(57)【要約】【課題】多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成する。【解決手段】目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離をおいて対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行い多重露光用マスクパタンを生成する。【選択図】図３
2010044289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、
所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、
前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程と
を含む第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクと異なる他のフォトマスクにおいて、前記所定のフォトマスクの前記設計パタンに対応する前記他のフォトマスクの他の設計パタンに近接し、前記所定のフォトマスクのシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広の線幅であるアシストパタンを付加することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項５】
多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、
所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、
前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程と
を含む第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項６】
前記第１の工程において、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクと異なる他のフォトマスクにおいて、前記所定のフォトマスクの前記設計パタンに対応する前記他のフォトマスクの他の設計パタンに近接し、前記所定のフォトマスクのシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広の線幅であるアシストパタンを付加することを特徴とする請求項４又は５に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、多重露光に用いられるフォトマスクの製造方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、半導体装置の微細化・高集積化が進み、そのため高精度なデバイスパタンの形成技術が必要とされている。
半導体装置に代表される電子デバイスの更なる微細化・高集積化の要請に応えるべく、複数のフォトマスクを用いて、複数回の露光を重ね合わせることで基板上に１つのデバイスパタンを形成する多重露光技術が注目されている。多重露光技術には、例えばフォトリソグラフィーとして位相シフトマスクとトリムマスクとを用い、両者の対応するマスクパタンを多重露光する技術が注目されている。多重露光技術の一例は例えば特許文献１，２に開示されている。
【０００３】
位相シフトマスクは、光が透過する２種のシフタパタン（位相０及び位相π）と、光を遮断する遮光部とを備えて構成される。２種のシフタパタン間の領域が遮光部となる。光は遮光部で遮断されるが、通常のマスクでは、遮光部では光の回折により光の回り込みが生じるために光量は完全に０にはならない。位相シフトマスクでは、隣接するシフタパタン間にπ（１８０°）の位相差を設けることにより、回折光は互いに打ち消される。
トリムマスクは、位相シフトマスクのマスクパタンと重なるように露光されるマスクパタンを有している。両者のフォトマスクを順不同で露光することにより、所望のマスクパタンを基板に露光転写させる。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４９０１０号公報
【特許文献２】特開２００１−３１９８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトマスクを形成するためマスクデータは、形成対象である設計パタンの形状やレイアウトを含む設計データに基づいて自動的に生成される。多重露光技術では、マスクパタン形成時における工程の複雑化を招くことがある。また、マスクパタンデータ生成において、設計データに従った均一な形状にマスクパタンを生成することが困難となっている。
【０００６】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成することを可能とするフォトマスクの製造方法及び生成装置、並びにプログラムを提供することを目的とする。
また、上記のフォトマスクの生成方法及び製造方法を適用して、均一な形状に形成されたマスクパタンを備えたフォトマスクを用い、高精度にデバイスパタンを形成することができる電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本件では、多重露光技術において、マスクパタン形成時に工程の複雑化を招いたり、マスクパタンが設計データと一部で異なる不均一な形状に形成されるような不都合の発生が、設計データの先端部分の態様に着目することで解決できることを見出した。当該態様としては、設計データの先端部分の近傍に他の設計データの先端部分が存する場合と、設計データの先端部分の近傍に他の設計データが存しない場合とがある。
【０００８】
本件のフォトマスクの製造方法は、多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程とを含む。
【０００９】
本件のフォトマスクの製造方法の他態様は、多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクの設計データにおいて、所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程とを含む第１の工程と、前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程とを含む。
【００１０】
本件のフォトマスクの生成装置は、多重露光に用いられる複数のフォトマスクの生成装置であって、前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する補助パタン生成部と、前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成するマスクデータ生成部とを含む。
【００１１】
本件のフォトマスクの生成装置の他態様は、多重露光に用いられる複数のフォトマスクの生成装置であって、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクの設計データにおいて、所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加するとともに、前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する補助パタン生成部と前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成するマスクデータ生成部とを含む。
【００１２】
本件のプログラムは、多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程とを生成する工程をコンピュータに実行させるためのものである。
【００１３】
本件のプログラムの他態様は、多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクの設計データにおいて、所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程とを含む第１の工程と、前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程とを生成する工程をコンピュータに実行させるためのものである。
【発明の効果】
【００１４】
本件によれば、多重露光技術において、マスクパタン生成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成することができる。
また、簡易に設計データに従った均一な形状に形成されたマスクパタンを備えたフォトマスクを用い、高精度にデバイスパタンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
―本件の基本骨子―
（基本骨子１）
ここでは、図１（ａ）のような設計データ１０１を例示する。設計データ１０１では、形成対象である設計パタンの設計データとして、線状設計パタン１０３，１０４が形成されている。ここで便宜上、２本の線状設計パタン１０３が隣接して配置されてライン＆スペースを構成する上部分１０２ａと、３本の線状設計パタン１０４が隣接して配置されてライン＆スペースを構成する下部分１０２ｂとに分類する。上部分１０２ａの各線状設計パタン１０３と、下部分１０２ｂの２本の各線状設計パタン１０４とは、各々の先端部分１０３ａと先端部分１０４ａとで所定の離間距離をおいて対向している。
【００１６】
ここで、各設計パタンの「先端部分」について、図２を用いて説明する。
本件では、図２（ａ）の下図の線状設計パタン１２６のように、その短手方向の端部の幅をＬとして、幅Ｌが端部から長手方向に所定距離、例えば３Ｌ以上の距離に亘って同一幅である場合に、線状設計パタン１２６の当該端部を先端部分１２６ａと定義する。従って、図２（ａ）の上図のように短手方向の端部の幅が全体に亘って均一である線状設計パタン１２５でも同様に、線状設計パタン１２５の当該端部が先端部分１２５ａとなる。上記の所定距離は、デザインルールにおいて規定される任意の値であり、線状設計パタンの形成状況に応じて、例えばＬ以上、２Ｌ以上、４Ｌ以上のように自在に変えることができる。
そして、図２（ｂ）の上下図のように、線状設計パタン１２５同士、または線状設計パタン１２５と線状設計パタン１２６とが、先端部分１２５ａ同士または先端部分１２５ａと先端部分１２６ｂとで対向する場合等がある。ここで、両者の離間距離をａとしている。
【００１７】
図１（ａ）の設計データ１０１のような線状設計パタンに倣ったデバイスパタンを多重露光技術で形成するには、位相シフトマスク及びトリムマスクを用いる。これらのフォトマスクでは、そのマスクデータが設計パタンの形状やレイアウトに基づいて生成される。
【００１８】
位相シフトマスクでは、線状設計パタンの両側に、互いに異なる位相（典型的には０またはπ）のシフタパタンを配置することを要する。この制約のため、目的とする設計データ１０１に対応して生成される位相シフトマスクデータとしては、例えば図１（ｂ）〜（ｅ）に示す４通りの位相シフトマスクデータ１１１〜１１４が考えられる。位相シフトマスクデータ１１１〜１１４では、線状設計パタン１２３（または１２４）を挟持するように、位相πのシフタパタン１３１と位相０のシフタパタン１３２とが交互に配置される。
【００１９】
図１（ｂ）の位相シフトマスクデータ１１１では、上部分１２１のシフタパタンは左端のシフタパタン１３１から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。一方、下部分１２２のシフタパタンは左端のシフタパタン１３２から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。
図１（ｃ）の位相シフトマスクデータ１１２では、上部分１２１のシフタパタンは左端のシフタパタン１３１から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。一方、下部分１２２のシフタパタンは左端のシフタパタン１３１から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。
図１（ｄ）の位相シフトマスクデータ１１３では、上部分１２１のシフタパタンは左端のシフタパタン１３２から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。一方、下部分１２２のシフタパタンは左端のシフタパタン１３１から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。
図１（ｅ）の位相シフトマスクデータ１１４では、上部分１２１のシフタパタンは左端のシフタパタン１３２から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。一方、下部分１２２のシフタパタンは左端のシフタパタン１３２から順次にシフタパタン１３１，１３２が交互配置される。
【００２０】
ここで、先端部分で対向する線状設計パタン１２３，１２４間の離間距離（図１（ｃ）にｓ１と表示する。）が大きい場合には光学的な問題は生じない。しかしながら、この離間距離が露光に用いる露光光の波長（露光波長：例えば露光装置の光源として１９３ｎｍのＡｒＦレーザを用いる場合には１００ｎｍ）以下になる場合には１１１と１１２(及び１１１と１１４、１１３と１１２、１１３と１１４)は光学的に等価とは言えず寸法バラツキの原因となる．そのため、対向するシフタパタン同士が同一の位相のもの、即ち位相シフトマスクデータ１１２，１１４が好ましい。
【００２１】
上記のように、設計データ１０１に対応して生成され得る位相シフトマスクデータとしては、位相シフトマスクデータ１１１〜１１４の４種類のものが考えられる。このことは、目的が同じ設計データであるにも係わらず、これを実現する位相シフトマスクデータのレイアウトが４種類存在することを意味する。このように、位相シフトマスクでは、目的とする設計データによっては位相シフトマスクデータの無用な増大化と複雑化を招くという問題がある。更に、微細なデバイスパタンを正確に形成するためにマスクパタンの形成時にいわゆる光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）を行うことがあるが、上記のような位相シフトマスクデータの増大化に伴って、ＯＰＣ処理が複雑化するという問題も見逃せない。
【００２２】
本件では、位相シフトマスクデータにおいて、設計パタンの先端部分を当該設計パタンの所期値よりも延長するように、設計パタンの長手方向のみに補助パタンを付加する。詳細には、先端部分で対向する一対の設計パタンに着目し、先端部分同士の離間距離が所定値以下である場合には、設計データ上で言わば仮想的に先端部分同士を接続する補助パタンを付加する処理を行う。ここで、離間距離の所定値としては、例えば露光波長とすれば良い。この所定値は任意であり、場合に応じて露光波長の２倍、１／２倍等のように規定することができる。
図１（ｂ）〜（ｅ）の場合では、上部分１２１の各線状設計パタン１２３と、下部分１２２の各線状設計パタン１２４とが、各々の先端部分同士で所定の離間距離をおいて近接して対向している。従って、これらの一対の設計パタン１２３，１２４を先端部分同士で接続する補助パタンを付加する。
【００２３】
補助パタンを付加した様子を図３に示す。
図３（ａ）に示すように、目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離以下で対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行う。この処理により、一対の線状設計パタン１０３，１０４はデータ上では１本の線状設計パタンと見なされる。従って、この設計データ１０１に基づいて生成される位相シフトマスクデータとしては、上記した位相シフトマスクに課される制約に従って、図３（ｂ），（ｃ）の位相シフトマスクデータ１４１，１４２の２種類となる。
【００２４】
図３（ｂ）の位相シフトマスクデータ１４１では、一対の線状設計パタン１２３，１２４は、先端部分同士が補助パタン１５３で接続されて１本の線状設計パタンと見なされている。従ってこの場合、左端を基準とすれば、１本と見なされた線状設計パタン１２３，１２４を挟持するように位相πのシフタパタン１５１、位相０のシフタパタン１５２、シフタパタン１５１、位相０のシフタパタン１３１が順次配置される。
図３（ｃ）の位相シフトマスクデータ１４２では、同様に、一対の線状設計パタン１２３，１２４は、先端部分同士が補助パタン１５３で接続されて１本の線状設計パタンと見なされている。従ってこの場合、左端を基準とすれば、１本と見なされた線状設計パタン１２３，１２４を挟持するように位相０のシフタパタン１５２、位相πのシフタパタン１５１、シフタパタン１５２、位相πのシフタパタン１３２が順次配置される。
【００２５】
位相シフトマスクデータ１４１（または１４２）に対応するトリムマスクデータの一例を図４に示す。
位相シフトマスクデータ１４１（または１４２）を生成するためにデータ上で補助パタン１５３を付加したがこれはシフタを発生する為だけに使用される．そのため、トリムマスクデータ１６１では、位相シフトマスクデータ１４１（または１４２）の線状設計パタン１２３，１２４と重ね合わせられる各線状マスクパタン１６２では、上部分と下部分とで対向する線状マスクパタン１６２同士の間は離間している。
位相シフトマスクデータ１４１（または１４２）による位相シフトマスクと、トリムマスクデータ１６１によるトリムマスクとを用いて多重露光に供することにより、目的とする設計データに忠実なデバイスパタンを高精度に転写形成することができる。
【００２６】
本件では、上記のように、目的が同じ設計データを実現する位相シフトマスクデータのレイアウトが２種類に減少する。しかもこの場合、位相シフトマスクデータ１４１，１４２は光学的には等価であり、デバイスパタンの寸法バラツキを減少させることにも寄与する．またシフタ図形が長くなり光学的にも安定し優れていると言える。
【００２７】
このように本件によれば、目的とする設計データによる位相シフトマスクデータの無用な増大化を招くことなく、生成され得る位相シフトマスクデータを光学的な優れた最小限数に留め、ＯＰＣ処理を可及的に簡易化することができる。
これにより、多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成することが可能となる。
【００２８】
以下、本件を適用した具体例について説明する。
本例では、図５（ａ）の設計データ２０１を目的とする。各設計パタンは、転写形成されるデバイスパタンとして、トランジスタのゲート（ゲート電極、ゲート配線）に対応している。各ゲートが重畳形成される活性領域を形成するための活性領域パタン２１３を合わせて図５（ａ）に示す。
【００２９】
図５（ａ）の設計データ２０１では、線状設計パタン２１１，２１２がその先端部分で対向している。ここで、線状設計パタン２１１，２１２の先端部分同士の離間距離は、あらかじめ定められた値以下の距離、例えば１００ｎｍとする。従って、図５（ｂ）に示すように、設計データ２０１には、仮想的に一対の線状設計パタン２１１，２１２の先端部分同士を接続する補助パタン２１４が付加される。
【００３０】
このように補助パタン２１４が付加された設計データ２０１に基づいて、図６（ａ）に示すようなレイアウトの位相シフトマスクデータ２０２を生成する。
位相シフトマスクデータ２０２では、一対の線状設計パタンは、先端部分同士が補助パタンで接続されて１本の線状設計パタンと見なされている。従ってこの場合、図６（ａ）の右部分について、下端を基準とすれば、１本と見なされた線状設計パタンを挟持するように位相πのシフタパタン２２１、位相０のシフタパタン２２２、位相πのシフタパタン２２３、位相０のシフタパタン２２４が順次配置される。また、図６（ａ）の左部分について、下端を基準とすれば、線状設計パタンを挟持するように位相０のシフタパタン２２５、位相πのシフタパタン２２６が順次配置される。
【００３１】
位相シフトマスクデータ２０２に対応するトリムマスクデータの一例を図６（ｂ）に示す。
位相シフトマスクデータ２０２では、データ上で補助パタン付加したがこれはシフタを生成する為だけに用いる。トリムマスクデータでは前記補助パタンは使用されない。そのため、トリムマスクデータ２３１では、図６（ａ）の位相シフトマスクマスクパタンと重ね合わせられる、互いに対向する各線状マスクパタン２３２では、両者の間は離間している。
【００３２】
なお、各線状マスクパタン２３２では、図５（ａ）の線状設計パタンに対してゲート部を覆うように幅が６０％程度増加されている。これにより、位相シフトマスクで露光した部分のコントラストを低下させないで維持することができる。
また、転写形成されるデバイスパタンのパタン寸法をより高精度に調節するには、各線状マスクパタン２３２に対してＯＰＣ処理を施せば良い。ＯＰＣ処理は、露光装置の光学条件（ＮＡ,σ，露光波長）やレジスト材料の特性等を考慮して、光近接効果の影響を計算若しくは実験により補正量を算出し、マスクパタンデータに対して、パタン寸法を補正する技術である。
【００３３】
位相シフトマスクデータ２０２による位相シフトマスクと、トリムマスクデータ２３１によるトリムマスクとを用いて多重露光を行うことにより、目的とする設計データに忠実なデバイスパタンを高精度に転写形成することができる。
【００３４】
ここで、図６（ｂ）のトリムマスクデータの代わりに、図７のようなトリムマスクデータを用いても良い。
このトリムマスクデータ２３３では、上下方向で隣接する線状マスクパタン２３２間にアシストパタン２３４が挿入されている。通常、アシストパタンは、露光時に用いられる露光光では露光されない程度（露光波長以下）の幅に形成される。本件では、アシストパタンのうち図６（ａ）示すシフタパタン２２１〜２２６と重なる部分においては、当該シフタパタン２２１〜２２６の大きさを超えない範囲（シフタパタン２２１〜２２６と重畳された際に当該シフタパタン２２１〜２２６内に収まる幅・サイズ）で、幅広、例えば露光波長より幅広のアシストバタン２３４を挿入することができる。このアシストパタン２３４を適宜付加することにより、露光時の焦点深度を向上させることができる。なお他の多重露光用マスクデータ生成方法ではこのように太幅のアシストパタンを挿入することができない。
【００３５】
（基本骨子２）
位相シフトマスク及びトリムマスクを用いた多重露光において、設計パタンのうちで孤立した線状設計パタンが存する場合、露光転写後のデバイスパタン先端の角部位に欠損（丸まり）が生じ、それがゲート部の近傍である場合にはデバイス特性に悪影響を及ぼすことがある。ここで、「孤立した線状設計パタン」とは、線状設計パタンの端部から長手方向に沿った所定距離内に、他の設計パタンが存在しない場合を言う。所定距離は、デザインルールにおいて規定される任意の値であり、線状設計パタンの形成状況に応じて規定される。例えば、露光波長の２倍値または３倍値、或いはそれ以上の値に規定しても良い。
【００３６】
本件でも、基本骨子１と同様に、位相シフトマスクデータ生成において、あらかじめ設計パタンの先端部分を当該設計パタンの所期値よりも延長するように、設計パタンの長手方向のみに補助パタンを付加する。詳細には、孤立した線状設計パタンの先端部分に着目し、この先端部分を当該線状設計パタンの長手方向に延長する補助パタンを付加する処理を行う。設計パタンに当該処理を施して位相シフトマスクを発生し、この位相シフトマスクとトリムマスクとを用いて多重露光する。補助パタンの分だけ長めに位相シフトマスクが生成される為位相シフトマスクの角部位における欠損（丸まり）は露光に寄与しないため、多重露光で転写形成されたデバイスパタンに欠損（丸まり）が生じることはなく、所期の均一な形状にデバイスパタンが形成される。
【００３７】
以下、本件を適用した具体例について説明する。
本例では、図８（ａ）の設計データ３０１を目的とする。各線状設計パタン３１１，３１２は、転写形成されるデバイスパタンとして、トランジスタのゲート（ゲート電極、ゲート配線）に対応している。各ゲートが重畳形成される活性領域を形成するための活性領域パタン３１３を合わせて示す。
【００３８】
図８（ａ）では、線状設計パタン３１１は、その先端部分から所定距離内に線状設計パタン３１２が存するため、孤立した線状設計パタンではない。一方、線状設計パタン３１２は、その右側先端部分から所定距離内には他の設計データが存せず、孤立した線状設計パタンであると判断される。従って、図８（ｂ）に示すように、設計データ３０１には、仮想的に、線状設計パタン３１２の先端部分に当該線状設計パタン３１２の長手方向に延長する補助パタン３１４が付加される。それとともに、活性領域パタン３１３をこの線状設計パタン３１２の延長に適合させるべく、補助パタン３１４と同方向に活性領域パタン３１３を延長する補助パタン３１５が補助パタン３１４と同じ長さで付加される。
【００３９】
このように補助パタン３１４（及び３１５）が付加された設計データ３０１に基づいて、図９（ａ）に示すようなレイアウトの位相シフトマスクデータ３０２を生成する。
位相シフトマスクデータ３０２では、孤立した線状設計パタンは、その先端部分が補助パタンによりｓ２だけ延長されたものと見なされている。図９（ａ）の右部分について、下端を基準とすれば、この延長された線状設計パタンを挟持するように位相πのシフタパタン３２１、位相０のシフタパタン３２２が順次配置される。また、図９（ａ）の左部分について、下端を基準とすれば、線状設計パタンを挟持するように位相０のシフタパタン３２３、位相πのシフタパタン３２４が順次配置される。
【００４０】
位相シフトマスクデータ３０２に対応するトリムマスクデータの一例を図９（ｂ）に示す。
位相シフトマスクデータ３０２では、データ上では孤立した線状設計パタンに補助パタンが付加されているがこれは位相シフトマスク発生のためだけに用いる、トリムマスクは設計データを元にするため延長はされない。
【００４１】
なお、各線状トリムマスクパタン３３２では、図８（ａ）の線状設計パタンに対して幅が６０％程度増加されている。これにより、位相シフトマスクで露光した部分のコントラストを低下させないで維持することができる。
また、転写形成されるデバイスパタンのパタン寸法をより高精度に調節するには、各線状トリムマスクパタン３３２に対してＯＰＣ処理を施せば良い。
【００４２】
位相シフトマスクデータ３０２による位相シフトマスクと、トリムマスクデータ３３１によるトリムマスクとを用いて多重露光に供することにより、目的とする設計データに忠実なデバイスパタンを高精度に転写形成することができる。
【００４３】
―本件を適用した好適な諸実施形態―
以下、上記の基本骨子を踏まえ、本件を適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４４】
（第１の実施形態）
本実施形態では、基本骨子１，２の内容を含むフォトマスクの製造方法について説明する。
図１０は、第１の実施形態に用いるフォトマスクの生成装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１１は、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示すフロー図である。
【００４５】
本実施形態で用いるフォトマスクの生成装置は、第１の補助パタン生成部１と、第２の補助パタン生成部２と、シフタ生成部３と、トリムマスクパタン生成部４と、アシストパタン生成部５と、ＯＰＣ処理部６とを備えて構成されている。
【００４６】
第１の補助パタン生成部１は、デバイスパタンの設計データにおいて、設計パタンのうち、先端部分同士で対向する一対の線状設計パタンの存否を判定する。即ち第１の補助パタン生成部１は、上記したように、例えば図２の判定基準で「先端部分」を有する線状設計パタンの存否を判定する。このような線状設計パタンが存すると判定された場合には、第１の補助パタン生成部１は、抽出された当該線状設計パタンの先端部分から長手方向に沿った所定の離間距離、例えば露光波長以内における、当該線状設計パタンと先端部分同士で対向する他の線状設計パタンの存否を判定する。このような他の線状設計パタンが存すると判定された場合には、第１の補助パタン生成部１は、抽出された当該線状設計パタンと他の線状設計パタンとを先端部分同士で接続する仮想的な補助パタンを付加する。
【００４７】
第２の補助パタン生成部２は、第１の補助パタン生成部１において「先端部分」を有する線状設計パタンが存すると判定された場合には、抽出された当該線状設計パタンが孤立したパタンであるか否かを判定する。即ち、当該線状設計パタンの端部から、当該線状設計パタンの長手方向に沿った所定距離内に、他の設計パタンが存するか否かを判定する。ここで、当該線状設計パタンが孤立したパタンであるか否かの判定には、第１の補助パタン生成部１による判定情報の一部を流用しても良い。この判定情報の一部とは、「当該線状設計パタンの先端部分から所定の離間距離、例えば露光波長以内における、当該線状設計パタンと先端部分同士で対向する他の線状設計パタンの存否」の判定の一部である。他の設計パタンが存せず、当該線状設計パタンが孤立パタンであると判定された場合には、第２の補助パタン生成部２は、抽出された当該線状設計パタンの先端部分を当該線状設計パタンの長手方向に延長する仮想的な補助パタンを付加する。
また、第２の補助パタン生成部２は、線状設計パタンに対応して、線状設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを線状設計パタンの長手方向に延長する仮想的な補助パタンを付加する。
【００４８】
シフタ生成部３は、設計データ（第１の補助パタン生成部１，２により補助パタンが付加された場合には、当該補助パタンを含むデータ）に基づいて、多重露光を行う際に用いる位相シフトマスクのシフタパタンのデータを生成する。これにより、位相シフトマスクデータが作成される。
【００４９】
トリムマスクパタン生成部４は、設計データ（第１の補助パタン生成部１，２により補助パタンが付加された場合でも、当該補助パタンを含まないデータ）に基づいて、多重露光を行う際に用いるトリムマスクのマスクパタン（のデータ）を生成する。
【００５０】
アシストパタン生成部５は、トリムマスクデータのマスクパタンに近接するように、トリムマスクデータのマスクパタン間に、適宜にアシストパタンのデータを適宜挿入する。アシストパタンとは、露光時に用いられる露光光では露光されない程度（露光波長以下）の幅に形成されるものであり、露光時の焦点深度を向上させる機能を有している。また位相シフトマスクを用いた多重露光においてはシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広のアシストバタンを挿入することが可能である。
【００５１】
ＯＰＣ処理部６は、転写形成されるデバイスパタンのパタン寸法をより高精度に調節すべく、トリムマスクのマスクパタンのデータにＯＰＣ処理を適宜施す。
トリムマスクパタン生成部４、アシストパタン生成部５及びＯＰＣ処理部６により、トリムマスクデータが作成される。
【００５２】
以下、図１１〜図１３を用いて、フォトマスクの生成装置を用いてフォトマスクを生成し、これを製造する方法について説明する。
先ず、生成装置は、当初の設計データＡを入力する（ステップＳ１）。
続いて、生成装置は、設計データＡに対して一律に設計パタンの辺を図形内側方向、または外側方向に移動させるサイジング処理を行う（ステップＳ２）。移動後の設計データをＡ'とする。特定のレイヤのみを対象にサイジング処理を施すことにより、ある程度選択的にサイジング処理を行うことが可能である。
【００５３】
続いて、生成装置は、設計データＡ'において、先端部分同士で近接して対向する一対の線状設計パタンを抽出し、一対の線状設計パタンを先端部分同士で仮想的に接続する補助パタンを付加する（補助パタンを設計データＡ'に対して別のレイヤＢで発生させる）（ステップＳ３）。
【００５４】
ステップＳ３の詳細を図１２に示す。
先ず、第１の補助パタン生成部１は、例えば図２の判定基準を用いて、「先端部分」を有する線状設計パタンの存否を判定する（ステップＳ１０１）。
ステップＳ１０１でこのような線状設計パタンが存しないと判定された場合には、ステップＳ５へ進む。
【００５５】
一方、ステップＳ１０１でこのような線状設計パタンが存すると判定された場合には、第１の補助パタン生成部１は、抽出された当該線状設計パタンの先端部分から所定の離間距離、例えば露光波長以内における、当該線状設計パタンと先端部分同士で対向する他の線状設計パタンの存否を判定する（ステップＳ１０２）。
【００５６】
ステップＳ１０３で補助パタンを付加する条件を満たさないと判定された場合には、ステップＳ４へ進む。
一方、ステップＳ１０３で補助パタンを付加する条件を満たすと判定された場合には、第１の補助パタン生成部１は、抽出された当該線状設計パタンと他の線状設計パタンとを先端部分同士で接続する仮想的な補助パタンを付加する（ステップＳ１０４）。その後、ステップＳ４へ進む。
【００５７】
続いて、第２の補助パタン生成部２は、先端部分を有する孤立した線状設計パタンを抽出し、その先端部分を長手方向に延長する補助パタンを付加する（補助パタンＣを設計データＡ'に対して別のレイヤで発生させる）（ステップＳ４）。ここで、ステップＳ４では、第２の補助パタン生成部２は、補助パタンＣの生成に伴って、活性領域を補助パタンＣと同方向に補助パタンＣと同じ長さだけ延長させる補助パタンＺを活性領域に適宜付加する。
【００５８】
ステップＳ４における補助パタンＣの生成の詳細を図１３に示す。
先ず、ステップＳ３のステップＳ１０１で「先端部分」を有する線状設計パタンが存すると判定された場合には、抽出された当該線状設計パタンが孤立したパタンであるか否かを判定する。即ち、当該線状設計パタンの端部から、当該線状設計パタンの長手方向に沿った所定距離内に、他の設計パタンが存するか否かを判定する（ステップＳ２０１）。
ここで、当該線状設計パタンが孤立したパタンであるか否かの判定には、ステップＳ３のステップＳ１０２における判定情報の一部を流用しても良い。
【００５９】
ステップＳ２０１で線状設計パタンの端部から長手方向に沿った所定距離内に他の設計パタンが存すると判定された場合には、ステップＳ５へ進む。
一方、ステップＳ２０１でこのような他の線状設計パタンが存しない、即ち当該線状設計パタンが孤立パタンであると判定された場合には、第２の補助パタン生成部２は、抽出された当該線状設計パタンの先端部分を当該線状設計パタンの長手方向に延長する仮想的な補助パタンを付加する（ステップＳ２０２）。その後、ステップＳ５へ進む。
【００６０】
生成装置は、設計データＡ'に補助パタンＢ，Ｃの付加されたデータを入力された設計データ、補助パタンＺの付加された活性領域データをその設計データとみなす。
続いて、シフタ生成部３は、これら２種の設計データを含む設計データに基づいて、多重露光を行う際に用いる位相シフトマスクのシフタパタンデータを生成する。以上により位相シフトマスクデータＤが作成される（ステップＳ５）。
【００６１】
続いて、トリムマスクパタン生成部４は、補助パタンＢ，Ｃが生成された場合でも、設計データＡ'に基づいて、多重露光を行う際に用いるトリム設計パタンデータＥを生成する（ステップＳ６）。
続いて、アシストパタン生成部５は、設計データＡ'、補助パタンＢ，Ｃ、位相シフトマスクデータＤ、トリム設計パタンデータＥを考慮して、トリムマスクのマスクパタンデータ間に、適宜にアシストパタン（のデータ）Ｆを適宜挿入する（ステップＳ７）。
続いて、ＯＰＣ処理部６は、設計データＡ'、補助パタンＢ，Ｃ、位相シフトマスクデータＤ、トリム設計パタンデータＥ、アシストパタンＦを考慮して、トリム設計パタンデータＥＥにＯＰＣ処理を適宜施す（ステップＳ８）。
以上により、トリムマスクデータＧが作成される。
【００６２】
続いて、位相シフトマスクデータＤに基づいて位相シフトマスクを、トリムマスクデータＧに基づいてトリムマスクをそれぞれ作製する（ステップＳ９）。
詳細には、位相シフトマスクデータＤ又はトリムマスクデータＧを用い、例えば電子線露光装置を用いて基板上にマスクパタンを描画する。その後、基板に対して所期のエッチング等を適宜施す。これらの工程により、位相シフトマスク及びトリムマスクがそれぞれ作製される。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態によれば、多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するための位相シフトマスク及びトリムマスクを効率的に生成することができる。
【００６４】
上述した第１の実施形態によるフォトマスクの生成装置の各構成要素（図１０の第１の補助パタン生成部１、第２の補助パタン生成部２、シフタ生成部３、トリムマスクパタン生成部４、アシストパタン生成部５、ＯＰＣ処理部６等）の機能は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。同様に、フォトマスクの生成方法の各ステップ（図１１のステップＳ３〜Ｓ８等）は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
【００６５】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
【００６６】
また、本発明に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。
【００６７】
例えば、図１４は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図１４において、１２００はＣＰＵ１２０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１２００は、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ１２００は、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００６８】
ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図１１におけるステップＳ３〜Ｓ８の手順等が実現される。
【００６９】
１２０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【００７０】
１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１２０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。
【００７１】
１２０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
なお、パーソナルユーザ端末装置を用いる代わりに、マスクパタンの生成装置に特化された所定の計算機等を用いても良い。
【００７２】
（第２の実施形態）
本実施形態では、電子デバイスの製造方法について説明する。本実施形態により製造される電子デバイスは、トランジスタや半導体メモリ等の半導体装置である。なお、本件により製造される電子デバイスとしては、半導体装置以外にも、例えば液晶装置や磁気デバイス等の各種電子デバイスも対象となる。
【００７３】
以下、半導体装置としてＭＯＳトランジスタを例に採り、ＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する。図１５は、第２の実施形態によるＭＯＳトランジスタの製造方法を工程順に示すフロー図である。図１６は、第２の実施形態の製造方法により作製されたＭＯＳトランジスタを示す概略断面図である。
先ず、第１の実施形態で説明したステップＳ１〜Ｓ９を上述のように適宜実行する。
【００７４】
先ず、活性領域を形成するための素子間分離のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、シリコン基板１１の素子分離領域に素子分離用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして半導体基板をドライエッチングして、素子分離溝を形成する。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
そして、ＣＶＤ法等により、素子分離溝を埋め込む絶縁膜、ここではシリコン酸化膜等を堆積し、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法等により平坦化して、素子分離溝内をシリコン酸化物で充填するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）素子分離構造１２を形成して活性領域を画定する（ステップＳ１１）。
【００７５】
続いて、熱酸化法等により、シリコン基板１１上に薄い絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を形成した後、ＣＶＤ法等により多結晶シリコン膜を堆積する。
そして、ゲートのレイヤに対応したフォトマスク、ここでは第１の実施形態で作製された位相シフトマスク及びトリムマスクを用いて、多重露光を含むリソグラフィーにより、多結晶シリコン膜上にゲート用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして多結晶シリコン膜及びシリコン酸化膜をドライエッチングして、シリコン基板３１上にゲート絶縁膜１３を介したゲート電極１４をパタン形成する（ステップＳ１２）。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
【００７６】
続いて、ゲート電極１４をマスクとして、シリコン基板１の表層に不純物（Ｐ型であればホウ素（Ｂ+）等、Ｎ型であればリン（Ｐ+）や砒素（Ａｓ+）等）を所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。これにより、ゲート電極１４の両側にエクステンション領域１５が形成される（ステップＳ１３）。
【００７７】
続いて、ＣＶＤ法等により、ゲート電極１４を含むシリコン基板１１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積する。
そして、シリコン酸化膜の全面を異方性ドライエッチング（エッチバック）し、シリコン酸化物をゲート電極１４及びゲート絶縁膜１３の両側のみに残し、サイドウォール絶縁膜１６を形成する（ステップＳ１４）。
【００７８】
続いて、ゲート電極１４及びサイドウォール絶縁膜１６をマスクとして、シリコン基板１１の表層に不純物（Ｐ型であればホウ素（Ｂ+）等、Ｎ型であればリン（Ｐ+）や砒素（Ａｓ+）等）を所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。これにより、サイドウォール絶縁膜１６の両側にエクステンション領域１５と一部重畳されてなるソース／ドレイン領域１７が形成される（ステップＳ１５）。
【００７９】
続いて、ＣＶＤ法等により、ゲート電極１４を埋め込む膜厚となるように、シリコン基板１１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜１８を形成する（ステップＳ１６）。
【００８０】
続いて、コンタクト孔のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜１８上にコンタクト孔用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして層間絶縁膜１８をドライエッチングして、ソース／ドレイン領域１７の表面の一部を露出させるコンタクト孔を形成する（ステップＳ１７）。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
そして、所定のグルー膜等を介してコンタクト孔を埋め込むように導電材料、ここではタングステン（Ｗ）等をＣＶＤ法等により層間絶縁膜１８上に堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、コンタクト孔内をＷで充填するコンタクトプラグ１９を形成する（ステップＳ１８）。
【００８１】
続いて、層間絶縁膜１８上に配線材料、ここではＡｌ合金等をスパッタ法等により堆積する。
そして、１層目の配線のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、配線材料上にコンタクト孔用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして配線材料をドライエッチングして、コンタクトプラグ１９と接続される配線２０を形成する（ステップＳ１９）。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
【００８２】
続いて、ＣＶＤ法等により、配線２０を埋め込む膜厚となるように、層間絶縁膜１８の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜２１を形成する（ステップＳ２０）。
【００８３】
なお、１層目の配線としては、いわゆるダマシン法により形成しても良い。
詳細には、例えば、層間絶縁膜２１（の下層部分）を形成した後、フォトマスク群のうち、１層目の配線の配線溝のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜２１上に配線溝用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして層間絶縁膜２１をドライエッチングして、コンタクトプラグ１９の表面の一部を露出させる配線溝を形成する。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
そして、配線溝を埋め込むように導電材料、ここでは銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金等をメッキ法等により堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、配線溝内をＣｕ又はＣｕ合金で充填する配線を形成する。
その後、配線を埋め込むように層間絶縁膜２１（の上層部分）を形成する。
【００８４】
続いて、ビア孔のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜２１上にビア孔用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして層間絶縁膜２１をドライエッチングして、配線２０の表面の一部を露出させるビア孔を形成する（ステップＳ２１）。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
そして、所定のグルー膜等を介してビア孔を埋め込むように導電材料、ここではタングステン（Ｗ）等をＣＶＤ法等により層間絶縁膜２１上に堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、ビア孔内をＷで充填するビアプラグ２２を形成する（ステップＳ２２）。
【００８５】
続いて、層間絶縁膜２１上に配線材料、ここではＡｌ合金等をスパッタ法等により堆積する。
そして、２層目の配線のレイヤに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、配線材料上にコンタクト孔用のレジストパタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして配線材料をドライエッチングして、ビアプラグ２２と接続される配線２３を形成する（ステップＳ２３）。レジストパタンは灰化処理等により除去される。
なお、２層目の配線についても、１層目の配線と同様に、ダマシン法により形成しても良い。
【００８６】
続いて、ＣＶＤ法等により、配線２３を埋め込む膜厚となるように、層間絶縁膜２１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜２４を形成する（ステップＳ２４）。
しかる後、更なる上層配線及び層間絶縁膜を形成し、ＭＯＳトランジスタを完成させる。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１の実施形態で製造された位相シフトマスク及びトリムマスクを用いることにより、高性能で歩留まりの高いＭＯＳトランジスタを実現することができる。
【００８８】
以下、本件の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００８９】
（付記１）多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９０】
（付記２）多重露光に用いられる複数のフォトマスクの製造方法であって、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、
所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、
前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程と
を含む第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９１】
（付記３）前記第１の工程において、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクと異なる他のフォトマスクにおいて、前記所定のフォトマスクの前記設計パタンに対応する前記他のフォトマスクの他の設計パタンに近接し、前記所定のフォトマスクのシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広の線幅であるアシストパタンを付加することを特徴とする付記１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。
【００９２】
（付記４）多重露光に用いられる複数のフォトマスクの生成装置であって、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する補助パタン生成部と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成するマスクデータ生成部と
を含むことを特徴とするフォトマスクの生成装置。
【００９３】
（付記５）多重露光に用いられる複数のフォトマスクの生成装置であって、
複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、
所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加するとともに、前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する補助パタン生成部と
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成するマスクデータ生成部と
を含むことを特徴とするフォトマスクの生成装置。
【００９４】
（付記６）前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクと異なる他のフォトマスクにおいて、前記所定のフォトマスクの前記設計パタンに対応する前記他のフォトマスクの他の設計パタンに近接し、前記所定のフォトマスクのシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広の線幅であるアシストパタンを付加するアシストパタン生成部を更に含むことを特徴とする付記４又は５に記載のフォトマスクの生成装置。
【００９５】
（付記７）多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、先端部分同士で対向する一対の設計パタンについて、対向する前記先端部分同士を接続するように補助パタンを付加する第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【００９６】
（付記８）多重露光に用いられる複数のフォトマスクを製造するに際して、
前記複数のフォトマスクのうち、所定のフォトマスクの設計データにおいて、
所定の設計パタンの先端部分の長手方向への延長方向に、他の設計パタンが存在しない場合に、前記設計パタンの先端部分を前記設計パタンの所期値よりも延長するように、前記先端部分に補助パタンを付加する工程と、
前記補助パタンに対応して、前記設計パタンと重ねて生成される活性領域の設計パタンを前記長手方向に延長する工程と
を含む第１の工程と、
前記所定のフォトマスクの設計データを含む前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、複数のフォトマスクデータを生成する第２の工程と
を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【００９７】
（付記９）前記第１の工程において、前記複数のフォトマスクのうち、前記所定のフォトマスクと異なる他のフォトマスクにおいて、前記所定のフォトマスクの前記設計パタンに対応する前記他のフォトマスクの他の設計パタンに近接し、前記所定のフォトマスクのシフタパタンの大きさを超えない範囲で幅広の線幅であるアシストパタンを付加することを特徴とする付記７又は８に記載のプログラム。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】設計データ及び位相シフトマスクデータを示す概略平面図である。
【図２】設計パタンの先端部分の定義について説明するための模式図である。
【図３】本件の設計データ及び位相シフトマスクデータを示す概略平面図である。
【図４】本件のトリムマスクデータを示す概略平面図である。
【図５】本件による設計データの具体例を示す概略平面図である。
【図６】図５に対応した位相シフトマスクデータ及びトリムマスクデータを示す概略平面図である。
【図７】図５に対応したトリムマスクデータの他の例を示す概略平面図である。
【図８】本件による設計データの具体例を示す概略平面図である。
【図９】図８に対応した位相シフトマスクデータ及びトリムマスクデータを示す概略平面図である。
【図１０】第１の実施形態に用いるフォトマスクの生成装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１１】第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示すフロー図である。
【図１２】第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法における主要工程を詳細に示すフロー図である。
【図１３】第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法における主要工程を詳細に示すフロー図である。
【図１４】パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【図１５】第２の実施形態によるＭＯＳトランジスタの製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図１６】第２の実施形態の製造方法により作製されたＭＯＳトランジスタを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  第１の補助パタン生成部
２  第２の補助パタン生成部
３  シフタ生成部
４  トリムマスクパタン生成部
５  アシストパタン生成部
６  ＯＰＣ処理部
１１  シリコン基板
１２  ＳＴＩ素子分離構造
１３  ゲート絶縁膜
１４  ゲート電極
１５  エクステンション領域
１６  サイドウォール絶縁膜
１７  ソース／ドレイン領域
１８，２１，２４  層間絶縁膜
１９  コンタクトプラグ
２０，２３  配線
２２  ビアプラグ
１０１，２０１，３０１  設計データ
１０２ａ，１２１  上部分
１０２ｂ，１２２  下部分
１０３，１０４，１２３，１２４，１２５，１２６，１６２，２１１，２１２，２３２，３１１，３１２  設計データ
３３２  線状マスクパタン
１０３ａ，１０４ａ，１２５ａ，１２６ａ  先端部分
１０５，２１４，３１４，３１５  補助パタン
１１１，１１２，１４１，１４２，２０２，３０２  位相シフトマスクデータ
１３１，１３２，１５１，１５２，２２１〜２２６，３２１〜３２４  シフタパタン
１６１，２３１，２３３，３３１  トリムマスクデータ
２１３，３１３  活性領域パタン
２３４  アシストパタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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