(57)【要約】【課題】３相ブラシレスモータの駆動時に発生するノイズを効果的に低減すること。【解決手段】本発明は、３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、
Ｕ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、
Ｖ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、
Ｗ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向することを特徴とする、ノイズ低減構造。
【請求項２】
３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、
Ｕ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、積層された第１及び第２の基板にそれぞれ形成され、
Ｖ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、前記第１及び第２の基板にそれぞれ形成され、
Ｗ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、前記第１及び第２の基板にそれぞれ形成されることを特徴とする、ノイズ低減構造。
【請求項３】
３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、
Ｕ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、基板の表面と裏面にそれぞれ形成され、
Ｖ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、前記基板の表面と裏面にそれぞれ形成され、
Ｗ相に係る２つのスイッチング素子間の中点から、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子のうちの正極側のスイッチング素子を介して電源の正極側に繋がる回路部分と、同中点から、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子のうちの負極側のスイッチング素子を介して負極側に繋がる回路部分とは、前記基板の表面と裏面にそれぞれ形成されることを特徴とする、ノイズ低減構造。
【請求項４】
ＵＶＷ相パターンが形成された基板は、グランド層を形成する各基板により、基板表面に垂直な方向で上下方向から挟まれる、請求項２又は３に記載のノイズ低減構造。
【請求項５】
ＵＶＷ相に係る各スイッチング素子は、前記各回路部分が形成された基板に対して、基板表面に垂直な方向で上方又は下方に設けられるヒートシンクに収容され、該ヒートシンクは、前記各スイッチング素子からの放射ノイズを遮蔽するシールド構造としても機能する、請求項２〜４のうちのいずれか１項に記載のノイズ低減構造。
【請求項６】
前記グランド層を形成する各基板と、前記ヒートシンクとは、互いに電気的に導通される、請求項４及び５に記載のノイズ低減構造。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のノイズ低減構造を備えるインバータ及び３相ブラシレスモータを含む、車両用モータ駆動システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３相ブラシレスモータのノイズ低減構造等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、３相ブラシレスモータは広く知られている（例えば、特許文献１参照）。この種の３相ブラシレスモータでは、直流電源による正極ラインと負極ラインの間には、コンデンサが接続され、同正極ラインと負極ラインの間には、２つのパワーＭＯＳトランジスタの直列回路が３組、それぞれ接続されている。各組のトランジスタの間の中点には、スター結線された誘導性負荷が接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２３５２４０号公報（特に図１、図２６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載するような３相ブラシレスモータの回路構成では、例えばＵ相に係る２つのトランジスタが互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが平面内の別々の領域に形成されるので、各電流ループにより発生する逆の磁界が互いに独立して高速（短時間）で交互に発生する。従って、このような磁界の変動に起因したノイズが発生するという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、３相ブラシレスモータの駆動時に発生するノイズを効果的に低減することができる３相ブラシレスモータのノイズ低減構造の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一局面によれば、３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、
Ｕ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、
Ｖ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、
Ｗ相に係る２つのスイッチング素子が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向することを特徴とする、ノイズ低減構造が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、３相ブラシレスモータの駆動時に発生するノイズを効果的に低減することができる３相ブラシレスモータのノイズ低減構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】電気自動車用モータ駆動システム１の全体構成の一例を示す図である。
【図２】本発明によるノイズ低減構造の一実施例が適用された図１に示したモータ駆動システム１におけるインバータ３０及び走行用モータ４０の回路配置態様を概念的に示す図である。
【図３】図２に示すインバータ３０の動作と電流及び磁束の各種波形を示すタイミングチャートである。
【図４】従来例による回路配置態様を概念的に示す図である。
【図５】幾つかの状態における電流の流れを模式的に示す図である。
【図６】本実施例による高調波低減効果を概念的に示す図である。
【図７】図２のインバータ３０の実装状態を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１０】
図１は、電気自動車用モータ駆動システム１の全体構成の一例を示す図である。モータ駆動システム１は、バッテリ１０の電力を用いて走行用モータ４０を駆動することにより車両を駆動させるシステムである。尚、電気自動車は、電力を用いて走行用モータ４０を駆動して走行するものであれば、その方式や構成の詳細は任意である。電気自動車は、典型的には、動力源がエンジンと走行用モータ４０であるハイブリッド自動車（ＨＶ）や、動力源が走行用モータ４０のみである電気自動車を含む。
【００１１】
モータ駆動システム１は、図１に示すように、バッテリ１０、ＤＣ／ＤＣコンバータ２０、インバータ３０、走行用モータ４０、及び、半導体駆動装置５０を備える。
【００１２】
バッテリ１０は、電力を蓄積して直流電圧を出力する任意の蓄電装置であり、ニッケル水素バッテリ、リチウムイオンバッテリや電気２重層キャパシタ等の容量性素子から構成されてもよい。
【００１３】
ＤＣ／ＤＣコンバータ２０は、双方向のＤＣ／ＤＣコンバータ（可逆チョッパ方式の昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ）であり、例えば１４Ｖから４２Ｖへの昇圧変換、及び、４２Ｖから１４Ｖへの降圧変換が可能である。ＤＣ／ＤＣコンバータ２０のリアクトルＬ１の入力側と負極ラインとの間には平滑用コンデンサＣ１が接続される。
【００１４】
インバータ３０は、正極ラインと負極ラインとの間に互いに並列に配置されるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各アームから構成される。Ｕ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ）Ｑ１，Ｑ２の直列接続からなり、Ｖ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ）Ｑ３，Ｑ４の直列接続からなり、Ｗ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ）Ｑ５，Ｑ６の直列接続からなる。また、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のコレクタ−エミッタ間には、それぞれ、エミッタ側からコレクタ側に電流を流すようにダイオードＤ１〜Ｄ６が配置される。尚、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６は、ＭＯＳＦＥＴ（metal  oxide  semiconductor  field-effect  transistor)のような、ＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）以外の他のスイッチング素子であってもよい。
【００１５】
走行用モータ４０は、３相の永久磁石モータであり、Ｕ，Ｖ，Ｗ相の３つのコイルの一端が中点で共通接続されている。Ｕ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の中点Ｍ１に接続され、Ｖ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の中点Ｍ２に接続され、Ｗ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ５，Ｑ６の中点Ｍ３に接続される。スイッチング素子Ｑ１のコレクタと負極ラインとの間には、平滑用コンデンサＣ２が接続される。
【００１６】
半導体駆動装置５０は、インバータ３０を制御する。半導体駆動装置５０は、例えばＣＰＵ，ＲＯＭ、メインメモリなどを含み、半導体駆動装置５０の各種機能は、ＲＯＭ等に記録された制御プログラムがメインメモリに読み出されてＣＰＵにより実行されることによって実現される。インバータ３０の制御方法は、任意であるが、基本的には、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が互いに逆相でオン／オフし、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が互いに逆相でオン／オフし、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする。
【００１７】
図２は、本発明によるノイズ低減構造の一実施例が適用された図１に示したモータ駆動システム１におけるインバータ３０及び走行用モータ４０の回路配置態様を概念的に示す図である。
【００１８】
本実施例では、インバータ３０は、図２に示すように、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向し、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向し、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向するように、構成される。即ち、インバータ３０は、図１に示すラインＰに沿って折り返して正極側と負極側が対向するように配置される。
【００１９】
図３は、図２に示すインバータ３０の動作と電流及び磁束の各種波形を示すタイミングチャートである。
【００２０】
図３において、Ｉ１は、Ｕ相に係るスイッチング素子Ｑ１を流れる電流であり、Ｉ２は、Ｕ相に係るスイッチング素子Ｑ２を流れる電流である。φ１は、Ｉ１により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ１の波形自体は、Ｉ１の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。φ２は、Ｉ２により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ２の波形自体は、Ｉ２の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。本実施例では、上述の如く、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向する。即ち、基板表面に垂直な方向Ｚに見て、Ｉ１により形成される電流ループとＩ２により形成される電流ループとは重複するので、その重複する領域では、磁束が足し合わせられることになる。従って、φ１＋φ２は、このような２つの電流ループの重複する領域での磁束の波形となる。
【００２１】
また、図３において、Ｉ３は、Ｖ相に係るスイッチング素子Ｑ３を流れる電流であり、Ｉ４は、Ｖ相に係るスイッチング素子Ｑ４を流れる電流である。φ３は、Ｉ３により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ３の波形自体は、Ｉ３の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。φ４は、Ｉ４により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ４の波形自体は、Ｉ４の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。本実施例では、上述の如く、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向する。即ち、基板表面に垂直な方向Ｚに見て、Ｉ３により形成される電流ループとＩ４により形成される電流ループとは重複するので、その重複する領域では、磁束が足し合わせられることになる。従って、φ３＋φ４は、このような２つの電流ループの重複する領域での磁束の波形となる。
【００２２】
また、図３において、Ｉ５は、Ｗ相に係るスイッチング素子Ｑ５を流れる電流であり、Ｉ６は、Ｗ相に係るスイッチング素子Ｑ６を流れる電流である。φ５は、Ｉ５により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ５の波形自体は、Ｉ５の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。φ６は、Ｉ６により形成される電流ループを貫く磁束の波形を表す。φ６の波形自体は、Ｉ６の波形自体と実質的に同一であるので、併記している。本実施例では、上述の如く、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向Ｚで互いに対向する。即ち、基板表面に垂直な方向Ｚに見て、Ｉ５により形成される電流ループとＩ６により形成される電流ループとは重複するので、その重複する領域では、磁束が足し合わせられることになる。従って、φ５＋φ６は、このような２つの電流ループの重複する領域での磁束の波形となる。
【００２３】
尚、図３には、Ｕ−Ｖ，Ｖ−Ｗ，Ｗ−Ｕの電圧波形が併せて示されている。この波形自体は、通常の構成と同様であり、図示のように、直流電源（バッテリ１０）から生成した矩形波の組み合わせによりサインカーブ（破線）に近い交流電圧が生成される。これにより、走行用モータ４０が駆動される。
【００２４】
ここで、本実施例では、上述の如く２つの電流ループの重複する領域においてそれぞれの磁束の重畳波形φ１＋φ２、φ３＋φ４、φ５＋φ６が生成される。これは、図４に示すような配置で構成される従来構成とは対照的である。即ち、図４に示す従来構成では、例えばＩ１により形成される電流ループとＩ２により形成される電流ループは基板表面に垂直な方向Ｚで対向せず、従って、磁束の重畳が生じない。これに対して、本実施例によれば、上述のような磁束の重畳を創出することにより、図３の重畳波形φ１＋φ２、φ３＋φ４、φ５＋φ６で示すように、磁束の総和により磁束の変化の波形をサイン波状になますことができる。
【００２５】
ここで、例えばＵ相を考慮すると、先ず、第１の状態として、図５（Ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２がそれぞれオン、オフ状態であり、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４がそれぞれオン、オフ状態であり、スイッチング素子Ｑ５，Ｑ６がそれぞれオフ、オン状態を想定する。この第１の状態では、図５（Ａ）に矢印で示すような態様で電流が流れる。次に、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２がそれぞれオン、オフ状態からオフ、オン状態に反転する場合（第１の状態から第２の状態に遷移する場合）を想定する。第２の状態に完全に移行したときは、図５（Ｃ）に矢印で示すような態様で電流が流れる。しかしながら、第１の状態から第２の状態に遷移する過渡状態では、図５（Ｂ）に示すように、コイル（インダクタンス）の存在に起因して過渡的にスイッチング素子Ｑ２には逆方向の電流が流れる。これは、図３のＴ部（右側）の波形で概念的に示されている。このような過渡的な電流は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２がそれぞれオフ、オン状態からオン、オフ状態に反転する場合も同様に生ずる。これは、図３のＴ部（左側）の波形で概念的に示されている。そして、このような過渡的な電流（それに伴う磁束）の発生により、図３のＰ部で示すように、上述のような磁束の総和と相まって、磁束の変化の波形が効果的になまされる。
【００２６】
図６は、ノイズのスペクトルの周波数分布を示し、例えばＦＦＴにより得られる。本実施例では、上述の如く、磁束の総和により磁束の変化の波形がなまされるので、図６に概念的に示すように、図４に示す従来構成に比べて、ノイズの高調波を低減することができる。
【００２７】
図７は、図２のインバータ３０の実装状態を概念的に示す図である。図７に示す例では、基板表面に垂直な方向Ｚに積層された４層の基板９１，９２，９３，９４が用いられる。上から第１層の基板９１は、グランド層であり、基板９１の上面には、例えば銅のベタパターンによりグランド電位が形成されている。
【００２８】
第２層の基板９２の上面には、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２間の中点Ｍ１から、正極側のスイッチング素子Ｑ１を介してバッテリ１０の正極に繋がる回路部分（Ｕ相における正極側の回路部分）が形成される。また、第２層の基板９２の上面には、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４間の中点Ｍ２から、正極側スイッチング素子Ｑ３を介してバッテリ１０の正極に繋がる回路部分（Ｖ相における正極側の回路部分）が形成される。同様に、第２層の基板９２の上面には、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６間の中点Ｍ３から、正極側スイッチング素子Ｑ５を介してバッテリ１０の正極に繋がる回路部分（Ｗ相における正極側の回路部分）が形成される。
【００２９】
第３層の基板９３の上面には、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２間の中点Ｍ１から、負極側のスイッチング素子Ｑ２を介してバッテリ１０の負極に繋がる回路部分（Ｕ相における負極側の回路部分）が形成される。また、第３層の基板９３の上面には、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４間の中点Ｍ２から、負極側スイッチング素子Ｑ４を介してバッテリ１０の負極に繋がる回路部分（Ｖ相における負極側の回路部分）が形成される。同様に、第３層の基板９３の上面には、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６間の中点Ｍ３から、負極側スイッチング素子Ｑ６を介してバッテリ１０の負極に繋がる回路部分（Ｗ相における負極側の回路部分）が形成される。
【００３０】
第４層の基板９４は、グランド層であり、基板９４の上面には、例えば銅のベタパターンによりグランド電位が形成されている。
【００３１】
このように図７に示す例では、ＵＶＷ相パターンが形成された基板９２，９３は、グランド層を形成する各基板９１，９４により、基板表面に垂直な方向Ｚで上下方向から挟まれる。これにより、コモンモードノイズループを最小化し、コモンモードノイズの漏洩を防止することができる。
【００３２】
各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６は、基板表面に垂直な方向Ｚで第１層の基板９１の上方下方に設けられるヒートシンク８０に収容される。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６は、基板９２，９３上の各対応する回路部分に、基板表面に垂直な方向Ｚに形成される各スルーホールにより接続されてよい。尚、当然ながら、各相Ｕ，Ｖ，Ｗの負極側の回路部分からのスルーホールは、第２層の基板９２上における各相Ｕ，Ｖ，Ｗの正極側の回路部分と交わらないように、（図中のＹ方向に）オフセットされる。また、第１層の基板９１は、各スルーホールが形成される領域をマスクして銅のベタパターンが形成される。
【００３３】
ヒートシンク８０は、導電性の材料（例えばアルミブロック）で形成されてよく、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６と接触する態様で、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を収容する凹部を有してよい。ヒートシンク８０は、放熱性を高めるためにフィン等が表面に形成されてもよい。このようにして、ヒートシンク８０は、ヒートシンク機能のみならず、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６からの放射ノイズのシールド機能をも備える。
【００３４】
ヒートシンク８０は、例えば導体１０２により、その金属部分が第１層の基板９１のグランド層に接続される。また、第１層の基板９１のグランド層は、例えばスルーホール又は基板端面間に設けられる導体１０４により、第４層の基板９４のグランド層に接続される。これにより、各グランド層とヒートシンク８０のシールド部の電気的導通が確保され、コモンモードノイズを効果的に遮蔽することができる。尚、同様の観点から、走行用モータ４０をシールド部材により囲繞し、当該シールド部材と基板９１，９２の各グランド層の電気的導通を確保してもよい。
【００３５】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００３６】
例えば、上述した実施例では、２層の基板９２，９３のそれぞれに、ＵＶＷの各相に係る正極側の回路部分とＵＶＷの各相に係る負極側の回路部分とが形成されているが、本発明はこれに限られず、図２に示すようなループの重複領域が形成される限り、実装態様は任意である。例えば、基板９２，９３の一方の表面と裏面のそれぞれに、ＵＶＷの各相に係る正極側の回路部分とＵＶＷの各相に係る負極側の回路部分とを形成し、基板９２，９３の他方を無くすことも可能である。
【００３７】
また、上述した実施例では、ヒートシンク８０は、基板９１側に設けられるが、ヒートシンク８０は、基板９２側に設けられてもよい。ヒートシンク８０は、図７に示す例とは上下逆に配置されてもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１    モータ駆動システム
１０    バッテリ
２０    ＤＣ／ＤＣコンバータ
３０    インバータ
４０    走行用モータ
５０    半導体駆動装置
８０    ヒートシンク
９１    第１層（グランド層）の基板
９２    第２層の基板
９３    第３層の基板
９４    第４層（グランド層）の基板
１０２    導体
１０４    導体
Ｑ１，Ｑ２    Ｕ相に係るスイッチング素子
Ｑ３，Ｑ４    Ｖ相に係るスイッチング素子
Ｑ５，Ｑ６    Ｗ相に係るスイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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