(57)【要約】【課題】出射光の直線性がよい光半導体装置を提供する。【解決手段】凹部１１と、凹部１１の底面に形成された貫通孔１２とを有する遮光性の基台１３と、発光面が貫通孔１２を跨ぐように凹部１１の底面に載置された発光素子１４と、凹部１１を対向させて基台１３が載置されたマウントベッド１５と、マウントベッド１５の周りに配置され、発光素子１４に電気的に接続された複数のリード端子１６と、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４をモールドする透光性樹脂１７と、を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部と、前記凹部の底面に形成された貫通孔とを有する遮光性の基台と、
発光面が前記貫通孔を跨ぐように前記凹部の底面に載置された発光素子と、
前記凹部を対向させて、前記基台が載置されたマウントベッドと、
前記マウントベッドの周りに配置され、前記発光素子に電気的に接続された複数のリード端子と、
側面から前記リード端子を延出して、前記マウントベッド、前記基台、および前記発光素子をモールドする透光性樹脂と、
を具備することを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記マウントベッドの前記基台が載置された面と対向する面に、前記基台の前記凹部を塞ぐように被着された絶縁性部材を具備し、前記透光性樹脂と前記発光素子との間に空隙を設けたことを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記基台の前記貫通孔を塞ぐ透光性部材を具備し、前記透光性樹脂と前記発光素子の前記発光面との間に空隙を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記透光性部材が、波長選択性のある光学部品であることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記マウントベッドおよび前記リード端子が、絶縁基板上に形成されたパッドおよび配線であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外光を用いて光通信を行う通信機器には、発光素子を有する送信ユニット、受光素子を有する受信ユニット、または両者を一体化した送受信ユニットなどの光伝送モジュールが用いられている（例えば、特許文献１、または特許文献２参照。）。
【０００３】
特許文献１に開示された光半導体装置は、上面電極接続部材にはその下面から第１、第２凹部が形成され、その上面の光取出し孔に連通している。発光素子は第１凹部に収められている。第２凹部と光取出し孔とは発光素子の上方に位置する。第１、第２凹部の内壁には、上面電極接続部材の底面にまでのびて形成された金属膜が形成されている。
【０００４】
発光素子の上面電極は第１、第２凹部の境界にあたる段差部においてこの金属膜と接触している。発光素子の上面電極は金属膜を介して実装基板上の配線パターンと電気的に接続されている。  
発光素子の出射光は，直接に光取出し孔に向かい，第２凹部内に形成された金属膜によって反射して光取出し孔を通って外部に出射される。
【０００５】
特許文献２に開示された光半導体装置は、第１面とこの第１面に対向する第２面を持ち、第１面から第２面に亘って形成された貫通孔を有するリードフレームと、第１の主面とこの第１の主面に対向する第２の主面を持ち、第１の主面の一部分に発光面あるいは受光面のいずれかの面が形成され、貫通孔と発光面あるいは受光面のいずれかの面とが対向するように、リードフレームの第１面上に固着された光半導体素子と、リードフレームの第２面上に形成され、リードフレームを保持する第１の樹脂成形体と、リードフレームの第１面と光半導体素子を覆うように形成された第２の樹脂成形体と、を具備している。
【０００６】
然しながら、特許文献１に開示された光半導体装置は、上方に行くほど狭くなる四角錐状をしているので、光はガイドされ集光されるが、開口から放射状に出射するので、指向角が大きくなるという問題がある。  
また、発光素子の側面に加わる樹脂応力により発光素子が劣化し、十分な信頼性が得られない恐れがある。
【０００７】
特許文献２に開示された光半導体装置は、出射光の指向性については何ら記載されておらず、示唆する記載もない。  
また、発光素子の側面および裏面に加わる樹脂応力により発光素子が劣化し、十分な信頼性が得られない恐れがある。
【特許文献１】特開平１１−２６１１１０号公報
【特許文献２】特開２００２−２４６６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、出射光の直線性がよい光半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の光半導体装置は、凹部と、前記凹部の底面に形成された貫通孔とを有する遮光性の基台と、発光面が前記貫通孔を跨ぐように前記凹部の底面に載置された発光素子と、前記凹部を対向させて、前記基台が載置されたマウントベッドと、前記マウントベッドの周りに配置され、前記発光素子に電気的に接続された複数のリード端子と、側面から前記リード端子を延出して、前記マウントベッド、前記基台、および前記発光素子をモールドする透光性樹脂と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、出射光の直線性がよい光半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１２】
本発明の実施例１に係る光半導体装置について、図１および２を用いて説明する。図１は光半導体装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図２は光半導体装置の要部示す図である。  
本実施例の光半導体装置は、発光素子を有し、直線性の良い光を光ファイバーに入射させることができる光伝送モジュールの例である。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、光半導体装置１０は、凹部１１と、凹部１１の底面に形成された貫通孔１２とを有する遮光性の基台１３と、発光面が貫通孔１２を跨ぐように凹部１１の底面に載置された発光素子１４と、凹部１１を対向させて基台１３が載置されたマウントベッド１５と、マウントベッド１５の周りに配置され、発光素子１４に電気的に接続された複数のリード端子１６と、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４をモールドする透光性樹脂１７と、を具備している。
【００１４】
発光素子１４は、後述するように、上面電極（図示せず）が基台１３に沿って形成された配線（図示せず）およびマウントベッド１５を介してリード端子１６ａに電気的に接続され、下面電極（図示せず）がワイヤ１８および基台１３に沿って形成された配線（図示せず）を介してリード端子１６ｂに接続されている。
【００１５】
透光性樹脂１７の光出射面にはスリーブ１９が形成されている。発光素子１４から出射され、貫通孔１２を通過した光２０がスリーブ１９に挿入された光ファィバ（図示せず）に入射し、光ファィバ内を伝播して外部に伝送される。
【００１６】
図２は光半導体装置１０の発光素子１４および基台１３を示す図で、図２（ａ）、図２（ｃ）はそれぞれの平面図、図２（ｂ）、図２（ｄ）はそれぞれの断面図である。  
図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、発光素子１４は、例えばＩｎＧａＡｌＰ系のＬＥＤ（Light Emitting Diode）で、中央部の発光面３０を囲むリング状の上面電極３１と、発光面と反対の面に形成された下面電極３２とを具備している。
【００１７】
図２（ｃ）、図２（ｄ）に示すように、基台１３は、例えば赤色光に対して遮光性を有するシリコン基板である。  
シリコン基板は、できるだけ比抵抗の高いものが望ましいが、絶縁性確保の観点からシリコン基板を絶縁膜、例えばシリコン熱酸化膜で覆っておくことが適当である。
【００１８】
シリコン基板の中央部には、例えばグラインド加工によりすり鉢状の凹部１１が形成されている。凹部１１の中央部には、例えば超音波加工により発光素子１４よりサイズの小さい貫通孔１２が形成されている。
【００１９】
基台１３の凹部１１の底面には、発光素子１４と電気的接続を得るために、貫通孔１２を囲むパッド３３と、パッド３３と離間して対向するパッド３４が形成されている。  
基台１３の上面には、マウントベッド１５およびリード端子１６ｂと電気的接続を得るために、パッド３５、３６が形成されている。  
基台１３の凹部１１の傾斜面１１ａに沿って、パッド３３とパッド３５とを接続する配線３７と、パッド３４とパッド３６とを接続する配線３８とが形成されている。
【００２０】
パッド３３、３４、３５、３６、および配線３７、３８は、例えば基台１３にパッド３３、３４、３５、３６、および配線３７、３８に対応するパターンを有する下地金属膜を形成し、下地金属膜上に電解メッキ法によりメッキ膜を被着させることにより形成する。
【００２１】
具体的には、凹部１１を含む基台１３の全面に下地金属膜を形成し、レーザを照射して下地金属膜をカットし、該パターンを描画する。  
次に、該パターンにのみ電流が流れるようにして、電解メッキ法により該パターンの下地金属膜にメッキ膜を被着させる。該パターンを除く下地金属膜には電流が流れないのでメッキ膜は被着しない。  
次に、短時間のウェットエッチングにより、露出している下地金属膜を除去することにより、パッド３３、３４、３５、３６、および配線３７、３８が形成される。
【００２２】
発光素子１４の発光面３０が貫通孔１２を跨ぐように凹部１１の底面に載置されると、上面電極３１がパッド３３に電気的に接続される。発光素子１４の下面電極はワイヤボンディングによりパッド３４に電気的に接続される。
【００２３】
凹部１１をマウントベッド１５に対向させて、基台１３がマウントベッド１５に載置されると、パッド３５がマウントベッド１５を介してリード端子１６ａに電気的に接続され、パッド３６がリード端子１６ｂに電気的に接続される。
【００２４】
発光面３０から放出された光の内、指向角の大きい光は貫通孔１２に入射できない、または入射しても貫通孔１２の内面で散乱さてれ消失し、貫通孔１２を通過できないので、貫通孔１２から指向角が小さく直線性のよい光２０を出射させることが可能である。  
出射される光２０の指向角は、貫通孔１２のサイズ（直径Ｄ、長さＬ）に依存するが、出射される光２０の半値角が２〜３°程度になるように設定することが望ましい。
【００２５】
この直線的な光を光ファイバーへ入射させることにより、光ファイバーを伝播する光の伝播速度が均一となり、長距離伝送時に光ファイバーから出射される光のモード分散を低減することができる。  
例えば、光ファイバーが直径２００μｍ程度のマルチモードファイバーに対して、貫通孔１２の直径Ｄは１０〜２０μｍ程度が適当である。
【００２６】
次に、光半導体装置１０の製造方法について説明する。図３は、光半導体装置１０の製造工程を順に示す図である。  
図３（ａ）に示すように、マウントベッド１５と、マウントベッド１５から一方向に延伸し、グランド端子となるリード端子１６ａと、リード端子１６ａと平行に配置されたリード端子１６ｂ、１６ｃとを有するリードフレーム４０を用意する。  
リードフレーム４０は、例えば厚さ０．１５ｍｍ程度のニッケルおよび銀がメッキされた銅板であり、プレス加工によりマウントベッド１５、リード端子１６が形成されている。
【００２７】
マウントベッド１５は、リード端子１６ｂ側がコ字状に切り欠かれている。リード端子１６ｂの端部は、リード端子１６ｂと直交する方向に延出し、矩形状のランドを形成している。  
リード端子１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、タイバー４１で連接されている。マウントベッド１５はタイバー４２に接続されている。リード端子１６ｃは空ピンである。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、発光素子１４を基台１３に導電性接着剤、例えば銀ペーストを用いてマウントする。  
次に、図３（ｃ）に示すように、発光体素子１４にワイヤ１８を超音波ボンディングする。
【００２９】
次に、図３（ｄ）に示すように、凹部１１をマウントベッド１５に対向させて、基台１３をマウントベッド１５に導電性接着剤を用いてマウントする。同時に、コ字状の切り欠き部を跨ぐようにして、基台１３の一部をリード端子１６ｂのランドに導電性接着剤を用いてマウントする。
【００３０】
次に、例えばトランスファーモールド法により、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４を透光性樹脂１７、例えばエポキシ樹脂によりモールドする。  
トランスファーモールド法では、金型に液状の透光性樹脂１７を注入する前に金型内を真空引きするので、基台１３の凹部１１および貫通孔１２の内に液状の透光性樹脂１７が充填される。
【００３１】
次に、タイバー４１、４２をカットすることにより、図１に示す光半導体装置１０が得られる。
【００３２】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置は、凹部１１と、凹部１１の底面に形成された貫通孔１２とを有する遮光性の基台１３を具備し、発光面３０が貫通孔１２を跨ぐように凹部１１の底面に発光素子１４を載置している。
【００３３】
その結果、発光面３０から放出された光の内、指向角の大きい光は貫通孔１２に入射できない、または入射しても貫通孔１２の内面で散乱さてれ消失し、貫通孔１２を通過できないので、貫通孔１２から指向角が小さく直線性のよい光２０を出射させることができる。従って、出射光の直線性がよい光半導体装置１０が得られる。
【００３４】
ここでは、発光素子１４がＬＥＤである場合について説明したが、面発光型の半導体レーザ、例えば垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）でも構わない。  
レーザであれば、もともと光の指向角が小さく直線性が良いので、光損出が少なくなる利点がある。
【００３５】
基台１３にすり鉢状の凹部１１が形成されている場合について説明したが、四角錐状の凹部であっても構わない。  
四角錐状の凹部は、例えば面方位が（１００）のシリコン基板をシリコン酸化膜とシリコン窒化膜をマスクとしてアルカリ融液を用いたウェットエッチングにより形成することができる。
【００３６】
配線３７、３８が、すり鉢状の凹部１１の傾斜面１１ａに沿って形成されている場合について説明したが、貫通配線を用いることもできる。図４は貫通配線を有する基台を示す断面図である。
【００３７】
図４に示すように、基台５０は下部基台５０ａと上部基台５０ｂを有し、上部基台５０ｂにパッド３３とパッド３５とを接続する貫通配線５１と、パッド３４とパッド３６とを接続する貫通配線５２とを具備している。  
貫通配線５１、５２は、上部基台５０ｂに図示されないコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内に導電材、例えば銅（Ｃｕ）を埋め込んで形成することができる。
【００３８】
発光素子１４が上面電極３１と、下面電極３２を有する上下導通型のＬＥＤである場合について説明したが、フリップチップとすることもできる。  
図５はフリップチップタイプの発光素子および基台を示す図で、図５（ａ）、図５（ｃ）はそれぞれの平面図、図５（ｂ）、図５（ｄ）はそれぞれの断面図である。
【００３９】
図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、発光素子６０は、例えば絶縁基板上に形成されたＧａＮ系のＬＥＤで、絶縁基板側が発光面６１であり、発光面６１と反対側の活性層上に形成された第１電極６２と、基板上形成された第２電極６３とを具備している。  
図５（ｃ）、図５（ｄ）に示すように、基台１３には、パッド３４と左右対称なパッド６４が形成されている。第１電極６２はワイヤを介してパッド６４に接続され、第２電極６３はワイヤを介してパッド３４に接続される。
【００４０】
光半導体装置１０は、透光性樹脂１７に嵌合し、光ファイバーが通過できる開口を有する遮光性の樹脂を更に具備することができる。  
透光性樹脂１７を遮光性の樹脂で覆うことにより、発光素子１４の発光面３０と反対の面および側面から出射する無駄な光が外部に漏れるのを防止し、また外部から無用な光が入射するのを防止できる利点がある。
【００４１】
光半導体装置１０が、リード端子が一方向に延伸したＳＩＰ（Single Inline Package）型である場合について説明したが、リード端子が両方向に延伸したＤＩＰ（Dual Inline Package）型とすることもできる。
【実施例２】
【００４２】
本発明の実施例２に係る光半導体装置について、図６を用いて説明する。図６は光半導体装置を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００４３】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、透光性樹脂と発光素子との間に空隙を設けたことにある。
【００４４】
即ち、図６に示すように、本実施例の光半導体装置７０は、マウントベッド１５の裏面（基台１３が載置された面と対向する面）に、基台１３の凹部１１を塞ぐように被着された絶縁性部材７１を具備している。  
絶縁性部材７１は、例えば耐熱性を有する粘着性絶縁フィルムで、マウントベッド１５の裏面からリード端子１６ａ、１６ｂ、１６ｃの上端部の裏面にかけて貼り付けられている。
【００４５】
基台１３の凹部１１を塞ぐ絶縁性部材７１により、モールド時に透光性樹脂１７が基台１３の凹部１１内に充填されなくなり、透光性樹脂１７と発光素子１４との間に空隙７２が形成され、発光素子１４が気密封止された状態になる。  
その結果、発光素子１４は、裏面および側面が透光性樹脂１７と接触していないので、温度変化などにより樹脂応力を受けることがなくなる。従って、樹脂応力による劣化が生じる恐れを防止することが可能である。
【００４６】
次に、光半導体装置７０の製造方法について説明する。図７は、光半導体装置７０の製造工程の要部を順に示す断面図である。  
始めに、図３（ａ）乃至図３（ｃ）と同様にして、基台１３の凹部１１の底面に発光素子１４を載置し、ワイヤ１８をボンディングする。
【００４７】
次に、図７（ａ）に示すように、マウントベッド１５と、リード端子１６ａ、１６ｂ、１６ｃの上端部にかけて絶縁性部材７１を貼り付ける。  
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁性部材７１が貼り付けられたマウントベッド１５、リード端子１６ｂのランドに、凹部１１を対向させて基台１３を載置する。
【００４８】
次に、トランスファーモールド法により、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４を透光性樹脂１７、例えばエポキシ樹脂によりモールドする。  
次に、タイバー４１、４２をカットすることにより、図６に示す透光性樹脂１７と発光素子１４との間に空隙７２を設けた光半導体装置７０が得られる。
【００４９】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置７０は、基台１３の凹部１１を塞ぐように被着された絶縁性部材７１を具備している。  
その結果、モールド時に透光性樹脂１７が基台１３の凹部１１内に充填されないので、透光性樹脂１７と発光素子１４との間に空隙７２が設けられ、温度変化などによる樹脂応力により、発光素子１４が劣化する恐れを防止することができ利点がある。従って、出射光の直線性がよく、且つ信頼性の高い光半導体装置が得られる。
【００５０】
ここで、絶縁性部材７５１が耐熱性を有する粘着性絶縁フィルムの場合について説明したが、絶縁性とモールド時の耐熱性とを有していれば良く、例えばプラスチック板などを接着剤で貼り付けても構わない。
【実施例３】
【００５１】
本発明の実施例３に係る光半導体装置について、図８を用いて説明する。図８は光半導体装置を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００５２】
本実施例において、上記実施例２と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例２と異なる点は、透光性樹脂と発光面との間に空隙を設けたことにある。
【００５３】
即ち、図８に示すように、本実施例の光半導体装置８０は、基台１３の貫通孔１２を塞ぐ透光性部材８１を具備している。  
透光性部材８１は、例えば色フィルタ、波長カットフィルタ、干渉フィルタなどの波長選択性のある光学部品で、貫通孔１２を塞ぐように基台１３に貼り付けられている。
【００５４】
基台１３の貫通孔１２を塞ぐ透光性部材８１により、モールド時に透光性樹脂１７が基台１３の貫通孔１２内に充填されないので、透光性樹脂１７と発光素子１４の発光面３０との間に空隙８２が設けられ、発光素子１４が気密封止された状態になる。
【００５５】
その結果、発光素子１４は、発光面３０が透光性樹脂１７と接触していないので、温度変化などによる樹脂応力を受けることがなくなる。従って、樹脂応力による劣化が生じる恐れを防止することが可能である。
【００５６】
次に、光半導体装置８０の製造方法について説明する。図９は、光半導体装置８０の製造工程の要部を順に示す断面図である。  
始めに、図３（ａ）乃至図３（ｃ）と同様にして、基台１３の凹部１１の底面に発光素子１４を載置し、ワイヤ１８をボンディングする。
【００５７】
次に、図９（ａ）に示すように、基台１３の貫通孔１２を塞ぐように透光性部材８１を、例えば接着剤により貼り付ける。  
次に、図９（ｂ）に示すように、予め絶縁性部材７１が貼り付けられたマウントベッド１５、リード端子１６ｂのランドに、凹部１１を対向させて透光性部材８１が貼り付けられた基台１３を載置する。
【００５８】
次に、トランスファーモールド法により、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４を透光性樹脂１７、例えばエポキシ樹脂によりモールドし、タイバー４１、４２をカットすることにより、図８に示す透光性樹脂１７と発光素子１４の発光面３０との間に空隙８２を設けた光半導体装置８０が得られる。
【００５９】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置８０は、基台１３の貫通孔１２を塞ぐように被着された透光性部材８１を具備している。  
その結果、モールド時に透光性樹脂１７が基台１３の貫通孔１２内に充填されないので、透光性樹脂１７と発光素子１４の発光面３０との間に空隙８２が設けられ、温度変化などによる樹脂応力により、発光素子１４が劣化する恐れを更に防止することができる利点がある。従って、出射光の直線性がよく、且つ信頼性の高い光半導体装置が得られる。
【００６０】
ここでは、透光性部材８１が波長選択性のある光学部品である場合について説明したが、波長選択性がなくとも透光性とモールド時の耐熱性とを有していれば良く、例えば偏光板、ＮＤフィルタなどの光学部品でも構わない。
【００６１】
また、透光性部材８１として、基台１３の貫通孔１２上に透光性で粘性の高い液状の樹脂をポッテイングにより塗布することも可能である。  
貫通孔１２は、反対面側が発光素子１４の発光面３０で塞がれて袋状になっているので、粘性が高い液状の樹脂は貫通孔１２内に充填されないためである。
【００６２】
上述した実施例において、マウントベッド１５、リード端子１６を有するリードフレーム４０を用いて光半導体装置１０を製造する場合について説明したが、絶縁基板上にマウントベッド１５に相当するパッドと、リード端子１６に相当する配線が形成されたプリント配線板を用いることも可能である。
【００６３】
絶縁基板としては、ベークライト基板、ガラスエポキシ基板などのリジッド基板に加えて、ポリイミドフィルムなどのフレキシブル基板を使用することもできる。  
プリント配線板では、基台１３の凹部１１がプリント配線板で自動的に塞がれるので、絶縁性部材７１が不要になる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施例１に係る光半導体装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る光半導体装置の要部を示す図。
【図３】本発明の実施例１に係る光半導体装置の製造工程を順に示す図。
【図４】本発明の実施例１に係る光半導体装置の別の要部を示す断面図。
【図５】本発明の実施例１に係る光半導体装置の別の要部を示す図。
【図６】本発明の実施例２に係る光半導体装置を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図７】本発明の実施例２に係る光半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図８】本発明の実施例３に係る光半導体装置を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図９】本発明の実施例３に係る光半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図。
【符号の説明】
【００６５】
１０、７０、８０  光半導体装置
１１  凹部
１２  貫通孔
１３、５０  基台
１４、６０  発光素子
１５  マウントベッド
１６  リード端子
１７  透光性樹脂
１８  ワイヤ
１９  スリーブ
２０  光
３０、６１  発光面
３１  上面電極
３２  下面電極
３３、３４、３５、３６、６４  パッド
３７、３８  配線
４０  リードフレーム
４１、４２  タイバー
５１、５２  貫通配線
６２  第１電極
６３  第２電極
７１  絶縁性部材
７２、８２  空隙
８１  透光性部材
【図１】
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【図２】
2010067860.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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