(57)【要約】【課題】現像方式の異なる被処理基板にそれぞれ対応することができ、且つフットプリントの増加を低く抑えることのできる現像処理装置を提供する。【解決手段】露光処理後の被処理基板Ｇに対し現像処理を施す現像処理装置３０であって、被処理基板Ｇに対する所定の現像処理機構を有する第一の現像処理部３１と、基板搬送方向に沿って、前記第一の現像処理部３１の後段に配列され、前記第一の現像処理部３１とは異なる現像処理機構を有する第二の現像処理部３４と、前記第一の現像処理部３１の上方に設けられ、前記被処理基板Ｇを、前記第一の現像処理部３１をバイパスさせて前記第二の現像処理部３４に搬送する第一の基板搬送部３２と、前記第二の現像処理機構３４の上方に設けられ、前記第一の現像処理機構３１により現像処理が施された被処理基板Ｇを、前記第二の現像処理部３４をバイパスさせて後段に搬送する第二の基板搬送部３５とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ工程における露光処理後の被処理基板に対し現像処理を施す現像処理装置であって、
被処理基板に対する所定の現像処理機構を有する第一の現像処理部と、
基板搬送方向に沿って、前記第一の現像処理部の後段に配列され、前記第一の現像処理部とは異なる現像処理機構を有する第二の現像処理部と、
前記第一の現像処理部の上方に設けられ、前記被処理基板を、前記第一の現像処理部をバイパスさせて前記第二の現像処理部に搬送する第一の基板搬送部と、
前記第二の現像処理機構の上方に設けられ、前記第一の現像処理機構により現像処理が施された被処理基板を、前記第二の現像処理部をバイパスさせて後段に搬送する第二の基板搬送部とを備えることを特徴とする現像処理装置。
【請求項２】
前記第一の現像処理部と前記第二の現像処理部との間であって、且つ、前記第一の基板搬送部と前記第二の基板搬送部との間には、
前記第一の現像処理部又は前記第一の基板搬送部から受け取った前記被処理基板を昇降移動させ、前記第二の現像処理部又は前記第二の基板搬送部に搬送可能とする基板昇降手段を備えることを特徴とする請求項１に記載された現像処理装置。
【請求項３】
前記第二の基板搬送部は、前記第一の現像処理機構により順次現像処理が施された複数の被処理基板を一時的に蓄えるバッファ手段として機能することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された現像処理装置。
【請求項４】
前記第二の現像処理部は、具備する現像処理機構により順次現像処理が施された複数の被処理基板を一時的に蓄えるバッファ手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板等の被処理基板に、現像処理を施す現像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤの製造においては、ＦＰＤ用のガラス製の基板上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられる。フォトリソグラフィによる回路パターンの形成は、基板上にフォトレジスト膜を塗布形成し、回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光し、これを現像処理するといった手順で行われる。
【０００３】
一般に多く用いられているポジ型のレジストに対する現像処理の場合、現像処理装置としては特許文献１に記載される方式が知られている。即ち、基板をコロ搬送等によるいわゆる平流し式の搬送路で搬送しつつ、スリット状のノズル口を有する現像ノズルによる基板上への現像液の液盛り、リンス液の供給による基板上からの現像液の除去、基板の乾燥を順次行うものである（パドル方式と呼ぶ）。
【０００４】
一方、例えば液晶カラーディスプレイにおけるカラーフィルタでは、ガラス基板上にＲ，Ｇ，Ｂの着色パターンを形成するが、着色パターンの形成においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。その現像処理工程においては、感光性樹脂のうち未露光部分を現像液で除去してパターンを形成する、ネガ型の現像処理が行われる。このため、特許文献２に記載されるように、基板上に現像液を供給する際には、化学的な反応による処理に加えて機械的な衝撃、例えば基板に対して現像液を高圧で噴出する方式が用いられている（スプレー方式と呼ぶ）。
【特許文献１】特開２００３−７５８２号公報
【特許文献２】特許第４０４３０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで近年、レジスト塗布現像処理装置においては、前記のような２つの異なる現像処理方式に効率的に対応するために、１つの現像ユニット内に２つの異なる現像処理機構をそれぞれ設ける構成、或いは、現像処理機構の異なる現像ユニットを並列に設ける構成が用いられている。
しかしながら、現像ユニット内に２つの異なる現像処理機構を具備する場合、使用していない現像処理機構の現像ノズルからの現像液の落下や、チャンバ内に付着した異物の基板上への落下の虞が高く、現像不良の原因となっていた。
また、２つの異なる現像ユニットを並列に設ける場合には、幅方向のフットプリントが大きくなり、所定の設置許容スペースに装置を設置することができないという課題があった。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、現像方式の異なる被処理基板にそれぞれ対応することができ、且つフットプリントの増加を低く抑えることのできる現像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するために、本発明に係る現像処理装置は、フォトリソグラフィ工程における露光処理後の被処理基板に対し現像処理を施す現像処理装置であって、被処理基板に対する所定の現像処理機構を有する第一の現像処理部と、基板搬送方向に沿って、前記第一の現像処理部の後段に配列され、前記第一の現像処理部とは異なる現像処理機構を有する第二の現像処理部と、前記第一の現像処理部の上方に設けられ、前記被処理基板を、前記第一の現像処理部をバイパスさせて前記第二の現像処理部に搬送する第一の基板搬送部と、前記第二の現像処理機構の上方に設けられ、前記第一の現像処理機構により現像処理が施された被処理基板を、前記第二の現像処理部をバイパスさせて後段に搬送する第二の基板搬送部とを備えることに特徴を有する。
【０００８】
このように現像方式の異なる現像処理機構を直列に配置し、その上方にバイパスラインとなる基板搬送部を設けたことにより、被処理基板を、使用されない現像処理機構を通過させず、使用される現像処理機構のみを通過させることができる。これにより２つの異なる現像処理方式への対応が可能となると共に、使用していない現像処理機構の現像ノズルからの現像液の落下や、チャンバ内に付着した異物の基板上への落下といったトラブルを回避することができる。また、下段に現像処理機構を配置することにより、メンテナンスや配管の処置が容易になると共に、上段に現像処理機構を配置した場合の下段への処理液の落下といった不具合を防止することができる。
また、２つの異なる現像処理機構を直列に配置するため、幅方向のフットプリントの増大を抑え、所定の設置許容スペースに装置を設置することができる。
【０００９】
また、前記第一の現像処理部と前記第二の現像処理部との間であって、且つ、前記第一の基板搬送部と前記第二の基板搬送部との間には、前記第一の現像処理部又は前記第一の基板搬送部から受け取った前記被処理基板を昇降移動させ、前記第二の現像処理部又は前記第二の基板搬送部に搬送可能とする基板昇降手段を備えることが望ましい。
このように基板昇降手段を設けることにより、高低差のある基板搬送部と現像処理部との間で被処理基板を受け渡しすることができる。
また、被処理基板に対して現像処理を行う必要がない場合には、基板昇降手段を用いて第一の基板搬送部から第二の基板搬送部へ被処理基板を受け渡すことで、現像処理部をバイパスさせることもできる。
【００１０】
前記第二の基板搬送部は、前記第一の現像処理機構により順次現像処理が施された複数の被処理基板を一時的に蓄えるバッファ手段として機能することが望ましく、前記第二の現像処理部は、具備する現像処理機構により順次現像処理が施された複数の被処理基板を一時的に蓄えるバッファ手段を有することが望ましい。
このように現像処理後の搬送路にバッファ手段を設けることにより、後段の処理装置への搬入調整を行うことができ、また、後段のトラブル発生時における基板の一次退避が可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、現像方式の異なる被処理基板にそれぞれ対応することができ、且つフットプリントの増加を低く抑えることのできる現像処理装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の現像処理装置としての現像ユニットを具備するレジスト塗布現像処理システム１００の概略平面図である。
このレジスト塗布現像処理システム１００においては、被処理基板であるガラス基板Ｇに、例えば有機膜或いは、カラーフィルタ（以下、ＣＦと呼ぶ）のパターン形成が共に可能な構成を有するものとする。このため、後述するように、レジスト塗布現像処理システム１００は、２つの異なる現像処理機構を有する。
【００１３】
先ず、レジスト塗布現像処理装置１００の動作の流れについて簡単に説明する。
このレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって処理ステーション２の搬送ラインＡの上流側端部に搬送され、さらに搬送ラインＡ上を搬送されて、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１で基板Ｇに含まれる有機物の除去処理が行われる。エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１での有機物の除去処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２でスクラブ洗浄処理および乾燥処理が施される。
【００１４】
スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２でのスクラブ洗浄処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）２３で加熱されて脱水される。デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）２３での脱水加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４で疎水化処理が施される。アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４での疎水化処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５で冷却される。
【００１５】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２５で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６でレジスト膜が形成される。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６でのレジスト膜の形成は、基板Ｇが搬送ラインＡ上を搬送されながら、基板Ｇ上にレジスト液が供給されることにより行われる。
尚、ここで、基板Ｇに供給されるフォトレジストは、ＣＦ用の場合、例えばＲ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に着色されたネガ型感光性樹脂であり、有機膜用の場合、所定の有機性のポジ型感光性樹脂が用いられる。
【００１６】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６で所定のレジスト膜が形成された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７で減圧雰囲気に晒されることにより、レジスト膜の乾燥処理が施される。
【００１７】
減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７でレジスト膜の乾燥処理が施された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８でプリベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤が除去される。基板Ｇのプリベーク処理は、搬送ラインＡ上を搬送されながら行われる。プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）２９で冷却される。
【００１８】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２９で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の搬送アーム４３によってロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。
次に、基板Ｇは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺露光装置（ＥＥ）でレジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光処理が施される。
【００１９】
続いて、基板Ｇは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、レジスト膜に所定パターンの露光処理が施される。
なお、基板Ｇは、一時的にロータリーステージ（ＲＳ）４４上のバッファカセットに収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｇは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記される。
【００２０】
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、本発明に係る現像処理装置としての現像ユニット（ＤＥＶ）３０で現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が順次施される。現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理については後に詳細に説明する。
【００２１】
現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、ポストベークユニット（ＰＯＢ）５１でポストベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤および水分が除去され、パターンが基板Ｇに密着する。基板Ｇのポストベーク処理は、後述するコロ搬送機構５によって搬送ラインＢ上を搬送されながら行われる。
【００２２】
なお、現像ユニット（ＤＥＶ）３０とポストベークユニット（ＰＯＢ）５１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けてもよい。ポストベークユニット（ＰＯＢ）５１での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）５２で冷却される。
【００２３】
冷却ユニット（ＣＯＬ）５２で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、検査ユニット（ＩＰ）５３で検査される。検査を通過した基板Ｇは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容されることとなる。
【００２４】
次に、本発明の基板処理装置が適用される現像ユニット（ＤＥＶ）３０について説明する。図２は現像ユニット（ＤＥＶ）３０の概略構成を示す側面図である。図２に示すように、現像ユニット（ＤＥＶ）３０は、第１の処理ブロック３０ａと、基板搬送方向に沿って、この第１の処理ブロック３０ａの後段に直列に配置された第２の処理ブロック３０ｂとを備えている。
第１の処理ブロック３０ａと第２の処理ブロック３０ｂとの間には、基板昇降手段である垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３が設けられ、第１の処理ブロック３０ａから基板Ｇを受け取り、第２の処理ブロック３０ｂへ渡す機能を担っている。
【００２５】
また、第１の処理ブロック３０ａの前段には、外部装置ブロック９０から基板Ｇを受け取り、基板Ｇを上昇または下降移動させた後、第１の処理ブロック３０ａに渡す垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３６が設けられている。さらに、第２の処理ブロック３０ｂの後段には、第２の処理ブロック３０ｂから基板Ｇを受け取り、基板Ｇを上昇または下降移動させた後、後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）５１に渡す垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３７が設けられている。
【００２６】
第１、第２の処理ブロック３０ａ、３０ｂは、それぞれ上下２段構成となされている。第１の処理ブロック３０ａは、下段に露光後の有機膜用レジストを現像する有機膜用現像処理部３１（第一の現像処理部）が設けられ、上段に主にコンベア搬送装置からなるバイパスライン３２（第一の基板搬送部）が設けられている。
【００２７】
第２の処理ブロック３０ｂは、下段に露光後のＣＦ（カラーフィルタ）用レジストを現像するＣＦ用現像処理部３４（第二の現像処理部）が設けられ、上段に主にコンベア搬送装置からなるバイパスライン３５（第二の基板搬送部）が設けられている。
即ち、現像ユニット（ＤＥＶ）３０においては、基板搬送方向に沿って、下段に、異なる２つの現像処理機構が配列され、上段に、２つのバイパスラインが配列されている。このように下段に現像処理機構を配置することにより、メンテナンスや配管の処置が容易になると共に、上段に現像処理機構を配置した場合の下段への処理液の落下といった不具合を防止することができる。
【００２８】
図３は、前記のように現像ユニット（ＤＥＶ）３０の下段に配置された有機膜用現像処理部３１及びＣＦ用現像処理部３４の概略構成を処理ブロックレベルで示す平面図である。
図３に示すように、有機膜用現像処理部３１は、基板搬送方向に沿って、パドル方式により現像液を基板Ｇに塗布する現像液塗布部３１ａ、リンス液により現像液を洗い流すリンス処理部３１ｂ、乾燥流体を基板に吹き付けてリンス液を除去する乾燥処理部３１ｃが配列されている。
【００２９】
一方、ＣＦ用現像処理部３４は、基板搬送方向に沿って、スプレー方式により現像液を基板Ｇに塗布する現像液塗布部３４ａ、リンス液により現像液を洗い流すリンス処理部３４ｂ、乾燥気体を基板Ｇに吹き付けてリンス液を除去する乾燥処理部３４ｃ、現像処理が終了した複数枚の基板Ｇを一時的に蓄えながら後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）に搬送するエレベータコンベア３４ｄ（バッファ手段）が配列されている。
【００３０】
続いて、この現像ユニット（ＤＥＶ）３０における処理動作の流れについて、図４のフローに基づき説明する。
この現像ユニット（ＤＥＶ）３０において、例えばＣＦ用の基板Ｇを現像処理する場合（図４のステップＳ１）、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６によりＣＦ用のレジスト膜が形成され、露光装置により露光処理がなされた基板Ｇが（図４のステップＳ２）、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３６を介して、第１の処理ブロック３０ａのバイパスライン３２に搬入される（図４のステップＳ３）。
【００３１】
バイパスライン３２では、基板Ｇはコンベア搬送装置（図示せず）によって有機膜用現像処理部３１をバイパスして搬送され、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３に引き渡される。そして、基板Ｇは垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３により下段に下降移動され、ＣＦ用現像処理部３４に搬入される（図４のステップＳ４）。
ＣＦ用現像処理部３４では、現像液塗布部３４ａにおいて、スプレー方式による現像塗布、即ち、スプレーノズル（図示せず）から下方向に円錐状に広がるように現像液が吐出され、基板Ｇの表面に塗布される（図４のステップＳ５）。
【００３２】
次いで、リンス処理部３４ｂでは、搬送路の上方及び下方に複数配列されたリンス液供給ノズル（図示せず）により、所定のリンス液（例えば純水）が搬送路を搬送される基板Ｇの上面及び下面に略全幅にわたって吐出される（図４のステップＳ６）。
リンス液によって基板Ｇ上の現像液が洗い流されると、基板Ｇは乾燥処理部３４ｃに搬入される。乾燥処理部３４ｃには、搬送路を搬送される基板Ｇに窒素ガス等の乾燥流体を吐出するエアナイフ（図示せず）が、例えば搬送路の上方及び下方に複数配列されている。エアナイフは、乾燥流体供給源（図示せず）からの乾燥流体を、搬送路を搬送される基板Ｇの上面及び下面に略全幅にわたって吐出し、これによりリンス液が基板Ｇから除去される（図４のステップＳ７）。
【００３３】
乾燥処理部３４ｃでの乾燥処理を終えた基板Ｇは、エレベータコンベア３４ｄに搬送され、そこで複数枚の基板Ｇが一時的に蓄えられる（図４のステップＳ８）。これにより、後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）５１への搬入調整、或いは後段のトラブル発生時における基板Ｇの一次退避が可能となる。
エレベータコンベア３４ｄでバッファリングされた複数枚の基板Ｇは、適宜、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３７を介して後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）５１に搬送されて所定の加熱処理がなされ（図４のステップＳ９）、さらに冷却ユニット（ＣＯＬ）５２により冷却処理がなされる（図４のステップＳ１０）。
【００３４】
一方、有機膜用の基板Ｇを現像処理する場合（図４のステップＳ１）、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６により有機膜用のレジスト膜が形成され、露光装置により露光処理がなされた基板Ｇが（図４のステップＳ１１）、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３６を介して第１の処理ブロック３０ａの有機膜用現像処理部３１に搬入される（図４のステップＳ１２）。
【００３５】
有機膜用現像処理部３１では、先ず、現像液塗布部３１ａにおいてパドル方式による現像液の塗布、即ち、スリット状の吐出口を有するノズル（図示せず）から基板Ｇの全幅に渡って帯状に現像液が供給され、基板Ｇに現像液が塗布される（図４のステップＳ１３）。
現像液が塗布された基板Ｇは、続けてリンス処理部３１ｂ、乾燥処理部３１ｃにおいて、前記ＣＦ用現像処理部３４と同様に、リンス液による洗浄処理（図４のステップＳ１４）、エアナイフによるリンス液の乾燥除去処理が行われる（図４のステップＳ１５）。
【００３６】
有機膜用現像処理部３１での現像処理を終えると、基板Ｇは垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３に引き渡され、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３は基板Ｇをバイパスライン３５に搬入する（図４のステップＳ１６）。ここでバイパスライン３５は、搬送速度の制御がなされ、複数の基板Ｇを一時的に蓄えるバッファ手段として機能する。即ち、後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）５１への搬入調整がなされ、また、後段のトラブル発生時における基板Ｇの一次退避が可能となる。
バイパスライン３５に搬入された基板Ｇは、コンベア搬送装置（図示せず）によってＣＦ用現像処理部３４をバイパスして搬送され、適宜、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３７を介して後段のポストベークユニット（ＰＯＢ）５１に搬入される。そしてポストベークユニット（ＰＯＢ）５１において所定の加熱処理がなされ（図４のステップＳ１７）、さらに冷却ユニット（ＣＯＬ）５２により冷却処理がなされる（図４のステップＳ１８）。
【００３７】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、現像方式の異なる現像処理機構（現像処理部３１，３４）を直列に配置し、その上方にバイパスライン３２、３５を設けたことにより、基板Ｇは、使用されない現像処理機構を通過せず、使用される現像処理機構のみを通過する。これにより２つの異なる現像処理方式への対応が可能となると共に、使用していない現像処理機構の現像ノズルからの現像液の落下や、チャンバ内に付着した異物の基板上への落下といったトラブルを回避することができる。
また、２つの異なる現像処理機構を直列に配置するため、幅方向のフットプリントの増大を抑え、所定の設置許容スペースに装置を設置することができる。
【００３８】
尚、前記実施の形態においては、現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像処理を前提に説明したが、基板Ｇに対して現像処理を行う必要がない場合には、垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）３３を用いてバイパスライン３２からバイパスライン３５へ基板Ｇを受け渡すことで、完全に現像処理をバイパスさせることもできる。
また、前記実施の形態においては、第１の処理ブロック３０ａに有機膜用現像処理部３１を配置し、第２の処理ブロック３０ｂにＣＦ用現像処理部３４を配置したが、本発明は、その例に限定されるものではない。即ち、第１の処理ブロック３０ａにＣＦ用現像処理部３４を配置し、第２の処理ブロック３０ｂに有機膜用現像処理部３１を配置してもよく、或いは、他の互いに異なる現像処理機構を処理ブロック３０ａ、３０ｂにそれぞれ配置する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明の現像処理装置としての現像ユニットを具備するレジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【図２】図２は本発明に係る現像処理装置としての現像ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図３】図３は、現像ユニットの下段に配置された現像処理部の概略構成を処理ブロックレベルで示す平面図である。
【図４】図４は、図２の現像ユニットにおける処理動作の流れを示すフローである。
【符号の説明】
【００４０】
３０          現像ユニット（現像処理装置）
３０ａ        第１の処理ブロック
３０ｂ        第２の処理ブロック
３１          有機膜用現像処理部（第一の現像処理部）
３１ａ        現像液塗布部
３１ｂ        リンス処理部
３１ｃ        乾燥処理部
３２          バイパスライン（第一の基板搬送部）
３３          垂直搬送ユニット（基板昇降手段）
３４          ＣＦ用現像処理部（第二の現像処理部）
３４ａ        現像液塗布部
３４ｂ        リンス処理部
３４ｃ        乾燥処理部
３４ｄ        エレベータコンベア（バッファ手段）
３５          バイパスライン（第二の基板搬送部、バッファ手段）
Ｇ          基板（被処理基板）
【図１】
2010067795.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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