(57)【要約】【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、画素電極と、酸化物半導体を主成分とする酸化物半導体層と、無機材料を主成分とする無機絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極の少なくとも一つを含む導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層及び前記酸化物半導体層を覆うように前記無機絶縁層を形成する無機絶縁層形成工程と、
前記無機絶縁層形成工程によって形成された前記無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程によって形成された前記フォトレジスト膜をパターン状に露光する露光工程と、
前記露光工程によって露光された前記フォトレジスト膜を現像液を用いて現像してレジストパターンを形成すると共に、該現像液をエッチング液として用いて前記無機絶縁層の内の該レジストパターンから露出した領域を除去することによって前記導電層の一部を露出させる現像工程と、
を有する電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記現像工程によって一部を露出された前記導電層に、該露出された領域を介して電気的に接続されるように電極層を形成する電極層形成工程を有し、
該電極層形成工程によって形成された該電極層が金属酸化物を主成分としたことを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項３】
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、画素電極と、酸化物半導体を主成分とする酸化物半導体層と、無機材料を主成分とする無機絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極の内の少なくとも１つを含む導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層及び前記酸化物半導体層を覆うように前記無機絶縁層を形成する無機絶縁層形成工程と、
前記無機絶縁層形成工程によって形成された前記無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程によって形成された前記フォトレジスト膜をパターン状に露光する露光工程と、
現像液を用いて前記露光工程によって露光された前記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記無機絶縁層の内の前記レジストパターン形成工程で形成された前記レジストパターンから露出した領域を、アルカリ性のエッチング液を用いて除去することによって前記導電層の一部を露出させる加工工程と、
を有する電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記加工工程によって一部を露出された前記導電層に、該露出された領域を介して電気的に接続されるように電極層を形成する電極層形成工程を有し、
該電極層形成工程によって形成された該電極層が金属酸化物を主成分としたことを特徴とする請求項３に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記無機材料が、Ｇａを含む酸化物である請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記無機材料が、非晶質である請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記エッチング液がアルカリ性溶液である請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタ。
【請求項９】
請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタを備えた表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタを備えた電磁波検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶やエレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）技術等の進歩により、平面薄型画像表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）が実用化されている。特に、電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子（以後、「有機ＥＬ素子」と記載する場合がある）は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で、デバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力化等が期待されている。また、これらのＦＰＤは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を酸化物半導体層に用いる電界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する場合がある）のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
【０００３】
一方、ＦＰＤのより一層の薄型化、軽量化、耐破損性の向上を求めて、ガラス基板の替わりに軽量で可撓性のある樹脂基板を用いる試みも行われている。しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。そこで、低温での成膜が可能な酸化物半導体を用いたＴＦＴの開発が活発に行われている。酸化物半導体は、室温成膜が可能であり、フィルム上に作製が可能であるので、ＴＦＴにおける酸化物半導体層の材料として注目を浴びている。また、このようなＴＦＴには、該ＴＦＴに設けられている酸化物半導体層や、ソース電極及びドレイン電極等を含む導電層を保護すると共に電気的な絶縁分離を図るために、該酸化物半導体層や該導電層に対応する領域を覆うように、絶縁層が設けられることが一般的である。このような機能を有する絶縁層に相当する層として、特許文献１には、シリコン酸化物を用いることが開示されている（特許文献１）。
【０００４】
ここで、ＴＦＴは、Ｘ線等の電磁波を検知する電磁波検出器や、液晶素子や有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いた表示装置に好適に適用されている。これらの電磁波検出器や表示素子等の各種機器にＴＦＴを適用するときには、ＴＦＴにおける導電層の一部をこれらの各種機器に設けられた素子と電気的に接続させる必要がある。このため、ＴＦＴをこれらの各種機器に適用する場合には、ＴＦＴにおける上記導電層上に設けられている上記絶縁層を加工してコンタクトホールを形成することで、該導電層の一部を露出させて、この露出した露出領域を介して該導電層と上記各種機器とを電気的に接続させることが行なわれている。
【０００５】
しかし、上記絶縁層の構成材料として特許文献１で用いられているシリコン酸化物（ＳｉＯ２）は、耐酸性を有すると共に耐アルカリ性を有するため、ドライエッチングによる加工を選択する必要があり、製造コストの上昇を招くという問題がある。
【０００６】
また、特許文献１では、シリコン酸化物以外の材料を用いた形態も開示されているが、絶縁層の加工をアルゴンミリング法により行なっているため、絶縁層の加工時に導電層の表面が損傷を受けるといった問題がある。なお、上記絶縁層を加工するために強酸性溶液を用いる方法も考えられるが、この方法では、導電層の浸食が問題となる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−７３７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、以下に示す本発明により達成される。
すなわち、
＜１＞  基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、画素電極と、酸化物半導体を主成分とする酸化物半導体層と、無機材料を主成分とする無機絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極の少なくとも１つを含む導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層、及び前記酸化物半導体層を覆うように前記無機絶縁層を形成する無機絶縁層形成工程と、前記無機絶縁層形成工程によって形成された前記無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程によって形成された前記フォトレジスト膜をパターン状に露光する露光工程と、前記露光工程によって露光された前記フォトレジスト膜を現像液を用いて現像してレジストパターンを形成すると共に、該現像液をエッチング液として用いて前記無機絶縁層の内の該レジストパターンから露出した領域を除去することによって前記導電層の一部を露出させる現像工程と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法。
【００１０】
＜２＞  前記現像工程によって一部を露出された前記導電層に、該露出された領域を介して電気的に接続されるように電極層を形成する電極層形成工程を有し、該電極層形成工程によって形成された該電極層が金属酸化物を主成分としたことを特徴とする上記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【００１１】
＜３＞  基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、画素電極と、酸化物半導体を主成分とする酸化物半導体層と、無機材料を主成分とする無機絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極の内の少なくとも１つを含む導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層及び前記酸化物半導体層を覆うように前記無機絶縁層を形成する無機絶縁層形成工程と、前記無機絶縁層形成工程によって形成された前記無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程によって形成された前記フォトレジスト膜をパターン状に露光する露光工程と、現像液を用いて前記露光工程によって露光された前記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記無機絶縁層の内の前記レジストパターン形成工程で形成された前記レジストパターンから露出した領域を、アルカリ性のエッチング液を用いて除去することによって前記導電層の一部を露出させる加工工程と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法。
【００１２】
＜４＞  前記加工工程によって一部を露出された前記導電層に、該露出された領域を介して電気的に接続されるように電極層を形成する電極層形成工程を有し、該電極層形成工程によって形成された該電極層が金属酸化物を主成分としたことを特徴とする上記＜３＞に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【００１３】
＜５＞  前記無機材料が、Ｇａを含む酸化物である上記＜１＞〜上記＜４＞の何れか１つに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
＜６＞  前記無機材料が、非晶質である上記＜１＞〜上記＜５＞の何れか１つに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
＜７＞  前記エッチング液がアルカリ性溶液である上記＜１＞〜上記＜６＞の何れか１つに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【００１４】
＜８＞  上記＜１＞〜上記＜７＞の何れか１つに記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタ。
＜９＞  上記＜１＞〜上記＜７＞の何れか１つに記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタを備えた表示装置。
＜１０＞  上記＜１＞〜上記＜７＞の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタを備えた電磁波検出器。
【００１５】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法によれば、導電層形成工程によって形成されたソース電極、ドレイン電極、及び画素電極を含む導電層上に、絶縁層として、該導電層及び酸化物半導体層を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層を形成する。この無機絶縁層は、酸化物半導体層及び導電層を保護する機能を有している。そして、この無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成してパターン状に露光を行なった後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターンを形成する。また、現像工程では、例えば、この現像液をエッチング液としても用いて、無機絶縁層の内のレジストパターンから露出した領域を除去することによって導電層の一部を露出させる。このため、現像工程では、現像液及びエッチング液として同じ液体を用いて、レジストパターンが形成されると共に、無機絶縁層にコンタクトホールが形成される。
このように、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法によれば、エッチング液を用いたウェットエッチングによって、導電層及び酸化物半導体層を保護する無機絶縁層を加工してコンタクトホールを形成することから、コンタクトホール形成時における導電層の浸食や破損が抑制される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態の電界効果型トランジスタの一の構成を模式的に示した断面図であり、図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】本実施の形態の電界効果型トランジスタの一の構成を模式的に示した平面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は図４のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は図５のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｄ）は図６のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図５】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図６】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図７】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は図７のＡ−Ａ’断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｂ）本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した断面図である。
【図１０】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタの構成を模式的に示した断面図であり、図１１のＡ−Ａ’断面図である。
【図１１】本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタの構成を模式的に示した平面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｂ）本実施の形態の電界効果型トランジスタの製造工程を模式的に示した断面図であり、図９とは異なる工程を示した断面図である。
【図１３】本実施の形態の電界効果型トランジスタを適用した表示装置の一の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】本実施の形態の電界効果型トランジスタを適用した電磁波検出器の一の構成を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法、及び本発明の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造される電界効果型トランジスタの一の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０は、基板１２上に、ゲート電極１４Ａ、下部電極１４Ｂ、ゲート絶縁膜１６、導電層２０、酸化物半導体層１８、及び無機絶縁層２２を積層した構成とされている。酸化物半導体層１８は、電子またはホールの移動するチャネル層として機能する。導電層２０は、その一部が、ソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃとして機能する。
【００２０】
また、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０には、トランジスタ素子１５及びキャパシタ２６が設けられている。トランジスタ素子１５は、ゲート電極１４Ａ、ゲート絶縁膜１６、ソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び酸化物半導体層１８から構成されている。キャパシタ２６は、下部電極１４Ｂ、画素電極２０Ｃの下部電極１４Ｂに対向する領域、及びゲート絶縁膜１６から構成されている。このため、ゲート絶縁膜１６は、ゲート電極１４Ａの絶縁分離を図る機能を有すると共に、キャパシタ２６においては蓄積容量としての機能を有する。
【００２１】
このキャパシタ２６は、例えば、複数の電界効果型トランジスタ１０を一次元または二次元的に配列させて表示装置や電磁波検出装置等の各種機器に適用したときに、各電界効果型トランジスタ１０を該各種機器における駆動単位としての画素領域毎に対応させて配置させることで、各画素領域（駆動単位）に対応するキャパシタ２６として機能する。具体的には、１つの画素領域内に１つの電界効果型トランジスタ１０と１つのキャパシタを備えたＴｒ−１Ｃ回路構造や、１つの画素領域内に２つの電界効果型トランジスタ１０と１つのキャパシタを備えた２Ｔｒ−１Ｃ回路構造等の上記各種機器に適用したときに、各画素領域に対応するキャパシタ２６として機能する。この画素電極２０Ｃの一部が、キャパシタ２６を構成する下部電極１４Ｂに対応する上部電極として機能することとなる。
すなわち、画素電極２０Ｃは、導電層２０の内の、このキャパシタ２６の下部電極１４Ｂに対応する領域を含む領域であり、電界効果型トランジスタ１０を上記各種機器に適用したときには、該各種機器における上記画素領域のサイズの規定に寄与する電極としても機能することとなる。
【００２２】
なお、本実施の形態では、電界効果型トランジスタ１０は、キャパシタ２６を備えた構成である場合を説明するが、電界効果型トランジスタ１０を適用する対象の各種機器の構成や種類によって、キャパシタ２６を有さない構成であってもよい。この場合には、下部電極１４Ｂを設けない構成とすればよい。また、この場合には、画素電極２０Ｃは、ソース電極２０Ａまたはドレイン電極２０Ｂの一部（図１ではドレイン電極２０Ｂの一部）として機能することとなる。
【００２３】
無機絶縁層２２は、導電層２０及び酸化物半導体層１８上を覆うように設けられている。これにより、無機絶縁層２２は、酸化物半導体層１８及び導電層２０を保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。
【００２４】
なお、本実施の形態において、「導電性」、「導電」、及び「電極」とは、体積抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ未満であることを示し、「絶縁性」及び「絶縁」とは、体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であることを示している。
【００２５】
この無機絶縁層２２には、コンタクトホール２７が設けられている。コンタクトホール２７は、無機絶縁層２２の下層側（基板１２側）に連続して設けられている導電層２０の一部を露出させるために設けられている。電界効果型トランジスタ１０を後述する表示装置や電磁波検出器等の各種機器に適用させるときには、この導電層２０の露出した領域を介して、導電層２０と該各種機器における各種素子とを電気的に接続させる必要がある。このため、電界効果型トランジスタ１０を上記各種機器に適用する場合には、このコンタクトホール２７の設けられた無機絶縁層２２上に電極層２４を設けて、導電層２０の露出した露出領域２１を介して、電極層２４と導電層２０とが電気的に接続されることとなる。
【００２６】
なお、本実施の形態では、コンタクトホール２７は、下部電極１４Ｂに対向する領域に設けられている。このため、本実施の形態では、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７が設けられていることによって、導電層２０の上面側（基板１２とは反対側の面）の全領域の内の下部電極１４Ｂに対向する領域が、無機絶縁層２２から露出した状態とされている。
【００２７】
なお、本実施の形態では、上述のように、コンタクトホール２７が下部電極１４Ｂに対向する領域に設けられている場合を説明するが、コンタクトホール２７は、導電層２０の一部の領域が無機絶縁層２２から露出されるように設けられていれば良く、このような位置に限られず、電界効果型トランジスタ１０を適用する各種機器の構成や種類に応じて適宜調整すればよい。
【００２８】
また、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０では、酸化物半導体層１８が該酸化物半導体層１８の下面側（基板１２側）でソース電極２０Ａ及びドレイン電極２０Ｂに接するボトムコンタクト型とされている場合を説明するが、酸化物半導体層１８が該酸化物半導体層１８の上面側（基板１２とは反対側）でソース電極２０Ａ及びドレイン電極２０Ｂに接するトップコンタクト型であってもよい。
【００２９】
上述のように構成された電界効果型トランジスタ１０は、ゲート電極１４Ａに電圧を印加することで酸化物半導体層１８に流れる電流を制御して、ソース電極２０Ａとドレイン電極２０Ｂとの電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクティブ素子である。
【００３０】
基板１２を構成する材料としては、例えば、ガラス、ＹＳＺ（ジルコニア安定化イットリウム）等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。基板１２を構成する材料として、上記有機材料を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れた材料を選択することが好ましい。
【００３１】
この基板１２としては、可撓性を有することが好ましく、この可撓性を有する観点から、上記有機材料をフィルム状とした有機プラスチックフィルムを用いることが好ましい。また、この基板１２の絶縁性が不十分の場合には絶縁層を設けたり、基板１２に更に、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、フィルム状プラスティック基板の平坦性や電極や酸化物半導体層との密着性を向上するためのアンダーコート層等を積層した構成としてもよい。
【００３２】
基板１２の厚みは、５０μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましい。基板１２の厚みが５０μｍ未満であると、基板１２自体が十分な平坦性を保持することが難しい場合がある。基板１２の厚みが５００μｍよりも厚いと、基板１２自体を自由に曲げることが困難になり、すなわち基板１２自体の可撓性が乏しくなる。
【００３３】
ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂを構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物及び合金が好適に挙げられる。このゲート電極１４Ａの厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３４】
ゲート絶縁膜１６としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜１６として用いられる。
【００３５】
ゲート絶縁膜１６の膜厚としては１０ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましい。ゲート絶縁膜１６はリーク電流を減らすため、また電圧耐性を上げる為に、ある程度膜厚を厚くする必要がある。しかし、ゲート絶縁膜１６の膜厚を厚くすると、電界効果型トランジスタ１０の駆動電圧の上昇を招く結果となる。その為、ゲート絶縁膜１６の膜厚は無機絶縁体で構成する場合には５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、高分子絶縁体で構成する場合には０．５μｍ以上５μｍ以下で用いられることが好ましい。特に、ＨｆＯ２のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜１６に用いると、膜厚を厚くしても、低電圧での電界効果型トランジスタ１０の駆動が可能であるので、特に好ましい。
【００３６】
導電層２０（ソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、画素電極２０Ｃ）を構成する材料としては、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物及び合金が好適に挙げられる。中でも、酸化物半導体と良好なオーミックコンタクトが取れるとの理由から、ＩＺＯ、ＩＴＯ等が好適に用いられる。形成される導電層２０の層厚は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３７】
酸化物半導体層１８は、酸化物半導体を主成分としている。なお、主成分とは、酸化物半導体層１８に含まれる構成成分中で含有量が最も多いことを示し、好ましくは５０質量％以上であることを示している。この酸化物半導体は、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板１２上に好適に形成される。
酸化物半導体層１８に用いられる酸化物半導体としては、好ましくはＩｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ又はＣｄよりなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａよりなる群より選ばれる少なくとも１種を含む非晶質酸化物である。
【００３８】
酸化物半導体層１８に用いられる非晶質酸化物としては、具体的には、組成構造としてＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）、ＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、及び特開２００６−１６５５２９に開示されている酸化物半導体等が挙げられる。
上記の中でも、酸化物半導体層１８に用いられる非晶質酸化物半導体としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物半導体が好適に用いられる。さらに、この結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物半導体の中でも、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。この組成の非晶質酸化物半導体は、電気伝導度が増加するにつれ、電子移動度が増加する傾向を示す。
【００３９】
この酸化物半導体層１８の電気伝導度は、好ましくは１０−４Ｓｃｍ−１以上１０２Ｓｃｍ−１未満であり、より好ましくは１０−１Ｓｃｍ−１以上１０２Ｓｃｍ−１未満である。この酸化物半導体層１８の電気伝導度の調整方法としては、公知の酸素欠陥による調整方法や、組成比による調整方法、不純物による調整方法、酸化物半導体材料による調整方法が挙げられる。
【００４０】
無機絶縁層２２は、無機材料を主成分とする層であり、絶縁性を有している。無機絶縁層２２が無機材料を主成分とする層であるため、例えば、スパッタリング法を用いた成膜が可能であり、均一（層厚のバラツキが平均層厚の±１０％以内）で薄い（好ましくは、５００ｎｍ以下）無機絶縁層２２の形成が可能となる。
【００４１】
また、この無機絶縁層２２は、ウェットエッチングによる加工を可能とされている。すなわち、無機絶縁層２２は、コンタクトホール２７の形成時に用いられるエッチング液に対して可溶とされている。なお、このエッチング液に対して可溶である、とは、好ましくは、２５℃の液温の該エッチング液に対する無機絶縁層２２の構成材料の溶解速度が、１ｎｍ／ｓ以上であることを示している。
【００４２】
無機絶縁層２２を該エッチング液に対して可溶とするためには、無機材料を主成分とする無機絶縁層２２の構成材料及びエッチング液（詳細後述）の種類を適宜選択すればよい。
【００４３】
この無機絶縁層２２の構成材料としては、上記特性を満たす材料であればよいが、Ｇａを含む酸化物であるＧａ２Ｏ３が好ましく用いられる。
【００４４】
無機絶縁層２２を、Ｇａを含む酸化物で構成することによって、従来技術のように無機絶縁層２２としてＳｉＯ２を用いた場合に比べて、毒性の少ない薬液を使用したウェットエッチングによる容易な加工が実現される。また、ウェットエッチングによる加工が可能であるため、無機絶縁層２２の加工時（コンタクトホール２７形成時）における、導電層２０の浸食や損傷が抑制される。
また、無機絶縁層２２を、Ｇａを含む酸化物で構成することで、無機絶縁層２２がアルカリ可溶性を示すことから、無機絶縁層２３の加工に用いられるエッチング液としてアルカリ性のエッチング液を用いることができ、導電層２０として耐酸性の低い材料（例えば、導電層２０として好適に用いられるＩＺＯ）を用いた場合であっても、導電層２０を浸食することなく無機絶縁層２３を加工することができる。
【００４５】
また、この無機絶縁層２２の構成材料は、非晶質（アモルファス）であることが望ましい。無機絶縁層２２の構成材料が非晶質であることで、無機絶縁層２２の、後述するウェットエッチングによる加工時に用いられるエッチング液への良好な可溶性が実現される。
【００４６】
なお、本実施の形態における電界効果型トランジスタ１０の製造工程においては、無機絶縁層２３上に設けられるフォトレジスト膜３０（図８（Ｂ）参照、詳細後述）の現像に用いられる現像液を、無機絶縁層２２のエッチング液として用いる。このため、本実施の形態では、無機絶縁層２２の加工に用いられるエッチング液としては、フォトレジスト膜３０の現像に用いられる現像液としても適用可能な液体が選択される（詳細後述）。
【００４７】
無機絶縁層２２の層厚は、酸化物半導体層１８及び導電層２０（後述する工程で露出する領域以外の領域）を保護する機能を阻害せず、且つ該無機絶縁層２２上に電極層２４を設けたときに該電極層２４と導電層２０との絶縁分離機能を阻害しない程度の厚みであればよい。例えば、この無機絶縁層２２の層厚は、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが望ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが更に望ましい。
【００４８】
上記構成材料によって構成される電界効果型トランジスタ１０は、導電層形成工程、酸化物半導体層形成工程、無機絶縁層形成工程、レジスト形成工程、露光工程、及び現像工程（レジストパターン形成工程、加工工程）、を経ることによって製造される。
以下、上記構成材料によって構成される電界効果型トランジスタ１０の製造方法について、詳細に説明する。
【００４９】
（１）導電層形成工程
導電層形成工程では、基板１２上に、ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂと、ゲート絶縁膜１６と、導電層２０と、を順に積層した積層体１０Ａ（図３（Ｃ）参照）を形成する。
【００５０】
まず、図３（Ａ）及び図４に示すように、基板１２上に、ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂの構成材料による層を成膜した後にパターニングすることによって、ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂを含む電極層１４形成する。次に、図３（Ｂ）に示すように、この形成されたゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂを含む電極層１４上にゲート絶縁膜１６を成膜する。基板１２上へのゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂの構成材料による層及びゲート絶縁膜１６の成膜法としては、公知の方法が用いられ特に限定されないが、例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から、各層を構成する材料との適性を考慮した方法を適宜選択すればよい。
【００５１】
例えば、ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂを構成する材料としては、ＩＴＯを選択する場合には、これらの構成材料による層の成膜方法としては、直流あるいは高周波スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等が選択される。また、ゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂを構成する材料として、有機導電性化合物を選択する場合には、成膜法としては、湿式製膜法が選択される。また、このゲート電極１４Ａ及び下部電極１４Ｂの構成材料による層のパターニング方法としては、公知の方法を用いれば良く、例えば、フォトリソグラフィー及びエッチングが用いられる。
【００５２】
次に、ゲート絶縁膜１６上に、導電層（図示省略）を成膜すると共にパターニングすることによって、ソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを有する導電層２０を形成する（図３（Ｃ）及び図５参照）。
【００５３】
この導電層（パターニングされる前の導電層２０、図示省略）の成膜方法としては、特に限定されることはなく、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から導電層２０として選択する材料に応じて適宜選択すればよい。例えば、導電層２０としてＩＴＯを選択した場合には、直流あるいは高周波スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法が好適に用いられる。また、導電層２０の形成材料として、有機導電性化合物を用いた場合には、導電層２０は湿式製膜法によって好適に形成される。
【００５４】
成膜された導電層（パターニングされる前の導電層２０）のパターニング方法としては、公知の方法が用いられ、例えば、ゲート絶縁膜１６上に成膜した該導電層上に、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、該導電層の内の該レジストパターンによって保護されていない領域をウェットエッチングによって除去する。これによって、該導電層の一部が、ソース電極２０Ａ及びドレイン電極２０Ｂとして形成されることとなり、導電層２０が形成される。また、この導電層２０における下部電極１４Ｂに対応する領域が、画素電極２０Ｃとして機能することとなる。
【００５５】
（２）酸化物半導体層形成工程
酸化物半導体層形成工程では、図３（Ｄ）及び図６に示すように、上記導電層形成工程で形成されたソース電極２０Ａ及びドレイン電極２０Ｂと、該ソース電極２０Ａとドレイン電極２０Ｂの電極間を覆うように、酸化物半導体層１８を形成する。
【００５６】
この酸化物半導体層形成工程では、上記ゲート絶縁膜１６及び導電層２０上に酸化物半導体層１８の構成材料による層（図示省略）を成膜した後にパターニングすることによって酸化物半導体層１８を形成する。
【００５７】
酸化物半導体層１８の構成材料による層の成膜方法としては、上記説明した酸化物半導体層１８を構成する非晶質酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。酸化物半導体層１８は、例えば、ＲＦマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。この方法を用いた場合、酸素流量が多いほど形成された酸化物半導体層１８の電気伝導度を小さくすることができる。なお、成膜された酸化物半導体層１８は、周知のＸ線回折法により非晶質膜であることが確認される。また、酸化物半導体層１８の膜厚は触針式表面形状測定により求められる。組成比は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析法により求められる。
【００５８】
次に、この酸化物半導体層１８の構成材料による層をパターニングすることによって、図３（Ｄ）及び図６に示すように、酸化物半導体層１８を形成する。
このパターニング法としては、公知の方法が用いられ、例えば、酸化物半導体層１８の構成材料による層上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンによって保護されていない領域をウェットエッチングによって除去することで、酸化物半導体層１８を形成すればよい。
【００５９】
（３）無機絶縁層形成工程
無機絶縁層形成工程では、図７及び図８（Ａ）に示すように、上記工程で形成された導電層２０、酸化物半導体層１８を覆うように、無機絶縁層２３を形成する。
この無機絶縁層２３は、後述する現像工程または加工工程で加工（エッチング）されることで、電界効果型トランジスタ１０として構成されたときには、コンタクトホール２７の設けられた無機絶縁層２２として機能する。
無機絶縁層２３の成膜方法としては、上記説明した無機絶縁層２２を構成する材料の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）が適している。中でも、量産性や均一で薄い膜が形成されることから、スパッタリング法が好ましい。なお、無機絶縁層２２を、非晶質の無機材料で構成した場合には、成膜された無機絶縁層２２が非晶質であるか否かは、周知のＸ線回折法により確認すればよい。また、無機絶縁層２２の膜厚は触針式表面形状測定により求められる。
【００６０】
（４）レジスト形成工程
レジスト形成工程では、図８（Ｂ）に示すように、上記無機絶縁層形成工程で形成された無機絶縁層２３上に、フォトレジスト膜３０を形成する。
このフォトレジスト膜３０は、無機絶縁層２３上にフォトレジストを塗布することによって形成される。このフォトレジストとしては、該フォトレジストによって形成されるフォトレジスト膜３０の現像に用いられる現像液に溶解する特性を有すればよく、露光された領域が現像で除去されるポジ型フォトレジストであっても良いし、露光されなかった領域が現像で除去されるネガ型フォトレジストであっても良い。
本実施の形態では、一例として、ポジ型フォトレジストを用いる形態を説明する。
【００６１】
フォトレジストとしては、紫外線（ｇ線、ｉ線）、エキシマー・レーザー等を含む遠紫外線、電子線、イオンビーム及びＸ線等の放射線に感応する感光性樹脂組成物が使用される。
【００６２】
具体的には、ポジ型フォトレジストとしては、現像液としてアルカリ性現像液を用いる場合には、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有する組成物が好ましい。キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型の感光性樹脂組成物は、５００ｎｍ以下の波長の光照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生じ、結果としてアルカリ不溶状態からアルカリ可溶性になることを利用し、ポジ型フォトレジストとして用いられる。この感光性樹脂組成物は、解像力が著しく優れているので、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路の作製に用いられている。前記キノンジアジド化合物としては、ナフトキノンジアジド化合物が挙げられる。
【００６３】
（５）露光工程
露光工程では、上記レジスト形成工程によって無機絶縁層２３上に形成されたフォトレジスト膜３０上に、フォトマスクを介してパターン露光を行なうことで、パターン状に露光を行った後に追加加熱して光の照射されなかった部分を硬化させる。
すなわち、この露光工程によって、図８（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３０の内の光の照射されなかった領域３０Ｂが硬化し、光の照射された領域３０Ａが未硬化（現像液に可溶な状態）状態となる。
【００６４】
この露光工程でフォトレジスト膜３０へのパターン露光に用いられる光としては、例えば、上述した紫外線、遠紫外線、電子線、イオンビーム、及び放射線等のフォトレジスト膜３０の感応する光が用いられる。
【００６５】
（６）現像工程
現像工程では、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０を、現像液を用いて現像して、上記フォトレジスト膜３０の領域３０Ｂに対応するレジストパターン３０Ｂ’を形成すると共に、該現像液をエッチング液として用いたウェットエッチングによって無機絶縁層２３を加工してコンタクトホール２７を形成する。
【００６６】
詳細には、フォトレジスト膜３０を、現像液によって現像することによって、図９（Ａ）に示すように、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０における現像液に対して可溶状態とされた領域（ポジ型フォトレジストであれば光の照射された領域３０Ａ）を除去して、露光工程において光の照射されなかった領域３０Ｂをレジストパターン３０Ｂ’として残す。これによって、無機絶縁層２３の内の、レジストパターン３０Ｂ’に連続して接している領域（無機絶縁層２２）以外の領域２２Ａが表面に露出した状態となる。
【００６７】
そして、フォトレジスト膜３０の現像に用いた現像液はエッチング液としても作用し、ウェットエッチングによって無機絶縁層２３を加工して（図９（Ｂ）参照）、コンタクトホール２７を形成する。
本実施の形態では、上述のように、無機絶縁層２３は、フォトレジスト膜３０の現像に用いた現像液に可溶であることから、該現像液をエッチング液としても用いることによって、該露出した領域２２Ａが該エッチング液によって除去されて、コンタクトホール２７が形成される。また、現像液をエッチング液としても用いることから、フォトレジスト膜３０の現像と無機絶縁層２３のウェットエッチングとを一つの工程で行なうことができる。
【００６８】
ここで、上述のように、本実施の形態では、フォトレジスト膜３０の現像に用いられる現像液を、無機絶縁層２３のウェットエッチングに用いるエッチング液として用いることから、この現像工程で用いられる現像液としては、フォトレジスト膜３０を現像可能で、無機絶縁層２３を溶解可能で、且つ導電層２０を不溶な液体であればいかなるものであってもよく、フォトレジスト膜３０、無機絶縁層２３、及び導電層２０の構成材料に応じて適宜選択すればよい。なお、導電層２０を不溶、とは、好ましくは、２５℃の液温の該現像液（エッチング液）に対する導電層２０の構成材料の溶解速度が、０．２ｎｍ／ｓ以下であることを示している。
【００６９】
例えば、無機絶縁層２３を、アルカリ可溶性の材料（例えば、Ｇａ２Ｏ３）で構成したとする。また、フォトレジストを、上記露光工程におけるパターン露光によって除去される対象とされた領域がアルカリ可溶性を示し、且つ残される対象とされた領域が耐アルカリ性を示すように、材料を選択したとする。また、導電層２０には、耐アルカリ性を示す材料を用いたとする。この組み合わせの場合には、該現像工程で用いられる現像液及びエッチング液としては、アルカリ性のエッチング液を用いればよい。
【００７０】
なお、導電層２０に用いられる材料としては、非晶質のＩＺＯ等、酸に弱い材料が好適に用いられることから、無機絶縁層２３のエッチング液（本実施の形態では現像液としても用いられる）としては、アルカリ性のエッチング液を用いることが望ましい。
【００７１】
このアルカリ性のエッチング液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム，硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−〔５．４．０〕−７−ウンデセン等を含む水溶液が挙げられる。
【００７２】
この現像工程において用いられる現像方法には、例えばディップ法、スプレー法、パドル法等があり、現像温度は１５℃以上４０℃以下とすることが好ましい。また、現像後は一般に流水にて洗浄を行なう。
【００７３】
次に、レジストパターン３０Ｂ’を無機絶縁層２２から剥離する。このレジストパターン３０Ｂ’の剥離方法としては、該レジストパターン３０Ｂ’を防護層２２Ｂから剥離可能な方法であればどのような方法であってもよいが、該レジストパターン３０Ｂ’を溶解除去する方法や、超音波やアッシング等の方法等が好適に用いられる。
【００７４】
このレジストパターン３０Ｂ’を溶解除去するために用いる剥離液としては、無機絶縁層２２及び導電層２０を溶解せず、且つ該レジストパターン３０Ｂ’を溶解可能な液体であればよく、無機絶縁層２２及び導電層２０の構成材料や、レジストパターン３０Ｂ’の構成材料に応じて適宜選択すればよい。本実施の形態では、例えば、中性の剥離液が好適に用いられる。
なお、このレジストパターン３０Ｂ’は必ずしも剥離する必要はなく、剥離せずにそのまま残しても良い。
【００７５】
この現像処理後には、必要に応じてポストベーク処理が行なわれる。ポストベークは、無機絶縁層２２におけるコンタクトホール２７の形状を熱変形によりテーパー化させる目的のための工程であり、通常約２００℃〜２２０℃の加熱（ハードベーク）が行なわれる。ホットプレートやコンベクションオーブン（熱風循環式乾燥機）、高周波加熱機等の加熱手段を用いて、連続式あるいはバッチ式で行われる。
【００７６】
上記工程によって無機絶縁層２２のコンタクトホール２７の底部周縁のテーパー化が図れるため、従来、無機絶縁層２２の加工時に用いられていたリフトオフ法に比べて、容易に該底部周縁のテーパー化が図れるといえる。
【００７７】
なお、この無機絶縁層２２のコンタクトホール２７の底部周縁のテーパー角は、上記ポストベーク時のベーク温度条件や現像液（エッチング液）の温度条件により容易に調整され、例えば、３０°〜８０°に調整される。
【００７８】
以上の工程によって、図１０及び図１１に示すように、電界効果型トランジスタ１０が製造される。
【００７９】
なお、この電界効果型トランジスタ１０を後述する各種機器に適用する場合には、電極層形成工程によって、この無機絶縁層２２上に電極層２４を設けてもよい。
【００８０】
この電極層２４の成膜方法及びパターニング方法としては、公知の方法が用いられ、例えば、上記導電層２０の成膜方法及びパターニング方法を用いればよい。
この電極層２４の構成材料は、導電性を有してれば良く、電界効果型トランジスタ１０を適用する各種機器等に応じて適宜選択すればよいが、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物及び合金が好適に挙げられる。
中でも、ＩＺＯやＩＴＯ等の金属酸化物を主成分（として用いることで、電極層２４を透明（可視光に対する透過率が５０％以上）にすることができることから好ましい。例えば、電界効果型トランジスタ１０を後述する電磁波検出器に適用する場合には、この電極層２４を透明とすることによって、残像消去用のバックライト光照射（詳細後述）を可能とし、検出性能が向上することから好ましい。
なお、金属酸化物を主成分とする、とは、電極層２４の構成成分中で含有量が最も多いことを示し、該金属酸化物を主成分とすることで結果的に電極層２４が透明な状態とされる程度の含有量であり、好ましくは、５０質量％以上であることを示している。
【００８１】
以上説明したように、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、導電層形成工程によって形成された、ソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。また、現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させる。これによって無機絶縁層２２にコンタクトホール２７が形成される。
このように、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、無機絶縁層２３を、無機材料を主成分とする絶縁層とし、エッチング液を用いたウェットエッチングによって該無機絶縁層２３を加工して、該無機絶縁層２３の下層側に設けられている導電層２０の一部を露出させることでコンタクトホール２７を形成することから、コンタクトホール２７形成時における導電層２０の浸食や破損が抑制される。
【００８２】
具体的には、リフトオフにより無機絶縁層２３にコンタクトホール２７を形成する場合に比べて加工精度が高く、ゴミが発生しにくいために歩止まりが高い。また、無機絶縁層２２におけるコンタクトホール２７の形成された領域のエッジ（コンタクトホールの底部周縁）のテーパー化が容易であるため、コンタクトホール２７の形成に適している。
さらに、ウェットエッチングによって無機絶縁層２３を加工してコンタクトホール２７を形成するので、ドライエッチング法に比べて設備が安価であることから、低コスト化が図れる。
【００８３】
また、無機絶縁層２２は、無機材料を主成分とする層であるため、スパッタリング法を用いた成膜が可能であり均一で薄い無機絶縁層２２の形成が可能となる。
【００８４】
また、上述のように、エッチング液としては、好ましくはアルカリ性のエッチング液が用いられることから、該エッチング液としてアルカリ性のエッチング液を用いた場合には、導電層２０が非晶質のＩＺＯ等のように酸に弱い材料から構成されていた場合であっても、コンタクトホール２７形成時における導電層２０の浸食が抑制される。
【００８５】
なお、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０の製造方法では、現像工程において、レジストパターン３０Ｂ’の現像に用いる現像液を、無機絶縁層２３の加工時に用いるエッチング液として適用する場合を説明したが、無機絶縁層２３の加工がウェットエッチングにより行なわれ、且つ該無機絶縁層２３の加工時に導電層２０の浸食及び破損が生じなければよく、異なる液体を用いて現像及びエッチングを行なっても良い。
この場合には、無機絶縁層２３のウェットエッチングに用いられるエッチング液としては、導電層２０の浸食抑制の観点から、アルカリ性のエッチング液が用いられる。
【００８６】
具体的には、上記現像工程に変えて、下記のレジストパターン形成工程、及び加工工程を行なえばよい。
（６−１）レジストパターン形成工程
レジストパターン形成工程では、図１２（Ａ）に示すように、上記現像工程と同様に、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０を現像液によって現像することによって、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０における現像液に対して可溶状態とされた領域（ポジ型フォトレジストであれば光の照射された領域３０Ａ（図８（Ｃ）参照）を除去して、露光工程において光の照射されなかった領域３０Ｂ（図８（Ｃ）参照）をレジストパターン３０Ｂ’として残す。これによって、無機絶縁層２３の内の、レジストパターン３０Ｂ’に連続して接している領域（無機絶縁層２２）以外の領域２２Ａが表面に露出した状態となる。
このレジストパターン形成工程におけるレジストパターン３０Ｂ’の形成は、上記現像工程におけるレジストパターン３０Ｂ’と同じ方法を用いればよいが、現像液の選択枝が上記現像工程より広い。すなわち、このレジストパターン形成工程において用いられる現像液は、フォトレジスト膜３０の領域３０Ｂを溶解可能な液体であればよく、無機絶縁層２３については不溶な液体であってもよい。
【００８７】
また、このレジストパターン形成工程におけるレジストパターン３０Ｂ’の形成方法としては、ウェットエッチングに限られない。
【００８８】
（６−２）加工工程
加工工程では、図１２（Ｂ）に示すように、無機絶縁層２３における、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターン３０Ｂ’から露出している領域２２Ａを、アルカリ性のエッチング液を用いて、ウェットエッチングにより除去することによって、コンタクトホール２７を形成する。この加工工程で用いられるアルカリ性のエッチング液は、上記現像工程でアルカリ性のエッチング液を用いたときの該エッチング液より選択枝が広い。すなわち、この加工工程で用いられるアルカリ性のエッチング液は、無機絶縁層２３を溶解可能で且つ導電層２０については不溶なアルカリ性の液体であればよく、フォトレジスト膜３０の現像液としては不適な液体であってもよい。
【００８９】
このように、無機絶縁層２３の加工を、２段階の工程に分けて行なうことによって、レジストパターン３０Ｂ’を現像するために用いる現像液と、無機絶縁層２３の加工のために用いるアルカリ性のエッチング液と、を異なる液体とすることが可能となる。このため、コンタクトホール２７形成時における導電層２０の浸食や破損が抑制されると共に、現像液及びエッチング液の選択枝が広がることとなる。
また、レジストパターン３０Ｂ’の形成のために用いる現像液を、無機絶縁層２３の加工のために用いるエッチング液としても用いる場合に比べて、現像液としては、よりレジストパターン３０Ｂ’の形成に適した液体が選択可能となり、また、アルカリ性のエッチング液としては、より無機絶縁層２３の加工により適した液体が選択可能となる。このため、無機絶縁層２３に形成されたコンタクトホール２７の形状及びテーパー角をより所望の形状及び角度に調整することが可能となり、より精度良くコンタクトホール２７を形成することが可能となる。
【００９０】
本実施の形態で製造される電界効果型トランジスタ１０は、表示装置や電磁波検出器等の各種機器に好適に適用される。以下、一例を挙げて説明する。
【００９１】
（表示装置）
本実施の形態で製造される電界効果型トランジスタ１０は、液晶やＥＬ素子を用いた画像表示装置、特に平面薄型表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）等の表示装置に好ましく適用される。より好ましくは、基板に有機プラスチックフィルムのような可撓性基板を用いたフレキシブル表示装置に用いられる。特に、本実施の形態の電界効果型トランジスタ１０は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置に好適に用いられる。
【００９２】
電界効果型トランジスタ１０を、有機ＥＬ表示装置に適用した場合には、例えば、図１３に示すように、本実施の形態で製造された上記電界効果型トランジスタ１０における、コンタクトホール２７の設けられた無機絶縁層２２上に、電極層２４、有機ＥＬ層４０、及び上部電極層４２を順に積層した構成の有機ＥＬ素子４１を設けた有機ＥＬ表示装置５０が挙げられる。
【００９３】
また、図示は省略するが、この有機ＥＬ層４０として、例えば、ＲＧＢの３色の領域からなる画素領域が一次元または二次元に配列された構成の有機ＥＬ層４０を用いて、各画素領域に対応させて電界効果型トランジスタ１０を配列させた構成の有機ＥＬ表示装置とすれば、表示される画像の各画素の画素領域に対応して電界効果型トランジスタ１０の配置された有機ＥＬ表示装置が構成される。
【００９４】
なお、電界効果型トランジスタ１０を、液晶素子を用いた表示装置に適用する場合には、上記有機ＥＬ層４０に変えて、液晶層を設けた構成とすればよい。
【００９５】
ここで、上記に説明したように、この電界効果型トランジスタ１０の無機絶縁層２２には、導電層２０の浸食や損傷の抑制された状態でコンタクトホール２７が形成されていることから、電界効果型トランジスタ１０の導電層２０と、有機ＥＬ素子４１の電極層２４とは、良好な接触状態で電気的に接続されると考えられる。このため、駆動性能の向上が図れると考えられる。
【００９６】
（電磁波検出器）
本実施の形態で製造される電界効果型トランジスタ１０は、Ｘ線等の放射線、可視光、紫外光等の電磁波による画像を検出する電磁波検出器に好適に用いられる。
【００９７】
電界効果型トランジスタ１０を電磁波検出器に適用した場合には、例えば、図１４に示すように、本実施の形態で製造された上記電界効果型トランジスタ１０における、コンタクトホール２７の設けられた無機絶縁層２２上に、電極層２４、検出対象の電磁波に応じて電荷を生成する電荷生成層６２、及び透明なバイアス電極６４を積層した構成の検出素子６６を設けた電磁波検出器６０が挙げられる。電極層２４は、電荷生成層６２で生成された電界を収集する電荷収集電極として機能する。
【００９８】
このような電磁波検出器６０では、Ｘ線等の電磁波が電荷生成層６２に入射すると、電荷生成層６２で電荷が発生する。発生した電子は、電極層２４を介してキャパシタ２６に蓄積され、電界効果型トランジスタ１０におけるトランジスタ素子１５がオン状態とされることで、外部に取り出される。そして、この電磁波検出器６０を一次元または二次元に配置し、各電磁波検出器６０における電界効果型トランジスタ１０を順次走査（電荷読み出し）することで、一次元または二次元の電荷情報、すなわち画像を読み出すことによって、撮像素子等に用いられる画像を検出するための電磁波検出器として用いることも可能である。
【００９９】
ここで、上記に説明したように、この電界効果型トランジスタ１０の無機絶縁層２２には、導電層２０の浸食や損傷の抑制された状態でコンタクトホール２７が形成されていることから、電界効果型トランジスタ１０の導電層２０と、検出素子６６の電極層２４とは、良好な接触状態で電気的に接続されると考えられる。このため、駆動性能の向上が図れると考えられる。
【０１００】
なお、この電極層２４を、上述のように、構成材料を選択することによって透明（可視光領域の光を５０％以上透過）とし、電界効果型トランジスタ１０についても透明な材料を選択することによって、電荷生成層６２に残像消去用のバックライト光を照射できることから、検出性能が向上すると考えられる。
この「残像消去用のバックライト光を照射する」とは、基板１２側から電極層２４を介して、電荷生成層６２へ電磁波を照射することを示している。すなわち、電極層２４が透明であれば、画像を記録するときには、電磁波検出器６０のバイアス電極６４側から電荷生成層６２へ電磁波を照射し、電荷生成層６２に残存した電荷を消去するときには、電磁波検出器６０の基板１２側から電界効果型トランジスタ１０及び電極層２４を介して電荷生成層６２へ電磁波を照射する。このため、検出性能が向上すると考えられる。
【実施例】
【０１０１】
以下に、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法を用いて製造した電界効果型トランジスタ、及び該電界効果型トランジスタを電磁波検出器に適用した形態を、実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０１０２】
（実施例１）
実施例１では、電界効果型トランジスタ１、及び該電界効果型トランジスタ１を用いた電磁波検出器を作製した。
【０１０３】
―電界効果型トランジスタ１の作製―
導電層形成工程
導電層形成工程では、基板上に、ゲート電極及び下部電極と、ゲート絶縁膜と、導電層と、を順に積層した積層体（図３（Ｃ）の積層体１０Ａ参照）を形成した。
基板としては、無アルカリガラス（イーグル２０００、コーニング社）を用いた。
【０１０４】
次に、この基板上に、ゲート電極及び下部電極となる電極層として、Ｍｏを厚み４０ｎｍに蒸着し、ゲート電極及び下部電極をパターニングした。スパッタリング条件は下記条件とした。
Ｍｏのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー３８０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍであった。
このパターニングには、フォトリソグラフィー法とウェットエッチング法とを用いた。
【０１０５】
さらに、ゲート電極及び下部電極上に、下記のゲート絶縁膜を形成した。
ゲート絶縁膜：ＳｉＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法（条件：ターゲットＳｉＯ２、成膜温度５４℃、スパッタガスＡｒ／Ｏ２＝１２／２ｓｃｃｍ、ＲＦパワー４００Ｗ、成膜圧力０．４Ｐａ）にて２００ｎｍ形成し、ゲート絶縁膜とした。ゲート絶縁膜ＳｉＯ２のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
【０１０６】
このゲート絶縁膜上に、導電層２０として、ＩＺＯを厚み２００ｎｍに蒸着した。スパッタリング条件は下記条件とした。
ＩＺＯのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー４０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍであった。なお、酸素導入無しとした。
【０１０７】
次に、この導電層上に、レジストパターンを形成した。レジストパターンの形成は、レジストをスピンコーターにより塗布することによって形成し、膜厚は１μｍとした。このレジスト膜を形成後、９０℃でベークした。次に、上記導電層の内の、該レジストパターンから露出した領域を、エッチング液として液温２５℃のリン酸硝酸混合液を用いてエッチングすることによって導電層の加工を行ない、ソース電極、ドレイン電極、及び画素電極を形成した。この画素電極は、上記形成した下部電極と共に、キャパシタを構成する電極（上部電極と称されることもある）として機能する。
【０１０８】
形成されたソース電極及びドレイン電極のテーパー角を、断面ＴＥＭ写真用いて写真から読み取ったところ、２５°であった。なお、ソース電極のテーパー角は、ソース電極の断面端部における、底面と側面との成す角度から求めた。また、ドレイン電極のテーパー角は、ドレイン電極の断面端部における、底面と側面との成す角度からもとめた。なお、この底面とは、ソース電極及びドレイン電極各々の基板側の面を示している。
【０１０９】
酸化物半導体層形成工程
次に、上記ソース電極及びドレイン電極上に、非晶質酸化物半導体から構成された酸化物半導体層を形成した。この酸化物半導体層の形成方法としては、上記形成した導電層２０におけるソース電極及びドレイン電極上に、ＩｎＧａＺｎＯ４の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、ＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ａｒ流量９７ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１．６ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力０．３８Ｐａの条件で行った。厚みは、２０ｎｍであった。
【０１１０】
無機絶縁層形成工程、レジスト形成工程、露光工程
次に、上記形成した酸化物半導体層及び導電層（ソース電極、ドレイン電極、及び画素電極）上に、無機絶縁層として、Ｇａ２Ｏ３を厚み５０ｎｍに蒸着した。スパッタリング条件は、下記条件とした。
スパッタリング条件：ターゲットとしてＧａ２Ｏ３を用い、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により、ＲＦパワー１００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍ、Ｏ２＝５．０ｓｃｃｍであった。
【０１１１】
次に、上記無機絶縁層上にフォトレジスト膜を形成して、上記導電層の一部として該導電層における画素電極に対応する領域がコンタクトホールとして露出されるように、パターン状に露光を行なった。
詳細には、フォトレジストとして、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、商品名ＡＺ５２１４−Ｅを用い、これをスピンコーターにより塗布することによってフォトレジスト膜形成し、プリベークを９０℃で１５分間行い、パターン露光した。
【０１１２】
現像工程
現像工程では、アルカリ性の現像液としてＡＺ３００ＭＩＦデベロッパー（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社）に９０秒間浸漬した。
これによって、無機絶縁層上に形成されていたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成すると共に、該フォトレジスト膜の下層側に設けられている無機絶縁層における、該レジストパターンから露出しているが除去された。このため、該アルカリ性の現像液によって、フォトレジスト膜の現像が行なわれるとともに、該アルカリ性の現像液を用いたウェットエッチングによって、無機絶縁層が加工されてコンタクトホールが形成されることが確認された。
【０１１３】
なお、本実施例１の現像工程で現像したフォトレジスト膜について、２５℃の液温の本実施例１で用いた上記アルカリ性の現像液（エッチング液）に対するフォトレジスト膜の溶解速度は、３０ｎｍ／ｓであり、フォトレジスト膜は、該アルカリ性の現像液に対して可溶性を有していることが確認された。
同様に、本実施例１の現像工程でエッチングした無機絶縁層について、２５℃の液温の本実施例１で用いた上記アルカリ性の現像液（エッチング液）に対する無機絶縁層の溶解速度は、２．５ｎｍ／ｓであり、無機絶縁層は、該アルカリ性の現像液（エッチング液）に対して可溶性を有していることが確認された。
【０１１４】
次に、上記レジストパターンを中性の剥離液（東京応化工業社製、剥離液１０４）を用いて剥離することによって、電界効果型トランジスタ１を作製した。
【０１１５】
この作製した電界効果型トランジスタ１の無機絶縁層におけるコンタクトホールの底部周縁のテーパー角を、断面ＴＥＭ写真を用いて測定したところ、７０°であった。
なお、この無機絶縁層におけるコンタクトホールの底部周縁のテーパー角は、無機絶縁層のコンタクトホールによって形成された側面（コンタクトホールの内周面に相当）と、無機絶縁層の底面（基板側の面）と、の成す角を測定することによって得た。
【０１１６】
―電磁波検出器の作製―
この電界効果型トランジスタ１における、上記コンタクトホールの形成された無機絶縁層上に、電荷収集電極として機能する電極層２４（図１４参照）として、ＩＺＯを厚み４０ｎｍに蒸着した。スパッタリング条件は下記条件とした。
ＩＺＯのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー４０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍであった。なお、酸素導入無しとした。
【０１１７】
さらに、この電荷収集電極上に、アモルファスセレンを、厚み５００μｍとなるように抵抗加熱蒸着することによって、電荷収集層を積層させた。さらに、この電界収集層上に、Ａｕを厚み０．１μｍとなるように抵抗加熱蒸着してバイアス電極とした。
これによって、図１４に示す構成の電磁波検出器を作製した。
【０１１８】
作製した電磁波検出器について、バイアス電極に正のバイアス電圧（＋５ｋＶ）を印加し、電界効果型トランジスタ１のゲート電極に−５Ｖの電圧を印加し、ソース電極を０Ｖ（コモン）とした状態で、Ｘ線照射装置によって、８０ｋＶｐ、２０ｍｍＡｌフィルター、タングステンフィラメントのＸ線を１ｍＲ照射した。次に、ゲート電極に＋１０Ｖの電圧を１０マイクロ秒間印加することによって電界効果型トランジスタ１におけるトランジスタ素子（図１４中のトランジスタ素子１５参照）をオン状態とすることで、ソース電極から取り出された電荷を検出した。この電荷の検出は、チャージアンプ検出回路を用いて、ソース電極から取り出された電荷の電荷量を検出することによって行なった。検出された電荷量は、２５００ｐＣｃｍ-2であり、良好な電磁波検出が確認された。
【０１１９】
（実施例２）
実施例２では、上記実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１を用いて、液晶素子を備えた表示装置を作製した。
【０１２０】
―表示装置の作製―
実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１における、上記コンタクトホールの形成された無機絶縁層上に、電極層２４（図１３参照）として、ＩＺＯを厚み４０ｎｍに蒸着した。スパッタリング条件は下記条件とした。
ＩＺＯのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー４０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍであった。なお、酸素導入無しとした。
【０１２１】
さらに、この電極層上に、後工程で設ける基板と該電極層との間隙を保持するための間隙部材として、スペーサ部材をアクリル樹脂により１０μｍの厚みで形成した後に、ＩＴＯ電極を備えた基板を積層して接着層により該間隙部材に固定した。そして、この基板と、上記電極層と、上記間隙部材と、の間の領域（セルと称される場合がある）に、液晶層を構成する液晶材料として、（チッソ石油化学社製、商品名  ＬＩＸＯＮ４０３２）を注入した後に注入孔を封止することによって、表示装置を作製した。
【０１２２】
作製した表示装置について、信号線電圧を最大５Ｖとすることによって液晶層に画像を表示させたところ、良好な画像表示が確認された。
【０１２３】
（比較例１）
比較例１では、上記実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１の製造工程において酸化物半導体層及び導電層上に形成した無機絶縁層に変えて、該酸化物半導体層及び導電層上に、アクリル樹脂による樹脂層を設けた以外は、電界効果型トランジスタ１の製造方法と同じ条件及び同じ方法を用いて、比較トランジスタ１を作製した。なお、アクリル樹脂へのコンタクトホールの形成についても、電界効果型トランジスタ１の製造工程における無機絶縁層へのコンタクトホールの形成と同じウェットエッチング法を用いて行なった。
【０１２４】
なお、アクリル樹脂による層（以下、比較層１と称する）の形成は下記方法により行なった。まず、アクリル樹脂として、アルカリ可溶性のアクリル樹脂である（ＪＳＲ社製、商品名ＪＥＭ−５３１）を用いて、アセトンを用いて該樹脂を塗布することによって、厚み５０ｎｍのアクリル樹脂による比較層１とした。
【０１２５】
（比較例２）
比較例２では、上記実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１の製造工程において、形成した無機絶縁層に変えて、ＳｉＯ２からなる絶縁層を形成した。
【０１２６】
詳細には、実施例１で調整した電界効果型トランジスタ１の製造工程において酸化物半導体層及び導電層上に形成した無機絶縁層に変えて、該酸化物半導体層及び導電層上に、ＳｉＯ２による層（以下、比較層２と称する）を設けた以外は、電界効果型トランジスタ１の製造方法と同じ条件及び同じ方法を用いて、比較トランジスタ２を作製した。
【０１２７】
なお、ＳｉＯ２による比較層２の形成は、下記方法により行なった。
詳細には、実施例１における電界効果型トランジスタ１の製造工程において形成された酸化物半導体層及び導電層上に、ＳｉＯ２からなる層（５０ｎｍ）をスパッタ法により形成した。スパッタ条件としては、ターゲットとしてＳｉＯ２を用い、スパッタガスとして酸素ガス５ｓｃｃｍ、アルゴンガス５ｓｃｃｍの混合比５０ｖｏｌ％の酸化性雰囲気を用いた。
次に、このＳｉＯ２からなる比較層２について、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングを行うことによって、この比較層にコンタクトホールを形成した。なお、この比較層２は、耐酸性及び耐アルカリ性を有しているため、ウェットエッチングは出来なかったため、ドライエッチングにより加工を行なった。
【０１２８】
―評価―
―導電層の浸食及び破損状態評価―
実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１の製造工程において、無機絶縁層にコンタクトホールを形成したときに、導電層におけるコンタクトホール形成によって露出した領域を、断面ＴＥＭ写真を用いて確認したところ、下地の導電層が残存するという結果が確認され、コンタクトホールの形成による導電層の破損や浸食が抑制されていることが確認された。
【０１２９】
また比較例１で作製した比較トランジスタ１の製造工程において、アクリル樹脂による比較層１にコンタクトホールを形成したときについても同様に、導電層におけるコンタクトホール形成によって露出した領域を、上記と同様にして確認したところ、コンタクトホール部外の領域にアクリル樹脂の無い部分が見られた。すなわち、薄い絶縁層の形成は困難であった。
【０１３０】
一方、比較例２で作製した比較トランジスタ２の製造工程において、ＳｉＯ２からなる比較層２にコンタクトホールを形成したときについても同様に、導電層におけるコンタクトホール形成によって露出した領域を、上記と同様にして確認したところ、テーパー角６０°という結果が確認され、コンタクトホールは良好に形成されていることがわかった。
【０１３１】
―保護性評価―
実施例および比較例で得られた電界効果型トランジスタ１、比較トランジスタ１、及び比較トランジスタ２について、ソース電極とドレイン電極を短絡し、ストレス電流ＩＤＳ＝３μＡとなるようにダイオード接続で該ストレス電流を１４時間印加した。
【０１３２】
そして、このストレス前後での閾値の変化量を閾値シフト量（ΔＶｔｈ）と定義し、評価を行ったところ、電界効果型トランジスタ１の閾値シフト量は０．２Ｖであり、比較トランジスタ１の閾値シフト量は２Ｖであり、比較トランジスタ２はオフ電流が非常に大きく、測定初期段階からオフ動作が得られなかった。
【０１３３】
このように、実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１は、比較例１で作製した比較トランジスタ１、及び比較例２で作製した比較トランジスタ２に比べて閾値シフト量が小さく、安定した動作を示した。
【０１３４】
このように、実施例１で作製した電界効果型トランジスタ１は、比較例１で作製した比較トランジスタ１、及び比較例２で作製した比較トランジスタ２に比べて、導電層のコンタクトホール形成時における該導電層の浸食や破損が抑制されると共に、良好な動作安定性を示し酸化物半導体層及び導電層を良好に保護していることが確認された。
【符号の説明】
【０１３５】
１０  電界効果型トランジスタ
１２  基板
１４Ａ  ゲート電極
１６  ゲート絶縁膜
１８  酸化物半導体層
２０  導電層
２０Ａ  ソース電極
２０Ｂ  ドレイン電極
２０Ｃ  画素電極
２２  無機絶縁層
２４  電極層
５０  有機ＥＬ表示装置
６０  電磁波検出器
３０Ｂ’  レジストパターン
【図１】
2010283167.tif 000003
【図２】
2010283167.tif 000004
【図３】
2010283167.tif 000005
【図４】
2010283167.tif 000006
【図５】
2010283167.tif 000007
【図６】
2010283167.tif 000008
【図７】
2010283167.tif 000009
【図８】
2010283167.tif 000010
【図９】
2010283167.tif 000011
【図１０】
2010283167.tif 000012
【図１１】
2010283167.tif 000013
【図１２】
2010283167.tif 000014
【図１３】
2010283167.tif 000015
【図１４】
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