(57)【要約】【課題】整流回路や負荷などにおいて発生し、系統に流出する高調波電流を抑制する回路を実現する。【解決手段】第１リアクトル、第２リアクトル、第３リアクトルのそれぞれの一端は、三相交流のそれぞれの相電圧に接続されるべく構成され、第１リアクトル、第２リアクトル、第３リアクトルのそれぞれの他端は、それぞれ、第１容量素子、第２容量素子、第３容量素子の一端に接続され、第１容量素子、第２容量素子、第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、第１リアクトル、第２リアクトル、第３リアクトルのそれぞれのタップは負荷に接続されるべく構成される。【選択図】図１
2010074980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の三相交流全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第５整流素子の一端及び第６整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項２】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の三相交流全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第５整流素子の一端及び第６整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項３】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、第２容量素子と、第３容量素子と、
第１整流素子、第２整流素子、第３整流素子、第４整流素子、第５整流素子、第６整流素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接続され、
前記第２リアクトルのタップは、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続され、
前記第３リアクトルのタップは、前記第５整流素子の一端及び前記第６整流素子の他端に接続され、
前記第１整流素子、前記第３整流素子及び前記第５整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前記第２整流素子、前記第４整流素子及び前記第６整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項４】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、第２容量素子と、第３容量素子と、
第１整流素子、第２整流素子、第３整流素子、第４整流素子、第５整流素子、第６整流素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接続され、
前記第２リアクトルのタップは、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続され、
前記第３リアクトルのタップは、前記第５整流素子の一端及び前記第６整流素子の他端に接続され、
前記第１整流素子、前記第３整流素子及び前記第５整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前記第２整流素子、前記第４整流素子及び前記第６整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項５】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の負荷の第１端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第２端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第３端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項６】
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の負荷の第１端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第２端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第３端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項７】
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、外部の単相全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２
整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記容量素子の他端は、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線及び前
記外部の単相全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項８】
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、
第１整流素子と、第２整流素子と、第３整流素子と、第４整流素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接
続され、
前記容量素子の他端は、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続さ
れ、かつ、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記第１整流素子及び前記第３整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前
記第２整流素子及び前記第４整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする高調波抑制回路。
【請求項９】
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、外部の負荷の一端に接続されるべく構成され、
前記容量素子の他端は、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線及び前
記外部の負荷の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする高調波抑制回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、系統に流出する高調波電流を抑制する回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
交流を整流して直流に変換する場合には高調波が発生し、また、負荷が高調波を発生する場合、これら高調波が系統に流出する。流出が許容される高調波電流の上限値は「ＪＩＳ Ｃ ６１０００−３−２」で規制されており、高調波を抑制することは、高度の技術を要する。
【０００３】
特許文献１には、高調波抑制に関する回路技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３５２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、「多相入力の交流直接変換器の入力フィルタとして用いられる高調波抑制装置において、電源と前記交流直接変換器との間の各相にそれぞれ直列に接続されたリアクトルと、これらのリアクトルと前記交流直接変換器との間において、各相間にそれぞれ接続された１個以上のコンデンサと、前記電源と前記リアクトルとの間において、各相間にそれぞれ接続された１個以上の直列回路と、を備え、前記直列回路は、抵抗とコンデンサとを直列に接続してなることを特徴とする高調波抑制装置。」（図１）等が開示されているが、特許文献１の従来技術の高調波抑制回路である図１１から発生する特定周波数における共振による図１２に見られるピークを抑制することが目的であり、積極的に高調波そのものをさらに抑制するものではない。
【０００６】
以上の現状に鑑み、本発明は、高調波そのものをさらに抑制する回路を実現する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を実現するべく本発明は以下の構成を有する。
（１）請求項１に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の三相交流全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第５整流素子の一端及び第６整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
（２）請求項２に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の三相交流全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の三相交流全波整流回路内の第５整流素子の一端及び第６整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
（３）請求項３に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、第２容量素子と、第３容量素子と、
第１整流素子、第２整流素子、第３整流素子、第４整流素子、第５整流素子、第６整流素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接続され、
前記第２リアクトルのタップは、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続され、
前記第３リアクトルのタップは、前記第５整流素子の一端及び前記第６整流素子の他端に接続され、
前記第１整流素子、前記第３整流素子及び前記第５整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前記第２整流素子、前記第４整流素子及び前記第６整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする。
（４）請求項４に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、第２容量素子と、第３容量素子と、
第１整流素子、第２整流素子、第３整流素子、第４整流素子、第５整流素子、第６整流素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接続され、
前記第２リアクトルのタップは、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続され、
前記第３リアクトルのタップは、前記第５整流素子の一端及び前記第６整流素子の他端に接続され、
前記第１整流素子、前記第３整流素子及び前記第５整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前記第２整流素子、前記第４整流素子及び前記第６整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする。
（５）請求項５に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの他端は、前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの一端に接続され、
前記第１容量素子、前記第２容量素子、前記第３容量素子のそれぞれの他端は接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の負荷の第１端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第２端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第３端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
（６）請求項６に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有する第１リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第２リアクトルと、
一端と他端との間にタップを有する第３リアクトルと、
第１容量素子と、
第２容量素子と、
第３容量素子と、を備え、
前記第１リアクトル、前記第２リアクトル、前記第３リアクトルのそれぞれの一端は、外部の三相交流のそれぞれの相電圧を出力する導線に接続されるべく構成され、
前記第１リアクトルの他端は、前記第１容量素子の一端及び前記第２容量素子の一端に接続され、
前記第２リアクトルの他端は、前記第１容量素子の他端及び前記第３容量素子の一端に接続され、
前記第３リアクトルの他端は、前記第２容量素子の他端及び前記第３容量素子の他端に接続され、
前記第１リアクトルのタップは、外部の負荷の第１端に接続されるべく構成され、
前記第２リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第２端に接続されるべく構成され、
前記第３リアクトルのタップは、前記外部の負荷の第３端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
（７）請求項７に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、外部の単相全波整流回路内の第１整流素子の一端及び第２
整流素子の他端に接続されるべく構成され、
前記容量素子の他端は、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線及び前
記外部の単相全波整流回路内の第３整流素子の一端及び第４整流素子の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
（８）請求項８に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、
第１整流素子と、第２整流素子と、第３整流素子と、第４整流素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、前記第１整流素子の一端及び前記第２整流素子の他端に接
続され、
前記容量素子の他端は、前記第３整流素子の一端及び前記第４整流素子の他端に接続さ
れ、かつ、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記第１整流素子及び前記第３整流素子の他端は接続されて整流出力の一端を為し、前
記第２整流素子及び前記第４整流素子の一端は接続されて前記整流出力の他端を為すことを特徴とする。
（９）請求項９に係る高調波抑制回路は、
一端と他端との間にタップを有するリアクトルと、容量素子と、を備え、
前記リアクトルの一端は、外部の単相交流の一方の極の電位が出力される導線に接続されるべく構成され、
前記リアクトルの他端は、前記容量素子の一端に接続され、
前記リアクトルのタップは、外部の負荷の一端に接続されるべく構成され、
前記容量素子の他端は、前記外部の単相交流の他方の極の電位が出力される導線及び前
記外部の負荷の他端に接続されるべく構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
（Ａ）本発明の請求項１、２及び７に係る高調波抑制回路は、該高調波抑制回路に接続される外部の整流回路及び該整流回路に接続される外部の負荷が発生する高調波電流を充分抑制して系統に接続されるため、系統に接続されている他の電気・電子機器に与える高調波電流の影響を最小限に抑えることが可能である。
（Ｂ）本発明の請求項３、４及び８に係る高調波抑制回路は、該高調波抑制回路に含まれる整流回路及び該整流回路に接続される外部の負荷が発生する高調波電流を充分抑制して系統に接続されるため、系統に接続されている他の電気・電子機器に与える高調波電流の影響を最小限に抑えることが可能である。
（Ｃ）本発明の請求項５、６及び９に係る高調波抑制回路は、該高調波抑制回路に接続される外部の負荷が発生する高調波電流を充分抑制して系統に接続されるため、系統に接続されている他の電気・電子機器に与える高調波電流の影響を最小限に抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
第１の実施の形態
（１−１）回路構成
図１は、本発明の高調波抑制回路の第１の実施の形態を示す回路構成図である。
図１において、端子Ｔ１１、端子Ｔ２１、端子Ｔ３１間に外部の三相交流電圧Ｖ３φが印加され、端子Ｔ４１、端子Ｔ５１間に整流後の脈流直流電圧Ｖｄｃを出力するものであり、この端子間に平滑コンデンサや外部の実負荷（直流で動作する電気・電子機器）などが接続される。破線で囲まれたＨＣＳ１は本発明の第１の実施の形態である高調波抑制回路である。また、破線で囲まれた第１〜第６整流素子であるダイオードＤ１１〜Ｄ６１で構成される整流回路Ｒｅｃｔ１は、高調波抑制回路ＨＣＳ１からみて外部の負荷である。この外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ１に、さらに外部の実負荷が接続され、整流回路Ｒｅｃｔ１及び外部の実負荷が高調波電流を発生する。
なお、本発明の第１の実施の形態である高調波抑制回路ＨＣＳ１には、外部の負荷Ｒｅｃｔ１を接続しないで、点Ｅ１、点Ｆ１、点Ｇ１を三相交流入力端とする別の外部の負荷を直接接続する（別の実施の形態に記載）ことが可能である。これら、２形態の外部の負荷が存在することについては、特許請求の範囲に記載されている。
【００１０】
外部の三相交流電圧Ｖ３φの第１相の入力端子である端子Ｔ１１に、第１リアクトルであるコイルＬ１１の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第２相の入力端子である端子Ｔ２１に、第２リアクトルであるコイルＬ２１の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第３相の入力端子である端子Ｔ３１に、第３リアクトルであるコイルＬ３１の一端が接続される。
【００１１】
コイルＬ１１の他端には第１容量素子であるコンデンサＣ１１の一端が、コイルＬ２１の他端には第２容量素子であるコンデンサＣ２１の一端が、コイルＬ３１の他端には第３容量素子であるコンデンサＣ３１の一端が接続される。
コンデンサＣ１１、コンデンサＣ２１、コンデンサＣ３１のそれぞれの他端は接続される。
【００１２】
各コイル、コイルＬ１１、コイルＬ２１、コイル３１には、それぞれ、タップＡ１、タップＢ１、タップＣ１が設けられ、
コイルＬ１１のタップＡ１は、外部の第１整流素子であるダイオードＤ１１のアノード及び外部の第２整流素子であるダイオードＤ２１のカソードに接続され、
コイルＬ２１のタップＢ１は、外部の第３整流素子であるダイオードＤ３１のアノード及び外部の第４整流素子であるダイオードＤ４１のカソードに接続され、
コイルＬ３１のタップＣ１は、外部の第５整流素子であるダイオードＤ５１のアノード及び外部の第６整流素子であるダイオードＤ６１のカソードに接続される。
ダイオードＤ１１、ダイオードＤ３１及びダイオードＤ５１のカソードは端子Ｔ４１に接続されて整流出力の一端を為し、ダイオードＤ２１、ダイオードＤ４１及びダイオードＤ６１のアノードは端子Ｔ５１に接続されて整流出力の他端を為す。
この場合、端子Ｔ４１に正極電位、端子Ｔ５１に負極電位が出力されるが、ダイオードＤ１１〜ダイオードＤ６１の全てのダイオードのアノードとカソードを逆に入れ替えてもよく、この場合、端子Ｔ４１に負極電位、端子Ｔ５１に正極電位が出力される。
【００１３】
上記の、各ダイオードのアノードとカソードを逆に入れ替えた場合、ダイオードＤ１１、ダイオードＤ３１及びダイオードＤ５１のアノードは、端子Ｔ４１に接続され、ダイオードＤ２１、ダイオードＤ４１及びダイオードＤ６１のカソードは、端子Ｔ５１に接続される。
【００１４】
（１−２）回路動作原理
図１における高調波抑制回路ＨＣＳ１の動作原理を図６、図７及び図８を参照して本発明の第１の実施の形態の回路動作原理を説明する。
【００１５】
解析対象モデルを単純化するため、単相交流の場合を例にとって高調波電流を抑制（減少）する理論を説明する。
図６は、リアクトルであるコイルＬ６の一端Ｘ１、他端Ｙ１間（端子Ｔ１６、端子Ｔ２６間）に単相交流電圧Ｖが印加され、コイルＬ６のタップＡ６と他端Ｙ１に接続された抵抗素子Ｒ６の両端にコイルＬ６の両端電圧の１／２の電圧、Ｖ／２が印加されている様子を表している。この例では、コイルＬ６のタップＡ６は、コイルＬ６の巻線の中間点に存在するものとし、この場合は、トランスにおいて、一次巻線（コイルＬ６の一端Ｘ１、他端Ｙ１間に相当する。）と二次巻線（コイルＬ６のタップＡ６、他端Ｙ１間に相当する。）の巻数比が２：１に相当する。
この事象において、端子Ｔ１６、端子Ｔ２６間を流れる電流は、抵抗素子Ｒ６を流れる電流ｉの１／２の電流、ｉ／２である。
【００１６】
図７は、リアクトルであるコイルＬ７の他端Ｙ２に容量素子であるコンデンサＣ７の一端が接続され、コイルＬ７のタップＡ７とコンデンサＣ７の他端間に負荷Ｌｏ７が接続され、コイルＬ７の一端Ｘ２（端子Ｔ１７）とコンデンサＣ７の他端（端子Ｔ２７）間に図示しないが図６と同様に交流電圧Ｖが印加される。
交流電圧Ｖの基本周波数では、コンデンサＣ７のインピーダンスは高くオープン状態であり、負荷Ｌｏ７へは、図６のトランス結合による給電ではなく、コイルＬ７の一端Ｘ２とタップＡ７間のコイルで構成されるリアクトル（チョークコイル）を介して交流電圧Ｖが給電される。
【００１７】
これにより負荷Ｌｏ７が動作し、負荷Ｌｏ７から高調波電流が発生したとする。この高調波の周波数においてコンデンサＣ７のインピーダンスが低くなると、負荷Ｌｏ７を高調波電流源として、負荷Ｌｏ７、コンデンサＣ７、コイルＬ７のタップＡ７と他端Ｙ２で構成されるリアクトル、の閉回路に高調波電流が流れる。
高調波電流については、コンデンサＣ７が導通状態となるため、図６と同様の作用により、巻数比２：１のトランスの二次巻線（コイルＬ７のタップＡ７、他端Ｙ２間に相当する。）に高調波電流が流れ、一次巻線（コイルＬ７の一端Ｘ２、他端Ｙ２間に相当する。）には、二次巻線の高調波電流ｊの１／２の電流、ｊ／２が流れる。したがって、一次巻線から系統に流出する高調波電流は、高調波発生源の電流の１／２となり、系統に流出する高調波電流が抑制される。図７においても図６と同様にコイルＬ７のタップは、コイルＬ７の一端Ｘ２と他端Ｙ２間の中間に存在するものする。
【００１８】
次に、交流電圧を整流して負荷に供給する場合を考える。この場合は、整流回路からも高調波が発生する。
図１においては、三相全波整流回路Ｒｅｃｔ１が高調波抑制回路ＨＣＳ１に接続されているが、モデルを単純化して、単相交流かつ半波整流回路を使用した図８の例において説明する。
図８は、破線で囲まれた負荷Ｌｏ８を構成する抵抗素子Ｒ８とコンデンサＣ２８の並列接続回路に対して直列にダイオードＤ８が挿入されている。この場合も図７と同様に、トランスの二次巻線側回路に相当する負荷Ｌｏ８、コンデンサＣ１８、コイルＬ８のタップＡ８とコイルＬ８の他端Ｙ３で構成されるリアクトル、ダイオードＤ８、の閉回路に高調波電流ｋが流れ、トランスの一次巻線に相当するコイルＬ８の一端Ｘ３、他端Ｙ３間に、高調波電流、ｋ／２の電流が流れる。図８の場合も、図６及び図７と同様に、コイルＬ８のタップは巻線の中間点（コイルＬ８の一端Ｘ３、他端Ｙ３間の巻数とコイルＬ８の一端Ｘ３、タップＡ８間の巻数の比が２対１）に存在するものとする。
図８の例では、ダイオードＤ８があるため、図７の例とは異なり電流方向は一方向であるが、高調波電流を１／２に抑制する理論は同様である。
【００１９】
図７及び図８の高調波抑制回路において、端子Ｔ１７、端子Ｔ２７間、及び、端子Ｔ１８、端子Ｔ２８間の高調波電圧２Ｖｈは、高調波発生源の電圧Ｖｈの２倍となるように発生するためこのように表示しているが、系統に接続した場合には系統電圧に抑えられて、２倍の電圧としては現れない。
【００２０】
以上、図６、図７、図８において単相交流の例で高調波抑制回路の基本動作原理を説明したが、これは、図１の三相交流の場合の動作原理においても基本的に適用できる。図１において、相間にリアクトルであるコイルと容量素子であるコンデンサが挿入されている。
【００２１】
三相交流の場合、第１相、第２相間、第３相間のそれぞれの電圧には位相差が１２０°あるが、図１における第１相−第２相間に単相交流を印加した場合を例にとり、図８のコイルＬ８、タップＡ８、コンデンサＣ１８、ダイオードＤ８及び負荷Ｌｏ８に相当する回路要素と対照し、外部の負荷から発生する高調波電流の抑制を考察する。
【００２２】
図１において、三相交流の第１相−第２相間の動作を考察する場合、第３相に接続されるコイルＬ３１及びコンデンサＣ３１を除外し、第２相−第３相間を考察する場合、第１相に接続されるコイルＬ１１及びコンデンサＣ１１を除外し、第３相−第１相間を考察する場合、第２相に接続されるコイルＬ２１及びコンデンサＣ２１を除外して考え、端子Ｔ１１、端子Ｔ２１及び端子Ｔ３１に三相交流が接続された場合は、電流重畳の理により、第１相−第２相間、第２相−第３相間及び第３相−第１相間の電流の和により高調波電流を考察できるため、ここでは、第１相−第２相間に単相交流を印加した場合を例にとり説明し、その他の相間の動作は、相互に対称であるため説明を省略する。なお、ここでは、動作原理として説明するので、三相交流を印加した場合の相間電圧の位相差を無視する。
【００２３】
（１−３）回路動作
図１を参照して本発明の第１の実施の形態の回路動作を説明する。
図１において、三相交流の第１相に接続されているコイルＬ１１、コンデンサＣ１１と、三相交流の第２相に接続されているコイルＬ２１、コンデンサＣ２１が直列接続されて、負荷から発生する高調波電流の経路は、端子Ｔ１１に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、コイルＬ１１のタップＡ１→外部の負荷の第１端である点Ｅ１（図１の場合、ダイオードＤ１１のアノードとダイオードＤ２１のカソードの接続部）→ダイオードＤ１１→端子Ｔ４１→外部の実負荷→端子Ｔ５１→ダイオードＤ４１→外部の負荷の第２端である点Ｆ１（図１の場合、ダイオードＤ３１のアノードとダイオードＤ４１のカソードの接続部）→コイルＬ２１のタップＢ１〜他端→コンデンサＣ２１の一端〜他端→コンデンサＣ１１の他端〜一端→コイルＬ１１の他端〜タップＡ１の閉回路である。
【００２４】
次に、端子Ｔ１１に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、コイルＬ２１のタップＢ１→外部の負荷の第２端である点Ｆ１（図１の場合、ダイオードＤ３１のアノードとダイオードＤ４１のカソードの接続部）→ダイオードＤ３１→端子Ｔ４１→外部の実負荷→端子Ｔ５１→ダイオードＤ２１→外部の負荷の第１端であるＥ１（図１の場合、ダイオードＤ１１のアノードとダイオードＤ２１のカソードの接続部）→コイルＬ１１のタップＡ１〜他端→コンデンサＣ１１の一端〜他端→コンデンサＣ２１の他端〜一端→コイルＬ２１の他端〜タップＢ１の閉回路である。
【００２５】
そして、各コイル、コイルＬ１１の一端、他端間に流れる高調波電流及びコイルＬ２１の一端、他端間に流れる高調波電流、すなわち、三相交流の第１相−第２相間（図８のトランスの例における一次巻線）の高調波電流は、上記で説明した経路（図８のトランスの例において二次巻線）で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図１においても、図８と同様に、タップＡ１、Ｂ１は、それぞれコイルＬ１１、コイルＬ２１の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明では、各タップ位置は、コイルＬ１１、コイルＬ２１、コイルＬ３１の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００２６】
なお、上記説明で、外部の負荷の第１端Ｅ１、外部の負荷の第２端Ｆ１とは、本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ１からみた場合であり、それぞれ、ダイオードＤ１１のアノードとダイオードＤ２１のカソードの接続部、ダイオードＤ３１のアノードとダイオードＤ４１のカソードの接続部がこれに相当する。外部の実負荷とは、図１における端子Ｔ４１、端子Ｔ５１間に接続され、整流後の直流電流で動作する電気・電子機器であり、高調波電流を発生するものが多い。
さらに、外部の負荷の第１端Ｅ１、第２端Ｆ１、第３端Ｇ１は、上記のダイオードＤ１１〜Ｄ６１で構成されるものではなく、三相交流電源入力機器の第１端Ｅ１、第２端Ｆ１、第３端Ｇ１であってもよい。
【００２７】
図１のコイルＬ１１とコイルＬ２１直列接続回路が、図７のコイルＬ７又は図８のコイルＬ８に相当し、図１のコンデンサＣ１１とコンデンサＣ２１の直列接続回路が、図７のコンデンサＣ７又は図８コンデンサＣ１８に相当する。
【００２８】
第２の実施の形態
（２−１）回路構成
図２は、本発明の高調波抑制回路の第２の実施の形態を示す回路構成図である。
図２において、端子Ｔ１２、端子Ｔ２２、端子Ｔ３２間に外部の三相交流電圧Ｖ３φが印加され、端子Ｔ４２、端子Ｔ５２間に整流後の脈流直流電圧Ｖｄｃを出力するものであり、この端子間に平滑コンデンサや外部の実負荷（直流で動作する電気・電子機器）などが接続される。破線で囲まれたＨＣＳ２は本発明の第２の実施の形態である高調波抑制回路である。また、破線で囲まれた第１〜第６整流素子であるダイオードＤ１２〜Ｄ６２で構成される整流回路Ｒｅｃｔ２は、高調波抑制回路ＨＣＳ２からみて外部の負荷である。この外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ２に、さらに外部の実負荷が接続され、整流回路Ｒｅｃｔ２及び外部の実負荷が高調波電流を発生する。
【００２９】
なお、本発明の第２の実施の形態である高調波抑制回路ＨＣＳ２には、外部の負荷Ｒｅｃｔ２を接続しないで、点Ｅ２、点Ｆ２、点Ｇ２を三相交流入力端とする別の外部の負荷を直接接続する（別の実施の形態に記載）ことが可能である。これら、２形態の外部の負荷が存在することについては、特許請求の範囲に記載されている。
【００３０】
外部の三相交流電圧Ｖ３φの第１相の入力端子である端子Ｔ１２に、第１リアクトルであるコイルＬ１２の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第２相の入力端子である端子Ｔ２２に、第２リアクトルであるコイルＬ２２の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第３相の入力端子である端子Ｔ３２に、第３リアクトルであるコイルＬ３２の一端が接続される。
【００３１】
コイルＬ１２の他端は、第１容量素子であるコンデンサＣ１２の一端及び第２容量素子であるコンデンサＣ２２の一端に接続され、
コイルＬ２２の他端は、コンデンサＣ１２の他端及び第３容量素子であるコンデンサＣ３２の一端に接続され、
コイルＬ３２の他端は、コンデンサＣ２２の他端及びコンデンサＣ３２の他端に接続される。
【００３２】
各コイル、コイルＬ１２、コイルＬ２２、コイル３２には、それぞれ、タップＡ２、タップＢ２、タップＣ２が設けられ、
コイルＬ１２のタップＡ２は、外部の第１整流素子であるダイオードＤ１２のアノード及び外部の第２整流素子であるダイオードＤ２２のカソードに接続され、
コイルＬ２２のタップＢ２は、外部の第３整流素子であるダイオードＤ３２のアノード及び外部の第４整流素子であるダイオードＤ４２のカソードに接続され、
コイルＬ３２のタップＣ２は、外部の第５整流素子であるダイオードＤ５２のアノード及び外部の第６整流素子であるダイオードＤ６２のカソードに接続される。
ダイオードＤ１２、ダイオードＤ３２及びダイオードＤ５２のカソードは端子Ｔ４２に接続されて整流出力の一端を為し、ダイオードＤ２２、ダイオードＤ４２及びダイオードＤ６２のアノードは端子Ｔ５１に接続されて整流出力の他端を為す。
この場合、端子Ｔ４１に正極電位、端子Ｔ５１に負極電位が出力されるが、ダイオードＤ１２〜ダイオードＤ６２の全てのダイオードのアノードとカソードを逆に入れ替えてもよく、この場合、端子Ｔ４１に負極電位、端子Ｔ５１に正極電位が出力される。
【００３３】
上記の、ダイオードのアノードとカソードを逆に入れ替えた場合、
ダイオードＤ１２、ダイオードＤ３２及びダイオードＤ５２のアノードは、端子Ｔ４２に接続され、ダイオードＤ２２、ダイオードＤ４２及びダイオードＤ６２のカソードは、端子Ｔ５２に接続される。
【００３４】
（２−２）回路動作
図２を参照して本発明の第２の実施の形態の回路動作を説明する。
第１の実施の形態である図１において、図６、図７及び図８を使用して動作原理を説明したので、第２の実施の形態である図２については、これを援用して、図２の説明をする。
【００３５】
図２における第１相−第２相間に単相交流を印加した場合を例にとり、図８のコイルＬ８、タップＡ８、コンデンサＣ１８、ダイオードＤ８及び負荷Ｌｏ８に相当する回路要素と対照し、外部の負荷から発生する高調波電流の抑制を考察する。
【００３６】
図２において、三相交流の第１相−第２相間の動作を考察する場合、第３相に接続されるコイルＬ３２及びコンデンサＣ３２を除外し、第２相−第３相間を考察する場合、第１相に接続されるコイルＬ１２及びコンデンサＣ１２を除外し、第３相−第１相間を考察する場合、第２相に接続されるコイルＬ２２及びコンデンサＣ２２を除外して考え、端子Ｔ１２、端子Ｔ２２及び端子Ｔ３２に三相交流が接続された場合は、電流重畳の理により高調波電流を考察できるため、ここでは、第１相−第２相間に単相交流を印加した場合を例にとり説明し、その他の相間の動作は、相互に対称であるため説明を省略する。なお、ここでは、動作原理として説明するので、三相交流を印加した場合の相間電圧の位相差を無視する。
【００３７】
図２において、三相交流の第１相に接続されているコイルＬ１２、コンデンサＣ１２にコンデンサＣ２２とコンデンサＣ３２の直列接続回路が並列接続された回路（これをコンデンサＣ１３２とする。）、と三相交流の第２相に接続されているコイルＬ２２が直列接続されて、外部の負荷から発生する高調波電流の経路は、端子Ｔ１２に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、コイルＬ１２のタップＡ２→外部の負荷の第１端である点Ｅ２（図２の場合、ダイオードＤ１２のアノードとダイオードＤ２２のカソードの接続部）→ダイオードＤ１２→端子Ｔ４２→外部の実負荷→端子Ｔ５２→ダイオードＤ４２→外部の負荷の第２端である点Ｆ２（ダイオードＤ３２のアノードとダイオードＤ４２のカソードの接続部）→コイルＬ２２のタップＢ２〜他端→コンデンサＣ１３２の一端（コンデンサＣ１２の他端とコンデンサＣ３２の一端の接続部）〜他端（コンデンサＣ１２の一端とコンデンサＣ２２の一端の接続部）→コイルＬ１２の他端〜タップＡ２の閉回路である。
【００３８】
次に、端子Ｔ１２に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、コイルＬ２２のタップＢ２→外部の負荷の第２端である点Ｆ２（図２の場合、ダイオードＤ３２のアノードとダイオードＤ４２のカソードの接続部）→ダイオードＤ３２→端子Ｔ４２→外部の実負荷→端子Ｔ５２→ダイオードＤ２２→外部の負荷の第１端である点Ｅ２（ダイオードＤ１２のアノードとダイオードＤ２２のカソードの接続部）→コイルＬ１２のタップＡ２〜他端→コンデンサＣ１３２の他端（コンデンサＣ１２の一端とコンデンサＣ２２の一端の接続部）〜一端（コンデンサＣ１２の他端とコンデンサＣ３２の一端の接続部）→コイルＬ２２の他端〜タップＢ２の閉回路である。
【００３９】
そして、各コイル、コイルＬ１２の一端、他端間に流れる高調波電流及びコイルＬ２２の一端、他端間に流れる高調波電流、すなわち、三相交流の第１相−第２相間（トランスの例において一次巻線）の電流は、上記で説明した経路（トランスの例において二次巻線）で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図２においても、図７、図８と同様に、タップＡ２、Ｂ２は、それぞれコイルＬ１２、コイルＬ２２の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明では、各タップ位置は、コイルＬ１２，コイルＬ２２，コイルＬ３２の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００４０】
なお、上記説明で、外部の負荷の第１端Ｅ２、外部の負荷の第２端Ｆ２とは、本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ２からみた場合であり、それぞれ、ダイオードＤ１２のアノードとダイオードＤ２２のカソードの接続部、ダイオードＤ３２のアノードとダイオードＤ４２のカソードの接続部がこれに相当する。外部の実負荷とは、図２における端子Ｔ４２、端子Ｔ５２間に接続され、整流後の直流電流で動作する電気・電子機器である。
さらに、外部の負荷の第１端Ｅ２、第２端Ｆ２、第３端Ｇ２は、上記のダイオードＤ１２〜Ｄ６２で構成されるものではなく、三相交流電源を入力することにより動作する電気・電子機器の電源入力端の第１端Ｅ２、第２端Ｆ２、第３端Ｇ２であってもよい。
【００４１】
図２のコイルＬ１２とコイルＬ２２の直列接続回路が、図７のコイルＬ７又は図８のコイルＬ８に相当し、図２のコンデンサＣ１２にコンデンサ２２とコンデンサ３２の直列接続回路が並列接続された回路（コンデンサＣ１３２）が、図７のコンデンサＣ７又は図８コンデンサＣ８に相当する。
図２の第２相−第３相間、第３相−第１相間の動作は、上記第１相−第２相間と同様に説明できるから説明を省略する。
【００４２】
第３の実施の形態
（３−１）回路構成
図３は、本発明の高調波抑制回路の第３の実施の形態を示す回路構成図である。
図３の高調波抑制回路ＨＣＳ３は、本発明の第１の実施の形態である図１における高調波抑制回路ＨＣＳ１と外部の整流回路Ｒｅｃｔ１を組み合わせたものであり、ＨＣＳ１＋Ｒｅｃｔ１＝ＨＣＳ３である。図１全体と図３において同一回路構成をとる。図１全体と図３において同一素子を使用し、同一符号を付し、図３の回路構成の説明は、図１における説明を援用し重複する説明を省略する。
図３においては、本発明の高調波抑制回路であるＨＣＳ３が、第１整流素子〜第６整流素子であるダイオードＤ１１〜ダイオードＤ６１で構成する図１における整流回路Ｒｅｃｔ１を含むものとする。これは、特許請求の範囲に記載されている。
【００４３】
（３−２）回路動作
図３を参照して本発明の第３の実施の形態の回路動作を説明する。
本発明の第１の実施の形態である図１において、本発明の第１の実施の形態である高調波抑制回路ＨＣＳ１及び外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ１について説明したとおりであり、図１における特許請求の範囲（高調波抑制回路ＨＣＳ１が外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ１を含まない。）と図３における特許請求の範囲（高調波抑制回路ＨＣＳ３が外部の負荷であった整流回路Ｒｅｃｔ１を含むものとする。）が相違するのみで、回路動作は同一であるので、図１の動作説明を援用し、重複する説明は省略する。
【００４４】
第４の実施の形態
（４−１）回路構成
図４は、本発明の高調波抑制回路の第４の実施の形態を示す回路構成図である。
図４の高調波抑制回路ＨＣＳ４は、本発明の第２の実施の形態である図２における高調波抑制回路ＨＣＳ２と外部の整流回路Ｒｅｃｔ２を組み合わせたものであり、ＨＣＳ２＋Ｒｅｃｔ２＝ＨＣＳ４である。図２全体と図４において同一回路構成をとる。図２全体と図４において同一素子を使用し、同一符号を付し、図４の回路構成の説明は、図２における説明を援用し重複する説明を省略する。
図４においては、本発明の高調波抑制回路であるＨＣＳ４が、第１整流素子〜第６整流素子であるダイオードＤ１２〜ダイオードＤ６２で構成する図２における整流回路Ｒｅｃｔ２を含むものとする。これは、特許請求の範囲に記載されている。
【００４５】
（４−２）回路動作
図４を参照して本発明の第４の実施の形態の回路動作を説明する。
本発明の第２の実施の形態である図２において、本発明の第２の実施の形態である高調波抑制回路ＨＣＳ２及び外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ２について説明したとおりであり、図２における特許請求の範囲（高調波抑制回路ＨＣＳ２が外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ２を含まない。）と図４における特許請求の範囲（高調波抑制回路ＨＣＳ４が外部の負荷であった整流回路Ｒｅｃｔ２を含むものとする。）が相違するのみで、回路動作は同一であるので、図２の動作説明を援用し、重複する説明は省略する。
【００４６】
第５の実施の形態
（５−１）回路構成
本発明の第５の実施の形態である図面は、専用としては用意していないが、図１における高調波抑制回路ＨＣＳ１に外部の整流回路Ｒｅｃｔ１を接続しないで（Ｒｅｃｔ１を除外し）、第１リアクトルであるコイルＬ１１、第２リアクトルであるコイルＬ２１、第３リアクトルであるコイルＬ３１のそれぞれのタップＡ１、Ｂ１、Ｃ１に直接、三相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器を接続する形態である。
図１の整流回路Ｒｅｃｔ１における第１整流素子〜第６整流素子であるダイオードＤ１１〜ダイオードＤ６１と端子Ｔ４１及び端子Ｔ５１を除去し、又は、端子Ｔ４１と端子Ｔ５１間を開放し、第１の実施の形態である図１の高調波抑制回路ＨＣＳ１のコイルＬ１１、コイルＬ２１、コイルＬ３１のそれぞれのタップＡ１（又は点Ｅ１）、Ｂ１（又は点Ｆ１）、Ｃ１（又は点Ｇ１）に、三相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器を接続してもよい。この接続形態が本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ１の第５の実施の形態を示す回路構成図である。
【００４７】
これら回路構成は、第１の実施の形態の図１の回路構成の一部であり、Ｒｅｃｔ１を使用しない形態である。外部の三相交流電圧Ｖ３φの第１相の入力端子である端子Ｔ１１に、第１リアクトルであるコイルＬ１１の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第２相の入力端子である端子Ｔ２１に、第２リアクトルであるコイルＬ２１の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第３相の入力端子である端子Ｔ３１に、第３リアクトルであるコイルＬ３１の一端が接続される。
【００４８】
コイルＬ１１の他端には第１容量素子であるコンデンサＣ１１の一端が、コイルＬ２１の他端には第２容量素子であるコンデンサＣ２１の一端が、コイルＬ３１の他端には第３容量素子であるコンデンサＣ３１の一端が接続される。
コンデンサＣ１１、コンデンサＣ２１、コンデンサＣ３１のそれぞれの他端は接続される。
【００４９】
各コイル、コイルＬ１１、コイルＬ２１、コイル３１には、それぞれ、タップＡ１、タップＢ１、タップＣ１が設けられ、これらタップに、三相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器が接続される。
【００５０】
（５−２）回路動作
図１の高調波抑制回路ＨＣＳ１を参照して本発明の第５の実施の形態の回路動作を説明する。動作原理については、第１の実施の形態で説明した図７の説明を援用し、本発明の第５の実施の形態の回路動作原理を説明を省略する。
【００５１】
図１において、三相交流の第１相に接続されているコイルＬ１１、コンデンサＣ１１と、三相交流の第２相に接続されているコイルＬ２１、コンデンサＣ２１が直列接続されて、コイルＬ１１のタップＡ１、コイルＬ２１のタップＢ１間に外部の実負荷を接続し、端子Ｔ１１、端子Ｔ２１間に単相交流を印加する。
ここで、外部の負荷から発生する高調波電流の経路は、
端子Ｔ１１に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、コイルＬ１１のタップＡ１→外部の実負荷→コイルＬ２１のタップＢ１〜コイルＬ２１の他端→コンデンサＣ２１の一端〜コンデンサＣ２１の他端→コンデンサＣ１１の他端〜コンデンサＣ１１の一端→コイルＬ１１の他端〜タップＡ１の閉回路であり、
端子Ｔ１１に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、コイルＬ２１のタップＢ１→外部の実負荷→コイルＬ１１のタップＡ１〜コイルＬ１１の他端→コンデンサＣ１１の一端〜コンデンサＣ１１の他端→コンデンサＣ２１の他端〜コンデンサＣ２１の一端→コイルＬ２１の他端〜タップＢ１の閉回路である。
【００５２】
そして、各コイル、コイルＬ１１の一端、他端間に流れる高調波電流及びコイルＬ２１の一端、他端間に流れる高調波電流、すなわち、三相交流の第１相−第２相間の電流は、上記で説明した経路で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図１においても、図７と同様に、タップＡ１、Ｂ１は、それぞれコイルＬ１１、コイルＬ２１の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明では、各タップ位置は、コイルＬ１１、コイルＬ２１、コイルＬ３１の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００５３】
図１のコイルＬ１１とコイルＬ２１直列接続回路が、図７のコイルＬ７に相当し、図１のコンデンサＣ１１とコンデンサＣ２１の直列接続回路が、図７のコンデンサＣ７に相当する。
【００５４】
図１の第２相−第３相間、第３相−第１相間の動作は、上記第１相−第２相間と同様に説明できるから説明を省略する。
【００５５】
第６の実施の形態
（６−１）回路構成
本発明の第６の実施の形態である図面は、専用には用意していないが、図２における高調波抑制回路ＨＣＳ２に外部の整流回路Ｒｅｃｔ２を接続しないで（Ｒｅｃｔ２を除外し）、第１リアクトルであるコイルＬ１２、第２リアクトルであるコイルＬ２２、第３リアクトルであるコイルＬ３２のそれぞれのタップＡ２、Ｂ２、Ｃ２に直接、三相交流で動作する外部の負荷である電気・電子機器を接続する形態である。
図２の整流回路Ｒｅｃｔ２における第１整流素子〜第６整流素子であるダイオードＤ１２〜ダイオードＤ６２と端子Ｔ４２及び端子Ｔ５２を除去し、又は、端子Ｔ４２と端子Ｔ５２間を開放し、第２の実施の形態である図２の高調波抑制回路ＨＣＳ２のコイルＬ１２、コイルＬ２２、コイルＬ３２のそれぞれのタップＡ２（又は点Ｅ２）、Ｂ２（又は点Ｆ２）、Ｃ２（又は点Ｇ２）に、三相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器を接続する。この接続形態が本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ２の第６の実施の形態を示す回路構成図である。
【００５６】
これら回路構成は、第２の実施の形態の図２の回路構成の一部であり、Ｒｅｃｔ２を使用しない形態である。外部の三相交流電圧Ｖ３φの第１相の入力端子である端子Ｔ１２に、第１リアクトルであるコイルＬ１２の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第２相の入力端子である端子Ｔ２２に、第２リアクトルであるコイルＬ２２の一端が接続され、外部の三相交流電圧Ｖ３φの第３相の入力端子である端子Ｔ３２に、第３リアクトルであるコイルＬ３２の一端が接続される。
コイルＬ１２の他端には、第１容量素子であるコンデンサＣ１２の一端、第２容量素子であるコンデンサＣ２２の一端が接続され、コイルＬ２２の他端には、第１容量素子であるコンデンサＣ１２の他端、第３容量素子であるコンデンサＣ３２の一端が接続され、コイルＬ３２の他端には、コンデンサＣ２２、コンデンサＣ３２の他端が接続される。
【００５７】
（６−２）回路動作
図２の高調波抑制回路ＨＣＳ２を参照して本発明の第６の実施の形態の回路動作を説明する。動作原理については、第１の実施の形態で説明した図７の説明を援用し、本発明の第６の実施の形態の回路動作原理を説明を省略する。
【００５８】
図２において、三相交流の第１相に接続されているコイルＬ１２、コンデンサＣ１２にコンデンサＣ２２とコンデンサＣ３２の直列接続回路が並列接続された回路（これをコンデンサＣ１３２とする。）と、三相交流の第２相に接続されているコイルＬ２２が直列接続され、端子Ｔ１１、端子Ｔ２１間に単相交流を印加する。
ここで、外部の負荷から発生する高調波電流の経路は、
端子Ｔ１１に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、負荷から発生する高調波電流の経路は、コイルＬ１２のタップＡ２（又は点Ｅ２）→外部の実負荷→コイルＬ２２のタップＢ２（又は点Ｆ２）〜コイルＬ２２の他端→コンデンサＣ１３２の一端（コンデンサＣ１２の他端とコンデンサＣ３２の一端の接続部）〜コンデンサＣ１３２の他端（コンデンサＣ１２の一端とコンデンサＣ２２の一端の接続部）→コイルＬ１２の他端〜タップＡ２の閉回路であり、
端子Ｔ１１に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、コイルＬ２２のタップＢ２（又は点Ｆ２）→外部の実負荷→コイルＬ１２のタップＡ２（又は点Ｅ２）〜コイルＬ１２の他端→コンデンサＣ１３２の他端（コンデンサＣ１２の一端とコンデンサＣ２２の一端の接続部）〜コンデンサＣ１３２の一端（コンデンサＣ１２の他端とコンデンサＣ３２の一端の接続部）→コイルＬ２２の他端〜タップＢ２の閉回路である。
【００５９】
そして、各コイル、コイルＬ１２の一端、他端間に流れる高調波電流及びコイルＬ２２の一端、他端間に流れる高調波電流は、上記の経路で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図２においても、図７と同様に、タップＡ２、Ｂ２は、それぞれコイルＬ１２、コイルＬ２２の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明では、各タップ位置は、巻線の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００６０】
図２のコイルＬ１２とコイルＬ２２の直列接続回路が、図７のコイルＬ７に相当し、図２のコンデンサＣ１２にコンデンサ２２とコンデンサ３２の直列接続回路が並列接続された回路（コンデンサＣ１３２）が、図７のコンデンサＣ７に相当する。
【００６１】
図２の第２相−第３相間、第３相−第１相間の動作は、上記第１相−第２相間と同様に説明できるから説明を省略する。
【００６２】
第７の実施の形態
（７−１）回路構成
図５の（Ａ）は、本発明の高調波抑制回路の第７の実施の形態を示す回路構成図である。
図５の（Ａ）において、端子Ｔ１５、端子Ｔ２５間に外部の単相交流電圧Ｖａｃが印加され、端子Ｔ３５、端子Ｔ４５間に整流後の脈流直流電圧Ｖｄｃ５を出力し、この端子間に外部の実負荷である電気・電子機器を接続するものである。破線で囲まれたＨＣＳ５Ａが本発明の高調波抑制回路であり、整流回路Ｒｅｃｔ５は、他の実施の形態と同様に外部の負荷である。この整流回路Ｒｅｃｔ５は全波整流回路の例であるが、半波整流回路でもよい。
【００６３】
リアクトルであるコイルＬ５にはタップＡ５が設けられ、タップＡ５には、第１整流素子であるダイオード１５のアノードと第２整流素子であるダイオード２５のカソードが接続され、リアクトルであるコイルＬ５の一端Ｘは、端子Ｔ１５に接続され、コイルＬ５の他端Ｙには、容量素子であるコンデンサＣ５の一端が接続され、コンデンサＣ５の他端には、端子Ｔ２５と、第３整流素子であるダイオード３５のアノードと第４整流素子であるダイオード４５のカソードが接続される。ダイオードＤ１５及びＤ３５のカソードは端子Ｔ３５に接続され、ダイオードＤ２５及びＤ４５のアノードは端子Ｔ４５に接続される。この場合、端子Ｔ３５には正極電位、端子Ｔ４５には負極電位が出力されるが、
第７の実施の形態においても他の実施の形態と同様に、ダイオード１５〜ダイオード４５のアノードとカソードを入れ替えてもよく、この場合、端子Ｔ３５には負極電位、端子Ｔ４５には、正極電位が出力される。
【００６４】
（７−２）回路動作
図５の（Ａ）を参照して本発明の第７の実施の形態の回路動作を説明する。
図５の（Ａ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａの動作原理は、外部の負荷である整流回路Ｒｅｃｔ５が全波整流回路であるが、第１の実施の形態の説明で援用した図８の動作原理を援用できる。
【００６５】
図５の（Ａ）において、コイルＬ５の一端（端子Ｔ１５）、コンデンサＣ５の他端（端子Ｔ２５）間に単相交流電圧が印加され、負荷から発生する高調波電流の経路は、端子Ｔ１５に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、コイルＬ５のタップＡ５→外部の負荷の第１端である点Ｅ５（図５の（Ａ）の場合、ダイオードＤ１５のアノードとダイオードＤ２５のカソードの接続部）→ダイオードＤ１５→端子Ｔ３５→外部の実負荷→端子Ｔ４５→ダイオードＤ４５→外部の負荷の第２端である点Ｆ５（図５の（Ａ）の場合、ダイオードＤ３５のアノードとダイオードＤ４５のカソードの接続部）→コンデンサＣ５に他端〜コンデンサＣ５一端→コイルＬ５の他端〜タップＡ５の閉回路である。
【００６６】
次に、端子Ｔ１５に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、外部の負荷の第２端である点Ｆ５（図５の（Ａ）の場合、ダイオードＤ３５のアノード、ダイオードＤ４５のカソード及びコンデンサＣ５の他端の接続部）→ダイオードＤ３５→端子Ｔ３５→外部の実負荷→端子Ｔ４５→ダイオードＤ２５→外部の負荷の第１端である点Ｅ５（図５の（Ａ）の場合、ダイオードＤ１５のアノードとダイオードＤ２５のカソードの接続部）→コイルＬ５のタップＡ５〜他端Ｙ→コンデンサＣ５の一端〜コンデンサＣ５の他端→外部の負荷の第２端である点Ｆ５の閉回路である。
【００６７】
そして、コイルＬ５の一端、他端間に流れる高調波電流、すなわち、トランスの例における一次巻線の電流は、上記で説明した経路（トランスの例において二次巻線）で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図５の（Ａ）においても、図７、図８と同様に、タップＡ５は、コイルＬ５の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明でタップ位置は、コイルＬ５の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００６８】
なお、上記説明で、外部の負荷の第１端Ｅ５、外部の負荷の第２端Ｆ５とは、本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａからみた場合であり、それぞれ、ダイオードＤ１５のアノードとダイオードＤ２５のカソードの接続部、ダイオードＤ３５のアノードとダイオードＤ４５のカソードの接続部がこれに相当する。外部の実負荷とは、図５の（Ａ）における端子Ｔ３５、端子Ｔ４５間に接続され、整流後の直流電流で動作する電気・電子機器である。
さらに、外部の負荷の第１端Ｅ５、第２端Ｆ５は、上記のダイオードＤ１５〜Ｄ４５で構成されるものではなく、交流電源入力機器の第１端Ｅ５、第２端Ｆ５であってもよい。
【００６９】
図５の（Ａ）のコイルＬ５が、図７のコイルＬ７又は図８のコイルＬ８に相当し、図５の（Ａ）のコンデンサＣ５が、図７のコンデンサＣ７又は図８コンデンサＣ１８に相当する。
【００７０】
第８の実施の形態
（８−１）回路構成
図５の（Ｂ）は、本発明の高調波抑制回路の第８の実施の形態を示す回路構成図である。
図５の（Ｂ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ｂは、本発明の第７の実施の形態である図５の（Ａ）における高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａと外部の整流回路Ｒｅｃｔ５を組み合わせたものであり、ＨＣＳ５Ａ＋Ｒｅｃｔ５＝ＨＣＳ５Ｂである。図５の（Ａ）全体と図５の（Ｂ）において同一回路構成をとる。図５の（Ａ）全体と図５の（Ｂ）において同一素子を使用し、同一符号を付し、図５の（Ｂ）の回路構成の説明は、図５の（Ａ）における説明を援用し重複する説明を省略する。
図５の（Ｂ）においては、本発明の高調波抑制回路であるＨＣＳ５Ｂが、第１整流素子〜第４整流素子であるダイオードＤ１５〜ダイオードＤ４５で構成する図５の（Ａ）における整流回路Ｒｅｃｔ５を含むものとする。これは、特許請求の範囲に記載されている。
【００７１】
図５の（Ｂ）において、端子Ｔ１５、端子Ｔ２５間に外部の単相交流電圧Ｖａｃが印加され、端子Ｔ３５、端子Ｔ４５間に整流後の脈流直流電圧Ｖｄｃ５を出力し、この端子間に外部の実負荷である電気・電子機器を接続するものである。破線で囲まれたＨＣＳ５Ｂが本発明の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ｂであり、これに含まれる整流回路は全波整流回路の例であるが、半波整流回路でもよい。
【００７２】
回路構成の詳細についても、  第７の実施の形態である図５の（Ａ）で説明したとおりであり、重複する説明は省略する。
【００７３】
（８−２）回路動作
図５の（Ｂ）を参照して本発明の第８の実施の形態の回路動作を説明する。
図５の（Ｂ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ｂの動作原理は、図５の（Ａ）において外部の負荷であった整流回路Ｒｅｃｔ５が高調波抑制回路ＨＣＳ５Ｂに内蔵されたこと以外に相違する点はなく、動作原理の説明は、第７の実施の形態である図５の（Ａ）の動作説明をそのまま適用可能である。したがって、重複する説明を省略する。
【００７４】
第９の実施の形態
（９−１）回路構成
本発明の第９の実施の形態である図面は、専用には用意していないが、図５の（Ａ）における高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａに外部の整流回路Ｒｅｃｔ５を接続しないで（Ｒｅｃｔ５を除外し）、リアクトルであるコイルＬ５のタップＡ５に直接、単相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器を接続する形態である。
図５の（Ａ）の整流回路Ｒｅｃｔ５における第１整流素子〜第４整流素子であるダイオードＤ１５〜ダイオードＤ４５と端子Ｔ３５及び端子Ｔ４５を除去し、又は、端子Ｔ３５と端子Ｔ４５間を開放し、第７の実施の形態である図５の（Ａ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５ＡのコイルＬ５のタップＡ５（又は点Ｅ５）と、端子Ｔ２５とコンデンサＣ５の他端の接続部（又は点Ｆ５）との間に、単相交流で動作する外部の実負荷である電気・電子機器を接続する。この接続形態が本発明の第９の実施の形態である高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａを用いる回路構成図である。
【００７５】
（９−２）回路動作
図５の（Ａ）を参照して本発明の第７の実施の形態の回路動作を説明する。
図５の（Ａ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａの動作原理は、外部の実負荷を点Ｅ５、点Ｆ５間に接続し第５の実施の形態の説明で援用した図７の動作原理を援用できる。
【００７６】
図５の（Ａ）において、コイルＬ５の一端（端子Ｔ１５）、コンデンサＣ５の他端（端子Ｔ２５）間に単相交流電圧が印加され、負荷から発生する高調波電流の経路は、
端子Ｔ１５に正極電位が印加されたとき（単相交流の正の半サイクル）、コイルＬ５のタップＡ５（点Ｅ５）→外部の実負荷→コンデンサＣ５の他端（点Ｆ５）〜コンデンサＣ５の一端→コイルＬ５の他端〜タップＡ５の閉回路であり、
端子Ｔ１５に負極電位が印加されたとき（単相交流の負の半サイクル）、コンデンサＣ５の他端（点Ｆ５）→外部の実負荷→コイルＬ５のタップＡ５（点Ｅ５）〜他端Ｙ→コンデンサＣ５の一端〜コンデンサＣ５の他端の閉回路である。
【００７７】
そして、コイルＬ５の一端、他端間に流れる高調波電流、すなわち、トランスの例における一次巻線の電流は、上記で説明した経路（トランスの例において二次巻線）で流れる高調波電流の１／２となる。ただし、図５の（Ａ）の高調波抑制回路ＨＣＳ５Ａにおいても、図７、図８と同様に、タップＡ５は、コイルＬ５の巻線の中間に位置（一端とタップ、タップと他端の巻数が同一）するとした場合であり、これは、動作原理を示したのみで、本発明でタップ位置は、コイルＬ５の中間位置に限定されない任意の位置とすることができる。
【００７８】
本発明の第１〜第４、第７及び第８の実施の形態において、整流素子をダイオードとして説明したが、サイリスタ、ＦＥＴのように制御端を備えた３端子の半導体素子でもよい。この場合、該制御端に電位を印加することにより、該半導体素子の導通／非導通を制御し、整流作用を行なわせる。
【００７９】
＜高調波電流測定結果＞
図１２の（Ａ）及び（Ｃ）のグラフは、図９の回路の回路シミュレータによる高調波電流のシミュレート結果であり、端子Ｔ１９、端子Ｔ２９及び端子Ｔ３９に三相交流電圧を印加し、端子Ｔ４９、端子Ｔ５９間に純抵抗を接続している。すなわち、整流回路が発生する高調波電流をシミュレーションしたものである。
図１２の（Ａ）は、電流波形、（Ｃ）は高調波電流のスペクトラム分布を表す。図１２の（Ｃ）において、最左端は、基本波であり、右側に大きく第１１次、第１３次高調波が発生している。
【００８０】
図１２の（Ｂ）及び（Ｄ）のグラフは、第１の実施の形態である図１（第３の実施の形態である図３の回路も同様）の回路の回路シミュレータによる高調波電流のシミュレート結果であり、端子Ｔ１１、端子Ｔ２１及び端子Ｔ３１に三相交流電圧を印加し、端子Ｔ４１、端子Ｔ５１間に純抵抗を接続している。すなわち、整流回路が発生する高調波電流をシミュレーションしたものである。
図１２の（Ｂ）は、電流波形、（Ｄ）は高調波電流のスペクトラム分布を表す。図１２の（Ｄ）において、最左端は、基本波であり、右側の第１１次、第１３次高調波は抑制されている。
本発明の第２、第４の実施の形態における図２及び図４のコンデンサをデルタ接続したものも同様なスペクトラムとなる。
高調波電流のヒストグラムにおいて、横軸は高調波次数、縦軸は高調波電流の大きさを表す。
【００８１】
図１３は、本発明の第７、第８の実施の形態である図５の（Ａ）、（Ｂ）のシミュレート結果であり、図１４は、従来技術の高調波抑制回路のシミュレート結果である。
本発明の図１３は図１４と比較して高調波抑制が改善されていることが分かる。
【００８２】
＜その他の従来技術＞
図１０、図１１は、一般的な高調波抑制回路であり、図１０は、特許文献１の従来技術として記載され、図１１は、端子Ｔ４Ｂ、端子Ｔ５Ｂ間に接続された負荷から発生する高調波電流をコイルＬＢ及びコンデンサＣＢからなるローパスフィルタで、端子Ｔ１Ｂ、端子Ｔ２Ｂ、端子Ｔ３Ｂ間に流れ出る高調波電流を抑制するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】は、本発明による高調波抑制回路の第１の実施の形態を示す回路図である。
【図２】は、本発明による高調波抑制回路の第２の実施の形態を示す回路図である。
【図３】は、本発明による高調波抑制回路の第３の実施の形態を示す回路図である。
【図４】は、本発明による高調波抑制回路の第４の実施の形態を示す回路図である。
【図５】の（Ａ）は、本発明による高調波抑制回路の第７の実施の形態を示す回路図であり、（Ｂ）は、本発明による高調波抑制回路の第８の実施の形態を示す回路図である。
【図６】は、本発明による高調波抑制回路の動作原理を示す回路図である。
【図７】は、本発明による高調波抑制回路の動作原理を示す回路図である。
【図８】は、本発明による高調波抑制回路の動作原理を示す回路図である。
【図９】は、高調波抑制回路を使用しない整流回路である。
【図１０】は、従来技術の高調波抑制回路である。
【図１１】は、従来技術の高調波抑制回路である。
【図１２】は、図９による回路と本発明の高調波抑制回路による高調波電流シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１３】は、本発明の高調波抑制回路による高調波電流シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１４】は、従来技術の高調波抑制回路による高調波電流シミュレーションの結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８４】
ＨＣＳ１〜ＨＣＳ５        高調波抑制回路
ＨＣＳ５Ａ、ＨＣＳ５Ｂ    高調波抑制回路
Ｌｘ、Ｌｘｘ              リアクトル（コイル）
Ａｘ、Ｂｘ、Ｃｘ          リアクトルのタップ  
Ｃｘ、Ｃｘｘ              容量素子（コンデンサ）
Ｄｘ、Ｄｘｘ              整流素子（ダイオード）
Ｔｘｘ                    端子
Ｌｏ７、Ｌｏ８            負荷
Ｒ６、Ｒ８                抵抗素子
Ｖｄｃ、Ｖｄｃ５          脈流直流電圧
Ｖ３φ                    三相交流電圧
Ｖａｃ、Ｖ                単相交流電圧
Ｖｈ                      高調波電圧
ｉ                        交流電流
ｊ、ｋ                    高調波電流
【図１】
2010074980.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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