(57)【要約】【課題】エレクトロルミネッセンス素子が発光する際のエレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を減少させることなく、エレクトロルミネッセンス素子の劣化によるエレクトロルミネッセンス素子の輝度の低下を制御する技術を提供する。【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。【選択図】図４
2010044370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタを有し、
前記駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極は第２の電源に電気的に接続され、
前記第１の信号端子からの電位によって前記駆動トランジスタをオン状態にして、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光している期間において、前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差を前記第１のトランジスタを通して前記信号検出回路に送り、
前記信号検出回路で検出された電位差に基づき、第２の電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、蓄積容量を有し、
前記駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記蓄積容量の一方の電極及び前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記蓄積容量の他方の電極は前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極及び第２の電源に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記第１の信号端子からの電位によって前記駆動トランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光している期間において、前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を前記蓄積容量に蓄積させ、
前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオフ状態にし、
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を消光させ、
第３の信号端子からの電位によって前記第２のトランジスタをオン状態にし、前記蓄積容量に蓄積された電荷を前記第２のトランジスタを通して前記信号検出回路に送り、
前記信号検出回路で検出された電荷に基づき、前記第２の電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、蓄積容量を有し、
前記駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記蓄積容量の一方の電極及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記蓄積容量の他方の電極は前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極及び第２の電源に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１の電源に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記第１の信号端子からの電位によって駆動トランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光している期間において、前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を前記蓄積容量に蓄積させるとともに、前記第２のトランジスタのゲートに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極電位を印加して前記第２のトランジスタをオン状態にし、
前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオフ状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を前記蓄積容量で保持し、
前記第１の信号端子からの電位によって駆動トランジスタをオフ状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を消光させ、
前記電極電位に対応した信号電流を前記第２のトランジスタから前記信号検出回路に送り、前記信号検出回路で検出された電位に基づき、前記第２の電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、蓄積容量を有し、
前記駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源に接続され、ソース及びドレインの他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記蓄積容量の一方の電極及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記蓄積容量の他方の電極は前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極及び第２の電源に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１の電源に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記第１の信号端子からの電位によって前記駆動トランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光している期間において、前記第２の信号端子からの電圧によって前記第１のトランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を前記蓄積容量に蓄積させるとともに、前記第２のトランジスタのゲートに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極電位を印加して前記第２のトランジスタをオン状態にし、
前記第２の信号端子からの電位によって前記第１のトランジスタをオフ状態にし、エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を前記蓄積容量で保持し、
前記第１の信号端子からの電位によって駆動トランジスタをオフ状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を消光させ、
前記第３の信号端子からの電位によって前記第３のトランジスタをオン状態にし、前記電極電位に対応した信号電流を前記第２のトランジスタから前記第３のトランジスタを介して前記信号検出回路に送り、前記信号検出回路で検出された電位に基づき、前記第２の電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有し、
前記スイッチングトランジスタのゲートは前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は前記信号線に電気的に接続され、他方は前記駆動トランジスタのゲート及び前記第２の蓄積容量の一方の電極に電気的に接続され、
前記駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線及び前記第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、前記第１の蓄積容量の一方の電極及び前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１の蓄積容量の他方の電極は前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極及び電源に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記第１の走査線からの電位によって、前記スイッチングトランジスタ及び前記第１のトランジスタをオン状態にし、
前記信号線に印加された電位が前記第２の蓄積容量及び前記駆動トランジスタのゲートに印加され、駆動トランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記第１のトランジスタがオン状態の間に、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を第１の蓄積容量に蓄積し、
前記スイッチングトランジスタ及び前記第１のトランジスタをオフ状態にし、前記第１の蓄積容量に前記電荷を保持させ、
前記第２の走査線からの電位によって、前記第２のトランジスタをオン状態にして、前記第１の蓄積容量に蓄積された電荷を前記第２のトランジスタを通して前記信号検出回路に送り、
前記信号検出回路で検出された電荷に基づき、前記電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
駆動トランジスタ、エレクトロルミネッセンス素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有し、
前記スイッチングトランジスタのゲートは前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は前記信号線に電気的に接続され、他方は前記駆動トランジスタのゲート及び前記第２の蓄積容量の一方の電極に電気的に接続され、
前記駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線及び前記第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、前記第１の蓄積容量の一方の電極及び前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１の蓄積容量の他方の電極は前記エレクトロルミネッセンス素子の他方の電極及び電源に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線に電気的に接続され、他方は前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続され、
前記第１の走査線からの電位によって、前記スイッチングトランジスタ及び前記第１のトランジスタをオン状態にし、
前記信号線に印加された電位が前記第２の蓄積容量及び前記駆動トランジスタのゲートに印加され、駆動トランジスタをオン状態にし、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
前記第１のトランジスタがオン状態の間に、前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷が第１の蓄積容量に蓄積されるとともに、前記第３のトランジスタのゲートに前記エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極電位を印加して前記第３のトランジスタをオン状態にし、
前記スイッチングトランジスタ及び前記第１のトランジスタをオフ状態にし、第１の蓄積容量に前記電荷を保持させ、
前記第２の走査線からの電圧によって前記第２のトランジスタをオン状態にし、前記電極電位に対応する信号電流を前記第３のトランジスタから前記第２のトランジスタを介して前記信号検出回路に送り、前記信号検出回路で検出された電位に基づき、前記電源の電位を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記発光装置はアクティブマトリクス型であり、
前記第２のトランジスタ及び前記第２の走査線は画素の列毎または行毎に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記第１のトランジスタを前記第１の走査線ではなく、第３の走査線によって制御することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、
前記電荷から前記電位差を検出し、
前記検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は輝度劣化を補償する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）を用いた視野角、動画特性に優れた発光装置が開発されている。ＥＬ素子はそれ自身が光を放出する自発光素子であるが、輝度が経時劣化しやすいという問題がある。ＥＬ素子は劣化すると、一般にその抵抗が上昇する。このためＥＬ素子に一定の電圧を印加する条件下においては、ＥＬ素子の劣化にしたがってＥＬ素子に流れる電流が低下し、発光輝度が低下する。
【０００３】
図１は駆動トランジスタ（駆動Ｔｒ）１０１と、駆動Ｔｒ１０１に電気的に接続されたＥＬ素子１０２を示している。駆動Ｔｒ１０１のゲートは信号端子１０３と電気的に接続し、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子１０４と電気的に接続し、ソース及びドレインの他方はＥＬ素子１０２の一方の電極（アノード及びカソードの一方）と電気的に接続し、ＥＬ素子１０２の他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子１０５と電気的に接続している。第１の電源端子１０４には電源の高電位側の電位（或いは低電位側）が印加され、第２の電源端子１０５には電源の低電位側の電位（或いは高電位側）が印加される。駆動Ｔｒ１０１はＥＬ素子１０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子１０２の発光輝度を決定する。以下、駆動Ｔｒ１０１はＰ型Ｔｒであるとして説明するが、本発明はＰ型Ｔｒに限定されない。駆動Ｔｒ１０１はＮ型Ｔｒでもよい。
【０００４】
図２（Ａ）の曲線２０１はＰ型Ｔｒのソース−ドレイン間電流（Ｉｄｓ）とソース−ドレイン間電圧（Ｖｄｓ）特性を示している。曲線２０１は飽和領域２０２及び線形領域２０３を有している。Ｖｄｓと、ゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）からトランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）を引いた値が等しいとき、すなわちＶｄｓ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈを満たすＶｄｓ（これを飽和ドレイン電圧という）が線形領域２０３と飽和領域２０２との境界を与える。図２（Ａ）の破線２００はＶｇｓを変化させたとき、曲線２０１上の線形領域と飽和領域との境界を与える点が通る曲線を表す。言い換えれば、破線２００とＩｄｓ−Ｖｄｓ特性を表す曲線との交点が線形領域と飽和領域との境界点となる。
【０００５】
ＥＬ素子１０２をアナログ階調で駆動する場合は、駆動Ｔｒ１０１は飽和領域２０２で動作させることが多い。これは線形領域ではドレイン電流のゲート電圧依存性が小さいためドレイン電流を大きく変化させることが難しく、多階調表示でＥＬ素子を駆動させることが容易ではないためである。更に、線形領域２０３におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性が飽和領域２０２におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性と比べて大きいことに起因している。以下、これについて説明する。
【０００６】
図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＴｒ特性にＥＬ素子１０２の電流電圧曲線（Ｉ−Ｖ曲線）２０４を加えている。ＶｃｏｍはＥＬ素子１０２の基準電位を示している。曲線２０４と曲線２０１の交点２０６がＥＬ素子１０２の動作点となる。別言するとＥＬ素子には交点２０６に対応する電流Ｉｄｓが流れる。
【０００７】
ＥＬ素子１０２の劣化は、ＥＬ素子１０２の抵抗を大きくする。そしてＥＬ素子１０２の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ曲線）は曲線２０４から曲線２０５に変わる。これによりＥＬ素子１０２の動作点は交点２０６から交点２０７へと変化する。飽和領域２０２ではＩｄｓのＶｄｓ依存性が小さいため、ＥＬ素子が劣化してＩ−Ｖ曲線が曲線２０４から曲線２０５に変化し、動作点が交点２０６から交点２０７へと変化してもＥＬ素子１０２に流れる電流（Ｉｄｓ）は大きく変わらない。一方線形領域２０３ではＩｄｓのＶｄｓ依存性が大きいため、ＥＬ素子１０２が劣化するとＥＬ素子１０２に流れる電流（Ｉｄｓ）が大きく変化する。そのため飽和領域２０２でＥＬ素子１０２を駆動させるとＥＬ素子１０２が劣化しても輝度の劣化を認識しづらい。
【０００８】
しかしＥＬ素子１０２が大きく劣化した場合には、ＥＬ素子１０２のＩ−Ｖ曲線は曲線２０４から曲線２０８に変わり、ＥＬ素子１０２の動作点が交点２０６から交点２０９へと変化する。交点２０６は飽和領域２０２にあるが、交点２０９は線形領域２０３にあるためＥＬ素子１０２に流れる電流が大きく変化し、図中のΔＩだけ減少する。その結果ＥＬ素子の発光輝度が大きく変化する（図２（Ｂ））。
【０００９】
ＥＬ素子が劣化した場合におけるＥＬ素子の輝度を制御する技術として特許文献１、２がある。
【００１０】
特許文献１は、ＥＬ素子の劣化によってＥＬ素子の動作点が飽和領域から線形領域に移ることを抑える技術として、ＥＬ素子に互いに特性が異なる２つの駆動Ｔｒを接続し、ＥＬ素子の輝度に応じて、２つの駆動Ｔｒのいずれかを選択する手段を有する表示装置を開示している。高階調（高輝度）表示には電流供給能力の高い駆動Ｔｒを選択して駆動Ｔｒのゲート電圧を下げ、低階調（低輝度）表示には電流供給能力の低い駆動Ｔｒを選択している。
【００１１】
特許文献２は、複数のＥＬ素子の１つのＥＬ素子の端子間の電圧を検出し、検出された電圧に基づき、電源線に印加する電圧を変化させて複数のＥＬ素子の輝度を制御することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−３４１３６８
【特許文献２】特開２００６−４７６６８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献１が開示した技術では互いに電流供給能力の異なった駆動Ｔｒをそのサイズや構造により作り分けている。そのため駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されてしまう。その結果、ＥＬ素子の劣化が大きい場合には輝度の低下を抑えることができない。また駆動Ｔｒの信頼性を考慮すればＶｄｓは小さい方がよく、ＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であって線形領域に近い方がよい。しかし駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されているため、Ｖｄｓを小さくするために、ＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけるという柔軟な対応は困難である。つまりＥＬ素子の劣化を十分に考慮すればＥＬ素子の動作点は線形領域から大きく離す必要があり、結果としてＶｄｓが大きくなり、駆動Ｔｒが劣化しやすくなるという問題がある。駆動Ｔｒが劣化し、例えば閾値電圧が上昇すればＥＬ素子に流れる電流が低下し、それに伴ってＥＬ素子の輝度が低下する。
【００１４】
また特許文献２の開示した発明ではＥＬ素子が点灯しているときにＥＬ素子の端子間に流れる電流を検出するため、ＥＬ素子に流れる電流が大きく減少し輝度が低下する問題がある。
【００１５】
そこで本発明では駆動Ｔｒを劣化させることなく、ＥＬ素子点灯時にＥＬ素子に流れる電流を大きく減少させることなく、ＥＬ素子の輝度を制御する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述したように駆動Ｔｒの信頼性を考慮すれば、駆動Ｔｒに印加される電圧Ｖｄｓは小さい方がよい。従ってＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であって線形領域から余り離れない方がよい。しかしながらＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけると、ＥＬ素子が劣化する際にＥＬ素子の動作点が飽和領域から線形領域に移りやすくなる。
【００１７】
図３（Ａ）に示すように、ＥＬ素子が劣化しＥＬ素子の動作点が交点２０６から交点２０９に移ると、Ｔｒのソースとドレイン間に印加される電圧はΔＶｄｓ＝Ｖｄｓ−Ｖｄｓ’だけ低下し、一方、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。
【００１８】
ＥＬ素子の動作点をＥＬ素子が劣化する前の動作点に移すことができれば、ＥＬ素子に流れる電流が回復するため、ＥＬ素子の輝度をＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。その方法の一つは、ＥＬ素子の劣化前後のＥＬ素子に印加される電圧ＶＥＬ、ＶＥＬ’をモニターし、ＥＬ素子の電源電位（ＥＬ素子の基準電位となる）をその電位差ΔＶＥＬと同じ程度に負または正の方向に昇圧すればよい。たとえばＰ型Ｔｒを用いてＥＬ素子を駆動させる場合、ＥＬ素子の基準電位Ｖｃｏｍを負の方向にΔＶＥＬ以上に昇圧させる。これにより図３（Ａ）に示したＥＬ素子のＩ−Ｖ曲線を横軸の電圧に対して負の方向に平行移動させることができ、それに伴ってＥＬ素子の動作点も移動する。
【００１９】
図３（Ｂ）はＥＬ素子の基準電位を負に昇圧しＥＬ素子の劣化後の動作点を劣化前の飽和領域に戻した例を表す。ここでは、ＥＬ素子の電流電圧特性を表す曲線がＥＬ素子の劣化後の曲線２０８から曲線２１０に移動している。それに伴って、ＥＬ素子の動作点が線形領域の交点２０９から飽和領域の交点２１１に移動している。ＥＬ素子が劣化するとＥＬ素子のダイオード特性を表す曲線は単純に平行移動するわけではない。従って、基準電位をΔＶｃｏｍだけ昇圧しても劣化したＥＬ素子の動作点は劣化前の動作点には戻らない。しかし動作点を完全に元に戻す必要は無く、線形領域から飽和領域に戻せば十分である。これはＥＬ素子の動作点が飽和領域にあれば、その位置に関係なくＥＬ素子に流れる電流を概ね劣化前の値に戻すことができるからである。これは基準電位の変化量の許容範囲が広く、ＥＬ素子に流れる電流を制御し易いことを意味する。
【００２０】
ＥＬ素子に流れる電流を回復させる他の方法としては、駆動Ｔｒのゲート−ソース間の電圧を大きくすることでもＥＬ素子に流れる電流を劣化前の値に戻すことは可能である。しかしソース線電位を高くしてもＥＬ素子の動作点は線形領域のままであり、線形領域における駆動Ｔｒに流れるドレイン電流すなわちＥＬ素子に流れる電流はソースードレイン間の電圧に大きく依存するため、ソース線電位を調整してＥＬ素子に流れる電流を決めることは困難である。従って、ＥＬ素子の基準電位を昇圧する方がＥＬ素子に流れる電流を制御しやすい。
【００２１】
そこで劣化前後におけるＥＬ素子の電極間に印加される電位差を検出し、ＥＬ素子の基準電位を変化させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。
【００２２】
本発明の一態様の構成を以下に示す。
【００２３】
本発明の一態様は、ＥＬ素子の発光時に、ＥＬ素子の電極間に与えられる電位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積し、この電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準電位を変化させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積した後は、ＥＬ素子を消光させる。またはＥＬ素子の発光時の一部において、ＥＬ素子の電極間に印加される電位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。
【００２４】
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタを有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極（アノード及びカソードの一方）と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。ＥＬ素子の他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子に電気的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
第１の信号端子からの電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。第１のトランジスタはＥＬ素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差又は電流量を検出する。ＥＬ素子が発光している期間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を第１のトランジスタを通して信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。
【００２６】
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのゲートは第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
【００２７】
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させる。次に第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオフ状態にし、蓄積容量に蓄積された電荷を保持する。この状態から第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態にしＥＬ素子の発光を消光する。その後、第３の信号端子の電位によって第２のトランジスタをオン状態にすることで蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトランジスタを通して信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
【００２８】
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
【００２９】
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際に、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオフ状態とし、蓄積容量に蓄積された電荷を保持する。この状態から第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光を消光する。第２のトランジスタはＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
【００３０】
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第３のトランジスタのゲートは第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際に、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて検出器に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオフ状態とし、蓄積容量に電荷を保持させる。この状態から第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光を消光する。次に第３の信号端子の電位によって第３のトランジスタをオン状態としＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして信号検出回路で検出されたＥＬ素子の電極間の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのインピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
【００３２】
本発明の一態様のアクティブマトリクス回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する。スイッチングトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の蓄積容量の一方の電極に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は電源線及び第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側或いは低電位側に電気的に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側或いは高電位側に電気的に接続される。
【００３３】
第２のトランジスタ及び第２の走査線は画素毎に設ける必要はなく、画素の列毎または行毎に設けてもよい。
【００３４】
第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタをオン状態にすると、信号線の電位が第２の蓄積容量の一方の電極及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の蓄積容量は駆動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態になると、電源線電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態になる。第１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電荷を第１の蓄積容量に蓄積させる。次にスイッチングトランジスタ及び第１のトランジスタをオフ状態にし、第１の蓄積容量に電荷を保持させる。次に第２の走査線の電位によって第２のトランジスタをオン状態にし、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトランジスタを通して信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子の一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のトランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。
【００３５】
スイッチングトランジスタと第１のトランジスタを第１の走査線によって制御しているが、異なる走査線で制御してもよい。
【００３６】
本発明の一態様のアクティブマトリクス回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する。スイッチングトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の蓄積容量の一方の電極に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は電源線及び第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量の一方の電極及び第３のトランジスタのゲートに電気的に接続される。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続される。第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は電源線に電気的に接続され、他方は第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第２のトランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側または低電位側に電気的に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側または高電位側に電気的に接続される。
【００３７】
第２のトランジスタ及び第２の走査線は画素毎に設ける必要はなく、画素の列毎または行毎に設けてもよい。
【００３８】
第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタをオン状態にすると、信号線の電位が第２の蓄積容量及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の蓄積容量は駆動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態になると、電源線の電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態になる。第１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電荷が第１の蓄積容量に蓄積されるとともに第３のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位が印加され第３のトランジスタがオン状態になる。この場合、第３のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位差を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタと第１のトランジスタをオフ状態にし第１の蓄積容量に電荷を保持させる。次に第２の走査線の電位によって第３のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のトランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのインピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
【００３９】
スイッチングトランジスタと第１のトランジスタを第１の走査線によって制御しているが、異なる走査線で制御してもよい。
【００４０】
駆動トランジスタ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、スイッチングトランジスタの極性はＮ型でもＰ型でもよい。
【発明の効果】
【００４１】
本発明の一態様はＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正するために、ＥＬ素子発光期間においてＥＬ素子の電極間の電位差を検出し、この電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積し、この電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準電位を変化させる。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積した後は、ＥＬ素子を消光させてもよい。またはＥＬ素子の発光期間の一部において、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。これによりＥＬ素子に流れる電流の低下による輝度の低下を防ぐことができる。線形領域にある駆動Ｔｒの動作点を飽和領域にすることができる。更に、飽和領域で動作させる駆動Ｔｒの動作点を線形領域に近づけることができ、駆動Ｔｒに印加する電圧を低減し駆動Ｔｒの特性の劣化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ＥＬ素子の回路図。
【図２】特性曲線図。
【図３】特性曲線図。
【図４】本発明の実施の形態１における発光装置の回路図。
【図５】本発明の実施の形態１におけるタイミングチャート図。
【図６】本発明の実施の形態１におけるタイミングチャート図。
【図７】本発明の実施の形態２における発光装置の回路図。
【図８】本発明の実施の形態２におけるタイミングチャート図。
【図９】本発明の実施の形態３における発光装置の回路図。
【図１０】本発明の実施の形態３におけるタイミングチャート図。
【図１１】本発明の実施の形態３における発光装置の回路図。
【図１２】本発明の実施の形態４における発光装置の回路図。
【図１３】本発明の実施の形態４における発光装置の回路図。
【図１４】本発明の実施の形態５における発光装置の回路図。
【図１５】本発明の実施の形態６における発光装置の断面図。
【図１６】本発明の実施の形態７における電子機器の一例を示す図。
【図１７】本発明の実施の形態７における電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下に、本発明の一態様の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４４】
（実施の形態１）
図４（Ａ）は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、第１のトランジスタ（ＳＷ−１Ｔｒ）５０１を示している。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極（アノード及びカソードの一方）及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方は信号検出回路（ｓｉｇｎａｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ）に電気的に接続している。ＥＬ素子４０２の他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子４０５と電気的に接続している。
【００４５】
駆動Ｔｒ４０１はＥＬ素子４０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子４０２の発光輝度を決定する。第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が印加され、第２の電源端子４０５には基準電位（Ｖｃｏｍ）が印加される。
【００４６】
ＳＷ−１Ｔｒ５０１はＥＬ素子４０２の一方の電極電位を信号検出回路に送る際のスイッチとして働く。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にすると、ＳＷ−１Ｔｒ５０１を通してＥＬ素子４０２の一方の電極（アノード及びカソードの一方）電位が信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送られる。これによりＥＬ素子４０２の両電極間の電位差を検出することができる。検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子４０２の他方の電極に接続された第２の電源端子４０５の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。
【００４７】
図５に示すタイミングチャートを使って図４（Ａ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大きいと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子の一方の電極に与えられ、ＥＬ素子に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電位差である電圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
【００４８】
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１がオン状態となり、ＥＬ素子４０２の電極間にＶＥＬの電位を与えＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。ＳＷ−１Ｔｒ５０１はＥＬ素子４０２が発光している期間の一部でのみオン状態とする。なおＳＷ−１Ｔｒ５０１のオン／オフ状態は第２の信号端子４０６の電位Ｖｇ２を変えることで切り替えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−１Ｔｒ５０１のしきい電圧よりも大きければＳＷ−１Ｔｒ５０１はオン状態となり、小さければオフ状態となる。駆動Ｔｒ４０１がオン状態になりＥＬ素子４０２が発光している間にＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にすればよい。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧を検出してΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ  ＞  ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域にすることができる。図５にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
【００４９】
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行うことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
【００５０】
本回路は駆動Ｔｒ４０１がオンの状態、すなわちＥＬ素子４０２が発光している期間の一部においてＥＬ素子４０２に印加される電圧を検出することができる。よってＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなくＥＬ素子に印加される電圧を検出することができる。
【００５１】
図４（Ａ）の回路では、ＳＷ−１Ｔｒがオン状態になっている間のみＥＬ素子の電極間の電位差を検出している。しかし電極間の電位差に相当する電荷を一旦、蓄積容量（Ｃｓ）に蓄積し、その後蓄積された電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送信してもよい（図４（Ｂ））。
【００５２】
図４（Ｂ）は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、第２のトランジスタ（ＳＷ−２Ｔｒ）５０２、蓄積容量（Ｃｓ）５０３を示している。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。Ｃｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の電極及び第２の電源端子４０５と電気的に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７と電気的に接続し、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
【００５３】
Ｃｓ５０３はＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に応じた電荷を蓄積する。そしてＳＷ−１Ｔｒ５０１はＣｓ５０３に電荷を供給する際のスイッチとして働く。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態にする）と、ＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積される。次に第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態とし蓄積容量Ｃｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においても、第３の信号端子４０７の電位によって、ＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光しているときにＳＷ−１Ｔｒ５０１とＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかしその電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
【００５４】
図６に示すタイミングチャートを用いて図４（Ｂ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大きいと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子４０２の一方の電極に与えられ、ＥＬ素子４０２に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電位差である電圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
【００５５】
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオン状態とし、ＥＬ素子４０２の電極間にＶＥＬの電位を与えて発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。その結果、ＥＬ素子４０２に印加される電位差に応じた電荷がＣｓ５０３に蓄積される。Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態にしてＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。
【００５６】
次に第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオフ状態としＥＬ素子４０２を消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にする。これによりＣｓ５０３に蓄えられた電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４０７の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ  ＞  ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域にすることができる。図６にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
【００５７】
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行うことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
【００５８】
駆動Ｔｒ４０１、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２の極性はＮ型でもＰ型でもよい。
【００５９】
本回路はＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなくＥＬ素子の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
【００６０】
（実施の形態２）
図４（Ｂ）の回路ではＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７に電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極がＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方に電気的に接続している。しかしこの回路に限定されない。第３の信号端子４０７は設けずにＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極がＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに電気的に接続される構成としてＥＬ素子の電極間の電位差に相当する信号を信号検出回路に送ってもよい（図７（Ａ））。
【００６１】
図７（Ａ）の回路は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２、Ｃｓ５０３から構成される。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートと電気的に接続している。Ｃｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の電極及び第２の電源端子４０５と電気的に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
【００６２】
駆動Ｔｒ４０１及びＳＷ−１Ｔｒ５０１の機能及び動作は実施の形態１と同じである。第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が与えられ、第２の電源端子４０５には基準電位（Ｖｃｏｍ）が与えられる。
【００６３】
駆動Ｔｒ４０１がオン状態、ＥＬ素子４０２が発光している間に、第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられてＳＷ−２Ｔｒ５０２が選択される。これによりＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。この際に、ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出されたＥＬ素子４０２の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働きＣｓ５０３に電荷が蓄積された後にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすることでＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子の一方の電極電位をＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、ＥＬ素子に電流が流れない状態でもＥＬ素子４０２の電極間の電位差を検出しＥＬ素子４０２の劣化による輝度の低下を補正することができる。
【００６４】
本回路は、実施の形態１と同様に、ＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることがない。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域にすることができる。
【００６５】
図７（Ａ）の回路に新たに第３のトランジスタ（ＳＷ−３Ｔｒ）５０４を設けてもよい（図７（Ｂ））。ＳＷ−３Ｔｒ５０４により複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ素子の電極電位を個々に信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
【００６６】
図７（Ｂ）の回路は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２、ＳＷ−３Ｔｒ５０４、Ｃｓ５０３から構成される。図７（Ａ）ではＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方が信号検出回路に電気的に接続されているが、図７（Ｂ）では、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と信号検出回路との間にＳＷ−３Ｔｒ５０４が挿入されている。ＳＷ−３Ｔｒ５０４のソース及びドレインの一方はＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と電気的に接続され、ＳＷ−３Ｔｒ５０４のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。ＳＷ−３Ｔｒ５０４のゲートは第３の信号端子４１０に電気的に接続されている。
【００６７】
駆動Ｔｒ４０１がオン状態、ＥＬ素子４０２が発光している間に、第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられる。そして第３の信号端子４１０の電位によってＳＷ−３Ｔｒ５０４を選択することでＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができる。この際に、ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出されたＥＬ素子４０２の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすることでＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子の一方の電極電位をＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、Ｃｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位をＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態とすることで適宜信号検出回路に送ることができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＥＬ素子４０２の電極間の電位差を検出しＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。
【００６８】
第３の信号端子４１０の電位によってＳＷ−３Ｔｒ５０４を選択することにより、Ｃｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができる。そのため複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ素子の一方の電極電位を個々に信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
【００６９】
図８に示すタイミングチャートを用いて図７（Ｂ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大きいと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄとＥＬ素子に接続する第２の電源端子との電位差がＥＬ素子に電圧（ＶＥＬ）として印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
【００７０】
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオン状態とし、ＥＬ素子４０２の電極間にＶＥＬの電位差を与えることでＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２に印加される電位差に応じた電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が印加され、ＳＷ−２Ｔｒ５０２がオン状態となる。Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態にしてＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。
【００７１】
次に第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオフ状態としＥＬ素子４０２を消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４１０の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域にすることができる。図８にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
【００７２】
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行うことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
【００７３】
駆動Ｔｒ４０１、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２、ＳＷ−３Ｔｒ５０４の極性はＮ型でもＰ型でもよい。
【００７４】
本回路はＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることがない。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。またＳＷ−３Ｔｒ５０４を設けることにより、複数のＥＬ素子がある場合、個々のＥＬ素子に印加される電圧を個々に検出することができ、複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
【００７５】
（実施の形態３）
本発明を複数の画素を有し、各画素にＥＬ素子が配置されているアクティブマトリクス表示装置に適用した場合を説明する。
【００７６】
図９の回路は、駆動Ｔｒ６０１、ＥＬ素子６０２、ＳＷ−１Ｔｒ６０４、ＳＷ−２Ｔｒ６０６、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、第４のトランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７、第２の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が与えられている。電源端子６０３は低電位側の電位（基準電位）が与えられ、その電位はＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
【００７７】
ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソース及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子６０２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続されている。第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端子６０３に電気的に接続されている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
【００７８】
破線で囲んだ回路内のＳＷ−２Ｔｒ６０６は第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄えられた電荷を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりある画素のＥＬ素子の両電極間に印加される電位差を検出することができる。検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の基準電位を調整すればＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。尚、破線で囲んだ回路は画素毎に設ける必要はなく、列毎または行毎に設定すればよい。
【００７９】
図１０に示す１フレーム期間におけるタイミングチャートを用いて図９の回路の動作を説明する。ＳＷ−４Ｔｒ６０７は信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８に入力するスイッチとして機能する。そして駆動Ｔｒ６０１はＥＬ素子６０２に電流を供給するスイッチとして機能する。Ｖｇ１は第１の走査線６１０の電位を表し、Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７のしきい値電圧より大きい場合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオン状態となり信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１のゲートに与える（信号の書き込み）。このとき同時に第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の電極にも信号線６０９の電位が与えられる。第２の蓄積容量Ｃｓ６０８は駆動Ｔｒ６０１のゲート電位を保持する。駆動Ｔｒ６０１のゲートとソース間またはゲートとドレイン間の寄生容量が大きい場合には第２の蓄積容量Ｃｓ６０８は設けなくてもよい。Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７の閾値電圧より小さい場合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオフ状態となり信号線６０９の電位（Ｖｓｉｇ）は駆動Ｔｒ６０１のゲートには与えられない。このときは第２の蓄積容量Ｃｓ６０８に保持された電位が駆動Ｔｒ６０１のゲートに印加される（信号の保持）。
【００８０】
信号線６０９の電位が駆動Ｔｒ６０１のしきい値電圧よりも大きい場合、駆動Ｔｒ６０１はオン状態となって、電源線６１１の電位がＥＬ素子６０２の一方の電極に与えられる。その結果、ＥＬ素子が発光する。一方、信号線６０９の電位が駆動Ｔｒ６０１のしきい値電圧よりも小さい場合、駆動Ｔｒ６０１はオフ状態となって電源線６１１の電位はＥＬ素子６０２には印加されず、ＥＬ素子６０２は発光しない。
【００８１】
ＳＷ−１Ｔｒ６０４はＳＷ−４Ｔｒ６０７と同期して動作させるものとし、ＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６０７は互いに同じ導電型（Ｎ型またはＰ型）のトランジスタとする。従って、ＳＷ−４Ｔｒ６０７がオン状態のときＳＷ−１Ｔｒ６０４もオン状態となり、このときＥＬ素子６０２に印加される電位差に応じた電荷が第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積される。
【００８２】
保持期間では第１の走査線６１０の電位によってＳＷ−４Ｔｒ６０７およびＳＷ−１Ｔｒ６０４をオフ状態とする。このとき破線で囲んだ回路の、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に接続されたＳＷ−２Ｔｒ６０６がオフ状態にあれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷は保持される。すなわち、先の書き込み時においてＥＬ素子６０２に印加された電位が第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に保持される。そして保持期間内でＳＷ−２Ｔｒ６０６をオン状態とすれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ６０１の動作点を飽和領域にすることができる。図１０にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
【００８３】
ＳＷ−２Ｔｒ６０６のオン／オフ状態は第２の走査線６１２の電位Ｖｇ２を変えることで切り替えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−２Ｔｒ６０６のしきい値電圧よりも大きい場合、ＳＷ−２Ｔｒ６０６はオン状態となり、小さい場合、オフ状態となる。この回路構成とすることで保持期間においてＥＬ素子６０２に印加される電圧を検出することができるため、ＥＬ素子６０２に流れる電流またはＥＬ素子６０２の発光輝度を低下させることなくＥＬ素子６０２の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
【００８４】
ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートとＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線に接続して制御していたが、異なる走査線で制御してもよい（図１１）。
【００８５】
図１１の回路は、ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートを第３の走査線６１３に電気的に接続して制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御する。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光している期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
【００８６】
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行うことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
【００８７】
（実施の形態４）
実施の形態３の回路では、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を、第２のトランジスタを通して、信号電流または信号電位として信号検出回路に送っている。この第１の蓄積容量に保持された電位を第３のトランジスタを介して信号検出回路に送ってもよい（図１２）。
【００８８】
図１２の回路は、駆動Ｔｒ６０１、ＥＬ素子６０２、ＳＷ−１Ｔｒ６０４、ＳＷ−２Ｔｒ６０６、ＳＷ−３Ｔｒ６１４、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、ＳＷ−４Ｔｒ６０７、第２の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が与えられている。６０３は電源端子を表し、電源の低電位側の電位（基準電位）が与えられ、その電位はＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
【００８９】
ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソース及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方及びＥＬ素子６０２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の一方の電極及びＳＷ−３Ｔｒ６１４のゲートに電気的に接続されている。第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端子６０３に電気的に接続されている。ＳＷ−３Ｔｒ６１４のソース及びドレインの一方は電源線６１１に電気的に接続され、他方はＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続されている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
【００９０】
図１２の回路には、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の一方の電極電位またはＥＬ素子６０２の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをするＳＷ−３Ｔｒ６１４が設けられている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４がオン状態のとき、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５にＥＬ素子６０２の電位差に応じた電荷が蓄積される。そしてＳＷ−３Ｔｒ６１４のゲートにもＥＬ素子６０２の一方の電極の電位が与えられる。次に第１の走査線６１０の電位によって第１のトランジスタ６０４をオフ状態とする。すなわち保持期間にする。これにより第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を保持することができる。
【００９１】
次にＳＷ−２Ｔｒ６０６をオン状態にすれば保持期間において第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができるためＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなく、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子６０２に接続された電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
【００９２】
なお、図９の回路の信号検出回路側に各画素に共通のＳＷ−３Ｔｒ６１４と同様な機能を持つ回路を設けてもよいが、画素毎に信号を増幅してから信号検出回路に送った方が信号のノイズを小さくすることができる。
【００９３】
ＳＷ−３Ｔｒ６１４の導電型は、電源線６１１の電位が正のときはＮ型とし、電源線６１１の電位が負のときはＰ型とする。これによりＳＷ−３Ｔｒ６１４を増幅用のソースフォロワとして用いることができる。
【００９４】
図１２の回路ではＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートとＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線に電気的に接続して制御しているが、異なる走査線で制御してもよい（図１３）。
【００９５】
図１３の回路は、ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートを第３の走査線６１３に電気的に接続して制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御する。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光している期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
【００９６】
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行うことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
【００９７】
（実施の形態５）
図９に示した回路を用いたアクティブマトリクス回路を図１４に示す。スイッチングトランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７を選択する第１の走査線駆動回路６５２、信号線６０９の電位を制御する信号線駆動回路６５１、ＳＷ−２Ｔｒ６０６を選択する第２の走査線駆動回路６５３、電源回路６５０、信号検出回路６５４を有する。信号検出回路６５４は、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子６０２に接続された第２の電源線６５５の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。この回路では複数のＥＬ素子の第２の電源端子を第２の電源線６５５に接続し共通化している。したがって図１４は行毎に電源線電位を変えることが可能な回路の例である。点線は一つの画素を示している。
【００９８】
複数の画素に図９の回路を組み込み、その画素から適宜ＥＬ素子６０２の電位差を検出し、第２の電源線６５５の電位、すなわちＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整する。なお電源線６１１の設け方はこれに限らず、行毎に共通化してもよいし、複数の電源線を共通にしてもよい。ＥＬ素子の電位差を検出する図９、１０、１１、１２または１３のような回路をマトリクス内に複数個設けることで複数のＥＬ素子の電位差の分布を検出することができる。電位差を考慮し、複数のＥＬ素子それぞれの基準電位を調整することでパネル面内の輝度のばらつきを補償することができる。
【００９９】
ＥＬ素子の電位差を検出する図９、１０、１１、１２または１３のような回路を全画素に設けてもよい。
【０１００】
検出された電位差に基づいてＥＬ素子の基準電位を補正するが、補正値は最も劣化したＥＬ素子の値に合わせて決めてもよい。また複数のＥＬ素子の補正値から平均値を求め、その平均値に基づいて、各ＥＬ素子の基準電位を補正してもよい。最も劣化したＥＬ素子の補正値に合わせる場合は確実に全画素のＥＬ素子の駆動を飽和領域に戻すことができるが消費電力は大きくなる。一方、複数のＥＬ素子の補正値の平均値で全画素の補正値を決める場合には全画素のＥＬ素子の駆動を全ては飽和領域に戻すことはできないが消費電力の上昇は抑えられる。基準電位を補正する値はパネルの表示に要求される規格に応じて決めればよい。
【０１０１】
本発明のＥＬ素子の駆動電圧を補償する回路を用いれば、ＥＬ素子の劣化により移動した駆動動作点を劣化前の動作点に戻すことができるためＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補償することができる。さらに飽和領域にあるＥＬ素子の動作点をできるだけ線形領域に近づけることができる。これにより駆動トランジスタに印加されるソースとドレイン間の電圧が低減され、駆動トランジスタの信頼性をも向上させることができる。またＥＬ素子の発光輝度を保持することができる。
【０１０２】
本発明は表示画素内や表示画素周囲にＥＬ素子をモニターする画素を設ける場合とは異なる。よって表示に寄与しない画素を設ける必要がない。また表示に寄与しない画素ではなく、表示に寄与する画素に基づいて補正するため高精度なＥＬ素子の輝度補正が可能である。
【０１０３】
（実施の形態６）
本発明の発光装置の断面図を図１５に示す。代表して、第１のトランジスタ７００、蓄積容量７０１、ＥＬ素子７０２を示している。
【０１０４】
図１５では、トップゲート型の薄膜トランジスタを示しているが、駆動トランジスタ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタにはボトムゲート型またはトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることができる。
【０１０５】
ＴＦＴの半導体層７０３にはＳｉのような半導体、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓのような化合物半導体、ＺｎＯなどの酸化物半導体、といった無機半導体を用いることができる。無機半導体はアモルファス、微結晶、結晶または単結晶のいずれであってもよい。またペンタセン、オリゴチオフェン等の有機半導体を用いてもよい。半導体層７０３はＣＶＤ法、スパッタ法等で形成する。またアモルファス状態の半導体膜を結晶化する場合はレーザー結晶化方法、熱結晶化方法等を用いることができる。
【０１０６】
ＴＦＴはＮ型又はＰ型のＴＦＴのどちらでもよい。不純物領域７０４はＮ型又はＰ型の不純物領域である。不純物の添加はイオンドープ法等を用いることができる。
【０１０７】
ゲート絶縁膜７０５は、酸化珪素膜（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸バリウム膜（ＢａＴｉＯ３）などの絶縁膜を用いることができる。またハフニウム系酸化窒化珪素膜（ＨｆＳｉＯＮ）、イットリウム酸化膜（Ｙ２Ｏ３）などの高誘電率絶縁膜を用いてもよい。ゲート絶縁膜７０５は熱酸化、プラズマ酸化、ＣＶＤ法、スパッタ法を用いて形成できる。
【０１０８】
ゲート電極７０６、ソース電極７０７またはドレイン電極７０７等の電極、走査線、信号線等の配線はタングステン、アルミニウム、チタン、タンタル等の単層膜およびそれらの組み合わせによる多層膜を用いることができる。電極、配線はスパッタ法で金属膜を形成し、エッチングにより金属膜を加工して形成できる。また銀、金等のメタルナノペーストを液滴吐出法により形成することもできる。
【０１０９】
蓄積容量７０１はＴＦＴと同じＮ型又はＰ型の不純物が添加された半導体層を一方の電極７０８、ゲート電極と同じ層で形成された電極を他方の電極７０９、ゲート絶縁膜７０５によって形成することができる。蓄積容量７０１の他方の電極７０９はＥＬ素子の他方の電極７１３に電気的に接続されている（図示しない）。
【０１１０】
ＴＦＴ、蓄積容量を覆う絶縁膜７１０としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜等の無機絶縁膜、アクリル樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜はＣＶＤ法、スパッタ法にて形成でき、有機絶縁膜はスピンコート法にて形成できる。
【０１１１】
ＥＬ素子７０２は一方の電極７１１、発光層７１２、他方の電極７１３を有する。有機ＥＬ又は無機ＥＬを用いることができる。
【０１１２】
有機ＥＬの場合、蛍光発光の材料、燐光発光の材料を用いることができる。発光材料は低分子材料または高分子材料を用いることができる。
【０１１３】
発光層７１２は必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を設ける。発光材料をホスト材料中にドープして用いることもできる。
【０１１４】
無機ＥＬの場合、ＺｎＯ，ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳなどの半導体を用いることができる。
【０１１５】
発光層は蒸着法、スピンコート法、液滴吐出法等により形成する。
【０１１６】
電極７１１、７１３はＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の金属膜や透明導電膜を用いることができる。またはそれらの単層膜およびそれらの組み合わせによる多層膜を使うことができる。スパッタ法、蒸着法等により形成する。
【０１１７】
隔壁７１４を絶縁膜で形成してもよい。
【０１１８】
基板７１５はガラス、プラスチック、ペーパー等を使うことができる。
【０１１９】
（実施の形態７）
本発明の発光装置には様々な用途がある。本実施例では、本発明の適用が可能な電子機器の例について説明する。
【０１２０】
このような電子機器には、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる。それらの一例を図１６に示す。
【０１２１】
図１６（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体３３０１、支持台３３０２、表示部３３０３等を含む。本発明の発光装置は表示部３３０３にて用いることが出来る。
【０１２２】
図１６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３３１１、表示部３３１２、音声入力部３３１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の発光装置は表示部３３１２にて用いることが出来る。
【０１２３】
図１６（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体３３２１、筐体３３２２、表示部３３２３、キーボード３３２４等を含む。本発明の発光装置は表示部３３２３にて用いることが出来る。
【０１２４】
図１６（Ｄ）は携帯情報端末であり、本体３３３１、スタイラス３３３２、表示部３３３３、操作ボタン３３３４、外部インターフェイス３３３５等を含む。本発明の発光装置は表示部３３３３にて用いることが出来る。
【０１２５】
図１６（Ｅ）は携帯電話であり、本体３４０１、音声出力部３４０２、音声入力部３４０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の発光装置は表示部３４０４にて用いることが出来る。
【０１２６】
図１６（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体３５０１、表示部（Ａ）３５０２、接眼部３５０３、操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテリー３５０６を含む。本発明の発光装置は、表示部（Ａ）３５０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出来る。
【０１２７】
図１７は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、本発明に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。
【０１２８】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１０１  駆動トランジスタ
１０２  ＥＬ素子
１０３  信号端子
１０４  第１の電源端子
１０５  第２の電源端子
２００  破線
２０１  曲線
２０２  飽和領域
２０３  線形領域
２０４  曲線
２０５  曲線
２０６  交点
２０７  交点
２０８  曲線
２０９  交点
２１０  曲線
２１１  交点
４０１  駆動トランジスタ
４０２  ＥＬ素子
４０３  第１の信号端子
４０４  第１の電源端子
４０５  第２の電源端子
４０６  第２の信号端子
４０７  第３の信号端子
４１０  第３の信号端子
５０１  第１のトランジスタ
５０２  第２のトランジスタ
５０３  蓄積容量
５０４  第３のトランジスタ
６０１  駆動トランジスタ
６０２  ＥＬ素子
６０３  電源端子
６０４  第１のトランジスタ
６０５  第１の蓄積容量Ｃｓ
６０６  第２のトランジスタ
６０７  第４のトランジスタ（スイッチングトランジスタ）
６０８  第２の蓄積容量Ｃｓ
６０９  信号線
６１０  第１の走査線
６１１  電源線
６１２  第２の走査線
６１３  第３の走査線
６１４  第３のトランジスタ
６５０  電源回路
６５１  信号線駆動回路
６５２  第１の走査線駆動回路
６５３  第２の走査線駆動回路
６５４  信号検出回路
６５５  第２の電源線
７００  第１のトランジスタ
７０１  蓄積容量
７０２  ＥＬ素子
７０３  半導体層
７０４  不純物領域
７０５  ゲート絶縁膜
７０６  ゲート電極
７０７  電極
７０８  電極
７０９  電極
７１０  有機絶縁膜
７１１  電極
７１２  発光層
７１３  電極
７１４  隔壁
７１５  基板
７２０  無機絶縁膜
７２１  有機絶縁膜
３００１  照明装置
３００２  テレビ装置
３３０１  筐体
３３０２  支持台
３３０３  表示部
３３１１  本体
３３１２  表示部
３３１３  音声入力部
３３１４  操作スイッチ
３３１５  バッテリー
３３１６  受像部
３３２１  本体
３３２２  筐体
３３２３  表示部
３３２４  キーボード
３３３１  本体
３３３２  スタイラス
３３３３  表示部
３３３４  操作ボタン
３３３５  外部インターフェイス
３４０１  本体
３４０２  音声出力部
３４０３  音声入力部
３４０４  表示部
３４０５  操作スイッチ
３４０６  アンテナ
３５０１  本体
３５０２  表示部（Ａ）
３５０３  接眼部
３５０４  操作スイッチ
３５０５  表示部（Ｂ）
３５０６  バッテリー
【図１】
2010044370.tif 000003
【図２】
2010044370.tif 000004
【図３】
2010044370.tif 000005
【図４】
2010044370.tif 000006
【図５】
2010044370.tif 000007
【図６】
2010044370.tif 000008
【図７】
2010044370.tif 000009
【図８】
2010044370.tif 000010
【図９】
2010044370.tif 000011
【図１０】
2010044370.tif 000012
【図１１】
2010044370.tif 000013
【図１２】
2010044370.tif 000014
【図１３】
2010044370.tif 000015
【図１４】
2010044370.tif 000016
【図１５】
2010044370.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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