(57)【要約】【目的】適切なソーキング時間を取得する描画装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、複数のマーク１０が形成された評価基板１０１を配置する描画室１０３と、描画室１０３内で、複数のマーク１０の位置を測定する測定アンプ２１４と、測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部１１４と、前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部１１６と、を備え、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、適切なソーキング時間を取得することができる。【選択図】図１
2010067809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマークが形成された評価基板を描画室内に搬入する搬入工程と、
前記描画室内で、前記複数のマークの位置を測定する工程と、
測定された前記複数のマークの位置を用いて、前記複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する工程と、
前回の係数と今回の係数を用いて、前記評価基板の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する工程と、
を備え、
前記評価基板の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の前記複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、前記複数のマークの位置の測定と前記係数の算出と前記判定とを繰り返し、
判定の結果、前記評価基板の寸法変動量が閾値未満となった場合に、前記待機時間の合計を出力することを特徴とするソーキング時間の取得方法。
【請求項２】
前記複数のマークは、前記評価基板の４隅を含む複数の位置に形成され、
荷電粒子ビームを用いて前記複数のマークをスキャンすることにより、前記複数のマークの位置が測定されることを特徴とする請求項１記載のソーキング時間の取得方法。
【請求項３】
前記評価基板は、前記描画室内で描画される基板と同じ材料を用いることを特徴とする請求項１又は２記載のソーキング時間の取得方法。
【請求項４】
前記近似式は、１次以上の多項式であって、前記係数は、前記近似式の１次の項の係数を用いることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のソーキング時間の取得方法。
【請求項５】
複数のマークが形成された評価基板を配置する描画室と、
前記描画室内で、前記複数のマークの位置を測定する測定部と、
測定された前記複数のマークの位置を用いて、前記複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部と、
前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、前記評価基板の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部と、
を備え、
前記評価基板の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の前記複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、前記複数のマークの位置の測定と前記係数の算出と前記判定とを繰り返すことを特徴とする描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソーキング時間の取得方法及び描画装置に係り、例えば、描画装置の描画室内のソーキングのためのソーキング時間の取得方法、及びかかる方法を具現化する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図５は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される（例えば、特許文献１参照）。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
かかる描画装置においては、基板にパターンを描画する前提として、基板の温度を描画室内の温度にならすソーキングと呼ばれる処理が必要である。ソーキングが完了する前に描画を開始してしまうと、熱変化による基板の寸法変動により描画されるパターンの位置精度が劣化してしまうからである。ソーキングが完了したかどうかは、従来、実際に基板に描画されたパターンの寸法を基に経験測に基づいて判断していた。そのため、ソーキング時間として、例えば、装置立ち上げ時などは安全を見越して２週間程度が必要となっていた。しかし、かかるソーキング時間には多くの無駄な時間も含まれている。そのため、その分だけ装置の稼動開始が遅れ、装置のスループットが劣化してしまうといった問題があった。
【０００５】
そこで、温度センサを組み込んだ基板を描画室内に配置して、かかる温度センサの温度が収束するまでの時間をソーキング時間とする方法が考えられる。しかし、かかる方法は、温度センサの温度が収束すれば基板の寸法変動も無くなるはずであるといった推定ができるにすぎず、実際の基板が、熱変化による寸法変動を起こしているかどうかはわからない。そのため、温度センサの温度が収束するまでの時間をそのままソーキング時間として採用することは困難であるといった問題があった。
【特許文献１】特開２００７−０４３０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、無駄のないソーキング時間の決定方法は従来確立されていなかった。そのため、描画開始までに多くの無駄な時間が必要であった。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、適切なソーキング時間を取得する方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のソーキング時間の取得方法は、
複数のマークが形成された評価基板を描画室内に搬入する搬入工程と、
描画室内で、複数のマークの位置を測定する工程と、
測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する工程と、
前回の係数と今回の係数を用いて、評価基板の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する工程と、
を備え、
評価基板の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返し、
判定の結果、評価基板の寸法変動量が閾値未満となった場合に、上述した待機時間の合計を出力することを特徴とする。
【０００９】
かかる方法では、実際に評価基板上の複数のマークの位置の寸法変動量を測定する。そして、かかる位置ずれ量を近似した近似式の係数を使って実際の基板の寸法変動量を予測する。そのため、従来の温度変化から寸法変動量を類推する場合より、高精度に予測することができる。
【００１０】
また、複数のマークは、評価基板の４隅を含む複数の位置に形成され、
荷電粒子ビームを用いて複数のマークをスキャンすることにより、複数のマークの位置が測定されると好適である。
【００１１】
また、評価基板は、描画室内で描画される基板と同じ材料を用いると好適である。
【００１２】
また、近似式は、１次以上の多項式であって、係数は、近似式の１次の項の係数を用いると好適である。
【００１３】
また、本発明の一態様の描画装置は、
複数のマークが形成された評価基板を配置する描画室と、
描画室内で、複数のマークの位置を測定する測定部と、
測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部と、
前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、評価基板の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部と、
を備え、
評価基板の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、適切なソーキング時間を取得することができる。よって、実描画において適切なソーキング時間でソーキング処理を行うことができる。よって、従来に比べ、無駄な時間を無くし、装置の稼動開始を早めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０、制御部１６０、搬出入口（Ｉ／Ｆ）１２０、ロードロックチャンバ１３０、ロボットチャンバ１４０、プリチャンバ１４６、及び真空ポンプ１７０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１２４、磁気ディスク装置１２６、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）１２７、制御回路１２８及び測定アンプ２１４を備えている。制御計算機１１０、メモリ１２４、磁気ディスク装置１２６、外部Ｉ／Ｆ１２７、制御回路１２８及び測定アンプ２１４は、図示しないバスにより互いに接続されている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２及び描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８及び検出器２１２が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。ＸＹステージ１０５上には、評価基板１０１が配置されることになる。搬出入口１２０内には、評価基板１０１を搬送する搬送ロボット１２２が配置されている。ロボットチャンバ１４０内には、評価基板１０１を搬送する搬送ロボット１４２が配置されている。真空ポンプ１７０は、バルブ１７２を介してロボットチャンバ１４０内の気体を排気する。これにより、ロボットチャンバ１４０内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ１７０は、バルブ１７４を介して電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内の気体を排気する。これにより、電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内は真空雰囲気に維持される。また、搬出入口１２０とロードロックチャンバ１３０とロボットチャンバ１４０と描画室１０３とのそれぞれの境界には、ゲートバルブ１３２，１３４，１３６が配置される。
【００１７】
制御計算機１１０内には、マーク位置取得部１１２、係数算出部１１４、判定部１１６、ソーキング時間算出部１１８及び描画制御部１１１が配置される。マーク位置取得部１１２、係数算出部１１４、判定部１１６、ソーキング時間算出部１１８及び描画制御部１１１の各構成は、ソフトウェアにより実行される処理機能として構成してもよい。或いは、マーク位置取得部１１２、係数算出部１１４、判定部１１６、ソーキング時間算出部１１８及び描画制御部１１１の各構成を電気的な回路によるハードウェアにより構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、処理を実行する制御計算機１１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２４に記憶される。また、制御回路１２８は、制御計算機１１０内の描画制御部１１１によって制御され、その制御内容に従って、描画部１５０、搬出入口１２０、ロードロックチャンバ１３０、プリチャンバ１４６、及びロボットチャンバ１４０内の各機器を駆動させる。
【００１８】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。また、搬送ロボット１２２，１４２は、エレベータ機構や回転機構など機械的な機構であれば構わない。
【００１９】
図２は、実施の形態１における描画装置内の搬送経路を示す上面概念図である。
搬出入口１２０に配置された評価基板１０１は、ゲートバルブ１３２を開けた後、搬送ロボット１２２によりロードロックチャンバ１３０内のステージに搬送される。そして、ゲートバルブ１３２を閉めた後、ゲートバルブ１３４を開けて、搬送ロボット１４２によりロボットチャンバ１４０を介してプリチャンバ１４６内のステージに搬送される。そして、プリチャンバ１４６内で評価基板１０１のアライメント処理が行われ、その後、ゲートバルブ１３６を開けて、評価基板１０１は描画室１０３のＸＹステージ１０５上に搬送され、ゲートバルブ１３６が閉められる。搬出する際には、ゲートバルブ１３６を開けて、描画室１０３のＸＹステージ１０５から搬送ロボット１４２により評価基板１０１をロボットチャンバ１４０内に移動する。そして、ゲートバルブ１３６を閉めた後、ゲートバルブ１３４を開けて、搬送ロボット１４２により評価基板１０１はロードロックチャンバ１３０内のステージに搬送される。そして、ゲートバルブ１３４を閉めた後、ゲートバルブ１３２を開けて、搬送ロボット１２２により評価基板１０１は搬出入口１２０に搬出される。これらの動作の際、各チャンバ内の真空度が下がった場合にはその都度真空ポンプ１７０が作動し、真空度を維持する。或いは、バルブ１７２又はバルブ１７４が開閉し、作動中の真空ポンプ１７０によって真空引きされ、所望する真空度を維持する。
【００２０】
評価基板１０１の代わりに、製品となる基板を描画する際には、次のように動作する。上述した搬送経路で被描画基板がＸＹステージ１０５上に搬送され、ゲートバルブ１３６が閉められた後にソーキング処理が行なわれる。そして、ソーキング処理が完了後に、以下のように描画が開始される。照射部の一例となる電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の被描画基板の所望する位置に照射される。
【００２１】
以上のような描画を行なうにあたって、描画室１０３内において被描画基板の温度変化による熱膨張が許容範囲内に収まっている必要がある。そのためには、温度Ｔ１の基板保管庫に格納されていた被描画基板が温度Ｔ２の描画室１０３内で熱膨張が許容範囲内に収まるためにどのくらいの時間ソーキング処理（温度ならし処理）を行なわなければならないのかを知っておく必要がある。或いは、描画室内の温度Ｔ２を基板保管庫Ｔ１と同じ温度に調整していた場合に、基板保管庫に格納されていた被描画基板が途中の環境変化を経て描画室１０３に搬入後、描画室１０３内で被描画基板の熱膨張が許容範囲内に収まるためにどのくらいの時間ソーキング処理を行なわなければならないのかを知っておく必要がある。そのため、実施の形態１では、評価基板１０１を使って、以下のようにしてかかるソーキング時間を取得する。
【００２２】
図３は、実施の形態１における評価基板の一例を示す図である。
図３において、評価基板１０１上には、複数のマーク１０が形成されている。マーク１０は、評価基板１０１の４隅と、４隅のそれぞれが隣り合う角の中間位置と、評価基板１０１の中央との計９箇所に形成されている。ここでは、ｘ，ｙ方向に延びる十字型のマークを形成している。十字型のマークを用いることでｘ，ｙ方向の位置を測定することができる。また、ここでは、９箇所にマーク１０を形成しているが、これに限るものではない。熱変化による寸法変動について回転方向分も含めて高精度に評価する場合には、評価基板１０１の４隅を含む６箇所以上にマーク１０を形成すればよい。また、回転方向の変動を含めずにｘ、ｙ方向の変動のみを評価する場合には、評価基板１０１の２箇所以上にマーク１０を形成すればよい。また、評価基板１０１は、実際の製品となる被描画基板と同じ材料を用いて形成されると好適である。また、評価基板１０１は、実際の製品となる被描画基板と同じ寸法及び形状で形成されると好適である。同じ材料にすることで線膨張係数を同じにすることができる。さらに、同じ寸法及び形状にすることで、熱変化による寸法変動量を被描画基板と合わせることができる。また、温度センサ等を組み込んでいないので、寸法変動の仕方を被描画基板と合わせることができる。
【００２３】
図４は、実施の形態１におけるソーキング時間の取得方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図４において、実施の形態１におけるソーキング時間の取得方法は、保管庫温度にならす工程（Ｓ１００）と、描画室搬入工程（Ｓ１０２）と、マークスキャン工程（Ｓ１０４）と、係数取得工程（Ｓ１０６）と、待機工程（Ｓ１０８）と、マークスキャン工程（Ｓ１１０）と、係数取得工程（Ｓ１１２）と、判定工程（Ｓ１１４）と、待機工程（Ｓ１１６）と、ソーキング時間算出工程（Ｓ１１８）といった一連の工程を実施する。
【００２４】
ステップ（Ｓ）１００において、保管庫温度にならす工程として、描画装置１００外の図示しない基板保管庫に評価基板１０１を格納して、基板保管庫の温度Ｔ１に評価基板１０１をならす。実描画では、基板保管庫で基板保管庫の温度Ｔ１にならされた被描画基板を用いるので、基板保管庫に評価基板１０１を格納することで初期条件を合わせることができる。
【００２５】
Ｓ１０２において、描画室搬入工程として、評価基板１０１を描画室１０３内に搬入する。搬入の経路は、まず、基板保管庫から搬出入口１２０に評価基板１０１を配置する。そして、搬出入口１２０に評価基板１０１が配置された後は、上述したとおりである。
【００２６】
Ｓ１０４において、マークスキャン工程として、描画室１０３内で、評価基板１０１上の複数のマーク１０を電子ビーム２００でスキャンして、複数のマーク１０の位置を測定する。まず、評価基板１０１上のいずれかのマーク１０が電子ビーム２００で走査できる位置までＸＹステージ１０５を移動させる。そして、電子銃２０１から電子ビーム２００を放出し、偏向器２０８で電子ビーム２００が十字のマーク１０上をｘ，ｙ方向それぞれの方向に横切るように走査する。その際に放出される反射電子を検出器２１２が検出する。検出器２１２により検出されたアナログデータは、測定アンプ２１４によってデジタルデータに変換され、制御計算機１１０に出力される。マーク位置取得部１１２は、かかるデジタルデータを入力して各マーク１０の位置を取得する。
【００２７】
Ｓ１０６において、係数算出工程として、係数算出部１１４は、測定された複数のマーク１０の位置を用いて、複数のマーク１０の位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する。ここでは、近似式として、１次以上の多項式を用いると好適である。例えば、以下に示す１次の多項式（１−１）及び（１−２）を用いる。
（１−１）  Ｘｉ＝ａｉ０＋ａｉ１ｘ＋ａｉ２ｙ
（１−２）  Ｙｉ＝ｂｉ０＋ｂｉ１ｘ＋ｂｉ２ｙ
【００２８】
ここで、ｉは、測定の順番を示す。ここでは、第１回目の測定結果に基づいているので、ｉ＝１となる。そして、最小二乗法を用いて、測定された各マーク１０の位置ずれ量をかかる近似式でフィッティングして、係数ａ１０〜ａ１２、ｂ１０〜ｂ１２を求める。以上のようにして、描画室１０３内へ評価基板１０１を搬入直後の状態での係数ａ１０〜ａ１２、ｂ１０〜ｂ１２を求めることができる。得られた係数ａ１０〜ａ１２、ｂ１０〜ｂ１２は磁気ディスク装置１２６に格納される。
【００２９】
Ｓ１０８において、待機工程として、描画室１０３内に搬入された評価基板１０１を待機時間ｔ０の間、そのまま待機させる。待機時間ｔ０は、例えば、３０分とする。
【００３０】
Ｓ１１０において、マークスキャン工程として、待機時間だけ経過後、描画室１０３内で、評価基板１０１上の複数のマーク１０を電子ビーム２００でスキャンして、複数のマーク１０の位置を改めて測定する。測定の仕方はマークスキャン工程（Ｓ１０４）と同様である。
【００３１】
Ｓ１１２において、係数算出工程として、係数算出部１１４は、測定された複数のマーク１０の位置を用いて、複数のマーク１０の位置ずれ量を近似する近似式（１−１）及び（１−２）の係数ａ２０〜ａ２２，ｂ２０〜ｂ２２を算出する。以上のようにして、待機時間だけ経過した状態での係数ａ２０〜ａ２２，ｂ２０〜ｂ２２を求めることができる。ここでは、第２回目の測定結果に基づいているので、ｉ＝２となる。得られた係数ａ２０〜ａ２２，ｂ２０〜ｂ２２は磁気ディスク装置１２６に格納される。
【００３２】
Ｓ１１４において、判定工程として、判定部１１６は、前回の係数ａｉ０〜ａｉ２，ｂｉ０〜ｂｉ２と今回の係数ａｋ０〜ａｋ２，ｂｋ０〜ｂｋ２を用いて、評価基板１０１の寸法変動量δｉｊが閾値Δ未満かどうかを判定する。閾値Δは、例えば、温度が０．１℃変化した場合の寸法変動量以下にすると好適である。例えば、閾値Δ＝５ｎｍとする。ここで、ｋ＝ｉ＋１とする。寸法変動量δｉｊは、係数ａｉ０〜ａｉ２，ｂｉ０〜ｂｉ２のうち、１次の項の係数ａｉ１，ａｉ２，ｂｉ１，ｂｉ２，ａｋ１，ａｋ２，ｂｋ１，ｂｋ２を用いる。評価基板１０１の温度膨張は比例成分である１次の項で支配されるので、１次の項で寸法変動量δｉｊを求めれば十分な精度を確保することができる。よって、近似式に２次以上の多項式を用いる場合でも１次の項の係数を用いればよい。寸法変動量δｉｊは、評価基板１０１の寸法Ｌｘ，Ｌｙを用いて、ｘ方向について以下の式（２−１）及び（２−２）で、ｙ方向について以下の式（２−３）及び（２−４）で定義することができる。
（２−１）  δｉ１＝（ａｉ１−ａｋ１）・Ｌｘ
（２−２）  δｉ２＝（ａｉ２−ａｋ２）・Ｌｘ
（２−３）  δｉ３＝（ｂｉ１−ｂｋ１）・Ｌｙ
（２−４）  δｉ４＝（ｂｉ２−ｂｋ２）・Ｌｙ
【００３３】
そして、判定部１１６は、δｉ１＜Δ、δｉ２＜Δ、δｉ３＜Δ、及びδｉ４＜Δであるかどうかを判定する。そして、すべてのδｉｊが閾値Δ未満である場合には、ソーキング完了として、ソーキング時間算出工程（Ｓ１１８）に進む。いずれか１つでもδｉｊが閾値Δ未満でない場合には、ソーキングがまだ完了していないとして、待機工程（Ｓ１１６）に進む。
【００３４】
Ｓ１１６において、待機工程として、描画室１０３内に搬入された評価基板１０１を待機時間ｔｉの間、そのまま待機させる。待機時間ｔｉは、例えば、３０分とする。そして、マークスキャン工程（Ｓ１１０）にフィードバックする。各回の待機時間ｔｉは、一定である必要はなく、それぞれ或いは１部について異なる時間に設定しても構わない。
【００３５】
以上のようにして、評価基板１０１のすべての寸法変動量δｉｊが閾値Δ未満になるまで、２回目以降の複数のマーク１０の位置の測定について測定前に毎回、待機工程（Ｓ１１６）により待機時間ｔｉを設けて、マークスキャン工程（Ｓ１１０）と係数算出工程（Ｓ１１２）と判定工程（Ｓ１１４）とを繰り返す。
【００３６】
Ｓ１１８において、ソーキング時間算出工程として、判定の結果、評価基板１０１の寸法変動量δｉｊが閾値Δ未満となった場合に、ソーキング時間算出部１１８は、待機工程（Ｓ１０８）での待機時間ｔ０と待機工程（Ｓ１１６）での待機時間ｔｉの合計を算出する。そして、待機時間の合計をソーキング時間として出力する。例えば、待機時間の合計は、磁気ディスク装置１２６に出力される。或いは、外部Ｉ／Ｆ１２７を介して外部に出力されてもよい。或いは、図示しないモニタ等に表示されてもよい。
【００３７】
以上のようにして、描画装置１００のユーザは、適切なソーキング時間を取得することができる。よって、実描画において適切なソーキング時間でソーキング処理を行うことができる。よって、従来に比べ、無駄な時間を無くし、装置の稼動開始を早めることができる。その結果、装置のスループットを向上させることができる。
【００３８】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００３９】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４０】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画装置及び荷電粒子ビームの焦点合わせ方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画装置内の搬送経路を示す上面概念図である。
【図３】実施の形態１における評価基板の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１におけるソーキング時間の取得方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図５】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  マーク
１００  描画装置
１０１  評価基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１１  描画制御部
１１２  マーク位置取得部
１１４  係数算出部
１１６  判定部
１１８  ソーキング時間算出部
１２０  搬出入口
１２２，１４２  搬送ロボット
１２４  メモリ
１２６  磁気ディスク装置
１２７  外部Ｉ／Ｆ
１２８  制御回路
１３０  ロードロックチャンバ
１３２，１３４，１３６  ゲートバルブ
１４０  ロボットチャンバ
１４６  プリチャンバ
１５０  描画部
１６０  制御部
１７０  真空ポンプ
１７２，１７４  バルブ
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１２  検出器
２１４  測定アンプ
３３０  電子線
３４０  試料
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2010067809.tif 000003
【図２】
2010067809.tif 000004
【図３】
2010067809.tif 000005
【図４】
2010067809.tif 000006
【図５】
2010067809.tif 000007