(57)【要約】【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法であって、
前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁場発生手段により磁界を発生させて前記チャンバ内の塵埃を前記磁場発生手段により吸着する、成膜方法。
【請求項２】
前記チャンバ内に設けられた磁場発生手段を用いる、請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記基板保持具に設けられた磁場発生手段を用いる、請求項１記載の成膜方法。
【請求項４】
基板を保持する基板保持具であって、
前記基板を保持する開口部を有するハウジングと、
前記ハウジングに設けられ、前記基板の外周部分を少なくとも３箇所の保持位置で保持する爪と、
前記爪の近傍に設けられた磁場発生手段
を備えた、基板保持具。
【請求項５】
前記磁場発生手段に脱着可能に設けられ、非磁性材料からなるカバーを更に備えた、請求項４記載の基板保持具。
【請求項６】
前記磁場発生手段は各爪の近傍に設けられている、請求項４又は５記載の基板保持具。
【請求項７】
チャンバ内で基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜装置であって、
前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁界を発生して前記チャンバ内の塵埃を吸着する磁場発生手段を備えた、成膜装置。
【請求項８】
前記電磁石を、少なくとも前記成膜処理の開始前と終了後に活性化させる手段を更に備えた、請求項７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記基板保持具は前記基板の各基板面が重力の方向と平行になるように前記チャンバ内に設置され、
前記磁場発生手段は前記基板の各基板面に対して別々に設けられている、請求項８項記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記基板保持具が載置され、前記基板保持具を前記チャンバ内に搬送する搬送部を更に備え、
前記磁場発生手段は、前記搬送部及び前記基板保持具の搬送経路と交差しない前記チャンバ内の位置に設けられている、請求項７乃至９のいずれか１項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、基板保持具及び成膜装置に係り、特に磁性膜の形成に適した成膜方法、基板保持具及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクに代表される磁気記録媒体を製造する際には、基板を基板保持具に装着し、基板保持具を成膜装置内に搬送する。基板保持具は、キャリア（Carrier）とも呼ばれることがある。成膜装置内では、基板上にＣｏ合金に代表される磁性膜等がスパッタリングやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により成膜される。磁気記録媒体によっては、磁性膜は複数成膜される。
【０００３】
基板がディスク形状を有する場合、基板保持具は基板の外周部分を例えば３箇所の保持位置で保持する。各保持位置では、爪が基板の外周部分と直接接触して基板を把持する。このように基板を保持する基板保持具は、成膜装置内の各成膜ユニット間を搬送される。
【０００４】
各成膜ユニットで成膜処理が行われると、基板を保持している基板保持具にも堆積膜が形成されるので、爪にも堆積膜が形成される。基板保持具は、ある回数繰り返し使用されるため、基板を基板保持具に装着する際及び基板を基板保持具から取り外す際に基板と爪との間にずれが生じると、堆積膜が擦れて堆積膜の一部が剥離し、堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となる。又、基板保持具の搬送時の振動等により基板と爪との間にずれが生じると、堆積膜が同様に擦れて堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となる。
【０００５】
このような塵埃が基板面に付着すると、磁性膜に穴状の欠陥（ビット）が生じることで発生する所謂ピンホール欠陥の原因となり、磁気記録媒体の性能を低下させてしまう。特に高密度記録が要求される近年の磁気記録媒体では、磁気記録媒体の歩留まりを低下させないためには、このようなピンホール欠陥を確実に除去する必要がある。
【０００６】
そこで、基板保持具に形成された堆積膜を除去することが考えられるが、基板保持具自体を損傷することなく堆積膜を完全に除去することは難しく、コストも時間もかかってしまう。又、毎回新しい基板保持具を使用することも考えられるが、コストの面で現実的ではなく、いずれにしても成膜装置内の各成膜ユニット間を搬送される際には基板保持具に堆積膜が形成されているので、基板と爪との間に生じたずれにより堆積膜が擦れて堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となることには変わりがない。
【０００７】
一方、基板保持具の爪の形状や把持力を調整することで、基板と爪との間に生じたずれにより堆積膜が擦れて堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となる現象を抑制することが考えられる。しかし、基板と爪との間に物理的な接触がある以上、堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となる現象を抑制するにも限界がある。これは、ロボット等により基板保持具に対する基板の装着脱を行う際に、基板と爪との間にずれが生じないようにすることが非常に難しいことによる。
【特許文献１】特開平５−３３１３３号公報
【特許文献２】特開平６−１３６５３０号公報
【特許文献３】特開平６−２０７２７０号公報
【特許文献４】特開平８−１７６８１９号公報
【特許文献５】特開昭５８−１００４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来は、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することは難しいという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制可能な成膜方法、基板保持具及び成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法であって、前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁場発生手段により磁界を発生させて前記チャンバ内の塵埃を前記磁場発生手段により吸着する成膜方法が提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板を保持する基板保持具であって、前記基板を保持する開口部を有するハウジングと、前記ハウジングに設けられ、前記基板の外周部分を少なくとも３箇所の保持位置で保持する爪と、前記爪の近傍に設けられた磁場発生手段
を備えた基板保持具が提供される。
【００１２】
本発明の一観点によれば、チャンバ内で基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜装置であって、前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁界を発生して前記チャンバ内の塵埃を吸着する磁場発生手段を備えた成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
開示の成膜方法、基板保持具及び成膜装置によれば、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
開示の成膜方法、基板保持具及び成膜装置では、チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す。このチャンバ内で、基板保持具により保持されている基板の被保持箇所の近傍で磁場発生手段により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁場発生手段により吸着する。
【００１５】
磁場発生手段は、チャンバ内に設けられていても、基板保持具に設けられていても、チャンバ内と基板保持具の両方に設けられていても良い。
【００１６】
成膜装置内で発生した塵埃を磁場発生手段により吸着することで、塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することができる。
【００１７】
以下に、本発明の成膜方法、基板保持具及び成膜装置の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明の第１実施例における成膜装置を説明する図である。図１中、（ａ）は成膜装置１−１を基板６１の基板面に対して垂直な正面方向から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１−１を基板６１の基板面に対して平行な側面方向から見た断面図である。
【００１９】
成膜装置１−１は、チャンバ（又は、真空室）１１、真空ポンプ１２、チャンバ１１内に設けられた支持部１３、支持部１３の先端に設けられた磁場発生手段１５、ローディング用真空室１８、及び制御部１９を有する。尚、アンローディング用真空室（図示せず）がローディング用真空室１８と並行に設けられているが、図１（ｂ）においてローディング用真空室１８の後ろ側に位置するので、図１（ａ），（ｂ）では見えない。
【００２０】
真空ポンプ１２は、プロセッサ等で構成された制御部１９により制御され、成膜装置１−１の成膜処理に応じてチャンバ１１内の真空度を制御する。成膜処理は特に限定されないが、例えばスパッタリングやＣＶＤである。
【００２１】
基板６１は、本実施例ではディスク形状を有し、ローディング用真空室１８を介してチャンバ１１内に供給され、チャンバ１１内からアンローディング用真空室を介して大気中に取り出される。
【００２２】
ローディング用真空室１８内には、アーム２２−１を有するロボット２２が設けられている。ロボット２２は、駆動装置２３により周知の方法で駆動される。ベントライン２４は、ローディング用真空室１８に取り付けられている。ロボット２２は、アーム２２−１により基板６１をチャンバ１１内の基板装着位置にある基板保持具５１−１に装着する。尚、アンローディング用真空室内には、ロボット２２と同様の構成を有するロボットが設けられており、このロボットのアームによりチャンバ１１内の基板取り外し位置にある基板保持具５１−１から装着された基板６１を取り外す。
【００２３】
基板６１は、基板保持具５１−１に保持された状態で、搬送部４１によりチャンバ１１の基板装着位置、基板取り外し位置、成膜位置に搬送される。本実施例では、搬送部４１は基板保持具５１−１又は基板保持具５１−１の足（又は、ローラ５３）と係合して周知の方法で基板保持具５１−１を搬送するが、基板保持具５１−１を搬送する手段はこれに限定されるものではない。基板装着位置と基板取り外し位置とは異なるが、基板６１に対して成膜処理を施す成膜位置は、基板装着位置及び基板取り外し位置とは異なる位置であっても、基板装着位置及び基板取り外し位置のどちらか一方と同じ位置であっても良い。尚、基板保持具５１−１は、基板６１の各基板面が重力の方向と平行になるようにチャンバ１１内に設置される。
【００２４】
基板保持具５１−１は、ハウジング５１、基板６１を保持するためにハウジング５１に設けられた開口部５１Ａ、基板６１の外周部分を把持する爪５２、及び足（又は、ローラ）４１を有する。爪５２は、基板６１の外周部分を少なくとも３箇所の保持位置で保持する。本実施例では、基板６１の被保持箇所は図１に示す上部の２箇所と下部の１箇所である。
【００２５】
磁気記録媒体の磁性膜等に生じるピンホール欠陥は、磁気記録媒体の製造段階で磁性膜の成膜前に基板に付着した塵埃が原因である。本発明者は、この塵埃がＣｏ合金、Ｆｅ合金等を主成分としており、成膜装置内の１５０℃〜４００℃といった比較的高温環境下においても磁性を有する場合には、成膜装置内の磁場発生手段により磁場を発生することで塵埃の移動を制御して磁場発生手段に塵埃を吸着させれば、塵埃が基板に付着しないようにすることが可能であることを見出した。
【００２６】
支持部１３に設けられた磁場発生手段１５は、永久磁石又は電磁石で構成されている。電磁石を用いる場合には、電磁石の活性化及び非活性化（オン及びオフ）を制御部１９により制御可能である。又、電磁石に印加する電流を制御することで、塵埃の発生状況の応じた強度の磁界を発生させることもできる。磁場発生手段１５は、基板６１の各基板面に対して別々に設けられており、搬送部５１及び基板保持具５１−１の搬送経路と交差しないチャンバ１１内の位置に設けられている。本実施例では、磁場発生手段１５は、基板保持具５１−１が基板装着位置、成膜位置及び基板取り外し位置のうち少なくとも１つの位置にある時に、基板保持具５１−１の爪５２により保持されている基板６１の被保持箇所の近傍で磁界を発生してチャンバ１１内の塵埃を吸着するのに適した配置を有する。
【００２７】
基板６１を基板保持具５１−１に装着する際、基板６１を基板保持具５１−１から取り外す際、基板保持具５１−１をチャンバ１１内で搬送する際等に振動等により基板６１と爪５２との間にずれが生じると、基板保持具５１の特に爪５２に形成された堆積膜が擦れて堆積膜の粒子が脱落して塵埃の発生源となる。しかし、本実施例では、磁場発生手段１５が塵埃を吸着して塵埃の移動を制御するので、塵埃が基板６１の表面に付着するのを防止することができる。
【００２８】
磁場発生手段１５が電磁石で構成されている場合、少なくとも成膜処理の開始前と終了後に電磁石を活性化するように制御部１９により電磁石を制御しても良い。この場合、成膜処理の開始前は、基板保持具５１−１が基板装着位置又は成膜位置にある状態であり、成膜処理の終了後は、基板保持具５１−１が成膜位置又は基板取り外し位置にある状態である。
【００２９】
尚、磁場発生手段１５が設けられた支持部１３を搬送部４１と連動して移動可能に設ければ、磁場発生手段１５は、基板保持具５１−１が基板装着位置、成膜位置及び基板取り外し位置のいずれの位置にある時であっても、基板保持具５１−１により保持されている基板６１の被保持箇所の近傍で磁界を発生してチャンバ１１内の塵埃を吸着することができる。
【００３０】
図２は、基板６１と磁場発生手段１５の関係を説明する図である。図２中、（ａ）は基板６１の基板面に対して垂直な正面方向から見た図、（ｂ）は基板６１の基板面に対して平行な側面方向から見た図である。
【００３１】
図２に示すように、磁場発生手段１５は、基板６１の各基板面に対して別々に設けられている。図２中、（ｂ）の左側の基板面に対しては、上部の２箇所と下部の１箇所に設けられた磁場発生手段１５の磁極が基板面と平行な面上に配置されている。又、磁場勾配を大きくするために、磁場発生手段１５の磁極の先端形状は凸状である。更に、重力を考慮して、各爪５２が基板６１に接触する位置よりも下側に各対応する磁場発生手段１５が配置されている。
【００３２】
図３は、磁場発生手段１５に脱着可能に設けられたカバーを説明する図である。図３に示すカバー１７は、非磁性材料で形成されており、磁場発生手段１５の少なくとも上部を覆う構成を有する。カバー１７は、磁場発生手段１５が発生する磁界を著しく低下させない程度の厚みを有する。通常は、磁場発生手段１５はカバー１７により覆われているので、磁場発生手段１５に吸着された塵埃はカバー１７の表面に付着する。チャンバ１１内の清掃時等には、このカバー１７を取り除けば、磁場発生手段１５により吸着された塵埃をチャンバ１１の外部に破棄することができる。清掃後は、清掃済みのカバー１７、或いは、新たなカバー１７を磁場発生手段１５に装着すれば良い。
【００３３】
カバー１７は、必要不可欠ではないが、カバー１７を使用することで磁場発生手段１５により吸着された塵埃をチャンバ１１の外部へ破棄する処理を容易、且つ、確実に行うことが可能となる。
【実施例２】
【００３４】
図４は、本発明の第２実施例における基板保持具を説明する図である。図４中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３５】
図４に示すように、基板保持具５１−１のハウジング５１には、磁場発生手段を構成する電磁石１１５、配線５５、及び接点５６が設けられている。電磁石１１５は、基板保持具５１−１の爪５２により保持されている基板６１の被保持箇所の近傍で磁界を発生してチャンバ１１内の塵埃を吸着するのに適した配置を有し、対応する爪５２の近傍に設けられている。１個の爪５２に対しては、１個の電磁石１１５が設けられている。電磁石１１５は、接点５６に印加される電流でオン、オフ及び発生する磁場の強度が制御される。
【００３６】
尚、磁場発生手段を永久磁石で構成する場合には、配線５５及び接点５６は省略可能である。
【００３７】
図５は、図４の基板保持具５１−２を用いる成膜装置を説明する図である。図５中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図５中、（ａ）は成膜装置１−２を基板６１の基板面に対して垂直な正面方向から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１−２を基板６１の基板面に対して平行な側面方向から見た断面図である。
【００３８】
成膜装置１−２は、可動接点１６及び電源供給部１７を有する。電源供給部１７は、制御部１９からの制御情報に基づいて各電磁石１１５に印加するべき電流を出力する。可動接点１６は、柔軟性を有し、対応する接点５６と接触することで電源供給部１７からの電流を配線５５を介して対応する電磁石１１５に印加する。
【００３９】
可動接点１６をチャンバ１１内の１箇所に固定した場合には、基板保持具５１−２がチャンバ１１内の所定位置にある時だけ電磁石１１５を制御することができる。一方、可動接点１６を搬送部４１と連動して移動可能に設ければ、基板保持具４１−２がチャンバ１１内の複数の位置にある時に電磁石１１５を制御することができる。更に、可動接点１６をチャンバ１１内の複数の箇所に設けることで、基板保持具４１−２がチャンバ１１内の複数の位置にある時に電磁石１１５を制御することができる。
【００４０】
本実施例の場合、磁場発生手段が基板保持具５１−２側に設けられているので、上記第１実施例の成膜装置１−１と比較すると、成膜装置１−２の構成が簡単であり、又、磁場発生手段をチャンバ１１内の複数の箇所で容易に制御することができる。
【００４１】
次に、磁場発生手段による塵埃の制御により得られる効果について、図６〜図１１と共に説明する。
【００４２】
図６は、実験に使用した装置の構成を説明する図である。図６に示す装置は、磁石２１５が取り付けられたハイトゲージ２１１と、塵埃の粒子（パーティクル）５００を加熱するホットプレート２１２を有する。本発明者は、図６に示す装置を用いて、磁石２１５の磁力により塵埃の粒子５００が吸着される瞬間の磁石２１５と塵埃の粒子５００との距離Ｚをハイトゲージ２１１により測定した。この距離Ｚは、塵埃の粒子５００が載置されるホットプレート２１２の加熱面と磁石２１４との間の距離とした。この測定の際、成膜装置内での状態を再現するために、塵埃の粒子５００をホットプレート２１２により常時加熱し、加熱温度を１８℃（室温）、１００℃、２００℃、３００℃、４００℃と変化させ、各加熱温度で塵埃の粒子５００の移動を制御して磁石２１５で吸着するのに必要な磁場に関するデータを取得した。取得された磁場に関するデータは、上記の距離Ｚ（ｍｍ）、磁場Ｂ（Ｇａｕｓｓ）、及び磁場勾配δＢ／δｚ（Ｇａｕｓｓ／ｍｍ）である。磁場に関するデータは、予めガウスメータにより磁場分布が測定済みの磁石２１５を使用し、塵埃の粒子５００の磁石２１５への吸着が起こる上記距離Ｚをハイトゲージ２１１により測定することで、吸着に必要な磁場勾配δＢ／δｚを算出した。
【００４３】
図７は、実験結果を示す図である。図７において、塵埃の物性は、重量（ｍｇ）、飽和磁化（Ｇａｕｓｓ／ｇ）、及び保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を含む。「水平」で示される塵埃の物性は、水平磁気記録方式を採用する水平磁気記録媒体を成膜した成膜装置で使用した基板保持具の爪から採取した塵埃の物性を示す。一方、「垂直」で示される塵埃の物性は、垂直磁気記録方式を採用する垂直磁気記録媒体を成膜した成膜装置で使用した基板保持具の爪から採取した塵埃の物性を示す。塵埃の重量（又は、質量）は、精密電子天秤により測定した。塵埃の磁気特性は、０．００２５ｅｍｕの感度を有する振動試料型磁力計により測定した。
【００４４】
又、図７に示す距離Ｚは、各加熱温度において５回測定された測定結果の平均値を示す。又、磁場Ｂと磁場勾配δＢ／δｚは、上記距離Ｚ（平均値）と磁石２１５の磁場分布から算出した。例えば、水平磁気記録媒体から採取した塵埃の場合、加熱温度が４００℃であっても、磁場勾配δＢ／δｚが−０．２８（Ｇａｕｓｓ／ｍｍ）であれば、塵埃の移動を制御して磁石２１５に吸着させることができることが確認された。
【００４５】
図８は塵埃粒子と磁場発生手段との間の距離Ｚと加熱温度の関係を示す図であり、図９は磁場Ｂと加熱温度の関係を示す図であり、図１０は磁場勾配δＢ／δｚと加熱温度の関係を示す図である。図８〜図１０は、図７に示す磁場に関するデータをプロットしたものであり、□印は上記「水平」の場合のデータ、▲印は上記「垂直」の場合のデータを示す。図８〜図１０からもわかるように、距離Ｚは加熱温度に対して単調減少する傾向を示すことが確認された。尚、自発磁化は、加熱温度（又は、基板温度）に対して２／３乗の割合で減少することが知られている。又、磁化量が小さい、水平磁気記録媒体の成膜に使用した基板保持具の爪から採取した塵埃は、垂直磁気記録媒体の成膜に使用した基板保持具の爪から採取した塵埃と比較して２倍程度の磁場勾配δＢ／δｚを必要とすることが確認された。
【００４６】
図１１は、上記実験に使用した磁石２１５の磁場分布を示す図である。図１１に示す磁場分布は、ガウスメータを用いて磁石２１５の表面から５ｍｍ〜４０ｍｍの範囲を５ｍｍのピッチで磁場Ｂを測定することで求めた。磁場分布は、磁気双極子のモデルに従うと過程して、測定した磁場分布のデータから最小二乗法により各係数を決定した。磁場勾配δＢ／δｚは、磁気双極子のモデルの式に基づいて算出した。
【００４７】
上記実験結果からも、塵埃が成膜装置内の１５０℃〜４００℃といった比較的高温環境下においても磁性を有する場合には、成膜装置内の磁場発生手段により磁場を発生することで塵埃の移動を制御して磁場発生手段に塵埃を吸着させることができ、塵埃が基板に付着しないようにすることが可能であることが確認された。従って、このような磁場発生手段を用いることにより、磁気記録媒体等の製造段階で磁性膜の成膜前に基板に付着した塵埃が原因であるピンホール欠陥を抑制することが可能となる。
【００４８】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法であって、
前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁場発生手段により磁界を発生させて前記チャンバ内の塵埃を前記磁場発生手段により吸着する、成膜方法。
（付記２）
前記磁場発生手段に永久磁石を用いる、付記１記載の成膜方法。
（付記３）
前記磁場発生手段に電磁石を用いる、付記１記載の成膜方法。
（付記４）
前記電磁石を、少なくとも前記成膜処理の開始前と終了後に活性化させる、付記３記載の成膜方法。
（付記５）
前記チャンバ内に設けられた磁場発生手段を用いる、付記１乃至４のいずれか１項記載の成膜方法。
（付記６）
前記基板保持具に設けられた磁場発生手段を用いる、付記１乃至４のいずれか１項記載の成膜方法。
（付記７）
基板を保持する基板保持具であって、
前記基板を保持する開口部を有するハウジングと、
前記ハウジングに設けられ、前記基板の外周部分を少なくとも３箇所の保持位置で保持する爪と、
前記爪の近傍に設けられた磁場発生手段
を備えた、基板保持具。
（付記８）
前記磁場発生手段に脱着可能に設けられ、非磁性材料からなるカバーを更に備えた、付記７記載の基板保持具。
（付記９）
前記磁場発生手段は永久磁石を有する、付記７又は８記載の基板保持具。
（付記１０）
前記磁場発生手段は電磁石を有する、付記７又は８記載の基板保持具。
（付記１１）
前記磁場発生手段は各爪の近傍に設けられている、付記７乃至１０のいずれか１項記載の基板保持具。
（付記１２）
チャンバ内で基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜装置であって、
前記チャンバ内で、前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁界を発生して前記チャンバ内の塵埃を吸着する磁場発生手段を備えた、成膜装置。
（付記１３）
前記磁場発生手段は永久磁石を有する、付記１２記載の成膜装置。
（付記１４）
前記磁場発生手段は電磁石を有する、付記１２記載の成膜装置。
（付記１５）
前記電磁石を、少なくとも前記成膜処理の開始前と終了後に活性化させる手段を更に備えた、付記１４記載の成膜装置。
（付記１６）
前記基板保持具は前記基板の各基板面が重力の方向と平行になるように前記チャンバ内に設置され、
前記磁場発生手段は前記基板の各基板面に対して別々に設けられている、付記１２乃至１５のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１７）
前記基板保持具が載置され、前記基板保持具を前記チャンバ内に搬送する搬送部を更に備え、
前記磁場発生手段は、前記搬送部及び前記基板保持具の搬送経路と交差しない前記チャンバ内の位置に設けられている、付記１２乃至１６のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１８）
前記磁場発生手段は、前記チャンバ内に設けられた第１の磁場発生手段と、前記基板保持具に設けられた第２の磁場発生手段を含む、付記１２乃至１５のいずれか１項記載の成膜装置。
【００４９】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施例における成膜装置を説明する図である。
【図２】基板と磁場発生手段の関係を説明する図である。
【図３】磁場発生手段に脱着可能に設けられたカバーを説明する図である。
【図４】本発明の第２実施例における基板保持具を説明する図である。
【図５】図４の基板保持具を用いる成膜装置を説明する図である。
【図６】実験に使用した装置の構成を説明する図である。
【図７】実験結果を示す図である。
【図８】塵埃粒子と磁場発生手段との間の距離と加熱温度の関係を示す図である。
【図９】磁場と加熱温度の関係を示す図である。
【図１０】磁場勾配と加熱温度の関係を示す図である。
【図１１】実験に使用した磁石の磁場分布を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１−１，１−２      成膜装置
１１    チャンバ
１５，１１５      磁場発生手段
１６      可動接点
１９      制御部
５１−１，５１−２      基板保持具
５２      爪
５６      接点
６１      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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