(57)【要約】【課題】遮光層の形成が容易で、製造性、信頼性が高い液晶表示装置を得る。【解決手段】アレイ基板１０と対向基板２０の一対の基板を有し、一対の基板は外周に沿ってシール材５０で封止され一対の基板間に形成されるセルギャップ内に液晶層３０を挟持し、かつ着色層で形成されたバンク４２，４３が画像表示領域１００外周を囲むように二重に配置され、これらのバンク間に遮光層４１が設けられている液晶表示装置において、遮光層４１はバンク間の面を平坦化する平坦化層４４上に積層されている。【選択図】図４Ａ
2010113038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向電極を有する対向基板と画素表示領域にマトリクス配列された画素電極を有するアレイ基板とからなる一対の基板を有し、前記アレイ基板の画像表示領域に異なる複数色の着色層を配列してなり、前記一対の基板は外周に沿ってシール材で封止され前記一対の基板間に形成されるセルギャップ内に液晶層を挟持して、前記着色層で形成されたバンクが前記画像表示領域外周を囲むように二重に配置され、これらのバンク間を遮光領域として前記一対の基板を透過する光を遮光する遮光層が設けられている液晶表示装置において、前記遮光領域に前記バンク間の面を平坦化する平坦化層が形成され、この平坦化層上に遮光層が積層されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記アレイ基板の前記遮光領域に前記画素電極に接続される配線が延びており、前記平坦化層はこの配線を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記平坦化層の膜厚Ａ（μｍ）が下記の式を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置
０≦Ａ≦Ｂ−ｄ
０≦ｄ×Ｂ
３≦Ｃ×ｄ
ここに、Ｂは第１および第２のバンクの高さ（μｍ）、ｄは遮光層の膜厚（μｍ）Ｃは遮光層の光学濃度である。
【請求項４】
前記平坦化層の誘電率が前記遮光層の誘電率よりも低いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
対向電極を有する対向基板と画素表示領域にマトリクス配列された画素電極を有するアレイ基板とからなる一対の基板を有し、前記アレイ基板の画像表示領域に異なる複数色の着色層を配列してなり、前記一対の基板は外周に沿ってシール材で封止され前記一対の基板間に形成されるセルギャップ内に液晶層を挟持して、前記着色層で形成されたバンクが前記画像表示領域外周を囲むように二重に配置され、これらのバンク間を遮光領域として前記一対の基板を透過する光を遮光する遮光層が設けられている液晶表示装置の製造方法において、
前記アレイ基板の前記画像表示領域に前記着色層を形成すると同時に前記画像表示領域の外周に沿って前記着色層により二重バンクを形成する工程と、
前記二重バンク間の前記遮光領域面に表面が平坦になるように樹脂でできた平坦化層を形成する工程と、
前記二重バンク間の前記平坦化層面にインクジェットにより光吸収材インクを塗布し遮光層を形成する工程と、
前記第アレイ基板の前記バンクの外周にそってシール材を塗布する工程と、
前記対向基板と前記アレイ基板を前記シール材により貼り合わせ前記セルギャップを形成するように封止する工程とを具備してなる液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記セルギャップを保持するスペーサ形成工程をさらに具備し、このスペーサ形成工程で前記平坦化層は前記スペーサと同一の材料で形成されてなる請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記光吸収材インクは前記平坦化層表面との接触角が１０度以下である液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像表示領域外周とシール材間に遮光層を形成した液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は複数の画素電極およびそのスイッチング素子が画像表示領域にマトリクス配置されたアレイ基板と、このアレイ基板に対向配置され対向電極を有する対向基板を備え、これらの基板は所定のセルギャップを有して周縁をシール材で封着され、このセルギャップに液晶層を充填した液晶セルを有している。
【０００３】
液晶表示装置に明るくかつ高精細度化が求められ、製造上、画素のアライメントが容易で、開口率を高くすることができる構造としてアクティブ―マトリクス型の着色層を画素電極のアレイ基板側に配置する構造の採用が増えている。アレイ基板と対向基板の周縁はシール材でシールされ、シール材内側に遮光層が設けられている。画素電極ごとにスイッチング素子が配置され、これらは画像表示領域を垂直方向に延びる複数の信号線と水平方向に延びる複数の走査線に囲まれた画素領域に配置される。
【０００４】
着色層は画素電極形成前に信号線と同一方向に延びるストライプで形成され、緑、青、赤色のフィルタ層がそれぞれ対応する画素電極をカバーするように順に繰り返し走査線方向に配列される。
【０００５】
各フィルタ層間には遮光層であるブラックマトリクス層がフォトリソグラフィで形成され、さらに同一製造工程で前記遮光層も同時に形成される。一方、対向基板に対向電極が設けられる（特許文献１参照）。
【０００６】
着色層をアレイ基板側に配置する利点のーつに、画素電極間に配置される信号線や走査線が上記したブラックマトリクス層の機能を兼ねられることがある。これらの配線は金属層であるから基板を透過する光を遮光するので、各色フィルタ層境界で生じる漏光による色のにじみを遮断することができる。このため、画像表示領域内にブラックマトリクス層を形成するのを省略できる。
【特許文献１】特開平８−２７８５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ブラックマトリクス層形成工程を省略しても、画像表示領域外周の遮光層を省略すると光漏れが避けられないので、表示領域外周に遮光層を形成する工程が残る。遮光層は画像表示領域周辺部の遮光のために、黒色顔料をフォトレジストに混ぜた黒色樹脂材を使用し、フォトリソグラフィ工程によってパターニングすることによって形成される。しかし、このパターニングが画像表示領域に不所望な汚染等を招来する恐れがあるため、遮光層をインクジェット法で形成することが提案されている。
【０００８】
インクジェット用の黒色インクは金属、金属酸化物、金属窒化物、カーボンなどの粉末の黒色顔料をバインダに混ぜたインクであるために比較的粘性の高い液体であり、下地状態によっては塗りむらが発生し均一にならないので過量のインクを用いる必要がある。この過量分が画素電極側ににじむことがある。さらに黒色インクは顔料に依存して誘電率が高く、または低抵抗であり、遮光層直下の配線間に相互影響を与える。
【０００９】
本発明は遮光層の形成が容易で、製造性、信頼性が高い液晶表示装置およびその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明よれば、対向電極を有する対向基板と画素表示領域にマトリクス配列された画素電極を有するアレイ基板とからなる一対の基板を有し、前記アレイ基板の画像表示領域に異なる複数色の着色層を配列してなり、前記一対の基板は外周に沿ってシール材で封止され前記一対の基板間に形成されるセルギャップ内に液晶層を挟持して、前記着色層で形成されたバンクが前記画像表示領域外周を囲むように二重に配置され、これらのバンク間を遮光領域として前記一対の基板を透過する光を遮光する遮光層が設けられている液晶表示装置において、前記遮光領域に前記バンク間の面を平坦化する平坦化層が形成され、この平坦化層上に遮光層が積層されてなることを特徴とする液晶表示装置を得るものである。
【００１１】
さらに、対向電極を有する対向基板と画素表示領域にマトリクス配列された画素電極を有するアレイ基板とからなる一対の基板を有し、前記アレイ基板の画像表示領域に異なる複数色の着色層を配列してなり、前記一対の基板は外周をシール材で封止され前記一対の基板間に形成されるセルギャップ内に液晶層を挟持して、前記着色層で形成されたバンクが前記画像表示領域外周に沿って囲むように二重に配置され、これらのバンク間を遮光領域として前記一対の基板を透過する光を遮光する遮光層が設けられている液晶表示装置の製造方法において、
前記アレイ基板の前記画像表示領域に前記着色層を形成すると同時に前記画像表示領域の外周に沿って前記着色層により二重バンクを形成する工程と、
前記二重バンク間の前記遮光領域面に表面が平坦になるように樹脂でできた平坦化層を形成する工程と、
前記二重バンク間の前記平坦化層面にインクジェットにより光吸収材インクを塗布し遮光層を形成する工程と、
前記第アレイ基板の前記バンクの外周にそってシール材を塗布する工程と、
前記対向基板と前記アレイ基板を前記シール材により貼り合わせ前記セルギャップを形成するように封止する工程とを具備してなる液晶表示装置の製造方法を得るものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は遮光層の形成が容易で、製造性、信頼性が高い液晶表示装置およびその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一態様によれば、着色層で形成した二重バンクで区画した遮光領域に平坦化層が形成されてその上にインクジェット法で塗布された遮光層が積層される。
【００１４】
本発明の実施形態を説明するにあたり、平坦化層およびインクジェット法による遮光層の形成について図３、図４Ａ，Ｂおよび図５により考察する。
【００１５】
着色層７０の形成において、アレイ基板１０はガラスの絶縁性基板１１上の、光を透過する画像表示領域１００に、緑、青、赤色の順に各色顔料を混入したフォトレジストを塗布し、露光、現像して光を透過する画像表示領域に各色着色層７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒを形成する。各層の厚さは例えば４μｍである。
【００１６】
インクジェット法による遮光層４１の作製ではインクへッド４１ａから射出した黒色インクの液滴４１ｂがガラスなどの透明な絶縁性基板１１面に付着すると基板１１上を流れて拡がるのでこれを堰止める堰堤として二重バンク４２，４３を配置する。着色層７０形成と同一工程で例えば緑色の着色層７０Ｇによりバンク４２，４３を形成する。バンク４２，４３の高さは同一工程で形成する場合は４μｍであり、内周側バンク４２と外周側バンク４３が画像表示領域１００の外周１０１を囲むように二重に形成する。なお各バンクは別の色の着色層たとえば緑色と青色で形成してもよい。
【００１７】
二重のバンク４２，４３間の挟まれた遮光領域４０のアレイ基板１１面に平坦化層４４を塗布する。遮光領域４０には、画像表示領域１００のＴＦＴスイッチング素子１５を駆動する走査線１３、層間絶縁膜１６、信号線１４が配置されているために、表面が凹凸になっている。例えば信号線１４は１８０μｍの厚みの凸部を形成している。
【００１８】
平坦化層４４はフォトレジストを塗布、露光、現像して形成され、表面が遮光領域４０の層間絶縁膜１６上にその面から２．９μｍ厚になるように形成する。凸状の信号線１４を埋め込んで遮光領域４０の二重バンク４２、４３間の全面を平坦にしている。平坦化できる材料であれば光透過性材料でもよく、幅広く選択することができる。誘電率が一般の遮光層の材料の１／２以下の７以下の例えばエポキシ系の樹脂を採用することができる。誘電率を低くすることにより遮光領域に配置された配線間の相互干渉を低減する。この平坦化層４４上に図４Ａ，Ｂで示すように遮光層４１を積層する。ＴｉＣ、ＴｉＮ、黒Ｎｉ、カーボンなどの微粒子を混入した樹脂からなるインクの液滴をインクジェット法により塗布すると、インクはバンク４２，４３で堰き止められ、画像表示領域１００の外周１０１を囲むように枠状にパターン化される。このインクをべークし乾燥して遮光層４１とする。例えば遮光層４１の幅は３ｍｍ、厚さは例えば１．１μｍである。
【００１９】
図４Ｂのように、前記平坦化層４４の膜厚Ａ（μｍ）、第１および第２のバンク４２，４３の高さＢ（μｍ）、遮光層４１の膜厚ｄ（μｍ）、遮光層４１の光学濃度をＣとすると、下記の式を満たすようにする。
【００２０】
０≦Ａ≦Ｂ−ｄ……（１）
０≦ｄ≦Ｂ……（２）
３≦Ｃ×ｄ……（３）
遮光層４１を形成後にシール材５０を塗布する。シール材５０はエポキシ系の熱硬化性樹脂のペーストであり、ペーストを幅０．５ｍｍで基板１１外縁に沿って周回させて塗布し、プリべークすることにより未硬化の乾燥したシール材５０が得られる。シール材５０はシール材内を透過する光による光漏れを防ぐために、外側バンク４３の一部と重なる位置に配置する。
【００２１】
シール材５０をプリべークにより脱泡乾燥後、対向基板２０を合わせて押し潰し両基板１０，２０を接着すると、０．５ｍｍ幅で盛り上がった未硬化シール材は両基板１０，２０間に幅１ｍｍで拡がり一部がバンク４３上に張り出して重なり、硬化して、液晶を封入する液晶セルを形成する。ここで対向基板２０面とアレイ基板１０の両基板１０，２０面間のセルギャップ５２すなわち液晶層厚みは例えば４．５μｍ〜５．２μｍである。
【００２２】
図１乃至図５は、この発明の実施形態の液晶表示装置を示す。液晶セル１はガラスなどの透明絶縁性基板１１を有するアレイ基板１０と、このアレイ基板１０と対をなして対向配置され同じく透明絶縁性基板２１を有する対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０との間に配置された液晶層３０とを備える。画像表示領域１００は、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材５０によって囲まれた領域内に形成されている。
【００２３】
画像表示領域１００とシール材５０の間には画像表示領域１００を枠状に取り囲むようにして遮光層４１が形成される。
【００２４】
アレイ基板１０は、画像表示領域１００にマトリクス状に配置された複数の画素電極１２、これらの画素電極１２の行方向に沿って形成された複数本の走査線１３、これらの画素電極１２の列方向に沿って形成された複数本の信号線１４、各画素電極１２に対応して走査線１３および信号線１４の交差位置近傍に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のスイッチング素子１５を有している。走査線や信号線の配線は、ブラックマトリクスを兼ねることができる。
【００２５】
アレイ基板１０は、絶縁性基板１１上に、さらに複数の画素電極１２とこれらの電極１２のそれぞれに対応して形成されたスイッチング素子１５を覆って形成される着色層７０、着色層７０上に形成された複数の柱状スペーサ７１（図４Ａ）が設けられ、複数の画素電極１２全体を覆うように配向膜８１（図２）を備えている。
【００２６】
着色層７０は、例えば４μｍの厚さを有し、緑色、青色、および赤色にそれぞれ着色され、画素電極１２の列に対応してストライプ状に並んで配置されている。これらの着色層７０は、緑色、青色、および赤色の各色成分の光をそれぞれ透過させる３色の着色層７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒとなる。配向膜８１は、液晶層３０の液晶分子を所定方向に配向する。
【００２７】
対向基板２０は、図２に示すように、絶縁性基板２１上に形成された対向電極２２およびこの対向電極２２を覆う配向膜８２を有している。対向電極２２は、アレイ基板１０側の画素電極１２に共通して対向する透明電極である。
【００２８】
液晶層３０はシール材５０の液晶注入口（図示せず）からセルギャップ５２（図２）参照）に注入されて封止される。
【００２９】
本実施形態の液晶セル１の製造方法について説明する。
【００３０】
＜アレイ基板１０＞
図２に示すように、絶縁性基板１１上に、シリコン酸化膜などのアンダーコーティング層１１ａを形成する。続いて、アンダーコーティング層１１ａ上に、アモルファスシリコン膜を成膜し、さらに多結晶化処理を施してポリシリコン膜１７とする。この膜１７をパターニングして、ＴＦＴスイッチング素子１５のチャネル層を形成する。次にシリコン酸化膜を成膜して、ゲート絶縁膜１８を形成する。続いて、スパッタリング法により、ゲート絶縁膜１８上にＴａ，Ａｌ，Ｍｏ，  Ｗなどの金属膜を成膜し、フオトリソグラフィ工程により所定の形状にパターニングする。これにより、走査線１３、ゲート電極１５ｇなどの各種配線を形成する。
【００３１】
続いて、ゲート電極をマスクとして、ポリシリコン膜１７に不純物を注入して、ＴＦＴスイッチング素子１５のドレイン領域、ソース領域を形成する。さらに、全面に酸化シリコン膜を成膜し、層間絶縁膜１６とする。
【００３２】
次に、スパッタリング法により、層間絶縁膜１６上に、Ｔａ，Ａｌ，Ｍｏ，  Ｗなどの金属膜を成膜し、フオトリソグラフィ工程により所定の形状にパターニングする。これにより、信号線１４と、これらの信号線１４と一体にスイッチング素子１５のドレイン電極１５ｄを形成する。また、同時に、スイッチング素子１５のソース電極１５ｓを形成する。必要により、これらの上にＳｉＮなどのパッシべーション膜（図示せず）を形成してもよい。
【００３３】
＜着色層７０およびバンク４２，４３＞
次に、紫外線硬化型アクリル系緑色レジスト液、例えば商品名ＣＹＧ−５６２４Ｄ）を、電極が形成されたアレイ基板上にスピンナを用いて所定厚に塗布する。次に約９０℃で約５分間プリべークし、所定のマスクパターンを用いて露光する。ここで用いるフォトマスクパターンは、緑色着色層７０Ｇに対応するストライプ形状パターン、画素電極とソース電極に対応するスルーホール１２ａの直径１５μｍの円形形状パターンおよび画素表示領域最外周に二重バンクとなるマスクパターンを用いて、紫外線を照射して露光する。
【００３４】
次にＴＭＡＨ水溶液を用いて現像し水洗い後ポストべークして緑色着色層７０Ｇおよび二重バンク４２，４３を形成する。これにより二重バンクは画像表示領域外周を枠状に取り囲むパターンになっている。
【００３５】
続いて、同様の工程で順次、青色着色層７０Ｂ、赤色着色層７０Ｒを形成する。これにより、４μｍの膜厚を有する着色層７０が形成される。緑色の着色層７０Ｇの形成工程で形成されるバンクの幅は、内周側バンク４２が４００μｍ、外周側バンク４３が７０μｍ、それぞれの高さが４ｐｍ、二重バンク管の幅すなわち遮光領域幅は３ｍｍである。
【００３６】
＜画素電極１２＞
続いて、図２に示すように、着色層７０上にＩＴＯを成膜しパターニングして、スルーホール１２ａを通してスイッチング素子１５のソース電極１５ｄに接続された画素電極１２を形成する。
【００３７】
＜平坦化層４４＞
セルギャップ５２を規制するスペーサ７１を画像表示領域１００内の画素電極周辺に形成する工程で、同時に二重バンク４２，４３で囲まれた遮光領域内にこの領域を平坦にする平坦化層４４を形成する。例えばエポキシ系フォトレジストを用いスペーサを露光現像しポストべークすることで遮光領域に、例えば２．９μｍの平坦化層を形成する。スペーサとの厚みの差は部分的に露光時要件を変えることで調整することができる。遮光領域には走査線、信号線が延び凹凸面を形成しているが、平坦化層はこの凹凸を埋めて表面を平坦にする。
【００３８】
続いて配向膜材料を塗布し、ラビング処理によって配向膜８１を形成する。
【００３９】
＜シール材５０＞
図４Ａに示すように、液晶セル１の製造工程では、熱硬化性樹脂の接着剤であるシール材５０のペーストを液晶注入口を残して画像表示領域１００を囲むようにアレイ基板１０の外縁に沿って塗布する。塗布されたシール材５０のペーストの幅は０．５ｍｍとし、封止時の押し潰しで１ｍｍ幅に広がるようにする。
【００４０】
＜遮光層４１＞
遮光領域４０に遮光層４１を形成するために、インクジェット法により黒色の樹脂インクの液滴４１ａを平坦化層４４の面上に遮光領域４０に沿って被着する。インクは例えば、カーボンブラック、チタンカーボン、黒鉄、黒ニッケル、チタンブラック、二酸化マンガン等の黒色顔料に、バインダーポリマとして顔料分散性、成膜性のよいエポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂等を用いることができる。本例ではチタンカーボンなどの微粒子をエポキシ系の樹脂に混入してインクとし、インクジェット法によりノズルから噴射して平坦化層上に被着したインクは平坦化層面に沿って展延する。これにより二重バンク４２，４３の間に１．１μｍの均一な膜厚の黒色遮光層４１を形成する。例えばインクの粘度は１０．５〜１２ｍＰａ・ｓ、表面張力が２４〜２７ｍＮ／ｍである。
【００４１】
図６に示すように、ガラス母材６０に複数のアレイ基板１０を形成する場合に各アレイ基板に対して画像表示領域の左右の遮光層４１をインクジェットへッド４１ａを画像垂直方向（ｙ）に相対移動しながら塗布する。続いて母材を９０度回転させｘ方向にヘッドを相対移動させて、画像表示領域の上下の遮光層を同様に塗布する。
【００４２】
実施例として、
インクは光学濃度Ｃが２．７、誘電率が１４、
遮光層に最低必要な光学濃度は３．０、
バンク高さＢは４μｍである。
【００４３】
式（１）〜（３）から、３≦２．７×ｄで遮光層厚ｄ＝１．１μｍになり、平坦化層の層厚Ａは２．９μｍである。
【００４４】
平坦化層に対するインクのぬれ性は大きいほどよく、表面張力の接触角は１１度以下が望ましい。本例では接触角が７．１°、インクジェットによるインク塗布量は１滴あたり５０ｐｌ士５ｐｌである。
【００４５】
その後、未硬化シール材５０のペーストおよび遮光層４１を同時にプリペークして脱泡、乾燥する。プリべークの温度は未硬化シール材５０のペーストが熱硬化しない程度の温度である。
【００４６】
＜対向基板２０＞
対向基板２０の製造工程では、ガラスなどの透明な絶縁性基板２１（図２）上に、ＩＴＯの対向電極２２を形成する。そして、対向電極２２を覆って絶縁性基板２１の全面にポリイミドなどの配向膜材料を塗布し、ベーク後、配向処理を施すことにより、配向膜８２を形成する。
【００４７】
＜液晶表示装置１＞
次に、図４Ａに示すように、アレイ基板１０と対向基板２０の一対の基板を合わせて、加熱、押圧し、未硬化シール材のペーストを押し潰して変形させ、熱硬化させてシール材５０とする。これによりアレイ基板１０の外縁と対向基板２０の外縁とを接着し、液晶層３０を挟持するセルギャップ５２を形成して封止する。シール材５０の内周の一部はバンク４３上に延びて重なり硬化する。固化したシール材５０の幅は１ｍｍである。
【００４８】
このようにして形成した空きセルに、液晶層３０を液晶注入口からセルギャップ５２内に注入し、さらに液晶注入口を封口する。
【００４９】
以上の工程で液晶表示パネルが製造される。
【００５０】
（比較例１）
実施形態１と同条件でかつ平坦化層を設けない場合の遮光層４６の形成である。遮光領域中央にインクジェット塗布を施した場合、図８に示すように信号線１４面に片寄って付着した。インク塗布量が５０ｐｌ、信号線の金属層に対するインクの接触角が１２°、ＳｉＮの層間絶縁膜への接触角が１５．４°で塗布抜けが発生した。この部分の遮光ができないために、光漏れが発生した。
【００５１】
（比較例２）
比較例１において塗布抜けが生じないように必要量以上のインクジェット塗布を施した場合、図９に示すように画像表示領域１００側にインク４７が溢れることがあり、画素の一部が非点灯になり、むらが生じた。
【００５２】
上記の本実施形態の遮光層の形成において、二重バンク４２，４３間の遮光領域４０に平坦化層４４を形成し、その平坦面４４ａ上に遮光層４１を積層する。これにより遮光層４１は遮光に要求される最小限の光学濃度を保持できる程度に均一にかつ薄く形成できる。このため、黒色インクの塗布抜けや、画像表示領域への溢れが生じず、高品質の遮光層を作製することができる。さらに、平坦化層は遮光層のように金属酸化物や窒化物を含まなくてよいので、低誘電率の樹脂を用いることができる。
【００５３】
図７は平坦化層（厚さＡ）、遮光層（誘電率１０、厚さＢ）および遮光層（誘電率１４、厚さＣ）を遮光領域に直接塗布したときの、各層の厚さ（μｍ）に対する隣接配線間容量（ｐＦ）の差異を示した曲線図である。図において曲線（ａ）が誘電率１４の遮光層のみ、曲線（ｂ）が誘電率１０の遮光層のみの特性を示し、遮光層は層厚が厚くなるほど配線間容量が増加する。一方、点（ｃ）で示すように平坦化層は誘電率が低いために配線容量は遮光層に比べて６０％程度に抑えられている。これにより、平坦化層上に遮光層を形成した場合も配線容量低減効果が生じる。
【００５４】
以上により、本発明によれば、遮光領域に平坦化層を形成することにより、インクジェット方式による遮光層の形成が均一になり、また配線容量を低減できて電気的欠陥が少なく、画像のコントラストが向上し、ユニフオミティのよい液晶表示装置を得ることができる。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、平坦化層をスペーサの形成と別工程で形成することができ、またバンクを各色着色層の積層で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態の模式的な略平面図。
【図２】図３のＢ−Ｂ線に沿う略断面図。
【図３】図１の一部拡大略平面図。
【図４Ａ】図３のＡ−Ａ線に沿う略断面図。
【図４Ｂ】図４Ａを説明する略図。
【図５】本発明の一実施形態の製造工程を説明する略断面図。
【図６】本発明の一実施形態の製造工程を説明する斜視図。
【図７】本発明の実施形態を説明する曲線図。
【図８】比較例１を説明する略図。
【図９】比較例２を説明する略図。
【符号の説明】
【００５７】
１液晶セル
１０アレイ基板
１１絶縁性基板
１２画素電極
１３走査線
１４信号線
１５スイッチング素子
１６層間絶縁膜
２０対向基板
２１絶縁性基板
２２対向電極
３０液晶層
４０遮光領域
４１遮光層
４２，４３バンク
４４平坦化層
５０シール材
５１重なり部
７０（７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒ）着色層
８１，８２配向膜
１００画像表示領域
１０１画像表示領域外周
【図１】
2010113038.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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