(57)【要約】【課題】記憶媒体への信頼性の高いＢＣＡデータの記録方法および記憶媒体、ならびにその記憶媒体からのＢＣＡデータの再生方法、および記憶媒体製造装置を、提供する。【解決手段】この発明は、ＢＣＡデータ向けあるいはその近傍の記憶媒体の内周寄りの記録層に用いられる膜材料の厚みが、互いに隣接する２つを一体化するように、円弧状とした吸着機構７１，７２により吸引されて形成された記憶媒体の基材を用いることにより均一な厚みに形成される。従って、ＢＣＡ（バーストカッティング領域）あるいはその近傍の記憶媒体の内周寄りに記録される情報が、正確、かつ安定に記録可能となる。【選択図】      図９５
2010205409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定波長の光により情報の記録再生が可能な記録層を具備し、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ特性を有した光ディスク状の情報記憶媒体において、 
前記記録層に記録マークを記録する際に用いるチャネルクロック周期をＴとするとき、２Ｔ以上の長さの記録マークが記録可能であり、
３Ｔ以上の長い記録マークを記録する際には複数のパルスが利用され、
前記３Ｔ以上の長い記録マークの記録に利用される前記複数のパルスの末尾に来るラストパルスの幅のとり得る値が、所定の範囲となるようにして前記記録マークが記録される情報記憶媒体。
【請求項２】
前記記録マークが前記Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ特性に対応することを示す情報が記録された請求項１記載の情報記憶媒体。
【請求項３】
前記情報記憶媒体に記録されている情報を再生するように構成された情報再生装置。
【請求項４】
前記情報記憶媒体に情報を記録するように構成された情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光ディスク等の情報を記憶する情報記憶媒体、および情報再生方法または情報記録方法ならびに記憶媒体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等の光ディスクにおいては、内周側からバーストカッティング領域（ＢＣＡ）、システムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域が配置されている。
【０００３】
バーストカッティング領域には、ＤＶＤ規格書タイプの識別情報等が記録される。
【０００４】
バーストカッティング領域内のデータ構造について、特許文献１に記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３３０８９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１には、一個のＢＣＡ（バーストカッティング領域）向けプリアンブルと一個のＢＣＡポストアンブルに囲まれたＢＣＡデータ領域が開示されている。
【０００７】
しかしながら、文献１に記載された光ディスクにおいては、ＢＣＡデータ領域が１つであり、ディスクの表面に付着することのあるゴミやディスクに生じる傷等の影響でＢＣＡデータが再生不能になる虞がある。
【０００８】
このように、従来の光ディスクにおいては、ＢＣＡのデータ領域に記録されたデータの信頼性が低いという問題がある。
【０００９】
この発明の目的は、記憶媒体への信頼性の高いＢＣＡデータの記録方法および記憶媒体ならびにその記憶媒体からのＢＣＡデータの再生方法、および情報記録装置ならびに情報再生装置を、提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、情報が記録される記録層の最内周直径値がバーストカッティング領域の最内周直径値よりも大きいことを特徴とする追記形情報記憶媒体である。
【００１１】
またこの発明は、トラックピッチと最小ピットピッチが互いに異なるシステムリードイン領域とデータリードイン領域を具備した追記形情報記憶媒体において、    
情報が記録される記録層の最内周直径値Φｍと、前記システムリードイン領域の最内周直径値ΦＳＹＬＤＩｉｎとの間に、    ΦＳＹＬＤＩｉｎ  ≧  Φｍ＋δ    の関係があり、δが２００μｍ以上であることを特徴とする追記形情報記憶媒体である。
【００１２】
さらにこの発明は、内周部にバーストカッティング領域を有する記憶媒体において、前記バーストカッティング領域は、互いに隣接する２つを円弧状とした吸着機構により形成された基材に記録されたＢＣＡデータ領域を有することを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＢＣＡデータ向けあるいはその近傍の記憶媒体の内周寄りの記録層に用いられる膜材料の厚みが均一な厚みに形成される。従って、ＢＣＡ（バーストカッティング領域）あるいはその近傍の記憶媒体の内周寄りに記録される情報が、正確、かつ安定に記録可能となる。これにより、ＢＣＡからＢＣＡデータを再生する際の信号の安定性、ならびにＢＣＡの近傍の記憶媒体の内周寄りに記録される情報を再生する際の信号の安定性が、向上される。
【００１４】
なお、本発明によれば、ＢＣＡデータ向けの記録領域が複数箇所に規定され、同じ情報が複数回書きこまれていることにより、ＢＣＡデータ領域内に記録された情報そのものの信頼性が向上される。すなわち、ＢＣＡデータは、特に、正確、かつ、安定に再生可能であり、記憶媒体を記録装置あるいは再生装置に装填した際のイニシャル動作に要求される時間が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】標準的な相変化記録膜構造と有機色素記録膜構造を示す概略図。
【図２】現行ＤＶＤ−Ｒディスクに用いられている有機色素記録材料の光吸収スペクトル特性の一例を示す概略図。
【図３】相変化記録膜と有機色素記録膜でのプリピット領域またはプリグルーブ領域１０での記録膜の形成形状比較の例を示す概略図。
【図４】従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体における記録マーク９位置での具体的な透明基板２−２の塑性変形状況の例を示す概略図。
【図５】記録原理を起こし易くする記録膜に関する形状や寸法に関する例を示す概略図。
【図６】記録膜の形状と寸法の例を示す概略図。
【図７】“Ｈ→Ｌ”記録膜における未記録状態での光吸収スペクトル特性の例を示す概略図。
【図８】“Ｈ→Ｌ”記録膜における記録マーク内での光吸収スペクトル特性の例を示す概略図。
【図９】本発明の情報記録再生装置の一例を示す概略図。
【図１０】図９に示した同期コード位置抽出部１４５を含む周辺部の例を示す概略図。
【図１１】スライスレベル検出方式を用いた信号処理回路の例を示す概略図。
【図１２】図１１のスライサ３１０の例を示す概略図。
【図１３】ＰＲＭＬ検出法を用いた信号処理回路の例を示す概略図。
【図１４】図９または図１３に示したビタビ復号器１５６内の構造の例を示す概略図。
【図１５】ＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける状態遷移の一例を示す概略図。
【図１６】ドライブテストゾーンへの試し書きに用いられる記録パルスの波形（ライトストラテジ）の一例を示す概略図。
【図１７】記録パルス形状の定義の一例を示す概略図。
【図１８】“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の光反射率範囲の一例を示す概略図。
【図１９】“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜から検出される検出信号の極性の一例を示す概略図。
【図２０】“Ｌ→Ｈ”記録膜における未記録状態での光吸収スペクトル特性の一例を示す概略図。
【図２１】“Ｌ→Ｈ”記録膜における既記録状態と未記録状態での光吸収スペクトル特性変化を表す概略図。
【図２２】情報記憶媒体内の構造および寸法の一例を示す概略図。
【図２３】各種情報記憶媒体におけるシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の詳細なデータ構造を説明する概略図。
【図２４】追記形情報記憶媒体内にあるＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺと記録位置管理ゾーンＲＭＺ内のデータ構造を説明する概略図。
【図２５】各種情報記憶媒体におけるデータ領域ＤＴＡとデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のデータ構造を説明する概略図。
【図２６】記録位置管理データＲＭＤ内のデータ構造を説明する概略図。
【図２７】追記形情報記憶媒体におけるボーダ領域の構造に関する図２６とは異なる他の実施形態を説明する概略図。
【図２８】追記形情報記憶媒体におけるボーダ領域の構造を説明する概略図。
【図２９】制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を説明する概略図。
【図３０】データＩＤ内のデータ構造を説明する概略図。
【図３１】制御データゾーン内のデータ構造に関する他の実施形態を説明する概略図。
【図３２】物理セクタ構造を構成するまでの変換手順の概略を説明する概略図。
【図３３】データフレーム内の構造を説明する概略図。
【図３４】スクランブル後のフレームを作成する時のシフトレジスタに与える初期値とフィードバックシフトレジスタの回路構成を説明する概略図。
【図３５】ＥＣＣブロック構造を説明する概略図。
【図３６】スクランブル後のフレーム配列を説明する概略図。
【図３７】ＰＯのインターリーブ方法を説明する概略図。
【図３８】物理セクタ内の構造を説明する概略図。
【図３９】図３７に示したＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック構造を説明する概略図。
【図４０】参照コードパターンを説明する概略図。
【図４１】各種情報記憶媒体毎のデータ記録形式（フォーマット）のを説明する概略図。
【図４２】各種情報記憶媒体におけるデータ構造を説明する概略図。
【図４３】各種情報記憶媒体におけるデータ構造を説明する概略図。
【図４４】ウォブル変調における１８０度位相変調とＮＲＺ法を説明する概略図。
【図４５】アドレスビット領域内でのウォブル形状とアドレスビットの関係を説明する概略図。
【図４６】ウォブルシンクパターンとウォブルデータユニット内の位置関係を説明する概略図。
【図４７】追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造を説明する概略図。
【図４８】追記形情報記憶媒体上における変調領域の配置場所を説明する概略図。
【図４９】追記形情報記憶媒体上における物理セグメント内の変調領域の配置場所を説明する概略図。
【図５０】レコーディングクラスタ内のレイアウトを説明する概略図。
【図５１】書替え形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータ記録方法を説明する概略図。
【図５２】書替え形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータランダムシフトを説明する概略図。
【図５３】追記形情報記憶媒体上に記録される追記形データの追記方法を説明する概略図。
【図５４】ウォブル信号のクロストーク発生原因を説明する概略図。
【図５５】ウォブル検出信号のキャリアレベルの最大値（Ｃwmax）と最小値（Ｃwmin）の測定方法を説明する概略図。
【図５６】ウォブル検出信号の最大振幅（Ｗppmax）と最小振幅（Ｗppmin）の測定方法を説明するフローチャート。
【図５７】ウォブル信号とトラックずれ信号の特性を説明する概略図。
【図５８】（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐ信号の測定方法を説明するフローチャート。
【図５９】ウォブル信号の２乗波形に対するＮＢＳＮＲ測定回路を説明する概略図。
【図６０】ウォブル信号の２乗波形に対するＮＢＳＮＲの測定方法を説明するフローチャート。
【図６１】位相変調によるウォブル信号のスペクトラムアナライザ検出信号の特性を説明する概略図。
【図６２】位相変調したウォブル信号のスペクトラムアナライザ波形を説明する概略図。
【図６３】ウォブル信号の２乗後のスペクトラムアナライザ波形を説明する概略図。
【図６４】本実施形態における抑圧比の測定方法を説明する概略図。
【図６５】“Ｈ→Ｌ”記録膜におけるＨフォーマットでの検出信号レベルの他の一例を説明する概略図。
【図６６】“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるＨフォーマットでの検出信号レベルの他の一例を説明する概略図。
【図６７】プリアンプの検出範囲と検出信号レベルとの関係を説明する概略図。
【図６８】最後に記録された場所を探す方法を説明する概略図。
【図６９】情報記録再生装置における最後に記録された場所を探す方法を説明するフローチャート。
【図７０】情報再生装置における最後に記録された場所を探す方法を説明するフローチャート。
【図７１】ボーダ内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定状況を説明する概略図。
【図７２】ボーダ内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定方法を説明する概略図。
【図７３】情報再生装置で再生可能な状態におけるデータ構造を説明する概略図。
【図７４】ボーダクローズ処理方法を説明する概略図。
【図７５】拡張ドライブテストゾーン設定方法の他の一例を説明する概略図。
【図７６】１３Ｔ部分の極性制御方法を説明する概略図。
【図７７】バーストカッティング領域からの再生信号を説明する概略図。
【図７８】ＢＣＡデータ構造を説明する概略図。
【図７９】ＢＣＡシンクバイトＳＢＢＣＡとＢＣＡリシンクＲＳＢＣＡのビットパターンを説明する概略図。
【図８０】ＢＣＡデータ領域内に記録されたＢＣＡ情報内容を説明する概略図。
【図８１】追記形情報記憶媒体におけるウォブルアドレスフォーマットを説明する概略図。
【図８２】隣接トラック間での物理セグメント配置関係を説明する概略図。
【図８３】ｉ＋１番目の隣接トラックでの変調領域の配置場所のタイプ選別を説明する概略図。
【図８４】タイプ３の配置タイプが選ばれる場合の配置条件を説明する概略図。
【図８５】変調領域の配置タイプ選定方法を説明する概略図。
【図８６】この発明の実施形態が適用される追記形情報記憶媒体の構成の一例を説明する概略図。
【図８７】図８６の追記形情報記憶媒体の製造工程を説明する概略図。
【図８８】本発明の有機色素材料の吸光度特性を説明する概略図。
【図８９】本実施形態の射出成形法による透明基板の製造工程に利用される吸盤の特徴を説明する概略図。
【図９０】図８６の追記形情報記憶媒体の記録層が形成される範囲を説明する概略図。
【図９１】本実施形態の射出成形法による透明基板の製造工程を説明する概略図。
【図９２】図９１の製造工程に引き続く工程を説明する概略図。
【図９３】図９２の製造工程に引き続く工程を説明する概略図。
【図９４】図９３の製造工程に引き続く工程を説明する概略図。
【図９５】図９４の製造工程に引き続く工程を説明する概略図。
【図９６】図９５の製造工程に引き続く工程を説明する概略図。
【図９７】本発明の追記形情報記憶媒体の半径方向位置と記録層の厚み分布の関係を示すグラフ。
【図９８】他の実施例に利用可能なバーストカッティング領域位置と、記録層形成領域の最内周の関係を説明する概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図８６は、この発明の実施形態が適用される追記形情報記憶媒体の一例を示し、図８７は、図８６の追記形情報記憶媒体の製造工程を示し、図８８は、本発明の有機色素材料の吸光度特性を示す。
【００１８】
情報記憶媒体（光ディスク）には、製造時に情報記憶媒体固有の情報をあらかじめ記録しておくことが望ましい。このとき記録される情報記憶媒体固有の情報は、例えばコピープロテクション等で、個々の光ディスク（情報記憶媒体）を識別する必要のあるとき等に使用される。
【００１９】
ＣＤ，ＤＶＤ，Ｂフォーマット，Ｈフォーマット等の情報記憶媒体において、このような情報記憶媒体固有の情報は、バーストカッティング領域ＢＣＡ（Burst Cutting Area）と呼ばれるバーコード状のパターンとして、図８６または図９０に示すように予め情報記憶媒体の内周部に刻まれる。
【００２０】
バーストカッティング領域ＢＣＡを情報記憶媒体に設けるには、情報記憶媒体成形時の型となるスタンパに、ＢＣＡのパターンを刻んでおくという方法がある。しかし、情報記憶媒体一枚一枚に別個の固有の情報を記録するためには、製盤後の情報記憶媒体に、例えばレーザ光等により、ＢＣＡパターンを刻む必要がある。
【００２１】
通常、再生専用または追記型情報記憶媒体にＢＣＡパターンを記録する場合は、レーザ光等により、アルミ（Ａｌ）反射膜を焼ききる方法が用いられる。一方、相変化記録形情報記憶媒体にＢＣＡパターンを記録する場合は、レーザ光で記録膜を相変化させて反射率を変えることでパターンを作製する。
【００２２】
しかし、追記型の情報記憶媒体のうちで、有機色素材料を用いた記憶媒体の場合には、ＢＣＡ記録装置によりレーザ光を照射してもＢＣＡパターンが刻めない（追記できない）問題がある。
【００２３】
この原因としては、有機色素材料の波長依存性がある。すなわち、有機色素材料は波長依存性が高いため、次世代の短波長（例えば４０５ｎｍ）対応の情報記憶媒体に、現行のＤＶＤ規格向けの長波長（例えば６５０ｎｍ）のレーザ光を用いたＢＣＡ記録装置を適用してもパターンを記録できないということが挙げられる。
【００２４】
そこで、本実施形態では、波長４０５ｎｍに対応した有機色素系記録材料に、波長６００〜７００ｎｍで吸収を持つような有機色素系記録材料を混合し、現在ＢＣＡ記録装置のレーザ光源として使用されているレーザ光の波長にも記録感度を持つよう調整した色素を用いる。
【００２５】
本実施形態では、情報記憶媒体は、直径１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍ（０．６ｍｍのポリカーボネート成形基板２枚の貼り合せ）であり、かつ有機色素系記録材料を記録層に用いた追記形の情報記憶媒体であるとする。
【００２６】
記録再生光については、波長４０５ｎｍで開口数ＮＡ（Numerical Apperture）が、０．６５の対物レンズを用いた光学系を用いることとする。データ記録領域のグルーブ間トラックピッチは、４００ｎｍ（０．４μｍ）であり、バーストカッティング領域ＢＣＡは、半径２２．２〜２３．１ｍｍまたは、半径２２．３〜２３．１５ｍｍとする。
【００２７】
なお、図８６において、ＢＣＡパターン１０１２は、幅（接線方向）が数十μｍ、長さ（径方向）が数百μｍ程度のバーコード状のパターンである。しかし、ＢＣＡパターンの実施形態としては、これに限られるわけではない。
【００２８】
情報記憶媒体の具体的な材料例としては、成形基板がポリカーボネート、成形に用いるスタンパがニッケル（Ｎｉ）、記録層（有機色素膜）がアゾ系、ジアゾ系、シアニン系、フタロシアニン系、スチリル系、もしくはこれらの混合物からなる有機色素材料、反射膜が銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、金（Ａｕ）、またはこれらをベースとする金属化合物、接着剤はアクリル系またはエポキシ系の紫外線硬化樹脂、とする。但し、これらについても、この実施形態に限られるわけではない。
【００２９】
追記形情報記憶媒体の作製方法を、図８７を参照して以下に説明する。
【００３０】
図８７において、原盤として、表面を研磨洗浄したガラスを用いる（１０２１）。
【００３１】
次に、原盤表面に、フォトレジストを塗布し（１０２２）、その表面を、レーザ光等で露光することで情報を記録する（１０２３）。
【００３２】
続いて、露光した原盤を現像し、ピットやグルーブ溝の凹凸を形成する（１０２４）。
【００３３】
その後、その原盤をメッキ処理することで、スタンパ（材料は一般にニッケル）を作成する（１０２５）。
【００３４】
スタンパを型として、射出成形により樹脂（材料は一般にポリカーボネート）成形板を作成する（１０２６）。
【００３５】
このようにして得られた成形基板に、記録層として、有機色素を、例えばスピンコートにより塗布する（１０２７）。
【００３６】
塗布された色素層（有機色素）の上に反射層を形成した後、予め形成されたもう一枚の成形基板と、接着層を介して貼り合せる（１０２８）。
【００３７】
貼り合せられた情報記憶媒体に、図示しないＢＣＡ記録装置を用いて、バーストカッティング領域ＢＣＡに、情報記憶媒体固有のバーコード状ＢＣＡパターン１０１２（図８６参照）を記録することで（有機色素を記録層に用いた）追記形情報記憶媒体が得られる。
【００３８】
本発明においては、波長４０５ｎｍに対応した次世代情報記憶媒体用の色素材料に、波長６００〜７００ｎｍで吸収を持つような材料を混合し、現在広く利用されている波長が６５０〜６９０ｎｍのレーザ光によるＢＣＡ記録装置のレーザ光源により、ＢＣＡ情報を記録可能としている。なお、有機色素の吸収特性としては、図８８（ｃ）を用いて後段に示すような特性が好ましい。このような吸光特性を持つ有機色素系記録材料を用いれば、現行規格のＤＶＤ向けのＢＣＡ記録装置が、そのまま流用できる。この場合、現行規格のＤＶＤと次世代規格のＤＶＤの製造ラインが併設されているような生産システムの場合において、新たに、高価な短波長のＢＣＡ記録装置を導入する必要がない、等のメリットも生じる。
【００３９】
図９１〜図９６に、本実施形態の射出成形法による透明基板の製造工程を説明する。
【００４０】
図９１に示すように、ペレットの溶解工程においては、透明基板の材料として透明樹脂のペレットがペレット貯蔵部３５の中に保持されている。
【００４１】
ペレット貯蔵部３５では、所定温度まで加熱されることで、豆粒状のペレットが溶けて溶解される（流動性のある液状となる）。
【００４２】
射出成形法により透明基板を作成する際に、射出成形機においては、図９１に示すように、金型３２と金型３３の間に隙間部３４が作られ、金型３３側に、エンボス領域のプリピットやデータ領域のプリグルーブ形状が作られたスタンパ３１が取り付けられている。また、スタンパ３１は、可動部４１に固定されている。なお、金型３３は、ペレット貯蔵部３５とともに、可動部４１の（図面の）左右方向への移動に伴って往復動可能である。一方、金型３２は、固定部４０側に配置されている。
【００４３】
射出工程においては、図９２に示すように、ペレット貯蔵部３５内で溶解されたペレット３６が、金型３２と金型３３との間の隙間部３４に、所定圧力で射出され、所定の冷却時間冷やされて、図９３に示すように、透明基板２−２として固体化される。
【００４４】
次に、図９３に示す離型工程において、可動部４１内の金型３３が（図において）右側に移動されることで、透明基板２−２が露出する。
【００４５】
続いて、図９４に示す透明基板の中心穴切断工程において、透明基板２−２の中心部が切断され。中央に中心穴４２が形成される。
【００４６】
次に、図９５の透明基板の離型工程において、透明基板の離型部材５０により、固定部４０から透明基板２−２が剥離される。透明基板の剥離部材５０は、例えば、アーム５１と吸盤５２〜５５（図においては中心軸に沿った５２と５３の２つが示されているが合計で４個）と、エアーガイド５６と、吸引機５７を含む。エアーガイド５６は、吸盤の内部に存在し、ここから空気を抜くことで、吸盤を透明基板２−２に吸引している。
【００４７】
透明基板２−２を固定部４０から剥離する場合は、吸盤５２〜５５が透明基盤２−２に密着され、吸引機５７によりエアー５８が抜かれることで、アーム５１内のエアーガイド５６が真空状態（または所定の減圧状態）となり、吸盤５２〜５５が、透明基板２−２と密着する。
【００４８】
吸盤５２〜５５が透明基板２−２に密着された（すなわち透明基板２−２が吸盤５２〜５５に吸引された）段階でアーム５１が後ろ側（所定の退避位置）に後退されることで、透明基板２−２が固定部４０から剥離される。
【００４９】
このように、射出成形法により作成された透明基板上に、後段の工程において、記録層３−２を形成するため荷、例えばスピナによるスピンコーティング法により記録層３−２の原材料である有機色素が塗布される。
【００５０】
なお、図９５で、透明基板２−２に吸着した吸盤５２〜５５から透明基板２−２に作用する吸引力は、比較的大きく、その（吸盤の）跡が、図９６に示すように、吸盤跡６１〜６４として残ることが知られている。吸盤跡６１〜６４は、透明基板２−２を洗浄した後でも残り、吸盤跡６１〜６４を含めた透明基板２−２の記録面（色素塗布面）全域に記録層（有機色素）３−２を塗布すると、記録層（有機色素）３−２に、塗布ムラが発生することがある。
【００５１】
図９６に示した吸盤跡６１、〜６４により生じる記録層３−２の塗布ムラ６５は、上述したＢＣＡパターンの記録（ＢＣＡ情報のレーザ光による書き込み）を不均一とする問題がある。
【００５２】
このため、吸盤５２〜５５の形状や吸引位置あるいは吸引圧力等に関して、さまざまな確認試験を実施し、成形機からの確実な透明基板２−２の分離（剥離）が可能で、しかも有機色素を塗布した際に、その塗布ムラが生じにくいか、生じたとしても、ＢＣＡ情報の記録に影響を与えることのない吸盤の形状を得た。なお、吸盤の形状（吸盤跡）が、要求される記録層（有機色素膜）３−２の最大内径よりも小さければ、吸盤跡が記録層に影響を及ぼさないことはいうまでもない。
【００５３】
なお、吸盤跡の影響により、有機色素膜を塗布して硬化させた記録層３−２において、その反射率が変化することが知られている。このため、再生信号に影響を及ぼす反射率の変動を、ディスク１周あたりの反射率の変動の大きさとして計測したところ、吸盤跡がないディスクにおいては、その変動の大きさは。最大でも１０％（０．１）未満であること（１０％を超えることがない）が認められる。
【００５４】
これに対して、吸盤跡がある光ディスクでは、必然的に反射率の変動の大きさが１０％前後で推移することが確認されている。ここで、反射率の変動が１０％を超えるディスクを用意して、特性を確認したところ、１５％（０．１５）を超える場合には、再生信号に影響が出ることが確認された。従って、反射率の変動は、１５％以下に抑えることが好ましい。もちろん、１０％を下回るディスクでは、一層、再生信号が安定することは、いうまでもない。
【００５５】
このような背景から、吸盤の形状を最適化して吸盤跡の最外周直径値を小さくするとともに、吸盤跡の最外周直径値よりも外側から記録層３−２を形成することを、本実施形態の特徴とする。
【００５６】
図９５に示した吸盤５２〜５５は、平面方向から見た状態で図９６に示した吸盤跡６１〜６４と同心円状であり、それらを結ぶ外径は、図９６に仮想線（円）６６（最外周直径値Φａ）で示すように透明基板２−２の中心穴４２の直径と比較してかなり大きい。
【００５７】
このため、図８９に示すように、吸盤の形状を、互いに隣接する２つを一体化するように、例えばバナナ状（円弧状）とした２つの吸盤７１、７２とすることにより、吸盤跡の最外周直径値Φｂの値をΦａの値よりも小さくできる。
【００５８】
吸盤跡の最外周直径値Φｂを小さくすることにより、透明基盤２−２への吸着力が低下するが、図８９に示したように、吸着面積を（従来タイプの）円形吸盤よりも広げることにより、吸引力の低下を防止している。
【００５９】
図９０に、本実施形態における記憶媒体の記録層の形成範囲を説明する。
【００６０】
吸盤跡７１，７２の外径部を結んだ最外周直径値Φｂに対し、記録層形成領域の最内周直径値Φｍを大きく設定することにより、記録層形成時の吸盤跡に起因して記録層の塗布ムラが発生することを除去している。
【００６１】
記録層形成領域の最内周直径値Φｂは、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径ΦＢＣＡｉｎよりも小さく（ΦＢＣＡｉｎ  ＞  Φｍ）している。換言すると、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径は、  ΦＢＣＡｉｎ  ＝  Φｍ  ＋  α  で表すことができる。
【００６２】
図９０に示すように、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径値ＢＣＡｉｎの値は、Φ４４．６＋０．０−０．８ｍｍの範囲となり、マイナスの最大公差を考えると、ＢＣＡ領域の最内周直径値は、４４．６−０．８＝４３．８ｍｍとなる。
【００６３】
これに対してαは、０．２ｍｍ以上取る必要がある。そのため、Φｍの値としては４３．８−０．２＝Φ４３．６ｍｍとなる。従って、記録層形成領域の最内周直径値Φｍの値は４３．６ｍｍ以下であることが望ましい。
【００６４】
なお、余裕を持って、図９７を用いて以下に説明するように、記録層（色素膜）３−２の厚み変動が生じる領域の幅βを、２００μ（０．２ｍｍ）とすると、αの値を０．４ｍｍとすることが好ましい。その結果、記録層形成領域の最内周直径値Φｍの値は、４３．８−０．４＝４３．４ｍｍ以下にする必要がある。
【００６５】
図９７に、追記形情報記憶媒体の半径方向位置と記録層の厚み分布の関係を示す。
【００６６】
追記形情報記憶媒体の半径方向位置に対し、記録層形成領域の最内周直径値Φｍの近傍では、記録層（色素膜）３−２の厚み変動が生じる領域が発生する。
【００６７】
後述するように、バーストカッティング領域ＢＣＡにおけるバーストカッティング信号は、記録層３−２への記録処理により作成する。従って、図９７に示したような、記録層（色素膜）３−２の厚み変動が生じると、バーストカッティング領域ＢＣＡ内の記録特性が変化し、そこからの再生信号に変動が起きる。
【００６８】
そのため、バーストカッティング領域では、記録層３−２の厚みムラがない均一な厚みを要求される。
【００６９】
なお、図９７に示す厚み変動が生じる領域の幅をβとすると、前述したαの値として、［α／２  ≧  β］の関係が要求される。一般的に厚み変動が生じる領域の幅は、１００μｍ以下となっている。
【００７０】
図９８（ａ）〜（ｄ）に、他の実施例に利用可能なバーストカッティング領域位置と、記録層形成領域の最内周の関係を示す。
【００７１】
図９８（ａ）は、図９０に示した例と同様に、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径値ΦＢＣＡｉｎよりも記録層形成領域の最内周直径値Φｍをαだけ小さくした例である。
【００７２】
これに対し、図９８（ｂ）に示すように、例えば、バーストカッティング領域ＢＣＡを再生して得られるバーストカッティング信号は、一部でも信号が取れればよいと考えるならば、本実施形態の応用例として記録層形成領域の最内周直径値Φｍの値を、バーストカッティング領域ＢＣＡの中すなわち、［ΦＢＣＡｉｎ  ＜  Φｍ  ＜  ΦＢＣＡｏｕｔ］の条件を満たせばよい。
【００７３】
また、バーストカッティング領域ＢＣＡ内で記録層３−２がγ／２の幅だけ存在すればよく、ＢＣＡ信号が幅γ／２だけ形成されることを許容した場合には、図９８（ｃ）に示すように［ＢＣＡｏｕｔ  ＝  Φｍ  ＋  γ］を満足すればよい。
【００７４】
図９０により既に説明したように、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径値はΦ４４．６＋０．０−０．８ｍｍであるに対し、バーストカッティング領域ＢＣＡの最外周直径値は、Φ４６．３±０．１である。従って、両者の差分値は、１．７ｍｍとなり、バーストカッティング領域の幅としては、（その１／２で）０．８５ｍｍとなる。
【００７５】
このバーストカッティング領域の幅０．８５ｍｍの半分以上を、バーストカッティング信号を得ることを許容するとすれば、γ／２の値は、０．８５／２となりγは、０．８５ｍｍ以上あればよいことになる。
【００７６】
他の応用例として、図９８（ｄ）に示すように、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩの最外周直径ΦＳＹＬＤＩｉｎの値と、記録層形成領域の最内周直径値Φｍとの関係が［ΦＳＹＬＤＩｉｎ  ≧  Φｍ  ＋  δ］の関係を満たすことを要求する場合には、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内において、記録層３−２の厚みが、実質的に全域で（至るところで）均一であることが望まれる。従って、δと図９７に示したβの関係として、δ／２の値がβより大きいことが必要とされる。
【００７７】
この場合、システムリードイン領域の最内周の直径は４６．６ｍｍであり、βとしては１００μ以上望ましくは２００μ以上であるから、図９８（ｄ）の条件を満足するΦｍの値としては、Φ４６．６  −  ０．２  ＝  Φ４６．４、望ましくは    
Φ４６．６  −  ０．４  ＝  Φ４６．２ｍｍ    
である。
【００７８】
このようにして規定された領域に、有機色素のより形成されたＢＣＡ領域およびＢＣＡ領域を有する光ディスクすなわち情報記憶媒体としては、さらに以下に説明するような、さまざまなデータ領域およびデータ構造、ならびに記録特性を有する。なお、データ領域およびデータ構造、ならびに記録特性は、その情報記憶媒体に情報を記録し、あるいは既に記録されている情報を再生し、もしくは情報を消去するための記録再生装置およびその記録再生装置に適用される規格（規格書）のいずれか、または任意の組み合わせに、強く依存する。このような背景から、以下に、光ディスク（情報記憶媒体）のデータ領域およびデータ構造、ならびに記録特性や、記録再生装置に関する詳細な説明を付加する。
【００７９】
有機色素材料を記録材料に用いた追記形情報記憶媒体として、記録／再生用レーザ光源波長７８０ｎｍを用いたＣＤ−Ｒディスクと、記録／再生用レーザ光源波長６５０ｎｍを用いたＤＶＤ−Ｒディスクが既に市販されている。
【００８０】
さらに、高密度化した次世代の追記形情報記憶媒体では、表１に示すように、Ｈフォーマット（Ｄ１）またはＢフォーマット（Ｄ２）のいずれのフォーマットでも記録または再生用のレーザ光光源波長は４０５ｎｍ近傍（つまり３５５ｎｍから４５５ｎｍの範囲）が使われることを想定している。
【００８１】
有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体では、使用光源波長がわずかに変化するだけで記録／再生特性が敏感に変化する。
【００８２】
原理的には記録／再生用レーザ光源波長の二乗に反比例して密度が上げられるので、記録／再生用に用いられるレーザ光源波長は短い方が望ましいが、上記の理由からＣＤ−ＲディスクやＤＶＤ−Ｒディスクに利用される有機色素材料を４０５ｎｍ用の追記形情報記憶媒体として使うことができない。
【００８３】
しかも、４０５ｎｍは紫外線波長に近いので、“４０５ｎｍ光で容易に記録可能”な記録材料は紫外線照射により特性変化し易く、長期安定性に欠ける欠点が生じやすい。利用される有機色素材料により特性が大幅に異なるので一般論として断定し辛いが、一例として具体的な波長で上記の特徴を説明する。
【００８４】
６５０ｎｍ光で最適化された有機色素記録材料は使用する光が６２０ｎｍより短くなると、記録／再生特性が歴然と変化する。
【００８５】
従って、６２０ｎｍよりも短い光で記録／再生を行う場合には、記録光または再生光の光源波長に最適な有機色素材料の新規開発が必要となる。５３０ｎｍより短い光で記録が容易な有機色素材料は紫外線照射による特性劣化を起こし易く、長期安定性に欠ける。
【００８６】
本実施形態では、４０５ｎｍ近傍での使用に適した有機記録材料に付いての実施形態について説明を行うが、半導体レーザ光源のメーカによる発光波長の変動も考慮に入れた３５５〜４５５ｎｍの範囲で安定に使用可能な有機記録材料に関する実施形態を説明する。すなわち、本実施形態の適応範囲は、６２０ｎｍ以下の光源に適合したもの、望ましくは５３０ｎｍより短い光（最も狭い範囲の定義では３５５〜４５５ｎｍの範囲）に対応している。
【００８７】
また、有機色素材料の光吸収スペクトルによる光記録感度も記録波長の影響を大きく受ける。長期安定性に適した有機色素材料は一般的に波長が短い光に対する吸光度が小さくなる傾向がある。特に、６２０ｎｍより短い光に対して吸光度が大幅に低下し、５３０ｎｍより短い光では特に激減する。従って、最も厳しい条件として３５５〜４５５ｎｍの範囲のレーザ光で記録する場合には、吸光度が低いために記録感度が悪く、本実施形態に示すような新たな記録原理を採用すると言う新規考案が必要となる。
【００８８】
記録または再生に用いられる集光スポットのサイズは使用される光の波長に比例して小さくなる。従って、集光スポットサイズの観点のみから考えると、波長を上述した値まで短くすると、従来技術である現行ＤＶＤ−Ｒディスク（使用波長：６５０ｎｍ）に対して波長分だけトラックピッチやチャネルビット長を短くしたい。
【００８９】
しかし“３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲”で後述するように、ＤＶＤ−Ｒディスク等従来の追記形情報記憶媒体の記録原理を使用している限りトラックピッチやチャネルビット長を短くできないと言う問題がある。
【００９０】
下記に説明する本実施形態で考案した技術を利用することで初めて上述した波長に比例してトラックピッチやチャネルビット長を短くできる。
【００９１】
＜１＞本実施形態は、６２０ｎｍ以下の光源に適合した有機記録材料（有機色素材料）を考案したことを技術的特徴とするが、その有機記録材料（有機色素材料）は、記録マーク内で光反射率が増加するという、従来のＣＤ−ＲディスクやＤＶＤ−Ｒディスクには存在しない独自な特徴（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ特性）を有している。従って、本実施形態に示す有機記録材料（有機色素材料）の特徴をより効果的に生かす情報記憶媒体の構造、寸法あるいはフォーマット（情報記録形式）を組み合わせたことを特徴とする。本実施形態での新たな技術的特徴と効果を生み出す組み合わせを表１に示す。すなわち、本実施形態における情報記憶媒体では構成要素としては、    
Ａ〕有機色素記録膜、    
Ｂ〕プリフォーマット（プリグルーブ形状／寸法やプリピット形状／寸法等）、    
Ｃ〕ウォブル条件（ウォブル変調方法やウォブル変化形状、ウォブル振幅、ウォブル配置方法等）、    
Ｄ〕フォーマット（情報記憶媒体に記録する／予め記録されたデータの記録形式等）、    
等が有り、各構成要素毎の具体的な実施形態が表１の各列に記載された内容となっている。
【００９２】
なお、表１に示した各構成要素毎の具体的な実施形態の組み合わせ方に本実施形態の技術的な特徴と独自な効果が発生している。
【００９３】
以下に実施形態を説明する段階で個々の実施形態の組み合わせ状態を記載するが、特に組み合わせを指定しない構成要素に関しては、    
Ａ５）任意の塗布記録膜、    
Ｂ３）任意グルーブ形状と任意ピット形状、    
Ｃ４）任意変調方式、    
Ｃ６）任意振幅量と、    
Ｄ４）任意の追記方法とフォーマット、    
を採用していることを意味する。
【００９４】
＜２＞相変化記録膜と有機色素記録膜との再生信号の違い説明。
【００９５】
２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い。
【００９６】
図１（ａ）に標準的な相変化記録膜構造（主に書替え形情報記憶媒体に使用されている）を示し、図１（ｂ）に標準的な有機色素記録膜構造（主に追記形情報記憶媒体に使用されている）を示す。
【００９７】
本実施形態の説明文内では図１に示した透明基板２−１、２−２を除いた記録膜構造全体を（光反射層４−１、４−２を含めて）“記録膜”と定義し、記録材料が配置されている記録層単体３−１、３−２とは区別する。相変化を用いた記録材料では一般的に既記録領域（記録マーク内）と未記録領域（記録マーク外）での光学的な特性変化量が小さいので、再生信号の相対的な変化率を強調するためのエンハンス構造を採用している。そのため相変化記録膜構造では図１（ａ）に示すように透明基板２−１と相変化形記録層３−１との間に下地中間層５を配置し、光反射層４−２と相変化形記録層３−１との間に上側中間層６を配置している。本実施形態では透明基板２−１、２−２の材料として透明プラスチック材料であるポリカーボネートＰＣあるいはアクリルＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタクリレート）を採用している。本実施形態で使用されるレーザ光７の中心波長は４０５ｎｍであり、この波長におけるポリカーボネートＰＣの屈折率ｎ２１、ｎ２２は１．６２近傍になっている。相変化形記録材料として最も一般的に用いられているＧｅＳｂＴｅ（ゲルマニウム・アンチモン・テルル）での４０５ｎｍにおける標準的な屈折率ｎ３１と吸収係数ｋ３１は結晶領域ではｎ３１≒１．５、ｋ３１≒２．５に対して非晶質領域ではｎ３１≒２．５、ｋ３１≒１．８となっている。このように相変化形記録材料における（非晶質領域内での）屈折率は透明基板２−１の屈折率と大きく異なり、相変化記録膜構造では各層の界面でのレーザ光７の反射が起こり易くなっている。上記のように（１）相変化記録膜構造がエンハンス（強調）構造を取っている、（２）各層間の屈折率差が大きい等の理由から相変化記録膜に記録された記録マークからの再生時における光反射量変化（記録マークからの光反射量と未記録領域からの光反射量の差分値）は下地中間層５、記録層３−１、上側中間層６、光反射層４−２のそれぞれの界面で発生する多重反射光の干渉結果として得られる。図１（ａ）ではレーザ光７が下地中間層５と記録層３−１との間の界面、記録層３−１と上側中間層６との間の界面、上側中間層６と光反射層４−２との間の界面のみで反射しているように見えるが、実際には複数回の多重反射光間の干渉結果で光反射光量変化が得られている。
【００９８】
それに対して有機色素記録膜構造は有機色素記録層３−２と光反射層４−２のみの非常に簡素な積層構造を取っている。この有機色素記録膜を使用した情報記憶媒体（光ディスク）は追記形情報記憶媒体と呼ばれ、１回のみの記録が可能であるが、前記相変化記録膜を用いた書替え形情報記憶媒体のように一度記録した情報の消去処理や書き替え処理はできない。
【００９９】
一般的な有機色素記録材料の４０５ｎｍでの屈折率はｎ３２≒１．４（各種の有機色素記録材料の４０５ｎｍでの屈折率範囲としてもｎ３２＝１．４〜１．９）、吸収係数ｋ３２≒０．２（各種の有機色素記録材料の４０５ｎｍでの吸収係数範囲としてもｋ３２≒０．１〜０．２）近傍が多い。
【０１００】
有機色素記録材料と透明基板２−２間の屈折率差が小さいので記録層３−２と透明基板２−２との間の界面での光反射量はほとんど生じない。従って、有機色素記録膜からの光学的再生原理（反射光量変化を発生する理由）は上述したような相変化記録膜内での“多重干渉”ではなく、“光反射層４−２で反射して戻って来るレーザ光７に対する光路途中での（干渉も含めた）光量損失”が主な要因となっている。光路途中での光量損失を引き起こす具体的な理由は“レーザ光７内で部分的に引き起こされる位相差による干渉現象”や“記録層３−２内での光吸収現象”がある。
【０１０１】
プリグルーブやプリピットのない鏡面上での未記録領域における有機色素記録膜の光反射率は光反射層４−２におけるレーザ光７の光反射率から記録層３−２内を通過する時の光吸収量を差し引いた値で単純に求めることができる。上述したように“多重干渉”の計算により光反射率を求める相変化記録膜とは大きな違いがある。
【０１０２】
まず始めに、現行ＤＶＤ−Ｒディスクで解釈されている記録原理について説明する。
【０１０３】
現行のＤＶＤ−Ｒディスクでは、記録膜にレーザ光７を照射すると、記録層３−２が局所的にレーザ光７のエネルギーを吸収して高熱になる。特定温度を越えると、透明基板２−２が局所的に変形する。透明基板２−２の変形を誘発するメカニズムはＤＶＤ−Ｒディスクの製造メーカにより異なるが、    
（１）記録層３−２の気化エネルギーによる局所的に透明基板２−２が塑性変形や、    
（２）記録層３−２から熱が透明基板２−２に伝わり、その熱により局所的に透明基板２−２が塑性変形等    
が原因と言われている。
【０１０４】
透明基板２−２が局所的に塑性変形すると、透明基板２−２を通過して光反射層４−２で反射して再度透明基板２−２を通過して戻って来るレーザ光７、に関する光学的距離が変化する。
【０１０５】
局所的に塑性変形した透明基板２−２の部分を通過して戻ってくる記録マーク内からのレーザ光７と、変形してない透明基板２−２の部分を通過して戻ってくる記録マーク周辺部からのレーザ光７との間に位相差が生じるので、両社間の干渉により反射光の光量変化が生じる。
【０１０６】
また、特に、上記（１）のメカニズムが生じた場合には、記録層３−２の記録マーク内が気化（蒸発）により空洞化して生じる実質的な屈折率ｎ３２の変化、あるいは記録マーク内での有機色素記録材料の熱分解により生じる屈折率ｎ３２の変化も上記の位相差発生に寄与する。
【０１０７】
現行ＤＶＤ−Ｒディスクでは、透明基板２−２が局所的に変形するまで記録層３−２が高温（上記（１）のメカニズムでは記録層３−２の気化温度、（２）のメカニズムでは透明基板２−２を塑性変形させるために必要な記録層３−２内温度）になる必要や、記録層３−２の一部を熱分解または気化（蒸発）させるために高温にする必要が有り、記録マークを形成させるためにはレーザ光７の大きなパワーが必要となる。
【０１０８】
記録マークを形成するには第１段階として記録層３−２がレーザ光７のエネルギーを吸収できる必要がある。記録層３−２内の光吸収スペクトルが有機色素記録膜の記録感度に大きく影響を及ぼす。記録層３−２を形成する有機色素記録材料内での光の吸収原理を本実施形態の（Ａ３）を用いて説明する。
【０１０９】
図１は、表１に示した情報記憶媒体構成要素の具体的内容として、“（Ａ３）アゾ金属錯体＋Ｃｕ”の具体的な構造式を示している。
【０１１０】
図１に示したアゾ金属錯体の中心金属Ｍを中心とした円形の周辺領域が、発色領域８となる。この発色領域８をレーザ光７が通過すると、この発色領域８内の局在電子がレーザ光７の電場変化に共鳴（共振）してレーザ光７のエネルギーを吸収する。この局在電子が最も共鳴（共振）してエネルギーを吸収し易い電場変化の周波数に対してレーザ光７の波長に換算した値を最大吸収波長と呼び、λｍａｘで表す。
【０１１１】
図１に示すような発色領域８（共鳴範囲）の長さが長くなる程、最大吸収波長λｍａｘが長波長側にシフトする。また、図１において中心金属Ｍの原子を代えることで中心金属Ｍ周辺の局在電子の局在範囲（中心金属Ｍが局在電子をどれだけ中心付近に引き寄せられるか）が変化し、最大吸収波長λｍａｘの値が変化する。
【０１１２】
絶対零度でかつ純度が高く発色領域８が一箇所しかない場合の有機色素記録材料の光吸収スペクトルは最大吸収波長λｍａｘ近傍で幅の狭い線スペクトルを描くことが予想されるが、常温で不純物を含みさらに、複数の光吸収領域を含んだ一般的な有機色素記録材料の光吸収スペクトルは最大吸収波長λｍａｘを中心とした光の波長に対する幅の広い吸光特性を示している。
【０１１３】
現行ＤＶＤ−Ｒディスクに用いられている有機色素記録材料の光吸収スペクトルの一例を図２に示す。
【０１１４】
図２において有機色素記録材料を塗布して形成した有機色素記録膜に対して照射する光の波長を横軸に取り、それぞれの波長の光を有機色素記録膜に照射した時の吸光度を縦軸に取ってある。吸光度とは追記形情報記憶媒体として完成した状態（あるいは透明基板２−２上に記録層３−２が形成されたのみの状態（図１（ｂ）の構造に対して光反射層４−２が形成される前の状態））に対して透明基板２−２側から入射強度Ｉｏのレーザ光を入射させ、反射したレーザ光強度Ｉｒ（記録層３−２側から透過したレーザ光の光強度Ｉｔ）を測定して得られる値である。
【０１１５】
吸光度Ａｒ（Ａｔ）は、    
Ａｒ≡−ｌｏｇ１０（Ｉｒ／Ｉｏ）                （Ａ−１）    
Ａｔ≡−ｌｏｇ１０（Ｉｔ／Ｉｏ）                （Ａ−２）    
で表される。今後特に断らない限り吸光度としては（Ａ−１）式で表させる反射形の吸光度Ａｒのことを示して説明を行うが、本実施形態においてはそれに限らず、（Ａ−２）式で表させる透過形の吸光度Ａｔとして考えることもできる。
【０１１６】
図２に示した実施形態では発色領域８を含む光吸収領域が複数存在しているため、吸光度が極大になる位置が複数存在する。この場合には、吸光度が極大値を取る時の最大吸収波長λｍａｘが複数存在する。現行ＤＶＤ−Ｒディスクにおける記録用レーザ光の波長は６５０ｎｍになっている。本実施形態において最大吸収波長λｍａｘが複数存在した場合には、記録用レーザ光の波長に最も波長が近い最大吸収波長λｍａｘの値が重要になって来る。従って、本実施形態説明文中に限り、記録用レーザ光の波長に最も近い位置にある最大吸収波長λｍａｘの値を“λｍａｘ  ｗｒｉｔｅ”と定義し、他のλｍａｘ（λｍａｘ  ０）と区別する。
【０１１７】
２−２）プリピット／プリグルーブ領域内での光反射層形状の違い。
【０１１８】
プリピット領域またはプリグルーブ領域１０での記録膜の形成形状比較を図３に示す。
【０１１９】
図３（ａ）は相変化記録膜に対する形状を示している。下地中間層５、記録層３−１、上側中間層６、光反射層４−１いずれの層を形成する場合にも真空中でスパッタ蒸着、真空蒸着またはイオンプレーティングのいずれかの方法を用いる。その結果、全ての層で透明基板２−１の凹凸形状を比較的忠実に複製する。例えば、透明基板２−１のプリピット領域またはプリグルーブ領域１０での断面形状が矩形または台形になっていた場合には、記録層３−１と光反射層４−１の断面形状も概略矩形または台形となる。
【０１２０】
図３（ｂ）は有機色素記録膜を用いた場合の記録膜として従来技術である現行ＤＶＤ−Ｒディスクの一般的記録膜断面形状を示す。この場合の記録膜３−２の形成方法としては図３（ａ）とは異なりスピンコーティング（またはスピナーコーディング）と言う全く異なる方法を用いる。スピンコーティングとは記録層３−２を形成する有機色素記録材料を有機溶剤に溶かして透明基板２−２上に塗布した後、透明基板２−２を高速で回転させて遠心力で塗布剤を透明基板２−２の外周側へ広げ、有機溶剤を気化させることで記録層３−２を形成する方法である。
【０１２１】
この方法を用いると、有機溶剤の塗布工程を用いるため、記録層３−２表面（光反射層２−２との界面）が平坦になり易い。その結果、光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での断面形状は透明基板２−２の表面（透明基板２−２と記録層３−２との界面）形状とは異なった形状となる。例えば、透明基板２−２の表面（透明基板２−２と記録層３−２との界面）の断面形状が矩形または台形となっているプリグルーブ領域では光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での断面形状は概略Ｖ字形の溝形状に、プリピット領域では概略円錐の側面形状になる。
【０１２２】
さらに、スピンコーティング時に有機溶剤が凹部に溜まり易いため、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０内での記録層３−２の厚みＤｇ（図３（ｂ）に示すようにプリピット領域またはプリグルーブ領域１０の底面から光反射層２−２との界面の最も低くなった位置までの距離）がランド領域１２内での厚みＤｌよりも大幅に厚く（Ｄｇ＞Ｄｌと）なる。その結果、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０での透明基板２−２と記録層３−２との界面の凹凸量が透明基板２−２と記録層３−２との界面での凹凸量より大幅に少なくなる。
【０１２３】
このように、光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での凹凸形状が鈍るとともに凹凸量も大幅に小さくなるため、記録膜形成方法の違いにより透明基板２表面（プリピット領域またはプリグルーブ領域１０）の凹凸形状と寸法が同じ場合には、レーザ光を照射した時の有機色素記録膜からの反射光の回折強度が相変化記録膜からの反射光の回折強度より大幅に劣化する。その結果、透明基板２表面（プリピット領域またはプリグルーブ領域１０）の凹凸形状と寸法が同じ場合には、従来の有機色素記録膜を用いた場合には相変化記録膜を用いた場合に比べて、    
（１）プリピット領域からの光再生信号の変調度が小さく、プリピット領域からの信号再生信頼性が悪い、    
（２）プリグルーブ領域からのプッシュプル法による充分大きなトラックずれ検出信号が得辛い、    
（３）プリグルーブ領域がウォブリング（蛇行）した場合の充分に大きなウォブル検出信号が得辛い、    
と言う特徴がある。
【０１２４】
また、ＤＶＤ−Ｒディスクではアドレス情報等の特定情報がランド領域１２に微少な凹凸（ピット）形状で記録されているため、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０の幅Ｗｇよりもランド領域１２の幅Ｗｌが広く（Ｗｇ＞Ｗｌ）なっている。
【０１２５】
＜３＞本実施形態における有機色素記録膜の特徴説明
３−１）従来の有機色素材料を用いた追記記録膜（ＤＶＤ−Ｒ）での高密度化に対する問題点
２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い、で既に説明したように、従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体である現行のＤＶＤ−ＲとＣＤ−Ｒの一般的な記録原理は“透明基板２−２の局所的な塑性変形”あるいは“記録層３−２内の局所的な熱分解や気化”を伴っている。
【０１２６】
従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体における記録マーク９位置での具体的な透明基板２−２の塑性変形状況を、図４に示す。
【０１２７】
代表的な塑性変形状況は、２種類存在し、図４（ａ）に示すように記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４の深さ（隣接するランド領域１２との間の段差量）が未記録領域でのプリグルーブ領域１１の底面の深さと異なる場合（図４（ａ）に示した例では記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４の深さが未記録領域よりも浅くなっている）と、図４（ｂ）に示すように記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４が歪み微少に湾曲する（底面１４の平坦性が崩れる、すなわち、図４（ｂ）に示した例では記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４が下側に向かって微少に湾曲している）場合がある。
【０１２８】
いずれの場合でも記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及ぶ特徴がある。現行のＤＶＤ−Ｒディスクではトラックピッチが０．７４μｍ、チャネルビット長が０．１３３μｍである。この程度の大きな値の場合には記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及んでも、比較的安定な記録処理と再生処理が可能となる。
【０１２９】
しかし、トラックピッチを上記の０．７４μｍより狭くしていくと、記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及ぶために隣接トラックへの悪影響が現れ、隣接トラックまで記録マーク９が広がる“クロスライト”や多重書きにより既に存在している隣接トラックの記録マーク９を実質的に消してしまう（再生不能にする）“クロスイレーズ”の現象が発生する。また、トラックに沿った方向（円周方向）においてチャネルビット長を０．１３３μｍより狭くすると、符号間干渉が現れ、再生時のエラーレイトが大幅に増加して再生の信頼性が低下するという問題が発生する。
【０１３０】
３−２）本実施形態における有機色素記録膜に共通する基本的特徴説明。
【０１３１】
３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲。
【０１３２】
図４に示すように透明基板２−２の塑性変形あるいは記録層３−２内の局所的な熱分解や気化現象を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）においてどの程度トラックピッチを詰めると悪影響が現れるか、あるいはどの程度チャネルビット長を詰めると悪影響が現れるか、およびその理由について技術的な検討を行った結果を以下に説明する。従来の記録原理を利用した場合に悪影響が出始める範囲が本実施形態に示す新規の記録原理により効果を発揮する（高密度化に適した）範囲を示している。
【０１３３】
（１）記録層３−２の厚みＤｇの条件    
許容チャネルビット長の下限値や許容トラックピッチの下限値を理論的に割り出すために熱解析を行おうとすると、実質的に可能な記録層３−２の厚みＤｇの範囲が重要となる。図４に示すような透明基板２−２の塑性変形を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）において、情報再生用集光スポットが記録マーク９内にある場合と、記録層３−２の未記録領域内にある場合の光反射量の変化は“記録マーク９内と未記録領域内での光学的距離の違いによる干渉効果”の要因が最も大きい。また、その光学的距離の違いは主に“透明基板２−２の塑性変形による物理的な記録層３−２の厚みＤｇ（透明基板２−２と記録層３−２の界面から記録層３−２と光反射層４−２の界面までの物理的な距離）の変化”と、“記録マーク９内での記録層３−２の屈折率ｎ３２の変化”が起因している。
【０１３４】
従って、記録マーク９内と未記録領域内との間で充分な再生信号（光反射量の変化）を得るためには、レーザ光の真空中の波長をλとした時、未記録領域での記録層３−２の厚みＤｇの値がλ／ｎ３２と比較してある程度の大きさを持っている必要がある。そうでないと、記録マーク９内と未記録領域内との間での光学的距離の差（位相差）が現れず、光の干渉効果が薄くなる。
【０１３５】
実際には最低でも、    
Ｄｇ≧λ／８ｎ３２                                （１）    
望ましくは、    
Ｄｇ≧λ／４ｎ３２                                （２）    
の条件が必要となる。
【０１３６】
取りあえず、現在の検討の時点ではλ＝４０５ｎｍ近傍を仮定する。４０５ｎｍにおける有機色素記録材料の屈折率ｎ３２の値は一般的に１．３〜２．０の範囲にある。従って、記録層３−２の厚みＤｇの値としては（１）式にｎ３２＝２．０を代入する結果、    
Ｄｇ≧２５ｎｍ                                  （３）    
が必須の条件となる。
【０１３７】
なお、ここでは、透明基板２−２の塑性変形を伴うことのある現行の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）の有機色素記録層を４０５ｎｍの光に対応させた時の条件について検討した結果を示している。
【０１３８】
後述するように、本実施形態では透明基板２−２の塑性変形を起こさず、吸収係数ｋ３２の変化を記録原理の主要因として説明するが、記録マーク９からＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いてトラックずれ検出をする必要があるので、実際には記録マーク９内で、屈折率ｎ３２の変化を起こしている。従って、（３）式の条件は、透明基板２−２の塑性変形を起こさない本実施形態に於いても満たすべき条件である。
【０１３９】
別の観点からも記録層３−２の厚みＤｇの範囲を指定できる。
【０１４０】
図３（ａ）に示した相変化記録膜の場合には透明基板の屈折率をｎ２１とした時、プッシュプル法を用いて最もトラックずれ検出信号が大きく出る時のプリピット領域とランド領域間の段差量はλ／（８ｎ２１）となる。
【０１４１】
しかし、図３（ｂ）に示した有機色素記録膜の場合には前述したように、記録層３−２と光反射層４−２の界面での形状が鈍り段差量も小さくなるので、透明基板２−２上でのプリピット領域とランド領域間の段差量は、λ／（８ｎ２２）より大きくする必要がある。
【０１４２】
透明基板２−２の材質として例えば、ポリカーボネートを用いた場合の４０５ｎｍでの屈折率はｎ２２≒１．６２なので、プリピット領域とランド領域間の段差量は３１ｎｍより大きくする必要がある。
【０１４３】
スピンコーティング法を用いる場合、プリグルーブ領域内の記録層３−２の厚みＤｇを透明基板２−２上でのプリピット領域とランド領域間の段差量より大きくしないとランド領域１２での記録層３−２の厚みＤｌがなくなる危険性がある。
【０１４４】
したがって、上記の検討結果から、    
Ｄｇ≧３１ｎｍ                                  （４）    
と言う条件も満足する必要がある。（４）式の条件も透明基板２−２の塑性変形を起こさない本実施形態に於いても満たすべき条件となっている。
【０１４５】
（３）式、（４）式、で下限値の条件を示したが、熱解析に用いた記録層３−２の厚みＤｇとしては（２）式の等号部にｎ３２＝１．８を代入して得た値Ｄｇ≒６０ｎｍを利用した。なお、透明基板２−２の材料として標準的に用いられているポリカーボネートを仮定し、透明基板２−２側の熱変形温度の見積もり値としてポリカーボネートのカラス転移温度である１５０℃を設定した。
【０１４６】
熱解析を用いた検討には４０５ｎｍにおける有機色素記録膜３−２の吸収係数の値としてｋ３２＝０．１〜０．２の値を想定した。さらに、集光用対物レンズのＮＡ値および対物レンズ通過時の入射光強度分布を従来のＤＶＤ−Ｒフォーマットでの前提条件であるＮＡ＝０．６０およびＨフォーマット（表１（Ｄ１）：ＮＡ＝０．６５）とＢフォーマット（表１（Ｄ２）：ＮＡ＝０．８５）の場合を検討した。
【０１４７】
（２）チャネルビット長の下限値条件    
記録パワーを変化させた時の記録層３−２に接する透明基板２−２側の熱変形温度に達する領域のトラックに沿った方向での長さ変化を調べ、再生時のウィンドマージンも考慮した許容チャネルビット長さの下限値を検討した。
【０１４８】
その結果、チャネルビット長を１０５ｎｍより小さくするとわずかな記録パワーの変化に応じて透明基板２−２側の熱変形温度に達する領域のトラックに沿った方向での長さ変化が発生して充分なウィンドマージンが取れないと考えられる。熱解析の検討上ではＮＡの値として０．６０、０．６５、０．８５いずれの場合も類似した傾向を示している。
【０１４９】
ＮＡ値を変えることで集光スポットサイズは変化するが、熱の広がり範囲が広い（記録層３−２に接する透明基板２−２側の温度分布の勾配が比較的なだらか）のが原因と考えられる。上記熱解析では記録層３−２に接する透明基板２−２側の温度分布を検討しているため、記録層３−２の厚みＤｇの影響は現れない。
【０１５０】
図４に示す透明基板２−２の形状変化が生じた場合には基板変形領域の境界位置がぼやけている（曖昧）ため、より一層ウィンドマージンを低下させている。記録マーク９が形成されている領域の断面形状を電子顕微鏡で観察すると、基板変形領域の境界位置のぼけ量は記録層３−２の厚みＤｇの値が大きくなるほど広がると考えれる。
【０１５１】
上記記録パワー変化による熱変形領域長さの影響にこの基板変形領域の境界位置のぼけを考慮すると、充分なウィンドマージンが確保できるための許容されるチャネルビット長の下限値は記録層３−２の厚みＤｇの２倍程度が必要と考えられ、１２０ｎｍより大きいことが望ましい。
【０１５２】
上記では、透明基板２−２の熱変形が生じる場合の熱解析による検討に付いて主に説明した。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での他の記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合も存在するので、その場合についても付加説明する。有機色素記録材料の気化（蒸発）温度は有機色素材料により異なるが、一般的には２２０℃〜３７０℃の範囲内に有り、熱分解温度はそれより低い。
【０１５３】
上記検討では基板変形時の到達温度としてポリカーボネート樹脂のガラス転移温度１５０℃を前提としていたが、１５０℃と２２０℃との間の温度差は小さく、透明基板２−２が１５０℃に到達する時には記録層３−２内部では２２０℃を越えている。従って、有機色素記録材料による例外はあるが、透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合でも上記検討結果とほぼ同じ結果が得られている。
【０１５４】
上記チャネルビット長に関する検討結果をまとめると、透明基板２−２の塑性変形を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）ではチャネルビット長を１２０ｎｍより狭くして行くとウィンドマージンの低下が発生し、さらに、１０５ｎｍより小さいと安定な再生が難しくなると考えられる。すなわち、チャネルビットが１２０ｎｍ（１０５ｎｍ）より小さくなる時には本実施形態に示す新規記録原理を用いることの効果が発揮される。
【０１５５】
（３）トラックピッチの下限値条件    
記録パワーで記録層３−２を露光すると、記録層３−２内でエネルギーを吸収して高温になる。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）では透明基板２−２側が熱変形温度に達するまで記録層３−２内でエネルギーを吸収させる必要がある。
【０１５６】
記録層３−２内で有機色素記録材料の構造変化が起こり屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２の値が変化を開始する温度は透明基板２−２が熱変形を開始するための到達温度より遙かに低い。
【０１５７】
従って、透明基板２−２側が熱変形している記録マーク９の周辺の記録層３−２内の比較的広い領域で屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２の値が変化し、これが隣接トラックへの“クロスライト”や“クロスイレーズ”の原因と思われる。
【０１５８】
透明基板２−２側が熱変形温度を超えた時の記録層３−２内での屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２を変化させる温度に到達する領域の広さで“クロスライト”や“クロスイレーズ”を起こさないトラックピッチの下限値を設定できる。上記の視点からトラックピッチが５００ｎｍ以下の所で“クロスライト”や“クロスイレーズ”が生じる考えられる。さらに、情報記憶媒体の反りや傾きの影響や記録パワーの変化（記録パワーマージン）も考慮すると、透明基板２−２側が熱変形温度に達するまで記録層３−２内でエネルギーを吸収させる従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）ではトラックピッチを６００ｎｍ以下にするのは難しいと結論できる。
【０１５９】
上述したようにＮＡ値を０．６０、０．６５、０．８５と変化させても、中心部で透明基板２−２側が熱変形温度に達した時の周囲の記録層３−２内での温度分布の勾配が比較的なだらかで熱の広がり範囲が広いためほぼ同様の傾向を示している。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での他の記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合でも、既に“（２）チャネルビット長の下限値条件”の所で説明したように“クロスライト”や“クロスイレーズ”が始まるトラックピッチの値はほぼ類似した結果が得られる。以上の理由からトラックピッチを６００ｎｍ（５００ｎｍ）以下にする時に本実施形態に示す新規記録原理を用いることの効果が発揮される。
【０１６０】
３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴    
上述したように従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形を伴う場合や記録層３−２内で局所的に熱分解や気化（蒸発）が発生する場合には、記録マーク９の形成時に記録層３−２内部や透明基板２−２表面が高温に達するためにチャネルビット長やトラックピッチを狭くできないと言う問題が発生する。
【０１６１】
上記問題の解決策として本実施形態では基板変形や記録層３−２内での気化（蒸発）を起こすことなく、『比較的低温で発生する記録層３−２内での局所的な光学特性変化を記録原理とする』“有機色素材料の発明”と上記記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”を行ったことを特徴とする。
【０１６２】
本実施形態の具体的な特徴として以下の内容を上げることができる。
【０１６３】
α〕記録層３−２内部の光学特性変化方法として、    
・発色特性変化    
…  発色領域８（図１）の質的変化による光吸収断面積の変化やモル分子吸光係数の変化    
発色領域８が部分的に破壊されたり、発色領域８のサイズが変わることにより実質的な光吸収断面積が変化することで光吸収スペクトル（図２）プロファイル（特性）自体は保存されたままλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ位置での振幅（吸光度）が記録マーク９内で変化する    
・発色現象に寄与する電子に対する電子構造（電子軌道）の変化    
…  局所的な電子軌道の切断（局所的な分子結合の解離）による脱色作用や発色領域８（図１）の寸法や構造の変化に基付く光吸収スペクトル（図２）変化    
・分子内（または分子間）の配向や配列の変化    
…  例えば、図１に示したアゾ金属錯体内部の配向変化に基付く光学特性変化    
・分子内部での分子構造変化    
…  例えば、アニオン部とカチオン部との間の結合解離や、アニオン部またはカチオン部のどちらか一方の熱分解、あるいは分子構造自体が破壊され、炭素原子が析出するタール化（黒色のコールタールに変質する）    
のいずれかを起こす有機色素材料を考案する。その結果、記録マーク９内の屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２を未記録領域に対して変化させて光学的再生を可能にする。
【０１６４】
β〕上記〔α〕の光学特性変化を安定に起こし易い記録膜構造や形状の設定を行う    
…  この技術に関する具体的内容については“３−２−Ｃ〕本実施形態に示した記録原理を発生させ易い理想的な記録膜構造”以降で詳細に説明する。
【０１６５】
γ〕記録層内や透明基板表面が比較的低温の状態で記録マークを形成させるために記録パワーを下げる    
…  上記〔α〕で示す光学特性変化は透明基板２−２の変形温度や記録層３−２内での気化（蒸発）温度より低い温度で生じる。そのため、記録時の露光量（記録パワー）を低くして透明基板２−２表面で変形温度を越えたり記録層３−２内で気化（蒸発）温度を越えるのを防止する。この内容については“３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性”で詳細に後述する。また、逆に記録時の最適パワーの値を調べることで上記〔α〕で示す光学特性変化が起きているかの判定も可能となる。
【０１６６】
δ〕発色領域での電子構造を安定化させ、紫外線や再生光照射に対する構造分解が生じ辛くする    
…  記録層３−２に対して紫外線を照射したり、再生時に再生光を記録層３−２に照射すると記録層３−２内の温度上昇が起きる。その温度上昇に対する特性劣化を防止するとともに、基板変形温度や記録層３−２内での気化（蒸発）温度より低い温度で記録すると言う温度特性上は一見矛盾する性能が要求される。本実施形態では“発色領域での電子構造を安定化”させることで上記の一見矛盾する性能を確保する。この具体的技術内容については“＜４＞本実施形態における有機色素記録膜の具体的実施形態説明”で説明する。
【０１６７】
ε〕紫外線や再生光照射による再生信号劣化が万一発生した場合に備えて再生情報の信頼性を向上させる    
…  本実施形態では“発色領域での電子構造を安定化”させるための技術的工夫を行っているが、透明基板２−２表面の塑性変形や気化（蒸発）により生じた記録層３−２内の局所的な空洞から比べると本実施形態に示した記録原理で形成される記録マーク９の信頼性は原理的に低下すると言わざるを得ない。
【０１６８】
その対策として本実施形態では、“＜７＞Ｈフォーマットの説明”と“＜８＞Ｂフォーマットの説明”で後述するように強力なエラー訂正能力（新規なＥＣＣブロック構造）との組み合わせにより高密度化と記録情報の信頼性確保を同時に達成する効果を発揮する。さらに、本実施形態では“４−２）本実施形態での再生回路の説明”で説明するように再生方法としてＰＲＭＬ（Pertial Response Maximum Likelyhood）法を採用し、ＭＬ復調時のエラー訂正技術と組み合わせることでより一層の高密度化と記録情報の信頼性確保を同時に達成している。
【０１６９】
上記の本実施形態の具体的な特徴の中で〔α〕〜〔γ〕は、“狭トラックピッチ化”と“狭チャネルビット長化”を実現するために本実施形態で新規に考案した技術的工夫内容になっていることは既に説明した。また、“狭チャネルビット長化”は“最小記録マーク長の縮小化”の実現にも繋がる。残りの〔δ〕と〔ε〕に関する本実施形態の意味（目的）について詳細に説明する。本実施形態におけるＨフォーマットでの再生時に記録層３−２を通過する集光スポットの通過速度（線速）を６．６１ｍ／ｓに設定し、Ｂフォーマットでの線速は、５．０〜１０．２ｍ／ｓの範囲で設定する。いずれの場合でも、本実施形態における再生時の線速は、５ｍ／ｓ以上になっている。
【０１７０】
図２２に示すように、Ｈフォーマットでのデータリードイン領域ＤＴＬＤＩの開始位置は直径４７．６ｍｍであり、Ｂフォーマットを視野に入れた場合でも直径４５ｍｍ以上の所でユーザデータが記録される。直径４５ｍｍの円周は０．１４１ｍなので、この位置を線速５ｍ／ｓで再生する時の情報記憶媒体の回転数は３５．４回転／ｓとなる。本実施形態の追記形情報記憶媒体の利用方法の一つとしてＴＶ番組等の映像情報録画がある。例えば、ユーザが録画した映像の再生時にユーザが“ポーズ（一時停止）ボタン”を押すと、再生用集光スポットはその一時停止位置のトラック上に留まる。
【０１７１】
一時停止位置のトラック上に止まっていればユーザが“再生開始ボタン”を押した直後に一時停止した位置から再生を開始できる。例えば、ユーザが“ポーズ（一時停止）ボタン”を押して用足しに立ち上がった直後に来客が来た場合、接客対応で１時間ポーズボタンを押したままで放置されることもある。
【０１７２】
１時間の間で追記形情報記憶媒体は、    
３５．４×６０×６０≒１３万回転    
しており、集光スポットはその間中ずっと同一トラック上をトレース（１３万回繰り返し再生）する。
【０１７３】
もし、その間に記録層３−２が繰り返し再生により劣化して映像情報の再生が不可能になると、１時間後で戻って来たユーザは一部分の映像が見れないので、最悪の場合には、メーカ責任が問われる（裁判等になる）危険性がある。
【０１７４】
従って、１時間程度放置（同一トラック内の連続再生）しても録画した映像情報が破壊されない条件として最低でも１０万回繰り返し再生しても再生劣化しないことを保証する必要がある。一般的なユーザ使用状況として同一場所に対して１時間のポーズ放置（繰り返し再生）を１０回繰り返すことはほとんどない。
【０１７５】
従って、本実施の追記形情報記憶媒体として望ましくは１００万回の繰り返し再生が保証されれば、一般的なユーザ利用には問題が生じず、記録層３−２が劣化しない繰り返し再生回数の上限値としては１００万回程度に設定すれば充分と考えられる。繰り返し再生回数の上限値を１００万回を大幅に越えた値に設定すると、“記録感度が低下する”とか“媒体価格が上昇する”等の不都合が発生する。
【０１７６】
上記繰り返し再生回数の上限値を保証する場合に、再生パワー値が重要な要因となる。本実施形態において記録パワーは後述する（８）式〜（１３）式で設定する範囲に規定される。半導体レーザの特性として最大使用パワーの８０分の１以下の値では連続発光が安定しないと言われている。
【０１７７】
最大使用パワーの１／８０のパワーではやっと発光を開始する（モードが立ち始める）所のため、モードホップし易い状況にある。従って、この発光パワーでは情報記憶媒体の光反射層４−２で反射した光が半導体レーザ光源に戻ると発光量が常に変動すると言う“戻り光ノイズ”が発生するためである。
【０１７８】
本実施形態では再生パワーの値は（１２）式または（１３）式の右辺に記載されている値の１／８０の値を基準として、    
［最適な再生パワー］    
＞  ０．１９×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）      （Ｂ−１）    
［最適な再生パワー］    
＞０．１９×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （Ｂ−２）    
に設定している。
【０１７９】
また、最適な再生パワーの値としてはパワーモニター用光検出器のダイナミックレンジにより制約される。図９の情報記録再生部１４１内に図示してないが記録／再生用の光学ヘッドが存在する。この光学ヘッド内には半導体レーザ光源の発光量をモニターする光検出器が内蔵されている。本実施形態では再生時の再生パワーの発光精度を向上させるため、この光検出器で発光量を検出し発光時の半導体レーザ光源に供給する電流量にフィードバックを掛けている。光学ヘッドの価格を下げるためには非常に安価な光検出器を使う必要がある。市販されている安価な光検出器は樹脂でモールドされている（光検出部が囲まれている）場合が多い。
【０１８０】
“使用波長と本実施形態との関係説明”で示したように本実施形態での光源波長は５３０ｎｍ以下（特に４５５ｎｍ以下）を使用する。この波長領域の場合、光検出部をモールドしている樹脂（主にエポキシ系）は前記波長光を照射すると紫外線を照射した時に生じるような劣化（黄濁色に変色またはクラック（細かな白い筋）の発生等）が起こり光検出特性を悪化させてしまう。
【０１８１】
特に、本実施形態に示す追記形情報記憶媒体の場合には、図６に示すようなプリグルーブ領域１１を持つのでモールド樹脂劣化を起こし易い。光学ヘッドの焦点ぼけ検出方式としてこのプリグルーブ領域１１からの回折光による悪影響を除去するため情報記憶媒体に対する結像位置（結像倍率Ｍは３〜１０倍程度）に光検出器を配置する“ナイフエッジ法”を採用する場合が最も多い。結像位置に光検出器を配置すると、光検出器上に光が集光するためモールド樹脂上に照射される光密度が高くなり、この光照射による樹脂劣化を起こし易くする。
【０１８２】
このモールド樹脂の特性劣化は主にフォトンモード（光学的作用）により生じるが、サーマルモード（熱励起）の光照射量との対比で許容照射量の上限値を予想できる。最悪の状態を想定して光学ヘッドとして結像位置に光検出器を配置する光学系を想定する。
【０１８３】
“３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲”内の“（１）記録層３−２の厚みＤｇの条件”に記載した内容から本実施形態における記録時に記録層３−２内で光学特性変化（サーマルモード）が発生している時には記録層３−２内では一時的に８０℃〜１５０℃の範囲に温度上昇していると考えている。室温を１５℃前後と考えると、温度差ΔＴｗｒｉｔｅは６５℃〜１３５℃となる。記録時にはパルス発光しているが再生時には連続発光しているので、再生時にも記録層３−２内で温度上昇し、温度差ΔＴｒｅａｄが発生している。
【０１８４】
光学ヘッド内の検出系の結像倍率をＭとすると、光検出器上に集光する検出光の光密度は記録層３−２上に照射される収束光の光密度の１／Ｍ２になるので、再生時の光検出器上での温度上昇量は粗い見積もりとしてΔＴｒｅａｄ／Ｍ２となる。モールド樹脂劣化がフォトンモードで発生することを考えると、光検出器上で照射可能な光密度の上限値を温度上昇量で換算すると、ΔＴｒｅａｄ／Ｍ２≦１℃程度と考えられる。
【０１８５】
光学ヘッド内の検出系の結像倍率をＭは一般的に３〜１０倍程度なので暫定的にＭ２≒１０と見積もると、    
ΔＴｒｅａｄ／ΔＴｗｒｉｔｅ≦２０        （Ｂ−３）    
になるように再生パワーを設定する必要がある。
【０１８６】
記録時の記録パルスのデューティ比を仮に５０％と見積もると、    
［最適な再生パワー］≦［最適な記録パワー］／１０    （Ｂ−４）    
が要求される。
【０１８７】
従って、後述する（８）式〜（１３）式と上記（Ｂ−４）式を加味すると最適な再生パワーは、    
［最適な再生パワー］    
＜３×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）          （Ｂ−５）    
［最適な再生パワー］    
＜３×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２        （Ｂ−６）    
［最適な再生パワー］    
＜２×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）            （Ｂ−７）    
［最適な再生パワー］    
＜２×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２        （Ｂ−８）    
［最適な再生パワー］    
＜１．５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）        （Ｂ−９）    
［最適な再生パワー］    
＜１．５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２    （Ｂ−１０）    
（各パラメーターの定義は“３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴”を参照）    
で与えられる。
【０１８８】
例えば、ＮＡ＝０．６５、Ｖ＝６．６ｍ／ｓの時には、    
［最適な再生パワー］＜３ｍＷ、    
［最適な再生パワー］＜２ｍＷ、または    
［最適な再生パワー］＜１．５ｍＷ    
となる。
【０１８９】
実際には情報記憶媒体は回転して相対的に移動しているのに比べて光検出器は固定されているので、さらに、それを考慮に入れて最適な再生パワーを上記式の１／３程度以下にする必要がある。
【０１９０】
以上から、本実施形態における情報記録再生装置では再生パワーの値として０．４ｍＷに設定している。
【０１９１】
３−２−Ｃ〕本実施形態に示した記録原理を発生させ易い理想的な記録膜構造    
本実施形態において上記記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”方法に付いて説明する。
【０１９２】
上記説明した記録層３−２内部の光学特性変化を起こし易い環境として、『記録マーク９形成領域内では光学特性変化が発生する臨界温度を超えるとともに記録マーク９の中心部では気化（蒸発）温度を越えず、記録マーク９の中心部近傍の透明基板２−２表面が熱変形温度を超えない』ように記録膜構造や形状に技術的工夫したことを特徴とする。
【０１９３】
上記に関する具体的な内容について図５を用いて説明する。
【０１９４】
図５において中抜きの矢印は照射レーザ光７の光路を示し、破線の矢印は熱流を表している。図５（ａ）に示した記録膜構造が本実施形態に対応した記録層３−２内部の光学特性変化を最も起こし易い環境を示している。すなわち、図５（ａ）において有機色素記録材料からなる記録層３−２は（２）式、または（４）式に示す範囲の（充分に厚い）至る所均一な厚みを持ち、記録層３−２に対して垂直な方向からレーザ光７の照射を受ける。
【０１９５】
“６−１）光反射層（材質と厚み）”で詳しく後述するように、本実施形態では光反射層４−２の材質として銀合金を使用する。銀合金に限らず光反射率の高い金属を含む材質は一般に熱伝導率が高く放熱特性を持つ。従って、照射されたレーザ光７のエネルギーを吸収して記録層３−２の温度は上昇するが、放熱特性を持つ光反射層４−２へ向けて熱が放出される。
【０１９６】
図５（ａ）に示した記録膜は至る所均一な形状をしているため、記録層３−２内部では比較的均一な温度上昇が起き、中心部α点、およびβ点とγ点での温度差は比較的少ない。従って、記録マーク９の形成時にはβ点とγ点で光学特性変化が発生する臨界温度を超える時には中心部α点では気化（蒸発）温度を越えることなく、中心部α点に最も近い位置にある透明基板（図示してない）表面が熱変形温度を超えることもない。
【０１９７】
それに比べて、図５（ｂ）に示すように記録膜３−２の一部に段差があると、δ点とε点では記録層３−２が配列されている方向に対して斜め方向からレーザ光７の照射を受けるため、単位面積当たりのレーザ光７の照射量が中心部α点に比べて相対的に低下し、その結果、δ点とε点での記録層３−２内の温度上昇量が低下する。δ点とε点でも光反射層４−２へ向かう熱放出があるので、中心部α点に比べてδ点とε点での到達温度は大幅に低下する。
【０１９８】
そのため、β点からδ点へ向けて熱が流れるとともにγ点からε点へ向けて熱が流れるので、中心部α点に対するβ点とγ点での温度差が非常に大きくなる。記録時にβ点とγ点での温度上昇量が低く、β点とγ点でなかなか光学特性変化が発生する臨界温度を超えない。その対策としてβ点とγ点で光学特性変化を起こすため（臨界温度以上にするため）、レーザ光７の露光量（記録パワー）を上げる必要がある。
【０１９９】
図５（ｂ）に示す記録膜構造ではβ点とγ点に対する中心部α点での温度差が非常に大きいため、β点とγ点で光学特性変化が起こる温度に上昇した時には中心部α点で気化（蒸発）温度を越えるか、中心部α点近傍の透明基板（図示してない）表面が熱変形温度を越え易くなっている。
【０２００】
また、レーザ光７の照射を受ける側の記録層３−２の表面が至る所レーザ光７の照射方向に対して垂直になっていても、記録層３−２の厚みが場所により変化する場合には本実施形態の記録層３−２内部の光学特性変化を起こし辛い構造となる。
【０２０１】
例えば、図５（ｃ）に示すように中心部α点での記録層３−２の厚みＤｇに対して周辺部の厚みＤｌが大幅に薄い（例えば、（２）式や（４）式を満足しない）場合を考える。中心部α点でも光反射層４−２へ向けた熱の放出はあるが、記録層３−２の厚みＤｇが充分に厚いために熱の蓄積が行え高温に達することができる。
【０２０２】
それに比べて記録層３−２の厚みがＤｌ大幅に薄いζ点とη点では充分な熱の蓄積を行うことなく、光反射層４−２へ向けて熱が放出されるため、温度上昇量が少ない。
【０２０３】
その結果、光反射層４−２へ向けた熱の放出のみでなくβ点→δ点→ζ点へ向かう熱の放出、あるいはγ点→ε点→η点へ向かう熱の放出が起きるため、図５（ｂ）と同様にβ点とγ点に対する中心部α点での温度差が非常に大きくなる。
【０２０４】
β点とγ点で光学特性変化を起こすため（臨界温度以上にするため）にレーザ光７の露光量（記録パワー）を上げると、中心部α点で気化（蒸発）温度を越えるか、中心部α点近傍の透明基板（図示してない）表面が熱変形温度を越え易くなる。
【０２０５】
上記説明した内容に基づき、本実施形態の記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”のためのプリグルーブ形状／寸法に関する本実施形態における技術的な工夫の内容と記録層の厚み分布に関する本実施形態における技術的工夫内容について、図６を用いて説明する。
【０２０６】
図６（ａ）は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等の現行の追記形情報記憶媒体における記録膜の構造を示し、図６（ｂ）、（ｃ）に本実施形態における記録膜構造を示す。
【０２０７】
本説明において図６に示すようにプリグルーブ領域１１内に記録マーク９を形成する。
【０２０８】
３−２−Ｄ〕本実施形態におけるプリグルーブ形状／寸法に関する基本的特徴。
【０２０９】
図６（ａ）に示すようにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等の現行の追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域１１が“Ｖ溝”形状をしている場合が多い。
【０２１０】
この構造の場合には、図５（ｂ）で説明したようにレーザ光７のエネルギー吸収効率が低く、記録層３−２内の温度分布ムラが非常に大きく出る。図５（ａ）の理想状態に近づけるため、少なくとも“透明基板２−２側にプリグルーブ領域１１内に入射レーザ光７の進行方向に直行する平面領域を設ける”ところに、本実施形態の特徴がある。図５（ａ）を用いて説明したように、この平面領域はなるべく広くすることが望ましい。
【０２１１】
従って、プリグルーブ領域１１内に平面領域を設けるだけでなく、プリグルーブ領域の幅Ｗｇをランド領域の幅Ｗｌよりも広くする（Ｗｇ＞Ｗｌ）ことを特徴とする。
【０２１２】
説明上は、プリグルーブ領域の幅Ｗｇとランド領域の幅Ｗｌをプリグルーブ領域の平面位置での高さとランド領域の最も高くなった位置での高さとの中間高さを持つ平面とプリグルーブ内の斜面とが交差する位置でのそれぞれの幅として定義する。
【０２１３】
熱解析による検討と実際に試作した追記形情報記憶媒体にデータを記録し、記録マーク９位置での断面ＳＥＭ（走査形電子顕微鏡）像による基板変形観察や記録層３−２内の気化（蒸発）により生じた空洞の有無観察を繰り返した結果、プリグルーブ領域の幅Ｗｇをランド領域の幅Ｗｌよりも広くする（Ｗｇ＞Ｗｌ）ことで効果があることが分かった。
【０２１４】
さらに、プリグルーブ領域幅Ｗｇとランド領域幅Ｗｌの比率をＷｇ：Ｗｌ＝６：４、望ましくはＷｇ：Ｗｌ＝７：３より大きくすることで、記録時により一層安定して記録層３−２内での局所的な光学特性変化が起き易くなると考えられる。
【０２１５】
このようにプリグルーブ領域幅Ｗｇとランド領域幅Ｗｌの違いを大きくすると、図６（ｃ）のようにランド領域１２上に平坦面がなくなる。従来のＤＶＤ−Ｒディスクではランド領域１２にプリピット（ランドプリピット：図示してない）を形成し、ここにアドレス情報等を予め記録するフォーマットになっていた。そのためランド領域１２に平坦領域を形成することが必須条件となり、結果的にプリグルーブ領域１１で“Ｖ溝”形状になる場合が多かった。また、従来のＣＤ−Ｒディスクでは周波数変調によりプリグルーブ領域１１にウォブル信号を入れていた。
【０２１６】
従来のＣＤ−Ｒディスクでの周波数変調方式では、スロット間隔（詳細については、各フォーマット説明の部分に示す）が一定せず、ウォブル信号検波時の位相合わせ（ＰＬＬ，Phase Lock Loopの同期化）が難しい。そのため、再生用集光スポットの強度が最も高い中心付近にプリグルーブ領域１１の壁面を集中させる（Ｖ溝に近くさせる）とともにウォブル振幅量を大きくしてウォブル信号検出精度を保証していた。
【０２１７】
図６（ｂ）、（ｃ）に示すように本実施形態でのプリグルーブ領域１１内の平坦領域を広げ、プリグルーブ領域１１の斜面を再生用集光スポットの中心位置より相対的に外側へ移動させるとウォブル検出信号が得辛くなる。本実施形態では上述したプリグルーブ領域の幅Ｗｇを広げるとともにウォブル検出時のスロット間隔が常に固定に保たれる位相変調（ＰＳＫ：Phase Shift Keying）を利用したＨフォーマットまたはＦＳＫ（Frequency Shift Keying）やＳＴＷ（Saw Tooth Wobble）を利用したＢフォーマットを組み合わせることで、低い記録パワーで安定な記録特性を保証（高速記録や多層化に適する）とともに安定なウォブル信号検出特性を保証している。
【０２１８】
特に、Ｈフォーマットでは上記組み合わせに加えて“ウォブル変調領域の比率を無変調領域よりも下げる”ことでウォブル信号検出時の同期合わせをより一層容易にしてさらに、より一層ウォブル信号検出特性を安定化させている。
【０２１９】
３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴
本説明では図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにランド領域１２内での最も記録層３−２が厚い部分での厚みをランド領域での記録層厚みＤｌと定義し、プリグルーブ領域１１内での最も記録層３−２が厚い部分での厚みをプリグルーブ領域での記録層厚みＤｇと定義する。既に図５（ｃ）を用いて説明したように、相対的にランド領域での記録層厚みＤｌを厚くすることで記録時に記録層３−２内で局所的な光学特性変化を安定に起こし易くなる。
【０２２０】
上記と同様に熱解析による検討と実際に試作した追記形情報記憶媒体にデータを記録し、記録マーク９位置での断面ＳＥＭ（走査形電子顕微鏡）像による基板変形観察や記録層３−２内の気化（蒸発）により生じた空洞の有無観察を繰り返した結果、プリグルーブ領域での記録層厚みＤｇとランド領域での記録層厚みＤｌとの比率は最大でもＤｇ：Ｄｌ＝４：１以下にする必要がある。さらに、Ｄｇ：Ｄｌ＝３：１以下、望ましくはＤｇ：Ｄｌ＝２：１以下にすると本実施形態における記録原理の安定性が保証できる。
【０２２１】
３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性
“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”の一つとして、〔γ〕で記載したように記録パワー制御がある。
【０２２２】
記録層３−２内での局所的な光学特性変化による記録マーク９形成は従来の透明基板２−２の塑性変形温度や記録層３−２内での熱分解温度や気化（蒸発）温度よりも遙かに低い温度で起きるため、記録時に透明基板２−２が局所的に塑性変形温度を越えたり記録層３−２内で局所的に熱分解温度や気化（蒸発）温度を越えないように記録パワーの上限値を制限する。
【０２２３】
熱解析による検討と平行して“４−１）本実施形態での再生装置もしくは記録再生装置の構造と特徴説明”で後述する装置を用い、“４−３）本実施形態での記録条件の説明”で後述する記録条件を用いて本実施形態に示した記録原理で記録が行われている場合の最適パワーの値の実証も行った。実証実験に用いた記録再生装置内の対物レンズの開口数ＮＡ（Numerical Apperture）は、０．６５、記録時の線速は６．６１ｍ／ｓである。
【０２２４】
後で“４−３）本実施形態での記録条件の説明”で定義する記録パワー（Peak Power）の値として、    。
【０２２５】
◎３０ｍＷでほとんどの有機色素記録材料で気化（蒸発）し、記録マーク内に空洞が生じる    
…  記録層３−２近傍位置での透明基板２−２温度はガラス転移温度を大幅に超えている    
◎２０ｍＷで記録層３−２近傍位置での透明基板２−２温度が塑性変形温度（ガラス転移温度）に達する    
◎情報記憶媒体の面ブレ・反りや記録パワー変動等のマージンを見越して１５ｍＷ以下が望ましい    
ことが認められる。
【０２２６】
上記で説明した“記録パワー”とは記録層３−２に照射される露光量の総和を意味している。集光スポット中心部で有り最も光強度密度の高い部分での光エネルギー密度が本実施形態での検討対象パラメータとなる。集光スポットサイズはＮＡ値に反比例するので、集光スポット中心部での光エネルギー密度はＮＡ値の２乗に比例して増加する。
【０２２７】
従って、    。
【０２２８】
［異なるＮＡにも適応可能な記録パワー］    。
【０２２９】
＝［ＮＡ＝０．６５時の記録パワー］×０．６５２／ＮＡ２      （５）    
の関係式を用いて後述するＢフォーマットや表１（Ｄ３）に示した別のフォーマット（別のＮＡ値）での最適な記録パワーの値に換算できる。
【０２３０】
さらに、最適な記録パワーは記録時の線速Ｖに依存して変化する。一般的に最適な記録パワーは相変化形記録材料では線速Ｖの１／２乗に比例して変化し、有機色素記録材料では線速Ｖに比例して変化すると言われている。
【０２３１】
従って、線速Ｖも考慮に入れた最適な記録パワーの換算式は（５）式を拡張させた    
［一般的な記録パワー］    。
【０２３２】
＝［ＮＡ＝０．６５；６．６ｍ／ｓ時の記録パワー］    
×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）                （６）      
または    
［一般的な記録パワー］    
＝［ＮＡ＝０．６５；６．６ｍ／ｓ時の記録パワー］    
×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２            （７）    
で得られる。
【０２３３】
以上の検討結果をまとめると本実施形態に示した記録原理を保証するための記録パワーとして、    
［最適な記録パワー］    
＜３０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）              （８）    
［最適な記録パワー］    
＜３０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２          （９）    
［最適な記録パワー］    
＜２０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）            （１０）    
［最適な記録パワー］    
＜２０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２        （１１）    
［最適な記録パワー］    
＜１５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）          （１２）    
［最適な記録パワー］    
＜１５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （１３）    
と言う上限値を設定することが望ましい。
【０２３４】
上記各式の内、（８）式または（９）式の条件は必須条件となり、（１０）式または（１１）式が目標条件、（１２）式または（１３）式が望ましい条件となる。
【０２３５】
３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明    
記録マーク９内の光反射量が未記録領域での光反射量よりも低くなる特性を有した記録膜を“Ｈ→Ｌ”記録膜と呼び、逆に高くなる記録膜を“Ｌ→Ｈ”記録膜と呼ぶ。
【０２３６】
この中で“Ｈ→Ｌ”記録膜は、    
（１）光吸収スペクトルのλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ位置での吸光度に対する再生波長での吸光度の比に上限値を設ける    
（２）光吸収スペクトルプロファイルを変化させて記録マークを形成させる    
ことを特徴とする。
【０２３７】
図７と図８を用いて上記内容に関する詳細な説明する。
【０２３８】
本実施形態におけるＨ→Ｌ記録膜では、図７に示すようにλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長が記録／再生に利用される使用波長（４０５ｎｍ近傍）よりも短い。図８から分かるように、λｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長近傍では未記録と既記録間で吸光度の変化が少ない。未記録と既記録間で吸光度の変化が少ないと再生信号振幅が大きく取れない。記録または再生用レーザ光源の波長変動が生じても安定に記録または再生ができることも視野に入れると、本実施形態においては図７に示すようにλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長が３５５ｎｍ〜４５５ｎｍの範囲の外側、すなわち３５５ｎｍよりも短波長側に来るように記録膜３−２の設計を行っている。
【０２３９】
既に“２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い”で定義したλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ位置での吸光度を“１”と規格化した時の“使用波長と本実施形態との関係説明”で説明した３５５ｎｍ、４５５ｎｍ、４０５ｎｍにおける相対的な吸光度をＡｈ３５５、Ａｈ４５５、Ａｈ４０５と定義する。
【０２４０】
Ａｈ４０５＝０．０の場合には未記録状態での記録膜からの光反射率は光反射層４−２での４０５ｎｍにおける光反射率に一致する。光反射層４−２の光反射率については“６−１）光反射層”の所で詳細に後述するが、ここでは説明の簡素化のために光反射層４−２の光反射率を１００％として説明を進める。
【０２４１】
本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜を用いた追記形情報記憶媒体では、片側単層膜の場合の再生専用情報記憶媒体（ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＯＭディスク）を用いた場合と再生回路を共通化させている。従って、この場合の光反射率を片側単層膜の再生専用情報記憶媒体（ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＯＭディスク）の光反射率に合わせて４０〜８５％とする。
【０２４２】
そのためには未記録位置での光反射率を４０％以上に設定する必要がある。
【０２４３】
１−０．４＝０．６なので、４０５ｎｍにおける吸光度Ａｈ４０５として、    
Ａｈ４０５≦０．６                                        （１４）    
とすれば良いことが直感的に理解できる。
【０２４４】
上記（１４）式を満足する場合には未記録位置での光反射率を４０％以上にできることが容易に理解できるので、本実施形態では未記録場所において（１４）式を満足する有機色素記録材料を選定している。
【０２４５】
上記（１４）式は図７においてλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長光で記録層３−２越しに光反射層４−２を反射させた時の光反射率が０％になることを仮定している。しかし、実際にはこの時の光反射率は０％にならず、ある程度の光反射率を持つので、厳密には（１４）式に対する補正が必要となる。
【０２４６】
図７においてλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長光で記録層３−２越しに光反射層４−２を反射させた時の光反射率をＲλｍａｘ  ｗｒｉｔｅで定義すると、未記録位置での光反射率を４０％以上に設定する厳密な条件式は、    
１−Ａｈ４０５×（１−Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ）≧０．４            （１５）    
となる。
【０２４７】
“Ｈ→Ｌ”記録膜では多くの場合、Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ≧０．２５なので、（１５）式は、    
Ａｈ４０５≦０．８                                        （１６）    
となる。
【０２４８】
本実施形態の“Ｈ→Ｌ”記録膜では、（１６）式を満足することが必須条件となるから、上記（１４）式の特性を持たせ、さらに、記録層３−２の膜厚として（３）式または（４）式の条件を満足することを条件として詳細な光学的な膜設計を行った結果、膜厚変動や再生光の波長変動等の各種マージンを考慮に入れると、    
Ａｈ４０５≦０．３                                        （１７）    
が望ましい。
【０２４９】
（１４）式を前提とすると、    
Ａｈ４５５≦０．６                                        （１８）    
あるいは    
Ａｈ３５５≦０．６                                        （１９）    
に設定すると、一層記録／再生特性が安定する。
【０２５０】
なぜなら、（１４）式が成り立つ上で少なくとも（１８）式と（１９）式のいずれかを満足する場合には、３５５ｎｍから４０５ｎｍの範囲、または４０５ｎｍから４５５ｎｍの範囲に亘り（場合によっては３５５ｎｍから４５５ｎｍの範囲で）Ａｈの値が０．６以下になるので記録用レーザ光源（または再生用レーザ光源）の発光波長にばらつきが生じても吸光度の値が大きく変化しないためである。
【０２５１】
本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜の具体的な記録原理としては既に説明した“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”内の〔α〕に列記した記録メカニズムの内“分子間の配列変化”または“分子内部での分子構造変化”の現象を利用する。
【０２５２】
その結果、上述した（２）に記載されているように光吸収スペクトルプロファイルを変化させる。
【０２５３】
本実施形態における記録マーク内での光吸収スペクトルプロファイルを図８中の実線で示し、未記録場所での光吸収スペクトルプロファイルを破線で重ね合わせることで両者の比較ができるようにした。
【０２５４】
本実施形態では、記録マーク内での光吸収スペクトルプロファイルが比較的ブロードに変化しており、分子内部で分子構造が変化して、一部炭素原子の析出（コールタール化）の可能性がある。記録マーク内での吸光度が最大になる波長λｌｍａｘの値を未記録位置での波長λｍａｘ  ｗｒｉｔｅの値よりも再生波長４０５ｎｍに近付けることにより“Ｈ→Ｌ”記録膜での再生信号を発生している。
【０２５５】
これにより、吸光度が最も高くなる波長λｌｍａｘでの吸光度が“１”よりも小さく再生波長４０５ｎｍにおける吸光度Ａｌ４０５の値がＡｈ４０５の値よりも大きくなる。その結果、記録マーク内でのトータル的な光反射率が低下する。
【０２５６】
本実施形態におけるＨフォーマットでは変調方式としてＥＴＭ（Eight to Twelve：８ビットのデータコードを１２チャネルビットに変換する）、ＲＬＬ（１，１０）（変調後のコード列の中でチャネルビット長Ｔに対する最小反転長が２Ｔ、最大反転長が１１Ｔ）を採用している。
【０２５７】
“４−２）本実施形態での再生回路の説明”で後述する再生回路の性能評価したところ、前記再生回路で安定に再生するには、〔充分に長い長さ（１１Ｔ）の未記録領域からの再生信号量Ｉ１１Ｈ〕に対する〔前記Ｉ１１Ｈと充分に長い長さ（１１Ｔ）を持つ記録マークからの再生信号量Ｉ１１Ｌとの差分値Ｉ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ〕の比率が最低でも、    
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≧０．４                                        （２０）    
望ましくは    
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ＞０．２                                        （２１）    
を満足しなければならない。
【０２５８】
本実施形態では、高密度に記録された信号再生時にＰＲＭＬ法を利用し、図１３〜図１５に示す（詳細説明は後述する）信号処理回路と状態遷移図を使用する。
【０２５９】
ＰＲＭＬ法で精度良く検出するためには再生信号の線形性（リニアリティー）が要求される。
【０２６０】
図１５に示した状態遷移図を基に図１３、図１４に示した信号処理回路特性を解析した結果、上記再生信号の線形性（リニアリティー）を確保するためには３Ｔの長さを持つ記録マークと未記録スペースの繰り返し信号からの再生信号振幅をＩ３とした時のこの値の上記Ｉ１１に対する比率が、    
Ｉ３／Ｉ１１≧０．３５                                    （２２）    
望ましくは    
Ｉ３／Ｉ１１＞０．２                                      （２３）    
を満足する必要がある。
【０２６１】
上記（１６）式の条件を視野に入れながら（２０）式、（２１）式を満足するようにＡｌ４０５の値を設定したことを特徴とする。
【０２６２】
（１６）式を参照し    
１−０．３＝０．７                                      （２４）    
となる。
【０２６３】
（２４）式を視野に入れ、（２０）式との対応関係から、    
（Ａｌ４０５−０．３）／０．７≧０．４    すなわち、    
Ａｌ４０５≧０．５８                                    （２５）    
が導かれる。
【０２６４】
（２５）式は非常に粗い検討結果から導かれた式で基本的な考え方を示したに過ぎず、Ａｈ４０５の設定範囲を（１６）式で規定しているので、本実施形態では、Ａｌ４０５の条件として少なくとも、    
Ａｌ４０５＞０．３                                        （２６）    
が必須となる。
【０２６５】
具体的な“Ｈ→Ｌ”記録膜に適した有機色素材料の選定方法として本実施形態では光学的な膜設計を元に未記録状態での屈折率範囲がｎ３２＝１．３〜２．０、吸収係数範囲がｋ３２＝０．１〜０．２、望ましくはｎ３２＝１．７〜１．９、吸収係数範囲がｋ３２＝０．１５〜０．１７の有機色素材料を選定し、上記説明した一連の条件を満足させている。
【０２６６】
図７または図８に示した“Ｈ→Ｌ”記録膜では未記録領域での光吸収スペクトルにおいてλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長が再生光または記録／再生光の波長（例えば、４０５ｎｍ）よりも短くなっているが、本発明においてそれに限らず例えば、λｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長が再生光または記録／再生光の波長（例えば、４０５ｎｍ）よりも長くても良い。
【０２６７】
上記（２２）式または（２３）式を満足させるためには記録層３−２の厚みＤｇが大きく影響する。例えば、記録層３−２の厚みＤｇが許容値を大幅に越えると、記録マーク９形成後の状態として記録層３−２内での透明基板２−２に接する一部のみの光学特性が変化するだけでその場所に隣接する光反射層４−２に接する部分の光学特性が他の未記録領域と同じ値のままになる。その結果、再生光量変化が低下して、（２２）式または（２３）式におけるＩ３の値が小さくなり、（２２）式または（２３）式の条件が満足できなくなる。
【０２６８】
従って、（２２）式を満足させるためには、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように、記録マーク９内の光反射層４−２に接する部分の光学特性まで変化させる必要がある。
【０２６９】
さらに、記録層３−２の厚みＤｇが許容値を大幅に越えると記録マーク形成時に記録層３−２内の厚み方向で温度勾配が発生し、記録層３−２内の光反射層４−２に接する部分で光学特性変化温度に達する前に透明基板２−２に接する部分の気化（蒸発）温度を越えるか、透明基板２−２内で熱変形温度を超えてしまう。
【０２７０】
上記理由から本実施形態では熱解析検討により（２２）式を満足させるために記録層３−２の厚みＤｇを“３Ｔ”以下とし、（２３）式を満足させる条件として記録層３−２の厚みＤｇを“３×３Ｔ”以下にしている。
【０２７１】
基本的には記録層３−２の厚みＤｇが“３Ｔ”以下の場合には（２２）式を満足させることができるが、追記形情報記憶媒体の面ブレ・反りによるチルトの影響や焦点ぼけに対するマージンを考慮すると“Ｔ”以下にする場合もある。
【０２７２】
既に説明した（１）式と（２）式の結果も考慮すると、本実施形態における記録層３−２の厚みＤｇの範囲は必要最低な条件としては、    
９Ｔ≧Ｄｇ≧λ／８ｎ３２                                  （２７）    
望ましい条件としては、    
３Ｔ≧Ｄｇ≧λ／４ｎ３２                                  （２８）    
で与えられる範囲で記録層３−２の厚みＤｇを設定している。
【０２７３】
それに限らず、最も厳しい条件としては、    
Ｔ≧Ｄｇ≧λ／４ｎ３２                                    （２９）    
とすることも可能である。
【０２７４】
後述するようにチャネルビット長Ｔの値はＨフォーマットでは１０２ｎｍ、Ｂフォーマットでは６９ｎｍ〜８０ｎｍになっているので、３Ｔの値はＨフォーマットでは３０６ｎｍ、Ｂフォーマットでは２０７ｎｍ〜２４０ｎｍ、９Ｔの値はＨフォーマットでは９１８ｎｍ、Ｂフォーマットでは６２１ｎｍ〜７２０ｎｍとなる。ここでは“Ｈ→Ｌ”記録膜に関して説明しているが、（２７）式〜（２９）式の条件はそれに限らず、“Ｌ→Ｈ”記録膜に対しても適用できる。
【０２７５】
＜４＞再生装置または記録再生装置と記録条件／再生回路の説明    
４−１）本実施形態での再生装置もしくは記録再生装置の構造と特徴説明    
情報記録再生装置の実施形態における構造説明図を図９に示す。図９において制御部１４３より上側が主に情報記憶媒体への情報記録制御系を表し、情報再生装置の実施形態では図９における前記情報記録制御系を除いた構造が該当する。図９に於いて太い実線矢印が再生信号または記録信号を意味するメイン情報の流れを示し、細い実線矢印が情報の流れ、一点鎖線矢印が基準クロックライン、細い破線矢印がコマンド指示方向を意味する。
【０２７６】
図９に示した情報記録再生部１４１の中に図示してないが光学ヘッドが配置されている。
【０２７７】
本実施形態では光学ヘッド内に用いられる光源（半導体レーザ）の波長は４０５ｎｍであるが、それに限らず本実施形態として前述したように使用波長が６２０ｎｍ以下または５３０ｎｍ以下の光源あるいは３５５〜４５５ｎｍの範囲の光源を使用することが可能である。また、光学ヘッド内で上記波長の光を情報記憶媒体上に集光させるために用いられる対物レンズは２個搭載され、Ｈフォーマットの情報記憶媒体に対して記録／再生する場合はＮＡ値が０．６５の対物レンズを使用し、Ｂフォーマットの情報記憶媒体に記録／再生する場合にはＮＡ＝０．８５の対物レンズを使用するように対物レンズが切り替えられるような構造になっている。
【０２７８】
図示しない対物レンズに入射する直前の入射光の強度分布として、中心強度を“１”とした時の対物レンズ周辺（開口部境界位置）での相対的な強度を、“ＲＩＭ（RIM Intensity）”と呼ぶ。Ｈフォーマットにおける前記ＲＩＭの値は、５５〜７０％になるように設定してある。この時の光学ヘッド内での波面収差量は使用波長λに対して最大０．３３λ（０．３３λ以下）になるように光学設計されている。
【０２７９】
本実施形態では、情報再生に、既に説明したＰＲＭＬを用い、情報記憶媒体への記録を高密度化している（表１〔Ａ〕）。
【０２８０】
種々の実験の結果、使用するＰＲクラスとしては、ＰＲ（１，２，２，２，１）を採用すると線密度が高くできるとともに再生信号の信頼性（例えば、焦点ぼけやトラックずれ等サーボ補正誤差が発生した時の復調信頼性）を高くできるので、本実施形態ではＰＲ（１，２，２，２，１）を採用している（表１（Ａ１））。
【０２８１】
また、本実施形態では、（ｄ，ｋ；ｍ，ｎ）変調規則（前述した記載方法では、ｍ／ｎ変調のＲＬＬ（ｄ，ｋ）を意味している）に従って変調後のチャネルビット列を情報記憶媒体に記録している。
【０２８２】
具体的には、変調方式としては８ビットデータを１２チャネルビットに変換（ｍ＝８，ｎ＝１２）するＥＴＭ（Eight to Twelve Modulation）を採用し、変調後のチャネルビット列の中で“０”が続く長さに制限を掛けるランレングスリミテッドＲＬＬ制約として“０”が連続する最小値をｄ＝１とし、最大値をｋ＝１０としたＲＬＬ（１，１０）の条件を課している。
【０２８３】
本実施形態では、情報記憶媒体の高密度化を目指して極限近くまでチャネルビット間隔を短くしている。その結果、例えば、ｄ＝１のパターンの繰り返しである“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンを情報記憶媒体に記録し、そのデータを情報記録再生部１４１で再生した場合には、再生光学系のＭＴＦ特性の遮断周波数に近付いているため、再生生信号の信号振幅は、ほとんどノイズに埋もれた状態になる。
【０２８４】
従って、そのように、ＭＴＦ特性の限界（遮断周波数）近くまで密度を詰めた記録マークまたはピットを再生する方法としてＰＲＭＬの技術を使っている。
【０２８５】
すなわち、情報記録再生部１４１から再生された信号は、ＰＲ等化回路１３０により再生波形補正を受ける。
【０２８６】
ＡＤ変換器１６９で基準クロック発生回路１６０から送られてくる基準クロック１９８のタイミングに合わせてＰＲ等化回路１３０通過後の信号をサンプリングしてデジタル量に変換し、ビタビ復号器１５６内でビタビ復号処理を受ける。
【０２８７】
ビタビ復号処理後のデータは従来のスライスレベルで２値化されたデータと全く同様なデータとして処理される。
【０２８８】
ＰＲＭＬの技術を採用した場合、ＡＤ変換器１６９でのサンプリングタイミングがずれると、ビタビ復号後のデータのエラー率は増加する。従って、サンプリングタイミングの精度を上げるため、本実施の形態の情報再生装置ないしは情報記録再生装置では特にサンプリングタイミング抽出用回路（シュミットトリガー２値回路１５５とＰＬＬ回路１７４の組み合わせ）を別に持っている。このシュミットトリガー回路は、２値化するためのスライス基準レベルに特定の幅（実際にはダイオードの順方向電圧値）を持たせ、その特定幅を越えた時のみ２値化される特性を持っている。
【０２８９】
従って、例えば、上述したように“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンが入力された場合には、信号振幅が非常に小さいので２値化の切り替わりが起こらず、それよりも疎のパターンである例えば、“１００１００１００１００１００１００１００１”等が入力された場合に再生生信号の振幅が大きくなるので、シュミットトリガー２値化回路１５５で“１”のタイミングに合わせて２値化信号の極性切り替えが起きる。
【０２９０】
本実施の形態では、ＮＲＺＩ（Non Return to Zero Invert）法を採用しており、上記パターンの“１”の位置と記録マークまたはピットのエッジ部（境界部）が一致している。
【０２９１】
ＰＬＬ回路１７４ではこのシュミットトリガー２値化回路１５５の出力である２値化信号と基準クロック発生回路１６０から送られる基準クロック１９８信号との間の周波数と位相のずれを検出してＰＬＬ回路１７４の出力クロックの周波数と位相を変化させている。基準クロック発生回路１６０ではこのＰＬＬ回路１７４の出力信号とビタビ復号器１５６の復号特性情報（具体的には図示してないが、ビタビ復号器１５６内のパスメトリックメモリ内の収束長（収束までの距離）の情報）を用いてビタビ復号後のエラーレートが低くなるように基準クロック１９８（の周波数と位相）にフィードバックを掛ける。この基準クロック発生回路１６０で発生される基準クロック１９８は再生信号処理時の基準タイミングとして利用され。
【０２９２】
同期コード位置抽出部１４５はビタビ復号器１５６の出力データ列の中に混在している同期コード（シンクコード）の存在位置を検出し、上記出力データの開始位置の抽出役目を担っている。この開始位置を基準としてシフトレジスタ回路１７０に一時保存されたデータに対して復調回路１５２で復調処理を行う。
【０２９３】
本実施形態では１２チャネルビット毎に復調用変換テーブル記録部１５４内に記録された変換テーブルを参照して元のビット列に戻す。その後はＥＣＣデコーディング回路１６２によりエラー訂正処理が施され、デスクランブル回路１５９によりデスクランブルされる。本実施形態の記録形（書替え形または追記形）情報記憶媒体ではウォブル変調によりアドレス情報が事前に記録されている。ウォブル信号検出部１３５で、このアドレス情報を再生し（すなわち、ウォブル信号の内容を判別し）希望場所へのアクセスに必要な情報を制御部１４３に対して供給する。
【０２９４】
制御部１４３より上側にある情報記録制御系について説明する。情報記憶媒体上の記録位置に合わせてデータＩＤ発生部１６５からデータＩＤ情報が生成され、ＣＰＲ＿ＭＡＩデータ発生部１６７でコピー制御情報が発生されるとデータＩＤ、ＩＥＤ、ＣＰＲ＿ＭＡＩ、ＥＤＣ付加部１６８により記録すべき情報にデータＩＤ、ＩＥＤ、ＣＰＲ＿ＭＡＩ、ＥＤＣの各種情報が付加される。その後、デスクランブル回路１５７でデスクランブルされた後、ＥＣＣエンコーディング回路１６１でＥＣＣブロックが構成され、変調回路１５１でチャネルビット列に変換された後、同期コード生成・付加部１４６で同期コードが付加されて情報記録再生部１４１内で情報記憶媒体にデータが記録される。変調時にはＤＳＶ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｕｍ  Ｖａｌｕｅ）値計算部１４８で変調後のＤＳＶ値が逐次計算され、変調時のコード変換にフィードバックされる。
【０２９５】
図９に示した同期コード位置検出部１４５を含む周辺部の詳細構造を図１０に示す。同期コードは固定パターンを持った同期位置検出用コード部と可変コード部から構成されている。ビタビ復号器１５６から出力されたチャネルビット列の中から同期位置検出用コード検出部１８２により上記固定パターンを持った同期位置検出用コード部の位置を検出し、その前後に存在する可変コードのデータを可変コード転送部１８３、１８４が抽出してシンクフレーム位置識別用コード内容の識別部１８５により検出された同期コードが後述するセクタ内のどのシンクフレームに位置するかを判定する。情報記憶媒体上に記録されたユーザ情報はシフトレジスタ回路１７０、復調回路１５２内の復調処理部１８８、ＥＣＣデコーディング回路１６２の順に順次転送される。
【０２９６】
本実施形態のうち、Ｈフォーマットではデータ領域、データリードイン領域、データリードアウト領域では再生にＰＲＭＬ方式を使うことで情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成するとともに、システムリードイン領域、システムリードアウト領域では再生にスライスレベル検出方式を使うことで、現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している（詳細は、“Ｈフォーマットの説明”において後述する）。
【０２９７】
４−２）本実施形態での再生回路の説明    
図１１にシステムリードイン領域、システムリードアウト領域での再生時に使用されるスライスレベル検出方式を用いた信号再生回路の実施形態を示す。
【０２９８】
図１１における４分割光検出器３０２は、図９における情報記録再生部１４１内に存在する光学ヘッド内に固定されている。４分割光検出器３０２の各光検出セル１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄから得られる検出信号の総和を取った信号をここでは“リードチャンネル１信号”と呼ぶ。
【０２９９】
図１１のプリアンプ３０４からスライサ３１０までが図９のスライスレベル検出回路１３２内の詳細構造に対応し、情報記憶媒体から得られた再生信号は再生信号周波数帯よりも低い周波数成分を遮断するハイパスフィルタ３０６を通過後にプリイコライザ３０８により波形等化処理が行われる。
【０３００】
実験によると、このプリイコライザ３０８は７タップのイコライザを用いると最も回路規模が少なく、かつ精度良く再生信号の検出ができることが分かったので、本実施形態でも７タップのイコライザを使用している。図１１のＶＦＯ回路・ＰＬＬ３１２部分が図９のＰＬＬ回路に対応し、図１１の復調回路、ＥＣＣデコーディング回路３１４が図９の復調回路１５２とＥＣＣデコーディング回路１６２に対応する。
【０３０１】
図１１のスライサ３１０回路内の詳細構造を図１２に示す。
【０３０２】
スライス後の２値化信号を比較器３１６を使って発生させている。本実施形態ではデューティフィードバック法を用い、２値化後のバイナリーデータの反転信号に対してローパスフィルター出力信号を２値化時のスライスレベルに設定している。本実施形態ではこのローパスフィルターの遮断周波数を５ＫＨｚに設定している。この遮断周波数が高いとスライスレベル変動が早いためにノイズの影響を受け易く、逆に遮断周波数が低いとスライスレベルの応答が遅いので情報記憶媒体上のゴミや傷の影響を受けやすい。前述したＲＬＬ（１，１０）とチャネルビットの基準周波数の関係も考慮位して５ＫＨｚに設定している。
【０３０３】
データ領域、データリードイン領域、データリードアウト領域で信号再生に用いられるＰＲＭＬ検出法を用いた信号処理回路を図１３に示す。
【０３０４】
図１３における４分割光検出器３０２は図９における情報記録再生部１４１内に存在する光学ヘッド内に固定されている。４分割光検出器３０２の各光検出セル１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄから得られる検出信号の総和を取った信号をここでは“リードチャンネル１信号”と呼ぶ。図９におけるＰＲ等化回路１３０内の詳細な構造が図１３のプリアンプ回路３０４からタップ制御器３３２、イコライザ３３０、オフセットキャンセラ３３６までの各回路で構成されている。図１３内のＰＬＬ回路３３４は図９のＰＲ等化回路１３０内の一部であり、図９のシュミットトリガー２値化回路１５５とは別の物を意味する。
【０３０５】
図１３におけるハイパスフィルタ回路３０６の１次の遮断周波数は１ＫＨｚに設定している。
【０３０６】
プリイコライザ回路３０８は、図１１と同様７タップのイコライザーを用いている（７タップを使用すると最も回路規模が少なく、かつ精度良く再生信号の検出ができるためである）。Ａ／Ｄコンバータ回路３２４のサンプルクロック周波数は７２ＭＨｚ、デジタルは８ビット出力になっている。ＰＲＭＬ検出法では再生信号全体のレベル変動（ＤＣオフセット）の影響を受けると、ビタビ復調時に誤差が発生し易くなる。その影響を除去するためにイコライザー出力から得た信号を用いてオフセットキャンセラ３３６によりオフセットを補正する構造になっている。
【０３０７】
図１３に示した実施形態ではＰＲ等化回路１３０内で適応等化処理がなされている。そのため、ビタビ復号器１５６の出力信号を利用してイコライザ３３０内の各タップ係数を自動修正するためのタップ制御器が利用されている。
【０３０８】
図９または図１３に示したビタビ復号器１５６内の構造を図１４に示す。
【０３０９】
入力信号に対して予想し得る全てのブランチに対するブランチメトリックをブランチメトリック計算部３４０で計算し、その値をＡＣＳ３４２へ送る。ＡＣＳ３４２は、Add Compare Selectの略称で、ＡＣＳ３４２の中で予想し得る各パスに対応してブランチメトリックを加算して得られるパスメトリックを計算するとともにその計算結果をパスメトリックメモリ３５０へ転送する。この時、ＡＣＳ３４２内ではパスメトリックメモリ３５０内の情報も参照して計算処理を行う。パスメモリ３４６内では予想し得る各パス（遷移）状況とその各パスに対応しＡＣＳ３４２で計算したパスメトリックの値を一時保存する。出力切替え部３４８で各パスに対応したパスメトリックを比較し、パスメトリック値が最小となるパスを選択する。
【０３１０】
図１５に本実施形態におけるＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける状態遷移を示す。ＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける取り得る状態（ステート）の遷移は図１５に示す遷移のみが可能なので、図１５の遷移図を元にビタビ復号器１５６内では復号時の存在し得る（予想し得る）パスを割り出している。
【０３１１】
４−３）本実施形態での記録条件の説明    
“３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性”で本実施形態における最適な記録パワー（ピークパワー）の説明を行ったが、その最適な記録パワーを調べる時に使用した記録波形（記録時の露光条件）に付いて、図１６を用いて説明する。
【０３１２】
記録時の露光レベルとして記録パワー（ピークパワー：Peak power）、バイアスパワー（Bias power）１、バイアスパワー（Bias power）２、バイアスパワー（Bias power）３の４レベルを持ち、長さの長い（４Ｔ以上の）記録マーク９形成時には、記録パワー（ピークパワー：Peak power）とバイアスパワー（Bias power）３の間でマルチパルスの形で変調される。本実施形態では“Ｈフォーマット”、“Ｂフォーマット”いずれの方式もチャネルビット長Ｔに対する最小マーク長は２Ｔとなっている。この２Ｔの最小マークを記録する場合には、図１６に示すようにバイアスパワー（Bias power）１の後で記録パワー（ピークパワー：Peak power）レベルの１個のライトパルスを使用し、ライトパルスの直後は一度バイアスパワー（Bias power）２になる。３Ｔの長さの記録マーク９を記録する場合にはバイアスパワー（Bias power）１の後に来る記録パワー（ピークパワー：Bias power）レベルのファーストパルスとラストパルスの２個のライトパルスを露光した後一旦バイアスパワー（Bias power）２になる。４Ｔ以上の長さの記録マーク９を記録する場合には、マルチパルスとラストパルスで露光した後、バイアスパワー（Bias power）２になる。
【０３１３】
図１６における縦の破線はチャネルクロック周期を示す。２Ｔの最小マークを記録する場合にはクロックエッジからＴＳＦＰ遅れた位置から立ち上がり、その１クロック後のエッジからＴＥＬＰ後ろの位置で立ち下がる。その直後のバイアスパワー（Bias power）２になる期間をＴＬＣと定義する。ＴＳＦＰとＴＥＬＰおよびＴＬＣの値はＨフォーマットの場合には後述するように制御データゾーンＣＤＺ内の物理フォーマット情報ＰＦＩ内に記録されている。
【０３１４】
３Ｔ以上の長い記録マーク形成時の場合にはクロックエッジからＴＳＦＰ遅れた位置から立ち上がり、最後にラストパルスで終わる。ラストパルスの直後はＴＬＣの期間バイアスパワー（Bias power）になるが、ラストパルスの立ち上がり／立ち下がりタイミングのクロックエッジからのずれ時間をＴＳＬＰ，ＴＥＬＰで定義する。また、先頭パルスの立ち下がりタイミングのクロックエッジから図った時間をＴＥＦＰで、さらに１個のマルチパルスの間隔をＴＭＰで定義する。
【０３１５】
ＴＥＬＰ−ＴＳＦＰ、ＴＭＰ、ＴＥＬＰ−ＴＳＬＰ、ＴＬＣの各間隔は、図１７に示すように最大値に対する半値幅で定義する。
【０３１６】
また、本実施形態では上記パラメーターの設定範囲を、    
０．２５Ｔ≦ＴＳＦＰ≦１．５０Ｔ                          （３０）    
０．００Ｔ≦ＴＥＬＰ≦１．００Ｔ                          （３１）    
１．００Ｔ≦ＴＥＦＰ≦１．７５Ｔ                          （３２）    
−０．１０Ｔ≦ＴＳＬＰ≦１．００Ｔ                        （３３）    
０．００Ｔ≦ＴＬＣ  ≦１．００Ｔ                        （３４）    
０．１５Ｔ≦ＴＭＰ  ≦０．７５Ｔ                        （３５）    
とする。
【０３１７】
さらに、本実施形態で、は記録マークの長さ（Mark length）と、その直前または直後のスペース長（Leading space length／Trailing space length）に応じて表２に示すように上記各パラメーターの値を変化できるようにしている。既に“３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性”の所で説明した、本実施形態に示した記録原理で記録される追記形情報記憶媒体の最適な記録パワーを調べた時の各パラメーターの値を表３に示す。この時のバイアスパワー（Bias power）１、バイアスパワー（Bias power）２、バイアスパワー（Bias power）３の値は、それぞれ、２．６ｍＷ、１．７ｍＷ、１．７ｍＷであり、再生パワーは０．４ｍＷだった。
【０３１８】
＜５＞本実施形態における有機色素記録膜の具体的説明    
５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明。
【０３１９】
未記録領域に比べて記録マーク内で光反射量が低下する特性を有する“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する説明を行う。この記録膜を用いた場合の記録原理としては“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”で説明した記録原理の中で主に、    
・発色特性変化    
・発色現象に寄与する電子に対する電子構造（電子軌道）の変化〔脱色作用等〕    
・分子間の配列変化    
のいずれかを利用し、吸光スペクトルの特性を変化させる（ことは既に説明した通りである）。
【０３２０】
“Ｌ→Ｈ”記録膜に関しては、特に未記録場所と既記録場所での反射量範囲を片面２層構造を持った再生専用情報記憶媒体の特性を視野に入れて規定したことを特徴とする。
【０３２１】
本実施形態で規定している“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の未記録領域（非記録部）における光反射率範囲を図１８に示す。
【０３２２】
本実施形態では“Ｈ→Ｌ”記録膜の非記録部での反射率下限値δが“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部での上限値γより高くなるように規定している。
【０３２３】
情報記録再生装置あるいは情報再生装置に上記情報記憶媒体を装着した時、図９のスライスレベル検出部１３２またはＰＲ等化回路１３０で非記録部の光反射率を測定し、瞬時に“Ｈ→Ｌ”記録膜か“Ｌ→Ｈ”記録膜の判別ができるので、記録膜の種別判別が非常に容易になる。
【０３２４】
多くの製造条件を変えて作成した“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜を作成して測定した結果、“Ｈ→Ｌ”記録膜の非記録部での反射率下限値δと“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部での上限値γの間の光反射率αを３２％〜４０％の範囲以内にすると、記録膜の製造性が高く、媒体の低価格化が容易であることが分かった。
【０３２５】
“Ｌ→Ｈ”記録膜非記録部（“Ｌ”部）の光反射率範囲８０１を再生専用形情報記憶媒体における片面２記録層の光反射率範囲８０３に一致させ、“Ｈ→Ｌ”記録膜の非記録部（“Ｈ”部）の光反射率範囲８０２を再生専用形情報記憶媒体における片面単層の光反射率範囲８０４に一致させると、再生専用形情報記憶媒体との互換性が良く情報再生装置の再生回路を兼用化できるので情報再生装置を安価に作ることができる。
【０３２６】
多くの製造条件を変えて作成した“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜を作成して測定した結果、記録膜の製造性を高めて媒体の低価格化を容易にするために本実施形態では“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部（“Ｌ”部）の光反射率の下限値βを１８％、上限値γを３２％とし、“Ｈ→Ｌ”記録膜の非記録部（“Ｈ”部）の光反射率下限値δを４０％、上限値εを８５％にした。
【０３２７】
本実施形態における各種記録膜での非記録位置と既記録位置での反射率を図１９、表４に示す。
【０３２８】
Ｈフォーマット（“＜７＞Ｈフォーマットの説明”を参照）を採用した場合、図１８のように非記録部での光反射率範囲を規定することでグルーブレベルを基準として“Ｌ→Ｈ”記録膜ではエンボス領域（システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ等）と記録マーク領域（データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯやデータ領域ＤＴＡ）で同じ方向に信号が現れる。同様に“Ｈ→Ｌ”記録膜ではグルーブレベルを基準としてエンボス領域（システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ等）と記録マーク領域（データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯやデータ領域ＤＴＡ）で反対方向に信号が現れる。
【０３２９】
この現象を利用し、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜間での記録膜識別に使えるだけでなく、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜に対応した検出回路設計が容易となる。また、本実施形態に示した“Ｌ→Ｈ”記録膜上に記録した記録マークから得られる再生信号特性を“Ｈ→Ｌ”記録膜から得られる信号特性に合わせて（２０）式〜（２３）式を満足させる。これにより、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜いずれの記録膜を用いた場合にも同一の信号処理回路が使え、信号処理回路の簡素化と低価格化が図れる。
【０３３０】
図１８、図１９、表４に示した“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の光反射率の関係を示す実施例に対する他の実施例について図６５から図６７を用いて説明する。
【０３３１】
本実施形態では、図６に示すように、プリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域１２の幅Ｗｌよりも広くなるように設定している。それにより図６５に示すようにプリグルーブ領域１１上（データリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内）をトラッキングした時のプリグルーブ領域１１からの信号レベル（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅを高くしたことが特徴となっている。
【０３３２】
５−２）本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する光吸収スペクトルの特徴    
“３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明”で説明したように“Ｈ→Ｌ”記録膜では未記録領域での相対的な吸光度が基本的に低いため、再生時に再生光を照射された時にその再生光のエネルギーを吸収して生じる光学特性変化が起こりにくい。仮に吸光度が高い記録マーク内で再生光のエネルギーを吸収して光学特性変化（記録作用の更新）が生じたとしても記録マーク内からの光反射率が下がる一方なので、再生信号の振幅（Ｉ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ）が増加する方向に働き、再生信号処理への悪影響は少ない。
【０３３３】
それに比べて、“Ｌ→Ｈ”記録膜は“未記録部の光反射率が記録マーク内より低い”と言う光学的特性を持つ。このことは図１（ｂ）を用いて説明した内容から分かるように、記録マーク内より未記録部の吸光度が高いことを意味している。そのため、“Ｌ→Ｈ”記録膜は“Ｈ→Ｌ”記録膜に比べると再生時の信号劣化が起こり易い。“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”内で説明したように、“ε〕紫外線や再生光照射による再生信号劣化が万一発生した場合に備えて再生情報の信頼性を向上させる”必要がある。
【０３３４】
有機色素記録材料の特性を詳細に調べた結果、再生光のエネルギーを吸収して光学特性変化を起こすメカニズムと紫外線照射による光学特性変化のメカニズムがほぼ類似していることが分かった。その結果、未記録領域での紫外線照射に対する耐久性を向上させる構造を持たせると再生時の信号劣化が起き辛くなる。そのため、“Ｌ→Ｈ”記録膜ではλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ（記録光の波長に最も近い極大吸収波長）の値を記録光または再生光の波長（４０５ｎｍ近傍）よりも長くしたことを特徴とする。これにより、紫外線に対する吸収率を低くでき、紫外線照射に対する耐久性を大幅に向上できる。図２１から分かるように、λｍａｘ  ｗｒｉｔｅ近傍での既記録部と未記録部間での吸光度の違いが小さく、λｍａｘ  ｗｒｉｔｅ近傍の波長光で再生した場合の再生信号変調度（信号振幅）が小さくなる。半導体レーザ光源の波長変動も視野に入れると、３５５ｎｍ〜４５５ｎｍの範囲では充分に大きな再生信号変調度（信号振幅）を取れることが望ましい。従って、本実施形態においてλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長は３５５ｎｍ〜４５５ｎｍの範囲外（すなわち、４５５ｎｍよりも長波長側）に存在するように記録膜３−２の設計を行っている。
【０３３５】
本実施形態での“Ｌ→Ｈ”記録膜における光吸収スペクトルの一例を図２０に示す。“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明したように、本実施形態では“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部（“Ｌ”部）の光反射率の下限値βを１８％、上限値γを３２％に設定している。
【０３３６】
１−０．３２＝０．６８より上記条件を満足するためには４０５ｎｍにおける未記録領域での吸光度の値Ａｌ４０５として、    
Ａｌ４０５≧６８％                                          （３６）    
を満足すべきなのが直感的に理解できる。
【０３３７】
図１における光反射層４−２の４０５ｎｍにおける光反射率は１００％より若干低下するが、説明の簡略化のためほぼ１００％に近いと仮定する。従って、吸光度Ａｌ＝０の時の光反射率はほぼ１００％になる。
【０３３８】
図２０においてλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長での記録膜全体としての光反射率をＲλｍａｘ  ｗｒｉｔｅで表す。この時の光反射率がゼロ（Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ≒０）と仮定して（３６）式を導いているが、実際には“０”とはならないので、より厳密な式を導く必要がある。
【０３３９】
“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部（“Ｌ”部）の光反射率の上限値γを３２％に設定する厳密な条件式は、    
１−Ａｌ４０５×（１−Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ）≦０．３２            （３７）    
で与えられる。
【０３４０】
従来の追記形情報記憶媒体は全て“Ｈ→Ｌ”記録膜を使用しており、“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する情報の蓄積がないが、“５−３）アニオン部：アゾ金属錯体＋カチオン部：色素”で後述する本実施形態を使用した場合には（３７）式を満たす最も厳しい条件として、    
Ａｌ４０５≧８０％                                          （３８）    
となる。
【０３４１】
上記実施形態で後述する有機色素記録材料を使用した場合には、製造時の特性ばらつきや記録層３−２の厚み変化等のマージンも含めて記録膜の光学設計を行うと“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明した反射率を満足する最低限の条件としては、    
Ａｌ４０５≧４０％                                          （３９）    
を満足すれば良いことが分かった。
【０３４２】
さらに、    
Ａｌ３５５≧４０％                                          （４０）    
Ａｌ４５５≧４０％                                          （４１）    
のいずれかを満足することで、３５５ｎｍから４０５ｎｍの範囲あるいは４０５ｎｍから４５５ｎｍの範囲（両方の式が同時に満足する場合には、３５５ｎｍから４５５ｎｍの範囲）で光源の波長が変化しても安定な記録特性または再生特性を確保できる。
【０３４３】
本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜における記録後の光吸収スペクトル変化状況を図２１に示す。記録マーク内での最大吸収波長λｌｍａｘの値がλｍａｘ  ｗｒｉｔｅの波長からずれており、分子間の配列変化（例えば、アゾ金属錯体同士の配列変化）が生じていると考えられる。さらに、λｌｍａｘの所での吸光度と４０５ｎｍでの吸光度Ａｌ４０５のいずれもが低下しているとともに光吸収スペクトルの広がり自体が広がっている所から平行して脱色作用（局所的な電子軌道の切断（局所的な分子結合の解離））が起きていると考えられる。
【０３４４】
本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜においても（２０）、（２１）、（２２）、（２３）の各式を満足させることで“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜どちらに対しても同一の信号処理回路を使えるようにして信号処理回路の簡素化と低価格化を図っている。
【０３４５】
（２０）式において、    
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≡（Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ）／Ｉ１１Ｈ≧０．４            （４２）    
を変形すると、    
Ｉ１１Ｈ≧／Ｉ１１Ｌ／０．６                                  （４３）    
となる。
【０３４６】
既に説明したように本実施形態において“Ｌ→Ｈ”記録膜の未記録部（“Ｌ”部）の光反射率の下限値βを１８％に設定しており、この値がＩ１１Ｌに対応する。
【０３４７】
さらに、概念的に、    
Ｉ１１Ｈ≒１−Ａｈ４０５×（１−Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ）              （４４）    
と対応するので、（４３）式と（４４）式から、    
１−Ａｈ４０５×（１−Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ）≧０．１８／０．６    （４５）    
となる。
【０３４８】
１−Ｒλｍａｘ  ｗｒｉｔｅ≒０の時、（４５）式は、    
Ａｈ４０５≦０．７                                          （４６）    
で得られる。
【０３４９】
上記（４６）式と（３６）式を比較すると吸光度の値として６８％〜７０％近傍を境にＡｌ４０５とＡｈ４０５の値を設定すれば良さそうなことが分かる。
【０３５０】
さらに、Ａｌ４０５の値として（３９）式の範囲になる場合と、信号処理回路の性能安定性を考えると、厳しい条件として、    
Ａｈ４０５≦０．４                                          （４７）    
がある。
【０３５１】
なお、可能で有れば、    
Ａｈ４０５≦０．３                                          （４８）    
を満足することが望ましい。
【０３５２】
５−３）アニオン部：アゾ金属錯体＋カチオン部：色素    
“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明した特徴を有し、“５−２）本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する光吸収スペクトルの特徴”で示した条件を満足する本実施形態における具体的に有機色素材料について説明する。
【０３５３】
記録層３−２の厚みは、（３）、（４）、（２７）、（２８）の各式で示した条件を満足し、スピナーコーティング（スピンコーティング）により形成する。
【０３５４】
比較のために一例を上げると、“食塩”の結晶はプラスに帯電する“ナトリウムイオン”とマイナスに帯電する“塩素イオン”との間の“イオン結合”で組み立てられている。それと同様、高分子においても“イオン結合”に近い形で異なる複数の高分子が組み合わさり有機色素材料を構成する場合がある。
【０３５５】
本実施形態における有機色素記録膜３−２は、プラス側に帯電する“カチオン部”とマイナス側に帯電する“アニオン部”で構成されている。特に、プラス側に帯電する“カチオン部”に発色特性を有する“色素”を利用し、対イオン部を意味し、マイナス側に帯電する“アニオン部”に有機金属錯体を利用することで結合の安定性を高め、“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”の中で示した“δ〕発色領域での電子構造を安定化させ、紫外線や再生光照射に対する構造分解が生じ辛くする”の条件を満足させたことを特徴とする。
【０３５６】
具体的な内容として本実施形態では、有機金属錯体として、図１に一般構造式を示した“アゾ金属錯体”を利用している。アニオン部とカチオン部の組み合わせからなる本実施形態において、このアゾ金属錯体の中心金属Ｍとしてコバルトまたはニッケルを使用して光安定性を高めているが、それに限らずスカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀等を用いても同様の効果が得られる。
【０３５７】
本実施形態では、カチオン部に使用する色素として図２に一般構造式を示したシアニン色素、図３に一般構造式を示したスチリル色素、図４に一般構造式を示したモノメチンシアニン色素のいずれかを使用する。
【０３５８】
本実施形態では、アニオン部にアゾ金属錯体を使用しているが、それに限らず例えば、図５に一般構造式を示すホルマザン金属錯体を使用しても良い。
【０３５９】
上記アニオン部とカチオン部からなる有機色素記録材料は、最初粉末状である。
【０３６０】
記録層３−２を形成する場合には、この粉末状の有機色素記録材料を有機溶剤に溶かした後、透明基板２−２上にスピンコーティングを行う。この時に使用する有機溶剤として例えば、フッ素アルコール系のＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）やペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテル、石油ベンジン等の炭化水素類、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ニトリル類、ニトロ化合物や含硫化合物のいずれかかまたはそれらの組み合わせを使用する。
【０３６１】
＜６＞塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリグルーブ形状／プリピット形状に関する説明    
６−１）光反射層    
“使用波長と本実施形態との関係説明”に記載したように本実施形態では４０５ｎｍを中心とした特に３５５〜４５５ｎｍの範囲を考えている。
【０３６２】
この波長帯での光反射率の高い金属材料は光反射率の高い順に並べるとＡｇが９６％前後、Ａｌが８０数％前後、Ｒｈが８０数％前後となっている。
【０３６３】
有機色素記録材料を用いた追記形情報記憶媒体では図１（ｂ）に示すように光反射層４−２からの反射光が基本になっているので光反射層４−２では光反射率の高い特性が要求される。
【０３６４】
特に本実施形態の“Ｈ→Ｌ”記録膜の場合には未記録領域での光反射率が低いので、光反射層４−２単体での光反射率が低いと特にプリピット（エンボス）領域からの再生信号Ｃ／Ｎ比が低く再生時の安定性に欠けてしまうので、特に光反射層４−２単体での光反射率が高いことが必須となる。
【０３６５】
従って、本実施形態では上記波長帯において最も反射率の高いＡｇ（銀）を中心とした材料を使用する。光反射層４−２の材料として銀単体では“原子が移動し易い”、“腐食し易い”と言う問題が生じる。
【０３６６】
最初の問題点に対し別の原子を添加して一部合金化すると銀原子が移動し辛くなる。別原子を入れる第１の実施形態として光反射層４−２の材質をＡｇＮｄＣｕにする。ＡｇＮｄＣｕは固溶状態になるので銀単体の状態よりは若干反射率が下がる。別原子を入れる第２の実施形態では光反射層４−２の材質をＡｇＰｄにして電位を変えることで電気化学的に腐食し辛くする。銀の酸化等により光反射層４−２が腐食すると光反射率が低下する。
【０３６７】
図１（ｂ）に示す記録膜構造を有する有機色素記録膜で特に“本実施形態における有機色素記録膜の特徴説明”で示す有機色素記録膜の場合には、特に記録層３−２と光反射層４−２との間の界面での光反射率が非常に重要となる。
【０３６８】
この界面で腐食が発生すると光反射率が低下し光学的な界面形状がぼやけ、そこでの反射光によるトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号特性が劣化する。特に、図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにプリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域幅Ｗｌよりも広い場合には、トラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号が出辛いので腐食による記録層３−２と光反射層４−２との間の界面での光反射率の劣化の影響は大きくなる。
【０３６９】
この界面での光反射率の劣化を防止するため、第３の実施形態として光反射層４−２にＡｇＢｉを使用する。
【０３７０】
ＡｇＢｉは表面（記録層３−２と光反射層４−２との間の界面）に不動態皮膜を形成するため非常に安定相を形成し、上記界面での光反射率の劣化を防止する。
【０３７１】
すなわち、ＡｇにＢｉ（ビスマス）をわずかに添加させると、Ｂｉが上記界面に浮き上がり、それが酸化して酸化ビスマスと言う非常に緻密な膜（不動態皮膜）を形成し、内部での酸化を食い止める働きがある。
【０３７２】
この不動態皮膜は上記界面上に形成されて非常に安定な相を形成するため光反射率の劣化が起きず長期に亘ってトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号特性の安定性を保証する。
【０３７３】
３５５〜４５５ｎｍ範囲の波長帯において銀単体が最も光反射率が高く、別原子の添加量を上げるに従って光反射率が低下する。
【０３７４】
そのため、本実施形態でのＡｇＢｉ内のＢｉ原子の添加量は、５ａｔ％以下が望ましい（ａｔ％は、atomic percentを意味し、例えば、ＡｇＢｉの合計原子数１００の中でＢｉ原子が５個存在することを示している）。
【０３７５】
実際に作成して特性評価した所、Ｂｉ原子の添加量が０．５ａｔ％以上有れば不動態皮膜化が可能なことが分かった。
【０３７６】
その評価結果に基付き本実施形態での光反射層４−２内のＢｉ原子添加量を１ａｔｔ％としている。この第３の実施形態では添加原子がＢｉのみなので第１の実施形態ＡｇＮｄＣｕ（Ａｇ内にＮｄとＣｕの２種類の原子を添加する）と比べると添加原子量を少なくでき、ＡｇＮｄＣｕよりＡｇＢｉの方が光反射率を上げることができる。
【０３７７】
その結果、本実施形態の“Ｈ→Ｌ”記録膜や図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにプリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域幅Ｗｌよりも広い場合でも、安定して精度の良いトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号が得られる。
【０３７８】
上記実施形態は、ＡｇＢｉに限らず、他に不動態皮膜を作る銀合金としてＡｇＭｇ、ＡｇＮｉ、ＡｇＧａ、ＡｇＮｘ、ＡｇＣｏ、ＡｇＡｌもしくは前記記載された原子を含む３元系を用いても良い。
【０３７９】
この光反射層４−２の厚みとしては５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に設定している。厚みが５ｎｍより薄いと光反射層４−２が均一にならずランド状に形成されてしまう。そのため光反射層４−２の厚みは５ｎｍにしている。ＡｇＢｉ膜は厚みが８０ｎｍ以下にすると裏側に透過し出すので、片面１記録層の場合には厚みを８０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１５０ｎｍとし、片面２記録層の場合には厚みを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に設定する。
【０３８０】
６−２）塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリピット形状に関する説明    
本実施形態のＨフォーマットでは図２３に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩを持ち、この中ではエンボスピット領域２１１になっており、図７１に示すようにプリピットの形でこと前に情報が記録されている。この領域での再生信号は再生専用情報記憶媒体からの再生信号特性に合わせ、図９に示す情報再生装置または情報記録再生装置内の信号処理回路を再生専用情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体で兼用させている。この領域から検出される信号に対する定義は“３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明”の定義に合わせる。すなわち、充分に長い長さ（１１Ｔ）のスペース領域１４からの再生信号量をＩ１１Ｈと定義し、前記Ｉ１１Ｈと充分に長い長さ（１１Ｔ）を持つプリピット（エンボス）領域１３からの再生信号をＩ１１Ｌと定義するとともに両者の差分値をＩ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌとする。
【０３８１】
本実施形態では、この領域での再生信号を再生専用情報記憶媒体からの再生信号特性に合わせて、    
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≧０．３      （５４）    
望ましくは    
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ＞０．５      （５５）    
とする。
【０３８２】
２Ｔ長さのプリピット（エンボス）領域１３とのスペース領域１４の繰り返し信号振幅をＩ２とした時、    
Ｉ２／Ｉ１１≧０．５      （５６）    
望ましくは    
Ｉ２／Ｉ１１＞０．７      （５７）    
にしている。
【０３８３】
上記（５４）式または（５５）式を満足するための物理的な条件に付いて説明する。
【０３８４】
既に、図１（ｂ）により説明したように、プリピットからの信号特性は、主に光反射層４−２での反射光により支配される。従って、光反射層４−２でのスペース領域１４とプリピット（エンボス）領域１３間の段差量Ｈｐｒにより再生信号振幅値Ｉ１１が決まる。
【０３８５】
光学的な近似計算を行うとこの段差量Ｈｐｒは再生光波長λ、記録層３−２内の屈折率ｎ３２に対して、    
Ｉ１１∝ｓｉｎ２｛（２π×Ｈｐｒ×ｎ３２）／λ｝              （５８）    
の関係が有り、（５８）式からＨｐｒ≒λ／（４×ｎ３２）の時にＩ１１が最大となることがわかる。
【０３８６】
（５４）式または（５５）式を満たすには、（５８）式から最低でも、    
Ｈｐｒ≧λ／（１２×ｎ３２）                                （５９）    
望ましくは    
Ｈｐｒ＞λ／（６×ｎ３２）                                  （６０）    
を満足している必要がある。
【０３８７】
“使用波長と本実施形態との関係説明”で説明したように本実施形態では、λ＝３５５ｎｍ〜４５５ｎｍを利用しており、“２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い”で説明したように、ｎ３２＝１．４〜１．９なので、この値を（５９）式または（６０）式に代入すると、    
Ｈｐｒ≧１５．６ｎｍ                                      （６２）    
望ましくは    
Ｈｐｒ＞３１．１ｎｍ                                      （６３）    
の条件を満たすように段差を作っている。
【０３８８】
従来の追記形情報記憶媒体では図７１（ｂ）に示すようにスペース領域１４で記録層３−２の厚みが薄かったために光反射層４−２と記録層３−２との界面での段差が小さく、（６２）式を満足できなかった。
【０３８９】
それに対して、本実施形態ではプリピット（エンボス）領域１３での記録層３−２の厚みＤｇとスペース領域１４での記録層３−２の厚みＤｌの関係が“３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴”に記載した条件に合うように工夫した結果、図７１（ｂ）に示すように（６２）式または（６３）式を満足させる充分に大きな段差Ｈｐｒを確保することができた。
【０３９０】
上記のような光学的近似検討を行い、本実施形態では（５６）式または（５７）式を満足できるように充分な再生信号の解像度を確保するには、図７１（ｂ）に示すようにプリピット（エンボス）領域１３の幅Ｗｐをトラックピッチの半分以下とし、プリピット（エンボス）領域１３からの再生信号の解像度を大きく取れるように工夫している。
【０３９１】
＜７＞Ｈフォーマットの説明    
以下に、本実施形態におけるＨフォーマットについて詳細に説明する。
【０３９２】
図２２に本実施形態における情報記憶媒体の構造および寸法を示す。
【０３９３】
実施形態としては、
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”    
・１回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”    
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”    
の３種類の情報記憶媒体がある。
【０３９４】
図２２に示すように、上記３種類の情報記憶媒体では、大部分の構造と寸法が共通化されている。３種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、コネクション領域ＣＮＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡが配置された構造になっている。ＯＰＴ形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯが配置されている。
【０３９５】
後述するように、ＯＰＴ形再生専用媒体では外周部にミドル領域ＭＤＡが配置される。
【０３９６】
システムリードイン領域ＳＹＬＤＩでは、エンボス（プリピット）として、情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれも、この領域内は再生専用（追記不可能）となっている。
【０３９７】
再生専用の情報記憶媒体では、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内にもエンボス（プリピット）の形で情報が記録されているに対し、追記形および書替え形情報記憶媒体では、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内は、記録マーク形成による新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能に規定されている。
【０３９８】
後述するように、追記形情報記憶媒体および書替え形情報記憶媒体では、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内は、新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域とエンボス（プリピット）の形で情報が記録されている再生専用領域の混在になっている。
【０３９９】
前述したように、図２２に示すデータ領域ＤＴＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ、ミドル領域ＭＤＡでは、そこに記録されている信号の再生に、前に説明したＰＲＭＬ方式を使うことで、情報記憶媒体の高密度化（特に、線密度の向上）が達成でき、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩや、システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯでは、そこに記録されている信号の再生に、スライスレベル検出方式を用いることで、現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【０４００】
現行ＤＶＤ規格とは異なり、図２２に示す実施形態ではバーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとが重ならずに位置的に分離されている。両者を物理的に分離することで情報再生時のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に記録された情報とバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録された情報との間の干渉を防止し、精度の高い情報再生が確保できる。
【０４０１】
以下に図２２に示すバーストカッティング領域ＢＣＡ内の信号特性とデータ構造について説明する。ＢＣＡ信号の測定時には、光学ヘッドから出射されるレーザ光の集光スポットが、記録層上に集光されている必要がある。下記バーストカッティング領域ＢＣＡから得られる再生信号は、遮断周波数が５５０ｋＨｚの２次のローパス・ベッセル・フィルターでフィルタリングされる。
【０４０２】
情報記憶媒体内の中心から、半径２２．４ｍｍから２３．０ｍｍまでの間にバーストカッティング領域ＢＣＡの下記の信号特性が規定される。バーストカッティング領域ＢＣＡからの再生信号は、図７７（ａ）の波形が得られ、ＢＣＡコード、チャネルビットが“０”の時の最大と最小レベルを“ＩＢＨｍａｘ”と“ＩＢＨｍｉｎ”で定義し、ＢＣＡコード、チャンネルビット“１”の最大のボトムレベルを“ＩＢＬｍａｘ”で定義する。また中間レベルを“（ＩＢＨｍｉｎ＋ＩＢＬｍａｘ）／２”で定義する。
【０４０３】
本実施形態では、各検出信号特性を（ＩＢＬｍａｘ／ＩＢＨｍｉｎ）が０．８以下になる条件と、（ＩＢＨｍａｘ／ＩＢＨｍｉｎ）が１．４以下になる条件とする。
【０４０４】
ＢＣＡコード、チャネルビットの周期信号を、図７７（ｂ）に示す。ＩＢＬとＩＢＨの平均レベルを基準とし、ＢＣＡ信号がその基準位置をクロスする位置で、エッジ位置とみなす。
【０４０５】
ＢＣＡ信号の周期は、回転速度が２７６０ｒｐｍ（４６．０Ｈｚ）の時に規定される。図７７（ｂ）に示すように、先頭エッジ（立ち下がり位置）間の周期を、４．６３×ｎ±１．００μｓ、光量が低下する場所でのパルス位置の幅（立ち下がり位置から次の立ち上がり位置までの間隔）を、１．５６±０．７５μｓとする。
【０４０６】
ＢＣＡコードは、情報記憶媒体製造終了後に記録される場合が多い。
【０４０７】
しかし、ＢＣＡコードから再生される信号特性が図７７に示される信号特性を満足する場合には、ＢＣＡコードがプリピットとしてあらかじめ記録されていてもよい。ＢＣＡコードが情報記憶媒体の円周に沿った方向で記録され、パルス幅の狭い方向が光反射率の低い方向に一致されるように記録される。
【０４０８】
ＢＣＡコードは、ＲＺ変調方法により変調されて記録される。パルス幅が狭い（＝反射率の低い）パルスは、この変調されたＢＣＡコードのチャネルクロック幅の半分よりも狭い必要がある。
【０４０９】
図７８にＢＣＡデータ構造を示す。
【０４１０】
ＢＣＡデータは、２個のＢＣＡプリアンブル７３、７４と２個のポストアンブル７６、７７および２個のＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡを持ち、各ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡには、各ＢＣＡエラー検出コードＥＤＣＢＣＡとＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡが付加され、その間には、ＢＣＡ連結領域７５が配置されている。さらに、各４バイト毎には１バイトずつのシンクバイトＳＢＢＣＡ  またはリシンクＲＳＢＣＡ  が挿入されている。
【０４１１】
ＢＣＡプリアンブル７３、７４は４バイトで構成され、全て“００ｈ”が記録される。また、各ＢＣＡプリアンブル７３、７４の直前には、シンクバイトＳＢＢＣＡが配置される。
【０４１２】
ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡ内には、７６バイトが設定されている。ＢＣＡポストアンブル７６、７７は４バイトで構成され、全て“５５ｈ”の繰り返しパターンが記録されている。ＢＣＡ連結領域７５は、４バイトで構成され、全て“ＡＡｈ”が繰り返し記録される。
【０４１３】
ＢＣＡシンクバイトＳＢＢＣＡと、ＢＣＡリシンクＲＳＢＣＡのビットパターンを図７９に示す。
【０４１４】
ビットパターンとしては、モードＡとモードＢの２種類存在し、モードＡの場合には固定パターン６７となり、モードＢの場合には、同期コード６８のようになる。
【０４１５】
図８０に、ＢＣＡデータ領域内に記録されたＢＣＡ情報内容の例を示す。
【０４１６】
ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡは、７６バイトの情報が記録可能となっており、データはＢＣＡレコードユニットＢＣＡＵ単位で記録される。
【０４１７】
このＢＣＡレコードユニット（ＢＣＡＵ）内に記録される情報を、ＢＣＡレコードと呼ぶ。各ＢＣＡレコードのサイズは、４バイトの整数倍になっている。
【０４１８】
各ＢＣＡレコード内は、図８０（ｃ）に示すように２バイトで構成されるＢＣＡレコードＩＤ６１と、１バイトで構成されるバージョン番号情報６２と、１バイトで構成される記録データのデータ長情報６３、４ｍバイトのデータレコード（記録データ６４）が順次記録される。
【０４１９】
ＢＣＡレコードＩＤ６１に設定されるＩＤは、００００ｈ〜７ＦＦＦＦｈまでが、公式利用方法に割り当てられ、８０００ｈからＦＦＦＦｈまでが個別な利用方法に割り当てられる。
【０４２０】
１バイトで構成されるバージョン番号情報６２は、上位４ビットのメジャー数字７１と、下位４ビットのマイナー数字７２に分けられる。メジャー数字７１は、バージョン番号の整数一桁目が記録され、マイナー数字７２には、バージョン番号の小数点以下一桁目の値が記録される。例えばバージョン“２．４”の場合にはメジャー数字７１の欄に、“２”が記録されマイナー数字７２の欄には“４”の数字が記録される。
【０４２１】
本実施形態のＨフォーマットにおいては、前記ＢＣＡレコード内に図８０（ｅ）に示すように、ＨＤ＿ＤＶＤ規格書タイプの識別情報８０が記録される。
【０４２２】
具体的にこの情報の内容は、図８０（ｆ）に示すように、ＢＣＡレコードＩＤ８１と、バージョン番号情報８２と、記録データのデータ長情報８３と、が記録されるとともに、４ビットで構成される規格書タイプ情報８４と、４ビットで構成されるディスクタイプ情報８５と拡張パートバージョン情報８６（１バイト）とリザーブ領域８７（２バイト）が記録される。前記ディスクタイプ情報８５内の上位１ビットには、記録マークの極性（Ｈ→Ｌか、Ｌ→Ｈかの識別）情報８８が配置されている。
【０４２３】
図７８に示すように、ＢＣＡプリアンブル７３とＢＣＡポストアンブル７６に囲まれたＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡと同じ情報がＢＣＡプリアンブル７４とＢＣＡポストアンブル７７に囲まれたＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに記載されている。
【０４２４】
このように同じ情報が複数のＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに多重書きされているため、仮に情報記憶媒体の表面にできたゴミや傷の影響で一方のデータの再生が不可能になっても、他方のＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡからのデータ再生が可能となる。その結果、ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに記録されたデータの信頼性が大幅に向上する。
【０４２５】
さらに図７８に示したＢＣＡデータ構造では、従来から存在するＢＣＡエラー検出コードＥＤＣＢＣＡに加えてさらにＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡが存在するため、ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡ内のデータにエラーが発生してもＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡによりエラーを訂正することができ、さらに信頼性が向上する。
【０４２６】
他の実施形態として“Ｌ→Ｈ形”記録膜を使った場合にバーストカッティング領域ＢＣＡの配置場所に予め微細な凹凸形状を形成する方法もある。後で表８における１９２バイト目に存在する記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報に関する説明を行う部分で、本実施形態では従来の“Ｈ→Ｌ”だけでなく“Ｌ→Ｈ”記録膜も規格内に組み込み、記録膜の選択範囲を広げ、高速記録可能や低価格媒体を供給可能とすると言う説明を行う。
【０４２７】
後述するように、本実施形態では“Ｌ→Ｈ”記録膜を使う場合も考慮する。バーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録するデータ（バーコードデータ）は記録膜に対して局所的にレーザ露光することで形成する。
【０４２８】
図２３に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩはエンボスピット領域２１１で形成するため、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号は鏡面２１０からの光反射レベルと比べて光反射量が減る方向に現れる。もし、バーストカッティング領域ＢＣＡを鏡面２１０状態にし、“Ｌ→Ｈ”記録膜を用いた場合にはバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録されたデータからの再生信号は（未記録状態の）鏡面２１０からの光反射レベルよりも光反射量が増加する方向に現れる。その結果、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号の最大レベルと最小レベルの位置（振幅レベル）とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号の最大レベルと最小レベルの位置（振幅レベル）との間に大きく段差が生じてしまう。
【０４２９】
図２３に後述するように、情報再生装置または情報記録再生装置は、    
（１）バーストカッティング領域ＢＣＡ内の情報の再生    
→（２）システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報データゾーンＣＤＺ内の情報の再生    
→（３）データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の情報の再生（追記形または書替え形の場合）    
→（４）参照コード記録ゾーンＲＣＺ内での再生回路定数の再調整（最適化）    
→（５）データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録    
の順で処理を行うため、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号振幅レベルとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号振幅レベルに大きな段差があると情報再生の信頼性が低下すると言う問題が生じる。
【０４３０】
その問題を解決するため、この実施形態としては記録膜に“Ｌ→Ｈ”記録膜を使用する場合には、このバーストカッティング領域ＢＣＡに予め微細な凹凸形状を形成しておくことを特徴とする。
【０４３１】
予め微細な凹凸形状を形成しておくと、局所的なレーザ露光によりデータ（バーコードデータ）を記録する前の段階で、光の干渉効果により光反射レベルが鏡面２１０からの光反射レベルよりも低くなる。すなわち、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号振幅レベル（検出レベル）とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号振幅レベル（検出レベル）の段差が大きく減り、情報再生の信頼性が向上する。これにより、上記（１）から（２）へ移行する際の処理が容易になる。
【０４３２】
“Ｌ→Ｈ”記録膜を使用する場合には、バーストカッティング領域ＢＣＡに予め形成する微細な凹凸形状の具体的内容としてシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内と同様にエンボスピット領域２１１とする方法があるが、他の実施形態としてデータリードイン領域ＤＴＬＤＩやデータ領域ＤＴＡと同様にグルーブ領域２１４あるいはランド領域およびグルーブ領域２１３にする方法もある。
【０４３３】
システムリードイン領域ＳＹＬＤＩとバーストカッティング領域ＢＣＡを分離して配置させる実施形態の説明において説明したように、バーストカッティング領域ＢＣＡ内とエンボスピット領域２１１が重なると不要な干渉によるバーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号へのノイズ成分が増加することを既に説明した。
【０４３４】
バーストカッティング領域ＢＣＡ内の微細な凹凸形状の実施形態としてエンボスピット領域２１１にせずにグルーブ領域２１４あるいはランド領域およびグルーブ領域２１３にすると、不要な干渉によるバーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号へのノイズ成分が減少して再生信号の品質が向上すると言う効果がある。
【０４３５】
バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成するグルーブ領域２１４あるいはランド領域およびグルーブ領域２１３のトラックピッチをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチに合わせると情報記憶媒体の製造性が向上する効果がある。
【０４３６】
すなわち、情報記憶媒体の原盤製造時に原盤記録装置の露光部の送りモータ速度を一定にしてシステムリードイン領域内のエンボスピットを作成している。この時、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成するグルーブ領域２１４あるいはランド領域およびグルーブ領域２１３のトラックピッチをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内のエンボスピットのトラックピッチに合わせることで、バーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとで引き続き送りモータ速度を一定に保持できる。このことは、例えば、途中で送りモータの速度を変えることを必要としないので、ピッチムラが生じ辛く、情報記憶媒体の製造性が向上する。
【０４３７】
表５に再生専用形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値を、表６に追記形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値、表７に書替え専用形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値を示す。
【０４３８】
表５または表６と表７を比較（特に（Ｂ）の部分を比較）すると分かるように、再生専用形または追記形情報記憶媒体に対して書替え専用形情報記憶媒体の方がトラックピッチおよび線密度（データビット長）を詰めることにより記録容量を高くしている。
【０４３９】
後述するように、書替え専用形情報記憶媒体ではランドグルーブ記録を採用することで隣接トラックのクロストークの影響を低減させてトラックピッチを詰めている。または再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体のいずれにおいてもシステムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチ（記録密度に対応）をデータリードイン／データリードアウト領域ＤＴＬＤＩ／ＤＴＬＤＯよりも大きく（記録密度を低く）していることを特徴とする。
【０４４０】
システムリードイン／システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチを現行ＤＶＤのリードイン領域の値に近付けることで現行ＤＶＤとの互換性を確保している。
【０４４１】
本実施形態でも現行ＤＶＤ−Ｒと同様に追記形情報記憶媒体のシステムリードイン／システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯでのエンボスの段差を浅く設定している。これにより、追記形情報記憶媒体のプリグルーブの深さを浅くし、プリグルーブ上に追記により形成する記録マークからの再生信号変調度を高くする効果がある。
【０４４２】
逆に、その反作用としてシステムリードイン／システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯからの再生信号の変調度が小さくなると言う問題が生じるが、それに対して、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ／システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯのデータビット長（とトラックピッチ）を粗くすることで、最も詰まった位置でのピットとスペースの繰り返し周波数を、再生用対物レンズのＭＴＦ（Modulation Transfer Function）の光学的遮断周波数から離す（大幅に小さくする）ことで、システムリードイン／システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯからの再生信号振幅を引き上げ、再生の安定化を図ることができる。
【０４４３】
各種情報記憶媒体におけるシステムリードインＳＹＬＤＩとデータリードインＤＴＬＤＩ内の詳細なデータ構造比較を図２３に示す。図２３（ａ）は再生専用形情報記憶媒体のデータ構造、図２３（ｂ）は書替え形情報記憶媒体のデータ構造を示し、図２３（ｃ）は追記形情報記憶媒体のデータ構造を示す。
【０４４４】
図２３（ａ）に示すように、再生専用形情報記憶媒体では、コネクションゾーンＣＮＺのみ鏡面２１０となっている以外は、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡ内は、全てエンボスピットが形成されたエンボスピット領域２１１となっている。
【０４４５】
システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内は、エンボスピット領域２１１となっており、コネクションゾーンＣＮＺが鏡面２１０になっている部分は共通しているが、図２３（ｂ）に示すように書替え形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡ内はランド領域とグルーブ領域２１３が形成されており、追記形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡ内はグルーブ領域２１４が形成されている。このランド領域とグルーブ領域２１３またはグルーブ領域２１４内に記録マークを形成することで情報を記録する。
【０４４６】
イニシャルゾーンＩＮＺは、システムリードインＳＹＬＤＩの開始位置を示している。イニシャルゾーンＩＮＺ内に記録されている意味を持った情報としては、前述した物理セクタ番号または論理セクタ番号の情報を含むデータＩＤ（Identification Data）情報が離散的に配置されている。
【０４４７】
１個の物理セクタ内には、後述するように、データＩＤ、ＩＥＤ（ＩＤ  Error Detection code）、ユーザ情報を記録するメインデータ、ＥＤＣ（Error Detection Code）から構成されるデータフレーム構造の情報が記録されるが、イニシャルゾーンＩＮＺ内にも上記のデータフレーム構造の情報が記録される。しかしイニシャルゾーンＩＮＺ内ではユーザ情報を記録するメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定するため、イニシャルゾーンＩＮＺ内での意味のある情報は前述したデータＩＤ情報のみとなる。この中に記録されている物理セクタ番号または論理セクタ番号の情報から現在位置を知ることができる。
【０４４８】
すなわち、図９の情報記録再生部１４１で情報記憶媒体からの情報再生を開始する時にイニシャルゾーンＩＮＺ内の情報から再生開始した場合には、まずデータＩＤ情報の中に記録されている物理セクタ番号または論理セクタ番号の情報を抽出して情報記憶媒体内の現在位置を確認しつつ制御データゾーンＣＤＺへ移動する。
【０４４９】
バッファゾーン１  ＢＦＺ１およびバッファゾーン２  ＢＦＺ２はそれぞれ３２ＥＣＣブロックから構成されている。表５〜表７に示すように、１ＥＣＣブロックはそれぞれ３２物理セクタから構成されているので、３２ＥＣＣブロックは１０２４物理セクタ分に相当する。バッファゾーン１  ＢＦＺ１およびバッファゾーン２  ＢＦＺ２内もイニシャルゾーンＩＮＺと同様にメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定している。
【０４５０】
コネクション領域（Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ａｒｅａ）ＣＮＡ内に存在するコネクションゾーンＣＮＺはシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩを物理的に分離するための領域で、この領域はいかなるエンボスピットやプリブルーブも存在しないミラー面（鏡面）になっている。
【０４５１】
再生専用形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の参照コード記録ゾーンＲＣＺ（Reference code zone）は、再生装置の再生回路調整用（例えば、図１３のタップ制御器３３２内で行われる適応等化時の各タップ係数値の自動調整用）に用いられる領域で、前述したデータフレーム構造の情報が記録されている。
【０４５２】
参照コードの長さは、１ＥＣＣブロック（＝３２セクタ）である。再生専用形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の参照コード記録ゾーンＲＣＺを、データ領域ＤＴＡ（Data Area）の隣りに配置する。
【０４５３】
現行ＤＶＤ−ＲＯＭディスクおよび現行ＤＶＤ−Ｒディスクいずれの構造においても参照コード記録ゾーンＲＣＺとデータ領域ＤＴＡとの間に制御データゾーンが配置されており、参照コード記録ゾーンＲＣＺとデータ領域ＤＴＡとの間が離れている。
【０４５４】
参照コード記録ゾーンＲＣＺとデータ領域ＤＴＡとの間が離れていると、情報記憶媒体の傾き量や光反射率あるいは（追記形情報記憶媒体の場合には）記録膜の記録感度が若干変化し、参照コード記録ゾーンの所で再生装置の回路定数を調整してもデータ領域での最適な回路定数がずれてしまうと言う問題が発生する。
【０４５５】
上記問題を解決するために、参照コード記録ゾーンＲＣＺを、データ領域ＤＴＡに隣接配置すると、参照コード記録ゾーンＲＣＺ内で情報再生装置の回路定数を最適化した場合に、隣接するデータ領域ＤＴＡ内でも同じ回路定数で最適化状態が保持される。
【０４５６】
データ領域（Ｄａｔａ  Ａｒｅａ）ＤＴＡ内の任意の場所で精度良く信号再生したい場合には、    
（１）参照コード記録ゾーンＲＣＺ内で情報再生装置の回路定数を最適化する    
→（２）データ領域ＤＴＡ内の参照コード記録ゾーンＲＣＺに最も近い部分を再生しながら情報再生装置の回路定数を再度最適化する    
→（３）データ領域ＤＴＡ内の目的位置と（２）で最適化した位置との中間位置で情報再生しながら回路定数を再々度最適化する    
→（４）目的位置に移動して信号再生する    
のステップを経ることで非常に精度良く目的位置での信号再生が可能となる。
【０４５７】
追記形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体内に存在するガードトラックゾーンＧＴＺ（Guard track zone）１，２は、データリードイン領域ＤＴＬＤＩの開始境界位置と、情報記憶媒体の製造メーカが品質テスト（評価）を行うために設けられた領域であるディスクテストゾーンＤＫＴＺは、ドライブテストゾーンＤＲＴＺの境界位置を規定するための領域で、この領域には記録マーク形成による記録をしてはいけない領域として規定される。
【０４５８】
ガードトラックゾーン（Guard track zone）１，２は、それぞれ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内に存在するため、この領域内には追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、または書替え形情報記憶媒体では、グルーブ領域とランド領域が事前に形成されている。プリグルーブ領域、あるいはグルーブ領域、ランド領域内は表５〜表７に示すようにウォブルアドレスが予め記録されているので、このウォブルアドレスを用いて情報記憶媒体内の現在位置を判定する。
【０４５９】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺは情報記録再生装置が情報記憶媒体への情報を記録する前に試し書きするための領域として確保されている。情報記録再生装置は予めこの領域内で試し書きを行い、最適な記録条件（ライトストラテジ）を割り出した後、その最適記録条件でデータ領域ＤＴＡ内に情報を記録することができる。
【０４６０】
書替え形情報記憶媒体（図２３（ｂ））内にあるディスク識別ゾーンＤＩＺ内の情報はオプショナル情報記録領域で記録再生装置の製造メーカ名情報とそれに関する付加情報およびその製造メーカが独自に記録可能な領域から構成されるドライブ記述子（Drive description）を１組みとして１組み毎に追記可能な領域となっている。
【０４６１】
書替え形情報記憶媒体（図２３（ｂ））内にある欠陥管理領域（ＤＭＡ）１、欠陥管理領域（ＤＭＡ）２は、それぞれ、データ領域ＤＴＡ内の欠陥管理情報が記録される場所で、例えば、欠陥個所が発生した時の代替え箇所情報等が記録されている。
【０４６２】
追記形情報記憶媒体（図２３（ｃ））では、ＲＭＤ（Recording Management Data，詳細は後述）ディプリケーションゾーンＲＤＺと記録位置管理ゾーンＲＭＺ、Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺが独自に存在する。ＲＭＤは、データの追記処理により更新されるデータの記録位置に関する管理情報である記録位置管理データである。従って、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に、ＲＭＤ（Recording Management Data）が記録される。
【０４６３】
図２４により後段に説明するが、本実施形態では、各ボーダ内領域ＢＲＤＡ毎に、それぞれ、記録位置管理ゾーンＲＭＺが設けられ、記録位置管理ゾーンＲＭＺの領域の拡張を可能としている。その結果、追記頻度が増加して必要とする記録位置管理データＲＭＤ領域が増加しても、逐次記録位置管理ゾーンＲＭＺを拡張することで対応可能なため、追記回数を、任意に、（大幅に）増やすことができる。その場合、本実施形態では、各ボーダ内領域ＢＲＤＡに対応した（各ボーダ内領域ＢＲＤＡの直前に配置された）ボーダインＢＲＤＩ内に記録位置管理ゾーンＲＭＺを配置する。本実施形態では最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１に対応したボーダインＢＲＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩを兼用化し、データ領域ＤＴＡ内での最初のボーダインＢＲＤＩの形成を省略してデータ領域ＤＴＡの有効活用している。すなわち、図２３（ｃ）に示したデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺは、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１に対応した記録位置管理データＲＭＤの記録場所として利用されている。
【０４６４】
ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺは、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の下記の条件を満足する記録位置管理データＲＭＤの情報を記録する場所で、本実施形態のように記録位置管理データＲＭＤを重複して持つことで、記録位置管理データＲＭＤの信頼性を高めている。すなわち、追記形情報記憶媒体表面に付いたゴミや傷の影響で記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤが不可能になった場合、このＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に記録された記録位置管理データＲＭＤを再生し、さらに、残りの必要な情報をトレーシングにより収集することで最新の記録位置管理データＲＭＤの情報を復元できる。
【０４６５】
このＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内には、（複数の）ボーダをクローズする時点での記録位置管理データＲＭＤが記録される。後述するように、１個のボーダをクローズし、次の新たなボーダ内領域を設定する毎に新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを定義するので、新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作成する毎に、その前のボーダ内領域に、関係した最後の記録位置管理データＲＭＤをこのＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に記録すると言っても良い。追記形情報記憶媒体上に、記録位置管理データＲＭＤを追記する毎に同じ情報をこのＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺに記録すると、比較的少ない追記回数でＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺが一杯になってしまうため追記回数の上限値が小さくなってしまう。
【０４６６】
それに比べ、本実施形態のようにボーダをクローズした時や、ボーダインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーン内が一杯になり、Ｒゾーンを用いて新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを形成する等新たに記録位置管理ゾーンを作る場合に、今までの記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の最後の記録位置管理データＲＭＤのみをＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に記録することでＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内を有効活用して追記可能回数を向上できる。
【０４６７】
例えば、追記途中の（クローズする前の）ボーダ内領域ＢＲＤＡに対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤが追記形情報記憶媒体表面に付いたゴミや傷の影響で再生不可能になった場合は、このＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤを読み取ることで既にクローズされたボーダ内領域ＢＲＤＡの場所が分かる。従って、情報記憶媒体のデータ領域ＤＴＡ内のそれ以外の場所をトレースすることで、追記途中の（クローズする前の）ボーダ内領域ＢＲＤＡの場所とそこに記録された情報内容を収集でき、最新の記録位置管理データＲＭＤの情報を復元できる。
【０４６８】
図２３（ａ）〜（ｃ）に共通して存在する制御データゾーンＣＤＺ内の物理フォーマット情報ＰＦＩ（後で詳細に説明する）に類似した情報がＲ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ内に記録される。
【０４６９】
追記形情報記憶媒体（図２３（ｃ））内にあるＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺと記録位置管理ゾーンＲＭＺ内のデータ構造を図２４に示す。
【０４７０】
図２４（ａ）は、図２３（ｃ）と同じであり、図２３（ｃ）内のＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺと記録位置管理ゾーンＲＭＺの拡大図が図２４（ｂ）に示されている。上述したように、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺには、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ内に対応した記録位置管理に関するデータが１個の記録位置管理データＲＭＤの中に、それぞれまとめて記録され、追記形情報記憶媒体への追記処理があった時に発生する記録位置管理データＲＭＤの中身が更新される毎に新たな記録位置管理データＲＭＤとして、順次、後ろ側に追記される。
【０４７１】
すなわち、記録位置管理データＲＭＤは、１物理セグメントブロック（物理セグメントブロックに付いては後述する）のサイズ単位で記録され、データ内容が更新される毎に新たな記録位置管理データＲＭＤとして、順次、後ろに追記されて行く。図２４（ｂ）の例では、事前に記録位置管理データＲＭＤ＃１と＃２が記録されていた部分に管理データに変更が生じたので、変更後（アップデート後）のデータを記録位置管理データＲＭＤ＃３として記録位置管理データＲＭＤ＃２の直後に記録した例を示している。従って、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内ではさらに、追記可能なように予約領域２７３が規定されている。
【０４７２】
図２４（ｂ）では、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ中に存在する記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造を示しているが、それに限らず後述するボーダインＢＲＤＩ内またはボーダ内領域ＢＲＤＡ内にある記録位置管理ゾーンＲＭＺ（または拡張記録位置管理ゾーン：拡張ＲＭＺと呼ぶ）内の構造も図２４（ｂ）に示した構造と同じである。
【０４７３】
本実施形態では、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１をクローズするか、データ領域ＤＴＡの終了処理（ファイナライズ）をする場合には、最後の記録位置管理データＲＭＤで図２４（ｂ）に示した予約領域２７３を全て埋める処理を行う。
【０４７４】
これにより、    
（１）“未記録状態”の予約領域２７３がなくなり、ＤＰＤ（Differential Phase Detection）検出法によるトラッキング補正の安定化を保証する    
（２）かつての予約領域２７３に最後の記録位置管理データＲＭＤを多重書きすることになり、最後の記録位置管理データＲＭＤに関する再生時の信頼性が大幅に向上する    
（３）誤って未記録状態の予約領域２７３に異なった記録位置管理データＲＭＤを記録することを防止できる    
が、達成される。
【０４７５】
上記処理方法は、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺに限らず、本実施形態では後述するボーダインＢＲＤＩ内またはボーダ内領域ＢＲＤＡ内にある記録位置管理ゾーンＲＭＺ（または拡張記録位置管理ゾーン：拡張ＲＭＺと呼ぶ）に対しても対応するボーダ内領域ＢＲＤＡをクローズするかデータ領域ＤＴＡの終了処理（ファイナライズ）をする場合には最後の記録位置管理データＲＭＤで予約領域２７３を全て埋める処理を行う。
【０４７６】
ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内は、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩと対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤの記録領域２７１に分かれている。ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの中は図２４（ｂ）に示すようにデータサイズが４８ＫＢのシステム予約領域ＳＲＳＦとデータサイズが１６ＫＢのユニークＩＤ領域ＵＩＤＦから構成される。システム予約領域ＳＲＳＦ内は全て“００ｈ”にセットされる。
【０４７７】
本実施形態では、追記可能なデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内にＲＤＺリードインＲＤＺＬＩを記録することを特徴とする。本実施形態の追記形情報記憶媒体では、製造直後はＲＤＺリードインＲＤＺＬＩは未記録の状態で出荷される。ユーザサイドの情報記録再生装置内でこの追記形情報記憶媒体を使う段階で初めてＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの情報を記録する。従って、追記形情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着直後にこのＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されているか否かを判定することで、対象の追記形情報記憶媒体が製造・出荷直後の状態か少なくとも一回でも使用したかを容易に知ることができる。
【０４７８】
なお、図２４に示すようにＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺが、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡに対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺより内周側に配置され、ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内にＲＤＺリードインＲＤＺＬＩが配置されることで、本実施形態の次の特徴が得られる。
【０４７９】
追記形情報記憶媒体が、製造・出荷直後の状態か少なくとも一回でも使用したかの情報（ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩ）を、共通な利用目的（ＲＭＤの信頼性向上）に使われるＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に配置することで、情報収集の利用効率が向上する。また、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩを記録位置管理ゾーンＲＭＺより内周側に配置することで必要情報収集に必要な時間の短縮化が図れる。
【０４８０】
情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着すると、情報記録再生装置は図２２に記載されるように最内周側に配置されたバーストカッティング領域ＢＣＡから再生を開始し、順次外側に再生位置を移動させながらシステムリードイン領域ＳＹＬＳＩ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩへと再生場所を変えて行く。ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内のＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されているかを判別する。出荷直後で一度も記録されてない追記形情報記憶媒体では記録位置管理ゾーンＲＭＺ内には一切の記録位置管理データＲＭＤが記録されてないので、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されてない場合には“出荷直後で未使用”と判定し、記録位置管理ゾーンＲＭＺの再生を省くことができ、必要情報収集に必要な時間の短縮化が図れる。
【０４８１】
ユニークＩＤ領域ＵＩＤＦ内は、図２４（ｃ）に示すように、初めて（出荷直後の）追記形情報記憶媒体を使用した（記録に用いられた）情報記録再生装置に関する情報が記録される。すなわち、情報記録再生装置のドライブメーカＩＤ２８１や情報記録再生装置のシリアル番号２８３、モデル番号２８４が記録される。ユニークＩＤ領域ＵＩＤＦ内は図２４（ｃ）に示した２ＫＢ（厳密には２０４８バイト）の同じ情報が８回繰り返し記録されている。ユニークディスクＩＤ２８７内情報には図２４（ｄ）に示すように初めて使用（記録を開始）した時の年情報２９３、月情報２９４、日情報２９５、時間情報２９６、分情報２９７、秒情報２９８が記録される。それぞれの情報のデータタイプは図２４（ｄ）に記載されているように、ＨＥＸ、ＢＩＮ、ＡＳＣＩＩで記載され、使用バイト数も２バイトもしくは４バイト使われる。
【０４８２】
このＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズが６４ＫＢ、すなわち、１個のＥＣＣブロック内のユーザデータサイズの整数倍としたことを特徴とする。追記形情報記憶媒体の場合、１個のＥＣＣブロック内のデータの一部を変更後に情報記憶媒体に変更後のＥＣＣブロックのデータを書き替えると言う処理ができない。従って、特に追記形情報記憶媒体の場合には後述するように、１個のＥＣＣブロックを含むデータセグメントの整数倍で構成されるレコーディングクラスタ単位で記録される。従って、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズがＥＣＣブロック内のユーザデータサイズと異なると、レコーディングクラスタ単位に合わせるためのパディング領域またはスタッフィング領域が必要となり、実質的な記録効率が低下する。本実施形態のようにＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズが６４ＫＢの整数倍に設定することで記録効率の低下を防止できる。
【０４８３】
図２４（ｂ）における対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤ記録領域２７１についてを説明する。
【０４８４】
登録２６２１４５９号に記載されているように、リードイン領域の内側に記録中断時の中間情報を記録する方法がある。この場合には記録を中断する毎あるいは追記処理を行う毎に、この領域に中間情報（本実施形態では記録位置管理データＲＭＤ）を逐次追記する必要がある。そのため、頻繁に記録中断または追記処理が繰り返されると、この領域が直ぐに満杯となり更なる追加処理が不可能になると言う問題が発生する。
【０４８５】
この問題を解決するために、本実施形態では特定の条件を満たす時にのみ更新された記録位置管理データＲＭＤを記録できる領域としてＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺを設定し、特定条件の下で間引かれた記録位置管理データＲＭＤを記録することを特徴とする。
【０４８６】
このようにＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に追記される記録位置管理データＲＭＤの頻度を低下させることで、ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内で満杯になることが防止でき、追記形情報記憶媒体に対する追記可能な回数を大幅に向上できる。
【０４８７】
これと並行して、追記処理毎に更新される記録位置管理データＲＭＤは、図２７（ｃ）に示すボーダインＢＲＤＩ内（最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１に関しては図２４（ａ）に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内）の記録位置管理ゾーンＲＭＺ、あるいは後述するＲゾーンを利用した記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に逐次追記される。
【０４８８】
次のボーダ内領域ＢＲＤＡを作成（新たなボーダインＢＲＤＩを設定）し、あるいはＲゾーン内に新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する、等の新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作る時に、最後の（新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作る直前の状態での最新の）記録位置管理データＲＭＤをＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ（の中の対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤ記録領域２７１）内に記録する。これにより、追記形情報記憶媒体への追記可能回数が大幅に増大するだけでなく、この領域を利用することで最新のＲＭＤ位置検索が容易になる。
【０４８９】
図２４に示した記録位置管理データＲＭＤ内のデータ構造を図２６に示す。図２６（ａ）から（ｃ）までは図２４（ａ）から（ｂ）までと同じ内容である。
【０４９０】
前述したように、本実施形態では、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１に対するボーダインＢＲＤＩをデータリードインＤＴＬＤＩと一部兼用しているため、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺには、最初のボーダ内領域に対応する記録位置管理データＲＭＤ＃１〜＃３が記録されている。データ領域ＤＴＡ内に全くデータが記録されてない場合には、この記録位置管理ゾーンＲＭＺ内は、全てデータが未記録状態である予約領域２７３になる。
【０４９１】
データ領域ＤＴＡ内にデータが追記される毎に更新された記録位置管理データＲＭＤがこの予約領域２７３内の最初の場所に記録され、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理データＲＭＤが、順次追記されて行く。
【０４９２】
記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に一回毎に追記される記録位置管理データＲＭＤのサイズは６４Ｋバイトにしている。
【０４９３】
本実施形態では、６４ＫＢのデータで１ＥＣＣブロックを構成するため、この記録位置管理データＲＭＤのデータサイズを１ＥＣＣブロックサイズに合わせることで追記処理の簡素化を図っている。
【０４９４】
後述するように、本実施形態では、１ＥＣＣブロックデータ４１２の前後にガード領域の一部を付加して１個のデータセグメント４９０を構成し、１個以上（ｎ個）のデータセグメントに拡張ガードフィールド２５８、２５９を付加して追記もしくは書き換え単位のレコーディングクラスタ５４０、５４２を構成する。
【０４９５】
記録位置管理データＲＭＤを記録する場合は、１個のデータセグメント（１個のＥＣＣブロック）のみを含むレコーディングクラスタ５４０、５４２としてこの記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に、順次追記する。後述するように、１個のデータセグメント５３１を記録する場所の長さは７個の物理セグメント５５０〜５５６から構成される１個の物理セグメントブロックの長さに一致している。
【０４９６】
１個の記録位置管理データＲＭＤ＃１内のデータ構造を図２６（ｃ）に示す。
【０４９７】
図２６（ｃ）ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理データＲＭＤ＃１内のデータ構造を示しているが、これに限らず、ＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内に記録する記録位置管理データＲＭＤ＃Ａ、＃Ｂ（図２４）や後述するボーダインＢＲＤＩ内に記録される（拡張）記録位置管理データＲＭＤやＲゾーン内に記録される（拡張）記録位置管理データＲＭＤ内のデータ構造、およびボーダアウトＢＲＤＯ内に記録するＲＭＤのコピーＣＲＭＤ（図２７（ｄ））も同じ構造を取る。
【０４９８】
図２６（ｃ）に示すように１個の記録位置管理データＲＭＤ内はリザーブ領域と“０”から“２１”までのＲＭＤフィールドから構成されている。本実施形態では６４ＫＢのユーザデータから構成される１個のＥＣＣブロック内に３２個の物理セクタが含まれており、１個の物理セクタ内には２ＫＢ（厳密には２０４８バイト）のユーザデータがそれぞれ記録されている。
【０４９９】
この１個の物理セクタ内に記録されるユーザデータサイズに合わせて各ＲＭＤフィールドはそれぞれ２０４８バイト毎に割り振られ、相対的な物理セクタ番号が設定されている。この相対的な物理セクタ番号順に追記形情報記憶媒体上にＲＭＤフィールドが記録される。各ＲＭＤフィールド内に記録されるデータ内容の概要は、
・ＲＭＤフィールド０    
…  ディスク状態に関する情報とデータエリアアロケーション（データ領域内の各種データの配置場所に関する情報）    
・ＲＭＤフィールド１    
…  使用したテストゾーンに関する情報と推奨の記録波形に関する情報    
・ＲＭＤフィールド２    
…  ユーザが使用できるエリア    
・ＲＭＤフィールド３    
…  ボーダエリアの開始位置情報と拡張ＲＭＺ位置に関する情報    
・ＲＭＤフィールド４〜２１    
…  Ｒゾーンの位置に関する情報    
となっている。
【０５００】
図２３に示すように、再生専用形、追記形、書替え形のいずれの情報記憶媒体においても、システムリードイン領域がデータリードイン領域を挟んでデータ領域の反対側に配置され、さらに、図２２に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩを挟んでバーストカッティング領域ＢＣＡとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩが互いに反対側に配置されていることを特徴とする。
【０５０１】
情報記憶媒体を、図９に示した情報再生装置または情報記録再生装置に挿入すると、情報再生装置または情報記録再生装置は、    
（１）バーストカッティング領域ＢＣＡ内の情報の再生    
→（２）システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報データゾーンＣＤＺ内の情報の再生    
→（３）データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の情報の再生（追記形または書替え形の場合）    
→（４）参照コード記録ゾーンＲＣＺ内での再生回路定数の再調整（最適化）    
→（５）データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録    
の順で処理を行う。
【０５０２】
図２３に示すように、上記処理の順に沿って、情報が内周側から順に配置されているため、不要な内周へのアクセス処理が不要となり、アクセス回数を少なくしてデータ領域ＤＴＡへ到達できる。このため、データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録の開始時間を早めることが可能となる。
【０５０３】
また、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの信号再生にスライスレベル検出方式を利用し、データリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡでは信号再生にＰＲＭＬを用いるので、データリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡを隣接させると、内周側から順に再生した場合、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩの間で１回だけスライスレベル検出回路からＰＲＭＬ検出回路に切り替えるだけで連続して安定に信号再生が可能となる。そのため、再生手順に沿った再生回路切り替え回数が少ないので処理制御が簡単になりデータ領域内再生開始時間が早くなる。
【０５０４】
各種情報記憶媒体におけるデータ領域ＤＴＡとデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のデータ構造の比較を図２５に示す。図２５（ａ）が再生専用形情報記憶媒体のデータ構造を表し、図２５（ｂ）と（ｃ）が書替え形情報記憶媒体のデータ構造、図２５（ｄ）〜（ｆ）が追記形情報記憶媒体のデータ構造を示している。特に図２５（ｂ）と（ｄ）が初期時（記録前）の構造を示し、図２５（ｃ）と（ｅ）、（ｆ）は記録（追記または書替え）がある程度進んだ状態でのデータ構造を示している。
【０５０５】
図２５（ａ）に示すように再生専用形情報記憶媒体においてデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯとシステムリードアウト領域ＳＹＬＤＯ内に記録されているデータは、図２３のバッファゾーン（ＢＦＺ）１、バッファゾーン（ＢＦＺ）２と同様にデータフレーム構造（データフレーム構造に付いては後述）を持ち、その中のメインデータの値を全て“００ｈ”に設定している。
【０５０６】
再生専用形情報記憶媒体では、データ領域ＤＴＡ内の全領域に亘りユーザデータの事前記録領域２０１として使用できるが、後述するように追記形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体のいずれの実施形態でもユーザデータの書替え／追記可能範囲２０２〜２０５がデータ領域ＤＴＡよりも狭くなっている。
【０５０７】
追記形情報記憶媒体あるいは書替え形情報記憶媒体では、データ領域ＤＴＡの最内周部に代替え領域ＳＰＡ（Spare Area）が規定されている。データ領域ＤＴＡ内に欠陥場所が発生した場合に、前記代替え領域ＳＰＡを使って代替え処理を行い、書替え形情報記憶媒体の場合には、その代替え履歴情報（欠陥管理情報）を、図２３（ｂ）の欠陥管理領域ＤＭＡ１、欠陥管理領域ＤＭＡ２および図２５（ｂ）、（ｃ）の欠陥管理領域ＤＭＡ３、欠陥管理領域４に記録する。
【０５０８】
図２５（ｂ）、（ｃ）の欠陥管理領域ＤＭＡ３、欠陥管理領域ＤＭＡ４に記録される欠陥管理情報は、図２３（ｂ）の欠陥管理領域ＤＭＡ１、欠陥管理領域ＤＭＡ２に記録される情報と同じ内容が記録される。
【０５０９】
追記形情報記憶媒体の場合には、代替え処理を行った場合の代替え履歴情報（欠陥管理情報）は、図２３（ｃ）に示したデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内および後述するボーダゾーン内に規定されている記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報Ｃ＿ＲＭＺ内に記録される。現行のＤＶＤ−Ｒディスクでは、欠陥管理は規定されていない（行わなれていない）が、ＤＶＤ−Ｒディスクの製造枚数の増加に連れて一部に欠陥場所を持つＤＶＤ−Ｒディスクが出廻るようになり、追記形情報記憶媒体に記録する情報の信頼性向上を望む声が大きくなっている。
【０５１０】
図２５に示す実施形態では、追記形情報記憶媒体に対しても、代替え領域ＳＰＡを設定し、代替え処理による欠陥管理を可能としている。これにより、一部に欠陥場所を持つ追記形情報記憶媒体に対しても欠陥管理処理を行うことで記録する情報の信頼性を向上させることが可能となる。
【０５１１】
書替え形情報記憶媒体あるいは追記形情報記憶媒体では欠陥が多く発生した場合に、ユーザサイドにおいて、情報記録再生装置の判断（制御）のもとで、図２５（ｂ）、（ｄ）に示すユーザへの販売直後の状態に対して自動的に拡張代替え領域ＡＳＰＡ（Extended Spare Area），ＥＳＰＡ１，ＥＳＰＡ２を設定し、代替え場所を広げられるようにしている。
【０５１２】
このように、拡張代替え領域ＥＳＰＡ、ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を設定可能にすることにより、製造上の都合で欠陥の多い媒体であっても販売（市場への流通）が可能となり、その結果、媒体の（市場への流通が可能な）製造歩留まりが向上して、媒体の低価格化が可能となる。
【０５１３】
図２５（ｃ）や（ｅ）、（ｆ）に示すように、データ領域ＤＴＡ内に拡張代替え領域ＥＳＰＡ、ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を増設すると、ユーザデータの書替えあるいは追記可能範囲２０３、２０５が減少するので、その位置情報を管理する必要がある。書替え形情報記憶媒体では、その情報は、欠陥管理領域ＤＭＡ１〜欠陥管理領域ＤＭＡ４と、後述するように、制御データゾーンＣＤＺ内に記録される。追記形情報記憶媒体の場合には、後述するようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内およびボーダアウトＢＲＤＯ内に存在する記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に記録される。
【０５１４】
記録位置管理データＲＭＤは、管理データ内容が更新される毎に、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内でアップデート追記されるので、拡張代替え領域を何度設定し直しても、タイムリーにアップデートして管理することが可能となる（図２５（ｅ）の実施形態では、最初に拡張代替え領域ＥＡＰＡ１を設定し、その拡張代替え領域ＥＡＰＡ１を、全て使い果たした後で、欠陥が多くて更なる代替え領域設定が必要となり、後日さらに拡張代替え領域ＥＳＰＡ２を設定した状態を示している）。
【０５１５】
図２５（ｂ）、（ｃ）に示すガードトラックゾーンＧＴＺ３は、欠陥管理領域ＤＭＡ４とドライブテストゾーンＤＲＴＺ間の分離のために配置され、ガードトラックゾーンＧＴＺ４は、ディスクテストゾーンＤＫＴＺとサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ（Servo Calibration Zone）との間の分離のために配置されている。
【０５１６】
ガードトラックゾーンＧＴＺ３、ガードトラックゾーンＧＴＺ４は、図２３において既に説明したガードトラックゾーンＧＴＺ１、ガードトラックゾーンＧＴＺ２と同様、記録マーク形成による記録をしてはいけない領域として規定される。
【０５１７】
ガードトラックゾーンＧＴＺ３およびガードトラックゾーンＧＴＺ４は、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に位置されているため、この領域には、追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、また、書替え形情報記憶媒体ではグルーブ領域とランド領域が、事前に形成されている。プリグルーブ領域、あるいはグルーブ領域、ランド領域内は、表５〜表７に示すようにウォブルアドレスが予め記録されているので、このウォブルアドレスを用いて、情報記憶媒体内の現在位置を判定することが可能となる。
【０５１８】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺは図２３と同様、情報記録再生装置が情報記憶媒体への情報を記録する前に試し書きするための領域として確保されている。情報記録再生装置は予めこの領域内で試し書きを行い、最適な記録条件（ライトストラテジ）を割り出した後、その最適記録条件でデータ領域ＤＴＡ内に情報を記録することができる。
【０５１９】
ディスクテストゾーンＤＫＴＺは、図２３と同様、情報記憶媒体の製造メーカが品質テスト（評価）に利用可能に規定されている。
【０５２０】
サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ（Servo Calibration Zone）以外のデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の全領域には、追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、書替え形情報記憶媒体ではグルーブ領域とランド領域とが事前に形成され、記録マークの記録（追記または書替え）が可能である。図２５（ｃ）および図２５（ｅ）に示したように、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内は、プリグルーブ領域２１４、またはランド領域およびグルーブ領域２１３の代わりに、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩと同じように、エンボスピット領域２１１が形成されている。
【０５２１】
この領域は、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯの他の領域に続いて、エンボスピットによる連続したトラックであり、このトラックは、スパイラル状に連続して情報記憶媒体の円周に沿って設けられている。この領域は、ＤＰＤ（Deferencial Phase Detect）法を用いて情報記憶媒体の傾き量を検出するために利用される。情報記憶媒体が傾くと、ＤＰＤ法を用いたトラックずれ検出信号振幅にオフセットが生じ、オフセット量で傾き量が、オフセット方向で傾き方向が精度良く検出することが可能となる。
【０５２２】
この原理を利用し、情報記憶媒体の最外周部（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の外周部）にＤＰＤ検出ができるエンボスピットを事前に形成しておくことで、図９の情報記録再生部１４１内に存在する光学ヘッドに（傾き検出用の）特別な部品を付加することなく安価に精度の良い傾き検出が可能となる。
【０５２３】
さらに、この外周部の傾き量を検出することでデータ領域ＤＴＡ内でも（傾き量補正による）サーボの安定化を実現できる。本実施形態ではこのサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域に合わせ、情報記憶媒体の製造性を向上させ、歩留まり向上による媒体の低価格化を可能にする。
【０５２４】
すなわち、追記形情報記憶媒体においてデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域にはプリグルーブが形成されているが、追記形情報記憶媒体の原盤製造時に原盤記録装置の露光部の送りモータ速度を一定にしてプリグルーブを作成している。この時、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域に合わせることで、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内も引き続き送りモータ速度を一定に保持できるため、ピッチムラが生じ辛く情報記憶媒体の製造性が向上する。
【０５２５】
他の実施形態としてはサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチまたはデータビット長の少なくともいずれかをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチまたはデータビット長に合わせる方法もある。ＤＰＤ法を用いてサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内の傾き量とその傾き方向を測定し、その結果、をデータ領域ＤＴＡ内でも利用してデータ領域ＤＴＡ内でのサーボ安定化を図ることを前述したが、データ領域ＤＴＡ内の傾き量を予想する方法としてシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の傾き量とその方向を同じくＤＰＤ法により予め測定し、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内の測定結果との関係を利用して予測することができる。
【０５２６】
ＤＰＤ法を用いた場合、情報記憶媒体の傾きに対する検出信号振幅のオフセット量とオフセットが出る方向がエンボスピットのトラックピッチとデータビット長に依存して変化する特徴がある。従って、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチまたはデータビット長の少なくともいずれかをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチまたはデータビット長に合わせることで検出信号振幅のオフセット量とオフセットが出る方向に関する検出特性をサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内とで一致させ、両者の相関を取り易くしてデータ領域ＤＴＡ内の傾き量と方向の予測を容易にすると言う効果が生じる。
【０５２７】
図２３（ｃ）と図２５（ｄ）に示すように追記形情報記憶媒体では内周側と外周側の２箇所にドライブテストゾーンＤＲＴＺを設けてある。ドライブテストゾーンＤＲＴＺに行う試し書きの回数が多い程、細かくパラメータを振って最適な記録条件を詳細に探すことができてデータ領域ＤＴＡへの記録精度が向上する。
【０５２８】
書替え形情報記憶媒体では、重ね書きによるドライブテストゾーンＤＲＴＺ内の再利用が可能となるが、追記形情報記憶媒体では、試し書きの回数を多くして記録精度を上げようとすると、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内をすぐに使い切ってしまう虞がある。このため、本実施形態では、外周部から内周方向に沿って、逐次、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ（Extended Drive Test Zone）の設定を可能とし、ドライブテストゾーンの拡張を可能としている。
【０５２９】
拡張ドライブテストゾーンの設定方法とその設定された拡張ドライブテストゾーン内での試し書き方法に関する特徴として本実施形態では、    
１．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの設定（枠取り）は外周方向（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに近い方）から内周側にむけて順次まとめて設定する    
…  図２５（ｅ）に示すようにデータ領域内の最も外周に近い場所（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに最も近い場所）からまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン１  ＥＤＲＴＺ１を設定し、その拡張ドライブテストゾーン１  ＥＤＲＴＺ１を使い切った後で、それより内周側に存在するまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン２  ＥＤＲＴＺ２を次に設定可能とする、    
２．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中では、内周側から順次試し書きを行う    
…  拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中で試し書きを行う場合には内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域２１４に沿って行い、前回試し書きをした（既に記録された）場所のすぐ後ろの未記録場所に今回の試し書きを行う    
を、規定している。
【０５３０】
データ領域内は、内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域２１４に沿って追記される構造となっており、拡張ドライブテストゾーン内での試し書きが直前に行われた試し書き場所の後ろに順次追記する方法で行うことにより、“直前に行われた試し書き場所の確認”→“今回の試し書きの実施”の処理がシリアルに行えるため、試し書き処理が容易となるばかりでなく、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内での既に試し書きされた場所の管理が簡単になる。
【０５３１】
３．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺも含めた形でデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの再設定可能、    
…  図２５（ｅ）にデータ領域ＤＴＡ内に２箇所拡張代替え領域１  ＥＳＰＡ１、拡張代替え領域２  ＥＳＰＡ２を設定し、２箇所の拡張ドライブテストゾーン１  ＥＤＲＴＺ１、拡張ドライブテストゾーン２  ＥＤＲＴＺ２を設定した例を示す。この場合に本実施形態では図２５（ｆ）に示すように拡張ドライブテストゾーン２  ＥＤＲＴＺ２までを含めた領域に対してデータリードアウト領域ＤＴＬＯとして再設定できることを特徴とする。これに連動して範囲を狭めた形でデータ領域ＤＴＡの範囲の再設定でき、データ領域ＤＴＡ内に存在するユーザデータの追記可能範囲２０５の管理が容易になる。
【０５３２】
図２５（ｆ）のように再設定した場合には、図２５（ｅ）に示した拡張代替え領域１  ＥＳＰＡ１の設定場所を“既に使い切った拡張代替え領域”と見なし、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内の拡張代替え領域２  ＥＳＰＡ２内のみに未記録領域（追記の試し書きが可能な領域）が存在すると管理する。この場合、拡張代替え領域１  ＥＳＰＡ１内に記録され、代替えに使われた非欠陥の情報はそっくりそのまま拡張代替え領域２  ＥＳＰＡ２内の未代替え領域の場所に移され、欠陥管理情報が書き替えられる。この時再設定されたデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの開始位置情報は表１１に示すように記録位置管理データＲＭＤ内のＲＭＤフィールド０の最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報内に記録される。
【０５３３】
図２５に示した拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ設定方法に対する他の実施例を図７５に示す。図２５とは異なり、図７５の実施例では、    
（１）図２５（ｄ）に示すデータ領域ＤＴＡとドライブテストゾーンＤＲＴＺとの間にガードトラックゾーン３  ＧＴＺ３を設定する、    
（２）ガードトラックゾーン３  ＧＴＺ３のサイズ分だけ拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定し、ガードトラックゾーン３  ＧＴＺ３を平行にずらす、    
（３）データ領域ＤＴＡの終了位置が手前側にずれるのでデータ記録領域ＤＴＡの終了位置を示した記録位置管理データＲＭＤを記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に追記する。
【０５３４】
以下、拡張ドライブテストゾーン設定前後での配置関係を図７５に示す。
【０５３５】
図７５（ａ）に示すように、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内では、外周側から順次試し書きに利用される。ドライブテストゾーンＤＲＴＺの未記録領域がなくなると、図７５（ｂ）に示すように拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺが設定され、前記拡張ドライブテストゾーン内の外周側から順次試し書きが行われる。このように拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺが設定されると、ユーザデータが記録可能なデータ領域ＤＴＡの最終位置が７３５４３Ｆｈから７３１８３Ｆｈに変更される。
【０５３６】
表１０に示すように、最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報内に、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの有無識別情報が存在する。拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺが存在する場合にはこの情報のフラグが”０１ｈ”となり、存在しない場合には”００ｈ”になる。図７５（ｂ）に示すように拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定した場合には、表１０に示す拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの有無識別情報が”００ｈ”から”０１ｈ”に変更される。この変更された最新の記録位置管理データＲＭＤは拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ設定後に記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に追記される。
【０５３７】
図２８を参照して、追記形情報記憶媒体におけるボーダ領域の構造について説明する。
【０５３８】
追記形情報記憶媒体に初めて１個のボーダ領域を設定した時は、図２８（ａ）に示すように、内周側（データリードイン領域ＤＴＬＤＩに最も近い側）に、ボーダ内領域ＢＲＤＡ（Bordered Area）＃１を設定後、その後ろにボーダアウトＢＲＤＯ（Border out）を形成する。引き続いて、その次のボーダ内領域ＢＲＤＡ（Bordered Area）＃２を設定したい場合には、図２８（ｂ）に示すように前の（＃１の）ボーダアウトＢＲＤＯの後ろに、次の（＃１の）ボーダインＢＲＤＩ（Border in）を形成した後に、次のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃２を設定し、次のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃２をクローズしたい場合には、その直後に（＃２）のボーダアウトＢＲＤＯを形成する。本実施形態では、このように前の（＃１の）ボーダアウトＢＲＤＯの後ろに、次の（＃１の）ボーダインＢＲＤＩを形成して組みにした状態をボーダゾーンＢＲＤＺ（Border zone）と呼んでいる。
【０５３９】
ボーダゾーンＢＲＤＺは、情報再生装置（ＤＰＤ検出法を前提）で再生した時の個々のボーダ内領域ＢＲＤＡ間で光学ヘッドがオーバーランするのを防止するために、設定している。
【０５４０】
従って、情報が記録された追記形情報記憶媒体を再生専用装置で再生する場合には、このボーダアウトＢＲＤＯとボーダインＢＲＤＩが既に記録されるとともに、最後のボーダ内領域ＢＲＤＡの後ろに、ボーダアウトＢＲＤＯが記録されるボーダクローズ処理が実施されるなされることが前提となる。最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１は、４０８０個以上の物理セグメントブロックで構成され、追記形情報記憶媒体上の半径方向で、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１が１．０ｍｍ以上の幅を持っている必要がある。
【０５４１】
図２８（ｂ）では、データ領域ＤＴＡ内に拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定した例を示している。追記形情報記憶媒体を、ファイナライズ（Finalization）した後の状態を図２８（ｃ）に示す。図２８（ｃ）の例では、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に組み込み、さらに、拡張代替え領域ＥＳＰＡも設定済みの例を示している。この場合には、ユーザデータの追加可能範囲２０５を残さないように、最後のボーダアウトＢＲＤＯで埋める。
【０５４２】
上記説明したボーダゾーンＢＲＤＺ内の詳細なデータ構造を、図２８（ｄ）に示す。各情報は、後述する１ＰＳＢ（Physical Segment Block）すなわち物理セグメントブロックのサイズ単位で記録される。
【０５４３】
ボーダアウトＢＲＤＯ内の先頭には、記録位置管理ゾーンへ記録された内容のコピー情報Ｃ＿ＲＭＺが記録され、ボーダアウトＢＲＤＯであることを示すボーダ終了用目印ＳＴＢ（Stop Block）が記録される。
【０５４４】
次のボーダインＢＲＤＩがある場合には、このボーダ終了用目印ＳＴＢが記録された物理セグメントブロックから数えて“Ｎ１番目”の物理セグメントブロック（ＰＳＢ）に、次にボーダ領域が存在することを示す最初の目印ＮＢＭ（Next Border Marker）＃１が、以降、“Ｎ２番目”の物理セグメントブロック（ＰＳＢ）に、次にボーダ領域が存在することを示す２番目の目印ＮＢＭ＃２、“Ｎ３番目”の物理セグメントブロック（ＰＳＢ）に引き続くボーダ領域が存在することを示す３番目の目印ＮＢＭ＃３が、それぞれ、１ＰＳＢ（物理セグメントブロック）のサイズ毎に、離散的に合計３箇所に記録される。
【０５４５】
次のボーダインＢＲＤＩ内には、アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩ（Updated Physical Format Information）が記録される。現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクでは、次のボーダ領域が来ない場合には（最後のボーダアウトＢＲＤＯ内では）、図２８（ｄ）に示した“次のボーダを示す目印ＮＢＭ”を記録すべき場所（１物理セグメントブロックサイズの場所）は“全くデータを記録しない場所”のまま保持される。この状態で、ボーダクローズされると、この追記形情報記憶媒体（現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスク）は、従来のＤＶＤ−ＲＯＭドライブまたは従来のＤＶＤプレーヤでの再生が可能な状態となる。従来のＤＶＤ−ＲＯＭドライブまたは従来のＤＶＤプレーヤでは、この追記形情報記憶媒体（現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスク）上に記録された記録マークを利用して、ＤＰＤ法を用いたトラックずれ検出を行う。しかし、上記の“全くデータを記録しない場所”では、１物理セグメントブロックのサイズ（全長）にも亘って、記録マークが存在しないので、ＤＰＤ法を用いたトラックずれ検出ができなくなるため、安定にトラックサーボがかからなくなる虞がある。
【０５４６】
上記の現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクの問題点の対策として本実施形態では、    
（１）次のボーダ領域が来ない場合には、“次のボーダを示す目印ＮＢＭを記録すべき場所”には予め特定パターンのデータを記録しておく、    
（２）次のボーダ領域が来る場合には上記予め特定パターンのデータが記録されている“次のボーダを示す目印ＮＢＭ”の場所には、部分的かつ離散的に特定の記録パターンで『重ね書き処理』を行うことで“次のボーダ領域が来ること”を示す識別情報として利用する    
と言う方法を新規に採用している。
【０５４７】
このように重ね書きにより、次のボーダを示す目印を設定することで、（１）に示すように次のボーダ領域が来ない場合でも“次のボーダを示す目印ＮＢＭを記録すべき場所”には、予め特定パターンの記録マークが形成でき、ボーダクローズ後に、再生専用の情報再生装置でＤＰＤ法によりトラックずれ検出を行っても、安定にトラックサーボが掛かるという効果が得られる。その一方で、追記形情報記憶媒体において既に記録マークが形成されている部分に対して、部分的にでもその上に新たな記録マークを重ね書きすると、情報記録再生装置または情報再生装置において、図９に示したＰＬＬ回路の安定性が損なわれる虞がある。
【０５４８】
その危惧対策として本実施形態ではさらに、    
（３）１物理セグメントブロックのサイズの“次のボーダを示す目印ＮＢＭ”の位置に重ね書きする時に、同一データセグメント内の場所により重ね書き状況を変化させる方法と、    
（４）シンクデータ４３２内に部分的に重ね書きを行い、シンクコード４３１上での重ね書きを禁止する、    
（５）データＩＤとＩＥＤを除いた場所に重ね書きする、    
と言う方法をさらに、新規に採用している。
【０５４９】
後で詳細に説明するように、ユーザデータを記録するデータフィールド４１１〜４１８とガード領域４４１〜４４８が交互に情報記憶媒体上に記録される。データフィールド４１１〜４１８とガード領域４４１〜４４８を組み合わせた組をデータセグメント４９０と呼び、１個のデータセグメント長は１個の物理セグメントブロック長に一致する。
【０５５０】
図９に示したＰＬＬ回路はＶＦＯ領域４７１、４７２内で特にＰＬＬの引き込みがし易くなっている。従って、ＶＦＯ領域４７１、４７２の直前ならばＰＬＬが外れてもＶＦＯ領域４７１、４７２を用いてＰＬＬの再引き込みが容易に行われるので、情報記録再生装置または情報再生装置内でのシステム全体としての影響は軽減される。
【０５５１】
この状況を利用し上記のように（３）データセグメント内の場所により重ね書き状況を変化させ、同一データセグメント内のＶＦＯ領域４７１、４７２に近い後ろの部分で特定パターンの重ね書き量を増やすことで“次のボーダを示す目印”の判別を容易にするとともに再生時の信号ＰＬＬの精度劣化を防止できると言う効果がある。
【０５５２】
図５１と図３８を用いて詳細に説明するように１個の物理セクタ内はシンクコード４３３（ＳＹ０〜ＳＹ３）が配置されている場所と、そのシンクコード４３３の間に配置されたシンクデータ４３４の組み合わせで構成されている。情報記録再生装置あるいは情報再生装置は情報記憶媒体上に記録されているチャネルビット列の中からシンクコード４３３（ＳＹ０〜ＳＹ３）を抽出し、チャネルビット列の切れ目を検出している。後述するようにデータＩＤの情報から情報記憶媒体上に記録されているデータの位置情報（物理セクタ番号または論理セクタ番号）を抽出している。その直後に配置されたＩＥＤを用いてデータＩＤのエラーを検知している。
【０５５３】
従って、本実施形態では（５）データＩＤとＩＥＤ上での重ね書きを禁止するとともに（４）シンクコード４３１を除いたシンクデータ４３２内に部分的に重ね書きを行うことで、“次のボーダを示す目印ＮＢＭ”内でもシンクコード４３１を用いたデータＩＤ位置の検出とデータＩＤに記録された情報の再生（内容判読）を可能にしている。
【０５５４】
追記形情報記憶媒体におけるボーダ領域の構造に関する図２８とは異なる他の実施形態を図２７に示す。図２７（ａ）、（ｂ）は、図２８（ａ）、（ｂ）と同じ内容を示している。図２７では、追記形情報記憶媒体をファイナライズした後の状態が、図２８（ｃ）とは異なる。
【０５５５】
例えば、図２７（ｃ）に示すように、ボーダ内領域ＢＲＤＡ＃３内の情報記録を終了させたのちにファイナライズしたい場合には、ボーダクローズ処理としてボーダ内領域ＢＲＤＡ＃３の直後にボーダアウトＢＲＤＯを形成する。その後、ボーダ内領域ＢＲＤＡ＃３の直後のボーダアウトＢＲＤＯの後ろに、ターミネイタ領域ＴＲＭ（Terminator）を形成し、ファイナライズに必要な時間の短縮を図っている。すなわち、図２８（ｃ）の実施形態では、拡張代替え領域ＥＳＰＡの直前までボーダアウトＢＲＤＯで埋める必要があり、このボーダアウトＢＲＤＯ形成のために長時間を必要とするため、ファイナライズの時間が長くなる。
【０５５６】
これに対して、図２７（ｃ）の実施形態では比較的長さの短いターミネータ領域ＴＲＭを設定し、ターミネータ領域ＴＲＭより外側全てを新たなデータリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯと再定義し、ターミネータ領域ＴＲＭより外側にある未記録部分を使用禁止領域９１１に設定する。すなわち、データ領域ＤＴＡがファイナライズされる時には記録データの最後（ボーダアウトＢＲＤＯの直後）にターミネータ領域ＴＲＭを形成する。この領域内のメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定する。この領域のタイプ情報を、データリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性に設定することで、図２７（ｃ）に示すように、ターミネーター領域ＴＲＭを新たなデータリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯとして再定義できる。この領域のタイプ情報は、後述するように、データＩＤ内の領域タイプ情報９３５に記録される。すなわち、このターミネータ領域ＴＲＭ内でのデータＩＤ内の領域タイプ情報９３５を、図３０に示すように“１０ｂ”に設定することでデータリードアウトＤＴＬＤＯ内にあることを示す。本実施形態では、データＩＤ内領域タイプ情報９３５によりデータリードアウト位置の識別情報を設定することを特徴とする。
【０５５７】
図９に示した情報記録再生装置または情報再生装置において、情報記録再生部１４１が追記形情報記憶媒体上の特定目標位置に粗アクセスした場合を考える。粗アクセス直後は情報記録再生部１４１は追記形情報記憶媒体上の何処に到達したか知るために必ずデータＩＤを再生し、データフレーム番号９２２を解読する必要がある。データＩＤ内には、データフレーム番号９２２の近くに領域タイプ情報９３５があるため、同時にこの領域タイプ情報９３５を解読するだけで情報記録再生部１４１がデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に居るか否かが即座に分かる。これにより、アクセス制御の簡素化と高速化が可能となる。
【０５５８】
上述したように、ターミネータ領域ＴＲＭのデータＩＤ内の設定により、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯの識別情報を持たせることで、ターミネータ領域ＴＲＭ検出が容易となる。
【０５５９】
特例として、もし最終のボーダアウトＢＲＤＯが、データリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性として設定された場合（すなわち、ボーダアウトＢＲＤＯ領域内のデータフレームのデータＩＤ内の領域タイプ情報９３５が“１０ｂ”に設定された場合）には、ターミネータ領域ＴＲＭの設定は行わない。このため、データリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性を持ったターミネータ領域ＴＲＭが記録されることで、ターミネーター領域ＴＲＭが、データリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯの一部と見なされ、データ領域ＤＴＡへの記録が不可能となり、図２７（ｃ）のように使用禁止領域９１１として残る場合がある。しかしながら、本実施形態では、ターミネータ領域ＴＲＭのサイズを追記形情報記憶媒体上の位置により変えることでファイナライズ時間の短縮化と処理の効率化を図っている。
【０５６０】
このターミネータ領域ＴＲＭは、記録データの最終位置を示すだけでなく、ＤＰＤ方式でトラックずれ検出を行う再生専用装置に使用した場合の、トラックずれによるオーバーランを防止するためにも利用されている。
【０５６１】
従って、このターミネータ領域ＴＲＭの追記形情報記憶媒体上での半径方向の幅（ターミネータ領域ＴＲＭで埋められた部分の幅）としては、再生専用装置の検出特性の関係から最低でも０．０５ｍｍ以上の長さが必要となる。追記形情報記憶媒体上での１周の長さは、半径位置により異なるため、１周内に含まれる物理セグメントブロック数が半径位置で異なる。
【０５６２】
そのため、半径位置すなわち、ターミネータ領域ＴＲＭ内に最初に位置する物理セクタの物理セクタ番号により、ターミネータ領域ＴＲＭのサイズが異なり、外周側に行くに従ってターミネータ領域ＴＲＭのサイズが大きくなっている。許容されるターミネータ領域ＴＲＭの物理セクタ番号の最小値は、“０４ＦＥ００ｈ”より大きい必要がある。
【０５６３】
これは、前述したように、最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１は、４０８０個以上の物理セグメントブロックで構成され、追記形情報記憶媒体上の半径方向で最初のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１が１．０ｍｍ以上の幅を持っている必要があるための制約条件に基づくものである。従って、ターミネータ領域ＴＲＭは、物理セグメントブロックの境界位置から開始する必要がある。
【０５６４】
図２７（ｄ）では、前述したと同様に、各情報が記録される場所が、１物理セグメントブロックサイズ毎に設定され、各１個の物理セグメントブロック内に３２個の物理セクタ内に分散記録された合計６４ＫＢのユーザデータが記録される。それぞれの情報に対して図２７（ｄ）に示すように相対的な物理セグメントブロック番号が設定されているので、相対的な物理セグメントブロック番号の若い順に追記形情報記憶媒体に、各情報が、順次記録される。
【０５６５】
図２７に示した実施形態では、図２８（ｄ）の記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報記録領域Ｃ＿ＲＭＺ内に同一内容であるＲＭＤのコピーＣＲＭＤ＃０〜＃４が５回多重書きされている。このように多重書きすることで再生時の信頼性を向上させ、追記形情報記憶媒体上にゴミや傷が付いても安定して記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報ＣＲＭＤを再生できる。図２７（ｄ）に示した“ボーダ終了目印ＳＴＢ”は、図２８（ｄ）の“ボーダ終了用目印ＳＴＢ”と一致しているが、図２７（ｄ）の実施形態では、図２８（ｄ）の実施形態に示すような次のボーダを示す目印ＮＢＭを持たない。リザーブ領域９０１、９０２内でのメインデータの情報は、全て“００ｈ”に設定する。
【０５６６】
ボーダインＢＲＤＩの最初には、アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩとして全く同じ情報が相対的な物理セグメントブロック番号としてＮ＋１からＮ＋６まで６回多重書きされ、図２８のアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩを構成している。このようにアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩを多重書きすることで情報の信頼性を向上させている。
【０５６７】
図２７（ｄ）では、ボーダゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺをボーダインＢＲＤＩ内に持たせたことを特徴とする。図２４に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺのサイズが比較的小さく、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡの設定を頻繁に繰り返すと記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に記録される記録位置管理データＲＭＤが飽和し、途中で新たなボーダ内領域ＢＲＤＡの設定が不可能になってしまう。
【０５６８】
図２７（ｄ）の実施形態のように、ボーダインＢＲＤＩ内にその後に続くボーダ内領域ＢＲＤＡ＃３内に関する記録位置管理データＲＭＤを記録する記録位置管理ゾーンを設けたことにより、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡの設定が複数回可能になるとともに、ボーダ内領域ＢＲＤＡ内での追記回数を大幅に増大できる。
【０５６９】
このボーダゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺが含まれるボーダインＢＲＤＩに続くボーダ内領域ＢＲＤＡ＃３がクローズされるかデータ領域ＤＴＡがファイナライズされる場合には、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の未記録状態にある予約領域２７３（図２６）の全てに対して最後の記録位置管理データＲＭＤを、繰り返し記録して、全て埋める必要がある。これにより、未記録状態の予約領域２７３をなくし、再生専用装置による再生時のＤＰＤによるトラック外れを防止するとともに、記録位置管理データＲＭＤの多重記録により記録位置管理データＲＭＤの再生信頼性を向上させることができる。すなわち、リザーブ領域９０３の全てのデータを“００ｈ”に設定している。
【０５７０】
ボーダアウトＢＲＤＯは、ＤＰＤ法を前提とした再生専用装置でのトラック外れによるオーバーラン防止の役割があるが、ボーダインＢＲＤＩ内は、アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩとボーダゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺの情報を持つ以外は、特に大きなサイズを持つ必要がない。従って、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡ設定をする時の（ボーダゾーンＢＲＤＺの記録に必要な）時間短縮の意味からなるべくサイズを小さくしたい。
【０５７１】
図２７（ａ）に対して、ボーダクローズによるボーダアウトＢＲＤＯ形成前の時には、ユーザデータの追記可能範囲２０５は、充分広く追記回数も多く行われる可能性が高いので、ボーダゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺには多数回記録位置管理データが記録できるように、図２７（ｄ）の“Ｍ”の値を大きく取っておく必要がある。それに比べて、図２７（ｂ）に対し、ボーダ内領域ＢＲＤＡ＃２をボーダクローズする前でボーダアウトＢＲＤＯを記録する前の状態では、ユーザデータの追記可能範囲２０５が狭まっているのでボーダゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に追記される記録位置管理データの追記回数は、それ程多くはならないと考えられる。
【０５７２】
従って、ボーダ内領域ＢＲＤＡ＃２の直前にあるボーダインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定サイズ“Ｍ”は。相対的に小さく取れる。すなわち、ボーダインＢＲＤＩが配置される場所が内周側の方が記録位置管理データの追記予想回数が多く、外周に行くに従って記録位置管理データの追記予想回数が少なくなるので、ボーダインＢＲＤＩサイズを外周側で小さくすると構成としている。その結果、新ボーダ内領域ＢＲＤＡ設定時間の短縮化と処理効率化が可能である。
【０５７３】
図２８（ｃ）に示すボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録する情報の論理的な記録単位を、Ｒゾーン（R Zone）と呼ぶ。従って、１個のボーダ内領域ＢＲＤＡ内には、少なくとも１個以上のＲゾーンが割り当てられる。現行のＤＶＤ−ＲＯＭでは、ファイルシステムトシてＵＤＦ（Universal Disc Format）に準拠したファイル管理情報と、ＩＳＯ９６６０に準拠したファイル管理情報とが、同時に１枚の情報記憶媒体内に記録される“ＵＤＦブリッジ”というファイルシステムを採用している。ＩＳＯ９６６０に準拠したファイル管理方法では、１個のファイルが情報記憶媒体内に、必ず連続して記録されなければならない決まりがある。
【０５７４】
すなわち、ＩＳＯ９６６０においては、１個のファイル内の情報が、情報記憶媒体上に離散的な位置に分割配置することが禁止されている。従って、例えば、ＵＤＦブリッジに準拠して情報が記録された場合、１個のファイルを構成する全情報が連続的に記録されるので、この１個のファイルが連続して記録される領域が、１個のＲゾーンを構成するように適応させることもできる。
【０５７５】
図２９に、制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を示す。
【０５７６】
図２９（ｂ）に示すように、制御データゾーンＣＤＺ内には、物理フォーマット情報ＰＦＩ（Physical Format Information）と媒体製造関連情報ＤＭＩ（Disc Manufacturing Information）が、Ｒ物理情報ゾーンＲＩＺ内には、同じくＤＭＩとＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ（R-Physical Format Information）が、それぞれ規定されている。
【０５７７】
媒体製造関連情報ＤＭＩ内は、媒体製造国名に関する情報２５１と媒体メーカ所属国情報２５２が記録されている。販売された情報記憶媒体が特許侵害している時に製造場所がある国内または情報記憶媒体を消費して（使って）いる国内に対して侵害警告を掛ける場合が多い。情報記憶媒体内に、前記の情報の記録を義務付けることで製造場所（国名）が判明し、特許侵害警告を掛け易くすることが可能で、知的財産が保証され、技術の進歩が促進される。また、媒体製造関連情報ＤＭＩ内は、その他の媒体製造関連情報２５３も記録されている。
【０５７８】
物理フォーマット情報ＰＦＩもしくはＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ内には、記録場所（先頭からの相対的なバイト位置）に対応して、記録される情報の種類が規定されていることを特徴とする。すなわち、物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ内の記録場所として、０バイト目から３１バイト目までの３２バイトの領域にはＤＶＤファミリ内の共通情報２６１が記録され、３２バイト目から１２７バイト目までの９６バイトには、本実施形態で対象とするＨＤ  ＤＶＤファミリ内の共通な情報２６２が記録され、１２８バイト目から５１１バイト目までの３８４バイトには各規格書タイプやパートバージョンに関するそれぞれ独自な情報（固有情報）２６３が記録され、５１２バイト目から２０４７バイト目までの１５３６バイトには各リビジョンに対応した情報が記録される。
【０５７９】
このように、情報内容により物理フォーマット情報内の情報配置位置を共通化することで、媒体の種類に拘わりなく記録されている情報の場所が共通となるため、情報再生装置あるいは情報記録再生装置の再生処理の共通化と簡素化が達成される。
【０５８０】
０バイト目から３１バイト目までに記録されているＤＶＤファミリ内の共通情報２６１は、図２９（ｄ）に示すようにさらに、０バイト目から１６バイト目までに記録されている再生専用形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体の全てに共通に記録してある情報２６７と、１７バイト目から３１バイト目までに書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体には共通で再生専用形では不要な（記録されていない）情報２６８とに区分されている。
【０５８１】
図２９に示した制御データゾーン内のデータ構造に関する他の実施形態を図３１に示す。
【０５８２】
図２３（ｃ）に示すように、制御データゾーンＣＤＺは、エンボスピット領域２１１の一部として構成されている。この制御データゾーンＣＤＺは、物理セクタ番号１５１２９６（０２４Ｆ００ｈ）で始まる１９２個のデータセグメントを含む。
【０５８３】
一方、図３１の実施形態では、制御データゾーンＣＤＺ内は、１６データセグメントで構成される制御データセクションＣＴＤＳと、１６データセグメントで構成されるコピーライトデータセクションＣＰＤＳがそれぞれ２箇所ずつ配置され、その間には、リザーブ領域ＲＳＶが設定されている。ＣＴＤＳとＣＰＤＳとを、それぞれ、２箇所ずつ配置することで記録情報の信頼性を向上させるとともに、間にリザーブ領域ＲＳＶを配置することで、２箇所間の物理的な距離を広げたことにより、情報記憶媒体表面の傷等により発生するバーストエラーに対する影響を軽減している。
【０５８４】
１個の制御データセクションＣＴＤＳの中は、図３１（ｃ）に示すように相対的な物理セクタ番号が“０”から“２”までの最初の３個の物理セクタ情報が、１６回繰り返して記録されている。このように、１６回多重書きすることにより、記録情報の信頼性を向上させている。
【０５８５】
相対的な物理セクタ番号が“０”であるデータセグメント内の最初の物理セクタには、表８または表１９に記載された物理フォーマット情報ＰＦＩが記録される。相対的な物理セクタ番号が“１”であるデータセグメント内の２番目の物理セクタには、媒体製造関連情報ＤＭＩが記録される。また、相対的な物理セクタ番号が“２”であるデータセグメント内の３番目の物理セクタには、コピーライトプロテクション情報ＣＰＩが記録される。相対的な物理セクタ番号が“３”から“３１”までのリザーブ領域ＲＳＶは、システムで使用できるようにリザーブされている。
【０５８６】
上記の媒体製造関連情報ＤＭＩの中身としては、０バイト目から１２７バイト目までの１２８バイトに媒体製造社名（Disc Manufacturer’s name）が記録され、１２８バイト目から２５５バイト目までの１２８バイトに媒体製造者が存在する場所情報（何処でこの媒体が製造されたかを示す情報または製造国名）が記録される。
【０５８７】
上記媒体製造社名は、ＡＳＣＩＩコードで記載される。但し、媒体製造者名として使用可能なＡＳＣＩＩコードは“０Ｄｈ”までと“２０ｈ”から“７Ｅｈ”までに限られている。この領域内の最初の１バイト目から媒体製造者名が記載され、この領域内の余った部分には“０Ｄｈ”のデータで埋められる（ターミネートされる）。あるいは他の記載方法として、媒体製造者名の記載可能サイズを最初から“０Ｄｈ”までの範囲とし、それよりも媒体製造者名が長い場合には“０Ｄｈ”までで打ち切り“０Ｄｈ”の後は、“２０ｈ”で埋めてもよい。
【０５８８】
媒体がどこで製造されたかを示す、上記の媒体製造者が存在する場所情報は、該当する国名（ｃｏｕｎｔｒｙ）または地域（ｒｅｇｉｏｎ）に予め割り当てられているＡＳＣＩＩコードである。なお、この領域も、媒体製造者名と同様に使用可能なＡＳＣＩＩコードは“０Ｄｈ”までと“２０ｈ”から“７Ｅｈ”までに限られている。従って、この領域内の最初の１バイト目から媒体製造者が存在する場所情報が記載され、余った部分には“０Ｄｈ”のデータが埋められる（ターミネートされる）。あるいは、他の記載方法として、媒体製造者が存在する場所情報の記載可能サイズを最初から“０Ｄｈ”までの範囲とし、それよりも媒体製造者が存在する場所情報が長い場合は“０Ｄｈ”までで打ち切り、“０Ｄｈ”の後は“２０ｈ”で埋めてもよい。
【０５８９】
図３１（ｃ）のリザーブ領域ＲＳＶ内は、全て“００ｈ”のデータで埋められる。
【０５９０】
図２９または図３１に示した物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ内の具体的な情報内容と物理フォーマット情報ＰＦＩ内情報の媒体種類（再生専用形か書替え形か追記形か）による比較を、表８に示す。
【０５９１】
ＤＶＤファミリ内のディスクに共通な情報２６１のうちの再生専用形、書替え形、追記形の全てに共通に記録してある情報２６７としては、バイト位置０から１６までに、順次規格書のタイプ（再生専用／書替え／追記）情報とバージョン番号情報、媒体サイズ（直径）、最大可能データ転送レート情報、媒体構造（単層か２層か、エンボスピット／追記領域／書き替え領域の有無）、記録密度（線密度とトラック密度）情報、データ領域ＤＴＡの配置場所情報、バーストカッティング領域ＢＣＡの有無（本実施形態は全て有り）が記録されている。
【０５９２】
ＤＶＤファミリのうちの共通情報２６１において、書替え形と追記形に共通に記録する情報２６８として、２８バイト目から３１バイト目まで、順次、最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、リビジョン番号テーブル（応用リビジョン番号）、クラス状態情報、および（拡張された）パートバージョン情報が記録されている。この２８バイト目から３１バイト目までに記載された情報により、物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩの記録領域内に、記録速度に応じたリビジョン情報を持たせることになる。例えば、これまでに実用化されているが、２倍速や４倍速という、媒体への記録速度が高められた媒体が開発されると、それに応じて、その都度新たに規格書を作り直すという非常に面倒な手続きが要求される。それに対して、本実施形態では、大きく内容が変更になった時にバージョンを変更させる規格書（バージョンブック）と、記録速度等小変更に対応してリビジョンを変更して発行するリビジョンブックに分け、記録速度が向上する毎に、リビジョンのみを更新したリビジョンブックのみを発行することを可能とする。これにより、将来の高速記録対応の媒体への拡張機能を保証し、リビジョンと言う簡単な方法で規格を対応できるので新たな高速記録対応媒体が開発された場合に、高速で対応が可能になる。
【０５９３】
特に、１７バイト目の最高記録速度を規定したリビジョン番号情報の欄と１８バイト目の最低記録速度を規定したリビジョン番号情報の欄を、別々に設けることで、記録速度の最高値と最低値でリビジョン番号を別に設定可能とすることを特徴とする。例えば、非常に高速に記録可能な記録膜を開発した場合、その記録膜は非常に高速での記録は可能であるが、記録速度を落とすと急に記録できなくなったりあるいは記録可能な最低速度を低くできるような記録膜は非常に高価にになったりする場合が多い。
【０５９４】
これに対して、本実施形態のように記録速度の最高値と最低値でリビジョン番号を別に設定可能とすることで、開発（適用）可能記録膜の選択範囲を広げ、その結果、より高速記録が可能な媒体やより低価格な媒体が供給可能になると言う効果が生じる。本実施形態の情報記録再生装置では、各リビジョン毎の可能最高記録速度と、可能な最低記録速度の情報が事前に与えられている。
【０５９５】
情報記憶媒体を、情報記録再生装置により再生しようとすると、最初に、図９に示した情報記録再生部１４１により、物理フォーマット情報ＰＦＩもしくはＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ内の情報が読み取られる。ここで、得られたリビジョン番号情報を元に、制御部１４３により、メモリ部１７５内に事前に記録されているリビジョン毎の可能最高記録速度と可能最低記録速度の情報が参照される。これにより、装着された情報記憶媒体の可能最高記録速度の情報と可能最低記録速度の情報が取得できる。従って、取得結果に基づいて、最適な記録速度による記録が可能となる。
【０５９６】
次に、図２９（ｃ）に示した１２８バイト目から５１１バイト目までの各規格書のタイプとバージョンの固有情報２６３の意味と５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョンに固有に設定される情報の内容２６４について説明する。
【０５９７】
１２８バイト目から５１１バイト目までの各規格書のタイプとバージョンの固有情報２６３内では、各バイト位置における記録情報の内容の意味が、タイプが異なる“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”に依らず一致し、５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョンに固有に設定できる情報内容２６４として、“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”との違いのみならず、同じ種類の媒体においてもリビジョンが異なると各バイト位置での記録情報内容の意味が異なることを許容する。
【０５９８】
表８に示すように、タイプが異なる“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”において、各バイト位置における記録情報の内容の意味が一致する各規格書のタイプとバージョンの固有情報２６３の中の情報としては、媒体製造メーカ名情報、媒体製造メーカからの付加情報、記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報、記録時もしくは再生時の線速度情報、円周方向に沿った光学系のＲＩＭインテンシティ値、半径方向に沿った光学系のＲＩＭインテンシティ値、再生時の推奨レーザパワー（記録面上の光量値）が、順に、記録される。
【０５９９】
特に、１９２バイト目の記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”または“Ｌ→Ｈ”の識別に利用可能される）ＭＰＤ情報（Mark Polarity Descriptor）は、本実施形態の特有の記載である。例えば、従来の書替え形あるいは追記形ＤＶＤディスクでは、未記録状態（反射レベルが相対的に高い：Ｈｉｇｈ）に対して、記録マーク内の光反射量が低下（Ｌｏｗ）する“Ｈ→Ｌ”（High to Low）タイプの記録膜のみ、使用が認められているが、それに対して“高速記録対応”や“低価格化”あるいは物理的な性能として“クロスイレーズの減少”や“書き替え回数上限値の増加”等のさまざまな要求が、媒体に要求されることにより、従来の“Ｈ→Ｌ”記録膜だけでは、対応し切れないことが予想できる。このため、本実施形態では、“Ｈ→Ｌ”記録膜に加え、記録マーク内で（未記録状態に対して記録時の）光反射量が増加する“Ｌ→Ｈ”記録膜の使用も許容している。これにより、既に実用化されている“Ｈ→Ｌ”だけでなく“Ｌ→Ｈ”記録膜も規格内に組み込み、記録膜の選択範囲を広げることで、高速記録が可能であり、あるいは低価格な媒体が供給できる。
【０６００】
具体的な情報記録再生装置の実装方法を、以下に説明する。
【０６０１】
規格書（バージョンブック）あるいはリビジョンブックで“Ｈ→Ｌ”記録膜からの再生信号特性と“Ｌ→Ｈ”記録膜からの再生信号特性の両方を併記し、それに対応して、図９により既に説明したＰＲ等化回路１３０とビタビ復号器１５６のそれぞれに、２通りずつの対応回路を用意しておく。
【０６０２】
情報再生部１４１に、再生（記録）対象の情報記憶媒体が装着されることにより、まず始めに、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩに記録されている情報を読むためのスライスレベル検出回路１３２が起動される。このスライスレベル検出回路１３２において、上述の１９２バイト目に記録された記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報を読み取った後“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの判別を行い、それに合わせてＰＲ等化回路１３０とビタビ復号器１５６の回路が切り替えられる。
【０６０３】
続いて、データリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ内に記録されている情報を再生する。上記の方法により、比較的短時間で、しかも精度良くデータリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ内の情報を読むことが（再生することが）可能となる。なお、１７バイト目に最高記録速度を規定したリビジョン番号情報が、１８バイト目に最低記録速度を規定したリビジョン番号情報が記載されているが、前記情報は最高と最低を規定した範囲情報でしかない。最も安定に記録するためには、記録時に最適な線速情報が必要となるので、その情報が１９３バイト目に記録されている。また、リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４内に含まれる各種の記録条件（ライトストラテジ）情報に先立つ位置に光学系条件情報として、１９４バイト目に、“円周方向に沿った光学系のＲＩＭインテンシティ値”ならびに１９５バイト目に、“半径方向に沿った光学系のＲＩＭインテンシティ値”の情報が配置されている。これらの情報は、引き続いて後ろ側（後段）に記録（配置）される記録条件を割り出す（求める）時に使用した光学ヘッドの光学系の条件情報を意味している。
【０６０４】
リムインテンシティとは情報記憶媒体の記録面上に集光する前に対物レンズに入射する入射光の分布状況を意味し、    
『入射光強度分布の中心強度を“１”とした時の対物レンズ周辺位置（瞳面外周位置）での強度値』    
で定義される。
【０６０５】
対物レンズへの入射光強度分布は、点対称ではなく、楕円分布をもつ。このため、情報記憶媒体の半径方向と円周方向で、それぞれＲＩＭインテンシティ値が異なる。従って、ＲＩＭインテンシティ値として、２通りの値が記録される。ＲＩＭインテンシティ値が大きいほど情報記憶媒体の記録面上での集光スポットサイズが小さくなるので、このＲＩＭインテンシティ値により最適な記録パワー条件が大きく変わる。
【０６０６】
情報記録再生装置は、自分が持っている（自身に組み込まれている）光学ヘッドのリムインテンシティ値の情報を予め知っている（メモリ１４５に記憶されている）ので、まず情報記憶媒体内に記録されている円周方向と半径方向のそれぞれのＲＩＭインテンシティ値を読み取り、自分が持っている光学ヘッドの値と比較する。比較した結果に大きな違いが無ければ後ろ側に記録されている記録条件を適用できるが、比較した結果で大きな食い違いが有れば後ろ側に記録されている記録条件を無視し、図２３または図２５に記載されているドライブテストゾーンＤＲＴＺを利用して、記録再生装置側で、（自ら）試し書きをしながら最適な記録条件の割り出しを始める必要がある。
【０６０７】
このように、１９３バイト目以降に記録されている記録条件を利用するか、その情報を無視して記録再生装置側で、（自ら）試し書きをしながら、最適な記録条件の割り出しを始めるかの判断を早急に行う必要がある。表８に示すように、推奨される記録条件が記録されている位置に対する先行位置に、その条件を割り出した光学系の条件情報を配置することで、まず始めにそのＲＩＭインテンシティ情報を取得することができ、後に配置される記録条件の適合可否を、高速に判定できる。
【０６０８】
上述したように、本実施形態では、内容が大きく変更された時にバージョンが変更される規格書（バージョンブック）と、記録速度等の小さな変更に対応してリビジョンされるリビジョンブックに分け、記録速度が向上する毎にリビジョンのみを更新したリビジョンブックのみを発行できるようにしている。従って、リビジョン番号が異なるとリビジョンブック内の記録条件が変化するので、記録条件（ライトストラテジ）に関する情報が主にこの５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４の中に記録される。
【０６０９】
表８から明らかなように、５１２バイト目から２０４７バイト目までのリビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４としては、タイプが異なる“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”との違いのみならず、同じ種類の媒体においても、リビジョンが異なると、各バイト位置における記録情報の内容の意味が異なることを許容する。
【０６１０】
表８におけるピークパワー、バイアスパワー１、バイアスパワー２、バイアスパワー３の定義は、図１６で定義されているパワー値に一致している。表８に示されたファーストパルスの終了時間とは図１６で定義したＴＥＦＰであり、マルチパルス間隔とは図１６で定義したＴＭＰである。また、ラストパルスの開始時間とは図１６で定義したＴＳＬＰであり、２Ｔマークのバイアスパワー２の期間とは図１６で定義したＴＬＣである。
【０６１１】
表８に示した物理フォーマット情報とＲ物理フォーマット情報内のデータ構造に関する他の実施形態を表１９に示す。
【０６１２】
表１９ではさらに、“アップデートされた物理フォーマット情報”についても比較して記載している。表１９において、０バイト目から３１バイト目までを、ＤＶＤファミリのディスクに共通の共通情報２６９の記録領域として利用し、３２バイト目以降を各規格書用に設定している。
【０６１３】
追記形情報記憶媒体において、図２３（ｃ）に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内に記録されたＲ物理フォーマット情報ＰＦＩ（ＨＤ＿ＤＶＤファミリのディスクに共通情報のコピー）に、ボーダゾーンの開始位置情報＃１＿ＢＲＤ（１ｓｔ  Ｂｏｒｄｅｒの最外周アドレス）が、付加されて記録されている。図２８（ｄ）または図２７（ｄ）に示すボーダインＢＲＤＩ内のアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩ内には、物理フォーマット情報ＰＦＩ（ＨＤ＿ＤＶＤファミリの共通情報のコピー）にアップデートされた開始位置情報（自己ＢＲＤの最外周アドレス）が、付加されて記録されている。
【０６１４】
表８では、上述したボーダゾーンの開始位置情報が１９７バイト目から２０４バイト目までに配置されているのに対して、表１９に示した実施形態ではピークパワーやバイアスパワー１等である記録条件に関する情報（リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４）よりも先行した位置で有り、かつＤＶＤファミリ内の共通情報２６９よりも後の位置である１３３バイト目から１４０バイト目に配置される。
【０６１５】
アップデートされた開始位置情報もボーダゾーンの開始位置情報と同様にピークパワーやバイアスパワー１等である記録条件に関する情報（リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４）よりも先行した位置で有り、かつＤＶＤファミリ内の共通情報２６９よりも後の位置である１３３バイト目から１４０バイト目に配置される。
【０６１６】
なお、将来、リビジョン番号がアップしてより精度の高い記録条件が求められた場合、書替え形情報記憶媒体の記録条件情報として、１９７バイト目から２０７バイト目までを使用することも可能である。しかしながら、その場合には、表８に示した実施形態のように、追記形情報記憶媒体内に記録されるＲ物理フォーマット情報のボーダゾーンの開始位置情報を１９７バイト目から２０４バイト目に配置すると、記録条件の配置位置に関する“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”との間の対応（互換性）が崩れる危険性がある。このため、表１９に示すように、ボーダゾーンの開始位置情報とアップデートされた開始位置情報を、１３３バイト目から１４０バイト目に配置することで、将来記録条件に関する情報量が増加しても“書替え形情報記憶媒体”と“追記形情報記憶媒体”との間で、各種情報間の記録位置の対応（互換性）が確保できる。
【０６１７】
ボーダゾーンの開始位置情報に関する具体的な情報内容は、１３３バイト目から１３６バイト目に、現在使用している（カレントの）ボーダ内領域ＢＲＤＡの外側にあるボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が物理セクタ番号ＰＳＮで記載され、１３７バイト目から１４０バイト目には、次に使用されるボーダ内領域ＢＲＤＡに関するボーダインＢＲＤＩの開始位置情報が物理セクタ番号（ＰＳＮ）で記載されている。
【０６１８】
アップデートされた開始位置情報に関する具体的な情報内容は、ボーダ内領域ＢＲＤＡが新たに設定された場合の最新のボーダゾーン位置情報を示し、１３３バイト目から１３６バイト目に、現在使用している（カレントの）ボーダ内領域ＢＲＤＡの外側にあるボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が物理セクタ番号ＰＳＮで記載され、１３７バイト目から１４０バイト目には次に使用されるボーダ内領域ＢＲＤＡに関するボーダインＢＲＤＩの開始位置情報が物理セクタ番号ＰＳＮで記載されている。次のボーダ内領域ＢＲＤＡが記録不可能な場合には、ここ（１３７バイト目から１４０バイト目）は全て“００ｈ”で埋められる。
【０６１９】
表８に示した実施形態に比べ、表１９の実施形態では“媒体製造メーカ名情報”と“媒体製造メーカからの付加情報”が削除され、１２８バイト目から記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報が配置される。
【０６２０】
表８または表１９で４から１５バイト目に記録されているデータ領域ＤＴＡの配置場所情報内に記録される詳細な情報の内容比較を表９に示す。媒体の種別と物理フォーマット情報ＰＦＩとＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩの区別なくデータ領域ＤＴＡの開始位置情報が共通に記録されている。終了位置を示す情報として、再生専用形情報記憶媒体の中では、データ領域ＤＴＡの終了位置情報が記録されている。追記形情報記憶媒体の物理フォーマット情報ＰＦＩ内では、ユーザデータの追記可能範囲の最後の位置情報が記録されているが、この位置情報は例えば、図２５（ｅ）に示した例では、ζ点の直前位置を意味している。
【０６２１】
これに対して、追記形情報記憶媒体のＲ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩ内では、該当するボーダ内領域ＢＲＤＡの中において、既に記録されているデータの最後の位置情報が記録される。
【０６２２】
また、再生専用形情報記憶媒体内では、再生側光学系から見た手前の層である“０層”内での最後のアドレス情報が、書替え形情報記憶媒体内ではランド領域とグルーブ領域間の各開始位置情報の差分値の情報が、それぞれ、記録されている。
【０６２３】
図２３（ｃ）に示すように、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ中に記録位置管理ゾーンＲＭＺが存在する。一方、図２８（ｄ）に示すように、そのコピー情報が、記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報Ｃ＿ＲＭＺとして、ボーダアウトＢＲＤＯ内にも、記録されている。この記録位置管理ゾーンＲＭＺの中は、図２４（ｂ）に示すように、１物理セグメントブロックサイズと同じデータサイズを持った記録位置管理データＲＭＤが記録され、その記録位置管理データＲＭＤの内容が更新される毎に更新された新たな記録位置管理データＲＭＤとして、順次、後ろに追記可能である。この１個の記録位置管理データＲＭＤ内の詳細なデータ構造を、表１０、表１１、表１２、表１３、表１４および表１５に示す。記録位置管理データＲＭＤ内はさらに、１個あたり２０４８バイトサイズに規定されたＲＭＤフィールド情報ＲＭＤＦに分割されている。
【０６２４】
記録位置管理データＲＭＤ内の最初の２０４８バイト（先頭の１個）は、リザーブ領域としてリザーブされている。
【０６２５】
次の２０４８バイトサイズのＲＭＤフィールド（ＲＭＤＦ）０には、記録位置管理データフォーマットコード情報、対象の媒体が、ａ）未記録状態か、ｂ）ファイナライズ前の記録途中か、ｃ）ファイナライズ後か、のいずれかであるかを示す媒体状態情報、ユニークディスクＩＤ（ディスク識別情報）、データ領域ＤＴＡの配置位置情報と最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報、記録位置管理データＲＭＤの配置位置情報が順次配置されている。
【０６２６】
データ領域ＤＴＡの配置位置情報の中には、初期状態でのユーザデータの追記可能範囲２０４（図２５（ｄ））を示す情報として、データ領域ＤＴＡの開始位置情報と、初期時におけるユーザデータの記録可能範囲２０４の最終位置情報〔図２５（ｄ）の実施形態ではこの情報はβ点の直前位置を示す〕が記録される。
【０６２７】
表１９に説明した物理フォーマット情報と、Ｒ物理フォーマット情報に関する他の実施例の更なる他の実施例について、表２１に示す。
【０６２８】
表２１に示した実施例では、表１９に示した実施例に比べて、    
（１）３２バイト目に存在する最大の再生速度が何倍速であるかを示す情報、    
（２）１３３バイト目に存在する１番目の記録速度が何倍速であるかを示す情報、    
（３）１３４バイト目に存在する２番目の記録速度が何倍速であるかを示す情報、    
（４）１４８バイト目に存在する１６番目の記録速度が何倍速であるかを示す情報、    
（５）１４９バイト目として、データ領域ＤＴＡでの光反射率、    
（６）１５０バイト目として、トラック形状とプッシュプル信号振幅、    
（７）１５１バイト目として、オントラック信号情報（追記形情報記憶媒体の場合）もしくはランドトラック上でのオントラック信号情報（書替え形情報記憶媒体の場合）、    
（８）１５２バイト目として、書替え形情報記憶媒体内のグルーブトラック上でのオントラック信号情報、    
（９）２５６バイトから２６３バイト目に存在するＲ物理フォーマット情報内のボーダゾーンの開始位置を示す物理セクタ番号ＰＳＮ、および、    
アップデートされた物理フォーマット情報内に存在するボーダゾーンの開始位置を示すアップデートされた物理セクタ番号が記録されている。
【０６２９】
表２１の３２バイト目に存在する“最大の再生速度が何倍速になるかの（何倍速であるかを示す）情報”に関し、さらに詳細に説明する。
【０６３０】
“最大の再生速度が何倍速になるかの（何倍速であるかを示す）情報”は、標準の再生速度を表す１倍速の情報を１とした場合の、それに対する１０分の何倍かの値（１０を分母として示す）で情報が記録される。例えば、最大の再生速度が標準１倍速の場合には、“１＝１０／１０”であり、この情報（最大の再生速度が何倍速になるかの情報）の枠内には“１０”の値が入る。また、例えば最大の再生速度が標準速度の２倍（２倍速）の場合は、標準速度の“１０分の２０”になるため、“最大の再生速度が何倍速かになるかの情報”の枠内に入る値は“２”ではなく、“２０”の値が記録されている。
【０６３１】
表２１の１３３バイト目から１４８バイト目まで存在するｎ番目の記録速度が何倍速になるかの情報も上述したのと同様、“標準速度に対する１０分の何倍か”の値（１０を分母として示す）で記録される。例えば、１番目の記録速度が標準速度、すなわち１倍になる場合には、標準速度の“１０／１０倍”になるので、１番目の記録速度が何倍速になるかの情報として、“１０”の値が記録される。実際に記録されるデータは、２進法の値で記録されるので、“１０”の値は“００００  １０１０ｂ”として記録される。また、１３４バイト目に記録された２番目の記録速度が何倍速になるかの情報として標準速度の２倍速になる場合には、“標準速度×２０／１０”となるため、この欄には“２０”の値を意味する“０００１  ０１００ｂ”として記録される。
【０６３２】
もし、対象の追記形情報記憶媒体の記録速度が“標準倍速（１倍速）のみ”だけが定義されている場合には、１３４バイト目から１４８バイト目に記載される“２番目以降の記録速度が何倍速になるかの情報”の枠内は全てリザーブ領域として扱われ、“００００  ００００ｂ”の値が記録される。
【０６３３】
表２１の１４９バイト目に記録されるデータ領域ＤＴＡでの光反射率は、“実際の値をパーセント表示した値に“１／２”を掛けた値”で記録される。例えば、データ領域ＤＴＡでの反射率が“２０％”の場合“２０＝４０／２”であるから、この場合は、データは“４０”の値を意味する“００１０  １０００ｂ”が記録される。
【０６３４】
表２１の１５０バイト目に存在するトラック形状とプッシュプル信号振幅は、トータル１バイトの情報として、最初の上位１ビット目に、トラック形状情報、下位７ビットに、プッシュプル信号振幅の順に記録される。
【０６３５】
前記上位１ビット目のトラック形状は、トラックがグルーブ領域の上に存在する場合、すなわちグルーブ領域上に記録マークが形成される場合に、トラック形状の値として“０ｂ”が設定され、トラックがランド上に存在する場合（ランド領域上に記録マークが形成される場合）に、トラック形状として“１ｂ”の値が設定される。また、下位７ビットで記録されるプッシュプル信号の振幅値は、記録マークが記録される前（未記録）の状態において、図６５（ａ）に示される加算器２６の出力である（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ成分を分母とし、図５７に示す（Ｉ１−Ｉ２）の信号の振幅である（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰを分子とした分数計算の結果の値として、プッシュプル信号が定義される（（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ）。
【０６３６】
図１１に示した情報再生装置または情報記録再生装置では、ウォブル信号検出部１３５でプッシュプル信号を用いたトラックずれ検出を兼用している。
【０６３７】
トラックずれ検出回路（ウォブル信号検出部１３５）では、上記プッシュプル信号（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣの値として、    
０．１  ≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．８    
の範囲で、安定にトラックずれが検出できる。
【０６３８】
特に、“Ｈ→Ｌ”記録膜に対しては、    
０．２６≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．５２    
の範囲、“Ｌ→Ｈ”記録膜に対しては、    
０．３０≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．６０    
の範囲で、一層安定に、トラックずれを検出できる。
【０６３９】
従って、本実施形態において、プッシュプル信号は、    
０．１≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．８    
の範囲、好ましくは“Ｈ→Ｌ”記録膜に対しては    
０．２６≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．５２    
の範囲、“Ｌ→Ｈ”記録膜に対しては、    
０．３０≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣ  ≦０．６０    
の範囲に入るように、情報記憶媒体の特性を規定している。
【０６４０】
上記の範囲は、データリードイン領域ＤＴＬＤＩあるいはデータ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯにおける既記録場所（記録マークが存在する場所）と未記録場所（記録マークが存在しない場所）の両方において成り立つように規定しているが、本実施形態はそれに限らず、例えば既記録場所（記録マークが存在する場所）のみで成り立つまたは未記録場所（記録マークが存在しない場所）のみで成り立つように規定することもできる。
【０６４１】
さらに、本実施形態では、既記録場所と未記録場所での図５７に示す“（Ｉ１−Ｉ２）”の信号の振幅“（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰａｆｔｅｒ”と“（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰｂｅｆｏｒｅ”との比率として、    
“Ｈ→Ｌ”記録膜および“Ｌ→Ｈ”記録膜に関わらず、    
０．７  ≦  （Ｉ１−Ｉ２）ＰＰａｆｔｅｒ／（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰｂｅｆｏｒｅ、
（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰａｆｔｅｒ／（Ｉ１−Ｉ２）ＰＰｂｅｆｏｒｅ  ≦１．５０    
を満足するように、情報記憶媒体特性を規定している。
【０６４２】
表２１の１５０バイト目であるトラック形状とプッシュプル信号振幅内の下位７ビットに記載されるプッシュプル信号振幅の値は、実際のプッシュプル信号振幅値に対する百分率で表示される。
【０６４３】
例えば、プッシュプル信号の振幅が０．７０（７０％）の場合には、“０．７＝７０／１００”であるから、この欄内に記載されるデータは、“７０”の値を２進法で表現した“０１００  ０１１０ｂ”となる。
【０６４４】
追記形情報記憶媒体の場合は、表２１の１５１ビット目に“オントラック信号の情報”が記録される。本実施形態においては、追記形情報記憶媒体では、トラッキングの対象は、プリグルーブ領域上（プリグルーブ領域上に記録マークが形成される）であるから、オントラック信号は、プリグルーブ領域上をトラッキングした時の検出信号レベルを意味している。すなわち、オントラック情報は、例えば図６５（ｂ）や、図６６（ｂ）に示されるトラックループＯＮ時の未記録領域の信号レベル“（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅ”を意味している。この欄に実際に記録される情報としては、１５０バイト目のプッシュプル信号振幅と同様に、百分率で表示される。例えば、オントラック信号が０．７０（７０％）の場合には、“０．７０＝７０／１００”に対応するため、オントラック信号領域には“７０”の値を２進法で表現した“０１００  ０１１０ｂ”の情報が記載される。
【０６４５】
表２１の１５１バイト目は、書替え形情報記憶媒体の場合には、ランド（トラック）上でのオントラック信号情報が記録される。また、書換え型情報記憶媒体の場合には、表２１の１５２バイト目に示すように、グルーブ（トラック）上でのオントラック信号情報が記録される。
【０６４６】
ランド（トラック）上のオントラック信号情報とグルーブ（トラック）上のオントラック信号情報のそれぞれも、前述したオントラック信号情報と同様に、百分率（１００分のｎの値）で記載される。すなわち、例えばランド（トラック）上もしくはグルーブ（トラック）上でのオントラック信号が０．７０の場合には、“７０／１００”であるから“７０”の値を２進法で表現した“０１００  ０１１０ｂ”の情報が記載される。
【０６４７】
表２１において、２５６バイト目から２６３バイト目には、Ｒ物理フォーマット情報とアップデートされた物理フォーマット情報内のボーダゾーンの開始位置を示す情報が記録される。
【０６４８】
Ｒ物理フォーマット情報内において、２５６バイト目から２５９バイト目には、現在のボーダアウトＢＲＤＯ（図２７（ｃ）参照）の開始位置を表す物理セクタ番号が、２６０バイト目から２６３バイト目には、次のボーダ内領域に対応したボーダインＢＲＤＩの開始位置を示す物理セクタ番号ＰＳＮの情報が、それぞれ記録される。アップデートされた物理フォーマット情報内において、２５６バイト目から２５９バイト目に、現在のボーダアウトＢＲＤＯ（図２７（ｃ）参照）の開始位置を表す物理セクタ番号ＰＳＮが、２６０バイト目から２６３バイト目までは、次のボーダインＢＲＤＩの開始位置を表す物理セクタ番号ＰＳＮが、それぞれ記録される。ここで、次のボーダ内領域ＢＲＤＡが存在しない場合には、次のボーダインの開始位置を示す物理セクタ番号として、“００ｈ”が、記録される。
【０６４９】
表１９の４バイト目から１５バイト目に記録されるデータ領域ＤＴＡの配置場所情報、または表２１の４バイト目から１５バイト目までに配置されるデータ領域ＤＴＡの配置場所情報の詳細な情報を表２２に示す。
【０６５０】
表２２に示すデータ領域ＤＴＡの配置場所情報は、物理フォーマット情報ＰＦＩおよびＲ物理フォーマット情報Ｒ−ＰＦＩ、アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ−ＰＦＩ内で若干異なる情報が記録される。すなわち、再生専用形情報記憶媒体内では、最初にデータ領域の開始位置情報が物理セクタで記録され、次にデータ領域の終了位置情報、その後（最後）に、０層（Ｌ０層）の最後のアドレス情報が、それぞれ、物理セクタ情報で記録される。
【０６５１】
それに対し、書替え形情報記憶媒体においては、ランド領域内でのデータ領域ＤＴＡの開始位置情報、ランド領域内でのデータ領域ＤＴＡの終了位置情報、ならびにランド領域とグルーブ領域との間の各開始位置情報の差分値が、それぞれ、物理セクタ番号で記録される
一方で、追記形情報記憶媒体においては、データ領域の開始位置情報を表す物理セクタ番号、ユーザデータの追記可能範囲の最後の位置情報を表す物理セクタ番号が、それぞれ、記録される。
【０６５２】
本実施形態において、追記形情報記憶媒体のうちのデータ領域の開始位置情報は、図２５（ｄ）に示すように、データ領域ＤＴＡの最初の位置を表す物理セクタ番号ＰＳＮ、すなわち、実質的に“０３００００ｈ”の値が記録される。
【０６５３】
また、ユーザデータの追記が可能範囲の最後の位置情報として、図２５（ｄ）に示すように、データ領域（ＤＴＡ）の最後の位置であるβの位置の直前の情報、実質的には“７３５４３Ｆｈ”の値が記録される。
【０６５４】
但し、本実施形態における追記形情報記憶媒体においては、初期の段階で図２５（ｆ）に示すように、拡張代替領域ＥＳＰＡを最初から設定している場合があり、その場合には、ユーザデータの使用可能範囲２０５が、ゼータ（ζ）点の直前位置までしか記録できない。すなわち、拡張代替領域ＥＳＰＡが設定されている場合には、ゼータ（ζ）点の直前の位置を示す物理セクタ番号が記録される。
【０６５５】
Ｒ物理フォーマット情報Ｒ＿ＰＦＩにおいては、データ領域ＤＴＡの開始位置情報を表す物理セクタ番号（０３００００ｈ）が記録されるとともに、該当するボーダ内領域の中での最後のＲゾーン内で、最後に記録された場所を示す物理セクタ番号が記録される。
【０６５６】
アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ＿ＰＦＩ内では、データ領域ＤＴＡの開始位置情報を表す物理セクタ番号（０３００００ｈ）と該当するボーダ内領域の中での最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号が記録される。
【０６５７】
本実施形態では、図２５（ｅ）および図２５（ｆ）に示すように、ユーザデータの追記可能範囲２０４内に拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺと拡張代替領域ＥＳＰＡの追加設定を可能としているが、このように拡張すると、ユーザデータの追記可能範囲２０５が狭くなる。このため、誤って、それぞれの拡張領域（ドライブテストゾーン）ＥＤＲＴＺと（拡張代替領域）ＥＳＰＡにユーザデータを記録されることがないように“最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報”内に、関連情報が記録される。
【０６５８】
すなわち、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの有無識別情報により、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺが増設されたかどうかが分かり、拡張代替え領域ＥＳＰＡの有無識別情報により拡張代替え領域ＥＳＰＡが増設されたか否かが分かる。
【０６５９】
また、記録位置管理データＲＭＤ内で管理するユーザデータの追記が可能な範囲２０５に関する記録可能範囲情報として、表１０に示すように、ＲＭＤフィールド０内の最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報内に記録されている最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置を規定したことで、図２５（ｆ）に示したユーザデータの追記可能範囲２０５を即座に判定可能である。これにより、今後記録可能な未記録領域のサイズ（未記録の残量）が高速で検出可能となる。
【０６６０】
このことは、例えばユーザが指定した録画予約時間に合わせて最適な記録時転送レートが設定可能となり、実現可能な最も高画質、かつ、ユーザが指定した録画予約時間を漏れなく媒体内に録画できる。
【０６６１】
図２５（ｄ）の実施形態を例に取ると、前記の“最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置”は、ζ点の直前位置を意味する。これらの位置情報は、物理セクタ番号で記述する代わりに、他の実施形態として、ＥＣＣブロックアドレス番号で記述することも可能となる。
【０６６２】
本実施形態では３２セクタで１ＥＣＣブロックとしているので、特定のＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットは、隣接するＥＣＣブロック内の先頭位置に配置されたセクタのセクタ番号と一致する。ＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットが“０００００”になるように、物理セクタ番号を設定した場合には、同一ＥＣＣブロック内に存在する全てのセクタの物理セクタ番号の下位６ビット目以上の値が一致する。従って、上述の同一ＥＣＣブロック内に存在するセクタの物理セクタ番号の下位５ビットデータを除去し、下位６ビット目以上のデータのみを抽出したアドレス情報を、“ＥＣＣブロックアドレス情報”（またはＥＣＣブロックアドレス番号）と定義する。
【０６６３】
一方、ウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレス情報（または物理セグメントブロック番号情報）は、上述のＥＣＣブロックアドレスと一致するので、記録位置管理データＲＭＤ内の位置情報をＥＣＣブロックアドレス番号で記述すると、    
（１）特に、記録位置管理データＲＭＤ内の位置情報単位とウォブル変調とにより予め記録されたデータセグメントアドレスの情報単位が一致するため差分の計算処理が容易となるために、未記録領域へのアクセスが高速化される    
（２）アドレス情報記述に必要なビット数が１アドレス当たり５ビット節約できるために、記録位置管理データＲＭＤ内の管理データサイズを小さくできる    
という、効果が得られる。
【０６６４】
また、１物理セグメントブロック長は、１データセグメント長に一致するので、１データセグメント内に１ＥＣＣブロック分のユーザデータが記録できる。従って、アドレスの表現として、“ＥＣＣブロックアドレス番号”や、“ＥＣＣブロックアドレス”もしくは“データセグメントアドレス”あるいは“データセグメント番号”または“物理セグメントブロック番号”等により任意に表現される“アドレス”とは、全て同義語と考えることができる。
【０６６５】
表１０に示すように、ＲＭＤフィールド０内に記録されている記録位置管理データＲＭＤの配置位置情報には、この記録位置管理データＲＭＤを内部に、順次、追記できる記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定されたサイズ情報がＥＣＣブロック単位または物理セグメントブロック単位で記録されている。
【０６６６】
また、図２４（ｂ）に示したように、１個の記録位置管理ゾーンＲＭＤが、１個の物理セグメントブロック毎に記録されているので、この情報により、記録位置管理ゾーンＲＭＺの中に、何回アップデート（更新）された記録位置管理データＲＭＤが追記できるかが分かる。
【０６６７】
その次には、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内における、現在の記録位置管理データ番号が記録される。これは、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内で既に記録された記録位置管理データＲＭＤの数情報を意味している。例えば、図２４（ｂ）に示した例が“記録位置管理データＲＭＤ＃２内の情報”である、とすると、この情報は、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内で２番目に記録された記録位置管理データＲＭＤであるから、“２”の値が、この欄の中に記録される。その次には、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での残量情報が記録される。この情報は、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内において、さらに追加可能な記録位置管理データＲＭＤの数情報を意味し、物理セグメントブロック単位（＝ＥＣＣブロック単位＝データセグメント単位）で記述される。
【０６６８】
上述の３つの情報の間には、    
［ＲＭＺの設定されたサイズ情報］    
＝［現在の記録位置管理データ番号］＋［ＲＭＺ内での残量］    
の関係が成立する。
【０６６９】
このように、本実施形態では、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤの既使用量または残量情報を、記録位置管理データＲＭＤの記録領域内に記録することを特徴の一つとしている。
【０６７０】
例えば、１枚の追記形情報記憶媒体に１回で全ての情報を記録する場合には、記録位置管理データＲＭＤは１回だけ記録すれば良い。反面、１枚の追記形情報記憶媒体に、非常に細かくユーザデータの追記（図２５（ｆ）でのユーザデータの追記可能範囲２０５内へのユーザデータの追記）を繰り返そうとする場合には、追記毎に更新された記録位置管理データＲＭＤも追記する必要がある。この場合、頻繁に記録位置管理データＲＭＤを追記すると、図２４（ｂ）に示した予約領域２７３の余裕（残り）がなくなり、情報記録再生装置としては、それに対する処置（特別な対応）が必要となる。このため、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤの既使用量または残量情報を、記録位置管理データＲＭＤの記録領域内に記録することで、記録位置管理ゾーンＲＭＺ領域内において追記が不可能な状態が事前に分かり、情報記録再生装置の早めの対処が可能となる。
【０６７１】
本実施形態では、図２５（ｅ）から（ｆ）への移行で示したように、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを内部に含めた形でデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯを設定できる（図１（Ｅ４））。このため、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを内部に含めた状態でデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯを設定する場合は、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯの開始位置が、図２５（ｅ）のβ点からε点へ変化する。この状況を管理するため、表１０のＲＭＤフィールド０の最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報内に、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯの開始位置情報を記録する欄が設けられている。
【０６７２】
前述したように、ドライブテスト（試し書き）は、基本的にデータセグメント（ＥＣＣブロック）単位で拡張可能なクラスタ単位で記録される。このため、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯの開始位置情報は、ＥＣＣブロックアドレス番号で記述される。なお、他の実施形態として、最初のＥＣＣブロック内の最初に配置される物理セクタの物理セクタ番号、または物理セグメントブロック番号、データセグメントアドレス、ＥＣＣブロックアドレスで記述することも可能である。
【０６７３】
ＲＭＤフィールド１には、対応媒体の記録を行った情報記録再生装置の履歴情報が記録され、それぞれの情報記録再生装置毎に、製造メーカ識別情報、ＡＳＣＩＩコードにより記述されたシリアル番号とモデル番号、ドライブテストゾーンを用いた記録パワー調整の日時情報および追記時に行った記録条件情報等のリビジョン毎に固有に設定できる情報２６４（表８参照）内の全記録条件情報のフォーマットに従って、記述される。
【０６７４】
ＲＭＤフィールド２は、ユーザ使用領域であって、例えば記録した（記録したい）コンテンツの情報等が、ユーザにより記録できる。
【０６７５】
ＲＭＤフィールド３内には、各ボーダゾーンＢＲＤＺの開始位置情報が記録される。すなわち、表１１に示すように、最初（１番目）から５０番目までのボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が、物理セクタ番号で記載される。
【０６７６】
例えば、図２８（ｃ）に示した実施形態では、最初のボーダアウトＢＲＤＯの開始位置は、η点の位置を表し、２番目のボーダアウトＢＲＤＯの開始位置は、θ点の位置を示している。
【０６７７】
ＲＭＤフィールド４内では、拡張ドライブテストゾーンの位置情報が記録される。最初に、図２４（ｃ）に記載されたデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺ内で既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報と図２５（ｄ）〜（ｆ）に記載されたデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺ内で既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報とが記録される。
【０６７８】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内では、内周側（物理セクタ番号の小さい方）から外周方向（物理セクタ番号が大きくなる方向）に向かって、順次、試し書きに使用される。
【０６７９】
試し書きに使用される場所と単位は、追記単位であるクラスタ単位に従うため、ＥＣＣブロック単位となることはいうまでもない。
【０６８０】
従って、既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報としてＥＣＣブロックアドレス番号で記載されるか、または物理セクタ番号で記載される場合は、試し書きに用いられたＥＣＣブロックの最後に配置された物理セクタの物理セクタ番号を記載することになる。
【０６８１】
１度試し書きに使用された場所は、（既に記録されているので、当然記録できず）、従って、次に試し書きを行う場合には、既に試し書きに使用された最後の位置の次の位置となる。
【０６８２】
このように、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内で既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報、すなわちドライブテストゾーンＤＲＴＺ内の既使用量を利用して情報記録再生装置は、次に何処から試し書きを開始すればよいかを特定可能となる（瞬時に分かる）。
【０６８３】
また、その情報から、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内に、次に試し書きが可能な空きスペースがあるか否かを判定できる。
【０６８４】
データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺ内には、引き続き追加の試し書きが可能な領域サイズ情報、あるいはドライブテストゾーンＤＲＴＺを使い切ってしまったか否かを示すフラグ情報と、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺ内で引き続き追加の試し書きが可能な領域サイズ情報、あるいはドライブテストゾーンＤＲＴＺを使い切ってしまったか否かを示すフラグ情報とが記録される。
【０６８５】
データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺのサイズとデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺのサイズは予め分かっているので、両者あるいはいずれか一方（データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のドライブテストゾーンＤＲＴＺ内あるいはデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内にあるドライブテストゾーンＤＲＴＺ内）の領域内の既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報だけで、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内に引き続いて追加の試し書きが可能な領域のサイズ（残量）を割り出すことは可能である。しかしながら、上述の情報、すなわち引き続き追加の試し書きが可能な領域サイズ情報あるいはドライブテストゾーンＤＲＴＺを使い切ってしまったか否かを示すフラグ情報を記録位置管理データＲＭＤ内に記録することにより、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内の残量が分かり、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを新規に設定する必要があるか否かの判断までの要求される時間を短縮できる。他の実施形態として、この欄に、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内でさらに追加試し書きできる領域サイズ（残量）情報の代わりにこのドライブテストゾーンＤＲＴＺを使い切ってしまったか否かを示すフラグ情報を記録することもできる。なお、既にＤＲＴＺを使い切ってしまったことが瞬時に分かるフラグを設定することにより、例えば誤ってこの領域に対しても試し書きが試行される危険性を排除できる。
【０６８６】
ＲＭＤフィールド４内では、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺにおける追加設定回数情報も保持（記録）される。
【０６８７】
図２５（ｅ）に示すように、例えば拡張ドライブテストゾーン（ＥＤＲＴＺ）１と拡張ドライブテストゾーン（ＥＤＲＴＺ）２の２箇所に拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定したことにより、“拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの追加設定回数＝２”となる。なお、フィールド４内では、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ毎の範囲情報と既に試し書きに使用された範囲情報が記録される。
【０６８８】
このように、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの位置情報を、記録位置管理データＲＭＤ内で管理可能とすることにより、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの複数回の拡張設定が可能となる。また、追記形情報記憶媒体においては、記録位置管理データＲＭＤの更新追記という工程により、逐次拡張された拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの位置情報を正確に管理できる。これにより、ユーザデータの追記可能範囲２０４（図２５（ｄ））と誤って判断されて、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ上にユーザデータが重ね書きされる危険性を排除できる。
【０６８９】
上述したように、試し書きの単位もクラスタ単位（ＥＣＣブロック単位）で記録されるので、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ毎の範囲は、ＥＣＣブロックアドレス単位で指定される。
【０６９０】
図２５（ｅ）に示した実施形態では、最初に設定した拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの開始位置情報は、拡張ドライブテストゾーン（ＥＤＲＴＺ）１を最初に設定することにより、γ点を示し、最初に設定した拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの終了位置情報は、β点の直前位置が対応する。位置情報の単位は、同じくＥＣＣブロックアドレス番号または物理セクタ番号で記述される。
【０６９１】
表１０、表１１の実施形態では、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの終了位置情報を示したが、それに限らず代わりに拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺのサイズ情報を記載しても良い。この場合には、最初に設定した拡張ドライブテストゾーン１ＥＤＲＴＺ１のサイズは、“β−γ”となる。最初に設定した拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内で既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報もＥＣＣブロックアドレス番号または物理セクタ番号で記述される。
【０６９２】
なお、最初に設定した拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内に、さらに追加の試し書きの可能な領域のサイズ（残量）情報が記録される。この場合、既に拡張ドライブテストゾーン（ＥＤＲＴＺ）１のサイズとその中で既に使用されている領域のサイズとが、上記の情報から分かっているので引き続いて追加試し書きに利用可能な領域のサイズ（残量）が、自動的に求められるが、上記の拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内でさらに追加試し書きできる領域サイズ（残量）情報の欄を設けることにより、新たなドライブテスト（試し書き）をする時に現在のドライブテストゾーンで足りるか否かを即時判定できる。これにより、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの追加が必要か否かが判断されるまでに要求される判断時間を、さらに短縮化できる。なお、領域サイズ（残量）情報の欄は、追加試し書きできる領域サイズ（残量）情報が記録できるように規定されているが、他の実施形態として、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを使い切ってしまったか否かを示すフラグ情報に置き換えることも可能である。既に使い切ってしまったことが瞬時に分かるフラグが設定されていれば、誤って、ＥＤＲＴＺ領域に、試し書きが試行される危険性が排除できることは言うまでもない。
【０６９３】
図９に示した情報記録再生装置で新たに拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定し、そこに試し書きを行う処理方法の一例について説明する。
【０６９４】
（１）追記形情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着する    
→（２）情報記録再生部１４１でバーストカッティング領域ＢＣＡに形成されたデータを再生し、制御部１４３へ送る→制御部１４３内で転送された情報を解読し、次のステップへ進めるか判定する    
→（３）情報記録再生部１４１でシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の制御データゾーンＣＤＺに記録されてある情報を再生し、制御部１４３へ転送する    
→（４）制御部１４３内で推奨記録条件を割り出した時のリムインテンシティの値（表８の１９４、１９５バイト目）と情報記録再生部１４１で使われている光学ヘッドのリムインテンシティの値を比較し、試し書きに必要な領域サイズを割り出す    
→（５）情報記録再生部１４１で記録位置管理データ内の情報を再生し、制御部１４３へ送る。制御部ではＲＭＤフィールド４内の情報を解読し、（４）で割り出した試し書きに必要な領域サイズの余裕の有無を判定し、余裕がある場合には（６）へ進み、余裕がない場合には（９）へ進む    
→（６）ＲＭＤフィールド４内から試し書きに使用するドライブテストゾーンＤＲＴＺまたは拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内の既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報から今回試し書きを開始する場所を割り出す    
→（７）  （６）で割り出した場所から（４）で割り出したサイズ分試し書きを実行する    
→（８）  （７）の処理により試し書きに使用した場所が増えたので、既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報を書き替えた記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存し、（１２）へ進む    
→（９）ＲＭＤフィールド０に記録されてある“最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置”の情報または表９に示した物理フォーマットＰＦＩ内のデータ領域ＤＴＡの配置場所情報内に記録されている“ユーザデータの追記可能範囲の最後の位置情報”を情報記録再生部１４１で読み取り、制御部１４３内でさらに、新たに設定する拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの範囲を設定する    
→（１０）  （９）の結果に基付きＲＭＤフィールド０に記録されてある“最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置”の情報を更新するとともにＲＭＤフィールド４内の拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの追加設定回数情報を１だけインクリメント（回数を１だけ加算）し、さらに新たに設定する拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの開始／終了位置情報を付け加えた記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存する    
→（１１）  →（７）→（１２）へ移動する    
→（１２）  （７）で行った試し書きの結果得られた最適な記録条件でユーザデータの追記可能範囲２０５内に必要なユーザ情報を追記する    
→（１３）  （１２）に対応して新たに発生したＲゾーン内の開始／終了位置情報（表１３）を追記して更新された記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存する    
→（１４）制御部１４３が制御して情報記録再生部１４１がメモリー部１７５に一時保存されている最新の記録位置管理データＲＭＤを記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の予約領域２７３（例えば、図２４（ｂ））内に追加記録する。
【０６９５】
表１３に示すように、ＲＭＤフィールド５内は、拡張代替え領域ＥＳＰＡの位置情報が記録される。すなわち、本実施形態の追記形情報記憶媒体においては、代替え領域が拡張可能であり、その代替え領域の位置情報が位置管理データＲＭＤで管理される。
【０６９６】
図２５（ｅ）に示す実施形態では、拡張代替領域（ＥＳＰＡ）１と拡張代替領域（ＥＳＰＡ）２の２箇所に、拡張代替領域ＥＳＰＡを設定しているので、ＲＭＤフィールド５内の最初に記載されている“拡張代替領域ＥＳＰＡの追加設定回数”は“２”となる。最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１の開始位置情報は、δ点位置、最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１の終了位置情報は、γ点の直前の位置、２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２の開始位置情報は、ζ点の位置、２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２の終了位置情報は、ε点の直前位置に対応する。
【０６９７】
表１３のＲＭＤフィールド５内は、欠陥管理に関する情報が記録される。
【０６９８】
表１３のＲＭＤフィールド５内の最初の欄に、データリードイン領域ＤＴＬＤＩに隣接した代替領域ＥＳＰＡ内で既に代替えに使用したＥＣＣブロックの数情報または物理セグメントブロック数情報が記録される。本実施形態では、ユーザデータの追記可能範囲２０４内で発見された欠陥領域に対しては、ＥＣＣブロック単位で代替え処理が実行される。
【０６９９】
１ＥＣＣブロックである１個のデータセグメントが１個の物理セグメントブロック領域に記録されるので、既に行われた代替え回数は、既に代替えに使用したＥＣＣブロックの数または物理セグメントブロック数もしくはデータセグメント数に等しくなる。従って、この欄に記載される記載情報の単位は、ＥＣＣブロック単位または物理セグメントブロック単位もしくはデータセグメント単位となる。
【０７００】
追記形情報記憶媒体では、代替え領域ＳＰＡあるいは拡張代替え領域ＥＳＰＡにおいて交替処理として使用される場所は、ＥＣＣブロックアドレス番号の若い内周側から、順次使用される場合が多い。従って、この欄の情報は、他の実施形態として、代替えへの使用済み場所の最後の位置情報として、ＥＣＣブロックアドレス番号を記載することも可能である。
【０７０１】
表１３に示すように、最初に設定した拡張代替領域（ＥＳＰＡ）１および２番目に設定した拡張代替領域（ＥＳＰＡ）２のそれぞれには、同様の情報を記録する欄が規定されている存在する。記載される情報は、“最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１内の既に代替えに使用したＥＣＣブロックの数情報または物理セグメントブロック数情報あるいは代替えへの使用済み場所の最後の位置情報、すなわちＥＣＣブロックアドレス番号”と“２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２内の既に代替えに使用したＥＣＣブロックの数情報または物理セグメントブロック数情報あるいは代替えへの使用済み場所の最後の位置情報、すなわちＥＣＣブロックアドレス番号”である。
【０７０２】
これらの情報を利用して、    
（イ）次に代替え処理する時にユーザデータの追記可能範囲２０５内で見つかった欠陥領域に対する新たに設定すべき代替え場所が即座に分かる    
…  代替えへの使用済み場所の最後の位置の直後に新たな代替えを実行    
（ロ）計算により、代替領域ＳＰＡまたは拡張代替領域ＥＳＰＡ内の残量が求められ、（残量が足りない場合には、）新たな拡張代替領域ＥＳＰＡの設定の必要性の有無が弁別可能    
という利点が得られる。
【０７０３】
データリードイン領域ＤＴＬＤＩに隣接した代替領域ＳＰＡのサイズは、事前に知られているので、代替領域ＳＰＡ内で既に代替えに使用したＥＣＣブロックの数に関する情報が有れば代替領域ＳＰＡ内での残量を計算できる。しかしながら、代替領域ＳＰＡ内での残量情報である今後代替えに使用可能な未使用場所のＥＣＣブロックの数情報または物理セグメントブロック数情報の記録枠を設けることで、代替領域ＳＰＡ内の未使用のＥＣＣブロックの数情報または物理セグメントブロック数情報を即座に特定できる。すなわち、引き続き拡張代替領域ＥＳＰＡの設定が必要か否かを判定する際に要求される時間が低減可能である。
【０７０４】
同様な理由から、本実施形態では“最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１内での残量情報”と“２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２内での残量情報”も記録できる枠が設けられている。すなわち、追記形情報記憶媒体において、代替領域ＳＰＡを拡張可能とし、その位置情報を記録位置管理データＲＭＤ内で管理する形となっている。
【０７０５】
図２５（ｅ）に示すように、ユーザデータの追記可能範囲２０４内に必要に応じて任意の開始位置、任意のサイズで拡張代替領域（ＥＳＰＡ）１、拡張代替領域（ＥＳＰＡ）２等が、拡張設定できる。従って、ＲＭＤフィールド５内に、拡張代替領域ＥＳＰＡの追加設定回数情報が記録され、最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１の開始位置情報や２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２の開始位置情報が設定可能となっている。これらの開始位置情報は、物理セクタ番号またはＥＣＣブロックアドレス番号あるいは物理セグメントブロック番号もしくはデータセグメントアドレスで記述される。
【０７０６】
表１０、表１１の実施形態では、拡張代替領域ＥＳＰＡの範囲を規定する情報として、“最初に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ１の終了位置情報”や“２番目に設定した拡張代替領域ＥＳＰＡ２の終了位置情報”を記録するが、他の実施形態として、それら終了位置情報の変わりに、拡張代替領域ＥＳＰＡのサイズ情報が、ＥＣＣブロック数、物理セグメントブロック数、データセグメント数、ＥＣＣブロック数あるいは物理セクタ数のいずれか（または２以上の併記により）記録されてもよいことはいうまでもない。
【０７０７】
ＲＭＤフィールド６には、欠陥管理情報が記録される。
【０７０８】
本実施形態では、欠陥処理に関する情報記憶媒体に記録する情報の信頼性を向上する方法として、    
（１）欠陥場所に記録を予定していた情報を、代替場所に記録する一般的な（周知の）“交替モード”、    
（２）同じ内容の情報を、情報記憶媒体上の異なる場所に２回記録して信頼性を上げる“多重化モード”    
の２種類の方法を（選択的に）対応可能としている。
【０７０９】
どちらのモードで処理するかに関する情報が、表１４に示す、記録位置管理データＲＭＤ内の２次欠陥リストエントリ情報内の“欠陥管理処理の種別情報”内に記録される。
【０７１０】
２次欠陥リストエントリ情報内の内容は、    
（１´）交替モードの場合には、    
欠陥管理処理の種別情報を“０１”に設定し（従来のＤＶＤ−ＲＡＭと同様）、    
“交替元ＥＣＣブロックの位置情報”として、ユーザデータの追記が可能範囲２０５の中で欠陥場所として発見されたＥＣＣブロックの位置情報を意味し、本来この領域に記録すべき情報を記録することなく、代替領域内等への記録を案内する。“交替先ＥＣＣブロックの位置情報”は、例えば図２５（ｅ）の代替領域ＳＰＡまたは拡張代替領域（ＥＳＰＡ）１、拡張代替領域（ＥＳＰＡ）２の中に設定される交替先の場所の位置情報を示し、ユーザデータの追記が可能範囲２０５内で発見された欠陥場所に記録すべき情報の記録に用いられる。
【０７１１】
（２´）多重化モードの場合には、    
欠陥管理処理の種別情報を“１０”に設定し、    
“交替元ＥＣＣブロックの位置情報”として、非欠陥の場所であり、記録予定の情報が記録されるとともに、その記録された情報が、正確に再生できる場所の位置情報を表す。“交替先ＥＣＣブロックの位置情報”は、図２５（ｅ）の代替領域ＳＰＡまたは拡張代替領域（ＥＳＰＡ）１、拡張代替領域（ＥＳＰＡ）２の中に設定される多重化のために上記“交替元ＥＣＣブロックの位置情報”に記録された情報と全く同じ内容が記録される場所の位置情報を表す。
【０７１２】
上記“（１）および（１´）交替モード”で記録した場合には、記録直後の段階では、情報記憶媒体へ記録された情報が正確に読み出せることは確認される。しかし、その後にユーザの不手際等で、情報記憶媒体に傷やゴミが付着して、上記記録が再生できなくなる危険性がある。それに対して、上記“（２）および（２´）多重化モード”で記録した場合には、ユーザの不手際等で、情報記憶媒体に傷やゴミが付着して、部分的に情報が再生できなくなったとしても、他の部分に同じ情報がバックアップされているので情報再生の信頼性が格段に向上する。
【０７１３】
この時に読めなかった情報については、上記バックアップされている情報を利用して、“（１）交替モード”の交替処理を実行することでさらに信頼性が向上する。従って、上記“（２）多重化モード”の処理、あるいは“（１）交替モード”の処理と“（２）多重化モード”の処理を組み合わせることで、傷やゴミの対策も考慮に入れた、記録後の高い情報再生信頼性を確保できる。上記ＥＣＣブロックの位置情報を記述する方法としては、上記ＥＣＣブロックを構成する先頭位置にある物理セクタの物理セクタ番号を記述する方法以外に、ＥＣＣブロックアドレスまたは物理セグメントブロックアドレスあるいはデータセグメントアドレスを記載することも可能である。
【０７１４】
本実施形態では、１ＥＣＣブロックサイズのデータが入るデータ上の領域をデータセグメントと呼ぶ。データを記録する場所の情報記憶媒体上の物理的な単位として物理セグメントブロックが定義されており、１個の物理セグメントブロックサイズと１個のデータセグメントを記録する領域のサイズが一致している。
【０７１５】
本実施形態では、交替処理前に、事前に検出された欠陥位置情報も記録できる仕組みも持っている。これにより、情報記憶媒体の製造メーカが、出荷直前にユーザデータの追記可能範囲２０４内の欠陥状態を検査し、発見された欠陥場所を、（交替処理前に）事前に記録したり、ユーザにより、情報記録再生装置においてイニシャライズ処理が実行された場合に、ユーザデータの追記可能範囲２０４内の欠陥状態を検査し、発見された欠陥場所を、（交替処理前に）事前に記録できるようにしてある。
【０７１６】
このように、交替処理前に事前に検出された欠陥位置を示す情報が、表１４に示す２次欠陥リストエントリ情報内の“欠陥ブロックの代替ブロックへの交替処理有無情報ＳＬＲ（Status of Linear Replacement）”であり、    
欠陥ブロックの代替ブロックへの交替処理有無情報ＳＬＲが“０”の時には、    
…  “交替元ＥＣＣブロックの位置情報”で指定された欠陥ＥＣＣブロックに対して交替処理がなされ、    
“交替先ＥＣＣブロックの位置情報”で指定された場所に再生可能な情報が記録されている。
【０７１７】
欠陥ブロックの代替えブロックへの交替処理有無情報ＳＬＲが“１”の時には、    
…  “交替元ＥＣＣブロックの位置情報”で指定された欠陥ＥＣＣブロックは交替処理前の段階で事前に検出された欠陥ブロックを意味し、    
“交替先ＥＣＣブロックの位置情報”の欄は、ブランク（何も情報が記録されてない）である。
【０７１８】
このように、欠陥場所が事前に判明している場合、情報記録再生装置がユーザデータを追記形情報記憶媒体に追記する段階で、高速に（かつリアルタイムで）最適な交替処理が可能となる。特に、映像情報（特に動画）等を情報記憶媒体に記録する場合には、記録時の連続性を保証する必要が有り、上記情報に基づく、高速な交替処理が重要となる。
【０７１９】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内に欠陥があると、代替領域ＳＰＡあるいは拡張代替領域ＥＳＰＡ内の所定場所で交替処理が実行される。交替処理が実行されたことは、上述のＲＭＤフィールド６内に、その交替処理毎に１個の２次欠陥リストエントリＳＤＬＥ（Secondary Defect List Entry）情報が付加された欠陥ＥＣＣブロックの位置情報と代替えに利用されたＥＣＣブロックの位置情報との組の情報として、記録される。
【０７２０】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内に、新たにユーザデータの追記を繰り返す時に、新たな欠陥場所が発見された場合、その部分についても交替処理が実施される。従って、２次欠陥リストエントリ情報の数が増える。この２次欠陥リストエントリ情報の数が増えた記録位置管理データＲＭＤは、図２４（ｂ）に示すように、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の予約領域２７３内に追記することにより欠陥管理の管理情報領域（ＲＭＤフィールド６）が拡張できる。
【０７２１】
この拡張を可能とすることにより、以下の理由から、欠陥管理情報自体の信頼性を向上させることができる。    
（１）記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の欠陥場所を回避して記録位置管理データＲＭＤを記録できる    
…  図２４（ｂ）に示す記録位置管理ゾーンＲＭＺ内でも欠陥場所が発生する場合がある。記録位置管理ゾーンＲＭＺ内で新たに追記した記録位置管理データＲＭＤの内容を追記直後に確認（ベリファイ）することで欠陥による記録不可能な状態を検知できる。その場合には、その隣に記録位置管理データＲＭＤを書き直すことで記録位置管理データＲＭＤを高い信頼性を高めることができる。    
（２）情報記憶媒体表面に付いた傷等により過去の記録位置管理データＲＭＤの再生が不可能となった場合においても、ある程度のバックアップが可能となる    
…  例えば、図２４（ｂ）の例では、記録位置管理データＲＭＤ＃２を記録した後で情報記憶媒体表面に傷が生じ、記録位置管理データＲＭＤ＃２の再生が不可能になった状態を例として想定する。この場合、代わりに、記録位置管理データＲＭＤ＃１の情報を再生することで、ある程度、過去の欠陥管理情報（ＲＭＤフィールド６内の情報）を修復できる。
【０７２２】
ＲＭＤフィールド６の先頭には、ＲＭＤフィールド６のサイズ情報が記録されており、このフィールドサイズを可変と規定することにより、欠陥管理の管理情報領域（ＲＭＤフィールド６）を拡張可能としている。各ＲＭＤフィールドは、２０４８サイズ（１物理セクタサイズ分）に設定していることは既に説明したが、情報記憶媒体の欠陥が多く、交替処理回数が所定回数を超えた場合、２次欠陥リスト情報ＳＤＬ（Secondary Defect List）の情報量（サイズ）が増大し、２０４８バイトサイズ（１物理セクタサイズ分）では収まらなくなる。そのような状況を考慮して、ＲＭＤフィールド６は、２０４８サイズの複数倍（複数のセクタに跨って記録可能）に拡張可能である。つまり、“ＲＭＤフィールド６に記録された情報”の量が２０４８バイトを越えた場合には、複数物理セクタ分の領域をＲＭＤフィールド６に割り当てることで、拡張可能である。
【０７２３】
２次欠陥リスト情報ＳＤＬ内には、上述した２次欠陥リストエントリ情報の他に、２次欠陥リスト情報ＳＤＬの開始位置を示す“２次欠陥リスト識別情報”が記録される。“２次欠陥リスト識別情報”は、２次欠陥リスト情報ＳＤＬを何回書き替えたかの回数情報を示す“２次欠陥リストのアップデートカウンタ（アップデート回数情報）”である。“２次欠陥リストエントリの数情報”により２次欠陥リスト情報ＳＤＬ全体のデータサイズが分かる。
【０７２４】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内には、論理的にＲゾーン（Ｒ  Ｚｏｎｅ）単位でユーザデータが記録されることを既に説明した。すなわち、ユーザデータを記録するために予約されるユーザデータの追記可能範囲２０５内の一部をＲゾーン（Ｒ  Ｚｏｎｅ）と呼ぶ。記録条件に応じ、このＲゾーンは、２種類のＲゾーンに分けられる。
【０７２５】
１つは、追加ユーザデータがさらに記録できるタイプ（Ｒゾーン）であり、“オープン形Ｒゾーン（Open R Zone）”と呼ばれ、他の１つは、ユーザデータが追加できないタイプ（Ｒゾーン）であり、“完結形Ｒゾーン（Complete R Zone）”と呼ばれる。
【０７２６】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内では、３個以上の“オープン形Ｒゾーン”が同時に規定できない（すなわち、ユーザデータの追記可能範囲２０５内では“オープン形Ｒゾーン”は２箇所までしか設定できない）。
【０７２７】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内で、上記２種類のいずれのＲゾーンも設定されていない場所、すなわちユーザデータを記録するために（上記２種類のＲゾーンのいずれかとして）予約され場所を“未指定状態のＲゾーン（Invisible R Zone）”と呼ばれる。
【０７２８】
ユーザデータの追記可能範囲２０５内に全てユーザデータが記録され、それ以上、追加できない場合には、この“未指定状態のＲゾーン”は存在しない。
【０７２９】
ＲＭＤフィールド７内は、２５４番目までのＲゾーンの位置情報が記録される。ＲＭＤフィールド７内の最初に記録される“全体のＲゾーンの数情報”は、ユーザデータの追記可能範囲２０５内に論理的に設定される“未指定状態のＲゾーン”の数と“オープン形Ｒゾーン”の数と“完結形Ｒゾーン”の数の合計数を表している。
【０７３０】
次に、最初の“オープン形Ｒゾーン”の数情報と２番目の“オープン形Ｒゾーン”の数情報が記録されるが、前述したようにユーザデータの追記可能範囲２０５内では３個以上の“オープン形Ｒゾーン”を持つことができないので、ここは“１”または“０”（最初または２番目のオープン形Ｒゾーンが存在しない場合）が記録される。
【０７３１】
次には、最初の“完結形Ｒゾーン”の開始位置情報と終了位置情報が物理セクタ番号で記載される。
【０７３２】
その次には。２番目から２５４番目までの開始位置情報と終了位置情報が、順次、物理セクタ番号で記載される。
【０７３３】
ＲＭＤフィールド８以降は、２５５番目以降の開始位置情報と終了位置情報が、順次、物理セクタ番号で記載され、“完結形Ｒゾーン”の数に応じて最大ＲＭＤフィールド１５まで（最大２０４７個の完結形Ｒゾーンまで）記載可能である。
【０７３４】
表１０〜表１５に示した記録位置管理データＲＭＤ内のデータ構造に対する他の実施形態を、表１６、表１７に示す。
【０７３５】
表１６、表１７の実施形態では、１枚の追記形情報記憶媒体上に１２８個までのボーダ内領域ＢＲＤＡが設定可能である。従って、先頭から１２８個までのボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が、ＲＭＤフィールド３内に記録されている。もし途中まで（１２８個以下）しかボーダ内領域ＢＲＤＡが設定されていない場合には、それ以降のボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報として“００ｈ”が設定される。これにより、ＲＭＤフィールド３内で、どこまでボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が記録されているかを調べるだけで、追記形情報記憶媒体上に何個ボーダ内領域ＢＲＤＡが設定されているかが、分かる。なお、表１６、表１７の実施形態では、１枚の追記形情報記憶媒体上に、１２８個までの拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺが設定可能である。
【０７３６】
上述したように、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺとして、    
１）ボーダインＢＲＤＩ内に設定された拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺと、    
２）Ｒゾーンを利用して設定された拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺ、    
の２種類存在するが、表１６、表１７に示した実施形態では、その２種類を区別することなく、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置情報（物理セクタ番号で表示）とサイズ情報（占有する物理セクタの数情報）の組を、ＲＭＤフィールド３内に記録することで、管理している。
【０７３７】
表１６、表１７の実施形態では、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置情報（物理セクタ番号で表示）とサイズ情報（占有する物理セクタの数情報）の組の情報が記録されているが、それに限らず拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置情報（物理セクタ番号で表示）と終了位置情報（物理セクタ番号で表示）の組で記録されても良い。
【０７３８】
表１６、表１７の実施形態では、追記形情報記憶媒体上に設定された順番に、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの番号が付与されているが、それに限らず、開始位置として、物理セクタ番号の若い順に、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの番号が付与されてもよいことはいうまでもない。
【０７３９】
なお、最新の記録位置管理データＲＭＤが記録され、現在使用中（オープン形ＲゾーンタイプのＲＭＤの追記が可能な）記録位置管理ゾーンの指定を、拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの番号で指定している。従って、情報記録再生装置または情報再生装置は、これらの情報から。現在使用中（オープンになっている）記録位置管理ゾーンの開始位置情報を得ることができ、その結果から、どれが最新の記録位置管理データＲＭＤであるかを識別可能である。
【０７４０】
また、拡張記録位置管理ゾーンを追記形情報記憶媒体上に分散配置しても、表１６、表１７に示したデータ構造を取ることで、情報記録再生装置または情報再生装置は、どれが最新の記録位置管理データＲＭＤであるかを、容易に識別できる。
【０７４１】
これらの情報から現在使用中（オープンになっている）記録位置管理ゾーンの開始位置情報が分かり、その場所にアクセスすることにより、何処まで既に記録位置管理データＲＭＤが記録されているかに関する情報が取得できる。従って、情報記録再生装置もしくは情報再生装置においては、何処に更新された最新の記録位置管理データを記録すれば良いかが容易に特定できる。
【０７４２】
また、上述した    
２）Ｒゾーンを利用して設定された拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺ    
の設定を用いた場合には、１個のＲゾーン全体がそのまま１個の拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺに対応する。すなわち、ＲＭＤフィールド３内に記載された（対応する）拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置を表す物理セクタ番号が、ＲＭＤフィールド４〜２１内に記載される対応したＲゾーンの開始位置を表す物理セクタ番号に一致する。
【０７４３】
表１６、表１７の実施形態では、１枚の追記形情報記憶媒体に、４６０６個（４３５１＋２５５）までＲゾーンが設定可能である。この設定されたＲゾーンの位置情報がＲＭＤフィールド４〜２１内に記録される。
【０７４４】
各Ｒゾーンの開始位置情報が物理セクタ番号の情報で表示されるとともに、各Ｒゾーン内での最後の記録位置を表す物理セクタ番号ＬＲＡ（Last recorded Address）が、対で、記録される。
【０７４５】
記録位置管理データＲＭＤ内に記載されるＲゾーンの順番は、表１６、表１７の実施形態ではＲゾーンの設定順であるが、それに限らず開始位置情報を表す物理セクタ番号の若い順に順番を設定することもできる。なお、対応する番号のＲゾーンが設定されていない場合には、この欄には“００ｈ”を記録する。
【０７４６】
未指定状態のＲゾーンの番号情報は、ＲＭＤフィールド４内に記載されているが、この未指定状態のＲゾーンの番号情報は、未指定状態のＲゾーン（データ領域ＤＴＡ内でデータ記録のための領域予約がない領域）の数とオープン形Ｒゾーン（後から追記できる未記録領域を持っているＲゾーン）の数と完結形Ｒゾーン（既に完結しており、後から追記できる未記録領域を持っていないＲゾーン）数の合計値で示される。
【０７４７】
表１６、表１７の実施形態では、追記が可能なオープン形Ｒゾーンの設定は、２個まで設定可能である。このように、２個までオープン形Ｒゾーンを設定可能とすることで、１個のオープン形Ｒゾーン内に連続記録や連続再生が保証される必要のある映像情報や音声情報を記録し、残りの１個のオープン形Ｒゾーン内には以下の情報を記録する。残りの１個のオープン形Ｒゾーンに記録される情報は、例えば先に記録された映像情報や音声情報に対する管理情報や、パーソナルコンピュータ等で使用される一般情報あるいはファイルシステムの管理情報等であってよく、記録すべきユーザデータの種類に依存して別のオープン形Ｒゾーン内に、それぞれ別々に記録することも可能である。すなわち、映像情報や音声情報（ＡＶ情報）の記録や再生等において、利便性が高められる。
【０７４８】
表１６、表１７の実施形態では、どのＲゾーンがオープン形ＲゾーンであるかをＲＭＤフィールド４〜２１内に配列されたＲゾーンの配置番号で指定する。すなわち、先頭と２番目のオープン形Ｒゾーンに対応するＲゾーンの番号で指定する。
【０７４９】
このようなデータ構造を取ることで、オープン形Ｒゾーンの検索が容易となる。なお、オープン形Ｒゾーンが存在しない場合には、この欄は“００ｈ”が記録される。
【０７５０】
また、本実施形態では、完結形Ｒゾーン内においてはＲゾーンの終了位置が最後の記録位置と一致しているが、オープン形Ｒゾーン内においてはＲゾーンの終了位置とＲゾーン内の最後の記録位置ＬＲＡとが異なっている。すなわち、オープン形Ｒゾーン内にユーザ情報を追記している途中（その結果、更新されるべき、記録位置管理データＲＭＤの追記処理が完了する前の段階）では、最後の記録位置と引き続いて記録可能な最終記録位置がずれる（不一致となる）。
【０７５１】
しかし、ユーザ情報の追記処理が完了し、更新されるべき最新の記録位置管理データＲＭＤの追記処理が完了した後には、最後の記録位置と引き続いて記録可能な最終記録位置とが一致する。
【０７５２】
従って、更新されるべき最新の記録位置管理データＲＭＤの追記処理が完了した後に、新たなユーザ情報を記録する場合、図９に示した情報記録再生装置内の制御部１４３内では、    
（１）ＲＭＤフィールド４内に記載されているオープン形Ｒゾーンに対応するＲゾーンの番号を調べ、    
（２）ＲＭＤフィールド４〜２１内に記載されているオープン形Ｒゾーン内での最後の記録位置を表す物理セクタ番号を調べて追記可能な最終記録位置を割り出し（求め）、    
（３）割り出した（求められた）追記可能な最終記録位置ＮＷＡから追記を開始する    
と言う手順で、ユーザ情報が追記される（追記処理が実行される）。
【０７５３】
このように、ＲＭＤフィールド４内のオープン形Ｒゾーン情報を利用して、新たな追記開始位置を割り出す（求める）ことで、簡単かつ高速に新たな追記開始位置の抽出が可能となる。
【０７５４】
表１６、表１７の実施形態におけるＲＭＤフィールド１内のデータ構造を、表１８に示す。表１８に示すデータ構造は、表１０〜表１５に示した実施形態に比べて、内側の（データリードイン領域ＤＴＬＤＩに属する）ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内での記録条件を調整に用いた場所のアドレス情報と外側の（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに属する）ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内での記録条件を調整に用いた場所のアドレス情報が追加されている。これらの情報は、いずれも物理セグメントブロックアドレス番号で記載する。さらに、表１８の実施形態では、記録条件を自動的に調整可能な記録条件自動調整方法（ランニングＯＰＣ）に関する情報と記録終了時の最後のＤＳＶ（Digital Sum Value）値が付加されている。
【０７５５】
本実施形態におけるマルチボーダにより情報が記録された追記形情報記憶媒体に対して、最後に記録された場所の位置を探す方法について、以下に説明する。
【０７５６】
図６８（ａ）は、情報記録再生装置における最後に記録された場所を探す方法を模式的に示したものであり具体的な処理を示すフローチャートを図６９に示す。また、図６８（ｂ）では情報再生装置で最後に記録された場所を探す方法を模式的に示し、その処理を示すフローチャートを図７０に示す。図６８において、アクセスのためのジャンプ処理を破線で示し、実際の情報読み取り場所を実線で示してある。情報記録再生装置または情報再生装置内での実際の処理を行う場所は図９の情報記録再生部１４１、制御部１４３であり、情報再生時にＰＲ等化回路１３０、ＰＬＬ回路１７４、ＡＤ変換器１６９、同期コード位置検出部１４５、データＩＤ部とＩＥＤ部抽出部１７１、データＩＤ部のエラーチェック部１７２等が働く。情報記録再生部１４１内には例えば図６５（ａ）や図６６（ａ）に示すような光学ヘッドが存在し、対物レンズ１１２８により集光されたレーザ光１１１７の集光スポットが情報記憶媒体１１０１上を移動してアクセスのためのジャンプ処理や情報読み取り処理を行う。また下記に示す一連の動作は制御部１４３が制御と管理を行う。
【０７５７】
図６８（ａ）に示すように情報記録再生装置においては、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に物理フォーマット情報ＰＦＩ等が記録されており、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内には、内周から順にＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ、記録位置管理ゾーンＲＭＺ、Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ、参照コード記録ゾーンＲＣＺが順次配置されている。図６８に示した実施例では、３個のボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１〜＃３が存在している。図６８に示した形で情報が記録されている追記形情報記憶媒体を、情報記録再生装置または情報再生装置に挿入すると情報記録再生装置または情報再生装置は最後に記録された位置を示す物理セクタ番号ＰＳＮを探しに行くが、この最後に記録された位置を示す物理セクタ番号ＰＳＮを探す方法を図６８に示した。図６８（ａ）に示した情報記録再生装置では、一番先にシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報を再生する（図６９のＳＴ３１）。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内には物理フォーマット情報ＰＦＩが記録されているので、まず始めに物理フォーマット情報ＰＦＩを再生する。次にデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内に存在するＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺへアクセスし（図６９のＳＴ３２）、その中に最後に記録された記録位置管理データＲＭＤを検索する（図６９のＳＴ３３）。前記ＳＴ３３で再生を行った“対応するＲＭＺ内の最後の記録位置管理データＲＭＤ＃Ｂ”（図２４（ｂ）を参照）内には表１６のＲＭＤフィールド番号３の中に示すようにｎ番目の拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置を示す物理セクタ番号情報が記録されているので、その中から最後に設定を行った拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの開始位置を示す物理セクタ番号情報を読み取る（図６９のＳＴ３４）。次に、情報記録再生装置は前記最後に設定された拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺの位置へアクセスし、その中に最後に記録された記録位置管理データＲＭＤを検索する。本実施形態に示す追記形情報記憶媒体において最後に記録された位置を示す物理セクタ番号ＰＳＮ情報は“最後に設定を行った拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤ”内の情報から得ることができる。すなわち記録位置管理データＲＭＤ内には表１５に示すＲＭＤフィールド７以降に記載されているｎ番目の“完結形Ｒゾーン（  Ｃｏ
ｍｐｌｅｔｅ  Ｒ  Ｚｏｎｅ  ）”の終了位置情報（物理セクタ番号）または表１７に示す“ｎ番目のＲゾーン内最後の記録位置を表す物理セクタ番号ＬＲＡ”の情報が分かるので、図６９のＳＴ３５に示すように最後に設定された拡張ＲＭＺ内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤ（例えば図２４（ｂ）のＲＭＤ＃３参照）内から最後に記録された場所の物理セクタ番号ＰＳＮを読取り、その結果最後に記録された場所を知ることができる。
【０７５８】
情報再生装置では、トラックずれ検出に、ＰＰ（Push-Pull）法ではなく、ＤＰＤ法を用いるため、トラッキング制御は、エンボスピットまたは記録マークが存在する領域のみで可能である。そのため、情報再生装置は追記形情報記憶媒体の未記録領域へアクセスすることができず、図６８（ｂ）に示すように未記録領域を含むＲＭＤディプリケーションゾーンＲＤＺ内の再生が不可能となる。従って、その中に記録されている記録位置管理データＲＭＤを再生できない。その代わり、情報再生装置は、物理フォーマット情報ＰＦＩおよびＲ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺとアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩを再生することができるので、図６８（ｂ）に示す方法により最後に記録された場所を探すことができる。
【０７５９】
情報再生装置ではシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報再生（図７０のＳＴ４１）を行った後、Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ内に記録された既情報データ最後の位置情報（表２２内に記載された“該当するボーダ内領域中の最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号”情報）を読取る（図７０のＳＴ４２）。その結果、図６８（ｂ）に示すようにボーダ内領域ＢＲＤＡ＃１の最後の場所を知ることができ、その直後に配置されたボーダアウトＢＲＤＯの位置を確認した後、その直後に記録されたボーダインＢＲＤＩ内に記録されたアップデートされた物理フォーマットＵＰＦＩの情報を読み取ることができる。本実施形態では表２２内に記載された“該当するボーダ内領域中の最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号”を利用する前記方法の代わりに表２１の２５６バイト目から２６３バイト目に記載されている“ボーダゾーンの開始位置（図２７（ｃ）から分かるように、この開始位置はボーダアウトＢＲＤＯの開始位置を意味する）を示す物理セクタ番号ＰＳＮ”の情報を用いてボーダアウトＢＲＤＯの開始位置へアクセスしても良い。次に、図７０のＳＴ４３に示すように既記録データの最後の位置にアクセスし、アップデートされた物理フォーマット情報ＵＦＰＩ内の既記録データの最後の位置情報（表２２）を読取る。アップデートされた物理フォーマット情報内に記録された最後に記録された物理セクタ番号ＰＳＮ情報を読取り、そしてその情報に基づき最後に記録された物理セクタ番号ＰＳＮまでアクセスするという処理を最後のＲゾーン内の最後に記録された物理セクタ番号ＰＳＮに到達するまで繰り返す。すなわちアクセス後に到達して情報を読取っている場所が、本当に最後のＲゾーン内の最後に記録された位置かを判断し（図７０のＳＴ４４）、最後に記録された位置でない場合には上記のアクセス処理を繰り返す。Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ内と同様、本実施形態ではアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩ内の“ボーダゾーンの開始位置を示すアップデートされた物理セクタ番号ＰＳＮの情報を利用してボーダゾーン（ボーダインＢＲＤＩ）内に記録されているアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩの記録位置を検索しても良い。
【０７６０】
最後のＲゾーン内の最後に記録された物理セクタ番号位置を発見すると、情報再生装置は直前のボーダアウトＢＲＤＯの位置から再生を行う（図７０のＳＴ４５）。その後ＳＴ４６に示すように、最後のボーダ内領域ＢＲＤＡ内を先頭から逐次再生しながら最後に記録された位置に到達する。その後、最後のボーダアウトＢＲＤＯ位置の確認を行う。本実施形態に示す追記形情報記憶媒体では上記最後のボーダアウトＢＲＤＯの外側にはデータリードアウトＤＴＬＤＯ位置まで記録マークが記録されてない未記録領域が続く。情報再生装置は追記形情報記憶媒体上の未記録領域ではトラッキングが行われず、またそこでは物理セクタ番号ＰＳＮの情報も記録されてないので、上記最後のボーダアウトＢＲＤＯ以降の位置での再生は不可能となる。そのため、最後のボーダアウト位置まで到達するとアクセス処理と連続再生処理は終了する。
【０７６１】
表１０から表１４および表１６から表１８に示した記録位置管理データＲＭＤ内の情報内容の更新を行うタイミング（更新条件）に付いて表２３を用いて説明する。記録位置管理データＲＭＤの情報を更新する条件は、４種類存在する。
【０７６２】
（１）ＲＭＤフィールド“０”内（表１０参照）の媒体状態情報が変更される場合、    
…  但しターミネータ（最後に記録されたボーダアウトＢＲＤＯの後ろ（外周側）に記録する“終端位置情報”）の記録時には記録位置管理データＲＭＤの更新処理は行わない。
【０７６３】
（２）ＲＭＤフィールド“３”内（表１６参照）でボーダアウトＢＲＤＯの開始位置情報が変更される場合、またはオープン（追記可能な）状態になっている記録位置管理ゾーンＲＭＺの番号が変更される場合、    
（３）ＲＭＤフィールド“４”内（表１７参照）で以下のいずれかの情報が変更される場合、    
（ｉ）未指定状態のＲゾーン数とオープン形Ｒゾーン数と完結形Ｒゾーン数の合計数、    
（ii）最初のオープン形Ｒゾーンの番号情報、    
（iii）２番目のオープン形Ｒゾーンの番号情報。
【０７６４】
本実施形態において、追記形情報記憶媒体に一連の情報記録動作を行っている期間中は、ＲＭＤの更新は行わなくて良い。例えば映像情報を録画する場合には連続記録が保障される必要がある。もし映像情報記録（録画）途中で記録位置管理データＲＭＤの更新を行う（ために記録管理データＲＭＤ位置までのアクセス制御を行う）と、そこで映像情報の記録が中断されるために連続記録が保障されなくなる。従ってＲＭＤの更新は映像録画が終了後に行われるのが一般的である。しかし一連の映像情報の記録動作が余りにも長期間連続すると、現時点での追記形情報記憶媒体上に最後に記録された場所と、追記形情報記憶媒体に既に記録されている記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報が大幅にずれてしまう。この時に連続記録途中の異常現象が発生して情報記録再生装置を強制終了した場合には“記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報”と強制終了直前の記録位置との間の乖離が大きくなり過ぎる。その結果、情報記録再生装置の復旧後に行う“記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報”に対する強制終了直前の記録位置に合わせたデータ修復が難しくなる危険性が発生する。そのため本実施形態では下記の更新条件をさらに追加する。
【０７６５】
（４）最新の記録位置管理データＲＭＤ内に記録されている“Ｒゾーン内での最後の記録位置を示す物理セクタ番号ＬＲＡ”と連続記録中に逐次変化する“現時点におけるＲゾーン内での最後に記録された場所の物理セクタ番号ＰＳＮ”との間の開き（“ＰＳＮ−ＬＲＡ”の差分結果）が８１９２を超えた場合（に記録位置管理データＲＭＤの情報を更新する）    
…  但し記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での未記録場所（図２６（ｂ）に示した予約領域２７３）のサイズが４物理セグメントブロック分（４×６４ＫＢ）以下の場合には、更新しない。
【０７６６】
次に拡張記録位置管理ゾーンに付いて説明する。    
記録位置管理ゾーンＲＭＺの配置場所として、本実施形態では下記の３種類を規定している。
【０７６７】
（１）データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）    
図２７（ｂ）から明らかなように、本実施形態では、最初のボーダ内領域に対応したボーダインＢＲＤＩをデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の一部が兼用している。そのため、図２４（ａ）に示すように、最初のボーダ内領域に対応したボーダインＢＲＤＩ内に記録されるべき記録位置管理ゾーンＲＭＺがデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内に予め設定されている。この記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造は、図２４（ｂ）に示すように６４Ｋバイト（１物理セグメントブロックサイズ）毎に、逐次記録位置管理データＲＭＤを追記できる。
【０７６８】
（２）ボーダインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ−ＲＭＺ）    
本実施形態における追記形情報記憶媒体において、記録された情報を再生専用装置で再生する前には、図７４に示すようなボーダクローズ処理が必要となる。一度ボーダクローズされた後に新たな情報を記録する場合には、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡを設定する必要がある。この新たなボーダ内領域ＢＲＤＡに先行した位置にボーダインＢＲＤＩが設定される。
【０７６９】
ボーダクローズ処理の段階で、最新記録位置管理ゾーン内の未記録領域（図２４（ｂ）に示す予約領域２７３）が塞がれてしまうため、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録された情報の位置を示す記録位置管理データＲＭＤを記録する新たな領域（記録位置管理ゾーンＲＭＺ）を設定する必要がある。
【０７７０】
本実施形態では、図２７（ｄ）に示すように、新たに設定されたボーダインＢＲＤＩ内に記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する。
【０７７１】
このボーダゾーン内における記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造は、図２６（ｂ）に示した“最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）と全く同じ構造である。また、この領域内に記録される記録位置管理データＲＭＤ内の情報は、対応したボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録されるデータに関する記録位置管理データのみならず、先行するボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録されているデータに関する記録位置管理情報も一緒に記録される。
【０７７２】
（３）ボーダ内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）    
上記（２）で示したボーダインＢＲＤＩ内のＲＭＺ（Ｂ−ＲＭＺ）は、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡを作らない限り設定できない。また、上記（１）（図２６（ｂ））に示した最初のボーダ内領域管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）のサイズは有限であるから、追記を繰り返すうちに予約領域２７３が不足して、新たな記録位置管理データＲＭＤが追記不能となる。
【０７７３】
その問題を解消するため、本実施形態では、ボーダ内領域ＢＲＤＡ内に、記録位置管理ゾーンＲＭＺを記録するためのＲゾーンを新たに設け、引き続く記録を可能としている。
【０７７４】
すなわち、上記“ボーダ内領域ＢＲＤＡ内における記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）”が設定されている特殊なＲゾーンが存在する。
【０７７５】
また、最初のボーダ内領域管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）内の未記録領域（予約領域２７３）の残りのサイズが少なくなった場合に限らず、本実施形態では、“ボーダインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ−ＲＭＺ）”や、既に設定されている“ボーダ内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）”内の未記録領域（予約領域２７３）の残りのサイズが少なくなった場合にも、新たに上記“ボーダ内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）”を設定できる。
【０７７６】
このボーダ内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）に記録される情報内容は、図２４（ｂ）のデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）内と全く同じ構造である。
【０７７７】
また、この領域内に記録される記録位置管理データＲＭＤ内の情報は対応したボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録されるデータに関する記録位置管理データのみならず、先行するボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録されているデータに関する記録位置管理情報も一緒に記録される。
【０７７８】
上記各種の記録位置管理ゾーンＲＭＺの中で、    
１．データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）の位置はユーザデータ記録前に予め設定されているが、本実施形態では、    
２．ボーダインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ−ＲＭＺ）と、    
３．ボーダ内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）は、    
ユーザデータの記録（追記）の状況に合わせて、適宜、情報記録再生装置において設定（増設）可能であり、“拡張（形）記録位置管理ゾーンＲＭＺ”と呼ぶ。
【０７７９】
上記ボーダ内領域ＢＲＤＡ内で記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する方法を図７１に示し、そのフローチャートを図７２に示す。図７２内（ａ）から（ｃ）の番号は図７１の各状態を表す（ａ）から（ｃ）の番号に対応している。
【０７８０】
現在使われている記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の未記録領域（図２６（ｂ）の予約領域２７３）が１５物理セクタブロック（１５×６４ｋＢ）以下になった場合、ボーダ内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）の設定をすることができる。設定時のボーダ内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ−ＲＭＺ）のサイズは１２８物理セグメントブロックのサイズ（１２８×６４ｋＢ）とし、そこを記録位置管理ゾーンＲＭＺ専用のＲゾーンとする。
【０７８１】
図７１（ａ）に示す“最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理ゾーンＬ−ＲＭＺ”内の未記録領域のサイズが１５物理セグメントブロック以下になると、図９内の制御部１４３は既存の記録位置管理ゾーンＬ−ＲＭＺ内が満杯直前なことを検知する（図７２のＳＴ５１）。前記検知を行うと、図７１（ａ）に示した非完結形Ｒゾーン４２をクローズさせて完結形Ｒゾーン４３に変更し（図７２のＳＴ５２）、次に図７１（ｂ）示すように新たな専用なＲゾーンを設定してその中を“ボーダ内領域ＢＲＤＡの中に存在する記録位置管理ゾーンＵ−ＲＭＺ”とする（図７２のＳＴ５３）。その結果、図７１（ａ）に示す非完結形Ｒゾーン４２は完結形Ｒゾーン４３とボーダ内領域ＢＲＤＡの中に存在する記録位置管理ゾーンＵ−ＲＭＺに分割されるが、残りの領域が図７１（ｂ）に示すように未指定状態のＲゾーン４４に設定される（図７２のＳＴ５４）。
【０７８２】
上記の一連の処理の結果、現在使用中の記録位置管理ゾーンＲＭＺが最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）からボーダ内領域ＢＲＤＡの中に存在する記録位置管理ゾーンＵ−ＲＭＺに移る。そのため最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ−ＲＭＺ）内のクローズ処理として、図７１（ｃ）に示すように最初のボーダ内領域に対応した記録位置管理ゾーンＬ−ＲＭＺ内の未記録領域を最新の記録位置管理データＲＭＤ４７で繰り返し記録し、未記録領域を消滅させる（図７２のＳＴ５５）。記録位置管理ゾーンＲＭＺの位置の変更に伴い、図７２のＳＴ５６に示すように最新の記録管理データＲＭＤ４７のコピー情報４８をＲＭＤディプリケーションゾーンＲＭＺ内に記録する（図７１（ｃ））。
【０７８３】
本実施形態における追記形情報記憶媒体では、上記３種類の記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定が可能になるため、１枚の追記形情報記録記憶媒体上に非常に多くの記録位置管理ゾーンＲＭＺの存在を許容する。そのため本実施形態では最新の記録位置管理データＲＭＤ記録場所への検索容易性を目的として下記の処理を行っている。
【０７８４】
（１）新たに記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する場合には、今まで使われていた記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に最新の記録位置管理データＲＭＤを多重書きし、今まで使われていた記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に未記録領域が存在しないようにする（それにより、現在使われているか、新たな場所に記録位置管理ゾーンが設定されたかが容易に識別可能となる）。
【０７８５】
（２）新たに記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する毎に、最新の記録位置管理データＲＭＤのコピー情報４８をＲＭＤディプリケーションゾーンＲＭＺ内に記録する。それにより、現在使われている記録位置管理ゾーンＲＭＺ場所の検索を容易にしている。
【０７８６】
図７１（ｃ）に示すように、本実施形態における追記形情報記憶媒体内では多くの未記録領域の存在を許容している。しかし、再生専用装置では、トラックずれ検出に、ＤＰＤ法を用いているため、未記録領域でのトラッキングが不可能となる。そのため、追記形情報記憶媒体を再生専用装置で再生させる前に、図７４に示すボーダクローズ処理を行い、未記録領域が存在しないようにする必要がある。
【０７８７】
以下に、ボーダクローズ処理方法について説明する。
【０７８８】
図７３（ａ）に追記途中の追記形情報記憶媒体上でのデータ構造を示す。この状態では未記録領域５４、５５、５６があるため、情報再生装置での再生は不可能となる。
【０７８９】
図７３（ｂ）にボーダクローズ処理後の情報再生装置で再生可能な状態におけるデータ構造を示す。
【０７９０】
図７３（ａ）の状態から図７４に示すボーダクローズ処理を行うことで、図７３（ｂ）の状態に変更させる。具体的なボーダクローズ処理の手順を図７４のフローチャートを参照して以下に説明する。ボーダクローズ要求を受けると（ＳＴ６１）、非完結形Ｒゾーン４２に対してその内で最後に記録された位置を最終位置とする完結形Ｒゾーンに変更する（ＳＴ６２）。次にＳＴ６３に示すように非完結形Ｒゾーン４２の既記録領域だった場所の直後にボーダアウトＢＲＤＯを設定する。さらにＳＴ６４に示すようにボーダ内領域ＢＲＤＡ内に存在する記録位置管理ゾーンＵ−ＲＭＺ＃３内の未記録領域５４を、最新の記録位置管理データＲＭＤを繰り返し記録して全て埋める。次にＳＴ６５に示すようにＲＭＤディプリケーションゾーンＲＭＺ内にＳＴ６４で記録した最新の記録位置管理データＲＭＤのコピー情報を記録する。さらにボーダインＢＲＤＩ内の未記録領域５５、５６内に所定のデータを記録し、未記録領域が存在しないようにする（ＳＴ６６）。その結果、図７３（ｂ）に示すようにデータ領域ＤＴＡ内のボーダアウトＢＲＤＯまでの全領域が記録されたデータで埋まる。
【０７９１】
２０４８バイト単位のユーザデータを記録したデータフレーム構造からＥＣＣブロックを構成し、同期コードを付加した後、情報記憶媒体に記録する物理セクタ構造を形成するまでの変換手順の概略に付いて、図３２に示す。
【０７９２】
この変換手順は、再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体のいずれにおいても、共通に採用される。変換段階に応じて、データフレーム（Data Frame）、スクランブル後のフレーム（scrambled frame）、レコーディングフレーム（Recording Frame）、または記録データフィールド（Recorded Data Field）と呼ぶ。データフレームは、ユーザデータが記録される場所であり、２０４８バイトからなるメインデータ、４バイトのデータＩＤ、２バイトのＩＤエラー検出コード（ＩＥＤ）、６バイトの予約バイト（Reserved Bytes）ＲＳＶ、４バイトのエラー検出コード（ＥＤＣ）から構成される。始めに後述するデータＩＤにＩＥＤ（ＩＤエラー検出コード）が付加された後、６バイトの予約バイトとデータフレームはユーザデータが記録される場所であり２０４８バイトからなるメインデータを付加し、さらに、エラー検出コード（ＥＤＣ）を付加した後、メインデータに対するスクランブルが実行される。ここで、スクランブルされた３２個のデータフレーム（スクランブルドフレーム）に対して、クロスリードソロモンエラーコレクションコード（Cross Reed-Solomon Error Correction Code）が適用されて、ＥＣＣエンコード処理が実行される。これによりレコーディングフレームが構成される。このレコーディングフレームは、アウターパリティコード（Parity of Outer-code）ＰＯ、インナーパリティコード（Parity of Inner-code）ＰＩを含む。ＰＯ、ＰＩは、それぞれ３２個のスクランブルドフレームによりなる各ＥＣＣブロックに対して作成されたエラー訂正コードである。記録フレームは、前述したように８データビットを１２チャネルビットに変換するＥＴＭ（Eight to Twelve Modulation）変調される。そして、９１バイト毎に先頭に同期コードＳＹＮＣ（Sync Code）が付加され、３２個の物理セクタが形成される。すなわち、図３２の右下の枠内に記載されているように、３２セクタで一つのエラー訂正単位（ＥＣＣブロック）を規定される。
【０７９３】
後述するように、図３６または図３７での各枠内の“０”から“３１”までの番号は、各物理セクタの番号を示し、“０”から“３１”までの合計３２個の物理セクタで１個の大きなＥＣＣブロックを構成する構造になっている。次世代ＤＶＤにおいては現世代ＤＶＤと同じ程度の長さの傷が情報記憶媒体表面に付いた場合でもエラー訂正処理で正確な情報が再生できることを要求される。本実施形態で大容量化を目指して記録密度を高めた。その結果、従来の１ＥＣＣブロック＝１６セクタの場合には、エラー訂正で補正可能な物理的傷の長さが従来のＤＶＤに比べて短くなる。本実施形態のように、１ＥＣＣブロックを３２セクタで構成する構造にすることで、エラー訂正可能な情報記憶媒体表面傷の許容長さを長くできるとともに、現行ＤＶＤのＥＣＣブロック構造との互換性あるいはフォーマットの継続性を確保できる。
【０７９４】
図３３にデータフレーム内の構造を示す。
【０７９５】
１個のデータフレームは、１７２バイト×２×６行からなる２０６４バイトであり、その中に、２０４８バイトのメインデータを含む。ＩＥＤとは、ＩＤ  Error Detection Codeの略でデータＩＤ情報に対する再生時のエラー検出用付加コードを意味している。ＲＥＶは、Reserveの略で将来情報を設定できるための予約領域を意味している。ＥＤＣとは、Error Detection Codeの略で、データフレーム全体のエラー検出用付加コードを意味している。
【０７９６】
図３０に、図３３に示されたデータＩＤ内のデータ構造を示す。データＩＤは、データフレーム情報９２１とデータフレーム番号９２２の情報から構成され、データフレーム番号は対応するデータフレームの物理セクタ番号９２２を表示している。
【０７９７】
データフレーム情報９２１内は、以下の情報群を含む    
フォーマットタイプ９３１    
…  ０ｂ：ＣＬＶを表し、    
１ｂ：ゾーン構成を表す    
トラッキング方法９３２    
…  ０ｂ：ピット対応で、本実施形態ではＤＰＤ法を使用する    
１ｂ：プリグルーブ対応で、ＰＰ法またはＤＰＰ法を使用する    
記録膜の反射率９３３    
…  ０ｂ：４０％以上    
１ｂ：４０％以下    
レコーディングタイプ情報９３４    
…  ０ｂ：一般データ    
１ｂ：リアルタイムデータ（映像／音楽データ）    
領域タイプ情報９３５    
…  ００ｂ：データ領域ＤＴＡ    
０１ｂ：システムリードイン領域ＳＹＬＤＩか    
データリードイン領域ＤＴＬＤＩ    
１０ｂ：データリードアウト領域ＤＴＬＤＯか    
システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯ    
データタイプ情報９３６    
…  ０ｂ：再生専用データ    
１ｂ：書き替え可能データ    
レイヤー番号９３７    
…  ０ｂ：レイヤー０    
１ｂ：レイヤー１。
【０７９８】
図３４（ａ）は、スクランブル後のフレームを作成するときに、フィードバックシフトレジスタに与える初期値の例を示し、図３４（ｂ）は、スクランブルバイトを作成するためのフィードバックシフトレジスタの回路構成を示している。ｒ７（ＭＳＢ）からｒ０（ＬＳＢ）が、８ビットずつシフトし、スクランブルバイトとして用いられる。図３４（ａ）に示すように本実施形態では１６種類のプリセット値が用意されている。図３４（ａ）の初期プリセット番号は、データＩＤの４ビット（ｂ７（ＭＳＢ）〜ｂ４（ＬＳＢ））に等しい。データフレームのスクランブルの開始時には、ｒ１４〜ｒ０の初期値は、図３４（ａ）のテーブルの初期プリセット値にセットしなければならない。１６個の連続するデータフレームに対して、同じ初期プリセット値が用いられる。次には、初期プリセット値が切り換えられ、１６個の連続するデータフレームに対しては、切り換わった同じプリセット値が用いられる。
【０７９９】
ｒ７〜ｒ０の初期値の下位８ビットは、スクランブルバイトＳ０として取り出される。その後、８ビットのシフトが行なわれ、次にスクランブルバイトが取り出され、２０４７回このような動作が繰り替えされる。
【０８００】
図３５に本実施形態におけるＥＣＣブロック構造を示す。
【０８０１】
ＥＣＣブロックは、連続する３２個のスクランブルドフレームから形成されている。縦方向に１９２行＋１６行、横方向に（１７２＋１０）×２列が配置されている。
【０８０２】
Ｂ０，０、Ｂ１，０、…、は、それぞれ１バイトである。
【０８０３】
ＰＯ（Parity out）、ＰＩ（Parity in）は、エラー訂正コードであり、それぞれ、アウターパリティ、インナーパリティである。
【０８０４】
本実施形態では、積符号を用いたＥＣＣブロック構造を構成している。
【０８０５】
すなわち、情報記憶媒体に記録するデータを２次元状に配置し、エラー訂正用付加ビットとして、“行”方向に対しては、ＰＩ（Parity in）、“列”方向に対しては、ＰＯ（Parity out）を付加した構造である。
【０８０６】
このように、積符号を用いたＥＣＣブロック構造を与えることで、イレイジャー訂正および縦と横の繰り返し訂正処理による高いエラー訂正能力を保証できる。
【０８０７】
図３５に示すＥＣＣブロック構造は。従来のＤＶＤのＥＣＣブロック構造とは異なり、同一“行”内で、２箇所ＰＩを設定している。
【０８０８】
すなわち、図３５において中央に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側に配置されている１７２バイトに対して付加される。例えば、Ｂ０，０からＢ０，１７１の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ０，１７２からＢ０，１８１の１０バイトのＰＩを付加し、Ｂ１，０からＢ１，１７１の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ１，１７２からＢ１，１８１の１０バイトのＰＩを付加する。
【０８０９】
図３５の右端に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側で中央に配置されている１７２バイトに対して付加される。すなわち、例えば、Ｂ０，１８２からＢ０，３５３の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ０，３５４からＢ０，３６３の１０バイトのＰＩを付加する。
【０８１０】
図３６に、スクランブル後のフレーム配列説明図を示す。
【０８１１】
“６行×１７２バイト”単位が１スクランブル後のフレームとして扱われる。
【０８１２】
すなわち、１ＥＣＣブロックは連続する３２個のスクランブル後のフレームからなる。さらに、このシステムでは、“１８２バイト×２０７バイト”をペアとして扱う。左側のＥＣＣブロックの各スクランブル後のフレームの番号にＬを付け、右側のＥＣＣブロックの各スクランブル後のフレームの番号にＲを付けると、スクランブル後のフレームは、図３６に示すように配置されている。すなわち、左側のブロックに左と右のスクランブル後のフレームが交互に存在し、右側のブロックに、スクランブル後のフレームが交互に存在する。
【０８１３】
すなわち、ＥＣＣブロックは、３２個の連続スクランブル後のフレームから形成される。奇数セクタの左半分の各行は、右半分の行と交換されている。１７２×２バイト×１９２行は１７２バイト×１２行×３２スクランブルドフレームに等しく、データ領域となる。１６バイトのＰＯが、各１７２×２列にＲＳ（２０８，１９２，１７）のアウターコードを形成するために付加される。１０バイトのＰＩ（ＲＳ（１８２，１７２，１１））が、左右のブロックの各２０８×２行に付加される。ＰＩは、ＰＯの行にも付加される。フレーム内の数字は、スクランブルドフレーム番号を示し、サフィックスのＲ，Ｌは、スクランブルドフレームの右側半分と、左側半分を意味する。同一のデータフレーム内を複数の小ＥＣＣブロックに分散して配置することを特徴とする。
【０８１４】
具体的には、本実施形態では２個の小ＥＣＣブロックで大きな１ＥＣＣブロックを構成し、同一のデータフレーム内をこの２個の小ＥＣＣブロック内に交互に分散配置する。図３５の説明の所で中央に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側に配置されている１７２バイトに対して付加され、右端に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側で中央に配置されている１７２バイトに対して付加されることを既に説明した。つまり図３５の左端から１７２バイトと連続する１０バイトのＰＩで左側（Ｌｅｆｔ側）の小ＥＣＣブロックを構成し、中央の１７２バイトから右端の１０バイトのＰＩで右側（Ｒｉｇｈｔ側）の小ＥＣＣブロックを構成している。
【０８１５】
それに対応して図３６の各枠内の記号が設定されている。
【０８１６】
例えば、図３６内の“２−Ｒ”等の意味はデータフレーム番号と左右の小ＥＣＣブロックのどちらに属するか（例えば、２番目のデータフレーム内でＲｉｇｈｔ側の小ＥＣＣブロックに属する）を表している。後述するように最終的に構成される各物理セクタ毎に同一物理セクタ内のデータも交互に左右の小ＥＣＣブロック内に分散配置される（図３７における左半分の列は左側の小ＥＣＣブロック（図３９に示した左側の小ＥＣＣブロックＡ）内に含まれ、右半分の列は右側の小ＥＣＣブロック（図３９に示した右側の小ＥＣＣブロックＢ）内に含まれる。
【０８１７】
このように同一のデータフレーム内を複数の小ＥＣＣブロックに分散配置すると物理セクタ（図３７）内データのエラー訂正能力を向上させることによる記録データの信頼性向上が図れる。例えば、記録時にトラックが外れて既記録データ上をオーバーライトしてしまい、１物理セクタ分のデータが破壊された場合を考える。本実施形態では１セクタ内の破壊データを２個の小ＥＣＣブロックを用いてエラー訂正を行うため、１個のＥＣＣブロック内でのエラー訂正の負担が軽減され、より性能の良いエラー訂正が保証される。本実施形態ではＥＣＣブロック形成後でも各セクタの先頭位置にデータＩＤが配置される構造になっているため、アクセス時のデータ位置確認が高速化できる。
【０８１８】
図３７に、ＰＯのインターリーブ方法の説明図を示す。
【０８１９】
図３７に示すように、１６のパリティ行は、１行ずつ分散される。すなわち、１６のパリティ行は、２つのレコーディングフレーム置きに対して、１行ずつ配置される。
【０８２０】
従って、１２行からなるレコーディングフレームは、１２行＋１行となる。この行インターリーブが行なわれた後、１３行×１８２バイトはレコーディングフレームとして参照される。したがって、行インターリーブが行なわれた後のＥＣＣブロックは、３２個のレコーディングフレームからなる。
【０８２１】
１つのレコーディング内には、図３６で説明したように、右側と左側のブロックの行が６行ずつ存在する。ＰＯは左のブロック（１８２×２０８バイト）と右のブロック（１８２×２０８バイト）間では、異なる行に位置するように配置されている。図３７では、１つの完結型のＥＣＣブロックとして示している。しかし、実際のデータ再生時には、このようなＥＣＣブロックが連続してエラー訂正処理部に到来する。このようなエラー訂正処理の訂正能力を向上するために、図３７に示すようなインターリーブ方式がある。
【０８２２】
図３３に示した１個のデータフレーム内の構造から図３７に示したＰＯのインターリーブ方法までの関係に付いて図３９を用いて詳細に説明する。図３９では図３７に示したＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック構造図の上側部分を拡大し、その中に図３３に示したデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶ、ＥＤＣの配置場所を明示することで、図３３から図３７までの変換のつながりが一目で分かるようにした。
【０８２３】
図３９の“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”は図３６の各“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”に対応する。“０−Ｌ”や“１−Ｌ”は図３３の左半分すなわち、中央線から左側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。同様に、“０−Ｒ”や“１−Ｒ”は図３３の右半分すなわち、中央線から右側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。従って、図３３から明らかなように“０−Ｌ”や“１−Ｌ”の最初の行（０行目）の最初から１２バイト目までにデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが順番に並んでいる。
【０８２４】
図３９において、中心線から左側が左側の小ＥＣＣブロックＡを構成し、中心線から右側が右側の小ＥＣＣブロックＢを構成している。従って、図３９から分かるように“０−Ｌ”や“２−Ｌ”内に含まれるデータＩＤ＃１、データＩＤ＃２、ＩＥＤ＃０、ＩＥＤ＃２、ＲＳＶ＃０、ＲＳＶ＃２は左側の小ＥＣＣブロックＡの中に含まれる。
【０８２５】
図３６においては、左側に“０−Ｌ”や“２−Ｌ”が配置され、右側に“０−Ｒ”や“２−Ｒ”が配置されているのに対して“１−Ｒ”と“１−Ｌ”の配置は左右逆転し、右側に“１−Ｌ”が、左側に“１−Ｒ”がそれぞれ配置される。“１−Ｌ”の中の最初の行の最初から１２バイト目までにデータＩＤ＃１、ＩＥＤ＃１、ＲＳＶ＃１が配置されているので、左右の配置が逆転した結果、図３９から分かるように“１−Ｌ”内に含まれるデータＩＤ＃１、ＩＥＤ＃１、ＲＳＶ＃１が右側の小ＥＣＣブロックＢの中に構成される。
【０８２６】
本実施形態では、図３９における“０−Ｌ”と“０−Ｒ”の組み合わせを“０番目のレコーディングフレーム”、“１−Ｌ”と“１−Ｒ”の組み合わせを“１番目のレコーディングフレーム”と呼ぶ。各レコーディングフレーム間の境界は、図３９の太字で示している。
【０８２７】
図３９から分かるように、各レコーディングフレームの先頭には、データＩＤが、各レコーディングフレームの最後には、ＰＯとＰＩ−Ｌが配置される。また、レコーディングフレームの奇数と偶数番目でデータＩＤが含まれる小ＥＣＣブロックが異なり、レコーディングフレームの連続に従って、データＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置される。
【０８２８】
１個の小ＥＣＣブロック内でのエラー訂正能力には、限界が有り、特定数を越えたランダムエラーや特定長を越えたバーストエラーに対しては、エラー訂正が不可能となる。
【０８２９】
上記のように、データＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶを左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置することで、データＩＤの再生信頼性を向上させることができる。すなわち、情報記憶媒体上の欠陥が多発してどちらかの小ＥＣＣブロックのエラー訂正が不可能となり、そちらに属するデータＩＤの解読が不可能となっても、データＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置されるために他方の小ＥＣＣブロックではエラー訂正が可能であり、残りのデータＩＤの解読が可能となる。
【０８３０】
データＩＤ内のアドレス情報に連続性があるため、解読可能なデータＩＤの情報を用いて解読が不可能だったデータＩＤの情報に対して補間が可能である。その結果、図３９に示した実施形態によりアクセスの信頼性を高めることができる。
【０８３１】
図３９左側の括弧で囲った番号は、ＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック内の行番号を示している。情報記憶媒体に記録される場合には、行番号順に左から右に沿って、順次記録される。図３９において、各レコーディングフレーム内に含まれるデータＩＤの間隔は、常に一定間隔で配置されているため、データＩＤ位置の検索性が向上できる。
【０８３２】
物理セクタ構造を、図３８に示す。図３８（ａ）が偶数番目の物理セクタ構造を示し、図３８（ｂ）が奇数番目のデータ構造を示す。
【０８３３】
図３８において。偶数記録データ領域（Even Recorded data field）および奇数記録データ領域（Odd Recorded data field）のいずれも最後の２シンクフレーム（すなわち、最後のシンクコードがＳＹ３の部分とその直後のシンクデータおよびシンクコードがＳＹ１の部分とその直後のシンクデータが並んだ部分）内のシンクデータ領域に、図３７で示したアウターパリティＰＯの情報が挿入される。
【０８３４】
偶数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には、図３６に示した左側のＰＯの一部が挿入され、奇数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には図３６に示した右側のＰＯの一部が挿入される。
【０８３５】
図３６に示すように、１個のＥＣＣブロックは、それぞれ左右の小ＥＣＣブロックから構成され、セクタ毎に交互に異なるＰＯグループ（左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか、右の左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか）のデータが挿入される。
【０８３６】
図３８（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造と図３８（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造は、いずれも中心線で２分割され、左側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が、図３５または図３６に示した左側（Left）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、右側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が、図３５または図３６に示した右側（Right）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０８３７】
図３８に示した物理セクタ構造が情報記憶媒体に記録される場合には、１列毎に、シリアルに記録される。従って、例えば、図３８（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チャネルビットのデータが左側（Left）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チャネルビットのデータが右側（Right）の小ＥＣＣブロック内に含まる。
【０８３８】
さらに、次に記録する２２３２チャネルビットのデータは左側（Left）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０８３９】
それに対して、図３８（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チャネルビットのデータが右側（Right）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チャネルビットのデータが左側（Left）の小ＥＣＣブロック内に含まる。さらに、次に記録する２２３２チャネルビットのデータは右側（Right）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０８４０】
このように、本実施形態では同一の物理セクタ内を２個の小ＥＣＣブロック内に２２３２チャネルビット毎に交互に所属させていることを特徴とする。
【０８４１】
これを別の形で表現すると、右側（Right）の小ＥＣＣブロック内に含まれデータと左側（Left）の小ＥＣＣブロック内に含まれるデータを２２３２チャネルビット毎に交互に分散配置した形で物理セクタを形成して情報記憶媒体に記録することになる。その結果、バーストエラーに強い構造が得られる。
【０８４２】
例えば、情報記憶媒体の円周方向に長い傷が付き、１７２バイトを越えるデータの判読が不能になったバーストエラーの状態を考える。この場合の１７２バイトを越えるバーストエラーは、２つの小さいＥＣＣブロック内に分散配置されるので、１個のＥＣＣブロック内でのエラー訂正の負担が軽減され、より性能の良いエラー訂正が保証される。
【０８４３】
図３８に示すように、１個のＥＣＣブロックを構成する物理セクタの物理セクタ番号が偶数番号か奇数番号かで物理セクタ内のデータ構造が異なる。つまり、    
（１）物理セクタの最初の２２３２チャネルビットデータが属する小ＥＣＣブロックが右側か左側かに振り分けられる（異なる）、    
（２）セクタ毎に交互に異なるＰＯグループのデータが挿入される構造をとる。    
その結果、ＥＣＣブロックを構成した後でも全ての物理セクタの先頭位置にデータＩＤが配置される構造を保証するため、アクセス時のデータ位置確認が高速化できる。
【０８４４】
また、同一物理セクタ内に異なる小ＥＣＣブロックに属するＰＯを混在して挿入する例に比較して、より図３７のようなＰＯ挿入方法を採る方法が構造が簡単になり、情報再生装置内でのエラー訂正処理後の各セクタ毎の情報抽出が容易になるとともに情報記録再生装置内でのＥＣＣブロックデータの組立て処理が簡素化できる。
【０８４５】
上記内容を具体的に実現する方法として、ＰＯのインターリーブの挿入位置を、左右で異ならせている。
【０８４６】
図３７内の狭い２重線で示された部分、あるいは狭い２重線と斜線で示された部分が、ＰＯのインターリーブの挿入位置を示し、偶数番目の物理セクタ番号では左側の最後に、奇数番目の物理セクタ番号では右側の最後に、それぞれＰＯが挿入される。
【０８４７】
この構造により、ＥＣＣブロックを構成した後でも、物理セクタの先頭位置に、データＩＤ配置されるため、アクセス時のデータ位置確認が高速になる。
【０８４８】
図３８に示した同期コード（シンクコード）“ＳＹ０”から“ＳＹ３”までの具体的なパターン内容の実施形態を表２０に示す。
【０８４９】
本実施の形態の変調規則（詳細説明は後述）に対応して、Ｓｔａｔｅ０からＳｔａｔｅ２までの３状態（Ｓｔａｔｅ）を有する。ＳＹ０からＳＹ３までの、それぞれ、４種類のシンクコードが設定され、各状態に応じて表２０の左右のグループから選択される。
【０８５０】
現行ＤＶＤ規格では、変調方式として、８／１６変調（８ビットを１６チャネルビットに変換のＲＬＬ（２，１０）・・・Run Length Limited，ｄ＝２，ｋ＝１０，すなわち“０”が連続して続く範囲の最小値が２、最大値が１０）を採用しており、変調にＳｔａｔｅ１からＳｔａｔｅ４までの４状態、ＳＹ０からＳＹ７までの８種類のシンクコードが設定されている。
【０８５１】
それに比べ、本実施の形態は、同期コード（シンクコード）の種類が低減されている。情報記録再生装置または情報再生装置では、情報記憶媒体からの情報再生時に、パターンマッチング法によりシンクコードの種別を識別する。
【０８５２】
本実施の形態のように、シンクコードの種類を大幅に減らすことにより、マッチングに必要な対象パターンが低減できる。これにより、パターンマッチングに必要な処理が簡素化され、処理効率が向上される。また、認識速度が向上できる。
【０８５３】
表２０において“＃”で示したビット（チャネルビット）は、既に説明したＤＳＶ制御ビットである。ＤＳＶ制御ビットは、ＤＳＶ制御器（ＤＳＶコントローラ）によりＤＣ成分を抑圧する（ＤＳＶの値が“０”に近付く）ように決定される。なお、同期コード内に極性反転チャネルビット“＃”を含むことも本実施形態の特徴の１つである。すなわち、上記同期コード（シンクコード）を挟んだ両側のフレームデータ領域（図３８の１０９２チャネルビットの領域）を含め、巨視的に見てＤＳＶ値が“０”に、近づくように“＃”の値を“１”か“０”に選択でき、巨視的な視野に立ったＤＳＶ制御が可能である。
【０８５４】
表２０に示すように、本実施形態におけるシンクコードは、以下の要素を含む    
（１）同期位置検出用コード部    
全てのシンクコードで共通なパターンを持ち、固定コード領域を形成する。
【０８５５】
このコードを検出することで、シンクコードの配置位置を検出できる。具体的には、表２０の各シンクコードにおける最後の１８チャネルビット“０１００００  ００００００  ００１００１”が、対応する。
【０８５６】
（２）変調時の変換テーブル選択コード部    
可変コード領域の一部を形成し、変調時のＳｔａｔｅ番号に対応して変化するコードである。表２０の最初の１チャネルビットのところが該当する。すなわち、Ｓｔａｔｅ１、Ｓｔａｔｅ２のいずれかを選択する場合にはＳＹ０からＳＹ３までのいずれのコードでも最初の１チャネルビットが“０”となり、Ｓｔａｔｅ０選択時にはシンクコードの最初の１チャネルビットが“１”となる。但し、例外としてＳｔａｔｅ０でのＳＹ３の最初の１チャネルビットは“０”となる。
【０８５７】
（３）シンクフレーム位置識別用コード部    
シンクコード内でのＳＹ０からＳＹ３までの各種類を識別するコードで、可変コード領域の一部を構成する。表２０の各シンクコードにおける最初から１番目から６番目までのチャネルビット部がこれに相当する。後述するように連続して検出される３個ずつのシンクコードのつながりパターンから同一セクタ内の相対的な位置を検出できる。
【０８５８】
（４）ＤＣ抑圧用極性反転コード部    
表２０における“＃”位置でのチャネルビットが該当し、上述したように、このビットが反転（もしくは非反転すなわち初期状態を維持）することで、前後のフレームデータを含めたチャネルビット列のＤＳＶ値が“０”に近付くように働く。
【０８５９】
本実施の形態では、変調方法に８／１２変調（ＥＴＭ：Eight to Twelve Modulation）、ＲＬＬ（１，１０）を採用している。すなわち、変調時に、８ビットを１２チャネルビットに変換し、変換後の“０”が連続して続く範囲は最小値（ｄ値）が１、最大値（ｋ値）が１０になるように設定している。
【０８６０】
本実施の形態では、ｄ＝１とすることで、現行のＤＶＤ規格（従来）よりも高密度化を達成できるが、最密マークのところでは、再生信号振幅が十分に大きいとはいい難い。
【０８６１】
そこで、図９に示すように、本実施の形態の情報記録再生装置では、ＰＲ等化回路１３０とビタビ復号器１５６とにより、ＰＲＭＬ技術を用いて非常に安定な信号再生を可能としている。また、ｋ＝１０と設定しているので、変調された一般のチャネルビットデータ内には“０”が連続して１１個以上続くことがない。
【０８６２】
この変調ルールを利用し、上記の同期位置検出用コード部では、変調された一般のチャネルビットデータ内には現れないパターンを持たせている。すなわち、表２０に示すように同期位置検出用コード部では、“０”を連続的に１２（＝ｋ＋２）個続けている。情報記録再生装置または情報再生装置では、この部分を見付けて、同期位置検出用コード部の位置を検出する。また、余りに長く“０”が連続すると、ビットシフトエラーが起き易いので、その弊害を緩和するため、同期位置検出用コード部内では、その直後に、“０”の連続個数が少ないパターンを配置している。
【０８６３】
本実施の形態では、ｄ＝１であるから、対応パターンとしては“１０１”の設定は可能であるが、上述したように“１０１”の部位（最密パターン）では充分に大きな再生信号振幅が得難いので、その代わりに“１００１”を配置し、表２０に示すような、同期位置検出用コード部のパターンとしている。
【０８６４】
本実施の形態において、表２０に示すようにシンクコード内の後ろ側の１８チャネルビットを独立して（１）同期位置検出用コード部とし、前側の６チャネルビットで（２）変調時の変換テーブル選択コード部、（３）シンクフレーム位置識別用コード部、（４）ＤＣ抑圧用極性反転コード部を兼用しているところに特徴がある。シンクコード内で（１）同期位置検出用コード部を独立させることで単独検出を容易にして同期位置検出精度を高め、６チャネルビット内に（２）〜（４）のコード部を兼用化することでシンクコード全体のデータサイズ（チャネルビットサイズ）を小さくし、シンクデータの占有率を高めることで実質的なデータ効率を向上させる効果がある。
【０８６５】
表２０に示すように、本実施の形態においては、４種類のシンクコードのうち、ＳＹ０のみを図３８に示すように、セクタ内の最初のシンクフレーム位置に配置している。その結果、ＳＹ０を検出するだけで、セクタ内の先頭位置を容易に検出できる（セクタ内の先頭位置が容易に割り出せる）。この配置により、セクタ内の先頭位置抽出処理が、非常に簡素化される。なお、連続する３個のシンクコードの組み合わせパターンは、同一セクタ内では、全て異なる。
【０８６６】
表２０に示すように、同期コードパターン内に、“０”が１２個連続する“１３Ｔ”の場所が存在する。本実施形態では、この“１３Ｔ”の部分を用いて、最適な記録条件を設定するためのランニングＯＰＣを行う。すなわち、この１３Ｔの部分でリアルタイムに記録条件を微小に変化させ、リアルタイムで再生しながら最適な記録条件にフィードバックをかける。
【０８６７】
それを可能にするため、図３８に示した配置において、各同期コードＳＹ０〜ＳＹ３を配置順に２個ずつペアにし、そのペアの中のどちらか一方の“１３Ｔ”部分を記録マーク（マーク）に設定し、もう一方の同期コード内の“１３Ｔ”部分をスペース（記録マークと記録マークの間領域）としている。
【０８６８】
なお、２個ずつペアを与えたことで、図７６に示す“１３Ｔ”部分の極性制御がある。すなわち、２個ずつ繋がって配置される同期コードペアの最初の同期コードは、ＤＣ抑圧制御に利用し、ペア内の後ろの同期コードの“１３Ｔを前の“１３Ｔ”に対する逆極性に設定する。具体的な手順のフローチャートを図７６に示す。
【０８６９】
ＳＴ７１に示すように同期コードの設定を開始すると、ＳＴ７２に示すように一組の先頭の同期コード内の表２０に示した＃の値をＤＣ抑圧制御に利用して設定する（ＤＳＶの絶対値の値が“０”に近付くように＃の値を“１”か“０”に切り替える）。
【０８７０】
次に、このときの“１３Ｔ”位置での極性を調べ、“１３Ｔ”の位置がマーク内かスペース上かを判定する（ＳＴ７３）。
【０８７１】
前記一組の後ろ側の同期コード（次の同期コード位置）まで待ち（ＳＴ７４およびＳＴ７５）、前記一組の先頭の同期コード内の１３Ｔの位置がマーク内にある場合は、ＳＴ７６に示すように、次の（一組の後半の）同期コード内の“１３Ｔ”の位置がスペース上に来るように、表２０に示した同期コード内の＃ビットの“１”か“０”かを決める。
【０８７２】
一方、一組の前半の同期コード内の１３Ｔの位置がスペース上にあった場合には、ＳＴ７７に示すように、次の（一組の後半の）同期コード内の“１３Ｔ”の位置が、マーク内に来るように、表２０に示した同期コード内の＃ビットを“１”にするか、“０”にするかを決める。その後、次の（次の組の前半の）同期コードが来るまで待ち（ＳＴ７８）上記の処理を繰り返す。
【０８７３】
次に、図２３に示した参照コード記録ゾーンＲＣＺに記録される参照コードのパターン内容に付いて詳細に説明する。
【０８７４】
現行ＤＶＤでは、変調方式として８ビットデータを１６チャネルビットに変換する“８／１６変調”方式を採用されている。従って、変調後の情報記憶媒体に記録されるチャネルビット列としての参照コードのパターンは“００１０００００１００００００１００１０００００１００００００１”の繰り返しパターンが用いられている。
【０８７５】
一方、本実施形態では、表５ないし表７および表２０に示したように、８ビットデータを１２チャネルビットに変調するＥＴＭ変調を用い、ＲＬＬ（１，１０）のランレングス制約を行っているとともにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯおよびミドル領域ＭＤＡからの信号再生にＰＲＭＬ法を採用している。従って、上記変調規則とＰＲＭＬ検出に最適な参照コードのパターンを設定する必要がある。
【０８７６】
ＲＬＬ（１，１０）のランレングス制約に従えば“０”が連続する最小値は“ｄ＝１”で“１０１０１０１０”の繰り返しパターンとなる。“１”または“０”のコードから次の隣接コードまでの距離を“Ｔ”とすると、上記パターンでの隣接する“１”間の距離は“２Ｔ”となる。
【０８７７】
本実施形態では情報記憶媒体の高密度化のため、前述したように情報記憶媒体上に記録した“２Ｔ”の繰り返しパターン（“１０１０１０１０”）からの再生信号は光学ヘッド内の対物レンズ（図９の情報記録再生部１４１内に存在する）のＭＴＦ（Modulation Transfer Fuction）特性の遮断周波数近傍にあるため、ほとんど変調度（信号振幅）が得られない。
【０８７８】
従って、情報再生装置あるいは情報記録再生装置の回路調整（例えば、図１３のタップ制御器３３２内における各タップ係数の初期最適化）に使用する再生信号として“２Ｔ”の繰り返しパターン（“１０１０１０１０”）からの再生信号を用いた場合には、ノイズの影響が大きく安定化に乏しい。
【０８７９】
このため、ＲＬＬ（１，１０）のランレングス制約に従って行う変調後の信号に対しては、次に密度の高い“３Ｔ”のパターンを使って回路調整を行うことが望ましい。
【０８８０】
再生信号のＤＳＶ値を考えた場合は、“１”の直後に来る次の“１”までの間の“０”が連続する回数に比例して、ＤＣ（直流）値の絶対値が増加して、直前のＤＳＶ値に加算される。この加算されるＤＣ値の極性は、“１”が来る毎に反転する。
【０８８１】
従って、参照コードが連続するチャネルビット列が続いた部分で、ＤＳＶ値を“０”にする方法としては、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列内で、ＤＳＶ値が“０”になるように設定する方法に比較して、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列に出現する“１”の発生数を奇数個にして、１２チャネルビットからなる１組の参照コードセルで発生するＤＣ成分を次の組からなる１２チャネルビットの参照コードセルで発生するＤＣ成分で相殺させることが、参照コードパターン設計の自由度の面で理想的である。
【０８８２】
このため、本実施形態では、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列からなる参照コードセル内で出現する“１”の数を奇数個に設定している。
【０８８３】
また、本実施形態では、高密度化のため、“１”の部分が記録マークもしくはエンボスピットの境界位置に一致するマークエッジ記録法を採用している。例えば、“３Ｔ”の繰り返しパターン（“１００１００１００１００１００１００１００”）が続いた場合に、記録条件または原盤作成条件等により、記録マークもしくはエンボスピットの長さとその間にあるスペースの長さが若干異なる場合が生じる。
【０８８４】
ＰＲＭＬ検出法を用いた場合には、再生信号のレベル値が非常に重要となる。従って、前記のように記録マークもしくはエンボスピットの長さとその間にあるスペースの長さが若干異なった場合でも安定かつ精度良く信号検出できることが要求される。このため、その若干の異なり分を回路的に補正する必要が生じる。従って、回路定数を調整するための参照コードとしては、“３Ｔ”の長さの記録マークもしくはエンボスピットと同じく“３Ｔ”の長さのスペースが有った方が回路定数の調整の精度が向上する。そのため、本実施形態の参照コードパターンとして、“１００１００１”のパターンが内部に含まれると、必ず“３Ｔ”の長さの記録マークもしくはエンボスピットとスペースが配置される。
【０８８５】
また、回路調整には、密度の詰まったパターン（“１００１００１”）だけでなく、密度が“疎”の状態のパターンも必要となる。従って、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列の中で“１００１００１”のパターンを除いた部分で密度が“疎”の状態（“０”が連続して多く発生するパターン）を発生させ、かつ“１”の出現数を奇数個に設定することを考慮する。この場合、参照コードパターンは、図４０に示すように“１００１００１０００００”の繰り返しが最適条件となる。
【０８８６】
また、変調後のチャネルビットパターンを前記パターンとするには、図示していないが本実施形態のＨフォーマットで規定された変調テーブルを利用する場合、変調前のデータワードを“Ａ４ｈ（１６進）”に設定する必要がある。この“Ａ４ｈ（１６進）”のデータは、データシンボル“１６４”（１０進法表現）に対応する。
【０８８７】
前記のデータ変換規則に従った具体的なデータの作り方を以下に説明する。
【０８８８】
前述したデータフレーム構造内でメインデータ“Ｄ０〜Ｄ２０４７”にデータシンボル“１６４”（＝“０Ａ４ｈ”）を、まず設定する。
【０８８９】
次に、データフレーム１からデータフレーム１５に対して、イニシャルプリセット番号“０Ｅｈ”で予めプリスクランブルを掛けておき、データフレーム１６からデータフレーム３１に対しては、イニシャルプリセット番号“０Ｆｈ”により、予めプリスクランブルを掛けておく。
【０８９０】
予めプリスクランブルを掛けておくと、前記のデータ変換規則に従ってスクランブルを掛けた時に二重でスクランブルを掛けたことになり、（二重でスクランブルを掛けると元のパターンに戻る）データシンボル“１６４”（＝“０Ａ４ｈ”）がそのまま現れる。
【０８９１】
但し、３２物理セクタの参照コード全てに、プリスクランブルを掛けるとＤＳＶ制御ができなくなるので、データフレーム０だけは事前のプリスクランブルは掛けない。
【０８９２】
前記スクランブルを掛けた後、変調すると図４０に示したパターンが情報記憶媒体上に記録される。
【０８９３】
図４１を用い、本実施形態における各種情報記憶媒体に対応するデータ記録形式（フォーマット）の比較を説明する。
【０８９４】
図４１（ａ）は、現行（従来）の再生専用形情報記憶媒体（ＤＶＤ−ＲＯＭ）と、現行（従来）の追記形情報記憶媒体（ＤＶＤ−Ｒ）および現行（従来）の書替え形情報記憶媒体（ＤＶＤ−ＲＷ）におけるデータ記録形式を、図４１（ｂ）は、本実施形態における再生専用形情報記憶媒体のデータ記録形式を、図４１（ｃ）は本実施形態における追記形情報記憶媒体のデータ記録形式を、図４１（ｄ）は書替え形情報記憶媒体のデータ記録形式を、それぞれ、示している。
【０８９５】
比較のため、各ＥＣＣブロック４１１〜４１８の大きさを同じに合わせているが、図４１（ａ）に示した従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ−ＲＯＭと従来の追記形情報記憶媒体ＤＶＤ−Ｒおよび従来のＤＶＤ−ＲＷでは１６物理セクタにより１個のＥＣＣブロックを有する。これに対し、図４１（ｂ）〜（ｄ）に示した本実施形態では、既に説明したが３２物理セクタで１個のＥＣＣブロックをなる。
【０８９６】
本実施形態では、図４１（ｂ）〜（ｄ）に示すように、各ＥＣＣブロック＃１４１１〜＃８４１８の間に、シンクフレーム長４３３と同じ長さのガード領域４４２〜４４８を設けている。従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ−ＲＯＭでは図４１（ａ）に示すように各ＥＣＣブロック＃１４１１〜＃８４１８が連続に記録されている。従来の追記形情報記憶媒体ＤＶＤ−Ｒや従来のＤＶＤ−ＲＷで従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ−ＲＯＭとデータ記録形式（フォーマット）の互換性を確保しようとしてすると、制限付きオーバーライト（Restricted Overwrite）と呼ばれる追記または書き替え処理において、書き重ねによりＥＣＣブロック内の一部が破壊され、再生時のデータの信頼性が大きく損われることがある。
【０８９７】
一方、本実施形態のように、データフィールド（ＥＣＣブロック）相互間にガード領域４４２〜４４８を配置することにより、書き重ね場所を、ガード領域４４２〜４４８内に制限可能となる。これにより、データフィールド（ＥＣＣブロック）のデータ破壊が抑止される。
【０８９８】
本実施形態ではさらに、上記ガード領域４４２〜４４８の長さを、図４１に示すように１シンクフレームサイズであるシンクフレーム長４３３に合わせている。
【０８９９】
図３８に示すように、１１１６チャネルビットという一定のシンクフレーム長４３３間隔で、同期コード（シンクコード）が配置されており、図９に示す同期コード位置検出部１４５においては、この一定周期間隔を利用して同期コード位置を抽出している。
【０９００】
本実施形態でガード領域４４２〜４４８の長さシンクフレーム長４３３に合わせることで、再生時にガード領域４４２〜４４８を跨ったとしても、このシンクフレーム間隔が不変に保たれるので、容易に再生時の同期コード位置が検出できる。
【０９０１】
またさらに、    
（１）ガード領域４４２〜４４８を跨った場所でも同期コードの出現頻度を一致させて同期コード位置検出の検出精度を向上させる、    
（２）ガード領域４４２〜４４８も含めた物理セクタ内の位置の判別を容易にする    
ことを目的として、本実施形態では、ガード領域内に同期コード（シンクデータ）を配置している。
【０９０２】
具体的には、図４３に示すように、各ガード領域４４２〜４６８の開始位置に、ポストアンブル領域（Postamble field）４８１が形成され、そのポストアンブル領域４８１に、表２０に示したシンクコード番号“１”の同期コード“ＳＹ１”が配置されている。
【０９０３】
図３８により既に説明したように、物理セクタ内の３個の連続する同期コードのシンクコード番号の組み合わせは、全ての場所で異なり、ガード領域４４２〜４４８内のシンクコード番号“１”まで加味した３個の連続する同期コードのシンクコード番号の組み合わせも、全ての場所で異なる。従って、任意の領域内において、連続する３個の同期コードのシンクコード番号を組み合わせることにより、物理セクタ内の位置情報のみならず、ガード領域も含めた物理セクタ内の位置の判別が可能となる。
【０９０４】
図４１に示したガード領域４４１〜４４８内の詳細な構造を図４３に示す。
【０９０５】
図４３において、物理セクタ内の構造は、シンクコード４３１とシンクデータ４３２の組み合わせから構成されるが、ガード領域４４１〜４４８内も同様にシンクコード４３３とシンクデータ４３４の組み合わせから構成される。すなわち、ガード領域＃３４４３内のシンクデータ４３４領域内もセクタ内のシンクデータ４３２と同じ変調規則に従って変調されたデータが配置される。なお、図３５に示す、３２個の物理セクタから構成される１個分のＥＣＣブロック＃２４１２内の領域を、本発明では、データフィールド４７０と呼ぶ。
【０９０６】
一方、図４３におけるＶＦＯ（Variable Frequency Oscillator）領域４７１および４７２は、データ領域４７０を再生する時の情報再生装置または情報記録再生装置の基準クロックの同期合わせに利用する。この領域４７１、４７２内に記録されるデータ内容として、後述する共通の変調規則における変調前のデータは、“７Ｅｈ”の連続繰り返しとなり、変調後の実際に記録されるチャネルビットパターンは、“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターン（“０”が連続３個ずつ繰り返すパターン）となる。なお、このパターンが得られるためにはＶＦＯ領域４７１、４７２の先頭バイトは変調におけるＳｔａｔｅ２の状態に設定される必要がある。
【０９０７】
プリシンク領域４７７、４７８は、前記ＶＦＯ領域４７１、４７２とデータ領域４７０間の境目位置を表し、変調後の記録チャネルビットパターンは“１０００００  １０００００”（“０”が連続５個ずつ繰り返すパターン）の繰り返しである。
【０９０８】
情報再生装置または情報記録再生装置では、ＶＦＯ領域４７１、４７２内の“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターンから、プリシンク領域４７７、４７８内の“１０００００  １０００００”の繰り返しパターンのパターン変化位置を検出し、データ領域４７０が近付くことを認識する。
【０９０９】
ポストアンブル領域４８１は、データ領域４７０の終了位置を示すとともにガード領域４４３の開始位置を表している。ポストアンブル領域４８１内のパターンは上述したように表２０に示す同期コード（シンクコード（SYNC Code））の内“ＳＹ１”のパターンと一致している。
【０９１０】
エキストラ領域４８２はコピー制御や不正コピー防止用に使われる領域である。特にコピー制御や不正コピー防止用に使われない場合にはチャネルビットで全て“０”に設定する。
【０９１１】
バッファ領域はＶＦＯ領域４７１、４７２と同じ変調前のデータは、“７Ｅｈ”の連続繰り返しとなり、変調後の実際に記録されるチャネルビットパターンは“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターン（“０”が連続３個ずつ繰り返すパターン）となる。なお、このパターンが得られるためには、ＶＦＯ領域４７１、４７２の先頭バイトは変調におけるＳｔａｔｅ２の状態に設定される必要がある。
【０９１２】
図４３に示すように“ＳＹ１”のパターンが記録されているポストアンブル領域４８１がシンクコード領域４３３に該当し、その直後のエキストラ領域４８２からプリシンク領域４７８までの領域が、シンクデータ領域４３４に対応する。
【０９１３】
ＶＦＯ領域４７１からバッファ領域４７５までの領域（つまりデータ領域４７０とその前後のガード領域の一部を含む領域）を、本発明では、データセグメント４９０と呼び、“物理セグメント”とは、異なる内容を示している。図４３に示した各データのデータサイズは、変調前のデータのバイト数で表現している。
【０９１４】
本実施形態は、図４３に示した構造に限らず、他の実施形態として下記の方法を採用することもできる。すなわち、ＶＯＦ領域４７１とデータ領域４７０の境界部にプリシンク領域４７７を配置する代わりに図４３のＶＯＦ領域４７１、４７２の途中にプリシンク領域４７７を配置する。この他の実施形態では、データブロック４７０の先頭に配置される“ＳＹ０”のシンクコードとプリシンク領域４７７との間の距離を離すことで。距離相関を大きく取り、プリシンク領域４７７を仮Ｓｙｎｃとして設定し、本物のＳｙｎｃ位置の距離相関情報（他のＳｙｎｃ間距離とは異なるが）として利用する。もし本物のＳｙｎｃが検出できなければ、仮Ｓｙｎｃから生成した本物が検出されるであろう位置で、Ｓｙｎｃを挿入する。このようにしてプリシンク領域４７７を本物シンク（“ＳＹ０”）と多少の距離を取ることを特徴とする。プリシンク領域４７７をＶＦＯ領域４７１、４７２の始めに配置すると、読み取りクロックのＰＬＬがロックしていない為プリシンクの役目が弱くなる。従って、プリシンク領域４７７をＶＦＯ領域４７１、４７２の中間位置に配置するのが望ましい。
【０９１５】
本発明では、記録形（書替え形あるいは追記形）情報記憶媒体におけるアドレス情報がウォブル変調により予め記録されている。ウォブル変調方式として、±９０度（合計で、１８０度）の位相変調を用いるとともに、ＮＲＺ（Non Returen to Zero）方法を採用して、情報記憶媒体に対してアドレス情報を事前に記録している。
【０９１６】
図４４を用いて、具体的に説明する。
【０９１７】
本実施形態では、アドレス情報に関しては、１アドレスビット（アドレスシンボルとも呼ぶ）領域５１１内を４ウォブル周期で表現し、１アドレスビット領域５１１内は至る所周波数および振幅と位相は一致している。
【０９１８】
アドレスビットの値として同じ値が連続する場合には、各１アドレスビット領域５１１の境界部（図４４の“三角印”を付けた部分）で同位相が継続し、アドレスビットが反転する場合には、ウォブルパターンの反転（位相の１８０度シフト）が起きる。
【０９１９】
図９に示した情報記録再生装置のウォブル信号検出部１３５では、上記アドレスビット領域５１１の境界位置（図４４の“三角印”を付けた場所）と１ウォブル周期の境界位置であるスロット位置４１２を同時に検出している。
【０９２０】
ウォブル信号検出部１３５内では、図示してないがＰＬＬ（Phase Lock Loop）回路が内蔵されており、上記アドレスビット領域５１１の境界位置とスロット位置４１２の両方に同期してＰＬＬが掛かる。このアドレスビット領域５１１の境界位置またはスロット位置４１２がずれるとウォブル信号検出部１３５では同期が外れて正確なウォブル信号の再生（判読）が不可能となる。
【０９２１】
隣接するスロット位置４１２間の間隔をスロット間隔５１３と呼び、このスロット間隔５１３が物理的に短い程ＰＬＬ回路の同期が取り易く、安定にウォブル信号の再生（情報内容の解読）が可能となる。
【０９２２】
図４４から明らかなように、１８０度または０度にシフトする１８０度の位相変調方式を採用すると、このスロット間隔５１３は、１ウォブル周期と一致する。ウォブルの変調方法としてウォブル振幅を変化させるＡＭ（Amplitude Modulation）方式では、情報記憶媒体表面に付着したゴミや傷の影響を受け易いが、上記位相変調では、信号振幅ではなく位相の変化を検出するため、比較的情報記憶媒体表面のゴミや傷の影響を受け辛い。
【０９２３】
他の変調方式として、周波数を変化させるＦＳＫ（Frequency Shift Keying）方式では、ウォブル周期に対してスロット間隔５１３が長くＰＬＬ回路の同期が相対的に取り辛い。従って、本実施形態のよう、にウォブルの位相変調を利用してアドレス情報を記録すると、スロット間隔が狭く、しかもウォブル信号の同期が取り易い。
【０９２４】
図４４に示すように、１アドレスビット領域５１１には、それぞれ“１”または“０”のバイナリデータが割り振られるが、本実施形態におけるビットの割り振り方法を図４５に示す。
【０９２５】
図４５の左側に示すように、１つのウォブルが開始する位置から、最初に外周側に蛇行するウォブルパターンをＮＰＷ（Normal Phase Wobble）と呼び“０”のデータを割り当てる。一方、右側に示すように、１つのウォブルが開始する位置から、最初に内周側に蛇行するウォブルパターンをＩＰＷ（Invert Phase Wobble）と呼び“１”のデータを割り当てる。
【０９２６】
本実施形態では、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように、プリグルーブ領域１１の幅Ｗｇを、ランド領域１２の幅Ｗｌよりも広くしている。これにより、ウォブル検出信号の検出信号レベルが下がり、Ｃ／Ｎ比が低下する。
【０９２７】
しかしながら、本実施形態では、無変調領域を変調領域よりも広げることでウォブル信号の検出を安定化させている。
【０９２８】
図８１は、本実施形態のＨフォーマットにおけるウォブルアドレスフォーマットを説明する概略図である。
【０９２９】
図８１（ｂ）に示すように、本実施形態のＨフォーマットでは、７個の物理セグメント５５０〜５５６を、１個の物理セグメントブロックとしている。
【０９３０】
１個の物理セグメント５５０〜５５７は、図８１（ｃ）に示すように、それぞれ、１７個ずつのウォブルデータユニット５６０〜５７６を含む。さらに、個々のウォブルデータユニット５６０〜５７６は、ウォブルシンク領域５８０、変調開始マーク５８１，５８２もしくはウォブルアドレス領域５８６，５８７のいずれかである変調領域と、全てが連続したＮＰＷを含む無変調領域５９０，５９１を有する。
【０９３１】
図４６に、各ウォブルデータユニット内の変調領域と無変調領域の存在比（出現確率）を示す。
【０９３２】
図４６（ａ）から（ｄ）のいずれも、ウォブルデータユニット内で１６ウォブルを含む変調領域５９８と６８ウォブルを含む無変調領域５９３を有する。なお、変調領域５９８よりも無変調領域５９３を広く規定している。
【０９３３】
無変調領域５９３を広くすることで、無変調領域５９３を用いて、安定にウォブル検出信号、ライトクロック、あるいは再生クロックのＰＬＬ回路の同期を取ることができる。安定に同期を取るために、無変調領域５９３は変調領域５９８の幅より２倍以上広いことが望ましい。
【０９３４】
本実施形態の追記形情報記憶媒体のＨフォーマットにおけるウォブル変調を用いたアドレス情報の記録形式について説明する。
【０９３５】
本実施形態におけるウォブル変調を用いたアドレス情報設定方法では、図４１に示した“シンクフレーム長４３３を単位として割り振った”ことが大きな特徴である。図３８に示したように、１セクタは２６シンクフレームで有り、図３２から、１ＥＣＣブロックは３２物理セクタであるから、１ＥＣＣブロックは２６×３２＝８３２個のシンクフレームを含む。
【０９３６】
図４１に示す、ＥＣＣブロック４１１〜４１８間に存在するガード領域４４２〜４６８の長さは、１シンクフレーム長４３３に一致するので、１個のガード領域４６２と１個のＥＣＣブロック４１１を足した長さは、８３２＋１＝８３３個のシンクフレームである。
【０９３７】
なお、    
８３３＝７×１７×７    
と因数分解できるので、この特徴を生かした構造を持たせている。
【０９３８】
すなわち、１個のガード領域と１個のＥＣＣブロックを足した領域の長さに等しい領域を書き替え可能なデータの基本単位としてデータセグメント５３１と定義（図４３に示したデータセグメント４９０内の構造は再生専用形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体の別に依らず全て一致している）し、１個のデータセグメント４９０の物理的な長さと同じ長さの領域を“７個”の物理セグメントに分割し、各物理セグメント毎にウォブル変調の形でアドレス情報を事前に記録しておく。
【０９３９】
データセグメント４９０の境界位置と物理セグメントの境界位置は、後述する量だけ、ずれている。さらに、各物理セグメントを、それぞれ１７個のウォブルデータユニットＷＤＵ（Wobble Data Unit）に分割する。上記の式から、１個のウォブルデータユニットの長さとしては、それぞれ７個のシンクフレーム分が割り当てられることが判る。
【０９４０】
このように、１７ウォブルデータユニットで物理セグメントを構成し、７物理セグメント長をデータセグメント長に合わせることにより、ガード領域４４２〜４６８を跨った範囲でシンクフレーム境界を確保し、シンクコードの検出を容易にしている。
【０９４１】
各ウォブルデータユニット＃０５６０〜＃１１５７１の中は、図４６に示した通り１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３であるから、この無変調領域５９２、５９３を利用してＰＬＬを掛け、情報記憶媒体に記録された記録マークを再生する時の基準クロック、または新たに記録する時に使用する記録用基準クロックを安定に抽出（生成）することができる。このように、本実施形態において変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくすることで、再生用の基準クロックの抽出（生成）または記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と抽出（生成）安定性を大幅に向上させることができる。すなわち、ウォブルでの位相変調を行った場合、波形整形のために再生信号をバンドパスフィルターに通過させると位相変化位置前後で整形後の検出信号波形振幅が小さくなる現象が現れる。従って、位相変調による位相変化点の頻度が多くなると波形振幅変動が多くなって上記のクロック抽出精度が落ち、逆に変調領域内で位相変化点の頻度が低いとウォブルアドレス情報検出時のビットシフトが発生しやすくなると言う問題点が生じる。そのため、本実施形態では位相変調による変調領域と無変調領域を構成し、無変調領域の占有率を高くすることで上記のクロック抽出精度を向上させる効果がある。本実施形態では変調領域と無変調領域の切り替わり位置が予め予想できるので、上記のクロック抽出に対しては無変調領域にゲートを掛けて無変調領域のみの信号を検出し、その検出信号から上記クロック抽出を行うことが可能となる。特に、本実施形態による記録原理を用いた有機色素記録材料で記録層３−２を構成する場合には“３−２）本実施形態における有機色素膜に共通する基本的特徴説明”内の“３−２−Ｄ〕本実施形態におけるプリグルーブ形状／寸法に関する基本的特徴”に記載するプリグルーブ形状／寸法を用いた場合に比較的ウォブル信号が取り辛くなる。この状況に対して上記のように変調領域に対する無変調領域５９０、５９１の占有比を大幅に大きくすることでウォブル信号検出の信頼性を向上させている。
【０９４２】
無変調領域５９２、５９３から変調領域５９８に移る時には、４ウォブル分または６ウォブル分を使って変調開始マークとしてのＩＰＷ領域を設定し、図４６（ｃ）、（ｄ）に示すウォブルデータ部において、この変調開始マークであるＩＰＷ領域を検出した直後にウォブル変調されたウォブルアドレス領域（アドレスビット＃２〜＃０）が来るように配置されている。
【０９４３】
図４６（ａ）、（ｂ）は、後述する図４７（ｃ）に示すウォブルシンク領域５８０に対応したウォブルデータユニット＃０５６０内の中身を表し、図４６（ｃ）、（ｄ）は図４７（ｃ）のセグメント情報７２７からＣＲＣコード７２６までのウォブルデータ部に対応したウォブルデータユニットの中身を示している。図４６（ａ）、（ｃ）は後述する変調領域の１次配置場所（Primary position）７０１に対応したウォブルデータユニット内を示し、図４６（ｂ）、（ｄ）は変調領域の２次配置場所（Secondary position）７０２に対応したウォブルデータユニット内を示している。図４６（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルシンク領域５８０ではＩＰＷ領域に６ウォブル、ＩＰＷ領域に囲まれたＮＰＷ領域に４ウォブルを割り当て、図４６（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部ではＩＰＷ領域と全てのアドレスビット領域＃２〜＃０それぞれに４ウォブル分を割り当てている。
【０９４４】
図４７に追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する実施形態を示す。図４７（ａ）には比較のため、書替え形情報記憶媒体のウォブルアドレス情報内のデータ構造を示した。追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する２通りの実施形態に付いて図４７（ｂ）と（ｃ）に示す。
【０９４５】
ウォブルアドレス領域６１０では１２ウォブルで３アドレスビットを設定（図４４を参照）している。つまり、連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成している。このように本実施形態ではアドレス情報を３アドレスビット毎に分散配置させた構造を取っている。ウォブルアドレス情報６１０を情報記憶媒体内の一箇所に集中記録すると、表面のゴミや傷が付いた時に全ての情報が検出困難になる。本実施形態のようにウォブルアドレス情報６１０を１個のウォブルデータユニット５６０〜５７６に含まれる３アドレスピット（１２ウォブル）毎に分散配置し、３アドレスビットの整数倍アドレスビット毎にまとまった情報を記録し、ゴミや傷の影響で一箇所の情報検出が困難な場合でも他の情報の情報検出を可能にできるという効果がある。
【０９４６】
上記のようにウォブルアドレス情報６１０を分散配置させるとともに１物理セグメント毎にウォブルアドレス情報６１０を完結的に配置させることで物理セグメン毎にアドレス情報が分かるので、情報記録再生装置がアクセスした時に物理セグメント単位での現在位置を知ることができる。
【０９４７】
本実施形態では、図４４に示すようにＮＲＺ法を採用しているので、ウォブルアドレス領域６１０内では連続する４ウォブル内で位相が変化することはない。この特徴を利用してウォブルシンク領域５８０を設定している。すなわち、ウォブルアドレス情報６１０内では発生し得ないウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定することで、ウォブルシンク領域５８０の配置位置識別を容易にしている。本実施形態では連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成するウォブルアドレス領域５８６、５８７に対してウォブルシンク領域５８０位置では１アドレスビット長を４ウォブル以外の長さに設定していることを特徴とする。すなわち、ウォブルシンク領域５８０では図４６（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルビットが“１”になる領域（ＩＰＷ領域）を４ウォブルとは異なる“６ウォブル→４ウォブル→６ウォブル”と言う図４６（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部では起こり得ないウォブルパターン変化を設定している。ウォブルデータ部では発生し得ないウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定する具体的な方法として上述したようにウォブル周期を変える方法を利用すると    
（１）図９のウォブル信号検出部１３５内で行っているウォブルのスロット位置５１２（図４４）に関するＰＬＬが崩れることなく安定にウォブル検出（ウォブル信号の判定）を継続できる    
（２）図９のウォブル信号検出部１３５内で行っているアドレスビット境界位置のずれにより容易にウォブルシンク領域５８０と変調開始マーク５６１、５８２の検出が行える    
と言う効果が生まれる。
【０９４８】
図４６に示すようにウォブルシンク領域５８０を１２ウォブル周期で形成してウォブルシンク領域５８０の長さを３アドレスビット長に一致させていることを特徴とする。これにより、１個のウォブルデータユニット＃０５６０内での変調領域（１６ウォブル分）全てをウォブルシンク領域５８０に割り当てることで、ウォブルアドレス情報６１０の開始位置（ウォブルシンク領域５８０の配置位置）の検出容易性を向上させている。このウォブルシンク領域５８０は物理セグメント内の最初のウォブルデータユニットに配置されている。このようにウォブルシンク領域５８０を物理セグメント内の先頭位置に配置することで、ウォブルシンク領域５８０の位置を検出するだけで容易に物理セグメントの境界位置を抽出できると言う効果が生じる。
【０９４９】
図４６（ｃ）、（ｄ）に示すように、ウォブルデータユニット＃１５６１〜＃１１５７１内ではアドレスビット＃２〜＃０に先行し、先頭位置に変調開始マークとしてのＩＰＷ領域（図４５参照）が配置されている。それに先行した位置に配置されている無変調領域５９２、５９３では連続的にＮＰＷの波形になっているので、図９に示したウォブル信号検出部１３５ではＮＰＷからＩＰＷへの切り替わり目を検出して変調開始マークの位置を抽出する。
【０９５０】
参考までに図４７（ａ）に示した書替え形情報記憶媒体におけるウォブルアドレス情報６１０の中身は、    
（１）物理セグメントアドレス６０１    
…  トラック内（情報記憶媒体２２１内での１周内）での物理セグメント番号を示す情報    
（２）ゾーンアドレス６０２    
…  情報記憶媒体２２１内のゾーン番号を示している
（３）パリティー情報６０５    
…  ウォブルアドレス情報６１０からの再生時のエラー検出用に設定された物で、予約情報６０４からゾーンアドレス６０２までの１４アドレスビットを各アドレスビット単位で個々に加算し、加算結果が偶数か奇数かの表示を行う情報で、このアドレスパリティ情報６０５の１アドレスビットも含めた合計１５アドレスビットに対して各アドレスビット単位で排他的ＯＲ（Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ  ＯＲ）を取った結果が“１”になるようにパリティー情報６０５の値を設定する    
（４）ユニティー領域６０８
…  前述したように各ウォブルデータユニットの中は１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３から構成されように設定し、変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくしている。さらに、無変調領域５９２、５９３の占有比を広げて再生用基準クロックまたは記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と安定性をより向上させている。ユニティー領域６０８内は全てＮＰＷ領域が連続しており、均一位相の無変調領域になっている    
が記録される。
【０９５１】
上記各情報に割り当てたアドレスビット数を図４７（ａ）に示した。上述したようにウォブルアドレス情報６１０内はそれぞれ３アドレスビット毎に分離されて各ウォブルデータユニット内に分散配置される。情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生しても異なる各ウォブルデータユニットを跨ってエラーが広がっている確率は非常に低い。従って、同一情報が記録される場所として異なるウォブルデータユニット間を跨る回数を極力減らし、各情報の切れ目とウォブルデータユニットの境界位置を一致させるように工夫している。これにより、仮に情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生して特定の情報が読めなくても、他の各ウォブルデータユニット内に記録された他の情報が読めるようにしてウォブルアドレス情報の再生信頼性を向上させている。
【０９５２】
図４７（ａ）〜（ｃ）に示すようにウォブルアドレス情報６１０内でユニティ領域６０８、６０９を最後に配置した所も本実施形態の大きな特徴となっている。上述したようにユニティ領域６０８、６０９ではウォブル波形はＮＰＷに成っているので、実質的に３個もの連続したウォブルデータユニット内で連続してＮＰＷが続く。この特徴を利用して図９のウォブル信号検出部１３５では３個のウォブルデータユニット５７６分の長さで連続してＮＰＷが続く場所を探すことで容易にウォブルアドレス情報６１０の最後に配置されたユニティ領域６０８の位置が抽出でき、その位置情報を利用してウォブルアドレス情報６１０の開始位置を検出できる。
【０９５３】
図４７（ａ）に示した各種アドレス情報の内、物理セグメントアドレス６０１とゾーンアドレス６０２は隣接トラック間で同じ値を示しているのに対し、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７は隣接トラック間で値が変わる。従って、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７が記録される領域には不定ビット領域５０４が現れる。この不定ビット頻度を低減させるため、本実施形態ではグルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７に関してはグレイコードを用いてアドレス（番号）を表示している。グレイコードとは元の値が“１”変化した時の変換後のコードが何処でも“１ビット”だけしか変化しないコードを意味している。これにより不定ビット頻度を低減させてウォブル検出信号のみならず記録マークからの再生信号も信号検出安定化が図れる。
【０９５４】
図４７（ｂ）、（ｃ）に示すように追記形情報記憶媒体においても書替え形情報記憶媒体と同様ウォブルシンク領域６８０を物理セグメント先頭位置に配置し、物理セグメントの先頭位置あるいは隣接する物理セグメント間の境界位置の検出を容易にしている。図４７（ｂ）に示した物理セグメントのタイプ識別情報７２１は上述したウォブルシンク領域５８０内のウォブルシンクパターンと同様物理セグメント内の変調領域の配置位置を示すことで同一物理セグメント内の他の変調領域５９８の配置場所が事前に予測でき、次に来る変調領域検出の事前準備ができるので変調領域での信号検出（判別）精度を上げることができると言う効果がある。
【０９５５】
具体的には、    
物理セグメントのタイプ識別情報７２１が“０”の時は、図４９（ｂ）に示す物理セグメント内全てが１次配列場所（Primary Position）になっているか、あるいは図４９（ｄ）に示す１次配置場所と２次配置場所の混合状態を表し、    
物理セグメントのタイプ識別情報７２１が“１”の時は、図４９（ｃ）に示すように物理セグメント内の全てが２次配置場所（Secondary Position）になっていることを示す。
【０９５６】
上記の実施形態に対する他の実施形態としてウォブルシンクパターンと物理セグメントのタイプ識別情報７２１の組み合わせにより物理セグメント内の変調領域の配置場所を示すこともできる。前記２種類の情報を組み合わせることで図４９（ｂ）から（ｄ）に示した３種類以上の変調領域の配置パターンを表現でき、変調領域の配置パターンを複数持たせることが可能となる。なお上記の実施形態ではウォブルシンク領域５８０と物理セグメントのタイプ識別情報７２１が含まれている物理セグメント内の変調領域の配置場所を示しているが、本発明ではそれに限らず例えば、他の実施形態としてウォブルシンク領域５８０と物理セグメントのタイプ識別情報７２１は次に来る物理セグメント内の変調領域の配置場所を示しても良い。この場合、グルーブ領域に沿って連続的にトラッキングしている場合に次の物理セグメント内の変調領域の配置場所が事前に分かり、変調領域検出の準備時間が長く取れる。
【０９５７】
図４７（ｂ）に示した追記形情報記憶媒体における層番号情報７２２とは片面１記録層か片面２記録層の場合のどちらの記録層を示しているかを表し、    
“０”の時には片面１記録層媒体か片面２記録層の場合の“Ｌ０層”（レーザ光入射側の手前層）    
“１”の時には片面２記録層の“Ｌ１層”（レーザ光入射側の奥側の層）    
を意味する。
【０９５８】
物理セグメント順番情報７２４は同一物理セグメントブロック内の相対的な物理セグメントの配置順を示している。図４７（ａ）と比較して明らかなようにウォブルアドレス情報６１０内での物理セグメント順番情報７２４の先頭位置は書替え形情報記憶媒体における物理セグメントアドレス６０１の先頭位置に一致している。物理セグメント順番情報位置を書替え形に合わせることで媒体種別間の互換性を高め、書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の両方が使える情報記録再生装置でのウォブル信号を用いたアドレス検出用制御プログラムの共有化よ簡素化が図れる。
【０９５９】
図４７（ｂ）のデータセグメントアドレス７２５はデータセグメントのアドレス情報を番号で記述する。既に説明したように本実施形態では３２セクタで１ＥＣＣブロックを構成する。従って、特定のＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットは隣接するＥＣＣブロック内の先頭位置に配置されたセクタのセクタ番号と一致する。ＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットが“０００００”になるように物理セクタ番号を設定した場合には同一ＥＣＣブロック内に存在する全てのセクタの物理セクタ番号の下位６ビット目以上の値が一致する。従って、上記同一ＥＣＣブロック内に存在するセクタの物理セクタ番号の下位５ビットデータを除去し、下位６ビット目以上のデータのみを抽出したアドレス情報をＥＣＣブロックアドレス（またはＥＣＣブロックアドレス番号）とする。ウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレス７２５（または物理セグメントブロック番号情報）は上記ＥＣＣブロックアドレスと一致するので、ウォブル変調による物理セグメントブロックの位置情報をデータセグメントアドレスで表示すると、物理セクタ番号で表示するのと比べて５ビットずつデータ量が減り、アクセス時の現在位置検出が簡単になると言う効果が生まれる。
【０９６０】
図４７（ｂ）、（ｃ）のＣＲＣコード７２６は物理セグメントのタイプ識別情報７２１からデータセグメントアドレス７２５までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコード（エラー訂正コード）またはセグメント情報７２７から物理セグメント順番情報７２４までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコードで部分的にウォブル変調信号を誤って判読してもこのＣＲＣコード７２６により部分的に修正できる。
【０９６１】
追記形情報記憶媒体では残りの１５アドレスビット分に相当する領域はユニティ領域６０９に割り当てられ、１２番目から１６番目までの５個のウォブルデータユニット内は全てＮＰＷになっている（変調領域５９８が存在しない）。
【０９６２】
図４７（ｃ）における物理セグメントブロックアドレス７２８とは７個の物理セグメントから１個のユニットを構成する物理セグメントブロック毎に設定されるアドレスで、データリードインＤＴＲＤＩ内の最初の物理セグメントブロックに対する物理セグメントブロックアドレスを“１３５８ｈ”に設定する。データ領域ＤＴＡを含め、データリードインＤＴＬＤＩ内の最初の物理セグメントブロックからデータリードアウトＤＴＬＤＯ内の最後の物理セグメントブロックまで順次この物理セグメントブロックアドレスの値が１ずつ加算されて行く。
【０９６３】
物理セグメント順番情報７２４は１個の物理セグメントブロック内での各物理セグメントの順番を表し、最初の物理セグメントに対して“０”、最後の物理セグメントに対して“６”を設定する。
【０９６４】
図４７（ｃ）の実施形態において物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレス７２８を配置所に特徴がある。例えば、表１８に示したＲＭＤフィールド１のようにアドレス情報をこの物理セグメントブロックアドレスで管理する場合が多い。これらの管理情報に従って所定の物理セグメントブロックアドレスにアクセスする場合、図９内に示したウォブル信号検出部１３５内ではまず始めに図４７（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレスがある場合には、先に物理セグメントブロックアドレスを解読し、物理セグメント順番情報７２４を解読せずに所定の物理セグメントブロックアドレスか否かを判定できるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス性が向上すると言う効果がある。
【０９６５】
セグメント情報７２７内はタイプ識別情報７２１と予約領域７２３から構成されている。タイプ識別情報７２１は物理セグメント内の変調領域の配置場所を表し、このタイプ識別情報７２１の値が    
“０ｂ”の場合は後述する図４９（ｂ）の状態を表し、    
“１ｂ”の場合には後述する図４９の（ｃ）または（ｄ）の状態を表している。
【０９６６】
図４７（ｃ）においてウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１が配置されていることを特徴とする。上述したように図９内に示したウォブル信号検出部１３５内ではまず始めに図４７（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。従って、ウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１を配置することで即座に物理セグメント内の変調領域の配置場所確認が行えるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス処理の高速化が実現できる。
【０９６７】
図５４を用いて隣接トラックからのウォブル信号のクロストークの発生について記述する。
【０９６８】
図５４に示すように記録可能な情報記憶媒体上ではプリグルーブ領域１０１１が蛇行（ウォブル）しながら配置されている。情報再生時およびトラックループＯＮ時には集光スポット１０２７は、プリグルーブ領域１０１１をトレースしながらトラッキングしている。しかし、プリグルーブ領域１０１１のウォブル周波数がトラッキングサーボ帯域より高いため、トラッキング補正は行われず、ウォブル信号（図５７（ａ）において光検出器１０２５内の光検出セル１０２５ａから検出される検出信号Ｉ１と、光検出セル１０２５ｂから検出される検出信号Ｉ２との差分（Ｉ１−Ｉ２）により検出される信号）が検出される。図５４に示すように隣接トラック間でウォブルの位相が逆相になっている場合は、集光スポット１０２７が図５４の（ａ）のような位置にいる時は隣接トラックからのウォブル信号のクロストークは出ないが、集光スポット１０２７が図５４の（ｂ）の位置にきた時は隣接トラックのプリグルーブ領域１０１５の一部が集光スポット１０２７の中に入り込むため隣接トラックのウォブル信号がクロストークとしてあらわれる。
【０９６９】
本実施形態では、ウォブル信号のクロストーク量を特定以下に抑えるように再生信号品質を規定したところに特徴がある。
【０９７０】
図５６のフローチャートを参照してウォブル検出信号の最大振幅（Ｗｐｐｍａｘ）と最小振幅（Ｗｐｐｍｉｎ）の測定方法について記述する。ステップＳＴ０１に示すようにウォブル信号をスペクトラムアナライザに入力する。
【０９７１】
ここで、スペクトラムアナライザのパラメータは    
中心周波数                          ６９７ｋＨｚ    
周波数スパン                            ０  Ｈｚ    
レゾリューションバンドウィドゥス      １０ｋＨｚ    
ビデオバンドウィドゥス                  ３０Ｈｚ    
に設定している。
【０９７２】
次に、ステップＳＴ０２でウォブル信号周波数が所定値になるようにディスクの回転数を変えて線速を調整する。
【０９７３】
本実施形態では、Ｈフォーマットを使用しているため、ウォブルの信号周波数の所定値としては、６９７ｋＨｚに設定している。
【０９７４】
次に、ウォブル検出信号のキャリアレベルの最大値（Ｃｗｍａｘ）と最小値（Ｃｗｍｉｎ）の測定例について記述する。
【０９７５】
図５５に示すように本実施形態の追記型記憶媒体ではＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅｏｒ  Ｖｉｌｏｃｉｔｙ）記録方式を使用しているため、トラック位置により隣接トラック間でのウォブル位相が変化する。隣接トラック間のウォブル位相が一致した場合、最もウォブル検出信号のキャリアレベルが高くなり、最大値（Ｃｗｍａｘ）になる。また、隣接トラック間のウォブル位相が逆位相になった時、隣接トラックのクロストークの影響でウォブル検出信号が最も小さくなり、最小値（Ｃｗｍｉｎ）になる。従って、トラックに沿って内周から外周方向にトレースしている場合、検出されるウォブル検出信号のキャリアの大きさは図５５に示すように４トラック周期で変動する。
【０９７６】
本実施形態では、４トラック毎にウォブルキャリア信号を検出し、４トラック毎の最大値（Ｃｗｍａｘ）と最小値（Ｃｗｍｉｎ）を測定する。
【０９７７】
以下、ステップＳＴ０３で最大値（Ｃｗｍａｘ）と最小値（Ｃｗｍｉｎ）のペアを３０ペア以上のデータとして蓄積する。
【０９７８】
次に、下記の計算式を利用して、ステップＳＴ０４で最大値（Ｃｗｍａｘ）と最小値（Ｃｗｍｉｎ）の平均値から最大振幅（Ｗｐｐｍａｘ）と最小振幅（Ｗｐｐｍｉｎ）を算出する。
【０９７９】
下記の式において、Ｒはスペクトラムアナライザのターミネートされた抵抗値を表している。以下に、ＣｗｍａｘとＣｗｍｉｎの値からＷｐｐｍａｘとＷｐｐｍｉｎを換算する式を説明する。
【０９８０】
ｄＢｍ単位系では、０ｄＢｍ＝１ｍＷを基準とする。ここで、電力Ｗａ＝１ｍＷとなる電圧振幅Ｖｏは、    
Ｗａｏ＝ＩＶｏ  ＝Ｖｏ×Ｖｏ／Ｒ  ＝１／１０００Ｗ    
である。従って、    
Ｖｏ＝（Ｒ／１０００）１／２ 
となる。
【０９８１】
次に、ウォブル振幅Ｗｐｐ［Ｖ］とスペクロルアナライザで観測されたキャリアレベルＣｗ［ｄＢｍ］の関係は下記の通りとなる。ここで、Ｗｐｐは正弦波なので、振幅を実効値に直すと、    
Ｗｐｐ−ｒｍｓ＝Ｗｐｐ／（２×２１／２）    
Ｃｗ＝２０×ｌｏｇ（Ｗｐｐ−ｒｍｓ／Ｖｏ）［ｄＢｍ］    
となる。
【０９８２】
従って、    
Ｃｗ＝１０×ｌｏｇ（Ｗｐｐ−ｒｍｓ／Ｖｏ）２ 
上式のｌｏｇを変換して    
（Ｗｐｐ−ｒｍｓ／Ｖｏ）２ 
＝  １０（Ｃｗ／１０） 
＝｛［Ｗｐｐ／（２×２１／２）］／Ｖｏ｝２ 
＝｛Ｗｐｐ／（２×２２）／（Ｒ／１０００）１／２｝２ 
＝（Ｗｐｐ２／８）／（Ｒ／１０００）。
【０９８３】
ＷＰＰ２２ 
＝（８×Ｒ）／（１０００×１０（Ｃｗ／１０））    
＝８×Ｒ×１０（−３）×１０（Ｃｗ／１０） 
＝８×Ｒ×１０（Ｃｗ／１０）（−３）。
【０９８４】
Ｗｐｐ＝｛８×Ｒ×１０（Ｃｗ／１０）（−３）｝１／２          （６１）    。
【０９８５】
次に、ウォブル信号とトラックずれ検出信号の特性を図５７に示す。
【０９８６】
図９に示す情報記録再生部１４１の中に、図５７（ａ）に示す光学ヘッドが存在する。そして、図５７（ａ）に示す光学ヘッドで検出されたトラックずれ検出信号である（Ｉ１−Ｉ２）の信号が、図９に示す情報記録再生部１４１から出力され、図９のウォブル信号検出部１３５に入力される。
【０９８７】
図９の情報記録再生部１４１の中に存在する光学ヘッド内の構造を説明する。
【０９８８】
図５７（ａ）に示すように、半導体レーザ１０２１から出射されたレーザ光がコリメートレンズ１０２２により平行光になり、ビームスプリッタ１０２３を介して対物レンズ１０２８で集光され、情報記憶媒体１００１のプリグルーブ領域１０１１内に照射される。プリグルーブ領域１０１１は微小な蛇行（ウォブル）を行っている。ウォブルされたプリグルーブ領域１０１１から反射された光は再び対物レンズ１０２８を通過し、ビームスプリッタ１０２３で反射され、集光レンズ１０２４で光検出器１０２５に照射される。
【０９８９】
光検出器１０２５は光検出セル１０２５−１と光検出セル１０２５−２から構成され、それぞれの光検出セル１０２５−１、１０２５−２から検出された信号Ｉ１とＩ２の差分が得られ、この信号が図９に示されるウォブル信号検出部１３５に入力される。
【０９９０】
図５７（ａ）に示す光学ヘッドはウォブル信号とプッシュプル方式のトラックずれ検出信号のいずれも検出できる。
【０９９１】
トラックループＯＮの時は、ウォブル周波数の帯域がトラッキング帯域より高いため、光学ヘッドからはウォブル信号が検出される。ここで、隣接トラック間のプリグルーブのウォブル位相が等しいときは、Ｗｐｐｍａｘの最大振幅が得られ、逆相になったときには隣接トラックのクロストークの影響でウォブル信号振幅が低下し最小振幅Ｗｐｐｍｉｎになる。
【０９９２】
本実施形態では、最大振幅（Ｗｐｐｍａｘ）と最小振幅（Ｗｐｐｍｉｎ）間の条件を規定し、より安定なウォブル検出をできるように工夫している。すなわち、図９のウォブル信号検出部１３５では、ウォブル検出信号の振幅値が最大３倍まで変化しても安定に信号が検出できるよう作られている。また、クロストークの影響で、ウォブル検出信号の振幅の変化率が２分の１以下であることが望ましい。
【０９９３】
従って本実施形態では、その中間の値を取り、許容されるウォブル信号の最大値をウォブル信号の最小値で割った値（Ｗｐｐｍａｘ÷Ｗｐｐｍｉｎ）を２．３以下に設定している。
【０９９４】
本実施形態では、（Ｗｐｐｍａｘ÷Ｗｐｐｍｉｎ）の値を２．３以下に設定しているが、図９に示したウォブル信号検出部１３５の性能からは、（Ｗｐｐｍａｘ÷Ｗｐｐｍｉｎ）の値は３以下でも安定に信号を検出することができる。また、より精度の高いウォブル検出を行う場合には、（Ｗｐｐｍａｘ÷Ｗｐｐｍｉｎ）の値を２．０以下にすることもできる。上記の条件を満足するように、プリグルーブ領域１０１１の蛇行振幅を設定する。
【０９９５】
図５７（ｂ）に示すようにトラックループをＯＦＦにした場合には、光学ヘッドからはトラックずれ検出信号が現れる。この時のトラックずれ検出信号の最大振幅を（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐで表す。この（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐの値は、光検出セル１０２５−１から検出されるＩ１の信号と光検出セル１０２５−２から検出されるＩ２の信号の差を求めることにより得られる。ここで得られた信号は遮断周波数（カットオフ周波数）３０ｋＨｚのローパスフィルタを通過した後に信号処理される。このローパスフィルタは１次フィルタで構成される。また、この（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐの値は未記録のデータ領域（ＤＴＡ）および、未記録領域のデータリードイン領域（ＤＴＬＤＩ）あるいは、データリードアウト領域（ＤＴＬＤＯ）で測定する。
【０９９６】
次に、図５８を参照してトラックずれ検出信号の振幅値（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐの測定方法を記述する。
【０９９７】
ステップＳＴ１１で、図５７（ａ）に示す光学ヘッドから得られた（Ｉ１−Ｉ２）の信号を遮断周波数（カットオフ周波数）ｆｃ＝３０ｋＨｚのローパスフィルタに入力する。
【０９９８】
ステップＳＴ１２で、ローパスフィルタ出力に対してトラック毎に振幅値を測定し、３０サンプル以上蓄積する。
【０９９９】
ステップＳＴ１２で得られたサンプルの平均を取ることにより、ステップＳＴ１３で、（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐを求める。
【１０００】
本実施形態では、トラックループＯＦＦ時のトラックずれ検出信号の振幅（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル信号の振幅の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）を規定しているところに特徴がある。
【１００１】
図９に示す本実施形態の情報記憶再生装置においては、ウォブル信号検出部１３５でウォブル信号を検出するとともに、同一の検出回路を用いてトラックずれ検出信号を検出していることを特徴とする。ウォブル信号検出部１３５でウォブル信号とトラックずれ検出信号をともに検出することにより、一個の検出回路で二つの仕事を処理（兼用）することができるため、回路の簡素化を図ることができる。
【１００２】
ウォブル信号検出部１３５の特徴として、この回路のダイナミックレンジをトラックずれ検出信号の振幅値（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに最適化して合わせることがある。この場合、同一回路でウォブル信号を検出する為、ウォブル検出信号の振幅値の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）がトラックずれ検出信号の振幅値より大幅に小さいと、ウォブル検出信号の検出精度が低下し、安定な処理が行われなくなる。
【１００３】
従って、図９のウォブル信号検出部１３５では、安定に信号を検出するため、トラックずれ検出信号の振幅値（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル信号の振幅値の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）を０．２より大きくすることが望ましい。しかし、ウォブル信号検出部の信号特性としては、トラックずれ検出信号の振幅値（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐの５％まで安定にウォブル信号を検出することができる。上記の条件を満足するようにプリグルーブ領域１１の蛇行振幅を設定する。
【１００４】
従って、本実施形態では、上記の中間を取ってトラックずれ検出信号の振幅値（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル検出信号の振幅値の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）を０．１以上に設定している。その結果、（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル検出信号の検出精度を高くすることを保証できる。本実施形態では、以上のようにウォブル検出信号の振幅を設定するとともに、ウォブル信号のＣ／Ｎ比を規定し、ウォブル信号の検出精度を上げていることを特徴としている。
【１００５】
次にウォブル信号に対する、Ｃ／Ｎ比を測定する回路を図５９に示す。
【１００６】
本実施形態におけるウォブル検出信号のＣ／Ｎ比は図５７（ａ）に示す光学ヘッドから出力される（Ｉ１−Ｉ２）の信号を用いて検出する。プリグルーブ領域１０１１からのウォブル検出信号は、図２７に示すデータリードイン領域（ＤＴＬＤＩ）あるいは、データ領域（ＤＴＡ）もしくは、データリードアウト領域（ＤＴＬＤＯ）上をトレースした時の（Ｉ１−Ｉ２）の信号（図５７）で検出される。ウォブル検出信号の評価はウォブル検出信号の下記に示すＮＢＳＮＲ（Ｎａｒｒｏｗ−Ｂａｎｄ  Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）により実行される。本実施形態では、ウォブル検出信号の２乗結果のＮＢＳＮＲの値を２０ｄＢ以上、好ましくは２６ｄＢ以上に設定している。上記の条件を満足するようにプリグルーブ領域１０１１のノイズ成分が少ないように情報記憶媒体を製造する。
【１００７】
このウォブル検出信号の２乗結果のＮＢＳＮＲの値は、未記録トラック上で２６ｄＢ以上で、既記録トラック上でも、２６ｄＢ以上を満足している必要がある。
【１００８】
以下に、本実施形態における、ＮＢＳＮＲの測定回路と測定方法について説明を行う。
【１００９】
図５７（ａ）に示す光学ヘッドから出力される（Ｉ１−Ｉ２）の信号がウォブル信号１０３０としてプリアンプ回路１０３１に入力され、一次のバンドパスフィルタ回路１０３２に入力される。
【１０１０】
次に、バンドパスフィルタ回路１０３２を通過した信号は２乗回路１０３３により２乗の波形に変換されたのち、スペクトラムアナライザ１０３４に入力される。
【１０１１】
このときのスペクトラムアナライザ１０３４のパラメータは、    
中心周波数                      １．３９ＭＨｚ    
周波数スパン                      ５００ｋＨｚ    
レゾリューションバンドウィドゥス    １０ｋＨｚ    
ビデオバンドウィドゥス              １０ｋＨｚ以上    
スイープ時間                        ５０ｍｓ    
１２８回以上のアベレージング    
に設定している。
【１０１２】
次に、図６０のフローチャートを参照して具体的なＮＢＳＮＲの測定方法について記述する。
【１０１３】
はじめに、４００トラック以上連続したランダムデータを情報記憶媒体上に記録する（ステップＳＴ２１）。
【１０１４】
次に、ステップＳＴ２１で記録したトラック上をトラックジャンプをせずにトラッキングしながらキャリアレベルとノイズレベルを測定する（ステップＳＴ２２）。
【１０１５】
ステップＳＴ２２により測定したキャリアレベルとノイズレベルの差によりＮＢＳＮＲを求める（ステップＳＴ２３）。
【１０１６】
図６３に２乗した後のウォブル検出信号のスペクトラムアナライザ波形を示す。キャリアレベルは、スペクトラムの中の最大ピーク値で示される。また、ノイズレベルは図６３に示すように１．１４ＭＨｚから１．１９ＭＨｚまでと１．５９ＭＨｚから１．６４ＭＨｚまでの平均値をノイズレベルとして規定する。
【１０１７】
次に、本実施形態においてウォブル検出信号のＣ／Ｎ比を測定するのに２乗回路（図５９の１０３３）を用いた理由を説明する。図６１に示すようにＨフォーマットの実施形態においては、ウォブル検出信号を位相変調により与えている。位相変調の場合、図６１（ａ）に示すように位相の変わり目部分（ＮＰＷとＩＰＷの間）の切り替わり部分αで多くの周波数成分を持つ。そのために、図６１（ａ）のウォブル検出信号の波形をスペクトラムアナライザ１０３４で分析すると、図６２のようにキャリアの周辺に大きなピークが現れる。そのために、ノイズレベルを規定するのが難しくなる。
【１０１８】
それに比べ図６１（ｂ）に示すように位相変調により変調されたウォブル検出信号の２乗を取ると、ＩＰＷ領域とＮＰＷ領域との２乗した波形が同じ波形になるため、位相の切り替わり目のような部分が現れず、非常に安定した信号が得られ、図６２のキャリア信号の周辺の持ち上がり部分がなくなる結果、図６３のようなシングルピークのキャリアレベルの信号が得られる。
【１０１９】
次に、図５９に示したＮＢＳＮＲ測定回路の特性について説明を行う。
【１０２０】
図５９のバンドパスフィルタ回路１０３２は、バンドパスフィルタの中心周波数を６９７ｋＨｚに設定し、Ｑ値を１．０にする。図５９の２乗回路１０３３は遮断周波数（カットオフ周波数）を５．０ＭＨｚ以上に設定している。
【１０２１】
図６４に示すｆ０の周波数が図６１（ａ）に示す元のウォブル周波数に対応し、図６４の２ｆ０の周波数は図６１（ｂ）に示す２乗された後の周波数に対応する。図５９におけるスペクトラムアナライザ１０３４の解析結果から下記のＳｐを定義する。
【１０２２】
すなわち、図６４の周波数２ｆ０におけるキャリアレベルＣ（２ｆ０）と周波数ｆ０におけるキャリアレベルＣ（ｆ０）との差分を、    
Ｓｐ＝Ｃ（２ｆ０）−Ｃ（ｆ０）      
と表す。
【１０２３】
本実施形態では、上記Ｓｐの値を、図５９に示したＮＢＳＮＲ測定回路の評価に利用する。
【１０２４】
Ｃ（２ｆ０）およびＣ（ｆ０）のキャリアレベルは、レゾリューションバンドウィドゥスが１０ｋＨｚにおける各周波数のスペクトラムアナライザ１０３４を使った平均値で計算されている。図５９における入力ウォブル信号１０３０のＮＢＳＮＲが５０ｄＢの時、６９７ｋＨｚ（ｆ０）のキャリアレベルとの差を示すＳｐの値が−３０ｄＢ以下になるようにＮＢＳＮＲ測定回路を調整する必要がある。また、入力ウォブル信号１０３０のＮＢＳＮＲが３０ｄＢの時、２乗信号のＮＢＳＮＲが２３ｄＢ以上の必要がある。図５９のスペクトラムアナライザ１０３４のレゾリューションバンドウィドゥスは１０ｋＨｚに設定している。
【１０２５】
以上説明したように、本実施形態は下記の効果を奏する。    
（１）トラックずれ検出信号である（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル検出信号の振幅の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）の比率を０．１以上にすることにより、トラックずれ検出信号のダイナミックレンジに比べて十分に大きなウォブル検出信号が得られ、その結果ウォブル検出信号の検出精度を大きく取ることができる。
【１０２６】
（２）ウォブル検出信号の振幅の最大値（Ｗｐｐｍａｘ）と、ウォブル検出信号の振幅の最小値（Ｗｐｐｍｉｎ）との比率を２．３以下にすることにより、隣接トラックからのウォブルのクロストークの影響を大きく受けずに安定にウォブル信号を検出することができる。
【１０２７】
（３）ウォブル検出信号の２乗結果のＮＢＳＮＲの値を２６ｄＢ以上に確保することにより、Ｃ／Ｎ比が高い安定なウォブル信号を確保させ、ウォブル信号の検出精度を向上させることができる。
【１０２８】
本実施形態の追記形情報記憶媒体ではグルーブ領域の上に記録マークを形成し、ＣＬＶ記録方式を採用している。この場合隣接トラック間でのウォブルスロット位置がずれるため、ウォブル再生信号に隣接ウォブル間の干渉が乗り易いことを説明した。この影響を除去するため、本実施形態では変調領域が隣接トラック間で互いに重ならないように変調領域をずらす工夫をしている。
【１０２９】
具体的には、図４８に示すように変調領域の配置場所に、１次配置場所（Primary Position）７０１と２次配置場所７０２（Secondary Position）を設定可能とする。基本的には配置場所として仮に全て１次配置場所で配置を行い、隣接トラック間で変調領域が一部重なる場所が生じたら部分的に２次配置場所にずらす方法を取る。例えば、図４８においてグルーブ領域５０５の変調領域を１次配置（Primary Position）場所に設定すると隣接するグルーブ領域５０２の変調領域とグルーブ領域５０６の変調領域とが一部重なってしまうので、グルーブ領域５０５の変調領域を２次配置場所にずらす。これにより、ウォブルアドレスからの再生信号における隣接トラックの変調領域間の干渉を防止し、安定にウォブルアドレスを再生できる効果が生じる。
【１０３０】
変調領域に関する具体的な１次配置場所と２次配置場所は、同一のウォブルデータユニット内配置場所の切り替えにより設定する。本実施形態では変調領域より無変調領域の占有率を高く設定しているので、同一のウォブルデータユニット内での配置変更のみで１次配置場所と２次配置場所の切り替えが行える。具体的には、１次配置場所（Primary Position）７０１では、図４６（ａ）、（ｃ）に示すように１個のウォブルデータユニット内の先頭位置に変調領域５９８を配置し、２次配置場所（Secondary Position）７０２では、図４６（ｂ）、（ｄ）に示すように１個のウォブルデータユニット５６０〜５７１内の後半位置に変調領域５９８を配置する。
【１０３１】
図４６で示した１次配置場所（Primary Position）７０１と２次配置場所（Secondary Position）７０２の適応範囲すなわち、１次配置場所または２次配置場所が連続的に続く範囲を本実施形態では物理セグメントの範囲に規定している。すなわち、図４９に示すように同一物理セグメント内での変調領域の配置パターンを（ｂ）から（ｄ）までの３種類（複数種類）持たせ、物理セグメントのタイプ識別情報７２１の情報から物理セグメント内での変調領域の配置パターンを図９のウォブル信号検出部１３５が識別すると、同一物理セグメント内の他の変調領域５９８の配置場所が事前に予測できる。その結果、次に来る変調領域検出の事前準備ができるので変調領域での信号検出（判別）精度を上げることができると言う効果がある。
【１０３２】
図４９（ｂ）は、物理セグメント内のウォブルデータユニットの配置を示し、各枠内に記述された番号は同一物理セグメント内のウォブルデータユニット番号を示す。０番目のウォブルデータユニットは１段目に示すようにシンクフィールド７１１と呼び、このシンクフィールド内の変調領域にウォブルシンク領域が存在している。１番目から１１番目のウォブルデータユニットをアドレスフィールド７１２と呼び、このアドレスフィールド７１２内の変調領域にアドレス情報が記録される。さらに、１２番目から１６番目のウォブルデータユニット内はウォブルパターンが全てＮＰＷのユニティフィールド７１３になっている。
【１０３３】
図４９（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に記載された“Ｐ”のマークはウォブルデータユニット内で変調領域が１次配置場所になっていることを示し、“Ｓ”のマークはウォブルデータユニット内で変調領域が２次配置場所になっていることを示している。“Ｕ”のマークはウォブルデータユニットがユニティフィールド７１３に含まれ、変調領域が存在しないことを示している。図４９（ｂ）に示した変調領域の配置パターンは物理セグメント内全てが１次配置場所（Primary position）になっていることを示し、図４９（ｃ）に示した変調領域の配置パターンは物理セグメント内全てが２次配置場所（Secondary position）になっていることを示す。図４９（ｄ）は同一物理セグメント内で１次配置場所と２次配置場所が混合されており、０番目から５番目のウォブルデータユニット内で変調領域が１次配置場所になり、６番目から１１番目のウォブルデータユニット内で変調領域が２次配置場所になる。図４９（ｄ）のようにシンクフィールド７１１とアドレスフィールド７１２を合わせた領域に対して１次配置場所と２次配置場所を半々にすることで細かく隣接トラック間での変調領域の重なりを防止することができる。
【１０３４】
図４９に示すように、本実施形態では、追記形情報記憶媒体上における物理セグメント内の変調領域の配置場所が３種類存在している。具体的な追記形情報記憶媒体上での各半径位置での変調領域配置タイプの設定例について以下に説明を行う。基本的な考え方は、下記に示す通りである。
【１０３５】
基本的な変調領域の配置場所のタイプ設定の目的は隣接トラック間での変調領域が重なることを防止するためにある。隣接する２トラック間での変調領域の配置状況を図８２に示す。ｉ番目のトラックの開始位置がｎ番目の物理セグメントと一致する場合を考える。追記形情報記憶媒体において１トラック内での円周に沿った方向での基準位置は任意に設定できるため、ｉ番目のトラックにおいてｎ番目の物理セグメントの開始位置を基準位置（ｉ番目のトラックの開始位置）と考える。ここでｉとｎというのは正数を表す。ｉ番目の物理トラックはｊ個の物理セグメントから構成されており、端数値としてｋ個のウォブルデータユニットと、ｍ個のウォブルが存在する場合を考える。ここにおいて、ｊ、ｋ、ｍ  も正数を意味する。もし、ｋとｍの値が０でない場合には、ｎ＋ｊ番目の物理セグメントはｉ番目のトラックとｉ＋１番目のトラックにまたがって配置されている。ｉ番目のトラックとｉ＋１番目のトラック間での変調領域の配置関係は図８２に示したｍの値で決定される。上述したようにｉ番目のトラックにおいてｎ番目の物理セグメントの開始位置をｉ番目のトラックの開始位置（基準位置）と考え、図８３（ａ）、（ｂ）に示す状態ではｉ番目のトラック上は全て１次配置場所における変調領域９４が設定される場合を考える。隣接トラック間での変調領域が重ならないように設定するためには、ｍが２１以上かつ６３未満の時に図８３（ａ）に示すようにタイプ１の配置タイプが選ばれ、ｉ＋１番目のトラックでは１次配置場所における変調領域９４が設定される。それ以外の場合では、図８３（ｂ）に示すようにタイプ２の配置タイプが選ばれ、ｉ＋１番目のトラックでは２次配置場所における変調領域９５が設定される。
【１０３６】
図８４に示すタイプ３の配置タイプが選ばれる場合には、１個の物理セグメント内にタイプ１の配置タイプからタイプ２の配置タイプに移行される変化点が存在する（選択される）。タイプ３の配置タイプが選ばれる場合には、ｍとｋの両方の値の条件により設定される。
【１０３７】
タイプ３の配置タイプは、    
１．ｋが６以上で１２未満、かつｍが０以上で２１未満、あるいは    
２．ｋが５以上で１１未満であるとともに、ｍが６３以上で８４未満の場合    
に選ばれる。
【１０３８】
具体的な変調領域の配置タイプ選定方法を図８５のフローチャートに示す。
【１０３９】
変調領域の配置タイプの選定を開始すると（ＳＴ８１）、まず始めにＳＴ８２に示すように内周側の（図８２〜図８４におけるｉ番目の）トラック１周分のウォブル数  ＮＷ  を見積もる。実際の１トラック分のウォブル数には端数（小数点以下の値）が現れるが、その実際の値に対して小数点１桁目の切り捨て処理を行いデシマル関数値に概算して“１トラック分のウォブル数”として整数値である  ＮＷ  の値を求める。次に図８２で定義した  ｊとｋ、ｍ  の値を計算する（ＳＴ８３）。ここで、ｘをｙで割ったときの余りの値を“  ｘ  ｍｏｄ  ｙ  ”と定義する。そしてＳＴ８３で行う  ｊ、ｋ、ｍ  の値の計算を下記の各式を用いる。
【１０４０】
（１）  ｊ  ＝｛  Ｎｗ  −  （  Ｎｗ  ｍｏｄ  １４２８）｝／１４２８      
（２）  ｍ  ＝  Ｎｗ  ｍｏｄ  ８４    
（３）  ｋ  ＝｛（  Ｎｗ  −  ｍ  ）／８４  ｝ｍｏｄ  １７    
次にＳＴ８４に示すように、２トラック間での配置タイプを選択する。
【１０４１】
具体的な配置タイプの条件を下記に示す。
【１０４２】
条件（１）      
２１  ≦  ｍ  ＜  ６３  の場合、    
２トラックに対して、２ｊ個の物理セグメントがタイプ１の変調領域配置タイプ（図４９（ｂ））として選定される。    
条件（２）  ０  ≦  ｋ  ＜  ６  および  ０  ≦  ｍ  ＜  ２１  であるか、または    
０  ≦  ｋ  ＜  ５  および  ６３  ≦  ｍ  ＜  ８４  の場合には    
２トラックに対して、ｊ個の物理セグメントがタイプ１の変調領域配置タイプ（図４９（ｂ））として選定され、ｊ個の物理セグメントがタイプ２の変調領域配置タイプ（図４９（ｃ））として選択される。
【１０４３】
条件（３）      
６  ≦  ｋ  ＜  １２  および    ０  ≦  ｍ  ＜  ２１  であるか、または    
５  ≦  ｋ  ＜  １１  および  ６３  ≦  ｍ  ＜  ８４  の場合、    
２トラックに対して、ｊ個の物理セグメントがタイプ１の変調領域配置タイプ（図４９（ｂ））として選定され、１個の物理セグメントがタイプ３の変調領域配置タイプ（図４９（ｄ））として選択されるとともに、ｊ個の物理セグメントがタイプ２の変調領域配置タイプ（図４９（ｃ））として選択される。
【１０４４】
条件（４）      
１２  ≦  ｋ  ＜  １７  および  ０  ≦  ｍ  ＜  ２１  であるか、または    
１１  ≦  ｋ  ＜  １７  および  ６３  ≦  ｍ  ＜  ８４  の場合には    
２トラックに対して、ｊ＋１個の物理セグメントがタイプ１の変調領域配置タイプ（図４９（ｂ））として選定され、ｊ＋１個の物理セグメントがタイプ２の変調領域配置タイプ（図４９（ｃ））として選択される。
【１０４５】
さらに上記のＳＴ８２からＳＴ８４の処理を全トラック行い、全トラック分の選択が終了した（ＳＴ８５）後、変調領域の配置タイプの選定が終了（ＳＴ８６）する。
【１０４６】
以上説明したウォブル変調によりアドレス情報が事前に記録されている物理セグメントもしくは物理セグメントブロックに対して前述したデータセグメントデータを記録する方法について説明する。書替え形情報記憶媒体および追記形情報記憶媒体いずれも連続してデータを記録する単位としてレコーディングクラスタ単位でデータを記録する。図５０にこのレコーディングクラスタ内のレイアウトを示す。レコーディングクラスタ５４０、５４２内はデータセグメントが１個以上（整数個）連続して繋がり、その始めか終わりに拡張ガードフィールド５２８、５２９が設定されている。レコーディングクラスタ５４０、５４２単位で新たにデータを追記または書き替えした時に隣接したレコーディングクラスタとの間に隙間ができないように、隣接したレコーディングクラスタとの間に物理的にオーバーラップさせて一部重ね書きさせるために拡張ガードフィールド５２８、５２９がレコーディングクラスタ５４０、５４２内に設定される。レコーディングクラスタ５４０、５４２内に設定される拡張ガードフィールド５２８、５２９の位置として図５０（ａ）の実施形態ではレコーディングクラスタ５４０の最後に拡張ガードフィールド５２８を配置している。
【１０４７】
この方法を用いた場合には、図５１（ａ）に示すポストアンブル領域５２６の後ろに拡張ガードフィールド５２８が来るので、特に書替え形情報記憶媒体では書替え時に誤ってポストアンブル領域５２６を破壊することはなく、書替え時のポストアンブル領域５２６の保護が行え、データ再生時のポストアンブル領域５２６を用いた位置検出の信頼性が確保できる。
【１０４８】
他の実施形態として、図５０（ｂ）のようにレコーディングクラスタ５４２の最初に拡張ガードフィールド５２９を配置することもできる。この場合には、図５０（ｂ）と図５１を組み合わせて分かるようにＶＦＯ領域５２２の直前に拡張ガードフィールド５２９が来るので、書替えまたは追記した時にＶＦＯ領域５２２を充分長く取ることができるためデータフィールド５２５再生時の基準クロックに関するＰＬＬ引き込み時間を長く取れ、データフィールド５２５内に記録されたデータの再生信頼性を向上させることができる。
【１０４９】
このように書き替え単位を表すレコーディングクラスタが１個以上のデータセグメントから構成される構造にすることで、少ないデータ量を何度も書き替えることの多いＰＣデータ（ＰＣファイル）と多量のデータを一度に連続して記録するＡＶデータ（ＡＶファイル）の同一情報記憶媒体への混在記録処理を容易にできると言う効果が生まれる。すなわち、パーソナルコンピュータ用に使われるデータは比較的少量のデータを何度も書き替える場合が多い。
【１０５０】
従って、書替えまたは追記のデータ単位を極力小さく設定するとＰＣデータに適した記録方法になる。本実施形態では図３２に示すように３２物理セクタからＥＣＣブロックが構成されので、ＥＣＣブロックを１個のみ含むデータセグメント単位で書き替えまたは追記を行うことが効率良く書替えまたは追記を行う最小の単位となる。すなわち、書替え単位または追記単位を表す記録用クラスタ内に１個以上のデータセグメントが含まれる本実施形態における構造がＰＣデータ（ＰＣファイル）に適した記録構造となる。
【１０５１】
ＡＶ（Audio Video）データでは、非常に多量な映像情報や音声情報が途中で途切れることなく連続的に記録される必要がある。この場合、連続的に記録されるデータは１個のレコーディングクラスタとしてまとめて記録される。ＡＶデータ記録時に１個のレコーディングクラスタを構成するデータセグメント毎にランダムシフト量やデータセグメント内の構造、データセグメントの属性等を切り替えると、切り替わり処理の時間が掛かり、連続記録処理が難しくなる。
【１０５２】
本実施形態では、図５０に示すように同一形式（属性やランダムシフト量を変えず、データセグメント間に特定情報を挿入することなく）のデータセグメントを連続して並べてレコーディングクラスタを構成することで多量のデータを連続して記録するＡＶデータ記録に適した記録フォーマットを提供できるだけでなく、レコーディングクラスタ内の構造の簡素化を果たして記録制御回路と再生検出回路の簡素化を達成して情報記録再生装置または情報再生装置の低価格化を可能とする。
【１０５３】
図５０に示されたレコーディングクラスタ５４０内の（拡張ガードフィールド５２８を除いた）データセグメントが連続して並んだデータ構造は図４１（ｂ）に示した再生専用情報記憶媒体および図４１（ｃ）に示した追記形情報記憶媒体と全く同じ構造をしている。このように再生専用形／追記形／書替え形に依らず全ての情報記憶媒体で共通のデータ構造になっているため、媒体の互換性が確保され、互換性が確保された情報記録再生装置または情報再生装置の検出回路の兼用化が図れ、高い再生信頼性が確保できるとともに低価格化の実現が可能となる。
【１０５４】
図５０の構造を取ることで必然的に同一レコーディングクラスタ内では全てのデータセグメントのランダムシフト量が一致する。書替え形情報記憶媒体ではランダムシフトさせてレコーディングクラスタを記録する。本実施形態では同一レコーディングクラスタ５４０内では全てのデータセグメントのランダムシフト量が一致しているので同一レコーディングクラスタ５４０内で異なるデータセグメントを跨って再生した場合にＶＦＯ領域（図５１の５２２）での同期合わせ（位相の設定し直し）が不要となり連続再生時の再生検出回路の簡素化と再生検出の高い信頼性確保が可能となる。
【１０５５】
書替え形情報記憶媒体に記録する書替え可能なデータ記録方法を図５１に示す。
【１０５６】
以下に書替え形情報記憶媒体を中心に説明するが、追記形情報記憶媒体に対する追記方法も基本的に同じ方法を取っている。本実施形態の書替え形情報記憶媒体におけるレコーディングクラスタ内のレイアウトは、図５０（ａ）のレイアウトを取る例を使って説明するが、本実施形態においてはそれに限らず書替え形情報記憶媒体に対して図５０（ｂ）に示したレイアウトを採用しても良い。
【１０５７】
書替え可能なデータに関する書替えは、図５１（ｂ）および（ｅ）に示すレコーディングクラスタ５４０、５４１単位で行われる。１個の記録用クラスタは、後述するように、１個以上のデータセグメント５２９〜５３１と、最後に配置される拡張ガードフィールド５２８から構成される。すなわち、１個の記録用クラスタ５３１の開始はデータセグメント５３１の開始位置に一致し、ＶＦＯ領域５２２から始まる。
【１０５８】
複数のデータセグメント５２９、５３０を連続して記録する場合には、図５１（ｂ）、（ｃ）に示すように同一のレコーディングクラスタ５３１内に複数のデータセグメント５２９、５３０が連続して配置されるとともに、データセグメント５２９の最後に存在するバッファ領域５４７と次のデータセグメントの最初に存在するＶＦＯ領域５３２が連続してつながっているため両者間の（記録時の記録用基準クロックの）位相が一致している。連続記録が終了した時にはレコーディングクラスタ５４０の最後位置に拡張ガード領域５２８を配置する。この拡張ガード領域５２８のデータサイズは変調前のデータとして２４データバイト分のサイズを持っている。
【１０５９】
図５１（ａ）と図５１（ｃ）の対応から分かるように書替え形のガード領域４６１、４６２の中にポストアンブル領域５４６、５３６、エキストラ領域５４４、５３４、バッファ領域５４７、５３７、ＶＦＯ領域５３２、５２２、プリシンク領域５３３、５２３が含まれ、連続記録終了場所に限り拡張ガードフィールド５２８が配置される。書替え時の重複箇所５４１で拡張ガード領域５２８と後側のＶＦＯ領域５２２が一部重複するように書き換えまたは追記を行う所に本実施形態の特徴があるそのように一部重複させて書替えまたは追記することでレコーディングクラスタ５４０、５４１間に隙間（記録マークが形成されない領域）の発生を防止し、片面２記録層の記録可能な情報記憶媒体における層間クロストークを除去することで安定した再生信号を検出できる。
【１０６０】
本実施形態における１個のデータセグメント内の書替え可能なデータサイズは、    
６７＋４＋７７３７６＋２＋４＋１６＝７７４６９（データバイト）    
となる。１個のウォブルデータユニット５６０は、    
６＋４＋６＋６８＝８４（ウォブル）    
であるから、１７個のウォブルデータユニットが１個の物理セグメント５５０となる。
【１０６１】
７個の物理セグメント５５０〜５５６の長さが１個のデータセグメント５３１の長さに一致しているので１個のデータセグメント５３１の長さ内には、    
８４×１７×７＝９９９６（ウォブル）    
が配置される。
【１０６２】
従って、上記の式から１個のウォブルに対して、    
７７４９６÷９９９６＝７．７５（データバイト／ウォブル）    
が対応する。
【１０６３】
図５２に示すように、物理セグメントの先頭位置から２４ウォブル以降に、次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８の重なり部分が来るが物理セグメント５５０の先頭から１６ウォブルまではウォブルシンク領域５８０となるが、それ以降６８ウォブル分は無変調領域５９０内になる。したがって２４ウォブル以降の次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８が重なる部分は無変調領域５９０内となる。
【１０６４】
このように、物理セグメントの先頭位置２４ウォブル以降にデータセグメントの先頭位置が来るようにすることで重複箇所が無変調領域５９０内になるだけでなくウォブルシンク領域５８０の検出時間と記録処理の準備時間が相応に取れるので、安定でかつ精度の良い記録処理を保証できる。
【１０６５】
本実施形態における書替え形情報記憶媒体の記録膜は、相変化記録膜を用いている。
【１０６６】
相変化記録膜では、書き替え開始／終了位置近傍で記録膜の劣化が始まるので、同じ位置での記録開始／記録終了を繰り返すと記録膜の劣化による書き替え回数の制限が発生する。本実施形態では上記問題を軽減するため、書き替え時には図５２に示すようにＪｍ＋１／１２データバイト分ずらし、ランダムに記録開始位置をずらしている。
【１０６７】
図５１（ｃ）、（ｄ）では、基本概念を説明するため拡張ガードフィールド５２８の先頭位置とＶＦＯ領域５２２の先頭位置が一致しているが、本実施形態では、厳密には、図５２のように、ＶＦＯ領域５２２の先頭位置がランダムにずれている。
【１０６８】
現行の書替え形情報記憶媒体であるＤＶＤ−ＲＡＭデイスクでも、記録膜として相変化記録膜を使用し、書替え回数の向上のために、ランダムに記録開始／終了位置をずらしている。現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクでのランダムなずらしを行った時の最大ずらし量範囲は８データバイトに設定している。現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクでの（ディスクに記録される変調後のデータとして）チャネルビット長は平均０．１４３μｍに設定されている。本実施形態の書替え形情報記憶媒体実施形態ではチャネルビットの平均長さは表７から（０．０８７＋０．０９３）÷２＝０．０９０（μｍ）となる。
【１０６９】
物理的なずらし範囲の長さを現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクに合わせた場合には、本実施形態でのランダムなずらし範囲として最低限必要な長さは上記の値を利用して、    
８バイト×（０．１４３μｍ÷０．０９０μｍ）＝１２．７バイト    
となる。
【１０７０】
本実施形態では、再生信号検出処理の容易性を確保するため、ランダムなずらし量の単位を変調後の“チャネルビット”に合わせた。
【１０７１】
本実施形態では、変調に８ビットを１２ビットに変換するＥＴＭ変調（Eight to Twelve modulation）を用いているので、ランダムなずらし量を表す数式表現として、データバイトを基準とし、    
Ｊｍ／１２（データバイト）    
で表す。
【１０７２】
Ｊｍの取り得る値としては、上式の値を用いて、    
１２．７×１２＝１５２．４    
であるから、Ｊｍは“０”から“１５２”となる。
【１０７３】
以上の理由から、上式を満足する範囲で有ればランダムなずらしの範囲長さは現行ＤＶＤ−ＲＡＭディスクと一致し、現行ＤＶＤ−ＲＡＭディスクと同様な書き替え回数を保証できる。
【１０７４】
本実施形態では、現行以上の書き替え回数を確保するため、最低限必要な長さに対してわずかにマージンを持たせ、    
ランダムなずらし範囲の長さを１４（データバイト）    
に設定している。
【１０７５】
これらの式から、    
１４×１２＝１６８    
であり、Ｊｍの取り得る値は、“０”〜“１６７”となる。
【１０７６】
上記のようにランダムシフト量をＪｍ／１２（０≦Ｊｍ≦１５４）より大きな範囲とすることで、ランダムシフト量に対する物理的な範囲の長さが現行ＤＶＤ−ＲＡＭと一致するため、現行ＤＶＤ−ＲＡＭと同様な繰り返し記録回数を保証できる。
【１０７７】
図５１において記録用クラスタ５４０内でのバッファ領域５４７とＶＦＯ領域５３２の長さは一定となっている。図５０（ａ）からも明らかなように同一の記録用クラスタ５４０内では全てのデータセグメント５２９、５３０のランダムずらし量Ｊｍは至る所同じ値になっている。内部に多量のデータセグメントを含む１個の記録用クラスタ５４０を連続して記録する場合には、記録位置をウォブルからモニターしている。
【１０７８】
すなわち、図４７に示すウォブルシンク領域５８０の位置検出をしたり、図４６の無変調領域５９２、５９３内ではウォブルの数を数えながら情報記憶媒体上の記録位置を記録と同時に確認している。この時に、ウォブルのカウントミスや情報記憶媒体を回転させている回転モータの回転ムラによりウォブルスリップ（１ウォブル周期分ずれた位置に記録すること）が生じ、情報記憶媒体上の記録位置がずれることが希にある。
【１０７９】
本実施形態の情報記憶媒体では、上記のように生じた記録位置ずれが検出された場合には、図５１の書替え形のガード領域４６１内で調整し、記録タイミングを修正する。ここでは、Ｈフォーマットに付いて説明しているがこの基本的な考え方は後述するようにＢフォーマットでも採用されている。
【１０８０】
図５１においてポストアンブル領域５４６、エキストラ領域５４４、プリシンク領域５３３ではビット欠落やビット重複が許容できない重要な情報が記録されるが、バッファ領域５４７、ＶＦＯ領域５３２では特定パターンの繰り返しになっているため、この繰り返し境界位置を確保している限りでは１パターンのみの欠落や重複が許容される。従って、本実施形態では、ガード領域４６１の中で、特にバッファ領域５４７、またはＶＦＯ領域５３２で調整し、記録タイミングを修正する。
【１０８１】
図５２に示すように本実施形態では、位置設定の基準となる実際のスタートポイント位置はウォブル振幅“０”の（ウォブルの中心）位置と一致するように設定される。
【１０８２】
しかし、ウォブルの位置検出精度は低いので本実施形態では図５２内の“±１ｍａｘ”と記載されているように、実際のスタートポイント位置は最大、    
±１データバイト”までのずれ量    
を許容している。
【１０８３】
図５１および図５２において、データセグメント５３０でのランダムシフト量をＪｍ（上述したように記録用クラスタ５４０内は全てのデータセグメント５２９のランダムシフト量は一致する）とし、その後に、追記するデータセグメント５３１のランダムシフト量をＪｍ＋１とする。
【１０８４】
上記式に示すＪｍとＪｍ＋１の取り得る値として例えば、中間値を取り、Ｊｍ＝Ｊｍ＋１＝８４であり、実際のスタートポイントの位置精度が充分高い場合には図５１に示すように拡張ガードフィールド５２８の開始位置とＶＦＯ領域５２２の開始位置が一致する。
【１０８５】
これに対してデータセグメント５３０が最大限後位置に記録され、後で追記または書き替えられるデータセグメント５３１が最大限前位置に記録された場合にはＶＦＯ領域５２２の先頭位置がバッファ領域５３７内へ最大１５データバイトまで入り込むことがある。
【１０８６】
バッファ領域５３７の直前のエキストラ領域５３４には特定の重要情報が記録されている。従って、本実施形態において、バッファ領域５３７の長さは、１５データバイト以上必要となる。
【１０８７】
図５１に示した実施形態では、１データバイトの余裕を加味し、バッファ領域５３７のデータサイズを１６データバイトに設定している。
【１０８８】
ランダムシフトの結果、拡張ガード領域５２８とＶＦＯ領域５２２の間に隙間が生じると片面２記録層構造を採用した場合にその隙間による再生時の層間クロストークが発生する。そのため、ランダムシフトを行っても必ず拡張ガードフィールド５２８とＶＦＯ領域５２２の一部が重なり、隙間が発生しない工夫がされている。
【１０８９】
従って、本実施形態において拡張ガードフィールド５２８の長さは１５データバイト以上に設定する必要がある。後続するＶＦＯ領域５２２は、７１データバイトと充分に長く取ってあるので、拡張ガードフィールド５２８とＶＦＯ領域５２２の重なり領域が、多少広くなっても信号再生時には、支障がない（重ならないＶＦＯ領域５２２で、再生用基準クロックの同期を取る時間が充分確保されるため）。
【１０９０】
これにより、拡張ガードフィールド５２８は１５データバイトよりもより大きな値に設定することが可能である。連続記録時に希にウォブルスリップが発生し、１ウォブル周期分記録位置がずれる場合があることを既に説明した。
【１０９１】
１ウォブル周期は、７．７５（≒８）データバイトに相当するので本実施形態では、    
拡張ガードフィールド５２８の長さを（１５＋８＝）２３データバイト以上    
に設定している。
【１０９２】
図５１に示した実施形態では、バッファ領域５３７と同様に、１データバイトの余裕を加味し、拡張ガードフィールド５２８の長さを２４データバイトに設定している。
【１０９３】
図５１（ｅ）においては、記録用クラスタ５４１の記録開始位置を正確に設定する必要がある。本実施形態の情報記録再生装置では、書替え形または追記形情報記憶媒体に予め記録されたウォブル信号を用いてこの記録開始位置を検出する。図４６に示したように、ウォブルシンク領域５８０以外は、全て４ウォブル単位でパターンがＮＰＷからＩＰＷに変化している。
【１０９４】
それに比べてウォブルシンク領域５８０では、ウォブルの切り替わり単位が部分的に４ウォブルからずれているため、ウォブルシンク領域５８０が最も位置検出し易い。
【１０９５】
そのため、本実施形態の情報記録再生装置では、ウォブルシンク領域５８０位置を検出後、記録処理の準備を行い、記録を開始する。なお、レコーディングクラスタ５４１の開始位置は、ウォブルシンク領域５８０の直後の無変調領域５９０の中に来る必要がある。
【１０９６】
図５２に、その内容を示す。
【１０９７】
物理セグメント（Physical segment）の切り替わり直後にウォブルシンク領域５８０が配置されている。ウォブルシンク領域５８０の長さは、１６ウォブル周期分である。さらに、そのウォブルシンク領域５８０を検出後、記録処理の準備にマージンを見越して、８ウォブル周期分を確保している。
【１０９８】
従って、図５２に示すように、レコーディングクラスタ５４１の先頭位置に存在するＶＦＯ領域５２２の先頭位置がランダムシフトを考慮していも物理セグメントの切り替わり目位置から２４ウォブル以上、後方に配置される必要がある。
【１０９９】
図５１に示すように、書替え時の重複箇所５４１では何度も記録処理が行われる。
【１１００】
書替えを繰り返すとウォブルグルーブまたはウォブルランドの物理的な形状が変化（劣化）し、そこからのウォブル再生信号品質が低下する。
【１１０１】
本実施形態では、図５１（ｆ）に示すように書替え時あるいは追記時の重複箇所５４１がウォブルシンク領域５８０やウォブルアドレス領域５８６内に来るのを避け、無変調領域５９０内に記録されるように工夫している。
【１１０２】
無変調領域５９０は、一定のウォブルパターン（ＮＰＷ）が繰り返されるだけなので、部分的にウォブル再生信号品質が劣化しても前後のウォブル再生信号を利用して補間できる。
【１１０３】
このように、書替え時あるいは追記時の重複箇所５４１位置を、無変調領域５９０内に位置させるこように設定したため、ウォブルシンク領域５８０またはウォブルアドレス領域５８６内での形状劣化によるウォブル再生信号品質の劣化を防止し、ウォブルアドレス情報６１０からの安定なウォブル検出信号を保証できる。
【１１０４】
次に、追記形情報記憶媒体上に記録される追記形データの追記方法の実施形態を図５３に示す。物理セグメントブロックの境界位置から２４ウォブル後方の位置が書き込み開始ポイントになっている。ここから新たに追記されるデータは７１データバイト分のＶＦＯ領域を形成した後、ＥＣＣブロック内のデータ領域（データフィールド）が記録される。この書き込み開始ポイントと直前に記録した記録データのバッファ領域５３７の終了位置が一致し、それより８データバイト分の長さだけ拡張ガードフィールド５２８が形成された後ろが追記データの記録終了位置（書き込み終了ポイント）になる。従って、データを追記した場合には、直前に記録されている拡張ガードフィールド５２９と新たに追記するＶＦＯ領域の部分で８データバイト分だけ重複記録される。
【１１０５】
図６５（ａ）を用いて本実施形態における、検出信号（とその信号検出回路）を説明する。半導体レーザ１１２１から出射されたレーザ光１１１７はコリメーターレンズ１１２２を経て平行光となる。その後ビームスプリッター１１２３を通過した後、対物レンズ１１２８により情報記憶媒体１１０１のプリグルーブ領域１１１１上に集光される。
【１１０６】
情報記憶媒体１１０１のプリグルーブ領域１１１１で反射された光は、再度対物レンズ１１２８を通過後ビームスプリッター１１２３で反射され、集光レンズ１１２４を通り光検出器１１２５上に照射される。
【１１０７】
光検出器１１２５は、光検出セル１１２５−１と光検出セル１１２５−２を有しており、光検出セル１１２５−１からはＩ１の信号が検出されるとともに、光検出セル１１２５−２からはＩ２の信号が検出される。
【１１０８】
図５７に示した検出信号（とその検出回路）では、Ｉ１とＩ２の差分を取ってトラックずれ検出信号とするが、図６５に示す検出信号（とその信号検出回路）では、Ｉ１とＩ２の信号に対して加算器１１２６で加算し（Ｉ１＋Ｉ２）の信号を検出する。図６５（ｂ）に（Ｉ１＋Ｉ２）で検出された信号波形を示す。図６５（ｂ）は、図６５（ａ）に示した光学ヘッドの対物レンズ１１２８による集光スポットが、情報記憶媒体１１０１上の各領域に照射された時の再生信号の検出信号レベルを示している。
【１１０９】
図２３（ｃ）に示すように、本実施形態の追記形情報記憶媒体においてシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内はエンボスピット領域２１１となっており、至るところにエンボスピットが形成されている。そのためシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内では、図６５（ｂ）に示すようなエンボスピットからの再生信号が得られる。ここで、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内での最も高い検出信号レベルをＩ１１ＨＰと定義する。
【１１１０】
本実施形態では、“光反射率”を以下のように光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルを用いて定義する。
【１１１１】
まず、情報記憶媒体１１０１のプリピットやプリグルーブ等の微少な凹凸形状のない、特定領域に入射光量ＩＯの平行レーザ光を照射して、情報記憶媒体１１０１から反射された平行レーザ光の反射光量ＩＲを測定してＲｓ＝ＩＲ／ＩＯの値を、光反射率Ｒｓの基準として利用する。このように光学ヘッドを使用せずに測定した値をキャリブレートされた光反射率Ｒｓと定義する。
【１１１２】
次に、その所定領域での光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルを反射光パワーＤｓとし、（Ｒｓ／Ｄｓ）の値を情報記憶媒体１１０１の各位置で、光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルから“光反射率”に換算するための換算係数として利用する。すなわち図６５（ａ）に示した光学ヘッドで上記所定領域を再生した時に加算器１１２６から出力される検出信号レベルを反射光パワーＤｓとして測定する。例えば光学ヘッドがシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に移動し、そこで得られるに加算器１１２６の検出信号レベルの内の最も検出信号レベルの高いレベルＩ１１ＨＰを測定し、（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＰの値をシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩにおける反射率としてＩ１１ＨＰと定義する。
【１１１３】
本実施形態における、“Ｈ→Ｌ”記録膜のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩの光反射率は、１６％以上および、３２％以下になるように情報記憶媒体の反射率を規定していることを特徴とする。
【１１１４】
図２３（ｃ）に示すようにエンボス領域２１１で形成されたシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩに隣接して鏡面２１０で形成されたコネクション領域ＣＮＡが存在する。
【１１１５】
図６５（ａ）で示した光学ヘッドの対物レンズ１１２８により集光された集光スポットが前記コネクション領域ＣＮＡに移動したときの光反射率はエンボスピットがないため、至る所で均一な検出信号レベルになる。
【１１１６】
次に、コネクション領域ＣＮＡに隣接してデータリードイン領域ＤＴＬＤＩが存在するが、このデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ、およびデータ領域ＤＴＡさらにデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯのプリグルーブ領域２１４（図２３（ｃ））にはプリグルーブが存在ている。このプリグルーブ領域２１４上で、トラックループＯＮをかけたときの検出信号レベルは図６５（ｂ）に示す（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅのレベルになる。
【１１１７】
このプリグルーブ上に記録マークを形成した場合には、“Ｈ→Ｌ”記録膜においては、記録マーク部分で光反射量が低下するため、図６５（ｂ）に示すように記録膜の検出信号レベルが（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅのレベルよりも低下する。記録マークが記録されている領域の中での最も検出信号レベルの高いところをＩ１１ＨＭと定義する。このグルーブ領域２１４における光反射率も前記と同様（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＭにより定義される。
【１１１８】
本実施形態では、“Ｈ→Ｌ”記録膜における記録マークが形成されている場所の光反射率は１４％以上および２８％以下になるように規定している。さらに本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜での未記録領域での光反射量（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅのシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩにおける反射率Ｉ１１ＨＰに対する比率（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅ／Ｉ１１ＨＰは、０．５以上１．０以下の範囲に入るように高いレベルに規定している。
【１１１９】
本実施形態では、図６（ｂ）および（ｃ）に示すようにグルーブ領域１１の幅Ｗｇを、ランド領域１２の幅Ｗｌよりも狭くすることで、図６５（ｂ）に示すように、（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅのレベルを高くしたことを特徴とする。また、特に“Ｈ→Ｌ”記録膜においては、図６（ｂ）または（ｃ）に示すように記録層３−２の厚みＤｇを厚くすることによりグルーブとランド領域の段差量Ｈｒを小さくし、それにより（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅのレベルを高め、（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅ／Ｉ１１ＨＰの値を、５０％以上確保している。
【１１２０】
これにより、グルーブ領域１１内に記録された記録マークからの光反射量Ｉ１１ＨＭが大きくなり、グルーブ領域１１１１上の記録マークからの検出信号振幅の大きさが大きくなる。
【１１２１】
次に、図６６を用い、“Ｌ→Ｈ”記録膜における検出信号レベルを説明する。
【１１２２】
図６６（ａ）に示す光学ヘッド構造と検出信号（信号検出方法と検出回路）は、図６５（ａ）に示すものと全く同じである。“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの光反射量は、“Ｈ→Ｌ”記録膜と同様（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＰで定義される。本実施形態において、“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの光反射率は１４％以上２８％以下に規定している。
【１１２３】
“Ｌ→Ｈ”記録膜では、図６（ｂ）、（ｃ）に示すプリグルーブ領域１１とランド領域１２の記録膜３−２の厚みＤｇ、Ｄｌを相対的に薄くしている。
【１１２４】
そのため、未記録領域でのトラックループＯＮ時のプリグルーブ領域２１４での未記録領域の検出信号レベル（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅは、図６５に示した“Ｈ→Ｌ”記録膜よりも低くなっている。
【１１２５】
その結果、本実施形態ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ、データリードアウトＤＴＬＤＯでの未記録位置でのプリグルーブ領域２１４上での光反射量（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅの比率（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅ／Ｉ１１ＨＰを４０％以上８０％以下の範囲内に入るよう“Ｈ→Ｌ”記録膜よりも低めに設定している。
【１１２６】
“Ｌ→Ｈ”記録膜においては、記録マーク内での光反射率が未記録領域の反射率よりも増加するため、図６６（ｂ）に示すような再生信号波形を有する。
【１１２７】
図６６（ｂ）においても、光反射量は、記録マークからの再生信号の検出信号レベルの最も高いところ（Ｉ１１ＨＭ）を用い、（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＭにより反射率を規定している。本実施形態において“Ｌ→Ｈ”記録膜での反射率は１４％以上２８％以下にしている。
【１１２８】
図６５および図６６に示した“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜における検出信号レベルをまとめて図６７に示す。
【１１２９】
本実施形態において、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内での光反射率範囲が“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜で一部重なるように規定したことを特徴とする。
【１１３０】
図６７のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜間での光反射率の重なり部分αが存在し、本実施形態では、この領域の光反射率範囲は、１６％以上２８％以下である。
【１１３１】
本実施形態では、このシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩにおける“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の反射率範囲の重なる方法として、各記録層３−２の光学特性を制御することによりシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内での“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の反射率の重なり部分を作っている。
【１１３２】
さらに、本実施形態では、図６７に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯでのトラックループＯＮ時の光反射率範囲の重なり部分βも持っている。
【１１３３】
この重なり部分については、図６５（ｂ）に示すように、“Ｈ→Ｌ”記録膜における未記録領域における（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅレベルを図６６に示す“Ｌ→Ｈ”記録膜における未記録領域の検出信号レベル（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅの信号レベルよりも高く設定することで、両者の光反射率の重なり部分βが存在するようにしていることを特徴とする。
【１１３４】
具体的には、図６に示すように、記録層３−２の膜厚Ｄｇ、Ｄｌの厚みを“Ｌ→Ｈ”記録膜よりも“Ｈ→Ｌ”記録膜のほうが厚くなるように設定している。その結果、“Ｌ→Ｈ”記録膜よりも“Ｈ→Ｌ”記録膜での光反射層４−２での段差Ｈｒが小さくなり、その結果“Ｈ→Ｌ”記録膜における未記録領域の検出信号レベル（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅが高くなる。
【１１３５】
本実施形態では、図６７に示すようにトラックループＯＮ時での光反射率範囲は“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜が一致しているばかりでなく、データ領域ＤＴＡ内等での“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜間での光反射率の重なり部分βを最大にしている。
【１１３６】
さらに、本実施形態では、システムリードイン領域内ＳＹＬＤＩでの光反射率が重なる部分αと、データ領域ＤＴＡ内での光反射率が重なる部分βとの間の光反射率が重なる部分γが存在するようにしている。本実施形態の情報記録再生装置もしくは情報再生装置において、図１１または図１３に示すように、同一のプリアンプ回路３０４を用い、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの再生信号と、データ領域ＤＴＡでの再生信号を検出している。プリアンプ３０４で安定に検出できる検出信号の最大値レベルとして光反射率が５％から５０％の範囲までの場合、安定に検出できる。
【１１３７】
従って、全ての光反射率の範囲をプリアンプ３０４の特性に合わせ５％から５０％の範囲になるように設定している。その結果、１個のプリアンプを用いシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩと、データリード領域ＤＴＡでの信号検出を兼用できるため、情報記録再生装置、または情報再生装置の低コスト化を図ることができる。
【１１３８】
本実施形態において、図６７に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの光反射率の重なる部分αとデータ領域ＤＴＡ内での光反射率が重なる部分βとの間の光反射率が重なる部分γを大きくし、より安定にプリアンプ３０４での信号が検出できるようにしている。
【１１３９】
本実施形態では、図６（ｂ）または（ｃ）に示すように、プリグルーブ領域１１の幅Ｗｇをランド領域１２の幅Ｗｌより広げ、データ領域ＤＴＡ内等の未記録領域でのグルーブからの検出信号レベル（Ｉｏｔ）ｇｒｏｏｖｅを低くすることでαとβとの間の光反射率の重なり部分γを広くしている。
【１１４０】
次に、に図２２、図２３、表４に示した“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜における光反射率に対する他の実施例を以下に説明する。図２２に対応した他の実施例の光反射率が、図６７であり、図２３に示した実施例に対する他の実施例が図６５と図６６である。
【１１４１】
図２２に示したように、本実施形態における追記形情報記憶媒体において、内周側から順にバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、データリード領域ＤＴＬＤＩが配置されている。
【１１４２】
前記バーストカッティング領域ＢＣＡおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ上に記録層を形成するとともに、記録層の厚みをバーストカッティング領域ＢＣＡおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内で均一にすることにより、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録されたデータおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩに記録されたデータからの信号再生安定性を保証している。
【１１４３】
以上説明したように、本実施形態における追記形情報記憶媒体においては、内周側から順に、バーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、データリード領域ＤＴＬＤＩが配置されている。
【１１４４】
バーストカッティング領域ＢＣＡおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ上に記録層を形成するとともに、記録層の厚みをバーストカッティング領域ＢＣＡおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内で均一にすることにより、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録されたデータおよびシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩに記録されたデータからの信号再生安定性を保証している。
【１１４５】
記録層形成領域の最内周直径値Φｂは、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径ΦＢＣＡｉｎよりも小さく（ΦＢＣＡｉｎ  ＞  Φｍ）している。換言すると、バーストカッティング領域ＢＣＡの最内周直径は、  ΦＢＣＡｉｎ  ＝  Φｍ  ＋  α  で表すことができる。
【１１４６】
これにより、成形機の吸盤跡の外径部を結んだ最外周直径値Φｂに対し、記録層形成領域の最内周直径値Φｍを大きく設定することにより、記録層形成時の吸盤跡に起因して、記録層の塗布ムラが発生することを除去している。
【１１４７】
なお、この発明は、前記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形もしくは変更が可能である。また、各実施の形態は、可能な限り適宜組み合わせて、もしくは一部を削除して実施されてもよく、その場合は、組み合わせもしくは削除に起因したさまざまな効果が得られる。
【符号の説明】
【１１４８】
２−２…透明基板、３−３…記録層（有機色素膜）、１０１１…ＢＣＡ領域、１０１２…ＢＣＡパターン、１１１１…情報記憶媒体。
【表１】
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【１１４９】
【化１】
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【１１５０】
【表２】
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【１１５１】
【表３】
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【１１５２】
【表４】
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【１１５３】
【化２】
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【１１５４】
【化３】
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【１１５５】
【化４】
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【１１５６】
【化５】
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【１１５７】
【表５】
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【１１５８】
【表６】
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【１１５９】
【表７】
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【１１６０】
【表８】
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【１１６１】
【表９】
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【１１６２】
【表１０】
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【１１６３】
【表１１】
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【１１６４】
【表１２】
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【１１６５】
【表１３】
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【１１６６】
【表１４】
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【１１６７】
【表１５】
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【１１６８】
【表１６】
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【１１６９】
【表１７】
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【１１７０】
【表１８】
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【１１７１】
【表１９】
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【１１７２】
【表２０】
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【１１７３】
【表２１】
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【１１７４】
【表２２】
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【１１７５】
【表２３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
2010205409.tif 000111
【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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