(57)【要約】      （修正有）【課題】垂直記録変換ヘッドにおいて、前方シールドの厚みを規定する方法を提供する。【解決手段】磁気記録素子を有する変換ヘッド４０を形成するための方法は、記録ポール４２およびギャップ層４６の近傍に台座部４８を形成するステップと、前方シールド５６を台座部上に堆積するステップと、前方シールドをエッチングするステップと、エッチングの後、バックフィル層５０を前方シールド上に堆積するステップとを含む。前方シールドはエッチングの際、制御された厚さを有する。【選択図】図１
2010267370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法であって、
台座部を記録ポールおよびギャップ層の近傍に形成するステップと、
前方シールドを前記台座部上に堆積するステップと、
前記前方シールドをエッチングするステップとを含み、前記前方シールドは、エッチングの際、制御された厚さを有し、前記方法はさらに、
エッチングの後、バックフィル層を前記前方シールド上に堆積するステップを含む、方法。
【請求項２】
ＡＢＳを規定するよう前記変換ヘッドをラッピングするステップをさらに含み、前記変換ヘッドをラッピングするステップは前記バックフィル層の少なくとも一部を取除く、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは前記ＡＢＳにて前記前方シールドを露出させる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記前方シールドの厚さはラッピングの前に規定され、ラッピングの間、一定のままである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは、前記ＡＢＳと前記前方シールドとの間の前記バックフィル層の一部を残す、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記前方シールドはイオンビーム堆積技術を用いて堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記前方シールドはプラズマ気相堆積技術を用いて堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記前方シールドはイオンミリング技術を用いてエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記前方シールドは反応イオンエッチング技術を用いてエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記前方シールドは反応イオンビームエッチング技術を用いてエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
記録ポールを形成するステップと、
前記記録ポールの近傍にギャップ層を形成するステップとをさらに含み、前記ギャップ層は前記記録ポールと前記台座部との間を延在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法であって、
台座部を記録ポールおよびギャップ層の近傍に形成するステップと、
前方シールドを前記台座部上に堆積するステップと、
バックフィル層を前記前方シールド上に堆積するステップと、
ＡＢＳを規定するよう前記変換ヘッドをラッピングするステップとを含み、前記変換ヘッドをラッピングするステップは少なくとも前記バックフィル層の一部を取除く、方法。
【請求項１３】
前記前方シールドは原子層堆積技術を用いて堆積される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記前方シールドは堆積の際、制御された厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記バックフィル層を堆積する前に前記前方シールドをエッチングするステップをさらに含み、前記前方シールドをエッチングするステップは前記前方シールドの厚さを規定する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記前方シールドは、イオンミリング、反応イオンエッチング、および反応イオンビームエッチングからなる群から選択される技術を用いてエッチングされる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは前記前方シールドを前記ＡＢＳにて露出させる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは、前記ＡＢＳと前記前方シールドとの間に前記バックフィル層の一部を残す、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
変換ヘッドのための磁気記録素子であって、
前記変換ヘッドのＡＢＳにてポール先端部を規定する記録ポールと、
ギャップ層と、
台座部とを含み、前記ギャップ層は前記記録ポールと前記台座部との間を延在し、前記磁気記録素子はさらに、
前記台座部および前記ギャップ層の近傍に位置決めされる前方シールドと、
前記ＡＢＳに位置決めされるバックフィル層とを含み、前記前方シールドの第１の部分は前記バックフィル層と前記台座部との間に位置決めされ、前記ＡＢＳから間隔を置いている、磁気記録素子。
【請求項２０】
前記前方シールドの第２の部分は前記前方シールドの前記第１の部分から前記ＡＢＳへ延在する、請求項１９に記載の記録素子。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
発明の詳細な説明
背景
ハードディスクドライブ（hard disk drive; ＨＤＤ）は典型的には、データを格納するための同心円状のデータトラックを各々が有する１つ以上の磁気媒体ディスクまたは他の磁気記憶媒体を含む。複数のディスクが用いられる場合、ほぼ同じ直径を有する同軸ディスクからスタックが形成される。所与のディスク上のデータトラックからの読出およびデータトラックへの記録には、スライダによって運ばれる変換ヘッドが用いられる。スライダは、アクチュエータアームと、ロードビームおよびジンバルを含み得るサスペンションアセンブリとを含むヘッドアームアセンブリ（head arm assembly; ＨＡＡ）によって運ばれる。ジンバルは、自身の上にスライダを支持するようロードビームに固定される別個の金属要素であるか、またはロードビームと一体で形成され得る。動作の間、スライダは、関連するディスクが回転すると、空気の小さなクッション上にて、ディスクの表面の上で滑走する。アクチュエータアームは、ディスクに対してスライダを移動可能に位置決めするよう旋回する。サスペンションアセンブリとスライダとのさらなる正確な位置決めを行なうようマイクロアクチュエータアセンブリが含まれ得る。変換ヘッドをアクチュエータアームに配置される構成要素または当該アクチュエータアームの近傍に配置される構成要素に電気的に接続するよう、電気接続部がサスペンションに沿って延在する。これらの電気接続部は、サスペンション自体の上に形成され得るか、またはフレックス・オン・サスペンション（flex-on suspension；ＦＯＳ）のように、サスペンションに対して支持される別個の相互接続構造の上に配置され得る。
【０００２】
磁気記憶媒体は、磁気方向を媒体の面内方向または媒体の面に対して垂直方向にして、データをビットとして格納し得る。通常、垂直記録によって、より大きな記憶密度が達成され得る。
【０００３】
スライダは、スライダ本体と、変換ヘッドを含むオーバーコートとを含む。オーバーコートは電気的に絶縁性である。スライダ上、たとえばスライダの後縁または前面上に、変換ヘッドの要素をオーバーコートを通じて外部の回路網に電気的に接続するための複数のボンドパッドが形成される。
【０００４】
変換ヘッドは典型的には記録素子と読出素子とを含む。読出素子は、ディスク（または他の磁気記憶媒体）上に格納される磁気的にエンコードされた情報を取出すためのセンサを含む。ディスクの表面からの磁束により、センサの感知層の磁気ベクトルの回転が引起こされ、これにより、電流をセンサに流すとともに当該センサの両端の電圧を計測することにより検出され得るセンサの電気特性の変化が引起こされる。センサの形状に依存して、感知電流がセンサの層の面（ＣＩＰ）に流れ得るか、またはセンサの層の面に垂直（ＣＰＰ）に流れ得る。次いで、外部の回路網が電圧情報を適切なフォーマットに変換し、必要に応じて当該情報を処理して、ディスク上にエンコードされた情報を復元する。
【０００５】
垂直記録変換ヘッドのための記録素子は典型的に、メインポールとリターンポールとを含み、これらのポールはギャップ層によって変換ヘッドのＡＢＳ（air bearing surface）にて互いに分離される。リターンポールは、ＡＢＳに沿って延在する前方シールド（または後方シールド）部を含み得る。前方シールドの使用により、記録素子に対する磁場の勾配が向上し、これにより線形記録密度が向上し得る。メインポールおよびリターンポールは、バックギャップクローザ（back gap closer）またはバックビアによって、ＡＢＳから遠位の領域にて互いに接続され得る。１つ以上の伝導性コイルの層が、メインポールとリターンポールとの間に位置決めされ、電気的に絶縁性の層によって包まれる。伝導コイルは、螺旋およびパンケーキ構造といった異なる構造を有し得る。ディスク（または他の磁気記憶媒体）にデータを記録するために、当該伝導コイルに電流が加えられ、これによりメインポールのポール先端部の下にディスクにおける磁場が生成される。コイルを通る電流の方向を反転させることにより、磁気記憶媒体に記録されるデータの極性は反転し、磁気転移が磁気記憶媒体の２つの近接するビット同士の間に記録される。
【０００６】
主にＨＤＤにおける記録密度の増加の必要性によって、磁気記録ヘッド技術の進歩がなされる。記録密度が増加すると、磁気記憶媒体のデータトラックのトラック幅はより小さくなる傾向がある。すなわち、トラックピッチが増加する。現在の垂直磁気記録ヘッドの性能は、垂直媒体に記録するよう供給され得る記録磁場に関連する。記録磁場は、トラックピッチが相対的に高くなると、減少する傾向がある。変換ヘッドの構成要素の構成は、生成され得る記録磁場に関する性能に影響を与え得る。たとえば、トラックピッチが相対的に高ければ、記録素子のポール先端部のサイズ、具体的にはポール先端部の幅が制限される傾向にあり、メインポールと前方シールドとの間（およびメインポールとリターンポールとの間）のギャップ層のサイズが低減される。これらの要因は両方とも、記録素子の性能を弱める傾向にある。前方シールドの存在もまた、記録素子が作り出し得る磁場の大きさの点で記録素子の性能を弱める傾向にある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
概要
本発明に従った、磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法は、記録ポールおよびギャップ層の近傍に台座部を形成するステップと、前方シールドを台座部上に堆積するステップと、前方シールドをエッチングするステップと、エッチングの後、前方シールド上にバックフィル層を堆積するステップとを含む。前方シールドは、エッチングの際、制御された厚さを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】作製段階中における、本発明に従った変換ヘッドの部分の断面図である。
【図２】作製段階中における、本発明に従った変換ヘッドの部分の断面図である。
【図３】作製段階中における、本発明に従った変換ヘッドの部分の断面図である。
【図４】作製完了後の図１−３の変換ヘッドの部分の実施例の断面図である。
【図５】作製後の図１−３の変換ヘッドの部分の実施例の断面図である。
【図６】変換のさまざまな段階中における変換ヘッドの実施例の部分の断面図である。
【図７】作製完了後の図６の変換ヘッドの部分の実施例の断面図である。
【図８】本発明に従った変換ヘッドを作製する方法のフローチャートの図である。
【図９】当該変換ヘッドを作製する方法のある実施例のフローチャートの図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
詳細な説明
一般的に本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の変換ヘッドにおける磁気記録素子の前方シールド（または後方シールド）の厚みの制御のための方法および装置を提供する。前方シールドの厚み（厚みはほぼスロートハイトの方向に規定される）は、スロートハイトを規定する際に重要であり、磁気記録素子の性能の決定における重要なパラメータである。先行技術では、前方シールドの厚みは、変換ヘッドのＡＢＳを形成するラッピング処理の間に規定されている。しかしながら、ラッピング作業には何らかの量の変動が生じ得、これは前方シールドの厚みの変動へと繋がり得る。所望の前方シールドの厚みと、ラッピングのために用いられる機器と、ラッピングを制御するのに用いられる技術とに依存して、ラッピングの変動は前方シールドの全体の厚みのかなりの部分を示し得る。ラッピングの変動は、面の記録密度が大きくなるにつれて重大さが増加する。さらに、作製の間のラッピングの変動によって、同じ設計の変換ヘッド同士の間に性能の変動が生じ得る。したがって、スロートハイトの制御が、記録素子、特に相対的に高いトラックピッチの記録素子の性能にとって重要になる。本発明は、ラッピング作業に先行および独立して前方シールドの厚みを規定する方法を提供する。本発明の詳細ならびにこの発明の利点および利益は、以下の記載に鑑みてよりよく理解されるであろう。
【００１０】
スライダは典型的には、後で個々のスライダに分離される多くのスライダ／変換ヘッドアセンブリを含むウェハを加工することを伴う処理によって形成されるが、ウェハを用いることなくスライダを個々に形成することも可能である。個々のスライダへの分離の前のウェハの処理は一般的にウェハレベル作製と呼ばれる。ウェハレベル作製は、選択的な堆積、スライダ本体上の層における材料のパターニングおよび除去、ならびに他の処理ステップを含み得る。多くの状況下では、処理ステップは同時にウェハのスライダ／変換ヘッドアセンブリのすべてに対して行なわれ得る。図１−３は、ウェハレベル作製のさまざまな段階の間の本発明に従った変換ヘッド４０の部分の断面図である。図１−３には図示されないが、スライダ本体が変換ヘッド４０の示された部分の底部に向かって配置され得る。さらに、変換ヘッド４０は読出アセンブリのような他の構造を含み得るが、単純さのためこれらは図示されない。
【００１１】
図１は、ウェハレベル作製の間の変換ヘッド４０の記録素子の部分の断面図である。変換ヘッド４０は、メイン記録ポール４２と、ヨーク層４４と、ギャップ層４６と、台座部４８と、バックフィル５０とを含む。ヨーク層４４とメイン記録ポール４２とは、磁束伝導材料からなり、互いに接するように配される。メイン記録ポール４２とヨーク４４とは、任意の好適な構成を有し得、従来の方法を用いて形成され得る。図示されないが、当業者ならば、周知の態様で記録動作を行なうためにメイン記録ポール４２において磁場が生成されるようにコイルがメイン記録ポール４２に磁気的に結合されるということを理解するであろう。バックフィル５０は、変換ヘッド４０の記録素子構成要素の近傍に位置する領域を充填するよう用いられ得、電気的に絶縁性の材料であり得る。バックフィル５０はしばしば、作製の間、他の構造の部分のパターニングおよび除去によって残る空隙を充填するよう用いられる。図１の実施例において示されるように、バックフィル５０はメイン記録ポール４２およびヨーク４４の両方の近傍に位置する。
【００１２】
ギャップ層４６は、メイン記録ポール４２の上および近傍に位置し、ヨーク４４とは反対に位置する。ギャップ層４６は典型的には非強磁性材料からなる。ギャップ層４６の厚みＴ1は、特定の用途にとって所望なように変動し得る。厚さＴ1を低減することにより、変換ヘッド４０の線形記録密度能力を増加させる助けとなり得る。
【００１３】
台座部４８は、ギャップ層４６の上および近傍に位置し、メイン記録ポール４２とは反対側に位置する。台座部４８は、ギャップ層４６の近傍面５４に対して角度αの縁部５２を規定する。角度αは９０°であり得る。代替的な実施例では、角度αは９０°未満であり得る。台座部４８の縁部５２は、台座部４８の全体の厚みにわたって、ギャップ層４６の表面５４から延在し得、従来のパターニング（たとえばフォトリソグラフィ）およびエッチング技術（たとえばイオンミリング、反応イオンエッチング、反応イオンビームエッチングなど）を用いて形成され得る。台座部４８は、炭素、ＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3、硬化性フォトレジスト材料、Ｔａ、または他の好適な材料からなり得る。
【００１４】
ギャップ層４６および台座部４８が堆積され、かつ縁部５２が規定された後、前方シールド材料５６が台座部４８の縁部５２およびギャップ層４６の表面５４の近傍に堆積され得る。前方シールド材料５６は、典型的には、ＮｉＦｅのような強磁性材料といった磁束伝導材料であり得る。示される実施例では、前方シールド材料５６は、イオンビーム堆積（ion beam deposition；ＩＢＤ）、プラズマ気相堆積（plasma vapor deposition；ＰＶＤ）、原子層堆積（atomic layer deposition；ＡＬＤ）、または他の好適な適合する堆積技術を用いて堆積され得る。
【００１５】
図１に示されるように、前方シールド材料５６は、前方シールド第１部５６Ａと、前方シールド第２部５６Ｂと、前方シールド第３部５６Ｃとを規定する。前方シールド第１部５６Ａは厚さＴ2を有する。前方シールド第２部５６Ｂは、ギャップ層４６の表面５４に沿って延在し、厚さＴ3を有する。前方シールド第３部５６Ｃは、台座部４８の部分に沿って延在し、前方シールド第２部５６Ｂとほぼ同じ厚さＴ3を有し得る。
【００１６】
図２は、ウェハレベル作製中の図１に示される段階の後の段階の変換ヘッド４０の記録素子の部分の断面図である。前方シールド材料５６は、堆積された後、前方シールド第１部５６Ａの表面５８を規定するとともに厚さＴ2およびＴ3を調節するようエッチングされる。エッチングによって、厚さＴ2およびＴ3の比が変わり得、前方シールド材料５６の選択された部分が完全に取除かれ得る。なお、エッチングは、前方シールド第２部５６Ｂから取除かれる材料の再堆積により前方シールド第１部５６Ａの厚さＴ2を増加させるような態様で随意に実行され得る。前方シールド材料５６の部分を取除くためのエッチング技術は、イオンミリング、反応イオンエッチング、反応イオンビームエッチング、および他の好適なエッチング処理を含み得る。エッチング処理は、角度α（図１参照）で、台座部４８の縁部５２と実質的に平行に行なわれ得、これにより縁部５２に実質的に平行な前方シールド第１部５６Ａの表面５８を形成する。エッチングの後、表面５８は実質的に平坦となり得、台座部４８の縁部５２に実質的に平行に配される。図２に示されるように、エッチング作業により、前方シールド第２部５６Ｂおよび前方シールド第３部５６Ｃが完全に除去され（除去された前方シールド第２部５６Ｂおよび前方シールド第３部５６Ｃは図２において点線で示される）、前方シールド第１部５６Ａが残される。これにより、変換ヘッド４０の完成した前方シールド構造が示され得る。
【００１７】
表面５８の形成により、厚さＴ2の最大値が規定される。示される実施例では、第１部５６Ａは、断面では実質的に長方形状であり、ギャップ層４６の表面５４に接触する。ギャップ層４６の表面５４の部分は、点線で示される前方シールド材料５６の部分の除去により露出する。エッチングの際には、厚さＴ2は約１０ｎｍより大きくあり得、たとえば、約１０−１００ｎｍの範囲であり得、一実施例では、約５０−１００ｎｍであり得、別の実施例では、約５０ｎｍであり得る。厚さＴ2の特定の値は、特定の用途にとって所望のように変動し得る。
【００１８】
図３は、ウェハレベル作製中の図２に示される段階の後の段階での変換ヘッド４０の記録素子の部分の断面図である。図３に示されるように、バックフィル６０が前方シールド第１部５６Ａの表面５８およびギャップ層４６の表面５４の近傍に堆積される。バックフィル６０は非強磁性材料であり得、たとえばＴａであり得る。バックフィル６０はバックフィル５０の材料と同様の材料または異なる材料であり得る。バックフィル６０が堆積された後、ラッピング作業が次いで実行され得、これにより変換ヘッド４０のためのＡＢＳが規定される。
【００１９】
図４は、ラッピング作業の完了後すなわち図３に示される段階の後の段階でのウェハレベル作製の完了時または完了時の近くでの変換ヘッド４０の部分の実施例の断面図である。ラッピング作業によって取除かれた変換ヘッド４０の部分は点線で示される。ラッピング対象部６２が所望のＡＢＳ位置に定められる。ラッピング作業は、公知の技術および機器を用いて、従来の態様で行なわれ得る。図４に示されるように、ラッピングにより、当該ラッピング対象部６２の位置に対応する位置にＡＢＳ６４が規定される。ラッピングはさらに、ＡＢＳ６４にてメイン記録ポール４２のポール先端部６６を規定する。示される実施例では、ＡＢＳ６４は、前方シールド第１部５６Ａの表面５８と整列するとともに、当該表面５８を露出する。バックフィル６０は完全に取除かれるが、ラッピング作業によって前方シールド第１部５６Ａの厚さＴ2は変わることはない。ラッピング作業は一般的に、所与のラッピング対象部からの何らかの変動を伴う。たとえば、従来の機器および技術を用いた場合、約＋または−１５ｎｍ（またはそれ以下）のオーダのラッピングの変動が一般的である。しかしながら、厚さＴ2の最大値がラッピング作業に先立って規定されたので、ラッピングの変動によって、完成した変換ヘッド４０の厚さＴ2が増加することはない。これにより、より一定の性能特性が与えられる助けとなり得る。
【００２０】
図５は、ラッピング作業の完了後すなわち図３に示される段階の後の段階での作製の完了時または完了時の近くでの変換ヘッド４０の部分の代替的な実施例の断面図である。ラッピング作業によって取除かれた変換ヘッド４０の部分は点線で示される。図５に示されるように、距離Ｔ4だけ前方シールド第１部５６Ａの表面５８から間隔をおいている代替的なラッピング対象部６２′が選択されている。ＡＢＳ６４は、ラッピング対象部６２′の位置に対応する位置に規定される。示される実施例において、バックフィル第１部６０Ａは、バックフィル６０の一部を取除くラッピング作業の後でも残っている。バックフィル第１部６０Ａは、前方シールド第１部５６ＡがＡＢＳ６４から凹んだところに位置するようスペーサとして作用する。
【００２１】
上で述べたように、ラッピング作業は一般的に、所与のラッピング対象部からの何らかの変動を伴い、＋または−約１５ｎｍのオーダのラッピングの変動が一般的である。所与のラッピングの変動と少なくとも等しくなるように（たとえば１５ｎｍより大きく）距離Ｔ4を選択することにより、ラッピング作業の間の厚さＴ2の減少のリスクが低減され得るか、当該リスクがなくなり得る。距離Ｔ3が所与のラッピングの変動よりも大きくなるように選択される場合（たとえば約１５ｎｍより大きく）、バックフィル第１部６０Ａは、前方シールド第１部５６Ａにより近いさらなる量のバックフィル６０をラッピング対象部６２′から取除く如何なるラッピングの変動にもかかわらず、ラッピングの後でも残る。
【００２２】
バックフィル第１部６０Ａの存在には利点があり得る。たとえば、ＡＢＳ６４は使用中、（たとえば、酸化、研磨、スライダと回転する磁気記憶媒体との間の接触などによる）起こり得る摩耗に晒されるので、バックフィル第１部６０Ａの材料特性は、変換ヘッド４０の摩耗特性を制御するよう選択され得る。バックフィル第１部６０Ａは「近接点」、すなわち、関連する記憶媒体（たとえばＨＤＤシステムの磁気ディスク）からほとんど離れていない変換ヘッド４０の記録素子の部分を示す。バックフィル第１部６０Ａの相対的に一定の厚みを長い時間にわたって維持する能力、したがって関連する記憶媒体からの前方シールド第１部５６Ａの相対的な一定の分離には利点があり得る。さらに、バックフィル第１部６０Ａの材料特性の選択は、メイン記録ポール４２の近くの変換ヘッド４０の熱機械プロファイルを制御する助けとなり得る。これは、たとえば、変換ヘッド４０の動作の間、ポールおよびシールドの凹み特性を制御する助けとなり得る。
【００２３】
本発明に従うと、さまざまな代替的な前方シールド構成が可能である。図６は、作製の間の変換ヘッド４０′の他の実施例の部分の断面図である。変換ヘッド４０′は、図１に示される変換ヘッド４０に類似して構成され得る。しかしながら、変換ヘッド４０′の後期の作製段階は、変換ヘッド４０の段階とは異なり得る。図６に示されるように、前方シールド第１部５６Ａおよび前方シールド第２部５６Ｂの両方が存在し、これらは、少なくとも前方シールド第２部５６Ｂの一部を無傷の状態で残すようエッチング処理を好適に調節すること（またはエッチング処理を完全に省略すること）によって達成され得る。示される実施例では、前方シールド第１部５６Ａおよび前方シールド第２部５６Ｂは、各々断面において実質的に長方形状であり、「Ｌ」字形状を形成する。表面５８の形成により、厚みＴ2の最大値の規定がなされる。
【００２４】
前方シールド第２部５６Ｂは、ギャップ層４６の表面５４に実質的に平行に配され得る表面６８を規定する。示される実施例において、前方シールド第２部５６Ｂは前方シールド第１部５６Ａに隣接し、ギャップ層４６の表面５４は前方シールド材料５６によって被覆される。厚さＴ2は、約１０ｎｍより大きくあり得、たとえば、約１０−１００ｎｍの範囲であり得、一実施例では、約５０−１００ｎｍであり得、別の実施例では約５０ｎｍであり得る。前方シールド第２部５６ＢはＴ2とほぼ等しい厚さＴ3を有し得るが、厚さＴ2およびＴ3の各々の特定の値は、特定の用途について所望のように独立して変動し得る。
【００２５】
バックフィル６０は前方シールド第１部５６Ａの表面５８および前方シールド第２部５６Ｂの表面６８の近傍に堆積される。バックフィル６０は非強磁性材料であり得、たとえばＴａであり得る。バックフィル６０はバックフィル５０の材料と同様の材料または異なる材料であり得る。バックフィル６０が堆積された後、ラッピング作業が次いで実行され得、これにより変換ヘッド４０’についてＡＢＳが規定される。
【００２６】
図７は、ラッピング作業の完了後すなわち図６に示される段階の後の段階での作製の完了時または完了時の近くでの図６の変換ヘッドの部分の一実施例の断面図である。ラッピング作業によって取除かれた変換ヘッド４０’の部分は点線で示される。図７に示されるように、距離Ｔ５だけ前方シールド第１部５６Ａの表面５８から離れたラッピング対象部６２”が選択される。ＡＢＳ６４が当該ラッピング対象部６２”の位置に対応する位置に規定される。なお、ラッピング対象物６２”の位置は特定の用途にとって所望のように変動し得るということは理解されるべきである。示される実施例において、バックフィル部６０Ｃは、バックフィル６０の一部を取除くラッピング作業の後でも残っている。したがってバックフィル部６０Ｃは、前方シールド第１部５６ＡがＡＢＳ６４から凹んだところに位置するようスペーサとして作用する。しかしながら、前方シールド第２部５６ＢはＡＢＳ６４へと延在し、ＡＢＳ６４にて露出する。
【００２７】
上で述べるように、ラッピング作業は一般的に、所与のラッピング対象部からの何らかの変動を伴い、＋または−約１５ｎｍのオーダのラッピングの変動が一般的である。所与のラッピング変動と少なくとも等しくなるように（たとえば１５ｎｍより大きく）距離Ｔ５を選択することにより、ラッピング作業の間の前方シールド第１部５６Ａの厚さＴ２の減少のリスクが低減され得るか、当該リスクがなくなり得る。距離Ｔ５が所与のラッピングの変動よりも大きくなるように（たとえば約１５ｎｍより大きく）選択される場合、バックフィル部６０Ｃは、前方シールド第１部５６Ａにより近いさらなる量のバックフィル６０をラッピング対象部６２”から取除く如何なるラッピングの変動にもかかわらず、ラッピングの後でも残る。しかしながら、変換ヘッド４０’の実施例では、前方シールド第２部５６Ｂは概して、ラッピング対象部６２”がどこに位置するか、またはラッピングの変動量に関わらず、ＡＢＳ６４に延在する。この構成は、前方シールド第２部５６Ｂが概して常にＡＢＳ６４に延在しているので、動作の間、前方シールドの凹部によって引き起こされる性能の変動を低減する助けとなり得る。
【００２８】
図８は、本発明に従った変換ヘッドの作製方法のフローチャートである。まずヨーク、メイン記録ポール、およびギャップ層が形成される（それぞれステップ１００、１０２、および１０４）。ステップ１００、１０２、および１０４は、特定の用途にとって所望のように、任意の順番で行なわれ得る。なお、これらのステップは従来の態様で実行され得るとともに、所望のように、任意の好適な堆積、パターニング、材料除去、または他のプロセスを含み得る。ステップ１００、１０２および１０４は、本願明細書では単に、以下に記載する方法のステップについての文脈を与えるよう論じられるだけである。したがって、ステップ１００、１０２、および１０４は省略され得、具体的に述べられない付加的なステップが代替的な実施例において含まれ得る。
【００２９】
次に、台座部が形成される（ステップ１０６）。台座部は、ギャップ層の上に形成され得る。ステップ１０６での台座部の形成は、所望のように、任意の好適な堆積、パターニング、材料除去、または他の処理を含み得ることが理解されるべきである。形成された台座部は一般的に、後で前方シールド材料が堆積されることになる縁部を提供する。
【００３０】
台座部が形成された後、前方シールド材料が台座部の近傍と、さらにギャップ層の表面のほぼ近傍に堆積される（ステップ１０８）。前方シールド材料は、たとえば、イオンビーム堆積（ＩＢＤ）、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、または他の好適な適合する堆積技術を用いて堆積され得る。前方シールド材料が次いでエッチングされる（ステップ１１０）。ステップ１１０は、前方シールド材料の一部を取除き、堆積された前方シールド材料の少なくとも一部を適切な位置に残す。残った前方シールド材料は任意の所望の構成を有し得る。エッチング処理により、前方シールドの（スロートハイトの方向における）最大の厚みが規定される。前方シールド材料の当該部分を取除くのに好適なエッチング技術は、イオンミリング、反応イオンエッチング、反応イオンビームエッチング、および他の公知のエッチング処理を含む。
【００３１】
前方シールド材料が所望の構成へとエッチングされた後、残っている前方シールド材料の近傍にバックフィルが堆積される（ステップ１１２）。次いで、ラッピング作業が行なわれ、変換ヘッドについてＡＢＳが規定される（ステップ１１４）。ラッピングは、ラッピング対象部を設定することと、次いでラッピング対象部に対して、材料を取除くようラッピング処理を行なうこととを含み得る。前方シールドの最大の厚さが事前に規定されているので、当該厚さはラッピング作業の間に増加し得ない。さらに、ラッピング対象部は、ラッピング作業に関連するラッピング変動以上の距離に設定される場合、前方シールドの最小の厚みは、ラッピング作業中、変わらないままとなり得る。さらに、ラッピング対象部がラッピング作業に関連するラッピングの変動より大きな距離に設定される場合、残っている前方シールド材料とＡＢＳとの間でバックフィルの一部がスペーサとして残ることになる。
【００３２】
図９は、変換ヘッドを作製する方法の代替的な実施例のフローチャートである。まずヨーク、メイン記録ポール、およびギャップ層が形成される（それぞれステップ２００、２０２、および２０４）。ステップ２００、２０２、および２０４は、特定の用途について所望のように、任意の順番で行なわれ得る。なお、これらのステップは従来の態様で実行され得るとともに、所望のように、任意の好適な堆積、パターニング、材料除去、または他のプロセスを含み得る。ステップ２００、２０２および２０４は、本願明細書では単に、以下に記載する方法のステップについての文脈を与えるよう論じられるだけである。したがって、ステップ２００、２０２、および２０４は省略され得、具体的に述べられない付加的なステップが代替的な実施例において含まれ得る。
【００３３】
次に、台座部が形成される（ステップ２０６）。台座部は、ギャップ層の上に形成され得る。ステップ２０６での台座部の形成は、所望のように、任意の好適な堆積、パターニング、材料除去、または他の処理を含み得ることが理解されるべきである。形成された台座部は一般的に、後で前方シールド材料が堆積されることになる縁部を提供する。
【００３４】
台座部が形成された後、前方シールド材料が、制御された厚みで台座部の近傍と、さらにギャップ層の表面のほぼ近傍に堆積される（ステップ２０８）。この実施例では、堆積プロセスにより前方シールドの最大厚さが規定され、その後の材料除去ステップ（すなわちエッチング）の必要性を低減または無くす。
【００３５】
前方シールド材料が所望の構成において適切な位置に配置された後、バックフィルが前方シールド材料の近傍に堆積される（ステップ２１０）。次いで、ラッピング作業が行なわれ、変換ヘッドについてＡＢＳが規定される（ステップ２１２）。ラッピングは、ラッピング対象部を設定することと、次いでラッピング対象部に対して、材料を取除くようラッピング処理を行なうこととを含み得る。前方シールドの最大の厚さが事前に規定されているので、当該厚さはラッピング作業の間に増加し得ない。さらに、ラッピング対象部は、ラッピング作業に関連するラッピング変動以上の距離に設定される場合、前方シールドの最小の厚みはラッピング作業の間に変わらないままとなり得る。さらに、ラッピング対象部がラッピング作業に関連するラッピングの変動より大きな距離に設定される場合、前方シールド材料とＡＢＳとの間でバックフィルの一部がスペーサとして残ることになる。
【００３６】
好適な実施例を参照して本発明を記載してきたが、当業者ならば、この発明の精神および範囲から逸脱することがなければ、形態および詳細における変更がなされ得るということを認識するであろう。たとえば、具体的に論じていない付加的な構造および付加的な作製プロセスが本発明とともに用いられ得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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