(57)【要約】【課題】回転塗布によるウエハ面内での塗布物の膜厚の均一性を高める。【解決手段】ウエハ２００の外周部がウエハ２００の中心部よりも高くなるようにウエハ２００を強制的に反らせた状態で、ウエハ２００上に塗布物２０１を回転塗布する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に塗布物を回転塗布することを特徴とする回転塗布方法。
【請求項２】
カラーフィルタ層を有する固体撮像素子の製造方法であって、
ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に前記カラーフィルタ層となる塗布物を回転塗布する段階を、備えたことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に塗布物を回転塗布する段階を、備えたことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４】
ウエハ上に塗布物を回転塗布する回転塗布装置であって、前記ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で前記ウエハを支持する支持部を備えたことを特徴とする回転塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト等の塗布物をウエハ上に回転塗布する回転塗布方法及びその装置、並びに、これを用いた固体撮像素子の製造方法及びデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラや電子スチルカメラなどには、ＣＣＤ型、ＣＭＯＳ型等の固体撮像素子が使用されている。このような固体撮像素子では、カラー画像を得るために、光電変換部の上方にオンチップでカラーフィルタ層が形成されている（例えば、下記特許文献１）。通常は、このカラーフィルタ層は、顔料等の色素を有するカラーレジストを回転塗布（スピンコート）し、このカラーレジストを露光・現像してパターニングすることによって、形成されている。
【０００３】
また、固体撮像素子以外の半導体デバイスやその他の種々のデバイスを製造する際にも、種々の塗布物がウエハ上に回転塗布されている。例えば、回路パターン等をフォトリソグラフィにより形成する際に用いるレジストを、ウエハ上に塗布する場合に、前記レジストが塗布物としてウエハ上に回転塗布されている。また、絶縁膜としてスピンオングラス（ＳＯＧ）膜を用いる場合、スピンオングラスが塗布物としてウエハ上に回転塗布されている。
【０００４】
下記特許文献２には、レジスト等の塗布物の回転塗布に用いられる回転塗布装置の例が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１７９７２８号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
回転塗布は、ウエハの内周部と外周部とでは線速度が異なるため、回転塗布でウエハ上に形成された塗布物の膜厚は、ウエハ中心から外周に向かって次第に薄くなる傾向の分布を持つ。ところが、従来の回転塗布方法及びその装置では、この分布に対して配慮がなされておらず、ウエハの面内での塗布物の膜厚の均一性は必ずしも十分ではなかった。特に、最近のウエハの大口径化により、塗布物の膜厚の均一性が一層低下してしまう。
【０００６】
ウエハの面内での塗布物の膜厚の均一性が不十分であると、種々の不都合が生ずる。固体撮像素子においては、カラーレジストの回転塗布を利用してカラーフィルタ層を形成する場合、例えば、直径２００ｍｍのウエハにカラーレジストを１．０μｍの膜厚で塗布しようとすると、ウエハの中心部のカラーレジストの膜厚とウエハの外周部のカラーレジストの膜厚とで、約１０％の差が生ずる場合がある。この膜厚差はカラーフィルタ層の透過率の差となり、光センサとしての感度約１０％の差となって現れる。
【０００７】
また、固体撮像素子やその他の各種のデバイスにおいて、回路配線をパターニングする際に用いるレジストを、ウエハ上に回転塗布する場合、パターニングされる回路配線の線幅の面内でのバラツキが大きくなり、素子性能のバラツキの増大や歩留りの低下を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウエハの面内での塗布物の膜厚の均一性を高めることができる回転塗布方法及びその装置、並びに、この回転塗布方法を用いた固体撮像素子の製造方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による回転塗布方法は、ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に塗布物を回転塗布するものである。
【００１０】
本発明の第２の態様による固体撮像素子の製造方法は、カラーフィルタ層を有する固体撮像素子の製造方法であって、ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に前記カラーフィルタ層となる塗布物を回転塗布する段階を、備えたものである。
【００１１】
本発明の第３の態様によるデバイスの製造方法は、ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で、前記ウエハ上に塗布物を回転塗布する段階を、備えたものである。前記デバイスは、固体撮像素子やその他の半導体デバイスやその他の各種のデバイス（例えば、ＭＥＭＳデバイスやマイクロマシンデバイスなどの半導体製造技術を利用して製造されるデバイス）を含む。
【００１２】
本発明の第４の態様による回転塗布装置は、ウエハ上に塗布物を回転塗布する回転塗布装置であって、前記ウエハの外周部が前記ウエハの中心部よりも高くなるように前記ウエハを強制的に反らせた状態で前記ウエハを支持する支持部を備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ウエハの面内での塗布物の膜厚の均一性を高めることができる回転塗布方法及びその装置、並びに、この回転塗布方法を用いた固体撮像素子の製造方法及びデバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明による回転塗布方法及びその装置、並びに、この回転塗布方法を用いた固体撮像素子の製造方法及びデバイスの製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１５】
［第１の実施の形態］
【００１６】
図１乃至図３は、本発明の第１の実施の形態による回転塗布装置（スピンコート装置）１０１の要部を模式的に示す概略断面図である。図１はウエハ２００のセットの過程（スピンチャック本体１１１による真空吸着前の状態）を示し、図２はウエハ２００のセット終了後でかつ塗布物２０１の塗布前の状態を示し、図３は塗布物２０１の塗布後の状態を示している。
【００１７】
本実施の形態による回転塗布装置１０１は、ウエハ２００の外周部がウエハ２００の中心部よりも高くなるようにウエハ２００を強制的に反らせた状態でウエハ２００を支持する支持部としての、スピンチャック１１０と、ウエハ２００上にレジスト等の塗布物２０１を供給する供給ノズル１１３とを備えている。
【００１８】
本実施の形態では、スピンチャック１１０は、図示しないモータ等により矢印Ｘで示すように回転し得るチャック本体１１１と、チャック本体１１１の側面の上部側に固着された大径部材１１２とを有している。なお、図面には示していないが、スピンチャック１１０及び供給ノズル１１３は、必要に応じて、所定のチャンバ内に配置される。
【００１９】
チャック本体１１１は図示しない真空装置に接続されており、チャック本体１１１の上面が、ウエハ２００の下面の中央付近を真空吸着する真空吸着面１１１ａとなっている。大径部材１１２の上面には、平面視でリング状の突起１１２ａが設けられている。図１に示すように、ウエハ２００が真空吸着面１１１ａに吸着されていない状態で、突起１１２ａ上にウエハ２００を載置したときに、ウエハ２００の下面とチャック本体１１１の真空吸着面１１１ａとの間に、所定の間隙があくようになっている。突起１１２ａは、平面視でリング状部材が１つ設けられているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、リング状部材を真空吸着面１１１ａに対して同心円状に複数設けてもよい。その場合、リング状部材の高さは、真空吸着面１１１ａ近傍から大径部材１１２の周辺部に向かって、順次高くなるように設定する。そのような構成にすれば、ウエハ２００の中心部から外周部までを、その中心部よりも外周部が高くなるように確実に支持できる。
【００２０】
また、突起１１２ａはリング形状に限定されるものではなく、複数の突起１１２ａを大径部材１１２の上面に分散して設けてもよい（例えば、平面視で１２０度ずつをなす３箇所）。またさらに、突起１１２ａは、真空吸着面１１１ａを中心として放射状に設けてもよい。この場合、突起１１２ａの高さは、真空吸着面１１１ａ近傍から大径部材１１２の周辺部に向かって、次第に高くなるように設定する。そのような構成によれば、ウエハ２００をその外周部が中央部よりも高くなるように確実に支持できる。
【００２１】
したがって、図１に示すようにウエハ２００を突起１１２ａ上に載置した後、真空吸着面１１１ａにウエハ２００の下面の中央付近を真空吸着させると、図２に示すように、ウエハ２００の外周部がウエハ２００の中心部よりも高くなるようにウエハ２００が強制的に反らされた状態で、ウエハ２００が支持される。ウエハ２００の反りの程度は、真空吸着面１１１ａに対する突起１１２ａの相対的な高さで決定される。本実施の形態では、真空吸着面１１１ａに対する突起１１２ａの高さは固定されたままであるが、例えば、大径部材１１２をチャック本体１１１に対して相対的に上下方向に移動させて突起１１２ａの高さを調整可能とする調整機構を設けてもよい。この場合には、真空吸着面１１１ａに対する突起１１２ａの高さを調整することで、ウエハ２００の反りの程度、ひいては塗布物２０１の膜厚の均一性をウエハ２００の径などに応じて適宜調整することができる。
【００２２】
本実施の形態による回転塗布装置１０１を用いてウエハ２００上に塗布物２０１を塗布する場合、図３に示すようにウエハ２００をスピンチャック１１０に保持した状態で、スピンチャック１１０を回転させながら、供給ノズル１１３から塗布物２０１をウエハ２００上の中央付近に供給することで、塗布物２０１をウエハ２００上に回転塗布する。なお、供給ノズル１１３は、図示しない移動機構によって、必要に応じて、図１乃至図３に示す位置に進出させたり図示しない待避位置に待避させたりできるようになっている。
【００２３】
図４及び図５は、本実施の形態による回転塗布装置１０１と比較される比較例による回転塗布装置３０１の要部を模式的に示す概略断面図である。図４はウエハ２００のセット終了後でかつ塗布物２０１の塗布前の状態を示し、図５は塗布物２０１の塗布後の状態を示している。図４及び図５において、図１乃至図３中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００２４】
この比較例による回転塗布装置３０１は、従来の回転塗布装置に相当している。この比較例による回転塗布装置３０１が本実施の形態による回転塗布装置１０１と異なる所は、大径部材１１２が取り除かれて、スピンチャック１１０がチャック本体１１１だけで構成されている点のみである。
【００２５】
この比較例による回転塗布装置３０１では、大径部材１１２がないので、図４に示すように、真空吸着面１１１ａにウエハ２００の下面の中央付近を真空吸着させても、ウエハ２００が強制的に反らされることはない。この比較例による回転塗布装置３０１を用いてウエハ２００上に塗布物２０１を塗布する場合、図４に示すようにウエハ２００をスピンチャック１１０に保持した状態で、スピンチャック１１０を回転させながら、供給ノズル１１３から塗布物２０１をウエハ２００上の中央付近に供給することで、塗布物２０１をウエハ２００上に回転塗布する。
【００２６】
この比較例による回転塗布装置３０１では、ウエハ２００の内周部と外周部とでは線速度が異なるため、ウエハ２００は強制的に反らされていないことから、、図５に示すように、回転塗布でウエハ２００上に形成された塗布物２０１の膜厚は、ウエハ２００中心から外周に向かって次第に薄くなってしまう。なお、理解を容易にするため、図５では、この膜厚分布を誇張して示している。
【００２７】
これに対し、本実施の形態による回転塗布装置１０１では、ウエハ２００の外周部がウエハ２００の中心部よりも高くなるようにウエハ２００を強制的に反らせた状態で、ウエハ２００上に塗布物２０１が回転塗布されるので、ウエハ２００の外周部が塗布物２０１をある程度堰き止めようとするような作用を担うため、図３に示すように、ウエハ２００の面内での塗布物２０１の膜厚の均一性が高まる。
【００２８】
なお、塗布物２０１としては、例えば、カラーレジスト、その他のレジスト、スピンオングラス（ＳＯＧ）などでもよい。ウエハ２００としては、シリコンウエハを挙げることができるが、これに限定されるものではない。
【００２９】
［第２の実施の形態］
【００３０】
図６は、本発明の第２の実施の形態によるデバイス製造方法としての固体撮像素子製造方法により製造されるデバイスとしての固体撮像素子１の一例を示す概略構成図である。この固体撮像素子１は、ＣＭＯＳ型固体撮像素子として構成されている。もっとも、本発明による固体撮像素子の製造方法は、ＣＣＤ型などの他の固体撮像素子の製造方法にも適用可能である。
【００３１】
図６に示すように、この固体撮像素子１は、一般的なＣＭＯＳ型固体撮像素子と同様に、垂直走査回路２と、水平走査回路３と、２次元状に配置された複数の単位画素４と、読み出し回路５と、出力アンプ６とを有している。各画素４のフォトダイオード１５（図６では図示せず。図７参照）が出力する電気信号が垂直走査回路２によって読み出し回路５に行単位で取り出され、水平走査回路３によって列単位で出力アンプ６を介して出力端子７に画像信号として出力されるようになっている。
【００３２】
図７は、図６中の単位画素４を示す回路図である。各画素４は、図６に示すように、選択トランジスタ１１と、ソースフォロアの増幅トランジスタ１２と、リセットトランジスタ１３と、転送トランジスタ１４と、光電変換を行う受光部としてのフォトダイオード１５とから構成されている。図７において、Ｖｃｃは電源である。
【００３３】
図６及び図７に示すように、画素４の選択トランジスタ１１のゲートは行毎に選択線２０に共通に接続されている。画素４のリセットトランジスタ１３のゲートは、行毎にリセット線２１に共通に接続されている。画素４の転送トランジスタ１４のゲートは、行毎に転送線２２に共通に接続されている。画素４の選択トランジスタ１１のソースは、列毎に垂直信号線２３に共通に接続されている。選択線２０、リセット線２１及び転送線２２は、垂直走査回路２に接続されている。垂直信号線２３は、読み出し回路５に接続されている。
【００３４】
図８は、図６に示す固体撮像素子１の一部を模式的に示す概略断面図である。図８は、所定方向に並んだ複数の画素４を大幅に簡略化してその主要部のみを模式的に示している。
【００３５】
この固体撮像素子１では、図８に示すように、各画素４において、シリコン基板３１にフォトダイオード１５が設けられている。シリコン基板３１上には、例えばシリコン酸化膜からなる層間膜３２〜３４が、下側（基板３１側）から順に形成されている。また、図８に示すように、１層目アルミニウム配線層３５、２層目アルミニウム配線層３６及び３層目アルミニウム配線層３７が形成され、これらによって、図６及び図７に示す回路の配線がなされている。３層目のアルミニウム配線層３７は、各画素４の有効受光領域以外を覆う遮光膜の役割も果たしている。なお、図面には示していないが、各画素４の図７に示す回路や図６中の他の回路も、シリコン基板３１に搭載されている。
【００３６】
また、この固体撮像素子１では、図８に示すように、３層目のアルミニウム配線層３７より上側の位置において、窒化シリコン膜等のパッシベーション膜（保護膜）３８、平坦化層４０、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ、平坦化層４２、及び、入射光をフォトダイオード１５に集光させるマイクロレンズ４３が設けられている。図８では、理解を容易にするため、各列において各画素４毎に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂが順次に並んでいるかのように示しているが、実際には、例えばベイヤー配列に従って配列される。マイクロレンズ４３も、各画素４毎に形成されている。
【００３７】
次に、本発明の第２の実施の形態によるデバイス製造方法として、図６乃至図８に示す固体撮像素子１の製造方法について、図９乃至図１６を参照して説明する。図９は、シリコンウエハ５１の各領域５２，５３を模式的に示す概略平面図である。図１０乃至図１６は、本実施の形態による製造方法の主要な工程を模式的に示す概略断面図である。
【００３８】
まず、複数の固体撮像素子１を一括して製造するべく、シリコンウエハ５１を用意する。このシリコンウエハ５１は、最後にチップ毎に分割することで、各固体撮像素子１の前記シリコン基板３１となる。シリコンウエハ５１は、各々が個々の固体撮像素子１となる複数のチップ領域５２と、チップ領域５２外の外周部５３とを有している。このシリコンウエハ５１上に、従来の固体撮像素子と同様に半導体製造プロセスを利用して、平坦化層４０までの構造（図６及び図７に示す回路を含む。）を、複数の固体撮像素子１の分だけ一括して作製する（図１０）。
【００３９】
次に、平坦化層４０までの構造が作製されたウエハ５１上に、前述した図１乃至図３に示す第１の実施の形態による回転塗布装置１０１を用いて、赤色のカラーレジスト４１Ｒ’を回転塗布する（図１１）。ここでは、前述した第１の実施の形態の説明において、ウエハ２００を、平坦化層４０までの構造が作製されたウエハ５１と読み替えるとともに、塗布物２０１を赤色のカラーレジスト４１Ｒ’と読み替えられたい。したがって、本実施の形態では、図４及び図５に示す回転塗布装置３０１を用いる場合に比べて、ウエハ５１の面内での赤色のカラーレジスト４１Ｒ’の膜厚の均一性が高まる。
【００４０】
引き続いて、赤色のカラーレジスト４１Ｒ’を、露光及び現像してパターニングすることで、赤色のカラーフィルタ層４１Ｒとする（図１２）。
【００４１】
次に、前述した赤色のカラーレジスト４１Ｒ’の場合と同様に、図１２に示す状態のウエハ５１上に、前述した図１乃至図３に示す第１の実施の形態による回転塗布装置１０１を用いて、緑色のカラーレジスト４１Ｇ’を回転塗布する（図１３）。ここでは、前述した第１の実施の形態の説明において、ウエハ２００を、図１２に示す状態のウエハ５１と読み替えるとともに、塗布物２０１を緑色のカラーレジスト４１Ｇ’と読み替えられたい。したがって、本実施の形態では、図４及び図５に示す回転塗布装置３０１を用いる場合に比べて、ウエハ５１の面内での緑色のカラーレジスト４１Ｇ’の膜厚の均一性が高まる。
【００４２】
引き続いて、緑色のカラーレジスト４１Ｇ’を、露光及び現像してパターニングすることで、緑色のカラーフィルタ層４１Ｇとする（図１４）。
【００４３】
次いで、前述したカラーレジスト４１Ｒ’，４１Ｇ’の場合と同様に、図１４に示す状態のウエハ５１上に、前述した図１乃至図３に示す第１の実施の形態による回転塗布装置１０１を用いて、青色のカラーレジスト４１Ｂ’を回転塗布する（図１５）。ここでは、前述した第１の実施の形態の説明において、ウエハ２００を、図１４に示す状態のウエハ５１と読み替えるとともに、塗布物２０１を青色のカラーレジスト４１Ｂ’と読み替えられたい。したがって、本実施の形態では、図４及び図５に示す回転塗布装置３０１を用いる場合に比べて、ウエハ５１の面内での青色のカラーレジスト４１Ｂ’の膜厚の均一性が高まる。
【００４４】
引き続いて、青色のカラーレジスト４１Ｂ’を、露光及び現像してパターニングすることで、青色のカラーフィルタ層４１Ｂとする（図１６）。
【００４５】
その後、平坦化層４２及びマイクロレンズ４３を形成する（図８）。なお、マイクロレンズ４３は、例えば、熱リフロー法及びエッチバック法のいずれによって形成してもよい。
【００４６】
このようにして、１つのシリコンウエハ５１の多数のチップ領域５２上に多数の固体撮像素子１が形成される。最後に、これを個々のチップに分離することで、多数の固体撮像素子１が完成する。
【００４７】
本実施の形態によれば、前述したように、カラーレジスト４１Ｒ’，４１Ｇ’，４１Ｂ’の回転塗布が、前述した図１乃至図３に示す第１の実施の形態による回転塗布装置１０１を用いて、ウエハ５１の外周部がウエハ５１の中心部よりも高くなるようにウエハ５１を強制的に反らせた状態で、行われる。したがって、本実施の形態によれば、ウエハ５１の外周部がカラーレジスト４１Ｒ’，４１Ｇ’，４１Ｂ’をある程度堰き止めようとするような作用を担うため、図３に示すのと同様に、ウエハ５１の面内でのカラーレジスト４１Ｒ’，４１Ｇ’，４１Ｂ’の膜厚の均一性が高まる。このため、本実施の形態によれば、ウエハ５１の面内でのカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの膜厚の均一性が高まることによって、ウエハ５１の面内でのカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの光透過率の均一性が高まり、カラー特性への影響が抑えられる。
【００４８】
本実施の形態は、本発明による回転塗布方法をカラーレジスト４１Ｒ’，４１Ｇ’，４１Ｂ’の回転塗布に適用した例であるが、例えば、各アルミニウム配線層３５，３６，３７のパターニングをフォトリソエッチング法により行う場合に、その際に用いるレジストの回転塗布について、本発明による回転塗布方法を適用してもよい。この場合、ウエハの面内でのそのレジストの膜厚の均一性が高まるので、パターニングされるアルミニウム配線層３５，３６，３７の線幅の面内でのバラツキが抑えられるため、素子性能のバラツキの抑制や歩留りの向上を図ることができる。
【００４９】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明によるデバイス製造方法により製造されるデバイスは、固体撮像素子に限定されるものではなく、その他の半導体デバイスやその他の各種のデバイスでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施の形態による回転塗布装置の要部を模式的に示す概略断面図であり、ウエハのセットの過程を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による回転塗布装置の要部を模式的に示す概略断面図であり、ウエハのセット終了後でかつ塗布物の塗布前の状態を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による回転塗布装置の要部を模式的に示す概略断面図であり、塗布物の塗布後の状態を示す図である。
【図４】比較例による回転塗布装置の要部を模式的に示す概略断面図であり、ウエハのセット終了後でかつ塗布物の塗布前の状態を示す図である。
【図５】比較例による回転塗布装置の要部を模式的に示す概略断面図であり、塗布物の塗布後の状態を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による製造方法により製造される固体撮像素子の一例を示す概略構成図である。
【図７】図６中の単位画素を示す回路図である。
【図８】図６に示す固体撮像素子の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図９】シリコンウエハの各領域を模式的に示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による製造方法の主要な工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１１】図１０に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１２】図１１に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１３】図１２に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１４】図１３に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１５】図１４に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【図１６】図１５に引き続く工程を模式的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
４１Ｒ’，４１Ｇ’，４１Ｂ’  カラーレジスト（塗布物）
４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ  カラーフィルタ層
５１，２００  ウエハ
１０１  回転塗布装置
１１０  スピンチャック
１１１  チャック本体
１１２  大径部材
１１２ａ  突起
１１３  供給ノズル
２０１  塗布物
【図１】
2010005573.tif 000003
【図２】
2010005573.tif 000004
【図３】
2010005573.tif 000005
【図４】
2010005573.tif 000006
【図５】
2010005573.tif 000007
【図６】
2010005573.tif 000008
【図７】
2010005573.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010005573.tif 000013
【図１２】
2010005573.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2010005573.tif 000016
【図１５】
2010005573.tif 000017
【図１６】
2010005573.tif 000018