(57)【要約】【課題】ＳＤＲＡＭが搭載される機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを設定でき、適確にデータ消失を防止できるＳＤＲＡＭ制御システムを提供する。【解決手段】このＳＤＲＡＭ制御システムは、高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭ１と、セルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御を行うＤＲＡＭコントローラ２と、このＤＲＡＭコントローラ２による制御の指示を行うＣＰＵ３と、を備えている。ＣＰＵ３は、ＳＤＲＡＭ１によりセルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて制御の指示を行う。ＤＲＡＭコントローラ２は、ＣＰＵ３の制御の指示に従ってＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭと、前記ＳＤＲＡＭに接続されて前記セルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御を行うＤＲＡＭコントローラと、前記ＤＲＡＭコントローラによる前記制御の指示を行うＣＰＵと、を備えたＳＤＲＡＭ制御システムであって、前記ＣＰＵは、前記ＳＤＲＡＭにより前記セルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて前記制御の指示を行い、前記ＤＲＡＭコントローラは、前記制御の指示に従って前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更してから前記セルフリフレッシュの動作を行わせることを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項２】
請求項１記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ＣＰＵは、前記システムの動作状態が所定の条件を満たしている間か、或いは当該所定の条件を満たさなくなってから所定の時間内のときに、前記ＤＲＡＭコントローラを介して当該ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更する指示を行うと共に、当該変更された設定値に基づいて前記セルフリフレッシュの動作へ移行する指示を行うことを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項３】
請求項２記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ＣＰＵは、前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更する指示を行うとき、当該設定値を変更するための前記システムの動作状態についての前記所定の条件として、前記デバイスの動作温度に関連する温度推測対象の条件を複数用いることを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項４】
請求項３記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値の変更用として、前記温度推測対象の条件が含む動作条件、時間条件の設定値を変更するためのユーザーインターフェースを持つことを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項５】
請求項４記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ユーザーインターフェースは、前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値の変更機能の有効、無効を切り替えられることを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項６】
請求項５記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ＣＰＵは、前記ユーザーインターフェースにおける前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値の変更機能の有効、無効を切り替えるための時刻情報を用いて、システムに設定された時刻条件に応じて前記ＤＲＡＭコントロータを介して当該切り替えの指示を行うことを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項７】
請求項６記載のＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、前記ユーザーインターフェースは、前記切り替えの時刻を変更設定できることを特徴とするＳＤＲＡＭ制御システム。
【請求項８】
高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭに対してＣＰＵの制御の指示を受けたＤＲＡＭコントローラにより当該セルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御を行うＳＤＲＡＭ制御方法であって、前記ＣＰＵにより前記ＳＤＲＡＭで前記セルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて前記制御の指示を行う第１のステップと、前記ＤＲＡＭコントローラにより前記制御の指示に従って前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更してから前記セルフリフレッシュの動作を行わせる第２のステップと、を有することを特徴とするＳＤＲＡＭ制御方法。
【請求項９】
高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭに対してＤＲＡＭコントローラにより当該セルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御を行うとき、ＣＰＵにより当該ＤＲＡＭコントローラに対して与える制御の指示となる当該ＣＰＵで実行されるＳＤＲＡＭ制御プログラムであって、前記制御の指示情報として、前記ＳＤＲＡＭで前記セルフリフレッシュの動作が行われる前に前記ＤＲＡＭコントローラを介してデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じた第１の指示情報と、前記ＤＲＡＭコントローラを介して前記ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更してから前記セルフリフレッシュの動作を行わせる第２の指示情報と、を有することを特徴とするＳＤＲＡＭ制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷却用ファンを使用した各種の電気・電子・通信機器に搭載されるメモリ（半導体記憶装置）に係り、詳しくはＤＤＲ２・ＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＤＲ３・ＳＤＲＡＭ等のＳＤＲＡＭの高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を変更して最適にするためのＳＤＲＡＭ制御システム、ＳＤＲＡＭ制御方法、ＳＤＲＡＭ制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種の電気・電子・通信機器では、それらの製品により使用されていない時間が一定時間続くと、消費電力を抑えるための省エネルギー動作モードに移行するものが知られている。省エネルギー動作モードは、機器に装備されている一部のデバイスへの電源供給を停止し、消費電力を低くするための動作モードである。
【０００３】
一般に省エネルギー動作モードへ移行した際には、省エネルギー動作モードから復帰したときに必要なデータをメモリデバイスであるＳＤＲＡＭへ格納しておき、ＳＤＲＡＭ以外の殆どのデバイスに対する電力供給を停止することにより、高い省エネルギー効果を得ている。このような高省エネルギー動作モードは、省エネルギー動作モードの中でも特にＳｕｓｐｅｎｄ・Ｔｏ・ＲＡＭ（以下、ＳＲＴとする）と呼ばれている。
【０００４】
ＳＤＲＡＭは、構造上、格納していたデータが時間経過によって消失されてしまう特性がある（不揮発性でなく揮発性である）ため、リフレッシュと呼ばれるデータの上書き作業が必要である。通常動作時において、このリフレッシュ開始の信号はＤＲＡＭコントローラより送られるが、ＳＲＴ時にはリフレッシュ開始の信号が外部より与えられていなくても、自身でリフレッシュするセルフリフレッシュを行う。
【０００５】
ＳＲＴ中は、機器に搭載されている殆どのデバイスが停止状態となるため、機器内の温度は通常動作時よりも低くなるが、冷却ファン等の冷却装置が搭載された機器の場合にはＳＲＴへ移行すると、その直後に冷却ファンが停止してしまうため、一時的に機器内の温度が上昇することがある。
【０００６】
上述したＳＤＲＡＭは、特に動作温度が高いデバイスの１つとして知られ、動作温度に比例して高いリフレッシュレートが必要となる特性があるため、通常、最高動作温度時に問題のないリフレッシュレートを選択する必要がある。しかしながら、リフレッシュレートに比例して消費電力が上昇するため、常に最高動作温度でのリフレッシュレートで動作させると、消費電力が高くなってしまうという問題がある。
【０００７】
これに対し、リフレッシュレートが動作温度に対して十分な値でない場合には、ＳＲＴ直後に動作温度が高くなり、ＳＤＲＡＭの保証温度を超えると動作温度に対してリフレッシュの回数が足りなくなることにより、データが失われてしまう。
【０００８】
そこで、機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを可変にして選択して設定できれば、こうした問題を解消することができる。ＳＤＲＡＭにおけるリフレッシュレートを可変にする技術は、既に開発されており、例えばセルフリフレッシュの制御として、外部の発振回路によってリフレッシュレートを可変させるようにした半導体記憶装置（特許文献１参照）が挙げられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した特許文献１のセルフリフレッシュの制御に係るＳＤＲＡＭにおけるリフレッシュレートの可変技術は、単純に外部の発振回路による発振信号を用いたものであるため、ＳＤＲＡＭが搭載される機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートが設定されるものでなく、リフレッシュレートが動作温度に対して十分な値でない場合も想定され、こうした場合にデータが消失されてしまうという問題を十分に対策できないという難点がある。
【００１０】
そこで、ＳＤＲＡＭが搭載される機器内の温度情報を必要とするため、温度センサ等の温度検出手段を実装する手法も考えられるが、こうした場合には、温度センサを実装するために機器を改造する余計な手間を要したり、或いはその設置分のコストが増大してしまうため、余り好ましい対策とは言えない。
【００１１】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題（目的）は、ＳＤＲＡＭが搭載される機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを設定でき、適確にデータ消失を防止できるＳＤＲＡＭ制御システム、ＳＤＲＡＭ制御方法、ＳＤＲＡＭ制御プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記技術的課題を解決したものであり、高省エネルギー動作モードで動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭと、ＳＤＲＡＭに接続されてセルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御を行うＤＲＡＭコントローラと、ＤＲＡＭコントローラによる制御の指示を行うＣＰＵと、を備えたＳＤＲＡＭ制御システムであって、ＣＰＵは、ＳＤＲＡＭによりセルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて制御の指示を行い、ＤＲＡＭコントローラは、制御の指示に従ってＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＳＤＲＡＭ制御システムによれば、上記構成により、セルフリフレッシュの動作が行われる前にＳｅｌｆ−Ｒｅｆｒｅｓｈ・Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ・Ｒａｎｇｅ（以下、ＳＲＴとする）の設定値を制御し、ＳＤＲＡＭの動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行うため、ＳＤＲＡＭが搭載される機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを設定することが可能となり、適確にデータ消失を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１に係るＳＤＲＡＭ制御システムの基本構成を示したブロック図である。
【図２】図１に示すＳＤＲＡＭ制御システムで適用されるＳＤＲＡＭの動作温度の設定値の変更を説明するためのアプリケーション時間条件に対する動作温度の対応関係を示したタイミングチャートである。
【図３】図１に示すＳＤＲＡＭ制御システムによるＳＤＲＡＭ制御の動作処理を示したフローチャートである。
【図４】図１に示すＳＤＲＡＭ制御システムを備えた情報処理装置の基本構成を例示したブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明のＳＤＲＡＭ制御システム、ＳＤＲＡＭ制御方法、ＳＤＲＡＭ制御プログラムについて、図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１に係るＳＤＲＡＭ制御システムの基本構成を示したブロック図である。このＳＤＲＡＭ制御システムは、高省エネルギー動作モード（ＳＲＴ）で動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭ１（ここではＤＤＲ３・ＳＤＲＡＭとする）と、このＳＤＲＡＭ１にＤＤＲ３インターフェース（Ｉ/Ｆ）４を介して接続されてセルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御（ＳＲＴの設定値の制御）を行うＤＲＡＭコントローラ２と、このＤＲＡＭコントローラ２による制御の指示を行うＣＰＵ３と、を備えている。
【００１７】
このうち、ＣＰＵ３は、ＳＤＲＡＭ１によりセルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて制御の指示を行う。ＤＲＡＭコントローラ２は、ＣＰＵ３の制御の指示に従ってＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。尚、ＳＤＲＡＭ１は、ＤＤＲ２・ＳＤＲＡＭであっても良く、その場合には専用のＤＤＲ２インターフェース（Ｉ/Ｆ）を介してＤＲＡＭコントローラ２との間の接続が行われる構成となる。ＤＤＲ３・ＳＤＲＡＭのＳＤＲＡＭ１の場合には、ＤＲＡＭコントローラ２から専用のＤＤＲ３インターフェース（Ｉ/Ｆ）４を介して各種信号が種別のピンＣＫ，/ＣＫ、ＣＫＥ、/ＣＳ、ＯＤＴ、/ＲＡＳ，/ＣＡＳ，/ＷＥ、ＤＭ、ＢＡ０−ＢＡ２、Ａ０−Ａ１３、/ＲＳＥＴ、ＤＱ、ＤＱＳ，/ＤＱＳ、ＴＤＱＳ，/ＴＤＱＳを経由して伝送される。
【００１８】
何れにしても、ＳＤＲＡＭ１のモードレジスタには、ＳＲＴが設定項目として存在するため、本発明ではシステムの動作状態に応じてこのモードレジスタの値を変更することにより、ＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更する。但し、ここでのシステムの動作状態とは、ＳＤＲＡＭ１の動作温度を推測するための特定の対象、即ち、温度推測対象の振る舞いを示すものである。ＳＤＲＡＭ１のモードレジスタの設定次第でセルフリフレッシュ動作中のリフレッシュレートが変化する。
【００１９】
具体的に云えば、ＳＤＲＡＭ１のモードレジスタが低リフレッシュレートとなる０で設定された場合には、動作保証温度が０度〜８５度の温度範囲となり、高リフレッシュレートとなる１で設定された場合には、動作保証温度が０度〜９５度の温度範囲となる。
【００２０】
通常リフレッシュレートは、デバイスの動作温度が高い程、高いレートが必要となり、デバイスの動作温度が低い場合にはリフレッシュレートも低くすることが可能である。リフレッシュレートが高い場合には、デバイスの動作温度が高ければ、低い場合でも同様であるようにリフレッシュ動作の観点からは問題ないが、消費電力が高くなってしまうという問題がある。そこで、本願発明のＳＤＲＡＭ制御システムでは、ＳＤＲＡＭ１が搭載される電気・電子機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを設定することにより、こうした問題を解決することができる。
【００２１】
図２は、ＳＤＲＡＭ制御システムで適用されるＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値の変更を説明するためのアプリケーション時間条件に対する動作温度の対応関係を示したタイミングチャートである。
【００２２】
ＳＤＲＡＭ１が自身でリフレッシュを行うセルフリフレッシュモード移行前のシステムの動作状態には、例えば図２中のアプリケーション時間条件として、アプリケーションの起動から終了までの時間経過で示される使用期間ｔ３があるが、ここでは使用期間ｔ３を１つの条件としてこれが或る閾値を超えた場合にＳＲＴの設定値を変更（ＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更）するか否かを判断する。
【００２３】
システムの動作状態の他の条件として、ＣＰＵ３の稼働率についても対象とする。具体的には、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に達するとＳＲＴの設定値を変更する条件とする。図２中のアプリケーションの終了後に示される期間ｔ１は、ＳＲＴの設定値を変更する条件を一旦満たした後、条件を満たさなくなってからの経過時間を示すものである。又、期間ｔ２は、ＳＲＴの設定値の変更に要する所要時間を示すものである。
【００２４】
図２中の動作温度特性におけるＡ点は、係るＳＤＲＡＭ制御システムを搭載した機器の冷却ファンが動作中のときに相当する通常動作モードにあって、ＣＰＵ３の稼動率が９０％のときの温度を示している。Ｂ点は、その後に機器がＳＴＲへ移行して冷却ファンが停止したときの温度を示している。
【００２５】
図２を参照してＳＲＴの設定値の変更を時間経過で説明すれば、Ａ点ではＳＲＴの設定値を変更する条件であるアプリケーションの使用期間ｔ３が閾値を超えると共に、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に到達しているが、その後にＣＰＵ３の稼働率が９０％以下となり、ＳＲＴの設定値を変更する条件を満たさなくなる。しかし、更にその後は、ＳＴＲ移行条件が満たされていれば、期間ｔ１分の時間経過後にＳＴＲへ移行するため、このタイミングの時間経過で再びＳＲＴの設定値を変更する条件が満たされたとき、ＳＤＲＡＭ１のＳＲＴの設定値を変更する。ＳＤＲＡＭ１のＳＲＴの設定値の変更は、Ｂ点までの期間ｔ２分の時間を要して行われる。
【００２６】
ＳＤＲＡＭ１のＳＲＴの設定値を変更するとき、ＤＲＡＭコントローラ２によりＳＤＲＡＭ１へプリチャージコマンドを入力し、ＳＤＲＡＭ１をアクティブモードからアイドルモードに移行させる。その状態でモードレジスタのＳＲＴの設定値を０から１へ変更し、その後にＳＴＲへ移行する。ＳＲＴの設定値を１に変更設定することによって、ＳＴＲ中のセルフリフレッシュ動作温度を９５度まで保証することができる。
【００２７】
以上に説明したＳＲＴの設定値の変更は、ＣＰＵ３からの制御の指示として観れば、システムの動作状態が所定の条件（上述した例ではアプリケーションの使用期間ｔ３が閾値を超えると共に、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に到達している条件）を満たしている間か、或いは所定の条件を満たさなくなってから所定の時間内（上述した例に該当する）のときに、ＤＲＡＭコントローラ２を介してＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値（ＳＲＴの設定値）を変更する指示を行うと共に、変更された設定値に基づいてセルフリフレッシュの動作へ移行（ＳＴＲへ移行）する指示を行う処理に該当する。
【００２８】
尚、ＳＲＴの設定値の変更条件について、上述したアプリケーションの使用期間ｔ３が閾値を超えていること、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に到達していることの諸点は、動作条件とみなすことができ、図２中に示される期間ｔ１＜期間ｔ２の関係は時間条件とみなすことができる。
【００２９】
図３は、ＳＤＲＡＭ制御システムによるＳＤＲＡＭ制御の動作処理（ＣＰＵ３の制御の指示）を示したフローチャートである。
【００３０】
ＳＤＲＡＭ制御の動作処理では、システム起動後にアプリケーションの使用期間ｔ３が閾値を超えていること、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に到達していることを要件として、ＳＲＴ値変更動作条件を満たすか否かの判定（ステップＳ１）を行う。
【００３１】
この結果、ＳＲＴ値変更動作条件を満たしていれば、期間ｔ１をｔ１＝０に設定（ステップＳ２）してから期間ｔ１のカウント停止（ステップＳ３）を行った後、フラグ（ｆｌａｇ）をｆｌａｇ＝１に設定（ステップＳ４）する。
【００３２】
また、ＳＲＴ値変更動作条件を満たしていなければ、次にｆｌａｇ＝１であるか否かの判定（ステップＳ５）を行い、ｆｌａｇ＝１であれば期間ｔ１をｔ１＝０に設定（ステップＳ６）してから期間ｔ１のカウン開始（ステップＳ７）を行った後、フラグ（ｆｌａｇ）をｆｌａｇ＝０に設定（ステップＳ８）する。ｆｌａｇ＝１であるか否かの判定（ステップＳ５）の判定の結果、ｆｌａｇ＝１でない場合も同様に、その後はｆｌａｇ＝０に設定（ステップＳ８）する処理へ移行する。
【００３３】
更に、ＳＴＲ移行条件を満たすか否かの判定（ステップＳ９）を行い、ＳＴＲ移行条件を満たしていなければ、ＳＲＴ値変更動作条件を満たすか否かの判定（ステップＳ１）の前にリターンするが、ＳＴＲ移行条件を満たしていれば、ＳＲＴ値変更の動作条件を満たしていることを示すｆｌａｇ＝１の場合と、ＳＲＴ値変更の動作条件を満たしていないが、ＳＲＴ値変更の時間条件を満たすｆｌａｇ＝０であって、且つ期間の関係がｔ１＜ｔ２の場合とについて、ｆｌａｇ＝１、或いはｔ１＜ｔ２であるか否かの判定（ステップＳ１０）を行う。
【００３４】
この結果、ｆｌａｇ＝１、或いはｔ１＜ｔ２であれば、ＳＲＴの設定値（ＳＲＴ）を低リフレッシュレートのＳＲＴ＝０に設定（ステップＳ１１）し、ｆｌａｇ＝１、ｔ１＜ｔ２の何れでもなければ、ＳＲＴの設定値（ＳＲＴ）を高リフレッシュレートのＳＲＴ＝１に設定（ステップＳ１２）し、何れの場合もその後にＳＴＲへ移行（ステップＳ１３）してセルフリフレッシュ動作を行う。
【００３５】
以上に説明したＳＤＲＡＭ制御システムによるＳＤＲＡＭ制御の技術的概要は、ＳＤＲＡＭ制御方法として換言することができる。即ち、高省エネルギー動作モード（ＳＴＲ）で動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭ１に対してＣＰＵ３の制御の指示を受けたＤＲＡＭコントローラ２によりセルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御（ＳＲＴの設定値の制御）を行うＳＤＲＡＭ制御方法であって、ＣＰＵ３によりＳＤＲＡＭ１でセルフリフレッシュの動作が行われる前にデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じて制御の指示を行う第１のステップと、ＤＲＡＭコントローラ２により制御の指示に従ってＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる第２のステップと、を有するものであると云える。
【００３６】
また、上述したＤＲＡＭ制御の技術は、ＣＰＵ３によりＤＲＡＭコントローラ２に対して与える制御の指示となるＣＰＵ３で実行されるＳＤＲＡＭ制御プログラムとして構築することも可能である。このＳＤＲＡＭ制御プログラムは、高省エネルギー動作モード（ＳＴＲ）で動作するセルフリフレッシュ機能を持つＳＤＲＡＭ１に対してＤＲＡＭコントローラ２によりセルフリフレッシュ移行時における動作温度の設定値を温度レンジが異なるものとして選択的に可変設定するための制御（ＳＲＴの設定値の制御）を行うとき、制御の指示情報として、ＳＤＲＡＭ１でセルフリフレッシュの動作が行われる前にＤＲＡＭコントローラ２を介してデバイスの動作温度に相関性を持つシステムの動作状態に応じた第１の指示情報と、ＤＲＡＭコントローラ２を介してＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる第２の指示情報と、を有するものであれば良い。
【００３７】
何れにせよ、上述した実施例１に係るＳＤＲＡＭ制御システムは、デバイスの動作温度は強い相関関係があるシステムの動作状態として、アプリケーション使用期間ｔ３が閾値を超えていることや、ＣＰＵ３の稼働率が高いときの条件を基準とし、デバイスの動作温度を予測してＳＲＴの設定値の制御を行い、必要な場合にのみＳＲＴの設定値を１に変化させてからセルフリフレッシュの動作を行うため、温度センサを実装してＳＲＴの設定値を可変設定する場合と較べて低コストでＳＤＲＡＭ１が搭載される機器内の温度に合わせて適切なリフレッシュレートを設定することが可能となり、適確にデータ消失を防止することができる。
【００３８】
ところで、上述した実施例１に係るＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、ＣＰＵ３がＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更する指示を行うとき、その設定値を変更するための条件（システムの動作状態についての所定の条件）として、デバイスの動作温度に関連する温度推測対象の条件を複数用いるようにしても良い。
【００３９】
例えば、アプリケーション使用期間ｔ３が閾値を超えていることや、ＣＰＵ３の稼働率が９０％に到達している条件に加え、メモリ使用量が１ＧＢに到達しているか否かを動作条件として合わせ持たせ、同様にＳＲＴの設定値を変更する機能を持たせるものである。
【００４０】
このような機能構成の必要性は、ＳＤＲＡＭ制御システムが搭載される機器内の温度推測対象として、例示した特定のアプリケーションの使用時間、ＣＰＵ３の稼働率、メモリ使用量等が考えられるが、例えば機能構成によりＣＰＵ３の稼働率は高くてもメモリ使用量が少なかったり、或いはメモリ使用量が多くてもＣＰＵ３の稼働率が低いというシステムの動作状態にバラツキを生じる場合があり得るので、こうした場合でもより精度高く、ＳＲＴの設定値を変更することを可能とするためのものである。仮に温度推測対象として上述した１つの条件しか持っていなければ、ＣＰＵ３又はメモリ（ＳＤＲＡＭ１）の何れかが温度上昇の対象として漏れてしまうことになり、ＳＲＴの設定値の変更を精度良く行うことが困難になる。
【００４１】
また、上述したＳＤＲＡＭ制御システムにおいて、ＤＲＡＭコントローラ２及びＳＤＲＡＭ１を接続したＤＤＲ３インターフェース（Ｉ/Ｆ）４以外に、ＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値の変更用として、温度推測対象の条件が含む動作条件、時間条件の設定値を変更するために用いられるユーザーインターフェースを持つ機能構成としても良い。
【００４２】
図４は、上述したＳＤＲＡＭ制御システムを備えた情報処理装置（電気・電子・通信機器に搭載される）の基本構成を例示したブロック図である。
【００４３】
この情報処理装置は、上述したＳＤＲＡＭ制御システムの構成部分であるＤＲＡＭコントローラ２がグラフィック/メモリコントローラ２ａ及びＩ/Ｏコントローラ２ｂを備えたチップセットとして構成され、ＣＰＵ３に接続されたグラフィック/メモリコントローラ２ａに対してＤＤＲ３・ＳＤＲＡＭ（ＤＩＭＭ）によるＳＤＲＡＭ１が専用のＤＤＲ３インターフェース（Ｉ/Ｆ）４を介して接続されると共に、Ｉ/Ｏコントローラ２ｂに対して専用のＳＡＴＡ（ＨＤＤ）５がＳＡＴＡインターフェース（Ｉ/Ｆ）６を介して接続されている。
【００４４】
その他、ユーザーインターフェースを介してグラフィック/メモリコントローラ２ａにはディスプレイ７が接続され、Ｉ/Ｏコントローラ２ｂにはＥｔｈｅｒｅｔインターフェース（Ｉ/Ｆ）８、ＵＳＢ２．０インターフェース（Ｉ/Ｆ）９が接続されている。
【００４５】
このような情報処理装置は、例えばユーザーインターフェースを介してキーボードやマウス、表示装置等が接続されて多機能な構成となったとき、これらの付加された各部によりＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を任意の値に変更できるものである。具体的に云えば、ＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値の変更として、動作条件であるＣＰＵ３の稼働率を５０％、６０％という具合に任意の値に変更したり、或いは時間条件についても任意の時間（期間）に変更することができる。
【００４６】
このような機能構成は、ＳＤＲＡＭ制御システムを含む情報処理装置が搭載される機器の設置地域や設置場所の温度環境に応じてＳＲＴの設定値を切り替えるための適切な条件が異なるため、設定値を常に固定値とした場合に設置地域や設置場所によっては必要のないときにＳＲＴの設定値が１に設定されてしまうような事態を回避するために有効であり、機器の温度環境に応じて適切な条件を設定することができ、より精度高くＳＲＴの設定値を変更することが可能となる。
【００４７】
更に、ユーザーインターフェースについては、ＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値の変更機能の有効、無効を切り替えられるようにしても良い。
【００４８】
このような機能構成は、機器の温度環境によっては動作状況に関係なく、ＳＤＲＡＭ１の動作温度が８５度以下となり、ＳＲＴの設定値を１へ変更する必要がない場合があるが、こうした場合にＳＲＴの設定値を切り替えるための無駄な処理を実行するのを回避するために有効なもので、処理の軽減化が可能となる。
【００４９】
加えて、ＣＰＵ３がユーザーインターフェースにおけるＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値の変更機能の有効、無効を切り替えるための時刻情報を用いて、システムに設定された時刻条件に応じてＤＲＡＭコントロータ２を介して切り替えの指示を行うようにしても良い。例えばＣＰＵ３が機器に搭載されたリアルタイムクロック（ＲＴＣ）素子から時刻情報を読み取り、１３時になったらＳＲＴの設定値の変更機能を有効とし、１５時になったらＳＲＴの設定値の変更機能を無効とするように設定する場合を例示できる。
【００５０】
このような機能構成は、機器の温度環境によっては特定の時間帯、例えば夜間等ではシステムの動作状況に関係なく、ＳＤＲＡＭ１の動作温度が８５度以下となり、こうした期間はＳＲＴの設定値を１へ変更する必要がないにも拘らず、無駄な処理を実行する場合があるが、こうした処理を回避するために有効なもので、処理の軽減化が可能となり、またユーザの手によってＳＲＴの設定値の変更機能の有効、無効の切り替えをする必要がないために利便性が向上する。
【００５１】
更に、ここでのユーザーインターフェースは、ＳＲＴの設定値の変更機能の有効、無効の切り替えの時刻を変更設定できるようにしても良い。
【００５２】
このような機能構成は、機器の設置地域や設置場所により時刻に対して温度環境が変わり、適切な条件が異なってしまうため、ＳＲＴの設定値を常に固定値にすると、設置地域や設置場所により必要のないときにＳＲＴの設定値が１にされてしまうことがあるが、こうした事態を回避するために有効なもので、機器の設置される環境に応じて適切な条件を設定することができ、より精度高くＳＲＴの設定値を変更することが可能となる。
【符号の説明】
【００５３】
１  ＳＤＲＡＭ
２  ＤＲＡＭコントローラ
２ａ  グラフィック/メモリコントローラ
２ｂ  Ｉ/Ｏコントローラ
３  ＣＰＵ
４  ＤＤＲ３インターフェース（Ｉ/Ｆ）
５  ＳＡＴＡ
６  ＳＡＴＡインターフェース（Ｉ/Ｆ）
７  ディスプレイ
８  Ｅｔｈｅｒｎｅｔ(登録商標)インターフェース（Ｉ/Ｆ）
９  ＵＳＢ２．０インターフェース（Ｉ/Ｆ）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５４】
【特許文献１】特開２００５−２２２５７４（段落[００３８]、図３）
【図１】
2010205363.tif 000003
【図２】
2010205363.tif 000004
【図３】
2010205363.tif 000005
【図４】
2010205363.tif 000006