(57)【要約】【課題】シール部におけるＴＦＴ基板と対向基板の間隔を正確に制御し、かつ、シール部の信頼性を向上させる。【解決手段】シール部において、対向基板２００側には柱状スペーサ２０５を形成し、ＴＦＴ基板１００側には有機パッシベーション膜１０８を柱状スペーサ２０５と対向して形成し、柱状スペーサ２０５と有機パッシベーション膜１０８によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を制御する。シール材２０は柱状スペーサ２０５と有機パッシベーション膜１０８を覆うとともに、ＴＦＴ基板１００側においては、ＴＦＴ基板１００に形成された無機膜１０７と接することによって、シール材２０の接着力を向上させて、シール部の信頼性を確保する。【選択図】図３
2010139953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シール材が形成された部分よりも外側に、前記対向基板側には第２の柱状スペーサが形成され、前記ＴＦＴ基板側には島状に形成された第２の有機パッシベーション膜が前記第２の柱状スペーサと対向して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シール材が形成された部分よりも表示領域側に、前記対向基板側には第２の柱状スペーサが形成され、前記ＴＦＴ基板側には島状に形成された第２の有機パッシベーション膜が前記第２の柱状スペーサと対向して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接しており、
前記シール部において、前記ＴＦＴ基板側には、半導体膜が島状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、
前記シール部において、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接しており、
前記シール部において、前記対向基板側には、前記カラーフィルタが島状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、前記有機パッシベーション膜の上には対向電極が形成され、前記対向電極の上には層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には画素電極が形成され、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記層間絶縁膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサは前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜の上に形成された前記層間絶縁膜と接することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜によって覆われ、
前記シール部において、前記ＴＦＴ基板には第１の走査線引出し線と第２の走査線引出し線が別層で形成され、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサを覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜によって覆われ、前記無機パッシベーション膜の上には対向電極が形成され、前記対向電極の上には層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には画素電極が形成され、
前記シール部において、前記ＴＦＴ基板には第１の走査線引出し線と第２の走査線引出し線が別層で形成され、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサを覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記層間絶縁膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にシール部の信頼性が優れた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は薄型にできることから色々な分野に用途が広がっている。液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板が対向し、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、縦方向に延在し、横方向に配列したデータ線と、横方向に延在して縦方向に配列した走査線とが存在し、データ線と走査線とで囲まれた領域に画素が形成される。画素は主として画素電極とスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成される。このようにマトリクス状に形成された多くの画素によって表示領域が形成される。
【０００４】
ＴＦＴ基板と対向基板は周辺に形成されたシール材を介して接着している。この場合、表示領域内においては、対向基板に形成された柱状スペーサを介して、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を規定し、液晶層を所定の厚さにする。また、シール部には、シール材に対してグラスファイバを混入させて、グラスファイバの径によってシール部の厚さを規定している。
【０００５】
しかし、表示領域とシール部とで、ＴＦＴ基板と対向基板のギャップの決め方が異なると、シール部の信頼性を損ねたり、ギャップの不均一による表示ムラが生じたりする。「特許文献１」には、シール部においても柱状スペーサを用いることによって、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を均一にする構成が記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１７４８２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
「特許文献１」に記載の技術は、柱状スペーサをシール部にも形成しているが、シール部の信頼性についての記載も示唆も無い。「特許文献１」の構成では、ＴＦＴ基板に配向膜が形成され、また、対向基板に形成されたシール部における柱状スペーサにも配向膜が形成されている。配向膜が有機材料であり、有機材料と有機材料の間では接着性が問題となり、シール部の信頼性が問題となる。
【０００８】
また、「特許文献１」に記載の技術では、対向基板において、柱状スペーサを形成する場合に、柱状スペーサの根元について、表示領域とシール部とでいずれもブラックマトリクスが来るような構成が記載されているが、柱状スペーサとＴＦＴ基板側の構成との関係については、記載がない。柱状スペーサが対向するＴＦＴ基板側の構成は、表示領域とシール部ギャップの関係からも、シール部の信頼性の面からも非常に重要である。
【０００９】
本発明の課題は、表示領域とシール部におけるＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定にするとともに、シール部の信頼性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
（２）前記シール材が形成された部分よりも外側に、前記対向基板側には第２の柱状スペーサが形成され、前記ＴＦＴ基板側には島状に形成された第２の有機パッシベーション膜が前記第２の柱状スペーサと対向して形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１３】
（３）前記シール材が形成された部分よりも表示領域側に、前記対向基板側には第２の柱状スペーサが形成され、前記ＴＦＴ基板側には島状に形成された第２の有機パッシベーション膜が前記第２の柱状スペーサと対向して形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（４）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接しており、前記シール部において、前記ＴＦＴ基板側には、半導体膜が島状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１５】
（５）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、前記シール部において、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接しており、前記シール部において、前記対向基板側には、前記カラーフィルタが島状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１６】
（６）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜によって覆われ、前記有機パッシベーション膜の上には対向電極が形成され、前記対向電極の上には層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には画素電極が形成され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサと前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によって規定され、前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサと前記島状に形成された有機パッシベーション膜を覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記層間絶縁膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（７）前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサは前記ＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜の上に形成された前記層間絶縁膜と接することを特徴とする（６）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（８）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜によって覆われ、前記シール部において、前記ＴＦＴ基板には第１の走査線引出し線と第２の走査線引出し線が別層で形成され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定され、前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサを覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記無機パッシベーション膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１９】
（９）画素電極とＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成されて表示領域を形成するＴＦＴ基板と、前記画素に対応してカラーフィルタが形成された対向基板が周辺に形成されたシール部を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴは無機パッシベーション膜によって覆われ、前記無機パッシベーション膜の上には対向電極が形成され、前記対向電極の上には層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には画素電極が形成され、前記シール部において、前記ＴＦＴ基板には第１の走査線引出し線と第２の走査線引出し線が別層で形成され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記シール部においては、前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定され、
前記シール部においては、シール材が前記柱状スペーサを覆い、かつ、前記シール材は、前記ＴＦＴ基板側では前記層間絶縁膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、シール部において、表示領域と同様に、対向基板に形成された柱状スペーサとＴＦＴ基板に形成された島状の有機パッシベーション膜によってＴＦＴ基板と対向基板との間隔を規定する。したがって、表示領域とシール部とで、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を正確に設定出来るので、特にシール部の信頼性を確保することが出来る。
【００２１】
また、シール材は、ＴＦＴ側においては、ＳｉＮによって形成された無機パッシベーション膜、あるいは、層間絶縁膜と接するので、シール材の接着力を確保することが出来、シール部の信頼性を向上させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施例にしたがって本発明の内容を詳細に開示する。
【実施例１】
【００２３】
図１は本発明による、液晶表示パネルの平面図である。図１はＤＳＣ(Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ)等に使用される小型の液晶表示パネルである。液晶表示パネルは、画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板１００とカラーフィルタが形成された対向基板２００とが、周辺でシール材２０を介して接着している。ＴＦＴ基板１００は、対向基板２００より大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が大きくなった部分には、ＩＣドライバ３０が設置され、端子部が形成されている。
【００２４】
図１において、ＴＦＴ基板１００には走査線が横方向に延在し、両側において、走査線引き出し線によって、端子部側に引き回されている。表示領域外の額縁部は幅が小さいので、走査線引き出し線は２層配線となっている。端子部に引き回された走査線引き出し線はＩＣドライバ３０と接続する。
【００２５】
図２は表示領域における液晶表示パネルの断面図である。図２の構成は、最も一般的なＴＮ方式の断面図である。図２において、ＴＦＴ基板１００上には、ゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１はスパッタリングによって形成され、その後、フォトリソグラフィによってパターニングされる。ゲート電極１０１はＡｌによって形成され、膜厚は３００ｎｍ程度である。ゲート電極１０１と同層で図示しない走査線等が同時に形成される。対向基板２００の対向電極２０４にコモン電圧を供給するためにＴＦＴ基板１００に形成されるコモン配線も同層で、同時に形成される。ゲート電極１０１を覆って、ゲート絶縁膜１０２が形成される。ゲート絶縁膜１０２は、例えば、ＳｉＮ膜をスパッタリングすることによって形成される。ゲート絶縁膜１０２は例えば、４００ｎｍ程度である。
【００２６】
ゲート電極１０１の上には、ゲート絶縁膜１０２を介して半導体層１０３が形成される。半導体層１０３はａ−Ｓｉで形成され、膜厚は１５０ｎｍ程度である。ａ−Ｓｉ層にＴＦＴのチャンネル領域が形成される。ａ−Ｓｉ層にソース電極１０５およびドレイン電極１０６を設置する前に、ｎ＋Ｓｉ層１０４を形成する。ａ−Ｓｉ層とソース電極１０５あるいはドレイン電極１０６との間にオーミックコンタクトを形成するためである。
【００２７】
ｎ＋Ｓｉ層１０４の上にソース電極１０５あるいはドレイン電極１０６が形成される。ソース電極１０５あるいはドレイン電極１０６と同層で、映像信号線５０、保護ダイオード等と接続するアース線等が形成される。ソース電極１０５あるいはドレイン電極１０６は、Ｍｏあるいは、Ａｌ等によって形成される。なお、Ａｌが使用される場合は、その上下をＭｏ等によって覆う。Ａｌがコンタクトホール１１３部において、ＩＴＯ等と接触すると、接触抵抗が不安定になる場合があるからである。
【００２８】
ソース電極１０５あるいはドレイン電極１０６を形成したあと、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６をマスクとしてチャンネルエッチングを行う。チャンネル層からｎ＋Ｓｉ層１０４を完全に除去するために、ａ−Ｓｉ層の上部までエッチングを行い、チャンネルエッチング領域１０９が形成される。その後、ＴＦＴ全体を覆って無機パッシベーション膜１０７を形成する。無機パッシベーション膜１０７はＳｉＮによって形成する。無機パッシベーション膜１０７は例えば、４００ｎｍ程度である。
【００２９】
無機パッシベーション膜１０７を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成される。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜としての役割を有するので、厚く形成され、例えば、２μｍ程度の厚さに形成される。有機パッシベーション膜１０８には例えば、アクリル樹脂が使用される。有機パッシベーション膜１０８は感光性のアクリル樹脂が使用され、レジストを使用せずにパターニングを行なうことが出来る。
【００３０】
その後、有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７にコンタクトホール１１３を形成する。ＩＴＯで形成される画素電極１１０とＴＦＴのソース電極１０５との導通をとるためである。有機パッシベーション膜１０８の上には、画素電極１１０となるＩＴＯが形成される。
【００３１】
図２において、画素電極１１０の上には液晶分子を配向させるための配向膜１１１が形成されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間に液晶層３００が挟持されている。液晶層３００の液晶分子は、ＴＦＴ基板１００に形成された配向膜１１１と対向基板２００に形成された配向膜１１１とによって初期配向が規定されている。
【００３２】
図２において、対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタ２０１が形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス２０２はＴＦＴの遮光膜としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００３３】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜２０３の上には、透明導電膜であるＩＴＯによって対向電極２０４が形成されている。ＴＦＴ基板１００の画素に形成された画素電極１１０と、対向基板２００に形成された対向電極２０４との間に電圧を印加することによって液晶分子を回転等させて透過光あるいは反射光を制御することによって画像を形成する。
【００３４】
対向電極２０４の上には、対向基板２００とＴＦＴ基板１００の間隔を規定するための柱状スペーサ２０５が形成されている。柱状スペーサ２０５は、バックライト等の光が透過しない、ブラックマトリクス２０２が形成された部分に形成される。柱状スペーサ２０５のある部分は液晶の配向が乱れ、バックライト等から光漏れが生じ、コントラストが低下する原因となるからである。
【００３５】
柱状スペーサ２０５の高さは、液晶層３００の層厚と同じで、例えば、４μｍである。柱状スペーサ２０５は例えば、感光性のアクリル樹脂によって形成される。アクリル樹脂は対向基板２００全面に塗布され、マスクを使用して露光すると、光の当たった部分のみ、現像液に不溶となって、露光した部分のみが柱状スペーサ２０５として残る。感光性の樹脂を使用することによって、レジスト工程が不要となり、工程が短縮される。
【００３６】
柱状スペーサ２０５および対向電極２０４を覆って配向膜１１１が形成される。ＴＦＴ基板１００に形成された配向膜１１１と対向基板２００に形成された配向膜１１１によって液晶層３００の初期配向が決定され、この配向状態をＴＦＴ基板１００に形成された画素電極１１０と対向基板２００との間に印加される電圧によって液晶分子を回転等させて液晶層３００を透過する光を制御して画像が形成される。
【００３７】
以上説明したように、表示領域１０においては、柱状スペーサ２０５によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔（ギャップ）が規定されているが、本発明においては、シール部においても、柱状スペーサ２０５を使用してＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を規定する。シール材２０にはグラスファイバは混入されておらず、接着材のみである。
【００３８】
表示領域１０とシール部とで、柱状スペーサ２０５によるギャップを正確に同じにするために、ＴＦＴ基板１００に形成された有機パッシベーション膜１０８をシール部においても柱状スペーサ２０５が当る部分には残している。また、シール材２０の接着の信頼性を確保するために、ＴＦＴ基板１００において、シール材２０は無機膜と接するようにしている。また、対向基板２００側においても、好ましくは、シール材２０はガラス基板に直接接触する構成とするのが良い。
【００３９】
図３、図５、図７はシール部付近における本発明の構成を示すものである。図３は図１におけるＡ部における本発明の構成を示す図である。図３（ａ）は平面図である。図３（ａ）において、表示領域１０の周辺にも有機パッシベーション膜１０８が島状に形成されている。しかし、有機パッシベーション膜１０８はシール部全体には形成されていない。シール部全体に有機パッシベーション膜１０８が形成されていると、シール材２０の接着力が問題となってシール部の信頼性を損ねるからである。
【００４０】
図３（ａ）において、表示領域１０外における有機パッシベーション膜１０８の上には柱状スペーサ２０５が配置している。これによってＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を規定している。なお、図３（ａ）では省略しているが、表示領域１０内においても、柱状スペーサ２０５は形成されている。したがって、表示領域１０内と表示領域１０外とにおいて、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔は正確に同じになるように設定されている。
【００４１】
図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面に対応するＴＦＴ基板１００である。図３（ｂ）において、ガラス基板の上にはゲート絶縁膜１０２、無機パッシベーション膜１０７が積層して形成されている。無機パッシベーション膜１０７の上で、対向基板２００に形成される柱状スペーサ２０５が当る部分には、有機パッシベーション膜１０８が島状に形成されている。
【００４２】
図３（ｂ）において、ＴＦＴ基板１００には走査線が配線され、走査線は引き出し線によってＴＦＴ基板１００に形成された端子部に集められるが、引き出し線を配置するためのスペースを節約するために、走査線引き出し線は第１走査線引き出し線５０と第２走査線引き出し線６０の2層構造としている。
【００４３】
図３（ｃ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３（ｃ）は図３（ｂ）のＴＦＴ基板１００に柱状スペーサ２０５が形成された対向基板２００がシール材２０を介して接着した状態を示す図である。柱状スペーサ２０５はＴＦＴ基板１００に形成された有機パッシベーション膜１０８に接するので、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は表示領域１０とシール部とで正確に一致させることが出来る。
【００４４】
図３（ｃ）において、ＴＦＴ基板１００側では、シール材２０は無機パッシベーション膜１０７と接している。無機パッシベーション膜１０７はＳｉＮ膜で形成されており、接着材との接着力は強く、シール部の信頼性を向上させることが出来る。
【００４５】
図３（ｃ）において、シール材２０が形成されている部分よりも表示領域１０側にも柱状スペーサ２０５および対応する島状の有機パッシベーション膜１０８が形成されている。シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔をより正確に規定するためである。
【００４６】
図４は従来例における図１のＡ部に対応する部分である。図４（ａ）は、平面図である。図４（ａ）において、シール材２０中には、図示しないグラスファイバが分散されており、グラスファイバの径によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定している。図４（ａ）において、表示領域１０の外側にまで、有機パッシベーション膜１０８は存在しているが、シール材２０の下までは存在していない。
【００４７】
図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＴＦＴ基板１００のＢ−Ｂ断面図である。シール部に有機パッシベーション膜１０８が形成されていない他は図３（ｂ）と同様である。図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図４（ｃ）において、シール部内には図示しないグラスファイバが分散されている。
【００４８】
一方、ＴＦＴ基板１００のシール部には第１走査線引き出し線５０と第２走査線引き出し線６０が存在している。このために、無機パッシベーション膜１０７の表面には図示しない凹凸が出来ている。凹凸が硬いグラスファイバによって押されると、無機パッシベーション膜１０７あるいはゲート絶縁膜１０２、第１走査線引き出し線５０あるいは第２走査線引き出し線６０が破壊される恐れがある。
【００４９】
これに対して、本発明におけるシール部は柱状スペーサ２０５が有機材料であり、かつ、有機パッシベーション膜１０８を介してＴＦＴ基板１００と接するので、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を接着するときに圧力を加えたとしても、ＴＦＴ基板１００に形成された無機パッシベーション膜１０７等の膜を破壊することは無い。したがって、本発明は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を正確に出せることに加えて、シール材２０のＴＦＴ基板１００との接着力を向上させ、さらにＴＦＴ基板１００に形成された絶縁膜あるいは導電膜を破壊することが無いので、シール部の信頼性を向上させることが出来る。
【００５０】
図５は図１のＢ部すなわち、左上コーナー部におけるシール部を示す図である。図５（ａ）は平面図である。図５（ａ）において、コーナー部には面積の大きな大型柱状スペーサ２０５１が形成されている。コーナーには外力が加わり易いので、大型の柱状スペーサ２０５を使用している。大型柱状スペーサ２０５１であっても、高さは他の柱状スペーサ２０５と同様である。さらに、コーナー部においては、シール材２０の外側にも柱状スペーサ２０５と、それに対応する有機パッシベーション膜１０８が形成されている。コーナー部にかかる外力を、より緩和するためである。
【００５１】
図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図におけるＴＦＴ基板１００のみについて記載したものである。図５（ｂ）において、ＴＦＴ基板１００のゲート絶縁膜１０２の上には、走査線引き出し線が形成されている。この部分は、表示領域１０の最上部に該当するので、走査線引出し線は横方向にのみ延在している。
【００５２】
図５（ｃ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ｃ）は図５（ｂ）のＴＦＴ基板１００に、柱状スペーサ２０５が形成された対向基板２００がシール材２０を介して接着した状態を示す図である。図５（ｃ）において、ＴＦＴ基板１００側では、シール材２０は無機パッシベーション膜１０７と接しており、シール部の信頼性を向上させていることは、図３で説明したとおりである。
【００５３】
図６は図５と対比させた従来例を示す図である。図６（ａ）は平面図である。図６（ａ）において、表示領域１０の外側にまで有機パッシベーション膜１０８は存在しているが、シール部にまでは存在していない。図６（ａ）におけるシール材２０には、図示しないグラスファイバが分散されていることは図４において説明したとおりである。
【００５４】
図６（ｂ）は図６（ａ）のＴＦＴ基板１００におけるＢ−Ｂ断面図である。図６（ｂ）において、有機パッシベーション膜１０８はＴＦＴ基板１００の周辺までには存在していない。図６（ｃ）は、図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。柱状スペーサ２０５は表示領域１０にのみ形成され、シール部には形成されていない。シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔はグラスファイバによって規定されている。
【００５５】
図７は図１のＣ部すなわち、右下コーナー部におけるシール部を示す図である。図７（ａ）は平面図である。図７（ａ）において、シール材２０の内部には柱状スペーサ２０５と、それに対応する有機パッシベーション膜１０８が形成されている。また、シール材２０と表示領域１０の間にも柱状スペーサ２０５と、それに対応する有機パッシベーション膜１０８が形成されている。
【００５６】
図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図におけるＴＦＴ基板１００のみについて記載したものである。図７（ｂ）において、ＴＦＴ基板１００のゲート絶縁膜１０２の上および無機パッシベーション膜１０７上には、走査線引き出し線が形成されている。図７（ｃ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ｃ）は図７（ｂ）のＴＦＴ基板１００に柱状スペーサ２０５が形成された対向基板２００がシール材２０を介して接着した状態を示す図である。図７（ｃ）において、ＴＦＴ基板１００側では、シール材２０は無機パッシベーション膜１０７と接しており、シール部の信頼性を向上させていることは、図３で説明したとおりである。
【００５７】
図８は図７と対比させた従来例を示す図である。図８（ａ）は平面図である。図８（ａ）において、表示領域１０の外側にまで有機パッシベーション膜１０８は存在しているが、シール部にまでは延在していない。図８（ａ）におけるシール材２０には、グラスファイバが分散されていることは図４において説明したとおりである。
【００５８】
図８（ｂ）は図８（ａ）のＴＦＴ基板１００におけるＡ−Ａ断面図である。図８（ｂ）において、有機パッシベーション膜１０８はＴＦＴ基板１００の周辺までには存在していない。図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。柱状スペーサ２０５は表示領域１０にのみ形成され、シール部には形成されていない。シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔はグラスファイバによって規定されている。
【００５９】
図３、図５、図７等では、シール材２０は外側の柱状スペーサ２０５を囲んで形成されている。しかし、シール材２０は最外側の柱状スペーサ２０５を囲むという構成に限る必要は無い。図９の例は、最外側の柱状スペーサ２０５とそれより内側の柱状スペーサ２０５との間にシール材２０を形成した例である。この場合も、シール材２０はＴＦＴ基板１００側においては、無機パッシベーション膜１０７であるＳｉＮ膜と接しており、シール部の信頼性を向上させている。
【００６０】
図１０〜図１２はシール部の信頼性をさらに向上させた構成を示す図である。図１０は、シール部の内部において、柱状スペーサ２０５の外側にａ−Ｓｉおよびｎ＋Ｓｉ層を島状に形成することによって、無機パッシベーション膜１０７の上を粗面化したと同様な効果を持たせ、シール材２０とＴＦＴ基板１００との接着性を向上させている。
【００６１】
図１０（ａ）はシール部の断面図である。シール部内には柱状スペーサ２０５が形成されている。柱状スペーサ２０５は島状に形成されたブラックマトリクス２０２の上に形成されている。柱状スペーサ２０５をブラックマトリクス２０２の上に形成するか、ブラックマトリクス２０２とオーバーコート膜との上に形成するか、さらに蛍光体を積層した上に形成するかは、表示領域１０内部のＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を勘案して決めればよい。
【００６２】
柱状スペーサ２０５の外側にａ−Ｓｉを島状に形成したことによる突起１０３１が形成されている。島状ａ−Ｓｉ１０３１はゲート絶縁膜１０２の上に形成され、島状ａ−Ｓｉ１０３１の上には無機パッシベーション膜１０７がコーティングされている。この結果、無機パッシベーション膜１０７の上が粗面化されたと同じ効果を持ち、接着面積が増加したことによるシール材２０の接着力が増加してシール部の信頼性を向上させる。
【００６３】
図１０（ｂ）はシール部の平面図であり、シール部内に柱状スペーサ２０５が形成され、柱状スペーサ２０５の外側に島状のａ−Ｓｉ１０３１が列状に形成されている。図１０（ｂ）に示す島状のａ−Ｓｉ１０３１の配置は例であり、島状のａ−Ｓｉ１０３１のピッチはより細かくともよいし、より粗くともよい。また、島状のａ−Ｓｉ１０３１の配置はインラインに限ることはなく、ランダムでもよい。
【００６４】
なお、図１０等では、突起はａ−Ｓｉ１０３１で代表させているが、ａ−Ｓｉの上に形成されるｎ＋Ｓｉ層を同時に島状突起１０３１として形成してもよい。ａ−Ｓｉもｎ＋Ｓｉ層も表示領域１０内をパターニングするときに同時にシール部に島状突起を形成することが出来る。因みに、ａ−Ｓｉの厚さは１５０ｎｍ程度、ｎ＋Ｓｉの厚さは２５ｎｍ程度である。
【００６５】
図１１は、シール部の内部において、柱状スペーサ２０５の内側にａ−Ｓｉおよびｎ＋Ｓｉを島状に形成することによって、無機パッシベーション膜１０７の上を粗面化したと同様な効果を持たせ、シール材２０とＴＦＴ基板１００との接着性を向上させている。図１１（ａ）はシール部の断面図であり、図１１（ｂ）はシール部の平面図である。
【００６６】
シール部内において、柱状スペーサ２０５の内側にａ−Ｓｉによる島状突起１０３１が形成されている他は図１０と同様な構成である。図１１のように、突起１０３１を柱状スペーサ２０５の内側に形成しても、シール材２０とＴＦＴ基板１００の接着力を向上させることが出来、シール部の信頼性が向上する。
【００６７】
図１２は、シール部の内部において、柱状スペーサ２０５の両側にａ−Ｓｉおよびｎ＋Ｓｉを島状に形成することによって、無機パッシベーション膜１０７の上を粗面化したと同様な効果を持たせ、シール材２０とＴＦＴ基板１００との接着性を向上させている。図１２（ａ）はシール部の断面図であり、図１２（ｂ）はシール部の平面図である。
【００６８】
シール部内において、柱状スペーサ２０５の両側にａ−Ｓｉによる島状突起１０３１が形成されている他は図１０と同様な構成である。図１２のように、突起１０３１を柱状スペーサ２０５の両側に形成することによって、シール材２０とＴＦＴ基板１００の接着力をさらに向上させることが出来、シール部の信頼性が向上する。
【００６９】
図１３〜図１５はシール部の信頼性を向上させた構成を示す他の例である。図１３は、シール部の内部において、柱状スペーサ２０５の外側にカラーフィルタを島状に形成したカラーフィルタ突起２０１１を形成することによってシール材２０の対向基板２００との接着面積を大きくし、これによってシール材２０の対向基板２００との接着力を大きくして、シール部の信頼性を向上させている。
【００７０】
図１３（ａ）はシール部の平面図である。シール部内には柱状スペーサ２０５が形成されている。柱状スペーサ２０５の外側にカラーフィルタを島状に形成したことによる突起２０１１が形成されている。島状のカラーフィルタ突起２０１１はブラックマトリクス２０２の上に形成してもよいし、ガラス基板に直接形成してもよい。カラーフィルタの厚さは１μｍ〜２μｍであり、カラーフィルタによって形成される突起２０１１は、ＴＦＴ基板１００において、ａ−Ｓｉ等によって形成される突起１０３１よりも大きいので、粗面化の効果はより大きい。
【００７１】
図１３（ｂ）はシール部の断面図である。柱状スペーサ２０５は島状のブラックマトリクス２０２の上に形成されている例である。また、島状蛍光体はガラス基板の上に直接形成されているが、プロセスの要請等によっては、下地にＢＭを配置しても良い。
【００７２】
図１４はシール部内において、島状のカラーフィルタ２０１１を柱状スペーサ２０５の内側に配置した例である。図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は断面図である。島状のカラーフィルタ２０１１が柱状スペーサ２０５の内側に形成されている他は図１３と同様であるので、説明を省略する。
【００７３】
図１５は、シール部内において、島状のカラーフィルタ２０１１を柱状スペーサ２０５の両側に配置した例である。図１５（ａ）は平面図であり、図１５（ｂ）は断面図である。島状のカラーフィルタ２０１１が柱状スペーサ２０５の両側に形成されている他は図１３と同様であるので、説明を省略する。図１５の例では、対向基板２００を粗面化する面積が大きいので、シール材２０と対向基板２００との接着性をより向上させることが出来る。
【実施例２】
【００７４】
実施例１では、最も一般的な、ＴＮタイプの液晶表示装置について説明した。しかし、本発明はＴＮタイプの液晶表示装置に限らず、適用することが出来る。ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置は、液晶分子３０１を横電界によって水平方向に回転させることによって光を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。
【００７５】
図１６はＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示領域１０の断面図である。図２で説明した一般的な液晶表示装置の構成と異なる部分のみについて説明する。図１６において、ＴＦＴ基板１００の上にＴＦＴが形成されており、無機パッシベーション膜１０７の上に有機パッシベーション膜１０８が形成されているところまでは図２と同様である。なお、半導体層１０３の上にはｎ＋Ｓｉ層が形成されているが、図１６においてはｎ＋Ｓｉ層は省略されている。
【００７６】
図１６において、有機パッシベーション膜１０８の上には、平面ベタでＩＴＯによる対向電極２０４が形成されている。対向電極２０４の上には層間絶縁膜１２０が形成され、層間絶縁膜１２０の上には、櫛歯状の画素電極１１０が形成されている。櫛歯電極に映像信号による電圧を印加し、対向電極２０４に基準電圧を印加すると、図１６の矢印のような電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を透過する光の量を制御する。画素電極１１０の上には配向膜１１１が形成されている。
【００７７】
図１６において、対向基板２００にはブラックマトリクス２０２、カラーフィルタ２０１、オーバーコート膜２０３が形成されていることは、図２と同様である。図１６において、オーバーコート膜２０３の上には配向膜１１１が形成されており、対向基板２００には、対向電極２０４は形成されていない。ＩＰＳでは、対向電極２０４はＴＦＴ基板１００に形成されているからである。
【００７８】
ＩＰＳでは、対向基板２００に対向電極２０４が形成されていないので、外部からのノイズが対向基板２００側から進入する。これを防止するために、ＩＰＳでは、表面導電膜２１０が形成され、液晶表示装置の内部をシールドしている。
【００７９】
図１７、図１９、図２１はＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合におけるシール部において、図１の領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃに対応するシール部分の拡大図である。
【００８０】
図１７は図１の領域Ａの拡大図である。図１７（ａ）は平面図である。図１７（ａ）は図３（ａ）と同様であるが、有機パッシベーション膜１０８の上には図示しない層間絶縁膜１２０が形成されている。図１７（ｂ）は図１７（ａ）におけるＴＦＴ基板１００部分のＡ−Ａ断面図である。図１７（ｂ）において、有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上には層間絶縁膜１２０が形成されている。
【００８１】
層間絶縁膜１２０は無機膜であるＳｉＮ膜で形成されているので、シール材２０との接着性は優れている。したがって、シール部の信頼性は、図３等で説明した通常のＴＮ方式の液晶表示装置等に比較してさらに向上させることが出来る。
【００８２】
図１７（ｃ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１７（ｃ）に示すように、柱状スペーサ２０５は有機パッシベーション膜１０８の上に形成された層間絶縁膜１２０に接触している。また、シール材２０はＴＦＴ基板１００側においては、無機膜である層間絶縁膜１２０と接触して、有機パッシベーション膜１０８とは接触していないので、シール部の信頼性は非常に高い。
【００８３】
図１８は、図１７と同じ部分を比較するための従来例である。図１８（ａ）は平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＢ−Ｂ断面図において、ＴＦＴ基板１００の部分のみを示すものである。また、図１８（ｃ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１８は有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上に層間絶縁膜１２０が形成されている他は図４と同様であるので、説明は省略する。
【００８４】
図１９は図１の領域Ｂの拡大図である。図１９（ａ）は平面図である。図１９（ａ）は図５（ａ）と同様であるが、有機パッシベーション膜１０８の上には図示しない層間絶縁膜１２０が形成されている。図１９（ｂ）は図１９（ａ）におけるＴＦＴ基板１００部分のＡ−Ａ断面図であり、図１９（ｃ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１９（ｂ）、図１９（ｃ）等は有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上に層間絶縁膜１２０が形成されている他は図５と同様であるので、説明は省略する。
【００８５】
図２０は、図１９と同じ部分を比較するための従来例である。図２０（ａ）は平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＢ−Ｂ断面図において、ＴＦＴ基板１００の部分のみを示すものである。また、図２０（ｃ）は図２０（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図２０は有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上に層間絶縁膜１２０が形成されている他は図６と同様であるので、説明は省略する。
【００８６】
図２１は図１の領域Ｃの拡大図である。図２１（ａ）は平面図である。図２１（ａ）は図７（ａ）と同様であるが、有機パッシベーション膜１０８の上には図示しない層間絶縁膜１２０が形成されている。図２１（ｂ）は図２１（ａ）におけるＴＦＴ基板１００部分のＡ−Ａ断面図であり、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２１（ｂ）、図２１（ｃ）等は有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上に層間絶縁膜１２０が形成されている他は図７と同様であるので、説明は省略する。
【００８７】
図２２は、図２１と同じ部分を比較するための従来例である。図２２（ａ）は平面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＢ−Ｂ断面図において、ＴＦＴ基板１００の部分のみを示すものである。また、図２０（ｃ）は図２０（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図２０は有機パッシベーション膜１０８および無機パッシベーション膜１０７の上に層間絶縁膜１２０が形成されている他は図８と同様であるので、説明は省略する。
【００８８】
図１７、図１９、図２１等では、シール材２０は外側の柱状スペーサ２０５を囲んで形成されている。しかし、シール材２０は最外側の柱状スペーサ２０５を囲むという構成に限る必要は無い。図２３の例は、最外側の柱状スペーサ２０５とそれより内側の柱状スペーサ２０５との間にシール材２０を形成した例である。この場合も、シール材２０はＴＦＴ基板１００側においては、層間絶縁膜１２０であるＳｉＮ膜と接しており、シール部の信頼性を向上している。
【実施例３】
【００８９】
実施例１および実施例２は、無機パッシベーション膜１０７の上に有機パッシベーション膜１０８が形成されている例である。液晶表示装置によっては、ＴＦＴの保護膜として、有機パッシベーション膜１０８を使用せずに、無機パッシベーション膜１０７のみを使用する場合もある。本発明はこのような場合についても適用することが出来る。
【００９０】
図２４は実施例３におけるシール部の断面模式図である。図２４において、シール部内は柱状スペーサ２０５が形成され、柱状スペーサ２０５によってシール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を規定している。したがって、表示領域１０と同じ間隔を維持することが出来る。
【００９１】
図２４において、シール材２０内には、グラスファイバは分散されていないので、シール部に第１走査線引き出し線５０と第２走査線引き出し線６０の２層の配線が形成されていても、無機パッシベーション膜１０７、ゲート絶縁膜１０２、あるいは走査線引き出し線等が破壊されることは無い。つまり、走査線引出し線が２層構造であると、無機パッシベーション膜の表面の凹凸が大きくなるが、本発明のように、シール部における間隔の設定を硬いグラスファイバでなく、樹脂で形成された柱状スペーサで行なうことによって走査線引出し線等の破壊を防止することができる。
【００９２】
また、シール材２０はＴＦＴ基板１００側においては、ＳｉＮで形成された無機パッシベーション膜１０７と接しているので、接着力は高く、シール部の信頼性が高い。配向膜はＴＦＴ基板１００側においても対向電極２０４側においても、シール部までは存在していない。さらに、図２４の特徴は、シール材２０の外側にも柱状スペーサ２０５が形成されていることである。これによって、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔をシール部において正確に設定することが出来る。
【００９３】
図２５はシール材２０の内部に柱状スペーサ２０５が形成されていることは図２４と同様であるが、柱状スペーサ２０５がシール材２０よりも内側にも形成されている。図２５の構成によっても、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔をシール部において正確に設定することが出来る。
【００９４】
図２６は、シール材２０の内部に柱状スペーサ２０５が形成されていることは図２４と同様であるが、柱状スペーサ２０５がシール材２０の両側に形成されている。図２６の構成は柱状スペーサ２０５がシール材２０の両側にも形成されているので、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔をシール部においてより正確に設定することが出来る。図２４〜図２６は通常のＴＮ方式の液晶表示装置であるが、実施例３の構成は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置についても同様に適用することが出来る。
【００９５】
以上の説明は、実施例１において、通常のＴＮ方式、実施例２において、ＩＰＳ方式の構成に本発明を適用した場合について行なった。しかし、本発明はこれらの液晶表示装置に限らず、いわゆるＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置等に対しても適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】液晶表示装置の平面図である。
【図２】実施例１の液晶表示装置の表示領域の断面図である。
【図３】実施例１おけるシール部の第１の形状である。
【図４】図３に対応する従来例である。
【図５】実施例１おけるシール部の第２の形状である。
【図６】図５に対応する従来例である。
【図７】実施例１おけるシール部の第３の形状である。
【図８】図７に対応する従来例である。
【図９】実施例１におけるシール部の第４の形状である。
【図１０】シール部を粗面化して接着力を向上する第１の構成である。
【図１１】シール部を粗面化して接着力を向上する第２の構成である。
【図１２】シール部を粗面化して接着力を向上する第３の構成である。
【図１３】シール部を粗面化して接着力を向上する第４の構成である。
【図１４】シール部を粗面化して接着力を向上する第５の構成である。
【図１５】シール部を粗面化して接着力を向上する第６の構成である。
【図１６】実施例２の液晶表示装置の表示領域の断面図である。
【図１７】実施例２おけるシール部の第１の形状である。
【図１８】図１７に対応する従来例である。
【図１９】実施例２おけるシール部の第２の形状である。
【図２０】図１９に対応する従来例である。
【図２１】実施例２おけるシール部の第３の形状である。
【図２２】図２１に対応する従来例である。
【図２３】実施例２におけるシール部の第４の形状である。
【図２４】実施例３おけるシール部の第１の形状である。
【図２５】実施例３おけるシール部の第２の形状である。
【図２６】実施例３おけるシール部の第３の形状である。
【符号の説明】
【００９７】
１０…表示領域、  ２０…シール材、  ３０…ＩＣドライバ、  ５０…第１走査線引き出し線、  ６０…第２走査線引き出し線、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ｎ＋Ｓｉ層、  １０５…ソース電極、  １０６…ドレイン電極、  １０７…無機パッシベーション膜、  １０８…有機パッシベーション膜、  １０９…チャンネルエッチング領域、  １１０…画素電極、  １１１…配向膜、  １１３…コンタクトホール、  １２０…層間絶縁膜、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ２０４…対向電極、  ２０５…柱状スペーサ、  ２１０…表面導電膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  １０３１…島状ａ−Ｓｉ、  ２０１１…島状カラーフィルタ、  ２０５１…大型柱状スペーサ。
【図１】
2010139953.tif 000003
【図２】
2010139953.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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