(57)【要約】【課題】発光素子の実装作業を効率的に行うことが可能となるとともに、光取り出し効率を高めることができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、発光部２０と発光部２０が設けられる基板１０を備えている。また、発光部２０は、縦長形状を有するＬＥＤチップ２１を備え、基板１０に形成されるとともに縦長形状を有する反射部２３上に取り付けられる。そして、ＬＥＤチップ２１は、その長手方向が反射部２３の長手方向と交差するように配置される。また、ＬＥＤチップ２１は、ＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ側が配線層１３（配線側正電極あるいは配線側負電極）と対向するように取り付けられる。そして、ボンディングワイヤ２２によって、ＬＥＤチップ２１と配線層１３とが電気的に接続される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光装置を備えた照明装置であって、
前記発光装置は、
一の側辺と、当該一の側辺に交差するとともに当該一の側辺と比較して発光量の小さい他の側辺とを有する発光素子と、
前記発光素子の周囲に形成されて当該発光素子から照射される光を反射する反射部と、
前記発光素子の前記他の側辺と対峙して設けられ、当該発光素子への給電経路を形成する給電部と、
前記発光素子と前記給電部とを電気的に接続する接続部材と
を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記他の側辺は、前記一の側辺と比較して短いことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記接続部材は、前記発光素子から照射された光を吸収する材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記発光素子は、ＩＩＩ族窒化物半導体層を有し、
前記接続部材は、Ａｕを材料とすることを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記発光素子を封止する封止部を備え、
前記封止部は、前記発光素子から照射された光を長波長光に変換する蛍光体を含有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
縦長形状を有する発光素子と、
縦長形状を有するとともに、前記発光素子の周囲に形成され、当該発光素子から照射される光を反射する反射部と、
前記反射部の外側に設けられ、前記発光素子への給電経路となる給電部とを備え、
前記発光素子は、当該発光素子の長手方向を前記反射部の長手方向に交差させて配置されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記発光素子は、当該発光素子の短手を前記反射部の長手に対峙させて配置されることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記給電部は、前記反射部の外側にて、当該反射部の長手方向における中央部に設けられ、
前記発光素子は、前記反射部の中央部に配置されることを特徴とする請求項６又は７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光素子を実装する実装基板を備え、
前記実装基板の一部が前記反射部として機能することを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記反射部は、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを含む合金からなることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光素子は、複数設けられることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を用いた照明装置及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)等の発光素子を光源として用いた発光装置が種々実用化されてきている。このような発光装置は、街灯や、液晶表示装置等のバックライト等の光源として広く利用されている。
また、発光装置については、リードフレームを有するパッケージに発光素子を実装する所謂パッケージ型のものや、例えば特許文献１に記載されるように、配線等が形成された実装基板に発光素子を直接実装する所謂チップオンボード（ＣＯＢ：Chip On Board）型のものが知られている。
【０００３】
このうち、チップオンボード型の発光装置は、発光素子を放熱性の良い回路基板に直接マウントすることが可能となるため、例えばパッケージ型と比較して、大きな電流を流しても発光素子の温度上昇を抑制することができる。このように、チップオンボード型の発光装置では、放熱効率を高めることができるため、温度上昇に伴う発光素子の発光性能の低下を抑制することが可能となる。従って、チップオンボード型の発光装置は、一般的な照明や液晶表示装置等のバックライト用途に限らず、低温貯蔵庫、生鮮品の展示照明、あるいは植物育成用途など、高い放熱性が要求される用途に用いられる場合において特に有効である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００４／０７１１４１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、発光素子を実装する際には、発光素子を基板やリードフレーム等の取付部材に固定し、さらに発光素子に設けられる電極と配線やリードフレームなどの給電経路における給電部とをボンディングワイヤ等の接続部材によって電気的に接続する。このとき、接続部材の長さが短い方が接続作業は容易になる。また、発光装置においては、光取り出し効率を高めることが要請され、発光素子から照射される光を反射する反射面を形成する等の工夫がなされている。
【０００６】
本発明は、発光素子の実装作業を効率的に行うことが可能となるとともに、光取り出し効率を高めることができる照明装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的のもと、本発明が適用される照明装置は、複数の発光装置を備えた照明装置であって、発光装置は、一の側辺と、一の側辺に交差するとともに一の側辺と比較して発光量の小さい他の側辺とを有する発光素子と、発光素子の周囲に形成されて発光素子から照射される光を反射する反射部と、発光素子の他の側辺と対峙して設けられ、発光素子への給電経路を形成する給電部と、発光素子と給電部とを電気的に接続する接続部材とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このような照明装置において、他の側辺は、一の側辺と比較して短いことを特徴とすることができる。また、接続部材は、発光素子から照射された光を吸収する材料からなることを特徴とすることができる。この場合に、発光素子は、ＩＩＩ族窒化物半導体層を有し、接続部材は、Ａｕを材料とすることを特徴とすることができる。さらに、発光素子を封止する封止部を備え、封止部は、発光素子から照射された光を長波長光に変換する蛍光体を含有していることを特徴とすることができる。
【０００９】
他の観点から捉えると、本発明が適用される発光装置は、縦長形状を有する発光素子と、縦長形状を有するとともに、発光素子の周囲に形成され、発光素子から照射される光を反射する反射部と、反射部の外側に設けられ、発光素子への給電経路となる給電部とを備え、発光素子は、発光素子の長手方向を反射部の長手方向に交差させて配置されることを特徴とする。
【００１０】
このような発光装置において、発光素子は、発光素子の短手を反射部の長手に対峙させて配置されることを特徴とすることができる。また、給電部は、反射部の外側にて、反射部の長手方向における中央部に設けられ、発光素子は、反射部の中央部に配置されることを特徴とすることができる。さらにまた、発光素子を実装する実装基板を備え、実装基板の一部が反射部として機能することを特徴とすることができる。この場合に、反射部は、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを含む合金からなることを特徴とすることができる。そして、発光素子は、複数設けられることを特徴とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発光素子の実装作業を効率的に行うことが可能となるとともに、光取り出し効率がより高められた照明装置等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】照明装置の全体構成を説明するための一例の図である。
【図２】発光装置の全体構成を説明するための一例の図である。
【図３】基板及び発光部の詳細を説明するための一例の図である。
【図４】本実施形態の基板を説明するための一例の図である。
【図５】本実施形態が適用される発光装置の一例としての部分断面図である。
【図６】発光装置についての他の例を説明するための一例の図である。
【図７】比較例を説明するための一例の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１は、照明装置１００の構成の一例を説明するための図である。
照明装置１００は図１に示すように、配線等が形成された基板１０と、基板１０の表面に設けられた発光部２０とを備えた発光装置１と、凹字状の断面形状を有し、凹部内側の底部に発光装置１が取り付けられるように構成されたシェード１００ａとを備えている。なお、本実施形態の照明装置１００は、図１に示すように６つの発光装置１を有している。この照明装置１００は、例えば室内灯や街灯、液晶表示装置のバックライト、植物育成用照明など各種機器の光源として用いることができる。
【００１４】
図２は、発光装置１の全体構成を説明するための一例の図である。
発光装置１は、図２に示すように、実装基板の一例としての基板１０と、基板１０に設けられる発光部２０とを備えている。また、本実施形態の発光装置１は、複数（本実施形態では１８個）の発光部２０を備えている。これら複数の発光部２０には、発光素子の一例としてのＬＥＤチップ２１（後述する図３参照）がそれぞれ設けられている。そして、発光部２０におけるＬＥＤチップ２１が給電を受けることで、発光部２０がそれぞれ発光する。
【００１５】
また、図２に示すように、基板１０の発光部２０が設けられる側の表面には、白色レジスト１４が形成されている。本実施形態では、基板１０の発光部２０が設けられる側の面に白色レジスト１４を形成することにより、発光部２０から発光される光を照射対象方向に向けて効率良く光を照射させている。さらに、図２に示すように、発光装置１には、コネクタ４０が設けられる。発光装置１は、このコネクタ４０を介して外部から電力供給を受け、配線層１３（後述する図３参照）を介してＬＥＤチップ２１に給電を行う。
【００１６】
図３は、基板１０及び発光部２０の詳細を説明するための一例の図である。図３（ａ）は基板１０及び発光部２０の斜視図である。図３（ｂ）は、ＬＥＤチップ２１の拡大図である。なお、図３では、白色レジスト１４の図示を省略している。
図３（ａ）に示すように、基板１０は、基材１１、発光部２０への給電経路となる配線層１３、及び基材１１と配線層１３との間に形成される絶縁層１２を備えている。なお、図３（ａ）では図示を省略している白色レジスト１４（図２参照）は、発光部２０が設けられる領域を開け、絶縁層１２及び配線層１３を覆うように形成される。
一方、発光部２０は、図３（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ２１、配線層１３とＬＥＤチップ２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２、及びＬＥＤチップ２１やボンディングワイヤ２２等を封止する封止部材２４とを備えている。
【００１７】
まず、基板１０について説明する。本実施形態の基板１０における基材１１は、アルミニウム（Ａｌ）板である。一般的に、ＬＥＤ（本実施形態ではＬＥＤチップ２１）は、ＬＥＤの温度が高くなるに従って、発光効率が低下することが知られている。そこで、ＬＥＤチップ２１の発光に伴って生じる熱の放熱性を高める点で、基材１１に用いる材料は、熱伝導率の高い材料であることが好ましい。また、後述するように、本実施形態においては、基材１１の一部を露出させ、その露出部分を反射面（反射部２３）として機能させている。この場合、ＬＥＤチップ２１から照射された光を効率良く反射させる点で、基材１１は、ＬＥＤチップ２１からの光の反射率が高い（吸収率が低い）材料であることが好ましい。
【００１８】
以上のことから、本実施形態の基材１１には、熱伝導率が高く、ＬＥＤチップ２１から発光する光の反射率が高いアルミニウム（Ａｌ）を材料として用いている。なお、反射率の観点から、基材１１として銀（Ａｇ）を用いても良く、さらに基材１１としてアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を主たる材料とした合金を用いても良い。この場合、基材１１のＬＥＤチップ２１から照射される光の反射率は例えば８５％以上であることが好ましい。また、放熱性の観点から、基材１１には、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ステンレス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの熱伝導性の高い材料を用いることができる。
【００１９】
絶縁層１２は、図３（ａ）に示すように、基材１１と配線層１３との間に設けられる。上述したように、本実施形態では基材１１をアルミニウム板すなわち導電性材料としている。従って、基材１１に配線層１３を直接形成することはできない。そこで、本実施形態では、基材１１の表面に絶縁層１２を形成したうえで、絶縁層１２上に配線層１３を設ける構成としている。
【００２０】
また、図３（ａ）に示すように、絶縁層１２には開口１２ｈが形成されている。この開口１２ｈは、ＬＥＤチップ２１が実装される位置に基づき、ＬＥＤチップ２１を囲うように形成される。また、図３（ａ）に示すように、本実施形態の開口１２ｈは楕円形状を有している。このように、絶縁層１２に開口１２ｈを設けることにより、基材１１の一部が露出するようにしている。上述のように、本実施形態の基材１１は、ＬＥＤチップ２１から照射される光の反射率が高いものである。従って、開口１２ｈが設けられることで形成される基材１１の露出部分によって、ＬＥＤチップ２１から照射される光を反射する反射面（後述する反射部２３）としての機能が実現される。
【００２１】
図４は、本実施形態の基板１０を説明するための一例の図である。
図４に示すように、基材１１には絶縁層１２が形成されている。なお、上述したように、基板１０におけるＬＥＤチップ２１が実装される位置に基づき、ＬＥＤチップ２１の周囲に反射部２３が形成されるように、絶縁層１２には開口１２ｈが設けられる。なお、図４に示すように、本実施形態では、１８個のＬＥＤチップ２１を実装するため開口１２ｈも１８箇所に形成されている。
【００２２】
そして、絶縁層１２上に配線層１３が形成される。配線層１３は、例えば銅などの電気伝導率の高い金属を用いて形成することができる。本実施形態では、発光装置１に設けられる複数のＬＥＤチップ２１を全て直列接続する構成としている。従って、図４に示すように、配線層１３は隣り合う開口１２ｈとの間に形成している。また、図４に拡大して示すように、配線層１３において、各ＬＥＤチップ２１に対向する側には、ＬＥＤチップ２１と電気的に接続する際に用いられる配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３Ｎが各々設けられる。配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３Ｎは、それぞれ反射部２３の長手方向（長軸方向）に沿った縁と対向するように設けられる。
なお、本実施形態では、配線層１３における配線側正電極１３Ｐあるいは配線側負電極１３Ｎが給電部として機能する。
【００２３】
そして、基板１０における複数の開口１２ｈにそれぞれＬＥＤチップ２１が取り付けられ、さらに配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３Ｎと電気的に接続されると、複数のＬＥＤチップ２１が配線層１３を介して直列接続される。
なお、図４に示すように、基板１０の端部には、コネクタ４０（図２参照）を接続するためのコネクタ用電極１３ｃが設けられている。配線層１３は、このコネクタ用電極１３ｃを介してコネクタ４０から給電を受けるようになっている。
【００２４】
続いて、図３を参照しながら、発光部２０について詳細に説明する。
本実施形態のＬＥＤチップ２１は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層を備えており、具体的には、サファイア基板などの上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層の各層がこの順で積層されて構成されている。また、本実施形態のＬＥＤチップ２１は、青色光（中心波長：約４５０〜４６０ｎｍ）を発光するものである。
ＬＥＤチップ２１は、図３（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層に例えばＩＴＯ等の透明電極等を介して接続する正電極パッド２１Ｐと、ｎ型半導体層に接続する負電極パッド２１Ｎとが設けられる。本実施形態のＬＥＤチップ２１において、これら正電極パッド２１Ｐ及び負電極パッド２１Ｎを介して電流を流すことで、発光層から青色光が照射される。
【００２５】
また、図３（ｂ）に示すように、本実施形態のＬＥＤチップ２１は、例えば正電極パッド２１Ｐが設けられる側からみて、縦長形状（矩形形状）を有している。具体的には、ＬＥＤチップ２１の厚みＨは約０．１５ｍｍである。そして、正電極パッド２１Ｐ側から見て、ＬＥＤチップ２１は、長い側の辺（以下、長辺Ｌと呼ぶ）と、短い側の辺（以下、短辺Ｓと呼ぶ）を有している。なお、本実施形態においては、長辺Ｌが「一の側辺」に、短辺Ｓが「他の側辺」に相当する。
【００２６】
なお、図３（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ２１が発光する際には、ＬＥＤチップ２１からは四方八方に光が照射される。このとき、本実施形態のＬＥＤチップ２１は縦長形状を有しているため、ＬＥＤチップ２１の側面（長辺Ｌ側における面および短辺Ｓ側における面）の配光分布は、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側にて照射する光量が、短辺Ｓ側と比較して大きくなっている。
【００２７】
以上のように構成されるＬＥＤチップ２１は、図３（ａ）に示すように、開口１２ｈの内側にて基材１１上に設けられる。つまり、ＬＥＤチップ２１は、楕円形状を有する反射部２３上に取り付けられる。このとき、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１を反射部２３の中央部に取り付けるようにしている。なお、ＬＥＤチップ２１は、例えば熱伝導性の高いダイボンディング材等によって基材１１に接合することができる。
そして、本実施形態のＬＥＤチップ２１は、ＬＥＤチップ２１の長手方向と、反射部２３の長手側方向とが略直交するように取り付けられる。なお、ここでいう「直交」とは、厳密に９０°であることを意味するものではない。例えば、ＬＥＤチップ２１の長手方向と、反射部２３の長手方向とが８０°〜１００°の角度を成して交差していても構わない。
【００２８】
即ち、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ（短手）側が発光部２３の長手と対峙するように、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ（長手）側が発光部２３の短手と対峙するように、ＬＥＤチップ２１を反射部２３に配置している。
【００２９】
本実施形態では、接続部材の一例としてのボンディングワイヤ２２に、金（Ａｕ）を用いている。ボンディングワイヤ２２には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）を用いても構わないが、機械的接続性が良好であるなどの理由から金（Ａｕ）を用いることが好ましい。
【００３０】
そして、基材１１に実装されたＬＥＤチップ２１は、このボンディングワイヤ２２によって、配線層１３と電気的に接続される。具体的には、ボンディングワイヤ２２を用いて、ＬＥＤチップ２１の正電極パッド２１Ｐと配線層１３における配線側正電極１３Ｐとを、負電極パッド２１Ｎと配線側負電極１３Ｎとをそれぞれ電気的に接続する（図３（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００３１】
封止部の一例としての封止部材２４は、ＬＥＤチップ２１やボンディングワイヤ２２等を保護する部材である。封止部材２４の材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の可視領域において透明な樹脂を用いることができる。特に、光による劣化の少ないシリコーン樹脂を用いることが好ましい。なお、封止部材２４に青色光によって励起されて緑色光を発する蛍光体と、青色光に励起されて赤色光を励起する蛍光体とを添加し、発光部２０から白色光を照射するように構成しても良い。また、封止部材２４に青色光によって励起されて黄色光を発する蛍光体を添加し、発光部２０から白色光を照射するように構成しても良い。
【００３２】
図５は、本実施形態が適用される発光装置１の一例としての部分断面図である。図５（ａ）は図３（ａ）に示すIIIａ−IIIａ断面であり、図５（ｂ）は図３（ａ）に示すIIIｂ−IIIｂ断面である。
図５（ａ）に示すように、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１における２箇所の短辺Ｓが配線側正電極１３Ｐ、配線側負電極１３Ｎにそれぞれ対峙するように、ＬＥＤチップ２１を配置している。このとき、配線層１３における配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３Ｎは、少なくともＬＥＤチップ２１と接触しない距離、あるいはＬＥＤチップ２１の基材１１への実装作業において支障が生じない距離などに基づいて、ＬＥＤチップ２１に向けて極力近づけて形成される。つまり、ボンディングワイヤ２２の長さをできる限り短くするように構成している。こうすることで、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１と配線層１３とをボンディングワイヤ２２を用いて電気的に接続する作業すなわちワイヤボンディング作業の作業性を向上させている。
【００３３】
ここで、上述したように、基材１１と配線層１３とを絶縁するために、基材１１と配線層１３の間に絶縁層１２を設ける必要がある。そして、配線層１３における配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３ＮをＬＥＤチップ２１側に近づけようとすると、これに伴って絶縁層１２もＬＥＤチップ２１側に近づける必要が生じる。その結果として、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ方向における反射部２３の幅が狭められることとなる（図５（ａ）参照）。
【００３４】
一方、図５（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側には、配線層１３における配線側正電極１３Ｐ、配線側負電極１３Ｎと対向して配置されていない。従って、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側においては、配線層１３を設けるために絶縁層１２を形成する必要はない。即ち、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側においては、配線層１３を形成することに基づいた反射部２３の幅に制約はない。
【００３５】
そして、ＬＥＤチップ２１から照射される光を効率良く対象方向に向けて照射するためには、ＬＥＤチップ２１の周囲に反射面を形成することが有効である。しかしながら、上述のように、ＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ側においては、配線層１３が設けられる位置までしか反射部２３の縁を広げることができない。そこで、本実施形態では、配線層１３が位置していない、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側における反射部２３の面積を広くとるようにした。そのため、本実施形態の反射部２３は、配線層１３が設けられる側と比較して、配線層１３が形成されていない側に長く延びる縦長形状となっている。
【００３６】
さらに、上記の通り、本実施形態のＬＥＤチップ２１は縦長形状を有するため、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側から照射される光量は短辺Ｓ側と比較して大きい。そこで、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ側（短手）が反射部２３の長軸方向に沿うように、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側（長手）が反射部２３の短軸方向に沿うように、ＬＥＤチップ２１を反射部２３に取り付ける。これにより、ＬＥＤチップ２１の側面における光量の大きい長辺Ｌ側が反射部２３において反射面積の比較的広い側を向くように配置され、ＬＥＤチップ２１からの光取り出し効率がさらに高められる。
【００３７】
なお、図５（ａ）に示すように、配線層１３（配線側正電極１３Ｐ、配線側負電極１３Ｎ）や絶縁層１２をＬＥＤチップ２１に近づけることにより、配線層１３や絶縁層１２がＬＥＤチップ２１からの照射される光を遮る（吸収する）ように、ＬＥＤチップ２１の近傍に立ちはだかることとなる。そこで、本実施形態では、長辺Ｌ側と比較して発光量の小さい短辺Ｓ側が配線層１３に対峙するようにＬＥＤチップ２１を配置することで、光取り出し効率の低下を抑制している。一方で、比較的に発光量の大きい長辺Ｌ側には配線層１３が対向しないようにＬＥＤチップ２１を配置することで、効率良く光取り出しを行っている。
【００３８】
また、図３（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ２１を反射部２３の長軸方向における中央部に配置している。これにより、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１における２つの長辺Ｌ側から照射される光を各々の側において均一に反射させ、各発光部２０における輝度ムラの発生を抑制している。
【００３９】
本実施形態では、ＬＥＤチップ２１の発光色が青色であり、ボンディングワイヤ２２の材料を金（Ａｕ）としている。ここで、金（Ａｕ）は、青色光を吸収する特性を有する。これに対して、本実施形態では、ボンディングワイヤ２２の長さを出来る限り短くしているため、ＬＥＤチップ２１から照射された光のボンディングワイヤ２２による吸収が低減され、ＬＥＤチップ２１から照射される光の取り出し効率の低下を抑制することが可能となる。
【００４０】
なお、青色光を照射するＬＥＤチップ２１と金（Ａｕ）を材料とするボンディングワイヤ２２との組合せに限らず、ボンディングワイヤ２２がＬＥＤチップ２１から照射される光の一部を吸収する特性を有する場合には、上述のように発光装置１を構成することによって、ＬＥＤチップ２１からの発光光がボンディングワイヤ２２によって吸収されることに起因する発光効率の低下が抑制される。
【００４１】
なお、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、配線側正電極１３Ｐ（あるいは配線側負電極１３Ｎ）がＬＥＤチップ２１の短辺Ｓと対峙して設けられているが、必ずしも対峙させる必要はない。例えば配線側正電極１３Ｐは、反射部２３の長手方向の端を除く位置に形成されていれば良い。反射部２３の周りに設ける配線側正電極１３Ｐ（あるいは配線側負電極１３Ｎ）の形成位置の範囲を、反射部２３の長手方向の端を除く位置とすることで、少なくとも、反射部２３の最大幅となる反射部２３の長手方向の端に配線側正電極１３Ｐを配置する場合と比較して、ボンディングワイヤ２２の長さを短くすることができる。
【００４２】
図６は、発光装置１についての他の例を説明するための一例の図である。
図３等を参照しながら説明したように、上述した実施形態では、発光部２０に設けられるＬＥＤチップ２１が単数のものであった。ここで、図６（ａ）に示すように、発光部２０に設けられるＬＥＤチップ２１が２個以上の複数であっても構わない。この場合においても、ＬＥＤチップ２１の長手方向と反射部２３の長手方向とが略直交するように、各ＬＥＤチップ２１を配置する。こうすることで、図６（ａ）に示すように、各ＬＥＤチップ２１に接続されるボンディングワイヤ２２の長さを短くすることができるとともに、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側から照射される光を効率的に反射させることができる。
【００４３】
また、図３等を参照しながら説明したように、上述した実施形態の反射部２３は楕円形状である。ここで、反射部２３の形状は、配線層１３とＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ側との距離を短くすることができ、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側における面積が少なくともＬＥＤチップ２１の短辺Ｓ側よりも広ければ良い。例えば、図６（ｂ）に示すように、反射部２３が長方形形状（矩形形状）を有していても構わない。このように反射部２３の形状を構成した場合であっても、ＬＥＤチップ２１の長手方向と反射部２３の長手方向が交差するように配置することで、ＬＥＤチップ２１に接続するボンディングワイヤ２２の長さを短くすることが可能となる。さらに、ＬＥＤチップ２１から照射される光を有効に反射させることができる。
【００４４】
図７は、比較例を説明するための一例の図である。
図７（ａ）に示す比較例は、基材１１に形成される開口１１２ｈの形状を円形にしたものである。つまり、反射部１２３の形状が円形を有するものである。そして、この反射部１２３上に縦長形状を有するＬＥＤチップ２１を配置している。
図７（ａ）に示す例の場合、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側から照射される光のみならず、短辺Ｓから照射される光についても反射させて利用することができる。しかしながら、反射部１２３の形状を円形にすることで、ＬＥＤチップ２１と配線側正電極１３Ｐ及び配線側負電極１３Ｎとの距離が遠くなる。そうすると、ボンディングワイヤ２２の長さは、例えば図３（ａ）に示す本実施形態の発光装置１と比較して長くなる。このように、ボンディングワイヤ２２の長さが長くなるとワイヤボンディング作業の作業効率の低下につながる。
【００４５】
次に、図７（ｂ）に示す例は、ＬＥＤチップ２１の長手方向が反射部２３の長手方向に沿うように、ＬＥＤチップ２１を配置したものである。この例において、ＬＥＤチップ２１に対して配線側正電極１３Ｐ（あるいは配線側負電極１３Ｎ）を近づけようとすると、絶縁層１２をＬＥＤチップ２１の近傍まで形成する必要が生じるため、ＬＥＤチップ２１の長辺Ｌ側の反射部２３の面積が小さくなる。そうすると、図７（ｂ）に示す例の場合、ＬＥＤチップ２１の側面において照射される光を十分に反射させて取り出すことができず、ＬＥＤチップ２１からの光取り出し効率の低下につながる。
【００４６】
なお、上述した本実施形態では、ＬＥＤチップ２１が青色光を照射する例を挙げて説明したが、ＬＥＤチップ２１の発光色は青色光に限定されるものではない。例えば、ＬＥＤチップ２１が緑色光を照射する場合であっても、ボンディングワイヤ２２に金（Ａｕ）を用いる場合であれば、ボンディングワイヤ２２による光吸収を考慮する必要が生じる。    また、ＬＥＤチップ２１が赤色光を照射する場合においても、ボンディングワイヤ２２のボンディング作業性を向上させることができるため、本実施形態の構成を採用することが有効となる。
【００４７】
また、ＬＥＤチップ２１から紫外光が照射される構成としても構わない。この場合においても、例えばボンディングワイヤ２２の材料に金（Ａｕ）を採用したときに、ボンディングワイヤ２２による発光光の吸収を抑制することができる。
【００４８】
さらに、上記の実施形態においては、ＬＥＤチップ２１の配光特性に関し、側面における発光量が辺によって異なるものとして縦長形状を有する発光素子を例に用いた。ここで発光素子の形状は、縦長に限定されるものではない。例えば正方形状を有する発光素子であっても、その発光素子に設ける電極パッド（本実施形態におけるＬＥＤチップ２１の正電極パッド２１Ｐ等に相当、図２参照）の配置によって、電極パッドを設ける側の辺における光量が、電極パッドを設けない側の辺と比較して大きくなるものも存在する。このように、各辺によって発光量の大きさが異なるといった配光特性を有する発光素子を用いる場合には、上述の通り、発光量の小さい側の辺を配線層１３に対峙させ、発光量の大きい側を反射部２３の面積が広い側に対向させて配置することで、ボンディングワイヤ２２の長さを短くするとともに、発光効率を高めることが可能となる。
【００４９】
なお、上述したように、例えば基板１０における放熱性を高めるなどのために、基材１１に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）あるいは銅（Ｃｕ）などの熱伝導率の高い材料を用いても構わない。ここで、これらの材料の光反射率は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）と比較して低いものである。そこで、基材１１に上記のような光の反射率が比較的低い材料を用いた場合には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの反射率を向上させる層（膜）をＬＥＤチップ２１の周囲に別途設けることで、発光部２０としての発光効率を向上させることができる。この場合には、上記の層（膜）が反射部２３として機能する。
【００５０】
上述の実施形態では、基板１０にＬＥＤチップ２１を直接実装する所謂チップオンボードの例を用いたが、チップオンボードに限定されるものではない。即ち、矩形形状を有するＬＥＤチップ２１を用いた場合において、ＬＥＤチップ２１の周囲に形成される反射面の外側に配線等の給電経路が形成される構成を採用した発光装置であれば、上述したように反射面（反射部２３に対応）の形状、配線経路に設けられる給電部（配線側正電極１３Ｐに対応）とＬＥＤチップ２１との位置関係を特定することによりワイヤボンディング作業の作業効率を向上させるとともに、発光効率（光取り出し効率）の向上を図ることが可能となる。
【符号の説明】
【００５１】
１…発光装置、１０…基板、１１…基材、１２…絶縁層、１２ｈ…開口、１３…配線層、２０…発光部、２１…ＬＥＤチップ、２３…反射部、２４…封止部材、１００…照明装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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