(57)【要約】【課題】伝熱効果が優れたサイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにその製造方法及びその応用を提供する。【解決手段】サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、光取出面２２４を画定する第１の凹部２０８が設けられたシリコンベース２０２と、少なくとも一部の第１の凹部２０８上に設けられ、シリコンベース２０２の外表面まで延伸された第１の導電リードと、少なくとも一部の第１の凹部２０８上に設けられ、シリコンベース２０２の外表面まで延伸され、第１の導電リードと電気的に分離された第２の導電リードと、第１の導電リード及び第２の導電リードとそれぞれ電気的に接続された第１の電極及び第２の電極を有する第１のＬＥＤチップ２１２とを備える。シリコンベース２０２の外表面は、光取出面２２４に対して略垂直である。【選択図】図３
2010130008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する第１の凹部が設けられたシリコンベースと、
少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸された第１の導電リードと、
少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、前記第１の導電リードと電気的に分離された第２の導電リードと、
前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードとそれぞれ電気的に接続された第１の電極及び第２の電極を有する第１のＬＥＤチップと、を備え、
前記シリコンベースの外表面は、前記光取出面に対して略垂直であることを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項２】
前記シリコンベースは、
シリコン凹部と、
前記シリコン凹部の底面と接続されたシリコンサブベースと、を有し、
前記シリコン凹部及び前記シリコンサブベースにより、前記第１の凹部が画定されることを特徴とする請求項１に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項３】
互いに異なる導電型である２つの第３の電極を有する少なくとも１つの第２のＬＥＤチップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項４】
互いに異なる導電型である２つの第３の導電リードをさらに備え、
前記第３の導電リードの導電型は、前記第３の電極の導電型にそれぞれ対応し、
前記第３の導電リードは、対応した前記第３の電極とそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項５】
第３の導電リードをさらに備え、
一方の前記第３の電極は、前記第３の導電リードと電気的に接続され、
他方の前記第３の電極は、前記第１の電極と導電型が同じであり、前記第１の導電リードと電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項６】
前記第１のＬＥＤチップを覆うパッケージ体をさらに備え、
前記パッケージ体は、蛍光粉末を含むことを特徴とする請求項１に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造。
【請求項７】
シリコンベースを準備し、前記シリコンベースは、互いに隣接する第１の表面及び第２の表面に設けた第１の凹部及び第２の凹部を含み、前記第１の凹部により、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する工程と、
少なくとも２つの導電リードを形成し、前記第１の凹部を覆って前記第２の凹部まで延伸し、前記少なくとも２つの導電リードが互いに電気的に分離し、前記第２の凹部に配置された前記少なくとも２つの導電リードの部分に対して前記光取出面を略垂直に設ける工程と、
前記第２の凹部の中に少なくとも１つのＬＥＤチップを配置し、前記少なくとも１つのＬＥＤチップは、前記少なくとも２つの導電リードとそれぞれ電気的に接続された２つの電極を有する工程と、
前記少なくとも１つのＬＥＤチップを覆うパッケージ体を形成する工程と、を含むことを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造方法。
【請求項８】
シリコンサブベースを準備し、前記シリコンサブベースは、互いに隣接した第１の表面及び第２の表面を有し、前記第２の表面に第１の凹部を設ける工程と、
少なくとも２つの導電リードを形成し、前記シリコンサブベースの前記第１の表面及び前記第１の凹部の表面を覆って延伸し、前記少なくとも２つの導電リードを互いに電気的に分離する工程と、
前記シリコンサブベースの前記第１の表面に、シリコン凹部が設けられ、前記シリコンサブベース及び前記シリコン凹部により第２の凹部が画定され、前記少なくとも２つの導電リードそれぞれの一部が前記第２の凹部から露出され、前記第２の凹部は、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定し、前記第１の凹部に設けられた前記少なくとも２つの導電リードの部分に対して前記光取出面を略垂直に設ける工程と、
前記第２の凹部の中に少なくとも１つのＬＥＤチップを配置し、前記少なくとも１つのＬＥＤチップは、前記少なくとも２つの導電リードとそれぞれ電気的に接続された２つの電極を含む工程と、
前記少なくとも１つのＬＥＤチップを覆うパッケージ体を形成する工程と、を含むことを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造方法。
【請求項９】
前記シリコンサブベースを準備する工程は、
シリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の表面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に配置領域を画定し、前記絶縁層に画定工程を行う工程と、
前記シリコン基板をエッチングし、前記第１の凹部を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造方法。
【請求項１０】
回路基板と、少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造と、を備えるＬＥＤライトバーであって、
前記少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造は、シリコンベース、第１の導電リード、第２の導電リード及び第１のＬＥＤチップを有し、
前記シリコンベースには、前記サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する第１の凹部が設けられ、
前記第１の導電リードは、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、
前記第２の導電リードは、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、前記第１の導電リードと前記第２の導電リードとは電気的に分離され、前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードは、回路基板の平面に設けられ、前記光取出面は、前記回路基板の平面に対して略垂直に設けられ、
前記第１のＬＥＤチップは、前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードとそれぞれ電気的に接続された第１の電極及び第２の電極を有することを特徴とするＬＥＤライトバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤパッケージ構造に関し、特にサイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにＬＥＤライトバー及びＬＥＤバックライトモジュールへの応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギ節減及び環境保護に対する関心の高まりに伴い、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、従来の光源を代替する光源として最も注目されている。ＬＥＤ光源のなかでも、表面実装型（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｉｎｇ  Ｔｙｐｅ：ＳＭＴ）ＬＥＤは幅広く利用されている。一般のＬＥＤチップは、入力電力の大部分が光エネルギに変換されずにその多くが失われたため、ＬＥＤチップの変換効率は理想的でなかった。ＬＥＤチップの動作により発生する熱を効率的に放熱することができない場合、ＬＥＤチップのジャンクション温度が増大するため、ＬＥＤチップの発光効率が低下し、ＬＥＤチップの信頼性が低下する虞があった。そのため、発光ダイオード素子の発展にとって放熱問題を解決することは重要であった。
【０００３】
一般に、高パワーＬＥＤとは、パワーが１Ｗ以上のＬＥＤを指す。高パワーＬＥＤチップは、より大きな電流を使用するため、放熱は特に重要である。図１を参照する。図１は、従来の高パワー表面実装型ＬＥＤパッケージ構造を示す断面図である。ＬＥＤパッケージ構造１００は、ＬＥＤチップ１０４、パッケージベース１０２、リードフレーム１０６、ワイヤ１０８及びパッケージ体（ｐａｃｋａｇｅ  ｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ）１１０を主に含む。パッケージベース１０２は、ポリフタルアミド（ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ：ＰＰＡ）を射出成形して形成する。一般に、パッケージベース１０２は、射出成形を行う際にリードフレーム１０６と接続される。リードフレーム１０６は、電気的に分離された２つのリード１１２以外に、ヒートシンク１１４を含む。ヒートシンク１１４は、リード１１２のうちの１つと接続され、リード１１２よりも厚さを大きくして放熱効果を高めていた。パッケージベース１０２は、リードフレーム１０６のリード１１２及びヒートシンク１１４の一部を底部から露出させる凹部１１６を含む。
【０００４】
ＬＥＤチップ１０４は、パッケージベース１０２の凹部１１６の中で、リードフレーム１０６のヒートシンク１１４の露出部分に配置されているため、ＬＥＤチップ１０４が発生させる熱は、ヒートシンク１１４から迅速に放熱させることができる。ＬＥＤチップ１０４の２つの電極は、例えば、ワイヤ１０８又はフリップチップ法を利用し、リードフレーム１０６の２つのリード１１２と電気的に接続されている。パッケージ体１１０は、パッケージベース１０２の凹部１１６の中に充填され、ＬＥＤチップ１０４及びワイヤ１０８を覆う。
【０００５】
ＬＥＤパッケージ構造１００は、ヒートシンク１１４により放熱効果を高めることができるため、１Ｗ以上の高パワーＬＥＤ素子に応用することができるが、以下の欠点があった。ＬＥＤパッケージ構造１００は、トップビューＬＥＤパッケージ構造であり、サイズが大きいため、薄型の導光板を備えるバックライトモジュールに応用することができなかった。また、パッケージベース１０２の材料とＬＥＤチップ１０４の半導体材料との伝熱係数は差が大きいため、パッケージベース１０２とＬＥＤチップ１０４との接続部分が熱膨張により切断され、ＬＥＤパッケージ構造１００の信頼性が低下する虞があった。さらに、パッケージベース１０２の表面がポリフタルアミドからなる場合、プラズマクリーニングを行うと損壊され、パッケージベース１０２の表面の反射率が下がって発光強度に悪影響を与える虞があった。さらに、リードフレーム１０６及びヒートシンク１１４は、ヒートシンク１１４により厚さが不均一となる上、厚さの差異が大きくなるために、ヒートシンク１１４とともにリードフレーム１０６の製造工程が複雑となり、廃棄物が発生するためコストを低減させるには不利であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１の目的は、シリコンの熱膨張係数は、ＬＥＤチップの半導体材料と略等しいため、ＬＥＤチップとシリコンパッケージベースとの接続部分が熱膨張により影響されることを防ぎ、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の信頼性を向上させることができる、パッケージベースがシリコンからなるサイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにその製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の第２の目的は、シリコンからなるパッケージベースの熱伝達係数が高いため、金属ヒートシンクを含んで不均一な厚さを有する従来のリードフレームが必要なく、そのため、リードフレームの製造の困難度を低減し、リードフレームの製造の際に発生した廃棄物を無くし、サイドビューＬＥＤパッケージ構造及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の第３の目的は、パッケージベースの熱伝達係数が高いため、低パワーＬＥＤチップに適用することができるだけでなく、１Ｗ以上の大パワーＬＥＤチップにもパッケージベースを用いることができる、サイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにそのＬＥＤライトバー及びＬＥＤバックライトモジュールへの応用を提供することにある。
【０００９】
本発明の第４の目的は、半導体製造工程により形成されるシリコンパッケージベースの平坦な凹部の表面を反射面として直接用い、反射面の反射効果がプラズマクリーニングにより影響を受けないため、パッケージベースの反射効果は、従来のプラスチックベースより高い、サイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにそのＬＥＤライトバー及びＬＥＤバックライトモジュールへの応用を提供することにある。
【００１０】
本発明の第５の目的は、ＬＥＤパッケージ構造をサイドビュータイプにすることにより、ＬＥＤライトバーの幅及びサイドエッジタイプのバックライトモジュールの厚さを有効に低減させることができる、サイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにそのＬＥＤライトバー及びＬＥＤバックライトモジュールへの応用を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明は上記目的を達成するため、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する第１の凹部が設けられたシリコンベースと、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸された第１の導電リードと、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、前記第１の導電リードと電気的に分離された第２の導電リードと、前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードとそれぞれ電気的に接続された第１の電極及び第２の電極を有する第１のＬＥＤチップと、を備え、前記シリコンベースの外表面は、前記光取出面に対して略垂直であることを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造を提供する。
【００１２】
（２）また、本発明は上記目的を達成するため、シリコンベースを準備し、前記シリコンベースは、互いに隣接する第１の表面及び第２の表面に設けた第１の凹部及び第２の凹部を含み、前記第１の凹部により、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する工程と、少なくとも２つの導電リードを形成し、前記第１の凹部を覆って前記第２の凹部まで延伸し、前記少なくとも２つの導電リードが互いに電気的に分離し、前記第２の凹部に配置された前記少なくとも２つの導電リードの部分に対して前記光取出面を略垂直に設ける工程と、前記第２の凹部の中に少なくとも１つのＬＥＤチップを配置し、前記少なくとも１つのＬＥＤチップは、前記少なくとも２つの導電リードとそれぞれ電気的に接続された２つの電極を有する工程と、前記少なくとも１つのＬＥＤチップを覆うパッケージ体を形成する工程と、を含むことを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造方法を提供する。
【００１３】
（３）また、本発明は上記目的を達成するため、シリコンサブベースを準備し、前記シリコンサブベースは、互いに隣接した第１の表面及び第２の表面を有し、前記第２の表面に第１の凹部を設ける工程と、少なくとも２つの導電リードを形成し、前記シリコンサブベースの前記第１の表面及び前記第１の凹部の表面を覆って延伸し、前記少なくとも２つの導電リードを互いに電気的に分離する工程と、前記シリコンサブベースの前記第１の表面に、シリコン凹部が設けられ、前記シリコンサブベース及び前記シリコン凹部により第２の凹部が画定され、前記少なくとも２つの導電リードそれぞれの一部が前記第２の凹部から露出され、前記第２の凹部は、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定し、前記第１の凹部に設けられた前記少なくとも２つの導電リードの部分に対して前記光取出面を略垂直に設ける工程と、前記第２の凹部の中に少なくとも１つのＬＥＤチップを配置し、前記少なくとも１つのＬＥＤチップは、前記少なくとも２つの導電リードとそれぞれ電気的に接続された２つの電極を含む工程と、前記少なくとも１つのＬＥＤチップを覆うパッケージ体を形成する工程と、を含むことを特徴とするサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造方法を提供する。
【００１４】
（４）また、本発明は上記目的を達成するため、回路基板と、少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造と、を備えるＬＥＤライトバーであって、前記少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造は、シリコンベース、第１の導電リード、第２の導電リード及び第１のＬＥＤチップを有し、前記シリコンベースには、前記サイドビューＬＥＤパッケージ構造の光取出面を画定する第１の凹部が設けられ、前記第１の導電リードは、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、前記第２の導電リードは、少なくとも一部の前記第１の凹部上に設けられ、前記シリコンベースの外表面まで延伸され、前記第１の導電リードと前記第２の導電リードとは電気的に分離され、前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードは、回路基板の平面に設けられ、前記光取出面は、前記回路基板の平面に対して略垂直に設けられ、前記第１のＬＥＤチップは、前記第１の導電リード及び前記第２の導電リードとそれぞれ電気的に接続された第１の電極及び第２の電極を有することを特徴とするＬＥＤライトバーを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のサイドビューＬＥＤパッケージ構造並びにその製造方法及びその応用は、以下（１）〜（５）の長所を有する。
（１）シリコンの熱膨張係数は、ＬＥＤチップの半導体材料と略等しいため、ＬＥＤチップとシリコンパッケージベースとの接続部分が熱膨張により影響されることを防ぎ、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の信頼性を向上させることができる。
（２）シリコンからなるパッケージベースの熱伝達係数が高いため、金属ヒートシンクを含んで不均一な厚さを有する従来のリードフレームを用いる必要がなく、そのため、リードフレームの製造の困難度を低減し、リードフレームの製造の際に発生する廃棄物を無くすことができる。
（３）パッケージベースの熱伝達係数が高いため、低パワーＬＥＤチップに適用することができるだけでなく、１Ｗ以上の大パワーＬＥＤチップにもパッケージベースを用いることができる。
（４）半導体製造工程により形成されるシリコンパッケージベースの凹部の平坦な表面を反射面として直接用い、反射面の反射効果がプラズマクリーニングにより悪影響を受けないため、パッケージベースの反射効果は、従来のプラスチックベースより高い。
（５）ＬＥＤパッケージ構造をサイドビュータイプにすることにより、ＬＥＤライトバーの幅及びサイドエッジタイプのバックライトモジュールの厚さを有効に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の高パワー表面実装型ＬＥＤパッケージ構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造を示す斜視図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造を示す斜視図である。
【図６】図５の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図７Ｅ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図７Ｆ】本発明の他の実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造の製造工程の流れを示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＬＥＤバックライトモジュールを示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態によるＬＥＤバックライトモジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図２及び図３を参照する。図２及び図３に示すように、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、シリコンベース２０２、２つの導電リード２１８、１つ又は２つ以上のＬＥＤチップ２１２及びパッケージ体２２８を含む。本実施形態のシリコンベース２０２は、互いに隣接するように一体成形された表面２０４，２０６を含む。シリコンベース２０２は、表面２０４に設けられた第１の凹部２０８を含む。第１の凹部２０８は、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の光取出面２２４を画定する。本実施形態のシリコンベース２０２は、表面２０６に設けられた第２の凹部２１０をさらに含む。図２及び図３に示すように、導電リード２１８は、シリコンベース２０２の表面２０４に設けられた第１の凹部２０８をそれぞれ覆うとともに、延伸して表面２０６の第２の凹部２１０を覆い、互いに電気的に分離されている。各導電リード２１８は、１層の材料層からなる１層構造又は少なくとも２層が積層された多層積層構造にしてもよい。図３に示すように、本実施形態の各導電リード２１８は、シリコンベース２０２上に順次積層したシード層２１４及び電気めっき層２１６を含む多層構造である。シード層２１４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＮｉからなる。また、電気めっき層２１６は、Ｃｕ、Ａｇ又はＮｉからなる。
【００１９】
図３を参照する。図３に示すように、ＬＥＤチップ２１２は、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８の中に配置される（例えば、ＬＥＤチップ２１２は、導電リード２１８上に配置される）。本実施形態では、シリコンベース２０２とＬＥＤチップ２１２との間の絶縁効果を高めるために、シリコンベース２０２上に絶縁層（図示せず）を選択的に形成し、導電リード２１８とシリコンベース２０２との間に絶縁層を形成する。この絶縁層は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はセラミックからなる。サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の光取出面２２４は、シリコンベース２０２の外側の表面２０６に対して略垂直である。本実施形態のサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、１つのＬＥＤチップ２１２を有する。他の実施形態のサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、互いに異なる導電型である２つの電極２２２（例えば、一方の電極２２２はｐ型であり、他方の電極２２２はｎ型である。）をそれぞれ含む複数のＬＥＤチップ２１２を含んでもよい。本実施形態において、ＬＥＤチップ２１２は、水平電極構造である。例えば、ＬＥＤチップ２１２の２つの電極２２２は、ＬＥＤチップ２１２の同じ側に配置されている。サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、複数のＬＥＤチップ２１２の必要に応じ、２つ以上の導電リード（例えば、複数の導電リード２１８）を含んでもよい。本実施形態では、電極２２２のそれぞれは、導電リード２１８に対応するようにそれぞれ配置され、ワイヤ２２６を介して対応した導電リード２１８と電気的に接続されてもよい。他の実施形態では、共通カソード又は共通アノードを応用するため、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００が備える電極２２２の数は、導電リード２１８よりも多く、導電リード２１８の一部はワイヤ２２６を介して少なくとも２つの電極２２２と電気的に接続されてもよい。ＬＥＤチップ２１２は、同じ色調を有したり（例えば、ＬＥＤチップ２１２の色は全て青色である）、異なる色調を有したりしてもよい（例えば、２つの緑色ＬＥＤチップ、１つの赤色ＬＥＤチップ及び１つの青色ＬＥＤチップを含む）。
【００２０】
図３に示すように、本実施形態のサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、製品に必要な輝度に応じ、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８の側面を覆う反射層２２０を選択的に含んでもよい。反射層２２０は、金属反射層、非金属反射層又は金属層／非金属層の複合構造でもよい。本実施形態において、第１の凹部２０８の側面は、反射層が設けられていない反射面として直接使用してもよい。パッケージ体２２８は、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８に充填され、ＬＥＤチップ２１２を覆うとともにワイヤ２２６を覆うことが好ましい。本実施形態のパッケージ体２２８には、蛍光粉末が混入されてもよい。この蛍光粉末は、所望のパッケージの光の色やＬＥＤチップ２１２から放射する光の色に応じて選択してもよい。所望のパッケージ光の色が白色の場合、ＬＥＤチップ２１２は青色を放射し、パッケージ体２２８に、黄色又は赤緑色の蛍光粉末を混入してもよい。
【００２１】
図４Ａ〜図４Ｇを参照する。本実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の製造工程では、図４Ａに示すように、まず、シリコン基板２３２を準備する。続いて、図４Ｂに示すように、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、シリコン基板２３２に第１の凹部２０８及び第２の凹部２１０を画定する。シリコン基板２３２は、例えば、ウェットエッチングにより、各シリコンベース２０２の表面２０４に第１の凹部２０８を形成する。このウェットエッチングでは、エッチャントとしてＫＯＨ又はＨＦを用いてもよい。また、他の実施形態では、シリコンベース２０２の表面２０４に、第１の凹部２０８を形成してもよい。例えば、反応性イオンエッチングにより、シリコン基板２３２に１つ又は２つ以上の第２の凹部２１０を形成し、複数のシリコンベース２０２を画定してもよい。第２の凹部２１０は、シリコンベース２０２の表面２０６に設けられ、幅ｗを有する。後で形成する導電リード２１８（図４Ｃに示す）の厚さは、第２の凹部２１０の幅ｗを制御することにより調整することができる。
【００２２】
後で設置するＬＥＤチップ２１２（図４Ｄに示す）とシリコンベース２０２との間の絶縁性を向上させるために、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８の底部又はシリコンベース２０２の外表面全体に絶縁層（図示せず）を選択的に形成してもよい。この絶縁層を形成する際、例えば、堆積法又は炉熱酸化法により、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素を形成したり、例えば、堆積法によりセラミック層を形成したりしてもよい。セラミック層を絶縁層として使用すると、伝熱効果を向上させることができる。
【００２３】
図４Ｃを参照する。図４Ｃに示すように、少なくとも２つの導電リード２１８により、シリコンベース２０２の表面２０４に設けられた第１の凹部２０８を覆うとともに、延伸させて他の表面２０６に設けた第２の凹部２１０を覆う。導電リード２１８は、互いに電気的に分離されている。各導電リード２１８は、本実施形態では単層構造であるが、他の実施形態では多層構造にしてもよい。例えば、まず、半導体製造工程のパターン画定技術、スパッタリング法又は蒸着法により、薄いシード層２１４を形成してシリコンベース２０２を覆う。このシード層２１４は、半導体パターン画定技術により画定され、それぞれ互いに電気的に分離された２つ又は３つ以上の部分を含む。続いて、シード層２１４をベースとして用い、例えば、電気めっき法を利用し、シード層２１４上に電気めっき層２１６を形成し、互いに電気的に分離された導電リード２１８の製作を完了する。シード層２１４の厚さは、製造工程に応じて約数百Å〜数千Åの間で調整することができる。シード層２１４は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＮｉからなってもよい。電気めっき層２１６の厚さは、シリコンベース２０２に画定された第２の凹部２１０の幅ｗにより調整することができ、パッケージベースの後続のカット工程及び分割工程を行うのに都合が良いように、幅ｗより僅かに小さいサイズにすることが好ましい。電気めっき層２１６は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ又はＮｉからなる。本実施形態では、電気めっき法により導電リード２１８を製作することにより、従来技術において金属材料を多数回折り曲げることにより発生していた材料応力の問題を解決することができる。
【００２４】
図４Ｄ及び図２を同時に参照する。図４Ｄ及び図２に示すように、各シリコンベース２０２の第１の凹部２０８の中に１つ又は２つ以上のＬＥＤチップ２１２を配置する。図２に示すように、各ＬＥＤチップ２１２は、互いに異なる導電型である２つの電極２２２を含む。電極２２２は、フリップチップ法又はワイヤボンディング法により、図２に示すようなワイヤ２２６を用い、対応した導電リード２１８とそれぞれ電気的に接続される。各導電リード２１８は、１つ又は２つ以上の電極２２２とそれぞれ電気的に接続される。
【００２５】
続いて、図４Ｅに示すように、製品に必要な輝度に応じて反射層２２０を選択的に形成し、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８の側面を覆う。本実施形態では、反射層を設けずに、第１の凹部２０８の側面を反射面として直接使用してもよい。続いて、図４Ｆに示すように、シリコンベース２０２の第１の凹部２０８に、パッケージ体２２８を充填し、ＬＥＤチップ２１２及びワイヤ２２６を覆う。本実施形態において、パッケージ体２２８には、蛍光粉末（例えば、黄色蛍光粉末又は赤緑色蛍光粉末）が混入されてもよい。本実施形態では、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の光取出面２２４は、シリコンベース２０２の外側の表面２０６に延伸された導電リード２１８の部分に対して略垂直に形成されている。
【００２６】
続いて、図４Ｇに示すように、例えば、バックサイドエッチング（ｂａｃｋｓｉｄｅ  ｅｔｃｈｉｎｇ）により、隣接した２つのシリコンベース２０２の間にあるシリコン材料を除去し、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００を分離することにより、図２及び図３に示すような構造を形成する。他の実施形態では、各サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００を分割工程で分離し、図２及び図３に示すような構造を得てもよい。
【００２７】
図５及び図６を参照する。図５及び図６に示すように、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａは、シリコンベース２０２ａ、２つの導電リード２１８ａ、１つ又は２つ以上のＬＥＤチップ２１２ａ及びパッケージ体２２８を主に含む。本実施形態のシリコンベース２０２ａは、シリコンサブベース２３４とシリコン凹部２３６とが積層され、一体成形されていない構造である。シリコンサブベース２３４は、シリコン凹部２３６の底面に接続されている。本実施形態において、シリコンサブベース２３４とシリコン凹部２３６とは、ポリマー又は接着糊（例えば、エポキシ樹脂）からなる接合層（図示せず）を用いてもよい。本実施形態のシリコンベース２０２ａは、互いに隣接した表面２０４，２０６を含む。シリコンベース２０２ａは、表面２０４の中に設けられた第１の凹部２０８を含む。図６に示すように、本実施形態のシリコンベース２０２ａは、シリコンベース２０２ａの表面２０６に設けた第２の凹部２１０を含む。本実施形態の第１の凹部２０８は、シリコンサブベース２３４とシリコン凹部２３６との組み合わせにより画定される。この第１の凹部２０８は、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの光取出面２２４を画定する。本実施形態において、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの光取出面２２４は、シリコンベース２０２ａの外側の表面２０６に対して略垂直である。図５及び図６を参照する。図５及び図６に示すように、導電リード２１８ａは、シリコンベース２０２ａの第１の凹部２０８から露出されるとともに、延伸して表面２０６の第２の凹部２１０を覆う。導電リード２１８ａは、互いに電気的に隔離されている。各導電リード２１８ａは、単一の材料層からなる単層構造でもよいし、２層の材料層が積層されて形成された多層構造でもよい。図６に示すように、本実施形態の各導電リード２１８ａは、シリコンベース２０２ａ上に順次積層されたシード層２１４ａ及び電気めっき層２１６ａを含んだ多層構造である。シード層２１４ａは、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＮｉからなり、電気めっき層２１６ａは、例えば、Ｃｕ、Ａｇ又はＮｉからなってもよい。
【００２８】
図６を参照する。図６に示すように、本実施形態では、シリコンベース２０２ａとＬＥＤチップ２１２ａとの間の絶縁効果を向上させるために、シリコンベース２０２ａのシリコンサブベース２３４とシリコン凹部２３６との間で、かつ、導電リード２１８ａ下に、絶縁層２３８が設けられている。他の実施形態では、絶縁効果をさらに向上させるために、導電リード２１８ａ全体とシリコンサブベース２３４との間に、絶縁層２３８を設けてもよい。絶縁層２３８は、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はセラミックからなってもよい。本実施形態の導電リード２１８ａは、第１の凹部２０８の側面から外側に延伸された導電リード２１８と異なり、シリコンサブベース２３４からシリコンベース２０２ａの外表面へ延伸されている。そのため、絶縁層２３８の一部及び各導電リード２１８ａの一部は、シリコンベース２０２ａのシリコン凹部２３６とシリコンサブベース２３４との間に設けられている。導電リード２１８ａをこのように設計することにより、シリコンベース２０２ａの第１の凹部２０８の反射面が導電リード２１８ａの悪影響を受けないため、所望しないＬＥＤチップ２１２ａの反射パスが発生して発光効率が低下することを防ぐことができる。
【００２９】
図６に示すように、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１２ａは、シリコンベース２０２ａに設けられた第１の凹部２０８に配置されているが、他の実施形態では、導電リード２１８ａ上に配置されてもよい。本実施形態において、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａは、２つのＬＥＤチップ２１２ａを有するが、他の実施形態では、１つ又は２つ以上のＬＥＤチップ２１２ａを含んでもよい。各ＬＥＤチップ２１２ａは、互いに異なる導電型である２つの電極２２２ａ（例えば、一方の電極２２２ａはｐ型であり、他方の電極２２２ａはｎ型である。）を含む。本実施形態において、ＬＥＤチップ２１２ａは、垂直電極構造である。例えば、ＬＥＤチップ２１２ａの２つの電極２２２ａは、対向するようにＬＥＤチップ２１２ａの両側に配置されている。サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａは、複数のＬＥＤチップ２１２ａに対応するように２つ以上の導電リード（例えば、３つの導電リード２１８ａ）を含んでもよい。本実施形態の電極２２２ａそれぞれは、ワイヤ２２６を介し、対応した導電リード２１８ａと電気的に接続されてもよい。図５に示すように、本実施形態では、共通カソード又は共通アノードを応用するために、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａが有する電極２２２ａの数は、導電リード２１８ａよりも多い。導電リード２１８ａは、２つのワイヤ２２６を介し、２つのＬＥＤチップ２１２ａの２つの電極２２２ａと電気的に接続されている。ＬＥＤチップ２１２ａは、同じ色調を有するＬＥＤチップでもよいし（例えば、ＬＥＤチップ２１２ａのそれぞれは青色ＬＥＤチップである。）、異なる色調を有してもよい（例えば、ＬＥＤチップ２１２ａは、２つの緑色ＬＥＤチップ、１つの赤色ＬＥＤチップ及び１つの青色ＬＥＤチップを含む）。
【００３０】
図６に示すように、本発明の一実施形態によるサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａは、製品に必要な輝度に応じ、シリコンベース２０２ａに設けた第１の凹部２０８の側面を覆う反射層２２０を選択的に含んでもよい。反射層２２０は、金属反射層、非金属反射層又は金属層／非金属層の複合構造でもよい。同様に、第１の凹部２０８の側面は、反射層が設けられていない反射面として直接使用してもよい。パッケージ体２２８は、シリコンベース２０２ａに設けられた第１の凹部２０８に充填され、ＬＥＤチップ２１２ａ及びワイヤ２２６を覆う。本実施形態のパッケージ体２２８には、蛍光粉末が混入されてもよい。蛍光粉末は、パッケージの光の色やＬＥＤチップ２１２ａから放射する光の色に応じて選択してもよい。本実施形態において、所望のパッケージ光の色が白色の場合、ＬＥＤチップ２１２ａは青色を放射し、パッケージ体２２８に、黄色又は赤緑色の蛍光粉末を混入してもよい。
【００３１】
図７Ａ〜図７Ｆを参照する。本実施形態のサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの製造工程では、図７Ａに示すように、まず、シリコン基板２４０を準備する。続いて、シリコンベース２０２ａとＬＥＤチップ２１２ａ（図７Ｅに示す）との間の絶縁性能を向上させるために、絶縁層２３８を選択的に形成し、シリコン基板２４０の表面を覆う。例えば、堆積法又は炉熱酸化法により、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素を形成したり、例えば、堆積法によりセラミック層を形成したりしてもよい。セラミック層を絶縁層として使用した場合、伝熱効果を向上させることができる。絶縁層２３８は、導電リード２１８ａよりも厚いことが好ましい。
【００３２】
図７Ｂを参照する。図７Ｂに示すように、配置領域２４２及び所望の厚さの導電リード２１８ａ（図７Ｃに示す）を形成し、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、絶縁層２３８を画定する。続いて、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングを利用し、シリコン基板２４０の中に１つ又は２つ以上の第２の凹部２１０を画定する。例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングを利用し、導電リード２１８ａの配置領域２４２及び複数のシリコンサブベース２３４を画定する。シリコン基板２４０をエッチングする際、ドライエッチング工程（例えば、反応性イオンエッチング法）を使用してもよい。各シリコンサブベース２３４は、互いに隣接した表面２４４，２４６を含み、絶縁層２３８は、シリコンサブベース２３４の表面２４４上に形成される。第２の凹部２１０の一部は、シリコンサブベース２３４の表面２４６に設けられ、幅ｗを有する。後で形成する第２の凹部２１０の幅ｗを制御することにより、導電リード２１８ａの厚さを制御することができる。絶縁層２３８が設けられていない本実施形態では、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング法を利用し、シリコン基板２４０を直接画定し、１つ又は２つ以上の第２の凹部２１０を形成するため、導電リード２１８ａの配置領域２４２と、複数のシリコンサブベース２３４と、を形成することができる。
【００３３】
図７Ｃを参照する。図７Ｃに示すように、少なくとも２つの導電リード２１８ａにより、絶縁層２３８中の配置領域２４２を覆うとともに、延伸してシリコンサブベース２３４の表面２４６中の第２の凹部２１０を覆う。導電リード２１８ａは、互いに電気的に分離されている。各導電リード２１８ａは、単層構造であるが、他の実施形態では多層構造でもよい。例えば、半導体製造工程のパターン画定技術、スパッタリング又は蒸着法により、薄いシード層２１４ａを形成し、シリコンサブベース２３４の表面２４４上の絶縁層２３８を覆う。シード層２１４ａは、半導体パターン画定技術により画定された２つ又は３つ以上の部分を含み、それぞれの部分は互いに電気的に分離されている。続いて、シード層２１４ａをベースとして用い、例えば、電気めっき法を利用し、シード層２１４ａ上に電気めっき層２１６ａを形成し、互いに電気的に分離された導電リード２１８ａの製作を完了する。シード層２１４ａの厚さは、製造工程に応じて約数百Å〜数千Åに調整してもよい。シード層２１４ａは、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＮｉからなってもよい。電気めっき層２１６ａの厚さは、シリコンサブベース２３４に画定された第２の凹部２１０の幅ｗにより調整し、パッケージベースの後続のカット工程及び分割工程を行うのに都合がよいように幅ｗより僅かに小さいサイズが好ましい。電気めっき層２１６ａは、例えば、Ｃｕ、Ａｇ又はＮｉからなってもよい。本実施形態の導電リード２１８ａは、電気めっき法により製作されているため、従来、金属材料を多数回折り曲げることにより発生していた材料応力の問題を解決することができる。さらに他の実施形態では、例えば、スパッタリング又は蒸着法により、所望の厚さを有する導電リード２１８ａを直接成長させるため、電気めっき法を用いる必要がない。
【００３４】
図７Ｄを参照する。図７Ｄに示すように、シリコンサブベース２３４の表面２４４にシリコン凹部２３６を配置し、シリコンサブベース２３４の表面２４４は、シリコン凹部２３６の底面に接合し、シリコンベース２０２ａを形成する。本実施形態において、接合層（図示せず）を選択的に使用し、シリコン凹部２３６とシリコンサブベース２３４とを接続する。接合層は、ポリマー又は接着糊（例えば、エポキシ樹脂）からなってもよい。図５及び図７Ｄを同時に参照する。図５及び図７Ｄに示すように、シリコンベース２０２ａにおいて、シリコンサブベース２３４及びシリコン凹部２３６により第１の凹部２０８が画定される。各導電リード２１８ａの一部は、第１の凹部２０８から露出される。
【００３５】
図５及び図７Ｅを同時に参照する。図５及び図７Ｅに示すように、各シリコンベース２０２ａの第１の凹部２０８に、１つ又は２つ以上のＬＥＤチップ２１２ａが配置されている。各ＬＥＤチップ２１２ａは、表裏の関係にある両面に、互いに異なる導電型である２つの電極２２２ａがそれぞれ設けられている。続いて、電極２２２ａは、例えば、図５に示すワイヤ２２６を用い、フリップチップ法又はワイヤボンディング法により、対応した導電リード２１８ａと電気的に接続されている。図５に基づいて説明したように、各導電リード２１８ａは、１つ又は２つ以上の電極２２２ａと対応するように電気的に接続されている。続いて、製品に必要な輝度に応じ、反射層２２０を選択的に形成し、シリコンベース２０２ａの第１の凹部２０８の側面を覆ったり、第１の凹部２０８の側面を、反射層が設けられていない反射面として直接用いたりしてもよい。パッケージ体２２８は、シリコンベース２０２ａの第１の凹部２０８に充填され、ＬＥＤチップ２１２ａ及びワイヤ２２６を覆う。本実施形態のパッケージ体２２８には、蛍光粉末（例えば、黄色の蛍光粉末又は赤緑色の蛍光粉末）が混入されてもよい。その後、図７Ｆに示すように、例えば、ドライエッチング法を利用し、導電リード２１８ａをエッチングストップ層として用いることにより、シリコン凹部２３６の上方及びシリコンサブベース２３４の下方からシリコン凹部２３６の一部及びシリコンサブベース２３４の一部をそれぞれ除去し、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａを分離して図５及び図６に示すような構造を形成する。本実施形態において、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの光取出面２２４は、シリコンベース２０２ａの外側の表面２０６に延伸した導電リード２１８ａの部分に対して略垂直である。
【００３６】
上述したことから分かるように、サイドビューＬＥＤパッケージ構造は、以下の長所を有する。シリコンベースの膨張係数がＬＥＤチップの半導体材料の膨張係数と略同じであるため、ＬＥＤチップとシリコンベースとの接続部分が熱膨張により影響されることを防ぎ、サイドビューＬＥＤパッケージ構造の信頼性を向上させることができる。そのため、金属ヒートシンクを含み、厚さが不均一であった従来のリードフレームを用いる必要がない。これにより、リードフレームの製造工程における困難を低減し、リードフレームの製造工程で発生する廃棄物を無くすことができる。さらに、シリコンベースは、伝熱効果が優れているため、低パワーＬＥＤチップに適用することができるだけでなく、１Ｗ以上の大パワーＬＥＤチップにも適用することができる。さらに、半導体製造工程により形成した場合、シリコンベースの凹部表面が平坦となる。そのため、凹部の表面を反射面として直接用いた場合、反射面の反射効果がプラズマクリーニングによる悪影響を受けず、シリコンベースの反射効果は、従来のプラスチックベースよりも優れている。
【００３７】
上述のサイドビューＬＥＤパッケージ構造は、ＬＥＤライトバー及びＬＥＤバックライトモジュールに利用することができる。このＬＥＤパッケージ構造はサイドビュータイプであるため、ＬＥＤライトバーの幅及びサイドエッジタイプ（ｓｉｄｅ−ｅｄｇｅｄ  ｔｙｐｅ）バックライトモジュールの厚さを有効に低減させることができる。
【００３８】
図８を参照する。図８に示すように、ＬＥＤバックライトモジュール２５２は、キャリア２６０、導光板２５４及び少なくとも１つのＬＥＤライトバー２５０を主に含む。キャリア２６０は、フレーム構造又はプレート構造でもよい。キャリア２６０は、十分な強度の支持を得るために、金属又は硬質プラスチック材料からなってもよい。導光板２５４は、キャリア２６０上に配置されている。本実施形態において、導光板２５４は、厚さが不均一な楔形板状である。ＬＥＤバックライトモジュール２５２は、厚さが均一な平板状の導光板を用いてもよい。ＬＥＤライトバー２５０は、キャリア２６０で、導光板２５４の入光面２６２に隣接するように配置してもよい。
【００３９】
本実施形態のＬＥＤライトバー２５０は、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の一応用例である。このＬＥＤライトバー２５０は、少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００及び回路基板２４８を主に含む。サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００は、回路基板２４８の平面２６４上に配置され、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の導電リード２１８は、回路基板２４８の平面２６４に接合されている。回路基板２４８の平面２６４には回路が予め設けられ、回路基板２４８の平面２６４上に予め設けられた回路と、導電リード２１８とが電気的に接続され、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の中のＬＥＤチップ２１２と、回路基板２４８とが電気的に接続されている。ＬＥＤライトバー２５０の中において、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の光取出面２２４は、回路基板２４８の平面２６４に対して略垂直である。さらに、ＬＥＤライトバー２５０をＬＥＤバックライトモジュール２５２中に応用する場合、ＬＥＤライトバー２５０のサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００の光取出面２２４は、導光板２５４の入光面２６２に対向するように設けてもよい。
【００４０】
本実施形態のＬＥＤバックライトモジュール２５２は、製品に必要な輝度に応じ、導光板２５４とキャリア２６０との間に配置した反射シート２５６を選択的に含んでもよい。さらに、このＬＥＤバックライトモジュール２５２は、光学品質を向上させるために、１つ又は２つ以上の光学フィルム２５８（例えば、輝度向上フィルム、拡散シート）を選択的に含んでもよい。
【００４１】
図９を参照する。図９に示すように、ＬＥＤバックライトモジュール２５２ａは、キャリア２６０、導光板２５４ａ及び少なくとも１つのＬＥＤライトバー２５０ａを主に含む。導光板２５４ａは、キャリア２６０上に配置される。本実施形態の導光板２５４ａは、厚さが均一な平板状の導光板であるが、上述した厚さが不均一な楔形板状の導光板２５４を用いてもよい。ＬＥＤライトバー２５０ａは、キャリア２６０上に配置され、導光板２５４ａの入光面２６２ａの傍に配置される。
【００４２】
本実施形態のＬＥＤライトバー２５０ａは、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの一応用例である。このＬＥＤライトバー２５０ａは、少なくとも１つのサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａ及び回路基板２４８ａを主に含む。サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａは、回路基板２４８ａの平面２６４ａ上に配置され、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの導電リード２１８ａは、回路基板２４８ａの平面２６４ａに接合されている。回路基板２４８ａの平面２６４ａには、回路が予め設けられている。回路基板２４８ａの平面２６４ａ上に予め設けられた回路には、導電リード２１８ａが電気的に接続され、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａ中のＬＥＤチップ２１２ａと回路基板２４８ａとが電気的に接続されている。ＬＥＤライトバー２５０ａ中において、サイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの光取出面２２４は、回路基板２４８ａの平面２６４ａに対して略垂直に設けられている。さらに、ＬＥＤライトバー２５０ａをＬＥＤバックライトモジュール２５２ａに応用する際、ＬＥＤライトバー２５０ａのサイドビューＬＥＤパッケージ構造２００ａの光取出面２２４は、導光板２５４ａの入光面２６２ａに対向するように設けてもよい。
【００４３】
本実施形態のＬＥＤバックライトモジュール２５２ａは、製品に必要な輝度に応じ、導光板２５４ａとキャリア２６０との間に配置した反射シート２５６を選択的に含んでもよい。さらに、ＬＥＤバックライトモジュール２５２ａは、光学品質を向上させるために、１つ又は２つ以上の光学フィルム２５８（例えば、輝度向上フィルム、拡散シート）を選択的に含んでもよい。
【００４４】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明による特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００４５】
１００…ＬＥＤパッケージ構造、１０２…パッケージベース、１０４…ＬＥＤチップ、１０６…リードフレーム、１０８…ワイヤ、１１０…パッケージ体、１１２…リード、１１４…ヒートシンク、１１６…凹部、２００…サイドビューＬＥＤパッケージ構造、２００ａ…サイドビューＬＥＤパッケージ構造、２０２…シリコンベース、２０２ａ…シリコンベース、２０４…表面、２０６…表面、２０８…第１の凹部、２１０…第２の凹部、２１２…ＬＥＤチップ、２１２ａ…ＬＥＤチップ、２１４…シード層、２１４ａ…シード層、２１６…電気めっき層、２１６ａ…電気めっき層、２１８…導電リード、２１８ａ…導電リード、２２０…反射層、２２２…電極、２２２ａ…電極、２２４…光取出面、２２６…ワイヤ、２２８…パッケージ体、２３２…シリコン基板、２３４…シリコンサブベース、２３６…シリコン凹部、２３８…絶縁層、２４０…シリコン基板、２４２…配置領域、２４４…表面、２４６…表面、２４８…回路基板、２４８ａ…回路基板、２５０…ＬＥＤライトバー、２５０ａ…ＬＥＤライトバー、２５２…ＬＥＤバックライトモジュール、２５２ａ…ＬＥＤバックライトモジュール、２５４…導光板、２５４ａ…導光板、２５６…反射シート、２５８…光学フィルム、２６０…キャリア、２６２…入光面、２６２ａ…入光面、２６４…平面、２６４ａ…平面、ｗ…幅
【図１】
2010130008.tif 000003
【図２】
2010130008.tif 000004
【図３】
2010130008.tif 000005
【図４Ａ】
2010130008.tif 000006
【図４Ｂ】
2010130008.tif 000007
【図４Ｃ】
2010130008.tif 000008
【図４Ｄ】
2010130008.tif 000009
【図４Ｅ】
2010130008.tif 000010
【図４Ｆ】
2010130008.tif 000011
【図４Ｇ】
2010130008.tif 000012
【図５】
2010130008.tif 000013
【図６】
2010130008.tif 000014
【図７Ａ】
2010130008.tif 000015
【図７Ｂ】
2010130008.tif 000016
【図７Ｃ】
2010130008.tif 000017
【図７Ｄ】
2010130008.tif 000018
【図７Ｅ】
2010130008.tif 000019
【図７Ｆ】
2010130008.tif 000020
【図８】
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【図９】
2010130008.tif 000022