(57)【要約】【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の処理室内に設けられ，被処理基板を載置する基板載置台であって，
載置台本体を構成するサセプタと，
前記サセプタの周縁部を前記処理室内に固定する締結部材と，
前記サセプタの側面の周囲に全周に渡って設けられた環状溝と，
を備えることを特徴とする基板載置台。
【請求項２】
前記環状溝は，前記サセプタの側面から内部に向けて少なくとも前記締結部材が設けられた部位よりも内部まで延びる深さであることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台。
【請求項３】
前記環状溝は，前記締結部材で締め付けられる部位よりも高い部位に形成したことを特徴とする請求項２に記載の基板載置台。
【請求項４】
前記サセプタは，その外径が前記被処理基板の外径よりも大きくなるように構成し，
前記締結部材は，前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に垂直に形成された孔部に挿入して配置し，
前記環状溝は，前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に前記孔部を横切って形成したことを特徴とする請求項３に記載の基板載置台。
【請求項５】
前記孔部は，前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に沿って複数形成し，
前記各孔部にそれぞれ締結部材を配置して，前記サセプタを固定したことを特徴とする請求項４に記載の基板載置台。
【請求項６】
前記環状溝は，前記サセプタの側面から内部に向けて傾斜する傾斜面を有することを特徴とする請求項１〜５に記載の基板載置台。
【請求項７】
前記環状溝は，前記サセプタの側面に，垂直方向に沿って複数並べて設けたことを特徴とする請求項１〜５に記載の基板載置台。
【請求項８】
被処理基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，
減圧可能に構成された処理室と，
前記処理室内の下方に配置され，前記被処理基板を載置する基板載置台と，
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給部と，
前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給部からのガスを前記基板載置台上の被処理基板に向けて導入するガス導入部と，を備え，
前記基板載置台は，載置台本体を構成するサセプタと，前記サセプタの周縁部を前記処理室内に固定する締結部材と，前記サセプタの側面の周囲に全周に渡って設けられた環状溝とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウエハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用基板などの被処理基板を載置する基板載置台及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置などのフラットパネルの製造工程においては，半導体ウエハやガラス基板などの被処理基板にエッチング処理や成膜処理等のプロセス処理を施すために，基板処理装置として例えばプラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられる。プラズマ処理装置では，処理室内に配置された載置台に被処理基板例えばウエハを載置して処理室内を減圧しながら処理ガスを導入し，処理室内の電極に高周波電力を印加して処理ガスによるプラズマを生起することで，ウエハ表面にエッチングや成膜等のプロセス処理を行うようになっている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置の載置台は，載置台本体を構成するサセプタ，このサセプタの温度を調整することでウエハの温度を調整する温度調整部，サセプタ上にウエハを吸着保持する静電チャックなどによって構成される。このような載置台では，メンテナンスの際などに取り外しを容易にするため，サセプタの周縁部を処理室内にネジやボルトなどの締結部材で固定するようになっている（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−２１７９５１号公報
【特許文献２】特開平０６−５３１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで，上述したようなプラズマ処理装置で処理室内にプラズマを形成すると，プラズマの入熱によって載置台が加熱されてサセプタが熱膨張する。この場合，上述したようにサセプタをネジなどの締結部材で固定する構成では，締結部材がある部分ではその締結部材によってサセプタの高さ方向の一部が押さえつけられて自由に熱膨張できない部分が存在するのに対して，締結部材がない部分ではサセプタの高さ方向に自由に熱膨張できる。
【０００６】
このため，サセプタの周縁部では，締結部材がある部分とない部分との間で熱膨張量の差が発生する。これにより，サセプタの上面の高さが部分的に変化してしまい，載置台の上面にうねりのような撓みが発生する場合がある。このようにサセプタの表面，すなわち載置台の上面に撓みが発生すると，そこに載置されるウエハの表面温度分布に影響を与えるのでプラズマ処理の面内均一性が低下してしまうという問題がある。
【０００７】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，締結部材で固定された基板載置台の表面に，締結部材のある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止できる基板載置台及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板処理装置の処理室内に設けられ，被処理基板を載置する基板載置台であって，載置台本体を構成するサセプタと，前記サセプタの周縁部を前記処理室内に固定する締結部材と，前記サセプタの側面の周囲に全周に渡って設けられた環状溝とを備えることを特徴とする基板載置台が提供される。
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，減圧可能に構成された処理室と，前記処理室内の下方に配置され，前記被処理基板を載置する基板載置台と，処理ガスを前記処理室に供給するガス供給部と，前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給部からのガスを前記基板載置台上の被処理基板に向けて導入するガス導入部とを備え，前記基板載置台は，載置台本体を構成するサセプタと，前記サセプタの周縁部を前記処理室内に固定する締結部材と，前記サセプタの側面の周囲に全周に渡って設けられた環状溝とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１０】
このような本発明によれば，サセプタの周囲に環状溝を設けることで，サセプタの周縁部を締結部材で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と自由に熱膨張する上側の部分とに分けることができる。これにより，基板載置台の表面に，締結部材のある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止することができる。特に本発明によれば，熱膨張によって高さの差が大きくなる周縁部の撓みを抑制できるので，サセプタの表面に発生する撓みをより効果的に抑制できる。
【００１１】
すなわち，サセプタの周縁部において，環状溝よりも下側の部分ではネジがある部分とない部分とで熱膨張量の差が生じても高さ方向の変位は環状溝内で収まるため，環状溝よりも上側の部分に影響を与えることはない。しかも，環状溝よりも上側の部分は，周縁部全周にわたって同じ厚みであるため，熱膨張量も同じになる。従って，サセプタの周縁部の上面では高さ方向に変化を生じないため，それに起因する撓みの発生も防止できる。
【００１２】
また，上記環状溝は，前記サセプタの側面から内部に向けて少なくとも前記締結部材が設けられた部位よりも内部まで延びる深さであることが好ましい。また，上記環状溝は，前記締結部材で締め付けられる部位よりも高い部位に形成することが好ましい。これによれば，サセプタの周縁部のうち，締結部材で押さえつけられている部分を環状溝よりも下側に分けることができる。これにより，基板載置台の表面に，締結部材のある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを効果的に防止することができる。
【００１３】
また，上記サセプタはその外径が前記被処理基板の外径よりも大きくなるように構成し，前記締結部材は前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に垂直に形成された孔部に挿入して配置し，前記環状溝は前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に前記孔部を横切って形成することが好ましい。この場合，上記孔部は，前記被処理基板よりも外側に張り出した部位に沿って複数形成し，前記各孔部にそれぞれ締結部材を配置して，前記サセプタを固定するようにしてもよい。
【００１４】
これによっても，サセプタの周縁部のうち，締結部材で押さえつけられている部分を環状溝よりも下側に分けることができる。これにより，基板載置台の表面に，締結部材のある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを効果的に防止することができる。また，サセプタの外径を被処理基板の外径よりも大きくし，前記環状溝は被処理基板よりも外側に張り出した部位に設けることによって，熱膨張によって形成されるサセプタの上縁部の曲面を緩やかにすることができる。これにより，被処理基板との接触面をより外側にすることができるので，被処理基板をより安定して載置させることができる。
【００１５】
また，上記環状溝は，前記サセプタの側面から内部に向けて傾斜する傾斜面を有するようにしてもよく，前記サセプタの側面に垂直方向に沿って複数並べて設けるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，締結部材で固定された基板載置台において，周囲に環状溝を設けることによって，基板載置台の表面に締結部材のある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す載置台を上側から見た図である。
【図３】図１に示す載置台の作用説明図である。
【図４】比較例にかかる載置台の作用説明図であって，ネジによる締付位置が低い場合である。
【図５】比較例にかかる載置台の作用説明図であって，ネジによる締付位置が高い場合である。
【図６】比較例にかかる環状溝がないサセプタの斜視図である。
【図７】本実施形態にかかる載置台の作用説明図である。
【図８】本実施形態にかかる環状溝があるサセプタの斜視図である。
【図９】比較例にかかる載置台の作用説明図であって，サセプタの径が小さい場合である。
【図１０】比較例にかかる載置台の作用説明図であって，サセプタの径が大きい場合である。
【図１１】本実施形態にかかる載置台の作用説明図である。
【図１２】本実施形態における環状溝の変形例を示す断面図である。
【図１３】本実施形態における環状溝の他の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
（基板処理装置）
先ず，本発明にかかる基板載置台を適用可能な基板処理装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは，基板処理装置として，基板載置台に載置された半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）Ｗに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図２は，載置台を上方から見た図であり，図１に示す載置台の断面図は図２に示すＡ−Ａ断面図に相当する。
【００２０】
図１に示すように，プラズマ処理装置１００は，金属製（例えばアルミニウム製）の筒状（例えば円筒状）に形成された処理室（チャンバ）１０２を備える。なお，処理室１０２の形状は円筒状に限られるものではない。例えば角筒状（例えば箱状）であってもよい。処理室１０２はグランドに接地されている。処理室１０２内の底部には，ウエハＷを載置する下部電極としての載置台２００が配設されている。処理室１０２の天井部には載置台２００と対向して平行に配設された上部電極としてのシャワーヘッド１１０が設けられている。
【００２１】
下部電極としての載置台２００には第１高周波電源１５０が整合器１５２を介して接続されており，上部電極としてのシャワーヘッド１１０には上記第１高周波電源１５０よりも周波数の高い電力を出力する第２高周波電源１６０が整合器１６２を介して接続されている。また，載置台２００には，ハイパスフィルタ１５４が接続されており，シャワーヘッド１１０には，ローパスフィルタ１６４が接続されている。
【００２２】
載置台２００は，図２に示すように略円柱状に形成される。なお，載置台２００の形状についても円柱状に限られるものではない。例えば角柱状（例えば多角柱状）であってもよい。このような載置台２００の具体的構成の詳細については後述する。
【００２３】
載置台２００の上方には，これと平行に対向するように，上部電極として機能するガス導入部としてのシャワーヘッド１１０が対向配置されている。シャワーヘッド１１０はその周縁部を被覆するシールドリング１１２を介して処理室１０２の天井部に取り付けられている。なお，処理室１０２の天井部は蓋部として開口可能に構成されており，蓋部と側壁との間には気密を保持するための例えばＯリングなどのシール部材１１４が設けられている。シャワーヘッド１１０は，内部に拡散室１１６を有するとともに，載置台２００と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔１１８が形成されている。
【００２４】
シャワーヘッド１１０には，ガス供給部１２０が接続されている。ガス供給部１２０は例えば図１に示すように構成される。すなわち，シャワーヘッド１１０の上部にはガス導入口１２１が形成されており，ガス導入口１２１にはガス供給配管１２３を介してガス供給源１２２が接続されている。ガス供給配管１２３の途中には処理ガスの流量を制御する流量制御器例えばマスフローコントローラ１２４，開閉バルブ１２６が介在している。このようなガス供給部１２０によれば，ガス供給源１２２からの処理ガスは，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２４により所定の流量に制御されて，ガス導入口１２１からシャワーヘッド１１０に供給される。そして，処理ガスはシャワーヘッド１１０の拡散室１１６内で拡散して各吐出孔１１８から処理室１０２内に供給される。
【００２５】
図１では説明を簡単にするため，ガス供給部１２０を一系統のガスラインで表現しているが，ガス供給部１２０は単一のガス種の処理ガスを供給する場合に限られるものではなく，複数のガス種を処理ガスとして供給するものであってもよい。この場合には，複数のガス供給源を設けて複数系統のガスラインで構成し，各ガスラインにマスフローコントローラを設けてもよい。
【００２６】
このようなガス供給部１２０により処理室１０２内に供給する処理ガスとしては，例えばエッチングでは，Ｆ，Ｃｌなどを含むハロゲン系ガスが用いられる。具体的にはＳｉＯ２膜などのシリコン酸化膜をエッチングする場合には，ＣＨＦ３ガスなどが処理ガスとして用いられる。また，ＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＺｒＳｉＯ４などの高誘電体薄膜をエッチングする場合には，ＢＣｌ３ガスを処理ガスとしたり，ＢＣｌ３ガスとＯ２ガスとの混合ガスを処理ガスとして用いられる。
【００２７】
本実施形態にかかるシャワーヘッド１１０は，処理ガスと添加ガスを予め混合して処理室１０２内に供給するいわゆるプリミックスタイプであるが，このシャワーヘッド１１０に代えて，各ガスを独立して処理室１０２内に供給するポストミックスタイプのシャワーヘッドを備えるようにしてもよい。
【００２８】
処理室１０２の側壁には基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また，処理室１０２の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気装置１０９が接続される。この排気装置１０９により処理室１０２の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室１０２内を所定の真空雰囲気に維持することができる。
【００２９】
プラズマ処理装置１００には，制御部（全体制御装置）３００が接続されており，この制御部３００によってプラズマ処理装置１００の各部が制御されるようになっている。また，制御部３００には，オペレータがプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや，プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部３１０が接続されている。
【００３０】
さらに，制御部３００には，プラズマ処理装置１００で実行される各種処理を制御部３００の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要なレシピデータなどが記憶された記憶部３２０が接続されている。
【００３１】
記憶部３２０には，例えばウエハのプロセス処理を実行させるための複数のプロセス処理レシピの他，処理室１０２内のクリーニング処理など必要な処理を行うためのレシピなどが記憶されている。これらのレシピは，プラズマ処理装置１００の各部を制御する制御パラメータ，設定パラメータなどの複数のパラメータ値をまとめたものである。例えばプロセス処理レシピは，例えば処理ガスの流量比，処理室内圧力，高周波電力などのパラメータ値を有する。
【００３２】
なお，これらのレシピはハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部３２０の所定位置にセットするようになっていてもよい。
【００３３】
制御部３００は，操作部３１０からの指示等に基づいて所望のプロセス処理レシピを記憶部３２０から読み出して各部を制御することで，プラズマ処理装置１００での所望の処理を実行する。また，操作部３１０からの操作によりレシピを編集できるようになっている。
【００３４】
（載置台の構成例）
次に，本実施形態にかかる載置台２００の具体的構成について図面を参照しながら詳細に説明する。図３は，図１に示す載置台２００の作用を説明するための図である。図３では図１に示す一部の構成を省略している。図１に示すように載置台２００は，セラミックなどの絶縁板２０２を介して処理室１０２の底部に取り付けられている。載置台２００は，下部電極本体を構成するサセプタ２１０とこれを下方で支持するサセプタ支持台２２０とから主に構成されている。これらサセプタ２１０とサセプタ支持台２２０は例えばアルミニウムなどからなる。
【００３５】
サセプタ支持台２２０には，例えば温度調整部の１例としての温調媒体流路２２２が設けられている。温調媒体流路２２２には図示しない温調媒体供給源からの温調媒体が導入管２２４を介して導入され，温調媒体流路２２２を循環して排出管２２６より排出される。温調媒体としては例えば水，ガルデン（登録商標）などが挙げられる。このような温調媒体を温調媒体流路２２２に流通させることによって，サセプタ２１０を所望の温度例えば６０℃前後に制御できる。
【００３６】
サセプタ２１０の上面には，静電チャック２１２がウエハ面積と略同面積で形成されている。この静電チャック２１２は，例えば２枚の高分子ポリイミドフィルム間やセラミック間に銅箔などの導電膜２１４を絶縁状態で挟み込むことにより形成され，導電膜２１４は直流高圧電源２１６に接続されている。従って，導電膜２１４に高電圧を印加することによって，静電チャック２１２の上面にウエハＷをクーロン力により吸着保持することができる。
【００３７】
サセプタ支持台２２０とサセプタ２１０には，これらを貫通してＨｅなどの伝熱用ガス（バッククーリングガス）を図示しない伝熱用ガス供給源からウエハＷの裏面に供給するためのガス通路２３０が形成されている。
【００３８】
サセプタ支持台２２０とサセプタ２１０は，複数の締結部材例えばネジ２３２で結合されている。具体的には図２に示すようにサセプタ２１０とサセプタ支持台２２０はウエハＷの外径よりも大きな径で構成され，ウエハＷよりも外側に張り出した部位にはその周方向に沿ってネジ２３２を挿入する孔部２３４が形成されている。各孔部２３４は例えば図３に示すようにサセプタ２１０側に形成され，ネジ２３２のネジ軸を挿入可能な小径部２３４ａと，小径部２３４ａから拡径されてネジ２３２の頭部を挿入可能な拡径部２３４ｂと，サセプタ支持台２２０側に形成され，ネジ２３２のネジ軸が螺合するネジ孔２３４ｃからなる。なお，締結部材としては，ネジ２３２に限られるものではなく，ボルト，クラップなど他の締結部材であってもよい。
【００３９】
本実施形態にかかる載置台２００のように，載置台２００の周縁部をネジ２３２などの締結部材で結合する構成では，締結部材がある部分ではその締結部材によって高さ方向の一部が押さえつけられて自由に熱膨張できない部分が存在するのに対して，締結部材がない部分では高さ方向に自由に熱膨張できる。このため，プラズマを形成した場合にプラズマからの入熱によって載置台２００が熱膨張すると，その周縁部表面では，締結部材がある部分とない部分との間で高さが変わり，結果として載置台２００の表面にうねりのような撓みが発生する場合がある。これを防止するため，本実施形態では，載置台２００の側面の周囲に全周にわたって環状溝２４０を設けている。
【００４０】
このような本実施形態にかかる載置台２００を，環状溝２４０がない載置台２０１と比較しながら詳細に説明する。図４〜図６は比較例としての環状溝２４０がない載置台２０１の作用説明図である。図４はネジ２３２による締付位置が低い場合（ネジ２３２が短い場合）であり，図５はネジ２３２による締付位置が高い場合（ネジ２３２が長い場合）であり，図６は環状溝２４０がないサセプタ２１０の斜視図である。図６では，プラズマを生起してサセプタ２１０が熱膨張した際の表面状態を模式的に２点鎖線で示したものである。図７，図８は，本実施形態にかかる環状溝２４０がある載置台２００の作用説明図である。図８は環状溝２４０があるサセプタ２１０の斜視図である。
【００４１】
図３に示すようにサセプタ２１０の上部はプラズマＰからの入熱で高温となり，サセプタ２１０の下部は温度調整部により所望の温度に保持される。このため，サセプタ２１０の上部と下部には温度差（例えば１００℃〜２００℃）が発生し，サセプタ２１０は高さ方向及び水平方向に熱膨張する。
【００４２】
先ず，サセプタ２１０の高さ方向の熱膨張に注目して，本実施形態にかかる環状溝２４０がある載置台２００について，環状溝２４０がない載置台２０１と比較しながら説明する。図４に示すようにサセプタ２１０の周縁部のうち，ネジ２３２がある部分（図４の比右側）とない部分（図４の左側）では，高さ方向の熱膨張量が異なる。これは，ネジ２３２がない部分ではサセプタ２１０の下面から上面まで押さえつけられる部分がないので高さ方向に自由に熱膨張するのに対して，ネジ２３２がある部分ではネジ２３２で締め付けている部分（ネジ２３２の頭部の下面から下側部分）ｈｂは押さえつけられているので高さ方向に熱膨張し難いからである。
【００４３】
すなわち，ネジ２３２がある部分では，ネジ２３２で締め付けていない部分（ネジ２３２の頭部の下面から上側部分）ｈａのみが高さ方向に自由に熱膨張することになるので，サセプタ２１０のネジ２３２がある部分とない部分では熱膨張量に差（ｈ’−ｈａ’）が生じることになる。しかも，図５に示すようにネジ２３２による締付位置が高いほど，自由に熱膨張できる高さが減少するため，ネジ２３２がある部分とない部分の熱膨張量の差（ｈ’−ｈａ’）が大きくなる。
【００４４】
この熱膨張量の差は僅かではあるが，これによってネジ２３２がある部分とない部分とでサセプタ２１０の表面の高さが変わってしまうため，例えば図６に示す２点鎖線のようにサセプタ２１０の表面に周方向に沿ってうねりのような撓みが発生する。この撓みは，ネジ２３２がある部分では低く，ネジ２３２がない部分では高くなる。また，サセプタ２１０の周縁部に向かうほど表面高さの差が大きくなり，中心部に向かうほど表面高さの差が小さくなる傾向になる。このような傾向があるのは，サセプタ２１０の中心部はウエハＷによって隠れるのでプラズマの入熱の影響を受け難いのに対して，周縁部はウエハＷで隠れないのでプラズマの入熱の影響を受け易いからと考えられる。
【００４５】
このようにサセプタ２１０の表面に撓みが発生すると，ウエハＷの表面温度分布に影響を与えるのでプラズマ処理の面内均一性が低下してしまうという問題がある。この点，サセプタ２１０の高さを高くすれば，ネジ２３２がある部分のうち，ネジ２３２で押さえつけられる部分ｈｂに対して自由に膨張できる部分ｈａを相対的に増やすことができるので，ネジ２３２がある部分とネジ２３２がない部分との熱膨張量の差を緩和できるとも考えられる。ところが，これでは載置台２００の高さが高くなってしまうため，処理室１０２を大きくする必要があり，ひいてはプラズマ処理装置１００の大型化に繋がるため，好ましくない。
【００４６】
そこで，本実施形態では，サセプタ２１０の側面に環状溝２４０を形成することでネジ２３２がある部分とネジ２３２がない部分との間の熱膨張量の差をなくすようにしている。これによれば，載置台２００の高さを変えずに，サセプタ２１０の表面に発生する撓みを防止することができる。本実施形態によれば，特に熱膨張によって高さの差が大きくなる周縁部の撓みを抑制することで，サセプタ２１０の表面に発生する撓みをより効果的に防止できる。
【００４７】
具体的には，図７に示すようにサセプタ２１０の側面に全周に渡って環状溝２４０を形成する。これにより，サセプタ２１０のネジ２３２がある部分もネジ２３２がない部分も，環状溝２４０より下側の部分（環状溝２４０の底面からサセプタ２１０の下面までの部分）ｈｘでは熱膨張により高さが変わっても環状溝２４０内に収まる。このため，ネジ２３２がある部分とない部分との熱膨張量の差（ｈｘ’−ｈｘ’’）が，環状溝２４０より上側の部分ｈｙに影響が及ばないのでサセプタ２１０の周縁部表面の高さが変化することもない。さらに，環状溝２４０より上側の部分ｈｙはサセプタ２１０のネジ２３２がある部分もない部分も同じ厚みになるため，高さ方向の熱膨張量ｈｙ’は同じになる。
【００４８】
これによれば，図６に示すようにサセプタ２１０がプラズマの入熱により熱膨張したときに，サセプタ２１０の表面高さの差をなくすことができるので，サセプタ２１０の表面に発生する撓みを防止できる。この場合，熱膨張によって高さの差が大きくなる周縁部の撓みを抑制できるので，サセプタ２１０の表面に発生する撓みをより効果的に抑制できる。これにより，ウエハＷの温度を均一に保つことができ，プラズマ処理の均一性を向上させることができる。
【００４９】
次に，上述したサセプタ２１０の水平方向の熱膨張に注目して，本実施形態にかかる環状溝２４０がある載置台２００を環状溝２４０がない載置台２０１と比較しながら説明する。図９，図１０は比較例としての環状溝２４０がない載置台２０１の作用説明図である。図１１は本実施形態にかかる環状溝２４０がある載置台２０１の作用説明図である。図９〜図１１は，サセプタ２１０の熱膨張による変形を模式的に表したものである。図９はウエハＷよりも径が小さいサセプタ２１０の場合であり，図１０はウエハＷよりも径が大きいサセプタ２１０の場合である。
【００５０】
なお，静電チャック２１２の表面もサセプタ２１０の表面と同様に変形するので，サセプタ２１０の表面の変形が静電チャック２１２の表面の変形として，ここでは静電チャック２１２を省略して説明する。
【００５１】
ウエハＷが載置される載置面は，ウエハＷ全体が密着できる平坦であることが好ましい。ところが，実際には載置面を正確に平坦に加工するのは困難である。このため，通常は載置面の中心部が僅かに凹となるように加工してウエハＷとの接触面が環状になるようにすることで，ウエハＷの周縁部が浮かないようにしている。すなわち，もし載置面の中心部が凸であれば，ウエハＷとの接触面は中心部付近になるのでウエハＷの周縁部が浮いてしまう虞がある。これに対して，載置面の中心部が凹であれば，ウエハＷとの接触面は水平方向の外側に環状になるのでウエハＷの周縁部が浮かないようにすることができる。
【００５２】
ところで，サセプタが熱膨張した場合は，上縁部が曲面になる傾向がある。しかも，この曲面は載置台の径が小さいほど急になり，載置台の径が大きいほど緩くなる傾向にある。例えば比較例にかかる環状溝２４０がないサセプタ２１０において，熱膨張によって上縁部に生じる曲面は，ウエハＷよりも小さい径の場合（図９）では急になるのに対して，ウエハＷよりも大きい径の場合（図１０）は緩くなり，ウエハＷとの接触面もより外側に移行する。従って，サセプタの径はウエハＷよりも大きく張り出すようにすることが好ましい。
【００５３】
この点，本実施形態にかかる環状溝２４０があるサセプタ２１０において，熱膨張によって上縁部に生じる曲面は，図１１に示すように図１０に示す場合よりもさらに緩くなり，ウエハＷとの接触面もさらに外側に移行する。これは，環状溝２４０を形成することにより，サセプタ２１０の周縁部の高さ方向の熱膨張量が少なくなるからである。従って，本実施形態にかかる載置台２００によれば，ウエハＷとの接触面をより外側に移行させることができるので，ウエハＷをより安定させることができる。
【００５４】
以上詳述したように，本実施形態にかかる載置台２００によれば，ウエハＷの載置面よりも外側の周縁部に，その周方向に沿って側面から内部に向かう環状溝２４０を形成することにより，ネジ２３２がある部分とネジ２３２がない部分の熱膨張量の差をなくすことができる。これにより，載置台２００の高さを変えずに，サセプタ２１０の表面に発生する撓みを防止することができる。
【００５５】
なお，環状溝２４０は，少なくともネジ２３２の頭部の下面から上側に設けることが好ましく，環状溝２４０の水平方向の深さは，少なくともネジ２３２が挿入される孔部２３４の拡径部よりも中心部側になるようにすることが好ましい。これにより，環状溝２４０よりも下側の部分の熱膨張の影響が環状溝２４０よりも上側の部分に影響を及ぼすことを防止できる。これにより，熱膨張量に差が出る要因を払拭できるので，サセプタ２１０の表面に発生する撓みを防止できる。
【００５６】
また，環状溝２４０の形状は，上述したものに限られるものではない。例えば図１２に示すように環状溝２４０の下面は斜面であってもよい。また図１３に示すように環状溝２４０を複数（例えば２つ）の溝部２４２で構成してもよい。また，環状溝２４０は１つのサセプタ２１０の外周を削るように形成してもよく，サセプタ２１０を上部サセプタと下部サセプタで構成し，上部サセプタの下面と下部サセプタの上面を切欠を形成して，上部サセプタと下部サセプタを接合させることでそれぞれの切欠部により環状溝２４０を形成するようにしてもよい。
【００５７】
また，上記実施形態では，サセプタ２１０をサセプタ支持台２２０にネジ２３２で固定する載置台に本発明を適用した場合について説明したが，これに限定されるものではない。例えばサセプタ２１０を直接絶縁板２０２に固定する載置台に適用してもよい。この場合，温度調整部はサセプタ２１０に設けるようにしてもよい。
【００５８】
上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステムあるいは装置に供給し，そのシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成され得る。
【００５９】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭなどが挙げられる。また，媒体に対してプログラムを，ネットワークを介してダウンロードして提供することも可能である。
【００６０】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００６１】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００６２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６３】
例えば，本発明はプラズマＣＶＤ，プラズマ酸化，プラズマ窒化，スパッタリングなどを実行する他のプラズマ処理装置や熱処理装置など他の基板処理装置の基板載置台にも適用可能である。また，本発明における被処理基板は半導体ウエハに限られるものではなく，フラットパネルディスプレイ用の各種基板やフォトマスク，ＣＤ基板，プリント基板等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は，半導体ウエハやＦＰＤ用基板などの被処理基板を載置する基板載置台及び基板処理装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１００      プラズマ処理装置
１０２      処理室
１０４      基板搬入出口
１０６      ゲートバルブ
１０８      排気管
１０９      排気装置
１１０      シャワーヘッド
１１２      シールドリング
１１４      シール部材
１１６      拡散室
１１８      吐出孔
１２０      ガス供給部
１２１      ガス導入口
１２２      ガス供給源
１２３      ガス供給配管
１２４      マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１５２      整合器
１５４      ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１６２      整合器
１６４      ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
２００，２０１      載置台
２０２      絶縁板
２１０      サセプタ
２１２      静電チャック
２１４      導電膜
２１６      直流高圧電源
２２０      サセプタ支持台
２２２      温調媒体流路
２２４      導入管
２２６      排出管
２３０      ガス通路
２３２      ネジ
２３４      孔部
２３４ａ      小径部
２３４ｂ      拡径部
２３４ｃ      ネジ孔
２４０      環状溝
２４２      溝部
３００      制御部
３１０      操作部
３２０      記憶部
Ｗ        ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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