(57)【要約】【課題】焼き付きの発生を抑制する。【解決手段】表示パネル２５は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の画素回路に設けられ、発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有する。そして、温度信号処理回路２６は、表示パネル２５の検出回路から出力される信号に基づいて、温度を算出し、演算回路２８は、温度信号処理回路２６により算出された温度に基づいて、表示パネル２５の発光回路に供給される駆動電流を補正する。本発明は、例えば、有機ＥＬ表示装置に適用できる。【選択図】図２
2010048939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、
前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、
所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路と
を備える表示装置。
【請求項２】
前記検出回路は、
PINダイオード（p-intrinsic-n Diode）を有しており、
前記PINダイオードを順方向バイアス駆動させ、前記PINダイオードのアノードとカソードとの間に定電流を流したときの前記アノードの電位を、前記信号として出力する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出回路は、
PINダイオード（p-intrinsic-n Diode）を有しており、
前記PINダイオードを順方向バイアス駆動させ、前記PINダイオードのアノードとカソードとの間に定電流を流したときの、前記アノードの電位と前記カソードの電位との電位差を、前記信号として出力する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記検出回路は、前記PINダイオードに供給される電流の制御、および、前記信号の出力の制御を行うためのスイッチをさらに有する
請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記検出回路が有する前記PINダイオードは、前記発光回路に隣接する位置に設けられる
請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項６】
マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有する表示手段と、
前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出する温度算出手段と、
前記温度算出手段により算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正する補正手段と
を備える表示制御装置。
【請求項７】
映像の表示を制御する表示制御装置の表示制御方法において、
前記表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有し、
前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出し、
算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正する
ステップを含む表示制御方法。
【請求項８】
映像の表示を制御する表示制御装置として、コンピュータを機能させるプログラムにおいて、
前記表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有し、
前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出する温度算出手段と、
前記温度算出手段により算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正する補正手段と
して、コンピュータを機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示制御装置、および表示制御方法、並びにプログラムに関し、特に、焼き付きの発生を抑制することができるようにした表示装置、表示制御装置、および表示制御方法、並びにプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイ（FPD（Flat Panel Display））のひとつとして、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置への関心が高まっており、有機ＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
現状、液晶表示装置（LCD（Liquid Crystal Display））が、フラットパネルディスプレイの主流を占めている。しかしながら、液晶表示装置は、自発光素子を用いたデバイスではなく、バックライトや偏光板などの照明部材を必要とするため、装置の厚みが増すことや輝度が不足することなどが問題点とされている。これに対して、有機ＥＬ表示装置は、自発光素子を用いたデバイスなので、バックライトなどが原理的に不要であり、薄型化が可能である点や高輝度が得られる点などが、液晶表示装置と比較して有利とされている。
【０００４】
特に、各画素にスイッチングを行うＴＦＴ回路が形成されている、いわゆるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、各画素をホールド点灯させることができ、これにより、消費電力を抑制することができる。また、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、大画面化および高精細化を比較的容易に行うことができることからも、開発が盛んに進められており、次世代のフラットパネルディスプレイの主流として期待されている。
【０００５】
ところで、有機ＥＬ素子は、周辺温度あるいは自己発熱により、その特性が変動したり、劣化したりする。また、映像を表示する際に、その映像に応じて有機ＥＬ素子の温度環境が異なるため、有機ＥＬ素子の劣化状況がパネル内の部分ごとに異なることがある。例えば、有機ＥＬ表示装置をテレビジョン受像機の表示部に用いた場合に、受信チャンネル情報（受信しているチャンネルを表す数字）を画面の隅に表示し続けていると、受信チャンネル情報を表示している箇所の有機ＥＬ素子の劣化が早くなり、いわゆる、焼き付き現象が発生する。
【０００６】
例えば、図１を参照して、焼き付き現象について説明する。
【０００７】
図１には、受信チャンネル情報を表示している状態の画面１１Ａと、焼き付きが発生した状態の画面１１Ｂとが示されている。
【０００８】
例えば、図１に示すように、画面１１Ａの右上隅には受信チャンネル情報として「１２」が表示されており、このような受信チャンネル情報が、長時間、同一位置に表示され続けると、その箇所の有機ＥＬ素子が劣化し、焼き付きが発生する。そして、焼き付きが発生した状態の画面１１Ｂに示すように、明るい映像を表示した際に、受信チャンネル情報が表示されていた箇所（図１で破線の円で囲われている領域内）において、「１２」と暗くなるように焼き付きが発生する。
【０００９】
このような焼き付き現象を緩和あるいは防止する技術として、例えば、特許文献１には、連続して固定的に表示される映像を所定の周期で反転させて表示する技術、または、この映像を所定の周期でずらして表示する技術が開示されている。しかしながら、映像を所定の周期で反転させて表示させる場合には、モノクロ表示に対しては有効であるものの、カラー表示においては反転映像が全く異質な映像となるため、カラー表示に適用させることは困難である。また、映像を所定の周期でずらして表示する場合には、表示位置にずれが生じるため、静止画像の表示には不向きである。
【００１０】
また、例えば、特許文献２には、表示領域外にダミー素子を設け、ダミー画素の劣化度合いとしてダミー画素の有機ＥＬ素子の発光時の端子電圧を検出し、その検出結果に基づいて映像信号を補正することで、寿命を長くする方法が開示されている。しかしながら、ダミー画素の端子電圧の検出結果に基づく補正は、その検出結果から表示領域全体の補正を行うことしかできず、表示領域内の有機ＥＬ素子を部分的に補正することはできないので、部分的に発生する焼き付きを防止することは困難である。
【００１１】
また、例えば、特許文献３には、パネル外周に温度センサを内蔵し、温度センサの出力をフィードバックすることで温度補正を行う方法が開示されている。しかしながら、パネル外周の温度センサを利用する場合には、全体的な温度を検出することができても、主に発熱する表示領域内の温度分布を正確に検出することができないため、部分的に発生する焼き付きを防止することは困難である。
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−２６０５５号公報
【特許文献２】特開２００２−３５１４０３号公報
【特許文献３】特開２００６−２０１７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、従来の焼き付き現象の防止方法では、部分的に発生する焼き付きを抑制することは困難であった。
【００１４】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、焼き付きの発生を抑制することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面の表示装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを備える。
【００１６】
本発明の第２の側面の表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有する表示手段と、前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出する温度算出手段と、前記温度算出手段により算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正する補正手段とを備える。
【００１７】
本発明の第２の側面の表示制御方法は、映像の表示を制御する表示制御装置の表示制御方法であって、前記表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有し、前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出し、算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正するステップを含む。
【００１８】
本発明の第２の側面のプログラムは、映像の表示を制御する表示制御装置として、コンピュータを機能させるプログラムであって、前記表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、前記画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の前記画素回路に設けられ、前記発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有し、前記検出回路から出力される前記信号に基づいて、前記温度を算出する温度算出手段と、前記温度算出手段により算出された前記温度に基づいて、前記発光回路に供給される駆動電流を補正する補正手段として、コンピュータを機能させる。
【００１９】
本発明の第１の側面においては、マトリクス状に配列されている複数の画素回路ごとに設けられた発光回路は、駆動電流に応じて発光する。そして、所定の画素回路に設けられた検出回路は、発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する。
【００２０】
本発明の第２の側面においては、表示制御装置は、マトリクス状に配列されている複数の画素回路と、画素回路ごとに設けられ、駆動電流に応じて発光する発光回路と、所定の画素回路に設けられ、発光回路の輝度に応じて変化する温度に従った信号を出力する検出回路とを有している。そして、検出回路から出力される信号に基づいて、温度が算出され、算出された温度に基づいて、発光回路に供給される駆動電流が補正される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の第１および第２の側面によれば、焼き付きの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図２は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【００２４】
図２において、表示装置２１は、タイミング生成回路２２、走査回路２３、映像信号駆動回路２４、表示パネル２５、温度信号処理回路２６、記憶回路２７、および演算回路２８から構成される。
【００２５】
タイミング生成回路２２には、図示しない前段の回路から、映像信号の区切りを表す所定の周波数の同期信号が供給される。タイミング生成回路２２は、この同期信号に基づいて、走査回路２３、映像信号駆動回路２４、および温度信号処理回路２６における処理のタイミングを決定するタイミング信号を生成し、走査回路２３、映像信号駆動回路２４、および温度信号処理回路２６にそれぞれ供給する。
【００２６】
走査回路２３は、タイミング生成回路２２から供給されるタイミング信号（例えば、垂直同期信号）に従って、表示パネル２５にマトリクス状に配置されている画素を１ラインごとに走査する制御を行う。
【００２７】
映像信号駆動回路２４は、タイミング生成回路２２から供給されるタイミング信号（例えば、水平同期信号）に従い、演算回路２８を介して供給される映像信号に基づいて、表示パネル２５の各画素を駆動させる。
【００２８】
表示パネル２５は、有機ＥＬ素子からなる画素がマトリクス状に配置されており、走査回路２３および映像信号駆動回路２４から供給される信号に応じて、映像を表示する。また、表示パネル２５の各画素には、図３を参照して後述するように、温度検出回路が設けられており、表示パネル２５は、各画素の温度検出回路から出力される信号（例えば、後述する図３のノードＡの電位を示す信号）を、温度信号処理回路２６に供給する。
【００２９】
温度信号処理回路２６には、図６を参照して後述するように、予め求められた、絶対温度Ｔとアノード電位差ΔＶとの測定値を線形近似した式が設定されている。温度信号処理回路２６には、表示パネル２５の各画素が有する温度検出回路から信号が供給され、温度信号処理回路２６は、それらの信号からアノード電位差ΔＶを求め、アノード電位差ΔＶから各画素の絶対温度Ｔを算出する。そして、温度信号処理回路２６は、各画素の絶対温度ＴをA/D変換し、その結果得られる温度データを、画素ごとに記憶回路２７に記憶させる。
【００３０】
記憶回路２７は、温度信号処理回路２６から供給される画素ごとの温度データを記憶する。例えば、記憶回路２７は、映像信号の１フレーム分の温度データを記憶することができる。また、記憶回路２７は、温度データの他、演算回路２８の処理に必要なデータ、例えば、１フレーム分の映像信号や、映像信号を補正する補正係数を記憶する。
【００３１】
演算回路２８には、図示しない前段の回路から映像信号が供給され、演算回路２８は、１フレーム分の映像信号を記憶回路２７に供給して一時的に記憶させる。また、演算回路２８は、１フレーム分の映像信号が供給されると、記憶回路２７に記憶されている、現在のフレームの１フレーム前の映像信号と、１フレーム前の映像信号に基づく映像が表示パネル２５に表示されたときに求められた温度データとを読み出す。そして、演算回路２８は、現在のフレームの映像信号レベルを補正する補正係数を画素ごとに求め、記憶回路２７に一時的に記憶（格納）させる。
【００３２】
例えば、演算回路２８は、１フレーム前の映像信号レベル（輝度値）が大きく、かつ、１フレーム前の映像信号に基づく映像が表示されたときの温度データが、温度が高いことを示している場合、現在のフレームの映像信号レベルを低下させるような補正係数を、画素ごとに求める。例えば、演算回路２８は、映像信号レベルおよび温度データに対応付けられた補正係数のテーブルを有しており、そのテーブルを参照して補正係数を求める。
【００３３】
そして、演算回路２８は、現在のフレームの映像信号レベルと、記憶回路２７に記憶させた補正係数とを画素ごとに乗算し、現在のフレームの映像信号レベルを補正して、補正後の映像信号を、映像信号駆動回路２４に供給する。
【００３４】
このように、表示装置２１では、表示パネル２５を構成する画素ごとに求められた温度データに基づいて、映像信号が補正され、補正後の映像信号に基づく映像が、表示パネル２５に表示される。
【００３５】
次に、図３は、表示パネル２５を構成する１画素に対応する画素回路の回路図である。
【００３６】
図３において、画素回路３１は、発光回路３２および温度検出回路３３を備えて構成されている。
【００３７】
また、画素回路３１の発光回路３２は、走査線（WS）３４および電源線（DS）３５を介して、図２の走査回路２３と接続されており、画素信号線（SIG）３６を介して、図２の映像信号駆動回路２４と接続されている。また、画素回路３１の温度検出回路３３は、読み出し線（READ）３７を介して走査回路２３と接続されており、電流信号線（ISIG）３８および温度検出信号線（SIGT）３９を介して、図２の温度信号処理回路２６と接続されている。
【００３８】
発光回路３２は、書き込みトランジスタ（WSTFT）４１、駆動トランジスタ（DSTFT）４２、蓄積容量（CS）４３、および有機ＥＬ素子４４を備えて構成されている。
【００３９】
書き込みトランジスタ４１のゲートは、走査線３４に接続されており、書き込みトランジスタ４１のドレインは、画素信号線３６に接続されている。書き込みトランジスタ４１のソースは、駆動トランジスタ４２のゲートに接続されており、この接続点には、蓄積容量４３の一端が接続されている。
【００４０】
駆動トランジスタ４２のドレインは、電源線３５に接続されており、駆動トランジスタ４２のソースは、有機ＥＬ素子４４のアノードに接続されている。また、この接続点には、蓄積容量４３の他端が接続されている。そして、有機ＥＬ素子４４のカソードは、所定のカソード電位（CATHODE）に接続されている。
【００４１】
このように構成されている発光回路３２では、走査線３４を介して供給される制御信号のタイミングに従って、画素信号線３６を介して供給される画素信号に応じた電荷が蓄積容量４３に蓄積されて保持され、その電荷に応じた電流が有機ＥＬ素子４４に流れることにより、画素信号に応じた輝度で有機ＥＬ素子４４が発光する。そして、有機ＥＬ素子４４の輝度に応じて、その温度が変化する。
【００４２】
温度検出回路３３は、トランジスタ（TFT）５１および５２、並びにPINダイオード（p-intrinsic-n Diode）５３を備えて構成されている。
【００４３】
トランジスタ５１のゲートは、読み出し線３７に接続されており、トランジスタ５１のドレインは、電流信号線３８に接続されており、トランジスタ５１のソースはPINダイオード５３のアノードに接続されている。以下、適宜、この接続点をノードＡと称し、ノードＡには、トランジスタ５２のドレインが接続されている。また、トランジスタ５２のゲートは、読み出し線３７に接続されており、トランジスタ５２のソースは、温度検出信号線３９に接続されている。また、PINダイオード５３のカソードは、例えば、所定の基準電位（COM）に接続される。
【００４４】
このように構成されている温度検出回路３３では、表示パネル２５が映像を１フレーム表示するたびに、即ち、発光回路３２において、有機ＥＬ素子４４が画素信号に応じて発光するたびに、温度検出回路３３からノードＡの電位を２回読み出す処理が行われる。
【００４５】
即ち、図４を参照して、温度検出回路３３のノードＡの電圧を読み出す動作のタイミングについて説明する。
【００４６】
図４には、読み出し線３７を介してトランジスタ５１および５２に供給される読み出し信号の電位、電流信号線３８を介してPINダイオード５３に流される電流の電流値、および、ノードＡの電位が示されている。
【００４７】
まず、電流信号線３８には、温度信号処理回路２６から電流値ＩＦ１が出力されている。そして、１回目のノードＡの電位の読み出しが開始されるタイミングで、読み出し信号の電位が低電位から高電位に切り替えられることにより、トランジスタ５１および５２がＯＮ状態になる。トランジスタ５１がＯＮ状態にされることにより、電流信号線３８を介して電流値ＩＦ１の定電流がPINダイオード５３に供給され、これにより、ノードＡの電位がＶ１になる。同時に、トランジスタ５１がＯＮ状態にされることにより、ノードＡの電位Ｖ１が温度検出信号線３９を介して出力される。その後、読み出し信号の電位が高電位から低電位に切り替えられる。
【００４８】
そして、温度信号処理回路２６から電流信号線３８に出力される電流が電流値ＩＦ１から電流値ＩＦ２に低下し、所定時間が経過した後に、２回目のノードＡの電位の読み出しが開始されるタイミングで、読み出し信号の電位が低電位から高電位に切り替えられる。これにより、トランジスタ５１および５２がＯＮ状態になり、電流値ＩＦ２の定電流がPINダイオード５３に供給されるのに応じて、ノードＡの電位がＶ２になり、ノードＡの電位Ｖ２が温度検出信号線３９を介して出力される。その後、読み出し信号の電位が高電位から低電位に切り替えられる。
【００４９】
このように、温度検出回路３３は、PINダイオード５３に電流値ＩＦ１の定電流が流されたときのPINダイオード５３のアノード電位Ｖ１と、PINダイオード５３に電流値ＩＦ２の定電流が流されたときのPINダイオード５３のアノード電位Ｖ２とを、温度信号処理回路２６に出力する。そして、温度信号処理回路２６は、PINダイオードの温度特性に基づき、アノード電位Ｖ１とアノード電位Ｖ２との電位差から、絶対温度を算出する。
【００５０】
次に、図５を参照して、PINダイオードの順方向バイアス時の温度特性について説明する。
【００５１】
図５において、横軸は、PINダイオードのアノード・カソード間電圧を示しており、縦軸は、PINダイオードのアノードから順方向に流れる順方向電流を示している。ここで、図３の温度検出回路３３では、所定の基準電位に対するPINダイオード５３のアノード電位が出力されるが、図５においては、PINダイオードのカソード電位に対するアノード電位、即ち、アノード・カソード間電圧について説明する。
【００５２】
例えば、PINダイオードのアノードから順方向に順方向電流ＩＦ１を流したときの電圧Ｖ１と、順方向電流ＩＦ２（ＩＦ１＞ＩＦ２）を流したときの電圧Ｖ２とのアノード電位差ΔＶの温度依存性は、次の式（１）で表される。
【００５３】
【数１】
2010048939.tif 000003
・・・（１）
【００５４】
但し、式（１）において、ηは製造プロセスにおける係数であり、ｋはボルツマン係数であり、Ｔは絶対温度であり、ｑは電子１個の電荷量である。
【００５５】
従って、アノード電位差ΔＶ（Ｖ１−Ｖ２）と、順方向電流ＩＦ１およびＩＦ２とを取得することにより、図２の温度信号処理回路２６は、式（１）を算出することにより、PINダイオードの絶対温度Ｔを求めることができる。
【００５６】
また、図６は、PINダイオードの温度依存特性を示す図である。
【００５７】
図６において、横軸は、アノード電位差ΔＶを示しており、縦軸は、絶対温度Ｔを示している。図６には、順方向電流ＩＦ１およびＩＦ２として100μＡおよび1μＡを流したときに計測されたアノード電位差ΔＶと、そのときに計測された絶対温度Ｔとが示されている。
【００５８】
図６に示すように、アノード電位差ΔＶは、絶対温度Ｔに対して線形に変化しており、線形近似すると、図６中に示されている式が求められる。例えば、このようにして求められた線形近似式を、図２の温度信号処理回路２６に設定することができる。そして、温度信号処理回路２６は、順方向電流ＩＦ１およびＩＦ２がPINダイオード５３に流されたときのアノード電位Ｖ１およびＶ２を読み出し、アノード電位差ΔＶを算出して各画素の温度を求め、温度データを記憶回路２７に記憶させる。
【００５９】
このように、表示装置２１では、画素回路３１ごとに温度検出回路３３を設けることで、各画素の温度を検出することができる。そして、演算回路２８が、このようにして記憶回路２７に記憶された温度データを読み出して補正係数を求め、映像信号を補正する。
【００６０】
次に、図７は、図２の表示装置２１が、画素ごとの温度データに基づいて補正係数を求め、映像を補正して表示する処理を説明するフローチャートである。例えば、前段の回路から演算回路２８に１フレーム分の映像信号が供給されるたびに処理が行われ、所定の１フレームに対する処理が行われるときには、そのフレームの１フレーム前の映像信号が、記憶回路２７に記憶されている。
【００６１】
ステップＳ１１において、演算回路２８は、前段の回路から供給される１フレーム分の映像信号を受信し、処理はステップＳ１２に進む。
【００６２】
ステップＳ１２において、温度信号処理回路２６は、図３の画素回路３１ごとに、温度検出回路３３からノードＡの電位Ｖ１およびＶ２を読み出し、処理はステップＳ１３に進む。ここで、温度検出回路３３からは、１フレーム前の映像が表示されていたときのノードＡの電位Ｖ１およびＶ２が読み出される。
【００６３】
ステップＳ１３において、温度信号処理回路２６は、PINダイオード５３の温度特性に基づいて、ノードＡの電位Ｖ１およびＶ２からPINダイオード５３の絶対温度Ｔを算出する。温度信号処理回路２６は、画素ごと、即ち、画素回路３１ごとに求めた絶対温度ＴをA/D変換し、その結果得られる温度データを記憶回路２７に記憶させる。
【００６４】
ステップＳ１３の処理後、処理はステップＳ１４に進み、演算回路２８は、記憶回路２７に記憶されている１フレーム前の映像信号、および、ステップＳ１３で記憶された画素ごとの温度データを記憶回路２７から読み出す。そして、演算回路２８は、映像信号および温度データに基づいて、画素ごとに補正係数を求めて記憶回路２７に記憶させ、処理はステップＳ１５に進む。
【００６５】
ステップＳ１５において、演算回路２８は、ステップＳ１４で記憶回路２７に記憶させた補正係数を画素ごとに読み出し、ステップＳ１１で受信した映像信号に含まれる、その画素に対応する画素値と乗算することにより、映像信号を画素ごとに補正する。
【００６６】
ステップＳ１５の処理後、処理はステップＳ１６に進み、演算回路２８は、補正後の映像信号を映像信号駆動回路２４に供給して表示パネル２５に表示させる。また、演算回路２８は、記憶回路２７に記憶されていた１フレーム前の映像信号を、現在の映像信号で書き換え（更新し）、処理は終了する。
【００６７】
以上のように、表示装置２１では、温度信号処理回路２６が、表示パネル２５の各画素の温度を算出し、演算回路２８が、その温度に基づいて映像信号を補正する補正係数を求めて、映像信号を補正する。従って、例えば、ある画素の温度が高ければ、その画素に対応する映像信号の輝度値を下げるような補正をすること、即ち、画素ごとに映像信号を補正することができる。このような温度フィードバックを行い、映像信号を補正することで、即ち、発光回路３２の有機ＥＬ素子４４に供給される電流を補正することで、表示パネル２５の温度が部分的に上昇することを回避することができ、焼き付きが発生することを抑制することができる。これにより、焼き付きによる画質の低下を回避することができ、表示パネル２５の長寿命化を図ることができる。
【００６８】
特に、図１を参照して説明したように、受信チャンネル情報などを表示し続けると、その箇所の温度が上昇することで有機ＥＬ素子が劣化し、焼き付きが発生することが考えられる。これに対し、表示装置２１では、温度に応じて、受信チャンネル情報が表示されている箇所の輝度を画素ごとに調整することができるので、有機ＥＬ素子の部分的な劣化を抑制することができる。
【００６９】
また、画素回路３１において、温度検出回路３３をPINダイオード５３により構成することで、発光回路３２を製造するプロセスで、温度検出回路３３を製造することができる。これにより、従来のプロセスから変更することなく、低コストで、温度検出回路３３を容易に製造することができる。
【００７０】
また、図３に示したように、温度検出回路３３において、PINダイオード５３が、発光回路３２の近傍となる位置、特に、有機ＥＬ素子４４の近傍に設けられていることで、PINダイオード５３より、発光回路３２の温度変化をより正確に検出することができる。
【００７１】
また、温度検出回路３３は、PINダイオード５３のアノード電位を検出するために、２つのトランジスタ５１および５２からなる簡易な回路構成で実現することができる。
【００７２】
なお、温度信号処理回路２６は、PINダイオード５３のアノード電位から画素の温度を求める他、例えば、PINダイオード５３のアノードとカソードとの間の電圧から、画素の温度を求めるようにしてもよい。この場合、画素回路には、PINダイオード５３のカソードの電位を読み出すためのトランジスタが設けられる。
【００７３】
即ち、図８は、画素回路の他の実施の形態の回路図である。
【００７４】
なお、図中、図３の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
【００７５】
即ち、図８において、発光回路３２は、書き込みトランジスタ４１、駆動トランジスタ４２、蓄積容量４３、および有機ＥＬ素子４４を有する点で、図３の場合と共通し、温度検出回路３３は、トランジスタ５１および５２、並びにPINダイオード５３を有する点で、図３の場合と共通する。また、走査線３４、電源線３５、読み出し線３７を介して走査回路２３と接続され、画素信号線３６を介して映像信号駆動回路２４と接続され、電流信号線３８および温度検出信号線３９を介して温度信号処理回路２６と接続されている点で、図３の場合と共通する。
【００７６】
但し、図８の温度検出回路３３’は、トランジスタ６１が新たに設けられ、温度検出信号線（SIGC）６２を介して温度信号処理回路２６と接続されている点で、図３の場合と相違する。
【００７７】
図８の画素回路３１’の温度検出回路３３’では、トランジスタ６１のゲートが読み出し線３７に接続されており、トランジスタ６１のドレインがPINダイオード５３のカソードに接続されており、トランジスタ６１のソースが温度検出信号線６２に接続されている。トランジスタ６１は、トランジスタ５２と同時にＯＮ状態となり、PINダイオード５３のカソード電位を温度検出信号線６２を介して温度信号処理回路２６に供給する。
【００７８】
温度信号処理回路２６には、温度検出信号線３９を介してPINダイオード５３のアノード電位が供給されるとともに、温度検出信号線６２を介してPINダイオード５３のカソード電位が供給される。そして、温度信号処理回路２６は、PINダイオード５３のアノード・カソード間電圧に基づいて、PINダイオード５３の温度を算出する。
【００７９】
このように、PINダイオード５３のアノード・カソード間電圧を用いて温度を算出することで、アノード電位を用いた場合よりも、より正確にPINダイオード５３の温度を算出することができる。
【００８０】
なお、本実施の形態では、発光回路３２が１フレームの映像信号に応じて発光するたびに、温度検出回路３３が温度を検出しているが、発光回路３２と温度検出回路３３とは独立して制御することができる。即ち、例えば、発光回路３２が、所定数のフレームに応じて所定数の発光が行われる間に、温度検出回路３３が温度の検出を１回行うようにしてもよい。このように、温度検出回路３３により温度を検出する間隔が長なることで、演算回路２８における処理の負担を軽減することができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、表示パネル２５の画素回路３１ごとに、温度検出回路３３が設けられているが、画素回路３１は、例えば、ＲＧＢからなる１画素ごとに設けたり、表示パネル２５を複数の領域に分け、それらの領域ごとに設けたりしてもよい。このように温度検出回路３３の数を削減することで、検出する温度データの数が少なくなり、記憶回路２７を小さくすることや、処理を高速化することができる。
【００８２】
また、全ての画素回路３１に温度検出回路３３を設け、適宜、サンプリングする温度検出回路３３を調整し、所定数の画素回路３１ごとに温度データを検出するようにしてもよい。
【００８３】
また、図３に示されているように、発光回路３２は、２Ｔｒ(transistor)＋１Ｃ(capacitor)回路を採用しているが、発光回路３２として、どのような形式のものを採用してもよい。
【００８４】
なお、上述のフローチャートを参照して説明した各処理は、必ずしもフローチャートとして記載された順序に沿って時系列に処理する必要はなく、並列的あるいは個別に実行される処理（例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理）も含むものである。また、演算回路２８が処理を実行するためのプログラムは、演算回路２８にあらかじめ記憶されているものの他、例えば、図示しない通信部を介して演算回路２８に新たに記憶させる（プログラムを更新させる）ことができる。
【００８５】
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】焼き付き現象について説明する図である。
【図２】本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図３】表示パネル２５を構成する１画素に対応する画素回路の回路図である。
【図４】温度検出回路３３のノードＡの電圧を読み出す動作のタイミングについて説明する図である。
【図５】PINダイオードの順方向バイアス時の温度特性について説明する図である。
【図６】PINダイオードの温度依存特性を示す図である。
【図７】表示装置２１が、画素ごとの温度データに基づいて補正係数を求め、映像を補正して表示する処理を説明するフローチャートである。
【図８】画素回路の他の実施の形態の回路図である。
【符号の説明】
【００８７】
２１  表示装置，  ２２  タイミング生成回路，  ２３  走査回路，  ２４  映像信号駆動回路，  ２５  表示パネル，  ２６  温度信号処理回路，  ２７  記憶回路，  ２８  演算回路，  ３１  画素回路，  ３２  発光回路，  ３３  温度検出回路，  ３４  走査線，  ３５  電源線，  ３６  画素信号線，  ３７  読み出し線，  ３８  電流信号線，  ３９  温度検出信号線，  ４１  書き込みトランジスタ，  ４２  駆動トランジスタ，  ４３  蓄積容量，  ４４  有機ＥＬ素子，  ５１および５２  トランジスタ，  ５３  PINダイオード，  ６１  トランジスタ，  ６２  温度検出信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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