(57)【要約】【課題】半導体パッケージにおけるフィラーアタックを抑制する。【解決手段】半導体チップを配線基板に固定するために、まず配線基板２の矩形領域の一部に接着剤３を設け、次に半導体チップ１を接着剤に押し当てて、半導体チップ１を接着剤３を介して配線基板２上に搭載する。次に、半導体チップ１が押し当てられた接着剤３を固化させる。接着剤３を設けることに先立ち、半導体チップ１を接着剤３に押し当てた後に接着剤３が矩形領域の隅部まで広がることを可能とする接着剤充填手段（ステンシル１２、枠状体、フィルム状接着剤、溝付き絶縁膜）を用いる。【選択図】図３
2010267718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の矩形領域の一部に設けられた接着剤を半導体チップで押し付けた後に前記接着剤が前記矩形領域の隅部まで広がること、を可能とする接着剤充填手段を用いることを含む、半導体チップの配線基板への固定方法。
【請求項２】
配線基板の矩形領域の一部に設けられた接着剤に半導体チップを押し当てることと、
前記接着剤を前記半導体チップに押し当てることに先立ち、前記半導体チップを前記接着剤に押し当てた後に前記接着剤が前記矩形領域の隅部まで広がることを可能とする接着剤充填手段を前記配線基板に設けることと、
を含む、半導体チップの配線基板への固定方法。
【請求項３】
配線基板の矩形領域の一部に接着剤を設けることと、
半導体チップを前記接着剤に押し当てて、前記半導体チップを前記接着剤を介して前記配線基板上に搭載することと、
前記半導体チップが押し当てられた前記接着剤を固化させることと、
前記接着剤を設けることに先立ち、前記半導体チップを前記接着剤に押し当てた後に前記接着剤が前記矩形領域の隅部まで広がることを可能とする接着剤充填手段を前記配線基板に設けることと、
を含む、半導体チップの配線基板への固定方法。
【請求項４】
前記接着剤充填手段は、前記矩形領域に包含される大きさの開口を備え該開口の少なくとも一部の隅部が張り出しているステンシルであり、
前記ステンシルは、前記開口が前記矩形領域内に位置し前記開口の前記少なくとも一部の張り出している隅部が前記矩形領域の隅部の近傍に位置するように前記配線基板上に設置され、液状の前記接着剤が前記ステンシルの上から前記配線基板に塗布される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の固定方法。
【請求項５】
前記ステンシルの前記開口は、２つの隅部が前記矩形領域の対応する２つの隅部の近傍まで張り出しており、該２つの隅部の間にある前記開口の周縁部が前記２つの隅部に対して引き込んだ位置にある、請求項４に記載の固定方法。
【請求項６】
前記２つの隅部または前記開口の前記周縁部の少なくともいずれかは曲線形状をなしている、請求項５に記載の固定方法。
【請求項７】
前記ステンシルの前記開口は、各隅部が前記矩形領域の対応する各隅部の近傍まで張り出しており、前記各隅部の間にある前記開口の各周縁部が前記開口の中央に向けて引き込んだ位置にある、請求項４に記載の固定方法。
【請求項８】
前記接着剤充填手段は、前記配線基板の前記矩形領域の周囲に設けられた絶縁性の物質からなる枠状体であり、
液状の前記接着剤が、前記配線基板の前記枠状体の内部の一部のみに塗布される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の固定方法。
【請求項９】
前記接着剤充填手段は、前記矩形領域の少なくとも１つの隅部に設けられたフィルム状接着剤であり、
液状の前記接着剤が、前記配線基板の前記矩形領域の内部の一部に、前記フィルム状接着剤と重ならないように塗布される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の固定方法。
【請求項１０】
前記接着剤充填手段は、前記矩形領域を含む前記配線基板に設けられ、前記矩形領域の少なくとも１つの隅部の近傍まで延びる溝を上面に備えた絶縁膜であり、
液状の前記接着剤が、ステンシルの上から、前記絶縁膜の前記上面の、前記矩形領域の内部の一部のみに塗布される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の固定方法。
【請求項１１】
前記配線基板はフリップチップ実装用のパッドを有し、
前記半導体チップはフリップチップ実装用のバンプを有しており、
前記接着剤は、前記配線基板の前記矩形領域の、前記パッドの設けられていない領域に塗布され、
前記接着剤は、前記バンプが前記パッドに押し付けられることによって、半導体チップで押し付けられる、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の固定方法。
【請求項１２】
前記接着剤は前記矩形領域の外側まで広がるように設けられる、請求項１から１１のいずれか１項に記載の固定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの配線基板への固定方法に関し、特にダイアタッチペーストを用いて半導体チップを配線基板に固定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型化、高集積化、多機能化が進む中、その構造も多岐にわたってきており、その構造を実現する製造プロセスもより複雑化されてきている。半導体パッケージ製造プロセスの中には、半導体チップを配線基板に固定、接続するダイボンディング工程がある。半導体チップはダイボンディング工程によって配線基板に固定され、半導体パッケージの一部となることから、ダイボンディング工程は半導体パッケージの信頼性に大きく影響する。ダイボンディング材料には、はんだや樹脂などのペーストやフィルムが用いられることがあり、これらはダイアタッチペーストないしダイアッタチフィルムなどと呼ばれる。
【０００３】
ダイアタッチペーストを用いて半導体チップを配線基板上に実装する場合は、矩形形状の開口を備えたステンシルを配線基板上に設置し、その上から印刷技術を用いてダイアタッチペーストを塗布する。ステンシルを取り外した後、塗布されたダイアタッチペースト上に半導体チップを位置させ、半導体チップをダイアタッチペーストに押し当てる。ダイアタッチペーストが固化した後、必要な配線工程を行い、最後に半導体チップ及び配線全体をモールド材で封止する。モールド材には、流動性や機械的強度の調整など様々な目的で、アルミ等からなるフィラーが含まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−０５９０１６号公報
【特許文献２】特開２００６−０６６５５１号公報
【特許文献３】特開２００８−１９２８６９号公報
【特許文献４】特開平１０−９８０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ダイアタッチペーストは流動性があるため、半導体チップに押し当てられると濡れ広がる。しかし、ダイアタッチペーストは塗布された形状がそのまま相似形を保って濡れ広がるのではなく、ダイアタッチペーストの位置によってその広がり方が異なる。すなわち、矩形形状に塗布されたダイアタッチペーストの各辺中央付近の部位は外側に押し出されやすいのに対し、ダイアタッチペーストの隅部は外側に押し出されにくい。この結果、塗布領域の各辺中央付近のダイアタッチペーストは半導体チップの外側まで押し出される一方、隅部のダイアタッチペーストは半導体チップの外側まで押し出されず、半導体チップと基板との間の空間にとどまるという状況が生じる。この状態で半導体チップをモールド材で封止すると、半導体チップと基板との間の隙間はモールド材で充填される。
【０００６】
半導体パッケージが二次実装（マザーボードへの実装）時のリフローや実動作によって温まると、配線基板、モールド材及び半導体チップの熱膨張係数の違いから、半導体パッケージは微小な熱変形を起こす。モールド材中のフィラーが半導体チップ表面に鋭角的に接触していると、この変形によって半導体チップ表面がフィラーで押され、局所的な応力集中が生じる。その結果、半導体チップ表面の層間絶縁膜にクラックが生じるとともに、そのクラックを通してアルミが移動し、電気的なショートが生じる。このような故障モードはフィラーアタックと呼ばれる。半導体チップと基板との間の隙間は、配線基板と、モールド材と、半導体チップとが互いに近接した位置関係にあることから、複雑な熱変形が生じやすい。このため、このような隙間が存在すると、フィラーアタックの問題が顕在化する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施態様によれば、半導体チップの配線基板への固定方法は、配線基板の矩形領域の一部に設けられた接着剤を半導体チップで押し付けた後に接着剤が矩形領域の隅部まで広がること、を可能とする接着剤充填手段を用いることを含んでいる。
【０００８】
本発明の他の実施態様によれば、半導体チップの配線基板への固定方法は、配線基板の矩形領域の一部に設けられた接着剤に半導体チップを押し当てることと、接着剤を半導体チップに押し当てることに先立ち、半導体チップを接着剤に押し当てた後に接着剤が矩形領域の隅部まで広がることを可能とする接着剤充填手段を配線基板に設けることと、を含んでいる。
【０００９】
本発明のさらに他の実施態様によれば、半導体チップの配線基板への固定方法は、配線基板の矩形領域の一部に接着剤を設けることと、半導体チップを接着剤に押し当てて、半導体チップを接着剤を介して配線基板上に搭載することと、半導体チップが押し当てられた接着剤を固化させることと、接着剤を設けることに先立ち、半導体チップを接着剤に押し当てた後に接着剤が矩形領域の隅部まで広がることを可能とする接着剤充填手段を配線基板に設けることと、を含んでいる。
【発明の効果】
【００１０】
配線基板の矩形領域の一部に設けられた接着剤を半導体チップで押し当てると、接着剤は矩形領域のより広い範囲に濡れ広がる。本願発明では接着剤充填手段を用いているため、接着剤を半導体チップで押し付けた後に接着剤が矩形領域の隅部まで広がることが可能となる。このため、配線基板の矩形領域と半導体チップとの間の隙間が接着剤で充填され、あるいはより充填されやすくなり、フィラーアタックの発生の可能性が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ｗＢＧＡタイプの半導体パッケージの概略図である。
【図２】第１の実施形態に係る、半導体チップの固定方法を示す図である。
【図３】第１の実施形態における様々なステンシルの平面図である。
【図４】比較例におけるステンシルと半導体パッケージの概略図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体パッケージの概略図である。
【図６】第２の実施形態及び比較例におけるステンシルの平面図である。
【図７】第３の実施形態に係る、半導体チップの固定方法を示す図である。
【図８】第４の実施形態に係る、半導体チップの固定方法を示す図である。
【図９】第５の実施形態に係る、半導体チップの固定方法を示す図である。
【図１０】接着剤が矩形領域の外側まで広がるように塗布される場合の、半導体チップの固定方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
本実施形態は、ｗＢＧＡ(window Ball Grid Array)として知られている半導体パッケージ構造を対象としている。ｗＢＧＡとは配線基板の一方の面に接着材を介して固定された半導体チップと、配線基板の他方の面に設けられたパッドとを、配線基板に設けられたウィンドウ（スリット）を介してボンディングワイヤで接続する実装方式である。図１は、ｗＢＧＡタイプの半導体パッケージの概略図を示している。同図（ａ）は同図（ｂ）中のＢ−Ｂ線に沿った平面図を、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面図を、各々示している。なお、図１（ａ）ではモールド材８の図示は省略している。
【００１４】
半導体チップ１は配線基板２にフェイスダウンで実装されている。すなわち、半導体チップ１は、接着剤であるダイアタッチペースト３を介して、半導体チップ１の回路面を配線基板２側として、配線基板２に固定されている。配線基板２にはスリット４が設けられ、半導体チップ１はスリット４を跨ぐように配線基板２に固定されている。半導体チップ１のスリット４の直上部にボンディングパッド５が設けられており、配線基板２の半導体チップ１から見て裏側の面にはボンディングパッド６が設けられている。ボンディングワイヤ９が配線基板２のスリット４を貫通して延びて、ボンディングパッド５とボンディングパッド６とを接続している。ボンディングパッド５と、スリット４と、ボンディングパッド６の一部はフィラーを含んだモールド材７で封止されている。配線基板２の半導体チップ１の実装されている面も同様に、フィラーを含んだモールド材８で封止されている。配線基板２の下面にはマザーボードへの実装用のはんだボール１１が設けられている。
【００１５】
次に、図２を参照して、本実施形態による、半導体チップの配線基板への固定方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、接着剤充填手段であるステンシル１２を配線基板２上に設置する。図３（ａ）にはステンシル１２の平面図を示す。ステンシル１２には“［”の字形及び“］”の字形の２つの開口１３ａ，１３ｂが互いに対向して設けられている。図３（ｂ）は、このようなステンシルを配線基板２上に設置したときの状態を示す模式的平面図である。配線基板２には、半導体チップ１が固定される領域である矩形領域１４ａ，１４ｂがあらかじめ定められている。矩形領域１４ａと矩形領域１４ｂの間はスリット４となっている。ステンシル１２の開口１３ａ，１３ｂはダイアタッチペースト３が塗布される領域である。ダイアタッチペースト３は半導体チップ１により押し当てられて配線基板２上を濡れ広がるため、開口１３ａ，１３ｂは矩形領域１４ａ，１４ｂよりも小さく形成されている。すなわち、開口１３ａ，１３ｂは矩形領域１４ａ，１４ｂに包含される形状となっている。ステンシル１２は、開口１３ａ，１３ｂの隅部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄが矩形領域１４ａ，１４ｂの対応する隅部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの近傍に位置するように、配線基板２に設置される。すなわち、ステンシル１２の開口１３ａは、２つの隅部１５ａ，１５ｂが矩形領域１４ａの対応する２つの隅部１６ａ，１６ｂの近傍まで張り出しており、２つの隅部１５ａ，１５ｂの間にある開口１３ａの周縁部１７ａは２つの隅部１５ａ，１５ｂに対して引き込んだ位置にある。同様に、ステンシル１２の開口１３ｂは、２つの隅部１５ｃ，１５ｄが矩形領域１４ｂの対応する２つの隅部１６ｂ，１６ｃの近傍まで張り出しており、２つの隅部１５ｃ，１５ｄの間にある開口１３ｂの周縁部１７ｂは２つの隅部１５ｃ，１５ｄに対して引き込んだ位置にある。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すように、スキージ１８を用いて、ステンシル１２の上から液状のダイアタッチペースト３を配線基板２の表面に塗布する。ダイアタッチペースト３は配線基板２の矩形領域１４ａ，１４ｂの一部、すなわちステンシル１２の開口１３ａ，１３ｂの部分だけに塗布される。その後、図２（ｃ）に示すように、ステンシル１２を取り外す。
【００１７】
次に、図２（ｄ）に示すように、半導体チップ１をダイアタッチペースト３に押し当てて、ダイアタッチペースト３を介して配線基板２の上に搭載する。ダイアタッチペースト３は固化し、その後、図示は省略するが、ボンディングパッド５とボンディングパッド６とをボンディングワイヤ９で接続し、配線基板２の各面をモールド材７，８で封止する。以上の工程を経て、図１に示す半導体パッケージ構造が形成される。
【００１８】
このように、本実施形態では、半導体チップ１をダイアタッチペースト３に押し当てた後にダイアタッチペースト３が矩形領域１４ａ，１４ｂの隅部１６ａ〜１６ｄまで広がることを可能とする接着剤充填手段として、ステンシル１２を配線基板２に設け、その後にダイアタッチペースト３を塗布している。
【００１９】
本実施形態の効果を、矩形開口を有するステンシルを用いた場合と比較して説明する。図４（ａ）は、矩形開口を有するステンシル１１２を配線基板上に設置し、上述の方法に従いダイアタッチペースト３を塗布したときの状態を示す模式的平面図である。開口１１３ａ，１１３ｂは矩形領域１４ａ，１４ｂと相似形で、矩形領域１４ａ，１４ｂに包含される大きさである。半導体チップ１をダイアタッチペースト３上に搭載すると、ダイアタッチペースト３は押されて濡れ広がり、図４（ｂ）のような状態となる。図４（ｃ），（ｄ）は各々、図４（ｂ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面図である。ダイアタッチペースト３の各辺中央付近の部位は外側に押し出されやすいのに対し、ダイアタッチペースト３の隅部は外側に押し出されにくいため、全体として楕円形に近い形状に変形し、スリット４に接する隅部１６ａ〜１６ｄの領域がダイアタッチペースト３で充填されない。このため、図４（ｃ）に示すように、隅部１６ａ〜１６ｄの領域はモールド材７で充填されてしまい、フィラーアタックが生じやすくなっている。
【００２０】
これに対して、本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、スリット４に面する辺の中央付近のダイアタッチペースト３が濡れ広がりやすい領域を、ダイアタッチペースト３の非塗布領域２１とし、逆にスリット４に面する辺の端部付近をダイアタッチペースト３の追加塗布領域２２としている。ここで、図３（ｂ）においては、図４（ａ）に示す開口１１３ａ，１１３ｂのスリットの周縁部をｘ−ｘ線で示しており、非塗布領域２１はこれよりスリット４側と反対側の領域、追加塗布領域２２はこれよりスリット４側の領域となっている。この結果、矩形領域１４ａ，１４ｂの隅部１６ａ〜１６ｄにもダイアタッチペースト３が広がり、逆に、矩形領域１４ａ，１４ｂの中央部は元来ダイアタッチペースト３が広がりやすい領域のため、塗布領域を制限しても、スリット４に面する付近まで広がる。こうして、図１（ａ）に示すような、概ね長方形状の、ダイアタッチペースト３のきれいな広がり領域が得られ、フィラーアタックが生じにくくなる。さらに半導体チップ１の全面が配線基板２に接着されるため、半導体チップ１の配線基板２への良好な接続性が得られ、半導体パッケージの信頼性を高めることも可能となる。
【００２１】
ステンシルの開口部の形状は上記のものに限定されず、様々な変形例が可能である。図３（ｃ）〜（ｆ）にはこのような変形例を示している。これらの図は図３（ｂ）と同様、ステンシルを配線基板２上に設置したときの状態を示す模式的平面図である。各図におけるｘ−ｘ線は図３（ｂ）に示すｘ−ｘ線と同様であり、ｘ−ｘ線を境界として、非塗布領域２１と追加塗布領域２２とが形成されている。
【００２２】
図３（ｃ）に示すステンシルは、スリット４に面する部分が全体として半円形となっており、両側隅部がスリット４側に突き出し、両側隅部間の周縁部がスリット４から離れる方向に引きこんでいる。図３（ｄ）に示すステンシルは、隅部がスリット４側に鋭角的に突き出しており、周縁部は内側に引きこんだ三角形状となっている。図３（ｅ）に示すステンシルは、図３（ａ）に示すステンシルにおいて、両側隅部間の周縁部が曲線形状をなしている。図３（ｆ）に示すステンシルは、図３（ａ）に示すステンシルにおいて、隅部と周縁部のそれぞれが丸みを帯びた曲線形状をなしている。図示は省略するが、図３（ａ）に示すステンシルにおいて、両側隅部だけが曲線形状をなしていてもよい。このように、２つの隅部または隅部間の周縁部の少なくともいずれかを曲線形状とすることで、ダイアタッチペースト３の目詰まりを抑えることが容易となる。
【００２３】
本実施形態は、フリップチップ実装におけるＮＣＰ(Non Conductive Paste)の先塗布工程にも同様に適用することができる。この場合、配線基板はフリップチップ実装用のパッドを有し、半導体チップはフリップチップ実装用のバンプを有しており、ＮＣＰは、配線基板の矩形領域内のパッドの設けられていない領域に、本実施形態のステンシルを用いて塗布される。ＮＣＰは、バンプがパッドに押し付けられることによって半導体チップで押し付けられ、概ね矩形形状のきれいな広がり領域が得られる。
【００２４】
（第２の実施形態）
本実施形態は、半導体チップが配線基板にフェイスアップ（半導体チップの回路面が配線基板と反対側に位置）で実装される半導体パッケージ構造を対象としている。図５は、このような半導体パッケージの概略断面図を示している。
【００２５】
半導体チップ３１は、接着剤であるダイアタッチペースト３を介して、半導体チップ３１の回路面を配線基板３２の反対側として、配線基板３２に固定されている。半導体チップ３１の上面にボンディングパッド３５が設けられており、配線基板３２の上面にはボンディングパッド３６が設けられている。ボンディングワイヤ３９がボンディングパッド３５とボンディングパッド３６とを接続している。配線基板３２の半導体チップ３１の実装されている面は、フィラーを含んだモールド材３８で封止されている。配線基板３２の下面にはマザーボードへの実装用のはんだボール４１が設けられている。
【００２６】
このような半導体パッケージも第１の実施形態と同様な方法で作成することができる。図６（ａ）は、矩形開口を有する比較例のステンシルを用いてダイアタッチペーストを配線基板上に塗布したときの状態を示す模式的平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すダイアタッチペースト上に半導体チップを搭載したときの状態を示す模式的平面図である。図６（ｃ）は、本実施形態のステンシルを用いてダイアタッチペーストを配線基板上に塗布したときの状態を示す模式的平面図である。図６（ｄ）は、図６（ｃ）に示すダイアタッチペースト上に半導体チップを搭載したときの状態を示す模式的平面図である。
【００２７】
図６（ａ）に示すステンシル４２を用いてダイアタッチペースト３を塗布すると、第１の実施形態と同様の理由によって、図６（ｂ）に示すように、ダイアタッチペースト３の各辺の中央部が張り出し、隅部が引きこむように楕円形状に変形する。これに対し、図６（ｃ）に示すステンシル４２の開口４３は、４つの隅部４５ａ〜４５ｄが矩形領域４４の対応する４つの隅部４６ａ〜４６ｄの近傍まで張り出しており、４つの隅部４５ａ〜４５ｄの間にある開口４３の４つの周縁部４７ａ〜４７ｄが開口４３の中央に向けて引き込んだ位置にある。４つの周縁部４７ａ〜４７ｄにあるダイアタッチペースト３は、半導体チップ３１を搭載したときに相対的に外側に広がり、４つの隅部４５ａ〜４５ｄにあるダイアタッチペースト３は、半導体チップ３１を搭載したときに相対的に外側に広がりにくい性質がある。このため、ダイアタッチペースト３は、図６（ｄ）に示すように、概ね矩形形状に変形する。作成された半導体パッケージでは、配線基板と半導体チップの間に隙間が発生しにくく、隙間に充填されるモールド材によるフィラーアタックを抑えることができる。
【００２８】
（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に係る半導体チップの配線基板への固定方法を説明する図である。同図（ａ）は半導体チップ１を搭載した後の状態を示す模式的平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。配線基板２の矩形領域５４ａ，５４ｂの周囲に、接着剤充填手段である、絶縁性の物質からなる枠状体５３ａ，５３ｂが設けられている。枠状体５３ａ，５３ｂはソルダーレジストからなるが、所定の絶縁性を有し、安定的な形状を保つことができればこれに限定されない。枠状体５３ａ，５３ｂは液状のダイアタッチペースト３が塗布される際に、ダイアタッチペースト３がその外側へ流出することを防止するダムの機能を奏する。従って、ダイアタッチペースト３を配線基板２の枠状体５３ａ，５３ｂの内部の一部のみに塗布し、半導体チップ１をダイアタッチペースト３の上に搭載すると、ダイアタッチペースト３は枠状体５３ａ，５３ｂの内部だけを均一に濡れ広がり、矩形領域５４ａ，５４ｂの全域にダイアタッチペースト３を押し広げることができる。本実施形態では、図４（ｂ）のように矩形領域の中央部でスリットの方向へ押し出されたダイアタッチペーストが、枠状体５３ａ，５３ｂによって矩形領域５４ａ，５４ｂのスリット４側の両側隅部に誘導される。
【００２９】
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態に係る半導体チップの配線基板への固定方法を説明する図である。同図（ａ）は半導体チップ１を搭載した後の状態を示す模式的平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。本実施形態では、接着剤充填手段は、矩形領域６４ａ，６４ｂのスリット４側の２つの隅部に各々設けられた４つのダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄである。ダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄの設置位置や設置個数は本実施形態に限定されず、矩形領域の少なくとも１つの隅部に設けられれば本実施形態の効果を奏することができる。ダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄはあらかじめ矩形領域６４ａ，６４ｂの隅部６６ａ〜６６ｄに接着される。その後、液状のダイアタッチペースト３が、第１の実施形態と同様の方法で、配線基板２の矩形領域６４ａ，６４ｂの内部の一部に、ダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄと重ならないように塗布される。半導体チップ１をダイアタッチペースト３の上に搭載すると、ダイアタッチペースト３はダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄが設けられた領域には広がらず、その他の領域に広がる。矩形領域６４ａ，６４ｂはダイアタッチペースト３またはダイアタッチフィルム６３ａ〜６３ｄで埋められる。この結果、半導体チップ１と配線基板２の間の空間にモールド材が入り込むことが防止され、フィラーアタックが生じにくくなる。
【００３０】
（第５の実施形態）
図９は、第５の実施形態に係る半導体チップの配線基板への固定方法を説明する図である。同図（ａ），（ｃ），（ｅ）は本実施形態の固定方法を示す手順を示す平面図であり、同図（ｂ），（ｄ），（ｆ）は各々図９（ａ），（ｃ），（ｅ）のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、及びＣ−Ｃ線に沿った断面図である。本実施形態では、矩形領域７４ａ，７４ｂを含む配線基板２には、接着剤充填手段として、スリット４の両側に各々２本の溝７５ａ〜７５ｂ，７５ｃ〜７５ｄを備えた絶縁膜７３が設けられている。矩形領域７４ａの溝７５ａは、矩形領域７４ａのスリット４と反対側の両側隅部７６ａ，７６ｂを結んで延びている。溝７５ｂは、矩形領域７４ａのスリット４側の両側隅部７６ｃ，７６ｄを結んで延びている。同様に、矩形領域７４ｂの溝７５ｃはスリット４側の両側隅部７６ｅ，１６ｆを結んで延びており，溝７５ｄは、スリット４と反対側の両側隅部７６ｇ，７６ｈを結んで延びている。しかし、溝は少なくとも１つの隅部まで通っていればよく、その場合でも本実施形態の効果は得られる。絶縁膜７３はソルダーレジストからなるが、所定の絶縁性を有し、安定的な形状を保つことができればこれに限定されない。また、本実施形態では溝は絶縁膜７３を貫通しているが、溝は絶縁膜７３の上面７３ａに設けられていればよく、その深さは適宜設定できる。
【００３１】
まず、図９（ａ），（ｂ）に示すように、配線基板２の上に絶縁膜７３を設け、フォトリソグラフィー工程等の公知の手法を用いて、各矩形領域７４ａ，７４ｂに溝７５ａ〜７５ｄを設ける。
【００３２】
次に、図９（ｃ），（ｄ）に示すように、ステンシル（図示せず）の上から、絶縁膜の矩形領域７４ａ，７４ｂの内部の一部のみにダイアタッチペースト３を塗布し、ステンシルを取り外すと、溝の間の領域（溝７５ａ，７５ｂの間，及び溝７５ｃ，７５ｄの間）にダイアタッチペースト３が形成される。その後、図９（ｅ），（ｆ）に示すように半導体チップ１をダイアタッチペースト３の上に搭載すると、ダイアタッチペースト３は押し広げられて、溝７５ａ〜７５ｄに充填される。溝７５ａ〜７５ｄに充填されたダイアタッチペースト３は溝７５ａ〜７５ｄに沿って両側隅部７６ａ〜７６ｈに向けて広がり、最終的に矩形領域７４ａ，７４ｂの両側隅部７６ａ〜７６ｈまで充填される。本実施形態では、図４（ｂ）のように矩形領域のスリットと平行な各辺の中央部で外側へ押し出されたダイアタッチペーストは、溝７５ａ〜７５ｄによって矩形領域７４ａ，７４ｂの両側隅部７６ａ〜７６ｈに誘導される。従って、溝の形状及びルートは本実施形態のものに限定されず、矩形領域の隅部にダイアタッチペーストを誘導しやすい任意の形状及びルートが適用できる。
【００３３】
以上説明した実施形態では、半導体チップ搭載後に接着剤が形成される（広がる）領域は、矩形領域よりわずかに大きいものの、実質的には矩形領域と一致していた。しかし、接着剤は矩形領域の外側まで広がるように設けられても構わない。図１０（ａ）には、一例として、半導体チップが固定される領域よりも広い領域にダイアタッチペースト３を塗布する場合を示す。この場合でも、矩形領域８４ａ，８４ｂを他の実施形態と同様に定義すると、図１０（ｂ）に示すように、スリット４に面する矩形領域８４ａ，８４ｂの隅部（図中、破線の円形で示す。）ではダイアタッチペースト３が行き渡らない可能性がある。しかし、第１の実施形態と同様の形状で、第１の実施形態よりは開口の大きいステンシルを用いて、矩形領域８４ａ，８４ｂの内側及び外側にダイアタッチペースト３を塗布することによって、図１０（ｃ）に示すように、ダイアタッチペースト３は矩形領域８４ａ，８４ｂの全域に押し広げられ、さらに矩形領域８４ａ，８４ｂの外側でも同様にして押し広げられる。
【符号の説明】
【００３４】
１，３１  半導体チップ
２，３２  配線基板
３  ダイアタッチペースト
４  スリット
７，８  モールド材
１２，４２  ステンシル
１３ａ，１３ｂ，４３  ステンシルの開口
１４ａ，１４ｂ，４４，５４ａ，５４ｂ，６４ａ，６４ｂ，７４ａ，７４ｂ，８４ａ，８４ｂ  矩形領域
１５ａ〜１５ｄ，４５ａ〜４５ｄ  ステンシル開口の隅部
１６ａ〜１６ｄ，４６ａ〜４６ｄ，６６ａ〜６６ｄ，７６ａ〜７６ｇ，７６ｈ  矩形領域の隅部
５３ａ，５３ｂ  枠状体
６３ａ〜６３ｄ  ダイアタッチフィルム
７３  絶縁膜
７５ａ〜７５ｄ  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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