(57)【要約】【課題】簡易な機構により被転写基板とドナー基板とレーザーとの位置合わせの精度を向上する。【解決手段】転写層が形成されたドナー基板０１と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板０１から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行う。ドナー基板０１には、画素のピッチに合わせた一定のピッチで複数の凹凸０３が設けられている。ドナー基板０１の所望の位置（凹凸０３）にレーザー０６を追従させながらエネルギーを与えて転写する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写層が形成されたドナー基板と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行うことにより表示素子を製造する際に使用するドナー基板であって、
画素のピッチに合わせた一定のピッチで複数の凹凸が設けられていることを特徴とするレーザーを用いた転写方式に使用するドナー基板。
【請求項２】
転写層が形成されたドナー基板と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行うことにより表示素子を製造する製造方法において、
前記ドナー基板に形成された凹凸にレーザーを追従させながらエネルギーを与えて転写することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項３】
複数のレーザーを用いて、前記ドナー基板に形成された凹凸にレーザーを追従させることを特徴とする請求項２に記載の表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記レーザーは、転写用のレーザーと、追従用のレーザーとからなることを特徴とする請求項３に記載の表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドナー基板に成膜された転写層をレーザー照射によって基板に転写するためのドナー基板及びレーザーを用いた転写法による表示素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）を利用した有機ＥＬ素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の製造方法においてフルカラー化を行うために、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各発光性有機材料を、微細なパターンとして電極上へ選択的に形成する必要がある。このような発光素子の製造においては、レーザーを用いて転写層を基板へ転写する方式が提案されている。
【０００４】
しかしながら、この手法では、転写を行った後のドナー基板に転写層が残存しており、材料使用効率が悪いという問題があった。そこで、有機ＥＬ素子のパターン形成法として、ドナー基板の転写層を有効に利用するために、アライメントマークを設けて、複数回転写する方法が提案されている。この方法では、ドナー基板に対して、被転写基板との位置合わせを行うマークが、異なる位置合わせ関係に対応して複数設けられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０９９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の方法では、以下の問題点があった。
【０００７】
すなわち、従来の転写方法では、アライメントマークを例えば３パターン形成しておき、これらのアライメントマークを検知することで、ドナー基板と被転写基板をアライメントする。この転写方法において、被転写基板、ドナー基板、レーザーの３者のアライメントを行う際に、転写領域の幅を１５μｍ、レーザー幅を２５μｍ、ピッチを３０μｍとし、各構成物の位置制御精度が±５μｍで１枚のドナー基板から３回転写を行う場合を想定する。
【０００８】
図７は、従来例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図である。簡略化のために、ドナー基板０１は、支持体０２と転写層０５のみを示している。また、転写層０５には、１回目の転写領域３１、２回目の転写領域３２、３回目の転写領域３３が想定される。
【０００９】
図７（ａ）に示すように、１回目の転写において、１枚目の被転写基板３７に対して、例えば、ドナー基板０１とレーザーとがそれぞれ＋５μｍ、−５μｍずれるとする。この場合、１回目の転写において、１回目の転写領域３１だけではなく、２回目の転写領域３２の一部が転写される。すなわち、１枚目の被転写基板３７には、１回目の転写領域の一部３４と、２回目の転写領域の一部３５が転写される。
【００１０】
図７（ｂ）に示すように、２回目の転写において、２枚目の被転写基板３８に対して、ドナー基板０１とレーザー０６とがそれぞれ＋５μｍずつずれた場合を想定する。この場合には、転写されるべき２回目の転写領域３２の一部が１回目の転写で転写されているために、２回目の転写領域の一部の跡３６として存在せず、２回目の転写において、下部電極１２に対して転写膜が一部しか転写されないという問題が生じる。なお、図７において、符号０６はレーザー、符号１２は下部電極、符号１３は絶縁膜をそれぞれ示す。
【００１１】
また極端に、高精度なステージとアライメント機構を持った装置を用いれば、±５μｍ以下でアライメントを行うことができるが、高価な製造装置を用いることになり、コストアップの要因となる。
【００１２】
そこで、本発明は、高価な高精度アライメント制御機構を使うことなく、ドナー基板の転写層を複数回にわたって転写を行うことができ、転写層を無駄なく使用することが可能なドナー基板及び表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のドナー基板及び表示素子の製造方法は、上述した課題を解決するために、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明のドナー基板及び表示素子の製造方法は、転写層が形成されたドナー基板と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行う際に使用されるものである。そして、本発明のドナー基板は、画素のピッチに合わせた一定のピッチで複数の凹凸が設けられていることを特徴とするものである。また、本発明の表示素子の製造方法は、ドナー基板の所望の位置、具体的には、ドナー基板に形成された凹凸にレーザーを追従させながらエネルギーを与えて転写することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のドナー基板及び表示素子の製造方法によれば、高価な高精度アライメント制御機構を使うことなく、ドナー基板の転写層を複数回にわたって転写することができるので、転写層を無駄なく使用することが可能となる。これにより、材料使用効率を向上させ、ドナー作成コストや再生コストの低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係るドナー基板への追従を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係るドナー基板の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るドナー基板の例を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る受光素子の模式的平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るドナー基板への追従を示す模式的平面図である。
【図７】従来例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
本発明の実施形態に係るドナー基板及び表示素子の製造方法は、転写層が形成されたドナー基板と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行う際に使用するものである。ドナー基板には、画素のピッチに合わせた一定のピッチで複数の凹凸が設けられている。そして、ドナー基板の所望の位置、具体的には、ドナー基板に形成された凹凸にレーザーを追従させながらエネルギーを与えて転写する。この場合、複数のレーザーを用いて、ドナー基板の所望の位置（ドナー基板に形成された凹凸）にレーザーを追従させることが好ましい。また、レーザーは、転写用のレーザーと、追従用のレーザーとからなることが好ましい。このような構成からなるドナー基板及び表示素子の製造方法では、転写層を転写するためのドナー基板を効率よく使用することができる。
【００１８】
なお、以下の説明では、画素パターンがＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３種の領域で構成される場合を例とするが、これに限らず、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）等であってもよい。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係るドナー基板への追従を示す模式図である。ドナー基板０１の支持体０２には、転写領域に対応した凹凸０３があり、レーザー０６を対物レンズ０９を通して照射することで、反射光（０次回折光０７）と１次回折光０８を２Ｄ−Ｐｈｏｔｏ  Ｄｅｔｅｃｔｅｒ１０（以下、２Ｄ−ＰＤという）で受光する。そして、トラッキングエラー信号（以下、ＴＥ信号という）を生成し、対物レンズ０９のアクチュエーター機構にフィードバックすることで、レーザー０６を凹凸０３に追従させながら照射を行い、転写を行う。
【００２０】
本実施形態は、ドナー基板０１の支持体０２に凹凸０３があり、その凹凸０３にレーザー０６を追従させる点に特徴がある。なお、凹凸０３は転写領域に対応したライン状の溝でもよいし、線分でもよく、ピットでもよい。ピット形状の凹凸０３の場合には、画素間において左右のピットによる光量の落ち込みバランスを見て、同様に２Ｄ−ＰＤ１０で検出することができる。
【００２１】
また、転写用レーザーを用いて追従を行ってもよいし、追従用レーザーを転写用レーザーと別に設けて、追従と転写用の照射を行ってもよい。この場合、追従用レーザーとして、転写用レーザーと違う波長やパワーを選択することができる。
【００２２】
＜ドナー基板の形成工程＞
次に、本実施形態に係る表示素子の製造方法を説明する。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係るドナー基板の製造方法を示す模式的断面図、図３は、本発明の実施形態に係るドナー基板の例を示す模式的断面図である。
【００２４】
まず、図２（ａ）に示すように、ドナー基板の支持体０２を準備する。支持体０２の材質としては、ガラスやフィルムなど、レーザーに対して透過性を持つものが望ましい。
【００２５】
続いて、図２（ｂ）に示すように、凹凸０３を形成する。凹凸０３は、画素のピッチに合わせた一定のピッチで複数設けられている。凹凸０３の深さは、トラッキングエラー信号を生成するレーザーの波長に応じて最適に選ぶことができる。凹凸０３の加工法については、例えば、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、レーザー加工などを用いて、支持体０２の一部を除去してもよいし、支持体０２上に凸部を作ってもよい。
【００２６】
続いて、図２（ｃ）に示すように、凹凸０３を設けた支持体０２上に光吸収層０４を形成する。光吸収層０４は、レーザーを吸収する材料で、転写方式に応じて適宜選択される。この際に、トラッキングエラー信号を生成するレーザーに対して、反射光が戻るように選択される。また、光吸収層０４については、必要に応じて、転写層０５の密着強度や剥離性、また熱伝導や反射率をコントロールする層などを加えて複数層に分けて積層してもよい。
【００２７】
ドナー基板の構成は、各種転写方式に応じて適宜選択される。また、凹凸０３は、支持体０２の表面であっても裏面であっても内部であってもよく、また、光吸収層０４やその他の機能層に形成してもよい。
【００２８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、光吸収層０４の上に、少なくとも発光層を含む転写層０５を形成する。
【００２９】
さらに、図３（ａ）や図３（ｂ）に示すように、転写する領域が凸であっても凹であってもよい。
【００３０】
＜下部電極及び補助電極形成工程＞
次に、下部電極の形成を説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子の場合、基板上の各画素には、すでに薄膜トランジスタが形成されている。図４は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的平面図である。
【００３１】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１１の上に下部電極１２をパターニングする。下部電極１２は、アノード電極またはカソード電極として用いられるもので、トップエミッション型である場合には、可視光に対して高反射率の材料で形成され、ボトムエミッション型である場合には、可視光に対して透明に形成される。
【００３２】
トップエミッション型で下部電極１２をアノード電極として用いる場合には、次の材料を用いることができる。すなわち、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕなどのような可視光に対して反射率の高い導電性材料及びその合金やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯなど、有機ＥＬ素子の電極として公知の材料である。また、トップエミッション型で下部電極１２をカソード電極として用いる場合は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｇ合金のような仕事関数が小さい導電性材料で可視光に対して反射率の高い材料を用いることができる。
【００３３】
また、ボトムエミッション型で下部電極１２をアノード電極として用いる場合は、ＩＴＯやＩＺＯのように、可視光に対して高透過率の導電性材料を用いることができる。さらに、ボトムエミッション型で下部電極１２をカソード電極として用いる場合には、仕事関数が小さく可視光に対して透過率の高い導電性材料を用いることができる。
【００３４】
ここで、補助電極等を形成しておいてもよい。補助電極としては、ＡｌやＣｒ、及びその合金のような低抵抗の導電性材料を、単層または積層して用いることができる。
【００３５】
＜絶縁膜形成工程＞
次に、下部電極１２の縁を覆うように絶縁膜１３を形成する。例えば、絶縁膜１３を形成した後にフォトリソグラフィーにて下部電極１２を露出させ、画素領域とする。塗布法を用いて形成してもよい。絶縁膜１３は、例えば、ポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。
【００３６】
＜有機層Ａ形成工程＞
その後、図４（ｂ）に示すように、必要に応じて有機層Ａ１４を、各画素の下部電極１２上に順次形成する。有機層Ａ１４は、下部電極１２の露出面を完全に覆うような状態で形成される。有機層Ａ１４は、図示しないが、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を必要に応じて有していてもよい。有機層Ａ１４の各層には、公知の材料を用いることができる。
【００３７】
もちろん、本発明は、共通層をマスク無しで全面に成膜し、発光層をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）等を塗り分けた素子においても適用することができる。さらに、本実発明は、複数の発光ピークを持つ白色素子を成膜した表示素子においても、発光層を有する有機層のユニットを複数積層したタンデム型の有機ＥＬ素子においても適用することができる。
【００３８】
なお、図４に示す例では、簡略化のために、単色の有機膜をベタ成膜した場合を示す。
【００３９】
＜転写工程＞
次に、図４（ｃ）に示すように、ドナー基板０１の裏面から、レーザー０６を照射して転写を行う。この際、ドナー基板０１に形成された凹凸（図示せず）へ、レーザー０６を追従させながら照射を行う。各種転写方式に応じて、転写用のレーザー種は、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマ等の各種ガスレーザーなど、あらゆるレーザーを用いることができ、マスクや集光状態やホモジナイズ、走査方式、パワー等が選択される。追従は、後述するプッシュプル法等の既知の技術を用いることができる。さらに、転写用のレーザーの照射は、凹凸に沿って連続的であってもよいし、部分的であってもよい。なお、図４（ｃ）において、符号０４は、光吸収層を示す。
【００４０】
＜有機層Ｂ形成工程＞
その後、図４（ｄ）に示すように、必要に応じて有機層Ｂ１５を各画素の転写層０５上に順次形成する。
【００４１】
有機層Ｂ１５は、図示しないが、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を必要に応じて有していてもよい。有機層Ｂ１５の各層には、公知の材料を用いることができる。
【００４２】
＜上部電極形成工程＞
さらに、有機層Ｂ１５上に、上部電極１６を成膜する。上部電極１６としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの有機ＥＬ素子の電極材料として公知の材料が用いられる。この上部電極１６は、アノード電極またはカソード電極として用いられるため、トップエミッション型である場合には可視光に対して透明、または半透明に形成され、ボトムエミッション型である場合には可視光に対して高反射性材料で構成される。
【００４３】
ここでは、表示素子はトップエミッション型であり、下部電極１２をアノード電極として用いるため、上部電極１６はカソード電極として用いられることになる。この場合、上部電極１６は、有機層Ｂ１５に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の小さく、可視光に対して透明であることが好ましい。材料としては、Ｍｇ−Ａｇ合金など、好適なものが用いられる。
【００４４】
また、表示素子がボトムエミッション型であり、上部電極１６をカソード電極として用いる場合には、仕事関数が小さく可視光に対して反射率の高い導電性材料で構成する。
【００４５】
さらに、表示素子がボトムエミッション型で上部電極１６をアノード電極として用いる場合には、可視光に対して反射率の高い導電性材料が用いられる。
【００４６】
膜厚としては、薄すぎると電子もしくは正孔の注入性が悪くなるので、５ｎｍ以上であることが望ましい。また、厚すぎると発光光の吸収が増加してしまうので、２００ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、１００ｎｍより薄いことがより一層望ましい。
【００４７】
＜保護膜形成工程＞
最後に、図示しないが、上部電極１６上に保護膜を形成する。この際、下地に対して影響を及ぼさない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい方法で保護膜を形成する。保護膜までを大気に暴露することなく形成することで、大気中の水分や酸素による劣化を防止する。この保護膜は、有機層Ａ１４、有機層Ｂ１５及び転写層０５への水分と酸素の接触防止を目的とし、防湿材料で十分な膜厚で形成されればよい。
【００４８】
トップエミッション型では、この保護膜も可視光に対して透過率の高い材料を用いる。例えば、アモルファス状のシリコン、炭化シリコン、窒化シリコンなどを好適に用いることができる。この際には、成膜温度を常温近くにし、膜ストレスが小さな条件となるようにして成膜することが望ましい。
【００４９】
＜追従＞
次に、転写工程における追従について説明する。
【００５０】
図１に示すように、追従用のレーザー０６を凹凸０３にフォーカスを合わせた状態で、凹凸０３で反射回折された光を、中心に対して対称に配置された２Ｄ−ＰＤ１０上の２つの受光部での出力差として取り出すことで、エラー信号を検出できる。
【００５１】
レーザー０６のスポットと凹凸０３の中心が一致している場合は、左右対称な反射回折分布が得られ、それ以外の場合は、左右で光強度がずれる。
【００５２】
凹凸０３のピッチが光スポットの大きさになると、凹凸０３は回折格子のように見えるので、Ｐｓｉｎθ＝Ｎλ（Ｎ：整数）を満足する方向で光の位相が重なって、光の強度が強くなる。
【００５３】
つまり、０次と１次の回折光が重なる領域では、トラックずれによる干渉効果によってレーザースポットの強度分布が変化し、ここに２Ｄ−ＰＤ１０を置けば、ＴＥ信号が検出できる。このフォトダイオード上におけるレーザー強度パターンは、対物レンズ０９のＮＡ、トラックピッチとレーザー波長によって決まる。
【００５４】
λ／８ｎ  （ｎ：基板の屈折率）とした時に、ＴＥ信号はもっとも大きくなる。
【００５５】
このＴＥ信号を対物レンズ０９のアクチュエーター機構にフィードバックすることで、凹凸０３に追従させることができる。このようにして、ドナー基板０１とレーザー０６のアライメントを１μｍ以下の精度で合わせることができるので、被転写基板に対してドナー基板０１を±５μｍの精度でアライメントすれば、１枚のドナー基板０１から３回の転写が可能となる。
【００５６】
上述した例で、転写に用いるためのレーザーを用いて追従を行う方法を示したが、これに限定されず、追従用のレーザーを転写用レーザーの他に設けてもよく、複数のレーザーを用いてもよい。例えば、２つのレーザーを配置して、差動プッシュプル法：ＤＰＰ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｐｕｓｈ  Ｐｕｌｌ）法を用いてもよい。
【００５７】
図５は本発明の実施形態に係る受光素子の模式的平面図、図６は本発明の実施形態に係るドナー基板への追従を示す模式的平面図である。
【００５８】
ＤＰＰ法の場合、受光素子は、図５に示すように、中心が４分割形状、両側は２分割形状をなしている。なお、図５において、符号２１はメインビーズ、符号２２はサブビームＡ、符号２３はサブビームＢをそれぞれ示す。
【００５９】
図６に示すドナー基板は、例えば、図２で示すような断面形状となっている。そして、転写したい領域の中央にメインビーム２１を配置し、図６に矢印で示す照射の走査方向と垂直の方向に、例えば１／２ピッチずらした位置に、サブビームＡ２２及びサブビームＢ２３を照射する。ここでは、転写用のレーザーをメインビームとする。
【００６０】
中央の４分割素子から得られるメインビーム２１のプッシュプル信号をＭＰＰ、左右の各２分割素子から得られるサブビームＡ２２及びサブビームＢ２３のプッシュプル信号をＳＰＰとすると、ＴＥ信号は、ＴＥ＝ＭＰＰ−ＳＰＰにより生成される。ただし、ＭＰＰ＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）、ＳＰＰ＝｛（Ｅ−Ｆ）＋（Ｇ−Ｈ）｝／２となっている。また、フォーカス信号は、非点収差法（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）により生成される。
【００６１】
このＤＰＰ法によれば、メインビームのプッシュプル信号とサブビームのプッシュプル信号とは、共に対物レンズの横移動や傾きによるオフセット量が等しいため、これらによるオフセットをキャンセルできる利点がある。
【実施例】
【００６２】
次に、図４を参照して、具体的な実施例を説明する。なお、下部電極２の形成より説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子で、基板１１上の各画素にはすでに薄膜トランジスタが形成されているものとする。また、簡略化のために、単色での素子の説明とする。
【００６３】
まず、基板１１上に下部電極１２をパターニングする。
【００６４】
下部電極１２は、膜厚１００ｎｍのＡｌと、膜厚５０ｎｍのＩＴＯの積層膜をスパッタリング法により形成した。下部電極１２は、基板１１上の積層体全面に形成した後、フォトリソグラフィーにて、画素回路に対応した有機ＥＬ素子のパターンに形成した。
【００６５】
続いて、下部電極１２を覆うようにポリイミドで絶縁膜１３を形成し、この絶縁膜１３をフォトリソグラフィーで除去し、下部電極１２を露出させ、画素領域とした。
【００６６】
続いて、下部電極１２上に、有機層Ａ１４を蒸着法で形成した。有機層Ａ１４には、公知の有機材料からなるホール輸送層を、抵抗加熱蒸着法を用いて形成した。
【００６７】
ドナー基板０１の支持体０２をガラスとし、図２に示すように、フォトリソグラフィーにて、画素ピッチに対応するように凹凸０３を設けた。凹凸０３のピッチは３０μｍとし、溝幅を３μｍとした。
【００６８】
さらに、光吸収体として、タングステンを３００ｎｍ、スパッタ法を用いて形成した。さらに、転写層である発光層を、抵抗加熱蒸着法を用いて形成した。膜厚は４．０ｎｍとした。
【００６９】
続いて、基板１１とドナー基板とを対向して位置合わせし、波長８１０ｎｍの半導体レーザーを凹凸に追従させながら照射することで、発光層からなる転写層をドナー基板０１から基板１１へ転写した。
【００７０】
さらに、転写された転写層上に、有機層Ｂ１５として、電子輸送層、電子注入層を、抵抗加熱蒸着法を用いて積層形成した。
【００７１】
続いて、上部電極１６として、膜厚４０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金を抵抗加熱蒸着法で成膜した。
【００７２】
最後に、窒化珪素からなる無機保護膜を、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。保護膜の膜厚は１μｍとし、有機ＥＬ素子が形成された基板面全体を覆うように形成した。
【００７３】
以上の工程により、有機ＥＬ素子を得た。
【００７４】
さらに、同様にして、同じドナーを用いて、レーザーとドナーと基板とをアライメントし、１枚のドナー基板から２回目及び３回目の転写を行い、同様に有機ＥＬ素子を得た。
【００７５】
このような製造方法により製造した有機ＥＬ素子では、高価な高精度アライメント制御機構を用いることなく、ドナー基板の転写層を複数回にわたって転写を行うことができる。このため、転写層を無駄なく使用することができるので、材料使用効率を向上させ、ドナー作成コストや再生コストを低減することができる。また、画素のピッチに合わせて一定のピッチで複数の凹凸を設けたドナー基板を用いることにより、このような効果をより一層確実に達成することができる。また、複数のレーザーを用いてドナー基板に追従させることで、このような効果をより一層確実に達成することができる。また、レーザーを転写用のレーザーと、追従用のレーザーとに区分することにより、このような効果をより一層確実に達成することができる。
【符号の説明】
【００７６】
０１：ドナー基板、０２：支持体、０３：凹凸、０４：光吸収層、０５：転写層、０６：レーザー、０７：０次回折光、０８：１次回折光、０９：対物レンズ、１０：２Ｄ−ＰＤ、１１：基板、１２：下部電極、１３：絶縁膜、１４：有機層Ａ、１５：有機層Ｂ、１６：上部電極、２１：メインビーム、２２：サブビームＡ、２３：サブビームＢ、３１：１回目の転写領域、３２：２回目の転写領域、３３：３回目の転写領域、３４：１回目の転写領域の一部、３５：２回目の転写領域の一部、３６：２回目の転写領域の一部の跡、３７：１回目の転写における１枚目の被転写基板、３８：２回目の転写における２枚目の被転写基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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