(57)【要約】【課題】チャンバ内の温度が変化することを抑制し、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】内部が真空雰囲気となるチャンバ１５に接続される真空装置において、前記チャンバ１５内又は前記チャンバ１５内に連通する連通部３６内を減圧する真空ポンプ３４と、前記真空ポンプ３４近傍の所定面に配置され前記真空ポンプ３４から前記チャンバ１５内へ放射される熱輻射を低減する輻射低減部４６とを備え、前記輻射低減部４６は、前記所定面における前記熱輻射が相対的に高い第１領域と前記熱輻射が相対的に低い第２領域とに応じて形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が真空雰囲気となるチャンバに接続される真空装置において、
前記チャンバ内又は前記チャンバ内に連通する連通部内を減圧する真空ポンプと、
前記真空ポンプ近傍の所定面に配置され、前記真空ポンプから前記チャンバ内へ放射される熱輻射を低減する輻射低減部と、を備え、
前記輻射低減部は、前記所定面における前記熱輻射が相対的に高い第１領域と前記熱輻射が相対的に低い第２領域とに応じて形成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域と前記第２領域とに応じて、前記熱輻射を遮断する熱遮断率が互いに異なる２つの領域を有することを特徴とする真空装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域の方が前記第２領域と比較して、前記熱輻射を遮断する熱遮断率が大きくなるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記輻射低減部には、前記真空ポンプの駆動に伴い前記連通部内に流入した気体を前記真空ポンプ側に向けて流動させる流動部が形成されており、
前記熱輻射の熱伝播方向と直交する平面内で、前記第１領域に占める前記流動部の面積比率が、前記第２領域に占める前記流動部の面積比率よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項５】
請求項４に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記流動部が延びる方向と交差する方向に前記流動部を介して隣り合うように配置された複数の輻射低減部材を含んで構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項６】
請求項５に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域における前記流動部を介した前記輻射低減部材間の距離が、前記第２領域における前記流動部を介した前記輻射低減部材間の距離よりも狭小となるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域側の方が前記第２領域側よりも前記熱輻射に対する熱容量が大きくなるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域側の方が前記第２領域側よりも前記熱輻射に対する反射量が大きくなるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域の方が前記第２領域よりも前記熱輻射の熱伝播方向の寸法が大きくなるように構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記輻射低減部は、前記第１領域側と前記第２領域側とで互いに形状が異なることを特徴とする真空装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記真空ポンプは、ターボ分子ポンプであることを特徴とする真空装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の真空装置において、
前記第１領域は、前記ターボ分子ポンプにおける回転軸線を中心とした径方向外側の領域に対して、前記熱輻射の熱伝播方向で対向する領域であるとともに、
前記第２領域は、前記ターボ分子ポンプにおける回転軸線を中心とした径方向内側の領域に対して、前記熱輻射の熱伝播方向で対向する領域であることを特徴とする真空装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記真空ポンプは、クライオポンプであることを特徴とする真空装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の真空装置において、
前記第１領域は、前記クライオポンプの駆動時に該クライオポンプ内を流動する冷媒の冷媒流路に近接した領域に対して、前記熱輻射の熱伝播方向で対向する領域であるとともに、
前記第２領域は、前記クライオポンプの駆動時に該クライオポンプ内を流動する冷媒の冷媒流路から離間した領域に対して、前記熱輻射の熱伝播方向で対向する領域であることを特徴とする真空装置。
【請求項１５】
プラズマを生成し、該プラズマから放射される光を供給する光源装置であって、
請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の真空装置を備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光源装置と、
該光源装置から出力される前記光で第１面を照明可能な照明光学系と、
所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の真空装置と、
光源装置から出力される光で第１面を照明可能な照明光学系と、
所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
デバイスの製造方法において、
請求項１６又は請求項１７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内を真空雰囲気に減圧させる真空装置、該真空装置を備える光源装置及び露光装置、該光源装置を備える露光装置、該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、EUV（Extreme Ultraviolet）光やEB（Electron Beam）を露光光として用いて基板にパターン像を転写する露光装置には、露光光の減衰を抑制するために、チャンバ内を真空雰囲気に減圧させる真空ポンプが設けられている。このような露光装置において、例えば真空ポンプとしてターボ分子ポンプを適用した場合、ターボ分子ポンプは、動翼が固定翼に向けて気体分子を弾く際に発熱することにより、チャンバ内の部材よりも高温となる。そして、ターボ分子ポンプとチャンバ内の部材との間で温度差を生じた場合、チャンバ内の部材は、ターボ分子ポンプからの熱輻射を受熱するため、予め設定した温度からズレを生じて、その動作に悪影響を及ぼす虞があった。特に、チャンバ内の光学素子に温度変化が生じた場合、その光学特性に悪影響を及ぼすため、それを回避することが望まれていた。そこで、通常、露光装置には、特許文献１に記載されるように、チャンバ内の部材がターボ分子ポンプからの熱輻射を受熱して温度が変化することを抑制するための機構が設けられている。
【０００３】
すなわち、この特許文献１の露光装置では、ターボ分子ポンプによりチャンバ内の空気を吸引して排出するための通気口が、チャンバの内外を連通するように形成されている。そして、チャンバ内における通気口の近傍位置に、ターボ分子ポンプに対向するように配置されたシールドと、該シールドを外周から包囲するように通気口の端縁に沿って配置された輻射部材とを備えている。そして、ターボ分子ポンプから通気口を介してチャンバ内に放射された熱輻射は、輻射率の低いシールドにて、その一部がターボ分子ポンプ側に反射されるとともに、その他の部分が輻射部材側に反射されて輻射部材内を循環する冷媒により吸収される。そのため、ターボ分子ポンプから放射された熱輻射がチャンバ内の部材に到達することはほとんどなく、チャンバ内の部材に温度変化を生じることが抑制されるようになっている。
【特許文献１】特開２００７−３１１６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の露光装置では、ターボ分子ポンプの駆動時には、動翼における回転軸線を中心とした径方向外側の領域は、径方向内側の領域よりも回動距離が長くなり、気体分子との衝突頻度が多くなる。そのため、動翼には、その中心から径方向外側に向けて次第に高温となる温度分布が形成される。その結果、輻射部材が動翼から受熱する熱輻射の強度は領域毎にバラつきを生じ、その全域をチャンバ内の部材との間で所望の温度差となるように均一に温度を調整することが困難となっていた。したがって、輻射部材のうち、チャンバ内の部材との温度差が大きくなる領域は、チャンバ内の部材に向けて強大な熱輻射を放射することにより、チャンバ内の部材に温度変化を生じる虞があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、チャンバ内の温度が変化することを抑制し、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の第１の実施態様である真空装置は、内部が真空雰囲気となるチャンバ（１５，２８）に接続される真空装置（２７，６７）において、前記チャンバ（１５，２８）内又は前記チャンバ（１５，２８）内に連通する連通部（３６，６６）内を減圧する真空ポンプ（３４，６３）と、前記真空ポンプ（３４，６３）近傍の所定面に配置され、前記真空ポンプ（３４，６３）から前記チャンバ（１５，２８）内へ放射される熱輻射を低減する輻射低減部（４６，６８，７３，７６）と、を備え、前記輻射低減部（４６，６８，７３，７６）は、前記所定面における前記熱輻射が相対的に高い第１領域と前記熱輻射が相対的に低い第２領域とに応じて形成されていることを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の実施態様である光源装置は、プラズマを生成し、該プラズマから放射される光（ＥＬ）を供給する光源装置（１２）であって、第１の実施態様に記載の真空装置（２７，６７）を備えたことを要旨とする。
【０００８】
本発明の第３の実施態様である露光装置は、第２の実施態様に記載の光源装置（１２）と、該光源装置（１２）から出力される前記光（ＥＬ）で第１面（Ｒａ）を照明可能な照明光学系（１６）と、所定のパターンの像を前記第１面（Ｒａ）とは異なる第２面（Ｗａ）上に投影可能な投影光学系（１８）と、を備えたことを要旨とする。
【０００９】
本発明の第４の実施態様である露光装置は、光源装置（１２）から出力される光（ＥＬ）で第１面（Ｒａ）を照明可能な照明光学系（１６）と、所定のパターンの像を前記第１面（Ｒａ）とは異なる第２面（Ｗａ）上に投影可能な投影光学系（１８）と、を備えたことを要旨とする。
【００１０】
本発明の第５の実施態様であるデバイスの製造方法は、第３の実施態様又は第４の実施態様に記載の露光装置（１１）を用いて基板（Ｗ）を露光する工程と、露光された前記基板（Ｗ）を処理する工程と、を含むことを要旨とする。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすくするために実施形態に示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、チャンバ内の温度が変化することを抑制し、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図６に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、フロア１３上に支持台１４を介して設置されるチャンバ１５を備えている。チャンバ１５内は、真空雰囲気に設定されており、その真空度は、チャンバ１５内でＥＵＶ光を用いて露光処理を行うために適切な高真空となっている。
【００１４】
そして、チャンバ１５内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲ及び表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷが収容され、光源装置１２からの露光光ＥＬが入射するようになっている。このようにチャンバ１５内に入射した露光光ＥＬは、該チャンバ１５内に配置される照明光学系１６を介してレチクルステージ１７にて保持されるレチクルＲを照明し、レチクルＲで反射した露光光ＥＬは、チャンバ１５内に配置される投影光学系１８を介してウエハステージ１９に保持されるウエハＷを照射するようになっている。
【００１５】
照明光学系１６は、チャンバ１５の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２０を備えている。この筐体２０内には、光源装置１２から筐体２０内に入射された露光光ＥＬを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられており、各反射ミラーによって順に反射された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２１内に配置された折り返し用の反射ミラー２２に入射し、該反射ミラー２２で反射した露光光ＥＬがレチクルステージ１７に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１６を構成する各反射ミラーの反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００１６】
レチクルステージ１７は、投影光学系１８の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着する吸着面２３ａを有する静電チャック２３と、レチクルＲをＹ軸方向（図１における左右方向）に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、静電チャック２３を支持する支持ステージ２４とを備えている。レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にも移動可能に構成されている。なお、レチクルＲの第１面としてのパターン面Ｒａに露光光ＥＬが照明される場合、該パターン面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる矩形状の照明領域が形成される。
【００１７】
投影光学系１８は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン面Ｒａを照射することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１５の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２１を備えている。この鏡筒２１内には、複数枚（一例としては６枚であって、図１では１枚のみ図示）の反射型のミラー２５が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、各ミラー２５に順に反射され、ウエハステージ１９に保持されるウエハＷの第２面としての被照射面Ｗａに導かれる。なお、各ミラー２５（折り返し用の反射ミラー２２も含む。）の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００１８】
ウエハステージ１９は、ウエハＷを静電吸着する吸着面２６ａを有する静電チャック２６と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向（図１における上下方向）にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ１９には、静電チャックを保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。なお、チャンバ１５における投影光学系１８の鏡筒２１の近傍位置には、チャンバ１５内から気体を吸引して外部に排出することでチャンバ１５内を真空雰囲気となるように減圧する真空装置２７が接続されている。
【００１９】
なお、本実施形態の露光装置１１にてウエハＷにパターンの像を投影する場合、レチクルＲは、上記レチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向に所定ストローク毎に移動する。すると、レチクルＲにおける照明領域は、該レチクルＲのパターン面Ｒａの−Ｙ軸方向側から＋Ｙ軸方向側（図１では左側から右側）に沿って移動する。すなわち、レチクルＲのパターンが＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に順にスキャンされる。また、ウエハＷは、上記ウエハステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲのＹ軸方向への移動に対して投影光学系１８の縮小倍率に応じた速度比で−Ｙ方向に同期して移動する。その結果、ウエハＷの一つのショット領域には、レチクルＲ及びウエハＷの同期移動に伴って、レチクルＲ上のパターンが所定の縮小倍率だけ縮小された状態で形成される。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成処理が連続して行われる。
【００２０】
次に、光源装置１２について図２に基づき説明する。
本実施形態の光源装置１２は、波長が「５〜５０ｎｍ(例えば１３．５ｎｍ)」となるＥＵＶ光を露光光ＥＬとしてチャンバ１５内に射出するレーザ励起型プラズマ光源装置により構成されている。具体的には、図２に示すように、光源装置１２は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ２８を備えており、チャンバ２８内には、プラズマＰＬを発生させるプラズマ発生部２９と、プラズマＰＬから放射される露光光ＥＬを集光させるための筒状の集光ミラー３０とが収容されている。プラズマ発生部２９は、ＥＵＶ光発生物質（ターゲット）としての高密度のキセノン（Ｘｅ）ガスを高速で噴出するノズル３１と、半導体励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザ３２とを備えている。そして、高出力レーザ３２から射出されたレーザ光がノズル３１から射出されたキセノンガスを照射することによりプラズマＰＬが生成され、該プラズマＰＬからはＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放出される。そして、放出された露光光ＥＬは、集光ミラー３０の入射側（−Ｙ方向側であって、図２では左側）の開口から集光ミラー３０内に入射する。なお、高出力レーザ３２は、例えば、ＣＯ２レーザであってもよい。
【００２１】
集光ミラー３０は、入射した露光光ＥＬの光軸方向における各部位の断面形状が円環状をなすように形成されており、集光ミラー３０の内周面には露光光ＥＬを反射可能な反射層が形成されている。そして、プラズマＰＬからの露光光ＥＬは、集光ミラー３０の内周面に反射された後、集光ミラー３０の射出側の開口（＋Ｙ方向側であって、図２では右側）から射出され、照明光学系１６に向けて出力される。
【００２２】
次に、真空装置２７について図３に基づき説明する。
図３に示すように、真空装置２７は、チャンバ１５を支持する支持台１４の＋Ｙ方向側（図３では右側）に隣接する支持台３３に配置された真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ３４を備えている。そして、ターボ分子ポンプ３４は、ターボ分子ポンプ３４で発生する振動を減衰させる振動減衰部３５及び内部が中空の連通部３６を介してチャンバ１５に連結されている。連通部３６は、振動減衰部３５との連結部位である−Ｚ方向側の端部から鉛直上方に延びるとともに、その途中位置にてチャンバ１５側となる−Ｙ方向側に向けてほぼ直角に屈曲した略Ｌ字状の筒体をなすように構成され、チャンバ１５の側壁（図３では右側壁）に開口形成された排気口３７を覆うようにチャンバ１５に接続される。
【００２３】
ターボ分子ポンプ３４は、振動減衰部３５との連結部位である＋Ｚ方向側の上壁面に連通口３８ａが形成された本体ケース３８と、該本体ケース３８内において−Ｚ方向側（即ち、支持台３３側）に配置されるモータ３９とを備え、該モータ３９は、Ｚ軸方向に沿って延びる回転軸４０を有している。また、ターボ分子ポンプ３４には、本体ケース３８の内周壁に支持される複数枚の固定翼４１と、回転軸４０に支持される複数枚の動翼４２とが設けられている。そして、モータ３９の駆動に基づき各動翼４２が回転軸４０の軸中心である回転軸線４３を中心に回転する場合、各動翼４２は、チャンバ１５内から連通部３６及び振動減衰部３５を介して本体ケース３８内に流入した気体分子を弾いて固定翼４１に当て、最終的に気体分子を図示しない排気部を介して露光装置１１外に押しやるようになっている。
【００２４】
振動減衰部３５は、円筒形状をなすステンレス製の蛇腹部材４４を備え、該蛇腹部材４４は、Ｚ軸方向に伸縮自在とされている。こうした蛇腹部材４４は、その−Ｚ方向側の端部がターボ分子ポンプ３４における本体ケース３８の上壁面に対して連通口３８ａを覆うように固定されているとともに、その＋Ｚ方向側の端部が連通部３６の−Ｚ方向側の端部に固定されている。また、蛇腹部材４４の外周側には、該蛇腹部材４４をＺ軸方向における伸縮を可能にした状態で保護するゴム製の保護部材４５が設けられている。そして、ターボ分子ポンプ３４が駆動した場合、ターボ分子ポンプ３４は、チャンバ１５内から排気口３７、連通部３６、振動減衰部３５の蛇腹部材４４、及び連通口３８ａを介して気体を本体ケース３８内に吸引した後、露光装置１１外に排気させる。
【００２５】
なお、ターボ分子ポンプ３４が駆動する際、各動翼４２、特に各動翼４２の回転軸線４３を中心とした径方向外側の領域には、気体分子を弾いた際の発熱によって、熱エネルギーがそれぞれ蓄熱される。もし仮に、動翼４２のうち熱エネルギーが蓄熱される部分（特に、動翼４２の径方向外側の領域）とチャンバ１５内に配置される部材（例えば反射ミラー）との間に介在する部材が何もなかったとすると、動翼４２からの熱輻射によって反射ミラーの温度が上昇する虞がある。そこで、本実施形態では、連通部３６内においてターボ分子ポンプ３４とチャンバ１５の排気口３７とを結んだ直線上には、ターボ分子ポンプ３４から直線状に放射される熱輻射を吸収することで、その熱輻射が排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することを抑制する輻射低減部としての熱輻射吸収機構４６が配置されている。
【００２６】
図４〜図６に示すように、熱輻射吸収機構４６は、互いに径の異なる複数（本実施形態では４つ）の略円筒状をなす輻射低減部材としての熱輻射吸収部材４７が、連通部３６の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）に沿う軸線４８を中心として、径方向外側に向けて次第に間隔が狭小となるように同心状に配置された多層フィン構造をなす環状部４９を有している。また、各熱輻射吸収部材４７は、軸線４８と直交する径方向（即ちＸ軸方向及びＹ軸方向）において互いに隣り合う熱輻射吸収部材４７の間に間隙５０を形成している。そして、これらの間隙５０が、ターボ分子ポンプ３４の駆動に伴ってチャンバ１５内から連通部３６内に流入した空気流（気体流）（図３では点線で示す）をターボ分子ポンプ３４側に向けて流動させる流動部として機能する。
【００２７】
すなわち、本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、ターボ分子ポンプ３４からの熱輻射が相対的に大きくなる第１領域としての径方向外側の領域が、ターボ分子ポンプ３４からの熱輻射が相対的に小さくなる第２領域としての径方向内側の領域よりも、ターボ分子ポンプ３４からの熱輻射の熱伝播方向と直交する平面内で間隙５０の占める面積比率が大きくなるように構成されている。
【００２８】
なお、熱伝播方向とは、ターボ分子ポンプ３４から放射された熱輻射が、振動減衰部３５及び連通部３６を介してチャンバ１５内の部材に向けて伝播される方向を示している。また、連通部３６の−Ｚ方向側の端部では、熱伝播方向は、連通部３６の延びる方向に沿うように、ターボ分子ポンプ３４から鉛直上方に直線状に延びる方向として規定されている。
【００２９】
また、各熱輻射吸収部材４７の表面には、輻射率の高い材質からなる輻射膜が形成されている。そして、ターボ分子ポンプ３４から放射された熱輻射は、連通部３６の内壁面に向けて反射されることなく高効率に吸収されるため、連通部３６の内壁面がターボ分子ポンプ３４からの熱輻射により加熱されることが抑制される。その結果、連通部３６が、その温度上昇に伴って、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに放射される熱輻射は極めて少量となっている。
【００３０】
熱輻射吸収機構４６における環状部４９の外側には、略円環状の冷却部５１が、軸線４８周りに環状部４９を外周から包囲するように配置されている。そして、冷却部５１の内部には、冷媒が流動する管路５２（図６参照）が中空状に形成されている。また、冷却部５１の内周面には、径方向に延びる２枚の平板状の金属板５３が、互いに直角に交差するように架設されている。すなわち、環状部４９を構成する各熱輻射吸収部材４７には、２枚の金属板５３を軸線４８と直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に沿うように配置した状態で挿通可能とする挿通孔５４が形成されている。そして、各金属板５３は、これらの各挿通孔５４に挿通されることにより、環状部４９の各熱輻射吸収部材４７に連結されている。また、冷却部５１における＋Ｙ方向側の端部及び−Ｙ方向側の端部には、冷却装置５５から延設された冷媒供給流路５６が、連通孔５７（図６参照）を介して管路５２内に連通するようにそれぞれ接続されている。そして、冷却装置５５から冷媒供給流路５６を介して冷却部５１の管路５２内に冷媒が流動した場合、管路５２の内壁面を介して冷却部５１から冷媒に向けて熱が伝播することにより冷却部５１が冷却される。続いて、冷媒により冷却された冷却部５１には、各金属板５３を介して環状部４９から熱が伝播することにより環状部４９が冷却される。
【００３１】
なお、冷却装置５５から冷媒供給流路５６を介して冷却部５１の管路５２内に流入した冷媒は、＋Ｘ方向側の管路と−Ｘ方向側の管路とをほぼ同一距離だけ流動した後に、冷媒供給流路５６を介して冷却装置５５内に回収される。そのため、冷媒が＋Ｘ方向側を流動する際の管路５２の流路抵抗と、冷媒が−Ｘ方向側を流動する際の管路５２の流路抵抗とがほぼ均一となる。したがって、一方側の管路５２を流動する際の流路抵抗が相対的に大きくなることにより、冷媒の流速が低下して冷媒の冷却効率が低下する場合と比較して、冷却部５１による環状部４９の冷却効率が領域毎にばらつくことが抑制される。
【００３２】
また、図１及び図３に示すように、連通部３６においてターボ分子ポンプ３４と対向する位置には、ターボ分子ポンプ３４から各熱輻射吸収部材４７間の間隙５０を通過して連通部３６の内壁面に到達した熱輻射を吸収するヒートシンク５８が配置されている。このヒートシンク５８内には、冷却装置５９から冷媒供給流路６０を介して供給される冷媒が流動する冷媒流路６１が形成されており、冷媒流路６１内を流動する冷媒により、ヒートシンク５８から熱エネルギーが吸収されるようになっている。
【００３３】
また、図１に示すように、光源装置１２には、上記の真空装置２７と同様に、支持台６２上に配置された真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ６３と、該ターボ分子ポンプ６３に対して振動減衰部６４を介して接続され且つ排気口６５を覆うようにチャンバ２８に接続される連通部６６とにより構成される真空装置６７が配置されている。そして、連通部６６内には、ターボ分子ポンプ６３からの熱輻射を吸収する輻射低減部としての熱輻射吸収機構６８が配置されている。また、連通部６６においてターボ分子ポンプ６３と対向する位置には、ターボ分子ポンプ６３からの熱輻射を吸収するヒートシンク６９が配置されている。ヒートシンク６９内には、冷却装置７０から冷媒供給流路７１を介して供給される冷媒が流動する冷媒流路７２が形成されており、冷媒流路７２内を流動する冷媒は、ヒートシンク６９から熱エネルギーを吸収するようになっている。
【００３４】
次に、上記のように構成された露光装置１１の作用について、特に、チャンバ１５内を減圧する際の作用に着目して以下説明する。
さて、露光装置１１において、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、動翼４２が回転軸線４３の中心から径方向外側に向けて次第に高温となる温度分布を形成した場合、動翼４２から熱輻射吸収機構４６に向けて放射される熱輻射の強度は、動翼４２の領域毎にばらつきを生じる。このとき、熱輻射吸収機構４６は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度がばらつくことにより、その領域毎に温度差を生じる。その結果、チャンバ１５内の部材との間での温度差が相対的に大きくなる径方向外側の領域からチャンバ１５内の部材に向けて強大な熱輻射が放射されることにより、チャンバ１５内の部材に温度変化を生じる虞があった。そのため、熱輻射吸収機構４６は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、その全域を均一に温度調整することが望まれていた。
【００３５】
この点、本実施形態の露光装置１１では、連通部３６内において、動翼４２の径方向外側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）で対向する位置には、熱輻射吸収部材４７間の間隙５０が狭小となる環状部４９の径方向外側の領域が配置されている。また、連通部３６内において、動翼４２の径方向内側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）で対向する位置には、熱輻射吸収部材４７間の間隙５０が広大となる環状部４９の径方向内側の領域が配置されている。
【００３６】
そして、動翼４２の径方向外側の領域からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された熱輻射は、その熱伝播方向と直交する平面内に密集して配置された熱輻射吸収部材４７により高効率に吸収される。一方、動翼４２の径方向内側の領域からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された熱輻射は、その熱伝播方向と直交する平面内に散在して配置された熱輻射吸収部材４７により低効率に吸収される。
【００３７】
すなわち、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２から放射される熱輻射に対する熱遮断率が、該熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、径方向外側の領域の方が径方向内側の領域よりも大きくなるように構成されている。なお、熱遮断率とは、熱輻射吸収機構４６が、ターボ分子ポンプ３４から放射された熱輻射をチャンバ１５内の部材に向けて伝播させないように遮断する比率を示している。
【００３８】
そのため、動翼４２から各熱輻射吸収部材４７間の間隙５０を通過して連通部３６の内壁面に到達した熱輻射は、熱輻射の熱伝播方向と直交する面内で均一な強度分布を有しており、ヒートシンク５８により冷却される連通部３６の内壁面の全域で均一に吸収される。したがって、ヒートシンク５８は、冷却装置５９から供給される冷媒の温度を調整することにより、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに熱輻射が放射されることを抑制するように、連通部３６の内壁面を一律に温度調整することが可能となっている。
【００３９】
また、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に大きい径方向外側の領域の方が、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に小さい径方向内側の領域よりも、熱輻射の熱伝播方向と直交する面内における熱輻射吸収部材４７の配置密度が大きくなるように構成されている。具体的には、動翼４２から受熱する熱輻射の強度のばらつきに応じて、熱輻射吸収部材４７の単位体積当たりの吸熱量がほぼ一定となるように、熱輻射吸収部材４７の配置密度が調整されている。そのため、熱輻射吸収機構４６は、冷却装置５５から供給される冷媒の温度を調整することにより、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射がチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制するように、その全域を一律に温度調整することが可能となっている。
【００４０】
なお、本実施形態では、光源装置１２についても、上記の真空装置２７と同様の真空装置６７を備えているため、チャンバ２８内に連通する連通部６６内を減圧するターボ分子ポンプ６３からの熱輻射を熱輻射吸収機構６８及びヒートシンク６９により吸収することができるようになっている。
【００４１】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２の径方向外側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向で対向する位置に配置された径方向外側の領域が、動翼４２の径方向内側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向で対向する位置に配置された径方向内側の領域よりも、動翼４２からの熱輻射に対する熱遮断率が大きくなるように構成されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、動翼４２が回転軸線４３の中心から径方向外側に向けて次第に高温となる温度分布を形成した場合であっても、動翼４２から放射された熱輻射は、動翼４２の各領域に応じて構成された熱輻射吸収機構４６の環状部４９により、熱輻射の強度のばらつきを相殺するように吸収される。そのため、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２から放射される熱輻射が、チャンバ１５内の部材の動作に影響を及ぼさない程度の大きさとなるように、熱伝播方向と直交する面内で均一に低減することができる。したがって、ターボ分子ポンプ３４の駆動に伴って、動翼４２が温度変化を生じる場合であっても、チャンバ１５内の部材の温度が変化することを抑制し、チャンバ１５内を真空雰囲気に減圧することができる。
【００４２】
（２）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２の径方向外側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向で対向する位置に配置された径方向外側の領域が、動翼４２の径方向内側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向で対向する位置に配置された径方向内側の領域よりも、熱輻射の熱伝播方向と直交する面内における熱輻射吸収部材４７の配置密度が大きくなるように構成されている。そのため、熱輻射吸収機構４６が、動翼４２から熱輻射吸収機構４６に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように熱輻射を吸収する構成を簡便に実現することができる。
【００４３】
（３）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度のばらつきに応じて、熱輻射吸収部材４７の単位体積当たりの吸熱量がほぼ一定となるように、熱輻射の熱伝播方向と直交する平面内での熱輻射吸収部材４７の配置密度が調整されている。そのため、熱輻射吸収機構４６は、動翼４２から熱輻射吸収機構４６に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、その全域を一律に温度調整することが可能となっている。
【００４４】
（４）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９には、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、排気口３７を介して連通部３６内を流動する空気流の流動方向に沿うように間隙５０が形成されている。そのため、空気流が熱輻射吸収機構４６を通過する際の流路抵抗が低減されることになり、連通部３６内に熱輻射吸収機構４６を配置した場合でも、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力（排気力）が低下することを抑制できる。なお、本実施形態における熱輻射吸収機構４６は、必要な領域（例、第１領域や第２領域）において、熱輻射吸収部材の配置密度又は形状を異なるようにしているので、ターボ分子ポンプ３４がチャンバ１５内に作用させる吸引力を低下させることはない。
【００４５】
（５）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の環状部４９は、熱輻射吸収部材４７が、連通部３６の延びる方向に沿う軸線４８を中心として、該軸線４８と直交する径方向に間隔を隔てて同心状に配置された多層フィン構造をなすように構成されている。そのため、熱輻射吸収部材４７は、連通部３６内において軸線４８と直交する断面全域に分散して配置されることになり、ターボ分子ポンプ３４から放射される熱輻射を高効率に吸収することができる。
【００４６】
（６）本実施形態では、熱輻射吸収機構４６の冷却部５１には、冷却装置５５から供給された冷媒が流動する管路５２が形成されている。そのため、冷却部５１は、管路５２の内壁面を介して冷媒との間で高効率に熱交換をすることができ、迅速に温度調整を行うことができる。
【００４７】
（７）本実施形態では、ターボ分子ポンプ３４の端部は、振動減衰部３５を介して連通部３６に接続されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４から振動が発生しても、その振動は、振動減衰部３５の伸縮動作によりほとんど吸収される。したがって、ターボ分子ポンプ３４の駆動に基づく振動がチャンバ１５に伝達されることを抑制することができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図７及び図８に従って説明する。なお、第２の実施形態は、ターボ分子ポンプから放射された熱輻射を吸収する熱輻射吸収機構の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００４９】
図７及び図８に示すように、本実施形態の輻射低減部としての熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、互いに径の異なる複数（本実施形態では４つ）の略円筒状をなす輻射低減部材としての熱輻射吸収部材７５が、連通部３６の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）に沿う軸線４８を中心として、該軸線４８と直交する径方向に等間隔となるように同心状に配置された多層フィン構造をなしている。そして、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、軸線４８を中心とする径方向に間隙５０を介して隣り合うように配置された熱輻射吸収部材７５のうち、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７５の方が、径方向内側に配置された熱輻射吸収部材７５よりも、熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）での寸法が大きくなるように構成されている。
【００５０】
そして、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、動翼４２が回転軸線４３の中心から径方向外側に向けて次第に高温となる温度分布を形成した場合、動翼４２の径方向外側の領域からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された熱輻射は、その熱伝播方向に沿う寸法が相対的に大きくなるように構成された熱輻射吸収部材７５により吸収される。一方、動翼４２の径方向内側の領域からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された熱輻射は、その熱伝播方向に沿う寸法が相対的に小さくなるように構成された熱輻射吸収部材７５により吸収される。
【００５１】
すなわち、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に大きい径方向外側の領域の方が、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に小さい径方向内側の領域よりも、熱輻射を受熱する熱輻射吸収部材７５の熱容量が大きくなるように構成されている。具体的には、熱輻射吸収機構７３は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度のばらつきに応じて、熱輻射吸収部材７５が熱輻射を吸収した際の温度の変化量が、熱輻射の熱伝播方向と直交する面内でほぼ一定となるように、各熱輻射吸収部材７５の熱容量が設定されている。そのため、熱輻射吸収機構７３は、冷却装置５５から供給される冷媒の温度を調整することにより、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射が、熱輻射吸収機構７３からチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制するように、その全域を一律に温度調整することが可能となっている。
【００５２】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）、（４）、（５）、（６）、（７）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（８）本実施形態では、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度のばらつきに応じて、熱輻射を吸収した際の温度の変化量が、熱輻射の熱伝播方向と直交する面内でほぼ一定となるように、熱輻射吸収部材７５の熱容量が設定されている。そのため、熱輻射吸収機構７３は、動翼４２から熱輻射吸収機構７３に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、その全域を一律に温度調整することが可能となっている。
【００５３】
（９）本実施形態では、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に大きい径方向外側の領域の方が、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に小さい径方向内側の領域よりも、熱輻射の熱伝播方向に沿う熱輻射吸収部材７５の寸法が大きくなるように構成されている。そのため、熱輻射吸収機構７３が、動翼４２から熱輻射吸収機構７３に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきに応じて、熱輻射を吸収した際の温度の変化量を全域で均一とする構成を簡便に実現することができる。
【００５４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図９及び図１０に従って説明する。なお、第３の実施形態は、ターボ分子ポンプから放射された熱輻射を吸収する熱輻射吸収機構の構成が第１の実施形態及び第２の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態及び第２の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態及び第２の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００５５】
図９及び図１０に示すように、本実施形態の輻射低減部としての熱輻射吸収機構７６は、互いに径の異なる複数（本実施形態では４つ）の略半円筒状の輻射低減部材としての熱輻射吸収部材７７が、連通部３６の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）に沿う軸線４８を中心として、径方向外側に向けて次第に間隔が狭小となるように同心状に配置された多層フィン構造をなす円弧部７８を有している。そして、本実施形態では、円弧部７８は、その円弧面が、連通部３６内において、ターボ分子ポンプ３４と排気口３７とを結んだ直線上となるチャンバ１５側（図９では左側）に位置するように配置されている。
【００５６】
熱輻射吸収機構７６において円弧部７８の外側には、略半環状の冷却部７９が、軸線４８周りに円弧部７８を外周から包囲するように配置されている。そして、冷却部７９の内部には、冷媒が流動する図示しない管路が中空状に形成されている。また、冷却部７９の内周面には、径方向に延びる２枚の平板状の金属板８０が、互いに直角に交差するように架設されている。すなわち、円弧部７８を構成する各熱輻射吸収部材７７には、２枚の金属板８０を軸線４８と直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に沿うように配置した状態で挿通可能とする挿通孔（図示略）が形成されている。そして、各金属板８０は、これらの各挿通孔に挿通されることにより、円弧部７８の各熱輻射吸収部材７７に連結されている。また、冷却部７９における＋Ｙ方向側の端部には、冷却装置８１側を基端として複数（本実施形態では２つ）に分岐した冷媒供給流路８２の先端部がそれぞれ接続されている。また、冷却部７９における−Ｙ方向側の端部には、冷却装置８１から延設された冷媒供給流路８３が接続されている。
【００５７】
そして、ターボ分子ポンプ３４の駆動時には、チャンバ１５内から排気口３７を介して連通部３６内に流入した空気流（気体流）は、その流動方向に沿うように形成された各熱輻射吸収部材７７の間隙５０を通過するとともに、熱輻射吸収機構７６と連通部３６の右側壁面（即ち、連通部３６においてチャンバ１５の排気口３７と対向する壁面）との間の間隙８４を通過する。そのため、空気流（気体流）が連通部３６内を通過する際の流路抵抗が更に低減されることにより、連通部３６内に熱輻射吸収機構７６を配置した場合でも、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することが更に抑制されるようになっている。
【００５８】
また、本実施形態の熱輻射吸収機構７６は、連通部３６の−Ｚ方向側の端部におけるチャンバ１５側（−Ｙ方向側であって、図９では左側）の領域には、動翼４２の径方向外側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）で対向する位置に、熱輻射吸収部材７７間の間隙５０が狭小となる円弧部７８の径方向外側の領域が配置されている。また、連通部３６の−Ｚ方向側の端部におけるチャンバ１５側の領域には、動翼４２の径方向内側の領域に対して熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）で対向する位置に、熱輻射吸収部材７７間の間隙５０が広大となる円弧部７８の径方向内側の領域が配置されている。
【００５９】
すなわち、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、動翼４２から熱輻射吸収部材７７の間隙５０が延びる方向と平行な方向に直線状に放射された熱輻射に対する熱遮断率が、熱輻射の強度のばらつきを低減するように、径方向外側の領域の方が径方向内側の領域よりも大きくなるように構成されている。そのため、動翼４２から各熱輻射吸収部材７７間の間隙５０を通過して連通部３６の内壁面に到達した熱輻射のうち、連通部３６の−Ｚ方向側の端部におけるチャンバ１５側の領域を連通部３６の延びる方向に沿うように鉛直上方に通過した熱輻射は  熱伝播方向と直交する面内で均一な強度分布を有している。すなわち、動翼４２から放射された熱輻射は、熱輻射吸収機構７６を通過する過程で強度のばらつきが低減される。そして、ヒートシンク５８は、かかる熱輻射を連通部３６の内壁面を介して均一に吸収することにより、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに熱輻射が放射されることを抑制することが可能となっている。
【００６０】
なお、動翼４２から熱輻射吸収部材７７の間隙５０が延びる方向と交差する方向に斜状に放射された熱輻射は、連通部３６内において、動翼４２と排気口３７とを結んだ直線上に位置する熱輻射吸収部材７７により吸収されるため、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することはない。
【００６１】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（４）、（６）、（７）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（１０）本実施形態では、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、その円弧面が、連通部３６内において、動翼４２と排気口３７とを結んだ直線上となる位置に配置されている。また、熱輻射吸収機構７６と連通部３６との間には、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、排気口３７を介して連通部３６内を流動する空気流が通過する間隙８４が形成されている。したがって、空気流（気体流）が連通部３６内を通過する際の流路抵抗が更に低減されるため、連通部３６内に熱輻射吸収機構７６を配置することに伴って、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することを抑制できる。
【００６２】
なお、上記実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記第３の実施形態において、図１１（ａ）に示すように、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、軸線４８を中心とする径方向に間隙５０を介して隣り合うように等間隔に配置された熱輻射吸収部材７７のうち、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７７の方が、径方向内側に配置された熱輻射吸収部材７７よりも、熱輻射の熱伝播方向（すなわち、Ｚ軸方向）での寸法が大きくなるように構成してもよい。また、この場合、各熱輻射吸収部材７７は、軸線４８を中心とする径方向での間隔が互いに異なるように配置してもよい。
【００６３】
・上記第３の実施形態において、図１１（ｂ）に示すように、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、軸線４８を中心とする径方向に間隙５０を介して隣り合うように等間隔に配置された熱輻射吸収部材７７のうち、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７７を、熱輻射の熱伝播方向に沿って屈曲した形状（又は、くの字状）をなすように構成してもよい。
【００６４】
この場合、円弧部７８は、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７７の方が、径方向内側に配置された熱輻射吸収部材７７よりも、動翼４２に対して熱輻射の熱伝播方向で対向する領域の大きさが大きくなるように構成されている。そして、動翼４２の径方向外側の領域からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された熱輻射は、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７７により高効率に吸収される。すなわち、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、動翼４２からの熱輻射に対する熱遮断率が、動翼４２から熱輻射吸収機構７６に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、径方向外側の領域の方が径方向内側の領域よりも大きくなるように構成されている。
【００６５】
そのため、動翼４２から放射された熱輻射は、熱輻射吸収機構７６を通過する過程で強度のばらつきが低減される。したがって、ヒートシンク５８は、かかる熱輻射を連通部３６の内壁面を介して均一に吸収することにより、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに熱輻射が放射されることを抑制することが可能となっている。
【００６６】
また、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に大きい径方向外側の領域の方が、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が相対的に小さい径方向内側の領域よりも、熱輻射に対する熱輻射吸収部材７７の熱容量が大きくなるように構成されている。そのため、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、冷却装置８１から供給される冷媒の温度を調整することにより、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射が、熱輻射吸収機構７６からチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制するように、その全域を一律に温度調整することが可能となっている。なお、この場合、各熱輻射吸収部材７７は、軸線４８を中心とする径方向での間隔が互いに異なるように配置してもよい。
【００６７】
・上記第３の実施形態において、図１１（ｃ）に示すように、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、軸線４８を中心とする径方向に間隙５０を介して隣り合うように等間隔に配置された熱輻射吸収部材７７のうち、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７７を、熱輻射の熱伝播方向に沿って湾曲した形状（又は、曲状）をなすように構成してもよい。この場合、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、径方向外側の領域での熱輻射に対する熱遮断率及び熱容量が相対的に大きくなる。そのため、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射がチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制することが可能となっている。
【００６８】
また、熱輻射吸収機構７６の円弧部７８は、動翼４２から放射される熱輻射の強度に応じて熱輻射に対する熱遮断率及び熱容量を調整するように、熱輻射の熱伝播方向に屈曲した形状を有する熱輻射吸収部材７７、及び熱輻射の熱伝播方向に湾曲した形状を有する熱輻射吸収部材７７を組み合わせて構成してもよい。
【００６９】
・上記第２の実施形態において、図１２（ａ）に示すように、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、軸線４８と中心とする径方向に間隙５０を介して隣り合うように等間隔に配置された熱輻射吸収部材７５のうち、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７５を、熱輻射の熱伝播方向に沿って屈曲した形状をなすように構成してもよい。
【００７０】
また、図１２（ｂ）に示すように、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、径方向外側に配置された熱輻射吸収部材７５を、熱輻射の熱伝播方向に沿って湾曲した形状をなすように構成してもよい。
【００７１】
また、熱輻射吸収機構７３の環状部７４は、動翼４２から放射される熱輻射の強度に応じて熱輻射に対する熱遮断率及び熱容量を調整するように、熱輻射の熱伝播方向に屈曲した形状を有する熱輻射吸収部材７５、及び熱輻射の熱伝播方向に湾曲した形状を有する熱輻射吸収部材７５を組み合わせて構成してもよい。
【００７２】
・上記各実施形態において、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、軸線４８を中心とする径方向外側に配置された熱輻射吸収部材４７，７５，７７の方が、径方向内側に配置された熱輻射吸収部材４７，７５，７７よりも、熱輻射の熱伝播方向と直交する方向での厚み寸法が大きくなるように構成してもよい。
【００７３】
この場合、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、径方向外側の領域での熱輻射に対する熱遮断率及び熱容量が相対的に大きくなる。そのため、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射がチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制することが可能となっている。
【００７４】
・上記各実施形態において、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、軸線４８を中心とする径方向外側に配置された熱輻射吸収部材４７，７５，７７の方が、径方向内側に配置された熱輻射吸収部材４７，７５，７７よりも、熱輻射に対する反射量が大きくなるように構成してもよい。また、上記各実施形態における熱輻射吸収部材は、真空ポンプから放出される熱輻射を遮蔽する部材であればよく、熱輻射の少なくとも一部を反射する部材であってもよい。また、上記各実施形態におけるヒートシンクは、真空ポンプから放出される熱輻射を遮蔽する部材であればよく、熱輻射の少なくとも一部を反射する部材であってもよい。
【００７５】
この場合、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、動翼４２から受熱する熱輻射の強度が大きい径方向外側の領域にて、熱輻射を吸収することなく動翼４２側に反射する比率が相対的に高くなる。すなわち、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、動翼４２から放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、動翼４２からの熱輻射の吸収量が調整される構成となっている。そのため、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、冷却装置５５，８１から供給される冷媒の温度を調整することにより、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る熱輻射が、熱輻射吸収機構４６，７３，７６からチャンバ１５内の部材に向けて放射されることを抑制するように、その全域を一律に温度調整することができる。
【００７６】
・上記各実施形態において、真空ポンプとして、チャンバ１５内に連通する領域に極低温面を晒すことにより、その表面に気体を凝縮させて捕捉するクライオポンプを適用してもよい。この場合、クライオポンプが、その駆動に伴って極低温となると、クライオポンプからチャンバ１５内に向けて熱輻射が放射されることにより、チャンバ１５内の部材の温度が予め設定した温度よりも低温になることが有り得る。
【００７７】
この場合、チャンバ１５内の部材とクライオポンプとの間に熱輻射吸収機構４６，７３，７６を配置して、クライオポンプから熱輻射吸収機構４６，７３，７６に向けて放射される熱輻射の強度のばらつきを相殺するように、熱輻射吸収機構４６，７３，７６を加熱する加熱装置を冷却装置５５，８１に代えて設ける。すると、熱輻射吸収機構４６，７３，７６の環状部４９，７４（又は円弧部７８）は、チャンバ１５内の部材との間で予め設定した所望の温度差となるように、その全域での温度を一律に調整することが可能となり、熱輻射吸収機構４６，７３，７６からチャンバ１５内の部材に向けて熱輻射が放射されることを抑制することができる。
【００７８】
・上記各実施形態において、熱輻射吸収機構は、真空ポンプ（例、ターボ分子ポンプ３４等）と振動減衰部との間に配置される構成としてもよい。
・上記各実施形態において、真空ポンプは、チャンバの排気口と対向する位置に配置される構成としてもよい。
【００７９】
・上記各実施形態において、複数の熱輻射吸収部材は、環状の多層構造となるよう配置されてもよいし、多角状の多層構造又は格子状構造となるように配置されてもよい。
・上記各実施形態において、光源装置１２は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）、ＥＢ光等の短波長の光を出力可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。
・上記各実施形態において、ターゲットは、キセノンに限定されずに、例えば、気体状、固体状又は液体状の錫、或いは、その錫を含む化合物、などを用いてもよい。
【００８０】
・上記各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。また、露光装置１１は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
【００８１】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１３は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００８２】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００８３】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００８４】
図１４は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００８５】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】第１の実施形態の露光装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態の光源装置を示す概略構成図。
【図３】第１の実施形態の真空装置を示す断面図。
【図４】第１の実施形態の熱輻射吸収機構を示す斜視図。
【図５】第１の実施形態の熱輻射吸収機構を示す平面図。
【図６】図５の６−６線矢視断面図。
【図７】第２の実施形態の熱輻射吸収機構を示す平面図。
【図８】図７の８−８線矢視断面図。
【図９】第３の実施形態の熱輻射吸収機構を示す概略構成図。
【図１０】第３の実施形態の熱輻射吸収機構を示す平面図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、別の実施形態の熱輻射吸収機構を示す概略構成図。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、別の実施形態の熱輻射吸収機構を示す概略構成図。
【図１３】デバイスの製造例を示すフローチャート。
【図１４】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００８７】
１１…露光装置、１２…光源装置、１５…チャンバ、１６…照明光学系、２１…投影光学系、２７…真空装置、２８…チャンバ、３４…真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ、３６…連通部、４３…回転軸線、４６…輻射低減部としての熱輻射吸収機構、４７…輻射低減部材としての熱輻射吸収部材、５０…流動部としての間隙、６３…真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ、６６…連通部、６７…真空装置、６８…輻射低減部としての熱輻射吸収機構、７３…輻射低減部としての熱輻射吸収機構、７５…輻射低減部材としての熱輻射吸収部材、７６…輻射低減部としての熱輻射吸収機構、７７…輻射低減部材としての熱輻射吸収部材、ＥＬ…光としての露光光、ＰＬ…プラズマ、Ｒａ…第１面としてのパターン面、Ｗ…基板としてのウエハ、Ｗａ…第２面としての被照射面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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