(57)【要約】      （修正有）【課題】１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体を作製する。【解決手段】一般式（１）2010134121.tif 000014（式中、Ａｒ１は、置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはビフェニリル基を示す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立して、水素原子、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいビフェニリル基、置換されていてもよいピリジル基、置換されていてもよいビピリジリル基、置換されていてもよいナフチル基、または置換されていてもよいターフェニリル基を示す。Ａｒ２が水素原子のとき、Ａｒ３およびＡｒ４は水素原子ではなく、Ａｒ３およびＡｒ４が水素原子のとき、Ａｒ２は水素原子ではない。）を用いる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2010134121.tif 000013
（式中、Ａｒ１は、置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはビフェニリル基を示す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立して、水素原子、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいビフェニリル基、置換されていてもよいピリジル基、置換されていてもよいビピリジリル基、置換されていてもよいナフチル基、または置換されていてもよいターフェニリル基を示す。Ａｒ２が水素原子のとき、Ａｒ３およびＡｒ４は水素原子ではなく、Ａｒ３およびＡｒ４が水素原子のとき、Ａｒ２は水素原子ではない。）
で表される１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とすることを特徴とする正帯電単層型電子写真感光体。
【請求項２】
１，３，５−トリアジン誘導体が、１．０×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する１，３，５−トリアジン誘導体であることを特徴とする請求項１に記載の正帯電単層型電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光源を利用したレーザープリンター、ファックス、コピー機等に使われる電子写真感光体として、従前はセレン等の無機感光体が使用されていたが、毒性がないこと、製造が容易であること、比較的安価であること、感光層の設計自由度が高いことなどから、上記電子写真感光体の殆どが有機感光体となっている。この有機感光体には、電荷を発生させる電荷発生層と、発生した電荷を輸送させる電荷輸送層を順次積層した積層型と、これらの機能を単一の感光層とする単層型がある。
【０００３】
現在実用化されている有機感光体は積層型が殆どである。電荷輸送の担い手としては正孔輸送材と電子輸送材があるが、電子輸送材の電荷移動度は正孔輸送材のそれに比べて、非常に遅いため、積層型では正孔輸送材を電荷輸送材とする負帯電方式が主流となっている。
【０００４】
ところが、この負帯電方式ではコロナ放電にともなうオゾンが大量に発生し、環境への影響や感光体の劣化が問題となる。そのため、これを除去する装置を必要とし、小型化および省エネルギーの妨げとなっている。また、オゾン発生の抑制には感光体との接触によって過剰の負の帯電を逃がす方法があるが、それによって感光体の磨耗が早くなるという問題がある。
【０００５】
この問題を解決すべく、オゾン発生の殆どない正帯電型感光体の開発がなされている（例えば、特許文献１，２参照）。正帯電型感光体の場合、前記単層型が主流であり、電荷輸送材には正孔輸送材と電子輸送材の両方を含み、一部で実用化されている。しかしながら、電子輸送能を有する有機化合物は元来数が少なく、また、正孔輸送材の正孔移動度に比べて、著しく電子移動度も遅いため（例えば、特許文献３参照）、正帯電単層型電子写真感光体に適した電子輸送材の開発が待たれていた。特に近年は、電子写真感光体はカラー化とともに、高解像度化、高速化に対する要求が高まっており、高解像度化には高感度な材料、正帯電型では高移動度電子輸送材料の開発が課題である。
【０００６】
一方、高速化には感光体の長寿命化、耐刷性、耐磨耗性の機械的強度の向上も求められている。その理由は、感光層の磨耗量により、感度低下等の問題が生じ、画像の品質に影響を与えるからである。
【０００７】
耐摩耗性を向上させる手段としては、感光体の表面に耐刷性の保護層を設ける方法、電荷輸送層の膜厚を従来より大幅に厚くする方法（例えば、特許文献４参照）、感光体を含むバインダー樹脂に機械的強度のある新規なポリカーボネートを用いる方法（例えば、特許文献５参照）、ポリカーボネートの分子量を上げ、機械的強度を向上させる方法（例えば、特許文献６参照）、感光層密度を一定の範囲に設定する方法（例えば、特許文献７参照）、酸素透過係数の小さいバインダー樹脂を使用することによって耐摩耗性と耐オゾン性を向上させる方法（例えば、特許文献８参照）が知られている。
【０００８】
また、感光体の構成材料である電荷発生材、電荷輸送材は何れも結晶性が高く、耐摩耗性に乏しいといった課題があり、機械的強度に優れた材料開発は進んでいないのが現状である。これに対して、材料からの取組みとして、正帯電単層型感光体の電子輸送材としてオキサジアゾール誘導体による効果が示されたが、耐摩耗性については言及されていない（例えば、特許文献９参照）。
【０００９】
最近、特定の１，３，５−トリアジン誘導体の電子移動度が１０−６〜１０−４ｃｍ２／Ｖｓと比較的速いことが開示された（例えば、特許文献１０参照）。これらの１，３，５−トリアジン誘導体は、有機溶媒に可溶であり、また真空蒸着やスピンコートによる塗布膜はいずれも非晶質であること（例えば、特許文献１１参照）から、正帯電単層型電子写真感光体として期待される。ところが、１，３，５−トリアジン誘導体を正帯電型電子写真感光体用の電子輸送材に使用された例は一例しかなく、移動度、耐摩耗性等は不明であった（例えば、特許文献１２参照）。
【００１０】
【特許文献１】特許第２７１８０４８号公報
【特許文献２】特開２０００−１７１９８８号公報
【特許文献３】特開２００２−３１１６０４号公報
【特許文献４】特許第３３７５１６１号公報
【特許文献５】特許第３８２７５３６号公報
【特許文献６】特開平５−１１３６７１号公報
【特許文献７】特開２００１−３０５７５４号公報
【特許文献８】特開２００２−１９６５１７号公報
【特許文献９】特許第３１４２３３１号公報
【特許文献１０】特開２００６−０８６２８４号公報
【特許文献１１】特開２００６−２２５３２１号公報
【特許文献１２】特開平１１−８４６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、結着樹脂に均一に分散する電子輸送材を用いた耐摩耗性に優れる正帯電単層型電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、正帯電単層型電子写真感光体において、１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材に用いることにより、結着樹脂に均一に分散し、またこれを含む感光体層の耐摩耗性が向上するという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は、一般式（１）
【００１４】
【化１】
2010134121.tif 000002
（式中、Ａｒ１は、置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはビフェニリル基を示す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立して、水素原子、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいビフェニリル基、置換されていてもよいピリジル基、置換されていてもよいビピリジリル基、置換されていてもよいナフチル基、または置換されていてもよいターフェニリル基を示す。Ａｒ２が水素原子のとき、Ａｒ３およびＡｒ４は水素原子ではなく、Ａｒ３およびＡｒ４が水素原子のとき、Ａｒ２は水素原子ではない。）
で表される１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体に関するものである。さらに、１，３，５−トリアジン誘導体は、電子移動度が１．０×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
一般式（１）のＡｒ１で示されるフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基は、炭素数１〜４のアルキル基またはピリジル基で置換されていてもよく、具体的には、フェニル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−（ピリジン−２−イル）フェニル基、３−（ピリジン−２−イル）フェニル基、４−（ピリジン−３−イル）フェニル基、３−（ピリジン−３−イル）フェニル基、４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、３−（ピリジン−４−イル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−（ピリジン−２−イル）ナフタレン−１−イル基、４−（ピリジン−３−イル）ナフタレン−１−イル基、４−（ピリジン−４−イル）ナフタレン−１−イル基、６−（ピリジン−２−イル）ナフタレン−２−イル基、６−（ピリジン−３−イル）ナフタレン−２−イル基、６−（ピリジン−４−イル）ナフタレン−２−イル基、１，１’−ビフェニリル−４−イル基、１，１’−ビフェニリル−３−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、４’−（ピリジン−２−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、４’−（ピリジン−３−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、４’−（ピリジン−４−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、２’，５’−ジメチル−４’−（ピリジン−２−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、３’−（ピリジン−２−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、３’−（ピリジン−３−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、３’−（ピリジン−４−イル）−１，１’−ビフェニリル−４−イル基、１，１’−ビフェニリル−３−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニリル−３−イル基、４’−（ピリジン−２−イル）−１，１’−ビフェニリル−３−イル基、４’−（ピリジン−３−イル）−１，１’−ビフェニリル−３−イル基、４’−（ピリジン−４−イル）−１，１’−ビフェニリル−３−イル基、２’，５’−ジメチル−４’−（ピリジン−２−イル）−１，１’−ビフェニリル−３−イル基等が例示できる。
【００１７】
一般式（１）のＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４で示されるフェニル基は、ピリジル基、ナフチル基で置換されていてもよく、また、ビフェニリル基、ピリジル基、ビピリジリル基、ナフチル基、ターフェニリル基は、フェニル基、ピリジル基、ナフチル基で置換されていてもよい。これらの基本骨格としては、以下のａ〜ｓｓが例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
【化２】
2010134121.tif 000003
【００１９】
【化３】
2010134121.tif 000004
ａ〜ｓｓに例示される基本骨格は、さらに炭素数１〜４のアルキル基、ジフェニルアミノ基またはＮ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基で置換されていてもよい。
【００２０】
上記の基本骨格の組合せからなる一般式（１）の１，３，５−トリアジン誘導体として、次に示すＡ〜ＦＦの化合物が例示できる。
【００２１】
【化４】
2010134121.tif 000005
【００２２】
【化５】
2010134121.tif 000006
中でも、電子移動度が１．０×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である点で、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｉ、Ｊ、Ｕが好ましい。
【００２３】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法に特に限定はないが、例えば、特開２００７−３１４５０３公報に記載されている方法により得ることができる。
【００２４】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とし、これと電荷発生材、正孔輸送材、結着樹脂を混合して感光体とし、さらに導電性基体上に感光体層として塗布することにより、正帯電単層型電子写真感光体を得ることができる。
【００２５】
電荷発生材としては、フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ガリウムフタロシアニン、ペリレン顔料などの公知の電荷発生材を用いることができる。
【００２６】
正孔輸送材としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンなどのトリアリールアミン化合物、フェニレンジアミン化合物、オキサジアゾール化合物、スチリル化合物、カルバゾール化合物、ヒドラゾン化合物などを用いることができる。
【００２７】
結着樹脂としては、ビスフェノールＡ型のポリカーボネート樹脂、スチレン系重合体、ポリアミドなどを用いることができる。
【００２８】
また、感光体層に、必要に応じて従来公知の添加剤、例えば、増感材、酸化防止剤、紫外線吸収材等の劣化防止剤、可塑剤等を含有させることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、電子移動度が高く、クロロホルム、ジクロロエタン等の有機溶媒に可溶なため、結着樹脂との相溶性がよく均一に分散すること、さらに感光体層が非晶質となることから、耐磨耗性が向上した正帯電単層型電子写真感光体を得ることができる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例、比較例および参考例により本発明を詳細に説明する。
【００３１】
実施例で電子輸送材として使用した１，３，５−トリアジン誘導体は、次の６種類である。
【００３２】
【化６】
2010134121.tif 000007
また、電子輸送材の比較化合物として、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）を用いた。
【００３３】
〔耐摩耗性試験の試料作製〕
試料は、２０ｍｍ角の石英基板に塗布膜を形成することにより作製した。石英基板は、アセトン、有機系アルカリ洗浄剤（セミコクリーン／フルウチ化学製）、純水を用いて超音波洗浄を行い、その後、沸騰ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）による表面洗浄を行った。塗布直前に基板をＵＶ処理し、最表面の有機物を除去した。結着樹脂として、ポリカーボネート（ＰＣ、Ａｌｄｒｉｃｈ製、Ｍｗ：３１，０００）、電子輸送材は昇華精製を２回実施したものを用いた。電子輸送材とＰＣとの結着樹脂混合溶媒としてクロロホルム（Ｅ、Ｊ）またはジクロロメタン（Ｉ，Ｄ，Ｆ，Ｕ，ＰＢＤ）に溶解した溶液を調製した。この溶液を基板上にスピンコートすることにより、塗布膜を作製した。スピンコートは以下の手順で行った。溶液を滴下後、５００ｒｐｍで５秒間、次いで２０００ｒｐｍで６０秒間保持した。その後、８０℃で６０分間、真空加熱装置で加熱乾燥を行い、残存溶媒を除去した。
【００３４】
作製した試料の膜厚は、触針式表面形状測定装置（ＤＥＫＴＡＫ−６Ｍ）を用いて測定した。
【００３５】
〔試料の耐磨耗性の評価〕
測定には、摩擦磨耗試験機（（株）レスカ製  ＦＰＲ−２１００）を用いた。本装置では、試料を回転ステージに固定し、回転中心からずらした地点に一定荷重で上部より固定された圧子（金属製ボール）を接触させ、回転させることにより発生する摩擦力や摩擦係数を測定することで耐磨耗性評価を実施した。本装置による試験では測定開始からある期間、一定の摩擦係数を示し、塗布膜が経時磨耗してくると、圧子が下地の石英基板近くまで到達するため、石英基板の摩擦係数が急激に上昇を開始する。上昇を始めた時点で塗布膜の摩擦係数から石英の摩擦係数へと変化を始めると判断し、それまでの時間を塗布膜の破壊時間と定義する（図１）。一般に、破壊時間が長いほど耐磨耗性は良好である。なお、測定は１試料につき、同一基板内の５点で行い、その平均値を用いた。測定条件は以下の通りである。
【００３６】
・荷重：８００（ｇ）
・回転数：３００（ｒｐｍ）
・基板温度：室温
・回転半径：１（ｍｍ）
・圧子材質：ＳＵＪ２、３／１６インチ
〔膜質の評価〕
作製した試料の結晶性の評価は、走査型レーザ顕微鏡  ＶＫ−９５００／ＶＫ−９５１０（キーエンス製）により行った。各材料について、減圧下、７０℃で加熱乾燥を行い、膜質に変化があるかレーザ顕微鏡を用いて調べた。その後、１２０℃でベーキングを行い、膜表面に変化が生じているか、再度観察した。５０倍標準レンズ（Ｎ．Ａ．＝０．９５，焦点距離＝０．３３ｍｍ）で、Ｚ軸ステップ０．０１μｍの条件で行った。
【００３７】
（参考例１）電子輸送材Ｉの合成
アルゴン気流下、ブチルリチウム２．９ｍｍｏｌを含むヘキサン溶液１．９ｍＬに、４−ブロモビフェニル  ０．６１ｇを溶解し、−７８℃に冷却したテトラヒドロフラン２０ｍＬにゆっくり加えた。−７８℃で３０分間攪拌後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）  ０．７９ｇを加え、−７８℃で１０分間、次いで室温で２時間攪拌した。この溶液に、２−（４−ブロモフェニル）−４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン  １．００ｇとテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ０．１２ｇを溶解したテトラヒドロフラン４０ｍＬを加え、２時間加熱還流下で攪拌した。反応溶液を減圧濃縮し、得られた固体をジクロロメタン−メタノールで再結晶した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン：クロロホルム＝５：１〜３：１）で精製後、再度ジクロロメタン−メタノールで再結晶し、目的の電子輸送材Ｉ（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［１,１’：４’，１”］テルフェニル−４−イル−１，３，５−トリアジン）の白色固体（収量１．０５ｇ、収率９１％）を得た。
【００３８】
同様の方法で、電子輸送材Ｄ、Ｅ、Ｆ、ＪおよびＵを合成した。
【００３９】
（実施例１）電子輸送材Ｉ、Ｅ、Ｊ、Ｄ、Ｆ、ＵおよびＰＢＤの移動度測定
〔電子移動度測定試料の作製〕
基板には２ｍｍ幅のＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜がストライプ状にパターンされた２０ｍｍ角のＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄し、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った後、電子輸送材を真空蒸着法で成膜した。電子輸送材は昇華精製を２回実施したものを用い、蒸着槽を４．８×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱方式により加熱した電子輸送材を所定の膜厚になるよう前記基板上に真空蒸着した。次に、この基板上にＩＴＯストライプと直交するように、メタルマスクを配して、２ｍｍ幅のＡＬ膜を１００ｎｍの膜厚で真空蒸着した。これによって、電子移動度測定用の２ｍｍ角の動作エリアを得た。
【００４０】
〔電子移動度の測定〕
電子移動度の測定は、タイムオブフライト移動度測定法で行った。測定装置は、オプテル社製のものを用い、測定は室温で行い、電界強度４００（Ｖ／ｃｍ）１／２において、窒素レーザーをＩＴＯ透明電極側から照射した時に発生した電荷のＡＬ電極への移動速度から得た。
【００４１】
得られた電子輸送材の電子移動度を表１に示す。
【００４２】
【表１】
2010134121.tif 000008
（実施例２）
結着樹脂のポリカーボネート（ＰＣ、Ａｌｄｒｉｃｈ製  Ｍｗ：３１，０００）に対して、４０〜９０ｗｔ％の電子輸送材Ｉをジクロロエタンに溶解した溶液を調製した。基板には２ｍｍ幅のＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄し、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った後、電子輸送材Ｉの溶液をスピンコート成膜した。
【００４３】
スピンコートは以下の手順で行った。溶液を滴下後、５００ｒｐｍで５秒間、次いで２０００ｒｐｍで６０秒間保持した。その後、８０℃で６０分間、真空加熱装置で加熱乾燥を行い、残存溶媒を除去した。
【００４４】
その後、スピンコートしたガラス基板を真空蒸着槽に入れ、この基板上にＩＴＯストライプと直交するように、メタルマスクを配して、蒸着槽を４．８×１０−４Ｐａまで減圧した後、２ｍｍ幅のＡＬ膜を１００ｎｍの膜厚で真空蒸着した。これによって、電子移動度測定用の２ｍｍ角の動作エリアを得た。
【００４５】
電子移動度の測定は実施例１と同様に行った。結果を表２および図２に示す。
【００４６】
（比較例１）
電子輸送材をＰＢＤに代えた以外は、実施例２と同様にして試料を作製し、電子移動度を測定した。結果を表２および図２に示す。
【００４７】
従来品の電子輸送材ＰＢＤの電子移動度は含有率が９０％で急激に低下し、単体（１００％）の時の１／１００にまで低下した。
【００４８】
一方、電子輸送材Ｉは含有率が７０％までは殆ど変化なく、４０％で単体の１／１０程度に低下するものの、なお、ＰＢＤの移動度を上回っていた。即ち、Ｉは結着材に対する含有率９０〜４０％の範囲で従来品であるＰＢＤの電子移動度よりも速い移動度を示す特徴を持つことが示され、高感度電子輸送材として作用することが期待される。
【００４９】
【表２】
2010134121.tif 000009
（実施例３）
結着樹脂のポリカーボネート（ＰＣ、Ａｌｄｒｉｃｈ製  Ｍｗ：３１，０００）に対して、４０〜９０ｗｔ％の電子輸送材Ｉをジクロロエタンに溶解した溶液を調製した。この溶液を２０ｍｍ角の石英基板にスピンコートした後、真空加熱装置で７０℃と１２０℃で６０分間加熱乾燥し、その膜質をレーザ顕微鏡で観察した。結果を表３および図３に示す。
【００５０】
電子輸送材の含有率４０，７０，９０ｗｔ％のいずれの場合でも、また、加熱乾燥温度が７０，１２０℃の何れの場合でも非晶質であった。
【００５１】
（比較例２）
電子輸送材をＰＢＤに代えた以外は、実施例３と同様にして試料を作製し、膜質をレーザ顕微鏡で観察した。結果を表３および図３に示す。
【００５２】
【表３】
2010134121.tif 000010
結着剤のポリカーボネートに対するＰＢＤの含有率が９０ｗｔ％では、７０℃と１２０℃の加熱乾燥後に結晶化が起きた。含有率７０ｗｔ％では、７０℃の加熱乾燥温度では結晶化しなかったが、１２０℃では結晶化がみられた。また、ＰＢＤ含有率が少ない４０ｗｔ％では、１２０℃の加熱乾燥温度でも結晶化は進行しなかった。
【００５３】
（実施例４）
実施例３と同様に、結着剤ポリカーボネートに対して、４０〜９０ｗｔ％の電子輸送材Ｉをジクロロエタンに溶解した溶液を２０ｍｍ角の石英基板にスピンコートし、真空加熱乾燥装置で８０℃で６０分間加熱乾燥し、耐摩耗性評価を行った。表４に耐磨耗性評価における磨耗係数と破壊時間を、図４に破壊時間の電子輸送材含有率依存性を示す。
【００５４】
【表４】
2010134121.tif 000011
電子輸送材Ｉの膜破壊時間は、含有率が７０〜４０ｗｔ％では殆ど変らず、９０ｗｔ％で低下する。一方、実施例２で示したように７０ｗｔ％までは電子移動度が殆ど変化せず、４０ｗｔ％で低下する。即ち、電子輸送材Ｉは比較的高い含有率７０ｗｔ％でも単体（１００ｗｔ％）の電子移動度を維持したままで、高い耐摩耗性を示す。
【００５５】
（実施例５）
電子輸送材をＥとし、Ｅの含有率が４０ｗｔ％の試料を作製し、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００５６】
（実施例６）
電子輸送材をＪとし、Ｊの含有率が４０ｗｔ％の試料を作製し、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００５７】
（実施例７）
電子輸送材をＤとし、Ｄの含有率が４０ｗｔ％の試料を作製し、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００５８】
（実施例８）
電子輸送材をＦとし、Ｆの含有率が４０ｗｔ％の試料を作製し、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００５９】
（実施例９）
電子輸送材をＵとし、Ｕの含有率が４０ｗｔ％の試料を作製し、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００６０】
（比較例３）
比較例１で作製したＰＢＤの含有率が４０ｗｔ％の試料について、膜厚の測定および耐摩耗性評価を行った。結果を表５に示す。
【００６１】
【表５】
2010134121.tif 000012
上記表５で、同じ膜厚の実施例９と比較例３では、比較例３の破壊時間２１２ｓに比べて、実施例９の破壊時間３２３ｓと大きく上回り、耐摩耗性に優れていることがわかった。
【００６２】
表５の結果より、破壊時間と膜厚との関係を図５に示す。
【００６３】
図５より、実施例の破壊時間は比較例の破壊時間より１００〜１５０ｓも長く、耐摩耗性に優れていることは明らかであり、比較例３は耐摩耗性に劣る。要因は電子輸送材Ｉ、Ｅ、Ｊ、Ｄ、ＦおよびＵが非晶質であるのに対し、ＰＢＤが結晶化し易いことによるものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】摩擦磨耗試験における破壊時間を示す図である。
【図２】電子輸送材の含有率と電子移動度を示す図である。
【図３】実施例３および比較例２のレーザ顕微鏡観察図である。
【図４】電子輸送材Ｉの破壊時間の含有率依存性を示す図である。
【図５】破壊時間と膜厚との関係を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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