(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、ウェーハの昇温時間を短縮することのできる技術を提供する。【解決手段】反応炉内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させる前に、ウェーハＷを所定の温度まで加熱する際に、レート変更温度に到達するまでの温度領域では、高ランピングレートに従ってウェーハＷをランプにより加熱し、レート変更温度よりも高い温度領域においては、低ランピングレートに従ってウェーハＷをランプにより加熱し、ウェーハＷが所定の温度まで加熱された後に、エピタキシャル層を気相成長させる。【選択図】図３
2010258074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉内に収容されたウェーハを加熱するウェーハ加熱方法であって、
第１温度領域においては、第１昇温レートに従って前記ウェーハを加熱手段により加熱し、前記第１温度領域よりも高い第２温度領域においては、前記第１昇温レートよりも低い第２昇温レートに従って前記ウェーハを前記加熱手段により加熱するウェーハ加熱方法。
【請求項２】
前記第１温度領域と前記第２温度領域との境界温度は、１０００℃以下の温度である
請求項１に記載のウェーハ加熱方法。
【請求項３】
前記境界温度は、８５０℃以上の温度である
請求項２に記載のウェーハ加熱方法。
【請求項４】
前記第２昇温レートは、５℃／秒以下である
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のウェーハ加熱方法。
【請求項５】
前記ウェーハは、ドーパントの濃度が低い高抵抗のウェーハであり、
前記第２昇温レートは、３℃／秒以下である
請求項４に記載のウェーハ加熱方法。
【請求項６】
前記第１昇温レートは、５℃／秒より高い
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のウェーハ加熱方法。
【請求項７】
反応炉内に処理対象のウェーハを収容し、前記ウェーハにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、
前記ウェーハにエピタキシャル層を気相成長させる前に、前記ウェーハを所定の温度まで加熱する際に、第１温度領域においては、第１昇温レートに従って前記ウェーハを加熱手段により加熱し、前記第１温度領域よりも高い第２温度領域においては、前記第１昇温レートよりも低い第２昇温レートに従って前記ウェーハを前記加熱手段により加熱し、
前記ウェーハが前記所定の温度まで加熱された後に、前記エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応炉内に収容されたウェーハを加熱するウェーハ加熱方法及びウェーハにエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法に関し、特に、加熱処理におけるウェーハへの欠陥の発生を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反応炉において、ウェーハをサセプタに載置して所定の温度まで加熱し、その後、ウェーハにエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを製造することが行なわれている。
【０００３】
ウェーハを加熱する際には、例えば、ウェーハに、スリップ等の欠陥が発生する場合がある。スリップは、ウェーハの外周近傍に発生する場合がある。
【０００４】
このようなスリップの発生を低減する技術として、例えば、エピタキシャル成長開始前の基板昇温中に昇温レートを少なくとも１回以上低減させる技術が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２２９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年では、ウェーハが直径３００ｍｍのように大径化しており、このようなウェーハにおいては、ウェーハの自重による応力の影響により、スリップが発生する場合がある。
【０００７】
例えば、このようなウェーハにおいては、加熱処理によっては、裏面がサセプタに接触することにより傷（裏面接触痕）が発生し、この傷を起点としてスリップが発生する可能性がある。
【０００８】
ウェーハにおける裏面接触痕は、急激な温度変化のためウェーハ面内の温度分布が不均一になり、ウェーハが反ることにより発生すると考えられ、高温領域において昇温レートが高い場合に発生する可能性が高い。
【０００９】
上記した特許文献１においては、１００ｍｍ程度の径のウェーハを想定したものであり、ウェーハにおける裏面接触痕までも考慮したものではない。このため、大径のウェーハにそのまま適用することは難しい。例えば、昇温レートを一時的に低減させるが、高温領域においては、元の昇温レートに戻しているので、ウェーハに反りが発生して裏面接触痕が発生する可能性が高い。
【００１０】
一方、加熱処理の昇温レートを低くすることにより、ウェーハの変形を抑えて裏面接触痕の発生を防止することも行なわれているが、昇温レートを低くすると、昇温時間が長時間になり、スループットを低下させる問題がある。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、ウェーハの昇温時間を短縮することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的達成のため、本発明の第１の観点に係るウェーハ加熱方法は、反応炉内に収容されたウェーハを加熱するウェーハ加熱方法であって、第１温度領域においては、第１昇温レートに従ってウェーハを加熱手段により加熱し、第１温度領域よりも高い第２温度領域においては、第１昇温レートよりも低い第２昇温レートに従ってウェーハを加熱手段により加熱する。係るウェーハ加熱方法によると、第１温度領域においては、比較的高い昇温レートによりウェーハを加熱することにより、昇温時間の短縮を図り、より高い第２温度領域においては、昇温レートを低くすることにより、ウェーハに発生する欠陥の発生を適切に防止できる。これにより、ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、昇温時間の短縮を図ることができる。
【００１３】
上記ウェーハ加熱方法において、第１温度領域と第２温度領域との境界温度は、１０００℃以下の温度であってもよい。係るウェーハ加熱方法によると、境界温度以上におけるウェーハへの欠陥の発生を適切に防止できる。例えば、欠陥の発生し易い１０００℃よりも高い温度領域において、昇温レートを低くして、欠陥の発生を適切に防止できる。また、上記ウェーハ加熱方法において、境界温度は、８５０℃以上の温度であってもよい。係るウェーハ加熱方法によると、欠陥の発生をより効果的に低減することができる。
【００１４】
また、上記ウェーハ加熱方法において、第２昇温レートは、５℃／秒以下であってもよい。係るウェーハ加熱方法によると、ウェーハへの欠陥の発生を低減することができる。
【００１５】
また、上記ウェーハ加熱方法において、ウェーハは、ドーパントの濃度が低い高抵抗のウェーハであり、第２昇温レートは、３℃／秒以下であってもよい。係るウェーハ加熱方法によると、ドーパントの濃度が低い高抵抗のウェーハへの欠陥の発生を低減することができる。
【００１６】
また、上記ウェーハ加熱方法において、第１昇温レートは、５℃／秒よりも高くてもよい。係るウェーハ加熱方法によると、昇温時間をより効果的に短縮することができる。
【００１７】
また、上記目的達成のため、本発明の第２の観点に係るエピタキシャルウェーハ製造方法は、反応炉内に処理対象のウェーハを収容し、ウェーハにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、ウェーハにエピタキシャル層を気相成長させる前に、ウェーハを所定の温度まで加熱する際に、第１温度領域においては、第１昇温レートに従ってウェーハを加熱手段により加熱し、第１温度領域よりも高い第２温度領域においては、第１昇温レートよりも低い第２昇温レートに従ってウェーハを加熱手段により加熱し、ウェーハが所定の温度まで加熱された後に、エピタキシャル層を気相成長させる。
【００１８】
係るウェーハ加熱方法によると、第１温度領域においては、比較的高い昇温レートによりウェーハを加熱することにより、昇温時間の短縮を図り、より高い第２温度領域においては、昇温レートを低くすることにより、ウェーハに発生する欠陥の発生を適切に防止できる。これにより、ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、昇温温度の短縮を図ることができる。このため、エピタキシャルウェーハの品質を維持しつつ、エピタキシャルウェーハの製造におけるスループットを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る反応炉の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るウェーハへの加熱状態を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法におけるスリップフリーウインドウと、比較例に係る加熱方法におけるスリップフリーウインドウとを説明する第１の図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るレート変更温度の決定について説明する図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法におけるスリップフリーウインドウと、比較例に係る加熱方法におけるスリップフリーウインドウとを説明する第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている諸要素及びその組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２１】
まず、本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法及びエピタキシャルウェーハ製造方法を実行するための反応炉の一例について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態に係る反応炉の概略構成図であり、反応炉の一部断面図を示している。
【００２３】
反応炉１は、一枚のウェーハＷに対して加熱工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルウェーハ製造処理を実行可能な枚葉式の反応炉である。反応炉１は、透明な石英ガラスにより構成された上部ドーム２と、上部構成部３と、下部構成部４と、透明な石英ガラスにより構成された下部ドーム５とを有し、これら構成部により、処理対象のウェーハＷを収容する空間Ｓ（炉内空間）を画成している。
【００２４】
炉内空間Ｓには、キャリアガス（例えば、Ｈ２）、ソースガス、ドーパントガス、塩化水素ガス等を炉内空間Ｓに供給するための供給口６と、炉内空間Ｓから外部にガスを排出する排出口７とが連通している。
【００２５】
炉内空間Ｓにおいて、処理対象のウェーハＷを載置するサセプタ８が設けられている。サセプタ８は、サセプタ支持部９により下方から支持されている。
【００２６】
また、炉内空間Ｓには、サセプタ８上のウェーハＷをサセプタ８の上方に持ち上げるためのリフトピン１０が設けられている。リフトピン１０は、ウェーハリフト部１１が上方に移動することにより持ち上げられ、サセプタ８に形成された開口から上方に移動し、サセプタ８に載置されたウェーハＷを持ち上げることができるようになっている。
【００２７】
上部ドーム２の上方には、上部ドーム２を介して炉内空間Ｓを加熱するための複数のランプ１２（１２ａ、１２ｂ）が同心円状に並べられて設けられている。ランプ１２ａは、ウェーハＷの上面の中心側の領域（内側領域）を加熱するためのものであり、ランプ１２ａから発生されるランプ光は、図示しないリフレクタにより、ウェーハＷの上面の中心領域に導かれるようになっている。ランプ１２ｂは、ウェーハＷの上面の外周側の領域（外側領域）を加熱するためのものであり、ランプ１２ｂから発生されるランプ光は、図示しないリフレクタにより、ウェーハＷの上面の外側領域に導かれるようになっている。また、上部ドーム２の略中央の上方には、サセプタ８に載置されたウェーハＷの温度を測定するためのパイロメータ１３が設けられている。パイロメータ１３は、石英ガラスを透過した光に基づいて、ウェーハＷの温度を測定する。
【００２８】
また、下部ドーム５の下方には、下部ドーム５を介して炉内空間Ｓを加熱するための複数のランプ１４（１４ａ、１４ｂ）が同心円状に２列並べられて設けられている。ランプ１４ａは、サセプタ８の下面の外周側の領域（外側領域）を加熱するためのものであり、ランプ１４ａから発生されるランプ光は、図示しないリフレクタにより、サセプタ８の下面の外側領域に導かれるようになっている。ランプ１４ｂは、サセプタ８の下面の中心側の領域（内側領域）を加熱するためのものであり、ランプ１４ｂから発生されるランプ光は、図示しないリフレクタにより、サセプタ８の下面の内側領域に導かれるようになっている。また、下部ドーム５の下方には、サセプタ８の温度を測定するためのパイロメータ１５が設けられている。パイロメータ１５は、石英ガラスを透過した光に基づいて、サセプタ８の下面の温度を測定する。
【００２９】
反応炉１には、ウェーハＷ、サセプタ８等の温度を制御するためのランプコントローラー１６が設けられている。ランプコントローラー１６は、パイロメータ１３、１５により測定された温度を受け取り、当該温度に基づいて、ランプ１２、１４の出力を制御する。
【００３０】
図２は、本発明の一実施形態に係るウェーハへの加熱状態を説明する図である。
【００３１】
本実施形態においては、ウェーハＷは、外周部の一部だけサセプタ８に接触するようにして、サセプタ８に載置されている。したがって、通常は、ウェーハＷの下面の略中心部分がサセプタ８と接触しないようになっているが、ウェーハＷの温度状態によっては、中心部分がサセプタ８に接触してしまうことが起こり得る。
【００３２】
本実施形態では、ランプコントローラー１６は、ウェーハＷを加熱する際には、ランプ１２（１２ａ、１２ｂ）の総出力のうちのＡパーセントをランプ１２ａによるウェーハＷの内側領域の加熱に使用し、残りのＢ（＝１００−Ａ）パーセントをランプ１２ｂによるウェーハＷの外側領域の加熱に使用するように制御している。従って、ウェーハＷの一方の外側領域においては、総出力のＢ／２パーセントがランプ１２ｂの加熱に使用される。ここで、ランプコントローラー１６がＡ及びＢを調整することにより、ウェーハＷにおける温度分布を制御することができる。
【００３３】
図３は、本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法を説明する図である。
【００３４】
このウェーハ加熱方法は、エピタキシャル成長工程を実行する前の加熱工程において実行される。
【００３５】
まず、ランプコントローラー１６がランプ１２により比較的高いランピングレート（第１ランピングレート：第１昇温レート）により加熱を開始する。本実施形態では、第１ランピングレートは、５℃／秒よりも高いレート、例えば、１０℃／秒となっている。
【００３６】
そして、ランプコントローラー１６は、パイロメータ１３による測定温度が所定のレート変更温度を超えたか否かを判定し、レート変更温度を超えていない場合、すなわちレート変更温度以下の温度領域（第１温度領域）の温度である場合には、第１ランピングレートで加熱を継続する。ここで、レート変更温度とは、その温度以下においては、第１ランピングレートによりウェーハＷの加熱を行っても欠陥の発生の可能性が低いと考えられる温度であり、本実施形態では、例えば、８５０℃〜１０００℃のいずれかの温度となっている。
【００３７】
そして、パイロメータ１３による測定温度が所定のレート変更温度を超えた場合、すなわちレート変更温度よりも高い温度領域（第２温度領域）の温度になった場合には、ランプコントローラー１６は、ランプ１２による加熱を第１ランピングレートより低いランピングレート（第２ランピングレート：第２昇温レート）に変更して加熱を行う。ここで、第２ランピングレートは、例えば、５℃／秒以下となっている。本実施形態では、所謂Ｐ＋ウェーハ、又はＰ＋＋ウェーハ（高濃度にドーピングされた低抵抗のウェーハ）に対して加熱を行う場合には、例えば、５℃／秒とし、所謂Ｐ−ウェーハ（ドーピングの濃度が低い高抵抗のウェーハ）に対して加熱を行う場合には、例えば、３℃／秒以下としている。第２ランピングレートでの加熱は、パイロメータ１３による測定温度が所定の加熱目標温度に到達するまで行なわれる。
【００３８】
このように、ウェーハＷの加熱が行われるので、ウェーハＷへの欠陥の可能性が低いレート変更温度までは、比較的高い第１ランピングレートに従って加熱を行うことにより、昇温時間を短縮し、レート変更温度以降においては、比較的低い第２ランピングレートに従って加熱を行うことにより、ウェーハＷへの欠陥（例えば、裏面接触痕）の発生を低減することができる。これにより、ウェーハＷへの欠陥の発生を防止しつつ、ウェーハＷの昇温時間を短縮することができる。
【００３９】
このようにして、パイロメータ１３による測定温度が所定の加熱目標温度に到達した場合には、ランプコントローラー１６は、温度を上昇させるための加熱を停止する。その後、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル成長工程が実行され、エピタキシャルウェーハが製造される。
【００４０】
図４は、本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法におけるスリップフリーウインドウと、比較例に係る加熱方法におけるスリップフリーウインドウを説明する第１の図である。
【００４１】
図４においては、ボロンの濃度が高いＰ＋ウェーハ、又はボロンの濃度がより高いＰ＋＋ウェーハ（Ｐ＋ウェーハ及びＰ＋＋ウェーハは、抵抗値が０．０２Ω・ｃｍ以下）を処理対象として、本実施形態に係るランピングレートを変更してウェーハを加熱するウェーハ加熱方法（実施例１：１０℃／秒から５℃／秒に変更する加熱方法）と、低いランピングレート（例えば、３℃／秒）によりウェーハＷを加熱するウェーハ加熱方法（比較例１）と、高いランピングレート（例えば、５℃／秒）によりウェーハＷを加熱するウェーハ加熱方法（比較例２）とのそれぞれのウェーハ加熱方法を用いて、ランプ１２によるウェーハＷの内側領域の出力割合Ａを変更させて加熱処理を行ったそれぞれの場合における、ウェーハＷに発生したスリップの全ての長さ（総スリップ長）と、裏面接触痕の状態と、スリップと裏面接触痕の状態とに基づいて加熱処理が適正であるか否かを示す総合判定とを示している。
【００４２】
ここで、図４では、ランプ１２によるウェーハＷの内側領域の出力割合Ａを、基準割合Ｙを用いて表現している。基準割合Ｘは、反応炉の特性に応じて決まる値であり、例えば、５２〜６６パーセントのいずれかの値となる。
【００４３】
例えば、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法（実施例１）を用いると、内側領域出力割合ＡをＸとした場合には、裏面接触痕の発生状態は、問題ない（図中○）が、総スリップ長が５．３２１ｍｍであり、総合判定が×であるので加熱に適していないことを示し、内側領域出力割合ＡをＸ＋２〜Ｘ＋１２のいずれかとした場合には、総スリップ長が０ｍｍであり、裏面接触痕の発生状態は、問題なく（図中○）、総合判定が○であるので加熱に適していることを示し、内側領域出力割合ＡをＸ＋１４とした場合には、総スリップ長が０ｍｍであるが、裏面接触痕の発生状態が問題であり（図中×）、総合判定が×であるので加熱に適していないことを示している。ここで、総合判定が○となる出力割合Ａの範囲（図中矢印及び網掛けで示す範囲）がスリップフリーウインドウに該当する。このスリップフリーウインドウは、当該ウインドウに属する出力割合Ａを用いて加熱を行ってもウェーハＷにスリップの発生が起こらないことを意味しており、このスリップフリーウインドウが広いと、反応炉を用いたウェーハＷの加熱の仕方の種類が多く、多種多様な処理に対応できることを意味している。
【００４４】
これに対して、例えば、低ランピングレート（例えば、３℃／秒）により加熱を行う加熱方法（比較例１）を用いると、スリップフリーウインドウは、内側領域出力割合ＡがＸ＋２〜Ｘ＋１２の範囲であり、高ランピングレート（例えば、５℃／秒）により加熱を行う加熱方法（比較例２）を用いると、スリップフリーウインドウは、内側領域出力割合ＡがＸ＋２〜Ｘ＋６の範囲である。
【００４５】
このことから、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法を用いると、低ランピングレートにより加熱する加熱方法と同様なスリップフリーウインドウを得ることができ、高ランピングレートにより加熱する加熱方法よりも広いスリップフリーウインドウを得ることができることがわかる。
【００４６】
例えば、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法を用いると、高ランピングレートでは、スリップが発生してしまうような出力割合（例えば、Ｘ＋８）とした場合であっても、ウェーハＷに欠陥を発生させることなく適切に加熱することができることがわかる。
【００４７】
次に、レート変更温度の決定について説明する。
【００４８】
図５は、本発明の一実施形態に係るレート変更温度の決定について説明する図である。
【００４９】
まず、高ランピングレートでは、裏面接触痕が発生するが、低ランピングレートでは、裏面接触痕が発生しないことを満たす内側領域出力割合Ａを決定する。ここで、例えば、図４に示す内側領域出力割合Ｘ＋８、Ｘ＋１０、Ｘ＋１２のいずれかに決定される。そして、複数のウェーハＷを用意し、決定した内側領域出力割合Ａにより、各ウェーハＷを高ランピングレート（例えば、５℃／秒）により、複数の温度までの加熱を行い、各ウェーハＷの裏面接触痕の発生を観察する。本実施形態では、図５に示すように、各ウェーハＷをそれぞれ８００℃、９００℃、１０００℃、１０５０℃、１１４５℃まで加熱した。
【００５０】
この結果、８００〜１０００℃まで加熱したウェーハＷについては、裏面接触痕は発生が観察されず、１０５０℃及び１１４５℃まで加熱したウェーハＷについては、裏面接触痕の発生が観察された。
【００５１】
そこで、本実施形態においては、レート変更温度を裏面接触痕の発生がなかった１０００℃以下の温度に決定している。なお、裏面接触痕が発生する温度は、反応炉によっても異なる可能性があるので、その誤差を見込んで、例えば、８５０℃くらいの温度としてもよい。したがって、レート変更温度を、例えば、８５０℃〜１０００℃の範囲の温度に決定してもよい。
【００５２】
図６は、本発明の一実施形態に係るウェーハ加熱方法におけるスリップフリーウインドウと、比較例に係る加熱方法におけるスリップフリーウインドウを説明する第２の図である。
【００５３】
図６においては、ボロンの濃度が低いＰ−ウェーハ（抵抗値が１Ω・ｃｍ以上）を処理対象として、本実施形態に係るランピングレートを変更してウェーハを加熱するウェーハ加熱方法（実施例２：ここでは、１０℃／秒から３℃／秒に変更する加熱方法）と、低いランピングレート（例えば、３℃／秒）によりウェーハＷを加熱するウェーハ加熱方法（比較例３）と、高いランピングレート（例えば、５℃／秒）によりウェーハＷを加熱するウェーハ加熱方法（比較例４）とのそれぞれのウェーハ加熱方法を用いて、ランプ１２によるウェーハＷの内側領域の出力割合Ａを変更させて加熱処理を行ったそれぞれの場合における、ウェーハＷに発生したスリップの全ての長さ（総スリップ長）と、裏面接触痕の状態と、スリップと裏面接触痕の状態とに基づいて加熱処理が適正であるか否かを示す総合判定とを示している。ここで、Ｐ−ウェーハは、Ｐ＋ウェーハよりもボロンの濃度が低く，スリップが発生し易い。そこで、実施例２においては、スリップの発生を抑えるために、変更後の昇温レート（第２昇温レート）を、実施例１における５℃／秒よりも低い、３℃／秒としている。
【００５４】
ここで、図６では、ランプ１２によるウェーハＷの内側領域の出力割合Ａを、基準割合Ｙを用いて表現している。基準割合Ｙは、反応炉の特性に応じて決まる値であり、例えば、５２〜６６パーセントのいずれかの値となる。
【００５５】
例えば、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法（実施例２）を用いると、内側領域出力割合ＡをＹとした場合には、裏面接触痕の発生状態は、問題ない（図中○）が、総スリップ長が１．６８５ｍｍであり、総合判定が×であるので加熱に適していないことを示し、内側領域出力割合ＡをＹ＋２〜Ｙ＋１４のいずれかとした場合には、総スリップ長が０ｍｍであり、裏面接触痕の発生状態は、問題なく（図中○）、総合判定が○であるので加熱に適していることを示している。ここで、総合判定が○となる出力割合Ａの範囲（図中矢印及び網掛けで示す範囲）がスリップフリーウインドウに該当する。
【００５６】
これに対して、例えば、低ランピングレート（例えば、３℃／秒）により加熱を行う加熱方法（比較例３）を用いると、スリップフリーウインドウは、内側領域出力割合ＡがＹ〜Ｙ＋１０の範囲であり、高ランピングレート（例えば、５℃／秒）により加熱を行う加熱方法（比較例４）を用いると、スリップフリーウインドウは、内側領域出力割合ＡがＹ＋２〜Ｙ＋８の範囲である。
【００５７】
このことから、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法（実施例２）を用いると、低ランピングレートにより加熱する加熱方法よりも広いスリップフリーウインドウを得ることができ、高ランピングレートにより加熱する加熱方法よりも非常に広いスリップフリーウインドウを得ることができることがわかる。
【００５８】
例えば、本実施形態に係るランピングレートを変更して加熱を行う加熱方法を用いると、高ランピングレートでは、スリップが発生してしまうような出力割合（例えば、Ｙ＋１０）とした場合であっても、ウェーハＷに欠陥を発生させることなく適切に加熱することができることがわかる。
【００５９】
以上、本発明を実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は上述した実施形態及び変形例に限られず、他の様々な態様に適用可能である。
【００６０】
例えば、上記実施形態では、ランピングレートの切り替えを２段階としていたが、本発明はこれに限られず、３つ以上のランピングレートを用意し、温度が上昇するに従って、高いランピングレートから徐々に低いランピングレートに切り替えるようにして、ランピングレートの切り替えを３段階以上にしてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、エピタキシャルウェーハを製造する処理におけるウェーハの加熱工程を例に示していたが、本発明はこれに限られず、ウェーハを加熱する工程であれば、他の処理においても適用することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  反応炉、２  上部ドーム、３  上部構成部、４  下部構成部、５  下部ドーム、８  サセプタ、９  サセプタ支持部、１０  リフトピン、１１  ウェーハリフト部、１２、１２ａ、１２ｂ  ランプ、１３  パイロメータ、１４、１４ａ、１４ｂ  ランプ、１５  パイロメータ、１６  ランプコントローラー、Ｗ  ウェーハ。
【図１】
2010258074.tif 000003
【図２】
2010258074.tif 000004
【図３】
2010258074.tif 000005
【図４】
2010258074.tif 000006
【図５】
2010258074.tif 000007
【図６】
2010258074.tif 000008