(57)【要約】      （修正有）【課題】坩堝内の融液にリチャージした固形原料を効率的に融解させて高い生産性を維持しつつ、リチャージ時の融液の飛び跳ねに起因して装置内に生ずる不具合を抑止した原料供給装置、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】原料の融液５を保持する坩堝４に粒塊状の固形原料を供給する原料供給装置１３であって、固形原料が内部に充填され、下方に開閉可能な開口部を有する原料充填容器１４と、原料充填容器１４の開口部の外周を囲繞するとともに、上下方向に位置可変となるように設けられ、原料供給時に坩堝４の方向に下降する管状の可動カバー１５と、を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料融液を保持する坩堝に粒塊状の固形原料を供給する原料供給装置であって、
前記固形原料が内部に充填され、下方に開閉可能な開口部を有する原料充填容器と、
前記原料充填容器の前記開口部の外周を囲繞するとともに、上下方向に位置可変となるように設けられ、原料供給時に前記坩堝の方向に下降する管状の可動カバーと、を具備する原料供給装置。
【請求項２】
前記可動カバーは、前記原料充填容器の前記開口部が内側に位置するように可動範囲が定められている、請求項１に記載の原料供給装置。
【請求項３】
前記可動カバーが、モリブデン、タングステン、ボロンナイトライドまたは炭化珪素のいずれかにより構成されている、請求項１または請求項２に記載の原料供給装置。
【請求項４】
前記可動カバーが、前記原料充填容器に対して着脱自在に設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の原料供給装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の原料供給装置と、
原料融液を保持するとともに、前記原料供給装置から粒塊状の固形原料が供給される坩堝と、を具備する単結晶製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載の単結晶製造装置を用いて坩堝に粒塊状の固形原料を供給して融解させる単結晶の製造方法であって、
前記可動カバーの下端が前記坩堝中の原料融液表面の近傍の位置に来るまで、前記可動カバーを下降させるステップと、
前記原料充填容器の開口部を開けて、前記固形原料を前記坩堝の原料融液中に投下するステップと、
前記坩堝に投入された前記固形原料が融解するに伴い、前記坩堝と可動カバーとを徐々に離間させるステップと、を有する単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンなどの単結晶のインゴットを成長させるチョクラルスキー法において使用される単結晶の製造装置と製造方法に係り、特にこの製造装置において原料のリチャージに好適に用いられる原料供給装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般にシリコン単結晶の育成法として、チョクラルスキー法（ＣＺ法）が知られている。これは、育成装置内に設置された坩堝内において固形状のシリコン原料を加熱して溶融させ、原料融液面に種結晶シリコンを浸した後に引き上げを行い、種結晶と同じ方位配列を有するシリコン単結晶のインゴットを成長させる方法である。
【０００３】
上述のＣＺ法による単結晶の育成において、坩堝内に最初にチャージされた固形原料が溶融すると、体積が減少するため、坩堝の容積に比べて得られる原料の融液量が不足する。そこで、原料融液の不足分を補充するため、坩堝に最初にチャージを行った後に、固形原料を追加供給するリチャージが広く行われている。このリチャージによって、坩堝の容積を有効に活用することができ、単結晶のインゴット育成における生産性を向上させることができる。
【０００４】
また、ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に良く用いられる石英製の坩堝は、一度固形原料を溶融すると坩堝内壁と融液との間に強固な接着層が形成されてしまい使用不可能となる。そのため、生産性向上の観点から、一度に複数本の単結晶を引き上げるマルチプーリングが望まれているが、このマルチプーリングはリチャージの応用により初めて可能となる。具体的には、坩堝から単結晶を引き上げた後、原料融液の減少分に見合う量の固形原料を坩堝内の残留融液にリチャージし、再度単結晶の引き上げを行う。これにより、通常１度しか使用できない坩堝から複数本の単結晶を製造することができ、製造歩留まりを向上させるとともに製造コストを低減させることが可能となる。
【０００５】
このようにリチャージは有効な技術であるが、固形原料をリチャージする場合、原料落下時の衝撃により坩堝内の融液が飛び跳ねて飛沫が装置内に付着し、装置の寿命を短くするとか、単結晶の育成に悪影響を及ぼしたりするといった問題があった。
【０００６】
これに対して、特許文献１には、開口部を有し、固形原料が充填された内側容器を、内側容器の開口部を閉塞する外側容器内に摺動可能に挿入させ、次いでこれらの容器を坩堝上に下降させて停止した後、容器を摺動させて開口部を開放し、坩堝内の原料融液に固形原料を投入する技術が記載されている。このとき、摺動の動きを利用して開口部を開放することにより、静的な原料投入を可能とし、さらに投入初期に細粒原料が落下するようにすることで、液跳ねを防止する効果が高まるとされている。
【０００７】
また、特許文献２には、固形原料が充填されるリチャージ管と、このリチャージ管の下部外側に設けられ、リチャージ管に対して摺動可能かつ下端の開口部に向かって縮径傾斜部を有する漏斗状外筒と、開口部を塞ぐ下端蓋とを備えたリチャージ装置が開示されている。ここで、融液の中心部を一部固化させた状態として、このリチャージ装置を坩堝中の融液に向かって下降させ、融液の中心に向かって縮径した開口部を開放することにより、融液の中心の固化表面に固形原料を落下供給する。これにより、融液面の固化割合が低い状態であっても融液の跳ねは抑止され、生産性を向上させることができるとされている。
【特許文献１】特開２００５−１９７７号公報
【特許文献２】特開２００７−２７７０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の技術を用いた場合、リチャージされた固形原料により融液の温度が下がるため、リチャージされた原料が再溶融するまでに時間がかかり、生産性を落としてしまうという問題があった。これを防止するためには、固形原料をリチャージする前段階から坩堝の加熱の出力を増加させることにより、融液温度を十分に上げておく対策が考えられるが、融液の粘度が下がるため液跳ねが顕著になり、装置内にダメージを与える恐れが増大する。また、特許文献１，２の方法によれば、液跳ねを抑制するため、液面近傍までリチャージ装置の開口部を下降させてから、開口部を開放して固形原料を投下しているため、可動機構を有するリチャージ装置の開口部が熱によるダメージを受けて不具合を起こす、熱により開口部と蓋の間に隙間が生じて意図しない原料の落下を引き起こす、高温のため開口部や蓋を構成する材質から固形原料に対して不純物の汚染が生ずるといった、多くの問題が未解決のまま残されていた。
【０００９】
本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、坩堝内の融液にリチャージした固形原料を効率的に融解させて高い生産性を維持しつつ、リチャージ時の融液の飛び跳ねに起因して装置内に生ずる不具合を抑止した原料供給装置、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の原料供給装置は、原料融液を保持する坩堝に粒塊状の固形原料を供給する原料供給装置であって、固形原料が内部に充填され、下方に開閉可能な開口部を有する原料充填容器と、この原料充填容器の開口部の外周を囲繞するとともに、上下方向に位置可変となるように設けられ、原料供給時に坩堝の方向に下降する管状の可動カバーと、を具備する。
【００１１】
また、本発明の単結晶製造装置は、上記本発明の原料供給装置と、原料融液を保持するとともにこの原料供給装置から粒塊状の固形原料が供給される坩堝と、を具備する。
【００１２】
さらに、本発明の単結晶の製造方法は、上記本発明の単結晶製造装置を用いて坩堝に粒塊状の固形原料を供給して融解させる単結晶の製造方法であって、可動カバーの下端が坩堝中の原料融液表面の近傍の位置に来るまで、可動カバーを下降させるステップと、原料充填容器の開口部を開けて、固形原料を坩堝の原料融液中に投下するステップと、坩堝に投入された固形原料が融解するに伴い、可動カバーを徐々に上昇させるステップと、を有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の原料供給装置は、上述したような構成であるから、固形原料をリチャージする際、固形原料は下降した管状の可動カバーの内側を経由して、坩堝中の高温となった融液に供給される。このとき、供給された固形原料により融液の熱が奪われるため、いったんは融液表面が固化するものの、下降した状態の可動カバーが、坩堝の蓋の役割をし、可動カバーと坩堝で挟まれた空間中に蓄熱されるため、リチャージされた固形原料が効率的に短時間で融解される。
【００１４】
さらに、可動カバーが下降した状態で固形原料が供給されるため、原料落下時に原料微少粉や、融液の飛沫が周囲に飛び散ったとしても、可動カバーによって外部への影響が抑えられ、装置内の寿命や単結晶の育成に対する悪影響を小さくすることができる。
【００１５】
また、可動カバーにより融液飛沫の飛散が抑えられるため、原料充填容器の開口部を、必要以上に坩堝内の高熱の融液に近づける必要がない。したがって、原料充填容器の開口部の可動機構が熱によるダメージを受けにくい。さらに、原料を供給するのは原料充填容器の開口部の開閉動作によって行うので、可動カバーの開口部に蓋を設ける必要がなく、シンプルな機構とできるから熱による不具合発生が起こりにくい。さらに、固形原料を蓄積している原料充填容器の開口部や蓋が必要以上に高温にならないため、実際に固形原料と接している箇所（開口部や蓋）から原料に対して不純物の汚染が起こりにくい。
【００１６】
本発明の単結晶製造装置は、以上のような本発明の原料供給装置を備えているので、坩堝にリチャージされた固形原料を短時間で融解することができ、生産性の高い単結晶製造装置となる。さらに、可動カバーによりリチャージ時の融液の跳ねや原料微粉の飛び散り等による装置の寿命や単結晶の育成に対する悪影響を抑えることができるので、生産性と歩留りの高い装置となる。また、原料充填装置の開口部を融液から十分に距離をあけた状態で固形原料のリチャージが可能となるので、装置の高寿命化と高品質な単結晶の引き上げに寄与するものとなる。
【００１７】
本発明の単結晶の製造方法によれば、可動カバーの下端が坩堝中の原料融液表面の近傍の位置に来るまで、可動カバーを下降させるステップ（１）と、原料充填容器の開口部を開けて、固形原料を坩堝の原料融液中に投下するステップ（２）と、坩堝に投入された固形原料が融解するに伴い、坩堝と可動カバーとの距離を徐々に離間させるステップ（３）とを有しているので、特に、ステップ（２）のときに、下降した状態の可動カバーが坩堝の蓋の役割をするため、リチャージされた固形原料が効率的に短時間で融解される。そして、融解するに伴って、徐々に坩堝と可動カバーとの距離を離すことにより、可動カバー内部に未溶解の固形原料がある場合、効率的に坩堝に排出することができる。また、可動カバーを高温の融液から距離をおくことになるので、必要以上に高熱に晒さなくてすむ。
【００１８】
本発明の単結晶の製造方法によれば、以上のような作用を奏するから、固形原料への不純物の混入を抑えることができ、純度の高い単結晶の製造が可能となる。また、装置の寿命や生産性を高く保つことができるので、低コスト化にも寄与するものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下の説明では、本発明に係る実施の態様の一例を示すに過ぎず、本発明の範囲はこれらの具体例に限定されるものではない。また、図に示す部材やその寸法・比率等については、説明のため強調・省略することがあり、必ずしも実際のものに即しているというわけではない。
【００２０】
図１は、本発明に係る単結晶製造装置（この例ではシリコン単結晶製造装置）の一例を示した模式的な断面図である。図１における単結晶製造装置は、いわゆるＣＺ炉であり、炉体としてメインチャンバ１およびプルチャンバ２を備えている。プルチャンバ２は、メインチャンバ１より小径で、メインチャンバ１の中心部上に重ねられる。メインチャンバ１内の中心部には坩堝が配置されている。
【００２１】
坩堝は内側に設けられた石英坩堝４と、その外側に設けられた黒鉛坩堝３とを組み合わせた二重構造である。石英坩堝４を構成する石英は高温で軟化するとともに、脆く破損しやすいという性質を有するため、その周囲を黒鉛坩堝３で囲繞しているのである。これらの坩堝は坩堝受け（図示せず）を介して支持軸１１により支持されている。支持軸１１は坩堝を昇降させる、あるいは周方向に回転させるように駆動させることができる。
【００２２】
黒鉛坩堝３の周囲は、ヒータ６により囲繞されている。このヒータ６により、石英坩堝４に投入されたシリコンの固形原料（例えば、多結晶ランプ材）を溶融する。なお、このヒータ６のさらに外側には保温用断熱材７が、メインチャンバ１の内面に沿ってメインチャンバ１と同心円状に装置底部台座１０上に配置されている。この保温用断熱材７はヒータ６からの熱がメインチャンバ１に直接輻射されることを防止している。
【００２３】
さらに、保温用断熱材７の上には開口部が設けられ、上部は外側に、下部は内側に水平に延びた円周部を有する熱遮蔽シールド８が設けられている。
【００２４】
メインチャンバ１には排気口１２が設けられており、図示しないガス供給管からメインチャンバ１の内部にＡｒなどの不活性ガスを供給可能に構成されている。具体的には、排気口１２から空気を排出してメインチャンバ１の内部を減圧状態とし、Ａｒガスなどの不活性ガスを流して雰囲気を所望の状態としてシリコンの融解が行われる。
【００２５】
プルチャンバ２内には、引き上げ軸としてのワイヤ９が垂下されている。ワイヤ９は、プルチャンバ２の最上部に設けられた図示されない駆動機構により昇降駆動される。なお、ワイヤ９は駆動機構により回転させるようにしても良い。
【００２６】
引き上げ軸のワイヤ９の下部には、本発明に係る原料供給装置１３が設けられている。原料供給装置１３は原料充填容器１４とその外周を囲繞するように設けられた可動カバー１５とからなる。
【００２７】
図２を用いて原料供給装置１３について詳しく説明する。図２は図１に示した単結晶製造装置を構成する本発明に係る原料供給装置の一例を示す模式的な断面図であり、（ａ）は可動カバーが上方に位置して固体原料を保持するとき、（ｂ）は可動カバーが下方に位置して固体原料を放出するときを示す。
【００２８】
原料充填容器１４は、内部に粒塊状のシリコンの固形原料１８が充填され、石英坩堝４内のシリコンの原料融液に対して供給可能な位置に保持されている。原料充填容器１４の本体は、ステンレス鋼などにより形成されており、内部にシリコンの固形原料１８を保持可能な円筒形状となっている。また、下方に開口部１４ａが設けられ、必要に応じて自在に開閉するように構成されている。詳細は後述するが、この開口部１４ａを開くことにより、原料充填容器１４内のシリコンの固形原料１８を下方に設けられた石英坩堝４内にチャージすることができる。固形原料１８は、例えば、粒径が５ｍｍ〜２５ｍｍの粒塊状のものが用いられ、一度に充填する量としては、例えば、２０ｋｇ程度である。
【００２９】
可動カバー１５は、原料充填容器１４の外径よりも大きな内径を有する擬似円筒形状を有し、原料充填容器１４の開口部１４ａの外周の周囲を囲う位置に設けられている。この可動カバー１５は、原料充填容器１４の外周を上下方向に位置可変となるように保持されている。この例では、可動カバー１５が原料充填容器１４の外周部と摺動可能な構成としており、可動カバー１５の複数個所にワイヤ１７が取り付けられ、このワイヤ１７を上下方向に移動させることにより、原料を供給する工程中にこの可動カバー１５の位置を変化させることができる。なお、可動カバー１５の下降は自重により行うのが簡便である。
【００３０】
原料供給装置１３の動作は以下のとおりである。まず、原料供給装置１３内にシリコンの固形原料１８を充填し、ワイヤ９に取着しプルチャンバ２の側からメインチャンバ１に向かって内部を下降させる。やがて、係止部１６がメインチャンバ１内に設けられた小径部１ａに当接し、原料供給装置１３の下降が停止する（図２（ａ）参照）。
【００３１】
その後、ワイヤ１７によって吊り下げられた可動カバー１５を下降させて、所定の位置で下降を止める。その後、原料充填容器１４の開口部１４ａを開き、固形原料１８を融液５の中に投下する（図２（ｂ）参照）。
【００３２】
このようにして、固形原料１８は下降した管状の可動カバー１５の内側を経由して、石英坩堝４中の高温となった融液５に供給される。このとき、供給された固形原料１８により融液５の熱が奪われるため、いったんは融液５の表面が固化するものの、下降した状態の可動カバー１５が、石英坩堝４の蓋の役割をし、可動カバー１５と石英坩堝４で挟まれた空間中に蓄熱されるため、リチャージされた固形原料１８が効率的に短時間で融解される。
【００３３】
なお、可動カバー１５の可動範囲の目安としては、原料充填容器１４の開口部１４ａが内側に位置するようにしておくのが良い。このように構成しておくことにより、常に可動カバー１５が原料充填容器１４と一体的に存在することになり、可動カバー１５による蓄熱の効果が大きいからである。
【００３４】
また、可動カバー１５が下降した状態で固形原料１８が供給されるため、原料落下時に原料微小粉や、融液の飛沫が周囲に飛び散ったとしても、可動カバー１５によって外部への影響が抑えられ、装置内の寿命や単結晶の育成に対する悪影響を小さくすることができる。このように原料微小粉や融液の飛沫の飛び跳ねが周囲に悪影響を及ぼすことを抑えるためには、可動カバー１５の下端の位置は、石英坩堝４中の融液５の表面から５０ｍｍ〜２００ｍｍの位置とすると良い。
【００３５】
原料充填容器１４は、一般的にステンレス鋼などから構成されており、１４１０℃を超えるシリコン融液に接近させると劣化する恐れがある。しかしながら、本発明の構成によれば、上述したように可動カバー１５により融液飛沫の飛散が抑えられるという効果が得られるため、原料充填容器１４の開口部１４ａを十分に融液５と離しておくことができ、可動機構が熱によるダメージを受けにくく、装置の寿命を延ばすことができる。
【００３６】
さらに、原料充填容器１４の開口部１４ａの開閉動作によって原料の供給を行うので、従来行われていたように可動カバーの開口部に蓋を設ける必要がない。このように本発明の構成によれば、可動カバー１５自体の構造が極めてシンプルな機構になるので熱による不具合発生が起こりにくい。
【００３７】
また、固形原料１８を蓄積している原料充填容器１４の開口部１４ａや蓋が必要以上に高温にならないため、実際に固形原料１８と接している箇所（開口部１４ａの開閉部分）から原料に対して不純物の汚染が起こりにくい。
【００３８】
なお、可動カバー１５としては、耐熱性に優れた部材により形成するようにすれば、可動カバー１５の長期間の使用が可能となり、原料充填容器１４を融液５の高熱から十分に保護することができる。このような耐熱性に優れた部材としては、モリブデン、タングステン、ボロンナイトライドまたは炭化珪素を用いることができる。なお、１０００℃を超える高温条件下では、熱は光となり伝達されるため、可動カバー１５の材質としては、光を反射する、つまり輻射率が低いものが好ましい。輻射率は０．４以下が好ましく、このような材質としては、モリブデン、タングステンなどが挙げられる。
【００３９】
以上のように、可動カバー１５は融液飛沫の飛散を受け止める、融液の高温に耐える必要がある、といった過酷な状況下に晒される。したがって、耐熱性を有する材質により構成されていたとしても、何回か使用しているとだんだん劣化してくる。したがって、原料充填容器１４に対して、自在に着脱できるような構造としておくのが良い。このようにすれば、例えば、可動カバー１５の表面状態が悪化したときには、取り外して、表面を物理的・化学的に研磨して再生を図ることが可能である。また、可動カバー１５の材質の劣化が激しいときには交換してしまうことも容易である。自在に着脱できる構造の例としては、縦方向に複数の部分に分割されたパーツにより構成し、これらを原料充填容器１４の側面周囲に組み合わせて取り付けることにより、一体化するような構造とすれば良い。
【００４０】
上述したように、本発明の単結晶の製造方法によれば、可動カバー１５の下端が石英坩堝４中の融液５の表面の近傍の位置に来るまで、可動カバーを下降させるステップ（１）と、原料充填容器１４の開口部１４ａを開けて、固形原料１８を石英坩堝４の融液５中に投下するステップ（２）を有している。その後、石英坩堝４に投入された固形原料１８が融解するに伴い、可動カバー１５を徐々に上昇させるか、石英坩堝４を徐々に下降させることによって、可動カバー１５と融液５とを離間させるステップ（３）をさらに追加することが望ましい。このようにすれば、可動カバー１５内部に未溶解の固形原料１８がある場合、効率的に石英坩堝４に排出することができ、可動カバー１５を必要以上に融液５の高熱に晒さなくてすむからである。
【００４１】
以上、本発明に係る単結晶製造装置を利用した単結晶の製造方法の特徴部分について詳述した。その他の工程については、従来周知の方法を利用すれば良い。以下、全工程を簡単に説明する。
【００４２】
マルチプーリングの場合は、育成および装置内での冷却が完了したシリコン単結晶を装置外へ取り出し、多結晶シリコンの固形原料１８の充填が完了した本発明の原料供給装置１３をワイヤ９に吊り下げ、本発明の単結晶製造装置内へ収納する。
【００４３】
次に、坩堝回転数を例えば１ｒｐｍで維持した状態で、ヒータ６の出力を低下させて残留しているシリコン融液の温度を融液表面が固化温度近傍になるくらいまで下げる。この状態でシリコン融液の温度を安定させ、原料供給装置１３を単結晶製造装置のプルチャンバ２の上方から下降させ、原料供給装置１３の係止部１６をメインチャンバ１の小径部１ａに当接させて停止させる。
【００４４】
その後、可動カバー１５を吊り下げているワイヤ１７を下降させ、可動カバー１５の下端が融液５の表面から１００ｍｍの位置で停止させ、原料充填容器１４の開口部１４ａを開放して内部の固形原料１８を石英坩堝４の融液５に落下供給し、リチャージする。
【００４５】
ここで、固形原料１８の落下供給が進むにつれて、徐々に石英坩堝４を下降させて固形原料１８の供給は完了させる。この後、ワイヤ９を上昇させて、空となった原料供給装置１３を単結晶製造装置の上方に移動させ、装置外へ取り出す。
【００４６】
固形原料１８が石英坩堝４の内部で溶解すると体積が減少するので、この作業を数回（例えば３回）繰り返すことにより、必要量の固形原料１８を石英坩堝４内に追加することができる。なお、固形原料１８を投入する際、単結晶に電気伝導率特性を所望の規格範囲に調整するためのドーパント剤も合わせて投入しても良い。
【００４７】
その後、ワイヤ９に単結晶育成用の種結晶を所定の結晶方位とした状態で取着して、シリコン原料の融液５の面に浸して所定の方法により引き上げることにより、種結晶と同じ方位配列を有するシリコン単結晶のインゴットを育成することができる。
【００４８】
本発明の単結晶の製造方法によれば、以上のような作用を奏するから、固形原料への不純物の混入を抑えることができ、純度の高い単結晶の製造が可能となる。また、装置の寿命や生産性を高く保つことができるので、低コスト化にも寄与するものとなる。
【００４９】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、原料供給装置１３を吊り下げるワイヤ９と可動カバー１５を吊り下げるワイヤ１７とは一体的につながっていてもよい。このように一体的につながった構成とすることで、原料供給装置１３をワイヤ９により吊り下げて下降させ、係止部１６で下降を停止させた後、ワイヤ９をそのまま緩めていくことにより、可動カバー１５を自重により下降させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る単結晶製造装置の一例を示した模式的な断面図である
【図２】本発明に係る原料供給装置の一例を示す模式的な断面図であり、（ａ）は可動カバーが上方に位置して固体原料を保持するとき、（ｂ）は可動カバーが下方に位置して固体原料を放出するときを示す。
【符号の説明】
【００５１】
１：メインチャンバ
１ａ：小径部
２：プルチャンバ
３：黒鉛坩堝
４：石英坩堝
５：原料の融液
６：ヒータ
７：保温用断熱材
８：熱遮蔽シールド
９：ワイヤ
１０：装置底部台座
１１：支持軸
１２：排気口
１３：原料供給装置
１４：原料充填容器
１４ａ：開口部
１５：可動カバー
１６：係止部
１７：ワイヤ
１８：固形原料
【図１】
2010083685.tif 000003
【図２】
2010083685.tif 000004