(57)【要約】【課題】導体損失を低くすることができる伝送路を提供する。【解決手段】１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号を伝送する伝送路１であって、誘電体基板２と、誘電体基板２の一方の面２ａに積層されており、かつ略平行となるように間隔を隔てて配置された複数の導体３とを備え、導体３の伝導度をσ、透磁率をμ、幅をｄ、厚みをｔとし、複数の導体３の間隔をｗとし、誘電体基板２の導体３が積層されている表面２ａの算術平均粗さをＲａとし、かつ、第１の信号の周波数での角周波数をωＨとしたときの表皮深さをδＨとしたときに、伝送路１は下記式（１）〜（４）の関係を満たす。  δＨ＝［２／（ωＨ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１）  Ｒａ／δＨ＜１                        ・・・式（２）  ｄ＜ｔ                                ・・・式（３）  ｗ／ｄ＜０．７                        ・・・式（４）【選択図】図１
2010258508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号を伝送する伝送路であって、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方の面に積層されており、かつ略平行となるように間隔を隔てて配置された複数の導体とを備え、
前記導体の伝導度をσ、透磁率をμ、幅をｄ、厚みをｔとし、
前記複数の導体の間隔をｗとし、
前記誘電体基板の前記導体が積層されている表面の算術平均粗さをＲａとし、かつ、
前記第１の信号の周波数での角周波数をωＨとしたときの表皮深さをδＨとしたときに、
下記式（１）〜（４）の関係を満たす、伝送路。
δＨ＝［２／（ωＨ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１）
Ｒａ／δＨ＜１                        ・・・式（２）
ｄ＜ｔ                                ・・・式（３）
ｗ／ｄ＜０．７                        ・・・式（４）
【請求項２】
前記１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号に加えて、１ＧＨｚ未満の周波数の第２の信号を伝送する伝送路であって、
前記第２の信号の周波数での角周波数をωＬとしたときの表皮厚みをδＬとしたときに、
下記式（１１）〜（１３）の関係を満たす、請求項１に記載の伝送路。
δＬ＝［２／（ωＬ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１１）
δＬ／ｔ＞１０                        ・・・式（１２）
δＬ／ｗ＞１０                        ・・・式（１３）
【請求項３】
前記複数の導体の厚みが略等しい、請求項１又は２に記載の伝送路。
【請求項４】
前記複数の導体の幅が略等しい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の伝送路。
【請求項５】
前記高周波の第１の信号の周波数が１〜１００ＧＨｚの範囲内である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の伝送路。
【請求項６】
前記誘電体基板の前記導体が積層されている表面の算術平均粗さＲａが、１０ｎｍ〜３μｍの範囲内である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の伝送路。
【請求項７】
前記誘電体基板と前記導体とのピール強度が、０．９８〜９８Ｎ／ｃｍの範囲内である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の伝送路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１ＧＨｚ以上の高周波の信号を伝送したり、又は該高周波の信号と、１ＧＨｚ未満の周波数の信号とを伝送したりする伝送路に関し、より詳細には、誘電体基板上に、複数の導体が間隔を隔てて積層されている伝送路に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波等の高周波信号を伝送する伝送路として、マイクロストリップ伝送線路等が広く用いられている。上記伝送路では、高周波信号を伝送する際の導体損失が低いことが要求されている。
【０００３】
上記伝送路の一例として、下記の特許文献１には、誘電体基板と、該誘電体基板上に積層されている複数の線状の導体とを備える伝送路が開示されている。この複数の導体は、間隔を隔てて平行に配置されている。
【０００４】
また、下記の特許文献２には、誘電体基板と、該誘電体基板上に積層されている多層の電極とを備える伝送路が開示されている。上記多層の電極は、第１の導体層と、該第１の導体層の両側の側面のそれぞれに積層された多層膜とを有する。各多層膜は、複数の誘電体層と複数の第２の導体層とが交互に積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３２１７０６号公報
【特許文献２】特開平１０−１３１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２に記載の伝送路では、導体の実効抵抗を小さくすることができるので、高周波信号の導体損失を比較的低くすることができる。しかしながら、特許文献１，２に記載の伝送路であっても、導体損失が充分に低くならないことがある。
【０００７】
本発明の目的は、１ＧＨｚ以上の高周波の信号を伝送したり、又は該高周波の信号と、１ＧＨｚ未満の周波数の信号とを伝送したりする伝送路であって、導体損失を低くすることができる伝送路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の広い局面によれば、１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号を伝送する伝送路であって、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の面に積層されており、かつ略平行となるように間隔を隔てて配置された複数の導体とを備え、前記導体の伝導度をσ、透磁率をμ、幅をｄ、厚みをｔとし、前記複数の導体の間隔をｗとし、前記誘電体基板の前記導体が積層されている表面の算術平均粗さをＲａとし、かつ、前記第１の信号の周波数での角周波数をωＨとしたときの表皮深さをδＨとしたときに、下記式（１）〜（４）の関係を満たす、伝送路が提供される。
【０００９】
δＨ＝［２／（ωＨ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１）
Ｒａ／δＨ＜１                        ・・・式（２）
ｄ＜ｔ                                ・・・式（３）
ｗ／ｄ＜０．７                        ・・・式（４）
【００１０】
本発明のある特定の局面では、前記１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号に加えて、１ＧＨｚ未満の周波数の第２の信号を伝送する伝送路であって、前記第２の信号の周波数での角周波数をωＬとしたときの表皮厚みをδＬとしたときに、伝送路は、下記式（１１）〜（１３）の関係を満たす。
【００１１】
δＬ＝［２／（ωＬ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１１）
δＬ／ｔ＞１０                        ・・・式（１２）
δＬ／ｗ＞１０                        ・・・式（１３）
【００１２】
本発明に係る伝送路では、前記複数の導体の厚みは略等しいことが好ましい。厚みが略等しい複数の導体は、多くの工程を経ることなく、例えば導体のエッチング処理により、容易に形成できる。このため、伝送路の生産性を高めることができる。
【００１３】
本発明に係る伝送路では、前記複数の導体の幅は略等しいことが好ましい。この場合には、実効抵抗がより一層小さく、かつ導体損失がより一層低い伝送路を得ることができる。また、導体が形成されていない部分のスペースを等しくする製造プロセスにより、幅が略等しい複数の導体を容易に形成できる。
【００１４】
前記高周波の第１の信号の周波数は、１〜１００ＧＨｚの範囲内であることが好ましい。この場合には、周波数１〜１００ＧＨｚの第１の信号を伝送する伝送路を提供できる。また、このような周波数の信号が導体を流れる際には、表皮効果により電流が流れる導体の表面近傍の領域が小さくなる。このため、誘電体基板と導体が積層されている表面の状態が導体損失に影響し、導体損失が高くなることがある。しかしながら、本発明に係る伝送路では、周波数１〜１００ＧＨｚの第１の信号を伝送したとしても、導体損失を充分に低くすることができる。
【００１５】
前記誘電体基板の前記導体が積層されている表面の算術平均粗さＲａは、１０ｎｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。この場合には、実効伝送長さを比較的短くすることができ、導体損失をより一層低くすることができる。
【００１６】
前記誘電体基板と前記導体とのピール強度は、０．９８〜９８Ｎ／ｃｍの範囲内であることが好ましい。上記誘電体基板と上記導体とのピール強度がこの好ましい範囲である場合には、導体損失をさらに一層低くすることができる。さらに、上記誘電体基板と上記導体との接合信頼性を充分に高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る伝送路は、上記式（１）〜（４）の関係を満たすので、さらに略平行となるように間隔を隔てて配置された複数の導体を通じて１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号を伝送するので、例えば単一の導体を通じて高周波信号を伝送する場合等に比べて、表皮効果によって電流が流れる導体の表面近傍の領域を大きくすることができる。さらに、電流が流れる距離を比較的短くすることができる。従って、実効抵抗を小さくすることができ、かつ導体損失を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る伝送路を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すＸ−Ｘ線に沿う断面図の一部を拡大して示す図である。
【図３】図３は、図１に示すＹ−Ｙ線に沿う断面図の一部を拡大して示す図である。
【図４】図４は、本発明の伝送路の変形例を示す斜視図である。
【図５】図５は、表面の表面粗さが大きい誘電体基板上に導体が積層された伝送路の導体の長さ方向に沿う部分切欠断面図である。
【図６】図６は、１つの導体が設けられた伝送路の導体の幅方向に沿う部分切欠断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
図１に本発明の一実施形態に係る伝送路を斜視図で示す。
【００２１】
図１に示すように、伝送路１は、誘電体基板２と、誘電体基板２の一方の面２ａに積層された複数の導体３と、誘電体基板２の他方の面２ｂに積層されたグランド導体４とを備える。複数の導体３は、間隔を隔てて略平行となるように配置されている。
【００２２】
誘電体基板２は、矩形板状であり、長さ方向と幅方向とを有する。誘電体基板２を構成する材料としては、セラミック材料、樹脂材料、又はセラミック材料と有機材料との複合材料等が挙げられる。上記樹脂材料の具体例としては、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂用硬化剤及びシリカを含む樹脂組成物等が挙げられる。
【００２３】
導体３は線状である。導体３の長さ方向は、誘電体基板２の長さ方向と略平行である。伝送路１では、導体３の長さ方向が信号伝播方向である。導体３の両端面は、誘電体基板１の両端面に至っている。ただし、導体３の両端面は、誘電体基板３の両端面に必ずしも至っていなくてもよい。伝送路１では、２つの導体３が誘電体基板２の一方の面２ａに積層されている。図４に示す変形例のように、誘電体基板２の一方の面２ａに、３つ以上の導体１１が、間隔を隔てて略平行となるように積層されていてもよい。
【００２４】
導体３を構成する材料は特に限定されない。導体３を構成する材料としては、銅、金、銀又はこれらの合金等が挙げられる。なかでも、銅が好ましい。
【００２５】
誘電体基板２の他方の面２ｂの全面に、グランド導体４が積層されている。ただし、グランド導体４は、他方の面２ｂの一部の領域に積層されていてもよく、必ずしも他方の面２ｂの全面に積層されていなくてもよい。グランド導体４を構成する材料としては、銅、金、銀又はこれらの合金等が挙げられる。なかでも、銅が好ましい。
【００２６】
本実施形態に係る伝送路１では、導体３の伝導度をσとしかつ透磁率をμとし、誘電体基板２の導体３が積層されている表面２ａの算術平均粗さをＲａとし、導体３を流れる高周波の第１の信号の周波数での角周波数をωＨとしたときの表皮深さをδＨとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）の関係を満たす。
【００２７】
δＨ＝［２／（ωＨ・μ・σ）］１／２  ・・・式（１）
Ｒａ／δＨ＜１                      ・・・式（２）
【００２８】
導体３が銅により形成されている場合には、周波数１ＧＨｚでは表皮効果が現れる表皮深さδＨは２．１μｍ程度であり、周波数１０ＧＨｚでは表皮効果が現れる表皮深さδＨは０．６６μｍ程度であり、周波数１００ＧＨｚでは表皮効果が表れる表皮深さδＨは０．２１μｍ程度である。また、銅等により形成された一般的な導体３の厚みｔは３５μｍ程度である。このため、導体３の厚みｔに比べて、周波数１〜１００ＧＨｚでの表皮効果が現れる表皮深さδＨはかなり小さい。式（２）においてＲａ／δＨ＜１であるが、電導有効面積の観点からは、Ｒａ／δＨ＜０．７が望ましく、Ｒａ／δＨ＜０．５がより望ましく、Ｒａ／δＨ＜０．３がさらに望ましい。
【００２９】
図２に、図１に示すＸ−Ｘ線に沿う部分切欠断面図を示す。すなわち、図２では、導体３の長さ方向に沿う断面図が示されている。また、図５に、上記式（２）を満たさない伝送路の、導体の長さ方向に沿う部分切欠断面図を示す。図５に示す伝送路１０１は、誘電体基板１０２の一方の面１０２ａに、導体１０３が積層されている。図２及び図５では、導体３，１０３はいずれも銅により形成されており、誘電体基板２の一方の表面２ａの算術平均粗さＲａは、誘電体基板１０２の一方の面１０２ａとの算術平均粗さＲａよりもかなり小さい。
【００３０】
図２及び図５に示す伝送路１，１０１では、導体３，１０３の外周表面と点線ｒで囲まれた領域Ｒがそれぞれ、表皮効果により高周波の第１の信号が流れる実効導電領域である。
【００３１】
誘電体基板２の表面２ａの算術平均粗さＲａが誘電体基板１０２の表面１０２ａの算術平均粗さＲａよりも小さいので、図２に示す伝送路１では、図５に示す伝送路１０１と比較して、導体３の下表面近傍の領域を、表皮効果により高周波の第１の信号が流れる距離が短いことがわかる。誘電体基板２の表面２ａの算術平均粗さＲａが小さいほど、該表面２ａ上に追従するように形成される導体３の下面の凹凸が小さくなる。導体３の下面の凹凸が小さいと、高周波の第１の信号が流れる際に上下に大きく曲がることがないため、表皮効果により導体３の下表面近傍の領域を電流が流れる距離を短くすることができる。従って、実効伝送長さを短くすることができるので、伝送路１では、高周波の第１の信号を効率的に伝送できる。さらに、絶縁体を積層するときには、導体の上面が荒らされてもよい。
【００３２】
誘電体基板２の導体３が積層されている表面２ａの算術平均粗さＲａは、１０ｎｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。この場合には、実効伝送長さを比較的短くすることができ、導体損失をより一層低くすることができる。なお、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠した測定法により求めることができる。
【００３３】
また、本実施形態に係る伝送路１では、導体の幅をｄとし、かつ導体の厚みをｔとしたときに、下記式（３）の関係を満たす。
【００３４】
ｄ＜ｔ  ・・・式（３）
【００３５】
さらに、本実施形態に係る伝送路１では、導体の幅をｄとし、複数の導体の間隔をｗとしたときに、下記式（４）の関係を満たす。
【００３６】
ｗ／ｄ＜０．７  ・・・式（４）
【００３７】
商用周波数又は可聴音域である数十ｋＨｚ以下の周波数では、表皮効果の影響は無視できるので、導体の全領域を電流が流れる。直流、又は第１の信号の高周波よりも周波数が低い例えば５０Ｈｚ又は１ＭＨｚ程度の第２の信号は、導体の表面近傍の領域ではなく、導体の全領域を一様に流れる。
【００３８】
上記式（３）及び式（４）を満たすと、複数の導体が形成されている部分の幅方向寸法が比較的小さくても、電流が流れる導体の領域を大きくすることができる。特に、直流、又は１ＧＨｚ未満の周波数の第２の信号が流れる領域を大きくすることができる。
【００３９】
図３に、図１に示すＹ−Ｙ線に沿う部分切欠断面図を示す。すなわち、図３では、導体３の幅方向に沿う断面図が示されている。また、図６に、一つの導体が設けられた伝送路の導体の幅方向に沿う部分切欠断面図を示す。図６に示す伝送路１１１は、誘電体基板１１２の一方の面１１２ａに、複数ではなく一つの導体１１３のみが積層されている。図３に示す２つの導体３が形成されている部分の幅方向寸法Ｄ１と、図６に示す１つの導体１１３の幅方向寸法Ｄ２とは同一である。図３及び図６では、導体３，１１３はいずれも銅により形成されており、誘電体基板２の一方の面２ａと誘電体基板１１２の一方の面１１２ａとの算術平均粗さＲａは同一である。
【００４０】
図３に示す伝送路１では、図６に示す伝送路１１１と比較して、領域Ｒの総面積が大きいことがわかる。上記式（３）及び（４）を満たすように導体３を設けることにより、更に一つの導体１１３ではなく複数の導体３を設けることにより、上記領域Ｒの総面積を大きくすることができる。このため、高周波の第１の信号を効率的に伝送できる。
【００４１】
導体３の幅ｄの好ましい下限は１μｍであり、好ましい上限は５００μｍである。複数の導体３の厚みｔは略等しいことが好ましい。基板上に１つの導体層を形成した後に、導体の幅が略等しくなるように、エッチングにより導体層を分割することにより、複数の導体３の幅ｄを略等しくすることができる。複数の導体３の幅ｄは略等しいことが好ましい。導体が形成されていない部分のスペースを等しくする製造プロセスにより、幅が略等しい複数の導体３を容易に形成できる。
【００４２】
伝送路１は、１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号を伝送する伝送路である。高周波の第１の信号の周波数は１〜１００ＧＨｚの範囲内であることが好ましい。上記高周波の第１の周波数は１０〜１００ＧＨｚの範囲内であることがより好ましく、５０〜１００ＧＨｚの範囲内であることがさらに好ましい。周波数１〜１００ＧＨｚの第１の信号が流れる際には、表皮効果により、導体３の表面近傍の領域の電流密度が高くなる。伝送路１では、周波数１〜１００ＧＨｚの信号を伝送したとしても、導体損失を充分に低くすることができる。
【００４３】
機械的強度及び剥離強度を高める観点からは、誘電体基板２と導体３とのピール強度は０．９８Ｎ／ｃｍ〜９８Ｎ／ｃｍの範囲内であることが好ましい。ピール強度がこの好ましい範囲内である場合には、誘電体基板２と導体３との接合信頼性を高めることができる。
【００４４】
伝送路１は、１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号に加えて、１ＧＨｚ未満の周波数の第２の信号を伝送する伝送路であることが好ましい。第２の信号の周波数での角周波数をωＬとしたときの表皮厚みをδＬとしたときに、伝送路１は、下記式（１１）〜（１３）の関係を満たすことが好ましい。
【００４５】
δＬ＝［２／（ωＬ・μ・σ）］１／２    ・・・式（１１）
δＬ／ｔ＞１０                        ・・・式（１２）
δＬ／ｗ＞１０                        ・・・式（１３）
【００４６】
上記式（１１）〜（１３）を満たす伝送路１では、導体３を上記第２の信号が流れる際に、電流が導体の表面近傍の領域だけでなく、導体の全領域を流れる。このため、多くのエネルギーを低損失で伝送でき、導体損失を低くすることができる。
【００４７】
また、上記第２の信号の周波数は、第１の信号の周波数の１／１０以下であることが好ましい。また、上記第２の信号の周波数の好ましい上限は１００ＭＨｚであり、より好ましい上限は１０ＭＨｚであり、好ましい下限は５０Ｈｚである。
【００４８】
また、伝送路１は、１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号に加えて、直流を伝送する伝送路であることが好ましい。さらに、伝送路１は、１ＧＨｚ以上の高周波の第１の信号に加えて、１ＧＨｚ未満の周波数の第２の信号と、直流とを伝送する伝送路であることも好ましい。なお、導体３を周波数ゼロの直流が流れる際には、直流が導体の表面近傍の領域だけなく、導体の全領域を流れる。このため、多くのエネルギーを低損失で伝送でき、導体損失を低くすることができる。
【００４９】
伝送路１は、例えば、マイクロストリップ伝送線路として好適に用いることができる。ただし、伝送路１は、誘電体基板２の一方の面２ａに導体３が積層されていればよく、マイクロストリップ伝送線路に限定されない。また、伝送路１は、高周波回路を構成する各種のデバイスに用いることができる。
【００５０】
誘電体基板２の一方の面２ａに導体３を形成する方法として、公知の方法を用いることができる。例えば、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことにより導体３を形成する方法、半硬化状態の誘電体層上に、銅箔などの導体３を熱圧着し、誘電体層を硬化させる方法、並びに銅箔などの導体３上に未硬化の誘電体層を熱圧着し、誘電体層を硬化させる方法等が挙げられる。また、複数の導体３は、例えば、銅箔などの導体層を形成した後に導体層を分割することにより形成できる。複数の導体３は、例えば、感光性レジストの塗布、露光及び銅箔エッチングを行う公知のサブトラクト法、レジストの塗布、露光及び無電解めっき、電解めっき、レジスト剥離を行うアディティブ法、並びにナノインプリント法等の方法を用いたプロセスにより形成できる。厚みが略等しい複数の導体３は、例えば、誘電体基板２上に均一な厚みの導体層を形成した後、導体層をエッチング処理することにより形成できる。
【００５１】
上記式（１）〜（４）の関係を満たすことにより、又は上記式（１）〜（４）の関係と上記式（１１）〜（１３）との関係を満たすことにより、導体損失を低くすることができることは、上述の説明の通りである。以下、伝送路を作製した具体的な実施例を挙げることにより、本発明をさらに詳しく説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００５２】
誘電体基板を形成するために、以下に示す材料を用いた。なお、下記の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【００５３】
（エポキシ系樹脂）
１）ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、商品名「ＮＣ−３０００Ｈ」、重量平均分子量２，０７０、エポキシ当量２８８、下記（１）で表されるエポキシ系樹脂に相当する）
【００５４】
【化１】
2010258508.tif 000003
【００５５】
上記式（１）中、ｔは１〜１１の整数を示す。
【００５６】
２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成社製、商品名「ＹＤ−８１２５」、重量平均分子量約３５０）
【００５７】
（エポキシ樹脂用硬化剤）
１）フェノール系硬化剤（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」、重量平均分子量約１０，２００、下記式（２）で表されるフェノール化合物に相当する）
【００５８】
【化２】
2010258508.tif 000004
【００５９】
上記式（２）中、ｓは１〜１１の整数を示す。
【００６０】
２）活性エステル化合物型硬化剤（ＤＩＣ社製、商品名「ＥＸＢ−９４５１−６５Ｔ」、重量平均分子量２，８４０）
３）ジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製、商品名「ＥＨ−３６３６Ｓ」）
【００６１】
（硬化促進剤）
１）イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製、商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」）
２）トリフェニルホスフィン（和光純薬社製）
【００６２】
（有機化層状珪酸塩）
１）トリオクチルメチルアンモニウム塩により化学処理された合成ヘクトライト（コープケミカル社製、商品名「ルーセンタイトＳＴＮ」）
【００６３】
（シリカ）
１）シリカ（１）：シリカ（龍森社製、商品名「１−Ｆｘ」、平均粒子径０．３８μｍ、最大粒子径１μｍ、表面積３０ｍ２／ｇ）１００重量部と、イミダゾールシラン（日鉱金属社製、商品名「ＩＭ−１０００」）０．２重量部と、エタノール１００重量部とを混合し、６０℃で１時間攪拌した後、揮発成分を除去した。次に、減圧乾燥機を用いて、１００℃で６時間乾燥し、イミダゾールシラン処理されたシリカ（１）を得た。
【００６４】
２）シリカ（２）：イミダゾールシラン（日鉱金属社製、商品名「ＩＭ−１０００」）を、エポキシシラン（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」）に変更したこと以外は、シリカ（１）と同様にして、エポキシシラン処理されたシリカ（２）を得た。
【００６５】
（溶剤）
１）Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、特級、和光純薬社製）
２）トルエン
【００６６】
（実施例１）
（１）樹脂組成物溶液の調製
合成ヘクトライト（コープケミカル社製、商品名「ルーセンタイトＳＴＮ」）０．２８ｇと、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、特級、和光純薬社製）１９．４４ｇとを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌した。次に、イミダゾールシラン処理されたシリカ（１）５．５２ｇを添加し、均一な溶液となるまで常温で攪拌した。
【００６７】
次に、エポキシ系樹脂としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、商品名「ＮＣ−３０００Ｈ」）１０ｇを添加し、均一な溶液となるまで常温で攪拌した。その後、硬化剤としてのフェノール系硬化剤（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」１１．０２ｇ及びジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製、商品名「ＥＨ−３６３６Ｓ」）０．１６ｇと、硬化促進剤としてのイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製、商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」）０．０３ｇ及びトリフェニルホスフィン（和光純薬社製）０．０３ｇとを上記溶液に添加し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物溶液を調製した。
【００６８】
（２）樹脂シートの半硬化物の作製
離型処理された透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（商品名「ＰＥＴ５０１１  ５５０」、厚み５０μｍ、リンテック社製）を用意した。このＰＥＴフィルム上にアプリケーターを用いて、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように、得られた樹脂組成物溶液を塗工した。次に、１００℃のギアオーブン内で１２分間乾燥して、縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚み５０μｍの樹脂シートの未硬化物を作製した。得られた樹脂シートの未硬化物を、１７０℃のギアオーブン内で１時間加熱して、樹脂シートの半硬化物を作製した。
【００６９】
（３）銅めっき基板の作製
得られた樹脂シートの半硬化物を、ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４、品番「ＣＳ−３６６５」、利昌工業社製）上に、真空ラミネートした。その後、１７０℃で３０分間加熱して、予備硬化させ、ガラスエポキシ基板と硬化体との積層サンプルを得た。得られた積層サンプルを用いて、下記の膨潤処理をした後、下記の粗化処理（過マンガン酸塩処理）をし、次に銅めっき処理をした。
【００７０】
膨潤処理：
８０℃の膨潤液（スウェリングディップセキュリガントＰ、アトテックジャパン社製）に、上記積層サンプルを入れて、膨潤温度８０℃で１０分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
【００７１】
粗化処理（過マンガン酸塩処理）：
８０℃の過マンガン酸カリウム（コンセントレートコンパクトＣＰ、アトテックジャパン社製）粗化水溶液に、膨潤処理された上記積層サンプルを入れて、粗化温度８０℃で２０分間揺動させた。その後、２５℃の洗浄液（リダクションセキュリガントＰ、アトテックジャパン社製）により２分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。このようにして、ガラスエポキシ基板上に、粗化処理された硬化体Ａを形成した。
【００７２】
銅めっき処理：
粗化処理された上記硬化体Ａの表面を、６０℃のアルカリクリーナ（クリーナーセキュリガント９０２）で５分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化体を２５℃のプリディップ液（プリディップネオガントＢ）で２分間処理した。その後、上記硬化体を４０℃のアクチベーター液（アクチベーターネオガント８３４）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、３０℃の還元液（リデューサーネオガントＷＡ）により、上記硬化体を５分間処理した。
【００７３】
次に、上記硬化体を化学銅液（ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ、カッパープリントガントＭＳＫ、スタビライザープリントガントＭＳＫ）に入れ、無電解めっきをめっき厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を１Ｌとし、上記硬化体を揺動させながら実施した。
【００７４】
次に、無電解めっき処理された硬化体に、電解めっきをめっき厚みが３５μｍとなるまで実施した。電気銅めっきとして硫酸銅（リデューサーＣｕ）を用いて、０．６Ａ／ｃｍ２の電流を流した。このようにして、ガラスエポキシ基板上に、硬化体と銅めっき層とがこの順で積層された積層体Ｂを得た。
【００７５】
（４）伝送路の作製
周波数１０ＧＨｚの第１の信号及び周波数１ＭＨｚの第２の信号を伝送する伝送路を作製した。公知の方法により、得られた銅めっき層上に感光性樹脂を積層し、露光し、銅めっき層をエッチング処理することにより、間隔を隔てて平行に配置された２本の一対の導体を形成した。導体の厚みｔは３５μｍ、幅ｄは２０μｍであり、２つの導体の間隔ｗは１０μｍであった。
【００７６】
（実施例２〜４）
使用した材料の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物溶液を調製した。得られた樹脂組成物溶液を用いたこと以外は実施例１と同様にして、伝送路を作製した。
【００７７】
（評価）
（１）算術平均粗さＲａ及び十点平均粗さＲｚ
走査型レーザー顕微鏡（品番「１ＬＭ２１」、レーザーテック社製）を用いて、１００μｍ×１００μｍの大きさの測定領域における粗化処理された上記硬化体Ａの表面の算術平均粗さＲａ及び十点平均粗さＲｚを測定した。
【００７８】
（２）ピール強度
上記積層体Ｂの銅めっき層の表面に１０ｍｍ幅に切り欠きを入れた。その後、引張試験機（商品名「オートグラフ」、島津製作所社製）を用いて、クロスヘッド速度５ｍｍ／分の条件で、銅めっき層と硬化体との接着強度を測定し、得られた測定値をピール強度とした。
【００７９】
結果を下記の表１に示す。
【００８０】
【表１】
2010258508.tif 000005
【００８１】
また、実施例１〜４の伝送路の導体に、周波数１０ＧＨｚの第１の信号及び周波数１ＭＨｚの第２の信号を流した。その結果、実施例１〜４の伝送路ではの導体損失が低く、更に実施例１，２の伝送路では実施例３，４の伝送路よりも、第１，第２の信号の導体損失がより一層低かった。
【符号の説明】
【００８２】
１…伝送路
２…誘電体基板
２ａ…一方の面
２ｂ…他方の面
３…導体
４…グランド導体
１１…導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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