(57)【要約】【課題】基板に発生した欠陥を検出した際、該欠陥の発生原因となっている装置を特定する欠陥原因装置特定システムを提供する。【解決手段】欠陥及びその特性を求める欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって検出された欠陥とその特性値を記憶する検査結果管理データベースと、基板が接触する装置の位置を記憶する基板接触位置データベースと、基板が装置内を通過した履歴を記憶する基板通過履歴データベースと、欠陥の特性と欠陥発生装置の対比を示す特性値−装置紐付けデータベースと、前記検査結果管理データベースに記憶されている検出された欠陥とその特性値を前記基板接触位置データベースと前記基板通過履歴データベースと前記特性値−装置紐付けデータベースと照合し、照合して得られた照合結果から基板の欠陥原因装置を特定する欠陥原因装置特定手段とを有することを特徴とする基板の欠陥原因装置特定システム。【選択図】図４
2010134011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する複数の装置を有する処理装置において、基板の欠陥の発生原因となっている欠陥原因装置を特定するシステムであって、欠陥及びその特性を求める欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって検出された欠陥とその特性値を記憶する検査結果管理データベースと、基板が接触する装置の位置を記憶する基板接触位置データベースと、基板が装置内を通過した履歴を記憶する基板通過履歴データベースと、欠陥の特性と欠陥発生装置の対比を示す特性値−装置紐付けデータベースと、前記検査結果管理データベースに記憶されている検出された欠陥とその特性値を前記基板接触位置データベースと前記基板通過履歴データベースと前記特性値−装置紐付けデータベースと照合し、照合して得られた照合結果から基板の欠陥原因装置を特定する欠陥原因装置特定手段とを有することを特徴とする基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項２】
前記欠陥検査装置によって得られた欠陥発生座標とその周辺座標に対して前記特性測定装置によって特性値の多点測定を行うことを特徴とする請求項１記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項３】
前記検査装置によって得られた検査結果から共通欠陥を特定することを特徴とする請求項１または２に記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項４】
前記欠陥原因装置に対して、基板受入停止指示を発令することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項５】
前記欠陥が発生した旨と欠陥原因装置をランキング表示することによって、オペレータへアラーム通知することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項６】
前記欠陥はムラ欠陥であり、前記基板はカラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【請求項７】
前記特性値−装置紐付けデータベースを順次更新することを特徴とする請求項1から６のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等に使用される基板の処理装置において発生する基板の欠陥原因装置を特定するシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は前記基板の例として、カラー液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ基板の一例を示した平面図であり、基板１０上にブラックマトリックス（以下、ＢＭ）１１、着色画素（レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢ）（以下、ＲＧＢ画素）１２、透明電極１３、フォトスペーサー（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｐａｃｅｒ）（以下、ＰＳ）１４が順次形成されたものである。
【０００３】
ＢＭ１１は、遮光性を有するマトリックス状のものであり、カラーフィルタのＲＧＢ画素の位置を定め、大きさを均一なものとし、また、表示装置に用いられた際に、好ましくない光を遮断し、表示装置の画像をムラのない均一な、且つコントラストを向上させる機を有している。ＲＧＢ画素は、レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢのフィルター機能を有するものである。
【０００４】
基板１０上へのＢＭ１１の形成は、例えば、基板１０上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィー法によってＢＭ形状を有したパターンを露光、現像、エッチングをして形成するといった方法や、または、基板１０上に黒色のフォトレジスト樹脂を塗布し、この樹脂塗膜をフォトリソグラフィー法によってＢＭ形状を有したパターンを露光、現像して、いわゆる樹脂ＢＭと称するパターンを形成する方法がとられている。
【０００５】
液晶表示装置の多くに用いられている上記構造のカラーフィルタの製造方法は、フォトリソグラフィー法、印刷法、インクジェット法が知られているが、図２はフォトリソグラフィー法の工程を示す概略ブロック図である。カラーフィルタは、先ず基板上にＢＭ（ＢＭ）を形成する工程、基板を洗浄する工程、着色フォトレジストを塗布する工程、着色フォトレジストを乾燥する工程、露光する工程、現像する工程、焼成する工程、透明電極を成膜する工程、ＰＳを形成する工程がこの順に行なわれ製造される。
【０００６】
例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の順に画素が形成される場合には、基板を洗浄する工程から、焼成する工程間ではレッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢの順に着色レジストを変更して３回繰り返されてＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素が形成される。
【０００７】
一般に液晶表示装置に用いられるカラーフィルタには、全面に渡ってＲＧＢ画素が均一な濃度に保たれることや、更には異物の付着による黒ピンと呼ばれる点状の黒欠陥や、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の一部が白抜けした白ピンと呼ばれる白欠陥やスジ状の欠陥等が無いことが求められる。しかしながら、カラーフィルタの製造工程において、着色レジストの品質や塗布時の温度条件、乾燥条件、露光条件、乾燥条件等の設定の不具合や、更には各工程で使われる製造装置の不具合等によって、基板上に着色フォトレジストが均一に塗布されなかったり、均一に塗布されたとしても塗布後の予備乾燥やプリベーク乾燥工程、現像工程において、部分的に着色レジストの濃度変化が発生することがある。この濃度変化部はムラと称されるが、ムラがあるカラーフィルタを表示装置に使用した場合には、その表示装置には色ムラが発生してしまう。また、黒ピンや白ピンやスジ状欠陥があるカラーフィルタの場合はその部分のカラー表示が出来なくなるといった不都合が生じる。
【０００８】
欠陥の検査は、マクロ検査と呼ばれる目視による検査方法と検査機による自動検査方法によって、欠陥の大きさと濃度等によるＯＫレベルかＮＧレベルかの判定が行われている。
【０００９】
しかし、上記の従来技術では、目視による検査方法の場合には、検査員の身体的、精神的状態で検査結果が異なることや、個々の検査員によって検査の判定基準が相違することから、検査結果が変わってしまう問題があり、自動検出方法の場合には、検査でＯＫレベルと判定された欠陥であっても客先からのクレームとなったり、多数の基板の同一箇所に発生しているいわゆる共通欠陥を見逃すといった問題が発生している。
【００１０】
上記問題を解決するために、客先クレームとなりうる欠陥を特定する仕組みや、カラーフィルタに発生した欠陥を検出した際、該欠陥の発生原因となっている製造装置を特定し、前記発生原因となっている製造装置の停止をすばやく行うことで、品質基準を満たさない欠陥のあるカラーフィルタの発生を抑制することが望まれていた。
基板の欠陥を検査する方法を例として、一般的な先行技術文献を示す。
【特許文献１】特開平１１−３２６１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記の問題を鑑みてなされたもので、基板に発生した欠陥を検出した際、該欠陥の発生原因となっている装置（以下、原因装置）を特定をすることで、該原因装置の停止をすばやく行うことを可能とし、欠陥の発生を抑制することを可能とする欠陥原因装置特定システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に係る発明は、基板を処理する複数の装置を有する処理装置において、基板の欠陥の発生原因となっている欠陥原因装置を特定するシステムであって、欠陥及びその特性を求める欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって検出された欠陥とその特性値を記憶する検査結果管理データベースと、基板が接触する装置の位置を記憶する基板接触位置データベースと、基板が装置内を通過した履歴を記憶する基板通過履歴データベースと、欠陥の特性と欠陥発生装置の対比を示す特性値−装置紐付けデータベースと、前記検査結果管理データベースに記憶されている検出された欠陥とその特性値を前記基板接触位置データベースと前記基板通過履歴データベースと前記特性値−装置紐付けデータベースと照合し、照合して得られた照合結果から基板の欠陥原因装置を特定する欠陥原因装置特定手段とを有することを特徴とする基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１３】
本発明の請求項２に係る発明は、前記欠陥検査装置によって得られた欠陥発生座標とその周辺座標に対して前記特性測定装置によって特性値の多点測定を行うことを特徴とする請求項１記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１４】
本発明の請求項３に係る発明は、前記検査装置によって得られた検査結果から共通欠陥を特定することを特徴とする請求項１または２に記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１５】
本発明の請求項４に係る発明は、前記欠陥原因装置に対して、基板受入停止指示を発令することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１６】
本発明の請求項５に係る発明は、前記欠陥が発生した旨と欠陥原因装置をランキング表示することによって、オペレータへアラーム通知することを特徴とする請求項１から４の
いずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１７】
本発明の請求項６に係る発明は、前記欠陥はムラ欠陥であり、前記基板はカラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【００１８】
本発明の請求項７に係る発明は、前記特性値−装置紐付けデータベースを順次更新することを特徴とする請求項1から６のいずれかに記載の基板の欠陥原因装置特定システムである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の欠陥原因装置特定システムによれば、欠陥の発生原因となっている原因装置の特定が可能となり、その結果、原因装置の対策を行うことが可能となり、欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照してこの発明に係わる基板の欠陥原因特定システムをカラーフィルタ基板のムラ欠陥の原因装置を特定する場合をを例として、実施するための最良の形態を説明する。
【００２１】
図３は本発明の実施形態に係わる基板の欠陥原因装置特定システムが適用されるカラーフィルタ製造工程の一例を示す。
【００２２】
基板は基板投入装置によって洗浄装置に投入され（Ｓ１）、洗浄された後（Ｓ２）、フォトレジストが塗布され（Ｓ３）、乾燥される（Ｓ４）。乾燥後、フォトレジストの膜厚が測定され（Ｓ５）、膜厚が品質基準管理値内にあるか否かが判断される。その後、塗布ムラ検査（Ｓ６）と露光前異物検査（Ｓ７）が行われ、欠陥の無いものは露光装置で露光用のマスクパターンを用いて露光される（Ｓ８）。露光後、現像され（Ｓ９）、露光によるムラ欠陥が無いかが露光ムラ検査によって行われる（Ｓ１０）。その後、基板に異物が付着していないか異物検査され（Ｓ１１）、焼成（Ｓ１２）される。焼成後、透明電極の成膜（Ｓ１３）、ＰＳが形成（Ｓ１４）された後、一部の基板はＰＳの高さ測定（Ｓ１５）とＢＭの線幅測定（Ｓ１６）が工程の外で行われ、測定の後、再び工程内に戻され基板回収装置によって回収される（Ｓ１７）。
【００２３】
図４は本発明の実施形態に係わる基板の欠陥原因装置特定システム全体を示す図である。基板の欠陥原因装置特定システムは、欠陥及びその特性を求める欠陥検出手段であるムラ欠陥検査装置（検査装置Ａ２７，検査装置Ｂ２８）と特性測定装置（特性測定装置Ａ２９、特性測定装置Ｂ３０、特性測定装置Ｃ３１）と前記欠陥検出手段によって検出された欠陥とその特性値を記憶する検査結果管理データベース（以下、ＤＢ）４１と、基板が接触する装置の位置を記憶する基板接触位置ＤＢ４２と、基板が装置内を通過した履歴を記憶する基板通過履歴ＤＢ４３と、欠陥の特性と欠陥発生装置の対比を示す特性値−装置紐付けＤＢ４４と、基板の欠陥原因装置特定手段として例えば欠陥原因装置特定システム実行用パソコン４０とを有している。
【００２４】
また、ライン制御システム２０は各処理装置すなわち基板投入装置２１、洗浄装置２２、レジスト塗布装置２３、乾燥装置２４、露光装置２５、現像装置２６、基板回収装置３２、各装置間の基板の搬送装置（図示せず）、及び検査装置Ａ２７，検査装置Ｂ２８、特性測定装置Ａ２９、特性測定装置Ｂ３０、特性測定装置Ｃ３１を制御している。
【００２５】
前記、検査結果管理ＤＢ４１と、基板接触位置ＤＢ４２と、基板通過履歴ＤＢ４３と、
特性値−装置紐付けＤＢ４４と、ムラ欠陥検査装置（検査装置Ａ２７，検査装置Ｂ２８）と、特性測定装置（特性測定装置Ａ２９、特性測定装置Ｂ３０、特性測定装置Ｃ３１）と、欠陥原因装置特定システム実行用パソコン４０と、ライン制御システム２０は例えばＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）等で相互に通信できるように接続されている。また、検査装置（検査装置Ａ２７，検査装置Ｂ２８）と特性測定装置（特性測定装置Ａ２９、特性測定装置Ｂ３０、特性測定装置Ｃ３１）と基板投入装置２１と洗浄装置２２とレジスト塗布装置２３と乾燥装置２４と露光装置２５と現像装置２６と基板回収装置３２と各装置間の基板の搬送装置（図示せず）とライン制御システム２０は、例えばシーケンサ間通信でデータ授受を行う。
検査装置Ａ（例えば図３の塗布ムラ検査）、検査装置Ｂ（例えば図３の露光ムラ検査）は全基板に対して従来技術を採用した、例えば工程センサカメラ等での撮像画像を用いた検査で、基板上のムラ欠陥の有無を検査する。
【００２６】
カラーフィルタの欠陥には、前記ムラ欠陥以外にも前記黒ピン、白ピンと称される点欠陥や異物の付着欠陥等があるが、ムラ欠陥は他の欠陥と比較して面積が大きく、非ムラ部とのコントラストが小さいことから、ムラ欠陥だけを検査する方法が一般的に採用されている。
【００２７】
特性測定装置Ａ（例えば図３の膜厚測定）、特性測定装置Ｂ（例えば図３のＰＳ高さ測定），特性測定装置Ｃ（例えば図３の線幅測定）は、例えばレジスト膜厚，ＰＳ高さ，ＢＭ線幅の特性値を測定する。
【００２８】
ライン制御システム２０は、工程内に存在する全ての基板に対して、トラッキングデータ（基板の移動と共に基板の位置データを順次変更して、基板の位置を逐次追尾する）と呼ばれるデータを付加し、そのデータ（制御フラグ）を用いて基板の工程内での搬送先などを制御する。
【００２９】
検査結果管理ＤＢに登録される特性値は、全ての測定基板の特性値が蓄積される。
【００３０】
検査結果管理ＤＢの項目と内容を表１に示す。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
検査結果管理ＤＢはムラ検査結果保存テーブル（表１（ａ））と特性値測定結果保存テーブル（表１（ｂ））から構成されている。
【００３３】
ムラ検査結果保存テーブル（表１（ａ））には基板ＩＤ、検査装置ＩＤ、検査判定、ムラ部開始座標Ｘ、ムラ部開始座標Ｙ、ムラ部終了座標Ｘ、ムラ部終了座標Ｙ、ムラ部コントラスト、ムラ欠陥サイズ、検査日時の項目が含まれている。
【００３４】
特性値測定結果保存テーブル（表１（ｂ））には基板ＩＤ、測定装置ＩＤ、座標Ｘ、座標Ｙ、測定値、検査日時の項目が含まれている。
【００３５】
基板接触位置ＤＢには、全装置のリフトアップピンやアライメントピン及びロボットハンドの吸着口など、装置の一部が基板に接触する箇所の基板上の座標データが蓄積される。
【００３６】
基板接触位置ＤＢと基板通過履歴ＤＢと特性値−装置紐付けＤＢを表２に示す。
【００３７】
【表２】
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【００３８】
基板接触位置ＤＢの項目と内容を表２（ａ）に示す。基板接触位置ＤＢ（表２（ａ））には装置ＩＤ、装置内位置ＩＤ（リフトアップピンやアライメントピン及びロボットハンドの吸着口など装置の一部が基板に接触する箇所の位置ＩＤ、またはリフトアップピンやアライメントピン接触位置を持たない装置に対しては、例えばレジスト塗布装置の場合は、基板が投入される部分と、基板がレジスト塗布される部分と、基板が搬出される部分の３つに部分分けをし、それぞれに装置内位置ＩＤを持つ）、座標Ｘ、座標Ｙ（基板接触位置座標を指すが、リフトアップピンやアライメントピン及びロボットハンドの吸着口などを持たない装置の場合は前記３つの部分に部分分けされて座標Ｘ、座標Ｙを持つ）の項目が含まれる基板接触位置テーブルがある。
【００３９】
基板通過履歴ＤＢには、製造された全基板に対し通過した装置の履歴、及び装置内の位置の履歴情報が蓄積される。
【００４０】
基板通過履歴ＤＢの項目と内容を表２（ｂ）に示す。基板通過履歴ＤＢ（表２（ｂ））には基板ＩＤ、装置ＩＤ、装置内位置ＩＤ（例えばレジスト塗布装置の場合は、基板が投入される部分と、基板がレジスト塗布される部分と、基板が搬出される部分の３つの部分分けし、それぞれに装置内位置ＩＤを持つ）、通過日時の項目が含まれる基板通過履歴保存テーブルがある。
【００４１】
特性値−装置紐付けＤＢの項目と内容を表２（ｃ）に示す。特性値−装置紐付けＤＢ（表２（ｃ））には装置ＩＤ、装置内位置ＩＤ（例えばレジスト塗布装置の場合は、基板が投入される部分と、基板がレジスト塗布される部分と、基板が搬出される部分の３つの部分分けし、それぞれに装置内位置ＩＤを持つ）、検査判定、ムラ部開始座標Ｘ、ムラ部開始座標Ｙ、ムラ部終了座標Ｘ、ムラ部終了座標Ｙ、ムラ部コントラスト、ムラ欠陥サイズ、ムラ形状（円形、スジ状など）、特性種別（ＰＳ高さ、レジス線幅など）、特性傾向（ＢＭ線幅細い、太いなど）発生頻度（５０％、２５％など）の項目が含まれる特性値−装置紐付けテーブルがある。
【００４２】
図５は基板のムラ欠陥の検出から原因装置を特定するまでのフロー図を示す。
【００４３】
ムラ欠陥は検査装置Ａ２７及び検査装置Ｂ２８で検出され（Ｆ１）、全ての検出された欠陥データは、検査結果管理ＤＢ４１へ保存される（Ｆ２）。
【００４４】
基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０は、ムラ欠陥が検出された基板の欠陥データを検査結果管理ＤＢ４１から検索する（Ｆ３）。次に検索された検査結果管理ＤＢ４１のムラ部開始座標Ｘ、ムラ部開始座標Ｙ、ムラ部終了座標Ｘ、ムラ部終了座標Ｙ、ムラ形状、ムラ部コントラスト、ムラ欠陥サイズ等のムラの特性情報をキーとして、特性値−装置紐付けＤＢ４４と比較し、特性値−装置紐付けＤＢ４４に同一の特性が登録されているかどうかを検索する（Ｆ４）。
【００４５】
検索した結果、同一の特性情報が登録されており（Ｆ５のＹＥＳ）、且つＤＢ検索した結果（Ｆ６）、検索結果が規格基準を満たしている、すなわちＯＫと判断された場合（Ｆ６のＯＫ）は、その特性情報に紐付く装置に対して後で示す共通ムラ欠陥判定処理を行う（Ｆ７）。前記ＯＫと判断された基板を共通ムラ欠陥判定処理する理由は、同じ欠陥が連続して発生していないかどうかを確かめるためである。共通ムラ欠陥と判定された場合（Ｆ８のＹＥＳ）は、次に原因装置特定処理（Ｆ９）を行った後、終了する（Ｆ１４）。共通ムラ欠陥ではないと判断された場合（Ｆ８のＮＯ）は、終了する（Ｆ１４）。
【００４６】
検索した結果、同一の特性情報が登録されており（Ｆ５のＹＥＳ）、且つＤＢ検索結果（Ｆ６）で規格基準を満たしていない、すなわちＮＧと判断された場合（Ｆ６のＮＧ）は、その特性情報に紐付く装置に対して後で示す原因装置特定処理（Ｆ９）が行われた後、終了する（Ｆ１４）。
【００４７】
検索した結果、同一の特性情報が登録されていない場合（Ｆ５のＮＯ）は、後で述べる特性値測定要求処理を行う（Ｆ１０）。特性値測定要求された基板はフラグが付加され、後で述べる特性値の多点測定（Ｆ１１）が行われた後、後で述べるムラ欠陥判定処理が行われ（Ｆ１２）、判定の結果（Ｆ１３）、規格基準を満たしていない、すなわちＮＧの場合は原因装置特定処理（Ｆ９）が行われた後、終了する（Ｆ１４）。判定の結果（Ｆ１３）、規格基準を満たしている、すなわちＯＫの場合は、終了する（Ｆ１４）。
【００４８】
前記特性値測定要求処理（Ｆ１０）は、基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０が、ライン制御システム２０を経由して、特性値測定要求フラグが付加された基板を、該当基板に紐付くトラッキングデータに基づいて、特性測定装置Ａ２９，特性測定装置Ｂ３０，及び特性測定装置Ｃ３１へ搬入することによって行われる。
【００４９】
特性値の多点測定は次の手順で行われる。ライン制御システム２０は、トラッキングデータに特性値測定要求フラグが付加された基板を、特性測定装置Ａ２９，特性測定装置Ｂ３０，及び特性測定装置Ｃ３１へ搬入する。特性測定装置Ａ２９，特性測定装置Ｂ３０，及び特性測定装置Ｃ３１は、搬入された基板に特性値測定要求フラグが付加されている場合は、特性値の多点測定を行う。その際に、特性測定装置Ａ２９，特性測定装置Ｂ３０，及び特性測定装置Ｃ３１は検査結果管理ＤＢ４１より、該当基板のムラ検査結果データ、すなわちムラ部開始座標Ｘ、ムラ部開始座標Ｙ、ムラ部終了座標Ｘ、ムラ部終了座標Ｙを取得し、ムラ欠陥部と非ムラ欠陥部に対して、集中的に多点測定を行う。多点測定を行った結果データは、検査結果管理ＤＢ４１へ保存される。ここで云う多点測定とは、例えば、レジスト膜厚、ＰＳ高さ、ＢＭ線幅である。
【００５０】
ムラ欠陥判定処理は次の手順で行われる。基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０は、検査結果管理ＤＢ４１から多点測定された特性値データを取得し、ムラと思われるムラ欠陥部と非ムラ欠陥部のそれぞれの測定値を比較する。比較した結果、一定値（ユーザーによる設定可能）以上の差異があれば、ムラ欠陥と判定する。また、多点測定を行ったムラ部の特性値情報と、ムラ検査機での検査判定、欠陥サイズ，画像コントラスト情報，及び非ムラ部と比較したムラ部の特性値傾向を紐付けて、特性値−装置紐付けＤＢ４４へ登録し、特性値−装置紐付けＤＢ４４を更新する。前記特性値傾向情報としては例えば、膜厚が厚い、膜厚が薄い、線幅が細い、線幅が太い、ＰＳ高さが高い、ＰＳ高さが低い等の情報が使われる。
【００５１】
前記特性値−装置紐付けＤＢ４４へ登録された登録情報を用いて欠陥サイズ，ムラ部コントラスト情報のみで、ＯＫレベルの欠陥かＮＧレベルの欠陥かを判定することが可能となる。
【００５２】
共通ムラ欠陥判定処理（Ｆ７）は次の手順で行われる。基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセスパソコン４０は、検査装置Ａ２７及び検査装置Ｂ２８でムラが検出されてから、指定枚数（例えば１０枚程度、ユーザーによる設定変更可）の共通座標（範囲）にムラ欠陥が発生がないか監視する。共通ムラ欠陥が検出された場合、その発生頻度情報を特性値−装置紐付けＤＢ４４に登録する。登録される発生頻度情報とは、発生頻度５０％（２枚に１枚発生）、発生頻度２５％（４枚に１枚発生）等である。前記登録された発生頻度情報と、基板通過履歴ＤＢ４３の情報を用いて、基板の搬送分岐箇所においてムラ欠
陥が発生している場合は、その発生部位を特定する判断材料となる。共通ムラ欠陥の発生がない場合は、次に示す原因装置特定処理を行う。
【００５３】
原因装置特定処理（Ｆ９）は次の手順で行われる。基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０は、基板通過履歴ＤＢ４３，基板接触位置ＤＢ４２，特性値−装置紐付けＤＢ４４に保存されているデータから、後で述べるムラ欠陥発生の原因装置を特定もしくは原因の可能性が高い複数の装置のランキングを表示する。判定された原因推定装置が１つの場合は、該当装置に対して後で述べる原因装置の停止処理を行う。判定された原因推定装置が複数の場合は、後で述べるオペレータ通知処理を行う。
【００５４】
原因装置を特定するフローを図６で説明する。原因装置特定が開始（Ｅ１）されると、先ずムラが発生した基板全てに対するムラ発生基板のＩＤを検査結果管理ＤＢ４１より取得し（Ｅ２）、ムラ発生基板の通過装置履歴を基板通過履歴ＤＢ４３から、ムラ発生基板の通過装置と装置内の位置を探索する（Ｅ３）。その結果探索された装置をリスト化し、装置リストＡを求める（Ｅ４）。次に、ムラ発生座標を検査結果管理ＤＢ４１から取得し（Ｅ５）、接触位置を持つ装置及び装置内の位置を基板接触位置ＤＢ４２から検索し（Ｅ６）、その結果から装置リストＢを求める（Ｅ７）。リスト化する際に、ムラの中心座標と接触位置との距離を算出し、より近い装置から優先順位付けする。更に、多点測定された特性値を検査結果管理ＤＢ４１から取得し（Ｅ８）、外観情報（コントラスト，サイズ，形状）、特性種別（ＰＳ高さ，レジストの膜厚、ＢＭの線幅など）、特性傾向（線幅細い、線幅太いなど）、発生頻度から原因と推定される装置を特性値−装置紐付けＤＢ４４から検索し（Ｅ９）、その結果から装置リストＣを求める（Ｅ１０）。リスト化する際に、外観と特性と発生頻度情報それぞれにおいて、ＤＢ情報により近い装置から優先順位付けする。前記リスト化された装置リストＡ、装置リストＢ、装置リストＣ全てに該当する装置Ｓを抽出する（Ｅ１１）。抽出された装置が複数存在する場合（Ｅ１２のＹＥＳ）は、装置リスト２、装置リストＣで付けられた優先順位を用いて、原因の可能性の高い装置からランキング表示を行い（Ｅ１３）、共通ムラ欠陥が発生した旨と原因推定装置をオペレータに通知し、ムラ欠陥の流出を防止する。装置Ｓが複数でない場合（Ｅ１２のＮＯ）は該装置を原因装置と特定し（Ｅ１４）、原因装置特定を終了する（Ｅ１５）。
【００５５】
前記リスト化された装置リストＡ、装置リストＢ、装置リストＣの一例を表３に示す。
【００５６】
【表３】
2010134011.tif 000005
【００５７】
表３では、装置リストＡは、レジスト塗布装置、乾燥装置、露光装置、現像装置がリスト化され、装置リストＢは、乾燥装置、レジスト塗布装置、露光装置が優先順位付けされてリスト化され、装置リストＣは、レジスト塗布装置、現像装置、乾燥装置が優先順位付けされてリスト化されている場合を示す。
【００５８】
表３の場合では、リスト化された装置リストＡ、装置リストＢ、装置リストＣから、全てに該当する装置Ｓ（図６のＥ１１）であるレジスト塗布装置、乾燥装置を抽出し、更に装置リストＢ、装置リストＣから原因の可能性の高い装置をランキング表示する。
【００５９】
ランキングの方法は、例えば装置リストＢ、装置リストＣ共に順位の低い順に１点、２点、３点等の点数付けを行う。この場合装置リストＢの乾燥装置は３点、レジスト塗布装置は２点となり、装置リストＣのレジスト塗布装置３点、乾燥装置は１点となり、装置リストＢでの点数と装置リストＣの点数を合計し、その結果、レジスト塗布装置５点、乾燥装置４点となり、ランキング表示は、レジスト塗布装置、乾燥装置の順にランキングされ表示される。
【００６０】
また、別のランキングの方法は、例えば特性値―装置紐付けＤＢから探索された装置リストＣにあげられる装置は、過去の欠陥発生の原因と推定される確立が高い等の理由がある場合には、装置リストＣには装置リストＢの２倍の重み付けを行い、装置リストＣのレジスト塗布装置６点、乾燥装置は２点の点数付けを行い、一方、重み付け装置リストＢは前記同様重み付けを行わず、乾燥装置は３点、レジスト塗布装置は２点とする。その結果、装置リストＢでの点数と装置リストＣの点数を合計し、レジスト塗布装置８点、乾燥装置５点となり、ランキング表示は、レジスト塗布装置、乾燥装置の順にランキングされ表示される。その他、基板の複数の処理装置の過去の欠陥発生の履歴等を鑑みて、最適なランキング方法を選択することが望ましい。
【００６１】
前記装置Ｓが複数でない場合は、該装置を原因装置として特定し、特定が終了した後、原因装置の停止処理が次の手順で行われる。原因と特定された装置に対して、基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０は、ライン制御システム２０を経由して、基板受入停止指示を発令する。指示を受けた装置は、ただちに上流装置から自装置への基板搬入を停止し、これ以上のムラ欠陥発生を抑止する。
【００６２】
一方、前記装置Ｓ複数の場合は、オペレータ通知が、基板の欠陥原因装置特定システム実行プロセス用パソコン４０によって行われ、ムラ欠陥が発生した旨とムラ欠陥原因推定装置をランキング表示することによって、オペレータへアラーム通知しすることで行われ、その結果、オペレータによる対策が行われる。
【００６３】
対策及び結果入力は、次の手順で行われる。オペレータが、ランキング表示された原因推定装置の状況確認を行い、異常が確認されたら対策を実施する。対策を行った結果、ムラ欠陥が改善された場合、オペレータは、対策を行った装置及び装置内の位置を、特性値−装置紐付けＤＢ４４に紐付けて入力する。
【００６４】
以上のように、本発明による欠陥発生原因装置特定システムによれば、欠陥を検出した際、該欠陥の発生原因となっている装置の特定をすることが出来、特定をすることによって原因装置停止を行い、該原因装置の対策を行うことによって、品質基準を満たさない欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】カラーフィルタ基板の一例を断面で示した図
【図２】フォトリソグラフィー法の工程を示す概略ブロック図
【図３】本発明の実施形態に係る基板の欠陥発生原因装置特定システムが適用されるカラ        ーフィルタ製造工程の一例を示す図
【図４】本発明の実施形態に係わる基板の欠陥原因装置特定システム全体を示す図
【図５】本発明の実施形態に係るムラ欠陥原因装置特定システムのフロー図
【図６】本発明の実施形態に係る原因装置を特定するフロー図
【符号の説明】
【００６６】
１０・・・基板
１１・・・ＢＭ
１２・・・着色画素（レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢ）
１３・・・透明電極
１４・・・フォトスペーサー
２０・・・ライン制御システム
２１・・・基板搬入装置
２２・・・洗浄装置
２３・・・レジスト塗布装置
２４・・・乾燥装置
２５・・・露光装置
２６・・・現像装置
２７・・・検査装置Ａ
２８・・・検査装置Ｂ
２９・・・特性測定装置Ａ
３０・・・特性測定装置Ｂ
３１・・・特性測定装置Ｃ
４０・・・ムラ欠陥原因装置特定システム実行用パソコン
４１・・・検査結果管理ＤＢ
４２・・・基板接触位置ＤＢ
４３・・・基板通過履歴ＤＢ
４４・・・特性値−装置紐付けＤＢ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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