(57)【要約】【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、欠陥の少ない堆積膜を、生産性良く形成できる堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】堆積膜形成装置は、反応容器１０１と、反応容器１０１の中に設置され、装着された基体１０２を回転可能に支持する基体ホルダ１０７とを有する。堆積膜形成装置は、基体ホルダ１０７の長手方向の一端側を保持し、反応容器１０１に電気的に接続された基体ホルダ保持手段としての回転支持機構１１５をさらに有する。堆積膜形成装置は、基体ホルダ１０７の前記一端側とは反対側の端部に設けられ、基体ホルダ１０７を反応容器１０１に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０を備えている。堆積膜形成装置は、接触部材１５０を反応容器１０１に電気的に接触させるために、基体ホルダ１０７を長手方向に移動させる移動装置１２５をさらに備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器と、該反応容器の中に設置され、基体を保持する基体ホルダと、該基体ホルダをその長手方向の一端側で回転可能に保持し、前記反応容器に電気的に接続された基体ホルダ保持手段と、を有し、前記反応容器の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスを励起させることで励起種を生成して前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記基体ホルダの前記一端側とは反対側の端部に設けられ、前記基体ホルダを前記反応容器に電気的に接触させることを可能とする接触手段と、
前記接触手段を前記反応容器に電気的に接触させるために、前記基体ホルダを長手方向に移動させる移動手段と、
を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記接触手段は、前記基体ホルダの回転中心に配置され、前記反応容器に電気的に接触させられる接触子と、前記基体ホルダの回転中心に配置され、前記接触子と前記基体ホルダとの間に介在して前記接触子を回転可能に支持する摺動部とを有し、
前記接触子が前記反応容器に電気的に接触させられた状態で前記基体ホルダが回転させられているときには、前記接触子が静止状態となるように構成されている、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記基体ホルダは前記反対側の端部に凹部空間が形成されており、前記凹部空間の内部に前記摺動部が配置されている、請求項２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記摺動部は導電性のベアリングまたは固体潤滑材で構成されている、請求項２または請求項３に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基体上に堆積膜、とりわけアモルファス状あるいは多結晶状の如き非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するための堆積膜形成装置に関するものである。本発明は、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、非単結晶材料で構成された半導体の如き堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。例えば水素およびハロゲン（例えばフッ素、塩素）の少なくとも一方で補償されたアモルファスシリコンが光受容部材として用いられている。このような光受容部材は、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子の如き、素子部材として用いることができる。
【０００３】
この種の堆積膜を形成する際には、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化が求められることが多い。そのために、原料ガスの供給や排気方法を工夫したり、堆積膜が形成される被処理基体を回転させたり、プラズマＣＶＤ法を用いる場合、プラズマを均一にする方策を採ったりすることが有効であることが示されている。
【０００４】
また、プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えることで、均一化を図った処理装置も提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、基体を回転させる際の、基体上下の位置決めと導通方法を適切に規定して、堆積膜の均一化を図った装置も提案されている（特許文献２参照）。
【０００６】
また、この種の堆積膜を連続して生産するための生産システムも提案されている。具体的には、堆積膜形成前の搬送と堆積膜形成後の搬送手段を分離することにより、堆積膜形成前にダストが基体に付着することを防止することを目的とし、搬送機を用いた一連の堆積膜形成装置も提案されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００６−１０４５７５号公報
【特許文献２】実開平０７-０１０９３４号公報
【特許文献３】特登録第２９０７４０４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上記のような方策により堆積膜の均一化と画像欠陥の低減が図られてきた。しかし、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の均一性と画像欠陥の低減が、従来以上に求められている。すなわち、例えば、電子写真プロセスを利用した近年の高画質カラー装置では、階調性が向上されている。そのため、従来実用上の問題のなかった、堆積膜の不均一性や膜欠陥でも、形成画像に視覚可能なムラや、当業者の間で「ポチ」と呼ばれる、白点状、黒点状の画像欠陥を生じさせる可能性が生じる。
【０００８】
これらに関して、上述したような従来技術では、堆積膜の均一性と画像欠陥低減の両立について改良の必要性がある。すなわち、堆積膜の均一性向上と、画像欠陥の低減として、画像欠陥の原因となるプラズマ処理中の基体への異物付着の低減が求められ、更にそれらに加えて生産性の良い堆積膜形成装置および生産システムが求められている。
【０００９】
具体的には、生産性が良い堆積膜形成装置および生産システムである、基体の真空搬送および自動搬送可能なシステムで、従来以上に、堆積膜の均一性と画像欠陥低減が可能なシステムが必要である。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成装置は、減圧可能な反応容器と、該反応容器の中に設置され、装着された基体を回転可能に支持する基体ホルダと、該基体ホルダの長手方向の一端側を保持し、前記反応容器に電気的に接続された基体ホルダ保持手段と、を有し、前記反応容器の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスを励起させることで励起種を生成して前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記基体ホルダの前記一端側とは反対側の端部に設けられ、前記基体ホルダを前記反応容器に電気的に接触させることを可能とする接触手段と、前記接触手段を前記反応容器に電気的に接触させるために、前記基体ホルダを長手方向に移動させる移動手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、堆積膜形成装置内のプラズマ処理の均一性向上と、発塵の抑制との両立が可能となる。更に基体の自動搬送も可能である。したがって、膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、ＲＦ（Radio Frequency）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、電子写真用感光体を製造するための堆積膜形成装置１００の一例を模式的に示した図である。
【００１５】
堆積膜形成装置１００は、プラズマ処理によって円筒状基体１０２に堆積膜を形成する装置である。円筒状カソード電極１０３、絶縁体１１０、上壁１０９、ゲート弁１２２、底壁１０８及び可動底壁１２６、ベローズ１２７により、減圧可能な反応容器１０１を形成している。
【００１６】
円筒状基体１０２は、使用目的に応じた材質を有するものであればよい。円筒状基体１０２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス鋼が、電気伝導率が良好であるため、好適である。中でも、加工性や製造コストを考慮すると、アルミニウムが最適である。この場合、円筒状基体１０２を形成するアルミニウムとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００１７】
基体ホルダ１０７の内部には、加熱用ヒータ１１１が設けられている。加熱用ヒータ１１１は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータの如き電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの如き熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。
【００１８】
また、反応容器１０１内には、反応容器１０１内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）１０４が設けられている。原料ガス導入管１０４は、保持される円筒状基体１０２の長手方向に平行に延びている。原料ガス導入管１０４は、ガス供給系に接続されている。そのガス供給系には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在させたミキシング装置１１６と、原料ガス導入管１０４に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス流入バルブ１１７が設けられている。
【００１９】
反応容器１０１の円筒状の側壁を成すカソード電極１０３には、整合回路を有するマッチングボックス１０５を介して高周波電源（印加手段）１０６が電気的に接続されている。このカソード電極１０３は、反応容器１０１の、上側の接地面となる上壁１０９およびゲートバルブ１２２から、セラミックスからなる絶縁体１１０によって絶縁されている。更にカソード電極１０３は、下側の接地面となる底壁１０８、ベローズ１２７および可動底壁１２６から、セラミックスからなる絶縁体１１０によって絶縁されている。
【００２０】
上壁１０９にはゲート弁１２２が設置されており、ここから反応容器１０１内に、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダ１０７が基体搬送機構６０１（図６参照）により搬入・搬出・設置される。
【００２１】
さらに、反応容器１０１の下部には、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダ１０７を、その長手方向の一端側（本例では下端側）で支持する回転支持機構１１５が設けられている。この回転支持機構１１５は、基体ホルダ１０７を回転可能に保持する基体ホルダ保持手段１１２と、この基体ホルダ保持手段１１２を支持する支軸１１３と、支軸１１３に接続され基体ホルダ保持手段１１２を回転させるためのモーター１１４とを有している。したがって、円筒状基体１０２は、基体ホルダ１０７上に装着された状態で、基体ホルダ保持手段１１２と共に支軸１１３を中心として回転させることができる。
【００２２】
この回転支持機構１１５は、可動底壁１２６に設置されており、可動底壁１２６は、ベローズ１２７を介して底壁１０８と接続されている。可動底壁１２６、ベローズ１２７、底壁１０８は、電気的に導通状態で接続されている。このように、回転支持機構１１５は接地面となる可動底壁１２６と接続しているため、電気的に接地された状態となっている。
【００２３】
可動底壁１２６には、基体ホルダ１０７を長手方向に移動させるための移動装置１２５が接続されている。移動装置１２５としては、特に制限は無く、駆動源として、空気圧あるいは油圧を用いて駆動させる、例えばシリンダー機構を用いたものでも良い。また、電動式のモーターを用いて駆動させる、例えばボールネジ機構を用いたものでも良い。
【００２４】
堆積膜形成装置１００が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット１２３が、排気配管１２１を介して、底板１０８の排気口１１８に接続されている。排気配管１２１には、排気メインバルブ１１９が設けられている。また、反応容器１０１には、その内部の圧力を測定する真空計１２０が取り付けられている。これらを用いて、反応容器１０１内を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニット１２３には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００２５】
基体ホルダ１０７の長手方向の上記一端部とは反対側の端部（本例では上端部）には、基体ホルダ１０７を反応容器１０１（図１に示す構成ではそのゲート弁１２２）に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０が設けられている。基体ホルダ１０７が基体ホルダの長手方向に移動すると、基体ホルダ１０７の基体ホルダ保持手段１１２とは逆側の端部である上端部が、基体ホルダ保持手段１１２とは逆側の反応容器１０１の上面となるゲート弁１２２に接触する。基体ホルダ１０７は、このように上端部がゲート弁１２２に接触した状態で回転させられる。接触部材１５０は、反応容器１０１と電気的に接触する部分となる。
【００２６】
基体ホルダ１０７について図面を用いて説明する。
【００２７】
図２は第１の形態の基体ホルダ１０７の上部を模式的に示した図であり、図２（ａ）はその縦断面図、図２（ｂ）はその上視図である。
【００２８】
基体ホルダ１０７の上部には、後述の図６に示す基体搬送機構６０１により保持される保持部１５１が設けられている。さらに、基体ホルダ１０７の上部には、保持部１５１と仕切り部１５３とにより、凹部空間１５２が形成されている。前述の接触部材１５０は、凹部空間１５２内の仕切り板１５３上に設置されている。
【００２９】
導電性材料からなるキャップ１５４が、その一端部において円筒状基体１０２と電気的に接触し、他の端部において基体ホルダ１０７と電気的に接触している。
【００３０】
図２に示す円筒状基体１０２の上端部は、キャップ１５４、基体ホルダ１０７および接触部材１５０を介して、反応容器１０１と電気的に接触することとなる。
【００３１】
接触部材１５０は、反応容器１０１と電気的に接触させる手段を兼ねているため、導電性の材料で構成されていることが好ましい。導電性の材料であれば特に制限は無く、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属、または、富士ダイス株式会社製ＦＷＤ−４３０Ｌの如き固体潤滑材を好適に用いることができる。また、例えば、接触部材１５０の先端部は固体潤滑材で構成し、その他の部分はステンレス鋼で構成するというように、それらの材料を組み合わせて構成しても良い。
【００３２】
接触部材１５０の設置の手法としては、仕切り板１５３と電気的に導通状態を維持可能であれば、特に制限は無く、ネジ止め、溶接、ロウ付け、圧入の如きの手法を用いることができる。
【００３３】
接触部材１５０の形状としては、基体ホルダ１０７が、基体ホルダの長手方向に移動したときに、反応容器１０１と電気的に接触可能であれば特に制限は無い。例えば、円および多角形の柱状体、円および多角形の筒状体、円および多角形の錐状体、先端が球形の柱状体の如きの形状とすることができる。さらに、接触部材１５０の先端にバネの如きの緩衝部を設けても良い。
【００３４】
図３は第２の形態の基体ホルダ１０７の上部を模式的に示した図であり、図３（ａ）はその縦断面図、図３（ｂ）はその上視図である。
【００３５】
第２の形態では、基体ホルダ１０７を反応容器１０１（ゲート弁１２２）に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０は、接触子１３０と摺動部１４０とを有している。
【００３６】
摺動部１４０は、導電性の材料からなり、円筒状基体１０２の回転中心に設置されている。摺動部１４０は、仕切り部１５３に固定されることで、基体ホルダ１０７と一体となって回転する。なお、摺動部１４０が仕切り部１５３に固定されるのは少なくとも基体ホルダ１０７が回転する時でよく、例えば、堆積膜形成終了後に反応容器１０１から基体ホルダ１０７が取り出されたときには、摺動部１４０は仕切り部１５３から外れていてもよい。
【００３７】
接触部材１５０の固定の手法としては、仕切り部１５３と電気的に導通状態を維持可能であれば、特に制限は無く、ネジ止め、溶接、ロウ付け、圧入の如きの手法を用いることができる。
【００３８】
摺動部１４０は、接触子１３０と摺動して導通すればよく、金属製の板バネ、ワイヤブラシ、渦巻きバネ、ベアリング、固体潤滑剤の如きを使用可能である。中でも、発塵や高温下での密着性、繰り返し使用時の耐久性の観点から、ベアリング、固体潤滑剤を用いることが好ましい。
【００３９】
図３に示す例では、摺動部１４０として、ステンレス鋼製の板バネを用いている。
【００４０】
基体ホルダ１０７の上部には、後述の図６に示す基体搬送機構６０１により保持される保持部１５１が設けられている。さらに、基体ホルダ１０７の上部には、保持部１５１と仕切り部１５３とにより、凹部空間１５２が形成されている。摺動部１４０は、凹部空間１５２内の仕切り板１５３上に設置されている。
【００４１】
この様に、凹部空間１５２の内部に摺動部１４０を設置することで、摺動部１４０へ異物が付着する確率を低減することが可能となり、摺動部１４０は円滑な摺動が維持し易くなる。
【００４２】
接触子１３０は、円筒状基体１０２の回転中心に設置されている。接触子１３０は導電性の材料からなり、円柱状の接触部１３１と、脱落防止カバー１３２とを有している。脱落防止カバー１３２は、仕切り部１５３を挟むように円柱状の接触部１３１に取り付けられている。これにより、円柱状の接触部１３１が基体ホルダ１０７から脱落するのを防止している。
【００４３】
円柱状の接触部１３１は、摺動部１４０である板バネ間に挿入されている。このように、接触子１３０は、接触子１３０と基体ホルダ１０７との間に介在する摺動部１４０によって回転可能に支持されている。
【００４４】
さらに、摺動部１４０と接触子１３０とは、基体ホルダ１０７の回転中心に配置されている。
【００４５】
これにより、接触子１３０が反応容器１０１に電気的に接触させられた状態で基体ホルダ１０７が回転させられているときに、接触子１３０を静止状態にすることが可能となる。この結果、接触子１３０が反応容器１０１の上端部に摺擦することが無くなる。摺擦が生じるのは、凹部空間１５２内に設置された摺動部１４０となる。その結果、摺動部１４０からの発塵が生じても凹部空間１５２内に収まり、円筒状基体１０２の表面に異物が付着する確率を大幅に低減することが可能となる。
【００４６】
また、接触子１３０を静止状態にするために、反応容器１０１内に接触子１３０を固定する機構を設けてもよい。例えば、接触子１３０を挟み込む機構の如きが挙げられる。
【００４７】
接触子１３０の材料は、導電性の材料であれば特に制限は無く、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属を好適に用いることができる。
【００４８】
接触部１３１の形状としては、基体ホルダ１０７が基体ホルダの長手方向に移動したときに反応容器１０１と電気的に接触可能な形状であれば特に制限は無い。例えば、円および多角形の柱状体、円および多角形の筒状体、円および多角形の錐状体、先端が球形の柱状体の如きの形状とすることができる。さらに、接触部１３１の先端にバネの如きの緩衝部を設けても良い。
【００４９】
図４は第３の形態の基体ホルダ１０７の上部を模式的に示した図であり、図４（ａ）はその縦断面図、図４（ｂ）はその上視図である。
【００５０】
第３の形態では、基体ホルダ１０７を反応容器１０１（ゲート弁１２２）に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０は、接触子１６０と摺動部１７０とを有している。
【００５１】
摺動部１７０は、導電性の材料からなり、円筒状基体１０２の回転中心に設置されている。摺動部１７０は、仕切り部１５３に固定されることで、基体ホルダ１０７と一体となって回転する。なお、摺動部１７０が仕切り部１５３に固定されるのは少なくとも基体ホルダ１０７が回転する時でよく、例えば、堆積膜形成終了後に反応容器１０１から基体ホルダ１０７が取り出されたときには、摺動部１７０は仕切り部１５３から外れていてもよい。
【００５２】
接触部材１５０の固定の手法としては、仕切り部１５３と電気的に導通状態を維持可能であれば、特に制限は無く、ネジ止め、溶接、ロウ付け、圧入の如きの手法を用いることができる。
【００５３】
摺動部１７０は、接触子１６０と摺動して導通すればよく、金属製の板バネ、ワイヤブラシ、渦巻きバネ、ベアリング、固体潤滑剤の如きを使用可能である。中でも、発塵や高温下での密着性、繰り返し使用時の耐久性の観点から、ベアリング、固体潤滑剤を用いることが好ましい。
【００５４】
図４に示す例では、摺動部１７０として、ベアリングを用いている。
【００５５】
基体ホルダ１０７の上部には、後述の図６に示す基体搬送機構６０１により保持される保持部１５１が設けられている。さらに、基体ホルダ１０７の上部には、保持部１５１と仕切り部１５３とにより、凹部空間１５２が形成されている。摺動部１７０は、凹部空間１５２内の仕切り板１５３上に設置されている。
【００５６】
この様に、凹部空間１５２の内部に摺動部１７０を設置することで、摺動部１７０へ異物が付着する確率を低減することが可能となり、摺動部１７０は円滑な摺動が維持し易くなる。
【００５７】
接触子１６０は、接触部１６１、ピン１６２及び台座１６３を有している。円板状の台座１６３の下面の中心には、円柱状のピン１６２が設けられている。また、台座１６３の上面の中心には、円柱状の接触部１６１が設けられている。円柱状のピン１６２は、摺動部１７０であるベアリングの内輪の中に挿入されている。また、台座１６３の下面は、ベアリングの内輪にのみ接触する状態となっている。ベアリングの外輪は、仕切り板１５３に溶接で固定されている。このように、接触子１６０は、接触子１６０と基体ホルダ１０７との間に介在する摺動部１７０によって回転可能に支持されている。
【００５８】
さらに、摺動部１７０と接触子１６０とは、基体ホルダ１０７の回転中心に配置されている。
【００５９】
これにより、接触子１６０が反応容器１０１に電気的に接触させられた状態で基体ホルダ１０７が回転させられているときに、接触子１６０を静止状態にすることが可能となる。この結果、接触子１６０が反応容器１０１の上端部に摺擦することが無くなる。摺擦が生じるのは、凹部空間１５２内に設置された摺動部１７０となる。その結果、摺動部１７０からの発塵が生じても凹部空間１５２内に収まり、円筒状基体１０２の表面に異物が付着する確率を大幅に低減することが可能となる。
【００６０】
また、接触子１６０を静止状態にするために、反応容器１０１内に接触子１６０を固定する機構を設けてもよい。例えば、接触子１６０を挟み込む機構の如きが挙げられる。
【００６１】
接触子１６０の材料は、導電性の材料であれば特に制限は無く、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属を好適に用いることができる。
【００６２】
接触部１６１の形状としては、基体ホルダ１０７が基体ホルダの長手方向に移動したときに反応容器１０１と電気的に接触可能な形状であれば特に制限は無い。例えば、円および多角形の柱状体、円および多角形の筒状体、円および多角形の錐状体、先端が球形の柱状体の如きの形状とすることができる。さらに、接触部１６１の先端にバネの如きの緩衝部を設けても良い。
【００６３】
図５は第４の形態の基体ホルダ１０７の上部を模式的に示した図であり、図５（ａ）はその縦断面図、図５（ｂ）はその上視図である。
【００６４】
第４の形態では、基体ホルダ１０７を反応容器１０１（ゲート弁１２２）に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０は、接触子１８０と摺動部１９０とを有している。
【００６５】
摺動部１９０は、導電性の材料からなり、円筒状基体１０２の回転中心に設置されている。摺動部１９０は、仕切り部１５３に固定されることで、基体ホルダ１０７と一体となって回転する。なお、摺動部１９０が仕切り部１５３に固定されるのは少なくとも基体ホルダ１０７が回転する時でよく、例えば堆積膜形成終了後に反応容器１０１から基体ホルダ１０７が取り出されたときには、摺動部１９０は仕切り部１５３から外れていてもよい。
【００６６】
接触部材１５０の固定の手法としては、仕切り部１５３と電気的に導通状態を維持可能であれば、特に制限は無く、ネジ止め、溶接、ロウ付け、圧入の如きの手法を用いることができる。
【００６７】
摺動部１９０は、接触子１８０と摺動して導通すればよく、金属製の板バネ、ワイヤブラシ、渦巻きバネ、ベアリング、固体潤滑剤の如きを使用可能である。中でも、発塵や高温下での密着性、繰り返し使用時の耐久性の観点から、ベアリング、固体潤滑剤を用いることが好ましい。
【００６８】
図５に示す例では、摺動部１９０として、固体潤滑剤を用いている。
【００６９】
基体ホルダ１０７の上部には、後述の図６に示す基体搬送機構６０１により保持される保持部１５１が設けられている。さらに、基体ホルダ１０７の上部には、保持部１５１と仕切り部１５３とにより、凹部空間１５２が形成されている。摺動部１９０は、凹部空間１５２内の仕切り板１５３上に設置されている。
【００７０】
接触子１８０は、接触部１８１、台座１８２及びカバー１８３を有している。円板状の台座１８２の上面の中心に接触部１８１が設けられている。また、台座１８２の下面の周囲縁にはカバー１８３が設けられている。カバー１８３は、図５に示すように、摺動部１９０を覆う構成となっている。この様な構成にすることで、摺動部１９０が、原料ガスあるいはプラズマに直接曝されることが無くなる。これにより、原料ガスによる摺動部１９０の腐食が低減され、さらに摺動部１９０への異物の付着が抑制され、摺動部１９０の耐久性を向上させることができる。
【００７１】
摺動部１９０は、仕切り板１５２にネジ止めで固定されている。このように、接触子１８０は、接触子１８０と基体ホルダ１０７との間に介在する摺動部１９０によって回転可能に支持されている。
【００７２】
さらに、摺動部１９０と接触子１８０とは、基体ホルダ１０７の回転中心に配置されている。
【００７３】
これにより、接触子１８０が反応容器１０１に電気的に接触させられた状態で基体ホルダ１０７が回転させられているときに、接触子１８０を静止状態にすることが可能となる。この結果、接触子１８０が反応容器１０１の上端部に摺擦することが無くなる。摺擦が生じるのは、凹部空間１５２内に設置された摺動部１９０となる。その結果、摺動部１９０からの発塵が生じても凹部空間１５２内に収まり、円筒状基体１０２の表面に異物が付着する確率を大幅に低減することが可能となる。
【００７４】
また、接触子１８０を静止状態にするために、反応容器１０１内に接触子１８０を固定する機構を設けてもよい。例えば、接触子１８０を挟み込む機構の如きが挙げられる。
【００７５】
接触子１８０の材料は、導電性の材料であれば特に制限は無く、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属を好適に用いることができる。
【００７６】
接触部１８１の形状としては、基体ホルダ１０７が基体ホルダの長手方向に移動したときに反応容器１０１と電気的に接触可能であれば特に制限は無い。例えば、円および多角形の柱状体、円および多角形の筒状体、円および多角形の錐状体、先端が球形の柱状体の如きの形状とすることができる。さらに、接触部１８１の先端にバネの如きの緩衝部を設けても良い。
【００７７】
次に、図６を参照して基体搬送機構６０１について説明する。図６は基体搬送機構を模式的に示した図である。
【００７８】
基体搬送機構６０１は、図１で説明した堆積膜形成装置１００にドッキングするために垂直方向に移動が可能な上下機構を有した搬送容器６０２を備えている。搬送容器６０２は、下部にゲート弁６０５が備えられ、内部に基体ホルダ１０７を保持する保持部６０４を有する上下動可能なアーム６０３が備えられている。また、搬送容器６０２はレール６０６上をレール６０６に沿って水平方向に移動可能となっている。この基体搬送機構６０１によって、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を、堆積膜形成装置１００を真空状態にしたまま、搬入、設置、搬出することができる。このことは、生産性が向上することだけでなく、堆積膜形成装置１００の内部の汚染を防ぐことも可能であって、画像欠陥の低減にも効果がある。
【００７９】
この基体搬送機構６０１を用い、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を、堆積膜形成装置１００へ搬入、設置、搬出する方法について、具体的に説明する。
【００８０】
まず、搬入、設置方法について説明する。予め、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持、格納し、内部が真空排気された搬送容器６０２は、堆積膜形成装置１００上へ移動する。次に、搬送容器６０２は下降し、搬送容器６０２のゲート弁６０５が堆積膜形成装置１００のゲート弁１２２とドッキングする。ドッキング後、搬送容器６０２のゲート弁６０５と堆積膜形成装置１００のゲート弁１２２間を排気する排気装置（不図示）により真空排気する。搬送容器６０２内、ゲート弁６０５とゲート弁１２２間、及び堆積膜形成装置１００の反応容器１０１内が略同圧となった時点で、ゲート弁６０５とゲート弁１２２を開ける。次に、搬送容器６０２の内部から、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持するアーム６０３を下降させる。そして、基体ホルダ１０７を回転支持機構１１５に載置し、保持部６０４を基体ホルダ１０７を非保持状態にすることで、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７が反応容器１０１内に設置される。設置後、アーム６０３を上昇させ、ゲート弁６０５とゲート弁１２２を閉め、ゲート弁６０５とゲート弁１２２との間を大気圧に戻す。その後、搬送容器６０２を上昇させて堆積膜形成装置１００と切り離すと、搬入、設置が終了する。
【００８１】
次に搬出方法について説明する。予め内部が真空排気された搬送容器６０２は、堆積膜形成装置１００上へ移動する。次に、搬送容器６０２は下降し、搬送容器６０２のゲート弁６０５が堆積膜形成装置１００のゲート弁１２２とドッキングする。ドッキング後、搬送容器６０２のゲート弁６０５と堆積膜形成装置１００のゲート弁１２２間を排気する排気装置（不図示）により真空排気する。搬送容器６０２内、ゲート弁６０５とゲート弁１２２間、及び堆積膜形成装置１００の反応容器１０１内が略同圧となった時点で、ゲート弁６０５とゲート弁１２２を開ける。次に、搬送容器６０２の内部からアーム６０３を下降させ、保持部６０４によって、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持する。保持後、アーム６０３を上昇させ、ゲート弁６０５とゲート弁１２２を閉め、ゲート弁６０５とゲート弁１２２の間を大気圧に戻す。その後、搬送容器６０２を上昇させて堆積膜形成装置１００と切り離すと、搬出が終了する。
【００８２】
以上のように構成された堆積膜形成装置１００を用いて堆積膜を形成する手順の一例について、以下に、図１、図２及び図６を用いて説明する。
【００８３】
まず、基体搬送機構６０１によって、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を反応容器１０１内に搬入し、基体ホルダ保持手段１１２に設置する。このとき、可動底壁１２６は、接触部材１５０を反応容器１０１の何れの部材とも接触させない位置まで下降している。
【００８４】
搬送容器６０２を上昇させて堆積膜形成装置１００から切り離し、基体ホルダ１０７の搬入、設置が終了したら、移動装置１２５を駆動させる。これにより、可動底壁１２６が上昇することで、基体ホルダ１０７が、基体ホルダ１０７の長手方向（この場合は上方）に移動する。可動底壁１２７が所定の位置に移動したら、移動装置１２５を停止させる。この停止時には、接触部材１５０が、反応容器１０１のいずれかの部材に接触している状態となっている。図１に示す構成の場合には、ゲート弁１２２内の弁体（不図示）に接触する。
【００８５】
続いて、ミキシング１１６、原料ガス流入バルブ１１７、および原料ガス導入管１０４を介して、円筒状基体１０２の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅの如きのガスを、反応容器１０１内に導入する。そして、真空ポンプユニット１２３および排気メインバルブ１１９を用いて、反応容器１０１内を所定の圧力になるように真空計１２０を見ながら調整を行う。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１１１により円筒状基体１０２の温度を２００［℃］〜４５０［℃］の如き、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］の如きの所望の温度に調節する。
【００８６】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体１０２上に堆積膜の形成を行う。
【００８７】
このために、まず、堆積膜形成用の原料ガスをミキシング１１６を介して混合し、導入ガスが所望の流量になるように調整して、反応容器１０１内に導入する。その際、反応容器１０１内が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の如きの所望の圧力になるように、真空計１２０を確認しながら真空ポンプユニット１２３と排気メインバルブ１１９を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット１２３のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００８８】
堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、四フッ化珪素（ＳｉＦ4）、六フッ化二珪素（Ｓｉ2Ｆ6）の様なアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ2）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ4）、フッ化窒素（ＮＦ3）が挙げられる。また、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、フッ化硼素（ＢＦ3）、ホスフィン（ＰＨ3）の様な特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【００８９】
次に、反応容器１０１内の圧力が安定した後、高周波電源１０６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１０５を介して反応容器１０１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１０［ＭＨｚ］〜４５［ＭＨｚ］の如きのＲＦ帯、特に１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器１０１内に導入された原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１０２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００９０】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体１０２を加熱する段階から、円筒状基体１０２を回転させる。この回転は、１［ｒｐｍ］〜２０［ｒｐｍ］の如き、例えば１［ｒｐｍ］の回転速度とする。こうすることで、円筒状基体１０２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００９１】
以上のようにして円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜が形成される。
【００９２】
堆積膜が形成された後には、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、反応容器１０１内を排気する。その後、反応容器１０１および原料ガス導入管１０４内をパージガス、例えばＡｒの如きの不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理する。
【００９３】
パージ処理完了後、移動装置１２５を駆動させる。これにより、可動底壁１２６を下降させ、基体ホルダ１０７が、基体ホルダの長手方向（この場合は下方）に移動する。可動底壁１２６が所定の位置に移動したら、移動装置１２５を停止させる。この停止時には、接触部材１５０が、反応容器１０１のいずれかの部材とも接触していない状態となっている。図１に示す構成の場合では、接触部材１５０はゲート弁１２２内の弁体（不図示）から離れている状態となる。
【００９４】
その後、基体搬送機構６０１を用いて、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を反応容器１０１内から搬出する。
【００９５】
その後に、必要に応じて、反応容器１０１内に堆積した副生成物をクリーニング処理する。その時の手順としては、まず、円筒状基体１０２の替わりに同一形状をしたクリーニング用のダミー基体（不図示）を、基体搬送機構６０１を用いて、反応容器１０１内に搬入、設置し、真空ポンプユニット１２３により反応容器１０１内を排気する。続いて、反応容器１０１内にミキシング１１６および原料ガス導入管１０４を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、真空ポンプユニット１２３および排気メインバルブ１１９を用いて、反応容器１０１内を所定の圧力になるように真空計１２０を見ながら調整を行う。
【００９６】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ4、ＣＦ4／Ｏ2、ＳＦ6、ＣｌＦ3（三フッ化塩素）、ＮＦ3の如きが挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ3を用いる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、なかでもＡｒを用いることが好ましい。
【００９７】
反応容器１０１内の圧力が安定した後、高周波電源１０６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１０５を介して反応容器１０１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１０［ＭＨｚ］〜４５［ＭＨｚ］の如きのＲＦ帯、特に１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器１０１内に導入されたクリーニング用のガスが分解され、反応容器１０１内の副生成物と反応してガス化され、反応容器１０１内がクリーニング処理される。
【００９８】
次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、反応容器１０１内を排気する。その後、反応容器１０１および原料ガス導入管１０４内をパージガス、例えばＡｒの不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、基体搬送機構５０１を用いて、クリーニング用のダミー基体（不図示）を反応容器１０１内から搬出する。
【００９９】
以上のように構成された本実施形態の堆積膜形成装置では、反応容器１０１内において、円筒状基体１０２および基体ホルダ１０７を、それらの長手方向の両端部で、反応容器１０１に電気的に接触させている。これにより、円筒状基体１０２および基体ホルダ１０７の長手方向での電気的な状態（電位）が等しくなる。その結果、円筒状基体１０２および基体ホルダ１０７の長手方向において放電エネルギーが均等に印加され、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。また、基体ホルダ１０７をその長手方向の両端部で反応容器１０１に電気的に接触させた状態で、円筒状基体１０２を回転することが可能となる。その結果、円筒状基体１０２の周方向でのプラズマ処理の均一性を向上させることができる。
【０１００】
また、反応容器１０１内でのプラズマ処理の均一性が向上したため、反応容器１０１内部に堆積する副生成物も均質になっている。そのため、脱落し易い副生成物が減少することで、堆積膜形成装置１００内での発塵を低減することが可能となる。その結果、円筒状基体１０２への異物（ダスト）付着が大幅に低減することになる。
【０１０１】
また、円筒状基体１０２を基体搬送機構５０１で自動搬送（搬入・設置・搬出）できるため、生産性に優れている。
【０１０２】
このように、生産性が良い堆積膜形成装置および生産システムである、基体の真空搬送および自動搬送可能なシステムで、従来以上に、堆積膜の均一性と画像欠陥低減が可能なとなった。
【実施例】
【０１０３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では、上述した実施形態において示したのと同じ構成部材に対しては同じ符号を用いて説明する。
【０１０４】
（実施例１）
図１に示す堆積膜形成装置１００を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１０２上に、表１に示す条件で図７に示す層構成のアモルファスシリコン堆積膜（以下、「電子写真感光体」と略記する。）の形成を行った。円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７の搬送には基体搬送機構６０１を用いた。
【０１０５】
基体ホルダ１０７としては、図２に示す構成のものを用いた。接触部材１５０には冨士ダイス株式会社製ＦＷＤ−４３０Ｌの固体潤滑材を用い、これを円柱状の形状とした。また、接触部材１５０は、仕切り板１５３にネジ止めで固定した。
【０１０６】
なお、図７中の符号７０１は円筒状基体１０２の構成部材を示し、符号７０２は下部阻止層（第１層）、符号７０３は光導電層（第２層）、符号７０４は表面層（第３層）をそれぞれ示している。
【０１０７】
【表１】
2010013717.tif 000003
【０１０８】
作製された電子写真感光体に関して、「Ｖｄムラ」及び「白ポチ」の評価を以下のように実施した。
【０１０９】
「Ｖｄムラ」の評価
電子写真感光体の特性の評価には、複写機（キヤノン社製ｉＲ５０００改造機）を用いた。図８にこの複写機の概略図を示す。図８において、電子写真感光体８０１は図の時計周りに回転駆動可能に支持されている。この電子写真感光体８０１の周りには、前露光器８０８、主帯電器８０２、潜像形成用露光器８０９、および電位センサー８０３が時計周り方向に順に配置されている。さらに、静電潜像上にトナーを付着させて現像を行うための現像器８０４、トナー像を被記録媒体に転写するための転写帯電器８０５ａ、分離帯電器８０５ｂが配置されている。さらに、残留トナーを除去するためのクリーニングローラー８０６及びクリーニングブレード８０７を具備したクリーナー８１０が配置されている。
【０１１０】
電子写真感光体の特性を測定する際には、現像器８０４及びクリーナー８１０を取り外す。そして、現像器８０４の代わりに、電子写真感光体の母線方向の所定位置の電子写真特性を測定できる不図示の電位プローブ（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４）を装着する。そして、この電位プローブによって、電子写真感光体の電子写真特性を測定する。この様にして測定した電子写真特性の評価を下記に示す基準で行った。
【０１１１】
「Ｖｄむら」の評価
プロセススピードを２６５ｍｍ／ｓｅｃに設定し、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量を４ｌｘ・ｓとする。さらに、電子写真感光体の長手方向中央位置の表面電位（周方向３０ｄｅｇ間隔で１２点測定して平均した値）が、電位プローブで測定して４５０Ｖ（暗電位）になるように主帯電器７０２の電流値を調整する。その後、電位プローブを電子写真感光体の端部より長手方向に移動させて、長手方向に４０ｍｍ間隔の９箇所で測定を実施する。このとき、周方向には、長手方向の各々の測定個所で３０ｄｅｇ間隔の１２点で測定を実施する。以上より得られた、９×１２＝１０８点での測定値の最大値と最小値との差をＶｄムラとして評価した。評価は比較例１で得られた結果を１００としたときの相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１１２】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
Ａ・・・６０未満
Ｂ・・・６０以上９０未満
Ｃ・・・９０以上１１０未満
Ｄ・・・１１０以上
「白ポチ」の評価
キヤノン社製複写機ｉＲ５０００を用い、Ａ３サイズの用紙の全面を黒く塗りつぶした原稿を複写して得られた画像を観察し、電子写真感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチ（画像欠陥の部分）の個数を数えた。評価は比較例１で得られた結果を１００としたときの相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１１３】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
Ａ・・・６０未満
Ｂ・・・６０以上９０未満
Ｃ・・・９０以上１１０未満
Ｄ・・・１１０以上
総合評価
上記２項目（「Ｖｄむら」及び「白ポチ」）の評価結果に対し、以下の基準で総合評価を行った。
Ａ・・・各項目で全てがＡ
Ｂ・・・一つでもＢが有り、その他はＢ以上。
Ｃ・・・一つでもＣが有り、その他はＣ以上。
Ｄ・・・一つでもＤが有り、その他はＤ以上。
【０１１４】
各評価および総合評価の結果を表２に示す。
【０１１５】
【表２】
2010013717.tif 000004
【０１１６】
（実施例２）
実施例２は、基体ホルダ１０７として図３に示す構成のものを用いた点において実施例１と相違している。
【０１１７】
接触部材１５０は、摺動部１４０と接触子１３０とを有している。摺動部１４０にはステンレス鋼製の板バネを使用し、接触子１３０はステンレス鋼で構成した。摺動部１４０は、仕切り板１５３に溶接で固定した。それ以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表２に示す。
【０１１８】
（実施例３）
実施例３は、基体ホルダ１０７として図４に示す構成のものを用いた点において実施例１と相違している。
【０１１９】
接触部材１５０は、摺動部１７０と接触子１６０とを有している。摺動部１７０にはステンレス鋼製のボールベアリングを使用し、接触子１６０はステンレス鋼で構成した。摺動部１７０は、仕切り板１５３に溶接で固定した。それ以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表２に示す。
【０１２０】
（実施例４）
実施例４は、基体ホルダ１０７として図５に示す構成のものを用いた点において実施例１と相違している。
【０１２１】
接触部材１５０は、摺動部１９０と接触子１８０とを有している。摺動部１９０には冨士ダイス株式会社製ＦＷＤ−４３０Ｌの固体潤滑材を使用し、接触子１８０はステンレス鋼で構成した。摺動部１７０は、仕切り板１５３にネジ止で固定した。それ以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表２に示す。
【０１２２】
［比較例１］
図９に示す堆積膜形成装置９００を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体９０２上に電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。円筒状基体９０２が装着された基体ホルダ９０７の搬送には基体搬送機構６０１を用いた。評価結果を表２に示す。
【０１２３】
本比較例において用いた堆積膜形成装置９００は、図１に示す本発明に対応した実施形態の堆積膜形成装置１００とは、基体ホルダ９０７が上部のゲート弁９２２と接続していない点が異なっている。つまり、本比較例の堆積膜形成装置９００では、基体ホルダ９０７の下部のみが電気的に接地した状態となっている。
【０１２４】
表２から、本実施例の堆積膜形成装置によれば、基体の堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができることが判った。
【０１２５】
白ポチの評価は、実施例１〜４は比較例１に比べて良好である。これは、本実施例の場合、基体上の堆積膜の均一性が向上し、かつ基体以外の箇所に堆積する堆積膜の均一性も向上しているためと推測される。その結果から、従来生じていた堆積膜中の内部応力の如き歪のバランスのムラが減少し、堆積膜の密着性が向上し、堆積膜形成中の、基体以外の箇所に堆積した堆積膜の膜剥れが減少したものと推測される。
【０１２６】
さらに、実施例２〜４では、接触部材１５０は、基体ホルダ１０７上の回転中心に設置された摺動部１４０、１７０、１９０と、回転中心に設置された接触子１３０、１６０、１８０とを有する構成としている。さらに、円筒状基体１０２の回転時には、接触子１３０、１６０、１８０を静止状態としている。これにより、白ポチが低減することが判った（実施例１と実施例２〜４とを比較）。この理由は、以下のように考えられる。
【０１２７】
実施例１では、接触部材１５０の先端と、反応容器１０１の一部（本実施例ではゲート弁１２２）とが互いに摺動するように構成されている。これに対し、実施例２〜４では、摺動箇所が、基体ホルダ１０７の回転中心にある、摺動部１４０、１７０、１９０と接触子１３０、１６０、１８０との間に変更されている。そのため、円筒状基体１０２とカソード電極１０３との間の空間に異物が到達し難くなり、その結果、円筒状基板１０２表面に付着する異物が減少したものと考えられる。
【０１２８】
更に、摺動部にベアリングまたは固体潤滑剤を使用することで、Ｖｄムラが良化することが判った（実施例２と実施例1及び実施例３，４とを比較）。なお、このＶｄムラの差は、円筒状基体１０２の長手方向に生じていた。この理由は、以下のように考えられる。
【０１２９】
実施例２では、堆積膜形成中に、接触子１３０と摺動部（金属製板バネ）１４０との摺動部における導通状態が低下していると推測される。その原因としては、高温、プラズマ環境下での金属製板バネ１４０の弾力性の低下による接触子１３０への密着性悪化、活性種の回り込みによる摺動部への堆積膜の付着の影響が考えられる。一方、ベアリングまたは固体潤滑剤はそれらの影響を受け難く、その結果、摺動部にベアリングまたは固体潤滑剤を使用した場合には堆積膜形成中も良好な導通状態を維持できた。
【０１３０】
以上を総合すると、本発明の各実施例によれば、Ｖｄムラと白ポチの両方について良好な結果を得ることができた。つまり、膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない電子写真感光体（堆積膜）を生産性良く形成することが可能であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明に係る堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明に係る基体ホルダ上部の第１の形態を模式的に示す図である。
【図３】本発明に係る基体ホルダ上部の第２の形態を模式的に示す図である。
【図４】本発明に係る基体ホルダ上部の第３の形態を模式的に示す図である。
【図５】本発明に係る基体ホルダ上部の第４の形態を模式的に示す図である。
【図６】本発明に係る基体搬送機構を示す模式図である。
【図７】アモルファスシリコン電子写真用感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図８】電子写真感光体特性を評価するのに用いた複写機の概略図である。
【図９】比較例１の堆積膜形成装置を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０１    反応容器
１０２    円筒状基体
１０３    カソード電極
１０４    原料ガス導入管（原料ガス導入手段）
１０６    高周波電源（印加手段）
１０７    基体ホルダ
１０８    底板
１０９    上壁
１１５    回転支持機構
１２２、６０５    ゲート弁
１２５    移動装置
１５０    接触部材
１３０、１６０、１８０    接触子
１４０、１７０、１９０    摺動部
【図１】
2010013717.tif 000005
【図２】
2010013717.tif 000006
【図３】
2010013717.tif 000007
【図４】
2010013717.tif 000008
【図５】
2010013717.tif 000009
【図６】
2010013717.tif 000010
【図７】
2010013717.tif 000011
【図８】
2010013717.tif 000012
【図９】
2010013717.tif 000013