(57)【要約】【課題】複数のカンチレバー型の振動子を用いつつ、振動子間の干渉を回避し、検出を高精度かつ効率よく行うことのできる検出センサを提供することを目的とする。【解決手段】互いに長さの異なる振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を備える検出センサ１０において、任意の振動子の長さをＬ、共振周波数をｆ０としたとき、長さＬの振動子と、他の振動子との長さの差ΔＬを、２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑとなるように与える。このように互いに長さの異なる振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を、互いに異なる周波数で動作させることで、同時に動作させても互いの干渉がなく安定して動作する。振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のうち任意の一つを単独で動作させた場合にも他とは周波数が違うため機械的結合が小さくなり、影響が小さくできる。【選択図】図１
2010112888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量を有した物質の付着または吸着により振動特性が変化し、一端部が固定された梁状の複数の振動子と、
前記振動子を振動させる駆動部と、
前記振動子における振動の変化を検出することで、前記物質を検出する検出部と、を備え、
複数の前記振動子は互いに長さが異なり、任意の前記振動子を長さＬとしたとき、長さＬの前記振動子と他の前記振動子との長さの差ΔＬが、
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ      （ただし、Ｑは前記振動子のＱ値）
となるよう設定され、
前記駆動部は、複数の前記振動子のそれぞれの共振周波数に応じた周波数で前記振動子を振動させることを特徴とする検出センサ。
【請求項２】
前記駆動部は、
複数の前記振動子が設けられた基板の一面側に設けられた圧電層と、
前記圧電層に駆動電圧を印加する電極層と、
前記電極層に、前記駆動電圧として複数の前記振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加する発振制御部と、を備え、
前記検出部は、前記発振制御部で前記電極層に印加した電気的な信号の周波数に対応した共振周波数を有する前記振動子の振動の変化を検出することを特徴とする請求項１に記載の検出センサ。
【請求項３】
前記駆動部は、
前記振動子のそれぞれの固定端近傍に設けられた圧電層と、
前記圧電層のそれぞれに駆動電圧を印加する電極層と、
前記電極層のそれぞれに設けられ、前気圧電層に電気的な信号を前記駆動電圧として印加する発振制御部と、を備え、
前記発振制御部は、前記電極層のそれぞれに、当該電極層に対応した前記振動子の共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を印加することで、複数の前記振動子を同時に独立して振動させることを特徴とする請求項１に記載の検出センサ。
【請求項４】
前記検出部は、前記振動子に付着した前記物質の量を検出することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の検出センサ。
【請求項５】
前記物質が特定の分子、あるいは特定の特性または特徴を有する複数種の分子であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の検出センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、質量を有した物質の有無の検出、物質の質量の検出等を行うために用いるのに適した検出センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、爆発危険性や有害性のあるガス等の存在、あるいはその定量的な濃度を検出するためのセンサが存在した。このセンサでは、ガスに含まれる特定種の分子を吸着し、その吸着の有無、あるいは吸着量を検出することで、ガス等の存在の有無、あるいはその濃度を検出している。このようなセンサは、ガス等を取り扱う施設、設備、装置等に設置され、ガスの漏れやガス量のコントロールに用いられている。
また近年、燃料電池の開発が盛んに行われている。燃料電池は水素を用いるため、水素ステーションや、燃料電池を使用する車両や装置、機器等において、水素の漏れが無いか監視するのが好ましい。このような用途にも、上記センサは適用できる。
上記用途以外にも、特定種の分子を吸着することで、その吸着の有無あるいは吸着量を検出するセンサは、空気中を漂う有機分子やにおい分子を検出することにより、例えば食物の鮮度や成分分析、快適空間を提供・維持するための環境制御、さらには、人体等、生体の状態検知等に用いることが考えられる。
【０００３】
空気中を漂う有機分子やにおい分子などを、その微小な分子質量によって検出するセンサ素子は、これらの分子を含む気体中で振動子を振動させ、分子が振動子表面に付着または吸着された際の振動子の質量変化を、振動子の共振周波数変化として検出する。
【０００４】
振動子の共振周波数変化から付着質量を求める最も基本的な方法として、ＱＣＭ（Ｑｕａｒｔｚ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ）法が挙げられる。ＱＣＭでは圧電性を有する水晶の単結晶を板状に切り出して振動子とし、この振動子に電圧を印加することで「厚みすべり振動」と呼ばれるせん断振動を起こさせる。その共振周波数ｆは、表面に質量Δｍの物体が付着すると元の共振周波数ｆ０からΔｆだけ下がり、その量は
Δｆ／ｆ０＝−Δｍ／（ｍ０）      （１）
となることが知られている。ｍ０は振動子の質量である。
【０００５】
一方で、シリコン薄膜等を写真技術（フォトリソグラフィ）で精密に加工するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）と呼ばれる技術が発達し、今までｍｍ（ミリメートル）単位の領域で製造されていたＱＣＭと同じような振動子を、μｍ（マイクロメートル）単位の領域で作製することが可能となってきた。振動子のサイズを小さくすることで式（１）における振動子質量が大幅に減少し、付着質量に対する検出感度がアップする。
【０００６】
質量検出を行う振動子としては、他に、片持ち梁の横振動を利用するカンチレバー型、板状振動子の面内振動を利用するディスク型の振動子が主に用いられている（例えば、特許文献１参照）。
いずれの場合も、その共振周波数変化は
Δｆ／ｆ０＝−Δｍ／（２ｍ０）      （２）
となり、式（１）とは係数が異なるが、振動子質量への依存性は変わらない。
【０００７】
カンチレバー型の振動子の共振周波数ｆ０は
ｆ０＝λｎ２／（（４√３）π）×ｔ／Ｌ２×√（Ｅ／ρ）      （３）
となる。ここで、ｔおよびＬはカンチレバー型の振動子の厚さおよび長さ、Ｅおよびρはカンチレバー型の振動子を構成している物質のヤング率および密度である。シリコン単結晶によりカンチレバー型の振動子がシリコン単結晶の結晶方位＜１１０＞方向に平行に作製されている場合は、Ｅ＝１７０ＧＰａおよびρ＝２．３３×１０３ｋｇ／ｍ３となる。また、λｎは振動の次数ｎによって決まる定数で、λ１＝１．８７５，λ２＝４．９６４，λ３＝７．８５５，…となる。高次モードほど高い周波数となる。
【０００８】
カンチレバー型の振動子の周波数応答特性は振動のＱ値による幅を持っていて、半値幅はｆＨ＝ｆ０／Ｑとなる。カンチレバー型の振動子のＱ値は、においセンサのような目的で大気圧の空気中で動作させる場合は、ほぼ空気の粘性によって決まるが、その値はカンチレバー型の振動子の寸法に大きく依存し厚さ５μｍ、長さ１００〜１０００μｍの場合は１００〜２０００程度の値となる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２４０２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、カンチレバー型の振動子を用いた質量センサは、振動子への分子の付着質量を検出するだけで、それ自身には付着物質を分析・識別する機能はない。付着物質を識別する機能は、表面に塗布された検出膜の付着選択性を用いることになる。そのため、より詳しい付着分子の分析・識別を行うためには、複数種類の検出膜を複数のカンチレバー型の振動子にそれぞれ塗布し、それぞれの検出膜の付着選択性の違いを利用することになる。この手法はＱＣＭでは広く利用されており、複数の検出膜の応答の違いから多変量解析などを用いて付着物質の推定を行うことができる。ＱＣＭでは、４〜８個程度の複数センサを用いた研究が行われている。
【００１１】
カンチレバー式の振動子は、半導体製造プロセスを利用して微細構造を同時に作りこむことが可能なため、複数のカンチレバー型の振動子を数ｍｍ角の１チップ内に容易に収めてセンサの小型化を測ることができる。これに複数種類の検出膜を塗り分けることで、付着物質の分析・識別機能を実現することができる。ＱＣＭではセンサの個数だけユニットを並べる必要があり、並列数を多くするとサイズが大きくなる問題があるが、カンチレバー型の振動子は並列数が多くても極めて小さなサイズでシステムが構成できるという利点がある。
【００１２】
しかし、その際に問題となるのが、複数のカンチレバー型の振動子間の干渉である。干渉には２つの要因がある。
１つは、機械的な振動干渉である。カンチレバー型の振動子は１チップ内で同一の基板に固定されているため、どうしても近傍にある別のカンチレバー型の振動子の振動がわずかに伝わってしまう。同一の共振周波数を持つ複数のカンチレバー型の振動子間にわずかでも相互作用があると、共鳴が起こって共振ピークの形状が変化し、機械的振動特性が変わってしまう。例えば、図５（ａ）に示すように、共振周波数ｆ０を有する１個のみのカンチレバー型の振動子１の場合、振動モードは図５（ｂ）に示すように、一つのピークを有したものとなる。これに対し、図６（ａ）に示すように、同じ共振周波数ｆ０を持つ２個のカンチレバー型の振動子１Ａ、１Ｂ間に機械的相互作用があると、もはや２個の振動子１Ａ、１Ｂは独立には動作しなくなる。図６（ｂ）に示すように、２個の振動子１Ａ、１Ｂが同一相で動く振動モードと、２個が逆相で動く振動モードに分裂する。一般には同一相のモードの方が振動子１Ａ、１Ｂの共振周波数ｆ０より低い周波数を持ち、逆相のモードが振動子１Ａ、１Ｂの共振周波数ｆ０より高い周波数となる。このような状況下では２個のカンチレバー型の振動子１Ａ、１Ｂを独立させて動作させることは難しくなるばかりか、例えば１個の振動子１Ａだけを動作させても別の振動子１Ｂの機械的影響を受けて複雑な動作モードになってしまう。そのため、それぞれの周波数変化を検出する本来の目的が困難になってしまう。
【００１３】
もう１つの干渉効果は電気的な干渉である。カンチレバー型の振動子１Ａ、１Ｂは共振周波数変化を検出するために電気的にフィードバックをかけて自励発振させて使用するのが一般的である。しかし、同じ周波数の発振回路が同一筐体内に存在していると、シールドからの電磁波の漏れや接地の不完全さから発生するクロストーク信号により、２つの回路が互いに影響して不安定な動作をするという問題がある。特に、１チップに複数のカンチレバー型の振動子１Ａ、１Ｂを集積する状況では、チップ内部やパッケージ内部での寄生容量があり、電気的干渉を完全に防止することが不可能である。このような状況では単独では発振が可能であるが、同時に２つ以上の発振をさせることが困難になり、検出の効率が低下する。
【００１４】
以上のような理由で、共振周波数が同一の複数のカンチレバー型の振動子１Ａ、１Ｂを安定して動作させることは困難であった。
【００１５】
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、複数のカンチレバー型の振動子を用いつつ、振動子間の干渉を回避し、検出を高精度かつ効率よく行うことのできる検出センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
かかる目的のもと、本発明の検出センサは、質量を有した物質の付着または吸着により振動特性が変化し、一端部が固定された梁状の複数の振動子と、振動子を振動させる駆動部と、振動子における振動の変化を検出することで、物質を検出する検出部と、を備え、複数の振動子は互いに長さが異なり、任意の振動子を長さＬとしたとき、長さＬの振動子と他の振動子との長さの差ΔＬが、
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ      （ただし、Ｑは振動子のＱ値）
となるよう設定されていることを特徴とする。
複数の振動子を備えた場合においても、任意の振動子と、他の振動子との長さの差ΔＬが上記条件を満たすようにすれば、振動子間で振動が伝達することによる悪影響を回避することができる。
【００１７】
ところで、駆動部は、複数の振動子が設けられた基板の一面側に設けられた圧電層と、圧電層に駆動電圧を印加する電極層と、電極層に、駆動電圧として複数の振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加する発振制御部と、を備える。発振制御部では、駆動電圧として複数の振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加するが、これはつまり、複数の振動子のうち、まず、いずれか一つの第一の振動子の共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加する。すると、印加された電気的な信号の周波数に応じた共振周波数を有した振動子が振動する。この後は、発振制御部は、前記とは異なる第二の振動子の共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加する。すると、第二の振動子が振動する。このようにして、発振制御部で印加する電気的な信号の周波数を順次変えていくことで、複数の振動子を順次振動させることができるのである。
そして、検出部は、発振制御部で電極層に印加した電気的な信号の周波数に対応した共振周波数を有する振動子の振動の変化を検出する。これには、マルチプレクサ等を用いることができる。
【００１８】
また、駆動部は、振動子のそれぞれの固定端近傍に設けられた圧電層と、圧電層のそれぞれに駆動電圧を印加する電極層と、電極層のそれぞれに、予め定められた周波数を有した電気的な信号を駆動電圧として印加する発振制御部と、を備え、発振制御部は、電極層のそれぞれに、当該電極層に対応した振動子の共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加することで、複数の振動子を同時に独立して振動させることもできる。
【００１９】
検出部は、振動子に対する物質の付着または吸着の有無を検出することもできるが、振動子に付着した物質の量を検出することもできる。ここで、振動子上に、特定の分子、あるいは特定の特性または特徴を有する複数種の分子を吸着または付着させるようにすれば、検出センサにおいては、前記の特定の分子、あるいは特定の特性または特徴を有する複数種の分子の検出が可能となる。
【００２０】
ところで、また、振動子表面に検出膜を塗布した場合も、検出膜の質量分だけ共振周波数は変化するが、これも材料定数の変化として近似的に取り扱うことが可能である。例えば、密度ρ、厚さｔの振動子の片面全体に、密度ρ１の検出膜が厚さｔ１付着した場合、平均密度を（ρ１ｔ１＋ρｔ）／（ｔ１＋ｔ）、厚さを（ｔ１＋ｔ）と考えることによって式（３）が適用可能である。一般に有機系材料はシリコンに比べてヤング率が小さく、ポリブタジエンなどのゴム系材料でＥ＝３ＭＰａ、ヤング率の高いポリスチレンなどのプラスチック系材料でもＥ＝３ＧＰａ程度で、シリコンのＥ＝１７０ＧＰａに比べると２桁以上小さい。したがって、検出膜のヤング率に与える影響は無視できる。Ｑ値は塗布する材料によって異なった影響を与えるため実験的に変化を見積もることになるが、有機系材料を振動子本体よりもかなり薄く塗布した場合には、通常は大きな変化は与えない。
以上の考察より式（３）に平均密度と厚さ変化を適用すると、密度ρ１、厚さｔ１の検出膜を塗布した後の振動子の共振周波数は、
ｆ１＝ｆ０×［１＋（ｔ１／ｔ）］［１＋（ρ１／ρ）×（ｔ１／ｔ）］−１／２    （４）
≒ｆ０×［１−（１／２）×（ρ１／ρ））］      （５）
とすることができる。ただし、この式では検出膜の厚さｔ１は振動子の厚さに比べて十分に小さいという近似を用いている。以上のように、検出膜を塗布したときの共振周波数は式（４）で計算することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、互いに長さの異なる複数の振動子を、互いに異なる周波数で動作させるため、同時に動作させても互いの干渉がなく安定して動作する。任意の振動子を単独で動作させた場合にも他の振動子とは共振周波数が異なるため、機械的結合が小さくなり、影響が小さくできる。そのため独立した共振ピークとなり、安定した発振が確保でき、微小な共振周波数シフトまで計測することができ、結果的に分子検出感度が上がる。
また、複数の振動子を同時に発振させた場合にも、駆動周波数が互いに違うため、電気的な干渉が起こりにくく、安定した発振が可能である。これにより、複数の振動子を同時に駆動して同時に計測することも可能となるため、多数の振動子の周波数変化を短時間で取り込み可能となる。また、全振動子の測定を一定時間内に行うならば、１個あたりの計測時間を長く取ることができ、結果として周波数計測制度が向上し、分子検出感度が上昇する。
したがって、単独の振動子と同じ時間で複数の振動子の測定を行うことができ、分子検出の分析・識別機能が向上する。その一方で検出センサを構成するチップ内の機械的絶縁、回路の電気的シールドを厳格に行う必要がなくなり、装置の小型化が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
図１は、本実施の形態における検出センサ１０の構成を説明するための図である。
この図１に示す検出センサ１０は、検知対象となる特定種の分子（以下、単に分子と称する）を吸着することで、ガスや匂い等の存在（発生）の有無、あるいはその濃度の検出を行うものである。この検出センサ１０は、分子を吸着する検出膜２０を備えた複数組の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…と、検出膜２０への分子の吸着を検出する駆動／検出部４０とから構成されている。
【００２３】
振動子３０Ａ、３０Ｂ、…は、一端部が固定された片持ち梁状のカンチレバー式である。図１の例では、２組の振動子３０Ａ、３０Ｂのみを図示しているが、その数はなんら限定するものではない。
【００２４】
振動子３０Ａ、３０Ｂ、…は、シリコン系材料、より詳しくはポリシリコンあるいは単結晶シリコンからなる基板５０に形成されたキャビティ５１の内方に、基板５０をフォトリソグラフィ法等のＭＥＭＳ技術を用いることによって形成されている。振動子３０Ａ、３０Ｂ、…は、平面視長方形状で、基板５０を構成するシリコン系材料、特に好ましくは単結晶シリコンから形成されている。
振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の寸法の一例を挙げると、厚さは２〜５μｍ、長さは３０〜１０００μｍ、幅は１０〜３００μｍとするのが好ましい。
【００２５】
振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の表面には、検出対象となる分子を吸着または付着させる膜状の検出膜２０が形成されている。
検出膜２０は、無機系材料や、有機系材料からなる膜によって形成することができる。検出膜２０を構成する無機系材料とすれば、代表的なものに二酸化チタン（ＴｉＯ２）があり、吸着効率を高めるために二酸化チタンを多孔体状とするのが好ましい。そして、この検出膜２０を、振動子３０の上面を覆うように形成するのが好ましい。検出膜２０を構成する有機系材料としては、ポリアクリル酸、ポリスチレン、ポリアクリルアミン、ポリジメチルシロキサン、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリブタジエン、ポリスチレン重合体等のあらゆる高分子等がある。この検出膜２０では、特定種の分子、あるいは特定の特性または特徴を有する複数種の分子のみを吸着する、分子に対する選択性を有したものとすることができ、その選択性は、高分子を形成する官能基や、架橋の状態等の様々な要素で決まると考えられる。
検出膜２０を形成する材料の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の表面に対する付着性を高めるために、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の表面にＡｕ（金）／Ｃｒ（クロム）の下地膜を形成するのが好ましい。
【００２６】
図１に示したように、駆動／検出部４０は、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を振動させるため、基板５０の一面側に、圧電層４３を形成することができる。
【００２７】
また、図２に示すように、駆動／検出部４０は、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を振動させるため、振動子３０の固定端３０ａ側の表面に、圧電材料からなる圧電層４４を設けても良い。
【００２８】
圧電層４３、４４を形成する圧電材料としては、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む原料から形成した、いわゆる強誘電体材料が注目されている。より詳しくは、圧電層４３、４４は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む材料（以下、これをＰＺＴ材料と称することがある）から形成され、これが結晶化ものである。圧電層４３においては、ＰＺＴ材料は薄膜あるいはバルクのいずれも用いることができる。この場合、圧電層４３の厚さは１００μｍ〜２ｍｍ程度とすることができる。一方、圧電層４４においては、ＰＺＴ材料は薄膜化する必要があり、例えば１００ｎｍ〜５μｍ程度の厚さに形成されている。この圧電層４４は、例えば一層当たり１００〜数百ｎｍの薄膜を複数層積層することで、上記の厚さを実現することができる。
このような材料としては、例えば、Ｐｂペロブスカイト二成分・三成分系強誘電体セラミックス、非鉛系ペロブスカイト構造強誘電体セラミックス、ＢａＴｉＯ３セラミックス、ＫＮｂＯ３−ＮａＮｂＯ３系強誘電体セラミックス、（Ｂｉ４２Ｎａ４２）ＴｉＯ３系強誘電体セラミックス、タングステン・ブロンズ型強誘電体セラミックス、（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２ＮａＮｂ５Ｏ１５［ＢＳＮＮ］、ＢａＮａ１−ｘＢｉｘ／３Ｎｂ５Ｏ１５［ＢＮＢＮ］、ビスマス層状構造強誘電体と粒子配向型強誘電体セラミックス、ビスマス層状構造強誘電体（ＢＬＳＦ）等を用いることができる。
また、ＰＺＴ材料以外にも、ＺｎＯ（酸化亜鉛）や、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等を圧電層４３、４４に用いても良い。
このような圧電層４３、４４に積層されて、図示しない電極層が形成されている。
【００２９】
このような駆動／検出部４０は、図３に示すように、外部の発振制御部４５により、振動検出回路４６からの信号を発振制御部４５で処理し、フィードバックをかけることで、圧電層４３の図示しない電極層に印加する。すると、圧電層４３が変位を生じ、これにより振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の自励発振が起きる。その発振周波数を周波数カウンタ４２により測定する。
【００３０】
なお、基板５０の一面に沿って圧電層４３を設ける場合、図３に示すように、発振制御部４５は、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数により駆動電圧を印加し、順次発振を行う。つまり、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のうち、まず、いずれか一つ、例えば振動子３０Ａの共振周波数に応じた周波数で発振を行う。次に、マルチプレクサ４９により発振制御部４５に入力される信号を切り替えることで、発振制御部４５は、前記とは異なる、例えば振動子３０Ｂの共振周波数に応じた周波数の発振を行う。このようにして、発振制御部４５に与える振動検出信号をマルチプレクサ４９で順次変えていくことで、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を順次ひとつずつ振動させる。
【００３１】
一方、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の固定端近傍に圧電層４４を設ける場合、図４に示すように発振制御部４５は、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のそれぞれに発振回路４７、周波数カウンタ４２を備え、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を同時に独立して駆動させる。発振回路４７は、図３の振動検出回路４６と発振制御部４５を組み合わせたものに相当する。
【００３２】
ここで、発振制御部４５には、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を振動させるときの振動の次数を選択するために、特定の周波数のみを通過させるバンドパスフィルターを設けるのが好ましい。
【００３３】
振動子３０Ａ、３０Ｂ、…は、表面の検出膜２０に質量を有した物質が付着すると検出膜２０の質量が増加し、これによって振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のたわみ量が変化する。また、分子の吸着により検出膜２０の質量が増加すると、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…と検出膜２０とからなる系の共振周波数が変化する。
駆動／検出部４０においては、検出膜２０に質量を有した物質が付着することによる振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の上記のたわみ量あるいは振動周波数の変化を検出する。このため、図１、図２に示したように、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の固定端近傍に、ピエゾ抵抗素子４８が設けられている。ピエゾ抵抗素子４８は、基板５０表面に不純物をドーピングすることによって形成されている。ピエゾ抵抗素子４８には、基板５０の表面に成膜した金属薄膜をパターニングすることにより電気的配線が接続されている。ピエゾ抵抗素子４８は振動子３０Ａ、３０Ｂ、…が変形したときの、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の根元の部分における応力の変化に応じ、その抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を計測することで、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のたわみ量あるいは振動周波数の変化を検出する。これによって、検出膜２０への分子の吸着の有無またはその量を測定することが可能となっている。
なお、図１に示した構成を採用する場合、図３に示したように、発振制御部４５では、駆動回路中にマルチプレクサ４９を設け、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のうち、発振制御部４５で圧電層４３に印加する駆動電圧の周波数に対応したもの（振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のいずれか一つ）に設けられたピエゾ抵抗素子４８の抵抗値変化を検出する。
【００３４】
ここで、発振制御部４５は、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の自励発振を行わせるため、各振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のピエゾ抵抗素子４８で取り出した振動出力を増幅し、必要な位相差を与えて圧電層４３、４４に与えることでフィードバック回路を構成するのが好ましい。このような回路によって、各振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の共振周波数における自励発振が起こる。
【００３５】
さて、上記したような構成において、本発明では、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の長さが、互いに異なるように設定されている。
複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…のそれぞれは、互いに、自身の長さＬと他の振動子の長さとの差ΔＬが、以下のような関係を満たすように形成されている。
一般的に式（３）より、長さＬの振動子の共振周波数をｆ０としたとき、長さＬの振動子と、長さＬ＋ΔＬの振動子との共振周波数の差Δｆ０は、
Δｆ０≒ｆ０×２ΔＬ／Ｌ
となる。ただし、ΔＬ＜＜Ｌとして近似した。これが振動モードの半値幅ｆＨ＝ｆ０／Ｑよりも十分に大きければ共振ピークは重ならない。ここで、Ｑは振動子のＱ値である。この条件はΔｆ０＞ｆＨとなるので、結果として
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ              （６）
となるように長さの差ΔＬを与えればよい。
【００３６】
このように、互いに長さの異なる振動子３０Ａ、３０Ｂ、…は、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…が違う周波数で動作するため、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を同時に動作させても互いの干渉がなく安定して動作する。単独で動作させた場合にも別の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…とは周波数が違うため機械的結合が小さくなり、影響が小さくできる。そのため独立した共振ピークとなり、安定した発振が確保でき、微小な共振周波数シフトまで計測することができ、結果的に分子検出感度が上がる。
また、図２に示した構成において、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を同時に発振させた場合にも、周波数が違うため、電気的な干渉が起こりにくく、安定した発振が可能である。複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…で同時に計測できるため、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の周波数変化を短時間で取り込み可能となる。また、全振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の測定を一定時間内に行うならば、１個あたりの計測時間を長く取ることができ、結果として周波数計測制度が向上し、分子検出感度が上昇する。
したがって、単独の振動子と同じ時間で複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の測定を行うことができる。このような複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…を備えた検出センサによれば、複数の振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の検出膜２０に複数種類の検出膜を塗り分けることで、検出膜２０で吸着した物質の分析・識別機能を向上させることができる。その一方で検出センサ１０を構成する基板５０内の機械的絶縁、回路の電気的シールドを厳格に行う必要がなくなり、装置の小型化が可能になる。
【実施例１】
【００３７】
上記のように互いに長さの異なる複数のカンチレバー型の振動子について、実証実験を行った。
振動子は、厚さ５μｍのＳＯＩ層を持つＳＯＩ基板から製作した。ＳＯＩ層をフォトリソグラフィ技術によって振動子の形状にエッチングし、微細な振動子構造を製作した。振動子の下部にあたる基板の層は裏面からエッチングすることでキャビティを形成し、振動子が空気中で自由に振動できるようにした。
振動子の振動による変形を検出するために、振動子の根元にピエゾ抵抗素子を配置した。ピエゾ抵抗素子は基板の表面に不純物をドーピングすることによって作製した。ピエゾ抵抗素子には、基板の表面に成膜した金属薄膜をパターニングすることにより電気的配線を接続した。ピエゾ抵抗素子は振動子の変形による根元の応力を感じ、その抵抗値が変化するので、これを計測することで振動子の振動を検出した。
また、各振動子上には検出膜を塗布するために、Ａｕ薄膜の塗布用下地膜を形成した。
【００３８】
振動子を振動させるため、基板の下面に１枚のＰＺＴ板を圧電層として接着した。振動子の自励発振を行わせるためには、各振動子のピエゾ抵抗素子から取りだした振動出力を増幅し、必要な位相差を与えて圧電層に与えることでフィードバック回路を構成した。このような回路で各振動子の共振周波数における自励発振が起こり、その周波数を周波数カウンタで測定した。また、振動の次数を選択するために、発振制御部内に特定の周波数のみを通過させるバンドパスフィルターを設けた。
また、この構成例では、圧電層を振動子の外部に設けるため、振動板は全ての振動子で共有されている。そのため、異なる共振周波数を持った振動子は同時に発振させることができない。そこで、マルチプレクサを利用し、順次測定を行った。
【００３９】
ここで、長さ５００μｍ、厚さ５μｍの振動子を考える。上記のようにして実際に製作した振動子のＱ値測定から、振動のＱ値は１次モードの振動で２１０、２次モードで５９０、３次モードで９５０であることが実測された。そのため、式（６）の条件は、１次モードでΔＬ＞１．２μｍ、２次モードでΔＬ＞０．４μｍ、３次モードでΔＬ＞０．３μｍとなった。製造誤差も考慮して長さ変化ΔＬを３μｍに取り、８種類の振動子で１次〜３次までの共振モードの共振周波数を、式（３）を使って計算したものが次の表である。振動子のヤング率Ｅと密度ρは、Ｅ＝１７０ＧＰａ、ρ＝２．３３×１０３ｋｇ／ｍ３とした。
【００４０】
【表１】
2010112888.tif 000003
【００４１】
上記の計算結果から、３μｍ長さの違う振動子では、１次モードでは約０．３ｋＨｚ、２次モードでは約２ｋＨｚ、３次モードでは約６ｋＨｚづつ共振周波数がずれていることがわかる。一方で実際に製作した振動子（長さ５００μｍ）のＱ値測定から、振動の周波数応答における半値幅ｆＨは、１次モードで０．１３ｋＨｚ、２次モードで０．３０ｋＨｚ、３次モードで０．５３ｋＨｚであった。したがって、長さの違う振動子の共振周波数の差は設計通り、常に振動モードの半値幅よりも十分に大きく、振動ピークが分離できている。このような設計で作られた８個の振動子は、同一チップ内に置かれても互いに機械的・電気的に干渉することなく動作させることが可能となる。
【実施例２】
【００４２】
実施例２は、図２に示した構成に対応したものであり、圧電層を各振動子上に配置したものを用いた。これ以外は、実施例１と同様である。
これにより各々の振動子は、互いに違う周波数で同時に振動させることができた。したがって、周波数の測定も同時に行うことができ、高速に並列検出が可能になる。
【実施例３】
【００４３】
実施例３は、２個の振動子Ａ、Ｂに異種の検出膜を塗布した例である。振動子Ａ、Ｂの厚さは両者とも５μｍであり、振動子Ａは長さＬ＝５００μｍ、振動子Ｂは長さ５００μｍ＋ΔＬとした。振動子Ａには検出膜としてポリブタジエン（ＰＢＤ）（密度ρ１＝１．０１ｇ／ｃｍ３）を厚さｔ１＝５００ｎｍ塗布し、振動子Ｂには検出膜としてポリスチレン（ＰＳ）（密度ρ２＝１．０５ｇ／ｃｍ３）を厚さｔ２＝５００ｎｍ塗布した。この振動子のＱ値は１次モードで２１０であった。
また、比較のため、長さを振動子Ａと同一の５００μｍとし、検出膜を振動子Ｂと同じポリスチレンとした振動子Ｃを作製した。
【００４４】
このとき、式（５）および式（６）を使用して、１次の振動ピークが重ならない条件は
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ＋（ｔ２／ｔ）×［１−（ρ２／ρ）］−（ｔ１／ｔ）×［１−（ρ１／ρ）］    （７）
となる。これに数値を入れると、ΔＬ＞０．９８μｍとなる。製造誤差を考え、ΔＬ＝２μｍとして式（４）より共振周波数を計算したところ、表２のようになった。
【００４５】
【表２】
2010112888.tif 000004
【００４６】
表２から、長さに２μｍの差を与えた２つの振動子Ａ、Ｂの共振周波数には０．２８ｋＨｚの差が生じた。この値は１次モードの振動の周波数応答における半値幅ｆＨ＝０．１３ｋＨｚより大きくなり、式（７）の設計基準が妥当であることを示している。
一方で、振動子Ｂに対し、長さを振動子Ａと同一とした振動子Ｃの場合は、検出膜の種類が異なる振動子Ａとの共振周波数の差が０．０３ｋＨｚと周波数応答の半値幅よりも狭くなり、互いに干渉すると考えられる。
以上のように、異種の検出膜を塗布した場合にも、長さに差を与えることで共振ピークが干渉しないように振動子を集積化することができる。
【００４７】
なお、上記実施の形態において、圧電層４３、４４を設ける位置、範囲等は上記した以外のものとすることもできる。例えば、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…上に圧電層を設けても良い。この他、振動子３０Ａ、３０Ｂ、…の駆動方式、振動変化の検出方式は、上記以外の方式を採用することもできる。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施の形態における検出センサの例である、基板の一面に圧電層を設けた構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態における検出センサの他の例であり、振動子の固定端近傍に圧電層を設けた構成を示す斜視図である。
【図３】図１に示した検出センサにおける回路構成の例を示す図である。
【図４】図２に示した検出センサにおける回路構成の例を示す図である。
【図５】（ａ）は振動子を１個設けた場合の検出センサを示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の検出センサにおける周波数と振動子の振動振幅の関係を示す図である。
【図６】（ａ）は長さが同じ振動子を２個設けた場合の検出センサを示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の検出センサにおける周波数と振動子の振動振幅の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０…検出センサ、２０…検出膜、３０…振動子、３０Ａ、３０Ｂ…振動子、３０ａ…固定端、４０…駆動／検出部（駆動部、検出部）、４２…周波数カウンタ、４３…圧電層、４４…圧電層、４５…発振制御部、４６…振動検出回路、４７…発振回路、４８…ピエゾ抵抗素子、４９…マルチプレクサ、５０…基板、５１…キャビティ
【図１】
2010112888.tif 000005
【図２】
2010112888.tif 000006
【図３】
2010112888.tif 000007
【図４】
2010112888.tif 000008
【図５】
2010112888.tif 000009
【図６】
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