(57)【要約】【課題】  標準電極電位の大きく異なる２種類の金属層が積層されたコンタクト部の強度低下を抑制することができるコンタクトプローブ、プローブカード及びコンタクトプローブの製造方法を提供する。【解決手段】  第１の金属層３１と第２の金属層３３とがビーム部１上に積層されたコンタクト部３を有するコンタクトプローブ１１であって、第１の金属層３１及び第２の金属層３３間に標準電極電位が第１の金属層３１よりも高く、第２の金属層３３よりも低い導電性の中間金属層３２を設けて構成される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属層上に第２の金属層が積層されたコンタクト部を有するコンタクトプローブにおいて、
第１の金属層及び第２の金属層間に標準電極電位が第１の金属層よりも高く、第２の金属層よりも低い導電性の中間金属層を設けたことを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記第２の金属層が第１の金属層よりも硬い金属からなることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
上記第２の金属層が第１の金属層よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項４】
上記中間金属層が、標準電極電位の異なる２種類の金属を主成分とする金属層からなり、第１の金属層側から第２の金属層側に向けて標準電極電位の高い金属の割合が単調に増加していることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項５】
上記第１の金属層がニッケルを主成分とし、上記第２の金属層がロジウムを主成分とし、
上記中間金属層が、パラジウムと、ニッケル又はコバルトとを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項６】
複数のコンタクトプローブが形成されたプローブ基板と、外部端子を有し、上記プローブ基板に固定されたメイン基板とを備えたプローブカードにおいて、
上記コンタクトプローブは、第１の金属層と中間金属層と第２の金属層とが順次積層されたコンタクト部を有し、上記中間金属層の標準電極電位が、第１の金属層の標準電極電位よりも高く、第２の金属層の標準電極電位よりも低いことを特徴とするプローブカード。
【請求項７】
ビーム部とコンタクト部とを有するコンタクトプローブの製造方法において、
上記ビーム部上に第１の金属層を電気メッキによって形成する第１のステップと、
第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い中間金属層を電気メッキによって形成する第２のステップと、
上記中間金属層上に標準電極電位が上記中間金属層よりも高い第２の金属層を電気メッキによって形成する第３のステップとを有することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項８】
上記第２のステップは、標準電極電位の異なる２種類の金属を主成分とする金属層を上記中間金属層として形成するステップであって、電気メッキの際の電流密度を単調に増加させながら上記中間金属層を形成するステップであることを特徴とする請求項７に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブ、プローブカード及びコンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体ウエハなどの検査対象物上の微細な電極パッドに接触して導通させることにより検査対象物の電気的特性試験を行うコンタクトプローブの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験は、検査対象物上の電極パッドに接触して導通させるコンタクトプローブを用いて行われる。コンタクトプローブは、例えば、片持ち梁構造を有するビーム部を備え、このビーム部上には、検査対象物に接触させるためのコンタクト部が形成されている。このコンタクト部は、検査対象物に繰返し接触させる必要があることから、耐摩耗性の高い金属、例えば、ロジウム（Ｒｈ）などの硬い金属により形成される。一般に、コンタクト部は、接触性、導通性、コスト、製造の容易性などを考慮して、２種類の金属層を積層することによって形成される。例えば、ニッケル（Ｎｉ）などの金属からなる第１の金属層と、ロジウムなどの金属からなる第２の金属層とを積層して形成される。通常、コンタクト部を構成するこれらの金属層は、電気メッキによって形成される。
【０００３】
図７（ａ）及び（ｂ）は、従来のコンタクトプローブを示した断面図であり、図７（ａ）には、レジストで囲まれたビーム部上の領域にコンタクト部が形成される様子が示され、図７（ｂ）には、レジスト除去後のコンタクト部が示されている。このコンタクトプローブは、ニッケル及びコバルトの合金層からなるビーム部の先端にコンタクト部が形成される。コンタクト部は、ビーム部上に塗布されたフォトレジストの一部を除去し、そして、レジストが除去された領域に電気メッキにより金属層を積層することによって形成される。具体的には、まず、ニッケルイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて、ビーム部上にニッケル層が形成される。次に、ロジウムイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて、ニッケル層上にロジウム層が形成される。従って、ロジウム層の形成時には、ロジウム層の表面及びその周囲のレジストは、ロジウムのメッキ液で覆われることとなる。
【０００４】
一般に、ロジウムのメッキ液は、ロジウム層表面から除去されるまでの間に、レジストを浸透し、或いは、レジストとロジウム層との間に入り込んでロジウム層及びニッケル層の界面付近に達する。ロジウムとニッケルとでは、標準電極電位が大きく異なることから、ロジウム層及びニッケル層の界面付近にメッキ液が存在すると、メッキ液を介して局部電池が形成され、標準電極電位の小さなニッケルがメッキ液に溶出し、コンタクト部の強度が低下することがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、第１の金属層上に第２の金属層が積層されたコンタクト部を有するコンタクトプローブの強度低下を抑制することを目的としている。特に、標準電極電位の大きく異なる２種類の金属層が積層されたコンタクト部の強度低下を抑制することができるコンタクトプローブ、プローブカード及びコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、第１の金属層上に第２の金属層が積層されたコンタクト部を有するコンタクトプローブであって、第１の金属層及び第２の金属層間に標準電極電位が第１の金属層よりも高く、第２の金属層よりも低い導電性の中間金属層を設けて構成される。この様な構成によれば、第１の金属層と第２の金属層との間に、標準電極電位がこれらの金属層の間にある中間金属層を設けたので、第１の金属層上に第２の金属層を直接に形成する場合に比べて、金属層間における標準電極電位の差を小さくすることができる。これにより、第１の金属層上に第２の金属層を形成する従来のものに比べて、金属層間の界面付近における局部電池作用によって金属が溶出するのを抑制することができる。
【０００７】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記第２の金属層が第１の金属層よりも硬い金属からなるように構成される。この様な構成によれば、検査対象物に接触させる第２の金属層が第１の金属層よりも硬い金属によって形成されるので、コンタクト部の耐摩耗性を向上させることができる。
【０００８】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記第２の金属層が第１の金属層よりも薄いように構成される。
【０００９】
第４の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記中間金属層が、標準電極電位の異なる２種類の金属を主成分とする金属層からなり、第１の金属層側から第２の金属層側に向けて標準電極電位の高い金属の割合が単調に増加しているように構成される。この様な構成によれば、第１の金属層と第２の金属層との間に形成される中間金属層内で標準電極電位の異なる２種類の金属間の混合比に勾配を持たせられることから、混合比が一定である場合に比べて、金属層間における標準電極電位の差を小さくすることができる。従って、金属層間の界面付近における局部電池作用によって金属が溶出するのを効果的に抑制することができる。
【００１０】
第５の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記第１の金属層がニッケルを主成分とし、上記第２の金属層がロジウムを主成分とし、上記中間金属層が、パラジウムと、ニッケル又はコバルトとを主成分とするように構成される。
【００１１】
第６の本発明によるプローブカードは、複数のコンタクトプローブが形成されたプローブ基板と、外部端子を有し、上記プローブ基板に固定されたメイン基板とを備えたプローブカードであって、上記コンタクトプローブが、第１の金属層と中間金属層と第２の金属層とが順次積層されたコンタクト部を有し、上記中間金属層の標準電極電位が、第１の金属層の標準電極電位よりも高く、第２の金属層の標準電極電位よりも低いように構成される。
【００１２】
第７の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、ビーム部とコンタクト部とを有するコンタクトプローブの製造方法であって、上記ビーム部上に第１の金属層を電気メッキによって形成する第１のステップと、第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い中間金属層を電気メッキによって形成する第２のステップと、上記中間金属層上に標準電極電位が上記中間金属層よりも高い第２の金属層を電気メッキによって形成する第３のステップとを有するように構成される。
【００１３】
第８の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記第２のステップが、標準電極電位の異なる２種類の金属を主成分とする金属層を上記中間金属層として形成するステップであって、電気メッキの際の電流密度を単調に増加させながら上記中間金属層を形成するステップであるように構成される。この様な構成によれば、電流密度を単調に増加させながら中間金属層が形成されるので、第１の金属層側から第２の金属層側にかけて中間金属層内で標準電極電位の異なる２種類の金属間の混合比に勾配を持たせることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によるコンタクトプローブ、プローブカード及びコンタクトプローブの製造方法によれば、第１の金属層と第２の金属層との間に、標準電極電位がこれらの金属層の間にある中間金属層を設けたので、第１の金属層上に第２の金属層を直接に形成する場合に比べて、金属層間における標準電極電位の差を小さくすることができる。従って、第１の金属層上に第２の金属層を直接に形成する従来のものに比べて、金属層間の界面付近における局部電池作用によって金属が溶出するのを抑制することができるので、標準電極電位の大きく異なる２種類の金属層が積層されたコンタクト部の強度低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
＜プローブカード＞
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１０の一例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物側から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。プローブカード１０は、プローブ装置（図示せず）に取り付けられるメイン基板１４と、メイン基板１４によって保持されるプローブ基板１２と、プローブ基板１２上に固着された複数のコンタクトプローブ１１により構成される。各コンタクトプローブ１１は、プローブ基板１２における一方の主面上に設けられている。
【００１６】
このプローブカード１０では、コンタクトプローブ１１が直線上に所定のピッチで配置され、その様なコンタクトプローブ１１の列が、ビーム先端を対向させて２つ形成されている。通常、プローブカード１０は、水平に保持され、コンタクトプローブ１１が形成されているプローブ基板１２の主面を鉛直方向の下側に向けて配置されている。
【００１７】
検査対象物の電気的特性試験を行う際には、各コンタクトプローブ１１がそれぞれ検査対象物上の電極パッドと対向するように、検査対象物及びプローブカード１０のアライメント、すなわち、検査対象物に対するメイン基板１４の位置合わせが行われる。検査対象物及びプローブカード１０が適切に位置合わせされた状態で、プローブ基板１２及び検査対象物を互いに近づけることにより、コンタクトプローブ１１の先端を当該検査対象物上の電極パッド１に当接させることができる。
【００１８】
メイン基板１４は、プローブ装置に着脱可能な円形形状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１３を有している。このメイン基板１４は、その周縁部がプローブ装置によって把持され、水平となるように支持される。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１４として用いられる。
【００１９】
プローブ基板１２は、シリコンなどで形成される配線基板であり、連結部材１６を介して、メイン基板１４に配線される。連結部材１６は、メイン基板１４及びプローブ基板１２を連結するとともに、導電線としてメイン基板１４及びプローブ基板１２を導通させている。ここでは、可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１６として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１２の周縁部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１５を介してメイン基板１４に連結されている。
【００２０】
コンタクトプローブ１１は、検査対象物上に形成された微細な電極パッドに対し、弾性的に接触させるプローブ（探針）であり、プローブ基板１２上には、多数のコンタクトプローブ１１が整列配置されている。各コンタクトプローブ１１は、プローブ基板１２の各配線を介して外部端子１３と導通しており、コンタクトプローブ１１を当接させることによって、微小な電極パッドをテスター装置と導通させることができる。
【００２１】
＜コンタクトプローブ＞
図２は、図１のプローブカード１０におけるコンタクトプローブ１１の構成例を示した側面図である。このコンタクトプローブ１１は、片持ち梁構造を有するビーム部１と、検査対象物上の電極パッドに接触させるためのコンタクト部３により構成される。
【００２２】
ビーム部１は、図２の左右方向を延伸方向とする構造体からなり、一方の端部が固定端２としてプローブ基板１２上に固着される。コンタクト部３は、この様なビーム部１の先端部上に形成され、ビーム部１における検査対象物に対向する面から突出した構造体からなる。
【００２３】
＜コンタクト部＞
図３は、図２のコンタクトプローブ１１の要部における構成例を示した図であり、ビーム部１上に形成されたコンタクト部３が示されている。このコンタクト部３は、ビーム部１上に形成された第１の金属層３１と、検査対象物に接触させるための第２の金属層３３との間に中間金属層３２を設けて構成されている。これらの金属層３１〜３３は、いずれも電気メッキにより積層される。
【００２４】
この例では、ビーム部１が、細長い平板状の構造体からなり、検査対象物に対向する主面上にコンタクト部３が形成されている。また、コンタクト部３は、端面形状が略円形状の細長い柱状体となっている。ビーム部１は、例えば、ニッケル及びコバルト（Ｃｏ）を主成分とする導電性の金属層、すなわち、ニッケル−コバルト合金層からなる。
【００２５】
第１の金属層３１は、例えば、ニッケルを主成分とするメッキ層（ニッケルメッキ層）からなる。第２の金属層３３は、第１の金属層３１に比べて、硬くて耐摩耗性が高く、また、耐腐食性が高い導電性金属、例えば、ロジウムを主成分とするメッキ層（ロジウムメッキ層）からなる。
【００２６】
中間金属層３２は、標準電極電位が第１の金属層３１よりも高く、かつ、第２の金属層３３よりも低い導電性のメッキ層からなる。ここで、標準電極電位は、標準電位、或いは、標準還元電位とも呼ばれ、標準水素電極の電位を基準（０ボルト）として、標準水素電極と測定対象の電極とを組み合わせて作った電池の標準状態における起電力のことである。
【００２７】
ニッケルの標準電極電位は、−０．２５７Ｖ、ロジウムの標準電極電位は、＋０．７９９Ｖである。従って、中間金属層３２は、標準電極電位が−０．２５７Ｖよりも高く、０．７９９Ｖ未満の範囲内にある金属を主成分とするメッキ層として形成される。例えば、パラジウム（Ｐｄ）及びニッケルを主成分とする金属層、すなわち、パラジウム−ニッケル合金層として中間金属層３２が形成される。或いは、パラジウム及びコバルトを主成分とする金属層、すなわち、パラジウム−コバルト合金層として中間金属層３２を形成しても良い。
【００２８】
つまり、中間金属層３２は、標準電極電位の異なる２種類の金属単体を主成分とするメッキ層によって形成される。なお、パラジウムの標準電極電位は、＋０．９１５Ｖである。ここでは、中間金属層３２における金属単体間の混合比は、中間金属層３２の厚み方向に関して均一である、すなわち、第１の金属層３１側から第２の金属層３３側にかけて一定であるものとする。
【００２９】
また、ビーム部１を構成するニッケル−コバルト合金と、第１の金属層３１を構成するニッケルとの間における標準電極電位の差は、第１の金属層３１のニッケルと、第２の金属層３３を構成するロジウムとの間における標準電極電位の差（１．０５６Ｖ）に比べて十分に小さい。
【００３０】
ここでは、第２の金属層３３の厚みを第１の金属層３１よりも薄くすることにより、コンタクト部３におけるロジウムメッキ層の割合をニッケルメッキ層よりも小さくしている。これにより、コンタクト部３の接触性や導通性を向上させることができる。
【００３１】
具体的には、ビーム部１の厚みが、２７μｍであるのに対して、第１の金属層３１の厚みは、３０μｍ程度であり、中間金属層３２の厚みは、３μｍであり、第２の金属層３３の厚みは、１５μｍとなっている。つまり、中間金属層３２が最も薄く、第１の金属層３１が最も厚くなっている。
【００３２】
本願の出願人らによる実験によれば、第１の金属層３１と第２の金属層３３との間にパラジウム−ニッケル合金層を設け、或いは、パラジウム−コバルト合金層を設けることによって、第１の金属層３１を構成するニッケルの溶出量が低下することが確認された。すなわち、第１の金属層３１上に第２の金属層３３を形成する従来のものに比べて、金属層間の界面付近の局部電池作用による金属の溶出量が低下することがわかった。本実施の形態によれば、この様に第１の金属層３１からの金属の溶出を抑制することができるので、コンタクト部３の強度低下を抑制することができる。
【００３３】
＜コンタクトプローブの形成過程＞
図４及び図５は、図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図である。図４（ａ）には、コンタクトプローブ１１を形成するための台座となる導電性の基板４０が示されている。この様な基板４０としては、例えば、銅板が用いられる。
【００３４】
図４（ｂ）には、図４（ａ）の基板４０に対し、犠牲層４１が形成され、その後、犠牲層４１の一部が除去された様子が示されている。基板４０上に積層される犠牲層４１としては、例えば、銅などの導電層が電気メッキにより形成される。基板４０上に犠牲層４１を形成した後、フォトリソグラフィー（写真製版）などによるマスキング工程を経て、ビーム部１の固定端２を形成するために、エッチングなどにより犠牲層４１の一部が除去される。
【００３５】
図４（ｃ）には、図４（ｂ）の基板４０に対し、導電層４２が形成され、その後、導電層４２及び犠牲層４１の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４１の一部を除去した後の基板４０上に積層される導電層４２としては、ニッケル−コバルト合金層が電気メッキによって形成される。余分に形成された導電層４２は、表面を研磨することによって除去される。
【００３６】
図４（ｄ）には、図４（ｃ）の基板４０に対し、犠牲層４３が形成され、その後、犠牲層４３の一部が除去された様子が示されている。犠牲層４１及び導電層４２上に積層される犠牲層４３として、犠牲層４１と同一の導電層が電気メッキにより形成される。犠牲層４３を形成した後、マスキング工程を経て、ビーム部１を形成するために、犠牲層４３の一部が除去される。
【００３７】
図４（ｅ）には、図４（ｄ）の基板４０に対し、導電層４４が形成され、その後、導電層４４及び犠牲層４３の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４３の一部を除去した後に積層される導電層４４として、導電層４２と同一の金属からなる層が電気メッキによって形成される。余分に形成された導電層４４は、表面を研磨することによって除去され、固定端２に接合されたビーム部１の梁部分が形成される。
【００３８】
図５（ａ）には、図４（ｅ）の基板４０に対し、レジスト層４５が形成され、その後、レジスト層４５の一部が除去された様子が示されている。犠牲層４３及び導電層４４上に積層されるレジスト層４５は、フォトレジストを塗布することにより形成される。レジスト層４５を形成した後、マスキング工程を経て、コンタクト部３を形成するために、レジスト層４５の一部が除去される。
【００３９】
図５（ｂ）には、図５（ａ）の基板４０に対し、第１の金属層４６が形成された様子が示されている。レジスト層４５の一部を除去した後に、レジストが除去された導電層４４上の領域に積層される第１の金属層４６として、ニッケルメッキ層が電気メッキによって形成される。この電気メッキ処理は、ニッケルイオンを含む電解溶液、例えば、硫酸ニッケル溶液をメッキ液として用いて行われる。
【００４０】
図５（ｃ）には、図５（ｂ）の基板４０に対し、中間金属層４７が形成された様子が示されている。第１の金属層４６上に積層される中間金属層４７として、パラジウム−ニッケル合金層が電気メッキによって形成される。この電気メッキ処理は、パラジウム及びニッケルイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて行われる。このメッキ液には、ニッケルがパラジウムに比べて析出し易いという性質を考慮して、パラジウム及びニッケルが重量比で７：３の割合で含まれている。
【００４１】
図５（ｄ）には、図５（ｃ）の基板４０に対し、第２の金属層４８が形成された様子が示されている。中間金属層４７上に積層される第２の金属層４８として、ロジウムメッキ層が電気メッキによって形成される。この電気メッキ処理は、ロジウムイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて行われる。第２の金属層４８の形成後、第２の金属層４８の表面を研磨し、レジスト層４５及び犠牲層４１，４３を除去すれば、コンタクトプローブ１１が完成する。
【００４２】
なお、第１の金属層４６上に中間金属層４７を形成する際と、中間金属層４７上に第２の金属層４８を形成する際とに、それぞれ金属層の表面を研磨する工程を設けても良い。
【００４３】
本実施の形態によれば、第１の金属層３１と第２の金属層３３との間に、標準電極電位がこれらの金属層の間にある中間金属層３２を設けたので、第１の金属層３１上に第２の金属層３３を形成する場合に比べて、金属層間における標準電極電位の差を小さくすることができる。これにより、第１の金属層３１上に第２の金属層３３を形成する従来のものに比べて、金属層間の界面付近の局部電池作用によって金属が溶出するのを抑制することができる。
【００４４】
実施の形態２．
実施の形態１では、中間金属層３２を構成する金属単体間の混合比が、中間金属層３２の厚み方向に関して均一である場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、第１の金属層３１側から第２の金属層３３側に向けて標準電極電位の高い金属単体の割合が単調に増加するように、中間金属層３２において金属単体間の混合比に勾配を持たせる場合について説明する。
【００４５】
図６は、本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブの一構成例を示した図であり、第１の金属層３１上に中間金属層３２を電気メッキによって形成する際の電流密度の変化の様子とパラジウムの混合比の変化の様子が示されている。本実施の形態では、第１の金属層３１上に中間金属層３２を積層する際に、標準電極電位の高い金属単体、すなわち、パラジウムの割合が単調に増加するように、第１の金属層３１側から第２の金属層３２側にかけて金属単体間の混合比に勾配を持たせて構成される。
【００４６】
具体的には、メッキ開始時（時刻ｔ１）における電流密度ａ１に対して、電流密度を時間の経過に伴って単調に増加させることによって、ニッケルに対するパラジウムの混合比をメッキ開始時（混合比ｂ１％）に対して、単調に増加させている。つまり、標準電極電位の高いパラジウムの割合が単調に増加するように、電気メッキの際の電流密度を単調に増加させながら中間金属層３２が形成される。
【００４７】
一般に、電気メッキの際、金属層とメッキ液との間に印加する電圧を制御して電流密度を調整することにより、メッキされる金属の混合比を変化させることができる。特に、電流密度を大きくすると、標準電極電位の高い金属の割合を高くすることができる。
【００４８】
この例では、メッキ終了時（時刻ｔ２）における電流密度をａ２として、電流密度が右上がりの傾き一定の直線で表されるのに対して、パラジウムの混合比は、メッキ終了時に混合比ｂ２％となる右上がりの傾き一定の直線で表されている。この様な電気メッキ処理によって形成された中間金属層３２では、第１の金属層３１側端部が、ニッケルの混合比の高い（ニッケルリッチ）状態となり、第２の金属層３３側端部が、パラジウムの混合比の高い（パラジウムリッチ）状態となる。
【００４９】
本実施の形態によれば、第１の金属層３１側から第２の金属層３３側に向けて標準電極電位の高い金属単体の割合が単調に増加するように、電流密度を単調に増加させながら中間金属層３２が形成されるので、中間金属層３２における金属単体間の混合比に勾配を持たせることができる。これにより、第１の金属層３１と第２の金属層３３との間に形成される中間金属層３２内で金属単体間の混合比に勾配を持たせたことから、混合比に勾配を持たせない場合に比べて、金属層間における標準電極電位の差を小さくすることができる。
【００５０】
なお、実施の形態１及び２では、中間金属層３２を１種類の金属層によって形成され、しかも、１回の電気メッキ処理工程で形成される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、中間金属層３２を２種類以上の金属層を積層することによって形成され、或いは、２回以上の電気メッキ処理工程を経て形成されるものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１によるプローブカード１０の一例を示した図である。
【図２】図１のプローブカード１０におけるコンタクトプローブ１１の構成例を示した側面図である。
【図３】図２のコンタクトプローブ１１の要部における構成例を示した図であり、ビーム部１上に形成されたコンタクト部３が示されている。
【図４】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、基板４０上にビーム部１の梁部分が形成されるまでの工程が示されている。
【図５】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、梁部分の形成後、第２の金属層４８が形成されるまでの工程が示されている。
【図６】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブの一構成例を示した図であり、中間金属層３２を形成する際の電流密度とパラジウムの混合比が示されている。
【図７】従来のコンタクトプローブを示した断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ビーム部
２  固定端
３  コンタクト部
１０  プローブカード
１１  コンタクトプローブ
１２  プローブ基板
１３  外部端子
１４  メイン基板
１５  コネクタ
１６  連結部材
３１  第１の金属層
３２  中間金属層
３３  第２の金属層
【図１】
2010048694.tif 000003
【図２】
2010048694.tif 000004
【図３】
2010048694.tif 000005
【図４】
2010048694.tif 000006
【図５】
2010048694.tif 000007
【図６】
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【図７】
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