(57)【要約】【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、小型化してもダイシングによる切り代で十分に量産性をあげることができなかった。【解決手段】圧電基板１１の表面に弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する工程と、励振空間を設けて保護体１７で覆う工程と、レーザ光を圧電基板の内部および保護体に集光させて照射することにより圧電基板の内部に改質領域１３を形成するとともにレーザ光を照射した部分の保護体１７を除去する工程と、圧電基板の裏面側を研削することにより圧電基板１１を薄板化する工程と、改質領域１３で各デバイスに分離する工程と、を備えたものであり、量産性を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の第１面に弾性表面波デバイスパターンを複数個形成する工程と、前記弾性表面波デバイスパターンを囲む側壁とこの側壁上に設けられ前記弾性表面波デバイスパターンの励振空間を覆う天板を設け、前記圧電基板の第１面全体に保護体で覆う工程と、レーザ光を前記圧電基板の内部および前記保護体に集光させて照射することにより前記圧電基板の内部に改質領域を形成するとともに前記レーザ光を照射した部分の前記保護体を除去する工程と、前記圧電基板の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより前記圧電基板を薄板化する工程と、前記改質領域で各デバイスに分離する工程と、を備えた弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は低背化した弾性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、機器の薄型化への要望に対して、弾性表面波デバイスに対しても小型化、低背化への要望が強まってきている。
【０００３】
弾性表面波デバイスの小型化、低背化へのひとつの方法として、弾性表面波デバイスのパターンを形成した圧電基板の表面に振動空間を確保しながら周囲および上方を覆い、これをダイサーで切断してデバイスを得るウェハレベルパッケージと呼ばれる方法がある。しかしながら、弾性表面波デバイスのサイズが小さくなってくると、ダイサーによる切り代の面積の割合が大きくなってくるため、結果として弾性表面波デバイスのサイズの割には得られる弾性表面波デバイスの個数が増えず、量産性があまり向上しなくなってくる。また異なる硬さのものをダイシングするときにチッピングが発生し、特に弾性表面波デバイスを樹脂等でモールドする場合、チッピングのところからクラックが発生しやすくなるという課題があった。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００８−５４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記課題を解決するものであり、小型化、低背化した弾性表面波デバイスを量産性良く得ることができ、また信頼性の高い弾性表面波デバイスを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明は、圧電基板の第１面に弾性表面波デバイスパターンを複数個形成する工程と、弾性表面波デバイスパターンを囲む側壁とこの側壁上に設けられ弾性表面波デバイスパターンの励振空間を覆う天板を設け、圧電基板の第１面全体に保護体で覆う工程と、レーザ光を前記圧電基板の内部および保護体に集光させて照射することにより圧電基板の内部に改質領域を形成するとともにレーザ光を照射した部分の保護体を除去する工程と、圧電基板の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより圧電基板を薄板化する工程と、改質領域で各デバイスに分離する工程と、を備えたものであり、このようにすることにより、切り代をなくすことにより、ウェハ当たりのデバイスの取れ数を増加させるとともに、チッピングを低減させ、信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、量産性良くチッピングの少ない薄板化した弾性表面波デバイスが得られ、高品質な弾性表面波デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの製造方法を示す図である。
【０００９】
まず図１（ａ）のように、厚さ約０．３５ｍｍの両面を鏡面研磨したタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムの単結晶からなる圧電基板１１の第１面にフォトリソグラフィ技術を用いて弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する。その上に弾性表面波デバイスパターン１２を囲み、個片に分離した際の外周から全周に渡って間隔を設けて形成した側壁１４を設け、さらにその上に弾性表面波デバイスパターン１２の励振空間を覆い、同じく個片に分離した際の外周から全周に渡って間隔を設けて形成した天板１５を設け、弾性表面波デバイスパターン１２に接続され外部に電気信号を取り出すための接続電極１６を設け、圧電基板１１の第１面側全体をエポキシ系樹脂からなる保護体１７で覆うことにより、図１（ｂ）のようになる。ここで保護体１７の圧電基板１１の第１面側からの厚さを約０．０８ｍｍとし、保護体１７は重量比で８５％以上のシリカをフィラーとして含有したエポキシ系樹脂を用いている。
【００１０】
次に図１（ｃ）のように、圧電基板１１の裏面（第２面）側から近赤外レーザ光１８を照射し、レンズにより圧電基板１１の内部に集光させる。このとき集光させる位置は、第１面側に近いところになるようにする。本実施の形態では第１面側から約０．０８ｍｍの深さの位置に焦点が結ばれるようにする。さらに保護体１７に焦点が結ばれるように近赤外レーザ光１８を照射する。
【００１１】
このとき、通常弾性表面波デバイスの圧電基板はバルク波による影響を抑圧するために裏面を荒らしているため、裏面側からレーザ光を照射すると荒れた裏面で反射するため、十分に内部で集光させることができない。これに対し本発明の実施形態１では裏面側も鏡面研磨しているため、内部に集光させることができる。
【００１２】
以上のように圧電基板１１の内部にレーザ光１８を集光させると、その集光された付近で多光子吸収が起こり、図１（ｄ）のように改質領域１３が形成される。さらにレーザ光１８を保護体１７に集光させることにより照射した部分の保護体１７を除去する。これは保護体１７を構成する材料が重量比で８５％以上と多量のフィラーを含み、またその厚さも約０．０８ｍｍと非常に薄いため、レーザ光を照射した部分の保護体１７中のエポキシ系樹脂を揮発させ、フィラーのみの状態となった保護体除去部１９を形成することが可能となるものである。
【００１３】
次に図１（ｅ）のように、裏面側から研削を行い、圧電基板１１の厚さが約０．１６ｍｍになるようにする。このように薄板化を行うと同時に、裏面加工をも実現することができる。従来チップを薄板化する方法として先ダイシングと呼ばれている方法が知られているが、この場合ハーフカット溝を設けているため、この部分が空間になっている。そのため研削バイトがこの空間を通った後圧電基板に到達するまで研削を行うため、弾性表面波デバイスチップの裏面の角となる部分でチッピングが発生しやすいが、本実施の形態１では、改質領域１３だけで空間ができていないため、チッピングが発生しにくくなるようにすることができる。
【００１４】
次にピックアップシート２０へ貼り合わせし、ピックアップシート２０をエキスパンドすることにより、改質領域１３で分離させることができ、図１（ｆ）のようになる。
【００１５】
以上のように個片化する際に、ダイサーを用いずに、レーザ光を集光させることによって分離させているため、切り代が発生せず、同じデバイスサイズのものを得る場合、ウェハ当たりの取れ数を増加させることができ、量産性を向上させることができる。また分離させた面についても、ダイサーで切断したものに比べてチッピングを少なくすることができ、特にこの弾性表面波デバイスを基板に実装した後にモールドするような場合において、信頼性を向上させることができる。
【００１６】
さらに、保護体１７の側面部はエポキシ系樹脂が揮発し、フィラーのみの状態となった保護体除去部１９としているため、この弾性表面波デバイスを実装した後樹脂モールドした場合、クッション層として働き、モールド樹脂による弾性表面波デバイスへのストレスを緩和することができる。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、小型化、低背化の弾性表面波デバイスを量産性良く得ることができ、また信頼性をも向上させることができるため、産業上有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの製造方法を示す図
【符号の説明】
【００１９】
１１  圧電基板
１２  弾性表面波デバイスパターン
１３  改質領域
１４  側壁
１５  天板
１６  接続電極
１７  保護体
１８  レーザ光
１９  保護体除去部
２０  ピックアップシート
【図１】
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