(57)【要約】【課題】サブ画素の滅点化現象が発生しても点欠陥を視認され難くすることができる共に、生産における歩留まりを向上することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置１では、画素１０がマトリクス状に配列されたている。画素１０には、３つ以上のサブ画素１１が所定方向に並べて配置されている。各サブ画素１１には、同一画素１０内におけるサブ画素１１同士の間隔と、隣り合った２つの画素１０間におけるサブ画素１１同士の間隔とが異なるように各サブ画素１１が配置されている。各サブ画素１１に同一レベルの輝度信号が与えられたときには、各画素１０内の最も外側に位置する外側サブ画素１１の輝度レベルが、内側に位置する内側サブ画素１１の輝度レベルよりも高くなるように構成されている。【選択図】図３
2010044099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の方向に配列された３つ以上のサブ画素からなる表示単位画素をマトリクス状に配列して構成され、
前記各表示単位画素内における前記サブ画素同士の間隔と、隣り合った２つの前記表示単位画素間における前記サブ画素同士の間隔とが異なるように構成され、
同一レベルの輝度信号が与えられたときに、前記各表示単位画素内の最も外側に位置する外側サブ画素の輝度レベルが、内側に位置する内側サブ画素の輝度レベルよりも高くなるように構成されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記各表示単位画素内における前記サブ画素同士の間隔が、隣り合った２つの前記表示単位画素間における前記サブ画素同士の間隔よりも小さい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記サブ画素ごとに、サブ画素駆動用の駆動トランジスタを備え、
前記外側サブ画素用の駆動トランジスタが、前記内側サブ画素用の駆動トランジスタよりもサイズが大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記サブ画素は、有機ＥＬ素子を含んで構成され、
前記外側サブ画素の有機ＥＬ素子が、前記内側サブ画素の有機ＥＬ素子よりもサイズが大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記各表示単位画素内に含まれる複数の前記サブ画素は同一の駆動信号によって一括して並列駆動される
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記所定の方向に沿って延びる前記表示単位画素の列は、同色を表示する表示単位画素から構成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
所定の方向に配列された３つ以上のサブ画素からなる表示単位画素をマトリクス状に配列して構成され、
前記所定の方向に沿って延びる各サブ画素列において、一部のサブ画素同士間の間隔が他のサブ画素同士間の間隔よりも広く構成され、
同一レベルの輝度信号が与えられたときに、各サブ画素列に属するサブ画素のうち、より広い間隔をもって配置されたサブ画素の輝度レベルが、それ以外のサブ画素の輝度レベルよりも高くなるように構成されている
有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの表示単位画素が複数のサブ画素を含むように構成された有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型表示素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いた表示パネルが広く普及しつつある。この種の表示パネルの生産における歩留まりを悪化させる大きな原因として、点欠陥がある。これは、有機ＥＬ層を配置する領域内にダストが混入して、有機ＥＬ層の上下面に配置されるアノード電極とカソード電極とがダストを介して短絡してしまうことが大きな原因となっている。短絡が発生した画素では、有機ＥＬ層が発光しない（画素自体が発光しない）「滅点化」と呼ばれる現象が発生することになる。
【０００３】
滅点化の対策としては、１つの画素内の有機ＥＬ層を複数に分割してサブ画素を構成することにより、発光領域を複数に分ける方法が挙げられる。図１２は、１つの画素３００を３つの有機ＥＬ層３０１によって構成した例を表すものである。図１２（Ａ）に示したように、１つの画素３００は３つの有機ＥＬ層３０１を含み、各有機ＥＬ層３０１の間等にブラックマトリクス３０２が配置されている。各有機ＥＬ層３０１の下側には、アノード電極３０３が配置されている。各アノード電極３０３には、図１２（Ｂ）に示したように、有機ＥＬ層３０１を発光させる画素駆動用の駆動トランジスタ３０４等が接続されている。このように、１つの画素３００を複数のサブ画素（有機ＥＬ層３０１）で構成し、有機ＥＬ層３０１毎に駆動トランジスタ３０４を接続することにより、画素３００のうちの１つのサブ画素に滅点化が発生しても、残りのサブ画素が正常に発光するので、見かけ上、点欠陥が視認され難くすることができる。
【０００４】
なお、特許文献１には、１つの画素内に複数の有機ＥＬ素子を配置し、有機ＥＬ素子毎に駆動用薄膜トランジスタを接続し、各駆動用薄膜トランジスタをそれぞれ１つの画素選択用薄膜トランジスタおよび保持容量に接続して構成した有機ＥＬ表示装置が記載されている。この有機ＥＬ表示装置では、各駆動用薄膜トランジスタの特性がばらついたとしても、そのばらつきが画素内で平均化され、他の画素内の駆動用薄膜トランジスタとの間のばらつきが少なくなるので、液晶表示パネルの表示ムラが生じるのを防止することが可能になっている。
【特許文献１】特開２００４−２６４６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、１つの画素を複数のサブ画素により構成した有機ＥＬ表示装置であっても、各画素内の両端部に配置された端部サブ画素が滅点化した場合には、点欠陥として視認され易いことがわかってきた。
【０００６】
図１３は、３つのサブ画素３１１からなる画素３１０Ｒ（３１０Ｇ，３１０Ｂ）をマトリクス状に配置して構成した有機ＥＬ表示装置の一部を表すものである。図１３に示した例では、赤色を発光する画素３１０Ｒ、緑色を発光する画素３１０Ｇおよび青色を発光する画素３１０Ｂが行方向（図面の左右方向）に順に配置され、同じ色を発光するサブ画素３１１が列方向（図面の上下方向）に沿って配置されている。
【０００７】
例えば画素３１０Ｒ（以下、各色を代表して単に画素３１０と表記する。）では、３つのサブ画素３１１のうち中央に配置された中央サブ画素３１１ａの有機ＥＬ層（中央開口部）から、両端に配置された各端部サブ画素３１１ｂの有機ＥＬ層（エッジ開口部）までの距離が、いずれも等しくなっている。ところが、端部サブ画素３１１ｂの有機ＥＬ層では、中央サブ画素３１１ａの有機ＥＬ層までの距離Ｄ５と、隣接して配置されている画素３１０における最も近い端部サブ画素３１１ｂの有機ＥＬ層までの距離Ｄ６とが異なっており、距離Ｄ６の方が長くなっている。
【０００８】
このような構成の有機ＥＬ表示装置では、一般に、中央サブ画素３１１ｃ（中央開口部）が滅点化したときと、端部サブ画素３１１ｄ（エッジ開口部）が滅点化したときとで、点欠陥の視認のされ方が異なっている。
具体的には、図１３（Ａ）に示したように、中央サブ画素３１１ｃが滅点化したときには、この中央サブ画素３１１ｃの両側に位置する２つの端部サブ画素３１１ｂ間の距離はＬ＋２×Ｄ５であるが、Ｄ５が小さいのでＬ＋２×Ｄ５の値が比較的小さくなり、点欠陥が視認され難くなっている。なお、Ｌはサブ画素のサイズである。
これに対し、図１３（Ｂ）に示したように、端部サブ画素３１１ｄが滅点化したときには、この端部サブ画素３１１ｄの両側に位置する２つのサブ画素間の距離（隣接画素３１０における端部サブ画素３１１ｂと自画素３１０における中央サブ画素３１１との間の距離）はＬ＋２×Ｄ６であるが、Ｄ６＞Ｄ５なので、このＬ＋２×Ｄ６の値は比較的大きくなり、滅点化現象が視認され易くなる。
このように、従来の画素分割方式の有機ＥＬ表示装置では、端部サブ画素３１１ｄが滅点化すると、中央サブ画素３１１ｃが滅点化したときに比べて、点欠陥が視認され易くなるという問題があった。このため、生産歩留まりの向上や市場不良の低減が困難であった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、サブ画素の滅点化現象が発生しても点欠陥を視認され難くすることにより、生産歩留まりの向上および市場不良の低減を可能とする有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の有機ＥＬ表示装置は、所定の方向に配列された３つ以上のサブ画素からなる表示単位画素をマトリクス状に配列して構成したものである。各サブ画素は、各表示単位画素内におけるサブ画素同士の間隔と、隣り合った２つの表示単位画素間におけるサブ画素同士の間隔とが異なるように配列されており、同一レベルの輝度信号が与えられたときに、各表示単位画素内の最も外側に位置する外側サブ画素の輝度レベルが、内側に位置する内側サブ画素の輝度レベルよりも高くなるように構成されている。
【００１１】
この第１の有機ＥＬ表示装置では、外側サブ画素が内側サブ画素よりも高輝度になっている。このため、例えば、ある表示単位画素における外側サブ画素が滅点化した場合には、隣接する表示単位画素のうち上記の滅点サブ画素に隣接する隣接外側サブ画素と、自表示単位画素内において隣接する内側サブ画素とにより、その滅点サブ画素の滅点輝度分が補完される。この場合、上記の滅点サブ画素に隣接する隣接外側サブ画素が高輝度になっているので、その滅点サブ画素の滅点輝度分の補完が十分に行われる。
【００１２】
本発明の第２の有機ＥＬ表示装置は、所定の方向に配列された３つ以上のサブ画素からなる表示単位画素をマトリクス状に配列して構成したものである。上記の所定の方向に沿って延びる各サブ画素列において一部のサブ画素同士間の間隔が他のサブ画素同士間の間隔よりも広くなっており、同一レベルの輝度信号が与えられたときに、各サブ画素列に属するサブ画素のうち、より広い間隔をもって配置されたサブ画素の輝度レベルが、それ以外のサブ画素の輝度レベルよりも高くなるように構成されている。
【００１３】
この第２の有機ＥＬ表示装置では、より広い間隔をもって配置された１対のサブ画素がそれ以外のサブ画素よりも高輝度になっている。このため、例えば、より広い間隔をもって配置された１対のサブ画素のうちの一方が滅点化した場合には、他方のサブ画素と、その滅点サブ画素を挟んで反対側に隣接するサブ画素とにより、その滅点サブ画素の滅点輝度分が補完される。この場合、上記の他方のサブ画素が高輝度になっているので、その滅点サブ画素の滅点輝度分の補完が十分に行われる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、滅点化したサブ画素の輝度レベルを隣接したサブ画素が補完しているので、点欠陥を視認され難くすることができる。また、サブ画素が滅点化した場合でも、有機ＥＬ表示装置を良品として使用することができるので、有機ＥＬ表示装置の生産における歩留まりを向上させることができると共に、市場不良の低減をも実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を表すものである。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１に用いられる画素１０の一部を拡大したものである。図３は、１つの画素１０の平面部および内部を表すものである。図４は、図３（Ｂ）のＡ−Ａ線における断面を表すものである。
【００１６】
図１に示したように、有機ＥＬ表示装置１は、マトリクス状に配置された画素１０を備えている。この画素１０が、本発明の表示単位画素の一具体例に対応する。各画素１０は、行方向に沿って配置された書込走査線ＷＳＬ（ＷＳＬ１、…、ＷＳＬｎ）および電源供給線ＤＳＬ（ＤＳＬ１、…、ＤＳＬｎ）と、列方向に沿って配置された映像信号線ＤＴＬ（ＤＴＬ１、ＤＴＬ２、…、ＤＴＬｎ）とに接続されている。
【００１７】
書込走査線ＷＳＬの両端部には、各画素１０の駆動を制御するライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３０がそれぞれ接続されている。また、電源供給線ＤＳＬの両端部には、各画素１０に電源電圧を供給する電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３１がそれぞれ接続されている。さらに、映像信号線ＤＴＬの一端には、各画素１０に映像信号を供給する水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３２が接続されている。有機ＥＬ表示装置１は線順次駆動するように構成されている。具体的には、ライトスキャナ３０および電源スキャナ３１が、マトリクス状に配置されている複数の画素１０のうち行単位で走査を行い、水平セレクタ３２が、行単位の走査に同期して、映像信号を画素１０に書き込むようになっている。なお、映像信号が、本発明の輝度信号の一具体例に対応する。
【００１８】
図２および図３（Ａ）に示したように、各画素１０は、列方向（図２に示した場合では上下方向）に沿って配置された３つのサブ画素１１を含んでいる。各サブ画素１１は、有機ＥＬ層１２を有する。各画素１０は、列方向に同じ色を表示するようになっている。図２に示した例では、左列の画素１０Ｒが赤色を表示し、中列の画素１０Ｇが緑色を表示し、右列の画素１０Ｂが青色を表示するようになっている。
【００１９】
各画素１０では、中央部に配置された内側サブ画素１１２の有機ＥＬ層１２から、両端部に配置された各外側サブ画素１１１の有機ＥＬ層１２までの距離Ｄ１がそれぞれ等しくなっている。他方、外側サブ画素１１１の有機ＥＬ層１２から、隣接画素１０における直近の外側サブ画素１１１までの距離Ｄ２が、上記の距離Ｄ１よりも長くなっている。各画素１０における有機ＥＬ層１２の周囲には、ブラックマトリクス１３が配置されている。
【００２０】
画素１０の上面、すなわち、図４に示したように、有機ＥＬ層１２の上面には、複数のサブ画素１１で共通に用いられるカソード電極１４が配置されている。各有機ＥＬ層１２の下面には、図３（Ａ）および図４に示したように、アノード電極１５が配置されている。各アノード電極１５は、第１コンタクト１６を介して、サブ画素駆動回路１７に接続されている。サブ画素駆動回路１７は、図３（Ｂ）および図４に示したように、アノード電極１５よりも下層に、駆動トランジスタ１８、保持容量１９およびサンプリング用トランジスタ２０を備えている。なお、駆動トランジスタ１８およびサンプリング用トランジスタ２０は、薄膜トランジスタとして構成される。
【００２１】
駆動トランジスタ１８では、ソース１８ｓが第１コンタクト１６に接続され、ドレイン１８ｄが電源供給線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタ１８のソース１８ｓとドレイン１８ｄとの下方には、ゲート１８ｇが配置されている。駆動トランジスタ１８のソース１８ｓから引き出された金属膜１８ｓｍと、ゲート１８ｇから引き出された金属膜１８ｇｍとが積層方向に離れて配置されることにより、保持容量１９が形成されている。
【００２２】
駆動トランジスタ１８のゲート１８ｇから引き出された金属膜１８ｇｍには、第２コンタクト２１を介して、サンプリング用トランジスタ２０のソース２０ｓが接続されている。サンプリング用トランジスタ２０のドレイン２０ｄには、第３コンタクト２２を介して映像信号線ＤＴＬが接続されている。サンプリング用トランジスタ２０のソース２０ｓとドレイン２０ｄとの下方には、ゲート２０ｇが配置されている。サンプリング用トランジスタ２０のゲート２０ｇは、列方向に配置されたゲート線１２０の一部を利用するようになっている。ゲート線１２０は、第４コンタクト２３を介して、書込走査線ＷＳＬに接続されている。
【００２３】
このようなサブ画素駆動回路１７では、外側サブ画素１１１に接続されたものが、内側サブ画素１１２に接続されたものに比べて、有機ＥＬ層１２に電流を多く供給するようになっている。これを可能にするために、外側サブ画素１１１に接続された駆動トランジスタ１８ａおよびサンプリング用トランジスタ２０ａの素子サイズが、内側サブ画素１１２に接続された駆動トランジスタ１８ｂおよびサンプリング用トランジスタ２０ｂに比べて大きくなっている。
【００２４】
このような有機ＥＬ表示装置１におけるサブ画素１１の等価回路は、次のようになっている。図５は、サブ画素１１の等価回路図である。なお、図５では、ライトスキャナ３０および電源スキャナ３１を１つだけ記載している。
【００２５】
サンプリング用トランジスタ２０では、ゲート２０ｇが書込走査線ＷＳＬを介してライトスキャナ３０に接続され、ドレイン２０ｄが映像信号線ＤＴＬを介して水平セレクタ３２に接続され、ソース２０ｓが駆動トランジスタ１８のゲート１８ｇに接続されている。駆動トランジスタ１８では、ドレイン１８ｄが電源供給線ＤＳＬを介して電源スキャナ３１に接続され、ソース１８ｓが有機ＥＬ素子２５のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子２５は、整流性を有するので、図２においてダイオードとして記載されている。駆動トランジスタ１８のドレイン−ソース間には、駆動電流Ｉｄｓが流れるようになっている。また、有機ＥＬ素子２５では、アノード電極１５とカソード電極１４との間に容量成分（発光素子容量Ｃｅｌ）が存在するので、発光素子容量Ｃｅｌが有機ＥＬ素子２５に並列に接続されている。サンプリング用トランジスタ２０のソース２０ｓと駆動トランジスタ１８のゲート１８ｇとの間には、保持容量１９の一端が接続されている。保持容量１９の他端は、有機ＥＬ素子２５のアノードに接続されている。
【００２６】
次に、有機ＥＬ表示装置１の動作について説明する。ここでは、まず、有機ＥＬ表示装置１の動作中に行われる、駆動トランジスタ１８の閾値電圧補正および移動度補正と、有機ＥＬ素子２５の経時劣化による駆動電流Ｉｄｓの変動を防ぐブートストラップ動作について説明する。
【００２７】
駆動トランジスタ１８は、製造プロセスのばらつきによって、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度が異なっている。駆動トランジスタ１８毎に閾値電圧Ｖｔｈまたは移動度が異なっていると、有機ＥＬ素子２５毎に発光輝度が異なるので、滅点化現象が発生したサブ画素１１を他のサブ画素１１が補完することができないおそれがある。
【００２８】
このため、サブ画素駆動回路１７では、閾値電圧補正をするために、映像信号を保持容量１９に書き込むのに先立って、電源供給線ＤＳＬを高電位Ｖｃｃにし、書込走査線ＷＳＬの電位を高電位にしてサンプリング用トランジスタ２０を導通状態にし、映像信号線ＤＴＬを低電位Ｖｏｆｓにして、駆動トランジスタ１８の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量１９に充電している。このような閾値電圧補正は、複数回に分けて行うことができる。
【００２９】
また、サブ画素駆動回路１７では、移動度補正をするために、電源供給線ＤＳＬを高電位Ｖｃｃにし、映像信号線ＤＴＬを高電位Ｖｓｉｇにしているときに、書込走査線ＷＳＬを所定の時間だけ高電位にしてサンプリング用トランジスタ２０を導通状態にしている。
書込走査線ＷＳＬを高電位にする時間を適宜設定することにより、保持容量１９に映像信号を書き込むのと同時に、駆動トランジスタ１８の移動度を補正する電圧信号を書き込んでいる。
【００３０】
さらに、サブ画素駆動回路１７では、ブートストラップ動作をするために、映像信号が保持容量１９に書き込まれた後、書込走査線ＷＳＬを低電位にしてサンプリング用トランジスタ２０を非導通状態にしている。これにより、駆動トランジスタ１８のゲート１８ｇは、保持容量１９のみと導通する。この保持容量１９の効果によって、駆動トランジスタ１８のソース電位の変動にゲート電位が連動することになり、ゲート−ソース間電位Ｖｇｓを一定にしている。
【００３１】
次に、サブ画素１１の動作について説明する。図６は、図５に示したサブ画素１１の駆動タイミングチャートである。このタイミングチャートでは、サブ画素１１の動作に合わせて期間を（Ａ）〜（Ｉ）に分割している。
【００３２】
期間（Ａ）では、有機ＥＬ素子２５が発光状態にある。この後、線順次走査の新しいフィールドに入る。まず、期間（Ｂ）は、閾値電圧補正の準備期間となっている。期間（Ｂ）では、電源供給線ＤＳＬの電位を高電位Ｖｃｃから低電位Ｖｉｎｉに切り換えると、駆動トランジスタ１８のソース電位を電源供給線ＤＳＬの低電位Ｖｉｎｉになる。また、期間（Ｂ）において、映像信号線ＤＴＬの電位が高電位Ｖｓｉｇから低電位Ｖｏｆｓに切り換わると、第１の水平期間（１Ｈ）が始まる。
【００３３】
続いて、期間（Ｃ）では、書込走査線ＷＳＬの電位が高電位になると、サンプリング用トランジスタ２０がオン状態（導通状態）になるが、映像信号線ＤＴＬが低電位Ｖｏｆｓになっているので、駆動トランジスタ１８のゲート電位が映像信号線ＤＴＬの低電位Ｖｏｆｓになる。このように、ゲート電位をリセットすることにより、確実に閾値補正動作を行うようになる。続いて、期間（Ｄ）では、電源供給線ＤＳＬの電位が低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃに切り換わると、駆動トランジスタ１８のソース電位が上昇し始める。このとき、保持容量１９を充電している。なお、期間（Ｃ）と期間（Ｄ）とが、１回目の閾値電圧Ｖｔｈの補正期間となっている。
【００３４】
続いて、期間（Ｅ）は、他の行のサンプリング期間となっているので、閾値電圧補正の休止期間となっている。したがって、書込走査線ＷＳＬの電位が高電位から低電位に切り換わっている間において、映像信号線ＤＴＬが低電位Ｖｏｆｓから高電位Ｖｓｉｇに切り換わり、その後、高電位Ｖｓｉｇから低電位Ｖｏｆｓに切り換わる。この期間（Ｅ）において、ブートストラップ動作を行っている。なお、映像信号線ＤＴＬの電位が高電位Ｖｓｉｇから低電位Ｖｏｆｓに切り換わったときに、第１の水平期間が終了し、新たに第２の水平期間（１Ｈ）が始まる。
【００３５】
続いて、期間（Ｆ）は、２回目の閾値電圧Ｖｔｈの補正期間になっている。期間（Ｆ）では、書込走査線ＷＳＬが低電位から高電位に切り換わると、駆動トランジスタ１８のソース電位が再び上昇し始める。このとき、保持容量１９を再び充電して、その後、保持容量１９に充電された電圧が駆動トランジスタ１８の閾値電圧Ｖｔｈに到達する。
【００３６】
続いて、期間（Ｇ）では、閾値電圧補正の休止期間となっているので、書込走査線ＷＳＬの電位が高電位から低電位に切り換わっている。この期間（Ｇ）において、映像信号線ＤＴＬが低電位Ｖｏｆｓから高電位Ｖｓｉｇに切り換わっている。期間（Ｇ）において、ブートストラップ動作を行っている。
【００３７】
続く期間（Ｈ）は、サンプリング期間および移動度補正期間となっている。したがって、書込走査線ＷＳＬが低電位から高電位に切り換わって、映像信号線ＤＴＬの高電位Ｖｓｉｇが保持容量１９に充電する。したがって、保持容量１９には、映像信号線ＤＴＬの高電位（映像信号の電位）Ｖｓｉｇと閾値電圧Ｖｔｈとを足すと共に、移動度補正用の電圧が引かれた電圧を充電している。ここで、第２の水平期間が終了する。
【００３８】
続いて、期間（Ｉ）では、書込走査線ＷＳＬが高電位から低電位に切り換わり、有機ＥＬ素子２５が発光する。
【００３９】
ここで、駆動トランジスタ１８およびサンプリング用トランジスタ２０の動作について説明する。有機ＥＬ表示装置１では、外側サブ画素１１１に接続されている駆動トランジスタ１８ａおよびサンプリング用トランジスタ２０ａが、内側サブ画素１１２に接続されている駆動トランジスタ１８ｂおよびサンプリング用トランジスタ２０ｂに比べて大きいので、同一の映像信号が入力されて一括して並列駆動される場合でも、外側サブ画素１１１に電流をより多く供給するようになっている。したがって、外側サブ画素１１１に配置されている有機ＥＬ層１２ａには、内側サブ画素１１２に配置されている有機ＥＬ層１２ｂに比べてより多くの電流が流れ、外側サブ画素１１１の発光輝度が高くなる。
【００４０】
このような有機ＥＬ表示装置１では、図７に示したように、外側サブ画素１１１ａが滅点化した場合でも、隣接サブ画素１１である他の外側サブ画素１１１ｂが内側サブ画素１１２に比べて高輝度になっているので、滅点化した外側サブ画素１１１ａの輝度を他の外側サブ画素１１１ｂの輝度が補完するのを可能にしている。また、有機ＥＬ表示装置１では、内側サブ画素１１２ａが滅点化した場合でも、隣接サブ画素１１である外側サブ画素１１１が内側サブ画素１１２に比べて高輝度になっているので、滅点化した内側サブ画素１１２ａの輝度を外側サブ画素１１１の輝度が補完するのを可能にしている。このような補完は、赤色の画素１０Ｒ、緑色の画素１０Ｇおよび青色の画素１０Ｂの全てにおいて成立している。
【００４１】
以上のように、有機ＥＬ表示装置１では、外側サブ画素１１１が内側サブ画素１１２よりも高輝度になるような構造になっている。このため、あるサブ画素１１に滅点化現象が発生した場合でも、外側サブ画素１１１が高輝度になっているので、滅点化したサブ画素１１の輝度を外側サブ画素１１１の輝度が補完して、点欠陥を視認され難くすることができる。
【００４２】
また、外側サブ画素１１１の輝度が、滅点化したサブ画素１１の輝度を補完しているので、サブ画素１１に滅点化現象が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置１を良品として使用することができる。このため、有機ＥＬ表示装置１の生産における歩留まりを向上することができる。
【００４３】
以下、本発明の他の実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態の説明において、第１の実施の形態と同じ構成要素には、同一番号を付してその詳細な説明を省略または簡略する。
【００４４】
［第２の実施の形態］
図８は、発光素子容量Ｃｅｌが大きい場合と小さい場合とのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの違いを表すものである。
【００４５】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、アノード電極１５とカソード電極１４とで形成される発光素子容量Ｃｅｌを大きくして、有機ＥＬ層１２により多くの電流を供給するものである。有機ＥＬ表示装置は、発光素子容量Ｃｅｌを大きくするために、外側サブ画素１１１に配置されるアノード電極１５とカソード電極１４との対向面積を、内側サブ画素１１２に配置されるアノード電極１５とカソード電極１４との対向面積よりも大きくして、電極面積を広げたものである。
【００４６】
このような有機ＥＬ表示装置では、図８（Ａ）に示したように、発光素子容量Ｃｅｌが大きい場合、発光素子容量Ｃｅｌへの充電が遅くなり、矢印Ａに示したように、駆動トランジスタ１８のソース電位の立ち上がりが緩やかになっている。この結果、駆動トランジスタ１８におけるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは大きくなるので、駆動電流Ｉｄｓが多く流れるようになり、有機ＥＬ層１２により多くの駆動電流Ｉｄｓが供給されるようになる。
【００４７】
これに対し、図８（Ｂ）に示したように、発光素子容量Ｃｅｌが小さい場合、発光素子容量Ｃｅｌへの充電が早くなり、矢印Ｂに示したように、駆動トランジスタ１８のソース電位の立ち上がりが急激になる。この場合、駆動トランジスタ１８におけるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは小さくなるので、駆動電流Ｉｄｓが図８（Ａ）に示す場合に比べて小さくなり、有機ＥＬ層１２に小さな駆動電流Ｉｄｓが供給されるようになる。
【００４８】
したがって、外側サブ画素１１１の発光素子容量Ｃｅｌを、内側サブ画素１１２の発光素子容量Ｃｅｌに比べて大きくしておけば、外側サブ画素１１１の有機ＥＬ層１２ａには、内側サブ画素１１２の有機ＥＬ層１２ｂに比べてより多くの電流が供給され、外側サブ画素１１１の発光輝度が高くなる。
【００４９】
以上のように、有機ＥＬ表示装置１では、図７に示したように、外側サブ画素１１１ａが滅点化した場合でも、隣接サブ画素１１である他の外側サブ画素１１１ｂが内側サブ画素１１２に比べて高輝度になっているので、滅点化した外側サブ画素１１１ａを他の外側サブ画素１１１ｂの輝度が補完するのを可能にしている。また、有機ＥＬ表示装置１では、内側サブ画素１１２ａが滅点化した場合でも、隣接サブ画素１１である外側サブ画素１１１が内側サブ画素１１２に比べて高輝度になっているので、滅点化した内側サブ画素１１２ａの輝度を外側サブ画素１１１の輝度が補完するのを可能にしている。このような補完は、赤色の画素１０Ｒ、緑色の画素１０Ｇおよび青色の画素１０Ｂの全てにおいて成立している。
【００５０】
このように、有機ＥＬ層１２により多くの電流を供給するためには、駆動トランジスタ１８およびサンプリング用トランジスタ２０の素子サイズを大きくすること、および発光素子容量Ｃｅｌを大きくすることが挙げられ、これらを併用してもよく、いずれか一方を用いてもよい。
【００５１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００５２】
図９は、第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置における複数の画素１０１を表している。第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置は、１つ画素１０１の両端部に配置される外側サブ画素１１１が、中央部に配置される２つの内側サブ画素１１２に比べて高輝度になる構造になっている。このような有機ＥＬ表示装置であっても、上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００５３】
また１つの画素１０１に５つ以上のサブ画素１１を配置した有機ＥＬ表示装置であれば、画素１０１の両端部に配置される外側サブ画素１１１の輝度を、中央に配置される３つの内側サブ画素１１２の輝度よりも高輝度になる構造にしておけばよい。このような有機ＥＬ表示装置では、外側サブ画素１１１ａに滅点化現象が発生した場合でも、隣接する他の画素１０１における他の外側サブ画素１１１ｂが高輝度になっているので、滅点化した外側サブ画素１１１ａの輝度を他の外側サブ画素１１１ｂの輝度が補完して、点欠陥を視認され難くすることができる。また、他の外側サブ画素１１１ｂの輝度が、滅点化したサブ画素１１ａの輝度を補完しているので、外側サブ画素１１１ａに滅点化現象が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置を良品として使用することができ、有機ＥＬ表示装置の生産における歩留まりを向上することができる。
【００５４】
図１０は、第２の変形例に係る有機ＥＬ表示装置における複数の画素１０２を表している。図１０では、内側サブ画素１１２の有機ＥＬ層１２（不図示）と外側サブ画素１１１の有機ＥＬ層１２（不図示）との距離Ｄ３が、隣接する画素１０２間における外側サブ画素１１１の有機ＥＬ層１２同士の距離Ｄ４よりも長くなっている。
【００５５】
外側サブ画素１１１は、内側サブ画素１１２に比べて高輝度になる構造になっている。このようにすることにより、外側サブ画素１１１が滅点化した場合でも、隣接する外側サブ画素１１１が高輝度になっているので、滅点化した外側サブ画素１１１の輝度を補完することができる。また、内側サブ画素１１２が滅点化した場合でも、両側に配置されている外側サブ画素１１１が高輝度になっているので、滅点化した内側サブ画素１１２の輝度を補完することができる。
【００５６】
このような第２の変形例に係る有機ＥＬ表示装置では、あるサブ画素１１に滅点化現象が発生した場合でも、隣接する他のサブ画素１１が高輝度になっているので、滅点化したサブ画素１１の輝度を他のサブ画素１１の輝度が補完して、点欠陥を視認され難くすることができる。
【００５７】
また、滅点化したサブ画素１１の輝度を他のサブ画素１１の輝度が補完しているので、サブ画素１１に滅点化現象が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置を良品として使用することができる。このため、有機ＥＬ表示装置の生産における歩留まりを向上することができる。
【００５８】
図１１は、第３の変形例に係る画素の平面図である。図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示した各画素２００（２００ａ，２００ｂ）では、一部のサブ画素２０１ａ同士間の間隔が他のサブ画素２０１ｂ同士間の間隔よりも広く構成されている。また、各画素２００では、同一レベルの輝度信号が与えられると、より広い間隔をもって配置されたサブ画素２０１ａの輝度レベルが、それ以外のサブ画素２０１ｂの輝度レベルよりも高くなるように構成されている。このような画素２００では、いずれかのサブ画素２０１に滅点化現象が発生しても、隣接した他のサブ画素２０１が輝度を補完するようになっている。したがって、点欠陥を視認され難くすることができると共に、有機ＥＬ表示装置の生産における歩留まりを向上することができる。
【００５９】
また、有機ＥＬ表示装置では、１つの画素１０中のサブ画素１１が行方向に沿って配置されていてもよい。この場合、同じ色を表示する画素１０は、行方向に沿って配置されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置を構成する画素の一部を拡大した平面図である。
【図３】１つの画素の平面部および内部を表す図である。
【図４】図３（Ｂ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図５】サブ画素の等価回路図である。
【図６】サブ画素の駆動タイミングチャートである。
【図７】滅点化現象が発生したサブ画素を表す平面図である。
【図８】駆動タイミングの一例を示す図である。
【図９】第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置における複数の画素の平面図である。
【図１０】第２の変形例に係る有機ＥＬ表示装置における複数の画素の平面図である。
【図１１】第３の変形例に係る画素の平面図である。
【図１２】従来の有機ＥＬ表示装置を構成する１つの画素を表す図である。
【図１３】３つのサブ画素を備え、マトリクス状に配置された画素の平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素、１１…サブ画素、１２…有機ＥＬ層、１５…アノード電極、１７…サブ画素駆動回路、１８…駆動トランジスタ、１９…保持容量、２０…サンプリング用トランジスタ、２５…有機ＥＬ素子、３０…ライトスキャナ、３１…電源スキャナ、３２…水平セレクタ、１０１…画素、１０２…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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