(57)【要約】【課題】スタックビア構造を簡素な方法によって低コストで形成できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】下地層１０の上に形成された第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０の上に第１層間絶縁層３０を形成する工程と、第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２を形成すると共に、第１ビアパッドＰ１に対応する第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２より膜厚が薄い第２ビアパッドＰ２を形成する工程と、第２配線層２２及び第２ビアパッドＰ２の上に第２層間絶縁層３２を形成する工程と、第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２及び第１層間絶縁層３０を貫通加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して、第１ビアパッドＰ１に接続される第３配線層２４を第２層間絶縁層３２の上に形成する工程とを含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層の上に形成された第１ビアパッドを有する第１配線層の上に、第１層間絶縁層を形成する工程と、
前記第１層間絶縁層の上に第２配線層を形成すると共に、前記第１ビアパッドに対応する前記第１層間絶縁層の上に前記第２配線層より膜厚が薄い第２ビアパッドを形成する工程と、
前記第２配線層及び前記第２ビアパッドの上に第２層間絶縁層を形成する工程と、
前記第２層間絶縁層、前記第２ビアパッド及び前記第１層間絶縁層を貫通加工することにより、前記第１ビアパッドに到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに充填されたビア導体を介して、前記第１ビアパッドに接続される第３配線層を前記第２層間絶縁層の上に形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２配線層及び前記第２ビアパッドを形成する工程は、
前記第１層間絶縁層の上にシード層を形成する工程と、
前記第１ビアパッドに対応する前記シード層の上にめっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストを除く前記シード層の上に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを残した状態で、前記金属めっき層の上にエッチングレジストをパターニングする工程と、
前記めっきレジスト及び前記エッチングレジストをマスクにして前記金属めっき層及び前記シード層をエッチングすることにより、前記シード層から前記第２ビアパッドを得ると共に、前記シード層及び前記金属めっき層から構成される前記第２配線層を得る工程と、
前記めっきレジスト及び前記エッチングレジストを除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ビアホールを形成する工程において、
前記第２ビアパッドの中心部に開口部が設けられて、前記ビアホールの周縁外側にリング状ビアパッドが残されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２ビアパッドの膜厚は０．５乃至３μｍであり、
前記第２層間絶縁層、前記第２ビアパッド及び前記第１層間絶縁層は、レーザによって貫通加工されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２配線層及び第２ビアパッドを形成する工程において、
第２ビアパッドの周縁部に、前記第２配線層と同一層から形成されて前記第２配線層に接続されるリング状配線部が形成され、
前記ビアホールを形成する工程において、
前記リング状配線部の内側の側面が前記ビアホール内に露出することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２配線層及び前記第２ビアパッドを形成する工程において、
前記第２ビアパッドは前記第２配線層に接続されて形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３配線層を形成する工程は、
前記第２層間絶縁層上及び前記ビアホールの内面にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、前記第３配線層が配置される部分に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記ビアホール内及び前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
下地層の上に形成された第１ビアパッドを有する第１配線層と、
前記第１配線層の上に形成された第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層の上に形成された第２配線層と、
前記第２配線層の上に形成された第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層及び前記第１層間絶縁層に形成され、前記第１ビアパッドに到達するビアホールと、
前記ビアホールの周縁外側の前記第１層間絶縁層の上に形成されたリング状ビアパッドと、
前記第２層間絶縁層の上に形成され、前記ビアホールに充填されたビア導体を介して前記第１ビアパッド及び前記リング状ビアパッドに接続された第３配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記リング状ビアパッドの膜厚は、前記第２配線層の膜厚より薄いことを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記リング状ビアパッドは、前記第２配線層に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体パッケージの基板などに適用できる配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の上に配線層と層間絶縁層とが交互に形成された多層配線を有するビルドアップ配線基板がある。
【０００３】
特許文献１（図３）には、多層配線基板のスタックビア構造の形成において、第１の配線導体の上に第１の貫通孔を形成すると共に、第１の貫通孔の直上にそれより大きな断面の第２の貫通孔を形成してその下に第２の配線導体を露出させた後に、第１、第２の貫通孔内から絶縁樹脂層の上面にかけて第１、第２配線導体に接続される第３配線導体を形成することが記載されている。
【０００４】
特許文献２（図４）には、両面銅張積層板を用いた多層回路基板の層間接続構造の形成において、１回のレーザ加工及びめっき工程によって外層から内層までの全ての層間導通を得る方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７８２４７号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８９７０公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
後述する関連技術の欄で説明するように、配線基板にスタックビア構造を形成する際には、層間絶縁層を形成する度に、ビアホールの形成、デスミア処理、ビアホールを埋め込む金属層を形成するためのめっき工程が必要となるため、工程数が多くなり、コスト上昇を招く問題がある。
【０００７】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、スタックビア構造を簡素な方法によって低コストで形成できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板の製造方法に係り、下地層の上に形成された第１ビアパッドを有する第１配線層の上に第１層間絶縁層を形成する工程と、前記第１層間絶縁層の上に第２配線層を形成すると共に、前記第１ビアパッドに対応する前記第１層間絶縁層の上に前記第２配線層より膜厚が薄い第２ビアパッドを形成する工程と、前記第２配線層及び前記第２ビアパッドの上に第２層間絶縁層を形成する工程と、前記第２層間絶縁層、前記第２ビアパッド及び前記第１層間絶縁層を貫通加工することにより、前記第１ビアパッドに到達するビアホールを形成する工程と、前記ビアホールに充填されたビア導体を介して、前記第１ビアパッドに接続される第３配線層を前記第２層間絶縁層の上に形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、まず、下地層の上に形成された第１ビアパッドを有する第１配線層の上に第１層間絶縁層が形成される。第１配線層は第１ビアパッドに引き出し配線層が接続されて構成されるか、あるいは第１ビアパッドから形成される。
【００１０】
次いで、第１層間絶縁層の上に第２配線層と第２ビアパッドが形成される。第２ビアパッドは、第１ビアパッドに対応する部分に配置され、第２配線層より薄い膜厚に設定される。
【００１１】
好適には、第２ビアバッドは電解めっき用のシード層から形成され、第２配線層はシード層とその上に電解めっきで形成された金属めっき層とから構成される。
【００１２】
続いて、第１ビアパッドの真上の第２層間絶縁層、第２ビアパッド及び第１層間絶縁層３０が一括加工されて、第１ビアパッドに到達するビアホールが形成される。これにより、２つの層間を貫通するビアホールが同時に形成される。好適には、第２ビアパッドの中心部に開口部が設けられて、ビアホールの周縁外側にリング状ビアパッドが残される。
【００１３】
第２ビアパッドの膜厚を第２配線層より薄く設定することにより、２つの層間を貫通するビアホールを容易に形成することができる。さらには、第２配線層を第２ビアパッドに接続して形成することにより、リング状ビアパッドを介して第２配線層をスタックビアに接続することも可能になる。
【００１４】
その後に、ビアホールに充填されたビア導体を介して第１ビアパッドに接続される第３配線層が第２層間絶縁層の上に形成される。
【００１５】
本発明では、薄膜の第２ビアパッドが間に配置された２層の第１、第２層間絶縁層を貫通加工することにより、２つの層間を貫通するビアホールを同時に形成するようにしている。
【００１６】
これにより、２層の層間絶縁層にスタックビア構造を形成する際に、一回の加工プロセスでビアホールを形成することができる。従って、後述する関連技術と違って、層間絶縁層を形成する度に、ビアホールの開口やクリーニング（デスミア処理）、ビアホールへの金属層の埋め込みなどの煩雑なプロセスを行う必要がなくなる。
【００１７】
これにより、スタックビア構造を形成する際に、後述する関連技術よりも工程数を削減でき、低コスト化を図ることができる。
【００１８】
また、上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、下地層の上に形成された第１ビアパッドを有する第１配線層と、前記第１配線層の上に形成された第１層間絶縁層と、前記第１層間絶縁層の上に形成された第２配線層と、前記第２配線層の上に形成された第２層間絶縁層と、前記第２層間絶縁層及び前記第１層間絶縁層に形成され、前記第１ビアパッドに到達するビアホールと、前記ビアホールの周縁外側の前記第１層間絶縁層の上に形成されたリング状ビアパッドと、前記第２層間絶縁層の上に形成され、前記ビアホールに充填されたビア導体を介して前記第１ビアパッド及び前記リング状ビアパッドに接続された第３配線層とを有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の配線基板は上記した製造方法によって製造される。このとき、第２ビアパッドのスルーホールが貫通する部分の膜厚は第２配線層の膜厚より薄く設定される。第２ビアパッドの膜厚を全体にわたって第２配線層より薄く設定する場合は、ビアホールの周縁外側の第２層間絶縁層の上に第２配線層より膜厚の薄いリング状ビアパッドが配置される。リング状ビアパッドに第２配線層が接続されていてもよい。
【００２０】
本発明の配線基板では、スタックビア構造を含む多層配線が簡素な方法によって低コストで形成される。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明では、スタックビア構造が簡素な方法によって低コストで形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は関連技術の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は関連技術の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は関連技術の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法における第３配線層の別の形成方法を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２４】
（関連技術）
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図１〜図３は関連技術の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【００２５】
関連技術の配線基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２００が形成された基板１００を用意する。第１ビアパッドＰ１はスタックビア構造を構成するための接続電極として使用される。さらに、基板１００の上に樹脂フィルムを貼着するなどして第１ビアパッドＰ１を被覆する第１層間絶縁層３００を形成する。
【００２６】
次いで、図１（ｂ）に示すように、レーザによって第１層間絶縁層３００を加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。その後に、第１ビアホールＶＨ１内を過マンガン酸法などのデスミア処理によってクリーニングする。
【００２７】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層３００上及び第１ビアホールＶＨ１の内面に無電解めっきによって銅などからなるシード層２２０ａを形成する。
【００２８】
さらに、シード層２２０ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、銅などからなる金属めっき層２２０ｂを形成する。金属めっき層２２０ｂは第１ビアホールＶＨ１を埋め込んで形成される。
【００２９】
次いで、図１（ｄ）に示すように、金属めっき層２２０ｂの上に第２配線層を形成するめのエッチングレジスト４００をフォトリソグラフィによってパターン化して形成する。さらに、エッチングレジスト４００をマスクにして金属めっき層２２０ｂ及びシード層２２０ａをエッチングする。その後に、エッチングレジスト４００が除去される。
【００３０】
これにより、図２（ａ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介して第１ビアパッドＰ１に接続される第２配線層２２０が第１層間絶縁層３００の上に形成される。第２配線層はシード層２２０ａ及び金属めっき層２２０ｂによって構成される。
【００３１】
第１ビアホールＶＨ１の真上に配置された第２配線層２００は、スタックビア構造を構成するための第２ビアパッドＰ２として使用される。
【００３２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、第２配線層２２０を被覆する第２層間絶縁層３２０を形成する。さらに、図２（ｃ）に示すように、レーザによって第２層間絶縁層３２０を加工することにより、第２ビアパッドＰ２に到達する第２ビアホールＶＨ２を形成する。その後に、第２ビアホールＶＨ２内をデスミア処理によってクリーニングする。
【００３３】
続いて、図２（ｄ）に示すように、第２層間絶縁層３２０上及び第２ビアホールＶＨ２の内面に無電解めっきにより銅などからなるシード層２４０ａを形成する。さらに、シード層２４０ａの上に、第３配線層が配置される部分に開口部４２０ａが設けられためっきレジスト４２０を形成する。
【００３４】
続いて、図３（ａ）に示すように、シード層２４０ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト４２０の開口部４２０ａ内に金属めっき層２４０ｂを形成する。金属めっき層２４０ｂは第２ビアホールＶＨ２内を埋め込んで形成される。
【００３５】
その後に、図３（ｂ）に示すように、めっきレジスト４４０が除去される。続いて、金属めっき層２４０ｂをマスクにしてシード層２４０ａをエッチングする。
【００３６】
これにより、図３（ｃ）に示すように、第２ビアホールＶＨ２（ビア導体）を介して第２ビアパッドＰ２に接続される第３配線層２４０が第２層間絶縁層３２０の上に形成される。第３配線層２４０はシード層２４０ａ及び金属めっき層２４０ｂによって構成される。
【００３７】
このようにして、第１ビアホールＶＨ１の真上に第２ビアホールＶＨ２が配置されて２つの層間が接続されたスタックビア構造が得られる。
【００３８】
第２ビアパッドＰ２の真上に配置される第３配線層２４０を第３ビアパッドとし、同様な工程を繰り返すことにより、任意の積層数のスタックビア構造を形成することができる。
【００３９】
前述した関連技術では、第１、第２層間絶縁層３００，３２０を形成する度に、１）レーザによるビアホールＶＨ１，ＶＨ２の開口、２）ビアホールＶＨ１，ＶＨ２内のデスミア処理、３）無電解めっきによるシード層２２０ａ，２４０ａの形成、４）ビアホールＶＨ１，ＶＨ２を埋め込むための電解めっきによる金属めっき層２２０ｂ，２４０ｂの形成を行う必要がある。
【００４０】
つまり、１層の層間絶縁層ごとにビア接続を形成していくので、工程数がかなり多くなり、コスト上昇を招く問題がある。前述した例では、２つのビアホール（ビア導体）を積層しているが、ビアホール（ビア導体）の積層数が多くなるにつれて工程数が膨大となるため、生産効率がかなり悪くなってしまう。
【００４１】
以下に説明する本発明の実施形態では、そのような問題を解消することができる。
【００４２】
（第１の実施の形態）
図４〜図７は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法では、図４（ａ）に示すように、まず、第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０が形成された基板１０を用意する。第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０は、第１ビアパッドＰ１に引き出し配線層（不図示）が接続されて構成されるか、あるいは島状の第１ビアパッドＰ１から形成される。第１ビアパッドＰ１はスタックビア構造を形成するための接続電極として使用される。
【００４３】
好適には、基板１０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から形成され、第１ビアパッドＰ１（第１配線層２０）は銅などから形成される。
【００４４】
また、基板１０の両面側に第１ビアパッドＰ１（第１配線層２０）が形成されていてもよく、その場合は、両面側の第１配線層２０は基板１０の厚み方向に設けられた貫通電極を介して相互接続される。そして、基板の両面側に多層配線が形成される。
【００４５】
また、第１ビアパッドＰ１（第１配線層２０）が形成された下地層として基板１０を例示するが、基板１０の上に形成された絶縁層などを下地層としてもよい。また、基板１０はリジッド基板であってもよいし、コア基板をもたないフレキシブル基板であってもよい。
【００４６】
さらに、同じく図４（ａ）に示すように、基板１０の上に第１ビアパッドＰ１（第１配線層２０）を被覆する第１層間絶縁層３０を形成する。第１層間絶縁層３０は、樹脂フィルムを貼着するなどして形成され、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が好適に使用される。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層３０の上に無電解めっきによって銅などからなる膜厚が０．５〜３μｍのシード層２２ａを形成する。あるいは、スパッタ法によってシード層２２ａを形成してもよい。
【００４８】
続いて、図４（ｃ）に示すように、第１ビアパッドＰ１に対応する第１層間絶縁層３０の上に、フォトリソグラフィによってめっきレジスト４０を島状にパターン化して形成する。
【００４９】
さらに、図４（ｄ）に示すように、シード層２２ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト４０以外のシード層２２ａの上に銅などからなる膜厚が１０〜３０μｍの金属めっき層２２ｂを形成する。
【００５０】
次いで、図５（ａ）に示すように、めっきレジスト４０を残した状態で、金属めっき層２２ｂ上の第２配線層が配置される部分にエッチングレジスト４２をフォトリソグラフィによってパターン化して形成する。
【００５１】
続いて、図５（ｂ）に示すように、めっきレジスト４０及びエッチングレジスト４２をマスクにして金属めっき層２２ｂ及びシード層２２ａをエッチングする。その後に、めっきレジスト４０及びエッチングレジスト４２が除去される。
【００５２】
これにより、図５（ｃ）に示すように、第１ビアパッドＰ１に対応する第１層間絶縁層３０の上にシード層２２ａから形成された第２ビアパッドＰ２が配置される。これと同時に、第１層間絶縁層３０上の他の領域にシード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂから構成される第２配線層２２が形成される。
【００５３】
後述するように、本実施形態では、第２ビアパッドＰ２が間に配置された２層の層間絶縁層を貫通するビアホールを同時に形成するので、第２ビアパッドＰ２を薄膜のシード層２２ａから形成している。第２ビアパッドＰ２を第２配線層２２と同一層から形成すると、厚膜になるためレーザによる貫通加工が困難になるからである。
【００５４】
このように、第２ビアパッドＰ２の膜厚（シード層２２ａ（０．５〜３μｍ））は、第２配線層２２の膜厚（シード層２２ａ（０．５〜３μｍ）＋金属めっき層２２ｂ（１０〜３０μｍ））よりかなり薄く設定される。
【００５５】
なお、第２ビアパッドＰ２は、島状に形成されていてもよく、あるいは第２配線層２２に接続されていてもよい。第２ビアパッドＰ２を第２配線層２２に接続して形成する場合は、図５（ａ）においてめっきレジスト４０の上から金属めっき層２２ｂの上にエッチングレジスト４２を延在させて形成すればよい。
【００５６】
また、第２ビアパッドＰ２及び第２配線層２２の形成方法としては、上記した方法以外に、厚膜の金属層をブランケット状に形成し、第２ビアパッドＰ２が配置される部分をエッチングして局所的に薄膜化した後に、金属層をパターニングする方法などを使用してもよい。
【００５７】
次いで、図５（ｄ）に示すように、第１層間絶縁層３０の形成方法と同様な方法により、第１層間絶縁層３０、第２ビアパッドＰ２及び第２配線層２２の上に第２層間絶縁層３２を形成する。
【００５８】
続いて、図６（ａ）に示すように、レーザによって第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２及び第１層間絶縁層３０を貫通加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨを形成する。ビアホールＶＨの径は第１、第２ビアパッドＰ１，Ｐ２より小さな径に設定される。これにより、第２ビアパッドＰ２の中央部に開口部Ａが形成され、ビアホールＶＨの周縁外側の第１層間絶縁層３０の上にリング状ビアパッドＲＰが残される。
【００５９】
本実施形態では、第１ビアパッドＰ１の真上に配置される第２ビアパッドＰ２をシード層２２ａから形成してその膜厚を薄く設定することにより、第１、第２層間絶縁層３０，３２貫通するビアホールＶＨをレーザによって容易に形成することができる。
【００６０】
なお、特に図示しないが、第１、第２層間絶縁層３０，３２を貫通するビアホールＶＨの他に、第２配線層２２に到達するビアホールを第２層間絶縁層３２に形成してもよい。
【００６１】
その後に、ビアホールＶＨ内を過マンガン酸法などによってデスミア処理する。これによって、ビアホールＶＨ内に残留する樹脂スミアなどが除去されてビアホールＶＨ内がクリーニングされる。
【００６２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層３２上及びビアホールＶＨの内面に、無電解めっきによって銅などからなるシード層２４ａを形成する。あるいは、スパッタ法によってシード層２４ａを形成してもよい。
【００６３】
続いて、図６（ｃ）に示すように、シード層２４ａの上に、第３配線層が配置される部分に開口部４４ａが設けられためっきレジスト４４を形成する。さらに、図７（ａ）に示すように、シード層２４ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、ビアホールＶＨ内及びめっきレジスト４４の開口部４４ａに銅などからなる金属めっき層２４ｂを形成する。ビアホールＶＨ内ではその底面及び側面から電解めっきが施され、金属めっき層２４ｂはビアホールＶＨ内に埋め込まれてその上面が平坦になって形成される。
【００６４】
次いで、図７（ｂ）に示すように、めっきレジスト４４を除去してシード層２４ａの上面を露出させる。その後に、金属めっき層２４ｂをマスクにしてシード層２４ａをエッチングする。
【００６５】
これにより、図７（ｃ）に示すように、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して第１ビアパッドＰ１及びリング状ビアパッドＲＰに接続される第３配線層２４が第２層間絶縁層３２の上に形成される。第３配線層２４はシード層２４ａ及び金属めっき層２４ｂから構成される。
【００６６】
本実施形態では、ビアホールＶＨの周縁外側にリング状ビアパッドＲＰが残されるので、前述した図５（ａ）及び（ｂ）の工程で第２ビアパッドＰ２に第２配線層２２を接続して形成することにより、第２配線層２２をビア導体２４ｃに電気接続することも可能である。
【００６７】
また、前述した図６（ａ）の工程で第２配線層２２に到達するビアホールを形成する場合は、第３配線層２４はビアホール（ビア導体）を介して第２配線層２２に同時に接続される。この場合は、第１ビアパッドＰ１上と第２配線層２２上との間でビアホールの深さが異なるので、両者のビアホール上において平坦な第３配線層２４が得られるように、各ビアホールの径や電解めっきの条件が調整される。
【００６８】
以上により、第１実施形態の配線基板１が得られる。
【００６９】
前述した形態では、第１、第２層間絶縁層３０，３２を貫通するビアホールＶＨを同時に形成することに基づいて２つの層間にスタックビア構造を形成する例を説明した。図７（ｃ）のビアホールＶＨの真上の第３配線層２４を第３ビアパッドとして形成し、図４（ａ）の工程から図７（ｃ）の工程を繰り返して行うことにより、４層の層間絶縁層にスタックビア構造を形成することができる。さらに同様な工程を繰り返すことにより、さらなる積層数のスタックビア構造を形成できることはいうまでもない。
【００７０】
また、前述した形態では、第３配線層２４をセミアディティブ法によって形成したが、以下に説明するサブトラクティブ法を採用してもよい。
【００７１】
まず、図８（ａ）に示すように、前述した図６（ｂ）の構造体のシード層２４ａの上に、電解めっきによって金属めっき層２４ｂをビアホールＶＨ内に埋め込んだ状態でブランケット状に形成する。次いで、図８（ｂ）に示すように、第３配線層２４が配置される部分にエッチングレジスト４６をフォトリソグラフィによってパターン化して形成する。さらに、エッチングレジスト４６をマスクにして金属めっき層２４ｂ及びシード層２４ａをエッチングする。
【００７２】
これにより、図８（ｃ）に示すように、ビアホールＶＨ（ビア導体２４ｃ）を介して第１ビアパッドＰ１及びリング状ビアパッドＲＰに接続される第３配線層２４が第２層間絶縁層３２の上に形成される。第３配線層２４をサブトラクティブ法で形成する場合も、前述した図７（ｃ）と同一構造の配線基板１が製造される。
【００７３】
以上説明したように、第１実施形態の配線基板の製造方法では、まず、第１ビアパッドＰ１が形成された基板１０の上に第１層間絶縁層３０が形成される。さらに、第１ビアパッドＰ１の真上の第１層間絶縁層３０の上にシード層２２ａがパターン化された第２ビアパッドＰ２が形成される。
【００７４】
これと同時に、第１層間絶縁層３０上の他の領域にシード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂから構成される第２配線層２２が形成される。つまり、第２ビアパッドＰ２の膜厚は第２配線層２２の膜厚より薄く設定される。
【００７５】
その後に、第２ビアパッドＰ２及び第２配線層２２の上に第２層間絶縁層３２が形成される。次いで、第１ビアパッドＰ１の真上の第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２及び第１層間絶縁層３０がレーザで一括加工されて、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨが形成される。
【００７６】
これにより、２つの層間を貫通するビアホールＶＨが同時に形成される。そして、第２ビアパッドＰ２はその中央部に開口部Ａが設けられてリング状ビアパッドＲＰとしてビアホールＶＨの周縁外側に残される。
【００７７】
次いで、ビアホールＶＨをデスミア処理した後に、ビアホールＶＨ（ビア導体２４ｃ）を介して第１ビアパッドＰ１及びリング状ビアパッドＲＰに接続される第３配線層２４が第２層間絶縁層３２の上に形成される。
【００７８】
本実施形態では、薄膜の第２ビアパッドＰ２が間に配置された２層の第１、第２層間絶縁層３０，３２を貫通加工することにより、２つの層間を貫通するビアホールＶＨを同時に形成するようにしている。
【００７９】
これにより、２層の第１、第２層間絶縁層３０，３２にスタックビア構造を形成する際に、一回の加工プロセスでビアホールを形成することができる。従って、関連技術と違って、層間絶縁層を形成する度に、１）レーザによるビアホールの開口、２）ビアホール内のデスミア処理、３）無電解めっきによるシード層の形成、４）ビアホールを埋め込むための電解めっきによる金属めっき層の形成を行う必要がなくなる。
【００８０】
つまり、前述した関連技術（図３（ｃ））の第１、第２ビアホールＶＨ１，ＶＨ２を同時に形成し、それらに充填されるビア導体を一括で形成することができる。これにより、スタックビア構造を形成する際に、関連技術よりも工程数を削減でき、低コスト化を図ることができる。
【００８１】
図７（ｃ）に示すように、第１実施形態の配線基板１では、基板１０（下地層）の上に第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０が形成されている。第１配線層２０の上には第１層間絶縁層３０が形成されている。
【００８２】
第１層間絶縁層３０の上には下から順にシード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂから構成される第２配線層２２が形成されている。第１層間絶縁層３０及び第２配線層２２の上には第２層間絶縁層３２が形成されている。
【００８３】
第１層間絶縁層３０及び第２層間絶縁層３２には第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨが形成されている。ビアホールＶＨの周縁外側の第１層間絶縁層３０の上には、ビアホールＶＨを取り囲むようにリング状ビアパッドＲＰが形成されている。
【００８４】
前述したように、リング状ビアパッドＲＰは、ビアホールＶＨを形成する際に第２ビアパッドＰ２が貫通加工されて形成され、その中心部にビアホールＶＨの径に対応する開口部Ａが設けられている。
【００８５】
第２ビアパッドＰ２はレーザ加工を容易にするために第２配線層２２より膜厚が薄く設定されるため、リング状ビアパッドＰＲも第２配線層２２の膜厚より薄く設定されている。リング状ビアパッドＲＰは、第２配線層２２を構成するシード層２２ａと同一層から形成される。
【００８６】
また、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して第１ビアパッドＰ１とリング状ビアパッドＲＰに接続される第３配線層２４が第２層間絶縁層３２の上に形成されている。第３配線層２４は下から順にシード層２４ａ及び金属めっき層２４ｂによって構成される。
【００８７】
なお、第２配線層２２がリング状ビアパッドＲＰに接続されて形成される場合は、第２配線層２２はリング状ビアパッドＲＰを介してビア導体２４ｃに電気接続される。
【００８８】
本実施形態の配線基板１は、前述した製造方法によって製造されるので、製造工程が簡素化されて低コスト化を図ることがきる。
【００８９】
（第２の実施の形態）
図９〜図１１は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【００９０】
前述した第１実施形態では、第２配線層２２と同時に形成される第２ビアパッドＰ２は薄膜のシード層２２ａから形成される。このため、第２ビアパッドＰ２に第２配線層２２が接続される場合、薄膜のリング状ビアパッドＲＰの側面がビア導体２４ｃとのコンタクト部となる。このため、リング状ビアパッドＲＰを介するビア導体２４ｃと第２配線層２２とのコンタクト抵抗が高くなる場合が想定される。
【００９１】
第２実施形態では、その対策として、ビアホールＶＨの側面に第２配線層２２と同一層を残すようにする。
【００９２】
第２実施形態の配線基板の製造方法では、図９（ａ）に示すように、まず、第１実施形態の図４（ｄ）と同一の構造体を用意する。第２実施形態では、めっきレジスト４０の径が第１ビアパッドＰ１の径より一回り小さく設定される
次いで、図９（ｂ）に示すように、めっきレジスト４０を残した状態で、金属めっき層２２ｂの上に第２ビアパッド及び第２配線層を形成するためのエッチングレジスト４２をパターン化して形成する。
【００９３】
図９（ｂ）の部分断面図を加えて参照すると、第２ビアパッドの周縁部上に第２配線層と同一層からなるリング状配線部が配置され、リング状配線部に第２配線層が接続されるようにエッチングレジスト４２がパターニングされる。
【００９４】
つまり、エッチングレジスト４２は、めっきレジスト４０上の周縁部からその近傍の金属めっき層２２ｂの上にリング状に形成されると共に、そこから外側に延在して形成される。
【００９５】
次いで、図９（ｃ）に示すように、めっきレジスト４０及びエッチングレジスト４２をマスクにして金属めっき層２２ｂ及びシード層２２ａをエッチングする。その後に、めっきレジスト４０及びエッチングレジスト４２が除去される。
【００９６】
これにより、図１０（ａ）に示すように、第１ビアパッドＰ１の真上の第１層間絶縁層３０の上に、中央主要部が薄膜のシード層２２ａから形成され、周縁部が第２配線層２２と同一層からなるリング状配線部２２ｃから形成された第２ビアパッドＰ２が得られる。
【００９７】
また、これと同時に、第１層間絶縁層３０上の他の領域に第２配線層２２が形成される。
【００９８】
さらに、図１０（ａ）の部分平面図に示すように、第２実施形態では、第２ビアパッドＰ２のリング状配線部２２ｃが第２配線層２２に接続されて形成される。
【００９９】
なお、第２ビアパッドＰ２にリング状配線部２２ｃを形成するとしても、第２配線層２２に接続する必要がない場合は、第２ビアパッドＰ２を島状に形成してもよい。
【０１００】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、第２ビアパッドＰ２及び第２配線層２２の上に
第２層間絶縁層３２を形成する。さらに、図１１（ａ）に示すように、レーザによって、第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２のリング状配線部２２ｃの内側のシード層２２ａ及び第１層間絶縁層３０を貫通加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨを形成する。
【０１０１】
このとき、第２ビアパッドＰ２の中央部に開口部Ａが設けられて、ビアホールＶＨの周縁外側にリング状配線部２２ｃからなるリング状ビアパッドＲＰが残される。
【０１０２】
そして、リング状ビアパッドＲＰの内側の側面ＳはビアホールＶＨの側面と同一面を構成した状態でビアホールＶＨの側面から露出する。
【０１０３】
その後に、図１１（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、セミアディティブ法又はサブトラクティブ法によって、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して第１ビアパッドＰ１及びリング状ビアパッドＲＰに接続される第３配線層２４が第２層間絶縁層３２の上に形成される。
【０１０４】
以上により、第２実施形態の配線基板１ａが製造される。
【０１０５】
第２実施形態の配線基板の製造方法は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【０１０６】
第２実施形態の配線基板１ａでは、ビアホールＶＨの周縁外側に配置されたリング状ビアパッドＲＰは第２配線層２２と同一層（シード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂ）から形成される。
【０１０７】
このため、リング状ビアパッドＲＰに第２配線層２２が接続される場合、リング状ビアパッドＲＰの内側の側面Ｓの面積を大きく設定できるので、ビア導体２４ｃとリング状ビアパッドＲＰとのコンタクト抵抗を低減することができる。これにより、ビア導体２４ｃはリング状ビアパッドＲＰを介して第２配線層２２に信頼性よく電気接続される。
【０１０８】
図１１（ｂ）において、リング状ビアパッドＲＰ周り以外は、第１実施形態の配線基板１（図７（ｃ））と同一であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【符号の説明】
【０１０９】
１，１ａ…配線基板、１０…基板、２０…第１配線層、２２…第２配線層、２２ａ，２４ａ…シード層、２２ｂ，２４ｂ…金属めっき層、２２ｃ…リング状配線部、２４…第３配線層、２４ｃ…ビア導体、３０…第１層間絶縁層、３２…第２層間絶縁層、４０，４４…めっきレジスト、４４ａ，４２，４６…エッチングレジスト、Ａ…開口部、Ｓ…側面、Ｐ１…第１ビアパッド、Ｐ２…第２ビアパッド、ＲＰ…リング状ビアパッド。
【図１】
2010283189.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2010283189.tif 000006
【図５】
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【図６】
2010283189.tif 000008
【図７】
2010283189.tif 000009
【図８】
2010283189.tif 000010
【図９】
2010283189.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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