(57)【要約】【課題】ウェハの加熱時にヒータやヒータ支持部に発生する応力を低減する機構を備えた成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０２と、チャンバ１０２内に載置されるシリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３ｂを有し、ブースバー１２３ｂがその構造の一部に弾性部を有する。弾性部は、ブースバー１２３ｂに対してヒータ１２１の加熱による応力が作用する方向と直角の方向に切り込み１２５ａが設けられた板ばね部１２５である。【選択図】図１
2010267765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、
前記成膜室内に載置される基板を加熱するヒータと、
前記ヒータを支持する導電性のヒータ支持部とを有する成膜装置において、
前記ヒータ支持部はその構造の一部に弾性部を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記ヒータ支持部は、鉛直方向に延びて上端が前記ヒータに接する第１の支持部分と、前記第１の支持部分の下端から水平方向に延びる第２の支持部分とを有し、
前記弾性部は、前記第２の支持部分に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記弾性部は、前記ヒータ支持部に対して前記ヒータの加熱による応力が作用する方向と直角の方向に切り込みが設けられた板ばね部であることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記ヒータおよび前記ヒータ支持部を内部に配置する回転筒と、
前記成膜室の下部に設けられ、前記回転筒を回転させる回転軸を備えた回転機構部とをさらに有し、
前記回転軸の内部には、前記ヒータ支持部を介して前記ヒータに給電する電極が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記基板が載置されるサセプタをさらに有し、
前記サセプタは前記回転筒の上部に配置され、前記ヒータは前記サセプタを介して前記基板を加熱することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜措置に関し、より詳しくは、基板を加熱しながら基板上に成膜を行う成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板であるウェハ上にシリコンなどの単結晶膜を成長させたエピタキシャルウェハの製造には、枚葉式の成膜装置が使用されることが多い。
【０００３】
従来の枚葉式の成膜装置は、成膜室、成膜室を積載するベース、反応ガスを成膜室に供給するガス供給手段およびウェハの加熱手段等を備えている。そして、ベースの下面には上方に向かって成膜室内にまで伸びる中空円筒形状の支柱が取り付けられている。
【０００４】
支柱の上面には、ウェハ加熱手段が取り付けられている。一方、支柱の下面は、下蓋によって閉じられている。支柱の内部には、下蓋を貫通して支柱に固定される二本の配線部材が設けられている。この二本の配線部材は、支柱の上端部を抜けて成膜室内のウェハ加熱手段まで伸びている。
【０００５】
ウェハ加熱手段は、ヒータと導電性のヒータ支持部とからなる。ヒータはヒータ支持部に固定され、ヒータ支持部は支柱の上面に固定されている。これにより、ヒータは、支柱に固定される構造となっている。また、二本の配線部材は、それぞれヒータ支持部に接続しており、ヒータ支持部を介してヒータへの給電が可能となっている。
【０００６】
成膜室内には、ウェハを保持するサセプタが設けられているが、このサセプタは回転可能となっている。すなわち、円筒形状の支柱には、その周囲を囲むように中空の回転軸が設けられている。この回転軸は、ベアリングによって支柱と無関係に回転自在にベースに取り付けられ、別設のモータにより回転が与えられるようになっている。回転軸には回転筒が接続しており、回転筒の上面にサセプタを取り付けることによって、サセプタは、ウェハ加熱手段の上方で回転する。
【０００７】
したがって、このような成膜装置では、ウェハは、サセプタ上に載置された状態で回転しながら、サセプタの下方に設けられたヒータによって加熱される。そして、ガス供給手段を通じて反応ガスが供給されることで、ウェハ上にエピタキシャル膜が形成される。
【０００８】
特許文献１には、中空円筒形状の支柱の下蓋を１本の配線部品が貫通して支柱の下部と上部で固定されているタイプの成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−１５２２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のような成膜装置においては、気相成長時に、ウェハ加熱手段での加熱によって、ウェハの温度が１０００℃を超えるような高温となる場合がある。このとき、ウェハ加熱手段も高温となって熱膨張を起こす。これを考慮して、ウェハ加熱手段を柔軟性に富む金属で構成すれば、熱によってウェハ加熱手段にクラックが発生するのを防ぐことができる。しかし、金属は、ウェハを汚染するおそれがあり好ましくない。
【００１１】
したがって、ウェハ加熱手段には、金属以外の材料が用いられる。具体的には、最も高温となるヒータには高純度のＳｉＣなどが用いられ、ヒータを支持する導電性のヒータ支持部には、ＳｉＣをコートしたカーボンなどが用いられる。また、ヒータに比べると若干到達温度の低い支柱の内部に配設された配線部品には、モリブデンなどが用いられる。
【００１２】
ＳｉＣやＳｉＣをコートしたカーボンは、ウェハを金属汚染するおそれはないものの、金属材料に比べて柔軟性に劣る。一方、上述したように、ヒータは、剛直なヒータ支持部を介して支柱に固定されている。このため、高温下での熱膨張によってヒータに生じた応力を解消する術がなく、ヒータやヒータ支持部にクラックが発生することがあった。
【００１３】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ウェハの加熱時において、ウェハ加熱手段を構成するヒータやヒータ支持部に発生する応力を低減する機構を備えた成膜装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、成膜室と、
成膜室内に載置される基板を加熱するヒータと、
ヒータを支持する導電性のヒータ支持部とを有する成膜装置において、
ヒータ支持部がその構造の一部に弾性部を有することを特徴とするものである。
【００１６】
ヒータ支持部が、鉛直方向に延びて上端がヒータに接する第１の支持部分と、第１の支持部分の下端から水平方向に延びる第２の支持部分とを有する場合、弾性部は、第２の支持部分に設けられていることが好ましい。
【００１７】
弾性部は、ヒータ支持部に対してヒータの加熱による応力が作用する方向と直角の方向に切り込みが設けられた板ばね部とすることができる。
【００１８】
本発明の成膜装置は、ヒータおよびヒータ支持部を内部に配置する回転筒と、成膜室の下部に設けられ、回転筒を回転させる回転軸を備えた回転機構部とをさらに有することができる。この場合、回転軸の内部には、ヒータ支持部を介してヒータに給電する電極を設けることができる。
【００１９】
本発明の成膜装置は、基板が載置されるサセプタをさらに有することができる。この場合、サセプタは回転筒の上部に配置されることができ、ヒータはサセプタを介して基板を加熱することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ヒータ支持部がその構造の一部に弾性部を有するので、ヒータやヒータ支持部に発生する応力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態の成膜装置の模式的な断面図である。
【図２】本実施の形態における板ばね部の一例であり、（ａ）は板ばね部の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置１００の模式的な断面図である。本実施の形態においては、基板としてシリコンウェハ１０１を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハなどを用いてもよい。
【００２３】
成膜装置１００は、成膜室としてのチャンバ１０２と、チャンバ１０２を積載するベース１０４とを備えている。ベース１０４の下面側には、上方に向かってチャンバ１０２内にまで伸びる、非導電性で中空円筒形状を有する支柱１０５が取り付けられている。
【００２４】
チャンバ１０２の上部には、加熱されたシリコンウェハ１０１の表面に結晶膜を成膜するための反応ガスを供給する反応ガス供給路１０３が接続している。本実施の形態においては、反応ガスとしてトリクロロシランを用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、反応ガス供給路１０３からチャンバ１０２の内部に導入する。
【００２５】
反応ガス供給路１０３より供給された反応ガスは、シリコンウェハ１０１の方に流下する。尚、チャンバ１０２には、シリコンウェハ１０１に対して反応ガスが流れる方向（矢印方向）の上流側に、反応ガスが通過する貫通孔を適当数備えた整流板が設けられていてもよい。
【００２６】
チャンバ１０２の内部には、シリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１１０が、中空の回転筒１１１の上に設けられている。回転筒１１１は、回転軸１１２に支持されており、ベース１０４の下面からチャンバ１０２内に伸びる中空円筒形状の支柱１０５の周囲を囲むように設けられている。
【００２７】
回転軸１１２は、ベアリング（図示せず）によって支柱１０５と無関係に回転自在となるようにベース１０４に取り付けられおり、別設のモータ１１３により回転が与えられるようになっている。すなわち、回転軸１１２がモータ１１３を通じて回転すると、回転軸１１２に取り付けられた回転筒１１１が回転し、回転筒１１１の上に設けられたサセプタ１１０も回転する。
【００２８】
チャンバ１０２内に伸びる中空円筒形状の支柱１０５の上部には、ウェハ加熱手段１２０が取り付けられている。そして、支柱１０５とウェハ加熱手段１２０の間は、チャンバ１０２に汚染物質が流入するのを防ぐために、上蓋１０６で閉じられている。
【００２９】
加熱によって変化するシリコンウェハ１０１の表面温度は、チャンバ１０２の上部に設けられた放射温度計（図示せず）によって測定される。このため、チャンバ１０２を石英で構成して、放射温度計による温度測定がチャンバ１０２によって妨げられないようにすることが好ましい。尚、整流板を設ける場合も同様である。
【００３０】
次に、本実施の形態の成膜装置の主要部の構造について、具体的に説明する。
【００３１】
支柱１０５の上面の形状は、図１に示すように、フランジ形状、すなわち、円筒形部材からはみ出すように張り出た部分を持つ形状とすることができる。この場合、張り出た部分の周囲には、上方に向かって立ち上がる縁が設けられていることが好ましい。支柱１０５の上端部分がこうした形状を備えることで、以下で説明するウェハ加熱手段の取り付けをより確かなものとすることができる。尚、本実施の形態はこれに限られるものではなく、支柱１０５の上面の形状をドーナツ形状としてもよい。
【００３２】
中空円筒形状の支柱１０５の内部には、二本の電極１０７ａ、１０７ｂが設けられている。これらの電極は何れも、電極棒１０８ａ、１０８ｂと、電極棒１０８ａ、１０８ｂの上端部分に固定されるとともに、後に説明するブースバー１２３ａ、１２３ｂを支持するブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂとを有する。
【００３３】
ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは、電極棒１０８ａ、１０８ｂの上端部分から支柱１０５の周囲方向に伸びる形状を有する。このため、電極１０７ａ、１０７ｂの上部は、電極棒１０８ａ、１０８ｂと、ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂとで、Ｌ字状の形状となっている。電極棒１０８ａ、１０８ｂとブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは何れもモリブデン（Ｍｏ）製である。
【００３４】
回転軸１１２の下方には、電極固定部１０９が配設されている。二本の電極棒１０８ａ、１０８ｂは、電極固定部１０９に固定されて、支柱１０５の上端側に伸びている。尚、電極固定部１０９は、中空円筒形状の回転軸１１２の下蓋としての機能も果たしている。
【００３５】
ウェハ加熱手段１２０は、基板を加熱するヒータ１２１と、ヒータ支持部としてヒータ１２１を固定して支持する二本のアーム状のブースバー１２３ａ、１２３ｂとを有する。ブースバー１２３ａ、１２３ｂは、ヒータ１２１を支持する側とは反対の側の端部で、上記したブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂに支持されている。そして、ボルト止め等により、ブースバー１２３ａは、ブースバー支持部１２４ａと固定されて一体となっており、同様に、ブースバー１２３ｂは、ブースバー支持部１２４ｂと固定されて一体となっている。
【００３６】
具体的には、電極１０７ａ、１０７ｂは、いずれも上部がＬ字状であり、ブースバー１２３ａ、１２３ｂと、支柱１０５の上部とは、それぞれこのＬ字状の部分に係合する形状を有している。そして、ブースバー１２３ａ、１２３ｂの前記形状の部分に設けられた孔に挿通されたボルト１３１によって、電極１０７ａ、１０７ｂのＬ字状の部分がブースバー１２３ａ、１２３ｂに固定されている。
【００３７】
ヒータ１２１は、ＳｉＣを用いて構成される。また、ヒータ１２１を支持する二本のアーム状のブースバー１２３ａ、１２３ｂは、導電性の高耐熱性部材、例えば、ＳｉＣをコートしたカーボン材からなる。さらに、ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは、電極棒１０８ａ、１０８ｂと同様に、モリブデンを用いて構成されている。これにより、ヒータ支持部であるブースバー１２３ａ、１２３ｂを介して、電極１０７ａ、１０７ｂからヒータ１２１への給電が可能となっている。
【００３８】
図１に示すように、固定されて一体となったブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａにおいて、ブースバー支持部１２４ａの下面は、支柱１０５の上端、すなわち、支柱１０５の円筒形部材からはみ出すように張り出た部分の上面の少なくとも一部に当接している。また、ブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａの少なくとも一方が、支柱１０５の上面の縁とも接している。このような少なくとも二点の支持によって、ブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａが支柱１０５に固定される構造となっている。
【００３９】
また、固定されて一体となったもう一方のブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂにおいても、上記と同様の方法によって支柱１０５に固定される構造となっている。かかる構造とすることで、ヒータ支持部によるヒータの支持が可能となる。
【００４０】
上記したように、気相成長時においては、チャンバ１０２の内部は１０００℃を超える温度となる。このため、最も高温となるヒータ１２１には、高純度のＳｉＣが用いられ、ヒータを支持する導電性のブースバー１２３ａ、１２３ｂには、ＳｉＣをコートしたカーボンが用いられる。しかし、ＳｉＣやＳｉＣをコートしたカーボンは、金属材料などが有するような柔軟性を備えていない。したがって、シリコンウェハ１０１を加熱する際の高温下において、ヒータ１２１は、自身の昇温によって熱膨張し、その結果、内部に応力を発生する。ここで、ヒータ１２１を、同様に剛性の大きいブースバー１２３ａ、１２３ｂとブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂを介して、支柱１０５の上面で支持される構成とすると、昇温されたヒータ１２１内に発生する応力を解消する術はない。その結果、ヒータ１２１やブースバー１２３ａ、１２３ｂにクラックを生じてしまう。
【００４１】
そこで、本実施の形態においては、図１に示すように、ブースバー１２３ｂに板ばね部１２５を設ける。ヒータ１２１の加熱による応力は、ヒータ１２１からブースバー１２３ａおよびブースバー１２３ｂに沿って発生する。したがって、板ばね部１２５を、この応力が作用する方向と直角の方向に切り込み１２５ａが設けられた構造とすることにより、応力を板ばね部１２５で吸収して、ヒータ１２１やブースバー１２３ａ、１２３ｂにクラックが発生するのを防ぐことができる。
【００４２】
すなわち、ブースバー１２３ｂに板ばね部１２５が設けてあれば、昇温したヒータ１２１に応力が発生しても、ヒータ１２１やブースバー１２３ｂは伸びて自身の寸法を変化させることができ、その結果、応力を解消することができる。換言すると、ヒータ１２１が昇温によって内部に応力を発生させても、板ばね部１２５の変形を利用して、ヒータ１２１やブースバー１２３ｂは自身の位置を変化させることができるので、ヒータ１２１内の応力を緩和させる変形をヒータ１２１やブースバー１２３ｂにもたらすことができる。
【００４３】
図１に示すように、ヒータ１２１の一方の端を支持するブースバー１２３ｂは、ブースバー支持部１２４ｂに固定され、ブースバー支持部１２４ｂには電極棒１０８ｂが固定されている。そして、電極棒１０８ｂはその下端部で電極固定部１０９に固定されている。本実施の形態の構成によれば、ヒータ１２１で発生する応力の影響は、ブースバー１２３ｂに及ぶが、板ばね部１２５によって応力が吸収されてしまうので、ブースバー支持部１２４ｂや電極棒１０８ｂ、電極固定部１０９にはほとんど及ばない。また、板ばね部１２５で応力が吸収されてしまうことにより、ブースバー１２３ａに及ぶ応力の影響も小さいものとなる。
【００４４】
電極固定部１０９は、回転軸１１２の下方に配置されているが、チャンバ１０２の外側であることにより、それほどの高温には晒されないことになる。よって、耐熱性の観点では比較的広い温度範囲から材料の選択をすることが可能である。具体的には、適度な耐熱性を備え、ヒータ１２１に由来する応力が及んだとしてもそれを吸収できる、比較的柔軟な部材を使用することが好ましい。そのような特性の部材としては樹脂材が好適である。本実施の形態では、上記条件の温度環境下においても劣化することなく使用が可能なフッ素樹脂を用いて、電極固定部１０９を構成することが好ましい。
【００４５】
このように、本実施の形態の成膜装置１００では、ブースバー１２３ｂに板ばね部１２５が設けられている。これにより、成膜装置１００は、ウェハ加熱手段１２０を構成するヒータ１２１に発生する応力を解消する機構を備えることになる。その結果、シリコンウェハ１０１の加熱時において、ヒータ１２１やブースバー１２３ａ、１２３ｂにクラックや破損が生じるのを十分に抑制することができる。
【００４６】
板ばね部は、ブースバー１２３ａおよびブースバー１２３ｂのいずれか一方に設ければよく、ブースバー１２３ａに設けてもよい。ブースバーの一方に板ばね部を設けても、他方のブースバーによってヒータ１２１の固定は十分強固に実現可能である。
【００４７】
また、板ばね部は、ブースバーの一部に設ければよいが、ブースバーの鉛直方向に延びる部分よりも、水平方向に延びる部分に設ける方が好ましい。例えば、図１に示すように、ブースバー１２３ｂは、鉛直方向に延びて上端がヒータ１２１に接する第１の支持部分１２３ｂ１と、第１の支持部分１２３ｂ１の下端から水平方向に延びる第２の支持部分１２３ｂ２とを有する。この例のように、板ばね部１２５は、第２の支持部分１２３ｂ２に設けられていることが好ましい。第１の支持部分１２３ｂ１には、ヒータ１２１による荷重が加わるため、第２の支持部分１２３ｂ２に板ばね部１２５を設ける方が、効果的に応力を吸収できるからである。ブースバー１２３ａについても同様である。
【００４８】
また、板ばね部に代えて、ブースバーの一部を弾性率の異なる材料で構成することによっても、本発明の効果を得ることができる。すなわち、ブースバーの大部分をＳｉＣをコートしたカーボン材で構成し、弾性部となるブースバーの一部をこれより弾性率の大きい材料で構成する。これにより、ヒータ１２１の昇温時における熱膨張により発生する応力を弾性部で吸収することができる。
【００４９】
本実施の形態においては、板ばね部を図２のような構造とすることも可能である。図２（ａ）は板ばね部の斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００５０】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、板ばね部２００は、板ばね部本体２０１と棒状部材２０２とを有する。板ばね部本体２０１には、その長手方向に沿って凹部２０３が設けられており、棒状部材２０２は、凹部２０３に嵌合して、ねじ２０４で凹部２０３の所定の位置に固定される。また、板ばね部本体２０１には切り込み２０５が設けられている。板ばね部２００は、その長手方向がブースバーの水平方向に延びる部分と平行になるように配置される。この場合、ヒータの加熱で発生した応力は長手方向に沿って作用するので、切り込み２０５は、図２（ａ）に示すように、長手方向と直角の方向に設けられる。
【００５１】
図２（ａ）および（ｂ）の例では、板ばね部本体２０１の一方の側面に凹部２０３が設けられているが、両方の側面に凹部を設け、２つの棒状部材のそれぞれがこれらの凹部に嵌合するようにしてもよい。
【００５２】
板ばね部本体２０１には、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などの耐熱性および導電性を有する材料が用いられる。一方、棒状部材２０２には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの耐熱性および絶縁性を有する材料が用いられる。特に、７００℃以上の高温下で使用する場合には、窒化アルミニウムが好ましく用いられる。
【００５３】
板ばね部を図２（ａ）および（ｂ）の構成とすることで、次のような効果が得られる。第１に、板ばね部本体２０１に切り込み２０５を設けているので、ヒータの加熱で発生した応力を板ばね部２００で吸収して、ヒータやブースバーにクラックが発生するのを防ぐことができる。第２に、板ばね部本体２０１に凹部２０３を設け、棒状部材２０２を凹部２０３に嵌合させて固定するようにしたので、ブースバーの動きを規制して、ブースバーが所定の位置から大きくずれてしまうのを防ぐことができる。尚、棒状部材２０２を板ばね部本体２０１に強固に固定してしまうと、ヒータの加熱で発生した応力が解消されにくくなるおそれがある。そこで、ねじ２０４に嵌合するねじ孔２０６を長孔にするなどして、ねじ２０４にある程度のあそびを持たせておくことが好ましい。
【００５４】
次に、本発明の成膜方法について述べる。
【００５５】
本実施の形態では、成膜装置１００を用いてシリコンエピタキシャル膜を形成する。
【００５６】
まず、シリコンウェハ１０１をチャンバ１０２の内部に搬入する。次いで、サセプタ１１０の上にシリコンウェハ１０１を載置し、回転筒１１１に付随させて、シリコンウェハ１０１を５０ｒｐｍ程度で回転させる。
【００５７】
次に、ヒータ１２１を作動させて、シリコンウェハ１０１を加熱する。例えば、成膜温度である１１５０℃まで徐々に加熱する。放射温度計（図示せず）による測定でシリコンウェハ１０１の温度が１１５０℃に達したことを確認した後は、徐々にシリコンウェハ１０１の回転数を上げていく。そして、反応ガス供給路１０３から反応ガスをシリコンウェハ１０１の上に流下させる。
【００５８】
成膜装置１００では、回転筒１１１の内部にヒータ１２１が配置されている。ヒータ１２１を支持するブースバー１２３ａ、１２３ｂは、２本の電極１０７ａ、１０７ｂを介して回転機構部１３０に固定されている。ブースバー１２３ｂには板ばね部１２５が設けられているので、シリコンウェハ１０１の加熱時において、ヒータ１２１やブースバー１２３ａ、１２３ｂにクラックや破損が生じるのを十分に抑制することができる。
【００５９】
シリコンウェハ１０１の上に所定の膜厚のエピタキシャル膜を形成した後は、反応ガスの供給を終了する。その後は、シリコンウェハ１０１が所定の温度まで冷却されたのを確認してから、チャンバ１０２の外部にシリコンウェハ１０１を搬出する。
【００６０】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００６１】
例えば、上記実施の形態では、シリコンウェハを回転させながら成膜する構成としたが、シリコンウェハを回転させずに成膜してもよい。また、上記実施の形態では、サセプタ上にシリコンウェハを載置し、サセプタを介してシリコンウェハを加熱する構成としたが、サセプタを介さずにシリコンウェハを直接加熱するようにしてもよい。但し、サセプタを介して加熱する構成とすれば、サセプタによって回転筒が蓋をされる状態となるので、回転筒からの汚染物質の流入を防ぐことができる。さらに、上記実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に反応ガスを供給し、成膜室内に載置される基板を加熱して基板の表面に膜を形成する成膜装置であれば、他の成膜装置であってもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１００  成膜装置
１０１  シリコンウェハ
１０２  チャンバ
１０３  反応ガス供給路
１０４  ベース
１０５  支柱
１０６  上蓋
１０７ａ、１０７ｂ  電極
１０８ａ、１０８ｂ  電極棒
１０９  電極固定部
１１０  サセプタ
１１１  回転筒
１１２  回転軸
１１３  モータ
１２０  ウェハ加熱手段
１２１  ヒータ
１２３ａ、１２３ｂ  ブースバー
１２４ａ、１２４ｂ  ブースバー支持部
１２５、２００  板ばね部
１２５ａ  切り込み
１３０  回転機構部
１３１  ボルト
２０１  板ばね部本体
２０２  棒状部材
２０３  凹部
２０４  ねじ
２０５  切り込み
２０６  ねじ孔
【図１】
2010267765.tif 000003
【図２】
2010267765.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関し、より詳しくは、基板を加熱しながら基板上に成膜を行う成膜装置に関する。