(57)【要約】【課題】切断領域を狭いものとして基板材料の無駄を防止することができるとともに、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、各製品領域の両面に対して傷や凹み、或いは付着等が発生することを有効に防止することができ、さらには、互いに滑りにくく安定して積み重ねることが可能な多数個取り配線基板を提供すること。【解決手段】中央部に小型の配線基板となる製品領域３が間に切断領域４を挟んで複数並んで配列形成されているとともに、外周部に中央部を取り囲む枠状の捨て代領域５が形成されて成る多数個取り配線基板１０であって、切断領域４および捨て代領域５の少なくとも一方における上下面に製品領域３の上下面から突出する高さのソルダーレジストから成る突起部７が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に小型の配線基板となる製品領域が間に切断領域を挟んで複数並んで配列形成されているとともに、外周部に前記中央部を取り囲む枠状の捨て代領域が形成されて成る多数個取り配線基板であって、前記切断領域および前記捨て代領域の少なくとも一方における上下面に前記製品領域の上下面から突出する高さのソルダーレジストから成る突起部が形成されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記多数個取り配線基板を上下に透視した場合に、上面側の前記突起部と下面側の前記突起部とが少なくとも互いに部分的に重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記突起部は、前記切断領域に前記製品領域を取り囲む格子状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記突起部は、前記切断領域に連続的に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記突起部は、前記切断領域に断続的に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
前記多数個取り配線基板を上下に透視した場合に、上面側の前記突起部と下面側の前記突起部とが互いに直角に交差するように配置されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項７】
前記突起部は、前記捨て代領域に枠状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項８】
前記突起部は、前記捨て代領域に連続的に形成されていることを特徴とする請求項７記載の多数個取り配線基板。
【請求項９】
前記突起部は、前記捨て代領域に断続的に形成されていることを特徴とする請求項７記載の多数個取り配線基板。
【請求項１０】
前記多数個取り配線基板を上下に透視した場合に、上面側の前記突起部と下面側の前記突起部とが一方の前記突起部の内側に他方の前記突起部が隣接して位置するように配置されていることを特徴とする請求項７乃至９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記製品領域の上下面の少なくとも一方に、前記突起部と同じ高さのソルダーレジストから成る別の突起部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中央部に小型の配線基板となる製品領域が間に切断領域を挟んで複数並んで配列形成されているとともに、外周部に前記中央部を取り囲む枠状の捨て代領域が形成されて成る多数個取り配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するための小型の配線基板を複数同時に取り扱う形態として多数個取り配線基板が用いられている。この多数個取り配線基板は、中央部に複数の小型の配線基板となる製品領域を間に切断領域を挟んで一体的に並べて設けるとともに、その外側に枠状の捨て代領域を一体的に形成してなる。そして、各製品領域に半導体集積回路素子等の電子素子を例えば半田バンプを介して搭載するとともに、その電子素子を例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、切断領域に沿って切断することにより、小型の配線基板上に電子素子が搭載されて樹脂封止された電子装置が多数個同時集約的に製造される。
【０００３】
このような多数個取り配線基板においては、各製品領域に半導体集積回路素子等の電子素子の電極と接続するための配線導体が形成されている。配線導体は、例えば銅めっきから成り、近時では幅が１０〜２０μｍ程度の微細なパターンを有しており、その一部は各製品領域の上面に露出して、電子素子の電極と接続するための接続パッドを形成している。また、この接続パッドの表面には電子素子の電極と接続するための半田バンプが予め被着されている場合が多い。
【０００４】
しかしながら、このような多数個取り配線基板は、その取扱い時に複数枚を積み重ねて取り扱われることがある。多数個取り配線基板を複数枚重ねて取り扱うと、上側の多数個取り配線基板と下側の多数個取り配線基板とがお互いに擦れたり、圧接されたりして、各製品領域において配線導体や半田バンプに傷や凹みを形成してしまうことがある。このような傷や凹みは、配線導体に断線やショートを引き起こしたり、電子素子の電極を接続パッドに半田バンプを介して接続する際の接続不良を引き起こしたりする危険性を高くする。
【０００５】
そこで、多数個取り配線基板の切断領域や捨て代領域における上面に、製品領域の半田バンプよりも突出するダミー半田バンプを設けることにより、多数個取り配線基板を互いに積み重ねた際に製品領域の半田バンプに発生する傷や凹み等を防止する方法が提案されている。しかしながら、多数個取り配線基板の上面にダミー半田バンプを設ける場合、ダミー半田バンプを十分な高さとするために多数個取り配線基板の切断領域に直径が４００μｍ程度の半田ペーストを印刷してこれをリフローする必要がある。そのため、切断領域の幅が少なくとも４００μｍを超える広いものとなり、そのような広い幅の切断領域を製品領域間に設けることから使用する基板材料に無駄が生じやすい。さらに、切断領域や捨て代領域の上面のみにダミー半田バンプを設けるので、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、下側の多数個取り配線基板のダミー半田バンプが上側の多数個取り配線基板の下面に直接当たることになる。そのため、下側の多数個取り配線基板のダミー半田バンプと上側の多数個取り配線基板における製品領域の下面とが擦れて、上側の多数個取り配線基板における製品領域の下面に下側の多数個取り配線基板のダミー半田バンプの成分が付着してしまい、上側の多数個取り配線基板の製品領域における電気的な絶縁信頼性を低下させてしまう危険性がある。また、ダミー半田バンプを切断領域や捨て代領域の上下両面に形成することも考えられるが、この場合、半田バンプの頂面は半田が溶融したときの表面張力により平滑な球面状となるため、上側の基板のダミー半田バンプと下側の基板のダミー半田バンプとが当接すると、互いに滑ってずれてしまい、良好に積み重ねることが困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２１８５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、切断領域を狭いものとして基板材料の無駄を防止することができるとともに、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、各製品領域の両面に対して傷や凹み、或いは付着等が発生することを有効に防止することができ、さらには、互いに滑りにくく安定して積み重ねることが可能な多数個取り配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多数個取り配線基板は、中央部に小型の配線基板となる製品領域が間に切断領域を挟んで複数並んで配列形成されているとともに、外周部に前記中央部を取り囲む枠状の捨て代領域が形成されて成る多数個取り配線基板であって、前記切断領域および前記捨て代領域の少なくとも一方における上下面に前記製品領域の上下面から突出する高さのソルダーレジストから成る突起部が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の多数個取り配線基板によれば、切断領域および捨て代領域の少なくとも一方における上下面に製品領域の上下面から突出する高さのソルダーレジストから成る突起部が形成されていることから、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、下側の多数個取り配線基板における上面側の突起部と上側の多数個取り配線基板における下面側の突起部とが少なくとも互いに部分的に重なり合うように前記突起部を配置すれば、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、製品領域の上下面に突起部が直接当接することがないので製品領域の上下両面を傷や凹み、付着から保護することができる。
【００１０】
また、上面側の突起部と下面側の突起部とを、その一方の内側に他方が隣接して位置するように配置すれば、複数の多数個取り配線基板を積み重ねた場合に、上側の多数個取り配線基板における下面側の突起部と下側の多数個取り配線基板における上面側の突起部とが互いに水平方向に係止し合うこととなり、複数の多数個取り配線基板を互いにずれることなく、安定して積み重ねることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の一例を示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図１（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の他の例を示す上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図２（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図３（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図４（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図５（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図６（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図７（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図８】図８（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図８（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図９】図９（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図９（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図１０（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の更に他の例を示す上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す多数個取り配線基板を二枚積み重ねた場合の図１１（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の多数個取り配線基板の実施形態の一例を添付の図１（ａ），（ｂ）を基に説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すように、本例の多数個取り配線基板１０は、絶縁基板１の内部および表面に配線導体２を備えている。絶縁基板１は、例えばガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させて成る繊維強化絶縁樹脂材料や熱硬化性樹脂に酸化珪素等の無機絶縁フィラーを分散させてなるフィラー含有絶縁樹脂材料から成る複数の絶縁層を積層することにより形成されており、各絶縁層には配線導体２を上下に導通させるためのスルーホールやビアホールと呼ばれる貫通孔が形成されている。また、配線導体２は、銅箔や銅めっき層から成る導電材料を各絶縁層に所定パターンに被着させることにより形成されている。
【００１３】
多数個取り配線基板１０の中央部には、半導体集積回路素子等の電子素子（不図示）を搭載するための小型の配線基板となる四角形状の製品領域３が間に帯状の切断領域４を挟んで複数並んで配列形成されており、さらにその外周部には前記中央部を取り囲むようにして四角枠状の捨て代領域５が形成されている。なお、この例では、製品領域３を２列×３列の配列で６個形成した例を示しているが、配列する製品領域３の個数や配列方法は必要に応じて適宜変更すればよい。
【００１４】
各製品領域４には、搭載される電子素子に電気的に接続される配線導体２がその上面から下面にかけて例えば幅が１０〜２０μｍ程度の微細な配線を含む所定のパターンに配設されている。配線導体２のうち、各製品領域３の上面に露出した一部は電子素子の電極端子に電気的に接続される接続パッドを形成しており、この接続パッドには電子素子の電極端子と電気的に接続するための半田バンプ６が被着されている。配線導体２は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法、転写法等により形成されている。また、半田バンプ６は接続パッドに半田ペーストを印刷した後にリフローする方法や接続パッドに半田をめっきする方法により形成されている。なお、この例では接続パッドが円形である場合を示しているが、接続パッドは正方形や長方形等の他の形状であってもよい。
【００１５】
切断領域４は、複数の製品領域３の間に介在することにより複数の製品領域３を一体的に保持するとともに各製品領域３を切り出して個片の配線基板とするための切断代であり、この切断領域４をダイシングマシーンやルータ、レーザ切断装置等により切断することにより多数個取り配線基板１０における各製品領域３が個片の配線基板として切り出されて独立する。
【００１６】
捨て代領域５は、多数個取り配線基板１０の取扱いを容易とするための支持部として機能する領域であり、この捨て代領域５を多数個取り配線基板１０の加工時の位置決め部や保持部として使用することにより各製品領域３に必要な加工を施すことが可能となる。
【００１７】
さらに、本例の多数個取り配線基板１０においては、捨て代領域５における上下面にソルダーレジストから成る頂面が平坦な突起部７が格子状のパターンに形成されている。突起部７は製品領域３の上下面から半田バンプ６の高さよりも突出する高さで形成されており、複数の多数個取り配線基板１０を上下に積み重ねたときに、上側の多数個取り配線基板１０における下面側の突起部７と下側の多数個取り配線基板１０における上面側の突起部７とが互いに重なり合うようになっている。このように本例の多数個取り配線基板１０によれば、捨て代領域５における上下面にソルダーレジストから成る頂面が平坦な突起部７が格子状のパターンに形成されており、複数の多数個取り配線基板１０を上下に積み重ねたときに、上側の多数個取り配線基板１０における下面側の突起部７と下側の多数個取り配線基板１０における上面側の突起部７とが互いに重なり合うことから、製品領域３の上下面に突起部７が直接当接することがなく、従って製品領域３の上下面が傷や凹み、付着等から有効に保護される。さらに、複数の多数個取り配線基板１０を上下に積み重ねた場合に、上側の多数個取り配線基板１０の突起部７と下側の多数個取り配線基板１０の突起部７とが当接しても、その当接は平坦な頂面同士の当接となり、安定して積み重ねることが可能である。
【００１８】
このような突起部７は、絶縁基板１の上下面にソルダーレジスト用の感光性のドライフィルムレジストを貼着するとともに、そのドライフィルムレジストを周知のフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化および紫外線硬化させることにより形成される。突起部７は、このようにソルダーレジスト用の感光性のドライフィルムレジストをフォトリソグラフィー技術により所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化および紫外線硬化させることにより形成されることから、その頂面が平坦なものとなるとともに、その幅を例えば１０〜３０μｍ程度の狭いものとすることができる。したがって、突起部７を設ける切断領域４の幅を例えば３０μｍ程度以下の狭いものとして多数個取り配線基板１０における基板材料の無駄を減少させることができる。
【００１９】
そして、本例の多数個取り配線基板１０によれば、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を例えば半田バンプ６を介して搭載するとともに、その電子素子を例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、切断領域４に沿って切断することにより、小型の配線基板上に電子素子が搭載されて樹脂封止された電子装置が多数個同時集約的に製造される。
【００２０】
さらに、本発明の多数個取り配線基板の実施形態における他の例を図２（ａ），（ｂ）〜図１１（ａ），（ｂ）に示す。なお、図２（ａ），（ｂ）〜図１１（ａ），（ｂ）に示す例において、上述の実施形態の一例と実質的に同じ部分には図１（ａ），（ｂ）と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２１】
図２（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板２０は、捨て代領域５にソルダーレジストから成る幅が０．５〜５ｍｍ程度の枠状の突起部７を有している。本例の多数個取り配線基板２０においては、このように捨て代領域５に幅の広い枠状の突起部７を有していることから、本例の多数個取り配線基板２０を複数上下に積み重ねた場合に、捨て代領域５に設けた幅の広い枠状の突起部７同士が互いに当接することとなるので、上下の多数個取り配線基板２０同士を極めて安定して積み重ねることができる。また、捨て代領域５における上下面が平坦な面となるため、トランスモールド法により樹脂封止する際に、捨て代領域５に設けた枠状の突起部７とトランスファーモールドの金型とを良好に密着させることができる。
【００２２】
図３（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板３０は、捨て代領域５における上面の内周部に枠状の突起部７ａを有しているとともに、捨て代領域５における下面の外周部に前記突起部７ａの外周よりも若干大きな内周を有する枠状の突起部７ｂを有している。このように、捨て代領域５の下面に上面の突起部７ａの外周部よりも若干大きな内周を有する枠状の突起部７ｂを有していることから、複数の多数個取り配線基板３０を上下に積み重ねた場合に、下側の多数個取り配線基板３０における上面側の突起部７ａの外周縁と上側の多数個取り配線基板３０における下面側の突起部７ｂの内周縁とが互いに係止し合うこととなり、複数の多数個取り配線基板３０を互いにずれることなく、安定して積み重ねることができる。
【００２３】
図４（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板４０は、切断領域４における上面に図４（ａ）の縦方向に延びる帯状の突起部７ａを有するとともに、切断領域４における下面に図４（ａ）の横方向に延びる帯状の突起部７ｂを有している。このように、切断領域４の上面と下面とに互いに直角に交差する方向に延びる突起部７ａおよび７ｂを有することから、複数の多数個取り配線基板４０を上下に積み重ねた場合に、上下の多数個取り配線基板４０同士が多少ずれたとしても、上側の多数個取り配線基板４０における下面側の突起部７ｂと下側の多数個取り配線基板４０における上面側の突起部７ａとが互いに部分的に重なり合うことから、製品領域３の上下面を有効に保護することができるとともに、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するとともに、その電子素子をトランスファーモールド法により樹脂封止する際に突起部７ａおよび７ｂに沿ってモールド樹脂を良好に流動させることができる。
【００２４】
図５（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板５０は、切断領域４における交点部に十字形状の突起部７を有している。この場合、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するとともに、その電子素子をトランスファーモールド法により樹脂封止する際に隣接する突起部７同士の間から各製品領域３内にモールド樹脂を良好に流動させることができる。
【００２５】
図６（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板６０は、切断領域４における交点部を除く部位に帯状の突起部７を有している。この場合も、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するとともに、その電子素子をトランスファーモールド法により樹脂封止する際に隣接する突起部７同士の間から各製品領域３内にモールド樹脂を良好に流動させることができる。
【００２６】
図７（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板７０は、切断領域４における交点部のひとつおきに十字形状の突起部７を有している。この場合も、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するとともに、その電子素子をトランスファーモールド法により樹脂封止する際に隣接する突起部７同士の間から各製品領域３内にモールド樹脂を良好に流動させることができる。
【００２７】
図８（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板８０は、切断領域４に島状の突起部７を断続的に並べて有している。この場合も、各製品領域３に半導体集積回路素子等の電子素子を搭載するとともに、その電子素子をトランスファーモールド法により樹脂封止する際に隣接する突起部７同士の間から各製品領域３内にモールド樹脂を良好に流動させることができる。
【００２８】
図９（ａ），（ｂ）に示す例の多数個取り配線基板９０は、捨て代領域５に島状の突起部７を断続的に枠状に並べて有している。このように、捨て代領域５に島状の突起部７を断続的に枠状に並べて設けても良い。
【００２９】
図１０（ａ），（ｂ）に示す多数個取り配線基板１００は、切断領域４および捨て代領域５の他に、製品領域３の上面に半田バンプ６の全体を取り囲むようにして追加の突起部７ｃを有している。この場合、製品領域３の上面をさらに有効に保護することができる。
【００３０】
図１１（ａ），（ｂ）に示す多数個取り配線基板１１０は、製品領域３の上面に半田バンプ６の個々を別々に取り囲むようにして追加の突起部７ｃを有している。この場合、個々の半田バンプ６をより有効に保護することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１    絶縁基板
２    配線導体
３    製品領域
４    切断領域
５    捨て代領域
６    半田バンプ
７    突起部
【図１】
2010258389.tif 000003
【図２】
2010258389.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010258389.tif 000008
【図７】
2010258389.tif 000009
【図８】
2010258389.tif 000010
【図９】
2010258389.tif 000011
【図１０】
2010258389.tif 000012
【図１１】
2010258389.tif 000013