(57)【要約】【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを薄型化する工程１、
薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、
前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３
を備えた半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記めっき処理が無電解めっき処理である請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記薄型化されたウェハの厚さが１５０μｍ以下である請求項１又は２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記リングフレームは、少なくとも表面が非めっき付着材料で形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記非めっき付着材料が樹脂又は樹脂でコーティングされた金属である請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記樹脂がテフロン、ＰＥＴ、又は、ポリアミドである請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記工程１の前に行う、前記ウェハの表面に保護部材を形成する工程、及び、
前記工程２と前記工程３との間に行う、前記保護部材を除去する工程
をさらに備えた請求項１〜６のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特にモバイル製品向けのSIP（System In Package）や、IC(Integrated Circuit)カード、RFID（Radio Frequency IDentification）タグなどの本格導入に伴い、市場では１００μｍ以下のチップ厚みの半導体デバイスが製品として実用化されている。このような最終製品の薄型化の需要と共に、それに用いられる薄ウェハを加工する技術の重要性も高まっている。
【０００３】
半導体デバイスの製造は、一般的に、デバイス基材としてのウェハに電極を形成するためのめっき処理工程、該ウェハを薄型化する工程、ダイシングを安定して行うために、ダイシングテープ及びリングフレームを準備し、ウェハをダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程（フレームマウンティング工程）、及び、ダイシングテープ及びリングフレームで安定化させたウェハをダイシングにより個別のチップに分断する工程等を備えている。
【０００４】
このような半導体デバイスの製造方法としては、以下のようなものが知られている。
１．製造方法１
従来の製造方法１は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（２）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（３）ウェハのバックグライディング工程（ウェハ裏面の研削による薄型化工程）
（４）フレームマウンティング工程
（５）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（６）ダイシング工程
（７）チップ分離工程
【０００５】
２．製造方法２
従来の製造方法２は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（２）ハーフカットダイシング工程
（３）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（４）ウェハのバックグライディング工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（７）チップ分離工程
【０００６】
３．製造方法３
従来の製造方法３は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ハーフカットダイシング工程
（２）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（３）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（４）ウェハのバックグライディング工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（７）チップ分離工程
【０００７】
上記方法１〜３では、ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程を行った後にバックグライディング工程を行いウェハの薄型化している。しかしながら、めっきの膜厚が厚いとめっきの応力も大きくなるためウェハが反ってしまい、その後のバックグライディング工程に悪影響を与える。このため、ウェハ表面に形成するめっきの膜厚を厚くすることができない。
【０００８】
このような問題に対し、以下のように、バックグライディング工程をめっき処理工程より前に行う方法が検討されている。
４．製造方法４
従来の製造方法４は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（２）ウェハのバックグライディング工程
（３）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（４）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ダイシング工程
（７）チップ分離工程
【０００９】
しかしながら、上述の製造方法４は、バックグライディング工程をめっき処理工程より前に行うため、めっきのウェハ裏面への付着及びウェハの損傷という問題が生じる。このため、特許文献１〜３にそれぞれ開示されているように、めっき用治具を使用したり、レジスト等の保護膜を形成したり、保護テープを貼り付けたりすることでめっきのウェハ裏面への付着防止が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３３９０７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３３９０７９号公報
【特許文献３】特開２００２−３４３８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、めっき用治具を使用すると、治具の取り付けによりウェハの反りが発生する。また、めっき用治具はウェハのハンドリング性が悪く、さらに、大きなスペースが必要であるため一度に多くのウェハをめっき処理することが困難であるという問題がある。
また、レジスト等の保護膜の形成は、ウェハ表面への保護膜の回り込みが生じるという問題がある。
また、保護テープを貼り付けると、ウェハに反りが発生する、及び、テープ剥離の際にウェハが損傷しやすいという問題がある。
【００１２】
そこで、本発明は、ウェハにめっき処理をする際にウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、鋭意検討の結果、リングフレームを用いたフレームマウンティング工程をウェハの薄型化工程及びめっき処理工程の間に設けたことにより、ウェハにめっき処理をする際にウェハの反り及び損傷が抑制されると共に、ウェハのめっき処理効率が良好となることを見出した。
【００１４】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法である。
【００１５】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の一実施形態においては、前記めっき処理が無電解めっき処理である。
【００１６】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の別の一実施形態においては、前記薄型化されたウェハの厚さが１５０μｍ以下である。
【００１７】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、前記リングフレームは、少なくとも表面が非めっき付着材料で形成されている。
【００１８】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、前記非めっき付着材料が樹脂又は樹脂でコーティングされた金属である。
【００１９】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、前記樹脂がテフロン（登録商標）、ＰＥＴ、又は、ポリアミドである。
【００２０】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、前記工程１の前に行う、前記ウェハの表面に保護部材を形成する工程、及び、前記工程２と前記工程３との間に行う、前記保護部材を除去する工程をさらに備えている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ウェハにめっき処理をする際にウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る半導体デバイスの代表的な実施形態について詳細に説明する。
（実施形態１）
実施形態１に係る半導体デバイスの製造方法は、少なくとも以下の（１）〜（７）の各工程をこの順で備えている。
（１）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（２）ウェハのバックグライディング工程
（３）フレームマウンティング工程
（４）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（５）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（６）ダイシング工程
（７）チップ分離工程
【００２３】
（１）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
まず、所定のウェハ及びウェハ表面保護テープ（ウェハ表面の保護部材）を準備する。ウェハは、例えば所定の厚みを有する約２〜１２インチ径の略円形状に形成されており、シリコン、又は、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いて形成されている。ウェハには、この時点で半導体素子の複数個がすでに作り込まれていてもよい。
ウェハ表面保護テープは、基材フィルム、及び、基材フィルム上に設けられたフィルム接着剤で構成されている。基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム等が用いられ、その厚さは１５〜１００μｍ程度が好ましい。フィルム接着剤としては、アクリル系、メタクリル系、シリコン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系、及び、ＥＶＡ（エチレンと酢酸ビニルの共重合体）系の樹脂等を用いることができる。
次に、ウェハを、その表面（後に素子を形成する面であり、且つ、後述のめっき処理を施す面）側を上に向け、表面側からウェハ表面保護テープのフィルム接着剤の上に搭載して押圧することで、ウェハをウェハ表面保護テープに貼り付ける。このウェハ表面保護テープは、後述のバックグライディング工程において、ウェハ表面を保護し、研削水や研削屑等の浸入によるウェハ表面の汚染を防ぐ。
【００２４】
（２）ウェハのバックグライディング工程
次に、ウェハを薄型化するためのバックグライディング装置を準備する。バックグライディング装置は、どのような構成のものを用いてもよいが、例えば、ウェハを固定する真空吸着テーブル、ウェハを研削する回転砥石、研削中にウェハ上に研削液（通常は水）を供給する研削液供給部等で構成されている。
続いて、上記（１）のウェハ表面保護テープ貼り付け工程により表面がウェハ表面保護テープで保護されたウェハを、その裏面を上にして、バックグライディング装置の真空吸着テーブル上に設ける。次に、真空吸着テーブルでウェハを吸引固定した状態で、研削液供給部からウェハ上に研削液を供給すると共に、回転砥石によりウェハを所定の厚さとなるまで研削する。また、必要であれば、回転砥石による研削の後、仕上げ用研削を続いて行い、ウェハの研削面を滑らかに仕上げる。
このように研削されたウェハは、例えば５０〜４００μｍ、より好ましくは５０〜１５０μｍの厚さに薄型化されている。
【００２５】
（３）フレームマウンティング工程
次に、後述のダイシング工程においてウェハを固定しておくための、ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程（フレームマウンティング工程）を行う。フレームマウンティング工程としては、まず、リングフレーム及びダイシングテープを準備する。
リングフレームは、後述のめっき処理によってめっきの付着を抑制するために、少なくとも表面が非めっき付着材料で形成されている。非めっき付着材料としては、樹脂、難めっき金属材料、又は、樹脂でコーティングされた金属材料を用いることができる。当該樹脂としては、例えば、テフロン（登録商標）、ＰＥＴ、又は、ポリアミドであるのが好ましい。難めっき金属材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ステンレス等を用いることができる。リングフレームは、軽量性や応力（反り）緩和によるウェハ割れの抑制の観点から、樹脂製であるのがより好ましい。リングフレームは、例えば開口した円形又は多角形のフレーム状に形成されている。リングフレームの開口の内径は、ウェハ径よりも幾分大きく形成されている。
ダイシングテープは、ダイシングの際に個々に分離された半導体チップをバラバラにしないために設けられるものであり、半導体チップを安定に保持するのに十分な粘着力又は接着力を有することが求められる。ダイシングテープは、例えば、基材フィルム、基材フィルム上に設けられたフィルム接着剤、及び、フィルム接着剤上に貼り付けられた剥離材で構成されている。基材フィルムとしては、めっき液やめっき前処理液が染み込まないものであり、めっきが表面に析出しないものであればどのようなものでもよいが、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、ポリイミドフィルム等が用いられ、その厚さは１５〜１００μｍ程度が好ましい。フィルム接着剤としては、アクリル系、シリコン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系、及び、ＥＶＡ系の樹脂等を用いることができる。剥離材としては、例えば、ポリエステル系フィルムや離形紙等を用いることができる。ダイシングテープの厚さは、例えば、５０〜１５０μｍに形成されている。
【００２６】
また、一方で、ウェハマウント装置を準備する。ウェハマウント装置は、どのような種類のものを用いてもよい。ウェハマウント装置は、例えば、ウェハとリングフレームとを載置するステージ、当該ステージへダイシングテープを順次送り出してウェハ及びリングフレームに貼り付けるダイシングテープ供給部、送り出したダイシングテープを所定の長さで切断するテープカット部等で構成されている。
【００２７】
続いて、リングフレームをウェハマウント装置のステージ上へ載置する。次に、上記薄型化したウェハを純水で洗浄し、乾燥させた後、その裏面側を上にしてウェハマウント装置のステージ上であって、且つ、リングフレーム内へ載置する。次に、ウェハマウント装置のダイシングテープ供給部から、剥離材を剥離させた状態のダイシングテープを送り出し、ステージ上のウェハ及びリングフレーム上に載せて押圧接着する。このとき、ダイシングテープは、所定の長さでテープカット部により切断されている。また、このとき、ウェハとダイシングテープとの隙間やダイシングテープのたるみが発生しないように注意する。
なお、ダイシングテープの貼り付けは、押圧接着以外で行ってもよく、例えば、ダイシングテープに所定の接着剤を用いて、加熱接着やＵＶ光硬化接着等により、行ってもよい。
【００２８】
（４）ウェハ表面保護テープの剥離工程
次に、ダイシングテープが貼り付けられたウェハの表面を上側にして所定のステージ上に設ける。続いて、ウェハ表面のウェハ表面保護テープに剥離用テープを貼り付け、当該剥離用テープと共にウェハ表面保護テープをウェハから引き剥がす。この際、粘着剤残りがないことが好ましい。
【００２９】
（５）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
続いて、ダイシングテープでリングフレームと共に固定されたウェハ表面に、めっき処理を施す。めっき処理は、特に限定されないが、ウェハのような非導電性の下地にも金属被膜を形成することができるものであることが必要である。このようなものとしては、無電解めっき処理がより好ましい。
【００３０】
無電解めっき処理を行う際には、まず、ウェハの被めっき面の処理として、清浄化する工程が必要である。清浄化工程としては、乾式処理でも湿式処理でもよい。乾式処理の場合には、アッシング処理、ＵＶ処理及びリアクティブイオンエッチング処理等が好ましい。湿式処理の場合には、浸漬法及びスピンコート法のいずれを用いても良いが、浸漬法を用いるほうが一括処理が可能な点でより好ましい。湿式処理としては、水中での超音波洗浄、アルカリまたは酸性脱脂液への浸漬、界面活性剤水溶液への浸漬、ソフトエッチング液への浸漬等が挙げられる。湿式処理としては、市販の酸性脱脂液、アルカリ性脱脂液、ソフトエッチング液による処理が挙げられ、これらを使用すると、当該処理が簡便となる点で好ましい。これらの処理は単独でも組み合わせても良く、ウェハの汚れ具合やパシベーションの種類によって最適な処理方法を選択することが望ましい。
【００３１】
上述の清浄化後、続いて、無電解めっき液からウェハ表面に金属を析出させる際の触媒活性を有する金属化合物を処理する。このような金属化合物としては、パラジウム化合物や亜鉛化合物等がある。パラジウム化合物に関しては、触媒効果を示すパラジウムの塩化物、水酸化物、酸化物、硫酸塩、アンモニウム塩などのアンミン錯体などが挙げられる。パラジウム化合物は、水性溶液、あるいは有機溶媒溶液として用いる。有機溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサンなどやこれらの混合物を使用することができる。パラジウム化合物は、一連の処理の関係上、水溶液として使用するのがより好ましい。また、亜鉛化合物は、ジンケート処理として一般的であり、市販の薬品を使用することができる。
【００３２】
上述の金属化合物の処理後、ウェハを無電解めっき液に浸漬し、無電解めっき処理を行う。無電解めっきは置換によるものであってもよく、還元によるものであってもよい。無電解めっき液には、所望のめっきを構成するための金属イオン源が、例えば硫酸化物、塩化物等の形態で含まれている。さらに、無電解めっき液には、ホルムアルデヒド、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、アスコルビン酸、グリオキシル酸等の還元剤、酢酸ナトリウム、ＥＤＴＡ、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン等の錯化剤や析出制御剤等が含まれている。
無電解めっき液は、ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等一般的に用いられているものを用いることができるが、半導体用途でナトリウム、カリウム等のアルカリ金属を避けたい場合には、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いるのが好ましい。
上述の工程により、ウェハ表面に無電解めっき処理を行い、ウェハ表面に、例えばＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜等を形成することができる。
【００３３】
上述の工程において、ウェハはその裏面にダイシングテープが貼り付けられている。このため、めっきのウェハ裏面への付着が抑制される。また、ウェハは、リングフレームと共にダイシングテープで固定されているため、めっき処理の際、ウェハの反りが良好に抑制されており、ウェハの損傷が抑制される。また、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにめっき用治具を用いてウェハを固定する必要がないため、それだけスペースを必要とせず、製造効率が良好となる。同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにレジスト等の保護膜を形成する必要もないためウェハ表面への保護膜の回り込みもない。さらに同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のために保護テープを貼り付ける必要もないため、ウェハに反りが発生せず、且つ、テープ剥離の際にウェハが損傷することもない。
【００３４】
なお、上記工程では、めっき処理として無電解めっき処理を行ったが、これに限られない。その他のめっき処理としては、乾式めっきでもよい。例えば、真空中でめっき金属を電子ビームや抵抗加熱等を用いて加熱蒸発させてめっき被膜を形成する真空蒸着、スパッタリング等でイオン化しためっき金属を加速衝突させることによりめっき被膜を形成する物理蒸着（ＰＶＤ）、及び、揮発性金属化合物と還元性ガスとの加熱分解や水素還元反応によりめっき被膜を形成する化学蒸着（ＣＶＤ）等を用いてもよい。
【００３５】
（６）ダイシング工程
次に、ダイシング装置を準備する。ダイシング装置は、吸着部を備えたダイシングテーブル、及び、ダイシングソー等を備えている。ダイシングソーは、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃等で構成されている。なお、ダイシングソーの代わりにレーザを用いてウェハを切断してもよい。
続いて、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられ、上述のように表面にめっき処理を行ったウェハを、ダイシング装置のダイシングテーブル上に表面を上に向けて載置して、吸着部の真空吸着により固定する。
次に、ダイシングソーにより、リングフレーム内のウェハを、表面側から縦、横に切断し、個別のチップを得る。切断後の個別のチップは、ダイシングテープにより固定されているため、整列した状態を保っている。
【００３６】
（７）チップ分離工程
次に、必要であればウェハテスト装置を準備し、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられ、上述のようにダイシングを行ったウェハを、当該装置のテーブル上へ載置する。続いて、ウェハテスト装置により良品と判断された個別チップをダイシングテープから剥がしてピックアップしていくことにより、ウェハから各チップを分離する。この際、チップに粘着剤が付着しないことが好ましい。
【００３７】
続いて、上述のように分離された各チップを回路基板上の所定の位置にマウントし、各チップと回路基板の金属配線を接続することにより、所望の半導体デバイスを作製していく。
【００３８】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係る半導体デバイスの製造方法について説明する。実施形態２に係る半導体デバイスの製造方法は、少なくとも以下の（１）〜（７）の各工程をこの順で備えている。
（１）ハーフカットダイシング工程
（２）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（３）ウェハのバックグライディング工程
（４）フレームマウンティング工程
（５）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（６）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（７）チップ分離工程
【００３９】
（１）ハーフカットダイシング工程
まず、実施形態１と同様なウェハ及びダイシング装置を準備する。次に、ウェハを、ダイシング装置のダイシングテーブル上に表面を上に向けて載置して、吸着部の真空吸着により固定する。続いて、ダイシングソーにより、ウェハの表面に縦、横に切り込みを入れる。切り込みは、例えば、ウェハの厚さの約半分程度となる深さまで形成する。
【００４０】
（２）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
次に、縦横に切り込みが形成されたウェハの表面に、実施形態１と同様な構成のウェハ表面保護テープを、実施形態１と同様な方法で貼り付ける。
【００４１】
（３）ウェハのバックグライディング工程
次に、実施形態１と同様のバックグライディング装置を準備する。次いで、ウェハ表面保護テープが貼り付けられたウェハを、その裏面を上にして、バックグライディング装置の真空吸着テーブル上に設ける。次に、実施形態１と同様な方法で、ウェハを研削し、例えば５０〜２００μｍ、より好ましくは５０〜１５０μｍの厚さに薄型化する。
【００４２】
（４）フレームマウンティング工程
次に、実施形態１と同様のリングフレーム、ダイシングテープ及びウェハマウント装置を準備し、同様の方法で、リングフレーム及びリングフレーム内に設けたウェハに、ウェハの裏面側からダイシングテープを貼り付ける。
【００４３】
（５）ウェハ表面保護テープの剥離工程
次に、ダイシングテープが貼り付けられたウェハの表面を上側にして所定のステージ上に設ける。続いて、ウェハ表面のウェハ表面保護テープに剥離用テープを貼り付け、当該剥離用テープと共にウェハ表面保護テープをウェハから引き剥がす。
【００４４】
（６）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
次に、ウェハ表面保護テープが引き剥がされ、且つ、リングフレームと共にダイシングテープを貼り付けられたウェハの表面に、実施形態１と同様の構成の無電解めっき処理を用いてめっき被膜を形成する。
実施形態２においても、ウェハはその裏面がリングフレームと共にダイシングテープで固定されているため、めっきのウェハ裏面への付着及びウェハの反りが良好に抑制されており、ウェハの損傷が抑制される。また、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにめっき用治具を用いてウェハを固定する必要がないため、それだけスペースを必要とせず、製造効率が良好となる。同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにレジスト等の保護膜を形成する必要もないためウェハ表面への保護膜の回り込みもない。さらに同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のために保護テープを貼り付ける必要もないため、ウェハに反りが発生せず、且つ、テープ剥離の際にウェハが損傷することもない。
【００４５】
（７）チップ分離工程
次に、所定の押圧装置を準備する。続いて、上述のように表面にめっき被膜が形成され、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられているウェハを押圧装置で押圧する。ウェハにはあらかじめハーフカットダイシング工程で切り込みが縦横に形成されているため、この押圧によって当該切り込みからウェハが個別チップに分離する。
次に、必要であればウェハテスト装置を準備し、ウェハテスト装置により良品と判断された個別チップをダイシングテープから剥がしてピックアップしていくことにより、ウェハから各チップを分離する。
【００４６】
続いて、上述のように分離された各チップを回路基板上の所定の位置にマウントし、各チップと回路基板の金属配線を接続することにより、所望の半導体デバイスを作製していく。
【００４７】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３に係る半導体デバイスの製造方法について説明する。実施形態３に係る半導体デバイスの製造方法は、少なくとも以下の（１）〜（７）の各工程をこの順で備えている。
（１）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
（２）ウェハのバックグライディング工程
（３）フレームマウンティング工程
（４）ウェハ表面保護テープの剥離工程
（５）ダイシング工程
（６）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
（７）チップ分離工程
【００４８】
（１）ウェハ表面保護テープ貼り付け工程
まず、実施形態１と同様な構成のウェハ及びウェハ表面保護テープを準備し、ウェハの表面にウェハ表面保護テープを実施形態１と同様な方法で貼り付ける。
【００４９】
（２）ウェハのバックグライディング工程
次に、実施形態１と同様のバックグライディング装置を準備する。次いで、ウェハ表面保護テープが貼り付けられたウェハを、その裏面を上にして、バックグライディング装置の真空吸着テーブル上に設ける。次に、実施形態１と同様な方法で、ウェハを研削し、例えば５０〜２００μｍ、より好ましくは５０〜１５０μｍの厚さに薄型化する。
【００５０】
（３）フレームマウンティング工程
続いて、実施形態１と同様のリングフレーム、ダイシングテープ及びウェハマウント装置を準備し、実施形態１と同様の方法で、リングフレーム及びリングフレーム内に設けたウェハに、ウェハの裏面側からダイシングテープを貼り付ける。
【００５１】
（４）ウェハ表面保護テープの剥離工程
次に、ダイシングテープが貼り付けられたウェハの表面を上側にして所定のステージ上に設ける。続いて、ウェハ表面のウェハ表面保護テープに剥離用テープを貼り付け、当該剥離用テープと共にウェハ表面保護テープをウェハから引き剥がす。
【００５２】
（５）ダイシング工程
続いて、実施形態１と同様のダイシング装置を準備し、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハを、ダイシング装置のダイシングテーブル上に表面を上に向けて載置して、吸着部の真空吸着により固定する。
次に、ダイシングソーにより、リングフレーム内のウェハを、表面側から縦、横に切断し、個別のチップを得る。切断後の個別のチップは、ダイシングテープにより固定されているため、整列した状態を保っている。
【００５３】
（６）ウェハ表面に電極用金属を形成するためのめっき処理工程
次に、ウェハ表面保護テープが引き剥がされ、且つ、リングフレームと共にダイシングテープを貼り付けられ、さらにダイシングにより個別のチップに切断されたウェハの表面に、実施形態１と同様の構成の無電解めっき処理を用いてめっき被膜を形成する。
実施形態３においても、個別のチップに切断されたウェハはその裏面がリングフレームと共にダイシングテープで固定されているため、めっきのウェハ裏面への付着及びウェハの反りが良好に抑制されており、ウェハの損傷が抑制される。また、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにめっき用治具を用いてウェハを固定する必要がないため、それだけスペースを必要とせず、製造効率が良好となる。同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のためにレジスト等の保護膜を形成する必要もないためウェハ表面への保護膜の回り込みもない。さらに同様に、めっきのウェハ裏面への付着防止のために保護テープを貼り付ける必要もないため、ウェハに反りが発生せず、且つ、テープ剥離の際にウェハが損傷することもない。
【００５４】
（７）チップ分離工程
次に、必要であればウェハテスト装置を準備し、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられ、上述のようにダイシングを行ったウェハを、当該装置のテーブル上へ載置する。続いて、ウェハテスト装置により良品と判断された個別チップをダイシングテープから剥がしてピックアップしていくことにより、ウェハから各チップを分離する。この際、チップに粘着剤が付着しないことが好ましい。
【００５５】
続いて、上述のように分離された各チップを回路基板上の所定の位置にマウントし、各チップと回路基板の金属配線を接続することにより、所望の半導体デバイスを作製していく。
【００５６】
（その他の実施形態）
また、本発明の実施形態としては、上述の実施形態１、２及び３に限定されず、リングフレームを用いたフレームマウンティング工程をウェハの薄型化工程及びめっき処理工程の間に設けているものであれば、どのような形態であってもよい。
【実施例】
【００５７】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００５８】
（実施例１）
８インチウェハの表面にバックグラインディングテープを張り、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さになるまで各ウェハの裏面をバックグライディングした。次に、各ウェハより径が幾分大きい樹脂製リングフレームをそれぞれ準備し、ウェハマウント装置のステージ上において、当該リングフレーム内にウェハを設け、リングフレーム及びウェハに裏面側にダイシングテープを貼り付けた。
【００５９】
次に、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハ表面のバックグラインディングテープを剥がした。このとき、バックグラインディングテープの粘着剤残りは無かった。その後、無電解めっき処理を施し、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さのウェハについて、それぞれ、めっき被膜の厚さが１、５及び１０μｍのものを形成した。また、無電解めっき処理工程として、アルカリ脱脂→ソフトエッチング→ジンケート処理→無電解Ｎｉめっき（各種膜厚）→無電解Ａｕめっき（膜厚０．０５μｍ）の各工程を行った。
【００６０】
上記のめっき処理により、各ウェハに形成されためっき被膜は、いずれも均一な厚さとなった。また、以下の表１で示す各試験結果が得られた。
【００６１】
【表１】
2010283312.tif 000002
【００６２】
実施例１に係るウェハは、ウェハ歪（ウェハの反り）は若干観察されたが、いずれも問題なく無電解めっき処理を施すことができた。
さらに、これらのめっき処理され、且つ、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハを、それぞれダイシングしたところ、いずれも問題なく切断することができ、粘着剤残りが無く各個別チップに分離することができた。
【００６３】
（実施例２）
８インチウェハをダイシング装置のダイシングテーブル上に表面を上に向けて載置して、吸着部の真空吸着により固定し、ダイシングソーにより、スクライブラインに沿ってウェハの表面に縦、横にウェハの厚さのほぼ半分となる切り込みを入れることにより、ハーフカットダイシングを行った。次に、ウェハの表面にバックグラインディングテープを張り、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さになるまで各ウェハの裏面をバックグライディングした。さらに、各ウェハより径が幾分大きい樹脂製リングフレームをそれぞれ準備し、ウェハマウント装置のステージ上において、当該リングフレーム内にウェハを設け、リングフレーム及びウェハに裏面側にダイシングテープを貼り付けた。
【００６４】
次に、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハ表面のバックグラインディングテープを剥がした。このとき、バックグラインディングテープの粘着剤残りは無かった。その後、実施例１と同様の構成の無電解めっき処理を施した。
【００６５】
上記のめっき処理により、各ウェハに形成されためっき被膜は、いずれも均一な厚さとなった。また、以下の表２で示す各試験結果が得られた。
【００６６】
【表２】
2010283312.tif 000003
【００６７】
実施例２に係るウェハは、いずれも問題なく無電解めっき処理を施すことができた。
さらに、これらのめっき処理され、且つ、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハを、押圧装置で押圧したところ、いずれも問題なく個別チップに分離することができ、且つそれらを粘着剤残り無くピックアップすることができた。
【００６８】
（実施例３）
８インチウェハの表面にバックグラインディングテープを張り、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さになるまで各ウェハの裏面をバックグライディングした。次に、各ウェハより径が幾分大きい樹脂製リングフレームをそれぞれ準備し、ウェハマウント装置のステージ上において、当該リングフレーム内にウェハを設け、リングフレーム及びウェハに裏面側にダイシングテープを貼り付けた。
【００６９】
次に、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられたウェハ表面のバックグラインディングテープを剥がした。このとき、バックグラインディングテープの粘着剤残りは無かった。次に、ダイシングによりウェハを個別のチップに切断した。その後、実施例１と同様の構成の無電解めっき処理を施した。
【００７０】
上記のめっき処理により、各ウェハに形成されためっき被膜は、いずれも均一な厚さとなった。また、以下の表３で示す各試験結果が得られた。
【００７１】
【表３】
2010283312.tif 000004
【００７２】
実施例３に係るウェハは、いずれも問題なく無電解めっき処理を施すことができた。
さらに、これらのめっき処理され、且つ、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられた各個別チップは、粘着剤残りが無くピックアップすることができた。
【００７３】
（比較例）
実施例１で使用したものと同様のウェハを準備した。次に、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さになるまで各ウェハの裏面をバックグライディングした。次に、ウェハマウント装置のステージ上に、リングフレームを用いずにウェハを設け、その裏面側からダイシングテープを貼り付けた。
【００７４】
次に、ダイシングテープに貼り付けられたウェハの表面に実施例１と同様の無電解めっき処理を施し、５０、１００、１５０及び２００μｍの厚さのウェハについて、それぞれ、めっき被膜の厚さが１、５及び１０μｍのものを形成した。
【００７５】
比較例により形成したウェハのめっき被膜は、いずれも反りが発生し、その後の工程で複数のウェハを一度に処理することが困難となった。また、めっき被膜が５及び１０μｍ厚のウェハは、その後の工程でハンドリングし難いという問題も発生した。特に、１５０μｍ厚以下のウェハであって、めっき被膜が１０μｍ厚のものは、めっき形成後に損傷（ひび割れ）が発生した。