(57)【要約】【課題】ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】制御回路２１は、ノイズ耐性評価対象回路１６のノイズ耐性測定時に、外部から与えられるノイズ制御信号に制御されて可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源１９が流す電流と可変電流源２０が流す電流とに逆方向の増減変化を起こさせる。可変電流源１９が流す電流に増減変化が起こると、抵抗１８Ａ、１８Ｂに電圧降下の増減変化が発生する。抵抗１８Ａに発生する電圧降下の増減変化は、高電位側の電源ノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えられ、抵抗１８Ｂに発生する電圧降下の増減変化は、低電位側の電源ノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えられる。【選択図】図１
2010048649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の電源配線との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第３の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第４の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第５の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第３の可変電流源と前記第４の可変電流源と前記第５の可変電流源とを制御し、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第３の可変電流源が流す電流と前記第４の可変電流源が流す電流とのいずれか一方又は両方と、前記第５の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
を有する半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、
前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テスト用の電源ノイズ発生回路を搭載した半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置は、電源ノイズによって性能が劣化する。しかし、この性能劣化の度合いを事前に知るための一般的な手法は知られていない。従来、この性能劣化の度合いを調べるために、実際に作成したノイズ耐性評価対象回路に電源ノイズを与えて特性を測定することが一般に行われている。
【０００３】
図１０は従来の半導体集積回路装置の一例を外部電源と共に示す回路図である。図１０中、１は従来の半導体集積回路装置の一例、２は半導体集積回路装置１に電源電圧を供給する外部電源である。半導体集積回路装置１において、３はノイズ耐性評価対象回路、４Ａは高電位側の電源供給配線、４Ｂは低電位側の電源供給配線、５は電源ノイズ発生回路をなす可変電流源、６〜８はＮＭＯＳトランジスタ、９〜１１はデジタル信号からなるノイズ制御信号ＳＡ１〜ＳＡ３を入力するための入力端子である。
【０００４】
この半導体集積回路装置１は、ノイズ耐性評価対象回路３のノイズ耐性測定時には、ノイズ制御信号ＳＡ１〜ＳＡ３によりＮＭＯＳトランジスタ６〜８のＯＮ、ＯＦＦを制御して可変電流源５が流す電流に増減変化を起こさせ、これにより発生する電源ノイズを含む電源電圧をノイズ耐性評価対象回路３に与えるというものである。
【特許文献１】特開２００１−２６４３９４号公報
【特許文献２】特開２００３−５０２６４号公報
【特許文献３】特開２００３−２１６６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この半導体集積回路装置１では、電源ノイズ量は、可変電流源５と、ノイズ制御信号ＳＡ１〜ＳＡ３と、電源供給配線４Ａ、４Ｂの寄生インピーダンスによって定まる。電源供給配線４Ａ、４Ｂの寄生インピーダンスには、ボンディングワイヤ等、半導体パッケージ内の電源配線や測定プローブ等の寄生インピーダンスが含まれるが、この寄生インピーダンスの正確な値を事前に知ることは困難である。このため、ノイズ耐性評価対象回路３に与える電源ノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができず、ノイズ耐性評価対象回路３のノイズ耐性評価を高精度に行うことができないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑み、ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の半導体集積回路装置は、ノイズ耐性評価対象回路と、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の可変電流源と、第２の可変電流源と、制御回路とを有するものである。前記第１の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続されたものである。前記第２の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続されたものである。
【発明の効果】
【０００８】
第１の半導体集積回路装置によれば、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。また、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
ここで開示する第１の半導体集積回路装置は、ノイズ耐性評価対象回路と、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の可変電流源と、第２の可変電流源と、制御回路とを有するものである。前記第１の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続されたものである。前記第２の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続されたものである。
【００１０】
前記第１の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続されたものである。前記第２の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続されたものである。
【００１１】
前記制御回路は、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせるものである。
【００１２】
ここで開示する第２の半導体集積回路装置は、ノイズ耐性評価対象回路と、第１の抵抗と、第１の可変電流源と、第２の可変電流源と、制御回路とを有するものである。前記第１の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続されたものである。
【００１３】
前記第１の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線との間に接続されたものである。前記第２の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の電源配線との間に接続されたものである。
【００１４】
前記制御回路は、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせるものである。
【００１５】
ここで開示する第３の半導体集積回路装置は、ノイズ耐性評価対象回路と、第２の抵抗と、第１の可変電流源と、第２の可変電流源と、制御回路とを有するものである。前記第２の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続されたものである。
【００１６】
前記第１の可変電流源は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続されたものである。前記第２の可変電流源は、前記第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続されたものである。
【００１７】
前記制御回路は、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせるものである。
【００１８】
ここで開示する第４の半導体集積回路装置は、ノイズ耐性評価対象回路と、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第３の可変電流源と、第４の可変電流源と、第５の可変電流源と、制御回路とを有するものである。前記第１の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続されたものである。前記第２の抵抗は、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続されたものである。
【００１９】
前記第３の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続されたものである。前記第４の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続されたものである。前記第５の可変電流源は、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続されたものである。
【００２０】
前記制御回路は、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第３の可変電流源と前記第４の可変電流源と前記第５の可変電流源とを制御し、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第３の可変電流源が流す電流と前記第４の可変電流源が流す電流とのいずれか一方又は両方と、前記第５の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせるものである。
【００２１】
ここで開示する第１の半導体集積回路装置の試験方法は、ノイズ耐性評価対象回路と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源とを有する半導体集積回路装置の試験方法である。
【００２２】
第１の半導体集積回路装置の試験方法は、前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００２３】
ここで開示する第２の半導体集積回路装置の試験方法は、ノイズ耐性評価対象回路と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線との間に接続された第１の可変電流源と、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の電源配線との間に接続された第２の可変電流源とを有する半導体集積回路装置の試験方法である。
【００２４】
第２の半導体集積回路装置の試験方法は、前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００２５】
ここで開示する第３の半導体集積回路装置の試験方法は、ノイズ耐性評価対象回路と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、前記第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源とを有する半導体集積回路装置の試験方法である。
【００２６】
第３の半導体集積回路装置の試験方法は、前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００２７】
ここで開示する第４の半導体集積回路装置の試験方法は、ノイズ耐性評価対象回路と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第３の可変電流源と、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第４の可変電流源と、前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第５の可変電流源とを有する半導体集積回路装置の試験方法である。
【００２８】
第４の半導体集積回路装置の試験方法は、前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、前記第３の可変電流源と前記第４の可変電流源と前記第５の可変電流源とを制御し、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第３の可変電流源が流す電流と前記第４の可変電流源が流す電流とのいずれか一方又は両方と、前記第５の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程を含むものである。
【００２９】
開示した第１の半導体集積回路装置によれば、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。また、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００３０】
この場合、前記制御回路は、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００３１】
開示した第２の半導体集積回路装置によれば、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００３２】
この場合、前記制御回路は、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００３３】
開示した第３の半導体集積回路装置によれば、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００３４】
この場合、前記制御回路は、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００３５】
開示した第４の半導体集積回路装置によれば、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第３の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。また、前記第４の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００３６】
この場合、前記制御回路は、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００３７】
開示した第１の半導体集積回路装置の試験方法によれば、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。また、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００３８】
この場合、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００３９】
開示した第２の半導体集積回路装置の試験方法によれば、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００４０】
この場合、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００４１】
開示した第３の半導体集積回路装置の試験方法によれば、前記第１の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００４２】
この場合、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線に流れる電流の電流値を一定値に保ち、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００４３】
開示した第４の半導体集積回路装置の試験方法によれば、前記第３の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第１の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。また、前記第４の可変電流源が流す電流に増減変化が起こることにより前記第２の抵抗に発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとして前記ノイズ耐性評価対象回路に与えることができる。
【００４４】
この場合、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、前記第１の電源供給配線及び前記第２の電源供給配線の寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、前記ノイズ耐性評価対象回路に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００４５】
以下、図１〜図９を参照して、本発明の半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法の第１実施形態〜第４実施形態について説明する。本発明は、本発明の半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法の第１実施形態〜第４実施形態に限定されるものではない。
【００４６】
（第１実施形態）
図１は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態を外部電源と共に示す回路図である。図１中、１４は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態、１５は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４に電源電圧を供給する外部電源である。本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４において、１６はノイズ耐性評価対象回路、１７Ａは高電位側の電源供給配線、１７Ｂは低電位側の電源供給配線である。電源供給配線１７Ａ、１７Ｂには、ボンディングワイヤ等、半導体パッケージ内の電源配線や、外部電源１５と本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４との接続部分の電源配線などが含まれる。
【００４７】
１８Ａは電源供給配線１７Ａとノイズ耐性評価対象回路１６の高電位側の電源配線（ＶＤＤ電源配線）との間に接続された抵抗、１８Ｂは電源供給配線１７Ｂとノイズ耐性評価対象回路１６の低電位側の電源配線（ＶＳＳ電源配線）との間に接続された抵抗である。
【００４８】
１９は電源ノイズ発生用の可変電流源である。この可変電流源１９は、抵抗１８Ａとノイズ耐性評価対象回路１６の高電位側の電源配線との接続部分と、抵抗１８Ｂとノイズ耐性評価対象回路１６の低電位側の電源配線との接続部分との間に接続されている。
【００４９】
２０は消費電流安定用の可変電流源であり、この可変電流源２０は、抵抗１８Ａと電源供給配線１７Ａとの接続部分と、抵抗１８Ｂと電源供給配線１７Ｂとの接続部分との間に接続されている。
【００５０】
２１は制御回路である。制御回路２１は、外部から与えられるノイズ制御信号に制御されて可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源１９が流す電流と可変電流源２０が流す電流とに逆方向の増減変化を起こさせるものである。２２はデカップリング容量であり、場合によっては、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに発生してしまうインダクタンス成分による電源ノイズを軽減するためのものである。
【００５１】
本発明の半導体集積回路装置の試験方法の第１実施形態は、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４を対象とするものであり、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂ間に外部電源１５から電源電圧を供給する工程と、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源１９が流す電流と可変電流源２０が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００５２】
可変電流源１９が流す電流に増減変化を発生させると、抵抗１８Ａ、１８Ｂに電圧降下（ＩＲドロップ）の増減変化が発生する。抵抗１８Ａに発生する電圧降下の増減変化は、高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えられる。抵抗１８Ｂに発生する電圧降下の増減変化は、低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えられる。
【００５３】
ここで、可変電流源１９が流す電流の電流値をＩ1、可変電流源２０が流す電流の電流値をＩ2とすると、制御回路２１は、電流値Ｉ2が式（１）で示す値となるように可変電流源２０を制御する。但し、電流値Ｉconstは、ノイズ耐性評価対象回路１６が消費する電流より十分大きな値とする。
【００５４】
【数１】
2010048649.tif 000003
【００５５】
また、抵抗１８Ａに発生する電圧降下Ｖdeltaは、抵抗１８Ａの抵抗値をＲとすると、式（２）に示すようになる。
【００５６】
【数２】
2010048649.tif 000004
【００５７】
また、電源供給配線１７Ａの寄生インピーダンスの抵抗成分をＲp、インダクタンス成分をＬpとすると、電源供給配線１７Ａに電流値Ｉの電流が流れた場合に、電源供給配線１７Ａに発生する電圧降下Ｖdropは、式（３）に示すようになる。
【００５８】
【数３】
2010048649.tif 000005
【００５９】
電源供給配線１７Ａを流れる電流は式（１）に示すようにＩconstであり、Ｉconstは時間変動しないので、式（３）の第二項は常に０となる。したがって、ノイズ耐性評価対象回路１６に与えられる電源電圧Ｖmacroは、抵抗１８Ｂの抵抗値を抵抗１８Ａと同一、電源供給配線１７Ｂに発生する電圧降下を電源供給配線１７Ａに発生する電圧降下と同一とし、外部電源１５が出力する電圧をＶsupplyとすると、式（４）に示すようになる。
【００６０】
【数４】
2010048649.tif 000006
【００６１】
このように、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができるので、ノイズ耐性評価対象回路１６に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができる。
【００６２】
そこで、ノイズ耐性評価対象回路１６のノイズ耐性を測定する場合には、まず、可変電流源１９が流す電流の電流値Ｉ1を許容範囲内の或る一定の値にし、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源電圧Ｖmacroの電圧値を測定し、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源電圧Ｖmacroよりも２Ｒp・Ｉconstだけ電圧が高くなるように、外部電源１５の出力電圧Ｖsupplyを設定する。次に、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源ノイズ量を決め、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源電圧Ｖmacroがそのノイズが乗った電源電圧波形となるように、電流値Ｉ1、Ｉ2を変化させるようにする。
【００６３】
なお、可変電流源２０を流れる電流が、式（１）から外れると、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流に時間変動が発生し、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスのインダクタンス成分Ｌpによる電源ノイズが発生してしまう。このインダクタンス成分Ｌpにより発生する電源ノイズを少なくするために、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４では、可変電流源２０に並列にデカップリング容量２２を接続している。
【００６４】
（本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第１具体例）
図２は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第１具体例を外部電源と共に示す回路図である。可変電流源１９は、ＰＭＯＳトランジスタ２３で構成されている。ＰＭＯＳトランジスタ２３は、ソースを抵抗１８Ａとノイズ耐性評価対象回路１６の高電位側の電源配線との接続部分に接続し、ドレインを抵抗１８Ｂとノイズ耐性評価対象回路１６の低電位側の電源配線との接続部分に接続している。
【００６５】
可変電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ２４と、抵抗２５、２６とで構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ２４は、ドレインを抵抗２５を介して抵抗１８Ａと電源供給配線１７Ａとの接続部分に接続し、ソースを抵抗２６を介して抵抗１８Ｂと電源供給配線１７Ｂとの接続部分に接続している。
【００６６】
制御回路２１は、ＮＭＯＳトランジスタ２７と、電源２８と、電流源２９と、アナログ信号からなるノイズ制御信号ＳＢを入力するための入力端子３０と、基板電位供給回路３１とを有している。ＮＭＯＳトランジスタ２７は、ゲートを入力端子３０に接続し、電源２８を電源とし、電流源２９を負荷素子とし、ソースフォロア回路を構成し、ソースをＰＭＯＳトランジスタ２３のゲート、ＮＭＯＳトランジスタ２４のゲート及び基板電位供給回路３１の入力ノードに接続している。
【００６７】
基板電位供給回路３１は、ＰＭＯＳトランジスタ２３及びＮＭＯＳトランジスタ２４のゲート電圧を変化させた場合においても、ＰＭＯＳトランジスタ２３のソース・ドレイン間電流とＮＭＯＳトランジスタ２４のドレイン・ソース間電流との合計値が正確に一定値となるように調整された基板電位をＮＭＯＳトランジスタ２４に供給するものである。
【００６８】
図３は基板電位供給回路３１の構成を示す回路図である。図３中、３２は高電位側の電源配線、３３は低電位側の電源配線、３４は入力ノード、３５はＰＭＯＳトランジスタ、３６〜３８はＮＭＯＳトランジスタ、３９、４０は抵抗、４１は差動増幅器、４２は出力ノードである。入力ノード３４にはＮＭＯＳトランジスタ２７のソース電圧が供給され、出力ノード４２に出力される電圧ＶＯがＮＭＯＳトランジスタ２４に基板電位として供給される。
【００６９】
本例では、ＰＭＯＳトランジスタ３５とＮＭＯＳトランジスタ３８とのサイズ比が、ＰＭＯＳトランジスタ２３とＮＭＯＳトランジスタ２４とのサイズ比と同一となるように設計する。また、基板電位供給回路３１が基板電位調整動作をしない場合（入力ノード３４の電位＝０Ｖの場合）、ＰＭＯＳトランジスタ３５に流れる電流Ｉpと、ＮＭＯＳトランジスタ３８に流れる電流Ｉnとの大小関係が、Ｉp＞Ｉnとなるように、ＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３８、ＰＭＯＳトランジスタ２３、ＮＭＯＳトランジスタ２４のサイズを決定する。
【００７０】
ここで、入力ノード３４に電圧を加えると、Ｉp＞Ｉnであることから、差動増幅器４１の反転入力端子の電圧をＶp、差動増幅器４１の非反転入力端子の電圧をＶnとすると、Ｖp＜Ｖnとなり、出力ノード４２の電位ＶＯが高くなる。出力ノード４２の電圧ＶＯの電位が高くなると、基板効果によって、ＮＭＯＳトランジスタ３８のオン抵抗値が減少し、ＮＭＯＳトランジスタ３８に流れる電流Ｉnが増加する。最終的に、出力ノード４２の電位ＶＯの増加は、Ｖp＝Ｖnとなる時点、つまり、Ｉp＝Ｉnとなった時点で止まり、出力ノード４２の電圧ＶＯは、ＰＭＯＳトランジスタ３５とＮＭＯＳトランジスタ３８の電流値が等しくなるような電位となる。
【００７１】
本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第１具体例においては、ノイズ制御信号ＳＢの電位を増減変化させることにより、ＰＭＯＳトランジスタ２３が流す電流に増減変化を発生させることができ、これにより抵抗１８Ａ、１８Ｂに発生する電圧降下の増減変化を電源ノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００７２】
この場合において、ノイズ制御信号ＳＢの電位が高くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ２３に流れる電流が減少し、ＮＭＯＳトランジスタ２４に流れる電流が増加する。ノイズ制御信号ＳＢの電位が低くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ２３に流れる電流が増加し、ＮＭＯＳトランジスタ２４に流れる電流が減少する。また、この場合、ＰＭＯＳトランジスタ２３及びＮＭＯＳトランジスタ２４の電流変化の絶対値が等しくなるように、ノイズ制御信号ＳＢの電位に応じたＮＭＯＳトランジスタ２４の基板電位ＶＯが基板電位供給回路３１により供給される。
【００７３】
ここで、例えば、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える標準の電源電圧を１.２Ｖとし、電源ノイズが高電位側及び低電位側のそれぞれに最大で±１００ｍＶで発生するとする。また、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスのインダクタンス成分Ｌpを数百〜数千ピコ・ヘンリーとし、電源ノイズは１００ｐｓで１００ｍＶの早さでステップ状に変動するものとする。
【００７４】
そこで、ノイズ耐性評価対象回路１６に対して、１００ｍＶ／１００ｐｓで変化する信号を与えると、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流Ｉの時間変化は、dＩ／dｔ＝１×１０9となる。したがって、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂで発生する電圧変動は、それぞれ、Ｌp（dＩ／dｔ）＝０.１〜１.０［Ｖ］程度となる。これは、電源電圧や電源ノイズに比べて無視できない大きさの電圧変動であり、何らの対策も講じない場合には、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによって起こる電圧変動により、ノイズ耐性評価対象回路１６に目的の電源ノイズを与えることは困難である。
【００７５】
本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４の第１具体例において、抵抗１８Ａ、１８Ｂ、２５、２６の抵抗値を１Ω、ＰＭＯＳトランジスタ２３に流れる電流及びＮＭＯＳトランジスタ２４に流れる電流を０〜２００ｍＡ、外部電源１５の出力電圧を１.４Ｖとし、ノイズ耐性評価対象回路１６に、１.０〜１.４Ｖの間の任意の電源変動を起こさせるとすると、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流値は２００ｍＡで一定のため、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによって発生する電圧変動を無視することができる。
【００７６】
本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４の第１具体例においては、アナログ信号からなるノイズ制御信号ＳＢの増減変化の程度を変えることにより、電源ノイズ量を変化させることができるので、図１０に示す従来の半導体集積回路装置の場合よりも多くの種類の電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００７７】
（本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第２具体例）
図４は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第２具体例を外部電源と共に示す回路図である。可変電流源１９は、ＮＭＯＳトランジスタ４５〜４７で構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ４５〜４７は、ドレインを抵抗１８Ａとノイズ耐性評価対象回路１６の高電位側の電源配線との接続部分に接続し、ソースを抵抗１８Ｂとノイズ耐性評価対象回路１６の低電位側の電源配線との接続部分に接続している。
【００７８】
可変電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ４８〜５０で構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ４８〜５０は、ドレインを抵抗１８Ａと電源供給配線１７Ａとの接続部分に接続し、ソースを抵抗１８Ｂと電源供給配線１７Ｂとの接続部分に接続している。ＮＭＯＳトランジスタ４５〜５０は、全て同一の電流値を流すものでも良いし、流す電流に重み付けをしても良い。
【００７９】
制御回路２１は、デジタル信号からなるノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３を入力するための入力端子５１〜５３と、ノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３を反転するインバータ５４〜５６とを有している。入力端子５１は、ＮＭＯＳトランジスタ４５のゲート及びインバータ５４の入力端子に接続されている。入力端子５２は、ＮＭＯＳトランジスタ４６のゲート及びインバータ５５の入力端子に接続されている。入力端子５３は、ＮＭＯＳトランジスタ４７のゲート及びインバータ５６の入力端子に接続されている。
【００８０】
インバータ５４の出力端子は、ＮＭＯＳトランジスタ４８のゲートに接続されている。インバータ５５の出力端子は、ＮＭＯＳトランジスタ４９のゲートに接続されている。インバータ５６の出力端子は、ＮＭＯＳトランジスタ５０のゲートに接続されている。
【００８１】
ノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３により、ＮＭＯＳトランジスタ４５〜４７中の１以上のＮＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタ４８〜５０中の１以上のＮＭＯＳトランジスタとをスイッチングさせることにより電源ノイズを発生させることができる。ＮＭＯＳトランジスタ４５〜４７中のスイッチングさせるＮＭＯＳトランジスタの数と、ＮＭＯＳトランジスタ４８〜５０中のスイッチングさせるＮＭＯＳトランジスタの数は同数となるので、外部電源１５から見ると、ＯＮとなっているＮＭＯＳトランジスタの数は常に一定であり、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流の電流値は一定値となる。
【００８２】
また、ＮＭＯＳトランジスタ４５〜５０のサイズを同一とする場合には、スイッチングさせるＮＭＯＳトランジスタの数を変えることにより、変動レベルの異なる電源ノイズを発生させることができる。また、ＮＭＯＳトランジスタ４５〜５０が流す電流に重み付けをする場合には、スイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数を変える場合のみならず、スイッチングさせるＮＭＯＳトランジスタの数が１個の場合でも、スイッチングさせるＮＭＯＳトランジスタを変えることにより、変動レベルの異なる電源ノイズを発生させることができる。したがって、図１０に示す従来の半導体集積回路装置の場合よりも多くの種類の電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００８３】
また、ノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３の電位を本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４が使用する基本クロックの周期で変化させれば、基本クロックに同期した電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。また、ノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３の電位を基本クロックの周期より遅い周期で変化させれば、基本クロックより遅い周期の電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。また、ノイズ制御信号ＳＣ１〜ＳＣ３の電位を基本クロックよりも早い周期で変化させれば、基本クロック内で変動する電源ノイズを与えることができる。
【００８４】
以上のように、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４によれば、可変電流源１９が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗１８Ａに発生する電圧変化の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。また、可変電流源２０が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗１８Ｂに発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００８５】
この場合、制御回路２１は、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流の電流値を一定値にし、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源ノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、ノイズ耐性評価対象回路１６のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００８６】
（第２実施形態）
図５は本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態を外部電源と共に示す回路図である。本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態５７は、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４が設ける低電位側の抵抗１８Ｂを削除し、その他については、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４と同様に構成したものである。可変電流源１９、２０及び制御回路２１は、図２又は図４に示す場合と同様に構成することができる。
【００８７】
本発明の半導体集積回路装置の試験方法の第２実施形態は、本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態５７を対象とするものであり、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂとの間に外部電源１５から電源電圧を供給する工程と、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源１９が流す電流と可変電流源２０が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００８８】
本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態５７によれば、可変電流源１９が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗１８Ａに発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００８９】
この場合、制御回路２１は、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流の電流値を一定値にし、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源ノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、ノイズ耐性評価対象回路１６のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００９０】
（第３実施形態）
図６は本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態を外部電源と共に示す回路図である。本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態５８は、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４が設ける高電位側の抵抗１８Ａを削除し、その他については、本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態１４と同様に構成したものである。可変電流源１９、２０及び制御回路２１は、図２又は図４に示す場合と同様に構成することができる。
【００９１】
本発明の半導体集積回路装置の試験方法の第３実施形態は、本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態５８を対象とするものであり、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂとの間に外部電源１５から電源電圧を供給する工程と、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源１９が流す電流と可変電流源２０が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【００９２】
本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態５８によれば、可変電流源１９が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗１８Ｂに発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路１６に与えることができる。
【００９３】
この場合、制御回路２１は、可変電流源１９、２０を制御し、可変電流源１９が流す電流の電流値と可変電流源２０が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせるので、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂに流れる電流の電流値を一定値にし、電源供給配線１７Ａ、１７Ｂの寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、ノイズ耐性評価対象回路１６に与える電源ノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、ノイズ耐性評価対象回路１６のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【００９４】
（第４実施形態）
図７は本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態を外部電源と共に示す回路図である。図７中、６０は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態、６１は本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態６０に電源電圧を供給する外部電源である。本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０において、６２はノイズ耐性評価対象回路、６３Ａは高電位側の電源供給配線、６３Ｂは低電位側の電源供給配線である。電源供給配線６３Ａ、６３Ｂには、ボンディングワイヤ等、半導体パッケージ内の電源配線や、外部電源６１と本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０との接続部分の電源配線などが含まれる。
【００９５】
６４Ａは電源供給配線６３Ａとノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線との間に接続された抵抗、６４Ｂは電源供給配線６３Ｂとノイズ耐性評価対象回路６２の低電位側の電源配線との間に接続された抵抗である。
【００９６】
６５は高電位側の電源ノイズ発生用の可変電流源である。可変電流源６５は、抵抗６４Ａとノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線との接続部分と、抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分との間に接続されている。
【００９７】
６６は低電位側の電源ノイズ発生用の可変電流源である。可変電流源６６は、抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分と、抵抗６４Ｂとノイズ耐性評価対象回路６２の低電位側の電源配線との接続部分との間に接続されている。
【００９８】
６７は消費電流安定用の可変電流源である。可変電流源６７は、抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分と、抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分との間に接続されている。
【００９９】
６８は制御回路である。制御回路６８は、外部から与えられるノイズ制御信号に制御されて可変電流源６５〜６７を制御し、可変電流源６５が流す電流の電流値と可変電流源６６が流す電流の電流値と可変電流源６７が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源６５が流す電流と可変電流源６６が流す電流とのいずれか一方又は両方と、可変電流源６７が流す電流とに増減変化を起こさせるものである。
【０１００】
本発明の半導体集積回路装置の試験方法の第４実施形態は、本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０を対象とするものであり、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂ間に外部電源６１から電源電圧を供給する工程と、可変電流源６５〜６７を制御し、可変電流源６５が流す電流の電流値と可変電流源６６が流す電流の電流値と可変電流源６７が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、可変電流源６５が流す電流と可変電流源６６が流す電流とのいずれか一方又は両方と、可変電流源６７が流す電流とに増減変化を起こさせる工程とを含むものである。
【０１０１】
ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側の電源ノイズのみを与える場合には、可変電流源６６が流す電流の電流値を一定にし、可変電流源６５が流す電流に増減変化を起こさせる。このようにすると、抵抗６４Ａに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ａに発生する電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１０２】
また、ノイズ耐性評価対象回路６２に低電位側の電源ノイズのみを与える場合には、可変電流源６５が流す電流の電流値を一定にし、可変電流源６６が流す電流に増減変化を起こさせる。このようにすると、抵抗６４Ｂに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ｂに発生する電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１０３】
また、ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側及び低電位側の電源ノイズを与える場合には、可変電流源６５、６６が流す電流に増減変化を起こさせる。このようにすると、抵抗６４Ａ、６４Ｂのそれぞれに電圧降下の増減変化が発生し、抵抗６４Ａに発生する電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられると共に、抵抗６４Ｂに発生する電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１０４】
なお、可変電流源６５が流す電流と可変電流源６６が流す電流とに同一方向の増減変化を起こさせる場合には、ノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線と低電位側の電源配線とに同位相の電源ノイズを与えることができる。また、可変電流源６５が流す電流と可変電流源６６が流す電流とに逆方向の増減変化を起こさせる場合には、ノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線と低電位側の電源配線とに逆位相の電源ノイズを与えることができる。
【０１０５】
（本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第１具体例）
図８は本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第１具体例を外部電源と共に示す回路図である。可変電流源６５は、ＰＭＯＳトランジスタ７０で構成されている。ＰＭＯＳトランジスタ７０は、ソースを抵抗６４Ａとノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線との接続部分に接続し、ドレインを抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続している。
【０１０６】
可変電流源６６は、ＰＭＯＳトランジスタ７１で構成されている。ＰＭＯＳトランジスタ７１は、ソースを抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分に接続し、ドレインを抵抗６４Ｂとノイズ耐性評価対象回路６２の低電位側の電源配線との接続部分に接続している。
【０１０７】
可変電流源６７は、ＮＭＯＳトランジスタ７２、７３と、抵抗７４、７５とで構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ７２は、ドレインを抵抗７４を介して抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分に接続し、ソースを抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続している。ＮＭＯＳトランジスタ７３は、ドレインを抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続し、ソースを抵抗７５を介して抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続している。
【０１０８】
制御回路６８は、アナログ信号からなるノイズ制御信号ＳＤ１、ＳＤ２を入力するための入力端子７６、７７と、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２を制御する制御回路７８と、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３を制御する制御回路７９とを有している。
【０１０９】
制御回路７８は、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２にゲート電圧を供給すると共に、ＮＭＯＳトランジスタ７２に基板電位を供給するものである。制御回路７９は、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３にゲート電圧を供給すると共に、ＮＭＯＳトランジスタ７３に基板電位を供給するものである。
【０１１０】
制御回路７８は、ＮＭＯＳトランジスタ８０と、電源８１と、電流源８２と、基板電位供給回路８３とを有している。ＮＭＯＳトランジスタ８０は、ゲートを入力端子７６に接続し、電源８１を電源とし、電流源８２を負荷素子とし、ソースフォロア回路を構成している。基板電位供給回路８３は、図３に示す基板電位供給回路３１と同様に構成される。
【０１１１】
制御回路７９は、ＮＭＯＳトランジスタ８４と、電源８５と、電流源８６と、基板電位供給回路８７とを有している。ＮＭＯＳトランジスタ８４は、ゲートを入力端子７７に接続し、電源８５を電源とし、電流源８６を負荷素子とし、ソースフォロア回路を構成している。基板電位供給回路８７は、図３に示す基板電位供給回路３１と同様に構成される。
【０１１２】
本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０の第１具体例においては、ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側の電源ノイズのみを与える場合には、例えば、ノイズ制御信号ＳＤ２を中間電位に固定し、ノイズ制御信号ＳＤ１の電位を増減変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３が流す電流の電流値を一定とし、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２が流す電流に逆方向の増減変化を起こさせることができる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ７０が流す電流の増減変化により抵抗６４Ａに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ａの電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１１３】
また、ノイズ耐性評価対象回路６２に低電位側の電源ノイズのみを与える場合には、例えば、ノイズ制御信号ＳＤ１を中間電位に固定し、ノイズ制御信号ＳＤ２の電位を増減変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２が流す電流の電流値を一定とし、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３が流す電流に逆方向の増減変化を起こさせることができる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ７１が流す電流の増減変化により抵抗６４Ｂに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ｂの電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１１４】
また、ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側及び低電位側の電源ノイズを与える場合には、ノイズ制御信号ＳＤ１、ＳＤ２の電位を増減変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２が流す電流に逆方向の増減変化を起こさせることができると共に、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３が流す電流に逆方向の増減変化を起こさせることができる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ７０が流す電流の増減変化により抵抗６４Ａに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ａの電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。また、ＰＭＯＳトランジスタ７１が流す電流の増減変化により抵抗６４Ｂに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ｂの電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１１５】
なお、ノイズ制御信号ＳＤ１の電位が高くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ７０に流れる電流が減少し、ＮＭＯＳトランジスタ７２に流れる電流が増加する。ノイズ制御信号ＳＤ１の電位が低くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ７０に流れる電流が増加し、ＮＭＯＳトランジスタ７２に流れる電流が減少する。これらの場合、ＰＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７２の電流変化の絶対値が等しくなるように、ノイズ制御信号ＳＤ１の電位に応じたＮＭＯＳトランジスタ７２の基板電位ＶＯ１が基板電位供給回路８３により供給される。
【０１１６】
また、ノイズ制御信号ＳＤ２の電位が高くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ７１に流れる電流が減少し、ＮＭＯＳトランジスタ７３に流れる電流が増加する。ノイズ制御信号ＳＤ２の電位が低くなる場合は、ＰＭＯＳトランジスタ７１に流れる電流が増加し、ＮＭＯＳトランジスタ７３に流れる電流が減少する。これらの場合、ＰＭＯＳトランジスタ７１及びＮＭＯＳトランジスタ７３の電流変化の絶対値が等しくなるように、ノイズ制御信号ＳＤ２の電位に応じたＮＭＯＳトランジスタ７３の基板電位ＶＯ２が基板電位供給回路８７により供給される。
【０１１７】
（本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第２具体例）
図９は本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第２具体例を外部電源と共に示す回路図である。可変電流源６５は、ＮＭＯＳトランジスタ８８、８９で構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ８８、８９は、ドレインを抵抗６４Ａとノイズ耐性評価対象回路６２の高電位側の電源配線との接続部分に接続し、ソースを抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続している。
【０１１８】
可変電流源６６は、ＮＭＯＳトランジスタ９０、９１で構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ９０、９１は、ドレインを抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分に接続し、ソースを抵抗６４Ｂとノイズ耐性評価対象回路６２の低電位側の電源配線との接続部分に接続している。
【０１１９】
可変電流源６７は、ＮＭＯＳトランジスタ９２〜９５で構成されている。ＮＭＯＳトランジスタ９２〜９５は、ドレインを抵抗６４Ａと電源供給配線６３Ａとの接続部分に接続し、ソースを抵抗６４Ｂと電源供給配線６３Ｂとの接続部分に接続している。
【０１２０】
制御回路６８は、デジタル信号からなるノイズ制御信号ＳＥ１〜ＳＥ４を入力するための入力端子９６〜９９と、ノイズ制御信号ＳＥ１〜ＳＥ４を反転するインバータ１００〜１０３とを有している。入力端子９６は、ＮＭＯＳトランジスタ８８のゲート及びインバータ１００の入力端子に接続されている。入力端子９７は、ＮＭＯＳトランジスタ８９のゲート及びインバータ１０１の入力端子に接続されている。入力端子９８は、ＮＭＯＳトランジスタ９０のゲート及びインバータ１０２の入力端子に接続されている。入力端子９９は、ＮＭＯＳトランジスタ９１のゲート及びインバータ１０３の入力端子に接続されている。
【０１２１】
インバータ１００の出力端子はＮＭＯＳトランジスタ９２のゲートに接続されている。インバータ１０１の出力端子はＮＭＯＳトランジスタ９３のゲートに接続されている。インバータ１０２の出力端子はＮＭＯＳトランジスタ９４のゲートに接続されている。インバータ１０３の出力端子はＮＭＯＳトランジスタ９５のゲートに接続されている。
【０１２２】
ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側の電源ノイズのみを与える場合には、例えば、ノイズ制御信号ＳＥ３、ＳＥ４をＨレベルに固定し、ノイズ制御信号ＳＥ１、ＳＥ２のいずれか一方又は両方の電位を変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ９０、９１はＯＮ、ＮＭＯＳトランジスタ９４、９５はＯＦＦに固定され、ＰＭＯＳトランジスタ８８、８９のいずれか一方又は両方及びＮＭＯＳトランジスタ９２、９３のいずれか一方又は両方がスイッチング動作を行うことになる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ８８、８９のいずれか一方又は両方が流す電流の増減変化により抵抗６４Ａに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ａの電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１２３】
また、この場合、ＮＭＯＳトランジスタ８８、８９中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数と、ＮＭＯＳトランジスタ９２、９３中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数は同数となるので、外部電源６１から見ると、ＯＮとなっているＮＭＯＳトランジスタの数は一定であり、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂに流れる電流の電流値は一定値となる。
【０１２４】
また、ノイズ耐性評価対象回路６２に低電位側の電源ノイズのみを与える場合には、例えば、ノイズ制御信号ＳＥ１、ＳＥ２をＨレベルに固定し、ノイズ制御信号ＳＥ３、ＳＥ４のいずれか一方又は両方の電位を変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ８８、８９はＯＮ、ＮＭＯＳトランジスタ９２、９３はＯＦＦに固定され、ＰＭＯＳトランジスタ９０、９１のいずれか一方又は両方及びＮＭＯＳトランジスタ９４、９５のいずれか一方又は両方がスイッチング動作を行うことになる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ９０、９１のいずれか一方又は両方が流す電流の増減変化により抵抗６４Ｂに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ｂの電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１２５】
また、この場合、ＮＭＯＳトランジスタ９０、９１中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数と、ＮＭＯＳトランジスタ９４、９５中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数は同数となるので、外部電源６１から見ると、ＯＮとなっているＮＭＯＳトランジスタの数は一定であり、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂに流れる電流の電流値は一定値となる。
【０１２６】
ノイズ耐性評価対象回路６２に高電位側及び低電位側の電源ノイズを与える場合には、ノイズ制御信号ＳＥ１、ＳＥ２のいずれか一方又は両方及びノイズ制御信号ＳＥ３、ＳＥ４のいずれか一方又は両方の電位を変化させる。このようにすると、ＰＭＯＳトランジスタ８８、８９のいずれか一方又は両方、ＰＭＯＳトランジスタ９０、９１のいずれか一方又は両方、ＮＭＯＳトランジスタ９２、９３のいずれか一方又は両方、及び、ＮＭＯＳトランジスタ９４、９５のいずれか一方又は両方がスイッチング動作を行うことになる。
【０１２７】
この場合、ＰＭＯＳトランジスタ８８、８９のいずれか一方又は両方が流す電流の増減変化により抵抗６４Ａに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ａの電圧降下の増減変化が高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられると共に、ＰＭＯＳトランジスタ９０、９１のいずれか一方又は両方が流す電流の増減変化により抵抗６４Ｂに電圧降下の増減変化が発生し、この抵抗６４Ｂの電圧降下の増減変化が低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えられる。
【０１２８】
また、この場合、ＮＭＯＳトランジスタ８８、８９中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数と、ＮＭＯＳトランジスタ９２、９３中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数は同数となる。また、ＮＭＯＳトランジスタ９０、９１中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数と、ＮＭＯＳトランジスタ９４、９５中のスイッチングするＮＭＯＳトランジスタの数は同数となる。したがって、外部電源６１から見ると、ＯＮとなっているＮＭＯＳトランジスタの数は一定であり、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂに流れる電流の電流値は一定値となる。
【０１２９】
また、ノイズ制御信号ＳＥ１〜ＳＥ４の電位を本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０が使用する基本クロックの周期で変化させれば、基本クロックに同期した電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路６２に与えることができる。また、ノイズ制御信号ＳＥ１〜ＳＥ２の電位を基本クロックの周期より遅い周期で変化させれば、基本クロックより遅い周期の電源ノイズをノイズ耐性評価対象回路６２に与えることができる。また、ノイズ制御信号ＳＥ１〜ＳＥ４の電位を基本クロックよりも早い周期で変化させれば、基本クロック内で変動する電源ノイズを与えることができる。
【０１３０】
以上のように、本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態６０によれば、可変電流源６５が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗６４Ａに発生する電圧降下の増減変化を高電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えることができる。また、可変電流源６６が流す電流に増減変化を起こさせることにより抵抗６４Ｂに発生する電圧降下の増減変化を低電位側の電源電圧のノイズとしてノイズ耐性評価対象回路６２に与えることができる。
【０１３１】
この場合、制御回路６８は、可変電流源６５〜６７を制御し、可変電流源６５が流す電流の電流値と可変電流源６６が流す電流の電流値と可変電流源６７が流す電流の電流値の合計値を一定値に保たせるので、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂに流れる電流の電流値を一定値にし、電源供給配線６３Ａ、６３Ｂの寄生インピーダンスによる電圧降下を抵抗成分のみの電圧降下とすることができる。この結果、ノイズ耐性評価対象回路６２に与えるノイズを含む電源電圧の電圧値を正確に知ることができるので、ノイズ耐性評価対象回路６２のノイズ耐性評価を高精度に行うことができる。
【０１３２】
ここで、本発明の半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法を整理すると、本発明の半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法には、少なくとも、以下の半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法が含まれる。
【０１３３】
（付記１）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【０１３４】
（付記２）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の電源配線との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【０１３５】
（付記３）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【０１３６】
（付記４）
前記第１の可変電流源は、可変電流源用トランジスタとして第１導電型の第１の電界効果トランジスタを有し、
前記第２の可変電流源は、可変電流源用トランジスタとして第２導電型の第２の電界効果トランジスタを有し、
前記制御回路は、前記第１の電界効果トランジスタのゲート及び前記第２の電界効果トランジスタのゲートにアナログ制御信号を与えること
を特徴とする付記１乃至３に記載の半導体集積回路装置。
【０１３７】
（付記５）
前記制御回路は、前記第１の電界効果トランジスタが流す電流の増減変化の絶対値と前記第２の電界効果トランジスタが流す電流の増減変化の絶対値とが同一となるように基板電位を前記第２の電界効果トランジスタに供給する基板電位供給回路を有すること
を特徴とする付記４に記載の半導体集積回路装置。
【０１３８】
（付記６）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第３の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第４の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第５の可変電流源と、
前記ノイズ耐性評価対象回路のノイズ耐性測定時に、前記第３の可変電流源と前記第４の可変電流源と前記第５の可変電流源とを制御し、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第３の可変電流源が流す電流と前記第４の可変電流源が流す電流とのいずれか一方又は両方と、前記第５の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる制御回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【０１３９】
（付記７）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
を有する半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、
前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【０１４０】
（付記８）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の電源配線との間に接続された第２の可変電流源と、
を有する半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、
前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【０１４１】
（付記９）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第１の可変電流源と、
前記第１の電源配線と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第２の可変電流源と、
を有する半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、
前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御し、前記第１の可変電流源が流す電流の電流値と前記第２の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第１の可変電流源が流す電流と前記第２の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【０１４２】
（付記１０）
ノイズ耐性評価対象回路と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第１の電源配線と第１の電源供給配線との間に接続された第１の抵抗と、
前記ノイズ耐性評価対象回路の第２の電源配線と第２の電源供給配線との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第３の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源配線との接続部分との間に接続された第４の可変電流源と、
前記第１の抵抗と前記第１の電源供給配線との接続部分と、前記第２の抵抗と前記第２の電源供給配線との接続部分との間に接続された第５の可変電流源と、
を有する半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記第１の電源供給配線と前記第２の電源供給配線との間に外部から電源電圧を供給する工程と、
前記第３の可変電流源と前記第４の可変電流源と前記第５の可変電流源とを制御し、前記第３の可変電流源が流す電流の電流値と前記第４の可変電流源が流す電流の電流値と前記第５の可変電流源が流す電流の電流値との合計値を一定値に保たせ、前記第３の可変電流源が流す電流と前記第４の可変電流源が流す電流とのいずれか一方又は両方と、前記第５の可変電流源が流す電流とに増減変化を起こさせる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態を外部電源と共に示す回路図である。
【図２】本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第１具体例を外部電源と共に示す回路図である。
【図３】本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第１具体例が有する制御回路内の基板電位供給回路の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態の第２具体例を外部電源と共に示す回路図である。
【図５】本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態を外部電源と共に示す回路図である。
【図６】本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態を外部電源と共に示す回路図である。
【図７】本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態を外部電源と共に示す回路図である。
【図８】本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第１具体例を外部電源と共に示す回路図である。
【図９】本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態の第２具体例を外部電源と共に示す回路図である。
【図１０】従来の半導体集積回路装置の一例を外部電源と共に示す回路図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１…従来の半導体集積回路装置の一例
２…外部電源
３…ノイズ耐性評価対象回路
４Ａ、４Ｂ…電源供給配線
５…可変電流源
６〜８…ＮＭＯＳトランジスタ
９〜１１…入力端子
１４…本発明の半導体集積回路装置の第１実施形態
１５…外部電源
１６…ノイズ耐性評価対象回路
１７Ａ、１７Ｂ…電源供給配線
１８Ａ、１８Ｂ…抵抗
１９、２０…可変電流源
２１…制御回路
２２…デカップリング容量
２３…ＰＭＯＳトランジスタ
２４…ＮＭＯＳトランジスタ
２５、２６…抵抗
２７…ＮＭＯＳトランジスタ
２８…電源
２９…電流源
３０…入力端子
３１…基板電位供給回路
３２…高電位側の電源配線、
３３…低電位側の電源配線
３４…入力ノード
３５…ＰＭＯＳトランジスタ
３６〜３８…ＮＭＯＳトランジスタ
３９、４０…抵抗
４１…差動増幅器
４２…出力ノード
４５〜５０…ＮＭＯＳトランジスタ
５１〜５３…入力端子
５４〜５６…インバータ
５７…本発明の半導体集積回路装置の第２実施形態
５８…本発明の半導体集積回路装置の第３実施形態
６０…本発明の半導体集積回路装置の第４実施形態
６１…外部電源
６２…ノイズ耐性評価対象回路
６３Ａ、６３Ｂ…電源供給配線
６４Ａ、６４Ｂ…抵抗
６５〜６７…可変電流源
６８…制御回路
６９…デカップリング容量
７０、７１…ＰＭＯＳトランジスタ
７２、７３…ＮＭＯＳトランジスタ
７４、７５…抵抗
７６、７７…入力端子
７８、７９…制御回路
８０…ＮＭＯＳトランジスタ
８１…電源
８２…電流源
８３…基板電位供給回路
８４…ＮＭＯＳトランジスタ
８５…電源
８６…電流源
８７…基板電位供給回路
８８〜９５…ＮＭＯＳトランジスタ
９６〜９９…入力端子
１００〜１０３…インバータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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