(57)【要約】【課題】レーザーダイオードを用いて光信号を伝送する際に、伝送レートが高くなった場合においても、符号間干渉の抑制を実現する。【解決手段】入力信号に応じた変調電流信号（ＩM）を発生するＭＰＧ１２１と、入力信号の立ち上がりと立ち下がりを検出するエッジ検出器（ＥＤ）１２４と、エッジ検出器１２４の立ち上がりの検出結果に基づくパルス信号（ＶRE）に応じて、立ち上がりエンファシスパルス信号（ＩRE）を発生するＲＥＰＧ１２２と、エッジ検出器１２４の立ち下がりの検出結果に基づくパルス信号（ＶFE）に応じて、立ち下がりエンファシスパルス信号（ＩFE）を発生するＦＥＰＧ１２３を具備する。そして、変調電流信号（ＩM）、立ち上がりエンファシスパルス信号（ＩRE）及び立ち下がりエンファシスパルス信号（ＩFE）を合わせた信号を、駆動電流信号（ＩOUT）としてレーザーダイオード１１０に与えるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオードに駆動信号を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるレーザーダイオード駆動装置であって、
入力信号に応じた変調信号を発生する変調信号発生器と、
前記入力信号の立ち上がりと立ち下がりを検出する検出器と、
前記検出器による前記入力信号の立ち上がりの検出結果に基づくパルス信号に応じて、立ち上がりエンファシスパルス信号を発生する立ち上がりエンファシスパルス発生器と、
前記検出器による前記入力信号の立ち下がりの検出結果に基づくパルス信号に応じて、立ち下がりエンファシスパルス信号を発生する立ち下がりエンファシスパルス発生器と
を有し、
前記変調信号、前記立ち上がりエンファシスパルス信号及び前記立ち下がりエンファシスパルス信号を合わせた信号を、前記駆動信号として前記レーザーダイオードに与えることを特徴とするレーザーダイオード駆動装置。
【請求項２】
前記変調信号、前記立ち上がりエンファシスパルス信号、前記立ち下がりエンファシスパルス信号及び前記駆動信号は、電流信号であることを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード駆動装置。
【請求項３】
前記立ち上がりエンファシスパルス発生器は、遅延回路と、電流スイッチ回路とを有して構成され、前記電流スイッチ回路は、トランジスタと、可変電流源とを含み構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザーダイオード駆動装置。
【請求項４】
前記立ち下がりエンファシスパルス発生器は、遅延回路と、電流スイッチ回路と、カレントミラー回路とを有して構成され、前記電流スイッチ回路は、トランジスタと、可変電流源とを含み構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザーダイオード駆動装置。
【請求項５】
前記変調信号発生器は、トランジスタと、可変電流源とを有して構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザーダイオード駆動装置。
【請求項６】
前記立ち上がりエンファシスパルス発生器として、複数の立ち上がりエンファシスパルス発生器が構成され、
前記立ち下がりエンファシスパルス発生器として、複数の立ち下がりエンファシスパルス発生器が構成されており、
前記変調信号、前記複数の立ち上がりエンファシスパルス発生器のそれぞれから発生した複数の立ち上がりエンファシスパルス信号、及び、前記複数の立ち下がりエンファシスパルス発生器のそれぞれから発生した複数の立ち下がりエンファシスパルス信号を合わせた信号を、前記駆動信号として前記レーザーダイオードに与えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のレーザーダイオード駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーダイオードに駆動信号を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるレーザーダイオード駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、高性能コンピュータやルーターなどを用いたシステムにおいて、装置間や回路基板間の高速データ伝送の要求が高まっている。従来、これらのデータ転送は、同軸ケーブルや基板上の伝送路を通じて、電気信号伝送で行われてきた。しかしながら、電気信号の伝送レートが高くなるにつれて、高周波領域における伝送損失が顕在化し、電気信号伝送の高速化は限界を迎えつつある。
【０００３】
そして、これに代わる技術として、広帯域、低損失の光ファイバーを伝送路として用いる光伝送技術が注目されている。
【０００４】
図６は、光ファイバーを伝送路として用いた一般的な光送受信システム１０の概略構成の一例を示す模式図である。
図６に示す光送受信システム１０は、レーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）１１と、送信器（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）１２と、光ファイバー（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｆｉｂｅｒ）１３と、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ：ＰＤ）１４と、受信器（Ｒｅｃｅｉｖｅｒ）１５を有して構成されている。
【０００５】
具体的に、図６に示す光送受信システム１０では、伝送したい電気信号（データ）を送信器１２で変調電流信号Ｉmodに変換し、レーザーダイオード１１を強度変調する。そして、レーザーダイオード１１から出力された光信号は、光ファイバー１３を介して、フォトダイオード１４に入力される。そして、フォトダイオード１４では、入力された光信号を電流信号（Ｉin）に変換して電気信号に復元し、これを受信器１５で受信処理する。
【０００６】
この際、電気信号の伝送レートが高くなると、図７（ａ）に示すレーザーダイオード１１の寄生容量及び寄生抵抗や送信器１２の出力容量などの寄生素子の影響により、図７（ｂ）に示すように、レーザーダイオード１１の活性領域に流れる電流信号ＩLDが波形的に鈍ってしまう。これにより、符号間干渉を起こし、ビットエラーレートが増加してしまう。これを解決するため、従来、図７（ｃ）に示すように、必要に応じて変調電流信号Ｉmodの振幅を大きくすることにより、電流信号ＩLDの鈍化を緩和する、いわゆるエンファシス技術が良く用いられてきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、変調電流信号Ｉmodに対するレーザーダイオード１１の光応答は、原理的に非線形であり、図８に示すレーザーダイオード１１の光出力波形のように、光出力の立ち上がり時と立ち下がり時の応答は全く異なる。
【０００８】
しかしながら、これまでに使用されてきたエンファシス技術では、光出力の立ち上がりと立ち下がりのエンファシス波形は対称であり、上述した光出力の立ち上がり時と立ち下がり時の応答が異なる点については考慮されていなかった。
【０００９】
このため、従来においては、例えば、光出力の立ち下がり時の波形改善を重視してエンファシス量を決定すると、光出力の立ち上がり時に大きなリンギング（ｒｉｎｇｉｎｇ）が発生して、かえって符号間干渉が増大する等の問題があった。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、レーザーダイオードを用いて光信号を伝送する際に、伝送レートが高くなった場合においても、符号間干渉の抑制を実現するレーザーダイオード駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のレーザーダイオード駆動装置は、レーザーダイオードに駆動信号を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるレーザーダイオード駆動装置であって、入力信号に応じた変調信号を発生する変調信号発生器と、前記入力信号の立ち上がりと立ち下がりを検出する検出器と、前記検出器による前記入力信号の立ち上がりの検出結果に基づくパルス信号に応じて、立ち上がりエンファシスパルス信号を発生する立ち上がりエンファシスパルス発生器と、前記検出器による前記入力信号の立ち下がりの検出結果に基づくパルス信号に応じて、立ち下がりエンファシスパルス信号を発生する立ち下がりエンファシスパルス発生器とを有し、前記変調信号、前記立ち上がりエンファシスパルス信号及び前記立ち下がりエンファシスパルス信号を合わせた信号を、前記駆動信号として前記レーザーダイオードに与える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザーダイオードを用いて光信号を伝送する際に、伝送レートが高くなった場合においても、符号間干渉を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための最良の形態（実施形態）について説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るレーザーダイオード駆動システム１００の概略構成の一例を示す模式図である。また、図２は、本発明の第１の実施形態を示し、図１に示すレーザーダイオード駆動装置１２０における動作の一例を示すタイミングチャートである。
【００１５】
図１に示すように、レーザーダイオード駆動システム１００は、レーザーダイオード（ＬＤ）１１０と、レーザーダイオード（ＬＤ）１１０に駆動信号（具体的には、駆動電流信号）を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるレーザーダイオード駆動装置１２０を有して構成されている。ここで、図１に示す本実施形態のレーザーダイオード駆動システム１００は、図６に示す光送受信システム１０に適用することが可能である。この場合、図１に示すレーザーダイオード１１０は、図６に示すレーザーダイオード１１として適用され、また、図１に示すレーザーダイオード駆動装置１２０は、例えば図６に示す送信器１２の内部に構成されて適用される。
【００１６】
図１に示すように、レーザーダイオード駆動装置１２０は、メインパルスジェネレータ（Main Pulse Generator：ＭＰＧ）１２１と、ライジングエッジパルスジェネレータ（Rising Edge Pulse Generator：ＲＥＰＧ）１２２と、フォーリングエッジパルスジェネレータ（Falling Edge Pulse Generator：ＦＥＰＧ）１２３と、エッジ検出器（Edge Detector：ＥＤ）１２４を有して構成されている。
【００１７】
ＭＰＧ１２１は、入力信号に応じて変調信号（具体的には、変調電流信号）を発生する変調信号発生器（変調電流信号発生器）である。ＲＥＰＧ１２２は、立ち上がり時のエンファシスパルス信号を発生する立ち上がりエンファシスパルス発生器である。ＦＥＰＧ１２３は、立ち下がり時のエンファシスパルス信号を発生する立ち下がりエンファシスパルス発生器である。エッジ検出器（ＥＤ）１２４は、ＲＥＰＧ１２２及びＦＥＰＧ１２３を制御するために、入力信号（入力データ）の立ち上がりと立ち下がりを検出するものである。
【００１８】
図１に示すエッジ検出器（ＥＤ）１２４は、入力された入力信号（入力データＤ）をクロック信号ＣＫに同期させた後、入力データＤの立ち上がり及び立ち下がりエッジを検出し、当該検出結果に基づいて、パルス信号ＶREをＲＥＰＧ１２２に出力するとともに、パルス信号ＶFEをＦＥＰＧ１２３に出力する。また、エッジ検出器（ＥＤ）１２４は、クロック信号ＣＫに同期した入力データＤを入力信号ＶMとしてＭＰＧ１２１に出力する。
【００１９】
ＭＰＧ１２１は、図１に示すように、ＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２と、可変電流源ＩSM及びＩBを有して構成されている。そして、可変電流源ＩSMがレーザーダイオード１１０の変調電流の大きさを決定し、可変電流源ＩBがバイアス電流を決定する。また、ＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２と可変電流源ＩSMは、電流スイッチ回路を構成しており、ＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２のうち、ゲート電圧の高い方のＭＯＳトランジスタに可変電流源ＩSMからの電流信号ＩSMが流れる。したがって、エッジ検出器（ＥＤ）１２４から入力された入力信号ＶMに応じて、レーザーダイオード１１０を点灯させたり、消灯させたりすることが可能となる。また、可変電流源ＩSM及びＩBは、制御信号（不図示）により、その電流値を可変することができるので、レーザーダイオード１１０の変調度やバイアス状態を自由に調整できる。
【００２０】
ＲＥＰＧ１２２は、図１に示すように、遅延回路ＤＬＹ１及びＤＬＹ２と、ＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ５及びＭ６と、可変電流源ＩSREを有して構成されている。エッジ検出器（ＥＤ）１２４から出力された、入力データＤの立ち上がりエッジの検出結果に基づくパルス信号ＶREは、遅延回路ＤＬＹ１及びＤＬＹ２により遅延され、各遅延回路ＤＬＹ１及びＤＬＹ２から、それぞれ、パルス信号ＶRE1及びＶRE2が出力される。遅延回路ＤＬＹ１及びＤＬＹ２の遅延時間を、それぞれ、ｔdr1及びｔdr2とすると、図２に示すように、パルス信号ＶRE1は、パルス信号ＶREよりもｔdr1だけ遅れており、パルス信号ＶRE2は、パルス信号ＶRE1よりもｔdr2だけ遅れている。
【００２１】
パルス信号ＶRE1及びＶRE2は、ＭＯＳトランジスタＭ３〜Ｍ６、及び、可変電流源ＩSREからなる電流スイッチ回路に入力される。この電流スイッチ回路の出力電流信号ＩREは、ＭＯＳトランジスタＭ４及びＭ６が同時に導通状態になったときのみ流れる。即ち、パルス信号ＶRE1及びＶRE2が同時に高電位になったときだけ流れることになる。したがって、図２に示すように、変調電流信号（ＩM）に対して、ｔdr1のセットアップ時間を有し、パルス幅ｔdr2のエンファシスパルス信号（ＩRE）が発生される。遅延回路ＤＬＹ１及びＤＬＹ２の遅延時間は、制御信号（不図示）により可変することができるので、エンファシスパルス信号（ＩRE）のセットアップ時間及びその幅を自由に調整できる。また、可変電流源ＩSREの電流値も、制御信号（不図示）により可変することができるので、エンファシスパルス信号（ＩRE）の大きさ（高さ）も自由に調整できる。
【００２２】
ＦＥＰＧ１２３は、図１に示すように、遅延回路ＤＬＹ３及びＤＬＹ４と、ＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１及びＭ１２と、可変電流源ＩSFEを有して構成されている。ここで、ＭＯＳトランジスタＭ７〜Ｍ１０、及び、可変電流源ＩSFEは、電流スイッチ回路を構成する。このＦＥＰＧ１２３は、上述したＲＥＰＧ１２２に対して、ＭＯＳトランジスタＭ１１及びＭ１２からなるカレントミラー回路を追加したものであり、当該カレントミラー回路により出力電流信号の向きを逆転して、負のエンファシスパルス信号（ＩFE）を発生する。このＦＥＰＧ１２３の動作は、上述したカレントミラー回路以外については、ＲＥＰＧ１２２の動作と同じであるため、その説明は省略する。また、遅延回路ＤＬＹ３及びＤＬＹ４の遅延時間は、制御信号（不図示）により可変することができるので、エンファシスパルス信号（ＩFE）のセットアップ時間及びその幅を自由に調整できる。また、可変電流源ＩSFEの電流値も、制御信号（不図示）により可変することができるので、エンファシスパルス信号（ＩFE）の大きさ（高さ）も自由に調整できる。
【００２３】
このように、図１に示すレーザーダイオード駆動装置１２０の構成により、立ち上がり及び立ち下がりのエンファシスパルス信号のセットアップ時間、幅及び大きさ（高さ）を調整することが可能となる。
【００２４】
次に、レーザーダイオード１１０の光出力波形に係るシミュレーション結果について説明する。
【００２５】
図３は、図１に示すレーザーダイオード１１０の光出力波形に係るシミュレーション結果の一例を示す模式図である。
図３において、図３（ａ）〜図３（ｃ）は、図３（ｄ）に示す３種類の駆動方式を用いた際のレーザーダイオード１１０の光出力波形のアイパタンの計算結果が示されている。ここで、アイパタンとは、入力データのパルス幅（例えば、１０Ｇｂ／ｓの場合には、１００ｐｓ）の整数倍の周期で波形を重ね合わせたものであり、どの程度、「１」と「０」のレベルを明確に区別できる波形かを示すものである。図３（ａ）〜図３（ｃ）には、その中央に目のようなパタンが示されており、この部分の開口高さと開口幅が大きいほど理想に近い波形となる。また、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示されている数値は、理想値に対して、そのアイパタンの開口高さと開口幅が何％になっているのかを示すものである。即ち、１００％が理想状態である。
【００２６】
図３（ａ）は、エンファシスなしの場合（図３（ｄ）の一番上の駆動方式の場合）のアイパタンを示している。この図３（ａ）に示すエンファシスなしの場合には、レーザーダイオード１１０やその駆動装置の寄生容量等の寄生素子の影響を受けて、立ち上がり及び立ち下がりの時間が大きくなっており、完全に「０」レベル、或いは、「１」レベルになっていない箇所が存在している。このため、アイパタンの開口高さが６１％にとどまっている。また、立ち上がり及び立ち下がりの時間が大きいため、符号間干渉が発生しており、ジッタ（線の幅、線がばらけている）が大きくなっている。このため、アイパタンの開口幅も７４％と狭く（小さく）なっている。
【００２７】
図３（ｂ）は、従来のエンファシス方法の場合（図３（ｄ）の真ん中の駆動方式の場合）のアイパタンを示している。この図３（ｂ）に示す従来のエンファシス方法の場合、具体的に、寄生素子の影響を補償するために、ＦＩＲ（Finite Impulse Response）フィルタを用いて変調電流信号の高周波成分を強調している。これにより、図３（ａ）に示すエンファシスなしの場合と比較して、立ち上がり時間及び立ち下がり時間は短縮されており、アイパタンの開口高さは、７８％に改善されている。
【００２８】
しかしながら、図３（ｂ）に示す従来のエンファシス方法の場合、立ち上がり時に大きなオーバーシュートが発生するため、符号間干渉が発生し、ジッタは図３（ａ）と同程度であり、アイパタンの開口幅は、ほとんど改善していない。これは、ＦＩＲフィルタが線形応答であるのに対して、レーザーダイオード１１０の応答特性は非線形であるためである。このため、レーザーダイオード１１０の光出力波形の立ち上がり時と立ち下がり時の応答は、全く異なったものとなる。したがって、立ち下がり時の光出力波形が最適になるようにエンファシス条件を合わせても、立ち上がり時では最適ではなく、図３（ｂ）に示すような結果となる。
【００２９】
図３（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係るエンファシス方法の場合（図３（ｄ）の一番下の駆動方式の場合）のアイパタンを示している。上述したように、本発明の第１の実施形態に係るエンファシス方法では、レーザーダイオード１１０の光出力波形の立ち上がり時と立ち下がり時のエンファシス条件を独立に最適化することができるため、図３（ｃ）に示すように、アイパタンの開口高さ及び開口幅を同時に改善することが可能になる。
【００３０】
図４は、本発明の第１の実施形態に係るエンファシス方法の場合（図３（ｄ）の一番下の駆動方式の場合）におけるレーザーダイオード１１０の駆動電流信号（ＩOUT）の一例を示す模式図である。
【００３１】
図４に示すように、図１に示すレーザーダイオード１１０の駆動電流信号（ＩOUT）は、ＭＰＧ１２１からの変調電流信号（ＩM）に対して、ＲＥＰＧ１２２からの正のエンファシスパルス信号（ＩRE）と、ＦＥＰＧ１２３からの負のエンファシスパルス信号（ＩFE）を合わせた（加えた）ものとなる。
【００３２】
以上説明したように、第１の実施形態に係るレーザーダイオード駆動装置１２０は、レーザーダイオード１１０に駆動信号を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるものであり、以下に示す特徴的な構成を備えている。
即ち、レーザーダイオード駆動装置１２０は、入力信号に応じた変調電流信号（ＩM）を発生するＭＰＧ１２１と、入力信号の立ち上がりと立ち下がりを検出するエッジ検出器（ＥＤ）１２４と、エッジ検出器（ＥＤ）１２４による入力信号の立ち上がりの検出結果に基づくパルス信号（ＶRE）に応じて、立ち上がりエンファシスパルス信号（ＩRE）を発生するＲＥＰＧ１２２と、エッジ検出器（ＥＤ）１２４による入力信号の立ち下がりの検出結果に基づくパルス信号（ＶFE）に応じて、立ち下がりエンファシスパルス信号（ＩFE）を発生するＦＥＰＧ１２３を有して構成されている。そして、レーザーダイオード駆動装置１２０は、変調電流信号（ＩM）、立ち上がりエンファシスパルス信号（ＩRE）及び立ち下がりエンファシスパルス信号（ＩFE）を合わせた信号を、駆動電流信号（ＩOUT）としてレーザーダイオード１１０に与えるようにしている。
かかる構成によれば、立ち上がりエンファシスパルス発生器であるＲＥＰＧ１２２と、立ち下がりエンファシスパルス発生器であるＦＥＰＧ１２３を設けるようにしたので、レーザーダイオード１１０の光出力波形の立ち上がり及び立ち下がりを独立して制御することができる。これにより、レーザーダイオードを用いて光信号を伝送する際に、伝送レートが高くなった場合においても、符号間干渉を抑制することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係るレーザーダイオード駆動システム２００の概略構成の一例、及び、レーザーダイオード１１０の駆動電流信号（ＩOUT）の一例を示す模式図である。具体的に、図５には、図５（ａ）にレーザーダイオード駆動システム２００の概略構成の一例が示され、図５（ｂ）にレーザーダイオード１１０の駆動電流信号（ＩOUT）の一例が示されている。なお、図５において、図１に示す構成と同様の機能の構成については、同じ符号を付している。
【００３４】
図５に示すように、レーザーダイオード駆動システム２００は、レーザーダイオード（ＬＤ）１１０と、レーザーダイオード（ＬＤ）１１０に駆動信号（具体的には、駆動電流信号）を与えて、当該レーザーダイオードを駆動させるレーザーダイオード駆動装置２２０を有して構成されている。そして、第２の実施形態に係るレーザーダイオード駆動装置２２０は、図１に示す第１の実施形態に係るレーザーダイオード駆動装置１２０に対して、ＲＥＰＧ１２２及びＦＥＰＧ１２３をそれぞれ２つ設けるようにしたものである。即ち、レーザーダイオード駆動装置２２０は、ＭＰＧ１２１と、ＲＥＰＧ１２２−１及び１２２−２と、ＦＥＰＧ１２３−１及び１２３−２と、エッジ検出器（ＥＤ）１２４を有して構成されている。
【００３５】
本実施形態のレーザーダイオード駆動装置２２０は、立ち上がりエンファシスパルス発生器及び立ち下がりエンファシスパルス発生器をそれぞれ２組備えているため、図５（ｂ）に示すように、エンファシスパルス発生器ごとに、２つのエンファシスパルス信号（ＩRE1及びＩRE2、或いは、ＩFE1及びＩFE2）を発生させることができる。
【００３６】
具体的に、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）に示すレーザーダイオード１１０の駆動電流信号（ＩOUT）は、ＭＰＧ１２１からの変調電流信号（ＩM）に対して、ＲＥＰＧ１２２−１及び１２２−２からの２つの正のエンファシスパルス信号（ＩRE1及びＩRE2）と、ＦＥＰＧ１２３−１及び１２３−２からの２つの負のエンファシスパルス信号（ＩFE1及びＩFE2）を合わせた（加えた）ものとなる。
【００３７】
この場合、例えば、２つのエンファシスパルス信号のうち、一方の第１のエンファシスパルス信号で寄生容量等の寄生素子の補償を行い、他方の第２のエンファシスパルス信号でレーザーダイオード（ＬＤ）１１０のレーザーに固有の非線形性を補償するといった処理が可能となる。このような構成を採ることにより、第１の実施形態における効果に加えて、更に、高度な波形補償が可能となる。
【００３８】
なお、本実施形態では、ＲＥＰＧ１２２及びＦＥＰＧ１２３をそれぞれ２つ設けるようにした例を示しているが、本発明においては、２つに限定されるものではなく、例えば補償対象の数に応じて、３つ以上の複数のＲＥＰＧ１２２及びＦＥＰＧ１２３を設ける形態であっても適用可能である。
【００３９】
なお、前述した本発明の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。即ち、本発明はその技術的思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形態で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレーザーダイオード駆動システムの概略構成の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示し、図１に示すレーザーダイオード駆動装置における動作の一例を示すタイミングチャートである。
【図３】図１に示すレーザーダイオードの光出力波形に係るシミュレーション結果の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るエンファシス方法の場合（図３（ｄ）の一番下の駆動方式の場合）におけるレーザーダイオードの駆動電流信号（ＩOUT）の一例を示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るレーザーダイオード駆動システムの概略構成の一例、及び、レーザーダイオードの駆動電流信号（ＩOUT）の一例を示す模式図である。
【図６】光ファイバーを伝送路として用いた一般的な光送受信システムの概略構成の一例を示す模式図である。
【図７】図６に示すレーザーダイオード及び送信器における寄生素子の影響とエンファシスを説明するための模式図である。
【図８】従来例に係るレーザーダイオードの光出力波形の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００  レーザーダイオード駆動システム
１１０  レーザーダイオード（ＬＤ）
１２０  レーザーダイオード駆動装置
１２１  ＭＰＧ（メインパルスジェネレータ）
１２２  ＲＥＰＧ（ライジングエッジパルスジェネレータ）
１２３  ＦＥＰＧ（フォーリングエッジパルスジェネレータ）
１２４  ＥＤ（エッジ検出器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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