(57)【要約】【課題】プリント板の各点から得られる正反射光及び散乱反射光の２次元の光量分布を基に、はんだ箇所の高さを算出するときの基準位置を容易に求める技術を提供する。【解決手段】基板１に垂直に近赤外光を照射し散乱反射光を受け、かつ斜めの角度で近赤外光を照射しその正反射光を受ける変位センサ２を備え、度数算出手段４は、散乱反射光量と正反射光量とを２次元とするヒストグラムを生成する。パラメータ決定手段５は、ヒストグラム上で散乱反射光量及び正反射光量が高い側においてほぼピークとなる度数分布を有する基準分布を選定し、基準分布の裾付近の２次元の範囲をパラメータとして決定する。測定検査部１００は散乱反射光量及び正反射光量がパラメータの範囲内にある基板上の位置であって、はんだの高さを求めようとするはんだ箇所に近い位置を基準位置として、はんだの高さを求める。【選択図】図１
2010139445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだが印刷されたプリント板の表面に光を照射して、該表面からの反射光を検出する変位センサ（２）と、該プリント板上に基準位置を設定し、その基準位置を基に、該プリント板のはんだ箇所のはんだの高さを求め、該はんだの高さを基に、印刷されたはんだの形状の良否を判定する測定検査部（１００）とを備えた印刷はんだ検査装置において、
前記変位センサは、前記プリント板の測定点に垂直に近赤外光を照射し該測定点からの散乱反射光を受ける第１のセンシング手段（ＯＳ１ａ，Ｄ１，Ｄ２）と、前記測定点と同じ測定点に前記垂直に対し所定角度斜めの角度で前記近赤外光を照射し該測定点で正反射した正反射光を受ける第２のセンシング手段（ＯＳ２ａ，Ｄ３）とを備え、さらに
該変位センサからの光量の出力を受けて、一方を前記散乱反射光の光量、他方を前記正反射光の光量とする２次元に直交する方向を度数とするヒストグラムを生成する度数算出手段（４）と、
該ヒストグラム上で、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側においてほぼピークとなる度数分布を含む基準分布を選定し、該基準分布の裾付近の前記２次元の範囲をパラメータとして決定するパラメータ決定手段（５）と、を備え、
前記測定検査部は、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が該パラメータの範囲内にある前記プリント上の位置であって、前記はんだの高さを求めようとするはんだ箇所に近い位置を前記基準位置として該はんだの高さを求めることを特徴とする印刷はんだ検査装置。
【請求項２】
前記パラメータ決定手段は、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側の前記２次元の範囲の一部領域を占める所定の度数分布を有する推定の選択関数を備え、前記ヒストグラムから該選択関数により、前記基準分布を選定する選定手段（５ａ）と、選定された該基準分布のピーク付近の分布に近似する近似ガウス分布を算出し、該近似ガウス分布と予め記憶していた該近似ガウス分布の裾付近の閾値とが交差する範囲を前記パラメータとして決定するパラメータ算出手段（５ｂ）とを備えることを特徴とする請求項１に記載の印刷はんだ検査装置。
【請求項３】
前記選定手段は、前記所定の度数分布を有する前記推定の選択関数としてガウス分布状の選択関数を有し、該選択関数の位置を、少なくとも前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側の範囲で変更しながら前記ヒストグラムと該選択関数とを乗算し、乗算して得られた分布のピークの値が最大となったときの前記位置における該乗算して得られた分布を前記基準分布と決定することを特徴とする請求項２に記載の印刷はんだ検査装置。
【請求項４】
表示手段（６ｃ）と、操作手段（６ｂ）と、
該表示手段に前記ヒストグラム及び前記選択関数を表示させるとともに、該操作手段により該選択関数の前記位置を移動可能に表示させる表示制御手段（６ａ）とを備え、
前記選定手段は、前記操作手段から該選択関数の位置の変更指示を受ける度に、前記ヒストグラムと該選択関数とを乗算することを特徴とする請求項３に記載の印刷はんだ検査装置。
【請求項５】
表示手段（６ｃ）と、操作手段（６ｂ）と、
該表示手段に前記ヒストグラムとともに、該操作手段により移動可能なマーカを表示させる表示制御手段（６ａ）とを備え、
前記パラメータ決定手段は、前記操作手段によりマーカで指定された分布を前記基準分布と選定する選定手段（５ａ）と、選定された該基準分布のピーク付近の分布に近似する近似ガウス分布を算出し、その近似ガウス分布と予め記憶していた該近似ガウス分布の裾付近の閾値とが交差する範囲内を前記パラメータと決定するパラメータ算出手段（５ｂ）とを備えることを特徴とする請求項１に記載の印刷はんだ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品等を表面実装するために表面にクリーム状のはんだが印刷されたプリント板に光を照射してその反射光を基にはんだの高さ（変位）を測定し、はんだの形成状態を検査する印刷はんだ検査装置及びその方法に関する。本発明における印刷はんだ検査装置は、測定しようとするはんだ箇所の近くに、はんだの高さの基準となる基準位置を設定し、その基準位置におけるおける所定の高さに対するはんだの高さを求めるものであるが、本発明は、特に、その基準位置を反射光の光量分布からサーチしやすくした技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント板には、はんだが印刷される箇所（以下、「はんだ箇所」と言う。）であって回路パターン（パッド）が顕わにされ、部品が取り付け可能なパッド部と、回路パターンの上に近赤外光が透過可能なレジストが塗布されたレジスト部（はんだが印刷されない部分）があるが、従来、実際に印刷されたはんだの高さをレジスト部の下部にあるパッド面（回路パターン面）からの高さとして測定できる技術がある（本発明と出願人が同一の特許文献１）。
【０００３】
特許文献１の技術は、例えば、図１５に示す基板１（以下、プリント板を「基板」と言う。）の上にパッド１ｃ（回路パターン面でもある）、その上のレジスト１ａ及び印刷されたはんだ１ｂを有する基板１に対して、近赤外光を斜めに照射しその正反射光を掴まえることにより図１６（ａ）のようにレジスト１ａの表面の高さが検出でき、近赤外光を垂直に照射しその散乱反射光を掴まえることにより図１６（ｂ）のようにパッド１ｃの表面の高さが検出できることを利用して、パッド１ｃの面からはんだ１ｂの高さを測定するものである。より具体的には、図１４に示す構成において、パッド１ｃに印刷されたはんだ１ｂ、レジスト１ａを有する基板１の表面の測定点に垂直に、レジスト１ａが透過する波長の近赤外光を照射し、測定点からの散乱反射光を受ける第１のセンシング手段（第１の近赤外光源ＯＳ１，第１の受光手段Ｄ１，第２の受光手段Ｄ２）と、同じ測定点に垂直に対し所定角度斜めの角度で近赤外光を照射し測定点で正反射した正反射光を受ける第２のセンシング手段（第２の近赤外光源ＯＳ２ａ，第３の受光手段Ｄ３）とを含む変位センサ２を備えている。そして、データ処理部１１は、第１のセンシング手段の出力に基づいて基板１の表面における各測定点における変位を求める。測定点判定部１２が、第２のセンシング手段の出力に基づく光量データにより少なくとも測定点がはんだ箇所であるかレジスト箇所であるかを識別する。さらに、測定演算部１３が、測定点判定部１２の識別の結果とデータ処理部１１が求めた変位とを受けて、レジスト１ａを測定点としたときのレジスト１ａの底部にあるパッド１ｃに対するはんだ１ｂの高さを求める。
【０００４】
特許文献１では、パッド１ｃに対するはんだ１ｂの高さを求めるので、そのパッド面１ｃが基準面になるが（その基準面のある基板１上の位置を「基準位置」と言う。）、その基準面を測定しようとするはんだ１ｂの周辺近傍に求めることを推奨している。これは、はんだ１ｂから遠いところを基準とすると、基板１の反り等の影響を受けてやすいため、その影響を軽減するためである。
【０００５】
【特許文献１】特願２００８−２０９９２３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、基準面のある基準位置に該当するところとして、高さを測定しようとするはんだ１ｂの近辺でレジスト１ａがあって、そのレジスト１ａの下部にパッド１ｃが存在するところの光量（輝度）についての閾値等を用いて検出していた。しかし、この方法であると、周辺の輝度分布の状況によっては、閾値の設定等においてシビアな調整が要求され、容易ではなかった。
【０００７】
一方、特許文献１のようにレジスト１ａの底部にあるパッド１ｃに対するはんだ１ｂの高さを求めるために必要な基準面がある基準位置とは、測定しようとするはんだ箇所の近辺であって、レジスト１ａ及びパッド１ｃがある位置であることが理解できる。
【０００８】
そこで、基板１における、近赤外光に対する正反射光量（輝度）及び散乱反射光量（輝度）の傾向を調べた。その結果を図１３に示す。図１３（ａ）は、基板１の断面を示す図であり、かつレジスト１ａ、はんだ１ｂ、パッド１ｃの位置関係を示す図である。このような基板１を図１４に示す変位センサ２で反射量の傾向を調べたところ、正反射光量が図１３（ｂ）のような傾向、散乱反射光量が図１３（ｃ）のような傾向を示した。図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）から、レジスト１ａ及びパッド面１ｃがある位置とは、それらの双方がある位置（図で２点鎖線で示すような位置）であって、正反射光量及び散乱反射光量の双方が高い傾向を示した。
【０００９】
したがって、基板１の各位置の正反射光量及び散乱反射光量を取得し、一方を正反射光量の次元とし、他方を散乱反射光量の次元とする２次元のヒストグラム（度数分布）算出し、そのヒストグラム上で正反射光量及び散乱反射光量の双方が高い領域を基に、基準位置を探し出すだめのパラメータを求められることが分かった。
【００１０】
本発明の目的は、プリント板の各点から得られる正反射光及び散乱反射光の２次元の光量（輝度）分布を基に、はんだの高さを求めるための基準位置を確実に、容易に求める技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、はんだが印刷されたプリント板の表面に光を照射して、該表面からの反射光を検出する変位センサ（２）と、該プリント板上に基準位置を設定し、その基準位置を基に、該プリント板のはんだ箇所のはんだの高さを求め、該はんだの高さを基に、印刷されたはんだの形状の良否を判定する測定検査部（１００）とを備えた印刷はんだ検査装置において、
前記変位センサは、前記プリント板の測定点に垂直に近赤外光を照射し該測定点からの散乱反射光を受ける第１のセンシング手段（ＯＳ１ａ，Ｄ１，Ｄ２）と、前記測定点と同じ測定点に前記垂直に対し所定角度斜めの角度で前記近赤外光を照射し該測定点で正反射した正反射光を受ける第２のセンシング手段（ＯＳ２ａ，Ｄ３）とを備え、さらに、該変位センサからの光量の出力を受けて、一方を前記散乱反射光の光量、他方を前記正反射光の光量とする２次元に直交する方向を度数とするヒストグラムを生成する度数算出手段（４）と、該ヒストグラム上で、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側においてほぼピークとなる度数分布を含む基準分布を選定し、該基準分布の裾付近の前記２次元の範囲をパラメータとして決定するパラメータ決定手段（５）と、を備え、前記測定検査部は、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が該パラメータの範囲内にある前記プリント上の位置であって、前記はんだの高さを求めようとするはんだ箇所に近い位置を前記基準位置として、該はんだの高さを求めることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記パラメータ決定手段は、前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側の前記２次元の範囲の一部領域を占める所定の度数分布を有する推定の選択関数を備え、前記ヒストグラムから該選択関数により、前記基準分布を選定する選定手段（５ａ）と、選定された該基準分布のピーク付近の分布に近似する近似ガウス分布を算出し、該近似ガウス分布と予め記憶していた該近似ガウス分布の裾付近の閾値とが交差する範囲を前記パラメータとして決定するパラメータ算出手段（５ｂ）とを備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記選定手段は、前記所定の度数分布を有する前記推定の選択関数としてガウス分布状の選択関数を有し、該選択関数の位置を、少なくとも前記散乱反射光の光量及び前記正反射光の光量が高い側の範囲で変更しながら前記ヒストグラムと該選択関数とを乗算し、乗算して得られた分布のピークの値が最大となったときの前記位置における該乗算して得られた分布を前記基準分布と決定することを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、表示手段（７ｃ）と、操作手段（７ｂ）と、該表示手段に前記ヒストグラム及び前記選択関数を表示させるとともに、該操作手段により該選択関数の前記位置を移動可能に表示させる表示制御手段（７ａ）とを備え、前記選定手段は、前記操作手段から該選択関数の位置の変更指示を受ける度に、前記ヒストグラムと該選択関数とを乗算することを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、表示手段（７ｃ）と、操作手段（７ｂ）と、該表示手段に前記ヒストグラムとともに、該操作手段により移動可能なマーカを表示させる表示制御手段（７ａ）とを備え、前記パラメータ決定手段は、前記操作手段によりマーカで指定された分布を前記基準分布と選定する選定手段（５ａ）と、選定された該基準分布のピーク付近の分布に近似する近似ガウス分布を算出し、その近似ガウス分布と予め記憶していた該近似ガウス分布の裾付近の閾値とが交差する範囲内を前記パラメータと決定するパラメータ算出手段（５ｂ）とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
プリント板の各位置における正反射光及び散乱反射光の各光量からそれらを２次元とするヒストグラム（光量（輝度）分布）からパラメータを決定し、そのパラメータ内にある正反射光量及び散乱反射光量に該当する基準位置の中から、測定しようとするはんだ箇所の位置に近い基準位置を選定してはんだ箇所の高さを測定できる。また、選択関数を用いて所望の基準分布を選択しているので、他の不要な分布を除去できる（選択関数は、マスク関数とも言える。）。また、選択関数がガウス分布であってその選択関数をヒストグラムと乗算して所望の基準分布を求めるので、つまりガウス分布で重み付けして抽出するので、度数の高い方の分布の近いところにある不要分布を落としたガウス分布に近い形で、基準分布を求めることができる。さらに、基準分布のピーク付近をガウス分布に近似して近似ガウス分布を求め、その近似ガウス分布の裾付近（度数が低いところ）と所望の閾値と比較してパラメータを決定するので、基準分布がもつ裾付近の雑音等による不安定な分布を除いてパラメータを決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る印刷はんだ検査装置の実施形態を図を用いて説明する。図１は印刷はんだ検査装置の実施形態の機能構成を示す図である。図２は、図１の測定検査部の変位測定部の機能構成を示す図である。図３は、図１の実施形態の内、検査部の機能構成を示す図である。図４は、正反射光量（Ｘ軸）と散乱反射光量（Ｙ軸）とを２次元とするヒストグラムの一例である。図５は、正反射光量（Ｘ軸）と散乱反射光量（Ｙ軸）とを２次元座標上における選択関数の例を示す図である。図６は、選択関数の位置変更を説明するための図である。図７は、選択関数によって選択された基準分布を示す図である。図８は、図７の基準分布の正反射光量の軸（Ｘ軸）に沿った断面を示す図である。図９は、図７の基準分布の散乱反射光量の軸（Ｙ軸）に沿った断面を示す図である。図１０は、近似ガウス分布を説明するための図である。図１１は、パラメータと度数閾値との関係を説明するための図である。図１２は、パラメータの範囲を説明するための図である。図１３は、近赤外光に対する正反射光量（輝度）及び散乱反射光量（輝度）の傾向を示す図である（上記、説明済みである。）。
【００１８】
図１〜図１２において、既に上記した図１３〜図１６と同一符号の要部は、同一機能動作をする。また、本発明の変位センサ２，変位測定部１０、検査部２０，走査機構３０及び制御部４０の機能動作は、以下に、特に記載がない限り、本発明と同一出願人の特願２００８−２０９９２３号と基本的に同一の動作を行う。また、一部は、特願２００８−２０９９２３号と同様の内容を記載することがある。
【００１９】
図１で変位センサ２は、一枚の板状のプリント板１（以下「基板１」と言う）あるいは平板上の基台（以下、「基台」と言う。不図示）に、第１の近赤外光源ＯＳ１ａと、第１の受光手段Ｄ１と、第２の受光手段Ｄ２と、第２の近赤外光源ＯＳ２ａと、第３の受光手段Ｄ３と、を互いの位置関係を固定して形成されている。第１の近赤外光源ＯＳ１ａは、波長が０．７６〜０．９μｍ内のいずれかの光を発生し、基板１の表面の測定点を垂直方向から第１光軸に沿って光（以下、光のビームであるが「光」と称する。）を照射する位置にある。第１の近赤外光源ＯＳ１ａの波長を０．７６〜０．９μｍとしたのは、レジスト１ａを垂直に入射した場合にそのレジスト１ａを透過する波長であること（ほぼ０．７６μｍ以上）、そして、入手しやすい或いは安価なものであること（ほぼ０．９μｍ以下、）からである。
【００２０】
第１の受光手段Ｄ１は測定点にて該第１の光軸に対して第１の角度θ１で形成される第１の散乱反射光路上に配置されている。第２の受光手段Ｄ２は、第１の光軸に対して第１の散乱反射光路と反対側に第２の角度θ２で形成される第２の散乱反射光路上に配置されている。第１の受光手段Ｄ１及び第２の受光手段Ｄ２は、散乱反射光を受光している（以上が「第１のセンシング手段」である）。第２の近赤外光源ＯＳ２ａは、波長が０．７６〜０．９μｍ内のいずれかの光（ビーム）を発生し、第１の光軸に対して斜めの角度θ３を成す第２の光軸の光で測定点を照射する。そして第３の受光手段Ｄ３は、測定点にて第２の光源の第２の光軸に対して第３の角度２θ３で形成される正反射光路上に配置され、正反射光を受光している（以上が、「第２のセンシング手段」である。）。
【００２１】
また、第１の受光手段Ｄ１、第２の受光手段Ｄ２のそれぞれは、所定長さの受光面を有し、測定点からの散乱反射光を受光したときの該所定長さ方向における受光位置に応じて光変位情報を検出する位置検出器（ＰＳＤ：Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が用いられている。ＰＳＤは、長さ方向に光検出素子が配置され、その長さ方向の両端からの位置を示す情報としてそれらの各端部からその位置に応じた電気量である出力Ａ、出力Ｂが出力されるとその変位情報は（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）で示される。ＰＳＤは、測定点の変位により受光位置が変わり、その受光位置に応じた電気量を出力する素子、つまり変位を電気量に表して出力する素子である。ＰＳＤの代わりに、フォトダイオード・アレイやＣＣＤ等で直接、受光位置を変位を示す情報として出力する構成としても良い。
【００２２】
第１の受光手段Ｄ１、第２の受光手段Ｄ２のそれぞれは、測定点がはんだ１ｂの場合は、その表面からの反射光を受けてその変位を検出し、測定点が透過性を有するレジスト１ａの場合は、その底部の変位、つまり底部にあるパッド１ｃ、もしくはパッド１ｃが無い基板１そのものの表面の変位を検出することになる。第１の受光手段Ｄ１の出力Ａ１，Ｂ１、第２の受光手段Ｄ２の出力Ａ２，Ｂ２は、変位測定部１０で高さデータの算出に用いられる。
【００２３】
また、第１の受光手段Ｄ１、第２の受光手段Ｄ２のそれぞれは、測定点における光量情報（輝度データ）も併せて、変位測定部１０及び光量記憶手段３へ出力する。これらを、変位測定部１０は、レジスト１ａの下部にパッド１ｃが在るか無いか（無い場合は、基板１そのものの表面になる。）どうかの判定に利用する。また、光量記憶手段３に記憶された光量情報は、後記する基準位置のサーチするためのパラメータの決定に用いられる。
【００２４】
さらに、第３の受光手段Ｄ３は、斜めに照射された光は測定点がはんだ１ｂであるか、レジスト１ａであるかに拘わらずそれらの表面（透過しない）で反射するのでその反射光量を測定して光量情報（輝度データ）を変位測定部１０及び光量記憶手段３へ出力する。この光量情報は、変位測定部１０で測定点がレジスト１ａかはんだ１ｂかの判定に用いられる。また、光量記憶手段３に記憶された光量情報は、後記する基準位置のサーチするためのパラメータの決定に用いられる。
【００２５】
なお、図１で、走査機構３０は、の不図示の駆動機構を有し、基板１，もしくは変位センサ２、或いはそれらの双方を相対的に移動させることにより、走査させる。図１において変位センサ２を、第１の受光手段Ｄ１等の各要素が配列された配列方向と直交する方向（図１の紙面に直交する奥行き方向）へ主走査させながら変位測定をさせ、１主走査を終了すると、次に配列方向（図１の紙面に平行な方向）に移動（副走査）して、位置を変えて主走査して変位測定を行う。この動作を繰り返すことにより、基板１の、所望範囲についての変位測定を行わせる。なお、走査方向は一例であり、他の方向であっても良い。
【００２６】
制御部４０は、ユーザインターフェース６等からの指示により、例えば、はんだが印刷された基板１の所望測定範囲の指示を受け、その所望範囲についての走査指示を走査機構３０へ送って上記のように光の照射位置（測定位置）を走査させる。走査にあたっては、第１の近赤外光源ＯＳ１ａと第２の近赤外光源ＯＳ２ａが同一波長の光源を利用した場合であって正反射光と散乱反射光との相互干渉の問題が無ければそれらの光源による同時照射でもよい。この相互干渉が問題になる場合は、基板１上の同一の走査位置（測定点）で第１の近赤外光源ＯＳ１ａと第２の近赤外光源ＯＳ２ａを交互に切り替える構成とする。異なる波長の光源を利用した場合は、波長選択フィルターで区別して検出できるので必ずしも切り替える必要はなく、同時に出力させる構成としても良い。
【００２７】
［基準位置を求めるためのパラメータの算出する構成・動作］
図１において、光量記憶手段３は、基板１を変位センサ２が走査中に、第１の受光手段Ｄ１もしくは第２の受光手段Ｄ２或いはそれらの双方から測定点における散乱反射光量を受けて、及び第３の受光手段Ｄ３から同じ測定点における正反射光量を受けて、前記走査機構が走査しているときの測定点の測定位置情報毎に、それらを対応づけて記憶する。散乱反射光光量は、望ましくは、第１の受光手段Ｄ１と第２の受光手段Ｄ２の双方のものを加えて記憶することが望ましい。いずれか一方でも良いが、以下の例では、双方のものを加えた散乱反射光量として説明する。
【００２８】
度数算出部４は、光量記憶手段３からの正反射光量及び散乱反射光量を受けて、例えばＸ軸を正反射光量、Ｙ軸を散乱反射光量とする２次元のヒストグラム（度数分布）を算出する。例えば、記憶手段を有し、正反射光量の値で決まるアドレス（上位アドレス）と、散乱反射光量の値で決まるアドレス（下位アドレス）の双方のアドレスの組合せできまる一連のアドレスに、同じ一連のアドレスに信号が来るたびにその回数（度数）を数えて更新して記憶しておく構成することで達成できる。そして、上記のＸ軸（正反射光量）―Ｙ軸（散乱反射光量）（以下「Ｘ−Ｙ」と言ったときは、Ｘ軸（正反射光量）―Ｙ軸（散乱反射光量）のことを示す。）の平面に直交するＺ軸にその度数を記録することで、ヒストグラムを作成できる。その例を図４に示す。図４では、山形にピークを有する大小の分布が４カ所、その他に丘陵状の分布があることが分かる。
【００２９】
パラメータ決定手段５は、主として、所望の分布である基本分布を選択する選定手段５ａと、その基本分布を基にパラメータを算出するパラメータ算出手段５ｂとでなる。基本分布とは、ここでは、ヒストグラムを基に求められる分布であって、レジスト１ａ及びパッド１ｃが存在する基準位置を求めるために必要なパラメータ（光量に相当）を算出するのに望ましいＸ−Ｙ上の度数分布である。
【００３０】
選定手段５ａは、選択関数記憶手段５ａ１に予め選択関数を記憶している。例えば、図５にその例を示す。選択関数は、想定される、レジスト１ａ及びパッド１ｃが存在する（つまり基準位置となりうる）確率が高い分布が、Ｘ軸（正反射光量）及びＹ軸（散乱反射光量）のそれぞれの値が高い方でＺ軸（度数）値の高い分布（後記で選択される前の希望する基本分布とも言える。）となって現れる可能性が高い（図４の４つの山形の分布のうち右端の分布が相当する）ので、その分布をほぼ覆う大きさの分布関数である。角柱や円柱等の形態の分布関数であっても良いが、ガウス分布関数であることが望ましい。ガウス分布を採用するのは、乗算手段５ａ２でヒストグラムと選択関数を乗算することにより希望の基本分布を選定するときに、選択関数で重み付けすることになるので、選定された基本分布のピークがより先鋭的になり、ピーク周辺に余分な分布があった場合にそれらを軽減できる効果があるからである。選択関数は、経験的に決定される。
【００３１】
選定手段５ａによる基本分布の選定には、次のような（I）〜（III）の方法があり、本発明では、少なくともいずれか一つを採用する。それらを組み合わせた方法で使用する構成であっても良い。又、それぞれを備え、切り替えて使用する構成でも良い。いずれにしても、印刷はんだ検査装置としては、大きさの異なる基板１、パッド１ｃやはんだ１ｂの位置の異なる基板１、等の多種多様の基板１を扱うので、基板１の種類毎に反射光の分布を異なる可能性が大きい。したがって、それらに対応できる構成を採用することが望ましい。
【００３２】
（I）自動で選定する場合
この場合は、自動で行うので便利である。基板１の反射光量の分布のうち推定される所望の分布が、他の分布から分離しやすい場合に有効である。
（I−ａ）上記したように、基本分布は、レジスト１ａ及びパッド１ｃが存在する確率が高い分布であるから、上記のように、ヒストグラム上では、散乱光量の大の方の位置であって、かつ正反射光量の大の方の位置にある。そこで、その位置が経験的にほぼ確定的であって、図４に示す複数のピークのうち、基本分布となりうる分布が、他の分布と位置的に離れていると想定される場合、つまり不要な分布との分離が容易な場合は、乗算手段５ａ２は、予めその確定的な位置に固定した選択関数（例；図５）を度数算出部４が算出したヒストグラム（例；図４）に乗算して基本分布を選定しても良い。選定された基本分布の例を図７に示す。
【００３３】
（I−ｂ）想定される基本分布のヒストグラム上の位置が、確定的ではなく、ある範囲で流動的な場合は、予めその流動的な範囲に亘って、選択関数の分布形状や分布範囲、つまりヒストグラム上で選択関数の分布の裾が占める領域（図６の○の範囲）を変えることなくその位置だけ変更させるルート及び変更させる距離の細かさを選択関数記憶手段５ａ１に記憶させておく。例えば、図６のＸ−Ｙ平面の上部からみたように、選択関数の変更ルート、位置を記憶しておく。そして、乗算手段５ａ２は、選択関数記憶手段５ａ１に記憶されている選択関数を同じく記憶されている変更ルートに沿って、記憶されている距離間隔で選択関数の位置を変更して、ヒストグラムと乗算させる。そして、その距離の間隔を変更して乗算するたびに乗算結果の度数の一番大きな値を求めておき、全変更ルートで乗算が終了した時点で、各乗算結果の度数の一番大きな値の中でも、最大値を示したときの選択関数の位置における乗算結果を、基本分布として選定する（例；図７）。
【００３４】
（II）手動で選択関数の位置を変更して、選定する場合
この場合は、基板１の反射光量の分布が複雑な場合は、操作者が表示手段６ｃで視認しながら所望の分布を分離して選定できるので確実である。
（II−ａ）上記（１−ｂ）では、自動で選択関数の位置を変更していたが、これを手動で行うものである。この場合、度数算出部４が算出したヒストグラム、及び選択関数記憶手段５ａ１に記憶されている選択関数を、ユーザインターフェース６の表示制御手段６ａに送って、表示手段６ｃの表示画面に同じヒストグラムの座標上に同時に表示させる。つまり、図４と図５を同時表示させる。そして、表示制御手段６ａは、選択関数の位置を操作手段６ｂの指示によって変更可能に表示させる。そして、操作者が表示手段６ｃの表示画面を見ながら、基本分布としたい分布に選択関数を重ねる。そして、乗算手段５ａ２は位置を確定する操作の指示をうけて、その位置における選択関数とヒストグラムを乗算して基本分布を求める。
【００３５】
（II−ｂ）表示制御手段６ａは、乗算手段５ａ２の乗算結果だけを表示手段６ｃにヒストグラムと同じ座標上に表示させる（ヒストグラムも併わせて表示しても良い）。そして、表示制御手段６ａは、操作手段６ｂからの選択関数の位置を変更する指示を受けて乗算手段５ａ２に伝え、その変更された位置における選択関数とヒストグラムの乗算結果で表示画面を更新する。この変更の繰り返しで、操作者が、図７のような所望の基本分布を認識したときに、選定を終了する。
【００３６】
（II―ｃ）上記（II−ａ）と（II−ｂ）の双方の表示方法を採用して操作する方法もある。
（II―ｄ）表示制御手段６ａは、操作手段６ｂで表示画面の位置を特定するための移動可能なマーカを生成して表示する構成を有し、表示制御手段６ａが表示手段６ｃの表示画面にヒストグラムを表示させる。そして、操作手段６ｂによりマーカで所望の分布のピークを指定されたとき、乗算手段５ａ２はそのマーカで指定されたヒストグラム上の位置に選択関数の位置を移し、その位置における選択関数とヒストグラムを乗算して基本分布を算出する。
【００３７】
（III）選択関数を用いない場合
基板１における反射光量の分布が単純で、選択関数による重み付けが不要な場合に有効である。この場合、上記（II―ｄ）と同様に、表示制御手段６ａは、操作手段６ｂで表示画面の位置を特定するための移動可能なマーカを生成して表示する構成を有し、表示制御手段６ａが表示手段６ｃの表示画面にヒストグラムを表示させる。そして、操作手段６ｂによりマーカで所望の分布のピークを指定されたとき、選定手段５ａは、その所望の分布を基本分布として出力する。
【００３８】
パラメータ算出手段５ｂは、分布近似手段５ｂ１、閾値記憶手段５ｂ３及び比較手段５ｂ２を有し、選定手段５ａによりヒストグラム上で散乱反射光量及び正反射光量が高い領域においてほぼピークとなる度数分布を有する基準分布が選定された結果を受けて、その基準分布の裾付近のＸ−Ｙの２次元の範囲をパラメータとして決定する。具体的な構成・動作は次の通りである。
【００３９】
分布近似手段５ｂ１は、選定手段５ａから受けた基準分布の上部に近似するガウス分布を算出する。つまり、基準分布の上部の度数のピーク付近から、例えば、ピークから２割ほど（５割以上が望ましい）下がった度数までの度数範囲にある基準分布から複数点を選出して、その複数点について最小自乗法により近似ガウス分布を算出する。この近似ガウス分布を算出するに当たっては、基準分布の裾付近の分布は考慮しない。
【００４０】
その理由は、次の通りである。基準分布は、例えば、一般に図７のような形状をしているが、その分布の下部に丘陵部がある場合がある。この基準分布のＸ軸に沿った断面を示すのが図８で、この基準分布のＹ軸に沿った断面を示すのが図９である。図８から分かるように、丘陵部の影響があって、基準分布の裾が非対称になっている。したがって、基準分布の裾付近は、図８と図９では、異なった分布形状となっている。そこで、分布近似手段５ｂ１は、基準分布の度数の上部のデータを信用してその上部のデータを基に近似ガウス分布を求めることにより、基準分布の裾部の不安定さを除いた、近似ガウス分布を算出して、信頼性の高いパラメータの決定に寄与するものである。Ｘ軸に沿った基準分布の断面と近似ガウス分布の断面の例を図１０に示す。図１０からも明らかなように、近似ガウス分布は、基準分布の不安定な裾部を除いた分布になる。
【００４１】
比較手段５ｂ２は、予め閾値記憶手段５ｂ３に記憶していた度数閾値と、分布近似手段５ｂ１が算出した近似分布とを比較して、度数閾値が近似ガウス分布を横切ったＸ−Ｙの２次元の範囲をパラメータの範囲として決定する。例えば、図１１は、Ｘ軸に沿った近似ガウス分布と度数閾値の断面であるが、近似ガウス分布と度数閾値とが交差したＸ軸上の位置Ｈ−Ｌｏ〜Ｈ−Ｈｉ（正反射光量の範囲）がＸ軸上のパラメータ範囲である。同様に、Ｙ軸上の範囲Ｖ−Ｌｏ〜Ｖ−Ｈｉ（散乱反射光量の範囲）も決定される。この様子をヒストグラムのＸ−Ｙ平面の上から表したのが図１２である。図１２のＸ軸上のＨ−Ｌｏ〜Ｈ−ＨｉとＹ軸上のＶ−Ｌｏ〜Ｖ−Ｈｉとで決定される範囲が、求めたパラメータの範囲である。閾値記憶手段５ｂ３に記憶される度数閾値は、近似ガウス分布でも、裾の方はなだらかになるので、それを除去するためである。この度数閾値は、経験的に決定される。
【００４２】
測定検査部１００の基準位置照会手段５０は、パラメータ算出手段５ｂが算出したパラメータの範囲Ｈ−Ｌｏ〜Ｈ−Ｈｉ、Ｖ−Ｌｏ〜Ｖ−Ｈｉ（或いは、Ｈ−Ｌｏ、Ｈ−Ｈｉ、Ｖ−Ｌｏ、Ｖ−Ｈｉの４つのパラメータそのものでもよい。）を記憶しておき、変位測定部１０からの高さを求めようとするはんだ１ｂ（以下、「高さを求めよう（測定しよう）とするはんだ１ｂ」を「測定対象はんだ箇所」という。）の位置情報を受けて、光量記憶手段３が基板１の位置に対応して記憶している光量情報から、正反射光量がＨ−Ｌｏ〜Ｈ−Ｈｉの範囲にあって散乱反射光量がＶ−Ｌｏ〜Ｖ−Ｈｉの範囲にある基板１の位置で、かつはんだ１ｂの位置に最も近い基準位置を求めて、変位測定部１０へ知らせる。変位測定部１０における測定演算部１３（図２参照）は、パラメータ算出手段５ｂから得られた高さを測定しようとするはんだ１ｂ（測定対象はんだ箇所）に対応する基準位置を知って、その基準位置におけるパッド１ｃの高さ、レジスト１ａの高さを基にはんだ１ｂ（測定対象はんだ箇所）の高さを算出する。このとき、レジスト１ａの平均値を基に算出するのであれば、基準位置照会手段５０は、高さを求めようとするはんだ１ｂ（測定対象はんだ箇所）の周辺の各方向でより近い位置であって、正反射光量がＨ−Ｌｏ〜Ｈ−Ｈｉの範囲にあって散乱反射光量がＶ−Ｌｏ〜Ｖ−Ｈｉの範囲にある、複数の基準位置を求める必要がある。変位測定部１０及び測定演算部１３の詳細は後記する。
【００４３】
［変位測定部］
変位測定部１０は、図２に示すように、データ処理部１１、測定点判定部１２、及び測定演算部１３で構成される。データ処理部１１及び測定演算部１３は、各受光手段からの出力を基に測定点における変位（データ）を算出している。そして、測定点判定部１２によりレジスト１ａとはんだ１ｂが識別されて、かつ基準位置照会手段５０から受けた測定対象はんだ箇所に近傍の基準位置におけるレジスト１ａの底部（パッド１ｃ）からのはんだ高さを算出している。
【００４４】
なお、はんだ箇所、レジスト箇所、パッド箇所が同一のレイアウトである複数枚の基板１を測定するときは、上記の「パラメータを求める動作」は、代表の基板１を１回、予備測定して、そのパラメータを記憶しておいて、それを基に本測定で同種の他の複数の基板１について変位測定する構成とすることが望ましい。ただ、１枚１枚の基板毎に「パラメータを求める動作」と、変位測定を行う構成とすることもできる。
【００４５】
変位測定部１０は、具体的には、加算器１１ａ、加算器１１ｂ、演算部１１ｃ、メモリ１１ｄ、測定点判定部１２及び測定演算部１３が、次の（１）〜（４）の動作を行う。
（１）変位センサ２が走査機構３０の制御により、基板１上をはんだ１ｂ、レジスト１ａにかかわりなく相対的に走査する。そして、上記の第１の受光手段Ｄ１と第２の受光手段Ｄ２で受光する。加算器１１ａは、第１の受光手段Ｄ１の出力Ａ１及び第２の受光手段Ｄ２が出力するＡ２を受けて、Ａｘ＝Ａ１＋Ａ２を算出して出力する。加算器１１ｂは、第１の受光手段Ｄ１の出力Ｂ１及び第２の受光手段Ｄ２が出力するＢ２を受けて、Ｂｘ＝Ｂ１＋Ｂ２を算出して出力する。
【００４６】
（２）演算部１１ｃは、Ａｘ＝Ａ１＋Ａ２及びＢｘ＝Ｂ１＋Ｂ２より、変位出力Ｌｘ＝（Ａｘ−Ｂｘ）／（Ａｘ＋Ｂｘ）を算出し、これを制御部４０の指示で変位センサ２を走査している走査機構３０の測定点（走査位置）に対応して、メモリ１１ｄに記憶させる。このとき、測定点がレジスト１ａである場合における変位出力は、レジスト１ａの底部における変位を示す。その底部にパッド１ｃがある場合はそのパッド１ｃの変位であり、基板１そのものであればその表面の変位である。つまり、上記したように、第１の近赤外光源ＯＳ１ａの波長が０．７６〜０．９μｍとされ、レジスト１ａを垂直に入射した場合には、そのレジスト１ａを透過しパッド１ｃもしくは基板１で反射した反射光を受けて測定された変位であるからである。ただし、この時点では、測定点がはんだ１ｂの変位出力かレジスト１ａの底部の変位出力かの区別はされていない。このように演算部１１ｃで算出され、メモリ１１ｄに記憶される変位は、いわば、基板１の既知の特定点の高さを基準として測定され、或いはその高さで校正されたとき（例えば、特定点における変位センサ２からの変位出力Ｌｘを０に校正）の変位（高さ）である。特定点としては、むき出しの銅箔パターン（パッド）がある。以下、基準を示していない変位、比較対象を示していない変位は、この特定点を基準とした変位（高さ）を示す。
【００４７】
また、レジスト１ａの底部のパッド１ｃの有無を判定する場合は、第１の受光手段Ｄ１又は／及び第２の受光手段Ｄ２からの散乱反射光の光量情報も測定点毎に併せて記憶させる。
【００４８】
（３）一方、測定点判定部１２は、第３の受光手段Ｄ３の出力（輝度データ）を受けて、測定点がはんだ１ｂとレジスト１ａとでは、反射光の光量（輝度）が違うことを利用して、変位センサ２の測定点（走査位置）がはんだ１ｂであるか、レジスト１ａであるかを識別している。つまり、測定点判定部１２は、予めはんだ１ｂを特定するための輝度の閾値（或いは閾値範囲）と、レジスト１ａを特定するための輝度の閾値（或いは閾値範囲）を記憶しておいて、第３の受光手段Ｄ３の出力とそれらの閾値を比較して、はんだ１ｂとレジスト１ａとを識別している。そしてその識別結果を受けて、測定点、その測定点における変位出力Ｌｘ、及びその測定点の識別結果をメモリ１１ｄに記憶させている。したがって言い方換えれば、変位出力Ｌｘを、はんだ１ｂの変位出力をＬｈ、レジスト１ａの底部にあるパッド１ｃについての変位出力をＬｒと区別して記憶されている。
【００４９】
（４）測定演算部１３は、高さを測定しょうとするはんだ１ｃ（測定対象はんだ箇所）の位置情報を基に、基準位置照会手段５０からその周辺の基準位置情報を受けておく。そして、測定対象はんだ箇所が測定点であったときの変位出力Ｌｈと、その測定対象はんだ箇所の近傍周辺の基準位置（レジスト１ａ及びパッド１ｃが在るところ）が測定点であったときのレジスト１ａの底部の変位出力Ｌｒ（この場合は、パッド１ｃの表面における変位出力）とをメモリ１１ｄから読み出して、測定対象はんだ箇所における、基準位置のレジスト１ａの底部のパッド１ｃについての変位出力Ｌｒを基準とするはんだ１ｂの高さＬ＝Ｌｈ−Ｌｒを求める。
【００５０】
なお、変位出力Ｌｒは高さを求めるべき測定対象はんだ箇所のはんだ１ｂの近傍周辺の複数の基準位置における測定点としたときの変位出力Ｌｒの平均値を求めることが好ましい。
【００５１】
実施形態における一連の動作を説明する。
「予備測定段階」
ステップＳ０１：本測定する際と同種の基板１を代表する基板であって、パッド１ｃ面にはんだが印刷されたはんだ１ｂとレジストが塗布されたレジスト１ａを有する基板１の表面の測定点に対して、波長が０．７６〜０．９μｍ内のいずれかを有する第１の近赤外光源ＯＳ１ａにより光（近赤外光）を垂直に照射し、その散乱反射光を第１の受光手段Ｄ１及びＤ２で受光し、一方第２の近赤外光源ＯＳ２ａにより光（近赤外光）を斜めに照射し、その正反射光を第３の受光手段Ｄ３で受光する変位サンサ２を準備する。
【００５２】
ステップＳ０２：制御部４０からの指示によって走査機構３０が基板１もしくは変位センサ２のいずれかを相対的に移動させることで、測定点の走査を行う。そして光量記憶手段３は、第１の受光手段Ｄ１、第２の受光手段Ｄ２及び第３の受光手段Ｄ３から正反射光量と散乱反射光量の出力を取得し、測定点の位置と対応して記憶する。
【００５３】
ステップＳ０３：  度数算出部４は、各測定点における正反射光量と散乱反射光量とからそれら２次元とする度数分布を生成し、表示手段６ｃにヒストグラムを表示させる。
【００５４】
ステップＳ０４：選定手段５ａは、ヒストグラムと選択関数を乗算して乗算結果を表示手段６ｃにヒストグラムと同じ座標上に表示させる。
【００５５】
ステップＳ０５：操作者は、表示手段１ｃに表示されているヒストグラム及び乗算結果を観察して、ＯＫであれば、確定の指示を行い。Ｎｏであれば選択関数の位置を調整する操作を行う。そして、ＯＫになるまで、上記ステップＳ０４及びステップＳ０５を繰り返す。
【００５６】
ステップＳ０６：パラメータ算出手段は、乗算結果が確定したとき、その乗算結果を基準分布として、基準分布の頂部に近似する近似ガウスを求め、この近似ガウス分布と予め記憶しておいた度数閾値と比較して、度数分布閾値が近似ガウス分布を横切る正反射光量の値と散乱反射光量の値をパラメータとして算出する。
【００５７】
ステップＳ０７：基準位置照会手段５０は、このパラメータを記憶しておく。
【００５８】
「本測定段階」
上記予備測定の際の基板と同種の基板１のはんだ形状を検査する段階
ステップＳ０４：制御部４０からの指示によって走査機構３０が基板１もしくは変位センサ２のいずれかを相対的に移動させることで、測定点の走査を行う。変位測定部１０は、第１の受光手段Ｄ１、第２の受光手段Ｄ２及び第３の受光手段Ｄ３の出力を、測定点の位置と対応して取得する。
【００５９】
ステップＳ１０：加算器１１ａ及び加算器１１ｂは、第１の受光手段Ｄ１からの一方の出力Ａ１及び他方の出力Ｂ１を受け、第２の受光手段Ｄ２からの一方の出力Ａ２ａ及び他方の出力Ｂ２を受けて、Ａｘ＝Ａ１＋Ａ２、Ｂｘ＝Ｂ１＋Ｂ２を算出する。この時点では、加算器１１ａ及び加算器１１ｂは、走査される測定点毎に各受光手段からの出力を受けて、算出しており、はんだ１ｂ、レジスト１ａのいずれのデータかを区別していない。
【００６０】
ステップＳ１１：演算部１１ｃは、出力Ａｘ＝Ａ１＋Ａ２、Ｂｘ＝Ｂ１＋Ｂ２を受けて、Ｌｘ＝（Ａｘ―Ｂｘ）／（Ａｘ＋Ｂｘ）を算出して、メモリ１１ｄに測定点に対応させて記憶させる。
【００６１】
ステップＳ１２：測定点判定部１２は、第３の受光手段Ｄ３の出力を受けて、予め記憶している閾値と比較して、変位センサ２の走査位置（測定位置）がはんだ１ｂであるか、レジスト１ａであるかを識別し、その識別結果を演算部１１ｃが求めた変位出力Ｌｘとともに測定点（測定位置）に対応させてメモリ１１ｄに記憶させている。
【００６２】
ステップＳ１３：測定演算部１３は、メモリ１１ｄから高さを求めようとする測定点におけるはんだ１ｂの位置を上記基準位置照会手段５０に通知する。そして、基準位置照会手段５０はパラメータの範囲にある位置であって、そのはんだ１ｂの近傍周辺の基準位置を光量記憶手段３から検出して、検出した基準位置を測定演算部１３に知らせる。測定演算部１３は、測定しようとするはんだ１ｂが測定点であったときの変位出力Ｌｈと、測定点が基準位置であるときのそのレジスト１ａの底部のパッド１ｃの変位出力Ｌｒとを、メモリ１１ｄから読み出して、パッド１ｃの変位出力Ｌｒを基準とするはんだ１ｂの高さＬ＝Ｌｈ−Ｌｒを求める。これを各はんだ１ｂの箇所毎に行う。
【００６３】
以上のように、本発明においては、近赤外光を用いた散乱反射変位測定系の光学系と正反射変位測定系の光学系を備えて、レジスト１ａの底部からのはんだ１ｂの高さを求めることができる。
【００６４】
ただし、レジスト底部のパッド１ｃからのはんだ１ｂの高さを求める場合は、上記のステップＳ１２で、測定点判定部１２は、第１の受光手段Ｄ１及び第２の受光手段Ｄ２からの光量情報、及び第３の受光手段Ｄ３の出力（光量情報）を受けて、予め記憶している閾値と比較して、変位センサ２の走査位置（測定位置）がはんだ１ｂであるか、レジスト１ａであるかを識別し、かつレジスト１ａの底部にあるパッド１ｃであるか否かを識別し、その識別結果を演算部１１ｃが求めた変位出力Ｌｘ（Ｌｈ、Ｌｒｐを読み出し可能に記憶）とともに測定点に対応させてメモリ１１ｄに記憶（Ｌｈ、Ｌｒｐを読み出し可能に記憶）させ、上記ステップＳ１３で、測定演算部１３は、測定点がはんだ１ｂであるときの変位出力Ｌｈと、そのはんだ１ｂの近傍周辺の基準位置が測定点であるときのパッド１ｃの変位出力Ｌｒｐとを読み出して、パッド１ｃの変位出力Ｌｒｐを基準とするはんだ１ｂの高さＬ＝Ｌｈ−Ｌｒｐを求める。
【００６５】
次に図３を用いて、検査部２０の機能構成を説明する。その図２で画像処理部２１は、制御部４０から基板１のレイアウト情報（配置図）と走査して測定しているときの位置情報とを受け、測定演算部１３からその位置情報における高さ（変位出力）Ｌを受けて、レイアウト上に変位に応じてはんだ１ｂの量的な形状を表す立体画像を形成することにより、画像として再現出力する。
【００６６】
例えば、画像処理部２１は、測定演算部１３の変位出力Ｌと、制御部４０からの基板１の測定点（測定点の座標）とから測定したエリア（測定点の集合領域：例えば、基板１上に印刷されたクリームはんだ１ｂ面）における面積（例えば、はんだ印刷された面積）や体積（例えば、はんだ量）を表す画像データを生成する。比較部２２は、制御部４０からそのエリアにおける、設計値等をレファレンス（面積や体積）として受けて、画像データとレファレンスとの差を演算し出力する。なお、画像データに変換することなく、その測定点において測定した変位（高さ：例えば、はんだ１ｂの高さ）とレファレンス（この場合は、例えば、測定点における設計上の高さ）との差を出力しても良い。上記では、はんだ１ｂの面積や体積の例で説明したが、はんだ１ｂの位置ズレ等の判定も可能である。
【００６７】
判定部２３は、レファレンスに対応する許容値を制御部４０から受けて、比較部２２からの出力と比較し、比較部２２の出力が、許容値内であれば合格とし、許容値外であれば不良（否）と判定する。
【００６８】
ユーザインターフェース６は、判定部２３の判定結果を表示する。また、制御部４０からレイアウト情報（例えば、プリント基板のはんだ箇所の配置図）を受けて表示し、レイアウトのどの位置におけるはんだ１ｂが不良（否）であり、合格であるかを識別可能に表示してもよい。また、それらと別に或いは併せて、画像処理部２１で生成した画像データに基づく画像を表示させて、どの箇所のはんだ状態が不良であり、合格であるかを識別可能に表示させることもできる。なお、ユーザインターフェース６は、［基準位置を求めるためのパラメータの算出する構成・動作］に記載したような動作を行う。
【００６９】
なお、特願２００８−２０９９２３号に記載されている［変位測定部の変形例］
及び［変位センサの他の実施形態］等は、本発明にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】印刷はんだ検査装置の実施形態の機能構成を示す図である。
【図２】図１の測定検査部の変位測定部の機能構成を示す図である。
【図３】図１の実施形態の内、検査部の機能構成を示す図である。
【図４】正反射光量（Ｘ軸）と散乱反射光量（Ｙ軸）とを２次元とするヒストグラムの一例である。
【図５】正反射光量（Ｘ軸）と散乱反射光量（Ｙ軸）とを２次元座標上における一選択関数の例を示す図である。
【図６】選択関数の位置変更を説明するための図である。
【図７】選択関数によって選択された基準分布を示す図である。
【図８】図７の基準分布の正反射光量の軸（Ｘ軸）に沿った断面を示す図である。
【図９】図７の基準分布の散乱反射光量の軸（Ｙ軸）に沿った断面を示す図である。
【図１０】近似ガウス分布を説明するための図である。
【図１１】パラメータと閾値との関係を説明するための図である。
【図１２】パラメータの範囲を説明するための図である。
【図１３】近赤外光に対する正反射光量（輝度）及び散乱反射光量（輝度）の傾向を示す図である。
【図１４】従来の変位センサ及び変位測定部の機能構成を示す図である。
【図１５】プリント基板の断面構造を示す図である。
【図１６】プリント基板における反射光量を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７１】
１  基板（プリント板）、  ２  変位センサ、３  光量記憶手段、４  度数出部、５  パラメータ決定手段、  ５ａ  選定手段、  ５ａ１  選択関数記憶手段、
５ａ２  乗算手段、  ５ｂ  パラメータ算出手段、  ５ｂ１  分布近似手段、  
５ｂ２  比較手段、  ５ｂ３  閾値記憶手段、  ６  ユーザインターフェース、
６ａ  表示制御手段、  ６ｂ  操作手段、    ６ｃ  表示手段、  １０  変位測定部、１１  データ処理部、１１ａ、１１ｂ  加算器、  １１ｃ  演算部、
１１ｄ  メモリ、  ２０  検査部、  ３０  走査機構、  ４０  制御部、
１３  測定演算部、  ２１  画像処理部、  ２２  比較部、  ２３  判定部、
３０  走査機構、  ４０  制御部、  ５０  基準位置照会手段
Ｄ１  第１の受光手段、Ｄ２  第２の受光手段、Ｄ３  第３の受光手段、
ＯＳ１ａ  第１の近赤外光源、  ＯＳ２ａ  第２の近赤外光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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