(57)【要約】【課題】高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、複数の映像信号線ＶＬと、複数の画素とを備えている。各画素は、高電位電源配線に接続された陽極を含んだ有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、低電位電源配線に接続されたドレイン電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタＤＲＴと、駆動トランジスタのソース電極及びゲート電極に接続された容量部Ｃｓと、初期化電圧Ｖｉｎｉを出力させるかどうか切換える初期化トランジスタＴＣＴと、映像信号線ＶＬを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇを出力させるかどうか切換える書込みトランジスタＳＳＴとを有している。【選択図】      図３
2010091682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、
前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記各画素は、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記第１走査信号線に接続された第２電極を含んだ他の容量部をさらに有し、
前記初期化トランジスタのソース電極は、前記高電位電源配線に接続されている請求項１に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、
前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、
前記容量部の第１電極に接続されたソース電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、
前記容量部の第１電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Ｖｉｎｉを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Ｖｉｎｉに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させる請求項１に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させる請求項２に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差ＰＶＤＤ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−ＰＶＤＤ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させる請求項３に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記駆動部は、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記映像信号線への前記映像信号電圧の印加を止め、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定する請求項４又は５に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記駆動部は、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定する請求項６に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記画素書込み期間は、前記映像信号線書込み期間に比べて短い請求項７又は８に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記複数の映像信号線に接続され、それぞれ対応する映像信号線に前記映像信号電圧Ｖｓｉｇ又はリセット電圧Ｖｒｓｔを与えるかどうか切換える複数の切換え部をさらに備え、
前記駆動部は、
前記画素に前記リセット電圧Ｖｒｓｔを印加する際、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記切換え部により与えられる前記リセット電圧を、前記映像信号線及び書込みトランジスタを介して印加させる請求項４乃至６の何れか１項に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記初期化トランジスタ及び書込みトランジスタは、Ｎチャネル型及びＰチャネル型の何れかのトランジスタで形成されている請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記初期化トランジスタ、書込みトランジスタ及びリセットトランジスタは、Ｎチャネル型及びＰチャネル型の何れかのトランジスタで形成されている請求項３に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記初期化電圧は、前記高電位電源配線の電位より高い請求項１に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Ｖｉｎｉを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Ｖｉｎｉに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記各画素は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記第１走査信号線に接続された第２電極を含んだ他の容量部をさらに有し、前記初期化トランジスタのソース電極は、前記高電位電源配線に接続されているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
前記リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記初期化電位として前記高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定する請求項１４に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、前記容量部の第１電極に接続されたソース電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、前記容量部の第１電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差ＰＶＤＤ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−ＰＶＤＤ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記映像信号線への前記映像信号電圧の印加を止め、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定する請求項１４又は１５に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定する請求項１６に記載のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されるようになってきた。
【０００３】
このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子を用いた有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。有機ＥＬ表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、各画素に表示素子としての有機ＥＬ素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含み、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。このような有機ＥＬ表示装置として、電圧信号により画素回路への画像情報を供給する方式が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】米国特許第６２２９５０６号明細書
【特許文献２】特開２００５−３１６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置では、２つの容量比のばらつきにより、局所的な表示ムラが発生する問題がある。また、トランジスタ等、各画素の素子数が多いため、高精細化を図ることが困難な問題もある。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、
前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有している。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、
前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、
前記容量部の第１電極に接続されたソース電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、
前記容量部の第１電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有している。
【０００８】
また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Ｖｉｎｉを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Ｖｉｎｉに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させる。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ＥＬダイオードと、前記有機ＥＬダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、第１電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第２電極を含んだ容量部と、前記容量部の第１電極に接続されたソース電極、第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第１走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、前記容量部の第１電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第２走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの差ＰＶＤＤ−Ｖｔｈに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ＥＬダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−ＰＶＤＤ）２を前記有機ＥＬダイオードに与え、発光させる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながらこの発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、第１の実施の形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図である。図３は、図１の表示装置が含む画素の等価回路図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。
【００１３】
この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２と、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２を介して表示パネルＤＰを制御するコントローラ１２とを含んでいる。コントローラ１２、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は駆動部１０を形成している。この実施の形態において、表示パネルＤＰは有機ＥＬパネルである。
【００１４】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁性の基板ＳＵＢを含んでいる。表示パネルＤＰは、基板ＳＵＢ上にマトリクス状に配列され表示領域Ｒ１を構成したｍ×ｎ個の画素ＰＸを備えている。
【００１５】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮＸ層とＳｉＯＸ層とをこの順に積層してなる。
【００１６】
アンダーコート層ＵＣ上では、チャネル層ＳＣが配列している。各チャネル層ＳＣは、例えば、ｐ型領域とｎ型領域とを含んだポリシリコン層である。アンダーコート層ＵＣ上では、図示しない下部電極がさらに配列している。これら下部電極は、例えば、ｎ＋型ポリシリコン層である。
【００１７】
チャネル層ＳＣ及び下部電極は、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、それぞれ独立してｍ本ずつ設けられた走査信号線Ｓａ（１〜ｍ）、走査信号線Ｓｂ（１〜ｍ）が形成されている。走査信号線Ｓａ、Ｓｂは、図１に示すように、各々が後述する画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に配列している。走査信号線Ｓａ、Ｓｂは、例えばＭｏＷなどからなる。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、図示しない上部電極がさらに配列している。これら上部電極は、例えばＭｏＷなどからなる。上部電極は、走査信号線Ｓａ、Ｓｂと同一の工程で形成することができる。
【００２０】
走査信号線Ｓａ、Ｓｂのそれぞれはチャネル層ＳＣと交差しており、これら交差部は薄膜トランジスタを構成している。また、上部電極はチャネル層ＳＣと交差しており、これら交差部も薄膜トランジスタを構成している。
【００２１】
具体的には、走査信号線Ｓａとチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、初期化トランジスタＴＣＴである。走査信号線Ｓｂとチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、書込みトランジスタＳＳＴである。上部電極とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、駆動トランジスタＤＲＴである。
【００２２】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲＴ、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴは、トップゲート型のＰチャネル型の薄膜トランジスタである。また、図２において参照符号Ｇで示す部分は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極である。
【００２３】
上部電極は、下部電極と向き合っている。上部電極と、下部電極と、これらの間に介在しているゲート絶縁膜ＧＩとは、図１及び図３に示す容量部Ｃｓを構成している。ここでは、容量部Ｃｓはキャパシタである。
【００２４】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線Ｓａ、Ｓｂ及び上部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯＸなどからなる。
【００２５】
層間絶縁膜ＩＩ上には、独立してｎ本設けられた映像信号線ＶＬ（１〜ｎ）が形成されている。映像信号線ＶＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。映像信号線ＶＬは、書込みトランジスタＳＳＴのソース電極に接続されている。
【００２６】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介してチャネル層ＳＣのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸが含む素子間の接続に利用されている。
【００２７】
駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電極ＤＥは、図示しない低電位電源配線に電気的に接続されている。低電位電源配線は定電位である基準電圧電位ＰＶＳＳに設定されている。
【００２８】
映像信号線ＶＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。映像信号線ＶＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮＸなどからなる。
【００２９】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極ＰＥが配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介して、図２の駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続されている。
【００３０】
画素電極ＰＥは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極ＰＥは、この例では陰極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料を使用することができる。
【００３１】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩは、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔を有している。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されている。
【００３２】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３３】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された電極，すなわち共通電極，である。また、この例では、対向電極ＣＥは、陽極であり且つ光反射性の背面電極である。
【００３４】
対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、図示しない高電位電源配線に電気的に接続されている。高電位電源配線は定電位である電圧電位ＰＶＤＤに設定されている。各々の有機ＥＬダイオードＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、対向電極ＣＥと、両電極間に挟持された有機物層ＯＲＧとを含んでいる。
【００３５】
各画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、書込みトランジスタＳＳＴとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲＴ、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴは、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタである。
【００３６】
有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと駆動トランジスタＤＲＴとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。高電位電源配線には電源電圧ＰＶＤＤが印加され、低電位電源配線には電源電圧ＰＶＳＳが印加されている。電源電圧ＰＶＤＤ及び電源電圧ＰＶＳＳは、それぞれ定電圧である。
【００３７】
高電位電源配線の電位及び低電位電源配線の電位を比べた場合、高電位電源配線の電位は相対的にハイレベルであり、低電位電源配線の電位は相対的にローレベルである。このため、高電位電源配線の節点ＮＤ１は高電位電源端子であり、低電位電源配線の節点ＮＤ２は低電位電源端子である。この実施の形態において、高電位電源配線は、＋５Ｖの電位に設定され、低電位電源配線は、−５Ｖの電位に設定されている。
【００３８】
具体的には、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの対向電極ＣＥは節点ＮＤ１に接続されている。有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥは駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続されている。駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電極ＤＥは節点ＮＤ２に接続されている。
【００３９】
容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇ及びソース電極ＳＥ間に接続されている。容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続された第１電極としての下部電極及び駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇに接続された第２電極としての上部電極を含んでいる。容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇ及びソース電極ＳＥ間の電位差を保持するものである。そして、容量部Ｃｓは、後述する映像信号電圧Ｖｓｉｇにより決定される駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇ制御電位を保持するものである。
【００４０】
初期化トランジスタＴＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続されたドレイン電極、走査信号線Ｓａに接続されたゲート電極及び初期化電圧Ｖｉｎｉが供給されるソース電極を含んでいる。初期化トランジスタＴＣＴは、走査信号線Ｓａから供給される制御信号ＴＧに応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。初期化トランジスタＴＣＴは、初期化電圧Ｖｉｎｉを出力させるかどうか切換え、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタＴＣＴは、容量部Ｃｓからの電流リークを規制するものである。
【００４１】
書込みトランジスタＳＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇに接続されたドレイン電極、映像信号線ＶＬに接続されたソース電極及び走査信号線Ｓｂに接続されたゲート電極を含んでいる。書込みトランジスタＳＳＴは、走査信号線Ｓｂから供給される制御信号ＳＧに応答してオン、オフされる。書込みトランジスタＳＳＴは、映像信号線ＶＬを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇを出力させるかどうか切換えるものである。
【００４２】
この実施の形態において、有機ＥＬ表示装置は複数の切換え部ＳＷを備えている。切換え部ＳＷは、表示領域Ｒ１の外側で映像信号線ＶＬに接続されている。切換え部ＳＷは、それぞれ映像信号線に接続された切換えスイッチＳＷ１及び切換えスイッチＳＷ２を有している。切換えスイッチＳＷ１は、映像信号電圧Ｖｓｉｇを対応する映像信号線ＶＬに与えるかどうか切換えるものである。切換えスイッチＳＷ２は、リセット電圧Ｖｒｓｔを対応する映像信号線ＶＬに与えるかどうか切換えるものである。切換え部ＳＷは、駆動部１０の制御により、映像信号線ＶＬに映像信号電圧Ｖｓｉｇ又はリセット電圧Ｖｒｓｔを与えるかどうか切換えるものである。
【００４３】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、この例では、基板ＳＵＢ上にＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００４４】
一方、図１に示すコントローラ１２は表示パネルＤＰの外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、及び水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。
【００４５】
そして、コントローラ１２は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２に供給すると共に、水平及び垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を映像信号線ドライバＸＤＲに供給する。
【００４６】
映像信号線ドライバＸＤＲは水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して映像信号電圧Ｖｓｉｇとし、各切換えスイッチＳＷ１を介して複数の映像信号線ＶＬに並列的に供給する。また、映像信号線ドライバＸＤＲは、リセット電圧Ｖｒｓｔを各切換えスイッチＳＷ２を介して複数の映像信号線ＶＬに供給しても良い。
【００４７】
走査信号線ドライバＹＤＲ１に走査信号線Ｓｂが接続され、走査信号線ドライバＹＤＲ２に走査信号線Ｓａが接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、図示しない出力バッファを介して各行の画素ＰＸに２種類の制御信号、すなわち、制御信号ＳＧ、ＴＧを供給する。
【００４８】
なお、走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、切換えスイッチＳＷ１、ＳＷ２のオン／オフを切換えるように形成されていても良い。例えば、切換えスイッチＳＷ１、ＳＷ２がトランジスタで形成されている場合、走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、切換えスイッチＳＷ１、ＳＷ２のオン／オフを切換えるように制御信号を出力すれば良い。
【００４９】
走査信号線ドライバＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、例えば、スタート信号（ＳＴＶ１、ＳＴＶ２）とクロック（ＣＫＶ１、ＣＫＶ２）とから各水平走査期間に対応した１水平走査期間の幅（Ｔｗ−Ｓｔａｒｔａ）のパルスを生成し、そのパルスを制御信号ＳＧ、ＴＧとして出力する。
【００５０】
次に、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光（画像を表示）させる場合の画素ＰＸの動作について説明する。
【００５１】
（実施例１）
まず、この実施の形態の実施例１の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。
【００５２】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、ＯＣ（オフセットキャンセル）動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光（保持）動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。  
ここで、図４は、第１の実施の形態の実施例１における、書込みトランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＴＣＴ、切換えスイッチＳＷ１及び切換えスイッチＳＷ２のオン、オフタイミングを示す模式図である。
【００５３】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間行われる。  
図５には、リセット期間における画素ＰＸを示している。
【００５４】
図１、図３、図４及び図５に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴをオン状態とするレベル（オン電位）、ここでは、ローレベルの制御信号ＴＧが出力され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴをオン状態とするオン電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに設定される。
【００５５】
このため、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴがオンに設定される。これにより、初期化電圧Ｖｉｎｉを初期化トランジスタＴＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのソース電極に印加し、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位を初期化電位Ｖｉｎｉに設定させるとともに、切換えスイッチＳＷ２、映像信号線ＶＬ及び書込みトランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット（初期化）される。  
この実施の形態において、初期化電圧Ｖｉｎｉは、電源電圧ＰＶＤＤ（高電位電源配線の電位）より高いものである。
【００５６】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。  
図６には、キャンセル期間における画素ＰＸを示している。
【００５７】
図１、図３、図４及び図６に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴをオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＴＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに維持される。
【００５８】
このため、初期化トランジスタＴＣＴがオフに切換えられる。駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位はリセット電位Ｖｒｓｔに固定されている。駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、リセット期間に書き込まれた初期化電位Ｖｉｎｉを初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、リセット電位Ｖｒｓｔと駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈとなる（Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲＴの場合）。
【００５９】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。  
図７には、書込み期間における画素ＰＸを示している。
【００６０】
図１、図３、図４及び図７に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧの出力が維持される。また、切換えスイッチＳＷ１がオン、切換えスイッチＳＷ２がオフに切換えられる。
【００６１】
これにより、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇが、切換えスイッチＳＷ１、映像信号線ＶＬ及び書込みトランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に印加される。そして、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、映像信号電圧Ｖｓｉｇの印加によって生じた駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定される。なお、ΔＶ電位の絶対値は、駆動トランジスタＤＲＴのチャネル層ＳＣの移動度が高いほど大きくなる。
【００６２】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光（保持）期間に行われる。  
図８には、発光期間における画素ＰＸを示している。
【００６３】
図１、図３、図４及び図８に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。
【００６４】
このため、書込みトランジスタＳＳＴがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極−ソース電極間の電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋Ｖｔｈ＋ΔＶとなる。そして、駆動トランジスタＤＲＴの飽和領域の出力電流Ｉｅｌを有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに与え、発光させる。
【００６５】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴの利得係数をβとすると、出力電流Ｉｅｌは次の式で表される。
【００６６】
Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２
なお、βは次の式で定義される。
【００６７】
β＝μ×Ｃｏ×Ｗ／Ｌ
なお、Ｗは駆動トランジスタＤＲＴのゲート幅、Ｌはゲート長、μはキャリア移動度、Ｃｏは単位面積当たりのゲート静電容量である。
【００６８】
（実施例２）
次に、この実施の形態の実施例２の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。
【００６９】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び発光（保持）動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。特に、実施例２において、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含むものであり、映像信号線書込み動作及び画素書込み動作について詳細に説明する。
【００７０】
ここで、図９は、第１の実施の形態の実施例２における、書込みトランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＴＣＴ、切換えスイッチＳＷ１及び切換えスイッチＳＷ２のオン、オフタイミングを示す模式図である。
【００７１】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間行われる。  
図１０には、リセット期間における画素ＰＸを示している。
【００７２】
図１、図３、図９及び図１０に示すように、まず、リセット動作では、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴがオンに設定され、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに設定される。
【００７３】
これにより、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位を初期化電位Ｖｉｎｉに設定させるとともに、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット（初期化）される。
【００７４】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。  
図１１には、キャンセル期間における画素ＰＸを示している。
【００７５】
図１、図３、図９及び図１１に示すように、キャンセル動作では、初期化トランジスタＴＣＴがオフに切換えられる。このため、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、キャンセル期間終了後には、Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈとなる。
【００７６】
次に、映像信号線書込み動作について説明する。  
映像信号線書込み動作は、キャンセル期間に続く映像信号線書込み期間に行われる。  
図１２には、映像信号線書込み期間における画素ＰＸを示している。
【００７７】
図１、図３、図９及び図１２に示すように、映像信号線書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオン、切換えスイッチＳＷ２がオフに切換えられる。
【００７８】
これにより、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇが、切換えスイッチＳＷ１を介して映像信号線ＶＬに印加され、書き込まれる（記憶される）。例えば、映像信号電圧Ｖｓｉｇは、映像信号線ＶＬと、映像信号線ＶＬに隣合って並行して延びた配線とに生じる浮遊容量（寄生容量）を使って保持することができる。
【００７９】
ここでは、上述した低電位電源配線が映像信号線ＶＬに隣合って並行して延びている。なお、映像信号線ＶＬに隣合って並行して延びた配線は、低電位電源配線等の定電位配線が好ましいが、これに限らず、書込み期間に定電位となる配線であれば良い。また、浮遊容量を使わずに映像信号電圧Ｖｓｉｇを保持しても良く、例えば、映像信号線ＶＬにキャパシタ等の容量部を接続することで映像信号電圧Ｖｓｉｇを保持しても良い。その他、映像信号線ＶＬ自体が持つ容量を使って映像信号電圧Ｖｓｉｇを保持しても良い。
【００８０】
次に、画素書込み動作について説明する。  
画素書込み動作は、映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間に行われる。画素書込み期間は、映像信号線書込み期間に比べて短い期間である。  
図１３には、画素書込み期間における画素ＰＸを示している。
【００８１】
図１、図３、図９及び図１３に示すように、画素書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフに切換えられる。
【００８２】
これにより、映像信号線ＶＬに書き込まれた映像信号電圧Ｖｓｉｇを、書込みトランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に印加することができる。そして、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、映像信号電圧Ｖｓｉｇの印加によって生じた駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定される。
【００８３】
上記のように、映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法となる。
【００８４】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、画素書込み期間に続く表示期間としての発光（保持）期間に行われる。  
図１４には、発光期間における画素ＰＸを示している。
【００８５】
図１、図３、図９及び図１４に示すように、発光動作では、書込みトランジスタＳＳＴがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのＶｇｓは、Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋Ｖｔｈ＋ΔＶとなる。そして、駆動トランジスタＤＲＴの飽和領域の出力電流Ｉｅｌを有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに与え、発光させる。
【００８６】
上述したように、出力電流Ｉｅｌは次の式で表される。
【００８７】
Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、書込みトランジスタＳＳＴとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ＥＬダイオードＯＬＥＤが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタＤＲＴが配置されている。
【００８８】
これにより、出力電流Ｉｅｌは、閾値電圧Ｖｔｈに依存しない値となるため、閾値電圧Ｖｔｈによるばらつきの影響を排除することができる。また、上記のように、ΔＶの値は、移動度が高いほど大きくなるものである。移動度が高いほど電流が流れにくくなり、移動度が低いほど電流が流れやすくなるため、移動度の影響も補償することができる。さらに、出力電流Ｉｅｌは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの電圧Ｖｅｌに依存しない値となるため、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの特性の影響を排除することができる。  
言い換えると、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ｉｅｌを与えることができる。
【００８９】
また、映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Ｖｓｉｇを、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。  
さらに、画素ＰＸを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
【００９０】
上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。
【００９１】
次に、この発明の第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。なお、この実施の形態において、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成が上述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００９２】
図１、図２及び図１５に示すように、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルである表示パネルＤＰと、駆動部１０とを含んでいる。上部電極と、下部電極と、これらの間に介在しているゲート絶縁膜ＧＩとは、図１及び図１５に示す容量部Ｃｓ及び他の容量部Ｃｘを構成している。ここでは、容量部Ｃｓ、Ｃｘはキャパシタである。
【００９３】
各画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、書込みトランジスタＳＳＴと、容量部Ｃｘとを含んでいる。この例では、駆動トランジスタＤＲＴ、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴは、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタである。
【００９４】
有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと駆動トランジスタＤＲＴとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。この実施の形態において、高電位電源配線は、＋５Ｖの電位に設定され、低電位電源配線は、−５Ｖの電位に設定されている。
【００９５】
容量部Ｃｘは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥ及び走査信号線Ｓａ間に接続されている。容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続された第１電極としての下部電極及び走査信号線Ｓａに接続された第２電極としての上部電極を含んでいる。後述するが、容量部Ｃｘは、キャンセル動作開始時の駆動トランジスタＤＲＴを高電位側にシフトさせることで、キャンセル動作を開始させるものである。  
なお、容量部Ｃｘの下部電極及び容量部Ｃｓの下部電極は、一体に形成されていても良い。
【００９６】
初期化トランジスタＴＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続されたドレイン電極、走査信号線Ｓａに接続されたゲート電極及び上記高電位電源配線に接続されたソース電極を含んでいる。初期化トランジスタＴＣＴは、走査信号線Ｓａから供給される制御信号ＴＧに応答してオン、オフされる。初期化トランジスタＴＣＴは、初期化電圧としての電源電圧ＰＶＤＤを出力させるかどうか切換え、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタＴＣＴは、容量部Ｃｓからの電流リークを規制するものである。
【００９７】
次に、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光（画像を表示）させる場合の画素ＰＸの動作について説明する。すなわち、第２の実施の形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。
【００９８】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、ＯＣ（オフセットキャンセル）動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光（保持）動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。
【００９９】
ここで、図１６は、第２の実施の形態における、書込みトランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＴＣＴ、切換えスイッチＳＷ１及び切換えスイッチＳＷ２のオン、オフタイミングを示す模式図である。
【０１００】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間行われる。  
図１７には、リセット期間における画素ＰＸを示している。
【０１０１】
図１、図１５、図１６及び図１７に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴをオン状態とするレベル（オン電位）、ここでは、ローレベルの制御信号ＴＧが出力され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴをオン状態とするオン電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに設定される。
【０１０２】
このため、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴがオンに設定される。これにより、電源電圧ＰＶＤＤを初期化トランジスタＴＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのソース電極に印加し、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位を初期化電位として高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定させるとともに、切換えスイッチＳＷ２、映像信号線ＶＬ及び書込みトランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット（初期化）される。
【０１０３】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。  
図１８には、キャンセル期間における画素ＰＸを示している。
【０１０４】
図１、図１５、図１６及び図１８に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴをオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＴＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに維持される。
【０１０５】
このため、初期化トランジスタＴＣＴがオフに切換えられる。駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位はリセット電位Ｖｒｓｔに固定されている。駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、ＰＶＤＤ＋Ｃｘ／（Ｃｓ＋Ｃｘ）×（ＶＧＨ−ＶＧＬ）を初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、リセット電位Ｖｒｓｔと駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈとの差Ｖｒｓｔ−Ｖｔｈとなる（Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲＴの場合）。ここで、ＶＧＨは、ハイレベルの制御信号ＴＧの電圧の値であり、ＶＧＬはローレベルの制御信号ＴＧの電圧の値である。
【０１０６】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。  
図１９には、書込み期間における画素ＰＸを示している。
【０１０７】
図１、図１５、図１６及び図１９に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧの出力が維持される。また、切換えスイッチＳＷ１がオン、切換えスイッチＳＷ２がオフに切換えられる。
【０１０８】
これにより、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇが、切換えスイッチＳＷ１、映像信号線ＶＬ及び書込みトランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に印加される。そして、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、映像信号電圧Ｖｓｉｇの印加によって生じた駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位の変動（−ΔＶ）を加えたＶｒｓｔ−Ｖｔｈ−ΔＶに設定される。なお、ΔＶ電位の絶対値は、駆動トランジスタＤＲＴのチャネル層ＳＣの移動度が高いほど大きくなる。
【０１０９】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光（保持）期間に行われる。  
図２０には、発光期間における画素ＰＸを示している。
【０１１０】
図１、図１５、図１６及び図２０に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。
【０１１１】
このため、書込みトランジスタＳＳＴがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのＶｇｓは、Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋Ｖｔｈ＋ΔＶとなる。そして、駆動トランジスタＤＲＴの飽和領域の出力電流Ｉｅｌを有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに与え、発光させる。
【０１１２】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴの利得係数をβとすると、出力電流Ｉｅｌは次の式で表される。
【０１１３】
Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｓｔ＋ΔＶ）２
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、書込みトランジスタＳＳＴと、他の容量部Ｃｘとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ＥＬダイオードＯＬＥＤが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタＤＲＴが配置されている。
【０１１４】
これにより、出力電流Ｉｅｌは、閾値電圧Ｖｔｈに依存しない値となるため、閾値電圧Ｖｔｈによるばらつきの影響を排除することができる。また、上記のように、ΔＶの値は、移動度が高いほど大きくなるものである。移動度が高いほど電流が流れにくくなり、移動度が低いほど電流が流れやすくなるため、移動度の影響も補償することができる。さらに、出力電流Ｉｅｌは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの電圧Ｖｅｌに依存しない値となるため、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの特性の影響を排除することができる。  
言い換えると、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ｉｅｌを与えることができる。
【０１１５】
また、容量部Ｃｘと、容量部Ｃｓとの容量比により、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位を変えることができるため、映像信号電圧Ｖｓｉｇの値を調整することなく、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに、一層画像の階調に応じた駆動電流Ｉｅｌを与えることができる。
【０１１６】
また、第１の実施の形態において説明したように、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含んでいても良い。映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Ｖｓｉｇを、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。  
さらに、画素ＰＸを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
【０１１７】
上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。
【０１１８】
次に、この発明の第３の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。なお、この実施の形態において、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成が上述した第１の実施の形態と同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１１９】
図１、図２及び図２１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルである表示パネルＤＰと、駆動部１０とを含んでいる。
【０１２０】
具体的には、走査信号線Ｓａとチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタの一方は初期化トランジスタＴＣＴであり、他方はリセットトランジスタＩＳＴである。なお、走査信号線Ｓｂとチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、書込みトランジスタＳＳＴであり、上部電極とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、駆動トランジスタＤＲＴである。
【０１２１】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲＴ、初期化トランジスタＴＣＴ、リセットトランジスタＩＳＴ及び書込みトランジスタＳＳＴは、トップゲート型のＰチャネル型の薄膜トランジスタである。
【０１２２】
各画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、リセットトランジスタＩＳＴと、書込みトランジスタＳＳＴとを含んでいる。
【０１２３】
有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと駆動トランジスタＤＲＴとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。高電位電源配線には電源電圧ＰＶＤＤが印加され、低電位電源配線には電源電圧ＰＶＳＳが印加されている。この実施の形態において、高電位電源配線は、＋５Ｖの電位に設定され、低電位電源配線は、−５Ｖの電位に設定されている。
【０１２４】
容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇに接続されている。より詳しくは、容量部Ｃｓは、第１電極としての下部電極及び駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇに接続された第２電極としての上部電極を含んでいる。容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇの電位を保持するものである。そして、容量部Ｃｓは、後述する映像信号電圧Ｖｓｉｇにより決定される駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇ制御電位を保持するものである。
【０１２５】
初期化トランジスタＴＣＴは、容量部Ｃｓの下部電極に接続されたソース電極、走査信号線Ｓａに接続されたゲート電極及び駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥに接続されたドレイン電極を含んでいる。初期化トランジスタＴＣＴは、走査信号線Ｓａから供給される制御信号ＴＧに応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。初期化トランジスタＴＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極ＳＥの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタＴＣＴは、容量部Ｃｓからの電流リークを規制するものである。
【０１２６】
リセットトランジスタＩＳＴは、高電位電源配線に接続されたソース電極、走査信号線Ｓａに接続されたゲート電極及び駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇに接続されたドレイン電極を含んでいる。リセットトランジスタＩＳＴは、走査信号線Ｓａから供給される制御信号ＴＧに応答してオン、オフされる。リセットトランジスタＩＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極Ｇの電位を高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定させるかどうか切換えるものである。
【０１２７】
書込みトランジスタＳＳＴは、容量部Ｃｓの下部電極に接続されたドレイン電極、映像信号線ＶＬに接続されたソース電極及び走査信号線Ｓｂに接続されたゲート電極を含んでいる。書込みトランジスタＳＳＴは、走査信号線Ｓｂから供給される制御信号ＳＧに応答してオン、オフされる。書込みトランジスタＳＳＴは、映像信号線ＶＬを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇを出力させるかどうか切換えるものである。
【０１２８】
次に、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光（画像を表示）させる場合の画素ＰＸの動作について説明する。すなわち、第３の実施の形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。
【０１２９】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、ＯＣ（オフセットキャンセル）動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光（保持）動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。  
ここで、図２２は、第３の実施の形態における、書込みトランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＴＣＴ、リセットトランジスタＩＳＴ、切換えスイッチＳＷ１及び切換えスイッチＳＷ２のオン、オフタイミングを示す模式図である。
【０１３０】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間行われる。  
図２３には、リセット期間における画素ＰＸを示している。
【０１３１】
図１、図２１、図２２及び図２３に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴ及びリセットトランジスタＩＳＴをオン状態とするレベル（オン電位）、ここでは、ローレベルの制御信号ＴＧが出力され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴをオン状態とするオン電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオフ、切換えスイッチＳＷ２がオンに設定される。
【０１３２】
このため、初期化トランジスタＴＣＴ及び書込みトランジスタＳＳＴがオンに設定される。これにより、リセットトランジスタＩＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位を高電位電源配線と同じ電圧電位ＰＶＤＤに設定させるとともに、切換えスイッチＳＷ２、映像信号線ＶＬ、書込みトランジスタＳＳＴ及び初期化トランジスタＴＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのソース電極にリセット電圧Ｖｒｓｔを印加し、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット（初期化）される。
【０１３３】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。  
図２４には、キャンセル期間における画素ＰＸを示している。
【０１３４】
図１、図２１、図２２及び図２４に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴ及びリセットトランジスタＩＳＴにオン電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴをオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＳＧが出力される。
【０１３５】
このため、書込みトランジスタＳＳＴがオフに切換えられる。駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位は電圧電位ＰＶＤＤに固定されている。駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位は、リセット期間に書き込まれたリセット電位Ｖｒｓｔを初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、電圧電位ＰＶＤＤと駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈとの差ＰＶＤＤ−Ｖｔｈとなる（Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲＴの場合）。
【０１３６】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。  
図２５には、書込み期間における画素ＰＸを示している。
【０１３７】
図１、図２１、図２２及び図２５に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴ及びリセットトランジスタＩＳＴにオフ電位の制御信号ＴＧが出力され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧが出力される。また、切換えスイッチＳＷ１がオン、切換えスイッチＳＷ２がオフに切換えられる。
【０１３８】
このため、初期化トランジスタＴＣＴ及びリセットトランジスタＩＳＴがオフに、書込みトランジスタＳＳＴがオンに切換えられるこれにより、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇが、切換えスイッチＳＷ１、映像信号線ＶＬ及び書込みトランジスタＳＳＴを介して容量部Ｃｓに印加され容量部Ｃｓに記憶される。そして、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極の電位は、Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈに設定される。
【０１３９】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光（保持）期間に行われる。  
図２６には、発光期間における画素ＰＸを示している。
【０１４０】
図１、図２１、図２２及び図２６に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバＹＤＲ２から、初期化トランジスタＴＣＴ及びリセットトランジスタＩＳＴにオフ電位の制御信号ＴＧの出力が維持され、走査信号線ドライバＹＤＲ１から、書込みトランジスタＳＳＴにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。
【０１４１】
このため、書込みトランジスタＳＳＴがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのＶｇｓは、Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ＰＶＤＤとなる。そして、駆動トランジスタＤＲＴの飽和領域の出力電流Ｉｅｌを有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに与え、発光させる。
【０１４２】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴの利得係数をβとすると、出力電流Ｉｅｌは次の式で表される。
【０１４３】
Ｉｅｌ＝１／２×β×（Ｖｓｉｇ−ＰＶＤＤ）２
なお、βは次の式で定義される。
【０１４４】
β＝μ×Ｃｏ×Ｗ／Ｌ
なお、Ｗは駆動トランジスタＤＲＴのゲート幅、Ｌはゲート長、μはキャリア移動度、Ｃｏは単位面積当たりのゲート静電容量である。
【０１４５】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、画素ＰＸは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲＴと、容量部Ｃｓと、初期化トランジスタＴＣＴと、リセットトランジスタＩＳＴと、書込みトランジスタＳＳＴとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ＥＬダイオードＯＬＥＤが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタＤＲＴが配置されている。
【０１４６】
これにより、出力電流Ｉｅｌは、閾値電圧Ｖｔｈに依存しない値となるため、閾値電圧Ｖｔｈによるばらつきの影響を排除することができる。また、出力電流Ｉｅｌは、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの電圧Ｖｅｌに依存しない値となるため、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤの特性の影響を排除することができる。  
言い換えると、有機ＥＬダイオードＯＬＥＤに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ｉｅｌを与えることができる。
【０１４７】
また、第１の実施の形態において説明したように、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含んでいても良い。映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Ｖｓｉｇを、画素ＰＸに書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。  
さらに、画素ＰＸを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
【０１４８】
上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。
【０１４９】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１５０】
例えば、リセット電圧Ｖｒｓｔは映像信号線ＶＬとは別の配線を介して画素ＰＸに供給されても良い。この場合、映像信号線ＶＬには、切換え部ＳＷの替わりに例えばマルチプレクサ回路が接続されていれば良い。１／３マルチプレクサ回路の場合、１／３マルチプレクサ回路に、それぞれ３本の映像信号線ＶＬが接続され、３本の映像信号線ＶＬの何れかに映像信号電圧Ｖｓｉｇを選択的に与えるように構成されていれば良い。  
初期化トランジスタＴＣＴ、書込みトランジスタＳＳＴ及びリセットトランジスタＩＳＴは、Ｎチャネル型及びＰチャネル型の何れかのトランジスタで形成されていれば良い。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明の第１、第２及び第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】上記有機ＥＬ表示装置の一部を示す拡大断面図であり、特に駆動トランジスタ及び有機ＥＬダイオードを示す断面図。
【図３】上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素の等価回路を示す図。
【図４】上記第１の実施の形態の実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び２つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。
【図５】上記実施例１に係る有機ＥＬ表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。
【図６】上記実施例１に係る有機ＥＬ表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。
【図７】上記実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図８】上記実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。
【図９】上記第１の実施の形態の実施例２に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び２つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。
【図１０】上記実施例２に係る有機ＥＬ表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。
【図１１】上記実施例２に係る有機ＥＬ表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。
【図１２】上記実施例２に係る有機ＥＬ表示装置の映像信号線書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図１３】上記実施例２に係る有機ＥＬ表示装置の画素書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図１４】上記実施例２に係る有機ＥＬ表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。
【図１５】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素の等価回路を示す図。
【図１６】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び２つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。
【図１７】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。
【図１８】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。
【図１９】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図２０】上記第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。
【図２１】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素の等価回路を示す図。
【図２２】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ、リセットトランジスタ及び２つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。
【図２３】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。
【図２４】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。
【図２５】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図２６】上記第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。
【符号の説明】
【０１５２】
ＤＰ…表示パネル、ＳＵＢ…基板、Ｒ１…表示領域、ＰＸ…画素、ＴＣＴ…初期化トランジスタ、ＳＳＴ…書込みトランジスタ、ＩＳＴ…リセットトランジスタ、Ｃｓ，Ｃｘ…容量部、ＤＲＴ…駆動トランジスタ、Ｇ…ゲート電極、ＳＥ…ソース電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＯＬＥＤ…有機ＥＬダイオード、ＰＥ…画素電極、ＯＲＧ…有機物層、ＣＥ…対向電極、ＶＬ…映像信号線、Ｓａ，Ｓｂ…走査信号線、１０…駆動部、ＹＤＲ１，ＹＤＲ２…走査信号線ドライバ、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、１２…コントローラ、ＳＷ…切換え部、ＳＷ１，ＳＷ２…切換えスイッチ、ＴＧ，ＳＧ…制御信号、Ｖｓｉｇ…映像信号電圧、Ｖｉｎｉ…初期化電圧（電位）、Ｖｒｓｔ…リセット電圧（電位）、Ｖｔｈ…閾値電圧、ＰＶＳＳ…基準電圧電位、ＰＶＤＤ…電圧電位、Ｉｅｌ…出力電流、−ΔＶ…電位変動、β…利得係数。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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