(57)【要約】【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に平板ターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、揺動する磁石構成体を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、
前記磁石構成体の揺動によって前記バッキングプレートがスパッタリングされるのを低減するための保護部材を、前記平板ターゲットの側面に配設し、
前記保護部材の少なくとも最表層部が、前記平板ターゲットと同じ材質であることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記バッキングプレートの少なくとも最表層部が、前記平板ターゲットと同じ材質であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記保護部材は、前記磁石構成体の揺動方向に垂直な方向の前記平板ターゲットの２側面に沿ってのみ配設されていることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記保護部材は、前記バッキングプレートおよび前記平板ターゲットから離間して配置されたシールドであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記シールドは、前記バッキングプレートおよび前記平板ターゲットとは電気的にフローティングになっていることを特徴とする請求項４に記載のスパッタ装置。
【請求項６】
前記シールドは、電気的にグランドになっていることを特徴とする請求項４に記載のスパッタ装置。
【請求項７】
前記保護部材は、前記平板ターゲットの側面に隣接して前記バッキングプレートに載置されたブロックであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項８】
前記ブロックは、その表面が前記平板ターゲットの表面よりも前記バッキングプレートの表面側に位置していることを特徴とする請求項７に記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁石構成体を揺動させるマグネトロンカソード電極を備えたスパッタ装置に関し、特にマグネトロンカソード電極に、バッキングプレートをスパッタリングさせないための保護部材を設けたスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ装置には、電極間に印加する電圧や、電極構造等によって様々なものがある。その中に、ＡＣスパッタ装置がある。ＡＣスパッタ装置は、誘電体等の絶縁物をターゲットとしたスパッタリングに適している。
【０００３】
このようなＡＣスパッタ装置として、ターゲットを配置するバッキングプレートまたはターゲットを保護するためのグランドシールドを、ターゲットと同じ材質で形成するか、あるいはそれらの表面にターゲットと同じ材質のプレートを設け、成膜した薄膜に混入する不純物を低減するものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
また、上記スパッタ装置の中に、マグネトロンスパッタ装置がある。マグネトロンスパッタ装置は、主にＤＣスパッタ装置であり、ターゲットを配置するバッキングプレートの裏側に磁石構成体を配設してマグネトロンカソード電極を構成することにより、成膜速度を大きくして生産性の向上を図るものである（例えば特許文献２参照）。
【０００５】
このようなマグネトロンスパッタ装置には、上記磁石構成体を固定するタイプのものと、揺動させるタイプのものがあるが、磁石構成体を揺動させることにより、ターゲットの使用効率および寿命の向上を図ることができることを理由に、磁石構成体を揺動させるタイプのものが主に使用されている。
【特許文献１】特開平１１−２２９１３１号公報
【特許文献２】特許第３７９８０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、磁石構成体を揺動させるタイプのマグネトロンスパッタ装置（揺動型マグネトロンスパッタ装置）では、近年の装置の大型化に伴って、マグネトロンカソード電極のセッティングの際に、磁石構成体の揺動幅の微妙な設定や微調整が困難になってきている。
【０００７】
磁石構成体の揺動幅の設定・調整が不完全な場合には、平板ターゲット表面において垂直磁界成分が０になる位置がシフトしたり、プラズマの広がり具合がずれたりするため、平板ターゲットのみならず、平板ターゲットの周囲に設けられたシールドや平板ターゲットが載置されているバッキングプレートまでスパッタしてしまうことになる。
【０００８】
ＡＣスパッタ装置や磁石構成体を固定するタイプのマグネトロンスパッタ装置（固定型型マグネトロンスパッタ装置）では、主にスパッタリングされる領域が平板ターゲットからずれてしまうことはない。このため、成膜した薄膜にバッキングプレートから混入する不純物は微量に過ぎない。
【０００９】
これに対し、揺動型マグネトロンスパッタ装置において、上記のように磁石構成体の揺動幅の調整が不完全であると、この揺動幅が設定値からずれてしまい、磁石構成体が揺動幅の端に位置したときに、主にバッキングプレートをスパッタリングすることになってしまう。このため、上記揺動幅がずれた場合には、成膜した薄膜にバッキングプレートから混入する不純物濃度は、上記ＡＣスパッタ装置や固定型マグネトロンスパッタ装置よりも高くなると考えられ、膜質の劣化を生じるおそれがある。このような課題は、磁石構成体を揺動させるが故に発生する揺動型マグネトロンスパッタ装置に固有のものである。
【００１０】
なお、装置の大型化に整合するように、ターゲットサイズも大きくして余裕を持たせるという改善策も考えられるが、ターゲットの使用効率の低下を招くことや、装置サイズをさらに大きくしなければならないことが懸念される。
【００１１】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のスパッタ装置は、表面上に平板ターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、揺動する磁石構成体を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、前記磁石構成体の揺動によって前記バッキングプレートがスパッタリングされるのを低減するための保護部材を、前記平板ターゲットの側面に配設し、前記保護部材の少なくとも最表層部が、前記平板ターゲットと同じ材質であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のスパッタ装置によれば、バッキングプレートの保護部材の少なくとも最表層部を平板ターゲットと同じ材質にすることにより、磁石構成体の揺動振幅調整が設定値からずれて保護部材がスパッタリングされても、成膜の膜質に影響を及ぼさないので、スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さに起因する不具合を防止できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００１５】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。図１において、（ａ）はバッキングプレートの表面側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）においてのＡ１−Ａ１間の断面図、（ｃ）は（ａ）においてのＡ２−Ａ２間の断面図である。この図１のマグネトロンカソード電極１００は、バッキングプレート１０と、磁石構成体２０と、シールド３０とを備えて構成されている。
【００１６】
［平板ターゲット４０］
平板ターゲット４０は、例えば銀（Ａｇ）からなる。平板ターゲット４０の組成物をスパッタリングすることにより成膜される半導体ウェハ等の被成膜基板５０は、バッキングプレート１０の表面１０ａ側に固定配置され、あるいはバッキングプレート１０の表面１０ａ側をＸ方向に通過する。
【００１７】
［バッキングプレート１０］
バッキングプレート１０の表面１０ａには、スパッタリングされる成膜組成物からなる平板ターゲット４０が載置される。また、バッキングプレート１０の裏面１０ｂ側には、磁石構成体２０が配置されている。このバッキングプレート１０は、平板ターゲット４０と同じ材質であるか、その最表層部を平板ターゲット４０と同じ材質でコーティングされたものであることが望ましい。つまり、バッキングプレート１０の少なくとも最表層部が平板ターゲット４０と同じ材質であることが望ましい。例えば、バッキングプレート１０は、平板ターゲット４０と同じＡｇからなるものであるか、あるいは銅（Ｃｕ）製のプレートの表層に、平板ターゲット４０と同じＡｇをコーティングしたものであることが望ましい。
【００１８】
［磁石構成体２０］
図２は磁石構成体２０の構成例を説明する平面図である。この磁石構成体２０は、磁石ベース（ヨーク）２１上に、中心磁石２２および周囲磁石２３を配置したものである。中心磁石２２は、Ｙ方向を長手方向とする棒磁石である。また、周囲磁石２３は、磁石ベース（ヨーク）２１平面において、中心磁石２２から離間して、この中心磁石２２を囲むように配置された略楕円の環磁石である。
【００１９】
［シールド３０］
図１において、シールド３０は、平板ターゲット４０の４つの側面を囲むように、バッキングプレート１０の表面１０ａ上空に設けられた環体である。つまり、シールド３０は、バッキングプレート１０および平板ターゲット４０から離間して、平板ターゲット４０の４側面周囲に配設されている。このシールド３０は、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを防止するための保護部材である。
【００２０】
そして、シールド３０は、平板ターゲット４０の組成物と同じ材質であるか、あるいは平板ターゲット４０の組成物と同じ材質を最表層部にコーティングしたものである。つまり、シールド３０の少なくとも最表層部が平板ターゲット４０と同じ材質であることが望ましい。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、シールド３０はＡｇからなるものであるか、あるいは最表層部にＡｇをコーティングしたものである。
【００２１】
揺動型マグネトロンスパッタ装置において、磁石構成体２０は、Ｘ方向に往復揺動するか、あるいはＸ方向およびＹ方向に揺動する。マグネトロンスパッタでは、磁石構成体によって、ターゲットの表面に磁界を発生させることにより、電子を拘束し、これによってラジカルイオンがターゲットに衝突する密度を増加させて、成膜速度の向上を図る。さらに、磁石構成体を揺動させることにより、上記磁界を生じるターゲット表面領域を広げることができる。
【００２２】
しかし、磁石構成体の揺動幅が、ターゲット表面の一方の端から他方の端までに磁界を発生させるための設定値通りに調整されていないと、この設定値による幅領域からはずれた領域にも磁界を発生させることになる。
【００２３】
このように磁石構成体の揺動幅がずれている場合に、シールドを設けていないと、磁石構成体が、上記設定値による幅領域からはずれた位置にあるときに発生させる磁界によって、バッキングプレート表面の露出した領域がスパッタリングされてしまう。特に極端な場合として、垂直磁界成分が０となる位置が、ターゲット表面ではなく、バッキングプレート表面に存在する瞬間があるようなずれを生じていると、バッキングプレート表面が著しくスパッタリングされてしまう。このため、ターゲットの周囲にシールドを設けて、バッキングプレートを保護する。
【００２４】
上記のようにシールドを設けると、磁石構成体の揺動幅の調整ずれがあった場合に、バッキングプレートのスパッタリングは低減でき、バッキングプレートを保護することができる。しかし、特に、上記のように垂直磁界成分が０となる位置がバッキングプレート表面に存在する瞬間があるようなずれを生じている場合には、今度はシールドがスパッタリングされることとなる。このとき、シールドの材質がターゲットの組成物と異なるものであると、スパッタリングされたシールドの構成材料が、被成膜基板上に成膜される薄膜に不純物として混入することになり、膜質を劣化させる要因となる。
【００２５】
一方、スパッタ装置の大型化に伴って、磁石構成体の揺動幅を設定値通りに調整することが困難になりつつある。このため、揺動型マグネトロンスパッタ装置に特有の現象として、装置が大型化するほど、磁石構成体の揺動幅のずれに起因して、上記の膜質劣化を生じる可能性が高くなるという課題があり、これを解消することの要請が高まっている。
【００２６】
そこで、この実施の形態１の揺動型マグネトロンスパッタ装置では、シールド３０を、平板ターゲット４０と同じ材質で構成するか、あるいは平板ターゲット４０と同じ材質を最表層部にコーティングして構成している。これにより、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってシールド３０がスパッタリングされても、このシールド３０から成膜薄膜に混入する物質は、平板ターゲット４０の組成物と同じになる。このため、シールド３０がスパッタリングされてしまうことと、平板ターゲット４０をスパッタリングすることとは、膜質については等価であると言うことができ、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってシールド３０がスパッタリングされてしまっても、膜質を劣化させることはない。
【００２７】
また、磁石構成体１０の揺動幅がずれた場合に、シールド３０によってバッキングプレート１０の露出表面は保護されるが、バッキングプレート１０も少しはスパッタリングされてしまう。このため、バッキングプレート１０を、平板ターゲット４０と同じ材質で構成するか、あるいは平板ターゲット４０と同じ材質を最表層部にコーティングして構成しておけば、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってバッキングプレート１０がスパッタリングされても、このバッキングプレート１０から成膜薄膜に混入する物質は、平板ターゲット４０の組成物と同じになるので、膜質を劣化させることはない。
【００２８】
シールド３０は、電気的にフローティングとなるように配設すること（従って、バッキングプレート１０および平板ターゲット４０ならびにアノード電極とは電気的にフローティングとなっていること）が望ましい。平板ターゲット４０付近のプラズマに極力影響を及ぼすことなく、またプラズマ中のラジカルイオンがシールドに衝突するのを極力抑えてシールド３０が過度に加熱されないようにするとともに、再付着膜がシールド３０に極力付きにくくするためである。また、シールド３０は、電気的にグランドとしても、前記フローティングと同様の作用・効果が得られる。
【００２９】
また、図１（ａ）では、シールド３０を１つの環体としているが、シールド３０は、角部が分離した４本の棒体によって構成することも可能である。
【００３０】
以上のように、実施の形態１によれば、シールド３０（保護部材）、さらにはバッキングプレート１０を、平板ターゲット４０と同じ材質にするか、あるいはその最表層部を平板ターゲット４０と同じ材質でコーティングすることにより、装置の大型化に伴って磁石構成体２０の揺動振幅調整が設定値からずれ、シールド３０、さらにはバッキングプレート１０がスパッタリングされても、成膜の膜質に影響を及ぼさないので、装置の大型化に伴った磁石構成体２０の揺動幅調整の困難さに起因する不具合を防止できる。
【００３１】
実施の形態２
図３は本発明の実施の形態２の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。図３において、（ａ）はバッキングプレートの表面側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）においてのＢ１−Ｂ１間の断面図、（ｃ）は（ａ）においてのＢ２−Ｂ２間の断面図であり、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
【００３２】
この図３のマグネトロンカソード電極２００は、バッキングプレート１０と、磁石構成体２０と、ブロック６０とを備えて構成されている。つまり、このマグネトロンカソード電極２００は、上記実施の形態１のマグネトロンカソード電極１００（図１参照）において、シールド３０をブロック６０としたものである。例えば、シールド３０を配設するスペースを確保できない場合等においては、シールド３０に代えてブロック６０を設ける。
【００３３】
［ブロック６０］
図３において、ブロック６０は、平板ターゲット４０の４つの側面を囲むように、これらの側面に隣接してバッキングプレート１０の表面１０ａに載置された環体である。つまり、ブロック６０は、平板ターゲット４０の４側面周囲に隣接配置されている。このブロック６０は、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを防止するための保護部材である。
【００３４】
そして、ブロック６０は、平板ターゲット４０の組成物と同じ材質であるか、あるいは平板ターゲット４０の組成物と同じ材質を最表層部にコーティングしたものである。つまり、ブロック６０の少なくとも最表層部が平板ターゲット４０と同じ材質である。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、シールド３０はＡｇからなるものであるか、あるいは最表層部にＡｇをコーティングしたものである。
【００３５】
なお、バッキングプレート１０は、この実施の形態２においても、上記実施に形態１と同様に、平板ターゲット４０と同じ材質であるか、その最表層部を平板ターゲット４０と同じ材質でコーティングされたものであることが望ましい。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、バッキングプレート１０は、平板ターゲット４０と同じＡｇからなるものであるか、あるいは銅（Ｃｕ）製のプレートの表層に、平板ターゲット４０と同じＡｇをコーティングしたものであることが望ましい。
【００３６】
揺動型マグネトロンスパッタ装置において、磁石構成体２０は、Ｘ方向に往復揺動するか、あるいはＸ方向およびＹ方向に揺動する。しかし、磁石構成体の揺動幅が、ターゲット表面の一方の端から他方の端までに磁界を発生させるための設定値通りに調整されていないと、この設定値による幅領域からはずれた領域にも磁界を発生させることになる。
【００３７】
このように磁石構成体の揺動幅がずれている場合に、ブロックを設けていないと、磁石構成体が、上記設定値による幅領域からはずれた位置にあるときに発生させる磁界によって、バッキングプレート表面の露出した領域がスパッタリングされてしまう。特に極端な場合として、垂直磁界成分が０となる位置が、ターゲット表面ではなく、バッキングプレート表面に存在する瞬間があるようなずれを生じていると、バッキングプレート表面が著しくスパッタリングされてしまう。このため、ターゲットの周囲にブロックを設けて、バッキングプレートを保護する。
【００３８】
上記のようにブロックを設けると、磁石構成体の揺動幅の調整ずれがあった場合に、バッキングプレートのスパッタリングは低減でき、バッキングプレートを保護することができる。しかし、今度はブロックがスパッタリングされることとなる。このとき、ブロックの材質がターゲットの組成物と異なるものであると、スパッタリングされたブロックの構成材料が、被成膜基板上に成膜される薄膜に不純物として混入することになり、膜質を劣化させる要因となる。
【００３９】
一方、スパッタ装置の大型化に伴って、磁石構成体の揺動幅を設定値通りに調整することが困難になりつつある。このため、揺動型マグネトロンスパッタ装置に特有の現象として、装置が大型化するほど、磁石構成体の揺動幅のずれに起因して、上記の膜質劣化を生じる可能性が高くなるという課題があり、これを解消することの要請が高まっている。
【００４０】
そこで、この実施の形態２の揺動型マグネトロンスパッタ装置では、ブロック６０を、平板ターゲット４０と同じ材質で構成するか、あるいは平板ターゲット４０と同じ材質を最表層部にコーティングして構成している。これにより、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってブロック６０がスパッタリングされても、このブロック６０から成膜薄膜に混入する物質は、平板ターゲット４０の組成物と同じになる。このため、ブロック６０がスパッタリングされてしまうことと、平板ターゲット４０をスパッタリングすることとは、膜質については等価であると言うことができ、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってブロック６０がスパッタリングされてしまっても、膜質を劣化させることはない。
【００４１】
また、磁石構成体１０の揺動幅がずれた場合に、ブロック６０によってバッキングプレート１０の露出表面は保護されるが、バッキングプレート１０も少しはスパッタリングされてしまう。このため、バッキングプレート１０を、平板ターゲット４０と同じ材質で構成するか、あるいは平板ターゲット４０と同じ材質を最表層部にコーティングして構成しておけば、磁石構成体１０の揺動幅のずれによってバッキングプレート１０がスパッタリングされても、このバッキングプレート１０から成膜薄膜に混入する物質は、平板ターゲット４０の組成物と同じになるので、膜質を劣化させることはない。
【００４２】
ブロック６０は、その表面が平板ターゲット４０の表面よりもバッキングプレート１０の表面１０ａ側に位置するように配置することが望ましい。つまり、ブロック６０には、その厚さ寸法（バッキングプレート表面１０ａと垂直をなす方向の寸法）が、平板ターゲット４０よりも薄いものを用いることが望ましい。これにより、ブロック６０に再付着膜が付きにくくすることができるからである。
【００４３】
なお、図３（ａ）では、ブロック６０を１つの環体としているが、ブロック６０は、角部が分離した４本の棒体によって構成することも可能である。
【００４４】
以上のように、実施の形態２によれば、ターゲットと同じ材質のブロックあるいはターゲットと同じ材質を最表層部にコーティングしたブロックを、ターゲットの側面に隣接してバッキングプレートに載置することにより、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。特に、シールドを配置するスペースを確保できない場合や、ターゲットの材質がシールドとして加工することの困難なものである場合に、この実施の形態２は有効である。
【００４５】
実施の形態３
図４は本発明の実施の形態３の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。図４において、（ａ）はバッキングプレートの表面側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）においてのＣ１−Ｃ１間の断面図、（ｃ）は（ａ）においてのＣ２−Ｃ２間の断面図であり、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
【００４６】
この図４のマグネトロンカソード電極３００は、バッキングプレート１０と、磁石構成体２０と、シールド３１とを備えて構成されている。つまり、このマグネトロンカソード電極３００は、上記実施の形態１のマグネトロンカソード電極１００（図１参照）において、シールド３０をシールド３１としたものである。
【００４７】
上記実施の形態１では、平板ターゲット４０の４つの側面の周囲にシールド３０を配設したが、揺動型マグネトロンスパッタ装置において、磁石構成体２０がＸ方向にのみ往復揺動する場合等においては、この揺動方向（Ｘ方向）に垂直な方向（Ｙ方向）に延びる平板ターゲット４０の２つの側面の周囲にシールドを設ければ、磁石構成体２０の揺動幅のずれに起因する不具合を回避できる場合がある。
【００４８】
そこで、この実施の形態３では、磁石構成体２０がＸ方向にのみ往復揺動するものとして、この揺動方向（Ｘ方向）に垂直な方向（Ｙ方向）に延びる平板ターゲット４０の２つの側面に沿ってシールド３１を配設している。従って、シールド３１は、バッキングプレート１０の表面１０ａ上空に設けられた２つの棒体であり、バッキングプレート１０および平板ターゲット４０から離間して、平板ターゲット４０の上記２つの側面の周囲に配設されている。このシールド３１も、シールド３０と同様に、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを防止するための保護部材である。
【００４９】
そして、シールド３１は、平板ターゲット４０の組成物と同じ材質であるか、あるいは平板ターゲット４０の組成物と同じ材質を最表層部にコーティングしたものである。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、シールド３１はＡｇからなるものであるか、あるいは最表層部にＡｇをコーティングしたものである。
【００５０】
なお、バッキングプレート１０は、この実施の形態３においても、上記実施に形態１と同様に、平板ターゲット４０と同じ材質であるか、その最表層部を平板ターゲット４０と同じ材質でコーティングされたものであることが望ましい。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、バッキングプレート１０は、平板ターゲット４０と同じＡｇからなるものであるか、あるいは銅（Ｃｕ）製のプレートの表層に、平板ターゲット４０と同じＡｇをコーティングしたものであることが望ましい。
【００５１】
この実施の形態３では、ターゲート４０の２つの側面に沿ったバッキングプレート１０の表面領域にシールドを設けておらず、この表面領域が露出しているため、バッキングプレート１０を平板ターゲット４０と同じ材質にしておく必要性が高い。ただし、実際にバッキングプレート１０がスパッタリングされる可能性は極めて低い。
【００５２】
以上のように、実施の形態３によれば、上記実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、磁石構成体の往復揺動方向と垂直な平板ターゲット４０の２つの側面にのみシールド３１を設けることにより、シールドに使用する部材を少なくすることができ、かつ省スペース化を図ることができる。
【００５３】
実施の形態４
図５は本発明の実施の形態４の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。図５において、（ａ）はバッキングプレートの表面側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）においてのＤ１−Ｄ１間の断面図、（ｃ）は（ａ）においてのＤ２−Ｄ２間の断面図であり、図１または図２と同様のものには同じ符号を付してある。
【００５４】
この図５のマグネトロンカソード電極３００は、バッキングプレート１０と、磁石構成体２０と、シールド３１とを備えて構成されている。つまり、このマグネトロンカソード電極３００は、上記実施の形態１のマグネトロンカソード電極１００（図１参照）において、ブロック６０をブロック６１としたものである。
【００５５】
上記実施の形態２では、平板ターゲット４０の４つの側面の周囲にブロック６０を配設したが、揺動型マグネトロンスパッタ装置において、磁石構成体２０がＸ方向にのみ往復揺動する場合等においては、この揺動方向（Ｘ方向）に垂直な方向（Ｙ方向）に延びる平板ターゲット４０の２つの側面の周囲にブロックを設ければ、磁石構成体２０の揺動幅のずれに起因する不具合を回避できる場合がある。
【００５６】
そこで、この実施の形態４では、磁石構成体２０がＸ方向にのみ往復揺動するものとして、この揺動方向（Ｘ方向）に垂直な方向（Ｙ方向）に延びる平板ターゲット４０の２つの側面に沿ってブロック６１を配設している。従って、ブロック６１は、バッキングプレート１０の表面１０ａに載置された２つの棒体であり、平板ターゲット４０の上記２つの側面に隣接配置されている。このブロック６１も、ブロック６０と同様に、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを防止するための保護部材である。
【００５７】
そして、ブロック６１は、平板ターゲット４０の組成物と同じ材質であるか、あるいは平板ターゲット４０の組成物と同じ材質を最表層部にコーティングしたものである。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、ブロック６１はＡｇからなるものであるか、あるいは最表層部にＡｇをコーティングしたものである。
【００５８】
なお、バッキングプレート１０は、この実施の形態４においても、上記実施に形態２と同様に、平板ターゲット４０と同じ材質であるか、その最表層部を平板ターゲット４０と同じ材質でコーティングされたものであることが望ましい。例えば、平板ターゲット４０がＡｇである場合には、バッキングプレート１０は、平板ターゲット４０と同じＡｇからなるものであるか、あるいは銅（Ｃｕ）製のプレートの表層に、平板ターゲット４０と同じＡｇをコーティングしたものであることが望ましい。
【００５９】
この実施の形態４では、ターゲート４０の２つの側面に沿ったバッキングプレート１０の表面領域にブロックを設けておらず、この表面領域が露出しているため、バッキングプレート１０を平板ターゲット４０と同じ材質にしておく必要性が高い。ただし、実際にバッキングプレート１０がスパッタリングされる可能性は極めて低い。
【００６０】
以上のように、実施の形態４によれば、上記実施の形態２と同様の効果が得られるとともに、磁石構成体の往復揺動方向と垂直な平板ターゲット４０の２つの側面にのみブロック６１を設けることにより、ブロックに使用する部材を少なくすることができ、かつ省スペース化を図ることができる。
【００６１】
なお、上記それぞれの実施の形態は、１つのマグネトロンカソード電極を有する揺動型マグネトロンスパッタ装置、複数のマグネトロンカソード電極を有する揺動型マグネトロンスパッタ装置のいずれにも適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態１の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。
【図２】図１の磁石構成体の構成例を説明する平面図である。
【図３】本発明の実施の形態２の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態３の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態４の揺動型ＤＣマグネトロンスパッタ装置においてのマグネトロンカソード電極の構成例を説明する図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  バッキングプレート、  １０ａ  バッキングプレート表面、  １０ｂ  バッキングプレート裏面、  ２０  磁石構成体、  ２１  磁石ベース（ヨーク）、  ２２  中心磁石、  ２３  周囲磁石、  ３０，３１  シールド（保護部材）、  ４０  平板ターゲット、  ５０  被成膜基板、  ６０，６１  ブロック（保護部材）、  １００，２００，３００，４００  マグネトロンカソード電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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