(57)【要約】      （修正有）【課題】電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィー等の短波長リソグラフィーに適しており、パターン形状、感度及び解像度が良好なパターンを形成し得るフォトレジスト組成物の提供。【解決手段】酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、ラクトン構造を側鎖に有する（メタ）アクリレート単位とを含有する樹脂（Ａ）、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（III）で表される繰り返し単位とを含有する樹脂（Ｂ）、及び、露光により酸を発生する酸発生剤、を含有するフォトレジスト組成物。2010156965.tif 000092【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（Ｉ）で表される、ラクトン構造を側鎖に有する繰り返し単位とを含有する樹脂（Ａ）、
酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（III）で表される繰り返し単位とを含有する樹脂（Ｂ）、及び
露光により酸を発生する酸発生剤、を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
【化１】
2010156965.tif 000088
（式（Ｉ）中、Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｚ１は単結合または−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。ｋは、１〜４の整数を表す。
Ｚ２は置換されていてもよい炭素数３〜３０の環状炭化水素基を表す。ただし当該環状炭化水素基は、環構造中にエステル結合を含む。）
【化２】
2010156965.tif 000089
（式（III）中、Ｒ6は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ7は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｎは、０〜４の整数を表す。ｎが２以上の整数を表す場合、複数のＲ7は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【請求項２】
酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位は、式（IIａ）または式（IIｂ）で表される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【化３】
2010156965.tif 000090
（式（IIａ）および式（IIｂ）中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ2は、炭素数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。Ｒ3はメチル基を表す。ｎは、０〜１４の整数を表す。Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を表す。あるいはＲ4とＲ5で互いに結合して環を形成していてもよく、その場合には炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を表す。また、Ｒ4とＲ5は結合してＲ4が結合する炭素原子とＲ5が結合する炭素原子同士の直接結合を表し、すなわち、Ｒ4が結合する炭素原子とＲ5が結合する炭素原子が二重結合を形成してもよい。ｍは、１〜３の整数を表す。Ｚは単結合または−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。ｋは、１〜４の整数を表す。）
【請求項３】
樹脂（Ａ）：樹脂（Ｂ）の重量比が、１：３〜３：１である、請求項１又は２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
酸発生剤が、式（Ｖ）で表される化合物である、請求項１〜３のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。
【化４】
2010156965.tif 000091
（式（Ｖ）中、Ｒ12は、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状の炭化水素基、又は、炭素数３〜３０の単環式もしくは２環式炭化水素基を表す。Ａ+は有機対イオンを表す。Ｙ1、Ｙ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられるフォトレジスト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細加工が進むにつれて、解像度を向上させることが求められている。原理的には露光波長が短いほど解像度を上げることが可能であり、半導体の製造に用いられるリソグラフィー用露光光源は、波長４３６ｎｍのｇ線、波長３６５ｎｍのｉ線、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーと、年々短波長になってきている。次世代の露光光源として、波長１３．５ｎｍ付近の軟Ｘ線（ＥＵＶ）が光源として提案されている。また電子線リソグラフィーも高価なマスクを必要としないことで半導体の製造に活用されている。
【０００３】
エキシマレーザー等の短い波長を用いたリソグラフィープロセスでは、線幅が狭くなるにつれて、加工に使用する化学増幅型レジスト組成物に対して、従来品をさらに上回る性能、例えば、感度、パターン形状、解像度が求められるようになっている。
【０００４】
特許文献１では、ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位と、アダマンチル基等の酸に不安定な基を有する（メタ）アクリル酸に由来する繰り返し単位とを有する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７４８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の組成物は、得られるパターンの形状、感度及び解像度等に関して満足できるレベルに達していなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記課題を解決するため、フォトレジスト組成物の組成を検討した結果、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（Ｉ）で表される、ラクトン構造を側鎖に有する繰り返し単位とを含有する樹脂（Ａ）、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（III）で表される繰り返し単位とを含有する樹脂（Ｂ）、及び、露光により酸を発生する酸発生剤、を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物に関する。
【０００９】
【化１】
2010156965.tif 000002
（式（Ｉ）中、Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｚ１は単結合または−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。ｋは、１〜４の整数を表す。
Ｚ２は置換されていてもよい炭素数３〜３０の環状炭化水素基を表す。ただし当該環状炭化水素基は、環構造中にエステル結合を含む。）
【００１０】
【化２】
2010156965.tif 000003
（式（III）中、Ｒ6は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ7は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｎは、０〜４の整数を表す。ｎが２以上の整数を表す場合、複数のＲ7は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【発明の効果】
【００１１】
本発明のフォトレジスト組成物は、電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィー等の短波長リソグラフィーに適しており、半導体製造用の微細加工において、パターン形状、解像度、感度が優れるパターンを形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジスト重合体として樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを含有する。
【００１３】
まず、樹脂（Ａ）について説明する。
本発明のフォトレジスト組成物が含有する樹脂（Ａ）は、少なくとも、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（Ｉ）で表される、ラクトン構造を側鎖に有する繰り返し単位とを含有する。
【００１４】
本明細書中、酸に不安定な基とは、
酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基（例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−Ｏ−が３級炭素原子（但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く）と結合した式（１）で表されるアルコキシカルボニル基（即ち３級アルコール残基を有するエステル結合）が挙げられる。なお以下では、式（１）で表される基を「酸に不安定な基（１）」という場合がある。
【００１５】
2010156965.tif 000004
【００１６】
式（１）中、Ｒa1〜Ｒa3は、それぞれ独立に、Ｃ1-30脂肪族炭化水素基又はＣ5-20飽和環状炭化水素基を表すか、或いはＲa1及びＲa2は互いに結合して環を形成していてもよい。＊は結合手を表す。
【００１７】
酸に不安定な基（１）としては、例えば１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（基（１）中、Ｒa1〜Ｒa3がアルキル基であるもの、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキル−２−アダマンチルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1、Ｒa2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒa3がアルキル基であるもの）、及び１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1及びＲa2がアルキル基であり、Ｒa3がアダマンチル基であるもの）などが挙げられる。
【００１８】
酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位としては、式（IIａ）または式（IIｂ）で表される繰り返し単位が好ましい。
【００１９】
【化３】
2010156965.tif 000005
【００２０】
式（IIａ）および式（IIｂ）中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ2は、炭素数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。Ｒ3はメチル基を表す。ｎは、０〜１４の整数を表す。Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を表す。あるいはＲ4とＲ5で互いに結合して環を形成していてもよく、その場合には炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を表す。また、Ｒ4とＲ5は結合してＲ4が結合する炭素原子とＲ5が結合する炭素原子同士の直接結合を表し、すなわち、Ｒ4が結合する炭素原子とＲ5が結合する炭素原子が二重結合を形成してもよい。ｍは、１〜３の整数を表す。Ｚは単結合または−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。ｋは、１〜４の整数を表す。
【００２１】
Ｒ2としては炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基又は炭素数３〜６の環状のアルキル基が好ましい。
炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基が挙げられる。
炭素数３〜８の環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、２−メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基及び４，４−ジメチルシクロヘキシル基が挙げられる。
Ｚは単結合であることが好ましい。
ｌは０又は１であることが好ましく、ｍは１又は２であることが好ましい。
【００２２】
炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基としては、炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基が挙げられる。
炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基としては、炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状のアルキレン基が挙げられ、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基等が挙げられる。
【００２３】
この繰り返し単位では、エステル基に結合している脂環式環が酸に不安定であり、これが露光により発生する酸の作用によって容易に（メタ）アクリレート部位から開裂することで、露光後のレジスト膜がアルカリ溶解性となる。当該繰り返し単位としては、式（IIａ）または式（IIｂ）で表される繰り返し単位のうち１種のみを使用してもよいし、これら繰り返し単位のうち２種類以上を併用してもよい。
【００２４】
式（IIａ）で表される繰り返し単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、以下のモノマーを挙げることができる。
【００２５】
【化４】
2010156965.tif 000006
【００２６】
【化５】
2010156965.tif 000007
【００２７】
【化６】
2010156965.tif 000008
【００２８】
【化７】
2010156965.tif 000009
【００２９】
【化８】
2010156965.tif 000010
【００３０】
式（IIｂ）で表される繰り返し単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、以下のモノマーを挙げることができる。
【００３１】
【化９】
2010156965.tif 000011
【００３２】
【化１０】
2010156965.tif 000012
【００３３】
これらの中でも（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸２−イソプロピル−２−アダマンチル又はメタクリル酸１−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニル）メチルを用いた場合、得られる液浸用フォトレジスト組成物の感度が優れ耐熱性にも優れる傾向があることからさらに好ましい。
【００３４】
これらのモノマーは公知の手法により容易に製造できるが、例えば、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルは、通常、２−アルキル−２−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。
【００３５】
酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位としては、式（IIｃ）又は（IIｄ）で表される繰り返し単位を用いることもできる。
【００３６】
【化１１】
2010156965.tif 000013
【００３７】
［式（IIｃ）及び式（IIｄ）中、Ｒ２１及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ２３及びＲ２６は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基を表す。
Ｒ２２及びＲ２５は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐ及びｑは、互いに独立に、０〜３の整数である。ｐが２以上のときは、複数のＲ２２は、互いに同一でも異なってもよい。ｑが２以上のときは、複数のＲ２５は、互いに同一でも異なってもよい。］
【００３８】
式（IIｃ）及び式（IIｄ）において、Ｒ２２及びＲ２５で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
【００３９】
炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基などが挙げられる。
【００４０】
Ｒ２３及びＲ２６で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。Ｒ２３及びＲ２６が直鎖又は分岐の炭素数３〜５のアルキル基の場合、式（IIｃ）及び式（IIｄ）で表される繰り返し単位に導くモノマーとして、具体的には下記のようなモノマーが挙げられる。
【００４１】
【化１２】
2010156965.tif 000014
2010156965.tif 000015
【００４２】
【化１３】
2010156965.tif 000016
2010156965.tif 000017
【００４３】
【化１４】
2010156965.tif 000018
2010156965.tif 000019
【００４４】
前記樹脂（Ａ）を構成する全繰り返し単位のうち酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位の占める割合は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類等によって変動し、特に限定されないが、例えば、１０〜８０モル％の範囲にあってよい。特に、フォトレジスト組成物のドライエッチング耐性の面で有利になるので、前記割合は１５〜４０モル％が好ましい。
【００４５】
樹脂（Ａ）は、さらに、式（Ｉ）で表される、ラクトン構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有する。
【００４６】
【化１５】
2010156965.tif 000020
（式（Ｉ）中、Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｚ１は単結合または−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。ｋは、１〜４の整数を表す。
Ｚ２は置換されていてもよい炭素数３〜３０の環状炭化水素基を表す。ただし当該環状炭化水素基は、環構造中にエステル結合を含む。）
エステル結合を含む前記環状炭化水素基はラクトン構造を含むものであれば特に限定されない。前記環状炭化水素基の炭素数はエステル結合中の炭素原子を含む。前記環状炭化水素基は単環式であってもよいし、多環式であってもよい。当該炭化水素基が有することができる置換基としては、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜４程度の炭化水素基等が挙げられる。このような繰り返し単位としては、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
式（Ｉ）で表されるラクトン構造を側鎖に有する繰り返し単位としては、式（Ｉａ）、式（Ｉｂ）又は式（Ｉｃ）で表される繰り返し単位が好ましい。
【００４８】
【化２０】
2010156965.tif 000021
【００４９】
［式（Ｉａ）、式（Ｉｂ）及び式（Ｉｃ）中、Ｒ３１、Ｒ３３及びＲ３５は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ３２は、メチル基を表す。
ｌは、０〜５の整数を表す。
Ｒ３５及びＲ３６は、互いに独立に、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。
ｌ’は、０〜３の整数を表す。ｌ’が２以上のとき、複数のＲ３５又はＲ３６は、互いに同一でも異なってもよい。
Ｚａ〜Ｚｃは、それぞれ独立に、単結合または−［ＣＨ2］k１−ＣＯＯ−基を表す。ｋ１は、１〜４の整数を表す。］
式（Ｉａ）、式（Ｉｂ）又は式（Ｉｃ）で表される繰り返し単位のうち１種のみを使用してもよいし、これら繰り返し単位のうち２種以上を併用してもよい。
【００５０】
式（Ｉａ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００５１】
【化１７】
2010156965.tif 000022
【００５２】
式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００５３】
【化１８】
2010156965.tif 000023
【００５４】
式（Ｉｃ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００５５】
【化１９】
2010156965.tif 000024
【００５６】
これらの中でも、（メタ）アクリル酸  ヘキサヒドロ−２−オキソ−３，５−メタノ−２Ｈ−シクロペンタ［ｂ］フラン−６−イル、又は、（メタ）アクリル酸  テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリルから導かれる繰り返し単位は、レジストの基板への接着性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００５７】
式（Ｉａ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００５８】
【化２１】
2010156965.tif 000025
【００５９】
式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００６０】
【化２２】
2010156965.tif 000026
【００６１】
式（Ｉｃ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００６２】
【化２３】
2010156965.tif 000027
【００６３】
式（Ｉａ）、式（Ｉｂ）又は式（Ｉｃ）で表される繰り返し単位としては、ｌ＝０、ｌ’＝０の場合が好ましく、なかでも、（メタ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０↑３，７↓］ノナン−２−イルオキシ）−２−オキソエチルから導かれる繰り返し単位は、リソグラフィープロセス後のレジストパターン形状が良好であるフォトレジスト組成物を与えることからさらに好ましい。
【００６４】
前記樹脂（Ａ）を構成する全繰り返し単位のうち式（Ｉ）で表される繰り返し単位の占める割合は、当該繰り返し単位の種類や、パターニング露光用の放射線の種類等によって変動し、特に限定されないが、例えば、２０〜９０モル％の範囲にあってよい。好ましくは５５〜８５モル％である。
【００６５】
本発明のフォトレジスト組成物で使用する樹脂（Ａ）は、前述した２種類の繰り返し単位に加えて、水酸基を含有する繰り返し単位をさらに含有するものが好ましい。水酸基を含有する繰り返し単位は、式（ＩＶ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
【００６６】
【化２４】
2010156965.tif 000028
【００６７】
［式（ＩＶ）中、Ｒ４１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ４２及びＲ４３は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表す。
Ｒ４４は、メチル基を表す。
ｎ’は、０〜１２の整数を表す。
Ｚ４は、単結合又は−［ＣＨ2］k−ＣＯＯ−基を表す。
ｋは、１〜４の整数を表す。］
このような繰り返し単位としては、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、具体的には、以下のモノマーを挙げることができる。
【００６９】
【化２５】
2010156965.tif 000029
【００７０】
【化２６】
2010156965.tif 000030
【００７１】
これらの中でも、Ｒ４２及びＲ４３が、互いに独立に、水素原子又はヒドロキシル基であり、ｎ’＝０であるものが好ましい。特に、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、メタクリル酸１−（３−ヒドロキシ−１−アダマンチルオキシカルボニル）メチル、メタクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルオキシカルボニル）メチルから導かれる繰り返し単位は、優れた解像度を示すフォトレジスト組成物を与えることからさらに好ましい。
【００７２】
前記樹脂（Ａ）を構成する全繰り返し単位のうち式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の占める割合は、当該繰り返し単位の種類や、パターニング露光用の放射線の種類等によって変動し、特に限定されないが、例えば、０〜４０モル％の範囲にあってよい。好ましくは５〜３５モル％である。
【００７３】
また、樹脂（Ａ）は、２−ノルボルネンから導かれる繰り返し単位を含むことができる。このような繰り返し単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。２−ノルボルネンは、重合の際に、例えば、対応する２−ノルボルネンの他に、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、２−ノルボルネンから導かれる繰り返し単位は、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形成され、式（ｄ）で表すことができ、無水マレイン酸及び無水イタコン酸から導かれる繰り返し単位は、無水マレイン酸及び無水イタコン酸の二重結合が開いて形成され、それぞれ式（ｅ）及び（ｆ）で表すことができる。
【００７４】
【化２７】
2010156965.tif 000031
【００７５】
ここで、式（ｄ）中のＲ５１及びＲ５２はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、水酸基、カルボキシル基、シアノ基もしくは−ＣＯＯＵ（Ｕはアルコール残基である）を表すか、あるいは、Ｒ５１及びＲ５２が、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−で表されるカルボン酸無水物残基を表す。
【００７６】
前記−ＣＯＯＵは、カルボキシル基がエステルとなったものであり、Ｕに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル基、２−オキソオキソラン−３−又は−４−イル基などを挙げることができる。ここで、アルキル基の置換基として、水酸基や脂環式炭化水素残基などが結合していてもよい。
【００７７】
Ｒ５１及び／又はＲ５２がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、水酸基が結合したアルキル基の具体例としては、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
【００７８】
式（ｄ）で表されるノルボネン構造を導くモノマーの具体例としては、例えば、次のような化合物を挙げることができる。
２−ノルボルネン、
２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、
５−ノルボルネン−２−メタノール、
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物。
【００７９】
なお、式（ｄ）中の前記−ＣＯＯＵのＵについて、カルボキシル基の酸素側に結合する炭素原子が４級炭素原子である脂環式エステルなどの酸に不安定な基であれば、ノルボルネン構造を有するといえども、前述した酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位に該当する。ノルボルネン構造と酸に不安定な基を含むモノマーとしては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが挙げられる。
【００８０】
樹脂（Ａ）の分子量は特に限定されないが、通常、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、好ましくは、４，０００〜５０，０００である。
【００８１】
次に樹脂（Ｂ）について説明する。
本発明のフォトレジスト組成物が含有する樹脂（Ｂ）は、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と、式（III）で表される繰り返し単位とを有する。酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位は樹脂（Ａ）におけるものと同様であるので、説明を省略する。ただし、樹脂（Ａ）における当該繰り返し単位と、樹脂（Ｂ）における当該繰り返し単位としては同一構造の繰り返し単位を用いてもよいし、異なる構造の繰り返し単位を用いてもよい。
【００８２】
【化２８】
2010156965.tif 000032
【００８３】
式（III）中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ７は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｎは、０〜４の整数を表す。ｎが２以上の整数を表す場合、複数のＲ７は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００８４】
式（III）で表される繰り返し単位では、ベンゼン環に水酸基が結合しているが、その結合位置は限定されず、オルト位、メタ位、パラ位のいずれであってもよい。好ましくはパラ位である。樹脂（Ｂ）は、式（III）で表される繰り返し単位を１種類のみ含んでもよいし、２種類以上を含んでもよい。
【００８５】
式（III）で表される繰り返し単位を導くモノマーとしては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００８６】
【化２９】
2010156965.tif 000033
【００８７】
以上のモノマーのうち、４−ヒドロキシスチレン、又は、４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。
【００８８】
樹脂（Ｂ）において、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位と式（III）で表される繰り返し単位との割合は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類等によって変動し、特に限定されないが、例えば、モル比で１０：９０〜９０：１０の範囲にあってよい。特に、ＬＷＲ及び解像度の点で有利になるので、前記モル比は６５：３５〜８５：１５の範囲が好ましい。
【００８９】
樹脂（Ｂ）の分子量は特に限定されないが、通常、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、好ましくは、４，０００〜５０，０００である。
【００９０】
本発明で使用する各樹脂を製造する方法としては特に制限はなく、各種重合方法を使用することができるが、なかでもラジカル重合法が好ましい。このラジカル重合法について具体的に説明すると、まず、有機溶剤に、重合させる各モノマーと、ラジカル重合開始剤を順次添加し、溶解させた後、反応液を所定の反応温度で保温することにより、目的の樹脂を得る。
【００９１】
前記重合法で使用する有機溶剤は特に限定されないが、モノマー、重合開始剤、及び得られる樹脂のいずれも溶解できる溶剤が好ましい。このような有機溶剤としては、トルエン等の炭化水素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル等が挙げられる。これらの溶媒はそれぞれ単独でも用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
【００９２】
前記重合開始剤は特に限定されず、公知の化合物を使用できる。具体的には、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メトキシバレロニトリル）、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、２，２’−アゾビス（２−ヒドロキシメチルプロピオニトリル）などのアゾ系化合物；ラウリルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、クメンヒドロパーオキシド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキシドなどの有機過酸化物；過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素などの無機過酸化物等が挙げられる。
【００９３】
各樹脂を製造するラジカル重合の反応温度は、通常、０〜１５０℃の範囲であり、好ましくは４０〜１００℃の範囲である。有機溶媒の使用量は、仕込みモノマー総量に対して１〜５重量倍が好ましく、重合開始剤の使用量は、仕込みモノマー総量に対して１〜２０モル％が好ましい。
【００９４】
本発明のフォトレジスト組成物において、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との重量比は、解像度、感度、及び、パターン形状の観点から、１：１０〜１０：１であることが好ましい。より好ましくは１：３〜３：１である。
【００９５】
本発明のフォトレジスト組成物は、以上で詳述した樹脂に加えて、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する。
【００９６】
酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物質を含むポジ型フォトレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生する。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）に作用して、酸に不安定な基を側鎖に有する繰り返し単位中の酸に不安定な基を当該繰り返し単位から開裂させることになる。
【００９７】
酸発生剤としては、オニウム塩、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物が挙げられ、オニウム塩であることが好ましい。酸発生剤としては、例えば、特開第２００３−５３７４号公報に記載されている酸発生剤が挙げられる。
本発明に用いる酸発生剤として、下式（Ｖ）で表される化合物が挙げられる。
【００９８】
【化３０】
2010156965.tif 000034
【００９９】
式（Ｖ）中、Ｒ12は、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状の炭化水素基、又は、炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。ただし、前記炭化水素基に含まれる炭素原子は、カルボニル基又は酸素原子に置換されていてもよく、前記炭化水素基は、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基、シアノ基、カルボニル基、及びエステル基のうち一つ以上を置換基として含んでいてもよい。前記環式炭化水素基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、シアノ基、カルボニル基、水酸基、及びエステル基のうち一つ以上を置換基として含んでいてもよい。Ａ+は有機対イオンを表す。Ｙ1、Ｙ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。）
【０１００】
式（Ｖ）で表される化合物のアニオン部分の具体例としては、以下のアニオンが挙げられる。
【０１０１】
【化３１】
2010156965.tif 000035
2010156965.tif 000036
2010156965.tif 000037
【０１０２】
【化３２】
2010156965.tif 000038
2010156965.tif 000039
【０１０３】
【化３３】
2010156965.tif 000040
2010156965.tif 000041
【０１０４】
【化３４】
2010156965.tif 000042
2010156965.tif 000043
2010156965.tif 000044
【０１０５】
【化３５】
2010156965.tif 000045
2010156965.tif 000046
【０１０６】
【化３６】
2010156965.tif 000047
2010156965.tif 000048
2010156965.tif 000049
【０１０７】
【化３７】
2010156965.tif 000050
2010156965.tif 000051
【０１０８】
【化３８】
2010156965.tif 000052
2010156965.tif 000053
2010156965.tif 000054
【０１０９】
【化３９】
2010156965.tif 000055
2010156965.tif 000056
2010156965.tif 000057
【０１１０】
【化４０】
2010156965.tif 000058
2010156965.tif 000059
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【０１１１】
【化４１】
2010156965.tif 000061
2010156965.tif 000062
【０１１２】
本発明に用いる好ましい酸発生剤としては、下式(ＶＩ)または式（ＶII）で表される化合物が挙げられる。
【０１１３】
【化４２】
2010156965.tif 000063
【０１１４】
式（ＶＩ）および式（ＶII）中、環Ｘは、炭素数３〜３０の単環式又は多環式炭化水素基を表す。Ａ+は有機対イオンを表す。Ｙ1、Ｙ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。前記環Ｘは、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。Ｚ’は、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
【０１１５】
前記環Ｘとしては、例えば、炭素数４〜８のシクロアルキル骨格、アダマンチル骨格、ノルボルナン骨格などが挙げられる。いずれの骨格も、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。
【０１１６】
式（ＶＩ）および式（ＶII）で表される酸発生剤のアニオン部分の具体例としては、以下のアニオンが挙げられる。
【０１１７】
【化４３】
2010156965.tif 000064
【０１１８】
【化４４】
2010156965.tif 000065
2010156965.tif 000066
【０１１９】
また、本発明に用いる酸発生剤として、下式(ＶIII)で表される化合物が挙げられる。
Ａ＋−Ｏ３Ｓ−Ｒ１３      （ＶIII）
式（ＶIII）中、Ｒ13は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のペルフルオロアルキル基を表し、Ａ+は有機対イオンを表す。
【０１２０】
式（ＶIII）のアニオン部分の具体的な例としては、次のようなイオンを挙げることができる。
トリフルオロメタンスルホネート、
ペンタフルオロエタンスルホネート、
ヘプタフルオロプロパンスルホネート、
パーフルオロブタンスルホネートなど。
【０１２１】
式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶII）又は（ＶIII）において、Ａ+は、有機対イオンを表し、具体的には、以下に示す式（ＩＸz）、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンが挙げられる。
ここで、式（ＩＸｚ）は、下記式である。
【０１２２】
【化４５】
2010156965.tif 000067
【０１２３】
式（ＩＸｚ）中、Ｐa〜Ｐcは、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。前記アルキル基は、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、及び炭素数３〜１２の環式炭化水素基のうち一つ以上を置換基として含んでいてもよく、前記環式炭化水素基は、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、及び炭素数１〜１２のアルコキシ基のうち一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。
式（ＩＸｚ）で表されるカチオンの中でも、式（ＩＸａ）で表されるカチオンが好ましい。
【０１２４】
【化４６】
2010156965.tif 000068
【０１２５】
式（ＩＸａ）中、Ｐ1〜Ｐ3は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ、該アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
式（ＩＸｂ）は、ヨウ素カチオンを含む下記式である。
【０１２６】
【化４７】
2010156965.tif 000069
【０１２７】
式（ＩＸｂ）中、Ｐ4、Ｐ5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、式（ＩＸａ）のアルキル基及びアルコキシ基と同じ意味を表す。
式（ＩＸｃ）は、下記式である。
【０１２８】
【化４８】
2010156965.tif 000070
【０１２９】
式（ＩＸｃ）中、Ｐ6、Ｐ7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。また、Ｐ6とＰ7とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を形成してもよい。Ｐ8は、水素原子を表し、Ｐ9は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換されていてもよい芳香環基（例えば、フェニル基、ベンジル基など）を表すか、あるいは、Ｐ8とＰ9とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を表す。Ｐ9を表すアルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。前記シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。前記２価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、いずれも、カルボニル基、酸素原子、又は硫黄原子に置換されていてもよい。
式（ＩＸｄ）は、下記式である。
【０１３０】
【化４９】
2010156965.tif 000071
【０１３１】
式（ＩＸｄ）中、Ｐ10〜Ｐ21は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。該アルキル基及び該アルコキシ基は、式（ＩＸａ）のアルキル基及びアルコキシ基と同じ意味を表す。
Ｂは、硫黄原子又は酸素原子を表す。ｍは、０又は１を表す。
式（ＩＸｚ）で表されるカチオンＡ+の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
【０１３２】
【化５０】
2010156965.tif 000072
【０１３３】
【化５１】
2010156965.tif 000073
【０１３４】
式（ＩＸｂ）で表されるカチオンＡ+の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
【０１３５】
【化５２】
2010156965.tif 000074
【０１３６】
式（ＩＸｃ）で表されるカチオンＡ+の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
【０１３７】
【化５３】
2010156965.tif 000075
【０１３８】
【化５４】
2010156965.tif 000076
【０１３９】
【化５５】
2010156965.tif 000077
【０１４０】
式（ＩＸｄ）で表されるカチオンＡ+の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
【０１４１】
【化５６】
2010156965.tif 000078
【０１４２】
【化５７】
2010156965.tif 000079
【０１４３】
【化５８】
2010156965.tif 000080
【０１４４】
Ａ+は、式（ＩＸｅ）で表されるカチオンが好ましい。
【０１４５】
【化５９】
2010156965.tif 000081
【０１４６】
式（ＩＸｅ）中、Ｐ22〜Ｐ24は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。
本発明のフォトレジスト組成物において、酸発生剤は単独で用いても複数種を併用してもよい。
本発明で用いる酸発生剤のなかでも、前述の式（ＶＩ）又は（ＶII）で表される酸発生剤が好ましく、さらに、下記の式（Ｘａ）、（Ｘｂ）又は（Ｘｃ）で表される酸発生剤が、優れた解像度及びパターン形状を示すフォトレジスト組成物を与えることからより好ましい。
【０１４７】
【化６０】
2010156965.tif 000082
【０１４８】
式（Ｘａ）〜（Ｘｃ）中、Ｐ25〜Ｐ27は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｐ28、Ｐ29は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。あるいは、Ｐ28とＰ29とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を形成してもよい。Ｐ30は、水素原子を表し、Ｐ31は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は置換されていてもよい芳香環基を表すか、あるいはＰ30とＰ31が結合して炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を表す。ここで、２価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、カルボニル基、酸素原子、又は硫黄原子に置換されていてもよい。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ21、Ｙ22、Ｙ31、又はＹ32は、それぞれ独立に、フッ素原子、又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
【０１４９】
式（ＶＩ）または式（ＶII）で表される酸発生剤は公知の手法により容易に合成できる（例えば、特開２００７−２４９１９２号公報を参照）。
【０１５０】
本発明のフォトレジスト組成物には、前述した樹脂及び酸発生剤とともに、塩基性化合物を配合することが好ましい。当該塩基性化合物をクエンチャーとして作用し、この配合により、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。塩基性化合物としては、塩基性含窒素有機化合物が好ましく、アミン又はアンモニウム塩がより好ましい。
クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で表される化合物が挙げられる。
【０１５１】
【化６１】
2010156965.tif 000083
【０１５２】
【化６２】
2010156965.tif 000084
【０１５３】
式中、Ｔ1、Ｔ2及びＴ7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。該アルキル基の水素原子、シクロアルキル基の水素原子又はアリール基の水素原子は、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキル基は、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキル基は、炭素数５〜１０程度が好ましく、該アリール基は、炭素数６〜１０程度が好ましい。
【０１５４】
Ｔ3、Ｔ4及びＴ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアルコキシ基を表す。該アルキル基の水素原子、シクロアルキル基の水素原子、アリール基の水素原子、又はアルコキシ基の水素原子は、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキル基は、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキル基は、炭素数５〜１０程度が好ましく、該アリールは、炭素数６〜１０程度が好ましく、該アルコキシ基は、炭素数１〜６程度が好ましい。
【０１５５】
Ｔ6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子又はシクロアルキル基の水素原子は、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキル基は、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキル基は、炭素数５〜１０程度が好ましい。
【０１５６】
Ａは、アルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジスルフィド基を表す。該アルキレンは、炭素数２〜６程度であることが好ましい。
また、Ｔ1〜Ｔ7において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
【０１５７】
前記塩基性化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２′−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ビス（２−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、２，２′−ジピコリルアミン、３，３′−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどを挙げることができる。また、特開平１１−５２５７５号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物も使用できる。
【０１５８】
本発明で使用する塩基性化合物としては、式（ＸII）で表される化合物が解像度向上の点で好ましい。式（ＸII）で表される化合物として、具体的には、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラオクチルアンモニウムハイドロオキサイド、フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、３−トリフルオロメチル−フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。
【０１５９】
本発明のフォトレジスト組成物においては、その全固形分量を基準に、通常、各樹脂を６０〜９９．９重量％程度の範囲で、酸発生剤を０．１〜４０重量％程度の範囲で配合すればよい。クエンチャーである塩基性化合物を配合する場合、前記組成物の全固形分量を基準に、通常、０．０１〜５重量％程度の範囲で配合すればよい。
【０１６０】
本発明のフォトレジスト組成物は、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など各種の添加物を少量含有することもできる。
【０１６１】
本発明のフォトレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態で、シリコンウェハなどの基体上に、スピンコーティングなどの通常工業的に用いられる方法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、シクロヘキサノン等のケトン類、γ−ブチロラクトン等の環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【０１６２】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種アルカリ性水溶液であればよく、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が挙げられる。
【実施例】
【０１６３】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。
【０１６４】
合成例１
［樹脂Ａ１の合成］
モノマーＡを１５．００ｇ、モノマーＢを４．８９ｇ、モノマーＣを１１．１２ｇ、モノマーＤを８．８１ｇ仕込み（モル比 ３５：１２：２３：３０）、全モノマー量の１．５重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対してそれぞれ１ｍｏｌ％、３ｍｏｌ％添加し、７７℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる動作を３回行いうことで精製し、重量平均分子量が約８１００の共重合体を収率７８％で得た。この共重合体は、次式の各構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。
【０１６５】
【化６３】
2010156965.tif 000085
合成例２
［樹脂Ｂ１の合成］
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル  ３９．７ｇ（０．１６モル）とｐ−アセトキシスチレン  １０３．８ｇ（０．６４モル）をイソプロパノール  ２６５ｇに溶解して、窒素雰囲気下に７５℃まで昇温した。ラジカル開始剤ジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）１１．０５ｇ（０．０４８モル）をイソプロパノール２２．１１ｇに溶解して滴下した。反応溶液を１２時間過熱還流した。冷却後反応液を大量のメタノールに注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたメタクリル酸２−エチル−２−アダマンチルとｐ−アセトキシスチレンの共重合体は２５０ｇ（メタノール含有）であった。
得られた共重合体２５０ｇと４−ジメチルアミノピリジン１０．３ｇ（０．０８４モル）とをメタノール２０２ｇに加えて２０時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸７．６ｇ（０．１２６モル）で中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製した。得られたメタクリル酸２−エチル−２−アダマンチルとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合体は９５．９ｇであった。重量平均分子量は約８６００（ＧＰＣポリスチレン換算）であり、共重合比は約２０：８０（Ｃ１３  ＮＭＲ測定）であった。この樹脂をＢ１とする。
【０１６６】
合成例３
［樹脂Ｂ２の合成］  
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル  ５９．６ｇ（０．２４モル）とｐ−アセトキシスチレン  ９０．８ｇ（０．５６モル）を用いて、合成例２と同様の操作を行って、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチルとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合体は１０２．８ｇを得た。重量平均分子量は約８２００（ＧＰＣポリスチレン換算）であり、共重合比は約３０：７０（Ｃ１３  ＮＭＲ測定）であった。この樹脂をＢ２とする。
【０１６７】
実施例１〜５
以下に示す各成分を表１に記載された比率で混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
＜酸発生剤＞
光酸発生剤Ｐ１：
トリフェニルスルホニウム  ４−オキソ−１−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートを、特開２００７−２２４００８号に記載の方法に従って合成した。
光酸発生剤Ｐ２：
トリフェニルスルホニウム  ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホナート。
光酸発生剤Ｐ３：
Ｎ−（ｎ−ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド
＜クエンチャー＞
クエンチャーＱ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
【化６４】
2010156965.tif 000086
クエンチャーＱ２：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
【化６５】
2010156965.tif 000087
＜溶剤＞
溶媒Ｓ１：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート  ３９０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル  ６０部
γ−ブチロラクトン  ５部
溶媒Ｓ２：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート  ４２０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル  ６０部
溶媒Ｓ３：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート  ２００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル  ４０部
γ−ブチロラクトン  ５部
【０１６８】
［表１］
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組成  樹脂                       光酸発生剤     クエンチャー           溶剤
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
1 A1/B1/B2＝5部/2.5部/2.5部     P2/P3＝1部/1部 Q1＝0.055部            溶剤S2
2 A1/B1/B2＝7.5部/1.25部/1.25部 P1＝1.2部      Q1/Q2＝0.075部/0.005部 溶媒S1
3 A1/B1/B2＝5部/2.5部/2.5部     P1＝1.2部      Q1/Q2＝0.075部/0.005部 溶媒S1
4 A1/B1/B2＝2.5部/3.75部/3.75部 P1＝1.2部      Q1/Q2＝0.075部/0.005部 溶媒S1
5 A1/B1/B2＝5部/2.5部/2.5部     P1＝1.5部      Q1/Q2＝0.013部/0.01部  溶媒S3
───────────────────────────────────────
6 A1＝10部                      P1＝1.2部      Q1/Q2＝0.075部/0.005部 溶媒S1
7 B1/B2＝5部/5部                P1＝1.2部      Q1/Q2＝0.075部/0.005部 溶媒S1
8 A1＝10部                      P2/P3＝1部/1部 Q1＝0.055部            溶剤S2
9 B1/B2＝5部/5部                P2/P3＝1部/1部 Q1＝0.055部            溶剤S2
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１６９】
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０度で６０秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０．０６μｍとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ  ５０ｋｅＶ」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表２の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表２に示した。
【０１７０】
実効感度：０．１０μｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で表示した。
解像度：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
パターン形状：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの形状が、矩形である場合を○、上部が溶けて高さが減っているものを×で表示した。
【０１７１】
［表２］
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例      組成例 No      ＰＢ   ＰＥＢ    実効感度    解像度    パターン
(μC)      (ｎｍ)    形状
実施例1    組成例1       110℃   100℃      ４６      ６０        ○
実施例2    組成例2       110℃   100℃      ４０      ６０        ○
実施例3    組成例3       110℃   100℃      ３４      ６０        ○
実施例4    組成例4       110℃   100℃      ２６      ６０        ○
─────────────────────────────────────
比較例1    組成例6       110℃   100℃      ４８      ７０        ○
比較例2    組成例7       110℃   100℃      １４    １００        ×
比較例3    組成例8       110℃   100℃  100μC以下では解像しなかった。
比較例4    組成例9       110℃   100℃      １６      ８０        ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１７２】
表２より、実施例１〜４では、比較例１〜４に比べ、得られるパターンのパターン形状、感度及び解像度について良好な結果が得られた。
【０１７３】
ＥＵＶ用レジスト組成物としての評価
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０．１０μｍとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表３のＰＢ欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、ＥＵＶ露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表３のＰＥＢ欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表２に示した。
【０１７４】
実効感度：０．０５μｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で表示した。
解像度：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示
した。
ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）：０．０５μｍの１：１のラインアンドスペースパターンにおけるラインエッジラフネスを、走査型電子顕微鏡で上面より観察し、パターンの側壁のがたつき幅が軽微なものを○、パターンの側壁のがたつき幅が大きなものを×で表記する。
【０１７５】
［表３］
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例        組成例 No.    ＰＢ   ＰＥＢ    実効感度    解像度    パターン
(μC)      (ｎｍ)    の形状
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例5    組成例5       110℃    95℃    １３．５      ４２        ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━