(57)【要約】【課題】二波長半導体レーザ装置に含まれる２つのレーザ部間相互の電気的特性の相違を緩和させる。【解決手段】二波長半導体レーザ装置において、同一基板上において第１発光波長を有する第１レーザ部と第２発光波長を有する第２レーザ部とが形成されており、第１と第２のレーザ部の各々は基板側から第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層をこの順で含み、第１と第２のレーザ部に含まれる活性層は互いに異なるバンドギャップを有し、第１と第２のレーザ部における活性層と第２導電型クラッド層とのバンドギャップの差がそれぞれＥｇ１とＥｇ２であってＥｇ１＞Ｅｇ２の関係にあり、そして第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな導電率を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上において第１発光波長を有する第１レーザ部と第２発光波長を有する第２レーザ部とが形成されており、
第１と第２のレーザ部の各々は基板側から第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層をこの順で含み、
第１と第２のレーザ部に含まれる活性層は互いに異なるバンドギャップを有し、
第１と第２のレーザ部における活性層と第２導電型クラッド層とのバンドギャップの差がそれぞれＥｇ１とＥｇ２であってＥｇ１＞Ｅｇ２の関係にあり、
第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな導電率を有していることを特徴とする二波長半導体レーザ装置。
【請求項２】
第１と第２のレーザ部に含まれる第２導電型クラッド層は、ＩＩＩ族元素とＶ族元素に関して同じ組成比を有していることを特徴とする請求項１に記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項３】
第１と第２のレーザ部の各々に含まれるレーザ共振器の端面部においてレーザ発光波長の光が透過する窓部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項４】
第１レーザ部の第２導電型クラッド層はキャリア濃度が異なる複数の第２導電型サブクラッド層を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項５】
活性層から遠い第２導電型サブクラッド層のキャリア濃度は、活性層に近い第２導電型サブクラッド層に比べて大きくかつ１ｘ１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする請求項４に記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項６】
第１と第２のレーザ部における直列抵抗の差が０．５Ω以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項７】
第１と第２のレーザ部における動作電圧の差が０．５Ｖ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項８】
第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな熱伝導率を有することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項９】
第１レーザ部は第２レーザ部に比べて小さな幅を有していることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【請求項１０】
第１レーザ部の活性層はＡｌＧａＡｓであって、第２レーザ部の活性層はＡｌＧａＩｎＰであり、第１と第２のレーザ部に含まれるいずれのクラッド層もＡｌＧａＩｎＰであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の二波長半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録ディスクの読出しや書込みなどに用いられる半導体レーザ装置に関し、特に同一基板上において互いに異なる波長で動作する二つの半導体レーザ部を含む二波長半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を利用した半導体レーザ装置は、ＣＤやＤＶＤなどの記録ディスクの読出しと書込み用の光源として用いられている。近年では、ＣＤとＤＶＤのそれぞれに適した波長７８０ｎｍ帯の半導体レーザ部と波長６６０ｎｍ帯の半導体レーザ部が同一基板上に形成された二波長半導体レーザ装置が作製されている（特許文献１から５参照）。このような二波長半導体レーザ装置は、ピックアップ光学系の部品点数削減、小型化、および光路調整のし易さなどの利点からＤＶＤ／ＣＤドライブの用途に好ましく用いられ、さらには青色半導体レーザ装置と組合わされてブルーレイディスクのドライブにおいても今後の主流として利用されるであろう。
【０００３】
二波長半導体レーザのうちで、書込み用途として用いる高出力レーザにおいては、ＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage:壊滅的光学損傷）出力の向上のために、レーザ端面近傍を光吸収のない窓構造にすることが有効である。すなわち、窓領域において活性層はＺｎ拡散で無秩序化されてバンドギャップが拡大され、これによって窓領域はレーザ光に対する吸収のない構造に変化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９０６４９号公報
【特許文献２】特開２００６−１００５１７号公報
【特許文献３】特開２００８−０６６４１５号公報
【特許文献４】特開２００７−０８８１８８号公報
【特許文献５】特開２００８−０２８１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のようなＺｎ拡散は、活性層を含む半導体積層体の上面にＺｎの供給源としての例えばＺｎＯ膜を設けて熱処理することによって行なうことができる。しかし、半導体積層体の上面からＺｎが活性層まで拡散する途中のクラッド層のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体組成が異なれば、同じ熱処理条件でもＺｎの拡散深さが異なる。
【０００６】
他方、二波長半導体レーザ装置においては、プロセスの簡略化のために、波長の異なる二つのレーザ部のそれぞれに対する窓形成を１回のＺｎ拡散プロセスで同時に実施できることが望まれる。そのために、７８０ｎｍ帯と６６０ｎｍ帯のいずれの半導体レーザ部においても、それらのクラッド層としては同じＡＧａＩｎＰが用いられる。
【０００７】
７８０ｎｍ帯レーザ部においてＡｌＧａＩｎＰクラッド層／ＡｌＧａＡｓ活性層の構成を用いた場合、活性層とクラッド層の間におけるエネルギバンドの不連続性が、通常の７８０ｎｍ帯レーザ素子におけるＡｌＧａＡｓクラッド層／ＡｌＧａＡｓ活性層の構成の場合に比べて大きくなる（ここで、クラッド層と活性層においてＩＩＩ族元素中のＡｌとＧａの組成比が互いに異なることは言うまでもない）。その結果、７８０ｎｍ帯レーザ部において、特に有効質量が大きいホールの活性層への注入に対してｐ側クラッド層と活性層との間のエネルギ障壁が妨げとなり、そのレーザ部の動作電圧あるいは電気抵抗が上昇する問題が生じる。
【０００８】
図４の模式的なエネルギバンド図は、そのようなＡｌＧａＩｎＰクラッド層／ＡｌＧａＡｓ活性層の界面における障壁を表している。すなわち、図４において、縦軸Ｅは電子のエネルギレベルを表し、破線の左側の領域はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を表し、そして破線の右側の領域はＡｌＧａＡｓ活性層を表している。この図に示されているように、充満帯中において白丸印で表されたホールがクラッド層から活性層へ注入される際に、層界面におけるエネルギバンドの不連続性がホールの移動に対する障壁として作用する。
【０００９】
ところで、二波長半導体レーザ装置の駆動においては、二つのレーザ部に対して同じ駆動回路系が用いられる。しかし、６６０ｎｍ帯レーザ部に比べて７８０ｎｍ帯レーザ部の動作電圧または電気抵抗が高ければ、同じ駆動回路では、その７８０ｎｍ帯レーザ部において短パルス動作での回路マッチングの不良や駆動電源の電圧不足など不具合が生じる。
【００１０】
本発明は、二波長半導体レーザ装置に含まれる２つのレーザ部間相互の電気的特性の相違を緩和さることによって、上述のような先行技術における問題が改善された二波長半導体レーザ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による二波長半導体レーザ装置では、同一基板上において第１発光波長を有する第１レーザ部と第２発光波長を有する第２レーザ部とが形成されており、第１と第２のレーザ部の各々は基板側から第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層をこの順で含み、第１と第２のレーザ部に含まれる活性層は互いに異なるバンドギャップを有し、第１と第２のレーザ部における活性層と第２導電型クラッド層とのバンドギャップの差がそれぞれＥｇ１とＥｇ２であってＥｇ１＞Ｅｇ２の関係にあり、そして第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな導電率を有していることを特徴としている。
【００１２】
なお、第１と第２のレーザ部に含まれる第２導電型クラッド層は、ＩＩＩ族元素とＶ族元素に関して同じ組成比を有し得る。また、第１と第２のレーザ部の各々に含まれるレーザ共振器の端面部において、レーザ発光波長の光が透過する窓部が設けられ得る。
【００１３】
第１レーザ部の第２導電型クラッド層は、キャリア濃度が異なる複数の第２導電型サブクラッド層を含むことができる。この場合に、活性層から遠い第２導電型サブクラッド層のキャリア濃度は、活性層に近い第２導電型サブクラッド層に比べて大きくかつ１ｘ１０18ｃｍ-3以上であることが望ましい。
【００１４】
第１と第２のレーザ部における直列抵抗の差は、０．５Ω以下であることが望ましい。また、第１と第２のレーザ部における動作電圧の差は、０．５Ｖ以下であることが望ましい。
【００１５】
第１レーザ部の第２導電型クラッド層は、第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな熱伝導率を有し得る。この場合に、第１レーザ部の幅は、第２レーザ部に比べて小さくされ得る。
【００１６】
より具体的には、第１レーザ部の活性層はＡｌＧａＡｓであって、第２レーザ部の活性層はＡｌＧａＩｎＰであり、そして第１と第２のレーザ部に含まれるいずれのクラッド層もＡｌＧａＩｎＰであり得る。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい７８０ｎｍ帯レーザ部のクラッド層のキャリア濃度を高めてそのクラッド層の電気抵抗値を小さくすることによって、６６０ｎｍ帯レーザ部との比較における直列抵抗の差を小さくした二波長半導体レーザ装置を提供することができる。また、７８０ｎｍ帯レーザ部のクラッド層の電気抵抗値改善によって放熱性も改善されるので、その７８０ｎｍ帯レーザ部の幅を狭くでき、二波長半導体レーザ装置の製造原価を低減させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例１による二波長半導体レーザ装置の積層構造を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施例２による二波長半導体レーザ装置の積層構造を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の実施例３による二波長半導体レーザ装置の積層構造を示す模式的断面図である。
【図４】７８０ｎｍ帯レーザ部におけるｐ型クラッド層と活性層との間のエネルギバンド構造の一例を示す模式的グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明では、上述の先行技術における問題を解決するために、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい７８０ｎｍ帯レーザ部のクラッド層のキャリア濃度を高めてそのクラッド層の抵抗値を小さくすることによって、６６０ｎｍ帯レーザ部との比較における直列抵抗差を小さくした二波長半導体レーザ装置を提供する。
【００２０】
ただし、二波長半導体レーザ装置に含まれる各レーザ部のクラッド層のキャリア濃度は、ｐ型クラッド層で１×１０18ｃｍ-3以上であることが望ましい。ｐ型キャリア濃度が、１×１０18ｃｍ-3未満である場合、各レーザ部の温度特性が不十分になって、ディスク書込み用途として望ましい８０℃以上での動作が困難になる。他方、ｐ型キャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3を超える設定にすれば、活性層へのドーパントの拡散が大きくなり、各レーザ部の閾値電流の上昇や発光効率低下などの不具合が生じる。したがって、ｐ型キャリア濃度としては、２×１０18ｃｍ-3以下であることが望ましい。
【００２１】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１による二波長半導体レーザ装置の積層構造を模式的な断面図で示している。この二波長半導体レーザ装置に含まれる７８０ｎｍ帯レーザ部Ｌ１においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３ａ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第クラッド層４ａ、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層（図示せず）で挟み込んだアンドープＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのＭＱＷ（多重量子井戸）活性層５ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａ、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７ａ、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８ａが順次積層されている。
【００２２】
他方、二波長半導体レーザ装置に含まれる６６０ｎｍ帯レーザ部Ｌ２においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３ｂ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４ｂ、アンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層（図示せず）で挟み込んだアンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰのＭＱＷ活性層５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７ｂ、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８ｂが順次積層されている。
【００２３】
なお、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料において、ＡｌＰ、ＧａＰ、およびＩｎＰはこの順に大きなバンドギャップを有し、同様にＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、およびＩｎＡｓはこの順に大きなバンドギャップを有している。また、ＡｌＰ、ＧａＰ、およびＩｎＰはそれぞれＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、およびＩｎＡｓに比べて大きなバンドギャップを有している。そして、これらのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は互いに混晶を形成することができ、その混晶の組成比を適宜に選択することによってバンドギャップを調節することができる。
【００２４】
本実施例１では、７８０ｎｍ帯レーザ部のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａと６６０ｎｍ帯レーザ部のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ｂとは、ＩＩＩ族元素中で同じ０．７のＡｌ組成比を有し、かつ同じ厚み１．３μｍを有している。ただし、ｐ型クラッド層６ａのキャリア濃度は１．３×１０18ｃｍ-3であり、ｐ型クラッド層６ｂのキャリア濃度は１．０×１０18ｃｍ-3である。すなわち、６６０ｎｍ帯レーザ部に比べて、７８０ｎｍ帯レーザ部のｐ型クラッド層６ａは大きいキャリア濃度に設定されている。
【００２５】
図１に示されているような二波長半導体レーザ装置の作製においては、７８０ｎｍ帯レーザ部の半導体積層構造を例えばＭＯＣＶＤ（有機金属気相堆積）装置で結晶成長させた後に、その一部領域をｎ型ＧａＡｓバッファ層２まで除去し、その除去された領域に６６０ｎｍ帯レーザ部の半導体積層構造を結晶成長させる。
【００２６】
そうして得られた半導体積層構造においてレーザ端面部に対応する上面（例えばレーザ端面から幅４０μｍ）にＺｎＯ膜をフォトリソグラフィ工程で選択的に形成し、その上面をＳｉＯ2膜でカバーした後に窒素雰囲気中で熱処理する。この熱処理によって半導体積層構造の上面からレーザ端面部にＺｎを拡散させ、活性層を混晶化させて端面窓領域を形成する。
【００２７】
その後、６６０ｎｍ帯レーザ部と７８０ｎｍ帯レーザ部のそれぞれのストライプ状リッジをフォトリソグラフィ工程で形成し、それらのリッジの表面を除く領域がＳｉＯ2膜９で覆われる。そして、半導体積層構造の上面側に正電極層１０が形成され、ｎ型基板１の下面に負電極層１１が形成される。
【００２８】
本実施例１の二波長半導体レーザ装置では共振器長が１７００μｍでチップ幅が２５０μｍであり、６６０ｎｍ帯レーザ部と７８０ｎｍ帯レーザ部の幅はともに１００μｍに設定された。この構造の二波長半導体レーザ装置においては、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい７８０ｎｍ帯レーザ部のｐ型クラッド層６ａのキャリア濃度を高くすることによって、７８０ｎｍ帯レーザ部で直列抵抗Ｒｄ＝２．３Ωであって、６６０ｎｍ帯レーザ部でＲｄ＝２．４Ωであり、それらの抵抗値の差を小さくすることができた。また、７８０ｎｍ帯レーザ部と６６０ｎｍ帯レーザ部のそれぞれの動作電圧Ｖｏｐも２．３Ｖと２．４Ｖであり、それらの電圧差を小さくすることができた。
【００２９】
ここで、書込み用途では例えば６６０ｎｍ帯レーザ部は３０ｎｓ幅程度の短パルスで駆動されるが、駆動回路とそのレーザ部との回路マッチングが不十分な場合、注入されるパルス電流のパルス強度が小さくなって十分な光強度が得られない不具合が生じる。二波長半導体レーザ装置の場合、７８０ｎｍ帯レーザ部と６６０ｎｍ帯レーザ部とにおいて直列抵抗に例えば０．５オーム以上の差があれば、それぞれのレーザ部に対する回路調整が必要となる。また、駆動電圧に関しても、２つのレーザ部間で例えば０．５Ｖの差異があれば、同様な不具合が生じる。しかし、これらの不都合は、本実施例１におけるように２つのレーザ部間で０．１オーム程度の抵抗差であれば生じることがない。
【００３０】
（実施例２）
図２は、本発明の実施例２による二波長半導体レーザ装置の積層構造を模式的な断面図で示している。この二波長半導体レーザ装置に含まれる７８０ｎｍ帯レーザ部Ｌ１においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３ａ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４ａ、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層（図示せず）で挟み込んだアンドープＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのＭＱＷ活性層５ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａに含まれるｐ型第１サブクラッド層６ａ１とｐ型第２サブクラッド層６ａ２、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７ａ、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８ａが順次積層されている。
【００３１】
他方、二波長半導体レーザ装置に含まれる６６０ｎｍ帯レーザ部Ｌ２においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層２ｂ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４ｂ、アンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層（図示せず）で挟み込んだアンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰのＭＱＷ活性層５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７ｂ、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８ｂが順次積層されている。
【００３２】
なお、本実施例２においても、実施例１の場合と同様に、ＳｉＯ2膜９、正電極１０、および負電極１１が形成される。
【００３３】
本実施例２において、７８０ｎｍ帯レーザ部のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａと６６０ｎｍ帯レーザ部のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ｂとは、ＩＩＩ族元素中で同じ０．７のＡｌ組成比を有し、かつ同じ厚み１．３μｍを有している。ただし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａに含まれるｐ型第１サブクラッド層６ａ１の厚さは０．２μｍであり、ｐ型第２サブクラッド層６ａ２の厚さは１．１μｍである。
【００３４】
また、ｐ型第１サブクラッド層６ａ１のキャリア濃度は１．０×１０18ｃｍ-3であり、ｐ型第２サブクラッド層６ａ２のキャリア濃度は１．５×１０18ｃｍ-3であり、そしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ｂのキャリア濃度は１．１×１０18ｃｍ-3である。すなわち、７８０ｎｍ帯レーザ部のｐ型第２サブクラッド層６ａ２が、相対的に大きなキャリア濃度を有している。
【００３５】
ここで、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を大きくすれば、そのクラッド層の抵抗率が下がってレーザ部の直列抵抗が小さくなる。しかし、このとき同時に、活性層へのｐ型ドーパンの拡散が起こりやすくなって、レーザ部の閾値電流の増大や発光効率の低下などの不具合を生じ易い傾向になる。しかし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６ａを２つのｐ型サブクラッド層６ａ１と６ａ２に分けて、活性層５ａに近いｐ型第１サブクラッド層６ａ１のドーパン濃度を低くすれば、活性層から遠いｐ型第２サブクラッド層６ａ２のドーパン濃度を高くしても上記の不具合を生じることがなく、より高いキャリア濃度の設定が可能となる。
【００３６】
本実施例２の二波長半導体レーザ装置においても、共振器長が１７００μｍ、チップ幅が２５０μｍ、そして６６０ｎｍ帯レーザ部と７８０ｎｍ帯レーザ部の幅がともに１００μｍに設定された。本実施例２では、活性層とクラッド層との間のバンドギャップ差が大きい７８０ｎｍ帯レーザ部の方でｐ型第２サブクラッド層６ａ２のキャリア濃度をより高く設定することによって、７８０ｎｍ帯レーザ部と６６０ｎｍ帯レーザ部の双方ともほぼ同じ直列抵抗Ｒｄ＝２．３Ωを有することができた。
【００３７】
（実施例３）
図３は、本発明の実施例３による二波長半導体レーザ装置の積層構造を模式的な断面図で示している。本実施例３における積層構造は、実施例２におけるものと同じである。
【００３８】
しかし、本実施例３の二波長半導体レーザ装置においは、共振器長が１７００μｍ、チップ幅が２２０μｍ、７８０ｎｍ帯レーザ部Ｌ１の幅が７０μｍ、そして６６０ｎｍ帯レーザ部Ｌ２の幅が１００μｍに設定されている。
【００３９】
７８０ｎｍ帯レーザ部Ｌ１におけるｐ型バッファ層のｐ型キャリア濃度を高くすることによって、そのレーザ部の熱伝導率が大きくなり得る。半導体レーザチップは、なるべく小面積であることが好ましい。なぜならば、半導体レーザチップの面積が小さければ、同一半導体ウエハから取れるチップ数が増加し、チップ原価を低減させることができるからである。そのために、半導体レーザチップは、なるべくそのチップ幅を狭くすることが望ましい。本発明によれば、ｐ型バッファ層のキャリ濃度を高くした７８０ｎｍ帯レーザ部Ｌ１では熱伝導率が向上しており、そのレーザ部の放熱性を落とすことなく６６０ｎｍ帯レーザ部Ｌ２に比べて幅を狭くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上のように、本発明によれば、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい７８０ｎｍ帯レーザ部のクラッド層のキャリア濃度を高めてそのクラッド層の電気抵抗値を小さくすることによって、６６０ｎｍ帯レーザ部との比較における直列抵抗の差を小さくした二波長半導体レーザ装置を提供することができる。また、７８０ｎｍ帯レーザ部のクラッド層の電気抵抗値改善によって放熱性も改善されるので、その７８０ｎｍ帯レーザ部の幅を狭くでき、二波長半導体レーザ装置の製造原価を低減させることもできる。
【符号の説明】
【００４１】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板、２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層、３ａ，３ｂ  ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層、４ａ，４ｂ  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５ａ  アンドープＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのＭＱＷ活性層、５ｂ  アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰのＭＱＷ活性層、６ａ，６ｂ  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、６ａ１  ｐ型第１サブクラッド層、６ａ２  ｐ型第２サブクラッド層、７ａ，７ｂ  ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、８ａ，８ｂ  ｐ型ＧａＡｓキャップ層、９  ＳｉＯ2膜、１０  正電極、１１  負電極、Ｌ１  ７８０ｎｍ帯レーザ部、Ｌ２  ６６０ｎｍレーザ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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