(57)【要約】【課題】配線基板の小型化が進んでいるため、レーザー加工による接続配線の露出面を小さくする必要がある。このように露出面が小さくなった場合、エッチングに掛かる時間が増加することから、金属パッドへの影響が大きくなる可能性がある。【解決手段】絶縁性基体と、該絶縁性基体の表面に配設された金属パッドと、前記絶縁性基体の表面に配設されたフローティングパッドと、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記フローティングパッドと電気的に接続された第１の接続配線と、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記金属パッドと電気的に接続された第２の接続配線と、を備え、前記第１の接続配線と前記第２の接続配線とが互いに離隔し、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線が、前記金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分とする配線基板とする。【選択図】図４
2010171351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体と、該絶縁性基体の表面に配設された金属パッドと、前記絶縁性基体の表面に配設されたフローティングパッドと、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設されるとともに前記絶縁性基体の表面に露出する露出部を有し、前記金属パッドと前記フローティングパッドとを電気的に接続する接続配線と、を備えた基板を準備する工程と、
前記金属パッド及び前記接続配線を介して前記フローティングパッドに通電することにより、前記フローティングパッドに電解メッキによるメッキ層を形成する工程と、
ケミカルエッチングにより前記露出部を断線させる工程と、を具備する配線基板の製造方法であって、
前記接続配線は、前記金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分とすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記接続配線は、下側接続配線と、中央接続配線と、上側接続配線とからなる３層構造を有し、前記下側接続配線及び前記上側接続配線が、前記中央接続配線と比較してイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性基体と、
該絶縁性基体の表面に配設された金属パッドと、
前記絶縁性基体の表面に配設されたフローティングパッドと、
該フローティングパッドの表面を被覆するメッキ層と、
少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記フローティングパッドと電気的に接続された第１の接続配線と、
少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記金属パッドと電気的に接続された第２の接続配線と、を備えた配線基板であって、
前記第１の接続配線と前記第２の接続配線とが互いに離隔し、
前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線が、前記金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分とすることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記絶縁性基体は、表面に凹部を有し、該凹部の側面において、前記第１の接続配線と前記第２の接続配線とがそれぞれ露出していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記凹部における前記第１の接続配線と前記第２の接続配線との間隔が、前記凹部の開口部の径よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線の幅が、前記凹部の開口部の径よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項７】
前記絶縁性基体に埋設された配線導体を更に備え、該配線導体を構成する主成分が、前記接続配線を構成する主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分とすることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項８】
前記金属パッドと前記第２の接続配線との間に位置し、前記金属パッドを構成する主成分及び前記第２の接続配線を構成する主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分とするバリア層を更に備えていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項９】
前記金属パッドが配設された前記絶縁性基体の表面に平行であって、前記バリア層及び前記第２の接続配線を含む断面において、前記第２の接続配線は、前記第１の接続配線と対向する一方の端部における幅が、前記バリア層と接続する他方の端部における幅よりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項３に記載の配線基板と、該配線基板の主面側に配設された測定端子と、を備えたプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードなどに用いられる配線基板及びこの配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基体内に配線導体が埋設された配線基板は、絶縁性基体の主面上に金属パッドを備えている。このような金属パッドは外部配線と接続するために用いられるほか、プローブカードに用いられる配線基板におけるプローブピンを実装するために用いることができる。このような金属パッドの一部は、配線導体から電気的に絶縁されたフローティングパッドとして用いられている。
【０００３】
フローティングパッドを備えた配線基板を作製する場合、このフローティングパッドの表面にメッキ加工を行う必要がある。そのため、配線導体と接続した状態で電解メッキによりメッキ加工を行い、このメッキ加工の後、金属パッドとフローティングパッドとを接続する配線導体（接続配線）を切断することにより、フローティングパッドを形成している（例えば、特許文献１）。このとき、絶縁性基体に埋設された接続配線をレーザー加工により露出させた後、ケミカルエッチングを行うことにより接続配線を切断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２８１９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されているように、上記のメッキ加工の後、接続配線を切断することによりフローティングパッドを形成する場合、接続配線だけでなく露出している金属パッドがエッチングされる可能性がある。
【０００６】
また、配線基板は小型化が進んでいるため、レーザー加工による接続配線の露出面を小さくする必要がある。このように露出面が小さくなった場合、エッチングに掛かる時間が増加することから、金属パッドへの影響が大きくなる可能性がある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、エッチングによる金属パッドへの影響が抑制された配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁性基体と、該絶縁性基体の表面に配設された金属パッドと、前記絶縁性基体の表面に配設されたフローティングパッドと、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設されるとともに前記絶縁性基体の表面に露出する露出部を有し、前記金属パッドと前記フローティングパッドとを電気的に接続する接続配線と、を備えた基板を準備する工程と、前記金属パッド及び前記接続配線を介して前記フローティングパッドに通電することにより、前記フローティングパッドに電解メッキによるメッキ層を形成する工程と、ケミカルエッチングにより前記露出部を断線させる工程と、を具備している。そして、前記接続配線は、前記金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、接続配線が、金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としている。そのため、ケミカルエッチングにより露出部を断線させる工程において、電池効果により、金属パッドよりも接続配線のほうが腐食されやすく、金属パッドが相対的に腐食されにくくなる。結果として、エッチングによる金属パッドへの影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法における工程の一つを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法における工程の一つを示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法における工程の一つを示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法における工程の一つを示すと同時に本発明の第１の実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。
【図５】図４に示す配線基板における領域Ａを示す拡大断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における配線基板を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態における配線基板を示す拡大断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態における配線基板を示す拡大断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態における配線基板を示す拡大断面図である。
【図１０】図９に示す実施形態の配線基板の拡大断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態にかかるプローブカードを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の配線基板の製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】
図１〜４に示すように、本実施形態にかかる配線基板１の製造方法は、絶縁性基体３と、絶縁性基体３の表面に配設された金属パッド５と、絶縁性基体３の表面に配設されたフローティングパッド７と、少なくとも一部が絶縁性基体３に埋設されるとともに絶縁性基体３の表面に露出する露出部９ａを有し、金属パッド５とフローティングパッド７とを電気的に接続する接続配線９と、を備えた基板を準備する工程と、金属パッド５及び接続配線９を介してフローティングパッド７に通電することにより、フローティングパッド７に電解メッキによるメッキ層１３を形成する工程と、ケミカルエッチングにより露出部９ａを断線させる工程と、を具備している。そして、接続配線９が金属パッド５を構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としている。
【００１３】
このように、本実施形態にかかる配線基板１は、接続配線９が、金属パッド５を構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、金属パッド５が腐食する可能性を小さくすることができる。これは、接続配線９の主成分が相対的にイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、接続配線９が金属パッド５よりも腐食されやすいからである。そのため、接続配線９をケミカルエッチングにより切断する場合において、金属パッド５よりも接続配線９のほうが腐食されやすく、金属パッド５が相対的に腐食されにくくなる。結果として、エッチングによる金属パッド５への影響を抑制することができる。
【００１４】
本実施形態にかかる配線基板１の製造方法における基板を準備する工程について以下に説明する。
【００１５】
まず、ガラス粉末、セラミック粉末などの原料粉末を有機溶剤及びバインダとともに混練する。これをシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、接続配線９又は導体層１５ａとなる導体ペーストをセラミックグリーンシートの主面上に被着する。さらにセラミックグリーンシートを導体ペースト上に積層する。各セラミックグリーンシートには貫通孔が形成されている。この貫通孔にビア導体１５ｂとなる導体ペーストを充填するとともに貫通孔を被覆するように、セラミックグリーンシートの主面側にはフローティングパッド７となる導体ペーストを配設する。また、貫通孔を被覆するように、セラミックグリーンシートの主面側には金属パッド５となる導体ペーストを配設する。
【００１６】
このとき、接続配線９となる導体ペーストが金属パッド５となる導体ペーストを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることが肝要である。これにより、後述する、接続配線９をケミカルエッチングにより切断する工程において、金属パッド５よりも接続配線９のほうが腐食されやすく、金属パッド５が相対的に腐食されにくくなる。これらを所定の焼成温度（例えば１０００℃）で焼成する。以上により、図１に示す基板を準備することができる。
【００１７】
次に、図２に示すように、焼成された絶縁性基体３の主面３ａ上に接続配線９の少なくとも一部が露出するように凹部１７を形成する。凹部１７の形成方法としては、セラミックグリーンシートに予め凹部１７を形成しておくことが挙げられる。しかしながら、微細な凹部１７を形成しやすく、また、凹部１７内で接続配線９の少なくとも一部を露出させるため、レーザー加工により絶縁性基体３に凹部１７を形成することが好ましい。以上により、絶縁性基体３と、絶縁性基体３の表面に配設された金属パッド５と、絶縁性基体３の表面に配設されたフローティングパッド７と、少なくとも一部が絶縁性基体３に埋設されるとともに絶縁性基体３の表面に露出する露出部９ａを有し、金属パッド５とフローティングパッド７とを電気的に接続する接続配線９と、を備えた基板を準備することができる。
【００１８】
本実施形態における絶縁性基体３は、主面３ａと裏面３ｂとを有している。絶縁性基体３としては、電気絶縁性の良好なものであればよく、具体的には、セラミックス部材及び樹脂を用いることができる。
【００１９】
本実施形態における金属パッド５は、絶縁性基体３の裏面３ｂに配設されている。金属パッド５としては、電気伝導性の良好な部材を用いることができる。具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗのような金属及びこれらの合金部材を用いることができる。
【００２０】
本実施形態におけるフローティングパッド７は、絶縁性基体３の主面３ａに配設されている。フローティングパッド７としては、金属パッド５と同様に、電気伝導性の良好な部材を用いることができる。具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗのような金属及びこれらの合金部材を用いることができる。
【００２１】
なお、本実施形態においては金属パッド５とフローティングパッド７とが絶縁性基体３の反対側の面にそれぞれ位置しているが、特にこれに限られるものではない。例えば、絶縁性基体３の隣接する面に金属パッド５とフローティングパッド７とが配設されていてもよく、また、絶縁性基体３の同じ面上に金属パッド５とフローティングパッド７とが配設されていてもよい。
【００２２】
本実施形態における接続配線９は、少なくとも一部が絶縁性基体３に埋設されるとともに絶縁性基体３の表面に露出する露出部９ａを有している。接続配線９としては、金属パッド５の主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分とするものが用いられている。具体的には、接続配線９としては、Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｚｎを用いることができる。特にＡｌ，Ｚｎは両性金属であるため、アルカリ性の薬液に浸漬された場合でも、水酸化物の錯イオンを形成し薬液中に溶出する。その結果、金属パッド５の腐食を抑制する効果を高めることができる。
【００２３】
また、本実施形態にかかる基板は、絶縁性基体３の主面３ａに配設された電極パッド１９と、絶縁性基体３に埋設され電極パッド１９と金属パッド５とを電気的に接続する配線導体１５と、を更に備えている。電極パッド１９を外部配線（非図示）と接続するとともに電極パッド１９を半導体素子のような電子部品に接続し、金属パッド５、配線導体１５及び電極パッド１９を介して電子部品に通電することにより、本実施形態の配線基板１を使用することができる。
【００２４】
電極パッド１９としては、金属パッド５と同様に、電気伝導性の良好な部材を用いることができる。具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗのような金属及びこれらの合金部材を用いることができる。
【００２５】
配線導体１５としては、電気伝導性の良好な部材を用いることができる。特に、接続配線９の主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分とするものを用いることが好ましい。配線導体１５が外部に露出した場合であっても、配線導体１５が腐食しにくくなるので、エッチングによる配線導体１５への影響を抑制することができる。結果として、信頼性の高い配線基板１を提供することが可能となる。
【００２６】
次に、本実施形態にかかる配線基板１の製造方法におけるフローティングパッド７に電解メッキによるメッキ層１３を形成する工程について以下に説明する。
【００２７】
図３に示すように、金属パッド５及び接続配線９を介してフローティングパッド７に通電することにより、フローティングパッド７上に電解メッキによるメッキ層１３を形成することができる。フローティングパッド７の表面にメッキ層１３を形成することにより、フローティングパッド７の劣化を抑制することができる。特に、本実施形態の配線基板１をプローブカード３３に用いる場合には、フローティングパッド７の表面に測定端子３５を接合することが容易となる。電解メッキとしては、例えば、Ｎｉ及びＡｕを用いることができる。
【００２８】
次に、本実施形態にかかる配線基板１の製造方法におけるエッチングにより接続配線９の露出部９ａをエッチングする工程について以下に説明する。
【００２９】
図４に示すように、ケミカルエッチングなどにより接続配線９の露出部９ａを切断することで、フローティングパッド７を配線導体１５から電気的に絶縁させることができる。本実施形態の配線基板１の製造方法においては、接続配線９が金属パッド５を構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、金属パッド５の腐食を抑制しつつ速やかに接続配線９を切断することができる。
【００３０】
ケミカルエッチングは、例えば、塩化第二鉄溶液、過硫酸アンモニウム溶液及びフッ硝酸、混酸、塩酸又は硫酸を用いることにより行うことができる。以上により、本実施形態にかかる配線基板１を作製することができる。
【００３１】
次に、本発明の第１の実施形態にかかる配線基板１について説明する。
【００３２】
図４、５に示すように、本発明の第１の実施形態にかかる配線基板１は、絶縁性基体３と、絶縁性基体３の表面に配設された金属パッド５と、絶縁性基体３の表面に配設されたフローティングパッド７と、フローティングパッド７の表面を被覆するメッキ層１３と、少なくとも一部が絶縁性基体３に埋設され、フローティングパッド７と電気的に接続された第１の接続配線２１と、少なくとも一部が絶縁性基体３に埋設され、金属パッド５と電気的に接続された第２の接続配線２３と、を備えている。また、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３とが互いに離隔している。そして、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が、金属パッド５を構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としている。
【００３３】
このように、本実施形態にかかる配線基板１は、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が、金属パッド５を構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、金属パッド５が腐食する可能性を小さくすることができる。これは、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３の主成分が相対的にイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が金属パッド５よりも腐食されやすいからである。そのため、配線基板１の表面洗浄などで用いられる薬液に触れることによる金属パッド５の腐食を抑制することができる。
【００３４】
本実施形態にかかる配線基板１では、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３は、金属パッド５とフローティングパッド７とを電気的に接続する接続配線９がエッチングにより切断されたものである。つまり、切断された接続配線９のうち、フローティングパッド７と電気的に接続された方を第１の接続配線２１とするとともに、金属パッド５と電気的に接続された方を第２の接続配線２３としている。
【００３５】
フローティングパッド７に電解メッキによるメッキ層１３を形成するために金属パッド５とフローティングパッド７とを電気的に接続する接続配線９をケミカルエッチングにより切断する場合において、金属パッド５よりも接続配線９のほうが腐食されやすく、金属パッド５が相対的に腐食されにくくなる。
【００３６】
また、本実施形態にかかる配線基板１は、絶縁性基体３の主面３ａに配設された電極パッド１９と、絶縁性基体３に埋設され電極パッド１９と金属パッド５とを電気的に接続する配線導体１５と、を更に備えている。配線導体１５は、絶縁性基体３の主面３ａに対して垂直な方向に延在するビア導体１５ｂと、絶縁性基体３の主面３ａに対して平行な方向に延在する導体層１５ａとを有している。既に示したように、電極パッド１９を外部配線（非図示）と接続するとともに電極パッド１９を半導体素子のような電子部品に接続し、金属パッド５、配線導体１５及び電極パッド１９を介して電子部品に通電することにより、本実施形態の配線基板１を使用することができる。
【００３７】
配線導体１５としては、電気伝導性の良好な部材を用いることができるが、既に示したように、接続配線９の主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分とするものを用いることが好ましい。配線導体１５が外部に露出した場合であっても、配線導体１５が腐食しにくくなるので、エッチングによる配線導体１５への影響を抑制することができるからである。
【００３８】
また、本実施形態のように、絶縁性基体３は、表面に凹部１７を有し、凹部１７の側面において、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３とがそれぞれ露出していることが好ましい。これにより、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の露出面の面積を小さくしつつも、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の露出面の間隔を大きくすることができる。結果として、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が外気に触れて劣化する可能性を抑制しつつも第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の絶縁性を確保することができる。
【００３９】
また、この凹部１７に絶縁部材が充填されていることが好ましい。このように、凹部１７に絶縁部材が充填され、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が絶縁部材により封止されていることにより、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３が外気に触れて劣化する可能性を抑制することができる。
【００４０】
また、図５に示すように、第１の接続配線２１の長さＬ１よりも第２の接続配線２３の長さＬ２が長いことが好ましい。金属パッド５と電気的に接続された第２の接続配線２３の長さを短くすることにより、配線基板１の使用時において入力される電気信号に関する共振の発生を低減することができるからである。これにより、配線導体１５を介して出力される電気信号中のノイズを小さくすることができる。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態にかかる配線基板１について説明する。
【００４２】
図６に示すように、本実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と比較して、凹部１７における第１の接続配線２１と第２の接続配線２３との間隔Ｌ１が、凹部１７の開口部の径Ｌ２よりも大きい。これにより、凹部１７の径を小さくしながらも、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の絶縁性を高めることが出来るからである。言い換えれば、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の絶縁性を確保しつつ配線基板１を小型化させることができる。
【００４３】
次に、本発明の第３の実施形態にかかる配線基板１について説明する。
【００４４】
図７に示すように、本実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と比較して、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３の幅Ｌ１が、凹部１７の開口部の径Ｌ２よりも大きい。本実施形態において第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３は、配線基板１の製造工程において、フローティングパッド７の表面に電解メッキ加工を行うために用いられている。ここで、本実施形態にかかる配線基板１のように、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３の幅が、凹部１７の開口部の径よりも大きいことにより、凹部１７の径を小さくしながらも、フローティングパッド７の表面に電解メッキによるメッキ層１３を安定して配設することができる。言い換えれば、フローティングパッド７の表面に電解メッキによるメッキ層１３を安定して配設しつつ配線基板１を小型化させることができる。
【００４５】
また、レーザー加工により絶縁性基体３に凹部１７を形成する場合には、上記のように、接続配線９の幅Ｌ１が、凹部１７の開口部の径Ｌ２よりも大きいことにより、絶縁性基体３の耐久性が低下することを抑制することができる。接続配線９の幅が、凹部１７の開口部の径よりも小さい場合、絶縁性基体３のうち接続配線９よりも下方に位置する部分がレーザー加工によって過度に切削されるオーバーショットが生じる可能性がある。しかしながら、接続配線９の幅が、凹部１７の開口部の径よりも大きい場合には、このオーバーショットが生じる可能性が抑えられる。そのため、絶縁性基体３の耐久性が低下することを抑制することができる。
【００４６】
次に、本発明の第４の実施形態にかかる配線基板１について説明する。
【００４７】
図８に示すように、本実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と比較して、接続配線９が、下側接続配線２５、中央接続配線２７及び上側接続配線２９からなる３層構造を有している。そして、下側接続配線２５及び上側接続配線２９が、中央接続配線２７と比較してイオン化傾向の大きい成分を主成分としている。
【００４８】
ケミカルエッチングにより、接続配線９を切断して、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３を形成する場合、接続配線９のうち、厚み方向の端部よりも中心部がエッチングされやすい。本実施形態にかかる配線基板１においては、中央接続配線２７と比較してエッチングされにくい部分に位置している下側接続配線２５及び上側接続配線２９が、中央接続配線２７と比較してイオン化傾向の大きい成分を主成分としていることから、厚み方向における接続配線９のエッチング幅のばらつきを小さくすることができる。結果として、比較的短時間のエッチングによっても、第１の接続配線２１と第２の接続配線２３の絶縁性を確保することができる。
【００４９】
次に、本発明の第５の実施形態にかかる配線基板１について説明する。
【００５０】
図９、１０に示すように、本実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と比較して、金属パッド１９と第２の接続配線２３との間に位置するバリア層３１を更に備えている。そして、バリア層３１は、金属パッド１９を構成する主成分及び第２の接続配線２３を構成する主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分としている。
【００５１】
ケミカルエッチングにより、接続配線９を切断して、第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３を形成する場合、このケミカルエッチングが進行して金属パッド１９、或いは、金属パッド１９と第２の接続配線２３を接続する配線導体１５が露出することがある。このような場合、金属パッド１９又は配線導体１５がオーバーエッチングされる可能性がある。しかしながら、本実施形態にかかる配線基板１は、上記のバリア層３１を更に備えているため、このバリア層３１によりエッチングの進行が抑制されるので、金属パッド１９又は配線導体１５がこのケミカルエッチングで用いるエッチング液などの薬液に触れて劣化する可能性を抑制できる。
【００５２】
なお、図９は、金属パッド１９が配設された絶縁性基体３の表面に平行であって、第２の接続配線２３及びバリア層３１を含む断面における拡大断面図である。また、図１０は、金属パッド１９が配設された絶縁性基体３の表面に垂直であって、金属パッド１９及び第２の接続配線２３を含む断面における拡大断面図である。
【００５３】
バリア層３１としては、金属パッド５と同様に、電気伝導性の良好な部材を用いることができる。具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗのような金属及びこれらの合金部材であって、金属パッド１９を構成する主成分及び第２の接続配線２３を構成する主成分よりもイオン化傾向の小さい成分を主成分とする部材を用いることができる。
【００５４】
また、図９に示すように、第２の接続配線２３は、第１の接続配線２１と対向する一方の端部における幅が、バリア層３１と接続する他方の端部における幅よりも小さいことが好ましい。このように、第１の接続配線２１と対向する一方の端部における第２の接続配線２３の幅が相対的に小さいため、短時間のケミカルエッチングであっても、接続配線９を切断して第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３を安定して形成することができる。また、バリア層３１と接続する他方の端部における第２の接続配線２３の幅が相対的に大きいため、バリア層３１自体が露出する可能性を低減することができる。そのため、バリア層３１と絶縁性基体３との界面を通って、ケミカルエッチングで用いるエッチング液などの薬液が金属パッド１９に触れる可能性を低減することができる。
【００５５】
また、本実施形態にかかる配線基板１のように、バリア層３１として、金属パッド１９と第２の接続配線２３との間に位置するものだけでなく、フローティングパッド７と第１の接続配線２１との間に位置するものも備えていることが好ましい。これにより、金属パッド１９と同様に、フローティングパッド７が、上記のケミカルエッチングで用いるエッチング液などの薬液に触れて劣化する可能性を抑制できるからである。
【００５６】
また、図９に示すように、フローティングパッド７と第１の接続配線２１との間にもバリア層３１が配設されている場合、第１の接続配線２１は、第２の接続配線２３と対向する一方の端部における幅が、バリア層３１と接続する他方の端部における幅よりも小さいことが好ましい。これにより、第２の接続配線２３の場合と同様の理由により、接続配線９を切断して第１の接続配線２１及び第２の接続配線２３を安定して形成することができる。また、ケミカルエッチングで用いるエッチング液などの薬液がフローティングパッド７に触れる可能性を低減することができる。
【００５７】
次に、本発明の一実施形態にかかるプローブカード３３について説明する。
【００５８】
図１１に示すように、本実施形態にかかるプローブカード３３は、絶縁性基体３の主面３ａに配設された電極パッド１９を有する上記の実施形態に代表される配線基板１と、電極パッド１９上に配設された測定端子３５と、を備えている。
【００５９】
本実施形態のプローブカード３３においては、被測定物である半導体素子の端子をプローブカード３３の測定端子３５に電気的に接続し、半導体素子に通電する。ここで、通電するとは、単に電圧を印加する場合だけでなく、半導体素子に信号を入力することも意図している。そして、金属パッド５を介して取り出した出力を測定して期待値と比較することで半導体素子の良否を判定することができる。
【００６０】
また、このとき、フローティングパッド７上にも測定端子３５が配設される。フローティングパッド７上に配設された測定端子３５はダミー端子として用いられる。このようなダミー端子を配設することにより、被測定物である半導体素子の端子をプローブカード３３の測定端子３５に押圧した場合であっても、ダミー端子にも圧力を分散させることができる。そのため、実際に測定に用いる測定端子３５に過度の圧力が加わる可能性を低減することができる。
【００６１】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・配線基板
３・・・絶縁性基体
３ａ・・・主面
３ｂ・・・裏面
５・・・金属パッド
７・・・フローティングパッド
９・・・接続配線
９ａ・・・露出部
１１・・・基体
１３・・・メッキ層
１５・・・配線導体
１５ａ・・・導体層
１５ｂ・・・ビア導体
１７・・・凹部
１９・・・電極パッド
２１・・・第１の接続配線
２３・・・第２の接続配線
２５・・・下側接続配線
２７・・・中央接続配線
２９・・・上側接続配線
３１・・・バリア層
３３・・・プローブカード
３５・・・測定端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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