(57)【要約】【課題】レジストの開口部の形状異常を抑制すること。【解決手段】圧電基板１０と、前記圧電基板１０上に形成された櫛型電極１２と、前記圧電基板１０上に形成され前記櫛型電極１２と接続する金属パターン２０と、前記圧電基板１０および前記金属パターン２０上に形成され、開口部４０を有するレジスト４０と、を具備し、前記開口部４０端下の前記金属パターン２０は、第１金属層１６と、前記第１金属層１６上に形成され前記第１金属層１６より光反射率の小さい最上層の第２金属層１８と、を含む弾性波デバイス。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、
前記圧電基板上に形成され前記櫛型電極と接続する金属パターンと、
前記圧電基板および前記金属パターン上に形成され、開口部を有するレジストと、を具備し、
前記開口部端下の前記金属パターンは、第１金属層と、前記第１金属層上に形成され前記第１金属層より光反射率の小さい最上層の第２金属層と、を含むことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記開口部端の一部の下に前記金属パターンが設けられていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２金属層は前記開口部端下に位置する全ての前記第１金属層上に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記レジスト上に前記開口部を覆うように形成された保護層を具備し、
前記開口部は前記櫛型電極上に形成された中空を形成していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記レジストを貫通する貫通電極を具備し、
前記金属パターンは、前記櫛型電極と前記貫通電極とを接続することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記光反射率は、前記レジストを露光する際に用いられるパターン光の反射率であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１金属層は、Ａｕであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第２金属層は、Ｔｉであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
圧電基板上に櫛型電極を形成する工程と、
前記櫛型電極と接続する金属パターンを形成する工程と、
前記圧電基板および前記金属パターン上に、パターン光を照射し現像することにより開口部を有するレジストを形成する工程と、を備え、
前記金属パターンを形成する工程は、前記開口部端下になるべき前記金属パターンとして、第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に前記第１金属層より光反射率の小さい最上層の第２金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記光反射率は、前記パターン光の反射率であることを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に金属パターン上に開口部を有するレジストを備える弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話端末等に搭載される弾性波デバイスは、圧電基板に弾性波素子が設けられている。弾性波デバイスは、弾性波素子の弾性波が振動する機能領域を有している。機能領域は、例えば、櫛型電極（ＩＤＴ）である。機能領域は弾性波が振動するため、その上は空隙となっている。
【０００３】
最近では、弾性波デバイスの小型化のため、ウエハレベルパッケージ技術を用いた弾性波デバイスが提案されている。圧電基板の機能領域（櫛型電極およびその近傍の圧電基板）上に中空を確保した状態で圧電基板の機能領域側が封止部で封止されている。封止部は例えばレジストにより形成される。圧電基板上には櫛型電極に接続する金属パターンが形成される。金属パターンは、例えば櫛型電極と外部とを接続する配線パターンである。
【０００４】
特許文献１には、圧電基板の裏面に反射制御膜を形成することにより、圧電基板表面のレジストにテーパー形状を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
金属パターン上に開口部を有するレジストを形成する際に、開口部の端部にレジスト残渣またはレジスト欠損等の形状異常が生じることがある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、レジストの開口部の形状異常を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、前記圧電基板上に形成され前記櫛型電極と接続する金属パターンと、前記圧電基板および前記金属パターン上に形成され、開口部を有するレジストと、を具備し、前記開口部端下の前記金属パターンは、第１金属層と、前記第１金属層上に形成され前記第１金属層より光反射率の小さい最上層の第２金属層と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、金属パターンの最上層の第２金属層の光反射率が小さいため、レジストに開口部を形成する際に発生するレジストの開口部の形状異常を抑制することができる。
【０００８】
上記構成において、前記開口部端の一部の下に前記金属パターンが設けられている構成とすることができる。この構成によれば、開口部の形状異常を一層抑制することができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２金属層は前記開口部端下に位置する全ての前記第１金属層上に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、開口部の形状異常を一層抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記レジスト上に前記開口部を覆うように形成された保護層を具備し、前記開口部は前記櫛型電極上に形成された中空を形成している構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記レジストを貫通する貫通電極を具備し、前記金属パターンは、前記櫛型電極と前記貫通電極とを接続する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記光反射率は、前記レジストを露光する際に用いられるパターン光の反射率である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１金属層は、Ａｕである構成とすることができる。また、上記構成において、前記第２金属層は、Ｔｉである構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、圧電基板上に櫛型電極を形成する工程と、前記櫛型電極と接続する金属パターンを形成する工程と、前記圧電基板および前記金属パターン上に、パターン光を照射し現像することにより開口部を有するレジストを形成する工程と、を備え、前記金属パターンを形成する工程は、前記開口部端下になるべき前記金属パターンとして、第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に前記第１金属層より光反射率の小さい最上層の第２金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、金属パターンの最上層の第２金属層の光反射率が小さいため、レジストに開口部を形成する際に発生するレジストの開口部の形状異常を抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記光反射率は、前記パターン光の反射率である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、金属パターンの最上層の第２金属層の光反射率が小さいため、レジストに開口部を形成する際に発生するレジストの開口部の形状異常を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、ポジレジストに開口部を設ける場合の断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、ネガレジストに開口部を設ける場合の断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図４】図４は、図３（ｂ）における上面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は、図５（ｂ）における上面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は比較例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は、図７（ｂ）における上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
まず、本発明の原理について説明する。図１（ａ）および図１（ｂ）は、ポジレジストに開口部を設ける場合の断面図である。なお、図１（ａ）および図１（ｂ）においてポジレジスト２２は、現像後の形状を示している。図１（ａ）を参照し、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電基板１０上に例えばＡｕ等を含む第１金属層１６が形成されている。第１金属層１６上に例えばエポキシ樹脂よりなる感光性のポジレジストが形成されている。ポジレジスト２２にパターン６２を有するマスク６０を介し例えば波長が３６５ｎｍの光を主に有する紫外線ＵＶ（パターン光）を照射する。その後、現像する。これにより、紫外線ＵＶが照射されたレジスト２２の領域が除去され開口部４０が形成される。紫外線ＵＶをレジスト２２に照射する際、第１金属層１６の紫外線ＵＶの反射率が高いため、パターンとして残存すべき領域の端部のポジレジスト２２の下部に第１金属層１６により反射した紫外線ＵＶが照射される。このため、現像後にはパターン端にレジスト欠損５０が生じる。
【００１９】
図１（ｂ）を参照し、第１金属層１６上に例えばＴｉ等を含む第２金属層１８が形成されている。その他の構成は図１（ａ）と同じであり説明を省略する。第２金属層１８の紫外線ＵＶの光反射率は第１金属層１６より小さい。このため、第２金属層１８による紫外線ＵＶの反射は小さい。よって、図１（ａ）のようなレジスト欠損５０を抑制することができる。
【００２０】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、ネガレジストに開口部を設ける場合の断面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）においてネガレジスト２２は、現像後の形状を示している。図２（ａ）を参照し、ネガレジスト２２の場合、光が照射された領域が残存する。開口部となるべき領域の端部のネガレジスト２２の下部に第１金属層１６により反射した紫外線ＵＶが照射される。このため、現像後には開口部４０端にレジスト残渣５２が生じる。一方、図２（ｂ）を参照し、第１金属層１６上に第２金属層１８が形成されている場合、第２金属層１８による紫外線ＵＶの反射が小さいため、レジスト残渣５２を抑制することができる。
【００２１】
本発明によれば、第１金属層１６上に第１金属層１６より光反射率の小さい第２金属層１８を形成する。これにより、レジスト２２の開口部４０のレジスト欠損５０またはレジスト残渣５２等の形状異常を抑制することができる。以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２２】
実施例１は、ポジレジストを用いる例である。図３（ａ）から図３（ｄ）は実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）のように、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電基板１０上に例えばＡｌ等を主に含む電極層１４を、例えばスパッタ法または蒸着法を用い形成する。電極層１４により、圧電基板１０上に例えば弾性表面波素子等の櫛型電極１２が形成される。また、櫛型電極１２に接続する金属パターン２０の最下層が形成される。電極層１４上に第１金属層１６および第２金属層１８を、スパッタ法または蒸着法を用い形成する。第１金属層１６は、例えばＡｕを主に含み膜厚が例えば２００ｎｍである。第２金属層１８は、例えばＴｉを主に含み膜厚が例えば５０ｎｍである。電極層１４、第１金属層１６および第２金属層１８から金属パターン２０が形成される。このように、金属パターン２０は圧電基板１０上に形成され櫛型電極１２と接続している。
【００２３】
図３（ｂ）のように、圧電基板１０および金属パターン２０上に例えばエポキシ樹脂等の感光性樹脂からなる例えば膜厚が３０μｍのポジレジスト２２を塗布する。貫通電極が貫通すべき領域および櫛型電極１２（弾性表面波素子の機能領域）上のポジレジスト２２にそれぞれ開口部４２および４０を形成する。開口部４０および４２の形成は、図１（ｂ）において説明したような露光および現像により行なう。
【００２４】
図３（ｃ）のように、ポジレジスト２２上に、開口部４０および４２を覆うように例えばエポキシ樹脂等の樹脂からなる例えば膜厚が３０μｍのポジレジスト２４をテンティング法を用い形成する。ポジレジスト２４に開口部４２を形成する。開口部４０上はポジレジスト２４で覆われ、櫛型電極１２上に中空４４が形成される。開口部４２の形成は、図１（ｂ）のような露光および現像により行なう。これにより、ポジレジスト２２および２４から弾性表面波素子を封止する封止部２６が形成される。
【００２５】
図３（ｄ）のように、開口部４２内の金属パターン２０上に例えばＣｕ等の金属からなり封止部２６を貫通する貫通電極３０を形成する。貫通電極３０上に半田ボール３２を形成する。これにより、櫛型電極１２は金属パターン２０、貫通電極３０および半田ボール３２を介し外部と接続することができる。
【００２６】
図４は、図３（ｂ）における上面図である。ポジレジスト２２の開口部４０および４２を破線で示している。弾性表面波素子の櫛型電極１２等は図示していない。図４を参照し、金属パターン２０は、グランド用パッド領域Ｇｎｄ、入力用パッド領域Ｉｎおよび出力用パッド領域Ｏｕｔに接続されている。開口部４０および４２には、レジスト欠損およびレジスト残渣は形成されていない。実施例１によれば、図３（ｂ）および図３（ｃ）において、開口部４０および４２となるべき領域の端下には第２金属層１８が形成されている。このため、図４、図３（ｂ）および図３（ｃ）のように、開口部４０および４２周辺部に発生するレジスト欠損を抑制することができる。
【００２７】
図５（ａ）から図５（ｄ）は、金属パターン２０ａに第２金属層を有しない比較例１の製造方法を示す図である。図５（ａ）のように、金属パターン２０ａには第２金属層が形成されていない。図５（ｂ）のように、ポジレジスト２２を形成した際に、開口部４０および４２周辺にレジスト欠損５０が生じる。
【００２８】
図５（ｃ）のように、ポジレジスト２４を形成する際も開口部４２周辺にはレジスト欠損５０が生じる。図５（ｄ）のように、貫通電極３０および半田ボール３２を形成する。レジスト欠損５０のため、封止部２６を貫通する貫通電極３０との間に隙間ができてしまう。その他の構成は、実施例１の図３（ａ）から図３（ｄ）と同じであり説明を省略する。
【００２９】
図６は、図５（ｂ）における上面図である。ポジレジスト２２の開口部４０および４２を破線で示している。図６を参照し、開口部４０および４２の端部のうち金属パターン２０ａ上に形成されている部分には、レジスト欠損５０が生じ開口部４０および４２が拡大している。レジスト欠損５０は例えば１〜１０μｍ程度となる。以上のように比較例１では、図１（ａ）で説明したように、ポジレジスト２２を露光する際に用いる光の波長における第１金属層１６の反射率が高いため、開口部４０および４２の端部にレジスト欠損５０が生じてしまう。
【００３０】
実施例１において、金属パターン２０は櫛型電極１２を電気的に外部と接続するための配線として機能する。電極層１４は、櫛型電極１２として好適な材料および膜厚を有する。このため、抵抗が比較的低くないＡｌ電極となる。そこで、第１金属層１６として電極層１４より低抵抗のＡｕ、ＡｇやＣｕ等を用いることにより金属パターン２０の抵抗を低くすることができる。しかし、Ａｕ等は光の反射率が高い。このため、比較例１のように、開口部４０および４２端下の金属パターン２０ａの表面が第１金属層１６の場合、レジスト欠損５０が生じてしまう。そこで、開口部４０および４２端下（すなわち、開口部４０および４２を金属パターン２０に投影した輪郭に相当する部分）の金属パターン２０は、第１金属層１６と、第１金属層１６より光反射率の小さい例えばＴｉからなる最上層の第２金属層１８と、を含む構造とする。これにより、開口部４０および４２端部に生じるレジスト欠損５０を抑制することができる。
【００３１】
第２金属層１８は開口部４０および４２端下に位置する第１金属層１６の一部上に設けられていればよいが、より効果を発揮するため第２金属層１８は開口部４０および４２端下に位置する全ての第１金属層１６上に設けられていることが好ましい。さらに、製造の容易性から第２金属層１８は、第１金属層１６の全面上に設けられることが好ましい。
【００３２】
図６のように、開口部４０および４２端の一部の下に金属パターン２０ａが設けられ、開口部４０および４２端のうち他の部分の下に金属パターン２０ａが形成されていない場合、開口部４０および４２の形状が一層異常となり易い。このような場合、第２金属層１８を設けることにより、図４のように、開口部４０および４２の形状を歪の少ない形状とすることができる。
【００３３】
金属パターン２０は、櫛型電極１２とポジレジスト２２および２４を貫通する貫通電極３０とを接続する。また、ポジレジスト２２上に開口部４０を覆うようにポジレジスト２４（保護層）が形成されている。開口部４０は櫛型電極１２上に形成された中空４４を形成している。このような構成においては、中空４４から導出される金属パターン２０は複数となる（例えば図４のようにグランド、入力および出力）。よって、開口部４０および４２端の一部の下に金属パターン２０が設けられ、他の部分の下に金属パターン２０が形成されていない状態となる。このため、図５のように、開口部４０および４２が歪んだ形状になりやすく、第２金属層１８を設け、歪のない形状とすることが好ましい。
【実施例２】
【００３４】
実施例２は、ネガレジストを用いる例である。実施例２では、例えばエポキシ樹脂等の感光性樹脂からなるネガレジスト２２および２４を用いる。このため、図３（ｂ）および図３（ｃ）において開口部４０および４２を形成する際に、紫外線を照射する領域が実施例１とは反転する。その他の構成は実施例１の図３（ａ）から図３（ｄ）と同じであり説明を省略する。
【００３５】
図７（ａ）から図７（ｂ）はネガレジストを用いた比較例２の製造工程を示す断面図である。図７（ａ）は、比較例１の図５（ａ）と同じである。図５（ｂ）のように、ネガレジスト２２に開口部４０および４２を形成する際、開口部４０および４２のパターン端にレジスト残渣５２が発生する。図５（ｃ）のように、ネガレジスト２４に開口部４２を形成する際、開口部４２のパターン端にレジスト残渣５２が発生する。図５（ｄ）のように、貫通電極３０がレジスト残渣５２により歪んだ形状になる。その他の構成は、実施例１の図３（ａ）から図３（ｄ）と同じであり説明を省略する。
【００３６】
図８は、図７（ｂ）における上面図である。ポジレジスト２２の開口部４０および４２を破線で示している。図８を参照し、開口部４０および４２の端部のうち金属パターン２０ａ上に形成されている部分には、レジスト残渣５２が生じ開口部４０および４２が縮小している。レジスト残渣５２は例えば１〜１０μｍ程度になる。以上のように比較例２では、図２（ａ）で説明したように、ネガレジスト２２を露光する際に用いる光の波長における第１金属層１６の反射率が高いため、開口部４０および４２の端部にレジスト残渣５２が生じてしまう。
【００３７】
実施例２においては、実施例１と同様に、開口部４０および４２端下の金属パターン２０の最上層が光反射率の小さい第２金属層１８である。これにより、開口部４０および４２端部に生じるレジスト欠損５０を抑制することができる。
【００３８】
以上のように実施例１および実施例２によれば、レジスト欠損５０またはレジスト残渣５２等の開口部４０および４２の形状異常を抑制することができる。
【００３９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１０            圧電基板
１２            櫛型電極
１４            電極層
１６            第１金属層
１８            第２金属層
２０            開口部
２２            レジスト
２４            レジスト
３０            貫通電極
３２            半田ボール
４０、４２      開口部
４４            中空
【図１】
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【図２】
2010220033.tif 000004
【図３】
2010220033.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010220033.tif 000007
【図６】
2010220033.tif 000008
【図７】
2010220033.tif 000009
【図８】
2010220033.tif 000010