(57)【要約】【課題】製作時のリフロー回数を削減することが可能であり、電子部品に加わる熱ストレスを緩和することが可能な高周波ユニットを提供する。【解決手段】高周波ユニット１Ａは、マザー基板１０と、マザー基板１０に搭載された高周波モジュール１００と、高周波モジュール１００を覆うとともにマザー基板１０に固定されたシールドケース６０と、高周波モジュール１００とシールドケース６０との間に配置された略Ｚ字状の支持部材５０とを備える。高周波モジュール１００は、高周波回路を構成する電子部品４０ａ〜４０ｄと、当該電子部品４０ａ〜４０ｄが搭載されたモジュール基板３０とを含む。略Ｚ字状の支持部材５０は、その下端がモジュール基板３０に半田付けにより接合されており、その上端がシールドケース６０に圧接されている。【選択図】図１
2010141021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マザー基板と、
前記マザー基板の表面に搭載された高周波モジュールと、
前記高周波モジュールを覆うとともに前記マザー基板に固定されたシールドケースと、
前記高周波モジュールと前記シールドケースとの間に配置された支持部材とを備え、
前記高周波モジュールは、高周波回路を構成する電子部品と、当該電子部品が搭載された第１主面および前記マザー基板の前記表面に対向する第２主面を含むモジュール基板とを含み、
前記支持部材は、１枚の金属製の板状部材を曲成することで形成されており、前記モジュール基板の前記第１主面に対向する第１板状部と、前記第１板状部と略平行に延びるとともに前記シールドケースに対向する第２板状部と、前記第１板状部と前記第２板状部とを連結するとともに前記モジュール基板の前記第１主面の法線方向に沿って弾性力を発現する第３板状部とを含み、
前記第１板状部は、前記モジュール基板の前記第１主面に設けられたランドに半田付けによって接合されており、
前記第２板状部は、前記第３板状部によって発現された弾性力によって前記シールドケースに圧接されている、高周波ユニット。
【請求項２】
前記ランドが、接地電位に接続されている、請求項１に記載の高周波ユニット。
【請求項３】
前記支持部材の高さは、前記電子部品の高さよりも高い、請求項１または２に記載の高周波ユニット。
【請求項４】
前記支持部材の高さよりも低く前記電子部品の高さもよりも高いダミー部品が、前記モジュール基板の前記第１主面に搭載されている、請求項１から３のいずれかに記載の高周波ユニット。
【請求項５】
前記支持部材は、略Ｚ字状または略Σ字状の形状を有している、請求項１から４のいずれかに記載の高周波ユニット。
【請求項６】
前記電子部品は、前記モジュール基板に半田付けによって接合されており、
前記高周波モジュールは、前記マザー基板に半田付けによって接合されており、
前記電子部品および前記支持部材を前記モジュール基板の前記第１主面に搭載するための半田の融点が、前記高周波モジュールを前記マザー基板に搭載するための半田の融点よりも高い、請求項１から５のいずれかに記載の高周波ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波モジュールが搭載された高周波ユニットに関し、より特定的には、電磁波を遮蔽するシールドケースを具備してなる高周波ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波モジュールは、高周波信号を処理するための回路が形成されたサブアセンブリであり、配線パターンが形成されたプリント配線基板（以下、モジュール基板と称する）に各種の電子部品が実装されることで構成される。近年、この高周波モジュールは、表面実装部品として構成される場合が多く、高周波ユニットのプリント配線基板（以下、マザー基板と称する）に実装されることで高周波ユニットに搭載される。なお、高周波ユニットの代表的な例としては、各種通信装置が挙げられる。
【０００３】
高周波モジュールには、外部電磁波の影響を受けることを防止するとともに、当該高周波モジュールから電磁波が漏洩することを防止するために、電磁シールドが設けられることが一般的である。この電磁シールドとしては、モジュール基板の実装面を覆うように当該モジュール基板にシールドケースを取付けることで行なわれる場合が多い（たとえば特開２００２−６４２９５号公報（特許文献１）、特開２００４−９５９７３号公報（特許文献２）等参照）。
【０００４】
シールドケースは、安定電位としての接地電位に接続されている必要があり、モジュール基板に設けられた接地電位を有するランドに半田付けにて接合されることにより、電気的および物理的に当該モジュール基板に接続および固定されている。
【特許文献１】特開２００２−６４２９５号公報
【特許文献２】特開２００４−９５９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、高周波モジュールを搭載した高周波ユニットを製造するにあたっては、繰り返し半田付け作業が行なわれることになる。たとえば、上記特許文献１および２に開示の如くの高周波モジュールが搭載された高周波ユニットを製造するに際して、当該高周波ユニットのマザー基板の表裏面に電子部品を実装する構成とした場合には、（１）モジュール基板への電子部品の実装工程、（２）モジュール基板へのシールドケースの取付け工程、（３）マザー基板の表面への高周波モジュールの搭載およびマザー基板の表面への電子部品の実装工程、および（４）マザー基板の裏面への電子部品の実装工程の４つの工程において半田付けが行なわれることになる。なお、上述した（１）の工程と（２）の工程とは、電子部品の実装後における外観検査の要請から、これらを同時に実施することはできない。
【０００６】
ここで、生産性の向上を図る観点から、上記４つの工程はいずれもリフロー半田付けで行なわれることが一般的である。そのため、モジュール基板へ実装される電子部品としては、合計４回のリフローに対する熱的な保証が必要になる。しかしながら、電子部品のリフローに対する保証は、一般に上限が２回かあるいは３回であり、上述した４回のリフローに対する保証を与えるものは非常に少ない。また、高い熱的な保証を有する電子部品は、一般に高価である場合が多く、そのような電子部品を使用した場合には、高周波ユニットの製造コストを大幅に圧迫することとなってしまう。したがって、上述の如くの高周波ユニットを製造することを想定した場合には、リフロー工程の回数を削減することが必要になる。
【０００７】
一方で、長期的に高周波ユニットの信頼性を保つためには、シールドケースによって内部の電子部品が物理的に確実に保護されていることが必要である。特に、大型の高周波モジュールを使用する場合には、これに応じてシールドケースも大型にする必要があり、何ら対応をとっていない場合には、外力に対して極端に脆弱になるおそれがある。したがって、シールドケースは、安定的に高周波モジュールまたは高周波ユニットに固定されていることが必要であり、これにより物理的にも電磁的にもシールドケースの機能が高まることになる。
【０００８】
したがって、本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたものであり、製造時のリフロー回数を削減することが可能であり、電子部品に加わる熱ストレスを従来に比して緩和することが可能な高周波ユニットを提供することを第１の目的とし、また比較的簡素な構成で高い物理的および電磁的な保護機能を発揮するシールド構造を備えた高周波ユニットを提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に基づく高周波ユニットは、マザー基板と、上記マザー基板の表面に搭載された高周波モジュールと、上記高周波モジュールを覆うとともに上記マザー基板に固定されたシールドケースと、上記高周波モジュールと上記シールドケースとの間に配置された支持部材とを備えている。上記高周波モジュールは、高周波回路を構成する電子部品と、当該電子部品が搭載された第１主面および上記マザー基板の上記表面に対向する第２主面を含むモジュール基板とを含んでいる。上記支持部材は、１枚の金属製の板状部材を曲成することで形成されており、上記モジュール基板の上記第１主面に対向する第１板状部と、上記第１板状部と略平行に延びるとともに上記シールドケースに対向する第２板状部と、上記第１板状部と上記第２板状部とを連結するとともに上記モジュール基板の上記第１主面の法線方向に沿って弾性力を発現する第３板状部とを含んでいる。上記第１板状部は、上記モジュール基板の上記第１主面に設けられたランドに半田付けによって接合されており、上記第２板状部は、上記第３板状部によって発現された弾性力によって上記シールドケースに圧接されている。
【００１０】
上記本発明に基づく高周波ユニットにあっては、上記ランドが、接地電位に接続されていることが好ましい。
【００１１】
上記本発明に基づく高周波ユニットにあっては、上記支持部材の高さが、上記電子部品の高さよりも高いことが好ましい。
【００１２】
上記本発明に基づく高周波ユニットにあっては、上記支持部材の高さよりも低く上記電子部品の高さもよりも高いダミー部品が、上記モジュール基板の上記第１主面に搭載されていることが好ましい。
【００１３】
上記本発明に基づく高周波ユニットにあっては、上記支持部材が、略Ｚ字状または略Σ字状の形状を有していることが好ましい。
【００１４】
上記本発明に基づく高周波ユニットにおいて、上記電子部品が上記モジュール基板に半田付けによって接合されるとともに、上記高周波モジュールが上記マザー基板に半田付けによって接合される場合に、上記電子部品および上記支持部材を上記モジュール基板の上記第１主面に搭載するための半田の融点が、上記高周波モジュールを上記マザー基板に搭載するための半田の融点よりも高くされていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、製造時のリフロー回数を削減することが可能であり、電子部品に加わる熱ストレスを従来に比して緩和することが可能な高周波ユニットとすることができる。また、本発明によれば、比較的簡素な構成で高い物理的および電磁的な保護機能を発揮するシールド構造を備えた高周波ユニットとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一または対応する部分について図中同一の符号を付すこととし、その説明は繰り返さないこととする。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における高周波ユニットの模式断面図である。まず、この図１を参照して、本実施の形態における高周波ユニット１Ａの構造について詳説する。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態における高周波ユニット１Ａは、マザー基板１０と、高周波モジュール１００と、高周波モジュール１００とは異なる電子部品２０ａ〜２０ｃと、シールドケース６０と、支持部材５０とを主として備えている。
【００１９】
マザー基板１０は、各種電子部品が実装されることで回路が構成可能なプリント配線基板からなり、その上面に実装面としての表面１０ａを有している。マザー基板１０の表面１０ａには、表面実装部品として構成された高周波モジュール１００と、同じく表面実装部品として構成された各種の電子部品２０ａ〜２０ｃが実装されている。
【００２０】
電子部品２０ａ〜２０ｃは、マザー基板１０の表面１０ａに形成されたランド１１と、電子部品２０ａ〜２０ｃの下面に形成された電極２１とが半田７１によって接合されることにより、マザー基板１０に実装されている。ここで、マザー基板１０の表面１０ａに形成されたランド１１は、マザー基板１０に形成された配線パターンに接続されており、電子部品２０ａ〜２０ｃの下面に形成された電極２１は、当該電子部品２０ａ〜２０ｃの内部に設けられた各種電気的要素に接続されている。
【００２１】
一方、高周波モジュール１００は、マザー基板１０の表面１０ａに形成されたランド１２と、高周波モジュール１００の下面に形成されたランド３３とが半田７２によって接合されることにより、マザー基板１０に実装されている。ここで、マザー基板１０の表面１０ａに形成されたランド１２は、マザー基板１０に形成された配線パターンに接続されており、高周波モジュール１００の下面に形成されたランド３３は、後述するモジュール基板３０に形成された配線パターンに接続されている。
【００２２】
高周波モジュール１００は、モジュール基板３０と、高周波回路を構成する電子部品４０ａ〜４０ｄとを備えている。モジュール基板３０は、各種電子部品が実装されることで高周波回路が構成可能なプリント配線基板からなり、その上面に電子部品４０ａ〜４０ｄを実装するための実装面としての第１主面３０ａと、その下面にマザー基板１０に当該高周波モジュール１００を実装するための被実装面としての第２主面３０ｂとを有している。モジュール基板３０の第１主面３０ａには、表面実装部品として構成された各種の電子部品４０ａ〜４０ｄが実装されており、モジュール基板３０は、上述したようにマザー基板１０の表面１０ａに実装されている。
【００２３】
電子部品４０ａ〜４０ｄは、モジュール基板３０の第１主面３０ａに形成されたランド３１と、電子部品４０ａ〜４０ｄの下面に形成された電極４１とが半田７３によって接合されることにより、モジュール基板３０に実装されている。ここで、モジュール基板３０の第１主面３０ａに形成されたランド３１は、モジュール基板３０に形成された配線パターンに接続されており、電子部品４０ａ〜４０ｄの下面に形成された電極４１は、当該電子部品４０ａ〜４０ｄの内部に設けられた各種電気的要素に接続されている。
【００２４】
高周波モジュール１００のモジュール基板３０の第１主面３０ａ上には、支持部材５０が配置されている。支持部材５０は、金属製の板状部材を曲成することで形成されており、モジュール基板３０と後述するシールドケース６０とによって挟み込まれた状態とされている。支持部材５０の下端は、モジュール基板３０の第１主面３０ａに設けられたランド３２と半田７４を介して接合されている。ここで、モジュール基板３０の第１主面３０ａに設けられたランド３２は、モジュール基板３０に形成された安定電位としての接地電位に接続された配線パターンに接続されている。なお、支持部材５０の詳細な形状および具体的な組付構造については、後述することとする。
【００２５】
シールドケース６０は、下端が開口した金属製の箱状の部材からなり、マザー基板１０に固定されている。具体的には、シールドケース６０の側壁の下端には、係止部６２が設けられており、当該係止部６２がマザー基板１０の裏面１０ｂに嵌合することで、後述する支持部材５０の弾性力とあいまってシールドケース６０がマザー基板１０に固定されている。
【００２６】
シールドケース６０は、マザー基板１０の表面１０ａを覆うような形状を有しており、マザー基板１０に固定された状態において高周波モジュール１００および電子部品２０ａ〜２０ｃを覆っている。また、シールドケース６０は、隔壁部６３を有しており、当該隔壁部６３によって高周波モジュール１００と電子部品２０ａ〜２０ｃとが隔てられている。また、シールドケース６０の内面６１には、高周波モジュール１００の第１主面３０ａ上に配置された支持部材５０の上端が圧接している。
【００２７】
図２（Ａ）は、図１に示す支持部材の外観構造を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、図１に示す支持部材の他の例を示す斜視図である。次に、この図２（Ａ）および図２（Ｂ）ならびに上述の図１を参照して、支持部材５０の詳細な形状および具体的な組付構造について説明する。
【００２８】
上述したように、支持部材５０は、金属製の板状部材を曲成することで形成されており、図２（Ａ）に示す如くの形状を有している。具体的には、図２（Ａ）に示すように、支持部材５０は、略平行に配置された平板状の第１板状部５１および第２板状部５２と、これら第１板状部５１の一端と第２板状部５２の一端とを連結する平板状の第３板状部５３とを含む略Ｚ字状の形状とされ、１枚の金属製の板状部材を第１板状部５１と第３板状部５３との境界部分および第２板状部５２と第３板状部５３との境界部分で折り曲げることで略Ｚ字状に形成されている。
【００２９】
図１に示すように、支持部材５０は、モジュール基板３０の第１主面３０ａ上に、第１板状部５１が下方にかつ第２板状部５２が上方に位置した状態となるように配置されている。ここで、支持部材５０は、第１板状部５１がモジュール基板３０の第１主面３０ａに設けられたランド３２に半田７４を介して接続されるとともに、第２板状部５２がシールドケース６０の内面６１に圧接した状態とされている。
【００３０】
具体的には、支持部材５０は、１枚の金属製の板状部材を曲成することで形成されているため、一種の板バネとして作用し、第１板状部５１と第２板状部５２とを連結する第３板状部５３によってモジュール基板３０の第１主面３０ａの法線方向に弾性力を発現している。そのため、支持部材５０の高さを予め適切に調節しておくことにより、シールドケース６０をマザー基板１０に固定するに際してシールドケース６０によって支持部材５０が図中上下方向に圧縮されて上述した組付構造が実現される。ここで、シールドケース６０の取付け後における支持部材５０の高さは、モジュール基板３０に実装される電子部品４０ａ〜４０ｄの高さよりも高くされる。このように構成することにより、天板が平板状の簡素な構成のシールドケース６０を利用した場合にも、シールドケース６０が電子部品４０ａ〜４０ｄに接触して電子部品４０ａ〜４０ｄが短絡することが防止でき、高周波ユニット１Ａの構成を簡素化することができる。
【００３１】
なお、図２（Ｂ）に示すように、支持部材５０としては、図２（Ａ）に示す如くの略Ｚ字状の形状の他にも、略Σ字状（略Ｍ字状）の形状としてもよい。すなわち、第３板状部５３は、平板状の形状に限られず、途中位置にさらに折り曲げ部を１つ以上有する形状とされていてもよい。すなわち、支持部材５０としては、モジュール基板３０に半田付けが可能な部位と、シールドケース６０に圧接が可能な部位と、これらを連結し弾性力を発現する部位とを有していれば、どのような形状であってもよい。
【００３２】
図３は、図１に示す高周波ユニットの製造工程を説明するための模式図である。次に、この図３を参照して、本実施の形態における高周波ユニットの製造手順について詳細に説明する。
【００３３】
本実施の形態における高周波ユニット１Ａを製造するに際しては、まず、図３（Ａ）に示すように、高周波モジュール１００を組立てる。具体的には、モジュール基板３０の第１主面３０ａに形成されたランド３１，３２に半田を供給し、その上に電子部品４０ａ〜４０ｄおよび支持部材５０を配置し、その後リフロー処理を行なうことで電子部品４０ａ〜４０ｄをモジュール基板３０に実装するとともに、支持部材５０をモジュール基板３０上に搭載する。すなわち、電子部品４０ａと支持部材５０とを一括リフローによって同時にモジュール基板３０に組付けることで、高周波モジュール１００を組立てる。
【００３４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、高周波ユニットサブアセンブリ２００を組立てる。具体的には、マザー基板１０の表面１０ａに形成されたランド１１，１２に半田を供給し、その上に電子部品２０ａ〜２０ｃおよび高周波モジュール１００を配置し、その後リフロー処理を行なうことで電子部品２０ａ〜２０ｃおよび高周波モジュール１００をマザー基板１０に実装する。すなわち、電子部品２０ａ〜２０ｃと高周波モジュール１００とを一括リフローによって同時にマザー基板１０に組付けることで高周波ユニットサブアセンブリ２００を組立てる。
【００３５】
次いで、図３（Ｃ）に示すように、高周波ユニットサブアセンブリ２００にシールドケース６０を係止部６２を用いて固定する。その際、高周波モジュール１００がシールドケース６０によって覆われるようにするとともに、高周波モジュール１００のモジュール基板３０上に搭載された支持部材５０の上端がシールドケース６０の内面６１に圧接するようにする。以上により、図１に示す構造の高周波ユニット１Ａが得られることになる。
【００３６】
以上において説明した本実施の形態における高周波ユニット１Ａにおいては、高周波モジュール１００の電磁シールドをマザー基板１０に固定されたシールドケース６０によって構成するとともに、当該シールドケース６０を接地電位に落とすための電気的な接続と、当該シールドケース６０の物理的な支持とを、高周波モジュール１００のモジュール基板３０上に配置した支持部材５０によって実現している。そのため、比較的簡素な構成で高い物理的および電磁的な保護機能を発揮するシールド構造を備えた高周波ユニットとすることができるとともに、その製造も従来に比して大幅に容易となる。したがって、上記構成を採用することにより、高性能で高信頼性の高周波ユニットを安価に製造することが可能になる。なお、本実施の形態における高周波ユニット１Ａにおいて使用する支持部材５０は、１枚の金属製の板状部材を折り曲げることで容易に形成が可能なものであり、当該支持部材５０を追加することによる製造コストの増加は僅かである。
【００３７】
また、上記構成を採用することにより、リフロー工程が２回に削減できるため、モジュール基板３０に実装される電子部品４０ａ〜４０ｄに加わる熱ストレスを従来に比して緩和することができる。したがって、電子部品４０ａ〜４０ｄを熱的に高い保証を有する部品にする必要がなく、製造コストの増加を防止することができる。なお、図１に示す構造の高周波ユニット１Ａにおいて、さらにマザー基板１０の裏面１０ｂ側に電子部品を実装する構造とした場合にも、必要なリフロー処理は３回であり、モジュール基板３０に実装される電子部品４０ａ〜４０ｄを熱的に高い保証を有する部品にする必要はない。
【００３８】
また、上述の如くの形状の支持部材５０を使用することにより、自動実装機（マウンター）を利用して支持部材５０を吸着保持してモジュール基板３０上の所定位置に配置することができるため、他の電子部品４０ａ〜４０ｄと区別することなくモジュール基板３０上に電子部品４０ａ〜４０ｄと支持部材５０とを配置することができる。したがって、製造工程が複雑化することもない。
【００３９】
なお、本実施の形態における高周波ユニット１Ａにおいては、モジュール基板３０のランド３１と電子部品４０ａ〜４０ｄの電極４１とを接合する半田７３およびモジュール基板３０のランド３２と支持部材５０とを接合する半田７４の融点が、マザー基板１０のランド１１と電子部品２０ａ〜２０ｃの電極２１とを接合する半田７１およびマザー基板１０のランド１２とモジュール基板３０のランド３３とを接合する半田７２の融点よりも高くされていることが好ましい。このようにすれば、マザー基板１０への電子部品２０ａ〜２０ｃおよび高周波モジュール１００の組付けのためのリフロー処理の際に、当該リフロー処理のピーク温度を半田７１，７２の融点以上、半田７３，７４の融点未満に調節することにより、半田７３，７４の再溶融が防止でき、電子部品４０ａ〜４０ｄの位置ずれや支持部材５０の位置ずれ等の不具合を防止することができる。
【００４０】
また、本実施の形態における高周波ユニット１Ａにおいては、モジュール基板３０の端部に支持部材５０を複数配置する構成としているため、高周波モジュール１００を覆う部分のシールドケース６０の複数の箇所に接地電位に接続するためのポイントが形成可能となり、シールドケース６０の電位を接地電位により均一化することができる。したがって、このような構成を採用することにより、より高い電磁シールド効果を得ることができる。なお、上述した本実施の形態における高周波ユニット１Ａにおいては、モジュール基板３０のランド３２が、接地電位に接続された場合を例示して説明を行なったが、特に高い電磁シールド性能が要求されない場合には、高周波モジュール１００の接地電位から浮いた電位（すなわち、フローティングの電位）に接続されていてもよい。
【００４１】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２における高周波ユニットの模式断面図である。本実施の形態における高周波ユニット１Ｂは、上述した本発明の実施の形態１における高周波ユニット１Ａと支持部材の配置位置において一部相違している。
【００４２】
図４に示すように、本実施の形態における高周波ユニット１Ｂにおいては、高周波モジュール１００のモジュール基板３０上のみならず、高周波ユニット１Ｂのマザー基板１０上の所定位置にも支持部材８０が配置されている。より具体的には、支持部材８０は、シールドケース６０の隔壁部６３により高周波モジュール１００が実装された領域から隔てられた領域（すなわち、他の電子部品２０ａ〜２０ｃが実装された領域）のマザー基板１０上に配置されている。
【００４３】
支持部材８０は、モジュール基板３０上に配置された支持部材５０と同様に、金属製の板状部材を曲成することで形成されており、マザー基板１０とシールドケース６０とによって挟み込まれた状態とされている。支持部材５０の下端は、マザー基板１０の表面１０ａに設けられたランド１３と半田７５を介して接合されており、支持部材８０の上端は、シールドケース６０の内面６１に圧接した状態とされている。ここで、マザー基板１０の表面１０ａに設けられたランド１３は、マザー基板１０に形成された安定電位としての接地電位に接続された配線パターンに接続されている。
【００４４】
より詳細には、支持部材８０は、略平行に配置された平板状の第１板状部８１および第２板状部８２と、これら第１板状部８１の一端と第２板状部８２の一端とを連結するＶ字状の第３板状部５３とを含む略Σ字状の形状とされている。そして、支持部材８０は、マザー基板１０の表面１０ａ上に、第１板状部８１が下方にかつ第２板状部８２が上方に位置した状態となるように配置され、第１板状部８１と第２板状部８２とを連結する第３板状部８３によって発現される弾性力により、図中上下方向に圧縮されて高周波ユニット１Ｂに組付けられている。シールドケース６０の取付け後における支持部材８０の高さは、マザー基板１０に実装される電子部品２０ａ〜２０ｃの高さよりも高くされる。このように構成することにより、天板が平板状の簡素な構成のシールドケース６０を利用した場合にも、シールドケース６０が電子部品２０ａ〜２０ｃに接触して電子部品２０ａ〜２０ｃが短絡することが防止でき、高周波ユニット１Ｂの構成を簡素化することができる。
【００４５】
以上において説明した本実施の形態における高周波ユニット１Ｂにおいては、高周波モジュール１００のモジュール基板３０上に配置された支持部材５０に加え、マザー基板１０上に配置された支持部材８０によってもシールドケース６０が支持されることになる。したがって、上述した本発明の実施の形態１における高周波ユニット１Ａとした場合の効果に加え、より安定的にシールドケースがマザー基板１０に固定されるようになる。加えて本実施の形態における高周波ユニット１Ｂにおいては、シールドケース６０のさらに複数の箇所に接地電位に接続するためのポイントが形成可能になるため、シールドケース６０の電位を接地電位により均一化することができ、より高い電磁シールド効果を得ることが可能になる。
【００４６】
（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３における高周波ユニットの模式断面図である。本実施の形態における高周波ユニット１Ｃは、上述した本発明の実施の形態１における高周波ユニット１Ａと高周波モジュールの構成において一部相違している。
【００４７】
図５に示すように、本実施の形態における高周波ユニット１Ｃにおいては、高周波モジュール１００が、高周波回路を構成する電子部品４０ａ〜４０ｄとは異なるダミー部品４０ｅ，４０ｆをモジュール基板３０上に有している。このダミー部品４０ｅ，４０ｆは、高周波回路を構成する電子部品４０ａ〜４０ｄよりも高さが高く、また支持部材５０の高さよりも高さの低い部品である。当該ダミー部品４０ｅ，４０ｆは、たとえばチップコンデンサ等の安価な電子部品が利用される。ここで、ダミー部品４０ｅ，４０ｆは、モジュール基板３０の第１主面３０ａに設けられたランドに半田を用いて接続されていることが好ましく、その場合に当該ランドは、接地電位に接続されているか、あるいは接地電位から浮いた電位（すなわち、フローティングの電位）に接続されていることが好ましい。
【００４８】
以上において説明した本実施の形態における高周波ユニット１Ｃとすることにより、上述した本発明の実施の形態１における高周波ユニット１Ａとした場合の効果に加え、高周波ユニットの製造上の交差が大きく、シールドケース６０が電子部品４０ａ〜４０ｄに接触する可能性がある場合にも、ダミー部品４０ｅ，４０ｆによってその接触が防止されるため、電子部品４０ａ〜４０ｄが接地電位に短絡してしまうことが防止できる効果が得られる。したがって、より信頼性の高い高周波ユニットとすることができる。
【００４９】
上述した本発明の実施の形態１ないし３においては、マザー基板１０に固定されるシールドケース６０が、シールドケース６０に設けられた係止部６２の嵌合と、支持部材５０（実施の形態３においては、これに加えて支持部材８０）の弾性力とによって固定される構成とした場合を例示して説明を行なったが、シールドケース６０のマザー基板１０に対する固定構造はこれに限定されるものではない。たとえば、ビス留めやかしめ、溶接等を利用することができる。また、半田付けを利用することも可能ではあるが、その場合には上述したリフロー回数の削減の観点からリフロー処理ではなく、半田ごて等を用いた半田付け作業を採用することが好ましい。
【００５０】
また、上述した本発明の実施の形態１ないし３においては、天板が平板状のシールドケース６０を用いた場合を例示して説明を行なったが、シールドケースの形状はこれに限定されるものではない。
【００５１】
また、上述した本発明の実施の形態１ないし３における特徴的な構成は、当然ながら相互に組み合わせることが可能である。
【００５２】
このように、今回開示した上記各実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態１における高周波ユニットの模式断面図である。
【図２】支持部材の外観構造を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１における高周波ユニットの製造工程を示す模式図である。
【図４】本発明の実施の形態２における高周波ユニットの模式断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における高周波ユニットの模式断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１Ａ〜１Ｃ  高周波ユニット、１０  マザー基板、１０ａ  表面、１０ｂ  裏面、１１〜１３  ランド、２０ａ〜２０ｃ  電子部品、２１  電極、３０  モジュール基板、３０ａ  第１主面、３０ｂ  第２主面、３１〜３３  ランド、４０ａ〜４０ｄ  電子部品、４０ｅ，４０ｆ  ダミー部品、４１  電極、５０  支持部材、５１  第１板状部、５２  第２板状部、５３  第３板状部、６０  シールドケース、６１  内面、６２  係止部、６３  隔壁部、７１〜７５  半田、８０  支持部材、８１  第１板状部、８２  第２板状部、８３  第３板状部、１００  高周波モジュール、２００  高周波ユニットサブアセンブリ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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