(57)【要約】【課題】  プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備すること。【選択図】図５
2010171257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、
更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、
前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備する、
半導体積層構造の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記第２の工程が、
前記第１の入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第３の工程と、
前記第２の入射角に基づいて見積もった、前第１の記半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する前記第２の波長の第２の傾きを求める第４の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記光半導体装置の偏波依存性を予測する第５の工程を具備する、
ことを特徴とする半導体積層構造の評価方法。
【請求項３】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層を備えた半導体積層構造とを形成する第１の工程と、
前記半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第２の工程と、
前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記半導体積層構造を加工して、前記第１の半導体層を活性層とする光半導体装置を製造するか否かを判断する第３の工程と、
前記光半導体装置を製造すると判断した場合に、前記半導体積層構造を加工して、前記光半導体装置を製造する第４の工程を具備する、
光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の光半導体装置の製造方法において、
前記第３の工程が、
前記第１の入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第５の工程と、
前記第２の入射角に基づいて見積もった、前第１の記半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する前記第２の波長の第２の傾きを求める第６の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記半導体積層構造を加工して、前記光半導体装置を製造するか否かを判断する第７の工程を具備する、
ことを特徴とする半導体積層構造の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を斜めに入射させて、前記第１の半導体層の第１の発光波長を、前記第１の光の複数の第１の強度に対して測定し、
更に、前記半導体積層構造に、前記第１の光と同じ入射角から、ｐ偏光した第２の光を入射させて、前記半導体層の第２の発光波長を、前記第２の光の複数の第２の強度に対して測定する第１の工程と、
前記第１の強度に対する前記第１の発光波長の関係と、前記第２の強度に対する前記第２の発光波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備する、
半導体積層構造の評価方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記第２の工程が、
前記第１の強度と前記入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する、前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第３の工程と、
前記第２の強度と前記入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する、前記第２の発光波長の第２の傾きを求める第４の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記光半導体装置の偏波依存性を予測する第５の工程を具備する、
半導体積層構造の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体積層構造の評価方法及び光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムでは、光ファイバや各種光素子の状態が、外的要因（環境温度や外力等）によって、時々刻々変化している。光ファイバ等のこのような状態変化が原因となって、信号光の偏波方向が時々刻々変化する。このため、光通信システムで用いる半導体光増幅器（ＳＯＡ； Semiconductor Optical Amplifier）には、どの方向に偏波した信号光が入射しても、常に一定の光利得を発揮する偏波無依存性が求められる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】池上徹彦 監修； 半導体フォト二クス工学, コロナ社, pp.480-481,（1995）.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＳＯＡに求められる偏波無依存性は、具体的には、TEモード（Transverse Electric mode）に対する光利得と、TMモード（Transverse Magnetic mode）に対する光利得との差（偏波間利得差）が、1dB以下になることである。
【０００５】
ＳＯＡの偏波間利得差は、ＳＯＡを形成する活性層（光を増幅する半導体層）のバンド構造に大きく依存する。ところで、活性層のバンド構造は、活性層となる半導体層（以下、活性層と呼ぶ）を、ウエハ（半導体基板）上に成長した段階で決定されている。すなわち、メサエッチング、埋め込み成長、及び電極形成等、活性層をＳＯＡに加工する処理（以下、プロセスと呼ぶ）を開始する前に、既に、形成予定のＳＯＡの偏波特性は略確定している。
【０００６】
従って、プロセスの開始前に、活性層が形成された半導体積層構造を非破壊的に評価して、プロセス後のＳＯＡの偏波特性を予測することができれば、ＳＯＡの歩留まりは向上する。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、プロセス後の光半導体装置（例えば、ＳＯＡ）の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本評価方法は、半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備する半導体積層構造の評価方法である。
【０００９】
また、本製造方法は、半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層を備えた半導体積層構造とを形成する第１の工程と、前記半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第２の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記半導体積層構造を加工して、前記第１の半導体層を活性層とする光半導体装置を製造するか否かを判断する第３の工程と、前記光半導体装置を製造すると判断した場合に、前記半導体積層構造を加工して、前記光半導体装置を製造する第４の工程を具備する光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本評価方法又は本製造方法によれば、光半導体装置となる半導体積層構造を破壊することなく、上記半導体積層構造から形成する光半導体装置（例えば、ＳＯＡ）の偏波特性を予測することが可能になるので、光半導体装置の歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】プロセス前の活性層の偏波特性の評価に用いる試料の構成を説明する図である。
【図２】本発明者が以前に行っていた、活性層の偏波特性の評価方法を説明する図である。
【図３】歪量井戸構造を形成する井戸層の圧縮歪と発光波長の関係の検討に用いた装置の構成を説明する図である。
【図４】励起光の入射角を変えて、活性層の発光波長を測定した結果を説明する図である（井戸層の圧縮応力０．１％）。
【図５】励起光の入射角を変えて、活性層の発光波長を測定した結果を説明する図である（井戸層の圧縮応力０．８％）。
【図６】実施の形態の測定に用いる試料の断面を説明する図である。
【図７】ｓ偏光及びｐ偏光が屈折率が異なる媒質の境界面入射した場合に起きる屈折及び反射を説明する図である。
【図８】ｓ偏光及びｐ偏光の反射率と入射角の関係を説明する図である。
【図９】実施の形態で用いる試料に照射した励起光の挙動を説明する図である。
【図１０】量子井戸構造がを吸収する励起光強度（吸収パワー）とＰＬピーク波長の関係を説明する図である。
【図１１】発光波長の傾きと偏波間利得差の関係を説明する図である。
【図１２】実施例のＳＯＡの製造方法を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１３】
図１は、プロセス前の活性層の偏波特性の評価に用いる試料２の構成を説明する図である。図２は、本発明者が以前に行っていた、活性層の偏波特性の評価方法を説明する図である。
【００１４】
図１に示すように、試料２は、半導体基板４と、半導体基板４上に形成された活性層６と、活性層６の上に形成された半導体層８とを備えている。ここで、半導体基板４は下部クラッド層として機能し、半導体層８は上部クラッド層として機能する。
【００１５】
本発明者が以前に行っていた評価方法では、このような構成の試料２をヘキ開して、評価用のチップ１０に形成する（図２参照）。
【００１６】
そして、チップ１０の端面近傍に励起光１２を照射して、活性層６を光励起する。すると、照射点近傍の端面から、増幅された自然放出光１４（ASE；Amplified Spontaneous Emission）が放出される。このＡＳＥ１４に偏光子を作用させて、ＴＥ偏光１６及びＴＭ偏光１８を抽出し、その強度を測定する。この時測定されるＴＥ偏光１６の強度とＴＭ偏光１８の強度から、活性層６の偏波特性を評価することができる。
【００１７】
しかし、この評価方法では、試料１０を破壊してしまうので、得られたデータを活性層６の成長条件の見直しに用いることはできるが、試料１０を選別にしてＳＯＡの製造に利用することはできない。すなわち、上記評価方法によっては、プロセスの開始前に活性層６の偏波特性を評価をして、所望の基準を満した活性層が形成されたウエハを用いてプロセスすることはできない。
【００１８】
そこで、本実施の形態では、ウエハ状態の試料２にｓ偏光した光（以下、ｓ偏光と呼ぶ）とｐ偏光（以下、ｐ偏光と呼ぶ）した光を照射して、活性層の偏波特性を評価する。
【００１９】
ところで、ＳＯＡの偏波特性は、活性層を歪量子井戸構造で形成し、その井戸層の歪を調整することによって、制御することができる。例えば、井戸層及び障壁層がＩｎＧａＡｓＰによって形成された量子井戸構造（以下、ＩｎＧａＡｓＰ量子構造と呼ぶ）を活性層とするＳＯＡの偏波間利得差は、井戸層を形成するＩｎＧａＡｓＰの圧縮歪を０.１％にすると最も小さくなる。
【００２０】
本発明者は、以下に説明する通り、励起光の入射角を変えると活性層６の発光波長が変化すること、しかも、活性層をｐ偏光で励起した場合、井戸層の歪の大きさが変わると、入射角と発光波長の関係も変わることを発見した。
【００２１】
尚、圧縮歪は、井戸層の格子定数が基板４より大きい場合に発生する歪である。また、半導体層（例えば、活性層６）の歪とは、基板４の格子定数と半導体層の格子定数の差を、半導体層の格子定数で除した値である。但し、当該半導体層は、基板４との格子不整合によって、格子欠陥が半導体層に発生する臨界膜厚より薄いものとする。
【００２２】
―測定装置―
図３は、活性層の歪と発光波長の関係の検討に用いた測定装置１９の構成を説明する図である。尚、図３には、測定対象である試料４１も描かれている。
【００２３】
図３に示すように、測定装置１９は、励起光３４を放射する励起光源２０と、励起光３４を照射された試料４１が放射する光（フォトルミネセンス（Photoluminescence；PL）による光）３５を集光するレンズ２２を備えている。また、測定装置１９は、レンズ２２が集光した光を分光する分光器２４と、分光器２４が分光した光を受光して光電変換する光検出器２６を備えている。
【００２４】
また、測定装置１９は、分光器２４に入射する光を周期的に遮断するチョッパ２８と、チョッパ２８に同期して光検出器２６の出力を位相検波するロックインアンプ３０を備えている。
【００２５】
更に、測定装置１９は、ロックインアンプ３０と分光器２４を制御して試料４１の発光スペクトルを測定する制御装置３２（例えば、パーソナルコンピュータ）を備えている。
【００２６】
ところで、上記励起光源２０は、直線偏光を放射する光源である。例えば、励起光源２０は、YAGレーザである。
【００２７】
また、励起光源２０は、試料４１を中心として回転可能である。本実施の形態では、この試料４１を中心とした励起光源２０の回転により、試料４１への励起光３４の入射角（試料表面に立てた法線と励起光３４がなす角度）３６を変化させる。
【００２８】
また、励起光源２０は、励起光３４が形成する光線を回転軸として、回転可能である。本実施の形態では、この光線を軸とした回転により、ｓ偏光３８とｐ偏光４０ｌを形成する。尚、偏波方向の切り替えは、励起光源２０を９０°回転して行う。
【００２９】
―測定結果―
図４及び図５は、入射角３６を変えて活性層６の発光波長を測定した結果を説明する図である。図６は、本測定に用いた試料４１の断面を説明する図である。
【００３０】
図６に示すように、本試料４１は、ｎ型ＩｎＰ基板４２と、ｎ型ＩｎＰ基板４２上に形成されたＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４と、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の上に積層されたｐ型ＩｎＰ４６を具備している。
【００３１】
ここで、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４（ＩｎＧａＡｓを井戸層とする量子井戸構造）は、歪量子井戸構造である。ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の井戸層の厚さは15ｎｍであり、層数は20である。また、そのInP障壁層の厚さは10ｎｍである。
【００３２】
励起光３４の波長は１０６４ｎｍであり、励起光の強度は0.5Ｗである。従って、励起光３４は、バンドギャップ相当波長が1.65μｍのＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４では吸収されるが、組成波長（バンドギャップ相当波長）が９１９ｎｍのｐ型ＩｎＰ４６及びｎ型ＩｎＰ基板４２では吸収されない。
【００３３】
上述したように、図４及び５は、励起光の入射角３６を変えて測定した、量子井戸構造４４の発光波長の変化を説明する図である。図４及び５の縦軸は、量子井戸構造４４が放射する光を分光して得られるスペクトルのピーク位置（以下、ＰＬピーク波長又は発光波長と呼ぶ）である。一方、横軸は、励起光３４の入射角３６である。入射角３６は３０°乃至７０°であり、入射角３６の刻みは１０°である。
【００３４】
ところで、図４は、井戸層の圧縮歪が０．１％の歪量子井戸構造に対する測定結果である。一方、図５は、井戸層の圧縮歪が０．８％の歪量子井戸構造に対する測定結果である。
【００３５】
図４及び５に示すように、ｓ偏光で励起した場合、ＰＬピーク波長は、入射角３６が増加するに従い短波長化する。一方、ｐ偏光で励起した場合、ＰＬピーク波長は、入射角３６が増加するに従い長波長化する。
【００３６】
そして、ｓ偏光で励起した場合、短波長化の程度は、井戸層の歪の大きさによらず一定である。一方、ｐ偏光で励起した場合、長波長化の程度は、井戸層の歪が大きいほど大きくなる（図４及び５参照）。
【００３７】
―発光波長の入射角依存性―
図４及び５に現れた発光波長の入射角依存性、すなわち発光波長（ＰＬピーク波長）の短波長化及び長波長化は、次のように説明することができる。
【００３８】
図７は、ｓ偏光３８及びｐ偏光４０が、屈折率が異なる媒質の境界面４８に入射した場合に起きる屈折及び反射を説明する図である。
【００３９】
尚、ｓ偏光３８とは、入射光５０の電界の方向が入射面（入射光５０と境界面４８の法線５２が張る面）に垂直な偏光をいう。また、ｐ偏光４０とは、入射光５０の電界が入射面に平行な偏光をいう。
【００４０】
今、入射光５０が、屈折率ｎ１の媒質１から屈折率ｎ２の媒質２に入射した場合を考える。ここで、入射角５４をθ１、屈折角５６をθ２とする。
【００４１】
ｓ偏光に対する反射率Ｒｓ及びｐ偏光に対する反射率Ｒｐは、夫々、下記式（１）及び式（２）によって表される。
【００４２】
【数１】
2010171257.tif 000003
【００４３】
【数２】
2010171257.tif 000004
【００４４】
但し、ｎ＝ｎ２／ｎ１である。
【００４５】
図８は、式（１）及び（２）に従う、ｓ偏光３８及びｐ偏光４０の反射率と入射角θ１の関係を説明する図である。横軸は、入射角θ１である。縦軸は、反射率である。
【００４６】
実線は、ｓ偏光の反射率Ｒｓと入射角θ１の関係を表している。破線は、ｐ偏光の反射率Ｒｐと入射角θ１の関係を表している。
【００４７】
図８に示すように、ｓ偏光の反射率Ｒｓは、入射角θ１が増加するに従って漸増する。一方、ｐ偏光の反射率Ｒｐは、入射角θ１が増加するに従って漸減し一旦ゼロになった後、増加し始める。ここで、ｐ偏光の反射率Ｒｐがゼロとなる入射角θＢは、所謂
Brewster角であり、次式で表される。
【００４８】
【数３】
2010171257.tif 000005
【００４９】
ここで、本実施の形態では、θＢは75°である。
【００５０】
尚、よく知られているように、入射角θ１と屈折角θ２は、下記式（４）を満たす。
【００５１】
【数４】
2010171257.tif 000006
【００５２】
図９は、本実施の形態の試料４１に入射した、励起光３４の挙動を説明する図である。
【００５３】
励起光３４は試料４１の表面に入射角θ１で入射し、その一部が反射されて反射光５８となる。一方、反射されずに試料４１の内部に侵入した励起光３４は、屈折光６０となる。
【００５４】
この時の反射光５８の強度は、励行光３４がｓ偏光かｐ偏光であるかに従って、式（１）又は式（２）によって表される。ここで、媒質１は空気であり、その屈折率ｎ１は１である。一方、媒質２はＩｎＰであり、その屈折率ｎ２は3.17である。
【００５５】
励起光３４の強度をＩとし、反射光５８の反射率をＲとする。すると、屈折光６０の強度は、次式で表される。
【００５６】
【数５】
2010171257.tif 000007
【００５７】
次に、屈折光６０は、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４に入射し一部が吸収された後、試料４１の裏面に到達し、反射されて反射光６４となる。尚、試料４１の裏面は、鏡面又はそれに近い状態とする。
【００５８】
この時、試料４１の裏面に入射する入射光６２の強度は、下記式（６）で表される。また、試料４１の裏面で反射された反射光６４の強度は、下記式（７）で表される。
【００５９】
【数６】
2010171257.tif 000008
【００６０】
【数７】
2010171257.tif 000009
【００６１】
ここで、ｄは、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の厚さである。また、αは、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の吸収係数である。尚、入射光６２の反射率は、励起光３４が試料４１の表面で反射される際の反射率Ｒと同じである。
【００６２】
次に、反射光６４は、再度、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４に入射し一部が吸収された後、試料４１の表面で反射されて反射光６８となる。
【００６３】
この時の入射光６６の強度は、下記式（８）で表される。また、試料４１の表面で反射された反射光６８の強度は、下記式（９）で表される。
【００６４】
【数８】
2010171257.tif 000010
【００６５】
【数９】
2010171257.tif 000011
【００６６】
このように、試料４１に入射した励起光３４は、多重反射を繰り返し、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４によって吸収される。
【００６７】
励起光３４が最初に量子井戸構造４４に入射した際に吸収される光強度は、式（５）と式（６）より、次式で表される。
【００６８】
【数１０】
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【００６９】
また、励起光３４が２度目に量子井戸構造４４に入射した際に吸収される光強度は、式（７）と式（８）より、次式で表される。
【００７０】
【数１１】
2010171257.tif 000013
【００７１】
従って、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度Ｓ（量子井戸構造４４が単位時間当たりに吸収する励起光のエネルギー）は、次式で表すことができる。
【００７２】
【数１２】
2010171257.tif 000014
【００７３】
ここで、Ｎは、励起光３４が試料４１の表面または裏面で反射される回数である。２〜３回反射すると反射光の強度は桁落ちするのでＮは３程度で十分である。尚、励起光３４のビーム径は、全測定に於いて一定である。
【００７４】
この式（１２）に従って、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４が吸収する励起光強度の総和Ｓを計算すると、ｓ偏光に対しては、入射角度θ１が増加するに従って減少する。一方、ｐ偏光に対しては、入射角度θ１が増加するに従って増加する。このよう相違は、図８を参照して説明したｓ偏光及びｐ偏光に対する反射率の相違に起因する。
【００７５】
尚、量子井戸構造４４の厚さｄは、15ｎｍである。また、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の吸収係数αは、５×104ｃｍ−１とした。
【００７６】
ｓ偏光の反射率Ｒ（＝Ｒｓ）は、入射角θ１が増加するに従って増加する（図８参照）。従って、入射角θ１が増加すると、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度の総和Ｓは減少する。その結果、量子井戸構造４４の温度は、低下する。
【００７７】
故に、ｓ偏光を試料４１に照射した場合、入射角θ１が増加するに従って、量子井戸構造４４の発光波長（ＰＬピーク波長）は、低波長側にシフトする（図４及び５参照）。
【００７８】
一方、ｐ偏光の反射率Ｒ（＝Ｒｐ）は、入射角度θ１が増加するに従って、Brewster角θＢまで減少する（図８参照）。従って、入射角度θ１が増加すると、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度の総和Ｓは増加する。その結果、量子井戸構造４４の温度は、上昇する。
【００７９】
このため、ｐ偏光を試料４１に照射した場合、入射角度θ１が増加するに従って、量子井戸構造４４の発光波長（ＰＬピーク波長）は、長波長側にシフトする（図４及び５参照）。
【００８０】
このように、試料４１の発光波長の入射角依存性は、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度の大きさによって説明することができる。
【００８１】
―発光波長の歪依存性―
そこで、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度と試料４１の発光波長の関係を調べた。
【００８２】
図１０は、量子井戸構造４４が吸収する励起光強度（以下、吸収パワーと呼ぶ）とＰＬピーク波長の関係を説明する図である。横軸は、入射角３６が０°の場合の吸収パワーで規格化した吸収パワー（以下、規格化吸収パワーと呼ぶ）である。規格化は、式（１２）に基づいて行った。縦軸は、ＰＬピーク波長である。
【００８３】
図１０中の□は、圧縮歪０.１％の歪量子井戸構造（量子井戸構造４４）を有する、試料４１をｓ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長を表す。○は、圧縮歪０.１％の歪量子井戸構造（量子井戸構造４４）を有する、試料４１をｐ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長を表す。
【００８４】
■は、圧縮歪０.８％の歪量子井戸構造（量子井戸構造４４）を有する、試料４１をｓ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長を表す。●は、圧縮歪０.８％の歪量子井戸構造（量子井戸構造４４）を有する、試料４１をｐ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長を表す。
【００８５】
図１０に示すように、吸収パワーが増加すると、ＰＬピーク波長は長波側へシフトする。これは、上述したように、量子井戸構造４４の温度が上昇するためと考えられる。
【００８６】
励起光がｓ偏光の場合は、ＰＬピーク波長は、歪の大きさによらず、一定の傾きで長波長側にシフトする。一方、励起光がｐ偏光の場合は、ＰＬピーク波長は、歪が大きいほど大きく傾いて、長波長側にシフトする（図１０参照）。
【００８７】
量子井戸構造におけるヘビーホールバンドから伝導帯への光学遷移は、ｓ偏光（ＴＥモード）に対しては許容され、ｐ偏光（ＴＭモード）に対して禁止されている。一方、ライトホールバンドから伝導帯への光学遷移は、ｓ偏光及びｐ偏光の双方に対して許容されている。
【００８８】
また、井戸層に歪が導入されていない場合、ヘビーホールバンド（ＨＨバンド）とライトホールバンド（ＬＨバンド）は縮退している（但し、量子井戸構造が形成されていることによる量子効果は、無視する。）。しかし、井戸層に圧縮歪が導入されると、ヘビーホールバンドとライトホールバンドの縮退は解ける。そして、井戸層の歪が大きくなるほど、ライトホールバンドは伝導帯の奥深く沈み、ヘビーホールバンドとライトホールバンドのエネルギー差は大きくなる。
【００８９】
これらｓ偏光とｐ偏光に対する光学遷移の相違や、圧縮歪による価電子帯サブバンド（ＨＨバンド及びＬＨバンド）の分裂が、ｐ偏光励起による発光波長の傾きが、井戸層の圧縮歪よって異なる原因と考えられる。
【００９０】
例えば、圧縮歪が大きくなってＨＨバンドとＬＨバンドのエネルギー差が大きくなると、ＬＨバンドからＨＨバンドへの正孔の緩和時間が長くなると考えられる。この場合、ＬＨバンドに光励起された正孔のＬＨバンドに於ける滞在時間が、長くなる。すると、伝導帯の電子とＬＨバンドの正孔が活発に非発光再結合して、熱エネルギーを大量に発生すると考えられる。その結果、試料温度が上昇して、井戸層の歪が大きいほど、長波長の傾きが大きくなると考えられる。
【００９１】
―偏波依存性の評価方法―
次に、上述した歪量子井戸構造を活性層とするＳＯＡを作製し、その偏波間利得差を測定した。
【００９２】
図１１は、上記ＳＯＡの偏波間利得差と、その歪量子井戸構造で測定された発光波長の傾きの関係を説明する図である。縦軸は、ＴＭモードに対するＴＥモードの利得差（偏波間利得差）である。横軸は、ｓ偏光で励起した場合の発光波長の傾きに対する、ｐ偏光で励起した場合の発光波長の傾きの比（発光波長の傾きの変化率）である。
【００９３】
活性層となる量子井戸構造の圧縮歪が０.１％の場合には、上記比は１.０になる。この場合、ＳＯＡの偏波間利得差は０ｄＢである（図１１参照）。
【００９４】
一方、活性層となる量子井戸構造の圧縮歪が０.８％の場合には、上記比は３.３になる。この場合、ＳＯＡの偏波間利得差は、２０ｄＢである（図１１参照）。
【００９５】
このように、発光波長の傾きの変化率（図１１の横軸）に基づけば、量子井戸構造４４を活性層として形成する光増幅器の偏波依存性を評価することができる。例えば、発光波長の傾きの変化率が１.０以上１.１以下であれば、ＳＯＡに求められる１.１以下の偏波間利得差を達成することができる。
【００９６】
以上のような知見に基づき、本実施の形態では、以下のようにして、ＳＯＡの活性層となる量子井戸構造の光利得の偏波依存性（ＳＯＡに加工した場合の偏波間利得差）を評価する。
【００９７】
本評価方法では、ｎ型ＩｎＰ基板４２（半導体基板）の上に形成された、活性層となるＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４（半導体層）と、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の上に形成された上部クラッド層の一部となるｐ型ＩｎＰ４６とを備えた半導体積層構造６４を評価する（図６参照）。
【００９８】
本評価方法では、まず、ｓ偏光した第１の光３８を異なった第１の入射角３６から順次入射させて量子井戸構造４４を発光させ、量子井戸構造４４の第１の発光波長を測定する（図３参照）。
【００９９】
更に、本評価方法では、半導体積層構造６４に、ｐ偏光した第２の光４０を順次入射させて異なった第２の入射角３６から量子井戸構造４４を発光させ、量子井戸構造４４の第２の発光波長を測定する（図３参照）。
【０１００】
尚、第１の光３８（ｓ偏光）の強度は一定である。また、第２の光４０（ｐ偏光）の強度は、第１の光３８（ｓ偏光）の強度と同じである。
【０１０１】
次に、本実施の形態では、第１の入射角θ１に対する上記第１の波長（ｓ偏光励起に対するＰＬピーク波長）の関係（図４又は５）と、第２の入射角θ１に対する第２の波長（ｐ偏光励起に対するＰＬピーク波長）の関係（図４又は５）とに基づいて、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４を活性層として形成されるＳＯＡの偏波依存性を予測する。
【０１０２】
具体的には、第１の入射角３６に基づいて見積もった、量子井戸構造４４が吸収する第１の光（ｓ偏光３８）の強度（吸収パワー）に対する第１の発光波長（ＰＬピーク波長）の第１の傾き（ｓ偏光励起領域に於ける傾き）を求める（図１０参照）。
【０１０３】
次に、第２の入射角３６に基づいて見積もった、量子井戸構造４４が吸収する第２の光（ｐ偏光４０）の強度（吸収パワー）に対する第２の波長（ＰＬピーク波長）の第２の傾き（ｐ偏光励起領域に於ける傾き）を求める（図１０参照）。
【０１０４】
尚、第１の光（ｓ偏光３８）及び第２の偏光（ｐ偏光４０）の強度（吸収パワー）は、図１０の横軸のように規格された値でもよいし、規格化前の値でもよい。
【０１０５】
次に、第１の傾きに対する第２の傾きの比（発光波長の傾きの変化率）に基づいて、量子井戸構造４４を活性層として形成される光増幅器の偏波依存性を予測する（図１１参照）。
【０１０６】
本実施の形態では、以上のように量子井戸構造４４が吸収する励起光の強度と発光波長の関係を利用して、半導体積層構造６４を評価する。従って、本評価法によれば、ウエハを破壊することなく、半導体積層構造６４を評価することができる。
【０１０７】
尚、以上の例では、励起光の強度と発光波長の関係から、励起光の強度に対する発光波長の傾きを求めて、光増幅器の偏波依存性を予測している。しかし、励起光の強度と発光波長の関係（図４及び５参照）から、直接光増幅器の偏波依存性を予測することも可能である。
【０１０８】
本評価方法を利用すれば、以下のように、高い歩留まりでＳＯＡを製造することが可能になる。
【０１０９】
まず、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４とｐ型ＩｎＰ４６とを備えた上記半導体積層構造６４を形成する（図６参照）。
【０１１０】
次に、量子井戸構造４４を活性層として形成されるＳＯＡの偏波特性を本評価法によって予測し、その結果に基づいて、半導体積層構造６４を加工して、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４を活性層とするＳＯＡを製造するか否かを判断する。
【０１１１】
そして、上記ＳＯＡを製造すると判断した場合に、半導体積層構造６４を加工して、前記ＳＯＡを製造する。
【０１１２】
上述したように本製造方法で利用する評価方法は、プロセス前の半導体積層構造６４を評価して、プロセス後の光半導体装置（例えば、ＳＯＡ）の偏波特性を予測する非破壊検査である。従って、本製造方法によれば、光半導体装置の歩留まりを高くすることができる。
【実施例】
【０１１３】
本実施例は、半導体光増幅器（ＳＯＡ）の製造方法に関する。
【０１１４】
図１２は、本製造方法を説明する工程図である。
【０１１５】
（i）活性層成長工程１００
まず、図６に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板４２（半導体基板）と、ｎ型ＩｎＰ基板４２の上に形成された、活性層となるＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４（第１の半導体層）と、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４の上に形成された、上部クラッド層の一部となるｐ型ＩｎＰ４６（第２の半導体層）とを備えた半導体積層構造６４を形成する。
【０１１６】
ここで、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４は、上記実施の形態で説明した、井戸層に０.１％の圧縮歪が導入された歪量子井戸構造である。
【０１１７】
尚、量子井戸構造４４を成長する前に、ｎ型ＩｎＰ基板４２上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層を成長してから、ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造４４を成長してもよい。
【０１１８】
（ii）ｓ偏光励起ＰＬ測定工程１０２、p偏光励起ＰＬ測定工程１０４、及び偏波依存性予測工程１０６
次に、上記実施の形態に従って、量子井戸構造４４を活性層として作製したＳＯＡに期待される偏波依存性を予測する。
【０１１９】
まず、半導体積層構造６４に、異なった入射角３６からｓ偏光を順次入射させて、ＰＬピーク波長を測定する（ｓ偏光励起ＰＬ測定工程１０２）。
【０１２０】
次に、半導体積層構造６４に、異なった入射角３６からｐ偏光を順次入射さてＰＬピーク波長を測定する（ｐ偏光励起ＰＬ測定工程１０４）。
【０１２１】
次に、ｓ偏光の入射角３６に基づいて、量子井戸構造４４が吸収するｓ偏光３８の強度（吸収パワーの強度）を見積り、この強度に対するＰＬピーク波長（ｓ偏光励起した場合の発光波長）の傾きを求める。更に、ｐ偏光の入射角３６に基づいて、量子井戸構造４４が吸収するｐ偏光４０の強度（吸収パワー）を見積り、この強度に対するＰＬピーク波長（ｐ偏光励起した場合の発光波長）傾きを求める（図１０参照）。
【０１２２】
次に、上記第１の傾き（ｓ偏光励起した場合のＰＬピーク波長の傾き）に対する、上記第２の傾き（ｐ偏光励起した場合のＰＬピーク波長の傾き）の比に基づいて、量子井戸構造４４を活性層として形成するＳＯＡの偏波依存性を予測する（偏波依存性予測工程１０６、図１１参照）。
【０１２３】
予測結果に基づいて、半導体積層６４を加工してＳＯＡを製造するか否かを判断する。ＳＯＡを製造すると判断した場合には、半導体積層構造６４を加工してＳＯＡを製造する工程に進む。
【０１２４】
具体的には、上記比（発光波長の傾きの変化率）が１.０以上１.１以下の場合に、ＳＯＡを製造すると判断して、下記メサ形成工程１０８に進む。この場合、量子井戸構造４４を活性層として形成するＳＯＡの偏波間利得差は、１.０ｄＢ以下になると期待される。
【０１２５】
一方、上記比がこの条件を満たされない場合には、井戸層の圧縮歪が０.１％になるように量子井戸構造４４の成長条件を見直し、活性層成長工程１００に戻る。
【０１２６】
（iii）メサ形成工程１０８、埋め込み成長工程１１０、クラッド層＆コンタクト層成長工程１１２
次に、半導体積層構造６４にドライエッチングを施して、幅２μｍ程度のメサストライプを形成する（メサ形成工程１０８）。
【０１２７】
次に、上記メサストライプの両側にｐ型ＩｎＰ層とｎ型ＩｎＰ層を順次成長して形成した電流阻止層によって、メサストライプを埋め込む（埋め込み層成長工程１１０）。
【０１２８】
次に、メサストライプ及び電流阻止層の上に、上部クラッド層となるｐ型ＩｎＰ層とｐ型ＩｎＧａＡｓ製のコンタクト層を成長する（クラッド層＆コンタクト層成長工程１１２）。
【０１２９】
なお、半導体積層構造６４を形成するｐ型ＩｎＰ４６と、本工程で形成するｐ型ＩｎＰ層は、一体となって上部クラッド層を形成する。一方、ｎ型ＩｎＰ基板４２は、下部クラッド層として機能する。
【０１３０】
（iv）電極形成工程１１４、チップ化工程１１８
次に、上記コンタクト層の表面及びｎ型ＩｎＰ基板４２の裏面に、夫々電極を形成する（電極形成工程１１４）。
【０１３１】
次に、ウエハ状のｎ型ＩｎＰ基板４２をヘキ開して、チップに分割する。このチップの両端面に反射防止膜を形成して、ＳＯＡを完成する（チップ化工程１１６）。
【０１３２】
（v）特性評価工程１１８及び出荷１２０
以上のようにして作製したＳＯＡの特性（偏光特性を含む）を評価し、不良品を除去してからＳＯＡを出荷する（特性評価工程１１８及び出荷１２０）。
【０１３３】
上述したように、本実施例では量子井戸構造４４が形成されたウエハを非破壊的に検査して、合格したウエハだけを用いてＳＯＡを形成する。
【０１３４】
従って、歩留まりが高くなる。
【０１３５】
（変形例１）
以上の例では、励起光の入射角を変えることによって、量子井戸構造４４が吸収する光の強度（吸収パワー）を変化させている。
【０１３６】
しかし、入射角を一定にして、ｓ偏光及びｐ偏光の強度自体を切り替えてもよい。
【０１３７】
本変形例では、半導体基板４２の上に形成された、活性層となるＩｎＧａＡｓＰ量子井戸構造４４と、量子井戸構造４４の上に形成された、クラッド層となるｐ型ＩｎＰ４６を備えた半導体積層構造６４を評価する（図６参照）。
【０１３８】
そして、本変形例では、この半導体積層構造６４に、ｓ偏光した光３８（以下、ｓ偏光と呼ぶ）を斜めに入射させて量子井戸構造４４を発光させて、量子井戸構造４４の発光波長を、ｓ偏光３８の複数の強度に対して測定する。
【０１３９】
更に、半導体積層構造６４に、ｓ偏光３８と同じ入射角３６から、ｐ偏光した光４０（以下、ｐ偏光と呼ぶ）を入射させて量子井戸構造４４を発光させて、量子井戸構造４４の発光波長を、ｐ偏光４０の複数の強度に対して測定する
次に、本変形例では、ｓ偏光３８の強度に対する発光波長（ｓ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長）の関係と、ｐ偏光の強度に対する発光波長（ｐ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長）の関係に基づいて、量子井戸構造４４を活性層として形成される光半導体装置（例えば、ＳＯＡ）の偏波依存性を予測する。
【０１４０】
具体的には、ｓ偏光３８の入射角３６と強度に基づいて見積もった、量子井戸構造４４が吸収するｓ偏光３８の強度（吸収パワー）に対する発光波長（ｓ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長）の第１の傾きを求める。
【０１４１】
次に、ｐ偏光４０の入射角３６と強度に基づいて見積もった、量子井戸構造４４が吸収するｐ偏光４０の強度（吸収パワー）に対する、発光波長（ｐ偏光で励起した場合のＰＬピーク波長）の第２の傾きを求める。
【０１４２】
最後に、上記第１の傾きに対する上記第２の傾きの比に基づいて、上記半導体層を活性層として形成される半導体装置（例えば、ＳＯＡ）の偏波依存性を予測する。
【０１４３】
本変形例によれば、試料４１を中心として、励起光源２０を回転する必要がないので、測定装置が簡素になる。
【０１４４】
（他の変形例）
以上の例では、半導体積層構造６４に、複数の入射角３６からｓ偏光を順次入射させて、量子井戸構造４４の発光波長を測定する。その後、半導体積層構造６４に、複数の入射角３６からｐ偏光を順次入射させて、量子井戸構造４４の発光波長を測定する。  
【０１４５】
しかし、先に、半導体積層構造６４に、複数の入射角３６からｐ偏光を順次入射させて、量子井戸構造４４の発光波長を測定してもよい。或いは、ｓ偏光を入射させて量子井戸構造４４の発光波長を測定する工程と、ｐ偏光を入射させて量子井戸構造４４の発光波長を測定する工程を交互に実施してもよい。
【０１４６】
また、以上の例では、ＳＯＡの活性層となる半導体層は、歪量子井戸構造によって形成されている。しかし、活性層となる半導体層を、他の構造（例えば、量子ドット構造）によって形成してもよい。
【０１４７】
また、本実施の形態では、ＳＯＡとなる半導体積層構造を評価している。しかし、他の光半導体装置（例えば、半導体レーザ）となる半導体積層構造を評価してもよい。
【０１４８】
或いは、本実施例では、実施の形態の評価方法を利用して、ＳＯＡを製造している。しかし、実施の形態の評価方法を利用して、他の光半導体装置（例えば、半導体レーザ）を製造してもよい。
【０１４９】
以上の実施の形態をまとめると、次の付記のとおりである。
【０１５０】
（付記１）
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、
更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、
前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備する、
半導体積層構造の評価方法。  
【０１５１】
（付記２）
付記１に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記第２の工程が、
前記第１の入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第３の工程と、
前記第２の入射角に基づいて見積もった、前第１の記半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する前記第２の波長の第２の傾きを求める第４の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記光半導体装置の偏波依存性を予測する第５の工程を具備する、
ことを特徴とする半導体積層構造の評価方法。  
【０１５２】
（付記３）
付記１又は２に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記光半導体装置が、半導体光増幅器であることを、
特徴とする半導体積層構造の評価方法。
【０１５３】
（付記４）
付記３に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記第５の工程が、前記比が１.０以上１.1以下である場合に、前記半導体光増幅器の偏波間利得差が１.０以下であると予測する工程であることを、
特徴とする半導体積層構造の評価方法。
【０１５４】
（付記５）
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層を備えた半導体積層構造とを形成する第１の工程と、
前記半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第２の工程と、
前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記半導体積層構造を加工して、前記第１の半導体層を活性層とする光半導体装置を製造するか否かを判断する第３の工程と、
前記光半導体装置を製造すると判断した場合に、前記半導体積層構造を加工して、前記光半導体装置を製造する第４の工程を具備する、
光半導体装置の製造方法。  
【０１５５】
（付記６）
付記５に記載の光半導体装置の製造方法において、
前記第３の工程が、
前記第１の入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第５の工程と、
前記第２の入射角に基づいて見積もった、前第１の記半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する前記第２の波長の第２の傾きを求める第６の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記半導体積層構造を加工して、前記光半導体装置を製造するか否かを判断する第７の工程を具備する、
ことを特徴とする半導体積層構造の製造方法。  
【０１５６】
（付記７）
付記６に記載の光半導体装置の製造方法において、
前記光半導体装置が、半導体光増幅器であることを、
特徴とする光半導体装置の製造方法。
【０１５７】
（付記８）
付記７に記載の光半導体装置の製造方法において、
前記第７の工程が、前記比が１.０以上１.1以下である場合に、前記半導体積層が前記半導体光増幅器の製造することにする工程であることを、
特徴とする光半導体装置の製造方法。
【０１５８】
（付記９）
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を斜めに入射させて、前記第１の半導体層の第１の発光波長を、前記第１の光の複数の第１の強度に対して測定し、
更に、前記半導体積層構造に、前記第１の光と同じ入射角から、ｐ偏光した第２の光を入射させて、前記半導体層の第２の発光波長を、前記第２の光の複数の第２の強度に対して測定する第１の工程と、
前記第１の強度に対する前記第１の発光波長の関係と、前記第２の強度に対する前記第２の発光波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備する、
半導体積層構造の評価方法。  
【０１５９】
（付記１０）
付記９に記載の半導体積層構造の評価方法において、
前記第２の工程が、
前記第１の強度と前記入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第１の光の強度に対する、前記第１の発光波長の第１の傾きを求める第３の工程と、
前記第２の強度と前記入射角に基づいて見積もった、前記第１の半導体層が吸収する前記第２の光の強度に対する、前記第２の発光波長の第２の傾きを求める第４の工程と、
前記第１の傾きに対する前記第２の傾きの比に基づいて、前記光半導体装置の偏波依存性を予測する第５の工程を具備する、
半導体積層構造の評価方法。        
【符号の説明】
【０１６０】
２・・・試料      ４・・・半導体基板      ６・・・活性層
８・・・半導体層      １０・・・チップ
１２・・・励起光      １４・・・増幅された自然放出光（ＡＥＳ）
１６・・・ＴＥ偏光      １８・・・ＴＭ偏光
１９・・・測定装置      ２０・・・励起光源
２２・・・レンズ      ２４・・・分光器      ２６・・・光検出器
２８・・・チョッパ      ３０・・・ロックインアンプ
３２・・・制御装置      ３４・・・（実施の形態の）励起光
３５・・・ＰＬ光      ３６・・・入射角      ３８・・・ｓ偏光
４０・・・ｐ偏光      ４１・・・（実施の形態の）試料
４２・・・ｎ型ＩｎＰ基板      ４４・・・ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造
４６・・・ｐ型ＩｎＰ      ４８・・・境界面
５０・・・入射光      ５２・・・法線      ５４・・・入射角
５６・・・屈折角      ５８・・・反射光      ６０,６２・・・屈折光
６４・・・半導体積層構造
【図１】
2010171257.tif 000015
【図２】
2010171257.tif 000016
【図３】
2010171257.tif 000017
【図４】
2010171257.tif 000018
【図５】
2010171257.tif 000019
【図６】
2010171257.tif 000020
【図７】
2010171257.tif 000021
【図８】
2010171257.tif 000022
【図９】
2010171257.tif 000023
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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