(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性向上の要求に応える配線基板を提供する。【解決手段】配線基板３は、スルーホールＴを有する基体７と、スルーホールＴ内に形成されたスルーホール導体９と、基体７とスルーホール導体９との間に介されたセラミック構造体８と、を備える。また、配線基板３の製造方法は、スルーホールＴを有する基体７を準備する工程と、スルーホールＴ内壁に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、溶剤を乾燥させることにより、セラミック粒子を有するセラミック構造体８を形成する工程と、スルーホールＴ内に、スルーホール導体９を形成する工程と、を備える。【選択図】図１
2010258319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールを有する基体と、
前記スルーホール内に形成されたスルーホール導体と、
前記基体と前記スルーホール導体との間に介されたセラミック構造体と、
を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、互いに結合した複数のセラミック粒子を有することを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記スルーホールの貫通方向及び周回方向に沿って形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記スルーホール開口部における、前記基体側から前記スルーホール導体側への厚みが、他の部位よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、スルーホール導体側の表面に複数の凸部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、複数のセラミック粒子が接着してなり、
前記セラミック粒子は、前記セラミック構造体の構造部分を構成する第１セラミック粒子と、前記凸部を構成する第２セラミック粒子と、を有し、
前記第２セラミック粒子の粒子径は、前記第１セラミック粒子よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体と前記スルーホール導体との間に介された樹脂構造体を更に備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、
前記セラミック構造体は、前記基体と接着していることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記スルーホール導体と電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１０】
スルーホールを有する基体を準備する工程と、
前記スルーホール内壁に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、
前記溶剤を乾燥させることにより、前記セラミック粒子を有するセラミック構造体を形成する工程と、
前記スルーホール内に、スルーホール導体を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板の製造方法において、
前記基体は樹脂を含み、
前記セラミック構造体を形成する工程は、
前記セラミック粒子を前記樹脂の熱分解温度未満に加熱することにより、前記セラミック粒子を互いに結合させる工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
配線基板に関して、特許文献１には、炭素繊維を有する樹脂製の基体と該基体を貫通する複数のスルーホール導体とを備え、基体とスルーホール導体との間に樹脂を介在させた構成が開示されている。
【０００４】
しかしながら、かかる配線基板においては、スルーホール導体間に電界が印加されると、樹脂に含まれる水分に起因して、スルーホール導体に含まれる導電材料がイオン化して樹脂構造体に侵入することがある（イオンマイグレーション）。その結果、基体内の炭素繊維とスルーホール導体との間が短絡し、ひいてはスルーホール導体同士が短絡し、配線基板の信頼性が低下しやすくなる。
【０００５】
また、基体が炭素繊維を含まない場合、又は基体が樹脂以外の材料で形成されている場合であっても、イオンマイグレーションが生じると、基体内の隙間やポーラス等を介してスルーホール導体間の絶縁性が低下することがある。それ故、スルーホール導体間の絶縁性を向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２８９１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、信頼性向上の要求に応える配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板は、スルーホールを有する基体と、前記スルーホール内に形成されたスルーホール導体と、前記基体と前記スルーホール導体との間に介されたセラミック構造体と、を備える。
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、スルーホールを有する基体を準備する工程と、前記スルーホール内壁に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、前記溶剤を乾燥させることにより、前記セラミック粒子を有するセラミック構造体を形成する工程と、前記スルーホール内に、スルーホール導体を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、基体とスルーホール導体との間の絶縁性を向上させることができる。その結果、信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図２ａ、図２ｂ及び図２ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図３】図３ａ、図３ｂ及び図３ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図４】図４ａ及び図４ｂ、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１５】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の両側に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１６】
コア基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、セラミック構造体８、樹脂構造体９、スルーホール導体９、及び絶縁体１０を含んでいる。
【００１７】
基体７は、複数の樹脂層１１が積層されてなる。樹脂層１１は、樹脂部１２と、該樹脂部１２に被覆された基材１３と、を含む。基体７の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００１８】
樹脂部１２を構成する樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。
【００１９】
樹脂部１２に被覆された基材１３は、樹脂層１１の強度を高めるためのものであり、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等の複数の繊維が縦横に織り込んでなる織布を使用することができる。ガラス繊維としては、Ｅガラス又はＳガラス等により形成されたものを使用することができる。また、樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又は全芳香族ポリエステル樹脂等により形成されたものを使用することができる。また、炭素繊維としては、ＰＡＮ系炭素繊維又はピッチ系炭素繊維等を使用することができる。また、金属繊維としては、鉄又はニッケル等から形成されたものを使用することができる。
【００２０】
基体７には、複数のスルーホールＴが形成されており、該スルーホールＴの内部にスルーホール導体９が形成され、さらに、スルーホールＴとスルーホール導体９との間にはセラミック構造体８が介在されている。
【００２１】
スルーホールＴは、コア基板５をその厚み方向（Ｚ方向）に貫通しており、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されている。
【００２２】
セラミック構造体８は、スルーホールＴの内壁に沿って形成されている。セラミック構造体８は、例えば互いに複数の結合したセラミック粒子を有する。セラミック構造体８としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料により形成されたものを使用することができる。セラミック構造体８は、基体７側からスルーホール導体９側への厚みが、例えば０．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。
【００２３】
スルーホール導体９は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、セラミック構造体８の内壁に沿って形成されている。このスルーホール導体９としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。スルーホール導体９は、基体７側からスルーホールＴの中心部側への厚みが、例えば５μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。スルーホール導体９の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２４】
絶縁体１０は、スルーホール導体９によって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。これにより、絶縁体１０の直上直下に後述するビア導体１６を形成することができるため、配線基板３の小型化を実現することができる。絶縁体１０としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２５】
ところで、上述のスルーホール導体９は、例えば、電力供給用配線又は信号用配線としての機能を有する。このようなスルーホール導体９は、隣接するスルーホール導９で異なる電圧となる場合があり、隣接する導体間で電界が発生することがある。
【００２６】
一方、第１実施形態の配線基板３においては、基体７とスルーホール導体９との間にセラミック構造体８が介されている。セラミック構造体８は、樹脂に比べて、低分子により構成されていることから水分を吸収しにくいため、スルーホール導体９の基体７に対するイオンマイグレーションが低減される。その結果、基体７とスルーホール導体９との間の絶縁性を向上させ、配線基板３の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
また、かかるイオンマイグレーションを低減することにより、スルーホール導体９に含まれる導電材料が、隣接する樹脂層１１同士の隙間及び樹脂部１２と基材１３との隙間に侵入することを低減し、スルーホール導体９同士の短絡を低減できる。
【００２８】
また、かかるイオンマイグレーションを低減することにより、スルーホール導体９に含まれる導電材料が基体７の内壁にて繊維に接触することが低減される。かかる効果は、基材１３を導電性の高い繊維から形成した場合、特に有効であり、基材１３を介してスルーホール導体９同士が短絡することを低減できる。このような導電性の高い繊維としては、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２９】
セラミック構造体８を構成するセラミック粒子は、球状であることが望ましい。その結果、セラミック構造体８の内部構造を緻密にすることにより、スルーホール導体８を構成する導電材料がセラミック構造体８に侵入することを低減するとともに、セラミック構造体８の機械的強度を向上させることができる。
【００３０】
セラミック構造体８は、スルーホールＴの貫通方向に沿って形成されていることが望ましい。また、スルーホールＴの周回方向に沿って形成されていることが望ましい。その結果、セラミック構造体８による介在領域を増加させ、基体７とスルーホール導体９との間の絶縁性を向上させることができる。
【００３１】
セラミック構造体８は、スルーホールＴの開口部における、基体７側からスルーホール導体９側への厚みが、他の部位よりも大きいことが望ましい。その結果、応力の集中しやすいスルーホールＴの開口部において、セラミック構造体８の厚みを大きくすることにより、開口部に位置するスルーホール導体９に印加される応力を低減し、スルーホール導体９におけるクラックの発生を低減できる。なお、セラミック構造体８は、スルーホールＴの開口部における厚みが、最も厚みの小さい部位の１．０倍以上１．３倍以下に設定されていることが望ましい。また、セラミック構造体８は、スルーホールＴの開口部から基体７の内部に向って、厚みが小さくなっていることが望ましい。
【００３２】
セラミック構造体８は、スルーホール導体９側の表面に複数の凸部を有することが望ましい。その結果、かかる凸部をスルーホール導体９に埋入させることにより、セラミック構造体８とスルーホール導体９との接着性を向上し、両者の剥離を低減できる。
【００３３】
セラミック構造体８に含まれるセラミック粒子は、セラミック構造体８の構造部分を構成する第１セラミック粒子と、凸部を構成する第２セラミック粒子とを有し、第２セラミック粒子の粒子径は、第１セラミック粒子よりも大きいことが望ましい。その結果、粒子径の小さい第１セラミック粒子により、セラミック構造体８の内部構造を緻密にするとともに、粒子径の大きい第２セラミック粒子により、凸部を大きく形成してセラミック構造体８とスルーホール導体９との接着性を向上させることができる。
【００３４】
第１セラミック粒子及び第２セラミック粒子としては、上述したセラミック粒子を構成するセラミック材料から形成されたものを使用することができる。特に、第１セラミック粒子及び第２セラミック粒子を構成するセラミック材料は、同一の材料又は化合物を形成する材料であることが望ましい。その結果、第１セラミック粒子と第２セラミック粒子との接触部分で化学的な結合が生じ、両者の接着を強固にすることができる。
【００３５】
第１セラミック粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。また、第２セラミック粒子の粒子径は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。また、第２セラミック粒子の粒子径は、第１セラミック粒子の２倍以上１０倍以下に設定されていることが望ましい。
【００３６】
セラミック構造体８の構造部分を構成する第１セラミック粒子は、スルーホールＴ内壁にて樹脂部１２及び基材１３により構成される凹凸の凹部に埋入していることが望ましい。その結果、セラミック構造体８と基体７との接着性を向上させることができる。
【００３７】
セラミック構造体８は、熱膨張率が１ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。その結果、基体７とスルーホール導体７との熱膨張率の違いにより生じる熱応力を緩和することができる。このような熱膨張率のセラミック構造体８としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。
【００３８】
セラミック構造体８は、誘電正接が０．００１以上０．０１以下に設定されていることが望ましい。その結果、スルーホール導体９における高周波信号の伝送特性を向上させることができる。このような誘電正接のセラミック構造体８としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。なお、誘電正接は、ＪＩＳＫ６９１１：１９９５に準ずる。
【００３９】
一方、コア基板５の両側に設けられる配線層６は、絶縁層１４、導電層１５、ビア孔Ｖ及びビア導体１６を含んでいる。導電層１５及びビア導体１６は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。
【００４０】
絶縁層１４は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層１４としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール樹脂、又はポリイミドベンゾオキサゾール樹脂等により形成されたものを使用することができる。
【００４１】
導電層１５は、後述するビア導体１６とともに配線部を構成するものであり、配線基板３の厚み方向に互いに分離されている。導電層１５としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００４２】
ビア孔Ｖは、ビア導体１６が形成される部分であり、絶縁層１４をその厚み方向（Ｚ方向）に貫通している。このビア孔Ｖは、例えばコア基板５に向って幅狭なテーパー状に形成されている。
【００４３】
ビア導体１６は、配線基板２の厚み方向に離間した導電層１５同士を相互に接続するものであり、ビア孔Ｖ内に形成されている。ビア導体１６としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。
【００４４】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４５】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図２から図４に基づいて説明する。
【００４６】
（１）図２ａに示すように、複数の樹脂層１１を積層してなる基体７を準備する。基体７は、例えば、未硬化樹脂と基材１３とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧することにより、作製することができる。なお、加熱加圧により、未硬化樹脂は硬化して樹脂１２となり、樹脂シートは樹脂層１１となる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００４７】
（２）図２ｂに示すように、基体７をその厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。スルーホールＴは、例えばドリル加工やレーザー加工等により形成することができる。
【００４８】
（３）図２ｃに示すように、スルーホールＴの内壁にセラミック構造体８を形成する。セラミック構造体８は、例えば以下のように形成することができる。まず、第１セラミック粒子と溶剤とを含む第１セラミックゾルを準備する。次に、第１セラミックゾルをスルーホールＴの内壁に塗布する。次に、第１セラミックゾルを乾燥し、溶剤を蒸発させる。その結果、スルーホールＴの内壁に付着した第１セラミック粒子が残存し、第１セラミック粒子を有するセラミック構造体８を形成することができる。
【００４９】
第１セラミックゾルは、第１セラミック粒子を１％以上５０％以下含み、溶剤を５０％以上９８％以下ことが望ましい。その結果、第１セラミック粒子を１％以上含むことにより、セラミック構造体８の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、溶剤を５０％以上含むことにより、第１セラミックゾルを塗布する際、粘度の増加に起因して第１セラミックゾルがスルーホールＴ内部を塞いでしまう可能性を低減し、内壁のみに効率良く付着させることができる。
【００５０】
第１セラミック粒子は、セラミック構造体８を構成するセラミック材料からなる。また、第１セラミック粒子は、球状であることが望ましい。その結果、溶剤を蒸発させる際、第１セラミック粒子同士を緻密に凝集させることができるため、スルーホールＴの内壁に付着した第１セラミック粒子を効率良く残存させることができる。
【００５１】
また、第１セラミック粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。第１セラミック粒子の粒子径を３ｎｍ以上に設定することにより、第１セラミックゾルの粘度を低減し、生産性を向上させることができる。また、第１セラミック粒子の粒子径を５０ｎｍ以下に設定することにより、後述するように、スルーホールＴの内壁に付着した第１セラミック粒子を、樹脂部１２の熱分解温度未満の温度にて互いに結合させることができる。
【００５２】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、第１セラミックゾルを均一に塗布することができ、且つ溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００５３】
第１セラミックゾルの塗布は、例えば以下のように行うことができる。まず、スルーホールＴ内に第１セラミックゾルを充填する。かかる充填は、例えばマスクを用いてスルーホールＴ内のみに選択的に行うことができる。次に、充填された第１セラミックゾルに空気を吹き付けて、スルーホールＴの内壁に第１セラミックゾルの一部が残存するように、第１セラミックゾルの他の一部を除去することにより、第１セラミックゾルを塗布することができる。
【００５４】
第１セラミックゾルの乾燥は、例えば窒素ガス等の不活性ガス中にて行うことができる。ここで、第１セラミックゾルの乾燥時又は乾燥後にセラミック構造体８を加熱することが望ましい。その結果、第１セラミック粒子同士を結合させることができる。ここで、第１セラミック粒子の粒子径が５０ｎｍ以下に設定されている場合、セラミック構造体８を樹脂部１２の熱分解温度未満に加熱することにより、第１セラミック粒子同士を結合させることができる。これは、第１セラミック粒子の粒子径が５０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１セラミック粒子の原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１セラミック粒子同士が結合することに起因すると推測される。このように第１セラミック粒子同士を結合させることにより、加熱に起因した樹脂部１２の損傷を低減しつつ、セラミック構造体８の機械的強度を向上させることができる。
【００５５】
また、低温で第１セラミック粒子同士を結合させることができるため、第１セラミック粒子の結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、第１セラミック粒子は、結晶構造異方性に起因した熱膨張率の異方性を低減することにより、クラックの発生を低減できる。特に、第１セラミック粒子のセラミック材料として酸化ケイ素を使用した場合、第１セラミック粒子の結晶化を効果的に低減することができる。また、かかる加熱が低温で行われるため、第１セラミック粒子と基体７との熱膨張差に起因した、加熱時に発生する応力が低減され、かかる応力に起因したクラックや剥離を防止できる。
【００５６】
ここで、第１セラミックゾルをスルーホールＴの内壁に塗布して乾燥させた後、第２セラミック粒子と溶剤とを含む第２セラミックゾルをセラミック構造体８の表面に塗布することが望ましい。その結果、セラミック構造体８のスルーホール導体９側の表面に、第２セラミック粒子により構成される複数の凸部を形成することができる。
【００５７】
第２セラミック粒子の粒子径は、第１セラミック粒子の粒子径より大きいことが望ましい。なかでも、第２セラミック粒子の粒子径は、第１セラミック粒子の２倍以上１０倍以下に設定されていることが望ましく、例えば５０ｎｍより大きく３００ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、第２セラミックゾルを乾燥させる際、粒子径の大きさに起因して、第２セラミック粒子はセラミック構造体８の表面に部分的に残存するため、効率良く凸部を形成することができるとともに、凸部を大きく形成することができる。
【００５８】
第２セラミックゾルを塗布する場合、セラミック構造体８の加熱は以下のように行うことが望ましい。まず、第１セラミック粒子をスルーホールＴの内壁に塗布して乾燥させる。次に、第１セラミック粒子により構成されたセラミック構造体８を加熱することなく、かかるセラミック構造体８の表面に第２セラミック粒子を塗布して乾燥させる。次に、第１セラミック粒子及び第２セラミック粒子により構成されたセラミック構造体８を加熱する。このようにセラミック構造体８の加熱を行うことにより、第１セラミック粒子及び第２セラミック粒子を結合させることができ、セラミック構造体８の構造部分と凸部との接着強度を向上させることができる。
【００５９】
（４）図３ａに示すように、セラミック構造体８の内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体９を形成する。また、基体７の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層１５ｘを形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により行われる。なかでも、無電解メッキ又はスパッタリング法を用いることが望ましい。
【００６０】
ここで、（３）の工程にて、無電解めっきを行う場合、導電材料を被着させるセラミック構造体８は、セラミック材料から形成されているため、例えば樹脂材料を用いた場合と比較して、めっき液、エッチング液又は洗浄液等の各種薬剤による損傷を受けにくい。その結果、樹脂材料を用いた場合と比較して、セラミック構造体８とスルーホール導体９との間における各種薬剤の残留を低減できるため、残留薬品に起因したセラミック構造体８のクラックを低減することにより、かかるクラックにスルーホール導体９を構成する導電材料が侵入することを低減し、基体７とスルーホール導体９との間の絶縁性を向上させることができる。
【００６１】
また、（３）の工程にて、セラミック構造体８のスルーホール導体９側の表面に凸部を形成した場合、かかる凸部が導電材料により被覆されるため、セラミック構造体８との接着強度に優れたスルーホール導体９を形成することができる。
【００６２】
（５）図３ｂに示すように、円筒状のスルーホール導体９の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体１０を形成する。
【００６３】
（６）図３ｃに示すように、導電材料を絶縁体１０の露出部に被着させた後、導電層材料層１５ｘをパターニングすることにより、導電層１５を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。導電材料層１５ｘのパターニングは、例えば、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。
【００６４】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００６５】
（７）図４ａに示すように、コア基板５の両面に配線部６を形成する。配線部６は、例えば以下のようにして形成することができる。
【００６６】
まず、導電層１５上に、絶縁層１４を形成する。絶縁層１４は、例えば、接着剤を介して絶縁シートを導電層１５上に配置し、加熱プレス機を用いて加熱加圧することにより形成される。
【００６７】
次に、絶縁層１４にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１５の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いる。なお、ビア孔Ｖは、レーザー光の出力を調整することによって、コア基板５に向かって開口幅が狭くなるように形成することができる。
【００６８】
次に、ビア孔Ｖにビア導体１３を形成し、絶縁層１４の上面に導電層１５を形成することにより、配線部６を形成することができる。ビア導体１３及び導電層１５は、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。
【００６９】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、多層配線の配線基板３も作製できる。
【００７０】
（８）図４ｂに示すように、配線基板３に電子部品２を、バンプ４を介してフリップチップ実装する。
【００７１】
以上のようにして、実装構造体１を作製することができる。
【００７２】
なお、上述した第１実施形態は、織布からなる基材１３を使用した構成を例に説明したが、基材１３は繊維から形成されていればよく、互いに平行な長手方向に伸長した複数の繊維からなる基材１３を使用しても構わないし、不織布からなる基材１３を使用しても構わない。
【００７３】
また、上述した第１実施形態は、基材１３を含む基体７を使用した構成を例に説明したが、基材１３を含まない基体７を使用しても構わない。
【００７４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図５に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００７５】
第２実施形態は第１実施形態と異なり、コア基板５Ａがセラミック構造体８Ａとスルーホール導体９Ａとの間に介された樹脂構造体１７Ａを更に含む。その結果、セラミック構造体８Ａに加えて樹脂構造体１７Ａも基体７Ａとスルーホール導体９Ａとの間に介在させることができ、基体７Ａとスルーホール導体９Ａとの間の絶縁性を向上させることができる。
【００７６】
また、セラミック構造体８Ａは樹脂構造体１７Ａより水分を吸収しにくいため、基体７側にセラミック構造体８Ａを配置することにより、水分に起因して樹脂構造体１７Ａに侵入した導電材料が連続的に基体７に侵入することを低減ができる。
【００７７】
樹脂構造体１７Ａは、セラミック構造体８Ａの内壁に沿って形成されている。樹脂構造体１７Ａとしては、例えばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂又はポリアミド樹脂等の樹脂材料により形成されたもの使用することができる。樹脂構造体１７Ａの厚みは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。樹脂構造体９の熱膨張率は、例えば３０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００７８】
また、セラミック構造体８Ａのスルーホール導体９側の表面に凸部を形成した場合、かかる凸部は樹脂構造体１７Ａに埋入するため、セラミック構造体９Ａと樹脂構造体１７Ａとの接着強度を向上させ、セラミック構造体９Ａと樹脂構造体１７Ａとの剥離を低減できる。
【００７９】
樹脂構造体１７Ａは、セラミック材料から形成されたフィラーを含むことが望ましい。その結果、セラミック構造体８Ａを構成するセラミック粒子とフィラーとを結合させることができ、セラミック構造体９Ａと樹脂構造体１７Ａとの接着強度を向上させることができる。
【００８０】
フィラーを構成するセラミック材料としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム又は酸化カルシウム等を使用することが望ましい。なかでも、かかるセラミック材料は、セラミック構造体８Ａを構成するセラミック材料と同一であることが望ましい。なお、フィラーの粒子径は、例えば０．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。
【００８１】
樹脂構造体１７Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。まず、上述した第１実施形態に係る（３）の工程において、セラミック構造体８Ａを形成した後、セラミック構造体８Ａの内壁にＡ‐ステージの液状樹脂を塗布する。次に、かかる液状樹脂を加熱して硬化させることにより、樹脂構造体１７Ａを形成することができる。
【００８２】
また、スルーホール導体９は、樹脂構造体１７Ａの内壁に導電材料を被着させることにより形成することができる。
【００８３】
なお、上述した第２実施形態は、スルーホールＴＡの内壁にセラミック構造体８Ａを、セラミック構造体８Ａの内壁に樹脂構造体１７Ａを、樹脂構造体１７Ａの内壁にスルーホール導体９を、形成した構成を例に説明したが、スルーホールＴの内壁に樹脂構造体１７Ａを、樹脂構造体１７Ａの内壁にセラミック構造体８Ａを、セラミック構造体８Ａの内壁にスルーホール導体９を、形成しても構わない。また、セラミック構造体８Ａと樹脂構造体１７Ａとを交互に複数形成しても構わない。
【００８４】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図６に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００８５】
第３実施形態は第１実施形態と異なり、基体７Ｂは、導電材料から形成されたものである。ここで、セラミック構造体８Ｂ及び樹脂構造体１７Ｂにより、スルーホール導体９Ｂを構成する導電材料が基体７Ｂと接触する可能性を低減できるため、スルーホール導体９Ｂ同士が基体７Ｂを介して短絡する可能性を低減できる。
【００８６】
基体７Ｂを構成する導電材料としては、例えばニッケル、コバルト、クロム若しくは鉄又はそれらの合金等の金属材料を使用することができる。かかる金属材料を使用することにより、基体７Ｂの放熱性を向上させることができる。また、ニッケル合金又はコバルト合金等の低熱膨張率の合金を使用することで、配線基板２の熱膨張率を低減することができる。
【００８７】
基体７Ｂは、その表面が酸化物からなることが望ましい。その結果、セラミック構造体８Ｂを構成する材料として酸化物を用いた場合、セラミック構造体８Ｂと基体７Ｂとの接着性を向上させることができる。
【００８８】
セラミック構造体８Ｂは、コア基板５Ｂの上面及び下面にて、基体７Ｂと導電層１５Ｂとの間に介されていることが望ましい。その結果、基体７Ｂと導電層１５Ｂとの間の絶縁性を担保することができる。
【００８９】
また、樹脂構造体９Ｂは、コア基板５Ｂの上面及び下面にて、セラミック構造体８Ｂと導電層１５Ｂとの間に介されていることが望ましい。すなわち、コア基板５Ｂの上面及び下面にて、基体７Ｂ上にセラミック構造体８Ｂが、セラミック構造体８Ｂ上に樹脂構造体９Ｂが、樹脂構造体９Ｂ上に導電層１５Ｂが、形成されていることが望ましい。その結果、基体７Ｂと導電層１５Ｂとの間の絶縁性を向上させることができる。
【００９０】
なお、上述した第３実施形態は、コア基板５Ｂの上面及び下面にて、基体７Ｂ上にセラミック構造体８Ｂが、セラミック構造体８Ｂ上に樹脂構造体９Ｂが、樹脂構造体９Ｂ上に導電層１５Ｂが、形成された構成を例に説明したが、基体７Ｂ上に樹脂構造体９Ｂが、樹脂構造体９Ｂ上にセラミック構造体８Ｂが、セラミック構造体８Ｂ上に導電層１５Ｂが、形成されていても構わない。また、コア基板５Ｂの上面及び下面にて、樹脂構造体９Ｂが形成されていなくても構わない。
【００９１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００９２】
例えば、上述した第１乃至第３実施形態において、基体が樹脂材料及び導電材料からなる構成を例に説明したが、基体を構成する材料として、他の材料を使用してもよく、例えばセラミック材料を使用しても構わない。
【符号の説明】
【００９３】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        セラミック構造体
９        スルーホール導体       
１０      絶縁体
１１      樹脂層
１２      樹脂部
１３      基材
１４      絶縁層
１５      導電層
１６      ビア導体
１７      樹脂構造体
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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