(57)【要約】【課題】密着性の悪い非晶質炭素被膜の密着性を向上し、より簡便に非晶質炭素被膜の表面に接合する部材に対して優れた接着性を有する放熱部材、その放熱部材を用いた半導体装置さらにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】熱伝導性を有する基材と、該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、非晶質炭素被膜の表面に固定され、非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、からなることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性を有する基材と、
該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、
該非晶質炭素被膜の表面に固定され、該非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、
からなることを特徴とする放熱部材。
【請求項２】
前記表層部の厚みが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１に記載の放熱部材。
【請求項３】
前記表層部の珪素含有量は、前記表層部の全成分を１００atomic％とした時、５atomic％〜５０atomic％である請求項２に記載の放熱部材。
【請求項４】
前記非晶質炭素被膜の前記表層部を除く部分の珪素含有量は前記非晶質炭素被膜の全体の全成分を１００atomic％とした時、１atomic％〜２０atomic％であり、かつ水素含有量が２０〜６０atomic％の範囲内である請求項２または３のいずれかに記載の放熱部材。
【請求項５】
前記非晶質炭素被膜と前記接合層とは、カップリング剤を介したカップリング反応によって化学的に結合されている請求項１〜４のいずれかに記載の放熱部材。
【請求項６】
前記非晶質炭素被膜は、直流プラズマＣＶＤ法により成膜される請求項１〜５のいずれかに記載の放熱部材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の放熱部材と、前記放熱部材の前記接合層上に配線材を介して搭載された半導体素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子が、パワーデバイスまたは大規模集積回路の半導体チップである請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、
カップリング剤を介して前記非晶質炭素被膜と樹脂からなる接着剤とを固定する固定工程と、
を有することを特徴とする放熱部材の製造方法。
【請求項１０】
熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面のシラノール基と樹脂からなる接着剤の有する−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）とを反応させて前記非晶質炭素被膜と前記接着剤とを固定する固定工程と、
を有することを特徴とする放熱部材の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化処理はＵＶ処理、プラズマ処理あるいはコロナ処理である請求項９または１０に記載の放熱部材の製造方法。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載の製造方法で製造された放熱部材。
【請求項１３】
熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、
カップリング剤を介して前記非晶質炭素被膜と樹脂からなる接着剤とを固定する固定工程と、
前記接着剤の表面に低熱膨張性の配線材を接合する配線材接合工程と、
前記配線材上にはんだを用いて半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、
前記非晶質炭素被膜の表面のシラノール基と樹脂からなる接着剤の有する−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）とを反応させて前記非晶質炭素被膜と前記接着剤とを固定する固定工程と、
前記接着剤の表面に低熱膨張性の配線材を接合する配線材接合工程と、
前記配線材上にはんだを用いて半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に発生する熱を放散、冷却するための放熱部材に好適に用いることが出来る放熱部材並びにそれを用いた半導体装置及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力制御を伴う半導体素子の高出力化、小型化による発熱量の増大を解決すべく、半導体素子を電気的に隔離するために絶縁体からなる基板に搭載し、この絶縁性基板をヒートシンクに搭載してモジュールを構成していた。このようなヒートシンクの放熱特性を向上させるため絶縁性を持つ非晶質炭素被膜で被覆されたヒートシンク上に半導体素子を搭載することがある。
【０００３】
この場合、非晶質炭素被膜上に電極を形成するが、非晶質炭素被膜とヒートシンク基材及び非晶質炭素被膜と電極との密着性が十分でないと接合面に剥離がおこる。従来非晶質炭素被膜は密着性が悪いため、基材との密着性を向上させるため、また電極との密着性を向上させるために様々な検討が行われている。
【０００４】
特許文献１及び特許文献２には密着性の向上を目的として構造に特徴を持たせた非晶質炭素被膜が開示されている。たとえば、特許文献１では、炭素を主成分とし基材側が最も高濃度となるように連続的に濃度が傾斜した珪素と、基材側が最も低濃度となるように連続的に濃度が傾斜した水素と、を含む傾斜組成被膜である非晶質炭素被膜が開示されている。また特許文献２では基材表面に被覆されたチタンを含む第１層とダイヤモンドライク・カーボン（ＤＬＣ）膜の最表層とを有するＤＬＣ傾斜構造硬質被膜が開示されている。
【０００５】
また特許文献３では非晶質炭素被膜と電極となる金属層との密着性の向上の方法が開示されている。特許文献３には非晶質炭素被膜表面に金属ナノ粒子を形成し、この金属ナノ粒子をマスクとして非晶質炭素被膜の表面を局部的にエッチングして非晶質炭素被膜表面に凹凸を形成して、そのアンカー効果によって非晶質炭素被膜と金属層との接着性を向上させる方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００６―２９１３５５号公報
【特許文献２】特開２００４−１３７５４１号公報
【特許文献３】特開２００７−３２７０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１及び特許文献２に開示の方法は非晶質炭素被膜の基材への密着性を向上させるために行われており、非晶質炭素被膜の表面上に接合する他部材との密着性の向上検討はされていない。また特許文献３に開示の方法は、ナノ粒子を形成し、エッチングを行い、更に金属層を無電解メッキで形成する方法であり手間がかかる。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑み、密着性の悪い非晶質炭素被膜の密着性を向上し、より簡便に非晶質炭素被膜の表面に接合する部材に対して優れた接着性を有する放熱部材を提供することを目的とする。また本発明はその放熱部材を用いた半導体装置さらにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の放熱部材は、熱伝導性を有する基材と、該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、該非晶質炭素被膜の表面に固定され、該非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、からなることを特徴とする。
【０００９】
非晶質炭素被膜は珪素を含み、接合層とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合によって結合する。そのため接合層側の非晶質炭素被膜の表面の珪素量を多くすることで、非晶質炭素被膜と接合層との密着性を向上することが出来る。ただし、非晶質炭素被膜は珪素を過剰に含有すると欠陥が生じ、絶縁性が下がる。そのため、非晶質炭素被膜の反基材側の表層部の珪素含有量を基材側の珪素含有量よりも多くすることによって非晶質炭素被膜の全体の絶縁性を落とさずに、接合層側の珪素量を多く出来る。その結果、非晶質炭素被膜と接合層との密着性を向上させることが出来る。
【００１０】
この時基材側よりも珪素を多く含む非晶質炭素被膜の反基材側の表層部の厚みが０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。表層部が上記厚みであれば、非晶質炭素被膜と接合層との密着性を向上させることが出来る。
【００１１】
また表層部の珪素含有量は、表層部の全成分を１００atomic％とした時、５atomic％〜５０atomic％であることが好ましい。上記範囲の珪素含有量とすることにより、密着性を向上させることが出来る。
【００１２】
また非晶質炭素被膜の表層部を除く部分の珪素含有量は非晶質炭素被膜の全体の全成分を１００atomic％とした時、１atomic％〜２０atomic％であり、かつ水素含有量が２０〜６０atomic％の範囲内であることが好ましい。この範囲内とすることにより絶縁性を保つことが出来る。
【００１３】
また非晶質炭素被膜は、直流プラズマＣＶＤ法により成膜されることが好ましい。
【００１４】
直流プラズマＣＶＤ法で成膜することにより、より簡便に所望の非晶質炭素被膜を形成することが出来る。
【００１５】
さらに非晶質炭素被膜と接合層とは、カップリング剤を介したカップリング反応によって化学的に結合されていることが好ましい。カップリング剤を用いることによって、使用する接着剤に応じた接着性の向上が可能となる。
【００１６】
また本発明の半導体装置は上記した放熱部材と、放熱部材の接合層上に配線材を介して搭載された半導体素子と、を有することを特徴とする。
【００１７】
上記放熱部材を用いることによって密着性の優れた半導体装置とすることが出来る。
【００１８】
また半導体素子はパワーデバイスまたは大規模集積回路の半導体チップであることが出来る。
【００１９】
また本発明の放熱部材の製造方法は、熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、カップリング剤を介して非晶質炭素被膜と樹脂からなる接着剤とを固定する固定工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
また本発明の放熱部材の製造方法は、熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、非晶質炭素被膜の表面のシラノール基と樹脂からなる接着剤の有する−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）とを反応させて非晶質炭素被膜と接着剤とを固定する固定工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
上記酸化処理はＵＶ処理、プラズマ処理あるいはコロナ処理であることが好ましい。
【００２２】
このような製造方法とすることによって密着性の高い放熱部材を製造することが出来る。
【００２３】
また本発明の半導体装置の製造方法は、熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、カップリング剤を介して非晶質炭素被膜と樹脂からなる接着剤とを固定する固定工程と、接着剤の表面に低熱膨張性の配線材を接合する配線材接合工程と、配線材上にはんだを用いて半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、を有することを特徴とする。
【００２４】
また本発明の半導体装置の製造方法は、熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する非晶質炭素被膜形成工程と、非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する表面酸化工程と、非晶質炭素被膜の表面のシラノール基と樹脂からなる接着剤の有する−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）とを反応させて非晶質炭素被膜と接着剤とを固定する固定工程と、接着剤の表面に低熱膨張性の配線材を接合する配線材接合工程と、配線材上にはんだを用いて半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
このような製造方法とすることによって密着性の高い半導体装置を製造することが出来る。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、密着性の優れた非晶質炭素被膜を有する放熱部材、また密着性の優れた半導体装置及びそれらの製造方法を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（放熱部材）
本発明の放熱部材は、熱伝導性を有する基材と、その基材の表面の少なくとも一部に被覆された絶縁性の非晶質炭素被膜と、その非晶質炭素被膜の表面に化学結合される樹脂からなる接合層とからなる。
【００２８】
基材は熱伝導性を有する公知の金属材料からなるものであれば特に限定されない。
【００２９】
ここで熱伝導性を有するとは熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属からなる基材を意味する。また基材の熱伝導率としては１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが更に好ましい。
【００３０】
本発明の放熱部材においてこの基材が放熱板の役割を示す。熱を効率的に放熱させるために基材の熱伝導率は高ければ高い程好ましく、このような観点から基材はＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ及びＦｅから選ばれる金属単体またはこれらを含む複合材や混合物または合金であることが好ましい。基材の形状は特に限定されない。
【００３１】
上記基材の少なくとも一部に被覆された絶縁性の非晶質炭素被膜は、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む。
【００３２】
非晶質炭素被膜は厚みが薄いため、放熱部材の熱伝導性にはほとんど影響を与えない。また非晶質炭素被膜は絶縁性であり、基材と接合層の上に接合する放熱される対象物との間を電気的に絶縁するために用いられる。絶縁性の程度は電気抵抗率１０１０Ωｍ以上が好ましい。非晶質炭素被膜の厚みとしては、薄いと熱伝導性は良くなるが耐電圧性が悪くなるので、５〜３０μｍとするのが良い。
【００３３】
また、この非晶質炭素被膜は基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む。そのため、非晶質炭素被膜の表層部を除く部分の珪素含有量は非晶質炭素被膜の全体の全成分を１００atomic％とした時、１atomic％〜２０atomic％、さらには３atomic％〜８atomic％であることが好ましい。珪素含有量がこの範囲内にあることによって非晶質炭素被膜は基材と放熱される対象物との間を電気的に絶縁することが出来る。
【００３４】
そして、反基材側の表層部に基材側よりも珪素を多く含むことによって、接合層との接着性を向上させることが出来る。この理由は後述する。
【００３５】
ここで基材側よりも珪素を多く含む非晶質炭素被膜の反基材側の表層部の厚みが０．０１μｍ以上１０μｍ以下、さらには０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
【００３６】
珪素含有量の多い表層部の厚みは薄い方が非晶質炭素被膜全体の絶縁性が低下することを防ぐことが出来るが、ある程度の厚みがないと後述の表面酸化処理の効果が十分に得られない。
【００３７】
また表層部の珪素含有量は、表層部の全成分を１００atomic％とした時、５atomic％〜５０atomic％、さらには１０atomic％〜３０atomic％であることが好ましい。表層部の珪素含有量は接合層との接着性の観点からは多い方が好ましく、絶縁性の観点からは、過剰に含有しない方が好ましい。そのため表層部の珪素含有量は１０atomic％〜３０atomic％であるとより絶縁性と接着性の両方が良好な放熱部材とすることが出来る。
【００３８】
上記のように基材側と反基材側とで珪素含有量が異なる非晶質炭素被膜は、珪素含有量の異なる２層以上からなる多層膜のほか、表層側が最も高濃度となるように連続的に濃度が傾斜した珪素を含む傾斜組成被膜としても良い。
【００３９】
上記のような非晶質炭素被膜の形成方法は特に制限されず、スパッタリング法や真空成膜法などの公知の成膜方法を利用することが出来る。中でも非晶質炭素被膜は直流プラズマＣＶＤ法により形成されることが好ましい。
【００４０】
直流プラズマＣＶＤ法では、プラス極とマイナス極の二つの電極の間に電力を加えることによって、グロー放電が生じる。このグロー放電を利用して、電極間に導入した処理ガスを活性化して、マイナス電位側の電極に薄膜を堆積させる。すなわち、成膜炉内に配置された導電性の基材をマイナス極に結線し、基材をグロー放電させて非晶質炭素被膜を成膜することができる。
【００４１】
直流プラズマＣＶＤ法を用いて非晶質炭素被膜を形成するには基材が導電性材料である必要がある。導電性材料は、体積抵抗率が１０４Ωｍ以下であるのが望ましい。また、基材の形状にも特に限定はないため、各種形状の基材に成膜が可能である。
【００４２】
直流プラズマＣＶＤ法の装置は公知の装置が使用でき、処理ガスとしては、炭素及び水素を供給する原料ガスとしては例えばメタン、エタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、エチレンやアセチレンなどの不飽和炭化水素、ベンゼンなどの芳香族炭化水素が利用可能であり、これらのガスは水素ガスと混合して用いても良い。また珪素を供給する原料ガスとしては、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４：ＴＭＳ）、シラン、塩化珪素などの珪素化合物が利用可能であり、希釈ガスとして窒素などの不活性ガスのほか、アルゴンなどの希ガスが利用可能である。処理ガスは、得られる非晶質炭素被膜の組成が所望の組成となるように、その種類や混合比または流量比を適宜選択すればよい。
【００４３】
そして、前述の基材側よりも反基材側の表層部の珪素含有量を多くした非晶質炭素被膜とするには、異なる条件で２層以上成膜して多層膜を形成することによって行うことが出来る。また珪素原料となる例えばテトラメチルシラン（ＴＭＳ）流量を成膜中に制御する、また成膜中に温度制御する、ことによって傾斜組成被膜を形成することによって行うことが出来る。
【００４４】
接合層は、非晶質炭素被膜の表面に固定され、非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合するＭを含む樹脂からなる（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）。接合層と非晶質炭素被膜とがＳｉ−Ｏ−Ｍ結合によって化学結合することによって強固に密着する。この時非晶質炭素被膜と接合層とは、カップリング剤を介したカップリング反応によって化学的に結合されていることが好ましい。
【００４５】
このように接合層と非晶質炭素被膜とがＳｉ−Ｏ−Ｍ結合によって化学結合するには、非晶質炭素被膜中の珪素を酸化してシラノール基とし、反応性のＭを接合層に含ませ、両者を反応させて非晶質炭素被膜中の珪素と接合層中のＭを化学結合させることによって行うことが出来る。
【００４６】
例えば、接合層中の反応性のＭはカップリング剤により導入しても良いし、−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）を有する接着剤を用いても良い。また上記−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）を有する接着剤はさらにカップリング剤と併用しても良い。
【００４７】
カップリング剤とは、一般に相互になじみの悪い無機材料と有機材料の両者と化学結合できる官能基を持つ有機化合物のことである。
【００４８】
カップリング剤として、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シラザン類等のカップリング剤が使用できる。
【００４９】
例えばシランカップリング剤は、Ｙｎ−Ｓｉ（ＯＲ）（４−ｎ）（ｎ＝１〜３の整数）の一般式を持つ。ＯＲは、Ｓｉに結合しているメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基であり、加水分解性の無機反応基である。
【００５０】
またＹは、官能基（Ｙ１−）（例えばビニル基、エポキシ基、アミノ基、アミノプロピル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、メルカプト基等）と、連結基（−Ｙ２−）（例えば、アルキレン基）と、が結合した構造（Ｙ１−Ｙ２−）を有する基（例えば、３−グリシドキシプロピル基、３−アミノプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基等）であり、有機質と結合する有機反応基である。
【００５１】
シランカップリング剤は、アルコキシシリル基(−Ｓｉ−ＯＲ)が水と接すると加水分解してシラノール基を生成する。
【００５２】
−Ｓｉ（ＯＲ）＋Ｈ２Ｏ→−Ｓｉ（ＯＨ）＋ＲＯＨ
生成したシラノール基は、基材表面のＯＨ基と脱水縮合反応で化学結合する。一方Ｙは接合層中の樹脂成分と化学結合または架橋して強固に結合する。シランカップリング反応とはこのようなシランカップリング剤によっておこる反応全体を指す。
【００５３】
図１に上記説明したシランカップリング剤を介したシランカップリング反応についての説明図を示す。
【００５４】
図１に示すようにシランカップリング剤のアルコキシシリル基が加水分解し生成した−Ｓｉ（ＯＨ）３基が非晶質炭素被膜表面のシラノール基と脱水縮合反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合で結合する。また未反応の−Ｓｉ（ＯＨ）３基が非晶質炭素被膜表面のシラノール基と水素結合でも結合している。
【００５５】
また図１ではＹはアミノ基を有しており、アミノ基は接着剤側の官能基と共有結合する。このため、非晶質炭素被膜と接合層中の樹脂成分である接着剤とがシランカップリング剤を介して強固に結合することが出来る。
【００５６】
使用可能なシランカップリング剤としては、３-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、２-（３，４-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３-（２-アミノエチル）-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-（２-アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３-アミノプロピルトリエトキシシラン、３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-メルカプトプロピルメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。
【００５７】
特にシランカップリング剤の一般化学式におけるＹｎ-Si-（ＯＲ） （４−ｎ） のＹにエポキシ基が存在する３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランや、Ｙにアミノ基が存在する３-アミノプロピルトリメトキシシランが好適に用いられる。これは、一般的に接合層に使用されるエポキシ系接着剤との相溶性と反応性に優れるためである。
【００５８】
シランカップリング剤以外のカップリング剤として上記したように、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シラザン類等のカップリング剤も使用できるが、非晶質炭素被膜中のＳｉとの結合の場合、シランカップリング剤を使用することにより結合がより強固となる。
【００５９】
また−Ｍ−Ｘ基（Ｍ：Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ、Ｘ：加水分解性置換基或いは、親水基）を有する接着剤を用いる場合、Ｍ＝Ｓｉ、Ｘ＝ＯＲであるのが好ましい（Ｒ＝メチル基またはエチル基）。この時、シランカップリング剤と同様にこの接着剤は水と接すると加水分解してシラノール基を生成し、シラノール基は自己縮合によって高分子化すると同時に、基材表面のＯＨ基と脱水縮合反応で化学結合する。
【００６０】
本発明で使用される樹脂からなる接合層（以下、接着剤という）は、その硬化物の熱伝導率が少なくとも５Ｗ／ｍＫ以上であることが望ましい。このような特性を有する接着剤は、例えばエポキシ、シリコーン、ウレタン、ポリイミド、ＢＴレジンなどの熱硬化性樹脂や、例えばポリエーテルイミド、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂を主体とする樹脂に、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ、シリカ、ダイヤモンドなどの高熱伝導性絶縁粉末及び／又は例えば銀、銅、アルミニウムなどの金属粉末を配合することによって得ることができる。高熱伝導性絶縁性粉末及び／又は金属粉末の配合量は８０重量％以上であることが好ましい。
【００６１】
接着剤の厚みは、熱伝導性の点において薄い程よい。しかし、接着剤には高熱伝導性を付与するために上記の粉末が充填されているので、厚みが薄くなりすぎると塗工性が悪くなる。従って、両者を考慮して接着剤厚みは１０〜１００μｍとすることが望ましい。接着剤層の厚みが１００μｍを越えると接着剤の熱伝導率が５Ｗ／ｍＫ以上であってもパワーデバイスで発生した熱を効率よく伝導させることができない。
【００６２】
本発明の放熱部材は半導体素子の放熱部材、電子部品（抵抗、コンデンサー）を搭載するための基板または筐体に用いることが出来る。
（半導体装置）
本発明の半導体装置は上記で説明した放熱部材と、放熱部材の接合層上に配線材を介して搭載された半導体素子と、を有する。
【００６３】
放熱部材上に半導体素子を搭載する場合、接合層上に配線材を形成して電極とし、その電極と半導体素子をはんだ等によって接合して半導体装置を形成する。
【００６４】
本発明で使用される配線材には、パワーモジュールの放熱兼支持板の役目を負わせるため熱伝導性と強度特性、さらにははんだによる接合ができることが重要な条件となる。
【００６５】
それらの配線材の例としては、銅とその合金にニッケルめっきしたもの、アルミニウムとその合金にニッケルめっきしたもの、鉄にニッケルめっきしたものなどが使用される。
中でも、熱伝導性の点からは銅にニッケルめっきしたものとその合金にニッケルめっきしたものが好適であり、さらには、接合信頼性の点からは、Ｃｕ-Ｗ、Ｃｕ-Ｍｏ、Ｃｕ-Ｃｒなどの低熱膨張性配線材を使用することにより、接合界面での熱ストレスを低減することができるため好ましい。
【００６６】
配線材の厚みは、０．５〜３ｍｍが良く、熱伝導の点から０．５〜１．５ｍｍとするのが好ましい。
【００６７】
また、めっき上をシランカップリング剤処理しても良い。接合層中の樹脂成分である接着剤と、めっきとがシランカップリング剤を介して強固に結合することが出来る。
【００６８】
この時、シランカップリング剤として、上記したシランカップリング剤と同様のものを使用することが出来る。例えば３-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、２-（３，４-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３-（２-アミノエチル）-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-（２-アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３-アミノプロピルトリエトキシシラン、３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-メルカプトプロピルメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが使用できる。
【００６９】
特にシランカップリング剤の一般化学式におけるＹｎ-Si-（ＯＲ） （４−ｎ） のＹにエポキシ基が存在する３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランや、Ｙにアミノ基が存在する３-アミノプロピルトリメトキシシランが好適に用いられる。これは、一般的に接合層に使用されるエポキシ系接着剤との相溶性と反応性に優れるためである。
【００７０】
半導体素子としてはＩＧＢＴ等のバイポーラ型トランジスタやダイオード、パワーＭＯＳ等のパワーデバイス及び大規模集積回路の半導体チップを用いることが出来る。このような半導体素子はスイッチングによる発熱量が多いので冷熱サイクルの温度幅が大きくなり、接着部分が剥離しやすい。本発明の半導体装置は基材に非晶質炭素被膜が被覆されているため放熱性が高く、半導体素子が高温になるのを防ぐことが出来る。また非晶質炭素被膜と半導体素子との密着性が高いので、苛酷な冷熱サイクル条件であっても接着部分が剥離しにくい。
【００７１】
図２に半導体装置の模式断面図を示す。ただし本発明の半導体装置は以下の構成のみに限定されるものではない。
【００７２】
図２に示すように、半導体装置１０は、放熱部材１と、配線部材５と、はんだ６と、半導体素子７とから構成されている。放熱部材１は基材２と、非晶質炭素被膜３と、接合層４とから構成されている。図２からわかるように基材２上に非晶質炭素被膜３が被覆され、非晶質炭素被膜３上に接合層４が形成されている。また接合層４を介して非晶質炭素被膜３と配線部材５とが接合されている。配線部材５上にははんだ６を介して半導体素子７が固定されている。
【００７３】
図２において半導体素子７としてパワーデバイスが設けられている。また半導体装置１０は放熱部材１の下面に接するように放熱部材１０に伝導された熱を強制的に冷却するための空冷や液冷式の冷却部材を接着して設けても良い。このような冷却部材を設けることによって半導体素子７に発生する熱をより効果的に放散することが出来る。なお、この際の接着に用いる接着材料としては例えばグリースや蝋などを用いることが出来る。より熱抵抗の低い蝋を用いることが好ましい。
【００７４】
本発明の半導体装置１０は非晶質炭素被膜３と配線部材５とが接合層４を介して強固に化学結合されているので非晶質炭素被膜３と配線部材５との密着性が高く、半導体素子７のスイッチングによって生じる温度変化に対する耐性が高められており、高い信頼性を有するモジュールを形成することが出来る。
（放熱部材の製造方法）
本発明の放熱部材の製造方法は、非晶質炭素被膜形成工程と、表面酸化工程と、非晶質炭素被膜と接着剤とを固定させる固定工程と、を有することを特徴とする。
【００７５】
非晶質炭素被膜形成工程は、熱伝導性を有する基材の表面の少なくとも一部に、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜を形成する工程である。非晶質炭素被膜の形成方法は特に制限されず、スパッタリング法や真空成膜法などの公知の成膜方法を利用することが出来る。中でも非晶質炭素被膜は上記放熱部材で説明した直流プラズマＣＶＤ法により形成されることが好ましい。
【００７６】
表面酸化工程は、非晶質炭素被膜の表面を酸化処理し、シラノール基を形成する工程である。酸化処理はＵＶ処理、プラズマ処理あるいはコロナ処理であることが好ましい。特にＵＶ処理であるとより好ましい。
【００７７】
ＵＶ処理は、ＵＶオゾン処理が好適に用いられる。ＵＶオゾン処理とは紫外線によりオゾンを発生し、そのオゾンから分解生成した励起酸素原子の酸化力により、表面酸化させる方法である。メカニズムは次のように説明されている。
【００７８】
例えば、主たる放射光が波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線である低圧水銀ランプを紫外線光源として用いると、１８５ｎｍの紫外線は空気中の酸素分子を分解してオゾンを生成する（下記反応式１及び２）一方、２５４ｎｍの紫外線は生成したオゾンを分解し励起状態の活性酸素原子（Ｏ・）を生成する（下記反応式３）ので、下記反応式１から３で示されるサイクル反応が起きる。
【００７９】
（反応式１）
Ｏ２＋ｈν（１８５ｎｍ）→Ｏ＋Ｏ
（反応式２）
Ｏ２＋Ｏ→Ｏ３
（反応式３）
Ｏ３＋ｈν（２５４ｎｍ）→Ｏ・＋Ｏ２
上記反応式３により生成した活性酸素原子が存在すると、その強い酸化作用により極性のある親水性の高い−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基などの官能基が形成される。
【００８０】
ＵＶオゾン処理（紫外線・オゾンプロセス）は公知の装置を用いて行うことが出来る。ＵＶオゾン処理にはエネルギーの高い短波長UVが必要なので、光源には185nmと254nmを発光する低圧水銀ランプと172nmを発光するキセノンエキシマランプが使われる。この際エキシマランプのエネルギーは高いが、光が酸素に強く吸収され、大気中では照射距離が極端に短いので、低圧水銀ランプのほうがより好ましく使用される。
【００８１】
上記のような酸化処理を行うことによって、非晶質炭素被膜の表面に−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基を付与出来るのと共に、処理表面の不純物も除去できる。
【００８２】
非晶質炭素被膜と接着剤とを固定させる固定工程は、シランカップリング剤を介して非晶質炭素被膜と樹脂からなる接着剤とを固定する工程であっても良いし、非晶質炭素被膜の表面のシラノール基と樹脂からなる接着剤の有する−Ｍ−Ｘ基（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ；Ｘ＝加水分解性置換基或いは親水基）とを反応させて非晶質炭素被膜と接着剤とを固定する工程であっても良い。
【００８３】
また固定工程における固定はそれぞれの接着剤の固定条件に合わせて例えば熱処理、ＵＶ処理等の処理を行い固定すればよい。
（半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法は、非晶質炭素被膜形成工程と、表面酸化工程と、固定工程と、配線材接合工程と、半導体素子固定工程とを有する。非晶質炭素被膜形成工程と、表面酸化工程と、固定工程は上記で説明したので説明を省く。
【００８４】
配線材接合工程は接着剤の表面に低熱膨張性の配線材を接合する工程であり、接着剤の上に配線材を設置し、接着剤の固定条件に合わせて例えば熱処理、ＵＶ処理等の処理を行い固定すればよい。またこの工程は上記説明した固定工程と同時に行っても良い。
【００８５】
半導体素子固定工程は、配線材上にはんだを用いて半導体素子を固定すればよい。これははんだを用いる公知の方法で固定すれば良く特に限定されない。
【実施例】
【００８６】
以下に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。なお本実施例においては非晶質炭素被膜の表面と接着剤との密着性を評価した。そのため本実施例では接合層側の表層部にあたる珪素を多く含む非晶質炭素被膜を形成して評価を行った。従って本実施例における非晶質炭素被膜は接合層側の表層部のみを形成したものであり、本発明の放熱部材においては珪素を多く含む非晶質炭素被膜を形成する前に珪素量を低濃度に抑えた非晶質炭素被膜を形成する必要がある。
（非晶質炭素被膜の作成）
図３に直流プラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置の説明図を示す。また図４は図３の切断線Ｘ−Ｘ‘側から見た成膜中のグロー放電の様子を示す説明図である。
【００８７】
図３に示す非晶質炭素被膜の成膜装置４００は、円筒状でステンレス製のチャンバー４１１を成膜炉として用い、排気通路４１２によりチャンバー４１１と連通する排気系４１３を有する。
【００８８】
排気系４１３は、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプからなり、排気通路４１２に配した排気調整バルブ４１５を開閉することによりチャンバー４１１内の処理圧力を調整する。
【００８９】
チャンバー４１１内には、プラズマ電源４１６のマイナス極に通電された陰極４２０とガス供給手段４３０が配設される。
【００９０】
陰極４２０は、プラズマ電源４１６のマイナス極に連結された支持台４２１と、非晶質炭素被膜が表面に成膜される導電性基体４２２とからなる。支持台４２１は、ステンレス鋼製の円板状で、円筒状のチャンバー４１１と同軸的に、チャンバー４１１の底部に固定される。なお、支持台４２１には、導電性基体４２２が任意の配置状態で保持される。
【００９１】
また成膜装置は、ガス供給手段４３０を有する。ガス供給手段４３０は、原料ガスと希釈ガスとの混合ガスを任意の流量比でチャンバー４１１に供給する。混合ガスは、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）４３３により流量を調整後、ガス供給バルブ４３４を経てガス供給管４３５によりチャンバー４１１の内部に供給される。そして、ガス供給管４３５には、その長さ方向に等間隔で複数の孔が開けられている。ガス供給管４３５は、チャンバー４１１の中心部に位置するように設置され、支持台４２１に保持された導電性基体４２２に均一に混合ガスが供給される。
【００９２】
プラズマ電源４１６のプラス極は、チャンバー４１１およびアースに結線され、チャン
バー４１１の壁面が接地電極（陽極）となる。
【００９３】
上記の構成の非晶質炭素被膜の成膜装置を作動させて、導電性基体４２２の表面に非晶質炭素被膜を成膜した。本実施例では、導電性基体４２２として、アルミ合金３００３製の導電性基体（縦５０ｍｍ横１０ｍｍ厚さ３ｍｍ）を４枚用いた。これらの導電性基体４２２は、図３および図４に示すように、厚さ方向に平行かつ並列状態で支持台４２１に配列した。なお、隣接する２個の導電性基体４２２の対向面間の間隔Ｄは、それぞれ１０ｍｍとした。
【００９４】
次に、成膜手順を説明する。まず、排気系４１３によりチャンバー４１１内を真空度が１×１０−２Ｐａになるまで排気した。次に、ガス供給バルブ４３４を開け、希釈ガスである水素ガスを導入した。ガスの流量はＭＦＣ４３３で調整した。その後、排気調整バルブ４１５の開度を調整し、チャンバー４１１内の処理ガス圧を４００Ｐａとした。
【００９５】
次に、プラズマ電源４１６により陰極４２０に−１００Ｖの電圧を印加した。電圧を印加すると、陰極４２０の周辺にグロー放電が生じ、陰極を加熱した。プラズマ電源の出力を増し、基体温度が３５０℃になるように調節した。
【００９６】
次に、原料ガスであるヘキサン（Ｃ６Ｈ１４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ、Ｓｉ（ＣＨ３）４ ）を導入すると、導電性基体４２２の表面に非晶質炭素被膜が成長した。成膜温度は３５０℃とした。なお、基体の温度の測定には放射温度計を用いた。混合ガスの流量は、ヘキサン：１１．５ｓｃｃｍ：、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）：１０ｓｃｃｍ、水素ガス：１００ｓｃｃｍとした。
【００９７】
成膜中のグロー放電の様子を図４に示す。Ｄは導電性基体の対向面間の間隔を表してい
る。導電性基体４２２の周囲には導電性基体４２２に沿ってシース幅Ｓのシース４２５が
形成され、そのシース４２５は対向面間で接近し、４２６で示す部分で負グロー４２４が
重なりあった。４２６で示す部分は、他の負グロー４２４が重なっていない部分より明る
いグロー放電である。負グローを重ねることによって放電が安定し、低電圧高電流密度の
グロー放電となった。
【００９８】
４０分の放電により、導電性基体４２２の表面に膜厚３μｍの非晶質炭素被膜が形成された。
【００９９】
この非晶質炭素被膜の珪素含有量は１３atomic%（全体）であった。珪素含有量はラザフォード後方散乱分析法(ＲＢＳ)／水素前方散乱分析法(ＨＦＳ)によって測定した。
（非晶質炭素被膜の酸化処理）
上記で得られた非晶質炭素被膜表面に、ＵＶオゾン処理を行った。
【０１００】
ＵＶオゾン処理を行うことができる紫外線処理装置には、岩崎電気製一般型紫外線洗浄・改質装置ＯＣ２５０６（合成石英ガラス製発光管からなる低圧水銀ランプ２５Ｗ（型式ＱＯＬ２５ＳＹ）６灯搭載、バッチ式処理）を用いた。
【０１０１】
上記紫外線処理装置を用いたＵＶ−オゾン処理は、紫外線照度約５ｍＷ／ｃｍ２の条件で３０分行った。
（酸化処理面の評価）
上記ＵＶオゾン処理を行った非晶質炭素被膜の表面をＸＰＳ分析し、シラノール基が形成されているか調べた。
【０１０２】
図５に酸化処理面の表面分析結果を表すグラフを示す。図５の左側に示されるピークがＵＶオゾン処理を行った非晶質炭素被膜のＸＰＳ分析結果であり、図５の右側に示されるピークが未処理品のＸＰＳ分析結果である。右側に示されるピークがＳｉ−Ｃ基、Ｓｉ−ＣＨ基のピークを示しており、左側に示されるピークがＳｉの酸化官能基のピークを示している。これよりＵＶオゾン処理により図５の矢印に示すようにピークが図の左側に移動することが観察された。このことからＵＶオゾン処理により表面に、Ｓｉ−ＯＨ基を含むＳｉの酸化官能基が形成されることが確認できた。
【０１０３】
（せん断試験）
せん断試験を行い、非晶質炭素被膜と接着剤とのせん断強度を測定した。図６にせん断試験片の形状を説明する説明図を示す。
（せん断試験用非晶質炭素被膜試験片の作製）
図６に示す下側のせん断試験片としてアルミ合金３００３製の導電性基体（厚み３ｍｍ幅１０ｍｍ長さ５０ｍｍ）を用い、上記と同様にして非晶質炭素被膜を形成した。
厚み３μｍ、珪素含有量は１３atomic％の非晶質炭素被膜を形成できた。 
（せん断試験用光沢Ｎｉめっき試験片の作製）
銅Ｃ１１００製基体（厚み３ｍｍ幅１０ｍｍ長さ５０ｍｍ）に光沢Ｎｉめっきを行い、図６に示す上側のせん断試験片とした。
（表面酸化処理）
上記の上側及び下側のせん断試験片をＵＶオゾン処理装置（岩崎電気製一般型紫外線洗浄・改質装置ＯＣ２５０６）を使用し、照射距離＝４０ｍｍで、３０分間のＵＶオゾン処理を行った。
【０１０４】
（実施例１）
（シランカップリング剤塗布液の調整）
原料としてエポキシ系シランカップリング剤である３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング社製Ｚ−６０４０）を使用し、室温で酢酸とエタノールの混合液（酢酸：エタノール＝７：２）で希釈して、固形分濃度が０．５wt％の塗布液（ｐＨ約４）とした。
（シランカップリング層の形成）
ＵＶオゾン処理した上側試験片と下側試験片を上記の塗布液中に浸漬して引き上げることによりシランカップリング剤を塗布した後、１００℃で３０分間加熱乾燥して、室温まで冷却した。ついで、エタノールで余分なシランカップリング剤を洗い流し、再度乾燥させた。
（せん断試験片作製）
得られた上側試験片と下側試験片に、ディスペンサーにて高熱伝導性エポキシ系接着剤（化研テック社製ＣＴ２５１２）を塗布し、図６のとおり合わせて、１８０℃で１時間加熱硬化させ、実施例１のせん断試験片を得た。
【０１０５】
（実施例２）
（シランカップリング剤塗布液の調整）
原料としてアミノ系シランカップリング剤である３−アミノプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング社製Ｚ−６６１０）を使用し、室温で純水で希釈して固形分濃度が０．５wt％の塗布液とした。
【０１０６】
シランカップリング剤塗布液を上記塗布液に変えたほかは、実施例１と同様にして実施例２のせん断試験片を作製した。
【０１０７】
（比較例１）
シランカップリング層の形成を行わなかったほかは、実施例１と同様にして比較例１のせん断試験片を作製した。
（せん断試験結果）
接着性改善効果を確認するため、上記実施例１、実施例２及び比較例１のせん断試験片を用い、高温高湿試験を行い、初期値との比較を行った。
（初期せん断引張試験）
島津製作所製オートグラフを用いて０．２ｍｍ／ｍｉｎの試験速度にてせん断試験片のせん断引張強度を測定し、せん断引張強度の測定値で初期接着強度を評価した。
（高温高湿放置後のせん断引張試験）
せん断試験片を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中に５００時間放置した後、初期せん断引張試験と同様に測定したせん断引張強度から耐湿性を評価した。
【０１０８】
図７に実施例１、実施例２及び比較例１のせん断試験強度を比較するグラフを示す。またせん断試験後の試験片の表面を目視で観察した写真を図８に示す。
【０１０９】
実施例１、実施例２及び比較例１の初期せん断強度は、どれも約９〜１０ＭＰａであった。高温高湿放置後に、比較例１の試験片のせん断強度が０．４ＭＰａと大幅に低下したのに対し、実施例１の高温高湿放置後のせん断強度は６．６ＭＰａ、実施例２の高温高湿放置後のせん断強度は８．６ＭＰａとあまり低下しなかった。
【０１１０】
また図８から比較例１の高温高湿放置後の試験片では、非晶質炭素被膜の黒い面の上には接着剤の白い層が全く観察されず、破壊面が非晶質炭素被膜と樹脂層との界面であることがわかった。それに対して実施例１及び実施例２の高温高湿放置後の試験片では、非晶質炭素被膜の黒い面は樹脂の白い面で覆われており、破壊面がＮｉめっき側近傍であることがわかった。
【０１１１】
このことからも、実施例１及び実施例２は非晶質炭素被膜と接着剤が強固に密着していることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】シランカップリング剤を介したシランカップリング反応についての説明図を示す。
【図２】本発明の半導体装置の模式断面図を示す。
【図３】直流プラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置の説明図を示す。
【図４】成膜中のグロー放電の様子を示す。
【図５】酸化処理面の表面分析結果を表すグラフを示す。
【図６】せん断試験片の形状を説明する説明図を示す。
【図７】実施例１、実施例２及び比較例１のせん断試験強度を比較するグラフを示す。
【図８】試験後のせん断試験片の観察写真を示す。
【符号の説明】
【０１１３】
１：放熱部材、２：基材、３：非晶質炭素被膜、４：接合層、５：配線部材、
６：はんだ、７：半導体素子、１０：半導体装置、４００：成膜装置、
４１１：チャンバー、４１３：排気系、４１６：プラズマ電源、４２０：陰極、
４２２：導電性基体、４３０：ガス供給手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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