(57)【要約】【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板３は、絶縁層と、絶縁層上に位置し、互いに離間した複数の導電層１１と、隣接する導電層１１の間に位置するセラミック構造体１３と、導電層１１とセラミック構造体８とを被覆するように絶縁層上に形成された樹脂層１０と、を備える。また、本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、上面に導電層１１が形成された絶縁層を準備する工程と、絶縁層上面に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、溶剤を乾燥させることにより、セラミック粒子を有するセラミック構造体１３を形成する工程と、絶縁層上面に樹脂層１０を形成する工程と、を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に位置し、互いに離間した複数の導電層と、
隣接する前記導電層の間に位置するセラミック構造体と、
前記導電層と前記セラミック構造体とを被覆するように前記絶縁層上に形成された樹脂層と、を備えたことを特徴する配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、互いに結合した複数のセラミック粒子を有することを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記樹脂層と前記絶縁層との界面に位置することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記隣接する導電層同士を接続するように形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記導電層の長手方向に沿って形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記隣接する導電層同士の間隔が最短となる領域に少なくとも形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記導電層の側面に接触していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項６に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記導電層の側面から前記絶縁層の上面にかけて連続的に被着されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記導電層と電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１０】
上面に導電層が形成された絶縁層を準備する工程と、
前記絶縁層上面に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、
前記溶剤を乾燥させることにより、前記セラミック粒子を有するセラミック構造体を形成する工程と、
前記絶縁層上面に樹脂層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、複数の樹脂層と、前記樹脂層間に位置し、互いに離間した複数の導電層と、を備えた配線基板が記載されている。
【０００４】
導電層を被覆する樹脂層は、比較的水分に弱く、水分が内部に侵入しやすい性質を有する。このため、高湿環境下で配線基板を使用すると、樹脂層が多くの水分を含んでしまう。この場合、隣接する導電層間に電界が印加されると、樹脂層に含まれる水分に起因して導電層に含まれる導電材料がイオン化することにより、導電層の一部が樹脂層に向って伸長することがある（イオンマイグレーション）。その結果、隣接する導電層が短絡しやすくなり、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１１６１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に位置し、互いに離間した複数の導電層と、隣接する前記導電層の間に位置するセラミック構造体と、前記導電層と前記セラミック構造体とを被覆するように前記絶縁層上に形成された樹脂層と、を備える。
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、上面に導電層が形成された絶縁層を準備する工程と、前記絶縁層上面に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、前記溶剤を乾燥させることにより、前記セラミック粒子を有するセラミック構造体を形成する工程と、前記絶縁層上面に樹脂層を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、隣接する導電層の短絡を低減できる。その結果、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示す実装構造体のＲ部分の拡大図である。
【図３】図３ａ、図３ｂ及び図３ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図４】図１に示す実装構造体のＲ部分における製造工程を説明する拡大図である。
【図５】図１に示す実装構造体のＲ部分における製造工程を説明する拡大図である。
【図６】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図１に示す実装構造体のＲ部分における製造工程を説明する拡大図である。
【図８】図８ａ及び図８ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図９】本発明の第２実施形態にかかる実装構造体の部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１３】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば、厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１４】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の両側に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１５】
コア基板５は、配線基板３の強度を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚みが例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１６】
基体７は、例えば樹脂により形成され、樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。
【００１７】
また、基体７は、樹脂に被覆された基材を含んでも構わない。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。また、基体７の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００１８】
基体７には、該基体７を厚み方向（Ｚ方向）に貫通する複数のスルーホールＴが設けられている。スルーホールＴは、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されており、その内部にスルーホール導体８が形成される。
【００１９】
スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホールＴの内壁に沿って円筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。また、スルーホール導体８の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２０】
絶縁体９は、柱状に形成されており、その端面とスルーホール導体８の端面とで、後述するビア導体１２の支持面を形成している。絶縁体９としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２１】
一方、コア基板５の両側には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、複数の樹脂層１０と、基体７上又は樹脂層１０間又は樹脂層１０上に形成された導電層１１と、樹脂層１０を貫通する複数のビア孔Ｖと、ビア孔Ｖの内部に形成されたビア導体１２と、を含んでいる。導電層１１及びビア導体１２は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む。
【００２２】
複数の樹脂層１０は、導電層１１を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１１同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。
【００２３】
複数の樹脂層１０は、本実施形態では、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａによって下地に対して接着される第２樹脂層１０ｂと、を有する。
【００２４】
第１樹脂層１０ａは、第２樹脂層１０ｂとコア基板５との間に介され、第２樹脂層１０ｂとコア基板５とを接着するためのものである。この第１樹脂層１０ａとしては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から形成されたものを使用することができる。なお、第１樹脂層１０ａの熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２５】
第２樹脂層１０ｂは、導電層１１を支持しており、基材を備えておらず、低熱膨張の樹脂を含むことにより、配線基板２と電子部品３との熱膨脹率の差を低減している。この第２樹脂層１０ｂとしては、例えば液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミドベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂又はポリエーテルエーテルケトン樹脂等の低熱膨張の樹脂から形成されたものを使用することが望ましい。なお、第２樹脂層１０ｂの熱膨張率は、例えば−１０ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２６】
樹脂層１０は、フィラーを含有していることが望ましい。フィラーの材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。フィラーの粒子径は、例えば０．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。
【００２７】
複数の導電層１１は、基体７上及び第２樹脂層１０ｂ上に間隙を空けて配置されており、その表面が第１樹脂層１０ａに被覆されている。導電層１１としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができる。導電層１１の厚みは、３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、導電層１１の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２８】
一方、導電層１１に電気的に接続されるビア導体１２は、第１樹脂層１０ａの厚み方向に離間した導電層１１同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる形成されている。ビア導体１２としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。また、ビア導体の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２９】
そして、図２に示すように、第１実施形態の実装構造体１においては、同一の第２樹脂層１０ｂ上で隣接した導電層１１の間に、セラミック構造体１３が形成されている。
【００３０】
セラミック構造体１３は、例えば互いに結合した複数のセラミック粒子を有し、該粒子が互いに結合することによって、内部が緻密に形成されている。
【００３１】
かかるセラミック構造体１３は、樹脂と比較して低分子のセラミックにより構成されており、水分が侵入しにくい性質を有しているため、第1樹脂層１０ａ内の水分に起因して導電層１１でイオンマイグレーションが発生し、導電層１１の一部が隣接する導電層１１に向って伸長しようとしても、かかる伸長がセラミック構造体１３により良好に抑制される。その結果、隣接した導電層１１の短絡を低減し、配線基板３の電気的信頼性が向上させることができる。また、隣接した導電層１１の短絡を低減することにより、隣接した導電層１１を近接させることができ、配線基板３を小型化することができる。
【００３２】
なお、セラミック粒子は、球状であることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３の内部構造を緻密にすることにより、セラミック構造体１３内に導電層１１が伸長する可能性を低減するとともに、セラミック構造体１３の機械的強度を向上させることができる。セラミック粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００３３】
また、セラミック粒子は、第１樹脂層１０ａ又は第２樹脂層１０ｂに含まれるフィラーと結合していることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３と第１樹脂層１０ａ又は第２樹脂層１０ｂとの接着強度を向上させることができる。
【００３４】
また、セラミック構造体１３は、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの界面に位置することが望ましい。その結果、導電層１１が伸長しやすい隙間の生じる界面において、導電層１１の伸長を低減することができる。
【００３５】
また、セラミック構造体１３は、導電層１１の長手方向（Ｙ方向）に沿って形成されていることが望ましい。その結果、マイグレーションの成長抑制効果をより向上できる。
【００３６】
また、セラミック構造体１３は、導電層１１の側面に接触していることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３が接触した導電層１１の側面から導電層１１の伸長が発生することを低減することができる。なお、セラミック構造体１３は、導電層１１の側面の下端から上端にかけて形成されていることが望ましい。
【００３７】
また、セラミック構造体１３は、導電層１１の側面から第２樹脂層１０ｂの上面にかけて連続的に被着されていることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３を、導電層１１の側面に被着させるとともに、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの界面に位置させることができる。また、導電層１１の側面と第２樹脂層１０ｂの上面との間は隙間が生じやすいが、かかる隙間をセラミック構造体１３により低減することができ、かかる隙間に起因した導電層１１の伸長を低減できる。また、セラミック構造体１３により、導電層１１と第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高めことができる。
【００３８】
また、セラミック構造体１３は、その表面が、導電層１１の側面と第２樹脂層１０ｂの上面との間で凹曲面状となることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３を、効率良く、導電層１１の側面に被着させるとともに、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの界面に位置させることができる。また、セラミック構造体１３と第１樹脂層１０ａとの間の接着性を向上して剥離を低減できる。
【００３９】
また、セラミック構造体１３は、隣接する導電層１１同士の間隔が最短となる領域に少なくとも形成されていることが望ましい。その結果、導電層１１の伸長に起因した導電層１１同士の短絡が発生しやすい領域に、セラミック構造体１３を形成することにより、導電層１１同士の短絡を低減できる。
【００４０】
セラミック構造体１３としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料により形成されたものを使用することができる。
【００４１】
また、セラミック構造体１３は、熱膨張率が１ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。その結果、第１樹脂層１０ａと導電層１１との熱膨張率の違いにより生じる熱応力を緩和することができる。このような熱膨張率のセラミック構造体１３としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。
【００４２】
また、セラミック構造体１３は、誘電正接が０．００１以上０．０１以下に設定されていることが望ましい。その結果、導電層１１における高周波信号の伝送特性を向上させることができる。このような誘電正接のセラミック構造体１３としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。なお、誘電正接は、ＪＩＳＫ６９１１：１９９５に準ずる。
【００４３】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４４】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図８に基づいて説明する。
【００４５】
（１）図３ａに示すように、コア基板５を準備する。具体的には、以下のように行う。
【００４６】
まず、基体７を準備する。基体７は、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００４７】
次に、基体７をその厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。スルーホールＴは、例えばドリル加工やレーザー加工等により形成することができる。
【００４８】
次に、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。また、基体７の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により行われる。
【００４９】
次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。
【００５０】
次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、導電層材料層をパターニングすることにより、導電層１１を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。また、導電材料層１５ｘのパターニングは、例えば、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。
【００５１】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００５２】
（２）図３ｂに示すように、導電層１１上に、樹脂層１０を形成する。樹脂層１０は、例えば、未硬化の第１樹脂層１０ａを介して第２樹脂層１０ｂを導電層１１上に配置し、加熱プレス機を用いて加熱加圧して第１樹脂層１０ａを硬化させることにより形成される。
【００５３】
（３）図３ｃに示すように、樹脂層１０に、ビア導体１２及び導電層１１を形成する。具体的には、以下のように行う。
【００５４】
まず、樹脂層１０にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１１の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えばレーザー加工又はフォトリソグラフィにより、行うことができる。なお、ビア孔Ｖは、レーザー光の出力を調整することによって、コア基板５に向かって開口幅が狭くなるように形成することができる。
【００５５】
次に、ビア孔Ｖにビア導体１２を形成し、樹脂層１０の上面に導電層１１を形成する。ビア導体１２及び導電層１１は、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。
【００５６】
（４）図４及び図５に示すように、樹脂層１０上面にセラミック構造体１３を形成する。具体的には、以下のように行う。
【００５７】
まず、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを準備する。次に、セラミックゾルを樹脂層１０の上面に塗布する。次に、セラミックゾルを乾燥し、溶剤を蒸発させる。その結果、樹脂層１０の上面にセラミック粒子が残存し、セラミック粒子を有するセラミック構造体１３を形成することができる。
【００５８】
セラミックゾルは、セラミック粒子を１％以上５０％以下含み、溶剤を５０％以上９８％以下ことが望ましい。その結果、セラミック粒子を１％以上含むことにより、セラミック構造体１３の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、溶剤を５０％以上含むことにより、セラミックゾルの粘度の低減し、セラミック構造体１３の上面の平坦性を向上させて、配線基板２の上面の平坦性を向上させることができる。
【００５９】
セラミック粒子は、セラミック構造体１３を構成するセラミック材料からなる。また、セラミック粒子は、球状であることが望ましい。その結果、溶剤を蒸発させる際、セラミック粒子同士を緻密に凝集させることができるため、樹脂層１０の上面にセラミック粒子を効率良く残存させることができる。
【００６０】
また、セラミック粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。セラミック粒子の粒子径を３ｎｍ以上に設定することにより、セラミックゾルの粘度を低減し、生産性を向上させることができる。また、セラミック粒子の粒子径を５０ｎｍ以下に設定することにより、後述するように、セラミック粒子を樹脂層１０に含まれる樹脂の熱分解温度未満の温度にて互いに結合させることができる。
【００６１】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、セラミックゾルを均一に塗布することができ、且つ溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００６２】
セラミックゾルの塗布は、例えば、ディスペンサー又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。なお、所定の場所への塗布は、ディスペンサーを用いる場合には、塗布量を調節することにより、スクリーン印刷を用いる場合には、マスクを用いることにより、行うことができる。セラミックゾルの塗布は、導電層１１上面のビア導体１２が接続する領域以外に行われることが望ましい。その結果、セラミック構造体１３を導電層１１上面のビア導体１２が接続する領域以外に形成することができる。
【００６３】
セラミックゾルの乾燥は、例えば窒素ガス等の不活性ガス中にて行うことができる。ここで、セラミックゾルの乾燥時又は乾燥後にセラミック構造体１３を加熱することが望ましい。その結果、セラミック粒子同士を結合させることができる。ここで、セラミック粒子の粒子径が５０ｎｍ以下に設定されている場合、セラミック構造体１３を樹脂層１０に含まれる樹脂の熱分解温度未満に加熱することにより、セラミック粒子同士を結合させることができる。これは、セラミック粒子の粒子径が５０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、セラミック粒子の原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でもセラミック粒子同士が結合することに起因すると推測される。このようにセラミック粒子同士を結合させることにより、加熱に起因した樹脂層１０に含まれる樹脂の損傷を低減しつつ、セラミック構造体１３の機械的強度を向上させることができる。
【００６４】
また、低温でセラミック粒子同士を結合させることができるため、セラミック粒子の結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、セラミック粒子は、結晶構造異方性に起因した熱膨張率の異方性を低減することにより、クラックの発生を低減できる。特に、セラミック粒子のセラミック材料として酸化ケイ素を使用した場合、セラミック粒子の結晶化を効果的に低減することができる。また、かかる加熱が低温で行われるため、セラミック粒子と樹脂層１０との熱膨張差に起因した、加熱時に発生する応力が低減され、かかる応力に起因したクラックや剥離を防止できる。
【００６５】
（５）図６及び図７に示すように、導電層１１上に、樹脂層１０を形成する。樹脂層１０の形成は、（２）の工程と同様に行う。
【００６６】
ここで、（４）の工程にて、セラミック構造体１３を導電層１１の側面から第２樹脂層１０ｂの上面にかけて連続的に被着させていると、導電層１１の側面と第２樹脂層１０ｂとの間にセラミック構造体１３が充填されているため、第２樹脂層１０ｂ上に未硬化の第１樹脂層１０ａを配置する際、導電層１１の側面と第２樹脂層１０ｂとの間に未硬化の第１樹脂層１０ａが充填せずに生じる隙間を低減できる。
【００６７】
また、（４）の工程にて、セラミック構造体１３を導電層１１の側面から第２樹脂層１０ｂの上面にかけて連続的に被着させていると、導電層１１と第２樹脂層１０ｂとの接着強度を向上させることができるため、第２樹脂層１０ｂ上に未硬化の第１樹脂層１０ａを配置する際、導電層１１が第２樹脂層１０ｂから剥離することを低減し、剥離した導電層１１が他の導電層１１と接触することを低減できる。
【００６８】
（６）図８ａに示すように、樹脂層１０に、ビア導体１２及び導電層１１を形成する。ビア導体１２及び導電層１１を形成は、（３）の工程と同様に行う。
【００６９】
なお、ビア孔Ｖを形成する際にレーザー加工を用いると、導電層１１上面に形成されたセラミック構造体１３の一部を除去するとともに導電層１１上面をビア孔Ｖ内に露出させることができる。また、ビア孔Ｖを形成する際にフォトリソグラフィを用いた場合、（４）の工程にて、ビア孔Ｖが形成される領域以外にセラミック構造体１３を形成することにより、導電層１１上面をビア孔Ｖ内に露出させることができる。
【００７０】
以上のようにして、コア基板５に配線層６を形成するができ、配線基板３を作製することができる。なお、（４）乃至（６）の工程を繰り返すことにより、配線層６を更に多層にすることができる。
【００７１】
（７）図８ｂに示すように、配線基板３に電子部品２を、バンプ４を介してフリップチップ実装する。
【００７２】
以上のようにして、実装構造体１を作製することができる。
【００７３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図９に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００７４】
第２実施形態は第１実施形態と異なり、セラミック構造体１３Ｘが隣接する導電層１１Ｘ同士を接続するように形成されている。その結果、セラミック構造体１３Ｘが形成された領域にて、隣接する導電層１１Ｘの間に第１樹脂層１０Ｘａが位置しないため、隣接した導電層１１Ｘの短絡を低減できる。
【００７５】
また、セラミック構造体１３Ｘは、導電層１１Ｘ上面から導電層１１Ｘ側面を介して第２樹脂層１０Ｘｂ上面にかけて連続的に被着されている。その結果、導電層１１Ｘ上に樹脂層１０Ｘを形成する際、セラミック構造体１３Ｘにより、導電層１１Ｘの厚み方向への移動を低減することにより、導電層１１Ｘと第２樹脂層１０Ｘｂとの接着強度を向上させることができるため、導電層１１Ｘが第２樹脂層１０Ｘｂから剥離することを低減し、剥離した導電層１１Ｘが他の導電層１１Ｘと接触することを低減できる。なお、セラミック構造体１３Ｘは、導電層１１Ｘ上面のビア導体１２Ｘが形成される領域以外に被着されていることが望ましい
また、セラミック構造体１３Ｘは、第２樹脂層１０Ｘｂ上面の第１領域から導電層１１Ｘの上面を介して第２樹脂層１０Ｘｂ上面の第２領域にかけて連続的に形成されていることが望ましい。なお、第１領域と第２領域とは、導電層１１に対して対称的に位置する。その結果、導電層１１Ｘの移動を低減することにより、導電層１１Ｘと第２樹脂層１０Ｘｂとの接着強度を向上させることができる。
【００７６】
第２実施形態に係るセラミック構造体１３Ｘは、第１実施形態に係るセラミック構造体１３と同様に形成することができる。
【００７７】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００７８】
例えば、上述した第１乃至第２実施形態において、樹脂層上にセラミック構造体を形成した構成を例に説明したが、セラミック構造体は絶縁層上に形成すればよく、例えば基体の上面にセラミック構造体を形成しても構わない。また、基体は上面に絶縁性があればよく、例えばセラミック材料から形成した基体を使用しても構わないし、導電材料を絶縁材料で被覆して形成した基体を使用しても構わない。
【符号の説明】
【００７９】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        スルーホール導体       
９        絶縁体
１０      樹脂層
１１      導電層
１２      ビア導体
１３      セラミック構造体
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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