(57)【要約】      （修正有）【課題】ボンディングツールとトロイダルコイルとの干渉のおそれを低減しつつ、モジュール全体を小型化する手段を提供する。【解決手段】トロイダルコイル2と導体パターン1b1とを電気的に接続し、中間導体パターン1b6上に縦型ＭＯＳＦＥＴ3aを搭載したパワーモジュールにおいて、ボンディングワイヤ5cの１ｓｔボンド部5c1を外部導出端子11上に配置し、ボンディングワイヤ5cの２ｎｄボンド部5c2を、導体パターン1b1のうち、１ｓｔボンド部5c1よりも右側であって、トロイダルコイル2よりも左側の部分上に配置し、部分切断部を介してボンディングワイヤ5cと繋がっているボンディングワイヤが１ｓｔボンド部5c1から遠ざかる側に引張られて２ｎｄボンド部5c2から完全に切断される時に必要なボンディングツール用の逃げスペース5c3を２ｎｄボンド部5c2とトロイダルコイル2との間に配置した。【選択図】図９
2010267645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）の上面の左後側部分にプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）を形成し、
基板（１）の上面の右後側部分にプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）を形成し、
基板（１）の上面の左前側部分にマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）を形成し、
基板（１）の上面の右前側部分にマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）を形成し、
基板（１）の上面の後側部分であって、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）との間に中間導体パターン（１ｂ６）を形成し、
基板（１）の上面のプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）との間にゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）を形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続し、
トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とを電気的に接続し、
中間導体パターン（１ｂ６）上のうち、トロイダルコイル（２）よりも前側の部分に縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）を搭載することによって、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のドレインと中間導体パターン（１ｂ６）とを電気的に接続し、
ダイオード（４ａ）をプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）上に搭載することによって、ダイオード（４ａ）のカソードとプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続し、
トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）上にゲート抵抗（６ａ）を搭載することによって、ゲート抵抗（６ａ）の下面とゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）とを電気的に接続し、
基板（１）の周りに外囲ケース（１０）を配置し、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）を、外囲ケース（１０）の左側壁（１０ｃ）から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）を、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）を、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）を、外囲ケース（１０）の右側壁（１０ｄ）から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）をトロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の前側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）を、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも右前側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）をプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）を、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分上に配置し、
太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られて太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）から完全に切断される時に必要なボンディングツール（３０）用の逃げスペース（５ｃ３）を、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）とトロイダルコイル（２）との間に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）をトロイダルコイル（２）の後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）をその１ｓｔボンド部（５ｄ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）をプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右後側の部分上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）を、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）を、トロイダルコイル（２）の右側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）をその１ｓｔボンド部（５ｆ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）を、トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置したことを特徴とするパワーモジュール（４０）。
【請求項２】
マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）との間を流れる電流値を検出するための電流センサ（７）を介してマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）を電流センサ（７）の右側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の真前に位置する部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）を、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）および電流センサ（７）よりも右側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）を、電流センサ（７）の左後側に位置するプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）を、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）の真右に位置する部分上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）を電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）を、マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｄ１）よりも左前側であって、電流センサ（７）よりも左側の部分上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）を電流センサ（７）の右後側に位置するプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）を、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）を、電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｆ１）および電流センサ（７）よりも前側の部分上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）を、電流センサ（７）の右後側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）の右前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置したことを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール（４０）。
【請求項３】
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）と概略相補形状の穴（１ｂ１ａ）をプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）に形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と概略相補形状の穴（１ｂ６ａ）を中間導体パターン（１ｂ６）に形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）をプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の穴（１ｂ１ａ）に挿入すると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）を中間導体パターン（１ｂ６）の穴（１ｂ６ａ）に挿入したことを特徴とする請求項１又は２に記載のパワーモジュール（４０）。
【請求項４】
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）および／またはトロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）にリング状のカラー部材（８）を装着し、
カラー部材（８）の底面と、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）および／または中間導体パターン（１ｂ６）の上面との間を接合したことを特徴とする請求項３に記載のパワーモジュール（４０）。
【請求項５】
トロイダルコイル（２）の巻線がコアの周りに巻回されている巻回部（２ａ）よりも浅い深さまで、外囲ケース（１０）の内側にゲル材料（１５）を充填したことを特徴とする請求項３又は４に記載のパワーモジュール（４０）。
【請求項６】
トロイダルコイル（２）の巻回部（２ａ）の外周面と嵌合する環状部（２１ａ）と、環状部（２１ａ）から左側に延びている左脚部（２１ｂ）と、環状部（２１ａ）から右側に延びている右脚部（２１ｃ）とを有するトロイダルコイル把持冶具（２１）によってトロイダルコイル（２）を把持し、
トロイダルコイル把持冶具（２１）の左脚部（２１ｂ）の左端部と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）の上面とを嵌合させ、かつ、トロイダルコイル把持冶具（２１）の右脚部（２１ｃ）の右端部と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）の上面とを嵌合させ、
基板（１）の前側面および上面と枠体冶具（２０）の前側壁（２０ａ）とが嵌合し、基板（１）の後側面および上面と枠体冶具（２０）の後側壁（２０ｂ）とが嵌合し、基板（１）の左側面および上面と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）とが嵌合し、基板（１）の右側面および上面と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）とが嵌合するように、枠体冶具（２０）を基板（１）上に載置し、
その状態で、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを接合すると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とを接合することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トロイダルコイルと、ダイオードと、ＭＯＳＦＥＴとを有するパワーモジュールおよびその製造方法に関し、特には、パワーモジュールのワイヤボンディング工程中のボンディングワイヤの切断時にボンディングツールとトロイダルコイルとが干渉するおそれを低減しつつ、モジュール全体を小型化することができるパワーモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、リアクタンス（インダクタ）と、ダイオードと、スイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴとを有するアクティブフィルタが知られている。この種のアクティブフィルタの例としては、例えば特開２００８−０４３１２２号公報の図２１に記載されたものがある。
【０００３】
また、従来から、アクティブフィルタを含む回路をモジュール（パッケージ）化したパワーデバイスが知られている。この種のパワーデバイスの例としては、例えば、特開平７−２５０４８５号公報の段落〔０１６８〕に記載されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０４３１２２号公報の図２１
【特許文献２】特開平７−２５０４８５号公報の段落〔０１６８〕
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特開平７−２５０４８５号公報の段落〔０１６８〕に記載されたパワーデバイスでは、リアクタンス（インダクタ）、ダイオードおよびＭＯＳＦＥＴ以外に多数の電子部品が含められてモジュール（パッケージ）が構成されている。そのため、特開平７−２５０４８５号公報の段落〔０１６８〕に記載されたパワーデバイスでは、アクティブフィルタを含む回路のモジュール（パッケージ）が大型化してしまう。
【０００６】
一方、リアクタンス（インダクタ）として高さ寸法が大きいトロイダルコイルを用いると共に、トロイダルコイルと、ダイオードと、ＭＯＳＦＥＴとを有するパワーモジュールを小型化しようとすると、パワーモジュールのワイヤボンディング工程中のボンディングワイヤの切断時にボンディングツールとトロイダルコイルとが干渉するおそれが生じてしまう。
【０００７】
前記問題点に鑑み、本発明は、パワーモジュールのワイヤボンディング工程中のボンディングワイヤの切断時にボンディングツールとトロイダルコイルとが干渉するおそれを低減しつつ、モジュール全体を小型化することができるパワーモジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、基板（１）の上面の左後側部分にプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）を形成し、
基板（１）の上面の右後側部分にプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）を形成し、
基板（１）の上面の左前側部分にマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）を形成し、
基板（１）の上面の右前側部分にマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）を形成し、
基板（１）の上面の後側部分であって、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）との間に中間導体パターン（１ｂ６）を形成し、
基板（１）の上面のプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）との間にゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）を形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続し、
トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とを電気的に接続し、
中間導体パターン（１ｂ６）上のうち、トロイダルコイル（２）よりも前側の部分に縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）を搭載することによって、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のドレインと中間導体パターン（１ｂ６）とを電気的に接続し、
ダイオード（４ａ）をプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）上に搭載することによって、ダイオード（４ａ）のカソードとプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続し、
トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）上にゲート抵抗（６ａ）を搭載することによって、ゲート抵抗（６ａ）の下面とゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）とを電気的に接続し、
基板（１）の周りに外囲ケース（１０）を配置し、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）を、外囲ケース（１０）の左側壁（１０ｃ）から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）を、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）を、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）を、外囲ケース（１０）の右側壁（１０ｄ）から外囲ケース（１０）の内側に露出させ、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）をトロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の前側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）を、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも右前側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）をプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）を、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分上に配置し、
太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られて太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）から完全に切断される時に必要なボンディングツール（３０）用の逃げスペース（５ｃ３）を、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）とトロイダルコイル（２）との間に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）をトロイダルコイル（２）の後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）をその１ｓｔボンド部（５ｄ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）をプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右後側の部分上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）を、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）を、トロイダルコイル（２）の右側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）をその１ｓｔボンド部（５ｆ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）を、トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置したことを特徴とするパワーモジュール（４０）が提供される。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）との間を流れる電流値を検出するための電流センサ（７）を介してマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）を電流センサ（７）の右側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の真前に位置する部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）を、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）および電流センサ（７）よりも右側の部分上に配置し、
中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）を、電流センサ（７）の左後側に位置するプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置し、
プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）を、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）の真右に位置する部分上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）を電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置し、
マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）を、マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｄ１）よりも左前側であって、電流センサ（７）よりも左側の部分上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）を電流センサ（７）の右後側に位置するプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）上に配置し、
プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）を、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）を、電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置し、
マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）を、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｆ１）および電流センサ（７）よりも前側の部分上に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）を、電流センサ（７）の右後側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置し、
縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）を、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）の右前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置したことを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール（４０）が提供される。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）と概略相補形状の穴（１ｂ１ａ）をプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）に形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と概略相補形状の穴（１ｂ６ａ）を中間導体パターン（１ｂ６）に形成し、
トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）をプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の穴（１ｂ１ａ）に挿入すると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）を中間導体パターン（１ｂ６）の穴（１ｂ６ａ）に挿入したことを特徴とする請求項１又は２に記載のパワーモジュール（４０）が提供される。
【００１１】
請求項４に記載の発明によれば、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）および／またはトロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）にリング状のカラー部材（８）を装着し、
カラー部材（８）の底面と、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）および／または中間導体パターン（１ｂ６）の上面との間を接合したことを特徴とする請求項３に記載のパワーモジュール（４０）が提供される。
【００１２】
請求項５に記載の発明によれば、トロイダルコイル（２）の巻線がコアの周りに巻回されている巻回部（２ａ）よりも浅い深さまで、外囲ケース（１０）の内側にゲル材料（１５）を充填したことを特徴とする請求項３又は４に記載のパワーモジュール（４０）が提供される。
【００１３】
請求項６に記載の発明によれば、トロイダルコイル（２）の巻回部（２ａ）の外周面と嵌合する環状部（２１ａ）と、環状部（２１ａ）から左側に延びている左脚部（２１ｂ）と、環状部（２１ａ）から右側に延びている右脚部（２１ｃ）とを有するトロイダルコイル把持冶具（２１）によってトロイダルコイル（２）を把持し、
トロイダルコイル把持冶具（２１）の左脚部（２１ｂ）の左端部と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）の上面とを嵌合させ、かつ、トロイダルコイル把持冶具（２１）の右脚部（２１ｃ）の右端部と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）の上面とを嵌合させ、
基板（１）の前側面および上面と枠体冶具（２０）の前側壁（２０ａ）とが嵌合し、基板（１）の後側面および上面と枠体冶具（２０）の後側壁（２０ｂ）とが嵌合し、基板（１）の左側面および上面と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）とが嵌合し、基板（１）の右側面および上面と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）とが嵌合するように、枠体冶具（２０）を基板（１）上に載置し、
その状態で、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを接合すると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とを接合することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、基板（１）の上面の左後側部分にプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）が形成されている。また、基板（１）の上面の右後側部分にプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）が形成されている。更に、基板（１）の上面の左前側部分にマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）が形成されている。
【００１５】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、基板（１）の上面の右前側部分にマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）が形成されている。更に、基板（１）の上面の後側部分であって、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）との間に中間導体パターン（１ｂ６）が形成されている。また、基板（１）の上面のプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）との間にゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）が形成されている。
【００１６】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とが電気的に接続されている。また、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とが電気的に接続されている。
【００１７】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、中間導体パターン（１ｂ６）上のうち、トロイダルコイル（２）よりも前側の部分に縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）を搭載することによって、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のドレインと中間導体パターン（１ｂ６）とが電気的に接続されている。更に、ダイオード（４ａ）をプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）上に搭載することによって、ダイオード（４ａ）のカソードとプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とが電気的に接続されている。また、トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）上にゲート抵抗（６ａ）を搭載することによって、ゲート抵抗（６ａ）の下面とゲート信号端子用導体パターン（１ｂ２）とが電気的に接続されている。
【００１８】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、基板（１）の周りに外囲ケース（１０）が配置されている。また、外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）が、外囲ケース（１０）の左側壁（１０ｃ）から外囲ケース（１０）の内側に露出せしめられている。更に、外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）が、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出せしめられている。
【００１９】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、外囲ケース（１０）にインサート成形されたプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）が、外囲ケース（１０）の後側壁（１０ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右側の部分から外囲ケース（１０）の内側に露出せしめられている。更に、外囲ケース（１０）にインサート成形されたマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）が、外囲ケース（１０）の右側壁（１０ｄ）から外囲ケース（１０）の内側に露出せしめられている。
【００２０】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）が、トロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置されている。また、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）が、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の前側の部分上に配置されている。
【００２１】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（前側）に移動せしめられる。
【００２２】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００２３】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）が、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも右前側の部分上に配置されている。更に、中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置されている。
【００２４】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（右側）に移動せしめられる。
【００２５】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００２６】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）が、プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置されている。また、プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）が、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）よりも右側であって、トロイダルコイル（２）よりも左側の部分上に配置されている。
【００２７】
つまり、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）に近づく側（右側）に移動せしめられる。
【００２８】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られて太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）から完全に切断される時に必要なボンディングツール（３０）用の逃げスペース（５ｃ３）が、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）とトロイダルコイル（２）との間に配置されている。
【００２９】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを低減することができる。
【００３０】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）が、トロイダルコイル（２）の後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置されている。更に、マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｄ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）上に配置されている。
【００３１】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（前側）に移動せしめられる。
【００３２】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００３３】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）が、プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）のうち、トロイダルコイル（２）よりも右後側の部分上に配置されている。また、プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）が、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置されている。
【００３４】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（右側）に移動せしめられる。
【００３５】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００３６】
また、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）が、トロイダルコイル（２）の右側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置されている。更に、マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｆ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置するマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）上に配置されている。
【００３７】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（前側）に移動せしめられる。
【００３８】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００３９】
更に、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）が、トロイダルコイル（２）の左前側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置されている。また、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）およびトロイダルコイル（２）の前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置されている。
【００４０】
そのため、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）では、細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）がトロイダルコイル（２）から遠ざかる側（前側）に移動せしめられる。
【００４１】
その結果、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００４２】
以上のように、請求項１に記載のパワーモジュール（４０）によれば、パワーモジュール（３０）のワイヤボンディング工程中のボンディングワイヤ（５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ）の切断時にボンディングツール（３０）とトロイダルコイル（２）とが干渉するおそれを低減しつつ、パワーモジュール（４０）全体を小型化することができる。
【００４３】
請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）との間を流れる電流値を検出するための電流センサ（７）を介してマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とが電気的に接続されている。
【００４４】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、パワーモジュール（４０）の使用中にマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）との間を流れる電流値を把握することができる。
【００４５】
更に、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）が、電流センサ（７）の右側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソース上に配置されている。また、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のソースとマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）が、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ａ１）の真前に位置する部分上に配置されている。
【００４６】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）の真前側に移動せしめられる。
【００４７】
つまり、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）との間の左右方向の間隔が一定値に維持される。
【００４８】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ａ）の２ｎｄボンド部（５ａ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ａ）の１ｓｔボンド部（５ａ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００４９】
また、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）が、中間導体パターン（１ｂ６）のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）および電流センサ（７）よりも右側の部分上に配置されている。更に、中間導体パターン（１ｂ６）とダイオード（４ａ）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｂ１）の右側に位置するダイオード（４ａ）のアノード上に配置されている。
【００５０】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が電流センサ（７）から遠ざかる側（右側）に移動せしめられる。
【００５１】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の２ｎｄボンド部（５ｂ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｂ）の１ｓｔボンド部（５ｂ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００５２】
更に、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）が、電流センサ（７）の左後側に位置するプラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）上に配置されている。また、プラス入力端子用外部導出端子（１１）の下端部（１１ｂ）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）が、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｃ１）の真右に位置する部分上に配置されている。
【００５３】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）の真右側に移動せしめられる。
【００５４】
つまり、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）との間の前後方向の間隔が一定値に維持される。
【００５５】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の２ｎｄボンド部（５ｃ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｃ）の１ｓｔボンド部（５ｃ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００５６】
また、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）が、電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）上に配置されている。更に、マイナス入力端子用外部導出端子（１２）の下端部（１２ｂ）とマイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）が、マイナス入力端子用導体パターン（１ｂ４）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｄ１）よりも左前側であって、電流センサ（７）よりも左側の部分上に配置されている。
【００５７】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が電流センサ（７）から遠ざかる側（左側）に移動せしめられる。
【００５８】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の２ｎｄボンド部（５ｄ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｄ）の１ｓｔボンド部（５ｄ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００５９】
更に、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）が、電流センサ（７）の右後側に位置するプラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）上に配置されている。また、プラス出力端子用外部導出端子（１３）の下端部（１３ｂ）とプラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）が、プラス出力端子用導体パターン（１ｂ７）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｅ１）よりも右前側の部分上に配置されている。
【００６０】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が電流センサ（７）から遠ざかる側（右側）に移動せしめられる。
【００６１】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の２ｎｄボンド部（５ｅ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｅ）の１ｓｔボンド部（５ｅ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００６２】
また、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）が、電流センサ（７）の右後側に位置するマイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）上に配置されている。更に、マイナス出力端子用外部導出端子（１４）の下端部（１４ｂ）とマイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）が、マイナス出力端子用導体パターン（１ｂ５）のうち、その１ｓｔボンド部（５ｆ１）および電流センサ（７）よりも前側の部分上に配置されている。
【００６３】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が電流センサ（７）から遠ざかる側（前側）に移動せしめられる。
【００６４】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の２ｎｄボンド部（５ｆ２）と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ（５ｆ）の１ｓｔボンド部（５ｆ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００６５】
更に、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）が、電流センサ（７）の右後側に位置するゲート抵抗（６ａ）の上面に配置されている。また、縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲートとゲート抵抗（６ａ）の上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）が、その１ｓｔボンド部（５ｇ１）の右前側に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ（３ａ）のゲート上に配置されている。
【００６６】
そのため、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）では、細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）が電流センサ（７）から遠ざかる側（右側）に移動せしめられる。
【００６７】
その結果、請求項２に記載のパワーモジュール（４０）によれば、細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンディング後にワイヤカッター（３１）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の２ｎｄボンド部（５ｇ２）と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ（５ｇ）の１ｓｔボンド部（５ｇ１）から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール（３０）と電流センサ（７）とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【００６８】
請求項３に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）と概略相補形状の穴（１ｂ１ａ）が、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）に形成されている。また、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と概略相補形状の穴（１ｂ６ａ）が、中間導体パターン（１ｂ６）に形成されている。
【００６９】
更に、請求項３に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）がプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の穴（１ｂ１ａ）に挿入されると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）が中間導体パターン（１ｂ６）の穴（１ｂ６ａ）に挿入されている。
【００７０】
つまり、請求項３に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）の端面とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の上面との間が接合されるのではなく、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）の外周面とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の穴（１ｂ１ａ）の内周面との間が接合される。
【００７１】
そのため、請求項３に記載のパワーモジュール（４０）によれば、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）の端面とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）の上面との間が接合される場合よりも、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）との接合強度を向上させることができる。
【００７２】
同様に、請求項３に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）の端面と中間導体パターン（１ｂ６）の上面との間が接合されるのではなく、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）の外周面と中間導体パターン（１ｂ６）の穴（１ｂ６ａ）の内周面との間が接合される。
【００７３】
そのため、請求項３に記載のパワーモジュール（４０）によれば、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）の端面と中間導体パターン（１ｂ６）の上面との間が接合される場合よりも、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）との接合強度を向上させることができる。
【００７４】
請求項４に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）および／またはトロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）にリング状のカラー部材（８）が装着されている。更に、カラー部材（８）の底面と、プラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）および／または中間導体パターン（１ｂ６）の上面との間が接合されている。
【００７５】
そのため、請求項４に記載のパワーモジュール（４０）によれば、カラー部材（８）が設けられていない場合よりも、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）との接合強度および／またはトロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）との接合強度を向上させることができる。
【００７６】
請求項５に記載のパワーモジュール（４０）では、外囲ケース（１０）の内側にゲル材料（１５）が充填されている。そのため、請求項５に記載のパワーモジュール（４０）によれば、外囲ケース（１０）の内側にゲル材料（１５）が充填されていない場合よりも、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）との接合強度およびトロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）との接合強度を向上させることができる。
【００７７】
詳細には、請求項５に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻線がコアの周りに巻回されている巻回部（２ａ）よりも浅い深さまで、外囲ケース（１０）の内側にゲル材料（１５）が充填されている。つまり、請求項５に記載のパワーモジュール（４０）では、トロイダルコイル（２）の巻回部（２ａ）がゲル材料（１５）内に浸漬されていない。
【００７８】
そのため、請求項５に記載のパワーモジュール（４０）によれば、トロイダルコイル（２）の巻回部（２ａ）がゲル材料（１５）内に浸漬されるのに伴って、トロイダルコイル（２）のコイル特性に悪影響が生じてしまうおそれを排除することができる。
【００７９】
請求項６に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法では、トロイダルコイル（２）の巻回部（２ａ）の外周面と嵌合する環状部（２１ａ）と、環状部（２１ａ）から左側に延びている左脚部（２１ｂ）と、環状部（２１ａ）から右側に延びている右脚部（２１ｃ）とを有するトロイダルコイル把持冶具（２１）によってトロイダルコイル（２）が把持される。
【００８０】
次いで、請求項６に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法では、トロイダルコイル把持冶具（２１）の左脚部（２１ｂ）の左端部と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）の上面とが嵌合せしめられ、かつ、トロイダルコイル把持冶具（２１）の右脚部（２１ｃ）の右端部と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）の上面とが嵌合せしめられる。
【００８１】
次いで、請求項６に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法では、基板（１）の前側面および上面と枠体冶具（２０）の前側壁（２０ａ）とが嵌合し、基板（１）の後側面および上面と枠体冶具（２０）の後側壁（２０ｂ）とが嵌合し、基板（１）の左側面および上面と枠体冶具（２０）の左側壁（２０ｃ）とが嵌合し、基板（１）の右側面および上面と枠体冶具（２０）の右側壁（２０ｄ）とが嵌合するように、枠体冶具（２０）が基板（１）上に載置され、その状態で、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）とが接合されると共に、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）とが接合される。
【００８２】
そのため、請求項６に記載のパワーモジュール（４０）の製造方法によれば、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）とプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）との接合、および、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）と中間導体パターン（１ｂ６）との接合が実行される工程中に、トロイダルコイル（２）が倒れてしまったり、トロイダルコイル（２）の巻線の一端（２ｂ１）がプラス入力端子用導体パターン（１ｂ１）に対してずれてしまったり、トロイダルコイル（２）の巻線の他端（２ｂ２）が中間導体パターン（１ｂ６）に対してずれてしまったりするおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図８】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図９】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１０】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１１】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１２】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１３】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１４】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１５】第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【図１６】第１の実施形態のパワーモジュール４０の回路図である。
【図１７】第４の実施形態のパワーモジュール４０の一部を示した平面図である。
【図１８】第４の実施形態のパワーモジュール４０の一部を示した平面図である。
【図１９】第４の実施形態のパワーモジュール４０の一部を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００８４】
以下、本発明のパワーモジュールの第１の実施形態について説明する。図１〜図１５は第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造工程を説明するための図である。
【００８５】
第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、まず最初に、図１に示すように、例えばＤＢＣ基板（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）などのような基板１が準備される。図１（Ａ）は基板１の平面図、図１（Ｂ）は基板１の右側面図、図１（Ｃ）は基板１の正面図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００８６】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１（Ａ）および図１（Ｄ）に示すように、基板１の上面の左後側部分にプラス入力端子用導体パターン１ｂ１が形成されている。また、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、基板１の上面の右後側部分にプラス出力端子用導体パターン１ｂ７が形成されている。更に、図１（Ａ）および図１（Ｃ）に示すように、基板１の上面の左前側部分にマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４が形成されている。
【００８７】
また、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示すように、基板１の上面の右前側部分にマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５が形成されている。更に、図１（Ａ）および図１（Ｄ）に示すように、基板１の上面の後側部分であって、プラス入力端子用導体パターン１ｂ１とプラス出力端子用導体パターン１ｂ７との間に中間導体パターン１ｂ６が形成されている。また、図１（Ａ）に示すように、基板１の上面のプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４との間に、ゲート信号端子用導体パターン１ｂ２と、ソース端子用導体パターン１ｂ３とが形成されている。図１において、１ａはセラミック基板を示しており、１ｃはセラミック基板１ａの下面に形成された導体パターンを示している。
【００８８】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図２に示すように、例えば半田などのような接合材によって、基板１のプラス入力端子用導体パターン１ｂ１および中間導体パターン１ｂ６に対してトロイダルコイル２が接合され、基板１の中間導体パターン１ｂ６に対して縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａが接合され、基板１のプラス出力端子用導体パターン１ｂ７に対してダイオード４ａが接合され、基板１のマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４およびマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５に対してマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４とマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５との間を流れる電流値を検出するための電流センサ７が接合される。図２（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａおよび電流センサ７からなる組立体の平面図、図２（Ｂ）はその組立体の右側面図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００８９】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、トロイダルコイル２（図２参照）の巻線の一端２ｂ１（図２（Ｃ）参照）と概略相補形状の穴１ｂ１ａ（図１（Ａ）、図１（Ｄ）および図２（Ｃ）参照）が、プラス入力端子用導体パターン１ｂ１（図１および図２参照）に形成されている。また、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２（図２（Ｃ）参照）と概略相補形状の穴１ｂ６ａ（図１（Ａ）、図１（Ｄ）および図２（Ｃ）参照）が、中間導体パターン１ｂ６（図１および図２）に形成されている。
【００９０】
更に、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１（Ｄ）および図２（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１がプラス入力端子用導体パターン１ｂ１の穴１ｂ１ａに挿入されると共に、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２が中間導体パターン１ｂ６の穴１ｂ６ａに挿入されている。
【００９１】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１の端面（下面）とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１の上面との間が例えば半田などのような接合材によって接合されるのではなく、図２（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１の外周面とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１の穴１ｂ１ａの内周面との間が例えば半田などのような接合材によって接合される。
【００９２】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１の端面（下面）とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１の上面との間が例えば半田などのような接合材によって接合される場合よりも、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１との接合強度を向上させることができる。
【００９３】
同様に、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２の端面（下面）と中間導体パターン１ｂ６の上面との間が例えば半田などのような接合材によって接合されるのではなく、図２（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２の外周面と中間導体パターン１ｂ６の穴１ｂ６ａの内周面との間が例えば半田などのような接合材によって接合される。
【００９４】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２の端面（下面）と中間導体パターン１ｂ６の上面との間が例えば半田などのような接合材によって接合される場合よりも、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６との接合強度を向上させることができる。
【００９５】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図２に示すように、例えば半田などのような接合材によって基板１のプラス入力端子用導体パターン１ｂ１および中間導体パターン１ｂ６に対してトロイダルコイル２を接合する場合に、図３に示すような枠体冶具２０およびトロイダルコイル把持冶具２１が用いられる。図３（Ａ）はトロイダルコイル２の巻回部２ａの外周面を把持しているトロイダルコイル把持冶具２１が枠体冶具２０に係止されている状態を示した平面図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図３（Ｄ）は枠体冶具２０の下端部とセラミック基板１ａの上面の外縁部とが嵌合せしめられた状態を示した平面図である。
【００９６】
第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻回部２ａの外周面と嵌合する環状部２１ａと、環状部２１ａから左側に延びている左脚部２１ｂと、環状部２１ａから右側に延びている右脚部２１ｃとを有するトロイダルコイル把持冶具２１によって、トロイダルコイル２が把持される。
【００９７】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図３（Ａ）および図３（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル把持冶具２１の左脚部２１ｂの左端部と枠体冶具２０の左側壁２０ｃの上面とが嵌合せしめられ、かつ、トロイダルコイル把持冶具２１の右脚部２１ｃの右端部と枠体冶具２０の右側壁２０ｄの上面とが嵌合せしめられる。
【００９８】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図３（Ｄ）に示すように、基板１（図２参照）のセラミック基板１ａの前側面および上面と枠体冶具２０の前側壁２０ａの下端部とが嵌合し、基板１のセラミック基板１ａの後側面および上面と枠体冶具２０の後側壁２０ｂの下端部とが嵌合し、基板１のセラミック基板１ａの左側面および上面と枠体冶具２０の左側壁２０ｃの下端部とが嵌合し、基板１のセラミック基板１ａの右側面および上面と枠体冶具２０の右側壁２０ｄの下端部とが嵌合するように、枠体冶具２０が基板１上に載置され、その状態で、図２（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とが例えば半田などのような接合材によって接合されると共に、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６とが例えば半田などのような接合材によって接合される。
【００９９】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１との接合、および、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６との接合が実行される工程中に、トロイダルコイル２が倒れてしまったり、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１がプラス入力端子用導体パターン１ｂ１に対してずれてしまったり、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２が中間導体パターン１ｂ６に対してずれてしまったりするおそれを低減することができる。
【０１００】
また、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図３（Ｃ）に示すように、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１およびトロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２にリング状のカラー部材８が装着されている。更に、図２（Ｃ）に示すように、カラー部材８の底面とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１の上面との間が、例えば半田などのような接合材によって接合されている。また、カラー部材８の底面と中間導体パターン１ｂ６の上面との間が、例えば半田などのような接合材によって接合されている。
【０１０１】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、カラー部材８が設けられていない場合よりも、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１との接合強度およびトロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６との接合強度を向上させることができる。
【０１０２】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図２（Ｃ）に示すように、２個のカラー部材８が用いられているが、第２の実施形態のパワーモジュール４０では、代わりに、いずれか一方のみのカラー部材８を用いたり、カラー部材８を省略したりすることも可能である。
【０１０３】
第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図２に示す段階で、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とが電気的に接続されている。また、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６とが電気的に接続されている。
【０１０４】
また、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図２に示す段階で、中間導体パターン１ｂ６上のうち、トロイダルコイル２よりも前側（図２（Ａ）の下側）の部分に縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａを搭載することによって、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのドレインと中間導体パターン１ｂ６とが電気的に接続されている。更に、ダイオード４ａをプラス出力端子用導体パターン１ｂ７上に搭載することによって、ダイオード４ａのカソードとプラス出力端子用導体パターン１ｂ７とが電気的に接続されている。また、トロイダルコイル２の左前側（図２（Ａ）の左下側）に位置するゲート信号端子用導体パターン１ｂ２上にゲート抵抗６ａを搭載することによって、ゲート抵抗６ａの下面とゲート信号端子用導体パターン１ｂ２とが電気的に接続されている。
【０１０５】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図４に示すように、例えば半田などのような接合材によって、基板１の導体パターン１ｃと、例えばＣｕ、Ａｌなどのような高熱伝導性材料によって形成された放熱板９とが接合される。この接合時に、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とが完全に接合しておらず、トロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２と中間導体パターン１ｂ６とが完全に接合していない場合には、図３に示す枠体冶具２０およびトロイダルコイル把持冶具２１が継続して使用される。図４（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７および放熱板９からなる組立体の平面図、図４（Ｂ）はその組立体の右側面図である。
【０１０６】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図５に示すように、基板１の周りに外囲ケース１０が配置される。詳細には、放熱板９の前側面および上面と外囲ケース１０の前側壁１０ａの下端部とが嵌合し、放熱板９の後側面および上面と外囲ケース１０の後側壁１０ｂの下端部とが嵌合し、放熱板９の左側面および上面と外囲ケース１０の左側壁１０ｃの下端部とが嵌合し、放熱板９の右側面および上面と外囲ケース１０の右側壁１０ｄの下端部とが嵌合するように、外囲ケース１０が放熱板９上に載置され、例えば接着剤などのような接合材によって外囲ケース１０と放熱板９とが接合される。図５（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９および外囲ケース１０からなる組立体の平面図、図５（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１０７】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図５（Ａ）に示すように、外囲ケース１０にインサート成形されたプラス入力端子用外部導出端子１１の下端部１１ｂが、外囲ケース１０の左側壁１０ｃから外囲ケース１０の内側に露出せしめられている。更に、外囲ケース１０にインサート成形されたマイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂが、外囲ケース１０の後側壁１０ｂのうち、トロイダルコイル２よりも左側の部分から外囲ケース１０の内側に露出せしめられている。
【０１０８】
また、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、外囲ケース１０にインサート成形されたプラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂが、外囲ケース１０の後側壁１０ｂのうち、トロイダルコイル２よりも右側の部分から外囲ケース１０の内側に露出せしめられている。更に、図５（Ａ）に示すように、外囲ケース１０にインサート成形されたマイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂが、外囲ケース１０の右側壁１０ｄから外囲ケース１０の内側に露出せしめられている。
【０１０９】
図５において、１１ａはプラス入力端子用外部導出端子１１の上端部を示している。１２ａはマイナス入力端子用外部導出端子１２の上端部を示している。１３ａはプラス出力端子用外部導出端子１３の上端部を示している。１４ａはマイナス出力端子用外部導出端子１４の上端部を示している。
【０１１０】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図６に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図６（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａからなる組立体の平面図、図６（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。図７はワイヤボンディング工程を説明するための概略的な部分断面左側面図である。
【０１１１】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ａのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図６および図７に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１が、ボンディングツール３０の下端部によって把持され、次いで、トロイダルコイル２の前側（図６（Ａ）の下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソース上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１と縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとが接合される。
【０１１２】
次いで、図６および図７に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２が、ボンディングツール３０の下端部によって把持され、次いで、マイナス出力端子用導体パターン１ｂ５のうち、その１ｓｔボンド部５ａ１の真前側（図６（Ａ）の真下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２とマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とが接合される。
【０１１３】
また、図７に示すように、ワイヤカッター３１によって太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂが部分的に切断され、切断部５ａｂが形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１が、ボンディングツール３０の下端部によって把持され、次いで、図７に白抜き矢印で示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１から遠ざかる側（図６（Ａ）の真下側、図７の右側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂが切断部５ａｂの位置で完全に切断される。
【０１１４】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図６および図７に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部５ａｂを介して太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１から遠ざかる側（図６（Ａ）の真下側、図７の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図６（Ａ）の真下側）に移動せしめられる。
【０１１５】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部５ａｂを介して太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１１６】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図６および図７に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部５ａｂを介して太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１から遠ざかる側（図６（Ａ）の真下側、図７の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７との間の左右方向の間隔が一定値に維持される。
【０１１７】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部５ａｂを介して太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１から遠ざかる側に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１１８】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図８に示すように、中間導体パターン１ｂ６とダイオード４ａのアノードとを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図８（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂからなる組立体の平面図、図８（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１１９】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｂのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図８に示すように、中間導体パターン１ｂ６とダイオード４ａのアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、中間導体パターン１ｂ６のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａよりも右側（図８（Ａ）の右側）であって、トロイダルコイル２よりも右前側（図８（Ａ）の右下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１と中間導体パターン１ｂ６とが接合される。
【０１２０】
次いで、図８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｂ１の右側（図８（Ａ）の右側）に位置するダイオード４ａのアノード上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２とダイオード４ａのアノードとが接合される。
【０１２１】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｂ，５ｃ（図９参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１（図９参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｂ，５ｃが切断部の位置で完全に切断される。
【０１２２】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１２３】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１２４】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１２５】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図８（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１２６】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図９に示すように、プラス入力端子用外部導出端子１１の下端部１１ｂとプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図９（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃからなる組立体の平面図、図９（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１２７】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｃのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図９に示すように、プラス入力端子用外部導出端子１１の下端部１１ｂとプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、プラス入力端子用外部導出端子１１の下端部１１ｂ上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１とプラス入力端子用外部導出端子１１の下端部１１ｂとが接合される。
【０１２８】
次いで、図９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、プラス入力端子用導体パターン１ｂ１のうち、その１ｓｔボンド部５ｃ１よりも右側（図９（Ａ）の右側）であって、トロイダルコイル２よりも左側（図９（Ａ）の左側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１とが接合される。
【０１２９】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｃ，５ｄ（図１０参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１（図１０参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｄが太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の右側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｃ，５ｄが切断部の位置で完全に切断される。
【０１３０】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｄが太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２に近づく側（図９（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１３１】
この点に鑑み、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｄ（図１０参照）が太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の右側）に引張られて太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２から完全に切断される時に必要なボンディングツール３０（図７参照）用の逃げスペース５ｃ３が、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２とトロイダルコイル２との間に配置されている。
【０１３２】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｄが太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを低減することができる。
【０１３３】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｄが太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の真右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）と電流センサ７との間の前後方向（図９（Ａ）の上下方向）の間隔が一定値に維持される。
【０１３４】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｃの２ｎｄボンド部５ｃ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｄが太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１から遠ざかる側（図９（Ａ）の真右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１３５】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１０に示すように、マイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂとマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図１０（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄからなる組立体の平面図、図１０（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１３６】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｄのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１０に示すように、マイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂとマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、トロイダルコイル２の後側（図１０（Ａ）の上側）に位置するマイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂ上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１とマイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂとが接合される。
【０１３７】
次いで、図１０に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｄ１およびトロイダルコイル２の前側（図１０（Ａ）の下側）に位置するマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２とマイナス入力端子用導体パターン１ｂ４とが接合される。
【０１３８】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｄ，５ｅ（図１１参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１（図１１参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｅが太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｄ，５ｅが切断部の位置で完全に切断される。
【０１３９】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１０に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｅが太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に移動せしめられる。
【０１４０】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｅが太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１４１】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１０（Ａ）に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１が、マイナス入力端子用外部導出端子１２の下端部１２ｂのうち、電流センサ７の右後側（図１０（Ａ）の右上側）の部分上に配置され、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２が、マイナス入力端子用導体パターン１ｂ４のうち、その１ｓｔボンド部５ｄ１よりも左前側（図１０（Ａ）の左下側）であって、電流センサ７よりも左側（図１０（Ａ）の左側）の部分上に配置されている。
【０１４２】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１０に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｅが太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左側）に移動せしめられる。
【０１４３】
その結果、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｄの２ｎｄボンド部５ｄ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｅが太線ボンディングワイヤ５ｄの１ｓｔボンド部５ｄ１から遠ざかる側（図１０（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１４４】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１１に示すように、プラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂとプラス出力端子用導体パターン１ｂ７とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図１１（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅからなる組立体の平面図、図１１（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１４５】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｅのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１１に示すように、プラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂとプラス出力端子用導体パターン１ｂ７とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、プラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂのうち、トロイダルコイル２よりも右後側（図１１（Ａ）の右上側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１とプラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂとが接合される。
【０１４６】
次いで、図１１に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、プラス出力端子用導体パターン１ｂ７のうち、その１ｓｔボンド部５ｅ１よりも右前側（図１１（Ａ）の右下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２とプラス出力端子用導体パターン１ｂ７とが接合される。
【０１４７】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｅ，５ｆ（図１２参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１（図１２参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｆが太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右下側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｅ，５ｆが切断部の位置で完全に切断される。
【０１４８】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１１に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｆが太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１４９】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｆが太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１５０】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１１（Ａ）に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１が、電流センサ７の右後側（図１１（Ａ）の右上側）に位置するプラス出力端子用外部導出端子１３の下端部１３ｂ上に配置され、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２が、プラス出力端子用導体パターン１ｂ７のうち、その１ｓｔボンド部５ｅ１よりも右前側（図１１（Ａ）の右下側）の部分上に配置されている。
【０１５１】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１１に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｆが太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１５２】
その結果、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｅの２ｎｄボンド部５ｅ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｆが太線ボンディングワイヤ５ｅの１ｓｔボンド部５ｅ１から遠ざかる側（図１１（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１５３】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１２に示すように、マイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂとマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図１２（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆからなる組立体の平面図、図１２（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１５４】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｆのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１２に示すように、マイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂとマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、トロイダルコイル２の右側（図１２（Ａ）の右側）に位置するマイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂ上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１とマイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂとが接合される。
【０１５５】
次いで、図１２に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｆ１およびトロイダルコイル２の前側（図１２（Ａ）の下側）に位置するマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２とマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とが接合される。
【０１５６】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｆが部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、その切断部を隔てて太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２の反対側の部分が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その部分が太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１から遠ざかる側（図１２（Ａ）の左下側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｆが切断部の位置で完全に切断される。
【０１５７】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１２に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１から遠ざかる側（図１２（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１２（Ａ）の下側）に移動せしめられる。
【０１５８】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１から遠ざかる側（図１２（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１５９】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１２（Ａ）に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１が、電流センサ７の右後側（図１２（Ａ）の右上側）に位置するマイナス出力端子用外部導出端子１４の下端部１４ｂ上に配置され、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２が、マイナス出力端子用導体パターン１ｂ５のうち、その１ｓｔボンド部５ｆ１および電流センサ７よりも前側（図１２（Ａ）の下側）の部分上に配置されている。
【０１６０】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１２に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１から遠ざかる側（図１２（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図１２（Ａ）の下側）に移動せしめられる。
【０１６１】
その結果、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｆの２ｎｄボンド部５ｆ２と繋がっている太線ボンディングワイヤが太線ボンディングワイヤ５ｆの１ｓｔボンド部５ｆ１から遠ざかる側（図１２（Ａ）の左下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１６２】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１３に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートとゲート抵抗６ａの上面とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図１３（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ並びに細線ボンディングワイヤ５ｇからなる組立体の平面図、図１３（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１６３】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、細線ボンディングワイヤ５ｇのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１３に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートとゲート抵抗６ａの上面とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、トロイダルコイル２の左前側（図１３（Ａ）の左下側）に位置するゲート抵抗６ａの上面に配置され、超音波振動によって細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１とゲート抵抗６ａの上面とが接合される。
【０１６４】
次いで、図１３に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｇ１およびトロイダルコイル２の前側（図１３（Ａ）の下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲート上に配置され、超音波振動によって細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２と縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートとが接合される。
【０１６５】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって細線ボンディングワイヤ５ｇ，５ｈ（図１４参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１（図１４参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、細線ボンディングワイヤ５ｈが細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右下側）に引張られ、その結果、細線ボンディングワイヤ５ｇ，５ｈが切断部の位置で完全に切断される。
【０１６６】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１３に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２と繋がっている細線ボンディングワイヤ５ｈが細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１３（Ａ）の下側）に移動せしめられる。
【０１６７】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２と繋がっている細線ボンディングワイヤ５ｈが細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１６８】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１３（Ａ）に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１が、電流センサ７の右後側（図１３（Ａ）の右上側）に位置するゲート抵抗６ａの上面に配置され、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２が、その１ｓｔボンド部５ｇ１の右前側（図１３（Ａ）の右下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲート上に配置されている。
【０１６９】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１３に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２と繋がっている細線ボンディングワイヤ５ｈが細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１７０】
その結果、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｇの２ｎｄボンド部５ｇ２と繋がっている細線ボンディングワイヤ５ｈが細線ボンディングワイヤ５ｇの１ｓｔボンド部５ｇ１から遠ざかる側（図１３（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１７１】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１４に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとソース（信号）端子用導体パターン１ａ３とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。図１４（Ａ）は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０および太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ並びに細線ボンディングワイヤ５ｇ，５ｈからなる組立体の平面図、図１４（Ｂ）はその組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１７２】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、細線ボンディングワイヤ５ｈのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１４に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとソース端子用導体パターン１ａ３とを電気的に接続する細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、トロイダルコイル２の左前側（図１４（Ａ）の左下側）に位置するソース端子用導体パターン１ａ３上に配置され、超音波振動によって細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１とソース端子用導体パターン１ａ３とが接合される。
【０１７３】
次いで、図１４に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｈ１およびトロイダルコイル２の前側（図１４（Ａ）の下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソース上に配置され、超音波振動によって細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２と縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとが接合される。
【０１７４】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって細線ボンディングワイヤ５ｈが部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、その切断部を隔てて細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２の反対側の部分が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その部分が細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右下側）に引張られ、その結果、細線ボンディングワイヤ５ｇが切断部の位置で完全に切断される。
【０１７５】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１４に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１４（Ａ）の下側）に移動せしめられる。
【０１７６】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０とトロイダルコイル２とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１７７】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１４（Ａ）に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１が、ソース端子用導体パターン１ａ３のうち、電流センサ７の右側（図１４（Ａ）の右側）の部分上に配置され、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２が、その１ｓｔボンド部５ｈ１の右前側（図１４（Ａ）の右下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソース上に配置されている。
【０１７８】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１４に示すように、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）が電流センサ７から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右側）に移動せしめられる。
【０１７９】
その結果、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部を介して細線ボンディングワイヤ５ｈの２ｎｄボンド部５ｈ２と繋がっている細線ボンディングワイヤが細線ボンディングワイヤ５ｈの１ｓｔボンド部５ｈ１から遠ざかる側（図１４（Ａ）の右下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０と電流センサ７とが干渉してしまうおそれを排除することができる。
【０１８０】
以上のように、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、パワーモジュール３０のワイヤボンディング工程中の太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆおよび細線ボンディングワイヤ５ｇ，５ｈの切断時にボンディングツール３０がトロイダルコイル２または電流センサ７とが干渉するおそれを低減しつつ、パワーモジュール４０全体を小型化することができる。
【０１８１】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１５に示すように、トロイダルコイル２の巻線がコアの周りに巻回されている巻回部２ａよりも浅い深さまで、外囲ケース１０の内側にゲル材料１５が充填される。図１５は基板１、トロイダルコイル２、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ、ダイオード４ａ、ゲート抵抗６ａ、電流センサ７、放熱板９、外囲ケース１０、太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ、細線ボンディングワイヤ５ｇ，５ｈおよびゲル材料１５からなる組立体の概略的な部分断面右側面図である。
【０１８２】
つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１５に示すように、外囲ケース１０の内側にゲル材料１５が充填されている。そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、外囲ケース１０の内側にゲル材料１５が充填されていない場合よりも、トロイダルコイル２の巻線の一端２ｂ１（図２（Ｃ）参照）とプラス入力端子用導体パターン１ｂ１（図２（Ｃ）参照）との接合強度およびトロイダルコイル２の巻線の他端２ｂ２（図２（Ｃ）参照）と中間導体パターン１ｂ６（図２（Ｃ）参照）との接合強度を向上させることができる。
【０１８３】
詳細には、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１５に示すように、トロイダルコイル２の巻回部２ａよりも浅い深さまで、外囲ケース１０の内側にゲル材料１５が充填されている。つまり、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、トロイダルコイル２の巻回部２ａがゲル材料１５内に浸漬されていない。
【０１８４】
そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、トロイダルコイル２の巻回部２ａがゲル材料１５内に浸漬されるのに伴って、トロイダルコイル２のコイル特性に悪影響が生じてしまうおそれを排除することができる。
【０１８５】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、外囲ケース１０（図５参照）の上端の開口に蓋体（図示せず）が被せられ、第１の実施形態のパワーモジュール４０が完成する。
【０１８６】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図１４（Ａ）に示すように、ソース端子用導体パターン１ａ３および細線ボンディングワイヤ５ｈが設けられているが、第３の実施形態のパワーモジュール４０では、代わりに、それらを省略することも可能である。
【０１８７】
図１６は第１の実施形態のパワーモジュール４０の回路図である。図１６において、Ｇ１は縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートに駆動信号を印加するためにゲート信号端子用導体パターン１ｂ２（図１４（Ａ）参照）に電気的に接続された外部導出端子（図１〜図１５には図示せず）を示している。また、Ｓ１は縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースの電位を取り出すためにソース端子用導体パターン１ｂ３（図１４（Ａ）参照）に電気的に接続された外部導出端子（図１〜図１５には図示せず）を示している。
【０１８８】
第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、例えば、プラス入力端子用外部導出端子１１（図１４（Ａ）および図１６参照）の上端部１１ａ（図１４（Ａ）参照）に直流電源（図示せず）のプラス側が接続される。また、マイナス入力端子用外部導出端子１２（図１４（Ａ）および図１６参照）の上端部１２ａ（図１４（Ａ）参照）に直流電源のマイナス側が接続される。更に、プラス出力端子用外部導出端子１３（図１４（Ａ）および図１６参照）の上端部１３ａ（図１４（Ａ）参照）に負荷（図示せず）の一端が接続される。また、マイナス出力端子用外部導出端子１４（図１４（Ａ）および図１６参照）の上端部１４ａ（図１４（Ａ）参照）に負荷の他端が接続される。
【０１８９】
更に、第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ（図１４（Ａ）および図１６参照）をオンさせる駆動信号が縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートに入力されている時に、直流電源（図示せず）からの電流が、プラス入力端子用外部導出端子１１（図１４（Ａ）および図１６参照）、トロイダルコイル２（図１４および図１６参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのドレインおよび縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースを介して、マイナス入力端子用外部導出端子１２（図１４（Ａ）および図１６参照）に流れる。
【０１９０】
次いで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ（図１４（Ａ）および図１６参照）をターンオフさせる駆動信号が縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートに入力されると、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａがターンオフすると共に、トロイダルコイル２（図１４および図１６参照）の両端に逆起電力が発生する。そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａがターンオフした時に、直流電源（図示せず）が有する電圧（電位差）よりも大きい電圧（電位差）を負荷（図示せず）に印加することができる。
【０１９１】
更に、第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ（図１４（Ａ）および図１６参照）をオフさせる駆動信号が縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートに入力されている時に、直流電源（図示せず）からの電流が、プラス入力端子用外部導出端子１１（図１４（Ａ）および図１６参照）、トロイダルコイル２（図１４および図１６参照）、ダイオード４ａ（図１４および図１６参照）、プラス出力端子用外部導出端子１３（図１４（Ａ）および図１６参照）、負荷（図示せず）およびマイナス出力端子用外部導出端子１４（図１４（Ａ）および図１６参照）を介して、マイナス入力端子用外部導出端子１２（図１４（Ａ）および図１６参照）に流れる。
【０１９２】
ところで、第１の実施形態のパワーモジュール４０の適用例では、仮に、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ（図８（Ａ）および図１６参照）のドレインと、太線ボンディングワイヤ５ｂ（図８（Ａ））の１ｓｔボンド部５ｂ１（図８（Ａ）参照）とが離れた位置に配置されていると、例えば縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａをターンオフさせる駆動信号が縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのゲートに入力される時に縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのドレインと太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１との間の中間導体パターン１ｂ６が有する寄生インダクタンスに伴って発生する跳ね上がり電圧によって、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａが破損してしまうおそれがある。
【０１９３】
この点に鑑み、第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図８（Ａ）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａと太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１とが隣接して配置されている。そのため、第１の実施形態のパワーモジュール４０によれば、上述した跳ね上がり電圧によって縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａが破損してしまうおそれを低減することができる。
【０１９４】
第１の実施形態のパワーモジュール４０では、図２（Ａ）に示すように、基板１の中間導体パターン１ｂ６に対して１個の縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａが接合され、基板１のプラス出力端子用導体パターン１ｂ７に対して１個のダイオード４ａが接合されているが、第４の実施形態のパワーモジュール４０では、代わりに、例えば２個以上の縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂ，・・を基板１の中間導体パターン１ｂ６に対して接合し、縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂ，・・と同数のダイオード４ａ，４ｂ，・・を基板１のプラス出力端子用導体パターン１ｂ７に対して接合することも可能である。
【０１９５】
図１７〜図１９は第４の実施形態のパワーモジュール４０の一部を示した平面図である。第４の実施形態のパワーモジュール４０では、図１７に示すように、例えば２個の縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂが基板１の中間導体パターン１ｂ６に対して接合されている。また、縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂと同数のダイオード４ａ，４ｂが基板１のプラス出力端子用導体パターン１ｂ７に対して接合されている。更に、縦型パワーＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂと同数のゲート抵抗６ａ，６ｂがゲート信号端子用導体パターン１ｂ２に対して接合されている。
【０１９６】
また、第４の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１８に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａ，３ｂのソースとマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。
【０１９７】
第４の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ａのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、トロイダルコイル２の前側（図１８の下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソース上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ａの１ｓｔボンド部５ａ１と縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａのソースとが接合される。
【０１９８】
次いで、図１８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２が、ボンディングツール３０の下端部によって把持され、次いで、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａの真前側（図１８の真下側）に位置する縦型ＭＯＳＦＥＴ３ｂのソース上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２と縦型ＭＯＳＦＥＴ３ｂのソースとが接合される。
【０１９９】
次いで、図１８に示すように、太線ボンディングワイヤ５ａの３ｒｄボンド部５ａ３が、ボンディングツール３０の下端部によって把持され、次いで、マイナス出力端子用導体パターン１ｂ５のうち、その２ｎｄボンド部５ａ２の真前側（図１８の真下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ａの３ｒｄボンド部５ａ３とマイナス出力端子用導体パターン１ｂ５とが接合される。
【０２００】
また、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ（図７および図１９参照）が部分的に切断され、切断部５ａｂ（図７参照）が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１（図７および図１９参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２（図１８参照）から遠ざかる側（図１８の真下側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ａ，５ｂが切断部５ａｂの位置で完全に切断される。
【０２０１】
つまり、第４の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ａの３ｒｄボンディング後にワイヤカッター３１によって部分的に切断された切断部５ａｂを介して太線ボンディングワイヤ５ａの３ｒｄボンド部５ａ３と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｂが太線ボンディングワイヤ５ａの２ｎｄボンド部５ａ２から遠ざかる側（図１８の真下側）に引張られる時に、ボンディングツール３０がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１８の真下側）に移動せしめられる。
【０２０２】
次いで、第４の実施形態のパワーモジュール４０の製造時には、図１９に示すように、中間導体パターン１ｂ６とダイオード４ａ，４ｂのアノードとを電気的に接続するワイヤボンディングが行われる。
【０２０３】
第４の実施形態のパワーモジュール４０では、太線ボンディングワイヤ５ｂのワイヤボンディングが行われる時に、まず最初に、図１９に示すように、中間導体パターン１ｂ６とダイオード４ａのアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、中間導体パターン１ｂ６のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ａよりも右側（図１９の右側）であって、トロイダルコイル２よりも右前側（図１９の右下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１と中間導体パターン１ｂ６とが接合される。
【０２０４】
次いで、図１９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｂ１の右側（図１９の右側）に位置するダイオード４ａのアノード上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２とダイオード４ａのアノードとが接合される。
【０２０５】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｂ（図１９参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、中間導体パターン１ｂ６（図１９参照）とダイオード４ｂ（図１９参照）のアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１（図１９参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、ボンディングツール３０が図１９の右側に移動せしめられ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｂが切断部の位置で完全に切断される。
【０２０６】
次いで、図１９に示すように、中間導体パターン１ｂ６とダイオード４ｂのアノードとを電気的に接続する太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１が、中間導体パターン１ｂ６のうち、縦型ＭＯＳＦＥＴ３ｂよりも右側（図１９の右側）であって、トロイダルコイル２よりも右前側（図１９の右下側）の部分上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１と中間導体パターン１ｂ６とが接合される。
【０２０７】
次いで、図１９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、その１ｓｔボンド部５ｂ１の右側（図１９の右側）に位置するダイオード４ｂのアノード上に配置され、超音波振動によって太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２とダイオード４ｂのアノードとが接合される。
【０２０８】
また、図７に示す例と同様に、ワイヤカッター３１（図７参照）によって太線ボンディングワイヤ５ｂ，５ｃ（図９参照）が部分的に切断され、切断部が形成される。次いで、太線ボンディングワイヤ５ｃの１ｓｔボンド部５ｃ１（図９参照）が、ボンディングツール３０（図７参照）の下端部によって把持され、次いで、太線ボンディングワイヤ５ｃが太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図１９の右側）に引張られ、その結果、太線ボンディングワイヤ５ｂ，５ｃが切断部の位置で完全に切断される。
【０２０９】
つまり、第４の実施形態のパワーモジュール４０では、図１９に示すように、太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンディング後にワイヤカッター３１（図７参照）によって部分的に切断された切断部を介して太線ボンディングワイヤ５ｂの２ｎｄボンド部５ｂ２と繋がっている太線ボンディングワイヤ５ｃ（図９参照）が太線ボンディングワイヤ５ｂの１ｓｔボンド部５ｂ１から遠ざかる側（図１９の右側）に引張られる時に、ボンディングツール３０（図７参照）がトロイダルコイル２から遠ざかる側（図１９の右側）に移動せしめられる。
【０２１０】
第５の実施形態では、上述した第１から第４の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【０２１１】
１            基板
１ｂ１        プラス入力端子用導体パターン
１ｂ２        ゲート信号端子用導体パターン
１ｂ４        マイナス入力端子用導体パターン
１ｂ５        マイナス出力端子用導体パターン
１ｂ６        中間導体パターン
１ｂ７        プラス出力端子用導体パターン
２            トロイダルコイル
２ｂ１        一端
２ｂ２        他端
３ａ          ＭＯＳＦＥＴ
４ａ          ダイオード
５ａ          太線ボンディングワイヤ
５ａ１        １ｓｔボンド部
５ａ２        ２ｎｄボンド部
５ｂ          太線ボンディングワイヤ
５ｂ１        １ｓｔボンド部
５ｂ２        ２ｎｄボンド部
５ｃ          太線ボンディングワイヤ
５ｃ１        １ｓｔボンド部
５ｃ２        ２ｎｄボンド部
５ｃ３        逃げスペース
５ｄ          太線ボンディングワイヤ
５ｄ１        １ｓｔボンド部
５ｄ２        ２ｎｄボンド部
５ｅ          太線ボンディングワイヤ
５ｅ１        １ｓｔボンド部
５ｅ２        ２ｎｄボンド部
５ｆ          太線ボンディングワイヤ
５ｆ１        １ｓｔボンド部
５ｆ２        ２ｎｄボンド部
５ｇ          細線ボンディングワイヤ
５ｇ１        １ｓｔボンド部
５ｇ２        ２ｎｄボンド部
６ａ          ゲート抵抗
１０          外囲ケース
１０ｂ        後側壁
１０ｃ        左側壁
１０ｄ        右側壁
１１          プラス入力端子用外部導出端子
１１ｂ        下端部
１２          マイナス入力端子用外部導出端子
１２ｂ        下端部
１３          プラス出力端子用外部導出端子
１３ｂ        下端部
１４          マイナス出力端子用外部導出端子
１４ｂ        下端部
４０          パワーモジュール
【図１】
2010267645.tif 000003
【図２】
2010267645.tif 000004
【図３】
2010267645.tif 000005
【図４】
2010267645.tif 000006
【図５】
2010267645.tif 000007
【図６】
2010267645.tif 000008
【図７】
2010267645.tif 000009
【図８】
2010267645.tif 000010
【図９】
2010267645.tif 000011
【図１０】
2010267645.tif 000012
【図１１】
2010267645.tif 000013
【図１２】
2010267645.tif 000014
【図１３】
2010267645.tif 000015
【図１４】
2010267645.tif 000016
【図１５】
2010267645.tif 000017
【図１６】
2010267645.tif 000018
【図１７】
2010267645.tif 000019
【図１８】
2010267645.tif 000020
【図１９】
2010267645.tif 000021