(57)【要約】【課題】膜厚を抑えつつ耐食性に優れた保護膜を磁気ヘッドスライダに形成する。【解決手段】磁気ヘッドスライダの製造方法は、記録素子と再生素子の少なくともいずれかが形成された磁気ヘッドスライダの媒体対向面に第１の保護膜を形成すること（ステップＳ３）と、第１の保護膜の一部を除去して第１の保護膜を薄化し（ステップＳ５）、薄化された第１の保護膜の上に第２の保護膜を形成すること（ステップＳ６）と、磁気ヘッドスライダの媒体対向面に、磁気ヘッドスライダの浮上特性を制御するための凹凸部を形成すること（ステップＳ４）と、を含み、凹凸部の形成は、第１の保護膜が形成された後で第２の保護膜が形成される前、または第２の保護膜が形成された後に行われる。【選択図】図３
2010267360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録素子と再生素子の少なくともいずれかが形成された磁気ヘッドスライダの媒体対向面に第１の保護膜を形成することと、
前記第１の保護膜の一部を除去して該第１の保護膜を薄化し、薄化された前記第１の保護膜の上に第２の保護膜を形成することと、
前記磁気ヘッドスライダの前記媒体対向面に、該磁気ヘッドスライダの浮上特性を制御するための凹凸部を形成することと、
を含み、
前記凹凸部の形成は、前記第１の保護膜が形成された後で前記第２の保護膜が形成される前、または前記第２の保護膜が形成された後に行われる、磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項２】
前記第１の保護膜を形成することは、第１のケイ素膜と第１のダイアモンド・ライク・カーボン膜とをこの順で前記媒体対向面に積層することを含み、
前記第１の保護膜の一部を除去することは前記第１のダイアモンド・ライク・カーボン膜をすべて除去し、さらに前記第１のケイ素膜の一部を除去して該第１のケイ素膜を薄化することを含む、
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項３】
前記第２の保護膜を形成することは、第２のケイ素膜を薄化された第１のケイ素膜の上に積層し、さらに第２のダイアモンド・ライク・カーボン膜を積層することを含む、請求項２に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項４】
前記第２のケイ素膜を積層した後、第２のダイアモンド・ライク・カーボン膜を積層する前に、前記第２のケイ素膜の一部を除去して該第２のケイ素膜を薄化することを含む、請求項３に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドスライダの製造方法に関し、特に媒体対向面への保護膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置では、磁気ヘッドスライダ（以下、スライダという。）が記録媒体（ハードディスクないし磁気ディスク）に対してわずかなギャップで浮上して、記録媒体からのデータの読込み、および記録媒体へのデータの書込みを行う。
【０００３】
記録媒体へのデータの読み込みおよび記録媒体へのデータの書込みを行う磁気ヘッドは、さまざまな環境下において腐食が防止され、また、記録媒体との衝突に対して保護されなければならない。このため、スライダの記録媒体と対向する面、すなわち媒体対向面には、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）などからなる保護膜が形成されている。
【０００４】
ところで、近年記録媒体の高記録密度化が進み、これに伴い、スライダと記録媒体との間隔をより縮小することが求められている。これは、より正確には、再生素子及び記録素子と、記録媒体との間隔を縮小することを意味する。そのためには、保護膜の膜厚を減らすことが有効である。しかし、保護膜は、凹凸の生じているスライダの表面に形成されるため、その膜厚は凹凸の影響を受けやすい。膜厚の小さい部位では、保護膜にピンホールが生じやすく、ピンホールは、その下方にある再生素子や記録素子の腐食の原因となる。したがって、スライダと記録媒体との間隔を縮小するために単純に保護膜の膜厚を減らすことは困難である。
【０００５】
特許文献１には、このような課題に鑑み、スライダの保護膜の形成方法が開示されている。この方法によれば、スライダの媒体対向面にケイ素（Ｓｉ）膜とＤＬＣ膜がこの順で積層される。次に、この状態で浮上面の加工を行い、その後ケイ素膜とＤＬＣ膜がいったん全て除去される。浮上面の加工とは、記録媒体駆動時にスライダと記録媒体との間に進入する気流の流れを制御し、それによってスライダの浮上特性を制御するための凹凸部を媒体対向面に形成することである。その後改めて保護膜が形成され、斜め方向からのイオンビーム照射によって、保護膜の一部が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２６５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような方法を用いても依然として耐食性に優れた保護膜を形成することはできない。これは、ケイ素膜とＤＬＣ膜だけをエッチングしたつもりでも、どうしてもその下方にある記録素子及び再生素子にエッチングダメージが残り、素子の信頼性に影響を与えるためであると推測される。特に今後はさらなる高記録密度化のために、記録素子及び再生素子と記録媒体との間隔は一層の低減が求められており、耐食性を高めるために保護膜を厚くすることは困難となっている。
【０００８】
本発明は、膜厚を抑えつつ耐食性に優れた保護膜を形成することが可能な磁気ヘッドスライダの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、磁気ヘッドスライダの製造方法は、記録素子と再生素子の少なくともいずれかが形成された磁気ヘッドスライダの媒体対向面に第１の保護膜を形成することと、第１の保護膜の一部を除去して第１の保護膜を薄化し、薄化された第１の保護膜の上に第２の保護膜を形成することと、磁気ヘッドスライダの媒体対向面に、磁気ヘッドスライダの浮上特性を制御するための凹凸部を形成することと、を含み、凹凸部の形成は、第１の保護膜が形成された後で第２の保護膜が形成される前、または第２の保護膜が形成された後に行われる。
【００１０】
第１及び第２の保護膜は記録素子と再生素子を保護するために形成される。これらの保護膜は、ピンホールの発生防止のため、できるだけ平坦であることが望ましい。本願発明者は、第１の保護膜と第２の保護膜を別々のプロセスで形成し、しかも、第２の保護膜を形成する前に第１の保護膜を薄化することが望ましいことを見出した。すなわち、第１の保護膜を形成した時点では、第１の保護膜の表面には、媒体対向面の微小な凹凸の影響を受け微小な凹凸が生じており、その上に第２の保護膜を成膜しても平坦な保護膜が形成されにくい。これに対して、第１の保護膜を薄化すると、相対的に突き出た部分、例えば、膜厚の大きい部分や媒体対向面の突き出た箇所に形成された部分などが優先的に薄化され、第１の保護膜の表面がより平坦になる。その状態で第２の保護膜を形成することで、第２の保護膜も表面の平坦性が一層向上し、ピンホールの発生を抑制できる。一方、第１の保護膜を完全に除去してしまうと、逆に記録素子や再生素子に大きなダメージが生じる可能性がある。第１の保護膜を薄化することは第１の保護膜を一部残存させることをも意味し、第２の保護膜を平坦化する効果だけでなく、記録素子及び再生素子へのダメージを緩和する効果を生じさせる。また、第１の保護膜の一部を一旦除去しているため、最終的な保護膜の膜厚の増加を抑えることも容易である。これらの効果が相まって、膜厚を抑えつつ耐食性に優れた保護膜を形成することが可能となる。
【００１１】
実際のプロセスでは、第２の保護膜が形成される前、または第２の保護膜が形成された後に凹凸部が形成される。前者の場合、第１の保護膜は凹凸部の形成工程によってダメージを受けるが、薄化プロセスを行うことで、ダメージを受けた第１の保護膜の表層に近い部分が除去される。第１の保護膜の全てを除去せずに一部だけを残存させるため、除去の際に記録素子と再生素子にダメージが及ぶ可能性が軽減される。残存する第１の保護膜は、ダメージを受けた部分が除去され、しかも平坦性が向上しているので、改めて第２の保護膜を成膜することで、信頼性の高い保護膜を形成することができる。後者の場合も、薄化プロセスによって第１の保護膜の平坦性が改善された状態で第２の保護膜を形成するため、第２の保護膜の表面の平坦性が向上している。従ってその後に凹凸部を形成しても保護膜の平坦性が維持され、ピンホール等の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
このように、本発明によれば、膜厚を抑えつつ耐食性に優れた保護膜を形成することが可能な磁気ヘッドスライダの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るスライダの斜視図である。
【図２】図１に示すスライダの、同図中２−２線に沿った断面図である。
【図３】本発明のスライダの製造方法を示すフロー図である。
【図４】ウエハの切断方法およびローバーのラッピング方法を示す概念図である。
【図５】スライダの保護膜付近の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、本発明の対象となるスライダについて、図面を参照して説明する。図１は、本発明を用いて製造されるスライダの一例を示す斜視図である。図面上では、スライダ２１の上方に、回転駆動される円盤状の記録媒体（図示せず）が位置している。スライダ２１は、基板２７と薄膜磁気ヘッド部２８とを有している。スライダ２１はほぼ六面体形状をなし、六面のうちの一面が記録媒体と対向するようにされている。この面は媒体対向面ＡＢＳと呼ばれる。スライダ２１の媒体対向面ＡＢＳにはスライダ２１の浮上特性を制御するための凹凸部１３（浮上面）が形成され、凸部は薄膜磁気ヘッド部２８の再生素子１１および記録素子１２（図２参照）が設けられたリードライト部２４と、段差を有するレール部２５ａ、２５ｂとからなり、その他の部分は凹部２６となっている。
【００１５】
記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダ２１との間を通過する空気流によって、スライダ２１に、ｙ方向下向きの揚力が生じる。スライダ２１は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上する。ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向、ｚ方向は記録媒体の円周方向である。レール部２５ａは全体として、ｚ方向に沿って形成され、薄膜磁気ヘッド部２８は、スライダ２１の空気流出側の端部（図中、左下の端部）側に形成されている。空気は、レール部２５ｂと記録媒体との間のわずかな隙間から入って、両側のレール部２５ａで整流されながらリードライト部２４に当たり、リードライト部２４と記録媒体との間の隙間から抜けるように流れ、これによってスライダ２１は、記録媒体の表面から浮上する。このようにして、スライダ２１は、薄膜磁気ヘッド素子部２８が記録媒体に読込みまたは書込みを行う際に、媒体対向面ＡＢＳの凹凸部１３によって、記録媒体に対して浮上することが可能となる。
【００１６】
図２には、図１に示すスライダの、同図中２−２線に沿った断面図を示す。図２において、記録媒体Ｍは、図２において媒体対向面ＡＢＳの上側を、図面と垂直な方向に広がっている。薄膜磁気ヘッド部２８は、記録媒体Ｍから磁気記録を読出す再生素子１１と、記録媒体Ｍに磁気記録を書込む、誘導型磁気変換素子からなる記録素子１２とを有しているが、いずれか一方だけを有していてもかまわない。記録素子１２は、記録媒体Ｍの面内方向に記録を行う水平記録方式と、記録媒体Ｍの面外方向に記録を行う垂直記録方式のいずれでもよい。
【００１７】
薄膜磁気ヘッド部２８は、図中右側のアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板２７の上に、左に向けて各層が順次積層されて構成されている。基板２７の上（図中では左側。以下同じ。）には、絶縁層を介して、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなるシールド層３１が形成されている。シールド層３１の上には、再生素子１１が媒体対向面ＡＢＳに面して設けられている。再生素子１１としては、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。再生素子１１には、センス電流を供給する一対のリード層（図示せず）が接続されている。
【００１８】
再生素子１１の上方には記録素子１２が形成されている。記録素子１２は以下に述べる下部磁極層３３、記録ギャップ３４、上部磁極層３５、コイル３７ａ，３７ｂ、接続部３６、絶縁層３８，３９，４０等から形成されている。以下、これらの要素について具体的に説明する。
【００１９】
まず、再生素子１１の上には、例えばパーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、磁性材料からなる下部磁極層３３が形成されている。下部磁極層３３は、記録素子１２の下部磁極層としての機能と、再生素子１１の上部シールド層としての機能を兼ねている。
【００２０】
下部磁極層３３の上には、絶縁のための記録ギャップ３４を介して、上部磁極層３５が設けられている。記録ギャップ３４の材料としては、例えばＮｉＰ等の、非磁性金属材料が用いられる。上部磁極層３５の材料としては、例えばパーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、磁性材料が用いられる。下部磁極層３３と上部磁極層３５は接続部３６によって接続され、全体で１個のＵ字型磁性体を形成している。
【００２１】
上部磁極層３５と下部磁極層３３との間には、銅等の導電性材料からなる２段積みのコイル３７ａ，３７ｂが設けられている。コイル３７ａ，３７ｂは接続部３６を中心に巻回して設けられ、上部磁極層３５と下部磁極層３３とに磁束を供給する。コイル３７ａは絶縁層３８に、コイル３７ｂは絶縁層３９，４０に取り囲まれて周囲から絶縁されている。２段積み構成は一つの例示であって、１段積みまたは３段以上の多層積みでもよい。コイル３７ｂには外部からの電流信号を受けるリード層（図示せず）が接続している。最後に、上部磁極層３５とリード層とを覆うように、オーバーコート層４１が形成されている。オーバーコート層４１の材料には、例えばアルミナ等の絶縁材料が用いられる。
【００２２】
図１を併せて参照すると、媒体対向面ＡＢＳは、レール部２５ａが記録媒体に対して最も突出し、リードライト部２４は、レール部２５ａよりも１〜３ｎｍほど記録媒体に対して後退している。レール部２５ａ，２５ｂの段差は必ずしも必要ではない。リードライト部２４と凹部２６との段差は１〜５μｍである。スライダ２１の媒体対向面ＡＢＳの裏面４３はスライダ２１を支持するフレクシャ（図示せず）との接触面となる。スライダ２１の媒体対向面ＡＢＳは、後述する方法で形成される保護膜４２によって被覆されている。
【００２３】
次に、以上説明したスライダの製造方法、特に保護膜４２の形成方法について、図３のフロー図、及び図４，５を用いて説明する。
【００２４】
（ステップＳ１）まず、図４（ａ）のように、アルティックからなるウエハ７１上に多数個の薄膜磁気ヘッド部２８を薄膜工程によって積層し、図４（ｂ）のように、ウエハ７１を、ヘッド素子４４が一列に配列した、短冊状のローバー７２に切断する。ウエハ７１をいったん５０本前後のローバーのブロックに切り分け、その後ラッピングのために数本のさらに小さいサイズのブロックに切断してもよい。ウエハ７１および切断されたローバー７２には、研磨量を管理するため、たとえば複数の薄膜磁気ヘッド部２８ごとに１つの測定素子７３を設けておくことができる。
【００２５】
次に、図４（ｃ）のように、ヘッド素子４４の、記録媒体と対向するべき面をラッピングして、媒体対向面ＡＢＳに第１の面４５を形成する。このラッピングは主に、再生素子１１の抵抗値を所望の値とするために行われるが、記録素子１２も同時に研磨され、記録ギャップ３４のハイト（媒体対向面ＡＢＳと直交する方向の長さ）が所望の値に調整される。この後、表面を仕上げるためにファインラッピングを行うことが望ましい。図４（ｃ）は、図４（ｂ）を図中矢印の方向に９０度回転させた斜視図である。
【００２６】
（ステップＳ２）次に、スパッタエッチングまたはＩＢＥ（Ion Bean Etching）によって、第１の面４５の表面清浄およびＰＴＲ(Pole Tip Recession)コントロールを行う。スパッタエッチングの場合、スパッタ室の中でＡｒのグロープラズマを発生させ、第１の面４５のプラズマクリーニングを行う。ＩＢＥの場合、Ａｒのイオンビームを第１の面４５に照射し、同様にクリーニングとＰＴＲコントロールを行う。なお、本ステップからステップＳ６までの一連の工程は、大気に晒すことなく、１つのチャンバー内で行うか、真空中で搬送しながら行うことが望ましい。大気中に出すと、コンタミ付着や酸化が起こり、成膜がきちんと行われず、ハードディスク装置の中で不具合を起すためである。
【００２７】
（ステップＳ３）以下、図５を参照して、媒体対向面に保護膜を形成するステップを説明する。図５は、媒体対向面近傍の部分拡大断面図であって、図２のＡ部の拡大図を示している。同図において（ａ）〜（ｃ）の図は工程順に記載している。本ステップでは、図５（ａ）に示すように、媒体対向面ＡＢＳ（第１の面４５）に第１の保護膜５１を形成する。第１の保護膜５１は好ましくは、第１のケイ素膜５２と第１のダイアモンド・ライク・カーボン膜５３（以下、第１のＤＬＣ膜５３という。）とからなり、これらの膜がこの順で媒体対向面ＡＢＳに積層される。第１のケイ素膜５２は下地となる第１の面４５への第１のＤＬＣ膜５３の接着性を確保するために設けられる。
【００２８】
第１のケイ素膜５２は通常はスパッタ法により成膜されるが、ＩＢＤ(Ion Beam Deposition)法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で成膜してもよい。第１のＤＬＣ膜５３の成膜には、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法、ＦＣＶＡ（Filtered Cathodic Vacuum Arc）法等が用いられる。ＣＶＤ法は、ＥＣＲ等の高周波を導入して、プラズマを発生させて、有機ガスを分解成膜する方法である。基板には、高硬度の膜を成膜するために、バイアスを印加してもよい。有機ガスとしては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、アセチレン等の、定圧でガス状のものが好ましく使用される。ＦＣＶＡ法は、グラファイトロッドにアーク放電を発生させ、その熱でカーボンを蒸発させ、そのイオンを成膜する方法である。水素を含まない炭素膜が成膜できるため、高硬度の薄膜を形成することができる。
【００２９】
（ステップＳ４）次に、第１の保護膜５１が形成されたスライダの媒体対向面ＡＢＳに凹凸部１３を形成する。凹凸部１３は前述のように、リードライト部２４、レール部２５ａ，２５ｂ、及び凹部２６からなる。凹凸部１３を形成するにはまず、フォトレジストを塗布、露光、現像し、フォトレジストのマスクを作成する。次いで、反応性イオンエッチングやイオンミリングによってリードライト部２４、レール部２５ａ，２５ｂ、及び凹部２６を形成し、最後に、レジスト除去液を用いたブラッシング等によってフォトレジストを除去する。反応性イオンエッチングはプラズマを用いたエッチングに加えて反応性ガスによる化学的反応によるエッチングを行う点でイオンミリングと異なる。
【００３０】
（ステップＳ５）次に、図５（ｂ）に示すように、凹凸部１３が形成されたスライダの媒体対向面ＡＢＳから、イオンビームエッチングやイオンミリング等の方法を用いて、第１の保護膜５１の一部を除去する。具体的には、第１のＤＬＣ膜５３をすべて除去し、さらに第１のケイ素膜５２の一部を除去して第１のケイ素膜５２を薄化する。本ステップは少なくとも薄膜磁気ヘッド部分２８について行われれば十分である。すなわち、薄膜磁気ヘッド部分２８以外の部分にフォトレジストを塗布、露光、現像し、薄膜磁気ヘッド部分２８の第１の保護膜５１の一部だけを除去することができる。ただし、工数を抑えるためには、媒体対向面ＡＢＳ全面について本ステップを行うことが望ましい。なお、イオンビームエッチングとイオンミリングはプラズマを用いたエッチングであり、ほぼ同じ方法である。第１の保護膜５１の一部除去には、酸浸漬やスパッタエッチング等を用いることもできる。
【００３１】
（ステップＳ６）次に、図５（ｃ）に示すように、薄化された第１の保護膜５１（第１のケイ素膜５２）の上に第２の保護膜５４を形成する。第２の保護膜５４は、第２のケイ素（Ｓｉ）膜５５と第２のダイアモンド・ライク・カーボン膜５６（以下、第２のＤＬＣ膜５６という。）とからなり、これらの膜が第１の保護膜５１の上に積層される。第２のケイ素膜５５及び第２のＤＬＣ膜５６は各々、第１のケイ素膜５２及び第１のＤＬＣ膜５３と同様の方法で成膜することができる。第２のケイ素膜５５を積層した後、第２のＤＬＣ膜５６を積層する前に、第２のケイ素膜５５の一部を除去して第２のケイ素膜５５を薄化してもよい。このようにして形成された、第１のケイ素膜５２の一部と、第２のケイ素膜５５と、第２のＤＬＣ膜５６と、が前述の保護膜４２を構成する。なお、これまでの説明から明らかな通り、このような膜構成の保護膜４２が形成されるのは媒体対向面ＡＢＳの一部であり、例えば凹部２６では第１の保護膜５１が完全に除去されるため、第２の保護膜５４だけが形成される。
【００３２】
（ステップＳ７）その後、ローバーを切断し、洗浄、検査等の従来と同様の工程を経てスライダが完成する。
【００３３】
（変形実施形態）本発明では、上述のステップＳ４をステップＳ６の後に実施することも可能である。すなわち、ステップＳ３に従い第１のケイ素膜５２と第１のダイアモンド・ライク・カーボン膜５３とからなる第１の保護膜５１を形成した後、ステップＳ５に従い第１の保護膜５１の一部を除去し、その後、ステップＳ６に従い第２の保護膜５４を形成し、その後ステップＳ４に従いスライダの媒体対向面ＡＢＳに凹凸部１３を形成することができる。第１の保護膜５１の一部を除去することで、残存した第１の保護膜５１の表面（第１のケイ素膜５２の表面）が平坦化される。そして、その上に第２の保護膜５４が形成されるため、第２の保護膜５４の平坦性が向上する。この結果、その後に凹凸部１３を形成しても、第２の保護膜５４の表面は多少粗くはなるものの、依然として十分な平坦性を確保することができる。
【００３４】
（実施例１〜５）
ＴＭＲヘッドが形成されたローバーを準備し、各ＴＭＲヘッドを所望の抵抗になるまでラッピングした。さらに、表面の円滑度を確保するためにファインラッピングを行った。実施例、比較例とも、実効直径３５０ｍｍφの洗浄装置で、Ａｒガス雰囲気、印加電圧３００ＶでのＩＢＥによる洗浄を行った。次いで、スパッタ法により第１のケイ素膜を成膜し、さらに島津製作所製ＭＲ３を用いたＦＣＶＡ法により第１のＤＬＣ膜を成膜し、第１の保護膜を形成した。次に、媒体対向面の浮上面（凹凸部）加工を行い、凹凸形状を形成した。その後、印加電圧７５ＶでＡｒガスイオンを照射して、第１の保護膜をエッチングした。比較例では第１の保護膜の全てをエッチングにより除去し、実施例では除去後の第１のケイ素膜の残存厚さが表１の値の通りとなるように、第１のＤＬＣ膜の全てと第１のケイ素膜の一部を除去した。その後、第２のケイ素膜と第２のＤＬＣ膜とからなる第２の保護膜を形成した。最終的に形成されるケイ素膜の厚みは、第１のケイ素膜の残存膜厚と第２のケイ素膜の膜厚との合計であり、どの実施例でも１．０ｎｍとした。その後、第１のＤＬＣ膜と同様の方法で第２のＤＬＣ膜を成膜した。第１、第２の保護膜の厚みはＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）にて算出した。
【００３５】
次に、ヘッドの信頼性試験として以下の２種類の試験を行った。まず硫酸腐食試験として、ｐＨ３．６の硫酸水溶液に保護膜を形成したローバーを４時間浸漬し、その後水洗し、２００倍の顕微鏡にてヘッドの腐食の有無を確認し、その発生率を求めた。硫酸浸漬試験では、膜中のピンホールが検査された。次に、純水ディップ試験として、２．９５℃以上の純水に保護膜を形成したローバーを４時間浸漬し、その後ブラシ洗浄した後、熱ストレスを与え、同じく２０００倍の深紫外線型の顕微鏡で保護膜の剥離状況を観察し、剥離の発生率を確認した。表中に示す腐食試験の欄の数値は腐食ないし剥離の発生率を示すもので、値は低いほど良い。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
表からわかる通り、第１のケイ素膜を全て除去した比較例では、保護膜の最終的な膜構成は実施例１〜５と全く同じであるにもかかわらず、腐食および剥離の発生率が高くなった。この理由は不明であるが、第１のケイ素膜を全て除去すると、その際に記録素子１１や再生素子１２に直接的なダメージが及び、これらの素子１１，１２の表面の平滑度が悪化することで、ピンホールが発生しやすくなったことが理由の一つとして考えられる。一方、実施例１〜５では、第１のケイ素膜が最後まで残存し素子１１，１２が保護されているため、このような現象が防止され、より信頼性の高い保護膜の形成が可能になったものと思われる。また、第１のケイ素膜を除去していない実施例５に比べて、第１のケイ素膜の一部を除去した実施例１〜４は腐食および剥離の発生率がより低くなっている。その理由の一つとして、実施例１〜４では第１のケイ素膜が薄化（除去）プロセスにおいて平坦化され、その上に形成された第２の保護層の平坦性が向上したことが考えられる。
【００３８】
（実施例６〜８）
実施例６〜８では、第１の実施例と同様、第１のケイ素膜を０．２ｎｍだけ残して除去し、その後、第２のケイ素膜を膜厚１．０ｎｍで成膜し、さらに第２のケイ素膜を表１に記載の最終厚さまでエッチングした。例えば、実施例６の場合は、第１のケイ素膜を０．２ｎｍだけ残して除去し、第２のケイ素膜を１．０ｎｍの膜厚で成膜した後、０．２ｎｍだけエッチングし、最終膜厚が１．０ｎｍとなるようにした。その後、ＦＣＶＡ法を用いて、第２のＤＬＣ膜を膜厚１．５ｎｍで成膜した。
【００３９】
実施例１と実施例６を比較すると、実施例６のほうが耐腐食性に関し良好な結果が得られた。実施例６の場合、一旦成膜した第２のケイ素膜をエッチングするので、それによるダメージは受けやすくなる。しかし、エッチングの際に凸部が優先的に除去されることによって表面の微細な凹凸が平坦化され、第２のＤＬＣ膜の被覆性が向上していることも考えられ、後者の効果がより支配的であったことが理由の一つとして考えられる。
【００４０】
（実施例９，１０）
実施例９，１０は、上述の変形実施形態、すなわちステップＳ４（凹凸部形成ステップ）をステップＳ６（第２の保護膜形成ステップ）の後に実施する形態に対応している。実施例９の成膜条件及び膜除去条件は実施例２と同様であり、実施例１０は第２のＤＬＣ膜の成膜厚さだけが実施例９と異なっている。腐食試験に対する結果は実施例２と比べると多少悪化しているものの、比較例と比べると良好な結果が得られている。上述の通り、凹凸部の形成ステップが第２の保護膜の形成ステップよりも後に行われるため、第２の保護膜に多少のダメージが残っている可能性は高いものの、平坦化効果によりヘッドの信頼性が向上したことが確認された。
【符号の説明】
【００４１】
１１  再生素子
１２  記録素子
１３  凹凸部
２１  スライダ
２７  基板
２８  薄膜磁気ヘッド部
５１  第１の保護膜
５２  第１のケイ素膜
５３  第１のＤＬＣ膜
５４  第２の保護膜
５５  第２のケイ素膜
５６  第２のＤＬＣ膜
ＡＢＳ  媒体対向面
【図１】
2010267360.tif 000004
【図２】
2010267360.tif 000005
【図３】
2010267360.tif 000006
【図４】
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【図５】
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