(57)【要約】【課題】マイクロストリップ線路カプラの方向性を９０°ハイブリッド回路を有する外付け機構により改善した、広帯域の方向性を有する方向性カプラを提供する。【解決手段】マイクロストリップ線路カプラと、第３端子から結合信号が出力される９０°ハイブリット回路と、前記マイクロストリップ線路カプラのカップリング端子と、前記９０°ハイブリット回路の第１端子との間に接続される第１の位相回路と、前記マイクロストリップ線路カプラのアイソレーション端子と、前記９０°ハイブリット回路の第４の端子との間に接続される減衰器と第２の位相回路とを有し、前記第１の位相回路の位相遅延量を、−αとするとき、前記第２の位相回路の位相遅延量は、−（α＋９０°）である。前記第１の位相回路は、位相遅延量が、−９０°の遅延線路であり、前記第２の位相回路は、位相遅延量が、−１８０°の遅延線路である。【選択図】図１
2010258862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロストリップ線路カプラと、
第３端子から結合信号が出力される９０°ハイブリット回路と、
前記マイクロストリップ線路カプラのカップリング端子と、前記９０°ハイブリット回路の第１端子との間に接続される第１の位相回路と、
前記マイクロストリップ線路カプラのアイソレーション端子と、前記９０°ハイブリット回路の第４の端子との間に接続される減衰器と第２の位相回路とを有し、
前記第１の位相回路の位相遅延量を、−αとするとき、前記第２の位相回路の位相遅延量は、−（α＋９０°）であることを特徴する方向性カプラ。
【請求項２】
前記第１の位相回路は、位相遅延量が、−９０°の遅延線路であり、
前記第２の位相回路は、位相遅延量が、−１８０°の遅延線路であることを特徴とする請求項１に記載の方向性カプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、方向性カプラに係り、特に、マイクロストリップ線路カプラの方向性を外付け機構により改善した方向性カプラに関する。
【背景技術】
【０００２】
方向性カプラは、送信機の送信電力モニタ回路などで進行波と反射波とを分離するマイクロ波回路として広く使用されている。正確な送信電力を測定するために、マイクロストリップ線路カプラには高い方向性が要求される。
高い方向性を実現するためには、偶モード・寄モードの位相速度を一致させる必要があるが、マイクロストリップ線路では、偶モード・寄モードでの波長短縮率が異なるため、高い方向性を得るのが困難である。特に、高出力な送信機の電力モニタ回路に使用される方向性カプラなど、粗結合のカプラでは大きく方向性が低下する問題がある。
一方、マイクロストリップ線路カプラは、構成がシンプルで小型に構成できることから広く使用されている。そのため、マイクロストリップ線路カプラの方向性の改善が強く求められている。
マイクロストリップ線路カプラの方向性の改善する手法として、マイクロストリップ線路に周期構造を設けるなどして、偶モード・寄モードの位相差を制御する方法が知られているが、既設計品は改善できないという点と、実際に物を製作するときのパラメータの設定が困難であるという問題がある。
この問題点を解決する為に、下記非特許文献１に記載されているように、マイクロストリップ線路カプラの出力端子（アイソレーション端子とカップリング端子）に外付けの方向性改善機構（ウィルキンソン分配器）を設けて、方向性を改善する手法が知られている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】山内 和久 他２名，「ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ」，信学技報，IEICE Technical Report MW2008-76,OPE2008-59（2008-07）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の非特許文献１に記載されている手法では、方向性の改善量が外付け機構に依存するために、その外付け機構の周波数特性や漏れなどにより、広帯域に方向性を改善することが難しいという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、マイクロストリップ線路カプラの方向性を９０°ハイブリッド回路を有する外付け機構により改善した、広帯域の方向性を有する方向性カプラを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）マイクロストリップ線路カプラと、第３端子から結合信号が出力される９０°ハイブリット回路と、前記マイクロストリップ線路カプラのカップリング端子と、前記９０°ハイブリット回路の第１端子との間に接続される第１の位相回路と、前記マイクロストリップ線路カプラのアイソレーション端子と、前記９０°ハイブリット回路の第４の端子との間に接続される減衰器と第２の位相回路とを有し、前記第１の位相回路の位相遅延量を、−αとするとき、前記第２の位相回路の位相遅延量は、−（α＋９０°）である。
（２）（１）において、前記第１の位相回路は、位相遅延量が、−９０°の遅延線路であり、前記第２の位相回路は、位相遅延量が、−１８０°の遅延線路である。
【発明の効果】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、マイクロストリップ線路カプラの方向性を９０°ハイブリッド回路を有する外付け機構により改善することにより、広帯域の方向性を有する方向性カプラを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例の方向性カプラの概略構成を示す回路図である。
【図２】従来の方向性カプラの概略構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例の方向性カプラの反射減衰量を計算した結果を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例の方向性カプラの挿入損失を計算した結果を示すグラフである。
【図５】従来の方向性カプラの反射減衰量を計算した結果を示すグラフである。
【図６】従来の方向性カプラの挿入損失を計算した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例］
図１は、本発明の実施例の方向性カプラの概略構成を示す回路図である。図１において、Ａ１０１は高周波減衰器、Ｃ１０１はマイクロストリップ線路カプラ、Ｃ１０２は９０°ハイブリッド回路、Ｄ１０１，Ｄ１０２は遅延線路、Ｔ１０１は無反射終端抵抗（抵抗値は５０Ω）である。
ここで、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１は入力端子、端子１０２は通過信号出力端子、端子１０３はカップリング端子、端子１０４はアイソレーション端子である。また、高周波減衰器（Ａ１０１）の減衰量は、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の単体の方向性値（ここでは、７ｄＢ）である。
さらに、遅延線路（Ｄ１０１）の遅延量は−１８０°、遅延線路（Ｄ１０２）の遅延量は−９０°である。なお、遅延線路（Ｄ１０１）および遅延線路（Ｄ１０２）のそれぞれの遅延量は、必ずしも−１８０°、−９０°である必要はなく、遅延線路（Ｄ１０２）の遅延量を（−α）とするとき、遅延線路（Ｄ１０１）の遅延量は、−（α＋９０°）であればよい。なお、本実施例において、遅延線路（Ｄ１０２）は、方向性を広帯域化するために挿入したものであり、遅延線路（Ｄ１０２）は、必ずしも必要ない。即ち、αは、０°であってもよい。さらに、遅延線路に代えて、位相回路を使用してもよい。
【０００９】
［本実施例の進行波のときの動作］
以下、本実施例の方向性カプラの動作について説明する。
初めに、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１に信号（進行波）を入力したときの動作について説明する。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１に入力される信号（進行波）をＦ１、電力をＰ１、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１にＦ１の信号を入力したときにマイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０３に出力される信号をＦ３、電力をＰ３、また、端子１０４に出力される信号をＦ４、電力をＰ４とするとき、電力Ｐ３と、電力Ｐ４は、下記（１）式で表される。
−２０（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ３／Ｐ１）
−２７（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ４／Ｐ１）    ・・・・・・・  （１）
即ち、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０３には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量である−２０ｄＢ減衰した信号が、端子１０４には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量と方向性値とを加算した値である−２７ｄＢ減衰した信号が出力される。また、端子１０１に入力される信号Ｆ１に対する、端子１０３に出力される信号Ｆ３の位相遅延量は０°、端子１０１に入力された信号Ｆ１（あるいは、端子１０３に出力される信号Ｆ３）に対する、端子１０４に出力される信号Ｆ４の位相遅延量は−１８０°となる。
【００１０】
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０３に出力されたＦ３の信号は、遅延線路（Ｄ１０１）において位相が−９０°遅延された後、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力される。したがって、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、第１端子１０５に入力されるＦ３の信号の位相遅延量は、−９０°となる。
９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力されたＦ３の信号は、３ｄＢの減衰を受け、また位相が−９０°遅延されて、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される。この第３端子１０６に出力されるＦ３の信号の電力をＰ３−３とするとき、Ｐ３−３は、下記（２）式で表され、また、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、位相遅延量は、−１８０°となる。
−２３（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ３−３／Ｐ１）    ・・・・・・・  （２）
なお、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力されたＦ３の信号は、３ｄＢの減衰を受け、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７にも出力されるが、この電力は、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。
一方、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０４に出力されたＦ４の信号は、高周波減衰器（Ａ１０１）において、−７ｄＢ減衰される。この高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ４の信号の電力をＰ４−Ａとするとき、Ｐ４−Ａは、下記（３）式で表される。
−３４（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ４−Ａ／Ｐ１）    ・・・・・・・  （３）
【００１１】
高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ４の信号は、遅延線路（Ｄ１０１）において位相が、−１８０°遅延され、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力される。したがって、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、第４端子１０８に入力されるＦ４の信号の位相遅延量は、−３６０°となる。
９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力されたＦ４の信号は、３ｄＢの減衰を受け、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される。この第３端子１０６に出力されるＦ４の信号の電力をＰ４−３とするとき、Ｐ４−３は、下記（４）式で表され、また、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、位相遅延量は−３６０°となる。
−３７（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ４−３／Ｐ１）    ・・・・・・・  （４）
このように、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される、Ｆ３の信号とＦ４の信号とは逆位相となるので、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６には、電力が約−２３ｄＢの信号（電力が−２３ｄＢ減衰されたＦ３の信号と、電力が−３７ｄＢ減衰されたＦ４の信号が逆位相で合成された信号；結合信号）が出力される。つまり、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６には、Ｆ３の信号のみが出力される。
なお、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力されたＦ４の信号は、３ｄＢの減衰を受け、また位相が−９０°遅延されて、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７にも出力されるが、この電力は、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。即ち、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７に出力されるＦ３の信号と、Ｆ４の信号とは、同位相であるので、合成されて、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。
【００１２】
［本実施例の反射波のときの動作］
次に、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１に入力された信号（進行波）が、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２で反射されたときの動作について説明する。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１に入力された信号（進行波）がマイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２で反射した信号（反射波）をＦ’２、電力をＰ’２、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０１に入力された信号（進行波）がマイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２で反射したときにマイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０３に出力される信号をＦ‘３、電力をＰ’３、また、端子１０４に出力される信号をＦ‘４、電力をＰ’４とするとき、電力Ｐ’３と、電力Ｐ’４は、下記（５）式で表される。
−２７（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ’３／Ｐ’２）
−２０（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ’４／Ｐ’２）    ・・・・・・・  （５）
即ち、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０４には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量である−２０ｄＢ減衰した信号が、端子１０３には、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量と方向性値とを加算した値である−２７ｄＢ減衰した信号が出力される。また、端子１０１に入力される信号Ｆ１に対する、端子１０３に出力される信号Ｆ’３の位相遅延量は、−３６０°（即ち、−０°）、端子１０４に出力される信号Ｆ’４の位相遅延量は、−１８０°となる。
【００１３】
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０３に出力されたＦ’３の信号は、遅延線路（Ｄ１０２）において位相が、−９０°遅延された後、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力される。したがって、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、第１端子１０５に入力されるＦ’３の信号の位相遅延量は、−４５０°（即ち、−９０°）となる。
９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力されたＦ’３の信号は、３ｄＢの減衰を受け、また位相が、−９０°遅延されて、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される。この第３端子１０６に出力されるＦ’３の信号の電力をＰ’３−３とするとき、Ｐ’３−３は、下記（６）式で表され、また、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、位相遅延量は−５４０°（即ち、−１８０°）°となる。
−３０（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ’３−３／Ｐ’２）    ・・・・・・・  （６）
なお、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第１端子１０５に入力されたＦ’３の信号は、３ｄＢの減衰を受け、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７にも出力されるが、この電力は、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。
一方、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０４に出力されたＦ’４の信号は、高周波減衰器（Ａ１０１）において、−７ｄＢ減衰される。この高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ’４の電力をＰ’４−Ａとするとき、Ｐ’４−Ａは、下記（７）式で表される。
−２７（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ’４−Ａ／Ｐ’２）    ・・・・・・・  （７）
【００１４】
高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ’４の信号は、遅延線路（Ｄ１０２）において位相が、−１８０°遅延され、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力される。したがって、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、第４端子１０８に入力されるＦ’４の信号の位相遅延量は、−３６０°（即ち、０°）となる。
９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力されたＦ’４の信号は、３ｄＢの減衰を受け、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される。この第３端子１０６に出力されるＦ’４の信号の電力をＰ’４−３とするとき、Ｐ’４−３は、下記（８）式で表され、また、端子１０１に入力された信号Ｆ１に対する、位相遅延量は、−３６０°（即ち、０°）となる。
−３０（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（Ｐ’４−３／Ｐ’２）    ・・・・・・・  （８）
このように、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される、Ｆ’３の信号とＦ’４の信号とは逆位相で、同振幅となるので、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６には、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２で反射された信号（反射波）は出力されない。したがって、方向性を大きく（理論上は無限大）することが可能である。
なお、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第４端子１０８に入力されたＦ’４の信号は、３ｄＢの減衰を受け、また位相が−９０°遅延されて、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７にも出力されるが、この電力は、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。即ち、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７に出力されるＦ’３の信号と、Ｆ’４の信号とは、同位相で、同振幅であるので、合成されて、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。
【００１５】
［本実施例の端子１０２に信号を入力したときの動作］
次に、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２に信号を入力したときの動作について説明する。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２に信号を入力したときも、前述の［本実施例の反射波のときの動作］と同様、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６に出力される、端子１０３から出力された信号と、端子１０４から出力された信号とは、逆位相で、同振幅であるので、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第３端子１０６には、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ１０１）の端子１０２から入力された信号は出力されない。したがって、方向性を大きく（理論上は無限大）することが可能である。
なお、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）の第２端子１０７に出力される、端子１０３から出力された信号と、端子１０４から出力された信号とは、同位相で、同振幅であるので、合成されて、無反射終端抵抗（Ｔ１０１）に吸収される。
【００１６】
［従来例］
図２は、従来の方向性カプラの概略構成を示す回路図である。図２において、Ａ３０１は高周波減衰器、Ｃ３０１はマイクロストリップ線路カプラ、Ｗ３０１はウィルキンソン分配器である。ここで、高周波減衰器（Ａ１０１）の減衰量は、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の単体の方向性値（ここでは、７ｄＢ）である。
以下、従来の方向性カプラの動作について説明する。
［従来例の進行波のときの動作］
初めに、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０１に信号（進行波）を入力したときの動作について説明する。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０１にＦ''１の信号（進行波）を入力したときには、前述の（１）式で示すように、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０３には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量である−２０ｄＢ減衰した信号Ｆ''３が、端子３０４には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量と方向性値とを加算した値である−２７ｄＢ減衰した信号Ｆ''４が出力される。
また、端子３０１に入力される信号Ｆ''１に対する、端子３０３に出力される信号Ｆ''３の位相遅延量は、０°、端子３０１に入力される信号Ｆ''１（あるいは、端子３０３に出力される信号Ｆ''３）に対する、端子３０４に出力される信号Ｆ''４の位相遅延量は、−１８０°となる。
【００１７】
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０３に出力されたＦ''３の信号は、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に入力される。マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０４に出力されたＦ''４の信号は、高周波減衰器（Ａ３０１）において、−７ｄＢ減衰される。この高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ''４の信号は、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第２端子３０６に入力される。
ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に出力されるＦ''３の信号と、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第２端子３０６に出力されるＦ''４の信号とは、逆位相で、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）で合成されて、第３端子３０７に出力される。
したがって、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第３端子３０７には、電力が約−２３ｄＢの信号（電力が−２３ｄＢ減衰されたＦ３''の信号と、電力が−３７ｄＢ減衰されたＦ''４の信号が逆位相で合成された信号；結合信号）が出力される。
【００１８】
［従来例の反射波のときの動作］
次に、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０１に入力された信号（進行波）が、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０２で反射されたときの動作について説明する。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０２でＦ'''２の信号（反射波）が反射されたときには、前述の（５）式で示すように、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０４には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量である−２０ｄＢ減衰した信号Ｆ'''４が、端子３０３には、電力が、マイクロストリップ線路カプラ単体の結合量と方向性値とを加算した値である−２７ｄＢ減衰した信号Ｆ'''３が出力される。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０４に出力された信号Ｆ'''４の信号は、高周波減衰器（Ａ３０１）において、−７ｄＢ減衰される。この高周波減衰器（Ａ１０１）で減衰されたＦ'''４の信号は、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第２端子３０６に入力される。
マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０３に出力されたＦ'''３の信号は、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に入力される。
また、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０１に入力したＦ''１の信号に対する、端子３０３に出力される信号Ｆ'''３の位相遅延量は、−３６０°（即ち、０°）、端子３０４に出力される信号Ｆ'''４の位相遅延量は、−１８０°となる。
【００１９】
このように、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に出力されるＦ'''３の信号と、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第２端子３０６に出力されるＦ'''４の信号とは、同振幅、逆位相となる。したがって、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に出力されるＦ'''３の信号と、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第２端子３０６に出力されるＦ'''４の信号とは相殺されて、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第３端子３０７には出力されない。
即ち、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０２で反射された信号（反射波）は、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第３端子３０７には出力されないので、所望の周波数において、方向性を大きく（理論上は無限大）することが可能である。
また、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０２に信号を入力したときも、前述の［従来例の反射波のときの動作］と同様、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第１端子３０５に出力される、電力が−２７ｄＢの信号と、第２端子３０６に出力される、電力が−２７ｄＢの信号とは、同振幅、逆位相となるので、マイクロストリップ線路カプラ（Ｃ３０１）の端子３０２に信号を入力したときも、ウィルキンソン分配器（Ｗ３０１）の第３端子３０７には出力されないので、所望の周波数において、方向性を大きく（理論上は無限大）することが可能である。
【００２０】
図３は、本発明の実施例の方向性カプラの反射減衰量（ｄＢ）を計算した結果を示すグラフであり、図４は、本発明の実施例の方向性カプラの挿入損失（ｄＢ）を計算した結果を示すグラフである。
図３において、Ａは端子１０１の反射減衰量（ｄＢ）を、Ｂは端子１０２の反射減衰量（ｄＢ）を、Ｃは端子１０６の反射減衰量（ｄＢ）を表す。また、図４において、Ａは端子１０１から端子１０６への挿入損失（ｄＢ）を、Ｂは端子１０２から端子１０６への挿入損失（ｄＢ）を表す。
また、図５は、従来の方向性カプラの反射減衰量（ｄＢ）を計算した結果を示すグラフであり、図６は、従来の方向性カプラの挿入損失（ｄＢ）を計算した結果を示すグラフである。
図５において、Ａは端子３０１の反射減衰量（ｄＢ）を、Ｂは端子３０２の反射減衰量（ｄＢ）を、Ｃは端子３０７の反射減衰量（ｄＢ）を表す。また、図６において、Ａは端子３０１から端子３０７への挿入損失（ｄＢ）を、Ｂは端子３０２から端子３０７への挿入損失（ｄＢ）を表す。
【００２１】
図３、図５から分かるように、本実施例の方向性カプラと、従来の方向性カプラとは、反射減衰量の特性はほぼ同じであるが、図６に示すように、従来の方向性カプラでは、周波数が１．８ＧＨｚにおいて、方向性が−２０ｄＢであるが、本実施例では図４に示すように、周波数が１．８ＧＨｚにおいて、方向性を−２４ｄＢに改善することができる。
しかも、図４のグラフから分かるように、本実施例では、端子１０２から端子１０６への挿入損失が−４４ｄＢ以下となる周波数領域は、１．３ＧＨｚ〜２．２ＧＨｚであるのに対して、図６のグラフから分かるように、従来では、端子３０２から端子３０７への挿入損失が−４４ｄＢ以下となる周波数領域は、約１．６６ＧＨｚ〜２．１４ＧＨｚであり、本実施例では、９０°ハイブリッド回路（Ｃ１０２）が広帯域特性を有しているため、結果として、広帯域に方向性を改善できることが分かる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００２２】
Ａ１０１，Ａ３０１  高周波減衰器
Ｃ１０１，Ｃ３０１  マイクロストリップ線路カプラ
Ｃ１０２  ９０°ハイブリッド回路
Ｄ１０２，Ｄ１０１  遅延線路
Ｔ１０１  無反射終端抵抗
Ｗ３０１  ウィルキンソン分配器
１０１，３０１  入力端子
１０２，３０２  通過信号出力端子
１０３，３０３  カップリング端子
１０４，３０４  アイソレーション端子
１０５〜１０８，３０５〜３０７  端子
【図１】
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【図２】
2010258862.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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