(57)【要約】【課題】画像データのＤＲＡＭに対する書き込みの際にリフレッシュフリーを実現可能な撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置１は、二次元状に配列された複数の撮像素子７と、撮像素子７の画像データが記憶されるＤＲＡＭ４２と、ＤＲＡＭ４２に対する画像データの書き込み／読み出しを制御するメモリコントローラ４３とを備え、メモリコントローラ４３は、走査線５のラインＬｘごとの画像データを、ＤＲＡＭ４２の複数のロウに跨り、各ロウrowｚごとに書き込まれるデータ数が１ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込むとともに、走査線５の１ライン分の画像データが、少なくとも当該ラインＬｘに隣接する他のラインＬｘの画像データと同じ複数のロウに書き込まないように制御し、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴが、ＤＲＡＭのデータ保持時間以内になるように制御する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ設けられ、照射された光の光量に応じて電荷を発生させる複数の撮像素子が、二次元状に配列された検出部と、
信号読み出し用の電圧を印加する前記各走査線のラインを順次切り替える走査駆動回路と、
前記各走査線に接続され、前記信号読み出し用の電圧が印加されると前記撮像素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ素子と、
前記信号線を介して前記撮像素子から前記電荷を読み出して前記撮像素子ごとに画像データを順次出力する読み出し回路と、
前記撮像素子ごとの画像データが所定のメモリ領域に記憶されるＤＲＡＭと、
前記ＤＲＡＭへの前記画像データの書き込みおよび前記ＤＲＡＭからの前記画像データの読み出しを制御するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、前記ＤＲＡＭの前記所定のメモリ領域の複数のロウに跨り、かつ、前記各ロウごとに書き込まれるデータ数が１ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込むとともに、前記走査線の１ライン分の前記画像データが、少なくとも前記検出部において当該ラインに隣接する他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないように制御し、前記ＤＲＡＭの前記所定のメモリ領域の各ロウへの書き込み動作の時間間隔が、前記ＤＲＡＭのデータ保持時間以内になるように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、当該画像データが他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないようにして書き込んでいき、前記ＤＲＡＭの前記所定のメモリ領域の全てのロウへの１回目の書き込みが終了すると、前記走査線の残りのラインごとの前記画像データについては、前記１回目の書き込み順序と同じ順序で、かつ、すでに他のラインの前記画像データが書き込まれた前記ＤＲＡＭのカラムとは別のカラムに書き込むように制御して、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記ＤＲＡＭの全てのロウへの書き込み処理を繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記メモリコントローラには、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記ＤＲＡＭの全てのロウへの書き込み処理において、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記ＤＲＡＭの各ロウへの書き込み処理がそれぞれ前記ＤＲＡＭのデータ保持時間以内に繰り返されるように、前記走査線の１ライン分の前記画像データが跨るように書き込まれる前記複数のロウの数および前記各ロウごとに記憶されるデータ数が設定されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記メモリコントローラは、前記ＤＲＡＭからの前記画像データの読み出しの際には、前記走査線の各ラインごとの前記画像データを、前記ＤＲＡＭの各ロウへの書き込み順序と同じ順序で読み出すように制御することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記メモリコントローラは、前記ＤＲＡＭからの前記画像データの読み出しの際には、前記走査線の各ラインごとの前記画像データを、前記ＤＲＡＭの各ロウへの書き込み順序とは逆の順序で読み出すように制御することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
少なくとも前記検出部、前記走査駆動回路、前記読み出し回路、前記ＤＲＡＭおよび前記メモリコントローラに電力を供給するバッテリが内蔵されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像装置であって、
前記検出部の前記撮像素子は、照射された放射線を検出する放射線検出素子、または照射された放射線が他の波長に変換された光を検出する光電変換素子であることを特徴とする可搬型放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るため、最近では、照射された放射線を撮像素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。
【０００３】
このようなタイプの放射線画像撮影装置は、ＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られている。ＦＰＤでは、通常、複数の撮像素子を基板等の表面上に二次元状に配列して配置して検出部が形成されている。そして、照射された放射線を撮像素子である放射線検出素子で画像データに変換したり（いわゆる直接型）、照射された放射線を一旦シンチレータ等で可視光等の別の波長の光に変換し、変換されて照射された光を撮像素子である光電変換素子で画像データに変換する（いわゆる間接型）等して、被写体を介してＦＰＤに照射された放射線をその線量に応じた画像データに変換して検出するようになっている（例えば特許文献１等参照）。
【０００４】
さらに、近年、複数の撮像素子が二次元状に配列された検出部等をハウジングに収納する等して可搬とされた可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２等参照）。
【０００５】
このように検出部に二次元状に配列された複数の検出素子で入射した光を画像データに変換するものとしては、ＦＰＤの他にも、デジタルカメラ等の撮像装置が知られている（例えば特許文献３参照）。例えば、デジタルカメラでは、撮像素子としてＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の光学センサが二次元状に配列されて入射した可視光が画像データに変換される。
【０００６】
なお、放射線画像撮影装置やデジタルカメラ等のように、検出部に二次元状に配列された複数の撮像素子で入射した放射線や可視光をデジタルの画像データに変換して検出する装置を撮像装置という。さらに、以下、単に光という場合、可視光だけでなく放射線をも含む波長領域の光をいうものとする。
【０００７】
これらの撮像装置では、得られた画像データを装置内部に設けられた記憶手段に一旦保存しておき、撮影後、画像データを他の記憶媒体に記憶させたり、外部装置に取り出してそのモニタ画面上に表示したり、或いはフィルム等の画像記録媒体に記録して出力する等の処理が行われる。記憶手段としては、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）に比べて回路構成が単純で、集積度を容易に上げることができる等の利点を有するＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）が用いられることが多い。
【０００８】
ここで、図１２に示すように、検出部１００上にｘ（ライン）×ｙ（列）個の撮像素子１０１が二次元状に配列され、ＤＲＡＭはｚ（ロウ（row）、行）×ｗ（カラム（column）、列）のメモリ領域を有するものとする。
【０００９】
なお、実際の仕様では、撮像素子のライン番号、列番号やＤＲＡＭのロウアドレス、カラムアドレスは、通常、０から始まる番号で表わされるが、以下では、便宜上、ライン番号ｘ、列番号ｙ、ロウ番号ｚ、カラム番号ｗはそれぞれ１、２、３、…のように１から始まる番号で表すものとする。また、各撮像素子を、ライン番号ｘと列番号ｙとを用いて撮像素子（ｘ，ｙ）と表す場合がある。
【００１０】
検出部１００の撮像素子１０１からそれぞれ画像データを読み出す場合、通常、ライン１（すなわちｘ＝１）の各撮像素子１０１の各画像データを撮像素子（１，１）から順に読み出し、ライン１の撮像素子（１，ｙ）の全読み出しが終了すると、続いてライン２の撮像素子（２，１）から順に画像データの読み出しを行うようにして、ライン番号ｘを順次インクリメントしながら各撮像素子１０１から画像データを読み出す。また、逆に、最終ラインの各撮像素子１０１からの画像データの読み出しを開始し、順次ライン番号をデクリメントしながら画像データを読み出す場合もある。
【００１１】
そして、図１２に示すように、例えば１０２４（ライン）×１０２４（列）の各撮像素子１０１から各画像データを読み出して、例えば２０４８（ロウ）×５１２（カラム）のＤＲＡＭ１０２に保存する場合、通常、１ライン分の１０２４個の撮像素子１０１の画像データをＤＲＡＭ１０２の２行（ロウ）分のメモリ領域（すなわち５１２×２）に書き込むようにして各画像データを書き込んでいく。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献３】特開２００２−２８１４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、記憶手段としてＤＲＡＭを用いる場合、よく知られているように、データを保持するためのリフレッシュ動作が必要となる。また、ＤＲＡＭに対して書き込み（write）や読み出し（read）を行う場合には、書き込み動作や読み出し動作により、対象となっているロウごとにデータが保持される。そのため、少なくともそのロウについては、リフレッシュ動作等が行われた後、データ保持時間内に書き込み動作や読み出し動作が行われれば、データ保持のために改めてリフレッシュ動作を行う必要はない。
【００１４】
すなわち、上記の図１２の例ではＤＲＡＭ１０２への各画像データの書き込みが行われる場合、検出部１００の１ライン分の各撮像素子１０１の画像データが読み出されてＤＲＡＭ１０２の２ロウ分に書き込まれるため、その２ロウ分についてはリフレッシュ動作を行わなくてもよい。なお、当該２ロウ分については、その後、少なくとも今回の検出部１００の各撮像素子１０１からの画像データの読み出し期間中は書き込み動作が行われないため、データ保持時間以内に定期的なリフレッシュ動作を再開することが必要になる。
【００１５】
このように、記憶手段としてＤＲＡＭを用いた場合、上記のようなＤＲＡＭの特性により、撮像装置の検出部の各撮像素子からＤＲＡＭに画像データを書き込む際、或いはＤＲＡＭから画像データを読み出す際には、リフレッシュ動作が必要なくなるため、その分だけ消費される電力が低減される。
【００１６】
撮像装置では、デジタルカメラの場合はもちろん、放射線画像撮影装置においては特に可搬型の放射線画像撮影装置においては、通常、バッテリが内蔵されており、バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請される。
【００１７】
そのため、このような撮像装置においては、上記のＤＲＡＭの特性を利用して、少なくとも検出部からＤＲＡＭへの画像データの書き込みやＤＲＡＭから画像データの読み出しの際にはリフレッシュ動作を行わないこと（すなわち、いわゆるリフレッシュフリー）を実現できるように撮像装置を構成することが望まれる。
【００１８】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、画像データのＤＲＡＭに対する書き込みや読み出しの際にリフレッシュフリーを実現可能な撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記の問題を解決するために、本発明の撮像装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ設けられ、照射された光の光量に応じて電荷を発生させる複数の撮像素子が、二次元状に配列された検出部と、
信号読み出し用の電圧を印加する前記各走査線のラインを順次切り替える走査駆動回路と、
前記各走査線に接続され、前記信号読み出し用の電圧が印加されると前記撮像素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ素子と、
前記信号線を介して前記撮像素子から前記電荷を読み出して前記撮像素子ごとに画像データを順次出力する読み出し回路と、
前記撮像素子ごとの画像データが所定のメモリ領域に記憶されるＤＲＡＭと、
前記ＤＲＡＭへの前記画像データの書き込みおよび前記ＤＲＡＭからの前記画像データの読み出しを制御するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、前記ＤＲＡＭの前記所定のメモリ領域の複数のロウに跨り、かつ、前記各ロウごとに書き込まれるデータ数が１ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込むとともに、前記走査線の１ライン分の前記画像データが、少なくとも前記検出部において当該ラインに隣接する他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないように制御し、前記ＤＲＡＭの前記所定のメモリ領域の各ロウへの書き込み動作の時間間隔が、前記ＤＲＡＭのデータ保持時間以内になるように制御することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の可搬型放射線画像撮影装置は、上記の本発明の撮像装置の構成を有し、前記検出部の前記撮像素子は、照射された放射線を検出する放射線検出素子、または照射された放射線が他の波長に変換された光を検出する光電変換素子であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のような方式の撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置によれば、ＤＲＡＭの各ロウへの書き込み動作の時間間隔がＤＲＡＭのデータ保持時間以内になるように制御するため、検出部の各撮像素子からの画像データのＤＲＡＭへの書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなる。そのため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。
【００２２】
前述したように、撮像装置がデジタルカメラである場合はもちろん、特に可搬型の放射線画像撮影装置では、内蔵バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請されるが、本発明のような方式の可搬型放射線画像撮影装置によれば、上記のように少なくともＤＲＡＭへの画像データの書き込み動作においてリフレッシュフリーを実現することが可能となるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となり、内蔵バッテリの消耗を有効に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された撮像素子と薄膜トランジスタ等の構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路図を表す図である。
【図８】本実施形態における走査線のラインＬ１の画像データのＤＲＡＭへの書き込みを説明する図である。
【図９】本実施形態における走査線のラインＬ２の画像データのＤＲＡＭへの書き込みを説明する図である。
【図１０】本実施形態における走査線のラインＬ８の画像データのＤＲＡＭへの書き込みを説明する図である。
【図１１】本実施形態における走査線のラインＬ９の画像データのＤＲＡＭへの書き込みを説明する図である。
【図１２】ＤＲＡＭの構成および従来の走査線の各ラインの画像データのＤＲＡＭへの書き込みを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の図示例のものに限定されるものではない。
【００２５】
なお、以下では、撮像装置が可搬型放射線画像撮影装置である場合について説明する。また、可搬型放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、撮像素子であるフォトダイオード等の光電変換素子で電気信号を得るいわゆる間接型の可搬型放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を撮像素子である放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の可搬型放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００２６】
また、本発明は、撮像装置が可搬型放射線画像撮影装置である場合には限定されず、前述したように、撮像素子としてＣＣＤやＣＭＯＳ等の光学センサを備えるデジタルカメラ等の撮像装置である場合にも適用される。なお、以下、便宜上、可搬型放射線画像撮影装置を単に放射線画像撮影装置と表す。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３や基板４等が収納されたカセッテ型の可搬型放射線画像撮影装置として構成されている。
【００２８】
ハウジング２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、ハウジング２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、ハウジング２を一体的に形成する、いわばモノコック型とすることも可能である。
【００２９】
ハウジング２の内部の基板４の下方側には、図２に示すように、基台３１が配置されており、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。また、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側には、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
【００３０】
シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の光、すなわち可視光線を中心とした光に変換して出力するものが用いられる。シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。
【００３１】
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、それぞれフォトダイオード等からなる撮像素子７がそれぞれ設けられている。このように、撮像素子７は、基板４上に二次元状に配列されており、複数の撮像素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００３２】
本実施形態では、撮像素子７として、放射線入射面Ｒから入射した放射線がシンチレータ３で変換されて出力される光の光量（シンチレータ３に入射した放射線の線量に応じて変動する。）に応じて電荷を発生させるフォトダイオードが用いられているが、この他にも、例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。また、各撮像素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００３３】
そして、ＴＦＴ８は、ゲート電極８ｇに信号読み出し用の電圧が印加されてオン状態とされることにより、撮像素子７内に蓄積された電荷を信号線６に放出させるようになっている。ここで、本実施形態における撮像素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００３４】
基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、撮像素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００３５】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００３６】
また、撮像素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【００３７】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。
【００３８】
ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された光がｉ層７６等に到達するように構成されている。以上のようにして撮像素子７が形成されている。なお、本実施形態では、上記のように、撮像素子７としてｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５が積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の撮像素子を用いる場合を説明したが、撮像素子７は、このようなｐｉｎ型の撮像素子に限定されない。
【００３９】
また、撮像素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して撮像素子７に逆バイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、撮像素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち撮像素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００４０】
図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の撮像素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０に結束されている。
【００４１】
本実施形態では、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、ＩＣ１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００４２】
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。
【００４３】
一方、図１に示すように、ハウジング２の一方側の短辺側側面部には、放射線画像撮影装置１の電源スイッチ３６や各種の操作状況等を表示するインジケータ３７等が設けられている。また、この側面部には、図示しない内蔵バッテリの交換用の蓋部材３８が設けられており、蓋部材３８には、放射線画像撮影装置１が外部装置とデータや信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置３９が埋め込まれて設けられている。
【００４４】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路図である。
【００４５】
前述したように、基板４の検出部Ｐの各撮像素子７は、その第２電極７８がそれぞれバイアス線９および結線１０に接続されており、結線１０は逆バイアス電源１４に接続されている。逆バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各撮像素子７に印加する逆バイアス電圧を供給するようになっている。また、逆バイアス電源１４は制御手段２２に接続されており、制御手段２２は、逆バイアス電源１４から各撮像素子７に印加する逆バイアス電圧を制御するようになっている。
【００４６】
各撮像素子７の第１電極７４は、ＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７中ではＧと表記されている。）は、走査駆動回路１５から延びる走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７中ではＤと表記されている。）は、各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００４７】
走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介して走査駆動回路１５からＴＦＴ８のゲート電極８ｇに信号読み出し用の電圧が印加されると、スイッチ素子であるＴＦＴ８がオン状態とされて、撮像素子７に蓄積された電荷がＴＦＴ８のソース電極８ｓを介してドレイン電極８ｄから信号線６に読み出されるようになっている。
【００４８】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７が設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。
【００４９】
なお、走査線５のラインＬｘを表す添字ｘは、図１２で示した各撮像素子１０１のライン番号ｘに対応している。また、図７において各信号線６にＴＦＴ８を介して接続されている各撮像素子７が、図１２における同じ列番号ｙの撮像素子７に対応している。
【００５０】
読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されている。読み出し回路１７では、撮像素子７から信号線６を通じて電荷が読み出され、撮像素子７ごとに電荷が電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号に変換されるようになっている。
【００５１】
そして、電荷電圧変換されて出力された電気信号がアナログマルチプレクサ２１に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて後述するＤＲＡＭ４２に出力されるようになっている。なお、図７中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。
【００５２】
制御手段２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等を備えたマイクロコンピュータや専用の制御回路で構成されており、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。
【００５３】
前述したように、制御手段２２は、逆バイアス電源１４を制御して各撮像素子７に印加する逆バイアス電圧を制御したり、信号読み出し用の電圧を印加する走査線５のラインＬｘを切り替える走査の開始を指示する信号を走査駆動回路１５に送信したり、或いは、各読み出し回路１７内の増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９等を制御して、各撮像素子７からの電気信号の読み出しを行うようになっている。
【００５４】
また、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動回路１５、読み出し回路１７、或いは後述するＤＲＡＭ４２やメモリコントローラ４３等の各部材に電力を供給するためのバッテリ４０が接続されている。このように、バッテリ４０は、放射線画像撮影装置１のハウジング２内に内蔵されており、バッテリ４０には、外部装置からバッテリ４０に電力を供給してバッテリ４０を充電する際の接続端子４１が取り付けられている。
【００５５】
また、制御手段２２には、撮像素子７ごとの画像データが書き込まれるＤＲＡＭ４２と、前述したようにＡ／Ｄ変換器２０から順次出力される各撮像素子７ごとの画像データのＤＲＡＭ４２への書き込みおよびＤＲＡＭ４２からの各画像データの読み出しを制御するメモリコントローラ４３とが接続されている。
【００５６】
ＤＲＡＭ４２は、図１２に示したように、ｚ（ロウ）×ｗ（カラム）のメモリ領域を有する公知のＤＲＡＭが用いられる。また、ＤＲＡＭ４２の種類は特に限定されず、非同期のＤＲＡＭやＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）、ＥＤＯ  ＤＲＡＭ（Extended Data Output ＤＲＡＭ）等のＤＲＡＭが適宜選択されて用いられる。
【００５７】
ここで、各撮像素子７の画像データのＤＲＡＭ４２への書き込み等について説明する前に、放射線の照射による撮像素子７内での電荷の発生や、撮像素子７からの画像データの読み出し処理について説明する。
【００５８】
走査駆動回路１５からの全走査線５に対する信号読み出し用の電圧の印加を停止して各ＴＦＴ８をオフ状態としてゲートを閉じた状態で、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われると、照射された放射線がシンチレータ３（図２参照）に入射し、シンチレータ３で放射線が別の波長の光に変換され、光がその下方の撮像素子７に入射する。
【００５９】
光が撮像素子７に入射して撮像素子７のｉ層７６（図５参照）に到達すると、ｉ層７６内で電子正孔対が発生し、逆バイアス電圧の印加により撮像素子７内に形成された所定の電位勾配に従って、発生した電子と正孔のうちの一方の電荷（本実施形態では正孔）がバイアス線９に流出し、他方の電荷（本実施形態では電子）が撮像素子７内に蓄積される。
【００６０】
そして、放射線画像撮影が終了して放射線の照射が停止されると、制御手段２２から走査駆動回路１５に、各撮像素子７からの画像データの読み出しを開始するための信号が送信される。走査駆動回路１５は、信号を受信すると、まず、所定の走査線５のラインＬ１に信号読み出し用の電圧を印加する。信号読み出し用の電圧が印加された走査線５のラインＬ１に接続されているＴＦＴ８はオン状態とされ、ＴＦＴ８を介して各撮像素子７に蓄積されている電荷が信号線６に放出される。
【００６１】
そして、撮像素子７から信号線６に放出された電荷は、読み出し回路１７で電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号に変換され、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信されてデジタル値の画像データに変換されてＤＲＡＭ４２に出力される。
【００６２】
そして、走査駆動回路１５が、走査線５のラインＬ１への信号読み出し用の電圧の印加を停止して信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を次のラインＬ２に切り替えると、走査線５のラインＬ２にＴＦＴ８を介して接続されている各撮像素子７から、上記と同様にして蓄積されている電荷が信号線６に放出され、電荷が読み出し回路１７で電荷電圧変換されて増幅される等して画像データに変換され、各画像データがＤＲＡＭ４２に出力される。
【００６３】
このようにして、走査駆動回路１５は、信号読み出し用の電圧を印加する走査線５のラインＬｘを順次切り替え（すなわち走査し）、各撮像素子７からそれぞれ画像データが読み出されてＤＲＡＭ４２に出力されて、全撮像素子７からの画像データの読み出し処理が行われるようになっている。
【００６４】
メモリコントローラ４３は、上記のように、走査線５のラインＬｘごとに各撮像素子７の画像データが順次ＤＲＡＭ４２に出力されてくると、ＤＲＡＭ４２に対してロウアドレスやカラムアドレスを指定する等して、それらの画像データを予め設定された手順でＤＲＡＭ４２に書き込むように制御するようになっている。
【００６５】
なお、画像データは、ＤＲＡＭ４２の所定のメモリ領域に書き込まれるようになっている。この所定のメモリ領域は、ＤＲＡＭ４２のメモリ領域の全域に設定したり、或いはその一部に設定することが可能であり、予め適宜設定される。以下におけるＤＲＡＭ４２に書き込む等の記載は、このＤＲＡＭ４２に設定された所定のメモリ領域に書き込むこと等を意味する。
【００６６】
以下、メモリコントローラ４３による画像データの書き込み制御等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００６７】
本発明では、走査線５のラインＬｘごとに出力される各撮像素子７の画像データは、ＤＲＡＭ４２の所定の小領域に書き込まれ、しかも、走査線４のラインＬｘごとに、画像データを書き込む小領域がＤＲＡＭ４２のロウ方向の異なる位置になるようにロウアドレスを切り替えるようになっている。
【００６８】
具体的には、メモリコントローラ４３は、走査線５のラインＬ１の各撮像素子７の画像データがＤＲＡＭ４２に送信されてくると、図８に示すように、それらの画像データを、例えばＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込む。
【００６９】
すなわち、走査線５のラインＬ１の各撮像素子７の画像データのうち、列番号ｙが１〜４の画像データをＤＲＡＭ４２のロウrow１のカラムcolumn１〜column４に書き込み、続いて、列番号ｙが５〜８の画像データをＤＲＡＭ４２のロウrow２のカラムcolumn１〜column４に書き込んでいくようにして、走査線５のラインＬ１の列番号ｙが１〜１０２４の各撮像素子７の画像データをＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込む。
【００７０】
また、メモリコントローラ４３は、図９に示すように、走査線５のラインＬ２の各撮像素子７の画像データがＤＲＡＭ４２に送信されてくると、ラインＬ１の各画像データを書き込んだＤＲＡＭ４２のロウrow１〜２５６の小領域とは別の小領域である例えばロウrow２５７〜row５１２、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込む。
【００７１】
このように、メモリコントローラ４３は、走査線５のラインＬｘごとの画像データを、ＤＲＡＭ４２の複数のロウに跨り、かつ、各ロウrowｚごとに書き込まれるデータ数が１ロウあたりのカラム数（図８や図９の場合は５１２column）をＮ等分（Ｎは２以上の自然数）した各部分（図８や図９の場合は１２８等分した４column分の各部分）のうちの一部分になるように書き込むようになっている。
【００７２】
しかも、メモリコントローラ４３は、走査線５の１ライン（例えばラインＬ２）の画像データが、少なくとも、検出部Ｐにおいて当該ラインに隣接する他のライン（例えばラインＬ１）の画像データと同じ複数のロウ（例えばロウrow１〜row２５６）に書き込まないように制御するようになっている。
【００７３】
このように制御すると、例えば走査線５のラインＬ１の各撮像素子７からの画像データの読み出しタイミングでは、ラインＬ１の各画像データがＤＲＡＭ４２に書き込まれる際にrow１〜row２５６のロウがアクセスされ、走査線５のラインＬ２の各撮像素子７からの画像データの読み出しタイミングでは、ラインＬ２の画像データがＤＲＡＭ４２に書き込まれる際にrow２５７〜row５１２のロウがアクセスされる。
【００７４】
このように、上記のような書き込み制御を行うことにより、走査線５の各ラインＬｘの各撮像素子７からの画像データの読み出しタイミングごとに、ＤＲＡＭ４２の異なる複数のロウ（例えば２５６のロウ）がそれぞれアクセスされるように構成することができる。
【００７５】
本実施形態では、メモリコントローラ４３は、上記のように、例えば走査線５のラインＬ１の画像データが書き込まれたＤＲＡＭ４２上の２５６（ロウ）×４（カラム）の小領域のロウ方向に隣接する２５６（ロウ）×４（カラム）の小領域に走査線５のラインＬ２の画像データを書き込み、さらに、走査線５のラインＬ３、Ｌ４、…の画像データをそのロウ方向に隣接する２５６（ロウ）×４（カラム）の小領域にそれぞれ書き込んでいくようになっている。
【００７６】
そして、図１０に示すように、走査線５のラインＬ８の画像データが読み出され、それらの画像データがＤＲＡＭ４２のロウrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込まれて、ＤＲＡＭ４２の（所定のメモリ領域の）全てのロウrow１〜row２０４８への１回目の書き込みが終了すると、本実施形態では、メモリコントローラ４３は、この１回目の書き込み順序と同じ順序で、それらに隣接するカラムcolumn５〜column８に引き続きそれ以降の各ラインＬｘの画像データを書き込むようになっている。
【００７７】
具体的には、図１１に示すように、メモリコントローラ４３は、走査線５のラインＬ９の各撮像素子７の画像データがＤＲＡＭ４２に送信されてくると、それらの画像データをＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn５〜column８の小領域に書き込み、図示を省略するが、以後、送信されてきた走査線５のラインＬ１０、Ｌ１１、…の画像データをそのロウ方向に隣接する２５６（ロウ）×４（カラム）の小領域に順次書き込んでいく。
【００７８】
そして、走査線５のラインＬ１６の画像データが読み出され、それらの画像データがＤＲＡＭ４２のロウrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn５〜column８の小領域に書き込まれて、ＤＲＡＭ４２の全てのロウrow１〜row２０４８への２回目の書き込みが終了すると、走査線５のラインＬ１７以降の各ラインＬｘの各撮像素子７の画像データは１回目や２回目の書き込み順序と同じ順序で、カラムcolumn９〜column１２、カラムcolumn１３〜column１６、…の各小領域に書き込んでいく。
【００７９】
このようにして、走査線５の各ラインＬｘの各撮像素子７からの画像データのＤＲＡＭ４２のロウrowｚへの書き込み処理を繰り返し、走査線５の最終ラインであるラインＬ１０２４の各撮像素子からの画像データをＤＲＡＭ４２のロウrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn５０９〜column５１２の小領域に書き込むと、メモリコントローラ４３は、放射線画像撮影装置１の検出部Ｐの走査線５の全ラインＬ１〜Ｌ１０２４に接続された全撮像素子７からの全画像データのＤＲＡＭ４２への書き込み処理を終了する。
【００８０】
メモリコントローラ４３により以上のような書き込み制御を行うと、ＤＲＡＭ４２の個々のロウrowｚについて見た場合、走査線５の各ラインからの読み出し処理における８ラインごとに、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚに対する書き込みが行われるようになる。従って、走査線５の１ライン分の画像データ（上記の例では１０２４個のデータ）のＤＲＡＭ４２の複数のロウ（上記の例では２５６のロウ）へのデータ書き込み時間をＴｄとすると、ＤＲＡＭ４２の個々のロウrowｚについて見た場合には各ロウrowｚに対して８×Ｔｄの時間間隔ごとに書き込み動作が行われることになる。
【００８１】
すなわち、本実施形態では、上記のように、走査線５の各ラインＬｘごとの画像データのＤＲＡＭ４２の全てのロウrow１〜row２０４８への書き込み処理が繰り返されて、画像データのＤＲＡＭ４２への書き込みが行われるが、画像データのＤＲＡＭ４２の全てのロウrow１〜row２０４８への１回あたりの書き込み処理に要する時間が、上記のように８×Ｔｄであるため、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚに８×Ｔｄの時間間隔ごとにアクセスが行われる。
【００８２】
そこで、このＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴ（すなわち上記の場合は８×Ｔｄ）が、ＤＲＡＭ４２における各ロウrowｚのデータ保持時間以内になるように予め調整しておけば、メモリコントローラ４３が上記のような書き込み制御を行うことで、少なくとも検出部Ｐの各撮像素子７からの画像データのＤＲＡＭ４２への書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。
【００８３】
走査線５の１ライン分の画像データのＤＲＡＭ４２の例えば２５６等の複数のロウへのデータ書き込み時間Ｔｄは、走査線５の１ライン分の画像データ数、すなわち走査線５の１ライン分として画像データが読み出される撮像素子７の数に応じて変動するが、それ以外の要素に応じても変動する。
【００８４】
例えば、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚに画像データを書き込む際、メモリコントローラ４３は、例えばロウアドレスと画像データを書き込む最初のカラムアドレスとを指定して１ロウ分の画像データ（上記の例の場合は４個の画像データ）をバースト転送する場合がある。
【００８５】
その場合、１ロウ分の画像データの書き込み数すなわち１ロウに書き込む画像データの数を１個に設定する場合と、２個に設定する場合、４個、８個、…に設定する場合でそれぞれ１ロウに画像データを書き込む時間が変わり、走査線５の１ライン分の画像データ数（上記の例の場合は１０２４）が同じであっても、ＤＲＡＭ４２の複数のロウへのデータ書き込み時間Ｔｄ、すなわち、走査線５の１ライン分の最初の画像データのＤＲＡＭ４２のロウrowｚへのデータ書き込みを開始してから走査線５の１ライン分の最後の画像データのＤＲＡＭ４２のロウrowｚ´へのデータ書き込みを終了するまでの時間Ｔｄが変わる。なお、この場合、１ロウ分の画像データの書き込み数が変わると、走査線５の１ライン分の画像データが跨るように書き込まれるＤＲＡＭ４２の複数のロウの数も変わる。
【００８６】
また、このようにＤＲＡＭ４２の１ロウに書き込む画像データの数を変えると、ＤＲＡＭ４２の個々のロウrowｚに対する書き込み動作の時間間隔ΔＴも変わる。すなわち、上記の例のように、走査線５の１ライン分の画像データ数が１０２４で、ＤＲＡＭ４２がロウrow１〜row２０４８で構成されている場合、１ロウ分の画像データの書き込み数が１個であれば、ＤＲＡＭ４２の個々のロウrowｚに対する書き込み動作の時間間隔ΔＴは２×Ｔｄとなり、２個であれば４×Ｔｄ、４個であれば８×Ｔｄ（すなわち上記の例の場合）、８個であれば１６×Ｔｄ、…となる。
【００８７】
このように、走査線５の１ライン分の画像データのＤＲＡＭ４２の複数のロウへのデータ書き込み時間Ｔｄは、放射線画像撮影装置１における検出部Ｐの構成やＤＲＡＭ４２の１ロウに書き込む画像データ数の設定の仕方等によって変動し、その結果として、ＤＲＡＭ４２の個々のロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴが変動する。
【００８８】
そのため、本実施形態では、走査線５の１ライン分の画像データが跨るように書き込まれるＤＲＡＭ４２の複数のロウの数や各ロウrowｚごとに書き込まれる画像データの数、或いは放射線画像撮影装置１の構成等の各要素を適宜設定して、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴがＤＲＡＭ４２における各ロウrowｚのデータ保持時間以内になるように調整されるようになっている。
【００８９】
そして、本実施形態では、上記のように、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとの画像データを、ラインＬ１の各画像データをＤＲＡＭ４２のrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込み、ラインＬ２の各画像データをＤＲＡＭ４２のrow２５７〜row５１２、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込むようにして、ラインＬ８の各画像データをＤＲＡＭ４２のrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn１〜column４の小領域に書き込んで、ＤＲＡＭ４２の全てのロウへの１回目の書き込みが終了すると、走査線５の残りのラインごとの画像データについても、１回目の書き込み順序と同じ順序で、すでに他のラインの画像データが書き込まれたＤＲＡＭ４２のカラムとは別のカラムに書き込むように制御して、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとの画像データのＤＲＡＭ４２の全てのロウへの書き込み処理を繰り返すようになっている。
【００９０】
このような場合には、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとの画像データのＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み処理が、それぞれＤＲＡＭ４２のデータ保持時間以内に繰り返されるように、前記走査線５の１ライン分の画像データが跨るように書き込まれる複数のロウの数や各ロウrowｚごとに記憶されるデータ数が設定される。
【００９１】
なお、上記の例では、走査線５のラインＬ１から順にライン番号ｘをインクリメントしながら各ラインＬｘに接続された各撮像素子７からの画像データを読み出す場合について説明したが、走査線５の最終ライン（上記の例ではラインＬ１０２４）から順にライン番号をデクリメントしながら各ラインＬｘに接続された各撮像素子７からの画像データを読み出す場合もある。
【００９２】
このような場合には、走査線５の最終ラインから順に送信されてくる画像データを、ＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域から順に書き込んでいくように構成することも可能であり、また、ＤＲＡＭ４２のロウrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn５０９〜column５１２の小領域から順に上記の書き込み順とは逆の順番で書き込んでいくように構成することも可能である。
【００９３】
また、上記の例では、走査線５のラインＬ１〜Ｌ８の各撮像素子７の画像データをＤＲＡＭ４２の全てのロウrow１〜row２０４８のカラムcolumn１〜column４の各小領域ごとに順次書き込み、ラインＬ９〜Ｌ１６の画像データをＤＲＡＭ４２のカラムcolumn５〜column８の各小領域に順次書き込んでいくというように、走査線５の各ラインＬｘの画像データをＤＲＡＭ４２のロウ方向およびカラム方向に整然と順次書き込んでいく場合を示したが、必ずしもこのように整然と順次書き込んでいくように構成する必要はない。
【００９４】
しかし、このように整然と書き込むように書き込み制御することにより、制御プログラムの構築等が容易になるとともに、走査線５の１ライン分として画像データが読み出される撮像素子７の数（すなわちいわゆる画素数）等の上記の各要素が種々に異なる場合でも、制御プログラムの基本構成を変えずに、それらの各要素に対応する変数を変えるだけで同じ制御プログラムを用いて書き込み制御を行うことが可能となり、制御プログラムの共通化を図ることが可能となる。
【００９５】
特に、撮像装置がデジタルカメラである場合には、画素数（ピクセル数）や装備されるＤＲＡＭのメモリ容量等は多岐にわたるため、制御プログラムの共通化のメリットは非常に大きいと言える。
【００９６】
また、上記のように画像データをＤＲＡＭ４２に整然と書き込むと、それらの画像データを読み出す際の読み出し制御の構築が非常に容易になるという利点もある。例えば、上記の実施形態のように画像データのＤＲＡＭ４２への書き込みを行った場合には、読み出しの際、画像データを書き込んだ際のＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み順序と同じ順序で、ＤＲＡＭ４２のカラムcolumn１〜column４の各小領域ごとに走査線５のラインＬ１〜Ｌ８の各撮像素子７の画像データを順次読み出し、ＤＲＡＭ４２のカラムcolumn５〜column８の各小領域ごとに走査線５のラインＬ９〜Ｌ１６の各撮像素子７の画像データを順次読み出していくようにして読み出し制御を行う。
【００９７】
このように書き込み順序と同じ順序で読み出し動作を行えばよいため、各撮像素子７の画像データをＤＲＡＭ４２から容易に整然と読み出すことが可能となる。また、その際、画像データの読み出し制御の制御プログラムは、書き込み制御の制御プログラムの構成を有効に活用する等して容易に構築することが可能となる。
【００９８】
なお、前述したように、走査線５の最終ライン（上記の例ではラインＬ１０２４）から順にライン番号をデクリメントしながら各ラインＬｘの各撮像素子７から読み出された画像データを、ＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域から順に書き込んだ場合には、ＤＲＡＭ４２からの画像データの読み出しの際に、この書き込み順序とは逆の順序で読み出すように制御することが可能である。
【００９９】
すなわち、この場合、読み出し制御においては、まず、ＤＲＡＭ４２のロウrow１７９３〜row２０４８、カラムcolumn５０９〜column５１２の小領域から走査線のラインＬ１の画像データを読み出し、続いて、ＤＲＡＭ４２のロウrow１５３７〜row１７９２、カラムcolumn５０９〜column５１２の小領域から走査線のラインＬ２の画像データを読み出すようにして、最後にＤＲＡＭ４２のロウrow１〜row２５６、カラムcolumn１〜column４の小領域から走査線の最終ラインの画像データを読み出すように制御する。
【０１００】
このように制御するように構成すれば、走査線のラインＬ１から順に各ラインＬｘごとの画像データがＤＲＡＭ４２から読み出されるため、放射線画像撮影装置１等の撮像装置で撮像し、撮像装置から読み出される画像の上下を反転する等の処理が不要となる。
【０１０１】
そのため、放射線画像撮影装置１で撮影された放射線画像を外部のコンピュータのモニタ画面上に表示したり、デジタルカメラで撮影した画像を背面の液晶ディスプレイに表示したり、或いは放射線画像撮影装置１で撮影された放射線画像やデジタルカメラで撮影した画像をフィルム等の画像記録媒体に記録する際などに、ユーザが画像の上下反転等を気にすることなく処理することが可能となる。
【０１０２】
また、上記のようにＤＲＡＭ４２への画像データの書き込み順序と同じ順序或いは逆の順序で整然と読み出すように制御することで、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚからの画像データの読み出し動作の時間間隔が、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴと同じ或いは同程度の時間間隔となる。そのため、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚからの画像データの読み出し動作においても、ＤＲＡＭ４２のデータ保持時間以内に各ロウrowｚからの画像データの読み出しを繰り返すことが可能となり、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。
【０１０３】
以上のように、本実施形態に係る撮像装置によれば、走査線５の各ラインＬｘの各撮像素子７からの画像データをＤＲＡＭ４２に書き込む際、画像データがＤＲＡＭ４２の複数のロウに跨り、かつ、各ロウrowｚごとに書き込まれるデータ数が１ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込む。また、それと同時に、走査線５の１ライン分の画像データが、少なくとも隣接する他のラインの画像データと同じ複数のロウに書き込まないように制御して、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚへの書き込み動作の時間間隔ΔＴがＤＲＡＭ４２のデータ保持時間以内になるように制御するように構成した。
【０１０４】
そのため、検出部Ｐの各撮像素子７からの画像データのＤＲＡＭ４２への書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。
【０１０５】
また、上記のようにＤＲＡＭ４２への画像データの書き込み順序と同じ順序或いは逆の順序で読み出しを行うように読み出し制御するように構成すれば、ＤＲＡＭ４２の各ロウrowｚからの画像データの読み出し動作においても、ＤＲＡＭ４２のデータ保持時間以内に各ロウrowｚからの画像データの読み出しを繰り返すことが可能となり、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。そのため、このように構成すれば、ＤＲＡＭ４２からの画像データの読み出し期間中も、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。
【０１０６】
前述したように、撮像装置がデジタルカメラである場合はもちろん、特に可搬型の放射線画像撮影装置では、内蔵バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請されるが、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、上記のようにＤＲＡＭ４２への画像データの書き込み動作やＤＲＡＭ４２からの画像データの読み出し動作においてリフレッシュフリーを実現することが可能となるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となり、内蔵バッテリの消耗を有効に防止することが可能となる。
【０１０７】
なお、本発明が上記の実施形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１０８】
１  放射線画像撮影装置（可搬型放射線画像撮影装置、撮像装置）
５  走査線
６  信号線
７、（ｘ，ｙ）  撮像素子
８  ＴＦＴ（スイッチ素子）
１５  走査駆動回路
１７  読み出し回路
４０  バッテリ
４２  ＤＲＡＭ
４３  メモリコントローラ
columnｗ  カラム
Ｌｘ  走査線のライン
Ｐ  検出部
ｒ  領域
rowｚ  ロウ
ΔＴ  書き込み動作の時間間隔（１回あたりの書き込み処理に要する時間）
【図１】
2010171487.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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