(57)【要約】【課題】Ｂ値と抵抗値とを広い範囲にわたり変えることができるエレクトロセラミックＴＮＣデバイスの提供【解決手段】なる材料からなるそれぞれ少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域と少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域とを有する基体を有し、第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とはそれぞれ負の温度係数を有する抵抗を有し、少なくとも１つの第１のコンタクト層と第２のコンタクト層とが基体の表面上に設けられていて、２つのセラミック部分領域は第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間に配置されていて、かつ基体中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層が存在し、この導電性電極層はそれぞれコンタクト層の一方と導電性に接続していて、２つの電極積層体を形成し、前記の電極積層体はそれぞれ一方のコンタクト層と接触している電気デバイス。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気デバイスにおいて、
前記の電気デバイスは、異なる材料からなるそれぞれ少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域（２）と少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域（５）とを有する基体を有し、
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは、それぞれ負の温度係数を有する抵抗（ＮＴＣセラミック）を有し、
少なくとも１つの第１のコンタクト層（１０）と第２のコンタクト層（１５）とが基体の表面上に設けられていて、
２つのセラミック部分領域は第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間に配置されていて、かつ
基体（１）中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層（２５）が存在し、この導電性電極層（２５）はそれぞれコンタクト層（１０，１５）の一方と導電性に接続していて、２つの電極積層体（３０，３５）を形成し、前記の電極積層体（３０，３５）はそれぞれ一方のコンタクト層と接触している、電気デバイス。
【請求項２】
第２のセラミック部分領域が第１のセラミック部分層の表面上に設置されている、請求項１記載の電気デバイス。
【請求項３】
第１のセラミック部分領域（２）と第２のセラミック部分領域（５）とはそれぞれ層として形成されている、請求項１又は２記載の電気デバイス。
【請求項４】
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは異なる誘電率を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項５】
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは異なる電気抵抗−温度−特性曲線を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項６】
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは、所定の温度で異なる電気抵抗を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項７】
２つのコンタクト層は基体の向かい合う端面上に配置されていて、電極積層体（３０，３５）のそれぞれ一方の構成要素である電極層（２５）は向かい合っていて、
２つの向かい合っている電極層に対して平行に、他の電極層（２６）が配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項８】
２つの電極積層体（３０，３５）の間に、基体の領域（４０）が存在する、請求項１から７までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項９】
電極層（２５）が相互にオーバーラップして配置されていて、かつ交互にコンタクト層（１０，１５）の一方とそれぞれ接続していて、この２つの電極積層体（３０，３５）は櫛状に相互に入り込んでいる、請求項１から８までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１０】
電極層（２５）は第１のセラミック部分領域（２）中にだけ配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１１】
２つのコンタクト層が基体（１）の相互に向かい合う面（４５，５０）に配置されていて、
第１のセラミック部分領域（２）と第２のセラミック部分領域（５）とはそれぞれ層として形成されていて、
基体は交互の順序で少なくともそれぞれ１つの第１のセラミック部分層と第２のセラミック部分層とを有し、コンタクト層は部分領域の端面に配置されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１２】
基体（１）中の導電性電極層（２５）は、２つのセラミック部分領域の交互に配置された層に対して平行に配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１３】
２つのコンタクト層が基体（１）の向かい合う面（４５，５０）上に配置されていて、
第１のセラミック部分領域（２）と第２のセラミック部分領域（５）とはそれぞれ層として構成されているため、積層体が形成され、
前記のコンタクト層は積層体の最上層及び最下層上に配置されている、請求項１及び３から６までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１４】
第１のセラミック部分領域又は第２のセラミック部分領域の少なくとも一方の材料が、次の一般式：
ａ）  （ＡIIIz，ＡII(3/2)z，ＡI3z）［ＮｉIIＭｎIII2-z］Ｏ4
［前記式中、三価の金属ＡIIIは鉄、チタン、アルミニウム又はジルコニウムであり、二価の金属ＡIIはコバルト、亜鉛、鉄、カルシウム、マグネシウム、ジルコニウム又は銅であり、一価の金属ＡIはリチウムであり、その際、０．０１≦ｚ≦０．６である、又は
ＮｉII1-z［ＭｎIII2ＭｎIIz］Ｏ4
式中、０．０≦ｚ≦０．４
又は
（ＡIII(2/3)z，ＡIIz，ＡI2z）［ＭｎIII2ＭｎII1-z］Ｏ4
式中、０．０１≦ｚ≦０．６である］
を有するニッケル−マンガン−スピネルを有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１５】
スピネルは、次のグループ：
ａ）  チタン
ｂ）  アルミニウム
ｃ）  カルシウム
ｄ）  ジルコニウム
ｅ）  マグネシウム
から選択される金属でドープされている、請求項１から１４までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１６】
第１のセラミック材料はニッケル−マンガン−スピネル（ＮｉＭｎ2Ｏ4）を有し、第２のセラミック材料は亜鉛−マンガン−スピネル（ＺｎＭｎ2Ｏ4）を有する、請求項１４又は１５記載のデバイス。
【請求項１７】
２つのセラミック材料の少なくとも一方は、一般式：
ＡＢＯ3
［式中、金属Ａは希土類の元素、ストロンチウム又はバリウムであり、金属Ｂはマグネシウム、チタン、バナジウム、クロム、アルミニウム、マンガン、鉄、コバルト又はニッケルである］で示されるペロブスカイトセラミックを有する、請求項１から１５までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１８】
大部分が両方のコンタクト層（１０，１５）を有していない基体（１）の少なくとも２つの向かい合う表面（４０，４５）上に保護層（６５）が設けられている、請求項１から１７までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１９】
保護層（６５）が１０6Ωｃｍを上回る高い比電気抵抗を有する材料を有する、請求項１から１８までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項２０】
保護層が、ガラス、セラミック、シラザン又はパリレンを有する、請求項１から１９までのいずれか１項記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
セラミックボディの比抵抗が負の温度係数を有し、従ってＮＴＣ−抵抗として使用することができるエレクトロセラミックデバイスは公知である。このセラミックは、温度が上昇する際に、電気抵抗の減少を示す。ＮＴＣ−材料の抵抗値は、良好な近似において、指数的依存を示し、その際に温度に依存する抵抗変化の感度はＢ値をとる。このＢ値が大きくなればそれだけ、セラミックの比抵抗の温度感度も大きくなる。
【背景技術】
【０００２】
慣用のＮＴＣセラミックデバイスは、セラミック基体からなり、この基体上に２つのコンタクト層が設置されている。このセラミックデバイスに対して、このデバイスのサイズを設定する規格が定められているため、所定の規格のデバイスを用いてそれぞれ、所定の抵抗温度特性曲線（Ｂ値）と所定の容量とによって抵抗値が実現される。このデバイス上には更に不動態層が設置されていてもよく、この不動態層はデバイスを外部の影響、例えばデバイスのハンダ付けの際の抵抗値の変化から保護する。
【０００３】
米国特許のUS 5,245, 309ではセラミックのＮＴＣデバイスが開示されていて、この場合にセラミック基体は多層化技術で作成されていて、内部に配置された内部電極を有するセラミック層からなる。この内部電極は、それぞれ外側のコンタクト層と接続して、電極ターミナルを形成する。更に、外側の不動態層、例えばガラスを、デバイスの表面上に設置することができる。この技術を用いて、内部電極の配置のバリエーションにより、同じデバイス規格を有するデバイスの場合に異なる抵抗を実現することが可能である。しかしながらＮＴＣ−材料に対して同様に重要な電気特性のＢ値は、それによって変えることができない。
【０００４】
特別な課題、例えば携帯電話での温度制御のためにＮＴＣデバイスを使用するため、もちろんそれぞれの課題分野に適合した電気特性、特に適合した容量、適合した抵抗／温度−特性曲線（Ｂ値）並びに所定の温度で適合した抵抗を示す、セラミックデバイスが探された。厳格なデバイス規格を維持しなければならないことが多いため、同じ寸法のエレクトロセラミック基体でかつ同じ寸法のコンタクト層で、異なる電気抵抗を有するデバイスが求められている。慣用のＮＴＣデバイスを用いて、この場合に、既に前記したように、特にＢ値と抵抗値とを同時に任意に変えることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】US 5,245, 309
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の課題は、Ｂ値と抵抗値とを広い範囲にわたり変えることができるエレクトロセラミックＴＮＣデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の課題は、本発明の場合に請求項１記載のＮＴＣデバイスによって解決される。このデバイスの有利な実施態様は、引用形式請求項の対象である。
【０００８】
本発明は、異なる材料からなる、少なくとも１つの第１及び第２の空間的に形成されたセラミック部分領域を有する基体に関する。これらの材料は、それぞれ負の温度係数を有するセラミックであり、つまりサーミスタである。基体の表面上には、少なくとも１つの第１及び第２のコンタクト層が設けられている。このコンタクト層は、例えば回路装置へのデバイスのハンダ付けを可能にする（ＳＭＤ能力）。この場合、基体中には間隔を置いて配置された複数の導電性電極層が存在し、この導電性電極層はそれぞれコンタクト層の一方と導電性に接続し、それぞれ一方のコンタクト層と接続する２つの電極積層体が形成される。導電性電極層は、この場合に、セラミック基体中に平行な電極束の形で配置されていることが多い。このデバイスの利点は、導電性電極層の配置を変えることにより、つまり例えば電極層の相互の距離によりデバイスの電気抵抗を特に簡単に調節することができることにある。この第１の及び第２のセラミック部分領域は、コンタクト層の間に配置されているため、両方のセラミック部分領域が基体中に配置された電極層と一緒にデバイスの電気特性を決定する。
【０００９】
この場合に、ＮＴＣデバイスの重要な電気特性、例えばＢ値、所定の温度での抵抗、並びに仕上がったデバイスの容量を決定する基体の誘電率は、異なる電気特性を有する２つの空間的に形成されたＮＴＣ部分領域の適当な組み合わせ並びに電極層の幾何学形状のバリエーションにより調節することができる。
【００１０】
本発明による電気デバイスの利点は、デバイス規格を維持しつつ、つまり同じ寸法のセラミック基体で、異なる電気特性を有するＮＴＣデバイスを極めて簡単に実現できるため、時間及び費用がかかる研究により新規のＮＴＣセラミックを開発する必要はない。基体の第１及び第２のセラミック部分領域に対するセラミック材料として、つまり異なる誘電率、異なる電気抵抗／温度特性曲線、及びそれによる異なるＢ値を有するＮＴＣセラミック、及び所定の温度で異なる電気抵抗を示すＮＴＣ材料が挙げられる。この慣用のＮＴＣセラミックの組み合わせ、及びセラミック基体の内部での電極層の幾何学形状のバリエーションにより、つまり、個々のセラミックの電気特性と比べて異なる電気特性を有するＮＴＣデバイスが実現される。
【００１１】
本発明の範囲内で、空間的に形成されたセラミック部分領域は、この場合に基体中で明らかに確認可能な空間的な広がりを有する部分領域であり、この場合に、それぞれ異なる材料からなる第１及び第２の部分領域は相互に明らかに区別できる。
【００１２】
本発明によるデバイスの外形が同じであっても、多数の空間的な形態が可能である。第２のセラミック部分領域を第１の部分領域の表面上に配置して、例えば第１の部分領域２が長方体の形で存在し、その表面上に第２のセラミック部分領域５が層状に配置されていてもよい（図２Ａ及び２Ｂ参照）。
【００１３】
更に、積層体は任意の順序での３以上の層状に構成された部分領域からなっていて、この場合に、例えば２つの第１の部分領域が存在し、その間に第３の部分領域が形状接続により配置されていて、その際に積層体の最上層及び最下層は第２の部分領域からなることができる（図４Ａ及び４Ｂ参照）。大部分がコンタクト面を有していない積層体の全表面に、次いで例えば場合により更に第１又は第２のセラミック部分領域を配置することもできる（図４Ｃ）。
【００１４】
他のバリエーションとして、第１及び第２の部分領域を層として構成することも可能である。この場合に、本発明によるデバイスの基体は、これらの層からなる積層体によって定義される（例えば図３Ａ及びＢ参照）。この場合に、第１と第２のセラミック部分層とから交互になる積層体を構成することができるか、又は例えば複数の相互に積み重なって配置された第１のセラミック層からなり、その間にそれぞれ第２の部分領域の１つ又はわずかな層が配置されている積層体を構成することもできる。
【００１５】
本発明のデバイスの、上記のこの空間的な形態の利点は、デバイスの活性の基体の幾何学形状の多様な形態によりデバイスの電気特性を更に変更及び適合させることができることにある。全体のデバイスの電気特性は、使用された異なるセラミック領域のそれぞれの割合及びそれぞれの電気特性によって決定されるだけでなく、基体中でのこれらのセラミック領域の相互の相対的配置及びコンタクト層との関係での配置によっても決定される。
【００１６】
更に、少なくとも１つの第１のセラミック部分領域と第２のセラミック部分領域との交互の積層体を有する基体の場合には、コンタクト層を基体の向かい合う２つの面上に配置することも可能である。
【００１７】
この場合には、本発明によるデバイスのもう一つの態様において、コンタクト層は、部分領域の端面により形成される基体の表面上に配置されていてもよい。この場合には、積層体の一方の側にあるセラミック層の全ての端面が、コンタクト層が配置されている面を形成することができる（図６参照）。
【００１８】
他の実施態様の場合には、上記したように第１及のセラミック部分領域と第２のセラミック部分領域とからなる積層体を形成し、その際にコンタクト面は積層体の最上層及び最下層の上に配置されていてもよい。つまり、各コンタクト面は層状の部分領域のそれぞれの主面上に存在する。
【００１９】
第１のセラミック部分領域と第２のセラミック部分領域とからなる積層体を有する基体の場合に、電極層は２つの部分領域の交互に積層する層に対して特に平行に配置されている（図６参照）。この場合には、電極層は２つの層領域の一方又は両方全てに配置されていてもよく、これにより有利にデバイスの電気特性を更に変えることができる。
【００２０】
第１又は第２のセラミック部分領域のためのセラミック材料として、一連のニッケル−マンガン−スピネルが挙げられる。この場合に、スピネルの比抵抗を低下させるために、三価のマンガンイオンの一部を、鉄、チタン、アルミニウム又はジルコニウムから選択される三価のイオンＡIIIに置き換えるか、又はコバルト、亜鉛、鉄、カルシウム、マグネシウム、ジルコニウム又は銅の二価の金属IIに置き換えるか、又はリチウムの一価の金属ＡIに置き換えることができる。電荷の補償を達成するために、金属の原子価に応じて多様な化学量論を考慮しなければならない。ドープされたニッケル−マンガン−スピネルは例えば次の一般式により示される：
（ＡIIIz，ＡII(3/2)z，ＡI3z）［ＮｉIIＭｎIII2-z］Ｏ4
式中、０．０１≦ｚ≦０．６である。
【００２１】
更に、スピネルの導電性を高めるために、二価のニッケルが二価のマンガンに置き換えられたニッケル−マンガン−スピネルを使用することができる。この場合に、このスピネルは次の式を示すことができる：
ＮｉII1-z［ＭｎIII2ＭｎIIz］Ｏ4
式中、０．≦ｚ≦０．４である。
【００２２】
更に、マンガン−スピネルを使用することができ、その際に二価のマンガンを前記した三価、二価又は一価の金属ＡIII、ＡII、ＡIと置き換えることができる。このようなスピネルは、次の一般式により表される：
（ＡIII(2/3)z，ＡIIz，ＡI2z）［ＭｎIII2ＭｎII1-z］Ｏ4
式中、０．０１≦ｚ≦０．６である。
【００２３】
前記のスピネルの場合に、金属のコバルト、亜鉛、鉄、リチウム又は銅はスピネルの０〜６０質量％までである。更に、他の金属、例えばチタン、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム又はマグネシウムもスピネルのドーピングのために使用できる。これらの金属は一般に全スピネルの０〜１０質量％の割合である。
【００２４】
ニッケル−マンガン−スピネルの他に、亜鉛−マンガン−スピネルＺｎＭｎ2Ｏ4も、セラミック部分領域のためのセラミック材料として使用できる。
【００２５】
更に、両方のセラミック材料の少なくとも一方は次の一般式を有するペロブスカイトセラミックを有していてもよい：
ＡＢＯ3
式中、金属Ａは希土類元素、ストロンチウム又はバリウムであり、金属Ｂはマグネシウム、チタン、バナジウム、クロム、アルミニウム、マンガン、鉄、コバルト又はニッケルである。
【００２６】
このペロブスカイト化合物の利点は、導電性コンタクト層を設置するために使用することができる酸性電気メッキ浴中で安定であるため、このペロブスカイトセラミックが基体の表面上に配置されているようなセラミック部分領域のための材料である場合に、電気メッキの際の他の予防措置は必要ない点である。
【００２７】
本発明の対象は、更に、大部分が２つのコンタクト層を有していない基体の少なくとも２つの向かい合う表面上に保護層が設けられているＮＴＣデバイスである。この場合に、この保護層は、表面に十分にコンタクト面が存在していない２つの向かい合う表面上に又は４つの全ての表面上に設けられていてもよい。この保護層は、有利に＞１０6Ωｃｍの高い比電気抵抗を有する材料である。この保護層は、ＮＴＣデバイスの電気特性に影響を及ぼしかねない環境からの影響を特に有利に抑制する。例えば、コンタクト面にハンダ付けする間にデバイスの電気特性の変化を抑制することができる。更に、この保護層は、コンタクト層を設置するために通常使用される酸性の電気メッキ浴からデバイスを保護することができる。保護層として、特に、ガラス、セラミック、シラザン（高分子のケイ素窒素化合物である）又はプラスチック、例えばパリレンが挙げられる。パリレンは、エチレン架橋を介して１，４−位で結合したフェニレン基を有する熱可塑性ポリマーである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】１Ａ及び１Ｂは先行技術によるＮＴＣデバイスの断面図。
【図２】２Ａ及び２Ｂは基体内部に導電性電極層を有する本発明によるデバイスの断面図。
【図３】３Ａ及び３Ｂはコンタクト面１つあたりそれぞれ１つの電極層を有する本発明によるデバイスの断面図。
【図４】４Ａ、４Ｂ及び４Ｃは３つの異なるセラミック部分領域を有する本発明によるデバイスの断面図。
【図５】５Ａ、５Ｂ及び５Ｃは内部電極なしの本発明によるデバイスの断面図。
【図６】６Ａ、６Ｂ及び６Ｃは内部電極を備えた本発明によるデバイスの断面図。
【図７】交互に積層された積層体からなる基体を有するデバイスの断面図。
【図８】８Ａ及び８Ｂは保護層を備えた本発明によるデバイスの断面図。
【００２９】
次に、図面及び実施例を用いて、本発明によるデバイスを更に詳説する。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１Ａは、慣用のＮＴＣデバイスの縦断面図を表し、この場合、基体１は１つのセラミック材料を有する唯一のセラミック領域２だけからなる。このデバイスの内部には、導電性電極層２５が配置されていてもよく、この場合には、それぞれ１つの電極層は一方のコンタクト層１０又は１５と導電性に接続されているため、電極束３０，３５が形成される。図１Ｂは図１ＡにおいてＡで示される断面での横断面図を表す。セラミック領域２並びに導電性の電極層２５が見られる。
【００３１】
図２Ａには、本発明によるＮＴＣデバイスの実施態様の縦断面図が示されている。この場合に、基体１は２つのセラミック部分領域２及び５からなる。この第２のセラミック部分領域５は第１の部分領域２の表面に配置されている。第１のセラミック領域２中に、電極層２５が配置されていて、この電極層２５はそれぞれ上記の電極束を形成し、この場合に２つの電極束の間に領域４０が存在している。図２Ｂはこの積層体の横断面図を表す。Ｄ２は、横断面図において、第１のセラミック部分領域の厚さを表し、Ｄ５は第２のセラミック部分層の厚さを表す。
【００３２】
図３Ａには、本発明による他のデバイスの縦断面図が示されていて、この場合に基体１は第１の部分層２と第２の部分層５とからなる交互の積層体からなり、その際に最上層及び最下層は第２の部分領域からなる。第１のセラミック材料２中には２つの電極層２５が配置されていて、この電極層２５はそれぞれコンタクト層１０又は１５と導電性に接続されている。図３Ｂは図３ＡにおいてＡで示される断面での横断面図を表す。この場合に、積層体の順序を明らかに認識することができる。
【００３３】
図４Ａには、本発明によるデバイスの縦断面図が示されていて、この場合に基体１は、３つの場合により異なるセラミック部分領域２，５及び７からなる。この場合に、セラミック部分領域２には電極層が配置されていることが示されている。この基体は、この場合に、図４Ｂ及び４Ｃの横断面図に示されているような２つの別の実施態様で構成されていてもよい。図４Ｂには基体の横断面図が示されていて、この場合に、この基体は層の積層体として実現されていて、この積層体中には２つの第１のセラミック領域２が存在し、この第１のセラミック部分領域２はその間に形状接続的に配置された第３のセラミック部分領域７によって相互に結合している。この積層体の最初の層と最後の層は、この場合に第２のセラミック部分領域５からなる。デバイスの製造の際に、第１のセラミック部分領域２をこの場合にコンパクトなセラミックボディとして使用することも可能であり、このセラミックボディ上に第２及び第３のセラミック部分領域５及び７が層として設けられている。従って、このデバイスの本発明による実施態様は、多層化技術を用いてセラミックシートの積層によって実現するか、セラミックシートを既に存在するコンパクトなセラミック基体上に設置することによって実現することが可能である。これとは別に、第１及び第３の部分領域２，７によって構成された積層体の全表面に、第２のセラミック部分領域５を設けることも可能であり、その結果図４Ｃで見られる横断面が実現される。
【００３４】
図５Ａには、本発明によるデバイスの縦断面図が示されていて、この場合に、図２Ａとは異なり、導電性電極層２５は内部に存在していない。図５Ｂ及び５Ｃの横断面図に示されているように、このデバイスは断面において異なる構造であることもできる。図５Ｂにおいて、Ｄ２は第１のセラミック部分領域の厚さを表し、Ｄ５は第２のセラミック部分領域の厚さを表す。
【００３５】
図６Ａには、本発明によるデバイスが示されていて、この基体は第１のセラミック部分領域２と第２のセラミック部分領域５とからの交互の積層体からなる。第２のセラミック部分領域において、この場合に、この層に対して導電性電極層２５が平行に配置されていてもよい。この場合には、コンタクト面が各セラミック層領域のそれぞれの端面を接続する。
【００３６】
図６Ｂには、デバイスが示されていて、このデバイスの第１及び第２のセラミック部分領域２，５中に櫛状に相互に入り込んだ電極層２５が配置されていて、この電極層はそれぞれ交互にコンタクト層と接触している。この配置によって、特に低い比抵抗を有するデバイスが実現される。
【００３７】
図６Ｃには、他の実施態様が示されていて、この場合に、第１及び第２のセラミック部分領域２，５中に電極層２５が配置されていて、その際に、２つのコンタクト層が基体の向かい合う端面に配置されている。この場合に、それぞれ２つの電極層は向かい合っていて、この向かい合った電極層はそれぞれ電極層の一方と接続している。コンタクト層と接触していない他の電極層２６は、基体中でこの前記の２つの電極層に対して平行に配置されている。電極層のこの配置を用いて、低減された容量と同時に比較的大きな比抵抗を有するデバイスを実現することができる。
【００３８】
図７では、図６とは別の実施態様が示されている。この場合に、コンタクト面１０及び１５はそれぞれセラミック部分領域の主面と接触し、つまり積層体の最初の層と最後の層との上に設置されている。２つのセラミック領域２及び５が所定の温度で異なる比抵抗を示す場合には、図６及び図７で示された別の実施態様を用いて、２つのコンタクト層１０及び１５の間の異なる電流路を定義することができる。
【００３９】
図８Ａでは、本発明によるデバイスの縦断面図が示されていて、このデバイスは第１のセラミック部分領域２と、その上に存在する第２のセラミック部分領域５とを有する。
【００４０】
コンタクト面をほとんど有していない基体の４つの全ての面上に保護層６５が配置されていて、この保護層６５は、図８Ｂに断面図で示されているように、デバイスを環境の影響から保護している。
【００４１】
実施例１
図２Ａ及び２Ｂで記載されたように構成されているＴＮＣデバイスを、ＥＩＡ標準規格に従って製造した。このデバイスは構造タイプに応じて長さ約０．９〜４．８ｍｍ、幅約０．４〜６．８ｍｍ、高さ約０．６〜１．７ｍｍを有する。基体内部の導電性電極層として、この場合に例えばＡｇＰｄ電極が使用される。デバイスは、この場合、例えば厚さ１００μｍを有する第１のセラミック部分領域２を有し、この場合に、前記の部分領域の表面上に、厚さ３９０μｍの第２のセラミック部分領域５が存在する（図２Ｂ参照）。このようなデバイスは、２９．３１９Ωの定格比抵抗Ｒ２５及び３．７７９ＫのＢ値を有する。第１及び第２のセラミック部分領域の同じ配置を有する他のデバイスは、厚さ８００μｍの第１のセラミック部分領域と、その上に存在する厚さ４０μｍの第２のセラミック部分領域とを有する。このデバイスは、最初に挙げたデバイスとは異なる電気特性を有する、つまり１１．２７０Ωの定格抵抗Ｒ２５と３．６７５ＫのＢ値とを有する。図２Ｂの横断面図に見られるように、２つのセラミック領域からなる全断面図はデバイスの２つのバリエーションの場合に同じである。２つのデバイスの第１のセラミック部分領域は、この場合にニッケル−マンガン−スピネルからなり、その際に、既に前記した一般式に従って、マンガンは一価〜三価の金属により置き換えられていてもよい。第２のセラミック部分領域についての材料として、２つのデバイスにおいて亜鉛−マンガン−スピネルが使用される。
【００４２】
実施例２
ＮＴＣデバイスは、図５Ａ及び５Ｂ中に示された配置により構成されている。この場合に、ＮＴＣデバイスの基体は積層体から構成されていて、この積層体は第１及び第２のセラミック部分領域からなり、この場合に、第２のセラミック部分領域５は積層体の最上層及び最下層を形成する。第２のセラミック部分層は、亜鉛−マンガン−スピネルからなり、第１のセラミック部分層は既に前記したニッケル−マンガン−スピネルからなる：
ＮｉII1-z［ＭｎIII2ＭｎIIz］Ｏ4
式中、０．０≦ｚ≦０．４。
【００４３】
第１のセラミック部分層２の厚さは６０μｍであり、それぞれの第２のセラミック部分層５の厚さは２２０μｍ（図５Ｂ）である場合に、２．３４０．３４０Ωの定格抵抗Ｒ２５と４．１２６ＫのＢ値を有するデバイスが得られる。同じ基体を有するが、第１のセラミック部分層の厚さが９０μｍであり、それぞれの第２のセラミック部分層の厚さが２０５μｍであるデバイスの場合には、６７６．１００Ωの定格抵抗Ｒ２５と、３．９９２ＫのＢ値とが生じる。
【００４４】
図２Ｂ及び５Ｃの２つのデバイスの横断面図は、各実施例において相互に比較する２つのデバイスが第１及び第２のセラミック部分層の厚さが相互に異なるにもかかわらず、全体として基体の同じ寸法を有することを示している。従って、２つの実施例は、基体中での２つのセラミック部分領域の幾何学形状及び量の変化によって、同じ寸法であるが、異なる電気特性を有するデバイスを製造できることを特に良好に示している。
【００４５】
本発明は、ここに示した実施例に限定されない。本発明の他のバリエーションは、特に、セラミック部分領域の相互の相対的配置に関しても、並びに使用したセラミックのサーミスタ材料及び基体中に使用したセラミック部分領域の数に関しても可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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