(57)【要約】【課題】非画像更新時における基板帯電による画像の乱れや画質の劣化の問題を解決し、信頼性に優れたメモリ性を有する表示装置及びその製造方法の提供。【解決手段】表示装置に適用可能な表示パネルは、第１の基板１００と、第２の基板２００と、表示素子層３００と、を備えている。第１の基板１００は、絶縁性基板１１０上に第１の導電層１２０を介してデバイス層１３０を積層した構成を有している。デバイス層１３０は、少なくとも画素スイッチ１３１に接続された画素電極１３２及び配線１３３を有している。第２の基板２００は、上記の第１の基板１００に配列された画素電極１３２に対向するように設けられた第２の導電層２１０を有している。表示素子層３００は、上記の第１の基板１００と第２の基板２００の間に介在している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に第１の導電層を介して積層され、画素スイッチに接続された画素電極及び配線が複数の表示画素に対応して配列されたデバイス層を有する第１の基板と、
前記第１の基板に配列された前記画素電極に対向するように第２の導電層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられた表示素子層と、
を備え、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、非画像更新時に特定の電位に設定されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、非画像更新時に同電位に設定されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、非画像更新時に接地電位に設定されることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の導電層は、導電性の接着材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の導電層は、導電性の薄膜電極からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の導電層は、前記デバイス層の前記画素電極との間で容量成分を保持するための蓄積容量電極であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁性基板は、フレキシブル性を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示素子層は、メモリ性を有する複数の表示素子が配列されてなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示素子層は、電気泳動表示素子からなることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の基板又は前記第２の基板は、カラーフィルターを有していることを特徴する請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示装置は、前記表示素子層の視野側に配置される前記第１の基板又は前記第２の基板の表面に、所望の画像のデータを入力するための入力手段を備えることを特徴する請求項１乃至１０のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
ガラス基板の一面側に形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、
前記ガラス基板の他面側をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記ガラス基板の他面側に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、
前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、
を含むことを特徴する表示装置の製造方法。
【請求項１３】
ガラス基板の一面側にエッチングストッパ層及び導電層を介して形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、
前記ガラス基板をエッチングして全て除去し、前記エッチングストッパ層を露出する工程と、
前記エッチングストッパ層をエッチングして全て除去し、前記導電層を露出する工程と、
前記露出した前記導電層の表面に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、
前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、
を含むことを特徴する表示装置の製造方法。
【請求項１４】
ガラス基板の一面側にエッチングストッパ層を介して形成されたデバイス層を形成する工程と、
前記デバイス層上に導電層を形成する工程と、
前記導電層の表面に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、
前記ガラス基板をエッチングして全て除去し、前記エッチングストッパ層を露出する工程と、
を含むことを特徴する表示装置の製造方法。
【請求項１５】
ガラス基板の一面側に形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、
前記ガラス基板の他面側をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記ガラス基板の他面側に導電性の接着材料を用いてカラーフィルター及び絶縁性基板を貼り付ける工程と、
前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、
を含むことを特徴する表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記デバイス層は、少なくとも、画素スイッチ、該画素スイッチに接続された画素電極及び配線が、複数の表示画素に対応して配列されていることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子ペーパー表示装置等のメモリ性を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、電子書籍や電子新聞等のような、“読む”行為をストレスなしに実現可能にする表示装置として、メモリ性を有する表示装置である電子ペーパー表示装置の開発が進められている。ここで、「メモリ性を有する表示装置」とは、２つ以上の異なった安定状態を持ち、かつ、２つ以上の安定状態が電気的に切り替え可能で光学的性質が異なる状態を持つ表示装置のことを意味する。このような表示装置は、「双安定性表示装置」とも呼ばれている。双安定性表示装置における画像表示状態は、画面の書き換えを行う画像更新状態と、画像を書き換えない非画像更新状態とに分けることができる。ここで、非画像更新状態の時には双安定性表示装置は電力を与えなくても表示された画像を保持することができるので、消費電力の削減を図ることができる。
【０００３】
特に、上記の電子ペーパー表示装置は、上述した双安定性表示装置の特徴であるメモリ性を有することに加え、薄型、軽量であって割れにくいことや、印刷レベルの見易さを備えていることが要望されている。さらに好ましくは、電子ペーパー表示装置は、その表示パネルがフレキシブル（屈曲可能）であることや、カラー表示が可能であることが要望されている。このようなメモリ性を有する表示装置の一例としては、米国のイー・インク社（E Ink Corporation）のマイクロカプセル型電気泳動型表示装置が知られている。
【０００４】
このような電気泳動型表示装置について、例えば特許文献１は、マイクロカプセル型電気泳動表示素子をスイッチング素子で駆動する構成を開示している。特許文献１に開示されている電気泳動型表示装置は、フレキシブルなベース基板と、非線形のスイッチング素子と、スイッチング素子に接続された画素電極と、マイクロカプセル型電気泳動表示素子と、共通電極と、を有している。
【０００５】
ここで、フレキシブルなベース基板は、ステンレスや金属箔、ポリイミド等の材料からなり曲げることが可能な基板である。また、非線形のスイッチング素子は、上記ベース基板の一面側に設けられている。また、画素電極は、平坦化膜を介してスイッチング素子に接続されている。また、マイクロカプセル型電気泳動表示素子は、ベース基板の一面側に配列されている。また、共通電極は、マイクロカプセル型電気泳動表示素子を介して画素電極に対向して設けられている。
【０００６】
このようなパネル構造において、フレキシブルな基板上に非線形素子を形成する方法は、例えば特許文献２や特許文献３に開示されている。特許文献２は、一面側に非線形素子が形成されたガラス層の他面側（裏面側）を２００μｍ以下になるように薄くエッチングし、当該エッチングしたガラス層の他面側にフレキシブルフィルムを貼り付ける手法を開示している。
【０００７】
また、特許文献３は、有機樹脂からなる長尺状の薄膜状フィルムに、光学素子や薄膜トランジスタ素子をそれぞれ転写によりロールツーロールで積層する手法を開示している。
【０００８】
ここで、特許文献１〜３に開示されたフレキシブルな基板としては、上述したように、ステンレスや金属箔のほかに、ポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラスチック基板を適用することができる。ここで、プラスチック基板は、ステンレスや金属箔等の導電性の基板に比べて、静電気等により簡単に表面がチャージアップ（帯電）する特性を有している。
【０００９】
そのため、電子ペーパー表示装置のようなメモリ性を有する表示装置においては、上述した非画像更新状態の時にプラスチック基板の表面に静電気が帯電すると、この静電気に起因して生じる電界により画像の乱れや画質の劣化が生じることが知られている。これは、静電気に起因して生じる電界により電気泳動粒子がマイクロカプセル内を移動することにより、表示動作の終了直後（すなわち当該非画像更新状態の開始時）の状態から画像が変化してしまうことが原因である。
【００１０】
このようなプラスチック基板表面のチャージアップを防止する方法は、例えば特許文献４に開示されている。特許文献４は、電子ペーパー表示装置において、第１の基板上に形成した透明電極膜（第１の導電膜）と、マイクロカプセルを介して第１の基板に対向する第２の基板上に形成した電極膜（第２の導電膜）と、を電気的に接続した構成を開示している。ここで、第１の基板は、表示素子による情報を表示する側（すなわち、視野側）の基板である。このような構成により、第１及び第２の基板に適用されるプラスチック基板表面のチャージアップが防止されて、非画像更新状態における画像の乱れや画質の劣化の問題が解決される。
【００１１】
【特許文献１】米国特許出願公開ＵＳ２００５／００７８０９９号公報
【特許文献２】特開２００４−２１９５５１号公報
【特許文献３】特開２００５−２９２４２０号公報
【特許文献４】特開２００５−２０８３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本願発明者は、非線形素子である薄膜トランジスタが形成されたプラスチック基板を用いたアクティブマトリクス型のメモリ性を有する表示装置について検証を行った。それによれば、上述した特許文献４に開示されたようなプラスチック基板表面のチャージアップを防止する施策を講じたとしても、上記の画像の乱れや画質の劣化の問題を完全には解決することができないことが判明した。このような問題は、白黒（モノクロ）表示の場合に限らず、カラー表示の場合も同様であった。なお、上記の本願発明者による検証内容については、後述する「発明を実施するための最良の形態」において詳しく説明する。
【００１３】
本発明は、上述の事情に鑑みて、背景技術における不都合を改善することを目的とするものである。すなわち、本発明は、フレキシブル性を有する絶縁性の基板を用いて表示パネルを構成した場合であっても、非画像更新状態時に画像の乱れや画質の劣化を生じることがなく、信頼性に優れたアクティブマトリクス型のメモリ性を有する表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の表示装置は、絶縁性基板上に第１の導電層を介して積層され、画素スイッチに接続された画素電極及び配線が複数の表示画素に対応して配列されたデバイス層を有する第１の基板と、前記第１の基板に配列された前記画素電極に対向するように第２の導電層が設けられた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられた表示素子層と、を備え、前記第１の導電層と前記第２の導電層は、非画像更新時に特定の電位に設定される。
【００１５】
本発明の第１の表示装置の製造方法は、ガラス基板の一面側に形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、前記ガラス基板の他面側をエッチングする工程と、前記エッチングされた前記ガラス基板の他面側に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、を含む。
【００１６】
本発明の第２の表示装置の製造方法は、ガラス基板の一面側にエッチングストッパ層及び導電層を介して形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、前記ガラス基板をエッチングして全て除去し、前記エッチングストッパ層を露出する工程と、前記エッチングストッパ層をエッチングして全て除去し、前記導電層を露出する工程と、前記露出した前記導電層の表面に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、を含む。
【００１７】
本発明の第３の表示装置の製造方法は、ガラス基板の一面側にエッチングストッパ層を介して形成されたデバイス層を形成する工程と、前記デバイス層上に導電層を形成する工程と、前記導電層の表面に導電性の接着材料を用いて絶縁性基板を貼り付ける工程と、前記ガラス基板をエッチングして全て除去し、前記エッチングストッパ層を露出する工程と、を含む。
【００１８】
本発明の第４の表示装置の製造方法は、ガラス基板の一面側に形成されたデバイス層上にフィルムを貼り付ける工程と、前記ガラス基板の他面側をエッチングする工程と、前記エッチングされた前記ガラス基板の他面側に導電性の接着材料を用いてカラーフィルター及び絶縁性基板を貼り付ける工程と、前記フィルムを前記デバイス層から剥離する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、非画像更新状態時における画像の乱れや画質の劣化が防止されて、信頼性に優れたアクティブマトリクス型のメモリ性を有する表示装置を実現することができるとともに、その製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜アクティブマトリクス型メモリ性表示装置の非画像更新時の画像劣化現象の解析＞
まず、本願発明者が実施した電子ペーパー表示装置（アクティブマトリクス型メモリ性表示装置）の非画像更新状態時における表示画面の劣化現象の解析、検証結果が以下に説明される。
【００２１】
本解析に適用した電子ペーパー表示装置は、薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor；以下、「ＴＦＴ」と略記する）を設けたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板間に介在する電気泳動表示素子と、を含む電気泳動型表示パネルを備えている。
【００２２】
ここで、ＴＦＴは、画素駆動用のスイッチ（画素スイッチ）である。また、ＴＦＴ基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるプラスチック基板と、ＴＦＴを一面側に形成したガラス基板と、を非導電性の糊（接着材料）で貼り付けて形成したものである。このＴＦＴ基板をプラスチック基板とガラス基板との２層で形成した理由は、ＴＦＴが形成されるガラス基板の厚さは０．１ｍｍ〜０．７ｍｍと薄く割れやすいため、ガラス基板への衝撃を吸収するやわらかいプラスチック基板やプラスチック層等の緩衝層が必要であるためである。また、本解析においては、プラスチック基板表面の静電気を抑制するために、プラスチック基板表面に静電防止スプレーに塗布した表示パネルを用いた。
【００２３】
このような電子ペーパー表示装置において、まず、電気泳動型表示パネルが表示駆動されて、該表示パネルに所望の画像が表示又は書き換えられた画像更新状態に設定した。その後、電気泳動型表示パネルが非表示駆動状態に制御されて、該表示パネルに表示された上記画像が保持又は書き換えられない非画像更新状態に設定した。この駆動方法による画像の解析結果では、上述したような画像の乱れや画質の劣化はほとんど生じなかった。
【００２４】
ところが、例えば電子ペーパーの画面上に直接絵を描くペン入力や、画面に直接人体等が触れるタッチパネル等の入力手段を適用して、表示装置の画像更新が連続的かつ長時間継続するような表示を行った場合には、非画像更新状態の時に画像の劣化が発生した。具体的には、白表示した画面が徐々に灰色に変化していくような現象が観測された。このような現象は、以下の原因によるものであると本願発明者は推定した。
【００２５】
すなわち、ＴＦＴは、ＴＦＴを駆動するための制御信号（又は選択信号）としてゲート信号が必要である。上記の電気泳動型表示パネルに適用されるＴＦＴにおいては、オン動作（選択状態）の時にはゲート信号として例えば＋２５Ｖ程度の正電圧がゲート端子に印加される。一方、オフ動作（非選択状態）の時にはゲート信号として例えば−２５Ｖ程度の負電圧がゲート端子に印加される。ここでは、本願発明者は、例えば画素数が８００×６００画素のＳＶＧＡ（Super Video Graphics Array；スーパー・ビデオ・グラフィックス・アレイ）の解像度を有する表示装置に上記電気泳動型表示パネルを適用した場合について検証した。
【００２６】
一般に、表示駆動制御における上記のオン時間（選択期間）は、０．０２７ｍｓ程度であり、オフ時間（非選択期間）は１６．６ｍｓ程度に設定されている。そのため、ＴＦＴは、表示駆動サイクルの大半がオフ時間となり、実質的にオフ動作時の負電圧である−２５ＶがＴＦＴ基板に配設されたゲート配線に印加され続けることになる。これにより、ＴＦＴ基板のＴＦＴが形成されたガラス基板及びプラスチック基板には−２５Ｖの直流（Direct Current；ＤＣ）電圧が印加され続けることになる。そのため、ガラス基板とプラスチック基板の界面にある非導電性の糊による接着層やプラスチック基板内部でもチャージアップが生じる。本願発明者は、このチャージアップに起因して発生する電界が電気泳動表示素子の動作状態に影響を及ぼしているものと推定した。
【００２７】
以上のように、電子ペーパー表示装置においては、非画像更新状態の時にも画像を保持することが求められている。しかしながら、本願発明者の解析により、プラスチック基板又はプラスチック層を有するＴＦＴ基板を用いた電子ペーパー表示装置においては、画像の乱れや画質の劣化の問題が生じることが判明した。その原因について、本願発明者は、プラスチック基板表面の静電気だけでなく、ＴＦＴをオフ状態に保持するためにゲート配線に印加するゲート信号（負電圧）等に起因して発生する直流電界によるプラスチック基板や接着層のチャージアップによるものであると推定した。
【００２８】
そして、このような問題を解決するために、本願発明者は種々検討した結果、次のような結論に達した。すなわち、その結論とは、ＴＦＴ基板に配設された配線とプラスチック基板又は接着層との間に電界シールド層を設けることにより、上記の画像の乱れや画質の劣化を良好に防止することができるということである。
【００２９】
以下に、本発明に係る表示装置及びその製造方法の具体的な実施形態が詳しく説明される。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態の概略断面図である。ここでは、図示の都合上、一部の断面のハッチングが省略されている。
【００３１】
図１に示すように、第１の実施形態に係る表示装置に適用可能な表示パネルは、第１の基板１００と、第２の基板２００と、表示素子層３００と、を備えている。
【００３２】
第１の基板１００は、絶縁性基板１１０上に第１の導電層１２０を介してデバイス層１３０を積層した構成を有している。デバイス層１３０は、少なくとも画素スイッチ１３１に接続された画素電極１３２及び配線１３３を有している。これらの画素スイッチ１３１、画素電極１３２及び配線１３３は、表示パネルに配列される複数の表示画素の各々に対応するように配列されている。
【００３３】
また、第２の基板２００は、上記の第１の基板１００に配列された画素電極１３２に対向するように設けた第２の導電層２１０を有している。
【００３４】
表示素子層３００は、上記の第１の基板１００と第２の基板２００の間に介在している。すなわち、本発明は、第１の基板１００側の画素電極１３２と、第２の基板２００側の第２の導電層２１０と、が表示素子層３００を介して対向した構成を有している。
【００３５】
そして、本実施形態の表示装置においては、上記のような構成を有する表示パネルが、少なくとも表示画素の非画像更新時に、第１の導電層１２０及び第２の導電層２１０が特定の電位に設定される。ここで、非画像更新時に第１の導電層１２０及び第２の導電層２１０に設定する特定の電位は、同電位であってもよいし、さらに、当該電位をグラウンド電位（接地電位）に設定するものであってもよい。
【００３６】
すなわち、本実施形態に適用される表示パネルは、少なくとも非画像更新時に、第１の導電層１２０及び第２の導電層２１０が特定の電位（同電位やグラウンド電位）に接続されて、両者の間に電位差が生じないように設定される。これにより、本実施形態によれば、絶縁性基板１１０の表面に帯電した静電気による電界や、配線１３３等からの直流電界の発生をシールドすることができる。したがって、本実施形態に係る液晶表示装置は、絶縁性基板１１０におけるチャージアップを抑制することができるので、非画像更新時における画像の乱れや画質の劣化を防止することができる効果を有している。
【００３７】
＜第２の実施形態＞
（第１の構造例）
図２は、第２の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。ここでは、図示の都合上、一部の断面のハッチングが省略されている。
【００３８】
第２の実施形態に係る表示装置（電子ペーパー表示装置）に適用可能な表示パネルの第１の構造例は、図２に示すように、対向基板３と、電気泳動表示素子４と、ＴＦＴ基板６と、を順次積層した電気泳動型の表示パネルを備えている。対向基板３と電気泳動表示素子４を積層した部材は、図２中に示した電気泳動表示素子フィルム１８を構成する。なお、この表示パネルは、図面上方側を視野側として、観察者が対向基板３を介して電気泳動表示素子４の表示を視認するようにした構成を有している。ここで、対向基板３は本発明の第２の基板に対応する構成であり、電気泳動表示素子４は本発明の表示素子層に対応する構成であり、ＴＦＴ基板６は本発明の第１の基板に対応する構成である。
【００３９】
本構造例において、対向基板３は、プラスチック基板１の一面側（すなわち、図面下面側）に、例えば単一の平面電極（いわゆる、べた電極）から形成される対向電極２を設けた構成を有している。対向電極２は、少なくとも後述するＴＦＴ基板６に配列される複数の画素電極１４の形成領域（すなわち、表示領域）に対応する領域に設けられる。また、本構造例においては、対向基板３に用いるプラスチック基板１として、例えばポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate；ＰＥＴ）、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone；ＰＥＳ）、ポリイミド膜、ポリカーボネート（polycarbonate；ＰＣ）等を適用することができる。ここで、対向電極２は本発明の第２の導電層に対応する構成である。
【００４０】
電気泳動表示素子４は、例えばマイクロカプセル型の電気泳動表示素子であって、対向基板３とＴＦＴ基板６間に介在している。電気泳動表示素子４は、具体的には、高分子材料（ポリマー）のバインダー（すなわち、結合剤）の中に、例えば直径が約４０μｍの球体状の複数のマイクロカプセル９を二次元的に敷き詰めたシート形状を有している。
【００４１】
マイクロカプセル９の中には、例えばイソプロピルアルコール（isopropyl alcohol；ＩＰＡ）等の溶媒が封入されている。マイクロカプセル９は、上記溶媒中に、ナノレベルの大きさを有し、例えばマイナスに帯電した酸化チタン系の白色顔料を用いた無数の白粒子１０と、例えばプラスに帯電したカーボン系の黒色顔料を用いた黒粒子１１と、が分散されて、浮遊するようにした構成を有している。
【００４２】
ＴＦＴ基板６は、導電性接着層１５を介して、ＴＦＴ層２６を設けたガラス基板７と、プラスチック基板８と、を積層した構成を有している。ＴＦＴ層２６を設けたガラス基板７は、図２中に示したＴＦＴガラス基板２７を構成する。ここで、導電性接着層１５は本発明の第１の導電層に相当し、ＴＦＴ層２６は本発明のデバイス層に相当し、プラスチック基板８は本発明の絶縁性基板に相当する構成である。
【００４３】
ＴＦＴ層２６は、ガラス基板７の一面側（すなわち、図面上面側）に設けられ、画素駆動用のスイッチ（以下、「画素スイッチ」と記す）としてのＴＦＴ５と、各種配線５ｚと、パッシベーション膜１３と、画素電極１４を有している。
【００４４】
ここで、画素スイッチとして適用可能なＴＦＴ５は、図２に示すように、ゲート電極５ａと、ゲート絶縁膜１３ａと、半導体層５ｂと、ドレイン電極５ｃと、ソース電極５ｄと、を備える薄膜トランジスタ構造を有している。なお、ＴＦＴ５の半導体層５ｂは、例えばアモルファスシリコン（a-Si）やポリシリコン（p-Si）等の無機半導体材料を用いるものであってもよい。あるいは、半導体層５ｂは、ポリチオフェン等の有機半導体材料を用いるものであってもよい。さらには、半導体層５ｂは、透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の半導体材料を用いるものであってもよい。
【００４５】
各種配線５ｚは、ＴＦＴ５を駆動するための配線であり、具体的にはＴＦＴ５に接続された各種の配線であって、例えばゲート配線やデータ配線等である。
【００４６】
パッシベーション膜１３は、ＴＦＴ５や各種配線５ｚを被覆して保護する単層又は複層の絶縁膜である。具体的には、本構造例においては、パッシベーション膜１３として、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜等の無機絶縁膜やアクリル等の有機膜、あるいは、それらの積層膜を適用することができる。
【００４７】
画素電極１４は、図２に示すように、パッシベーション膜１３上に延在するように形成されるとともに、該パッシベーション膜１３に設けたコンタクトホール２１を介してＴＦＴ５のソース電極５ｄに接続されている。すなわち、画素電極１４は、上述した電気泳動表示素子４を介して対向基板３側の対向電極２に対向するように形成されている。また、ＴＦＴ５と画素電極１４は、表示パネルに配列される複数の表示画素の各々に対応するように、ガラス基板７上に二次元的に配列されている。
【００４８】
ＴＦＴ基板６に用いるガラス基板７は、例えば０より大きく３００μｍ以下（０．３ｍｍ以下）の厚さに形成した薄いガラス板であって、フレキシブル性を有している。また、本構造例においては、プラスチック基板８として、上述した対向基板３のプラスチック基板１と同様に、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド膜、ポリカーボネート（ＰＣ）等を適用することができる。
【００４９】
導電性接着層１５は、図２に示すように、ガラス基板７と、プラスチック基板８と、を密着して接合するための接着層である。導電性接着層１５は、例えば導電性粒子（図示を省略）が混合された糊又は接着材料を塗布することによって形成される。なお、本構造例においては、導電性粒子として、例えばグラファイト、金、ニッケルメッキ粒子等を適用することができる。また、本構造例においては、糊又は接着材料として、例えばシリコンやアクリル系樹脂等を適用することができる。
【００５０】
導電性接着層１５の表面抵抗率は、静電気による電界が電気泳動表示素子４に影響を与えない程度の時間に基づいて設定されることが好ましい。具体的には、表面抵抗率は、例えば１秒〜１０秒程度でＴＦＴ基板６に帯電した静電気（電荷）を放電することができる値に設定されることが好ましく、本願発明者の実験結果によると、３×１０９Ω／□以下であることが好ましい。
【００５１】
そして、本実施形態においては、少なくとも表示装置（すなわち、表示パネルに配列された各表示画素）が非画像更新状態の時に、図２に概念的に示すように、導電性接着層１５が対向基板３の対向電極２やグラウンド線に電気的に接続されるように制御する。これにより、導電性接着層１５及びそれに隣接する基板において帯電した静電気（電荷）は対向電位やグラウンド電位（０Ｖ）に放電される。すなわち、導電性接着層１５は、ＴＦＴ層２６の各種配線５ｚ（特に、ゲート配線）に印加する電圧に起因して生じる電界がプラスチック基板８側に漏れることを防止する。更に、導電性接着層１５は、プラスチック基板８表面の静電気によるチャージアップを防止する。このように、導電性接着層１５は、電界シールド層として機能する。
【００５２】
（第２の構造例）
図３は、第２の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した第１の構造例に示したパネル構造（図２参照）と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【００５３】
上述した第１の構造例においては、電界シールド層として、導電性粒子が混合された糊や接着材料（以下、便宜的に「導電糊」と総称する）から形成される導電性接着層１５を適用したパネル構造が説明された。本発明はこれに限定されるものではない。
【００５４】
すなわち、本実施形態に係る表示パネルの他の構造例（第２の構造例）は、導電性接着層１５に替えて、例えばシールド電極を設けたパネル構造を有している。具体的には、表示パネルの第２の構造例は、図３に示すように、ＴＦＴ基板６を形成するガラス基板７とプラスチック基板８の間に、透明な導電膜材料から形成されるシールド電極１６が介在した構成を有している。本構造例においては、透明な導電膜材料として、例えば酸化インジウム・スズ（Indium Tin Oxide；以下、「ＩＴＯ」と略記する）等を良好に適用することができる。ここで、シールド電極１６は、絶縁性（又は非導電性）の糊や接着材料を用いてガラス基板７やプラスチック基板８に接着されるものであってもよい。また、シールド電極１６を構成するＩＴＯ膜は、ガラス基板７側に形成されるものであってもよいし、プラスチック基板８側に形成されるものであってもよい。ここで、本構造例におけるシールド電極１６は本発明の第１の導電層又は導電性の薄膜電極に相当する構成である。
【００５５】
そして、本実施形態においては、少なくとも表示装置（すなわち、各表示画素）が非画像更新状態の時に、図３に概念的に示すように、シールド電極１６が対向基板３の対向電極２やグラウンド線に電気的に接続されて同電位になるように制御する。すなわち、シールド電極１６は、当該シールド電極１６及びそれに隣接する基板において帯電した静電気を対向電位やグラウンド電位に放電する電界シールド層として機能する。
【００５６】
このように、本実施形態に係る各パネル構造によれば、少なくとも表示装置が非画像更新状態の時には、電界シールド層によりプラスチック基板８の表面に帯電した静電気による電界や、ＴＦＴ層２６のゲート配線等からの直流電界がシールドされる。ここで、電界シールド層とは、上述した導電性接着層１５やシールド電極１６である。したがって、本実施形態に係る表示装置は、非表示駆動（非画像更新状態）時における表示画面の劣化（画像の乱れや画質の劣化）を防止して、信頼性に優れた電子ペーパー表示装置を実現することができる効果を有している。
【００５７】
（製造方法）
次に、上述した第１の構造例に示したパネル構造を有する表示パネルの製造方法が図面を参照しながら説明される。
【００５８】
図４は、第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図である。ここでは、第１の構造例を示す図２を適宜参照して製造方法が説明される。
【００５９】
上述した第１の構造例を有する表示パネルの製造方法は、まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板７の一面側（すなわち、図面上面側；デバイス形成面側）にＴＦＴ層２６が形成される。具体的には、図２に示したように、ガラス基板７の一面側に、ゲート電極５ａ及び該ゲート電極５ａに接続されたゲート配線を含む各種配線５ｚが形成された後、該ゲート電極５ａ及び各種配線５ｚを被覆するゲート絶縁膜１３ａが形成される。続いて、ゲート電極５ａに対応するゲート絶縁膜１３ａ上に、半導体層５ｂ、ドレイン電極５ｃ、ソース電極５ｄ及びドレイン電極５ｃに接続されたデータ配線を含む各種配線（図示を省略）が形成される。続いて、ゲート絶縁膜１３ａ上に、半導体層５ｂ、ドレイン電極５ｃ、ソース電極５ｄ及びデータ配線を含む各種配線を被覆するパッシベーション膜１３が形成された後、当該パッシベーション膜１３にコンタクトホール２１が形成される。続いて、コンタクトホール２１内に露出するソース電極５ｄに電気的に接続し、かつ、パッシベーション膜１３上に延在する画素電極１４が形成される。これにより、ガラス基板７の一面側に、表示パネルの各表示画素に対応してＴＦＴ５と画素電極１４が配列されたＴＦＴ層２６を形成したＴＦＴガラス基板２７が完成する。
【００６０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴガラス基板２７の一面側（すなわち、図面上面側）の各画素電極１４に接するように保護フィルム１７が貼り付けられる。
【００６１】
次いで、このＴＦＴガラス基板２７をエッチング溶液に浸すことにより、図４（ｃ）に示すように、ガラス基板７のＴＦＴ層２６が形成されていない他面側（すなわち、図面下面側；ガラス面側）からガラス基板７がエッチングされる。このエッチング工程においては、予め測定しておいたガラス基板７のエッチングレートに基づいて、所望の膜厚になるまでエッチング処理を継続した後、ＴＦＴガラス基板２７をエッチング溶液から取り出してエッチング処理を終了（停止）する。ここで、ガラス基板７の厚みは例えば０より大きく３００μｍ以下になるようにエッチング処理を実行する。なお、本願発明者らは、ガラス基板７の厚みを３００μｍよりも厚くすると、表示パネルの十分なフレキシブル性が得られないことを確認している。
【００６２】
次いで、ガラス基板７の上記エッチング処理が実行された他面側（すなわち、図面下面側；エッチング面）に導電糊を塗布してプラスチック基板８が貼り付けられる。その後、ＴＦＴガラス基板２７の一面側（すなわち、図面上面側）に貼り付けられた保護フィルム１７を剥がすことにより、図４（ｄ）に示すように、ＴＦＴ５等のデバイスが形成されたＴＦＴ層２６がプラスチック基板８側に転写される。これにより、ガラス基板７の一面側にＴＦＴ５や各種配線５ｚ等を有するＴＦＴ層２６が形成され、ガラス基板７の他面側に導電性接着層１５を介してプラスチック基板８が貼り付けられたＴＦＴ基板６が完成する。
【００６３】
次いで、図４（ｅ）に示すように、ＴＦＴ基板６のＴＦＴ層２６に電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。この工程では、ＴＦＴ層２６に形成された各画素電極１４に電気泳動表示素子４が接触し、かつ、該電気泳動表示素子４を介して上記画素電極１４と対向基板３の対向電極２が対向するように電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。なお、この工程の後、又は、この工程と並行して、ＴＦＴ基板６側に形成した導電性接着層１５と、電気泳動表示素子フィルム１８（対向基板３）側の対向電極２と、を電気的に接続するため手段が形成される。具体的には、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時に、上記導電性接着層１５と対向電極２を電気的に接続するための配線やスイッチ手段が適宜形成される。これにより、図２に示したパネル構造を有する表示パネルが完成する。
【００６４】
なお、上記の製造方法においては、図４（ｄ）に、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面下面側；エッチング面）に導電糊を塗布してプラスチック基板８を貼り付ける工程を示した。この工程に替えて、当該エッチング面にＩＴＯ等の透明な導電膜材料を用いたシールド電極１６が形成された後、非導電性の糊を塗布してプラスチック基板８が貼り付けられ、その後上記と同様の工程が適用されるものであってもよい。このような製造方法によれば、図３に示したパネル構造を有する表示パネルが完成する。
【００６５】
（第３の構造例）
図５は、第２の実施形態に係る表示パネルの第３の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した第１及び第２の構造例に示したパネル構造（図２、図３参照）と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【００６６】
上述した第１及び第２の構造例においては、ガラス基板７のデバイス形成面側にＴＦＴ層２６及び電気泳動表示素子フィルム１８を積層し、ガラス基板７のエッチング面側に導電性接着層１５やシールド電極１６を介してプラスチック基板８を積層したパネル構造が示された。本発明はこのパネル構造に限定されるものではない。
【００６７】
すなわち、本実施形態に係る表示パネルのさらに他の構造例（第３の構造例）は、ガラス基板７のデバイス形成面側のＴＦＴ層２６の表面に、シールド電極１６や導電性接着層１５を介してプラスチック基板８が積層された構成を有している。また、本構造例は、ガラス基板７のエッチング面側に、電気泳動表示素子フィルム１８を積層した構成を有している。
【００６８】
具体的には、表示パネルの第３の構造例においては、図５に示すように、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面下面側）に複数の画素電極１４を配置した構成を有している。また、この画素電極１４を被覆するように形成した絶縁性の層間膜２０の表面（すなわち、図面下面側）に、複数のＴＦＴ５が設けられている。ここで、ＴＦＴ５は、上述した構造例と同様に、ゲート電極５ａと、ゲート絶縁膜１３ａと、半導体層５ｂと、ドレイン電極５ｃと、ソース電極５ｄと、を有している。また、各ＴＦＴ５のソース電極５ｄは、ゲート絶縁膜１３ａ及び層間膜２０に形成したコンタクトホール２１を介して、各画素電極１４に接続されている。
【００６９】
ＴＦＴ５を含む層間膜２０及びゲート絶縁膜１３ａは、パッシベーション膜１３に被覆されている。このパッシベーション膜１３の表面（すなわち、図面下面側）にはシールド電極１６が配置されている。ここで、シールド電極１６は、表示パネルの表示領域に対応する領域に設け、該表示領域の周辺の端子領域（図示を省略）には設けないようにする。その理由は、端子領域には各種配線５ｚを介してＴＦＴ５に接続し、かつ、表示駆動用のＩＣチップ（ドライバチップ）に接続するための端子電極を露出して形成する必要があるためである。また、他の理由としては、当該端子領域は非表示領域であるので、帯電による電気泳動表示素子フィルム１８における表示状態への影響がないためである。
【００７０】
シールド電極１６を含むパッシベーション膜１３の表面（すなわち、図面下面側）には、電界シールド層としての機能を有する導電性接着層１５を介して、プラスチック基板８が積層されている。一方、薄くエッチングしたガラス基板７の一面側（図面上面側）には、対向基板３と電気泳動表示素子４とを有する電気泳動表示素子フィルム１８が積層されている。
【００７１】
そして、本実施形態においては、少なくとも表示装置が非画像更新状態の時に、図５に概念的に示すように、導電性接着層１５及びシールド電極１６から形成される電界シールド層が対向電極２やグラウンド線に電気的に接続されて同電位に設定されるように制御する。
【００７２】
なお、このようなパネル構造においては、薄くエッチングされたガラス基板７を介して、電気泳動表示素子フィルム１８の電気泳動表示素子４に各画素電極１４から電圧が印加されることになる。そこで、マイクロカプセル９内の着色粒子（白粒子１０及び黒粒子１１）を良好に駆動制御するために、当該ガラス基板７の膜厚は、電気泳動表示素子フィルム１８の大きさ（具体的には、マイクロカプセル９の直径）である４０μｍ以下にすることが好ましい。
【００７３】
このように、本実施形態に係るパネル構造によれば、導電性接着層１５及びシールド電極１６から形成される電界シールド層と、対向基板３の対向電極２との間で電位差が生じないように、電界シールド層と対向電極２が電気的に接続される。これにより、本実施形態に係る表示パネルは、プラスチック基板８の表面に帯電した静電気による電界や、ゲート配線等からの直流電界をシールドして、プラスチック基板８や導電性接着層１５におけるチャージアップを抑制することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、非表示駆動（非画像更新状態）時における表示画面の劣化を防止して、信頼性に優れた電子ペーパー表示装置を実現することができる効果を有している。
【００７４】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用可能な表示パネルの第３の実施形態が図面を参照しながら説明される。
【００７５】
図６は、本発明に係る表示装置に適用可能な表示パネルの第３の実施形態を示す概略断面図である。ここで、上述した第２の実施形態に示した各パネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【００７６】
第３の実施形態においては、ＴＦＴ基板６側に設ける電界シールド層を、画素電極１４に書き込まれた画素電位を保持するためのストレージ電極として利用する例について説明する。ここでは、ＴＦＴ基板６以外の構成（すなわち、対向基板３及び電気泳動表示素子４を有する電気泳動表示素子フィルム１８）は、上述した第２の実施形態と同等であるので、その説明が省略される。
【００７７】
第３の実施形態に係る表示装置に適用可能な表示パネルは、図６に示すように、ＴＦＴ基板６が、ＴＦＴ層２６と、層間膜２０と、蓄積容量電極１９と、ガラス基板７と、層間接着層１５ａと、プラスチック基板８と、を順次積層した構成を有している。すなわち、ガラス基板７の一面側（図面上面側）には蓄積容量電極１９と層間膜（絶縁層）２０を介してＴＦＴ層２６が設けられ、ガラス基板７の他面側（図面下面側）には層間接着層１５ａを介してプラスチック基板８が設けられている。
【００７８】
ここで、ＴＦＴ層２６は、上述した第２の実施形態と同様に、ＴＦＴ５や各種配線５ｚ、パッシベーション膜１３、画素電極１４を有している。
【００７９】
また、本実施形態においては、層間膜２０として、例えばテトラエトキシシラン（Tetraethoxysilane；ＴＥＯＳ）等の絶縁性の無機平坦化膜を適用することができる。また、本実施形態においては、蓄積容量電極１９として、例えばＩＴＯ等の導電膜材料から形成される導電層を適用することができる。また、蓄積容量電極１９は、例えば単一の平面電極（いわゆる、べた電極）として形成される。
【００８０】
層間接着層１５ａは、ガラス基板７とプラスチック基板８とを密着して接合するための接着層である。層間接着層１５ａは、例えば非導電性の糊又は接着材料を塗布することによって形成される。なお、層間接着層１５ａは、上述した第２の実施形態に示した導電性接着層１５と同様に、導電性の糊により形成されるものであってもよい。
【００８１】
ガラス基板７及びプラスチック基板８は、上述した第２の実施形態と同等であるので、その説明が省略される。
【００８２】
このようなパネル構造によれば、表示領域の各表示画素に対応してＴＦＴ基板６に設けられた各画素電極１４と、上記の単一の平面電極として設けた蓄積容量電極１９との間で蓄積容量（容量成分）が形成される。ここで、蓄積容量電極１９は、当該蓄積容量を保持する機能に加えて、電気泳動表示素子４の非表示駆動（非画像更新状態）時における電界シールド層としての機能も併せ持っている。そのため、蓄積容量電極１９は、表示領域に配列された画素電極１４の全部にほぼ対応する領域に設けることが望ましい。
【００８３】
そして、本実施形態においては、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時には、図６に概念的に示すように、蓄積容量電極１９が対向基板３の対向電極２やグラウンド線に電気的に接続されて同電位に設定されるように制御する。
【００８４】
このように、本実施形態に係るパネル構造によれば、上述した第２の実施形態と同様に、非画像更新状態におけるＴＦＴ基板６のプラスチック基板８におけるチャージアップが抑制される。したがって、本実施形態に係る表示装置は、表示画面の劣化（画像の乱れや画質の劣化）を防止することができる効果を有している。加えて、本実施形態に係るパネル構造によれば、各表示画素において容易に大きな蓄積容量が形成される。したがって、本実施形態に係る表示装置は、電気泳動表示素子の駆動能力（すなわち、画像表示状態の保持力）を向上させることができるとともに、開口率を大きく設定することができる効果を有している。
【００８５】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用可能な表示パネルの第４の実施形態が図面を参照しながら説明される。
【００８６】
（第１の構造例）
図７は、第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した第２の実施形態に示したパネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【００８７】
上述した第２及び第３の実施形態においては、ガラス基板７の一面側にＴＦＴ層２６を設け、その他面側に電界シールド層を介してプラスチック基板８を設けたＴＦＴ基板６が示された。すなわち、第２及び第３の実施形態においては、ガラス基板７の他面側をエッチングして、０より大きく３００μｍ（０．３ｍｍ）以下の厚みを有するガラスの残膜を備えたパネル構造が説明された。本発明はこれに限定されるものではない。
【００８８】
すなわち、本実施形態に係る表示パネルの第１の構造例は、ＴＦＴ基板６にガラスの残膜（上述した第２の実施形態の第２の構造例に示したガラス基板７）に替えて絶縁性の層間膜が設けられたパネル構造を有している。具体的には、本構造例においては、図７に示すように、プラスチック基板８上に導電性接着層１５及びシールド電極１６を介して層間膜２０が設けられ、該層間膜２０上にＴＦＴ層２６が設けられた構成を有している。また、本構造例においては、ＴＦＴ層２６表面に電気泳動表示素子４及び対向基板３を有する電気泳動表示素子フィルム１８が直接積層されている。
【００８９】
（製造方法）
図８は、第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図である。ここで、上述した第２の実施形態に示した製造方法と同等のプロセスについては、その説明が簡略化される。
【００９０】
上述したパネル構造（図７）を有する表示パネルの製造方法は、まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板７の一面側（すなわち、図面上面側；デバイス形成面側）にエッチングストッパ層２２が形成される。ここで、本実施形態においては、エッチングストッパ層２２として、ガラスのエッチング液に溶けにくい材料、例えばシリコンリッチなシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮｘ）等を適用することができる。続いて、エッチングストッパ層２２上に、ＩＴＯ等の導電膜材料を用いて電界シールド層を兼ねたシールド電極１６が全面に形成された後、このシールド電極１６を含むエッチングストッパ層２２上に層間膜２０が被覆形成される。ここで、本実施形態においては、層間膜２０として、上述した第３の実施形態と同様に、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の無機の絶縁膜を適用することができる。続いて、当該層間膜２０上に、ＴＦＴ５や各種配線５ｚ、パッシベーション膜１３、画素電極１４を有するＴＦＴ層２６を形成して、エッチングストッパ層２２及びシールド電極１６を有するＴＦＴガラス基板２７が形成される。
【００９１】
次いで、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴガラス基板２７のＴＦＴ層２６表面に、各画素電極１４に接するように保護フィルム１７が貼り付けられる。なお、この工程においては、例えば紫外線（ultraviolet；ＵＶ）を照射することにより剥離する性質を有する糊や接着材料を適用して保護フィルム１７を貼り付けるものであってもよい。また、同等の効果を示すものとして、例えば加熱することにより剥離する性質を有する糊や接着材料を適用するものであってもよい。
【００９２】
次いで、このＴＦＴガラス基板２７をエッチング溶液に浸すことにより、図８（ｃ）に示すように、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面下面側；ガラス面側）からガラス基板７がエッチングされる。このガラス基板７のエッチング工程においては、ガラス基板７を完全に除去し、エッチングストッパ層２２が完全に露出するまでエッチング処理が継続される。
【００９３】
次いで、図８（ｄ）に示すように、ドライエッチング法を用いて上記露出したエッチングストッパ層２２が除去される。このエッチングストッパ層２２のエッチング工程においては、エッチングストッパ層２２を完全に除去し、当該エッチングストッパ層２２の上層に設けられているシールド電極１６が完全に露出するまでエッチング処理が継続される。すなわち、ＩＴＯ膜から形成されるシールド電極１６は、シリコン酸窒化膜から形成されるエッチングストッパ層２２をエッチング除去するためのエッチングストッパ層として機能する。これにより、ＴＦＴ５等のデバイスがガラス基板７側から保護フィルム１７側に転写される。
【００９４】
次いで、図８（ｅ）に示すように、エッチングストッパ層２２を除去することにより露出したシールド電極１６の表面に導電糊を塗布してプラスチック基板８が貼り付けられる。続いて、ＴＦＴ層２６上に貼り付けられた保護フィルム１７が剥がされる。これにより、ＴＦＴ５等のデバイスやシールド電極１６が保護フィルム１７側からプラスチック基板８側に転写される。すなわち、プラスチック基板８の一面側（すなわち、図面上面側）に、導電糊から形成される導電性接着層１５、シールド電極１６及び層間膜２０を介して、ＴＦＴ５や各種配線５ｚ等を有するＴＦＴ層２６が形成されたＴＦＴ基板６が完成する。ここで、上述したように、ＴＦＴ層２６表面に保護フィルム１７を貼り付ける際に、ＵＶ照射や加熱により剥離する性質を有する糊や接着材料を適用することにより、ＴＦＴ層２６のデバイスが損傷を受けることなく良好に保護フィルム１７を剥離することができる。
【００９５】
次いで、図８（ｆ）に示すように、ＴＦＴ基板６の一面側（すなわち、図面上面側；デバイス形成面側）に、電気泳動表示素子４を介して、画素電極１４と対向電極２が対向するように電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。なお、この工程の後、又は、この工程と並行して、ＴＦＴ基板６側に形成した導電性接着層１５及びシールド電極１６から形成される電界シールド層と、電気泳動表示素子フィルム１８（対向基板３）側の対向電極２と、を電気的に接続するための手段が形成される。具体的には、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時に、上記シールド電極１６と対向電極２を電気的に接続するための配線やスイッチ手段が適宜形成される。これにより、図７に示したパネル構造を有する表示パネルが完成する。
【００９６】
本構造例においては、表示パネルのフレキシブル性を左右するＴＦＴ基板６のガラス基板７が完全に除去され、当該ガラス基板７に替えて無機の絶縁膜（層間膜２０）が設けられたパネル構造を有している。したがって、本構造例に係る表示装置は、上述した第２及び第３の実施形態と同様の効果に加えて、表示パネルのフレキシブル性を向上させることができる効果を有している。なお、本構造例においては、ガラス基板に替えてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の無機の絶縁膜から形成される層間膜２０を適用した構成が説明された。本発明はこれに限定されるものではなく、他の絶縁膜から形成される層間膜２０を適用するものであってもよい。
【００９７】
（第２の構造例）
図９は、第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した第２の実施形態に示したパネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化される。
【００９８】
本実施形態に係る表示パネルの第２の構造例は、上述した第２の実施形態の第３の構造例に示したガラス基板７（すなわち、ガラスの残膜）に替えてエッチングストッパ層を設けたパネル構造を有している。具体的には、本構造例は、図９に示すように、プラスチック基板８上に導電性接着層１５及びシールド電極１６を介してＴＦＴ層２６が設けられ、該ＴＦＴ層２６上にエッチングストッパ層２２が設けられたパネル構造を有している。また、本構造例は、エッチングストッパ層２２表面に電気泳動表示素子４及び対向基板３を有する電気泳動表示素子フィルム１８が直接積層された構成を有している。
【００９９】
（製造方法）
図１０は、第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図である。
【０１００】
上述したパネル構造（図９）を有する表示パネルの製造方法は、まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板７の一面側（すなわち、図面上面側；デバイス形成面側）にエッチングストッパ層２２が形成される。ここで、エッチングストッパ層２２としては、上述した本実施形態の第１の構造例と同様に、ガラスのエッチング液に溶けにくい材料、例えばシリコンリッチなシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮｘ）等を適用することができる。エッチングストッパ層２２は、例えば０．５〜３．０μｍ程度の膜厚で形成される。続いて、エッチングストッパ層２２上に、複数の画素電極１４を形成した後、これらの画素電極１４を含むエッチングストッパ層２２上に層間膜２０が被覆形成される。ここで、層間膜２０は、上述した第３の実施形態と同様に、無機の絶縁膜を適用することができる。続いて、当該層間膜２０上にＴＦＴ５や各種配線５ｚ、パッシベーション膜１３を有するＴＦＴ層２６が形成される。このとき、ゲート絶縁膜１３ａ及び層間膜２０に形成したコンタクトホール２１を介して各画素電極１４とＴＦＴ５が接続される。続いて、ＴＦＴ層２６上の全面に静電防止用のシールド電極１６を形成して、エッチングストッパ層２２及びシールド電極１６を有するＴＦＴガラス基板２７が形成される。
【０１０１】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、ＴＦＴガラス基板２７のシールド電極１６の表面に、導電糊を塗布してプラスチック基板８が貼り付けられる。
【０１０２】
次いで、このＴＦＴガラス基板２７をエッチング溶液に浸すことにより、図１０（ｃ）に示すように、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面下面側；ガラス面側）からガラス基板７がエッチングされる。このガラス基板７のエッチング工程においては、ガラス基板７を完全に除去し、エッチングストッパ層２２が完全に露出するまでエッチング処理が継続される。これにより、ＴＦＴ５等のデバイスやシールド電極１６がガラス基板７側からプラスチック基板８側に転写される。すなわち、プラスチック基板８の表面に、導電糊から形成された導電性接着層１５及びシールド電極１６を介して、層間膜２０を含むＴＦＴ層２６及びエッチングストッパ層２２を形成したＴＦＴ基板６が完成する。
【０１０３】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、このＴＦＴ基板６の上下を反転させて、ＴＦＴ基板６の一面側（すなわち、図面上面側；デバイス形成面側）に、エッチングストッパ層２２及び電気泳動表示素子４を介して、電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。ここで、電気泳動表示素子フィルム１８は、画素電極１４と対向電極２が対向するように貼り合わせられる。なお、この工程の後、又は、この工程と並行して、ＴＦＴ基板６側に形成した導電性接着層１５及びシールド電極１６から形成される電界シールド層と、電気泳動表示素子フィルム１８（対向基板３）側の対向電極２と、を電気的に接続するための手段が形成される。具体的には、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時に、上記シールド電極１６と対向電極２を電気的に接続するための配線やスイッチ手段が適宜形成される。これにより、図９に示したパネル構造を有する表示パネルが完成する。
【０１０４】
このように、本構造例は、表示パネルのフレキシブル性を左右するＴＦＴ基板６のガラス基板７を完全に除去し、当該ガラス基板７に替えて薄い絶縁膜（エッチングストッパ層２２）を設けたパネル構造を有している。したがって、本構造例に係る表示装置は、上述した第２及び第３の実施形態と同様の効果に加え、表示パネルのフレキシブル性を向上させることができる効果を有している。
【０１０５】
また、本構造例に適用可能な製造方法においては、ガラス基板７上に形成したＴＦＴ層２６をプラスチック基板８に転写する際に、上述した本実施形態の第１の構造例に示したような、ＴＦＴ層２６への保護フィルム１７の貼り付けや剥離を行う必要がない。したがって、本構造例に適用可能な製造方法は、画素電極１４を含むＴＦＴ層２６におけるクラックや剥離の発生を抑制して、プラスチック基板８への良好な転写を行うことができる効果を有している。
【０１０６】
また、本構造例は、ガラス基板７をエッチング除去する際に用いるエッチングストッパ層２２の膜厚を０．５〜３．０μｍ程度に設定した構成を有している。すなわち、本構造例に適用可能な製造方法においては、エッチングストッパ層２２の膜厚が、電気泳動表示素子４の大きさ（マイクロカプセル９の直径；例えば４０μｍ）に比較して無視できる程度に薄く形成される。これにより、ＴＦＴ基板６と電気泳動表示素子フィルム１８との間にエッチングストッパ層２２が介在するパネル構造であっても、電気泳動表示素子４が良好に駆動制御される。したがって、本構造例に係る表示装置は、エッチングストッパ層２２の除去工程を省略して、その製造方法を簡略化することができる効果を有している。
【０１０７】
また、このようなパネル構造においては、電気泳動表示素子４の大きさに比較して無視できる程度に薄いエッチングストッパ層２２をそのまま残しておいても、電気泳動表示素子４を駆動制御するための電圧が大きく変動することはない。したがって、本構造例に係る表示装置は、表示装置の駆動電圧を高く設定する必要がないので、回路の耐圧を低く設定することができる効果を有している。なお、本構造例及びその製造方法においては、エッチングストッパ層２２をそのまま残した構成が説明された。本発明はこれに限定されるものではなく、エッチングストッパ層２２を薄膜化又は完全に除去するための工程を含むものであってもよい。
【０１０８】
＜表示装置の動作＞
次に、上述した第２〜第４の各実施形態に係る表示パネルを備えた表示装置（電子ペーパー表示装置）の概略動作が説明される。
【０１０９】
上述したパネル構造を有する表示パネルにおける動作状態（画像表示状態）は、上述した背景技術に示したように、大別して、画像更新状態と非画像更新状態とに分けることができる。
【０１１０】
（画像更新状態）
画像更新状態においては、ＴＦＴ基板６側の画素電極１４に与える電圧（画素電位）と、対向基板３側の対向電極２に与える対向電位との差（電位差）を制御することにより、表示媒体である電気泳動表示素子４を駆動させて、所望の画像が表示される。
【０１１１】
すなわち、上述した各実施形態においては、表示する画像に応じて、ゲート配線及びデータ配線に印加する電圧を設定することにより、ＴＦＴ５をオン動作又はオフ動作させて、画素電極１４に所定の画素電位が印加される。ここで、画素電位は、対向電極２に印加する対向電位（基準電位）に対して、相対的に正又は負の電圧を印加する。これに応じて、電気泳動表示素子４の各マイクロカプセル９内の白粒子１０及び黒粒子１１が対向電極２側又は画素電極１４側に移動する。これにより、各表示画素に対応するマイクロカプセル９が白表示状態又は黒表示状態に設定されて、所望の画像が表示される。
【０１１２】
ここで、画像更新状態において表示画素を黒表示させる場合が具体的に説明される。まず、上述した各実施形態において、例えば、データ配線に黒表示電圧として＋１５Ｖの電圧（データ電圧）が印加された状態で、ゲート配線を介してＴＦＴ５のゲート電極に選択レベルのゲート電圧として＋２５Ｖのパルス電圧（ゲート信号）が印加される。これにより、ＴＦＴ５がオン動作して、上記データ配線の電圧（データ電圧＝＋１５Ｖ）が、画素電圧として画素電極１４に書き込まれる。その後、ゲート電圧が非選択レベルの−２５Ｖに設定されることにより、ＴＦＴ５がオフ動作する。なお、表示画素を白表示する場合には、上記黒表示電圧（＋１５Ｖ）に替えて、データ配線に白表示電圧として−１５Ｖの電圧が印加された状態でＴＦＴ５をオン動作させることにより、当該データ電圧が画素電圧として画素電極１４に書き込まれる。
【０１１３】
ここで、各表示画素の画素電極１４に共通して対向するように設けた対向電極２には、対向電位（基準電位）として、例えばグラウンド電位（０Ｖ）が印加される。この画素電極１４の画素電位と対向電極２の対向電位との電位差に応じて、電気泳動表示素子４のマイクロカプセル９内のマイナスに帯電した白粒子１０が、正電圧（＋１５Ｖ）が書き込まれた画素電極１４側に移動する。これにより、視野側（例えば図１の図面上方側）からは、対向基板３のプラスチック基板１を介して、黒粒子１１が視認されることになり黒表示状態が設定される。なお、画素電極１４に負電圧（−１５Ｖ）を書き込んだ場合には、電気泳動表示素子４のマイクロカプセル９内のプラスに帯電した黒粒子１１が、画素電極１４側に移動する。これにより、視野側からは、対向基板３のプラスチック基板１を介して、白粒子１０が視認されることになり白表示状態が設定される。
【０１１４】
このような黒表示状態又は白表示状態が、各表示画素ごとに設定されることにより、表示パネルに所望の画像が表示される。
【０１１５】
（非画像更新状態）
電子ペーパー表示装置に適用可能な電気泳動表示素子４は、メモリ性を有しているので、上述した画像更新動作により表示された画像を保持する場合、あるいは、当該画像を更新しない場合においては、表示パネルの各画素電極１４に電圧が印加される必要はない。特に、上述した各実施形態に示した表示パネルは、少なくともこの非画像更新状態において、対向電極２と電界シールド層を構成する導電性接着層１５又はシールド電極１６を電気的に接続してショートさせたパネル構造を有している。そのため、上述した各実施形態の表示パネルによれば、プラスチック基板８表面における静電気の帯電や、当該プラスチック基板８内部、ガラス基板７あるいはＴＦＴ層２６とプラスチック基板８の界面にある導電性接着層１５内部におけるチャージアップが抑制される。
【０１１６】
ここで、仮に対向電極２と電界シールド層（導電性接着層１５又はシールド電極１６）を電気的に接続しない構成について検討すると、この構成では対向電極２と電界シールド層が異なる電位を持つことになる。この場合、上述した解決課題及び画像劣化現象の解析において言及したように、非画像更新時に不必要な電界が電気泳動表示素子４に印加されることになり、白又は黒の表示状態が変化して画像が劣化する問題を有している。
【０１１７】
これに対して、上述した各実施形態に示した表示パネルによれば、少なくとも非画像更新状態においては、対向電極２と電界シールド層が電気的に接続されて同電位に設定されるので、不必要な電界が発生する現象を防止することができる。
【０１１８】
以上説明したように、上述した各実施形態に係る表示装置は、ＴＦＴ基板を構成するＴＦＴ層とプラスチック基板の間に電界シールド層を介在させ、少なくとも非画像更新時に電界シールド層と対向電極を同電位に設定した構成を有している。これにより、プラスチック基板表面の静電気が防止されるとともに、ＴＦＴ層に配設された各種配線からの直流電界に起因するプラスチック基板や接着層のチャージアップが抑制される。したがって、上述した各実施形態に係る表示装置は、非画像更新状態時における表示画面の劣化を防止して画像の表示状態を良好に保持することができ、信頼性に優れた表示装置を実現することができる効果を有している。また、上述した各実施形態に係る表示装置によれば、電界シールド層を各表示画素における蓄積容量を保持するための蓄積容量電極と兼用することにより、大きな蓄積容量が形成される。したがって、上述した各実施形態に係る表示装置は、電気泳動表示素子の駆動能力を向上させることができるとともに、開口率を大きく設定することができる効果を有している。
【０１１９】
なお、上述した各実施形態においては、少なくとも非画像更新状態の時に、対向電極２と、電界シールド層を構成する導電性接着層１５やシールド電極１６、蓄積容量電極１９と、を電気的に接続して同電位に設定する構成が説明された。本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、上述した各実施形態において、対向電極２と電界シールド層の電位のみならず、例えばデータ配線に印加するデータ電圧やゲート配線に印加するゲート電圧も同じ電位に設定されることが好ましい。さらには、これらが全てグランド電位（０Ｖ）に設定されることがより好ましい。
【０１２０】
また、上述した各実施形態に係る表示装置においては、本発明に係る技術思想を、電気泳動表示素子を用いた表示パネルに適用した構成が説明されたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明に係る技術思想は、他のメモリ性を有する表示素子、例えば電子粉流体やコレステリック液晶等を用いた表示パネルにも同様に適用することができる。
【０１２１】
また、上述した各実施形態においては、画像を白黒２色で表示するモノクロ表示に対応したパネル構造を有する表示装置が説明されたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の技術思想は、カラー表示に対応したパネル構造を有する表示装置に適用するものであってもよい。
【０１２２】
図１１は、第２の実施形態の第１の構造例として示した表示パネル（図２参照）をカラー表示に対応させた場合のパネル構造を示す概略断面図である。
【０１２３】
すなわち、本発明に係る表示装置は、例えば図１１に示すように、第２の実施形態に示したパネル構造（図２参照）において、対向基板３の他面側（図面上面側；視野側）にカラーフィルター基板２３を接合した構成を有している。ここで、カラーフィルター基板２３は、カラーフィルター２４とプラスチック基板２８を積層した構成を有している。カラーフィルター２４の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィルター部は、ＴＦＴ基板６に配列された表示画素の各表示色に対応するように配列されている。また、対向基板３のプラスチック基板１とカラーフィルター基板２３のカラーフィルター２４との間には、両者を接合するための透明な接着層２９が介在している。
【０１２４】
＜第５の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用可能な表示パネルの第５の実施形態が図面を参照しながら説明される。
【０１２５】
上述した「解決課題」及び「アクティブマトリクス型メモリ性表示装置の非画像更新時の画像劣化現象の解析」において言及したプラスチック基板表面の帯電による画像更新時の画像劣化の問題は、電子ペーパー表示装置をカラー表示に対応させた場合にも同様に生じる。したがって、例えば図１１に示したように、カラーフィルター２４を用いてカラー表示に対応したパネル構造を有する表示装置においても、本発明の技術思想を適用することができる。これにより、上述した各実施形態と同様に、表示画面の劣化（画像の乱れや画質の劣化）の問題が良好に防止される。
【０１２６】
ところで、本願発明者の検証によれば、カラー表示に対応した表示装置においては、上述した各実施形態に示したモノクロ表示に対応した表示パネルの場合には問題にならなかった新たな問題が生じる場合があることが判明した。それは、具体的には、カラーフィルターとＴＦＴ基板のアライメントに関する問題である。
【０１２７】
＜カラー化した場合の問題点の解析＞
以下に、この新たな問題点についての具体的な検証結果が説明される。
【０１２８】
現在市場に流通し入手が可能な電気泳動表示素子（上述した電気泳動表示素子フィルム１８に相当する）は、１００〜２００μｍの厚さのフィルム状又はシート状の部材として提供されている。このような電気泳動表示素子を適用した表示パネルをカラー表示に対応させる場合には、例えば図１１に示したように、ＴＦＴ基板６と、電気泳動表示素子フィルム１８と、カラーフィルター基板２３と、を順次積層したパネル構造が適用される。
【０１２９】
ここで、このような表示パネルにおいて、表示画素ごとの表示色を設定するためには、電気泳動表示素子フィルム１８を介して配置するカラーフィルター基板２３とＴＦＴ基板６を高い精度でアライメント（位置合わせ）して貼り合わせる製造工程が必要である。特に、表示媒体である電気泳動表示素子フィルム１８及びカラーフィルター基板２３のいずれもがフィルム状である場合には、これらのフィルム状の部材同士を特に高い精度でアライメントして貼り合わせる製造工程が必要となる。しかしながら、一般にフィルム状の部材同士を簡易な手法でアライメント精度良く貼り合わせることは非常に困難であり、適切かつ良好な製造方法は未だ開発されていなかった。
【０１３０】
また、電気泳動表示素子フィルム１８を構成するプラスチック基板１は、一般にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の耐熱性の極めて低いフィルム材料を用いて形成されている。これに対して、ＴＦＴ５やカラーフィルター２４の形成には熱処理工程が必須である。そのため、ＴＦＴ基板６やカラーフィルター基板２３を構成するプラスチック基板８、２８には、熱による伸び縮みが小さいガラスフィラーを混入させた高耐熱性のプラスチック基板が多用されている。
【０１３１】
具体的には、電気泳動表示素子フィルム１８のプラスチック基板１に用いるポリエチレンテレフタレートの熱膨張率は、20×10-6/Ｋ〜50×10-6/Ｋ（20〜50ppm/℃）程度である。これに対して、ＴＦＴ基板６やカラーフィルター基板２３のプラスチック基板８、２８に用いる高耐熱プラスチックの熱膨張率は、0.1×10-6/Ｋ〜数×10-6/Ｋ（0.1〜数ppm/℃）程度である。そのため、仮に電気泳動表示素子フィルム１８を挟んでＴＦＴ基板６とカラーフィルター基板２３を、アライメント精度良く貼り合わせることができたとしても、上記の熱膨張率の違いによりアライメントがずれてしまう問題を有している。これは、上記の貼り合わせ作業後に施される熱処理工程や、実製品における動作中の発熱等により、ＴＦＴ基板６やカラーフィルター基板２３、電気泳動表示素子フィルム１８の撓みや相互の剥離等が生じることに起因するものである。
【０１３２】
このようなアライメントずれの問題を軽減するためには、例えば、カラーフィルター基板２３の一面側に電気泳動表示素子４を直接形成する手法が考えられる。この手法によれば、上記の電気泳動表示素子フィルム１８とカラーフィルター基板２３との間のアライメント処理を実質的に省略して、電気泳動表示素子付きのカラーフィルター基板と、ＴＦＴ基板６と、をアライメント精度よく貼り合わせることができるものと考えられる。しかしながら、この場合においても、その後の製造プロセスや実動作中にアライメントがずれてしまう問題を完全には解決することはできない。
【０１３３】
上述したようなフィルム状の部材同士を貼り合わせる際のアライメント精度の問題を解決する関連技術としては、例えば特開２００６−１７１７３５号公報に記載された手法が知られている。すなわち、特開２００６−１７１７３５号公報は、ＴＦＴ等を形成した柔軟性を有する電子性背面板上にカラーフィルターを一体形成した後、電気泳動素子（表示媒体）を介して対向電極を貼り付けて表示装置を形成する手法を開示している。なお、この表示装置においては、電子性背面板側の外方から、表示された画像が観察される。しかし、特開２００６−１７１７３５号公報は、電子ペーパー表示装置の非画像更新時において、基板の帯電に起因して生じる画像劣化の問題については言及していない。
【０１３４】
また、上述した背景技術に示した特許文献３は、フィルム状のカラーフィルター基板にＴＦＴ基板を転写により貼り付けてフレキシブルな液晶表示装置を形成する例を開示している。しかし、特許文献３に開示された通常の液晶表示装置においては、表示素子がメモリ性を有していない。そのため、電子ペーパー表示装置の非画像更新時において、基板の帯電に起因して発生する画像劣化の問題は生じ得ない。したがって、これらの公報に記載された技術によっては、電子ペーパー表示装置の非画像更新時における画像劣化の問題、及び、上記のカラーフィルター基板とＴＦＴ基板のアライメントずれの問題の双方を良好に解決することはできなかった。
【０１３５】
そこで、本発明の第５の実施形態は、電子ペーパー表示装置をカラー表示に対応させる場合に、カラーフィルター基板とＴＦＴ基板とを簡易な製造プロセスを用いて高いアライメント精度で貼り合わせることができるパネル構造を開示する。
【０１３６】
（第１の構造例）
図１２は、第５の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した第２〜第４の各実施形態に示したパネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【０１３７】
本実施形態に係る表示パネルの第１の構造例は、図１２に示すように、上述した第２の実施形態の第２の構造例の図面上下を反転させ、更にＴＦＴ基板６に替えてＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５を設けたパネル構造を有している。
【０１３８】
すなわち、本構造例に係る表示パネルは、対向基板３と、マイクロカプセル型の電気泳動表示素子４と、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５と、を積層したパネル構造を有している。対向基板３と電気泳動表示素子４を積層した部材は、上述した第２の実施形態と同様に、電気泳動表示素子フィルム１８を構成している。
【０１３９】
ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５は、ガラス基板７上にＴＦＴ層２６を設けたＴＦＴガラス基板２７と、シールド電極１６と、カラーフィルター２４と、プラスチック基板８と、を順次積層した構成を有している。ここで、カラーフィルター２４とプラスチック基板８を積層した部材は、カラーフィルター基板２３を構成する。
【０１４０】
ガラス基板７は、上述した第２の実施形態と同様に、フレキシブル性を有するように薄くエッチングされる。本構造例においては、当該ガラス基板７の一面側（すなわち、図面下面側）に画素スイッチとしてのＴＦＴ５や各種配線５ｚ、画素電極１４等を有するＴＦＴ層２６が設けられた構成を有している。ここで、ＴＦＴ５のゲート電極やソース、ドレイン電極、ゲート配線やデータ配線は、例えば金属材料により形成される。一方、画素電極１４は、例えばＩＴＯ等の透明な導電膜材料により形成される。
【０１４１】
また、本構造例においては、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面上面側）であって、表示パネルの表示領域に対応する領域にシールド電極１６が設けられた構成を有している。ここで、シールド電極１６は、２次元配列された画素電極の全てに対応する領域に、ＩＴＯ等の透明な導電膜材料からなりパターニングされていない単一の平面電極（いわゆる、べた電極）により形成されている。また、シールド電極１６は、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時には、図１２に概念的に示すように、対向電極２やグラウンド線に電気的に接続されて同電位になるように設定される。ここで、本構造例においては、シールド電極１６と、対向電極２やグラウンド線と、を接続する導通路として、例えば導電ペーストや配線等を適用することができる。
【０１４２】
カラーフィルター２４は、熱膨張係数の小さいガラスフィラー入りのプラスチック基板８の一面側（すなわち、図面下面側）に、表示画素ごとの表示色に対応するように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のフィルター部が配列された構成を有している。また、カラーフィルター２４の各色の境界領域には、ブラックマトリクス（図示を省略）が配置されている。このようなカラーフィルター２４は、上述したシールド電極１６を介してガラス基板７の他面側（すなわち、図面上面側）に設けられる。
【０１４３】
このようなパネル構造において、図１２に示すように、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５のプラスチック基板８の外方（すなわち、図面上方）側が視野側として設定される。すなわち、観察者３０は、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５のプラスチック基板８の外方側から、当該ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５（カラーフィルター基板２３、ＴＦＴガラス基板２７）を介して、電気泳動表示素子４の表示を視認することになる。ここで、ＴＦＴガラス基板２７のＴＦＴ層２６を構成するＴＦＴ５や各種配線５ｚ等は、例えば金属材料を用いた不透明な電極層や配線層により形成されている。そのため、本構造例においては、ＴＦＴ５や各種配線５ｚを、例えば上記ブラックマトリクスの配置領域に対応する位置（視野側から見てブラックマトリクスと平面的に重なる領域）に配設することが好ましい。これにより、本構造例に係るパネル構造においては、視野側から入射して電気泳動表示素子４で反射して視野側に再び放射される光が極力遮られないようにすることができる。したがって、本構造例に係る表示装置は、開口率を向上させることができる効果を有している。
【０１４４】
このように、本構造例は、熱膨張係数の近似するガラス基板７を有するＴＦＴガラス基板２７と、プラスチック基板８を有するカラーフィルター基板２３と、をＩＴＯ等の導電膜材料から形成されるシールド電極１６を介して、貼り合わせたパネル構造を有している。これにより、本構造例によれば、ＴＦＴガラス基板２７とカラーフィルター基板２３の貼り合わせ作業後の製造プロセスにおける熱処理工程や、実製品における動作中の発熱等による、撓みや剥離等の発生が抑制される。したがって、本構造例に係る表示装置は、上述した熱膨張率の違いによるアライメントずれの発生を防止することができる効果を有している。
【０１４５】
また、本構造例においては、ＴＦＴガラス基板２７とカラーフィルター基板２３の間に、電界シールド層として機能するシールド電極１６が設けられたパネル構造を有している。更に、本構造例においては、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時には、対向基板３の対向電極２とシールド電極１６とが電気的に接続されて同電位になるように設定される。これにより、本構造例によれば、カラーフィルター２４がシールド電極１６に直接接しているので、カラーフィルター２４に帯電した静電気が対向電位に放電されて、チャージアップが防止される。また、本構造例によれば、上述した各実施形態と同様に、ゲート配線等からの直流電界の発生がシールドされる。したがって、本構造例に係る表示装置は、画像劣化の問題を解決して、電子ペーパー表示装置の信頼性を向上させることができる効果を有している。
【０１４６】
また、本構造例においても、シールド電極１６が蓄積容量電極を兼ねることができるので、各画素電極１４との間で一定の蓄積容量を保持することができる。したがって、本構造例に係る表示装置は、開口率を向上させることができる効果も有している。
【０１４７】
（第２の構造例）
図１３は、第５の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。ここで、上述した各実施形態に示したパネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が簡略化又は省略される。
【０１４８】
上述した第１の構造例においては、ガラス基板７とカラーフィルター２４との間に、シールド電極１６が配置されたパネル構造が説明されたが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４９】
すなわち、本実施形態に係る表示パネルの第２の構造例は、例えば図１３に示すように、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５が、ＴＦＴガラス基板２７とカラーフィルター基板２３とを直接貼り合わせたパネル構造を有している。カラーフィルター基板２３は、カラーフィルター２４と、シールド電極１６と、プラスチック基板８と、を順次積層した構成を有している。すなわち、本構造例は、プラスチック基板８とカラーフィルター２４の間にシールド電極１６が配置されたパネル構造を有している。
【０１５０】
ここで、本構造例においては、相互に熱膨張係数の近似する、ガラス基板７を有するＴＦＴガラス基板２７と、プラスチック基板８を有するカラーフィルター基板２３と、が直接貼り合わせられている。これにより、本構造例によれば、ＴＦＴガラス基板２７とカラーフィルター基板２３の貼り合わせ作業後の熱処理工程や、実製品における動作中の発熱等による、撓みや剥離等の発生が抑制される。したがって、本構造例に係る表示装置は、上述した熱膨張率の違いによるアライメントずれの発生を防止することができる効果を有している。
【０１５１】
また、本構造例においては、プラスチック基板８及びカラーフィルター２４がシールド電極１６に直接接している。これにより、本構造例によれば、プラスチック基板８及びカラーフィルター２４に帯電した静電気がシールド電極１６を介して対向電位に放電されて、チャージアップが防止される。したがって、本構造例に係る表示装置は、画像劣化を抑制して、電子ペーパー表示装置の信頼性を向上させることができる効果を有している。
【０１５２】
なお、本実施形態に係る各構造例においては、電界シールド層としてＩＴＯ等の透明な導電膜材料を用いたシールド電極１６を設けた構成が説明された。本発明はこれに限定されるものではなく、透明な導電糊を用いた導電性接着層を設けた構成を適用するものであってもよい。
【０１５３】
（製造方法）
次に、上述したパネル構造を有する表示パネルの製造方法が図面を参照しながら説明される。
【０１５４】
図１４は、第５の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図である。ここで、上述した第２の実施形態に示した製造方法（図４参照）と同等のプロセスについてはその説明が簡略化される。
【０１５５】
上述した第１の構造例を有する表示パネルの製造方法は、上述した第２の実施形態に示した製造方法と同様に、まず、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板７の一面側（すなわち、図面上面側）にＴＦＴ層２６が形成される。その後、ＴＦＴ層２６の各画素電極１４に接するように保護フィルム１７が貼り付けられる。
【０１５６】
次いで、このＴＦＴガラス基板２７をエッチング溶液に浸すことにより、図１４（ｂ）に示すように、ガラス基板７の他面側（すなわち、図面下面側）がエッチングされる。ここでは、予め測定しておいたガラス基板７のエッチングレートに基づいて、ガラス基板７が例えば０より大きく３００μｍ以下の所望の膜厚になるようにエッチング処理が実行される。
【０１５７】
次いで、ガラス基板７のエッチング面（すなわち、図面下面側）に、ＩＴＯ等の透明な導電膜材料からなり、電界シールド層を兼ねたシールド電極１６が全面に形成される。続いて、各表示画素の各表示色に対応して、カラーフィルター基板２３の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィルター部が厳密に配置される。すなわち、ＴＦＴガラス基板２７の表面に、カラーフィルター基板２３のカラーフィルター２４側が高精度のアライメントを行って貼り合わせられる。ここで、上述した実施形態と同様に、各表示画素の各表示色の配置は、ＴＦＴガラス基板２７に形成した各画素電極１４の配置に一致する。続いて、ＴＦＴガラス基板２７の一面側に貼り付けられた保護フィルム１７が剥がされる。これにより、図１４（ｃ）に示すように、ＴＦＴ５等のデバイスが保護フィルム１７側からカラーフィルター基板２３側に転写されて、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５が完成する。
【０１５８】
次いで、図１４（ｄ）に示すように、このＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５の上下を反転させて、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５の一面側（すなわち、図面下面側）に、電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。ここでは、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５の一面側に電気泳動表示素子４が接触するように、電気泳動表示素子フィルム１８が適当な（任意の）アライメント精度で貼り合わせられる。これにより、電気泳動表示素子４を介して画素電極１４と対向電極２が対向するように配置される。なお、この工程の後、又は、この工程と並行して、ＴＦＴ付きカラーフィルター基板２５側に形成したシールド電極１６と、電気泳動表示素子フィルム１８（対向基板３）側の対向電極２と、を電気的に接続するための手段が形成される。具体的には、少なくとも表示装置（表示パネル）が非画像更新状態の時に、上記シールド電極１６と対向電極２を電気的に接続するための配線やスイッチ手段が適宜形成される。これにより、図１２に示したパネル構造を有する表示パネルが完成する。
【０１５９】
このように、本実施形態に係る製造方法においては、予め、薄くエッチングしたガラス基板７上にＴＦＴ層２６を形成したＴＦＴガラス基板２７と、カラーフィルター基板２３と、が高精度のアライメントを行って直接貼り合わせられる。一方、ＴＦＴ層２６上に電気泳動表示素子フィルム１８をラミネート（貼り合わせて積層）する際には、厳密なアライメント（高精度のアライメント）が必要とされない。したがって、比較的低い精度でアライメントが行われた後、ＴＦＴ層２６と電気泳動表示素子フィルム１８が貼り合わせられる。
【０１６０】
このような表示装置及びその製造方法によれば、各表示画素の表示色とカラーフィルター２４の各色のフィルター部が厳密に位置合わせされ、且つ、熱膨張係数の近似する基板相互が積層された表示パネルが、簡易な製造方法により実現される。これにより、図１１に示したようなパネル構造において生じる問題が解決される。すなわち、本実施形態に係る表示装置は、表示パネルの製造時におけるアライメント精度の問題や、基板相互の熱膨張率の違いによるアライメントずれの問題を克服することができる効果を有している。
【０１６１】
なお、本実施形態においては、上述した第２及び第３の実施形態と同様に、薄いガラス基板７を有するパネル構造においてカラー化する場合が説明されたが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施形態は、例えば、第４の実施形態に示したように、ガラス基板７を完全に除去したパネル構造においてカラー化する場合にも良好に適用することができる。
【０１６２】
（応用例）
図１５は、本発明に係る表示装置を適用した応用例を示す概略断面図である。ここで、上述した第２〜第５の各実施形態に示したパネル構造と同等の構成については、同一の符号を付して示され、その説明が省略される。
【０１６３】
本発明に係る表示装置は、上述した第２〜第５の各実施形態に示した電子ペーパー表示装置単体としての態様に限定されるものではなく、様々な応用が可能である。本発明に係る表示装置は、例えば図１５に示すように、上述した第２の実施形態に示したパネル構造（図２参照）において、対向基板３を構成するプラスチック基板１の他面側（図面上面側；視野側）に入力手段が設けられた構成に応用するものであってもよい。ここで、本発明においては、対向基板３の視野側の表面に設置可能な入力手段として、例えば、当該入力手段に直接接触することにより所望の画像情報のデータを入力するためのペン入力部やタッチパネル３１等を良好に適用することができる。
【０１６４】
本発明によれば、このようなパネル構造において、画像更新が連続的かつ長時間継続するような表示を行った場合であっても、導電性接着層１５から形成される電界シールド層と、対向電極２と、が電気的に接続されて同電位、更にはグラウンド電位になるように設定される。したがって、本発明の技術思想をこのようなパネル構造を有する表示装置に応用することは、基板の帯電に起因して生じる画像劣化の問題を解決するために極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施形態の概略断面図である。
【図２】第２の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。
【図４（ａ）】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その１）である。
【図４（ｂ）】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その２）である。
【図４（ｃ）】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その３）である。
【図４（ｄ）】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その４）である。
【図４（ｅ）】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その５）である。
【図５】第２の実施形態に係る表示パネルの第３の構造例を示す概略断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置に適用可能な表示パネルの第３の実施形態を示す概略断面図である。
【図７】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。
【図８（ａ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その１）である。
【図８（ｂ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その２）である。
【図８（ｃ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その３）である。
【図８（ｄ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その４）である。
【図８（ｅ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その５）である。
【図８（ｆ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その６）である。
【図９】第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。
【図１０（ａ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その１）である。
【図１０（ｂ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その２）である。
【図１０（ｃ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その３）である。
【図１０（ｄ）】第４の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例に適用可能な製造方法の一例を説明する工程断面図（その４）である。
【図１１】第２の実施形態に示した表示パネルをカラー表示に対応させた場合のパネル構造を示す概略断面図である。
【図１２】第５の実施形態に係る表示パネルの第１の構造例を示す概略断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る表示パネルの第２の構造例を示す概略断面図である。
【図１４（ａ）】第５の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その１）である。
【図１４（ｂ）】第５の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その２）である。
【図１４（ｃ）】第５の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その３）である。
【図１４（ｄ）】第５の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を説明する工程断面図（その４）である。
【図１５】本発明に係る表示装置を適用した応用例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１    プラスチック基板
２    対向電極
３    対向基板
４    電気泳動表示素子
５    薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
６    ＴＦＴ基板
７    ガラス基板
８    プラスチック基板
９    マイクロカプセル
１０  白粒子
１１  黒粒子
１３  パッシベーション膜
１４  画素電極
１５  導電性接着層
１６  シールド電極
１７  保護フィルム
１８  電気泳動表示素子フィルム
１９  蓄積容量電極
２０  層間膜
２１  コンタクトホール
２２  エッチングストッパ層
２３  カラーフィルター基板
２４  カラーフィルター
２５  ＴＦＴ付きカラーフィルター基板
２６  ＴＦＴ層
２７  ＴＦＴガラス基板
３０  観察者
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
2010044337.tif 000007
【図４（ｃ）】
2010044337.tif 000008
【図４（ｄ）】
2010044337.tif 000009
【図４（ｅ）】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８（ａ）】
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【図８（ｂ）】
2010044337.tif 000015
【図８（ｃ）】
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【図８（ｄ）】
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【図８（ｅ）】
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【図８（ｆ）】
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【図９】
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【図１０（ａ）】
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【図１０（ｂ）】
2010044337.tif 000022
【図１０（ｃ）】
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【図１０（ｄ）】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４（ａ）】
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【図１４（ｂ）】
2010044337.tif 000029
【図１４（ｃ）】
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【図１４（ｄ）】
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【図１５】
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