(57)【要約】【課題】ソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供する。【解決手段】ソーラバッテリパネル電極製造方法は、半導体ウェーハ基板を準備する工程２０１と、半導体ウェーハ基板上に反射防止層を形成する工程２０２と、反射防止層上に第１の金属層を設ける工程２０３と、レーザビームを用いて第１の金属層上にパターンを形成する工程２０４と、パターンのラインを基に、第１の金属層および反射防止層にレーザビームを透過させ、レーザ合金化処理を行う工程２０５と、溶液により第１の金属層を除去する工程２０６と、半導体ウェーハ基板上には、反射防止層が設けられた側と反対の側に第２の金属層が設けられる工程２０７と、第１の電極を第１の金属シリサイドに接続するように形成し、反射防止層の表面に露出させる工程２０８と、第２の電極が半導体ウェーハ基板から露出されるように形成する工程２０９とを含む。【選択図】図２
2010074123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層されたｐ型不純物層およびｎ型不純物層と、前記ｐ型不純物層上または前記ｎ型不純物層上に形成された反射防止層とを有する半導体ウェーハ基板を準備する工程と、
前記反射防止層上に第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層上にレーザビームにより第１のパターンを表示し、前記第１のパターンのラインを基に、前記レーザビームにより前記第１の金属層から前記反射防止層にかけてレーザ合金化処理を行い、前記第１のパターンのラインに対応するように前記半導体ウェーハ基板上に第１の金属シリサイドを形成する工程と、
選択的に第１の溶液を用い、前記第１の金属層を除去する工程と、
第１の電極を前記第１の金属シリサイドに接続するように形成し、前記反射防止層の表面に露出させる工程と、
前記半導体ウェーハ基板の前記反射防止層を有する側と反対の側に第２の電極を形成する工程と、を含むことを特徴とするソーラバッテリパネル電極製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属層を除去する工程と、前記第１の電極を形成する工程との間に、
前記半導体ウェーハ基板の前記反射防止層を有する側と反対の側に誘電体層を形成させる工程と、
前記誘電体層上に第２の金属層を形成させる工程と、
前記第２の金属層上にレーザビームにより第２のパターンを表示し、前記第２のパターンのラインを基に、前記レーザビームにより前記第２の金属層にレーザ合金化処理を行い、前記第２のパターンのラインに対応するように、前記半導体ウェーハ基板上へ前記第２の電極と接続するように第２の金属シリサイドを形成する工程と、
選択的に第２の溶液を用いて前記第２の金属層を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のソーラバッテリパネル電極製造方法。
【請求項３】
前記レーザビームにより前記第１の金属層から前記反射防止層にかけてレーザ合金化処理を行う工程は、
前記第１の金属層および前記反射防止層に凹状領域が形成され、前記凹状領域の底面および前記半導体ウェーハ基板上に前記第１の金属シリサイドが形成される工程と、
前記第１の金属層および前記反射防止層の前記凹状領域の内壁に金属化合物を形成させる工程と、
化学ウェットエッチング法を利用し、金属エッチング溶液を用いて前記第１の金属層および前記金属化合物を同時に除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のソーラバッテリパネル電極製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属層は、チタン、コバルト、タングステン、白金、ハフニウム、タンタル、モリブデン、クロム、パラジウム、金、銀、銅またはアルミニウムからなり、
前記第１の金属層がチタンからなるとき、前記金属エッチング溶液はＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２であり、
前記第１の金属層がクロムからなるとき、前記金属エッチング溶液はＣｅ（ＮＯ３）２、ＨＮＯ３であり、
前記第１の金属層がタングステンからなるとき、前記金属エッチング溶液は３ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２であり、
前記第１の金属層がパラジウムからなるとき、前記金属エッチング溶液はＫＩ／Ｉ２であることを特徴とする請求項３に記載のソーラバッテリパネル電極製造方法。
【請求項５】
互いに積層されたｐ型不純物層およびｎ型不純物層を含む半導体ウェーハ基板と、
前記半導体ウェーハ基板上で、前記ｐ型不純物層または前記ｎ型不純物層に隣接するように形成された反射防止層と、
前記反射防止層中に形成され、前記反射防止層の表面に露出された第１の電極と、
前記ｐ型不純物層および前記ｎ型不純物層の何れか１つに設けられ、前記第１の電極に接続された金属シリサイドと、
前記半導体ウェーハ基板上の前記反射防止層と反対の側に設けられた第２の電極と、を備えることを特徴とするソーラバッテリのパネル構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法に関し、特に、レーザを用いて任意のパターンを表示し、ソーラバッテリのパネル電極を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のソーラバッテリには、通常、以下（１）〜（９）の工程が含まれる。
（１）結晶引上げ工程：主な原料が二酸化ケイ素であり、種結晶を利用して引上げ炉中でシリコン単結晶インゴット（ｉｎｇｏｔ）を成長させる。
（２）角修正工程：一般のマイクロエレクトロニクス産業で用いるウェーハ（ｗａｆｅｒ）は、直接にシリコン単結晶インゴットを切断するが、ソーラバッテリは、通常多くのチップを直列に接続して方形状にアレイ配列させ、方形状のアレイ配列をさらに緊密にするために、シリコン単結晶インゴットを四角形に形成する。
（３）切断工程：スライサーを用いてシリコン単結晶インゴットを厚さ約０．５ｍｍのウェーハに切断する。
（４）エッチング工程および研削工程：切断工程で発生した歪み層（ｓｔｒａｉｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）をエッチングで除去し、ウェーハ上に微粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が付着することを防ぐ。
（５）洗浄工程：ウェーハ表面の不純物による汚染をイオン水（ＤＩ  ｗａｔｅｒ）で除去する。
（６）拡散工程：図１に示すように、一般にソーラバッテリは、ｐ型基板９０１を用い、高熱拡散処理を行ってｐ型基板上に１層のｎ型半導体９０２の薄膜を形成する。拡散工程を行う前に、表面が粗化処理された組織（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）構造を反射防止層９０３に加え、光の反射量を低減させる。
（７）スクリーン印刷工程：製作が完了したウェーハに銀（Ａｇ）ペーストおよびアルミニウム（Ａｌ）ペーストを塗布し、スクリーン印刷機により、スクリーン（ｓｉｌｋ）を基にウェーハの両面に所定パターンを印刷する。
（８）同時焼結工程：銀ペーストおよびアルミニウムペーストを有するウェーハを同時に高温用焼結炉に通すと、銀ペーストおよびアルミニウムペーストが、それぞれウェーハの対応する面と共晶構造が形成され、これによりウェーハとの一定のオーミックコンタクト（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）が得られる。そして、ウェーハの表面に導電電極９０４，９０５が接触されて１つの単純なソーラバッテリを完成させることができる。
【０００３】
しかし、ウェーハにスクリーン印刷工程を行う度に、メーカは、複雑な工程に応じて種類が異なる所定パターンを各々スクリーン上に製作しなければならない上、スクリーンの製造が完了してからでなければ、これらスクリーン上のパターンをスクリーン印刷機によりウェーハ上に印刷させることはできなかった。
【０００４】
スクリーンを製造してスクリーン印刷の工程を行うと、多くの時間と人的コストがかかり、全体のコストが高くなった。そのため、大量生産を行わなければ製造単価のコストに見合わなかった。しかし、製品の生産数には限界があり、多種類の物を少量ずつ製造したり、カスタマイズさせて製造したりしなければならないメーカにとっては、コストの負担が大きかった。そのため、製品の単価を下げて市場の占有率を上げることが困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、本発明の第１の目的は、レーザビームを用いてウェーハ表面に導電電極のパターンを形成し、レーザビームによりウェーハに合金化を行い、スクリーン印刷工程および焼結工程を省略し、時間およびコストを節減させることが可能なソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、パターンのレーザ照射を迅速に変更し、導電電極のカスタマイズされたパターンの修正および変更を自在に行い、柔軟にパターンを選択することが可能なソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、スクリーン印刷工程およびそのスクリーンの製造工程を省略し、ウェーハ表面に導電電極のパターンをレーザビームで提供し、少量生産の製造を行うとともにカスタマイズされた製品の製造単価を低減させることができる上、製品の単価をさらに低減させることが可能なソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第４の目的は、導電電極の抵抗値を低減させ、ソーラバッテリから出力される電流を増大させることが可能なソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、互いに積層されたｐ型不純物層およびｎ型不純物層と、前記ｐ型不純物層上または前記ｎ型不純物層上に形成された反射防止層とを有する半導体ウェーハ基板を準備する工程と、前記反射防止層上に第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層上にレーザビームにより第１のパターンを表示し、前記第１のパターンのラインを基に、前記レーザビームにより前記第１の金属層から前記反射防止層にかけてレーザ合金化処理を行い、前記第１のパターンのラインに対応するように前記半導体ウェーハ基板上に第１の金属シリサイドを形成する工程と、選択的に第１の溶液を用い、前記第１の金属層を除去する工程と、第１の電極を前記第１の金属シリサイドに接続するように形成し、前記反射防止層の表面に露出させる工程と、前記半導体ウェーハ基板の前記反射防止層を有する側と反対の側に第２の電極を形成する工程と、を含むものである。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第１の金属層を除去する工程と、前記第１の電極を形成する工程との間に、前記半導体ウェーハ基板の前記反射防止層を有する側と反対の側に誘電体層を形成させる工程と、前記誘電体層上に第２の金属層を形成させる工程と、前記第２の金属層上にレーザビームにより第２のパターンを表示し、前記第２のパターンのラインを基に、前記レーザビームにより前記第２の金属層にレーザ合金化処理を行い、前記第２のパターンのラインに対応するように、前記半導体ウェーハ基板上へ前記第２の電極と接続するように第２の金属シリサイドを形成する工程と、選択的に第２の溶液を用いて前記第２の金属層を除去する工程と、をさらに含むものである。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記レーザビームにより前記第１の金属層から前記反射防止層にかけてレーザ合金化処理を行う工程は、前記第１の金属層および前記反射防止層に凹状領域が形成され、前記凹状領域の底面および前記半導体ウェーハ基板上に前記第１の金属シリサイドが形成される工程と、前記第１の金属層および前記反射防止層の前記凹状領域の内壁に金属化合物を形成させる工程と、化学ウェットエッチング法を利用し、金属エッチング溶液を用いて前記第１の金属層および前記金属化合物を同時に除去する工程と、を含むものである。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記第１の金属層は、チタン、コバルト、タングステン、白金、ハフニウム、タンタル、モリブデン、クロム、パラジウム、金、銀、銅またはアルミニウムからなるものである。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、前記第１の金属層がチタンからなるとき、前記金属エッチング溶液はＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２であり、前記第１の金属層がクロムからなるとき、前記金属エッチング溶液はＣｅ（ＮＯ３）２、ＨＮＯ３であり、前記第１の金属層がタングステンからなるとき、前記金属エッチング溶液は３ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２であり、前記第１の金属層がパラジウムからなるとき、前記金属エッチング溶液はＫＩ／Ｉ２であるものである。
【００１１】
請求項６の発明は、ソーラバッテリの電極製造工程に利用することが可能なレーザビームを用いて電極パターンを表示して金属シリサイドを形成する方法であって、互いに積層されたｐ型不純物層およびｎ型不純物層を準備する工程と、前記ｎ型不純物層上に反射防止層を形成する工程と、前記反射防止層上に第１の金属層を形成する工程と、複数のレーザビームを前記第１の金属層上に垂直に照射して表示した前記パターンのラインを基に、前記レーザビームにより前記第１の金属層から前記反射防止層にかけてレーザ合金化処理を行い、前記反射防止層を透過し、前記ｎ型不純物層の表面に金属シリサイドを形成させる工程と、金属エッチング溶液により前記第１の金属層を除去する工程と、を含むものである。
【００１２】
請求項７の発明は、互いに積層されたｐ型不純物層およびｎ型不純物層を含む半導体ウェーハ基板と、前記半導体ウェーハ基板上で、前記ｐ型不純物層または前記ｎ型不純物層に隣接するように形成された反射防止層と、前記反射防止層中に形成され、前記反射防止層の表面に露出された第１の電極と、前記ｐ型不純物層および前記ｎ型不純物層の何れか１つに設けられ、前記第１の電極に接続された金属シリサイドと、前記半導体ウェーハ基板上の前記反射防止層と反対の側に設けられた第２の電極と、を備えるものである。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項７の発明において、前記第２の電極は、誘電体層上に設けられ、前記誘電体層は、前記半導体ウェーハ基板上の前記反射防止層と反対の側に設けられているものである。
【発明の効果】
【００１４】
以上の説明から明らかなように、本発明のソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法は、以下（１）〜（４）の効果を有する。
（１）レーザビームを用いてウェーハ表面に導電電極のパターンを形成し、レーザビームによりウェーハに合金化を行い、スクリーン印刷工程および焼結工程を省略し、時間およびコストを節減させることができる。
（２）パターンのレーザ照射を迅速に変更し、導電電極のカスタマイズされたパターンの修正および変更を自在に行い、柔軟にパターンを選択することができる。
（３）スクリーン印刷工程およびそのスクリーンの製作を省略し、ウェーハ表面に導電電極のパターンをレーザビームで提供し、少量生産の製造工程およびカスタマイズされた製品の製造単価を低減させることができる上、製品の単価をさらに低減させることができる。
（４）導電電極の抵抗値を低減させ、ソーラバッテリから出力される電流を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来のパネル構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態によるソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を示すフロー図である。
【図３Ａ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｂ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｃ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｄ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｅ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｆ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｇ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｈ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｉ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｊ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【図３Ｋ】図２の工程におけるパネル構造を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明のソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法は、レーザビームを用いて電極パターンを表示し、金属シリサイドを形成する方法を含み、スクリーン印刷工程および焼結工程を省略することができる。所望の導電電極のパターンを基に、レーザ光発生器を用いてウェーハ表面上にレーザ光を照射するとともに、異なるパラメータによりレーザ光を制御し、ウェーハにレーザ合金化処理を行い、レーザ合金化処理後の生産物上に所望のパターンの導電電極を形成するのに都合が良いようにする。このように、本発明は、迅速かつ柔軟にパターンを変化させ、ソーラバッテリパネルの導電電極をカスタマイズさせることができるようにする。
【００１７】
以下、実施形態を基に本発明の技術特徴を詳細に説明する。図２を参照する。図２は、本発明の一実施形態によるソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を示すフロー図である。本発明の一実施形態によるソーラバッテリのパネル電極の製造方法は、以下の工程を含む。
【００１８】
工程２０１：図３Ａを参照する。図３Ａに示すように、半導体ウェーハ基板１０を準備する。
【００１９】
この半導体ウェーハ基板１０は、互いに積層されたｐ型不純物層１１およびｎ型不純物層１２を含む。ここで、この半導体ウェーハ基板１０は、シリコン単結晶インゴット、シリコン多結晶インゴット、アモルファスシリコン薄膜だけに限定されるわけではない。
【００２０】
工程２０２：図３Ｂに示すように、半導体ウェーハ基板１０上に反射防止層２０（または誘電体層）を形成する。
【００２１】
反射防止層（または誘電体層）は、窒化物（ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）またはその他の多層膜（ＴｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３）が積層されたものからなってもよく、半導体ウェーハ基板１０上にめっき膜方式により形成されてもよい。本実施形態の反射防止層２０は、ｎ型不純物層１２上に設けられているが、ｐ型不純物層１１上またはｎ型不純物層１２上へ設けるように限定されているわけではない。
【００２２】
工程２０３：図３Ｃに示すように、反射防止層２０上に第１の金属層３０を設ける。
【００２３】
工程２０３において、第１の金属層３０は、例えば、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の方式により反射防止層２０上に形成されてもよい。本実施形態の第１の金属層３０はチタン（Ｔｉ）からなるが、例えば、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属からなってもよいが、これらだけに限定されるわけではない。
【００２４】
工程２０４：図３Ｄに示すように、レーザビーム７０を用いて第１の金属層３０上にパターンを形成する。
【００２５】
工程２０４において、ユーザの必要に応じて導電電極のパターンを形成することができる。このパターンは、例えば、文字、商標、模様またはその他何の意味も有さないパターンでもよく、レーザ光発生器から１本または複数本のレーザビーム７０を放射して第１の金属層３０上へ垂直に照射し、導電電極のパターンを形成する。ユーザが少量バッチのパネルの修正または変更を行う場合、対応したパターンのスクリーンが製作されるのを待つことなく、コンピュータソフトウェアを編集するだけで、形成したい導電電極のパターンが準備でき、様々なパターンの修正または変更を自在に行うことができる。そのため、製造工程を迅速に行うことができる。
【００２６】
工程２０５：図３Ｅに示すように、パターンのラインを基に、第１の金属層３０および反射防止層２０にレーザビーム７０を透過させ、レーザ合金化処理を行う。
【００２７】
工程２０５では、レーザビーム７０により第１の金属層３０にパターンが照射されると同時に、高温を発生させる特性を有するレーザビーム７０により、第１の金属層３０および反射防止層２０に対して共同で上述のパターンラインの位置にレーザ合金化処理を行い、レーザビーム７０が第１の金属層３０および反射防止層２０を透過した後に、半導体ウェーハ基板１０（ｐ型不純物層１１上またはｎ型不純物層１２上でもよい）と共晶構造が形成され、第１の金属層３０および反射防止層２０が形成する凹状領域３１中に第１の金属シリサイド３３（本実施形態ではＴｉＳｉ２である。）および金属化合物３５（本実施形態ではＴｉＮであるが、金属窒化物、金属酸化物などでもよい）を形成させる。第１の金属シリサイド３３は、凹状領域３１の底面、即ち、半導体ウェーハ基板１０上（例えば、ｐ型不純物層１１上またはｎ型不純物層１２上）に位置し、パターンラインの位置に対応する。金属化合物３５は、第１の金属層３０および反射防止層２０の凹状領域３１の内壁に形成されている。
【００２８】
ここで、レーザの種類（例えば、赤色光、緑色光または紫外線）、パワー、周波数、透過深度および処理時間は、反射防止層２０、第１の金属層３０の材料および厚さに応じて調整することができる。第１の金属層３０がチタンからなる本実施形態では、マルチモード（ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ）レーザビーム７０が用いられているが、このレーザビーム７０は、パルス式（ｐｕｌｓｅｄ）または連続式（ｃｏｎｔｉｎｕｅｄ）レーザビーム７０だけに限定されるわけではない。このレーザビーム７０は、周波数が１０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚの間であり、パワーが反射防止層２０だけを透過させることが可能な５０ｍＷ以上などである。また、反射防止層２０の厚さは、１０〜４００ｎｍなどである。
【００２９】
工程２０６：図３Ｆおよび図３Ｇに示すように、溶液により第１の金属層３０を除去する。
【００３０】
この工程２０６では、化学ウェットエッチングを利用し、作用を有さない第１の金属層３０を除去し、選択的に金属エッチング溶液８０を用い、反射防止層２０上に残っている第１の金属層３０および凹状領域３１の内壁に設けられた金属化合物３５を除去する工程を行う。
【００３１】
金属エッチング溶液８０は、第１の金属層３０の材料に応じて異なる作用を発生させる。そのため、例えば、第１の金属層３０がクロム（Ｃｒ）の場合には、Ｃｅ（ＮＯ３）２、ＨＮＯ３の水溶液を金属エッチング溶液８０として用い、タングステン（Ｗ）の場合には、３ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２の水溶液を金属エッチング溶液８０として用い、パラジウムの場合には、ＫＩ／Ｉ２を金属エッチング溶液８０として用いてもよい。第１の金属シリサイド３３自体の材料特性は第１の金属層３０の材料と異なるため、第１の金属シリサイド３３はこの除去工程により除去されることがない。本実施形態において、第１の金属層３０はチタンからなるため、金属エッチング溶液８０としてＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２を選択的に用いてもよい。
【００３２】
工程２０７：図３Ｈ、図３Ｉおよび図３Ｊに示すように、半導体ウェーハ基板１０上には、反射防止層２０が設けられた側と反対の側に第２の金属層４０が設けられている。
【００３３】
半導体ウェーハ基板１０に行なわれる工程は、工程２０３または上述のスクリーン印刷工程だけに限定されるわけではない。即ち、第２の金属層４０は、ｎ型不純物層１２上またはｐ型不純物層１１上に設け、半導体ウェーハ基板１０の反射防止層２０が設けられた側と反対の側に第２の金属層４０を設けてもよい。半導体ウェーハ基板１０の他方の面に工程２０３および工程２０４を行って電極を製造する際は、電解めっきを行うときに全面的にめっきが行われることを防ぐとともに、リーク電流の発生を防ぐために、誘電体層３７を加えて保護する必要があった。そのため、工程２０７において、半導体ウェーハ基板１０には、反射防止層２０が設けられた側と反対の側に誘電体層３７を設ける。この誘電体層３７は、例えば、２μｍ以下であり、第２の金属層４０を誘電体層３７上に形成してから、上述の工程２０４〜工程２０６を行い、レーザビーム７０を用いて第２の金属層４０上へもう一つのパターンを形成するとともに、レーザビーム７０が誘電体層３７を透過して第２の金属シリサイド４３を形成した後、他の溶液を用いて第２の金属層４０の残りを除去すると、図３Ｊに示すような構造を得ることができる。
【００３４】
工程２０８：図３Ｋに示すように、第１の電極５０を第１の金属シリサイド３３に接続するように形成し、反射防止層２０の表面に露出させる。
【００３５】
工程２０８では、第１の金属シリサイド３３が導電特性を有するため、凹状領域３１中の第１の金属シリサイド３３上に第１の電極５０が形成される。第１の電極５０は、反射防止層２０の表面に露出され、ソーラバッテリの導電電極として用いられる。第１の電極５０は、電解めっき法（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｐｌａｔｉｎｇ）、無電解めっき法（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｐｌａｔｉｎｇ）、化学めっき法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｌａｔｉｎｇ）または自己触媒めっき（ａｕｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｐｌａｔｉｎｇ）などにより形成させることができる。
【００３６】
工程２０９：図３Ｋに示すように、第２の電極６０は、半導体ウェーハ基板１０から露出されるように形成されている。例えば、第２の電極６０は、ｎ型不純物層１２上またはｐ型不純物層１１上で、半導体ウェーハ基板１０の反射防止層２０が設けられた側と反対側に形成される。
【００３７】
第２の電極６０は、工程２０８における第１の電極５０の製造方法と同様に、第２の金属シリサイド４３に接続するように形成したり、第２の金属層４０のスクリーン印刷工程を行うときに、同時焼結工程を行って第２の電極６０を直接形成したりすることもできる。
【００３８】
本発明は、上述の工程によりソーラバッテリのパネル構造を形成することができる。また、本発明は、スクリーン印刷工程および焼結工程後に導電電極を形成するのと異なり、第１の金属層３０および反射防止層２０にレーザ合金化を行う。そのため、本発明は品質が安定した第１の金属シリサイド３３を形成することができ、レーザビームのパラメータを制御することにより導電電極のコンタクト抵抗値（好ましくは、１０−８Ω／ｃｍ２まで）を低減させ、ソーラバッテリから出力される電流を増大させることができる。
【００３９】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００４０】
１  ソーラバッテリパネル
１０  半導体ウェーハ基板
１１  ｐ型不純物層
１２  ｎ型不純物層
２０  反射防止層
３０  第１の金属層
３１  凹状領域
３３  第１の金属シリサイド
３５  金属化合物
３７  誘電体層
４０  第２の金属層
４３  第２の金属シリサイド
５０  第１の電極
６０  第２の電極
７０  レーザビーム
８０  金属エッチング溶液
９０１  ｐ型基板
９０２  ｎ型半導体
９０３  反射防止層
９０４  導電電極
９０５  導電電極
【図１】
2010074123.tif 000003
【図２】
2010074123.tif 000004
【図３Ａ】
2010074123.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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