(57)【要約】【課題】ヒーターによって効率良く液晶層を加熱するようにし、これによって電力のロスを無くした液晶装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板間に液晶５０を挟持してなる液晶装置１００である。一対の基板の少なくとも一方の基板１０の内面側に、絶縁膜７を介してヒーター３２を有している。絶縁膜７は、所定の含有率の気泡を有しており、これによって高い断熱性を有している。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面側に、絶縁膜を介してヒーターを有し、
前記絶縁膜が、所定の含有率の気泡を有してなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記一対の基板のうちの一方の基板は、前記液晶層を駆動させるためのアクティブ素子を設けた素子基板とされ、
前記素子基板には前記ヒーターが設けられ、
前記絶縁膜は、前記アクティブ素子を覆って設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記アクティブ素子を覆って設けられた平坦化膜であることを特徴とする請求項２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記絶縁膜上の少なくとも一部に、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記絶縁膜中の前記気泡の含有率が、容量換算で２０％以上８０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面側に絶縁材料を塗布し、所定の減圧乾燥条件で乾燥することにより、所定の含有率の気泡を有した絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にヒーターを設ける工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記所定の減圧乾燥条件は、大気圧の状態から５秒後に０．１６気圧以上０．３５気圧以下に減圧することを特徴とする請求項６記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置に用いられる液晶物質は、液晶状態を呈する温度領域が決まっており、この温度領域の限界値に近づくと、その挙動が遅くなるといった現象が起こる。したがって、液晶装置では、冬季など特に使用する環境温度が低くなると、液晶層中の液晶分子の動きが遅くなり、表示の応答性が低下することがある。
そこで、従来では液晶装置にヒーターを内蔵し、使用環境が設定された環境温度より低くなっても、ヒーターによる加熱によって液晶装置の温度を保ち、表示品質の低下を防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−２８９３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記の方法によると、ヒーターによる加熱によって付与された熱が液晶層に蓄えられず、多くが基板を介して外部に放熱してしまうため、必要以上に多くの電力を消費してしまうといった課題がある。
【０００４】
本発明は前記課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ヒーターによって効率良く液晶層を加熱するようにし、これによって電力のロスを無くした液晶装置と、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面側に、絶縁膜を介してヒーターを有し、前記絶縁膜が、所定の含有率の気泡を有してなることを特徴としている。
【０００６】
この液晶装置によれば、絶縁膜が気泡を有しているので、高い断熱性を有するものとなる。したがって、ヒーターによって液晶層を加熱した際、絶縁膜の断熱効果によって放熱を抑制することができ、これにより液晶層を所望の温度に加熱するのに要する時間を短縮することができる。また、低温環境下で使用した場合にも、絶縁膜の断熱効果によって放熱を抑制することができるため、ヒーターによって必要最小限の電力で液晶層を加熱し所望の温度に保持することができる。
【０００７】
また、前記液晶装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板は、前記液晶層を駆動させるためのアクティブ素子を設けた素子基板とされ、前記素子基板には前記ヒーターが設けられ、前記絶縁膜は、前記アクティブ素子を覆って設けられているのが好ましい。
このようにすれば、断熱効果を有する絶縁膜によってアクティブ素子を覆うので、ヒーターによる熱によってアクティブ素子が加熱されるのを抑制することができ、したがってアクティブ素子による駆動の信頼性を確保することができる。
【０００８】
また、前記液晶装置において、前記絶縁膜は、前記アクティブ素子を覆って設けられた平坦化膜であるのが好ましい。
このように、従来の液晶装置において形成する平坦化膜を前記絶縁膜とすることにより、従来の製造工程から新たに絶縁膜の形成工程を増やすことなく、単に平坦化膜に気泡を含有させることで、断熱効果を有する平坦化膜（絶縁膜）が得られる。
【０００９】
また、前記液晶装置においては、前記絶縁膜上の少なくとも一部に、反射膜が設けられていてもよい。
半透過反射型、あるいは全反射型の反射膜を有する液晶装置において、熱伝導率の高い反射膜を使用しても、反射膜が断熱効果を有する前記絶縁膜上に設けられているので、この絶縁膜によってヒーターからの熱が装置の外に放出されるが抑制される。また、絶縁膜中の気泡の含有率が高くても、反射膜が第２の平坦化膜として機能することにより、液晶層の厚さが均一化する。
【００１０】
また、前記液晶装置においては、前記絶縁膜中の前記気泡の含有率が、容量換算で２０％以上８０％以下であるのが好ましい。
気泡の含有率を２０％以上にすることで、絶縁膜の断熱効果がより高くなる。また、気泡の含有率を８０％以下にすることで、平坦化膜としての機能を保持したまま良好な断熱性を発揮することが可能になる。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面側に絶縁材料を塗布し、所定の減圧乾燥条件で乾燥することにより、所定の含有率の気泡を有した絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にヒーターを設ける工程と、を含むことを特徴としている。
【００１２】
この液晶装置の製造方法によれば、絶縁膜を形成する工程において、乾燥の際に減圧乾燥のスピードをコントロールすることにより、所望の断熱性を有する絶縁膜を形成することができる。したがって、この絶縁膜を備えることにより、前述したようにヒーターによって液晶層を所望の温度に加熱する際、これに要する時間を短縮することができ、また、低温環境下で使用した場合にも、ヒーターによって必要最小限の電力で液晶層を加熱し保持することが可能な、優れた液晶装置を製造することができる。
【００１３】
また、前記液晶装置の製造方法において、前記所定の減圧乾燥条件は、大気圧の状態から５秒後に０．１６気圧以上０．３５気圧以下に減圧するのが好ましい。
このようにすれば、断熱性が高い良好な絶縁膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
図１は本発明の液晶装置の一実施形態の概略構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、この液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１５】
図１、図２において符号１００は、本発明の液晶装置の一実施形態としての、アクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置である。この液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板（素子基板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に、液晶５０を封入、保持したものである。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。
【００１６】
シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及びパッド（端子部）２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１７】
この液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素１００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ３０、すなわち液晶層を構成する前記液晶５０を駆動させるためのアクティブ素子が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００１８】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。また、反射層９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込むようになっている。
このようにして、反射層９を介して液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００１９】
この液晶表示装置１００においては、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として形成されている。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。
【００２０】
このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低濃度領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂおよび高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、その中間には、ソース、ドレインのどちらの領域にも属さない高濃度領域１ｃが形成されている。
また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆに対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００２１】
一方、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。この層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール８を介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続されている。また、層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続されている。
【００２２】
さらに、層間絶縁膜４の表面には、本発明におけるヒーター用の配線３１が、前記データ線６ａやドレイン電極６ｂと同じ材料によって形成されている。なお、この配線３１は、例えば図１、図２に示した前記パッド（端子部）２０２に接続されており、このパッド２０２を介して電源から電力が供給されるようになっている。また、この電力の供給については、図示しない制御部により、液晶５０が所定範囲の温度となるように制御されている。
【００２３】
層間絶縁膜４上には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂からなる本発明の絶縁膜７が形成されている。この絶縁膜７は、所定の含有率（占有率）の気泡を有してなるもので、これによって高い断熱性を有したものとなっている。また、この絶縁膜７は、前記ＴＦＴ３０やデータ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、配線３１等によって形成された層間絶縁膜５上の凹凸を平坦化するための、平坦化層としても機能している。
【００２４】
この絶縁膜７中の前記気泡の含有率としては、本実施形態では容量換算（容量比）で２０％以上８０％以下に形成されている。気泡の含有率が２０％以上になっていることで、絶縁膜７はその断熱効果がより高くなっている。また、気泡の含有率が８０％以下になっていることで、平坦化膜としての機能が保持されたまま、良好な断熱性が発揮されるようになっている。
【００２５】
絶縁膜７上には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、またはこれらの金属膜とクロム、チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積層膜からなる反射層９と、この反射層９と同じ導電材料からなるヒーター３２とが形成されている。
反射層９は、前記ドレイン電極６ｂに図示しないコンタクトホールを介して導通したものである。また、この反射層９には、各画素毎に開口部（図示せず）が形成され、該反射層９及び該開口部上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からな透明電極９１が形成されている。そして、図示しないバックライトからの光が前記開口部から透過することにより、透過表示が可能になっている。
【００２６】
ヒーター３２は、前記したように例えばクロムとアルミニウムとが積層されて形成されたもので、絶縁膜７に形成されたコンタクトホール３３を介して配線３１に電気的に接続されたものである。このような構成によってヒーター３２は、配線３１を介して電源から通電されることにより、発熱するようになっている。
また、絶縁膜７上には、ヒーター３２や前記透明電極９１を覆ってポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されており、この配向膜１２の表面側は、ラビング処理が施されている。
【００２７】
また、ヒーター３２の近傍には、液晶５０に接するようにして該液晶５０の温度を検出する温度センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサは、配線（図示せず）を介して前記パッド２０２に接続されており、これによって検出された液晶５０の温度が、制御部（図示せず）にフィードバックされるようになっている。
【００２８】
対向基板２０においては、対向基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の反射層９の縦横の境界領域と対向する領域、及び前記ヒーター３２を形成した領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプからなる遮光膜２３が形成されている。また、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成され、さらにこの対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。なお、図示しないものの、この対向基板２０には、前記の各画素に対応して赤色、緑色、青色の各カラーフィルタが形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が封入されている。
【００２９】
このような構成の液晶表示装置１００を製造するに際し、特にＴＦＴアレイ基板１０において前記絶縁膜７を形成するには、まず、従来と同様にしてガラス基板１０’上に層間絶縁膜４までを形成し、さらにその上にデータ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、配線３１をそれぞれ形成する。その後、感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂材料を溶媒に溶解してなる溶液を、前記のデータ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、配線３１を覆って層間絶縁膜５上にスピンコート法等で塗布する。
【００３０】
続いて、この絶縁材料からなる塗布膜を乾燥するが、その際、本発明では所定の減圧乾燥条件のもとで減圧乾燥処理を行う。この減圧乾燥処理としては、空気雰囲気下、または窒素等の不活性ガス雰囲気下において、減圧速度をコントロールすることで行う。具体的には、前記絶縁材料を大気圧下で塗布した後、真空チャンバー内にて大気圧の状態から急速に減圧を行い、５秒後に真空チャンバー内が０．１６気圧以上０．３５気圧以下に到達するようにする。
【００３１】
このように急速減圧を行うと、塗布膜中に残存する溶媒の全てが蒸発して膜から抜け出ることなく、その一部は気泡の状態で膜中に残存しここに閉じ込められる。したがって、形成された絶縁膜７は、特に前記条件で急速減圧を行うことにより、気泡の含有率（占有率）が例えば容量換算（容量比）で２０％以上８０％以下となり、良好な断熱性を有するものとなる。
【００３２】
また、この絶縁膜７の形成に際しては、特にスピンコート法が好適に採用され、さらに前記絶縁樹脂材料を溶媒に溶解してなる溶液についても、得られる絶縁膜７の表面が十分に平坦化するよう、その粘度が低く調整されたものが用いられる。これにより、前記溶液は塗布時に良好な流動性が得られるようになり、したがってこの溶液を塗布し乾燥することで得られる膜は、その表面が十分に平坦化し、平坦化膜として良好に機能するものとなる。
【００３３】
このようにして減圧乾燥を行ったら、ホットプレート上にて加熱処理を行い、これによって絶縁膜７を形成する。
また、このようにして絶縁膜７を形成したら、続いて、この絶縁膜７を露光しさらに現像することにより、配線３１に通じるコンタクトホール３３、及びドレイン電極６ｂに通じるコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００３４】
次いで、前記のコンタクトホール３３等にコンタクト（図示せず）を埋め込み、さらにこれに導通させて、絶縁膜７上に反射層９及びヒーター３２を形成する。反射層９及びヒーター３２については、前述したように例えばクロムとアルミニウムとを積層して成膜し、さらに公知のパターニング法でパターニングすることにより、同じ工程で形成する。
【００３５】
以下、従来と同様にして透明電極９１や配向膜１２を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０が得られる。
また、対向基板２０についても従来と同様にして形成し、さらにこれら対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とを貼り合わせ、液晶５０を注入することにより、図４に示した液晶表示装置１００が得られる。
【００３６】
このような構成の液晶表示装置１００にあっては、前記したように液晶５０の温度が温度センサで検出できるようになっているので、液晶５０の温度が所定の温度より低い場合に、これを制御部で検知して自動的にヒーター３２に通電し、あるいは使用者が手動でヒーター３２に通電することにより、液晶５０を所望の温度にまで加熱することができる。したがって、冬季など特に使用する環境温度が低い場合にも、液晶５０を所望の温度にまで加熱できるので、液晶層中の液晶分子の動きが遅くなり、表示の応答性が低下するといった不都合を防止することができる。
【００３７】
また、気泡を有して形成された絶縁膜７が高い断熱性を有しているため、ヒーター３２によって液晶５０を加熱した際、絶縁膜７の断熱効果によって特にＴＦＴアレイ基板１０側からの放熱を抑制することができる。したがって、液晶５０を所望の温度に加熱するのに要する時間を短縮することができ、また、低温環境下で使用した場合にも、絶縁膜７の断熱効果によって放熱を抑制することができる。よって、本実施形態の液晶表示装置１００によれば、ヒーター３２によって必要最小限の電力で液晶５０を加熱し、所望の温度に保持することができる。
【００３８】
また、断熱効果を有する絶縁膜７によってＴＦＴ（アクティブ素子）３０を覆っているので、ヒーター３０による熱によってＴＦＴ３０が加熱されるのを抑制することができ、これにより、ＴＦＴ３０による駆動の信頼性を確保することができる。
また、従来の液晶装置において形成する平坦化膜を前記絶縁膜７としているので、従来の製造工程から新たに絶縁膜７の形成工程を増やすことなく、単に乾燥時に平坦化膜に気泡を含有させることで、断熱効果を有する平坦化膜（絶縁膜７）を形成することができる。
【００３９】
また、前記の液晶表示装置１００の製造方法にあっては、絶縁膜７を形成する工程において、乾燥の際に減圧乾燥のスピードをコントロールすることにより、所望の断熱性を有する絶縁膜７を形成することができる。したがって、この絶縁膜７を形成することにより、前述したようにヒーター３２によって必要最小限の電力で液晶５０を加熱し保持することが可能な、優れた液晶表示装置１００を製造することができる。
【００４０】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
例えば、前記実施形態では本発明を半透過反射型液晶表示装置に適用したが、全反射型、あるいは透過型の液晶装置にも本発明を適用することができる。
【００４１】
また、前記実施形態では、ＴＦＴをアクティブ素子（スイッチング素子）としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用したが、その他、ＴＦＤをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、あるいは一対の基板の各々に走査電極、データ電極を備えたパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用することもできる。
さらに、前記実施形態では、本発明に係る絶縁膜を平坦化膜としても機能させたが、平坦化膜については絶縁膜とは別に形成するようにしてもよい。
【００４２】
また、前記実施形態では、絶縁膜７をＴＦＴアレイ基板１０側のみに形成したが、対向基板２０側にも絶縁膜７を形成してもよく、その場合には、液晶５０に供給された熱が対向基板２０側から放出されることも、良好に抑制することができる。また、ヒーター３２についても、対向基板２０側に形成することができる。さらに、これらヒーター３２、絶縁膜７については、対向基板２０側のみに形成するようにしてもよい。
また、前記実施形態では温度センサを設けて液晶の温度を検出するようにしたが、温度センサを設けず、使用者は液晶装置の使用環境温度が所定の温度より低い場合にヒーター３２に通電し、一定時間経過後、液晶装置を使用するようにしてもよい。
【００４３】
次に、本発明に係る液晶装置の応用例として、電子機器の例について説明する。
図７は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記の液晶表示装置（液晶装置）を用いた液晶表示部を示している。
図７に示す携帯電話にあっては、前記の液晶表示装置を液晶表示部１００１として備えているので、冬季などにおいて低温環境下で使用する場合にも、ヒーターによって必要最小限の電力で液晶層を加熱し所望の温度に保持することができる。したがって、表示品質を低下させることなく、良好な表示性能を確保することができる。
【００４４】
（実験例１）
前記の絶縁膜７として、その気泡の含有率（占有率）と、熱効率との関係を調べた。ここで、熱効率とは、ヒーター３２で供給した熱量に対する、液晶５０を温めるのに使用された熱量の割合である。得られた結果を図５のグラフに示す。
図５に示したように気泡の含有率については、前述の熱効率より、容量換算（容量比）で２０％以上であるのが好ましいことが分かった。なお、平坦化膜としての機能を併せ持つためには、８０％以下とするのが好ましい。これは、８０％以下にすることで必要な絶縁耐圧を確保することができ、また、気泡による膜の凹凸を軽減し、膜の平坦性を確保できるからである。
【００４５】
（実験例２）
前記の絶縁膜７の形成方法として、その減圧乾燥条件を変えて気泡の含有率（占有率）の変化を調べた。すなわち、前記絶縁材料を大気圧下で塗布した後、真空チャンバー内にて大気圧の状態から減圧する際の速度を変え、得られた絶縁膜の気泡の含有率を測定した。得られた結果を図６のグラフに示す。
図６に示したように、５秒後に真空チャンバー内の到達圧力を０．１６気圧以上０．３５気圧以下の範囲にすると、絶縁膜中の気泡の含有率が容量換算で２０％以上８０％以下になることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の液晶装置の一実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う側断面図である。
【図３】同液晶表示装置の画像表示領域の等価回路図である。
【図４】同液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図である。
【図５】気泡の含有率（占有率）と、熱効率との関係を示すグラフである。
【図６】５秒後の到達圧力と、気泡の含有率（占有率）との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の応用例としての、電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４７】
７…絶縁膜、９…反射層、１０…ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ素子（アクティブ素子）、３２…ヒーター、５０…液晶、１００…液晶表示装置（液晶装置）
【図１】
2010134114.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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