(57)【要約】【課題】浮上面を高精度の平坦面に形成することが可能な磁気ヘッドスライダの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、基板１１上に所定の薄膜を順次積層して磁気ヘッド１を形成する素子部形成工程と、前記基板１１を、前記磁気ヘッド１を有する磁気ヘッドスライダ１０毎もしくは複数の該磁気ヘッドスライダ１０が一列に連なったロウバー４毎に切断する切断工程と、前記磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５側を、研磨プロセスによって浮上面形成予定位置の手前まで研磨する第１の研磨工程と、前記磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５側をドライエッチングするエッチング工程と、前記磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５側を研磨プロセスによって浮上面形成予定位置まで研磨する第２の研磨工程とを備える。【選択図】図６
2010067293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に所定の薄膜を順次積層して磁気ヘッドを形成する磁気ヘッド形成工程と、
前記基板を、前記磁気ヘッドを有するスライダ毎もしくは複数の該スライダが一列に連なったロウバー毎に切断する切断工程と、
前記スライダの浮上面側を、研磨プロセスによって浮上面形成予定位置の手前まで研磨する第１の研磨工程と、
前記スライダの浮上面側をドライエッチングするエッチング工程と、
前記スライダの浮上面側を研磨プロセスによって浮上面形成予定位置まで研磨する第２の研磨工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、ドライエッチングとしてリアクティブイオンエッチングプロセスが用いられ、前記研磨プロセスにおける研磨レートの遅い材料からなる層を選択的にエッチングすること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項３】
前記リアクティブイオンエッチングプロセスは、前記研磨レートの遅い材料のそれぞれに対してエッチングレートの高いエッチングガスを用意し、それらを順次切り替えて使用すること
を特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項４】
前記リアクティブイオンエッチングプロセスは、前記研磨レートの遅い材料の全てに対してエッチングレートが同一となるように調合されたエッチングガスを使用すること
を特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法により製造される磁気ヘッドスライダと、
前記磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドスライダの磁気ヘッドと電気的に接続された回路と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドスライダの製造方法および情報記憶装置に関し、さらに詳細には、磁気抵抗効果型再生素子を有する磁気ヘッドを備えた磁気ヘッドスライダの製造方法、および当該磁気ヘッドスライダを備えた情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の情報記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、磁気記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子（以下「再生素子」という）を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
このような背景の下、さらなる高記録密度化を図るために再生ヘッド素子の再生信号のＳ／Ｎ比を大きくすること等を目的として、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの浮上距離は、より一層近距離となっている。そのため、磁気ヘッドおよびこれを備える磁気ヘッドスライダの浮上面の加工精度を向上させて、当該浮上面と磁気記録媒体との衝突を防止することが重要となっている。なお、磁気ヘッドスライダの浮上面加工に関する従来技術の例として、特許文献１に記載のものがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２５０２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、浮上面を高精度の平坦面に形成することが可能な磁気ヘッドスライダの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００７】
この磁気ヘッドスライダの製造方法は、基板上に所定の薄膜を順次積層して磁気ヘッドを形成する素子部形成工程と、前記基板を、前記磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダ毎もしくは複数の該磁気ヘッドスライダが一列に連なったロウバー毎に切断する切断工程と、前記磁気ヘッドスライダの浮上面側を、研磨プロセスによって浮上面形成予定位置の手前まで研磨する第１の研磨工程と、前記磁気ヘッドスライダの浮上面側をドライエッチングするエッチング工程と、前記磁気ヘッドスライダの浮上面側を研磨プロセスによって浮上面形成予定位置まで研磨する第２の研磨工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、磁気ヘッドスライダの浮上面を高精度に平坦化形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１〜図３、および図７〜図９は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。図４は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法により製造される磁気ヘッドスライダ１０の例を示す概略図である。図５は、図４の磁気ヘッドスライダ１０の作用を説明するための説明図である。図６は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を示すフローチャートである。図１０は、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置５０の例を示す概略図である。
【００１０】
本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の概要として、図１に示すように、ウエハ基板１１上に磁性膜や非磁性膜等を成膜し、再生素子等のセンス部を含む磁気抵抗効果型ヘッド（再生ヘッド部）および電磁変換ヘッド（記録ヘッド部）から成る磁気ヘッド１を備える磁気ヘッドスライダ１０と、当該磁気ヘッドスライダ１０に隣接する加工モニタ用のＥＬＧ（エレクトリックラップガイド）素子６とが、当該ウエハ基板１１上に多数形成される。
【００１１】
次いで、図２に示すように、ウエハ基板１１を細いバー状体（ロウバー）４に切り出し、このロウバー４の所定の面（最終的に浮上面となる）を研削あるいは研磨（ラッピング）する加工を行う。なお、ロウバー４は数十個程度の磁気ヘッドスライダ１０が並列した状態である。ここで、ロウバー４の所定の面（浮上面側）を研磨するのは、形成された磁気ヘッド１の再生素子等のセンス部の高さ（ＭＲハイト）を所要高さに調整するためである。最終的にロウバー４は切断されて、個片の磁気ヘッドスライダ１０として形成される。
【００１２】
（磁気ヘッドの構成）
先ず、前記磁気ヘッド１の構成について説明する。
【００１３】
磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を読み出す再生素子を備える再生ヘッド部２、および、当該磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する磁気ヘッドである。
ウエハ基板１１上に、再生ヘッド部２、記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、磁気ヘッドスライダ１０として構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録・再生を行うものである。
以下、磁気ヘッド１として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。
【００１４】
図３に示すように、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図３はコア幅方向に垂直な方向の断面図として図示している。なお、図中の符合５は浮上面（媒体対向面）を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
【００１５】
再生ヘッド部２の構成例を説明する。ベースとなるウエハ基板１１上に、再生ヘッド部２の下部シールド層１２が形成される。
下部シールド層１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果型再生素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符号３０は、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層である。
【００１６】
再生素子１３および絶縁層３０上に、上部シールド層１４が形成される。なお、上部シールド層１４、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００１７】
次に、記録ヘッド部３の構成例を説明する。前記上部シールド層１４上に絶縁層３１が形成される。
【００１８】
本実施の形態においては、絶縁層３１の上層として、低熱膨張材層１５が積層される。ただし、当該低熱膨張材層１５の積層位置は、この位置に限定されるものではなく、他の例として、下部シールド層１２の直下に設ける場合、上部シールド層１４の直下に設ける場合、絶縁層３１の直下に設ける場合等、様々な構成が考えられる。
【００１９】
ここで、低熱膨張材層１５は、絶縁性材料であって、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する素材から構成するのが好適である。例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、Ａｌ３Ｓ４、Ｗ等を用いて構成することが考えられる。
この低熱膨張材層１５を設けることにより、環境温度の上昇に起因して、磁気ヘッド（特に金属部分等）が磁気記録媒体に向けて突出することを防止できる。
【００２０】
低熱膨張材層１５上に、磁性材料からなる第１リターンヨーク１６が形成される。
第１リターンヨーク１６上にＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３２が形成され、絶縁層３２上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１７が形成され、さらに、第１コイル１７を覆うように、レジスト等からなる絶縁層３３が形成される。なお、符号３４は、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層である。
【００２１】
第１コイル１７、絶縁層３３、絶縁層３４の上には、同図のようにＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる絶縁層３５を一部に介しつつ、磁性材料からなる盛上層１８が形成される。なお、盛上層１８を設けない構成も考えられる。
また、絶縁層３５上の浮上面５寄りには、盛上層１８と連続するようにＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３６が形成される。
【００２２】
また、盛上層１８、絶縁層３６の上には、磁性材料からなる主磁極２０が形成される。なお、主磁極２０を形成する方法は複数考えられるが、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベース１９を形成し、その上に主磁極２０を形成することとなる。一例として、鍍金ベース１９には、下層から順にＴａ（タンタル）層１９Ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１９Ｂ、ＮｉＦｅ層１９Ｃの３層構造が用いられる。
なお、主磁極２０は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。
【００２３】
また、主磁極２０の上には、トレーリングギャップ３７およびバックギャップ２１が設けられ、トレーリングギャップ３７の一部の上に、トレーリングシールド２２が設けられる。一例として、トレーリングギャップ３７はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により形成され、トレーリングシールド２２およびバックギャップ２１は磁性材料により形成される。
なお、トレーリングシールド２２およびバックギャップ２１の周囲は、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層３８が積層される。本実施の形態においては、この段階で、バックギャップ２１、トレーリングシールド２２、絶縁層３８の上面が同一平面に平坦化されて形成される。
【００２４】
さらに、その上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に第２コイル２３が形成される。
また、第２コイル２３の巻線間および巻線上に絶縁層３９が設けられる。絶縁層３９は、一例として、レジスト等の絶縁材料により形成される。
【００２５】
絶縁層３９の上には、第２リターンヨーク２５が設けられる。一例として、第２リターンヨーク２５は磁性材料により形成される。なお、符号２４は、第２リターンヨーク２５を鍍金プロセスによって形成する場合の鍍金ベースである。
また、第２リターンヨーク２５の上には、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層４０が積層される。
【００２６】
なお、第１リターンヨーク１６、盛上層１８、主磁極２０、バックギャップ２１、トレーリングシールド２２、第２リターンヨーク２５を構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。
【００２７】
（ＥＬＧ素子の構成）
続いて、前記ＥＬＧ素子６の構成について説明する。
【００２８】
前述の通り、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ１０の製造に際しては、ウエハ基板１１上に磁気ヘッド１、ＥＬＧ素子６等を形成した後、ウエハ基板１１を細いバー状体（ロウバー）４に切り出し、このロウバー４の所定の面（最終的に浮上面５となる）を研削あるいは研磨（ラッピング）する加工を行う。ＥＬＧ素子６は、その加工モニタとして用いられる素子である。
【００２９】
図２（概略図）に示すように、ロウバー４には前記のように数十個の磁気ヘッド１が作り込まれるが、各々非常に厳しい精度が要求されるため、各磁気ヘッド１に対して１つずつ加工モニター用のＥＬＧ素子６を隣接して配置し、各磁気ヘッド１の研磨量を個別に検出して研磨精度を高めている。
【００３０】
ＥＬＧ素子６の構成例としては、ウエハ基板１１上に、シールド層（不図示）等を介して、公知の磁気抵抗効果型素子（一例としてＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子）からなるセンス部（不図示）を備えて構成される。
このとき、浮上面５側の研磨によって、ヘッドハイト方向の長さが変化する位置に当該磁気抵抗効果型素子を配設する。これにより、研磨の進行量を当該磁気抵抗効果型素子の抵抗変化によって検出することが可能となる。
なお、図中、符号２８、２９が研磨量検出用すなわち抵抗測定用の端子部である。
【００３１】
（磁気ヘッドスライダの構成）
続いて、前記磁気ヘッドスライダ１０の構成について説明する。
【００３２】
図４には磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５側から視た拡大図を、図５には、磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５を下にして固定したサスペンション５２の概略図を、それぞれ示す。符号５４は、浮上量および浮上姿勢を制御するためのパッド部である。磁気ヘッドスライダ１０は、サスペンション５２に固定され、磁気ヘッド１がスライダ内配線（不図示）および端子部５５を介して導電線５６と接続される。
【００３３】
図５に示すように、磁気ヘッドスライダ１０は、矢印Ｘ方向に移動する磁気記録媒体５１上を流れる空気流（矢印Ｗの方向）により磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５が浮上力を得て、磁気ヘッドスライダ１０を支持するサスペンション５２の下向きの力との均衡により、所定の浮上量ｄを維持して浮上する。
ここで、磁気ヘッドスライダ１０の浮上量ｄを小さく設定することによって、磁気ヘッド１（再生素子）の再生信号のＳ／Ｎ比を大きくすることが可能になる。しかし、当該浮上量ｄが１０ｎｍ以下の領域に入ると、数ｎｍのわずかな突起部も無視できなくなり、その突起部が磁気記録媒体５１と接触して重大な障害を引き起こす可能性が高くなる。
【００３４】
（磁気ヘッドスライダの製造方法）
続いて、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法について説明する。
【００３５】
先ず初めに、従来の一般的な磁気ヘッドスライダの製造方法のフローチャートを図１１に示す。
当該磁気ヘッドスライダの製造方法の概要として、素子部形成工程（Ｓ１）、ウエハ基板切断工程（Ｓ２）、浮上面研磨工程（Ｓ１１）、浮上面パッド加工工程（Ｓ３）、磁気ヘッドスライダ個片化工程（Ｓ４）、検査工程（Ｓ５）から構成される。
【００３６】
素子部形成工程（Ｓ１）では、ウエハ基板１１上に再生ヘッド部２、記録ヘッド部３の順に所定の薄膜（図３参照）を順次積層して、磁気ヘッド１を形成する工程を実施する。これと同時に、図示を省略するが、磁気ヘッド１を覆う絶縁層、端子層、配線、接続端子を公知の手法により形成する。
このようにして、磁気ヘッド１を備える磁気ヘッドスライダ１０（ベース）が、ウエハ基板１１上に格子状に配列されて形成されることとなる（図１参照）。ここで、図１の横方向に磁気ヘッドスライダ１０の幅方向が一列に整列するように配置されている箇所が、後工程においてロウバー４として切り出される箇所となる。なお、磁気ヘッドスライダ１０の形成に際して、その隣接位置に、後工程の研磨工程において加工モニタとして使用する前記ＥＬＧ素子６を同時に形成する。
【００３７】
次いで、ウエハ基板切断工程（Ｓ２）では、ウエハ基板１１を磁気ヘッドスライダ１０の幅方向が一列に整列した方向に沿って切断し、図２に示すロウバー４を得る。
【００３８】
次いで、浮上面研磨工程（Ｓ１１）では、図２に示すロウバー４の浮上面５側および裏側を、粗研磨した後、研磨プロセスによって、浮上面形成予定位置まで研磨を行う。なお、その際は、ＥＬＧ素子６の抵抗値をモニタしながら研磨を実施して、所定位置で停止させる研磨制御を行う。この工程によって、浮上面５の位置が所定位置に定まる。
【００３９】
次いで、浮上面パッド加工工程（Ｓ３）では、磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５にＤＬＣ等からなる保護膜を形成した後、図４に示す浮上面５のパッド部５４を形成する。具体的には、フォトリソグラフィプロセスでレジスト膜をパターニングし、レジスト膜をマスクとしてイオンミリングプロセスやＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）プロセス等を用いてエッチングを行うことにより、パッド部５４を形成する。
【００４０】
次いで、磁気ヘッドスライダ個片化工程（Ｓ４）では、ダイシング装置を用いて、ロウバー４を個々の磁気ヘッドスライダ１０に切断し、個片化された磁気ヘッドスライダ１０を得る。
【００４１】
次いで、検査工程（Ｓ５）では、磁気ヘッド１の電気特性や、浮上面５の反り、パッド部５４の形状等の検査を行う。以上により、磁気ヘッドスライダ１０が形成される。なお、この後に磁気ヘッドスライダ１０をサスペンション５２に固定する組立工程等を行う。
【００４２】
ところが、上記の従来の製造方法では、浮上面研磨工程（Ｓ１１）に起因する課題が生じていた。以下、その課題について説明する。
磁気ヘッド１の高性能化を図るべく、その積層構造は以前に増して複雑化している背景下で、例えば、再生ヘッド部２、記録ヘッド部３のいずれにおいても、磁性材料だけでなく、非磁性材料が様々な用途で用いられている。具体的には、磁性材料層の特性を向上させるために下地材料としてＲｕ（ルテニウム）層が設けられ、また、研磨プロセスのストッパ材としてＴａ（タンタル）層が設けられるといった例が挙げられる。さらに、環境温度等による素子の突き出し低減を目的として、低熱膨張材層であるＳｉＣ層等が設けられる場合がある。
ところが、浮上面研磨工程（Ｓ１１）実施後の浮上面５は、図１２に示すように、Ｔａ層、Ｒｕ層、ＳｉＣ層は（模式的に符号Ａの層として図示）、浮上面５を研磨プロセスにより研磨する際の研磨レートが、ＮｉＦｅ等の磁性材料層あるいはＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料（模式的に符号Ｂの層として図示）と比較して小さいため、浮上面加工完了後において、その部分が数ｎｍ程度（一例として、ｔ＝３〜４ｎｍ）の突起部となってしまっていた。その結果、特に、磁気ヘッドスライダ１０の浮上量ｄが１０ｎｍ以下の領域になると、数ｎｍのわずかな突起部も無視できなくなり、その突起部が媒体と接触して重大な障害を引き起こす可能性が高くなるといった課題が生じていた。
したがって、Ｔａ、Ｒｕ、ＳｉＣ等のように、前記磁性材料、絶縁材料に比べて研磨レートが小さい材料が浮上面５に露出する場合でも、突起部のない平坦な浮上面が得られる製造方法が要請されていた。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法について説明する。
【００４４】
図６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法を示すフローチャートである。当該磁気ヘッドスライダの製造方法の概要として、素子部形成工程（Ｓ１）、ウエハ基板切断工程（Ｓ２）、第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１）、浮上面エッチング工程（Ｓ２２）、第２の浮上面研磨工程（Ｓ２３）、浮上面パッド加工工程（Ｓ３）、磁気ヘッドスライダ個片化工程（Ｓ４）、検査工程（Ｓ５）から構成される。
【００４５】
素子部形成工程（Ｓ１）、ウエハ基板切断工程（Ｓ２）までの工程、および、浮上面パッド加工工程（Ｓ３）以降、磁気ヘッドスライダ個片化工程（Ｓ４）、検査工程（Ｓ５）に至る工程は、前述の従来の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法と同様である。
したがって、ここでは、本実施の形態に特徴的な第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１）、浮上面エッチング工程（Ｓ２２）、第２の浮上面研磨工程（Ｓ２３）、について詳しく説明する。
【００４６】
第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１）では、研磨プロセスを用いてロウバー４の粗研磨を行う。このとき、浮上面５側の研磨は、ＥＬＧ素子６の抵抗値をモニタしながら実施して、浮上面形成予定位置よりも所定距離だけ手前の位置まで研磨を行う。なお、研磨プロセスは、研磨剤を含むスラリーを用いる方法等が考えられる。先に、固定砥石を用いる研磨工程を組み合わせて実施してもよい。
この第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１）よって粗研磨されたロウバー４の浮上面５の状態を図７に模式的に示す。図７中の破線位置が浮上面形成予定位置である。同図のように、研磨プロセスにおける研磨レートが相対的に遅い材料からなる層（模式的に符号Ａの層として図示）が、当該研磨レートが相対的に速い材料からなる周囲の層（模式的に符号Ｂの層として図示）と比較して突出する形状（突起部）となっている（一例として、ｔ＝３〜４ｎｍ）。具体的に、図中のＡ層は、例えば、鍍金ベース１９に用いられるＴａ層、Ｒｕ層、低熱膨張材層１５に用いられるＳｉＣ層等である。一方、図中のＢ層は、例えば、上部シールド層１４、下部シールド層１２等に用いられるＮｉＦｅ等の磁性材料層、あるいは絶縁層３１等に用いられるＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料層である。
【００４７】
次いで、浮上面エッチング工程（Ｓ２２）では、図８に示すように、磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５側をドライエッチングするエッチング工程を実施する。当該ドライエッチングとして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）プロセスを用いる。これによって、前工程（第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１））において、浮上面５側に突起していた研磨プロセスにおける研磨レートの遅い材料からなる層を選択的にエッチングすることが可能となる。
このとき、同図８に示すように、突起部を形成している層を、表面（研磨面）よりも深い位置となるまでエッチングする。このエッチング量は最終的な浮上面５が平坦になるように設定すれば良い。少なくとも最終の研磨プロセス（次工程）が完了した時点で浮上面形成予定位置（図８中の符号５で示す破線位置）よりも突出しない深さまでエッチングする必要がある。
【００４８】
ここで、上記ＲＩＥプロセスに用いるエッチングガスとしては、エッチング対象となる突起部の材料が選択的にエッチング可能であれば特に限定されるものではないが、一例として、Ｔａ層に対してはＣＦ４ガスが、Ｒｕ層に対してはＯ２ガスが、ＳｉＣ層に対してはＣＦ４＋Ｏ２混合ガスが、それぞれ好適である。
【００４９】
したがって、ＲＩＥプロセスの第１実施例として、前記研磨レートの遅い材料の全てに対してエッチングレートが略同一となるように調合されたエッチングガスを使用する方法が考えられる。一つのプロセスで全ての突起部形成層をエッチングできるため、非常に効率的であり、プロセスが短時間で完了する点で有利である。
【００５０】
また、ＲＩＥプロセスの第２実施例として、前記研磨レートの遅い材料のそれぞれに対してエッチングレートの高いエッチングガス（単ガス、混合ガスのいずれでもよい）を用意し、それらを順次切り替えて使用する方法が考えられる。これにより、それぞれの突起部形成層をそれぞれ選択的にエッチングして、最終的に全ての突起部形成層をエッチングすることができる。突起部形成層の全ての材料に対して一種類の混合ガスでエッチングが不可能な場合に有効な方法となる。
【００５１】
次いで、第２の浮上面研磨工程（Ｓ２３）では、図９に示すように、磁気ヘッドスライダ１０の浮上面側を研磨プロセスによって浮上面形成予定位置（図９の符号５で示す実線位置）まで研磨する。
本工程は、前工程において浮上面５側をドライエッチングした際に、磁気ヘッド１の再生素子がエッチングされたり、あるいは特性劣化を引き起こすダメージを受けることがあるため、この影響を排除することができる必要量の研磨を行い、最終仕上げを行うことを目的としている。これにより、磁気ヘッドスライダ１０（磁気ヘッド１）の信頼性を向上させることが可能となる。この工程が完了した時点で、浮上面５の位置が所定位置に定まる。
【００５２】
なお、本実施形態の変形例として、浮上面の平坦性や再生素子ダメージの問題が発生しない場合は、第１の浮上面研磨工程（Ｓ２１）において、浮上面形成予定位置まで研磨を行い、浮上面位置を確定し、次いで、浮上面エッチング工程（Ｓ２２）を実施して、浮上面５のドライエッチングを行う方法も考えられる（第２の浮上面研磨工程（Ｓ２３）は実施しない）。
【００５３】
以上のように、従来の磁気ヘッドスライダの製造方法では、浮上面５の加工の際に、突起部が形成されてしまう課題が生じていたのに対し、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法によれば、突起部を選択的にエッチングすることが可能となり、ナノメートルオーダで高精度に平坦化された浮上面を備える磁気ヘッドスライダ１０を製造することが可能となる。
これにより、特に磁気ヘッドスライダ１０の浮上量ｄが１０ｎｍ以下となる構造に対して、磁気ヘッド１（浮上面５）と磁気記録媒体５１との接触障害に対するマージンが向上し、磁気ディスク装置の信頼性を向上させることが可能となる。
また、ウエハプロセスでの使用材料およびその使用範囲、使用量（膜厚等）の制限がなくなるため、プロセス設計の自由度が広がるという効果も奏される。
【００５４】
（情報記憶装置の構成）
続いて、本実施の形態に係る情報記憶装置について説明する。
【００５５】
当該情報記憶装置の一例として、図１０に磁気ディスク装置５０の構成を示す。前記の磁気ヘッド１は、磁気記録媒体（磁気記録ディスク）５１との間で情報を記録し、情報を再生する磁気ヘッドスライダ１０に組み込まれる。さらに、磁気ヘッドスライダ１０は、サスペンション５２のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション５２の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム５３と、該サスペンション５２および該アクチュエータアーム５３上の絶縁された導電線５６を通じて、前記磁気ヘッド１に電気的に接続され、磁気記録ディスク５１との間で情報の読取および情報の記録を行うための電気信号を検出・送信する回路とを有する情報記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク５１が回転駆動されることにより、磁気ヘッドスライダ１０がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク５１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
【００５６】
本実施の形態に係る情報記憶装置によれば、前述の構成を備える磁気ヘッドスライダ１０を用いることにより、当該磁気ヘッドスライダ１０の浮上面５と磁気記録媒体５１との接触障害を防止して、信頼性の高い情報記憶装置が実現可能となる。
【００５７】
以上説明した通り、本発明によれば、磁気ヘッドスライダの浮上面を高精度に形成することが可能となり、当該磁気ヘッドスライダを備えた情報記憶装置の信頼性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法により製造される磁気ヘッドスライダの例を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法により製造される磁気ヘッドスライダの作用を説明するための説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。
【図１１】従来の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を示すフローチャートである。
【図１２】従来の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法の例を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  磁気ヘッド
２  再生ヘッド部
３  記録ヘッド部
４  ロウバー
５  浮上面
６  ＥＬＧ素子
１０  磁気ヘッドスライダ
１１  ウエハ基板
１２  下部シールド層
１３  再生素子
１４  上部シールド層
１５  低熱膨張材層
１６  第１リターンヨーク
１７  第１コイル
１８  盛上層
１９  鍍金ベース
２０  主磁極
２１  バックギャップ
２２  トレーリングシールド
２３  第２コイル
２４  鍍金ベース
２５  第２リターンヨーク
３０〜３６、３８〜４０  絶縁層
３７  トレーリングギャップ
５０  情報記憶装置（磁気ディスク装置）
５１  磁気記録媒体
５２  サスペンション
５４  パッド部
Ａ  研磨プロセスにおける研磨レートが相対的に遅い材料からなる層
Ｂ  研磨プロセスにおける研磨レートが相対的に速い材料からなる層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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