(57)【要約】【課題】合成高分子材料に対する帯電防止性、ハンドリング性及び抗着色性を同時に充足する比較的廉価な合成高分子材料用帯電防止剤並びにこれを含有する合成高分子材料組成物を提供する。【解決手段】合成高分子材料用帯電防止剤として、特定の有機スルホネートアンモニウム塩を所定割合で含有する特定の有機スルホネート塩の混合物を用いた。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の帯電防止剤成分Ｍと帯電防止剤成分Ｎとから成り、帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝２５／７５〜８０／２０（質量比）の割合で含有することを特徴とする合成高分子材料用帯電防止剤。
帯電防止剤成分Ｍ：下記の化１で示される化合物
帯電防止剤成分Ｎ：下記の化２で示される化合物、化３で示される化合物及び化４で示される化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【化１】
2010047701.tif 000014
【化２】
2010047701.tif 000015
【化３】
2010047701.tif 000016
【化４】
2010047701.tif 000017
（化１〜化４において、
Ａ１：炭素数８〜２４のアルキル基、炭素数８〜２４のアルケニル基、置換基として炭素数８〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数４〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ａ２，Ａ３：炭素数１〜７のアルキル基、炭素数４〜７のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜７のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜３のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ａ４：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ｒ１，Ｒ２：炭素数１〜４のアルキル基
Ｒ３，Ｒ５：炭素数１〜２２のアルキル基
Ｒ４，Ｒ６，Ｒ７：炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基
Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１：炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３：炭素数２〜４のアルキレン基
Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３：水素原子又はメチル基）
【請求項２】
帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝３０／７０〜７５／２５（質量比）の割合で含有する請求項１記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項３】
帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝４０／６０〜６５／３５（質量比）の割合で含有する請求項１記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項４】
化１で示される化合物が、化１中のＡ１が炭素数８〜１８のアルキル基又は置換基として炭素数９〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ１及びＲ２がメチル基又はエチル基である場合のものである請求項１〜３のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項５】
化１で示される化合物が、化１中のＡ１が置換基として炭素数１０〜１６のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ１及びＲ２がメチル基である場合のものである請求項１〜３のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項６】
化２で示される化合物が、化２中のＡ２が炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基又は置換基として炭素数１〜４のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ３が炭素数１〜１２のアルキル基、Ｒ４がメチル基又はエチル基であって、更にＹ１及びＹ２がエチレン基、Ｚ１及びＺ２が水素原子である場合のものである請求項１〜５のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項７】
化２で示される化合物が、化２中のＡ２がメチル基、フェニル基又はメチルフェニル基であり、またＲ３及びＲ４がメチル基であって、更にＹ１及びＹ２がエチレン基、Ｚ１及びＺ２が水素原子である場合のものである請求項１〜５のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項８】
化３で示される化合物が、化３中のＡ３が炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基又は置換基として炭素数１〜４のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ５が炭素数６〜１８のアルキル基、Ｒ６及びＲ７がメチル基又はエチル基であって、更にＹ３がエチレン基、Ｚ３が水素原子である場合のものである請求項１〜７のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項９】
化３で示される化合物が、化３中のＡ３がメチル基、フェニル基又はメチルフェニル基であり、またＲ５が炭素数８〜１２のアルキル基、Ｒ６及びＲ７がメチル基であって、更にＹ３がエチレン基、Ｚ３が水素原子である場合のものである請求項１〜７のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項１０】
化４で示される化合物が、化４中のＡ４が炭素数８〜１８のアルキル基又は置換基として炭素数６〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ８〜Ｒ１１が炭素数２〜１６の脂肪族炭化水素基である場合のものである請求項１〜９のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項１１】
化４で示される化合物が、化４中のＡ４が置換基として炭素数９〜１６のアルキル基を有する置換フェニル基であり、またＲ８〜Ｒ１１が炭素数２〜５の脂肪族炭化水素基である場合のものである請求項１〜９のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤。
【請求項１２】
合成高分子材料１００質量部当たり請求項１〜１１のいずれか一つの項記載の合成高分子材料用帯電防止剤を０．１〜４質量部の割合で含有して成ることを特徴とする合成高分子材料組成物。
【請求項１３】
合成高分子材料がエステル系樹脂、スチレン系樹脂及びアクリル系樹脂から選ばれる一つ又は二つ以上である請求項１２記載の合成高分子材料組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は合成高分子材料用帯電防止剤及び合成高分子材料組成物に関する。合成高分子材料は通常、疎水性が大きく、その結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性はこれらの材料の製造工程やその製品使用上の大きな障害となっている。そのため合成高分子材料には、かかる障害を低減する目的で帯電防止剤を混練して用いることが行なわれている。ところで、合成高分子材料に帯電防止剤を混練して用いるとき、該帯電防止剤には、それが例えば低湿下においても合成高分子材料に優れた帯電防止性を付与できることが要求されるのはいうまでもないが、同時に、例えばそれを高濃度で含有するマスターチップ（マスターペレット）を作製するときに合成高分子材料との混練性に優れていること、言い替えればハンドリング性に優れていること、またそれが合成高分子材料を不適切に着色するようなものでないこと、言い替えれば抗着色性に優れていることが要求される。本発明はかかる要求に応える合成高分子材料用帯電防止剤及び合成高分子材料組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、前記のような合成高分子材料用帯電防止剤として、多くの界面活性剤が知られており、なかでも合成高分子材料との相溶性に優れ、また低湿下においても相応の帯電防止性を有することから、有機スルホネートアンモニウム塩や有機スルホネートホスホニウム塩等の有機スルホネートオニウム塩が注目されている（例えば特許文献１〜６参照）。
【０００３】
しかし、従来提案されている有機スルホネートオニウム塩には、それが単に比較的高価というだけでなく、前記したような帯電防止性、ハンドリング性及び抗着色性を同時に充足することができないという問題がある。
【特許文献１】特公昭４０−７３６６号公報
【特許文献２】特表平４−５０２９１１号公報
【特許文献３】特開２００１−３１６５８１号公報
【特許文献４】特開２００１−３２３１４８号公報
【特許文献５】特開２００５−０１５７４０号公報
【特許文献６】特開２００５−１３２８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、合成高分子材料に対する帯電防止性、ハンドリング性及び抗着色性を同時に充足する比較的廉価な合成高分子材料用帯電防止剤並びにこれを含有する合成高分子材料組成物を提供する処にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
しかして本発明者らは、前記の課題を解決するべく研究した結果、合成高分子材料用帯電防止剤としては、特定の有機スルホネートアンモニウム塩を所定割合で含有する特定の有機スルホネート塩の混合物が正しく好適であることを見出した。
【０００６】
すなわち本発明は、下記の帯電防止剤成分Ｍと帯電防止剤成分Ｎとから成り、帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝２５／７５〜８０／２０の割合で含有することを特徴とする合成高分子材料用帯電防止剤に係る。
帯電防止剤成分Ｍ：下記の化１で示される化合物
帯電防止剤成分Ｎ：下記の化２で示される化合物、化３で示される化合物及び化４で示される化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【０００７】
【化１】
2010047701.tif 000002
【０００８】
【化２】
2010047701.tif 000003
【０００９】
【化３】
2010047701.tif 000004
【００１０】
【化４】
2010047701.tif 000005
【００１１】
化１〜化４において、
Ａ１：炭素数８〜２４のアルキル基、炭素数８〜２４のアルケニル基、置換基として炭素数８〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数４〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ａ２，Ａ３：炭素数１〜７のアルキル基、炭素数４〜７のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜７のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜３のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ａ４：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ｒ１，Ｒ２：炭素数１〜４のアルキル基
Ｒ３，Ｒ５：炭素数１〜２２のアルキル基
Ｒ４，Ｒ６，Ｒ７：炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基
Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１：炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３：炭素数２〜４のアルキレン基
Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３：水素原子又はメチル基
【００１２】
また本発明は、合成高分子材料１００質量部当たり本発明に係る合成高分子材料用帯電防止剤を０．１〜４質量部の割合で含有してなることを特徴とする合成高分子材料組成物に係る。
【００１３】
先ず、本発明に係る合成高分子材料用帯電防止剤（以下、本発明の帯電防止剤という）について説明する。本発明の帯電防止剤は帯電防止剤成分Ｍと帯電防止剤成分Ｎとから成る。帯電防止剤成分Ｍは化１で示される化合物である。また帯電防止剤成分Ｎは、化２で示される化合物、化３で示される化合物及び化４で示される化合物から選ばれる一つ又は二つ以上である。
【００１４】
化１で示される化合物は有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンとしては、１）オクチルスルホネート、ドデシルスルホネート、テトラデシルスルホネート、オクタデシルスルホネート、テトラコシルスルホネート、２−エチルヘキシルスルホネート等の、炭素数８〜２４のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、２）オクテニルスルホネート、ドデセニルスルホネート、テトラデセニルスルホネート、オクタデセニルスルホネート等の、炭素数８〜２４のアルケニル基を有する有機スルホネートアニオン、３）オクチルフェニルスルホネート、デシルフェニルスルホネート、ドデシルフェニルスルホネート、ペンタデシルフェニルスルホネート、オクタデシルフェニルスルホネート、テトラコシルフェニルスルホネート、ジノニルフェニルスルホネート等の、炭素数８〜１８のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、４）ジブチルナフチルスルホネート等の、炭素数４〜１８のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられる。なかでも炭素数８〜１８のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数９〜１８のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、炭素数１０〜１６のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオンがより好ましい。
【００１５】
また化１で示される化合物における有機アンモニウムカチオンとしては、ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジエチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジブチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジイソプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルエチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等が挙げられる。なかでも化１中のＲ１及びＲ２がメチル基又はエチル基である場合の有機アンモニウムカチオンが好ましく、化１中のＲ１及びＲ２がメチル基である場合の有機アンモニウムカチオンがより好ましい。
【００１６】
本発明の帯電防止剤に供する化１で示される化合物は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されたものであるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。これらの有機スルホネートアンモニウム塩は、それぞれ相当する有機スルホン酸とアンモニウムハイドロオキサイドとを用いる中和反応により得ることができる。
【００１７】
化２で示される化合物も有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンとしては、１）メチルスルホネート、エチルスルホネート、プロピルスルホネート、ブチルスルホネート、ヘキシルスルホネート等の、炭素数１〜７のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、２）ブテニルスルホネート、ヘキセニルスルホネート等の、炭素数４〜７のアルケニル基を有する有機スルホネートアニオン、３）フェニルスルホネート、４）メチルフェニルスルホネート、エチルフェニルスルホネート、プロピルフェニルスルホネート、ブチルフェニルスルホネート、ヘキシルフェニルスルホネート等の、炭素数１〜７のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、５）ナフチルスルホネート、６）メチルナフチルスルホネート、エチルナフチルスルホネート、イソプロピルナフチルスルホネート等の、炭素数１〜３のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられる。なかでも炭素数１〜４のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、フェニルスルホネートアニオン、炭素数１〜４のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、メチルスルホネートアニオン、フェニルスルホネートアニオン、メチルフェニルスルホネートアニオンがより好ましい。
【００１８】
また化２で示される化合物における有機アンモニウムカチオンとしては、ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジエチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジブチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジイソプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルエチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルプロピル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルヘキシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルオクチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルドデシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルテトラドデシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルオクタデシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルドコシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、メチルベンジル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、オクチルベンジル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジヘキシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジオクチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジドデシル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、ジメチル＝ビス（３−ヒドロキシプロピル）アンモニウム、メチルオクチル＝ビス（３−ヒドロキシプロピル）アンモニウム、メチルベンジル＝ビス（３−ヒドロキシプロピル）アンモニウム、ジメチル＝ビス（４−ヒドロキシブチル）アンモニウム、メチルドデシル＝ビス（４−ヒドロキシブチル）アンモニウム、ジメチル＝ビス（２−メトキシエチル）アンモニウム、メチルオクチル＝ビス（２−メトキシエチル）アンモニウム、メチルベンジル＝ビス（２−メトキシエチル）アンモニウム、ジメチル＝ビス（３−メトキシプロピル）アンモニウム、ジメチル＝ビス（４−メトキシブチル）アンモニウム、メチルベンジル＝ビス（４−メトキシブチル）アンモニウム等が挙げられる。なかでも化２中のＲ３が炭素数１〜１２のアルキル基、Ｒ４がメチル基又はエチル基であって、Ｙ１及びＹ２がエチレン基、Ｚ１及びＺ２が水素原子である場合の有機アンモニウムカチオンが好ましく、化２中のＲ３及びＲ４がメチル基であって、Ｙ１及びＹ２がエチレン基、Ｚ１及びＺ２が水素原子である場合の有機アンモニウムカチオンがより好ましい。
【００１９】
本発明に供する化２で示される化合物は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されたものであるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。これらの有機スルホネートアンモニウム塩は、前記した化１で示される化合物と同じ方法で合成できる。
【００２０】
化３で示される化合物も有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンは、前記した化２で示される化合物の有機スルホネートアニオンについて説明したことと同じである。
【００２１】
また化３で示される化合物における有機アンモニウムカチオンとしては、トリメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、トリエチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、トリプロピル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、メチル＝ジエチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、メチル＝ジイソプロピル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、メチル＝ジブチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、メチル＝エチル＝プロピル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ブチル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ヘキシル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、オクチル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ドデシル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、テトラデシル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、オクタデシル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ドコシル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ブチル＝ジエチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ヘキシル＝ジエチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、オクチル＝ジエチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、ジメチル＝ベンジル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、オクチル＝ジベンジル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム、トリエチル＝３−ヒドロキシプロピルアンモニウム、オクチル＝ジメチル＝３−ヒドロキシプロピルアンモニウム、トリブチル＝４−ヒドロキシブチルアンモニウム、オクチル＝ジメチル＝４−ヒドロキシブチルアンモニウム、トリエチル＝２−メトキシエチルアンモニウム、オクチル＝ジメチル＝２−メトキシエチルアンモニウム、トリブチル＝３−メトキシプロピルアンモニウム、オクチル＝ジメチル＝４−メトキシブチルアンモニウム等が挙げられる。なかでも化３中のＲ５が炭素数６〜１８のアルキル基、Ｒ６及びＲ７がメチル基又はエチル基であって、Ｙ３がエチレン基、Ｚ３が水素原子である場合の有機アンモニウムカチオンが好ましく、化３中のＲ５が炭素数８〜１２のアルキル基、Ｒ６及びＲ７がメチル基であって、Ｙ３がエチレン基、Ｚ３が水素原子である場合の有機アンモニウムカチオンがより好ましい。
【００２２】
本発明に供する化３で示される化合物は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機アンモニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されたものであるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。これらの有機スルホネートアンモニウム塩は、前記した化１で示される化合物と同じ方法で合成できる。
【００２３】
化４で示される化合物は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンとしては、１）メチルスルホネート、エチルスルホネート、プロピルスルホネート、ブチルスルホネート、ヘキシルスルホネート、オクチルスルホネート、ドデシルスルホネート、テトラデシルスルホネート、オクタデシルスルホネート、テトラコシルスルホネート、２−エチルヘキシルスルホネート等の、炭素数１〜２４のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、２）ブテニルスルホネート、ヘキセニルスルホネート、オクテニルスルホネート、ドデセニルスルホネート、テトラデセニルスルホネート、オクタデセニルスルホネート等の、炭素数４〜２４のアルケニル基を有する有機スルホネートアニオン、３）フェニルスルホネート、４）メチルフェニルスルホネート、エチルフェニルスルホネート、イソプロピルフェニルスルホネート、ブチルフェニルスルホネート、オクチルフェニルスルホネート、ドデシルフェニルスルホネート、ペンタデシルフェニルスルホネート、オクタデシルフェニルスルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ジノニルフェニルスルホネート等の、炭素数１〜１８のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、５）ナフチルスルホネート、６）ジイソプロピルナフチルスルホネート、ジブチルナフチルスルホネート等の、炭素数１〜１８のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられる。なかでも炭素数８〜１８のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数６〜１８のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、炭素数９〜１６のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオンがより好ましい。
【００２４】
また化４で示される化合物における前記有機ホスホニウムカチオンとしては、１）テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウム、トリブチルメチルホスホニウム、ジエチルジヘキシルホスホニウム、ジオクチルジメチルホスホニウム、ジオクチルジブチルホスホニウム、トリメチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホニウム、トリメチルドデシルホスホニウム、トリメチルオクタデシルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニウム、トリエチルドデシルホスホニム、トリエチルヘキサデシルホスホニウム、トリブチルオクチルホスホニウム、トリブチルドデシルホスホニム、トリブチルヘキサデシルホスホニウム等の、化４中のＲ８〜Ｒ１１が炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオンが挙げられる。なかでも化４中のＲ８〜Ｒ１１が炭素数２〜１６の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオンが好ましく、化４中のＲ８〜Ｒ１１が炭素数２〜５の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオンがより好ましい。
【００２５】
本発明の帯電防止剤に供するスルホネートホスホニウム塩は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されたものであるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。これらの有機スルホネートホスホニウム塩は、それぞれ相当する有機スルホネートの金属塩又はアンモニウム塩と四級ホスホニウム塩とを溶媒中で混合し、副生する無機塩を水洗分離するか、又はメタノールやイソプロパノール更にはアセトンの如き有機溶媒にてスルホネートホスホニウム塩を抽出することにより得ることができる。
【００２６】
本発明の帯電防止剤は、以上説明した帯電防止剤成分Ｍと帯電防止剤成分Ｎとから成り、帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝２５／７５〜８０／２０（質量比）の割合で含有するものであるが、本発明の帯電防止剤としては、帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝３０／７０〜７５／２５（質量比）の割合で含有するものが好ましく、帯電防止剤成分Ｍ／帯電防止剤成分Ｎ＝４０／６０〜６５／３５（質量比）の割合で含有するものがより好ましい。
【００２７】
次に、本発明に係る合成高分子材料組成物はついて説明する。本発明に係る合成高分子材料組成物は、合成高分子材料１００質量部当たり、以上説明した本発明の帯電防止剤を０．１〜４質量部の割合、好ましくは０．２〜２質量部の割合で含有して成るものである。
【００２８】
本発明に係る合成高分子材料組成物に供する合成高分子材料それ自体としては、公知のものを適用できる。なかでもエステル系樹脂、スチレン系樹脂及びアクリル系樹脂が好ましい。かかる好ましい合成高分子材料の具体例としては、エステル系樹脂として、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリエステルエラストマー等の芳香族ポリエステル樹脂、ポリブチレンサクシネート樹脂、ポリカプロラクトン樹脂等の脂肪族ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート／サクシネート樹脂等の脂肪族芳香族ポリエステル樹脂が挙げられ、またスチレン系樹脂として、ポリスチレン、ＳＢＳ（スチレン・ブタジエン・スチレン共重合体）、水添ＳＢＳ（水添スチレン・ブタジエン・スチレン共重合体）、ＳＥＰＳ（水添スチレン・イソプレン・スチレン共重合体）、ＨＩＰＳ（耐衝撃性ポリスチレン）、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・スチレン共重合体）、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体）、ＭＢＳ樹脂（メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合体）、ＭＡＢＳ樹脂（メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体）、ＡＡＳ樹脂（アクリロニトリル・アクリルゴム・スチレン共重合体）、ＡＥＳ樹脂（アクリロニトリル・エチレンプロピレン系ゴム・スチレン共重合体）等が挙げられ、更にアクリル系樹脂として、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、メタクリル酸メチル−アクリル酸メチル共重合体、メタクリル酸メチル−メタクリル酸エチル共重合体、メタクリル酸メチル−メタクリル酸ブチル共重合体、メタクリル酸メチル−アクリル酸エチル共重合体等が挙げられる。
【００２９】
本発明に係る合成高分子材料組成物の調製方法それ自体には、公知の方法を適用できる。かかる調製方法としては、本発明の帯電防止剤を高濃度に含有するマスターチップ（マスターペレット）を作製しておき、このマスターチップを更に合成高分子材料と混合して所定の合成高分子材料組成物とする方法が挙げられる。帯電防止剤のマスターチップを作製する方法としては、１）合成高分子材料と本願発明の帯電防止剤とをヘンシェルミキサー等の混合機に投入して混合し、その混合物を二軸押出機等で溶融混練し、押出しし、切断して帯電防止剤のマスターチップとする方法、２）シリンダ中間部に液状物定量フィーダーの付いた二軸押出機を用い、本願発明の帯電防止剤を該液状物定量フィーダーを介して二軸押出機に導入して、合成高分子材料と溶融混練し、押出しし、切断して帯電防止剤のマスターチップとする方法等が挙げられる。合成高分子材料と本発明の帯電防止剤とを混合機で混合するときの温度は、合成高分子材料と帯電防止剤の種類により適宜設定するが、通常は２０〜１００℃とし、好ましくは４０〜７０℃とする。また合成高分子材料と本発明の帯電防止剤のマスターチップとの混合物を二軸押出機等で溶融混練するときの温度は、合成高分子材料の種類により適宜設定するが、通常は１６０〜２８０℃とし、好ましくは２００〜２６０℃とする。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明した本発明の帯電防止剤には、合成高分子材料に対する帯電防止性、ハンドリング性及び抗着色性を同時に充足することができるという効果がある。
【００３１】
以下、本発明の構成及び効果をより具体的にするため、実施例等を挙げるが、本発明がこれらの実施例に限定されるというものではない。尚、以下の実施例及び比較例において、部は質量部を、また％は質量％を意味する。
【実施例】
【００３２】
試験区分１（帯電防止剤成分の合成）
・化１で示される化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ａ−１）〜（Ａ−８）及び（ＡＲ−１）〜（ＡＲ−３）の合成｝
温度計、攪拌機及び滴下管を備えた底排弁付きの四つ口フラスコにドデシルフェニルスルホン酸３２６ｇ（１．０モル）を入れ、滴下管よりジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム・ハイドロオキサイドの５０％水溶液３０２ｇ｛ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム・ハイドロオキサイドとして１．０モル｝を滴下して中和した。中和液のｐＨを測定し、ｐＨが６．０に調整されていることを確認した後、中和液中の水を留去して、黄色ワックス状のドデシルフェニルスルホネート・ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム４５５ｇを得た。これを化合物（Ａ−１）とした。帯電防止剤成分（Ａ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ａ−２）〜（Ａ−８）及び（ＡＲ−１）〜（ＡＲ−３）を得た。これらの内容を表１にまとめて示した。
【００３３】
【表１】
2010047701.tif 000006
【００３４】
・化２で示される化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）及び（ＢＲ−１）〜（ＢＲ−３）の合成｝
温度計、攪拌機及び滴下管を備えた底排弁付きの四つ口フラスコにメタンスルホン酸の７０％水溶液１３７ｇ（メタンスルホン酸として１．０モル）を入れて、滴下管よりジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム・ハイドロオキサイドの５０％水溶液３０２ｇ｛ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム・ハイドロオキサイドとして１．０モル｝を滴下して中和した。中和液のｐＨを測定し、ｐＨが６．７に調整されていることを確認した後、中和液中の水を留去して、黄色液状のメチルスルホネート・ジメチル＝ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム２２５ｇを得た。これを帯電防止剤成分（Ｂ−１）とした。帯電防止剤成分（Ｂ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ｂ−２）〜（Ｂ−７）及び（ＢＲ−１）〜（ＢＲ−３）を得た。これらの内容を表２にまとめて示した。尚、表２及び後述する表３中、水素は水素原子を意味する。
【００３５】
【表２】
2010047701.tif 000007
【００３６】
・化３で示される化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｃ−１）〜（Ｃ−７）及び（ＣＲ−１）〜（ＣＲ−３）の合成｝
温度計、攪拌機及び滴下管を備えた底排弁付きの四つ口フラスコにメタンスルホン酸の７０％水溶液１３７ｇ（メタンスルホン酸として１．０モル）を入れて、滴下管よりオクチル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム・ハイドロオキサイドを３５％含有する水／イソプロピルアルコール混合液６２７ｇ（オクチル＝ジメチル＝２−ヒドロキシエチルアンモニウム・ハイドロオキサイドとして１．０モル）を滴下して中和した。中和液のｐＨを測定し、ｐＨが７．２に調整されていることを確認した後、中和液中の水を留去して、淡黄色液状のメチルスルホネート・オクチル（ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウム塩２９０ｇを得た。これを帯電防止剤成分（Ｃ−１）とした。帯電防止剤成分（Ｃ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ｃ−２）〜（Ｃ−７）及び（ＣＲ−１）〜（ＣＲ−３）を得た。これらの内容を表３にまとめて示した。
【００３７】
【表３】
2010047701.tif 000008
【００３８】
・化４で示される化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｄ−１）〜（Ｄ−９）及び（ＤＲ−１）、（ＤＲ−２）の合成｝
特開２００５−１３２８５３号公報に記載の方法にしたがって、ドデシルフェニルスルホン酸ナトリウム塩３４８ｇ（１．０モル）にテトラブチルホスホニウムクロライド３１０ｇ（１．０５モル）を水溶媒中で混合して、副生した塩化ナトリウムを水洗して除去した後、水を留去して、淡黄色液状のドデシルフェニルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩５５６ｇ（０．９５モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｄ−１）とした。帯電防止剤成分（Ｄ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ｄ−２）〜（Ｄ−９）及び（ＤＲ−１）、（ＤＲ−２）を得た。これらの内容を表４にまとめて示した。
【００３９】
【表４】
2010047701.tif 000009
【００４０】
試験区分２（合成高分子材料用帯電防止剤の調製）
・実施例１〜２９及び比較例１〜１４｛合成高分子材料用帯電防止剤（Ｐ−１）〜（Ｐ−２９）及び（Ｔ−１）〜（Ｔ−１４）の調製｝
帯電防止剤成分（Ａ−１）６０部と帯電防止剤成分（Ｂ−１）４０部とを混合して実施例１の合成高分子材料用帯電防止剤（Ｐ−１）１００部を調製した。同様にして、実施例２〜２９の合成高分子材料用帯電防止剤（Ｐ−２）〜（Ｐ−２９）及び比較例１〜１４の合成高分子材料用帯電防止剤（Ｔ−１）〜（Ｔ−１４）を調製した。これらの内容を表５にまとめて示した。尚、表５中、割合は部（質量部）である。
【００４１】
【表５】
2010047701.tif 000010
【００４２】
試験区分３（合成高分子材料組成物の調製及び評価その１）
・実施例３０〜５８及び比較例１５〜２８
エステル系樹脂（イーストマンケミカル社製の商品名ＥＡＳＴＡＲ  ＣＯＰＯＬＹＥＳＴＥＲ  ６７６３）３８００ｇと試験区分２で調製した合成高分子材料用帯電防止剤２００ｇとを２０リットルのヘンシェルミキサー（羽根ＹＯ型、回転数４００ｒｐｍ）に投入して、釜内雰囲気６０℃にて１０分間混練した後、排出シュートからポリエステルマスターチップ用の混合物を抜き出した。この混合物を二軸押出機（日本製鋼所社製の商品名ＴＥＸ３０α）の原料投入口より投入し、混練温度２４０℃で口金よりストランド状に押出し、水で急冷してストランドを得た。このストランドをストランドカッターで切断して、ペレット状のポリエステルマスターチップを作製した。次にこのポリエステルマスターチップ１６０ｇとエステル系樹脂（イーストマンケミカル社製の商品名ＥＡＳＴＡＲ  ＣＯＰＯＬＹＥＳＴＥＲ  ６７６３）８４０ｇとをタンブラーで混合した後、Ｔダイ付きの二軸押出機（東洋精機製作所社製の商品名ラボプラストミル３０Ｃ１５０型）を用いて、混練温度２５０℃及び混練時間１分間の条件で混練しながら押出しし、５０℃の冷却ロールで冷却して、実施例３０の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのエステル系樹脂シートを得た。エステル系樹脂との混合割合を変え、同様にして、実施例３１〜５８及び比較例１５〜２８の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのエステル系樹脂シートを得た。これらの内容を表６にまとめて示した。
【００４３】
・評価その１
・・ハンドリング性の評価
エステル系樹脂と合成高分子材料用帯電防止剤とをヘンシェルミキサーで混練したときの状況から、下記の基準で評価した。結果を表６にまとめて示した。
ハンドリング性の評価基準
ＡＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が殆どなく、得られたポリエステルマスターチップ用の混合物の歩留まりが９５％以上であった。
ＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が僅かにあるが、得られたポリエステルマスターチップ用の混合物の歩留まりが８５％以上９５％未満であった。
Ａ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が明らかにあり、得られたポリエステルマスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％以上８５％未満であった。
Ｂ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が著しくあり、得られたポリエステルマスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％未満であった。
【００４４】
・・帯電防止性の評価
得られたエステル系樹脂シートを、２０℃で相対湿度４０％の条件下に２４時間調湿した後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計（東亜電波工業社製の商品名ＳＭ−８２１０型）を用い、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠して表面固有抵抗を測定し、下記の基準で評価した。結果を表６にまとめて示した。
帯電防止性の評価基準
ＡＡ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω未満
Ａ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω以上１×１０１３Ω未満
Ｂ：表面固有抵抗が１×１０１３Ω以上
【００４５】
・・抗着色性の評価
表面固有抵抗を測定したエステル系樹脂シートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。結果を表６にまとめて示した。
抗着色性の評価基準
ＡＡＡ：帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の色相を有する。
ＡＡ：ブランクより僅かに着色している。
Ａ：ブランクより幾分着色している。
Ｂ：ブランクより著しく着色している。
【００４６】
【表６】
2010047701.tif 000011
【００４７】
表６において、
ＰＥＴ：エステル系樹脂
使用量：合成高分子材料１００質量部当たりの合成高分子材料用帯電防止剤の質量部
【００４８】
試験区分４（合成高分子材料組成物の調製及び評価その２）
・実施例５９〜８７及び比較例２９〜４２
スチレン系樹脂（東レ社製の商品名トヨラック９２０）３８００ｇと試験区分２で調製した帯電防止剤２００ｇとを２０リットルヘンシェルミキサー（羽根ＹＯ型、回転数４００ｒｐｍ）に投入して、釜内雰囲気６０℃にて１０分間混練した後、排出シュートからスチレン系樹脂マスターチップ用の混合物を抜き出した。この混合物を二軸押出機（日本製鋼所社製の商品名ＴＥＸ３０α）の原料投入口より投入し、混練温度２４０℃で口金よりストランド状に押出し、水で急冷してストランドを得た。このストランドをストランドカッターで切断して、ペレット状のスチレン系樹脂マスターチップを作製した。次にこのスチレン系樹脂マスターチップ１００ｇとスチレン系樹脂（東レ社製の商品名トヨラック９２０）９００ｇとをタンブラーで混合した後、Ｔダイ付きの二軸押出機（東洋精機製作所社製の商品名ラボプラストミル３０Ｃ１５０型）を用いて、混練温度２４０℃及び混練時間１分間の条件で混練しながら押出しし、５０℃の冷却ロールで冷却して、実施例５９の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのスチレン系樹脂シートを得た。スチレン系樹脂との混合割合を変え、同様にして、実施例６０〜８７及び比較例２９〜４２の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのスチレン系樹脂シートを得た。これらの内容を表７にまとめて示した。
【００４９】
・評価その２
・・ハンドリング性の評価
スチレン系樹脂と合成高分子材料用帯電防止剤とをヘンシェルミキサーで混練したときの状況から、下記の基準で評価した。結果を表７にまとめて示した。
ハンドリング性の評価基準
ＡＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が殆どなく、得られたスチレン系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが９５％以上であった。
ＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が僅かにあるが、得られたスチレン系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが８５％以上９５％未満であった。
Ａ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が明らかにあり、得られたスチレン系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％以上８５％未満であった。
Ｂ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が著しくあり、得られたスチレン系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％未満であった。
【００５０】
・・帯電防止性の評価
スチレン系樹脂シートを、２０℃で相対湿度４０％の条件下に２４時間調湿した後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計（東亜電波工業社製の商品名ＳＭ−８２１０型）を用い、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠して表面固有抵抗を測定し、下記の基準で評価した。結果を表７にまとめて示した。
帯電防止性の評価基準
ＡＡ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω未満
Ａ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω以上１×１０１３Ω未満
Ｂ：表面固有抵抗が１×１０１３Ω以上
【００５１】
・抗着色性の評価
表面固有抵抗を測定したスチレン系樹脂シートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。結果を表７にまとめて示した。
抗着色性の評価基準
ＡＡＡ：帯電防止剤又は帯電防止剤成分を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の色相を有する。
ＡＡ：ブランクより僅かに着色している。
Ａ：ブランクより幾分着色している。
Ｂ：ブランクより著しく着色している。
【００５２】
【表７】
2010047701.tif 000012
【００５３】
表７において、
ＡＢＳ：スチレン系樹脂
使用量：合成高分子材料１００質量部当たりの合成高分子材料用帯電防止剤の質量部
【００５４】
試験区分５（合成高分子材料組成物の調製及び評価その３）
・実施例８８〜１１６及び比較例４３〜５６
アクリル系樹脂（三菱レイヨン社製の商品名アクリペットＭＤ）３８００ｇと試験区分２で調製した帯電防止剤２００ｇとを２０リットルヘンシェルミキサー（羽根ＹＯ型、回転数４００ｒｐｍ）に投入して、釜内雰囲気６０℃にて１０分間混錬した後、排出シュートからアクリル系樹脂マスターチップ用の混合物を抜き出した。この混合物を二軸押出機（日本製鋼所社製の商品名ＴＥＸ３０α）の原料投入口より投入し、混練温度２５０℃で口金よりストランド状に押出し、水で急冷してストランドを得た。このストランドをストランドカッターで切断して、ペレット状のアクリル系樹脂マスターチップを作製した。次にこのアクリル系樹脂マスターチップ２００ｇとアクリル系樹脂（三菱レイヨン社製の商品名アクリペットＭＤ）８００ｇとをタンブラーで混合した後、Ｔダイ付きの二軸押出機（東洋精機製作所社製の商品名ラボプラストミル３０Ｃ１５０型）を用いて、混練温度２４０℃及び混練時間１分間の条件で混練しながら押出しし、５０℃の冷却ロールで冷却して、実施例８８の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのアクリル系樹脂シートを得た。アクリル系樹脂との混合割合を変え、同様にして、実施例８９〜１１６及び比較例４３〜５６の合成高分子材料組成物に相当する厚さ０．５mmのアクリル系樹脂シートを得た。これらの内容を表８にまとめて示した。
【００５５】
・評価その３
・・ハンドリング性の評価
アクリル系樹脂と合成高分子材料用帯電防止剤とをヘンシェルミキサーで混練したときの状況から、下記の基準で評価した。結果を表８にまとめて示した。
ハンドリング性の評価基準
ＡＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が殆どなく、得られたアクリル系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが９５％以上であった。
ＡＡ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が僅かにあるが、得られたアクリル系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが８５％以上９５％未満であった。
Ａ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が明らかにあり、得られたアクリル系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％以上８５％未満であった。
Ｂ：ヘンシェルミキサー内壁への樹脂等の付着が著しくあり、得られたアクリル系樹脂マスターチップ用の混合物の歩留まりが７０％未満であった。
【００５６】
・・帯電防止性の評価
アクリル系樹脂シートを、２０℃で相対湿度４０％の条件下に２４時間調湿した後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計（東亜電波工業社製の商品名ＳＭ−８２１０型）を用い、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠して表面固有抵抗を測定し、下記の基準で評価した。結果を表８にまとめて示した。
帯電防止性の評価基準
ＡＡ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω未満
Ａ：表面固有抵抗が５×１０１１Ω以上１×１０１３Ω未満
Ｂ：表面固有抵抗が１×１０１３Ω以上
【００５７】
・抗着色性の評価
表面固有抵抗率を測定したアクリル系樹脂シートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。結果を表８にまとめて示した。
抗着色性の評価基準
ＡＡＡ：帯電防止剤又は帯電防止剤成分を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の色相を有する。
ＡＡ：ブランクより僅かに着色している。
Ａ：ブランクより幾分着色している。
Ｂ：ブランクより著しく着色している。
【００５８】
【表８】
2010047701.tif 000013
【００５９】
表８において、
ＡＣ：アクリル系樹脂
使用量：合成高分子材料１００質量部当たりの合成高分子材料用帯電防止剤の質量部