(57)【要約】【課題】レンズ等の形成時の位置決め精度が向上した固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１および第２の孔を半導体基板に形成する工程と、前記第１および第２の孔の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２の孔内に導電材料を埋め込んでコンタクトおよびアライメントマークを形成する工程と、前記半導体基板にフォトダイオードを形成する工程と、前記コンタクトと接続する接続部、および前記接続部と接続する配線を含む配線層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記配線層に支持基板を貼り合わせる工程と、前記アライメントマークを基準にして前記フォトダイオード上にフィルタおよびレンズを形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法を提供する。【選択図】図１
2010171038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の孔を半導体基板に形成する工程と、
前記第１および第２の孔の表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記第１および第２の孔内に導電材料を埋め込んでコンタクトおよびアライメントマークを形成する工程と、
前記半導体基板にフォトダイオードを形成する工程と、
前記コンタクトと接続する接続部、および前記接続部と接続する配線を含む配線層を前記半導体基板上に形成する工程と、
前記配線層に支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板を薄膜化し、前記コンタクト及び前記アライメントマークを前記半導体基板の表面に露出させる工程と、
前記アライメントマークを基準にして前記フォトダイオード上にフィルタおよびレンズを形成する工程と、
を含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電材料は、多結晶シリコンを主成分とする材料である請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記コンタクト及び前記アライメントマークを前記半導体基板の表面に露出させる工程の後、
前記コンタクトおよび前記アライメントマークとして埋め込んだ前記導電材料を他の導電材料で埋めなおした後、前記フィルタおよび前記レンズを形成する請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記他の導電材料は、金属、または金属化合物である請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
支持基板上に設けられ、配線が形成された配線層と、
前記配線層内に形成され、端部が前記配線と接続する接続部と、
前記配線層上に設けられ、受光部が形成された半導体層と、
前記半導体層内に多結晶シリコンによって形成され、前記接続部の前記端部と反対の他端部と接続するコンタクトと、
前記半導体層内に形成され、前記コンタクトと同じ材料からなるアライメントマークと、
前記コンタクトおよび前記アライメントマークの側面に形成された絶縁膜と、
を備えた固体撮像装置。
【請求項６】
支持基板上に設けられ、配線が形成された配線層と、
前記配線層内に形成され、端部が前記配線と接続する接続部と、
前記配線層上に設けられ、受光部が形成された半導体層と、
前記半導体層内に金属、または金属化合物によって形成され、前記接続部の前記端部と反対の他端部と接続するコンタクトと、
前記半導体層内に形成され、前記コンタクトと同じ材料からなるアライメントマークと、
前記コンタクトおよび前記アライメントマークの側面に形成された絶縁膜と、
を備えた固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、支持基板上に形成され、内部に埋め込み配線層が埋め込まれた層間絶縁層と、層間絶縁層の上層に形成された半導体層と、半導体層の表面に形成された表面絶縁膜と、を備えた裏面照射型のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）固体撮像素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この半導体層中には、フォトダイオード及びアライメントマークなどが形成されている。アライメントマークは、半導体層の表面絶縁膜側のパターニングを行う際の位置決めの基準となるほか、電極で構成することでテスト用電極としても機能できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、レンズ等の形成時の位置決め精度が向上した固体撮像装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１および第２の孔を半導体基板に形成する工程と、前記第１および第２の孔の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２の孔内に導電材料を埋め込んでコンタクトおよびアライメントマークを形成する工程と、前記半導体基板にフォトダイオードを形成する工程と、前記コンタクトと接続する接続部、および前記接続部と接続する配線を含む配線層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記配線層に支持基板を貼り合わせる工程と、前記半導体基板を薄膜化し、前記コンタクト及び前記アライメントマークを前記半導体基板の表面に露出させる工程と、前記アライメントマークを基準にして前記フォトダイオード上にフィルタおよびレンズを形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の一態様によれば、支持基板上に設けられ、配線が形成された配線層と、前記配線層内に形成され、端部が前記配線と接続する接続部と、前記配線層上に設けられ、受光部が形成された半導体層と、前記半導体層内に多結晶シリコンによって形成され、前記接続部の前記端部と反対の他端部と接続するコンタクトと、前記半導体層内に形成され、前記コンタクトと同じ材料からなるアライメントマークと、前記コンタクトおよび前記アライメントマークの側面に形成された絶縁膜と、を備えた固体撮像装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の一態様によれば、支持基板上に設けられ、配線が形成された配線層と、前記配線層内に形成され、端部が前記配線と接続する接続部と、前記配線層上に設けられ、受光部が形成された半導体層と、前記半導体層内に金属、または金属化合物によって形成され、前記接続部の前記端部と反対の他端部と接続するコンタクトと、前記半導体層内に形成され、前記コンタクトと同じ材料からなるアライメントマークと、前記コンタクトおよび前記アライメントマークの側面に形成された絶縁膜と、を備えた固体撮像装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、レンズ等の形成時の位置決め精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａ（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂ（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃ（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄ（ｊ）〜（ｌ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅ（ｍ）〜（ｏ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆ（ｐ）〜（ｒ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１の実施の形態]
（固体撮像装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図である。この固体撮像装置は、裏面照射型のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）固体撮像素子である。
【００１２】
固体撮像装置１は、図１に示すように、支持基板２と、支持基板２上に設けられた配線層３と、配線層３上に設けられた半導体層４と、半導体層４に設けられたコンタクト５と、半導体層４に設けられたアライメントマーク６と、コンタクト５およびアライメントマーク６の周囲に設けられた絶縁膜７と、半導体層４に設けられた受光部８と、半導体層４上に設けられたパッド部９と、を備えて概略構成されている。
【００１３】
支持基板２は、例えば、シリコンを主成分したシリコン系基板から形成される。
【００１４】
配線層３は、後述する層間絶縁膜の内部に、受光素子における信号引き出しのための配線である第１の配線３０と、周辺回路における信号引き出しのための配線である第２の配線３１と、接続部３３と電気的に接続する第３の配線３２と、接続部３３と、を備えて概略構成されている。
【００１５】
第１〜第３の配線３０、３１、３２は、導電材料として、例えば、アルミニウム、銅、銀、タングステン、金等の金属が用いられる。なお、第１〜第３の配線３０、３１、３２は、金属の拡散を防止するバリアメタルが、その周囲に形成されても良い。バリアメタルは、例えば、チタン、タンタルなどの高融点金属、または、それらの窒化物、それらの窒珪化物を用いることができる。
【００１６】
接続部３３は、端部がコンタクト５に、端部と反対の他の端部が第３の配線３２と電気的に接続している。接続部３３は、導電材料として、例えば、アルミニウム、銅、銀、タングステン、金等のコンタクト５とは異なる材料を用いる。なお、接続部３３の周囲には、上記のバリアメタルが形成されてもよい。
【００１７】
半導体層４は、例えば、シリコンを主成分とするシリコン基板から形成される。
【００１８】
コンタクト５は、導電材料を半導体層４に形成された孔に埋め込むことによって形成され、その周囲には絶縁膜７が形成されている。本実施の形態において埋め込まれる導電材料は、例えば、多結晶シリコンを主成分とする材料である。
【００１９】
アライメントマーク６は、コンタクト５と同じ導電材料を半導体層４に形成された孔に埋め込むことによって形成され、その周囲には絶縁膜７が形成されている。本実施の形態において埋め込まれる導電材料は、例えば、多結晶シリコンを主成分とする材料である。
【００２０】
アライメントマーク６は、例えば、マスクパターンをウェハ上に転写するための露光工程において、ウェハ上に形成されているパターンと露光装置側のマスクパターンとの位置合わせに用いる印である。
【００２１】
絶縁膜７は、絶縁性を有する膜として、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いることができる。
【００２２】
受光部８は、半導体層４内に形成され、光の吸収により光信号を電気信号に変換する受光素子であるフォトダイオード８０と、フォトダイオード８０上に形成され、光の三原色（ＲＧＢ）、または補色のシアン・マゼンダ・イエロー・グリーン（ＣＭＹＧ）ごとに設けられたフィルタ８１と、フィルタ８１上に形成されたレンズ８２と、を備えて概略構成されている。
【００２３】
パッド部９は、半導体層４上に設けられた第１のパッド絶縁膜９０と、第１のパッド絶縁膜９０内に設けられ、端部がコンタクト５と電気的に接続するパッド接続部９１と、パッド接続部９１と電気的に接続する電極パッド９２と、電極パッド９２の周囲と第１のパッド絶縁膜９０上に設けられた第２のパッド絶縁膜９３と、半導体層４の表面と第１および第２のパッド絶縁膜９０、９３を覆うように形成された第３のパッド絶縁膜９４と、を備えて概略構成される。
【００２４】
第１〜第３のパッド絶縁膜９０、９３、９４は、絶縁性を有する膜として、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いることができる。
【００２５】
パッド接続部９１は、導電材料として、例えば、アルミニウム、銅、銀、タングステン、金等の金属を用いることができる。
【００２６】
電極パッド９２は、導電材料として、例えば、アルミニウム、銅、銀、タングステン、金等の金属を用いることができる。
【００２７】
以下に、本実施の形態の固体撮像装置の製造方法の一例について説明する。
【００２８】
（固体撮像装置の製造）
図２Ａ（ａ）〜（ｃ）、図２Ｂ（ｄ）〜（ｆ）、図２Ｃ（ｇ）〜（ｉ）、図２Ｄ（ｊ）〜（ｌ）、図２Ｅ（ｍ）〜（ｏ）および図２Ｆ（ｐ）〜（ｒ）は、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【００２９】
まず、酸化法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって半導体基板２０上にシリコン酸化膜を形成し、第１の絶縁膜２１を形成する。続いて、ＣＶＤ法によって第１の絶縁膜２１上にシリコン窒化膜を堆積させて第２の絶縁膜２２を形成する。
【００３０】
次に、図２Ａ（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法によって第２の絶縁膜２２上に、コンタクト５およびアライメントマーク６に対応するパターンを有するレジストパターン２３を形成する。
【００３１】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、コンタクト５に対応する場所に第１の孔５０を、アライメントマーク６に対応する場所に第２の孔６０を半導体基板２０上に形成する。具体的には、レジストパターン２３に選択的な条件のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によって第１および第２の絶縁膜２１、２２をエッチングする。続いて、レジストパターン２３を除去し、第２の絶縁膜２２に選択的な条件のＲＩＥ法によって半導体基板２０をエッチングし、第１および第２の孔５０、６０を形成する。
【００３２】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を第２の絶縁膜２２の表面と第１および第２の孔５０、６０の表面に堆積し、絶縁膜７を形成する。
【００３３】
ここで、絶縁膜７が第１の孔５０の表面に堆積することによって、第１の孔５０内に絶縁膜７で囲まれた第１の領域５１が形成され、絶縁膜７が第２の孔６０の表面に堆積することによって、第２の孔６０内に絶縁膜７で囲まれた第２の領域６１が形成される。
【００３４】
次に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって第２の絶縁膜２２上の絶縁膜７を除去する。
【００３５】
次に、図２Ｂ（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法によって第１および第２の領域５１、６１に多結晶シリコン膜２４を埋め込む。なお、多結晶シリコン膜２４となるシリコン結晶の成長と同時に、in-situドーピング法によって、シリコン結晶にｎ型不純物を注入する。ｎ型不純物としては、例えば、リンが用いられる。続いて、ＣＭＰ法によって第２の絶縁膜２２上の多結晶シリコン膜２４を除去する。
【００３６】
次に、図２Ｂ（ｅ）に示すように、第２の絶縁膜２２に選択的な条件のＲＩＥ法によって、第１および第２の孔５０、６０内に形成された絶縁膜７と多結晶シリコン膜２４を半導体基板２０の表面と同じ高さとなるようにエッチングする。続いて、ウエットエッチング法によって第１および第２の絶縁膜２１、２２を除去する。
【００３７】
次に、図２Ｂ（ｆ）に示すように、半導体基板２０にフォトダイオード８０を形成する。
【００３８】
次に、図２Ｃ（ｇ）に示すように、ＣＶＤ法によって半導体基板２０上に層間絶縁膜３４を形成し、続いて、フォトリソグラフィ法によってコンタクト５に対応するパターンを有するレジストパターン３５を形成する。層間絶縁膜３４は、内部に配線を形成して配線層３とするため、誘電率の小さなLow-k膜からなる。層間絶縁膜３４は、例えば、シリコン酸化膜、フッ素添加シリコン酸化膜（Ｆ添加ＳｉＯ２）、炭素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）や有機物からなるLow-k膜や、Low-k膜に空孔を導入したポーラスLow-k膜、およびこれらを複数組み合わせた積層膜を用いることができる。
【００３９】
次に、レジストパターン３５に選択的な条件のＲＩＥ法によって、層間絶縁膜３４に多結晶シリコン膜２４に達する孔を形成し、レジストパターン３５を除去する。
【００４０】
次に、図２Ｃ（ｈ）に示すように、ＣＶＤ法によって層間絶縁膜３４上にタングステン膜を堆積し、接続部３３を形成する。続いて、ＣＭＰ法によって層間絶縁膜３４上のタングステン膜を除去する。
【００４１】
次に、図２Ｃ（ｉ）に示すように、層間絶縁膜３４を積層しながら第１〜第３の配線３０、３１、３２を形成し、ＣＭＰ法によって表面を平坦化して配線層３を形成する。なお、配線層３を予め他の工程で形成し、半導体基板２０に貼り合わせてもよい。
【００４２】
次に、図２Ｄ（ｊ）に示すように、配線層３上に支持基板２を貼り合わせる。
【００４３】
次に、図２Ｄ（ｋ）に示すように、配線層３、支持基板２が形成された半導体基板２０の上下を反転させ、半導体基板２０を半導体層４として用いる。
【００４４】
次に、図２Ｄ（ｌ）に示すように、半導体層４を絶縁膜７が露出するまで薄膜化し、ウエットエッチング法によって露出した絶縁膜７をエッチングして多結晶シリコン膜２４を露出させる。続いて、ＣＶＤ法によって半導体層４上にシリコン酸化膜を堆積して絶縁膜４０を形成し、絶縁膜４０上にコンタクト５およびアライメントマーク６に対応するパターンを有するレジストパターン４１を形成する。具体的には、例えば、ＲＩＥ法、ウエットエッチング法、ＣＭＰ法等を用いて半導体層４を薄膜化する。また、フォトリソグラフィ法によってコンタクト５およびアライメントマーク６の孔の面積よりも小さい面積の孔を有するレジストパターン４１を形成する。
【００４５】
次に、図２Ｅ（ｍ）に示すように、絶縁膜４０に選択的な条件のＲＩＥ法によって多結晶シリコン膜２４を露出させ、レジストパターン４１を除去する。
【００４６】
次に、図２Ｅ（ｎ）に示すように、ＣＶＤ法によって多結晶シリコン膜２４および絶縁膜４０上に多結晶シリコン膜２５を形成する。
【００４７】
次に、図２Ｅ（ｏ）に示すように、ＣＭＰ法によって絶縁膜４０上の多結晶シリコン膜２５を除去し、コンタクト５およびアライメントマーク６を形成する。続いて、ＣＶＤ法によってコンタクト５、アライメントマーク６および絶縁膜４０上にシリコン酸化膜を堆積し、第１のパッド絶縁膜９０を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法によって、コンタクト５に対応するパターンを有するレジストパターン９５を形成する。
【００４８】
次に、レジストパターン９５に選択的な条件のＲＩＥ法によって第１のパッド絶縁膜９０にコンタクト５に達する貫通孔を形成し、レジストパターン９５を除去する。
【００４９】
次に、図２Ｆ（ｐ）に示すように、コンタクト５と接続するパッド接続部９１を第１のパッド絶縁膜９０に形成する。具体的には、ＣＶＤ法によって第１のパッド絶縁膜９０上にタングステン膜を堆積し、ＣＭＰ法によって第１のパッド絶縁膜９０上のタングステン膜を除去して、パッド接続部９１を形成する。
【００５０】
次に、図２Ｆ（ｑ）に示すように、第１のパッド絶縁膜９０上に電極パッド９２を形成する。具体的には、スパッタ法によって第１のパッド絶縁膜９０上にアルミニウム膜を形成し、フォトリソグラフィ法によって電極パッド９２に対応するパターンを有するレジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンに選択的な条件のＲＩＥ法によってアルミニウム膜を第１のパッド絶縁膜９０が露出するまでエッチングし、レジストパターンを除去して電極パッド９２を形成する。
【００５１】
次に、図２Ｆ（ｒ）に示すように、パッド部９を形成する。具体的には、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を第１のパッド絶縁膜９０および電極パッド９２上に堆積し、第２のパッド絶縁膜９３を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法によって電極パッド９２より大きいレジストパターンを第２のパッド絶縁膜９３上に形成し、レジストパターンに選択的な条件のウエットエッチング法によって第２のパッド絶縁膜９３と第１のパッド絶縁膜９０を除去する。続いて、ＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を絶縁膜４０および第２のパッド絶縁膜９３上に堆積し、第３のパッド絶縁膜９４を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法によって電極パッド９２上に電極パッド９２よりも小さい孔が形成されるようなパターンを有するレジストパターンを形成し、レジストパターンに選択的な条件のＲＩＥ法によって電極パッド９２上の第２および第３のパッド絶縁膜９３、９４をエッチングして電極パッド９２を露出させ、レジストパターンを除去する。
【００５２】
次に、アライメントマーク６を基準にしてウェハ上に形成されているパターンと露光装置側のマスクパターンとの位置合わせを行い、フォトダイオード８０上にフィルタ８１およびレンズ８２を順次形成し、図１に示す固体撮像装置１を得る。
【００５３】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）コンタクトとアライメントマークを同時に形成するので、コンタクトとアライメントマークを別々に形成する場合と比べて工程が削減される。
（２）絶縁膜が周囲に形成されたアライメントマークは、絶縁膜が形成されない場合と比べて、半導体基板との輝度差が大きいので、露光装置によるアライメントマークの識別が容易となる。
（３）アライメントマークの識別が容易になるので、フィルタやレンズ等の形成時における位置合わせの精度が向上し、歩留まりが向上する。
（４）アライメントマークに多結晶シリコンを用いるので、半導体層への金属拡散がない。半導体層への金属拡散がないので、金属拡散による入射光の散乱を防止することができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
（５）既にコンタクトとなる多結晶シリコンが埋め込まれた状態で接続部を形成し、その後、配線層を形成するので、半導体基板にコンタクトと接続部を形成するための深い孔を形成する場合と比べて、製造が容易となる。
【００５４】
[第２の実施の形態]
以下に本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、コンタクトおよびアライメントマークを形成する材料として金属を用いる点で、第１の実施の形態と異なっている。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態と同一の機能および構成を有する部分は、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、第１の実施の形態と同一の工程についても説明を省略する。
【００５５】
（固体撮像装置の製造工程）
図３（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【００５６】
まず、第１の実施の形態に示す図２Ａ（ａ）〜図２Ｅ（ｍ）を用いて説明した、第１および第２の領域５１、６１に埋め込まれた多結晶シリコン膜２４を露出させるまでの工程を行う。
【００５７】
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁膜４０に選択的な条件のウエットエッチング法によって多結晶シリコン膜２４をエッチングし、コンタクト５に対応する第３の孔５２、およびアライメントマーク６に対応する第４の孔６２を形成する。
【００５８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法によって絶縁膜４０上に導電膜２６を堆積し、第３および第４の孔５２、６２に導電膜２６を埋め込む。この導電膜２６は、例えば、アルミニウム、チタン、銅、銀、タンタル、タングステン、金等の金属、または金属化合物である。金属化合物は、例えば、当該金属との珪化物、またはその窒化物である。
【００５９】
次に、ＣＭＰ法によって絶縁膜４０上の導電膜２６を除去し、コンタクト５およびアライメントマーク６を形成する。続いて、図２Ｅ（ｏ）〜図２Ｆ（ｒ）を用いて説明した工程を行い、図１に示す固体撮像装置１を得る。
【００６０】
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）金属からなるアライメントマークは、アライメントマークが金属以外の材料から形成される場合と比べて、半導体基板との輝度差が大きいので、露光装置によるアライメントマークの識別が容易となる。また、アライメントマークは、周囲に絶縁膜が形成されているため、さらに、露光装置によるアライメントマークの識別が容易となる。
（２）アライメントマークの識別が容易になるので、フィルタやレンズ等の形成時における位置合わせの精度が向上し、歩留まりが向上する。
（３）アライメントマークの周囲が絶縁膜に囲まれているので、半導体層への金属拡散を防止することができる。金属拡散が防止されるので、入射光の散乱を防止することができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
（４）半導体層への金属拡散を防止するので、歩留まりが向上する。
【００６１】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形および組み合わせが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１…固体撮像装置、２…支持基板、３…配線層、４…半導体層、５…コンタクト、６…アライメントマーク、７…絶縁膜、２０…半導体基板、２４…多結晶シリコン膜、２６…導電膜、３３…接続部、５０…第１の孔、６０…第２の孔、８０…フォトダイオード
【図１】
2010171038.tif 000003
【図２Ａ】
2010171038.tif 000004
【図２Ｂ】
2010171038.tif 000005
【図２Ｃ】
2010171038.tif 000006
【図２Ｄ】
2010171038.tif 000007
【図２Ｅ】
2010171038.tif 000008
【図２Ｆ】
2010171038.tif 000009
【図３】
2010171038.tif 000010