(57)【要約】【課題】基板の処理不良を防止できる基板保持装置を提供する。【解決手段】基板保持装置は、基板支持部材１００及び回転調節部４５０を具備する。基板支持部材１００は、基板がローディングされ、回転できる支持プレート１１１と、該支持プレート１１１に設置され、支持プレート１１１にローディングされた基板の側面で基板のエッジを支持して支持プレート１１１の上面から離隔させ、各々自転して支持されている前記基板を回転させる多数のチャッキングピン１１２とを具備する。回転調節部４５０は、支持プレート１１１の下に設置され、各チャッキングピン１１２の自転を調節する。チャッキングピン１１２は、工程の時基板を回転させて基板がチャッキングピンと接点される位置を変更させるため、チャッキングピンに当たった処理液が基板上に落ちる位置が継続変更される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板がローディングされ、回転可能な支持プレートと、該支持プレートに設置され、該支持プレートにローディングされた前記基板の側面で前記基板のエッジを支持して前記支持プレートの上面から離隔させ、各々自転して支持されている前記基板を回転可能とする多数のチャッキングピンとを具備する基板支持部材と、
前記支持プレートの下に設置され、各々の前記チャッキングピンの自転を調節する回転調節部と、
を包含することを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記各チャッキングピンは、
前記支持プレートを貫通し、中心軸を基準として回転する回転軸と、
前記回転軸の上端部に結合され、前記支持プレートにローディングされた前記基板のエッジを支持し、前記回転軸の回転によって回転して前記基板を回転させる支持部と、
前記回転軸の下端部に設置され、磁性を有し、前記回転調節部との磁力によって回転及び固定されるピン回転部と、
を包含することを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記回転調節部は、
磁性を有し、前記支持プレートを囲み、前記ピン回転部の一側に位置し、前記ピン回転部との間に磁気力を形成して前記ピン回転部の回転を調節する少なくとも１つの磁性ユニットと、
前記磁性ユニットを垂直移動させる垂直移動部と、
を包含することを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記磁性ユニットは、
第１極性を有し、互いに離隔されて配置された多数の第１磁石を具備する第１磁性ユニットと、
前記第１極性と反対である第２極性を有し、互いに離隔されて配置された多数の第２磁石を具備し、前記垂直移動部に結合されて垂直移動ができる第２磁性ユニットとを含み、
前記多数の第１磁石及び多数の第２磁石は、各々リング形状に配置されたことを特徴とする請求項３に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記第１磁石と前記第２磁石は、平面上で見ると、交互に位置することを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記第２磁性ユニットは、前記第１磁性ユニットの直下に設置され、垂直移動部によって前記第１磁性ユニット側に昇降の時、各々の第２磁石が互いに隣接した２つの第１磁石との間へ挿入されることを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記ピン回転部は、
前記第１極性を有し、各々扇形形状を有する少なくとも２つの第１ピン磁石と、
前記第２極性を有し、各々扇形形状を有する少なくとも２つの第２ピン磁石とを含み、
前記第１ピン磁石と前記第２ピン磁石は、交互に配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記ピン回転部は、円板形状を有することを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記多数のチャッキングピンは、前記支持プレート上での水平位置が調節できることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板の処理が行われる処理容器と、
前記処理容器内に設置され、前記基板を保持する基板保持装置とを含み、
前記基板保持装置は、
前記基板がローディングされ、回転できる支持プレートと、該支持プレートに設置され、該支持プレートへローディングされた前記基板の側面で前記基板のエッジを支持して前記支持プレートの上面から離隔させ、各々自転して支持している前記基板を回転させる多数のチャッキングピンとを具備する基板支持部材と、
前記支持プレートの下に設置され、前記各チャッキングピンの自転を調節する回転調節部と、
を包含することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記各チャッキングピンは、
前記支持プレートを貫通し、中心軸を基準として回転する回転軸と、
前記回転軸の上端部に結合され、前記支持プレートへローディングされた前記基板のエッジを支持し、前記回転軸の回転によって回転して基板を回転させる支持部と、
前記回転軸の下端部に設置され、磁性を有し、前記回転調節部との磁力によって回転及び固定されるピン回転部と
を包含することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記回転調節部は、
磁性を有し、前記支持プレートを囲み、前記ピン回転部の一側に位置し、前記ピン回転部との間に磁気力を形成して前記ピン回転部の回転を調節する少なくとも１つの磁性ユニットと、
前記磁性ユニットを垂直移動させる垂直移動部と
を包含することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記磁性ユニットは、
第１極性を有し、互いに離隔されて配置された多数の第１磁石を具備する第１磁性ユニットと、
前記第１極性と反対である第２極性を有し、互いに離隔されて配置された多数の第２磁石を具備し、前記垂直移動部に結合されて垂直移動ができる第２磁性ユニットとを含み、
前記多数の第１磁石及び多数の第２磁石は、各々リング形状に配置され、平面上で見ると、前記第１磁石と前記第２磁石とが交互に位置することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第２磁性ユニットは、前記第１磁性ユニットの直下に設置され、前記垂直移動部によって前記第１磁性ユニット側に昇降の時、各々の前記第２磁石が互いに隣接した２つの前記第１磁石との間へ挿入されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記ピン回転部は、
前記第１極性を有し、各々扇形形状を有する少なくとも２つの第１ピン磁石と、
前記第２極性を有し、各々扇形形状を有する少なくとも２つの第２ピン磁石とを含み、
前記第１ピン磁石と前記第２ピン磁石は、交互に配置されたことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記支持プレートの上部に設置され、前記支持プレートに安着された前記基板の端部に前記基板を処理するための処理液を噴射するノズルをさらに包含することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を支持プレートを安着させる工程と、
前記支持プレートに設置された多数のチャッキングピンが前記基板の側面で前記基板のエッジを支持して前記基板を前記支持プレートから離隔させる工程と、
前記支持プレートの回転によって前記基板を回転させながら前記基板に処理液を噴射して前記基板を処理し、これと共に、各チャッキングピンを中心軸を基準として回転させて前記基板で前記多数のチャッキングピンと接触される各地点を変更させる工程と、
を包含することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
前記各チャッキングピンは、該各チャッキングピンの下端部に提供されたピン回転部と前記支持プレートの下部を囲むように前記ピン回転部一側に提供された回転調節部との間の磁気力によって自転することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記回転調節部は、多数の第１磁石と、該第１磁石と反対の極性を有する多数の第２磁石とを提供して前記各チャッキングピンの自転を調節し、
前記チャックピンは、前記回転調節部が前記ピン回転部の一側に前記第１磁石と前記第２磁石を交互に配置させると回転し、前記第１磁石と第２磁石とのうちいずれか１つの磁石のみを配置させると、回転しないことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記基板に処理液を噴射する工程の後に、
前記回転調節部が前記チャッキングピンの一側に前記第１磁石と前記第２磁石のうちいずれか１つの磁石のみを配置させて前記チャッキングピンの回転を中止させる工程と、
前記基板を乾燥させる工程と、
を包含することを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記処理液は、前記基板の端部へ噴射されて、前記基板の端部を処理することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を処理する装置に関し、より詳細には、処理液を利用して半導体基板を処理する基板保持装置、これを有する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ素子又は平板表示装置のような電子装置は、基板を包含する。基板としては、シリコンウェハや、或はガラス基板がある。基板上には、多数の導電膜パターンが形成され、互いに異なる多数の導電膜パターンとの間を絶縁する多数の絶縁膜パターンが形成される。多数の導電膜パターンや絶縁膜パターンは、露光、現像及び蝕刻等のような一連の工程によって形成される。
【０００３】
上述した一連の工程には、不純物粒子を除去する工程が包含される。これは、基板表面に不純物粒子が存在する場合、不純物粒子が、パターン不良を引き起こすからである。基板から不純物を除去する方法は、化学的な方法と物理的な方法がある。化学的な方法は、薬液を使用して化学的に基板表面を処理する方法であり、物理的な方法は、物理的な力を加えて基板上に吸着された不純物粒子を除去する方法である。
【０００４】
薬液を利用して基板を洗浄する場合、基板に噴射された薬液は、基板の側部を支持するチャッキングピンにあたって再び基板側へ流入する。特に、基板がチャッキングピンに固定された状態で洗浄工程が進行された後では、薬液は、チャッキングピンにあたり、基板の特定位置のみに落下する可能性がある。それによって、基板の洗浄不良が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０―２００８―０００９５８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、基板の処理不良を防止できる基板保持装置を提供することである。
本発明の他の目的は、上述した基板保持装置を具備する基板処理装置を提供することである。
本発明の他の目的は、上述した基板保持装置を利用して基板を処理する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成すべく、本発明の態様による基板保持装置は、基板支持部材と、回転調節部とを備える。
【０００８】
基板支持部材は、基板がローディングされ、回転できる支持プレートと、該支持プレートに設置され、支持プレートにローディングされた基板の側面で基板のエッジを支持して支持プレートの上面から離隔させ、各々自転して支持している基板を回転させる多数のチャッキングピンとを具備する。回転調節部は、支持プレートの下に設置され、各チャッキングピンの自転を調節する。
又、本発明の他の態様による基板処理装置は、処理容器と、基板保持装置とを備える。
【０００９】
処理容器は、内部で基板の処理を行う。基板保持装置は、処理容器内に設置され、基板を支持する。基板保持装置は、基板支持部材及び回転調節部を包含する。基板支持部材は、基板がローディングされ、回転できる支持プレート、及び支持プレートに設置され、前記支持プレートへローディングされた基板の側面で基板のエッジを支持して支持プレートの上面から離隔させ、各々自転して支持している基板を回転させる多数のチャッキングピンを具備する。回転調節部は、支持プレートの下に設置され、各チャッキングピンの自転を調節する。
【００１０】
又、本発明の他の態様による基板処理方法は、次の通りである。まず、支持プレートへ基板を安着させる。支持プレートに設置された多数のチャッキングピンが基板の側面で基板のエッジを支持して基板を支持プレートから離隔させる。支持プレートの回転によって基板を回転させながら基板に処理液を噴射して基板を処理し、これと共に、各チャッキングピンを中心軸を基準として回転させて基板で多数のチャッキングピンと接触される各地点を変更させる。
【発明の効果】
【００１１】
上述した本発明によると、チャッキングピンは、工程の時、基板を回転させて基板がチャッキングピンと接点される位置を変更させるため、チャッキングピンに当たった処理液が基板上に落ちる位置が継続に変更される。これに従って、基板処理装置は、基板の端部で不良が発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を示した斜視図である。
【図２】図１に示した処理容器及び基板支持部材を示した部分切開縦断面図である。
【図３】図２に示した基板支持部材及び回転調節部を示した図面である。
【図４】図３に示したピン回転部の背面を示した平面図である。
【図５】図３に示した磁性ユニットを示した平面図である。
【図６】図５に示した第１磁性ユニットを示した平面図である。
【図７】図５に示した第２磁性ユニットを示した平面図である。
【図８】図２に示した処理容器を示した部分切開斜視図である。
【図９Ａ】図２に示した基板処理装置がウェハのベベルを洗浄する工程過程を示した図面である。
【図９Ｂ】図２に示した基板処理装置がウェハのベベルを洗浄する工程過程を示した図面である。
【図９Ｃ】図２に示した基板処理装置がウェハのベベルを洗浄する工程過程を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示した斜視図であり、図２は、図１に示した処理容器及び基板支持部材を示した縦断面図であり、図３は、図２に示した基板支持部材及び回転調節部を示した部分切開斜視図である。
【００１５】
図１及び図２を参照すると、基板処理装置５００は、基板支持部材１００、処理容器２００、多数のノズル３１０、３２０、昇降ユニット３３０及び回転調節部４５０を包含できる。
基板支持部材１００は、処理容器２００内に収容される。基板支持部材１００は、スピンヘッド１１０、回転軸１２０及び回転駆動部１３０を含み、ウェハ処理の時、ウェハ１０を固定する。
【００１６】
具体的に、スピンヘッド１１０は、円板形状を有し、上面がウェハ１０と向き合う。スピンヘッド１１０には、スピンヘッド１１０の上面からウェハを離隔させて支持する多数のチャッキングピン(図示せず)が具備される。多数のチャッキングピンは、ウェハ１０をチャッキングしてスピンヘッド１１０上へウェハ１０を固定させる。
【００１７】
回転軸１２０は、スピンヘッド１１０の下面に結合される。回転軸１２０は、回転駆動部１３０に結合され、回転駆動部１３０の回転力によって中心軸を基準として回転する。回転軸１２０の回転力は、スピンヘッド１１０に伝達され、スピンヘッド１１０が回転することによって、スピンヘッド１１０に固定されたウェハ１０が回転される。
【００１８】
図３は、図２に示したスピンヘッド及び回転調節部を示した図面であり、図４は、図３に示したピン回転部の背面を示した平面図である。
【００１９】
図３及び図４を参照すると、スピンヘッド１１０は、支持プレート１１１、多数のチャッキングピン１１２及び多数の支持ピン１１３を包含できる。
【００２０】
具体的に、支持プレート１１１には、ウェハ１０がローディングされ、下面に設置された回転軸１２０によって回転される。支持プレート１１１の上面には、多数のチャッキングピン１１２と多数の支持ピン１１３が設置される。
【００２１】
多数の支持ピン１１３は、支持プレート１１１にローディングされるウェハ１０の下面を支持する。多数のチャッキングピン１１２は、支持ピン１１３の外側に設置され、支持ピン１１３に安着されたウェハ１０の側面でウェハ１０のエッジを支持して支持ピン１１３からウェハ１０を離隔させる。
【００２２】
具体的に、各チャッキングピン１１２は、支持部１１２ａ、回転軸１１２ｂ及びピン回転部１１２ｃを具備する。支持部１１２ａは、長さ方向の中央部が折曲された形状を有し、工程の時、折曲された部分にウェハ１０のエッジが安着される。
【００２３】
支持部１１２ａは、回転軸１１２ｂの上端部に結合される。回転軸１１２ｂは、支持プレート１１１を貫通し、中心軸を基準として回転する。回転軸１１２ｂの下端部には、ピン回転部１１２ｃが結合される。ピン回転部１１２ｃは、磁性を有し、回転調節部４５０との磁力によって回転する。ピン回転部１１２ｃの回転力は、回転軸１１２ｂを通じて支持部１１２ａに伝達され、これに従って、支持部１１２ａが回転する。
【００２４】
支持部１１２ａに安着されたウェハ１０は、支持部１１２ａの回転によって回転して多数のチャッキングピン１１２と接触される地点が変更される。これに従って、基板処理装置５００は、工程の時、チャッキングピン１１２に当たった処理液がウェハ１０に落ちると、位置が続いて変更されるため、ウェハ１０の端部で不良が発生することを防止できる。
【００２５】
ピン回転部１１２ｃは、概して円板形状を有し、多数の第１及び第２ピン磁石１２ａ、１２ｂを具備する。多数の第１ピン磁石１２ａは、Ｎ極性を有し、各々扇形形状を有する。多数の第２ピン磁石１２ｂは、Ｓ極性を有し、各々扇形形状を有する。第１ピン磁石と第２ピン磁石は、交互に配置される。
【００２６】
本発明の一例として、多数のチャッキングピン１１２は、支持プレート１１１上で支持プレート１１１の直径方向に水平移動ができる。即ち、多数のチャッキングピン１１２は、ウェハ１０が支持プレート１１１にローディングされると、支持プレート１１１の中央部側に移動してウェハ１０を支持し、工程が完了されると、支持プレート１１１の端部側に移動して基板を支持ピン１１３上に下ろす。
【００２７】
一方、ピン回転部１１２ｃの一側には、回転調節部４５０が設置される。回転調節部４５０は、支持プレート１１１の下に設置され、各チャッキングピン１１２の自転を調節する。
【００２８】
具体的に、回転調節部４５０は、少なくとも１つの磁性ユニット４３０及び垂直移動部４４０を包含できる。磁性ユニット４３０は、ピン回転部１１２ｃの一側に設置され、ピン回転部１１２ｃとの間に磁気力を形成してピン回転部１１２ｃの回転を調節する。
【００２９】
図５は、図３に示した磁性ユニットを示した平面図であり、図６は、図５に示した第１磁性ユニットを示した平面図であり、図７は、図５に示した第２磁性ユニットを示した平面図である。
【００３０】
図３及び図５を参照すると、磁性ユニット４３０は、支持プレート１１１の下部で支持プレート１１１を囲み、略リング形状を有する。磁性ユニット４３０は、互いに異なる磁性を有する第１及び第２磁性ユニット４１０、４２０を包含できる。
【００３１】
図３及び図６を参照すると、第１磁性ユニット４１０は、多数の第１磁石４１１及び第１収納プレート４１２を包含できる。多数の第１磁石４１１は、Ｓ極性を有し、互いに離隔されて配置される。第１収納プレート４１２は、略リング形状を有し、上面へ多数の第１磁石が安着される。多数の第１磁石４１１は、第１収納プレート４１２の形状に沿って配置されてリング形状の配置構造を有する。
【００３２】
第１収納プレート４１２には、第２磁性ユニット４２０に結合するための多数の挿入ホール４１２ａが形成される。各挿入ホール４１２ａは、互いに隣接した２つの第１磁石との間に位置する。
【００３３】
図３及び図７を参照すると、第２磁性ユニット４２０は、第１磁性ユニット４１０の直下に具備され、多数の第２磁石４２１及び第２収納プレート４２２を包含できる。多数の第２磁石４２１は、Ｎ極性を有し、互いに離隔されて配置される。第２収納プレート４２２は、略リング形状を有し、上面へ多数の第２磁石が安着される。多数の第２磁石４２１は、第２収納プレート４２２の形状に沿って配置されてリング形状の配置構造を有する。
【００３４】
再び、図３及び図５を参照すると、第１磁石４１１と第２磁石４２１は、平面上で見る時、交互に位置する。
【００３５】
第２磁性ユニット４２０の第２収納プレート４２２は、垂直移動部４４０に結合されて垂直移動部４４０に垂直移動ができる。第２磁性ユニット４２０は、垂直移動部４４０によって第１磁性ユニット４１０側の昇降の時、各々の第２磁石４２１が第１収納プレート４１２の挿入ホール４１２ａに挿入され、第２収納プレート４２２は、第１収納プレート４１２の下面に配置される。これに従って、各第２磁石４２１が互いに隣接した２つの第１磁石との間に配置され、第１及び第２磁石４１１、４２１が互いに連接して位置する。
【００３６】
このように、第１及び第２磁石４１１、４２１が交互に配置されるので、ピン回転部１１２ｃが第１及び第２磁石４１１、４２１との間に形成された磁気力によって回転される。
【００３７】
これに対して、第２収納プレート４２２が垂直移動部４４０によって下降して元の位置にされると、ピン回転部１１２ｃの一側には、Ｓ極性の第１磁石４１１のみ残るので、Ｎ極性を有するピン回転部１１２ｃの第２ピン磁石１２ｂと第１磁石４１１との間に形成された引力によってピン回転部１１２ｃが回転しない。
【００３８】
本発明の一例として、垂直移動部４４０としては、シリンダが利用できる。
図面には、図示しなかったが、基板支持部材１００は、ウェハの背面を洗浄するバックノズルをさらに具備することもできる。バックノズルは、スピンヘッド１１０の上面の中央部に設置されてウェハを洗浄するための洗浄流体を噴射する。
【００３９】
再び、図１及び図２を参照すると、基板支持部材１００及び回転調節部４５０は、処理容器２００内に設置され、処理容器２００は、ウェハの処理工程が実施される空間を提供する。
【００４０】
図８は、図２に示した処理容器を示した部分切開斜視図である。
図２及び図８を参照すると、処理容器２００は、スピンヘッド１１０を囲み、ウェハの処理工程が行われる空間を提供する。処理容器２００は、上部が開放され、基板支持部材１００の回転軸１２０は、処理容器２００の底面に形成された開口を通じて処理容器２００の外部へ突出される。
【００４１】
処理容器２００は、第１乃至第３回収筒２１０、２２０、２３０を包含できる。処理容器２００は、回収筒２１０、２２０、２３０を利用して工程に使用された多数の薬液を分離して回収でき、各々の回収筒２１０、２２０、２３０は、工程に使用された処理液の中に互いに相異なる種類の処理液を回収する。これに従って、多数の薬液の再使用ができる。
【００４２】
この実施形態において、処理容器２００は、３つの回収筒２１０、２２０、２３０を具備するが、回収筒２１０、２２０、２３０の個数は、基板処理装置５００の工程効率に従い増加、或は減少できる。
【００４３】
具体的に、第１回収筒２１０は、スピンヘッド１１０を囲む環形のリング形状を有し、第２回収筒２２０は、第１回収筒１２０を囲むリング形状を有し、第３回収筒２３０は、第２回収筒２２０を囲むリング形状を有する。
【００４４】
第１回収筒２１０は、底板２１１、側壁２１２、上板２１３、内壁２１４及び案内壁２１５を包含できる。底板２１１、側壁２１２、上板２１３、内壁２１４及び案内壁２１５の各々は、リング形状を有する。上板２１３は、側壁２１２から遠ざかる方向に上向きに傾いた傾斜面でなされ、内壁２１４は、側壁２１２と向き合い、案内壁２１５と連結される。案内壁２１５は、側壁２１２から離隔されて側壁２１２の内側に位置し、底面に行くほど下向きに傾いた傾斜面でなされている。案内壁２１５と上板２１３が上下に離隔された空間は、第１流込口２１６へ提供され、第１流込口２１６を通じて第１回収筒２１０内部へ処理液が流れ込む。
【００４５】
第２回収筒２２０は、第１回収筒２１０を囲む。第２回収筒２２０は、底板２２１、側壁２２２、上板２２３及び内壁２２４を包含できる。底板２２１、側壁２２２、上板２２３及び内壁２２４は、各々リング形状を有する。第２回収筒２２０の底板２２１は、第１回収筒２１０の底板２１１の下部で第１回収筒２１０の底板２１１と向き合う。側板２２２は、第１回収筒２１０の側板２１２と離隔されて互いに向き合う。上板２２３は、第１回収筒２１０の上板２１３上部で第１回収筒２１０の上板２１３と同一の形状に形成され、第１回収筒２１０の上板２１３と離隔された空間は、第２流込口２２６へ提供される。第２回収筒２２０は、第２流込口２２６を通じて処理液が内部に流入する。内壁２２４は、第１回収筒２１０の下に位置し、一部分が底板２２１より下に突出される。
【００４６】
第３回収筒２３０は、第２回収筒２２０を囲む。第３回収筒２３０は、底板２３１、側壁２３２及び上板２３３を包含できる。底板２３１、側壁２３２及び上板２３３は、各々リング形状を有する。第３回収筒２３０の底板２３１は、第２回収筒２２０の底板２２１の下で互いに離隔されて向き合いに設置され、中央部には、基板支持部材１００の回転軸１２０が挿入される。側壁２３２は、第２回収筒２２０の側壁２２２と互いに離隔されて向き合い、上板２３３は、第２回収筒２２０の上板２２３上部に位置し、上板２２３と同一形状を有する。第２回収筒２２０の上板２２３と前記第３回収筒２３０の上板２３３とが離隔された空間は、第３流込口２３６となり、第３流込口２３６を通じて処理液が第３回収筒２３０内部へ流れ込む。
【００４７】
このように、第１乃至第３回収筒２１０、２２０、２３０は、第１回収筒２１０から第３回収筒２３０に行くほどその大きさが段々増加する。
【００４８】
ウェハが基板支持部材１００に安着されて回転している状態で処理液が噴射されると、ウェハへ噴射された処理液は、回転によって発生された遠心力によって多数の回収筒２１０、２２０、２３０の側壁側へ噴射され、流込口２１６、２２６、２３６を通じて回収筒２１０、２２０、２３０へ流入する。
【００４９】
一方、第１乃至第３回収筒２１０、２２０、２３０の底面２１１、２２１、２３１には、各回収筒２１０、２２０、２３０に回収された処理液を外部に設置された再生システム(図示せず)へ排出する回収管２４１、２４３、２４５、２４７が連結される。ここで、第１回収筒２１０と第２回収筒２２０には、各々１つの回収管２４１、２４３が連結され、第３回収筒２３０には、２つの回収管２４５、２４７が連結される。
【００５０】
処理容器２００の外側には、垂直移動ができる昇降ユニット３３０が設置される。昇降ユニット３３０は、第３回収筒２３０の側壁２３２に結合され、処理容器２００の垂直位置を調節する。具体的に、昇降ユニット３３０は、ブラケット３３１、移動軸３３３及び駆動器３３５を包含できる。ブラケット３３１は、第３回収筒２３０の外側壁２３１に固定設置され、移動軸３３３に結合される。移動軸３３３は、駆動器３３５に連結され、駆動器３３５によって上下方向に移動される。
【００５１】
昇降ユニット３３０は、ウェハがスピンヘッド１１０に安着されるか、或はスピンヘッド１１０から持ち上げる時、スピンヘッド１１０が処理容器２００の上部に突出されるように処理容器２００を下降させる。又、昇降ユニット３３０は、ウェハの処理工程進行の時、ウェハへ供給された処理液の種類によって処理液が各回収筒２１０、２２０、２３０へ流入するように処理容器２００を昇降及び下降させて各回収筒２１０、２２０、２３０とスピンヘッド１１０との間の相対的な垂直位置を調節する。
【００５２】
この実施形態において、基板処理装置５００は、処理容器２００を垂直移動させて処理容器２００とスピンヘッド１１０との間の相対的な垂直位置を変更させるか、或はスピンヘッド１１０を垂直移動させて処理容器２００とスピンヘッド１１０との間の相対的な垂直位置を変更可能である。
【００５３】
再び、図１を参照すると、処理容器２００の外側には、多数のノズル３１０、３２０が具備される。ノズル３１０、３２０は、ウェハを洗浄又は蝕刻するための処理液や処理ガスを基板支持部材１００に固定されたウェハの中央部又は端部へ噴射する。
以下、図面を参照して工程過程で多数のチャッキングピン１１２がウェハ１０を回転させる過程を具体的に説明する。
【００５４】
図９Ａ乃至図９Ｃは、図２に示した基板処理装置がウェハの端部を処理する工程過程を示した図面である。
図９Ａ乃至図９Ｃを参照すると、まず、支持プレート１１１へウェハを安着させ、多数のチャッキングピン１１２が支持プレート１１１の中心側に移動して基板のエッジを支持する。
続いて、ウェハ１０の上部にノズル３２０を配置させる。
続いて、支持プレート１１１の回転によってウェハを回転させながらノズル３２０からウェハ１０へ処理液が噴射される。これと共に、各チャッキングピン１１２を中心軸を基準として回転させてウェハ１０が前記多数のチャッキングピン１１２と接触される地点を変更させる。
即ち、垂直移動部４４０が第２磁性ユニット４２０を昇降させて各々の第２磁石４２１が第１収納プレート４１２の挿入ホール４１２ａへ挿入され、各第２磁石４２１が互いに隣接した２つの第１磁石との間に配置される。これに従って、第１及び第２磁石４１１、４２１が交互に配置されるので、ピン回転部１１２ｃが第１及び第２磁石４１１、４２１との間に形成された磁気力によって回転される。
【００５５】
処理液によるウェハの処理が完了されると、垂直移動部４４０は、第２収納プレート４２２を下降させて元の位置にする。これに従って、ピン回転部１１２ｃの一側には、Ｓ極性の多数の第１磁石４１１のみが残され、Ｎ極性を有するピン回転部１１２ｃの第２ピン磁石１２ｂと多数の第１磁石４１１との間に形成された引力によってピン回転部１１２ｃを停止する。
このように、チャッキングピン１１２が自転しない状態でウェハへ乾燥流体を噴射して前記ウェハ１０を乾燥させる。
【００５６】
以上、実施形態を参照して説明したが、当技術分野の当業者は、下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域の範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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