(57)【要約】      （修正有）【課題】搬送する工程に於けるリードフレームの変形が防止された半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法で用いられるリードフレーム５０では、額縁状の外枠５１の内部に多数のユニット６１が配置されている。各々のユニット６１は、リード１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、アイランド１１およびタブ１５から構成されている。そして、隣接するユニット６１に含まれるタブ１５は、アイランド１１から離間する方向に湾曲する形状の連結部６２Ａ、６２Ｂにより連結されている。【選択図】図１
2010258287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、一端が前記アイランドの一側辺に接近するリードと、前記アイランドの前記一側辺と対向する他側辺と連続するタブとを有するユニットが複数個備えられ、隣接する前記ユニット同士の前記タブが、前記アイランドから離れる方向に湾曲する連結部を経由して連結されたリードフレームを用意する工程と、
各々の前記ユニットに含まれる前記アイランドに半導体素子を固着し、前記半導体素子の上面に設けられた電極と前記リードとを金属細線で接続する工程と、
前記半導体素子、前記アイランド、前記リードおよび前記金属細線が被覆されるように封止樹脂を形成すると共に、前記タブを前記封止樹脂の側面から外部に露出させる工程と、
各々の前記ユニットに含まれる前記タブと前記連結部とを切断する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記タブと前記連結部との切断は、前記タブの長手方向の側辺に対して傾斜する切断線に沿って行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
切断後の前記タブの長手方向の長さは、前記タブが露出する前記封止樹脂の側辺の長さ以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記連結部の幅は、前記タブの幅よりも狭いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
外枠と、外枠の内部に配置される複数のユニットとを備え、
前記ユニットには、吊りリードを介して前記外枠と連結されたアイランドと、一端が前記アイランドの一側辺に接近すると共に他端が前記外枠と連続するリードと、前記アイランドの前記一側辺に対向する他側辺と連続するタブが含まれ、
隣接するユニット同士の前記タブは、前記アイランドから離れる方向に湾曲する連結部を経由して連結されることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
前記連結部は鉤型の形状を呈することを特徴とする請求項５記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記連結部の幅は、前記タブの幅以下であることを特徴とする請求項６記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法およびリードフレームに関し、特に、装置全体を被覆する封止樹脂から外部に突出するタブを備えた半導体装置の製造方法およりそれに用いられるリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７および図８を参照して、従来のリードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法を説明する。
【０００３】
図７（Ａ）を参照して、従来のリードフレーム１００は、厚みが１００μｍ程度の金属板に対して、エッチング加工またはプレス加工を施すことにより所定形状に成型される。ここでは、１つの半導体装置を構成するユニット１０６が、額縁形状の外枠１０１の内部に複数個形成されている。
【０００４】
図７（Ｂ）はリードフレーム１００を部分的に拡大して示す平面図であり、３つのユニット１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃを示している。１つのユニット１０６Ｃは、アイランド１０４、リード１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３Ｃおよびタブ１０５から構成されている。リード１０３Ａ、１０３Ｃは、一端が外枠１０１に連結され、他端がアイランド１０４の近傍に位置している。リード１０３Ｂは、一端が外枠１０１に連続し、他端がアイランド１０４と連続している。タブ１０５はアイランド１０４と連続しており、後の工程にて形成される封止樹脂から側方に突出する部位である。
【０００５】
図８（Ａ）を参照して、次に、各ユニットに半導体素子１０７を接続する。具体的には、ユニット１０６Ｃを一例にすると、半田等の導電性接合材を経由してアイランド１０４の上面に半導体素子１０７を固着する。そして、半導体素子１０７の上面に設けられた電極と、リード１０３Ａ、１０３Ｃとを金属細線１０８を経由して接続する。
【０００６】
図８（Ｂ）を参照して、各ユニット１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃを、封止樹脂１０９により樹脂封止する。具体的には、各ユニットを、モールド金型のキャビティに収納させるトランスファーモールドにより、封止樹脂１０９を形成する。
【０００７】
樹脂封止が終了した後は、各ユニットのリード１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３Ｃを、外枠１０１から分離することで半導体装置を個別に分離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−０３４６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記したリードフレームを用いた半導体装置の製造方法では、製造工程の途中段階に於いて、ユニット１０６が変形してしまう問題があった。
【００１０】
具体的には、図８（Ａ）を参照して、搬送の工程等により生じる外力により、ユニットに含まれるアイランド１０４が変形して傾斜すると、このアイランド１０４の上面に塗布された半田に偏りが発生し、半導体素子１０７の接続信頼性が低下する恐れがある。
【００１１】
更には、搬送の工程に於いて、ユニット全体が変形すると、半導体素子１０７を載置する工程や、金属細線１０８を形成する工程が正常に行われず不良が大量に発生する恐れがある。
【００１２】
本発明は、上述した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、製造工程の途中段階に於けるユニットの変形が防止された半導体装置の製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、この製造方法に用いられるリードフレームを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、アイランドと、一端が前記アイランドの一側辺に接近するリードと、前記アイランドの前記一側辺と対向する他側辺と連続するタブとを有するユニットが複数個備えられ、隣接する前記ユニット同士の前記タブが、前記アイランドから離れる方向に湾曲する連結部を経由して連結されたリードフレームを用意する工程と、各々の前記ユニットに含まれる前記アイランドに半導体素子を固着し、前記半導体素子の上面に設けられた電極と前記リードとを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、前記アイランド、前記リードおよび前記金属細線が被覆されるように封止樹脂を形成すると共に、前記タブを前記封止樹脂の側面から外部に露出させる工程と、各々の前記ユニットに含まれる前記タブと前記連結部とを切断する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明のリードフレームは、外枠と、外枠の内部に配置される複数のユニットとを備え、前記ユニットには、吊りリードを介して前記外枠と連結されたアイランドと、一端が前記アイランドの一側辺に接近すると共に他端が前記外枠と連続するリードと、前記アイランドの前記一側辺に対向する他側辺と連続するタブが含まれ、隣接するユニット同士の前記タブは、前記アイランドから離れる方向に湾曲する連結部を経由して連結されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、リードフレームの内部に配置される各ユニットには、アイランド、リードおよびタブが含まれ、隣接するユニットのタブ同士は連結部を経由して接続されている。従って、製造工程の搬送段階に於けるアイランドの傾きや変形が防止されるので、半導体素子を実装する工程や、金属細線を形成する工程に於ける歩溜まりが向上する。
【００１６】
更に本発明によれば、各ユニットに含まれるタブを連結する連結部は、アイランドから離間する方向に外側に突出している。従って、タブと連結部とを両者の境界にて分離しても、この分離が行われる部分はアイランドや封止樹脂から離れているので、分離に用いるプレス金型等が封止樹脂に接触することが防止される。
【００１７】
更にまた、タブと連結部とを、前記タブの一側辺に対して傾斜して傾斜する切断線に沿って切断することにより、タブの側方への突出を防止すると共に、切断に用いられるプレス金型が封止樹脂に接触することが抑止される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のリードフレームを示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図であり、（Ｃ）はリードフレームの他の形態を示す平面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の製造方法により製造される半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は半導体装置が実装された状態を示す断面図である。
【図７】背景技術のリードフレームおよび半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図８】背景技術のリードフレームおよび半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１を参照して、本形態のリードフレームを説明する。図１（Ａ）はリードフレーム５０を全体的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はリードフレーム５０に含まれるユニットを拡大して示す平面図であり、図１（Ｃ）はリードフレームの他の形態の構成を示す平面図である。
【００２０】
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム５０は、紙面上にて横方向に細長い額縁状の外枠５１と、外枠５１の内部に配置された複数個のユニット６１とから構成されている。ここで、ユニットとは１つの半導体装置を構成する部位であり、外枠５１の内部に９個のユニット６１が一列に配置されている。ここで、数十個〜数百個のユニット６１が外枠５１の内部にマトリックス状に配置されても良い。
【００２１】
半導体装置の製造工程では、リードフレーム５０単位で、半導体素子の実装、金属細線の形成、封止樹脂の形成が行われる。そして、各工程間の搬送は、リードフレーム５０をハンドリングすることにより行われる。
【００２２】
リードフレーム５０を所定の形状に成形するための加工方法としては、プレス加工またはエッチング加工が考えられるが、プレス加工の方が加工が容易であり低コストで行えるので好適である。リードフレーム５０の材料としては、銅または鉄を主材料とする金属や合金が採用される。
【００２３】
図１（Ｂ）を参照して、ユニット６１は、アイランド１１、リード１２およびタブ１５から成る。
【００２４】
アイランド１１は四角形状に形成され、その平面視での大きさは上面に載置される半導体素子よりも若干大きな程度であり、例えば５ｍｍ×５ｍｍ程度である。アイランド１１は、リード１２Ｂを経由して外枠５１と一体的に連続している。即ち、リード１２Ｂは吊りリードとして機能している。
【００２５】
リード１２Ａ、１２Ｃは、一端がアイランド１１の上側の側辺に接近し、他端が外枠５１と一体的に連続している。リード１２Ａ、１２Ｃは、アイランド１１の上面に固着される半導体素子の電極と電気的に接続されて一部が外部に露出し、外部端子として機能する。アイランド１１に接近するリード１２Ａ、１２Ｃの端部は、他の部分よりも幅広に形成されている。この様にすることで、リード１２Ａ、１２Ｃの端部に接続される金属細線の接続信頼性を向上させることができる。
【００２６】
タブ１５は、紙面上に於けるアイランド１１の下側の側辺と連続部１６を経由して接続されており、長手方向（紙面上では横方向）の長さはアイランド１１と同等程度であり、短手方向（紙面上では縦方向）の長さＬ１は例えば１００μｍ程度である。タブ１５は、装置全体を封止する封止樹脂の側面から外部に突出する部位であり、アイランド１１の固着に用いられる固着材の状態を確認するために設けられている。タブの具体的な機能は、図６（Ｂ）を参照して説明する。
【００２７】
本形態では、各ユニット６１は連結部６２を経由して連結されている。図１（Ｂ）を参照すると、ユニット６１Ａとユニット６１Ｂとは連結部６２Ａを経由して連結されており、ユニット６１Ｂとユニット６１Ｃとは連結部６２Ｂを経由して連結されている。具体的には、連結部６２Ａにより、ユニット６１Ａのタブ１５と、ユニット６１Ｂのタブ１５が連続している。そして、連結部６２Ｂにより、ユニット６１Ｂのタブ１５と、ユニット６１Ｃのタブ１５が連続している。この様にすることで、例えば、中央に位置するユニット６１Ｂのアイランド１１に外力が作用しても、連結部６２Ａ、６２Ｂを経由して外力はユニット６１Ａ、６１Ｂに分散される。従って、外力が作用することによるアイランド１１の傾きや折れ曲がりが抑制されている。
【００２８】
更に、連結部６２Ａ、６２Ｂは、アイランド１１から離間する方向（紙面上では下方向）に湾曲して形成されている。図１（Ｂ）を参照すると、連結部６２Ａ、６２Ｂは、下方向に鉤型に湾曲して形成されている。具体的には、連結部６２Ａ、６２Ｂは、カタカナの「コ」を時計回りに９０度回転させた形状を備え、中間部はアイランド１１の下側の側辺に対して平行に細長く延在している。また、連結部６２Ａ、６２Ｂは鉤型を呈しているが、鉤型以外の形状（例えば下方に凸状の湾曲形状）でも良い。
【００２９】
この様にすることで、連結部６２Ａ、６２Ｂを各ユニットのタブ１５から分離する工程にて、各ユニット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを封止する封止樹脂を傷つけずに連結部６２Ａ、６２Ｂを分離することができる。連結部６２Ａ、６２Ｂは、各ユニット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの境界（図１（Ｂ）に示す切断線５３に沿って切断される。この事項の詳細は、図４および図５を参照して後述する。
【００３０】
また、連結部６２Ａの幅Ｌ２は１００μｍ以下程度であり、タブ１５の幅Ｌ１と同等以下に設定されている。この様にすることで、切断線５３が規定された箇所における連結部６２Ａの分離が容易になる。
【００３１】
更にまた、図１（Ｂ）を参照して、連結部６２Ａ、６２Ｂの上側（内側）の側辺は、タブ１５の下側（外側）の側辺と、同じ位置か若しくは下方（外側）に配置されている。この様にすることで、連結部６２Ａ、６２Ｂの外側への逃げが確保されるので、連結部６２Ａ、６２Ｂの分断に伴う封止樹脂の破壊が防止される。
【００３２】
尚、図１（Ａ）を参照すると、全てのユニット６１が連結部６２を経由して一体的に連結されており、この様にすることで各ユニット６１に含まれるアイランド１１の変形を防止する効果が大きくなる。しかしながら、必ずしも全てのユニット６１が連結部６２により連結される必要はない。
【００３３】
ここで、他の形態のリードフレーム５０の構成を図１（Ｃ）に示す。ここでは、各ユニットを連結する連結部６２Ａ、６２Ｂを、連結帯６４を経由して、紙面上にて下型に配置された外枠５１と連結している。
【００３４】
この様にすることで、各ユニットのアイランド１１およびタブ１５が、紙面上にて上側の外枠５１および下側の外枠５１の両方により支持される。具体的には、各ユニットに含まれるアイランド１１およびタブは、リード１２Ｂを経由して上側の外枠５１と連結される。更には、これらは、下側の外枠５１とは、連結部６２Ａ等および連結帯６４を経由して連結鵜される。従って、連結帯６４にて各連結部６２Ａ等と外枠５１とを連結することにより、アイランド１１およびタブ１５の変形が抑制される効果が大きくなる。
【００３５】
図２から図５を参照して、次に、上記した構成のリードフレーム５０を用いた半導体装置の製造方法を説明する。
【００３６】
図２を参照して、先ず、図１に示した構成のリードフレーム５０を用意した後に、リードフレーム５０に含まれる各ユニット６１に対して半導体素子を電気的に接続する。図２（Ａ）は本工程に於けるリードフレーム５０を全体的に示す図であり、図２（Ｂ）は拡大された断面図である。
【００３７】
本工程では、先ず、半田等の接合材をアイランド１１の上面に塗布した後に、半導体素子１７を実装する。半導体素子１７としては、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ、ＩＣ、ＬＳＩ等を採用可能である。ＭＯＳＦＥＴ等のディスクリート型のトランジスタが半導体素子１７として採用された場合は、半導体素子１７の裏面に設けられた電極とアイランド１１とは電気的に接続される。
【００３８】
半導体素子１７の実装が終了した後は、半導体素子１７の上面に設けられた電極と、リード１２とを、金属細線１８を用いて電気的に接続する。ユニット６１Ｃを参照すると、半導体素子１７の上面に設けられた各電極は、リード１２Ａ、１２Ｃと金属細線１８を経由して接続される。ここで、金属細線１８に替えて、銅箔等の導電材料から成る導電板を用いても良い。
【００３９】
本工程に於いては、各ユニット６１が連結部６２を経由して連結されることで、アイランド１１の折れ曲がりが防止されているので、アイランド１１の上面の所定箇所に安定して半導体素子１７を実装することが可能となる。
【００４０】
図３を参照して、次に、半導体素子１７、アイランド１１およびリード１２が被覆されるように封止樹脂１９を形成する。図８（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図８（Ｂ）は本工程が終了した後のリードフレーム５０を示す平面図である。
【００４１】
図３（Ａ）を参照して、本工程では、ユニット６１毎に、モールド金型５７を用いて封止樹脂を形成して樹脂封止を行う。このモールド金型５７は、上金型５８と下金型５９とから成り、両者を当接させることで、樹脂が注入されるキャビティ６０が設けられる。樹脂封止の方法としては、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドを採用することができる。
【００４２】
具体的な封止方法は、先ず、半導体素子１７が上面に実装されたアイランド１１とリード１２の端部を、キャビティ６０に収納する。次に、モールド金型５７に設けたゲートからキャビティ６０の内部に封止樹脂を注入し、アイランド１１、半導体素子１７、金属細線１８およびリード１２を樹脂封止する。
【００４３】
本工程では、アイランド１１、連続部１６およびタブ１５の下面は同一平面上に位置しており、これらの下面は下金型５９の内壁に当接している。この状態で樹脂封止が行われるので、アイランド１１、連続部１６およびタブ１５の下面は、連続して一体的に封止樹脂から外部に露出する。キャビティ６０の内部への樹脂の注入が終了した後は、モールド金型５７から封止樹脂１９を取り出す。また、封止樹脂として採用された樹脂が熱硬化性樹脂である場合は、加熱硬化を行う。
【００４４】
更に、本工程では、連続部１６を経由してアイランド１１と連続するタブ１５の底面および側面は封止樹脂１９により封止されない。タブ１５は、封止樹脂１９の側面から外部に露出する。
【００４５】
図３（Ｂ）に樹脂封止が終了した後のリードフレーム５０を示す。ここでは、リードフレーム５０に設けられた各ユニット６１が一括して同時に樹脂封止される。本工程に於いても、各ユニット６１は、連結部６２を経由して連結された状態にある。
【００４６】
図４を参照して、次に、各ユニットを一体的に連続させる連結部を分離する。図４（Ａ）はこの分離が行われる箇所を示す平面図であり、図４（Ｂ）は分離された後の状態を示す平面図である。
【００４７】
図４（Ａ）を参照して、上記したようにユニット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃは、連結部６２Ａ、６２Ｂを介して一体に連結されている。本工程では、各ユニットに含まれるタブ１５と連結部６２Ａ、６２Ｂとを、両者の境界にて切断している。この切断方法としては、プレス金型を用いたプレス加工による切断、ダイシングソーを用いたダイシング等が考えられる。
【００４８】
各ユニットのタブ１５と連結部６２Ａ、６２Ｂとの切断は、切断線５３に沿って行われる。この切断線５３は、タブ１５や封止樹脂１９の下側の側辺に対して傾斜して規程されている。例えば、紙面上にて中央に位置するユニット６１Ｂに含まれるタブ１５と連結部６２Ａ、６２Ｂとを切断するための切断線５３は、その延長線がユニット６１Ｂの封止樹脂１９と交差しないように規定されている。この様にすることで、連結部６２Ａ、６２Ｂの分離に用いられるプレス金型やダイシングソーが封止樹脂１９に接触しないので、この分離による封止樹脂１９の破壊が防止される。
【００４９】
更には、連結部６２Ａ、６２Ｂの形状を、アイランド１１から離間する方向に鈎状に湾曲させているので、切断線５３を封止樹脂１９から離間させることができる。結果的に、タブ１５の横方向の幅が、封止樹脂１９よりも狭く成るように上記切断を行っても、この切断による封止樹脂１９の破壊が防止される。
【００５０】
図４（Ｂ）に、上記した分離が終了した後のリードフレーム５０を示す。各ユニットを連結していた連結部は切断された後に除去されている。そして、各ユニット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃに含まれるタブ１５の幅は、封止樹脂１９の幅と同等以下と成っている。この様にすることで、タブ１５が封止樹脂１９よりも側方に突出することが防止され、製造される半導体装置全体が、突起部が無い構造となる。
【００５１】
更に、各ユニットのリード１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、プレス加工等の切断方法により、切断線５４から分離される。このことにより、リードフレーム５０から各ユニットが半導体装置として分離される。
【００５２】
以上の工程により、図６を参照して後述する構成の半導体装置が製造される。
【００５３】
上記したように、本形態では、各ユニットを連結する連結部６２Ａ、６２Ｂを湾曲形状とすることで、タブ１５の幅を狭くすると共に、上記切断による封止樹脂１９の破壊を防止している。ここで、リードフレーム５０の形状を簡素化するためには、連結部６２Ａ、６２Ｂの形状を、タブ１５と連続する直線形状とすることも考えられる。しかしながら、連結部６２Ａ、６２Ｂの形状を直線形状とすると、タブ１５の横方向の幅を狭くしつつ、安全に連結部６２Ａ、６２Ｂを分離することは困難となる。この理由を図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して説明する。
【００５４】
図５（Ａ）を参照して、各ユニット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃのタブ１５と連結部６２Ａ、６２Ｂとが直線形状となるように形成された場合を考える。ここでは、タブ１５の横方向の幅を封止樹脂１９と同等にするために、封止樹脂１９の左右側辺の延長線上に切断線５３が規定されている。しかしながら、この切断線５３に沿ってプレス加工等により連結部６２Ｂの分離を行うと、円で示す箇所にてプレス金型が封止樹脂１９に接触して、封止樹脂１９が破壊される問題が予測される。
【００５５】
更に、この問題を回避するために、図５（Ｂ）に示すように、切断線５３を、封止樹脂１９の左右側辺に対して傾斜して配置することも考えられる。しかしながら、この様に切断線５３を傾斜させても、タブ１５の幅を封止樹脂１９と同等以下にしようとすると、分離のためのプレス金型が封止樹脂１９に接触してしまう恐れはある。更には、分離の工程に於いて、位置ズレが発生してしまうと、プレス金型により封止樹脂１９が破壊されてしまう恐れが大きくなる。また、切断線５３の位置を外側にずらすと、封止樹脂１９を傷つけずに連結部６２を切断することが可能となるが、切断線５３を外側にずらした分だけ、タブ１５が封止樹脂１９よりも側方に突出してしまう。
【００５６】
以上の理由により、各ユニットを連結させる連結部６２Ａ等の形状としては、ユニットから離間する方向に湾曲する形状が好適である。
【００５７】
図６を参照して、上記工程により製造される半導体装置１０の構成を説明する。図６（Ａ）は半導体装置１０の構成を示す斜視図であり、図６（Ｂ）は半導体装置１０が実装基板４０に実装された状態を示す断面図である。
【００５８】
図６（Ａ）を参照して、半導体装置１０は、半導体素子１７と、半導体素子１７が実装されるアイランド１１と、金属細線１８を介して半導体素子１７と電気的に接続されたリード１２と、半導体素子１７等を封止する封止樹脂１９とを主要に有している。
【００５９】
半導体素子１７としては、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ等を採用可能である。例えば、半導体素子１７としてＭＯＳＦＥＴが採用されると、半導体素子１７の上面にゲート電極およびソース電極が設けられ、下面にドレイン電極が設けられる。半導体素子１７の上面に形成された２つの電極は、各々がリード１２Ａ、１２Ｃと金属細線１８を経由して接続される。半導体素子１７の裏面電極は、半田を介してアイランド１１の上面に固着される。
【００６０】
アイランド１１は、厚みが０．５ｍｍ程度の導電箔をエッチング加工または打ち抜き加工することで形成される。アイランド１１の平面的な大きさは、上面に実装される半導体素子１７よりも若干大きい程度である。例えば、半導体素子１７の平面的なサイズが５ｍｍ×５ｍｍの場合は、アイランド１１の平面的なサイズは５．５ｍｍ×５．５ｍｍ程度である。
【００６１】
リード１２Ａ、１２Ｃは、アイランド１１と同様の方法により形成され、一端がアイランド１１の近傍に位置し、他端が封止樹脂１９から外部に露出している。封止樹脂１９から露出する部分のリード１２はガルウイング状に折り曲げ加工され、リード１２の下面の一部分はアイランド１１の下面と同一平面上に位置している。更に、アイランド１１からも連続してリード１２Ｂが外部に導出しているが、このリード１２Ｂは接続手段として用いられても良いし用いられなくても良い。
【００６２】
タブ１５は、アイランド１１と連続して形成されて、封止樹脂１９の側面から外部に突出する部位である。ここでは、タブ１５は２つの連続部１６を介してアイランド１１と連続しており、タブ１５の下面とアイランド１１の下面は同一平面上に位置している。タブ１５は、半導体装置１０を実装する際に、実装に用いられる半田等の接合材がアイランド１１の下面に良好に溶着されたか否かを判断するために設けられた部位である。本形態では、タブ１５の両端付近の側面は、封止樹脂１９の側面に対して斜めに配置されている。これは、図４（Ａ）に示すタブ１５と連結部６２Ａ、６２Ｂの切断が、封止樹脂１９の側辺に対して斜めに規定された切断線５３に沿って行われるからである。
【００６３】
図６（Ｂ）を参照して、上述した構成の半導体装置１０は、半田等の固着材４２を介して、実装基板４０に実装される。実装基板４０の上面には所定形状の導電パターン４１がパターニングされており、溶融された液状または半固形状の固着材４２を用いて、半導体装置１０は、パッド形状の導電パターン４１に固着される。ここでは、リード１２Ａおよびアイランド１１の下面が、導電パターン４１に固着されている。
【００６４】
半導体装置１０の封止樹脂１９から外部に導出するリード１２Ａの下面は、パッド状の導電パターン４１に接合されている。ここで、外部に導出する部分のリード１２Ａはガルウイング形状に折り曲げ加工されており、リード１２Ａの端部の下面は、封止樹脂１９の下面と略同一平面上に位置している。
【００６５】
上面に半導体素子１７が実装されたアイランド１１の下面は、封止樹脂１９の下面から外部に露出して、固着材４２を介して導電パターン４１に接合されている。また、連続部１６を経由して連結されたタブ１５の下面及び側面にも、固着材４２が付着している。このように、アイランド１１と連結されて封止樹脂１９から側方に突出するタブ１５を設け、このタブ１５に付着した固着材４２を目視確認することで、アイランド１１の下面の接合状況の良否を容易に知ることができる。即ち、タブ１５の側面まで固着材４２が付着していたら、アイランド１１の下面にも充分に固着材４２が行き渡っていることが予測される。一方、タブ１５に固着材４２が付着していなければ、アイランド１１の下方にも固着材４２が充分に行き渡っていないことが予測される。
【符号の説明】
【００６６】
１０      半導体装置
１１      アイランド
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ      リード
１３      接続部
１４      突出部
１５      タブ
１６      連続部
１７      半導体素子
１８      金属細線
１９      封止樹脂
２３      貫通部
４０      実装基板
４１      導電パターン
４２      固着材
５０      リードフレーム
５１      外枠
５３      切断線
５４      切断線
５７      モールド金型
５８      上金型
５９      下金型
６０      キャビティ
６１，６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ      ユニット
６２，６２Ａ，６２Ｂ      連結部
６４      連結帯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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