(57)【要約】【課題】成膜中に塵や不純物ガスを発生しない部品を提供する。【解決手段】枠体１１の処理面１４をサンドブラスト処理してから、該処理面１４をリン酸を含む処理液でエッチングすると、サンドブラスト処理の際に、処理面１４に付着した付着物は、処理面１４に露出するチタンが処理液に溶解することで除去され、清浄な付着面１５が得られる。付着面１５はアンカー効果を発現する程表面粗さが大きいから、成膜中に薄膜２１が剥がれない。また、枠体１１が加熱されても、リン酸を放出しないから、不純物が発生しない。【選択図】図３
2010037590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付着面を有し、前記付着面が真空雰囲気中に露出する真空槽の構成部品の製造方法であって、
Ｔｉを主成分とするチタン材料が露出する処理面を有する構成部品の、前記処理面に微粒子を吹き付けた後、前記処理面にリン酸を含有する処理液を接触させ、前記処理面を前記付着面とする真空槽の構成部品の製造方法。
【請求項２】
付着面を有し、前記付着面が真空雰囲気中に露出する真空槽の構成部品の再生であって、
前記付着面にＴｉを主成分とするチタン材料が露出する前記構成部品を、基板と一緒に前記真空雰囲気に配置した状態で、成膜源から前記真空雰囲気中に成膜材料の粒子を放出させ、前記基板表面に薄膜を形成した後、
前記真空雰囲気から前記構成部品を取り出し、前記付着面に微粒子を吹き付けた後、前記付着面にリン酸を含有する処理液を接触させる真空槽の構成部品の再生方法。
【請求項３】
基板の周囲に配置され、
前記基板の成膜面と共に、真空雰囲気に露出される付着面を有する枠体の製造方法であって、
Ｔｉを主成分とするチタン材料が露出する処理面に微粒子を吹き付けた後、前記処理面にリン酸を含有する処理液を接触させ、前記処理面を前記付着面とする枠体の製造方法。
【請求項４】
基板の周囲に配置され、
前記基板の成膜面と共に、真空雰囲気に露出される付着面を有する枠体の再生方法であって、
前記付着面にＴｉを主成分とするチタン材料が露出する前記枠体を、前記真空雰囲気中で前記基板の周囲に配置した状態で、
成膜源から前記真空雰囲気中に成膜材料の粒子を放出させて、前記基板の成膜面に薄膜を形成し、
前記枠体から前記基板を取り外し、
前記付着面に微粒子を吹き付けた後、前記付着面にリン酸を含有する処理液を接触させる基板搬送トレイの再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は成膜装置に用いられる部品の製造方法及びその再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等の基板サイズの大型化に伴い、その生産に用いられる真空処理装置（成膜装置）も大型化している。
基板サイズの大型化に伴い、基板搬送用のトレイも大型化しており、該トレイの軽量化が求められている。
【０００３】
また、成膜装置内で行われる処理は室温だけでなく、数百℃の加熱を伴うことが多い。トレイは一般にステンレス等の金属材料で構成されるが、金属材料の殆どが１００℃以上で熱膨張するため、トレイの部品サイズが大きくなってしまう。
そこで、トレイの金属材料として、軽量で、かつ、熱膨張率の小さいＴｉ（チタン）が注目されている。
【０００４】
ところで、基板を成膜処理する場合、本来基板に付着すべき成膜材料がトレイ等、成膜装置の構成部品にも付着し、膜が形成される。
構成部品に付着した膜は一度剥がれ落ちると、パーティクル、ダストの原因となり、これらが基板に成長する薄膜に混入すると製品不良となる。
【０００５】
そのため、ある程度の枚数の基板を処理した後、構成部品に付着した膜を取り除くメンテナンスを行うが、生産効率の点からメンテナンスの周期は長い方がよい。
【０００６】
そこで、付着した膜を剥がれ落ち難くするために、構成部品の表面は予めブラスト処理がされている。ブラスト処理は、構成部品の表面にアルミナやガラスやＳｉＣ等のセラミック粒子を吹き付け、表面粗さを大きくする。表面粗さが大きいと、膜は構成部品の表面に食い込んだ状態になり、剥がれ落ち難くなる（アンカー効果）。
【０００７】
しかし、ブラスト処理を行うと、微粒子に付着した汚染物や、微粒子の破片が構成部品の表面に付着し、汚染される。特に、微粒子を循環させる循環式ブラスト処理を行うと、微粒子を清浄に維持できないので、汚染が甚だしい。
【０００８】
ブラスト処理後は表面が入り組んだ構造になるため、脱脂程度の洗浄では汚染が除去できない。表面が汚染された構成部品を成膜処理に用いると、構成部品からガスが発生し、成膜装置の内部が汚染されるという問題がある。
表面が入り組んだ構造の構成部品の洗浄には、構成部品表面を少量溶解し、構成部品の材料ごと汚染物質を除去する方法が有効である。
【０００９】
構成部品の材料がＴｉの場合、洗浄にはフッ酸、硫酸、硝酸等を含有する処理液が用いられる。しかし、該処理液が少量でも構成部品表面に残留すると、成膜装置の真空槽内に構成部品を配置して成膜処理を行う時に、構成部品から不純物ガスが放出される。例えば、処理液がフッ酸を含有する場合ＨＦ系ガスが、硫酸を含有する場合Ｓ系ガスが、硝酸を含有する場合、ＮＯ系ガスやアンモニアガスが発生する。
【００１０】
真空槽内部に不純物ガスが放出されると、真空計や、搬送トレイや、真空槽の内壁等、真空槽内部に露出する他の構成部品にも不純物ガスが吸着する。吸着した不純物ガスは、真空槽内部を真空排気しても除去され難い。不純物ガスが構成部品に吸着すると、部品が腐食するという問題が起こる。
【００１１】
構成部品の表面が平坦であれば、エッチング後に洗浄液等で洗浄することで、処理液を除去可能であるが、上述したように構成部品表面はブラスト処理で表面粗さが大きくなっているため、処理液を除去することは困難であった。
【特許文献１】特許３０２４０９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであって、その目的は、部品表面を汚染せずに、表面処理を行うことである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明は、付着面を有し、前記付着面が真空雰囲気中に露出する真空槽の構成部品の製造方法であって、Ｔｉを主成分とするチタン材料が露出する処理面を有する構成部品の、前記処理面に微粒子を吹き付けた後、前記処理面にリン酸を含有する処理液を接触させ、前記処理面を前記付着面とする真空槽の構成部品の製造方法である。
本発明は、付着面を有し、前記付着面が真空雰囲気中に露出する真空槽の構成部品の再生であって、前記付着面にＴｉを主成分とするチタン材料が露出する前記構成部品を、基板と一緒に前記真空雰囲気に配置した状態で、成膜源から前記真空雰囲気中に成膜材料の粒子を放出させ、前記基板表面に薄膜を形成した後、前記真空雰囲気から前記構成部品を取り出し、前記付着面に微粒子を吹き付けた後、前記付着面にリン酸を含有する処理液を接触させる真空槽の構成部品の再生方法である。
本発明は、基板の周囲に配置され、前記基板の成膜面と共に、真空雰囲気に露出される付着面を有する枠体の製造方法であって、Ｔｉを主成分とするチタン材料が露出する処理面に微粒子を吹き付けた後、前記処理面にリン酸を含有する処理液を接触させ、前記処理面を前記付着面とする枠体の製造方法である。
本発明は、基板の周囲に配置され、前記基板の成膜面と共に、真空雰囲気に露出される付着面を有する枠体の再生方法であって、前記付着面にＴｉを主成分とするチタン材料が露出する前記枠体を、前記真空雰囲気中で前記基板の周囲に配置した状態で、成膜源から前記真空雰囲気中に成膜材料の粒子を放出させて、前記基板の成膜面に薄膜を形成し、前記枠体から前記基板を取り外し、前記付着面に微粒子を吹き付けた後、前記付着面にリン酸を含有する処理液を接触させる基板搬送トレイの再生方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により製造された構成部品と基板搬送トレイは、付着面に凹凸が形成されているから、付着面に付着した成膜材料が剥がれ落ちず、真空雰囲気にパーティクルやダストが発生しない。付着面は、処理液で洗浄され、ブラスト処理で付着した汚染物質や微粒子が除去されている。構成部品や基板搬送トレイは、成膜中に加熱されても、不純物ガスが発生しないから、成膜装置の内部が汚染されない。使用後の構成部品や基板搬送トレイは、本発明の再生方法により、アンカー効果を回復可能であり、しかも、再生処理後の構成部品や基板搬送トレイからは汚染物質が除去されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
先ず、本発明の部品の製造方法を説明する。
図１の符号１１は処理対象物を示している。ここでは、処理対象物１１は、Ｔｉを主成分とするチタン材料が枠状に成形されて構成されている。従って、後述するように、成膜の際に成膜材料が付着する処理面１４には、チタン材料が露出する。
【００１６】
先ず、セラミック微粒子を処理対象物１１の処理面１４に吹きつけ、処理面１４に凹凸を形成する（ブラスト処理）。
この凹凸の程度は、後述するエッチング処理で凹凸が消滅せず、処理面１４の表面粗さが、アンカー効果が十分に得られる値よりも大きくなるようにしておく。
【００１７】
ブラスト処理後の処理面１４には微粒子がめり込んだり、微粒子の衝突の際に発生した微粒子の破片や、微粒子に付着していた付着物が、汚染物質として付着している。この汚染物質は、ブラスト処理後に水や有機溶剤で処理対象物１１を洗浄しても、全部は除去されずに残る。
【００１８】
特に、処理面１４に吹き付けた後の微粒子を回収し、回収した微粒子を再び処理面１４に吹き付ける循環式では、処理面１４に付着する汚染物質の量が多い。
ブラスト処理後の処理対象物１１を、リン酸を含有する処理液に浸漬し、ブラスト処理後の処理面１４に処理液を接触させる。
【００１９】
Ｔｉはリン酸に可溶であるから、処理面１４に露出するＴｉ材料の一部が処理液に溶解され、処理面１４にめり込んだ微粒子や、処理面１４に付着した汚染物質が取り除かれる。処理面１４から汚染物質が取り除かれると、チタン材料が露出し、表面が酸化されて酸化チタン（ＴｉＯ2、ＴｉＯ3）が生成される。
【００２０】
処理面１４がエッチングされると、凹凸が削られるが、上述したように、予めブラスト処理時に凹凸の程度が大きくされているから、凹凸は消滅しない。処理面１４の表面粗さが、アンカー効果が十分に得られる表面粗さよりも小さくなる前に、処理対象物１１を処理液から引き上げ、水等の洗浄液で洗浄して処理液を除去してエッチングを終了させる。
【００２１】
図３（ａ）は本発明により製造された枠体１１を示しており、同図の符号１５は、エッチング終了後の処理面１４で構成される付着面を示している。
上述したように、エッチングにより汚染物質や微粒子が除去されているから、付着面１５には、表面が酸化された清浄なチタン材料が露出している。
【００２２】
次に、この枠体１１を実際に使用する場合について説明する。
図２の符号１０は基板ホルダを示している。図２は基板ホルダ１０に基板７を保持させた状態を示しており、図３（ｂ）は図２のＡ−Ａ切断線断面図である。
基板ホルダ１０は上記枠体１１と、板状のトレイ１２とを有している。基板７は薄膜を形成すべき成膜面８をトレイ１２と反対側に向けた状態で、トレイ１２の表面に配置される。
【００２３】
枠体１１は内周が基板７外周と同じか、それよりも大きい相似形であって、基板７の外周を取り囲むようにトレイ１２表面に配置されている。ここでは、枠体１１の一部が枠の内側に伸ばされ、ひさし部材が形成されている。ひさし部材は基板７の縁部分を覆い、後述する成膜工程で、基板７の縁部分に薄膜が形成されないようになっている。成膜面８はひさし部材に覆われておらず、基板ホルダ７に保持された状態では、枠体１１の内側で露出している。
【００２４】
次に、基板７に薄膜を形成する工程について説明する。
図４の符号１は成膜装置を示しており、この成膜装置１は真空槽２と、真空槽２内部に配置された成膜源５と、真空槽２に接続された真空排気系９とを有している。
【００２５】
真空排気系９により真空槽２内部に真空雰囲気を形成する。
真空槽２内部の真空雰囲気を維持しながら、基板７を基板ホルダ１０に保持させた状態で真空槽２内部に搬入するか、基板７を真空槽２内部に搬入してから、該真空槽２内部で基板ホルダ１０に保持させる。
【００２６】
上述した付着面１５は、枠体１１のトレイ１２と反対側の面で構成され、付着面１５が成膜面８と同じ側に向けられている。付着面１５は基板７や他の部材で覆われておらず、成膜面８の外側で露出している。
真空槽２の内部にはスパッタ源、蒸着源等の成膜源５が配置されており、基板ホルダ１０に保持させた基板７の、成膜面８を成膜源５と対向させる。
【００２７】
真空槽２内部を真空排気しながら、必要であれば、反応ガス、スパッタガス、パージガス等のガスを真空槽２内部に供給し、真空槽２の内部に所定圧力の真空雰囲気を形成して、該真空雰囲気に成膜面８と付着面１５とを曝す。
膜質を良くするためには、真空雰囲気中で基板７を１００℃以上の成膜温度に加熱し、その温度を維持する。このとき、枠体１１も昇温する。
【００２８】
付着面１５には凹凸が形成されているから、上記処理液中のリン酸が残留している可能性がある。処理液は酸性であり、リン酸は酸性中で酸化チタンに結合するから、残留リン酸は付着面１５に結合している。従って、枠体１１が昇温しても、付着面１５からリン酸や、リン酸分解物のガスが放出されない。従って、真空槽２内に露出する部品は、不純ガスで汚染されない。
【００２９】
成膜源５は蒸着材料やターゲット等の成膜材料を有している。
枠体１１に保持された基板７の、成膜面８を成膜源５に向けた状態で、該基板７を成膜温度に維持し、真空槽２内部の真空雰囲気を維持しながら、蒸着材料の加熱や、ターゲットのスパッタリング等により、蒸着材料の蒸気やスパッタ粒子等の成膜材料の粒子を成膜源５から真空雰囲気中に放出させる。放出された成膜材料の粒子は成膜面８に付着し、成膜面８に薄膜２１が成長する（図３（ｃ））。
【００３０】
付着面１５は成膜面８と同じ側に向けられているから、薄膜２１が成長する時には、付着面１５にも薄膜２１が成長する。付着面１５の表面粗さは、薄膜２１が付着面１５の凹凸に食い込むアンカー効果により、薄膜２１が剥がれ落ちない程大きくなっている。
【００３１】
真空雰囲気中に、薄膜２１由来のパーティクル（粒子）やダスト（塵）が発生しないから、成膜面８に成長する薄膜２１に、パーティクルやダストが混入せず、膜質が良くなる。
【００３２】
成膜面８上の薄膜２１が所定膜厚に成長したら、成膜源５をシャッターで覆うか、ターゲットへの電圧印加を停止して、成膜材料の粒子の放出を停止させる。
成膜終了後の基板７は、基板ホルダ１０から取り外してから真空槽２外部に搬出するか、基板ホルダ１０に保持させた状態で真空槽２外部に搬出してから、基板ホルダ１０から取り外す。
【００３３】
新たな基板７を基板ホルダ１０に保持させ、上述した薄膜を成膜する工程と、成膜終了後の基板７を基板ホルダ１０から取り外す工程とを繰り返せば、複数枚の基板７に連続して薄膜２１を形成することができる。
多数枚の基板７の成膜を行うと、付着面１５に付着する薄膜２１の膜厚が大きくなる。
【００３４】
所定枚数の基板７の成膜が終了するか、付着面１５の薄膜２１が所定膜厚に達したら、成膜終了後の基板７を基板ホルダ１０から取り外し、枠体１１を基板７とトレイ１２の両方から分離する（図３（ｄ））、真空槽２の外部で再生処理を行う。
【００３５】
再生処理は、先ず、枠体１１を製造した時のブラスト処理と同様の工程で、付着面１５をブラスト処理する。このブラスト処理は、薄膜２１が除去されて付着面１５が露出し、更に、後述するエッチング処理で凹凸が消滅せず、該エッチング処理終了後にアンカー効果が再生するように、付着面１５の表面粗さを大きくする。
【００３６】
ブラスト処理後、枠体１１を製造した時のエッチング処理と同様の工程で付着面１５をエッチングし、付着面１５の表面粗さがアンカー効果が十分に得られる表面粗さよりも小さくなる前に、エッチングを終了して、アンカー効果を再生させる。
【００３７】
図３（ｅ）は再生処理後の枠体１１を示している。
再生処理後の枠体１１は付着面１５に薄膜２１が残留しておらず、アンカー効果が再生されているから、枠体１１を再度成膜に用いた時に、付着面１５に成長する薄膜２１は剥がれ落ちない。
【００３８】
また、再生処理後の付着面１５には酸化チタンが形成されているから、付着面１５にリン酸が残留しても、不純ガスが発生せず、成膜装置１の内部が腐食されない。
【実施例】
【００３９】
厚さ０．５ｍｍのＪＩＳ  ２種のチタン圧延板を、４５ｍｍ×４５ｍｍに切断したものを試料とした。
【００４０】
＜実施例１＞
微粒子としてＳｉＣ粒子を用い、吹き付け圧力０．３Ｐａで試料の表面をドライブラスト（乾式ブラスト）処理した。
ドライブラスト処理後の洗浄は、試料を水洗した後、有機溶剤（アセトン溶液）に浸漬して５分間超音波洗浄し、更に純水に浸漬して５分間超音波洗浄した。
【００４１】
濃度８５重量％のリン酸水溶液を処理液として用い、該処理液を８０℃に維持した状態で、洗浄後の試料を上記エッチング処理し、実施例１の試験片を得た。
ブラスト処理前の試料の膜厚から、エッチング処理終了後の試験片の膜厚を引いた値（研磨量）は３．８μｍであった。
【００４２】
＜比較例１＞
実施例１と同じ工程で、ブラスト処理と、洗浄処理を行い、エッチング処理を行わなかった試料を比較例１の試験片とした。
【００４３】
＜比較例２＞
実施例１と同じ工程で、洗浄処理を行い、ブラスト処理とエッチング処理を行わなかった試料を比較例２の試験片とした。
実施例１、比較例１、２の試験片を用いて、表面粗さを測定し、更に下記「ガス放出特性」試験を行った。
【００４４】
＜ガス放出特性＞
昇温脱離測定装置（アルバックテクニカルジャーナル  Ｎｏ．５８号、第３８頁参照）を用い、各試験片を５℃／秒の昇温速度で室温から４００℃まで加熱させ、加熱中のガス放出速度と、放出されるガスの種類を調べた。
【００４５】
実施例１、比較例２の試験片については、４００℃に到達した時の放出ガスのマススペクトルを測定した。実施例１の試験片については表面のオージェ電子分光の定性分析を行った。
【００４６】
実施例１、比較例１、２の単位面積当たりのガス放出速度（１０-3Ｐａ・ｍ3／秒／ｍ2）と温度（℃）との関係を図５に示す。実施例１と比較例２の放出ガスのマススペクトルを図６、７に示し、尚、図６、７の横軸は質量（マスナンバー）、同図の縦軸はイオン電流の値を示している。
【００４７】
室温から４００℃に昇温するまでの間に発生した単位面積当たりのガス放出量を下記表１に、表面粗さ（算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ）を下記表２に記載する。
【００４８】
【表１】
2010037590.tif 000003
【００４９】
【表２】
2010037590.tif 000004
【００５０】
図５と表１を見ると、実施例１は比較例２と同程度にガス放出量が少ない。また、図６、図７を見ると、実施例１の試験片の放出ガスは主に水素であり、水、ＣＯ、Ｎ2、ＣＯ2の放出量は、比較例２に比べて少ない。
【００５１】
このことから、本発明により処理された試験片は、表面粗さが大きいにも関わらず、残留する汚染物質が少ないことが分かる。しかも、図６には、リン酸又はリン酸に関連するガス種は認められず、実施例１の試験片からリン酸由来のガスが放出されないことが分かる。
【００５２】
また、図８（ａ）に実施例１の４００℃真空加熱前の、図８（ｂ）に実施例１の４００℃真空加熱後の、オージェ電子分光深さ方向プロファイルを示す。Ｐ（リン）は真空加熱後にも検出されており、Ｐは４００℃に加熱されても放出されず、試料片表面に留まることが確認された。
参考までに、実施例１の試験片表面のオージェ電子分光の定性分析結果を図９に示す。表面には、Ｔｉ、Ｏ、Ｐとコンタミ（汚染）のＣのみが検出された。
【００５３】
また、表２を見ると、実施例１は比較例１よりは表面粗さが小さいが、比較例２よりは表面粗さが大きく、エッチングにより表面粗さは小さくなるが、平滑にはならない。従って、本発明によれば、エッチング後もアンカー効果があることが分かる。
【００５４】
更に、実施例１、比較例１について走査型電子顕微鏡により、試験片表面の二次電子像と反射電子像を撮影した。図１０、１１に実施例１、比較例１のＳＥＭ写真を示す。尚、図１０、１１の上段は二次電子像であり、下段は反射電子像である。二次電子像は表面の形状を反映した像である。反射電子像は、電子線が照射された物質が軽いと暗く、重いと明るく見え、物質の原子番号の違いがコントラスト（色濃度の差異）に反映される像である。
【００５５】
図１０、１１の上段を見ると、実施例１、比較例１共に凹凸が形成されているのがわかるが、実施例１は比較例１よりも凹凸が丸みを帯びており、エッチングにより凹凸の一部が溶解されたことが分かる。
【００５６】
また、図１０の下段を見るとコントラストが殆ど無く、実施例１の試験片は表面に同一の物質（酸化チタン）が露出することが分かる。図１１の下段を見ると、所々黒い箇所がある。黒く、コントラストが違って見える箇所はブラストに用いたＳｉＣ粒子であり、比較例１は表面に食い込んだＳｉＣ粒子が除去されずに残っていることが分かる。
【００５７】
上記ドライブラストでは、メディア（ＳｉＣ粒子）を循環して使用しており、当然メディアが汚染されていることを考慮すると、食い込んだＳｉＣ粒子の表面や、ＳｉＣ粒子が衝突して、ＳｉＣが飛び散った試験片表面、また、食い込んだＳｉＣ粒子と試験片との隙間は洗浄し難く、ガス放出の原因となることが推測される。
【００５８】
以上は、ブラスト処理用の微粒子としてＳｉＣ粒子を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、アルミナ粒子と、ＳｉＣ粒子と、ガラス粒子とからなる群より選択されるいずれか１種類以上のセラミック粒子を含有するものを用いることができる。アルミナ粒子の一例を述べると、番手が＃１００である。
【００５９】
ブラスト処理の方法としては、例えば、微粒子が収容された微粒子タンクに圧縮気体（例えば圧縮空気）を導入し、微粒子タンクから、処理対象物（枠体、部品）が配置された処理室内に、圧縮気体と一緒に微粒子を噴出する直圧式がある。他の方法としては、微粒子タンク内部を吸引して、処理室よりも低圧力の減圧雰囲気を形成し、微粒子タンクから処理室に微粒子を吸い出す吸引式がある。直圧式と吸引式はいずれも処理対象物を水に接触させずに行う乾式ブラスト法である。
【００６０】
ブラスト処理は、更に、微粒子を溶媒（例えば水）に分散させた分散液を、処理対象物に吹き付ける湿式法で行うこともできる。
【００６１】
処理液はリン酸を含有するものであれば特に限定されない。一例を述べると、リン酸を純水に溶解させたリン酸水溶液である。本発明に用いる処理液のリン酸濃度は３０重量％以上８５重量％以下であり、エッチング時の処理液の温度は５０℃以上９０℃以下である。ブラスト処理による研磨量とエッチング処理による研磨量の合計は０．５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００６２】
成膜装置１は、真空雰囲気で薄膜を形成するものであれば、スパッタ装置、蒸着装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、イオンプレーティング装置等種々のものを用いることができる。
【００６３】
本発明により製造される物や、本発明により再生される物は枠体に限定されない。成膜装置１の真空槽２内に露出し、成膜の際に、基板７と同じ真空雰囲気に表面の少なくとも一部が曝される部品であれば、遮蔽板、シャッター、真空槽の内壁部材、蒸着容器等の種々の構成部品を、本発明により製造し、更に、製造した構成部品を成膜処理後に本発明により再生することができる。
【００６４】
枠体１１や構成部品の付着面１５は、成膜面８と同じ側に向く面（表面）に限定されず、成膜中に薄膜２１が成長する可能性があるのであれば、側面及び裏面、又は全表面を付着面１５とし、製造や再生の際に、ブラスト処理と、エッチング処理を行ってもよい。
【００６５】
尚、本発明の再生方法によれば、本発明以外の製造方法で製造された枠体や、構成部品の再生を行うことも可能である。逆に、本発明の製造方法で製造された枠体１１や構成部品を、本発明以外の再生方法で再生することもできる。
しかし、本発明により製造された枠体や部品を、本発明により再生すれば、再生前も再生後も、成膜工程で不純ガスやパーティクル等が発生することがない。
【００６６】
チタン材料は、Ｔｉを主成分とするのであれば特に限定されず、例えば、Ｔｉと、Ｔｉ合金のいずれか一方又は両方を含有する。尚、主成分とは、主成分とする材料を５０重量％以上含有することである。従って、本発明でチタン材料とはＴｉ原子を５０重量％以上含有するものである。
【００６７】
枠体１１や構成部品は、全部がチタン材料で構成されず、付着面１５だけがチタン材料で構成されてもよい。具体的には、チタン以外の材料を主成分とする芯体と、芯体表面に配置されたチタン材料とを有し、チタン材料が表面に露出するものを、枠体１１や構成部品としてもよい。
【００６８】
しかし、チタンは、他の金属に比べて熱膨張率が低く、しかも軽量であるから、枠体１１や構成部品の熱膨張率を低く抑え、しかも、軽量化を図るためには、枠体１１や構成部品全部をチタン材料で構成することが望ましい。
【００６９】
枠体１１の形状は特に限定されず、１又は複数の切れ込みを形成し、基板ホルダ１０に基板７を保持させたときに、基板７側面の一部が露出するようにしてもよい。
エッチング処理後の付着面１５の表面粗さは１μｍ以上３μｍ以下である。ブラスト処理後の処理面１４や付着面１５の表面粗さは、エッチング処理後の付着面１５の表面粗さよりも小さく、かつ、１μｍ以上３μｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】処理対象物の一例を示す断面図
【図２】基板を搬送トレイに保持させた状態を示す平面図
【図３】（ａ）〜（ｅ）：成膜工程と再生工程を説明するための断面図
【図４】成膜装置を説明するための断面図
【図５】ガス放出速度と温度との関係を示すグラフ
【図６】実施例１の試験片から放出されたガスのマススペクトル
【図７】比較例２の試験片から放出されたガスのマススペクトル
【図８】（ａ）、（ｂ）：４００℃真空加熱前と後の、実施例１の試験片のオージェ電子分光の深さ方向分析の結果を示すグラフ
【図９】実施例１の試験片表面のオージェ電子分光の定性分析の結果を示すグラフ
【図１０】実施例１の試験片表面の二次電子像と反射電子像
【図１１】比較例１の試験片表面の二次電子像と反射電子像
【符号の説明】
【００７１】
７……基板    １１……処理対象物（枠体）    １４……処理面    １５……付着面    ２１……薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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