成について説明する。
【００４８】
図２は、アクティブマトリクス基板２０Ａの１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。図２に示すように、アクティブマトリクス基板２０Ａは、絶縁性基板（例えばガラス基板）１１（不図示）と、複数のゲート配線２１と、絶縁膜を介してゲート配線と交差する複数のソース配線２２とを有している。アクティブマトリクス基板２０Ａは、さらに、絵素領域ごとに、対応するゲート配線２１に印加される信号に応答して動作する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造２９と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２９を介して応答するソース配線２２と電気的に接続される絵素電極３１とを有している。このアクティブマトリクス基板２０Ａは、液晶表示装置に用いられるものである。
【００４９】
アクティブマトリクス基板２０Ａは、さらに、ゲート配線２１の層と基板１１との間にインク受容層１２（不図示）を有している。インク受容層１２では、ゲート配線２１に沿って、ゲート配線２１の両脇において、スリット１４が形成されている。
【００５０】
以下、さらに図３も参照しながら、アクティブマトリクス基板２０Ａの構成について、詳細に説明する。図３は、図２における切断線Ａ−Ａ’で切断した状態を示した部分断面図である。説明の便宜上、ゲート配線２１よりも上層に形成されている構成については、図示を省略している。図３に示すように、絶縁性基板１１上に受容層１２が形成されており、受容層１２上の中央部に低抵抗導電層（導電層配線、低抵抗導電層配線）２３が形成されている。さらにゲート配線２１が低抵抗導電層２３およびその周囲の受容層１２を覆うように積層されている。低抵抗導電層２３が形成されている受容層１２には、スリット１４が形成されており、他の受容層１２と分断されている。
【００５１】
（受容層）
受容層１２は、金属ナノ粒子を含むインクを用いたインクジェット法により形成される低抵抗導電層２３の形状を保つために形成される。受容層１２は、受容層１２に接して描画されたインクのインク溶媒を吸収および拡散する。それによって、金属ナノ粒子からなる低抵抗導電層２３が形成される。この吸収および拡散が阻害されると、残存するインク溶媒の影響で低抵抗導電層２３の形状が乱れてしまう。
【００５２】
受容層１２は、たとえば多孔質の材料を含有するシリカ系高分子材料を用いて形成することができる、この材料を基板上に塗布し、１００℃〜４００℃程度の温度にて焼成を行うことにより受容層１２の膜が形成される。この場合の膜厚は０．５〜１０μｍ程度である。
【００５３】
（スリット）
スリット１４は、受容層１２に形成されている溝状の構造で、受容層１２を完全に貫通している。そのため、絶縁性基板１１の上面（受容層１２に面していた面）が表面に現れている。スリット１４は、低抵抗導電層２３を形成したときのインク溶媒が、他の低抵抗導電層２３の近傍に到達することを防ぎ、また他の低抵抗導電層２３の描画の際に用いられたインク溶媒と干渉することを防ぐためのものである。
【００５４】
スリット１４は、ＣＦ４ガスを用いたドライエッチにより形成することができる。また、受容層１２として感光性素材を使用している場合には、フォトリソグラフィーにより露光および現像を行うことによって、スリット１４を形成することも可能である。
【００５５】
ここで、低抵抗導電層２３にスリットを設けた場合と設けていない場合におけるインク溶媒の拡散について、図１および図２０を参照しながら説明する。
【００５６】
図２０は、２つの導電層１１３を互いに隣接させて受容層１１２上に形成させた配線基板の断面図である。図２０に示す配線基板では、受容層１１２にスリットは形成されていない。受容層１１２はその特性上、インクの溶媒を吸収することにより、インクが受容層１１２上で横方向に流れることを防ぎ、描画された導電層１１３の配線形状を安定させる。吸収されたインク溶媒は、受容層１１２中で拡散し、その多くは横方向に拡散する（矢印Ｓ１１）。しかし、一定の間隔で別の箇所にインクが描画されており、これに由来するインク溶媒もまた、その多くが受容層１１２中で横方向に拡散する。そのため、受容層１１２中で拡散するそれぞれのインク溶媒が互いに干渉し合い、描画された各インクのインク溶媒の吸収および拡散が阻害される。その結果、導電層１１３の形状が乱れることになる。
【００５７】
図１は、２つの導電層１３を互いに隣接させて受容層１２上に形成させた配線基板の断面図である。図１に示す配線基板では、２つの導電層１３の間において、受容層１２にスリット１４が形成されている。この場合に、受容層１２に吸収され横方向に拡散するインク溶媒は、スリット１４との境界に到達すると、そこでインク溶媒の進行が停止する。そのため、スリット１４を挟んで隣接する描画領域にインク溶媒が到達することはなく、また、その描画領域から拡散してくるインク溶媒と干渉し合うこともない。
【００５８】
以上より、スリット１４を設けることにより、低抵抗導電層２３を形成したときのインク溶媒が他の低抵抗導電層２３の近傍に到達することを防ぎ、また他の低抵抗導電層２３の描画に用いられたインク溶媒との干渉を防ぐことができることがわかる。これにより、低抵抗導電層２３の形状を良好に保つことができる。
【００５９】
次に、スリット１４の断面形状について、図９を参照しながら説明する。
【００６０】
図９は、スリット１４の断面形状を表す受容層１２を含む絶縁性基板１１の部分断面図である。スリット１４は、その断面において受容層１２が完全に分断されていればよく、その断面形状は特に制限されるものではない。例えば、図９（ａ）に示すスリット１４は、断面が矩形になっており、その壁面は基板と垂直に形成されている。受容層１２内を拡散進行しているインク溶媒は、スリット１４の壁面に到達すると進行が停止し、スリット１４を挟んで対向している受容層１２には進行しない。
【００６１】
図９（ｂ）は、スリット１４の別の形態を示す図である。スリット１４をドライエッチにより形成した場合には、スリット１４の断面形状が、図９（ｂ）に示すように開口部側の幅が広くなっている順テーパー形状となる。スリット１４の断面がテーパー状となると、同じ開口部の幅を有するスリットを設けた場合と比較し、インク溶媒の吸収拡散領域がより広くなる。そのため、インク溶媒の保持効果が高まり、低抵抗導電層２３の形状をより確実に良好なものにすることができる。
【００６２】
図９（ｃ）は、スリット１４のさらに別の形態を示す図である。スリット１４をドライエッチにより形成する場合において、ドライエッチを行っている最中にエッチングガスの比率およびエッチングパワーを変更することにより、スリット１４の断面形状は、図９（ｃ）に示すようにスリット１４の壁面の傾斜角（テーパー角）が途中で変化する２段テーパーとなる。より具体的には、スリット１４の開口部側の壁面のテーパー角が、スリット１４の絶縁性基板１１側の壁面のテーパー角よりも小さくなる。この場合、絶縁性基板１１に近い側において受容層１２のインク吸収拡散領域がさらに広くなる。そのため、インク溶媒の保持効果がさらに高まり、導電層の形状をより確実に良好なものにすることができる。
【００６３】
次に、スリット１４の側壁に対して施される処理について、図１０および１１を参照しながら説明する。受容層１２とスリット１４との境界に到達したインク溶媒がスリット１４を超えて対向する受容層１２に進行することを、より確実に防ぐために、スリット１４の側壁に対して処理を施すことができる。
【００６４】
図１０は、スリット１４の側壁がガラス成分で被覆されている受容層１２の断面図である。
【００６５】
受容層１２を形成した絶縁性基板１１がガラス基板であり、スリット１４をドライエッチにより形成する場合に、ドライエッチの時間を延ばすと、ガラス基板の表面が一定量エッチングされる（図１０中、矢印Ｓ２）。ガラス基板の表面がエッチングされると、スリット１４の壁面に、ガラス成分のエッチング副生成物（以下、ガラス成分堆積物と称する）１５が堆積し（図１０中、矢印Ｓ３）、スリット１４の側壁の表面がガラス成分堆積物１５に覆われることになる。これにより、インク溶媒がスリット１４を越えて他の導電層形成領域に進行することを、より確実に防ぐことができる。そのため、より微細なスリット１４を用いて、低抵抗導電層１３の配線形状を良好なものとすることができる。
【００６６】
図１１は、スリット１４の側壁がフッ素終端された状態になっている受容層１２の断面図である。
【００６７】
受容層１２に樹脂成分が含まれており、ドライエッチによりスリット１４を形成する場合、ＣＦ４およびＳＦ６などのフッ素系ガスによりエッチングを行うと、図１１に示すようにスリット１４の側壁を形成している受容層１２の表面の樹脂成分がフッ素修飾される。これにより、スリット１４に面している受容層１２の表面がフッ素終端された状態となる。表面がフッ素終端された状態であると、表面が撥液化する。そのため、インク溶媒がスリット１４を越えて受容層１２から流出しづらくなり、また、別の領域の受容層１２に侵入しづらくなる。したがって、より微細なスリット１４を用いて、低抵抗導電層１３の配線形状を良好なものとすることができる。なお、フッ素終端化処理を行う場合に、受容層１２に用いる樹脂成分としては、例えば、アクリル樹脂等を用いることが可能である。
【００６８】
以上のように、スリット１４を形成した後に、スリット１４の側壁表面に対して、インク溶媒の通過を低下させる処理を施すことにより、より微細なスリット１４を用いたとしても、インクがスリット１４を超えて受容層１２の他の領域に進行することを防ぐことができる。
【００６９】
隣接描画エリア間のスリット１４は、スリット１４を回り込んだインク溶媒の影響を避けられるよう、十分な長さであることが望ましく、それぞれの描画エリアを囲むように形成することも可能である。
【００７０】
次に、スリット１４を形成する位置について、図７および８を参照しながら説明する。以下の説明は、好ましい位置の例示であって、これらに限定されるものではなく、スリット１４を設ける基板に形成され得る他の構成要素によって、適宜変更し得るものである。
【００７１】
図７は、基板上に受容層１２が形成されており、受容層１２上に、２つの導電層１３が互いに平行に形成されている基板を示す上面図である。図８は、受容層１２上に、４つの導電層１３が形成されている基板を示す上面図である。図８に示す基板では、２つの導電層１３が直列に並んでおり、直列に並ぶ導電層１３の２つの列が互いに平行に並んでいる。図７に示すように、２つの導電層１３の間の中央部にスリット１４が形成されている。導電層１３は、インクジェット法により形成されたものであり、導電層１３を形成する際に用いられたインク溶媒が、描画領域から周囲に受容層１２内で拡散進行している（矢印Ｓ１）。拡散進行しているインク溶媒がスリット１４に到達すると、スリット１４を超えることができず、インク溶媒の進行がスリット１４の手前で停止する。ここで、スリット１４は、２つの導電層１３の間の中央部に形成されているため、いずれの導電層１３からの距離も略均等になる。すなわち、スリットにより区切られたそれぞれの領域におけるインク溶媒の受容領域を互いに広く設けることができる。これにより、各領域においてインク溶媒の吸収および拡散が良好に進行することとなる。また、スリット１４は、スリット１４により分割されて生じる領域に含まれる導電層１３が、その領域内の中央にあるように形成されている。すなわち、スリット１４に区切られた各領域は、その領域内にある導電層１３を中心に対称的な構造になっている。これにより、スリットにより区切られて生じる各領域におけるインク溶媒の吸収および拡散に偏りが生じず、導電層１３の形状を安定化することができる。
【００７２】
（低抵抗導電層）
低抵抗導電層２３は、ゲート配線２１の配線抵抗の低抵抗化を実現するための導電層である。表示装置の大型化によりアクティブマトリクス基板も大型化し、基板の大型化が進むにつれ、ゲート配線２１が長くなった。それにより、ゲート配線２１の配線抵抗が大きくなり、信号遅延の問題が生じていた。そこで、図３に示すように、ゲート配線２１の一部について、低抵抗金属微粒子による低抵抗導電層２３をゲート配線２１の直下に形成し、積層構造にした。これにより、ゲート配線２１の低抵抗化を実現している。なお、低抵抗導電層による低抵抗化は、ゲート配線２１に対する場合に限らず、ゲート配線２１と同一レイヤーで形成されている補助容量配線（ＣＳ配線）３０および補助容量幹配線（ＣＳ幹配線）（不図示）にも適用できる。また、ゲート配線２１を低抵抗化させるためには、低抵抗導電層２３とゲート配線２１とが積層構造となっていればよく、後述する他の実施形態のように、低抵抗導電層２３はゲート配線２１の直上に形成されていてもよい。
【００７３】
低抵抗導電層２３は、低抵抗の金属ナノ粒子（例えば、Ａｇ微粒子、Ａｇ合金微粒子、Ｃｕ微粒子およびＣｕ合金微粒子）から形成されている。低抵抗導電層２３は、低抵抗の金属ナノ粒子を含むインクを用いたインクジェット法により、受容層１２上のゲート配線２１が形成される領域に選択的に描画することによって形成される。
【００７４】
その後、低抵抗導電層２３上にゲート配線２１が形成されることにより、その部分において積層構造となる。
【００７５】
（アクティブマトリクス基板の製造方法）
次に、アクティブマトリクス基板２０Ａの製造方法の一実施形態について、図５（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００７６】
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１上に、スピンオンガラス材料（ＳＯＧ材料）、多孔質材料を含むシリカ系高分子材料などによってインク溶媒の受容層１２を形成する。
【００７７】
次いで、ドライエッチにより、図５（ｂ）に示すように、引き続き低抵抗導電層２３が形成される部位の脇、すなわちインクの描画エリア脇にスリット１４を形成する。スリット１４は、受容層１２が完全に分断されるように形成される。なお、受容層１２として感光性素材を使用している場合には、フォトリソグラフィーにより露光および現像を行ってスリット１４を形成してもよい。
【００７８】
続いて、図５（ｃ）に示すように、低抵抗金属ナノ粒子を含むインクを、インクジェット法によりスリット１４に挟まれた領域の略中央に選択的に描画する。これにより、低抵抗導電層２３を、スリット１４に挟まれた領域の略中央に選択的に形成する。
【００７９】
その後、スパッタリングおよびパターニングなど従来公知の方法により、図５（ｄ）に示すように、低抵抗導電層２３に積層するようにゲート配線２１を形成する。
【００８０】
ゲート絶縁膜の形成、ＴＦＴの形成など、これ以降の工程については従来公知の方法を用いればよい。
【００８１】
上記製造方法によれば、インクジェット法により低抵抗導電層２３を形成する前に、その両脇にスリット１４が形成されるため、近傍領域の低抵抗導電層２３に由来するインク溶媒による干渉が起こらず、形状が良好な低抵抗導電層２３を形成できる。さらに低抵抗導電層２３に積層するようにゲート配線２１が形成され、ゲート配線２１の低抵抗化が実現する。
【００８２】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施形態について、図２、４および６に基づいて説明すれば以下の通りである。説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。なお、図２は実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板２０Ａにおける上面図であるが、上面における構成については本実施の形態と差異がないため、その図面を準用して説明する。
【００８３】
上述の実施形態では、受容層１２上に低抵抗導電層２３を形成していたが、本実施の形態におけるアクティブマトリクス基板２０Ａでは、受容層１２に、スリットとは異なる別のテーパー状の溝（バンク）が設けられており、この溝の内部に低抵抗導電層２３を形成している。すなわち、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板２０Ａでは絶縁性基板上にバンクを形成している層が設けられており、バンクを形成している層が、インク溶媒を吸収する受容層として機能している。
【００８４】
図４は、図２における切断線Ａ−Ａ’で切断した状態を示した部分断面図である。説明の便宜上、ゲート配線２１よりも上層に形成されている構成については、図示を省略している。図４に示すように、絶縁性基板１１上に受容層１２が形成されており、受容層１２にはスリット１４が形成されている。スリット１４に挟まれた受容層１２の中央部に、断面が順テーパー状の溝が形成されており、その内部に低抵抗導電層２３が受容層１２と同じ高さで形成されておりバンクの内部を満たしている。ゲート配線２１は、低抵抗導電層２３および受容層２１上に形成されており、一部が低抵抗導電層２３との積層構造となっている。
【００８５】
バンクを形成する溝は、スリット１４と同様にして形成することができ、かつスリット１４と同時に形成することができる。すなわち、例えばスリット１４をエッチングにより形成する際に、同様の条件により同時にエッチングにより形成することができる。
【００８６】
バンクを形成している層が受容層１２として機能しているため、バンクの内部に描画された金属ナノ粒子を含むインクのインク溶媒が受容層１２に吸収される。これにより、多くのインク量を形状よく描画することができる。また、受容層１２には、スリット１４が形成されているため、吸収されたインク溶媒によって、他の領域に描画された低抵抗導電層の形状が乱れることを防ぐことができる。
【００８７】
また、スリット１４の側壁表面に施すフッ素終端形成などの処理を、バンクの壁面に対しても施すことができる。バンクの壁面に上述の処理を施した場合には、バンク壁からのインク溶媒拡散スピードが抑えられ、隣接描画エリア間の干渉をさらに抑えることができる。
【００８８】
次に、インク描画のためのバンクを設けて、その内部に低抵抗導電層２３を形成するアクティブマトリクス基板２０Ａの製造方法について、図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００８９】
絶縁性基板１１にインク受容層１２を形成する工程は、図５（ａ）を参照して説明した方法と同様である。
【００９０】
次いで、ドライエッチにより、図６（ｂ）に示すように、引き続き低抵抗導電層２３が形成される部位の脇、すなわちインクの描画エリア脇にスリット１４を形成する。ただし図５に示す方法と異なり、引き続き低抵抗導電層２３を形成する部位に、インク描画のためのバンク１７をさらに形成する。バンク１７は、スリット１４の形成と同時に、ドライエッチにより形成することができる。また、受容層１２として感光性素材を用いフォトリソグラフィーによってスリット１４を形成する場合には、バンク１７もフォトリソグラフィーにより同時に形成できる。この際に、インク描画性の観点から基板表面は親液化されていることが望ましく、バンク材料と基板表面との間に親撥液のコントラストが形成されていることが望ましい。
【００９１】
続いて、図６（ｃ）に示すように、低抵抗金属ナノ粒子を含むインクを、インクジェット法によりバンク１７の内部に選択的に描画する。これにより、低抵抗導電層２３を、スリット１４に挟まれた領域に設けられたバンク１７の内部に選択的に形成する。なお、低抵抗導電層２３の高さが、周囲の受容層１２の高さと同じになるように低抵抗導電層２３を形成する。低抵抗金属ナノ粒子を含むインクを、バンク１７の内部に描画することにより、インクの保持効果が高まることになる。そのため、多くのインクを用いて低抵抗導電層２３を形成することができる。したがって、形成される低抵抗導電層２３内により多くの低抵抗金属ナノ粒子を含めることができ、これにより、より低抵抗な導電層配線を形成することが可能となる。
【００９２】
その後、スパッタリングおよびパターニングなど従来公知の方法により、図６（ｄ）に示すように、低抵抗導電層２３に積層するようにゲート配線２１を形成する。
【００９３】
上記製造方法によれば、インクジェット法により低抵抗導電層２３を形成する前に、バンク１７の外側にある受容層１２にスリット１４が形成される。そのため、他の領域に形成された低抵抗導電層２３に由来するインク溶媒による干渉が起こらず、形状が良好な低抵抗導電層２３を形成できる。さらに低抵抗導電層２３に積層するようにゲート配線２１が形成され、ゲート配線２１の低抵抗化が実現する。
【００９４】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施形態について、図１２〜１６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【００９５】
図１２は、アクティブマトリクス基板２０Ｂの１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。図１３は、図１２における切断線Ａ−Ａ’で切断した状態を示したアクティブマトリクス基板２０Ｂの部分矢視断面図である。図１４は、図１２における切断線Ｂ−Ｂ’で切断した状態を示したアクティブマトリクス基板２０Ｂの部分矢視断面図である。図１２および１４に示すように、アクティブマトリクス基板２０Ｂは、ゲート配線２１とソース配線２２とのクロス部において、ソース配線２２の両脇にもスリット１４が形成されている点で、アクティブマトリクス基板２０Ａと異なる。また、図１３に示すように、アクティブマトリクス基板２０Ｂは、低抵抗導電層２３がゲート配線２１の上部に積層するように設けられている点で、アクティブマトリクス基板２０Ａと異なる。なお、図１３では、ゲート絶縁膜２５よりも上層の構成要素については、説明の便宜上、図示を省略している。
【００９６】
アクティブマトリクス基板２０Ｂでは、インク受容層１２としてＳＯＧ（スピン・オン・ガラス）層を用いており、インク受容層１２は低容量（低誘電率）層間絶縁膜を兼ねている。ＳＯＧ層は、スピンコート法などの塗布法によってガラス膜（シリカ系被膜）を形成し得る材料を用いて形成した絶縁層である。ＳＯＧ層を形成するＳＯＧ材料としては、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ結合を骨格とするＳＯＧ材料、およびＳｉ−Ｃ結合を骨格とするＳＯＧ材料を好適に用いることができる。ＳＯＧ材料の説明としては、国際公開ＷＯ２００６／０２２２５９号パンフレットにおけるＳＯＧ材料の説明を援用できる。
【００９７】
図１３に示すように、アクティブマトリクス基板２０Ｂでは、絶縁性基板１１上にゲート配線２１が設けられており、ゲート配線２１上に低抵抗導電層２３が形成されている。低抵抗導電層２３は受容層１２のバンク内に形成されている。受容層１２は、ゲート配線２１の両脇においてスリット１４が形成されている。受容層１２および低抵抗導電層２３上にはゲート絶縁膜２５が形成されている。
【００９８】
アクティブマトリクス基板２０Ｂにおいては、ＳＯＧ層を、インク描画のバンク層、すなわち受容層１２として用いることができるため、新たに受容層を設ける必要がない。そのため、アクティブマトリクス基板の構成を簡略化できる。
【００９９】
また、上述のようにアクティブマトリクス基板２０Ｂは、ゲート配線２１とソース配線２２とのクロス部において、ソース配線２２の両脇にもスリット１４が形成されている（図１４）。低抵抗導電層がゲート配線とソース配線とのクロス部に達する場合、異物等によるリークの増加、およびクロス部の寄生容量の増加が懸念される。そのため、アクティブマトリクス基板の製造過程において、低抵抗導電層がゲート−ソースクロス部に進行しないようにする必要がある。したがって、アクティブマトリクス２０Ｂでは、その製造過程において、低抵抗導電層２３を形成する前に、ゲート配線２１とソース配線２２とのクロス部において、ソース配線２２の両脇にスリット１４を形成している。図１４に示すように、スリット１４を設けることにより、ゲート配線２１上に描画した低抵抗導電層２３がソース配線２２直下の受容層１２に達することを確実に防ぐことができる。そのため、異物等によるリークの増加など上記問題の発生を抑え、性能がより向上したアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【０１００】
次に、アクティブマトリクス基板２０Ｂの製造方法について、図１５（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。
【０１０１】
まず、図１５（ａ）に示すように、絶縁性基板１１上に、スパッタリング法およびエッチングによる通常のプロセスにてゲート配線２１を形成する。次に、図１５（ｂ）に示すように、スピンコート法を用いてＳＯＧ材料を塗布し、続いてプリベーク、ポストベークを行ってＳＯＧ層となるインク受容層１２を形成する。続いて、図１５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、インク描画エリア脇、ここではゲート配線２１の両脇にスリット１４を形成すると同時に、ゲート配線２１の上部にバンク１７を形成する。続いて、図１５（ｄ）に示すようにバンク１７内に低抵抗導電層２３をインクジェット法により形成した後、図１５（ｅ）に示すようにゲート絶縁膜２５をＣＶＤ法などの通常プロセスにて形成する。
【０１０２】
本実施の形態に係る製造方法では、金属ナノ粒子を含むインクをバンク１７の内側に描画する前に、スリット１４を形成している。したがって、本製造方法によれば、バンク１７の壁面から吸収されたインク溶媒が、隣接する他のインク描画領域に影響を及ぼすことがなく、またその逆も同様である。そのため、描画形状が良好な低抵抗導電層２３を形成することができる。
【０１０３】
図１６は、ＳＯＧ層にバンクを形成し、そこにＡｇＣｕ合金インクを吐出した場合における、導電層の形状を観察した結果を示す図である。図１６（ａ）は、隣接した描画エリア間にスリットを設けた場合の結果を示しており、図１６（ｂ）は、隣接した描画エリア間にスリットを設けていない場合の結果を示している。図１６（ａ）に示すように、スリットを設けた場合には、導電層がバンク内部に収まっている（図中矢印）。一方、図１６（ｂ）に示すように、スリットを設けていない場合には、隣接した描画エリアのインク溶媒が互いに影響し、描画形状が乱れてしまっている（図中矢印）。
【０１０４】
〔実施の形態４〕
本発明の他の実施形態について、図１７〜１９に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【０１０５】
図１７は、アクティブマトリクス基板２０Ｃの１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。アクティブマトリクス基板２０Ｃでは、ゲート配線２１とソース配線２２とのクロス部においてソース配線２２の両脇に形成されているスリット１４の一方が、ＴＦＴ用ホールの役割を果たしている点でアクティブマトリクス基板２０Ｂと異なる。そのために、アクティブマトリクス基板２０Ｃでは、ＴＦＴ構造２９がゲート配線２１上に形成されている。
【０１０６】
図１８は、図１７における切断線Ｂ−Ｂ’で切断した状態を示したアクティブマトリクス基板２０Ｃの部分矢視断面図である。なお、ゲート絶縁膜２５よりも上層の構成要素の一部については、説明の便宜上、図示を省略している。
【０１０７】
図１８に示すように、ゲート配線２１上に形成されている２つの低抵抗導電層２３の間には、スリット１４とＴＦＴ用ホール共用スリット（薄膜トランジスタ形成ホール）２４が形成されている。ＴＦＴ用ホール共用スリット２４には、ゲート絶縁膜２５を介して、チャネル層２７およびソース・ドレイン層２８が形成されている。すなわちＴＦＴ構造２９が形成されている。
【０１０８】
次に、アクティブマトリクス基板２０Ｃの製造方法について、図１９（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。
【０１０９】
まず、図１９（ａ）に示すように、絶縁性基板１１上に、スパッタリング法およびエッチングによる通常のプロセスにてゲート配線２１を形成する。次に、図１９（ｂ）に示すように、スピンコート法を用いてＳＯＧ材料を塗布し、続いてプリベーク、ポストベークを行ってＳＯＧ層となる受容層１２を形成する。続いて、図１９（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、ゲート配線２１上部に、インク描画エリアとなる２つのバンク１７を形成し、それと同時に、ゲート配線２１上で２つのバンク１７に挟まれた領域にスリット１４および２４を形成する。続いて、図１９（ｄ）に示すようにバンク１７内に選択的に低抵抗導電層２３をインクジェット法により形成する。このとき、低抵抗導電層２３の高さは周囲の受容層１２の高さと同一とする。続いて、図１９（ｅ）に示すようにゲート絶縁膜２５、半導体層（最終的にチャネル層２７として機能）および不純物添加半導体層（最終的にチャネル層２７）の３層膜をＣＶＤ法などの通常プロセスにて形成する。その後、図１９（ｆ）に示すようにドライエッチによりチャネル層２７を形成し、次いで、図１９（ｇ）に示すように、スパッタリング法およびフォトリソグラフィー技術によるパターニングによって、ソース・ドレイン配線を形成する。
【０１１０】
アクティブマトリクス基板として、例えば、上記国際公開ＷＯ２００６／０２２２５９号に開示されている構造の基板を用いる場合には、ＳＯＧ層は、層間絶縁膜としても機能している。また、ＴＦＴ構造２９を形成するために、ドライエッチングを行う工程を含む。このため、本実施形態に係る製造方法によれば、ＴＦＴ構造２９を形成するためのエッチングと同時に、スリット１４およびバンク１７をエッチングにて形成することにより、フォトマスクの枚数を増加することなく、また追加のプロセスを必要とすることなく、スリット１４およびバンク１７を形成することができる。
【０１１１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段、あるいは、他の実施の形態において説明した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明よれば、良好な形状を有する低抵抗導電層が形成されており、配線の低抵抗化を実現するアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板のスリットを示す部分断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板の一絵素分の構成を表す上面図である。
【図３】図２中の切断線Ａ−Ａ’における、アクティブマトリクス基板の部分矢視断面図である。
【図４】別の実施形態のアクティブマトリクス基板における図２中の切断線Ａ−Ａ’における、アクティブマトリクス基板の部分矢視断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造工程を表す断面図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程終了後を表す断面図である。
【図６】本発明の別の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造工程を表す断面図であり、（ａ）〜（ｄ）は本製造工程の各工程終了後を表す断面図である。
【図７】導電層とスリットとの位置関係についての一実施例における、基板の上面図である。
【図８】導電層とスリットとの位置関係についての別の実施例における、基板の上面図である。
【図９】スリットの断面形状を表した、基板の部分断面図であり、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれスリットの断面形状の一実施例である。
【図１０】スリットの側壁表面がガラス成分堆積物で被覆されているスリットの断面図である。
【図１１】スリットの側壁表面の受容層がフッ素終端化されているスリットの断面図である。
【図１２】本発明のさらに別の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の一絵素分の構成を表す上面図である。
【図１３】図１２中の切断線Ａ−Ａ’における、アクティブマトリクス基板の部分矢視断面図である。
【図１４】図１２中の切断線Ｂ−Ｂ’における、アクティブマトリクス基板の部分矢視断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造工程を表す断面図であり、（ａ）〜（ｅ）は各工程終了後を表す断面図である。
【図１６】バンクにインクを吐出したときの導電層の形状を示す実施例であり、（ａ）は本発明における導電層であり、（ｂ）は比較例における導電層である。
【図１７】本発明のさらに別の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の一絵素分の構成を表す上面図である。
【図１８】図１７中の切断線Ｂ−Ｂ’における、アクティブマトリクス基板の部分矢視断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造工程を表す断面図であり、（ａ）〜（ｇ）は各工程終了後を表す断面図である。
【図２０】受容層上にインクを描画した比較例の基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１１    絶縁性基板（基板）
１２    受容層
１３    導電層（導電層配線）
１４    スリット
１５    エッチング副生成物、ガラス成分堆積物（副生成物）
１６    フッ素終端
１７    バンク
２０Ａ〜Ｃ    アクティブマトリクス基板
２１    ゲート配線
２２    ソース配線
２３    低抵抗導電層（導電層配線、低抵抗導電層配線）
２４    ＴＦＴ用ホール共用スリット（薄膜トランジスタ形成ホール）
２５    ゲート絶縁膜
２６    ＣＶＤ３層膜
２７    チャネル層
２８    ソース・ドレイン層
２９    ＴＦＴ構造
３０    ＣＳ配線
１１１    基板
１１２    受容層
１１３    導電層
Ｓ１    インク溶媒の流れ
Ｓ１１    インク溶媒の流れ
【図１】
2010139741.tif 000003
【図２】
2010139741.tif 000004
【図３】
2010139741.tif 000005
【図４】
2010139741.tif 000006
【図５】
2010139741.tif 000007
【図６】
2010139741.tif 000008
【図７】
2010139741.tif 000009
【図８】
2010139741.tif 000010
【図９】
2010139741.tif 000011
【図１０】
2010139741.tif 000012
【図１１】
2010139741.tif 000013
【図１２】
2010139741.tif 000014
【図１３】
2010139741.tif 000015
【図１４】
2010139741.tif 000016
【図１５】
2010139741.tif 000017
【図１７】
2010139741.tif 000018
【図１８】
2010139741.tif 000019
【図１９】
2010139741.tif 000020
【図２０】
2010139741.tif 000021
【図１６】
2010139741.tif 000022