(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを一体にしかも機密封止も確保した上で、貫通電極とか側面電極を形成することなくウエハ処理工程の中で、容易に一体化形成する手段を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップとが電気的及び物理的な接続を行い、ＭＥＭＳデバイス或いはＩＣチップの表面の配線層の上に、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を接続する。配線付ポスト電極部品は、支持板上にポスト電極及びそれに接続された配線を形成して構成する。樹脂封止後、支持板を剥離することにより配線を露出させ、ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、外部接続用電極を接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成したＭＥＭＳデバイスとその信号処理用のＩＣチップを接続して樹脂封止すると共に、外部接続用電極を装置外面に配置したＭＥＭＳデバイスパッケージ装置において、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記ＩＣチップとが表面を向き合って電気的及び物理的な接続を行い、
前記ＭＥＭＳデバイス或いは前記ＩＣチップの表面の配線層と、前記外部接続用電極との接続は、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を用いて行ない、
前記ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、前記外部接続用電極を接続することから成るＭＥＭＳデバイスパッケージ装置。
【請求項２】
該配線付ポスト電極部品は、さらに、支持板に剥離可能の接着剤で貼り付けた絶縁基材薄膜を備えて、前記ポスト電極及びそれに接続された配線は、該絶縁基材薄膜の上に形成される請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置。
【請求項３】
基板上に形成したＭＥＭＳデバイスとその信号処理用のＩＣチップを接続して樹脂封止すると共に、外部接続用電極を装置外面に配置したＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造方法において、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記ＩＣチップとが表面を向き合って電気的及び物理的な接続を行い、
前記ＭＥＭＳデバイス或いは前記ＩＣチップの表面の配線層の上に、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を電気的及び物理的に接続し、
配線付ポスト電極部品は、支持板上に前記ポスト電極及びそれに接続された配線を形成して構成し、
樹脂封止後、前記支持板を剥離することにより前記配線を露出させ、
前記ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、前記外部接続用電極を接続することから成るＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線付ポスト電極部品は、さらに、支持板の上に絶縁基材薄膜を備えて、前記ポスト電極及びそれに接続された配線は該絶縁基材薄膜の上に形成され、かつ、前記外部接続用電極の接続は、該絶縁基材薄膜に空けた開口を通して行う請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＭＥＭＳデバイス或いは前記ＩＣチップの一方は、多数個一体に連結された状態で作成されており、この多数個一体に連結された一方の個々の上に、それぞれ単体の他方がフリップチップ実装され、後の工程で、個別モジュールに分割される請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造方法。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳデバイス及び前記ＩＣチップの両方が、多数個一体に連結された状態で作成されており、この多数個一体に連結された状態で前記電気的及び物理的な接続を行い、一方のチップ周辺をエッチング又は研削、若しくはその両手法を用いて除去した後に前記配線付ポスト電極部品を接続し、後の工程で、個別モジュールに分割される請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳデバイスとその信号処理用のＩＣチップを接続して樹脂封止すると共に、外部接続用電極を装置外面に配置したＭＥＭＳデバイスパッケージ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳデバイスが広範囲に使われ始めている。マイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical System）技術を利用したＭＥＭＳデバイスとして、各種センサとか通信用デバイスが開発されている。このような各種センサまたは通信用デバイスでは、スイッチ、インダクタ、または可変キャパシタ等の機械的な可動部分をＭＥＭＳ技術によって形成し、その他の部分を半導体回路で形成する。一般的にＭＥＭＳデバイスはシリコン基板を加工して可動部を形成していて、その可動部のひずみを検出し電気信号に変えるものが多い。
【０００３】
ＭＥＭＳデバイスは一般的に可動部があるため、その可動部の安定動作のためには、可動部を密閉して供給される。通常検出された電気信号を信号処理用のＩＣチップに伝え信号処理を行なう場合、MEMESデバイスは独自に封止され、ＩＣチップと基板上で接続される。ＩＣチップとの接続はコンパクトに接続するのが望ましいが、現状ではＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを別々に実装して基板上等で接続している。これをＩＣチップとＭＥＭＳデバイスチップを一体的に実装しようとすれば、どちらかのチップに貫通電極を設けてアクティブ面とは逆の面に電極を形成する必要がある。例えば特許文献１或いは特許文献２に記載のＭＥＭＳデバイスのようにＩＣチップかＭＥＭＳデバイスのどちらかに貫通電極を設けて、反対側に電極を取り出す構造となっている。
【０００４】
図２２は、特許文献１に開示の積層デバイスを説明する図である。この積層デバイスは、電子回路が平面に形成された半導体回路部を有するセンサコントロール層およびＲＦ層が、機械的な３次元構造物が形成されたＭＥＭＳ層（ＭＥＭＳデバイス）を挟みこむように積層して形成されている。ＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳ技術によって、センサまたはアクチュエータなどの機械的な３次元構造物が形成された層である。このＭＥＭＳデバイスは、３次元構造物によって、計測対象の物理量を電気的物理量に変換することができる。センサコントロール層は、アナログ回路として形成されるセンサコントロール部を有する層である。ＲＦ層は、センサコントロール部から出力された、マイクロマシン部による検知結果を示すデジタル信号を、外部機器に無線により送信するものである。
【０００５】
例示の積層デバイスは、このようなセンサコントロール層、ＲＦ層、及びＭＥＭＳ層を積層するために、センサコントロール部およびＲＦ部における各配線の端部にメタルなどで形成される電極パッドＡおよび電極パッドＢが形成され、これら電極パッドＡ，ＢがＭＥＭＳ層に形成された貫通電極とそれぞれ接続されている。
【０００６】
このように、例示の積層デバイスは、ＭＥＭＳ層の上下をＩＣチップで封止を兼ねて接続しているためにＭＥＭＳ層にはいくつもの貫通電極を備えざるを得ない。さらに、上下のＩＣチップは夫々アクティブ（能動）面がＭＥＭＳ層に接続されているので、このままでは外部との信号のやり取りができないという問題を解決するために、ＭＥＭＳ層に側面電極（図示省略）を設けて、しかも無線でやり取りをするように構成している。さもなければ、上下のどちらかのＩＣに貫通電極を設ける必要が生じる。
【０００７】
さらに、ＭＥＭＳ層の可動部を保護するために上下二つのＩＣでカバーしているが、常に二つのＩＣが必要とは限らない。一つのＩＣで足りる場合は、保護するためのみの余分なＩＣとその接続を必要とすることになる。また、ＭＥＭＳ層には、貫通電極、或いは側面電極が必要となる。さらに、無線等については、通常の実装技術だけではカバーできない技術を含んでいる。
【０００８】
貫通電極構造はプロセス的に複雑なことや装置価格が高いこともあり、まだコスト高になっている。またＭＥＭＳデバイスをパッケージに実装する場合は可動空間部に異物が混入することを排除しなければならないため、実装時にクリーンな環境を維持する必要があり、組立コストを高くする要因のひとつとなっている。
【０００９】
なお、特許文献３には、後述の電鋳法により作成した配線付ポスト電極部品についての開示がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−１６４６２０号公報
【特許文献２】特開２００７−３１３５９４号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００８／０６５８９６  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明ではＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを一体にしかも機密封止も確保した上で、貫通電極とか側面電極を形成することなくウエハ処理工程の中で、容易に一体化形成することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置及びその製造方法は、基板上に形成したＭＥＭＳデバイスとその信号処理用のＩＣチップを接続して樹脂封止すると共に、外部接続用電極を装置外面に配置する。ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップとが表面を向き合って電気的及び物理的な接続を行い、ＭＥＭＳデバイス或いはＩＣチップの表面の配線層の上に、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を電気的及び物理的に接続する。配線付ポスト電極部品は、支持板上にポスト電極及びそれに接続された配線を形成して構成する。樹脂封止後、支持板を剥離することにより配線を露出させ、ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、外部接続用電極を接続する。
【００１３】
配線付ポスト電極部品は、さらに、支持板に剥離可能の接着剤で貼り付けた絶縁基材薄膜を備えて、ポスト電極及びそれに接続された配線は該絶縁基材薄膜の上に形成され、かつ、外部接続用電極の接続は、該絶縁基材薄膜に空けた開口を通して行う。
【００１４】
ＭＥＭＳデバイス或いはＩＣチップの一方は、多数個一体に連結された状態で作成されており、この多数個一体に連結された一方の個々の上に、それぞれ単体の他方がフリップチップ実装され、後の工程で、個別モジュールに分割される。或いは、ＭＥＭＳデバイス及びＩＣチップの両方が、多数個一体に連結された状態で作成されており、この多数個一体に連結された状態で電気的及び物理的な接続を行い、一方のチップ周辺をエッチング又は研削、若しくはその両手法を用いて除去した後に配線付ポスト電極部品を接続し、後の工程で、個別モジュールに分割される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＭＥＭＳデバイスを気密封止すると同時にＩＣチップとの接続を行い、貫通電極を使うことなく簡潔に外部電極を取り出すことができる。また、本発明は、組立時には可動空間は密閉されており、特別にクリーンの環境は必要とせず、この分コスト的にも優位である。さらには、外部との入出力のために側面に電極を形成することも、側面電極と他の部品との接続も必要とせずに、それ自体は通常の実装技術で接続可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を具体化するＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第１の例を示す断面図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスパッケージ装置を構成する３つの主要部品であるＭＥＭＳデバイスと、ＩＣチップと、配線付きポスト電極部品を例示する図である。
【図３】支持板の上に薄膜テープを貼り付けた状態で示す図である。
【図４】テープ上に配線パターンを形成した状態で示す図である。
【図５】形成した配線パターンを含む全面に、ポスト電極形成用のレジストを塗布し、現像で開口した状態で示す図である。
【図６】完成した配線付ポスト電極部品を示す断面図である。
【図７】ＩＣチップをＭＥＭＳデバイス上にフリップチップ実装を行なった状態で示す図である。
【図８】配線付ポスト電極部品をＭＥＭＳデバイス上に接続した状態で示す図である。
【図９】樹脂封止した状態で示す図である。
【図１０】支持板を剥離した後の状態で示す図である。
【図１１】本発明に用いることのできる配線付ポスト電極部品の別の例を示す図である。
【図１２】多数個一体に連結したウエハ状態のＭＥＭＳデバイスウエハ（Ａ）、ＩＣウエハ（Ｂ）、及び両者を配置した状態（Ｃ）の斜視図である。
【図１３】ＭＥＭＳデバイスウエハとＩＣウエハを向かい合わせた状態の断面図である。
【図１４】ＩＣウエハをＭＥＭＳデバイスウエハ上に接続した状態で示す図である。
【図１５】ＩＣウエハを研削した状態で示す図である。
【図１６】ＩＣウエハを構成する個々のＩＣチップ周辺を除去した状態で示す図である。
【図１７】ウエハ状態のＩＣチップの上に、個々のＭＥＭＳデバイスのフリップチップ実装を行なった状態で示す図である。
【図１８】配線付ポスト電極部品を、ＭＥＭＳデバイスを装着したＩＣチップ上に配置した状態で示す図である。
【図１９】樹脂封止した状態で示す図である。
【図２０】支持板を剥離した後の状態で示す図である。
【図２１】ＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第２の例の完成状態を示す図である。
【図２２】特許文献１に開示の積層デバイスを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、例示に基づき本発明を説明する。図１は、本発明を具体化するＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第１の例を示す断面図である。図示のように、ＭＥＭＳデバイス（例えば、センサ素子）とその信号処理用ＩＣチップとが表面を向き合って電気的接続と物理的な結合を行い、密閉された空間を維持している。この密閉された空間内に、ＭＥＭＳデバイス可動部を位置させることができるので、可動部空間に異物が混入することを排除することができる。ＭＥＭＳデバイス基板（或いは図２１に例示の第２の例の場合は、ＩＣチップ）の表面の配線層と、装置外面に配置した外部接続用電極との接続は、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を用いて行う。さらには、配線付ポスト電極部品には、この配線を保護する薄膜テープ（保護膜）を備えることができる。保護膜がある場合、外部接続用電極への接続は、保護膜に空けた開口を通して行う。配線付ポスト電極部品は多層支持板構造上にめっきにより形成することもできるし（図６参照）、或いは電鋳法により支持板上に形成することもできる（図１１参照）。
【００１８】
次に、図１に示したＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第１の例の製造方法を、図２〜図１０を参照しつつ順を追って説明する。図２には、ＭＥＭＳデバイスパッケージ装置を構成する３つの主要部品を例示している。（Ａ）は、ＭＥＭＳデバイス断面図、（Ｂ）はそのＭＥＭＳデバイスの斜視図、（Ｃ）はＩＣチップ、（Ｄ）は配線付きポスト電極部品を、それぞれ例示している。例示のＭＥＭＳデバイスは、周知のように、ＭＥＭＳ技術によって、シリコン基板上に形成された機械的な３次元構造物（可動部）が形成されたデバイスであり、この３次元構造物によって、計測対象の物理量を電気的物理量に変換する加速度センサや圧力センサなどのセンサ、アクチュエータ、或いはスイッチ、インダクタや可変コンデンサなどの素子が形成されている。また、このシリコン基板表面には、接続用電極パッド部及びそれに接続された配線層が形成されている。図２（Ｃ）に示すように、ＩＣチップは、バンプといわれる外部接続用の突起電極を備えたパッケージされた半導体集積回路(ＩＣ)として例示している。このように、ＭＥＭＳデバイス側に接続用電極パッド部を設け、ＩＣチップ側に突起電極を備えるものとして例示したが、逆にすることも可能である。
【００１９】
図２（Ｄ）に示した配線付ポスト電極部品は、支持板と、該支持板に接着した薄膜テープの２層構成から成る支持部の上に、電気的には個々に分離された配線及びそれに接続されたポスト電極を一体に備えている。後の工程において、支持板は、薄膜テープから剥離されて、除去される。
【００２０】
最初に、ここに例示の配線付きポスト電極部品の製造について、図３〜図６により説明する。まず、図３に示すように、支持板の上に薄膜テープを貼り付ける（以下、テープと支持板の２層構成を支持部と言う）。支持板としては、板状のシリコン基板とかガラスのような絶縁体或いは導電体のいずれも用いることができるが、例えば、ステンレス板を用いることにより、半導体装置の製造中に、より強い剛性を得ることができる。貼り付けるテープ（薄膜）としては、ポリイミドテープなどに代表される薄膜フィルムのような絶縁基材薄膜が望ましい。このように、支持部は、絶縁基材テープ（薄膜）と、この裏側（配線パターン形成面の反対側）に貼り付けた支持板（補強板）との２層構成となる。この支持板は、後の樹脂封止工程後に、剥離して除去する。
【００２１】
絶縁基材テープは、完成製品（ＭＥＭＳデバイスパッケージ装置）において配線パターンを覆う保護膜として機能する。このテープには、リフロー温度より高温（モールド温度以上）を加えると、支持板から剥離し易い処理を予め行っておく。このため、絶縁基材テープを貼り付ける接着剤は、所定の温度（例えば、高熱）で剥離し易い材料か、紫外線照射で剥離し易い材料を用いる。例えば、熱カプセル入り接着剤又は熱可塑性の接着剤、若しくは、光を透過する材料（耐熱低熱膨張ガラスなど）の支持板と、紫外線剥離型接着剤を用いる。
【００２２】
次に、図４に示すように、薄膜テープ上に配線パターンを形成する。このため、薄膜テープ上の全面に、配線パターンとなるべき低抵抗の金属膜を蒸着あるいは貼り付け、メタル付きテープを形成する。この金属膜としては、例えば、銅メッキを可能とする金、銀、銅、パラジューム箔を用いることができる。この金属層の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して、配線パターンを完成させる。この金属層の上に、さらにメッキにより配線層を成長させても良い。または、金属膜を蒸着あるいは貼り付けることに代えて、薄膜テープと薄い金属膜（例えば銅箔）を一体化したものを用いても良い。この場合も、配線パターンは、リソグラフィで形成する。或いは、配線パターンは、ナノ金属粒子を用いてインクジェット方式とかスクリーン印刷方式により、直接パターンニングしてリソグラフィ工程を省略することもできる。ここで、インクジェット方式は、有機溶媒中にナノ金属粒子が含有されており、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターンを描く方法である。また、スクリーン印刷方式の場合は、有機溶媒中にナノ金属粒子を含有させたナノペーストを、基板上にスクリーン印刷法で塗布する。
【００２３】
次に、図５に示すように、形成した配線パターンを含む全面に、ポスト電極形成用のレジストを塗布し、現像で開口する。
【００２４】
図６は、完成した配線付ポスト電極部品を示す断面図であり、図２（Ｄ）に例示したものと同じである。レジスト開口部にめっきを施して、充填した後に、レジストを除去する。これによって、支持板と薄膜テープからなる２層構成の支持部の上に、配線及びそれに接続されたポスト電極が形成される。図６は、１個の単体パターンを例示するが、実際のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の製造においては、多数個一体に連結された状態で作成され、個々のチップ（モジュール）に切断して切り分ける個片化を経た後に、最終製品として完成する。
【００２５】
図７は、ＩＣチップをＭＥＭＳデバイス上にフリップチップ実装を行なった状態で示す図である。このフリップチップ実装により、ＩＣチップに設けた突起電極をフェイスダウンで直接ＭＥＭＳデバイス基板上の電極パッド部に接続する。フリップチップ実装は、加圧接合、加熱接合、或いは超音波接合などの通常の接合技術を用いて行うことができるが、その際、ＩＣチップ周辺部の全周囲において、突起電極を内部に含むように、接着剤を塗布することにより、後の工程で樹脂封止した際に、樹脂をMEMSの中に入れないダムの役目をすることができる。図示のＭＥＭＳデバイスは、ＩＣチップよりも大きな表面積を有する場合を例示している。即ち、図の上側より見て、ＭＥＭＳデバイス表面内にＩＣチップが収まる程度の大きさを有する場合である。図７に例示のＭＥＭＳデバイスは、単体として例示しているが、実際の製造においては、多数個一体に連結された状態で作成されており、この多数個一体に連結されたＭＥＭＳデバイスの個々の上に、それぞれ単体のＩＣチップがフリップチップ実装されることになる。
【００２６】
図８は、配線付ポスト電極部品（図６参照）を、ＩＣチップを装着したＭＥＭＳデバイス上に接続した状態で示す図である。ＭＥＭＳデバイス上面に形成した配線層の所定の位置（電極パッド部）には、配線付ポスト電極部品のポスト電極が固定され、かつ電気的に接続される。ポスト電極を固定及び接続する手法としては、（１）超音波による接合、（２）銀ペースト等の導電性ペーストによる接続、（３）半田接続、（４）ＭＥＭＳデバイス側に設けた接続電極用電極パッド部に凹部を設ける一方、配線付ポスト電極部品側は凸部を設けて挿入圧着あるいは挿入してカシメる方法、により行うことができる。
【００２７】
図９は、樹脂封止した状態で示す図である。支持部により一体に連結されているポスト電極が、ＭＥＭＳデバイス配線層の所定の位置に固定された後、この状態で、ＩＣチップを装着したＭＥＭＳデバイスの上面は、支持部の薄膜テープ及び配線下面までトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００２８】
図１０は、支持板を剥離した後の状態で示す図である。例えば、所定の温度を加えることにより、支持板を剥離する。これにより図１０の上側に露出した薄膜テープは、完成製品の保護膜として機能する。後述の配線付ポスト電極部品の別の例（図１１参照）を用いた場合には、この保護膜は存在しない。配線付ポスト電極部品の別の例を用いた場合であって、かつ保護膜を必要とする場合、この段階で保護膜（材質は、例えばソルダーレジスト）を形成することができる。
【００２９】
この後、個別モジュールに分割し、最後の外部接続用電極を形成することにより、図１を参照して上述したようなＭＥＭＳデバイスパッケージ装置が完成する。図１に示すように、保護膜（薄膜テープ）に穴を空け、開口により露出した配線と接続される外部接続用電極（バンプ電極）を、装置外面（図中の下面）に形成する。この配線により、ポスト電極先端とは異なる位置に外部接続用電極を設けることができる。
【００３０】
このように、本発明は、配線付ポスト電極部品を用いることにより、ＭＥＭＳデバイスを気密封止すると同時にＩＣチップとの接続を行い、貫通電極を使うことなく簡潔に外部接続用電極を取り出すことができる。さらには、このような外部接続用電極に接続される配線、及びこのような配線を保護する保護膜を容易に形成することが可能になる。
【００３１】
図１１は、本発明に用いることのできる配線付ポスト電極部品の別の例を示す図であり（特許文献３参照）、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ単体パターンの側面断面図及び斜視図を示している。本発明のＭＥＭＳデバイスパッケージ装置には、このようなそれ自体公知の配線付ポスト電極部品も使用可能である。
【００３２】
例示の配線付ポスト電極部品は、電鋳法により、支持板に支持されるポスト電極だけでなく、それに接続される配線を形成する。形成された配線付ポスト電極と支持板の剥がしが、熱や圧力で容易に行うことができるのが、電鋳法の特徴である。電鋳法により成長させる導電性材料のめっき金属としては、例えば、ニッケルまたは銅とか、ニッケル合金、或いは銅合金を含む材料を用いることができる。母型材質としては、例えば、ステンレスを用いることができる。このような配線付ポスト電極部品は、支持板である導電性材料（電鋳母型）にリソグラフィーとメッキを用いて、配線付ポスト電極を成長させることにより、支持板と一体になった配線付ポスト電極を形成する。前述したように、支持板の剥離工程を、樹脂封止工程後に行う（図９，図１０参照）。但し、図１０に示したような薄膜テープ（保護膜）は、存在しない。保護膜を必要とする場合、支持板を剥離した段階で保護膜（材質は、例えばソルダーレジスト）を形成することができる。保護膜が無くても、例えば樹脂入り半田を使えば、他のパッケージを接続することは可能である。
【００３３】
次に、ＩＣチップとＭＥＭＳデバイスとの別の接続方法について、図１２〜図１６を参照して説明する。図１２は、多数個一体に連結したウエハ状態のＭＥＭＳデバイスウエハ（Ａ）、ＩＣウエハ（Ｂ）、及び接続用電極パッド部或いは突起電極形成面を向かい合わせるようにして、両者を配置した状態（Ｃ）のそれぞれの斜視図を示している。
【００３４】
図１３は、図１２（Ｃ）に示すように、ＭＥＭＳデバイスウエハとＩＣウエハを向かい合わせた状態の断面図である。図１３には、それぞれ１個のみを図示しているが、実際には、多数個連結した状態にある。
【００３５】
図１４は、ＩＣウエハをＭＥＭＳデバイスウエハ上に接続した状態を示している。
【００３６】
図１５は、ＩＣウエハを研削した状態で示す図である。図示のように、ＩＣウエハを、その厚み方向に研削して、薄くする。
【００３７】
図１６は、ＩＣウエハを構成する個々のＩＣチップ周辺をエッチング又は研削、若しくはその両手法を用いて除去した状態で示す図である。このような除去は、ＭＥＭＳデバイスチップ周辺のポスト電極接続用の電極パッド部が露出して、上方より見える程度まで行う必要がある。この後、図８〜図１０を参照して前述したのと同様な方法で作成して、図１に例示したようなＭＥＭＳデバイスパッケージ装置を完成させる。
【００３８】
このようなウエハ状態で張り合わせて、一方の不要領域を除去する手法は、後述のＩＣチップがＭＥＭＳデバイスチップよりも大きい場合（図１７〜図２１参照）にも適用することができる。この場合、除去すべき不要領域は、ＩＣチップ周辺ではなく、ＭＥＭＳデバイスチップ周辺となる。
【００３９】
次に、本発明を具体化するＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第２の例を、図１７〜図２１を参照して説明する。図１７は、多数個連結されたウエハ状態のＩＣチップの上に、個々のＭＥＭＳデバイスのフリップチップ実装を行なった状態で示す図である。図１７に例示のＩＣチップは、単体として例示しているが、実際の製造においては、多数個一体に連結されたウエハ状態で作成されており、この多数個一体に連結されたＩＣチップの個々の上に、それぞれ単体のＭＥＭＳデバイスがフリップチップ実装されることになる。このフリップチップ実装により、ＩＣチップに設けた突起電極を上に向けて直接ＭＥＭＳデバイス基板に設けた電極パッド部に接続する。図示のＭＥＭＳデバイスは、ＩＣチップよりも小さな場合を例示している。即ち、図の上側より見て、ＩＣチップ表面内にＭＥＭＳデバイスが収まる程度の大きさを有する場合である。
【００４０】
図１８は、配線付ポスト電極部品（図６参照）を、ＭＥＭＳデバイスを装着したＩＣチップ上に配置した状態で示す図である。ＩＣチップ上面に形成した配線層の所定の位置（電極パッド部）には、図８を参照して説明したのと同様な方法により、配線付ポスト電極部品のポスト電極が固定され、かつ電気的に接続される。
【００４１】
図１９は、樹脂封止した状態で示す図である。支持部により一体に連結されているポスト電極が配線層の所定の位置に固定された後、この状態で、ＭＥＭＳデバイスを接続したＩＣチップの上面は、支持部の薄膜テープ及び配線下面までトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００４２】
図２０は、支持板を剥離した後の状態で示す図である。例えば、所定の温度を加えることにより、支持板を剥離する。これにより図２０の上側に露出した薄膜テープは、完成製品の保護膜として機能する。前述の配線付ポスト電極部品の別の例（図１１参照）を用いた場合には、この保護膜は存在しない。配線付ポスト電極部品の別の例を用いた場合であって、かつ保護膜を必要とする場合、この段階で保護膜（材質は、例えばソルダーレジスト）を形成することができる。
【００４３】
図２１は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ装置の第２の例の完成状態を示す図である。図２０とは、上下反転して図示している。図示のように、保護膜（薄膜テープ）に穴を空け、開口により露出した配線と接続される外部接続用電極（バンプ電極）を形成する。この配線により、ポスト電極先端とは異なる位置に外部接続用電極を設けることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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