(57)【要約】【課題】従来の半導体装置では、金属細線として金線を用いており、材料コストが低減し難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子９が固着され、半導体素子９の固着領域の周囲のアイランド７には、複数の貫通孔１２が形成される。そして、半導体素子９の電極パッドとリード６とはＣｕ線１１により電気的に接続される。この構造により、Ｃｕ線１１を用いることでＡｕ線の場合と比較して材料コストが低減される。また、電極パッド上にＡｕボール１０を形成することで、スプラッシュの発生を抑え、電極パッド間のショートが防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを電気的に接続する銅を主材料とする細線と、前記アイランド、前記リード、前記銅線及び前記半導体素子とを被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、
前記細線の一端は、前記パッド上に形成された前記銅よりも柔らかな金属ボールと接続され、前記細線の他端は、前記リードと接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属ボールは、金から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属ボール上に接続される前記細線の一端は、スティッチボンドされることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを電気的に接続する銅を主材料とする細線と、前記アイランド、前記リード、前記銅線及び前記半導体素子とを被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、
前記電極パッドの内層または前記電極パッドの下面には緩衝材層が配置され、前記細線の一端は前記電極パッドとボンディングされることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記緩衝材層は、前記電極パッドを構成する金属層よりも硬い金属層であり、前記金属パッド内にて破砕していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電極パッドは前記半導体素子表面を被覆するシールド層の開口部から露出し、前記緩衝材層は前記開口部の開口面積よりも小さく、前記開口部内に配置されることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アイランドには、前記半導体素子の固着領域の周囲に複数の貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記樹脂パッケージを構成する樹脂により充填されることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記貫通孔の形状は、円形、楕円形または矩形であり、前記貫通孔の幅は、前記隣り合うリード間の離間幅と同等またはそれ以上の幅であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランドから延在された吊りリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、
前記アイランド上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを銅を主材料とする細線にて電気的に接続し、前記搭載部を被覆する樹脂パッケージを形成した後、前記リードを曲げ加工し、前記リードフレームから前記樹脂パッケージを分離する半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームをワイヤーボンディング装置の載置台上に固定し、
前記細線の接続領域の上方から、前記接続領域に向かい、前記細線の酸化を防止するガスの流れが生成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレームに設けられた開口領域、または／および前記載置台のガス抜き孔から、前記ガスを引き抜くことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも前記アイランドと前記リード間の前記開口領域または前記リード間の前記開口領域を介して前記ガスを引き抜くことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アイランドには複数の貫通孔が設けられ、前記貫通孔の前記開口領域を介して前記ガスを引き抜くことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記リードに対応したリード固定領域を有するクランパーにより前記リードを個別に固定することで、前記リードフレームを前記載置台上に固定し、
前記クランパーでは、前記リード固定領域間から前記搭載部へと前記ガスを供給することを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅線を用いてワイヤーボンディングされる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法の一実施例として、下記の製造方法が知られている。図１２（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０００３】
先ず、図１２（Ａ）に示す如く、リードフレームのダイパッド７１上に半導体素子７２を固着した後、リードフレームをワイヤーボンディング装置に設置する。半導体素子７２の電極パッド７３を約２００℃に加熱し、キャピラリ７４が電極パッド７３上へと移動する。そして、超音波振動併用の熱圧着技術により、キャピラリ７４の先端に形成された金属ボールを電極パッド７３へと接続する。一般にこれをボールボンディングと言う。
【０００４】
次に、図１２（Ｂ）に示す如く、キャピラリ７４がインナーリード７５の先端部上方へ移動し、インナーリード７５に対し金属細線７６を所望の荷重にて押し付ける。このとき、インナーリード７５を約２００℃に加熱し、インナーリード７５に対し超音波振動併用の熱圧着技術により金属細線７６を接続する。その後、ワイヤークランパー７７を閉じた状態にてキャピラリ７４が上昇し、金属細線７６をインナーリード７５の接続箇所にて破断する。一般にこれをステッチボンディングと言う。
【０００５】
そして、図１２（Ａ）及び（Ｂ）にて説明したワイヤーボンディング作業を繰り返すことで、半導体素子７２の全ての電極パッド７３とインナーリード７５とを金属細線７６にて電気的に接続する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、従来の半導体装置の製造方法の他の実施例として、下記の製造方法が知られている。図１３（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０００７】
先ず、図１３（Ａ）に示す如く、配線基板８１上に半導体チップ８２を実装する。半導体チップ８２上面には複数の電極パッド８３が配置され、キャピラリ８４の先端に形成された金属ボール８５を電極パッド８３へと接続する。その後、ワイヤークランパー８６が閉じた状態にてキャピラリ８４が上昇し、金属細線８７を金属ボール８５から切断する。
【０００８】
次に、図１３（Ｂ）に示す如く、キャピラリ８４の先端から金属細線８７が導出した状態にて、キャピラリ８４が金属ボール８５上に移動する。そして、金属ボール８５に対してステッチボンディングを行った後、ワイヤークランパー８６が開放した状態にてキャピラリ８４が配線層８８上方へ移動する。
【０００９】
次に、図１３（Ｃ）に示す如く、配線層８８に対してステッチボンディングを行った後、ワイヤークランパー８６が閉じた状態にてキャピラリ８４が上昇し、金属細線８７を配線層８８の接続箇所にて破断する（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平７−２９９４３号公報（第４−５頁、第１図）
【特許文献２】特開２００５−８６２００号公報（第６−７頁、第１−６図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述したように、ワイヤーボンディング工程に於いて、金属細線７６は、高温状態下に置かれる。この時、金属細線としてＡｕ線を用い、インナーリード７５には銀メッキが施されるので、特に、酸化の問題は重要視されなかった。
【００１２】
しかしながら、最近のデバイスの大容量化、そしてコスト低減に向けて、金属細線７６としてＣｕ線を用いる事が検討されている。この場合は、作業中にＣｕ線が酸化されるという問題が発生する。特に、高機能の半導体素子では、端子数も多く、多ピン化される傾向にある。そのため、ワイヤーボンディングされるワイヤーの本数も多くなり、その作業時間が長くなることで、Ｃｕ線の酸化対策が重要視される。また、ダイパッド７１やインナーリード７５等も、メッキ処理等の対応が成されていない場合には、上記作業により酸化されるという問題が発生する。
【００１３】
更に、Ｃｕ線はＡｕ線と比較して硬いため、例えば、Ａｌから成る電極パッドに対して、直接、Ｃｕボールをボールボンディングした場合、Ｃｕ線よりも軟らかい電極パッドがＣｕボールの周囲に追いやられ、Ｃｕボールの周囲にスプラッシュが発生する。そして、そのスプラッシュにより隣り合う電極パッドがショートするという問題が発生する。また、Ｃｕボールをボールボンディングした際の衝撃により、電極パッド下方の絶縁層にクラック等のダメージが発生する問題もある。
【００１４】
特に、スプラッシュによるショートを防止するため、電極パッド自体を薄くした場合には、電極パッド下方の絶縁層へダメージが更に加わる事になる。
【００１５】
また前述のスプラシュは、以下の問題もある。つまり、Ｃｕボール底面の電極パッドの大部分がスプラッシュとして移動し、Ｃｕボールと電極パッドの接続領域が低減し、接続抵抗値が増大し、あるいは接続不良が起こるという問題が発生する。
【００１６】
一方、コストの面で考えてみると、Ａｕ線はＣｕ線と比較して材料費が高く、原価コストを引き上げる問題がある。しかも、Ａｕ線はＣｕ線よりも比抵抗が大きいため、電流容量がＡｕよりも小さく、大電流を扱う半導体素子ではＡｕ線の使用量が増大し、材料コストが余分に掛かるという問題が発生する。
【００１７】
また、従来の技術では、複数のインナーリード７５はクランパー（図示せず）にて一括して固定された状態にてワイヤーボンディングが行われる。しかしながら、Ｃｕ線はＡｕ線よりも硬いため、ワイヤーボンディング時の荷重がＡｕ線よりも大きくなる。そのため、クランパーとリードとの間に隙間が存在すると、リードの固定状態が悪く、ワイヤーボンディング時の荷重が、その硬度の反発で、逃げ易く、接続不良が起こり易いという問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを電気的に接続する銅を主材料とする細線と、前記アイランド、前記リード、前記銅線及び前記半導体素子とを被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、前記細線の一端は、前記パッド上に形成された前記銅よりも柔らかな金属ボールと接続され、前記細線の他端は、前記リードと接続されることを特徴とする。従って、本発明では、銅線を用いることで材料コストが低減される。そして、金属ボールを利用することで、スプラッシュによるショートやパッド電極下方の絶縁層へのクラックを防止できる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランドから延在された吊りリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、前記アイランド上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを銅を主材料とする細線にて電気的に接続し、前記搭載部を被覆する樹脂パッケージを形成した後、前記リードを曲げ加工し、前記リードフレームから前記樹脂パッケージを分離する半導体装置の製造方法において、前記リードフレームをワイヤーボンディング装置の載置台上に固定し、前記細線の接続領域の上方から、前記接続領域に向かい、前記細線の酸化を防止するガスの流れが生成されることを特徴とする。従って、本発明では、ワイヤーボンディングされた銅線の周囲に酸化を防止するガスが充満され易く、銅線の酸化が防止される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、Ｃｕ線を用いてワイヤーボンディングが行われることで、Ａｕ線が用いられる場合と比較して材料コストが低減される。
【００２１】
また、本発明では、電極パッド上にＡｕボールを形成することで、隣り合う電極パッドがスプラッシュによりショートすることを防止できる。
【００２２】
また、本発明では、電極パッド内に緩衝材層を形成することで、電極パッド下面の絶縁層へのクラック発生を防止できる。
【００２３】
また、本発明では、アイランドの貫通孔が、樹脂パッケージの一部により埋設され、アイランドと樹脂パッケージとの密着性が向上される。
【００２４】
また、本発明では、ワイヤーボンディング領域に供給された不活性ガスをアイランド側へと吸引することで、Ｃｕ線の周囲に不活性ガスが充満され、Ｃｕ線の酸化が防止される。
【００２５】
また、本発明では、クランパーにより複数のリードを個別に固定した状態にてワイヤーボンディング作業を行う。そして、ワイヤーボンディング時の荷重の逃げを防止し、良好な接続状態を実現できる。
【００２６】
また、本発明では、アイランドの貫通孔と吊りリードの裏面側まで樹脂を充填することで、アイランドが樹脂パッケージから抜け落ち難い構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）斜視図である。
【図１２】従来の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図１３】従来の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
まず本発明について、そのポイントを説明した後に、実施例を説明していく。
【００２９】
前述したように、銅（以下、Ｃｕと記載する。）を金属細線として採用するため、色々な対策が打たれている。最後に述べる実施例は、全ての対策が取り入れられているが、若干の条件の違いにより、その中の少なくとも一つを選択すれば良い。
【００３０】
（イ）：Ｃｕの酸化防止：Ｃｕは酸化されやすく、そのため不活性ガスを接続ポイントの周りに充満させる必要がある。そのため、Ｃｕ線両端、半導体素子側の電極パッド、そしてインナーリードの接続ポイントに積極的に不活性ガスが流れるよう、その流れを作っている。その一例として、貫通孔１２を介して不活性ガスを吸引して流れを作っている。
【００３１】
（ロ）：硬いＣｕボールの衝撃吸収：半導体素子側の対策は、衝撃吸収である。簡単な表現で表わせば、座布団である。例えば座布団の下にガラスがあり、上からボールが落下する場合、ガラスを保護するには、座布団を厚くするだろう。しかし座布団に相当する電極パッド、ここではＡｌであるが、厚ければ厚いほど、図３（Ａ）の様に、スプラッシュ２３という跳ね上がりが発生する。スローモーション的に考えてみると、大まかな球から成るボールは、上から落下すると、先ずは点接触である。つまり、加わるポイントが一点に集中し、それから座布団に沈み込むに従い、徐々に座布団に沈みこむ体積が増加していく。つまり排除する領域が大きくなっていく。これが最大の問題である。要は、点接触で先ず、下層の破壊がスタートし、その後に、電極パッドを構成するＡｌを外に追い出す作用が働いてしまう。
【００３２】
そのため、第１の座布団である電極パッド上には、この電極パッドの中に沈まず、裏面全域で第１の座布団に面接触する第２の座布団が必要になる。上からボールが落下しても、その衝撃が、第２の座布団の裏面全域で第１の座布団に加われば、第１の座布団の排除動作が抑止できる。また上から垂直にダイレクトに座布団に力が加わらないような動作をすれば良い。実施例では、第２の座布団がＡｕボールであり、前記力が加わらない動作がスティッチボンドである。
【００３３】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示す樹脂パッケージのＡ−Ａ線方向の断面図である。図１（Ｂ）は、樹脂パッケージの裏面側からの平面図である。図２（Ａ）は、リードフレームの平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すリードフレームにワイヤーボンディングした状況を示す平面図である。図３〜図５は、電極パッドでの接続状態を示す断面図である。
【００３４】
図１（Ａ）に示す如く、半導体装置１は、例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）から成る。樹脂パッケージ２は、概ね、表面３、裏面４及び４つの側面５から成る６面体であり、断面で見ると樹脂封止金型の離型性から、その側面５の中央部分が外側に若干突出する。
【００３５】
複数のリード６は、樹脂パッケージ２の４つの側面５から露出し、曲げ加工される。リード６の実装面は樹脂パッケージ２の裏面４とほぼ同一面に配置される。そして、アイランド７は、樹脂パッケージ２の裏面４から露出し、アイランド７上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材８により半導体素子９が固着される。半導体素子９の上面には複数の電極パッド１８（図２（Ｂ）参照）が形成され、電極パッド１８上面にはＡｕボール１０が形成される。そして、Ａｕボール１０とインナーリード部分とは本願テーマであるＣｕ線１１により接続される。Ｃｕ線１１は、例えば、径が３３〜５０μｍ、９９．９〜９９．９９ｗｔ％のＣｕから成るものが使用される。そして、図示したように、Ｃｕ線１１は、インナーリード上にボールボンディングされ、Ａｕボール１０上にステッチボンディングされる。尚、Ｃｕ線１１の径は、使用される用途に応じて任意の設計変更が可能である。
【００３６】
図示したように、アイランド７は、半導体素子９のサイズよりも大きく、半導体素子９の固着領域の周囲に複数の貫通孔１２が配置される。詳細は後述するが、貫通孔１２は、ダイボンディング時やワイヤーボンディング時に不活性ガス（フォーミングガス）の流通経路として利用される。そして、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが採用され、Ｃｕ線１１のワイヤーボンディング作業に於いて、接続信頼性を向上させる。つまり、不活性ガスの流れの中にＣｕ線１１自体やＣｕ線１１の接続領域が配置され、それらの酸化が防止される。
【００３７】
更に、二次的な効果であるが、貫通孔１２は、樹脂モールド時に絶縁性樹脂により埋設され、貫通孔１２は、アンカー効果を生み、アイランド７が樹脂パッケージ２内へと強固に支持される。樹脂パッケージ２内では、例えば、樹脂パッケージ２や接着材８内に含まれる低分子成分が半導体素子９の駆動熱等により気化し、ガスが発生する。このガスによりアイランド７は樹脂パッケージ２から外側に向けた外力を受ける。特に、アイランド７は、１００〜２５０μｍとその厚みが薄く、アイランド７と樹脂パッケージ２の密着度も弱く、上記ガスによりアイランド７が樹脂パッケージ２外へと押し出され易い。しかしながら、アイランド７の外周領域に貫通孔１２を配置することで、樹脂パッケージ２とアイランド７との密着度が向上し、樹脂パッケージ２からアイランド７が抜け落ち難い構造となる。そして、貫通孔１２が不活性ガスの流路となることで、貫通孔１２側面の酸化が防止され、アイランド７と樹脂パッケージ２との密着度が更に向上される。
【００３８】
また、アイランド７近傍の樹脂パッケージ２や接着材８に発生した上記ガスは、貫通孔１２を排出経路とすることで、短い経路で樹脂パッケージ２外部へと排出される。そして、上記ガスが効率的に樹脂パッケージ２外部へと排出され、アイランド７が樹脂パッケージ２外部へと押し出され難くなる。
【００３９】
図１（Ｂ）に示す如く、貫通孔１２は、例えば、アイランド７の１側辺に沿って２つ配置される。そして、貫通孔１２の長さは、アイランド７の１側辺の半分程度の長さを有する。詳細は図７（Ｂ）を用いて後述するが、貫通孔１２の開口面積が大きくすることで、リードフレームを載置台上に設置する際にリードフレームが若干ずれた場合でも、貫通孔１２下方にはガス抜き孔５９が配置され易く、不活性ガスの吸引力を適正に維持できる。
【００４０】
また、図示の如く、吊りリード１３は、アイランド７の４つのコーナー部から延在し、樹脂パッケージ２の中側へと折り曲げ加工される。この構造により、吊りリード１３の大部分は、樹脂パッケージ２内に配置され、アンカー効果が得られる。更に、アイランド７と吊りリード１３の一部が、樹脂パッケージ２の裏面４から露出することで、半導体素子９から発生する熱が、速やかに樹脂パッケージ２外へと放出される。
【００４１】
図２（Ａ）に示す如く、リードフレーム１４は、例えば、厚さが約１００〜２５０μｍのＣｕを主材料とするフレームから成る。しかし、リードフレーム１４は、Ｆｅ―Ｎｉを主材料としても良いし、他の金属材料でも良い。そして、リードフレーム１４には、一点鎖線で示す搭載部１５が複数形成される。
【００４２】
この搭載部１５は、主に、アイランド７と、アイランド７を支持する吊りリード１３と、アイランド７の４側辺の近傍に一端が位置するリード６と、複数のリード６を支持するタイバー１６とから構成される。そして、吊りリード１３はアイランド７の４つのコーナー部から延在し、タイバー１６の交差する支持領域１７と連結する。支持領域１７はリードフレーム１４と一体となり、アイランド７がリードフレーム１４に支持される。そして、アイランド７に点線で示す領域が半導体素子９の固着領域であり、本発明のポイントである貫通孔１２は、その固着領域の周囲に配置される。
【００４３】
図２（Ｂ）に示す如く、アイランド７上には半導体素子９が固着され、電極パッド１８上面にはＡｕボール１０が形成される。Ｃｕ線１１は、インナーリード上面にボールボンディングされた後、Ａｕボール１０上面にステッチボンディングされる。そして、Ｃｕ線１１やＣｕ線１１の接続領域等の酸化を防止する必要がある。図７（Ｂ）を用いて後述するが、貫通孔１２から不活性ガスを引き抜く構造とすることで、不活性ガスは上方からボンディング領域へと流れ、Ｃｕ線１１の配置領域が不活性ガスにより満たされ易く、Ｃｕ線１１等の酸化が防止される。その結果、Ａｕ線に換えてＣｕ線１１を用いることが可能となり、大幅なコスト低減が可能となる。
【００４４】
また、大電流を扱う半導体素子では、１つの電極パッドに対して複数本のＡｕ線を用いて大電流に対応するが、Ｃｕ線の場合には、比抵抗が小さく、電流容量が大きいためＡｕ線の場合よりも少ない本数で大電流に対応できる。その結果、Ａｕ線の場合よりもボンディング領域の面積を小さくでき、半導体素子の微細化が実現される。
【００４５】
尚、本実施の形態では、貫通孔１２の形状は、図示した形状に限定するものではない。貫通孔１２の形状は、例えば、円形、楕円形または矩形の場合でも良く、貫通孔１２は、隣り合うリード６間の離間幅と同等の幅か、またはそれ以上の幅を有するものであれば良い。この構造により、不活性ガスの吸引力も大きくなり、Ｃｕ線１１の酸化が防止される効果が得られる。
【００４６】
図３（Ａ）に示す如く、シリコン基板１９上には、例えば、シリコン酸化膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｙｌ−Ｏｒｓｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜またはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜等から少なくとも１つの材料が選択され、絶縁層２０が形成される。そして、絶縁層２０上には電極パッド１８が形成され、電極パッド１８の膜厚は、例えば、０．４〜３．０μｍである。電極パッド１８は、例えば、Ａｌ層やＡｌを主体とする合金層により形成される。その合金層は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜、Ａｌ−Ｃｕ膜等である。そして、絶縁層２０上には、例えば、シリコン窒化膜から成るシールド層２１が形成され、電極パッド１８上のシールド層２１には開口部２２が形成される。
【００４７】
Ａｕボール１０が、開口部２２から露出する電極パッド１８上にボールボンディングされる。そして、ボールボンディング時の荷重によりＡｕボール１０は、若干、電極パッド１８内へと食い込み、Ａｕボール１０の周囲には、若干、スプラッシュ２３が発生する場合もある。しかしながら、Ａｕボール１０はＣｕボールと比較して軟らかく、ボンディング時の荷重がＣｕボールの場合よりも小さい。そのため、スプラッシュ２３は、開口部２２内側の側面とＡｕボール１０との間に発生する程度であり、電極パッド１８の形成領域を超えて発生することはない。この構造により、隣り合う電極パッド１８において、スプラッシュ２３が接触し、ショートすることはない。尚、Ａｕボール１０は、超音波振動技術を用いることなく、熱圧着技術のみにて電極パッド１８上に接続される場合でも良く、この場合には、前述したスプラッシュ２３の発生を極力抑えられる。あるいは、Ａｕボール１０の大きさを小さくすることでボンディング荷重を調整し、前述したスプラッシュ２３の発生を極力抑えることもできる。このＡｕボールは、第２の座布団の働きを示し、前述したようにＣｕよりも軟らかい材料であれば、良い。
【００４８】
更に、前述したように、スプラッシュ２３の発生を低減することで、Ａｕボール１０底面と絶縁層２０との間の電極パッド１８が、十分に残存する。この構造により、Ａｕボール１０の底面は、電極パッド１８と確実に接続した状態となり、電極パッド１８での接続抵抗値の増大を防止できる。また、電極パッド１８での接続不良も防止できる。
【００４９】
図３（Ｂ）に示す如く、Ｃｕ線１１がＡｕボール１０上にステッチボンディングされる。前述したように、Ａｕボール１０は電極パッド１８と広い接続領域を有するため、Ｃｕ線１１のボンディング時の荷重はＡｕボール１０により分散される。つまり、Ａｕボール１０が緩衝材として利用され、ボンディング時の衝撃により、電極パッド１８下方の絶縁層２０にクラック等のダメージを与えることを防止できる。また、ボンディング荷重が分散することで、スプラッシュ２３が大幅に増大することを防止し、図３（Ａ）に示すＡｕボール１０接続時に発生するスプラッシュ２３よりも、若干、大きくなる程度である。そのため、スプラッシュ２３により隣り合う電極パッド１８同士がショートすることもない。
【００５０】
更に、Ｃｕ線１１は、Ａｕボール１０上にステッチボンディングされ、半導体素子９上の高さが抑えられることで、樹脂パッケージ２の薄型化が実現される。
【００５１】
尚、Ｃｕ線１１は、Ａｕボール１０及びリード６に対してステッチボンディングされる場合でも良く、Ａｕボール１０に対してボールボンディングされ、リード６に対してステッチボンディングされる場合でも良い。これらの場合にも、前述したように、スプラッシュ２３によるショートが防止され、絶縁層２０へのダメージも防止される。
【００５２】
次に、図４及び図５では、Ａｕボール１０（図３参照）を用いることなく、電極パッドの構造により前述したスプラッシュによるショートの問題や絶縁層へのクラックの問題に対応する。尚、以下の説明では、図３を用いて説明した半導体装置の各構成要素と同じ構成要素には同じ符番を付す。
【００５３】
図４（Ａ）に示す如く、電極パッド２４は、Ａｌ層２５、２７間に緩衝材層２６が配置される構造である。例えば、Ａｌ層２５の膜厚は、０．４μｍ程度であり、緩衝材層２６の膜厚は、０．１μｍ程度であり、Ａｌ層２７の膜厚は、２．９μｍ程度であり、電極パッド２４のトータルの膜厚は、３．４μｍ程度となる。そして、緩衝材層２６は、Ａｌ層２５、２７よりも硬い膜質であり、例えば、チタンナイトライド（ＴｉＮ）層、チタンタングステン（ＴｉＷ）層等の高融点金属層により形成される。尚、前述したように、緩衝材層２６の上下面には、Ａｌを主体とする合金層が配置される場合でも良い。
【００５４】
図４（Ｂ）に示す如く、Ｃｕボール２８が、開口部２２から露出する電極パッド２４上にボールボンディングされる。そして、ボールボンディング時の荷重によりＣｕボール２８は、若干、電極パッド２４内へと食い込み、Ｃｕボール２８の周囲には、スプラッシュ２９が発生する。
【００５５】
前述したように、電極パッド２４を３層構造とすることで、電極パッド２４トータルの膜厚は従前と同様であるが、Ａｌ層２７の膜厚を薄くできる。その結果、ボンディング荷重によりＣｕボール２８の周囲に追いやられる量が低減し、スプラッシュ２９自体が小さくなる。この構造により、隣り合う電極パッド２４において、スプラッシュ２９が接触し、ショートすることを防止できる。その一方で、Ａｌ層２５上には緩衝材層２６が配置されることで、ボンディング時にＣｕボール２８の周囲に追いやられ難い構造となる。その結果、Ｃｕボール２８の底面には確実にＡｌ層２５が存在し、電極パッド２４での接続不良が防止される。
【００５６】
更に、Ａｌ層２５、２７間に緩衝材層２６を配置することで、ボンディング荷重が緩衝材層２６にて緩和される。この結果、電極パッド２４下方の絶縁層２０は、クラック等のダメージの発生を抑止する。更に、ボンディング荷重により緩衝材層２６が破砕することで、その破砕した領域ではＡｌ層２５、２７が直接接続する。そして、電流はその低抵抗領域を積極的に流れることで、電極パッド２４での接続抵抗値の増大を緩和できる。尚、前述したように、緩衝材層２６は低比抵抗な金属層から形成されることで、緩衝材層２６が破砕しない場合でも、電極パッド２４での接続抵抗値が大幅に増大することはない。
【００５７】
図５（Ａ）に示す如く、電極パッド３０は、絶縁層２０上面に緩衝材層３１を形成し、緩衝材層３１を被覆するようにＡｌ層３２を配置して構成される場合でもよい。緩衝材層３１は、シールド層２１の開口部２２よりも内側に配置され、開口部２２の幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２となる。緩衝材層３１の形状は、開口部２２の形状を相似的に小さくした形状である。そして、緩衝材層３１の膜厚は、例えば、０．５〜１．０μｍであり、Ａｌ層３２の膜厚は、例えば、０．４〜３．０μｍである。この構造により、電極パッド３０では、緩衝材層３１とＡｌ層３２との積層領域は、その他の領域よりも突出した領域となる。尚、緩衝材層３１の材料は、緩衝材層２６と同様であり、緩衝材層３１の形状は、開口部２２内に配置されれば任意の設計変更が可能である。また、電極パッド３０に前述した突出領域が形成されれば良く、図４の構造と同様に緩衝材層３１がＡｌ層内に配置される場合でも良い。
【００５８】
図５（Ｂ）に示す如く、Ｃｕボール３３が、開口部２２から露出する電極パッド３０上にボールボンディングされる。そして、ボールボンディング時の荷重によりＣｕボール３３は、若干、電極パッド３０内へと食い込み、Ｃｕボール３３の周囲には、スプラッシュ３４が発生する。
【００５９】
Ｃｕボール３３は、電極パッド３０の突出領域にボールボンディングされることで、点線の矢印で示すように、突出領域のＡｌ層３２は、開口部２２の側面側へと追いやられる。このとき、追いやられＡｌ層３２は、先ず、突出領域の周囲の窪んだ領域３５（図５（Ａ）参照）へと移動し、その窪んだ領域３５を埋設する。そして、窪んだ領域３５から溢れたＡｌ層３２がスプラッシュ３４となることで、スプラッシュ３４自体が小さくなる。この構造により、隣り合う電極パッド３０において、スプラッシュ３４が接触し、ショートすることを防止できる。
【００６０】
更に、Ｃｕボール３３がボールボンディングされる領域に緩衝材層３１が配置されることで、ボンディング荷重が緩衝材層３１にて緩和され、電極パッド３０下方の絶縁層２０にクラック等のダメージを与えることを防止できる。尚、ボンディング荷重により緩衝材層３１にクラック等が発生しても特に問題はない。
【００６１】
前述したように、本実施の形態では、アイランド７に複数の貫通孔１２が形成され、その貫通孔１２を介して不活性ガスの流れを調整し、Ｃｕ線１１やその接続領域の酸化を防止する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、アイランド７に貫通孔１２が配置されない場合でも、アイランド７とリード６との隙間やリード６同士の隙間を利用し、前述したように不活性ガスの流れを調整する場合でも良い。また、貫通孔１２と前述した隙間とを組み合わせて利用し、不活性ガスの流れを調整する場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００６２】
次に、他の実施の形態について説明する。図６（Ａ）は、図６（Ｂ）に示す樹脂パッケージのＢ−Ｂ線方向の断面図である。図６（Ｂ）は、樹脂パッケージの表面側から見たリードフレームとヒートシンクを説明する図である。尚、本実施の形態の説明において、適宜、図１〜図５を用いて前述した半導体装置の説明を参照する。
【００６３】
図６（Ａ）に示す半導体装置４１では、その樹脂パッケージ４２の裏面４４からヒートシンク４３の一部が露出する。半導体素子４６が、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材４５によりヒートシンク４３上に固着される。半導体素子４６の電極パッド上にはＡｕボール４８が形成され、Ａｕボール４８とリード４７のインナーリード部分とは本願のテーマであるＣｕ線４９により電気的に接続される。Ｃｕ線４９の形状、材質は、前述したＣｕ線１１と同じである。
【００６４】
また、ヒートシンク４３には、半導体素子４６の固着領域の周囲であり、Ｃｕ線４９の配置領域の下方に貫通孔５０が形成される。そして、リード４７のインナーリード部分が、ヒートシンク４３上方に配置され、リード４７のインナーリード部分の先端は、貫通孔５０の手前で終端する。貫通孔５０がヒートシンク４３に配置され、不活性ガス（フォーミングガス）の流通経路として利用されることで、前述したようにＣｕ線４９やその接続領域の酸化が防止される。更に、貫通孔５０は絶縁性樹脂により埋設され、ヒートシンク４３と絶縁性樹脂との密着領域が増大することで、ヒートシンク４３と樹脂パッケージ４２との密着度も向上される。
【００６５】
更に、電極パッド上にＡｕボール４８が配置され、Ｃｕ線４９がＡｕボールに対してワイヤーボンディングされることで、前述したようにスプラッシュによるショートの問題や電極パッド下方の絶縁層へのクラックの問題が解決される。また、半導体装置４１においても、図４及び図５に示す電極パッド構造とすることで、Ａｕボール４８を用いることなく、電極パッドの構造により前述したスプラッシュによるショートの問題や絶縁層へのクラックの問題に対応することもできる。
【００６６】
次に、図６（Ｂ）に示す如く、ヒートシンク４３の長辺は、半導体素子４６の１辺の長さに対し２〜４倍程度であり、ヒートシンク４３の短辺は、半導体素子４６の１辺の長さに対し１〜２倍程度である。そして、ヒートシンク４３は、樹脂パッケージ４２の裏面４４よりも一回り小さく、逆に言えば、その裏面４４のほぼ全面に渡り配置される。ヒートシンク４３が、樹脂パッケージ４２の裏面４４側から露出することで、放熱性が向上される。
【００６７】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。図７（Ａ）及び（Ｂ）は、リードフレームの平面図である。図８（Ａ）は、クランパーの平面図である。図８（Ｂ）は、ワイヤーボンディング時における不活性ガスの流れを示す断面図である。図９（Ａ）〜（Ｃ）は、ワイヤーボンディング工程を示す断面図である。図１０は、樹脂モールド工程を示す平面図である。図１１は、リードの加工、切断工程を示す（Ａ）断面図、（Ｂ）斜視図である。尚、以下の説明では、図１〜図３を用いて説明した半導体装置の各構成要素と同じ構成要素には同じ符番を付す。また、本実施の形態の製造方法の説明において、適宜、図１〜図３を用いて説明する。
【００６８】
先ず、図７（Ａ）に示す如く、例えば、Ｃｕを主材料とするリードフレーム１４を準備する。このリードフレーム１４には、一点鎖線で示すように、複数の搭載部１５が形成される。リードフレーム１４の長手方向（紙面Ｘ軸方向）は、スリット５１により一定間隔に区切られる。そして、スリット５１にて区切られたリードフレーム１４の１区間には、例えば、リードフレーム１４の短手方向（紙面Ｙ軸方向）に２つの搭載部１５が配置される。また、リードフレーム１４の長手方向には、その上下端部領域にインデックス孔５２が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。尚、搭載部１５を構成する詳細の構造は、図２（Ａ）にて説明した通りである。
【００６９】
また、図８（Ｂ）を用いて後述するが、図７（Ｂ）の点線にて示す領域が、載置台５３のガス抜き孔５９の配置領域であり、例えば、１つの貫通孔１２に対して１つのガス抜き孔５９が配置される。そして、個々の貫通孔１２の長さＬを大きくすることで、載置台５３上にリードフレーム１４を配置する際に、リードフレーム１４が若干ずれた場合でも、貫通孔１２を介して確実に不活性ガスを吸引することが可能となる。尚、本実施の形態では、不活性ガスの流れを載置台５３側へと向け、その流れの中にＣｕ線１１やＣｕ線１１の接続領域等を配置し、それらの酸化を防止する。そのため、ガス抜き孔５９が貫通孔１２よりも大きくても良く、例えば、アイランド７とリード６間の開口領域やリード６同士間の開口領域を利用して不活性ガスを引き抜く場合でも良い。
【００７０】
次に、図２（Ｂ）に示す如く、リードフレーム１４の搭載部１５毎に、アイランド７上に接着材８（図１（Ａ）参照）を用いて半導体素子９を固着する。このとき、加熱機構が組み込まれたダイボンド装置の載置台上にリードフレーム１４を配置し、クランパーにてリードフレーム１４を載置台上に固定する。そして、リードフレーム１４のアイランド７やその作業領域内を、例えば、２５０〜２６０℃程度に加熱した状態にして、それぞれアイランド７上に連続して半導体素子９を固着する。詳細は図８（Ｂ）にて説明するワイヤーボンディング工程の不活性ガスの流れと同様であるが、リードフレーム１４を固定するクランパーからその作業領域内に不活性ガスが供給される。そして、不活性ガスが、アイランド７の貫通孔１２を介して載置台側へと引き抜かれることで、リードフレーム１４の周囲は不活性ガスにより満たされる。その結果、リードフレーム１４は、長時間に渡り高温状態下に配置されるが、その酸化が防止される。
【００７１】
次に、ワイヤーボンディング装置の載置台５３上にリードフレーム１４を配置し、リードフレーム１４の搭載部１５毎にワイヤーボンディングを行う。
【００７２】
先ず、図８（Ａ）に示すクランパー５４について説明する。クランパー５４は、不活性ガスを送り込むパイプ５５と、搭載部１５の大きさに合わせて開口された開口領域５６とを有する。そして、クランパー５４のパイプ５５から送風された不活性ガスは、リード固定領域５７間から開口領域５６へと吹き込む。Ｃｕ線１１の径が４５μｍの場合には、例えば、１．９リットル／分の窒素ガス（若干の水素ガスが含まれる）が用いられる。そして、Ｃｕ線１１は、高温状態の作業領域内に置かれることで酸化し易い状態となるが、前述の不活性ガスの存在によりＣｕ線１１の酸化が防止される。
【００７３】
更に、開口領域５６周囲のクランパー５４には、搭載部１５のリード６形状に合わせて複数のリード固定領域５７が、櫛歯形状に配置される。そして、複数のリード６は、リード固定領域５７により個別に載置台５３（図８（Ｂ）参照）上に固定される。このとき、Ｃｕ線１１はＡｕ線と比較して硬いが、延性を有するため、ボールボンディング時の荷重（キャピラリ６０（図９（Ａ）参照）から加えられる荷重）がＡｕ線よりも大きくなる。そして、複数のリード６は、それぞれの形状に対応したクランパー５４のリード固定領域５７により個別に固定されることで、ボンディング時の荷重の逃げが防止される。そして、Ｃｕ線１１はリード６上に確実に接着され、接続不良が防止される。
【００７４】
次に、図８（Ｂ）に示す不活性ガスの流れについて説明する。加熱機構５８を有する載置台５３には、ガス抜き孔５９が形成される。そして、ガス抜き孔５９上面にアイランド７の貫通孔１２が位置するように、載置台５３上にリードフレーム１４を配置する。点線の矢印で示すように、不活性ガスは、クランパー５４のリード固定領域５７間から開口領域５６の中央側（搭載部）へと吹き込まれる。つまり、開口領域５６では、その全周囲から中央側へと不活性ガスが吹き込まれる。そして、開口領域５６上は遮蔽されてなく、開口領域５６内が高温状態となることで、不活性ガスは、上昇気流により開口領域５６上方へと放出されてしまう。そこで、本実施の形態では、貫通孔１２を介して載置台５３のガス抜き孔５９から不活性ガスを吸引することで、リード６の上から吹き込まれた不活性ガスは、主に、アイランド７の貫通孔１２側へと流れる。その結果、不活性ガスの主たる流れは、開口領域５６の下方側（載置台５３側）へとなり、Ｃｕ線１１の配置領域は不活性ガスにて満たされ易い領域となる。
【００７５】
そして、クランパー５４の開口領域５６内である作業領域は、加熱機構５８により、例えば、２５０〜２６０℃程度に維持される。ワイヤーボンディングされたＣｕ線１１は、半導体素子９の全ての電極パッドに対しワイヤーボンディングが終わるまでは、その高温状態の作業領域内に置かれる。そこで、前述した不活性ガスの流れを起すことで、Ｃｕ線１１の周囲には不活性ガスが充満し易く、効率的にＣｕ線１１の酸化が防止される。また、リード６等のリードフレーム１４も酸化され易い状況下に置かれるが、不活性ガスが載置台５３側へと流れることで、リードフレーム１４も効率的に酸化が防止される。
【００７６】
尚、不活性ガスは、クランパー５４のリード固定領域５７間から吹き込まれる場合に限定されるものではなく、例えば、ガスノズルを利用して開口領域５６内に吹き込まれる場合でも良い。また、開口領域５６内に吹き込まれた全ての不活性ガスが、載置台５３のガス抜き孔５９から吸引される訳ではなく、不活性ガスの一部は開口領域５６上方へと流れる。そして、開口領域５６及びその周辺は、不活性ガスにより満たされた領域となる。
【００７７】
次に、図９（Ａ）に示す如く、キャピラリ６０の中心孔にはＣｕ線６１が挿通され、キャピラリ６０の上方にはＣｕ線６１を挟持するためのワイヤークランパー６２が配置される。そして、予めキャピラリ６０の先端からは所望の長さのＣｕ線６１が導出し、キャピラリ６０近傍に位置するトーチ６３から放電され、キャピラリ６０の先端にはイニシャルボール（Ｃｕボール）６４が形成される。尚、図示したように、イニシャルボール６４を形成する作業領域には、上記不活性ガスが供給される。そのため、不活性ガス内に含まれる水素による酸化還元作用により、イニシャルボール６４の球面形状が安定して形成される。
【００７８】
次に、図９（Ｂ）に示す如く、キャピラリ６０がリード６上に向けて下降し、イニシャルボール６４をリード６上面に押し付ける。そして、超音波振動併用の熱圧着技術により、キャピラリ６０の先端に形成されたイニシャルボール６４がリード６と接続する。尚、この作業時には、ワイヤークランパー６２は開放された状態である。
【００７９】
次に、図９（Ｃ）に示す如く、ワイヤークランパー６２が開放された状態にて、一定のループを描きながらキャピラリ６０が半導体素子９の電極パッド１８上面に移動する。そして、ワイヤークランパー６２にてＣｕ線６１を挟持した後、キャピラリ６０が電極パッド１８上に下降し、Ｃｕ線６１を電極パッド１８上のＡｕボール１０上面に押し付ける。そして、超音波振動併用の熱圧着技術によりＣｕ線６１がＡｕボール１０と接続する。その後、キャピラリ６０が上昇し、イニシャルボールとなる長さのＣｕ線６１をキャピラリ６０の先端から導出し、Ｃｕ線６１を切断する。その後、キャピラリ６０の先端から導出したＣｕ線６１が、前述したようにイニシャルボールへと加工される。
【００８０】
その後、半導体素子９の全ての電極パッド１８上のＡｕボール１０とリード６に対して、図９（Ａ）〜（Ｃ）を用いて前述したワイヤーボンディング作業を繰り返す。尚、Ａｕボール１０が、ワイヤーボンディング工程前に予め電極パッド１８上に接続されることで、図３を用いて前述したように、スプラッシュの問題や絶縁層へのクラックの問題が解決される。
【００８１】
次に、図１０に示す如く、リードフレーム１４の裏面側には、例えば、ＰＥＴ材から成る耐熱用シート（図示せず）が貼り合わされ、その耐熱用シートと樹脂封止金型（図示せず）が当接するように、リードフレーム１４を樹脂封止金型に設置する。そして、個々の樹脂封止金型のキャビティ内に樹脂を充填し、樹脂パッケージ２を形成する。図示したように、リードフレーム１４には、搭載部１５毎に複数の樹脂パッケージ２が形成される。尚、耐熱用シートを用いることで、アイランド７（図１（Ａ）参照）の裏面側への樹脂の廻り込みを防止し、樹脂パッケージ２の裏面側の平坦性が維持される。
【００８２】
最後に、図１１（Ａ）に示す如く、リードフレーム１４をリード曲げ加工用の台座６５、６６上に設置する。このとき、樹脂パッケージ２近傍のリード６をリード支持機構６７で固定し、リード６の先端側（タイバー１６側）を台座６６上に設置する。そして、パンチ６８にてリード６の先端側を切断しつつ、リード６を曲げ加工する。そして、この工程にてタイバー１６（図２（Ａ）参照）や支持領域１７（図２（Ａ）参照）も打ち抜かれることで、図１１（Ｂ）に示すように、リードフレーム１４から樹脂パッケージ２が切断される。
【００８３】
尚、本実施の形態では、クランパー５４の開口領域５６内に吹き込まれる不活性ガスの温度に関し特に限定していない。しかし、例えば、クランパー５４内に加熱機構を設置する等により、不活性ガスを開口領域５６内と同等に加熱した後、開口領域５６内に不活性ガスを吹き込む場合でも良い。この場合には、Ｃｕ線６１が不活性ガスにより冷却され難く、イニシャルボール形成時の電流効率を向上させることができる。
【００８４】
また、ワイヤーボンディングの際、クランパー５４の開口領域５６上方がプレート等の蓋部材によりカバーされない状況にて作業を行う場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、ワイヤーボンディングを行う作業領域のみ開口した蓋部材により開口領域５６上方をカバーし、その蓋部材が作業領域に合わせてスライドする場合でもよい。この場合には、開口領域５６上方が概ね蓋部材によりカバーされることで、開口領域５６内が不活性ガスで充満され易くなる。そして、不活性ガスの供給量も低減され、製造コストを抑制できる効果も得られる。
【００８５】
また、ワイヤーボンディングの際、個々のリード６が、個別にクランパー５４のリード固定領域５７により固定される場合について説明したがこの場合に限定するものではない。例えば、リードの形状やリードの高さ等のリード配置状況に応じて、隣接する複数のリード毎に区分けしてリード固定領域により固定する場合でもよい。この場合には、リード固定領域の数は、リードの総数よりも少なくなる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１  半導体装置
２  樹脂パッケージ
６  リード
７  アイランド
１２  貫通孔
５４  クランパー
５６  開口領域
５７  リード固定領域
５９  ガス抜き孔
【図１】
2010258286.tif 000003
【図２】
2010258286.tif 000004
【図３】
2010258286.tif 000005
【図４】
2010258286.tif 000006
【図５】
2010258286.tif 000007
【図６】
2010258286.tif 000008
【図７】
2010258286.tif 000009
【図８】
2010258286.tif 000010
【図９】
2010258286.tif 000011
【図１０】
2010258286.tif 000012
【図１１】
2010258286.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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