(57)【要約】【課題】本発明は、視認性を向上させた有機発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明は有機発光表示装置に関するものであり、本発明による有機発光表示装置は発光領域を有する複数の有機発光素子を含む第１基板、前記有機発光素子の発光領域を複数のサブ発光領域に分割する光吸収層パターンを有して前記第１基板に対向配置される第２基板を含む。【選択図】図２
2010141292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域を有する複数の有機発光素子を含む第１基板と、
前記有機発光素子の発光領域を複数のサブ発光領域に分割する光吸収層パターンを有して、前記第１基板に対向配置された第２基板を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記光吸収層パターンは帯状パターンで形成され、
前記帯状パターンは前記有機発光素子の発光領域の長手方向と交差することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記光吸収層パターンは格子パターンで形成されて前記有機発光素子の発光領域を分割することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記光吸収層パターンは酸化チタン、酸化鉄、クロム、及び銀の内一種類以上の物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記光吸収層パターンは黒色無機物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記光吸収層パターンは黒色微粒子を含む有機物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記黒色微粒子はカーボンブラック、または平均直径が１ｎｍ乃至３００ｎｍ範囲内の錫及び錫合金の内一種類以上を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記光吸収層パターンはフォトエッチング工程を通して形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記光吸収層パターンは前記有機発光素子の発光領域を４個乃至１０個の前記サブ発光領域に分割したことを特徴とする請求項１乃至９のうち何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記光吸収層パターンは数マイクロメーター（μｍ）単位の幅を有することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくは視認性を向上させた有機発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極と、有機発光層と、電子注入電極を有する複数の有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）と、を含む。有機発光層内部において電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光され、これを用いて有機発光表示装置は画像を形成する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を要しないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
一般に有機発光表示装置が有する正孔注入電極及び電子注入電極の中一つ以上の電極と、その他多くの金属配線は外部から流入する光を反射する。このような外光反射によって明るいところで使用される時、有機発光表示装置は黒い色の表示及びコントラストが不良になって視認性が低下する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前述した背景技術の問題を解決するためのものであって、視認性が向上した有機発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、発光領域を有する複数の有機発光素子を含む第１基板と、前記有機発光素子の発光領域を複数のサブ発光領域に分割する光吸収層パターンを有して前記第１基板に対向配置された第２基板を含む。
【０００７】
前記光吸収層パターンは帯状（ｓｔｒｉｐｅ）パターンに形成され、前記帯状パターンは前記有機発光素子の発光領域の長手方向と交差できる。
【０００８】
前記光吸収層パターンは格子パターンに形成されて前記有機発光素子の発光領域を分割することができる。
【０００９】
前記光吸収層パターンは酸化チタン（ｔｉｔａｎｕｍ  ｏｘｉｄｅ、ＴｉＯ２）、酸化鉄（ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、クロム（Ｃｒ）、及び銀（Ａｇ）の内一種類以上の物質を含むことができる。
【００１０】
前記光吸収層パターンは黒色無機物質で形成できる。
【００１１】
前記光吸収層パターンは黒色微粒子を含む有機物質で形成できる。
【００１２】
前記黒色微粒子はカーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ  ｂｌａｃｋ）、または平均直径が１ｎｍ乃至３００ｎｍ範囲内の錫及び錫合金の内一つ以上を含むことができる。
【００１３】
前記光吸収層パターンはフォトエッチング工程によって形成できる。
【００１４】
前記有機発光表示装置において、前記光吸収層パターンは前記有機発光素子の発光領域を４個乃至１０個の前記サブ発光領域に分割できる。
【００１５】
前記光吸収層パターンは数マイクロメーター（μｍ）単位の幅を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、有機発光表示装置は向上した視認性を有するようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】光吸収層パターンが形成された第２基板の斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例による光吸収層パターンが形成された第２基板の斜視図である。
【図５】画素当サブ発光領域の数別に外光反射率と内光透過率を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様な形態に具現でき、ここで説明する実施形態に限らない。
【００１９】
また、図面に示した各構成要素の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意寸法を示したので、本発明が必ずしも正しく示されたものとは限らない。
【００２０】
本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同じ参照符号を付ける。
【００２１】
また、図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面説明の便宜上、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上部に」または「上に」あると表現した場合、これは他の部分の「直ぐ上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直ぐ上に」あると表現した場合には中間に他の部分がないことを意味する。
【００２２】
また、添付図は、一つの画素に二つの薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ-ｆｉｌｍ-ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示したが、本発明がこれに限定されるものではない。従って、有機発光表示装置は一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスターと二つ以上の蓄電素子を具備でき、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成できる。ここで、画素は画像を表示する最小単位を示し、有機発光表示装置は複数の画素を介して画像を表示する。
【００２３】
以下、図１及び図２を参照して本発明の第１実施形態を説明する。
【００２４】
図１及び図２に示したように、有機発光表示装置１００は第１基板１１０と第２基板２１０を含む。図１は第１基板１１０を中心に画素の構造を示した配置図である。図２は図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して第１基板１１０と第２基板２１０を共に示した断面図である。
【００２５】
第１基板１１０は、第１基板部材１１１上に画素毎に各々形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０と、駆動薄膜トランジスター２０と、蓄電素子８０と、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０と、を含む。そして、第１基板１１０は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差されるデータライン１７１と、共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界として定義されるが、必ずこれに限定されるものではない。
【００２６】
有機発光素子７０は、第１電極７１０と、第１電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された第２電極７３０を含む。ここで、第１電極７１０は正孔注入電極の正（＋）極であり、半透過第２電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明が必ずしもこれに限定されるのではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法によって第１電極７１０が負極となり、第２電極７３０が正極となりうる。第１電極７１０及び第２電極７３０から各々正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合された励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
【００２７】
また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００は、有機発光素子７０が有機発光層７２０から第１電極７１０方向の反対方向、つまり、第２電極７３０方向に光を放出して画像を表示する。つまり、有機発光表示装置１００は前面発光型で形成できる。
【００２８】
蓄電素子８０はゲート絶縁膜１４０を間において配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。ここで、ゲート絶縁膜１４０は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８の間の電圧によって蓄電容量が決められる。
【００２９】
スイッチング薄膜トランジスター１０はスイッチング半導体層１３１と、スイッチングゲート電極１５２と、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４と、を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２と、駆動ゲート電極１５５と、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７と、を含む。
【００３０】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されると共に、第１蓄電板１５８と接続される。
【００３１】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を第１電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８は各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７はコンタクト孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８２を介して有機発光素子７０の第１電極７１０と接続される。
【００３２】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動され、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝送されたデータ電圧の差に該当する電圧が蓄電素子８０に貯蔵されて、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を介して有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光される。
【００３３】
また、有機発光素子７０は有機発光層７２０が第１電極７１０と第２電極７２０との間に配置されて、実質的に発光する発光領域（ＥＡ）と、発光領域（ＥＡ）周辺の非発光領域（ＮＥＡ）を含む。
【００３４】
第２基板２１０は第１基板１１０に対向配置されて、薄膜トランジスター１０、２０、蓄電素子８０及び有機発光素子７０などが外部から封止されるようにカバーする。ここでは図示されていないが、第１基板１１０と第２基板２１０の周縁に沿って配置されたシーラントを介して第１基板１１０と第２基板２１０は互いに合着封止される。
【００３５】
第２基板２１０は第２基板部材２１１と、第１基板１１０と対向する第２基板部材２１１の一面に形成された光吸収層横パターン２５１を含む。本発明による第１実施形態において、光吸収層横パターン２５１が第１基板１１０と対向する第２基板部材２１１の一面に形成されたが、これに限定されるのではなく、対向面の反対面に形成してもよい。
【００３６】
光吸収層横パターン２５１は図３に示したように、帯状（ｓｔｒｉｐｅ）に形成される。そして、帯状パターンに形成された光吸収層横パターン２５１は有機発光素子７０の発光領域（ＥＡ）の長手方向と交差する方向に形成される。これに、光吸収層横パターン２５１は有機発光素子７０の発光領域（ＥＡ）を複数のサブ発光領域（ＳＥＡ）に分割する。
【００３７】
図１における光吸収層横パターン２５１は、有機発光素子７０一つの発光領域（ＥＡ）を４個のサブ発光領域（ＳＥＡ）に分割している。つまり、光吸収層横パターン２５１は画素当４個のサブ発光領域（ＳＥＡ）を形成する。しかし、本発明による第１実施形態はこれに限定されるものではない。従って、光吸収層横パターン２５１は一つの発光領域（ＥＡ）を２個以上のサブ発光領域（ＳＥＡ）に必要に応じて多様に分割することができる。具体的に、光吸収層横パターン２５１は有機発光素子７０一つの発光領域（ＥＡ）を４個乃至１０個以内のサブ発光領域（ＳＥＡ）に分割するのが望ましい。光吸収層横パターン２５１が画素当３個以下のサブ発光領域（ＳＥＡ）を形成する場合、有機発光素子７０から放出された光の透過率は高まるが外光反射を効果的に抑制するのが困難である。一方、光吸収層横パターン２５１が画素当１１個以上のサブ発光領域（ＳＥＡ）を形成する場合、外光反射は効果的に抑制するが有機発光素子７０から放出された光の透過率が過度に低くなる。
【００３８】
また、光吸収層横パターン２５１は数マイクロメーター（μｍ）単位の幅を有する。光吸収層横パターン２５１の幅が数マイクロメーターより小さいと外光反射を抑制する効果が低下する。一方、光吸収層横パターン２５１の幅が数十マイクロメーター以上の場合有機発光表示装置１００の発光効率が低下する。
【００３９】
また、光吸収層横パターン２５１は金属物質、無機物質、及び有機物質の内一つ以上の物質で形成できる。具体的には、光吸収層横パターン２５１は第２基板部材２１１の素材または第１基板１１０と第２基板２１０が合着される方法により適切な素材で形成される。例えば、第２基板部材２１１がガラス（ｇｌａｓｓ）素材で形成されたり、第１基板１１０と第２基板２１０を合着させるシーラント（図示せず）にフリット（ｆｒｉｔ）のようなガラス系の素材が用いられる場合、光吸収層横パターン２５１は高い焼成温度に耐えられる金属物質または黒色無機物質で形成されるのが望ましい。ここで、金属物質としては、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化鉄（ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、クロム（Ｃｒ）、及び銀（Ａｇ）などが挙げられる。また、黒色無機物質としては公知の多様な無機膜が挙げられる。一方、シーラントに有機物質が使用されたり第２基板部材２１１に有機薄膜が使用される場合には、光吸収層横パターン２５１は黒色微粒子を含む有機物質で形成できる。ここで、黒色微粒子としては、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ  ｂｌａｃｋ）、または平均直径が１ｎｍ乃至３００ｎｍ範囲内の錫及び錫合金などが挙げられる。
【００４０】
また、光吸収層横パターン２５１はフォトエッチング工程によって形成される。具体的な光吸収層横パターン２５１の形成方法を説明すると下記の通りである。まず、光吸収層を第２基板部材２１１上に塗布した後、その上にマスクを利用した写真工程で感光膜パターンを形成する。そして、感光膜パターンを利用したエッチング工程で光吸収層をエッチングして光吸収層横パターン２５１を形成する。
【００４１】
このように、第２基板２１０の光吸収層横パターン２５１を通して有機発光表示装置１００は外光反射によって視認性が低下するのを抑制し、同時に有機発光素子７０で発生した光の損失を最少化して外部に放出できる。
【００４２】
以下、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００の構造について積層順に具体的に説明する。また、下記では駆動薄膜トランジスター２０を中心に薄膜トランジスターの構造について説明する。そして、スイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの差異点だけ簡略に説明する。
【００４３】
まず、第１基板１１０から説明する。第１基板部材１１１はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで構成された絶縁性基板で形成される。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。従って、第１基板部材１１１はステンレス鋼などで構成された金属性基板で形成されうる。
【００４４】
第１基板部材１１１の上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純元素の浸透を防止すると共に表面を平坦化する役割を果たし、このような役割を遂行できる多様な物質で形成できる。例えば、バッファー層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちいずれか一種類が用いられる。しかし、バッファー層１２０は必ず必要なものではなく、第１基板部材１１１の種類及び工程条件により省略することもできる。
【００４５】
バッファー層１２０の上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側でｐ+ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が用いられる。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００４６】
本発明の第１実施形態においては駆動薄膜トランジスター２０でＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されるものではない。従って、駆動薄膜トランジスター２０にＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターも全て用いることができる。
【００４７】
また、図２に示された駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターであったり非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであってもよい。
【００４８】
駆動半導体層１３２の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０の上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線はゲートライン１５１、第１蓄電板１５８及びその他に配線をさらに含む。そして駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００４９】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出させる貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等で形成される。
【００５０】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。また、データ配線はデータライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他に配線をさらに含む。そして駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は各々層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に形成された貫通孔を通して、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
【００５１】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。駆動薄膜トランジスター２０の構成は前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知の構成で多様に変形できる。
【００５２】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を高めるため段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクト孔１８２を有する。
【００５３】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）の内一つ以上の物質などで形成できる。
【００５４】
また、本発明による第１実施形態は前述した構造に限定されるものではなく、場合により平坦化膜１８０と層間絶縁膜１６０のうちいずれか一つは省略できる。
【００５５】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の第１電極７１０が形成される。つまり、有機発光表示装置１００は複数の画素毎に各々配置された複数の第１電極７１０を含む。この時、複数の第１電極７１０は互いに離隔配置される。第１電極７１０は平坦化膜１８０のコンタクト孔１８２を介してドレイン電極１７７と接続される。
【００５６】
また、平坦化膜１８０上には第１電極７１０を露出させる開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素定義膜１９０は各画素に形成された複数の開口部を有する。そして、第１電極７１０は画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。しかし、第１電極７１０が必ず画素定義膜１９０の開口部にだけ配置されるのではなく、第１電極７１０の一部が画素定義膜１９０と重なるように画素定義膜１９０の下に配置される。画素定義膜１９０はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂またはシリカ系の無機物などで形成される。
【００５７】
第１電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には第２電極７３０が形成される。このように、第１電極７１０、有機発光層７２０、及び第２電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００５８】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物で構成される。また、有機発光層７２０は発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ-ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ-ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ-ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ-ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち一つ以上を含む多重膜で形成できる。これら全てを含む場合、正孔注入層が正極の第１電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００５９】
また、図２において有機発光層７２０は画素定義膜１９０の開口部内にだけ配置されたが、本発明による第１実施形態はこれに限定されるものではない。従って、有機発光層７２０は画素定義膜１９０の開口部内で第１電極１９０上に形成されるだけでなく、画素定義膜１９０と第２電極７３０との間にも配置される。具体的には、有機発光層７２０が発光層と共に含む正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）等のような多様な膜のうちの発光層を除いた他の正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）は製造過程でオープンマスク（ｏｐｅｎ  ｍａｓｋ）を利用して第２電極７３０と同様に第１電極７１０の上にだけでなく画素定義膜１９０の上にも形成できる。つまり、有機発光層７２０に属した多数の膜の内一層以上の膜が画素定義膜１９０と第２電極７３０との間に配置される。
【００６０】
第１電極７１０と第２電極７３０は各々透明な導電性物質で形成されたり半透過型または反射型導電性物質で形成できる。第１電極７１０及び第２電極７３０を形成する物質の種類によって、有機発光表示装置９００は前面発光型、背面発光型または両面発光型となりうる。
【００６１】
一方、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００は前面発光型に形成される。つまり、有機発光素子７０は第２基板２１０方向に光を放出して画像を表示する。
【００６２】
透明な導電性物質としては、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）等の物質を使用できる。反射型物質及び半透過型物質としてはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の物質を使用できる。
【００６３】
第２電極７３０上には第２基板２１０が対向配置される。第２基板２１０の第２基板部材２１１はガラス及びプラスチックなどのような透明な物質で形成される。そして、第１基板１１０と対向する第２基板部材２１１の一面に光吸収層横パターン２５１が形成される。光吸収層横パターン２５１は帯状（ｓｔｒｉｐｅ）パターンで形成されて、有機発光素子７０の発光領域（ＥＡ）を複数のサブ発光領域（ＳＥＡ）に分割する。
【００６４】
また、図示していないが、シーラントが第１基板１１０及び第２基板２１０の周縁に沿って配置されて、第１基板１１０と第２基板２１０を互いに合着封止する。
【００６５】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は向上した視認性を有する。つまり、第２基板２１０の光吸収層横パターン２５１を通して、有機発光表示装置１００は外光反射によって視認性が低下するのを抑制できる。また、有機発光表示装置１００は第２基板２１０の光吸収層横パターン２５１により外光反射を抑制するため、一般に用いられる偏光部材のような構成を省略できる。これに、偏光部材を用いる場合、相対的に低下した有機発光表示装置１００の発光効率を改善することができる。つまり、有機発光表示装置１００の輝度及び寿命を向上できる。
【００６６】
図４は本発明の第１実施形態の変更例による第２基板２１０の光吸収層縦パターン２５２を示した図である。図４に示したように、本発明の第１実施形態の変更例において、第２基板２１０の光吸収層縦パターン２５２は格子パターンで形成される。このように、格子パターンで形成された光吸収層縦パターン２５２も有機発光素子７０の発光領域（ＥＡ）を複数のサブ発光領域（ＳＥＡ）に分割することができる。
【００６７】
以下、図５を参照して、画素当サブ発光領域（ＳＥＡ）の数による外光反射効率及び有機発光素子７０から放出された光の透過効率を説明する。
【００６８】
図５は略２μｍの幅を有する光吸収層横パターン２５１によって分割されたサブ発光領域（ＳＥＡ）の数毎に外光反射率と内光透過率を示したグラフである。ここで、内光透過率は有機発光素子７０から放出された光の透過率を示す。
【００６９】
図５に示したように、光吸収層横パターン２５１によって分割されたサブ発光領域（ＳＥＡ）の数が多いほど外光反射率が低くなる一方、内光透過率も低くなることが分かる。
【００７０】
適切な外光反射の抑制と有機発光素子７０から放出された光の透過率を考慮すると、光吸収層横パターン２５１によって分割されたサブ発光領域（ＳＥＡ）の数は４個乃至１０個以内の範囲であるのが望ましい。つまり、外光反射率は略０．４５以内に維持して、内光透過率は０．５５以上に維持する範囲内で光吸収層横パターン２５１によって分割されたサブ発光領域（ＳＥＡ）の数を調節するのが望ましい。
【００７１】
以上、本発明を望ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されることなく、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野に務める者は簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００７２】
１０  スイッチング薄膜トランジスター
２０  駆動薄膜トランジスター
７０  有機発光素子（７１０、７２０、７３０の積層体）
８０  蓄電素子
１００  第１形態の有機発光表示装置 
９００  第１形態以外の有機発光表示装置
１１０、２１０  第１基板、第２基板
１１１、２１１  第１基板部材、第２基板部材
１２０  バッファー層
１３１  スイッチング半導体層
１３２  駆動半導体層
１３５  チャンネル領域
１３６  ソース領域
１３７  ドレイン領域
１４０  ゲート絶縁膜
１５５  駆動ゲート電極
１５１  ゲートライン
１５２  スイッチングゲート電極
１５５  駆動ゲート電極
１５８  蓄電板
１６０  層間絶縁膜
１７１  データライン
１７２  共通電源ライン
１７３  スイッチングソース電極
１７４  スイッチングドレイン電極
１７６  駆動ソース電極
１７７  駆動ドレイン電極
１７８  蓄電板
１８０  平坦化膜
１８２  コンタクト孔
１９０  画素定義膜
２５１  光吸収層横パターン
２５２  光吸収層縦パターン
７１０  第１電極（第２電極の反対極）
７２０  有機発光層
７３０  第２電極（第１電極の反対極）
【図１】
2010141292.tif 000003
【図２】
2010141292.tif 000004
【図３】
2010141292.tif 000005
【図４】
2010141292.tif 000006
【図５】
2010141292.tif 000007