(57)【要約】【課題】大幅な工程削減を図る。【解決手段】紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルにより膜厚を段階的に異ならせたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、ＯＢ領域３において層間絶縁膜１３上の金属層１４の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、周辺回路領域４およびパッド部領域５において層間絶縁膜１３上の金属層１４をパターニングして配線１４Ａおよび電極パッド１４Ｂの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、パッド部領域５において電極パッド１４Ｂの表面バリア層１４ａを除去して金属層１４の表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う。【選択図】図４
2010141041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルによりレジスト膜の膜厚を段階的に異ならせたマスク。
【請求項２】
前記レジスト膜を用いて層をエッチング処理して該層を所定形状に形成するための請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
メタル段差低減領域、金属配線形成領域および電極パッド形成領域それぞれの加工に必要なレジスト膜厚になるように前記レチクルの紫外線の透過率により作られた請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のマスクを用いて、
層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドを形成する配線・電極パッド形成工程と、
該電極パッドの表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のマスクを用いて、前記配線形成工程および前記電極パッド形成工程の他に、
層間絶縁膜上の金属層の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程を同時に行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスクの膜厚は、前記配線形成工程を行う領域では前記レジスト膜の膜厚を最も厚い膜厚とし、前記電極パッド形成工程を行うパッド領域では該レジスト膜の膜厚を次に厚い膜厚とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記マスクの膜厚は、前記メタル段差低減工程を行う領域では該レジスト膜の膜厚を最も薄い膜厚とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により、前記金属配線、前記電極パッドおよびメタル段差低減構造のうち、少なくとも該金属配線および該電極パッドを形成した半導体装置。
【請求項９】
被写体からの入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の受光部が設けられた中央部の有効画素領域と、該有効画素領域の周囲に設けられた光学的黒領域と、該光学的黒領域の更に周辺側に設けられた周辺回路領域と、該周辺回路領域の外周側の外部配線接続用のパッド部領域とを有する固体撮像素子の製造方法において、
請求項１〜３のいずれかに記載のマスクを用いて、
該光学的黒領域において層間絶縁膜上の金属層の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、
該周辺回路領域および該パッド部領域において該層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドを形成する配線・電極パッド形成工程と、
該パッド部領域において該電極パッドの表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記マスクの膜厚は、前記周辺回路領域では前記レジスト膜の膜厚を最も厚い膜厚とし、前記電極パッド部領域のパッド領域では該レジスト膜の膜厚を次に厚い膜厚とし、前記光学的黒領域では該レジスト膜の膜厚を最も薄い膜厚とする請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
前記有効画素領域において、前記マスクの膜厚を「０」とし、前記金属層をエッチングして除去する請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜の次に厚い膜厚および前記最も薄い膜厚により、前記金属層を厚さ方向途中までエッチングして除去する請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
メタル段差低減、金属配線形成および電極パッド形成それぞれの加工に必要なレジスト膜厚になるレチクルの紫外線の透過率により作られた膜厚の段階的に異なるレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行って、メタル段差低減構造、金属配線および電極パッドの各形状をそれぞれ形成する請求項９または１０に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法により、前記金属配線、前記電極パッドが形成されていると共に、メタル段差低減が行われた固体撮像素子。
【請求項１５】
ＣＣＤ型固体撮像素子またはＣＭＯＳ型固体撮像素子である請求項１４に記載の固体撮像素子。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜を用いたパターニング用のマスク、層間絶縁膜上の金属配線を加工し、この金属配線に接続され、金属例えばアルミニウムを主成分とする外部接続用のパッドを形成した半導体装置およびその製造方法、この半導体装置およびその製造方法の具体例としての固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、車載カメラおよび監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来の半導体装置の製造方法として、例えばＣＣＤ(電荷結合素子)を用いた従来の固体撮像素子において、チップ中央部分の有効画素領域とその周辺部分のＯＢ領域との境界部に、金属配線によって大きな段差が生じるため、金属配線をその膜厚方向途中まで除去するメタル段差低減加工を行っている。これは、半導体チップ中央部分の有効画素領域とその周辺部分のＯＢ領域との境界部付近において、後のオンチップ層形成時のカラーフィルタや、その上のオンチップレンズ形成工程で、カラーフィルタやオンチップレンズがメタル段差により影響されて傾いてその膜厚や形状が不均一に形成されてしまうからである。
【０００３】
これによって、有効画素領域の周辺部分では、オンチップレンズから入射/集光した光が遮光膜の開口部を通して光電変換部（フォトダイオード部）に適正に入射できないことや、カラーフィルタの膜厚の異常による色特性の変動により、額縁状の感度ムラ(感度不均一)や色ムラ(色不均一）が発生し、程度によっては撮像不良が生じてしまう。
【０００４】
これを防ぐために、前述したように、有効画素領域とその周辺のＯＢ部領域との境界部付近のメタル段差部を低減し、これによって、感度ムラや色ムラを改善して画質の向上を図ることが重要である。
【０００５】
従来はメタル配線加工と電極パッド加工とメタル段差低減加工は、各々の工程でそれぞれマスクを用いてエッチング加工を行っている。
【０００６】
このメタル段差低減加工の事例として、周辺回路領域のアルミニウム配線のみをエッチングして段差低減することが特許文献１に提案されている。
【０００７】
次に、このメタル段差低減加工の他の事例として、連続した３次元形状のグレイスケールマスクを用いることにより、マイクロレンズアレイ表面のレンズ曲面を連続的に形成することが特許文献２に提案されている。
【特許文献１】特開２００２−７６３２２号公報
【特許文献２】特開２００４−１２９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の固体撮像素子では、有効画素領域周辺部の額縁状の感度ムラや色ムラを改善するために、メタル配線加工および電極パッド加工を行った後に、メタル段差低減加工を行っているが、これらのメタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工は別々の工程で３回行っており、生産効率が悪いという問題を有している。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、メタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工の３工程を１回のフォトエッチング処理で同時に加工するためのマスク、このマスクを用いて大幅な工程削減を図ることができて生産効率が良好な半導体装置の製造方法、これにより製造された半導体装置、このような半導体装置およびその製造方法の具体例としての固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のマスクは、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルによりレジスト膜の膜厚を段階的に異ならせたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１１】
また、好ましくは、本発明のマスクは、レジスト膜を用いて層をエッチング処理して該層を所定形状に形成するためのものである。
【００１２】
さらに、好ましくは、本発明のマスクにおけるメタル段差低減領域、金属配線形成領域および電極パッド形成領域それぞれの加工に必要なレジスト膜厚になるように前記レチクルの紫外線の透過率により作られている。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の上記マスクを用いて、層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドを形成する配線・電極パッド形成工程と、  該電極パッドの表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行うものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】
また、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法において、本発明の上記マスクを用いて、前記配線形成工程および前記電極パッド形成工程の他に、層間絶縁膜上の金属層の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程を同時に行う。
【００１５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法におけるマスクの膜厚は、前記配線形成工程を行う領域では前記レジスト膜の膜厚を最も厚い膜厚とし、前記電極パッド形成工程を行うパッド領域では該レジスト膜の膜厚を次に厚い膜厚とする。
【００１６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法におけるマスクの膜厚は、前記メタル段差低減工程を行う領域では該レジスト膜の膜厚を最も薄い膜厚とする。
【００１７】
本発明の半導体装置は、本発明の上記半導体装置の製造方法により、前記金属配線、前記電極パッドおよびメタル段差低減構造のうち、少なくとも該金属配線および該電極パッドを形成したものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１８】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、被写体からの入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の受光部が設けられた中央部の有効画素領域と、該有効画素領域の周囲に設けられた光学的黒領域と、該光学的黒領域の更に周辺側に設けられた周辺回路領域と、該周辺回路領域の外周側の外部配線接続用のパッド部領域とを有する固体撮像素子の製造方法において、本発明の上記マスクを用いて、該光学的黒領域において層間絶縁膜上の金属層の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、該周辺回路領域および該パッド部領域において該層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドを形成する配線・電極パッド形成工程と、  該パッド部領域において該電極パッドの表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行うものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるマスクの膜厚は、前記周辺回路領域では前記レジスト膜の膜厚を最も厚い膜厚とし、前記電極パッド部領域のパッド領域では該レジスト膜の膜厚を次に厚い膜厚とし、前記光学的黒領域では該レジスト膜の膜厚を最も薄い膜厚とする。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における有効画素領域において、前記マスクの膜厚を「０」とし、前記金属層をエッチングして除去する。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、前記レジスト膜の次に厚い膜厚および前記最も薄い膜厚により、前記金属層を厚さ方向途中までエッチングして除去する。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、メタル段差低減、金属配線形成および電極パッド形成それぞれの加工に必要なレジスト膜厚になるレチクルの紫外線の透過率により作られた膜厚の段階的に異なるレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行って、メタル段差低減構造、金属配線および電極パッドの各形状をそれぞれ形成する。
【００２３】
本発明の固体撮像素子は、本発明の上記固体撮像素子の製造方法により、前記金属配線、前記電極パッドが形成されていると共に、メタル段差低減が行われたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２４】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子はＣＣＤ型固体撮像素子またはＣＭＯＳ型固体撮像素子である。
【００２５】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２６】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００２７】
本発明の半導体装置の製造方法においては、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルによりレジスト膜の膜厚を段階的に異ならせたマスクを用いて、層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、電極パッドの表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う。
【００２８】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法においては、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルによりレジスト膜の膜厚を段階的に異ならせたマスクを用いて、光学的黒領域において層間絶縁膜上の金属層の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、周辺回路領域およびパッド部領域において層間絶縁膜上の金属層をパターニングして配線および電極パッドの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、パッド部領域においてパッド部の表面バリア層を除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う。
【００２９】
これによって、複数の所定レジスト膜厚となるような紫外線の透過率を変化させたレチクルを用いて、膜厚の段階的に異なるレジスト膜を形成することにより、このレジスト膜をマスクとして、メタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工の３工程を１回のエッチング処理で同時に加工することが可能になって大幅な工程削減が図られて、生産効率が良好なものとなる。
【発明の効果】
【００３０】
以上により、本発明によれば、複数の所定レジスト膜厚となるような紫外線の透過率を変化させたレチクルを用いて、膜厚の段階的に異なるレジスト膜を形成することにより、このレジスト膜をマスクとして、メタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工の３工程を１回のエッチング処理で同時に加工することができて大幅な工程削減を図ることができ、生産効率を良好なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施形態１として固体撮像素子およびその製造方法に適用した場合、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態２について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３２】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の概略チップ構成を示す平面図である。
【００３３】
図１において、本実施形態１の固体撮像素子１は、被写体からの入射光を光電変換して信号電荷を生成するマトリクス状の複数の受光部を有する中央部の有効画素領域２と、この有効画素領域２の周囲に設けられた光学的黒領域（オプティカルブラック部）であるＯＢ領域３と、このＯＢ領域３の更に周辺側に設けられた信号転送や信号読み出しを制御するドライバなどの周辺回路領域４と、この周辺回路領域４の外周側で最も外側の外部配線接続用のパッド部領域５とを有している。
【００３４】
図２は、ポジ型フォトレジスト膜の特性曲線（感光曲線）を示す図である。縦軸がフォトレジスト膜の膜厚で、横軸がレチクルの紫外線透過率である。
【００３５】
図２において、特許文献２のような連続的な曲面を形成するためのグレイスケールマスクを用いるのではなく、紫外線の透過率を選択的に複数変えたレチクルを用いて膜厚が各領域毎に異なるフォトレジスト膜をパターニングする。このように、レチクルの透過率を段階的に変えることにより、フォトレジスト膜の膜厚をその透過率パターンに応じて変化させることができる。このフォトレジスト膜は通常のフォトレジスト膜を用い、通常は、フォトレジスト膜の有無（パターニング）により金属層などを所定形状に形成しているが、ここでは、下地の金属層などが全くエッチングされず膜減りしないフォトレジスト膜の最も厚い膜厚の他に、そのフォトレジスト膜の中間の膜厚を用いて金属層を一または複数種類、膜厚方向途中までエッチング除去することができる。
【００３６】
図３は、図１の固体撮像素子１において、メタル段差低減加工、メタル配線加工および電極パッド加工に必要なレジスト膜厚を示す図である。なお、図３において、矢印で示す２点鎖線の幅の範囲内にレジスト膜厚ｈ１〜ｈ３をそれぞれ設定すればよい。横軸の右側にいくほどレジスト膜厚が厚くなっている。
【００３７】
図３において、図１の固体撮像素子１において、メタル配線加工では配線部分として金属層を残すためフォトレジスト膜の膜厚を最も厚いｈ１とし、電極パッド加工では金属配線の最上層のバリア層だけを除去して金属配線を露出させればよいので、フォトレジスト膜の膜厚を膜厚ｈ１よりも薄い膜厚ｈ２とし、メタル段差低減加工ではバリア層および金属配線の途中まで減らすためフォトレジスト膜の膜厚を膜厚ｈ２よりも更に薄い膜厚ｈ３とする。この場合、フォトレジスト膜の膜厚ｈ１〜ｈ３は、ｈ１＞ｈ２＞ｈ３となる。フォトレジスト膜の膜厚ｈ１は下地の金属膜がエッチングされない膜厚である。このように、フォトレジスト膜の膜厚ｈ１は下地の金属膜がエッチングされない膜厚であり、下地の金属膜は全膜厚分残る。フォトレジスト膜の膜厚ｈ３は膜厚ｈ２よりも薄いため、メタル段差低減加工の金属層の残膜厚の方が薄くなる。
【００３８】
図４は、図１の固体撮像素子のメタル段差低減加工部、メタル配線加工部および電極パッド加工部のエッチング前後の縦断面図である。
【００３９】
図４において、図１の固体撮像素子１の各有効画素部２には、受光素子として入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部（フォトダイオード１５）が設けられ、各フォトダイオード１５に隣接してフォトダイオード１５からの信号電荷を電荷転送するための電荷転送部およびこの上にこれを電荷転送制御するための電荷転送電極としてのゲート電極１１（ポリシリコン膜）が配置されている。このゲート電極１１上には、入射光がゲート電極１１により反射してノイズが発生するのを防ぐために遮光膜１２が形成されている。
【００４０】
また、フォトダイオード１５の上方には、遮光膜１２の開口部１２ａから上側に層間絶縁膜１３を介して、その後の工程で形成されるＲＧＢのカラーフィルタおよびその上の光集光用のマイクロレンズが配置されることになる。
【００４１】
ここでは、メタル段差低減加工、メタル配線加工および電極パッド加工を同時に１回のフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行う場合について説明する。
【００４２】
各工程に必要なレジスト膜厚となるようにレチクルの紫外線の透過率を求め、メタル段差低減、金属配線形成および電極パッド形成それぞれの加工に必要なレジスト膜厚になるレチクルの紫外線の透過率により作られた膜厚の段階的に異なるフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行って、ＯＢ領域３の金属層１４の膜厚低減構造の金属層１４Ｃの他に、金属配線１４Ａおよび金属配線パッド部１４Ｂの所望の形状をそれぞれ形成する。
【００４３】
これによって、周辺回路部４の半導体集積回路における層間絶縁膜１３上に設けられる金属層１４を配線加工（例えばメタル（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮ積層））して金属配線１４Ａおよび金属配線パッド部１４Ｂの外形を形成すると共に、金属層１４の表面バリア層１４ａを除去して金属配線パッド部１４Ｂを完成し、固体撮像素子における有効画素領域２での金属層１４の除去、さらには、その周囲のＯＢ領域３で膜厚低減した金属層１４Ｃを形成する。なお、１６は素子分離膜である。
【００４４】
以上により、本実施形態１によれば、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルにより膜厚を段階的に異ならせたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、ＯＢ領域３において層間絶縁膜１３上の金属層１４の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、周辺回路領域４およびパッド部領域５において層間絶縁膜１３上の金属層１４をパターニングして配線１４Ａおよび電極パッド１４Ｂの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、パッド部領域５において電極パッド１４Ｂの表面バリア層１４ａを除去して金属層１４の表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う。なお、１４ｂは裏面バリア層である。
【００４５】
このように、複数の所定レジスト膜厚となるような紫外線の透過率を変化させたレチクルを用いて、膜厚の段階的に異なるフォトレジスト膜を形成することにより、このフォトレジスト膜をマスクとして、メタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工の３工程を１回のエッチング処理で同時に加工することができて大幅な工程削減を図ることができて、生産効率を良好なものにすることができ、したがって、額縁状の感度ムラや色ムラを改善することができる。
【００４６】
しかも、ＯＢ領域の金属層１４の膜厚の途中まで除去し、更に金属層１４をパターニングして配線加工するメタルエッチングの２工程の境界部がオーバーラップして、このオーバーラップ部で凹部が生じる従来の不都合を、１回のメタルエッチングで済ませることができるので、アライメントを取る必要がなく、オーバーラップ部での凹部は生じない。このような凹部が境界部で生じないため、その後のＲＧＢのカラーフィルタやマイクロレンズを精度よく形成することができる。
【００４７】
なお、本実施形態１では、被写体からの入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の受光部が設けられた中央部の有効画素領域２と、有効画素領域２の周囲に設けられたＯＢ領域３と、ＯＢ領域３の更に周辺側に設けられた周辺回路領域４と、周辺回路領域４の外周側の外部配線接続用のパッド部領域５とを有する固体撮像素子１の製造方法において、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルにより膜厚を段階的に異ならせたフォトレジスト膜をマスクとしてを用いて、ＯＢ領域３において層間絶縁膜１３上の金属層１４の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程と、周辺回路領域４およびパッド部領域５において層間絶縁膜１３上の金属層１４をパターニングして配線１４Ａおよび電極パッド１４Ｂの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、パッド部領域において層間絶縁膜１３上の電極パッド１４Ｂの表面バリア層１４ａを除去して金属層表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行う場合について説明したが、これに限らず、固体撮像素子の製造方法を一般化して半導体装置（半導体集積回路）の製造方法としてもよい。
【００４８】
この半導体装置（半導体集積回路）の製造方法では、紫外線の透過率を選択的に変化させたレチクルにより膜厚を段階的に異ならせたフォトレジスト膜をマスクとしてを用いて、  層間絶縁膜１３上の金属層１４をパターニングして金属配線１４Ａおよび電極パッド１４Ｂの外形を形成する配線・電極パッド形成工程と、層間絶縁膜１３上の電極パッド１４Ｂの表面バリア層１４ａを除去して金属層１４の表面を露出させる電極パッド形成工程とを同時に行うようにすればよい。これらの配線形成工程および電極パッド形成工程の他に、後の工程で精密な成膜を行うために、層間絶縁膜１３上の金属層１４の厚さ方向途中まで除去するメタル段差低減工程を同時に行うようにしてもよい。この場合、フォトレジスト膜の膜厚は、配線形成工程を行う領域ではレジスト膜の膜厚を最も厚い膜厚とし、電極パッド形成工程を行うパッド領域ではレジスト膜の膜厚を次に厚い膜厚とすることができる。また、フォトレジスト膜の膜厚は、メタル段差低減工程を行う領域ではレジスト膜の膜厚を最も薄い膜厚とすることができる。
（実施形態２）
図５は、本発明の実施形態２として、本発明の実施形態１の固体撮像素子１を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【００４９】
図５において、本実施形態２の電子情報機器９０は、上記実施形態１の固体撮像素子１からの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置９１と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部９２と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段９３と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段９４と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力手段９５とを有している。なお、この電子情報機器９０は、これに限らず、固体撮像装置９１の他に、メモリ部９２と、表示手段９３と、通信手段９４と、プリンタなどの画像出力手段９５とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
【００５０】
この電子情報機器９０としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置（ＰＤＡ）などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
【００５１】
したがって、本実施形態２によれば、この固体撮像手段９１からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力手段９５により良好にプリントアウト（印刷）したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部９２に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
【００５２】
なお、本実施形態１では、ＣＣＤ型固体撮像素子１の製造方法について説明したが、これに限らず、要は、メタル段差低減加工工程、メタル配線加工工程および電極パッド加工工程を同時に行うＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法であってもよい。
【００５３】
ＣＭＯＳ型固体撮像素子の各画素部には、その半導体基板の表面層として、光電変換部としての受光部（フォトダイオード）が形成されている。フォトダイオードに隣接して、信号電荷がフローティングディヒュージョン部ＦＤに転送するための電荷転送トランジスタの電荷転送部が設けられている。この電荷転送部上には、ゲート絶縁膜を介して引き出し電極であるゲート電極が設けられている。さらに、このフォトダイオード毎にフローティングディフュージョン部ＦＤに電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて各画素部毎の撮像信号として読み出すための読出回路を有している。
【００５４】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１，２を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１，２に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１，２の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、絶縁膜上の金属配線を加工し、この金属配線に接続され、金属例えばアルミニウムを主成分とする外部接続用のパッドを形成した半導体装置およびその製造方法、この半導体装置およびその製造方法の具体例としての固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、複数の所定レジスト膜厚となるような紫外線の透過率を変化させたレチクルマスクを用いて、膜厚の段階的に異なるフォトレジスト膜を形成することにより、このフォトレジスト膜をマスクとして、メタル配線加工、電極パッド加工およびメタル段差低減加工の３工程を１回のフォトエッチング処理で同時に加工することができて大幅な工程削減を図ることができ、生産効率の良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の概略チップ構成を示す平面図である。
【図２】ポジ型フォトレジスト膜の特性曲線（感光曲線）を示す図である。縦軸がフォトレジスト膜の膜厚で、横軸が紫外線の透過率である。
【図３】図１の固体撮像素子１において、メタル段差低減加工、メタル配線加工および電極パッド加工に必要なレジスト膜厚を示す図である。
【図４】図１の固体撮像素子のメタル段差低減加工部、メタル配線加工部および電極パッド加工部のエッチング前後の縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態２として、本発明の実施形態１の固体撮像素子１を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  固体撮像素子
２  有効画素領域
３  ＯＢ領域
４  周辺回路領域
５  パッド部領域
ｈ１  メタル配線加工でのフォトレジスト膜の膜厚
ｈ２  電極パッド加工でのフォトレジスト膜の膜厚
ｈ３  メタル段差低減加工でのフォトレジスト膜の膜厚
１１  ゲート電極
１２  遮光膜
１２ａ  開口部
１３  層間絶縁膜
１４  金属層
１４Ａ  金属配線
１４ａ  バリア層
１４Ｂ  金属配線パッド部
１４Ｃ  膜厚低減した金属層
９０  電子情報機器
９１  固体撮像装置
９２  メモリ部
９３  表示手段
９４  通信手段
９５  画像出力手段
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図１】
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【図４】
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