(57)【要約】【課題】１枚ごとに半導体ウェーハの各種製造情報を簡単に取得可能なウェーハ製造履歴追跡方法を提供する。【解決手段】記憶媒体に記憶された結晶番号、結晶ブロックに付与されたブロックＩＤおよび１枚毎の半導体ウェーハに付与されたウェーハＩＤに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ１枚毎に簡単に追跡することができる。これにより、各半導体ウェーハの固有の各種製造情報を取得することができる。【選択図】図１
2010283227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶から結晶ブロックを得るブロック切断を含む結晶加工と、前記結晶ブロックから多数枚の半導体ウェーハを得るスライスを含むウェーハ加工とを、順次、前記半導体結晶に施して製造された半導体ウェーハの製造履歴を追跡するウェーハ製造履歴追跡方法において、
前記半導体結晶に付与された結晶番号を記憶媒体に記憶させ、
前記結晶ブロックに付与され、かつ該結晶ブロックの基となる前記半導体結晶に付与された結晶番号から取得される前記半導体結晶の情報と、前記半導体結晶の作製後から該半導体結晶に前記ブロック切断を含む結晶加工を施して前記結晶ブロックが得られるまでの各結晶加工処理情報とが含まれたブロックＩＤを前記記憶媒体に記憶させ、
１枚毎に前記半導体ウェーハに付与され、かつ該各半導体ウェーハに対してその基となる前記結晶ブロックに付与されたブロックＩＤから取得される前記結晶ブロックの情報と、該結晶ブロックの作製後から該結晶ブロックに前記スライスを含むウェーハ加工を施して前記各半導体ウェーハが得られるまでの各ウェーハ加工処理情報とが含まれたウェーハＩＤを前記記憶媒体に記憶させ、
前記記憶媒体に記憶された前記結晶番号、前記ブロックＩＤおよび前記ウェーハＩＤに基づき、前記１枚毎の半導体ウェーハの製造履歴を追跡するウェーハ製造履歴追跡方法。
【請求項２】
前記各半導体ウェーハに、固有の前記ウェーハＩＤをレーザマーキングする請求項１に記載のウェーハ製造履歴追跡方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はウェーハ製造履歴追跡方法、詳しくは半導体ウェーハに対して、１枚単位での各製造工程の履歴を追跡可能なウェーハ製造履歴追跡方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＵＬＳＩなどの超高集積デバイスの形成基板であるシリコンウェーハは、チョクラルスキー（ＣＺ）法によって引き上げられた単結晶シリコンインゴットに対して、ウェーハ加工を施すことで作製される。具体的には、単結晶シリコンインゴットをブロック切断し、その後、シリコンブロックに研削砥石による外周研削、ワイヤソーによるスライスを順に行い、多数枚のシリコンウェーハを得る。次に、各シリコンウェーハに対して面取り、ラッピング、エッチング、研磨を順次施し、デバイス形成用の製品ウェーハを製造する。
【０００３】
従来、単結晶シリコンインゴットを出発材料とした各ウェーハ加工でのシリコンウェーハの管理方法は、一般的に数１０枚〜数１００枚のシリコンウェーハを一纏めとしたロット単位で行われていた（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３５８１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に基づくシリコンウェーハの管理方法は、このようにロット単位でウェーハを管理する技術であった。そのため、特定のシリコンウェーハが、単結晶シリコンインゴットのどの位置からスライスされ、その後、何れのウェーハ加工装置（熱処理装置など）を使用し、どのような条件（熱処理条件など）で加工されたかというウェーハ単位の情報を取得できなかった。
そのため、例えばシリコンウェーハの品質改善や欠陥原因の追跡などを行う場合には、ロット単位での情報のみに頼るため、高精度で最適な品質改善を行うことができなかった。
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、ウェーハをＩＤにより枚葉管理すれば、特定のウェーハが何れのインゴットの何番目にスライスされたものか、その後、どのような加工が施されたものかを追跡することができることを知見し、この発明を完成させた。
【０００６】
この発明は、１枚ごとに半導体ウェーハの各種製造情報を取得することができ、しかも半導体ウェーハの１枚単位での製造履歴の追跡を簡易に行うことができるウェーハ製造履歴追跡方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、半導体結晶から結晶ブロックを得るブロック切断を含む結晶加工と、前記結晶ブロックから多数枚の半導体ウェーハを得るスライスを含むウェーハ加工とを、順次、前記半導体結晶に施して製造された半導体ウェーハの製造履歴を追跡するウェーハ製造履歴追跡方法において、前記半導体結晶に付与された結晶番号を記憶媒体に記憶させ、前記結晶ブロックに付与され、かつ該結晶ブロックの基となる前記半導体結晶に付与された結晶番号から取得される前記半導体結晶の情報と、前記半導体結晶の作製後から該半導体結晶に前記ブロック切断を含む結晶加工を施して前記結晶ブロックが得られるまでの各結晶加工処理情報とが含まれたブロックＩＤを前記記憶媒体に記憶させ、１枚毎に前記半導体ウェーハに付与され、かつ該各半導体ウェーハに対してその基となる前記結晶ブロックに付与されたブロックＩＤから取得される前記結晶ブロックの情報と、該結晶ブロックの作製後から該結晶ブロックに前記スライスを含むウェーハ加工を施して前記各半導体ウェーハが得られるまでの各ウェーハ加工処理情報とが含まれたウェーハＩＤを前記記憶媒体に記憶させ、前記記憶媒体に記憶された前記結晶番号、前記ブロックＩＤおよび前記ウェーハＩＤに基づき、前記１枚毎の半導体ウェーハの製造履歴を追跡するウェーハ製造履歴追跡方法である。
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、あらかじめ、記憶媒体に対して、半導体結晶に付与された結晶番号と、結晶ブロックに付与されたブロックＩＤと、各半導体ウェーハに付与されたウェーハＩＤとを記憶させる。
ブロックＩＤには、結晶ブロックの基となる半導体結晶に付与された結晶番号から取得される半導体結晶の情報と、半導体結晶の作製後から半導体結晶にブロック切断を含む結晶加工を施して結晶ブロックが得られるまでの各結晶加工処理情報とが含まれている。
また、ウェーハＩＤには、各半導体ウェーハに対してその基となる結晶ブロックに付与されたブロックＩＤから取得される結晶ブロックの情報と、結晶ブロックの作製後から結晶ブロックにスライスを含むウェーハ加工を施して各半導体ウェーハが得られるまでの各ウェーハ加工処理情報とが含まれている。
その後、記憶媒体に記憶された結晶番号、ブロックＩＤおよびウェーハＩＤに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ１枚毎に追跡する。これにより、各半導体ウェーハの固有の各種製造情報を取得することができ、しかも半導体ウェーハの１枚単位での製造履歴の追跡を簡易に行うことができる。
換言すると、この発明は、半導体結晶（ＣＺシリコン単結晶など）を切断して複数の結晶ブロックとし、各結晶ブロックをスライスして多数枚の半導体ウェーハを得るとともに、各半導体ウェーハについて複数種の加工・処理（面取り、研削、研磨、熱処理、洗浄、カセット収納、搬送などの全ての処理）を施すことにより出荷用半導体ウェーハ（片面鏡面ウェーハなど）を得る半導体ウェーハの製造プロセスにあって、上記半導体結晶毎に付与された結晶ＩＤ（結晶番号）を記憶媒体（電子的または電磁的記憶媒体）に格納し、上記結晶ブロック毎に付与されたブロックＩＤをその結晶ＩＤと関連付けて上記記憶媒体に格納し（ブロックＩＤには結晶番号を含ませるなど）、上記全ての半導体ウェーハについて各半導体ウェーハ毎に付与されたウェーハＩＤをそのブロックＩＤと関連付けて上記記憶媒体に格納し（ウェーハＩＤにブロックＩＤを含ませるなど）、上記各半導体ウェーハの複数種の加工・処理毎に対応して付与された加工処理情報をそのウェーハＩＤと関連付けて上記記憶媒体に格納した（全てのウェーハについての処理を格納すること、例えば検査での不良品として次工程に搬送されなかったウェーハについてもそれまでの加工処理情報を記憶する）後、上記ウェーハＩＤに基づいて検索することにより、当該出荷用半導体ウェーハの製造履歴を追跡可能としたウェーハ製造履歴追跡方法である。よって、ウェーハＩＤに基づいて記憶媒体をサーチすることで当該半導体ウェーハの加工処理情報および当該半導体結晶での位置情報（ＣＺシリコン単結晶棒のどの位置のウェーハか等の位置情報）を取得することができる。
【０００９】
半導体結晶としては、例えばチョクラルスキー法（ＣＺ法）または浮遊帯域溶解（ＦＺ；Ｆｌｏａｔｉｎｇ−Ｚｏｎｅ）法により育成された単結晶シリコンインゴットを採用することができる。その他、キャスト法などで製造された多結晶シリコンインゴットでもよい。
結晶加工では、半導体結晶を所定長さの結晶ブロックに切断するブロック切断の他にも、例えば、結晶ブロックの外周面に研削を押圧して結晶ブロックの外径を均一化する外周研削が行われる。半導体結晶から切断される結晶ブロックの数は１つでも２つ以上でもよい。
【００１０】
ウェーハ加工では、スライスの他にも、半導体ウェーハの外周部の面取り、半導体ウェーハの表裏面の平行度を高めるラッピング、半導体ウェーハの加工ダメージを除去するエッチング、半導体ウェーハの表面を鏡面化する研磨などが行われる。
結晶ブロックのスライス方式としては、例えば遊離砥粒をラッピングオイルに混合したスラリ状の砥液を結晶ブロックにかけながら、高速走行するワイヤ列に結晶ブロックを押し付けて研削作用によりこれを切断するワイヤソー方式などを採用することができる。
「半導体ウェーハの製造履歴を追跡する」とは、半導体ウェーハが特定の半導体結晶から結晶加工、ウェーハ加工を順次経て製品ウェーハとして製造されるまでの経路を遡ることをいう。
【００１１】
ここでいう製造履歴として記憶されるものとしては、例えば、原料情報、結晶ブロックや半導体ウェーハの加工履歴、品質情報、加工に要した資材情報などが挙げられる。具体的には、中間製品（半導体結晶、結晶ブロックなど）を含む製品（半導体ウェーハ）の品種や作製順位、製品取り扱い容器の品種や容器番号、加工装置の品種、装置番号など、各加工装置での処理条件などが挙げられる。
【００１２】
ＩＤとして使用される識別標識（識別子）としては、例えば数字、文字、記号、これらの組み合わせなどが挙げられる。ＩＤは、半導体結晶、結晶ブロック、半導体ウェーハに印字またはレーザマーキングしてもよい。ＩＤの表記方法としては、例えば、ウェーハＩＤの場合、ウェーハＩＤが付与される半導体ウェーハの基となる結晶ブロックのブロックＩＤに連続し、ウェーハＩＤを縦列状態で表記してもよい。その他、対応するブロックＩＤから取得可能な結晶ブロックの情報と、結晶ブロックの作製後から結晶ブロックにスライスを含むウェーハ加工を施して各半導体ウェーハが得られるまでの各ウェーハ加工処理情報とを反映した新たな識別子を表記してもよい。
記憶媒体としては、例えばコンピュータ（メモリ）、コンピュータネットワーク、ＣＤ、ＤＶＤ、磁気テープ、紙などを採用することができる。
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ（単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハなど）を採用することができる。
半導体ウェーハの口径は、例えば３００ｍｍ、４５０ｍｍなど任意である。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記各半導体ウェーハに、固有の前記ウェーハＩＤをレーザマーキングする請求項１に記載のウェーハ製造履歴追跡方法である。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、各半導体ウェーハに、固有のウェーハＩＤをレーザマーキングすることで、デバイス製造プロセスにおいて、その半導体ウェーハに刻印されたウェーハＩＤから、半導体ウェーハの各種の製造情報を取得することができる。
半導体ウェーハにおけるレーザマーキングの位置は、例えばウェーハ表面の外周部などを採用することができる。レーザマーキングの時期は任意である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、記憶媒体に記憶された結晶番号、ブロックＩＤおよびウェーハＩＤに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されてきたかをウェーハ１枚毎に簡単に追跡することができる。これにより、各半導体ウェーハについて、固有の各種製造情報を取得することができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、各半導体ウェーハに、固有のウェーハＩＤをレーザマーキングすることで、デバイス製造プロセスにおいて、その半導体ウェーハに刻印されたウェーハＩＤから、半導体ウェーハの各種の製造情報を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の実施例１に係るウェーハ製造履歴追跡方法が適用される半導体ウェーハの製造プロセスを示すフローシートである。
【図２】この発明の実施例１に係るウェーハ製造履歴追跡方法における半導体ウェーハの各製造工程でのＩＤ付与例を示すフローシートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。ここでは、チョクラルスキー法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットから直径３００ｍｍのシリコンウェーハが製造される場合を例とする。
【実施例】
【００１９】
図１のフローシートに示すように、この発明の実施例１に係るウェーハ製造履歴追跡方法が適用される半導体ウェーハの製造プロセスは、結晶引き上げ工程、結晶加工工程、スライス工程、結晶評価工程、面取り工程、ラッピング工程、研削工程、ハードレーザマーキング（ＨＬＭ）工程、研削後洗浄工程、クラック検査工程、仕上げ面取り工程、両面研磨工程、仕上げ研磨工程、エピタキシャル成長工程、外観検査工程、最終洗浄工程、表面検査工程、倉入れ承認工程（ロッド毎の判定）、出荷承認工程（検査成績書発行）、製品出荷工程を備えている。
【００２０】
また、結晶引上げ工程から製品出荷工程までの各工程には、原料情報、結晶ブロック（シリコンブロック）やシリコンウェーハの加工履歴、品質情報、加工に要した資材情報、搬送経路などを管理し、それぞれ他の工程に報告するコンピュータが配備されている。
【００２１】
具体的には、結晶引き上げ工程管理用コンピュータ、結晶加工工程管理用コンピュータ、スライス工程管理用コンピュータ、結晶評価工程管理用コンピュータ、面取り工程管理用コンピュータ、ラッピング工程管理用コンピュータ、研削工程管理用コンピュータ、ハードレーザマーキング工程管理用コンピュータ、研削後洗浄工程管理用コンピュータ、クラック検査工程管理用コンピュータ、仕上げ面取り工程管理用コンピュータ、両面研磨工程管理用コンピュータ、仕上げ研磨工程管理用コンピュータ、エピタキシャル成長工程管理用コンピュータ、外観検査工程管理用コンピュータ、最終洗浄工程管理用コンピュータ、表面検査工程管理用コンピュータ、倉入れ承認工程管理用コンピュータ、出荷承認工程管理用コンピュータが配備され、これらはコンピュータネットワーク網（ＬＡＮ）を介して、ホストコンピュータに接続されている。ホストコンピュータでは、ウェーハ単位で報告される前記各種の情報と、各シリコンウェーハとを対応させ、データベース化を行う。
【００２２】
以下、前記各工程を具体的に説明する。
結晶引き上げ工程では、チョクラルスキー法により直径３０６ｍｍ、直胴部の長さが２５００ｍｍ、比抵抗が１０ｍΩ・ｃｍ、初期酸素濃度１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の単結晶シリコンインゴット（半導体結晶）が引き上げられる。ここで、単結晶シリコンインゴットに対して、固有の結晶番号（Ｓ０２８０５０１００００）が付与される。結晶番号は、結晶引き上げ工程管理用コンピュータに入力され、これがコンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００２３】
次に、結晶加工工程では、１本の単結晶シリコンインゴットが、一定の抵抗率範囲の８つの結晶ブロックに切断される。その後、各結晶ブロックは外周研削される。具体的には、♯２００の砥粒（ＳｉＣ）を含むレジノイド研削砥石を有した外周研削装置により、結晶ブロックの外周部が５ｍｍだけ外周研削される。これにより、各結晶ブロックが円柱状に成形される。ここで、各結晶ブロックに対して、固有のブロックＩＤ（Ｓ０２８０５０１０１００〜Ｓ０２８０５０１０８００）が付与される。各結晶ブロックは、トレーＩＤが付与された８つのトレーに個別に載置され、続くスライス工程へ搬送される。各ブロックＩＤおよび各トレーＩＤは、結晶加工工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。なお、各ブロックＩＤには、対応する結晶ブロックが単結晶シリコンインゴットのどこに位置するのかも示されている。
【００２４】
スライス工程ではワイヤソーにより、各結晶ブロックが厚さ７７５μｍの多数枚のシリコンウェーハにスライスされる。ここでは、スライス工程管理用コンピュータに対して、スライス装置に結晶ブロックをセットする治具を示す金型ＩＤ（ＭＳＡ００４）が入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも金型ＩＤが入力される。スライスされた各シリコンウェーハは、結晶評価工程に搬送される。
【００２５】
結晶評価工程では、スライスされた各シリコンウェーハに対して結晶評価が行われる。具体的には、各シリコンウェーハの結晶特性が評価される。その際、１つの結晶ブロックからスライスされたシリコンウェーハ群に対して、固有のＳＸＬＩＤ（Ｓ０２８０５０１０１０６０〜Ｓ０２８０５０１０８Ｊ６０）が付与される。そのうち、１ロット分のシリコンウェーハに対して、固有のウェーハロットＩＤ（９３Ｂ０８５ＡＡ００、他）も付与される。１ロット分のシリコンウェーハは、キャリアＩＤ（ＢＢ３５０６）が付与された各キャリアに個別に載置され、次の面取り工程に搬送される。各キャリアには、各シリコンウェーハが１枚ずつ装填される多数本の溝が形成されている。各ＳＸＬＩＤ、各キャリアＩＤ（溝番号を含む）は、結晶加工工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。これにより、各シリコンウェーハの識別はキャリアの溝位置で表現することができる。
【００２６】
面取り工程では、各シリコンウェーハの外周部にメタルボンド面取り砥石が押し付けられ、ウェーハ外周部が断面砲弾形状に面取りされる。面取り後のシリコンウェーハは、固有のトレーＩＤ（ＬＰ０００１）が付与されたトレーにロット単位で載置され、ラップ加工工程へ搬送される。その際、トレーでのギャザリングは、シリコンウェーハのトップ部のキャリアＩＤから順に行われる。ここでいう「トレーでのギャザリング」とは、シリコンウェーハを次の加工装置（ラッピング装置）に装填し易いように、多数枚のシリコンウェーハを重ね合わせて並べることを意味する。トレーＩＤは、面取り工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００２７】
ラップ工程では、上下一対のラップ定盤により、テンプレートＩＤ（００３９−３２Ｂ−Ｐ−１２０６、他）が付与されたテンプレートに形成された５つのウェーハ保持孔にシリコンウェーハを保持する。その後、ラップ液を供給しながら、各シリコンウェーハの表裏両面を上下のラップ定盤によりラッピングする。各シリコンウェーハのウェーハ保持孔への投入位置と回収順番は、ホストコンピュータからの指示による。ラッピング後のシリコンウェーハは、キャリアＩＤ（ＢＢ３５０６）が付与された溝付きのキャリアに載置され、研削工程へ搬送される。テンプレートＩＤおよびキャリアＩＤ（溝番号含む）は、ラップ工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００２８】
研削工程では、ラッピング後の各シリコンウェーハに対して表面研削が施される。具体的には、レジノイド研削砥石を有した毎葉式の表面研削装置により、各シリコンウェーハの表面が数１０μｍ研削される。研削された直後の各シリコンウェーハは、１枚毎にハードレーザマーキング工程へ直接搬送される。各シリコンウェーハが研削処理されたことは、研削工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００２９】
ハードレーザマーキング工程では、研削直後の各シリコンウェーハに対して、ハードレーザマーキングが施される。具体的には、各キャリアの溝から順番にシリコンウェーハを引き出し、そのウェーハ表面の外周部に対して、ウェーハＩＤとなるレーザマークＩＤ（ＢＤＩＧＲ００２ＳＪＥ５〜）が深さ数１０μｍで刻印される。ハードレーザマーキングされた各シリコンウェーハは、研削後洗浄工程へ直接搬送される。各レーザマークＩＤは、ハードレーザマーキング工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３０】
研削後洗浄工程では、ハードレーザマーキングされた直後の各シリコンウェーハに対して、研削後洗浄が施される。具体的には、アルカリ性溶液による洗浄が行われる。研削後洗浄後の各シリコンウェーハは、ＦＯＵＰＩＤが付与された溝付きの搬送容器の各溝に１枚ずつ収納され、次のクラック検査工程へ搬送される。各ＦＯＵＰＩＤおよび各溝番号は、研削後洗浄工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３１】
クラック検査工程では、研削後洗浄された各シリコンウェーハに対してクラック検査が行われる。具体的には、検査装置を用いて、ＣＣＤカメラによる外周部のクラックとチッピングとの検査が施される。クラック検査直後の各シリコンウェーハは、仕上げ面取り工程へ搬送される。各シリコンウェーハのクラック検査の結果は、クラック検査工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３２】
仕上げ面取り工程では、クラック検査で良品と判定された直後の各シリコンウェーハに対して、仕上げ面取りが施される。具体的には、メカノケミカル方式の仕上げ面取り装置により、各シリコンウェーハの面取り部を仕上げ（鏡面）面取りする。仕上げ面取り直後の各シリコンウェーハは、両面研磨工程へ搬送される。各シリコンウェーハが仕上げ面取りされた事実は、仕上げ面取り工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３３】
両面研磨工程では、仕上げ面取りされた直後の各シリコンウェーハに面研磨が施される。具体的には、遊星歯車方式の両面研磨装置を使用し、テンプレートＩＤ（ウェーハ管理ＩＤ、他）が付与されたテンプレートの１つのウェーハ保持孔（孔番付き）にシリコンウェーハを所定順序で保持し、下定盤の上面に貼着された研磨布と上定盤の下面に貼着された研磨布とにより、研磨液を供給しながら、各シリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する。各シリコンウェーハのウェーハ保持孔への投入位置と回収順番は、ホストコンピュータからの指示による。各シリコンウェーハの出し入れは自動で行われる。
【００３４】
両面研磨後の各シリコンウェーハは、キャリアＩＤ（ＢＺ０５３８、他）が付与された溝付きのキャリアの各溝に順番に収納され、その後、ＦＯＵＰＩＤ（ＦＡ２１４０、他）が付与された溝付きの搬送容器の各溝に順番に収納され、次の仕上げ研磨工程に搬送される。キャリアはオープン状態で保存される容器である。また、テンプレートＩＤ、キャリアＩＤ（溝番号含む）、ＦＯＵＰＩＤ（溝番号含む）は、両面研磨工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３５】
両面研磨工程では、仕上げ面取りされた各シリコンウェーハに両面研磨が施される。具体的には、遊星歯車方式の両面研磨装置を使用し、テンプレートＩＤが付与されたテンプレートの５つのウェーハ保持孔にシリコンウェーハを保持し、下定盤の上面に貼着された研磨布と上定盤の下面に貼着された研磨布とにより、各シリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する。
【００３６】
仕上げ研磨工程では、両面研磨された各シリコンウェーハの表面に、１枚毎仕上げ（鏡面）研磨が施される。ここでは、上面に仕上げ用の研磨布が貼着された研磨定盤と、研磨定盤の上方に対向配置され、下面にシリコンウェーハが所定の保持構造により保持された研磨ヘッドとを備えた毎葉式の仕上げ研磨装置が使用される。研磨時には、研磨砥粒を含む研磨剤（スラリー）を研磨布に供給しながら、研磨ヘッドと一体的に回転中のシリコンウェーハの表面を、研磨布の表面（研磨作用面）に摺接させて仕上げ研磨する。仕上げ研磨された各シリコンウェーハは、キャリアＩＤ（ＢＺ０５５１、他）が付与された溝付きのキャリアの各溝に順番に収納され、次のエピタキシャル成長工程に搬送される。キャリアＩＤは、仕上げ研磨工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３７】
エピタキシャル成長工程では、各シリコンウェーハの表面にエピタキシャルシリコン膜が成長される。具体的には、毎葉式のエピタキシャル成長装置の反応炉内に設けられたサセプタにシリコンウェーハを載置し、反応炉内にシリコンを含む反応ガスを流しながら所定温度で加熱することで、ウェーハ表面に単結晶シリコン膜をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長後の各シリコンウェーハは、ＦＯＵＰＩＤ（ＦＤ３５１６）が付与された溝付きの搬送容器の各溝に順番に収納され、次の外観検査工程へ搬送される。ＦＯＵＰＩＤ（ＦＤ３５６１、他；溝番号含む）は、両面研磨工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３８】
外観検査工程では、各シリコンウェーハに対して、精度測定と外観検査とが行われる。精度測定では、具体的にシリコンウェーハの平坦度に関した厚みやバラツキなどが測定される。外観検査された直後の各シリコンウェーハは、次の最終洗浄工程に搬送される。各シリコンウェーハの精度測定結果と外観検査結果とは、クラック検査工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００３９】
最終洗浄工程では、外観検査直後の各シリコンウェーハが最終洗浄される。具体的には、各シリコンウェーハに対して、アルカリ溶液と酸溶液とを使用した洗浄が行われる。最終洗浄された直後の各シリコンウェーハは、次の表面検査工程へ搬送される。最終洗浄された事実は、最終洗浄工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００４０】
表面検査工程では、最終洗浄された各シリコンウェーハに対して、表面検査が行われる。具体的には、異物、スクラッチ、スリツプ、ピットなどの欠陥が検査される。表面検査直後の各シリコンウェーハは、次に倉入れ承認工程へ搬送される。各シリコンウェーハの表面検査の結果は、表面検査工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００４１】
倉入れ承認工程では、各シリコンウェーハに対して倉入れが承認され、ロット毎に判定が行われる。「倉入れ」とは、シリコンウェーハの加工工程が全て終了し、出荷容器に詰められた状態を意味する。また、判定では、各シリコンウェーハに対して、製造仕様書とスペックとを判定する。ここで、良品と判定されたシリコンウェーハは、ウェーハ２５枚が１ロットとして纏められ、出荷ロットＩＤ（Ｔ９３Ｂ０８５１（Ｍ）〜Ｔ９３Ｂ０８５７、他）が付与される。各シリコンウェーハは、ロット毎にＦＯＳＢＩＤ（出荷ロットＩＤ，トラックＮｏ、他）が付与された溝付きの出荷容器の各溝に順番に収納され、次の出荷承認工程へ搬送される。ＦＯＳＢＩＤ（溝番号含む）は、倉入れ承認工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。
【００４２】
出荷承認工程では、出荷容器の出荷承認を行い、その後、数個を１つに梱包し、梱包番号（４１３５７３〜４１５４９３）を付与するとともに、出荷容器の集合体のＩＤであるシップメントＩＤ（００ＥＡ９４０８００００００１０１、他）が付与されて製品出荷される。梱包番号およびシップメントＩＤは、出荷承認工程管理用コンピュータに入力され、その後、コンピュータネットワーク網を経由してホストコンピュータにも入力される。ウェーハ１枚毎の製造情報（品質情報などを含む）は、コンピュータネットワークを利用してホストコンピュータで一括管理するので、情報の維持や情報の効率的な再利用などを行うことができる。
【００４３】
このように構成したので、特定のシリコンウェーハが各工程でどのように処理され、その後、どのような経路で次の工程へ搬送されたかは、ホストコンピュータに記憶された結晶番号、ブロックＩＤおよびハードレーザマークＩＤ（ウェーハＩＤ）などを追跡することで、ウェーハ１枚毎に簡単に検索することができる。これにより、各シリコンウェーハについて、固有の各種製造情報を容易に取得することができる。その結果、不良品が検出された場合、それまでの工程での条件の見直しや調整を正確かつ早期に行うことができ、不良品の多発を防止することができる。
【００４４】
すなわち、ウェーハ１枚単位での各種情報を取得できるため、シリコンウェーハの高解析精度、解析時間の短縮、高作業精度が得られる。また、枚葉情報の履歴追跡は、単結晶シリコンインゴットの位置情報をｍｍ単位で関連付けることで、ウェーハ加工工程の品質情報に加えて、単結晶シリコンインゴットの品質情報の検索や解析も可能となる。さらに、加工や計測の各装置をシステム制御と連動させることで、所定のシリコンウェーハが処理された装置の特定のみならず、その装置内での位置情報（例えば、それぞれ複数のチャックが搭載された研削装置や研磨装置のチャック情報や、複数のチャンバが搭載されたエピタキシャル装置のチャンバ情報などの追跡も可能となる。その他、システム制御により、評価ウェーハの選出、出荷ロット構成、不適合ウェーハの分離も可能となる。ここでの製造情報とは、原料情報、結晶ブロックやシリコンウェーハの加工履歴、品質情報、加工に要した資材情報などをいう。
また、従来のようなロット単位でのシリコンウェーハの管理ではなく、ウェーハ１枚１枚のシリコンウェーハの管理が行われるので、各工程における不良などを容易に発見することができ、細部の補正が容易となり緻密な管理を行うことができる。
【００４５】
次に、図２のフローシートを参照して、別の単結晶シリコンインゴットから得られたシリコンウェーハの製造履歴を追跡するウェーハ製造履歴追跡方法を説明する。
ここでは、単結晶シリコンインゴットの結晶番号はＥ０１７００７１００００とする。単結晶シリコンインゴットは５つの結晶ブロックに切断され、このうち、１つの結晶ブロックのブロックＩＤをＥ０１７００７１０４００とする。また、Ｅ０１７００７１０４００の結晶ブロックを２５６枚のシリコンウェーハにスライスし、この状態のウェーハ群に対して、Ｅ０１７００７１０４Ａ２０というＳＸＬＩＤを付与する。
【００４６】
Ｅ０１７００７１０４Ａ２０のＳＸＬＩＤが付与されたシリコンウェーハ群は、１２１枚のシリコンウェーハからなるウェーハロット（ウェーハロットＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ００）と、１２５枚のシリコンウェーハからなる別のウェーハロット（ウェーハロットＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ００）とに２分割される。
【００４７】
このうち、ウェーハロット（７Ｙ５０１ＮＡＡ００）を構成するシリコンウェーハ群を、６つのサブロット（サブロットＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０１〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０６）に分ける。７Ｙ５０１ＮＡＡ０１のサブロットは、１６枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ００００１〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０００１６）から構成される。７Ｙ５０１ＮＡＡ０２のサブロットは、２４枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００１７〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０００４０）から構成される。７Ｙ５０１ＮＡＡ０３のサブロットは、２５枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００４１〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０００６５）から構成される。７Ｙ５０１ＮＡＡ０４のサブロットは、９枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００６６〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０００７４）から構成される。７Ｙ５０１ＮＡＡ０５のサブロットは、２３枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００７５〜７Ｙ５０１ＮＡＡ０００９７）から構成され、７Ｙ５０１ＮＡＡ０６のサブロットは、２４枚のシリコンウェーハ（ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００９８〜７Ｙ５０１ＮＡＡ００１２１）から構成される。
【００４８】
また、ウェーハロット（７Ｙ５０１ＰＡＡ００）を構成するシリコンウェーハ群を、５つのサブロット（サブロットＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ０１〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０５）に分ける。各サブロットは、２５枚のシリコンウェーハから構成される。具体的には、７Ｙ５０１ＰＡＡ０１のサブロットは、ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ００００１〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０００２５のシリコンウェーハから構成される。７Ｙ５０１ＰＡＡ０２のサブロットは、ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ０００２６〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０００５０のシリコンウェーハから構成される。７Ｙ５０１ＰＡＡ０３のサブロットは、ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ０００４１〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０００６５のシリコンウェーハから構成される。７Ｙ５０１ＰＡＡ０４のサブロットは、ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＮＡＡ０００６６〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０００７４のシリコンウェーハから構成される。７Ｙ５０１ＰＡＡ０５のサブロットは、ウェーハＩＤ；７Ｙ５０１ＰＡＡ０００７５〜７Ｙ５０１ＰＡＡ０００９７のシリコンウェーハから構成される。
【００４９】
出荷ロットは１１ロット（出荷ロットＩＤ；Ａ８２５０ＣＨ１Ｍ、Ａ７Ｙ５０３Ｄ１〜Ａ７Ｙ５０３Ｄ４、Ａ７Ｙ５０３Ｊ５Ｍ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ１〜Ａ７Ｙ５０３Ｊ４、Ａ７Ｚ５００Ｅ１Ｍ）で、１ロットは２５枚のシリコンウェーハから構成される。また、１つ前の結晶ブロック（Ｅ０１７００７１０３００）をスライスし、各工程を経て出荷されたシリコンウェーハの残りが２０枚あるものとする。
１つ前の結晶ブロックからの残り２０枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０１のサブロット（不良ウェーハ；０枚）から５枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ８２５０ＣＨ１Ｍの出荷ロットが構成される。また、７Ｙ５０１ＮＡＡ０１のサブロットの残り１１枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０２のサブロット（不良ウェーハ；１枚）からの１４枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｄ１の出荷ロットが構成される。
【００５０】
７Ｙ５０１ＮＡＡ０２のサブロットの残り９枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０３のサブロット（不良ウェーハ；２枚）からの１６枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｄ２の出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＮＡＡ０３のサブロットの残り７枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０４のサブロット（不良ウェーハ；１枚）からの８枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０５のサブロット（不良ウェーハ；２枚）からの１０枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｄ３の出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＮＡＡ０５のサブロットの残り１１枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＮＡＡ０６のサブロット（不良ウェーハ；１枚）からの１４枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｄ４の出荷ロットが構成される。
【００５１】
７Ｙ５０１ＮＡＡ０６のサブロットの残り９枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＰＡＡ０１のサブロット（不良ウェーハ；０枚）からの１６枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ５Ｍの出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＰＡＡ０１のサブロットの残り９枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＰＡＡ０２のサブロット（不良ウェーハ；１枚）からの１６枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ１の出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＰＡＡ０２のサブロットの残り８枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＰＡＡ０３のサブロット（不良ウェーハ；０枚）からの１７枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ２の出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＰＡＡ０３のサブロットの残り８枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＰＡＡ０４のサブロット（不良ウェーハ；２枚）からの１７枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ３の出荷ロットが構成される。
【００５２】
７Ｙ５０１ＰＡＡ０４のサブロットの残り６枚のシリコンウェーハと、７Ｙ５０１ＰＡＡ０５のサブロット（不良ウェーハ；０枚）からの１９枚のシリコンウェーハとがまとめられ、Ａ７Ｙ５０３Ｊ４の出荷ロットが構成される。
７Ｙ５０１ＰＡＡ０５のサブロットの残り６枚のシリコンウェーハと、次の結晶ブロック（Ｅ０１７００７１０５００）をスライスし、各工程を経て出荷されるシリコンウェーハの１９枚とがまとめられ、Ａ７Ｚ５００Ｅ１Ｍの出荷ロットが構成される。
各シリコンウェーハの履歴の追跡方法は、図１のフローシートに記載されたものと同じである。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
この発明は、単結晶、ポリッシュウェーハ、エピタキシャルウェーハ、アニールウェーハなどの製造情報の履歴を追跡する際に有用である。
【図１】
2010283227.tif 000003
【図２】
2010283227.tif 000004