(57)【要約】【課題】回路板のキャッピング方法の提供。【解決手段】物理方式を利用し、第１銅層電気めっき済みの回路板中のラミネート処理後の樹脂体包含の電気めっきスルーホールＰＴＨに対して処理を行ない、ラミネート処理後の該ＰＴＨの樹脂体表面に浅い盲孔形式の微細孔を形成し、続いて、該ＰＴＨの周囲の該第１銅層電気めっき済みの該回路板、及び、該微細孔を具えた該樹脂体表面に、更に第２銅層の銅めっき工程を実行し、銅めっき工程により、該第２銅層を該樹脂体表面上、及び、該ＰＴＨ周囲の該第１銅層上に形成し、且つ該第２銅層の下向きの突出部を該樹脂体表面の微細孔と緊密に結合させ、こうして該第２銅層を緊密に該樹脂体表面、及び該第１銅層上に付着させることにより、該樹脂体表面とＰＴＨにめっきされた該第２銅層の付着力を増す。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路板製造工程において応用される回路板のキャッピング方法において、
物理方式を利用し、ラミネート処理後の回路板の、樹脂体が充満した電気めっきスルーホールの樹脂体表面に浅い盲孔形式の微細孔を形成する工程、
該電気めっきスルーホールの周囲の該回路板、及び該微細孔を具えた該樹脂体表面に、銅めっきを実行する工程、
を包含したことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項２】
請求項１記載の回路板のキャッピング方法において、前記銅めっきを実行する工程の前の前記回路板は既に第１銅層を有することを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項３】
請求項２記載の回路板のキャッピング方法において、前記銅めっきを実行する工程により、第２銅層が該樹脂体表面上、及び該電気めっきスルーホール周囲の該回路板の該第１銅層上に付着することを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項４】
請求項３記載の回路板のキャッピング方法において、前記第２銅層の下向きの突出部が該樹脂体表面の該微細孔と緊密に結合し、該第２銅層が緊密に該樹脂体表面、及び該第１銅層上に付着することを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項５】
請求項４記載の回路板のキャッピング方法において、前記回路板が高いガラス遷移温度特性（Ｈｉｇｈ−ＴＧ）材料を含むエポキシ基多層板とされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項６】
請求項４記載の回路板のキャッピング方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高いエポキシ板材を含む積層板とされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項７】
請求項４記載の回路板のキャッピング方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高いエポキシ混合板材を含む積層板とされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項８】
請求項４記載の回路板のキャッピング方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高い高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料を含む基準ＦＲ−４板材とされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項９】
請求項４記載の回路板のキャッピング方法において、前記微細孔がレーザーで形成されたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項１０】
請求項９記載の回路板のキャッピング方法において、前記微細孔の孔深が０．５ｍｉｌから２ｍｉｌとされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【請求項１１】
請求項９記載の回路板のキャッピング方法において、前記微細孔の孔深が１．０ｍｉｌとされたことを特徴とする、回路板のキャッピング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路板の製造方法に係り、更に詳しくは、物理方式を利用した回路板のキャッピング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、回路板中の、いわゆるキャッピングは、回路板にさん孔、並びに銅めっき後に、圧着過程を利用しポリプロピレン樹脂を貫通孔に充満させ、続いて、インクを使用して該貫通孔を塞ぎ、続いて、孔を充填後に、さらに樹脂体表面上にＰＴＨ銅層を電気めっきし、この工程がいわゆるキャッピング工程である。
【０００３】
高密度相互接続（ＨＤＩ）はマイクロビア（Ｍｉｃｒｏｖｉａ）搭載細線と細密ピッチを利用し、高密度相互接続を達成する技術である。そのビアピッチは６ｍｌ（０．１５ｍｍ）以下、線幅／線ピッチは３ｍｉｌ／３ｍｉｌ以下（１ｍｉｌは１／１０００インチ、約２５μｍ）であり、現在の技術水準ではビアピッチ２ｍｉｌ以下、線幅／線ピッチは１ｍｉｌ／１ｍｉｌ以下を達成できる。ＨＤＩに関しては、このキャッピング工程によりビア上のレーザーホールの導通不能の問題を回避できる。
【０００４】
ＦＢ−ＤＩＭＭ（Ｆｕｌｌｙ  Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ＤＩＭＭ）メモリモジュールに関しては、このキャッピング工程は回路板内の実装可能領域を増し、並びに孔銅を後続工程の薬液による浸食から保護する。
【０００５】
ＨＤＩ或いはＦＢ−ＤＩＭＭメモリモジュールのいずれも、キャッピング工程において、樹脂体表面と樹脂体表面上に付着するＰＴＨ銅層の間の結合力を増加するため、通常採用される方式は、物理研磨或いはケミカルエッチングである。
【０００６】
物理研磨は物理研磨方式を利用し、樹脂体表面を粗化し、この粗化表面により、該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の間の結合力を増して、緊密に結合させる。
【０００７】
ケミカルエッチングは、化学薬剤を利用して樹脂体表面をエッチングし、樹脂体表面を粗化し、該粗化表面により、該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の間の結合力を増して、緊密に結合させる。
【０００８】
高いガラス遷移温度特性を有する材料については、上述の物理研磨或いはケミカルエッチング工程は、いずれも樹脂体表面に均一で且つ十分な付着力を有する粗化表面を形成することはできず、このため該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の結合力に影響が生じ、このために再熱応力試験後に、該樹脂体表面上の該ＰＴＨ銅層に剥離（ｐｕｌｌ−ａｗａｙ）現象が発生し得る。
【０００９】
ゆえに、高いガラス遷移温度特性の材料に応用できて樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することのない回路板のキャッピング方法を如何に提供するかが、解決すべき課題となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の主要な目的は、一種の回路板のキャッピング方法を提供することにあり、それは回路板製造工程環境において応用され、該回路板のキャッピング方法は、高いガラス遷移温度特性の材料に応用できて樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することがないものとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は一種の回路板のキャッピング方法を提供し、それは、まず、物理方式を利用し、第１銅層電気めっき済みの回路板中のラミネート処理後の樹脂体包含の電気めっきスルーホールＰＴＨに対して処理を行ない、ラミネート処理後の該ＰＴＨの樹脂体表面に浅い盲孔形式の微細孔を形成し、続いて、該ＰＴＨの周囲の該第１銅層電気めっき済みの該回路板、及び、該微細孔を具えた該樹脂体表面に、更に第２銅層の銅めっき工程を実行し、銅めっき工程により、該第２銅層を該樹脂体表面上、及び、該ＰＴＨ周囲の該第１銅層上に形成し、且つ該第２銅層の下向きの突出部を該樹脂体表面の微細孔と緊密に結合させ、こうして該第２銅層を緊密に該樹脂体表面、及び該第１銅層上に付着させることにより、該樹脂体表面とＰＴＨにめっきされた該第２銅層の付着力を増す。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、一種の回路板のキャッピング方法を提供し、それは回路板製造工程環境において応用され、該回路板のキャッピング方法は、高いガラス遷移温度特性の材料に応用できて樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１から図３は連続表示図であり、本発明の回路板のキャッピング方法を利用する前の回路板の製造工程表示図である。図１に示されるように、回路板Ｎに上下のさん孔を行ない、これにより、電気めっきされるスルーホールＮ１とＮ２を得る。続いて、図２のように、回路板Ｎ、及びスルーホールＮ１とＮ２中に、第１銅層１１を電気めっきする。続いて、図３のように、ラミネート（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）処理を行ない、回路板Ｎ間隙と電気めっきスルーホールＮ１とＮ２を樹脂体１２で充満する。
【００１４】
図４は本発明の回路板のキャッピング方法を説明するフローチャートであり、図３中の既にラミネート処理完成した電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対し、キャッピング工程を行なう。図４に示されるように、まず、ステップ１０１で、図３の、既にラミネート処理済みの電気めっきスルーホールに対して、物理方式を利用し、既に第１銅層１１が電気めっきされた回路板Ｎの、ラミネート処理後の樹脂体１２を包含する電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対して、処理を行ない、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に充填された樹脂体１２の表面（図示せず）に、浅い盲孔形式の微細孔（図示せず）を形成し、並びにステップ１０２に進む。
【００１５】
ステップ１０２では、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の、既に第１銅層１１が電気めっきされた該回路板Ｎ、及び、該微細孔を具えた該樹脂体の表面に対して、第２銅層（図示せず）の銅めっきを実施する。銅めっき完成後に、該第２銅層は該樹脂体表面と、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の該第１銅層１１上に付着し、且つ該第１銅層の下向きの突出部（図示せず）は該樹脂体表面の該微細孔と緊密に結合し、こうして該第２銅層が緊密に該樹脂体表面及び該第１銅層１１上に付着し、これにより該樹脂体表面と電気めっきスルーホールＮ１とＮ２にめっきされた該第２銅層間の付着力が増す。
【００１６】
図５と図６は連続表示図であり、図４中の本発明の回路板のキャッピング方法の工程の実際の実行状況を示す。図５に示されるように、物理方式を利用し、既に第１銅層１１が電気めっきされた回路板Ｎ中の、ラミネート処理完成した電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対し、処理を実行し、すなわち、樹脂体１２が充満した該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２の樹脂体表面１２１に、浅い盲孔形式の微細孔１２２を形成する。この電気めっきスルーホールＮ１とＮ２はレーザーで形成されて孔深が０．５ｍｉｌから２ｍｉｌ、例えば１．０ｍｉｌとされ、回路板Ｎは高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料のエポキシ基積層板、及び又は、ガラス遷移温度値が高いエポキシ板材を含む積層板、及び又は、ガラス遷移温度値が高いエポキシ混合板材を含む積層板、及び又は、高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料を含む基準ＦＲ−４板材とされる。
【００１７】
続いて、図６に示されるように、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の、既に第１銅層１１が電気めっきされた該回路板Ｎ、及び、該微細孔１２２を具えた該樹脂体表面１２１に対して、第２銅層１３の銅めっきを実施する。該第２銅層１３は該樹脂体表面１２１と、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の該第１銅層１１上に付着し、且つ該第１銅層１１の下向きの突出部１３１は該樹脂体表面１２１の該微細孔１２２と緊密に結合し、こうして該第２銅層１３が緊密に該樹脂体表面１２１及び該第１銅層１１上に付着し、これにより該樹脂体表面１２１と電気めっきスルーホールＮ１とＮ２にめっきされた該第２銅層間の付着力が増す。
【００１８】
本発明の回路板のキャッピング方法の長所は、高いガラス遷移温度特性の材料に応用可能で、樹脂体表面と電気めっきスルーホールの銅層を緊密に結合させられ、並びに再熱応力試験後に剥離現象を発生しないことである。
【００１９】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の範囲を制限するものではなく、本発明が提示する精神の下で完成される同じ効果を有する変更或いは修飾はいずれも本発明の請求範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の回路板のキャッピング方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。
【図２】本発明の回路板のキャッピング方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。
【図３】本発明の回路板のキャッピング方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。
【図４】本発明の回路板のキャッピング方法を説明するフローチャートである。
【図５】本発明の工程の連続表示図であり、図４の実際の実行状況を示す。
【図６】本発明の工程の連続表示図であり、図４の実際の実行状況を示す。
【符号の説明】
【００２１】
１１  第１銅層                １２  樹脂体
１３  第２銅層                １０１  １０２  ステップ
１２１  樹脂体表面            １２２  微細孔
１３１  突出部                Ｎ  回路板
Ｎ１  Ｎ２  電気めっきスルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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