(57)【要約】【課題】水分やガスの拡散による有機ＥＬ素子の劣化を防止するための分離溝の下における配線のプロセス耐性を向上させ、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】配線１０とは別の層で形成されると共に、分断領域Ｃの下に配置された導電層１３と、第１のコンタクトホール１２Ａと、第２のコンタクトホール１２Ｂと、を有する。第１のコンタクトホール１２Ａは、第１の有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）の下に配置され、第２のコンタクトホール１２Ｂは、第２の有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ｂ及び素子分離膜８Ｂ）の下に配置される。第１のコンタクトホール１２Ａ及び第２のコンタクトホール１２Ｂは、配線１０と導電層１３を電気的に接続する。【選択図】  図１
2010048837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列形成してなる表示領域と、
前記複数の有機ＥＬ素子に対応して配置され、かつ薄膜トランジスタで構成された複数の画素回路と、
前記表示領域以外の領域に配置され、かつ前記複数の画素回路を駆動する薄膜トランジスタで構成された駆動回路と、
前記基板上に形成された第１の有機絶縁膜と、
前記基板上に形成された第２の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜を分離する分離溝と、
前記分離溝の下に配置された配線と、
を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記配線とは別の層で形成されると共に、前記分離溝の下に配置された導電層と、
第１のコンタクトホールと、
第２のコンタクトホールと、
を有しており、
前記第１のコンタクトホールは、前記第１の有機絶縁膜の下に配置され、
前記第２のコンタクトホールは、前記第２の有機絶縁膜の下に配置され、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、前記配線と前記導電層を電気的に接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記配線及び前記導電層は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の導電層、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電層、薄膜トランジスタの半導体層のいずれかで形成されており、互いに異なる層であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列形成してなる表示領域と、
前記複数の有機ＥＬ素子に対応して配置され、かつ薄膜トランジスタで構成された複数の画素回路と、
前記表示領域以外の領域に配置され、かつ前記複数の画素回路を駆動する薄膜トランジスタで構成された駆動回路と、
前記基板上に形成された第１の有機絶縁膜と、
前記基板上に形成された第２の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜を分離する分離溝と、
前記分離溝の下に配置された配線と、
を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記配線とは別の層で形成されると共に、前記分離溝の下に配置された第１の導電層と、
前記配線及び第１の導電層とは別の層で形成されると共に、前記分離溝の下に配置された第２の導電層と、
第１のコンタクトホールと、
第２のコンタクトホールと、
第３のコンタクトホールと、
第４のコンタクトホールと、
を有しており、
前記第１のコンタクトホール及び前記第３のコンタクトホールは、前記第１の有機絶縁膜の下に配置され、
前記第２のコンタクトホール及び前記第４のコンタクトホールは、前記第２の有機絶縁膜の下に配置され、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、前記配線と前記第１の導電層とを電気的に接続しており、
前記第３のコンタクトホール及び前記第４のコンタクトホールは、前記配線と前記第２の導電層とを電気的に接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記配線、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の導電層、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電層、薄膜トランジスタの半導体層のいずれかで形成されており、互いに異なる層であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に関し、特に、封止構造や水分の進入を抑制する構造を有する有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、薄型化、低消費電力化が期待される自発光型デバイスとして多くの注目を集めている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置において、高精細かつ高品質の表示を実現できることから、アクティブマトリクス型の表示装置が広く用いられている。このアクティブマトリクス型の表示装置の表示領域には表示素子がマトリックス状に配置され、表示素子に対応して配置された画素回路によって表示素子が制御されて表示が行われる。各画素回路を制御する駆動回路は表示領域の周辺部に設けられており、画素領域周辺には、電源配線、信号配線といった配線が形成されている。各画素回路及び表示領域の周辺部に設けられる駆動回路は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成され、表示品位を決定する重要な要素となっている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の表示素子である有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層などの機能を有する有機層が積層された構造から構成される。
【０００５】
このような有機ＥＬ素子では、水分やガスが有機層に浸入することにより発生する輝度低下、駆動電圧上昇といった発光劣化現象を解消することが課題となっている。有機ＥＬ表示装置においては、大気中の水分やガスが有機層に浸入することを防ぐために有機ＥＬ素子上に封止層を設けている。
【０００６】
しかし、封止層により大気中の水分やガス成分の透過を遮断できても、有機ＥＬ表示装置を構成する構造物に水分やガスが含まれていたのでは、有機ＥＬ表示装置の内部で水分やガスの拡散が進み、結局は発光劣化現象が発生してしまう。
【０００７】
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、各画素回路及び表示領域の周辺部に設けられる駆動回路を覆うようにして、有機感光性絶縁膜からなる層間絶縁層が設けられている。そして、各回路の形成によって生じる段差を軽減して平坦化された面上に、有機ＥＬ素子が形成されている。有機感光性絶縁層のような樹脂層は、水分やガスを透過しやすく、また、樹脂層内部に水分やガスを吸着しやすい。そのため、有機ＥＬ表示装置の内部に水分やガスが残存してしまい、発光劣化現象が発生する。
【０００８】
そこで、駆動回路が形成された支持基板全域を覆う有機絶縁膜に関して、表示領域を囲む位置において有機絶縁膜部分を除去した分離溝により、内周部と外周部に分離された表示装置が開示されている（特許文献１参照）。
【０００９】
この特許文献１に記載された技術は、表示領域を囲む位置に設けられた分離溝によって、基板上の全域を覆う有機絶縁膜が内周部と外周部とに分断された状態となっている。このため、有機絶縁膜の外周部に対応する部分に存在する水分が、有機絶縁膜内を通過して表示領域が配置された内周部に浸入することはなく、表示領域における水分による有機ＥＬ素子の劣化が防止できるとされている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−５４１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、特許文献１に記載された表示装置では、分離溝を形成するためにリソグラフィー処理によって有機絶縁膜を除去するため、分離溝の下に駆動回路を配置すると、ＴＦＴがリソグラフィー処理の影響を受けることになる。その結果、ＴＦＴの特性が変動してしまい、駆動回路が誤動作する恐れがある。また、分離溝は表示領域近傍に配置されているので、各画素回路を制御する駆動回路を分離溝の下を回避して配置するには分離溝より外側に配置する必要がある。しかし、分離溝より内部に配置される表示領域内の画素回路と駆動回路を接続する配線は、分離溝の下への配置を避けることができない。この配線はリソグラフィー処理の影響を受ける可能性が高く、プロセス耐性を上げておく必要がある。
【００１２】
本発明は上述した事情に鑑み提案されたもので、水分やガスの拡散による有機ＥＬ素子の劣化を防止するための分離溝の下における配線のプロセス耐性を向上させ、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列形成してなる表示領域、画素回路、駆動回路、第１の有機絶縁膜、第２の有機絶縁膜、分離溝、配線を有している。また、配線とは別の層で形成されると共に、分離溝の下に配置された導電層と、第１のコンタクトホールと、第２のコンタクトホールと、を有している。そして、第１のコンタクトホールは、第１の有機絶縁膜の下に配置され、第２のコンタクトホールは、第２の有機絶縁膜の下に配置され、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールは、配線と導電層を電気的に接続していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、水分の拡散による有機ＥＬ素子の劣化を防止するための分離溝の下における配線を少なくとも２層で構成している。このため、分離溝の下における配線のプロセス耐性が向上し、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００１５】
さらに、配線を少なくとも２層で構成することにより、配線の抵抗を下げることが可能となり、駆動マージンを向上して表示品位の優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００１６】
また、分離溝を備えているので、表示領域を有する樹脂層内部に残存する水分やガスを低減すると共に、表示領域を有する樹脂層を周囲に存在する水分やガスから分断することができる。このため、表示領域内に水分やガスが浸入することによる有機ＥＬ素子の劣化現象を防止して、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の実施形態について説明する。なお、図面において、本発明の説明を明確にするために、本発明に関係ない部分は省略し、説明全般にわたって類似な部分については同じ参照符号を付している。また、各図は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の構成の一例について、構成の一部を取り出して模式的に示すものである。
【００１８】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、表示領域と、複数の画素回路と、駆動回路と、第１の有機絶縁膜と、第２の有機絶縁膜と、分離溝と、配線と、を有している。表示領域は、基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列形成してなる。画素回路は、複数の有機ＥＬ素子に対応して配置され、かつ薄膜トランジスタで構成されている。駆動回路は、表示領域以外の領域に配置され、かつ複数の画素回路を駆動する薄膜トランジスタで構成されている。第１の有機絶縁膜及び第２の有機絶縁膜は、基板上に形成されている。分離溝は、第１の有機絶縁膜と第２の有機絶縁膜を分離するためのものである。配線は、分離溝の下に配置されている。
【００１９】
また、この有機ＥＬ表示装置は、配線とは別の層で形成されると共に、分離溝の下に配置された導電層と、第１のコンタクトホールと、第２のコンタクトホールと、を有している。そして、第１のコンタクトホールは、第１の有機絶縁膜の下に配置され、第２のコンタクトホールは、第２の有機絶縁膜の下に配置され、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールは、配線と導電層を電気的に接続している。
【００２０】
ここで、配線及び導電層は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の導電層、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電層、薄膜トランジスタの半導体層のいずれかで形成されており、互いに異なる層となっている。
【００２１】
また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１の導電層と、第２の導電層と、第１のコンタクトホールと、第２のコンタクトホールと、第３のコンタクトホールと、第４のコンタクトホールと、を有した構成であってもよい。第１の導電層は、配線とは別の層で形成されると共に、分離溝の下に配置され、第２の導電層は、配線及び第１の導電層とは別の層で形成されると共に、分離溝の下に配置される。そして、第１のコンタクトホール及び第３のコンタクトホールは、第１の有機絶縁膜の下に配置される。また、第２のコンタクトホール及び第４のコンタクトホールは、第２の有機絶縁膜の下に配置される。また、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールは、配線と第１の導電層とを電気的に接続し、第３のコンタクトホール及び第４のコンタクトホールは、配線と第２の導電層とを電気的に接続する。
【００２２】
ここで、配線、第１の導電層及び第２の導電層は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の導電層、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電層、薄膜トランジスタの半導体層のいずれかで形成されており、互いに異なる層となっている。
【００２３】
このような構成からなる有機ＥＬ表示装置は、携帯電話、携帯コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのモニター等の種々の電子機器に用いることができる。
【００２４】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示すもので、図１は断面図、図２は斜視図である。なお、図１に示す有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型となっている。また、図２は、表示領域Ａの外周部から非表示領域となる周辺領域Ｂにかけて示したものである。
【００２５】
図示していないが、図２に示す表示領域Ａには、有機ＥＬ素子がマトリックス状に配置されており、有機ＥＬ素子に対応して配置された画素回路２によって有機ＥＬ素子が制御されることにより表示が行われる。また、周辺領域Ｂにおいては、各画素回路２を制御するための駆動回路１１が設けられると共に、電源配線、信号配線といった配線が形成されている。
【００２６】
第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、表示領域Ａにおいて、ガラス基板１の上に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）からなる画素回路２、絶縁膜３、有機平坦化膜４Ａの順で積層されている。その上部に、単位画素の第１電極５が形成され、各画素の周辺を素子分離膜８Ａで覆っている。第１電極５の上には、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層からなる有機層６が順次形成され、有機ＥＬ素子を構成している。有機層６の上部には、第２電極７が形成されている。さらに、封止ガラス９により表示領域全体が覆われており、内部には吸湿材が配置され（不図示）、大気中からの水分やガスの浸入を防いでいる。
【００２７】
また、図１に示す周辺領域Ｂにおいては、画素回路２を制御するためのＴＦＴからなる駆動回路１１が形成されており、その上部には絶縁膜３、有機平坦化膜４Ｂ、素子分離膜８Ｂが積層形成されている。さらに、有機平坦化膜４Ｂと素子分離膜８Ｂが除去された構造が設けられている（分断領域Ｃ）。有機平坦化膜４Ｂ及び素子分離膜８Ｂの除去は、リソグラフィー処理によって行われる。この分断領域Ｃが、第１の有機絶縁膜と第２の有機絶縁膜を分離するための分離溝として機能する。
【００２８】
有機平坦化膜４Ａ，４Ｂ、素子分離膜８Ａ，８Ｂとしては、水分やガスの含有量が多いアクリル、ポリイミドなどの有機絶縁膜が用いられるが、分断領域Ｃにおいては、有機平坦化膜４Ａ，４Ｂと素子分離膜８Ａ，８Ｂといった有機絶縁膜が分断されている。そのため、周辺領域Ｂに形成される有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ｂ及び素子分離膜８Ｂ）に残存する水分やガスが表示領域Ａの有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）に伝搬されることはない。したがって、有機ＥＬ素子の発光劣化現象を低減することができる。
【００２９】
図示していないが、表示領域Ａに形成される有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）が、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含む有機膜により覆われている構成が好適に用いられる。アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属は、水分やガスの吸着剤として機能する。したがって、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含む有機膜により覆われている表示領域Ａの有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）に残存する水分やガスは吸着低減されるので、発光劣化現象の発生を防ぐことができる。有機膜としては、有機層６の少なくとも一部を構成する膜を用いることが好ましい。
【００３０】
有機膜は、表示領域Ａに形成される有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）をできる限り覆うことが望ましく、最良の形態は、表示領域Ａに形成される有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）をすべて覆う構成となっている。
【００３１】
分断領域Ｃは、表示領域Ａに形成される有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）の周囲を囲むように形成することが望ましく、最良の形態は、有機絶縁膜（有機平坦化膜４Ａ及び素子分離膜８Ａ）の全周囲に形成する構成となっている。
【００３２】
本実施形態の構成では、封止層として封止ガラス９を用いた構成を示しているが、大気中の水分やガスが表装置内に浸入することを防止できる封止層であれば、特に限定されない。封止層として、第２電極７上に無機材料からなる無機封止膜を形成し、さらに、その上に偏光板を貼り合せた構成であってもよい。
【００３３】
分断領域Ｃの下には、駆動回路１１と画素回路２を接続するための配線１０が形成されている。駆動回路１１は、例えば、データ線駆動回路や走査線駆動回路であり、配線１０は、データ線又は走査線である。さらに、配線１０とは別層で導電層１３が形成されている。配線１０と導電層１３は、コンタクトホール１２Ａ，１２Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１２Ａ，１２Ｂが配置される。配線１０と導電層１３は、平面的に見て好ましくは重複した部分を有する。
【００３４】
図１において、配線１０はＴＦＴにおけるソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成されており、導電層１３はゲート電極に使用される導電層で形成されている。
【００３５】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。
【００３６】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型となっている。図３において、第１の実施形態と同一部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３７】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図３に示すように、分断領域Ｃの下に、駆動回路１１と画素回路２を接続する配線１５とが形成されている。さらに、配線１５とは別層で導電層１４が形成されている。配線１５と導電層１４はコンタクトホール１２Ａ，１２Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１２Ａ，１２Ｂが配置される。配線１５と導電層１４は、平面的に見て重複した部分を有している。
【００３８】
図３において、配線１５はＴＦＴにおけるゲート電極に使用される導電層で形成され、導電層１４はソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成されている。
【００３９】
＜第３の実施形態＞
図４は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。
【００４０】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型となっている。図４において、第１又は第２の実施形態と同一部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４１】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図４に示すように、分断領域Ｃの下に、駆動回路１１と画素回路２を接続する配線１０が形成されている。さらに、配線１０とは別層で導電層１７が形成されている。配線１０と導電層１７はコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂが配置される。配線１０と導電層１７は、平面的に見て重複した部分を有している。
【００４２】
図４において、配線１０はＴＦＴにおけるソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成され、導電層１７はＴＦＴのソースやドレインとなる半導体層で形成されている。
【００４３】
＜第４の実施形態＞
図５は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。
【００４４】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型となっている。図５において、第１乃至第３の実施形態と同一部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４５】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図５に示すように、分断領域Ｃの下に、駆動回路１１と画素回路２を接続する配線１８が形成されている。さらに、配線１８とは別層で導電層１４が形成されている。配線１８と導電層１４はコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂが配置される。配線１８と導電層１４は、平面的に見て重複した部分を有している。
【００４６】
図５において、配線１８はＴＦＴのソースやドレインとなる半導体層に使用される導電層で形成され、導電層１４はＴＦＴにおけるソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成されている。
【００４７】
＜第５の実施形態＞
図６は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。
【００４８】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型となっている。図６において、第１乃至第４の実施形態と同一部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４９】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図６に示すように、分断領域Ｃの下に、駆動回路１１と画素回路２を接続する配線１０が形成されている。さらに、配線１０とは別層で導電層１３及び導電層１７が形成されている。配線１０と導電層１３は、コンタクトホール１２Ａ，１２Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１２Ａ，１２Ｂが配置される。配線１０と導電層１３は、平面的に見て重複した部分を有している。また、配線１０と導電層１７は、コンタクトホール１６Ａ，１６Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂが配置される。配線１０と導電層１７は、平面的に見て重複した部分を有している。
【００５０】
図６において、配線１０はＴＦＴにおけるソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成され、導電層１３はゲート電極に使用される導電層で形成され、導電層１７はＴＦＴのソースやドレインとなる半導体層で形成されている。
【００５１】
＜第６の実施形態＞
図７は、本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。
【００５２】
第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型となっている。図７において、第１乃至第５の実施形態と同一部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５３】
第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図７に示すように、分断領域Ｃの下に、駆動回路１１と画素回路２を接続する配線１８が形成されている。さらに、配線１８とは別層で導電層１３、及び導電層１４が形成されている。配線１８と導電層１４は、コンタクトホール１６Ａ，１６Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１６Ａ，１６Ｂが配置される。配線１８と導電層１４は、平面的に見て重複した部分を有している。導電層１３と導電層１４は、コンタクトホール１２Ａ，１２Ｂによって電気的に接続され、分断領域Ｃを挟んで表示領域Ａと周辺領域Ｂのそれぞれに少なくとも１つ以上のコンタクトホール１２Ａ，１２Ｂが配置される。導電層１３と導電層１４は、平面的に見て重複した部分を有している。
【００５４】
図７において、配線１８はＴＦＴのソースやドレインとなる半導体層に使用される導電層で形成され、導電層１３はゲート電極に使用される導電層で形成され、導電層１４はＴＦＴにおけるソース電極あるいはドレイン電極に使用される導電層で形成されている。
【００５５】
第１の実施形態乃至第６の実施形態は、水分の拡散による有機ＥＬ素子の劣化を防止する分離溝の下における配線を少なくとも２層で構成しているので、分離溝の下における配線のプロセス耐性を向上し、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００５６】
さらに、配線を少なくとも２層で構成することにより、配線の抵抗を下げることが可能となり、駆動マージンを向上して表示品位の優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００５７】
また、分離溝を備えているので、表示領域を有する樹脂層内部に残存する水分やガスを低減すると共に、表示領域を有する樹脂層を周囲に存在する水分やガスから分断することができる。このため、表示領域内に水分やガスが浸入することに起因する有機ＥＬ素子の劣化現象を防止して、長期信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００５８】
＜電子機器＞
上述した各実施形態の有機ＥＬ表示装置は、各種電子機器に適用することができる。電子機器の一例としてデジタルスチルカメラシステムについて説明する。
【００５９】
図８は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムの全体構成を示すブロック図である。図８中、５０はデジタルスチルカメラシステム、５１は撮影部、５２は映像信号処理回路、５３は表示パネル、５４はメモリ、５５はＣＰＵ、５６は操作部を示す。
【００６０】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムでは、図８に示すように、撮影部５１で撮影した映像やメモリ５４に記録された映像は、映像信号処理回路５２で信号処理され、表示パネル５３に映し出される。また、ＣＰＵ５５では、操作部５６からの入力によって、撮影部５１、メモリ５４、映像信号処理回路５２などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル５３は、この他にも、各種電子機器の表示部として利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、使用環境の温度変化に対する長期信頼性に優れている。したがって、室内や室外、年間を通して幅広い温度、湿度での使用が想定される高い耐環境性を必要とする携帯電話、携帯コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのモニター等のモバイル機器の情報表示装置等に利用することができる。さらに、それらの各機能の複数を実現する装置に利用することができる。
【００６２】
これらの情報表示装置は、情報入力部を備えている。例えば、携帯電話の場合には情報入力部は、アンテナを含んで構成される。ＰＤＡや携帯ＰＣの場合には、情報入力部は、ネットワークに対するインターフェース部を含んで構成される。スチルカメラやムービーカメラの場合には、情報入力部はＣＣＤやＣＭＯＳなどによる光センサ部を含んで構成される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す斜視図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図。
【図８】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムの全体構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００６４】
１  ガラス基板
２  画素回路
３  絶縁膜
４Ａ，４Ｂ  有機平坦化膜
５  第１電極
６  有機層
７  第２電極
８Ａ，８Ｂ  素子分離膜
９  封止ガラス
１０，１５，１８  配線
１１  駆動回路
１２Ａ，１２Ｂ，１６Ａ，１６Ｂ  コンタクトホール
１３，１４，１７  導電層
５０  デジタルスチルカメラシステム
５１  撮影部
５２  映像信号処理回路
５３  表示パネル
５４  メモリ
５５  ＣＰＵ
５６  操作部
Ａ  表示領域
Ｂ  周辺領域
Ｃ  分断領域
【図１】
2010048837.tif 000003
【図２】
2010048837.tif 000004
【図３】
2010048837.tif 000005
【図４】
2010048837.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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