(57)【要約】【課題】  半導体製造装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合に、排ガス処理装置に酸素や水分が流入することを抑制しながら排ガスを処理することができる排ガス処理システムを提供する。【解決手段】  半導体製造装置８０から排出される排ガス中から酸素と水分の少なくとも一方を除去する除去装置３０と、除去装置３０通過後の排ガスを処理する排ガス処理装置２０を備える半導体製造装置８０の排ガス処理システム１０。【選択図】図１
2010142677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置から排出される排ガス中から酸素と水分の少なくとも一方を除去する除去装置と、
除去装置通過後の排ガスを処理する排ガス処理装置、
を備える半導体製造装置の排ガス処理システム。
【請求項２】
半導体製造装置から排出される排ガス中の酸素濃度と水分濃度の少なくとも一方を検出する第１検出装置と、
第１検出装置で検出される濃度が基準値以上であるときには、排ガスを除去装置に通過させた後に排ガス処理装置に流入させ、第１検出装置で検出される濃度が基準値未満であるときには、排ガスを除去装置を通過させずに排ガス処理装置に流入させるように排ガスの流通経路を切り換える第１経路切換装置、
をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理システム。
【請求項３】
除去装置通過後の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の少なくとも一方を検出する第２検出装置と、
第２検出装置で検出される濃度が基準値以上であるときには、除去装置通過後の排ガスを再度除去装置に通過させ、第２検出装置で検出される濃度が基準値未満であるときには、除去装置通過後の排ガスを排ガス処理装置に流入させるように排ガスの流通経路を切り換える第２経路切換装置、
をさらに備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の排ガス処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理システムに関する。なお、「半導体製造装置」とは、エッチング装置や成膜装置等の半導体素子の製造に用いられる装置を意味する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング装置や成膜装置等の半導体製造装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置が知られている。例えば、特許文献１には、半導体製造装置（ＣＶＤ成膜装置）から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置が開示されている。半導体製造装置から排出される排ガス中には、酸素や水分と反応し易い成分が含まれている。したがって、排ガス処理装置内に酸素や水分が存在していると、排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応する。排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応すると、その反応による生成物で排ガス処理装置内の排ガスの通路（例えば、フィルタや薬剤筒等）が詰まったり、排ガス処理装置内の配管が腐食する等の問題が生じる。
排ガス処理装置のメンテナンス作業や点検作業時に排ガス処理装置内に大気（すなわち、酸素や水分）が流入するため、特許文献１の排ガス処理装置では、これらの作業後に排ガス処理装置の配管内の酸素濃度、及び、水分濃度が検出される。そして、これらの検出値が基準値以上である場合には、配管内のガスを外部に排出する。これによって、その後に排ガス処理装置を作動させるときに、排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応することを抑制する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４９０９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の排ガス処理装置は、メンテナンス作業等の後に排ガス処理装置内に残存する酸素や水分を外部に排出することで、その後の作動時に排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応することを抑制する。しかしながら、半導体製造装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合がある。例えば、半導体製造装置をメンテナンスする際には、半導体製造装置内に大気（すなわち、酸素や水分）が流入する。したがって、その後に半導体製造装置を作動させると、半導体製造装置から排出される排ガス中に大気が混入する。また、半導体製造装置の故障時にも、半導体製造装置の排ガス中に大気が混入する。この場合、大気が混入した箇所よりも下流側の流路全体で排ガスと酸素または水分との反応が起こりうるが、排ガス処理装置内のフィルタや薬剤筒や配管は、反応による生成物によって目詰まりしたり、反応による腐食によって劣化し易いため、排ガス処理装置内への酸素や水分の流入は特に問題となる。特許文献１の排ガス処理装置では、半導体製造装置から排出される排ガス中に含まれる酸素や水分を除去することはできない。このため、半導体製造装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合には、排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応することを抑制することができないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述した実情に鑑みて創作されたものであり、半導体製造装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合に、排ガス処理装置に酸素や水分が流入することを抑制しながら排ガスを処理することができる排ガス処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の排ガス処理システムは、半導体製造装置から排出される排ガス中から酸素と水分の少なくとも一方を除去する除去装置と、除去装置通過後の排ガスを処理する排ガス処理装置を備えている。
なお、本明細書において「除去する」とは、対象の成分（酸素、水分等）の少なくとも一部を取り除くことをいい、対象の成分の全てを取り除くことまでは要しない。また、「除去する」には、対象の成分を吸着して取り除いたり、対象の成分を分解して取り除くこと等が含まれる。
この排ガス処理システムでは、半導体製造装置から排出される排ガスが除去装置を通過する。排ガス中に酸素や水分が存在している場合には、酸素や水分は除去装置にて除去される。排ガス処理装置には、除去装置を通過することによって酸素や水分の濃度が低下した排ガスが流入する。したがって、排ガス処理装置内において、排ガスが酸素や水分と反応することを抑制することができる。
【０００７】
上述した排ガス処理システムは、第１検出装置と第１経路切換装置をさらに備えていることが好ましい。第１検出装置は、半導体製造装置から排出される排ガス中の酸素濃度と水分濃度の少なくとも一方を検出する。第１経路切換装置は、第１検出装置で検出される濃度が基準値以上であるときには、排ガスを除去装置に通過させた後に排ガス処理装置に流入させ、第１検出装置で検出される濃度が基準値未満であるときには、排ガスを除去装置を通過させずに排ガス処理装置に流入させるように排ガスの流通経路を切り換える。
この排ガス処理システムでは、半導体製造装置から排出された排ガス中の酸素濃度や水分濃度が十分に低い場合には、排ガスを除去装置に通過させずに排ガス処理装置に流入させる。したがって、除去装置の消耗を抑制でき、除去装置のメンテナンスや交換の回数を低減することができる。
【０００８】
上述した排ガス処理システムは、第２検出装置と第２経路切換装置をさらに備えていることが好ましい。第２検出装置は、除去装置通過後の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の少なくとも一方を検出する。第２経路切換装置は、第２検出装置で検出される濃度が基準値以上であるときには、除去装置通過後の排ガスを再度除去装置に通過させ、第２検出装置で検出される濃度が基準値未満であるときには、除去装置通過後の排ガスを排ガス処理装置に流入させるように排ガスの流通経路を切り換える。
この排ガス処理システムでは、除去装置通過後の排ガス中の酸素濃度や水分濃度が十分に低くなっていない場合には、除去装置通過後の排ガスを再度除去装置に通過させる。そして、除去装置通過後の排ガス中の酸素濃度や水分濃度が十分に低下したときに、排ガスを排ガス処理装置に流入させる。したがって、排ガス処理装置に基準値以上の濃度の酸素や水分が流入することを確実に防止することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の排ガス処理システムによれば、半導体製造装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合であっても、排ガス処理装置に酸素や水分が流入することを抑制することができる。したがって、排ガス処理装置内で排ガスが酸素や水分と反応することを抑制することができる。このため、排ガス処理装置の耐久性を向上させることができ、排ガス処理装置のメンテナンスの負担を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施例）
第１実施例に係る排ガス処理システムについて説明する。図１は、排ガス処理システム１０の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、排ガス処理システム１０は、ＬＰＣＶＤ装置８０に接続されている。排ガス処理システム１０は、ＬＰＣＶＤ装置８０から排出される排ガスを処理する。
【００１１】
ＬＰＣＶＤ装置８０は、その内部に設置されるウエハの表面にシリコン膜を成長させる。ＬＰＣＶＤ装置８０は、供給管８２と、排ガス処理システム１０の配管７０に接続されている。
ＬＰＣＶＤ装置８０によって成膜処理を行う際には、供給管８２からＬＰＣＶＤ装置８０に原料ガスが供給される。原料ガスは、ＳｉＨ４ガス（シランガス）とＮ２ガス（窒素ガス）等を混合したガスである。ＬＰＣＶＤ装置８０は、供給された原料ガスを用いて、内部に設置されたウエハ上にシリコン膜を成長させる。ＬＰＣＶＤ装置８０は、成膜処理に用いた原料ガスを配管７０内に排出する。配管７０内に排出される排ガス中には、ＳｉＨ４ガスが含まれる。
また、成膜処理を行うと、ＬＰＣＶＤ装置８０の内部に副生成物（主にシリコン）が付着する。このため、ＬＰＣＶＤ装置８０の内部にクリーニングガスを供給するクリーニング処理が行われる。この場合、供給管８２からＬＰＣＶＤ装置８０にクリーニングガスが供給される。クリーニングガスは、ＣｌＦ３ガス（３フッ化塩素ガス）を含むガスである。ＣｌＦ３ガスは、ＬＰＣＶＤ装置８０内の副生成物と反応して、副生成物をエッチングする。ＬＰＣＶＤ装置８０は、クリーニング処理に用いたクリーニングガスを配管７０に排出する。配管７０内に排出される排ガス中には、ＣｌＦ３ガスが含まれる。
また、ＬＰＣＶＤ装置８０内には、メンテナンス時や故障時等に大気（すなわち、酸素や水分）が流入することがある。内部に酸素や水素が存在している状態でＬＰＣＶＤ装置８０を作動させると、排ガス中に酸素や水素が混入する。成膜処理時の排ガス中に酸素及び水分が混入していると、ＳｉＨ４ガスが酸素または水分と反応して、粉状の固形物が生成される。また、クリーニング処理時の排ガス中に酸素及び水分が混入していると、ＣｌＦ４ガスが酸素または水分と反応して、配管を腐食させるおそれがある。
【００１２】
排ガス処理システム１０は、排ガス処理装置２０と、脱酸素・除湿装置３０と、酸素・水分濃度検出装置４０と、切換弁５０と、制御装置６０と、配管７０〜７３を備えている。
【００１３】
配管７０は、上流端がＬＰＣＶＤ装置８０に接続されており、下流端が切換弁５０に接続されている。配管７０内には、ＬＰＣＶＤ装置８０から排ガスが排出される。
【００１４】
酸素・水分濃度検出装置４０は、配管７０の途中に設置されている。酸素・水分濃度検出装置４０は、配管７０内を流れる排ガス中の酸素濃度と水分濃度を検出する。また、酸素・水分濃度検出装置４０は、制御装置６０と電気的に接続されている。酸素・水分濃度検出装置４０が検出した酸素濃度と水分濃度は、制御装置６０に入力される。
【００１５】
切換弁５０は、配管７０の下流端に接続されている。また、切換弁５０には、配管７１の上流端と、配管７２の上流端が接続されている。切換弁５０は、配管７０から配管７１にガスが流れる状態と、配管７０から配管７２にガスが流れる状態とを切り換えることができる。また、切換弁５０は、制御装置６０と電気的に接続されている。切換弁５０は、制御装置６０に制御される。
【００１６】
制御装置６０は、酸素・水分濃度検出装置４０及び切換弁５０と電気的に接続されている。制御装置６０は、酸素・水分濃度検出装置４０から入力される酸素濃度と水分濃度が、それぞれの基準値以上であるか否かを判定する。酸素濃度の基準値は、排ガス処理装置２０内に基準値未満の酸素が流入しても不具合が生じない値に設定されている。水分濃度の基準値は、排ガス処理装置２０内に基準値未満の水分が流入しても不具合が生じない値に設定されている。制御装置６０は、上記の判定に基づいて切換弁５０を制御する。
【００１７】
配管７１は、上流端が切換弁５０に接続されており、下流端が排ガス処理装置２０に接続されている。
【００１８】
配管７２は、上流端が切換弁５０に接続されており、下流端が配管７１に合流している。
【００１９】
脱酸素・除湿装置３０は、配管７２に介装されている。図示していないが、脱酸素・除湿装置３０は、脱酸素フィルタと除湿フィルタを備えている。脱酸素フィルタは、脱酸素剤を備えたフィルタであり、配管７２内を流れるガス中の酸素と化学的に結合して、配管７２内のガス中から酸素を除去する。除湿フィルタは、除湿剤を備えたフィルタであり、配管７２内を流れるガス中の水分を吸着して除去する。
【００２０】
排ガス処理装置２０には、配管７１の下流端が接続されている。また、排ガス処理装置２０には、配管７３の上流端が接続されている。排ガス処理装置２０内には、配管７１から排ガスが流入する。排ガス処理装置２０は、薬剤筒や各種のフィルタ（以下、薬剤筒等という）を備えている。排ガス処理装置２０は、流入した排ガスを薬剤筒等に通過させることによって、排ガス中から特定の成分（環境負荷物質等）を除去する。排ガス処理装置２０は、薬剤筒等を通過させた排ガスを、配管７３に排出する。配管７３は、外部の処理装置に接続されている。配管７３に排出された排ガスは、外部の処理装置に送られて、さらに無害化される。
【００２１】
次に、排ガス処理システム１０の動作について説明する。例として、ＬＰＣＶＤ装置８０によって成膜処理を行うときの、排ガス処理システム１０の動作について説明する。
成膜処理の開始時においては、切換弁５０は、配管７０から配管７２にガスが流れるように制御されている。ＬＰＣＶＤ装置８０により成膜処理を実行すると、ＳｉＨ４ガスを含む排ガスが、ＬＰＣＶＤ装置８０から配管７０内に流入する。配管７０内に排ガスが流れると、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度が、酸素・水分濃度検出装置４０によって検出される。すると、制御装置６０が、酸素・水分濃度検出装置４０で検出された酸素濃度と水分濃度が基準値以上であるか否かを判定する。制御装置６０は、この判定結果に応じて、排ガス処理システム１０の運転状態を切り換える。
【００２２】
配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の何れかが基準値以上である場合には、制御装置６０は、切換弁５０を配管７０から配管７２にガスが流れる状態に制御する。したがって、図１の矢印９０に示すように、配管７０内の排ガスが配管７２へと流れる。排ガスは、配管７２内を流れる際に、脱酸素・除湿装置３０を通過する。このとき、脱酸素・除湿装置３０によって排ガス中の酸素と水分が除去される。したがって、脱酸素・除湿装置３０を通過すると、排ガス中の酸素濃度と水分濃度が低下する。脱酸素・除湿装置３０を通過した排ガスは、図１の矢印９１に示すように、排ガス処理装置２０内に流入する。排ガス処理装置２０内に流入したガスは、特定の成分を除去された後に、配管７３内に排出される。
このように、配管７０内の排ガスの酸素濃度と水分濃度の何れかが高い場合には、排ガスを、脱酸素・除湿装置３０に通過させた後に、排ガス処理装置２０に流入させる。このため、排ガス処理装置２０内で、ＳｉＨ４ガスと酸素または水分が反応して粉状の固形物が生成されることが抑制される。これにより、排ガス処理装置２０内の薬剤筒やフィルタ等に粉状の固形物が詰まり、排ガス処理装置２０の性能が低下することが抑制される。
【００２３】
一方、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の双方が基準値未満である場合には、制御装置６０は、切換弁５０を配管７０から配管７１にガスが流れる状態に制御する。これによって、図１の矢印９２に示すように、配管７０内の排ガスが配管７１を通って排ガス処理装置２０に流入する。排ガス中の酸素濃度と水分濃度が低いので、排ガス処理装置２０内でＳｉＨ４ガスが酸素や水分と反応することが抑制される。このように、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度が低い場合は、排ガス中の酸素と水分を除去する必要がない。酸素と水分を除去する必要がない場合に排ガスを脱酸素・除湿装置３０を通過させないことで、脱酸素・除湿装置３０の脱酸素フィルタ及び除湿フィルタの消耗を抑制することができる。
【００２４】
以上に説明したように、ＬＰＣＶＤ装置８０で成膜処理を行う際には、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度に応じて脱酸素・除湿装置３０に排ガスが通過され、排ガス処理装置２０内に酸素と水分が流入することが抑制される。これによって、排ガス処理装置２０内で粉状の固形物が生成されることが抑制され、排ガス処理装置２０で不具合が生じることが抑制される。
なお、上記の例ではＬＰＣＶＤ装置８０で成膜処理を行うときの動作について説明したが、ＬＰＣＶＤ装置８０でクリーニング処理を行うときにも、排ガス処理システム１０は同様に動作する。この場合には、排ガス中にＣｌＦ４ガスが含まれている。排ガス処理システム１０の動作によって、排ガス処理装置２０内に酸素と水分が流入することが抑制され、排ガス処理装置２０内でＣｌＦ４ガスと酸素または水分とが反応することが抑制される。これによって、排ガス処理装置２０内の配管等が腐食することが抑制される。
【００２５】
（第２実施例）
次に、第２実施例の排ガス処理システム１１０について説明する。図２は、第２実施例の排ガス処理システム１１０の概略構成を示すブロック図である。なお、図２では、第１実施例の排ガス処理システム１０と同様の機能を有する部分については、第１実施例と同様の参照番号を付している。以下では、第２実施例の排ガス処理システム１１０の構成のうち、第１実施例の排ガス処理システム１０と異なる部分について説明し、その他の部分については説明を省略する。
【００２６】
図２に示すように、排ガス処理システム１１０は、第１実施例の排ガス処理システム１０の構成に加えて、酸素・水分濃度検出装置４２と、切換弁５２と、配管７８、７９と、ポンプ６５を備えている。
【００２７】
酸素・水分濃度検出装置４２は、配管７２の合流部よりも下流側の位置で配管７１に設置されている。酸素・水分濃度検出装置４２は、配管７１内を流れる排ガス中の酸素濃度と水分濃度を検出する。酸素・水分濃度検出装置４２は、制御装置６０と電気的に接続されている。酸素・水分濃度検出装置４２が検出する酸素濃度と水分濃度は、制御装置６０に入力される。
【００２８】
切換弁５２は、配管７１の下流端に接続されている。また、切換弁５２には、配管７８の上流端と配管７９の上流端が接続されている。切換弁５２は、配管７１から配管７８にガスが流れる状態と、配管７１から配管７９にガスが流れる状態とを切り換える。また、切換弁５２は、制御装置６０と電気的に接続されている。切換弁５２は、制御装置６０によって制御される。
【００２９】
配管７８は、上流端が切換弁５２に接続されており、下流端が脱酸素・除湿装置３０より上流側の位置で配管７２に接続されている。配管７９は、上流端が切換弁５２に接続されており、下流端が排ガス処理装置２０に接続されている。
【００３０】
ポンプ６５は、配管７８に介装されている。ポンプ６５は、配管７８内のガスを下流側に送り出す。図示していないが、ポンプ６５は、制御装置６０と電気的に接続されている。ポンプ６５は、制御装置６０に制御される。
【００３１】
また、排ガス処理システム１１０では、切換弁５０が、配管７０から配管７１にガスが流れる状態と、配管７０から配管７２にガスが流れる状態と、閉じた状態（ガスが流れない状態）とに切り換え可能とされている。
【００３２】
次に、排ガス処理システム１１０の動作について説明する。例として、ＬＰＣＶＤ装置８０によって成膜処理を行うときの、排ガス処理システム１１０の動作について説明する。
成膜処理の開始時においては、切換弁５０が配管７０から配管７２にガスが流れるように制御されており、切換弁５２が配管７１から配管７９にガスが流れるように制御されており、ポンプ６５は停止されている。
ＬＰＣＶＤ装置８０により成膜処理を実行すると、ＳｉＨ４ガスを含む排ガスが、ＬＰＣＶＤ装置８０から配管７０内に流入する。配管７０内に排ガスが流れると、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度が、酸素・水分濃度検出装置４０によって検出される。すると、制御装置６０が、酸素・水分濃度検出装置４０で検出された酸素濃度と水分濃度が基準値以上であるか否かを判定する。制御装置６０は、この判定結果に応じて、排ガス処理システム１０の運転状態を切り換える。
【００３３】
配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の何れかが基準値以上である場合には、制御装置６０は、切換弁５０を配管７０から配管７２にガスが流れる状態に制御し、切換弁５２を配管７１から配管７９にガスが流れる状態に制御する（以下では、この運転状態を第１運転状態という）。したがって、図２の矢印９３、９４、９５に示すように、配管７０内の排ガスが脱酸素・除湿装置３０を通過した後に、排ガス処理装置２０に向かって流れる。
また、この場合には、配管７１内を流れる排ガス（すなわち、脱酸素・除湿装置３０を通過後の排ガス）中の酸素濃度と水分濃度が、酸素・水分濃度検出装置４２によって検出される。酸素・水分濃度検出装置４２によって検出された酸素濃度と水分濃度の何れかが基準値以上である場合には、制御装置６０は、切換弁５０を閉じ、切換弁５２を配管７１から配管７８にガスが流れる状態に制御し、ポンプ６５を作動させる（以下では、この運転状態を第２運転状態という）。したがって、図２の矢印９４、９６、９７に示すように、配管内を排ガスが循環する。これによって、脱酸素・除湿装置３０を通過後の排ガスが再度、脱酸素・除湿装置３０に送られて、排ガス中の酸素濃度と水分濃度がさらに低下される。第２運転状態は、循環する排ガス中の酸素濃度と水分濃度（すなわち、酸素・水分濃度検出装置４２の検出値）の双方が基準値未満となるまで継続される。酸素濃度と水分濃度が基準値未満となると、制御装置６０は運転状態を第１運転状態に戻す。したがって、酸素濃度と水分濃度が基準値未満まで低下された排ガスが排ガス処理装置２０に流入する。これにより、酸素濃度または水分濃度が基準値以上である排ガスが、排ガス処理装置２０に流入することが防止される。
なお、第２運転状態中においては、切換弁５０が閉じられているので、ＬＰＣＶＤ装置８０から配管７０内に排ガスが流入することができない。したがって、ＬＰＣＶＤ装置８０を一時的に停止してもよい。また、ＬＰＣＶＤ装置８０が配管７０に排出する排ガスを一時的に貯留するバッファタンク等を備えている場合には、ＬＰＣＶＤ装置８０の動作を継続し、排ガスをバッファタンク内に貯留してもよい。
【００３４】
一方、配管７０内の排ガス中の酸素濃度と水分濃度の双方が基準値未満である場合には、制御装置６０は、切換弁５０を配管７０から配管７１にガスが流れる状態に制御し、切換弁５２を配管７１から配管７９にガスが流れる状態に制御する。これによって、図２の矢印９８、９５に示すように、配管７０内の排ガスが配管７１、７９を通って排ガス処理装置２０に流入する。
【００３５】
以上に説明したように、第２実施例の排ガス処理システム１１０では、脱酸素・除湿装置３０通過後の排ガス中の酸素濃度と水分濃度を検出し、検出した酸素濃度と水分濃度の何れかが基準値以上である場合には、脱酸素・除湿装置３０通過後の排ガスを再度脱酸素・除湿装置３０に通過させる。このため、脱酸素・除湿装置３０通過後の排ガス中の酸素濃度と水分濃度が基準値未満とならない限り、排ガスは脱酸素・除湿装置３０を繰り返し通過する。そして、酸素濃度と水分濃度が基準値未満となったときに、排ガスが排ガス処理装置２０に送られる。このため、酸素濃度または水分濃度が基準値以上である排ガスが排ガス処理装置２０に流入することを確実に防止することができる。排ガス処理装置２０内で粉状の固形物が生成されることをより効果的に抑制することができる。
なお、上記の例ではＬＰＣＶＤ装置８０で成膜処理を行うときの動作について説明したが、ＬＰＣＶＤ装置８０でクリーニング処理を行うときにも、排ガス処理システム１１０は同様に動作する。これによって、排ガス処理装置２０内の配管等が腐食することが抑制される。
【００３６】
以上に説明したように、第１実施例及び第２実施例の排ガス処理装置によれば、ＬＰＣＶＤ装置から排出される排ガス中に酸素や水分が含まれている場合にも、排ガス処理装置内で排ガスが反応することを抑制することができる。したがって、排ガス処理装置で不具合が生じ難い。排ガス処理装置のメンテナンス頻度を低下させることができ、半導体素子の製造効率を向上させることができる。
なお、上述した実施例では、ＬＰＣＶＤ装置の排ガスを処理する排ガス処理システムについて説明したが、種々の半導体製造装置の排ガスの処理システムに本発明を適用することができる。例えば、他の方式の成膜装置や、エッチング装置の排ガスの処理に、本発明を適用することができる。
また、脱酸素・除湿装置の脱酸素フィルタや除湿フィルタには、異物が詰まることがある。このため、脱酸素・除湿装置よりも上流側の配管に、異物除去フィルタを設置してもよい。例えば、配管７０に異物除去フィルタを設置することができる。これにより、排ガス中の異物が除去され、脱酸素フィルタと除湿フィルタの詰まりを防止することができる。
【００３７】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１実施例の排ガス処理システム１０の概略構成を示すブロック図。
【図２】第１実施例の排ガス処理システム１１０の概略構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００３９】
１０、１１０：排ガス処理システム
２０：排ガス処理装置
３０：脱酸素・除湿装置
４０、４２：酸素・水分濃度検出装置
５０、５２：切換弁
６０：制御装置
６５：ポンプ
８０：ＬＰＣＶＤ装置
【図１】
2010142677.tif 000003
【図２】
2010142677.tif 000004