(57)【要約】【課題】外部電極の一部が誘電体ブロックの主面上に位置している電子部品の製造方法であって、誘電体ブロックの主面上に位置している外部電極の部分を高精度に形成できる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】第２の主面側から照射した光を、第１の主面側に配置した検出器２４によって検出することにより第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された第１の主面上の部分に導電膜３３を形成することにより、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの第１の部分１３ａ、１４ａを形成する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高さ方向に配列された第１及び第２の主面と、幅方向に配列された第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する直方体状の誘電体ブロックと、前記第１の端面から前記誘電体ブロックの内部に延びている第１の内部電極と、前記第２の端面から前記誘電体ブロックの内部に延びており、前記第１の内部電極と対向している第２の内部電極と、前記第１の内部電極に接続されている第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続されている第２の外部電極とを備え、前記第１の外部電極は、前記第１の主面上に形成されている第１の部分と、前記第２の主面上に形成されている第２の部分と、前記第１の端面の上に形成されている第３の部分とを有し、前記第２の外部電極は、前記第１の主面上に形成されている第１の部分と、前記第２の主面上に形成されている第２の部分と、前記第２の端面の上に形成されている第３の部分とを有する電子部品の製造方法であって、
前記第１及び第２の内部電極を備える誘電体ブロックを用意する用意工程と、
前記誘電体ブロックに前記第１及び第２の外部電極を形成する形成工程とを備え、
前記形成工程において、前記誘電体ブロックに対して、前記第２の主面側から照射した光を、前記第１の主面側に配置した検出器によって検出することにより、前記誘電体ブロック内の前記第１及び第２の内部電極の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された前記第１の主面上の部分に導電膜を形成することにより、前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記形成工程において、前記誘電体ブロックに対して、前記第１の主面側から照射した光を、前記第２の主面側に配置した検出器によって検出することにより、前記誘電体ブロック内の前記第１及び第２の内部電極の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された前記第２の主面上の部分に導電膜を形成することにより、前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの第２の部分を形成する、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記用意工程において用意する前記誘電体ブロックは、複数組の前記第１及び第２の内部電極がマトリクス状に形成されているマザー基板であり、
前記形成工程は、前記導電膜を形成した後に、前記マザー基板を複数のチップに切断し、前記導電膜から前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分を形成する切断工程と、前記複数のチップのそれぞれに対して、前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第３の部分を形成する工程とを含む、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第１の部分は、前記誘電体ブロックの幅方向全域に形成されており、
前記導電膜を前記誘電体ブロックの幅方向に沿って帯状に形成する、請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記導電膜を、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、グラビア印刷法またはフォトリソグラフィー法により形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法により電子部品を製造するための製造装置であって、
前記誘電体ブロックに光を照射する光源と、
前記検出器と、
前記導電膜を形成するための形成機構とを備える、電子部品の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法及び製造装置に関し、詳細には、外部電極の一部が主面上に形成されている電子部品の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型化可能な電子部品として、例えば下記の特許文献１に記載されているようなチップ型積層セラミック電子部品が広く用いられるようになっている。チップ型積層セラミック電子部品は、一般的に、誘電体ブロックと、誘電体ブロックの端面に設けられている第１の外部電極及び第２の外部電極とを備えている。電子部品と基板との接続容易性の観点から、第１の外部電極と第２の外部電極とのそれぞれは、一般的に、誘電体ブロックの端面と両主面とにわたって形成されている。
【０００３】
なお、第１及び第２の外部電極の形成方法としては、例えば、下記の特許文献２に、誘電体ブロックの端面を導電性ペーストに浸漬した後に、引き上げ、乾燥させることにより第１及び第２の外部電極を形成する方法が記載されている。
【０００４】
また、このような誘電体ブロックは、多層基板に埋め込まれて使用されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９４８３９号公報
【特許文献２】特開平８−２３６３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層基板に埋め込まれて使用される場合、埋め込まれた電子部品上を、基板の一部を構成する樹脂カバー層で覆い、樹脂カバー層にビアホールを形成し、このビアホールを介して、誘電体ブロックの主面上に形成されている第１及び第２の外部電極の部分と、多層基板とを電気的に接続する。従って、ビアホールと、第誘電体ブロックの主面上に形成されている１及び第２の外部電極の部分とを高精度に位置合わせする必要があるため、誘電体ブロックの主面上に形成されている第１及び第２の外部電極の部分を高精度に形成する必要がある。
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載のように、誘電体ブロックの端部を導電性ペーストに浸漬することにより外部電極を形成する方法では、誘電体ブロックの主面上に位置する外部電極の部分は、導電性ペーストの端部に対する濡れあがりによって形成されるため、高精度に形成することが困難であった。
【０００８】
本発明の目的は、外部電極の一部が誘電体ブロックの主面上に位置している電子部品の製造方法であって、誘電体ブロックの主面上に位置している外部電極の部分を高精度に形成できる電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電子部品の製造方法は、高さ方向に配列された第１及び第２の主面と、幅方向に配列された第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する直方体状の誘電体ブロックと、第１の端面から誘電体ブロックの内部に延びている第１の内部電極と、第２の端面から誘電体ブロックの内部に延びており、第１の内部電極と対向している第２の内部電極と、第１の内部電極に接続されている第１の外部電極と、第２の内部電極に接続されている第２の外部電極とを備え、第１の外部電極は、第１の主面上に形成されている第１の部分と、第２の主面上に形成されている第２の部分と、第１の端面の上に形成されている第３の部分とを有し、第２の外部電極は、第１の主面上に形成されている第１の部分と、第２の主面上に形成されている第２の部分と、第２の端面の上に形成されている第３の部分とを有する電子部品の製造方法であって、第１及び第２の内部電極を備える誘電体ブロックを用意する用意工程と、誘電体ブロックに第１及び第２の外部電極を形成する形成工程とを備えている。本発明に係る電子部品の製造方法では、形成工程において、誘電体ブロックに対して、第２の主面側から照射した光を、第１の主面側に配置した検出器によって検出することにより、誘電体ブロック内の第１及び第２の内部電極の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された第１の主面上の部分に導電膜を形成することにより、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分を形成する。
【００１０】
本発明のある特定の局面では、形成工程において、誘電体ブロックに対して、第１の主面側から照射した光を、第２の主面側に配置した検出器によって検出することにより、誘電体ブロック内の第１及び第２の内部電極の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された第２の主面上の部分に導電膜を形成することにより、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第２の部分を形成する。この構成によれば、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第２の部分も高精度に形成することができる。
【００１１】
本発明の他の特定の局面では、用意工程において用意する誘電体ブロックは、複数組の第１及び第２の内部電極がマトリクス状に形成されているマザー基板であり、形成工程は、導電膜を形成した後に、マザー基板を複数のチップに切断し、導電膜から第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分を形成する切断工程と、複数のチップのそれぞれに対して、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第３の部分を形成する工程とを含む。この構成によれば、複数の電子部品を平行して製造することができる。従って、複数の電子部品を少ない工程で、短期間に製造することができる。
【００１２】
本発明の別の特定の局面では、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分は、誘電体ブロックの幅方向全域に形成されており、導電膜を誘電体ブロックの幅方向に沿って帯状に形成する。この構成では、第１及び第２の導電膜の形成に際して、内部電極に対する幅方向における形成位置を考慮する必要がない。従って、形成位置の位置決めが容易である。
【００１３】
本発明のさらに他の特定の局面では、導電膜を、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、グラビア印刷法またはフォトリソグラフィー法により形成する。導電膜の形成にインクジェット印刷法を用いた場合、マスクを要さず、高精度に導電膜を形成することができる。また、インクジェット印刷法は、形成面に凹凸がある場合でも適用することができる。また、導電膜の形成にグラビア印刷法を用いた場合、導電膜を高速に形成することができる。また、導電膜の形成にフォトリソグラフィー法を用いた場合、導電膜を高精度に形成することができる。
【００１４】
本発明に係る電子部品の製造装置は、上記本発明に係る電子部品の製造方法により電子部品を製造するための製造装置に関する。本発明に係る電子部品の製造装置は、誘電体ブロックに光を照射する光源と、検出器と、導電膜を形成するための形成機構とを備えている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、光学的に検出した内部電極の位置に基づいて決定した位置に導電膜を形成するため、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分を高精度に形成することができる。従って、正確な位置に第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分が形成されている電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態において製造される電子部品の模式的斜視図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ矢視図である。
【図３】実施形態に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【図４】マザー基板の平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ矢視図である。
【図６】第１の導電膜が形成されたマザー基板の平面図である。
【図７】第２の導電膜が形成されたマザー基板の平面図である。
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ矢視図である。
【図９】チップの模式的斜視図である。
【図１０】電子部品の製造方法を表すフローチャートである。
【図１１】第１及び第２の導電膜の形成位置がずれた場合の電子部品の側面図である。
【図１２】第１の変形例に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【図１３】第２の変形例に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【図１４】第３の変形例に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【図１５】第４の変形例に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【図１６】第５の変形例に係る電子部品の製造装置の模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】
図１は、本実施形態において製造する電子部品の模式的斜視図であり、図２は、電子部品の長さ方向に沿って切断した際の模式的断面図である。まず、図１及び図２を参照しつつ、本実施形態に係る電子部品の製造装置によって製造される電子部品について詳細に説明する。
【００１９】
図１に示す電子部品１は、光透過性を有するセラミック誘電体ブロック１０を備えるセラミック電子部品である。電子部品１は、例えば、セラミックコンデンサ、セラミック圧電素子、セラミックサーミスタ、セラミックインダクタなどであってもよい。
【００２０】
セラミック誘電体ブロック１０を構成するセラミック材料は、特に限定されず、得ようとする電気的特性に応じて適宜選択することができる。
【００２１】
例えば、電子部品１がセラミックコンデンサである場合は、誘電体ブロック１０は、誘電体セラミックを主成分とする材料により形成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。
【００２２】
また、例えば、電子部品１がセラミック圧電素子である場合には、セラミック誘電体ブロック１０は、例えば、圧電セラミックを主成分とする材料により形成することができる。圧電セラミックの具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックなどが挙げられる。
【００２３】
例えば、電子部品１がサーミスタ素子である場合には、セラミック誘電体ブロック１０は、例えば、半導体セラミックにより形成することができる。半導体セラミックの具体例としては、例えば、スピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２４】
例えば、電子部品１がインダクタ素子である場合には、セラミック誘電体ブロック１０は、磁性体セラミックにより形成することができる。磁性体セラミックの具体例としては、例えば、フェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２５】
図１に示すように、セラミック誘電体ブロック１０は、直方体状に形成されている。セラミック誘電体ブロック１０は、高さ方向Ｈに配列された第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、幅方向Ｗに配列された第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、長さ方向Ｌに配列された第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。
【００２６】
図１及び図２に示すように、セラミック誘電体ブロック１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが形成されている。複数の第１の内部電極１１のそれぞれは、第１の端面１０ｅからセラミック誘電体ブロック１０の内部を長さ方向Ｌに沿って第２の端面１０ｆ側に延びている。複数の第２の内部電極１２のそれぞれは、第２の端面１０ｆからセラミック誘電体ブロック１０の内部を長さ方向Ｌに沿って第１の端面１０ｅ側に延びている。高さ方向Ｈにおいて、複数の第１の内部電極１１と複数の第２の内部電極１２とは、交互に間隔をおいて配置されている。すなわち、隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、誘電体層１０ｇを介して対向している。
【００２７】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、遮光性を有している。具体的には、第１及び第２の内部電極１１，１２は、遮光性を有する、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの金属や合金により形成されている。第１及び第２の内部電極１１，１２の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．５μｍ〜５．０μｍ程度とすることができる。
【００２８】
なお、第１及び第２の内部電極１１，１２の遮光性と、誘電体ブロック１０の光透過性とは、相対的な定義である。すなわち、第１及び第２の内部電極１１，１２が遮光性を有し、誘電体ブロック１０が光透過性を有するとは、第１及び第２の内部電極１１，１２は、誘電体ブロック１０よりも光透過率が低く、誘電体ブロック１０の一方から光を照射したときに、誘電体ブロック１０の他方側から、第１及び第２の内部電極１１，１２が暗い部分として視認可能であることをいう。よって、第１及び第２の内部電極１１，１２の光透過率はゼロ％でなくてもよいし、誘電体ブロック１０の光透過率は１００％でなくてもよい。
【００２９】
なお、誘電体ブロック１０は、光を実質的に透過しないセラミック材料により形成されていてもよい。その場合であっても、誘電体粒子間の隙間を通って光が透過する。
【００３０】
第１の内部電極１１には、第１の外部電極１３が接続されている。第１の外部電極１３は、第１の主面１０ａの第１の端面１０ｅ側の部分の上に形成されている第１の部分１３ａと、第２の主面１０ｂの第１の端面１０ｅ側の部分の上に形成されている第２の部分１３ｂと、第１の端面１０ｅの上に形成されており、第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂに接続されている第３の部分１３ｃとを備えている。第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂは、誘電体ブロック１０の幅方向Ｗの全域に形成されている。
【００３１】
一方、第２の内部電極１２には、第２の外部電極１４が接続されている。第２の外部電極１４は、第１の主面１０ａの第２の端面１０ｆ側の部分の上に形成されている第１の部分１４ａと、第２の主面１０ｂの第２の端面１０ｆ側の部分の上に形成されている第２の部分１４ｂと、第２の端面１０ｆの上に形成されており、第１及び第２の部分１４ａ、１４ｂに接続されている第３の部分１４ｃとを備えている。第１及び第２の部分１４ａ、１４ｂは、誘電体ブロック１０の幅方向Ｗの全域に形成されている。
【００３２】
第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４は、遮光性を有していてもよいし、光透過性を有していてもよい。第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４の形成材料は、特に限定されない。第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの金属や合金により形成することができる。
【００３３】
第１及び第２の外部電極１３，１４の厚さは、特に限定されず、例えば、５μｍ〜２０μｍ程度とすることができる。第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂの厚さと、第３の部分１３ｃ、１４ｃの厚さとは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３４】
次に、図３〜図１０を主として参照しつつ、本実施形態における電子部品の製造装置２０及び製造方法について詳細に説明する。
【００３５】
図３に示すように、製造装置２０は、光透過性テーブル２１を備えている。光透過性テーブル２１は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板などにより構成することができる。
【００３６】
光透過性テーブル２１の背面側には、光透過性テーブル２１側に光２２を出射する光源２３が配置されている。光源２３の種類は特に限定されない。光源２３は、例えば、蛍光灯やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子を有するものであってもよい。光源２３から出射される光の波長も特に限定されず、後述するカメラ２４で検出可能な波長であればよい。
【００３７】
光透過性テーブル２１の上方には、検出器としてのカメラ２４が配置されている。本実施形態では、カメラ２４が複数設けられている。より具体的には、本実施形態では、４つのカメラ２４が光透過性テーブル２１の四隅に配置されている。カメラ２４は、光源２３から出射された光を検出できるように、光透過性テーブル２１を介して光源２３と対向して配置されている。なお、本発明において、検出器は、カメラに限定されず、例えば受光素子などであってもよい。また、検出器をひとつのみ配置してもよい。
【００３８】
また、光透過性テーブル２１の上には、導電膜を形成するための形成機構として、本実施形態では、スクリーン印刷を行うためのスクリーン印刷機構２５が配置されている。スクリーン印刷機構２５は、スクリーン板２５ａと、スキージ２５ｂとを備えている。
【００３９】
次に、主として図１０を参照しながら、本実施形態における電子部品１の製造方法について詳細に説明する。
【００４０】
まず、ステップＳ１において、図４及び図５に示す、未焼成のマザー基板３０を用意する。そして、用意したマザー基板３０を、マザー基板３０の第２の主面３０ｃが光透過性テーブル２１側となるように、光透過性テーブル２１の上に吸引などにより固定する。
【００４１】
マザー基板３０は、複数の電子部品１を作製するためのものである。すなわち、マザー基板３０は、図５に示すように、誘電体ブロック３１と、誘電体ブロック３１内にマトリクス状に形成されている複数組の第１及び第２の内部電極１１，１２とを備えている。後述する工程において、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１４ａ、１３ｂ、１４ｂを形成した後に、マザー基板３０を切断線３０ａに沿って分割することにより、電子部品１の構成要素となるチップが複数形成される。
【００４２】
なお、本実施形態では、切断線３０ａの位置は、誘電体層１０ｇ上に内部電極１１または１２を形成する工程において形成されたカットマークを目印として決定され、詳細には、マザー基板の端部を一部切断して露出させたカットマークを目印として決定される。なお、主面上に形成される第１の部分１３ａ、１４ａ及び第２の部分１３ｂ、１４ｂの一方を、予め導電層を形成しておいた誘電体層１０ｇを最下層または最上層に配置することにより形成してもよい。
【００４３】
次に、図１０に示すように、ステップＳ２において、第１及び第２の内部電極１１，１２の位置検出を行う（第１の位置検出工程）。具体的には、図３に示す光源２３をオンし、光源２３からの光をマザー基板３０の第２の主面３０ｃに照射する。ここで、光源２３から出射される光は、第１及び第２の内部電極１１，１２が透かして見える程度の光量を有することが好ましく、例えば、１００００ルクス以上の光であることが好ましい。そして、マザー基板３０の第１の主面３０ｂ側に配置されているカメラ２４によってマザー基板３０を透過した光を検出する。これにより、第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出する。
【００４４】
なお、本実施形態では、マザー基板３０の四隅に位置する第１及び第２の内部電極１１，１２の位置のみを検出する例について説明する。但し、本発明はこれに限定されない。例えば、一点のみにおいて第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出してもよいし、全ての第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出するようにしてもよい。もっとも、本実施形態のように、２点以上において第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出することが好ましい。そうすることにより、マザー基板３０の傾きも正確に検出することができる。
【００４５】
次に、ステップＳ３において、第１の導電膜３３の印刷を行う（第１の形成工程）。この第１の導電膜３３は、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１の部分１３ａ、１４ａとなる部分である。具体的には、第１の位置検出工程であるステップＳ２において検出された第１及び第２の内部電極１１，１２の位置に基づいて、マザー基板３０の第１の主面３０ｂのうちの第１の導電膜３３を形成すべき部分を決定する。そして、その決定された部分に、スクリーン印刷機構２５を用いて、スクリーン印刷法により第１の導電膜３３を形成する。
【００４６】
ここで、本実施形態では、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１の部分１３ａ、１４ａは、誘電体ブロック１０の幅方向Ｗの全域にわたって形成される。このため、図６に示すように、複数の第１の導電膜３３を、マザー基板３０の幅方向Ｗに沿ってストライプ状に形成すればよい。従って、第１の導電膜３３を形成する部分の位置決めは、長さ方向Ｌについてのみ行えばよく、幅方向Ｗについては必ずしも行わなくてもよい。従って、位置決めに要する時間が少なくて済み、電子部品１の製造が容易となる。
【００４７】
次に、図１０に示すように、ステップＳ４において、第１の導電膜３３を形成したマザー基板３０を光透過性テーブル２１から取り外し、裏返した後に、再度光透過性テーブル２１に固定する。これにより、マザー基板３０の第２の主面３０ｃが露出し、第１の主面３０ｂ側が光透過性テーブル２１に固定された状態となる。
【００４８】
次に、ステップＳ５において、第１及び第２の内部電極１１，１２の位置検出を行う（第２の位置検出工程）。この工程は、上述のステップＳ２と実質的に同様の手順で行われる。すなわち、図３に示す光源２３をオンし、光源２３からの光をマザー基板３０の第１の主面３０ｂに照射する。そして、マザー基板３０の第２の主面３０ｃ側に配置されているカメラ２４によってマザー基板３０を透過した光を検出する。これにより、第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出する。
【００４９】
次に、図１０に示すステップＳ６において、上述のステップＳ３と実質的に同様の手順により、図７に示す第２の導電膜３４の印刷を行う（第２の形成工程）。この第２の導電膜３４は、第１及び第２の外部電極１３，１４の第２の部分１３ｂ、１４ｂとなる部分である。具体的には、第２の位置検出工程であるステップＳ５において検出された第１及び第２の内部電極１１，１２の位置に基づいて、マザー基板３０の第２の主面３０ｃのうちの第２の導電膜３４を形成すべき部分を決定する。そして、その決定された部分に、スクリーン印刷機構２５を用いて、スクリーン印刷法により第２の導電膜３４を形成する。
【００５０】
ここで、本実施形態では、第１及び第２の外部電極１３，１４の第２の部分１３ｂ、１４ｂは、誘電体ブロック１０の幅方向Ｗの全域にわたって形成される。このため、図７に示すように、複数の第２の導電膜３４を、マザー基板３０の幅方向Ｗに沿ってストライプ状に形成すればよい。従って、第２の導電膜３４を形成する部分の位置決めは、長さ方向Ｌについてのみ行えばよく、幅方向Ｗについては必ずしも行わなくてもよい。従って、位置決めに要する時間が少なくて済み、電子部品１の製造が容易となる。
【００５１】
図８に第１及び第２の導電膜３３，３４が形成されたマザー基板３０の略図的断面図を示す。図８に示すように、ステップＳ６が終了した時点では、第１及び第２の導電膜３３，３４は、第１，２の主面３０ｂ、３０ｃから突出している。このため、次に、図１０に示すステップＳ７において、マザー基板３０を高さ方向Ｈにプレスすする（プレス工程）。これにより、第１及び第２の導電膜３３，３４をマザー基板３０に埋設させ、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１４ａ、１３ｂ、１４ｂを形成する。
【００５２】
次に、図１０に示すように、ステップＳ８において、図８等に示す切断線３０ａに沿ってマザー基板３０を切断することにより図９に示す複数のチップ４０を形成する（切断工程）。
【００５３】
続いて、ステップＳ９において、チップ４０に第１及び第２の外部電極１３，１４の第３の部分１３ｃ、１４ｃを形成する（第３の部分形成工程）。第３の部分１３ｃ、１４ｃの形成方法は特に限定されず、公知の形成することができる。第３の部分１３ｃ、１４ｃは、例えば、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆに導電性ペーストを塗布することにより形成することができる。
【００５４】
最後に、図１０に示すステップＳ１０において、第３の部分１３ｃ、１４ｃを形成したチップ４０を焼成することにより、図１に示す電子部品１を完成させる。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態では、第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を光学的に検出し、その検出結果に基づいて、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの第１の部分１３ａ、１４ａを形成する。このため、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの第１の部分１３ａ、１４ａを正確な位置に形成することができる。また、浸漬方式に比べ、印刷方式で外部電極を形成する場合、外部電極の厚みを薄くすることが可能になり、より小型な電子部品を完成させることができる。
【００５６】
また、例えば、本実施形態とは異なり、ステップＳ２及びステップＳ５の位置検出を行わない場合、第１及び第２の導電膜の形成位置がずれる場合がある。この状態でマザー基板をプレスすると、大きな圧力が加わる部分と、十分な大きさの圧力が加わらない部分とが生じる。例えば、図１１に示すような場合では、導電膜が高さ方向（すなわち、プレス方向）に重なっている部分Ａと、導電膜が高さ方向に重なっていない部分Ｂとが生じる。この場合、部分Ａに圧力が集中する。従って、部分Ａには過剰な圧力が加わる。一方、部分Ｂには過小な圧力しか加わらない。従って、部分Ａ及び部分Ｂの両方において構造欠陥が生じる場合がある。その結果、電子部品の良品率が低下する場合がある。
【００５７】
それに対して本実施形態では、上述のように、第１及び第２の導電膜３３，３４は、第１及び第２の内部電極１１，１２に対して正確な位置に形成される。このため、導電膜が高さ方向Ｈに重なっている部分と、導電膜が高さ方向に重なっていない部分とが生じることを効果的に抑制することができる。よって、過剰な圧力が加わる部分や、過小な圧力しか加わらない部分が生じることを抑制することができる。従って、構造欠陥の発生を抑制できる。その結果、高い良品率で電子部品を製造することができる。
【００５８】
（変形例）
以下、上記実施形態の変形例について説明する。下記の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５９】
上記実施形態では、製造装置２０にスクリーン印刷機構２５を設け、スクリーン印刷法により第１及び第２の導電膜３３，３４を形成する場合について説明した。但し、第１及び第２の導電膜３３，３４の形成方法は、スクリーン印刷法に限定されない。
【００６０】
例えば、第１及び第２の導電膜３３，３４をインクジェット印刷法により形成してもよい。インクジェット印刷法であれば、マスクを要さず、高精度に導電膜を印刷することができる。また、マザー基板３０の表面に凹凸がある場合でも高精度に印刷することができる。インクジェット印刷法を利用する場合は、図１２に示すように、製造装置２０にインクジェットノズル５０ａを有するインクジェット印刷機構５０を設けてもよい。
【００６１】
また、第１及び第２の導電膜３３，３４をグラビア印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法などにより形成してもよい。この場合、大きなマザー基板３０に高精度に印刷することが可能となる。凸版印刷法または凹版印刷法を利用する場合は、図１３及び図１４に示すように、製造装置２０に凸版印刷法または凹版印刷法を行うための印刷機構５１または５２を設けてもよい。印刷機構５１は、凹版または凸版ロールで直接印刷する所謂直接方式の印刷を行う機構である。印刷機構５２は、ブランケットを介して間接的に印刷する所謂嵌設方式の印刷を行う機構である。
【００６２】
また、第１及び第２の導電膜３３，３４を電子写真法により形成してもよい。その場合は、図１５に示すように、製造装置２０に、電子写真法を実施するための電子写真印刷機構５３を設けることが好ましい。
【００６３】
また、第１及び第２の導電膜３３，３４をフォトリソグラフィー法により形成してもよい。その場合は、図１６に示すように、製造装置２０に、フォトリソグラフィー法を実施するためのフォトリソグラフィー機構５４を設けることが好ましい。
【符号の説明】
【００６４】
１…電子部品
１０…セラミック誘電体ブロック
１０ａ…セラミック誘電体ブロックの第１の主面
１０ｂ…セラミック誘電体ブロックの第２の主面
１０ｃ…セラミック誘電体ブロックの第１の側面
１０ｄ…セラミック誘電体ブロックの第２の側面
１０ｅ…セラミック誘電体ブロックの第１の端面
１０ｆ…セラミック誘電体ブロックの第２の端面
１０ｇ…誘電体層
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１３ａ…第１の外部電極の第１の部分
１３ｂ…第１の外部電極の第２の部分
１３ｃ…第１の外部電極の第３の部分
１４…第２の外部電極
１４ａ…第２の外部電極の第１の部分
１４ｂ…第２の外部電極の第２の部分
１４ｃ…第２の外部電極の第３の部分
２０…製造装置
２１…光透過性テーブル
２２…光
２３…光源
２４…カメラ
２５…スクリーン印刷機構
２５ａ…スクリーン板
２５ｂ…スキージ
３０…マザー基板
３０ａ…切断線
３０ｂ…マザー基板の第１の主面
３０ｃ…マザー基板の第２の主面
３１…誘電体ブロック
３３…第１の導電膜
３４…第２の導電膜
４０…チップ
５０…インクジェット印刷機構
５０ａ…インクジェットノズル
５１，５２…印刷機構
５３…電子写真印刷機構
５４…フォトリソグラフィー機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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