(57)【要約】【課題】超ファインピッチの配線を効率よく形成でき、超ファインピッチのＣＯＦフィルムキャリアテープなどに用いることができるフレキシブルプリント配線基板用積層体及びフレキシブルプリント配線基板並びにこれらの製造方法を提供する。【解決手段】  導通用貫通孔１３が形成された絶縁基１１と、この絶縁基材１１の一方面に接着された導電体層１４とを具備し、前記導通用貫通孔１３には埋設導電体めっき層１５がその上面が前記絶縁基材１１の表面と面一になるように設けられ、前記絶縁基材１１の表面及び前記埋設導電体めっき層１５の上面を覆う導電体めっき層１８が設けられている。【選択図】  図１
2010141216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導通用貫通孔が形成された絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に接着された導電体層とを具備し、前記導通用貫通孔には埋設導電体めっき層がその上面が前記絶縁基材の表面と面一になるように設けられ、前記絶縁基材の表面及び前記埋設導電体めっき層の上面を覆う導電体めっき層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項２】
請求項１に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記導通用貫通孔が、３０〜８００μｍの径で、６０〜１６００μｍのピッチで設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層が、硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とするＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で形成されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項４】
請求項３に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２２ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとしたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層が、めっき後の上面が研磨処理により平坦化されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記絶縁基材が、放熱用貫通孔を具備し、当該放熱用貫通孔には前記埋設導電体めっき層と一緒に形成された埋設放熱用めっき層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体を用いて形成され、前記導電体層及び前記導電体めっき層のそれぞれに配線パターンが形成されていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載のフレキシブルプリント配線基板において、前記配線パターンの端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、配線間の間隔が１５μｍ以下であることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板。
【請求項９】
絶縁基材に導通用貫通孔を形成する工程と、この絶縁基材の一方面に導電体層を接着する工程と、前記導通用貫通孔に埋設導電体めっき層をその上面が前記絶縁基材の表面と面一となるように形成する工程と、前記絶縁基材の表面及び前記埋設導電体めっき層の上面を覆うように導電体めっき層を設ける工程とを具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記導通用貫通孔が、３０〜８００μｍの径で、６０〜１６００μｍのピッチで設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記埋設導電体めっき層を、硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とするＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２２ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとしたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記埋設導電体めっき層を、めっき後の上面を研磨処理により平坦化して形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記絶縁基材に、前記導通用貫通孔と共に放熱用貫通孔を形成し、前記埋設導電体めっき層の形成の際に前記放熱用貫通孔を埋設するように埋設放熱用めっき層を形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４の何れか１項に記載の製造方法により得られたフレキシブルプリント配線基板用積層体の前記導電体層及び前記導電体めっき層のそれぞれに配線パターンを形成する工程をさらに具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法において、前記配線パターンの形成の際に、端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下である配線パターンを形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯＦフィルムキャリアテープなどに用いることができるフレキシブルプリント配線基板用積層体及びフレキシブルプリント配線基板並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁フィルム、接着剤層および導電性金属箔から形成された配線パターンが形成された３層構造のＴＡＢテープあるいは絶縁フィルム上に直接導電性金属箔からなる配線パターンが形成された２層構造のＣＯＦテープなどのプリント配線板の出力側アウターリードおよび入力側アウターリードは、例えば、液晶パネルあるいはリジッドプリント配線板の回路部と異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）で電気的に接続される。
【０００３】
近年液晶画面の高精細化に伴ってドライバーＩＣチップの金バンプのファインピッチ化が進むに従いＣＯＦなどのＩＣ実装用プリント配線板においてもインナーリードピッチを２０μｍ以下に細線化された回路を形成することが必要になりつつあり、１５μｍピッチも視野に入ってきた。
【０００４】
このような高精細配線へ対応するに当たり、最近では、セミアディティブ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法による超ファインピッチ配線パターンの形成技術が注目されているが、コストの上昇をいかに抑えるか、また、累積ピッチ精度をいかに確保するか等の課題が残っている。
【０００５】
一方、プリント配線板を２メタル構造にして裏側にも配線パターンを配置することで、ファインピッチ化に対応する方法も検討されている。
【０００６】
例えば、両面銅張り積層体に金型又はドリルなどで貫通孔を形成し、貫通孔の内周壁面に無電解銅めっきを施してさらに電気銅めっきを施して表裏銅層の導通を図り、その後、フォトリソグラフィーによりパターンを形成する方法が検討されているが、スルーホールランド間の配線の引き回しがファインピッチとなってしまい、２メタル構造とする意味が小さいという課題がある。
【０００７】
そこで、貫通孔内を銅めっきで埋め込む方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法は絶縁層にレーザーやエッチングにより開口部を形成した後、導通化処理をした後、電解銅めっきを行うことにより開口部に銅めっきを充填する方法であるが、配線パターンを形成しながら開口部を形成して積層するプロセスであるため、プロセスが複雑となるという課題がある。
【０００８】
一方、接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールを形成して銅箔を貼り合わせた後、ビアホールに充填めっきを行ってブラインドビアホールを形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
しかしながら、この方法では、ビアホールの１／２程度の深さまで埋めてめっきした後、一方面の銅めっき層を形成する際にビアホールの半分を埋めるので、銅めっき層の表面が完全に平坦にはならず、ファインピッチの配線の形成の妨げになるという課題がある。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１５６４５３号公報
【特許文献２】特開２００５−２１７２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上述した事情に鑑み、超ファインピッチの配線を効率よく形成でき、超ファインピッチのＣＯＦフィルムキャリアテープなどに用いることができるフレキシブルプリント配線基板用積層体及びフレキシブルプリント配線基板並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成する本発明の第１の態様は、導通用貫通孔が形成された絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に接着された導電体層とを具備し、前記導通用貫通孔には埋設導電体めっき層がその上面が前記絶縁基材の表面と面一になるように設けられ、前記絶縁基材の表面及び前記埋設導電体めっき層の上面を覆う導電体めっき層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００１３】
かかる第１の態様では、導通用貫通孔を打ち抜き等により容易に形成した絶縁基材を用いて２メタル構造を形成でき且つ導通用貫通孔に埋め込まれた埋設導電体めっき層の上面が絶縁基材の表面と面一なので、その上に形成された導電体めっき層も平坦であり、プリント配線基板とした場合、導通用貫通孔間にファインピッチの配線を効率的に配置した配線パターンを形成することが可能となる。
【００１４】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記導通用貫通孔が、３０〜８００μｍの径で、６０〜１６００μｍのピッチで設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００１５】
かかる第２の態様では、所定の径、所定のピッチで設けられた導通用貫通孔が埋設導電体めっき層により上面が面一となるように埋め込まれた導通配線が形成された２メタル構造のフレキシブルプリント配線基板用積層体となる。
【００１６】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層が、硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とするＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で形成されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００１７】
かかる第３の態様では、埋設導電体めっき層となる銅めっき層を所定の条件のＰＰＲめっきで形成することにより、上面がより確実に平坦となり、絶縁基材の表面と面一になった埋設導電体めっき層をより簡便に形成することができる。
【００１８】
本発明の第４の態様は、第３の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２２ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとしたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００１９】
かかる第４の態様では、ＰＰＲ法のパルスを所定のパルスとすることにより、さらに確実に上面が平坦な埋設導電体めっき層とすることができる。  
【００２０】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れか１つの態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層が、めっき後の上面が研磨処理により平坦化されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００２１】
かかる第５の態様では、埋設導電体めっき層となる銅めっき層をめっきした後、研磨処理することにより、上面をより確実に平坦とすることができる。
【００２２】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れか１つの態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記絶縁基材が、放熱用貫通孔を具備し、当該放熱用貫通孔には前記埋設導電体めっき層と一緒に形成された埋設放熱用めっき層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体にある。
【００２３】
かかる第６の態様では、放熱用貫通孔に埋設めっき層を設けることにより、配線から発生する熱を裏面側へ放熱することができる。
【００２４】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れか１つの態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体を用いて形成され、前記導電体層及び前記導電体めっき層のそれぞれに配線パターンが形成されていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板にある。
【００２５】
かかる第７の態様では、導通用貫通孔を打ち抜き等により容易に形成した絶縁基材を用いて形成され且つ導通用貫通孔に埋め込まれた埋設導電体めっき層の上面が絶縁基材の表面と面一な２メタル構造の積層体を用いているので、導通用貫通孔間にファインピッチの配線を効率的に配置した配線パターンを有するフレキシブルプリント配線基板となる。
【００２６】
本発明の第８の態様は、第７の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板において、前記配線パターンの端子部の配線のピッチ（ラインアンドスペース）が３０μｍ以下、線幅（ライン）が６μｍ以上、配線間の間隔（スペース）が１５μｍ以下であることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板にある。
【００２７】
かかる第８の態様では、所定範囲のファインピッチの配線を有するフレキシブルプリント配線基板となる。
【００２８】
本発明の第９の態様は、絶縁基材に導通用貫通孔を形成する工程と、この絶縁基材の一方面に導電体層を接着する工程と、前記導通用貫通孔に埋設導電体めっき層をその上面が前記絶縁基材の表面と面一となるように形成する工程と、前記絶縁基材の表面及び前記埋設導電体めっき層の上面を覆うように導電体めっき層を設ける工程とを具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００２９】
かかる第９の態様では、導通用貫通孔を打ち抜き等により容易に形成した絶縁基材を用いて２メタル構造を比較的簡便に形成でき且つ導通用貫通孔に埋め込まれた埋設導電体めっき層の上面が絶縁基材の表面と面一なので、その上に形成された導電体めっき層も平坦であり、プリント配線基板とした場合、導通用貫通孔間にファインピッチの配線を効率的に配置した配線パターンを形成することが可能なプリント配線基板用積層体を製造できる。
【００３０】
本発明の第１０の態様は、第９の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記導通用貫通孔が、３０〜８００μｍの径で、６０〜１６００μｍのピッチで設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００３１】
かかる第１０の態様では、所定の径で所定のピッチで設けられた導通用貫通孔が埋設導電体めっき層により上面が面一となるように埋め込まれた導通配線が形成された２メタル構造のフレキシブルプリント配線基板用積層体を製造できる。
【００３２】
本発明の第１１の態様は、第９又は１０の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記埋設導電体めっき層を、硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とするＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００３３】
かかる第１１の態様では、埋設導電体めっき層となる銅めっき層を所定の条件のＰＰＲめっきで形成することにより、上面がより確実に平坦となり、絶縁基材の表面と面一になった埋設導電体めっき層をより簡便に形成することができる。
【００３４】
本発明の第１２の態様は、第１１の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体において、前記埋設導電体めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２２ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとしたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００３５】
かかる第１１の態様では、ＰＰＲ法のパルスを所定のパルスとすることにより、さらに確実に上面が平坦な埋設導電体めっき層とすることができる。
【００３６】
本発明の第１３の態様は、第９〜１２の何れかの１つの態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記埋設導電体めっき層を、めっき後の上面を研磨処理により平坦化して形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００３７】
かかる第１３の態様では、埋設導電体めっき層となる銅めっき層をめっきした後、研磨処理することにより、上面をより確実に平坦とすることができる。
【００３８】
本発明の第１４の態様は、第９〜１３の何れか１つの態様に記載のフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法において、前記絶縁基材に、前記導通用貫通孔と共に放熱用貫通孔を形成し、前記埋設導電体めっき層の形成の際に前記放熱用貫通孔を埋設するように埋設放熱用めっき層を形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法にある。
【００３９】
かかる第１４の態様では、放熱用貫通孔に埋設放熱用めっき層を設けることにより、埋設放熱用めっき層上に実装したチップ部品から発生する熱を裏面側へ放熱することができるフレキシブルプリント配線基板用積層体を製造できる。
【００４０】
本発明の第１５の態様は、第９〜１４の何れか１つの態様に記載の製造方法により得られたフレキシブルプリント配線基板用積層体の前記導電体層及び前記導電体めっき層のそれぞれに配線パターンを形成する工程をさらに具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法にある。
【００４１】
かかる第１５の態様では、導通用貫通孔を打ち抜き等により容易に形成した絶縁基材を用いて形成でき且つ導通用貫通孔に埋め込まれた埋設導電体めっき層の上面が絶縁基材の表面と面一な２メタル構造の積層体を用いて製造するので、導通用貫通孔間にファインピッチの配線を効率的に配置した配線パターンを有するフレキシブルプリント配線基板を製造できる。
【００４２】
本発明の第１６の態様は、第１５の態様に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法において、前記配線パターンの形成の際に、端子部の配線のピッチ（ラインアンドスペース）が３０μｍ以下、線幅（ライン）が６μｍ以上、配線間の間隔（スペース）が１５μｍ以下である配線パターンを形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法にある。
【００４３】
かかる第１６の態様では、所定範囲のファインピッチの配線を有するフレキシブルプリント配線基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板用積層体及びフレキシブルプリント配線基板の一例を実施例に基づいて説明する。
【００４５】
図１には、一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板用積層体の断面図、図２には、フレキシブルプリント配線基板の断面図を示す。
【００４６】
図１に示すように、本実施形態のフレキシブルプリント配線基板用積層体１０は、フレキシブルな絶縁基材１１と、絶縁基材１１の一方面に接着剤層１２を介して接着された金属箔からなる導電体層１４と、絶縁基材１１に形成された複数の導通用貫通孔１３に埋設された埋設導電体めっき層１５と、絶縁基材１１の他方面側に設けられた第１の導電体めっき層及び第２の導電体めっき層からなる導電体めっき層１８とを具備する積層構造を有する。
【００４７】
ここで、埋設導電体めっき層１５の上面は、絶縁基材１１の表面と面一となっており、絶縁基材１１の表面及び埋設導電体めっき層１５の上面に設けられた第１のめっき層１６及び第２のめっき層１７は、埋設導電体めっき層１５と完全に導通し且つ絶縁基材１１と埋設導電体めっき層１５との境界付近においても平坦に形成されている。また、第１のめっき層１６及び第２のめっき層１７が、本実施例の導電体めっき層１８となる。
【００４８】
図２は、このようなフレキシブルプリント配線基板用積層体１０を用いて製造されたフレキシブルプリント配線基板の断面図である。フレキシブルプリント配線基板２０は、導電体層１４と、導電体めっき層１８とを、フォトグラフィープロセスによりパターニングし、絶縁基材１１の両面に第１の配線パターン２１及び第２の配線パターン２２を形成したものであり、第１及び第２の配線パターン２１、２２は、埋設導電体めっき層１５を介して適宜接続されて一体となる配線パターンを構成している。
【００４９】
以下、フレキシブルプリント配線基板用積層体１０及びフレキシブルプリント配線基板２０について、製造方法を例示しながら、さらに詳細に説明する。
【００５０】
図３及び図４に、フレキシブルプリント配線基板用積層体の製造方法の一例を示す。同図（ａ）に示すように、まず、絶縁基材１１の一方面に接着剤層１２を設けた積層体を用意する。
【００５１】
ここで絶縁基材１１は、絶縁性樹脂からなる板、フィルム、シート、プリプレグなど、通常の絶縁基材として使用されているものであれば特に限定することなく使用することができる。ただし、本発明のプリント配線基板をリール・トゥ・リール方式で連続的に製造するためには、この絶縁基材１１が長尺であり、可撓性を有してフレキシブルであることが望ましく、また、プリント配線基板を製造する工程において、この絶縁基材１１は、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液と接触することがあることから耐薬品性に優れていることが望ましく、さらに、高温に晒されることがあることから耐熱性に優れていることが望ましい。また、この絶縁基材１１を用いてメッキ工程により配線パターンを製造することから、水との接触により、変性あるいは変形しないものであることが望ましい。こうした観点から本発明で使用する絶縁基材１１としては、耐熱性の合成樹脂フィルムを使用することが好ましく、特にポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルムなど、プリント配線基板の製造に通常使用されている樹脂フィルムを使用することが好ましく、これらの中でも耐熱性、耐薬品性、耐水性などの特性に優れるポリイミドフィルムが特に好ましい。また、本発明において絶縁基材１１は上記のようなフィルム状である必要性はなく、例えば繊維状物とエポキシ樹脂などの複合体からなる板状の絶縁基材であっても良い。
【００５２】
絶縁基材１１の厚さは、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜４０μｍであり、耐熱樹脂フィルムとして製造されているものを用いるのがコスト、取り扱いの面で好ましく、フレキシブルプリント配線基材の基材として市販されているポリイミド系フィルム又はポリアミドイミド系フィルムを用いるのが好ましい。特に、ピロメリット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミド（例えば、商品名：カプトン；東レ・デュポン社製）や、ビフェニルテトラカルボン酸−２無水物とパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）との重合物（例えば、商品名：ユーピレックスＳ；宇部興産社製）、アピカル（商品名；カネカ社製）などを用いるのが好ましい。
【００５３】
接着剤層１２は、例えば、ポリアミド系接着剤、エポキシ系接着剤などの絶縁性の接着剤を用いて形成すればよく、厚さは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍである。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基材１１と接着剤層１２との積層体に、複数の導通用貫通孔１３を所定の配置で形成する。かかる導通用貫通孔１３は、ドリルによる穿孔、金型を用いたパンチング法、レーザー穿設法などによって形成すればよいが、パンチング法により形成するのがコスト的にも好ましい。
【００５５】
なお、図示は省略するが、絶縁基材１１の幅方向両側には、搬送用又は位置決め用のスプロケットホール（又はパーフォレーション孔）が形成されるが、かかるスプロケットホールは、導通用貫通孔１３と同時に形成するようにしてもよいが、この工程に先立って又はこの工程の後の別工程で形成してもよく、特に限定されない。
【００５６】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁基材１１の接着剤層１２が設けられた一方面側に、導電体層１４を貼り付ける。この貼り付けは、例えば、熱ロールなどによる仮圧着を行った後、加熱処理による接着処理を行うことにより実施する。
【００５７】
ここで、導電体層１４は、金属箔からなり、フレキシブルプリント配線基材として使用できる厚さ、品質を有していれば、特に限定されない。一般的には、５〜３５μｍ程度の厚さのものが用いられる。また、製造工程での取り扱い性の点から、製造過程ではキャリア付き金属箔を用い、最後にキャリアを除去するようにしてもよい。また、金属箔としては、銅箔、アルミ箔などを挙げることができ、キャリアとしては銅箔やアルミ箔などを挙げることができる。
【００５８】
次に、図３（ｄ）に示すように、導通用貫通孔１３を埋設するように埋設導電体めっき層１５を形成する。埋設導電体めっき層１５は、電気めっき法などにより形成すればよいが、最終的に、上面が絶縁基材１１の表面と面一となるように形成する必要がある。
【００５９】
よって、図４（ａ）に示すように、絶縁基材１１の表面より盛り上がるようにめっき層１５Ａを形成したのち、図４（ｂ）に示すように、化学研磨やバフ研磨により上面が面一となるめっき層１５Ｂとしてもよい。なお、かかる研磨工程はめっき層１５Ａ上に導電体めっき層を形成した後、行ってもよいが、全体に亘って平坦な状態を形成するためには、埋設導電体めっき層１５の上面が絶縁基材と面一になるように研磨した後、導電体めっき層を設けるのが好ましい。
【００６０】
また、ＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法により、上面が面一となるようにめっきして研磨工程を行わなくてもよい。
【００６１】
ここで、埋設導電体めっき層１５を銅めっき層として、ＰＰＲめっき法により形成する場合、硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件でめっきするのが好ましい。これにより、上面が平坦で絶縁基材１１の表面と面一となるように埋設導電体めっき層１５を形成することができる。本件において、正とは銅めっきが試料に付着する方向であり、負とは銅めっきが溶解する方向を意味する。
【００６２】
また、特に、印加するパルスを、正が１８〜２２ｍｓｅｃ、負が０．５〜１．５ｍｓｅｃとなるようなパルスとするのが好ましく、電流密度は１〜４Ａ／ｄｍ２とするのが好ましい。このようなめっき条件とすることにより、より確実に表面が平坦な配線を形成できる。
【００６３】
次いで、図３（ｅ）に示すように、絶縁基材１１の表面及び埋設導電体めっき層１５の上面を覆うように、例えば、ニッケルからなる無電解めっき層１６を、例えば、０．０１〜０．２μｍの厚さで設ける。かかる無電解めっき層１６をより確実に且つ密着性よく形成するために、無電解めっきに先だってめっき前処理を行うのが好ましい。このめっき前処理は、例えば、絶縁基材１１の上面を脱脂、アルカリ処理などを行った後、必要に応じて触媒などを含有する下地層を形成するものである。例えば、絶縁基材１１がポリイミドの場合、脱脂し、アルカリ改質することにより、ポリイミド環を開環させ、その後、触媒化処理した後、還元するような前処理を行うのが好ましい。
【００６４】
次に、図３（ｆ）に示すように、無電解めっき層１６の上に、例えば、銅からなる電気めっき層１７を、例えば、１〜１５μｍの厚さで形成する。これにより、無電解めっき層１６及び電気めっき層１７からなる導電体めっき層１８を形成する。
【００６５】
なお、無電解めっき層１６及び電気めっき層１７を形成する際には、裏面側はレジストなどでマスクしておく必要があるが、無電解めっき層１６及び電気めっき層１７の何れか又は両方と同時に裏面にもめっき層を設けるようにしてもよい。
【００６６】
また、上述したプロセスでは、導電体めっき層１８が無電解めっき層１６及び電気めっき層１７からなるものとしたが、全体を無電解めっきで形成してもよい。
【００６７】
図５には、フレキシブルプリント配線基板２０の製造方法の一例を示す。
図５（ａ）に示すようなフレキシブルプリント配線基板用積層体１０を用意し、図５（ｂ）に示すように、導電体層１４全体を覆うマスクレジスト層１０１を設けると共に導電体めっき層１８上に所定の形状にパターニングしたレジストパターン層１０２を形成する。
【００６８】
次に、図５（ｃ）に示すように、マスクレジスト層１０１及びレジストパターン層１０２をマスクとして導電体めっき層１８をエッチングし、マスクレジスト層１０１及びレジストパターン層１０２を除去することにより、第１の配線パターン２１を形成する。なお、第１の配線パターン２１は、必要な箇所の埋設導電体めっき層１５と導通したものとすることができる。
【００６９】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１の配線パターン２１を覆うマスクレジスト層１０３を設けると共に、導電体層１４上に所定の形状にパターニングしたレジストパターン層１０４を形成する。
【００７０】
続いて、図５（ｅ）に示すように、マスクレジスト層１０３及びレジストパターン層１０４をマスクとして導電体層１４をエッチングし、マスクレジスト層１０３及びレジストパターン層１０４を除去することにより、第２の配線パターン２２を形成する。かかる第２の配線パターン２２は、所定の箇所の埋設導電体めっき層１５を介して第１の配線パターン２１と導通されており、第１の配線パターン２１及び埋設導電体めっき層１５と共に配線パターンを構成するものとなる。
【００７１】
なお、このようにして配線パターン２１、２２の少なくとも一部を覆うようにソルダーレジスト層を形成してフレキシブルプリント配線基板２０とすることができる。
【００７２】
図６及び図７には、フレキシブルプリント配線基板の製造方法の他の例を示す。この製造方法は、セミアディティブ法によるものであるので、図６（ａ）に示すように、厚さが比較的薄い導電体めっき層１９を有するフレキシブルプリント配線基板用積層体１０Ａを用意した。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、導電体層１４全体を覆うマスクレジスト層１１１を設けると共に導電体めっき層１９上に所定の形状にパターニングしたレジストパターン層１１２を形成する。
【００７４】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスクレジスト層１１１及びレジストパターン層１１２をマスクとして導電体めっき層１９が露出した領域にセミアディティブめっき層３１を形成し、その後、図６（ｄ）に示すように、マスクレジスト層１１１及びレジストパターン層１１２を除去する。
【００７５】
次に、図７（ａ）に示すように、セミアディティブめっき層３１をマスクとして導電体めっき層１９をフラッシュエッチングしてセミアディティブめっき層３１と、その下層となる同一パターンの導電体めっき層パターン１９Ａとからなる第１の配線パターン３２を形成する。なお、第１の配線パターン３２は、必要な箇所の埋設導電体めっき層１５と導通したものすることができる。
【００７６】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１の配線パターン３２を覆うマスクレジスト層１１３を設けると共に、導電体層１４上に所定の形状にパターニングしたレジストパターン層１１４を形成する。
【００７７】
続いて、図７（ｃ）に示すように、マスクレジスト層１１３及びレジストパターン層１１４をマスクとして導電体層１４をエッチングし、マスクレジスト層１１３及びレジストパターン層１１４を除去することにより、第２の配線パターン３３を形成する。かかる第２の配線パターン３３は、所定の箇所の埋設導電体めっき層１５を介して第１の配線パターン３２と導通されており、第１の配線パターン３２及び埋設導電体めっき層１５と共に配線パターンを構成するものとなる。
【００７８】
なお、このようにして配線パターン３２、３３の少なくとも一部を覆うようにソルダーレジスト層を形成してフレキシブルプリント配線基板２０とすることができる。
【００７９】
以上説明したフレキシブル配線基板用積層体及びフレキシブル配線基板では、導通用貫通孔とこれに埋設された埋設導電体めっき層について説明したが、本発明では、絶縁基材に導通用貫通孔と共にそれより大径の放熱用貫通孔を形成すると共に埋設導電体めっき層の形成の際に放熱用貫通孔を埋設するように埋設放熱用めっき層を形成することもできる。この場合には、例えば、表面側の配線パターン（埋設放熱用めっき層を含む）に実装されたＩＣチップなどからの熱を、ＩＣチップ実装領域及びその周辺にある放熱用貫通孔に設けられた埋設めっき層を介して裏面側へ放熱することができるという効果を奏する。
【実施例】
【００８０】
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００８１】
［実施例１］
絶縁基材としての厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）にポリアミド系接着剤をロールコーターで１０μｍ厚に塗布し、乾燥した後、３５ｍｍ幅にスリットし、金型を用いたパンチングにより、０．８ｍｍピッチで直径０．４ｍｍの放熱用貫通孔を８１個、０．１７ｍｍピッチで直径０．０８ｍｍの導通用貫通孔を１００個、合計１８１個の孔を形成した。これと同時に、同じ金型でフィルム両端に、直径１．４２ｍｍのパーフォレーション孔を４．７５ｍｍピッチで形成して送りガイドとした。
【００８２】
このような絶縁基材に導電体層として厚さ１５μｍ、幅３０ｍｍの電解銅箔（三井金属鉱業（株）製ＮＡ−ＤＦＦ）を接着剤層側に仮圧着し、その後、加熱して完全に接着した。
【００８３】
次に、絶縁基材と導電体層との積層体を塩酸で処理して酸性脱脂し、カバーグリーム入り銅めっき液（メルテックス社製；ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：１１０ｇｒ／Ｌ、硫酸１９０ｇｒ／Ｌ、Ｃｌ−５０ｐｐｍ）を用い、温度２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２で５７分間、めっき厚５０μｍでめっきし、放熱用貫通孔及び導通用貫通孔を埋設銅めっき層により埋設した。埋設銅めっき層は絶縁基材の表面より約２μｍ程度高くなった。
【００８４】
その後、耐水性シリコンカーバイドペーパー（丸本ストルアス社製、ＦＥＰＡ  Ｐ  ＃２４００）により絶縁基材の表面から突出した埋設銅めっき層の上面を、３６０回／分の回転型研磨装置で研磨し、絶縁基材の表面と面一となるようにした。
【００８５】
次に、絶縁基材の表面をアルカリ脱脂処理してアルカリで開環処理し、触媒化処理してさらに還元処理した後、無電解ニッケルめっき（荏原電産社製）を３８℃で５分間実施し、絶縁基材及び埋設銅めっき層の表裏全体に１００ｎｍの厚さのニッケルめっき層を形成した。
【００８６】
さらに、１３０℃で５分間加熱して水分を除去し、さらに銅置換処理を行った後、カバーグリーム入り銅めっき液（メルテックス社製；ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：１１０ｇｒ／Ｌ、硫酸１９０ｇｒ／Ｌ、Ｃｌ−５０ｐｐｍ）を用いて、液温２４℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１５分間めっきし、ニッケルめっき層上に１０μｍの厚さの銅めっき層を形成し、フレキシブルプリント配線基板用積層体とした。なお、このとき、裏面の銅箔面は塩化ビニル製バックプレートに押しつけてテーピングすることにより保護してめっき液が回り込まないようにし、銅めっきが付着しないようにした。
【００８７】
次に、このように製造したフレキシブルプリント配線基板用積層体の表裏面に、１５μｍの厚さのネガ型ドライフィルムレジスト（旭化成社製、Ｍ−５０Ｂ）を、ラミネーターを用いて１０５℃で貼り付けた。
【００８８】
次いで、表面側とした電解銅箔側のドライフィルムレジストを、２０μｍピッチから４６０μｍピッチの配線パターンを描画したガラスマスクを用いて露光装置により１８０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で紫外線露光し、裏面側のドライフィルムレジストは１８０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で全面紫外線露光した。その後、炭酸ソーダ溶液により現像して未露光部分を溶解し、各ピッチのフォトレジストパターンを形成した。
【００８９】
現像後フォトレジストパターンから露出した電解銅箔をエッチング液でエッチングし、続いて、剥離液で表裏両面のレジスト層を剥離し、表面側の第１の配線パターンを形成した。
【００９０】
次に、同様に両面にドライフィルムレジストをラミネートし、表面側のドライフィルムレジストを全面露光すると共に、裏面側のドライフィルムレジストを所定のパターンに露光し且つ現像し、裏面側のめっき層を塩化第２銅エッチング液によりエッチングして第２の配線パターンを形成し、その後、剥離液で表裏のレジストを剥離し、マイクロエッチング液に浸漬してフラッシュエッチングにより裏面の配線パターンの上面のニッケルめっき層を除去した。このフラッシュエッチングは、無電解ニッケルめっき層が１００ｎｍと薄いため短時間ですむので、配線パターンの線幅への影響はほとんどない。
【００９１】
そして、配線パターン上に無電解すずめっきを０．５μｍ厚に形成し、フレキシブルプリント配線基板とした。
【００９２】
［実施例２］
実施例１と同様に絶縁基材として厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）を用い、実施例１と同様に処理して電解銅箔との積層体を形成した後、同様に導通用貫通孔に埋設銅めっき層を形成し、同様に上面を研磨し、実施例１と同様に前処理した後、無電解ニッケルめっき（荏原電産社製）を３８℃で５分間実施し、絶縁基材及び埋設銅めっき層の表裏全体に１００ｎｍの厚さのニッケルめっき層を形成した。
【００９３】
続いて、１３０℃で５分間加熱して水分を除去し、さらに銅置換処理を行った後、カバーグリーム入り銅めっき液（メルテックス社製；ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：７５ｇｒ／Ｌ、硫酸２００ｇｒ／Ｌ、Ｃｌ−５０ｐｐｍ）を用いて、液温２４℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２で３０秒間めっきし、表裏両面のニッケルめっき層上に０．２μｍの厚さの銅めっき層を形成し、フレキシブルプリント配線基板用積層体とした。
【００９４】
次に、このように製造したフレキシブルプリント配線基板用積層体の表裏面に、１５μｍの厚さのネガ型ドライフィルムレジスト（旭化成社製、Ｍ−５０Ｂ）を、ラミネーターを用いて１０５℃で貼り付けた。
【００９５】
次いで、表面側とした０．２μｍ厚銅めっき層側のドライフィルムレジストを、２０μｍピッチから４６０μｍピッチの配線パターンを描画したガラスマスクを用いて露光装置により１８０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で紫外線露光し、裏面側のドライフィルムレジストは１８０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で全面紫外線露光した。その後、炭酸ソーダ溶液により現像して未露光部分を溶解し、各ピッチのフォトレジストパターンを形成した。
【００９６】
続いて、ＳＴ９０１を添加した銅めっき液（メルテックス社製；ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：７５ｇｒ／Ｌ、硫酸２００ｇｒ／Ｌ）を用いて、液温２４℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２で２０分間めっきし、セミアディティブ法による８μｍ厚の銅めっき配線パターンを得た。
【００９７】
次に、剥離液で表裏両面のレジスト層を剥離し、さらに、硫酸＋過酸化水素系エッチング液で３５℃、４５秒の条件で処理し、水洗することなく、１３％硫酸＋１３％塩酸混合溶液で１３秒間処理して両面の無電解ニッケルめっき層を溶解し、表面はレジストを除去した領域の絶縁基材を露出させて所定の表面側の第１の配線パターンを形成し、裏面側は電解銅箔が露出した状態を得る。
【００９８】
次に、同様に両面にドライフィルムレジストをラミネートし、表面側のドライフィルムレジストを全面露光すると共に、裏面側のドライフィルムレジストを所定のパターンに露光し且つ現像し、裏面側のめっき層を塩化第２銅エッチング液によりエッチングして第２の配線パターンを形成し、その後、剥離液で表裏のレジストを剥離し、配線パターン上に無電解すずめっきを０．５μｍ厚で形成し、フレキシブルプリント配線基板とした。
【００９９】
［実施例３］
実施例１と同様に絶縁基材として厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）を用い、実施例１と同様に処理して電解銅箔との積層体を形成した。
【０１００】
次に、実施例１とは異なり、カバーグリームＰＰＲを添加した銅めっき液（メルテックス社製；ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：７５ｇｒ／Ｌ、硫酸２００ｇｒ／Ｌ）を用い、温度２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２、ＦＲ電流密度比（正：負＝１：１．５）、ＦＲパルス時間（正側２０ｍｓｅｃ、負側１ｍｓｅｃ）で５７分間ＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっきし、導通用貫通孔及び放熱用貫通孔内に４８μｍ厚さの銅めっき層を形成した。孔内の埋設銅めっき層及び埋設放熱用めっき層の上面は絶縁基材の表面と面一となり、研磨による平坦化は実施しなかった。なお、電源には、（株）中央製作所製の高速極性反転パルス電流出力整流器（ＰＰＳ−０５０−１）を用いた。また、アノードには、チタンに酸化イリジウムを被覆した不溶性電極を用いた。以下、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線基板用積層体とした。
【０１０１】
また、このフレキシブルプリント配線基板用積層体を用い、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線基板を製造した。
【０１０２】
［実施例４］
実施例１と同様に絶縁基材として厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）を用い、実施例１と同様に処理して電解銅箔との積層体を形成した。
【０１０３】
次に、実施例３と同様にＰＰＲめっきを行ったが、めっき時間を６０分間とし、導通用貫通孔及び放熱用貫通孔内に５０μｍ厚さの銅めっき層を形成した。孔内の埋設銅めっき層及び埋設放熱用めっき層の上面は絶縁基材の表面より２．５μｍ程度盛り上がっていたが、上面は平坦であった。
【０１０４】
この埋設銅めっき層及び埋設放熱用めっき層を実施例１と同様に研磨して絶縁基材の表面と面一にした後、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線基板用積層体を得た。
【０１０５】
また、このフレキシブルプリント配線基板用積層体を用い、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線基板を製造した。
【０１０６】
［実施例５］
実施例１と同様に絶縁基材として厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）を用い、実施例１と同様に処理して電解銅箔との積層体を形成した。
【０１０７】
次に、実施例３と同様にＰＰＲめっきを行い、導通用貫通孔及び放熱用貫通孔内に４８μｍ厚さの銅めっき層を形成した。孔内の埋設銅めっき層及び埋設放熱用めっき層の上面は絶縁基材の表面と面一となっていたので、研磨を行わない以外は実施例２と同様にして、フレキシブルプリント配線基板用積層体を得た。
【０１０８】
また、このフレキシブルプリント配線基板用積層体を用い、実施例２と同様にしてフレキシブルプリント配線基板を製造した。
【０１０９】
［実施例６］
実施例１と同様に絶縁基材として厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名：カプトン）を用い、実施例１と同様に処理して電解銅箔との積層体を形成した。
【０１１０】
次に、実施例４と同様にＰＰＲめっきを６０分間行い、導通用貫通孔及び放熱用貫通孔内に５０μｍ厚さの銅めっき層を形成した。孔内の埋設銅めっき層及び埋設放熱用めっき層の上面は絶縁基材の表面より２．５μｍ程度盛り上がっていたが、上面は平坦であった。
【０１１１】
この埋設銅めっき層を実施例１と同様に研磨して絶縁基材の表面と面一にした後、実施例２と同様にしてフレキシブルプリント配線基板用積層体を得た。
【０１１２】
また、このフレキシブルプリント配線基板用積層体を用い、実施例２と同様にしてフレキシブルプリント配線基板を製造した。
【０１１３】
（まとめ）
実施例１〜６のフレキシブルプリント配線基板用積層体を用いると、導電体めっき層の表面が平坦となり、フォトレジストを均一な厚さで塗布できるので、露光紫外線はレジスト面に直角に照射されることになり、露光精度が良好で均一な線幅で且つ位置合わせ精度の高い配線パターンを有するフレキシブルプリント配線基板となる。
【０１１４】
したがって、導通用貫通孔の埋設銅めっき層と配線との接続部となるランドは貫通孔の直径と同一径とすることが可能であり、孔間隔０．０９ｍｍピッチの直径０．０８ｍｍの導通用貫通孔の間に、線幅１０μｍ（ピッチ２０μｍ）の配線を４本配置することが可能となる。
【０１１５】
なお、従来の配線基板用積層体のように導通用貫通孔上の導電体めっき層が平坦でなければ、接続用のランドは、例えば、直径０．１２ｍｍ程度に拡げる必要があり、このような条件では、線幅１０μｍ（ピッチ２０μｍ）の配線を２本配置するのが限界であった。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板用積層体の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板の概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板用積層体の製造工程の変形例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るフレキシブルプリント配線基板の製造工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１０    フレキシブルプリント配線基板用積層体
１１    絶縁基材
１２  接着剤層
１３  導通用貫通孔
１４  導電体層
１５  埋設導電体めっき層
１６  無電解めっき層
１７  電気めっき層
１８  導電体めっき層
２０  フレキシブルプリント配線基板
２１  第１の配線パターン
２２  第２の配線パターン
【図１】
2010141216.tif 000003
【図２】
2010141216.tif 000004
【図３】
2010141216.tif 000005
【図４】
2010141216.tif 000006
【図５】
2010141216.tif 000007
【図６】
2010141216.tif 000008
【図７】
2010141216.tif 000009