(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｅブロックへの挿入時において、カバー絶縁層および導体パターンの損傷を防止することのできる、回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属支持基板６と、その上に形成されるベース絶縁層７と、その上に形成される導体パターン８と、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を被覆するように形成されるカバー絶縁層９とを備え、Ｅブロックに挿入される挿入部５を備える回路付サスペンション基板１において、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１を、挿入部５以外の部分におけるカバー絶縁層９の厚みＴ２より、厚く形成する。【選択図】図２
2010205361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、
Ｅブロックに挿入される挿入部を備え、
前記挿入部における前記カバー絶縁層の厚みは、前記挿入部以外の部分における前記カバー絶縁層の厚みより、厚いことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
Ｅブロックに挿入される挿入部を備える回路付サスペンション基板の製造方法であって、
金属支持基板および前記金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層を用意する工程と、  前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程とを備え、
前記カバー絶縁層を形成する工程は、
感光層を、前記ベース絶縁層および前記導体パターンの上に形成する工程、
前記感光層における前記挿入部に対応する部分が露光され、それ以外の部分が遮光されるように、第１フォトマスクを配置して露光する第１露光工程、
前記感光層における前記挿入部を含む前記カバー絶縁層が形成される部分が露光され、前記カバー絶縁層が形成されない部分が遮光されるように、第２フォトマスクを配置して露光する第２露光工程、
前記第１露光工程および前記第２露光工程により露光された前記感光層を現像することにより、前記感光層を、前記挿入部における厚みが前記挿入部以外の部分における厚みより厚くなるように、パターンニングする現像工程、および、
前記現像工程後の前記感光層を硬化させる硬化工程
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項３】
Ｅブロックに挿入される挿入部を備える回路付サスペンション基板の製造方法であって、
金属支持基板および前記金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層を用意する工程と、  前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程とを備え、
前記カバー絶縁層を形成する工程は、
第１感光層を、前記ベース絶縁層および前記導体パターンの上に形成する第１感光層形成工程、
前記第１感光層における前記挿入部を含む前記カバー絶縁層が形成される部分が露光され、前記カバー絶縁層が形成されない部分が遮光されるように、第３フォトマスクを配置して露光する第３露光工程、
第２感光層を、第３露光工程後の前記第１感光層の上に形成する第２感光層形成工程、
前記第２感光層における前記挿入部に対応する部分が露光され、それ以外の部分が遮光されるように、第４フォトマスクを配置して露光する第４露光工程、
前記第３露光工程により露光された前記第１感光層および前記第４露光工程により露光された前記第２感光層を現像することにより、前記第１感光層および前記第２感光層を、前記挿入部における厚みが前記挿入部以外の部分における厚みより厚くなるように、パターンニングする現像工程、および、
前記現像工程後の前記第１感光層および前記第２感光層を硬化させる硬化工程
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回路付サスペンション基板は、金属支持基板に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層が順次積層されており、通常、ハードディスクドライブにおける櫛形状のＥブロックに実装される。
例えば、ハードディスクドライブに備えられるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）において、フレキシャを有する複数のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が、Ｅブロックに実装されることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１６４９６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、ＨＧＡは、Ｅブロックの隙間に挿入されて実装されるところ、ＨＧＡのフレキシャのカバー絶縁層が絶縁材料からなることから、ＨＧＡの挿入時に、カバー絶縁層が損傷し、さらには、損傷したカバー絶縁層から露出した導体パターンが損傷や断線する場合がある。
本発明の目的は、Ｅブロックへの挿入時において、カバー絶縁層および導体パターンの損傷を防止することのできる、回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、Ｅブロックに挿入される挿入部を備え、前記挿入部における前記カバー絶縁層の厚みは、前記挿入部以外の部分における前記カバー絶縁層の厚みより、厚いことを特徴としている。
【０００６】
この回路付サスペンション基板では、挿入部におけるカバー絶縁層の厚みが、挿入部以外の部分におけるカバー絶縁層の厚みより、厚く形成されている。そのため、この回路付サスペンション基板をＥブロックに挿入するときに、挿入部におけるカバー絶縁層の損傷を有効に防止でき、さらには、カバー絶縁層の損傷に伴う導体パターンの損傷や断線を有効に防止することができる。
【０００７】
その結果、挿入部における導体パターンの損傷や断線が防止された回路付サスペンションをハードディスクドライブに搭載することにより、そのハードディスクドライブの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、Ｅブロックに挿入される挿入部を備える回路付サスペンション基板の製造方法であって、金属支持基板および前記金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層を用意する工程と、前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程とを備え、前記カバー絶縁層を形成する工程は、感光層を、前記ベース絶縁層および前記導体パターンの上に形成する工程、前記感光層における前記挿入部に対応する部分が露光され、それ以外の部分が遮光されるように、第１フォトマスクを配置して露光する第１露光工程、前記感光層における前記挿入部を含む前記カバー絶縁層が形成される部分が露光され、前記カバー絶縁層が形成されない部分が遮光されるように、第２フォトマスクを配置して露光する第２露光工程、前記第１露光工程および前記第２露光工程により露光された前記感光層を現像することにより、前記感光層を、前記挿入部における厚みが前記挿入部以外の部分における厚みより厚くなるように、パターンニングする現像工程、および、前記現像工程後の前記感光層を硬化させる硬化工程を備えることを特徴としている。
【０００８】
この方法によれば、第１露光工程および第２露光工程により、挿入部におけるカバー絶縁層の厚みをそれ以外の部分の厚みに対して厚く形成することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、Ｅブロックに挿入される挿入部を備える回路付サスペンション基板の製造方法であって、金属支持基板および前記金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層を用意する工程と、前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程とを備え、前記カバー絶縁層を形成する工程は、第１感光層を、前記ベース絶縁層および前記導体パターンの上に形成する第１感光層形成工程、前記第１感光層における前記挿入部を含む前記カバー絶縁層が形成される部分が露光され、前記カバー絶縁層が形成されない部分が遮光されるように、第３フォトマスクを配置して露光する第３露光工程、第２感光層を、第３露光工程後の前記第１感光層の上に形成する第２感光層形成工程、前記第２感光層における前記挿入部に対応する部分が露光され、それ以外の部分が遮光されるように、第４フォトマスクを配置して露光する第４露光工程、前記第３露光工程により露光された前記第１感光層および前記第４露光工程により露光された前記第２感光層を現像することにより、前記第１感光層および前記第２感光層を、前記挿入部における厚みが前記挿入部以外の部分における厚みより厚くなるように、パターンニングする現像工程、および、前記現像工程後の前記第１感光層および前記第２感光層を硬化させる硬化工程を備えることを特徴としている。
【０００９】
この方法によれば、第１感光層形成工程および第２感光層形成工程により、第１感光層および第２感光層の２つの感光層からカバー絶縁層を形成する。そのため、挿入部におけるカバー絶縁層の厚みをそれ以外の部分の厚みに対して厚く形成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、導体パターンの損傷や断線が防止された回路付サスペンションをハードディスクドライブに搭載することにより、そのハードディスクドライブの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、挿入部におけるカバー絶縁層の厚みをそれ以外の部分の厚みに対して厚く形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向に沿う断面図であって、（ａ）は、Ａ−Ａ線に沿う断面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であり、図１のＣ−Ｃ線に沿う断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図３（ｄ）のカバー絶縁層を形成する工程を説明する製造工程図であって、（ａ）は、感光層を形成する工程、（ｂ）は、感光層に第１フォトマスクを配置して露光する工程、（ｃ）は、感光層に第２フォトマスクを配置して露光する工程、（ｄ）は、感光層を現像する工程を示す。
【図５】図２（ｂ）に示す回路付サスペンション基板のＥブロックに対する挿入方法の説明図を示す。
【図６】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態であって、図１（ｄ）のカバー絶縁層を形成する工程を説明する製造工程図であって、（ａ）は、第１感光層を形成する工程、（ｂ）は、第１感光層に第３フォトマスクを配置して露光する工程、（ｃ）は、第２感光層を形成する工程、（ｄ）は、第２感光層に第４フォトマスクを配置して露光する工程、（ｅ）は、第１感光層および第２感光層を現像する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示し、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向（長手方向に直交する方向）に沿う断面図であって、（ａ）は、Ａ−Ａ線に沿う断面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図を示し、図３および図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であり、図１のＣ−Ｃ線に沿う断面図を示し、図５は、図２（ｂ）に示す回路付サスペンション基板のＥブロックに対する挿入方法の説明図を示す。
【００１３】
なお、図１において、後述する導体パターン８の相対配置を明確に示すため、ベース絶縁層７およびカバー絶縁層９は省略している。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、磁気ヘッドとハードディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、その磁気ヘッドを、ハードディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持する。また、回路付サスペンション基板１には、金属支持基板６に、図示しない外部回路基板（例えば、リード・ライト基板）および磁気ヘッドを電気的に接続するための導体パターン８が形成されている。
【００１４】
なお、導体パターン８は、後述するが、磁気ヘッドの端子に接続するためのヘッド側端子１６と、リード・ライト基板の端子に接続するための外部側端子１７と、これらを接続するための複数の配線１５とを一体的に備えている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平面視略矩形平帯状に形成されており、配線形成部２と、ヘッド側端子形成部３と、外部側端子形成部４とを一体的に備えている。
【００１５】
配線形成部２は、先後方向（長手方向）に延びる平面視略矩形状に形成されている。配線形成部２には、長手方向に沿って延びる複数の配線１５が幅方向（長手方向に直交する方向、以下同様。）に間隔を隔てて並列配置されている。
ヘッド側端子形成部３は、配線形成部２に対して先側（長手方向一方側、以下同様。）に隣接配置されており、具体的には、配線形成部２の先端縁から先側に向かって延び、配線形成部２の幅とほぼ同幅の平面視略矩形状に形成されている。
【００１６】
また、ヘッド側端子形成部３には、図示しない磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子１６が形成されている。ヘッド側端子１６は、ヘッド側端子形成部３において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されており、複数の配線１５の先端がそれぞれ接続されている。
外部側端子形成部４は、配線形成部２に対して後側（長手方向他方側、以下同様。）に隣接配置されており、具体的には、配線形成部２の後端縁から後側に向かって延び、配線形成部２の幅よりやや幅広の平面視略矩形状に形成されている。
【００１７】
また、外部側端子形成部４には、図示しないリード・ライト基板と電気的に接続される外部側端子１７が形成されている。外部側端子１７は、外部側端子形成部４において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されており、複数の配線１５の後端がそれぞれ接続されている。
また、この回路付サスペンション基板１には、ハードディスクドライブのＥブロック３０（後述。図５参照。）に挿入される挿入部５が設けられている。
【００１８】
挿入部５は、配線形成部２の長手方向途中に配置され、長手方向に延びる平面視略矩形状の領域として、幅方向にわたって区画されている。
また、この回路付サスペンション基板１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、金属支持基板６、金属支持基板６の上に形成されるベース絶縁層７、ベース絶縁層７の上に形成される導体パターン８、および、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を被覆するように形成されるカバー絶縁層９を備えている。
【００１９】
金属支持基板６は、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、挿入部５を含む回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。金属支持基板６の厚みは、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
ベース絶縁層７は、金属支持基板６の上面において、挿入部５を含む回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。具体的には、ベース絶縁層７は、挿入部５を含む配線形成部２と、ヘッド側端子形成部３と、外部側端子形成部４とにわたって連続するパターンとして形成されている。ベース絶縁層７の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
【００２０】
導体パターン８は、ベース絶縁層７の上面に設けられ、上記したように、ヘッド側端子１６と外部側端子１７と配線１５とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
導体パターン８の寸法は、配線１５の幅が、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍ、その間隔が、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、ヘッド側端子１６の幅および外部側端子１７の幅が、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、ヘッド側端子１６間の間隔および外部側端子１７間の間隔が、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００２１】
導体パターン８の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
カバー絶縁層９は、図２（ａ）および２（ｂ）に示すように、導体パターン８の上面、および、導体パターン８から露出するベース絶縁層７の上面に設けられている。具体的には、カバー絶縁層９は、配線形成部２において、配線１５を被覆し、ヘッド側端子形成部３および外部側端子形成部４において、ヘッド側端子１６および外部側端子１７を露出するパターンとして形成されている。なお、カバー絶縁層９には、図３（ｄ）に示すように、ヘッド側端子１６および外部側端子１７に対応する部分に、カバー絶縁層９の厚み方向を貫通し、ヘッド側端子１６および外部側端子１７の上面を露出するカバー開口部１０が形成されている。
【００２２】
挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１は、挿入部５以外の部分（配線形成部２における挿入部５より長手方向両側部分、ヘッド側端子形成部３、および、外部側端子形成部４）におけるカバー絶縁層９の厚みＴ２より、厚く形成されている。
すなわち、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１は、挿入部５以外の部分におけるカバー絶縁層９の厚みＴ２に比べて、例えば、５０％以上厚く、好ましくは、６０％以上厚く、具体的には、２．５μｍ以上厚く、好ましくは、３μｍ以上厚い。
【００２３】
また、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１は、例えば、６〜１０μｍ、好ましくは、７〜９μｍ、さらに好ましくは、７〜．５〜８．５μｍであり、挿入部５以外の部分におけるカバー絶縁層９の厚みＴ２は、例えば、３〜７μｍ、好ましくは、４〜６μｍ、さらに好ましくは、４〜５〜５．５μｍである。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
【００２４】
まず、この方法では、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、金属支持基板６および金属支持基板６の上に形成されたベース絶縁層７を用意する。
金属支持基板６およびベース絶縁層７を用意するには、例えば、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板６を用意し、次いで、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板６の上にベース絶縁層７を形成する。
【００２５】
金属支持基板６を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
ベース絶縁層７を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミドが用いられる。
【００２６】
ポリイミドを用いて、ベース絶縁層７を金属支持基板６の上に形成するには、例えば、まず、ポリイミド樹脂前駆体のワニス（ポリアミック酸樹脂溶液）を、金属支持基板６の上面全面に均一に塗布し、例えば、７０〜１３０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、例えば、３００℃以上で加熱して硬化（イミド化）することにより、ベース絶縁層７を形成する。
【００２７】
また、感光性のポリイミドを用いて、ベース絶縁層７を形成することもできる。すなわち、ベース皮膜の形成後、フォトマスクを介して、露光し、現像後、必要により露光後加熱した後、加熱により硬化させて、パターンに形成する。
あるいは、図示しないが、図３（ｂ）が参照されるように、予め、金属支持基板６の上にベース絶縁層７が積層された２層基材を用意することにより、金属支持基板６およびベース絶縁層７を用意することもできる。
【００２８】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を形成する。
導体パターン８を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
また、導体パターン８は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって形成する。
【００２９】
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層７の上面全面に、導体薄膜（種膜。図示せず。）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン８のパターンと逆パターンでめっきレジスト（図示せず）を形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、導体パターン８を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
【００３０】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層９を、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を被覆するように形成する。
カバー絶縁層９を形成するには、図４（ａ）に示すように、感光層１１を、ベース絶縁層７および導体パターン８の上に形成する（感光層形成工程）。
感光層１１を形成する感光性材料としては、例えば、感光性の合成樹脂（上記したベース絶縁層７を形成する合成樹脂）が用いられ、好ましくは、感光性ポリアミック酸樹脂が用いられる。
【００３１】
感光性ポリアミック酸樹脂は、例えば、ポリアミック酸樹脂と感光剤とを含有している。
感光層１１を感光性ポリアミック酸樹脂から形成するには、例えば、まず、感光性ポリアミック酸樹脂が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）などの有機溶媒中に溶解された感光性の樹脂溶液（ワニス）を調製する。次いで、調製した感光性のワニスを、ベース絶縁層７および導体パターン８の上に塗布し、その後、加熱することにより乾燥する。
【００３２】
あるいは、感光性ポリアミック酸樹脂からなり、シート形状に予め形成された感光層１１を、ベース絶縁層７および導体パターン８の上に圧着する。
このようにして形成される感光層１１の厚みは、例えば、７〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍ、さらに好ましくは、９〜１１μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、第１フォトマスク２０を感光層１１の上に配置して、感光層１１を第１フォトマスク２０を介して露光する（第１露光工程）。
【００３３】
第１フォトマスク２０は、感光層１１の上に間隔を隔てて配置する。
第１フォトマスク２０は、光を透過しない遮光部分１８ａと、光を透過する光透過部分１９ａとを備えている。
第１フォトマスク２０は、感光層１１における挿入部５のカバー絶縁層９が形成される部分に、光透過部分１９ａが対向し、かつ、感光層１１における挿入部５以外の部分に、遮光部分１８ａが対向するように、配置する。
【００３４】
つまり、感光層１１における挿入部５のカバー絶縁層９が形成される部分が露光され、感光層１１における挿入部５以外の部分が遮光されるように、第１フォトマスク２０を配置する。
続いて、第１フォトマスク２０の上方から、感光層１１に向けて、第１フォトマスク２０を介して露光する。
【００３５】
第１露光工程において露光する照射線としては、例えば、可視光、紫外線、赤外線、Ｘ線、α線、β線、γ線などが用いられる。好ましくは、紫外線が用いられる。より具体的には、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯などの光源を用いて、紫外線を照射する。
照射線の照射量は、例えば、１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは、２００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００３６】
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、第２フォトマスク２１を、第１露光工程により露光された感光層１１の上に配置して、感光層１１を第２フォトマスク２１を介して露光する（第２露光工程）。
第２フォトマスク２１は、第１露光工程により露光された感光層１１の上に間隔を隔てて配置する。
【００３７】
第２フォトマスク２１は、光を透過しない遮光部分１８ｂと、光を透過する光透過部分１９ｂとを備えている。
第２フォトマスク２１は、感光層１１における挿入部５を含むカバー絶縁層９が形成される部分に、光透過部分１９ｂが対向し、感光層１１におけるカバー絶縁層９が形成されない部分（カバー開口部１０が形成される部分）に、遮光部分１８ｂが対向するように、配置する。
【００３８】
つまり、感光層１１における挿入部５を含むカバー絶縁層９が形成される部分が露光され、感光層１１におけるカバー絶縁層９が形成されない部分（カバー開口部１０が形成される部分）が遮光されるように、第２フォトマスク２１を配置する。
続いて、第２フォトマスク２１の上方から、第１露光工程により露光された感光層１１に向けて、第２フォトマスク２１を介して露光する。
【００３９】
第２露光工程において露光する照射線としては、第１露光工程において露光する照射線と同様の照射線が用いられる。第２露光工程における照射線の照射量は、挿入部５以外の部分のカバー絶縁層９の厚みＴ２に応じて適宜選択され、例えば、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは、２００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
第２露光工程における照射線の照射量が上記した範囲を超えると、挿入部５以外の部分のカバー絶縁層９の厚みＴ２が過度に厚くなり、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１に対して、十分に薄くすることができない場合がある。
【００４０】
第２露光工程における照射線の照射量が上記した範囲に満たないと、挿入部５以外の部分のカバー絶縁層９の厚みＴ２が過度に薄くなり、カバー絶縁層９により配線１５を確実に被覆できない場合がある。
次いで、この方法では、図示しないが、必要により、第２露光工程により露光された感光層１１を、露光後加熱する（露光後加熱工程）。
【００４１】
露光後加熱の加熱条件は、加熱温度が、例えば、１５０〜２００℃、好ましくは、１７５〜１８５℃であり、加熱時間が、例えば、１〜１０分間、好ましくは、１〜２分間である。
上記した第１露光工程および第２露光工程（ならびに必要により実施される露光後加熱工程）によって、第１フォトマスク２０の光透過部分１９ａおよび第２フォトマスク２１の光透過部分１９ｂの両方に対向していた露光部分の、現像液に対する溶解性が低減され、また、第１フォトマスク２０の遮光部分１８ａおよび第２フォトマスクの光透過部分１９ｂの両方に対向していた部分（半露光部分）が次の現像工程において厚み方向上側のみが溶解され、また、第１フォトマスク２０の遮光部分１８ａおよび第２フォトマスク２１の遮光部分１８ｂの両方に対向していた未露光部分が次の現像工程において溶解される、ネガ型の潜像が形成される。
【００４２】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、第１露光工程および第２露光工程により露光され（、必要により実施される露光後加熱工程により露光後加熱され）た感光層１１を現像する（現像工程）。
現像方法としては、例えば、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。現像温度は、例えば、２５〜５５℃であり、現像液としては、例えば、アルカリ現像液などが用いられる。
【００４３】
この現像工程により、感光層１１を、挿入部５における厚みが挿入部５以外の部分における厚みより厚くなるように、かつ、配線１５を被覆し、ヘッド側端子１６および外部側端子１７を露出するパターンに、パターンニングする。
その後、この方法では、図３（ｄ）に示すように、現像工程後の感光層１１を硬化させる（硬化工程）。
【００４４】
感光層１１を硬化させるには、加熱法や露光法などが用いられ、好ましくは、加熱法が用いられる。加熱法における加熱条件は、加熱温度が、例えば、８０〜４００℃、好ましくは、１００〜３８０℃であり、加熱時間が、例えば、１分間〜２．５時間、好ましくは、５分間〜２時間である。
この硬化工程によって、感光層１１が硬化して、カバー絶縁層９が上記したパターンで形成される。
【００４５】
このようにして形成されるカバー絶縁層９の室温（２５℃）における弾性率は、例えば、６０００Ｎ／ｍ２以上、好ましくは、６２００Ｎ／ｍ２以上であり、通常、６５００Ｎ／ｍ２以下である。
カバー絶縁層９の弾性率が上記した範囲にあれば、挿入部５のＥブロック３０への挿入時に、挿入部５におけるカバー絶縁層９がＥブロック３０と接触しても、カバー絶縁層９は、Ｅブロック３０から受ける応力をカバー絶縁層９の変形により緩和することができる。そのため、挿入部５におけるカバー絶縁層９を、それ以外の部分のカバー絶縁層９よりも厚く形成しても、Ｅブロック３０との接触によるカバー絶縁層９の損傷をより一層低減して、配線１５を保護することができる。
【００４６】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
次に、上記により得られた回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブのＥブロック３０に挿入する方法を、図５を参照して説明する。
Ｅブロック３０は、ハードディスクドライブにおけるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）などに備えられ、図５に示すように、例えば、金属製の断面櫛形状に形成され、回路付サスペンション基板１を収納するための隙間３１が複数仕切られている。
【００４７】
回路付サスペンション基板１をＥブロック３０に挿入するには、矢印で示すように、回路付サスペンション基板１の挿入部５を、回路付サスペンション基板１の幅方向に沿って、挿入部５の幅方向一端部から、Ｅブロック３０の隙間３１に差し込む。
そして、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、第１露光工程および第２露光工程により、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１をそれ以外の部分の厚みＴ２に対して厚く形成することができる。
【００４８】
また、得られたこの回路付サスペンション基板１では、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１が、挿入部５以外の部分におけるカバー絶縁層９の厚みＴ２より、厚く形成されていることから、この回路付サスペンション基板１の挿入部５をＥブロック３０に挿入するときに、挿入部５がＥブロック３０と接触しても、挿入部５におけるカバー絶縁層９の損傷を有効に防止でき、さらには、カバー絶縁層９の損傷に伴う導体パターン８の損傷や断線を有効に防止することができる。
【００４９】
その結果、挿入部５における導体パターン８の損傷や断線が防止された回路付サスペンション１をハードディスクドライブに搭載することにより、そのハードディスクドライブの信頼性を向上させることができる。
なお、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１と、それ以外の部分の厚みＴ２とを同じ程度の厚い厚み（例えば、５μｍ以上）に設定して、挿入部５におけるカバー絶縁層９および導体パターン８の損傷を防止することもできる。しかしながら、その場合には、挿入部５以外のカバー絶縁層９の厚みＴ２も厚くなることから、回路付サスペンション基板１の全体のバネ特性が大きく変動するため、磁気ヘッドとハードディスクとの間の微小な間隔を保持することができない。
【００５０】
一方、この回路付サスペンション基板１では、厚みＴ１の厚い挿入部５のカバー絶縁層９により、配線１５を保護しながら、厚みＴ２の薄い挿入部５以外の部分のカバー絶縁層９により、バネ特性を所望の範囲内に維持することができる。
なお、上記した製造方法では、露光工程を、第１露光工程および第２露光工程の２度の露光工程として実施したが、例えば、露光部分、遮光部分および半透過部分を備えるフォトマスクを用いて、１度の露光工程を実施することにより、挿入部５に対応する厚みの厚いカバー絶縁層９を形成することもできる。つまり、露光工程において、感光層１１における挿入部５以外のカバー絶縁層９を形成する部分に、光半透過部分を対向するように、フォトマスクを配置して、露光する。
【００５１】
しかし、光半透過部分を有するフォトマスクを配置して露光する場合には、通常、半透過部分に複数の貫通孔（細穴）などが形成されているため、光透過部分における露光状態が不均一になり易い。そのため、半透過部分に対応する、挿入部５以外のカバー絶縁層９の厚みが不均一となり易い。
しかし、上記した製造方法のように、露光工程を、第１フォトマスク２０を用いる第１露光工程、および、第２フォトマスク２１を用いる第２露光工程として順次実施することにより、感光層１１における挿入部５以外のカバー絶縁層９を形成する部分において、露光状態を均一にすることができる。そのため、かかる挿入部５以外のカバー絶縁層９の厚み（Ｔ１）を確実に均一にすることができる。
【００５２】
なお、上記した製造方法では、感光層形成工程で１度で形成した感光層１１を、第１露光工程および第２露光工程の２度の露光工程で露光しているが、例えば、図６に示すように、第１感光層および第２感光層を順次形成し、それぞれの感光層が形成される毎に、露光することもできる。
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態について、図３および図６を用いて説明する。なお、上記した部材に対応する部材については、図３および図６において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５３】
この方法では、上記と同様にして、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、金属支持基板６およびベース絶縁層７を用意し、続いて、図３（ｃ）に示すように、導体パターン８を形成する。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層９を、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を被覆するように形成する。
【００５４】
カバー絶縁層９を形成するには、まず、図６（ａ）に示すように、第１感光層１２を、ベース絶縁層７および導体パターン８の上に形成する（第１感光層形成工程）。
第１感光層１２を形成する感光性材料は、感光層１１を形成する感光性材料と同様であり、その形成方法は、上記した感光層形成工程における形成方法と同様である。
第１感光層１２の厚みは、例えば、７〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍ、さらに好ましくは、９〜１１μｍである。
【００５５】
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、第１感光層１２の上に第３フォトマスク２２を第１感光層１２の上に配置して、第１感光層１２を第３フォトマスク２２を介して露光する（第３露光工程）。
第３フォトマスク２２は、光を透過しない遮光部分１８ｃと、光を透過する光透過部分１９ｃとを備えている。
【００５６】
第３フォトマスク２２は、第１感光層１２における挿入部５を含むカバー絶縁層９が形成される部分に、光透過部分１９ｃが対向し、第１感光層１２におけるカバー絶縁層９が形成されない部分（カバー開口部１０が形成される部分）に、遮光部分１８ｃが対向するように、配置する。
つまり、第１感光層１２における挿入部５を含むカバー絶縁層９が形成される部分が露光され、第１感光層１２におけるカバー絶縁層９が形成されない部分（カバー開口部１０）が遮光されるように、第３フォトマスク２２を配置する。
【００５７】
続いて、第３フォトマスク２２の上方から、第１感光層１２に向けて、第３フォトマスク２２を介して露光する。
露光方法および露光条件は、上記した第１露光工程と同様である。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、第２感光層１３を、第３露光工程により露光された第１感光層１２の上に形成する（第２感光層形成工程）。
【００５８】
第２感光層１３を形成する感光性材料は、感光層１１を形成する感光性材料と同様であり、その形成方法は、上記した感光層形成工程の形成方法と同様である。
第２感光層１３の厚みは、例えば、４〜８μｍ、好ましくは、６〜７μｍ、あるいは、好ましくは、５〜６μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、第４フォトマスク２３を第２感光層１３の上に配置して、第２感光層１３を第４フォトマスク２３を介して露光する（第４露光工程）。
【００５９】
第４フォトマスク２３は、第２感光層１３の上に間隔を隔てて配置する。
第４フォトマスク２３は、光を透過しない遮光部分１８ｄと、光を透過する光透過部分１９ｄとを備えている。
第４フォトマスク２３は、第２感光層１３おける挿入部５のカバー絶縁層９が形成される部分に、光透過部分１９ｄが対向し、第２感光層１３における挿入部５以外の部分に、遮光部分１８ｄが対向するように、配置する。
【００６０】
つまり、第２感光層１３おける挿入部５のカバー絶縁層９が形成される部分が露光され、第２感光層１３における挿入部５以外の部分が遮光されるように、第４フォトマスク２３を配置する。
続いて、第４フォトマスク２３の上方から、第３露光工程により露光された第１感光層１２および第４露光工程により露光された第２感光層１３に向けて、第４フォトマスク２３を介して露光する。
【００６１】
露光方法および露光条件は、上記した第２露光工程と同様である。
次いで、この方法では、図示しないが、必要により、第３露光工程により露光された第１感光層１２、および、第４露光工程により露光された第２感光層１３を、露光後加熱する（露光後加熱工程）。
露光後加熱の加熱条件は、上記した露光後加熱工程の加熱条件と同様である。
【００６２】
上記した第３露光工程および第４露光工程（ならびに必要により実施される露光後加熱工程）によって、第３フォトマスク２２の光透過部分１９ｃおよび第４フォトマスク２３の光透過部分１９ｄの両方に対向していた露光部分の、現像液に対する溶解性が低減され、また、第３フォトマスク２２の光透過部分１９ｃおよび第４フォトマスク２３の遮光部分１８ｄの両方に対向していた部分（半露光部分）が次の現像工程において厚み方向上側（第２感光層１３）のみが溶解され、さらに、第３フォトマスク２２の遮光部分１８ｃおよび第４フォトマスク２３の遮光部分１８ｄの両方に対向していた未露光部分が次の現像工程において溶解される、ネガ型の潜像が形成される。
【００６３】
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、第３露光工程により露光され（、必要により実施される露光後加熱工程により露光後加熱され）た第１感光層１２と、第４露光工程により露光され（、必要により実施される露光後加熱工程により露光後加熱され）た第２感光層１３とを現像する（現像工程）。
現像方法は、上記と同様の現像方法が用いられる。
【００６４】
この現像工程によって、挿入部５において、第１感光層１２および第２感光層１３が実質的に溶解されず残存する。また、挿入部５以外の部分で、カバー開口部１０が形成される部分を除く部分において、第１感光層１２が実質的に溶解されず残存する一方、第２感光層１３が溶解されて除去される。さらに、カバー開口部１０が形成される部分において、第１感光層１２および第２感光層１３が溶解されて除去される。
【００６５】
つまり、現像工程により、挿入部５におけるカバー絶縁層９を形成するための第１感光層１２および第２感光層１３の厚みを、挿入部５以外の部分におけるカバー絶縁層９を形成するための第１感光層１２の厚みに対して厚くなるパターンにパターンニングする。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、現像工程後の第１感光層１２および第２感光層１３を硬化させる（硬化工程）。
【００６６】
第１感光層１２および第２感光層１３の硬化方法は、上記と同様の硬化方法が用いられる。
硬化工程によって、第１感光層１２および第２感光層１３が硬化して、カバー絶縁層９が上記したパターンで形成される。
なお、形成されたカバー絶縁層９では、挿入部５が、第１感光層１２および第２感光層１３からなり、挿入部５以外の部分（カバー開口部１０が形成される部分を除く部分。）が、第１感光層１２からなっている。
【００６７】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、第１感光層形成工程および第２感光層形成工程により、第１感光層１２および第２感光層１３の２つの感光層からカバー絶縁層９を形成する。そのため、挿入部５におけるカバー絶縁層９の厚みＴ１をそれ以外の部分の厚みＴ２に対して、確実に厚く形成することができる。
【実施例】
【００６８】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
厚さ２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、金属支持基板の上面全面に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、１８０℃に加熱して乾燥させた後、ベース皮膜を、３８０℃で加熱して、硬化（イミド化）させることによって、厚さ１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上面全面に形成した（図３（ｂ）参照）。
【００６９】
次いで、厚み１５μｍの導体パターンを、アディティブ法により、ヘッド側端子と外部側端子と配線とを一体的に備える配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照。）。
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成した（図３（ｄ）参照。）。
【００７０】
すなわち、まず、ポリアミック酸樹脂と感光剤とをＮＭＰに配合して、感光性のワニスを調製した。次いで、得られた感光性のワニスを、ベース絶縁層および導体パターンの上に塗布し、その後、１３０℃に加熱して乾燥することにより、厚み１１μｍの感光層を形成した（図４（ａ）参照。感光層形成工程）。
次いで、第１フォトマスクを感光層の上に配置して、感光層を第１フォトマスクを介して露光した（図４（ｂ）参照。第１露光工程。）。
【００７１】
すなわち、遮光部分と光透過部分とを備える第１フォトマスクを、感光層における挿入部のカバー絶縁層を形成する部分に光透過部分が対向し、かつ、感光層における挿入部以外の部分に遮光部分が対向するように、感光層の上側に間隔を隔てて配置した。
続いて、紫外線を、第１フォトマスクの上方から、感光層に向けて、８００ｍＪ／ｃｍ２の照射量にて、第１フォトマスクを介して照射して、感光層を露光した（図４（ｃ）参照。）。
【００７２】
次いで、第２フォトマスクを、第１露光工程により露光された感光層の上に配置して、感光層を第２フォトマスクを介して露光した（図４（ｃ）参照。第２露光工程。）。
すなわち、遮光部分と光透過部分とを備える第２フォトマスクを、感光層における挿入部を含むカバー絶縁層が形成される部分に光透過部分が対向し、かつ、カバー開口部が形成される部分に遮光部分が対向するように、感光層の上側に間隔を隔てて配置した。
【００７３】
続いて、第２フォトマスクの上方から、第１露光工程により露光された感光層に向けて、２００ｍＪ／ｃｍ２の照射量にて、第２フォトマスクを介して露光した。
次いで、露光された感光層を、１８０℃で１．５分間、露光後加熱した（露光後加熱工程）。
次いで、露光後加熱された感光層を、５５℃で、アルカリ現像液を用いた浸漬法にて現像した（図４（ｄ）参照。現像工程。）。これにより、感光層を、挿入部における厚みが挿入部以外の部分における厚みより厚くなるように、かつ、カバー開口部が形成されるパターンにパターンニングした。
【００７４】
次いで、現像された感光層を、３８０℃で２時間、加熱して、硬化（イミド化）させた（硬化工程）。
これにより、カバー絶縁層を、上記したパターンで形成した。
なお、カバー絶縁層を別途形成し、それの２５℃における弾性率を、ＪＩＳ  Ｋ７１１３に準拠して求めたところ、６２００Ｎ／ｍ２であった。
【００７５】
挿入部におけるカバー絶縁層の厚み（Ｔ１）は８μｍであり、挿入部以外の部分における厚み（Ｔ２）が５μｍであった。
これにより、回路付サスペンション基板を得た。
実施例２
厚さ２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
【００７６】
次いで、金属支持基板の上面全面に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、１８０℃に加熱して乾燥させた後、ベース皮膜を、３８０℃で加熱して、硬化（イミド化）させることによって、厚さ１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上面全面に形成した（図３（ｂ）参照）。
【００７７】
次いで、厚み１５μｍの導体パターンを、アディティブ法により、ヘッド側端子と外部側端子と配線とを一体的に備える配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照。）。
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成した（図３（ｄ）参照。）。
【００７８】
すなわち、まず、ポリアミック酸樹脂と感光剤とをＮＭＰに配合して、感光性のワニスを調製した。次いで、調製した感光性のワニスを、ベース絶縁層および導体パターンの上に塗布し、その後、１３０℃に加熱して乾燥することにより、厚み１０．５μｍの第１感光層を形成した（図６（ａ）参照。第１感光層形成工程。）。
次いで、第３フォトマスクを第１感光層の上に配置して、第１感光層を第３フォトマスクを介して露光した（図６（ｂ）参照。第３露光工程。）。
【００７９】
すなわち、遮光部分と光透過部分とを備える第３フォトマスクを、第１感光層におけるカバー開口部が形成される部分に遮光部分が対向し、かつ、第１感光層における挿入部を含むカバー絶縁層が形成される部分に光透過部分が対向するように、第１感光層の上側に間隔を隔てて配置した。
次いで、第３フォトマスクの上方から、第１感光層に向けて、４００ｍＪ／ｃｍ２の照射量にて、第３フォトマスクを介して露光した。
【００８０】
次いで、上記と同様の感光性のワニスを、第３露光工程により露光された第１感光層の上に塗布し、その後、１３０℃に加熱して乾燥することにより、厚み６μｍの第２感光層を形成した（図６（ｃ）参照。第２感光層形成工程。）。
次いで、第４フォトマスクを第２感光層の上に配置して、第２感光層を第４フォトマスクを介して露光した（図６（ｄ）参照。）。
【００８１】
すなわち、遮光部分と光透過部分とを備える第４フォトマスクを、第２感光層における挿入部のカバー絶縁層が形成される部分に光透過部分が対向し、かつ、第２感光層における挿入部以外の部分に遮光部分が対向するように、第２感光層の上側に間隔を隔てて配置した。
次いで、第３露光工程により露光された第１感光層、および、第４露光工程により露光された第２感光層を、１８０℃で１．５分間、露光後加熱した（露光後加熱工程）。
【００８２】
次いで、露光後加熱された第１感光層および第２感光層を、５０℃で、アルカリ現像液を用いた浸漬法にて現像した（図６（ｅ）。現像工程。）。
これにより、挿入部において、第１感光層および第２感光層を実質的に溶解させず残存させ、また、挿入部以外の部分で、カバー開口部が形成される部分を除く部分において、第１感光層を実質的に溶解させず残存させる一方、第２感光層を溶解させて除去させ、さらに、カバー開口部が形成される部分において、第１感光層および第２感光層を溶解させて残存させた。
【００８３】
次いで、現像された第１感光層および第２感光層を、３８０℃で２時間、加熱して、硬化（イミド化）させた。
これによって、カバー絶縁層を上記したパターンで形成した。
なお、カバー絶縁層を別途形成し、それの２５℃における弾性率を、ＪＩＳ  Ｋ７１１３に準拠して求めたところ、６２００Ｎ／ｍ２であった。
【００８４】
挿入部におけるカバー絶縁層の厚み（Ｔ１）は８μｍであり、挿入部以外の部分における厚み（Ｔ２）が５μｍであった。
これにより、回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
カバー絶縁層の形成において、挿入部の厚み（Ｔ１）と、それ以外の部分の厚み（Ｔ２）とを、ともに５μｍに設定した以外は、上記と同様にした以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を製造した。
【００８５】
つまり、カバー絶縁層の形成では、上記と同様の感光性のワニスを、ベース絶縁層および導体パターンの上に塗布し、その後、１３０℃に加熱して乾燥することにより、厚み１１μｍの感光層を形成した（図６（ａ）参照。）。
次いで、遮光部分と光透過部分とを備えるフォトマスクを、感光層における開口部が形成される部分に遮光部分が対向し、かつ、感光層におけるベース絶縁層が形成される部分に光透過部分が対向するように、感光層の上側に間隔を隔てて配置した。
【００８６】
次いで、紫外線を、フォトマスクの上方から、感光層に向けて、４００ｍＪ／ｃｍ２の照射量にて、フォトマスクを介して照射して、感光層を露光した（図４（ｃ）参照。）。
次いで、露光された感光層を、１８０℃で１．５分間、露光後加熱した。
次いで、露光後加熱された感光層を、５０℃で、アルカリ現像液を用いた浸漬法にて現像した。
【００８７】
これにより、感光層を、長手方向にわたって均一な厚みで、かつ、カバー開口部が形成されるパターンにパターンニングした。
次いで、現像された感光層を、３８０℃で２時間、加熱して、硬化（イミド化）させた。
これによって、厚み５μｍのカバー絶縁層を、長手方向にわたって均一な厚みで形成し、回路付サスペンション基板を得た。なお、カバー絶縁層を別途形成し、それの２５℃における弾性率を、ＪＩＳ  Ｋ７１１３に準拠して求めたところ、６２００Ｎ／ｍ２であった。
【００８８】
（評価）
（回路付サスペンション基板のＥブロックへの挿入）
実施例１、２および比較例１の回路付サスペンション基板の挿入部を、ハードディスクドライブにおけるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）のＥブロックに挿入した。なお、Ｅブロックにおける隙間の高さ（隙間を仕切る櫛状部材間の間隔）（Ｈ）は５００μｍであった。
【００８９】
その後、挿入部におけるカバー絶縁層およびそれに対応する配線の損傷の有無を確認した。
その結果、実施例１および２の回路付サスペンション基板では、カバー絶縁層および配線の損傷が確認されなかった。
一方、比較例１では、カバー絶縁層および配線の両方の損傷が確認された。
【符号の説明】
【００９０】
１    回路付サスペンション基板
５    挿入部
６    金属支持基板
７    ベース絶縁層
８    導体パターン
９    カバー絶縁層
１１  感光層
１２  第１感光層
１３  第２感光層
２０  第１フォトマスク
２１  第２フォトマスク
２２  第３フォトマスク
２３  第４フォトマスク
【図１】
2010205361.tif 000003
【図２】
2010205361.tif 000004
【図３】
2010205361.tif 000005
【図４】
2010205361.tif 000006
【図５】
2010205361.tif 000007
【図６】
2010205361.tif 000008