(57)【要約】【課題】  ウエーハに保護膜を均一に被覆することが可能な保護膜の被覆方法を提供することである。【解決手段】  ウエーハの加工面に水溶性樹脂からなる保護膜を被覆する保護膜の被覆方法であって、ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルで、ウエーハの非加工面側を該保持面に対向させてウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、ウエーハの加工面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して、該加工面に親水性を付与する親水性付与ステップと、親水性が付与された該加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、を具備したことを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの加工面に水溶性樹脂からなる保護膜を被覆する保護膜の被覆方法であって、
ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルで、ウエーハの非加工面側を該保持面に対向させてウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、
ウエーハの加工面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して、該加工面に親水性を付与する親水性付与ステップと、
親水性が付与された該加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、
を具備したことを特徴とする保護膜の被覆方法。
【請求項２】
前記保持テーブルは該保持面に直交し且つ該保持面の中心を通る回転軸を有し、
前記保護膜被覆ステップでは、該保持テーブルを回転させながらウエーハの加工面の中央領域に前記水溶性樹脂を滴下する請求項１記載の保護膜の被覆方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の保護膜の被覆方法によりウエーハの加工面に保護膜を被覆した後、
ウエーハの加工面にレーザビームを照射してレーザ加工溝を形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施した後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハのレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの表面に水溶性樹脂の保護膜を被覆する保護膜の被覆方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝に沿ってブレーキング装置でウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００５】
レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【０００６】
ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。
【０００７】
そこで、例えば特開２００７−２０１１７８号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザ加工装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００７−２０１１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、ウエーハの加工面には、親水性を有する親水性領域と疎水性を有する疎水性領域とが混在しており、ウエーハの加工面全面に保護膜を均一に被覆することが難しいという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの加工面に保護膜を均一に被覆可能な保護膜の被覆方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、ウエーハの加工面に水溶性樹脂からなる保護膜を被覆する保護膜の被覆方法であって、ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルで、ウエーハの非加工面側を該保持面に対向させてウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、ウエーハの加工面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して、該加工面に親水性を付与する親水性付与ステップと、親水性が付与された該加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、を具備したことを特徴とする保護膜の被覆方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、保護膜被覆ステップでは、保持テーブルを回転させながらウエーハの加工面の中央領域に水溶性樹脂を滴下する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、保護膜を被覆する前にウエーハの加工面の全面が親水性になるように処理されているため、保護膜を均一に被覆することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明実施形態の各ステップを示すフローチャートである。
【図２】レーザ加工装置の外観斜視図である。
【図３】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハを示す斜視図である。
【図４】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図５】保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。
【図６】スピンナテーブルが上昇されてウエーハがスピンナテーブルに保持された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】スピンナテーブルが下降されてウエーハに紫外線照射をしている状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図８】ウエーハ表面に水溶性樹脂を塗布する状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図９】保護膜が被覆されたウエーハの拡大断面図である。
【図１０】レーザ加工ステップを示す説明図である。
【図１１】洗浄ステップ（保護膜除去ステップ）を示す保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図１２】洗浄ステップにより保護膜が除去された状態のウエーハの拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。まず図１のフローチャートを参照して、本発明実施形態に係る保護膜の被覆方法及びレーザ加工方法について概略的に説明する。
【００１６】
本発明の保護膜の被覆方法では、まずステップＳ１０でウエーハを保持する保持面に直交し保持面の中心を通る回転軸を有する保持テーブルで、ウエーハの非加工面側を保持する。次いで、ステップＳ１１でウエーハの加工面に紫外線を照射して、オゾンを生成するとともに活性酸素を生成して加工面全面に親水性を付与する。
【００１７】
このようにウエーハの加工面に親水性を付与してから、ステップＳ１２で親水性が付与されたウエーハの加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する。ウエーハの加工面に保護膜を被覆してから、ステップＳ１３でウエーハの加工面にパルスレーザビームを照射してレーザ加工溝を形成する。
【００１８】
この加工用レーザビームはウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザビームであり、例えばＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍのパルスレーザビームを使用する。
【００１９】
ウエーハにレーザ加工溝を形成してから、このレーザ加工溝に沿ってブレーキング装置でウエーハを割断することにより、ウエーハを個々のデバイスに分割する。その後、ステップＳ１４でウエーハ表面に洗浄水を噴射して保護膜を除去する。
【００２０】
以下、本発明の保護膜の被覆方法を実施するのに適した保護膜被覆装置について詳細に説明する。図２は保護膜被覆装置を具備し、ウエーハをレーザ加工して個々のチップ（デバイス）に分割することのできるレーザ加工装置２の外観を示している。
【００２１】
レーザ加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００２２】
図３に示すように、加工対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交されて形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００２３】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００２４】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザ加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２５】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２６】
３０は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２７】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２８】
保護膜被覆装置３０に隣接して、ウエーハ表面に保護膜を形成する前にウエーハの表面に紫外線を照射する紫外線照射装置３５が設けられている。紫外線照射装置３５はアーム３９により支持されており、アーム３９の基端部を中心として図２に示された退避位置と、保護膜被覆装置３０の上面に重なる紫外線照射位置との間で移動可能である。
【００２９】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００３０】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００３１】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００３２】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４が配設されている。レーザビーム照射ユニット２４はＹ軸方向に移動可能である。
【００３３】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器（レーザヘッド）２８が装着されている。
【００３４】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図４のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段３４と、レーザビーム変調手段３６が配設されている。
【００３５】
レーザビーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザ発振器或いはＹＶＯ４レーザ発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザビームパルス幅設定手段４０と、レーザビーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００３６】
レーザビーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザビームパルス幅設定手段４０及びレーザビーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００３７】
レーザビーム照射ユニット２４によりレーザ加工が終了したウエーハＷは、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送手段３２により保持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置３０まで搬送される。保護膜被覆装置３０では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハを洗浄する。
【００３８】
洗浄後、ウエーハＷを高速回転（例えば２０００ｒｐｍ）させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００３９】
次に、本発明の保護膜の被覆方法を実施するのに適した保護膜被覆装置３０について図５乃至図８を参照して説明する。まず図５を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００４０】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル機構４４と、スピンナテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナテーブル機構４４は、スピンナテーブル（保持テーブル）４８と、スピンナテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００４１】
スピンナテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック（保持面）４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００４２】
スピンナテーブル４８には振り子タイプの一対のクランプ４９が配設されており、スピンナテーブル４８が回転されるとこのクランプ４９が遠心力で揺動して図３に示す環状フレームＦをクランプする。
【００４３】
スピンナテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアシリンダ５６とから構成される。
【００４４】
このように構成された支持機構５２は、エアシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８を図６に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図７に示す加工位置である作業位置に位置付け可能である。
【００４５】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００４６】
洗浄水受け容器５８は、図６及び図７に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００４７】
また、図５に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００４８】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８が図７及び図８に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
【００４９】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハＷに水溶性樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル６８と、水溶性樹脂供給ノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０と、アーム７０に支持された水溶性樹脂供給ノズル６８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とから構成される。水溶性樹脂供給ノズル６８はアーム７０を介して図示しない水溶性樹脂供給源に接続されている。
【００５０】
保護膜被覆装置３０はレーザ加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエア供給手段７６を具備している。
【００５１】
洗浄水供給手段７４は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００５２】
エア供給手段７６は、スピンナテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル８４と、エアノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアノズル８４はアーム８６を介して図示しないエア供給源に接続されている。
【００５３】
図５に示すように、保護膜被覆装置３０の上方には紫外線照射装置３５が回動可能に設けられている。図７に示すように、紫外線照射装置３５は複数本の紫外線ランプ３７を有している。
【００５４】
次に、このように構成された保護膜被覆装置３０及び紫外線照射装置３５の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前のウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、図６に示すように吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００５５】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は図５及び図６に示すように、スピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００５６】
スピンナテーブル４８でウエーハＷを吸引保持したならば、紫外線照射装置３５を回動して図７に示すように保護膜被覆装置３０を覆うように紫外線照射装置３５を位置づける。そして、紫外線ランプ３７を点灯して、ウエーハＷの表面（加工面）に紫外線を照射して、オゾンを生成するとともに活性酸素を生成してウエーハＷの加工面に親水性を付与する。
【００５７】
このようにウエーハＷの加工面に親水性を付与してから、ウエーハＷの加工面である表面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップを実施する。保護膜被覆ステップを実施するには、スピンナテーブル４８を図８に示すように１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で回転させながら、ウエーハＷの加工面の中央領域に水溶性樹脂供給ノズル６８から水溶性樹脂６９を滴下する。
【００５８】
スピンナテーブル４８が回転されているため、滴下された水溶性樹脂６９はウエーハＷの加工面にスピンコーティングされ、図９に示すようにウエーハＷの加工面に保護膜９８が形成される。
【００５９】
水溶性樹脂６９をスピンコーティングする前に、ウエーハＷの加工面は紫外線照射により親水性を付与されているため、スピンコーティングにより保護膜９８をウエーハＷの加工面に均一に被覆することができる。保護膜９８の厚さは０．５〜１０μｍ程度が好ましい。
【００６０】
保護膜９８を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００６１】
保護膜被覆工程によって半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８が被覆されたならば、スピンナテーブル４８を図６に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル４８に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。
【００６２】
そして、スピンナテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。さらに、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００６３】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８とストリートＳとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００６４】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル１８をレーザビームを照射する集光器２８が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２に沿って集光器２８からレーザビームを保護膜９８を通して照射する。
【００６５】
レーザビーム照射工程においては、図１０に示すようにレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８からウエーハＷの加工面である表面側から保護膜９８を通して所定のストリートＳに向けてパルスレーザビームを照射しながら、チャックテーブル１８をＸ軸方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動する。
【００６６】
尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。
【００６７】
光源                    ：ＹＡＧレーザ
波長                    ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力                    ：３．０Ｗ
繰り返し周波数          ：２０ｋＨｚ
集光スポット径          ：１．０μｍ
送り速度                ：１００ｍｍ／秒
【００６８】
レーザビーム照射工程を実施することによって、ウエーハＷにはストリートＳに沿ってレーザ加工溝１０２が形成される。この時、図１０に示すようにレーザビームの照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護膜９８によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００６９】
このようにして、ウエーハＷにレーザ加工溝１０２を形成したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。そして、ウエーハＷは搬送手段３２によって保護膜形成装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａに吸引保持される。
【００７０】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は、図５及び図６に示すようにスピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。
【００７１】
そして、図１１に示すように純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハＷを洗浄する。
【００７２】
その結果、ウエーハＷの表面に被覆されていた保護膜９８は水溶性の樹脂によって形成されているので、図１２に示すように保護膜９８を容易に洗い流すことができるとともに、レーザ加工時に発生したデブリ１００も除去される。
【００７３】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル８４の噴出口をスピンナテーブル４８上に保持されたウエーハＷの外周部上方に位置付ける。
【００７４】
そして、スピンナテーブル４８を例えば３０００ｒｐｍで回転しつつエアノズル８４からスピンナテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアを噴出する。この時、エアノズル８４から噴出されたエアがスピンナテーブル４８に保持されたウエーハＷの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハＷの表面が乾燥される。
【００７５】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００７６】
このようにストリートＳに沿ったレーザ加工溝が形成されたウエーハＷは、次いで、ブレーキング装置（エキスパンド装置）に装着されて、ダイシングテープＴを半径方向に拡張することにより、ウエーハＷはレーザ加工溝１０２に沿って個々のデバイスＤに分割される。
【符号の説明】
【００７７】
２    レーザ加工装置
１８    チャックテーブル
２４    レーザビーム照射ユニット
２８    集光器
３０    保護膜被覆装置
３５    紫外線照射装置
４８    スピンナテーブル
６６    水溶性樹脂塗布手段
６８    水溶性樹脂供給ノズル
７４    洗浄手段
７８    洗浄水ノズル
７６    乾燥手段
８４    エアノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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