(57)【要約】【課題】  高周波の発振器において、プロセスバラツキにより発振周波数が仕様範囲から外れてしまう問題がある。通常はトリミング等により周波数調整を行う方法がある。しかし、高周波発振器を樹脂で封止するトリミングを行うことはできない。さらに、樹脂により寄生容量が変化してしまうため樹脂封止前後で発振周波数が変化してしまうため、別の方法による周波数調整方法が必要となる。【解決手段】  同一基板上に発振器を複数設けて、それぞれの発振周波数が異なるようにする。また、各発振器を外部からの印加電圧によって発振/停止を制御できるようにして、複数の発振器の中から最適な発振器一台のみを発振させる。【選択図】  図８Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の基板上に形成され、かつ、出力が共通に接続された複数の発振素子を具備して成り、
前記複数の発振素子の中で、いずれか１つの発振素子のみがＯＮし、かつ、前記１つの発振素子以外の他の全ての発振素子がＯＦＦするように構成されている
ことを特徴とする発振器。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の発振素子の各々がそれぞれの可変範囲を有することを特徴とする発振器。
【請求項３】
請求項２において、
前記発振器の可変範囲を±fmとした場合、各発振素子の発振周波数は、隣あう中心周波数の差Δfが<2fmであることを特徴とする発振器。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の発振素子の各々をＯＮまたはＯＦＦにする制御を前記発振器が搭載された半導体集積回路の外部から入力された信号に基づいて行うことを特徴とする発振器。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の発振素子の各々がＯＮ状態であるときとＯＦＦ状態であるときとでインピーダンスが互いに異なることから出力が共通にされ、
その共通出力となっている部分で、ＯＮ側は負荷と整合し、かつ、ＯＦＦ側はハイインピーダンスとなるよう構成されている
ことを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項５において、
前記発振器の並列数が２であることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項６において、
前記発振器の出力部分にブランチラインカプラを備えていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項１において、
前記発振器は樹脂封止されていることを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項８において、
前記複数の発振素子の各々がそれぞれの可変範囲を有することを特徴とする発振器。
【請求項１０】
請求項９において、
前記発振器の可変範囲を±fmとした場合、各発振素子の発振周波数は、隣あう中心周波数の差Δfが<2fmであることを特徴とする発振器。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記複数の発振素子の各々をＯＮまたはＯＦＦにする制御を前記発振器が搭載された半導体集積回路の外部から入力された信号に基づいて行うことを特徴とする発振器。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記複数の発振素子の各々がＯＮ状態であるときとＯＦＦ状態であるときとでインピーダンスが互いに異なることから出力が共通にされ、
その共通出力となっている部分で、ＯＮ側は負荷と整合し、かつ、ＯＦＦ側はハイインピーダンスとなるよう構成されている
ことを特徴とする発振器。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記発振器の並列数が２であることを特徴とする発振器。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記発振器の出力部分にブランチラインカプラを備えていることを特徴とする発振器。
【請求項１５】
発振器と共にアンテナ、増幅器、および混合器が共通の基板上に設けられているＭＭＩＣであって、
前記発振器は、
前記共通の基板上に形成され、かつ、出力が共通に接続された複数の発振素子を具備して成り、
前記複数の発振素子の中で、いずれか１つの発振素子のみがＯＮし、かつ、前記１つの発振素子以外の他の全ての発振素子がＯＦＦするように構成されている
ことを特徴とするＭＭＩＣ。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記ＭＭＩＣは速度計測用のセンサとして利用されていることを特徴とするＭＭＩＣ。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記ＭＭＩＣは樹脂パッケージで封止されていることを特徴とするＭＭＩＣ。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記樹脂パッケージ上面に誘電体レンズを備えていることを特徴とするＭＭＩＣ。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記ＭＭＩＣは速度計測用のセンサとして利用されていることを特徴とするＭＭＩＣ。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記発振器の発振周波数が２０ＧＨｚ以上であることを特徴とするＭＭＩＣ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波またはミリ波を利用するレーダセンサシステムに用いられる発振器およびＭＭＩＣに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、２０GHz以上のミリ波や準ミリ波の信号を利用するレーダセンサとして、当該レーダセンサを構成する発振器や混合器等の能動回路とアンテナとが同一の半導体基板上に形成されたモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit）１チップでレーダ機能を有し、そのMMICチップが更に樹脂パッケージで封止された構成を有するものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、電圧制御発振器（VCO：Voltage Controlled Oscillator）の発振周波数調整方法として、マイクロストリップラインとそれに並列接続されたコンデンサとにより共振素子が構成され、マイクロストリップラインのコンデンサと反対側の偏からマイクロストリップラインの一部を削除して発振周波数を調整するものがあった（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、従来、高々２GHz程度の周波数で動作する携帯電話用高周波集積回路として、発振周波数が切替え可能なオンチップの電圧制御発振回路に関する技術があった（例えば、特許文献３および４参照）。
【０００５】
また、従来、高々ＵＨＦ帯の周波数で動作する主としてテレビジョン受像装置などの通信装置用の高周波集積回路として、複数の局部発振器が設けられ、それらの中からいずれか１つが選択回路によって選択される構成を有するものがあった（例えば、特許文献５および６参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１５４３８号公報
【特許文献２】特開平８−１３９５２３号公報
【特許文献３】特開２００４−１１２７５０号公報
【特許文献４】特開２００４−１１２７４９号公報
【特許文献５】特開２００３−２９８４１６号公報
【特許文献６】特開２００３−２０９４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来から、電波を放射し、その電波が物体で反射し、その反射波を受信して物体の有無、速度、位置等を検知するレーダ装置（以下レーダの略称）は広く利用されている。近年、この電波はミリ波、マイクロ波等の超高周波が利用されるようになり、ミリ波を用いたレーダは、自動車用車載レーダとして、衝突防止システムや前車との車間距離警報システムなどに利用されている。
【０００８】
図１２は一般的なレーダのブロック構成を示す図である。図１２に示すように、レーダは、発振器１１・分配器１２・送信増幅器１３・送信用アンテナ３８・混合器１７・受信増幅器１６・受信アンテナ３９から構成されている。発振器１１からの信号を分配器１２で２つに分岐して、一方を混合器１７の基準信号として入力して、もう一方を送信増幅器１３で信号を増幅し送信アンテナ３８から電波を空間に放射する。放射された電波は、空間で物体に反射して受信アンテナ３９からレーダに入力される。この信号を受信増幅器１６で増幅して混合器１７で基準信号と比較して信号を出力する。さらに、小型化を目指し１チップでレーダ機能を有し、そのチップを樹脂封止する技術が特許文献１に開示されている。
【０００９】
基本的に車載レーダに用いられる周波数は、マイクロ波・ミリ波の高周波であり、高周波発振器はプロセスバラツキにより大きく変動してしまい、発振周波数が仕様範囲から外れてしまう問題がある。そこで、従来はトリミングの手法を利用して発振周波数を調整していた。
【００１０】
図１３は上記の特許文献２の図１に基づいて本発明の発明者らが独自の視点から問題点を抽出するために作成した模式図であり、トリミングの手法を用いて発振周波数を調整する構成の一例を示す図である。図１３に示すように共振器３７の線路の一部にトリミング用領域を設け、当該トリミング用領域の大きさを変化させることでトリミングを行って発振周波数を調整する。
【００１１】
従来技術のトリミングによる周波数調整では、チップ一つ一つに調整が必要であり、製造工程数の増加となり、コストが高くなるという問題があった。
【００１２】
また、信頼性を得るためにＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）表面に保護膜を設けている場合もある。この場合は保護膜を破壊してしまうためトリミングを行うと信頼性が劣化するという問題がある。
【００１３】
さらに、特許文献１に開示されるようにＭＭＩＣを樹脂パッケージで封止する場合においては、樹脂による寄生容量等の変化により、ＭＭＩＣを構成するＦＥＴの周波数特性が変化し、もって樹脂封止前後で発振周波数が変わってしまうことがある。そのため、封止前に上記特許文献２のトリミングの手法によって発振周波数調整を行っても封止後には調整が崩れてしまう。そこで、封止後に発振周波数調整をしたいところである。しかしながら、封止後においては、デバイス構造上、少なくとも上記特許文献２の手法ではトリミングを行うことが出来ないため、結局、樹脂封止を用いるＭＭＩＣにトリミングの手法を適用して発振周波数調整を行うことは不可能であり、そのため、歩留まりが低下するという問題があった。
【００１４】
ところで、複数のＶＣＯが共通基板上に設けられ、それらのうちの１つが選択的に使用される構成は、上述のように、例えば特許文献３および４の携帯電話用高周波集積回路や、特許文献５および６のテレビジョン受像装置用高周波集積回路などでは従来からいくつか例が見られた。しかしながら、これらはいずれも高々ＵＨＦ帯程度の周波数で動作する高周波集積回路である点に注意すべきである。換言すれば、ミリ波・マイクロ波帯の周波数で動作するレーダ装置用高周波集積回路において、動作周波数がミリ波・マイクロ波帯であることからプロセスバラツキによる発振周波数の変動が不可避的に大きくなる複数のＶＣＯが共通基板上に設けられ、かつ、それらのうちの１つが選択的に動作する構成は、従前に例がない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。
【００１６】
すなわち、本発明の発振器は、共通の基板上に形成され、かつ、出力が共通に接続された複数の発振素子を具備して成り、前記複数の発振素子の中で、いずれか１つの発振素子のみがＯＮし、かつ、前記１つの発振素子以外の他の全ての発振素子がＯＦＦするように構成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のＭＭＩＣは、発振器と共にアンテナ、増幅器、および混合器が共通の基板上に設けられているＭＭＩＣであって、前記発振器が上述のように構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、マイクロ波・ミリ波帯の周波数で動作する高周波集積回路に内蔵される発振器の発振周波数がプロセスバラツキの影響で変動することを抑制でき、特に樹脂パッケージを行う発振器において、歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
上記の課題を解決するため、本発明のレーダセンサは、発振回路を同一ＭＭＩＣ基板上に複数設け、その複数の発振器の中から最適な一台のみ駆動し、その他の発振器は停止する。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態としては、各発振器の発振周波数を可変できるようにしておき、隣あう発振器の周波数領域を多少重なるようにして、発振周波数の不連続点をなく、連続的に可変できるようにする。
【００２１】
さらに、発振器出力にバッファを設けて、その複数のバッファ出力が結合される部分において、発振器が駆動している時は負荷と整合するインピーダンスに、発振器が停止している時は高インピーダンスになるようにすると、発振器からの信号を低損失で負荷側に伝送する。
【００２２】
特に、樹脂封止を行った場合はトリミングによる周波数調整を行うことが出来ないので、発振器を複数設けて可変範囲を拡大することで、発振周波数による不良を減らし歩留まりを向上させる。
【００２３】
以下、本発明の各実施例を、それぞれ図面の記載に基づいて説明する。
【００２４】
[実施例１]
図１に本発明の発振器の概要図を示す。発振器１１を複数並列に並べ、この発振器の出力を一つに結合し負荷に接続する。例えば、この発振器１１には ＶＣＯ(Voltage-Controlled Oscillator)を用いる。ＶＣＯの回路の一例を図２に示す。ＶＣＯ用のＦＥＴ（Field Effect Transistor）３１のドレイン端子は分布定数線路３０を介して回路負荷に接続し、λ/４の分布定数線路２９で直流電圧Ｖｄに接続する。また、ゲート端子には負性抵抗発生用素子２８が接続され、抵抗２７を介して直流電圧Ｖｇが接続されている。更に、ソース端子にはオープンスタブの共振器３２を接続し、このオープンスタブ３２の先端にバラクタダイオード３３を接続している。また、ソース端子は、λ／４の分布定数線路２９を介してＧＮＤに接地する。発振周波数制御端子から、このバラクタダイオード３３に逆バイアス電圧で印加して空乏層の幅を変化させ発振周波数を可変する。
【００２５】
図３に例えばＶＣＯI、ＶＣＯIIの２個並列に並べた場合の周波数分布例を示す。２つのＶＣＯを同一基板上に近接配置させ、プロセスバラツキによる発振周波数変化方向を同一にする。そうすることで、発振周波数が低域側にシフトすれば高い周波数発振用のＶＣＯIIが仕様範囲となり、高域側にシフトした場合は低い周波数発振用のＶＣＯIが仕様範囲となり、どちらにシフトした場合でも仕様範囲を満たす発振周波数を得ることができる。
【００２６】
同様に、発振器nの中心周波数を〔数１〕、
2010074203.tif 000003
【００２７】
一番低い発振周波数を〔数２〕、
2010074203.tif 000004
【００２８】
一番高い発振周波数を〔数３〕
2010074203.tif 000005
【００２９】
とした時に、例えば、
〔数４〕
2010074203.tif 000006
【００３０】
が成り立つように発振器nとn-1の発振周波数可変領域を重なるようにすれば不連続点がなく周波数を連続的に変化させることも可能である。
【００３１】
さらに、図２に示すＶＣＯの例では発振周波数は、負荷、負性抵抗発生素子２８、共振器３２、バラクタ３３で決まる。そこで、この要素のうち、一要素のみ、例えば負性抵抗発生素子２８のみを変化させ設計を行うと中心周波数の調整は簡易になる。なお、上記説明では図２のＶＣＯ構成を例に説明したが、別の構成の発振器を用いた場合でも、同様の効果が得られるのは、明らかである。
【００３２】
発振器の駆動/停止の選択方法は、例えばＶＣＯ用ＦＥＴのＶｄに動作電圧を印加するか、印加しないかとＦＥＴのバイアス条件で行えば、ＭＭＩＣ外部から簡単に制御できる。
【００３３】
[実施例２]
図４の実施例では、複数の並列に並べられているＶＣＯのどれが駆動した場合においても信号を低損失で負荷に入力する例を示している。
【００３４】
まず、ＶＣＯ１１の出力にバッファ２３を設け、ＶＣＯ１１、バッファ２３、整合回路２４、特性インピーダンス線路２５を一組のＶＣＯ群として出力を共通にして並列に並べる。
【００３５】
ここで、例えばバッファをＦＥＴなどのアクティブ素子とすると、ＶＣＯ１１およびバッファ２３に駆動電圧を印加したＯＮ状態、０ＶとしたＯＦＦ状態でバッファ出力位置でのインピーダンスが異なる[図４（Ａ）]。そこで、整合回路２４出力位置で、ＶＣＯ１１・バッファ２３がＯＮでは、使用周波数で負荷と整合するインピーダンス（スミスチャートで中心付近）とし、それと同時にＶＣＯ１１・バッファ２３をＯＦＦとした時は、負荷と整合せず全反射するようなインピーダンス（スミスチャートで外周付近）となるようにする[図４（Ｂ）]。それから、負荷と整合する特性インピーダンス線路２５にてＯＦＦのインピーダンスが高インピーダンス（スミスチャートで右端）となる長さの線路を整合回路出力に接続する。すると、出力が共通にされている位置で、ＯＮの場合は負荷と整合するインピーダンスとなり、ＯＦＦの場合は高インピーダンスとなる[図４（Ｃ）]。
【００３６】
例えば、２つのＶＣＯ群、ＶＣＯ群ａ、ＶＣＯ群ｂが並列に並んでいるとする。この時、ＶＣＯ群ａを使用する場合、ＶＣＯ群ａをＯＮとして、ＶＣＯ群ｂをＯＦＦとする。すると、出力を共通にされている部分において、ＶＣＯ群ａ側は負荷と結合されるインピーダンスとなり、ＶＣＯ群ｂ側は高インピーダンスとなる。この結果、ＶＣＯ群ａの信号が負荷に入力され、ＶＣＯ群ｂ側に流れ込むことはない。
【００３７】
また、ＶＣＯ群ｂを使用する場合は、ＶＣＯ群ａをＯＦＦとして、ＶＣＯ群ｂをＯＮとする。そうするで、ＶＣＯ群ｂの信号がＶＣＯ群ａ側に流れ込むことなく負荷に入力される。
【００３８】
並列の数が増えた場合も同様で、ＯＦＦとすれば、共通位置で高インピーダンスとなるため、信号が流れ込まず、ＯＮしているＶＣＯ群の信号が負荷に入力される。
【００３９】
このようにすることで、高周波のスイッチ回路が不要で、且つＭＭＩＣ外部電圧で、発振器を選択できる。
【００４０】
[実施例３]
図５にブランチラインカプラを用いた場合のＶＣＯ２個を並列に並べる一例を示す。
【００４１】
ブランチラインカプラ２６とは４つの伝送線路で構成された４ポート回路のことで、各線路の組合せにより様々な特性を得ることができる。図６Ａに一般的に用いられる３ｄＢブランチラインカップラの回路図を、図６Ｂおよび図６Ｃにその動作を、それぞれ示す。図６Ｂは図６Ａのポート１（Port1）に信号が入力した場合の動作を、図６Ｃは図６Ａのポート４（Port4）に信号が入力した場合の動作を、それぞれ示す。各ポートにＺ０のインピーダンスが接続されている場合、Ｚｏと
〔数５〕
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【００４２】
の電気長λ/４の線路の組合せで３ｄＢカップルを実現できる。例えば、図６Ｂのようにポート１に信号を入力した場合、ポート２、３から−３ｄＢの同強度の信号が出力され、ポート４からは信号が出力されない。また、図６Ｃのようにポート４に信号を入力した場合はポート２、３から−３ｄＢの同強度の信号が出力され、ポート１からは信号が出力されない。
【００４３】
そこで、図５に示す本発明の実施例は、ＶＣＯ１１の出力にバッファ２３を設け、バッファ２３出力に整合回路２４を介して、ブランチラインカップラ２６に接続する。もう一つのＶＣＯ１１＿１も同様にバッファ２３＿１・整合回路２４＿１を介してブランチラインカプラ２６に接続する。さらに、ＶＣＯ１１の接続されていない側のブランチラインカプラ２６のポートの１つを終端し、もう一方を負荷に接続する。
【００４４】
ここで、バッファ２３は入力インピーダンス変化に対する出力インピーダンスの変化が小さくなるように、バッファ２３には駆動電圧を印加しておきアイソレーションが取れるようにする。そうすれば、ＶＣＯ１１をＯＮしても、ＯＦＦにしても、ブランチカプラ入力位置でのインピーダンスは変化しない。そのため、ブランチラインカプラ２６の特性が変化しないため、ポート１に信号を入力すれば、ポート２、３から同強度信号が出力される。同様にポート４に信号を入力すれば、ポート２、３から同強度信号が出力される。つまり、ポート１、ポート４のどちらに信号を入力しても、ポート２、３から同強度信号が出力されることになる。
【００４５】
従って、ＶＣＯａとＶＣＯｂの２つが並列に並んでいる場合、ＶＣＯａの信号を使用する場合は、ＶＣＯａのＦＥＴをＯＮ、ＶＣＯｂのＦＥＴをＯＦＦにする。ＶＣＯｂの信号を使用する場合は、ＶＣＯａのＦＥＴをＯＦＦにして、ＶＣＯｂのＦＥＴをＯＮすればよい。
【００４６】
こうすることで、高周波のスイッチ回路が不要で、且つＭＭＩＣ外部電圧でＶＣＯの選択を行うことができる。
【００４７】
[実施例４]
図７Ａに本発明のＶＣＯをレーダに適用した場合の一例を示す。この実施例は、従来型レーダの小型化・低コスト化を目的としており、分配器１４を用いることで、アンテナ１５を送受兼用としている。レーダを構成する、ＶＣＯ１１、送信増幅器１３、送受兼用アンテナ１５、受信増幅器１６、混合器１７の全てを同一のＭＭＩＣ１８上に設ける。このように、１チップでレーダ機能を持たせ小型化を図っている。さらに、高周波部分は全てチップ上に実装しているため、高周波部分のワイヤボンディング等の作業がないため、組立が簡易であり低コスト化に繋がる。しかし、ＶＣＯも一体になっているため、周波数が仕様から外れてしまうと、全てが不良となってしまう。そこで、本発明のＶＣＯを並列に複数並べることで、発振周波数の可変範囲が拡大して歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
また、図７Ｂにブランチラインカプラ２６を設けた場合の１チップレーダのブロック図を示す。基本的な構成は図７Ａと同じで、ＶＣＯ１１、送信増幅器１３、送受兼用アンテナ１５、受信増幅器１６、混合器１７の全てを同一のＭＭＩＣ１８上に設ける。ここで、レーダおいては、送信側と受信側に２出力必要なため、ブランチラインカプラ２６の終端を外し、分配器１２の役割も兼ねさせている。
【００４９】
[実施例５]
例えば、図８Ａおよび図８Ｂに示すように前記ＭＭＩＣを樹脂封止する。樹脂で封止を行うと、ＦＥＴの上面や伝送線路上面にも樹脂が被さるため、樹脂封止前後で寄生容量等が変化し発振周波数が変わってしまう。そのため、樹脂封止後において発振周波数の調整が必要となる。例えば、その手段として樹脂パッケージ１９外部からの電圧制御することが可能であると比較的簡易に調整を行うことが出来る。ここで、図８Ａは本実施例のブロック構成を示す平面図（上面図）、図８Ｂはその断面図である。
【００５０】
例えば、樹脂封止したパッケージ１９をマザーボード２２に実装する。マザーボード２２には電圧制御回路２１を実装しておき、パッケージのピンを介してＭＭＩＣの発振制御端子２０に接続し電圧を制御する。
【００５１】
そこで、ＶＣＯの複数個を並列に並べ、電圧制御回路２１でＦＥＴのバイアス条件で変えて、ＶＣＯの選択および発振周波数の調整を行い、歩留まりを向上する。
【００５２】
[実施例６]
図９に樹脂封止行ったＭＭＩＣの更なる実施例を示す。１チップのＭＭＩＣにアンテナも設けるため、アレー化したアンテナではチップ面積が大きくコストが高くなる。そこで、例えば樹脂パッケージ上面にドーム上の誘電体レンズ３４を設け、アンテナ利得が足りない分をレンズで補ってもよい。
【００５３】
[実施例７]
さらに、この小型レーダを使用した例を図１０に示す。車３６に小型レーダ３５を搭載して、電波を道路等の静止している物体に照射し、道路からの反射波を受信する。この照射した電波の周波数と反射波の周波数の間には、ドップラ周波数が生じる。このドップラ周波数を計測することで車３６の速度を測定する速度センサとして用いることが出来る。別に、車に限らず自転車や電車などの移動する物の速度センサとして使用できる。
【００５４】
[実施例８]
さらに、図１１に示すように車３５に小型レーダ３６を搭載して、車の前方や後方や側方等の周辺監視レーダとして使用することもできる。
【００５５】
他に、物体が移動した/通過した等を検知するモーションセンサとして使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】複数の発振素子から成る本発明のＶＣＯの概要図である。
【図２】本発明のＶＣＯを構成する複数の発振素子の１つに相当する回路図である。
【図３】本発明の周波数範囲を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例のブロック図である。
【図５】本発明の第３の実施例のブロック図である。
【図６Ａ】本発明の第３の実施例で使用される一般的なブランチラインカプラの回路図である。
【図６Ｂ】本発明の第３の実施例で使用される一般的なブランチラインカプラの動作を示す図であって、図６ＡのPort1に信号が入力された場合の動作を示す図である。
【図６Ｃ】本発明の第３の実施例で使用される一般的なブランチラインカプラの動作を示す図であって、図６ＡのPort4に信号が入力された場合の動作を示す図である。
【図７Ａ】本発明の第４の実施例のブロック構成であって、本発明のＶＣＯをレーダに適用した場合の一構成例を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の第４の実施例のブロック構成であって、本発明のＶＣＯをレーダに適用した場合の一構成例としてブランチラインカプラを設けた場合の１チップレーダのブロック構成を示す図である。
【図８Ａ】本発明の第５の実施例のブロック構成を示す平面図（上面図）である。
【図８Ｂ】本発明の第５の実施例のブロック構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第６の実施例の断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施例の概要図である。
【図１１】本発明の第８の実施例の概要図である。
【図１２】レーダのブロック図である。
【図１３】従来の実施例の発振回路図である。
【符号の説明】
【００５７】
11  発振器
12  分配器
13  送信増幅器
14  分配器
15  送受兼用アンテナ
16  受信増幅器
17  混合器
18  ＭＭＩＣ
19  樹脂パッケージ
20  発振制御端子
21  電圧制御回路
22  マザーボード
23  バッファ
24  整合回路
25  特性インピーダンス線路
26  ブランチラインカプラ
27  抵抗
28  負性抵抗発生素子
29  λ/４伝送線路
30  分布定数線路
31  発振器ＦＥＴ
32  共振器
33  バラクタ
34  誘電体レンズ
35  小型レーダ
36  車
37  共振器
38  送信アンテナ
39  受信アンテナ。
【図１】
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【図２】
2010074203.tif 000009
【図３】
2010074203.tif 000010
【図４】
2010074203.tif 000011
【図５】
2010074203.tif 000012
【図６Ａ】
2010074203.tif 000013
【図６Ｂ】
2010074203.tif 000014
【図６Ｃ】
2010074203.tif 000015
【図７Ａ】
2010074203.tif 000016
【図７Ｂ】
2010074203.tif 000017
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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