(57)【要約】【課題】封止樹脂の硬化収縮を抑えることにより、半導体装置の反りを低減する。【解決手段】配線基板１００と、配線基板１００に搭載された複数の半導体チップと、複数の半導体チップを一括的に封止し、かつ厚さの異なる部位を有する封止体４０１を有する半導体装置の中間構造体４００。【選択図】図４
2010141261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
配線基板に搭載された複数の半導体チップと、
複数の半導体チップを一括的に封止し、かつ厚さの異なる部位を有する封止体を有することを特徴とする半導体装置の中間構造体。
【請求項２】
前記厚さの異なる部位は、前記配線基板及び前記半導体装置の少なくとも一つの反りを低減するために形成されていることを特徴とする請求項１に記載の中間構造体。
【請求項３】
前記封止体は、周辺部位の厚さが中央部位の厚さより薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の中間構造体。
【請求項４】
前記封止体は、前記周辺部位の厚さが前記中央部位の厚さより段階的に又は連続的に薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の中間構造体。
【請求項５】
前記封止体は、ゲート側の厚さがエアベント側の厚さより薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の中間構造体。
【請求項６】
前記封止体は、前記ゲート側から前記エアベント側に向かって、段階的に又は連続的に厚さが大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の中間構造体。
【請求項７】
前記配線基板は、製品形成エリアと製品形成エリアの外側に設けられた周辺部とを有し、
前記封止体は、前記周辺部の厚さが前記製品形成エリアの厚さより薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の中間構造体。
【請求項８】
前記製品形成エリアには、それぞれ一つの前記半導体チップが配置された複数の製品形成部が設けられており、
前記周辺部は、前記配線基板の枠部に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の中間構造体。
【請求項９】
前記封止体は、略長方形状に構成されており、短辺側の周辺部位の厚さが長辺側の周辺部位の厚さより薄く形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の中間構造体。
【請求項１０】
前記封止体は、略長方形状に構成されており、短辺側の周辺部位の厚さの薄い領域が、長辺側の厚さの薄い領域より広く形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の中間構造体。
【請求項１１】
複数の製品形成部を有する配線基板を用意し、
各製品形成部に半導体チップを搭載し、
深さが異なるキャビティを有する成型装置を使用して、キャビティ内に樹脂を注入して複数の半導体チップを一括的に封止し、これにより樹脂厚の異なる部位を有する封止体を形成することを特徴とする半導体装置の中間構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂厚の異なる部位は、前記配線基板及び前記半導体装置の少なくとも一つの反りを低減するために形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記キャビティは、周辺部位の深さが中央部位の深さより浅く形成されており、
前記キャビティ内に前記樹脂を注入することにより、前記封止体を、周辺部位の樹脂厚が中央部位の樹脂厚より薄くなるように形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記キャビティは、周辺部位の深さが中央部位の深さより段階的又は連続的に浅く形成されており、
前記封止体は、前記周辺部位の樹脂厚が前記中央部位の樹脂厚より段階的又は連続的に薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記キャビティは、ゲート側の深さがエアベント側の深さより浅く形成されており、
前記キャビティ内に前記樹脂を注入することにより、前記封止体を、前記ゲート側の樹脂厚が前記エアベント側の樹脂厚より薄くなるように形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記キャビティは、前記ゲート側の深さが前記エアベント側の深さより段階的又は連続的に浅く形成されており、
前記封止体は、前記ゲート側から前記エアベント側に向かって、段階的に又は連続的に樹脂厚が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１７】
前記製品形成部の外側には周辺部が形成されており、
前記キャビティは、前記周辺部の深さが前記製品形成部の深さより浅く形成されており、
前記キャビティ内に前記樹脂を注入することにより、前記封止体を、前記周辺部の樹脂厚が前記製品形成部の樹脂厚より薄くなるように形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１８】
前記封止体は略長方形状に形成され、短辺側の周辺部位の樹脂厚が長辺側の周辺部位の樹脂厚より薄く形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項１９】
前記封止体は、略長方形状に形成され、短辺側の周辺部位の樹脂厚の薄い領域が、長辺側の樹脂厚の薄い領域より広く形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項２０】
前記封止体は、前記キャビティの両端部の近傍部位を含めて略等間隔で配置された複数のゲートから前記樹脂を注入することにより形成されることを特徴とする請求項１１及至１９のいずれか１項に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項２１】
請求項１１及至２０のいずれか１項に記載の製造方法により得られた前記中間構造体をダイシングすることにより、複数の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１１及至２０のいずれか１項に記載の製造方法で使用された深さが異なる前記キャビティを有する成型装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の中間構造体及び中間構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、BGA（Ball Grid Array）型の半導体装置は、複数の製品形成部を有する配線基板を準備し、製品形成部のそれぞれに半導体チップを搭載し、配線基板上の複数の製品形成部を一体的に覆う封止体を形成し、配線基板を個々の製品形成部毎に分割するMAP（Mold Array Process）方式が用いられている。
【０００３】
しかしながら、従来の半導体装置では、封止樹脂の硬化収縮により、封止樹脂が配線基板より収縮が大きくなるため、配線基板に反りが生じてしまうという問題がある。
【０００４】
また、封止体はトランスファモールドにてゲートから封止樹脂を注入することで形成するため、フィラー（球形状のガラス部材）分布の偏りによって、配線基板に反りが生じてしまうという問題もある。
【０００５】
さらに、キャビティの中央部位に複数のゲートを配置し、ゲートから封止樹脂を注入していたため、上記と同様に、平面的に、キャビティの左右端部とゲートの配置された中央部でのフィラーの分布が異なってしまう。例えば、キャビティの左右端部では、ゲートの配置された中央部よりフィラーが多くなる。上記と同様に、封止体のフィラー分布の偏りによって、配線基板への反りにつながる。
【０００６】
このように、配線基板の反りが生じると、配線基板の搬送性の低下や、配線基板への位置決め精度の低下につながる恐れがある。さらには、配線基板の搬送性の低下によっては製造効率の低下する恐れや、位置決め精度の低下によってはボール搭載精度や基板切断精度が低下し、不良品を作り込む恐れもある。
【０００７】
また、上記のようにして組立が完了した半導体装置にも反りが発生する恐れもある。
【０００８】
また、MCP（Multi Chip Package）等の半導体装置においては、複数の半導体チップを積層搭載しているため、封止樹脂の厚さも大きくなり、封止体の厚さが大きくなることで、封止樹脂の硬化収縮やフィラー分布による反りの問題は大きくなっている。
【０００９】
また、特開２００１−４４２２９号公報（特許文献１）及び特開２００１−４４３２４号公報（特許文献２）には、複数の製品形成部を一括的に覆う封止体を、分割形成することで、配線基板の反りを低減する技術が開示されている。
【００１０】
しかしながら、配線基板上の封止体を分割形成することで、ある程度配線基板の反りを緩和できるが、封止体毎に配線基板に反りが発生してしまう。
【００１１】
さらには、一つの配線基板からの製品の取数を増やすために、配線基板のサイズは大型化してきており、封止体のサイズも大きくなり、反りの問題が大きくなる傾向にある。
【００１２】
さらに、封止体の分割数を多くして反りを低減しようとする場合には、配線基板のモールド金型の当接エリアが多くなるため、一つの配線基板からの製品の取数が少なくなってしまう。
【００１３】
また、特開平１０−３２６８００号公報（特許文献３）には、配線基板を反らせた状態で封止樹脂を形成し、配線基板と封止樹脂の熱収縮の差による反りを低減する技術が開示されている。
【００１４】
また、特開２００７−２８１３７４号公報（特許文献４）には、配線基板のチップと外部端子の間に、チップ搭載領域に生じる反りと逆向きに変形させるように熱膨張率の異なる局所変形部材を配置する技術が開示されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００１−４４２２９号公報
【特許文献２】特開２００１−４４３２４号公報
【特許文献３】特開平１０−３２６８００号公報
【特許文献４】特開２００７−２８１３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述した従来技術においては、封止体形成時の封止樹脂の硬化収縮及び封止樹脂のフィラー分布による反りの問題が考慮されていない。
【００１７】
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、封止樹脂の硬化収縮を抑えることにより、半導体装置の反りを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様の半導体装置の中間構造体は、配線基板と、配線基板に搭載された複数の半導体チップと、複数の半導体チップを一括的に封止し、かつ厚さの異なる部位を有する封止体を有する。
【００１９】
本発明の一態様の半導体装置の中間構造体の製造方法では、複数の製品形成部を有する配線基板を用意し、各製品形成部に半導体チップを搭載し、深さが異なるキャビティを有する成型装置を使用して、キャビティ内に樹脂を注入して複数の半導体チップを一括的に封止し、これにより樹脂厚の異なる部位を有する封止体を形成する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、封止樹脂の硬化収縮を抑えることにより、半導体装置の反りを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
最初に、本発明の理解を容易にするために、図１６を参照して、従来技術の問題点について詳細に説明する。
【００２２】
図１６（ａ）に示すように、トランスファモールドにより、複数の製品形成部を一体的に覆うキャビティに封止樹脂を充填し、封止樹脂１６０を熱硬化することで封止体を形成している。封止樹脂１６０は硬化収縮と熱収縮が起こるため、配線基板１６１の熱収縮より大きくなる。このように、封止樹脂１６０の硬化収縮により、封止樹脂１６０が配線基板１６１より収縮が大きくなるため、図１６（ａ）に示すように、配線基板１６１に反りが生じてしまうという問題がある。
【００２３】
また、上記とは別に、封止体はトランスファモールドにてゲートから封止樹脂１６０を注入することで形成するため、封止体のゲート側とエアベント側でのフィラー（球形状のガラス部材）分布が異なってしまう。具体的には、トランスファモールドによりゲートより封止樹脂１６０をキャビティに注入することで、封止樹脂１６０に含まれるフィラーはエアベント側に流され、封止体のエアベント側がゲート側よりもフィラーが多く分布してしまう。
【００２４】
このようなフィラー分布の偏りによって、封止体の平面的なバランスが崩れ、配線基板１６１に反りが生じてしまう問題がある。例えば、フィラー分布の偏りによって、図１６（ｂ）に示すようにフィラーの少ないゲート側がマイナス（封止体側に反る）、フィラーの多いエアベント側がプラス（配線基板側に反る）に反ってしまう恐れもある。
【００２５】
さらに、キャビティの中央部位に複数のゲートを配置し、ゲートから封止樹脂を注入していたため、上記と同様に、平面的に、キャビティの左右端部とゲートの配置された中央部でのフィラーの分布が異なってしまう。例えば、キャビティの左右端部では、ゲートの配置された中央部よりフィラーが多くなる。上記と同様に封止体のフィラー分布の偏りによって、配線基板１６１への反りにつながる。
【００２６】
このように、配線基板１６１の反りが生じると、配線基板１６１の搬送性の低下や、配線基板１６１への位置決め精度の低下につながる恐れがある。さらには、配線基板１６１の搬送性の低下によっては、製造効率が低下する恐れが生じる。されに、位置決め精度の低下によっては、ボール搭載精度や基板切断精度が低下し、不良品を作り込む恐れもある。
【００２７】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決するために成されたものである。
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２９】
（第１の実施形態）
図１〜図７を参照して、本発明の第１の実施形態に係るBGA（Ball Grid Array）型半導体装置の製造方法について説明する。
【００３０】
図１は、第１の実施形態の半導体装置の製造に用いる配線基板の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【００３１】
配線基板１００は、例えば０．２ｍｍ厚のガラスエポキシ配線基板であり、図１に示すようにマトリックス状に配置された複数の製品形成部１０１を有している。マトリックス状に配置された複数の製品形成部１０１は、例えば４×４で１６個の２つのエリア10２ａ，10２ｂをそれぞれ構成している。配線基板１００の複数の製品形成部１０１には、それぞれ所定の配線パターン（図示せず）が形成され、配線パターンは部分的に絶縁膜（図示せず）、例えばソルダーレジストで覆われている。
【００３２】
製品形成部１０１の一面側の配線のソルダーレジストから露出された部位には、複数の接続パッド１０３が形成されている。また、製品形成部１０１の他面の配線のソルダーレジストから露出された部位には、複数のランド１０４が形成されている。そして、接続パッド１０３とこれに対応するランド１０４とは配線基板１００の配線１０５によりそれぞれ電気的に接続されている。
【００３３】
また、製品形成部１０１がマトリックス状に配置されたエリア10２ａ，10２ｂの周囲には枠部１０６が配置されている。枠部１０６には所定の間隔で位置決め孔１０７が設けられ、搬送・位置決めが可能に構成されている。また、製品形成部１０１間はダイシングライン１０８となる。このようして、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような配線基板１００が準備される。
【００３４】
次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１００はダイボンディング工程に移行され、半導体チップ１０９が搭載される。
【００３５】
半導体チップ１０９は、例えばＳｉ基板の一面に論理回路や記憶回路等が形成され、周辺近傍位置には複数の電極パッド（図示せず）が形成されている。また、電極パッドを除く半導体チップの一面には、パッシベーション膜（図示せず）が形成され、回路形成面を保護している。
【００３６】
そして、ダイボンディング工程では、図示しないダイボンディング装置を用いて、配線基板１００の一面側の製品形成部１０１の略中央部に、それぞれ半導体チップ１０９の他面（電極パッドが形成された面の反対の面）を絶縁性の接着材或いはＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  Ｆｉｌｍ）等を介して接着固定する。全ての製品形成部１０１に半導体チップ１０９が搭載された配線基板１００は、ワイヤボンディング工程に移行される。
【００３７】
次に、ワイヤボンディング工程では、半導体チップ１０９の一面に形成された電極パッドと、それに対応する製品形成部１０１の接続パッド１０３とを導電性のワイヤ１１０により結線する。ワイヤ１１０は例えばＡｕ或いはＣｕ等からなり、図示しないワイヤボンディング装置により、溶融され先端にボールが形成されたワイヤ１１０を半導体チップ１０９の電極パッド上に超音波熱圧着することで接続し、その後、所定のループ形状を描き、ワイヤ１１０の後端を対応する接続パッド１０３上に超音波熱圧着することで形成される。全ての製品形成部１０１へのワイヤ接続が完了した配線基板１００は、図２に示すように構成されて封止工程に移行される。
【００３８】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００３９】
図３は、第１の実施の形態に係る半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【００４０】
成型装置３００は、図３（ａ）に示すように、上型３０１と下型３０２からなる成形金型を有している。上型３０１にはキャビティ３０３が形成されており、下型３０２には配線基板１００を搭載する凹部３０４が形成されている。キャビティ３０３は、図３に示すように深さが異なるように構成されている。第１の実施の形態においては、キャビティ３０３の中央部位から周辺部位に向かって段階的に浅くなるように構成されている。具体的には、キャビティ３０３の中央部位からゲート３０５側に向かって、キャビティ３０３の中央部位からエンベント３１２側に向かって、段階的に浅くなるように構成されている。
【００４１】
前記ワイヤボンディングの完了した配線基板１００（図２参照）は、図３（ｂ）に示すように、下型３０２の凹部３０４にセットされる。そして、上型３０１と下型３０２で配線基板１００を型閉めすることで、配線基板１００の上方に所定の大きさのキャビティ３０３やゲート３０５が形成される。本実施の形態では、ＭＡＰ方式で構成されているため、キャビティ３０３は複数の製品形成部１０１を一括で覆う大きさで構成されている。また、本実施の形態ではキャビティ３０３は２つに分割して配置されている。そして、下型３０２のポットにタブレット３０６（レジンタブレット）が供給され、加熱溶融する。
【００４２】
そして、図３（ｃ）に示すように、溶融された封止樹脂３０７をプランジャー３０８によりゲート３０５からキャビティ３０３内に注入する。キャビティ３０３内に封止樹脂３０７を充填した後、所定の温度、例えば１８０℃でキュアすることで、封止樹脂３０７が硬化され、封止体が形成される。
【００４３】
その後、成型装置３００（成型金型）から、配線基板１００を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローすることで封止体が完全に硬化される。
【００４４】
このようにして、図４（ａ）及び（ｂ）に示すような、配線基板１００の製品形成部１０１の２つのエリア１０２ａ，１０２ｂ（図１参照）に、樹脂厚の異なる部位を有する２つの封止体４０１ａ，４０１ｂが形成された半導体装置の中間構造体４００が形成される。また、中間構造体４００の封止体４０１ａ，４０１ｂに接続されたゲート３０５とランナー３０９及びカル３１０の封止樹脂３０７は除去される。
【００４５】
中間構造体４００の封止体４０１ａ，４０１ｂは，それぞれ中央部から周辺部に向かって段階的に樹脂厚が薄くなるように構成されている。本実施の形態では、例えば樹脂厚の異なる段差部３１１はダイシングライン４０２に配置されており、個々の製品形成部１０１の封止体４０１ａ，４０１ｂの上面は平坦となるように構成されている。
【００４６】
このように、配線基板１００に形成する封止体４０１ａ，４０１ｂの周辺部の樹脂厚が、中央部の樹脂厚より薄く構成したことにより、封止体４０１ａ，４０１ｂの硬化収縮を抑えることができ、中間構造体４００の反りを低減することができる。
【００４７】
次に、配線基板１００はボールマウント工程に移行され、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１００の他面に格子状に配置された複数のランド１０４上に、導電性の半田ボール５００を搭載し、外部端子となるバンプ電極を形成する。
【００４８】
ボールマウント工程では、配線基板１００上のランド１０４の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された図示しない吸着機構を用いて、例えば半田等からなる半田ボール５００を吸着孔に保持し、保持された半田ボール５００を、フラックスを介して配線基板１００のランド１０４に一括搭載する。
【００４９】
全ての製品形成部１０１への半田ボール５００の搭載後、配線基板１００をリフローすることでバンプ電極（外部端子）が形成される。封止体４０１ａ，４０１ｂは、周辺部の樹脂厚が、中央部の樹脂厚より薄く構成し、中間構造体４００の反りを低減しているため、半田ボール５００を良好に搭載できる。
【００５０】
次に、半田ボール５００の搭載された配線基板１００は基板ダイシング工程に移行される。
【００５１】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１００をダイシングライン４０２（図４参照）で切断し、製品形成部１０１毎に分離する。基板ダイシング工程は、配線基板１００の封止体４０１ａ，４０１ｂ側をダイシングテープ６００に接着層６１０を介して接着し、ダイシングテープ６００によって配線基板１００を支持する。その後、配線基板１００を図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより縦横にダイシングライン４０２を切断して製品形成部１０１毎に切断分離する。切断分離後、ダイシングテープ６００からピックアップすることで、図７に示すような半導体装置７００が得られる。上述のように、半導体チップ１０９は、配線基板１００上に接着材７０１により接着固定される。
【００５２】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の第２の実施の形態に係るBGA型半導体装置の封止工程を示す断面図、図９は第２の実施の形態の封止工程により形成した中間構造体の概略構成を示す平面図及び断面図である。以下、図８及び図９を参照して、第２の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００５３】
まず、ワイヤボンディング工程までは第１の実施の形態と同様であり、その説明は省略する。
【００５４】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００５５】
図８は、第２の実施の形態の半導体装置の封止工程に用いる成型装置８００（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【００５６】
成型装置８００は、図８（ａ）に示すように、上型８０１と下型８０２からなる成形金型を有している。上型８０１にはキャビティ８０３が形成されており、下型８０２には配線基板１００を搭載する凹部８０４が形成されている。キャビティ８０３は、図８に示すように深さが異なるように構成されている。第２の実施の形態においては、キャビティ８０３のゲート８０５側からエアベント８１２側に向かって段階的に深くなるように構成されている。
【００５７】
前記ワイヤボンディングの完了した配線基板１００は、図８（ｂ）に示すように、下型８０２の凹部８０４にセットされる。そして、上型８０１と下型８０２で配線基板１００を型閉めすることで、配線基板１００の上方に所定の大きさのキャビティ８０３やゲート８０５が形成される。本実施の形態では、ＭＡＰ方式で構成されているため、キャビティ８０３は複数の製品形成部１０１を一括で覆う大きさで構成されている。また、本実施の形態では、キャビティ８０３は２つに分割して配置されている。そして、下型８０２のポットにタブレット８０６（レジンタブレット）が供給され、加熱溶融する。
【００５８】
そして、図８（ｃ）に示すように、溶融された封止樹脂８０７をプランジャー８０８によりゲート８０５からキャビティ８０３内に注入する。キャビティ９０３内に封止樹脂８０７が充填した後、所定の温度、例えば１８０℃でキュアすることで、封止樹脂８０７が硬化され、封止体９０１ａ，９０１ｂが形成される。
【００５９】
その後、成型装置８００（成型金型）から、配線基板１００を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローすることで封止体９０１ａ，９０１ｂが完全に硬化される。これにより、図９（ａ）及び（ｂ）に示すような、配線基板１００の製品形成部１０１の２つのエリア１０２ａ，１０２ｂ（図１参照）に、樹脂厚の異なる部位を有する２つの封止体９０１ａ，９０１ｂが形成された半導体装置の中間構造体９００が形成される。
【００６０】
また、中間構造体９００の封止体９０１ａ，９０１ｂに接続されたゲート８０５とランナー８０９及びカル８１０の封止樹脂８０７は除去される。
【００６１】
前記中間構造体９００の封止体９０１ａ，９０１ｂはそれぞれゲート８０５側からエアベント８１２側に向かって段階的に樹脂厚が厚くなるように構成されている。本実施の形態では、例えば樹脂厚の異なる段差部８１１はダイシングライン４０２に配置されており、個々の製品形成部１０１の封止体９０１ａ，９０１ｂの上面は平坦となるように構成されている。
【００６２】
このように配線基板１００に形成する封止体９０１ａ，９０１ｂのゲート８０５側の樹脂厚を、エアベント８１２側の樹脂厚より薄く構成したことにより、ゲート８０５側での封止体９０１ａ，９０１ｂの硬化収縮を抑えることができ、その結果、トランスファモールドで樹脂を注入したことによる封止体９０１ａ，９０１ｂのフィラー分布の偏りに起因した中間構造体９００の反りを低減することができる。
【００６３】
次に、封止体９０１ａ，９０１ｂの形成した配線基板１００は、第１の実施の形態と同様に、ボールマウント工程及び基板ダイシング工程等が行われ、図７に示すような半導体装置７００が得られる。
【００６４】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施の形態に係るBGA型半導体装置の封止工程を示す断面図、図１１は第３の実施の形態の封止工程により形成した中間構造体の概略構成を示す平面図及び断面図である。図１０及び図１１を参照して、第３の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００６５】
まず、ワイヤボンディング工程までは第１の実施の形態と同様であり、その説明は省略する。
【００６６】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００６７】
図１０は、第３の実施の形態に係る半導体装置の封止工程に用いる成型装置１０００（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【００６８】
成型装置１０００は、図１０（ａ）に示すように、上型１００１と下型１００２からなる成形金型を有している。上型１００１にはキャビティ１００３が形成されており、下型１００２には配線基板１００を搭載する凹部１００４が形成されている。
【００６９】
キャビティ１００３は、図１０に示すように深さが異なるように構成されている。第３の実施の形態においては、配線基板１００の枠部１０６（図１参照）に対応するキャビティ１００３の深さが、製品形成部１０１（図１参照）に対応するキャビティ１００３の深さより薄くなるように構成されている。
【００７０】
前記ワイヤボンディングの完了した配線基板１００は、図１０（ｂ）に示すように、下型１００２の凹部１００４にセットされる。そして、上型１００１と下型１００２で配線基板１００を型閉めすることで、配線基板１００の上方に所定の大きさのキャビティ１００３やゲート１００５が形成される。本実施の形態では、ＭＡＰ方式で構成されているため、キャビティ１００３は複数の製品形成部１０１を一括で覆う大きさで構成されている。また、本実施の形態では、キャビティ１００３は２つに分割して配置されている。そして、下型１００２のポットにタブレット１００６（レジンタブレット）が供給され、加熱溶融する。
【００７１】
そして、図１０（ｃ）に示すように、溶融された封止樹脂１００７をプランジャー１００８によりゲート１００５からキャビティ１００３内に注入する。キャビティ１００３内に封止樹脂１００７を充填した後、所定の温度、例えば１８０℃でキュアすることで、封止樹脂１００７が硬化され、封止体１１０１ａ，１１０１ｂが形成される。
【００７２】
その後、成型装置１０００（成型金型）から、配線基板１００を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローすることで封止体１１０１ａ，１１０１ｂが完全に硬化される。これにより、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１００の製品形成部１０１の２つのエリア１０２ａ，１０２ｂ（図１参照）に、樹脂厚の異なる部位を有する２つの封止体１１０１ａ，１１０１ｂが形成された半導体装置の中間構造体１１００が形成される。また、前記中間構造体１１００の封止体１１０１ａ，１１０１ｂに接続されたゲート１００５とランナー１００９及びカル１０１０の封止樹脂１００７は除去される。
【００７３】
前記中間構造体１１００の封止体１１０１ａ，１１０１ｂはそれぞれ配線基板１００の枠部１０６（図１参照）の樹脂厚が、製品形成部１０１（図１参照）の樹脂厚より薄く構成されることで、封止体１１０１ａ，１１０１ｂの硬化収縮を抑えることができ、第１の実施の形態と同様に中間構造体１１００の反りを低減することができる。
【００７４】
さらに、本実施の形態では、枠部１０６に樹脂厚の異なる部位を設けているため、製品形成部１０１のキャビティ１００３は共通化でき、製品形成部１０１のサイズの異なる製品にも共用できる。
【００７５】
次に、封止体１１０１ａ，１１０１ｂの形成した配線基板１００は、第１の実施の形態と同様に、ボールマウント工程及び基板ダイシング工程等が行われ、図７に示すような半導体装置７００が得られる。
【００７６】
（第４の実施形態）
図１２は、第４の実施の形態の封止工程により形成した中間構造体の概略構成を示す平面図である。
【００７７】
まず、ワイヤボンディング工程までは第１の実施の形態と同様であり、その説明は省略する。
【００７８】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。
【００７９】
第４の実施の形態に係る半導体装置の封止工程は、断面的には、第１の実施の形態（図４参照）と同様に構成されている。従って、図４と同じ構成部分には同じ参照番号が付されている。
【００８０】
第４の実施の形態では、キャビティに封止樹脂を注入するゲート１２１０を、キャビティの両端部の近傍位置を含めて、均等に配置、例えば一つのキャビティに５つのゲートを配置している。
【００８１】
そして、キャビティの両端部の近傍位置を含めて、均等に配置された複数のゲート１２１０から、溶融された封止樹脂をプランジャーによりキャビティ内に注入する。キャビティ内に封止樹脂が充填した後、所定の温度、例えば１８０℃でキュアすることで、封止樹脂が硬化され、封止体が形成される。
【００８２】
その後、成型装置（成型金型）から、配線基板１００を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローすることで封止体が完全に硬化され、図１２に示すような、配線基板１００の製品形成部１０１の２つのエリアに、樹脂厚の異なる部位を有する２つの封止体４０１ａ、４０１ｂが形成された半導体装置の中間構造体１２００が形成される。また、前記中間構造体１２００の封止体４０１ａ、４０１ｂに接続されたゲート１２１０とランナー３０９及びカル３１０の封止樹脂は除去される。
【００８３】
第４の実施の形態では、前記中間構造体１２００の封止体４０１ａ、４０１ｂはそれぞれ配線基板１００の枠部１０６（図１参照）の樹脂厚が、製品形成部１０１（図１参照）の樹脂厚より薄く構成するとともに、キャビティの両端部の近傍位置を含めて均等に配置されたゲート１２１０から樹脂を注入するように構成した。これにより、封止体４０１ａ、４０１ｂの硬化収縮を抑えるとともに、平面的に、キャビティの左右端部とゲート１２１０の配置された中央部でのフィラーの分布の偏りを低減することがでる。この結果、配線基板１００の反りを低減することができる。
【００８４】
次に、封止体４０１ａ、４０１ｂの形成された配線基板１００は、第１の実施の形態と同様に、ボールマウント工程及び基板ダイシング工程等が行われ、図７に示すような半導体装置７００が得られる。
【００８５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８６】
例えば、上記実施の形態では、配線基板に一つの半導体チップを搭載した半導体装置に適用した場合について説明したが、複数の半導体チップを並置あるいは積層搭載した半導体装置に適用するように構成しても良い。
【００８７】
また、上記実施の形態では、封止体を段階的に封止樹脂の厚さが異なるように構成したが、図１３或いは図１４に示すように連続的に（徐々に）封止樹脂の厚さを変えるように構成しても良い。封止樹脂に段差部を設けないため、よりバランスよく硬化収縮を抑制できる。
【００８８】
具体的には、図１３に示す他の実施の形態は、第１の実施の形態の変形例である。図３に示す第１の実施の形態では、キャビティ３０３の中央部位から周辺部位に向かって段階的に浅くなるように構成されている。これに対して、図１３に示す他の実施の形態は、キャビティ１３００の中央部位から周辺部位に向かって連続的に浅くなるように構成されている。具体的には、キャビティ１３００の中央部位からゲート３０５側に向かって、キャビティ１３００の中央部位からエンベント３１２側に向かって、連続的に浅くなるように構成されている。この結果、封止樹脂１３１０は、中央部から周辺部に向かって連続的に樹脂厚が薄くなるように構成される（図１３（ｄ）参照）。その他の構成は、図３に示す第１の実施の形態と同様なので、その説明は省略する。
【００８９】
また、図１４に示す他の実施の形態は、第２の実施の形態の変形例である。図８に示す第２の実施の形態では、キャビティ８０３のゲート８０５側からエアベント８１２側に向かって段階的に深くなるように構成されている。これに対して、図１４に示す他の実施の形態は、キャビティ１４００のゲート８０５側からエアベント８１２側に向かって連続的に深くなるように構成されている。この結果、封止樹脂１４１０は、ゲート８０５側からエアベント８１２側に向かって連続的に樹脂厚が厚くなるように構成さる（図１４（ｄ）参照）。その他の構成は、図８に示す第２の実施の形態と同様なので、その説明は省略する。
【００９０】
また、上記第４の実施の形態では、図１２に示すように、中間構造体１２００に、ほぼ正方形状で、二つに分割形成した封止体４０１ａ，４０１ｂを形成した場合について説明したが、図１５に示すように長方形状の封止体１５００を設けるように構成しても良い。この場合、短辺側の封止樹脂が、長辺側の封止樹脂の硬化収縮が大きいため、短辺側の封止樹脂の厚さの薄い部分Ａ１とＡ２を、長辺側の封止樹脂の厚さの薄い部分Ｂ１とＢ２より大きくすることで、より効果的に硬化収縮を抑制できる。或いは短辺側の樹脂厚さを長辺側の樹脂厚さより薄くしても良い。その他の構成は、図１２に示す第４の実施の形態と同様なので、その説明は省略する。
【００９１】
また、上記実施の形態では、ガラスエポキシ基材からなる配線基板について説明したが、ポリイミド基材からなるフレキシブルな配線基板等に適用しても良い。
【００９２】
本発明の実施の形態によれば、配線基板に搭載した複数の半導体チップを一括的に封止する封止体に、厚さの異なる部位を形成したことで、封止樹脂の硬化収縮を抑えることができ、半導体装置の反りを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造に用いる配線基板の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】ダイボンディング工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態の中間構造体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】ボールマウント工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】基板ダイシング工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】基板ダイシング工程後に得られた半導体装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【図９】第２の実施の形態の中間構造体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【図１１】第３の実施の形態の中間構造体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態の封止工程により形成した中間構造体の概略構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態の半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態の半導体装置の封止工程に用いる成型装置（トランスファモールド装置）の概略構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態の長方形状の封止体を示す平面図である。
【図１６】従来技術の問題点について説明するための図である。
【符号の説明】
【００９４】
１００  配線基板
１０１  製品形成部
１０２ａ，１０２ｂ  エリア
１０３  接続パッド
１０４  ランド
１０５  配線
１０６  枠部
１０７  位置決め孔
１０８  ダイシングライン
１０９  半導体チップ
１１０  ワイヤ
３００  成型装置
３０１  上型
３０２  下型
３０３  キャビティ
３０４  凹部
３０５  ゲート
３０６  タブレット
３０７  封止樹脂
３０８  プランジャー
３０９  ランナー
３１０  カル
３１１  段差部
４００  中間構造体
【図１】
2010141261.tif 000003
【図２】
2010141261.tif 000004
【図３】
2010141261.tif 000005
【図４】
2010141261.tif 000006
【図５】
2010141261.tif 000007
【図６】
2010141261.tif 000008
【図７】
2010141261.tif 000009
【図８】
2010141261.tif 000010
【図９】
2010141261.tif 000011
【図１０】
2010141261.tif 000012
【図１１】
2010141261.tif 000013
【図１２】
2010141261.tif 000014
【図１３】
2010141261.tif 000015
【図１４】
2010141261.tif 000016
【図１５】
2010141261.tif 000017
【図１６】
2010141261.tif 000018