(57)【要約】【課題】有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制する。【解決手段】基板１０ａに複数のスイッチング素子５を形成するスイッチング素子形成工程と、各スイッチング素子５を覆うように有機絶縁膜１６を形成する有機絶縁膜形成工程と、有機絶縁膜１６上に各スイッチング素子５にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、有機絶縁膜１６に基板１０ａの表面から紫外光Ｌａを照射して、有機絶縁膜１６を脱色する第１紫外光照射工程と、有機絶縁膜１６に基板１０ａの裏面から紫外光Ｌｂを照射して、有機絶縁膜１６を脱気する第２紫外光照射工程とを備える。【選択図】図２
2010139539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
上記各スイッチング素子を覆うように有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、
上記有機絶縁膜上に上記各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
上記有機絶縁膜に上記基板の表面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱色する第１紫外光照射工程と、
上記有機絶縁膜に上記基板の裏面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱気する第２紫外光照射工程とを備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記各スイッチング素子は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、
上記基板の裏面から照射する紫外光は、上記基板の表面から照射する紫外光よりも強いことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記有機絶縁膜形成工程は、上記第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記有機絶縁膜形成工程では、上記第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を同時に行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記有機絶縁膜は、ナフトキノンジアジド化合物を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
アクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられ、紫外光重合性モノマーが添加された液晶層とを備えた貼合体を作製した後に、該貼合体に紫外光を照射して上記液晶層のプレチルト角を設定する液晶表示パネルの製造方法であって、
上記アクティブマトリクス基板の製造工程は、
基板に複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
上記各スイッチング素子を覆うように有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、
上記有機絶縁膜上に上記各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程と、
上記有機絶縁膜に上記基板の表面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱色する第１紫外光照射工程と、
上記有機絶縁膜に上記基板の裏面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱気する第２紫外光照射工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶表示パネルの製造方法に関し、特に、垂直配向型の液晶表示パネルの製造方法及びそれを構成するアクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルは、複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に封入された液晶層とを備えている。
【０００３】
ところで、垂直配向型の液晶表示パネルは、液晶層に電圧が印加されていないときに、液晶層を構成する液晶分子が基板面に対して実質的に垂直に配向するように構成され、広視野角な表示を実現することができるので、近年、例えば、ＭＶＡ(Multi-domain Vertical Alignment)方式の液晶表示パネルとして、実用化されている。
【０００４】
また、垂直配向方式の液晶表示パネルでは、液晶層を構成する液晶材料に紫外光重合性モノマーを添加して、液晶層に電圧を印加させて液晶分子を所定の方向に配向させた状態で紫外光を照射することにより、紫外光重合性モノマーをポリマー化して、液晶分子のプレチルト角を設定することが知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、第１基板又は第２基板に硬化されていないシール材を供給するシール材供給工程と、シール材の内側に対し、液晶材料と添加剤との混合液を滴下する滴下工程と、第１基板と第２基板とを、シール材及び混合液を介して貼り合わせることにより、貼り合わせ基板を形成する貼り合わせ工程と、端子部に電圧を印加した状態で所定の硬化条件を施すことにより、シール材を硬化させると共に添加剤を変質させて、液晶分子にプレチルト角を付与する硬化工程とを備える液晶表示装置の製造方法が開示されている。そして、これによれば、液晶層全体に亘って液晶分子に良好なプレチルト角を付与することができ、その結果、液晶分子の応答特性を向上させることができ、動画に対する表示品質を高めることができる、と記載されている。
【特許文献１】国際公開第２００８／００７４８５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、垂直配向方式の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板では、層間絶縁膜として有機絶縁膜が設けられ、上記のように、プレチルト角を設定するために紫外光を照射する場合、有機絶縁膜の一部が分解してしまうことがあるので、その分解ガスによりパネル内部に気泡が発生するおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、有機絶縁膜に基板の裏面から紫外光を照射して、有機絶縁膜を脱気するようにしたものである。
【０００９】
具体的に本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板に複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、上記各スイッチング素子を覆うように有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、上記有機絶縁膜上に上記各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、上記有機絶縁膜に上記基板の表面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱色する第１紫外光照射工程と、上記有機絶縁膜に上記基板の裏面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱気する第２紫外光照射工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
上記の方法によれば、基板に形成された複数のスイッチング素子を覆う有機絶縁膜を、第１紫外光照射工程における紫外光の照射により脱色するだけでなく、第２紫外光照射工程における紫外光の照射により分解ガスを発生させて脱気するので、後工程で有機絶縁膜に紫外光が照射されても、発生する分解ガスが少なく、有機絶縁膜からの分解ガスの発生が抑制される。
【００１１】
上記各スイッチング素子は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、上記基板の裏面から照射する紫外光は、上記基板の表面から照射する紫外光よりも強くてもよい。
【００１２】
上記の方法によれば、各スイッチング素子がボトムゲート型の薄膜トランジスタであるので、アクティブマトリクス基板の基板側にゲート電極が配置することになる。そのため、有機絶縁膜に基板の裏面から相対的に強い紫外光が照射されても、ゲート電極によって、薄膜トランジスタの半導体層（のチャネル領域）に紫外光が到達しないので、紫外光の照射に起因する薄膜トランジスタの特性の劣化が抑制される。
【００１３】
上記有機絶縁膜形成工程は、上記第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を備えてもよい。
【００１４】
上記の方法によれば、有機絶縁膜上に複数の画素電極を形成する前に、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を行うので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００１５】
上記有機絶縁膜形成工程では、上記第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を同時に行ってもよい。
【００１６】
上記の方法によれば、有機絶縁膜形成工程において、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を同時に行うので、製造効率を向上させることが可能になる。
【００１７】
上記有機絶縁膜は、ナフトキノンジアジド化合物を含んでもよい。
【００１８】
上記の方法によれば、ナフトキノンジアジド化合物に紫外光を照射すると、分解ガスとして窒素ガスが発生するので、有機絶縁膜からの窒素ガスの発生が具体的に抑制される。
【００１９】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、アクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられ、紫外光重合性モノマーが添加された液晶層とを備えた貼合体を作製した後に、該貼合体に紫外光を照射して上記液晶層のプレチルト角を設定する液晶表示パネルの製造方法であって、上記アクティブマトリクス基板の製造工程は、基板に複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、上記各スイッチング素子を覆うように有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、上記有機絶縁膜上に上記各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程と、上記有機絶縁膜に上記基板の表面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱色する第１紫外光照射工程と、上記有機絶縁膜に上記基板の裏面から紫外光を照射して、該有機絶縁膜を脱気する第２紫外光照射工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
上記の方法によれば、アクティブマトリクス基板において、基板に形成された複数のスイッチング素子を覆う有機絶縁膜を、第１紫外光照射工程における紫外光の照射により脱色するだけでなく、第２紫外光照射工程における紫外光の照射により分解ガスを発生させて脱気するので、液晶層のプレチルト角を設定するために、貼合体に紫外光を照射する際に、アクティブマトリクス基板の有機絶縁膜に紫外光が照射されても、発生する分解ガスが少なく、有機絶縁膜からの分解ガスの発生が抑制され、パネル内部における気泡の発生が抑制される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、有機絶縁膜に基板の裏面から紫外光を照射して、有機絶縁膜を脱気するので、有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０の断面図である。
【００２４】
液晶表示パネル５０は、図１に示すように、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に設けられた液晶層３５と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０を互いに接着すると共に両基板の間に液晶層３５を封入するためのシール材（不図示）とを備えている。
【００２５】
アクティブマトリクス基板２０は、図１に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、各ゲート線の間に互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線１１ｂと、各ゲート線及び各容量線１１ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、各ゲート線及び各ソース線の交差部分にスイッチング素子としてそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５及び各ソース線を覆うように設けられた無機絶縁膜１５と、無機絶縁膜１５を覆うように設けられた有機絶縁膜１６と、有機絶縁膜１６上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極１７と、各画素電極１７を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
【００２６】
ＴＦＴ５は、図１に示すように、各ゲート線の側方に突出した部分であるゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１１ａに対応する位置に島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上で互いに対峙するように設けられたソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂとを備えている。ここで、半導体層１３は、図１に示すように、上面にチャネル領域（不図示）が規定された下層の真性アモルファスシリコン層１３ａと、その上層に設けられたｎ＋アモルファスシリコン層１３ｂとを備えている。また、ソース電１４ａは、各ソース線の側方に突出した部分である。さらに、ドレイン電極１４ｂは、容量線１１ｂに重なる領域まで延設されることにより補助容量を構成すると共に、容量線１１ｂ上で無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６に形成されたコンタクトホールを介して画素電極１７に接続されている。
【００２７】
対向基板３０は、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、ブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層を含むカラーフィルター層２１と、ブラックマトリクス及びカラーフィルタ２１を覆うように設けられた共通電極２２と、共通電極２２を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
【００２８】
液晶層３５は、電気光学特性を有するネマチック液晶であり、Δε（誘電異方性）＜０の液晶分子を含んでいる。また、液晶層３５は、紫外光重合性モノマーがポリマー化された液晶性ポリマーを含んでいる。
【００２９】
上記構成の液晶表示パネル５０では、画像の最小単位である各画素において、ゲート信号がゲート線を介してゲート電極１１ａに送られて、ＴＦＴ５がオン状態になったときに、ソース信号がソース線を介してソース電極１４ａに送られて、半導体層１３及びドレイン電極１４ｂを介して、画素電極１７に所定の電荷が書き込まれる。このとき、アクティブマトリクス基板２０の各画素電極１７と対向基板３０の共通電極２２との間において電位差が生じ、液晶層３５に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置５０では、液晶層３５に印加する電圧の大きさによって液晶層３５の配向状態を変えることにより、液晶層３５の光透過率を調整して画像が表示される。
【００３０】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０及び液晶表示パネル５０の製造方法について、図２〜図４を用いて説明する。ここで、図２は、アクティブマトリクス基板２０を製造するためのアクティブマトリクス基板前駆体１９に紫外光を照射する工程を示す模式図であり、図３は、図２中のアクティブマトリクス基板前駆体１９を拡大した断面図であり、図４は、アクティブマトリクス基板前駆体１９上の有機絶縁膜１６に含有するナフトキノンジアジド化合物Ａの分解反応を示す模式図である。なお、本実施形態の液晶表示パネルの製造工程は、アクティブマトリクス基板製造工程と、対向基板製造工程と、貼合体製造工程と、プレチルト角設定工程とを備える。また、本実施形態のアクティブマトリクス基板製造工程は、ＴＦＴ形成工程と、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を含む有機絶縁膜形成工程と、画素電極形成工程とを備える。
【００３１】
<<アクティブマトリクス基板製造工程>>
<ＴＦＴ形成工程>
まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ａの基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜（例えば、厚さ３００Å程度）、アルミニウム膜（例えば、厚さ２０００Å程度）及び窒化チタン膜（例えば、厚さ１０００Å程度）を順に成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、ゲート線、ゲート電極１１ａ及び容量線１１ｂを形成する。
【００３２】
続いて、ゲート線、ゲート電極１１ａ及び容量線１１ｂが形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜を成膜し、ゲート絶縁膜１２を形成する。
【００３３】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を順に成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてゲート電極１１ａ上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層、及びｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体層形成層を形成する。
【００３４】
そして、上記半導体層形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜（例えば、厚さ３００Å程度）及びアルミニウム膜（例えば、厚さ１５００Å程度）を順に成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、ソース線、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂを形成する。
【００３５】
さらに、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂをマスクとして上記半導体層形成層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
【００３６】
<有機絶縁膜形成工程>
まず、上記ＴＦＴ形成工程でＴＦＴ５が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコン膜を成膜する。
【００３７】
続いて、窒化シリコン膜が成膜された基板全体に、スピンコート法により、例えば、アクリル系の感光性樹脂（例えば、厚さ３μｍ程度）を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、ドレイン電極１４ｂ（及び容量線１１ｂ）上にコンタクトホールを有する有機絶縁膜１６を形成する。
【００３８】
さらに、有機絶縁膜１６が形成された基板、すなわち、アクティブマトリクス基板前駆体１９（図２及び図３参照）に対し、図２に示すように、絶縁基板１０ａの表面側に配置させた光源Ｕａを用いて、絶縁基板１０ａの表面（被膜側）から相対的に低強度（例えば、０．２Ｊ／ｃｍ２〜１．２Ｊ／ｃｍ２程度）の紫外光Ｌａを照射して、有機絶縁膜１６を茶褐色から無色透明に脱色する（第１紫外光照射工程）と共に、絶縁基板１０ａの裏面側に配置させた光源Ｕｂを用いて、絶縁基板１０ａの裏面（基板側）から相対的に高強度（例えば、７．２Ｊ／ｃｍ２程度）の紫外光Ｌｂを照射して、有機絶縁膜１６を脱気する（第２紫外光照射工程）。ここで、有機絶縁膜１６は、光重合開始剤として、ナフトキノンジアジド化合物Ａ（図４参照）を含んでいるので、主に紫外光Ｌｂの照射により、図４に示すように、ナフトキノンジアジド化合物Ａがインデンカルボン酸Ｂに分解され、窒素ガス（Ｎ２）などの分解ガスを排出することにより、脱気されることになる。
【００３９】
<画素電極形成工程>
まず、層間絶縁膜１６が脱色及び脱気された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、画素電極１７を形成する。なお、画素電極１７は、上記ＩＴＯ膜以外に、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜やＺｎＯ系の酸化膜であってもよい。
【００４０】
続いて、画素電極１７が形成された基板全体に、印刷法により、例えば、ポリアミド樹脂を塗布し、配向膜を形成する。
【００４１】
以上のようにして、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０を製造することができる。
【００４２】
<<対向基板製造工程>>
まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ｂの基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボンなどの黒色微粒子が分散されたアクリル系の感光性樹脂（例えば、厚さ１．５μｍ程度）を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、ブラックマトリクスを形成する。
【００４３】
続いて、上記ブラックマトリクスが形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂（例えば、厚さ３．０μｍ程度）を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を形成して、カラーフィルタ２１を形成する。
【００４４】
さらに、カラーフィルタ２１が形成された基板上に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜（例えば、厚さ１５００Å程度）を成膜して、共通電極２２を形成する。
【００４５】
その後、共通電極２２が形成された基板全体に、印刷法により、例えば、ポリアミド樹脂（例えば、厚さ１０００Å程度）を塗布し、配向膜を形成する。
【００４６】
以上のようにして、対向基板３０を製造することができる。
【００４７】
<<貼合体製造工程>>
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記対向基板製造工程で製造された対向基板３０に、紫外光硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材を枠状に描画する。
【００４８】
続いて、上記シール材が描画された対向基板３０におけるシール材の内側の領域に、上述の液晶分子及び紫外光重合性モノマーが含有された液晶材料を滴下する。
【００４９】
そして、上記液晶材料が滴下された対向基板３０と、上記アクティブマトリクス基板製造工程で製造されたアクティブマトリクス基板２０とを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体４０（図１参照）を大気圧に開放することにより、貼合体４０の表面及び裏面を加圧する。
【００５０】
さらに、貼合体４０に挟持されたシール材にＵＶ光を照射した後に、貼合体４０を加熱することによりシール材を硬化させることにより、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に液晶層３５を封入する。
【００５１】
<<プレチルト角設定工程>>
まず、上記貼合体製造工程で製造された貼合体４０のアクティブマトリクス基板２０の各画素電極１７と対向基板３０の共通電極２２との間、すなわち、液晶層３５に所定の大きさの電圧を印加して、液晶層３５の液晶分子を所定の方向に配向させた状態にする。
【００５２】
続いて、上記のように液晶層３５を配向させた貼合体４０に紫外光を照射して、液晶層３５中の紫外光重合性モノマーをポリマー化することにより、液晶性ポリマーを形成して、液晶層３５中の液晶分子にプレチルト角を設定する。
【００５３】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル５０を製造することができる。
【００５４】
次に、具体的に行った実験について説明する。
【００５５】
<予備実験>
実験１として、ガラス基板（縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ）の表面にアクリル系の感光性樹脂（厚さ３μｍ）をスピンコート法により塗布した後に、プリベーク、露光、現像及びポストベークして、有機絶縁膜が形成された基板を作製した。
【００５６】
実験２として、ガラス基板（縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ）の表面にアクリル系の感光性樹脂（厚さ３μｍ）をスピンコート法により塗布した後に、プリベーク、露光、現像及びポストベークし、さらに、その基板に紫外光を７．２Ｊ／ｃｍ２×２回を照射して、脱気処理を行った有機絶縁膜が形成された基板を作製した。
【００５７】
上記実験１及び実験２で作製された基板について、以下の表１に示すように、各基板を真空装置内で１×１０−５Ｐａ以下に減圧し、１００℃まで昇温しながら、各基板から発生するフラグメントを測定し、脱ガス中の成分（フラグメント）の組成を比較するという質量分析を行った。
【００５８】
【表１】
2010139539.tif 000003
【００５９】
表１の試料表面温度１００℃において、質量数＝２８が３１％（実験１）から１４％（実験２）に減少しているように、有機絶縁膜に対する紫外光の照射により、有機絶縁膜から発生する窒素ガス（又は一酸化炭素ガス）の量が減ることが確認できた。
【００６０】
＜本実験＞
本発明の実施例として、上記説明した実施形態と同じ方法により、４．３型の液晶表示パネルを（１００個×２）作製して、２５℃で放置した液晶表示パネル（１００個）及び８０℃で５分加熱した液晶表示パネル（１００個）において、気泡が発生したパネルの個数をカウントした。
【００６１】
また、本発明の比較例として、上記説明した実施形態の製造方法において、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を行わない方法により、４．３型の液晶表示パネルを（１００個×２）作製して、２５℃で放置した液晶表示パネル（１００個）及び８０℃で５分加熱した液晶表示パネル（１００個）において、気泡が発生したパネルの個数をカウントした。
【００６２】
結果は、以下の表２のとおりである。
【００６３】
【表２】
2010139539.tif 000004
【００６４】
表２に示すように、本発明によれば、液晶表示パネルを２５℃で放置した場合において、比較例で３％であった気泡発生率が０％に抑制され、その加速試験である８０℃で５分加熱した場合においても、比較例で１８％であった気泡発生率が２％に抑制された。そして、この気泡について質量分析を行ったところ、質量数２８の窒素ガス（又は一酸化炭素ガス）であることが分かった。これにより、本発明の有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制する効果、及びそれに伴うパネル内部における気泡の発生を抑制する効果が具体的に確認された。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０の製造方法及び液晶表示パネル５０の製造方法によれば、アクティブマトリクス基板２０において、絶縁基板１０ａに形成された複数のＴＦＴ５を無機絶縁膜１５を介して覆う有機絶縁膜１６を、第１紫外光照射工程における紫外光Ｌａの照射により脱色するだけでなく、第２紫外光照射工程における紫外光Ｌｂの照射により分解ガスを発生させて脱気するので、液晶層３５のプレチルト角を設定するために、貼合体４０に紫外光を照射する際に、アクティブマトリクス基板２０の有機絶縁膜１６に紫外光が照射されても、発生する分解ガスが少なく、有機絶縁膜１６からの分解ガスの発生を抑制することができ、パネル内部における気泡の発生を抑制することができる。
【００６６】
また、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０の製造方法及び液晶表示パネル５０の製造方法によれば、各スイッチング素子がボトムゲート型のＴＦＴ５であるので、アクティブマトリクス基板２０の絶縁基板１０ａ側にゲート電極１１ａが配置することになる。そのため、有機絶縁膜１６に絶縁基板１０ａの裏面から相対的に強い紫外光Ｌｂが照射されても、ゲート電極１１ａによって、ＴＦＴ５の半導体層１３（のチャネル領域）に紫外光Ｌｂが到達しないので、紫外光Ｌｂの照射に起因するＴＦＴ５の特性の劣化を抑制することができる。
【００６７】
また、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０の製造方法及び液晶表示パネル５０の製造方法によれば、有機絶縁膜形成工程において、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を同時に行うので、アクティブマトリクス基板２０及び液晶表示パネル５０の製造効率を向上させることができる。
【００６８】
また、本実施形態では、有機絶縁膜形成工程において、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程を同時に行う方法を例示したが、第１紫外光照射工程及び第２紫外光照射工程は、有機絶縁膜を構成する樹脂を露光した後で、且つアクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とを貼り合わせる前であれば、どの段階で行ってもよく、同時に行わなくてもよい。
【００６９】
また、本実施形態では、光重合開始剤として、ナフトキノンジアジド化合物を含む有機絶縁膜を例示したが、本発明は、光重合開始剤を含まない有機絶縁膜にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上説明したように、本発明は、有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制することができるので、有機絶縁膜を備えた電子素子全般の製造について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示パネル５０の断面図である。
【図２】液晶表示パネル５０を製造するためのアクティブマトリクス基板前駆体１９に紫外光を照射する工程を示す模式図である。
【図３】図２中のアクティブマトリクス基板前駆体１９を拡大した断面図である。
【図４】アクティブマトリクス基板前駆体１９上の有機絶縁膜１６に含有するナフトキノンジアジド化合物Ａの分解反応を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ａ        ナフトキノンジアジド化合物
Ｌａ，Ｌｂ    紫外光
５        ＴＦＴ（スイッチング素子）
１０ａ    絶縁基板
１６      有機絶縁膜
１７      画素電極
２０      アクティブマトリクス基板
３０      対向基板
３５      液晶層
４０      貼合体
５０      液晶表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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