(57)【要約】【課題】描画データのデータ処理を効率的に並列処理し総処理時間を短縮する。【解決手段】ステージ10a2aに載置された試料Mに対し荷電粒子ビーム10a2bを照射しパターンを試料M上に描画する荷電粒子ビーム描画装置において、仮想チップCP1'に含まれるチップCPA中の図形に基づくデータ処理をデータ並列処理部10b1b1によって開始し、仮想チップCP1'に含まれるチップCPC中の図形に基づくデータ処理をデータ並列処理部10b1b2によって開始し、仮想チップCP1'に含まれるすべてのチップCPA,CPC,CPE,CPHのデータ処理開始後に、仮想チップCP2'に含まれるチップCPB中の図形に基づくデータ処理をデータ並列処理部10b1b6によって開始し、仮想チップCP1'に含まれるすべてのチップCPA,CPC,CPE,CPHのデータ処理が終了した後に、仮想チップCP1'に含まれる全図形に基づくデータ処理をデータ並列処理部10b1b5によって開始する。【選択図】図１
2010267907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法において、
少なくとも第１仮想チップと第２仮想チップとが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが第１仮想チップに含まれており、少なくとも第３チップが第２仮想チップに含まれている描画データが荷電粒子ビーム描画装置に入力される場合に、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくデータ処理を第１データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくデータ処理を第２データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が開始された後に、第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づくデータ処理を第３データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第１仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理を第４データ並列処理部によって開始し、次いで、
第２仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第２仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理を第５データ並列処理部によって開始することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
【請求項２】
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを第１データ並列処理部によって実行し、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部による処理と並列して、第２データ並列処理部によって実行し、
第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づく処理を、第１データ並列処理部および第２データ並列処理部による処理と並列して、第３データ並列処理部によって実行し、
第１仮想チップに含まれている全図形に基づく第１仮想チップ全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第３データ並列処理部による処理と並列して、第４データ並列処理部によって実行し、
第２仮想チップに含まれている全図形に基づく第２仮想チップ全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第４データ並列処理部による処理と並列して、第５データ並列処理部によって実行することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
【請求項３】
チップ階層よりも下位であって図形階層よりも上位のフレーム階層が設けられており、複数のフレームが少なくとも第１チップと第２チップと第３チップとのそれぞれに含まれている場合に、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部によって、第１チップに含まれている複数のフレームのそれぞれについて実行する工程と、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の全図形に基づく第１チップ全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部によって実行する工程と、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第２データ並列処理部によって、第２チップに含まれている複数のフレームのそれぞれについて実行する工程と、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の全図形に基づく第２チップ全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第２データ並列処理部によって実行する工程と、
第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第３データ並列処理部によって、第３チップに含まれている複数のフレームのそれぞれについて実行する工程と、
第２仮想チップに含まれている第３チップ中の全図形に基づく第３チップ全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第３データ並列処理部によって実行する工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
【請求項４】
可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する描画部と、
仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な入力部と、
少なくとも第１仮想チップと第２仮想チップとが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが第１仮想チップに含まれており、少なくとも第３チップが第２仮想チップに含まれている描画データが入力部に入力された場合に、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくデータ処理を実行する第１データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくデータ処理を実行する第２データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が開始された後に、第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づくデータ処理の実行を開始する第３データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第１仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理の実行を開始する第４データ並列処理部と、
第２仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第２仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理の実行を開始する第５データ並列処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記第１データ並列処理部が、フォーマット検査部と、ショット密度計算部と、パターン面積密度計算部とを具備し、
前記第２データ並列処理部が、フォーマット検査部と、ショット密度計算部と、パターン面積密度計算部とを具備し、
前記第３データ並列処理部が、フォーマット検査部と、ショット密度計算部と、パターン面積密度計算部とを具備し、
前記第４データ並列処理部が、ショット密度計算部と、パターン面積密度計算部とを具備し、
前記第５データ並列処理部が、ショット密度計算部と、パターン面積密度計算部とを具備することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００９−１００７７号公報の図１）に記載されたものがある。
【０００３】
特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、制御ユニットに入力された描画データが、複数のデータ処理部（データ処理回路）によって並列処理されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１００７７号公報の図１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１には、制御ユニットに入力された描画データが、複数のデータ処理部（データ処理回路）のそれぞれにどのように分配され、どのような順序で各データ処理部（データ処理回路）によってデータ処理されるかについて記載されていない。
【０００６】
特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のように描画データのデータ処理の並列処理が採用されていても、複数のデータ処理部に対する描画データの分配のされ方、各データ処理部における描画データのデータ処理順序などによっては、描画データのデータ処理の効率的な並列処理を行うことができない場合がある。
【０００７】
上述した問題点に鑑み、本発明は、描画データのデータ処理を効率的に並列処理することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法において、
少なくとも第１仮想チップと第２仮想チップとが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが第１仮想チップに含まれており、少なくとも第３チップが第２仮想チップに含まれている描画データが荷電粒子ビーム描画装置に入力される場合に、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくデータ処理を第１データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくデータ処理を第２データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が開始された後に、第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づくデータ処理を第３データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第１仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理を第４データ並列処理部によって開始し、次いで、
第２仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第２仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理を第５データ並列処理部によって開始することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の別の一態様によれば、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する描画部と、
仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な入力部と、
少なくとも第１仮想チップと第２仮想チップとが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが第１仮想チップに含まれており、少なくとも第３チップが第２仮想チップに含まれている描画データが入力部に入力された場合に、
第１仮想チップに含まれている第１チップ中の図形に基づくデータ処理を実行する第１データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれている第２チップ中の図形に基づくデータ処理を実行する第２データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が開始された後に、第２仮想チップに含まれている第３チップ中の図形に基づくデータ処理の実行を開始する第３データ並列処理部と、
第１仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第１仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理の実行を開始する第４データ並列処理部と、
第２仮想チップに含まれているすべてのチップのデータ処理が終了した後に、第２仮想チップに含まれている全図形に基づくデータ処理の実行を開始する第５データ並列処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、描画データのデータ処理を効率的に並列処理し、総処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。
【図２】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。
【図３】図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。
【図４】描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。
【図５】描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，・・，ＰＣ１，ＰＣ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【図６】描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。
【図７】図３に示す描画データ上の仮想チップＣＰ１’，ＣＰ２’の詳細図である。
【図８】図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。
【図９】図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９）を詳細に示した図である。
【図１０】図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ５（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１０）を詳細に示した図である。
【図１１】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０による描画データ処理方法を示した図である。
【図１２】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０による描画データ処理方法を示した図である。
【図１３】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０による描画データ処理方法を示した図である。
【図１４】仮想チップＣＰ１’に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨのデータ処理が開始される前に仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＢのデータ処理が開始される例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。
【００１３】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００１４】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。
【００１５】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。
【００１６】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
【００１７】
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのビーム照射時間を制御することができる。
【００１８】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。
【００１９】
図２は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図２（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。
【００２０】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。
【００２１】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定のビーム照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図２（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。
【００２２】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを制御することにより、例えば、図２（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｃ）、図２（Ｄ）および図２（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）および図２（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。
【００２３】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。
【００２４】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
【００２５】
図１に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
【００２６】
図３は図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図３に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１参照）が、例えば、仮想チップ階層、仮想チップチップ階層よりも下位のチップ階層、チップ階層よりも下位の図形階層に階層化されている。
【００２７】
詳細には、図３に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）のチップ階層に仮想チップＣＰ１’と仮想チップＣＰ２’とが含まれている。更に、チップＣＰＡと、チップＣＰＣと、チップＣＰＥと、チップＣＰＨとが、仮想チップＣＰ１’に含まれている。また、チップＣＰＢと、チップＣＰＤと、チップＣＰＦと、チップＣＰＧとが、仮想チップＣＰ２’に含まれている。
【００２８】
更に、図３に示す例では、例えば、多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・がチップＣＰＡに含まれており、多数の図形ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・がチップＣＰＣに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＥに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＨに含まれている。また、多数の図形ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・がチップＣＰＢに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＤに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＦに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＧに含まれている。
【００２９】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形階層（図３参照）の多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・，（図３参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。
【００３０】
図４は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図４に示す例では、例えば４本のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍ上に設定されている。
【００３１】
図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、例えば、チップＣＰＡ（図３参照）に含まれる多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・（図３参照）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画され、チップＣＰＣ（図３参照）に含まれる多数の図形ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・（図３参照）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ３内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ４内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ４内に描画される。
【００３２】
詳細には、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００３３】
次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが（図１参照）Ｘ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００３４】
図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，・・，ＰＣ１，ＰＣ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【００３５】
図５に示す例では、例えば、試料Ｍ（図４参照）上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４（図４参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図５に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｍ内に照射されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。
【００３６】
次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰＡ１が描画されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１を描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００３７】
次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰＡ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって、描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ２（図３参照）に対応するパターンＰＡ２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００３８】
次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ２を描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００３９】
また、図５に示す例では、サブフィールドＳＦｎ−１内のすべてのパターン（図示せず）の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射され、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・（図３参照）に対応するパターンＰＣ１，ＰＣ２，・・が描画されるように、上述した制御と同様の制御が実行される。
【００４０】
図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。
【００４１】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図６に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）において、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）が、パターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅ，ＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）に描画データ上で分割される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」などと呼ばれている。
【００４２】
詳細には、図６に示す例では、例えば、まず最初に、図６（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａが試料Ｍ上に描画される。
【００４３】
更に詳細には、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｍ（図５参照）に位置決めするための主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００４４】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００４５】
次いで、例えば、パターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００４６】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｂが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｃが試料Ｍ上に描画される。
【００４７】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｄが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｅが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｆが試料Ｍ上に描画される。
【００４８】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｇが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｈが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｉが試料Ｍ上に描画される。
【００４９】
その結果、図６に示す例では、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。
【００５０】
図６に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍ上にパターンＰＡ１を描画することができず、試料Ｍ上にパターンＰＡ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の５回のショットとにショット分割されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰＡ１ｉ（図６（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の９回のショットによってパターンＰＡ１（図６（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰＡ１をＸ方向（図６の左右方向）３列×Ｙ方向（図６の上下方向）３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画される。
【００５１】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって例えば等速で移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００５２】
更に詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に例えばパターンＰＡ１（図５および図６参照），ＰＡ２（図５参照），・・ＰＣ１（図５参照），ＰＣ２（図５参照），・・などの多数のパターンが描画されている期間中、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって例えば等速で移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００５３】
図７は図３に示す描画データ上の仮想チップＣＰ１’，ＣＰ２’の詳細図である。図７に示す例では、例えば、仮想チップＣＰ１’に含まれているチップＣＰＡが、例えば５個の概略帯状のフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＢが、例えば２個の概略帯状のフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２と呼ばれる仮想領域に分割されている。更に、仮想チップＣＰ１’に含まれているチップＣＰＣが、例えば６個の概略帯状のフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４，ＦＲＣ５，ＦＲＣ６と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＤが、例えば２個の概略帯状のフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２と呼ばれる仮想領域に分割されている。更に、仮想チップＣＰ１’に含まれているチップＣＰＥが、例えば３個の概略帯状のフレームＦＲＥ１，ＦＲＥ２，ＦＲＥ３と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＦが、例えば２個の概略帯状のフレームＦＲＦ１，ＦＲＦ２と呼ばれる仮想領域に分割されている。更に、仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＧが、例えば３個の概略帯状のフレームＦＲＧ１，ＦＲＧ２，ＦＲＧ３と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＣＰ１’に含まれているチップＣＰＨが、例えば３個の概略帯状のフレームＦＲＨ１，ＦＲＨ２，ＦＲＨ３と呼ばれる仮想領域に分割されている。つまり、図７に示す例では、チップ階層（図３参照）よりも下位であって図形階層（図３参照）よりも上位のフレーム階層が設けられている。
【００５４】
図８は図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。図９は図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９）を詳細に示した図である。図１０は図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ５（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１０）を詳細に示した図である。
【００５５】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データＤ（図８参照）が制御計算機１０ｂ１（図８参照）に入力されると、例えば、ショット分割部１０ｂ１ｃによって、描画データＤ（図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・，ＦＧＣ１，ＦＧＣ２，・・，（図３参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画可能なパターン（例えばパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉ（図６参照））に対応する複数の図形（図示せず）に分割される。
【００５６】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データＤ（図８参照）が制御計算機１０ｂ１（図８参照）に入力されると、例えば、入力部１０ｂ１ａ（図８参照）によって、複数のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０（図８参照）に振り分けられる。図８〜図１０に示す例では、例えば、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９（図８および図９参照）が同様に構成されており、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ１０（図８および図１０参照）が同様に構成されている。
【００５７】
詳細には、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ１’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ１’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）に振り分けられる。更に、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ１’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＥ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ１’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＨ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）に振り分けられる。
【００５８】
また、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ１’（図３および図７参照）全体のデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）に振り分けられる。
【００５９】
更に、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ２’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ２’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＤ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）に振り分けられる。更に、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ２’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＦ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ２’（図３および図７参照）に含まれているチップＣＰＧ（図３および図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）に振り分けられる。
【００６０】
また、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＣＰ２’（図３および図７参照）全体のデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）に振り分けられる。
【００６１】
図１１〜図１３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０による描画データ処理方法を示した図である。図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＡ０（図１１（Ａ）および図１３参照）に描画データＤ（図８参照）の処理が開始される。詳細には、図１１（Ａ）に示すように、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ１（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＡ２（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＡ３（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＡ４（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＡ５（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）に入力され、フレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１１（Ａ）参照）。
【００６２】
具体的には、フォーマット検査では、入力された描画データＤ（図８参照）のフォーマットが荷電粒子ビーム描画装置１０のフォーマットに整合しているか等のチェックが行われる。また、ショット密度計算では、例えばショット分割部１０ｂ１ｃ（図８参照）によるショット分割後における所定面積当たりの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショット数が算出される。ショット密度計算において算出されるショット密度は、例えば可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動速度を算出するために用いられる（詳細については、例えば特開２００７−２００９６８号公報の段落〔００２４〕等参照）。更に、パターン面積密度計算では、例えばメッシュのような所定面積当たりに占める図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・（図３参照）の面積の割合が算出される。パターン面積密度計算において算出されるパターン面積密度は、例えば近接効果補正などを実行するために用いられる（詳細については、例えば特開２００７−２００９６８号公報の段落〔００２７〕、段落〔００５５〕等参照）。
【００６３】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＡ１（図１１（Ａ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＡ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＡ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＡ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＡ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＡ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＡ（図１３参照）が実行される。
【００６４】
更に、図１１〜図１３に示す例では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理に並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９（図８参照）による処理が実行される。
【００６５】
詳細には、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＣ０（図１１（Ｂ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＣ（図７参照）のフレームＦＲＣ１（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＣ２（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＣ３（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＣ４（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＣ５（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＣ６（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）に入力され、フレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４，ＦＲＣ５，ＦＲＣ６毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１１（Ｂ）参照）。
【００６６】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＣ１（図１１（Ｂ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＣ（図７参照）のフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４，ＦＲＣ５，ＦＲＣ６（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＣ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４，ＦＲＣ５，ＦＲＣ６（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＣ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＣ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＣ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＣ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＣ（図１３参照）が実行される。
【００６７】
更に、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＥ０（図１１（Ｃ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＥ（図７参照）のフレームＦＲＥ１（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＥ２（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＥ３（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）に入力され、フレームＦＲＥ１，ＦＲＥ２，ＦＲＥ３毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１１（Ｃ）参照）。
【００６８】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＥ１（図１１（Ｃ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＥ（図７参照）のフレームＦＲＥ１，ＦＲＥ２，ＦＲＥ３（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＥ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＥ１，ＦＲＥ２，ＦＲＥ３（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＥ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＥ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＥ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＥ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＣ（図１３参照）が実行される。
【００６９】
また、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＨ０（図１１（Ｄ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＨ（図７参照）のフレームＦＲＨ１（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＨ２（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＨ３（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）に入力され、フレームＦＲＨ１，ＦＲＨ２，ＦＲＨ３毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１１（Ｄ）参照）。
【００７０】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＨ１（図１１（Ｄ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）のチップＣＰＨ（図７参照）のフレームＦＲＨ１，ＦＲＨ２，ＦＲＨ３（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＨ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＨ１，ＦＲＨ２，ＦＲＨ３（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＨ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＨ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＨ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＨ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＨ（図１３参照）が実行される。
【００７１】
図１１〜図１３に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が終了する時間ｔＨ３（図１３参照）に、仮想チップＣＰ１’全体のデータ処理（つまり、仮想チップＣＰ１’に含まれている全図形に基づくデータ処理）がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）によって開始される。詳細には、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｄ（図１０参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｅ（図１０参照）による仮想チップＣＰ１’（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓｖＣＰ１’（図１３参照）が実行される。
【００７２】
更に、図１１〜図１３に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が開始された後の時間ｔＢ０（図１２（Ａ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＢ２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）に入力され、フレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１２（Ａ）参照）。
【００７３】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＢ１（図１２（Ａ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＢ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＢ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＢ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＢ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＢ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＢ（図１３参照）が実行される。
【００７４】
また、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＤ０（図１２（Ｂ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＤ（図７参照）のフレームＦＲＤ１（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＤ２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）に入力され、フレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１２（Ｂ）参照）。
【００７５】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＤ１（図１２（Ｂ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＤ（図７参照）のフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＤ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＤ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＤ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＤ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＤ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＤ（図１３参照）が実行される。
【００７６】
更に、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＦ０（図１２（Ｃ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＦ（図７参照）のフレームＦＲＦ１（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＦ２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）に入力され、フレームＦＲＦ１，ＦＲＦ２毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１２（Ｃ）参照）。
【００７７】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＦ１（図１２（Ｃ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＦ（図７参照）のフレームＦＲＦ１，ＦＲＦ２（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＦ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＦ１，ＦＲＦ２（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＦ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＦ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＦ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＦ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＦ（図１３参照）が実行される。
【００７８】
また、図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＧ０（図１２（Ｄ）および図１３参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＧ（図７参照）のフレームＦＲＧ１（図７参照）に関するデータ、フレームＦＲＧ２（図７参照）に関するデータ、および、フレームＦＲＧ３（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）に入力され、フレームＦＲＧ１，ＦＲＧ２，ＦＲＧ３毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（図１２（Ｄ）参照）。
【００７９】
図１１〜図１３に示す例では、例えば、時間ｔＧ１（図１２（Ｄ）および図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）のチップＣＰＧ（図７参照）のフレームＦＲＧ１，ＦＲＧ２，ＦＲＧ３（図７参照）毎の処理ＦＲＣＰＧ（図１３参照）が終了すると、次いで、隣接する２つのフレームＦＲＧ１，ＦＲＧ２，ＦＲＧ３（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関するインターフレームチェックｆｃＣＰＧ（図１３参照）が実行される。次いで、時間ｔＧ２（図１３参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によるチップＣＰＧ（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ９（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によるチップＣＰＧ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＣＰＧ（図１３参照）が実行される。
【００８０】
図１１〜図１３に示す例では、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＢ，ＣＰＤ，ＣＰＦ，ＣＰＧ（図７参照）のデータ処理が終了する時間ｔＧ３（図１３参照）に、仮想チップＣＰ２’全体のデータ処理（つまり、仮想チップＣＰ２’に含まれている全図形に基づくデータ処理）がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）によって開始される。詳細には、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｄ（図１０参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｅ（図１０参照）による仮想チップＣＰ２’（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓｖＣＰ２’（図１３参照）が実行される。
【００８１】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が開始された後（時間ｔＨ０（図１３参照）以降）でなければ、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているいずれのチップＣＰＢ，ＣＰＤ，ＣＰＦ，ＣＰＧ（図７参照）のデータ処理も開始されない。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理を早期に（時間ｔＨ３（図１３参照）に）終了させることができる。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が終了するまで開始することができない処理ｄｓｖＣＰ１’（図１３参照）を早期に（時間ｔＨ３（図１３参照）に）開始することができる。
【００８２】
図１４は仮想チップＣＰ１’に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨのデータ処理が開始される前に仮想チップＣＰ２’に含まれているチップＣＰＢのデータ処理が開始される例を示した図である。図１４に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が開始される前に仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）のデータ処理が開始される。更に、図１４に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が終了すると共に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＢ，ＣＰＤ，ＣＰＦ，ＣＰＧ（図７参照）のデータ処理が終了した後に、仮想チップＣＰ１’（図７参照）全体の処理ｄｓｖＣＰ１’および仮想チップＣＰ２’（図７参照）全体の処理ｄｓｖＣＰ２’が開始される。そのため、図１４に示す例では、図１３に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の例よりも総処理時間が長くなってしまう。
【００８３】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１３に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）中の図形に基づくデータ処理がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって開始され、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図７参照）中の図形に基づくデータ処理がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって開始され、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が開始された後に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づくデータ処理がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）によって開始され、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨ（図７参照）のデータ処理が終了した後に、チップＣＰ１’（図７参照）に含まれている全図形に基づくデータ処理がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）によって開始され、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているすべてのチップＣＰＢ，ＣＰＤ，ＣＰＦ，ＣＰＧ（図７参照）のデータ処理が終了した後に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれている全図形に基づくデータ処理がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）によって開始される。
【００８４】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１３に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）およびデータ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）による処理と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって実行される。また、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図７参照）中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）およびデータ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）による処理と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。更に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づく処理が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）およびデータ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）による処理と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）によって実行される。また、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップＣＰ１’（図７参照）全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）およびデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）による処理と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）によって実行される。更に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップＣＰ２’（図７参照）全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）による処理と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１０（図８参照）によって実行される。
【００８５】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１３に示す例では、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって、チップＣＰＡ（図７参照）に含まれている複数のフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５（図７参照）のそれぞれについて実行される（図１２（Ａ）参照）。また、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＡ（図７参照）全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって実行される（図１３参照）。更に、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図７参照）中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図７参照）によって、チップＣＰＣ（図７参照）に含まれている複数のフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４，ＦＲＣ５，ＦＲＣ６（図７参照）のそれぞれについて実行される。また、仮想チップＣＰ１’（図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＣ（図７参照）全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。更に、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）によって、チップＣＰＢ（図７参照）に含まれている複数のフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２（図７参照）のそれぞれについて実行される。また、仮想チップＣＰ２’（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＢ（図７参照）全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図７参照）によって実行される。
【００８６】
図８に示す例では、例えば、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０による処理結果、ショット分割部１０ｂ１ｃによる処理結果などに基づいて、ショットデータ生成部１０ｂ１ｄによってショットデータが生成される。
【００８７】
更に、図８に示す例では、例えば、ブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御され、ビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御され、主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可変ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。その結果、描画データＤに含まれる図形に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。
【００８８】
図７に示す例では、例えば２個の仮想チップＣＰ１’，ＣＰ２’を有し、例えば４個のチップＣＰＡ，ＣＰＣ，ＣＰＥ，ＣＰＨが仮想チップＣＰ１’に含められ、例えば４個のチップＣＰＢ，ＣＰＤ，ＣＰＦ，ＣＰＧが仮想チップＣＰ２’に含められている描画データＤ（図１参照）が第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に対して入力されているが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０には、１個以上の任意の数の仮想チップを有し、仮想チップ内に１個以上の任意の数のチップが含められている描画データを入力可能である。
【符号の説明】
【００８９】
１０                                      荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ                                    描画部
１０ａ１ａ                                荷電粒子銃
１０ａ１ｂ                                荷電粒子ビーム
１０ａ２ａ                                ステージ
１０ｂ                                    制御部
１０ｂ１                                  制御計算機
１０ｂ１ａ                                入力部
１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３  データ並列処理部
１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６  データ並列処理部
１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９  データ並列処理部
１０ｂ１ｂ１０                            データ並列処理部
Ｄ                                        描画データ
Ｍ                                        試料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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