(57)【要約】【課題】アクチュエータの設計の自由度を高めることができるヘッドスライダおよび記憶装置を提供する。【解決手段】アクチュエータ５５に基づき第２レール４９ｂの第２空気軸受け面５２ｂで突き出しが形成されると、第２空気軸受け面５２ｂおよび記憶媒体１４の間で気圧は上昇する。気圧の上昇に応じて第２レール４９ｂで浮力が増大する。第２レール４９ｂおよび記憶媒体１４の間で距離は増大する。第１レール４９ａおよび第２レール４９ｂは前後方向中心線５６を挟んで相互に反対側に配置されることから、ヘッドスライダ２２はロール角回りで回転する。第１レール４９ａおよび記憶媒体１４の間で距離は減少する。こうしてヘッド素子４４の浮上量は簡単に調整される。しかも、アクチュエータ５５はヘッド素子４４に対してスライダ幅方向に離れて配置される。アクチュエータ５５の設計すなわち寸法や形状、種類の自由度は著しく向上する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体対向面を規定するスライダ本体と、
前記媒体対向面に形成されて、頂上面で第１空気軸受け面を規定する第１レールと、
前記第１レールの第１空気軸受け面に組み込まれるヘッド素子と、
前記媒体対向面に形成されて頂上面で第２空気軸受け面を規定し、前記スライダ本体の空気流入端のスライダ幅方向中央位置および前記スライダ本体の空気流出端のスライダ幅方向中央位置を結ぶ前後方向中心線を挟んで相互に反対側に配置される第２レールと、
前記第２レールの第２空気軸受け面に組み込まれて、前記第２軸受け面に突き出しを形成するアクチュエータとを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記アクチュエータは、電力の供給に基づき発熱する発熱体であることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記アクチュエータは、電圧の印加に基づき変形する圧電素子であることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体に向き合わせられるヘッドスライダと、
先端で前記ヘッドスライダを支持するヘッドサスペンションと、
前記ヘッドサスペンションに形成されて、前記媒体対向面の裏側に規定される前記ヘッドスライダの背面で前記ヘッドスライダを支持するドーム状の突起とを備え、
前記ヘッドスライダは、前記媒体対向面を規定するスライダ本体と、前記スライダ本体の媒体対向面に形成されて、頂上面で第１空気軸受け面を規定する第１レールと、前記第１レールの第１空気軸受け面に組み込まれるヘッド素子と、前記スライダ本体の空気流入端のスライダ幅方向中央位置および前記スライダ本体の空気流出端のスライダ幅方向中央位置を結ぶ前後方向中心線を挟んで相互に反対側に配置される第２レールと、前記第２レールの第２空気軸受け面に組み込まれて、前記第２軸受け面に突き出しを形成するアクチュエータとを備えることを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダには電磁変換素子に隣接してアクチュエータすなわちヒータが組み込まれる。ゼロキャリブレーションの実施にあたって、ヒータの発熱に基づきヘッドスライダの媒体対向面では突き出しが形成される。突き出しの突き出し量の調整に基づき磁気ディスクの表面から電磁変換素子の浮上量は調整される。こうした突き出しに基づき電磁変換素子は磁気ディスクの表面に近づく。その結果、磁気情報の記録密度は向上する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前述のように、ヒータは電磁変換素子に隣接して配置される。その結果、ヒータの発熱に基づき電磁変換素子は加熱される。過度の加熱は電磁変換素子に損傷を与える。同時に、ヒータの発熱に基づき電磁変換素子は変形する。過度の変形は電磁変換素子に損傷を与える。その結果、ヒータの発熱量は制限されてしまう。ヒータの設計の自由度は大幅に制限される。効率的な突き出しの形成は阻害される。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、アクチュエータの設計の自由度を大いに高めることができるヘッドスライダおよび記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、ヘッドスライダは、媒体対向面を規定するスライダ本体と、前記媒体対向面に形成されて、頂上面で第１空気軸受け面を規定する第１レールと、前記第１レールの第１空気軸受け面に組み込まれるヘッド素子と、前記媒体対向面に形成されて頂上面で第２空気軸受け面を規定し、前記スライダ本体の空気流入端のスライダ幅方向中央位置および前記スライダ本体の空気流出端のスライダ幅方向中央位置を結ぶ前後方向中心線を挟んで相互に反対側に配置される第２レールと、前記第２レールの第２空気軸受け面に組み込まれて、前記第２軸受け面に突き出しを形成するアクチュエータとを備えることを特徴とする。
【０００６】
こうしたヘッドスライダは記憶媒体の表面から浮上する。このとき、アクチュエータに基づき第２レールの第２空気軸受け面で突き出しが形成されると、第２空気軸受け面および記憶媒体の間で気圧は上昇する。気圧の上昇に応じて第２レールで浮力が増大する。突き出しの形成時に大きく気圧は上昇することから、第２レールでは簡単に浮力が生成される。第２レールおよび記憶媒体の間で距離は増大する。その一方で、第１レールでは突き出しは形成されない。突き出しの形成時に比べて突き出しの非形成時に気圧の上昇は低く抑えられる。その結果、第１レールおよび記憶媒体の間で距離は簡単に減少する。第１レールおよび第２レールは前後方向中心線を挟んで相互に反対側に配置されることから、ヘッドスライダはロール角回りで回転する。ヘッドスライダすなわちヘッド素子の浮上量は簡単に調整される。
【０００７】
しかも、アクチュエータはヘッド素子に対してスライダ幅方向に離れて配置される。第２レールでは、アクチュエータからヘッド素子に対する発熱の影響や変形の影響は考慮されなくて済む。その結果、アクチュエータの設計すなわち寸法や形状、種類の自由度は著しく向上する。アクチュエータは例えばこれまで以上に大きな寸法で設計されることができる。こうしてアクチュエータの発熱量は増大する。突き出しはこれまで以上に効率的に突き出すことができる。その一方で、ヘッド素子およびアクチュエータが例えば第１レールに相互に隣接して組み込まれると、アクチュエータの寸法や形状、種類はヘッド素子に対する発熱の影響や変形の影響に基づき制約されてしまう。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように、ヘッドスライダおよび記憶装置はアクチュエータの設計の自由度を大いに高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１０】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１１】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性膜では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。
【００１２】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１３】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端には後述のフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１４】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１５】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１６】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００１７】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。磁気情報すなわち２値情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、２値情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００１８】
図２に示されるように、ヘッドサスペンション２１は、キャリッジアーム１９の前端に取り付けられるベースプレート３１と、ベースプレート３１から前方に所定の間隔で隔てられるロードビーム３２とを備える。ベースプレート３１およびロードビーム３２の表面にはヒンジプレート３３が固定される。ヒンジプレート３３はベースプレート３１の前端およびロードビーム３２の後端の間で弾性変形部３４を区画する。こうしてヒンジプレート３３はベースプレート３１およびロードビーム３２を連結する。ベースプレート３１、ロードビーム３２およびヒンジプレート３３は例えばステンレス鋼の薄板からそれぞれ形成される。
【００１９】
ヘッドサスペンション２１の表面には前述のフレキシャ２８が貼り付けられる。フレキシャ２８はステンレス鋼板３５を備える。ステンレス鋼板３５は、表面で浮上ヘッドスライダ２２の背面を受け止める支持板３６と、ロードビーム３２およびヒンジプレート３３の表面に部分的に接合される固定板３７とを備える。固定板３７の接合にあたって例えば複数の接合スポットでスポット溶接が実施されればよい。支持板３６および固定板３７は１枚のステンレス鋼の薄板から形成される。浮上ヘッドスライダ２２は支持板３６の表面に接着される。固定板３７の表面には配線パターン３８が形成される。配線パターン３８の一端は浮上ヘッドスライダ２２に接続される。
【００２０】
図３に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２の背後で支持板３６は、ロードビーム３２の表面に形成されるドーム状の突起３９に受け止められる。前述の弾性変形部３４は所定の弾性力すなわち曲げ力を発揮する。この曲げ力の働きでロードビーム３２の前端には磁気ディスク１４の表面に向かう押し付け力が付与される。この押し付け力は突起３９の働きで支持板３６の背後から浮上ヘッドスライダ２２に作用する。浮上ヘッドスライダ２２は、気流の働きで生成される浮力に基づき姿勢を変化させることができる。突起３９は浮上ヘッドスライダ２２すなわち支持板３６の姿勢変化を許容する。
【００２１】
図４は本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体４１を備える。スライダ本体４１は、平たい直方体に形成される基材４２と、この基材４２の空気流出端面に積層される絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜４３とを備える。この素子内蔵膜４３に前述の電磁変換素子４４が組み込まれる。基材４２は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜４３は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。
【００２２】
浮上ヘッドスライダ２２は媒体対向面すなわち浮上面４５で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面４５には平坦なベース面４６すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体４１の前端から後端に向かって浮上面４５には気流４７が作用する。
【００２３】
浮上面４５には、前述の気流４７の上流側すなわち空気流入側でベース面４６から立ち上がる１筋のフロントレール４８が形成される。フロントレール４８はベース面４６の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面４５には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面４６から立ち上がる左右１対のリアサイドレール４９ａ、４９ｂが形成される。リアサイドレール４９ａ、４９ｂは基材４２から素子内蔵膜４３まで延びる。こうしてリアサイドレール４９ａ、４９ｂはスライダ本体４１の空気流出側端面に沿って形成される。リアサイドレール４９ａ、４９ｂはベース面４６の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、リアサイドレール４９ａ、４９ｂ同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。
【００２４】
フロントレール４８およびリアサイドレール４９ａ、４９ｂの頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）５１、５２ａ、５２ｂが規定される。例えば空気軸受け面５１、５２ａ、５２ｂの空気流入端は段差でレール４８、４９ａ、４９ｂの頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流４７は浮上面４５に受け止められる。このとき、段差の働きで空気軸受け面５１、５２ａ、５２ｂには比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール４８の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２５】
空気軸受け面５２ａの空気流出側でリアサイドレール４９ａには電磁変換素子４４が埋め込まれる。電磁変換素子４４は例えば読み出し素子と書き込み素子とを備える。読み出し素子には例えばトンネル接合磁気抵抗効果（ＴｕＭＲ）素子が用いられる。ＴｕＭＲ素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から２値情報は読み出される。書き込み素子にはいわゆる単磁極ヘッドといった磁気記録ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで記録磁界を生成する。この記録磁界の働きで磁気ディスク１４に２値情報は書き込まれる。電磁変換素子４４は素子内蔵膜４３の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。なお、読み出し素子には例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子が用いられてもよい。
【００２６】
なお、空気軸受け面５２ａの空気流出側で素子内蔵膜４３の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜４３の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。
【００２７】
図５を併せて参照し、空気軸受け面５２ｂの空気流出側でリアサイドレール４９ｂにはアクチュエータ５５が組み込まれる。ここでは、アクチュエータ５５は発熱体から形成される。発熱体は例えば電熱線から形成される。こうしたアクチュエータ５５に電力が供給されると、アクチュエータ５５は発熱する。アクチュエータ５５の熱でアクチュエータ５５とともに素子内蔵膜４３は熱膨張する。その結果、図６に示されるように、空気軸受け面５２ｂで基材４２や素子内蔵膜４３は隆起する。こうして突き出しが形成される。突き出しは磁気ディスク１４に向かって変位する。突き出しの突き出し量は電力量に基づき特定される。
【００２８】
図７に示されるように、リアサイドレール４９ａ、４９ｂは、スライダ本体４１の空気流入端のスライダ幅方向中央位置およびスライダ本体４１の空気流出端のスライダ幅方向中央位置を結ぶ前後方向中心線５６を挟んで相互に反対側に配置される。こうして電磁変換素子４４およびアクチュエータ５５は前後方向中心線５６を挟んで相互に反対側に配置される。前述の突起３９は、前後方向中心線５６を含みつつベース面４６に直交する仮想平面内で支持板３６を支持する。前述のように、電磁変換素子４４およびアクチュエータ５５はスライダ本体４１の空気流出端に隣接して配置される。
【００２９】
図８に示されるように、ヘッドＩＣ２７にはプリアンプ回路６１、電流供給回路６２および電力供給回路６３が組み込まれる。プリアンプ回路６１は電磁変換素子４４の読み出し素子６４に接続される。プリアンプ回路６１から読み出し素子６４に向かってセンス電流は供給される。センス電流の電流値は一定値に維持される。電流供給回路６２は電磁変換素子４４の書き込み素子６５に接続される。電流供給回路６２から書き込み素子６５に書き込み電流は供給される。供給された書き込み電流に基づき書き込み素子６５で磁界が生成される。電力供給回路６３はアクチュエータ５５に接続される。電力供給回路６３はアクチュエータ５５に所定の電力を供給する。電力の供給に応じてアクチュエータ５５は発熱する。アクチュエータ５５の温度は電力量で決定される。
【００３０】
ヘッドＩＣ２７には制御回路（ハードディスクコントローラ）６６が接続される。制御回路６６はヘッドＩＣ２７に対してセンス電流や書き込み電流、電力の供給を指示する。同時に、制御回路６６はセンス電流の電圧を検知する。検知に先立ってプリアンプ回路６１はセンス電流の電圧を増幅する。制御回路６６はプリアンプ回路６１の出力に基づき２値情報を判別する。この制御回路６６は所定のソフトウェアプログラムに従ってプリアンプ回路６１、電流供給回路６２および電力供給回路６３の動作を制御する。ソフトウェアプログラムは例えばメモリ６７に格納されればよい。こういったソフトウェアプログラムに基づき後述の電磁変換素子４４の浮上量は調整される。調整にあたって必要なデータは同様にメモリ６７に格納されればよい。メモリ６７には他の記憶媒体からソフトウェアプログラムやデータが移行されればよい。制御回路６６やメモリ６７は例えば回路基板２９上に実装される。
【００３１】
このＨＤＤ１１では２値情報の読み出しや書き込みに先立って突き出しの突き出し量が設定される。突き出しの突き出し量の設定にあたってゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、リアサイドレール４９ａが磁気ディスク１４の表面に接触する際に突き出しの突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出しの突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出しの突き出し量が設定されると、電磁変換素子は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４の表面から浮上することができる。こういったゼロキャリブレーションは例えばＨＤＤ１１の起動のたびに実施されればよい。
【００３２】
ゼロキャリブレーションの実施にあたって、制御回路６６は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路６６はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。同時に、制御回路６６はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２すなわち電磁変換素子４４は所定の浮上量Ｈで磁気ディスク１４から浮上する。加えて、制御回路６６はヘッドＩＣ２７に電流を供給する。制御回路６６はプリアンプ回路６１の出力を監視する。すなわち、制御回路６６はセンス電流の電圧値を観察する。このとき、電力供給回路６３は電力の供給を保留する。
【００３３】
制御回路６６は電力供給回路６３に指令信号を供給する。制御回路６６は規定の増加量で突き出しの突き出し量を増加させる。指令信号の受信に応じて電力供給回路６３は増加後の突き出し量に見合った電力量の電力をアクチュエータ５５に供給する。電力量は例えばアクチュエータ５５の線膨張係数に基づき予め設定されればよい。図９に示されるように、突き出しの突き出し量は増加する。空気軸受け面５２ｂは隆起する。リアサイドレール４９ｂおよび磁気ディスク１４の距離は減少する。距離の減少に基づきリアサイドレール４９ｂおよび磁気ディスク１４の間で気圧は増大する。リアサイドレール４９ｂに作用する浮力は増大する。その結果、図１０に示されるように、空気軸受け面５２ｂおよび磁気ディスク１４の間で距離は増大する。
【００３４】
前述のように、浮上ヘッドスライダ２２は背面で支持板３６を介して突起３９に支持される。リアサイドレール４９ａ、４９ｂは前後方向中心線５６を挟んで相互に反対側に配置される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は突起３９を支点に、スライダ幅方向に規定されるロール角回りに回転する。こうしてリアサイドレール４９ａおよび磁気ディスク１４の距離は減少する。電磁変換素子４４は磁気ディスク１４に近づく。このとき、制御回路６６はリアサイドレール４９ａおよび磁気ディスク１４の「接触」を判定する。判定にあたって制御回路６６はセンス電流の電圧値に出現する前述の「揺れ」の有無を観察する。こうして「揺れ」が観察されるまで、制御回路６６は規定の増加量で突き出しの突き出し量を増加させる。その結果、リアサイドレール４９ａは磁気ディスク１４に接触する。「揺れ」が観察される。制御回路６６はリアサイドレール４９ａおよび磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路６６は接触時の突き出しの突き出し量を特定する。特定された突き出し量は例えばメモリ６７に保存される。こうしてゼロキャリブレーションは完了する。
【００３５】
ここで、発明者はシミュレーションに基づき突き出しの形成時および非形成時に浮上ヘッドスライダおよび磁気ディスクの間の気圧の分布を検証した。検証にあたって従来の浮上ヘッドスライダが用いられた。この浮上ヘッドスライダの空気流出側では前述の１対のリアサイドレール４９ａ、４９ｂに代えて１つのリアセンターレールが形成された。リアセンターレールはスライダ幅方向の中央位置に配置された。このリアセンターレールに前述のアクチュエータが組み込まれた。突き出しの形成時および突き出しの非形成時で、磁気ディスクの表面からリアセンターレールの浮上量Ｈは等しく設定された。このとき、前後方向中心線に沿って各位置で気圧が計測された。その結果、図１１に示されるように、突き出しの非形成時に比べて突き出しの形成時で大きな気圧が計測された。こうした気圧の相違は、突き出しの形成に基づきリアセンターレールの空気軸受け面が磁気ディスクに向かって湾曲することが要因と考えられる。
【００３６】
以上のようなＨＤＤ１１では、リアサイドレール４９ｂの空気軸受け面５２ｂで突き出しが形成されると、空気軸受け面５２ｂおよび磁気ディスク１４の間で気圧は上昇する。気圧の上昇に応じてリアサイドレール４９ｂで浮力が増大する。突き出しの形成時に大きく気圧は上昇することから、リアサイドレール４９ｂでは簡単に浮力が増大する。リアサイドレール４９ｂおよび磁気ディスク１４の間で距離は増大する。その一方で、サイドリアレール４９ａでは突き出しは形成されない。前述のように、突き出しの形成時に比べて突き出しの非形成時に気圧の上昇は低く抑えられる。その結果、サイドリアレール４９ａおよび磁気ディスク１４の間で距離は簡単に減少する。こうして浮上ヘッドスライダ２２はロール角β回りで回転する。浮上ヘッドスライダ２２すなわち電磁変換素子４４の浮上量は簡単に調整される。
【００３７】
しかも、アクチュエータ５５は電磁変換素子４４に対してスライダ幅方向に離れて配置される。リアサイドレール４９ｂでは、アクチュエータ５５から電磁変換素子４４に対する発熱の影響や変形の影響は考慮されなくて済む。その結果、アクチュエータ５５の寸法や形状、種類の自由度は著しく向上する。アクチュエータ５５は例えばこれまで以上に大きな寸法で設計されることができる。こうしてアクチュエータ５５の発熱量は増大する。突き出しはこれまで以上に効率的に突き出すことができる。その一方で、電磁変換素子４４およびアクチュエータ５５が例えばリアサイドレール４９ａに相互に隣接して組み込まれると、アクチュエータ５５の寸法や形状、種類は電磁変換素子４４に対する発熱の影響や変形の影響に基づき制限されてしまう。
【００３８】
加えて、電磁変換素子４４およびアクチュエータ５５は、前後方向中心線５６を挟んでスライダ幅方向に相互に反対側に配置される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は、スライダ幅方向に規定されるロール角の変化に基づき姿勢を変化させる。比較的に小さな慣性モーメントで回転が実現される。その一方で、電磁変換素子４４およびアクチュエータ５５が例えば前後方向中心線５６に沿って前後方向に隣接して配置される場合、浮上ヘッドスライダ２２はスライダ本体４１の前後方向に規定されるピッチ角の変化に基づき姿勢を変化させる。一般に、スライダ本体４１ではスライダ幅方向に比べて前後方向に大きく規定される。姿勢変化にあたって比較的に大きな慣性モーメントが求められる。したがって、同一の電力が供給される場合に、本発明の浮上ヘッドスライダ２２では浮上量Ｈは効率的に調整される。
【００３９】
図１２は本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ａを示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａでは前述のアクチュエータ５５に圧電素子が用いられる。ここでは、アクチュエータ５５は、例えばスライダ本体４１の空気流出側端面に形成される窪み７１内に配置される。ここでは、アクチュエータ５５はスライダ本体４１の厚み方向に長尺に延びる。アクチュエータ５５の両端は窪み７１の内壁面に受け止められる。図１３に示されるように、アクチュエータ５５は、電圧の印加に基づき浮上面４５に直交する垂直方向に変形すなわち伸張することができる。その結果、リアセンターレール４９ｂでは空気軸受け面５２ｂに突き出しが形成される。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２２と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした浮上ヘッドスライダ２２ａによれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４０】
なお、以上のような浮上ヘッドスライダ２２、２２ａでは、リアサイドレール４９ａ、４９ｂは必ずしもベース面４６の左右の縁に沿って配置されなくてもよい。例えばリアサイドレール４９ａ、４９ｂの少なくともいずれか一方がベース面４６の左右の縁から内側に配置されてもよい。また、電磁変換素子４４とアクチュエータ５５とが前後方向中心線５６を挟んで相互に反対側に配置される限り、リアサイドレール４９ａ、４９ｂは相互に一体化されてもよい。さらにまた、電磁変換素子４４がリアサイドレール４９ｂに組み込まれる一方で、アクチュエータ５５がリアサイドレール４９ａに組み込まれてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】キャリッジの構造を概略的に示す部分拡大平面図である。
【図３】図３の５−５線に沿った部分拡大断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
【図５】図３の５−５線に沿った部分拡大断面図であり、突き出しの非形成時の様子を概略的に示す。
【図６】図５に対応し、突き出しの形成時の様子を概略的に示す。
【図７】本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図８】ＨＤＤの制御系を示すブロック図である。
【図９】磁気ディスクの表面から浮上中の浮上ヘッドスライダの様子を概略的に示す側面図である。
【図１０】ロール角回りで回転する浮上ヘッドスライダの様子を概略的に示す側面図である。
【図１１】突き出しの形成時および非形成時における磁気ディスクおよび浮上ヘッドスライダの間の気圧を示すグラフである。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す側面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１  記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４  記憶媒体（磁気ディスク）、２１  ヘッドサスペンション、２２、２２ａ  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３９  突起、４１  スライダ本体、４４  ヘッド素子（電磁変換素子）、４５  媒体対向面、４９ａ  第１レール（リアサイドレール）、４９ｂ  第２レール（リアサイドレール）、５２ａ  第１空気軸受け面、５２ｂ  第２空気軸受け面、５５  アクチュエータ、５６  前後方向中心線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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