(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えばシール材における未硬化部分を低減し、高品位な画像を表示すると共に装置の信頼性を向上させる。【解決手段】電気光学装置は、一対の第１及び第２基板（１０、２０）と、第１基板（１０）上に配列され、透明導電材料からなる複数の画素電極（９）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周囲に沿ったシール領域（５２ａ）において、第１及び第２基板を互いに貼り合わせるシール材（５２）と、第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上におけるシール領域の内周側に設けられ、画素領域の周囲を規定する遮光膜（５３）と、第１基板上における、遮光膜が設けられた遮光領域（５３ａ）の一部に画素領域の周囲に沿って設けられると共に、複数の画素電極と同一の透明導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜（６０）とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１及び第２基板と、
前記第１基板上に配列され、透明導電材料からなる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第１及び第２基板を互いに貼り合わせるシール材と、
前記第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上における前記シール領域の内周側に設けられ、前記画素領域の周囲を規定する遮光膜と、
前記第１基板上における、前記遮光膜が設けられた遮光領域の一部に前記画素領域の周囲に沿って設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の透明導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺透明導電膜は、所定電位に保持されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板上における前記周辺透明導電膜より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、前記周辺透明導電膜と前記第１基板上で平面的に見て重なる部分を有すると共に前記所定電位が供給される定電位線を備え、
前記周辺透明導電膜は、前記定電位線と前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記第１基板上で平面的に見て、前記シール領域と所定幅の間隙を隔てて配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１及び第２基板間に挟持された電気光学物質と、
前記複数の画素電極上に無機材料から形成され、前記電気光学物質の配向状態を規制する配向膜と
を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば、一対の基板が所定の隙間を介してシール領域において例えば紫外線硬化樹脂等のシール材によって貼り合わされ、これら基板間に液晶が封入される。一方の基板上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極が画像表示領域に例えばマトリクス状に配列され、他方の基板上にはＩＴＯ膜からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。画素電極及び対向電極間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配向状態を変化させることにより画素毎の光の透過率を変化させる。このようにして液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させることで、画像表示領域において画像表示が行われる。
【０００３】
このような液晶装置では、例えば一方の基板上の積層構造における表面に画素電極の厚みに起因して生じる段差を低減することなどを目的として、一方の基板上の画素電極と同じ層におけるシール領域の一部にＩＴＯ膜が形成される場合がある。例えば特許文献１によれば、ＩＴＯ膜をシール領域の一部に重なるように形成することで、耐湿性低下や接着力低下を防ぐことができるとされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したようにシール領域の一部にＩＴＯ膜が形成される場合には、製造プロセスにおいて、シール材に例えば紫外線等の光を一方の基板側から照射して例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部がＩＴＯ膜の表面で反射されてしまうおそれがある。よって、シール材の一部に光が十分に照射されず、該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このため、シール材の未硬化部分が画像表示領域に侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうおそれもあり、装置の信頼性の低下という技術的問題点も生じる。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばシール材における未硬化部分を低減でき、高品位な画像を表示可能であると共に信頼性の高い電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板と、前記第１基板上に配列され、透明導電材料からなる複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第１及び第２基板を互いに貼り合わせるシール材と、前記第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上における前記シール領域の内周側に設けられ、前記画素領域の周囲を規定する遮光膜と、前記第１基板上における、前記遮光膜が設けられた遮光領域の一部に前記画素領域の周囲に沿って設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の透明導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、一対の第１及び第２基板は、画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）の周囲に沿ったシール領域においてシール材によって交互に貼り合わされ、一対の第１及び第２基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。第１基板は、例えばガラス基板上に、例えば画素スイッチング用のトランジスタや例えば走査線、データ線等の配線が積層された積層構造を有しており、最上層には例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）或いはシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜が形成される。第２基板は、例えばガラス基板からなる。第１基板上には例えばＩＴＯ膜等の透明導電材料からなる透明な画素電極が例えばマトリクス状に配列され、第２基板上には例えばＩＴＯ膜等の透明導電材料からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。画素電極及び対向電極上の各々には、例えばポリイミド等の有機材料或いは例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜が設けられ、これら配向膜における表面形状効果により、電気光学装置を動作させない状態で、電気光学物質は一対の第１及び第２基板間で所定の配向状態をとる。電気光学装置の動作時には、画素電極及び対向電極間の電気光学物質に画像信号に基づく電圧が印加され、電気光学物質の配向状態が変化する。このような電気光学物質の配向状態の変化によって画素毎の光の透過率が変化する。これにより電気光学物質を通過する光が画像信号に応じて変化し、画素領域において画像表示が行われる。
【０００９】
本発明では、第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上に設けられた例えばＣｒ（クロム）等からなる遮光膜によって画素領域の周囲（即ち、額縁或いは輪郭）が規定される。言い換えれば、遮光膜は、表示領域としての画素領域の周囲を規定する額縁遮光膜（或いは「周辺見切り膜」とも呼ばれる）として機能する。遮光膜は、画素領域の周囲に沿ったシール領域の内側（即ち、画素領域が位置する側）に、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材に対する例えば紫外線照射等の光照射を妨げないための設計マージンを確保しつつ（即ち、シール領域に重ならないように、シール領域との間に所定の間隔を保ちつつ）、例えば所定の幅で、画素領域の周囲を規定するように形成される。
【００１０】
本発明では特に、第１基板上における遮光領域の一部に、複数の画素電極と同一の透明導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜が、画素領域の周囲に沿って設けられる。ここで、本発明に係る「遮光領域」は、画素領域の周囲を規定する遮光膜が設けられた領域であり、該遮光膜によって光が遮られる、シール領域の内周側に位置する額縁状の遮光領域である。即ち、周辺透明導電膜は、例えばＩＴＯ膜等の透明導電材料からなる画素電極と同一種類の透明導電材料からなり、第１基板上における額縁状の遮光領域の一部に、画素領域の周囲に沿って設けられている。周辺透明導電膜は、例えば、複数の画素電極が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画素領域を囲むように配列される複数の本体部分と、該複数の本体部分のうち互いに隣り合う本体部分間を繋ぐ接続部分とを有するように形成されると共に、典型的には、所定電位（例えば、接地電位や、対向電極に供給される電位（即ち対向電極電位）と同一の電位）に保持される。
【００１１】
よって、製造プロセスにおいて、周辺透明導電膜に起因してシール材の一部が十分に硬化されないまま残ってしまうことを回避できる。即ち、本発明では特に、周辺透明導電膜は、シール領域の内周側に位置する遮光領域の一部に設けられており、シール領域には設けられていない。従って、製造プロセスにおいて、シール材に光を第１基板側から照射して光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部が周辺透明導電膜の表面で反射されることによりシール材の一部に光が十分に照射されないために該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうという事態を回避できる。この結果、シール材の未硬化部分が画素領域に侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうことを防止でき、装置の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
更に、周辺透明導電膜が所定電位に保持されるように構成すれば、画素領域における周囲側に配列された画素電極（言い換えれば、画素領域の縁付近に配置された画素電極）に対して、画素領域の周辺から電磁的な悪影響が及ぶことを低減できる。即ち、周辺透明導電膜は、画素領域における周囲側に配列された画素電極に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして機能することができる。よって、画素領域の周辺からの電磁的な悪影響に起因して生ずる、画素領域の周囲における表示上の不具合（例えば表示ムラ）を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。
【００１３】
加えて、周辺透明導電膜が、第１基板上における遮光領域の一部に、画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第１基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺透明導電膜が形成された領域（即ち、表示に寄与しない遮光領域の一部）に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００１４】
更に加えて、周辺透明導電膜は、上述したように、複数の画素電極と同一の透明導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成されるので、第１基板上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
【００１５】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、例えばシール材における未硬化部分を低減でき、高品位な画像を表示することが可能となると共に、装置の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記周辺透明導電膜は、所定電位に保持される。
【００１７】
この態様によれば、周辺透明導電膜を、画素領域における周囲側に配列された画素電極に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして、より確実に機能させることができる。ここで「所定電位」は、画像データの内容によらずに少なくとも所定期間ずつ固定された電位を意味する。例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定された電位であってもよい。或いは、対向電極に供給される対向電極電位の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第１の固定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第２の固定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された電位であってもよい。
【００１８】
上述した周辺透明導電膜が所定電位に保持される態様では、前記第１基板上における前記周辺透明導電膜より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、前記周辺透明導電膜と前記第１基板上で平面的に見て重なる部分を有すると共に前記所定電位が供給される定電位線を備え、前記周辺透明導電膜は、前記定電位線と前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてもよい。
【００１９】
この場合には、周辺透明導電膜は、コンタクトホールを介して定電位線と電気的に接続されることにより、所定電位に保持される。よって、周辺透明導電膜を電磁的なシールドとして確実に機能させることができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記第１基板上で平面的に見て、前記シール領域と所定幅の間隙を隔てて配置される。
【００２１】
この態様によれば、光硬化型接着材料からなるシール材に対する光照射が遮光膜や周辺透明導電膜によって妨げられるのを低減或いは防止でき、シール材における未硬化部分をより一層確実に低減できる。即ち、この態様によれば、シール材に対して光を照射する際、シール材が設けられたシール領域と遮光膜が設けられた遮光領域との間の所定幅の間隙を介して、シール材の側面側からも光を十分に照射することが可能となり、シール材における未硬化部分をより一層確実に低減できる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１及び第２基板間に挟持された電気光学物質と、前記複数の画素電極上に無機材料から形成され、前記電気光学物質の配向状態を規制する配向膜とを備える。
【００２３】
この態様によれば、配向膜が無機材料から形成されるので、仮に配向膜が例えばポリイミド等の有機材料からなる場合には必要となるラビング処理が不要であり、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまう事態を回避できる。
【００２４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図７を参照して説明する。
【００２８】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射等の光照射により硬化させられたものである。
【００３０】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、額縁遮光膜５３は、本発明に係る「遮光膜」の一例であり、額縁領域５３ａは、本発明に係る「遮光領域」の一例である。
【００３１】
シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）や走査線１１（図３参照）、データ線６（図３参照）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜１６が画素電極９を覆うように形成されている。配向膜１６は、ラビング処理が施されており、電圧無印加時の液晶分子の配列を揃える機能を有している。尚、配向膜１６は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成されてもよい。
【００３４】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜２２が形成されている。尚、配向膜２２は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成されてもよい。
【００３５】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
尚、ここでは図示しないが、本実施形態では、図４から図７を参照して後に説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０上における額縁領域５３ａには、画素電極９及びＴＦＴ３０を含んでなる画素部を模擬するために画素部と同様の構造を有するダミー画素部や、画素電極９と同一の透明導電材料から画素電極９と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜６０が設けられている。
【００３７】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【００３９】
図３において、本実施形態に係る液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、複数の画素部５００がマトリクス状に配列されている。複数の画素部５００には、それぞれ、画素電極９と該画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６がＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４０】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。
【００４１】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４２】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、容量配線４００に電気的に接続されている。本実施形態では、容量配線４００は、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に延設されており、図１を参照して上述した引回配線９０に含まれる、上下導通端子１０６を介して対向電極２１に対向電極電位を供給するための対向電極電位線に電気的に接続されている。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜について、図４から図７を参照して説明する。
【００４４】
図４は、図１に示したＣ１部分における、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の概略構成を示す平面図である。図５は、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜が形成される領域を示す模式図である。
【００４５】
図４に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上における額縁領域５３ａの一部に、複数の画素電極９と同一の透明導電材料（即ち、ＩＴＯ膜）から複数の画素電極９と同時にパターニングされることにより形成された周辺透明導電膜６０が、画像表示領域１０ａの周囲に沿って設けられている。尚、周辺透明導電膜６０は、図６を参照して後述するように本体部分６１及び接続部分６２を有するが、図４では、説明の便宜上、周辺透明導電膜６０の本体部分のみを図示し、接続部分については図示を省略している。
【００４６】
より具体的には、図４及び図５において、周辺透明導電膜６０は、額縁領域５３ａのうち、ダミー画素電極９ｄを含むダミー画素部が設けられている、画像表示領域１０ａの周囲に沿うダミー画素領域５３ａ１よりも外側（即ちシール領域５２ａ側）に位置する領域５３ａ２に、画像表示領域１０ａを囲むように形成されている。ここで、ダミー画素部は、図３を参照して上述した画素電極９を含む画素部５００と同様に構成されている。即ち、ダミー画素部は、（ｉ）画素電極９と同一膜から形成される（即ち、画素電極９と同一の透明導電材料から画素電極９と同時にパターニングされることにより形成される）と共に画素電極９が配列された配列ピッチ（即ち、画素ピッチ）と同一の配列ピッチで配列されたダミー画素電極９ｄと、（ｉｉ）ＴＦＴ３０と同一の積層構造を有しており、ダミー電極９ｄをスイッチング制御するためのＴＦＴと、（ｉｉｉ）該ＴＦＴ及びダミー画素電極９ｄに電気的に接続されると共に蓄積容量７０と同一の積層構造を有する蓄積容量とを含んで構成されている。
【００４７】
図６は、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の平面パターンを示す平面図である。図７は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【００４８】
図６に示すように、周辺透明導電膜６０は、複数の画素電極９が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画像表示領域１０ａを囲むように配列される複数の本体部分６１と、該複数の本体部分６１のうち互いに隣り合う本体部分６１間を繋ぐ接続部分６２とを有している。
【００４９】
図４及び図７において、額縁領域５３ａのうち、ダミー画素領域５３ａ１よりも外側に位置する領域５３ａ２には、定電位線７１０が形成されている。定電位線７１０は、図３を参照して上述した容量配線４００と電気的に接続されており（言い換えれば、対向電極電位線と電気的に接続されており）、対向電極電位に維持される。定電位線７１０は、周辺透明導電膜６０より層間絶縁膜４４を介して下層側に配置されている（図７では、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０等よりも上層側に配置された層間絶縁膜４３上に形成されている）。
【００５０】
周辺透明導電膜６０は、定電位線７１０と、層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８１を介して電気的に接続されており、本発明に係る「所定電位」の一例としての対向電極電位に保持されている。
【００５１】
ここで特に、周辺透明導電膜６０は、上述したようにシール領域５２ａの内周側に位置する額縁領域５３ａの一部である領域５３ａ２に設けられており、シール領域５２ａには設けられていない。従って、製造プロセスにおいて、シール材５２に紫外線等の光をＴＦＴアレイ基板１０側から照射して紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部が周辺透明導電膜６０の表面で反射されることによりシール材５２の一部に光が十分に照射されないために該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうという事態を回避できる。この結果、シール材５２の未硬化部分が画像表示領域１０ａに侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうことを防止でき、装置の信頼性を向上させることができる。
【００５２】
更に、本実施形態では特に、周辺透明導電膜６０は、上述したように、定電位線７１０と電気的に接続されており、対向電極電位に保持されている。よって、画像表示領域１０ａにおける周囲側に配列された画素電極９（及びダミー画素電極９ｄ）に対して、額縁領域５３ａよりも外側から電磁的な悪影響が及ぶことを低減できる。即ち、周辺透明導電膜６０は、画像表示領域１０ａにおける周囲側に配列された画素電極９に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして機能することができる。よって、画像表示領域１０ａの周辺（具体的には、額縁領域５３ａよりも外側）からの電磁的な悪影響に起因して生ずる、画像表示領域１０ａの周囲における表示上の不具合（例えば表示ムラ）を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。この結果、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、高品位な画像を表示することが可能となる。
【００５３】
加えて、本実施形態では特に、周辺透明導電膜６０が、ＴＦＴアレイ基板１０上における額縁領域５３ａの一部である領域５３ａ２に、画像表示領域１０ａの周囲に沿って設けられているので、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と画素電極９の表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺透明導電膜６０が形成された領域５３ａ２（即ち、表示に寄与しない遮光領域である額縁領域５３ａの一部）に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画像表示領域１０ａ内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００５４】
更に加えて、本実施形態では特に、周辺透明導電膜６０は、上述したように、複数の画素電極９と同一の透明導電材料から複数の画素電極９と同時にパターニングして形成されるので、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
【００５５】
図４及び図５において、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、額縁領域５３ａ及びシール領域５２ａは、所定幅ｄ１を有する間隙領域６１０ａを隔てて配置されている。言い換えれば、額縁遮光膜５３（図１及び図２参照）は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、シール領域５２ａと所定幅ｄ１の間隙を隔てて配置されている。
【００５６】
よって、光硬化型接着材料からなるシール材５２に対する光照射が額縁遮光膜５３によって妨げられるのを低減或いは防止できる。更に、額縁領域５３ａの一部である領域５３ａ２に設けられた周辺透明導電膜６０によって、シール材５２に対する光照射が妨げられるのを低減或いは防止できる。従って、シール材５２における未硬化部分をより一層確実に低減できる。即ち、シール材５２に対して光を照射する際、シール材５２が設けられたシール領域５２ａと額縁遮光膜５３が設けられた額縁領域５３ａ（言い換えれば、周辺透明導電膜６０が設けられた領域５３ａ２）との間の所定幅ｄ１の間隙を介して、シール材５２の側面側からも光を十分に照射することが可能となり、シール材５２における未硬化部分をより一層確実に低減できる。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、高品位な画像を表示することが可能となると共に、装置の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
尚、本実施形態では、配向膜１６及び２２（図２参照）が、例えばポリイミド等の有機材料からなる有機配向膜として構成される場合を例に挙げて説明したが、配向膜１６及び２２は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から例えば斜方蒸着法等によって形成された無機配向膜として構成されてもよい。この場合には、配向膜に対するラビング処理が不要であり、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、画像表示領域１０ａ内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまう事態を回避できる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図８を参照して説明する。ここに図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５９】
図８に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００６０】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００６１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００６２】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００６３】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００６４】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００６５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の概略構成を示す平面図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜が形成される領域を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の平面パターンを示す平面図である。
【図７】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
９…画素電極、９ｄ…ダミー画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…遮光膜、４４、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５３…額縁遮光膜、５３ａ…額縁領域、６０、６１、６２…周辺透明導電膜、８１…コンタクトホール、７１０…定電位線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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