(57)【要約】【課題】注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を製造可能な製造方法、そのような製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供する。【解決手段】基板６１上に、磁性材料で磁性膜６２を形成する製膜工程（Ａ）と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）を、上記の磁性膜６２に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的に注入するイオン注入工程（Ｃ）とを有する製造方法で磁気ディスク１０を製造する。【選択図】        図４
2010134975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、磁性材料で磁性膜を形成する磁性膜形成過程と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）を、前記磁性膜に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的に注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入過程が、Ｃのイオンと、ＦおよびＮｅのうちいずれか一方の元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入過程が、Ｎのイオンと、Ｂ、Ｃ、Ｎｅのうちのいずれかの元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項４】
前記イオン注入過程が、ＯのイオンとＦのイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項５】
前記イオン注入過程が、前記保護領域として、前記磁性膜が広がる方向に規則的に配列した複数箇所を用いて、該複数箇所の相互間に対して局所的にイオンを注入する過程であることを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項６】
前記磁性膜形成過程が、複数種類の原子層を交互に積層して人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えたことを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項８】
前記磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする請求項７記載の磁気記憶媒体。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して磁性部に磁気的に情報の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、該磁気ヘッドによる情報の記録及び／又は再生となる磁性部上に該磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構と、
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項１０】
前記磁気記憶媒体の磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記磁気記憶媒体の低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする請求項９記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁気記憶媒体を製造する製造方法、磁気記憶媒体、および磁気記憶媒体を備えた情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データの高速アクセス及び高速転送が可能な大容量記憶装置として、情報記憶装置の主流になっている。このＨＤＤについては、これまでも高い年率で面記録密度が高まっており、現在でもさらなる記録密度向上が求められている。
【０００３】
ＨＤＤの記録密度を向上させるためには、トラック幅の縮小や記録ビット長の短縮が必要であるが、トラック幅を縮小させると、隣接するトラック同士で、いわゆる磁気的な干渉が生じ易くなる。この干渉とは、即ち、記録時において磁気記録情報が目的外の隣接トラックに重ね書きされてしまう現象や、再生時において目的外の隣接トラックからの漏洩磁界によるクロストークが起きてしまう現象を総称したものである。これらの現象は、いずれも再生信号のＳ／Ｎ比の低下を招き、エラーレートの劣化を引き起こす要因となる。
【０００４】
一方、記録ビット長の短縮を進めると、磁気的な干渉の影響により記録ビットを長期間保存する性能が低下する熱揺らぎ現象が発生する。
【０００５】
これらの干渉や熱揺らぎ現象を回避して短いビット長や高いトラック密度を実現する方法として、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体やビットパターンド型の磁気記憶媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特に、ビットパターンド型の磁気記憶媒体では、記録ビットの位置が予め決められており、その決められた記録ビットの位置に磁性材料のドットが形成されドットの相互間は非磁性材料で構成される。このように磁性材料のドットが互いに分離されているとドットどうしの磁気的相互作用が小さく、上述した干渉や熱揺らぎ現象が回避される。
【０００６】
ここで、ビットパターンド型の磁気記憶媒体の製造方法として上記特許文献１等に提案されている従来の製造方法について説明する。
【０００７】
図１は、ビットパターンド型の磁気記憶媒体の従来の製造方法を示す図である。
【０００８】
従来の製造方法では、まず、製膜工程（Ａ）で、基板１上に磁性膜２が形成される。
【０００９】
次に、ナノインプリント工程（Ｂ）では、磁性膜２上に、紫外線硬化樹脂からなるレジスト３が塗布され、そのレジスト３に、ナノサイズの穴４ａが空いたモールド４が載せられる。これによってレジスト３がそのナノサイズの穴４ａに入ってレジスト３のドット３ａが形成される。そして、そのモールド４越しにレジスト３に紫外線が照射されることでレジスト３が硬化してドット３ａが磁性膜２上にプリントされる。また、レジスト３が硬化した後、モールド４は除去される。
【００１０】
その後、エッチング工程（Ｃ）でエッチングが行われることで、レジスト３のドット３ａで保護された磁性ドット２ａを残して磁性膜が除去される。エッチング後はレジスト３のドット３ａは化学的処理で除去され、基板１上に磁性ドット２ａのみが残る。
【００１１】
そして、充填工程（Ｄ）では、磁性ドット２ａの相互間が非磁性材料で埋められる。その後、平坦化工程（Ｅ）を経て表面が平坦化されることでビットパターンド型の磁気記憶媒体６の完成（Ｆ）となる。
【００１２】
このような従来の製造方法によると、磁気記憶媒体６上での磁気ヘッドの浮上特性を安定なものとするために平坦化工程（Ｅ）では精度の高い平坦化が必要となる。そのため、非常に複雑な製造プロセスを行う必要があるという課題や、製造コストが増大するという課題が生じる。
【００１３】
ここで、イオンが磁性膜に注入されると、その磁性膜の磁気特性が変化するということが知られている（例えば、特許文献２参照。）。そして、イオンを磁性膜に注入して局所的に磁気特性を変化させることで磁性ドットの分離状態を形成する加工方法（イオンドーピング方式）が提案されている（例えば、特許文献３および特許文献４参照。）。
【００１４】
このイオンドーピング方式によれば、イオンを注入して磁気特性を変えるため、エッチングや充填、平坦化等の複雑な製造プロセスが必要なくなり、製造コストの増加を大幅に抑えることが可能となる。
【特許文献１】特許第１８８８３６３号明細書
【特許文献２】特開平０７−１４１６４１号公報
【特許文献３】特開２００２−２８８８１３号公報
【特許文献４】特開２００７−２２６８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ここで、イオンドーピング方式によって磁性ドットの良好な分離状態を実現するためには、磁性ドット間であってイオン注入を受ける部分の飽和磁化が、イオン注入前の飽和磁化の約２０％程度まで低減されることが望ましい。現状では、飽和磁化のこのような大幅な低減には、多くの場合、約１×１０１７ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２に達する注入量でのイオン注入が必要とされている。しかしながら、このような多量の注入量でのイオン注入は、イオン注入を受ける磁性膜等の表面状態を傷付けて平坦性を損なわせてしまう恐れがある。
【００１６】
尚、ここまで、ビットパターンド型の磁気記憶媒体を例に挙げて、イオンドーピング方式で磁気記憶媒体を製造する際のイオン注入量が多過ぎるという課題について説明した。しかしながら、このような課題は、ビットパターンド型の磁気記憶媒体に限るものではなく、例えばディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体にも当てはまる課題である。即ち、このような課題は、情報が磁気的に記録される磁性部と、磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体に共通して当てはまる課題である。
【００１７】
本願では上記事情に鑑み、注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を製造可能な製造方法、そのような製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成する基本形態の磁気記憶媒体製造方法は、
基板上に、磁性材料で磁性膜を形成する磁性膜形成過程と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）を、上記磁性膜に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的に注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする。
【００１９】
上記目的を達成する基本形態の磁気記憶媒体は、
基板と、
上記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、上記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、その磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えたことを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成する基本形態の情報記憶装置は、
基板と、
上記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、上記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、その磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体と、
上記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して磁性部に磁気的に情報の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッドと、
上記磁気ヘッドを上記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、その磁気ヘッドによる情報の記録及び／又は再生となる磁性部上にその磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構と、
を備えたことを特徴とする。
【００２１】
上記の基本形態の磁気記憶媒体製造方法によれば、例えばビットパターンド型の磁気記憶媒体の磁性ドット間を占める低磁性部や、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体のトラックの両サイドを占める低磁性部を、イオン注入によって形成することができる。そのため、エッチングや充填や平坦化等といった複雑な製造プロセスが不要となるので、この基本形態の磁気記憶媒体製造方法は簡易な製造方法となる。また、上記の基本形態の磁気記憶媒体および情報記憶装置によれば、その簡易な製造方法での製造が可能となる。また、これらの各基本形態では、イオン注入には上記混合イオンが使われる。ここで、上記の各元素のイオンは、多くの場合、単一イオンでは、十分な飽和磁化低減には上述のように約１×１０１７ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２に達する多量の注入量が必要とされている。しかしながら、これらのイオンが２種以上混合された混合イオンを用いれば、５×１０１６ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２以下という少ない注入量で飽和磁化の十分な低減効果が得られることを本件の開発者は見出した。この注入量は、単一イオンでの飽和磁化低減に必要な上記の注入量のおよそ半分以下である。このような少量の注入量でのイオン注入であれば、磁性膜の表面状態を傷付ける恐れが低く、平坦性を損なわずに磁気記憶媒体を製造することが可能となる。このように、上記の各基本形態によれば、注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を得ることができる。
【００２２】
尚、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンは、従来、慣例的に用いられているが、これらの混合イオンは、イオンの混合による飽和磁化低減効果を高めるという視点とは無関係に用いられている。
【発明の効果】
【００２３】
以上、説明したように、本件によれば、注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を製造可能な製造方法、そのような製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
基本形態について上記説明した磁気記憶媒体製造方法、磁気記憶媒体、および情報記憶装置に対する具体的な実施形態を、以下図面を参照して説明する。
【００２５】
図２は、情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【００２６】
この図に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１００は、パーソナルコンピュータ等といった上位装置に組み込まれ、その上位装置における情報記憶手段として利用されるものである。
【００２７】
このハードディスク装置１００には、円盤状の磁気ディスク１０が、図の奥行き方向に重なって複数枚ハウジングＨ内に納められている。この磁気ディスク１０は、上記で基本形態について説明した磁気記憶媒体の具体的な一実施形態に相当する。
【００２８】
ここで、上述の磁気記憶媒体および情報記憶装置の基本形態に対し、
「上記磁性部が、上記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
上記低磁性部が、上記磁性ドットの相互間に設けられた、その磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯である」という応用形態は好適である。
【００２９】
この応用形態は、ビット情報が記録される磁性ドットが予め基板上の各箇所に設けられているビットパターンド型の磁気記憶媒体に相当する。ビットパターンド型の磁気記憶媒体は、上述したように干渉や熱揺らぎ現象が効果的に回避されることから、そのようなタイプの磁気記憶媒体に相当する上記の応用形態は好適である。
【００３０】
図２の磁気ディスク１０は、ビットパターンド型の磁気記憶媒体であり、この応用形態の具体的な一実施形態にも相当している。また、この磁気ディスク１０は、各磁性ドットにおいて、表裏面に対して垂直な方向の磁化による磁気パターンで情報が記録されるいわゆる垂直磁気記憶媒体でもある。
【００３１】
この磁気ディスク１０は、ハウジングＨ内においてディスク軸１１を中心に回転する。
【００３２】
また、ハードディスク装置１００のハウジングＨ内には、磁気ディスク１０の表面に沿って移動するスイングアーム２０、スイングアーム２０の駆動に用いられるアクチュエータ３０、および制御回路５０も納められている。
【００３３】
スイングアーム２０は、磁気ディスク１０に対して情報の書き込みと読み出しとを行う磁気ヘッド２１を先端に保持している。また、スイングアーム２０は、ベアリング２４によってハウジングＨに回動自在に支持されている。そして、このスイングアーム２０は、ベアリング２４を中心として所定角度の範囲内で回動することによって、磁気ヘッド２１を磁気ディスク１０の表面に沿って移動させる。この磁気ヘッドが、上述した情報記憶装置の基本形態における磁気ヘッドの一例に相当する。
【００３４】
磁気ヘッド２１による情報の読み書きやスイングアーム２０の移動は制御回路５０によって制御されており、上位装置との情報の遣り取りもこの制御回路５０を介して行われる。
【００３５】
上記のスイングアーム２０とベアリング２４とアクチュエータ３０と制御回路５０とを合わせたものが、上述した情報記憶装置の基本形態におけるヘッド位置制御機構の一例に相当する。
【００３６】
図３は、図２に示す磁気ディスクの構造を模式的に示す斜視図である。
【００３７】
この図３には、円板状の磁気ディスクから切り出された一部が示されている。
【００３８】
図３に示す磁気ディスク１０は、基板Ｓ上に複数の磁性ドットＱが規則的な配列で並べられた構造を有している。磁性ドットＱのそれぞれには１ビット相当の情報が磁気的に記録される。磁性ドットＱは磁気ディスク１０の中心の周りに周回状に並んでおり、磁性ドットの列はトラックＴを形成する。基板Ｓは、上述の基本形態における基板の一例に相当する。また、磁性ドットＱは、上述の基本形態における磁性部の一例に相当し、ビットパターンド型の磁気記憶媒体に対応した上述の応用形態における磁性ドットの一例にも相当している。
【００３９】
また、磁性ドットＱの相互間は、磁気異方性および飽和磁化が磁性ドットＱの磁気異方性および飽和磁化よりも低く、磁性ドットＱの相互間を磁気的に分断するドット間分断帯Ｕとなっている。このドット間分断帯Ｕによって磁性ドットＱどうしの磁気的相互作用が小さくなっている。このドット間分断帯Ｕは、上述の基本形態における低磁性部の一例に相当し、ビットパターンド型の磁気記憶媒体に対応した上述の応用形態におけるドット間分断帯の一例にも相当している。
【００４０】
このように磁性ドットＱどうしの磁気的相互作用が小さいと、磁性ドットＱに対する情報の記録再生に際してもトラックＴ相互間での磁気的相互作用が小さいため、トラック相互間でのいわゆる干渉が少ない。また、各磁性ドットＱでは、記録される情報ビットの境界が熱で揺らぐことがなく、いわゆる熱揺らぎ現象も回避される。従って、この図３に示すようなビットパターンド型の磁気ディスク１０によれば、トラック幅の縮小や記録ビット長の短縮が可能で、高記録密度の磁気記憶媒体が実現可能である。
【００４１】
この磁気ディスク１０の製造方法について以下説明する。
【００４２】
この磁気ディスク１０の製造方法が、基本形態について上記説明した磁気記憶媒体製造方法の具体的な一実施形態に相当する。
【００４３】
ここで、この磁気記憶媒体製造方法の基本形態に対して、
「上記イオン注入過程が、上記保護領域として上記磁性膜が広がる方向に規則的に配列した複数箇所を用いて、その複数箇所の相互間に対して局所的にイオンを注入する過程である」という応用形態は好適である。
【００４４】
この応用形態は、ビットパターンド型の磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法に相当する。ビットパターンド型の磁気記憶媒体は、上述したように干渉や熱揺らぎ現象が効果的に回避されることから、そのようなタイプの磁気記憶媒体を製造する上記の応用形態は好適である。以下に説明する磁気ディスク１０の製造方法は、この応用形態の具体的な一実施形態にも相当している。
【００４５】
図４は、図２および図３に示す磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【００４６】
この図４に示す製造方法では、まず、製膜工程（Ａ）で、ガラスの基板６１上に磁性膜６２が形成される。この製膜工程（Ａ）は、上述した磁気記憶媒体製造方法の基本形態における磁性膜形成過程の一例に相当する。
【００４７】
本実施形態では、この製膜工程（Ａ）で形成される磁性膜６２は、Ｃｏの原子層６２ａとＰｄの原子層６２ｂとが交互に積層されてなる人工格子構造を有している。Ｃｏの原子層６２ａとＰｄの原子層６２ｂとの膜厚構成については、Ｐｄの原子層６２ｂの厚さがＣｏの原子層６２ａの厚さよりも厚いことが、磁性膜６２を構成するためには必要である。また、Ｃｏの原子層６２ａは２ｎｍが膜厚の上限となっており、この膜厚は約７原子分の厚みに相当する。この上限を超えた膜厚をＣｏの原子層６２ａが有する場合には、人工格子と言えるような物理的性質も失われていると考えられる。
【００４８】
このような人工格子構造を有する磁性膜は、後述するようにイオン注入によってその磁気的特性が容易に劣化することから、イオンドーピング方式での飽和磁化の低減に適している。また、Ｃｏ原子層とＰｄ原子層とからなる人工格子構造を有する磁性膜は、飽和磁化の低減に適しているとともに、磁気的特性にも優れている。このことから、このような磁性膜は、イオンドーピング方式を利用したビットパターンド型の磁気記憶媒体の製造に適していると言える。
【００４９】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記磁性膜形成過程が、複数種類の原子層を交互に積層して人工格子構造の磁性膜を形成する過程である」という応用形態が好適であり、
この応用形態に対し、
「上記磁性膜形成過程が、上記人工格子構造の磁性膜として、Ｃｏの原子層とＰｄの原子層とを交互に積層して人工格子構造の磁性膜を形成する過程である」という応用形態がさらに好適であることを意味している。
【００５０】
図４の製膜工程（Ａ）は、これらの応用形態における磁性膜形成過程の一例にも相当している。尚、上述した基本形態における人工格子構造の磁性膜を構成するための材料は、ここに示された好適な材料には限定されず、人工格子構造で磁性膜を構成可能なことが知られている任意の材料を用いることが出来る。
【００５１】
以上に説明したように本実施形態では、製膜工程（Ａ）において上記の人工格子構造を有する磁性膜６２が形成される。しかしながら、上述の基本形態における磁性膜形成過程はこれに限るものではなく、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金で磁性膜を形成するという別形態も考えられる。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金は、優れた磁気特性を有する磁性材料として知られているとともに、成膜が簡単であるという利点も有しているからである。
【００５２】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記磁性膜形成過程が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金で磁性膜を形成する過程である」という応用形態も好適であることを意味している。
【００５３】
上記のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金で磁性膜を形成するという別形態における製膜工程が、この応用形態における磁性膜形成過程の一例に相当する。
【００５４】
ただし、図４に示す本実施形態の製造方法では、製膜工程（Ａ）において上記の人工格子構造を有する磁性膜６２が形成され、さらに、その人工格子構造が、Ｃｏの原子層とＰｄの原子層とで構成されているものとして説明を続ける。
【００５５】
次に、ナノインプリント工程（Ｂ）では、磁性膜６２上に、紫外線硬化樹脂からなるレジスト６３が塗布され、そのレジスト６３に、ナノサイズの穴６４ａが空いたモールド６４が載せられる。これによってレジスト６３がそのナノサイズの穴６４ａに入ってレジスト６３のドット６３ａが形成される。そして、そのモールド６４越しにレジスト６３に紫外線が照射されることでレジスト６３が硬化してドット６３ａが磁性膜６２上にプリントされる。また、レジスト６３が硬化した後モールド６４は除去される。
【００５６】
ナノインプリント工程（Ｂ）の後はイオン注入工程（Ｃ）に進む。このイオン注入工程（Ｃ）では、ドット６３ａがプリントされている磁性膜６２の上部から、次のような混合イオンが照射される。即ち、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオンである。このイオン注入工程（Ｃ）が、上述の基本形態におけるイオン注入過程の一例に相当する。また、このイオン注入工程（Ｃ）は、ビットパターンド型の磁気記憶媒体の製造に対応した上述の応用形態におけるイオン注入過程の一例にも相当している。
【００５７】
また、上述の基本形態に対し、
「上記磁性膜上に、上記保護領域へのイオンの注入を阻害するマスクを形成するマスク形成過程を有し、
上記イオン注入過程が、上記マスクが形成された磁性膜の上からイオンを当てることで、そのマスクで保護された保護領域を除いた他の領域に対して局所的にそのイオンを注入する過程である」という応用形態も好適である。
【００５８】
この応用形態によれば、イオン注入が不要な箇所はマスクで確実に保護されることとなり、磁性ドットの形成精度が高い。図４のナノインプリント工程（Ｂ）は、この応用形態におけるマスク形成過程の一例に相当し、イオン注入工程（Ｃ）は、この応用形態におけるイオン注入過程の一例にも相当する。
【００５９】
また、マスク形成過程を有したこの好適な応用形態に対し、
「上記マスク形成過程が、上記マスクをレジストで形成する過程である」という応用形態や、
「上記マスク形成過程が、上記マスクをレジストで、ナノインプリントプロセスによって形成する過程である」という応用形態はさらに好適である。
【００６０】
レジストによるマスク形成は技術的に安定していて精度の良いマスク形成が期待でき、ナノインプリントプロセスによるマスク形成は、ナノレベルでのマスクパターンを容易に作成することが出来て好ましい。この図４に示すナノインプリント工程（Ｂ）は、これらさらに好適な応用形態におけるマスク形成過程の一例にも相当している。
【００６１】
尚、上述したナノインプリントでは、イオンを注入するべき箇所でも完全にはレジストが除去されない。しかし、レジストが薄い場所ではイオンがレジストを透過して磁性膜６２に注入され、レジストが厚い場所（即ちドット６３ａとなっている場所）では、イオンがレジストで止まって磁性膜には到達しない。このため、所望のトラックパターンの形成が可能である。
【００６２】
また、図４に示すイオン注入工程（Ｃ）では、イオンの加速電圧が、磁性膜６２の中心部へイオンが注入されるように設定される。この加速電圧は、イオン種によって異なり、磁性膜中心部までの深さや材料によって異なる。
【００６３】
このイオン注入工程（Ｃ）によってイオンが注入された箇所の磁性膜６２は、内部にイオンが留まって結晶構造が歪み保磁力および飽和磁化が低下する。イオン注入の後はレジストのドット６３ａは化学的処理で除去される。
【００６４】
ここで、イオンドーピング方式によって磁性ドットの良好な分離状態を実現するためには、磁性ドットどうしの間での飽和磁化が、イオン注入前の飽和磁化の約２０％程度まで低減されることが望ましい。上記のＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅという各元素のイオンは、単一イオンでは、多くの場合、このような十分な飽和磁化の低減には約１×１０１７ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２に達する多量の注入量が必要とされている。しかしながら、このような注入量でのイオン注入は、イオン注入を受ける磁性膜等の表面状態を傷付けて平坦性を損なわせてしまう恐れがある。ここで、これらのイオンが２種以上混合された混合イオンを用いれば、５×１０１６ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２以下という少ない注入量で飽和磁化の十分な低減効果が得られることを本件の開発者は見出した。この注入量は、単一イオンでの飽和磁化低減に必要な上記の注入量のおよそ半分以下である。このような少量の注入量でのイオン注入であれば、磁性膜６２の表面状態を傷付ける恐れが低く、平坦性を損なわずに磁気記憶媒体を製造することが可能となる。この混合イオンによる飽和磁化低減効果の詳細については、後述の実施例と併せて説明する。
【００６５】
本実施形態では、このイオン注入工程（Ｃ）において上記のような混合イオンを注入することで、少量のイオン注入で磁性膜６２の表面状態を傷付けずに磁性膜６２の飽和磁化が、注入前の２０％程度まで低減される。
【００６６】
このようなイオン注入工程（Ｃ）を経ることにより、磁性ドット６２ｃの相互間に、磁性ドット６２ｃどうしの磁気的な相互作用を分断するドット間分断帯６２ｄが形成されてビットパターンド型の磁気記憶媒体１０の完成（Ｄ）となる。ドット間分断帯６２ｄでは、上記のイオン注入により飽和磁化が磁性ドット６２ｃの飽和磁化の２０％程度となり十分に低い。このため、情報は磁性ドット６２ｃのみに記録され、ドット間分断帯６２ｄには情報は記録されない。
【００６７】
この図４に示す製造方法で製造される磁気記憶媒体１０では、表面を構成している磁性ドット６２ｃとドット間分断帯６２ｄとの平滑性は、製膜工程（Ａ）で形成された磁性膜６２における平滑性がそのまま維持されたものとなっている。このため、図１に示す従来技術のような平坦化工程は不要となり、この図４に示す製造方法は簡易な方法となっている。
【００６８】
また、この図４に示す製造方法では磁性膜６２上にプリントされたレジストのドット６３ａで磁性ドット６２ｃを保護している。従って、磁気記憶媒体１０全面に同時にイオンを照射することができ、必要な箇所へのイオン注入を数秒間のイオン照射によって十分に実現できるので量産性を損なわない。
【００６９】
次に、この図４に示した製造方法を具体的な材料等に適用した、第１から第６までの各実施例と、磁性膜をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金で形成する上述の別形態の製造方法を具体的な材料等に適用した、第７から第９までの各実施例とについて説明する。これらの各実施例では、上記の混合イオンの注入による飽和磁化の低減効果について確認した。また、その確認の際には、各実施例を適宜に比較例と比較した。
【００７０】
図５は、第１から第９までの各実施例や比較例に共通の構造を示す図である。
【００７１】
まず、この図５を参照して第１実施例と、その第１実施例に対する比較例について説明する。
【００７２】
よく洗浄されたガラス基板７０をマグネトロンスパッタ装置にセットし、５×１０−５Ｐａ以下まで真空排気した。その後、ガラス基板７０を加熱せず０．６７ＰａのＡｒガス圧にて、（１１１）結晶配向したｆｃｃ−Ｐｄを、磁性層を結晶配向させるための下地層７１として３ｎｍの膜厚で成膜した。この下地層７１を成膜する過程は図４に示す製造方法では説明が省略されている。
【００７３】
続いて、大気圧に戻すことなく連続して、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子からなる磁性膜７２を０．６７ＰａのＡｒガス圧にて、０．３／０．３５ｎｍの膜厚構成で繰り返し積層した。この膜厚構成は、Ｃｏの単原子層とＰｄの単原子層とが繰り返す人工格子を意味している。
【００７４】
磁性膜７２を成膜した後には、ダイヤモンドライクカーボンを保護層７３として４ｎｍの膜厚で成膜した。この保護層７３を成膜する過程も図４に示す製造方法では説明が省略されている。
【００７５】
保護層７３上にはレジストを塗布し、ナノインプリントプロセスを用いて、直径２０ｎｍ〜６０ｎｍで高さが５０ｎｍの柱状のレジストパターン７４を形成した。
【００７６】
第１実施例では、ＣイオンとＮイオンとの混合イオンをレジストパターン７４の上方から照射して磁性膜７２に注入した。この第１実施例では、この混合イオンの注入を、１×１０１６ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２の注入量と、２×１０１６ａｔｏｍｕｓ／ｃｍ２の注入量との２通りの注入量で行なった。
【００７７】
また、この混合イオンの加速電圧は、磁性膜７２の中心部へイオンが注入されるように設定した。尚、イオンの加速電圧は、現実的な磁性膜の膜厚や、イオン注入時における磁性膜へのダメージを考慮すると、１ｋｅＶ以上で、１０ｋｅＶ以下であることが望ましい。
【００７８】
このイオン注入の後、注入前の飽和磁化に対する注入後の飽和磁化の比率（低減率）を測定を求めた。
【００７９】
また、イオン注入の後、レジストパターン７４をＳＣｌ洗浄によって除去した。
【００８０】
以上に説明した第１実施例に対する比較例として、イオン注入を上記の混合イオンに替えて、Ｃイオン単独で行なった比較例と、Ｎイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。これら各比較例は、イオン種以外については、第１実施例と同様の条件下で行い、これら各比較例についてのイオン注入による飽和磁化の低減率も、第１実施例と同様の測定により求めた。
【００８１】
次に、第２〜第７までの各実施例と、それら各実施例に対する比較例について説明する。
【００８２】
尚、以下に説明する、各実施例および各比較例は、注入イオンのイオン種以外は、上述の第１実施例における形成条件と同じ形成条件で処理が行なわれたものである。
【００８３】
第２実施例では、イオン注入が、ＯイオンとＦイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第２実施例に対する比較例として、イオン注入をＯイオン単独で行なった比較例と、Ｆイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第２実施例および各比較例について、飽和磁化の低減率を、上述の第１実施例と同様の測定により求めた。
【００８４】
第３実施例では、イオン注入が、ＦイオンとＮｅイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第３実施例に対する比較例として、イオン注入をＦイオン単独で行なった比較例と、Ｎｅイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第３実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【００８５】
第４実施例では、イオン注入が、ＣイオンとＦイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第４実施例に対する比較例として、イオン注入をＣイオン単独で行なった比較例と、Ｆイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第４実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【００８６】
第５実施例では、イオン注入が、ＣイオンとＮｅイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第５実施例に対する比較例として、イオン注入をＣイオン単独で行なった比較例と、Ｎｅイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第５実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【００８７】
第６実施例では、イオン注入が、ＮイオンとＮｅイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第６実施例に対する比較例として、イオン注入をＮイオン単独で行なった比較例と、Ｎｅイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第６実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【００８８】
第７実施例では、イオン注入が、ＢイオンとＮイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第７実施例に対する比較例として、イオン注入をＢイオン単独で行なった比較例と、Ｎイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第７実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【００８９】
第１〜第７までの各実施例における、イオン注入前の飽和磁化に対する注入後の飽和磁化の比率である低減率（％）と、それら各実施例に対する比較例における飽和磁化の低減率（％）とを下記の表１〜表７に示す。
【００９０】
【表１】
2010134975.tif 000003
【００９１】
【表２】
2010134975.tif 000004
【００９２】
【表３】
2010134975.tif 000005
【００９３】
【表４】
2010134975.tif 000006
【００９４】
【表５】
2010134975.tif 000007
【００９５】
【表６】
2010134975.tif 000008
【００９６】
【表７】
2010134975.tif 000009
【００９７】
これらの各表に飽和磁化の低減率が示されている各実施例は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオンによって飽和磁化を低減させた例である。
【００９８】
これらの各表から、混合イオンを用いた各実施例では、その混合イオンを構成する各イオンを単独で用いた比較例よりも飽和磁化の低減率が大きいことが分かる。
【００９９】
ここで、ＣイオンとＦイオンとの混合イオン（第４実施例）や、ＣイオンとＮｅイオンとの混合イオン（第５実施例）によれば、単独のイオンを用いた場合（比較例）と比較した飽和磁化低減効果の向上が特に著しい。即ち、これらの混合イオンによれば、Ｃ、Ｆ、Ｎｅいずれかのイオンを単独で用いた場合よりも、飽和磁化の低減率が１５％以上大きくなっている。
【０１００】
このことから、上述の基本形態に対し、
「上記イオン注入過程が、Ｃのイオンと、ＦおよびＮｅのうちいずれか一方の元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程である」という応用形態が好適であることが分かる。
【０１０１】
また、ＣイオンとＮイオンとの混合イオン（第１実施例）や、ＯイオンとＦイオンとの混合イオン（第２実施例）や、ＮイオンとＮｅイオンとの混合イオン（第４実施例）や、ＢイオンとＮイオンとの混合イオン（第７実施例）によれば、特に少ないイオン注入量で飽和磁化を良好に低減できている。即ち、これらの混合イオンによれば、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２という非常に少ないイオン注入量で、既に、飽和磁化の約８０％の低減率が得られている。
【０１０２】
このことから、上述の基本形態に対し、
「上記イオン注入過程が、Ｎのイオンと、Ｂ、Ｃ、Ｎｅのうちのいずれかの元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程である」という応用形態や、
「上記イオン注入過程が、ＯのイオンとＦのイオンとを含む混合イオンを注入する過程である」という応用形態が好適であることが分かる。
【０１０３】
次に、上述の第１〜第７実施例に対する２つの参考例について説明する。
【０１０４】
これらの参考例は、注入イオンのイオン種以外は、上述の第１実施例における形成条件と同じ形成条件で処理が行なわれたものである。
【０１０５】
まず、第１参考例では、イオン注入が、ＢイオンとＣイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第１参考例に対する比較例として、イオン注入をＢイオン単独で行なった比較例と、Ｃイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第１参考例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【０１０６】
また、第２参考例では、イオン注入が、ＮイオンとＯイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第２参考例に対する比較例として、イオン注入をＮイオン単独で行なった比較例と、Ｏイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第２参考例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【０１０７】
第１および第２の各参考例における、イオン注入前の飽和磁化に対する注入後の飽和磁化の比率である低減率（％）と、それら各参考例に対する比較例における飽和磁化の低減率（％）とを下記の表８および表９に示す。
【０１０８】
【表８】
2010134975.tif 000010
【０１０９】
【表９】
2010134975.tif 000011
【０１１０】
上記の第１および第２の各参考例で用いられる混合イオンは、いずれも、従来、慣例的に用いられることがある混合イオンである。そして、これらの混合イオンについては、従来、飽和磁化の低減効果の向上については意識せずに使われている。上記の各参考例から、これら慣例的に用いられる混合イオンについても、上記の各実施例と同様に、飽和磁化の低減効果が向上することが確認された。
【０１１１】
次に、第８実施例と、その第８実施例に対する比較例について説明する。
【０１１２】
尚、この第８実施例および比較例は、イオン注入を受ける磁性膜がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金で形成されること以外は、上述の第１実施例における形成条件と同じ形成条件で処理が行なわれたものである。即ち、この第８実施例でも、第１実施例と同様に、ＣイオンとＮイオンとの混合イオンが用いられている。そして、この第８実施例および各比較例について、飽和磁化の低減率を、上述の第１実施例と同様の測定により求めた。
【０１１３】
続いて、第９〜第１１の各実施例と、それら各実施例に対する比較例について説明する。
【０１１４】
尚、以下に説明する、各実施例および各比較例は、注入イオンのイオン種以外は、上述の第８実施例における形成条件と同じ形成条件で処理が行なわれたものである。
【０１１５】
第９実施例では、イオン注入が、ＯイオンとＦイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第９実施例に対する比較例として、イオン注入をＯイオン単独で行なった比較例と、Ｆイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第９実施例および各比較例について、飽和磁化の低減率を、上述の第１実施例と同様の測定により求めた。
【０１１６】
第１０実施例では、イオン注入が、ＣイオンとＦイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第１０実施例に対する比較例として、イオン注入をＣイオン単独で行なった比較例と、Ｆイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第１０実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【０１１７】
第１１実施例では、イオン注入が、ＢイオンとＮイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第１１実施例に対する比較例として、イオン注入をＢイオン単独で行なった比較例と、Ｎイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第１１実施例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【０１１８】
第８〜第１１までの各実施例における、イオン注入前の飽和磁化に対する注入後の飽和磁化の比率である低減率（％）と、それら各実施例に対する比較例における飽和磁化の低減率（％）とを下記の表１０〜表１３に示す。
【０１１９】
【表１０】
2010134975.tif 000012
【０１２０】
【表１１】
2010134975.tif 000013
【０１２１】
【表１２】
2010134975.tif 000014
【０１２２】
【表１３】
2010134975.tif 000015
【０１２３】
これらの各表に飽和磁化の低減率が示されている各実施例は、上述の第１実施例や第２実施例や第４実施例や第７実施例で用いられていた混合イオンを、上述の人工格子構造の磁性膜に替えてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜に注入した例である。
【０１２４】
上記の各表から、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜へのイオン注入においても、混合イオンによれば、その混合イオンを構成する各イオンを単独で用いるよりも飽和磁化の低減率が大きいことが分かる。
【０１２５】
また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜へのイオン注入でも、ＣイオンとＦイオンとの混合イオン（第１０実施例）によれば、単独のイオンを用いた場合と比較した飽和磁化低減効果の向上が特に著しい。即ち、この混合イオンによれば、Ｃ、Ｆいずれのイオンを用いた場合よりも、飽和磁化の低減率が３０％も大きくなっている。
【０１２６】
さらに、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜へのイオン注入でも、ＣイオンとＮイオンとの混合イオン（第８実施例）や、ＯイオンとＦイオンとの混合イオン（第９実施例）や、ＢイオンとＮイオンとの混合イオン（第１１実施例）によれば、特に少ないイオン注入量で飽和磁化を良好に低減できている。即ち、これらの混合イオンによれば、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２という非常に少ないイオン注入量で、既に、飽和磁化の約８０％の低減率が得られている。
【０１２７】
次に、上述の第８〜第１１実施例に対する１つの参考例（第３参考例）について説明する。
【０１２８】
この参考例は、注入イオンのイオン種以外は、上述の第８実施例における形成条件と同じ形成条件で処理が行なわれたものである。
【０１２９】
第３参考例では、イオン注入が、ＮイオンとＯイオンとの混合イオンを使って行なわれた。また、この第３参考例に対する比較例として、イオン注入をＮイオン単独で行なった比較例と、Ｏイオン単独で行なった比較例との２通りの比較例を得た。そして、第３参考例および各比較例について飽和磁化の低減率を求めた。
【０１３０】
この第３参考例における、イオン注入前の飽和磁化に対する注入後の飽和磁化の比率である低減率（％）と、その第３参考例に対する比較例における飽和磁化の低減率（％）とを下記の表１４に示す。
【０１３１】
【表１４】
2010134975.tif 000016
【０１３２】
上記の第３参考例で用いられる混合イオンは、上述の第２参考例において説明したように、従来、慣例的に用いられることがある混合イオンである。上記の各参考例から、この混合イオンによっても、上記の第８〜第１０の各実施例と同様に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜に対する飽和磁化の低減効果が向上することが確認された。
【０１３３】
以上説明したように、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオンによれば飽和磁化の低減効果が向上する。そして、そのような低減効果の向上は、上述の人工格子構造の磁性膜と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁性膜との双方について得られる。さらに、このような低減効果の向上は、ＣイオンとＦイオンとの混合イオンや、ＣイオンとＮｅイオンとの混合イオン等といった特定の混合イオンについて著しい。
【０１３４】
また、このような低減効果の向上は、従来、飽和磁化の低減効果の向上について意識せずに、慣例的に使われているＢイオンとＣイオンとの混合イオンや、ＮイオンとＯイオンとの混合イオンによっても得ることができる。
【０１３５】
尚、上述した説明では、磁気記憶媒体の一例として、ビットパターンド型の磁気記憶媒体を例示したが、磁気記憶媒体はビットパターンド型に限るものではなく、例えばディスクリート・トラック型であっても良い。
【０１３６】
また、上述した説明では、磁性膜を形成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金の一例としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を例示したが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金はこれに限るものではない。このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の磁気特性等を損なわない組成範囲内で他の元素をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に添加した合金等であっても良い。
【０１３７】
また、上述した説明では、磁性ドット形成のための好ましいマスクとしてレジストパターンを用いることが例示されている。これに対し、上述した基本形態におけるイオン注入では、媒体のごく表面に、媒体面に接触しないようにステンシルマスクを配してイオン注入するプロセスを用いても良い。このプロセスによれば、レジスト塗布とレジスト除去の工程を省略することができる。
【０１３８】
また、上述した説明では、レジストのパターニングの最良な例としてナノインプリントプロセスを利用することが示されているが、パターニングには電子線露光を用いても良い。
【０１３９】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１４０】
（付記１）
基板上に、磁性材料で磁性膜を形成する磁性膜形成過程と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）を、前記磁性膜に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的に注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
【０１４１】
（付記２）
前記イオン注入過程が、Ｃのイオンと、ＦおよびＮｅのうちいずれか一方の元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする付記１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４２】
（付記３）
前記イオン注入過程が、Ｎのイオンと、Ｂ、Ｃ、Ｎｅのうちのいずれかの元素のイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする付記１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４３】
（付記４）
前記イオン注入過程が、ＯのイオンとＦのイオンとを含む混合イオンを注入する過程であることを特徴とする付記１記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４４】
（付記５）
前記イオン注入過程が、前記保護領域として、前記磁性膜が広がる方向に規則的に配列した複数箇所を用いて、該複数箇所の相互間に対して局所的にイオンを注入する過程であることを特徴とする付記１から４のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４５】
（付記６）
前記磁性膜形成過程が、複数種類の原子層を交互に積層して人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記１から５のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４６】
（付記７）
前記磁性膜形成過程が、前記人工格子構造の磁性膜として、Ｃｏの原子層とＰｄの原子層とを交互に積層して人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記６記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４７】
（付記８）
前記磁性膜形成過程が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金で磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記１から５のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４８】
（付記９）
前記磁性膜上に、前記保護領域へのイオンの注入を阻害するマスクを形成するマスク形成過程を有し、
前記イオン注入過程が、前記マスクが形成された磁性膜の上からイオンを当てることで、該マスクで保護された保護領域を除いた他の領域に対して局所的に該イオンを注入する過程であることを特徴とする付記１から８のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１４９】
（付記１０）
前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで形成する過程であることを特徴とする付記９記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１５０】
（付記１１）
前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで、ナノインプリントプロセスによって形成する過程であることを特徴とする付記９又は１０記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０１５１】
（付記１２）
基板と、
前記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えたことを特徴とする磁気記憶媒体。    （７）
（付記１３）
前記磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする付記１２記載の磁気記憶媒体。
【０１５２】
（付記１４）
基板と、
前記基板上に設けられた、磁性材料で形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅから選ばれた２種以上の元素のイオンが混合された混合イオン（但し、ＢとＣのみの混合イオンとＮとＯのみの混合イオンとを除く）が、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜に注入されてなる被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して磁性部に磁気的に情報の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、該磁気ヘッドによる情報の記録及び／又は再生となる磁性部上に該磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構と、
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【０１５３】
（付記１５）
前記磁気記憶媒体の磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記磁気記憶媒体の低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする付記１４記載の情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】ビットパターンド型の磁気記憶媒体の従来の製造方法を示す図である。
【図２】情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【図３】図２に示す磁気ディスクの構造を模式的に示す斜視図である。
【図４】図２および図３に示す磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【図５】第１から第９までの各実施例や比較例に共通の構造を示す図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１００    ハードディスク装置
１０    磁気ディスク
６１    基板
６２    磁性膜
６２ａ    Ｃｏの原子層
６２ｂ    Ｐｄの原子層
６２ｃ    磁性ドット
６２ｄ    ドット間分断帯
【図１】
2010134975.tif 000017
【図２】
2010134975.tif 000018
【図３】
2010134975.tif 000019
【図４】
2010134975.tif 000020
【図５】
2010134975.tif 000021