(57)【要約】【課題】  定常的に異常出力となる定常欠陥画素と、正規の出力と異常出力とが非定常的に出力される点滅特性を持つ点滅欠陥画素の両者を、精度良く検出することが困難であった。【解決手段】  定常欠陥画素と点滅欠陥画素で、ダーク画像信号の蓄積時間やダーク画像信号の生成回数など、欠陥画素を検出するための条件を互いに異なる状況に設定して、それぞれの欠陥画素の検出を行う。【選択図】  図１
2010074240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの入射光を光電変換する撮像素子と、
遮光された状態で前記撮像素子にて生成された画像信号から、前記撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、
前記欠陥画素検出手段により検出された欠陥画素の情報を記憶する記憶手段を備え、
前記欠陥画素検出手段は、前記画像信号を生成する際の蓄積時間、および、前記欠陥画素を検出するために用いる前記画像信号の数を異ならせて、それぞれの条件にて前記欠陥画素を検出することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記欠陥画素検出手段は、第１の検出条件と第２の検出条件を備え、前記第１の検出条件は前記第２の検出条件に比較して、前記蓄積時間が短く、かつ、前記欠陥画素を検出するために用いる前記画像信号の数が多いことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記欠陥画素検出手段は、出力レベルが閾値を超えた画素を欠陥画素と判定するものであって、前記第１の検出条件における前記閾値を前記第２の検出条件における前記閾値よりも低く設定することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の検出条件と前記第２の検出条件には前記撮像素子の周辺温度が含まれ、前記第１の検出条件における前記撮像素子の周辺温度は、前記第２の検出条件における前記撮像素子の周辺温度に比較して低く設定されていることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記欠陥画素検出手段は、前記第１の検出条件で非定常的に異常なレベルを出力する点滅欠陥画素を検出し、前記第２の検出条件で定常的に異常なレベルを出力する定常欠陥画素を検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
被写体からの入射光を光電変換する撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出方法において、
遮光された状態で前記撮像素子にて生成された画像信号から、前記撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出工程と、
前記欠陥画素検出工程において検出された欠陥画素の情報を記憶する記憶工程を備え、
前記欠陥画素検出工程は、前記画像信号を生成する際の蓄積時間、および、前記欠陥画素を検出するために用いる前記画像信号の数を異ならせて、それぞれの条件にて前記欠陥画素を検出することを特徴とする欠陥画素検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラや監視カメラなどの画像入力装置にて使用される撮像素子の欠陥画素を検出する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサなどの光電変換素子が備える多くの画素の中には、結晶欠陥やダストなどによって、正規の出力信号を発生しない欠陥画素が存在することが知られている。このような欠陥画素は、時間的な特性に着目すると主に次の２種類に分類できる。
【０００３】
１つ目は、定常的に正規の出力信号を発生しない（以下、異常出力と呼ぶ）定常欠陥画素であり、２つ目は、正規の出力信号と異常出力信号とが非定常的に出力される点滅欠陥画素である。
【０００４】
ＣＭＯＳセンサでは、定常欠陥画素と点滅欠陥画素の出力特性が異なる。定常欠陥画素では、ダストや開口むら等の感度依存性の欠陥画素を除けば、受光部の結晶欠陥による白点欠陥が多くを占める。この白点欠陥は暗信号の増加を伴うため、異常出力レべルは温度および蓄積時間に依存するという特性を有する。これに対し、点滅欠陥画素は結晶欠陥が発生する箇所が定常欠陥画素と異なるため、異常出力レべルは温度および蓄積時間にほとんど依存しないという特性を有する。
【０００５】
ここで、点滅欠陥画素の結晶欠陥が発生する箇所を図６で説明する。
【０００６】
図６は、ＣＭＯＳセンサの画素部の一般的な回路の一例である。この回路は、受光部であるフォトダイオード（ＰＤ）６０１、貯まった電荷をリセットするリセットＭＯＳ６０２、電荷検出を行うフローティングディフュージョン（ＦＤ）６０３、および、画素ソースフォロアＭＯＳ６０４で構成されている。定常欠陥画素の多くは、ＰＤ６０１の結晶欠陥に因るものである。
【０００７】
これに対して、点滅欠陥画素は画素ソースフォロアＭＯＳ６０４を発生個所としており、ＭＯＳトランジスタの界面順位で、電子の捕獲および放出が繰り返されることが原因であると考えられている。
【０００８】
この点滅欠陥画素の異常出力レベルは、温度依存性、蓄積依存性がほとんどないため、定常欠陥画素と同様の欠陥画素検出方法では検出が困難であった。
【０００９】
そこで、上記問題の対策として、複数フレーム分の撮影を行い、その出力が所定の閾値を超えた回数によって欠陥画素を特定する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−３４１２４４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この複数フレーム分の撮影を行い、その出力が所定の閾値を超えた回数によって欠陥画素を特定する方法を用いれば、点滅欠陥画素を検出することは可能となる。
【００１１】
しかしながら、欠陥画素検出時の撮影条件によっては、定常欠陥画素と点滅欠陥画素で異常出力レベルが異なるため、両欠陥画素を精度良く検出することは難しい。
【００１２】
例えば、定常欠陥画素は温度および蓄積時間に依存するという特性を備えているため、高温、長秒蓄積の撮影条件下ではその異常出力レべルが高くなる。定常欠陥画素は温度および蓄積時間に伴って異常出力レベルが変化するのであるから、定常欠陥画素を精度良く検出するためには、温度および蓄積時間が増加するほど、欠陥画素であるか否かを判定するための出力の閾値を高く設定する必要がある。これに対し、点滅欠陥画素は、温度および蓄積時間に依存しないため、高温、長秒蓄積の撮影条件下においても異常出力レベルが高くはならない。
【００１３】
したがって、欠陥画素検出時の条件が高温、長秒蓄積になるほど、定常欠陥画素の異常検出レベルが点滅欠陥画素に比較して大きくなってしまう。そのため、定常欠陥画素の異常検出レベルを基準にして、欠陥画素であるか否かを判定するための出力の閾値を設定すると、温度および蓄積時間に依存しない点滅欠陥画素は検出されにくくなってしまう。その結果、欠陥画素補正を施したとしても、低温、短秒蓄積時に検出されやすい欠陥画素が目立つ画像になってしまう。
【００１４】
判定に、欠陥画素検出時の条件が低温、短秒蓄積になるほど、定常欠陥画素の異常検出レベルが点滅欠陥画素に比較して小さくなってしまう。そのため、点滅欠陥画素の異常検出レベルを基準にして、欠陥画素であるか否かを判定するための出力の閾値を設定すると、温度および蓄積時間に依存する定常欠陥画素は検出されにくくなってしまう。その結果、欠陥画素補正を施したとしても、高温、長秒蓄積時に検出されやすい欠陥画素が目立つ画像になってしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本願発明に係る撮像装置は、被写体からの入射光を光電変換する撮像素子と、遮光された状態で前記撮像素子にて生成された画像信号から、前記撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、前記欠陥画素検出手段により検出された欠陥画素の情報を記憶する記憶手段を備え、前記欠陥画素検出手段は、前記画像信号を生成する際の蓄積時間、および、前記欠陥画素を検出するために用いる前記画像信号の数を異ならせて、それぞれの条件にて前記欠陥画素を検出することを特徴とするものである。
【００１６】
同様に上記課題を解決するため、本願発明に係る欠陥画素検出方法は、遮光された状態で撮像素子にて生成された画像信号から、前記撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出工程と、前記欠陥画素検出工程において検出された欠陥画素の情報を記憶する記憶工程を備え、前記欠陥画素検出工程は、前記画像信号を生成する際の蓄積時間、および、前記欠陥画素を検出するために用いる前記画像信号の数を異ならせて、それぞれの条件にて前記欠陥画素を検出することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、定常的に異常な出力を発生する定常欠陥画素と、正規な出力と異常な出力を非定常的に発生する点滅欠陥画素を、それぞれ効率的に検出することができ、いずれの欠陥画素も精度良く補正することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の好適な実施形態を、図面に用いながら以下に説明する。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態における撮像装置であるデジタルスチルカメラの構成を示すブロック図である。
【００２０】
図１において、１００は被写体からの入射光を撮像素子１０２上に結像させるためのレンズであり、１０１はレンズ１００を透過した被写体像を遮光するためのメカシャッターである。１０２は光を電気信号へ変換する光電変換機能を備えた撮像素子であり、本実施形態ではＣＭＯＳセンサを用いている。１０３は撮像素子１０２を駆動するタイミングを規定するタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ（ＴＧ）である。１０４は撮像素子１０２から出力される電気信号であるアナログ画像信号をデジタル画像信号へ変換するＡ／Ｄ変換回路である。
【００２１】
１０５は記憶回路であり、画像用メモリ１０６、欠陥画素アドレスメモリ１０７、欠陥画素レベルメモリ１０８、および、欠陥画素検出条件テーブル１０９を内部に備えている。画像用メモリ１０６は、例えばＤＲＡＭで構成されており、Ａ／Ｄ変換回路１０４から出力されたデジタル画像信号を、ＲＡＷ画像データとして一時的に記憶するためのものである。欠陥画素アドレスメモリ１０７は、製造工場における調整時、あるいは、撮像装置の動作中に、後述する欠陥画素判定回路１１０で欠陥画素と判定された欠陥画素の座標であるＸアドレス、Ｙアドレスを記憶する。欠陥画素レベルメモリ１０８は、製造工場における調整時、あるいは、撮像装置の動作中に、欠陥画素判定回路１１０で欠陥画素と判定された欠陥画素の異常出力レベルを記憶する。欠陥画素検出条件テーブル１０９は点滅欠陥画素と定常欠陥画素のそれぞれを検出する際の、温度、撮像素子の蓄積時間、撮影回数、および、欠陥画素であると判定するための画素出力の閾値等の条件を記憶したものである。第１の検出条件として点滅欠陥画素検出撮影条件を、第２の検出条件として定常欠陥画素検出撮影条件を記憶している。
【００２２】
１１０は欠陥画素判定回路であり、撮像素子１０２の検査対象画素の出力に対して所定の演算を行い、その検査対象画素が定常欠陥画素または点滅欠陥画素であるか否かを判定する。
【００２３】
１１１は画像用メモリ１０６に記録されているＲＡＷデータを最終的な出力画像フォーマットに変換するための画像処理回路である。１１２は記録媒体であり、画像処理回路１１１でフォーマット変換された画像データが記録される。記憶媒体１１２としては、例えば、ＳＤカードが用いられる。
【００２４】
１１３はＣＰＵからなる制御手段であり、撮像装置に搭載された各回路と通信を行って、これらを統括的に制御する。１１４はサーミスタで構成された温度検出部であり、撮像素子１０２の周辺温度を検出する。
【００２５】
次に、本実施形態の撮像装置における欠陥画素の検出処理を、図２および図３のフローチャートを用いて説明する。図２のフローチャートは点滅欠陥画素の検出処理の一例を示すものであり、図３のフローチャートは定常欠陥画素の検出処理一例を示す。
【００２６】
本実施形態では、定常欠陥画素と点滅欠陥画素の異常出力が異なる特性を持つことから、それぞれに対して別々の検出条件を設定して欠陥検出を行う。
【００２７】
また、本実施形態では、デジタルスチルカメラの電源オンの直後、および、電源オフのための操作直後に、欠陥画素の検出を行う例を示しているが、デジタルスチルカメラ出荷前の工場調整時において、本実施形態における欠陥画素の検出処理を行っても構わない。
【００２８】
図２のフローチャートは、ユーザーがデジタルスチルカメラの電源をオンするための操作を行うことで開始される。
【００２９】
ステップＳ２０１では、制御手段１１３がメカシャッター１０１を閉じさせ、撮像素子１０２を遮光状態とする。
【００３０】
ステップＳ２０２では、制御手段１１３が記憶回路１０５内部の欠陥画素検出条件テーブル１０９から、図４に示す点滅欠陥撮影条件を取得する。そして取得した撮影条件に応じてＴＧ１０３や記憶回路１０５を動作させ、遮光された撮像素子１０２にダーク画像信号を生成させる。
【００３１】
図４は、点滅欠陥画素を検出するための撮影条件と、定常欠陥画素を検出するための撮影条件の一例を示した表である。図４に示すように、点滅欠陥画素を検出する際には、定常欠陥画素をできるだけ分離して検出することが望まれる。
【００３２】
定常欠陥画素は温度および蓄積時間に応じて異常出力レベルが変動するため、撮像素子１０２の周辺温度が低い状況下で、撮像素子１０２の蓄積時間を短く設定して検出を行うことで、定常欠陥画素が検出されにくいようにしている。そのため、撮像素子１０２の周辺温度が低いと想定されるデジタルカメラの電源をオンするための操作の直後に、点滅欠陥画素を検出している。したがって、点滅欠陥画素の検出処理を開始する前に、温度検出部１１４にて撮像素子１０２の周辺温度を測定し、もし基準値よりも高いようであれば点滅欠陥画素の検出処理を行なわないようにしてもよい。
【００３３】
また、点滅欠陥画素は、正規な出力と異常な出力を非定常的に発生する特性を備えていることから、なるべく多くの回数にわたってダーク画像信号の撮影を行うことが望ましい。ただし撮影回数が増加するほど処理時間が増加するため、ダーク画像信号の撮影時間と、ダーク画像信号の撮影回数に対する点滅欠陥画素の検出精度の度合いを考慮して、バランスの取れた値とすることが望ましい。
【００３４】
以下に、図５を用いて、検査対象となった画素と、その画素と同色である周囲の画素との差分値を用いて欠陥画素であるか否かの判定を行う方法の一例を説明する。欠陥画素判定回路１１０は、点滅欠陥画素の検出時には、多数回得られたダーク画像信号における各画素の出力に対してピークホールドを行い、多数回得られたダーク画像信号における各画素の最大出力レベルを、その画素の出力レベルとして扱う。
【００３５】
図５は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の画素が格子状に配置された原色ベイヤー配列からなる撮像素子１０２の有効画素領域の一部を示す図である。なお、本実施例では原色ベイヤー配列を前提に説明するが、その他の色フィルタ（例えば、イエロー、マゼンダ、シアンからなる補色フィルタ）構成でも構わない。
【００３６】
ステップＳ２０３では、欠陥画素判定回路１１０が、検査対象画素と同色であって、かつ、検査対象画素の周囲に位置する画素の出力の加算平均値ＡＶＥと、この加算平均値と検査対象画素の出力の差分値Ｄを求める。
【００３７】
図５において、検査対象画素を中心のＲ３３の画素とした場合、検査対象画素の同色である周囲画素Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５、Ｒ３１、Ｒ３５、Ｒ５１、Ｒ５３、Ｒ５５  の出力レベルの加算平均値ＡＶＥＲ３３は以下の式で求められる。
【００３８】
ＡＶＥＲ３３＝（Ｒ１１＋Ｒ１３＋Ｒ１５＋Ｒ３１＋Ｒ３５＋Ｒ５１＋Ｒ５３＋Ｒ５５）／８      ・・・（１）
この加算平均値ＡＶＥＲ３３とＲ３３との差分値をＤＲ３３とすると、
ＤＲ３３＝｜Ｒ３３−ＡＶＥＲ３３｜      ・・・（２）
となる。
【００３９】
ステップＳ２０４では、欠陥画素判定回路１１０は、図４に示す点滅欠陥画素検出撮影条件における欠陥判定閾値Ｋｔを欠陥画素検出条件テーブル１０９から読み出し、この欠陥判定閾値Ｋｔと（２）式で求めたＤＲ３３の比較を行う。差分値ＤＲ３３が閾値Ｋｔよりも大きければ、検査対象画素Ｒ３３は点滅欠陥画素であると判定してステップＳ２０５に進み、差分値ＤＲ３３が閾値Ｋｔ以下であれば、検査対象画素Ｒ３３は点滅欠陥画素ではないと判定してステップＳ２０６に進む。
【００４０】
ステップＳ２０５では、記憶回路１０５の欠陥画素アドレスメモリ１０７に、点滅欠陥画素であると判定された検査対象画素Ｒ３３のＸアドレスとＹアドレス（図５では、Ｘ＝３、Ｙ＝３）を記録する。
【００４１】
ここで、新たに検出された欠陥画素のアドレスが、すでに欠陥画素アドレスメモリ１０７に記憶されていれば、それらの情報を統合し、記憶されていなければ、新規なアドレス情報として記憶する。
【００４２】
さらに、新たに検出された欠陥画素のアドレスが、すでに欠陥画素アドレスメモリ１０７に記憶されていた場合には、このアドレスに対応した異常出力レベルが欠陥画素レベルメモリ１０８にすでに記憶されているか判定する。新たに検出された欠陥画素の異常出力レベルがすでに記憶されていれば、それらの情報を統合し、記憶されていなければ、新規な異常出力レベル情報として記憶する。異常出力レベルを統合する際には、例えば、レベルの高い値を保持するようにすればよい。
【００４３】
なお、点滅欠陥画素を検出する際のダーク画像信号の撮影条件と、定常欠陥画素を検出する際のダーク画像信号の撮影条件が異なることから、それぞれの条件下における異常出力レベルにも差が生じる。そのため、点滅欠陥画素の検出時と定常欠陥画素の検出時とで、それぞれ別々の欠陥判定閾値を設定することが望ましい。
【００４４】
この欠陥判定閾値Ｋｔは撮像素子１０２を用いて実際に撮影を繰り返し行い、効果的な値を実験的に求めるようにすればよい。また、欠陥判定閾値Ｋｔは、補正の対象とする異常出力レベルを切り替えられるように、欠陥判定閾値を複数レベル用意しておいても構わない。
【００４５】
ステップＳ２０６では、欠陥画素判定回路１１０は全ての画素を検査対象としたか判断し、全ての画素に対して欠陥画素の判定を行ったのであれば、このフローチャートを終了する。欠陥画素の判定を行っていない画素が存在すれば、別の画素を検査対象画素に選択してステップＳ２０３に戻り、ステップＳ２０３乃至Ｓ２０６の処理を、全ての画素に対して完了するまで繰り返す。
【００４６】
次に、定常欠陥画素の検出処理について、図３のフローチャートを用いて説明する。本実施形態では、デジタルスチルカメラの電源オフ時に定常欠陥画素検出を行う例を用いて説明を行うが、撮影動作に支障のないタイミングであれば、デジタルスチルカメラ動作中のどのタイミングで定常欠陥画素の検出を行っても構わない。また、デジタルスチルカメラ出荷前の工場調整時に本発明の定常欠陥画素検出を行っても構わない。
【００４７】
図３フローチャートは、ユーザーがデジタルスチルカメラの電源をオフするための操作を行うことで、ステップＳ３０１から開始される。定常欠陥画素の異常出力レベルは、上述したように温度依存性がある。よって本実施形態では、デジタルスチルカメラの温度が高いと想定される電源オフ時に、定常欠陥画素検出を行う。したがって、定常欠陥画素の検出処理を開始する前に、温度検出部１１４にて撮像素子１０２の周辺温度を測定し、もし基準値よりも高いようであれば定常欠陥画素の検出処理を行なわないようにしてもよい。
【００４８】
ステップＳ３０１では、制御手段１１３がメカシャッター１０１を閉じさせ、撮像素子１０２を遮光状態とする。
【００４９】
ステップＳ３０２では、制御手段１１３が記憶回路１０５内部の欠陥画素検出条件テーブル１０９から図４に示す定常欠陥撮影条件を取得する。そして取得した撮影条件に応じてＴＧ１０３や記憶回路１０５を動作させ、遮光された撮像素子１０２にダーク画像信号を生成させる。
【００５０】
図４に示すように、定常欠陥画素を検出する際には、点滅欠陥画素をできるだけ分離して検出することが望まれる。点滅欠陥画素は温度および蓄積時間に依存しないため、撮像素子１０２の周辺温度が高い状況下で、撮像素子１０２の蓄積時間を長く設定し、定常欠陥画素の異常出力レベルを高くすることで、点滅欠陥画素が検出されにくいようにしている。また、定常欠陥画素は異常出力レベルを定常的に出力する特性を持つことから、ダーク画像信号の撮影回数は１回で構わない。
【００５１】
ステップＳ３０３では、欠陥画素判定回路１１０が、検査対象画素と同色であって、かつ、検査対象画素の周囲に位置する画素の出力の加算平均値ＡＶＥと、この加算平均値と検査対象画素の出力の差分値Ｄを求める。検査対象画素を図５のＲ３３の画素とした場合、検査対象画素の周囲に位置する画素の出力の加算平均値ＡＶＥＲ３３と、この加算平均値と検査対象画素の出力の差分値ＤＲ３３は、図２のステップＳ２０４で説明した（１）式、（２）式でそれぞれ求められる。
【００５２】
ステップＳ３０４では、欠陥画素判定回路１１０は、図４に示す定常欠陥画素検出撮影条件における欠陥判定閾値Ｋｕを欠陥画素検出条件テーブル１０９から読み出し、この欠陥判定閾値Ｋｕと（２）式で求めたＤＲ３３の比較を行う。差分値ＤＲ３３が閾値Ｋｕよりも大きければ、検査対象画素Ｒ３３は定常欠陥画素であると判定してステップＳ３０５に進み、差分値ＤＲ３３が閾値Ｋｕ以下であれば、検査対象画素Ｒ３３は定常欠陥画素ではないと判定してステップＳ３０６に進む。
【００５３】
ステップＳ３０５では、記憶回路１０５の欠陥画素アドレスメモリ１０７に、定常欠陥画素であると判定された検査対象画素Ｒ３３のＸアドレスとＹアドレス（図５では、Ｘ＝３、Ｙ＝３）を記録する。
【００５４】
ここで、新たに検出された欠陥画素のアドレスが、すでに欠陥画素アドレスメモリ１０７に記憶されていれば、それらの情報を統合し、記憶されていなければ、新規なアドレス情報として記憶する。
【００５５】
さらに、新たに検出された欠陥画素のアドレスが、すでに欠陥画素アドレスメモリ１０７に記憶されていた場合には、このアドレスに対応した異常出力レベルが欠陥画素レベルメモリ１０８にすでに記憶されているか判定する。新たに検出された欠陥画素の異常出力レベルがすでに記憶されていれば、それらの情報を統合し、記憶されていなければ、新規な異常出力レベル情報として記憶する。異常出力レベルを統合する際には、例えば、レベルの高い値を保持するようにすればよい。
【００５６】
この欠陥判定閾値Ｋｕは撮像素子１０２を用いて様々な温度、蓄積時間に設定された状況下で実際に撮影を繰り返し行い、効果的な値を実験的に求めるようにすればよい。また、欠陥判定閾値Ｋｕは、補正の対象とする異常出力レベルを切り替えられるように、欠陥判定閾値を複数レベル用意しておいても構わない。例えば、温度検出部１１４にて検出した撮像素子１０２の周辺温度が高いほど、高い値の欠陥判定閾値Ｋｕを選択することが望ましい。
【００５７】
ステップＳ３０６では、欠陥画素判定回路１１０は全ての画素を検査対象としたか判断し、全ての画素に対して欠陥画素の判定を行ったのであれば、このフローチャートを終了する。欠陥画素の判定を行っていない画素が存在すれば、別の画素を検査対象画素に選択してステップＳ３０３に戻り、ステップＳ３０３乃至Ｓ３０６の処理を、全ての画素に対して完了するまで繰り返す。
【００５８】
以上の方法により、特性の異なる点滅欠陥画素と定常欠陥画素のアドレスと異常出力レベルに関する情報が、それぞれ欠陥画素アドレスメモリ１０７と欠陥画素レベルメモリ１０８に記憶される。
【００５９】
画像処理回路１１１は、欠陥画素アドレスメモリ１０７と欠陥画素レベルメモリ１０８に記録されたこれらの情報を用いて、撮像素子１０２で生成された画像に対して欠陥画素補正を行う。この欠陥画素補正は一般的な補正方法でよく、例えば、隣接した同色画素から補完する方法がある。図４のＲ３３が欠陥画素の場合、上下左右に隣接する同色画素の平均値に置き換えることで補間を行うことが考えられる。あるいは、上下に隣接する同色画素の平均値、または、左右に隣接する同色画素の平均値のいずれかに置き換えることで補間を行うことが考えられる。他には、上下に隣接する同色画素の平均値、または、左右に隣接する同色画素の平均値を適応的に加算平均する方法であって、上下方向と左右方向のうち、同色画素間の出力差が小さい方向における平均値の重み付けを大きくする方法も考えられる。
【００６０】
なお、上記実施形態ではデジタルスチルカメラの例をあげて説明を行ったが、定常欠陥画素と点滅欠陥画素を生じてしまう撮像素子を備えた撮像装置であれば、デジタルビデオカメラや監視カメラ等であっても本発明を適用することは可能である。
【００６１】
また、ＣＭＯＳセンサを例にあげて説明を行ったが、定常欠陥画素に比較して、蓄積時間／温度依存が無い、あるいは、依存が小さい特性を備えた点滅欠陥画素を備えた撮像素子に対しては本発明を適用することが可能である。
【００６２】
さらに、上記実施形態では、温度検出部１１４によって撮像素子１０２周辺の温度を考慮したが、これは必ずしも必要ではない。定常欠陥画素の検出のための用いるダーク画像信号の蓄積時間を、点滅欠陥画素の検出のために用いるダーク画像信号の蓄積時間に比較して十分に長く設定することで、温度による影響の度合いを小さくすることが可能となる。
【００６３】
本発明は、前述した実施形態の欠陥画素検出機能を実現するコンピュータプログラムを、撮像装置と通信可能なシステムあるいは装置に直接あるいは遠隔から供給することによって達成される場合も含む。このようなシステムあるいは装置側が欠陥画素アドレスメモリ１０７、欠陥画素レベルメモリ１０８、欠陥画素検出条件テーブル１０９、欠陥画素判定回路１１０、および、画像処理回路１１１を備えている。そして、システムあるいは装置側から欠陥画素検出条件テーブルに沿った指令を撮像装置に送信して撮像装置にダーク画像信号を生成させ、システムあるいは装置側でダーク画像信号を受け取って欠陥画素を検出すればよい。その場合、システム等のコンピュータが該コンピュータプログラムを読み出して実行することになる。従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるコンピュータプログラム自体も本発明を実現するものである。
【００６４】
さらに、上記の実施形態は、本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならない。すなわち本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することはなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施形態におけるデジタルスチルカメラの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における点滅欠陥画素の検出処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態における定常欠陥画素の検出処理を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態における点滅欠陥画素を検出するための撮影条件と、定常欠陥画素を検出するための撮影条件の一例を示す表である。
【図５】原色ベイヤー配列からなる撮像素子１０２の有効画素領域の一部を示す図である。
【図６】ＣＭＯＳセンサの画素部の一般的な回路の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００  レンズ
１０１  メカシャッター
１０２  撮像素子
１０３  タイミングジェネレータ
１０４  Ａ／Ｄ変換回路
１０５  記憶回路
１０６  画像用メモリ
１０７  欠陥画素アドレスメモリ
１０８  欠陥画素レベルメモリ
１０９  欠陥画素検出条件テーブル
１１０  欠陥画素判定回路
１１１  画像処理回路
１１２  記録媒体
１１３  制御手段
１１４  温度検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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