(57)【要約】【課題】平坦化層の形成を不要にし、しかも発光層の膜厚ムラを抑制した有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】基板上に下地層を介して陽極２２を有し、陽極２２上に少なくとも正孔注入層２３と有機発光層２４とをこの順に形成してなる機能層を有し、機能層上に陰極を有してなる有機ＥＬ装置である。陽極２２は、下地層中に設けられた下地要素による凹凸が反映されてその表面が凹凸面２２ａに形成されてなる。正孔注入層２３は、その表面の最低レベルＬが陽極２２の凹凸面２２ａにおける最高レベルＨより高くなり、かつ、その表面の最大レベル差Δｈ１が陽極２２の凹凸面２２ａにおける最大レベル差Δｈ２より小さくなっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地層を介して陽極を有し、該陽極上に少なくとも正孔注入層と有機発光層とをこの順に形成してなる機能層を有し、該機能層上に陰極を有してなる有機ＥＬ装置において、
前記陽極は、前記下地層中に設けられた下地要素による凹凸が反映されてその表面が凹凸面に形成されてなり、
前記正孔注入層は、その表面の最低レベルが前記陽極の凹凸面における最高レベルより高くなり、かつ、その表面の最大レベル差が前記陽極の凹凸面における最大レベル差より小さくなっていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記正孔注入層は、正孔注入層形成材料が液滴吐出法で前記陽極上に配されたことで形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記正孔注入層形成材料は、窒素、酸素、硫黄のいずれかの元素を少なくとも一種類以上有する有機材料を含むことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記正孔注入層形成材料として、ポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させてなる分散液に、ジエチレングリコールが添加されてなる液状材料が用いられていることを特徴とする請求項２または３に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上の下地層中に配線やこれに接続する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成され、さらにその上に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）が知られている。このような有機ＥＬ装置では、配線やＴＦＴなどの下地要素と、これら下地要素によって駆動される有機ＥＬ素子との間に層間絶縁膜が形成されることにより、良好な電気絶縁性が得られた構成となっている。
【０００３】
ところで、基板上の下地層中に形成される下地要素として、例えば配線は２μｍ程度の厚さに形成される。したがって、このような配線（下地要素）によって下地層の表面、すなわち前記の層間絶縁膜の表面には、例えば５００ｎｍ程度の最大レベル差（高低差）を有する凹凸が形成されてしまう。一方、有機ＥＬ素子を構成する発光層や正孔注入層などの機能層は、通常、膜厚が２００ｎｍ以下に形成される。
【０００４】
また、近年では高分子系発光材料の開発が進み、蒸着等の気相法に代えて、液滴吐出法等の液相法で発光層等の機能層を形成する手法が、一般に用いられるようになってきている。ところが、前記のような薄厚の機能層を前記の凹凸を形成した層間絶縁膜（下地層）の上方に液相法で形成すると、この層間絶縁膜上に形成される陽極上にも下地の凹凸が反映されて凹凸が形成されることにより、この凹凸に起因して機能層に膜厚ムラが生じてしまう。すなわち、機能層の形成材料を塗布した際、下地の凹凸面における凸部上の材料が凹部側に流れ落ち、ここに偏って溜まるため、凹部上では厚く、凸部上では薄い機能層が形成されてしまうのである。
【０００５】
このような膜厚ムラは、比較的導電性が高い正孔注入層ではほとんど問題にならない。しかし、導電性が低い発光層では、膜厚ムラがそのまま流れる電流のムラになり、これによって輝度ムラが生じ、均一な発光が得られにくくなってしまう。したがって、均一な発光を得るためには、輝度ムラをなくすべく、発光層の膜厚ムラをなくす必要がある。
このような膜厚ムラをなくす手法として、従来では、下地層上、すなわち前記の層間絶縁膜上に、平坦化層を形成する技術が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３０３６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記の技術では、平坦化層の形成工程が増えることにより、工程が複雑になって生産性が低下し、コストの上昇を招くといった課題がある。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、平坦化層の形成を不要にし、しかも発光層の膜厚ムラを抑制した有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に下地層を介して陽極を有し、該陽極上に少なくとも正孔注入層と有機発光層とをこの順に形成してなる機能層を有し、該機能層上に陰極を有してなる有機ＥＬ装置において、
前記陽極は、前記下地層中に設けられた下地要素による凹凸が反映されてその表面が凹凸面に形成されてなり、
前記正孔注入層は、その表面の最低レベルが前記陽極の凹凸面における最高レベルより高くなり、かつ、その表面の最大レベル差が前記陽極の凹凸面における最大レベル差より小さくなっていることを特徴としている。
【０００８】
この有機ＥＬ装置によれば、正孔注入層の表面の最低レベル（正孔注入層の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離）が陽極の凹凸面における最高レベル（陽極の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離）より高く（大きく）なり、かつ、正孔注入層の表面の最大レベル差（正孔注入層の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離から正孔注入層の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離を引いた値）が前記陽極の凹凸面における最大レベル差（陽極の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離から陽極の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離を引いた値）より小さくなっているので、この正孔注入層の表面を下地面とする有機発光層は、特に液相で形成されている場合であっても、その膜厚ムラが十分に小となる。よって、平坦化層が形成されずに陽極の表面が凹凸面になっているにもかかわらず、この陽極上に正孔注入層を介して形成された有機発光層は、膜厚ムラが抑制されたものとなり、したがって輝度ムラがなく、均一な発光が得られるようになる。
また、従来の平坦化層の形成が不要になっているため、製造工程が比較的簡易になり、生産性が向上して製造コストが低減化されたものとなる。
【０００９】
また、前記正孔注入層は、正孔注入層形成材料が液滴吐出法で前記陽極上に配されたことで形成されているのが好ましい。
凹凸が形成された陽極上に、凹凸における最大レベル差が小さい正孔注入層を形成するためには、この正孔注入層の厚さをある程度厚く形成する必要がある。しかし、気相法では成膜に長時間を要してしまうため、液相法である液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法であれば、凹凸面上の凸部上に材料を選択的に配し、凹部側に材料が偏って配されるのを防止することも可能になる。
【００１０】
また、前記正孔注入層形成材料として、窒素、酸素、硫黄のいずれかの元素を少なくとも一種類以上有する有機材料、特にポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させてなる分散液に、ジエチレングリコールが添加されてなる液状材料が用いられているのが好ましい。
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は、分散媒として水を単独で用いるより、これにプロトン性極性溶媒であるジエチレングリコール（ＤＥＧ）を混合して用いると、形成されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの高分子層の抵抗値が下がり、導電性が高くなる。したがって、前記したように正孔注入層の厚さがある程度厚くなっても、その導電性が極端に低下し抵抗が大きくなることがなく、これにより、有機発光層を流れる電流の低下が抑えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明をより詳しく説明する。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
また、本発明の実施形態では、有機ＥＬ装置の製造に液滴吐出法を用いているため、まず、液滴吐出法について概要を説明し、その後、本発明の実施形態である有機ＥＬ装置の説明へと移る。
【００１２】
図１は、液滴吐出法で液状材料の吐出を行う液滴吐出装置に設けられる、液滴吐出ヘッド３０１の側断面図である。液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドである。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面に一方向に並んで一定間隔で設けられており、これら吐出ノズルからは、液状材料の液滴Ｌが吐出されるようになっている。吐出される液状材料は、機能層の形成材料を含む機能液であり、前記吐出ノズルから吐出される機能液の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムとなっている。
【００１３】
液滴吐出ヘッド３０１としては、電気機械変換式の吐出技術を採用したものが用いられる。本方式では、液状体を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系３２３を介して液状体が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形して内圧が高まり、ノズル３２５から液状体の液滴Ｌが吐出されるようになっている。そして、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御され、液状体の吐出量が制御されるようになっている。
【００１４】
なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などのものが挙げられ、これらのいずれの方式も好適に用いることができる。
帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものである。電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料をノズルから吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてノズル先端から材料を引き出すものである。
この他にも、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式のものがあり、いずれも適用可能である。
【００１５】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態を、図２、図３を参照して説明する。
図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す要部側断面図であり、図２に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２と該基板２上に設けられた下地層３とを備える基体４と、基体４上に形成された有機ＥＬ素子５とを備えて構成されたもので、基板２と反対の側から光を出射する、トップエミッション構造のものである。
【００１６】
基板２は、ガラスや石英、樹脂等からなるもので、その一方の面（内面）には、下地層３の一部として、シリコン酸化物等の絶縁材料からなる下地保護層６が形成されている。なお、基板２については、本実施形態の有機ＥＬ装置１がトップエミッション構造であることから、透明でなく不透明のものでもよく、したがってフレキシブル性を付与するなどの理由により、樹脂製のものが好適に用いられる。
【００１７】
下地保護層６上には、前記の有機ＥＬ素子５を駆動するための駆動薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴと記す）７が設けられている。この駆動ＴＦＴ７は、下地層３中に設けられた下地要素となるもので、島状に形成されたポリシリコンからなる半導体層８と、半導体層８を覆って設けられたゲート絶縁層９と、ゲート絶縁層９上に設けられたゲート電極１０とを有したものである。半導体層８には、ソース領域（図示せず）とドレイン領域（図示せず）とチャネル領域（図示せず）とが形成され、ソース領域にはソース電極１１が電気的に接続され、ドレイン領域にはドレイン電極１２が電気的に接続されている。
【００１８】
また、ソース電極１１は電源線１３に接続され、ドレイン電極１２は前記有機ＥＬ素子５の陽極に接続されている。さらに、ゲート電極１０はスイッチング薄膜トランジスタ（以下、スイッチングＴＦＴと記す）を介して走査線に接続されている。図３は、図２に示した有機ＥＬ装置１の平面構造を模式的に示す要部平面図であり、図３に示すように前記下地保護層６上には、前記駆動ＴＦＴ７とスイッチングＴＦＴ１４とが設けられ、さらに保持容量１５が設けられている。また、これら駆動ＴＦＴ７やスイッチングＴＦＴ１４などに接続する配線として、電源線１３や信号線１６、走査線１７が設けられている。そして、これら各ＴＦＴ７、１４や保持容量１５、各配線１３、１６、１７により、本発明における下地要素が構成されている。
【００１９】
このような下地要素は、例えば各配線１３、１６、１７の厚さが２μｍ程度であることなどから、これら下地要素がある部位とない部位との間には、大きな段差（凹凸）が形成されている。
また、図２に示すように駆動ＴＦＴ７や電源線１３等の下地要素を覆って、層間絶縁膜１８が設けられている。なお、層間絶縁膜１８は、例えば前記ゲート絶縁層９上に形成された第１層間絶縁膜（図示せず）と、この第１層間絶縁膜上に形成された第２層間絶縁膜（図示せず）とからなっている。そして、前記電源線１３や信号線１６、走査線１７は、第１層間絶縁膜上に設けられて、その上を第２層間絶縁膜で覆われたものとなっている。
【００２０】
これら第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜とからなる層間絶縁膜１８は、シリコン酸化物等の無機絶縁材料からなるもので、前記下地要素間や各配線１３、１６、１７と前記有機ＥＬ素子５との間などにおいて、設計上の接続箇所以外の部位で導通するのを防止するためのものである。したがって、例えば前記特許文献１に開示された有機材料からなる平坦化絶縁膜とは異なり、その厚さも比較的薄いものとなっている。そのため、下地要素で形成された前記の段差（凹凸）が無くなり、その表面が十分に平坦化されたものとはならず、この層間絶縁膜１８の表面には、例えば５００ｎｍ程度の最大レベル差（高低差）を有する凹凸が形成されている。
なお、本発明における下地層３は、前記下地保護層６と、前記した各下地要素と、層間絶縁膜１８とからなっており、したがって層間絶縁膜１８の表面が下地層３の表面となっている。
【００２１】
そして、この下地層３の表面上には、隔壁１９に囲まれた画素領域に、前記の有機ＥＬ素子５が形成されている。
隔壁１９は、ＳｉＯ２等の無機材料からなる無機隔壁２０と、この無機隔壁２０上に形成された、アクリル樹脂等の有機材料からなる有機隔壁２１とからなっている。無機隔壁２０は、平面視矩形状、または長円状（トラック形状）等の開口部２０ａを有して形成されたものである。また、有機隔壁２１は、この開口部２０ａより一回り大きい開口部２１ａを有し、かつこの開口部１９を形成する内面を順テーパ状に形成したものである。
【００２２】
これら開口部２０ａとこれに連通する開口部２１ａ内には、前記したように有機ＥＬ素子５が形成されている。すなわち、開口部２０ａは有機ＥＬ装置１における単位画素に対応する画素領域となるもので、この開口部２０ａ内には陽極２２が露出させられて設けられている。なお、本実施形態では、トップエミッション構造であることから、前記の下地要素は少なくとも一部が画素領域の直下に配置されており、したがってこの画素領域に対応する下地層３（層間絶縁膜１８）の表面には、前述したように凹凸が形成されている。
【００２３】
陽極２２は、下地層３の表面（層間絶縁膜１８の表面）上に形成されたもので、その周縁部のみが無機隔壁２０に覆われ、中央部が無機隔壁２０の開口部２０ａ内に臨んで配設されている。この陽極２２は、画素電極として機能するもので、下層側に設けられたＡｌ等の反射層（図示せず）と、この反射層上に設けられたＩＴＯ等からなる透明導電層（図示せず）との積層体により、構成されている。なお、この陽極２２は、前記駆動ＴＦＴ７のドレイン電極１２に、コンタクトホール内の導電部（図示せず）を介して導通している。
【００２４】
また、この陽極２２は、前記したようにＡｌやＩＴＯからなっており、スパッタ法等の気相法で形成されているため、下地層３（層間絶縁膜１８）表面の凹凸に倣ってその表面が凹凸面２２ａとなっている。すなわち、この凹凸面２２ａは、前記層間絶縁膜１８表面の凹凸がほとんどそのままに反映されるため、５００ｎｍ程度の最大レベル差を有する凹凸面となっている。
【００２５】
前記開口部２０ａ及び開口部２１ａにおいて、陽極２２上には、正孔注入層２３が設けられている。この正孔注入層２３は、その形成材料として、窒素、酸素、硫黄のいずれかの元素を少なくとも一種類以上有する有機材料、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。ただし、本実施形態では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を分散させ、さらにこれを水に分散させてなる（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）分散液に、ジエチレングリコールを添加してなる液状材料が好適に用いられている。
【００２６】
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は、分散媒として水を単独で用いるより、これにプロトン性極性溶媒であるジエチレングリコール（ＤＥＧ）を混合して用いると、形成されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの高分子層の抵抗値が下がり、導電性が高くなる。したがって、後述するように本実施形態では正孔注入層２３の厚さをある程度厚くする必要があるため、層全体での導電性が極端に低下して抵抗が大きくならないように、（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を水のみに分散させるのでなく、水とジエチレングリコールとの混合分散媒中に分散させるのが好ましい。
【００２７】
また、この正孔注入層２３の形成材料（液状材料）は、図１に示した液滴吐出ヘッド３０１を用いた液滴吐出法（インクジェット法）で隔壁１９の開口部（開口部２０ａ、開口部２１ａ）内に配され、その後乾燥させられることで、正孔注入層２３に形成される。その際、本発明では、形成される正孔注入層２３は下地である陽極２２の凹凸面２２ａの形状をなるべく反映することなく、したがって凹凸の最大レベル差がなるべく小さくなるように形成される。
【００２８】
具体的には、図４に示すように正孔注入層２３は、その表面の最低レベルＬ（正孔注入層２３の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離）が陽極２２の凹凸面２２ａにおける最高レベルＨ（陽極２２の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離）より高く（大きく）なり、かつ、正孔注入層２３の表面の最大レベル差Δｈ１（正孔注入層２３の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離から正孔注入層の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離を引いた値）が、前記陽極２２の凹凸面２２ａにおける最大レベル差Δｈ２（陽極２２の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も遠い位置における基板からの距離から陽極の基板とは反対側の面の内、基板からの距離が最も近い位置における基板からの距離を引いた値）より小さく形成されている。
【００２９】
このように形成するためには、前述したように液滴吐出法で前記形成材料（液状材料）を陽極２２上に配す際、得られる正孔注入層２３の厚さを、従来の５０ｎｍ程度に比べて十分に厚くなるように、「形成材料の吐出塗布」、「乾燥」の各工程を複数回繰り返すことで行う。また、形成材料についても、その分散質、つまり前記（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の濃度を従来に比べてなるべく高くして行う。これにより、正孔注入層２３の表面の最低レベルＬが陽極２２の凹凸面２２ａの最高レベルＨより高くなるように、正孔注入層２３の厚さが、陽極２２の凹凸面２２ａの最大レベル差Δｈ２より厚く形成される。具体的には、最大レベル差Δｈ２が前述したように５００ｎｍ程度であることから、正孔注入層２３の最低レベルＬに対応する部分の厚さ、つまり陽極２２の凹部に対応する部分の厚さが、例えば５５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下程度に形成される。
【００３０】
このような厚さの正孔注入層２３を得るには、予め目的の厚さを得るのに必要な（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の量を求めておき、さらにこの量を陽極２２上に配するのに必要な形成材料の吐出量を求めておく。そして、求めた吐出量を吐出するべく、前記したように「形成材料の吐出塗布」、「乾燥」の各工程を複数回繰り返すことにより、表面の最大レベル差Δｈ１が陽極２２最大レベル差Δｈ２より小さい正孔注入層２３を形成する。なお、正孔注入層２３の形成材料の吐出配置に際しては、陽極２２の凹凸面２２ａ上の凸部上に材料を選択的に配し、この凸部上の材料が凹部側に流れ落ちることで、該凹部側に材料が偏って配されるのを抑制するようにしてもよい。
【００３１】
前記隔壁１９の開口部（２０ａ、２１ａ）において、正孔注入層２３上には、発光層（有機発光層）２２が設けられている。この発光層２４も、発光層の形成材料（機能液）が前記液滴吐出ヘッド３０１から正孔注入層２３上に吐出され、乾燥させられたことにより、形成されたものである。発光層２４の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料が好適に用いられる。例えば、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフェニレン（ＰＰ）、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリチオフェン、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシランなどの各誘導体を例示することができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの低分子の有機発光色素や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００３２】
溶媒としては、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の非極性溶媒を用いることができ、これらの２種以上を適宜混合して粘度を調整して用いることもできる。
このように液滴吐出法で形成される発光層２４は、その下地である正孔注入層２３の表面の凹凸形状に倣って成膜されるため、凹凸における凹部上では厚く、凸部上では薄く形成される。
【００３３】
しかし、本発明では、正孔注入層２３の表面の最大レベル差Δｈ１を、陽極２２の凹凸面２２ａにおける最大レベル差Δｈ２より小さくしているので、この正孔注入層２３の表面を下地面とする発光層２４は、例えばその平均厚さを８０ｎｍ程度に設計し成膜することで、その膜厚ムラが十分に小となる。すなわち、下地要素を形成した下地層３上に平坦化層を形成せず、したがって陽極２２の表面が凹凸面２２ａになっているにもかかわらず、この陽極２２上に正孔注入層２３を介して形成された発光層２４は、膜厚ムラが抑制されたものとなる。
なお、本実施形態では、この発光層２４と前記正孔注入層２３とにより、本発明における機能層が構成されている。
【００３４】
図２に示すように前記隔壁１９上及び発光層２４上には、これらを覆って陰極２５が形成されている。陰極２５は、全体が透明電極に形成されたもので、例えば発光層２４上に設けられた電子注入性の第１陰極（図示せず）と、これの上に設けられた第２陰極（図示せず）と、これの上に設けられた保護電極層（図示せず）とからなっている。具体的には、第１陰極は真空蒸着法で厚さ５ｎｍ程度に形成されたＣａからなり、第２陰極は共蒸着法で厚さ１０ｎｍ程度に形成されたＭｇＡｇからなり、保護電極層は厚さ２００ｎｍ程度に形成されたＭｏＯ３からなっている。
【００３５】
さらに、図示しないものの、陰極２５上にはこれを覆って透明封止層が設けられ、さらに透明基板が設けられることにより、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１が構成される。
この有機ＥＬ装置１の電極間に電圧を印加すると、陽極２２からは正孔注入層２３を介して正孔が発光層２４に注入される。また、陰極２５からは電子が発光層２４に注入される。したがって、発光層２４で電子と正孔とが再結合することにより、良好な発光をなす。その際、前記したように発光層２４は膜厚ムラが抑制されているので、画素領域内において輝度ムラがなく、単位画素内において均一な発光が得られるようになる。
【００３６】
以上説明したように、この有機ＥＬ装置１にあっては、正孔注入層２３の表面の最低レベルＬが陽極２２の凹凸面２２ａにおける最高レベルＨより高くなり、かつ、その表面の最大レベル差Δｈ１が前記陽極２２の凹凸面２２ａにおける最大レベル差Δｈ２より小さくなっているので、この正孔注入層２３の表面を下地面とする発光層２４は、特に液相で形成されている場合であっても、その膜厚ムラが十分に小となる。よって、平坦化層が形成されずに陽極２２の表面が凹凸面２２ａになっているにもかかわらず、この陽極２２上に正孔注入層２３を介して形成された発光層２４は、膜厚ムラが抑制されたことにより、画素領域内において輝度ムラがなく、単位画素内において均一に発光するものとなる。
また、従来の平坦化層の形成が不要になっているため、製造工程が比較的簡易になり、生産性が向上して製造コストが低減化されたものとなる。
【００３７】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の応用例として、この有機ＥＬ装置を備える電子機器について説明する。図５は、前記有機ＥＬ装置をラインヘッドとして備えた画像形成装置（光プリンタ）１０００を示す概略構成図である。
【００３８】
光プリンタ１０００は、転写媒体２２０の走行経路の近傍に、像担持体としての感光体ドラム１６０を備えている。感光体ドラム１６０の周囲には、感光体ドラム１６０の回転方向（図中の矢印方向）に沿って、露光装置１００Ｌ、現像装置１８０及び転写ローラ２１０が順次配設されている。感光体ドラム１６０は、回転軸１７０の周りに回転可能に設けられており、その外周面には、回転軸方向中央部に感光面１６０Ａが形成されている。
露光装置１００Ｌ及び現像装置１８０は感光体ドラム１６０の回転軸１７０に沿って長軸状に配置されており、その長軸方向の幅は、感光面１６０Ａの幅と概ね一致している。
【００３９】
露光装置１００Ｌには、複数の有機ＥＬ素子１００Ａを有するラインヘッド（有機ＥＬ装置）１００と、該ラインヘッド１００から放射された光を正立等倍結像させる複数のレンズ素子１２０Ａを有する結像光学素子１２０とを備えている。ラインヘッド１００と結像光学素子１２０とは、互いにアライメントされた状態で図示略のヘッドケースによって保持され、感光体ドラム１６０上に固定されている。
ここで、有機ＥＬ装置１００は、前述したように平坦化層の形成が不要にされて製造コストが低減化されているので、この光プリンタ１０００も製造コストが低減化されたものとなる。
【００４０】
図６は、本発明に係る電子機器の別の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１１００は表示部１１０１を備えている。表示部１１０１には、本発明に係る有機ＥＬ装置を備えている。
【００４１】
なお、電子機器としては、前述したものに限られることなく、種々のものに適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【００４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されないことは言うまでもない。前述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】液滴吐出装置に備わる液滴吐出ヘッドの断面図である。
【図２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す要部側断面図である。
【図３】図２に示した有機ＥＬ装置の平面構造を模式的に示す要部平面図である。
【図４】図２に示した有機ＥＬ装置の要部を説明するための模式図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…下地層、５…有機ＥＬ素子、７…駆動ＴＦＴ、１３…電源線（配線）、２２…陽極、２２ａ…凹凸面、２３…正孔注入層、２４…発光層（有機発光層）、２５…陰極、Ｌ…最低レベル、Ｈ…最高レベル、Δｈ１、Δｈ２…最大レベル差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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