(57)【要約】【課題】隣接するシャント配線の近接を防ぐことにより、シャント配線の短絡が起こらない固体撮像装置を得られるようにする。【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素列と、第１の転送電極と接続される第１のシャント配線と、第２の転送電極と接続される第２のシャント配線と、第１の転送電極と第２の転送電極とを分離する第１の絶縁膜と、第１のシャント配線の側面上に形成される第２の絶縁膜と、第１のシャント配線の上に形成される第３の絶縁膜とを備えている。第１のシャント配線は、第１の絶縁膜の上に第１の転送電極を覆うように形成され、第１の転送電極とは第１のコンタクトホールで接続されている。第２のシャント配線は、第３の絶縁膜の上に第１のシャント配線の上方の一部を覆うように形成され且つ第２の転送電極とは第２のコンタクトホールで接続されている。第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜とは異なる材料からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子を列状に配置してなる光電変換列と、前記各受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、行方向にそれぞれ連結され、交互に配置された第１の転送電極及び第２の転送電極の対を含む垂直レジスタとからなる複数の画素列と、
前記第１の転送電極と接続される第１のシャント配線と、
前記第２の転送電極と接続される第２のシャント配線と、
前記第１の転送電極と前記第２の転送電極とを分離する第１の絶縁膜と、
前記第１のシャント配線の側面上に形成される第２の絶縁膜と、
前記第１のシャント配線の上に形成される第３の絶縁膜とを備え、
前記第１のシャント配線は、前記第１の絶縁膜の上に前記第１の転送電極を覆うように形成され且つ前記第１の転送電極とは前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールによって接続され、
前記第２のシャント配線は、前記第３の絶縁膜の上に前記第１のシャント配線の上方の一部を覆うように形成され且つ前記第２の転送電極とは前記第３の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールによって接続されており、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜とは異なる材料からなることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜は酸化膜であり、
前記第２の絶縁膜は窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２のコンタクトホールに形成された前記第２のシャント配線は、前記第２の絶縁膜と接していることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１のシャント配線と前記第２のコンタクトホールとの距離は７５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜の上端は、前記第１のシャント配線の上端よりも高くなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１のシャント配線と前記第３の絶縁膜との間に形成された第４の絶縁膜をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第４の絶縁膜は酸化膜であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
複数の受光素子を列状に配置することにより、光電変換列を形成する工程と、
前記各受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、行方向にそれぞれ連結し、交互に配置された第１の転送電極及び第２の転送電極の対を含む垂直レジスタを形成する工程と、
前記第１の転送電極及び前記第２の転送電極の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に、前記第１の転送電極を露出する第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールを含む前記第１の絶縁膜の上に、第１のシャント配線を形成する工程と、
前記第１のシャント配線の側面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に、前記第１のシャント配線及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜及び第１の絶縁膜に、前記第２の転送電極を露出する第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２のコンタクトホールを含む前記第３の絶縁膜の上に、第２のシャント配線を形成する工程とを備え、
前記第１のシャント配線は、前記第１の転送電極を前記第１の絶縁膜を介して覆うと共に、前記第２のシャント配線は、前記第１のシャント配線の上方の一部を前記第３の絶縁膜を介して覆い、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜とは異なる材料により形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜は酸化膜であり、
前記第２の絶縁膜は窒化膜であることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のシャント配線を形成する工程は、前記第１のシャント配線を形成する導電膜を形成する工程と、
前記導電膜の上に第４の絶縁膜を形成し、形成した前記第４の絶縁膜を前記第１のシャント配線の平面形状にパターニングする工程と、
パターニングされた前記第４の絶縁膜をマスクとして、前記導電膜をエッチングすることにより、前記導電膜から前記第１のシャント配線を形成する工程とを含み、
前記第２の絶縁膜を形成する工程において、前記第２の絶縁膜は、前記第４の絶縁膜の側面上にも形成することを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第４の絶縁膜は酸化膜であることを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、転送電極の上にシャント配線を設けた固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置において、斜め入射光等による電荷転送部への光の漏れ込みのため、スミアが発生する問題がある。そこで、電荷転送部への光の漏れ込みが小さい遮光構造を形成する必要がある。
【０００３】
従来、転送電極に接続されるパルス電送線が遮光膜を兼ねる構造を有することにより、斜め入射光によるスミアを防止し、また、隣接するパルス伝送線同士の短絡がない固体撮像装置が、例えば特許文献１に提示されている。
【特許文献１】特開平５−２４３５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の構造とは別に、斜め入射光によるスミアを防止するための固体撮像装置について図３（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図３（ａ）は固体撮像装置を示す参考例としての構成断面図であり、第２の転送電極と接続される第２のコンタクトホール４８が第１のシャント配線４３の分離部の中央部に位置する場合を示している。図３（ｂ）は第２のコンタクトホール４８が第１のシャント配線４３の分離部の中央部からずれた位置にある場合を示している。
【０００５】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、固体撮像装置は、受光素子を列状に配置した光電変換列と受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、交互に配置された第１の転送電極４１及び第２の転送電極４２の対を含む垂直レジスタからなる画素列とを複数個並列に配置し、第１の転送電極４１及び第２の転送電極４２を行方向にそれぞれ連結してなる固体撮像部を有している。第１の転送電極４１は、島状に形成されており、第１のシャント配線４３は、第１の転送電極４１を第１の絶縁膜４４を介して覆っている。さらに、第１のシャント配線４３は、第２の転送電極上で分離され、且つ第１の転送電極４１と第１のコンタクトホール４５によって接続されている。第２のシャント配線４６は、第２の転送電極４２と第１のシャント配線４３の分離部を、第３の絶縁膜４７を介して覆っている。さらに第２のシャント配線４６は、第２の転送電極４２と第２のコンタクトホール４８により接続されており、第２のコンタクトホール４８は、第１のシャント配線４３の分離部に形成されている。
【０００６】
第１のシャント配線４３と第２のシャント配線４６との間に印加される電位差は、一般に２０Ｖ以上が必要であり、２０Ｖ以上の電圧が印加されても絶縁破壊を起こさないためには、第１のシャント配線４３と第２のシャント配線４６との距離を７５ｎｍ以上とする必要がある。これは、第１のシャント配線４３と第２のコンタクトホール４８との距離も同様である。
【０００７】
第１のシャント配線４３及び第２のシャント配線４６は、遮光膜としても機能しており、第１のシャント配線４３と第２のシャント配線４６とが途切れている部分からは光が漏れこんでくるため、途切れている部分の面積は極力小さくしなければならない。つまり、第１のシャント配線４３と第２のコンタクトホール４８の距離は、絶縁破壊を防ぐために７５ｎｍが下限であり、７５ｎｍに近づけるほど、スミアの発生を抑制することができるので、大きなばらつきは許容され難い。
【０００８】
この距離に関係するパラメータは、第１のシャント配線４３の寸法精度、第２のコンタクトホール４８の寸法精度及びそれらの合わせずれの３点からなる。
【０００９】
図３（ｂ）に示すように、第１のシャント配線４３の寸法精度、第２のコンタクトホール４８の寸法精度及びそれらの合わせずれにずれが生じた場合に、第１のシャント配線４３と第２のコンタクトホール４８との距離が７５ｎｍ未満となり、耐圧不良が起こるおそれがある。
【００１０】
距離のばらつきを低減するには、高寸法精度で且つ位置ずれが少ない先端露光装置が必要となる。また、露光装置の号機固定という特殊な運用も必要となるため、非常に高コストの固体撮像装置となってしまう。また、スミアを防止する観点から第１のシャント配線４３と第２のコンタクトホール４８との距離を７５ｎｍに限りなく近づける必要がある場合、先端露光装置を使用しても実現不可能となる。
【００１１】
そこで、本発明は、前記従来の問題に鑑み、その目的は、隣接するシャント配線の近接を防ぐことにより、隣接するシャント配線の短絡が起こらない固体撮像装置を得られるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、固体撮像装置を第１のシャント配線の側面上に、第２のコンタクトホールを形成する際のエッチングに耐性を持つエッチング耐性膜を設ける構成とする。
【００１３】
具体的には、本発明に係る固体撮像装置は、複数の受光素子を列状に配置してなる光電変換列と、各受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、行方向にそれぞれ連結され、交互に配置された第１の転送電極及び第２の転送電極の対を含む垂直レジスタとからなる複数の画素列と、第１の転送電極と接続される第１のシャント配線と、第２の転送電極と接続される第２のシャント配線と、第１の転送電極と第２の転送電極とを分離する第１の絶縁膜と、第１のシャント配線の側面上に形成される第２の絶縁膜と、第１のシャント配線の上に形成される第３の絶縁膜とを備え、第１のシャント配線は、第１の絶縁膜の上に第１の転送電極をを覆うように形成され且つ第１の転送電極とは第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールによって接続され、第２のシャント配線は、第３の絶縁膜の上に第１のシャント配線の上方の一部を覆うように形成され且つ第２の転送電極とは第３の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールによって接続されており、第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜とは異なる材料からなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の固体撮像装置によると、第１のシャント配線の側面上に、第１の絶縁膜とは異なる材料からなる第２の絶縁膜が形成されているため、第２のコンタクトホールを形成する際に、露光後の第２のコンタクトホールの位置が、上面から見て、第１のシャント配線と近接していても、第２のコンタクトホールは、第１のシャント配線と接触しないので、短絡の発生を防ぐことができる。
【００１５】
本発明の固体撮像装置において、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜は酸化膜であり、第２の絶縁膜は窒化膜であることが好ましい。
【００１６】
本発明の固体撮像装置において、第２のコンタクトホールに形成された前記第２のシャント配線は第２の絶縁膜と接していてもよい。
【００１７】
本発明の固体撮像装置において、第１のシャント配線と第２のコンタクトホールとの距離は７５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１８】
本発明の固体撮像装置において、第２の絶縁膜の上端は、第１のシャント配線の上端よりも高くなるように形成されていることが好ましい。
【００１９】
このようにすると、第１のシャント配線の最上面においても、第２のコンタクトホールとの距離を一定以上に形成することができ、耐圧の信頼性を向上することができる。
【００２０】
本発明の固体撮像装置において、第１のシャント配線と第３の絶縁膜との間に形成された第４の絶縁膜をさらに備えていてもよい。
【００２１】
この場合に第４の絶縁膜は酸化膜であることが好ましい。
【００２２】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、複数の受光素子を列状に配置することにより、光電変換列を形成する工程と、各受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、行方向にそれぞれ連結し、交互に配置された第１の転送電極及び第２の転送電極の対を含む垂直レジスタを形成する工程と、第１の転送電極及び第２の転送電極の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に、第１の転送電極を露出する第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホールを含む第１の絶縁膜の上に、第１のシャント配線を形成する工程と、第１のシャント配線の側面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に、第１のシャント配線及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成する工程と、第３の絶縁膜及び第１の絶縁膜に、第２の転送電極を露出する第２のコンタクトホールを形成する工程と、第２のコンタクトホールを含む第３の絶縁膜の上に、第２のシャント配線を形成する工程とを備え、第１のシャント配線は、第１の転送電極を第１の絶縁膜を介して覆うと共に、第２のシャント配線は、第１のシャント配線の上方の一部を第３の絶縁膜を介して覆い、第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜とは異なる材料により形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明の固体撮像装置の製造方法によると、第１のシャント配線の側面上に、第１の絶縁膜とは異なる材料からなる第２の絶縁膜を形成するため、第２のコンタクトホールを形成する際に、露光後の第２のコンタクトホールの位置が、上面から見て、第１のシャント配線と近接していても、第２のコンタクトホールは、第１のシャント配線と接触することがないので、短絡の発生を防ぐことができる。
【００２４】
本発明の固体撮像装置の製造方法において、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜は酸化膜であり、第２の絶縁膜は窒化膜であることが好ましい。
【００２５】
本発明の固体撮像装置の製造方法において、第１のシャント配線を形成する工程は、第１のシャント配線を形成する導電膜を形成する工程と、導電膜の上に第４の絶縁膜を形成し、形成した第４の絶縁膜を第１のシャント配線の平面形状にパターニングする工程と、パターニングされた第４の絶縁膜をマスクとして、導電膜をエッチングすることにより、導電膜から第１のシャント配線を形成する工程とを含み、第２の絶縁膜を形成する工程において、第２の絶縁膜は、第４の絶縁膜の側面上に形成してもよい。
【００２６】
この場合に第４の絶縁膜は酸化膜であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、シャント配線とコンタクトホールとの距離がばらついたとしてもシャント配線の短絡の発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法について図１（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２９】
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の模式的な断面構成であって、（ａ）は第２のコンタクトホール１８が第１のシャント配線１３の分離部の中央部に位置する場合を示し、（ｂ）は第２のコンタクトホール１８が第１のシャント配線１３の分離部の中央部からずれた位置にある場合を示している。
【００３０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、固体撮像装置は、受光素子を列状に配置した光電変換列と、受光素子から電荷をそれぞれ受け取って列方向に転送すると共に、交互に配置された第１の転送電極１１及び第２の転送電極１２の対を含む垂直レジスタからなる画素列とを複数個並列に配置し、第１の転送電極１１及び第２の転送電極１２を行方向にそれぞれ連結してなる固体撮像部を有している。ここで、１つの画素サイズは例えば１．５μｍとする。
【００３１】
例えば、ポリシリコンからなる第１の転送電極１１は、島状に形成されている。例えば厚さが１００ｎｍのタングステンからなる第１のシャント配線１３は、第１の転送電極１１を例えば酸化シリコンであって、高温酸化（High Temperature Oxide：ＨＴＯ）膜である第１の絶縁膜１４を介して覆っている。さらに、第１のシャント配線は第２の転送電極１２上で分離され、且つ第１の転送電極１１とは第１のコンタクトホール１５によって接続されている。第１のシャント配線における第２のコンタクトホール１８が形成される部分の分離幅は約６００ｎｍとしており、スミアの防止を考慮して、第２のコンタクトホール１８が形成されない部分の分離幅は約３００ｎｍと小さくしている。第１のシャント配線１３の側面上には、例えばシリコン窒化膜である幅が約１００ｎｍの第２の絶縁膜１９が形成されている。すなわち、分離幅の６００ｎｍのうち、第２の絶縁膜１９が片側が１００ｎｍであり、従って両側で２００ｎｍを占有する。
【００３２】
例えば厚さが１００ｎｍのタングステンからなる第２のシャント配線１６は、第２の転送電極１２と第１のシャント配線１３の分離部とを、例えばＨＴＯ膜である第３の絶縁膜１７を介して覆い、且つ第２の転送電極１２とは第２のコンタクトホール１８によって接続されている。第２のコンタクトホール１８の径は約３００ｎｍであり、第２のコンタクトホール１８が、第１のシャント配線１３の分離部の中央部に位置する場合は、片側で１５０ｎｍの距離がある。ここで、本明細書における距離とは、互いに隣接する部材の対向面同士の間隔の寸法をいう。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、第１のシャント配線１３又は第２のコンタクトホール１８の寸法精度のずれ又は互いの合わせずれが発生したとしても、ＨＴＯ膜のエッチングガスに対してエッチング耐性がある窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１９がエッチングされることがない。このため、第２のコンタクトホール１８と第１のシャント配線１３との距離は一定値以上に確保されるので、耐圧不良を引き起こすことはない。
【００３４】
以下に、上記の構造を有する固体撮像装置の製造方法を説明する。
【００３５】
まず、基板（図示せず）の上に、列方向に延びる第１の転送電極１１及び第２の転送電極１２を形成する。その後、形成した第１の転送電極及び第２の転送電極の上に、例えばＨＴＯ膜である第１の絶縁膜１４を堆積する。
【００３６】
次に、第１の絶縁膜１４に、第１の転送電極１１を露出する第１のコンタクトホール１５を形成する。
【００３７】
次に、第１の絶縁膜１４の上に第１のコンタクトホール１５を含む全面にわたって例えばタングステンからなる金属膜を形成する。その後、形成した金属膜をパターニングすることにより、第１のシャント配線１３を形成する。。
【００３８】
次に、減圧化学気相成長（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：ＬＰ−ＣＶＤ）法により窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１９を、第１のシャント配線１３を含む第１の絶縁膜１４の上に形成する。その後、第２の絶縁膜１９に対してエッチバックを行うことにより、第１のシャント配線１３の側面上に窒化シリコンからなり、幅が１００ｎｍの第２の絶縁膜１９を形成する。
【００３９】
次に、第１のシャント配線１３及び第２のシャント配線１９を含む第１の絶縁膜１４の上に、ＨＴＯ膜である第３の絶縁膜１７を堆積する。その後、第１の絶縁膜１４及び第３の絶縁膜１７に、第２の転送電極１２を露出する第２のコンタクトホール１８を形成する。
【００４０】
次に、窒化シリコンに対する酸化シリコンのエッチングレートが大きい条件、例えば、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）及びヘキサフルオロ１，３ブタジエン（Ｃ４Ｆ６）を含むエッチングガスを用いてドライエッチングを行う。これにより、露光後の第２のコンタクトホール１８の位置が第１のシャント配線１３に近接したとしても、窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１９によってエッチングが防止されるため、短絡は起こらない。
【００４１】
次に、第３の絶縁膜の上に第２のコンタクトホールを含む全面にわたって例えばタングステンからなる金属膜を形成する。その後、形成した金属膜をパターニングすることにより、第２のシャント配線１６を形成する。
【００４２】
（第１の実施形態の一変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の一変形例に係る固体撮像装置及びその製造方法について図２（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４３】
図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態の一変形例に係る固体撮像装置の模式的な断面構成であって、（ａ）は第２のコンタクトホール１８が第１のシャント配線１３の分離部の中央部に位置する場合を示し、（ｂ）は第２のコンタクトホール１８が第１のシャント配線１３の分離部の中央部からずれた位置にある場合を示している。
【００４４】
図２（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００４５】
第１の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００４６】
第１のシャント配線１３の側面には、例えばシリコン窒化膜である幅が約７５ｎｍの第２の絶縁膜１９が形成されている。すなわち、分離幅の６００ｎｍのうち、第２の絶縁膜１９が片側が７５ｎｍであり、両側で１５０ｎｍを占有する。  
【００４７】
また、第１のシャント配線１３の上には、例えばＨＴＯ膜である第４の絶縁膜３０が形成されている。第４の絶縁膜３０は、第１のシャント配線１３をパターニングする際のハードマスクとして機能する。ここで、第２の絶縁膜１９は第１のシャント配線１３の側面上だけでなく、第４の絶縁膜３０の側面上にも形成される。
【００４８】
第１のシャント配線１３又は第２のコンタクトホール１８の寸法精度のずれ又は互いの合わせずれが発生したとしても、エッチング耐性のある窒化膜からなる第２の絶縁膜１９がエッチングされないため、第２のコンタクトホール１８と第１のシャント配線１３との距離は一定値以上に確保され、耐圧不良を引き起こすことはない。
【００４９】
以下、第４の絶縁膜３０の形成方法とそれを用いた第１のシャント配線１３の形成方法とを説明する。
【００５０】
まず、第１の絶縁膜１４の上に第１のコンタクトホール１５を含む全面にわたってタングステンからなる金属膜を形成する。続いて、金属膜の上にＨＴＯ膜である第４の絶縁膜３０を堆積する。その後、リソグラフィ法及びエッチング法により、第４の絶縁膜３０から第１のシャント配線１３の平面形状を持つハードマスクを形成する。続いて、このハードマスクを用いて、金属膜をパターニングして第１のシャント配線１３を得る。
【００５１】
次に、窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１９をＬＰ−ＣＶＤ法で形成し、その後、エッチバックを行って、第１のシャント配線１３及び第４の絶縁膜３０の側面上に窒化膜からり、幅が７５ｎｍの第２の絶縁膜１９を形成する。
【００５２】
このように、本変形例によると、第１のシャント配線１３をパターニングする際に、レジストマスクに代えて酸化シリコンからなる第４の絶縁膜３０をハードマスクとして用いている。
【００５３】
これにより、第１のシャント配線の最上面においても、第２のコンタクトホールとの距離を一定以上に形成することができ、耐圧の信頼性を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法は、シャント配線とコンタクトホールとの距離がばらついたとしてもシャント配線の短絡の発生を防止することができ、特に、転送電極の上にシャント配線を設けた固体撮像装置及びその製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置を模式的に示し、（ａ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部にある場合の構成断面図であり、（ｂ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部からずれた位置にある場合の構成断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態の一変形例に係る固体撮像装置を模式的に示し、（ａ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部にある場合の構成断面図であり、（ｂ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部からずれた位置にある場合の構成断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は固体撮像装置を示す参考例を模式的に示し、（ａ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部にある場合の構成断面図であり、（ｂ）は第２のコンタクトホールが第１のシャント配線の分離部の中央部からずれた位置にある場合の構成断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  第１の転送電極
１２  第２の転送電極
１３  第１のシャント配線
１４  第１の絶縁膜
１５  第１のコンタクトホール
１６  第２のシャント配線
１７  第３の絶縁膜
１８  第２のコンタクトホール
１９  第２の絶縁膜
３０  第４の絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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