(57)【要約】 【課題】圧力の変動を抑制できるステージ装置を提供する。【解決手段】ステージ装置は、所定空間内の所定面上で移動可能な第１可動部材と、所定面上で、第１可動部材と離れた状態で移動して、所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整する第２可動部材とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定空間内の所定面上で移動可能な第１可動部材と、
前記所定面上で、前記第１可動部材と離れた状態で移動して、前記所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整する第２可動部材と、を備えるステージ装置。
【請求項２】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の移動に応じて移動する請求項１記載のステージ装置。
【請求項３】
前記第２可動部材の移動は、少なくとも前記第１可動部材の移動中に行われる請求項１又は２記載のステージ装置。
【請求項４】
前記所定空間の少なくとも一部は、前記第１可動部材と前記第２可動部材との間の空間の少なくとも一部を含む請求項１〜３のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項５】
前記第１可動部材は、前記所定面内における少なくとも第１方向に移動し、
前記第２可動部材の少なくとも一部は、前記第１方向に関する前記第１可動部材の一方側及び他方側の少なくとも一方に配置される請求項１〜４のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の前記第１方向への移動に応じて、前記第１方向へ移動する請求項５記載のステージ装置。
【請求項７】
前記第１可動部材は、前記第１方向に往復移動し、
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の往復移動に応じて、前記第１方向に往復移動する請求項５又は６記載のステージ装置。
【請求項８】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の往復移動に同期して、前記第１可動部材と同方向に往復移動する請求項７記載のステージ装置。
【請求項９】
前記往復移動する前記第２可動部材のストロークは、前記第１可動部材のストロークとほぼ同じである請求項７又は８記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記往復移動する前記第２可動部材のストロークは、前記第１可動部材のストロークより小さい請求項７又は８記載のステージ装置。
【請求項１１】
前記往復移動時の前記第２可動部材の最高速度は、前記第１可動部材の最高速度より小さい請求項７〜１０のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１２】
前記第１可動部材の往復移動は、前記第１方向と交差する前記所定面内の第２方向に移動しながら行われる請求項７〜１１のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１３】
前記第１可動部材は、前記第１方向と交差する前記所定面内の第２方向に移動しながら前記第１方向に移動し、
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の前記第２方向への移動に応じて、前記第２方向へ移動する請求項５〜１１のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１４】
前記第２可動部材は、該第２可動部材の少なくとも一部が前記第１可動部材と対向し続けるように、前記第２方向へ移動する請求項１３記載のステージ装置。
【請求項１５】
前記第２可動部材は、前記第１方向における前記第１可動部材との距離がほぼ一定に維持されるように、前記第１方向に移動する請求項５〜１４のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１６】
前記第２可動部材は、前記第１方向における前記第１可動部材との距離が小さくなるように、前記第１方向に移動する請求項５〜１４のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１７】
前記第２可動部材は、前記所定空間の少なくとも一部の圧力変動が抑制されるように移動する請求項１〜１６のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１８】
前記所定空間は、実質的に閉ざされている請求項１〜１７のいずれか一項記載のステージ装置。
【請求項１９】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項１〜１８のいずれか一項記載のステージ装置を備えた露光装置。
【請求項２０】
前記第１可動部材は、前記基板を保持する請求項１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第２可動部材は、前記基板を保持せずに、前記露光光を計測する計測器を搭載する請求項１９又は２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第２可動部材は、基板を保持可能である請求項１９記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第２可動部材の待機期間において、前記所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整するように前記第２可動部材を移動する請求項２１又は２２記載の露光装置。
【請求項２４】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板に入射する前記露光光の光路の少なくとも一部を含む、実質的に閉ざされた所定空間と、
前記所定空間内の所定面上で移動可能な第１可動部材と、
前記所定空間内において、前記第１可動部材と離れた状態で移動して、前記所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整する第２可動部材と、を備える露光装置。
【請求項２５】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の移動に応じて移動する請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記第２可動部材の移動は、少なくとも前記第１可動部材の移動中に行われる請求項２４又は２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記所定空間の少なくとも一部は、前記第１可動部材と前記第２可動部材との間の空間の少なくとも一部を含む請求項２４〜２６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第１可動部材は、前記所定面内における少なくとも第１方向に移動し、
前記第２可動部材の少なくとも一部は、前記第１方向に関する前記第１可動部材の一方側に配置される請求項２４〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２９】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の前記第１方向への移動に応じて、前記第１方向へ移動する請求項２８記載の露光装置。
【請求項３０】
前記第１可動部材は、前記第１方向に往復移動し、
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の往復移動に応じて、前記第１方向に往復移動する請求項２８又は２９記載の露光装置。
【請求項３１】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の往復移動に同期して、前記第１可動部材と同方向に往復移動する請求項３０記載の露光装置。
【請求項３２】
前記第１可動部材の往復移動は、前記第１方向と交差する第２方向に移動しながら行われる請求項３０又は３１記載の露光装置。
【請求項３３】
前記第１可動部材は、前記第１方向と交差する前記所定面内の第２方向に移動しながら前記第１方向に移動し、
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の前記第２方向への移動に応じて、前記第２方向へ移動する請求項２８〜３２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３４】
前記基板は、前記第１可動部材に保持される請求項２４に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記第１可動部材は、第１領域を移動可能であり、
前記第１可動部材が前記第１領域内に存在するときに、前記第１可動部材に保持された前記基板に前記露光光を照射可能であり、
前記第２可動部材の移動は、少なくとも前記第１可動部材が前記第１領域内に存在しているときに行われる請求項３４記載の露光装置。
【請求項３６】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材に保持された前記基板の露光中に移動する請求項３４又は３５記載の露光装置。
【請求項３７】
前記第１可動部材に保持された前記基板の露光中に、前記基板の複数のショット領域が順次露光され、
前記基板の露光中に、所定方向における前記第１可動部材と前記第２可動部材との距離がほぼ一定に維持される請求項３６記載の露光装置。
【請求項３８】
前記第１可動部材に保持された前記基板の露光中に、前記基板の複数のショット領域が順次露光され、
前記複数のショット領域の露光が進むにつれて、所定方向における前記第１可動部材と前記第２可動部材との距離が小さくなる請求項３６記載の露光装置。
【請求項３９】
前記第１可動部材に保持された前記基板の露光中に、前記基板の複数のショット領域が順次露光され、
前記複数のショット領域のうちの最後のショット領域の露光終了後、前記第２可動部材に前記露光光を照射可能な位置に前記第２可動部材を移動する請求項３４〜３８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４０】
前記露光光を射出する光学部材をさらに備え、
前記第１可動部材に保持された前記基板の露光中に、前記光学部材の射出面側の前記露光光の光路が液体で満たされ、
前記複数のショット領域のうちの最後のショット領域の露光終了後、前記第１可動部材及び前記第２可動部材の少なくとも一方と前記光学部材との間で液体を保持可能な空間が形成され続けるように、前記第１可動部材と前記第２可動部材とが接近又は接触した状態で移動する請求項３９記載の露光装置。
【請求項４１】
前記第２可動部材は、前記第１可動部材の一方側で移動され、
前記第２可動部材に前記露光光を照射可能な位置に前記第２可動部材を移動した後、前記第１可動部材は、前記第１可動部材の他方側に配置される基板交換位置に移動する請求項３９又は４０記載の露光装置。
【請求項４２】
前記第２可動部材は、前記所定面上で移動可能であり、
前記第２可動部材は、前記基板を保持せずに、前記露光光を計測する計測器を搭載する請求項２４〜４１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４３】
前記第２可動部材は、前記所定面上で移動可能であり、
前記第２可動部材は、基板を保持可能である請求項２４〜４１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４４】
前記第２可動部材は、前記所定空間の少なくとも一部の圧力変動が抑制されるように移動する請求項２４〜４３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４５】
請求項１９〜４４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つを含む）が制御された空間内で移動する可動部材（例えば、基板を保持する基板保持部材）を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６４５２２９２号明細書
【特許文献２】米国特許第６７６２８２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、可動部材の移動によって、可動部材が移動する空間の圧力が変動すると、その可動部材の移動性能が低下する可能性がある。例えば、その空間で基板の露光処理が行われる場合には、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
また、その空間の圧力が変動すると、その空間内の部材、あるいはその空間を形成する部材が変形する可能性がある。例えば、その部材が基板の露光に関する計測処理を実行する計測装置を支持している場合には、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００６】
本発明の態様は、圧力の変動を抑制できるステージ装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に従えば、所定空間内の所定面上で移動可能な第１可動部材と、所定面上で、第１可動部材と離れた状態で移動して、所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整する第２可動部材と、を備えるステージ装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、第１の態様のステージ装置を備えた露光装置が提供される。
【０００９】
本発明の第３の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、基板に入射する露光光の光路の少なくとも一部を含む、実質的に閉ざされた所定空間と、所定空間内の所定面上で移動可能な第１可動部材と、所定空間内において、第１可動部材と離れた状態で移動して、所定空間内の少なくとも一部の圧力を調整する第２可動部材と、を備える露光装置が提供される。
【００１０】
本発明の第４の態様に従えば、第２，第３の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、圧力の変動を抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板ステージに保持された基板の一例を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図５】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図６】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図７】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１０】第２実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１１】第２実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１３】第３実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１４】第３実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための図である。
【図１５】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１５】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動するための駆動システム１０と、基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための駆動システム２０と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を光学的に計測する干渉計システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材５と、露光光ＥＬが進行する空間を形成するチャンバ装置６と、基板Ｐを搬送可能な搬送装置４０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置７Ｍとを備えている。
【００１６】
また、露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の支持面ＦＬ上に設けられた第１コラム９、及び第１コラム９上に設けられた第２コラム１０を含むボディ８を備えている。本実施形態において、チャンバ装置６によって形成される空間には、マスクステージ１、基板ステージ２、計測ステージ３、照明系ＩＬ、投影光学系ＰＬ、及びボディ８等が配置される。
【００１７】
第１コラム９は、第１支持部材１４と、第１支持部材１４に防振装置１５を介して支持された第１定盤１６とを備えている。第２コラム１０は、第１定盤１６上に配置された第２支持部材１７と、第２支持部材１７に防振装置１８を介して支持された第２定盤１９とを備えている。
【００１８】
第１コラム９は、第１空間１１を形成する。本実施形態において、第１コラム９は、支持面ＦＬとの間で第１空間１１を形成する。第１空間１１は、実質的に閉ざされている。なお、第１空間１１が第１コラム９と第３定盤２７（後述）で画定されてもよい。
【００１９】
第２コラム１０は、第２空間１２を形成する。本実施形態において、第２コラム１０は、第１定盤１６との間で第２空間１２を形成する。第２空間１２は、実質的に閉ざされている。
【００２０】
チャンバ装置６は、第３空間１３を形成する。本実施形態において、チャンバ装置６は、第２定盤１９との間で第３空間１３を形成する。第３空間１３は、実質的に閉ざされている。
【００２１】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１，第２，第３空間１１，１２，１３の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つ）を制御する環境制御装置２１，２２，２３を備えている。本実施形態において、環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び気体中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、第１〜第３空間１１〜１３の環境を制御するために、第１〜第３空間１１〜１３にクリーンで温度調整された気体を供給する。
【００２２】
本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１のクリーン度が最も高く、第１空間１１に次いで第３空間１３のクリーン度が高く、第３空間１３に次いで第２空間１２のクリーン度が高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。
【００２３】
また、本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１の圧力が最も高く、且つ第３空間１３の圧力が第２空間１２の圧力より高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。
【００２４】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２５】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、第３空間１３内で移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。
【００２６】
マスクステージ１は、第２定盤１９のガイド面１９Ｇ上を移動可能である。ガイド面１９Ｇは、第３空間１３内に配置されている。マスクステージ１は、ガイド面１９Ｇ上において、照明領域ＩＲ（照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面１９Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。マスクステージ１は、駆動システム１０の作動により、第３空間１３内のガイド面１９Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム１０は、ガイド面１９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。マスクステージ１を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子１Ｍと、第２定盤１９に配置された固定子１９Ｃとを有する。本実施形態において、可動子１Ｍは、マグネットアレイを含み、固定子１９Ｃは、コイルアレイを含む。なお、可動子１Ｍがコイルアレイを含み、固定子１９Ｃがマグネットアレイを含んでもよい。本実施形態においては、マスクステージ１は、平面モータを含む駆動システム１０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２７】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２４に保持されている。鏡筒２４は、フランジ２４Ｆを有する。投影光学系ＰＬは、フランジ２４Ｆを介して、第１定盤１６に支持される。なお、第１定盤１６と鏡筒２４との間に防振装置を設けることができる。
【００２８】
本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２９】
投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２６を有する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２５）の射出面２６から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。
【００３０】
本実施形態において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子２５は、第１空間１１に配置されている。本実施形態において、終端光学素子２５の射出面２６から射出される露光光ＥＬの光路は、第１空間１１に配置される。すなわち、本実施形態において、第１空間１１は、投影光学系ＰＬの像面側の光路を含み、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路の少なくとも一部を含む。
【００３１】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、第１空間１１内で移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板Ｐは基板保持部２Ｈの上側（＋Ｚ側）に保持される。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。
【００３２】
計測ステージ３は、計測器Ｃの少なくとも一部を搭載した状態で、第１空間１１内で移動可能である。計測器Ｃは、露光光ＥＬを計測可能である。すなわち、計測器Ｃは露光光ＥＬを受光可能である。計測ステージ３に搭載される計測器Ｃとして、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部、及び例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等が挙げられる。また、計測器Ｃは、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントセンサで検出される基準マークを有する基準部材も含む。なお、基準部材に、露光光ＥＬと同じ波長の検出光で検出される基準マークが設けられていてもよい。
【００３３】
基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されている。
【００３４】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第３定盤２７のガイド面２７Ｇ上を移動可能である。ガイド面２７Ｇ（第３定盤２７）は、第１空間１１内に配置されている。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ガイド面２７Ｇ上において、投影領域ＰＲ（投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面２７Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。第３定盤２７は、防振装置２８を介して、支持面ＦＬに支持されている。
【００３５】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、駆動システム２０の作動により、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム２０は、ガイド面２７Ｇ上で基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれに配置された可動子２Ｍ，３Ｍと、第３定盤２７に配置された固定子２７Ｃとを有する。本実施形態において、可動子２Ｍ，３Ｍは、コイルアレイを含み、固定子２７Ｃは、マグネットアレイを含む。なお、可動子２Ｍ，３Ｍがマグネットアレイを含み、固定子２７Ｃがコイルアレイを含んでもよい。本実施形態においては、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、平面モータを含む駆動システム２０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００３６】
液浸部材５は、終端光学素子２５の近傍に配置される。液浸部材５は、終端光学素子２５と、投影領域ＰＲに配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。液浸空間は、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測器Ｃの少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光中、液浸部材５は、終端光学素子２５と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。
【００３７】
液浸部材５は、物体と対向可能な下面２９を有し、下面２９と物体との間の空間は液体ＬＱを保持可能である。下面２９と物体との間に保持された液体ＬＱによって液浸空間が形成される。本実施形態においては、基板Ｐの露光中は、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間が形成される。基板Ｐの露光中は、液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）は、液浸部材５の下面２９と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００３８】
本実施形態において、液浸部材５は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体ＬＱを供給する供給口と、液体ＬＱを回収する回収口とを有する。制御装置７は、供給口を用いる液体供給動作と並行して、回収口を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子２５及び液浸部材５と、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間を形成可能である。
【００３９】
干渉計システム４は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット４Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置情報を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット４Ｂとを有する。第１，第２干渉計ユニット４Ａ，４Ｂのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第１干渉計ユニット４Ａは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を取得する。第２干渉計ユニット４Ｂは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に設けられた計測ミラー３Ｒのそれぞれに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測器Ｃ）の位置情報を取得する。
【００４０】
また、不図示であるが、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書、米国特許第６３２７０２５号明細書等に開示されているような、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システムが配置されている。なお、フォーカス・レベリング検出システムは、基板Ｐの表面の位置情報のみならず、基板ステージ２の上面、及び計測ステージ３の上面の位置情報を検出することができる。
【００４１】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置７は、干渉計システム４の計測結果、及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、駆動システム１０，２０を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置制御を実行する。
【００４２】
図２は、第１空間１１の一部を示す平面図である。以下の説明において、投影領域ＰＲに含まれる、終端光学素子２５から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を適宜、露光位置ＥＰ、と称する。
【００４３】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。基板ステージ２は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第１領域１０１を移動可能である。計測ステージ３は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第２領域１０２を移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２が第１領域１０１内に存在するときに、基板ステージ２に保持された基板Ｐに露光光ＥＬを照射可能である。
【００４４】
また、基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰを含むガイド面２７Ｇ上の第３領域１０３を移動可能である。基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２に対して基板Ｐを搬入（ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に露光前の基板Ｐをロードする動作、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする動作の少なくとも一方を実行する。
【００４５】
基板ステージ２が移動可能な第１領域１０１の少なくとも一部は、計測ステージ３が移動可能な第２領域１０２より−Ｙ側に配置される。
【００４６】
本実施形態において、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面２Ｔを有する。基板ステージ２の上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、計測ステージ３は、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面３Ｔを有する。計測ステージ３の上面３Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００４７】
本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置７は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子２５及び液浸部材５との間で液体ＬＱを保持可能な空間が形成され続けるように、基板ステージ２の上面２Ｔと計測ステージ３の上面３Ｔとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面２Ｔ及び計測ステージ３の上面３Ｔの少なくとも一方と終端光学素子２５の射出面２６及び液浸部材５の下面２９とを対向させつつ、終端光学素子２５及び液浸部材５に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置７は、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板ステージ２との間に液体ＬＱで液浸空間が形成される状態、及び終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３との間に液体ＬＱで液浸空間が形成される状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、制御装置７は、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板ステージ２の上面２Ｔと計測ステージ３の上面３Ｔとの間で液体ＬＱの液浸空間を移動可能である。
【００４８】
以下の説明において、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子２５及び液浸部材５との間で液体ＬＱを保持可能な空間が形成され続けるように、基板ステージ２と計測ステージ３とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子２５及び液浸部材５に対してＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。
【００４９】
本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、制御装置７は、基板ステージ２の上面２Ｔと計測ステージ３の上面３Ｔとがほぼ同一平面内に配置されるように、基板ステージ２の上面２Ｔと計測ステージ３の上面３Ｔとの位置関係を調整する。
【００５０】
例えば、計測器Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置７は、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子２５と計測器Ｃとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。制御装置７は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測器Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測器Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Ｐの露光処理に反映される。
【００５１】
図３は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に複数配置されている。本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、その基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が順次露光される。基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、終端光学素子２５の射出面２６側の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、基板Ｐ上に液浸空間が形成される。
【００５２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置７は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００５３】
例えば基板Ｐ上の第１ショット領域Ｓ１を露光するために、制御装置７は、基板Ｐ（第１ショット領域Ｓ１）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間の液体ＬＱとを介して第１ショット領域Ｓ１に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１に投影され、その第１ショット領域Ｓ１は、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬで露光される。第１ショット領域Ｓ１の露光が終了した後、制御装置７は、次の第２ショット領域Ｓ２の露光を開始するために、液浸空間を形成した状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動する動作を実行し、第２ショット領域Ｓ２を露光開始位置に移動する。そして、制御装置７は、第２ショット領域Ｓ２の露光を開始する。
【００５４】
制御装置７は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する。
【００５５】
以下の説明において、ショット領域Ｓを露光するために、終端光学素子２５に対して基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、終端光学素子２５に対して基板Ｐを移動することを適宜、ステップ移動、と称する。
【００５６】
本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置ＥＸの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００５７】
露光レシピは、記憶装置７Ｍに予め記憶されている。制御装置７は、露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００５８】
露光レシピは、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の移動条件を含む。移動条件は、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置、移動方向、移動距離、速度、加速度（減速度）、及び移動軌跡の少なくとも一つを含む。
【００５９】
本実施形態においては、制御装置７は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図３中、例えば矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。
【００６０】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について、図４〜図９を参照して説明する。
【００６１】
基板Ｐの露光動作を開始するために、制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に、露光前の基板Ｐをロードする。終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する位置には、計測ステージ３が配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３との間に、液体ＬＱで液浸空間が形成されている。制御装置７は、必要に応じて、計測ステージ３を用いる計測動作を実行する。
【００６２】
基板ステージ２に基板Ｐがロードされた後、制御装置７は、駆動システム２０を作動して、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態から、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態に変化するように、スクラム移動する。
【００６３】
制御装置７は、基板Ｐの露光動作を実行するために、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱで液浸空間を形成する。そして、制御装置７は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光する動作を開始する。
【００６４】
本実施形態において、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光するとき、制御装置７は、露光レシピに基づいて、第１空間１１において、ガイド面２７Ｇ上で、矢印Ｒ１で示したように、基板ステージ２をスキャン移動及びステップ移動させる。実質的に閉ざされた第１空間１１において基板ステージ２が移動すると、第１空間１１の圧力が変動したり、第１空間１１の圧力分布が不均一になったりする可能性がある。そこで、本実施形態においては、制御装置７は、計測ステージ３を、ガイド面２７Ｇ上で、基板ステージ２と離れた状態で移動して、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力を調整する。
【００６５】
本実施形態において、計測ステージ３は、基板ステージ２の移動に応じて、ガイド面２７Ｇ上を移動する。第１空間１１内の圧力を調整するための計測ステージ３の移動は、少なくとも基板ステージ２の移動中に行われる。
【００６６】
上述のように、本実施形態においては、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光するときの基板ステージ２の移動条件が、露光レシピにより予め決められている。本実施形態においては、その予め決められている基板ステージ２の移動条件に基づいて、計測ステージ３の移動条件が決められている。すなわち、本実施形態においては、第１空間１１内の圧力が調整されるように、露光レシピに基づいて、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光するときの計測ステージ３の移動条件が予め決められている。
【００６７】
基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光するとき、上述のように、基板ステージ２は、スキャン移動する。すなわち、基板Ｐを露光するとき、基板ステージ２は、少なくともＹ軸方向に移動する。本実施形態において、基板ステージ２が第１領域１０１内で移動するとき、計測ステージ３は、基板ステージ２の＋Ｙ側に配置される。すなわち、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する間、計測ステージ３は、基板ステージ２から＋Ｙ方向に離れた位置に待機している。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する間、計測ステージ３に搭載されている計測器Ｃが使われることなく、基板ステージ２と接触しないように、第２領域１０２内で待機している。本実施形態においては、計測ステージ３は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の移動に起因する第１空間１１の少なくとも一部の圧力変動が抑制されるように、基板ステージ２の＋Ｙ側で、基板ステージ２と離れた状態で移動する。
【００６８】
本実施形態において、計測ステージ３は、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する期間において、基板ステージ２のＹ軸方向へのスキャン移動に応じて、Ｙ軸方向へ移動する。すなわち、本実施形態において、計測ステージ３は、待機期間中に、Ｙ軸方向に移動する。
【００６９】
本実施形態においては、第１，第３，第５，第７，第１０，第１２，第１５，第１７，第２０ショット領域Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１５，Ｓ１７，Ｓ２０の露光が実行されるときに、基板ステージ２は、−Ｙ方向にスキャン移動し、他のショット領域Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１１，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１６，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２１の露光が実行されるとき、基板ステージ２は、＋Ｙ方向にスキャン移動する。このように、本実施形態においては、基板ステージ２は、Ｙ軸方向に往復移動する。
【００７０】
本実施形態において、計測ステージ３は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の往復移動に応じて、Ｙ軸方向に往復移動する。本実施形態においては、計測ステージ３は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の往復移動に同期して、基板ステージ２と同方向に移動する。
【００７１】
複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光をする露光期間における、基板ステージ２の移動は、ステップ移動を含む。すなわち、その露光期間におけるＹ軸方向に関する基板ステージ２の往復移動（スキャン移動）は、Ｘ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向、以下傾斜方向と称す）へのステップ移動を交えながら行われる。本実施形態において、露光期間における計測ステージ３の移動は、Ｘ軸方向（あるいは傾斜方向）への移動も含む。すなわち、待機期間における計測ステージ３のＹ軸方向への移動は、基板ステージ２のＸ軸方向（あるいは傾斜方向）への移動に応じた、Ｘ軸方向（あるいは傾斜方向）への移動を交えながら行われる。本実施形態においては、計測ステージ３は、その計測ステージ３の少なくとも一部が基板ステージ２と対向し続けるように、Ｘ軸方向（あるいは傾斜する方向）に移動する。
【００７２】
本実施形態においては、露光期間（待機期間）における計測ステージ３のＹ軸方向の往復移動のストロークは、基板ステージ２のＹ軸方向に関するスキャン移動のストロークとほぼ同じである。また、本実施形態においては、露光期間（待機期間）における往復移動時のＹ軸方向に関する計測ステージ３の最高速度は、基板ステージ２の最高速度とほぼ同じである。また、本実施形態においては、露光期間（待機期間）において、Ｙ軸方向における計測ステージ３と基板ステージ２との距離がほぼ一定に維持される。
【００７３】
図４は、基板ステージ２及び計測ステージ３の移動条件の一例を説明するための模式図である。図４（Ａ）は、基板Ｐのあるショット領域Ｓを露光するためにＹ軸方向の一方（例えば＋Ｙ方向）へスキャン移動する基板ステージ２の移動条件を示し、図４（Ｂ）は、その基板ステージ２のスキャン移動に応じて移動する計測ステージ３の移動条件を示す。図４において、横軸は、ショット領域Ｓを露光するために基板ステージ２がＹ軸方向への加速を開始してから、そのショット領域Ｓの露光終了後、基板ステージ２がＹ軸方向への減速を終了するまでの時間、縦軸は、基板ステージ２及び計測ステージ３の速度を示す。図４に示すように、本実施形態においては、＋Ｙ方向へ移動する計測ステージ３の移動距離は、基板ステージ２の移動距離とほぼ同じである。また、本実施形態においては、計測ステージ３の最高速度は、基板ステージ２の最高速度とほぼ同じである。基板ステージ２及び計測ステージ３が−Ｙ方向へ移動するときも同様である。
【００７４】
図５は、第１ショット領域Ｓ１が露光されている状態の一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、第１ショット領域Ｓ１が最初に露光される。制御装置７は、図４に示すようなプロファイルにしたがって、基板ステージ２を移動させて、第１ショット領域Ｓ１の露光が行われる。
【００７５】
第１ショット領域Ｓ１を露光するとき、制御装置７は、基板ステージ２の＋Ｙ側の側面の少なくとも一部と計測ステージ３の−Ｙ側の側面とが対向するように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。また、制御装置７は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが距離Ｇ０だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第１ショット領域Ｓ１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ０を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００７６】
また、例えば第１１ショット領域Ｓ１１を露光するときには、図６に示すように、制御装置７は、第１１ショット領域Ｓ１１を露光するときの基板ステージ２と計測ステージ３とが対向するように、且つ、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが距離Ｇ０だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第１１ショット領域Ｓ１１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ０を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００７７】
また、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、最後の第２１ショット領域Ｓ２１を露光するときには、図７に示すように、制御装置７は、第２１ショット領域Ｓ２１を露光するときの基板ステージ２と計測ステージ３とが対向するように、且つ、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが距離Ｇ０だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第２１ショット領域Ｓ２１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ０を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００７８】
このように、本実施形態においては、基板Ｐの露光中、計測ステージ３は、基板ステージ２の往復移動に同期して、基板ステージ２と同方向に移動しながら待機している。このときに、計測ステージ３の往復移動のストロークと基板ステージ２の往復移動のストロークとはほぼ同じである。また、基板Ｐの露光中、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離は、ほぼ一定の距離Ｇ０に維持される。また、基板ステージ２のステップ移動によって、その基板ステージ２のＸ軸方向に関する位置が変化する場合、そのＸ軸方向への基板ステージ２の移動に追従するように、計測ステージ３もＸ軸方向へ移動して、計測ステージ３の少なくとも一部と基板ステージ２とが対向する。
【００７９】
最後の第２１ショット領域Ｓ２１の露光終了後、制御装置７は、露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードするために、駆動システム２０を作動して、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態に変化するように、スクラム移動を実行する。これにより、計測ステージ３は、露光位置ＥＰに移動する。
【００８０】
露光位置ＥＰに計測ステージ３を移動した後、制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動する。図８に示すように、計測ステージ３は、基板ステージ２の＋Ｙ側に配置され、基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２の−Ｙ側に配置されている。これにより、スクラム移動後、基板ステージ２は、短時間（短距離）で基板交換位置ＣＰに移動可能である。
【００８１】
制御装置７は、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２から、露光後の基板Ｐのアンロードを実行する。その後、制御装置７は、その基板ステージ２に対して、搬送装置４０を用いて、露光前の基板Ｐをロードする。以下、上述と同様の処理が繰り返される。
【００８２】
本実施形態においては、基板Ｐの露光中、基板ステージ２の移動に応じて、計測ステージ３が移動するので、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が調整される。第１空間１１内の少なくとも一部は、基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間の少なくとも一部を含む。
【００８３】
基板ステージ２のスキャン移動によって、例えば基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間の圧力が局所的に変動する可能性がある。また、基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間のみならず、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動する可能性がある。
【００８４】
第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動すると、例えばその第１空間１１内に配置されている部材が変形する可能性がある。例えば基板Ｐの露光に関する計測処理を実行する計測装置（例えばフォーカス・レベリング検出システムの少なくとも一部）が支持されている支持部材が、第１空間１１内の圧力変動によって変形した場合、その計測装置の計測不良が発生する可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【００８５】
また、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動すると、例えばその第１空間１１に配置されている基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方が変形してしまう可能性もある。その結果、基板ステージ２及び計測ステージ３の移動性能が低下し、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【００８６】
本実施形態においては、第１空間１１の少なくとも一部の圧力変動が抑制されるように、基板ステージ２の移動に応じて、計測ステージ３が移動するので、露光不良の発生を抑制することができる。すなわち、基板Ｐの露光期間に、計測ステージ３を所定の移動条件で移動しながら待機させることによって、第１空間１１の少なくとも一部の圧力変動を抑制するようにしている。
【００８７】
本実施形態においては、第１空間１１の圧力変動を抑制するための計測ステージ３の移動条件は、予備実験及びシミュレーションの少なくとも一方に基づいて決定される。上述のように、本実施形態においては、基板ステージ２の移動条件は、露光レシピに基づいて、予め決定されている。その基板ステージ２の移動条件に応じて、第１空間１１の圧量変動が抑制されるように、予備実験又はシミュレーションを用いて、計測ステージ３の最適な移動条件が決定される。その決定された計測ステージ３の移動条件は、事前に記憶装置７Ｍに記憶される。基板Ｐの露光を行うときには、制御装置７は、その記憶装置７Ｍの情報に基づいて、基板ステージ２に応じて計測ステージ３を移動することができる。
【００８８】
なお、本実施形態においては、図４を参照して説明したように、基板ステージ２のストロークと計測ステージ３のストロークとがほぼ同じであるが、Ｙ軸方向に往復移動する計測ステージ３のストロークが、基板ステージ２のストロークより小さくてもよい。
【００８９】
図９は、基板ステージ２及び計測ステージ３の移動条件の一例を説明するための模式図である。図９（Ａ）は、基板Ｐのあるショット領域Ｓを露光するためにＹ軸方向の一方（例えば＋Ｙ方向）へスキャン移動する基板ステージ２の移動条件を示し、図９（Ｂ）は、その基板ステージ２のスキャン移動に対応する計測ステージ３の移動条件を示す。図９において、横軸は、ショット領域Ｓを露光するために基板ステージ２が加速を開始してから減速に到達するまでの時間、縦軸は、基板ステージ２及び計測ステージ３の速度を示す。図９に示す例では、＋Ｙ方向へ移動する計測ステージ３の移動距離は、基板ステージ２の移動距離より短い。また、計測ステージ３の最高速度は、基板ステージ２の最高速度より小さい。基板ステージ２及び計測ステージ３が−Ｙ方向へ移動するときも同様である。図９に示すような移動条件においても、基板Ｐの露光中に、基板ステージ２と、計測ステージ３との距離が、距離Ｇ０を維持するように、基板ステージ２及び計測ステージ３の移動が制御される。
【００９０】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板ステージ２の移動に伴う第１空間１１の圧力変動の発生を抑制することができる。したがって、その圧力変動に起因する露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００９１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９２】
上述の第１実施形態においては、基板Ｐの露光中に、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離が、ほぼ一定の距離Ｇ０に維持される場合を例にして説明した。上述の第１実施形態と異なる第２実施形態の特徴的な部分は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が順次露光される場合において、それら複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離が小さくなる点にある。すなわち、本実施形態においては、圧力変動を抑えるための計測ステージ３のＹ軸方向の往復移動は、そのストロークの中心のＹ軸方向の位置を変えずに行われる。
【００９３】
以下、第２実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について、図１０〜図１３を参照して説明する。なお、本実施形態においても、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、第１ショット領域Ｓ１が最初に露光され、第２１ショット領域Ｓ２１が最後に露光される場合を例にして説明する。
【００９４】
図１０は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、最初の第１ショット領域Ｓ１が露光されている状態の一例を示す図である。制御装置７は、基板ステージ２を移動させて、第１ショット領域Ｓ１の露光を開始する。
【００９５】
第１ショット領域Ｓ１を露光するとき、制御装置７は、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向するように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。また、制御装置７は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが距離Ｇ１だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第１ショット領域Ｓ１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ１を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００９６】
図１１は、第１１ショット領域Ｓ１１が露光されている状態の一例を示す図である。図１１に示すように、制御装置７は、第１１ショット領域Ｓ１１を露光するときの基板ステージ２と計測ステージ３とが対向するように、且つ、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが少なくとも距離Ｇ１より小さい距離Ｇ２だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第１１ショット領域Ｓ１１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ２を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００９７】
図１２は、最後の第２１ショット領域Ｓ２１が露光されている状態の一例を示す図である。図１２に示すように、制御装置７は、第２１ショット領域Ｓ２１を露光するときの基板ステージ２と計測ステージ３とが対向するように、且つ、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２と計測ステージ３とが少なくとも距離Ｇ２より小さい距離Ｇ３だけ離れるように、基板ステージ２に対する計測ステージ３の位置を調整する。制御装置７は、第２１ショット領域Ｓ２１を露光するための基板ステージ２のスキャン移動に応じて、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向する状態、及び距離Ｇ３を維持しつつ、基板ステージ２と同方向に計測ステージ３を移動する。
【００９８】
最後の第２１ショット領域Ｓ２１の露光終了後、制御装置７は、スクラム移動を実行して、計測ステージ３を露光位置ＥＰに移動する。基板ステージ２は、露光後の基板Ｐをアンロードするために、基板交換位置ＣＰに移動する。
【００９９】
このように、本実施形態においては、基板Ｐの露光中、計測ステージ３は、Ｙ軸方向における基板ステージ２との距離が小さくなるように、Ｙ軸方向に移動する。基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、第１ショット領域Ｓ１を最初に露光し、第２１ショット領域Ｓ２１を最後に露光する場合、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、基板ステージ２の位置は、露光位置ＥＰに対して徐々に＋Ｙ方向に移動する。すなわち、基板ステージ２は、計測ステージ３に近付くように移動する。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関して計測ステージ３の往復移動のストローク中心の位置を変えないので、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離を小さくすることができる。なお、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、計測ステージ３の往復移動のストローク中心のＹ軸方向に位置を変えながら、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離を小さくしてもよい。
【０１００】
また、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離は、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、徐々に（連続的に）小さくなってもよいし、例えばショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光毎に段階的に小さくなってもよい。また、最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了するまでの間において、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、Ｙ軸方向における基板ステージ２と計測ステージ３との距離が大きくなる状態と小さくなる状態とを複数回繰り返してもよい。
【０１０１】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１０２】
上述の第１，第２実施形態においては、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進む場合において、基板ステージ２と計測ステージ３とが対向し続けるように、ステップ移動する基板ステージ２のＸ軸方向の位置に応じて、Ｘ軸方向に関する計測ステージ３の位置が調整される場合を例にして説明した。第３実施形態の特徴的な部分は、Ｘ軸方向における基板ステージ２の位置が変化する場合でも、Ｘ軸方向における計測ステージ３の位置を変化させない点にある。
【０１０３】
図１３及び図１４は、第３実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例を示す図である。図１３に示すように、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１の露光中、計測ステージ３は、基板ステージ２のＹ軸方向へのスキャン移動に応じて、Ｙ軸方向に移動する。本実施形態において、第１ショット領域Ｓ１の露光中、計測ステージ３は、Ｘ軸方向に関して、その計測ステージ３の中心位置（ＸＹ平面内における中心位置）と、露光位置ＥＰをほぼ一致させた状態で、Ｙ軸方向に移動する。
【０１０４】
図１４に示すように、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの第２１ショット領域Ｓ２１の露光中、計測ステージ３は、基板ステージ２のＹ軸方向へのスキャン移動に応じて、Ｙ軸方向に移動する。本実施形態において、第２１ショット領域Ｓ２１の露光中、計測ステージ３は、Ｘ軸方向に関して、その計測ステージ３の中心位置（ＸＹ平面内における中心位置）と、露光位置ＥＰをほぼ一致させた状態で、Ｙ軸方向に移動する。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、制御装置７は、ステップ移動によってＸ軸方向に関する基板ステージ２の位置が変化しても、Ｘ軸方向に関する計測ステージ３の位置を変化させない。本実施形態においても、Ｙ軸方向における計測ステージ３の移動（往復移動）によって、第１空間１１の圧力を調整することができる。
【０１０６】
なお、上述の第１〜第３実施形態においては、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ方向に基板ステージ２が移動する例を説明したが、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光が進むにつれて、露光位置ＥＰに対して−Ｙ方向に基板ステージ２が移動するようにショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光順序を決めてもよい。
【０１０７】
また、上述の第１〜第３実施形態においては、例えば予備実験及びシミュレーションの少なくとも一方の結果に基づいて、計測ステージ３の移動を制御する例にして説明したが、例えば、制御装置７は、干渉計システム４により計測される基板ステージ２の位置情報に基づいて、第１空間１１が所望の圧力（圧力分布）になるように、計測ステージ３の移動を制御してもよい。
【０１０８】
また、上述の第１〜第３実施形態においては、例えば予備実験及びシミュレーションの少なくとも一方の結果に基づいて、計測ステージ３の移動を制御する例を説明したが、例えば第１空間１１内の圧力を検出可能な圧力センサを設け、制御装置７は、その圧力センサの検出結果に基づいて、第１空間１１が所望の圧力（圧力分布）になるように、計測ステージ３の移動を制御してもよい。例えば、基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間の圧力を検出するセンサを設けておき、そのセンサの検出結果に基づいて計測ステージ３の移動を制御してもよい。
【０１０９】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの露光中に、待機中の計測ステージ３を移動して、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力を調整する場合を例にして説明したが、例えば基板Ｐの非露光時において、基板ステージ２が第１領域１０１に存在する場合において、計測ステージ３を移動することが可能である。基板Ｐの非露光時において基板ステージ２が第１領域１０１で移動する場合、その基板ステージ２の移動に応じて、計測ステージ３が移動して、第１空間１１の少なくとも一部の圧力変動を抑制することができる
【０１１０】
なお、上述の各実施形態においては、基板ステージ２の移動中に、計測ステージ３を移動して、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力を調整する場合を例にして説明したが、例えば基板ステージ２がほぼ静止しているときに、計測ステージ３が移動して、第１空間１１内の圧力を調整してもよい。
【０１１１】
なお、上述の各実施形態においては、基板ステージ２の移動に起因する第１空間１１の圧変動を抑制するために、計測ステージ３を移動する場合を例にして説明したが、計測ステージ３の替わりに、あるいは計測ステージ３に加えて別の可動部材を搭載し、その別の可動部材の可動部材の待機中に、その別の可動部材をガイド面２７Ｇ上で移動して、第１空間１１内の圧力を調整してもよい。例えば、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置であって、第１空間１１内に複数の基板ステージが配置されている場合には、露光中の基板Ｐを保持している第１の基板ステージの移動に応じて、第１の基板ステージとは別の第２の基板ステージを移動して、その第１の基板ステージの移動に起因する第１空間１１内の圧力変動を抑制することができる。例えば、第１の基板ステージに保持されている基板の露光中であって、第２基板ステージに保持されている基板の計測処理終了後の第２基板ステージの待機中に、第１空間１１内の少なくとも一部（例えば、第１基板ステージと第２基板ステージの間の空間）の圧力変動が抑制されるように第２基板ステージを移動させてもよい。
【０１１２】
また、例えば露光装置ＥＸの少なくとも一部の部材（機器）をメンテナンス可能なメンテナンス装置を搭載したメンテナンスステージをガイド面２７Ｇ上に配置し、そのメンテナンスステージの待機中に、そのメンテナンスステージを移動して、露光中の基板Ｐを保持している基板ステージの移動に起因する第１空間１１内の圧力変動を抑制することができる。
【０１１３】
上述の各実施形態においては、基板Ｐの露光中に、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力を調整するために計測ステージ３を動かしているが、第１空間１１内の圧力変動が許容できるような移動条件で基板ステージ２が動かされる場合には、計測ステージ３（及び／又は別の可動部材）を動かさなくてもよい。
【０１１４】
なお、上述の各実施形態においては、基板ステージ２の移動に起因する圧力変動を抑制するために、ガイド面２７Ｇ上で移動可能な計測ステージ３等の可動部材を移動する場合を例にして説明したが、ガイド面２７Ｇ上で移動しない所定部材を第１空間１１内で移動して、第１空間１１内の圧力を調整してもよい。例えば、第１定盤１６と第３定盤２７との間の中間位置において移動可能な可動部材を第１空間１１に配置して、第１空間１１の圧力を調整してもよい。
【０１１５】
また、第１空間１１の圧力を調整するための可動部材は、基板ステージ２のＹ軸方向一方側のみならず、両側に配置してもよい。
【０１１６】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子２５の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子２５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系を採用することもできる。
【０１１７】
なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１１８】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１２０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１２１】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１２２】
また、上述の各実施形態は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置に適用できる。基板ステージは、３つ以上配置することができる。
【０１２３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１２４】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計４Ａ、４Ｂを含む干渉計システム４を用いてマスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１，２，３に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
【０１２５】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【０１２６】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法にも、上述の各実施形態の要件を適用することができる。投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光ＥＬはレンズ等の光学部材を介して基板Ｐに照射される。また、その光学部材と基板Ｐとの間の所定空間に液体ＬＱで液浸空間が形成される。
【０１２７】
また、上述の各実施形態の要件は、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも適用できる。
【０１２８】
上述の各実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１３０】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１３１】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、１１…第１空間、２５…終端光学素子、２７…第３定盤、２７Ｇ…ガイド面、１０１…第１領域、Ｃ…計測器、ＣＰ…基板交換位置、ＥＬ…露光光、ＥＰ…露光位置、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｓ１〜Ｓ２１…ショット領域、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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