(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現する。【解決手段】第１架橋部材が第１接触端子１４４によって第１帯状部１４Ａを接地し、第２架橋部材が第２接触端子１４３によって第２帯状部１５Ａに加工電圧を供給し、第３架橋部材が第３接触端子１４１によって第３帯状部５４を接地し、第３帯状部５４を通じて、他方の外側基板の第１帯状部１４Ｂを接地する。また、第４架橋部材が第４接触端子によって第４帯状部に加工電圧を供給し、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第２帯状部１５Ｂに加工電圧が供給される。中央基板６は、接地端子によって接地され、中央基板６と、外側基板８Ａ，８Ｂの裏面側の一対の絶縁性基板７Ａ，７Ｂの間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。このとき、第１帯状部１４Ａ，１４Ｂおよび第１帯状部１４Ａ，１４Ｂに接続される部分（固定電極２Ａ，２Ｂ）は、接地されている。【選択図】図６
2010171203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の絶縁性基板と、
前記一対の絶縁性基板に挟まれ、前記絶縁性基板よりも導電性が高い中央基板と、
前記一対の絶縁性基板の外面に接合され前記絶縁性基板よりも導電性が高い一対の外側基板と、を有し、
前記一対の外側基板は、それぞれ、複数の溝状の間隙と、
前記間隙に挟まれた少なくとも１つの第１帯状部と、
前記間隙によって前記第１帯状部と絶縁された少なくとも１つの第２帯状部と、を有する加工対象物の加工装置であり、
下部絶縁用基板と、
前記下部絶縁用基板よりも導電性が高く、前記下部絶縁用基板に固定された導電用基板と、
前記導電用基板に載置される加工対象物の一方の外側基板の前記第１帯状部に接地電圧を加える第１接触端子を配列し、前記導電用基板に載置された前記加工対象物の上方を架橋する第１架橋部材と、
前記第１接触端子を前記加工対象物の前記一方の外側基板の第１帯状部に接触させた状態で前記第１架橋部材を固定する第１固定手段と、
前記導電用基板に載置される加工対象物の前記一方の外側基板の前記第２帯状部に加工電圧を加える第２接触端子を配列し、前記導電用基板に載置された前記加工対象物の上方を架橋する第２架橋部材と、
前記第２接触端子を前記加工対象物の第２帯状部に接触させた状態で前記第２架橋部材を固定する第２固定手段と、
前記導電用基板に接地電圧を加える第３接触端子を配列し、前記導電用基板の上方を架橋する第３架橋部材と、
前記第３架橋部材の第３接触端子を前記導電用基板上面に接触させた状態で固定する第３固定手段と、
前記導電用基板に加工電圧を加える第４接触端子を配列し、前記導電用基板の上方を架橋する第４架橋部材と、
前記第４架橋部材の第４接触端子を前記導電用基板上面に接触させた状態で固定する第４固定手段と、
前記加工対象物の中央基板に接地電圧を供給する接地端子と、
前記加工対象物を加熱する加熱手段と、を備え、
前記導電用基板は、前記第３架橋部材の架橋方向と直交方向に延伸する複数の溝状の間隙と、
前記間隙に挟まれて形成され、前記第３接触端子から接地電圧を供給される少なくとも１つの第３帯状部と、
前記間隙によって前記第３帯状部と絶縁され、前記第４接触端子から加工電圧を供給される少なくとも１つの第４帯状部と、を有し、
前記加工対象物の他方の外側基板の溝部と前記導電用基板の溝部を重ね合わせることによって、前記加工対象物の前記他方の外側基板の第１帯状部を前記導電用基板の第４帯状部から絶縁した状態で第３帯状部に接触させるとともに、前記加工対象物の前記他方の外側基板の第２帯状部を前記導電用基板の第３帯状部から絶縁した状態で第４帯状部に接触させ、前記加工対象物を載置する加工装置。
【請求項２】
前記第１接触端子は、端子部と、弾性体を介して前記端子部を前記第１架橋部材に装着する装着部とを有し、前記端子部は、前記第１架橋部材の下面から前記導電性基板に載置された前記加工対象物の方向に弾性的に押圧可能に突き出し、
前記第２接触端子は、端子部と、弾性体を介して前記端子部を前記第２架橋部材に装着する装着部とを有し、前記端子部は、前記第２架橋部材の下面から前記導電性基板に載置
された前記加工対象物の方向に弾性的に押圧可能に突き出している請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】
前記下部絶縁用基板が載置される土台部をさらに備え、
第１固定手段は、前記第１架橋部材と前記土台部とをねじ止めするねじ部を有し、前記ねじ部を構成する雄ねじ部と雌ねじとの相対移動によって第１接触端子の前記加工対象物上面への押圧力を調整可能であり、
第２固定手段は、前記第２架橋部と前記土台部とをねじ止めするねじ部を有し、前記ねじ部を構成する雄ねじ部と雌ねじとの相対移動によって第２接触端子の前記加工対象物上面への押圧力を調整可能である請求項１または２に記載の加工装置。
【請求項４】
一対の絶縁性基板と、
前記一対の絶縁性基板に挟まれ、前記絶縁性基板よりも導電性が高い中央基板と、
前記一対の絶縁性基板の外面に接合され前記絶縁性基板よりも導電性が高い一対の外側基板と、を有し、
前記一対の外側基板は、それぞれ、複数の溝状の間隙と、
前記間隙に挟まれた少なくとも１つの第１帯状部と、
前記間隙によって前記第１帯状部と絶縁された少なくとも１つの第２帯状部と、を有する加工対象物の加工装置であり、
下部絶縁用基板と、
前記下部絶縁用基板よりも導電性が高く、前記下部絶縁用基板に固定された導電用基板と、
前記加工対象物の一方の外側基板の上面を延伸し、前記一方の外側基板に電圧を供給する第１載置接触部と、
前記導電用基板の上面を延伸し、前記導電用基板に電圧を供給する第２載置接触部と、
前記加工対象物の中央基板に接地電圧を供給する接地端子と、
前記加工対象物を加熱する加熱手段と、を備え、
前記導電用基板は、前記第２載置接触部の延伸方向と交差する方向に延伸する複数の溝状の間隙と、
前記間隙に挟まれた少なくとも１つの第３帯状部と、
前記間隙によって前記第３帯状部と絶縁された少なくとも１つの第４帯状部と、を有し、
前記加工対象物の他方の外側基板の溝部と前記導電用基板の溝部を重ね合わせることによって、前記加工対象物の前記他方の外側基板の第１帯状部を前記導電用基板の第４帯状部から絶縁した状態で第３帯状部に接触させるとともに、前記加工対象物の前記他方の外側基板の第２帯状部を前記導電用基板の第３帯状部から絶縁した状態で第４帯状部に接触させ、
前記第１載置接触部は、前記加工対象物に対向する下面側に、前記加工対象物の前記一方の外側基板の第１帯状部の上面に接触し、第２帯状部から絶縁される第５帯状部と、
前記第５帯状部に接地電圧を供給する第１接地伝導部と、
前記加工対象物の前記一方の外側基板の第２帯状部の上面に接触し、第１帯状部から絶縁される第６帯状部と、
前記第６帯状部に加工電圧を供給する第１電源伝導部と、を有し、
前記第２載置接触部は、前記導電用基板に対向する下面側に、前記導電用基板の第３帯状部の上面に接触し、第４帯状部から絶縁される第７帯状部と、
前記第７帯状部に接地電圧を供給する第２接地伝導部と、
前記加工対象物の第４帯状部の上面に接触し、第３帯状部から絶縁される第８帯状部と、
前記第８帯状部に加工電圧を供給する第２電源伝導部と、を有する加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極接合にて材料を接合する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型物理量センサは、加速度あるいは振動等を受けて変位する可動電極（ダイヤフラム）と、可動電極に間隙を隔てて対向する固定電極を有する。可動電極は、シリコンなどの基板に形成される。固定電極は、通常、絶縁材料に金属を成膜して形成されている。静電容量型物理量センサでは、可動電極を形成した基板と、固定電極の金属薄膜を形成した絶縁物を陽極接合して、素子を形成する。
【０００３】
陽極接合では、可動電極を形成した基板と固定電極の金属薄膜を形成した絶縁物とを所定の温度に加熱した状態で接合部分を挟んで電圧を加える。その場合に、電圧の分布等に依存して、可動電極と固定電極との間の静電引力が発生し、可動状態を維持すべき可動電極が固定電極に固着してしまうことがあった。
【０００４】
一方、従来、固定電極と可動電極との間で放電を生じないようにするため、固定電極と可動電極を短絡線で短絡して、これらを同電位とすることが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９４７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、この技術を適用して、固定電極と可動電極とを同電位とすれば、可動電極と固定電極との間の静電引力を抑制でき、可動電極が固定電極に固着してしまうという現象の発生を低減できる可能性もある。
【０００７】
しかし、上記従来の技術では、固定電極と可動電極とを短絡した短絡線を陽極接合の後で切断、除去する必要があり、工程が複雑となる。本発明の課題は、簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明の一態様は、一対の絶縁性基板と、一対の絶縁性基板に挟まれ、絶縁性基板よりも導電性が高い中央基板と、一対の絶縁性基板の外面に接合され絶縁性基板よりも導電性が高い一対の外側基板と、を有し、一対の外側基板は、それぞれ、複数の溝状の間隙と、間隙に挟まれた少なくとも１つの第１帯状部と、間隙によって第１帯状部と絶縁された少なくとも１つの第２帯状部と、を有する加工対象物の加工装置として例示できる。
【０００９】
本加工装置は、下部絶縁用基板と、下部絶縁用基板よりも導電性が高く、下部絶縁用基板に固定された導電用基板と、導電用基板に載置される加工対象物の一方の外側基板の第１帯状部に接地電圧を加える第１接触端子を配列し、導電用基板に載置された加工対象物の上方を架橋する第１架橋部材と、第１接触端子を加工対象物の一方の外側基板の第１帯状部に接触させた状態で第１架橋部材を固定する第１固定手段と、を備える。
【００１０】
さらに、本加工装置は、導電用基板に載置される加工対象物の一方の外側基板の第２帯状部に加工電圧を加える第２接触端子を配列し、導電用基板に載置された加工対象物の上方を架橋する第２架橋部材と、第２接触端子を加工対象物の第２帯状部に接触させた状態で第２架橋部材を固定する第２固定手段と、を備える。
【００１１】
さらに、本加工装置は、導電用基板に接地電圧を加える第３接触端子を配列し、導電用基板の上方を架橋する第３架橋部材と、第３架橋部材の第３接触端子を導電用基板上面に接触させた状態で固定する第３固定手段と、を備える。
【００１２】
さらに、本加工装置は、導電用基板に加工電圧を加える第４接触端子を配列し、導電用基板の上方を架橋する第４架橋部材と、第４架橋部材の第４接触端子を導電用基板上面に接触させた状態で固定する第４固定手段と、加工対象物の中央基板に接地電圧を供給する接地端子と、加工対象物を加熱する加熱手段と、を備える。
【００１３】
導電用基板は、第３架橋部材の架橋方向と直交方向に延伸する複数の溝状の間隙と、間隙に挟まれて形成され、第３接触端子から接地電圧を供給される少なくとも１つの第３帯状部と、間隙によって第３帯状部と絶縁され、第４接触端子から加工電圧を供給される少なくとも１つの第４帯状部と、を有する。
【００１４】
また、加工対象物の他方の外側基板の溝部と導電用基板の溝部を重ね合わせることによって、加工対象物の他方の外側基板の第１帯状部を導電用基板の第４帯状部から絶縁した状態で第３帯状部に接触させるとともに、加工対象物の他方の外側基板の第２帯状部を導電用基板の第３帯状部から絶縁した状態で第４帯状部に接触させ、加工対象物を載置する。
【００１５】
このような構成によって、第１架橋部材が第１接触端子によって第１帯状部を接地する。また、第２架橋部材が第２接触端子によって第２帯状部に加工電圧を供給する。また、第３架橋部材が第３接触端子によって第３帯状部を接地する。したがって、第３帯状部を通じて、他方の外側基板の第１帯状部が接地される。また、第４架橋部材が第４接触端子によって第４帯状部に加工電圧を供給する。したがって、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第２帯状部に加工電圧が供給される。一方、中央基板には、接地端子によって接地される。したがって、中央基板と、外側の裏面側の一対の絶縁性基板の間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。このとき、第１帯状部および第１帯状部に接続される部分は、接地されている。すなわち、本加工装置は、複数の溝状間隙で形成される第１帯状部を接地した状態で、第２帯状部に加工電圧を供給し、中央基板との間の陽極接合を実現する。
【００１６】
第１接触端子は、端子部と、弾性体を介して端子部を第１架橋部材に装着する装着部とを有し、端子部は、第１架橋部材の下面から導電性基板に載置された加工対象物の方向に弾性的に押圧可能に突き出し、第２接触端子は、端子部と、弾性体を介して端子部を第２架橋部材に装着する装着部とを有し、端子部は、第２架橋部材の下面から導電性基板に載置された加工対象物の方向に弾性的に押圧可能に突き出しているものでもよい。弾性的に押圧可能となることで、第１接触端子および第２接触端子と、加工対象物との接触状態が良好となる。
【００１７】
本加工装置は、下部絶縁用基板が載置される土台部をさらに備え、第１固定手段は、第１架橋部材と土台部とをねじ止めするねじ部を有し、ねじ部を構成する雄ねじ部と雌ねじとの相対移動によって第１接触端子の加工対象物上面への押圧力を調整可能であり、第２固定手段は、第２架橋部と土台部とをねじ止めするねじ部を有し、ねじ部を構成する雄ねじ部と雌ねじとの相対移動によって第２接触端子の加工対象物上面への押圧力を調整可能
としてもよい。ねじ部によって、第１接触端子および第２接触端子の加工対象物への押圧力を調整できる。
【００１８】
また、本発明の第２の態様は、加工対象物の一方の外側基板の上面を延伸し、一方の外側基板に電圧を供給する第１載置接触部と、導電用基板の上面を延伸し、導電用基板に電圧を供給する第２載置接触部と、加工対象物の中央基板に接地電圧を供給する接地端子と、
加工対象物を加熱する加熱手段と、を備える加工装置であってもよい。
【００１９】
ここで、導電用基板は、第２載置接触部の延伸方向と交差する方向に延伸する複数の溝状の間隙と、間隙に挟まれた少なくとも１つの第３帯状部と、間隙によって第３帯状部と絶縁された少なくとも１つの第４帯状部と、を有するようにすればよい。
【００２０】
そして、加工対象物の他方の外側基板の溝部と導電用基板の溝部を重ね合わせることによって、加工対象物の他方の外側基板の第１帯状部を導電用基板の第４帯状部から絶縁した状態で第３帯状部に接触させるとともに、加工対象物の他方の外側基板の第２帯状部を導電用基板の第３帯状部から絶縁した状態で第４帯状部に接触させればよい。
【００２１】
さらに、第１載置接触部は、加工対象物に対向する下面側に、前記加工対象物の前記一方の外側基板の第１帯状部の上面に接触し、第２帯状部から絶縁される第５帯状部と、第５帯状部に接地電圧を供給する第１接地伝導部と、加工対象物の前記一方の外側基板の第２帯状部の上面に接触し、第１帯状部から絶縁される第６帯状部と、第６帯状部に加工電圧を供給する第１電源伝導部と、を有するようにすればよい。
【００２２】
また、第２載置接触部は、導電用基板に対向する下面側に、導電用基板の第３帯状部の上面に接触し、第４帯状部から絶縁される第７帯状部と、第７帯状部に接地電圧を供給する第２接地伝導部と、加工対象物の第４帯状部の上面に接触し、第３帯状部から絶縁される第８帯状部と、第８帯状部に加工電圧を供給する第２電源伝導部と、を有するようにすればよい。
【００２３】
このような構成によっても、第１載置接触部の第５帯状部によって、第１帯状部を接地し、第６帯状部によって第２帯状部に加工電圧を供給できる。また、第２載置接触部の第７帯状部によって、導電用基板の第３帯状部を通じて、他方の外側基板の第１帯状部を接地し、第８帯状部によって、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第１帯状部に加工電圧を供給できる。このとき、中央基板には、接地端子から接地電圧が供給される。したがって、第２の態様によっても、第１の態様と同様に、第１帯状部を接地した状態で、陽極接合を実行できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、加工対象物の第１帯状部が固定電極に接続され、中央基板が可動電極に接続される素子の製造において、可動電極と固定電極とを同電位にすることで、簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】物理量センサの斜視図である。
【図１Ｂ】物理量センサの断面図である。
【図２】複数の可動電極を構成したダイヤフラム基板の平面図を模式的に例示する図である。
【図３】加工対象の基板を外側から見た平面図である。
【図４】物理量センサ製造工程の概要を例示する図（その１）である。
【図５】物理量センサ製造工程の概要を例示する図（その２）である。
【図６】陽極接合工程の概念を例示する図である。
【図７】加工装置の斜視図の例である。
【図８】接合ベースおよび端子の接触状態を例示する拡大図である。
【図９】架橋部に取り付けられた端子が、シリコン基板の帯状部に接触した状態を示す斜視図である。
【図１０】ばね内蔵突起ねじの外観図である。
【図１１】ばね内蔵突起ねじの正面図である。
【図１２】ばね内蔵突起ねじの断面図である
【図１３】突起部が外殻部から最も長く延びた状態を示す図である。
【図１４】突起部が外殻部の中に押し込まれた状態を示す図である。
【図１５】加工装置を上方から見た平面図である。
【図１６Ａ】加工装置から架橋部を一部省略した側面図である。
【図１６Ｂ】加工装置から架橋部を一部省略した側面図である。
【図１７】加工装置の平面図である。
【図１８】実施例２に係る陽極接合工程の概念図を示す図である。
【図１９】実施例２に係る斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）に係る静電容量型物理量センサ（以下、単に物理量センサという）の加工装置について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本発明は実施形態の構成には限定されない。
【００２７】
＜物理量センサの概要＞
図１Ａに物理量センサ（素子２１ともいう）の斜視図、図１Ｂに、図１Ａにて、ラインＬ１をＡ１矢印方向に移動して物理量センサを切断したときの断面図をそれぞれ例示する。この物理量センサは、シリコンの基板（以下、ダイヤフラム基板６といい、本発明の中央基板に相当）と、ダイヤフラム基板６を両面から挟み込んで設けられ、ダイヤフラム基板６に接合されるガラス基板７Ａ，７Ｂ（本発明の一対の絶縁性基板に相当）と、ガラス基板７Ａ，７Ｂを外側両面から挟み込んで設けられ、ガラス基板７Ａ，７Ｂにそれぞれ接合されるシリコンの外側基板８Ａ，８Ｂとを有する。
【００２８】
ダイヤフラム基板６は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（以下、ＴＭＡＨという）を用いてウェットエッチングして形成される梁部４（カンチレバーともいう）と、梁部４によってダイヤフラム基板６の基部１６に片持ち状態で支持される可動電極１とを有する。図１Ｂに示すように、可動電極１の上下の表面には、ガラス基板７Ａ，７Ｂの内面との間の間隙を維持するための絶縁物の突起３が設けられている。ただし、物理量センサに加速度等の外力が加わらず、梁部４が撓んでいない状態、すなわち、可動電極１がガラス基板７Ａ，７Ｂに対して平行に維持された通常の状態では、突起３は、ガラス基板７Ａ，７Ｂ、あるいは、ガラス基板７Ａ，７Ｂ上に形成された固定電極２Ａ，２Ｂから離間している。また、梁部４が突き出しているダイヤフラム基板６の基部１６には、外部回路へのリード線を接続する金属の可動電極用パッド１０が形成されている。
【００２９】
ガラス基板７Ａ，７Ｂは、接合面２０Ａ−２０Ｄにおいて、ダイヤフラム基板６と接合される。また、ガラス基板７Ａ，７Ｂと可動電極１の上下の表面との間には、間隙１１Ａ，１１Ｂが存在する。間隙１１Ａ，１１Ｂを挟んでガラス基板７Ａ，７Ｂの可動電極１の上下の表面と対向するガラス基板７Ａ，７Ｂの内面には、固定電極２Ａ，２Ｂが形成されている。固定電極２Ａ，２Ｂは、通常、ガラス基板７Ａ，７Ｂの表面にスパッタ等にて金属を成膜することで形成する。固定電極２Ａ，２Ｂが可動電極１の上下の表面との間で間隙を形成することで、可動電極１は、固定電極２Ａ，２Ｂに挟まれた内面空間で変位する
。その変位によって、固定電極２Ａ，２Ｂと可動電極１とが構成する静電容量が変化し、物理量が検出される。なお、可動電極１の表面に形成された突起３は、可動電極１が極度に変位しても、直接固定電極に接触すること抑制する。
【００３０】
また、ガラス基板７Ａ，７Ｂの梁部４に対向する部分には、フィードスルー構造５が形成されている。フィードスルー構造５は、ガラス基板７Ａ，７Ｂに貫通穴を開けて形成される。フィードスルー構造５を通じて、固定電極２Ａ，２Ｂの一部である金属薄膜がガラス基板７Ａ，７Ｂから外部方向、すなわち、外側基板８Ａ，８Ｂ方向に引き出される。この金属を固定電極引き出し金属と呼ぶ。なお、外側基板８Ａ，８Ｂには、固定電極用パッド９Ａ，９Ｂが設けられており、固定電極用パッド９Ａ，９Ｂは、フィードスルー構造５を通る固定電極引き出し金属に接続される。
【００３１】
外側基板８Ａ，８Ｂは、それぞれガラス基板７Ａ，７Ｂに接合されている。以下、接合された外側基板８Ａ（８Ｂ）とガラス基板７Ａ（７Ｂ）をキャップ層１７Ａ（１７Ｂ）という。外側基板８Ａ，８Ｂの固定電極用パッド９Ａ，９Ｂを挟む位置には、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ（本発明の溝状の間隙に相当）が形成されている。例えば、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂは、固定電極用パッド９Ａおよび固定電極用パッド９Ａが形成された外側基板８Ａの山状部分１４Ａ（本発明の第１帯状部に相当）を外側基板８Ａの他の部分１５Ａ（以下、帯状部分１５Ａともいい、本発明の第２帯状部に相当する）と電気的に分離している。すなわち、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂは、深さ方向にガラス基板７Ａ，７Ｂに達するまで形成されている。したがって、山状部分１４Ａ，１４Ｂと帯状部分１５Ａ，１５Ｂとは、ガラス基板７Ａ，７Ｂの表面を介して接触するが、電気的には絶縁される。なお、外側基板８Ａの山状部分１４Ａ，１４Ｂに接触するガラス基板７Ａ，７Ｂには、フィードスルー構造５の貫通穴が形成されるため、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂは、フィードスルー構造５の貫通穴の直径よりも広い間隔で形成される。絶縁用溝１３Ａ，１３Ｂも同様である。
【００３２】
したがって、固定電極２Ａ、引き出し金属、および固定電極用パッド９Ａは、外側基板８Ａの帯状部分１５Ａから絶縁されている。同様に、絶縁用溝１３Ａ，１３Ｂは、固定電極用パッド９Ｂおよび固定電極用パッド９Ｂが形成された外側基板８Ｂの山状部分１４Ｂを外側基板８Ｂの他の部分１５Ｂ（以下、帯状部分１５Ｂともいう）から電気的に分離している。
【００３３】
このように、本実施形態に係る物理量センサの特徴は、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂにより、固定電極２Ａ，２Ｂ、引き出し金属、および固定電極用パッド９Ａ，９Ｂが、外側基板８Ａの帯状部分１５Ａ，１５Ｂから分離していることにある。そのため、ダイヤフラム基板６と、両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂを陽極接合する際、外側基板８Ａ，８Ｂの帯状部分１５Ａ，１５Ｂとは切り離して、固定電極２Ａ，２Ｂ、引き出し金属、および固定電極用パッド９Ａ，９Ｂを接地することが可能となる。
【００３４】
すなわち、ダイヤフラム基板６と、両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂとの陽極接合では、ダイヤフラム基板６を接地し、一方、両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂは、マイナス数百ボルト程度まで電圧を加える。そのとき、固定電極２Ａ，２Ｂ、引き出し金属、および固定電極用パッド９Ａ，９Ｂが接地されていると、固定電極２Ａ，２Ｂと、ダイヤフラム基板６の可動電極１とが同電位となる。したがって、可動電極１が固定電極２Ａまたは２Ｂに静電引力で引き付けられるという現象を抑制できる。そのような工程を実現する加工装置について、実施例１で詳細に説明する。なお、この工程は、陽極接合時に、固定電極用パッド９Ａ，９Ｂを接地すれば実現できるため、極めて簡易かつ安定して物理量センサを製造できる。
【００３５】
図２に、複数の可動電極１を構成したダイヤフラム基板６の平面図を模式的に例示する。図１Ａ，１Ｂは、最終的には、１つの物理量センサの素子となる素子部分２１の構成図である。一方、図２のダイヤフラム基板６は、そのような素子２１の可動電極１の部分を複数含む。図２の例では、梁部４は、一対の柱状部材で形成されて、側方から矩形状の可動電極１を保持する。ただし、梁部４は、このような構造に限定されるわけではなく、例えば、１本の柱状部材で形成してもよいし、３本以上の柱状部材で形成してもよい。なお、図２では、素子部分２１を模式的に３×４の配列で示したが、実際のダイヤフラム基板６は、さらに多数の素子部分２１を含む。
【００３６】
図３に、図２のダイヤフラム基板６と陽極接合されるキャップ層１７Ａの基板を外側（ダイヤフラム基板６との接合面との反対側の外側基板８Ａ）から見た平面図である。図３のように、外側基板８Ａには、絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂによって、狭い帯状の山状部分１４Ａが形成される。また、山状部分１４Ａよりも広い帯状部分１５Ａは、絶縁用溝１２Ａによって、山状部分１４Ａと電気的に分離される。なお、図３では、広い帯状部分１５Ａと、狭い帯状の山状部分１４Ａの組を３組模式的に例示したが、実際の外側基板では、さらに、多くの帯状部分１５Ａと、山状部分１４Ａの組が形成される。また、本実施形態の構成では、山状部分１４Ａよりも帯状部分１５Ａを構成したが、可動電極１およびフィードスルー構造５の寸法に依存して、山状部分１４Ａよりも帯状部分１５Ａが狭くなることがありえる。その意味で、山状部分１４Ａを第１帯状部といい、帯状部分１５Ａを第２帯状部のように呼ぶ。
【００３７】
＜物理量センサ製造工程の概要＞
図４および図５に、物理量センサ製造工程の概要を例示する。以下の（１）〜（１０）の番号は、図４および図５の（１）〜（１０）に対応する。（０）は、加工前のシリコン基板を示している。
【００３８】
（１）間隙（ギャップともいう）の形成
可動電極形成用シリコンウェハを熱酸化し、フォトリソグラフィによりフォトレジストにパターン転写後、フォトレジストをマスクにして酸化膜をパターンニングする。ここでは、ＴＭＡＨ（Tetra methyl ammonium hydroxide）によりシリコンをエッチングする。こ
のとき、フォトレジストにマスクされていないシリコンのエッチングされる部分が可動電極１と固定電極２Ａ，２Ｂとの間の間隙となる。
【００３９】
（２）突部３（ストッパ）の形成
さらに、熱酸化により酸化膜１００を形成し、フォトリソグラフィ、酸化膜のパターンニングを実行し、可動電極１のストッパとなる突部３を形成する。
【００４０】
（３）可動電極のパターン形成
フォトリソグラフィ、酸化膜のパターンニングを実行する。
【００４１】
（４）梁部４のパターン形成
さらに、フォトリソグラフィ、酸化膜のパターンニングを実行する。ＴＭＡＨにより、フォトレジストで被覆されていない部分のシリコンをエッチングし、梁部４（ビームともいう）となる部分をエッチングする。
【００４２】
（５）可動電極１、梁部４の形成
さらに、酸化膜をパターンニングし、ＴＭＡＨにより、フォトレジストで被覆されていない部分のシリコンを貫通エッチングする。これにより、可動電極１、絶縁性の突部３、および梁部４が形成される（図１参照）。
【００４３】
（６）両側キャップ層の製作、陽極接合
シリコン基板（８Ａ，８Ｂ）にチップ識別用のマーキングを行う（ここでは図示しない）。マークは、例えば、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）で形成する。次に、外側
基板８Ａ（または８Ｂ）とガラス基板７Ａ（または７Ｂ）を陽極接合する。図５では、外側基板８Ｂとガラス基板７Ｂを例示している。以下、図５は、外側基板８Ｂとガラス基板７Ｂの部分を例示する。
【００４４】
（７）電極取り出し穴（フィードスルー構造５）の形成
ドライフィルムを貼り付け、フォトリソグラフィによるレジストパターン形成後、サンドブラスを吐出し、ガラス基板（７Ａ，７Ｂ）に穴（フィードスルー構造５）を形成する。
【００４５】
（８）固定電極（２Ａ，２Ｂ）形成
固定電極（２Ａ，２Ｂ）の材料、例えば、金、白金、チタン等をスパッタし、リフトオフにより固定電極（２Ａ，２Ｂ）をパターンニングする。例えば、ガラス基板（７Ａ，７Ｂ）上で、金属膜が不要な部分をレジストで保護し、その上に金属を成膜する。レジストを除去すると必要な部分にパターンが残り、固定電極（２Ａ，２Ｂ）が形成される。固定電極（２Ａ，２Ｂ）につながる部分がフィードスルー構造５を通り、外側基板（８Ａ，８Ｂ）に接続される。
【００４６】
（９）電極の分離
ダイシングにより絶縁用溝（１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ）を形成し、これにより、固定電極（２Ａ，２Ｂ）につながる金属部分および外側基板８Ｂ（８Ａ）の山状部分１４Ｂ（１４Ａ）を帯状部分１５Ｂ（１５Ａ）から電気的に分離する。これにより、素子両側のキャップ層（１７Ａ，１７Ｂ）が形成される。
（１０）陽極接合、ダイシング、チップ化
ダイヤフラム基板６と、両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂとの陽極接合を行い、ダイシングにより、物理量センサの素子をチップ化する。さらに、図１に示した電極パッド（可動電極用パッド１０、固定電極用パッド９等）を素子側面に形成する。
【実施例１】
【００４７】
以下、ダイヤフラム基板６と、両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂとの陽極接合に用いる加工装置を例にして、本発明の実施例１を説明する。
【００４８】
図６は、実施例１に係る陽極接合工程の概念を例示する図である。図６のように、陽極接合前、ダイヤフラム基板６と、その両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂとを重ね合わせた基板は、接合ベース３０に搭載される。ダイヤフラム基板６の梁部４の位置と、キャップ層１７Ａ，１７Ｂのフィードスルー構造５とが重なるように位置合わせして、ダイヤフラム基板６とキャップ層１７Ａ，１７Ｂと重ね合わせ、接合ベース３０に搭載する。以下、本加工装置の加工対象であるダイヤフラム基板６とキャップ層１７Ａ，１７Ｂとを重ね合わせたものを基板Ｗという。
【００４９】
接合ベース３０は、土台部５０との絶縁を確保するガラス基板３２（本発明の下部絶縁用基板に相当）と、ガラス基板３２に接合（例えば、陽極接合）されたシリコン基板３１（本発明の導電用基板に相当）を含む。シリコン基板３１には、キャップ層１７Ｂに含まれる外側基板８Ｂに形成された絶縁用溝１３Ａ，１３Ｂと同様の絶縁用溝４３Ａ，４３Ｂが、略同一の間隙幅、略同一の間隔（ピッチ）で形成されている。絶縁用溝４３Ａ，４３Ｂが山状部分５４（本発明の第３帯状部に相当）を形成し、山状部分５４は、絶縁用溝４３Ａによって、シリコン基板３１の他の部分（以下、帯状部分５５といい、本発明の第４帯状部に相当する）と電気的に分離されている。
【００５０】
したがって、外側基板８Ｂに形成された絶縁用溝１３Ａ，１３Ｂと、シリコン基板３１の絶縁用溝４３Ａ，４３Ｂとが重複するようにキャップ層１７Ｂを接合ベース３０に搭載することで、外側基板８Ｂの山状部分１４Ｂと帯状部分１５Ｂとの絶縁を維持して、山状部分１４Ｂと帯状部分１５Ｂをそれぞれシリコン基板３１の山状部分５４と帯状部分５５に接触させることができる。すなわち、山状部分１４Ｂをシリコン基板３１の帯状部分５５から絶縁した状態で山状部分５４に接触させるとともに、帯状部分１５Ｂをシリコン基板３１の山状部分５４から絶縁した状態で帯状部分５５に接触させ、外側基板８Ｂを含むキャップ層１７Ｂを接合ベース３０に搭載できる。
【００５１】
この状態で、端子１４４により外側基板８Ａの山状部分１４Ａを接地することで、固定電極２Ａを含む金属部分を接地できる。同様に、端子１４１によりシリコン基板３１の山状部分５４を接地することで、外側基板８Ｂの山状部分１４Ｂを通じて固定電極２Ｂを含む金属部分を接地できる。
【００５２】
そして、端子４７を通じて、ダイヤフラム基板６を接地するとともに、端子１４３により、外側基板８Ａの帯状部分１５Ａにマイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルト（例えば、マイナス５００ボルト）程度の電圧を加える。端子１４３は、複数の帯状部分１５Ａに対応して複数配列されるので、複数の端子１４３を区別する場合には、１４３−１，１４３−２のように呼ぶことにする。端子１４４についても、同様とする。
【００５３】
同様に、端子１４２によりシリコン基板３１の帯状部分５５にマイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルト程度の電圧を加える。端子１４２は、複数の帯状部分５５に対応して複数配列されるので、複数の端子１４２を区別する場合には、１４２−１，１４２−２のように呼ぶことにする。端子１４１についても、同様とする。
【００５４】
以上のように、外側基板８Ａ，８Ｂの帯状部分１５Ａ，１５Ｂにマイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルト程度の電圧を加えるとともに、ダイヤフラム基板６を接地することで、外側基板８Ａ，８Ｂに隣接するガラス基板７Ａ，７Ｂとダイヤフラム基板６との間にも同程度の電圧を加える結果となり、外側基板８Ａ，８Ｂがダイヤフラム基板６と陽極接合される。この過程で、固定電極２Ａ，２Ｂは、接地されている。
【００５５】
なお、図６では、省略しているが、陽極接合の過程では、加熱手段によって、加工対象のダイヤフラム基板６とキャップ層１７Ａ，１７Ｂに含まれるガラス基板７Ａ，７Ｂとの陽極接合部分は、加熱される。加熱手段は、例えば、接合ベース３０の下方に接地され、接合ベース３０を通じて陽極接合部分を加熱するヒータである。また、加熱手段は、加工対象のダイヤフラム基板６とキャップ層１７Ａ，１７Ｂに放射熱を発する加熱ランプでもよい。
【００５６】
図７は、実施例１に係る加工装置の斜視図の例である。本加工装置は、土台部５０の上に構築される。土台部５０の上には、接合ベース３０が搭載される。接合ベース３０は、図６に示したようにガラス基板３２により土台から絶縁されている。さらに、接合ベース３０の上には、基板Ｗ（ダイヤフラム基板６、およびその両側のキャップ層１７Ａ，１７Ｂを含む）が搭載される。
【００５７】
そして、接合ベース３０の上側に、橋梁状の架橋部材７１，７２が配置される。架橋部材７１，７２は、例えば、ステンレス製で、所定の厚みの板材を切り出した角材の形状である。架橋部材７１（本発明の第３架橋部材に相当）は、両端を固定具１６１（本発明の第３固定手段に相当）によって土台部５０に固定されている。固定具１６１は、円盤上の押さえ構造１６１Ａと、押さえ構造１６１Ａ上のワッシャ１６１Ｂと、ワッシャ上のねじ部１６１Ｃを含む。なお、固定具１６１および架橋部材７１を下方から支持する支持部１
６１Ｄ（図１６Ａ、図１７参照）は、いずれも、例えば、ステンレス製である。また、固定具１６１および支持部１６１Ｄの少なくとも表面をステンレスよりもさらに導電性の高い材料で被覆してもよい。なお、ワッシャ１６１Ｂは必須ではなく、省略しても構わない。
【００５８】
すなわち、ねじ部１６１Ｃがワッシャ１６１Ｂを介して押さえ構造１６１Ａを押圧し、押さえ構造１６１Ａが架橋部材７１を、支持部１６１Ｄを介して接合ベース３０に押圧する。図７の例では、ねじ部１６１Ｃは、雄ねじであり、土台部５０に設けたねじ孔にねじ着されている。ただし、ねじ部１６１Ｃを雌ねじとしてもよい。その場合には、土台部５０から上方に、雄ねじを立てればよい。このようにして架橋部材７１は、固定具１６１と接触し、土台部５０を通じて接地されている。
【００５９】
一方、架橋部材７２（本発明の第４架橋部材に相当）は、絶縁物の支持部１６２Ｄ（図１３Ｂ参照）を介して土台部５０に搭載され、固定具１６２（本発明の第４固定手段に相当）によって土台部５０に固定される。固定具１６２も、固定具１６１と同様、円盤上の押さえ構造１６２Ａと、押さえ構造１６２Ａ上のワッシャ１６２Ｂと、ワッシャ上のねじ部１６２Ｃを含む。ねじ部１６２Ｃの構造は、ねじ部１６１Ｃと同様である。ただし、押さえ構造１６２Ａは、絶縁物であり、架橋部材７２は、ねじ部１６１Ｃ、ワッシャ１６１Ｂおよび土台部５０から絶縁されている（図１３Ｂ参照）。さらに、固定具１６２は、高圧導電板６５を架橋部材７２に押圧している。高圧導電板６５には、図示しない高圧電源からマイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルトの電圧を投入可能となっている。
【００６０】
そして、架橋部材７１には、突起状の端子１４１が配置され、シリコン基板３１の山状部分５４を接地可能となっている。また、架橋部材７２には、端子１４２が配置され、シリコン基板３１の帯状部分５５に、マイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルトの電圧を伝達可能となっている。
【００６１】
同様に、基板Ｗの上側に、橋梁状の架橋部材７３，７４が配置される。架橋部材７３（本発明の第２架橋部材に相当）の構造および作用は、架橋部材７２と同様である。すなわち、架橋部材７３は、絶縁物を介して土台部５０に搭載され、固定具１６３（本発明の第２固定手段に相当）によって、高圧導電板６５とともに、土台部５０に固定されている。固定具１６３の構造は、固定具１６２と同様であるので、その説明を省略する。
【００６２】
また、架橋部材７４（本発明の第１架橋部材に相当）は、土台部５０に搭載され、固定具１６４（本発明の第１固定手段に相当）によって、土台部５０に固定されている。固定具１６４の構造は、固定具１６１と同様であるので、その説明を省略する。
【００６３】
さらに、土台部５０には、接地電極８６（本発明の接地端子に相当）を支持する金属製の支持部８５が設けられている。支持部８５は、Ｌ字アングル状であり、接合ベース３０の上方を架橋し、接地電極８６を基板Ｗ内のダイヤフラム基板６の端子位置までガイドする。接地電極８６は、支持部８５および土台部５０を通じて、ダイヤフラム基板６を接地する。
【００６４】
図８に、接合ベース３０、端子１４１、および端子１４２の接触状態を例示する拡大図を示す。図８は、図７のＡ２矢印方向から、加工装置を見た拡大図である。図８では、接合ベース３０上のシリコン基板３１の帯状部分５５に、高圧（マイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルト）につながる端子１４２が接触している。また、接地電位につながる端子１４１は、山状部分５４（帯状部分５５よりも狭い帯状の部分）に接触している。
【００６５】
図９−図１４により、端子１４１，１４２，１４３，１４４の構造の詳細を例示する。
図９は、架橋部材７２に取り付けられた端子１４２（本発明の第４接触端子に相当）が、シリコン基板３１の帯状部分５５に接触した状態を示す斜視図である。ここでは、端子１４２を例に詳細構造を説明するが、端子１４１，１４３，１４４についても、その構造は同様である。端子１４１が本発明の第３接触端子に相当し、端子１４３が本発明の第２接触端子に相当し、端子１４４が本発明の第１接触端子に相当する。
【００６６】
図１０は、端子１４１，１４２，１４３，１４４を構成するばね内蔵突起ねじ１００の外観図である。図１１は、ばね内蔵突起ねじ１００の正面図である。また、図１２は、正面図に示された平面Ｐ１にて、ばね内蔵突起ねじ１００を切断した断面をＡ３矢印方向に見た断面図である。図１２のように、ばね内蔵突起ねじ１００は、外面にねじ山（雄ねじ）が形成された筒状の外殻部１０１（本発明の装着部に相当）と、外殻部１０１内にて、外殻部１０１の円筒長さ方向に伸縮可能なばね１０２（本発明の弾性体に相当）と、ばね１０２によって、端面を外殻部１０１の円筒長さ方向に弾性的に押圧される突起部１０４（本発明の端子部に相当）を含む。突起部１０４のばね１０２と接触する端面には、円盤状のつば部１０３が形成され、ばね１０２の押圧力を受けている。突起部１０４は、つば部１０３から延伸し、つば部１０３より、半径の小さい軸部を含む。なお、図１２では、ばね１０２は、つる巻き状のばねであるが、本発明の実施は、このようなばねの形状には限定されない。例えば、ばね１０２が板ばねであってもよい。
【００６７】
外殻部１０１は、円筒形状であり、円筒形状の内部空間を有する。円筒長手方向の一端は、閉じられており、他端には、円筒形状の内部空間の内面半径より小さい穴部１０６が設けられている。穴部１０６を通じて、突起部１０４の軸部が突き出している。そして、ばね部１０２は、つば部１０３を突起部１０４の軸部が延伸する方向に付勢し、内壁空間の側壁に押圧している。
【００６８】
外部から、突起部１０４をばね１０２の弾性力に抗する方向に付勢すると、突起部１０４を外殻部１０１に弾性的に押し込むことができる。そして、突起部１０４へのばね１０２の弾性力に抗する方向の付勢をやめると、再び、突起部１０４が外殻部１０１から円筒長さ方向に突き出す。このときの突起部１０４が外殻部１０１から外側に突き出す弾性力は、ばね１０２の縮んだ長さに比例にして強くなる。図１３は、突起部１０４が外殻部１０１から最も長く延びた状態（弾性力が最小の状態）を示し、図１４は、突起部１０４が外殻部１０１の中に押し込まれた状態（弾性力が最大の状態）を示している。
【００６９】
端子１４２を構成するばね内蔵突起ねじ１００は、図９に示すように、架橋部材７１に形成されたねじ穴（雌ねじ）にねじ着されている。なお、図には、明示しないが、内蔵突起ねじ１００の外面のねじ山には、ゆるみ止め防止の接着剤を塗布するようにしてもよい。そして、架橋部材７２をシリコン基板３１に押圧し、固定具１６２で固定すると、ばね１０２の弾性力によって、突起部１０４が弾性的に、シリコン基板３１を押圧することになる。この構造は、端子１４１と架橋部材７１、端子１４３と架橋部材７３、端子１４４と架橋部材７４についても同様である。
【００７０】
図１５−図１７により、加工装置の詳細構成を説明する。図１５は、加工装置を上方（基板Ｗを載置する側）から見た平面図である。図１６Ａは、図１５のＢ１矢印方向から見た側面図（ただし、架橋部材７１、７２の中央右側は省略している）である。図１６Ｂは、架橋部材７１部を取り外した状態で、図１２のＢ１矢印方向から見た側面図（ただし、架橋部材７２の中央右側は省略している）である。図１７は、図１５のＢ２矢印方向から見た正面図である。ただし、図１５では、接合ベース３０および基板Ｗは、省略されている。
【００７１】
図１５のように、土台部５０には、架橋部材７１，７２，７３，７４が配置され、それ
ぞれ固定具１６１，１６２，１６３，１６４によって土台部５０に固定される。架橋部材７１には、シリコン基板３１上の複数の山状部分５４が形成される間隔と同一の間隔で、山状部分５４が配置される位置に端子１４１が架橋部材７１の長手方向に配列される。同様に、架橋部材７２には、シリコン基板３１上の複数の帯状部分５５が形成される間隔と同一の間隔で帯状部分５５が配置される位置に端子１４２が架橋部材７２の長手方向に配列される。
【００７２】
また、架橋部材７４には、基板Ｗの表面の外側基板８Ａ上の複数の山状部分１４Ａが形成される間隔と同一の間隔で山上部１４Ａが配置される位置に端子１４４が架橋部材７４の長手方向に配列される。同様に、架橋部材７３には、基板Ｗの表面の外側基板８Ａ上の複数の帯状部分１５Ａが形成される間隔と同一の間隔で帯状部分１５Ａが配置される位置に端子１４３が架橋部材７４の長手方向に配列される。
【００７３】
図１６Ａ、図１７に示すように、架橋部材７１（７４）は、固定具１６１（１６４）、および土台部５０を通じて接地されている。一方、図１６Ｂ、図１７に示すように、架橋部材７２は、絶縁性の押さえ構造１６２Ａおよび支持部１６２Ｄによって電気的には、土台部５０から絶縁された状態で固定されている。この構造は、架橋部材７２についても同様である。このように、架橋部材７１（７４）は、土台部５０によって接地されている。また、架橋部材７２（７３）には、高圧導電板６５から高電圧の供給が可能となっている。
【００７４】
さらに、図５に示すように、土台部５０には、接地電極８６を支持する金属製の支持部８５が設けられている。また、土台部５０の側方には、基板Ｗのオオリエンテーションフラットを検出するオリエンテーションフラット検出部８１，８２が設けられている。
【００７５】
さらに、土台部５０の下方には、加熱手段９０が設けられている。加熱手段９０は、例えば、内部に電熱線を含むヒータである。
【００７６】
以上の構成により、本加工装置は、土台部５０に、接合ベース３０を搭載し、さらに、基板Ｗを搭載する。本加工装置は、加熱手段９０により、基板Ｗが所定温度に加熱されている。以下の工程は、この加熱状態で実行される。
【００７７】
基板Ｗの外側基板８Ｂの絶縁用溝１３Ａ，１３Ｂと、接合ベース３０のシリコン基板３１の絶縁用溝４３Ａ，４３Ｂとを位置合わせして、基板Ｗを接合ベース３０に搭載する。このとき、リエンテーションフラット検出部８１，８２に対して、基板Ｗのオリエンテーションフラットを合わせることで、位置合わせが容易、かつ、確実となる。
【００７８】
そして、架橋部材７１を端子１４１が接合ベース３０のシリコン基板３１の山状部分５４に接触するように載置し、固定具１６１にて、ねじ止めする。これによって、ばね１０２の弾性力により、端子１４１が安定して山状部分５４に押圧される。その結果、固定電極２Ｂが確実に接地される。
【００７９】
また、架橋部材７２を端子１４２が接合ベース３０のシリコン基板３１の帯状部分５５に接触するように載置し、固定具１６２にて、ねじ止めする。これによって、ばね１０２の弾性力により、端子１４２が安定して帯状部分５５に押圧される。
【００８０】
さらに、架橋部材７４を端子１４４が基板Ｗの外側基板８Ａの山状部分１４Ａに接触するように載置し、固定具１６４にて、ねじ止めする。これによって、ばね１０２の弾性力により、端子１４４が安定して山状部分１４Ａに押圧される。その結果、固定電極２Ａが確実に接地される。
【００８１】
また、架橋部材７３を端子１４３が基板Ｗの外側基板８Ａの帯状部分１５Ａに接触するように載置し、固定具１６３にて、ねじ止めする。これによって、ばね１０２の弾性力により、端子１４３が安定して帯状部分１５Ａに押圧される。
【００８２】
また、支持部８５を通じて、接地電極８６をダイヤフラム基板６のパッド１０に押圧する。これによって、ダイヤフラム基板６は、接地電極８６を通じて接地される。
【００８３】
そして、高圧導電板６５、架橋部材７２，７３、およびシリコン基板３１の帯状部分５５を通じてキャップ層１７Ａ，１７Ｂの帯状部１５Ａ，１５Ｂに、高圧電源から例えば、マイナス数百ボルトからマイナス１０００ボルト程度の電圧を投入することで、陽極接合を実行する。このとき、ダイヤフラム基板６およびダイヤフラム基板６の可動電極１に対向する固定電極２Ａ，２Ｂがともに接地されているので、ダイヤフラム基板６に作用する静電引力は、ほとんど存在しないか、極めて微弱なレベルに抑制できる。したがって、可動電極１の固定電極２Ａ，２Ｂへの固着を抑制した状態で、陽極接合を実行できる。さらに、陽極接合実行後は、電源から高圧導電板６５への高電圧を遮断し、基板Ｗを加工装置から取り外し、基板Ｗをダイシング工程にて切断し、個々の素子２１（図１，図２参照）を形成すればよい。したがって、陽極接合後の特別の工程を追加することなく、安定して陽極接合を実行できる。
【実施例２】
【００８４】
上記実施例１では、端子１４１，１４２，１４３，１４４にばねを設け、架橋部材７１，７２，７３，７４から弾力性を保持して、基板Ｗ（山状部分１４Ａ、帯状部分１５Ａ）、および接合ベース３０（山状部分５４、帯状部分５５）を押圧した。このような構成に代えて、端子１４１，１４２，１４３，１４４をばねのない構成としてもよい。すなわち、固定具１６１，１６２をねじ締めしたときの押圧力によって、端子１４１，１４２を接合ベース３０に押圧するとともに、固定具１６３，１６４をねじ締めしたときの押圧力によって、端子１４３，１４４を基板Ｗに押圧するようにしてもよい。この場合に、ばね１０２のない分だけ、加工装置の構成は簡略化される。しかし、端子１４１，１４２，１４３，１４４に弾性力がないため、固定具１６１，１６２、１６３，１６４の押圧力の調整が難しくなる。また、接触不良を生じる可能性が高くなる。
【実施例３】
【００８５】
図１８および図１９を参照して、本発明の実施例３を説明する。上記実施例１では、端子１４１，１４２，１４３，１４４にばねを設け、架橋部材７１，７２，７３，７４から弾力性を保持して、基板Ｗ（山状部分１４Ａ、帯状部分１５Ａ）、および接合ベース３０（山状部分５４、帯状部分５５）を押圧した。そのような構成に代えて、キャップ層１７Ａ，１７Ｂと同様の構成による電圧供給用の部品（以下、接合用部品２１７Ａ，２１７Ｂという）を設けて、電圧を供給するようにしてもよい。実施例３の他の構成および作用は、実施例１、２と同様である。そこで、同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８６】
図１８に、実施例２に係る陽極接合工程の概念図を示す。また、図１９に、本実施例の加工装置の斜視図を示す。図１８のように、本実施例では、キャップ層１７Ａに接触する接合用部品２１７Ａを設ける。接合用部品２１７Ａの構造は、キャップ層１７Ａの構成と類似する。すなわち、接合用部品２１７Ａは、シリコン基板２０７Ａとガラス基板２０８Ａとを接合した構造である。
【００８７】
シリコン基板２０７Ａには、深さがガラス基盤２０８Ａに達する溝部によって山状部分２１４Ａ（本発明の第５帯状部に相当）と、帯状部分２１５Ａ（本発明の第６帯状部に相
当）が形成されている。接合用部品２１７Ａを基板Ｗに載置したときに、基板Ｗのシリコン基板７Ａに形成した絶縁用溝１２Ａ，１２Ｂがそのまま維持され、山状部分２１４Ａと山状部分１４Ａとが接触し、帯状部分２１５Ａと帯状部分１５Ａが接触する。ガラス基板２０８Ａには、山状部分２１４Ａに接地電位を供給する端子２４４（本発明の第１接地伝導部に相当）と、帯状部分２１５Ａにマイナスの高圧を供給する端子２４３（本発明の第１電源伝導部に相当）が設けられている。端子２４４と、端子２４３は、ガラス基板２０８Ａを貫通する孔部を通る金属の導電路によって、それぞれ山状部分２１４Ａと、帯状部分２１５Ａとに接続されている。
【００８８】
同様に、シリコン基板２０７Ｂには、深さがガラス基盤２０８Ｂに達する溝部によって山状部分２５４（本発明の第７帯状部に相当）と、帯状部分２５５（本発明の第８帯状部に相当）が形成されている。接合用部品２１７Ｂを接合ベース３０に載置したときに、接合ベース３０のシリコン基板３１に形成した絶縁用溝４３Ａ，４３Ｂがそのまま維持され、山状部分２５４と山状部分５４とが接触し、帯状部分２５５と帯状部分５５が接触する。ガラス基板２０８Ｂには、山状部分２５４に接地電位を供給する端子２４１（本発明の第２接地伝導部に相当）と、帯状部分２５５にマイナスの高圧を供給する端子２４２（本発明の第２電源伝導部に相当）が設けられている。
【００８９】
したがって、接合用部品２１７Ａのシリコン基板２０７Ａの帯状部分２１５Ａと、キャップ層１７Ａのシリコン基板７Ａの帯状部分１５Ａが一体になって、接地電位から絶縁され、端子２４３を通じて、マイナスの高電圧を供給可能である。また、接合用部品２１７Ｂのシリコン基板２０７Ｂの帯状部分２５５と、キャップ層１７Ｂのシリコン基板７Ｂの帯状部分５５が一体になって、接地電位から絶縁され、端子２４２を通じて、マイナスの高電圧を供給可能である。
【００９０】
同様に、端子２４４から、互いに接触して一体となる山状部分２１４Ａおよび山状部分１４Ａを通じて、固定電極２Ａに接地電位を供給可能である。また、端子２４１から、互いに接触して一体となる山状部分５４および山状部分２５４を通じて、固定電極２Ｂに接地電位を供給可能である。
【００９１】
一方、ダイヤフラム基板６には、実施例１と同様に、設置電極８６が接地電位を供給する。したがって、以上の構成によっても、固定電極２Ａ，２Ｂを接地した状態で、ダイヤフラム基板６と、その領外のキャップ層１７Ａ，１７Ｂの陽極接合が可能である。
【実施例４】
【００９２】
上記実施例１，２では、架橋部材７１，７２，７３，７４をそれぞれ固定具１６１，１６２，１６３，１６４でねじ締めすることで、土台部５０に対して上下方向に移動し、端子１４１，１４２，１４３，１４４をそれぞれ山状部分５４，帯状部分５５，帯状部分１５Ａ，山状部分１４Ａに押圧した。しかし、このような構成に代えて、例えば、土台部５０に対して上下方向に移動可能なアクチュエータによって、架橋部材７１，７２，７３，７４を移動し、端子１４１，１４２，１４３，１４４をそれぞれ山状部分５４，帯状部分５５，帯状部分１５Ａ，山状部分１４Ａに押圧してもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１  可動電極
２  固定電極
４  梁部
６  ダイヤフラム基板
７Ａ，７Ｂ  ガラス基板
８Ａ，８Ｂ  外側基板
１７Ａ，１７Ｂ  キャップ層
２１  素子
３０  接合ベース
５０  土台
６５  高圧導電板
７１，７２，７３，７４  架橋部
１４１，１４２，１４３，１４４  端子
１６１，１６２，１６３，１６４  固定部
１６１Ｃ  （導電性の）押さえ構造
１６１Ｄ  （導電性の）支持部
１６２Ｃ  （絶縁性の）押さえ構造
１６２Ｄ  （絶縁性の）支持部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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