(57)【要約】【課題】基板とマスクとを相対移動させることでパターン露光を行う際に、非露光領域を適切に遮光できる露光装置を提供する。【解決手段】所定の方向に被露光体を搬送するステージと、被露光体に露光すべきマスクパターンを有するフォトマスクを前記被露光体に近接対向させて保持するマスクユニットと、フォトマスクに露光用レーサ光を照射するレーザ光源と、露光用レーザ光をフォトマスクに直角に照射する光学系と、前記レーザ光源と光学系との間に配設され、レーザ光の偏光方向を切替える偏光切替え手段と、前記フォトマスク上に配設された偏光シャッターと、該シャッターの駆動手段と、を有する近接露光装置であって、前記偏光シャッターの偏光方向が、前記レーザ光の偏光前又は偏光後の偏光方向と直交することを、特徴とする。【選択図】図１
2010091839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光体を上面に載置して、所定の方向に前記被露光体を搬送する搬送ステージと、前記ステージの上方に配設され、所定の露光パターンを有するフォトマスクを前記被露光体に近接対向させて保持するマスクステージと、前記マスクステージに保持されたフォトマスクに露光用レーザ光を照射するレーザ光源と、前記マスクステージとレーザ光源との間に配設され、露光用レーザ光を拡大してフォトマスクに直角に照射する光学系と、前記レーザ光源と光学系との間に配設され、露光用レーザ光の偏光方向を切替え可能にする偏光切替え手段と、前記マスクステージと前記搬送ステージとの間に配設された複数の偏光板と、前記複数の偏光板のそれぞれを、前記所定の方向に平行に移動させる駆動手段と、を有する近接露光装置であって、前記偏光板の偏光方向が、露光用レーザ光の偏光前又は偏光後の偏光方向と直交することを、特徴とする近接露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル等のカラーフィルタの製造に用いるフォトマスク及びそれを用いた露光装置に関するものであり、詳しくは、複数の小型のフォトマスクから構成されるフォトマスクユニットを被露光対象に近接対向させた露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の基板（例えば、カラーフィルタ基板など）は、図１１に示すように１枚の多面取り露光用基板上に、露光形成された有色画素（赤、青、緑）が存在する複数のアクティブ領域（以下、単に「クティブ領域」という。）と、この複数のクティブ領域の間の前記有色画素が存在しない領域（以下、単に「非アクティブ領域」という。）から、アクティブ領域を分離することによって得ている。
【０００３】
そして、上記露光に用いられる露光装置には、（１）露光用基板と同等な大きさのフォトマスクを用いて一括露光を行う方式のもの（特許文献１）、（２）前記クティブ領域の１つの領域を同等なフォトマスクを多面取り露光用基板に対し、相対的にステップ移動をさせて逐次露光する方式のもの（特許文献２）がある。
また、近年の多面取り露光用基板の大型化に対応するため、（３）露光用基板の露光領域より小さなフォトマスクを、多面取り露光用基板に対し相対的に連続移動させながら露光する方式のもの（特許文献３）が用いられている。
【特許文献１】特開平０７−２０１７１１号
【特許文献２】特開２００３−２７０７９５号
【特許文献３】特開２００７−３１０００７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、前記（１）、（２）の方式では、上記多面取り露光用基板の非アクティブ領域と非アクティブ領域に合わせたフォトマスクを用いる必要があり、非アクティブ領域と非アクティブ領域の夫々の位置、割合が異なる多面取り露光用基板ごとにフォトマスク全体を交換しなければならないという問題があった。
一方、前記（３）の方式では、フォトマスクを、多面取り露光用基板に対し相対的に連続移動させながら、露光を行うものであるが、赤、青、緑の有色画素が千鳥に配列されたものの他、前記有色画素がストライプ状に配列されたものであっても、露光形成されるカラーフィルタの平坦度をよくするために、前記フォトマスクの露光パターンは、図３に示すような形状のものが用いられ、露光光（露光用レーザ光）には、多面取り露光用基板の移動に合せて、間欠照射を行うフラッシュランプが用いられている。
【０００５】
しかし、前記フォトマスクの下方を前記アクティブ領域と非アクティブ領域とが連続して通過するため、前記フォトマスクが前記アクティブ領域と非アクティブ領域を跨る際に、前記フォトマスクの前記非アクティブ領域に相当する部分を遮光し、それ以外の部分は遮光をしないように、前記フォトマスクに設けたシャッターを作動させるが、図４（ｈ）に示すよう、シャッターが元の位置に戻る際に、露光用レーザ光を横切るため、露光用レーザ光の一部が遮光されることにより、露光光量が低下する場合がある。
【０００６】
そこで本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、露光用基板の露光領域より小さな、シャッターを有するフォトマスクを、多面取り露光用基板に対し相対的に連続移動させながら非露光領域（非アクティブ領域）を適切に遮光するとともに、シャッター戻り時のアクティブ領域の露光光量の低下を防止できる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明の露光装置は、被露光体を上面に載置して、所定の方向に前記被露光体を搬送する搬送ステージと、前記ステージの上方に配設され、所定の露光パターンを有するフォトマスクを前記被露光体に近接対向させて保持するマスクステージと、前記マスクステージに保持されたフォトマスクに露光用レーザ光を照射するレーザ光源と、前記マスクステージとレーザ光源との間に配設され、露光用レーザ光を拡大して前記フォトマスクに直角に照射する光学系と、前記レーザ光源と光学系との間に配設され、露光用レーザ光の偏光方向を切替え可能にする偏光切替え手段と、前記マスクステージと前記搬送ステージとの間に配設された複数の偏光板と、前記複数の偏光板のそれぞれを、前記所定の方向に平行に移動させる駆動手段と、を有する近接露光装置であって、前記偏光板の偏光方向が、露光用レーザ光の偏光前又は偏光後の偏光方向と直交することを、特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の露光装置によれば、前記フォトマスクの下方に配設された偏光板の偏光方向が、前記レーザ光の偏光前または偏光後の偏光方向と直交するため、前記レーザ光源から放射される露光用レーザ光の偏光方向を切替えることによって、前記偏光板での露光用レーザ光の遮光または透過が選択できる。
これによって、図４に示すように、非アクティブ領域を遮光する際には、前記偏光板による露光用レーザ光の遮光（図５（ｂ））を行い、偏光板を元の位置に戻す際には、前記偏光切替え手段（図２）によって露光用レーザ光の偏光方向を切替えて、露光用レーザ光が前記偏光板を透過できる状態にしてから、前記偏光板を元の位置に戻すことができるため、前記偏光板が元の位置に戻る際に、前記露光用レーザ光の一部が遮光されることなく、露光光量が維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施の形態に係る近接露光装置１を示す概念図である。
近接露光装置１は、露光用光源ユニット２と、フォトマスクユニット３と、シャッター部４、露光対象基板を搬送するワーク搬送装置５と、撮像手段６と、これらを制御する制御装置７と、を備えている。
以下の説明では、前記露光対象基板が、感光性樹脂としてのカラーレジストを塗布したカラーフィルタ基板（以下、単に「ワークＷ」という。）の場合について述べる。
【００１０】
ワークＷは、図１１に示すように、透明なガラス基板Ｗ１の一面にクロム等からなる不透明膜で構成されたブラックマトリックスＷ２と、このブラックマトリックスＷ２に略碁盤目状に設けられた多数の有色画素予定部（以下、単に「ピクセル」という）ＷＰとから構成される複数のアクティブ領域Ｗ３と、各アクティブ領域Ｗ３とアクティブ領域Ｗ３の間の非アクティブ領域Ｗ４ｘ、Ｗ４ｙ（ブラックマトリックス部分でもある）とを有しており、上面に赤、青、緑等の感光性樹脂（以下、単に「レジスト」という。）が塗布されているものである。
【００１１】
そして、非アクティブ領域Ｗ４ｘの幅ＷＬｘはアクティブ領域Ｗ３のピクセルＷＰのＸ軸方向のピッチＷＰｘの整数倍の長さに等しくなっており、非アクティブ領域Ｗ４ｙの幅ＷＬｙはアクティブ領域Ｗ３のピクセルＷＰのＹ軸方向のピッチＷＰｙの整数倍の長さに等しくなっている。
【００１２】
また、ワークＷには、アクティブ領域Ｗ３の外側であって、ワークＷの搬送方向（図１の矢印イの方向）の手前側にマークＷｍ１、Ｗｍ２が付されている。このマークＷｍ１、Ｗｍ２は後述のフォトマスク３１との姿勢ずれ（図１０の角度α）検知に用いられるものである。
【００１３】
露光用光源ユニット２は、フォトマスクユニット３の上方に配設されており、紫外領域の露光用レーザ光（以下、単に「レーザ光」という。）Ｌ１を放射するレーザ発振器２ａと、レーザ発振器２ａから放射されるレーザ光Ｌ１のビーム径を拡張した後に平行光の束にし、フォトマスク３１に垂直に照射するための光学系２ｂと、レーザ発振器２ａと光学系２ｂとの間に配設されて、レーザ発振器２ａから放射されるレーザ光Ｌ１の偏光方向を切替える偏光切替え手段２ｃと、を備えている。
【００１４】
レーザ発振器２ａは、レーザ光Ｌ１を間欠的に放射（以下、単に「間欠放射」という。）するためものであり、具体的には一定の偏光特性を有するＹＡＧレーザの発振器であり、制御装置７に接続されている。
そして、レーザ発振器２ａから放射されるレーザ光Ｌ１の偏光方向は後述の偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の偏光方向と９０°の角度を成すものである。
また、上記間欠放射のタイミングは、後述のようにワークWがフォトマスクユニット２の下側を通過する際に、ピクセルＷＰの１ピッチ（図１のＷＰｘ、ただし有色画素が千鳥配列になっている場合は、ＷＰｘの３倍のピッチ）ごとに照射されるように制御装置７によって制御される。
【００１５】
偏光方向切替え手段２ｃは、レーザ発振器２ａから放射されるレーザ光Ｌ１を９０°偏光するものであり、その構成は、図２のように、０〜９０度（遥動角）の間で遥動可能な扇状の偏光ブレード２ｃ１（レーザ光Ｌ１の波長λの１／２）と、偏光ブレード２ｃ１の遥動中心軸に取り付けられた遥動手段（図示せず）と、を有するものとなっており、制御装置７からの信号で９０°（ＯＦＦ状態）又は０°（ＯＮ状態）の回転位置が選択されるようになっている。
偏光ブレード２ｃ１を通過したレーザ光Ｌ１は、偏光方向が９０°回転して、レーザ光Ｌ２となり、後述のシャッター部４の各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の偏光方向と０°の角度をなすようになる。
そして、この偏光方向切替え手段２ｃは、露光開始時にはＯＦＦ状態（図２、図５（ｂ））になっており、フォトマスク３１に照射されるレーザ光Ｌ１のままであり、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３部で遮光される状態になっている。
【００１６】
フォトマスクユニット３は、図３のように、マスクホルダ３０と、マスクホルダ３０に取付けられたフォトマスク３１と、マスクホルダ３０のＹ軸、Ｚ軸方向への移動及びθ軸での遥動を行なうための、マスクホルダ駆動手段３２（図１）とを有している。
マスクホルダ駆動手段３２は、マスクホルダ３０上のフォトマスク３１を、所定のギャップ（例えば100〜300μm）を隔てて、ワークＷに近接対向させた状態で、保持するためのものであって、マスクホルダ３０のＹ軸、Ｚ軸方向への移動及びθ軸での遥動を行うための、各軸駆動手段（図示せず）を有している。
そして、ワークＷの搬送方向イに直角な方向（Ｙ軸方向）の幅に合わせて、Ｙ軸方向に一列に複数のフォトマスクユニット３が配列されている。
【００１７】
フォトマスク３１は、紫外光及び可視光を高効率で透過する透明基材３１ａ（例えば石英ガラス）と、透明基材３１ａに塗布されてレーザ光を遮光する遮光膜３１ｂと、遮光膜３１ｂにマトリックス状に配設されて、レーザ光を透過させる複数のマスクパターン３１ｃ（３１ｃ１、３１ｃ２、３１ｃ３）とを有している。
【００１８】
これによって、フォトマスク３１に照射されたレーザ光は、遮光膜３１ｂで反射されて、マスクパターン３１ｃ以外の面を通ってワークＷを照射することがないようになっている。
【００１９】
マスクパターン３１ｃは、ワークＷのピクセルＷＰの形状と略一致した形状を有している。そして、Ｙ軸方向に並列に、ピクセルＷＰのピッチ（ＷＰｙ）の３ピッチ間隔と一致した間隔で形成されており、またＸ軸方向にピクセルＷＰのピッチＷＰｘと同じピッチで形成されている。
なお、マスクパターン３１ｃのＸ軸方向（ワークＷの搬送方向に平行な方向）の配列数（３１ｃ１、３１ｃ２、３１ｃ３）は、前記レジスト膜の露光特性、一露光パターンあたりのレーザ発振器２ａのレーザ光照射回数及びレーザ光の強度等によって最適列数が異なる。
【００２０】
また、マスク駆動手段３２は制御装置７に接続されており、後述のように、制御部７０からの信号を受けて、マスクホルダ３０のＹ、Ｚ、θ軸（図３ｃ）に沿って、フォトマスク３１を移動（Ｙ、Ｚ軸）、回転（θ軸）するようになっている。
【００２１】
シャッター部４は、図６に示すように偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３から構成されており、フォトマスク３１の上方に近接して、ワークＷの搬送方向（矢印イの方向）上流側（図６に向かって右側）の位置であって、撮像手段６のラインセンサ６Ａと距離ＬＤ１隔てた、ワークＷの搬送方向の下流側（図６に向かって左側）に設けられており、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を図４の矢印ロ（図１の矢印イと同じ方向）、ハの方向（矢印ロと逆の方向）にシャッター駆動手段４０によって移動されるようになっている。なお、矢印ハの方向には、シャッター駆動手段４０によって前記早戻りできるようになっている。
【００２２】
遮光幅（Ｘ軸方向）の調整は、これら偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を、シャッター駆動手段４０によって、図４の矢印ロの方向に順に移動させることにより、マスクパターン３１ｃの３１ｃ１、３１ｃ２、３１ｃ３が順に遮光されるようになっている。
また、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の枚数は、これに限られず、フォトマスク３１の露光パターン３１ｃのＸ軸方向の個数と非アクティブ領域Ｗ４ｘの幅ＷＬｘによって枚数を変えるものである。
そして、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のＹ軸方向の長さは、フォトマスク３１のＹ軸方向の長さと略同じになっている。
【００２３】
シャッター駆動手段４０は、制御装置７に接続されており、後述のように、制御部７０からの信号を受けて、ワークＷの搬送速度Ｖに合わせて、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を順に図４の（ａ）〜（ｈ）のように移動させるようになっており、（ｈ）以降は偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が再び（ａ）の位置（原点位置）に早戻りして（ａ）〜（ｈ）を繰り返すものである。
【００２４】
なお、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の夫々の幅は、図４（ｄ）に示すようにフォトマスク３１の露光パターン３１ｃの各列を覆うことができるものであり、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が全て広がった状態で、フォトマスク３１の露光パターン３１ｃが全て遮光されるようになっている。
また、前記駆動手段には偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が共に前記原点位置及び（ｈ）の位置（ストローク位置）にあることを検出する原点復帰センサ（図示せず）及びストロークセンサ（図示せず）を備えている。
【００２５】
ワーク搬送装置５は、露光ユニット２の下方に配置されて、ステージ５０と搬送手段５１とを有している。
ステージ５０は上面に気体を噴出する多数の噴出孔（図示せず）と気体を吸引する多数の吸引口（図示せず）を有し、図示しない圧縮気体供給装置及び気体吸引装置に接続されて、気体の噴出、吸引のバランスによりワークＷをステージ５０の上に浮上させるようになっており、フォトマスク３１に対向する部分は、開口しており、この開口部分５２には、フォトマスク３１による露光位置の手前側の位置（図１に向かって右側）で、ワークＷを下側から撮像するための撮像手段６が、ワークＷに対向して設けられている。
【００２６】
搬送手段５１は、ワークＷの一部（ワークＷの搬送方向に平行な縁の一方）を図示しない把持手段で把持した状態で、ワークＷを矢印イの方向にステージ５０上を搬送できるようになっており、更に、ワークＷのステージ５０上のＸ軸方向の位置を検出する基板位置センサ（図示せず）を備えている。
【００２７】
また、撮像手段６は、図７に示すように、前記ワークＷの搬送方向イに直角な方向に多数の受光素子６０ａを一列に配列したラインセンサ６０と、このラインセンサ６０に平行な一直線上に設けられた、２個のフォトセンサ６０ｂ１、６０ｂ２を備えており、ワークＷを下側から撮像して、フォトセンサ６０ｂ１、６０ｂ２でマークＷｍ１、Ｗｍ２を撮像し、更に、前記ラインセンサ６０で図９に示すようにピクセルＷＰの前記エッジＰＡ１、ＰＡ２及びエッジＰＢを撮像するものである。
【００２８】
そして、ラインセンサ６０は、前記一列に配列された多数の受光素子６０ａのうちの所定の受光素子６０ａ１が、フォトマスク３１のマスクパターン３１ｃのＹ軸方向のエッジ３１ｃ１Ｂに対応するように配置されている。（図８）
更に、ラインセンサ６０は、初期設定時（露光作業開始前）において、フォトマスク３１とＸ軸方向の距離ＬＤを隔てて、Ｙ軸方向に平行に、ワークＷの前記搬送方向上流側に配設されている。この距離ＬＤはラインセンサ６０のＹ軸方向の中心と、フォトマスク３１の最初（ワークＷの搬送方向の上流側）の露光パターン３１ｃ１のＸ軸方向のエッジ３１ｃ１Ｃとの距離である。（図６）
なお、前記ＬＤ１とＬＤはＬＤ＞ＬＤ１の関係にある。
【００２９】
制御装置７は、レーザ発振器２ａを駆動するレーザコントローラ７１と、偏光方向切替え手段２ｃを駆動する偏光コントローラ７２、シャッター駆動手段４０を駆動するシャッタコントローラ７３、マスクホルダ駆動手段３２をコントロールするマスクコントローラ７４と、搬送手段５１をコンロールする搬送コントローラ７５と、撮像手段６からの画像データを処理する画像処理部７６と、これらを制御する制御部７０とを有している。そして、制御部７０には、前記各コントローラ７１〜７５、画像処理部７６の他、前記基板位置センサ、原点復帰センサ、ストロークセンサと外部入力手段７７が接続されている。
【００３０】
画像処理部７６では、撮像手段６のフォトセンサ６０ｂ１、６０ｂ２で撮像されたマークＷｍ１、Ｗｍ２の画像データと、ラインセンサ６０によって撮像されたワークＷのピクセルＷＰの画像データを受け取ってから、夫々の画像データが処理されて、マークＷｍ１、Ｗｍ２の夫々のエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａ及びエッジＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢが検出されるようになっている。
【００３１】
制御部７０では、画像処理部７４で検出された夫々のエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａのデータに基づいてエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａの検出時間の差異が算出されるとともに、予め制御部７０に入力されているワークＷの搬送速度Ｖとから、図１０に示すように、ラインセンサ６０に対するエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａを結ぶライン（Ｙ軸に平行）の成す角度（以下、単に「ワーク角度」という。）αが算出される。
そして、ワーク角度αは、前記初期設定時において、ワークＷとフォトマスク３１との成す角度でもあることから、ワーク角度αが予め決められた範囲α１内になるように、制御部７０からマスクコントロール部７４に制御信号が送られ、マスク駆動手段３２が駆動されるようになっている。
【００３２】
また、制御部７０では、画像処理部７６でエッジＰＡ１が検出されてから、後述のように、外部入力手段７７から予め制御部７０に入力されているワークＷの搬送速度Ｖから、ワークＷが、前記距離ＬＤを搬送されるに要する時間が算出されて、その得られた時間（Ｔ１）後に、制御部７０からレーザコントローラ７１にレーザ光Ｌ１の放射のための信号が送られるようになっている。
【００３３】
更に、制御部７０では、画像処理部７６で検出されたエッジＰＡ２が非アクティブ領域Ｗ４ｘのとの境界（以下、「特定エッジＰＡ２ａ」という）であるか否かの判断がされる。
なお、前記判断は、エッジＰＡ２を検出後、所定の時間（各ピクセルＰの間のワークＷの搬送方向のＷ２ａ（図９）の幅分をワークＷが通過する時間）経過後においても、ラインセンサ４０が新たなエッジＰＡ１を検出するか否かによって判断される。すなわち、前記所定の時間経過後に、新たなエッジＰＡ１が検出されない場合に、前記検出されたエッジＰＡ２は特定エッジＰＡ２ａであると判断される。
【００３４】
そして、更に、制御部７０では、ワークＷの搬送速度Ｖと露光パターン３１ｃ３のＸ軸方向のエッジ３１ｃ３Ｃとの距離ＬＤ２（図６）から、ワークＷが距離ＬＤ２を移動するに必要な時間（Ｔ２）が算出され、ラインセンサ７０がエッジＰＡ１を検出してからＴ２時間後（図４の（ａ）の状態になったとき）に、前記シャッター部４の各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を図４の（ａ）〜（ｈ）まで矢印ロの方向に順次移動させるための信号が、制御部７０からシャッタコントローラ７３に送られて、シャッター駆動手段４０が駆動され、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が順次移動されるようになっている。
また、ラインセンサ６０によって前記特定エッジＰＡ２ａが検出されてから、新たなエッジＰＡ１が検知された後、前記時間Ｔ２時（図４の（ｈ）の状態になったとき）にシャッター部４の各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を一体的に図４の（ａ）の状態の位置（図５のＬＤ１の位置と同じ）まで矢印ハの方向に早戻りさせるための信号がシャッタコントローラ７３に送られて、シャッター駆動手段４０が駆動され、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が、一体的に、一括して早戻しされるようになっている。
前記早戻り時には、制御部７０からの信号によって偏光方向切替え手段２ｃがＯＮ状態にされる。このため、レーザ光発振器２ａからのレーザ光Ｌ１は偏光され，レーザ光Ｌ２になり、偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を透過でき、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が一体的に図４の（ａ）の状態まで矢印ハの方向に早戻りされても、レーザ光Ｌ２の光量の低下による露光不良を生じない。
【００３５】
前記早戻りの速度は、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の重量、ワークＷの搬送速度Ｖ、露光光の強度、マスクパターン（３１ｃ）当たりのレーザ光の照射回数、ワークＷの前記レジストの感光特性等によって、最適速度が異なるものである。
【００３６】
次に、上記のように構成された近接露光装置１の露光動作について、図１から図１２に基づいて説明する。
まず、近接露光装置１の各構成機器が準備完了状態にされた後、ステップ１（ＳＴ１）において、外部入力手段７７から露光条件（露光光の強度、マスクパターン３１ｃに対するレーザ光の照射回数、ワークＷの搬送速度Ｖ等）、非アクティブ領域Ｗ４の幅Ｗ４ｘ、Ｗ４ｙ及び前記ＬＤ、ＬＤ１、ＬＤ２の値等が制御部７０に入力された後、ワークＷが搬送方向（矢印イの方向）に沿って、ワーク搬送装置５の所定の位置にセットされる。
なお、偏光方向切替え手段２ｃはＯＦＦの状態にされている。
【００３７】
次に、ステップ２（ＳＴ２）において、ワークＷが所定の速度Ｖで矢印イの方向に連続的に搬送され、ステージ５０の開口部５２の通過時において、撮像手段６によってワークＷのマークＷｍ１、Ｗｍ２及びピクセルＷＰの各エッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａ、ＰＡ１、ＰＢ、ＰＡ２が撮像されて、これらの撮像データが画像処理部７６に送信される。
【００３８】
次に、ステップ３（ＳＴ３）において、前記撮像データが画像処理部７６で２値化処理されて、それぞれのエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａ、ＰＡ１、ＰＢ、ＰＡ２が検出されて、それらのデータが制御部７０に送信されて、前記露光基板位置センサからのワークＷの位置データとエッジＷｍ１Ａ、Ｗｍ２Ａの検出位置からワーク角度αが演算され、その結果が予め設定されている許容角度α１との比較がなされると共に、エッジＰＢを検出した受光素子６０ａが予定の受光素子６０ａ１であるか否かの判断がなされる。
【００３９】
そして、ワーク角度αが許容範囲でない場合は、制御部７０からマスクコントローラ７４に信号が送られて、マスク駆動手段３２が駆動されて、ワーク角度αが許容角度α１になるように制御される。また、予め決めてある所定のピクセルＷＰのエッジＰＢを検知した受光素子６０ａが予定の受光素子６０ａ１でない場合は、エッジＰＢを検知した受光素子６０ａと受光素子６０ａ１との距離を両者の間に存在する受光素子６０ａの数から算出して、その結果に基づいた信号がマスクコントローラ７４に送られて、マスク駆動手段３２が駆動され、マスクホルダ３０とフォトマスク３１が一体的にＹ軸方向に移動される。
【００４０】
次に、ステップ４（ＳＴ４）において、最初のエッジＰＡ１の検出後の時間Ｔ１に、レーザコントローラ７１に制御部７０から信号が送信されて、レーザ光発振器２ａからのレーザ光Ｌ１が放射（以下、「フラッシュ」という。）されて、ワークＷのピクセルＷＰの１ピッチごとに、フラッシュが繰り返される。
【００４１】
次に、ステップ５（ＳＴ５）において、ラインセンサ６０によってエッジＰＡ１が検出されてから、前記時間Ｔ２後に、制御部７０からシャッタコントローラ７３に信号が送られ、シャッター駆動手段４０が駆動されて、シャッター部４の各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が図４の（ａ）〜（ｇ）に示すように順次移動される。
なお、レーザ光発振器２ａからのレーザ光Ｌ１は、ワークＷのピクセルＷＰの１ピッチ移動ごとに、照射が繰り返される。
【００４２】
次に、ステップ６（ＳＴ６）において、ラインセンサ６０によって，前記特定エッジＰＡ２ａが検出された後、新たなエッジＰＡ１が検出されてから、時間Ｔ２後に、制御部７０からシャッタコントローラ７３及び偏光コントローラ７２に信号が送信されて、偏光方向切替え手段２ｃがＯＮ状態にされて、レーザ光Ｌ１がレーザ光Ｌ２に偏光されてから、シャッター駆動手段４０が駆動されて、シャッター部４の各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が一括的（図４（ｈ））に原点位置（図４（ａ））に早戻りされる。
そして、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が原点復帰したことが、原点復帰センサ（図示せず）によって検知され、その検知信号が制御部７０に送信されて、制御部７０から偏光方向切替え手段２ｃの偏光コントローラ７２に信号が送られ偏光方向切替え手段２ｃがＯＦＦ状態に戻される。
【００４３】
その後は、ステップ２（ＳＴ２）からステップ６（ＳＴ６）が繰り返されて、ワークＷの露光対象領域が全て露光された後、露光作業が終了する。
【００４４】
以上の実施の形態では、本発明に係る多面取り露光用基板を近接露光装置について述べたが、投影露光装置に対しても、本発明に係る多面取り露光用基板を用いることができる。
また、以上の実施の形態では、レーザ発振器から放射されるレーザ光Ｌ１の偏光方向と偏光板の偏光方向の成す角度を９０°にしているが、レーザ発振器から放射されるレーザ光Ｌ１の偏光方向と偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の偏光方向の成す角度を０°にしてもよい。但し、この場合、偏光方向切替え手段の動作２ｃの動作は、アクティブ領域の露光時に、ＯＮ状態にし、各偏光板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が一括的に原点位置に早戻りされる時に、ＯＦＦ状態にされる。
更に、多面取り露光用基板にはマークＷｍ１、Ｗｍ２が付されているが、このマークＷｍ１、Ｗｍ２は付さなくてもよく、その場合は、フォトセンサ６０ｂ１、６０ｂ２またはラインセンサ６０でエッジＰＡを撮像した画像データに基づいて、ワークＷのワーク角度を算出して、前述のようにワークＷのワーク姿勢制御を行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態の近接露光装置の構成を示す概念図である。
【図２】偏光切替え手段の動作を説明するための説明図である。
【図３】図１の近接露光装置のフォトマスクユニットを示す概略図であって、夫々（ａ）はフォトマスクの平面図、（ｂ）はフォトマスクの側面図、（ｃ）はフォトマスクユニットの姿勢の説明のための鳥瞰図である。
【図４】レーザ光の偏光方向と偏光板の偏光方向との関係を示す説明図である。
【図５】シャッター部の動きとフォトマスク及びワークの位置関係を説明するための概    念図である。
【図６】撮像手段とシャッター部及びフォトマスクとのＸ軸方向の位置関係を説明する    ための概略図である。
【図７】撮像手段を示す概略図である。
【図８】ラインセンサとフォトマスクの関係を説明するための概念図である。
【図９】ラインセンサとワークのＹ軸方向の位置関係を説明するための概念図である。
【図１０】ラインセンサとワークの成す角度を説明するための概念図である。
【図１１】本発明の一実施の形態の多面取り露光用基板（ワーク）を示す平面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態のワークを図１の近接露光装置で露光する露光方法を説明するためのフローである。
【符号の説明】
【００４６】
１  近接露光装置
２  露光ユニット
３  フォトマスクユニット
４  シャッター
５  搬送装置
６  撮像手段
７  制御装置
２ａ  レーザ光発振器
２ｂ  光学系
２ｃ  偏光方向切替え手段
３１  フォトマスク
３１ｃ  マスクパターン
４０  ラインセンサ
４０ａ  受光素子
７０  制御部
７６  画像処理部
Ｗ  多面取り露光用基板（ワーク）
Ｗ２  ブラックマトリックス
Ｗ３  アクティブ領域
Ｗ４  非アクティブ領域
Ｗｍ１、Ｗｍ２  マーク  
ＷＰ  ピクセル
Ｐ１〜Ｐ３  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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