(57)【要約】【課題】導電性突起を用いた接続によるビルドアップ層をケーブル部とする多層回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも一面に導電性突起が立設された金属箔と、この金属箔の前記一面に積層されて前記導電性突起が貫通した状態で固定される絶縁樹脂層とを有する回路基材が他の回路部材と積層され、前記導電性突起により回路層間の接続を行う多層回路基板の製造方法において、前記金属箔の前記一面に、樹脂を１層ずつ塗布乾燥して複層構造を有する前記絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層が、前記金属箔の前記一面および前記導電性突起の頂面のみに形成されるようにしたこと、あるいは前記絶縁樹脂層のうちの一層は、ラミネート時にはポリイミド前駆体であるポリアミック酸であり、ラミネート後にイミド化を行い、ポリイミド樹脂層を形成することを特徴とする。【選択図】図１
2010283389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に導電性突起が立設された金属箔と、この金属箔の前記一面に積層されて前記導電性突起が貫通した状態で固定される絶縁樹脂層とを有する回路基材が他の回路部材と積層され、前記導電性突起により回路層間の接続を行う多層回路基板の製造方法において、
前記金属箔の前記一面に、フィルム状樹脂をラミネートすることにより前記絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層は、
ラミネート時にはポリイミド前駆体であるポリアミック酸であり、
ラミネート後にイミド化を行い、ポリイミド樹脂層を形成する
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の多層回路基板の製造方法において、
前記金属箔の前記一面に樹脂を１層ずつあるいは２層以上を一括して、真空ラミネーターにより圧力０．１〜１ＭＰａ、温度９０〜１８０℃、ラミネート時間０．５〜１０分の条件でラミネートすることにより、複層構造を有する前記絶縁樹脂層を形成し、かつ前記絶縁樹脂層が前記金属箔の前記一面と前記導電性突起の頂面のみに形成されるようにしたことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板の製造方法に係わり、詳しくは導電性突起で層間の接続を行う多層回路基板、特に可撓性ケーブル部を有する多層回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および高機能化は益々促進されてきており、そのために回路基板に対する高密度化の要求が高まってきている。そこで、回路基板を片面から両面や三層以上の多層回路基板とすることにより、回路基板の高密度化を図っている。
【０００３】
この一環として、多層回路基板間を接続する可撓性ケーブル部を構成していた別体のフレキシブル基板やフレキシブルフラットケーブルを一体化した多層フレックスリジッド基板、あるいは多層フレキシブル基板などの多層回路基板が、携帯電話などの小型電子機器を中心に広く普及している。この多層回路基板の代表的な構造は、内層にスルーホール接続を有する２〜６層程度の多層コア回路基板にビアホール接続の１〜２層程度のビルドアップ層を両面あるいは片面に有する構造であり、フレキシブル基板によるケーブル部は、多層コア回路基板またはビルドアップ層に設ける構造である。
【０００４】
従来、多層コア回路基板やビルドアップ層の層間接続には、レーザー、ＮＣドリル、プラズマエッチング、化学エッチング等による開孔後、メッキ処理を行う手法が採用されている。しかし、メッキ処理工程自体の歩留まりが悪いという欠点と、絶縁樹脂層の導通をとるための工程が煩雑であるという欠点を有する。
【０００５】
このビルドアップ層は部品実装部であり、実装密度および配線密度を向上させる目的で、ビルドアップ層の電気的な接続を従来のメッキ法によるビアホール接続から、所謂、導電ペーストによる印刷バンプやメッキまたはエッチングによる金属バンプなどの導電性突起を用いた接続に置き換える手法が開発されている。
【０００６】
特許文献１には、金属板の表面に縦断面形状が山形の複数の導電性バンプ（導電性突起部）が形成され、この金属板上に絶縁シートが設けられた回路基材が示されている。
【０００７】
図３および図４は、従来工法による、導電性突起を用いた接続によるビルドアップ層をケーブル部とする多層回路基板の製造法を示す、工程図である。多層回路基板の製造の際に、図３（１）に示すように、導電性突起１を、銅箔２上に印刷、エッチング、メッキ等の手法で形成する。
【０００８】
次に図３（２）に示すように、両面に熱可塑性ポリイミドを有するポリイミドフィルム１９を、導電性突起が立設された面にプレス、ラミネーター等で貼り付ける。この後、図３（３）に示すように、導電性突起１の頂部をポリイミドフィルム１９から露出させるために、研磨等を行う。
【０００９】
このときには熱可塑性ポリイミドの接着性はなく、導電性突起１がポリイミドフィルム１９に突き刺さっている状態である。ここまでの工程で、導電性突起１がポリイミドフィルム１９を貫通した基材２０を得る。
【００１０】
図３（４）〜図４（２）に、多層コア回路基板の製造方法を示す。図３（４）に示すような両面銅張り積層板７を用意する。
【００１１】
次に図３（５）に示すように、ＮＣドリル、金型等の手法で導通用孔８を形成する。この後、図３（６）に示すように、導電化処理、無電解メッキ等の処理を施した後、電解メッキ９で導通用孔８を介しての両面間の導通をとる。
【００１２】
次に図４（１）に示すように、定法により、両面の回路１１を形成する。続いて、図４（２）に示すように、金型等で基板の不要な部分を抜き加工する。ここまでの工程によって、多層コア回路基板１３が製造される。基板を構成する層数が増えた場合でも、基本的に同様の工程で製造される。
【００１３】
次いで、図４（３）に示すように、多層コア回路基板１３に、導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材２１，２２を積層する。必要に応じて、予め導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材を金型等で枠抜きしてから積層する。
【００１４】
この後、図４（４）に示すように、定法により積層した基材の銅箔に回路パターン２３，２４を形成する。さらに定法により、カバーフィルムおよびソルダーレジスト層の形成や無電解ニッケル、金メッキ等を行い、多層回路基板１８を得る。
【特許文献１】特開平６−３５０２５８号公報
【特許文献２】特開２００２−１４１６２９号公報
【特許文献３】特開平８−４６３２１号公報
【特許文献４】特開平２−２３４４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述のように、導電性突起を用いた接続によるビルドアップ層の層間絶縁材を、可撓性のある例えば両面に熱可塑性ポリイミド等の接着性樹脂を有するポリイミドフィルムで形成し、ビルドアップ層をケーブル部とする構造がある。
【００１６】
この構造は、銅箔上の導電性突起がポリイミドを貫通した構造の基材を、予め作製された多層コア回路基板に積層プレスすることで、多層回路基板として製造される。
【００１７】
しかしながら、この多層回路基板は、ケーブル部に相当する部分のポリイミドが、積層プレスで押切れずにポリイミドと銅箔との密着が得られないことがある、という問題がある。さらに、ポリイミドフィルムは、導電性突起を用いた接続では直接貫通することができないため、特許文献２に記載されているように、導電性突起の頂部を露出させるための研磨等の工程に掛かる手間が大きい、という問題もある。
【００１８】
また、特許文献３には、ポリイミドフィルムを予め穴明けして、接着層のみに導電性突起を貫通させる製造方法が記載されている。
【００１９】
しかし、穴明けの工程が煩雑であることや、穴と導電性突起との位置合わせの問題があり、上記問題を解決するには到っていない。
【００２０】
また、ケーブル部に相当する部分の層間絶縁材を可撓性のある熱可塑性の樹脂、例えば熱可塑性ポリイミドだけで形成する場合には、上記問題に加え、特許文献３に記載されている樹脂の流れ出しという問題もある。
【００２１】
結局、導電性突起による貫通性、金属箔との密着性、高温接合に絶える耐熱性、高密度接続および高密度実装のための寸法安定性、そして、フレキシブル基板としての可撓性や耐屈曲性などの屈曲特性とを同時に満たす適切な絶縁樹脂が無い、という問題がある。
【００２２】
このような背景から、従来の工法では、導電性突起を用いた接続による回路層をケーブル部とする多層回路基板を安価かつ安定的に製造することは困難である。
【００２３】
本発明は、上述の点を考慮してなされたもので、導電性突起を用いた接続によるビルドアップ層やコア回路層をケーブル部とする多層回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的達成のため、本願では、下記の発明を提供する。  
【００２５】
本発明によれば、
少なくとも一面に導電性突起が立設された金属箔と、この金属箔の前記一面に積層されて前記導電性突起が貫通した状態で固定される絶縁樹脂層とを有する回路基材が他の回路部材と積層され、前記導電性突起により回路層間の接続を行う多層回路基板の製造方法において、
前記金属箔の前記一面に、フィルム状樹脂をラミネートすることにより前記絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層は、
ラミネート時にはポリイミド前駆体であるポリアミック酸であり、
ラミネート後にイミド化を行い、ポリイミド樹脂層を形成する
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法、
を提供する。
【発明の効果】
【００２６】
これらの特徴により、本発明は次のような効果を奏する。
本発明によれば、絶縁樹脂層のうちの一層はラミネート時にはポリイミド前駆体であるポリアミック酸であり、ラミネート後にイミド化を行い、ポリイミド樹脂層を形成することから、ケーブル部の樹脂と銅箔との密着が得られる上に、導電性突起頂部の研磨等の工程が簡略化できる。
【００２７】
この結果、本発明によれば、従来の製造方法では困難であった可撓性ケーブル部をビルドアップ層に有する多層回路基板が安価かつ安定的に提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
まず、本発明に係る多層回路基板に用いる複層構造の絶縁樹脂層、つまり温度２５０℃で圧縮弾性率が１５ＧＰａ以上であるポリイミド系樹脂からなるコア樹脂層と、前記導電性突起が当接される面に被着される接着層とを有する複層構造の絶縁樹脂層について説明する。
【００２９】
ここで、コア樹脂層とは、温度２５０℃における圧縮弾性率が１５Ｇｐａ以上であるポリイミド系樹脂により構成される層であり、好ましくは、線膨張係数が３０×１０-６［１／Ｋ］以下のものを言う。接着層以外の層が２層以上からなる場合、コア樹脂層は接着層以外の最も厚い層である。
【００３０】
絶縁樹脂層は、２以上の樹脂層から形成されており、その少なくとも１層は、線膨張係数が３０×１０−６［１／Ｋ］以下の低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）であり、また導電性突起を有する金属箔から最も離れた最外樹脂層は、導電性突起部を有さない銅箔と熱圧着して測定されるピール強度が０．７ＫＮ／ｍ以上の接着層（ｂ）である。また、ピール強度の測定方法は、後記する実施例による。
【００３１】
したがって、本発明の多層回路基板用の導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材の絶縁樹脂層は、少なくとも２層の異なる種類の樹脂層を有する。好ましくは、絶縁樹脂層の全てをポリイミド樹脂層とすることで、他の樹脂を接着層として使用した場合などに生じる特性低下を招くことなく、高耐熱で寸法安定性にも優れた絶縁樹脂層を形成することができる。
【００３２】
ここで、本発明におけるポリイミド樹脂層とは、分子中にイミド結合を持った重合体を含有する樹脂層を指し、好ましくは主成分がポリイミドまたはポリアミドイミドからなるものをいう。この種のポリイミド樹脂としては、例えば特許２７４６５５５号公報や特許３０３４８３８号公報記載のものが挙げられる。
【００３３】
また、下記説明において、金属箔は導電性突起を有する金属箔を、ａ層は圧縮弾性率が１５Ｇｐａ以上であるポリイミド樹脂により構成されるコア樹脂層または線膨張係数が３０×１０-６［１／Ｋ］以下の低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）を、ｂ層はピール強度０．７ＫＮ／ｍ以上の接着層（ｂ）を意味する。また、α層は、限定されない任意の絶縁樹脂層である。
【００３４】
そして、本発明に用いる絶縁樹脂層に金属箔を加えた構成例を示すと、次の（ｉ）〜（ｉｖ）の通りである。
【００３５】
（i）   金属箔／ａ層／ｂ層
（ii）  金属箔／α層／ａ層／ｂ層
（iii） 金属箔／ａ層／α層／ｂ層
（iv）  金属箔／α層／ａ層／α層／ｂ層
図５に、上記（iv）に係る回路基材の断面構成図を示す。
【００３６】
本発明に係る多層回路基板用の導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材においては、絶縁樹脂層の全厚さに対して、低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）の厚さは、４０〜８０％の範囲とすることが好ましい。また、接着層の厚さ（ｂｔ）と低熱膨張性ポリイミド樹脂層の厚さ（ａｔ）との厚み比（ｂｔ／ａｔ）であるｂｔ／ａｔは、０．０５〜１．７の範囲とすることが好ましい。
【００３７】
このように厚みを設定することで、絶縁樹脂層全体の低熱膨張性を維持することができ、また、接着特性とのバランスも良好となる。絶縁樹脂層の低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）は、多層回路基板の反りや工程上のハンドリング等の問題から、線膨張係数が３０×１０−６［１／Ｋ］以下であることを必要とする。このような低熱膨張性を示すポリイミド樹脂としては、下記一般式（１）で表されるポリイミド構造単位を８０モル％以上含むものが好ましい。
【化１】
2010283389.tif 000003
【００３８】
ここで、式中のＲ１は下記式（２）または（３）で表される基であり、Ｒ２は下記式（４），（５），（６）または（７）で表される基から選択される少なくとも１種の基である。なお、下記式（２）中、ＸはＳＯ２、ＣＯまたは直結合を示す。
【化２】
2010283389.tif 000004
【００３９】
絶縁樹脂層の接着層（ｂ）は、ピール強度０．７ＫＮ／ｍ以上を示すものであり、特に１００〜３５０℃の範囲の軟化温度を有するものが好ましい。本発明においては、ピール強度０．７ＫＮ／ｍ以上の接着層を金属層から最外層に位置させることで、後に、接着層と接する材料との接着性を発現させることができる。接着層（ｂ）は、特に銅箔に例示される金属と良接着性を示す樹脂材料である、上記一般式（１）で表されるポリイミド構造を有するものが好ましい。
【００４０】
ここで、式中のＲ１は上記式  （２），（３）で表される基から選択される少なくとも１種の基であり、Ｒ２は上記式（５），（７）または（８）で表される基から選択される少なくとも１種の基である。
【００４１】
絶縁樹脂層の接着層（ｂ）としては、シリコーンユニットを有するシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いてもよい。
【００４２】
このシリコーンユニットを有するポリイミド樹脂は、下記一般式（９）および（１０）の構成単位を有するものとして例示することができる。
【化３】
2010283389.tif 000005
【００４３】
上記一般式（９）中、Ｒ３は４価の芳香族基を示し、Ｒ４，Ｒ９は２価の炭化水素基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、ｎは１〜２０の整数を示す。
【化４】
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【００４４】
上記一般式（１０）において、Ｒ１０は４価の芳香族基を示し、Ｒ１１は２価の芳香族基または下記一般式（１１）で示される３価もしくは４価の芳香族基を示している。Ｘは水酸基、アミノ基、カルボキシル基を示し、ｍは１または２である。
【化５】
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【００４５】
接着層（ｂ）は、上記シロキサン変性ポリイミド樹脂だけで形成してもよいが、シロキサン変性ポリイミドに、エポキシ樹脂１〜４０重量％を配合して得られるものが好ましい。シロキサン変性ポリイミドの構造単位中に、上記式（１１）の部位を有しない場合には、特にエポキシ樹脂硬化剤１〜４０重量％を配合することで好ましい態様となる。
【００４６】
本発明において、絶縁樹脂層中における低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）と接着層（ｂ）との厚み割合は、導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材の寸法安定性、接着性との関係に影響するので、各層の厚み範囲には好ましい範囲がある。絶縁樹脂層に占める低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）の厚み割合は、４０〜８０％であることが好ましい。
【００４７】
この割合が４０％に満たないと、上記基材の寸法安定性が悪くなり易く、一方８０％を超えると接着層の厚みが確保できないため、後に接着層と接する部材との接着性が不十分なものとなる恐れがある。また、接着層の厚さ（ｂｔ）と低熱膨張性ポリイミド樹脂層の厚さ（ａｔ）との厚み比（ｂｔ／ａｔ）は、ｂｔ／ａｔ＝０．０５から１．７の範囲とすることが好ましい。
【００４８】
厚み比がこの範囲から外れると、寸法安定性と接着性との両立が難しくなる。絶縁樹脂層には、低熱膨張性ポリイミド樹脂層（ａ）および接着層（ｂ）以外に、他の絶縁樹脂層を有していてもよい。
【００４９】
ただし、絶縁樹脂層全体の線膨張係数が３５×１０−６［１／Ｋ］を超えると、多層回路基板としての寸法安定性が低下したり、金属箔の線膨張係数との差が大きくなったりして、基板全体が反り易くなる。したがって、絶縁樹脂層全体の線膨張係数は３５×１０−６［１／Ｋ］以下とすることが必要である。
【００５０】
導電性突起部は、その高さが１０μｍ以上あることが必要である。この高さは、金属箔平面部からの高さを意味し、この高さが１０μｍに満たないと、圧接後、金属箔の粗化表面と同じ高さになり、回路層間で短絡する。一方、高さが、２００μｍを超えると、導電性突起部間ピッチが大きくなり、微細配線が不可能となる。
【００５１】
この金属箔上に存在している導電性突起部の形成方法は印刷、メッキ、エッチング等特に制限されないが、例えば、金属板表面に形成しようとする導電性突起部の大きさにあったメタルマスクを用意し、上記メタルマスク上から導電性ペーストを印刷し、乾燥させることにより、導電性突起部を有する金属箔を形成するという方法が挙げられる。
【００５２】
導電性突起部を有する金属箔の材質としては、銅、アルミニウム、金が例示される。金属箔の平面部と導電性突起部との材質は同じであっても異なってもよい。好ましくは、両部分は銅で形成される。
【００５３】
また、この金属箔の厚さは、すなわち、導電性突起部を有する部分以外の厚さは、ほぼ一定であり、一般的には、５〜７５μｍの厚さ範囲であり、５〜３５μｍの範囲が好ましい。
【００５４】
以下、実施例につき具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。なお、本発明における線膨張係数、接着力、圧縮弾性率の評価は、下記評価に基づくものである。
【００５５】
［線膨張係数］
線膨張係数は、イミド化反応が充分に終了した試料を使用し、セイコー電子工業（株）製サーモメカニカルアナライザー（ＴＭＡ１００）を用いて２５０℃に昇温後、１０℃／分の温度で冷却し、２４０℃から１００℃の範囲における平均の線膨張係数を求めたものである。
【００５６】
［ピール強度（接着力）］
突起部を有しない銅箔上に、絶縁樹脂層を設けて得た積層体を試料として使用し、この樹脂面上に厚さ３５μｍの電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を重ね、ガラス転移温度または軟化点温度で、圧力３ＭＰａ、時間１時間熱圧着した。これを引張試験機（東洋精機製テンシロンテスター）にて幅１０ｍｍの樹脂付き銅箔（導電性突起部なし）の樹脂側を両面テープによりアルミ板に固定し、銅を１８０度方向に５ｍｍ／分の速度で剥離して求めた。
【００５７】
［圧縮弾性率］
圧縮弾性率は、（株）島津製作所製微小硬度計（ＤＵＨ−Ｗ２０１）を用いて２５０℃に昇温後、直径２０μｍのフラット面を持つ微小圧子によって１３．２４ｍＮ／ｓで試験力１９６ｍＮまで負荷を掛けて２秒保持し、その後、１３．２４ｍＮ／ｓで除荷したときの、除荷弾性変形領域における応力およびひずみを基に計算した。
【００５８】
（実施例で使用した原料の略号）
１，３−ＢＡＢ：１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン
ＢＡＰＰ：  ２，２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
ＤＡＤＭＢ：４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニル
ＰＭＤＡ：  無水ピロメリット酸
ＢＰＤＡ：  ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＰＳＸ−Ｘ：平均分子量７４０のジアミノシロキサン
ＤＭＡｃ：  Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＤＳＤＡ：  ３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物  
ＨＡＢ：    ４，４’−ジアミノ−３，３’−ヒドロキシ−ビフェニル
次に、本発明の実施例で用いた樹脂の合成例１ないし３につき、上記した原料の略号を用いて説明する。
【００５９】
コア樹脂層の合成
（合成例１）
３０８ｇのＤＭＡｃに、ＤＡＤＭＢ  ２０．３２ｇ（０．０９６モル）および１，３−ＢＡＢ  ３．１１  ｇ（０．０１１モル）を溶解させた。次に、６．２０ｇ（０．０２１モル）のＢＰＤＡおよび１８．３７ｇ（０．０８４モル）のＰＭＤＡを加えた。その後、室温にて約４時間撹拌を続けて重合反応を行い、２５０ｐｏｉｓｅ（２５℃）のコア樹脂層となるポリイミド前駆体樹脂液ａを得た。
【００６０】
また、得られたポリイミド前駆体溶液ａを、簡易アプリケータを用いて銅箔に２００μｍの厚みで均一に塗布し、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施して銅箔上に厚み２０μｍのポリイミド層を形成し、銅箔−ポリイミド層の積層体を得た。
【００６１】
次いで、塩化第二鉄水溶液を用いて、得られた積層体の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの圧縮弾性率は２０ＧＰａ、線熱膨張係数は２２×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００６２】
接着層の合成（２例）
（合成例２）
２９４ｇのＤＭＡｃに、ＢＡＰＰ  ２９．１３ｇ（０．０７１モル）を溶解させた。次に、３．２２５ｇ（０．０１１モル）のＢＰＤＡおよび１３．５５ｇ（０．０６２モル）のＰＭＤＡを加えた。その後、室温にて約３時間撹拌を続けて重合反応を行い、３５ｐｏｉｓｅ（２５℃）の接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｂを得た。イミド化後に線膨張係数を測定したところ、６０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００６３】
（合成例３）
Ｎ−メチル−２−ピロリドン２００ｇにＤＳＤＡ３９．４１ｇ（０．１１０モル）、およびキシレン１０ｇを入れて窒素ガスを流し、系中を室温で十分に混合した。次に、ＰＳＸ−Ｘ（東レダウコーニング社製  ＢＹ１６−８５３Ｘ）１０．７４ｇ（０．０１５モル）を滴下し、この反応溶液を攪拌下で氷冷し、ＢＡＰＰ３６．９５ｇ（０．０９０モル）およびＨＡＢ０．８７ｇ（０．００４モル）を添加し、室温にて２時間攪拌し、ポリアミック酸を得た。
【００６４】
このポリアミック酸を１９０℃に昇温し、１４時間加熱しながら攪拌を続け、加熱時に発生する水を系外に除いた。１４時間加熱したところで、系を冷却することにより対数粘度０．６０ｄｌ／ｇのポリイミド溶液を得た。
【００６５】
次に、得られたポリイミド溶液の固形分１００重量％に対し、ノボラック型エポキシ樹脂（Ｂ−ＣＮＢ）２５重量％およびシランカップリング剤として３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．５重量％を混合し、３時間攪拌して接着用のポリイミド樹脂溶液ｃを調製した。
【００６６】
線膨張係数を測定したところ、６０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００６７】
銅箔の準備
厚さ１２μｍの銅箔に、平均粒径１μｍの銀粉およびポリスルホン樹脂からなる導体ペーストを、１８０メッシュのステンレススクリーンを用いて印刷し、高さ８０または１００μｍの導電性突起部を有する銅箔を準備した。各突起部は断面が山形状の形状となっており、突起部のない部分は厚み１２μｍの平坦な形状となっていた。
【００６８】
基材および基板の製造方法
次いで、上記ポリイミド前駆体溶液を用いた多層回路基板の製造工程における、導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材の製造方法、および上記基材を多層コア回路基板に積層した多層回路基板の製造方法を説明する。
【００６９】
図１（１）ないし（６）および図２（１）ないし（４）は、本発明の一実施例による導電性突起を用いた接続による、ビルドアップ層をケーブル部とする多層回路基板の製造法を示す、工程図である。
【００７０】
図１（１）に示すように、多層回路基板の製造の際に、導電性突起１を銅箔２上に印刷、エッチング、メッキ等の手法で形成する。次に、図１（２）に示す絶縁樹脂層の形成を経て、図１（３）に示すような銅箔２上の導電性突起４が絶縁樹脂層５を貫通した構造の基材６を製造する。
【００７１】
絶縁樹脂層の形成
図１（２）に示す絶縁樹脂層３の形成は、次の通りである。絶縁樹脂層３は、コア樹脂層３ａおよび接着層３ｂにより構成される。金属箔としての銅箔２上にポリイミド前駆体溶液３を塗付し、その後イミド化して絶縁樹脂層３とするキャスト法と、フィルム化したポリイミド前駆体をラミネートし、その後イミド化して絶縁樹脂層３とするラミネート法とがある。ここで、絶縁樹脂層３の接着層の厚みは、導電性突起１が当接される他の回路部材の回路厚みの５０〜２００％、ベタの金属箔の場合では１〜５μｍとするとよい。
【００７２】
まず、キャスト法の一実施例を説明する。
【００７３】
（キャスト法の実施例１）
銅箔２の導電性突起１（高さ１００μｍ）面上に、上記合成例１で調製したコア樹脂層３ａとなるポリイミド前駆体樹脂液ａを２００μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、コア樹脂層３ａを形成する。この後、コア樹脂層３ａを室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、厚み約２０μｍのポリイミド樹脂層が導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる積層体を得る。
【００７４】
次いで、コア樹脂層３ａのポリイミド面上に上記合成例３で調製した接着用のポリイミド樹脂液ｃを１００μｍの厚みで均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥して溶剤を除去して接着層３ｂを形成する。これにより、コア樹脂層３ａおよび接着層３ｂにより構成される２層構造のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約５０μｍの絶縁樹脂層３が、導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる回路基材を得た（図１（２）参照）。
【００７５】
次に、ラミネート法の一実施例を示す。
【００７６】
（ラミネート法の実施例１）
樹脂溶液が塗布される基材（支持基材）は、特に限定されるものではないが、その表面が剥離し易くするために離型処理されているＰＥＴフィルムがよい。好ましい基材の厚さは、１００μｍ以下である。
【００７７】
まずナイフコーターを用いて、離型ＰＥＴフィルム（５０μｍ）上に上記合成例２で調製した接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布した後、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、接着層３ｂを形成する。
【００７８】
そして、その上に積層するように、上記合成例１で調製したコア樹脂層３ａとなるポリイミド前駆体樹脂液ａを１８０μｍの厚みで均一に塗布し、次いで１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、接着層３ｂおよびコア樹脂層３ａにより構成されるポリイミド前駆体の２層フィルムを形成する。
【００７９】
この後、上記ポリイミド前駆体の２層フィルムを基材から剥離し、銅箔２の導電性突起１（高さ１００μｍ）を有する面に、接着層３ｂとなるポリアミック酸樹脂層の面を対接配置した後、真空ラミネーターを用いて真空度４ｈＰａ、温度１５０℃、圧力０．９ＭＰａでラミネートを行い、導電性突起１を有する銅箔２上に絶縁樹脂層３が形成されてなる積層体を得る（図１（２）参照）。
【００８０】
次いで、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、２層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層３が、導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる積層体を得る（図１（２）参照）。
【００８１】
次に、ナイフコーターを用いて、離型ＰＥＴフィルム（５０μｍ）上に、上記合成例３で調製した接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｃを１００μｍの厚みで均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、厚み３０μｍの接着用のポリイミドフィルムを得る。このポリイミドフィルムは、コア樹脂層３ａの接着層３ｂとは反対側に配される、接着用の第３層を形成するものである。
【００８２】
続いて、この第３層を形成するためのポリイミドフィルムを基材から剥離し、図１（２）に示した積層体のポリイミド樹脂面上に対接して配置し、真空ラミネーターを用いて真空度４ｈＰａ、温度１５０℃、圧力０．９ＭＰａでラミネートを行う（ラミネート時間５分）。これにより、３層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約５０μｍの絶縁樹脂層３が、導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる回路基材を得る。
【００８３】
上述したように、キャスト法による２層構造の絶縁樹脂層あるいはラミネート法による３層構造の絶縁樹脂層を銅箔２上に接着された状態で形成する。
【００８４】
研磨工程
図１（３）に示すように、研磨等の工程で、絶縁樹脂層３から導電性突起１の頂部を露出させる。露出した導電性突起４は、後述するように他の回路部材（図示せず）との接続に利用される。
【００８５】
ここにおいて、図１（２）に示すように、銅箔２の上面および導電性突起１の頂部のみに絶縁樹脂層３が形成されるので、キャスト法、ラミネート法の何れでも、研磨工程は比較的簡便に行える。
【００８６】
多層回路基板の製造工程
図１（４）〜図２（２）に、多層コア回路基板の製造方法を示す。まず図１（４）に示すように、両面銅張り積層板７を用意する。次に、図１（５）に示すように、ＮＣドリル、金型等の手法で導通用孔８を形成する。この後、図１（６）に示すように、導電化処理、無電解メッキ等の処理を施した後、電解メッキでスルーホール９による両面の導通をとる。
【００８７】
続いて、図２（１）に示すように、定法により、両面の回路１１を形成する。この後、図２（２）に示すように、金型等で基板の不要な部分を抜き加工する。ここまでの工程で、多層コア回路基板１３が製造される。層数が増えた場合でも、基本的に同様の工程で製造可能である。
【００８８】
次に図２（３）に示すように、多層コア回路基板１３に上述した回路基材１４，１５を積層する。必要に応じて、予め回路基材１４，１５を金型等で枠抜きしてから積層する。
この後、図２（４）に示すように、定法により積層した基材１４，１５の銅箔に回路パターンを形成する。さらに、定法により、カバーフィルムおよびソルダーレジスト層の形成や無電解ニッケル、金メッキ等を行い、多層回路基板１６を得る。
【００８９】
また、多層回路基板１６の回路基材１４，１５の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム単体を得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、３０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００９０】
なお、図示しないが、銅箔２の導電性突起１に絶縁樹脂層３を形成し、導電性突起１の頂部を露出させて導電性突起４とした後、銅箔２と積層プレスし、両面に定法により回路パターンを形成することで可撓性両面回路基板を製造することもできる。
【００９１】
キャスト法、ラミネート法による他の実施例
（キャスト法の実施例２）
銅箔２の導電性突起１（高さ１００μｍ）の上面に、上記合成例１で調製したコア樹脂層となるポリイミド前駆体樹脂液ａを１８０μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去した。そして、樹脂液ａによるコアとしてのポリイミド前駆体層上に、上記合成例２で調製した接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去した。
【００９２】
この後、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施すことによりイミド化させ、２層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が、導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる積層体を得た。また、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して得たポリイミドフィルムの線熱膨張係数は、２２×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００９３】
（ラミネート法の実施例２）
ナイフコーターを用いて、離型ＰＥＴフィルム（５０μｍ）上に上記合成例２で調製した接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布した後、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去する。続いて、その上に積層するように、上記合成例１で調製したコア樹脂層となるポリイミド前駆体樹脂液ａを１７０μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去する。
【００９４】
そして、ポリイミド前駆体樹脂液ａによるコアとしてのポリイミド前駆体層上に、上記合成例２で調製した接着用のポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去することにより、３層のポリイミド前駆体フィルムを作成した。
【００９５】
この後、３層ポリイミド前駆体フィルムを基材から剥離し、銅箔２の導電性突起１（高さ１００μｍ）を有する面に対接配置した後、真空ラミネーターを用いて真空度４ｈＰａ、温度１５０℃、圧力０．９ＭＰａでラミネートを行い（ラミネート時間５分）、絶縁樹脂層が導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる積層体を得た（図１（２）参照）。
【００９６】
次いで、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、３層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が、導電性突起１を有する銅箔２上に形成されてなる回路基材６を得た。また、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔２をエッチング除去し、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの圧縮弾性率は２０ＧＰａ、線熱膨張係数は２２×１０−６［１／Ｋ］であった。
【００９７】
（キャスト法の実施例３）
銅箔２の導電性突起１（高さ８０μｍ）の上面に、合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布したのち、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するように合成例１で調製したポリイミド前駆体樹脂液ａを１７０μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。さらに、ポリイミド前駆体ａ層上に合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。
【００９８】
この後、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、３層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体１を得た。
【００９９】
また、ピール強度測定のために、導電性突起部を有さない所定の電解銅箔上に上記積層体１と同様の層構成の絶縁樹脂層を形成した。得られた積層体の樹脂層側に、電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を向かい合わせ、温度３２０℃、圧力３ＭＰａ、時間１時間で熱圧着した。これを、上記記載のピール強度測定方法にしたがって測定したところ、ピール強度は１．２ｋＮ／ｍであった。
【０１００】
（キャスト法の実施例４）
銅箔２の導電性突起１（高さ８０μｍ）の上面に、合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布したのち、１３０℃で加熱乾燥して溶剤を除去した。次に、その上に積層するように合成例１で調製したポリイミド前駆体樹脂液ａを１８０μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。
【０１０１】
この後、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、２層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体を得た。また、塩化第二鉄水溶液を用いてこの銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、２２×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１０２】
次いで、上記積層体のポリイミド面上に合成例３で調製したポリイミド樹脂液ｃを１００μｍの厚みで均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、４層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約５０μｍの絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体２を得た。また、この積層体２を１８０℃で１時間熱処理した後、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、３０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１０３】
また、ピール強度測定のために、導電性突起部を有さない所定の電解銅箔上に積層体１と同様の層構成の絶縁樹脂層を形成した。得られた積層体の樹脂層側に、電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を向かい合わせ、温度１８０℃、圧力３ＭＰａ、時間１時間で熱圧着した。これを、上記ピール強度測定方法にしたがって測定したところ、ピール強度は１．５ｋＮ／ｍであった。
【０１０４】
（キャスト法の実施例５）
銅箔２の導電性突起１（高さ８０μｍ）の上面に、合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布したのち、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するように合成例１で調製したポリイミド前駆体樹脂液ａを１７０μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。さらに、ポリイミド前駆体ａ層上に合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを１５μｍの厚みで均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。
【０１０５】
この後、室温から３３０℃まで約４時間の熱処理を施してイミド化させ、３層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体を得た。また、塩化第二鉄水溶液を用いてこの銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、２２×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１０６】
次いで、上記積層体のポリイミド面上に合成例３で調製したポリイミド樹脂液ｃを１００μｍの厚みで均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し、４層のポリイミド樹脂層からなる合計厚み約５０μｍ（厚み精度±１０％、以下の例における積層体の樹脂層の厚み精度も同様）の絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体３を得た。また、この積層体３を１８０℃１時間熱処理した後、塩化第二鉄水溶液を用い銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、３３×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１０７】
また、ピール強度測定のために、導電性突起部を有さない所定の電解銅箔上に上記積層体１と同様の層構成の絶縁樹脂層を形成した。得られた積層体の樹脂層側に、電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を向かい合わせ、温度１８０℃、圧力３ＭＰａ、時間１時間で熱圧着した。これを、上記ピール強度測定方法にしたがって測定したところ、ピール強度は１．５ｋＮ／ｍであった。
【０１０８】
（比較例１）
銅箔２の導電性突起１（高さ８０μｍ）の上面に、合成例３で調製したポリイミド樹脂液ｃを２００μｍの厚みで均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥して溶剤を除去し積層体４を得た。銅箔上に塗布した樹脂の厚みは、約６０μｍであった。
【０１０９】
上記積層体を１８０℃１時間熱処理した後、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去し、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、６０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１１０】
また、ピール強度測定のために、導電性突起部を有さない所定の電解銅箔上に積層体１と同様の層構成の絶縁樹脂層を形成した。得られた積層体の樹脂層側に、電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を向かい合わせ、温度１８０℃、圧力３ＭＰａ、時間１時間で熱圧着した。これを、上記ピール強度測定方法にしたがって測定したところ、ピール強度は１．５ｋＮ／ｍであった。
【０１１１】
（比較例２）
銅箔２の導電性突起１（高さ８０μｍ）の上面に、合成例２で調製したポリイミド前駆体樹脂液ｂを２００μｍの厚みで均一に塗布したのち、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から３３０℃まで約４時間かけて熱処理しイミド化させ、厚み約２０μｍの絶縁樹脂層が導電性突起部を有する銅箔上に形成された積層体を得た。また、塩化第二鉄水溶液を用いてこの銅箔をエッチング除去し、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、６０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１１２】
その上に、合成例３で調製したポリイミド樹脂液ｃを１００μｍの厚みで均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶剤を除去し積層体５を得た。銅箔上に塗布した樹脂の厚みは、銅箔側から約５０μｍであった。
【０１１３】
上記積層体を１８０℃１時間熱処理した後、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドの線熱膨張係数は、６０×１０−６［１／Ｋ］であった。
【０１１４】
また、ピール強度測定のために、導電性突起部を有さない所定の電解銅箔上に上記積層体１と同様の層構成の絶縁樹脂層を形成した。得られた積層体の樹脂層側に、電解銅箔（三井金属鉱業製３ＥＣ−ＩＩＩ箔、Ｒｚ＝６．０μｍ）粗化面を向かい合わせ、温度１８０℃、圧力３ＭＰａ、時間１時間で熱圧着した。これを上記ピール強度測定方法にしたがって測定したところ、ピール強度は１．５ｋＮ／ｍであった。
【０１１５】
得られた積層体とその評価結果を表１に示す。実施例３〜５は、接着性と低線膨張性（寸法安定性）の両性質を充足していることが分る。
【表１】
2010283389.tif 000008
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施例におけるビルドアップ層をケーブル部とする多層回路基板の製造方法の工程図。
【図２】図２の工程に続く本発明における工程図。
【図３】従来工法によるビルドアップ層をケーブル部とする多層回路基板の製造方法の工程図。
【図４】図３の工程に続く工程図。
【図５】本発明の一実施例における回路基材の概念的断面構成図。
【符号の説明】
【０１１７】
１  導電性突起
２  銅箔
３  絶縁樹脂層
３ａ  コア樹脂層
３ｂ  接着層
４  研磨された導電性突起
５  研磨された絶縁樹脂層
６  導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材
７  両面銅張り積層板
８  導通用孔
９  スルーホール
１０  電解メッキされた両面銅張り積層板
１１  電解メッキ後に回路形成された両面銅張り積層板
１２  枠抜きされて回路形成された両面銅張り積層板
１３  多層コア回路基板
１４  積層されて導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材
１５  枠抜き後、積層されて導電性突起が絶縁樹脂層を貫通した基材
１６  多層回路基板
１９  両面に熱可塑ポリイミドを有するポリイミドフィルム
２０  導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材
２１  積層されて導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材
２２  枠抜き後、積層されて導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材
２３  回路形成されて導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材
２４  回路形成されて枠抜き後の導電性突起がポリイミドフィルムを貫通した基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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