(57)【要約】【目的】故障箇所も特定可能な描画エラーの検証方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画エラーの検出方法は、複数のショットパターンが間に入らない間隔で、かかるショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする描画工程（Ｓ１０２）と、複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする描画工程（Ｓ１１４）と、両描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程（Ｓ２０２）と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図５
2010074039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のショットパターンが間に入らない間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする第１の描画工程と、
前記複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第２の描画工程と、
第１と第２の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする描画エラーの検出方法。
【請求項２】
前記第１の描画工程とは、多重度を変えて、前記複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第３の描画工程と、
第１と第３の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の描画エラーの検出方法。
【請求項３】
前記第１の描画工程とは、セトリング時間を変えて、前記複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第４の描画工程と、
第１と第４の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の描画エラーの検出方法。
【請求項４】
前記第１の描画工程とは、多重度とセトリング時間を変えて、前記複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第５の描画工程と、
第１と第５の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３記載の描画エラーの検出方法。
【請求項５】
複数のショットパターンが間に入らない間隔で、試料に前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする第１の描画工程と、
前記複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記試料に前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第２の描画工程と、
を備えたことを特徴とする描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画エラーの検出方法及び描画方法に関する。例えば、電子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画する描画装置でビーム偏向に用いられるデジタル・アナログ変換アンプユニット（ＤＡＣアンプユニット）の異常を検出する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１６は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料３４０に照射される。また、ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動する。すなわち、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
かかる電子ビーム描画装置では、日単位或いは週単位といった間隔で品質チェック描画を行ない、描画精度の維持を図っている。かかる品質チェック描画で描画された基板は、現像処理及びエッチング処理を行うことでパターン形成が完成した後に、座標測定器およびＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）測定器といった２つの異なる装置に順に配置され、描画されたパターンの位置及び寸法が測定される。そして、かかる測定結果を基にして、描画装置の描画精度の評価が行なわれている。しかしながら、かかる手法での評価では、その都度、２つの装置を使って、座標測定及び寸法測定を行なう必要があるため、即座に結果を得ることができず、１回の評価に時間がかかってしまうといった問題があった。また、かかる評価では、仮に描画異常があった場合でも描画装置の故障箇所の特定が困難であった。そのため、描画異常の原因となる描画装置の故障箇所を特定するために、何度も、上述した描画、現像処理、エッチング、座標測定、及び寸法測定を行なう必要があった。
【０００５】
ここで、電子ビームの偏向に用いるＤＡＣアンプユニットの異常を検出する方法に関連して以下の技術が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。かかる技術では、１つのＤＡＣアンプユニットが静電偏向させるためのデジタル信号を入力して第１のアナログ値に変換し、第１のアナログ値を増幅して第１の電圧値として出力する。そして、別のＤＡＣアンプユニットが、上述したデジタル信号と同期してデジタル信号の正負を反転させた逆相信号を入力して第２のアナログ値に変換し、第２のアナログ値を増幅して第２の電圧値として出力する。そして、比較回路で、第１の電圧値と第２の電圧値とを比較することで２つのＤＡＣアンプユニットの少なくとも一方が異常であると判定している。しかし、かかる方法では、描画エラーが発生する一態様であるＤＡＣアンプユニットの異常を検出するために、現状の描画装置を改良する必要が生じてしまう。
【特許文献１】特開２００７−２７１９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、従来、日単位或いは週単位といった間隔で品質チェック描画を行なう場合、その都度、２つの異なる測定器で座標測定及び寸法測定を行なう必要があるため、即座に結果を得ることができず、１回の評価に時間がかかってしまうといった問題があった。また、かかる評価では、仮に描画異常があった場合でも描画装置の故障箇所の特定が困難であるといった問題があった。そのため、描画異常の原因となる描画装置の故障箇所を特定するために、何度も、上述した検証作業を行なう必要があった。また、仮に異常が生じた場合でも条件によっては描画を行なうことができる場合もあり得る。その条件を見出すことができれば描画を続行することができる。しかし、従来の評価手法では、かかる条件を見出すことが困難であった。
【０００７】
そこで、本発明は、かかる問題を克服すべく、故障箇所も特定可能な描画エラーの検証方法、および描画エラーの検証が可能となる描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の描画エラーの検出方法は、
複数のショットパターンが間に入らない間隔で、かかるショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする第１の描画工程と、
複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第２の描画工程と、
第１と第２の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
異なる描画条件で描画されたショットパターン同士の位置をパターン検査装置等で比較する。その結果、位置ずれが生じていれば、描画エラーであることがわかる。さらに、そのショットに寄与したＤＡＣアンプユニットが故障していることがわかる。
【００１０】
また、第１の描画工程とは、多重度を変えて、複数のショットパターンが間に入る間隔で、前記ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第３の描画工程と、
第１と第３の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えると好適である。
【００１１】
また、第１の描画工程とは、セトリング時間を変えて、複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第４の描画工程と、
第１と第４の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えると好適である。
【００１２】
また、第１の描画工程とは、多重度とセトリング時間を変えて、複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第５の描画工程と、
第１と第５の描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程と、
をさらに備えると好適である。
【００１３】
また、本発明の一態様の描画方法は、
複数のショットパターンが間に入らない間隔で、試料にショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする第１の描画工程と、
複数のショットパターンが間に入る間隔で、かかる試料にショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする第２の描画工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、描画エラーを検証できるだけでなく、描画装置の故障箇所も特定することができる。その結果、何度も検証作業を行なう必要を無くすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、荷電粒子ビーム描画装置、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、電子ビーム２００を用いて試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、及び描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、副偏向器２１２、主偏向器２１４が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置されている。ＸＹステージ１０５上には描画対象となる試料１０１が配置される。制御部１６０は、制御計算機２２０、偏向制御回路２２４、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット２２６，２２８を有している。偏向制御回路２２４は、図示しないバスにより制御計算機２２０に接続される。ＤＡＣアンプユニット２２６，２２８は、図示しないバスにより偏向制御回路２２４に接続される。ＤＡＣアンプユニット２２６は副偏向器２１２に、ＤＡＣアンプユニット２２８は主偏向器２１４に、それぞれ接続される。ＤＡＣアンプユニット２２６は偏向制御回路２２４からのデジタル信号をアナログ信号に変換した上で増幅して、偏向電圧として副偏向器２１２に印加する。ＤＡＣアンプユニット２２８は偏向制御回路２２４からのデジタル信号をアナログ信号に変換した上で増幅して、偏向電圧として主偏向器２１４に印加する。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００１７】
電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向制御回路２２４に制御された２つの偏向器（主偏向器２１４及び副偏向器２１２）によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に追従しながら照射位置が決められる。そして、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ここでは、例えば、８極静電偏向器を用いる。８極の静電偏向器を用いることで電子ビーム２００を高速かつ高精度に制御することができる。
【００１８】
図２は、実施の形態１における主偏向領域と副偏向領域とを示す概念図である。図２に示すように、描画装置１００にて所望のパターンを描画する場合には、試料１０１となる例えばマスクの描画領域は、主偏向器２１４により偏向可能な幅で例えばＹ方向にストライプ状の複数の描画領域（ストライプ）１０に分割される。そして、各ストライプ１０においてＸ方向にもストライプのＹ方向の幅と同じ幅で区切られる。この区切られた領域が、主偏向器２１４により偏向可能な主偏向領域２０となる。また、主偏向領域２０をさらに細分化した領域が副偏向領域３０（またはサブフィールドと呼ぶ）となる。
【００１９】
副偏向器２１２は、ショット毎の電子ビーム２００の位置を高速かつ高精度に制御するために用いられる。そのため、偏向範囲は図２に示すように狭く、マスクブランク上で、副偏向領域３０に限定され、その領域を超える偏向は主偏向器２１４で副偏向領域３０の位置を移動することによって行なう。一方、主偏向器２１４は、副偏向領域３０の位置を制御するために用いられ、複数の副偏向領域３０が含まれる範囲（主偏向領域２０）内で移動する。また、描画中はＸＹステージ１０５がＸ方向に連続的に移動しているため、主偏向器２１４で副偏向領域３０の描画原点を随時移動（トラッキング）することでＸＹステージ１０５の移動に追従させることができる。
【００２０】
図３は、実施の形態１における副偏向器の各極に偏向方向を説明するための図である。副偏向器２１２として、ここでは、例えば８極の静電偏向器を用いる。図３に示すように、例えば、ＸＹ方向の所定の方向に偏向させるにあたって、−９０°方向の電極（５）と対極の９０°方向の電極（１）とによって±ｙ方向（９０°，−９０°方向）に電子ビーム２００を偏向する。また、０°方向の電極（３）と対極の１８０°方向の電極（７）とによって±ｘ方向（０°，１８０°方向）に電子ビーム２００を偏向する。また、４５°方向の電極（２）と対極の２２５°方向の電極（６）とによって±（ｘ＋ｙ）方向（４５°，２２５°方向）に電子ビーム２００を偏向する。また、−４５°方向の電極（４）と対極の１３５°方向の電極（８）とによって±（ｘ−ｙ）方向（−４５°，１３５°方向）に電子ビーム２００を偏向する。これら８つの電極それぞれにＤＡＣアンプユニット２２６が配置される。よって、図３のように８極の電極をもつ偏向器の場合、８つのＤＡＣアンプユニット２２６が必要となる。電子ビーム２００を偏向するにあたり、通常、対極関係にある電極には、符号を反転させた電圧が該当するＤＡＣアンプユニット２２６から印加される。
【００２１】
描画エラーの原因の１つとして、副偏向器２１２用のＤＡＣアンプユニット２２６の異常或いは故障が挙げられる。そこで、実施の形態１では、描画エラーを検証すると共に、特に、その原因となる異常或いは故障した副偏向器２１２用のＤＡＣアンプユニット２２６を特定する。そのために、実施の形態１では、試料１０１の代わりに評価用基板をＸＹステージ１０５上に配置した上で以下に示す評価パターンを評価用基板上に描画する。或いは、製品となる試料１０１上の製品として使用するパターンが描画されない位置に以下に示す評価パターンを描画する。
【００２２】
図４は、実施の形態１における評価パターンの一例を示す概念図である。図４では、セトリング時間と多重度とショット間の間隔を変えたパターンを副偏向器２１２で偏向するそれぞれの方向に描画する。図４では、３つのグループ５０，５２，５４のパターン群を描画する場合を示している。各パターンは主偏向領域２０サイズにして、複数の同じ副偏向領域３０の副偏向領域パターンを主偏向領域２０内の各位置で描画すると、位置に依存するショット位置の変動分を把握することができるため好適である。
【００２３】
まず、グループ５０では、１つに、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が１に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０８を描画する。
【００２４】
グループ５０では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が１に設定された条件で、ショット間隔が可変となる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１８を描画する。
【００２５】
グループ５０では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が４に設定された条件で、ショット間隔が複数のショットパターンが間に入らない間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームが連続してショットされる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２８を描画する。
【００２６】
そして、グループ５２では、１つに、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が２に設定され、ショット間隔が可変となる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３８を描画する。
【００２７】
グループ５２では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が２に設定された条件で、ショット間隔が可変となる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４８を描画する。
【００２８】
グループ５２では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が４に設定された条件で、ショット間隔が複数のショットパターンが間に入らない間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームが連続してショットされる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていくパターン主偏向領域３５４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５８を描画する。
【００２９】
そして、グループ５４では、１つに、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が４に設定され、ショット間隔が可変となる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６８を描画する。
【００３０】
グループ５４では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が４に設定された条件で、ショット間隔が可変となる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７８を描画する。
【００３１】
グループ５４では、さらに、セトリング時間を基準値の２倍にして、多重度（パス）が４に設定された条件で、ショット間隔が複数のショットパターンが間に入らない間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームが連続してショットされる描画条件でパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８８を描画する。
【００３２】
図４では、セトリング時間を基準値か基準値の２倍かの違いにしたが、これに限るものではなく、３倍以上の違いにしても構わない。セトリング時間が異なる条件で描画されればよい。但し、従来の描画装置の設定において、基準値の２倍にすれば、通常、十分長いセトリング時間とみなすことができる。また、多重度についても１，２，４の違いにしたが、これに限るものではなく、多重度が異なる条件で描画されればよい。多重度が大きくなればなるほど一般的に平均化効果でショット位置の誤差を小さくすることができる。
【００３３】
また、図４に示すように、１つの評価用基板３００上に各グループ５０，５２，５４のパターン群を描画すると好適である。１つの評価用基板３００上に描画することで、後述する検査装置でパターン検査を行う際に、基板１枚分の検査動作で描画エラー及び故障箇所の特定を行うことができる。但し、これに限るものではなく、グループ毎に異なる基板に描画しても構わない。また、図４において、主偏向領域パターン３２２，３５２，３８２は、同じ主偏向領域パターンとなる。同様に、主偏向領域パターン３２４，３５４，３８４は、同じ主偏向領域パターンとなる。同様に、主偏向領域パターン３２６，３５６，３８６は、同じ主偏向領域パターンとなる。同様に、主偏向領域パターン３２８，３５８，３８８は、同じ主偏向領域パターンとなる。これらの主偏向領域パターンは、描画エラーを評価するにあたって基準となる主偏向領域パターンとなる。各グループのパターン群は他のグループのパターンよりも互いに近くに描画されるため、グループ毎に基準となる主偏向領域パターンを描画することで位置に依存するショット位置誤差を回避することができる。但し、これに限るものではなく、各方向について基準となる主偏向領域パターンを１回だけ描画して、すべてのグループで共通に使用する場合を排除するものではない。
【００３４】
図５は、実施の形態１における描画エラーの検出方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における描画エラーの検出方法は、多重度：１、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１０２）と、多重度：１、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１０４）と、多重度：２、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１０６）と、多重度：２、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１０８）と、多重度：４、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１１０）と、多重度：４、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程（Ｓ１１２）と、多重度：４、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：連続の描画条件での描画工程（Ｓ１１４）と、現像／エッチング工程（Ｓ２００）と、パターン検査工程（Ｓ２０２）といった一連の工程を実施する。但し、Ｓ１０２〜Ｓ１１４までの各工程について、その順序は図５に示す順序と異なる順序にしても構わない。最終的に、図４に示した各パターンが描画できればよい。
【００３５】
ステップ（Ｓ）１０２において、多重度：１、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が１に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３０２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３０８を描画する。以下、各方向についてショットパターンのショット順序について説明する。
【００３６】
図６は、実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図６では、主偏向領域パターン３０２内の１つの副偏向領域パターンを示している。図６において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｘ方向に一番離れた副偏向領域３０の右下にショットする。このように、複数のショットパターンが間に入る間隔で各ショットを行う。そして、３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンはｘ方向に一番離れた２番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｙ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、１７番目のショットパターンは１５番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、１８番目のショットパターンはｘ方向に離れる間隔を短くして１６番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｙ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、３３番目のショットパターンは３１番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、３４番目のショットパターンはｘ方向に離れる間隔をさらに短くして３２番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｙ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、４９番目のショットパターンは４７番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、５０番目のショットパターンはｘ方向に離れる間隔をさらに短くして４８番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｙ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。このようにして、±ｘ方向のショット間の間隔が複数の異なる間隔となるように副偏向領域３０のｙ方向の最終列まで描画した後、図６において白抜きで示す残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±ｘ方向についての評価用の副偏向領域パターンを描画する。図６では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が可変の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００３７】
図７は、実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図７では、主偏向領域パターン３０４内の１つの副偏向領域パターンを示している。図７において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｙ方向に一番離れた副偏向領域３０の左上にショットする。このように、複数のショットパターンが間に入る間隔で各ショットを行う。そして、３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンはｙ方向に一番離れた２番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｘ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、１７番目のショットパターンは１５番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、１８番目のショットパターンはｙ方向に離れる間隔を短くして１６番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｘ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、３３番目のショットパターンは３１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、３４番目のショットパターンはｘ方向に離れる間隔をさらに短くして３２番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｘ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、４９番目のショットパターンは４７番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、５０番目のショットパターンはｙ方向に離れる間隔をさらに短くして４８番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔でｘ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。このようにして、±ｙ方向のショット間の間隔が複数の異なる間隔となるように副偏向領域３０のｘ方向の最終列まで描画した後、図７において白抜きで示す残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±ｙ方向についての評価用の副偏向領域パターンを描画する。図７では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が可変の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００３８】
図８は、実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図８では、主偏向領域パターン３０６内の１つの副偏向領域パターンを示している。図８において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｘｙ方向（４５°方向）に一番離れた副偏向領域３０の右上にショットする。このように、複数のショットパターンが間に入る間隔で各ショットを行う。そして、３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンはｘｙ方向（４５°方向）に離れる間隔を短くして２番目のショットパターンに対し−ｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。同様の間隔で奇数番目のショットはｘ方向に、偶数番目のショットは−ｙ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、次に、例えば、６１番目のショットパターンは５９番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、６２番目のショットパターンは（ｘ＋ｙ）方向（４５°方向）に離れる間隔を短くして６０番目のショットパターンに対し−ｙ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。そして、６３番目のショットパターンは副偏向領域３０の右下にショットする。このようにして、±（ｘ＋ｙ）方向のショット間の間隔が複数の異なる間隔となるように副偏向領域３０の右下端まで描画した後、図８において白抜きで示す残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±（ｘ＋ｙ）方向についての評価用の副偏向領域パターンを描画する。図８では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００３９】
図９は、実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図９では、主偏向領域パターン３０８内の１つの副偏向領域パターンを示している。図９において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｙ方向に１ショット分空けてショットする。そして、３番目のショットパターンは−４５°方向にあって１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけた位置にショットする。そして、４番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分空けてショットし、５番目のショットパターンは−４５°方向に離れる間隔を長くして３番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけた位置にショットする。そして、６番目のショットパターンは４番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分空けてショットし、７番目のショットパターンは−４５°方向に離れる間隔をさらに長くして５番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけた位置にショットする。以降、このように、複数のショットパターンが間に入る間隔で各ショットを行う。同様の間隔で偶数番目のショットはｙ方向に、奇数番目のショットはｘ方向に１ショット分ずつずれながら複数回ショットを繰り返す。そして、例えば、６２番目のショットパターンは６０番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、６３番目のショットパターンは−４５°方向に離れる間隔を最大にして６１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間あけた位置にショットする。このようにして、±（ｘ−ｙ）方向のショット間の間隔が複数の異なる間隔となるように副偏向領域３０の右下端まで描画した後、図９において白抜きで示す残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±（ｘ−ｙ）方向についての評価用の副偏向領域パターンを描画する。図９では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００４０】
Ｓ１０４において、多重度：１、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値の２倍に設定され、多重度（パス）が１に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３１２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３１８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図６で、±ｙ方向について図７で、±（ｘ＋ｙ）方向について図８で、±（ｘ−ｙ）方向について図９で説明した通りである。主偏向領域パターン３１２，３１４，３１６，３１８は、グループ５０として、主偏向領域パターン３０２，３０４，３０６，３０８の下側に隙間を空けて描画する。
【００４１】
Ｓ１０６において、多重度：２、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が２に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３３２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３３８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図６で、±ｙ方向について図７で、±（ｘ＋ｙ）方向について図８で、±（ｘ−ｙ）方向について図９で説明した通りである。主偏向領域パターン３３２，３３４，３３６，３３８は、グループ５２として、グループ５０のパターン群の下側に隙間を空けて描画する。
【００４２】
Ｓ１０８において、多重度：２、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値の２倍に設定され、多重度（パス）が２に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３４２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３４８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図６で、±ｙ方向について図７で、±（ｘ＋ｙ）方向について図８で、±（ｘ−ｙ）方向について図９で説明した通りである。主偏向領域パターン３４２，３４４，３４６，３４８は、グループ５２として、主偏向領域パターン３３２，３３４，３３６，３３８の下側に隙間を空けて描画する。
【００４３】
Ｓ１１０において、多重度：４、セトリング時間：基準値、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値に設定され、多重度（パス）が４に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３６２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３６８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図６で、±ｙ方向について図７で、±（ｘ＋ｙ）方向について図８で、±（ｘ−ｙ）方向について図９で説明した通りである。主偏向領域パターン３６２，３６４，３６６，３６８は、グループ５４として、グループ５２のパターン群の下側に隙間を空けて描画する。
【００４４】
Ｓ１１２において、多重度：４、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：可変の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値の２倍に設定され、多重度（パス）が４に設定され、ショット間隔が可変、すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームがショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３７２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３７８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図６で、±ｙ方向について図７で、±（ｘ＋ｙ）方向について図８で、±（ｘ−ｙ）方向について図９で説明した通りである。主偏向領域パターン３７２，３７４，３７６，３７８は、グループ５４として、主偏向領域パターン３６２，３６４，３６６，３６８の下側に隙間を空けて描画する。
【００４５】
Ｓ１１４において、多重度：４、セトリング時間：基準値の２倍、ショット間隔：連続の描画条件での描画工程として、セトリング時間が基準値の２倍に設定され、多重度（パス）が４に設定され、ショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔でショットパターンに成形された荷電粒子ビームが連続でショットされる描画条件でレジストが塗布された評価用基板３００上に、先の描画工程の後に続けて複数のショットパターンを描画する。かかる描画条件で、まず、グループ５０用に、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３２２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３２８を描画する。ここでは、セトリング時間を基準値の２倍とすることでＤＡＣアンプユニットに十分なセトリング時間を与え、さらに、多重度を４とすることで、平均化効果を多重度１の４倍にすることで、より正確な位置にショットすることができる。この描画条件で評価の基準となる主偏向領域パターンを各方向に対して描画する。主偏向領域パターン３２２，３２４，３２６，３２８は、グループ５０として、主偏向領域パターン３１２，３１４，３１６，３１８の下側に隙間を空けて描画する。以下、各方向についてショットパターンのショット順序について説明する。
【００４６】
図１０は、実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図１０では、主偏向領域パターン３２２内の１つの副偏向領域パターンを示している。図１０において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｘ方向に１ショット分離れた位置にショットする。そして、３番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンは３番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットする。このように、複数のショットパターンが間に入らない間隔で各ショットを連続して行う。そして、副偏向領域３０の右下端の位置までショットパターンがショットされた後、例えば、３３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、それ以降、ｘ方向に１ショット分間をあけて連続に複数回ショットを繰り返す。このようにして、副偏向領域３０のすべての位置にショットパターンを描画する。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±ｘ方向についての基準の副偏向領域パターンを描画する。図１０では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が連続の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００４７】
図１１は、実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図１１では、主偏向領域パターン３２４内の１つの副偏向領域パターンを示している。図１１において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンはｙ方向に１ショット分離れた位置にショットする。そして、３番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンは３番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットする。このように、複数のショットパターンが間に入らない間隔で各ショットを連続して行う。そして、副偏向領域３０の左上端の位置までショットパターンがショットされた後、例えば、３３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、それ以降、ｙ方向に１ショット分間をあけて連続に複数回ショットを繰り返す。このようにして、副偏向領域３０のすべての位置にショットパターンを描画する。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±ｙ方向についての基準の副偏向領域パターンを描画する。図１１では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が連続の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００４８】
図１２は、実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図１２では、主偏向領域パターン３２６内の１つの副偏向領域パターンを示している。図１２において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットし、２番目のショットパターンは４５°方向に１ショット分離れた位置にショットする。そして、３番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対し４５°方向に１ショット分間をあけてショットし、４番目のショットパターンは３番目のショットパターンに対し４５°方向に１ショット分間をあけてショットする。このように、複数のショットパターンが間に入らない間隔で各ショットを連続して行う。そして、副偏向領域３０の右上端の位置までショットパターンがショットされた後、例えば、３３番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｘ方向に１ショット分間をあけてショットし、それ以降、４５°方向に１ショット分間をあけて連続に複数回ショットを繰り返す。このようにして、副偏向領域３０の左下と右上の対角を結ぶ対角線より下側（右側）のすべての位置にショットパターンを描画する。その後、残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±（ｘ＋ｙ）方向についての基準の副偏向領域パターンを描画する。図１２では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が連続の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００４９】
図１３は、実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。図１３では、主偏向領域パターン３２８内の１つの副偏向領域パターンを示している。図１３において、多数の四角形の１つが１つのショットパターンを示している。ショットパターン内の数字はショット順序を示している。最終的には、ｘｙ方向に１ショット分ずつの隙間をあけて規則的に配置されるすべてのショットパターン（ここでは例えば１０２４個のショットパターン）を描画することになるが、そのショット順序を次のようにする。まず、１番目のショットパターンは副偏向領域３０の左下にショットする。そして、２番目のショットパターンは１番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、３番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対し−４５°方向に１ショット分間をあけてショットする。そして、４番目のショットパターンは２番目のショットパターンに対しｙ方向に１ショット分間をあけてショットし、５番目のショットパターンは４番目のショットパターンに対し−４５°方向に１ショット分間をあけてショットし、６番目のショットパターンは５番目のショットパターンに対し−４５°方向に１ショット分間をあけてショットする。このように、複数のショットパターンが間に入らない間隔で各ショットを連続して行う。このようにして、副偏向領域３０の左上と右下の対角を結ぶ対角線より下側（左側）のすべての位置にショットパターンを描画する。その後、残るショットパターンを描画する。残るショットパターンの描画順序は特に限定しなくてよい。以上のようにして１つの副偏向領域３０分の±（ｘ−ｙ）方向についての基準の副偏向領域パターンを描画する。図１３では、副偏向領域３０の左下をショット位置の基点にしてそれ以降のショット位置を決めているが、これに限るものではない。ショット間隔が連続の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットできればよい。
【００５０】
次に、グループ５２用に、同様の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３５２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３５８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図１０で、±ｙ方向について図１１で、±（ｘ＋ｙ）方向について図１２で、±（ｘ−ｙ）方向について図１３で説明した通りである。評価の基準となる主偏向領域パターン３５２，３５４，３５６，３５８は、グループ５２として、主偏向領域パターン３４２，３４４，３４６，３４８の下側に隙間を空けて描画する。
【００５１】
次に、グループ５４用に、同様の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていくことで主偏向領域パターン３８２を描画する。同様の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８４を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８６を描画する。同様の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく主偏向領域パターン３８８を描画する。各方向についてショットパターンのショット順序については、±ｘ方向について図１０で、±ｙ方向について図１１で、±（ｘ＋ｙ）方向について図１２で、±（ｘ−ｙ）方向について図１３で説明した通りである。評価の基準となる主偏向領域パターン３８２，３８４，３８６，３８８は、グループ５４として、主偏向領域パターン３７２，３７４，３７６，３７８の下側に隙間を空けて描画する。
【００５２】
ここでは、各グループの評価の基準となる主偏向領域パターンを１つの描画工程で続けて描画したが、これに限るものではない。いずれかのグループについて評価用の主偏向領域パターンと評価の基準となる主偏向領域パターンを描画した後、他のグループについて評価用の主偏向領域パターンと評価の基準となる主偏向領域パターンを描画するようにしても構わない。
【００５３】
以上のようにして、レジストが塗布された１つの評価用基板３００上に、３つのグループ５０，５２，５４のパターン群を描画する。
【００５４】
Ｓ２００において、現像／エッチング工程として、描画が終了した評価用基板３００を現像し、得られたレジストパターンをマスクにして、下層の膜をエッチングする。その後、レジストパターンを除去することで評価用マスクを作製する。かかる評価用マスクを用いて、描画エラーとその原因となるＤＡＣアンプユニットの特定とを行う。
【００５５】
Ｓ２０２において、パターン検査工程として、上述したショット間隔が可変の描画条件で描画した主偏向領域パターンと、ショット間隔が連続の描画条件で描画した主偏向領域パターンとにおける同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較する。すなわち、複数のショットパターンが間に入る間隔での描画と複数のショットパターンが間に入らない間隔での描画によって得られた同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較する。比較は、同じ方向同士で行う。そして、その結果を出力する。
【００５６】
図１４は、実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図１４において、パターン検査装置１４０は、光学画像取得部１４１と制御系回路１４８を備えている。光学画像取得部１４１は、ＸＹθテーブル１４２、光源１４３、拡大光学系１４４、フォトダイオードアレイ１４５、センサ回路１０６、レーザ測長システム１２２、オートローダ１３０、及び照明光学系１７０を備えている。制御系回路１４８では、装置全体制御の機能を持つ制御計算機１１０が、データ伝送路となるバス１２０を介して、位置回路１０７、比較部の一例となる比較回路１０８、オートローダ制御回路１１３、テーブル制御回路１１４、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１０９、磁気テープ装置１１５、フレシキブルディスク装置（ＦＤ）１１６、ＣＲＴ１１７、パターンモニタ１１８、及びプリンタ１１９に接続されている。また、ＸＹθテーブル１４２は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、θ軸モータにより駆動される。図１４では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。パターン検査装置１４０にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００５７】
作製した評価用基板３００は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能に設けられたＸＹθテーブル１４２上に載置され、評価用基板３００に形成されたパターンには、ＸＹθテーブル１４２の上方に配置されている適切な光源１４３によって光が照射される。光源１４３から照射される光束は、照明光学系１７０を介して評価用基板３００を照射する。評価用基板３００の下方には、拡大光学系１４４、フォトダイオードアレイ１４５及びセンサ回路１０６が配置されており、評価用基板３００を透過した光は拡大光学系１４４を介して、フォトダイオードアレイ１４５に光学像として結像し、入射する。拡大光学系１４４は図示しない自動焦点機構により自動的に焦点調整がなされていてもよい。
【００５８】
図１５は、実施の形態１における光学画像の取得手順を説明するための図である。図１５では、グループ５０のパターン群を一例として示している。被検査領域は、図１５に示すように、ｙ方向に向かって、スキャン幅Ｗの短冊状の複数の検査ストライプに仮想的に分割され、更にその分割された各検査ストライプが連続的に走査されるようにＸＹθテーブル１４２の動作が制御され、ｘ方向に移動しながら光学画像が取得される。図１５では、評価の基準となる主偏向領域パターン３２２，３２４，３２６，３２８の一部にかかる検査ストライプ４２と評価用の主偏向領域パターン３０２，３０４，３０６，３０８の一部にかかる検査ストライプ４４とを一例として示している。フォトダイオードアレイ１４５では、図１５に示されるような各検査ストライプの画像を連続的に入力する。
【００５９】
フォトダイオードアレイ１４５上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ１４５によって光電変換され、更にセンサ回路１０６によってＡ／Ｄ（アナログデジタル）変換される。フォトダイオードアレイ１４５には、ＴＤＩ（タイムディレイインテグレータ）センサのようなセンサが設置されている。ステージとなるＸＹθテーブル１４２をＸ軸方向に連続的に移動させることにより、ＴＤＩセンサは試料となる評価用基板３００のパターンを撮像する。これらの光源１４３、拡大光学系１４４、フォトダイオードアレイ１４５、センサ回路１０６により高倍率の検査光学系が構成されている。
【００６０】
ＸＹθテーブル１４２は、制御計算機１１０の制御の下にテーブル制御回路１１４により駆動される。Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータの様な駆動系によって移動可能となっている。これらの、Ｘモータ、Ｙモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。そして、ＸＹθテーブル１４２の移動位置はレーザ測長システム１２２により測定され、位置回路１０７に供給される。また、ＸＹθテーブル１４２上の評価用基板３００はオートローダ制御回路１１３により駆動されるオートローダ１３０により自動的に搬送され、オペレータが楽に評価用基板３００の出し入れが行えるものとなっている。ＸＹθテーブル１４２の可動範囲には拡大光学系１４４とは別のレビュー用の撮像光学系を持ち、検査装置が検出した欠陥をＩＴＶ（工業用テレビ）カメラ付の顕微鏡でオペレータが目視確認することが可能になっている。
【００６１】
センサ回路１０６から出力された測定データ（光学画像）は、位置回路１０７から出力されたＸＹθテーブル１４２上における評価用基板３００の位置を示すデータとともに比較回路１０８に送られる。測定データは例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調を表現している。
【００６２】
そして、実施の形態１では、例えば、グループ５０における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３０２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３０４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３０６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３０８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６３】
例えば、ストライプ４２の測定データ（光学画像）とストライプ４４の測定データ（光学画像）とが、位置回路１０７から出力されたＸＹθテーブル１４２上における評価用基板３００の位置を示すデータとともに比較回路１０８に送られる。そして、比較回路１０８内にて、まず、測定データ同士の位置合わせを行なう。そして、それぞれの測定データの対応する位置の各画素データを画素毎に所定のアルゴリズムに従って比較し、欠陥の有無を判定する。そして、比較された結果は出力される。比較された結果は、例えば、磁気ディスク装置１０９、磁気テープ装置１１５、ＦＤ１１６、ＣＲＴ１１７、パターンモニタ１１８、或いはプリンタ１１９に出力される。或いは、外部に出力されても構わない。
【００６４】
そして、同様の検査手法で、グループ５０における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３１２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３１４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３１６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３１８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３２８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６５】
そして、同様の検査手法で、例えば、グループ５２における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３３２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３３４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３３６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３３８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６６】
そして、同様の検査手法で、グループ５２における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３４２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３４４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３４６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３４８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３５８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６７】
そして、同様の検査手法で、例えば、グループ５４における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３６２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３６４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３６６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３６８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６８】
そして、同様の検査手法で、グループ５４における±ｘ方向について、評価用の主偏向領域パターン３７２の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８２の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±ｙ方向について、評価用の主偏向領域パターン３７４の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８４の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ＋ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３７６の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８６の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。同様に、±（ｘ−ｙ）方向について、評価用の主偏向領域パターン３７８の光学画像と評価の基準となる主偏向領域パターン３８８の光学画像とを比較するダイ−ツー−ダイ検査を行う。
【００６９】
ここで、±ｘ方向について、主偏向領域パターン３０２の光学画像と主偏向領域パターン３２２の光学画像とを比較した結果、主偏向領域パターン３０２を描画した際に、描画順序が指定されたいずれかのショットパターンが、同位置の主偏向領域パターン３２２のショットパターンに対して位置ずれが生じている場合、或いは、主偏向領域パターン３０２を描画した際に、描画順序が指定されたいずれかのショットパターンが、描画されていない場合、どちらも描画エラーであると共に、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６に異常が生じているか、若しくは±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６のセトリング時間の設定が短すぎている可能性があることがわかる。
【００７０】
また、副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６のセトリング時間は、距離に依存する。実施の形態１では、主偏向領域パターン３０２を描画した際に、ショット間隔を複数の異なる間隔で描画している。そのため、位置ずれが生じているショットパターンをショットした際のショット間隔からどの程度セトリング時間が足りていないのかを想定することができる。
【００７１】
そして、次に、主偏向領域パターン３１２の光学画像と主偏向領域パターン３２２の光学画像とを比較した結果、描画エラーとなった箇所で位置ずれが生じていない場合、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６のセトリング時間の設定が短すぎていたことが描画エラーの原因であると特定することができる。また、セトリング時間を長くすることで描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる。その結果、描画装置１００の稼働率を向上させることができる。
【００７２】
或いは、主偏向領域パターン３３２の光学画像と主偏向領域パターン３５２の光学画像とを比較した結果、主偏向領域パターン３０２の光学画像と主偏向領域パターン３２２の光学画像との間で描画エラーとなった箇所で位置ずれが生じていない場合、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６の異常或いはセトリング時間の設定異常があったとしても多重度を２倍に上げることで描画エラーを解消できることがわかる。その結果、描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる。その結果、描画装置１００の稼働率を向上させることができる。
【００７３】
さらに、主偏向領域パターン３４２の光学画像と主偏向領域パターン３５２の光学画像とを比較した結果、主偏向領域パターン３３２の光学画像と主偏向領域パターン３５２の光学画像との間でも描画エラーとなった箇所で位置ずれが生じていない場合、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６のセトリング時間を長くし、多重度を２倍に上げることで描画エラーを解消できることがわかる。その結果、描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる。その結果、描画装置１００の稼働率を向上させることができる。
【００７４】
或いは、主偏向領域パターン３６２の光学画像と主偏向領域パターン３８２の光学画像とを比較した結果、主偏向領域パターン３３２の光学画像と主偏向領域パターン３５２の光学画像との間でも描画エラーとなった箇所で位置ずれが生じていない場合、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６の異常或いはセトリング時間の設定異常があったとしても多重度を４倍に上げることで描画エラーを解消できることがわかる。その結果、描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる。その結果、描画装置１００の稼働率を向上させることができる。
【００７５】
さらに、主偏向領域パターン３７２の光学画像と主偏向領域パターン３８２の光学画像とを比較した結果、主偏向領域パターン３６２の光学画像と主偏向領域パターン３８２の光学画像との間でも描画エラーとなった箇所で位置ずれが生じていない場合、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６のセトリング時間を長くし、多重度を４倍に上げることで描画エラーを解消できることがわかる。その結果、描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる。その結果、描画装置１００の稼働率を向上させることができる。
【００７６】
そして、いずれの検査でも位置ずれが解消しない場合には、±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６を交換することで描画エラーを解消できることがわかる。その結果、すみやかに±ｘ方向用の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６を交換すれば、描画装置１００の停止時間を短くすることができ、その分、稼働率を向上させることができる。
【００７７】
その他の方向（±ｙ方向、±（ｘ＋ｙ）方向、及び±（ｘ−ｙ）方向）についても、±ｘ方向に対する検査手法と同様の手法で、それぞれの方向での描画エラーの検出及び描画エラーの原因となる副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６の異常若しくはセトリング時間の設定不良を特定することができる。そして、セトリング時間や多重度といった描画条件を変えることで描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる条件を見出すことができ得る。また、検査の結果、副偏向領域３０自体の位置にずれが生じていた場合には、描画エラーの検出と共に、描画エラーが生じた方向の主偏向用ＤＡＣアンプユニット２２８の異常若しくはセトリング時間の設定不良を特定することができる。
【００７８】
以上のように、評価用基板３００に評価パターンを描画することで、描画エラーを検出すると共に、どの方向の副偏向用ＤＡＣアンプユニット２２６が描画エラーの原因となっているのかを特定することができる。そして、描画エラーを検出したとしても、セトリング時間や多重度といった描画条件を変えることで描画装置１００を停止して修理しなくても製品への描画を行なうことができる条件を見出すことができ得る。
【００７９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００８０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００やパターン検査装置１４０を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる構成等を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００８１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画エラーの検出方法及び描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における主偏向領域と副偏向領域とを示す概念図である。
【図３】実施の形態１における副偏向器の各極に偏向方向を説明するための図である。
【図４】実施の形態１における評価パターンの一例を示す概念図である。
【図５】実施の形態１における描画エラーの検出方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図６】実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図８】実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１におけるショット間隔が可変の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図１０】実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±ｘ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±ｙ方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図１２】実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±（ｘ＋ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図１３】実施の形態１におけるショット間隔が連続、すなわち、複数のショットパターンが間に入らない間隔の描画条件で、±（ｘ−ｙ）方向に向かってショットパターンをショットしていく場合のショット順序の一例を示す図である。
【図１４】実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。
【図１５】実施の形態１における光学画像の取得手順を説明するための図である。
【図１６】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０  ストライプ
２０  主偏向領域
３０  副偏向領域
４２，４４  検査ストライプ
５０，５２，５４  グループ
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０６  センサ回路
１０７  位置回路
１０８  比較回路
１０９  磁気ディスク装置
１１０  制御計算機
１１３  オートローダ制御回路
１１４  テーブル制御回路
１１５  磁気テープ装置
１１６  ＦＤ
１１７  ＣＲＴ
１１８  パターンモニタ
１１９  プリンタ
１２０  バス
１２２  レーザ測長システム
１３０  オートローダ
１４０  検査装置
１４１  光学画像取得部
１４２  ＸＹθテーブル
１４３  光源
１４４  拡大光学系
１４５  フォトダイオードアレイ
１４８  制御系回路
１５０  描画部
１６０  制御部
１７０  照明光学系
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１２  副偏向器
２１４  主偏向器
２２０  制御計算機
２２４  偏向制御回路
２２６，２２８  ＤＡＣアンプユニット
３００  評価用基板
３０２，３０４，３０６，３０８  主偏向領域パターン
３１２，３１４，３１６，３１８  主偏向領域パターン
３２２，３２４，３２６，３２８  主偏向領域パターン
３３２，３３４，３３６，３３８  主偏向領域パターン
３４２，３４４，３４６，３４８  主偏向領域パターン
３５２，３５４，３５６，３５８  主偏向領域パターン
３６２，３６４，３６６，３６８  主偏向領域パターン
３７２，３７４，３７６，３７８  主偏向領域パターン
３８２，３８４，３８６，３８８  主偏向領域パターン
３３０  電子線
３４０  試料
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2010074039.tif 000003
【図２】
2010074039.tif 000004
【図３】
2010074039.tif 000005
【図４】
2010074039.tif 000006
【図５】
2010074039.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010074039.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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