(57)【要約】【課題】継線箇所から確実に被覆を除去する被覆剥離方法を提供する。【解決手段】芯線と、芯線を覆う絶縁被覆とから構成される絶縁導線の絶縁被覆を剥離する剥離方法であって、絶縁導線を炉内に入れて加熱し絶縁被覆を脆化させ、絶縁被覆を破断し易くする脆化工程と、絶縁導線の脆化した絶縁被覆に短パルスレーザを照射し、芯線と絶縁被覆との界面に気泡を発生させ、気泡を膨張させて脆化した絶縁被覆を破断して細分化した状態に破裂させ、芯線の表面から除去する被覆剥離工程と、を備えた絶縁導線の被覆剥離方法を提供する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯線と、該芯線を覆う被覆とから構成される絶縁導線の被覆を剥離する剥離方法であって、
該絶縁導線を加熱するか紫外線を照射して該被覆を脆化させる脆化工程と、
該絶縁導線の脆化した該被覆に短パルスレーザを照射し、該芯線と該被覆との界面に気泡を発生させ、該気泡を膨張させて脆化した該被覆を破裂し飛散させて該芯線表面から除去する被覆剥離工程と、を備えることを特徴とする絶縁導線の被覆剥離方法。
【請求項２】
該脆化工程において、被覆剥離したい箇所のみ脆化させる選択脆化工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁導線の被覆剥離方法に関し、特にレーザ光を用いた絶縁導線の被覆剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から電子機器には導線として絶縁導線が用いられている。この絶縁導線は、一例として、芯線として銅線を使用すると共に芯線を覆う絶縁被覆としてポリウレタン被覆を使用している。ポリウレタン被覆は高耐熱性を備えないため、ポリウレタン被覆を使用した導線を電子機器の電極に継線する場合には、予め被覆を剥離させることなく、継線時の熱により継線と同時に被覆を剥離していた。
【０００３】
また、絶縁導線が使用された電子機器の種類によっては、導線に高耐久性、具体的には高耐熱性が要求されることがあり、この場合に絶縁被覆としてポリアミドイミドが使用される場合がある。ポリアミドイミドは、融点がポリウレタンに比較して高いため、継線時の熱によりポリアミドイミド被覆を剥離させることは容易ではない。よって、継線前に被覆を剥離する必要があり、回転刃等により機械的に剥離する方法や、特許文献１に示すように、レーザにより被覆を溶融させて剥離する方法が提案されていた。
【特許文献１】特表２００７−５１６０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のポリアミドイミドが被覆された絶縁導線はコイル部品等に巻回されるため、柔軟・弾力性を要求され、故に被覆も柔軟・弾力性を備えている。これに対してレーザを用いた従来の被覆剥離方法では、被覆を破断して剥離させることはできるが、柔軟・弾力性を備えている被覆のため、すべてが破断せずに芯線上に残存する場合があった。この状態で継線を行うと継線箇所に被覆が巻き込まれ、継線不良が発生していた。そこで本発明は、継線箇所から確実に被覆を除去する被覆剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、芯線と、芯線を覆う被覆とから構成される絶縁導線の被覆を剥離する剥離方法であって、絶縁導線を加熱するか紫外線を照射して被覆を脆化させる脆化工程と、絶縁導線の脆化した被覆に短パルスレーザを照射し、芯線と被覆との界面に気泡を発生させ、気泡を膨張させて脆化した被覆を破裂し飛散させて芯線表面から除去する被覆剥離工程と、を備えた絶縁導線の被覆剥離方法を提供する。
【０００６】
このような方法によると、加熱または紫外線照射により被覆が脆くなるため、脆性破壊されやすくなる。この状態でレーザを照射し界面に気泡を発生させ被覆を剥離させると、脆い被覆であるため、容易に細分化されて破断・飛散し、芯線の表面から被覆を確実に除去することができる。
【０００７】
上記方法では、脆化工程において、被覆剥離したい箇所のみ脆化させる選択脆化工程を含むことが好ましい。
【０００８】
この様な方法によると、被覆剥離したい箇所のみ確実に被覆を芯線表面から排除し、それ以外の箇所では芯線を被覆された状態に保つことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の被覆剥離方法によれば、継線箇所において確実に被覆を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態による絶縁導線の被覆剥離方法について図１から図１１を参照しながら説明する。図１に示されるレーザ剥離機１は、レーザ発振器２と、エキスパンダ３と、マスク４と、転写レンズ５と、ダイクロイックミラー６と、保持台７と、観察装置８とから主に構成されている。
【００１１】
レーザ発振器２は、パルスレーザを照射するＹＡＧレーザ照射装置であり、照射されるパルスレーザの波長が１０６４ｎｍ、パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下であって好ましくは４０ｎｓｅｃ以下、周波数が２０Ｈｚ、照射エネルギー量が２３０ｍＪ／ｃｍ２±１０％程度となる装置である。
【００１２】
エキスパンダ３は、レーザ発振器２から照射されるレーザ光の光路上に配置されており、内部に凸レンズと凹レンズとを備えて一方からレーザ光が入力されて他方から出力する際に、レーザ光の光束径を縮小して出力する装置である。
【００１３】
マスク４はガラスを基材として構成されており、エキスパンダ３を通過したレーザ光の光路上に配置されている。またマスク４は透明な箇所であってレーザ光が透過可能な透過領域４Ａと、透過領域４Ａ周縁部分である透過領域周縁部４Ｂとを備えている。透過領域周縁部４Ｂは、ブラスト加工等により磨りガラスとなっているため、透過領域周縁部４Ｂに照射されたレーザ光は散乱して、透過領域４Ａに照射されたレーザ光のみマスクを透過可能となっている。また透過領域４Ａは、後述の照射領域Ｄ（図６）と対応するよう、光路方向と直交する断面が略長方形に構成されている。
【００１４】
マスク４を通過したレーザ光の光路上には、ダイクロイックミラー６が配置されレーザ光を約９０度の角度で反射して、転写レンズ５に導光している。またダイクロイックミラー６は、特定の波長（本実施の形態のダイクロイックミラー６については、１０６４ｎｍ付近の波長）のみを反射する特徴を備えているため、通常の可視光は透過可能である。
【００１５】
ダイクロイックミラー６で反射されたレーザ光は転写レンズ５を通過する。転写レンズ５は凸レンズから構成されており、入射されたレーザ光を保持台７上方位置で収束可能としている。また転写レンズ５はその光路方向（以下Ｚ軸方向）に移動可能となっており、故に焦点位置もＺ軸方向に移動可能となっている。
【００１６】
保持台７は、レーザ光が照射されるコイル部品１０を保持するパレット７１と、パレット７１を図示せぬ吸着機構により担持すると共に、Ｚ軸方向と直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能なＸ−Ｙステージ７２とから主に構成されている。またパレット７１の上方位置には、エアを噴射するエアブロー７３が設けられ、Ｘ−Ｙステージ７２の下方には集塵機７４が配置されている。
【００１７】
パレット７１に保持されているコイル部品１０は、差動信号インターフェースに用いられるコモンモードフィルタであり、その寸法は、長手方向で４ｍｍ程度であり、図３に示されるように、ドラムタイプのコア１１と、二本の被覆導線１２と、電極である金属端子１３、１３とより構成されている。コア１１は、フェライト等の磁性粉体から圧縮、焼結等の過程を経て成形されている。
【００１８】
コア１１は長手方向に直交する断面が略長方形の巻芯部１１Ａと、巻芯部１１Ａの長手方向両端に設けられ、略同一形状の一対の鍔部１１Ｂ、１１Ｂより構成される。鍔部１１Ｂ、１１Ｂについては略同一形状であるため、特に明記しない限り片側のみで説明する。
【００１９】
鍔部１１Ｂは、巻芯部１１Ａと連結する部分である主胴部１１Ｃと、主胴部１１Ｃよりそれぞれ反対方向に延出されている一対の副胴部１１Ｄ、１１Ｄとから構成されている。
【００２０】
副胴部１１Ｄ、１１Ｄには、それぞれ金属端子１３、１３が装着されている。この一対の副胴部１１Ｄ、１１Ｄ及び金属端子１３、１３は、主胴部１１Ｃを挟んで対称に構成されているため、以下一方の副胴部１１Ｄ及び金属端子１３のみについて説明する。
【００２１】
金属端子１３、１３は、基部１３Ｂ（図４）の両端より延出される一対の脚部１３Ａ及び脚部１３Ｃより略コの字形状に形成されている。この金属端子１３は、脚部１３Ａ及び脚部１３Ｃで、副胴部１１Ｄを狭持して、副胴部１１Ｄに装着される。
【００２２】
脚部１３Ａの延出方向側辺からは、切片１３Ｄが延出されている。切片１３Ｄの脚部１３Ａ自由端側には固定部１３Ｆが設けられ、脚部１３Ａ固定基端側には溶融部１３Ｅが設けられている。また脚部１３Ｃはコイル部品１０を図示せぬ基板に実装する際に、基板上の電極と電気的に接合される実装箇所となる。
【００２３】
巻芯部１１Ａに巻回される二本の被覆導線１２は、図４に示されるように、それぞれ銅線である芯線１２Ａとポリアミドイミドからなる絶縁被覆１２Ｂとから構成される。被覆導線１２は、外径が約９０μｍ、芯線径が約７０μｍである。この被覆導線１２の両端部には継線箇所１２Ｃが規定されており、この継線箇所１２Ｃが後述の剥離箇所となる。絶縁被覆１２Ｂは常温下においては、柔軟性及び弾力性を備えており、被覆導線１２を巻芯部１１Ａに巻回する際に、好適に巻芯部１１Ａに追従することができる。また絶縁被覆１２Ｂを融点近くの温度まで加熱すると、絶縁被覆１２Ｂは硬化して脆くなる（脆化）ため、加熱前に比べて破断し易くなる。よってこの脆化した状態において絶縁被覆１２Ｂに衝撃を加えると、絶縁被覆１２Ｂは容易に破断して細分化される。
【００２４】
ダイクロイックミラー６に関して転写レンズ５の反対側には、観察装置８が配置されている。観察装置８は、ミラー８１と、補正レンズ８２と、ＣＣＤカメラレンズ８３と、リアコンバータレンズ８４と、ＣＣＤカメラ８５と、画像処理装置８６と、モニタ８７と、照明８８とから構成されている。ミラー８１は、転写レンズ５からダイクロイックミラー６へと向かう直線上（Ｚ軸上）に位置し、その鏡面がＺ軸と約４５度を成すように配置されている。ＣＣＤカメラ８５は、ＣＣＤカメラ８５からミラー８１へと向かう直線がＺ軸と直交し、ＣＣＤカメラ８５からミラー８１へと向かう直線とミラー８１の鏡面とが約４５度を成すように配置されている。ダイクロイックミラー６では可視光を透過するため、レーザ光が照射されているコイル部品１０の、転写レンズ５及びダイクロイックミラー６を介してミラー８１に写っている状態をＣＣＤカメラ８５で撮影することができる。補正レンズ８２は、ＣＣＤカメラ８５とミラー８１との間に配置されて、収差を補正している。ＣＣＤカメラレンズ８３は、ＣＣＤカメラに像を結ぶためのレンズであり、リアコンバータレンズ８４は倍率変更に係るレンズである。画像処理装置８６は、ＣＣＤカメラ８５で撮影した画像を処理してモニタ８７に表示する装置であり、照明８８は可視光線をコイル部品１０に照射して視認しやすくしている。
【００２５】
またレーザ剥離機１は、図２に示されるように、演算装置であるＣＰＵ９１と、ＣＰＵ９１で行う処理を記憶しているメモリ９２とを備えている。ＣＰＵ９１により、レーザ発振器２から照射されるレーザ光を制御すると共に、Ｘ−Ｙステージ７２の移動量を制御する搬送系制御部９３、エアブロー７３及び集塵機７４の動作を制御するエアブロー集塵制御部９４、転写レンズ５のｚ軸方向の移動を制御する駆動系制御部９５、及び照明８８を制御する照明制御部９６を備えて各制御を行っている。
【００２６】
図５に示されるフロー図に基づき、レーザ剥離機１で被覆導線１２の絶縁被覆１２Ｂを剥離する被覆剥離工程について説明する。先ずＳ０１のステップで、図６に示されるように、被覆導線１２が固定部１３Ｆにより脚部１３Ａ上に保持された状態で、コイル部品１０を図示せぬ炉内に配置して加熱する（脆化工程）。この時の加熱温度は絶縁被覆１２Ｂの融点より低く、かつ絶縁被覆１２Ｂが脆化する温度とする。
【００２７】
加熱後にＳ０２のステップで、図６に示されるように、コイル部品１０をパレット７１に固定し、この固定したパレット７１をＸ−Ｙステージ７２上に載置する。そしてＳ０３のステップに進み、レーザ剥離機１を起動させるべく図示せぬスタートスイッチをＯＮにする。図示せぬスタートスイッチをＯＮにしたことにより、パレット７１がＸ−Ｙステージ７２上に吸着されて固定される（Ｓ０４）。この状態でのＸ−Ｙステージ７２の位置を供給位置と規定する。その後にＳ０５へと進み、搬送系制御部９３によりＸ−Ｙステージ７２を移動させて照射位置に照射領域Ｄ（図６）であるコイル部品１０の副胴部１１Ｄ部分を配置する。Ｘ−Ｙステージ７２の移動が完了したのをモニタ８７で確認した後に（Ｓ０６）、Ｓ０７へ進んで、レーザ発振器２からレーザ光を照射し、絶縁被覆１２Ｂを加熱する（被覆剥離工程）。
【００２８】
レーザ発振器２から照射されたレーザ光はエキスパンダ３に入射し、そのレーザ光の光束が縮小されて、その縮小されたレーザ光がマスク４の透過領域４Ａ付近に照射される。この時にエキスパンダ３におけるレーザ光の縮小率は、縮小されたレーザ光の断面内に少なくとも透過領域４Ａが入る程度の面積となるような縮小率とすることが好ましい。このような縮小率とすることにより、透過領域４Ａを透過するレーザ光の単位面積当たりのエネルギー量を高めることができる。
【００２９】
マスク４に照射されたレーザ光は、照射領域Ｄ（図６）に対応した光路方向と直交する断面が略長方形となる部分のみマスク４を透過する。この時に透過領域４Ａ以外の照射位置となる透過領域周縁部４Ｂでは、レーザ光を散乱してレーザ光がマスク４を透過することを防止している。レーザ光はエキスパンダ３によりその光束が縮小されているため、単位面積当たりのエネルギーは、レーザ発振器２から照射された時より大きくなっている。しかし、マスク４に照射されるレーザ光のエネルギーは、パレット７１上の照射位置近傍における収束されたレーザ光のエネルギーより遙かに小さいため、透過領域周縁部４Ｂがレーザ光により劣化することが抑制され、マスク４の長寿命化を図ることができる。
【００３０】
マスク４を透過したレーザ光は、ダイクロイックミラー６により直角に反射されて転写レンズ５へと照射される。転写レンズ５では、レーザ光の単位面積当たりのエネルギー量を増加させるためにレーザ光を収束させて照射領域へ照射する。この場合に、照射領域の大きさは、マスク４での光束径をφｂ、照射領域の光束径をφｄ、マスク４から転写レンズ５までの距離：ｆ０、転写レンズ５から照射領域までの距離：ｆ１とした場合に、φｂ＝ｆ０÷ｆ１×φｄの式で算出される。従って、駆動系制御部９５により転写レンズ５をＺ軸方向に移動し、好適な照射領域となるように予め調整しておく。尚、Ｘ−Ｙステージ７２自体をＺ軸方向に動かすことも想定されるが、Ｘ−Ｙステージ７２は、既にＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な機構を備えているため、更にＺ軸方向に動かす機能を備えるとその構成が複雑になり、移動に係る精度の維持が難しくなる。故に転写レンズ５をＺ軸方向に移動させる構成を採ることにより、複雑な構成を採る必要が無くなり、Ｘ・Ｙ・Ｚ軸方向の制御を高精度に行うことが可能となっている。
【００３１】
転写レンズ５を透過して収束されたレーザ光が照射領域へ照射される。この場合にレーザ光は絶縁被覆１２Ｂを透過して芯線１２Ａの表面に照射されるため、芯線１２Ａの表面がレーザ光のエネルギーを吸収し、絶縁被覆１２Ｂと芯線１２Ａとの間の界面１２ａが急激に温度上昇する。この温度上昇（常温から１０００℃以上への温度変化）が極短時間で起こるため、界面１２ａの絶縁被覆１２Ｂを構成するポリアミドイミドが化学変化し、溶融することなくガス化する。よって図７（ｂ）に示すように、界面１２ａに無数の気泡１２ｂが発生する。
【００３２】
レーザ光が照射された箇所の温度上昇により、図７（ｃ）に示すように気泡１２ｂが界面１２ａに沿って急激に体積膨張し、連続的に芯線１２Ａ表面から絶縁被覆１２Ｂを剥離していく。気泡１２ｂの体積膨張が進むと、絶縁被覆１２Ｂが体積膨張に係る応力に耐えられなくなり、図７（ｄ）に示すように、絶縁被覆１２Ｂの気泡１２ｂを覆う箇所が破裂する。この気泡１２ｂ発生〜膨張〜破裂までの過程は極短時間で行われるため、絶縁被覆１２Ｂの気泡１２ｂを覆う箇所の破裂は衝撃を伴う。この衝撃により脆化した絶縁被覆１２Ｂは、細分化された状態で破断する。絶縁被覆１２Ｂが細分化されて破断することにより、絶縁被覆１２Ｂの照射領域Ｄ境界部分で剥離されない箇所（照射領域Ｄ外）と剥離される箇所（照射領域Ｄ）とが明確な状態で、絶縁被覆１２Ｂが芯線１２Ａ表面より飛散し剥離する。即ち、照射領域Ｄ外の絶縁被覆１２Ｂに付着した状態で照射領域Ｄの絶縁被覆１２Ｂが剥離することが無く、照射領域Ｄ外の絶縁被覆１２Ｂから確実に切り離された状態で照射領域Ｄの絶縁被覆１２Ｂが剥離する。これにより、照射領域Ｄの絶縁被覆１２Ｂは剥離した後に芯線１２Ａ上から確実に除去され、確実に照射領域Ｄで芯線１２Ａを露出させることができる。
【００３３】
飛散して除去された絶縁被覆１２Ｂは、エアブロー７３で吹き飛ばされて集塵機７４で吸い取られる。よってコイル部品１０上に飛散した絶縁被覆１２Ｂが残留することが抑制され、後に行われる継線工程において継線不良が生じ難くなっている。そして、図７（ｅ）に示すように、継線箇所１２Ｃの絶縁被覆１２Ｂが全て除去され、図８に示されるように芯線１２Ａ表面が露出してレーザ光による剥離が完了する。この時に、レーザ光は、照射領域Ｄのみにしか照射されないため、照射領域Ｄ外にある被覆導線１２や、コア１１に不要なレーザ光が照射されることが抑制される。従って照射領域Ｄ外がレーザ光で加熱されることが無く、コイル部品１０の破損を防止することができる。
【００３４】
以上の工程が終了した後に、Ｓ０８のステップに進み、未だ被覆剥離が完了していない被覆導線があるのならば（Ｓ０８：ＮＯ）、Ｓ０９へ進んで、Ｘ−Ｙステージ７２が移動して未だ被覆剥離が完了していない被覆導線の被覆剥離を行うべくＳ０５へと戻る。全ての被覆導線の被覆剥離が完了している場合ならば（Ｓ０８：ＹＥＳ）、Ｓ１０へと進んで、Ｘ−Ｙステージ７２を供給位置へと戻す。その後パレット７１の吸着を停止し（Ｓ１１）、パレット７１及びパレット７１上のコイル部品１０を取り出して（Ｓ１２）、被覆剥離工程が終了する。
【００３５】
被覆剥離工程が終了した後に、露出部分を覆うように溶融部１３Ｅ（図４）が折り曲げられ、その後に図示せぬレーザ等を用いて、図９に示されるように溶融部１３Ｅ及び芯線１２Ａが溶接され、コイル部品１０が完成する。この時に継線箇所となる芯線１２Ａ上の絶縁被覆１２Ｂは剥離されて確実に取り払われているため、継線箇所に絶縁被覆１２Ｂが巻き込まれることはなく、継線不良を抑制することができる。
【００３６】
本発明による絶縁導線の被覆剥離装置及び被覆剥離方法は、上述した実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変形や改良が可能である。例えば、上記実施の形態では、加熱手段としてコイル部品１０を図示せぬ炉に入れることにより脆化工程を行っているが、他の加熱手段としてレーザ発振器２から照射されたレーザ光を用いて脆化工程を行っても良い。このときにレーザ発振器２から照射されるレーザ光の出力を弱めると共に転写レンズ５を移動させ、絶縁被覆１２Ｂに好適にレーザ光が当たるように調節することにより、融点より低い温度で絶縁被覆１２Ｂを加熱することができる。またレーザ光により脆化工程を行うに際し、レーザ発振器２のほかに低出力の第二レーザ発振器を用いても良い。この第二レーザ発振器としては、ＣＯ２レーザ等の遠赤外波長のレーザ光を照射する発信器が例示される。
【００３７】
またレーザ発振器に限らず、他の加熱手段としてキセノンランプや、ハロゲンランプ等の熱線を発する機器を用いても良い。これらのランプ等から照射される熱線をレンズで集光することにより、絶縁被覆１２Ｂを加熱して脆化させることができる。
また図１０に示されるように、被覆導線１２に直接ヒータチップ９９等の発熱体を当接させ、その熱により脆化工程を行っても良い。この時にヒータチップ９９は、被覆導線１２の外形に添った当接面９９Ａを備えることが好ましい。この様な構成によると、当接面９９Ａの全体で絶縁被覆１２Ｂを加熱することができ、より好適に脆化工程を行うことができる。また被覆導線１２の剥離不要な箇所は加熱されないため、好適に剥離が必要な箇所のみ剥離させることができる。
【００３８】
また絶縁被覆１２Ｂとしてポリアミドイミドを用いたが、これに限らず加熱されることにより脆化する素材であるならば、他の素材であっても良い。またＵＶ硬化型の樹脂を用いても良い。この場合には、加熱手段に代えて紫外線を照射することにより、脆化工程を行うことができる。
【００３９】
また上述のように、レーザ光や、熱線、及び紫外線を照射する際、図１１に示されるように、被覆導線１２を挟んで光源の反対側に、反射鏡９を設けても良い。この様な構成によると、一方向からの照射で被覆導線１２の略全面を照射することができ、絶縁被覆１２Ｂをより好適に脆化することができる。またレーザ光や、熱線、及び紫外線を照射する際に、図６に示されるように、マスク等により照射領域Ｄを規定して照射しても良い（選択脆化工程）。この様な構成であれば照射領域Ｄ外の被覆導線１２が脆化することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置を表す概念図。
【図２】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置の制御に係るブロック図。
【図３】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置で剥離される絶縁導線を備えたコイル部品の平面図。
【図４】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置で剥離される絶縁導線を備えたコイル部品の部分斜視図。
【図５】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置での被覆剥離工程に係るチャート。
【図６】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置で剥離される絶縁導線を備えたコイル部品の部分平面図。
【図７】本発明の実施の形態に係る被覆剥離工程で（ａ）パルスレーザ照射、（ｂ）気泡発生、（ｃ）気泡膨張、（ｄ）気泡破裂、（ｅ）剥離完了の状態を表す部分断面図。
【図８】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置で剥離される絶縁導線を備えたコイル部品の継線完了前の状態の部分斜視図。
【図９】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置で剥離される絶縁導線を備えたコイル部品の絶縁導線が継線された状態の部分斜視図。
【図１０】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置の変更例にかかる被覆導線へヒータチップを当接させた状態を示す図。
【図１１】本発明の実施の形態に係る被覆剥離装置の変更例にかかる被覆導線への照射状態を示す図。
【符号の説明】
【００４１】
１・・レーザ剥離機  ２・・レーザ発振器  ３・・エキスパンダ  ４・・マスク
４Ａ・・透過領域  ４Ｂ・・透過領域周縁部  ５・・転写レンズ
６・・ダイクロイックミラー  ７・・保持台  ８・・観察装置  ９・・反射鏡
１０・・コイル部品  １１・・コア  １１Ａ・・巻芯部  １１Ｂ・・鍔部
１１Ｃ・・主胴部  １１Ｄ・・副胴部  １２・・被覆導線  １２Ａ・・芯線
１２Ｂ・・絶縁被覆  １２Ｃ・・継線箇所  １２ａ・・界面  １２ｂ・・気泡
１３・・金属端子  １３Ａ・・脚部  １３Ｂ・・基部  １３Ｃ・・脚部
１３Ｄ・・切片  １３Ｅ・・溶融部  １３Ｆ・・固定部  ７１・・パレット
７２・・ステージ  ７３・・エアブロー  ７４・・集塵機  ８１・・ミラー
８２・・補正レンズ  ８３・・カメラレンズ  ８４・・リアコンバータレンズ
８５・・カメラ  ８６・・画像処理装置  ８７・・モニタ  ８８・・照明
９１・・ＣＰＵ  ９２・・メモリ  ９３・・搬送系制御部
９４・・エアブロー集塵制御部  ９５・・駆動系制御部  ９６・・照明制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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