(57)【要約】【課題】信頼性の高い微細化された配線構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体基板上に形成された被接続部と、前記被接続部の上層に形成された所定の開口パターンを有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された所定の配線パターンを有する配線と、前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンとの論理積からなるパターンに含まれるパターンを有し、前記被接続部と前記配線とを接続するビアと、を含む。【選択図】図１
2010074010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された被接続部と、
前記被接続部の上層に形成された所定の開口パターンを有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された所定の配線パターンを有する配線と、
前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンとの論理積からなるパターンに含まれるパターンを有し、前記被接続部と前記配線とを接続するビアと、
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、前記被接続部の上層に形成されたビア層絶縁膜上に形成されたエッチングストッパ膜である、
請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記所定の開口パターンは、前記所定の配線パターンと重ならない領域を有する、
請求項１の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上に被接続部を形成する工程と、
前記被接続部の上層に所定の開口パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上および前記第１の絶縁膜の開口部内に第２の絶縁膜を形成する工程と、
所定の配線パターンを開口パターンに有するマスクを用いて前記第２の絶縁膜にエッチングを施すことにより、前記第２の絶縁膜の前記第１の絶縁膜上の領域に前記所定の配線パターンを有する第１の溝を形成し、前記第２の絶縁膜の前記第１の絶縁膜の開口部中の領域に前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンの論理積からなるパターンを有する第２の溝を形成する工程と、
前記第１および第２の溝に導電膜を埋め込むことにより、前記第１の溝内に配線を形成し、前記第２の溝内に前記被接続部と前記配線を接続するビアを形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上に被接続部を形成する工程と、
前記被接続部の上層にビア層絶縁膜を形成する工程と、
前記ビア層絶縁膜上に所定の開口パターンを有するエッチングストッパ膜を形成する工程と、
前記エッチングストッパ膜上および前記エッチングストッパ膜の開口部内に配線層絶縁膜を形成する工程と、
所定の配線パターンを開口パターンに有するマスクを用いて前記配線層絶縁膜およびビア層絶縁膜にエッチングを施すことにより、前記配線層絶縁膜中に前記所定の配線パターンを有する第１の溝を形成し、前記ビア層絶縁膜中に前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンの論理積からなるパターンを有する第２の溝を形成する工程と、
前記第１および第２の溝に導電膜を埋め込むことにより、前記第１の溝内に配線を形成し、前記第２の溝内に前記被接続部と前記配線を接続するビアを形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の多層配線構造の製造方法においては、通常、上下層の配線を接続するビアのためのビアホールは、ビアの水平方向の断面形状と同じ形状の開口部からなるビアパターンを有するフォトレジスト膜を用いて形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト工程においては、断面積の小さい部材のパターンほど、露光寸法を補正するために、開口部の寸法をデザイン寸法よりも大きく形成する必要がある。
【０００４】
そのため、特許文献１等に記載された技術によれば、フォトレジスト膜の配線パターンは、ほぼそのデザイン寸法通りに形成できるものの、配線と比較して水平方向の断面積が小さいビアのパターンは、そのデザイン寸法よりも開口部の寸法を大きく形成する必要がある。
【０００５】
そのため、近年の微細化された配線構造においては、ビアパターンの隣接する開口部間の間隔が狭くなるため、ビアの配置位置が制限され、配線構造の信頼性が低下するおそれがある。
【特許文献１】特開２００４−１９３６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、信頼性の高い微細化された配線構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、半導体基板上に形成された被接続部と、前記被接続部の上層に形成された所定の開口パターンを有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された所定の配線パターンを有する配線と、前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンとの論理積からなるパターンに含まれるパターンを有し、前記被接続部と前記配線とを接続するビアと、を含む半導体装置を提供する。
【０００８】
また、本発明の他の態様は、半導体基板上に被接続部を形成する工程と、前記被接続部の上層に所定の開口パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上および前記第１の絶縁膜の開口部内に第２の絶縁膜を形成する工程と、所定の配線パターンを開口パターンに有するマスクを用いて前記第２の絶縁膜にエッチングを施すことにより、前記第２の絶縁膜の前記第１の絶縁膜上の領域に前記所定の配線パターンを有する第１の溝を形成し、前記第２の絶縁膜の前記第１の絶縁膜の開口部中の領域に前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンの論理積からなるパターンを有する第２の溝を形成する工程と、前記第１および第２の溝に導電膜を埋め込むことにより、前記第１の溝内に配線を形成し、前記第２の溝内に前記被接続部と前記配線を接続するビアを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、半導体基板上に被接続部を形成する工程と、前記被接続部の上層にビア層絶縁膜を形成する工程と、前記ビア層絶縁膜上に所定の開口パターンを有するエッチングストッパ膜を形成する工程と、前記エッチングストッパ膜上および前記エッチングストッパ膜の開口部内に配線層絶縁膜を形成する工程と、所定の配線パターンを開口パターンに有するマスクを用いて前記配線層絶縁膜およびビア層絶縁膜にエッチングを施すことにより、前記配線層絶縁膜中に前記所定の配線パターンを有する第１の溝を形成し、前記ビア層絶縁膜中に前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンの論理積からなるパターンを有する第２の溝を形成する工程と、前記第１および第２の溝に導電膜を埋め込むことにより、前記第１の溝内に配線を形成し、前記第２の溝内に前記被接続部と前記配線を接続するビアを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、信頼性の高い微細化された配線構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
〔第１の実施の形態〕
（半導体装置の構造）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態係る半導体装置の配線構造を表す斜視図である。
【００１２】
半導体装置１は、トランジスタの形成された半導体基板（図示しない）上に形成された下層絶縁膜２と、下層絶縁膜２上に形成された第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３中に形成された下層配線９と、第１の絶縁膜３上に形成された第１の拡散防止膜７と、第１の拡散防止膜７上に形成された第３の絶縁膜５と、第３の絶縁膜５中に形成された第２の絶縁膜４、上層配線１０、およびビア１１と、第３の絶縁膜５上に形成された第２の拡散防止膜８、第２の拡散防止膜８上に形成された第４の絶縁膜６と、を含む。
【００１３】
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した半導体装置１の第１の絶縁膜３、第１の拡散防止膜７と、第３の絶縁膜５、第２の絶縁膜４、第２の拡散防止膜８、および第４の絶縁膜６の図示を省いた斜視図である。
【００１４】
下層絶縁膜２は、ＳｉＣＯ等の絶縁材料からなる。
【００１５】
第１の絶縁膜３は、ＳｉＣＯ等の絶縁材料からなる。
【００１６】
第２の絶縁膜４は、所定の開口パターンを有し、第１の拡散防止膜７上に形成される。また、第２の絶縁膜４は、ＳｉＣＯ等の絶縁材料からなる。
【００１７】
第３の絶縁膜５は、第２の絶縁膜４とのエッチング選択比を確保することのでき、さらに塗布法により成膜することができる、ポリアリーレン等の絶縁材料からなる。
【００１８】
第４の絶縁膜６は、ＳｉＣＯ等の絶縁材料からなる。
【００１９】
第１および第２の拡散防止膜７、８は、下層配線９、上層配線１０、およびビア１１に含まれる金属（Ｃｕ等）の拡散を防ぐ機能を有する。また、第１および第２の拡散防止膜７、８は、ＳｉＣＮ等の絶縁材料からなる。
【００２０】
下層配線９、上層配線１０、およびビア１１は、Ｃｕ等の導電材料と、その表面に形成されたＴａ等の導電材料（バリアメタル）からなる。
【００２１】
上層配線１０は、第２の絶縁膜４上に形成される。
【００２２】
ビア１１は、第２の絶縁膜４と同じ層に形成され、下層配線９と上層配線１０とを接続する。また、ビア１１は、第２の絶縁膜４の所定の開口パターンと、上層配線１０の配線パターンとの論理積からなるパターンを有する。
【００２３】
（半導体装置の製造方法）
図２Ａ（ａ）〜（ｄ）、図２Ｂ（ｅ）〜（ｇ）、図２Ｃ（ｈ）〜（ｊ）、は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【００２４】
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、トランジスタの形成された半導体基板（図示しない）上に形成された下層絶縁膜２上に、第１の絶縁膜３および開口部２０ａからなる開口パターンを有する第１のマスク２０を形成する。ここで、第１のレジスト２０の開口パターンは、下層配線９の配線パターンと等しい。
【００２５】
下層絶縁膜２および第１の絶縁膜３は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される。第１のレジスト２０は、フォトリソグラフィ工程等により形成される。
【００２６】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等により、第１のレジスト２０をマスクとして第１の絶縁膜３にエッチングを施し、溝３ａを形成する。なお、第１のレジスト２０は、第１の絶縁膜３のエッチング後に剥離される。
【００２７】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、下層絶縁膜２および第１の絶縁膜３上に、第１の絶縁膜３の溝３ａを埋めるように第１の導電膜２１を形成する。第１の導電膜２１は、具体的には、例えば、次のような方法により形成される。
【００２８】
まず、スパッタ法によりＴａ膜を約１０ｎｍを成膜する。次に、スパッタ法によりＴａ膜上に、シードとして機能するＣｕ膜を約５０ｎｍ成膜する。次に、めっき法により、シードであるＣｕ膜上に、Ｃｕ膜を約８００ｎｍ成膜する。
【００２９】
次に、図２Ａ（ｄ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等により、第１の導電膜２１に平坦化処理を施して開口部３ａの外側の部分を除去し、下層配線９を形成する。
【００３０】
次に、図２Ｂ（ｅ）に示すように、第１の絶縁膜３および下層配線９上に、第１の拡散防止膜７、第２の絶縁膜４、および開口部２２ａからなる開口パターンを有する第２のレジスト２２を形成する。
【００３１】
第２のレジスト２２の上面図を図３（ａ）に示す。なお、図３（ａ）および後述する図３（ｂ）、（ｃ）の鎖線Ａ−Ａにおける断面の位置が、図１（ａ）、（ｂ）、および図２Ａ（ａ）〜（ｄ）、図２Ｂ（ｅ）〜（ｇ）、図２Ｃ（ｈ）〜（ｊ）の断面の位置に対応する。
【００３２】
第２のレジスト２２は、少なくとも、上層配線１０の配線パターンと下層配線９の配線パターンとの論理積からなるパターンの、ビア１１を形成しない領域をマスクする。すなわち、上層配線１０の配線パターンと第２のレジスト２２の開口パターンの論理積がビア１１のビアパターンとなる。
【００３３】
各開口部２２ａは、デザイン寸法に近い寸法に形成するために、ビア１１の水平方向の断面積よりも大きく形成することが好ましい。故に、第２のレジスト２２の開口パターンは、上層配線１０の配線パターンと重ならない領域を有することが好ましい。また、第２のレジスト２２の開口パターンは、下層配線９の配線パターンと重ならない領域を有することが好ましい。
【００３４】
なお、上層配線１０の配線パターンと第２のレジスト２２の開口パターンの論理積が下層配線９の配線パターンと重ならない位置にあってもよい。この場合、下層配線９に接続されないビアライクな部材が形成されるが、第２のレジスト２２の開口部２２ａを大きく形成することができるため、開口部２２ａの寸法をデザイン寸法により近づけることができる。ただし、ビアライクな部材と、周辺の異電位の下層配線９との距離が近い場合は、短絡等の危険があるため、これらの距離が近付き過ぎないようにすることが求められる。また、ビアライクな部材が、下層配線９のさらに下層の配線に接触して短絡することも避けるようにする。なお、ビアライクな部材が形成される場合、上層配線１０の配線パターンと第２のレジスト２２の開口パターンの論理積からなるパターンが、ビア１１のパターン以外の部分を含む。
【００３５】
第１の拡散防止膜７は、例えば、ＣＶＤ等により、約３０ｎｍの厚さに形成される。第２の絶縁膜４は、ＣＶＤ等により形成される。また、第１の拡散防止膜７と第２の絶縁膜４の厚さの合計は、ビア１１の高さとほぼ等しい。第２のレジスト２２は、フォトリソグラフィ工程等により形成される。
【００３６】
次に、図２Ｂ（ｆ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングにより、第２のレジスト２２をマスクとして第２の絶縁膜４をエッチングし、開口部４ａからなる開口パターンを形成する。ここで、第２の絶縁膜４のエッチングは、第１の拡散防止膜７で止めることが好ましい。なお、第２のレジスト２２は、第２の絶縁膜４のエッチング後に剥離される。
【００３７】
次に、図２Ｂ（ｇ）に示すように、第１の拡散防止膜７および第２の絶縁膜４上に、第３の絶縁膜５、および開口部２３ａからなる開口パターンを有する第３のレジスト２３を形成する。第３の絶縁膜５は、第２の絶縁膜４の開口部４ａを埋めるように形成される。第３の絶縁膜５の開口パターンは、上層配線１０の配線パターンに等しい。第３のレジスト２３の上面図を図３（ｂ）に示す。
【００３８】
第３の絶縁膜５は、例えば、ＣＶＤ等により形成される。例えば、第３の絶縁膜５がポリアリーレンからなる場合、第３のレジスト２３は、下層のＳｉ系のＳＯＧ（Spin On Glass）膜と上層の有機膜からなる多層膜を用いることができる。また、第３の絶縁膜５の第２の絶縁膜４の上面からの厚さは、上層配線１０の高さにほぼ等しい。第３のレジスト２３は、フォトリソグラフィ工程等により形成される。
【００３９】
次に、図２Ｃ（ｈ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングにより、第３のレジスト２３をマスクとして第３の絶縁膜５および第１の拡散防止膜７にエッチングを施し、第３の絶縁膜５の第２の絶縁膜４上の領域に溝５ａを形成し、第３の絶縁膜５の開口部５ａ中および第１の拡散防止膜７中の領域に溝５ｂを形成する。ここで、第２の絶縁膜４がエッチングストッパとして働き、第２の絶縁膜４下の第１の拡散防止膜７にはエッチングが及ばないため、溝５ｂのパターンは、第３のレジスト２３の開口パターン（すなわち、上層配線１０の配線パターン）と第２のレジスト２２の開口パターンとの論理積からなるパターンに含まれる。なお、第３のレジスト２３は、第３の絶縁膜５のエッチング中に剥離される。
【００４０】
図３（ｃ）は、第２のレジスト２２上に第３のレジスト２３を重ねた様子を示す上面図である。ここで、第３のレジスト２３の開口パターン（すなわち、上層配線１０の配線パターン）と第２のレジスト２２の開口パターンの論理積が、図３（ｃ）に示される開口部２５からなるパターンとなる。溝５ｂのパターンは、この開口部２５からなるパターンに一致する。
【００４１】
なお、第２のレジスト２２の開口部２２ａの長手方向と、第３のレジスト２３の開口部２３ａの長手方向は直交しなくてもよいが、それぞれの開口パターンの形成が容易になるため、直交することが好ましい。すなわち、第２のレジスト２２のラインパターンと第３のレジスト２３が直交することが好ましい。
【００４２】
また、図３（ｃ）に示されるように、１つの開口部２２ａが２つの開口部２３ａと重なる領域がある。このような、１つの開口部２２ａが複数の開口部２３ａと重なる領域においては、開口部２５の数（すなわち、ビア１１の数）に対する開口部２２ａの数を減らし、かつ１つの開口部２２ａの面積を大きくすることができるため、第３のレジスト２３の開口パターンをデザイン寸法により近い寸法で形成することができる。この場合、１つの開口部２２ａ中に複数のビア１１が形成される。
【００４３】
次に、図２Ｃ（ｉ）に示すように、下層配線９、第２の絶縁膜４および第３の絶縁膜５上に、溝５ａ、５ｂを埋めるように第２の導電膜２４を形成する。第２の導電膜２４は、第１の導電膜２１と同様の方法により形成される。
【００４４】
次に、図２Ｃ（ｊ）に示すように、ＣＭＰ等により、第２の導電膜２４に平坦化処理を施して開口部５ａの外側の部分を除去し、ビア１１および上層配線１０を形成し、その後、第３の絶縁膜５および上層配線１０上に第２の拡散防止膜８および第４の絶縁膜６を形成する。
【００４５】
第２の拡散防止膜８は、例えば、ＣＶＤ等により、約３０ｎｍの厚さに形成される。第４の絶縁膜６は、ＣＶＤ等により形成される。
【００４６】
図４（ａ）は、下層配線９とビア１１の配置関係を表した上面図である。本実施の形態においては、下層配線９に接続されないビアライクな部材が形成されないため、図３（ｃ）に示される開口部２５からなるパターン（すなわち、溝５ｂのパターン）と、ビア１１のパターンとが一致する。
【００４７】
図４（ｂ）は、下層配線９、ビア１１および上層配線１０の配置関係を表した上面図である。
【００４８】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態によれば、ビア１１のパターンをビア１１の水平方向の断面積よりも大きいパターンを組み合わせて形成することにより、ビア１１のパターンをデザイン寸法に近い寸法のパターンを用いて形成することができる。そのため、ビアパターンの隣接する開口部間の間隔が狭くなり、ビアの配置位置が制限されることを防ぎ、配線構造の信頼性の低下を抑えることができる。
【００４９】
また、上層配線１０の配線パターンおよびビア１１のビアパターンの双方を線状の開口部からなるラインパターンのみを用いて形成することができるため、従来のように配線形成用のマスクパターンとビア形成用のマスクパターンに対して個別に光近接効果補正を行う必要がない。
【００５０】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態は、ビアパターン形成に用いる所定の開口パターンをエッチングストッパ膜に形成する点において第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については説明を省略または簡略化する。
【００５１】
（半導体装置の製造方法）
図５Ａ（ａ）〜（ｃ）、図５Ｂ（ｄ）、（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【００５２】
まず、図２Ａ（ｄ）に示した下層配線９を形成する工程までの工程を第１の実施の形態と同様に行う。なお、第１の実施の形態に係る第２の絶縁膜４は、本実施の形態のビア層絶縁膜１２に対応する。ビア層絶縁膜１２は、ビア１１の形成される層に主に位置する絶縁膜である。
【００５３】
次に、図５Ａ（ａ）に示すように、第１の絶縁膜３および下層配線９上に、第１の拡散防止膜７、ビア層絶縁膜１２、エッチングストッパ膜１３、および開口部２２ａからなる開口パターンを有する第２のレジスト２２を形成する。
【００５４】
エッチングストッパ膜１３は、後述する配線層絶縁膜１４とのエッチング選択比を確保することのできる、ＳｉＣ等の絶縁材料からなり、ＣＶＤ等により形成される。
【００５５】
次に、図５Ａ（ｂ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングにより、第２のレジスト２２をマスクとしてエッチングストッパ膜１３をエッチングし、開口部１３ａからなる開口パターンを形成する。なお、このとき、エッチングストッパ膜１３下のビア層絶縁膜１２にエッチングが及んでもよい。第２のレジスト２２は、エッチングストッパ膜１３のエッチング後に剥離される。
【００５６】
次に、図５Ａ（ｃ）に示すように、ビア層絶縁膜１２およびエッチングストッパ膜１３上に、配線層絶縁膜１４および開口部２３ａからなる開口パターンを有する第３のレジスト２３を形成する。配線層絶縁膜１４は、エッチングストッパ膜１３の開口部１３ａを埋めるように形成される。第３のレジスト２３の開口パターンは、上層配線１０の配線パターンに等しい。
【００５７】
次に、図５Ｂ（ｄ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングにより、第３のレジスト２３をマスクとして配線層絶縁膜１４、ビア層絶縁膜１２、および第１の拡散防止膜７にエッチングを施し、配線層絶縁膜１４中に溝１４ａを形成し、エッチングストッパ膜１３、ビア層絶縁膜１２、および第１の拡散防止膜７中に溝１２ａを形成する。ここで、エッチングストッパ膜１３下のビア層絶縁膜１２および第１の拡散防止膜７にはエッチングが及ばないため、溝１２ａのパターンは、第３のレジスト２３の開口パターン（すなわち、上層配線１０の配線パターン）とエッチングストッパ膜１３の開口パターンとの論理積からなるパターンに含まれる。なお、第３のレジスト２３は、配線層絶縁膜１４のエッチング後に剥離される。
【００５８】
その後、図５Ｂ（ｅ）に示すように、上層配線１０、ビア１１、第２の拡散防止膜８、および第４の絶縁膜６を第１の実施の形態と同様の工程により形成する。
【００５９】
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態によれば、ビア層絶縁膜１２上にエッチングストッパ膜１３を形成し、第１の実施の形態に係る第２の絶縁膜４の開口パターンをエッチングストッパ膜１３に形成するため、ビア層絶縁膜１２と配線層絶縁膜１４との材料の組み合わせをエッチング選択比が高いものにする必要がなく、それぞれの材料の選択の幅が拡がる。例えば、ビア層絶縁膜１２と配線層絶縁膜１４を同一の材料から形成してもよい。
【００６０】
〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態は、上層配線、下層配線、およびビアのレイアウトにおいて第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については説明を省略または簡略化する。
【００６１】
図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の第３の実施の形態に係る第２のレジスト３０、第３のレジスト３１の上面図である。また、図６（ｃ）は、第２のレジスト３２上に第３のレジスト３１を重ねた様子を示す上面図である。
【００６２】
第２のレジスト３０は、第１の実施の形態に係る第２のレジスト２２に対応し、第２のレジスト２２と異なる、開口部３０ａからなる開口パターンを有する。第３のレジスト３１は、第１の実施の形態に係る第３のレジスト２３に対応し、第３のレジスト２３と異なる、開口部３１ａからなる開口パターンを有する。
【００６３】
ここで、第３のレジスト３１の開口パターン（すなわち、後述する上層配線３４の配線パターン）と第２のレジスト３０の開口パターンの論理積が、図６（ｃ）に示される開口部３２からなるパターンとなる。
【００６４】
図７（ａ）は、下層配線３３とビア３５の配置関係を表した上面図である。下層配線３３は、第１の実施の形態に係る下層配線９に対応し、下層配線９と異なる配線パターンを有する。ビア３５は、第１の実施の形態に係るビア１１に対応し、ビア１１と異なるビアパターンを有する。
【００６５】
図７（ｂ）は、下層配線３３、ビア３５および上層配線３４の配置関係を表した上面図である。上層配線３４は、第１の実施の形態に係る上層配線１０に対応し、上層配線１０と異なる配線パターンを有する。
【００６６】
本実施の形態においては、下層配線３３に接続されないビアライクな部材が形成されないため、図６（ｃ）に示される開口部３２からなるパターンと、ビア３５のパターンとが一致する。下層配線３３に接続されないビアライクな部材が形成された場合は、上層配線３４の配線パターンと第２のレジスト３０の開口パターンの論理積からなるパターンが、ビア３５のパターン以外の部分を含む。
【００６７】
本発明の第３の実施の形態は、上層配線の配線パターンがラインパターン以外のパターンを含んだ場合であっても、第１の実施の形態と同様に、第２のレジストの開口パターンと第３のレジストの開口パターンとを組み合わせてビアのパターンを形成できることを示している。
【００６８】
本発明の第３の実施の形態によれば、ビア３５のパターンをビア３５の水平方向の断面積よりも大きいパターンを組み合わせて形成することにより、ビア３５のパターンをデザイン寸法に近い寸法のパターンを用いて形成することができる。そのため、ビアパターンの隣接する開口部間の間隔が狭くなり、ビアの配置位置が制限されることを防ぎ、配線構造の信頼性の低下を抑えることができる。
【００６９】
〔他の実施の形態〕
なお、上記各実施の形態は一実施の形態に過ぎず、本発明はこれらに限定されずに、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、ビア１１、３５を介して上層配線１０、３４に接続される部材は下層配線９、３３に限られず、下層配線９、３３の代わりに、トランジスタのソース・ドレイン領域や、ゲート電極のコンタクト部を用いてもよい。
【００７０】
また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態係る半導体装置の配線構造を表す斜視図である。
【図２Ａ】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【図２Ｂ】（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【図２Ｃ】（ｈ）〜（ｊ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【図３】（ａ）は第２のレジスト２２の上面図、（ｂ）は第３のレジスト２３の上面図、（ｃ）は第２のレジスト２２上に第３のレジスト２３を重ねた様子を示す上面図である。
【図４】（ａ）は、下層配線９とビア１１の配置関係を表した上面図、（ｂ）は、下層配線９、ビア１１および上層配線１０の配置関係を表した上面図である。
【図５Ａ】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【図５Ｂ】（ｄ）、（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を表す断面図である。
【図６】（ａ）は第２のレジスト３０の上面図、（ｂ）は第３のレジスト３１の上面図、（ｃ）は第２のレジスト３０上に第３のレジスト３１を重ねた様子を示す上面図である。
【図７】（ａ）は、下層配線３３とビア３５の配置関係を表した上面図、（ｂ）は、下層配線３３、ビア３５および上層配線３４の配置関係を表した上面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  半導体装置、  ４  第２の絶縁膜、  ４ａ  開口部、  ５  第３の絶縁膜、  ５ａ、５ｂ  溝、  ９、３３  下層配線、  １０、３４  上層配線、  １１、３５  ビア、  １２  ビア層絶縁膜、  １２ａ  溝、  １３  エッチングストッパ膜、  １３ａ  開口部、  １４  配線層絶縁膜、  １４ａ  溝、  ２４  第２の導電膜
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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