(57)【要約】【課題】マルチバンドの形成ができるように、中間に帯域消去（阻止）フィルターを実現し、高周波数領域または低周波数領域の伝達特性の減衰に優れたフィルターを形成する、マルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサを提供する。【解決手段】マルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサは、誘電体ブロック（１００）、外部表面に塗布された外部電極（１０２）、円柱状の複数の共振ホール（１０６）、内部電極、複数のキャパシタンスパターン（１１０）、入出力電極部、及び共用アンテナ端（４２０）、を含み、前記誘電体ブロックの上面に形成されたパターンの一部は前記アンテナ端とカップリングされる少なくとも一つの帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成する。【選択図】図１０
2010220187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型誘電体マルチプレクサの本体をなす六面体の誘電体で構成された誘電体ブロック、
前記誘電体ブロックの上面を除いた外部表面に塗布された外部電極、
前記誘電体ブロックの上面から下面まで貫設された円柱状の複数の共振ホール、
前記複数の共振ホールの内壁にそれぞれ形成された内部電極、
前記誘電体ブロックの上面に形成され、それぞれの共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターン、
前記複数のキャパシタンスパターンから離隔して形成されてキャパシタンス・カップリングを形成し、前記誘電体ブロックの上面から前記誘電体ブロックの正面に延設され、信号の入力及び出力を行う入出力電極部、及び、
前記誘電体ブロックの中央部に形成される共用アンテナ端、を含み、
前記誘電体ブロックの上面に形成されたパターンの一部は、前記アンテナ端とカップリングされる少なくとも一つの帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成する、
一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項２】
前記複数の共振ホールは並列に配列され、
前記複数の共振ホールは互いに１／４波長ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ）モードで共振を行う、
請求項１に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項３】
前記複数のキャパシタンスパターンの間に一定距離で互いに離隔して形成され、一端が前記外部電極と接するように形成されたカップリングパターンをさらに含む、
請求項１に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項４】
前記カップリングパターンは、前記複数のキャパシタンスパターンの間にストリップパターンの形状になる、
請求項３に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項５】
前記カップリングパターンの中で、前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンをなすカップリングパターンはカップリングインダクタンスパターンである、
請求項４に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項６】
前記入出力電極部の中で、前記帯域消去（阻止）フィルターに対する信号の入出力を行う入出力電極部は前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するキャパシタンスパターンから一定距離を置いて形成されてキャパシタンス・カップリングを形成するバー（ｂａｒ）タイプのパターンで連結される、
請求項１に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項７】
前記キャパシタンスパターン及び前記カップリングパターンの中で、前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するパターンを除いたパターンは前記帯域消去（阻止）フィルターパターンの両端に前記帯域消去（阻止）フィルターとカップリングされる帯域通過フィルターを形成する、
請求項１に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項８】
一体型誘電体マルチプレクサの本体をなす誘電体ブロックの上面を開放面にし、その開放面を除いた残りの外面に塗布されて外部電極を形成するもので、前記誘電体ブロックの開放面と下面に貫設される複数の共振ホールと、前記共振ホールの内壁にそれぞれ形成された内部電極とを含む、一体型誘電体マルチプレクサにおいて、
前記誘電体ブロックの一半分部に形成された共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターンと、前記キャパシタンスパターンの間に一定距離だけ離隔して形成され、一端が前記外部電極と接するように形成されるカップリングパターンとを含む第１デュープレクサ、
前記誘電体ブロックの他半分部に形成された共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターンと、前記キャパシタンスパターンの間に一定距離だけ離隔して形成され、一端が前記外部電極と接するように形成されるカップリングパターンとを含む第２デュープレクサ、
前記第１デュープレクサ及び第２デュープレクサの接合部に設けられる共通アンテナ端、及び、
前記第１及び第２デュープレクサのそれぞれの信号入出力を行う入出力電極部
を含む、一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項９】
前記第１及び第２デュープレクサは前記共通アンテナ端とカップリングされる帯域消去（阻止）フィルターのパターンを含む、
請求項８に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項１０】
前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンをなすカップリングパターンはカップリングインダクタンスパターンである、
請求項８に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【請求項１１】
前記電極部の中で、前記帯域消去（阻止）フィルターに対する信号の入出力を行う入出力電極部は前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するキャパシタンスパターンから一定距離を置いて形成されてキャパシタンス・カップリングを形成するバータイプのパターンで連結される、
請求項８に記載の一体型誘電体マルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマルチバンド処理が可能な一体型誘電体構造のマルチプレクサに係り、より詳しくは一つのアンテナを通じて送受信を行うデュープレクサを拡張することで、共通アンテナを通じて広いバンド（帯域）にわたる信号の送受信が可能な一体型誘電体構造のマルチプレクサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信技術の発達につれて、多様な周波数を活用した移動通信端末機の使用が急増しており、提供されるサービスの種類と品質を高めるために、移動通信に高周波信号の使用が増大している趨勢である。
【０００３】
移動通信技術は、伝送可能なコンテンツの量及び種類によって、１世代、２世代及び３世代に分類され、移動中に高速インターネットを使用することができるＷｉｂｒｏ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ｉｎｔｅｒｎｅｔ）などのさまざまなサービスに多様な高周波信号が使用されている。
【０００４】
一般に、デュープレクサは移動通信端末機の主要部品で、送受信兼用のアンテナを通じて送信フィルター及び受信フィルターの該当周波数帯域の信号のみを通過させる機能を果す。デュープレクサは色々のタイプがあるが、移動通信端末機の携帯性を高めるために、小型化及び軽量化が必須要件であり、このような要件を満足させるために、一体型誘電体デュープレクサが多く使用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一体型誘電体デュープレクサは、誘電体ブロック上に複数の共振ホールが送受信端のフィルターを形成し、ホールの周囲の導体パターンによってフィルターの周波数特性を持つように設計される。このような一体型誘電体デュープレクサは、製造工程が単純で実現が容易であり、小型化が可能であるという利点がある。しかしながら、単一周波数帯域でだけ使用されるため、マルチバンドでは互いに異なる周波数帯域を持つデュープレクサを使用しなければならないという問題点があり、これによってシステムのサイズが大きくなり、製造工程数が増えてシステムの製造コストが上昇するという問題点がある。
【０００６】
また、マルチバンドを処理するために、互いに異なる周波数処理帯域を持つ帯域通過フィルター（ｂａｎｄ−ｐａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ）を使用する場合、最初に帯域通過フィルターに形成されたＥ−Ｈ Ｆｉｅｌｄが次のバンドに伝達されないため、処理可能なチャネルを増やすことができないという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するためになされたものである。その目的は、共用アンテナ端にカップリングされるフィルターを帯域消去（阻止）フィルター（ｂａｎｄ−ｓｔｏｐ ｆｉｌｔｅｒ）で構成して次の端まで信号が伝達されるようにすることで、一つの一体型誘電体ブロックにマルチバンドを処理することができるマルチプレクサを実現し、低周波領域及び高周波領域の減衰特性を向上させるように、誘電体の上部にパターンを形成させて等リップルに近くリップル特性を向上させることができるマルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサを提供することにある。
【０００８】
前記のような目的を達成するために、本発明の一面によるマルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサは、一体型誘電体マルチプレクサの本体をなす六面体の誘電体で構成された誘電体ブロック、前記誘電体ブロックの上面を除いた外部表面に塗布された外部電極、前記誘電体ブロックの上面から下面まで貫設された円柱状の複数の共振ホール、前記複数の共振ホールの内壁にそれぞれ形成された内部電極、前記誘電体ブロックの上面に形成され、それぞれの共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターン、前記複数のキャパシタンスパターンから離隔して形成されてキャパシタンス・カップリングを形成し、前記誘電体ブロックの上面から前記誘電体ブロックの正面に延設され、信号の入力及び出力を行う入出力電極部、及び前記誘電体ブロックの中央部に形成される共用アンテナ端、を含み、前記誘電体ブロックの上面に形成されたパターンの一部は前記アンテナ端とカップリングされる少なくとも一つの帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成する。
【０００９】
好ましくは、前記複数の共振ホールは並列に配列され、前記複数の共振ホールは互いに１／４波長ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ）モードで共振を行うことができる。
【００１０】
好ましくは、前記カップリングパターンは前記複数のキャパシタンスパターンの間にストリップパターンの形状になることができる。
【００１１】
好ましくは、前記キャパシタンスパターン及び前記カップリングパターンの中で、前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するパターンを除いたパターンは前記帯域消去（阻止）フィルターパターンの両端に前記帯域消去（阻止）フィルターとカップリングされる帯域通過フィルターを形成することができる。
【００１２】
好ましくは、前記入出力電極部の中で、前記帯域消去（阻止）フィルターに対する信号の入出力を行う入出力電極部は前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するキャパシタンスパターンから一定距離を置いて形成されてキャパシタンス・カップリングを形成するバー（ｂａｒ）タイプのパターンで連結されることができる。
【００１３】
好ましくは、前記カップリングパターンの中で、前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンをなすカップリングパターンはカップリングインダクタンスパターンであってもよい。
【００１４】
また、本発明の一面によるマルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサは、一体型誘電体マルチプレクサの本体をなす誘電体ブロックの上面を開放面にし、その開放面を除いた残りの外面に塗布されて外部電極を形成するもので、前記誘電体ブロックの開放面と下面に貫設される複数の共振ホールと、前記共振ホールの内壁にそれぞれ形成された内部電極とを含む一体型誘電体マルチプレクサであって、前記誘電体ブロックの一半分部に形成された共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターンと、前記キャパシタンスパターンの間に一定距離だけ離隔して形成され、一端が前記外部電極と接するように形成されるカップリングパターンとを含む第１デュープレクサ、前記誘電体ブロックの他半分部に形成された共振ホールを取り囲む複数のキャパシタンスパターンと、前記キャパシタンスパターンの間に一定距離だけ離隔して形成され、一端が前記外部電極と接するように形成されるカップリングパターンとを含む第２デュープレクサ、前記第１デュープレクサ及び第２デュープレクサの接合部に設けられる共通アンテナ端、及び前記第１及び第２デュープレクサのそれぞれの信号入出力を行う入出力電極部、を含む。
【００１５】
好ましくは、前記第１及び第２デュープレクサは前記共通アンテナ端とカップリングされる帯域消去（阻止）フィルターのパターンを含むことができる。
【００１６】
好ましくは、前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンをなすカップリングパターンはカップリングインダクタンスパターンであってもよい。
【００１７】
好ましくは、前記入出力電極部の中で、前記帯域消去（阻止）フィルターに対する信号の入出力を行う入出力電極部は前記帯域消去（阻止）フィルターのパターンを形成するキャパシタンスパターンから一定距離を置いて形成されてキャパシタンス・カップリングを形成するバータイプのパターンで連結されることができる。
【００１８】
好ましくは、前記電極部は前記複数のキャパシタンスパターンから特定距離を置いて形成されてキャパシタンス・カップリングを形成し、前記誘電体ブロックの上面から前記誘電体ブロックの正面に延設されることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように構成される本発明は、一体型誘電体ブロックにマルチバンドを処理することができるマルチプレクサを実現することができるという効果がある。
【００２０】
また、マルチバンドを一体型誘電体ブロックに実現することによって小型でコンパクトに通信装置を設計することができ、多数のデュープレクサを設置することによる製造コストの上昇及びデュープレクサ間の干渉を除去することができるという効果がある。
【００２１】
また、低周波領域及び高周波領域の減衰特性を向上させるように誘電体の上部にパターンを形成させて等リップルに近くリップル特性を向上させることができる特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルターを示す斜視図である。
【図２】図１に示す帯域通過フィルターの等価回路を示す回路図である。
【図３】図１に示す帯域通過フィルターの伝達特性及び反射特性を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの帯域消去（阻止）フィルターを示す斜視図である。
【図５】図４に示す帯域通過フィルターの等価回路を示す回路図である。
【図６】図４に示す帯域通過フィルターの伝達特性及び反射特性を示すグラフある。
【図７】本発明の一実施例による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの斜視図である。
【図８】図７に示す２Ｇデュープレクサの等価回路を示す回路図である。
【図９】図７に示す２Ｇデュープレクサの伝達特性及び反射特性を示すグラフである。
【図１０】本発明の一実施例による一体型誘電体マルチプレクサの斜視図である。
【図１１】図１０に示す一体型誘電体マルチプレクサの等価回路を示す回路図である。
【図１２】図１０に示す一体型誘電体マルチプレクサの伝達特性及び反射特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明によるマルチバンド処理が可能な一体型誘電体マルチプレクサについて詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルターを示す斜視図、図２は図１に示す帯域通過フィルターの等価回路を示す回路図、図３は図１に示す帯域通過フィルターの伝達特性及び反射特性を示すグラフである。
【００２５】
本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルター１００は、デュープレクサの本体をなす六面体の誘電体ブロックと、誘電体ブロックの上面１０４を除いた残りの外部表面に塗布された外部電極１０２と、誘電体ブロックの上面から下面まで貫設される共振ホール１０６と、共振ホールの周囲を取り囲むように形成されるキャパシタンスパターン１１０と、キャパシタンスパターン１１０の間に一定距離だけ離隔して形成されるカップリングパターン１０８と、デュープレクサに対する信号の入出力を行い、誘電体ブロックの上面及び正面にわたって形成される入出力電極部１１２、１１４とを含んでなる。
【００２６】
本発明の実施の形態による２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルター１００は、一体型セラミック誘電体フィルターを利用したもので、誘電体ブロックに複数の共振ホール１０６を形成し、その内壁に同軸線路の内部導体用内部電極を形成し、誘電体ブロックの上面１０４を除いた残りの外部表面を導体で塗布して外部電極１０２にする。外部電極１０２と内部電極が形成された共振ホール１０６とが一つの共振器を形成し、共振器間の結合は共振ホール間の誘電体を介してなされる。誘電体ブロックに形成された複数の共振ホールは互いに１／４波長ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ）モードで共振を行い、相互カップリングによって固有の減衰特性を持つ誘電体フィルターを構成することになる。
【００２７】
基本的に、本発明の一実施の形態による一体型誘電体フィルターは、キャパシタンスパターン１１０、カップリングパターン１０８及び誘電体ブロックをなす誘電体の誘電率、及び共振ホールの直径及び長さを調節することにより、２Ｇデュープレクサに含まれた帯域通過フィルターの通過帯域及び消去（阻止）帯域を調節する。
【００２８】
誘電体ブロックの上部開放面を除いた外面に形成された外部電極１０２と、共振ホール１０６の内壁に形成された内部電極を含む共振ホール１０６とは、図２の等価回路においてインダクタとキャパシタでなった素子１１６として作動し、接地に連結され、固有の共振周波数を持つ。
【００２９】
本発明の実施の形態による２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルター１００は、帯状のカップリングパターン１０８をさらに含むことができる。帯状のカップリングパターンは、一端が外部電極１０２に連結されて共振ホール１０６の間に位置することにより、各共振ホール１０６の間にカップリングされる信号の一部が外部電極１０２を通じて接地に流れるようにする減衰素子の機能をする。このようなカップリングパターン１０８によって共振ホール１０６間のキャパシタンス・カップリングを調節して高周波及び低周波特性を向上させる。これは図３によく示されている。ここで、実線で表示されたグラフが通過特性（Ｓ（２，１））を示し、破線のグラフは反射特性（Ｓ（１，１））を示す。実線グラフの通過帯域の高周波部分と低周波部分の勾配、つまりスカート特性がとても優秀であることが分かる。
【００３０】
誘電体ブロックの上面は開放面であり、所望帯域のみをフィルタリングするためのパターンを形成することになる。本発明の実施の形態の２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルター１００は、共振ホール１０６を取り囲みながら隣接の共振ホール１０６のパターンとキャパシタンス・カップリングを形成するキャパシタンスパターン１１０と、キャパシタンスパターン１１０の間に一定距離だけ離隔して形成されるカップリングパターン１０８とを含んでなることができる。カップリングパターン１０８は、前記のように一端が外部電極１０２に連結される帯状に形成され、接地に連結されて減衰素子の役目をすることになる。カップリングパターン１０８は等価回路上にキャパシタまたはインダクタで表示することができる。これはフィルターの仕様（性能）によって変わり得るもので、キャパシタンス値またはインダクタンス値はストリップパターンの面積または長さによって決定され、通過帯域によって適切に調節される。
【００３１】
本発明の実施の形態の２Ｇデュープレクサの帯域通過フィルターをなすキャパシタンスパターン１０４及びカップリングパターン１０８は、高周波領域または低周波領域の伝達特性のスカート特性に優れたフィルターを提供することができ、次数の増加によるリップルの増加ではないので、等リップルに近くリップル特性を向上させることができる。すなわち、カップリングパターンを利用して共振ホール１０６相互間のキャパシタンス・カップリングを調節することにより、減衰極などを利用しなくても高周波及び低周波のスカート特性を向上させることができる。これは、図３の伝達及び反射特性のグラフにおいて、伝達帯域と減衰帯域を連結するグラフが垂直に近く形成されることから卓越したスカート特性が分かる。
【００３２】
入出力電極部１１２、１１４は帯域通過フィルターに対する信号の入出力を行い、上面と誘電体ブロックの正面に延設され、キャパシタンスパターン１１０とキャパシタンス・カップリングをなす。
【００３３】
図４は本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサをなす２Ｇデュープレクサの帯域消去（阻止）フィルターの斜視図である。帯域消去（阻止）フィルター２００は、図１の帯域通過フィルター１００と類似して、デュープレクサの本体をなす六面体の誘電体ブロックと、誘電体ブロックの上面２０４を除いた残りの外部表面に塗布された外部電極２０２と、誘電体ブロックの上面から下面まで貫設される共振ホール２０６と、共振ホールの周囲を取り囲むように形成されるキャパシタンスパターン２１０と、キャパシタンスパターン２１０の間に一定距離だけ離隔して形成されるカップリングパターン２０８と、デュープレクサに対する信号の入出力を行い、誘電体ブロックの上面と正面にわたって形成される入出力電極部２１２、２１４とを含んでなる。
【００３４】
図４の帯域消去（阻止）フィルター２００も、図１の帯域通過フィルター１００と類似して、開放面である上面２０４に形成されるキャパシタンスパターン２１０とカップリングパターン２０８、及び共振ホール２０６によって特定帯域を消去する帯域消去（阻止）フィルター２００として実現される。
【００３５】
図４の斜視図のように、本発明の実施の形態の２Ｇデュープレクサの帯域消去（阻止）フィルター２００は、入出力電極部２１２、２１４がそれぞれの共振ホール２０６とキャパシタンス・カップリングをなすバー（ｂａｒ）タイプのパターンで連結され、それぞれの共振ホール２０６とのカップリングによって帯域消去（阻止）フィルターの特性を表すとともに、バータイプのパターンを通じて入力された信号のＥ−Ｈ ｆｉｅｌｄを次の端の帯域通過フィルターに伝達することができることになる。したがって、従来、Ｅ−Ｈ ｆｉｅｌｄが伝達されないため、マルチバンドの処理のためには、それぞれのバンドを処理するために一体型デュープレクサを多数設置しなければならなく、このために空間上の問題と製造コストの上昇の問題があったが、本発明の実施の形態の帯域消去（阻止）フィルター２００は、入力されたＥ−Ｈ ｆｉｅｌｄを次の端に伝達するので、多数のデュープレクサを一体型に形成することができるという効果がある。さらに、図６の実線で示した伝達特性グラフ（Ｓ（２，１））から分かるように、消去帯域において高周波部分及び低周波部分でのスカート特性が非常に良いことが分かる。
【００３６】
図７は本発明による２Ｇデュープレクサを示す斜視図で、本発明の実施の形態の２Ｇデュープレクサ３００は、帯域消去（阻止）フィルター部３５０ａと帯域通過フィルター部３５０ｂに分けることができる。
【００３７】
帯域消去（阻止）フィルター部３５０ａと帯域通過フィルター部３５０ｂは入力電極部３１０を共有しており、適切なインピーダンスマッチングによって帯域消去（阻止）フィルター部３５０ａと帯域通過フィルター部３５０ｂ間のインピーダンスは無限大になるように設計される。すなわち、帯域消去（阻止）フィルター部３５０ａを受信信号処理部に、帯域通過フィルター部３５０ｂを送信信号処理部にする場合、帯域消去（阻止）フィルター３５０ａの消去帯域は送信信号処理部で使用されるバンドであり、帯域通過フィルター３５０ｂの消去帯域は受信信号処理部で使用されるバンドである。ただし、帯域通過フィルター３５０ｂのパターン構造のため、次の端にさらに帯域通過フィルターを挿入する場合、最初に帯域通過フィルター３５０ｂで形成されたＥ−Ｈ ｆｉｅｌｄが次の端に伝達されなくてチャネルを増やすことができなくなる。本発明は、アンテナ端と帯域通過フィルター３５０ｂとの間に帯域消去（阻止）フィルター３５０ａを挿入してマルチプレクサを構成し、これによって帯域通過フィルター３５０ｂまで信号が伝達されるようにすることにより、一体型誘電体構造でもマルチバンドを処理することができる効果がある。すなわち、帯域消去（阻止）フィルター３５０ａの入出力端は共振ホール２０６の周囲に形成されるキャパシタンスパターン２１０とキャパシタンス・カップリングを形成するバータイプのパターンで連結され、入力された信号を次の端に伝達することができるので、マルチバンドの処理が可能である。
【００３８】
図８及び図９はそれぞれ図７の等価回路図と伝達特性及び反射特性を示すグラフであり、低周波及び高周波でのスカート特性が非常に優秀であり、等リップルの特性を持つことが分かる。
【００３９】
図１０は本発明の一実施の形態による一体型誘電体マルチプレクサの斜視図であり、大きくは２Ｇデュープレクサ部４５０ｂと３Ｇデュープレクサ部４５０ａでなる。
【００４０】
２Ｇデュープレクサ部４５０ｂと３Ｇデュープレクサ部４５０ａはその入力端が共通アンテナ端４２０に連結され、これを通じて信号を入出力する。共用アンテナ端４２０は、それぞれのデュープレクサ部の入出力端に対して信号を入出力するために設けられる回路構成を簡素化するためにマルチプレクサの下端部に延設されている。
【００４１】
また、２Ｇデュープレクサ部４５０ｂと３Ｇデュープレクサ部４５０ａは、それぞれの出力信号が伝達されないようにするために、インピーダンスが非常に大きくマッチングされるように設計される。共通アンテナ端には、次の端の帯域通過フィルターに信号が伝達されるように、先に帯域消去（阻止）フィルターが連結される。もちろん、図１０に示すマルチプレクサ４００は共通アンテナ端に二つの帯域消去（阻止）フィルターがカップリングされるマルチプレクサであって、二つのバンドを持つ４チャネルを形成するが、いずれか一つの帯域消去（阻止）フィルターを省略し、一つの帯域消去（阻止）フィルターだけを使用してトリプレクサ（Ｔｒｉｐｌｅｘｅｒ）に構成することもできるのはいうまでもない。
【００４２】
図１１は図１０に示すマルチプレクサの等価回路図であり、２Ｇデュープレクサ及び３Ｇデュープレクサの共通入力端が共通アンテナ端４２０に連結されるように形成される。本発明の実施の形態のマルチバンドを処理することができるマルチプレクサは、共通アンテナ端４２０の左右に共通アンテナ端４２０とカップリングされる帯域消去（阻止）フィルターを挿入して、共通アンテナ端４２０に対して入出力される信号が次の端の帯域通過フィルターに伝達されるようにする。
【００４３】
図１２は図１０に示すマルチプレクサに含まれた各フィルターの伝達特性を示すもので、マルチプレクサのすべての伝達特性を各部分別に分離して示すグラフであり、図１２のグラフを参照すれば各フィルターのスカート特性に非常に優れたことが分かる。
【００４４】
以上説明したように、本発明の実施の形態はマルチバンドを処理することができるマルチプレクサであって、これを一体型誘電体で構成することにより、最近色々のバンドを活用する通信環境で多数のバンドを処理するデュープレクサをそれぞれ備えなく、これを一つの一体型構成にすることによって、システムの小型化及び安価化をなすことができるという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、たとえば、一つのアンテナを通じて送受信を行うデュープレクサを拡張して、共通アンテナを通じて多様なバンドでなった信号の送受信が可能な一体型誘電体構造のマルチプレクサに適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１００    ２Ｇ Ｒｘ帯域通過フィルター
２００    ２Ｇ Ｔｘ帯域消去（阻止）フィルター
１０２    外部電極
１０６    共振ホール
１０８    カップリングパターン
１１０    キャパシタンスパターン
２２０    導体ストリップ
３００    ２Ｇデュープレクサ
３５０ａ    帯域消去（阻止）フィルター部
３５０ｂ    帯域通過フィルター部
３１０    第１共通入力端
４００    マルチプレクサ
４５０ａ    第１デュープレクサ部
４５０ｂ    第２デュープレクサ部
４２０    共通アンテナ端
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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