(57)【要約】【課題】光学特性に影響を与えず、高精度な光学特性を有する光学物品が得られる光学物品の製造方法を提供すること【解決手段】第一光学基板１１と第二光学基板との少なくとも一方に複数層からなる多層膜１２が形成され、前記多層膜１２を間に挟んで第一光学基板１１と第二光学基板とを接合する光学物品の製造方法であって、前記多層膜１２に突出形成された凸部１２１の高さ寸法より小さい膜厚にレジスト膜２０を形成するレジスト形成工程と、前記レジスト膜２０をエッチング液３０に浸漬させて前記多層膜１２を溶解する浸漬工程と、前記レジスト膜２０を剥離する剥離工程と、前記多層膜１２、前記第一光学基板１１または前記第二光学基板にプラズマ重合膜を形成する接合膜形成工程と、を備えることを特徴とする光学物品１の製造方法。【選択図】図３
2010230973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学基板の少なくとも一方の面に光学機能膜となる多層膜を形成し、前記多層膜
を挟んで分子接合する光学物品の製造方法であって、
前記多層膜の全面にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記多層膜と前記レジスト膜が形成された光学基板をエッチング液に浸漬させる浸漬工
程と、
前記レジスト膜を剥離する剥離工程と、
接合面の少なくとも一方の面にプラズマ重合膜を形成する接合膜形成工程と、
前記接合面の表面を活性化する表面活性化工程と、
前記接合面の表面が活性化された光学基板同士を貼り合わせて分子接合とする貼合工程
と、
を備えることを特徴とする光学物品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学物品の製造方法において、
前記貼合工程で分子接合される多層膜表面の凸部に許容される高さをｈとし、
前記レジスト形成工程で形成される前記レジスト膜の膜厚をｔとし、
ｈ＞ｔ
とすることを特徴とする光学物品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光学物品の製造方法において、
前記浸漬工程前に、前記レジスト膜をアッシングするアッシング工程を有することを特
徴とする光学物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学機能膜を間に挟んで接合した光学部品として、偏光変換素子の他、プリズム等が知
られている。従来、偏光変換素子を製造する際、光反射効率を高めるために光学薄膜を多
層膜形成して光学機能膜とすることが知られている。この光学機能膜（以下、多層膜）を
形成する方法としてＰＶＤやプラズマＣＶＤ等の蒸着方法が用いられている。また、これ
らの光学部品の接合には光学接着剤が用いられていた。（特許文献１参照）。
また、上記蒸着による光学薄膜の形成により発生する光学薄膜上の凸部による表面欠陥
をブラシにより除去する方法（特許文献２参照）やイオンスパッタにより除去する方法（
特許文献３参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−９０５２０号公報
【特許文献２】特開平１１−３３７９７０号公報
【特許文献３】特開２００６−５９８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光学基板に多層膜を蒸着により形成する際、例えば、電子ビーム加熱蒸着では電子ビー
ムのエミッション電流を増やすと蒸発源に過度のエネルギーが加わり、蒸発源の蒸発が盛
んになり、局所的に突沸を起こすことがある。この突沸（いわゆるスプラッシュ）が起こ
ると、突沸物が光学基板表面に飛来し、その突沸物の上にも薄膜が逐次成膜される為、突
出した形状に形成され、凸部として多層膜に点在しまう。
【０００５】
そして、複数の光学基板を表面活性化されたプラズマ重合膜により分子接合して光学物
品を製造する際、光学基板に形成された多層膜に前述の突出した凸部が存在すると、接合
不良が生じる。凸部によって、接合面同士を十分に近づけることが阻害されるので、分子
接合を強固なものにできない。
特許文献１のように光学接着剤で接合する場合は接合面の間隔、すなわち光学接着剤の
膜厚は数μｍである為、この凸部を原因とする接合不良にならない。しかし、分子接合の
場合、プラズマ重合膜の膜厚は数ｎｍから数百ｎｍまでの間であるので、この凸部がある
と、接合面の間隔が十分に近づくことができず、安定した分子接合がおこなわれない。
【０００６】
また、この凸部を研磨、ブラシ、イオンスパッタ等の物理的加工により除去する場合、
薄膜全体にキズ、クラック等の障害を与える恐れがある。これらのキズ、クラックは光学
部品の光学特性対して、悪い影響を与える。
【０００７】
本発明の目的は、光学特性に影響を与えず、高精度な光学特性を有する光学物品が得ら
れる分子接合およびその接合面の加工を有する光学物品の製造方法を提供することにある
。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係わる光学物品の製造方法は、複数の光学基板の少なくとも一方の面に光学
機能膜となる多層膜を形成し、前記多層膜を挟んで分子接合する光学物品の製造方法であ
って、前記多層膜の全面にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、前記多層膜と前記
レジスト膜が形成された光学基板をエッチング液に浸漬させる浸漬工程と、前記レジスト
膜を剥離する剥離工程と、接合面の少なくとも一方の面にプラズマ重合膜を形成する接合
膜形成工程と、前記接合面の表面を活性化する表面活性化工程と、前記接合面の表面が活
性化された光学基板同士を貼り合わせて分子接合とする貼合工程と、を備えることを特徴
とする。
【０００９】
上記適用例に係わる光学物品の製造方法では、レジスト膜を形成すると、凸部がレジス
ト膜からも露出することとなる。つまり、多層膜全面にレジスト膜を形成すると、凸部ま
たはその周辺（以下、凸部）はレジスト膜に覆われることなく露出することとなる。
そして、レジスト膜が形成された光学基板をエッチング液に浸漬するので、露出した凸
部だけがエッチング液と接液することとなる。
このため、当該凸部は、エッチング液により溶解され、凸部が形成されていない箇所は
レジスト膜に覆われているのでエッチング液に接触することなく溶解されない。
【００１０】
さらに、凸部が溶解されていくに連れて、エッチング液が随時浸入して凸部周辺の近接
部分も溶解していく。つまり、凸部とその近接部分がエッチング液により選択的に溶解さ
れることとなる。
このため、凸部は、レジスト液から露出した部分だけがエッチング液により溶解される
だけでなく、凸部周辺の近接部分が溶解されることとなる。これにより、多層膜に突出形
成された凸部はエッチング液によりその近接部分も含めて溶解され、クレーター状の微小
且つ浅い凹面（以下、クレーター）のみを有する、凸部の無い概ね平坦な膜面を有する多
層膜とすることができる。
【００１１】
その後、多層膜の膜面、または光学基板の表面にプラズマ重合膜を形成し、これらを表
面活性化して分子接合する。
このとき、接合面は凸部が無い概ね平坦な膜面であるため、接合面同士を十分近づけて
分子接合を強固なものにすることができる。
【００１２】
［適用例２］
本適用例に係わる光学物品の製造方法は、前記貼合工程で分子接合される多層膜表面の
凸部に許容される高さをｈとし、前記レジスト形成工程で形成される前記レジスト膜の膜
厚をｔとし、ｈ＞ｔとすることが好ましい。
【００１３】
上記適用例に係わる光学物品の製造方法では、分子接合される多層膜表面の凸部に許容
される高さよりも薄い膜厚のレジスト膜を形成すると、分子接合を阻害する凸部がレジス
ト膜から露出し、次の浸漬工程において、凸部またはその周辺（以下、凸部）を確実に溶
解できる。
【００１４】
［適用例３］
本適用例に係わる光学物品の製造方法は、前記浸漬工程前に、前記レジスト膜をアッシ
ングするアッシング工程を有することが好ましい。
【００１５】
上記適用例に係わる光学物品の製造方法では、アッシングにより、突出形成された凸部
の先端をレジスト膜から確実に露出させることができる。
これにより、エッチング液に浸漬した際、より確実に凸部をエッチング液に接触させる
ことができ、凸部の溶解を十分に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態のガラス基板に形成された多層膜において凸部が形成された箇所を拡大した断面図。
【図２】（Ａ）本実施形態の多層膜の上にレジスト液を塗布した状態を示す拡大断面図。（Ｂ）本実施形態の多層膜の上にレジスト膜が形成された状態を示す拡大断面図。
【図３】（Ａ）本実施形態のレジスト膜をエッチング液で浸漬した状態を示す拡大断面図。（Ｂ）本実施形態のエッチング液により凸部が溶解除去される状態を示す拡大断面図。（Ｃ）本実施形態のレジスト膜が剥離液により剥離された状態を示す拡大断面図。
【図４】本実施形態の凸部を除去した後、プラズマ重合膜が形成された箇所を拡大した断面図。
【図５】本実施形態のガラス基板と水晶板とを分子接合した状態を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１から図５に基づいて本実施形態を説明する。
図５には複数の光学基板として第一光学基板と第二光学基板とを示し、第一光学基板と
してのガラス基板１１と第二光学基板としての水晶板１３とを接合した偏光変換素子の一
部構成であり、この偏光変換素子１を光学物品の一例として説明する。
【００１８】
［多層膜形成工程］
電子ビーム加熱を備えた蒸着装置で光学基板上に多層膜１２を成膜する。この多層膜１
３は一例として偏光分離作用を有する誘導体多層膜からなる偏光分離膜であり、異なる材
質の層、例えば、高屈折材料層である酸化チタン（ＴｉＯ２）の層と、低屈折材料層であ
る酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層とが交互に積層される。これらの層は２５層から構成され
る設計例がある。
図１に基づいて、凸部１２１が形成された多層膜１２の凸部１２１について説明する。
図１は、本実施形態のガラス基板に形成された多層膜おいてスプラッシュを核として形
成された凸部を拡大した断面図である。
電子ビーム加熱蒸着する際、電子ビームのエミッション電流を増やすと蒸発源に過度の
エネルギーが加わり、蒸発源の蒸発が盛んになり、局所的に突沸を起こすことがある。
この突沸物の飛来により突出したスプラッシュが凸部１２１の核としての形成されるこ
ととなり、多層膜１２の表面に凸部１２１が形成される。
図１では説明を簡単なものとするため、多層膜１２を３層構造としているが実際はこれ
より多い層数の多層膜１２層（例えば５０層）から形成されている。
【００１９】
［レジスト形成工程］および［アッシング工程］
図２に基づいて。レジスト膜を多層膜上に形成する工程を説明する。
図２（Ａ）は、本実施形態の多層膜の全面にレジスト液を塗布した初期状態を示す拡大
断面図である。図２（Ｂ）は、本実施形態の多層膜の全面にレジスト膜が固着した状態を
示す拡大断面図である。
図２（Ａ）に示すように、凸部１２１が形成された多層膜１２の上にレジスト液２１を
塗布する。このレジスト液２１は、耐酸性樹脂（例えば、ノボラック樹脂）と溶媒（有機
系溶剤）とを含有している。
ここで、レジスト液としては、例えば、東京応化社製ＯＦＰＲ−８００（商品名）を用
いることができる。
【００２０】
レジスト液２１は、多層膜１２上に塗布される際、凸部１２１の高さ寸法（多数層形成
される多層膜１２の最上層の平面からガラス基板１１の厚み方向への突出寸法）よりも小
さい膜厚となるように塗布される。例えば、溶解除去の対象とする凸部の高さ寸法が１０
μｍに対して、レジスト液２１の膜厚を３μｍとなるように塗布する。
これにより、少なくとも凸部１２１の先端部１２１Ａは、レジスト膜２０に覆われるこ
となく外部に露出することとなる。
このような塗布においては、レジスト液２１を塗布した後、レジスト液２１にアッシン
グを行うことが好ましい。これにより、レジスト液２１の膜厚が均一になるとともに、所
定の膜厚に制御することができる。
ここで、塗布方法としては、例えば、ディップコートやスピンコート等を採用すること
ができる。
【００２１】
なお、この凸部１２１の凸形状は、具体的には、凸部１２１の高さ寸法は、蒸着条件に
相関があるため、蒸着条件により凸部１２１の高さ寸法の想定が可能である。
このため、想定される凸部１２１の高さ寸法より薄いレジスト膜２０を形成することで
、凸部先端部１２１Ａをレジスト膜２０から露出させることができる。
【００２２】
図２（Ｂ）に示すように、レジスト液２１が多層膜１２上に塗布された後、このガラス
基板１１をベークし、残留する溶媒を揮発させる。例えば、９０℃で２０分間ベークする
。
これにより、レジスト液２１中の耐酸性樹脂が多層膜１２上に固着し、レジスト膜２０
となる。
このとき、溶媒が揮発することで、レジスト膜２０の膜厚は、レジスト液２１の初期膜
厚よりもより薄いものとなる。この溶媒が揮発の進行とともに、凸部１２１の上部がレジ
スト膜から露出する。なお、これらのレジスト液は耐酸性樹脂と溶媒のみが含まれていれ
ばよく、感光性物質が含まれなくとも実施可能である。従って、レジスト膜２０が多層膜
１２上に固着後、露光、現像等は実施しない。
レジスト膜２０が多層膜１２上に固着後、アッシングをおこなうことが好ましい。
アッシング装置としては、酸素アッシング装置を用いることができる。その条件の一例
としては、酸素流量５００ＳＣＣＭ、圧力５Ｐａにより数分間行う。光学基板内のレジス
ト膜２０の膜厚分布が不均一で溶解すべき対象の凸部１２１の一部に薄いレジスト膜が被
覆していても、このアッシングの実施により、この薄い被覆が除去されて光学基板内の溶
解すべき対象の凸部１２１のほぼ全てが溶解できる。
浸漬工程前の多層膜１２上に固着したレジスト膜２０の膜厚は１μ以下が好ましい。平
坦度１μｍ程度の光学基板同士を分子接合する場合は１μｍ以上の高さの凸部（スプラッ
シュ）があると、接合強度を確保できずに不良となる。したがって、レジスト膜の膜厚を
１μｍ以下として１μｍ以上の高さの凸部の上部を露出させて、次の浸漬工程で溶解させ
て除去できる。
【００２３】
［浸漬工程］および［剥離工程］
図３に基づいて、エッチング液への浸漬による凸部の溶解を説明する。
図３（Ａ）は、本実施形態のレジスト膜をエッチング液で浸漬した状態を示す拡大断面
図である。図３（Ｂ）は、本実施形態のエッチング液により凸部が溶解除去される状態を
示す拡大断面図である。図３（Ｃ）は、本実施形態のレジスト膜が剥離液により剥離され
た状態を示す拡大断面図である。
図３（Ａ）に示すように、多層膜１２上に形成されたレジスト膜２０の上からエッチン
グ液３０を流し込んで、レジスト膜２０をエッチング液３０に浸漬させる。ここで、エッ
チング条件としては、例えば、硝酸を用いて４０℃で１０分間浸漬してもよい。
このとき、多層膜１２の大部分は、レジスト膜２０に覆われているため、エッチング液
３０に接触することはない。一方、レジスト膜２０から露出する凸部１２１の一部は、エ
ッチング液３０に接触することとなる。
【００２４】
図３（Ｂ）に示すように、エッチング液３０と接触する凸部１２１は、先端部から溶解
される。そして、溶解の進行に伴い、溶解箇所に随時エッチング液３０が接液する。この
接液したエッチング液３０により、さらに、凸部１２１の下部の溶解が進行する。
この溶解の進行で、凸部１２１及びその周辺がエッチング液３０により溶解される。
この浸漬によって、凸部１２１付近のみが溶解され、微小な範囲が緩やかな凹面（クレ
ーター状）が点在した多層膜１２が形成される。
【００２５】
図３（Ｃ）に示すように、凸部１２１の溶解の終了後、光学基板のエッチング液３０へ
の浸漬を終了し、次に、剥離液を用いてレジスト膜２０を多層膜１２から剥離除去する。
ここで、剥離条件としては、剥離液として東京応化社製レジスト剥離液を用いて１００
℃で１０分間浸漬してもよい。
【００２６】
［接合膜形成工程］
図４に基づいて、多層膜１２への接合膜の形成について説明する。
図４は、本実施形態の凸部を除去した後、接合膜としてプラズマ重合膜が形成された箇
所を拡大した断面図である。
図４に示すように、凸部１２１が除去された多層膜１２の上にプラズマ重合膜４０を形
成する。なお、多層膜を有しない光学基板の接合面への接合膜の形成も同様に実施してよ
い。
接合膜形成工程では、プラズマ重合装置（図示しない）のチャンバーの第１電極に、光
学基板を保持する。そして、チャンバーの内部に酸素を所定量導入するとともに第１電極
と第２電極との間に高周波電圧を印加して光学基板自体の活性化（基板活性化）を実施す
る。
その後、チャンバーの内部に原料ガスとキャリアガスとの混合ガスが供給される。
混合ガスにおける原料ガスの割合（混合比）は、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合
は２０％以上７０％以下程度に設定することが好ましく、３０％以上６０％以下程度に設
定することがより好ましい。
第１電極と第２電極との間に印加する周波数は、特に限定されないが、１〜１００ＭＨ
ｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度がより好ましい。高周波の出力密度は
特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であることが好ましく、０．１〜１
Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
成膜時のチャンバーの圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜
１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×
１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度が好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度が
より好ましい。
キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度が好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度
がより好ましい。
処理時間は１〜１０分程度であることが好ましく、４〜７分程度がより好ましい。
光学基板の温度は、２５℃以上が好ましく、２５〜１００℃がより好ましい。
第１電極と第２電極との間に高周波電圧を印加することにより、これらの電極の間に存
在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料
ガス中の分子が重合し、重合物が光学基板または多層膜の表面に付着、堆積する。これに
より、接合面にプラズマ重合膜が形成される。
この接合層の平均厚さが１０〜１０００ｎｍであり、５０〜５００ｎｍが好ましい。接
合層の平均厚さが１０ｎｍを下回ると、十分な接合強度を得ることができず、１０００ｎ
ｍを超えると、接合体の寸法精度が著しく低下する。
【００２７】
［表面活性化工程］
表面活性化工程は、例えば、プラズマを照射する方法、オゾンガスに接触させる方法、
オゾン水で処理する方法、あるいは、アルカリ処理する方法等を用いることができる。
この表面活性化工程では、プラズマ重合膜の表面を効率よく活性化させるためにプラズ
マを照射する方法が好ましい。
本実施形態で使用されるプラズマとしては、例えば、酸素、アルゴン、チッソ、空気、
水等を1種又は２種以上混合して用いることができる。これらの中で、酸素を使用するこ
とが好ましい。
プラズマを照射する時間は、プラズマ重合膜の表面付近の分子結合を切断し得る程度の
時間であれば特に限定されるものではないが、５ｓｅｃ〜３０ｍｉｎ程度であるのが好ま
しく、１０〜６０ｓｅｃがより好ましい。
【００２８】
［貼合工程］
図５は、本実施形態のガラス基板１１と水晶板１３とを接合した状態を示す模式図であ
る。プラズマ重合膜の表面が活性化されたガラス基板１１と、表面が活性化された水晶板
１３とを貼り合わせて一体化する。つまり、図５に示すように、ガラス基板１１と水晶板
１３とをそれぞれ対向させた状態で互いに押し付ける。なお、水晶板１３の接合面に活性
化されたプラズマ重合膜を形成して貼合してもよいし、更にガラス基板１１と水晶板１３
の両方の接合面にそれぞれ活性化されたプラズマ重合膜を形成して貼合してもよい。
表面が活性化されたプラズマ重合膜は、その活性状態が経時的に緩和するので、表面活
性化工程の後速やかに貼合工程に移行する。具体的には、表面活性化工程の後、６０分以
内に貼合工程に移行するのが好ましく、５分以内に移行するのがより好ましい。この時間
内であれば、プラズマ重合膜の表面が十分な活性状態を維持しているので、貼り合わせに
際して十分な結合強度を得ることができる。
貼合工程の後に、接合強度を大きくするために、ガラス基板１１や水晶板１３を加圧する
のが好ましい。具体的には、加圧するための圧力は、ガラス基板１１や水晶板１３の厚さ
寸法や装置等の条件によって異なるものの、１〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１
〜５ＭＰａがより好ましい。加圧時間は特に限定されないが、１０ｓｅｃ〜３０ｍｉｎ程
度であるのが好ましい。
さらに、ガラス基板１１と水晶板１３を加圧した後に、これらを加熱することで、接合
強度を高めることができる。
この加熱は必要に応じて設けられるものであり、その加熱温度は、２５〜１００℃であ
り、好ましくは、５０〜１００℃である。１００℃を超えると、光学物品が変質・劣化す
るおそれがある。加熱時間は１〜３０ｍｉｎ程度であることが好ましい。
なお、この加熱工程は加圧工程の後で単独に行ってもよいが、加圧工程と同時に行うこ
とが接合強度を強める上で好ましい。
上述のような加圧や加温によって、分子接合の手が多くなり、接合が強固になる。しか
し、凸部があると、加圧しても接合面が近接不足となって十分な接合強度が得られない。
レジスト膜２０を多層膜１２の全面に形成し、そのレジスト膜厚によって露出する凸部
の高さを選択し、その選択された高さの凸部がエッチング液の浸漬により除去される。こ
の凸部が溶解除去された箇所はクレーター状の凹面となるが、微小なエリアで、且つ緩や
かな曲面なので光学的な影響は発生しない。
平坦度１μｍ程度の光学基板同士を分子接合する場合は１μｍ以上の高さの凸部（スプ
ラッシュ）があると、接合強度を確保できずに不良となる。したがって、レジスト膜の膜
厚を１μｍ以下として１μｍ以上の高さの凸部の上部を露出させて、次の浸漬工程で溶解
させて除去できる。上述は一例であって、平坦度が上述と異なる場合は、接合不良を発生
しやすい凸部の高さは異なるが、凸部に許容される高さをｈとし、レジスト膜の膜厚をｔ
とし、ｈ＞ｔのように目標とするレジスト膜厚を設定すれば、分子接合の強度を強固なも
のにすることができる。
【００２９】
以上の構成の第１実施形態では次の作用効果を奏することができる。
（１）本実施形態では、レジスト膜２０を形成すると、凸部１２１がレジスト膜２０から
も露出することとなる。つまり、多層膜１２の全面にレジスト膜２０を形成すると、凸部
１２１またはその周辺はレジスト膜２０に覆われることなく露出することとなる。
そして、レジスト膜２０が形成されたこうがく基板をエッチング液に浸漬するので、露
出した凸部だけがエッチング液と接液することとなる。
このため、凸部１２１は、エッチング液により溶解され、凸部１２１が形成されていな
い箇所はレジスト膜に覆われているのでエッチング液に接液することなく溶解されない。
【００３０】
さらに、凸部が溶解されていくに連れて、エッチング液が随時浸入して凸部１２１周辺
の近接部分も溶解していく。つまり、凸部１２１とその近接部分がエッチング液により選
択的に溶解されることとなる。
このため、凸部１２１は、レジスト液から露出した部分だけがエッチング液により溶解
されるだけでなく、凸部１２１周辺の近接部分が溶解されることとなる。これにより、多
層膜に突出形成された凸部１２１はエッチング液によりその近接部分も含めて溶解され、
クレーター状の微小且つ浅い凹面（以下、クレーター）のみを有する、凸部の無い概ね平
坦な膜面を有する多層膜とすることができる。
【００３１】
そして、多層膜１２の膜面、または光学基板の表面にプラズマ重合膜を形成し、これら
を表面活性化して分子接合する。
このとき、接合面は凸部が無い概ね平坦な膜面であるため、接合面同士を十分近づけて
分子接合を強固なものにすることができる。
【００３２】
（２）本実施形態では、レジスト膜２０の膜厚を凸部１２１の分子接合にとって許容され
る高さ寸法よりも小さい膜厚とすることにより、凸部の先端部１２１Ａがレジスト膜２０
から突出することとなる。つまり、多層膜１２の上にレジスト膜２０を形成しても凸部１
２１全体がレジスト膜２０に覆われることなく露出することとなる。したがって、分子接
合を阻害する恐れがある凸部１２１のみを選別して溶解除去できるので、必要以上に多層
膜１２を溶解することがなく、過剰に多層膜１２を溶解することによる光学性能の低下を
防ぐことができる。
【００３３】
（３）本実施形態では、アッシングにより、多層膜１２にから凸部１２１の凸部の先端部
１２１Ａをレジスト膜２０から確実に突出させることができる。
これにより、エッチング液３０に浸漬した際、より確実に凸部をエッチング液３０に接
液させることができ、凸部１２１の溶解を十分に行うことができる。
【００３４】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる
範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
本実施形態では、エッチング液３０を用いてウェットエッチングを行ったが、これに限
らず、ドライエッチングにより凸部１２１を除去してもよい。
本実施形態では、ガラス基板１１に多層膜１２を形成したが、これに限らず、水晶板１
３に形成してもよい。
本実施形態では、多層膜１２の上にプラズマ重合膜４０を形成したが、これに限らず、
水晶板１３の上に形成してもよいし、多層膜１２および水晶板１３の両方に形成してもよ
い。
【００３５】
本実施形態では、３層の多層膜１２のうち、ガラス基板１１に最も近い光学薄膜にスプ
ラッシュが発生した場合を想定したが、これに限らず、真ん中の光学薄膜で発生してもよ
く、ガラス基板１１から最も遠い光学薄膜で発生してもよい。光学膜に凸部が形成された
場合であれば、いずれの場合にも本発明は適用することができる。
また、多層膜１２を３層としたが、これより少なくてもよいし、もっと多層であっても
よい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、プリズム、偏光変換素子、その他の光学物品の製造方法に利用できる。
【符号の説明】
【００３７】
１１…ガラス基板（第一光学基板）、１２…多層膜、１２１…凸部、１３…水晶板（第
二光学基板）、２０…レジスト膜、３０…エッチング液、４０…プラズマ重合膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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