(57)【要約】【課題】有機ＥＬ層を全面蒸着しながら、簡便に補助電極と第２電極との接続を行いうる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】複数のＴＦＴが形成された基板上に複数の画素が形成されるトップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子が、第１電極と、第１電極に対向して設けられた透明な第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟まれる有機ＥＬ層とを有し、前記第１電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第２電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなり、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機ＥＬ層を形成する工程と、基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第２電極を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＴＦＴが形成された基板上に複数の画素が形成される有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子が、画素領域を規定する第１電極と、第１電極に対向して設けられた透明な第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟まれる有機ＥＬ層とを有し、前記第１電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第２電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなるトップエミッション型有機ＥＬ素子であって、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層が形成された基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第２電極を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜パターンの断面形状が凹部を有する形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜の断面形状が凹部を有する形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記ワイヤマスクは張力がかけられた状態で金属膜の前記断面形状の凹部からなる凹状溝に沿って展開されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（以下有機ＥＬという）素子の製造方法に関する。この有機ＥＬ素子は高精細で視認性に優れ、携帯端末機、産業用計測器、家庭用テレビなど広範囲な画面表示への応用可能性を有する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に適用される発光素子の一つとして、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機ＥＬ発光素子が知られている。有機ＥＬ発光素子は、薄膜の自発光型素子であり、低駆動電圧、高解像度、高視野角といった優れた特徴を有することから、それらの実用化に向けて様々な検討がなされている。
【０００３】
有機ＥＬ発光素子は、陽極と陰極の間に少なくとも有機ＥＬ層を備えた構造を有している。有機ＥＬ層は有機発光層を備え、さらに、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。陽極および陰極に電圧が印加されることによって注入された正孔および電子が有機発光層で再結合し、その結果生じた高エネルギー状態から基底状態に遷移する際に発光する。ディスプレイは多くの画素をマトリクスに配列して表示を構成する。画素のマトリクスの駆動方法には種々あるが、アクティブマトリクス駆動と呼ばれる方法は、個々の画素がＴＦＴ素子のスイッチング動作によって駆動されることから、パッシブマトリクス方式より消費電力を低下でき、また、動画などの表示に適していると期待されている。
【０００４】
近年、ディスプレイの大型化の要請が高まり、アクティブマトリクス型有機ＥＬ素子についても大型サイズにおける消費電力の低下が課題となってきている。低消費電力化では、発光面側の透明電極に起因する電圧降下を防ぐことが重要な課題である。
【０００５】
発光面側の透明電極に起因する電圧降下を防ぐために、基板上に第１電極部と絶縁された補助配線を設け、第２電極と露出した補助配線との接触を行うという提案がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、第１電極を区画する絶縁層に覆われた補助電極に、絶縁層に設けたスルーホールを介して第２電極を接続する提案もある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
また、第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層上に補助電極を設け、有機ＥＬ層を壁状絶縁層内に形成し、基板全面に第２電極を形成して、補助電極と第２電極を接続させる提案もある（例えば、特許文献３参照。）。
【０００８】
また、下部電極と上部電極との間に有機層が設けられた有機電界発光素子を基板上に設けた表示装置の製造方法が提案されており、その製造方法において、前記基板上の各画素にパターン形成された下部電極の間に設けられた光吸収層を備えた補助配線を設けた後、基板全面に有機ＥＬ層を形成し、レーザー光を補助配線部に照射して、補助配線部の上に形成された有機ＥＬ層を除去することにより、補助電極と上部電極を接続する提案もある（例えば、特許文献４参照。）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−０１１８１０号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７６７４号公報
【特許文献３】特開２００６−０５９７９６号公報
【特許文献４】特開２００７−０５２９６６号公報
【特許文献５】特開２００４−０１４１４６号公報
【特許文献６】特開２０００−０６８０５４号公報
【特許文献７】特開２００５−１６５０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特許文献１〜３では、いずれも有機ＥＬ層はマスク蒸着法または塗布法により画素を塗り分けて形成している。しかし、マスク蒸着法はマスク合わせ精度、歩留りに問題があり、塗布法では高精細化が容易ではないという問題があった。
【００１１】
特許文献４では、基板全面に有機ＥＬ層を形成した後、レーザー光照射を用いて、補助電極上に堆積した有機ＥＬ層を除去しているため、レーザー光による有機ＥＬ層の除去により製造コストが高くなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明はこのような状況に鑑み、なされたもので、有機ＥＬ層を全面蒸着しながらも、より簡便な工程で補助電極と第２電極との接続を行うことのできる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
即ち、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、複数のＴＦＴが形成された基板上に複数の画素が形成される有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子が、画素領域を規定する第１電極と、第１電極に対向して設けられた透明な第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟まれる有機ＥＬ層とを有し、前記第１電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第２電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなるトップエミッション型有機ＥＬ素子であって、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層が形成された基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第２電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の製造方法により得られる有機ＥＬ素子は、上部透明電極に補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となる。また、この有機ＥＬ素子をＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス方式で駆動させる場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、より簡便な工程で補助電極と第２電極との接続を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明について実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明の製造方法により製造する有機ＥＬ素子の１実施態様の素子構造を示す上部電極までを形成した要部断面図であり、１副画素とそれに隣接する補助電極を示している。
【００１７】
ＴＦＴ基板１０の上には、パターン形成された第１電極１１が搭載されている。
フォトレジスト材料あるいはシリコン酸化膜などの無機材料からなる層間絶縁膜１２は第１電極１１の端部から、隣接する第１電極１１間のＴＦＴ基板１０表面を経て、隣接する第１電極１１の端部にかけて形成され、画素領域を定める。
【００１８】
層間絶縁膜１２はその断面形状がその中央部に凹部１３を有する形状となっている。前記凹部上に金属膜１４を形成し、この金属膜１４を第２電極１６と接続する補助電極とする。層間絶縁膜１２の断面形状の中央部に凹部が形成されており、その凹部の上に形成される金属膜１４の断面形状もこれに沿ってその中央部に凹部が形成されている。
【００１９】
層間絶縁膜１２の凹部１３は、所定のレジストパターンをマスクとして用いて、露出している層間絶縁膜部をエッチングすることによって形成できる。
【００２０】
金属膜１４形成後、図２に示すように、この金属膜の前記断面形状の凹部からなる凹状溝に沿ってワイヤマスク１７を設置する。このとき、ワイヤマスク１７はこの金属膜の凹部状箇所で固定されることになる。図２はワイヤが円形断面を有するワイヤである場合を示している。ワイヤマスク１７の直径は前記金属膜の断面形状の凹部の開口部の幅よりも大きいものとする。
【００２１】
有機ＥＬ層１５が蒸着で形成されるとき、有機分子の蒸気流はほぼ直線的に進むので、ワイヤマスク１７に正対する箇所では有機分子はワイヤの影になる部分に堆積することはない。たとえ、蒸気流の回り込みがあったとしても、金属膜１４とワイヤマスク１７の接触箇所で回り込みは阻止され、凹状内部に有機ＥＬ層１５が堆積することはない。
【００２２】
ワイヤマスクに用いるワイヤの断面形状は、円形、楕円形、矩形、台形など任意の断面形状とすることができるが、図２に示すような円形断面を有するワイヤが好ましく用いられる。図５はワイヤマスク１７として矩形断面形状を有するワイヤを用いた例を示しているが、図５に示す矩形状ワイヤの場合も上記と同様金属蒸気流の回り込みは阻止される。
【００２３】
金属膜１４の凹部状周辺にテーパーをつけることで、テーパー部でワイヤマスク１７を接触させ、ワイヤマスク１７のぶれを抑えることができる。
【００２４】
層間絶縁膜１２の凹部１３がテーパー形状であることが金属膜１４のテーパーを形成するために望ましい。
【００２５】
凹部１３を有する層間絶縁膜１２、金属膜（補助電極）１４はフォトリソグラフィーにより高精細に形成する。
【００２６】
図３にワイヤマスク１７を設置した場合の平面図を示す。図３は、３画素分を示している。
【００２７】
図３に示す画素領域開口部１８は周囲を層間絶縁膜１２でかこまれ、第１電極１１がその表面に露出している。この画素領域開口部１８に有機ＥＬ層１５、第２電極１６を順次形成して画素を形成する。
【００２８】
本発明においては、図２に示すように、有機ＥＬ層１５形成前に、層間絶縁膜１２上部の補助電極１４上に金属ワイヤマスク１７を設置し、例えば、蒸着法やスパッタ法で有機ＥＬ層１５を形成する。即ち、複数本のワイヤをマスクとすることにより有機ＥＬ層１５の分離パターンを形成する。有機ＥＬ層１５を形成後、ワイヤマスク１７を除去し、その後、第２電極１６を基板全面に形成して、補助電極１４と第２電極１６の接続を行う。ワイヤマスク１７除去後の凹状内部には有機ＥＬ層１５が堆積することはないので、第２電極１６と金属膜１４のコンタクトは金属膜１４の凹状部中心部で確実に形成される。
【００２９】
ワイヤマスクによるパターン形成については、パッシブマトリクス素子の陰極分離法ではあるが、有機ＥＬ層の上にワイヤマスクを置いた状態で上部陰極を形成することでラインパターンを有する上部陰極を形成している（特許文献５参照。）。このワイヤが所定の間隔をあけて直線的に配置されるようにワイヤには張力がかけられている。また、これもパッシブマトリクス素子の陰極分離法ではあるが、陰極分離工程における線材の伸びによるストレスの影響を吸収するために、樹脂線状材料を用いる提案もある（特許文献６参照。）。特許文献７もパッシブマトリクス型有機ＥＬ装置に関するもので、特許文献７では、ワイヤをマスクとしてＥＬ層を蒸着により形成している。
【００３０】
いずれの例においても、ワイヤは平らな基板面に置かれており、ワイヤに張力がかけられていても基板の両端に張り渡されたワイヤのぶれが生じるため、高精細なパターン形成は困難となる。
【００３１】
本発明においては、ワイヤマスク１７は、耐熱性金属のワイヤを用いてなることが好ましい。ワイヤマスク１７に好ましく用いることのできる耐熱性金属としては、タングステン、タンタル、モリブデンあるいはこれらの合金を挙げることができる。
【００３２】
このワイヤマスク１７を構成するワイヤの太さは、所定の分離間隔を実現できる太さであればよいが、好ましくは１５μｍ〜６０μｍ、より好ましくは３０μｍの太さのワイヤを用いる。
【００３３】
有機ＥＬ層１５は、少なくとも有機発光層を備え、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの層を積層してなるものであり、基板全面に画素領域を開口した蒸着マスクを用いず、真空蒸着法により各層を順次ベタ形成する。以下に、例示的な有機ＥＬ層の構成を示す。
【００３４】
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
【００３５】
有機ＥＬ層における各層の材料としては、特に限定されるものではなく公知のものを使用することが可能である。例えば、電子注入層としてはＬｉＦを用いることができる。電子輸送層としてはＡｌｑ3を用いることができ、これにＬｉなどのアルカリ金属をドープしてもよい。
【００３６】
有機発光層の材料は、所望する色調に応じて選択することが可能であり、例えば青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などを使用することが可能である。
【００３７】
ホスト材料としては、アルミキレート、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）、２，５−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾオキサゾリル）−チオフェン（ＢＢＯＴ）、ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を用いる。青色ドーパントとしては、ぺリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）などを０．１〜５％、赤色ドーパントとしては、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン、４，４−ジフロロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ，−ジアザ−ｓ−インダセン、プロパンジニトリル（ＤＣＪＴ１）、ナイルレッドなどを０．１〜５％添加することが用いられる。白色発光を行うには、上記の青色ドーパントを含む青色発光層と上記の赤色ドーパントを含む赤色発光層を積層してもよい。
【００３８】
正孔輸送層としてはα−ＮＰＤを用いることができ、これにＦ４−ＴＣＮＱなどのルイス酸化合物をドーピングしてもよい。また、正孔注入層としてはＣｕＰｃを用いることができる。
【００３９】
図６に示すように色変換フィルター基板２００は以下のように作製する。
【００４０】
１．１  カラーフィルター
本発明の素子で用いるカラーフィルターは、フォトレジストに顔料を分散させた、顔料分散型カラーフィルターを用いる。
【００４１】
カラーフィルターは、４００ｎｍ〜５５０ｎｍの波長を透過する青色フィルター２４、５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長を透過する、緑色フィルター２３、６００ｎｍ以上の波長を透過する、赤色フィルター２２のそれぞれを配列する。また、各カラーフィルター画素間に、主にコントラストの向上を目的として、可視域を透過しない、ブラックマトリックス２５を配設する。
【００４２】
１．２  色変換フィルター
本発明において、色変換フィルター２６、２７に用いる有機蛍光色素としては、発光体から発する近紫外領域ないし可視領域の光、特には青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる可視光を発するものであればよいが、好ましくは、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種類以上が用いられ、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種以上と組み合わせてもよい。
【００４３】
発光体から発する青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えばローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−〔４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１３−ブタジエニル〕−ピリジウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などが挙げられる。
【００４４】
発光体から発する青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば３−（２‘−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２‘−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などが挙げられる。
【００４５】
なお、本発明に用いる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂及びこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。
【００４６】
本発明に用いる有機蛍光色素は、蛍光色変換膜に対して、該変換膜の重量を基準として０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜２重量％含有される。もし有機蛍光色素の含有量が０．０１重量％未満ならば、十分な波長変換を行うことができず、あるいはまた、該含有量が５％を越えるならば、濃度消光等の効果により色変換効率の低下をもたらす。
【００４７】
次に、本発明の蛍光色変換膜に用いられるマトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を、光および／または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。光硬化性又は光熱併用型硬化性樹脂が高精細でパターニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。
【００４８】
１．３  ガスバリア層
色変換フィルター基板２００を、有機発光素子と組み合わせる場合、色変換フィルターから発生する水分から有機発光素子を守る目的で、上面にパッシベーション効果を有するガスバリア層２８を積層しても良い。ガスバリア層２８は透明且つピンホールのない緻密な膜が求められ、例えばＳｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯｙ、ＡｌＯx、ＴｉＯx、ＴａＯx、ＺｎＯx等の無機酸化物、無機窒化物等が使用できる。該ガスバリア層２８の形成方法としては特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法等の慣用の手法により形成できる。膜厚は２００〜５００ｎｍが好ましい。
【００４９】
上記のように形成された、有機発光素子基板１００と、色変換フィルター基板２００とを、図７に示すように対向して重ねあわせ、これをグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、貼り合わせてディスプレイを完成することができる。
【実施例】
【００５０】
以下に、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
【００５１】
＜実施例１＞
ＶＧＡ規格（６４０×ＲＧＢ×４８０）のディスプレイの作製をおこなった。画素ピッチは０．７８０ｍｍである。ＲＧＢ副画素サイズは０．１４８×０．６６４ｍｍ、副画素間隔は０．１００ｍｍとし、画素サイズは０．６６４ｍｍ×０．６６４ｍｍ、画素間隔は０．１１６ｍｍとした。
【００５２】
５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板１９上に、上記画素構成の発光部（６４０×ＲＧＢ×４８０）を形成した。その作製法を以下に示す。
【００５３】
図４は、有機ＥＬ素子の工程を段階的に示す要部断面図であり、１副画素とそれに隣接する補助電極を示す。
【００５４】
まず、ガラス基板１９上にポリシリコンＴＦＴ基板１０を従来公知の方法で形成した。図４（ａ）はガラス基板１９上にポリシリコンＴＦＴ基板１０を搭載した状態を示す図である。
【００５５】
次に、蒸着法にて高反射電極として、厚さ１００ｎｍのＡｌを全面蒸着し、フォトリソグラフィーにより不要部分を除去して、０．１４８ｍｍ×０．６６４ｍｍの副画素電極となる第１電極（陰極）１１を形成した。第１電極（陰極）１１が形成された状態を図４（ｂ）に示す。ＴＦＴ基板１０に開口したビアホールを介して第１電極１１とＴＦＴのドレインとのコンタクトが形成されている。
【００５６】
次にポジ型フォトレジスト［ＷＩＸ−２Ａ］（商品名、日本ゼオン製）を全面に塗布し、フォトリソグラフィーにより第１電極１１上の副画素対応箇所に０．１４８×０．６６４ｍｍの開口部を形成して、厚さ１．０μｍの層間絶縁膜１２を形成した。その状態を図４（ｃ）に示す。層間絶縁膜１２端部のＴＦＴ基板１０に対する角度は鋭角となっている。
【００５７】
引き続き、フォトリソグラフィーにより、層間絶縁膜１２の中央に、画素アレイの一方向に伸びる、幅２０μｍの開口部を設けたレジストパターンを基板全面に形成し、露出した層間絶縁膜部分を深さ０．５μｍ分エッチングし，レジストを剥離した後、画素アレイの一方向に伸びる、幅２０μｍ、深さ０．５μｍの凹部１３を形成した。その状態を図４（ｄ）に示す。
【００５８】
次に、凹部形成用のレジストパターン形成用のフォトマスクと同じパターン形状のマスクを用いた蒸着法にて、層間絶縁膜１２上に設けた凹部を覆うように、厚さ２００ｎｍ、幅２５μｍのＡｌ金属膜１４を形成し、補助電極とした。補助電極も下地の絶縁膜の凹状形状を反映し、幅２０μｍ、深さ０．５μｍの凹部を有した。補助電極を設置した状態を図４（e）に示す。
【００５９】
次に、第１電極１１、層間絶縁膜１２、金属膜１４からなる補助電極を形成した基板を基板ホルダに配置し、複数本のタングステンワイヤ（直径６０μｍ）からなるワイヤマスク１７を、補助電極１４の凹状形状をガイドとして、補助電極の配列方向に平行に整列させた。ワイヤマスク１７を配置した状態を図４（f）に示す。このワイヤには１０Ｎの張力を印加した。基板ホルダを蒸着装置の真空準備室に移動させて、基板をワイヤマスク１７に密着させ、真空槽内圧を１×１０-4Ｐａまで減圧した。
【００６０】
以上の工程に続き、前記第１電極１１、層間絶縁膜１２を形成した基板を蒸着装置内に装着し、電子輸送層、第１有機発光層、正孔輸送層を、真空を破らずに順次成膜して有機ＥＬ層１５を形成した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０-4Ｐａまで減圧した。電子輸送層はＡｌｑ３を４０ｎｍ積層した。有機発光層はホスト材料４，４'−ビス(２，２'−ジフェニルビニル)ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に、青色ゲスト材料を４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）５％ドープして４０ｎｍ積層した。正孔輸送層はα−ＮＰＤを２００ｎｍ積層した。有機ＥＬ層１５を形成した状態を図４（ｇ）に示す。
【００６１】
この後、真空準備室にて、基板ホルダからワイヤマスクをとりはずし、スパッタ法にて透明電極（ＩＴＯ）を膜厚１００ｎｍで全面成膜して透明な第２電極の形成を行った。図４（ｈ）はワイヤマスク１７を取り外した状態を示し、図４（ｉ）は第２電極を形成した状態を示す。
【００６２】
（色変換フィルター基板の作製）
図６は、色変換フィルター基板の製造工程の一例を示す模式断面図である。
【００６３】
［ブラックマトリックスの作製］
５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板２１上に、上記画素構成の発光部（６４０×ＲＧＢ×４８０）に対応させた色変換フィルター部を以下のようにして作製した。
【００６４】
ガラス基板２１としてのコーニングガラス（０．７ｍｍ厚）上に、スピンコート法により黒色色素を含むレジスト樹脂を塗布し、フォトリソグラフ法により、パターニングを実施し、カラーフィルター形成用の開口部を形成し、膜厚２μｍのブラックマトリックス２５を副画素間は０．１００ｍｍ幅、画素間は０．１１６ｍｍ幅でパターン形成した。
【００６５】
[カラーフィルターの作製]
青色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍのラインパターンを形成し、青色フィルター２４を得た。つぎに、緑色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＧ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍの緑色フィルターパターンを形成し、緑色フィルター２３を得た。つぎに、赤色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＲ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍの赤色フィルターパターンを形成し、赤色フィルター２２を得た。
【００６６】
[緑色変換フィルターの作製]
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。該溶液に対して光重合性樹脂「Ｖ２５９ＰＡ/Ｐ５」（商品名、新日鐵化成工業株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、透明基板としてのコーニングガラス（６４５ｍｍ×８４５ｍｍ×１．１ｍｍ）上に、スピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの緑色変換フィルター２７を得た。
【００６７】
［赤色変換フィルターの作製］
蛍光色素としてクマリン６(０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂の［Ｖ２５９ＰＡ/Ｐ５］（商品名、新日鐵化成工業株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、透明基板としてのコーニングガラス（６４５ｍｍ×８４５ｍｍ×１．１ｍｍ）上に、スピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの赤色変換フィルター２６を得た。
【００６８】
[ガスバリア層の作製]
この蛍光変換フィルターの上に、ガスバリア層２８としてＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射し、基板全面に膜厚５μｍ形成した。この時、蛍光変換フィルターのパターンは変形がなく、且つ、保護層上面は平坦であった。
【００６９】
上記のようにして色変換フィルター基板２００を形成した。
【００７０】
上記のようにして得られた有機発光素子基板１００と、赤色色変換層と緑色色変換層を備えた色変換フィルター基板２００とを、乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、ＵＶ硬化接着剤２９を用いて封止した。
【００７１】
図７では、有機発光素子基板１００と色変換フィルター基板２００の間に充填剤３０としてエポキシ系熱硬化樹脂を入れた場合を示したが、充填剤３０を入れないで窒素雰囲気としてももちろんかまわない。
【００７２】
こうして得られた有機ＥＬ素子は、上部透明電極に補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となった。また、この有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス方式で駆動させた場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となった。
【００７３】
また、簡易な方法でワイヤマスク用のガイドとなる凹部を補助電極上に設けたので、ワイヤズレによる歩留り低下がなくなり、生産性が向上した。
【００７４】
＜実施例２＞
ポジ型フォトレジスト［ＷＩＸ−２Ａ］に代え、シリコン酸化膜を層間絶縁膜に用い、シリコン酸化膜のパターニングと凹部形成にドライエッチングを用いた以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子の形成をおこなった。シリコン酸化膜の形成と所定のパターン形成は以下のように行った。
【００７５】
シリコン酸化膜のパターン形成は、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０)を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンを形成した後、スパッタリング装置を用い、厚さ１．０μｍ成膜した。その際の条件は、単結晶シリコンをターゲットとし、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の分圧比を１対１とするスパッタガスを用いてパワー２．５ｋＷ、ガス圧０．５Ｐａで行った。次に、層間絶縁膜を所定の形状に加工するため、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０)を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンを形成した。その後、ドライエッチング装置で層間絶縁膜であるシリコン酸化膜をドライエッチングした。条件は、ＳＦ6ガスとＣＨＦ3ガスとアルゴンの流量比を２：１：１、ガス圧を１００Ｐａ、印加電力１．５ｋＷとした。この後、酸素ガス５００ＳＣＣＭ、ガス圧２０Ｐａ、印加電力２ｋＷの条件でアッシングによるレジストの除去を行った。この場合は、実施例１に比べて側壁が略垂直である凹部が得られるが、ワイヤの一部がこの開口部内に入り込むものを用いればよい。
【００７６】
得られた有機ＥＬ素子は実施例１で得た有機ＥＬ素子と同様、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となった。また、この有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス方式で駆動させた場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となった。また、この有機ＥＬ素子は実施例１で得た有機ＥＬ素子と同様、ワイヤズレによる歩留り低下がなく、生産性が向上した。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明の製造方法によれば、均一に発光し、高輝度と高発光効率を有する有機ＥＬ素子を高生産性で製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の構造の１例を示す断面模式図である。
【図２】ワイヤマスクを設置した状態を示す断面模式図である。
【図３】ワイヤマスクを設置した状態を示す平面模式図である。
【図４】有機ＥＬ素子の製造工程の一例を示す断面模式図である。
【図５】矩形状ワイヤマスクを設置した状態を示す断面模式図である。
【図６】色変換フィルター基板の製造工程の一例を示す模式断面図である。
【図７】有機発光素子基板と色変換フィルター基板とを張り合わせた状態の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  ＴＦＴ基板
１１  第１電極
１２  層間絶縁膜
１３  凹部
１４  金属膜（補助電極）
１５  有機ＥＬ層
１６  第２電極
１７  ワイヤマスク
１８  画素領域開口部
１９、２１  ガラス基板
２２  赤色フィルター
２３  緑色フィルター
２４  青色フィルター
２５  ブラックマトリックス
２６  赤色変換フィルター
２７  緑色変換フィルター
２８  ガスバリア層
２９  ＵＶ硬化接着剤
３０  充填剤
１００  有機発光素子基板
２００  色変換フィルター基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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