(57)【要約】  【課題】  酸素により塩化水素を酸化するにあたり、長時間にわたり充分な触媒活性を発揮させて良好な塩化水素の転化率を維持することができる塩素の製造方法を提供する。  【解決手段】  本発明の塩素の製造方法は、触媒存在下で酸素により塩化水素を酸化して塩素を製造する方法であって、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満足する触媒を用いる。    （ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。    （ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒存在下で酸素により塩化水素を酸化して塩素を製造する方法であって、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満足する触媒を用いることを特徴とする塩素の製造方法。
（ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。
（ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。
【請求項２】
前記触媒が担持酸化ルテニウム触媒である請求項１記載の塩素の製造方法。
【請求項３】
前記触媒が球形粒状または円柱形状に成形されたものである請求項１または２記載の塩素の製造方法。
【請求項４】
固定床反応方式にて行なう請求項１〜３のいずれかに記載の塩素の製造方法。
【請求項５】
酸素による塩化水素の酸化反応に用いる触媒であって、酸化ルテニウムを含むとともに、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満足することを特徴とする触媒。
（ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。
（ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。
【請求項６】
球形粒状または円柱形状に成形されている請求項５記載の触媒。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒存在下で酸素により塩化水素を酸化する塩素の製造方法、およびこの製造方法に適した触媒に関する。
【背景技術】
【０００２】
塩素は、塩化ビニルやホスゲンなどの原料として有用であり、触媒存在下で酸素により塩化水素を酸化することによって得られることが知られている。
酸素による塩化水素の酸化反応に用いられる触媒としては、例えば、ＢＥＴ比表面積１〜２５０ｍ2／ｇであり、水銀加圧多孔度測定法（水銀圧入法）により測定した気孔寸法分布（細孔分布）の半分の高さの幅（細孔分布曲線のピークの半値幅）が平均気孔直径（平均細孔直径）の０．６倍より小さく、さらに平均気孔直径値および該平均気孔直径に対する気孔容積の割合が特定範囲となるよう設計した触媒が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−１１７６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１記載の触媒は、優れた機械的強度を有しており、流動床反応方式での塩化水素の酸化反応には適したものであったが、固定床反応方式における塩化水素の酸化反応に使用した場合、反応時間の経過に伴い熱履歴による触媒のシンタリング（焼結）が起こりやすく、充分な触媒活性を維持することが困難になり、その結果、経時的に塩化水素の転化率が低下してしまうという問題を生じることがあった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、酸素により塩化水素を酸化するにあたり、長時間にわたり充分な触媒活性を発揮させて良好な塩化水素の転化率を維持することができる塩素の製造方法と、これに用いる触媒とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記課題を解決するべく鋭意検討を行った。その結果、例えば特許文献１において細孔分布曲線のピークの半値幅の上限が規定されていることからも分かるように、従来は、良好な触媒性能を発揮させるには、比較的シャープな細孔分布曲線を示すよう設計した触媒が有利であると考えられていたところ、熱による触媒のシンタリング（焼結）を防止して活性を長時間維持させるうえでは、逆に、ある程度ブロード状の細孔分布曲線を示すよう設計した触媒の方が有効であることを見出した。そして、この知見に基づき、ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであるとともに、水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅が平均細孔直径の０．６〜１．５倍である触媒を用いれば、長時間にわたり良好な転化率を維持しながら酸素による塩化水素の酸化反応を行なうことができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は以下の構成からなる。
（１）触媒存在下で酸素により塩化水素を酸化して塩素を製造する方法であって、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満足する触媒を用いることを特徴とする塩素の製造方法。
（ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。
（ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。
（２）前記触媒が担持酸化ルテニウム触媒である前記（１）記載の塩素の製造方法。
（３）前記触媒が球形粒状または円柱形状に成形されたものである前記（１）または（２）記載の塩素の製造方法。
（４）固定床反応方式にて行なう前記（１）〜（３）のいずれかに記載の塩素の製造方法。
（５）酸素による塩化水素の酸化反応に用いる触媒であって、酸化ルテニウムを含むとともに、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満足することを特徴とする触媒。
（ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。
（ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。
（６）球形粒状または円柱形状に成形されている前記（５）記載の触媒。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、酸素により塩化水素を酸化するにあたり、長時間にわたり充分な触媒活性を発揮させて良好な塩化水素の転化率を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の塩素の製造方法は、下記（ｉ）および（ｉｉ）を満たす特定の触媒（以下、「特定触媒」と称する）の存在下で酸素により塩化水素を酸化して塩素を製造するものである。前記特定触媒を用いることにより、酸素により塩化水素を酸化するにあたり、長時間にわたり充分な触媒活性を発揮させて良好な塩化水素の転化率を維持することができる。
（ｉ）ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであること。
（ｉｉ）水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であること。
【００１０】
前記特定触媒は、上記（ｉ）の通り、ＢＥＴ比表面積が１〜２５０ｍ2／ｇであり、好ましくは５〜１００ｍ2／ｇ、さらに好ましくは１０〜２５ｍ2／ｇである。ＢＥＴ比表面積が前記範囲よりも小さいと、充分な触媒活性を発揮させることが困難になり、一方、前記範囲よりも大きいと、触媒の熱安定性が悪くなり、反応時間の経過に伴い熱履歴による触媒のシンタリング（焼結）の程度が大きくなるため、経時的に触媒活性が低下する傾向がある。
なお、本発明におけるＢＥＴ比表面積は、例えば、実施例で後述する方法によって測定することができる。
【００１１】
前記特定触媒は、上記（ｉｉ）の通り、水銀圧入法により測定した細孔分布曲線から求められるピークの半値幅をＨとし、平均細孔直径をＤとしたときに、Ｈ／Ｄの値が０．６〜１．５であり、好ましくは０．６〜１．２、さらに好ましくは０．７〜１．０である。前記Ｈ／Ｄの値が０．６未満であると、触媒を構成する物質同士の接点が多くなりすぎる結果、機械強度は増すが、触媒の熱安定性は悪くなり、反応時間の経過に伴い熱履歴による触媒のシンタリング（焼結）の程度が大きくなるため、経時的に触媒活性が低下する傾向がある。一方、前記Ｈ／Ｄの値が１．５を超えると、物質同士の接点が減少し、触媒強度が低下する傾向がある。
【００１２】
なお、本発明において、水銀圧入法により測定した細孔分布曲線とは、水銀圧入法による細孔分布の測定で得られた各圧力Ｐにおける水銀圧入量を、下記に示すＷａｓｈｂｕｒｎの式に基づき算出した各圧力Ｐにおける細孔直径ｄ（ｎｍ）を横軸に、各圧力Ｐにおける水銀圧入量（ｄＶ／ｄｌｏｇＤ［ｃｍ3／ｇ］）を縦軸にとってプロットすることにより得られるものである。
Ｗａｓｈｂｕｒｎの式；  細孔直径ｄ（ｎｍ）＝（−４γｃｏｓθ／Ｐ）×１０3
Ｐ：圧力（ＭＰａ）
γ：水銀の表面張力（４８２×１０−3Ｎ／ｍ）
θ：水銀の接触角（１４０ｄｅｇ）
【００１３】
また、本発明において、前記細孔分布曲線から求められるピークの半値幅Ｈとは、該曲線において、水銀圧入量が、ピーク頂点における水銀圧入量の１／２に相当する値となる二点の細孔直径ｄの差を意味する。他方、本発明において、前記平均細孔直径Ｄとは、下記式に基づき算出される値を意味する。なお、下記式における累積細孔容積および累積細孔表面積は、水銀圧入法による細孔分布の測定で得られる各圧力Ｐにおける水銀圧入量と、上記Ｗａｓｈｂｕｒｎの式により求められる各圧力Ｐに相当する細孔直径ｄとから算出することができる。
平均細孔直径Ｄ（ｎｍ）＝４Ｖ／Ｓ
Ｖ：累積細孔容積（ｎｍ3／ｇ）
Ｓ：累積細孔表面積（ｎｍ2／ｇ）
【００１４】
前記特定触媒は、さらに、水銀圧入法により求められる細孔容積が０．０５〜１．０ｃｍ3／ｇであることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜０．４ｃｍ3／ｇであるのがよい。細孔容積が前記範囲よりも小さいと、触媒活性が不充分となるおそれがあり、一方、前記範囲よりも大きいと、触媒の熱伝導性が悪くなる傾向があり、触媒の熱安定性が低下するおそれがある。
【００１５】
前記特定触媒は、触媒活性成分のみからなるものであってもよいし、触媒活性成分が担体に担持されてなるものであってもよい。前記特定触媒における触媒活性成分は、特に制限されるものではなく、塩化水素を酸素で酸化して塩素を製造する際に使用される公知の触媒活性成分を含む塩素製造用触媒（例えば、銅触媒、クロム触媒、ルテニウム触媒など）を用いることができる。具体的には、銅触媒としては、一般にＤｅａｃｏｎ触媒と称される、塩化銅と塩化カリウムに第三成分として種々の化合物を添加してなる触媒が、クロム触媒としては、特開昭６１−１３６９０２号公報、特開昭６１−２７５１０４号公報、特開昭６２−１１３７０１号公報、特開昭６２−２７０４０５号公報等に示される如き、酸化クロムを含有する触媒が、ルテニウム触媒としては、特開平９−６７１０３号公報、特開平１０−３３８５０２号公報、特開２０００−２８１３１４号公報、特開２００２−７９０９３号公報、特開２００２−２９２２７９号公報等に示される如き、酸化ルテニウムを含有する触媒が、好ましく挙げられる。
【００１６】
前記特定触媒としては、前述した触媒の中でも、ルテニウム触媒、特に酸化ルテニウムを含有する触媒を用いることが好ましい。酸化ルテニウムを含有する触媒は、例えば、実質的に酸化ルテニウムのみからなるものであってもよいし、酸化ルテニウムが担体に担持されてなる担持酸化ルテニウムであってもよいし、酸化ルテニウムと、アルミナ、チタニア、シリカ、ジルコニア、酸化ニオブなどの他の酸化物とからなる複合酸化物であってもよいが、少量の酸化ルテニウムでも高い活性を得られる点で、担持酸化ルテニウムからなる触媒（担持酸化ルテニウム触媒）がより好ましい。なお、酸化ルテニウムにおけるルテニウムの酸化数は、通常＋４であり、酸化ルテニウムとしては二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）が一般的であるが、他の酸化数のルテニウムないし他の形態の酸化ルテニウムが含まれていてもよい。
【００１７】
前記担持酸化ルテニウム触媒は、例えば、ルテニウム化合物を担体に担持させた後、酸素含有ガスの雰囲気下で焼成することにより得られる。担体としては、例えば、アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ニオブから選ばれる元素の酸化物ないし複合酸化物や、活性炭などの１種もしくは２種以上を用いることができる。これらの中でも、アルミナ、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウムが好ましく、特に、ルチル型の結晶構造を有する酸化チタンがより好ましい。
【００１８】
前記担持酸化ルテニウム触媒における酸化ルテニウム／担体の重量比は、通常０．１／９９．９〜２０／８０、好ましくは０．５／９９．５〜１５／８５であり、この範囲になるようにルテニウム化合物と担体の使用割合を調整すればよい。酸化ルテニウムが前記割合よりも少ないと、触媒活性が不充分となる場合があり、一方、前記割合よりも多いと、触媒コストの高騰が懸念される。
【００１９】
前記特定触媒の形状は、特に制限されるものではなく、例えば、球形粒状、円柱形状、三角柱形状、四角柱形状、多角柱形状、リング形状、ハニカム形状あるいは成形後に粉砕分級した適度の大きさの顆粒形状等で用いることができるが、好ましくは、球形粒状または円柱形状に成形されたものであるのがよい。なお、通常、円柱形状、三角柱形状、四角柱形状、多角柱形状、リング形状などの成形体は押出成形または打錠成形される場合が多いが、押出成形の場合には、押出し物を適当な長さに破砕および／または切断して使用すればよく、さらに、触媒使用時の紛化量を低減するなどの目的で、破砕および／または切断した成形体の破砕面や切断面の鋭角部分について回転機器等を用いて角取りすることもできる。
また、前記特定触媒の大きさについては、特に制限されないが、大きすぎると、充分な活性が得られず、充分に反応が進行しない場合があるので、通常、直径が５ｍｍ以下であることが好ましい。一方、前記特定触媒が過度に小さくなると、充填層での圧力損失が大きくなるため、通常、その直径は１ｍｍ以上であることが好ましい。なお、ここでいう触媒（成形体）の直径とは、球形粒状の場合には球の直径、円柱形状の場合には断面の直径、その他の形状では断面の最大直径を意味する。
【００２０】
本発明の触媒は、上述した特定触媒のうち、特に、酸化ルテニウムを含むとともに、上記（ｉ）および（ｉｉ）を満足するものであり、好ましくは、球形粒状または円柱形状に成形されたものである。このような本発明の触媒は、酸素による塩化水素の酸化反応に用いる触媒として特に適しており、とりわけ後述する固定床反応方式による酸化反応に有用である。
【００２１】
以下、前記特定触媒（本発明の触媒）を得るにあたり、上記（ｉ）および（ｉｉ）を満足させる方法、特に上記（ｉｉ）を満足させる方法について述べるが、前記特定触媒はこれに限定されるものではなく、上記（ｉ）および（ｉｉ）を満足する限りいかなる方法で調製されたものであってもよいことは言うまでもない。
触媒は、通常、触媒活性成分のみからなるものである場合には、該触媒活性成分を含む触媒原料を成形することにより形成され、触媒活性成分が担体に担持されてなるものである場合には、触媒活性成分を含む触媒原料と担体原料とを混合して成形するか、担体原料を成形した後に、得られた成形体に触媒活性成分を含浸させることにより形成される。触媒原料もしくは担体原料の成形方法としては、一般に、押出成形や打錠成形などの方法が採用される。
【００２２】
上記（ｉ）および（ｉｉ）、特に上記（ｉｉ）を満足させる方法の一例としては、前記触媒原料もしくは担体原料を成形する際に、該原料に適当な細孔付与剤を添加する方法が挙げられる。具体的には、例えば、粉末状の触媒原料もしくは担体原料に細孔付与剤を混合した後、水等を用いて混練し、成形した後、焼成、水洗等を施すようにすればよい。特に上記（ｉｉ）を満足させるうえでは、粒径分布が均一でない細孔付与剤を用いることが好ましい。細孔付与剤としては、例えば、メチルセルロース系の有機バインダーや水溶性ポリマー、繊維状セルロース、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム等の無機塩、カーボンブラック、活性炭、カーボンナノチューブ等の炭素などが挙げられる。これら細孔付与剤は１種のみを用いてもよいが、特に上記（ｉｉ）を満足させるうえでは、２種以上を併用することが好ましく、さらに好ましくは粒子径が異なる２種以上を選択するのがよい。細孔付与剤の使用量（２種以上を併用する場合は合計量）は、所望の細孔が形成されるよう適宜設定すればよいが、通常、１００重量部の触媒原料もしくは担体原料に対して０．１〜３０重量部であり、好ましくは０．５〜２０重量部である。細孔付与剤の量が少なすぎると前記Ｈ／Ｄの値が０．６未満となり、逆に、多すぎると１．５を超える傾向がある。
【００２３】
また、上記（ｉｉ）を満足させる方法の他の例として、成形に供する触媒原料もしくは担体原料として粒径分布が適度に不均一な粉末を用いる方法が挙げられる。つまり、粒子サイズが均一な材料からはシャープな細孔分布を有する成形体が得られるが、粒子サイズが比較的不均一な材料からはブロードな細孔分布を有する成形体が得られる、という関係を利用すればよいのである。具体的には、例えば、異なる平均粒径を有する粉末状の触媒原料もしくは担体原料を用意し、これらを適当な混合比で混合した後に成形する方法（以下「混合法」と称する）や、触媒原料もしくは担体原料を含む溶液に沈殿剤を滴下し、加水分解等の作用によって沈殿を生じさせ、必要に応じて濾過、乾燥等を施して得られた沈殿を焼成した後、成形する方法（以下「沈殿法」と称する）が挙げられる。
【００２４】
前記混合法において、異なる平均粒径を有する粉末状の触媒原料もしくは担体原料を用意する際には、例えば、異なる平均粒径を有する複数の市販粉末を混合してもよいし、所定の平均粒径を有する粉末を破砕機などにより処理時間等を調整して適度に破砕するようにしてもよい。
【００２５】
他方、前記沈殿法は、一般に、沈殿剤の添加により沈殿を生成させる場合、沈殿剤の滴下時間の長さによって生成する粒子の核生成時間がずれることになるため、粒子径が不均一になりやすいことを利用したものである。前記沈殿法で得られる粉末の粒子径に起因する条件としては、沈殿剤の滴下時間のほかに、例えば、加水分解時のｐＨ制御や硫酸アンモニウムなどの凝集防止剤の添加、熟成時間、沈殿粒子生成時の攪拌条件、生じた沈殿を焼成する際の温度、時間、雰囲気などがあり、これらを適宜調整することも有効である。また、前記沈殿法においては、異なる条件で調製した複数の沈殿を混合することが、不均一な粒度分布を持つ粉末を得るうえで、より好ましい。用いる沈殿剤の種類や沈殿剤の滴下時間等については、具体的には、溶液中の触媒原料もしくは担体原料の種類や濃度に応じて、適宜設定すればよい。
また、上記（ｉｉ）を満足させる方法のさらに他の例として、前記触媒原料もしくは担体原料を成形する際に通常行われる混練の時間を短くする方法も挙げられる。
【００２６】
本発明の塩素の製造方法は、前記特定触媒の存在下で反応を行うこと以外、特に制限されるものではなく、従来公知の酸素による塩化水素の酸化反応における手法や条件を適宜採用すればよいのであるが、触媒の熱安定性が特に求められる固定床反応方式で行うことが、本発明の効果を有意に発揮させうる点で、好ましい。
【００２７】
本発明の塩素の製造方法を固定床反応方式で行う場合、例えば、前記特定触媒を充填した触媒充填層に塩化水素を含むガスと酸素を含むガスとを流通させて、塩化水素を酸化する。
前記触媒充填層は、例えば、温度制御手段を備えた反応管に、前記特定触媒と、必要に応じて、塩化水素の酸化反応に不活性な不活性物質（アルミナボールなど）および／または担体のみを成形した充填物とを混合してなる内容物を充填することで形成される。
【００２８】
前記固定床反応方式で酸化反応を行う際には、一つの触媒充填層に原料ガス（塩化水素を含むガスと酸素を含むガス）を流通させてもよいが、少なくとも、互いに異なる内容物が充填されているか、もしくは異なる温度に制御されている二つ以上の触媒充填層を用いて、これらに順次原料ガスを流通させることもできる。いずれの場合も、一つの触媒充填層に前記特定触媒を２種以上充填することもできるが、好ましくは、一つの触媒充填層に充填する内容物は１種類の前記特定触媒のみからなるのがよい。また、二つ以上の触媒充填層を用いる場合には、各触媒充填層に充填する内容物はそれぞれ同一か近い組成であることが好ましく、例えば、前記不活性物質および／または担体のみを成形した充填物を併用するのであれば、これらと前記特定触媒との割合は各触媒充填層間で一定とすることが好ましく、２種以上の前記特定触媒を併用するのであれば、その混合比率は各触媒充填層間で一定とすることが好ましい。
【００２９】
前記固定床反応方式で酸化反応を行う際の反応装置としては、従来公知のものを用いればよく、特に制限されない。例えば、ガス流通方向に１本の反応管を設けた単管式気相反応装置であってもよいし、ガス流通方向に２本以上の反応管を併設した多管式反応装置であってもよい。二つ以上の触媒充填層を用いる場合には、一つの反応管の管軸方向に沿って異なる温度に制御する二以上の温度制御手段を備えた形態であってもよいし、二以上の反応管にそれぞれ温度制御手段を備えた形態であってもよい。また、触媒充填層の上部および／または下部には、不活性物質を充填してもよく、例えば、二つの触媒充填層を一つの反応管の管軸方向に連続して形成する場合には、両層間に該不活性物質を仕切りとして設けることができる。ただし、隣り合う二つの触媒充填層は、必ずしも明確に仕切られている必要はなく、直接接している状態にあってもよい。
【００３０】
前記塩化水素を含むガスとしては、特に制限はなく、例えば、水素と塩素との反応により生成するガスや、塩酸の加熱により発生するガスのほか、塩素化合物の熱分解反応や燃焼反応、ホスゲンによる有機化合物のカルボニル化反応、塩素による有機化合物の塩素化反応、クロロフルオロアルカンの製造等により発生する各種副生ガス、さらには焼却炉から発生する燃焼排ガスなど、塩化水素を含むあらゆるガスを使用することができる。これらの塩化水素を含むガス中には、それぞれガスを発生させる際の反応等における未反応原料や反応生成物が不純物として含まれてもよいが、その場合には、不純物の濃度は、ガス中の塩化水素の濃度が後述する範囲となる程度であることが好ましい。また、前記塩化水素を含むガスには、ガス中の塩化水素の濃度が後述する範囲となる程度であれば、水蒸気や不活性ガスなどを添加することもでき、特に水蒸気は、触媒充填層内の温度分布を平滑化しうる点で、含有させることが好ましい。
【００３１】
前記塩化水素を含むガスを得る際の上述した各種反応については、具体的には、例えば、塩素化合物の熱分解反応として、１，２−ジクロロエタンから塩化ビニルが生成する反応、クロロジフルオロメタンからテトラフルオロエチレンが生成する反応などが挙げられ、ホスゲンによる有機化合物のカルボニル化反応として、アミンからイソシアネートが生成する反応、ヒドロキシ化合物から炭酸エステルが生成する反応などが挙げられ、塩素による有機化合物の塩素化反応として、プロピレンから塩化アリルが生成する反応、エタンから塩化エチルが生成する反応、ベンゼンからクロロベンゼンが生成する反応などが挙げられる。また、クロロフルオロアルカンの製造としては、例えば、四塩化炭素とフッ化水素との反応によるジクロロジフルオロメタンおよびトリクロロモノフルオロメタンの製造、メタンと塩素とフッ化水素との反応によるジクロロジフルオロメタンおよびトリクロロモノフルオロメタンの製造などが挙げられる。
【００３２】
前記塩化水素を含むガス中の塩化水素の濃度は、通常１０体積％以上、好ましくは５０体積％以上、さらに好ましくは８０体積％以上であるのがよい。塩化水素の濃度が低すぎると、生産効率が低くなることに加えて、生成した塩素の分離や未反応酸素をリサイクルする場合のリサイクル操作が煩雑になる場合がある。
前記酸素を含むガスとしては、空気を使用してもよいし、純酸素を使用してもよい。純酸素は、空気の圧力スイング法や深冷分離などの通常の工業的な方法によって得ることができる。
【００３３】
前記固定床反応方式で塩化水素の酸化反応を行う際には、塩化水素を含むガスの供給速度は、触媒１Ｌあたりのガスの供給速度（Ｌ／ｈ；０℃、１気圧換算）、すなわちＧＨＳＶで表して、通常１０〜２００００ｈ-1程度とするのがよい。他方、酸素を含むガスの供給速度は、触媒１Ｌあたりのガスの供給速度（Ｌ／ｈ；０℃、１気圧換算）、すなわちＧＨＳＶで表して、通常１０〜２００００ｈ-1程度とするのがよい。
【００３４】
本発明の製造方法において、塩化水素（塩化水素を含むガス）と酸素（酸素を含むガス）との比率は、塩化水素を完全に塩素に酸化するためには理論上、塩化水素１モルに対し酸素１／４モルとする必要があるが、通常、この理論量の０．１〜１０倍の酸素が使用される。
本発明の製造方法においては、反応条件等は特に制限されないが、塩化水素の酸化反応は平衡反応であり、あまり高温で行うと平衡転化率が下がるため、比較的低温で行うのが好ましく、反応温度は、通常１００〜５００℃、好ましくは２００〜４５０℃である。また、反応圧力は、通常０．１〜５ＭＰａ程度である。
【実施例】
【００３５】
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。なお、以下の実施例および比較例においては、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「％」は「重量％」を意味するものとする。
【００３６】
実施例および比較例における各触媒の物性は、下記の方法で測定した。
＜細孔容積・平均細孔直径Ｄ・細孔分布曲線から求められるピークの半値幅Ｈ＞
測定に供する触媒を０．６〜１．２ｇ量り取り、乾燥機にて１１０℃で４時間乾燥し、乾燥後の重量を精秤して試料とした。この試料を、細孔容積測定装置（ＭＩＣＲＯＭＥＲＩＴＩＣＳ社製「オートポアＩＩＩ９４２０」）のセル内にセットし、セル系内を５０μｍＨｇ以下にした後、水銀を系内に満たし、次いで、セルに０．００７ＭＰａから２０７ＭＰａまで段階的に圧力を加えていき、水銀の圧入平衡待ち時間を１０秒として、各圧力における水銀圧入量を測定した。
細孔容積（ｃｍ3／ｇ）は、０．００７ＭＰａから２０７ＭＰａまで圧力を加えたときの総水銀圧入量（ｃｍ3）を試料重量（ｇ）で除することにより求めた。
【００３７】
平均細孔直径Ｄ（ｎｍ）は、まず、上述したＷａｓｈｂｕｒｎの式に基づき、各圧力Ｐにおける水銀圧入量から各圧力Ｐにおける細孔直径ｄを算出し、さらに、この各圧力Ｐにおける細孔直径ｄと各圧力Ｐにおける水銀圧入量とから各圧力Ｐにおける細孔の表面積Ｓｒを算出し、０．００７ＭＰａから２０７ＭＰａまで圧力を加えたときの各圧力Ｐにおける細孔の表面積Ｓｒの累積値（ｎｍ2）を試料重量（ｇ）で除することにより求められる累積細孔表面積Ｓ（ｎｍ2／ｇ）と、０．００７ＭＰａから２０７ＭＰａまで圧力を加えたときの各圧力Ｐにおける細孔容積の累積値（すなわち、０．００７ＭＰａから２０７ＭＰａまで圧力を加えたときの総水銀圧入量）（ｎｍ3）を試料重量（ｇ）で除することにより求められる累積細孔容積Ｖ（ｎｍ3／ｇ）とを用いて、下記式に従い求めた。
平均細孔直径Ｄ（ｎｍ）＝４Ｖ／Ｓ
【００３８】
半値幅Ｈ（ｎｍ）は、横軸に上述したＷａｓｈｂｕｒｎの式に基づき算出した各圧力Ｐにおける細孔直径ｄ（ｎｍ）をとり、縦軸に各圧力Ｐにおける水銀圧入量（ｄＶ／ｄｌｏｇＤ［ｃｍ3／ｇ］）をとって、上記測定結果をプロットすることにより細孔分布曲線を得、該曲線において、水銀圧入量が、ピーク頂点における水銀圧入量の１／２に相当する値となるときの細孔直径ｄの値（二点）を読み取り、その差を算出することにより求めた。
【００３９】
＜ＢＥＴ比表面積＞
測定に供する触媒を１〜２ｇ量り取り、窒素雰囲気下１１０℃で１．５時間乾燥し、乾燥後の重量を精秤して試料とした。この試料について比表面積測定装置（柴田科学製「ＳＡ−１１００」）を用いてＢＥＴ一点法により比表面積（ｍ2／ｇ）を求めた。
【００４０】
＜触媒強度＞
軸方向長さが４．５ｍｍ以上の円柱状の触媒を試料とし、これをデジタル木屋式硬度計（藤原製作所製「ＫＨＴ２０Ｎ」）の試料台の中心に、触媒の軸方向と試料台の面とが平行になるよう横たえた後、該触媒の硬度（Ｎ）を測定した。この測定を、２０個以上の試料について行い、得られた測定値の和を測定個数で割ることにより、平均値（Ｎ／個）を求めた。
【００４１】
（実施例１）
（触媒の調製）
酸化チタン（堺化学工業（株）製「ＳＴＲ−６０Ｒ」；１００％ルチル型）とα−アルミナ（住友化学（株）製「ＡＥＳ−１２」）とを、酸化チタン：α−アルミナ＝３４：６６（重量比）で混合し、次いで、有機バインダー（ユケン工業（株）製「ＹＢ−１５２Ａ」）４重量部、チタニアゾル（堺化学工業（株）製「ＣＳＢ」；ＴｉＯ2含有量４０重量％）１２．５重量部、および純水２４．８重量部を加えて混練した。この混練物を直径３．０ｍｍφの円柱状に押出成形し、乾燥した後、長さ４〜６ｍｍ程度に破砕した。得られた成形体を、空気中８００℃で３時間焼成し、酸化チタンとα−アルミナとの混合物からなる担体を得た。次に、この担体に、所定の担持率となる量の塩化ルテニウムの水溶液を含浸させ、乾燥した後、空気中２５０℃で２時間焼成することにより、酸化ルテニウムが２重量％の担持率で上記担体に担持されてなる青灰色の担持酸化ルテニウム触媒（１）を得た。
得られた担持酸化ルテニウム触媒（１）の物性を表１に示す。なお、担持酸化ルテニウム触媒（１）の細孔分布曲線は、図１に実線で示す通りであった。
【００４２】
（塩化水素の酸化反応（初期触媒活性評価））
次に、上記で得られた担持酸化ルテニウム触媒（１）を用いて、固定床反応方式にて酸素による塩化水素の酸化反応を行なった。
すなわち、担持酸化ルテニウム触媒（１）１．０ｇを、直径２ｍｍのα−アルミナ球（ニッカトー（株）製「ＳＳＡ９９５」）１２ｇで希釈してニッケル製反応管（内径１４ｍｍ）に充填し、さらに該反応管のガス入口側に上記と同じα−アルミナ球１２ｇを予熱層として充填した。この反応管内に、塩化水素ガス（塩化水素濃度９９．９９９体積％）と酸素ガス（純酸素）を、塩化水素ガスは０．２１４ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で４．８Ｌ／ｈ）の速度で、酸素ガスは０．１０７ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で２．４Ｌ／ｈ）の速度で、常圧下に供給し、反応管（触媒層）を２８２〜２８３℃に加熱して反応を行った。
【００４３】
反応開始から１．５時間後の時点で、反応管出口のガスを２０分間、３０％ヨウ化カリウム水溶液に流通させることによりサンプリングを行い、ヨウ素滴定法により塩素の生成量を測定して、塩素の生成速度（ｍｏｌ／ｈ）を求めた。この塩素の生成速度と上記塩化水素の供給速度（ｍｏｌ／ｈ）から、下式により塩化水素の転化率（％）を算出した。
塩化水素の転化率（％）
＝〔塩素の生成速度（ｍｏｌ／ｈ）×２÷塩化水素の供給速度（ｍｏｌ／ｈ）〕×１００
以上のようにして求めた塩化水素の転化率（％）を担持酸化ルテニウム触媒（１）の初期触媒活性として表１に示す。
【００４４】
（触媒の加熱劣化促進試験）
次に、上記で得られた担持酸化ルテニウム触媒（１）を、下記の加熱劣化促進試験に供した。
すなわち、担持酸化ルテニウム触媒１．２ｇを、石英製反応管（内径２１ｍｍ）に充填し、この反応管内に、塩化水素ガス（塩化水素濃度９９．９９９体積％）を０．０８６ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で１．９Ｌ／ｈ）の速度で、酸素ガス（純酸素）を０．０７５ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で１．７Ｌ／ｈ）の速度で、塩素ガスを０．０６４ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で１．４Ｌ／ｈ）の速度で、水蒸気を０．０６４ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で１．４Ｌ／ｈ）の速度で、それぞれ常圧下で供給し、反応管（触媒層）を３７５〜３８０℃に加熱した。加熱開始から５０時間後の時点で、上記各ガスおよび水蒸気の供給と加熱を停止して、窒素ガスを０．２１４ｍｏｌ／ｈ（０℃、１気圧換算で４．８Ｌ／ｈ）の速度で供給しながら冷却した。
【００４５】
（塩化水素の酸化反応（加熱劣化促進試験後の触媒活性評価））
次いで、上記加熱劣化促進試験に付した担持酸化ルテニウム触媒（１’）１．２ｇのうち、１．０ｇを分取し、これを触媒として用いたこと以外は、（初期触媒活性評価）として行った上述の塩化水素の酸化反応と同様の方法にて、固定床反応方式にて酸素による塩化水素の酸化反応を行ない、塩化水素の転化率（％）を求めた。この塩化水素の転化率を加熱劣化促進試験後の担持酸化ルテニウム触媒（１’）の触媒活性として表１に示す。
【００４６】
（比較例１）
実施例１の（触媒の調製）において用いた有機バインダー（ユケン工業（株）製「ＹＢ−１５２Ａ」）４重量部に変えて、メチルセルロース（信越化学（株）製「メトローズ６５ＳＨ−４０００」）２重量部を用いたこと以外、実施例１と同様にして、酸化ルテニウムが２重量％の担持率で上記担体に担持されてなる青灰色の担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）を得た。
得られた担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）の物性を表１に示す。なお、担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）の細孔分布曲線は、図１に破線で示す通りであった。
【００４７】
次に、上記で得られた担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）を触媒として用いたこと以外は、実施例１において（初期触媒活性評価）として行った上述の塩化水素の酸化反応と同様の方法にて、固定床反応方式にて酸素による塩化水素の酸化反応を行ない、塩化水素の転化率（％）を求めた。この塩化水素の転化率（％）を担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）の初期触媒活性として表１に示す。
【００４８】
次に、上記で得られた担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１）を、実施例１と同様の加熱劣化促進試験に供した。そして、該加熱劣化促進試験に付した担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１’）１．２ｇのうち、１．０ｇを分取し、これを触媒として用いたこと以外は、実施例１において（初期触媒活性評価）として行った上述の塩化水素の酸化反応と同様の方法にて、固定床反応方式にて酸素による塩化水素の酸化反応を行ない、塩化水素の転化率（％）を求めた。この塩化水素の転化率を加熱劣化促進試験後の担持酸化ルテニウム触媒（Ｃ１’）の触媒活性として表１に示す。
【００４９】
【表１】
2010047456.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施例１および比較例１において用いた触媒の細孔分布曲線を示すグラフである。
【図１】
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