(57)【要約】【課題】シリコン基板の鏡面加工面上にジグ跡のない高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を製造する際に用いられる熱処理装置を提供する。【解決手段】エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン基板を保持する前記ホルダに具備された前記支持棒の溝の深さｈが、前記シリコン基板の面取り加工部の長さＷより小さいことを特徴とする請求項１に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン基板を保持する前記ホルダに具備された前記支持棒の溝の深さｈが、前記シリコン基板の面取り加工部の長さＷより大きく、且つ前記溝の開角αが前記シリコン基板の面取り加工部の面取り面の成す角より大きいことを特徴とする請求項１に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記形成する酸化膜の厚さを５μｍ以上とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【請求項５】
前記酸化性雰囲気が水蒸気を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚が５μｍ以上のシリコン酸化膜を有し、鏡面加工面に実質的に凸部がない酸化膜付きシリコン基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化シリコンからなる酸化膜がついたシリコン基板は、熱酸化法やＣＶＤ法で製造され、半導体分野で広く使用されている。半導体分野では、この酸化膜は絶縁膜としての機能を利用するため、酸化膜厚は比較的薄く、数百オングストローム程度のものが使われている。
【０００３】
一方、光通信用の光導波路型デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）でも酸化膜付きシリコン基板が用いられているが、半導体分野と比較して格段に厚い酸化膜が望まれており、しばしばその膜厚は５μｍ以上、時には２０μｍ程度の厚さの酸化膜が必要とされている。
【０００４】
半導体分野で広く使われている熱酸化法では、単純な作業で緻密且つ高品質な酸化膜がシリコン基板の表裏両面に形成できる。この方法では、酸化の進行は酸素原子の拡散則に従い、酸化膜厚の２乗と酸化時間が比例する関係を持つことが知られている。つまり、酸化膜厚が厚くなればなるほど、酸化に必要な時間は大きく増大することになる。
【０００５】
高速酸化法として、ポリシリコンを熱酸化する方法（例えば特許文献１及び２参照）が報告されている。その製造方法は、「ポリシリコンを基板上に堆積し、その基板を酸化熱処理してポリシリコン層を酸化する」、という工程を所望する酸化膜厚に達するまで繰り返す方法である。このため工程が煩雑になり、実質的な製造効率は改善され難い。また、酸化膜表面の荒れや、シリコン基板の片面のみに厚い酸化膜が形成されるため、後工程において熱応力分布の不均一さによって基板に反りが生じやすいという品質的な問題もある。
【０００６】
上記とは異なる高速酸化法として、加圧容器内で、酸化性雰囲気として水蒸気を含む雰囲気とする方法があり、酸化温度１０００℃で厚さ１５μｍの酸化膜を製造する時間は１５０時間程度と製造効率という点では優れている。
【０００７】
熱酸化法、ポリシリコンを加熱する方法および水蒸気による熱酸化法で酸化膜が例えば２μｍ程度の比較的薄い酸化膜を形成するときは、酸化時間が短いために、シリコン基板とそれを保持するジグの接触面に生じる凸部の高さは高々０．０５μｍ程度であり、この高さならばデバイスを作成する回路形成上問題が生じないとされる。
【０００８】
しかし、酸化膜厚が５μｍ以上と厚い酸化膜付きシリコン基板では、酸化時間は、熱酸化法の場合、膜厚の２乗に比例して長時間化するため、シリコン基板とジグとの接触時間が長くなり、例えば５μｍの酸化膜を形成した場合、ジグ周辺部分の鏡面加工面に約０．４μｍ程度の凸部が生じ、この結果、光導波路デバイスの特性がこの部分で劣化するという不具合が生じる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−１４８４６２号公報
【特許文献２】特開２００３−１９２３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、パターン形成面となるシリコン基板の鏡面加工面上にジグ跡のない高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法を提供する（請求項１）。
【００１２】
このように、シリコン基板の保持は、シリコン基板を保持するホルダに具備された支持棒の溝と、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみとを接触させることで行う。そして、その保持されたシリコン基板を熱処理してシリコン基板の表面に酸化膜を形成することで、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を得ることができ、その酸化膜付きシリコン基板を光導波路デバイスに用いる場合に特性の劣化を生じないパターン形成面を持つ酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【００１３】
この場合、シリコン基板を保持するホルダに具備された支持棒の溝の深さｈが、シリコン基板の面取り加工部の長さＷより小さいようにすることができる（請求項２）。
このように、本発明では、支持棒の溝の深さｈをシリコン基板の面取り加工部の長さＷより小さくすることで、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみがホルダに具備された支持棒の溝と接触し、鏡面加工部（シリコン基板の主面）はホルダと接触しない状態でシリコン基板を保持できる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。
【００１４】
また、この場合、シリコン基板を保持するホルダに具備された支持棒の溝の深さｈが、シリコン基板の面取り加工部の長さＷより大きく、且つ前記溝の開角αを面取り加工部の成す角より大きいようにすることができる（請求項３）。
このように、本発明では、支持棒の溝の深さｈをシリコン基板の面取り加工部の長さＷより大きくし、且つ溝の開角αを面取り面の成す角より大きくすることで、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみがホルダに具備された支持棒の溝と接触し、鏡面加工部はホルダと接触しない状態でシリコン基板を保持できる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。
【００１５】
さらに、この場合、形成する酸化膜の厚さを５μｍ以上とすることができる（請求項４）。
このように、本発明ではシリコン基板に形成する酸化膜の厚さが５μｍ以上と厚い場合であっても、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、従来の方法では、光導波路デバイスを作成する際に発生していた回路形成上の問題を解消した酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【００１６】
また、本発明の製造方法は、前記酸化性雰囲気が水蒸気を含むことができる（請求項５）。
このように、酸化性雰囲気が水蒸気を含むことで、例えば、酸化温度１０００℃で厚さ１５μｍの酸化膜を製造する時間は１５０時間程度であり、効率良く酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。そのため、従来の方法では光導波路デバイスを作成する際に発生していた回路形成上の問題を解消した酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の酸化膜付きシリコン基板の製造方法は、シリコン基板の保持は、シリコン基板を保持するホルダに具備された支持棒の溝と、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみとを接触させることで行う。そして、その保持されたシリコン基板を熱処理してシリコン基板の表面に酸化膜を形成することで、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダのジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、光導波路デバイスに用いる場合、パターン形成面となるシリコン基板の鏡面加工面上に、高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述したように、この厚い酸化膜を製造するときの問題点としては、酸化膜表面の品質があり、光導波路デバイスに用いると特性が劣化するという不具合が生じていた。
【００１９】
この酸化膜表面の品質の問題とは、例えば、膜厚が５μｍの酸化膜を形成した場合、シリコン基板の鏡面加工面に高さ約０．４μｍ程度の凸部が生じることであり、この凸部が光導波路デバイスの機能部となるコア層に伝播し、コア層の形状を崩すために光導波路デバイスの特性が劣化したものと考えられる。
また、この凸部は、酸化膜が２μｍ程度の比較的薄い酸化膜を形成したときは、高さは０．０５μｍ程度であり、この高さであればデバイスを作製する回路形成上問題が生じないことがわかった。
【００２０】
そこで、本発明者等は、酸化膜表面の品質の劣化の原因となる凸部を形成することなく、シリコン基板に厚い酸化膜を形成することに想到し、シリコン基板の保持は、シリコン基板を保持するホルダに具備された支持棒の溝と、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみとを接触させることで行い、その保持されたシリコン基板を熱処理してシリコン基板の表面に酸化膜を形成することで、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない厚い酸化膜を形成することを試みた。
【００２１】
その結果、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない厚い酸化膜を形成することができ、光導波路デバイスに用いる場合、パターン形成面となるシリコン基板の鏡面加工面上に、高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を得ることができた。
【００２２】
本発明は、上記の発見に基づいて完成されたものであり、以下、本発明について図面を参照しながらさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、図１は本発明の熱処理装置の構成例を模式的に示す図である。
【００２３】
この熱処理装置１０は、シリコン基板１を加熱するための円筒状カンタルヒータ４と、ヒータ４の内側に同軸に配設された石英製炉心管３を備えている。ヒータ４は３等分に分割され、炉心管３内を±１℃以内に均熱化できる。炉心管３の尾部には、ノズル７〜９が挿入され、それぞれのノズル７〜９からは、水素、酸素、キャリヤガスとして窒素が供給される。また、炉心管３のノズル７〜９と反対側の下部には、排気管６が設けられていて、炉心管３は炭化珪素製のキャップ５で閉じることができる。
【００２４】
さらに、シリコン基板１を保持するための、図２（ａ）のような対向する側板１６と該側板間に連結される溝１４を有する複数の支持棒１１とを具備した石英製ホルダ２が炉心管３内に配設され、このホルダ２によって、シリコン基板１が等間隔に保持される。ここで、図２（ｂ）は本発明の熱処理装置においてホルダに具備された支持棒により保持されたシリコン基板を示す要部断面図であり、図３と図５は本発明の熱処理装置において溝深さが異なるホルダに保持されたシリコン基板を模式的に示す図である。また、このときの本発明の熱処理装置におけるホルダに具備された支持棒の溝の形状を図４と図６に示す。
【００２５】
図２のように、ホルダ２に具備された複数の支持棒１１によりシリコン基板１を保持することで、シリコン基板１とホルダ２との接触箇所が少ない状態でシリコン基板１が保持される。この場合、支持棒１１の数は３本ではなく、２本あるいは４本以上有していてもよい。
【００２６】
図３のように、ホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４の深さｈを、面取り加工部１３の長さＷよりも小さくすることで、シリコン基板１の最外周端部１２から面取り加工部１３のみがホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４と接触し、鏡面加工面１５はホルダ２と接触しない状態でシリコン基板１が保持される。このホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４の形状は、シリコン基板１の最外周端部１２から面取り加工部１３のみがホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４と接触するものであれば限定されず、図４あるいは図６に示すような形状であってもよい。
【００２７】
また、図５のように、ホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４の深さｈを、面取り加工部１３の長さＷよりも大きくし、且つホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４の開角αが基板面取り部の面取り面の成す角βより大きくすることで、シリコン基板１の最外周端部１２から面取り加工部１３のみが、ホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４と接触し、鏡面加工面１５はホルダ２と接触しない状態でシリコン基板１が保持される。
なお、基板の支持点は下側からの支持が１または２箇所、横側からは２箇所の支持、合計３から４箇所の支持が望ましい。
【００２８】
図３または図５のように、シリコン基板を保持して、熱処理することで、シリコン基板の鏡面加工面１５上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる熱処理装置とすることができる。そのため、光導波路デバイスに用いる場合、パターン形成面となるシリコン基板の鏡面加工面上に、高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を得ることができ、光導波路デバイスにおける特性の劣化を生じない酸化膜を形成することができる熱処理装置とすることができる。
【００２９】
次に、本発明の酸化膜付きシリコン基板の製造方法の一例を図面を参照しながらさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるわけではない。
【００３０】
まず最初に、図４または図６に示すようなホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４に、エッジ面取り加工が施されたシリコン基板１をセットする。そして、図１に示すような熱処理装置の炉心管３内に、シリコン基板１を保持したホルダ２を挿入して、キャップ５で炉心管３を閉じる。
【００３１】
次に、ノズル７から水素、ノズル８から酸素、ノズル９からキャリアガスの窒素をそれぞれ供給し、熱反応させることにより、炉心管３内で水蒸気を生成して水蒸気を含む雰囲気を作る。また、ヒータ４により、炉心管３内を熱処理温度±１℃以内に均熱化し、シリコン基板１を加熱して、シリコン基板１の表面に所望膜厚の酸化膜を形成する。なお、酸化膜の形成法としては、熱酸化法であれば良く、常圧酸化または加圧酸化は使用する装置や形成する酸化膜厚の都合等で選択することができる。
【００３２】
このように、本発明の酸化膜付きシリコン基板の製造方法は、図３または図５のように、ホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４とシリコン基板１の最外周端部１２から面取り加工部１３のみとを接触させることでシリコン基板１を保持し、その保持されたシリコン基板１を水蒸気を含む雰囲気下において熱処理することでシリコン基板１の表面に酸化膜を形成する。これにより、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を得ることができ、その酸化膜付きシリコン基板を光導波路デバイスに用いる場合に特性の劣化を生じないパターン形成面を持つ酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【００３３】
また、本発明の酸化膜付きシリコン基板の製造方法では、形成する酸化膜の厚さを５μｍ以上とすることができる。
本発明では、シリコン基板に形成する酸化膜の厚さが５μｍ以上と厚い場合であっても、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、従来の方法では、光導波路デバイスを作成する際、酸化膜表面にジグ跡として生じる凸部が影響し、発生していたパターン形成面における回路形成上の問題を解消することができる酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【実施例】
【００３４】
次に本発明の実施例、比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
直径１００ｍｍのシリコン基板上に所定膜厚として１０μｍの酸化膜を形成した。このとき、シリコン基板の熱処理には、図１に示すような熱処理装置を用いた。この熱処理装置を用いた酸化膜の形成手順は、以下のとおりである。
【００３５】
まず、図１のような直径４００ｍｍ、長さ２５００ｍｍの円筒状カンタルヒータ４の中に、これと同軸に直径３５０ｍｍ、長さ２０００ｍｍの石英製炉心管３をセットする。ヒータ４で炉心管３内を１０００℃±１℃以内に均熱化する。炉心管３の尾部に３本の直径１０ｍｍ、長さ２００ｍｍのノズル７〜９を挿入し、それぞれのノズルから水素３．６Ｌ／ｍｉｎ、酸素２．０Ｌ／ｍｉｎ、キャリヤガスとして窒素２５Ｌ／ｍｉｎをそれぞれ供給する。そして、熱反応させることにより、炉心管３内で水蒸気を生成して水蒸気を含む雰囲気を作り出す。シリコン基板１を石英製のホルダ２に具備された支持棒１１の溝１４に等間隔にセットして炉心管３に挿入し、炭化珪素製のキャップ５で閉じ、酸化条件を設定して熱処理を行い、シリコン基板１の表面に酸化膜を形成する。
【００３６】
このとき、シリコン基板１を保持するホルダ２に具備された支持棒１１は、図６のような形状の溝を有しており、その溝の深さｈは２．０ｍｍ、上部の幅が２．０ｍｍで、溝の角度αを３０度に加工したものを用いた。また、使用したシリコン基板の直径は２００ｍｍ、厚さは７２５μｍで、エッジ面取り加工の角度は２５度、面取り加工部の長さＷは０．６ｍｍであった。このシリコン基板を図６のような形状の溝を有する支持棒を具備したホルダによって、最外周部から面取り加工部のみを接触させて保持した。酸化条件としては、高圧酸化条件として、ヒータ設定温度１０００℃、炉心管内圧力５気圧で、７０時間の酸化を行った。
【００３７】
その結果、平均膜厚が１０．７μｍの酸化膜を育成し、かつ、鏡面加工面上の酸化膜にジグ跡がない酸化膜付きシリコン基板５０枚を得ることができた。また、シリコン基板の外周面を観察した結果、ホルダに具備された支持棒の溝と接触したシリコン基板の面取り加工部にジグ跡として白濁領域が観察されたが、鏡面加工面上には外観上の異常はなく、ジグ跡は認められなかった。
【００３８】
（実施例２）
実施例１と同様の手順で、図１に示すような熱処理装置を用いてシリコン基板を熱処理し、酸化膜を形成した。
このとき、シリコン基板１を保持するホルダ２に具備された支持棒１１は、図４のような形状の溝を有しており、その溝の幅が１．０ｍｍで、深さｈを０．５ｍｍに加工したものを用いた。また、使用したシリコン基板の直径は２００ｍｍ、厚さは７２５μｍで、エッジ面取り加工部の長さＷは０．６ｍｍであった。このシリコン基板を図４のような形状の溝を有する支持棒を具備したホルダによって、最外周部から面取り加工部のみを接触させて保持した。また、酸化条件は、実施例１と同様に高圧酸化条件として、ヒータ設定温度１０００℃、炉心管内圧力５気圧で、７０時間の酸化を行った。
【００３９】
その結果、平均膜厚が１０．５μｍの酸化膜を育成し、かつ、鏡面加工面上の酸化膜にジグ跡がない酸化膜付きシリコン基板５０枚を得ることができた。また、シリコン基板の外周面を観察した結果、ホルダに具備された支持棒の溝と接触したシリコン基板の面取り加工部にジグ跡として白濁領域が観察されたが、鏡面加工面上には外観上の異常はなく、ジグ跡は認められなかった。
【００４０】
（比較例）
実施例１と同様の手順で、従来の熱処理装置を用いてシリコン基板を熱処理し、酸化膜を形成した。
このとき、シリコン基板１を保持するホルダ２に具備された支持棒１１は、図７のような形状の溝を有しており、その溝の幅が１．０ｍｍで、深さｈを２．０ｍｍに加工したものを用いた。また、使用したシリコン基板の直径は２００ｍｍ、厚さは７２５μｍで、エッジ面取り加工部の長さＷは０．６ｍｍであった。このシリコン基板を図７のような形状の溝を有する支持棒を具備したホルダによって、最外周部から面取り加工部だけでなく、鏡面加工面も接触させて保持した。また、酸化条件は、実施例１と同様に高圧酸化条件として、ヒータ設定温度１０００℃、炉心管内圧力５気圧で、７０時間の酸化を行った。
尚、比較例のホルダに具備された支持棒の溝の深さは、実施例のものより深いため、ホルダの厚さＡは実施例より薄くされる。
【００４１】
その結果、平均膜厚が１０．６μｍの酸化膜を育成したシリコン基板を５０枚得ることができた。しかし、シリコン基板を取り出した後にシリコン基板の外周付近を観察した結果、５０枚のシリコン基板のうち、３７枚の鏡面加工面上の酸化膜に約２ｍｍ２程度の大きさの白濁領域が観察された。この領域をＨＲＰ（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製）で高さを測定した結果、その高さは２．８μｍであった。また、ＳＥＭ−ＥＤＸで元素分析を行った結果、シリコンと酸素元素が観察された。このことにより、シリコン基板とホルダに具備された支持棒の溝との接触面付近で優先的にシリコン酸化膜が形成され、これが凸部となっていることがわかった。
【００４２】
以上のことから、実施例１及び実施例２は、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができたが、比較例は、シリコン基板の鏡面加工面上に、凸部が生じてしまい、高品質の酸化膜を得ることはできなかった。
【００４３】
このように、本発明の酸化膜付きシリコン基板の製造方法によれば、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板を得ることができ、その酸化膜付きシリコン基板を光導波路デバイスに用いる場合に特性の劣化を生じないパターン形成面を持つ酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
【００４４】
また、本発明の熱処理装置は、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができ、光導波路デバイスに用いる場合、パターン形成面となるシリコン基板の鏡面加工面上に、高品質の酸化膜を形成することができる。よって、光導波路デバイスにおける回路形成上の問題を生じない酸化膜を形成することができる熱処理装置とすることができる。
【００４５】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の熱処理装置の構成例を模式的に示す図である。
【図２】（ａ）ホルダの１例である。（ｂ）本発明の熱処理装置のホルダに具備された支持棒により保持されたシリコン基板を示す要部断面図である。
【図３】本発明の熱処理装置においてホルダに具備された支持棒の溝に保持されたシリコン基板を模式的に示す図である。
【図４】本発明の熱処理装置におけるホルダに具備された支持棒の溝の形状を示す図である。
【図５】本発明の熱処理装置において他のホルダに具備された支持棒の溝に保持されたシリコン基板を模式的に示す図である。
【図６】本発明の熱処理装置における他のホルダに具備された支持棒の溝の形状を示す図である。
【図７】比較例の熱処理装置におけるホルダに具備された支持棒の溝の形状を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…シリコン基板、  ２…ホルダ、  ３…炉心管、  ４…ヒータ、  ５…キャップ、  ６…排気管、  ７…ノズル、  ８…ノズル、  ９…ノズル、  １０…熱処理装置、  １１…支持棒、  １２…最外周端部、  １３…面取り加工部、  １４…溝、  １５…鏡面加工面、  １６…側板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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