(57)【要約】【課題】樹脂をテープ基材の表面に塗布してから半導体素子の突起電極をインナーリード上に接合した場合でも突起電極の表面とインナーリードとの接合面に樹脂残りの影響なく、接合歩留及び接合信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体素子３表面の突起電極７に凹部を形成し、その突起電極７の凹部に配線基板１に形成されたインナーリード２を接合することにより、樹脂８を先塗りして接合する場合においても、樹脂８を突起電極７の凹部内にも逃がすことで突起電極７の凹部の周辺部とインナーリード２とが１箇所以上で接合することができ、凹部周辺での接合を阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に半導体素子を搭載して形成される半導体装置であって、
前記配線基板上に形成されるインナーリードと、
前記半導体素子上に形成されて搭載時に前記インナーリードと接合される突起電極と、
前記突起電極の前記インナーリードとの接合面に形成される凹部と、
前記配線基板と前記半導体素子との間を充填する樹脂と
を有し、前記突起電極は前記凹部の周辺の少なくとも１箇所以上で前記インナーリードと接合することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突起電極と接合する部分の前記インナーリードの幅が、前記インナーリードを横切る方向の前記突起電極の凹部の幅より狭いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂が紫外線硬化性の樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
配線基板上のインナーリードと半導体素子上の突起電極とを接合して形成される半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の所定の領域上に樹脂を塗布する工程と、
前記インナーリードと前記突起電極との位置合わせをして前記配線基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記インナーリードと前記突起電極とを加熱・加圧して接合する工程と
を有し、前記突起電極の前記インナーリードとの接合面にあらかじめ凹部を設けておき、前記樹脂の硬化反応が終了する前に前記突起電極の前記凹部および前記突起電極の周囲に前記樹脂を逃がして前記凹部の周辺部で前記インナーリードと接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
配線基板上のインナーリードと半導体素子上の突起電極とを接合して形成される半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の所定の領域上に樹脂を塗布する工程と、
前記インナーリードと前記突起電極との位置合わせをして前記配線基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記インナーリードと前記突起電極とを超音波振動を印加しながら加圧して接合する工程と、
加熱により前記樹脂を硬化させる工程と
を有し、前記突起電極の前記インナーリードとの接合面にあらかじめ凹部を設けておき、前記樹脂の硬化反応が終了する前に前記突起電極の前記凹部および前記突起電極の周囲に前記樹脂を逃がして前記凹部の周辺部で前記インナーリードと接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂が前記接合時の温度より高い硬化温度を備えることを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂が紫外線で硬化する樹脂であり、超音波による前記接合後に紫外線を印加して仮硬化することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記突起電極と接合する部分の前記インナーリードの幅が、前記インナーリードを横切る方向の前記突起電極の凹部の幅より狭いことを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板上に樹脂を塗布し、突起電極を備えた半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、テープ状のフレキシブル配線基板（テープキャリア）上に半導体素子が接合・搭載されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）と呼ばれる半導体装置がある。
以下、図１７〜図１９を用いて従来のＣＯＦ型の半導体装置について説明する。
【０００３】
図１７は従来のＣＯＦの構成を示す断面図、図１８は従来のＣＯＦの半導体素子とテープキャリアとの接合部分を示す拡大断面図であり、図１７のＸ部拡大図である。図１９は従来のＣＯＦの要部拡大図であり、図１８の矢印Ｙ方向を見た断面図である。
【０００４】
ＣＯＦは、図１７に示すように半導体素子１６をテープキャリアに接合搭載した構成である。半導体素子１６の表面には、突起電極（金バンプ）１５が形成されている。テープキャリアは、ポリイミド等の配線基板１３上に銅からなる配線パターンが形成されている。また配線基板１３及び配線パターン上の一部には、ソルダーレジスト１１が形成されている。配線パターンは、半導体素子１６の突起電極（金バンプ）１５と接合するインナーリード１２と外部接続端子（アウターリード）、部品搭載用のパターン等がある。ソルダーレジスト１１により被覆されていない露出部分のインナーリード１２及び部品搭載パターンと外部接続端子には金メッキが施されている。
【０００５】
図１８は、半導体素子１６とテープキャリアとの接合部分を示す拡大断面図である。図１８に示すように、突起電極（金バンプ）１５は半導体素子の電極上に形成され、インナーリード（金メッキもしくは錫メッキ）１２と突起電極（金バンプ）１５が熱圧着接合されている。そして、半導体素子１６とテープキャリアの接合部分は樹脂により封止されている。
【０００６】
ＣＯＦの実装方法は、図１７に示すようにテープキャリアの配線パターン上の金メッキもしくは錫メッキと半導体素子１６の突起電極（金バンプ）１５に、半導体素子１６の裏面（バンプ形成面の反対面）から加熱し、且つテープキャリアの配線パターンの裏面から加圧し、上述のように、金−金の熱圧着接合もしくは金−錫の共晶接合により、突起電極（金バンプ）１５にインナーリード１２を接合している。接合後、液状の封止樹脂１４をアンダーフィル充填させる。また、ＣＯＦには、有機絶縁テープ上に液状の封止樹脂１４を塗布するか、あるいはフィルム状の封止樹脂１４を貼り付けその後、加熱・加圧する事により、インナーリード１２と突起電極１５の接合と樹脂封止１４を同時に行う方法もある。尚、加熱・加圧前に塗布する樹脂１４材料、あるいはフィルム状樹脂材料には導電粒子が含まれていることもある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１７６９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら従来のＣＯＦ半導体装置の構成では樹脂１４をテープ基材の表面に塗布してから半導体素子１６の突起電極１５をインナーリード１２上に熱圧着接合する場合、図１８、１９に示すように突起電極１５の表面とインナーリード１２との接合面から樹脂１４の逃げ場が無いため、樹脂１４が加熱圧着時に硬化して突起電極１５の表面とインナーリード１２の接合面に残り（樹脂１４’）、接合歩留の悪化や、接合信頼性が低下するなどの課題があった。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、テープ上に樹脂先塗りを行った場合に半導体素子の突起電極表面とインナーリード間の接合面に残る樹脂の影響がなく、接合歩留及び接合信頼性を向上することのできる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、配線基板上に半導体素子を搭載して形成される半導体装置であって、前記配線基板上に形成されるインナーリードと、前記半導体素子上に形成されて搭載時に前記インナーリードと接合される突起電極と、前記突起電極の前記インナーリードとの接合面に形成される凹部と、前記配線基板と前記半導体素子との間を充填する樹脂とを有し、前記突起電極は前記凹部の周辺の少なくとも１箇所以上で前記インナーリードと接合することを特徴とする。
【００１１】
また、前記突起電極と接合する部分の前記インナーリードの幅が、前記インナーリードを横切る方向の前記突起電極の凹部の幅より狭いことを特徴とする。
また、前記樹脂が紫外線硬化性の樹脂であることを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線基板上のインナーリードと半導体素子上の突起電極とを接合して形成される半導体装置の製造方法であって、前記配線基板の所定の領域上に樹脂を塗布する工程と、前記インナーリードと前記突起電極との位置合わせをして前記配線基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、前記インナーリードと前記突起電極とを加熱・加圧して接合する工程とを有し、前記突起電極の前記インナーリードとの接合面にあらかじめ凹部を設けておき、前記樹脂の硬化反応が終了する前に前記突起電極の前記凹部および前記突起電極の周囲に前記樹脂を逃がして前記凹部の周辺部で前記インナーリードと接合することを特徴とする。
【００１３】
また、配線基板上のインナーリードと半導体素子上の突起電極とを接合して形成される半導体装置の製造方法であって、前記配線基板の所定の領域上に樹脂を塗布する工程と、前記インナーリードと前記突起電極との位置合わせをして前記配線基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、前記インナーリードと前記突起電極とを超音波振動を印加しながら加圧して接合する工程と、加熱により前記樹脂を硬化させる工程とを有し、前記突起電極の前記インナーリードとの接合面にあらかじめ凹部を設けておき、前記樹脂の硬化反応が終了する前に前記突起電極の前記凹部および前記突起電極の周囲に前記樹脂を逃がして前記凹部の周辺部で前記インナーリードと接合することを特徴とする。
【００１４】
また、前記樹脂が前記接合時の温度より高い硬化温度を備えることを特徴とする。
また、前記樹脂が紫外線で硬化する樹脂であり、超音波による前記接合後に紫外線を印加して仮硬化することを特徴とする。
【００１５】
また、前記突起電極と接合する部分の前記インナーリードの幅が、前記インナーリードを横切る方向の前記突起電極の凹部の幅より狭いことを特徴とする。
かかる構成によれば、樹脂先塗り接合時においても樹脂を突起電極の凹部に逃がすことで凹部周辺での接合を阻害しないため、接合歩留及び接合信頼性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明は、半導体素子表面の突起電極に凹部を形成し、その突起電極の凹部に配線基板に形成されたインナーリードを接合することにより、樹脂を先塗りして接合する場合においても、樹脂を突起電極の凹部内にも逃がすことで突起電極の凹部の周辺部とインナーリードとが１箇所以上で接合することができ、凹部周辺での接合を阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す斜視図
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す斜視図
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部拡大断面図
【図１４】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１５】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図
【図１６】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１７】従来のＣＯＦの構成を示す断面図
【図１８】従来のＣＯＦの半導体素子とテープキャリアとの接合部分を示す拡大断面図
【図１９】従来のＣＯＦの要部拡大図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図２は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す斜視図であり、図１の下面斜視図（矢印Ａの向きに見た図）を示し、一部の部材を透過させて図示している。ここで、図２（ａ）は突起電極単体の構造を示し、図２（ｂ）は突起電極がインナーリードに接続した状態を示す。図３〜図５は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図であり、図３は図２のＢ−Ｂ’断面図、図４は図２のＣ−Ｃ’図５は図２のＤ−Ｄ’断面図である。また、図３〜図５は図２とは上下が反転した図となっている。
【００１９】
図１〜５において、１は配線基板、２は配線基板１の表面に形成されたインナーリード、３は半導体素子、４は半導体素子３の主面上に配列された素子電極、５は半導体装置３の主面を被覆する保護膜であり、素子電極４上の少なくとも一部が開口している。６は素子電極４上に形成されたバリア層、７はバリア層６上に形成された突起電極である。
【００２０】
配線基板１の表面と半導体素子３の主面が対向し、インナーリード２と突起電極７とが接合され、配線基板１の表面と半導体素子３の主面の間に樹脂８が充填されている。
ここで図２に示すように、突起電極７の表面には凹部９が形成され、突起電極７とインナーリード２とが接合されている。
【００２１】
図３、図４に示すように、突起電極７の凹部９とインナーリード２の間には樹脂８’が有り、また図３、図５に示すように突起電極７は凹部９の周辺でインナーリード２と接合している。
【００２２】
上記構成を実施する一例としては、配線基板１として厚み４０μｍ程度のポリイミドフィルムを用いる。導体配線２は、厚み８μｍ程度のＣｕで形成し、表面に厚み０．２μｍ程度の無電解錫メッキを形成する。
【００２３】
突起電極７は厚み１５μｍ程度の電解金メッキであり、突起電極７の表面の凹部９の深さはは素子電極６上の開口部の保護膜５の厚みと同程度の１μｍ程度である。樹脂８はエポキシを主成分とするＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を用いる。
【００２４】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、半導体素子３の表面の突起電極７に凹部９を形成し、突起電極７の凹部９にテープキャリア１に形成されたインナーリード２が接合されているため、突起電極７の凹部９の周辺部とインナーリード２とが１箇所以上で接合している。そのため、樹脂８を配線基板１に塗布してから接合する場合、樹脂８を突起電極７の凹部９や突起電極７の周囲に逃がすことで凹部９周辺での接合を阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００２５】
図６は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図７は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す斜視図であり、図６の下面斜視図（矢印Ａの向きに見た図）を示し、一部の部材を透過させて図示している。ここで、図７（ａ）は突起電極単体の構造を示し、図７（ｂ）は突起電極がインナーリードに接続した状態を示す。図８〜図１０は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図であり、図８は図７のＢ−Ｂ’断面図、図９は図７のＣ−Ｃ’図１０は図２のＤ−Ｄ’断面図である。また、図８〜図１０は図７とは上下が反転した図となっている。
【００２６】
図の構成において第１の実施形態と同一部分には同一符号を用い、説明を省略する。
第２の実施形態が第１の実施形態と異なるのは、表面凹部９が形成された半導体素子３の突起電極７と接合する部分のインナーリード２の幅Ｗ１が、インナーリード２を横切る方向の突起電極７の凹部９の幅Ｗ２より狭く、樹脂８が凹部９内に閉じ込められない構造をとることである。
【００２７】
第２の実施形態によれば、樹脂８を配線基板１に塗布してから接合する場合、樹脂８’を突起電極７の凹部９に逃がすとともに更に凹部９の樹脂８’もインナーリード２の側面から外に逃がすことで凹部９周辺での接合を更に阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００２８】
次に第３の実施形態として、第１の実施形態における半導体装置の製造方法について、図１１，図１２を用いて説明する。
図１１は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１２は図１１（ｃ）の要部拡大図であり、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図である。図の構成において第１の実施形態と同一部分には同一符号を用い、説明を省略する。
【００２９】
まず、図１１（ａ）に示すように、表面にインナーリード２が形成された配線基板１を準備する。この時、導体配線２を厚み８μｍ程度のＣｕで形成し、表面に厚み０．２μｍ程度の無電解錫メッキを形成しておく。
【００３０】
次に図１１（ｂ）に示すように、樹脂８をインナーリード２上に塗布する。
次に図１１（ｃ）に示すように、主面に突起電極７を形成した半導体素子３を準備し、半導体素子３の主面と配線基板２の表面を対向させ載置し、半導体素子３の裏面より加熱、加圧してインナーリード２の先端と突起電極７を熱圧着接合する。
【００３１】
このとき、図１２に示す様に樹脂８の硬化反応が終了する前にインナーリード２が突起電極７と接合する面から突起電極７の凹部９または突起電極７の周囲に樹脂８’を逃がし凹部９の周辺でインナーリード２と接合させる。
【００３２】
以上のように第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、樹脂８の硬化反応が終了する前にインナーリード２が突起電極７と接合する面から突起電極７の凹部９に樹脂８を逃がし凹部９の周辺でインナーリード２と確実に接合させることができ、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００３３】
図１３は本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部拡大断面図である。図１３の構成において第３の実施形態の製造方法を説明する図１１、１２と同一部分には同一符号を用い、説明を省略する。
【００３４】
第４の実施形態は第２の実施形態の製造方法であり、第３の実施形態に係る製造方法と異なる点は図１３に示すように表面に凹部９が形成された半導体素子３の突起電極７と接合する部分のインナーリード２の幅Ｗ１が、インナーリード２を横切る方向の突起電極７の凹部９の幅Ｗ２より狭いことである。
【００３５】
第４の実施形態によれば、樹脂８を配線基板１に塗布してから接合する場合、樹脂８’を突起電極７の凹部９に逃がすとともに、更に凹部９の樹脂８’もより容易にインナーリード２の側面から外に逃がすことができるため、凹部９周辺での接合を更に阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００３６】
図１４は本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１５は図１４（ｃ）の要部拡大図であり、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置に用いる突起電極の形状を示す断面図である。図の構成において第３の実施形態と同一部分には同一符号を用い、説明を省略する。
【００３７】
第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第３、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、配線基板１に半導体素子３を接合する際に、加熱、加圧に加えて超音波振動を与えることである。超音波振動を加えることにより、圧着の際に加熱温度を高くする必要がなく、接合時に樹脂の硬化を低減することができる。
【００３８】
まず、図１４（ａ）に示すように、表面にインナーリード２が形成された配線基板１を準備する。
本発明の第３、第４の実施形態にかかる製造方法と異なる点は、図１１の導体配線２の表面に無電解錫メッキを形成するかわりに、厚み０．５μｍ程度の電解金メッキを形成する点である。これにより、導体配線２の金メッキと突起電極７との接合に、第３、第４の実施形態で用いた高温の錫−金共晶を用いるかわりに低温の金−金超音波接合を用いることができる。
【００３９】
次に図１４（ｂ）に示すように、樹脂８をインナーリード３上に塗布する。
ここで、樹脂８として、接合工程での加熱温度では硬化しない材料、例えば、２００℃のゲル化時間が１０秒程度の材料を用いる。
【００４０】
次に図１４（ｃ）に示すように、主面に突起電極７を形成した半導体素子３を準備し、半導体素子３の主面と配線基板２の表面を対向させて載置し、半導体素子３の裏面より加熱、加圧してインナーリード２の先端と突起電極７を超音波にて接合させる。
【００４１】
ここでは半導体素子の加熱温度は２００℃、超音波振動は振幅１μｍｐ−ｐ程度を０．５秒程度印加するものとし、この条件では樹脂８は硬化しない。
超音波を用いて接合させる為、導体配線２の金メッキと突起電極７の金の表面が接合前に接触してこすれることで各々の表面に付着していた汚れが除去されるとともに、各々の接触面の金の原子配列が転位することで新生面が露出し、金原子同士の原子間力により金の固相接続がなされる。この為、圧着の際に第３、第４の実施形態で用いた錫−金の共晶接合のように高温にする必要がなくなって、実質的に樹脂が硬化しない比較的低温で接合することが可能となり、図１５に示す様に樹脂８の流動性が維持された状態である、硬化反応が終了する前にインナーリード２が突起電極７と接合する面から突起電極７の凹部９または突起電極７の周囲に樹脂８’を逃がすことができるため、凹部９の周辺でインナーリード２と接合させる事が可能となる。
【００４２】
最後に、加熱により樹脂８を完全に硬化させる。
以上のように第５の実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、突起電極７とインナーリード２との接合を超音波で接合することを特徴としているので、接合温度が低温の状態で接合できる為、樹脂８の硬化反応を遅らせ流動性を確保することで凹部９の内外に樹脂を逃がし凹部周辺部での接合を阻害しないで接合することができる。さらに、硬化温度が接合温度より高い樹脂８を用いることにより、樹脂８が接合中に硬化しない為、樹脂８の流動性を確保することで凹部９の内外に樹脂８’を逃がし凹部周辺部での接合を阻害しないで接合することができ、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００４３】
図１６は本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図であり、図の構成において第３の実施形態と同一部分には同一符号を用い、説明を省略する。
本発明の第５の実施形態にかかる製造方法と異なる点は、図１４（ｂ）の表面塗布される封止樹脂が紫外線にて硬化することが出来る樹脂８’’を用いることである。
【００４４】
まず、図１６（ａ）に示すように、表面にインナーリード２が形成された配線基板１を準備する。
次に図１６（ｂ）に示すように、樹脂８’’をインナーリード３上に塗布する。
【００４５】
ここで、樹脂８’’として波長２００〜４００ｎｍ、１０００ｍＪ／ｃｍ２程度の紫外線を照射した場合に、硬化時間が約数秒〜数十秒程度で硬化する樹脂材料を用いる。
次に図１６（ｃ）に示すように、主面に突起電極７を形成した半導体素子３を準備し、半導体素子３の主面と配線基板２の表面を対向させ載置し、半導体素子３の裏面より加圧してインナーリード２の先端と突起電極７を超音波にて接合する。
【００４６】
この時、半導体素子３には超音波振動は振幅１μｍｐ−ｐ程度を０．５秒程度印加する。
ここで、樹脂８’’に紫外線硬化性の樹脂を用いることにより、樹脂の硬化反応が紫外線により進行する為、圧着の際に高温にする必要がなくなり、樹脂８’’が接合中に硬化することなく、インナーリード２が突起電極７と接合する面から突起電極７の凹部９または突起電極７の周囲に樹脂８を容易に逃がして凹部９の周辺でインナーリード２と接合できる。
【００４７】
次に図１６（ｄ）に示すように、紫外線にて樹脂８’’を仮硬化させる。ここでは波長２００〜４００ｎｍ、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を１０秒照射する。
樹脂８’’の仮硬化が終了後、図１６（ｅ）に示すように紫外線が遮光されていた部分の樹脂８’’を硬化させる為、加熱し熱硬化させる。この時の加熱乾燥炉の温度は８０℃、約１０分程度で硬化させる。
【００４８】
以上のように第６の実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、樹脂として紫外線硬化性の樹脂を用いることにより、接合時に紫外線を照射せず、さらに、超音波を用いることにより加熱もしないことにより、接合時には樹脂８’’が硬化せず流動性が維持されている為、インナーリード２が突起電極７と接合する面から突起電極７の凹部９または突起電極７の周囲に樹脂８’’を逃がして凹部９の周辺でインナーリード２と確実に接合させることができ、高歩留、高信頼性接合が可能となる。
【００４９】
また、紫外線硬化樹脂は、紫外線の照射によって数秒〜数十秒で硬化することから従来の熱硬化型樹脂で必要だった加熱乾燥炉の乾燥工程時間も１／１０以下に短縮することが可能となる。大幅な生産性向上が見込めるとともに省スペース・省エネルギーを図ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、接合歩留及び接合信頼性を向上することができ、配線基板上に樹脂を塗布し、突起電極を備えた半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置、及びその製造方法等に有用である。
【符号の説明】
【００５１】
１                配線基板
２                インナーリード
３                半導体素子
４                素子電極
５                半導体素子の保護膜
６                素子電極上のバリア層
７                突起電極
８，８’，８’’  樹脂
９                凹部
１１              ソルダーレジスト
１２              インナーリード
１３              配線基板
１４，１４’      樹脂
１５              突起電極
１６              半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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