(57)【要約】【課題】相対的な輝度変化の程度を軽減することができる有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供する。【解決手段】（ａ）前処理を行い、（ｂ）閾値電圧キャンセル処理を行い、（ｃ）書込み処理を行い、（ｄ）第１ノードを浮遊状態とし、（ｅ）有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を少なくとも１回行う、工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。【選択図】  図１
2010113188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部から構成された駆動回路であって、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
駆動回路を用いて、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、
（ｅ）電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、
工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項２】
補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を０．５ミリ秒以下とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項３】
補助駆動工程は、電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する工程である請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項８】
前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項９】
駆動回路は、更に、第１トランジスタを備えており、
第１トランジスタにおいては、
（Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
（Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧が印加され、
（Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線に接続されている、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項１１】
前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項１２】
駆動回路は、更に、第２トランジスタを備えており、
第２トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
（Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧が印加され、
（Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線に接続されている、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項１３】
前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項１４】
前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する場合がある）を利用した有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えた表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と略称する場合がある）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。
【０００３】
液晶表示装置と同様に、例えば、有機ＥＬ表示素子を備えた表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する場合がある）においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。
【０００４】
有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する場合がある）を駆動するための回路として、２つのトランジスタと１つの容量部から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００７−３１０３１１号公報（特許文献１）から周知である。この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図２に示すように、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲDの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ1から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ2を構成し、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は第１ノードＮＤ1を構成する。
【０００５】
そして、図５にタイミングチャートを示すように、［期間−ＴＰ（２）1］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧ＶOfs（例えば、０ボルト）を第１ノードＮＤ1に印加する。これにより、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfsとなる。また、駆動トランジスタＴＲDを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧ＶCC-L（例えば、−１０ボルト）を第２ノードＮＤ2に印加する。これにより、第２ノードＮＤ2の電位は、ＶCC-Lとなる。駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧を電圧Ｖth（例えば、３ボルト）と表す。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ソース領域と呼ぶ場合がある）との間の電位差がＶth以上となり、駆動トランジスタＴＲDはオン状態となる。
【０００６】
次いで、［期間−ＴＰ（２）2］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、書込みトランジスタＴＲWのオン状態を維持したまま、電源部１００の電圧を第２ノード初期化電圧ＶCC-Lから駆動電圧ＶCC-H（例えば、２０ボルト）に切り替える。その結果、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶthに達すると、駆動トランジスタＴＲDがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードＮＤ2の電位は、概ね（ＶOfs−Ｖth）である。
【０００７】
その後、［期間−ＴＰ（２）3］において、書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とする。そして、データ線ＤＴＬの電圧を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）ＶSig_m］とする。
【０００８】
次いで、［期間−ＴＰ（２）4］において、書込み処理を行う。具体的には、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、映像信号ＶSig_mへと上昇する。
【０００９】
ここで、容量部Ｃ1の値を値ｃ1とし、発光部ＥＬＰの容量ＣELの値を値ｃELとする。そして、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量の値をｃgsとする。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位がＶOfsからＶSig_m（＞ＶOfs）に変化したとき、容量部Ｃ1の両端の電位（換言すれば、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ1の電位）の変化分（ＶSig_m−ＶOfs）に基づく電荷が、容量部Ｃ1、発光部ＥＬＰの容量ＣEL、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃELが、値ｃ1及び値ｃgsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位の変化分（ＶSig_m−ＶOfs）に基づく駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ2）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量ＣELの値ｃELは、容量部Ｃ1の値ｃ1及び駆動トランジスタＴＲDの寄生容量の値ｃgsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図５に示した駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮せずに示した。
【００１０】
上述した動作にあっては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧ＶCC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に映像信号ＶSig_mが印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）4］において第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。この電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）については後述する。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極（第１ノードＮＤ1）の電位をＶgとし、他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ2）の電位をＶsとしたとき、上述した第２ノードＮＤ2の電位の上昇量ΔＶを考慮しなければ、Ｖgの値、Ｖsの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と、ソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（Ａ）で表すことができる。
【００１１】
Ｖg ＝ＶSig_m
Ｖs ≒ＶOfs−Ｖth
Ｖgs≒ＶSig_m−（ＶOfs−Ｖth）    （Ａ）
【００１２】
即ち、駆動トランジスタＴＲDに対する書込み処理において得られたＶgsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSig_m、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【００１３】
次いで、移動度補正処理について簡単に説明する。上述した動作にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲDの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ2の電位）を変化させる移動度補正処理が併せて行われる。
【００１４】
上述したように、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧ＶCC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に映像信号ＶSig_mが印加される。ここで、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）4］において第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲDの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲDのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴＲDの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲDのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。尚、［期間−ＴＰ（２）4］の全時間（ｔ0）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。
【００１５】
Ｖgs≒ＶSig_m−（ＶOfs−Ｖth）−ΔＶ    （Ｂ）
【００１６】
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（２）5］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ1を浮遊状態とする。駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ドレイン領域と呼ぶ場合がある）には、電源部１００から電圧ＶCC-Hが印加された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ2の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ1の電位も上昇する。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsである。駆動トランジスタＴＲDが飽和領域において理想的に動作するとすれば、ドレイン電流Ｉdsは、以下の式（Ｃ）で表すことができる。発光部ＥＬＰはドレイン電流Ｉdsの値に応じた輝度で発光する。尚、係数ｋについては後述する。
【００１７】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2
＝ｋ・μ・（ＶSig_m−ＶOfs−ΔＶ）2    （Ｃ）
【００１８】
そして、図５に示す［期間−ＴＰ（２）5］を発光期間とし、［期間−ＴＰ（２）6’］の始期から次の発光期間までの間を非発光期間とする。非発光期間を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。
【００１９】
以上に概要を説明した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作についても、後に詳しく説明する。
【００２０】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上述した駆動方法により発光部を駆動する有機ＥＬ表示装置にあっては、例えば或るパターンを長時間表示させると、そのパターンに応じた輝度変化が残るといった所謂焼き付きが残る場合がある。例えば、図３３の（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として長時間表示させる。その後、例えば表示領域ＥＡ全体を白表示とすると、図３３の（Ｂ）に示すように、領域Ｂに対応する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなるといった現象が認められる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質の低下を招くといった問題が生ずる。
【００２２】
従って、本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上述した相対的な輝度変化の程度を軽減することができる有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の目的を達成するための本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法は、
書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部から構成された駆動回路であって、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
駆動回路を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法である。
【００２４】
そして、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、
（ｅ）電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法である。
【００２５】
そして、更には、
工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明にあっては、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。これにより、上述した相対的な輝度変化の程度を軽減することができる。本発明を適用した有機ＥＬ表示装置にあっては、輝度の均一性に優れた画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法についてのより詳しい説明
２．各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要の説明
３．実施例１（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
４．実施例２（第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
５．実施例３（第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
６．実施例４（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
【００２８】
〈本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法についてのより詳しい説明〉
上述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法（以下、単に、本発明の駆動方法と呼ぶ場合がある）にあっては、基本的には、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間の長さを短くする程、相対的な輝度変化が軽減されるといった関係が認められる。有機エレクトロルミネッセンス発光部の仕様等にもよるが、基本的には、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とすることで効果が認められる。より好ましくは、上記期間を０．５ミリ秒以下とすることが望ましい。
【００２９】
本発明の駆動方法にあっては、補助駆動工程において、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する。この場合において、駆動方法の工程を共通化するといった観点からは、補助駆動工程が、電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する工程である構成とすることが好ましい。上述した構成によれば、工程（ｅ）と補助駆動工程の双方で有機エレクトロルミネッセンス発光部が駆動される。有機エレクトロルミネッセンス発光部の仕様等にもよるが、補助駆動工程を行う期間の長さは、概ね１ミリ秒程度を下回らないようにすればよい。工程（ｅ）の期間の長さは一律に固定された期間とすることができる。あるいは又、工程（ｅ）の期間の長さが、例えば映像信号の値に応じて変化するといった構成とすることもできる。
【００３０】
ここで、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する構成とすることができる。
【００３１】
尚、データ線に印加される電圧が映像信号から第１ノード初期化電圧に切り替わるのを待って書込みトランジスタをオン状態とする構成であってもよいし、動作に支障を生じない範囲で先行して書込みトランジスタをオン状態とする構成であってもよい。後者の構成によれば、データ線に第１ノード初期化電圧が印加されると直ちに第１ノードの電位が初期化される。前者の構成にあっては、データ線の電圧の切り替えを待つ時間も含めて前処理に時間を配分する必要がある。後者の構成にあっては、データ線の電圧の切り替えを待つ時間が不要であり、前処理をより短い時間で行うことができる。後者の構成にあっては、前処理に引き続き行われる閾値電圧キャンセル処理により長い時間を配分することができる。
【００３２】
また、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加する構成とすることができる。
【００３３】
また、前記工程（ｂ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする構成とすることができる。
【００３４】
また、前記工程（ｂ）において、電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる構成とすることができる。
【００３５】
また、前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する構成とすることができる。
【００３６】
あるいは又、本発明の駆動方法にあっては、
駆動回路は、更に、第１トランジスタを備えており、
第１トランジスタにおいては、
（Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
（Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧が印加され、
（Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線に接続されている、
構成とすることができる。
【００３７】
そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する構成とすることができる。
【００３８】
そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する構成とすることができる。
【００３９】
あるいは又、本発明の駆動方法にあっては、
駆動回路は、更に、第２トランジスタを備えており、
第２トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
（Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧が印加され、
（Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線に接続されている、
構成とすることができる。
【００４０】
そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する構成とすることができる。
【００４１】
そして、前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする構成とすることができる。
【００４２】
以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法（以下、単に、本発明と略称する場合がある）における工程（ｂ）にあっては、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行なう。定性的には、閾値電圧キャンセル処理において、第１ノードと第２ノードとの間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差）が駆動トランジスタの閾値電圧に近づく程度は、閾値電圧キャンセル処理の時間により左右される。従って、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分長く確保した構成にあっては、第２ノードの電位は第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に達する。そして、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧に達すると、駆動トランジスタはオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を短く設定せざるを得ない構成にあっては、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧より大きく、駆動トランジスタはオフ状態とはならない場合がある。本発明にあっては、閾値電圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタがオフ状態となることを要しない。
【００４３】
本発明にあっては、工程（ｄ）において、走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とする。この時期と、有機エレクトロルミネッセンス発光部に電流を流すために、所定の駆動電圧を電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する時期との先後関係は、特に限定するものではない。例えば、書込みトランジスタをオフ状態とした後、直ちに、あるいは、所定の間隔を空けて、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加する態様であってもよいし、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加した状態で、書込みトランジスタをオフ状態とする態様であってもよい。後者の態様にあっては、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加した状態で、データ線から映像信号が第１ノードに印加する期間が存在する。この期間において、駆動トランジスタの特性に応じて第２ノードの電位を上昇させる移動度補正処理の動作が行われる。
【００４４】
上述した駆動電圧と、工程（ｂ）において駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する電圧とは異なる値の電圧であってもよいが、電源部から印加する電圧の種類を削減する観点からは、工程（ｂ）、及び、工程（ｅ）における有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動の際に、電源部は駆動電圧を駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する構成であることが好ましい。
【００４５】
また、本発明にあっては、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧が印加された状態で、工程（ｃ）を行う構成とすることもできる。この構成にあっては、書込み処理において上述した移動度補正処理が併せて行なわれる。
【００４６】
本発明が適用される有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、例えば、
（１）走査回路、
（２）信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス表示素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（５）信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
（６）電源部、
を備えている構成とすることができる。そして、各有機エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と呼ぶ場合がある）は、駆動トランジスタ、書込みトランジスタ、及び、容量部を具備した駆動回路、並びに、有機エレクトロルミネッセンス発光部から構成されている。
【００４７】
本発明が適用される有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。例えば、１つの画素は複数の副画素から構成されている構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素の３つの副画素から構成されている、カラー表示の構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。
【００４８】
有機ＥＬ表示装置にあっては、走査回路、信号出力回路等の各種の回路、走査線、データ線等の各種の配線、電源部、有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と呼ぶ場合がある）の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。具体的には、発光部は、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。
【００４９】
駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができる。駆動回路を構成するトランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。ｎチャネル型のトランジスタにあってはＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造）が形成されていてもよい。場合によっては、ＬＤＤ構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは有機ＥＬ表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域側となる一方のソース／ドレイン領域側にのみＬＤＤ構造を形成した構成とすることもできる。尚、例えば、書込みトランジスタ等にｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。
【００５０】
駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成する上述したトランジスタ及び容量部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。
【００５１】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要を説明する。
【００５２】
〈各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要〉
各実施例での使用に適した有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置である。１つの画素は複数の副画素（各実施例にあっては、３つの副画素である赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素）から構成されている。各副画素は、駆動回路１１と、この駆動回路１１に接続された発光部（発光部ＥＬＰ）とが積層された構造を有する有機ＥＬ表示素子１０から構成されている。
【００５３】
実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４における有機ＥＬ表示装置の概念図を、それぞれ、図１、図１６、図２１及び図２６に示す。実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４における有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子の等価回路図を、それぞれ、図２、図１７、図２２及び図２７に示す。図２には、２トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）を示す。図１７及び図２２には、３トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路を示す。なお、図１７に示す回路を第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼び、図２２に示す回路を第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある。図２７には、４トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）を示す。
【００５４】
ここで、各実施例における有機ＥＬ表示装置は、
（１）走査回路１０１、
（２）信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路１１を備えている有機ＥＬ表示素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（６）電源部１００、
を備えている。図１、図１６、図２１及び図２６においては、３×３個の有機ＥＬ表示素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。尚、便宜のため、図１、図１６、図２１及び図２６においては、図２等に示す給電線ＰＳ２の図示を省略した。
【００５５】
発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から成る周知の構成、構造を有する。走査回路１０１、信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電源部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。
【００５６】
駆動回路１１の最小構成要素を説明する。駆動回路１１は、少なくとも、駆動トランジスタＴＲD、書込みトランジスタＴＲW、及び、一対の電極を備えた容量部Ｃ1から構成されている。駆動トランジスタＴＲDは、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。また、書込みトランジスタＴＲWも、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、書込みトランジスタＴＲWがｐチャネル型のＴＦＴから成る構成であってもよい。
【００５７】
ここで、駆動トランジスタＴＲDにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部１００に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部Ｃ1の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ2を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ1の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ1を構成する。
【００５８】
また、書込みトランジスタＴＲWにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。
【００５９】
図３に有機ＥＬ表示装置の一部分の模式的な一部断面図を示す。駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲD，ＴＲW及び容量部Ｃ1は支持体２０上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲD，ＴＲW及び容量部Ｃ1の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図３においては、駆動トランジスタＴＲDのみを図示する。その他のトランジスタは隠れて見えない。
【００６０】
より具体的には、駆動トランジスタＴＲDは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５，３５、及び、ソース／ドレイン領域３５，３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、容量部Ｃ1は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ2に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部Ｃ1を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲD及び容量部Ｃ1等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ2）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。
【００６１】
図３等に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。先ず、支持体２０上に、走査線ＳＣＬ等の各種配線、容量部Ｃ1を構成する電極、半導体層から成るトランジスタ、層間絶縁層、コンタクトホール等を、周知の方法により適宜形成する。次いで、周知の方法により成膜及びパターニングを行い、マトリクス状に配列された発光部ＥＬＰを形成する。そして、上記工程を経た支持体２０と基板２１を対向させ周囲を封止した後、例えば外部の回路との結線を行い、有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６２】
有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されている。そして、各画素を構成する有機ＥＬ表示素子１０は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・，Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素（Ｎ個の副画素）のそれぞれを構成する有機ＥＬ表示素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各有機ＥＬ表示素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて適宜選択すればよい。
【００６３】
ここで、原則として、第ｍ行、第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２，３・・・，Ｎ）に位置する有機ＥＬ表示素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る有機ＥＬ表示素子１０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０あるいは第（ｎ，ｍ）番目の副画素と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われるが、場合によっては、第（ｍ−ｍ”）番目の水平走査期間から第ｍ番目の水平走査期間に亙り、行われる場合もある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。
【００６４】
そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部を発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。この所定の期間は、有機ＥＬ表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部の発光状態は、例えば、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、例えば、後述する補助駆動工程の始期まで発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加することにより、非発光状態を維持する。非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。但し、各副画素（有機ＥＬ表示素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。上述した各種の処理が全て終了した後、補助駆動工程の始期までの間に、発光状態／非発光状態を複数回くり返す構成であってもよい。
【００６５】
１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。
【００６６】
以下、実施例に基づき、発光部ＥＬＰの駆動方法を説明する。
【実施例１】
【００６７】
実施例１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例１にあっては、駆動回路１１は２トランジスタ／１容量部から構成されている。駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２に示す。
【００６８】
先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。
【００６９】
この駆動回路１１は、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲDの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ1から構成されている（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。
【００７０】
［駆動トランジスタＴＲD］
駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１を介して、電源部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域は、
［１］発光部ＥＬＰのアノード電極、及び、
［２］容量部Ｃ1の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ2を構成する。また、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、
［１］書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域、及び、
［２］容量部Ｃ1の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ1を構成する。尚、電源部１００からは、後述するように、電圧ＶCC-H、及び、電圧ＶCC-Lが供給される。
【００７１】
ここで、駆動トランジスタＴＲDは、有機ＥＬ表示素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉdsを流すように駆動される。有機ＥＬ表示素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ  ：実効的な移動度
Ｌ  ：チャネル長
Ｗ  ：チャネル幅
Ｖgs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖth：閾値電圧
Ｃox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox
とする。
【００７２】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2    （１）
【００７３】
このドレイン電流Ｉdsが有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉdsの値の大小によって、有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。
【００７４】
［書込みトランジスタＴＲW］
書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に接続されている。一方、書込みトランジスタＴＲWの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）ＶSigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、ＶSig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、書込みトランジスタＴＲWのオン／オフ動作は、書込みトランジスタＴＲWのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬからの信号、具体的には、走査回路１０１からの信号によって制御される。
【００７５】
［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲDのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極は、電圧ＶCatが印加される給電線ＰＳ２に接続されている。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号ＣELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶth-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶth-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。
【００７６】
次いで、実施例１における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。
【００７７】
以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。
【００７８】
ＶSig  ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・０ボルト〜１０ボルト
ＶCC-H ：発光部ＥＬＰに電流を流すための駆動電圧
・・・２０ボルト
ＶCC-L ：第２ノード初期化電圧
・・・−１０ボルト
ＶOfs  ：駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ1の電位）を初期
化するための第１ノード初期化電圧
・・・０ボルト
Ｖth   ：駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧
・・・３ボルト
ＶCat  ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖth-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト
【００７９】
各実施例における発光部ＥＬＰの駆動方法は、上述した駆動回路を用いて、
（ａ）第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差が駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを越え、且つ、第２ノードＮＤ2と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELを越えないように、第１ノードＮＤ1の電位及び第２ノードＮＤ2の電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードＮＤ1の電位を保った状態で、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ2の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから映像信号ＶSigを第１ノードＮＤ1に印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ1を浮遊状態とし、
（ｅ）電源部１００から駆動トランジスタＴＲDを介して第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
工程を備えている。
【００８０】
そして、各実施例における発光部ＥＬＰの駆動方法にあっては、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。
【００８１】
図４に、実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図４に示す［期間−ＴＰ（２）6］の終期と［期間−ＴＰ（２）+1］の始期との間には、［期間−ＴＰ（２）7］と［期間−ＴＰ（２）8］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（２）7］において、上述した補助駆動工程が行われる。
【００８２】
先ず、発明の理解を助けるために、実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動方法の工程のうち、上述した補助駆動工程を省略した場合の動作と、その場合の問題点について説明する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）7］及び［期間−ＴＰ（２）8］における動作を省略し、これらの期間を全て直前の［期間−ＴＰ（２）6’］に含ませた、参考例に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に図５に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図６の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図７の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
【００８３】
図５に示す［期間−ＴＰ（２）0］〜［期間−ＴＰ（２）3］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（２）4］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（２）0］〜［期間−ＴＰ（２）3］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）4］の他、［期間−ＴＰ（２）1］〜［期間−ＴＰ（２）3］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）1］の始期、及び、［期間−ＴＰ（２）4］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期及び終期に一致するものとして説明する。
【００８４】
以下、［期間−ＴＰ（２）0］〜［期間−ＴＰ（２）3］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（２）1］〜［期間−ＴＰ（２）3］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。
【００８５】
［期間−ＴＰ（２）0］（図５、図６の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）0］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（２）0］は、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（２）0］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。［期間−ＴＰ（２）0］の始期は図示されていないが、電源部１００から供給される電圧が駆動電圧ＶCC-Hから第２ノード初期化電圧ＶCC-Lに切り替えられる。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【００８６】
後述するように、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、各水平走査期間において、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに、第１ノード初期化電圧ＶOfsを印加し、次いで、第１ノード初期化電圧ＶOfsに代えて映像信号ＶSigを印加する。より具体的には、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間に対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧ＶOfsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧ＶOfsに代えて第（ｎ，ｍ）番目の副画素に対応する映像信号（便宜のため、ＶSig_mと表す。他の映像信号においても同様である。）が印加される。同様に、第（ｍ＋１）番目の水平走査期間に対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧ＶOfsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧ＶOfsに代えて第（ｎ，ｍ＋１）番目の副画素に対応する映像信号ＶSig_m+1が印加される。図５においては記載を省略したが、第ｍ番目及び第（ｍ＋１）番目の水平走査期間以外の各水平走査期間においても、データ線ＤＴＬには第１ノード初期化電圧ＶOfsと映像信号ＶSigとが印加される。
【００８７】
［期間−ＴＰ（２）1］（図５、図６の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（２）1］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理を行う。
【００８８】
実施例１にあっては、前記工程（ａ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧ＶOfsを第１ノードＮＤ1に印加する。また、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタＴＲDを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧ＶCC-Lを第２ノードＮＤ2に印加する。
【００８９】
具体的には、［期間−ＴＰ（２）1］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfs（０ボルト）となる。電源部１００から第２ノード初期化電圧ＶCC-Lを第２ノードＮＤ2に印加しているので、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-L（−１０ボルト）を保持する。
【００９０】
第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差は１０ボルトであり、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthは３ボルトであるので、駆動トランジスタＴＲDはオン状態である。尚、第２ノードＮＤ2と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELを越えない。これにより、第１ノードＮＤ1の電位及び第２ノードＮＤ2の電位を初期化する前処理が完了する。
【００９１】
［期間−ＴＰ（２）2］（図５、図６の（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）2］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。
【００９２】
実施例１にあっては、前記工程（ｂ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧ＶOfsを第１ノードＮＤ1に印加した状態を維持し、以て、第１ノードＮＤ1の電位を保った状態とする。また、前記工程（ｂ）において、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ2の電位を変化させる。
【００９３】
即ち、書込みトランジスタＴＲWのオン状態を維持したまま、電源部１００から供給される電圧を、ＶCC-Lから電圧ＶCC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は変化しないが（ＶOfs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）2］の長さは、第２ノードＮＤ2の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。
【００９４】
この［期間−ＴＰ（２）2］が充分長ければ、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶthに達し、駆動トランジスタＴＲDはオフ状態となる。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が（ＶOfs−Ｖth＝−３ボルト）に近づき、最終的に（ＶOfs−Ｖth）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。
【００９５】
（ＶOfs−Ｖth）＜（Ｖth-EL＋ＶCat）    （２）
【００９６】
この［期間−ＴＰ（２）2］にあっては、第２ノードＮＤ2の電位は、最終的に、（ＶOfs−Ｖth）となる。即ち、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存して、第２ノードＮＤ2の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【００９７】
［期間−ＴＰ（２）3］（図５、図６の（Ｄ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）3］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧ＶOfsから映像信号ＶSig_mに切り替わる。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲDがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位は変化しない。尚、閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲDがオフ状態に達していない場合には、［期間−ＴＰ（２）3］においてブートストラップ動作が生じ、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位は多少上昇する。
【００９８】
［期間−ＴＰ（２）4］（図５、図６の（Ｅ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｃ）、即ち、上述した書込み処理を行う。走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから映像信号ＶSig_mを第１ノードＮＤ1に印加する。その結果、第１ノードＮＤ1の電位はＶSig_mへと上昇する。駆動トランジスタＴＲDはオン状態である。尚、場合によっては、［期間−ＴＰ（２）3］において書込みトランジスタＴＲWのオン状態を保った構成とすることもできる。この構成にあっては、［期間−ＴＰ（２）3］においてデータ線ＤＴＬの電圧が第１ノード初期化電圧ＶOfsから映像信号ＶSig_mに切り替わると直ちに書込み処理が開始される。
【００９９】
ここで、容量部Ｃ1の容量は値ｃ1であり、発光部ＥＬＰの容量ＣELの容量は値ｃELとする。そして、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量を値ｃgsとする。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位がＶOfsからＶSig_m（＞ＶOfs）に変化したとき、容量部Ｃ1の両端の電位（第１ノードＮＤ1及び第２ノードＮＤ2の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ1の電位）の変化分（ＶSig_m−ＶOfs）に基づく電荷が、容量部Ｃ1、発光部ＥＬＰの容量ＣEL、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃELが、値ｃ1及び値ｃgsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位の変化分（ＶSig_m−ＶOfs）に基づく駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ2）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量ＣELの容量の値ｃELは、容量部Ｃ1の容量の値ｃ1及び駆動トランジスタＴＲDの寄生容量の値ｃgsよりも大きい。従って、上述した説明においては、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮していない。また、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の実施例においても同様である。尚、駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮せずに示した。
【０１００】
上述した書込み処理にあっては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧ＶCC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に映像信号ＶSig_mが印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）4］において第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。この電位の上昇量（図５に示すΔＶ）については後述する。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極（第１ノードＮＤ1）の電位をＶg、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ2）の電位をＶsとしたとき、上述した第２ノードＮＤ2の電位の上昇を考慮しなければ、Ｖgの値、Ｖsの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（３）で表すことができる。
【０１０１】
Ｖg ＝ＶSig_m
Ｖs ≒ＶOfs−Ｖth
Ｖgs≒ＶSig_m−（ＶOfs−Ｖth）      （３）
【０１０２】
即ち、駆動トランジスタＴＲDに対する書込み処理において得られたＶgsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSig_m、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【０１０３】
次いで、上述した［期間−ＴＰ（２）4］における第２ノードＮＤ2の電位の上昇について説明する。上述した駆動方法にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲDの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ2の電位）を上昇させる移動度補正処理が併せて行われる。
【０１０４】
駆動トランジスタＴＲDをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生ずることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に同じ値の映像信号ＶSigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴＲDを流れるドレイン電流Ｉdsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴＲDを流れるドレイン電流Ｉdsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生ずると、有機ＥＬ表示装置の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。
【０１０５】
上述した駆動方法にあっては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧ＶCC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に映像信号ＶSig_mが印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）4］において第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。駆動トランジスタＴＲDの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域における電位（即ち、第２ノードＮＤ2の電位）の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなる。逆に、駆動トランジスタＴＲDの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。
【０１０６】
Ｖgs≒ＶSig_m−（ＶOfs−Ｖth）−ΔＶ      （４）
【０１０７】
尚、書き込み処理を実行するための所定の時間（図５においては、［期間−ＴＰ（２）4］の全時間ｔ0）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域における電位（ＶOfs−Ｖth＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（２）4］の全時間ｔ0は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（２）4］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox）のばらつきの補正も同時に行われる。
【０１０８】
（ＶOfs−Ｖth＋ΔＶ）＜（Ｖth-EL＋ＶCat）    （２’）
【０１０９】
［期間−ＴＰ（２）5］（図５、及び、図６の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（２）5］において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。即ち、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から駆動電圧ＶCC-Hが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とし、第１ノードＮＤ1、即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極を浮遊状態とする。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ2の電位は上昇する。
【０１１０】
ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ1が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ1の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、式（４）の値を保持する。
【０１１１】
また、第２ノードＮＤ2の電位が上昇し、（Ｖth-EL＋ＶCat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）にように変形することができる。
【０１１２】
Ｉds＝ｋ・μ・（ＶSig_m−ＶOfs−ΔＶ）2    （５）
【０１１３】
従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉdsは、例えば、ＶOfsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSig_mの値から、駆動トランジスタＴＲDの移動度μに起因した電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉdsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-EL、及び、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０の輝度は、係る電流Ｉdsに対応した値である。
【０１１４】
しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲDほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶgsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（ＶSig_m−ＶOfs−ΔＶ）2の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉdsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴＲDにおいても、映像信号ＶSigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉdsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉdsが均一化される。これにより、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部ＥＬＰの輝度のばらつきを補正することができる。
【０１１５】
そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間終期は、［期間−ＴＰ（２）5］の終期に相当する。
【０１１６】
［期間−ＴＰ（２）6’］（図５、及び、図７の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。
【０１１７】
実施例１にあっては、前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタＴＲDを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧ＶCC-Lを第２ノードＮＤ2に印加し、以て、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する。
【０１１８】
具体的には、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）6’］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、電源部１００から供給される電圧を、電圧ＶCC-Hから電圧ＶCC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【０１１９】
そして、上述した非発光状態を、次のフレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、図５に示す［期間−ＴＰ（２）+1］の始期の直前に相当する。このように、発光部ＥＬＰを発光状態とした後に、発光部ＥＬＰを非発光状態とすることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。
【０１２０】
そして、［期間−ＴＰ（２）+1］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（２）1］乃至［期間−ＴＰ（２）6’］において説明したと同様の工程がくり返される（図５、及び、図７の（Ｂ）参照）。
【０１２１】
上述した参考例の駆動方法により発光部ＥＬＰを駆動する有機ＥＬ表示装置にあっては、例えば或るパターンを長時間表示させると、そのパターンに応じた輝度変化が残る場合がある。背景技術において説明したが、図３３の（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として長時間表示させる。そして、その後、表示領域ＥＡ全体を白表示とすると、図３３の（Ｂ）に示すように、領域Ｂに相当する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなるといった現象が認められる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質の低下を招くといった問題が生ずる。
【０１２２】
発明者らは、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機ＥＬ表示装置に長時間表示させた後に、発光部ＥＬＰの電圧−電流特性の変化を測定した。具体的には、領域Ａ（白表示部分）の画素を構成していた或る発光色（例えば、緑色）の発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定した。同様に、領域Ｂ（黒表示部分）の画素を構成していた該或る発光色の発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定した。測定結果を図８の（Ａ）に示す。
【０１２３】
その結果、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰと、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰとの間には、主に逆方向電流の値に差があることが認められた。具体的には、図８の（Ａ）に示すように、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰは、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰに対し、逆方向電流の電流値の絶対値が大きくなる傾向が認められた。発明者らは、この発光部ＥＬＰにおける逆方向電流の特性の変化が［期間−ＴＰ（２）2］乃至［期間−ＴＰ（２）3］において第２ノードＮＤ2の電位に与える影響、更には、発光部ＥＬＰの輝度に与える影響について、以下のように考察した。
【０１２４】
図５を参照して［期間−ＴＰ（２）2］の動作を説明したが、上述した説明にあっては、発光部ＥＬＰの逆方向電流については特段考慮されていない。しかしながら、［期間−ＴＰ（２）2］にあっては、発光部ＥＬＰには逆方向電圧が印加された状態にある。［期間−ＴＰ（２）3］においても同様である。
【０１２５】
図８の（Ｂ）は、発光部ＥＬＰに流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）2］における第２ノードＮＤ2の電位変化を説明するための模式的な回路図である。図８の（Ｃ）は、発光部ＥＬＰに流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）3］における第２ノードＮＤ2の電位変化を説明するための模式的な回路図である。
【０１２６】
図８の（Ｂ）に示すように、［期間−ＴＰ（２）2］においては、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰには相対的に大きな逆方向電流が流れる。同様に、図８の（Ｃ）に示すように、［期間−ＴＰ（２）3］においても、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰには相対的に大きな逆方向電流が流れる。
【０１２７】
図９は、発光部ＥＬＰの逆方向電流に差があるときの、駆動回路１１における第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位変化を示した模式図である。発光部ＥＬＰの逆方向電流が大きくなると、［期間−ＴＰ（２）2］乃至［期間−ＴＰ（２）3］において、第２ノードＮＤ2の電位はより上昇する。これに伴い、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との電位差はより小さくなる。
【０１２８】
従って、発光部ＥＬＰの逆方向電流が大きくなると、［期間−ＴＰ（２）5］において駆動トランジスタＴＲDを流れる電流は減少し、第２ノードＮＤ2の電位上昇は小さくなると共に、ブートストラップ動作による第１ノードＮＤ1の電位上昇も小さくなる。そして、［期間−ＴＰ（２）5］において駆動トランジスタＴＲDを流れる電流が減少するのであるから、発光部ＥＬＰの輝度も減少する。即ち、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの輝度は、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの輝度に対して相対的に低下する。これにより、図３３の（Ｂ）に示す現象が発生し得る。
【０１２９】
そこで、発明者らは、図３３の（Ｂ）に示す輝度差の程度を軽減することができる駆動方法について種々検討した。その結果、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする駆動方法によって、図３３の（Ｂ）に示す輝度差の程度を軽減することができることを見いだした。
【０１３０】
上述したように、図４は、補助駆動工程を備えている実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。実施例１にあっては、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間、より具体的には、［期間−ＴＰ（２）6］の次の［期間−ＴＰ（２）7］において補助駆動工程を行う。そして、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間、より具体的には、［期間−ＴＰ（２）7］の終期から［期間−ＴＰ（２）+2］の終期までの期間ＴDは１ミリ秒以下とする。尚、図示されていないが、図４に示す［期間−ＴＰ（２）0］の前においても、上述したと同様の補助駆動工程が行われる。図４に示す［期間−ＴＰ（２）7］乃至［期間−ＴＰ（２）+2］における各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１０の（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。
【０１３１】
図４に示す［期間−ＴＰ（２）0］乃至［期間−ＴＰ（２）5］における動作は、図５を参照して説明した［期間−ＴＰ（２）0］乃至［期間−ＴＰ（２）5］における動作と同様であるので、説明を省略する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）6］における動作は、終期が異なる他は、図５を参照して説明した［期間−ＴＰ（２）6’］における動作と同様であるので説明を省略する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）6］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。
【０１３２】
実施例１においては、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）7］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、電源部１００の電圧を電圧ＶCC-Lから電圧ＶCC-Hに切り替え、［期間−ＴＰ（２）7］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（２）7］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例１にあっては、［期間−ＴＰ（２）7］の長さは、略３ミリ秒となる所定の長さに固定されている。後述する他の実施例においても同様である。
【０１３３】
駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図１０の（Ａ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉdsが流れる。即ち、実施例１にあっては、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDを介して第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。
【０１３４】
そして、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）8］の始期において、電源部１００から供給される電圧を、ＶCC-Hから電圧ＶCC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【０１３５】
そして、発光部ＥＬＰの非発光状態を、次のフレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）+1］の始期の直前に相当する。
【０１３６】
そして、［期間−ＴＰ（２）+1］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（２）1］乃至［期間−ＴＰ（２）8］において説明したと同様の工程がくり返される。即ち、［期間−ＴＰ（２）+1］においては、図４において説明した［期間−ＴＰ（２）1］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図１０の（Ｃ）参照）。また、［期間−ＴＰ（２）+2］においては、図４において説明した［期間−ＴＰ（２）2］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図１０の（Ｄ）参照）。
【０１３７】
ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（２）7］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（２）+2］の始期まで
の、図４に示す期間ＴDが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（２）7］及び［期間−ＴＰ（２）8］は設定されている。
【０１３８】
図１１は、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機ＥＬ表示装置に長時間表示させた後に、図４及び図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動すると共に、有機ＥＬ表示装置を全白表示としたときの、領域Ａと領域Ｂの輝度を説明するための模式図である。
【０１３９】
先ず、補助駆動工程を行わない図５に示すタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動すると共に、有機ＥＬ表示装置を全白表示とした。このとき、領域Ｂの輝度を１として正規化すると、領域Ａの輝度は０．９５であった。
【０１４０】
次いで、図４に示すタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、全白表示とした。尚、補助駆動工程においても発光部ＥＬＰが発光するので、実質的に発光期間が増加し、輝度は若干増加する。上述した期間ＴDを３ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度を１として規格化すると、領域Ａの輝度は０．９５であった。期間ＴDを２ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は１．００であり、領域Ａの輝度は０．９５であった。期間ＴDを１ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は０．９５であり、領域Ａの輝度は０．９２であった。期間ＴDを０．５ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は０．９０であり、領域Ａの輝度は０．９０であった。
【０１４１】
期間ＴDが２ミリ秒〜３ミリ秒程度の場合、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度の軽減効果は認められなかった。しかしながら、期間ＴDを１ミリ秒とすると、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度が若干軽減され、期間ＴDを０．５ミリ秒とすると、領域Ａと領域Ｂの輝度差は殆ど認められなくなった。
【０１４２】
このように、期間ＴDを短くすればする程、有機ＥＬ表示装置全体の輝度が低下しつつ、且つ、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度が軽減されるといった傾向が認められる。このような傾向を生ずる理由の詳細は明らかではないが、期間ＴDを短くすればする程、［期間−ＴＰ（２）2］と［期間−ＴＰ（２）3］において発光部ＥＬＰの逆方向電流が増加することが推定される。また、期間ＴDを短くすればする程、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの逆方向電流特性と、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの逆方向電流特性との差が減少することが推定される。即ち、発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定したときの特性は図８の（Ａ）のままである。しかしながら、動的な動作時の発光部ＥＬＰの逆方向電流特性は、例えば期間ＴDを０．５ミリ秒に設定したときには、図１２の波線で示すように、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰと領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰとで同様の挙動を示すと推定される。
【０１４３】
以上、実施例１の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。以下、実施例１の変形例について説明する。
【０１４４】
図１３は、変形例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。変形例１では、発光部ＥＬＰを駆動した後発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う。図１３では、一連の工程を２回行う場合の例を示した。即ち、図１３に示す［期間−ＴＰ（２）5］乃至［期間−ＴＰ（２）6A］が１回目の一連の工程に該当し、［期間−ＴＰ（２）6B］乃至［期間−ＴＰ（２）6C］が２回目の一連の工程に該当する。これにより、有機ＥＬ表示装置に表示される画像のちらつき（フリッカ）をより低減することができる。［期間−ＴＰ（２）6A］及び［期間−ＴＰ（２）6C］における駆動回路１１の動作は、基本的には図５の［期間−ＴＰ（２）6］を参照して説明したと同様である。また、［期間−ＴＰ（２）6B］の動作は、基本的には図５の［期間−ＴＰ（２）7］を参照して説明したと同様である。
【０１４５】
図１４は、変形例２に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。変形例２は、変形例１に対し、電源部１００は、第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する点が相違する。具体的には、第２ノード初期化電圧として上述した電圧ＶCC-Lの他、中間電圧ＶCC-M（例えば、−３ボルト）を供給する。そして、［期間−ＴＰ（２）6A］及び［期間−ＴＰ（２）6C］において、電源部１００は、中間電圧ＶCC-Mを印加する。例えば、［期間−ＴＰ（２）6A］において第２ノードＮＤ1の電位が大きく低下する程、寄生容量等の影響により第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差が減少し、［期間−ＴＰ（２）6B］における発光部ＥＬＰの輝度が低下するといった問題が発生する。中間電圧ＶCC-Mを供給することにより、このような輝度の低下を軽減することができる。
【０１４６】
尚、上述した図４の［期間−ＴＰ（２）6］において、電源部１００が上述した中間電圧ＶCC-Mを印加するといった、図１５に示す構成とすることもできる（変形例３）。更には、図４、図１３、図１４及び図１５に示す［期間−ＴＰ（２）8］において、電源部１００が中間電圧ＶCC-Mを印加するといった構成、あるいは又、［期間−ＴＰ（２）8］を省略し、補助駆動工程の後直ぐに前処理工程を行うといった構成とすることもできる。
【実施例２】
【０１４７】
実施例２も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例２にあっては、駆動回路１１は３トランジスタ／１容量部から構成されている（第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例２における有機ＥＬ表示装置の概念図を図１６に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図１７に示す。
【０１４８】
先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。
【０１４９】
第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲDの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ1を備えている。そして、第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第１トランジスタＴＲ1を備えている。
【０１５０】
［駆動トランジスタＴＲD］
駆動トランジスタＴＲDの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲDの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例１においては、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電圧ＶCC-Lを印加することにより、第２ノードＮＤ2の電位を初期化した。一方、実施例２においては、後述するように、第１トランジスタＴＲ1を用いて第２ノードＮＤ2の電位を初期化する。従って、実施例２においては、第２ノードＮＤ2の電位の初期化のために、電源部１００から電圧ＶCC-Lを印加する必要はない。以上の理由により、実施例２においては、電源部１００は一定の電圧ＶCCを印加する。
【０１５１】
［書込みトランジスタＴＲW］
書込みトランジスタＴＲWの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲWの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。実施例１と同様に、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）ＶSig、更には、第１ノード初期化電圧ＶOfsが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。
【０１５２】
［第１トランジスタＴＲ1］
第１トランジスタＴＲ1においては、
（Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードＮＤ2に接続されており、
（Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧ＶSSが印加され、
（Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線ＡＺ１に接続されている。電圧ＶSSについては後述する。
【０１５３】
第１トランジスタＴＲ1のオン状態／オフ状態は、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号により制御される。より具体的には、第１トランジスタ制御線ＡＺ１は、第１トランジスタ制御回路１０３に接続されている。そして、第１トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、第１トランジスタ制御線ＡＺ１をローレベルあるいはハイレベルとし、第１トランジスタＴＲ1をオン状態あるいはオフ状態とする。
【０１５４】
［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【０１５５】
次いで、実施例２における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。
【０１５６】
以下の説明において、電圧ＶCCの値、及び、電圧ＶSSの値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。
【０１５７】
ＶCC   ：発光部ＥＬＰに電流を流すための駆動電圧
・・・２０ボルト
ＶSS   ：第２ノードＮＤ2の電位を初期化するための第２ノード初期化電圧
・・・−１０ボルト
【０１５８】
図１８に、補助駆動工程を備えている実施例２の駆動方法に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図１８に示す［期間−ＴＰ（３）6］の終期と［期間−ＴＰ（３）+1］の始期との間には、［期間−ＴＰ（３）7］と［期間−ＴＰ（３）8］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（３）7］において、上述した補助駆動工程が行われる。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１９の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図２０の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。
【０１５９】
図１８に示す［期間−ＴＰ（３）0］〜［期間−ＴＰ（３）3］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（３）4］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（３）0］〜［期間−ＴＰ（３）3］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。図１８に示すように、［期間−ＴＰ（３）4］の他、［期間−ＴＰ（３）1］〜［期間−ＴＰ（３）3］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）1］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３）4］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。
【０１６０】
以下、［期間−ＴＰ（３）0］〜［期間−ＴＰ（３）3］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（３）1］〜［期間−ＴＰ（３）3］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。
【０１６１】
［期間−ＴＰ（３）0］（図１９の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）0］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（３）0］は、前の表示フレームにおける補助駆動期間の終了後から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（３）0］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。［期間−ＴＰ（３）0］において、第１トランジスタＴＲ1はオン状態である。第２ノードＮＤ2には、オン状態の第１トランジスタＴＲ1を介して第２ノード初期化電圧ＶSSが印加される。
【０１６２】
第２ノードＮＤ2には、駆動トランジスタＴＲDを介して電圧ＶCCも印加されている。このため、第２ノードＮＤ2の電位は、電圧ＶSS及び電圧ＶCC、並びに、第１トランジスタＴＲ1のオン抵抗の値及び駆動トランジスタＴＲDのオン抵抗の値により定まる。ここで、第１トランジスタＴＲ1のオン抵抗が充分低いとすれば、第２ノードＮＤ2の電位は、略ＶSSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。以下、便宜のため、第１トランジスタＴＲ1がオン状態であるときは、第２ノードＮＤ2の電位はＶSSであるとして説明する。また、図１８においても、第１トランジスタＴＲ1がオン状態であるときは、第２ノードＮＤ2の電位はＶSSであるとして表した。
【０１６３】
実施例２の有機ＥＬ表示装置においても、各水平走査期間において、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに、第１ノード初期化電圧ＶOfsを印加し、次いで、第１ノード初期化電圧ＶOfsに代えて映像信号ＶSigを印加する。詳細は、実施例１において説明したと同様であるので、説明を省略する。
【０１６４】
［期間−ＴＰ（３）1］（図１９の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３）1］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理が行われる。
【０１６５】
実施例１とは異なり、実施例２にあっては、前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタＴＲ1を介して、第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧ＶSSを印加する。尚、実施例１と同様に、前記工程（ａ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧ＶOfsを第１ノードＮＤ1に印加する。
【０１６６】
具体的には、第１トランジスタＴＲ1のオン状態を維持し、［期間−ＴＰ（３）1］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfs（０ボルト）となる。第２ノードＮＤ2の電位はＶSS（−１０ボルト）を保持する。
【０１６７】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）1］において説明したと同様に、第２ノードＮＤ2と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELを越えない。これにより、第１ノードＮＤ1の電位及び第２ノードＮＤ2の電位を初期化する前処理が完了する。
【０１６８】
［期間−ＴＰ（３）2］（図１９の（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）2］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。即ち、書込みトランジスタＴＲWのオン状態を維持したまま、第１トランジスタＴＲ1をオン状態からオフ状態とする。上述したように、実施例２においては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に一定の電圧ＶCCが印加された状態にある。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は変化しないが（ＶOfs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）3］の長さは、第２ノードＮＤ2の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。
【０１６９】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）2］において説明したと同様に、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が（ＶOfs−Ｖth＝−３ボルト）に近づき、最終的に（ＶOfs−Ｖth）となる。上述した式（２）が保証されていれば、発光部ＥＬＰが発光することはない。即ち、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存して、第２ノードＮＤ2の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【０１７０】
［期間−ＴＰ（３）3］（図１８、図１９の（Ｄ）参照）
第１トランジスタＴＲ1のオフ状態を保った状態で、この［期間−ＴＰ（３）3］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧ＶOfsから映像信号ＶSig_mに切り替わる。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）3］において説明したと同様であるので、説明を省略する。
【０１７１】
［期間−ＴＰ（３）4］（図１８、図１９の（Ｅ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｃ）、即ち、上述した書込み処理を行う。具体的には、第１トランジスタＴＲ1のオフ状態を保った状態で、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬから映像信号ＶSig_mを第１ノードＮＤ1に印加する。その結果、第１ノードＮＤ1の電位はＶSig_mへと上昇する。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）4］の説明において電圧ＶCC-Hを電圧ＶCCと読み替えたと同様であるので、説明を省略する。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、上述した式（４）で表される。
【０１７２】
［期間−ＴＰ（３）5］（図１８、及び、図１９の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（３）5］において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。具体的には、第１トランジスタＴＲ1のオフ状態を保持する。そして、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧ＶCCが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とし、第１ノードＮＤ1、即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極を浮遊状態とする。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）5］の説明において電圧ＶCC-Hを電圧ＶCCと読み替えたと同様であるので、説明を省略する。駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsは、上述した式（５）で表すことができる。
【０１７３】
そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間の終期は、［期間−ＴＰ（３）5］の終期に相当する。
【０１７４】
［期間−ＴＰ（３）6］（図１８、及び、図２０の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。
【０１７５】
実施例２にあっては、前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタＴＲ1を介して、第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧ＶSSを印加し、以て、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する。
【０１７６】
具体的には、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）6］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、第１トランジスタＴＲ1をオフ状態からオン状態とする。そして、第１トランジスタＴＲ1のオン状態を［期間−ＴＰ（３）6］の終期まで保持する。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶSSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【０１７７】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）6］において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３）6］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。
【０１７８】
実施例２においては、［期間−ＴＰ（３）7］において、補助駆動工程を行う。具体的には、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）7］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、第１トランジスタＴＲ1をオン状態からオフ状態とし、［期間−ＴＰ（３）7］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（３）7］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例２においても、［期間−ＴＰ（３）7］の長さは、略２ミリ秒となる所定の長さに固定されている。
【０１７９】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）7］において説明したと同様に、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図２０の（Ｂ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉdsが流れる。即ち、実施例２においても、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDを介して第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。
【０１８０】
そして、書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）8］の始期において、第１トランジスタＴＲ1をオフ状態からオン状態とする。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶSSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する（図２０の（Ｃ）参照）。
【０１８１】
そして、［期間−ＴＰ（３）+1］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（３）1］乃至［期間−ＴＰ（３）8］において説明したと同様の工程がくり返される。例えば、［期間−ＴＰ（３）+1］においては、図１９の（Ｂ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３）1］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図２０の（Ｄ）参照）。また、［期間−ＴＰ（３）+2］においては、図１９の（Ｃ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３）2］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図２０の（Ｅ）参照）。
【０１８２】
ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（３）7］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（３）+2］の始期までの、図１８に示す期間ＴDが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（３）7］及び［期間−ＴＰ（３）8］は設定されている。
【０１８３】
実施例２における効果の詳細は、実施例１において図１１を参照して説明したと同様であるので、説明を省略する。
【０１８４】
以上、実施例２の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。実施例２の変形例として、実施例１の変形例１のように、発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う構成とすることができる。あるいは又、実施例１の変形例２や変形例３とは電圧の印加方法が相違するが、第１トランジスタを介して印加する第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する構成とすることもできる。
【実施例３】
【０１８５】
実施例３も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例３においては、駆動回路１１は３トランジスタ／１容量部から構成されている（第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例３における有機ＥＬ表示装置の概念図を図２１に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２２に示す。
【０１８６】
先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。
【０１８７】
第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲDの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ1を備えている。そして、第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第２トランジスタＴＲ2を備えている。
【０１８８】
［駆動トランジスタＴＲD］
駆動トランジスタＴＲDの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲDの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。実施例３にあっては、実施例１と同様に、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電圧ＶCC-Lを印加することにより、第２ノードＮＤ2の電位を初期化する。従って、電源部１００からは、電圧ＶCC-H、及び、電圧ＶCC-Lが供給される。
【０１８９】
［書込みトランジスタＴＲW］
書込みトランジスタＴＲWの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲWの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例１及び実施例２においては、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、映像信号ＶSig、更には、第１ノード初期化電圧ＶOfsを、一方のソース／ドレイン領域に供給する。一方、実施例３においては、後述するように、第２トランジスタＴＲ2を用いて第１ノードＮＤ1の電位を初期化する。従って、実施例３においては、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧ＶOfsを印加する必要はない。以上の理由により、実施例３においては、データ線ＤＴＬには映像信号ＶSigのみが供給される。そして、実施例３においては、工程（ａ）及び工程（ｂ）、即ち、前処理や閾値電圧キャンセル処理を、第ｍ番目の水平走査期間より前の走査期間に行うことができる。
【０１９０】
［第２トランジスタＴＲ2］
駆動回路１１は、更に、第２トランジスタＴＲ2を備えており、
第２トランジスタＴＲ2においては、
（Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードＮＤ1に接続されており、
（Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧ＶOfsが印加され、
（Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線ＡＺ２に接続されている。
【０１９１】
第２トランジスタＴＲ2のオン状態／オフ状態は、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号により制御される。より具体的には、第２トランジスタ制御線ＡＺ２は、第２トランジスタ制御回路１０４に接続されている。そして、第２トランジスタ制御回路１０４の動作に基づき、第２トランジスタ制御線ＡＺ２をローレベルあるいはハイレベルとし、第２トランジスタＴＲ2をオン状態あるいはオフ状態とする。
【０１９２】
［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【０１９３】
次いで、実施例３における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。
【０１９４】
図２３に、補助駆動工程を備えている実施例３に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）6］の終期と［期間−ＴＰ（３Ｂ）+1］の始期との間には、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］と［期間−ＴＰ（３Ｂ）8］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］において、上述した補助駆動工程が行われる。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図２４の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図２５の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。
【０１９５】
図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（３Ｂ）4］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。上述した実施例１及び実施例２とは異なり、［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］は、第（ｍ−１）番目の水平走査期間の終期までに行われる。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）4］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）4］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３Ｂ）4］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。
【０１９６】
以下、［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。ここでは、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］、［期間−ＴＰ（３Ｂ）2］及び［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］の各期間の長さは、１水平走査期間であるとして説明する。
【０１９７】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］（図２３、図２４の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］は、前の表示フレームにおける補助駆動期間の終了後から、現表示フレームにおける第（ｍ−４）番目の水平走査期間までの期間である。第２トランジスタＴＲ2はオフ状態である。そして、この［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。
【０１９８】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］において、電源部１００から供給される電圧がＶCC-Hから電圧ＶCC-Lに切り替えられる。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【０１９９】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］（図２３、図２４の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−３）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理が行われる。
【０２００】
実施例１とは異なり、実施例３にあっては、前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタＴＲ2を介して、第１ノード初期化電圧ＶOfsを第１ノードＮＤ1に印加する。尚、実施例１と同様に、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタＴＲDを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧ＶCC-Lを第２ノードＮＤ2に印加する。
【０２０１】
具体的には、［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］の開始時、第２トランジスタＴＲ2をオフ状態からオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfs（０ボルト）となる。第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-L（−１０ボルト）を保持する。
【０２０２】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）2］（図２３、図２４の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−２）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）2］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。
【０２０３】
実施例３にあっては、前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタＴＲ2を介して、第１ノード初期化電圧ＶOfsを第１ノードＮＤ1に印加した状態を維持し、以て、第１ノードＮＤ1の電位を保った状態とする。
【０２０４】
即ち、第２トランジスタＴＲ2のオン状態を維持したまま、電源部１００から供給される電圧を、ＶCC-Lから電圧ＶCC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は変化しないが（ＶOfs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）2］の長さは、第２ノードＮＤ2の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。
【０２０５】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）2］において説明したと同様に、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が（ＶOfs−Ｖth＝−３ボルト）に近づき、最終的に（ＶOfs−Ｖth）となる。上述した式（２）が保証されていれば、発光部ＥＬＰが発光することはない。即ち、駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存して、第２ノードＮＤ2の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【０２０６】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］（図２３、図２４の（Ｄ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）3］の始期において、第２トランジスタＴＲ2をオフ状態とする。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲDがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位は変化しない。
【０２０７】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）4］（図２３、図２４の（Ｅ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間が開始する。データ線ＤＴＬの電圧が映像信号ＶSig_mに切り替わった後、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位はＶSig_mへと上昇する。駆動トランジスタＴＲDはオン状態である。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）4］において説明したと同様であるので、説明を省略する。
【０２０８】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）5］（図２３、及び、図２４の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この期間において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。
【０２０９】
具体的には、第２トランジスタＴＲ2のオフ状態を保持する。そして、実施例１の［期間−ＴＰ（２）5］において説明したと同様の動作を行う。駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsは、上述した式（５）で表すことができる。そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間の終期は、［期間−ＴＰ（３Ｂ）5］の終期に相当する。
【０２１０】
［期間−ＴＰ（３Ｂ）6］（図２３、及び、図２５の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。具体的には、第２トランジスタＴＲ2のオフ状態と書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）6］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、電源部１００から供給される電圧を、ＶCC-Hから電圧ＶCC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する。
【０２１１】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）6］において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３Ｂ）6］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。
【０２１２】
実施例３においては、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］において、補助駆動工程を行う。具体的には、第２トランジスタＴＲ2のオフ状態及び書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、電源部１００の電圧を電圧ＶCC-Lから電圧ＶCC-Hに切り替え、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例３においても、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］の長さは、略２ミリ秒となる所定の長さに固定されている。
【０２１３】
実施例１の［期間−ＴＰ（２）7］において説明したと同様に、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図２５の（Ｂ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉdsが流れる。即ち、実施例３においても、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDを介して第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。
【０２１４】
そして、第２トランジスタＴＲ2のオフ状態及び書込みトランジスタＴＲWのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）8］の始期において、電源部１００の電圧を電圧ＶCC-Hから電圧ＶCC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ2の電位はＶCC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴＲDのゲート電極）の電位も低下する（図２５の（Ｃ）参照）。
【０２１５】
そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）+1］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］乃至［期間−ＴＰ（３Ｂ）8］において説明したと同様の工程がくり返される。即ち、［期間−ＴＰ（３Ｂ）+1］においては、図２４の（Ｂ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３Ｂ）1］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図２５の（Ｄ）参照）。また、［期間−ＴＰ（３Ｂ）+2］においては、図２４の（Ｃ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３Ｂ）2］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図２５の（Ｅ）参照）。
【０２１６】
ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（３Ｂ）+2］の始期までの、図２３に示す期間ＴDが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（３Ｂ）7］及び［期間−ＴＰ（３Ｂ）8］は設定されている。
【０２１７】
実施例３における効果の詳細は、実施例１において図１１を参照して説明したと同様であるので、説明を省略する。
【０２１８】
以上、実施例３の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。実施例３の変形例として、実施例１の変形例１のように、発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う構成とすることができる。あるいは又、実施例１の変形例２や変形例３と同様に、第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する構成とすることもできる。
【実施例４】
【０２１９】
実施例４も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例４においては、駆動回路１１は４トランジスタ／１容量部から構成されている（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例４における有機ＥＬ表示装置の概念図を図２６に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２７に示す。
【０２２０】
先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。
【０２２１】
４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲDの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ1を備えている。そして、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第１トランジスタＴＲ1、及び、第２トランジスタＴＲ2を備えている。
【０２２２】
実施例４は、実施例３の変形である。実施例３にあっては、実施例１と同様に、電源部１００から第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧ＶCC-Lを印加した。これに対し、実施例４にあっては、実施例２において説明した第１トランジスタＴＲ1を介して、第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧ＶSSを印加する。
【０２２３】
［駆動トランジスタＴＲD］
駆動トランジスタＴＲDの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲDの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例２と同様に、電源部１００は一定の電圧ＶCCを印加する。
【０２２４】
［書込みトランジスタＴＲW］
書込みトランジスタＴＲWの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲWの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例３と同様に、データ線ＤＴＬには映像信号ＶSigのみが供給される。そして、実施例４においても、工程（ａ）及び工程（ｂ）、即ち、前処理や閾値電圧キャンセル処理を、第ｍ番目の水平走査期間より前の走査期間に行うことができる。
【０２２５】
［第１トランジスタＴＲ1］
第１トランジスタＴＲ1の構成は、実施例２において説明した第１トランジスタＴＲ1の構成と同様であるので、説明を省略する。
【０２２６】
［第２トランジスタＴＲ2］
第２トランジスタＴＲ2の構成は、実施例３において説明した第２トランジスタＴＲ2の構成と同様であるので、説明を省略する。
【０２２７】
［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【０２２８】
次いで、実施例４における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。
【０２２９】
図２８に、補助駆動工程を備えている実施例４に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図２９の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図３０の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。図２８に示す［期間−ＴＰ（４）0］乃至［期間−ＴＰ（４）+5］の各期間は、実施例３において参照した、図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）0］乃至［期間−ＴＰ（３Ｂ）+5］の各期間に相当する。
【０２３０】
図２８及び図２３から明らかなように、実施例４の動作は、実施例３において電源部１００から電圧ＶCC-Lが印加される期間に対応して第１トランジスタＴＲ1をオン状態とし、電源部１００から電圧ＶCC-Hが印加される期間に対応して第１トランジスタＴＲ1をオフ状態としたものである。上述した点が相違する他、実施例４の動作は実施例３の動作を適宜読み替えたものであるので、説明を省略する。
【０２３１】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示素子、駆動回路を構成する各種の構成要素の構成、構造、発光部の駆動方法における工程は例示であり、適宜、変更することができる。
【０２３２】
実施例２においては、例えば、［期間−ＴＰ（３）0］において、第２ノードＮＤ2には、電源部１００から駆動トランジスタＴＲDを介して電圧ＶCCが印加され、また、第１トランジスタＴＲ1を介して電圧ＶSSが印加された状態となる。このため、電源部１００から第１トランジスタＴＲ1を介して電流が流れ、消費電力が増加する。これを避けるため、例えば図３１に示すように、第３トランジスタＴＲ3を介して電源部１００と駆動トランジスタＴＲ1の一方のソース／ドレイン領域とを接続する。第３トランジスタＴＲ3のゲート電極を制御線ＣＬに接続されており、制御線ＣＬの一端は第３トランジスタ制御回路１０５に接続されている。そして、［期間−ＴＰ（３）0］等において第３トランジスタ制御回路１０５からの信号に基づき、第３トランジスタＴＲ3を適宜オフ状態とするといった構成とすることができる。
【０２３３】
また、実施例４においても、上述したと同様の現象が生じ得る。このため、図３２に示すように、第３トランジスタＴＲ3を介して電源部１００と駆動トランジスタＴＲ1の一方のソース／ドレイン領域とを接続し、第３トランジスタＴＲ3を適宜オフ状態とするといった構成とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２３４】
【図１】図１は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。
【図２】図２は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。
【図３】図３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図４】図４は、実施例１に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図５】図５は、参考例に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図６】図６の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図８】図８の（Ａ）は、領域Ａの画素を構成していた有機エレクトロルミネッセンス発光部の両端と、領域Ｂの画素を構成していた有機エレクトロルミネッセンス発光部の両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定したときの測定結果である。図８の（Ｂ）は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）2］における第２ノードの電位変化を説明するための模式的な回路図である。図８の（Ｃ）は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）3］における第２ノードの電位変化を説明するための模式的な回路図である。
【図９】図９は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の逆方向電流に差があるときの、駆動回路における第１ノードと第２ノードの電位変化を示した模式図である。
【図１０】図１０の（Ａ）乃至（Ｄ）は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）7］乃至［期間−ＴＰ（２）+2］における各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機エレクトロルミネッセンス表示装置に長時間表示させた後に、図４及び図５に示す駆動のタイミングチャートで有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動すると共に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を全白表示としたときの、領域Ａと領域Ｂの輝度を説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、動的な動作時の有機エレクトロルミネッセンス発光部の逆方向電流特性を説明するための、模式的なグラフである。
【図１３】図１３は、変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図１４】図１４は、変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図１５】図１５は、変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図１６】図１６は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。
【図１７】図１７は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。
【図１８】図１８は、実施例２に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図１９】図１９の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図２０】図２０の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図１９の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図２１】図２１は、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。
【図２２】図２２は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。
【図２３】図２３は、実施例３に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図２４】図２４の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図２５】図２５の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図２４の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図２６】図２６は、実施例４の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。
【図２７】図２７は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。
【図２８】図２８は、実施例４に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図２９】図２９の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図３０】図３０の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図２９の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図３１】図３１は、第１トランジスタ及び第３トランジスタを更に備えた駆動回路の等価回路図である。
【図３２】図３２は、第１トランジスタ、第２トランジスタ及び第３トランジスタを更に備えた駆動回路の等価回路図である。
【図３３】図３３の（Ａ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として表示することを説明するための模式図である。図３３の（Ｂ）は、領域Ｂに対応する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなる現象を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０２３５】
ＴＲW・・・書込みトランジスタ、ＴＲD・・・駆動トランジスタ、ＴＲ1・・・第１トランジスタ、ＴＲ2・・・第２トランジスタ、ＴＲ3・・・第３トランジスタ、Ｃ1・・・容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、ＣEL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＮＤ1・・・第１ノード、ＮＤ2・・・第２ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＡＺ１・・・第１トランジスタ制御線、ＡＺ２・・・第２トランジスタ制御線、ＣＬ・・・制御線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・給電線、１０・・・有機エレクトロルミネッセンス表示素子、１１・・・駆動回路、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５，３５・・・ソース／ドレイン領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８・・・配線、３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電源部、１０１・・・走査回路、１０２・・・信号出力回路、１０３・・・第１トランジスタ制御回路、１０４・・・第２トランジスタ制御回路、１０５・・・第３トランジスタ制御回路
【図１】
2010113188.tif 000003
【図２】
2010113188.tif 000004
【図３】
2010113188.tif 000005
【図４】
2010113188.tif 000006
【図５】
2010113188.tif 000007
【図６】
2010113188.tif 000008
【図７】
2010113188.tif 000009
【図８】
2010113188.tif 000010
【図９】
2010113188.tif 000011
【図１０】
2010113188.tif 000012
【図１１】
2010113188.tif 000013
【図１２】
2010113188.tif 000014
【図１３】
2010113188.tif 000015
【図１４】
2010113188.tif 000016
【図１５】
2010113188.tif 000017
【図１６】
2010113188.tif 000018
【図１７】
2010113188.tif 000019
【図１８】
2010113188.tif 000020
【図１９】
2010113188.tif 000021
【図２０】
2010113188.tif 000022
【図２１】
2010113188.tif 000023
【図２２】
2010113188.tif 000024
【図２３】
2010113188.tif 000025
【図２４】
2010113188.tif 000026
【図２５】
2010113188.tif 000027
【図２６】
2010113188.tif 000028
【図２７】
2010113188.tif 000029
【図２８】
2010113188.tif 000030
【図２９】
2010113188.tif 000031
【図３０】
2010113188.tif 000032
【図３１】
2010113188.tif 000033
【図３２】
2010113188.tif 000034
【図３３】
2010113188.tif 000035