(57)【要約】【課題】パネル特性の優れたＰＤＰの製造法を提供すること。【解決手段】(ｉ）前面板および背面板を準備する工程、 (ｉｉ)前面板または背面板にガラスフリット材料を供して環状ガラスフリット封着部を形成する工程、（ｉｉｉ）前面板と背面板とを対向配置する工程、（ｉｖ）前面板と背面板との間に乾燥ガスを流す工程、ならびに、（ｖ）前面板と背面板とを封着させる工程を含んで成り、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、Ｘ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物から保護層を形成し、また、環状ガラスフリット封着部の軟化点以下までは前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流すことを特徴とするＰＤＰ製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
(ｉ）基板Ａ上に電極Ａと誘電体層Ａと保護層とが形成された前面板、および、基板Ｂ上に電極Ｂと誘電体層Ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板を準備する工程、
(ｉｉ)基板Ａまたは基板Ｂの周縁領域にガラスフリット材料を供して、環状ガラスフリット封着部を形成する工程、
（ｉｉｉ）環状ガラスフリット封着部を挟むように前面板と背面板とを対向配置する工程、
（ｉｖ）対向配置された前面板と背面板との間に乾燥ガスを流す工程、ならびに
（ｖ）環状ガラスフリット封着部を溶融させて前面板と背面板とを封着させる工程
を含んで成り、
工程（ｉ）においては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、Ｘ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物から保護層を形成し、また
工程（ｉｖ）の実施に際して工程（ｖ）を併せて実施し、環状ガラスフリット封着部の軟化点以下までは前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流すことを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
工程（ｉｖ）では、対向配置された前面板と背面板との間の空間が０（０を除く）〜３５０Ｐａの陽圧状態となるようにガスを吹き込むことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
乾燥ガスとして、不活性ガス、希ガスおよび乾燥空気から成る群から選択される少なくとも１種類以上のガスを用いることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程（ｉｖ）では、前面板または背面板のいずれかに設けられた開口部からガスを流すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。
【０００３】
ＰＤＰは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法により製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。
【０００４】
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色及び青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００５】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。
【０００６】
また、このようなＰＤＰの駆動方法としては、書き込みをしやすい状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書き込み放電を行う書き込み期間と、書き込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間（サブフィールド）が、画像の１コマに相当する期間（１フィールド）内で複数回繰り返されることによってＰＤＰの階調表示を行っている。
【０００７】
このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護層の役割としては、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどがあげられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、また、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。
【０００８】
保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、ＭｇＯ保護層に不純物を添加する例や、ＭｇＯ粒子をＭｇＯ保護層上に形成した例が開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４および５を参照のこと）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２６０５３５号公報
【特許文献２】特開平１１−３３９６６５号公報
【特許文献３】特開２００６−５９７７９号公報
【特許文献４】特開平８−２３６０２８号公報
【特許文献５】特開平１０−３３４８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション）（１９２０×１０８０画素：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。保護層からの電子放出特性はＰＤＰの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。
【００１１】
すなわち、高精細化された画像を表示するためには、１フィールドの時間が一定にもかかわらず書き込みを行う画素の数が増えるため、サブフィールド中の書き込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには「放電遅れ」と呼ばれるタイムラグの存在があるため、パルスの幅が狭くなれば書き込み期間内で放電が終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題も生じてしまう。
【００１２】
このようにＰＤＰの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならない。
【００１３】
本発明はこのような課題に鑑みなされたものである。つまり、本発明の課題は、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なＰＤＰの製造法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明は、
(ｉ）基板Ａ上に電極Ａと誘電体層Ａと保護層とが形成された前面板、および、基板Ｂ上に電極Ｂと誘電体層Ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板を準備する工程、
(ｉｉ)基板Ａまたは基板Ｂの周縁領域にガラスフリット材料を供して、環状ガラスフリット封着部を形成する工程、
（ｉｉｉ）環状ガラスフリット封着部を挟むように前面板と背面板とを対向配置する工程、
（ｉｖ）対向配置された前面板と背面板との間に乾燥ガスを流す工程（即ち、パネル内部空間もしくは放電空間に乾燥ガスを吹き込む工程）、ならびに
（ｖ）環状ガラスフリット封着部を溶融させて前面板と背面板とを封着させる工程
を含んで成り、
工程（ｉ）においては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、Ｘ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物から保護層を形成し、また
工程（ｉｖ）の実施に際して工程（ｖ）を併せて実施し、環状ガラスフリット封着部の軟化点以下までは前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流すことを特徴とするＰＤＰ製造方法を提供する。
【００１５】
本発明は、パネル特性にとって好適な成分から保護層を形成すると共に、そのような保護層成分を用いることによる不都合を乾燥ガス流れによって回避・除去することを特徴としている。「パネル特性にとって好適な成分」とは、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、Ｘ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物のことを指している。
【００１６】
本発明の製造方法では、対向配置させた前面板と背面板との間の内部空間（即ち、パネル内部空間もしくは放電空間）に乾燥ガスを流すことを想定しているが、乾燥ガスが流し込まれるにつれて、パネル内部空間の圧力は、一般的に、その密閉性に起因して上昇することになり得る。これにより、図１（特に図１（ｂ））に示すように前面板および背面板に変形がもたらされ、パネル内部空間における乾燥ガス流れに影響が生じ得る。つまり、導入される乾燥ガス流れは、それによってもたらされる“前面板または背面板の変形”によって変動することが考えられる。このようなパネル内部空間の乾燥ガス流れの変動は、表示面内の駆動電圧ムラや表示輝度ムラを引き起こしてしまう。従って、本発明では、前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスの流し込み・吹き込みを行う。
【００１７】
上述の説明から分かるように、本明細書において「前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流す」とは、パネル内部空間の圧力に起因して前面板または背面板が変形することのないように乾燥ガスを流すことを実質的に意味している。より具体的に「前面板と背面板とが変形しない」とは、実質的にはパネル変形量が約０〜０．１ｍｍといった一定の範囲内に小さく収まっていることを意味しており、更に言えば、前面板または背面板の中央部の変位量が０〜０．１ｍｍの範囲内に収まっていることを意味している。
【００１８】
このような“前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流す”といった観点でみると、本発明の製造方法は、「対向配置された前面板と背面板との間の空間が必要以上に高い陽圧状態とならないように乾燥ガスを流す」といった特徴を有している。ある好適な態様では、本発明の製造方法は、対向配置された前面板と背面板との間の空間から乾燥ガスがもれる程度の陽圧状態で乾燥ガスを流す。具体的に言えば、対向配置された前面板と背面板との間の空間が０（０を除く）〜３５０Ｐａの陽圧状態、好ましくは０（０を除く）〜１００Ｐａの陽圧状態となるように乾燥ガスを流す。尚、ここでいう「陽圧」とは、対向配置させた前面板と背面板との間の内部空間（即ち、パネル内部空間もしくは放電空間）と、その外部の周辺雰囲気との差圧を実質的に意味している。従って、「陽圧」は、例えば、パネル内部空間の圧力と大気圧との差で表わすことができる。
【００１９】
別の好適な態様では、工程（ｉｖ）において、前面板または背面板のいずれかに設けられた開口部から乾燥ガスを流す。乾燥ガスとしては、不活性ガス（例えば窒素ガス）、希ガスおよび乾燥空気から成る群から選択される少なくとも１種類以上のガスを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の製造方法を用いると、パネル特性に好適な成分から保護層を形成することによる不都合を乾燥ガス流れによって好適に回避・除去することができる。換言すれば、本発明の製造方法では、乾燥ガス流れによりＰＤＰの製造工程中での保護膜と不純物ガスとの不要な反応が抑制できると共に、保護層表面に変質層が一旦形成された場合であっても、乾燥ガスによって変質層を除去できるので、高輝度の表示性能を備えかつ低電圧駆動が可能なＰＤＰを最終的に得ることができる。特に、本発明の製造方法では、パネル内部に供する乾燥ガス流れに変動が生じないようにしているので、上記の“不要な反応の抑制”および“変質層の除去”に対するばらつきを低減することができ、結果的に、表示面内の駆動電圧ムラや表示輝度ムラを防止できる。つまり、放電セル毎の放電特性のばらつきを抑制したＰＤＰを最終的に得ることができるといえる。
【００２１】
尚、本発明の製造方法で得られるＰＤＰについて言えば、保護層における二次電子放出特性を向上させ、輝度を高めるために放電ガスのＸｅガス分圧を大きくした場合でも放電開始電圧を低減することが可能であって、高精細画像でも高輝度で低電圧駆動が可能な表示性能に優れたものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１（ａ）：対向配置された前面板および背面板の態様を模式的に示した斜視図、図１（ｂ）：乾燥ガスの吹込み時に生じ得る前面板および背面板の変形状態を模式的に示した斜視図
【図２（ａ）】ＰＤＰの概略構成を模式的に示した斜視図
【図２（ｂ）】ＰＤＰ前面板を模式的に示した断面図
【図３】環状ガラスフリット封着部、吹込み部およびガス流れの態様を模式的に示した平面図（特に図３（ａ）では複数の吹込み開口部の態様が示され、図３（ｂ）では複数の吹込み溝部の態様が示される）。
【図４】隔壁の形態を模式的に示した斜視図
【図５】前面板と背面板との間のガラフフリット封着部および隔壁の態様を模式的に示した断面図
【図６】ＰＤＰ保護層の下地膜におけるＸ線回折結果を示す図
【図７】ＰＤＰ保護層の他の構成の下地膜におけるＸ線回折結果を示す図
【図８】ＰＤＰ保護層の凝集粒子を説明するための拡大図
【図９】ＰＤＰの放電遅れと保護層中のカルシウム（Ｃａ）濃度との関係を示す図
【図１０】ＰＤＰの電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を示す図
【図１１】ＰＤＰに用いた結晶粒子の粒径と電子放出特性の関係を示す特性図
【図１２】パネルの製造方法を示すフローチャート
【図１３】封着・排気用加熱炉の温度プロファイルの一例を示す図
【図１４】本発明の製造方法のある好適な態様を断面模式的に示す説明図
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下にて、図面を参照して、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２４】
［プラズマディスプレイパネルの構成］
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるプラズマディスプレイパネルを簡単に説明する。図２（ａ）に、ＰＤＰの構成を断面斜視図で模式的に示すと共に、図２（ｂ）にＰＤＰの前面板の断面図を模式的に示す。
【００２５】
本発明のＰＤＰ（１００）の構成は、図２（ａ）に示すように、「基板Ａ（１０）に電極Ａ（１１）と誘電体層Ａ（１５）と保護層（１６）とが設けられた前面板（１）」および「基板Ｂ（２０）上に電極Ｂ（２１）と誘電体層Ｂ（２２）と隔壁（２３）と蛍光体層（２５）とが設けられた背面板（２）」からなる。
【００２６】
図示するように、前面板（１）では基板Ａ（１０）上に電極Ａ（１１）が設けられ、電極Ａ（１１）を覆うように誘電体層Ａ（１５）が基板Ａ（１０）上に設けられ、また、誘電体層Ａ（１５）上に保護層（１６）が設けられている。背面板（２）では基板Ｂ（２０）上に電極Ｂ（２１）が設けられ、電極Ｂ（２１）を覆うように誘電体層Ｂ（２２）が基板Ｂ（２０）上に設けられ、誘電体層Ｂ（２２）上に隔壁（２３）および蛍光体層（２５）が設けられている。前面板（１）と背面板（２）とは、保護層（１６）と蛍光体層（２５）とが互いに向き合うように対向配置されている。前面板（１）および背面板（２）の周縁部は、例えば低融点フリットガラス材料などから成る封着部材によって気密封着されている（図示せず）。前面板（１）と背面板（２）との間に形成された放電空間（３０）には放電ガス（ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど）が例えば２０ｋＰａ〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。
【００２７】
更に具体的に、本発明のＰＤＰ（１００）を説明していく。本発明のＰＤＰ（１００）の前面板（１）は、上述したように、基板Ａ（１０）、電極Ａ（１１）、誘電体層Ａ（１５）および保護層（１６）を有して成る。基板Ａ（１０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ以上かつ約３ｍｍ以下）である。基板Ａ（１０）としては、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板またはホウケイ酸塩ガラス基板などを挙げることができる。電極Ａ（１１）は、基板Ａ（１０）上にストライプ状に平行に複数配置されるものであり、例えば、走査電極（１２）および維持電極（１３）から成る表示電極である。この場合、走査電極（１２）および維持電極（１３）は、それぞれ「酸化インジウム（ＩＴＯ）または酸化スズ（ＳｎＯ２）などから成る透明導電膜である透明電極（１２ａ、１３ａ）」、および、かかる透明電極上に形成された「銀を主成分としたバス電極（１２ｂ、１３ｂ）」から構成される（図２（ｂ）参照）。透明電極（１２ａ、１３ａ）は、蛍光体層で発生した可視光を透過させる電極として主に機能する一方、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は、透明電極の長手方向に導電性を付与するための電極として主に機能する。透明電極（１２ａ、１３ａ）の厚さは、好ましくは約５０ｎｍ〜約５００ｎｍである。また、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）の厚さは、好ましくは約１μｍ以上かつ約２０μｍ以下である。尚、図２（ａ）に示すように、基板Ａ（１０）上にはブラックストライプ（１４）（遮光層）もパターン形成され得る。
【００２８】
誘電体層Ａ（１５）は、基板Ａ（１０）の表面に形成された電極Ａ（１１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層Ａ（１５）は、主としてガラス成分およびビヒクル成分（＝バインダ樹脂および有機溶剤を含んだ成分）から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層Ａ（１５）の上には、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層（１６）が形成されている（厚さは例えば約０．５μｍ以上かつ約１．５μｍ以下）。保護層（１６）は、放電の衝撃（より具体的には「プラズマによるイオン衝撃」）から誘電体層Ａ（１５）を守る機能を有している。
【００２９】
一方、本発明のＰＤＰの背面板（２）は、上述したように、基板Ｂ（２０）、電極Ｂ（２１）、誘電体層Ｂ（２２）、隔壁（２３）および蛍光体層（２５）を有して成る。基板Ｂ（２０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ以上かつ約３ｍｍ以下）であることが好ましく、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板、ホウケイ酸塩ガラス基板または各種セラミック基板などを挙げることができる。電極Ｂ（２１）は、基板Ｂ（２０）上にストライプ状に複数形成される銀を主成分とした電極（厚さは例えば約１μｍ以上かつ約１０μｍ以下）であり、例えば、アドレス電極（またはデータ電極）である。アドレス電極は、各放電セルを選択的に放電させる機能を主に有している。
【００３０】
誘電体層Ｂ（２２）は、下地誘電体層と一般に呼ばれるものであり、基板Ｂ（２０）の表面に形成された電極Ｂ（２１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層Ｂ（２２）は、主としてガラス成分およびビヒクル成分（＝バインダ樹脂および有機溶剤を含んだ成分）から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層Ｂ（２２）の厚さは、例えば約５μｍ以上かつ約５０μｍ以下である。誘電体層Ｂ（２２）の上には、蛍光体材料を主成分とした蛍光体層（２５）が形成されている（厚さは例えば約５μｍ以上かつ約２０μｍ以下程度）。蛍光体層（２５）は、放電によって放射された紫外線を可視光線に変換する機能を主に有している。かかる蛍光体層（２５）は、赤色、緑色および青色を発する蛍光体層を構成単位としており、それぞれが隔壁（２３）で区切られている。隔壁（２３）は、放電空間をアドレス電極（２１）毎に区画する目的で、ストライプ状または井桁状に誘電体層Ｂ（２２）上に形成されている。かかる隔壁（２３）は、ガラス成分、ビヒクル成分およびフィラー等を含んで成るペースト原料から形成される。
【００３１】
本発明のＰＤＰ（１００）では、前面板（１）の表示電極（１１）と背面板（２）のアドレス電極（２１）とが直交するように、前面板（１）と背面板（２）とが放電空間（３０）を挟んで対向して配置されている。このようなＰＤＰ（１００）では、隔壁（２３）によって仕切られ、アドレス電極（２１）と表示電極（１１）とが交差する放電空間（３０）が放電セル（３２）として機能することになる。換言すれば、マトリクス状に配列されている放電セルが画像表示領域を構成している。従って、外部駆動回路から表示電極（１１）に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、かかる放電によって生じる紫外線によって、各色の蛍光体層を励起させて赤色、緑色および青色の可視光を発生させると、カラー画像表示が実現される。
【００３２】
［ＰＤＰの一般的な製造方法］
次に、ＰＤＰの一般的な製造方法について簡潔に説明する。特に言及しない限り、本発明に係るＰＤＰは、原則、一般的なＰＤＰ製造法に基づいて得ることができる。また、特に言及しない限り、各種構成部材の原材料（原料ペースト）／構成材料なども一般的なＰＤＰ製造法で常套的に用いられているものであってよい。
【００３３】
まず、ガラス基板である基板Ａ（１０）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから構成される表示電極（１１）を形成すると共に遮光層（１４）も形成する。走査電極（１２）および維持電極（１３）のそれぞれの透明電極（１２ａ、１３ａ）とバス電極（１２ｂ、１３ｂ）とは、露光・現像するフォトリソグラフィ法などを用いてパターニングできる。透明電極（１２ａ、１３ａ）は薄膜プロセスなどを用いて形成でき、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は銀（Ａｇ）材料を含むペーストを乾燥（１００〜２００℃程度）および焼成（４００〜６００℃程度）に付すことによって形成できる。また、遮光層（１４）も同様に、黒色顔料を含んだ原料ペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料を含んだ原料をガラス基板の全面に設けた後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することによって形成できる。次いで、走査電極（１２）、維持電極（１３）および遮光層（１４）を覆うように基板Ａ（１０）上に、ガラス成分（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などから形成される材料）とビヒクル成分とを主成分とした誘電体原料ペーストをダイコート法または印刷法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。塗布した後、所定の時間放置すると塗布された誘電体ペーストの表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成すると誘電体層Ａ（１５）が形成される。誘電体層Ａ（１５）を形成した後、かかる誘電体層Ａ（１５）上に保護膜（１６）を形成する。保護膜（１６）は、一般的には、真空蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて形成できる。
【００３４】
以上の工程により、基板Ａ（１０）上に所定の構成部材である電極Ａ（走査電極（１２）および維持電極（１３））、誘電体層Ａ（１５）および保護層（１６）が形成され、前面板（１）が完成する。
【００３５】
一方、背面板（２）は次のようにして形成する。まず、ガラス基板である基板Ｂ（２０）上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、銀を主成分とした金属膜を全面に形成した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによって前駆体層を形成し、それを所望の温度（例えば約４００〜約６００℃）で焼成することによりアドレス電極（２１）を形成する。この「アドレス電極」は、クロム／銅／クロムの３層薄膜上にフォトレジストを塗布したものをフォトリソグラフィ及びウェットエッチングによりパターニングして形成してもよい。次いで、アドレス電極（２１）が形成された基板Ｂ（２０）上に、下地誘電体層となる誘電体層Ｂ（２２）を形成する。まず、「ガラス成分（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などから形成される材料）およびビヒクル成分などを主成分とした誘電体原料ペースト」をダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。そして、かかる誘電体ペースト層を焼成することで誘電体層Ｂ（２２）を形成できる。次いで、隔壁（２３）を形成する。具体的には、誘電体層Ｂ（２２）上に隔壁形成用原料ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成し、その後、それを焼成に付して隔壁（２３）を形成する。例えば、低融点ガラス材料、ビヒクル成分およびフィラー等を主成分とした原料ペーストをダイコート法または印刷法によって塗布して約１００℃〜２００℃の乾燥に付した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法でパターニングし、次いで、約４００℃〜約６００℃の焼成に付すことによって隔壁（２３）を形成する。尚、隔壁（２３）は、サンドブラスト法、エッチング法または成型法などを用いることによっても形成できる。次いで、蛍光体層（２５）を形成する。隣接する隔壁（２３）間の誘電体層Ｂ（２２）上および隔壁（２３）の側面に蛍光体材料を含む蛍光体原料ペーストを塗布し、焼成することによって蛍光体層（２５）を形成する。より具体的には、蛍光体粉末およびビヒクル成分等を主成分とした原料ペーストをダイコート法、印刷法、ディスペンス法またはインクジェット法などによって塗布し、次いで、約１００℃の乾燥に付すことによって蛍光体層（２５）を形成する。
【００３６】
以上の工程により、基板Ｂ（２０）上に、所定の構成部材たる電極Ｂ（アドレス電極（２１））、誘電体層Ｂ（２２）、隔壁（２３）および蛍光体層（２５）が形成され、背面板（２）が完成する。
【００３７】
このようにして所定の構成部材を備えた前面板（１）と背面板（２）とは、表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが直交するように対向配置させる。次いで、前面板（１）と背面板（２）の周囲をガラスフリットで封着すると共に、形成される放電空間（３０）に放電ガス（ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど）を封入することによってＰＤＰ（１００）が完成する。
【００３８】
［本発明の製造方法］
本発明は、上述のＰＤＰ製造工程の中でも、特に前面板および背面板の形成後からパネル封着までの製造工程に特色を有している。まず、本発明の各工程について説明し、その後、本発明の特徴的部分を説明する。
【００３９】
本発明の製造方法では、まず、工程（ｉ）を実施する。即ち、基板Ａ上に電極Ａと誘電体層Ａと保護層とが形成された前面板を準備すると共に、基板Ｂ上に電極Ｂと誘電体層Ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板を準備する。かかる前面板および背面板の準備は、上述の［ＰＤＰの一般的な製造方法］で説明しているので、重複を避けるために説明を省略する。尚、保護層は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物から形成する。特に、本発明では、かかる金属酸化物は、Ｘ線回折分析において特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するものである点に留意されたい。このような保護層成分を用いると、パネルの放電開始電圧が低下し、放電遅れが小さくなり放電が安定する。尚、かかる金属酸化物は、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が高いので、そのような金属酸化物が保護層成分に用いられていることは、一般的には、保護層が水、二酸化炭素と反応して放電特性の劣化を引き起こしかないといえる。この点、本発明においては、後述するように吹込みガスとして乾燥ガスを用いて保護層の清浄化を図ることができるので、上述のような不都合な反応は回避されている。
【００４０】
後の工程（ｉｖ）で行う“ガス吹込み”を前面板もしくは背面板のいずれかに設けられた開口部を介して実施する場合では、基板Ａまたは基板Ｂに吹込み開口部（または貫通孔）を形成しておく。例えば、前面板または背面板を準備した後に、ドリル加工またはレーザー加工などの適当な方法で吹込み開口部を形成することができる。吹込み開口部を背面板に設ける場合では、蛍光体のペースト原料を塗布して乾燥させた後に開口部を設けることが好ましい。かかる吹込み開口部は、ガス吹込みに資するものであれば、どのような形状・形態・サイズであってもかまわない（例えば、円形状の吹込み開口部の場合、直径サイズは１〜２０ｍｍ程度であってよい）。また、吹込み開口部の個数は１つに限定されず、場合によっては複数の開口部を形成してよい。かかる場合、図３（ａ）に示すような吹込み開口部（９２ａ）のピッチＬｐは、基板サイズなどによって変わり得るものの、例えば５０〜５００ｍｍ程度である。尚、図示するように、複数個の吹込み開口部（９２ａ）は、前面板（１）または背面板（２）のエッジの長辺に沿って設けることが好ましい。これにより、工程（ｉｖ）で吹き込まれた乾燥ガスが“長辺側”から全体的に流れることになるので、“短辺側”に吹込み開口部を設ける場合と比べて、前面板と背面板との間で形成されるガス流線を短くすることができ、結果的に保護層表面の変質層をより均一性良く除去できる。また、図４に示すように、隔壁は井桁状に形成されており、パネルの長辺方向に沿った隔壁（２３ａ）は短辺方向に沿った隔壁（２３ｂ）よりも低くなっている。従って、“長辺側”からガスを流し込むと、より効果的に前面板と背面板との間にガスを流すことができる。ここで、「複数の吹込み開口部」にいう「複数」とは、２〜１６程度の個数を実質的に意味している。
【００４１】
工程（ｉ）に引き続いて、工程（ｉｉ）を実施する。即ち、基板Ａまたは基板Ｂの周縁領域にガラスフリット材料を塗布して環状ガラスフリット封着部を形成する。より具体的には、前面板と背面板とを対向配置させた際に重なり合う領域の周囲にて一続きの環を成すようにガラスフリット封着部を形成する。このように形成されたガラスフリット封着部は、後に行う封着工程（ｖ）にて前面板と背面板との周縁をシールするために機能する。尚、吹込み開口部が設けられている場合では、環状ガラスフリット封着部が吹込み開口部の外側に位置するようにする。尚、封着に際して自然とガス供給を停止させる場合では、吹込み開口部を塞ぐことができるように吹込み開口部の近傍にも付加的にガラスフリット封着部（図３（ａ）の参照番号８６’）を設けておくことが好ましい（これにより、封着に際して溶融したガラスフリット封着部８６’が吹込み開口部を塞ぐことになる）。用いられるガラスフリット材料は、一般的なＰＤＰの製造において同様の目的で用いられるものであれば特に制限はなく、例えば、低融点ガラス材料（例えば酸化鉛−酸化硼素−酸化珪素系、酸化鉛−酸化硼素−酸化珪素−酸化亜鉛系など）から成るガラスフリット材料であってよい。また、塗布し易いようにビヒクル成分などを含んで成るものであってよい。例えば、ＰｂＯ系、Ｐ２Ｏ５―ＳｎＯ系またはＢｉ２Ｏ３系の低融点ガラス粉末とフィラーとを均一に混合した封着材料に対して「メチルセルロース、ニトロセルロース等の樹脂」と「α−ターピネオール、酢酸アミル等の溶媒」とを含有するビヒクルを添加して、混合攪拌によりペースト状にしたものをガラスフリット材料として用いることができる。このようなガラスフリット材料は好ましくはペースト形態（常温２３℃程度における粘度が５０〜２００Ｐａ・ｓ程度）を有しており、塗布により環状ガラスフリット封着部を形成するものの、固形状のガラスフリット材料を配すことによって環状ガラスフリット封着部を設けてもかまわない。基板Ａまたは基板Ｂの周縁領域に形成された環状ガラスフリット封着部の厚さは２００〜６００μｍ程度であり、その幅は３〜１０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００４２】
なお、環状封着部の材質としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットであってもよい。この酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ２Ｏ５−ＢａＯ−ＴｅＯ−ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
【００４３】
工程（ｉｉ）に引き続いて、工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、環状ガラスフリット封着部が基板Ａと基板Ｂとの間に位置するように、前面板と背面板とを相互に対向状態で配置する（例えば図１（ａ）参照）。別の表現を用いれば、前面板と背面板とは、保護層と蛍光体層とが互いに向き合うように対向して配置されると共に、表示電極とアドレス電極とが直交するように、前面板と背面板とが実質的に平行に配置される。前面板と背面板とが対向配置されると、図５に示すように、環状ガラスフリット封着部（８６）は、前面板（１）と背面板（２）との間に挟まれた形態で存在することになる。対向配置された前面板（１）および背面板（２）は、以後に動かないようにクリップ（７０）などによって保持され得る（図１（ａ）参照）。対向配置された前面板と背面板との間の間隔（即ち、ギャップ幅）は、環状ガラスフリット封着部の厚さなどに依存するが、例えば、好ましくは０．１ｍｍ〜０．６ｍｍであり、より好ましくは０．３〜０．６ｍｍであり、更に好ましくは０．３ｍｍ〜０．５ｍｍである。ちなみに、背面板（２）には隔壁（２３）が設けられているが、図５に示すように、封着処理前の状態では隔壁（２３）の高さよりも環状ガラスフリット封着部（８６）の高さの方が大きいため、隔壁（２３）の頂部は前面板（１）とは接触していない。つまり、パネル内部には隙間があり、その隙間を通るように吹込みガスが流れることができる。
【００４４】
工程（ｉｉｉ）に引き続いて、工程（ｉｖ）を実施する。即ち、パネル内部空間にガスを吹き込む、つまり、対向配置された前面板と背面板との間に乾燥ガスを流す。好ましくは、前面板および背面板を加熱下においた状態で、対向配置された前面板と背面板との間に乾燥ガスを流す。尚、上述したように、ガス吹込みは、例えば、上述した“吹込み開口部”を介して行うことができる。
【００４５】
対向配置された前面板および背面板は、加熱炉または封排炉などのチャンバーに投入することによってそれらを加熱下におくことができる。ガスの吹込みを常温にて開始しつつ、ガスを吹込みながら「対向配置された前面板および背面板」を炉内で加熱することが好ましい。加熱温度は、保護膜と不純物ガス（例えば、水、炭酸ガス等の不純物ガス）との不要な反応を抑制できる限り、または、「保護層表面の変質層を成す不純物（例えば保護層成分に結合しているＣＯ３２−やＯＨ−など）」が脱離することになる限り特に制限はなく、例えば３５０〜４５０℃程度である。
【００４６】
吹き込まれる乾燥ガスは、保護層に対して不活性なガスであることが好ましい。例えば、窒素ガスを挙げることができる。また、ヘリウム、アルゴン、ネオンまたはキセノン等の希ガスを用いてもよい。特に、乾燥ガスとして成分に酸素を含まないガスを用いることは、パネル内の残留有機成分が燃焼し、保護層が炭酸化することを防止するうえで望ましい。また、吹き込まれるガスは、乾燥ガスゆえに、少なくとも水蒸気をほとんど含まないガスであることが望まれる。例えば、吹き込まれる乾燥ガスの水分濃度は１ｐｐｍ以下が好ましい。ここでいう「ガスの水分濃度（ｐｐｍ）」は、乾燥ガスの全体積（０℃１気圧の標準状態）に占める水分（水蒸気）の体積割合を百万分率で示したものであり、常套の露点計で測定することによって得られる値を指している。窒素ガスは比較的高価であるので、乾燥空気を用いるとコスト的に効率の良いＰＤＰ製造法が実現できる。吹込まれるガス流量は、パネルの大きさ、吹込み開口部の個数やサイズ、ガラスフリット封着部の厚さやその頂部凹凸の大きさ等によって最適値は変わってくるものの、概ね０．１ＳＬＭ〜１０ＳＬＭの範囲である（ＳＬＭ：気体の標準状態において１分間に供給したガスの量をリットルで示す単位）。ガス流量が少なすぎると外部の大気が混入したり、清浄化が不十分になるおそれがある一方、逆にガス流量が多すぎるとコスト的に不利になり得るだけでなく、前面板と背面板とが変形し得ることになる。
【００４７】
ここで、環状ガラスフリット封着部の頂部と基板とは接触しているとはいえ、環状ガラスフリット封着部の頂部は完全な平面ではなく数十〜百μｍ程度の凹凸が存在している。例えば、背面板に形成された環状ガラスフリット封着部の頂部と前面板表面との接触界面には、上記凹凸に起因して僅かな隙間が形成されている。従って、吹込み開口部を介して「前面板と背面板との間の空間」へと吹き込まれたガスは、最終的には、環状ガラスフリット封着部と基板との間の隙間領域（例えば、図３（ａ）の態様でいえば領域Ｍ）から排出され得る。尚、必要に応じて、環状ガラスフリット封着部の一部に排出溝部を設けておき、そこから「前面板と背面板との間の空間」へと流れ込んだガスを積極的に排出するようにしてもよい。
【００４８】
本発明の製造方法では、ガス吹き込みの工程（ｉｖ）に際して工程（ｖ）を実施する。即ち、乾燥ガスを吹き込みつつ、環状ガラスフリット封着部を溶融させることによって前面板と背面板とを封着させる。より具体的には、対向配置された前面板と背面板との間に乾燥ガスを流しつつ、加熱により環状ガラスフリット封着部を溶融させて前面板と背面板とを周辺領域で気密接合させる。工程（ｖ）の封着処理の加熱温度は、環状ガラスフリット封着部が溶融できる温度であれば特に制限はない。即ち、一般的なＰＤＰ製造に際して用いられる「封着温度」であってよく、例えば４００℃〜５００℃程度である（ちなみに、「封着温度」とは、前面板と背面板とが封着部材であるフリットにより密閉される状態となる温度のことを指している）。かかる操作について詳述する。乾燥ガスの吹き込みは、常温において開始する。また、乾燥ガスを吹込みながら「対向配置された前面板および背面板」を炉内で加熱する。ガラスフリットの軟化点を越えると環状ガラスフリット封着部が軟化・溶融し、徐々に環状ガラスフリット封着部と前面板との間の隙間（即ち、上述のガラスフリット封着部の頂部に存在する凹凸部）が埋まっていく。軟化後では、環状ガラスフリット封着部が完全に溶融する温度域（例えばガラスフリットの溶融温度よりも１０〜７０℃程度高い温度）にて数分〜十数分パネルを保持した後で冷却する。これにより、ガラスフリットが硬化し、前面板と背面板とが確実に封着されることになる。
【００４９】
本発明の製造方法では、環状ガラスフリット封着部の軟化点以下までは前面板と背面板とが変形しないように乾燥ガスを流す。ここで、本明細書にいう「軟化点」とは、環状ガラスフリット封着部のガラスフリットが軟化する温度を指し、例えば４３０℃程度である。本発明の製造方法では、前面板と背面板とが封着された後、乾燥ガスの供給を停止する。これにより、パネル内部空間の圧力上昇を防止し、前面板と背面板との変形を防止する。詳述すれば、前面板と背面板との気密封着後にてガス吹き込みが続けられた場合では、吹き込まれた乾燥ガスがパネル内部から周囲へと流れ出すことができず、パネル内部に蓄積されてパネル内部の圧力上昇によりパネル変形が生じ得ることになるが、それを回避するために、本発明では前面板と背面板との封着後においては乾燥ガスの供給を停止する。
【００５０】
封着後では、「封着された前面板および背面板」を封着時よりも若干低温（即ち、ガラスフリットの固化状態が維持される温度であって、ガラスフリットの溶融温度よりも１０〜５０℃程度低い温度）に保持しながら、前面板と背面板との間を真空排気する。
【００５１】
真空排気操作が完了すると、前面板と背面板との間に放電ガスを封入する（封入圧力は、例えば３０Ｔｏｒｒ〜３００Ｔｏｒｒ程度である）。封入すべき放電ガスとしては、ＸｅとＮｅの混合ガスを例示できるものの、Ｘｅのみを封入してもよいし、Ｈｅを混入させたものであってもよい。このような排気および封入は、“ガス吹き込みで使用した吹込み開口部”を介して行ってよい。つまり、バルブ切り替えによって、乾燥ガスの吹き込みに使用した開口部から真空引きおよび放電ガス注入を行ってよい。放電ガスが注入されることは、放電空間に放電ガスが封入されることを意味し、結果としてＰＤＰが完成することになる。
【００５２】
（本発明における保護層）
次に、本発明の特徴部分となる“保護層”について詳述する。保護層（１６）は、図２（ｂ）に示すように、誘電体層（１５）上に形成した下地膜（１６ａ）と、下地膜（１６ａ）上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）が複数個凝集させた凝集粒子（１６ｂ’）とから構成されていることが好ましい。また、保護層（１６）において、下地膜（１６ａ）は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる金属酸化物により形成されていることが好ましいが、更にいえば、本発明では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成されていることが望ましい。
【００５３】
下地膜（１６ａ）は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）の単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを用いて薄膜成膜方法によって形成できる。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法を適用することができる。例えば、スパッタリング法では約１Ｐａ、蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では約０．２Ｐａが実際上取り得る圧力の上限と考えられる。また、下地膜（１６ａ）の成膜時の雰囲気としては、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態で行うことが好ましく、成膜時の雰囲気を調整することにより、所定の電子放出特性を有する金属酸化物よりなる下地膜（１６ａ）を形成することができる。
【００５４】
次に、下地膜（１６ａ）上に付着形成する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）の凝集粒子（１６ｂ’）について述べる。これらの結晶粒子（１６ｂ）は、気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が９９．９％以上のマグネシウム金属材料を加熱し、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウムを直接酸化させることができ、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）を作製することができる。
【００５５】
一方、前駆体焼成法では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の前駆体を約７００℃以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）を得ることができる。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド（Ｍｇ（ＯＲ)２）、マグネシウムアセチルアセトン（Ｍｇ（ａｃａｃ)２）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）、硝酸マグネシウム（Ｍｇ(ＮＯ３) ２）、シュウ酸マグネシウム（ＭｇＣ２Ｏ４）の内のいずれか１種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、水和物の形態をとり得るが、本発明ではこのような水和物を用いることもできる。上記の化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の純度が９９.９５％以上、望ましくは９９.９８％以上になるように調整する。これらの化合物中に、各種アルカリ金属、Ｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子を得にくいためである。このため、不純物元素を除去するなどにより予め前駆体を調整することが必要となる。
【００５６】
上記いずれかの方法で得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）を、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、スリットコート法、静電塗布法などによって下地膜（１６ａ）の表面に分散散布させる。その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒除去を図ることによって、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）を下地膜（１６ａ）の表面に定着させることができる。
【００５７】
なお、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）を下地膜（１６ａ）の表面に分散、定着させる方法としては、下地膜（１６ａ）の不純物との反応を抑制する観点から約４００℃以下の低温で実施することが望ましい。
【００５８】
更に、本発明の特徴部分となる“保護層”を詳述していく。本発明の製造方法では、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、Ｘ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物を含んで成る保護層を形成するが、特に、保護層の下地膜（１６ａ）をかかる金属酸化物から形成することが好ましい。換言すれば、保護層の下地膜（１６ａ）を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成し、金属酸化物が下地膜（１６ａ）面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにする。
【００５９】
図６は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの保護層（１６）を構成する下地膜（１６ａ）面におけるＸ線回折結果を示す図である。また、図６中には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体、酸化カルシウム（ＣａＯ）単体、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体、及び酸化バリウム（ＢａＯ）単体のＸ線回折分析の結果も示す。
【００６０】
図６において、横軸はブラッグの回折角（２θ）であり、縦軸はＸ線回折波の強度である。回折角の単位は１周を３６０度とする度で示し、強度は任意単位（ａｒｂｉｔｒａｒｙ  ｕｎｉｔ）で示している。図中には特定方位面である結晶方位面を括弧付けで示している。図６に示すように、結晶方位面の（１１１）では、酸化カルシウム（ＣａＯ）単体では回折角３２．２度、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体では回折角３６．９度、酸化ストロンチウム単体では回折角３０．０度、酸化バリウム単体では回折角２７．９度にピークを有していることがわかる。
【００６１】
図６には、下地膜（１６ａ）を構成する単体成分が２成分の場合についてのＸ線回折結果が示されている。すなわち、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）の単体を用いて形成した下地膜（１６ａ）のＸ線回折結果をＡ点、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の単体を用いて形成した下地膜（１６ａ）のＸ線回折結果をＢ点、さらに、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）の単体を用いて形成した下地膜（１６ａ）のＸ線回折結果をＣ点で示している。
【００６２】
図示するＸ線回折結果から分かるように、Ａ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体の回折角３６．９度と、最小回折角となる酸化カルシウム（ＣａＯ）単体の回折角３２．２度との間である回折角３６．１度にピークが存在している。同様に、Ｂ点、Ｃ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３５．７度、３５．４度にピークが存在している。
【００６３】
図７に、図６と同様に、下地膜（１６ａ）を構成する単体成分が３成分以上の場合のＸ線回折結果を示している。すなわち、図７には、単体成分として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及び酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を用いた場合の結果をＤ点、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及び酸化バリウム（ＢａＯ）を用いた場合の結果をＥ点、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）及び酸化バリウム（ＢａＯ）を用いた場合の結果をＦ点で示している。
【００６４】
図示するＸ線回折結果から分かるように、Ｄ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体の回折角３６．９度と、最小回折角となる酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体の回折角３０．０度との間である回折角３３．４度にピークが存在している。同様に、Ｅ点、Ｆ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３２．８度、３０．２度にピークが存在している。
【００６５】
このように、本発明におけるＰＤＰ保護層の下地膜（１６ａ）では、単体成分として２成分であれ、３成分であれ、下地膜（１６ａ）を構成する金属酸化物のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。
【００６６】
なお、上記の説明では特定方位面としての結晶方位面として（１１１）を対象として説明したが、他の結晶方位面を対象とした場合も金属酸化物のピークの位置が上記と同様である。
【００６７】
酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）の真空準位からの深さは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と比較して浅い領域に存在する。そのため、ＰＤＰを駆動する場合において、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）のエネルギー準位に存在する電子がキセノン（Ｘｅ）イオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。
【００６８】
Ｘ線回折分析の結果が、図６及び図７に示す特徴を有する金属酸化物は、そのエネルギー準位もそれらを構成する単体の酸化物の間に存在している。したがって、下地膜（１６ａ）のエネルギー準位も単体の酸化物の間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。
【００６９】
結果的に、下地膜（１６ａ）では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができ、それゆえ、放電維持電圧を低減することができる。つまり、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノン（Ｘｅ）分圧を高めた場合に、放電電圧を低減し、低電圧でなおかつ高輝度のＰＤＰを実現することが可能となる。
【００７０】
ここで、本発明の製造方法で得られるＰＤＰにおいて、下地膜（１６ａ）の構成を変えた場合のＰＤＰの放電維持電圧について説明する。まず、本発明によるサンプルとして、サンプルＡ（下地膜が酸化マグネシウムと酸化カルシウムによる金属酸化物）、サンプルＢ（下地膜が酸化マグネシウムと酸化ストロンチウムによる金属酸化物）、サンプルＣ（下地膜が酸化マグネシウムと酸化バリウムによる金属酸化物）、サンプルＤ（下地膜が酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化ストロンチウムによる金属酸化物）、サンプルＥ（下地膜が酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化バリウムによる金属酸化物）を準備し、また比較例として、下地膜を酸化マグネシウム単体で構成したものを準備した。
【００７１】
そして、これらのサンプルＡ〜Ｅについて、放電維持電圧を測定すると、比較例を１００とした場合、サンプルＡは９０、サンプルＢは８７、サンプルＣは８５、サンプルＤは８１、サンプルＥは８２の値を示した。
【００７２】
放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の分圧を１０％から１５％へと高めた場合には輝度が約３０％上昇するが、下地膜（１６ａ）が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体の場合の比較例では、放電維持電圧が約１０％上昇する。一方、本発明の製造方法で得られるＰＤＰでは、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤ、サンプルＥともに、放電維持電圧を比較例に比較して約１０％〜２０％低減することができるため、通常動作範囲内の放電開始電圧とすることができ、高輝度で低電圧駆動のＰＤＰを実現することができるといえる。
【００７３】
なお、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）は、単体では反応性が高いために不純物と反応しやすく、そのために電子放出性能が低下しやすいものの、それらの金属酸化物の構成とすることによって、反応性を低減し、不純物の混入や酸素欠損の少ない結晶構造で形成される。つまり、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）を金属酸化物の構成とすることによって、ＰＤＰの駆動時に電子が過剰放出されるのが抑制され、低電圧駆動と二次電子放出性能の両立効果に加えて、適度な電子保持特性の効果も発揮される。この電荷保持特性は、特に初期化期間に貯めた壁電荷を保持しておき、書込期間において書込不良を防止して確実な書込放電を行う上で有効である。
【００７４】
次に、下地膜（１６ａ）上に設けた、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）が複数個凝集した凝集粒子（１６ｂ’）について詳述する。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子（１６ｂ’）は、本願発明者の実験により、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果と、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果が確認されている。そこで本発明では、凝集粒子（１６ｂ’）が下地膜（１６ａ）に比べて高度な初期電子放出特性に優れる性質を利用して、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設している。
【００７５】
「放電遅れ」は、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が下地膜（１６ａ）表面から放電空間中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間に対する初期電子の安定供給に寄与するため、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子（１６ｂ’）を下地膜（１６ａ）の表面に分散配置する。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。したがって、このような初期電子放出特性により、ＰＤＰが高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。なお下地膜（１６ａ）の表面に金属酸化物の凝集粒子（１６ｂ’）を配設する構成では、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果に加え、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果も得られる。
【００７６】
以上のように、本発明の製造方法で得られるＰＤＰでは、低電圧駆動と電荷保持の両立効果を奏する下地膜（１６ａ）と、放電遅れの防止効果を奏する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子（１６ｂ’）とにより保護層を構成することによって、高精細なＰＤＰでも高速駆動を低電圧で実現でき、且つ、点灯不良を抑制した高品位な画像表示性能を実現できる。
【００７７】
ちなみに、本発明の好適な実施形態では、下地膜（１６ａ）上に、結晶粒子（１６ｂ）が数個凝集した凝集粒子（１６ｂ’）を離散的に散布させ、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させる。図８は凝集粒子（１６ｂ’）を説明する拡大図である。
【００７８】
図８に示すように、凝集粒子（１６ｂ’）とは、所定の一次粒径の結晶粒子（１６ｂ）が凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子としては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
【００７９】
また、結晶粒子（１６ｂ）の一次粒子の粒径は、結晶粒子（１６ｂ）の生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのＭｇＯ前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御することができる。一般的に、焼成温度は７００℃〜１５００℃の範囲で選択できるが、焼成温度を比較的高い約１０００℃以上にすることで、その粒径を０．３〜２μｍ程度に制御することが可能である。さらに、結晶粒子（１６ｂ）をＭｇＯ前駆体を加熱して得ることにより、その生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合して凝集粒子（１６ｂ’）を得ることができる。
【００８０】
図９は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰのうち、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）との金属酸化物で構成した下地膜（１６ａ）を用いた場合の放電遅れと保護層中のカルシウム（Ｃａ）濃度との関係を示す図である。下地膜（１６ａ）として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）とからなる金属酸化物で構成し、金属酸化物は、下地膜（１６ａ）面におけるＸ線回折分析において、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のピークが発生する回折角と酸化カルシウム（ＣａＯ）のピークが発生する回折角との間にピークが存在するようにしている。なお、図９には、保護層として下地膜（１６ａ）のみの場合と、下地膜（１６ａ）上に凝集粒子（１６ｂ’）を配置した場合とについて示し、放電遅れは、下地膜（１６ａ）中にカルシウム（Ｃａ）が含有されていない場合を基準として示している。
【００８１】
電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値で、表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量によって表現する。初期電子放出量については表面にイオン、あるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できるが、ＰＤＰの前面板表面の評価を非破壊で実施することは困難を伴う。そこで、特開２００７−４８７３３号公報に記載されている方法を用いた。すなわち、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定し、その逆数を積分すると初期電子の放出量と線形に対応する数値になる。つまり、かかる数値を用いて評価している。放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れの時間を意味し、放電遅れは、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。
【００８２】
図９より明らかなように、下地膜（１６ａ）のみの場合と、下地膜（１６ａ）上に凝集粒子（１６ｂ’）を配置した場合とにおいて、下地膜（１６ａ）のみの場合はカルシウム（Ｃａ）濃度の増加とともに放電遅れが大きくなるのに対し、下地膜（１６ａ）上に凝集粒子（１６ｂ’）を配置することによって放電遅れを大幅に小さくすることができ、カルシウム（Ｃａ）濃度が増加しても放電遅れはほとんど増大しないことがわかる。
【００８３】
次に、本発明の実施の形態における凝集粒子（１６ｂ’）を有する保護層の効果を確認するために行った実験結果について説明しておく。まず、構成の異なる下地膜（１６ａ）と下地膜（１６ａ）上に設けた凝集粒子（１６ｂ’）を有するＰＤＰを試作した。試作品１は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の下地膜（１６ａ）のみの保護層を形成したＰＤＰ、試作品２は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）にＡｌ、Ｓｉなどの不純物をドープした下地膜（１６ａ）のみの保護層を形成したＰＤＰ、試作品３は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）による下地膜（１６ａ）上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子（１６ｂ）の一次粒子のみを散布し付着させた保護層を形成したＰＤＰである。
【００８４】
一方、試作品４は本発明の製造方法で得られるＰＤＰであり、保護層として、前述のサンプルＡを用いている。すなわち、保護層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）との金属酸化物で構成した下地膜（１６ａ）と、下地膜（１６ａ）上に結晶粒子（１６ｂ）を凝集させた凝集粒子（１６ｂ’）を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させている。なお、下地膜（１６ａ）は、下地膜（１６ａ）面のＸ線回折分析において、下地膜（１６ａ）を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。すなわち、この場合の最小回折角は酸化カルシウム（ＣａＯ）の３２．２度、最大回折角は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の３６．９度であり、下地膜９１の回折角のピークが３６．１度に存在するようにしている。
【００８５】
これらのＰＤＰについて、その電子放出性能と電荷保持性能を調べ、その結果を図１０に示す。電子放出性能は上述の方法で評価し、電荷保持性能は、その指標として、ＰＤＰとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧（以下Ｖｓｃｎ点灯電圧と呼称する）の電圧値を用いた。すなわち、Ｖｓｃｎ点灯電圧の低い方が電荷保持能力の高いことを示す。このことは、ＰＤＰを設計する上で、電源や各電気部品として、耐圧及び容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されており、Ｖｓｃｎ点灯電圧としては、温度による変動を考慮して約１２０Ｖ以下に抑えるのが望ましい。
【００８６】
図１０から明らかなように、本発明の実施形態における下地膜（１６ａ）に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶粒子（１６ｂ）を凝集させた凝集粒子（１６ｂ’）を散布して全面に亘って均一に分布させた試作品４は、電荷保持性能の評価において、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１２０Ｖ以下にすることができ、なおかつ電子放出性能が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のみの保護層の場合の試作品１に比べて格段に良好な特性を得ることができる。
【００８７】
一般的にはＰＤＰの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の製膜条件を変更することや、保護層中にＡｌやＳｉ、Ｂａなどの不純物をドーピングして製膜することにより電子放出性能を向上することは可能であるが、副作用としてＶｓｃｎ点灯電圧も上昇してしまう。
【００８８】
本発明実施の形態における試作品４のＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のみの保護層を用いた試作品１の場合に比べて８倍以上の特性を有し、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さいＰＤＰに対しては有用で、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させて、放電遅れを低減して良好な画像表示を実現することができる。
【００８９】
次に、結晶粒子（１６ｂ）の粒径についても詳細に説明しておく。なお、以下の説明において、粒径とは平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことを意味している。
【００９０】
図１１は、上記図１０で説明した本発明の試作品４において、結晶粒子（１６ｂ）の粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。なお、図１１において、結晶粒子（１６ｂ）の粒径は、結晶粒子をＳＥＭ観察することで測長した。図１１に示すように、粒径が０．３μｍ程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ０．９μｍ以上であれば、高い電子放出性能が得られることがわかる。
【００９１】
ところで、放電セル内での電子放出数を増加させるためには、下地膜上の単位面積あたりの結晶粒子（１６ｂ）の数は多い方が望ましいが、本発明者らの実験によれば、前面板の保護層と密接に接触する背面板の隔壁の頂部に相当する部分に結晶粒子が存在することで、隔壁の頂部を破損させ、その材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が発生することが分かった。この隔壁破損の現象は、結晶粒子（１６ｂ）が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子（１６ｂ）の数が多くなれば隔壁の破損発生確率が高くなる。このような観点からは、結晶粒子径が２．５μｍ程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなり、２．５μｍより小さい結晶粒子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができる。
【００９２】
以上の結果より、本発明の製造方法においては、保護層に用いる結晶粒子（１６ｂ）として、粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にあるものを使用すれば、上述した本発明の効果を安定的に得られることがわかった。なお、結晶粒子（１６ｂ）として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）同様に高い電子放出性能を持つＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に限定されるものではない。
【００９３】
（本発明の製造方法の好適な態様）
次に、本発明の製造方法のある好適な態様を図１２〜１４を参照しながら例示する。本発明では、保護層を、上述したような特徴を有する酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化膜からなる金属酸化物により形成するので、パネルの放電開始電圧を低下させ、放電遅れを小さくして放電を安定させることができるものの、これらの材料は、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が高く、特に水、二酸化炭素と反応することにより放電特性が劣化しやすく、放電セル毎の放電特性にばらつきが発生しやすいといえる。そこで、本発明においては、封着工程において、背面板に設けた放電空間に開口する貫通孔を通して放電空間内が陽圧状態となるように乾燥ガスを流すことにより、パネルの製造工程中での保護膜と不純物ガスとの反応を抑制している。また、乾燥ガスは保護層表面から脱離する不純ガスをパネル外に排出する効果があるものの、場合によっては乾燥ガスの流れによって前面板と背面板とが変形し、放電空間が膨らむことがある。封排工程中の放電空間の膨らみは、乾燥ガスの流れのムラを発生させるため、保護層表面に吸着している不純ガスのムラとなり、これが原因で表示面内の駆動電圧ムラや表示輝度ムラを発生させてしまう。そこで、本発明においては、封着工程において、放電空間内が陽圧状態となるように乾燥ガスを流しながら行うとともに、封着部の軟化点以下までは前面板と背面板とが変形しないように放電空間内に乾燥ガスを流すことにより、画像表示時の表示ムラの発生を抑制している。
【００９４】
図１２はＰＤＰの製造工程を示すフローチャートである。図１２に示すように、ＰＤＰは、前面板作成工程及び背面板作成工程と、背面板作成工程により作成した背面板の画像表示領域外部に封着部材であるガラスフリットを塗布し、その後ガラスフリットの樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成するフリット塗布工程と、前面板作成工程で作製した前面板とフリット塗布工程を終了した背面板とを貼付けて封着する封着工程と、この後放電空間内のガスを排気する排気工程と、この後真空排気されたパネル内部にＮｅおよびＸｅなどを主成分とする放電ガスを供給する放電ガス供給工程を経てパネルが完成される。
【００９５】
図１３は本発明の実施の形態に用いる封着工程、排気工程の温度プロファイルの一例を示す図である。
【００９６】
封着工程およびそれに続く排気工程、放電ガス供給工程のプロファイルの詳細は、順を追って以下に説明するが、説明の便宜上、封着工程と、それに続く排気工程、放電ガス供給工程とを、温度の観点から次の４つの期間に分割する。すなわち、図１３に示すように、室温から軟化点まで上昇させる期間（期間１）、軟化点から封着温度まで上昇させ、一定時間保持した後、軟化点まで低下させる期間（期間２）（以上、封着工程）、軟化点温度付近またはそれよりやや低い温度で一定時間保持した後、室温まで低下させる期間（期間３：排気工程）、および、室温まで低下した後の期間（期間４：放電ガス供給工程）である。
【００９７】
図１４は、本発明の実施の形態におけるパネルの製造方法を模式的に示す図であり、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）はそれぞれ上述の期間１〜期間４におけるパネル内部のガスおよびその流れを示す図である。また、図１４において、８６は背面板の周辺部に塗布した封着部材であるガラスフリット、９２は背面板２の背面ガラス基板に設けた貫通孔（即ち、吹込み開口部）で、この貫通孔９２は、放電空間に開口するように背面ガラス基板に設けられている。９４〜９６はバルブである。
【００９８】
まず、表示電極とアドレス電極とが直交して対向するように前面板と背面板とを位置決めして重ね合わせた後、図１４（ａ）に示すように、バルブ９４を開いて、乾燥ガスを貫通孔９２からパネルの内部に流し込みながら、ヒータをオンにして加熱炉内部の温度を封着用のガラスフリット８６の軟化点温度まで上昇させる。
【００９９】
このとき、パネルの内部に流し込まれた乾燥ガスは、符号Ａで示すように、背面板上に形成されたガラスフリット８６と前面板１との隙間からパネルの外部へ漏れ出るように流し込まれている。例えば、乾燥ガスとしては、露点が−４５℃以下の乾燥窒素ガスを用い、その流量は７０ｓｃｃｍ／ｍｉｎ程度であってよい（期間１）。
【０１００】
次に、加熱炉内部の温度がガラスフリット８６の軟化点温度以上になると、図１４（ｂ）に示すように、バルブ９４を閉じて乾燥窒素ガスの導入を停止する。
【０１０１】
そして加熱炉内部の温度を封着温度まで上昇させ、一定時間（例えば３０分）加熱炉内部の温度を封着温度以上の温度に保持する。この間に溶融したガラスフリット８６が僅かに流動し、前面板と背面板との封着が行われる。
【０１０２】
その後、ヒータをオフにして加熱炉の温度を軟化点以下の温度まで下げる（期間２）。
排気工程は、パネル内部のガスを排気する工程である。加熱炉内部の温度が軟化点温度以下になると、図１４（ｃ）に示すように、バルブ９５を開いて、貫通孔９２からガラス管を通してパネルの内部を排気する。そしてヒータを制御して加熱炉内部の温度を所定の時間保持しながら、排気を継続して行う。
【０１０３】
その後、ヒータをオフにして加熱炉内部の温度を室温まで低下させる。この間も排気を継続して行う（期間３）。
【０１０４】
放電ガス供給工程は、真空排気されたパネル内部にＮｅおよびＸｅを主成分とする放電ガスを供給する工程である。加熱炉内部の温度が室温まで低下した後、図１４（ｄ）に示すように、バルブ９５を閉じ、バルブ９６を開いて、貫通孔を通して放電ガスを所定の圧力となるように供給する。
【０１０５】
本実施の形態においては、放電ガスは、例えば、Ｘｅ：１０％、Ｎｅ：９０％の混合ガスであり、所定の気圧は６×１０４Ｐａである。しかしながら、放電ガスはこれに限定されるものではなく、例えば、Ｘｅ：１００％のガスであってもよい。
【０１０６】
その後、使用したガラス管を加熱封止する（期間４）。以上のようにして、前面板と背面板とを貼り合わせ、その間に放電ガスを充填することでＰＤＰが完成する。
【０１０７】
本実施形態に準じて、室温から軟化点まで上昇させる期間（期間１）に封着ステップで７０ｓｃｃｍ／ｍｉｎの窒素ガスを導入した場合では、前面板および背面板により形成されるパネル内部とパネル外部の圧力差が７０Ｐａとなり、この製造方法で作られたパネルのパネル特性（例えば、維持電圧や輝度等）の面内均一性に関しては、非常に良好な結果を得ることができた。
【０１０８】
このように本実施形態においては、封着工程は、背面板に設けた放電空間に開口する貫通孔を通して放電空間内が陽圧状態となるように乾燥ガスを流しながら行うとともに、封着部材の軟化点以下までは前面板と背面板が変形しないように乾燥ガスを流しながら行うことによって、パネル内で局所的に放電セルの放電特性が劣化することなく、放電セル毎の放電特性のばらつきを抑えることができ、放電特性の優れた保護膜を有するパネルを製造することができる。
【０１０９】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば以下の変更態様を挙げることができる。
【０１１０】
●  前面板に形成する誘電体層は、第１誘電体層と第２誘電体層から構成される２層構造となっていてもよい。この場合、第１誘電体層の誘電体材料は、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を２０重量％〜４０重量％、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種を０．５重量％〜１２重量％含み、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％〜７重量％含んで成るものが好ましい。なお、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）に代えて、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化コバルト（Ｃｏ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ７）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％〜７重量％含ませてもよい。また、上記以外の成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０重量％〜４０重量％、酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）を０重量％〜３５重量％、酸化硅素（ＳｉＯ２）を０重量％〜１５重量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を０重量％〜１０重量％など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。このような組成から成る第１誘電体層用ペーストを、表示電極を覆うように前面ガラス基板にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５７５℃〜５９０℃で焼成することによって、第１誘電体層を形成することができる。
一方、第２誘電体層は、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を１１重量％〜２０重量％、さらに、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種を１．６重量％〜２１重量％含み、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％〜７重量％含んで成るものが好ましい。なお、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）に代えて、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化コバルト（Ｃｏ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ７）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化マンガン（ＭｎＯ２）から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％〜７重量％含ませてもよい。また、上記以外の成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０重量％〜４０重量％、酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）を０重量％〜３５重量％、酸化硅素（ＳｉＯ２）を０重量％〜１５重量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を０重量％〜１０重量％など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。このような組成から成る第２誘電体層用ペーストを、第１誘電体層上にスクリーン印刷法あるいはダイコート法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５５０℃〜５９０℃で焼成することによって、第２誘電体層を形成することができる。このようにして製造されたＰＤＰは、表示電極に銀（Ａｇ）材料を用いても、前面ガラス基板の着色現象（黄変）が少なくて、なおかつ、誘電体層中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層を実現することができる。
【０１１１】
●  工程（ｉｖ）のガス吹込みは、環状ガラスフリット封着部に設けられた溝部を介して行ってもよい。この場合、図３（ｂ）に示すように、環状ガラスフリット封着部（８６）に対して複数の吹込み溝部（９２ｂ）を形成してもよい。例えば、吹込み溝部（９２ｂ）は、環状ガラスフリット封着部を形成した後に、溝部に相当する部分を切り欠いて形成することができ、あるいは、ガラスフリット材料を断続的に塗布することによっても形成することができる。吹込み溝部（９２ｂ）のサイズＬａ（図３（ｂ）参照）は、例えば０．１〜５ｍｍ程度であり、吹込み溝部のピッチＬｐ（図３（ｂ）参照）は、基板サイズなどによって変わり得るものの、例えば５０〜５００ｍｍ程度である。上述の吹込み開口部と同様、複数の吹込み溝部は、前面板（１）または背面板（２）のエッジの長辺に沿って設けることが好ましい。吹込み溝部を用いる態様では、封着処理に際して、環状ガラスフリット封着部の軟化・溶融に起因して吹込み溝部が徐々に塞がれることになる。最終的には吹込み溝部が完全に塞がれることになるが、それによって、吹き込まれるガスが、前面板と背面板との間に流れることができず、パネル内部へのガス供給が自動的に停止することになる。このように封着処理時にガス吹込みが自動的に停止することは、ガスの使用量を最小限に抑制できることを意味している。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明の製造方法を通じて最終的に得られるＰＤＰは、パネル寿命に優れているので、一般家庭向けのプラズマテレビおよび商業用プラズマテレビとして好適に用いることができる他、その他の各種表示デバイスとしても好適に用いることができる。特に、本発明は、高画質の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用である。
【符号の説明】
【０１１３】
１        前面板
２        背面板
１０      前面板側の基板Ａ
１１      前面板側の電極Ａ（表示電極）
１２      走査電極
１２ａ    透明電極
１２ｂ    バス電極
１３      維持電極
１３ａ    透明電極
１３ｂ    バス電極
１４      ブラックストライプ（遮光層）
１５      前面板側の誘電体層Ａ
１６      保護層
１６ａ    保護層の下地膜
１６ｂ    保護層の下地膜上に配された結晶粒子
１６ｂ’  結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子
２０      背面板側の基板Ｂ
２１      背面板側の電極Ｂ（アドレス電極）
２２      背面板側の誘電体層Ｂ
２３      隔壁
２３ａ    長辺方向に沿って延在する隔壁
２３ｂ    短辺方向に沿って延在する隔壁
２５      蛍光体層
３０      放電空間
３２      放電セル
７０      クリップ
８６      ガラスフリット封着部
８６'     吹込み開口部を塞ぐためのガラスフリット封着部
８６''    封着処理後のガラスフリット封着部
９２      貫通孔（吹込み開口部）
９２ａ    複数の吹込み開口部
９２ｂ    複数の吹込み溝部
９４      バルブ（乾燥ガス用バルブ）
９５      バルブ（排気用バルブ）
９６      バルブ（放電ガス用バルブ）
Ａ        乾燥ガス
【図１】
2010267436.tif 000002
【図２（ａ）】
2010267436.tif 000003
【図２（ｂ）】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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