(57)【要約】【課題】耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂膜を形成しうる膜形成用樹脂組成物、該膜形成用樹脂組成物を含んでなる感光性樹脂組成物等の提供。【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を含む樹脂組成物。一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ａは０〜１８の整数を表し、ｂは０〜６の整数を表し、ｃは１〜１８の整数を表し、ｄは１〜６の整数を表す。但し、ａ＝０且つｂ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。2010242001.tif 000022【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を含む膜形成用樹脂組成物。
【化１】
2010242001.tif 000020
（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ａは０〜１８の整数を表し、ｂは０〜６の整数を表し、ｃは１〜１８の整数を表し、ｄは１〜６の整数を表す。但し、ａ＝０且つｂ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。）
【請求項２】
一般式（１）中、Ｙで表される芳香族炭化水素基が、ベンゼン環基である請求項１に記載の膜形成用樹脂組成物。
【請求項３】
一般式（１）中、Ｘで表されるカゴ型構造が、アダマンタン、ビアダマンタン、又はジアマンタンである請求項１又は請求項２に記載の膜形成用樹脂組成物。
【請求項４】
前記一般式（１）表される部分構造を有する重合体が、下記一般式（２）で表される構造単位、下記一般式（３）で表される構造単位、及び下記一般式（４）で表される構造単位から選択される少なくとも１種の部分構造を有する重合体である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の膜形成用樹脂組成物。
【化２】
2010242001.tif 000021
（一般式（２）〜一般式（４）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ｅは０〜６の整数を表し、ｆは０〜４の整数を表し、ｇは１〜１４の整数を表し、ｈは１〜４の整数を表し、ｉは１〜１８の整数を表す。但し、ｅ＝０且つｆ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。）
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の膜形成用樹脂組成物と、感光剤と、を含む感光性樹脂組成物。
【請求項６】
前記感光剤が、光により酸を発生する化合物である請求項５に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項７】
更に、架橋剤を含む請求項５又は請求項６に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を、基板上に塗布、乾燥して、感光性樹脂組成物層を形成する工程、該感光性樹脂組成物層をパターン状に露光する工程、及び、アルカリ水溶液及び有機溶媒の少なくとも一方を用いて、露光後の感光性樹脂組成物層を現像する工程を含む樹脂パターンの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法により得られた樹脂パターン。
【請求項１０】
請求項９に記載の樹脂パターンを有する電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成用樹脂組成物、感光性樹脂組成物、樹脂パターンの製造方法及びそれにより得られた樹脂パターン、並びに電子デバイスに関する。より詳細には、本発明は、耐熱性等が要求される樹脂膜の形成に用いられる膜形成用樹脂組成物、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜、表示装置用の平坦化膜、層間絶縁膜として用いうるポジ型で高耐熱性を有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた樹脂パターンの製造方法及びそれにより得られた樹脂パターン、並びに半導体装置用及び表示装置用等の電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。このポリイミド樹脂は、現在は一般に感光性ポリイミド前駆体組成物の形で供され、基板に塗布した後、活性光線によるパターニング、現像、熱イミド化処理等を施すことによって、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜等及び表示装置の平坦化膜、層間絶縁膜等を容易に形成させることができ、従来の非感光性ポリイミド前駆体組成物に比べて大幅な工程短縮が可能となるという特徴を有している。しかし、感光性ポリイミド前駆体組成物は、その現像工程において、現像液としてＮ-メチル-２-ピロリドンなどの大量の有機溶剤を用いる必要があり、近年の環境問題の高まりなどから、脱有機溶剤対策が求められてきている。
【０００３】
これを受け、最近になって、フォトレジストと同様に、アルカリ性水溶液で現像可能な感光性ポリイミド前駆体、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた耐熱性感光性樹脂材料の提案が各種なされている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、感光性ポリイミド前駆体や感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体にナフトキノンジアジドを添加した前記耐熱性樹脂材料では、透明性が不十分という問題があった。
【０００４】
またその他のポジ型感光性樹脂として、銅触媒による酸化カップリング重合を行うことで得られるポリフェニレンオキシド樹脂を用いた系がある（特許文献２参照。）。しかしながら、このようなポリフェニレンオキシドでは、耐熱性、絶縁性、透明性が不足することが判った。その要因は明らかにできてはいないが、該ポリフェニレンオキシド樹脂は、銅触媒による酸化カップリング重合により合成されるため、樹脂中に触媒が残存する可能性があり、一つの仮説ではあるが、そのことに起因するものと推定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１３３０８８号公報
【特許文献２】特開２０００−２７５８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記の状況に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
本発明は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂膜を形成しうる膜形成用樹脂組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた硬化膜を形成しうる感光性樹脂組成物を提供すること目的とする。
また、本発明は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂パターンの製造方法及びそれにより得られた樹脂パターンを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂パターンを有してなる信頼性の高い電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
＜１＞  下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を含む膜形成用樹脂組成物。
【０００８】
【化１】
2010242001.tif 000002
【０００９】
一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ａは０〜１８の整数を表し、ｂは０〜６の整数を表し、ｃは１〜１８の整数を表し、ｄは１〜６の整数を表す。但し、ａ＝０且つｂ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。
【００１０】
＜２＞  一般式（１）中、Ｙで表される芳香族炭化水素基が、ベンゼン環基である請求項１に記載の膜形成用樹脂組成物。
＜３＞  一般式（１）中、Ｘで表されるカゴ型構造が、アダマンタン、ビアダマンタン、又はジアマンタンである前記＜１＞又は＜２＞に記載の膜形成用樹脂組成物。
＜４＞  前記一般式（１）表される部分構造を有する重合体が、下記一般式（２）で表される構造単位、下記一般式（３）で表される構造単位、及び下記一般式（４）で表される構造単位から選択される少なくとも１種の部分構造を有する重合体である前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の膜形成用樹脂組成物。
【００１１】
【化２】
2010242001.tif 000003
【００１２】
一般式（２）〜一般式（４）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ｅは０〜６の整数を表し、ｆは０〜４の整数を表し、ｇは１〜１４の整数を表し、ｈは１〜４の整数を表し、ｉは１〜１８の整数を表す。但し、ｅ＝０且つｆ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。
【００１３】
＜５＞  前記＜１＞〜＜４＞のいずれか1項に記載の樹脂組成物と、感光剤と、を含む感光性樹脂組成物。
＜６＞  前記（Ｂ）感光剤が、光により酸を発生する化合物である前記＜５＞に記載の感光性樹脂組成物。
【００１４】
＜７＞  更に、（Ｃ）架橋剤を含む前記＜５＞又は＜６＞に記載の感光性樹脂組成物。
＜８＞  前記＜５＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を、基板上に塗布、乾燥して、感光性樹脂組成物層を形成する工程、該感光性樹脂組成物層をパターン状に露光する工程、及び、アルカリ水溶液及び有機溶媒の少なくとも一方を用いて、露光後の感光性樹脂組成物層を現像する工程を含む樹脂パターンの製造方法。
＜９＞  ＜８＞に記載の製造方法により得られた樹脂パターン。
＜１０＞  前記＜９＞に記載の樹脂パターンを有する電子デバイス。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂膜を形成しうる膜形成用樹脂組成物を提供することを目的とすることができる。
また、本発明によれば、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた硬化膜を形成しうる感光性樹脂組成物を提供すること目的とすることができる。
また、本発明によれば、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂パターンの製造方法、及びそれにより得られた樹脂パターンを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れた樹脂パターンを有してなる信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ＴＦＴを用いた有機ＥＬ表示装置
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［膜形成用樹脂組成物］
本発明の膜形成用樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を含む膜形成用樹脂組成物である。
【００１８】
【化３】
2010242001.tif 000004
【００１９】
一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ａは０〜１８の整数を表し、ｂは０〜６の整数を表し、ｃは１〜１８の整数を表し、ｄは１〜６の整数を表す。但し、ａ＝０且つｂ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。
【００２０】
以下、本発明の樹脂組成物における各構成成分について詳細に説明する。
【００２１】
＜一般式（１）で表される構造単位を有する重合体＞
本発明の膜形成用樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体（以下、適宜「特定重合体」とも称する。）を含む。
【００２２】
【化４】
2010242001.tif 000005
【００２３】
一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ａは０〜１８の整数を表し、ｂは０〜６の整数を表し、ｃは１〜１８の整数を表し、ｄは１〜６の整数を表す。但し、ａ＝０且つｂ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。
【００２４】
一般式（１）中、Ｘはカゴ型構造を表す。本発明において「カゴ型構造」とは、共有結合した原子で形成された複数の環によって容積が定まり、容積内に位置する点は環を通過せずには容積から離れることができないような分子構造を指す。具体的には、例えば、アダマンタン構造は、カゴ型構造に包含される。対照的にノルボルナン（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン）などの単一架橋を有する環状構造は、単一架橋した環状化合物の環が容積を定めないことから、カゴ型構造には包含されない。
【００２５】
カゴ型構造は、その分子構造中に、飽和及び不飽和結合のいずれを含んでいてもよい。また、カゴ型構造は、その分子構造中に、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。カゴ型構造を構成する具体的な構造としては、飽和炭化水素又は不飽和炭化水素からなる構造が挙げられる。該飽和炭化水素又は不飽和炭化水素は、これを構成する炭素原子の１以上が、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子により置き換わっていてもよいが、低誘電率の観点からは、カゴ型構造としては、炭素原子及び水素原子のみから構成された飽和炭化水素であることが好ましい。
【００２６】
カゴ型構造として好ましくは、アダマンタン、ビアダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン又はドデカヘドランなどの構造であり、低誘電性及び耐熱性の観点からは、より好ましくはアダマンタン、ビアダマンタン又はジアマンタンである。
【００２７】
カゴ型構造の価数（ａ＋ｃ＋２）は２〜８価であることが好ましく、より好ましくは２、３又は４価である。
【００２８】
一般式（１）中のＹは、芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２０のものが好ましく、炭素数６〜１５のものがより好ましく、炭素数６〜１０がのもの特に好ましい。該芳香族炭化水素基として、具体的には、ベンゼン環基、ナフタレン環基、ビフェニル環基、アントラセン環基、テトラセン環基、ペンタセン環基、フェナントレン環基、ピレン環基、９，９−ジフェニルフルオレン環基、テトラフェニルメタン環基、及びスピロビフルオレン環基等が挙げられ、好ましくはベンゼン環基、又はナフタレン環基であり、より好ましくはベンゼン環基である。
【００２９】
一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。なお、一般式（１）中、Ｘと結合するＲ１の結合位置、及びＹと結合するＲ２の結合位置は、特に限定されない。
【００３０】
特定重合体は、一般式（１）以外の部分構造中に、Ｒ１及びＲ２で表される酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基と同様の基を、更に有していてもよい。
【００３１】
酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基は、具体的には、下記一般式（ｙ１）で表される基であることが好ましい。
−Ａ−（Ｂ−ＰＧ）ｎ          （ｙ１）
一般式（ｙ１）中、Ａは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表し、ＰＧは水素原子又は酸分解性基を表す。Ｂは、ＰＧが水素原子である場合、水素原子ＰＧを有する酸性基を表し、ＰＧが酸分解性基である場合、酸分解性基ＰＧにより酸性を示す部位が保護された酸性基の部分構造を表す。ｎは１〜５の整数を表し、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１及び２であり、特に好ましくは１である。
【００３２】
ＰＧが酸分解性基である場合、該ＰＧが分解（脱離）して生成する酸性基としては、ｐＫａが１５以下であることが好ましく、より好ましくは２〜１２である。ＰＧが分解（脱離）して生成する酸性基の具体例としては、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ２ＮＨ２、−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ等が挙げられ、好ましくは、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ２ＮＨ２、及びＣ（ＣＦ３）２−ＯＨであり、より好ましくは、−ＯＨ及びＣＯＯＨである。
【００３３】
Ａで表されるｎ＋１価の連結基は、炭素数１〜２０のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ１０）−、フェニル基、又はこれらを組み合わせてできる２価の基から任意の水素原子をｎ−１個除いた（ｎ＋１）価の基を表す。Ｒ１０は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数１〜１０のアシル基を表す。
【００３４】
Ａとして好ましくは、単結合、炭素数１〜２０のアルキレン基、−Ｏ−、又はフェニル基であり、より好ましくは、単結合、炭素数１〜１０のアルキレン基、又はフェニレン基であり、さらに好ましくは、単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、又はフェニレン基である。
【００３５】
ＰＧで表される酸分解性基は、酸の作用により分解され、酸性基を生成できるものであれば特に限定されないが、酸性基に含まれるヘテロ原子と共に、酸分解性の、エーテル、エステル、アセタール、ケタール、シリルエーテル、又はシリルエステルを形成できる基が代表的である。
【００３６】
ＰＧで表される酸分解性基としては、３級アルキル基（炭素数４〜１５の、好ましくは炭素数４〜１３の３級アルキル基、例えば、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基）、下記一般式（ｙ２）、一般式（ｙ３）、又は一般式（ｙ４）で表される酸分解性基が好ましい。
【００３７】
【化５】
2010242001.tif 000006
【００３８】
一般式（ｙ２）において、Ｒ２０はアルキル基（炭素数１〜１０の、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）を表し、Ｒ２１及びＲ２２は、各々独立に、水素原子又はアルキル基（炭素数１〜１０の、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）を表す。Ｒ２０及びＲ２１、又はＲ２０及びＲ２２が共にアルキル基である場合は、互いに結合して炭素環を形成してもよい。
【００３９】
一般式（ｙ３）において、Ｒ２３はアリール基（炭素数６〜２０のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基等）を表し、Ｒ２４はアルキル基（炭素数１〜１０の、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）を表す。Ｒ２３で表されるアリール基は置換基を有していてもよい。
【００４０】
一般式（ｙ４）において、Ｒ２５〜Ｒ２７は、各々独立に、アルキル基（炭素数１〜１０の、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）、又はアリール基（炭素数６〜２０のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基等）を表す。
【００４１】
ＰＧで表される酸分解性基の好ましい具体例としては、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基等のアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、アルコキシ置換テトラヒドロピラニル基、アルコキシ置換テトラヒドロフラニル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【００４２】
一般式（１）中、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。なお、一般式（１）中、Ｘと結合するＲ３の結合位置、及びＹと結合するＲ４の結合位置は、特に限定されない。
【００４３】
Ｒ３又はＲ４で表される任意の置換基としては、本発明の効果を損なわない限りどのような置換基であってもよく、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基やカゴ型構造を有する基のように多環アルキル基であってもよい。炭素数１〜２０のものが好ましく、炭素数１〜１０のものがより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基などが挙げられる。）、アルケニル基（直鎖、分岐鎖、又は環状でもよい。炭素数２〜２０のものが好ましく、炭素数２〜１０のものがより好ましい。具体的には、ビニル基、アリル基、プレニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（直鎖、分岐鎖、又は環状でもよく、炭素数２〜２０のものが好ましく、炭素数２〜１０がのものより好ましい。具体的には、エチニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。）、アリール基（具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、フェナントレン基、テトラセン基、ペンタセン基、フルオレン基などが挙げられる。）、ヘテロ環基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を更に有してもよく、置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、Ｎ−（アルキル又はアリール）カルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ（アルキル又はアリール）カルバモイル基が挙げられる。）、カルバゾイル基、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、アルコキシ基（エチレンオキシ基又はプロピレンオキシ基を繰り返し単位に含む基を含む。）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ又はアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ又はアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル又はアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、四級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を更に有してもよく、置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基などが挙げられる。これらの基は更に任意の置換基を有していてもよい。
【００４４】
Ｒ３及びＲ４として好ましくは、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖、分岐、又は環状のアルキル基（例えば、メチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数２〜１０のアルケニル基（例えば、ビニル基、プロペニル基等）、炭素数２〜１０のアルキニル基（例えば、エチニル基、フェニルエチニル基、トリメチルシリルエチニル基、ｔ−ブチルエチニル基等）、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等）、シリル基（例えば、トリエトキシシリル基、メチルジエトキシシリル基、トリビニルシリル基等）であり、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖、分岐、又は環状のアルキル基（例えば、メチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数２〜１０のアルケニル基（ビニル基、プロペニル基等）、水素原子であり、さらに好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、水素原子であり、特に好ましくは、ｔ−ブチル基、プロピル基、エチル基、メチル基、水素原子である。これらの置換基はさらに別の置換基で置換されていてもよい。また、Ｒ３及びＲ４は、可能な場合には互いに結合して環構造を形成してもよく、該環構造として好ましくはシクロヘキサン環である。
【００４５】
一般式（１）中、ａは０〜１８の整数を表す。なかでも、０〜６の整数がより好ましく、０〜１の整数が特に好ましい。
【００４６】
一般式（１）中、ｂは０〜６の整数を表す。なかでも、０〜４の整数がより好ましく、０〜１の整数が特に好ましい。
【００４７】
但し、ａとｂとの関係については、ａ＋ｂ≠０を満たす。さらに、ａ＋ｂ＝１又は２が好ましく、より好ましくは１である。
【００４８】
一般式（１）中、ｃは１〜１８の整数を表す。なかでも、１〜１４の整数がより好ましく、１２〜１４の整数が特に好ましい。
【００４９】
一般式（１）中、ｄは１〜６の整数を表す。なかでも、１〜４の整数がより好ましく、３〜４の整数が特に好ましい。
【００５０】
特定重合体は、一般式（１）で表され構造単位の中でも、誘電性及び耐熱性の観点からは、下記一般式（２）で表される構造単位、一般式（３）で表される構造単位、及び一般式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有する重合体であることが好ましい。
【００５１】
【化６】
2010242001.tif 000007
【００５２】
一般式（２）〜一般式（４）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。ｅは０〜６の整数を表し、ｆは０〜４の整数を表し、ｇは１〜１４の整数を表し、ｈは１〜４の整数を表し、ｉは１〜１８の整数を表す。但し、ｅ＝０且つｆ＝０となる場合はない。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。
【００５３】
一般式（２）〜一般式（４）中、Ｒ１及びＲ２で表される酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基は、一般式（１）中のＲ１及びＲ２の定義と同義であり、好ましい範囲も同様である。なお、一般式（２）〜一般式（４）中、カゴ型構造と結合するＲ１の結合位置、及びＹ、ベンゼン環基とＲ２の結合位置は、特に制限されない。
【００５４】
一般式（２）〜一般式（４）中、Ｒ３及びＲ４で表される任意の置換基の定義は、一般式（１）中のＲ３及びＲ４の定義と同義である、好ましい範囲も同様である。
なお、一般式（２）〜一般式（４）中、カゴ型構造と結合するＲ３の結合位置、ベンゼン環基と結合するＲ４の結合位置は、特に限定されない。
【００５５】
一般式（２）〜一般式（４）中、ｅは０〜６の整数を表す。なかでも、好ましくは０〜４であり、より好ましくは０〜１である。
一般式（２）〜一般式（４）中、ｆは０〜４の整数を表す。なかでも、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０〜１である。
一般式（２）〜一般式（４）中、ｇは１〜１４の整数を表す。なかでも、好ましくは２〜１４であり、より好ましくは１２〜１４である。
一般式（２）〜一般式（４）中、ｈは１〜４の整数を表す。なかでも、好ましくは２〜４であり、より好ましくは３〜４である。
一般式（２）〜一般式（４）中、ｉは１〜１８の整数を表す。なかでも、好ましくは２〜１８であり、より好ましくは１６〜１８である。
【００５６】
特定重合体が有する一般式（１）で表される構造単位は、１種単独であってもよいし、２種以上であってもよい。
【００５７】
特定重合体中における一般式（１）で表される構造単位の含有比（モル比）は、低誘電率の点から、５０〜１００が好ましく、７０〜１００がより好ましく、８０〜１００が更に好ましい。
【００５８】
特定重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、一般式（１）で表される構造単位以外の構造単位を有していてもよい。
【００５９】
一般式（１）で表される構造単位以外の構造単位としては、例えば、下記一般式（Ｗ−１）〜一般式（Ｗ−３）で表されるような、置換基を有しないカゴ型構造（例えば、アダマンタン、ジアマンタン）由来の繰り返し単位を有していてもよい。
【００６０】
【化７】
2010242001.tif 000008
【００６１】
一般式（Ｗ−１）〜一般式（Ｗ−３）中、Ｒ５は置換基を表す。ｊは０〜４の整数を表す。＊は、隣接する構造単位との結合位置を表す。Ｒ５で表される置換基は、一般式（１）中のＲ３で表される置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ｊは０〜４の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。
【００６２】
以下に、特定重合体に含まれる一般式（１）で表される構造単位のより詳細な構成例を例示するが、本発明はこれらに限定はされない。なお、下記構成例では、一般式（１）におけるＸ、Ｙ、Ｒ３及びＲ４のみを具体的に示し、Ｒ１及びＲ２の表示を省略した。Ｒ１及びＲ２については、当該構成例中における導入可能な位置に、先に詳述した「酸性基又は酸分解性基で保護された酸性基」を、ａ及びｂで定義される数の範囲内で結合させることができる。
【００６３】
【化８】
2010242001.tif 000009
【００６４】
【化９】
2010242001.tif 000010
【００６５】
【化１０】
2010242001.tif 000011
【００６６】
【化１１】
2010242001.tif 000012
【００６７】
【化１２】
2010242001.tif 000013
【００６８】
特定重合体の具体例としては、例えば、後述する実施例において合成例と共に示される重合体（１）〜重合体（１４）を挙げることができるが、本発明はそれらに制限されるものではない。
【００６９】
（特定重合体の合成方法）
特定重合体の合成方法は特に制限されず、公知の方法を組み合わせて合成することができる。例えば、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を２つ以上有するカゴ型化合物と芳香族化合物とを、フリーデルクラフツ反応によって重合することで、特定重合体を合成できる。
【００７０】
ハロゲン原子を２つ以上有するカゴ型化合物としては、例えば、市販の１，３−ジブロモアダマンタン、J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1, vol.23, 3527-3530（1999年）等に記載された方法で合成することのできる１，３−ジブロモ−５，７−ジメチルアダマンタン、J. Org. Chem., vol.39, 2995-3003（1974年）等に記載された方法で合成することのできる１，６−ジブロモジアマンタン、４，９−ジブロモジアマンタン等が挙げられる。
【００７１】
ヒドロキシ基を２つ以上有するカゴ型化合物としては、例えば、市販の１，３−アダマンタンジオール、１，３，５−アダマンタントリオール、J. Org. Chem., vol.39, 2987-2994（1974年）等に記載された方法で合成することのできる１，６−ジアマンタンジオール、４，９−ジアマンタンジオール等が挙げられる。
【００７２】
芳香族化合物としては、例えば、ベンゼン、トルエン、アニソール、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ｔ−ブチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，４−ジ−ｔ−ブチルベンゼン、１，３−ジ−ｔ−ブチルベンゼン、１，３，５−トリ−ｔ−ブチルベンゼン、（トリメチルシリル）ベンゼン等が挙げられる。
【００７３】
特定重合体を合成するためのフリーデルクラフツ反応は、ルイス酸存在下又はブレンステッド酸存在下で行うことが好ましい。
【００７４】
ルイス酸としては、例えば、三臭化アルミニウム、三塩化アルミニウム、三塩化ガリウム、三塩化鉄、五塩化アンチモン、四塩化ジルコニウム、四塩化スズ、四塩化チタン、四臭化チタン、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、トリメトキシホウ素、二塩化亜鉛、二塩化ベリリウム、二塩化カドミウム、三ハロゲン化ランタノイド、ハロゲン化アルキルアルミニウム、アルミニウムトリアルキル、アルミニウムアルコキシド、銀トリフラート、セリウムトリフラート、ハフニウムトリフラート、ランタニウムトリフラート、スカンジウムトリフラート、タリウムトリフラート、イッテルビウムトリフラート、ビスマストリフラート、トリメチルシリルトリフラート、チタノセントリフラート、ジアルキルボロントリフラート、スカンジウムトリフリルイミド、スカンジウムトリフリルメチド、オキソバナジウムトリフラート、トリメチルシリルトリフリルイミド、トリメチルシリルヨージド等が好ましく用いられる。
【００７５】
ブレンステッド酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロスルホン酸、フッ化水素酸、リン酸、（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メタン、ゼオライトやペルフルオロスルホン酸樹脂等の固体酸、フッ化水素と五フッ化アンチモンの混合物、フルオロ硫酸と五フッ化アンチモンの混合物等が好ましく用いられる。
【００７６】
特定重合体を合成するためのフリーデルクラフツ反応においては、重合溶媒を用いることが好ましい。重合溶媒としては、反応原料であるカゴ型化合物及び芳香族化合物が室温又は加熱により可溶であり、ルイス酸又はブレンステッド酸に不活性であれば特に制限はない。重合溶媒としては、例えば、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、炭酸エステル系溶媒、エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒などが利用できる。これらの中でも、より好ましい溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒であり、具体的にはクロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４，−トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、二硫化炭素、ニトロメタン等が挙げられる。これらの溶媒は、単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００７７】
重合溶媒中の固形分（原料のカゴ型化合物と芳香族化合物）の濃度は、好ましくは１質量％〜５０質量％、より好ましくは３質量％〜２０質量％である。
【００７８】
重合反応の最適な条件は、原料のカゴ型化合物及び芳香族化合物、重合触媒、重合溶媒の種類、濃度等によって異なるが、反応温度としては、好ましくは内温０℃〜１５０℃、より好ましくは０℃〜１００℃であり、反応時間としては、好ましくは０．１時間〜４８時間、より好ましくは０．２時間〜２４時間である。
【００７９】
特定重合体は、分子量に特に制限はないが、アルカリ溶解速度、本発明の樹脂組成物により形成された硬化膜の膜物性等の面で、重量平均分子量で、５００〜５００，０００であることが好ましく、７００〜３００，０００がより好ましく、１，０００〜５０，０００が特に好ましい。なお、本発明において分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて求めたものである。
【００８０】
特定重合体の酸価としては、２０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが更に好ましい。
【００８１】
本発明の膜形成用樹脂組成物において、特定重合体は、１種のみが含まれてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００８２】
特定重合体の含有量は、本発明の膜形成用樹脂組成物の全量中、好ましくは１質量％〜６０質量％であり、より好ましくは１質量％〜４０質量％であり、更に好ましくは１質量％〜３０質量％である。
【００８３】
以上説明した本発明の膜形成用樹脂組成物により、耐熱性、低誘電性及び透明性に優れた樹脂膜を形成することができる。また、本発明の膜形成用樹脂組成物は、更に感光剤を含むことで、以下に詳述する感光性樹脂組成物として構成することができる。
【００８４】
［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、上述した本発明の膜形成用樹脂組成物と、感光剤とを含んでなり、必要に応じて、他の成分を含んでもよい。
以下、本発明の感光性樹脂組成物について、詳細に説明する。
【００８５】
＜感光剤＞
本発明において感光剤とは、露光により画像を形成する機能を感光性樹脂組成物に付与する、及び／又は、そのきっかけを与える化合物を指す。感光剤として具体的には、例えば、光により酸を発生する化合物（光酸発生剤）、感光性のキノンジアジド化合物などを挙げることができる。
【００８６】
感光剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。また、感度調整のために、感光剤に、増感剤などを併用することもできる。
本発明の感光性樹脂組成物において、感光剤の配合量は、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、特定重合体の総量を１００質量部としたとき、１〜１００質量部が好ましく、１〜５０質量部がより好ましい。
【００８７】
以下、感光剤として好適な、光酸発生剤、及び感光性のキノンジアジド化合物について、更に詳細に説明する。
【００８８】
<<光酸発生剤>>
光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、或いはそれらの混合物を、適宜選択して使用することができる。本発明において使用できる光酸発生剤としては、例えば、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［００７８］〜［０１０２］記載の化合物が挙げられる。
【００８９】
光酸発生剤の内でも、発生酸としてｐＫａが２以下と強い、スルホン酸や電子吸引基の置換したアルキル乃至はアリールカルボン酸、同じく電子吸引基の置換したジスルホニルイミドなどが好ましい。ここで、電子吸引基としては、フッ素原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を挙げることができる。
【００９０】
また、本発明における光酸発生剤としては、スルホン酸を発生する化合物である、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ｏ−ニトロベンジルスルホネート化合物を好ましいものとして挙げることができる。
【００９１】
光酸発生剤として好ましい、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物としては、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［０１２６］、［０１５４］〜［０１８５］に記載の化合物が挙げられる。
【００９２】
光酸発生剤として好ましいｏ−ニトロベンジルスルホネート化合物としては、下記一般式（ＴＡ−９）で表される化合物を挙げることができる。
【００９３】
【化１３】
2010242001.tif 000014
【００９４】
一般式（ＴＡ−９）中、Ｚは、炭素数１〜３０のアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、炭素数１〜３０のハロゲン置換されたアルキル基、ハロゲン置換されたアリール基、ハロゲン置換されたアルキルアリール基、炭素数６〜３０のニトロ置換されたアリール基、ニトロ置換されたアルキルアリール基、炭素数６〜３０のニトロ基とハロゲン基とを有するアリール基、ニトロ基とハロゲン基とを有するアルキルアリール基、又は、Ｃ６Ｈ４ＳＯ３ＣＨＲ’Ｃ６Ｈ４−ｎＱ’ｎ（ＮＯ）２で表される基（Ｒ’は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数１〜４のアシル基を表し、Ｑ’は、炭素数１〜３０の炭化水素基、ヒドロカルボノキシ基、−ＮＯ２、ハロゲン原子、又は有機ケイ素基を表す。但し、Ｑ’は酸性の基ではない。ｎの値は０、１又は２であり、ｎが２の場合、２つのＱ’は同じものであってもよいし、異なったものでもよい。）を表す。Ｒ９は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数１〜４のアシル基を表す。Ｑは、炭素数１〜３０の炭化水素基、ヒドロカルボノキシ基、−ＮＯ２、ハロゲン原子、又は有機ケイ素基を表す。但し、Ｑは酸性の基ではない。ｍの値は０、１又は２であり、ｍが２の場合、２つのＱは同じものであってもよいし、異なったものでもよい。
【００９５】
一般式（ＴＡ−９）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００９６】
【化１４】
2010242001.tif 000015
【００９７】
本発明の感光性樹脂組成物において、感光剤として光酸発生剤を用いる場合、その含有量は、特定重合体の総量を１００質量部としたとき、０．５質量部〜３０質量部が好ましく、２質量部〜２０質量部がより好ましい。
【００９８】
光酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９９】
<<感光性のキノンジアジド化合物>>
感光性のキノンジアジド化合物としては、ｏ−キノンジアジド化合物が挙げられる。
ｏ−キノンジアジド化合物としては、例えば、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［００６０］〜［００７５］に記載の化合物が挙げられる。
【０１００】
本発明の感光性樹脂組成物において、感光剤として感光性のキノンジアジド化合物を用いる場合、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、その含有量は、特定重合体の総量を１００質量部としたとき、１質量部〜２５質量部が好ましく、５質量部〜２０質量部がより好ましい。
【０１０１】
上述した感光剤の中でも、本発明の感光性樹脂組成物を適用した膜形成プロセス及び形成された膜の現像性の観点からは、感光性キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物が好ましく、感光性キノンジアジド化合物が特に好ましい。
【０１０２】
＜増感剤＞
本発明の感光性樹脂組成物においては、感光剤の１つであるスルホニウム塩化合物との組み合わせにおいて、その分解を促進させるために増感剤を添加することが好ましい。
増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、スルホニウム塩化合物と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより重合開始剤は化学変化を起こして分解し、ラジカル、酸或いは塩基を生成する。
【０１０３】
増感剤の好ましい具体例としては、例えば、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［０１０３］〜［０１２２］に記載の化合物が挙げられる。
【０１０４】
増感剤の添加量は、感光剤１００質量部に対して、２０〜２００質量部が好ましく、３０〜１５０質量部がより好ましい。
【０１０５】
＜架橋剤＞
本発明の感光性樹脂組成物は、改質剤として架橋剤を含むことが好ましい。
ここで、架橋剤とは、酸によりポリマーと架橋する材料であり、例えば、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも１つの基で置換された、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物、ウレア化合物、フェノール化合物；フェノールのエーテル化合物；エポキシ化合物；フオキセタン化合物；チオエポキシ化合物；イソシアネート化合物；アジド化合物；アルケニルエーテル基などの２重結合を含む化合物を挙げることができる。
架橋剤としては、感光性樹脂組成物により形成された硬化膜の膜物性、耐熱性の点で、上記の化合物の中でも、メチロール基を有する各化合物（メチロール系架橋剤）、メラミン化合物（メラミン系架橋剤）、グリコールウリル化合物（グリコールウリル系架橋剤）が好ましく使用される。
【０１０６】
本発明における好適な架橋剤として具体的には、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基を有する化合物、メタクリロイル基又はアクリロイル基を有する化合物、及びエポキシ化合物又はオキセタン化合物（エポキシ基又はオキセタニル基を有する化合物）が挙げられる。
【０１０７】
アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基を含有する化合物としては、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［０２０４］〜［０２１５］に記載の化合物が挙げられる。
【０１０８】
メタクリロイル基又はアクリロイル基を有する化合物としては、特開２００９−３７２０１号公報の段落番号［０２１６］〜［０２１９］に記載の化合物が挙げられる。
【０１０９】
エポキシ化合物としては、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、又は脂環式エポキシ化合物が好ましく、エポキシ当量が１８０〜２５０のものが特に好ましい。このような素材としてはエピクロンＮ−６６０、Ｎ−６７０、Ｎ−６８０、Ｎ−６９０、Ｎ−６９５、ＹＤＣＮ−７０４Ｌ（以上ＤＩＣ社製）、ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル化学製）、下記構造で示される化合物を挙げることができる。
【０１１０】
【化１５】
2010242001.tif 000016
【０１１１】
本発明の感光性樹脂組成物においては、２種以上のエポキシ化合物を含有してもよい。
【０１１２】
オキセタン化合物としては、例えば、アロンオキセタンＯＸＴ−１０１、ＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２１１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸＴ−２１２、ＯＸＴ−６１０、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上東亞合成製）を用いることができる。
また、オキセタン化合物は、単独で又は前記エポキシ化合物と混合して用いることができる。特に、前記エポキシ化合物との併用で用いた場合には、反応性が高く、膜物性を向上させる観点から好ましい。
【０１１３】
本発明の感光性樹脂組成物において、これらの架橋剤は、単独で用いても、２種以上が併用してもよい。
【０１１４】
本発明の感光性樹脂組成物における架橋剤の含有量は、特定重合体の総量を１００質量部としたとき、１〜２０質量部が好ましく、２〜１５質量部がより好ましい。
【０１１５】
＜密着促進剤＞
本発明の感光性樹脂組成物には、必要により、固体表面への密着性付与のために、有機ケイ素化合物、シランカップリング剤、レベリング剤等の密着促進剤を添加してもよい。
これらの例としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、トリス（アセチルアセトネート）アルミニウム、アセチルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどが挙げられる。
感光性樹脂組成物に密着促進剤を用いる場合は、特定重合体１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．５〜１０質量部がより好ましい。
【０１１６】
＜溶剤＞
本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
溶剤は、本発明の感光性樹脂組成物を構成する各成分を溶解できるものであれば特に限定されないが、塗布時に溶剤が必要以上に蒸発して感光性樹脂組成物の固形分が析出しないようにするため、１００℃以上の沸点の溶剤が好ましい。
好ましい溶媒には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３―エトキシプロピオン酸エチル、３―メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、３−メトキシブタノール、シクロヘキサノンを挙げることができる。
また、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、プロピレンカーボネートなど沸点が高い溶媒を補助的に使用してもよい。
しかしながら、硬化後に膜中に溶剤が残留すると十分な膜物性が得られない傾向があることから、硬化温度以上の沸点の溶剤（高沸点溶媒）を溶剤中の３０質量％以上含むことは好ましくない。高沸点溶媒の添加量は、３０質量％以下であり、好ましくは２０質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下である。
【０１１７】
本発明の感光性樹脂組成物は、光及び熱の少なくとも一方を付与することで樹脂硬化膜を形成することができる。また、当該光及び熱の少なくとも一方の付与をパターン状にすることで、樹脂パターン（パターン状の樹脂硬化膜）を形成することができる。
【０１１８】
本発明の膜形成用樹脂組成物を適用して得られる樹脂膜、感光性樹脂組成物を適用して得られる樹脂硬化膜は、多様の目的に使用することができる。例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板などの電子部品における絶縁膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、エッチングストッパー膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜、表示装置用絶縁膜などとして適用することができる。
さらに、別の用途としては、本発明の膜形成用樹脂組成物を適用して得られる樹脂膜、本発明の感光性樹脂組成物により得られた樹脂硬化膜に、電子ドナー又はアクセプターをドープすることによって導電性を付与し、導電性膜として使用することもできる。
【０１１９】
本発明の感光性樹脂組成物により形成された樹脂硬化膜は、耐熱性、低誘電性、及び透明性に優れ、特に、電子デバイス用に有効である。
【０１２０】
本発明でいう電子デバイスとは、有機ＥＬ表示装置、及び液晶表示装置用等の電子デバイスを意味し、本発明の感光性樹脂組成物は、有機ＥＬ表示装置、及び液晶表示装置用の平坦化膜、層間絶縁膜などの形成に用いた際に、特に効果を発揮する。
特に、本発明の感光性樹脂組成物を、層間絶縁膜などの樹脂パターンの形成に適用する場合には、以下のような樹脂パターンの製造方法が適用され、所望の形状をした樹脂パターンを得ることができる。
【０１２１】
［樹脂パターンの製造方法］
本発明の樹脂パターンの製造方法は、本発明の感光性樹脂組成物を、基板上に塗布、乾燥して、感光性樹脂組成物層を形成する工程、該感光性樹脂組成物層をパターン状に露光する工程、及び、アルカリ水溶液及び有機溶媒（以下、適宜、「水性現像液」と称する。）の少なくとも一方を用いて、露光後の感光性樹脂組成物層を現像する工程を含むことを特徴とする。
【０１２２】
より具体的には、本発明の樹脂パターンの製造方法においては、（１）本発明の感光性樹脂組成物を適当な基板上に塗布して感光性樹脂組成物層を形成し、（２）該感光性樹脂組成物層を有する基板をベーキングし（プリベーク）、（３）活性光線又は放射線で露光し、（４）必要に応じ後加熱し、（５）水性現像液を用いて、露光後の感光性樹脂組成物層を現像し、（６）必要に応じ全面露光し、そして（７）熱硬化（ポストベーク）する、といった工程が採られる。この樹脂パターンの製造方法を用いることで、基板上に、所望の形状の樹脂パターンを得ることができる。
また、上記の各工程において、（４）における後加熱、及び（６）における全面露光は、任意の工程であって、必要に応じて、行えばよい。
【０１２３】
本発明の樹脂パターンの製造方法を適用して、（１）本発明の感光性樹脂組成物を、硬化後の厚みが所望厚み（例えば、０．１〜３０μｍ）になるように、半導体素子上又はガラス基板上に塗布した後、少なくとも、（２）プリベーク、（３）露光、（５）現像、及び（７）熱硬化（ポストベーク）することで、有機ＥＬ表示装置用、又は液晶表示装置用の樹脂パターンを形成することができる。
【０１２４】
以下、本発明の樹脂パターンの製造方法についてより詳細に説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は（１）適当な基板上に塗布される。
基板は、形成される樹脂パターンの用途に応じて選択されればよく、例えば、シリコンウエハのような半導体基板又はセラミック基板や、ガラス、金属、又はプラスチックからなる基板が用いられる。半導体装置用に樹脂パターンを適用するのであれば、シリコンウエハを、表示装置用に樹脂パターンを適用するのであれば、ガラス基板を用いるのが一般的である。
塗布方法には、スプレーコーティング、スピンコーティング、スリットコーティング、オフセット印刷、ローラーコーティング、スクリーン印刷、押し出しコーティング、メニスカスコーティング、カーテンコーティング、及びディップコーティング等が用いられるが、これらに限られることはない。
塗布後におけるプリベークは、残留する溶媒を蒸発させるために、約７０〜１３０℃の高められた温度で数分から半時間行うことが好ましい。
この（１）塗布工程により、基板上には感光性樹脂組成物層が形成される。
【０１２５】
次いで、（２）プリベークにより乾燥した感光性樹脂組成物層に対し、（３）所望のパターンを備えたマスクを介して、活性光線又は放射線を用いた露光が施される。活性光線又は放射線として、Ｘ線、電子ビーム、紫外線、可視光線などを使用することができる。最も好ましい放射線は、波長が４３６ｎｍ（ｇ−ライン）、４０５ｎｍ（ｈ−ライン）、及び３６５ｎｍ（ｉ−ライン）を有するものである。
この（３）露光工程により、基板上の感光性樹脂組成物層には、水性現像液により現像される領域と、現像されない領域と、が形成される。本発明の感光性樹脂組成物は、ポジ作用を有しているため、露光部が水性現像液により現像される領域となる。
【０１２６】
（３）活性光線又は放射線によって露光された基板は、（４）７０〜１３０℃の温度に加熱（後加熱）するのが有利である。後加熱は、短時間、一般的には、数秒〜数分で行われる。本工程は、通常、露光後ベーキングと技術上称される。
【０１２７】
次いで、（３）露光（（４）後加熱）後の感光性樹脂組成物層は、（５）水性現像液で現像される。この現像により、感光性樹脂組成物層の露光部が水性現像液により現像され、未露光部が基板上に残ることで、樹脂パターンが形成される。
【０１２８】
水性現像液には、無機アルカリ（例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア水）、１級アミン（例えば、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン）、２級アミン（例えば、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン）、３級アミン（例えば、トリエチルアミン）、アルコールアミン（例えば、トリエタノールアミン）、４級アンモニウム塩（例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド）、及びこれらの混合物を用いたアルカリ溶液がある。最も好ましい現像液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含有するものである。加えて、現像液には、適当な量の界面活性剤が添加されてよい。
また、現像は、ディップ、スプレー、パドリング、又は他の同様な現像方法によって実施してもよい。
【０１２９】
（５）現像工程後、基板上に残存する感光性樹脂組成物層は、場合によっては、脱イオン水を使用してすすぎ洗いされてもよい。
【０１３０】
更に、（５）現像工程後には、基板上に残存する感光性樹脂組成物層は、必要に応じて、（６）全面露光が施される。この全面露光の露光エネルギーは１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーであることが好ましい。
この（６）全面露光を行うことで、表示装置用の樹脂パターンを形成する際には、その透明性が向上するため、好ましい。
【０１３１】
次いで、（５）現像工程後において基板上に残存する感光性樹脂組成物層は、最終的な樹脂パターンを得るため、（７）熱硬化処理が施される。この熱硬化は、耐熱性、耐薬品性、膜強度の大きい硬化膜を形成するために実施される。一般的な感光性ポリイミド前駆体組成物を用いた場合は、約３００〜４００℃の温度で加熱硬化されてきた。一方、本発明の感光性樹脂組成物は、３００℃未満、より具体的には２００〜２５０℃の加熱により、従来の感光性ポリイミド前駆体組成物と同等以上の膜物性を有する硬化膜が得られる。
【実施例】
【０１３２】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により制約されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。
【０１３３】
また、以下において、ＧＰＣ測定は、Ｗａｔｅｒｓ２６９５及びＳｈｏｄｅｘ製「ＧＰＣカラムＫＦ−８０５Ｌ」を使用し、カラム温度４０℃で、溶出溶媒としてテトラヒドロフランを毎分１ｍｌの流量で測定を行い、重量平均分子量は標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて計算した。
【０１３４】
＜合成例１：重合体（１）の合成＞
窒素気流下、２００ｍｌ三つ口フラスコに１，３−ジブロモアダマンタン１０質量部、安息香酸４．２質量部、ジクロロベンゼン５０質量部を加え、撹拌しながら原料を完全に溶解させた。塩化アルミニウム（III）１.８質量部を加え、５０℃で６時間撹拌した。反応液をメタノール５００ｍＬに添加し、析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄し、減圧乾燥することで、重量平均分子量３.２千の重合体（１）を９．６質量部得た。
【０１３５】
＜合成例２：重合体（２）の合成＞
安息香酸４．２質量部を、４-フェニル安息香酸６．７質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（２）を合成した。得られた重合体（２）の重量平均分子量は約４．２千であった。
【０１３６】
＜合成例３：重合体（３）の合成＞
安息香酸４．２質量部を３-フェニルプロピオン酸５．１質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（３）を合成した。得られた重合体（３）の重量平均分子量は約６．５千であった。
【０１３７】
＜合成例４：重合体（４）の合成＞
窒素気流下、２００ｍｌ三つ口フラスコに１，３−ジブロモ−５，７−ジメチルアダマンタン１０質量部、３-フェニルプロピオン酸４．７質量部、ジクロロベンゼン５０質量部を加え、撹拌しながら原料を完全に溶解させた。塩化アルミニウム（III）０．８３質量部を加え、５０℃で６時間撹拌した。反応液をメタノール５００ｍＬに添加し、析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄し、減圧乾燥することで、重量平均分子量７.２千の重合体（４）を１０．３質量部得た。
【０１３８】
＜合成例５：重合体（５）の合成＞
２００ｍｌ三つ口フラスコに１，３−ジブロモアダマンタン１０質量部、ベンゼン１．３質量部、安息香酸２．１質量部、ジクロロベンゼン５０ｇを加え、窒素気流下撹拌しながら原料を完全に溶解させた。塩化アルミニウム（III）１.８質量部を加え、５０℃で３時間撹拌した。反応液をメタノール５００ｍＬに添加し、析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄し、減圧乾燥することで、重量平均分子量約４.９千の重合体（５）を７．２質量部得た。
【０１３９】
＜合成例６：重合体（６）の合成＞
合成例５において安息香酸２．１質量部の代わりに３-フェニルプロピオン酸２．６質量部を用いたこと以外は合成例５と同様にして、重合体（６）を合成した。得られた重合体（６）の重量平均分子量は約１．１万であった。
【０１４０】
＜合成例７：重合体（７）の合成＞
安息香酸４．２質量部を安息香酸メチル４．７質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（７）を合成した。得られた重合体（７）の重量平均分子量は約１．２万であった。
【０１４１】
＜合成例８：重合体（８）の合成＞
安息香酸４．２質量部を１−ナフトエ酸５．９質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（８）を合成した。得られた重合体（８）の重量平均分子量は約５．２千であった。
【０１４２】
＜合成例９：重合体（９）の合成＞
安息香酸４．２質量部を４-メチル安息香酸４．７質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（９）を合成した。得られた重合体（９）の重量平均分子量は約２．５千であった。
【０１４３】
＜合成例１０：重合体（１０）の合成＞
合成例３において１，３−ジブロモアダマンタン１０質量部を１，６−ジブロモジアマンタン１１．８質量部に変更した以外は、合成例３と同様にして、重合体（１０）を合成した。得られた重合体（１０）の重量平均分子量は約６．３千であった。
【０１４４】
＜合成例１１：重合体（１１）の合成＞
合成例３において１，３−ジブロモアダマンタン１０質量部を４，９−ジブロモジアマンタン１１．８質量部に変更した以外は、合成例３と同様にして、重合体（１１）を合成した。得られた重合体（１１）の重量平均分子量は約１．５万であった。
【０１４５】
＜合成例１２：重合体（１２）の合成＞
合成例３において１，３−ジブロモアダマンタン１０質量部を３，３’−ジブロモ−１，１’−ビアダマンタン１４．５質量部に変更した以外は、合成例３と同様にして、重合体（１２）を合成した。得られた重合体（１２）の重量平均分子量は約６．９千であった。
【０１４６】
＜合成例１３：重合体（１３）の合成＞
合成例１において安息香酸４．２質量部を４−ｔ-ブチル安息香酸６．１質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（１３）を合成した。得られた重合体（１３）の重量平均分子量は約８．２千であった。
【０１４７】
＜合成例１４：重合体（１４）の合成＞
合成例１において安息香酸４．２質量部を４−フェニル酪酸５．６質量部に変更した以外は、合成例１と同様にして、重合体（１４）を合成した。得られた重合体（１４）の重量平均分子量は約７．９千であった。
【０１４８】
＜比較ポリマー１の合成＞
比較ポリマー１を、特開２０００−２７５８４２号公報に記載の方法にしたがって合成した。
【０１４９】
＜比較ポリマー２の合成＞
比較ポリマー２を、特開２００４−１３３０８８号公報の実施例５に記載の方法にしたがって合成した。
【０１５０】
＜比較ポリマー３の合成＞
比較ポリマー３を、特表２００５−５２２５２８号公報の実施例４に記載の方法にしたがって合成した。
【０１５１】
［実施例１］
＜膜形成用樹脂組成物の調製、それを用いた絶縁膜の形成＞
重合体（１）１．０ｇをシクロヘキサノン９．０ｇに完全に溶解させて、膜形成用樹脂組成物である塗布液を調製した。この塗布液を孔径０．１μｍのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、スピンコーターを用いて基板抵抗値７Ω／ｃｍの４インチベアシリコンウェハー上にスピン塗布し、塗膜を形成した。塗布後の塗膜に対して、１１０℃で６０秒間、続いて２００℃で６０秒間ベークを行った。更に、ベーク後の塗膜を、窒素置換された４００℃のクリーンオーブン内で１時間焼成（ファーネスキュア）した。その結果、膜厚０．５μｍの凹凸のない均一な絶縁膜がシリコンウェハー上に形成された。
【０１５２】
＜評価＞
１．比誘電率の評価
得られた絶縁膜の比誘電率（測定温度：２５℃、以降の実施例も同様）を、フォーディメンジョンズ社製水銀プローバ、及び横河ヒューレットパッカード社製の「ＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーター」を用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５４であった。
【０１５３】
２．面状の評価
得られた絶縁膜の外観をピーク社製ポケットマイクロルーペ（５０倍）で観察したところ、絶縁膜の表面にクラックは認められず、面状も良好であった。なお、面状は、光学顕微鏡で１平方センチメートルの領域において、絶縁膜の面状を観察した際に、色ムラが観察された場合を「面状が悪い」と評価し、色ムラが全く観察されない場合を「面状が良好」と評価した。
【０１５４】
［実施例２〜７］
実施例１において、塗布液の調製に用いた重合体（１）を、重合体（２）、重合体（３）、重合体（８）、重合体（１１）、重合体（１２）、又は重合体（１４）に、それぞれ変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜７の塗布液を調製し、これを用いて絶縁膜を形成した。得られた絶縁膜を、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【０１５５】
＜比較例１〜３＞
実施例１において、塗布液の調製に用いた重合体（１）を、比較ポリマー１、比較ポリマー２、又は比較ポリマー３に、それぞれ変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜３の塗布液を調製し、これを用いて絶縁膜を形成した。得られた絶縁膜を、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【０１５６】
【表１】
2010242001.tif 000017
【０１５７】
［実施例８］
＜感光性樹脂組成物（１）の調製＞
重合体（１）１３質量部、下記構造のＮＱＤ−１  ５質量部、下記架橋剤−１  ５質量部をシクロへキサノン７７質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（１）を得た。
【０１５８】
【化１６】
2010242001.tif 000018
【０１５９】
［実施例９〜２０］
＜感光性樹脂組成物（２）〜（１３）の調製＞
実施例８において用いた重合体（１）を、重合体（２）〜（６）、（８）〜（１４）に、それぞれ変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例９〜２０の感光性樹脂組成物（２）〜（１３）を調製した。
【０１６０】
［実施例２１］
＜感光性樹脂組成物（１４）の調製＞
重合体（７）１３質量部、ＣＧＩ−１３１１（チバスペシャリティケミカルズ（株）製）１質量部、前記架橋剤−１  ５質量部を、シクロへキサノン８１質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（１４）を得た。
【０１６１】
［実施例２２］
＜感光性樹脂組成物（１５）の調製＞
重合体（１）１３質量部、前記ＮＱＤ−１  ５質量部、ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル化学製）  ５質量部をシクロへキサノン７７質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（１５）を得た。
【０１６２】
［実施例２３〜２６］
＜感光性樹脂組成物（１６）〜（１９）の調製＞
実施例２２において用いた重合体（１）を、重合体（２）、（３）、（１３）、及び（１４）に、それぞれ変更した以外は、実施例２２と同様にして、実施例２３〜２６の感光性樹脂組成物（１６）〜（１９）を調製した。
【０１６３】
［実施例２７］
＜感光性樹脂組成物（２０）の調製＞
重合体（１）１３質量部、ＮＱＤ−１  ５質量部、エピクロンＮ−６９５（ＤＩＣ社製）  ５質量部をシクロへキサノン７７質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（２０）を得た。
【０１６４】
［実施例２８〜３１］
＜感光性樹脂組成物（２１）〜（２４）の調製＞
実施例２７において用いた重合体（１）を、重合体（２）、（３）、（１３）、及び（１４）に、それぞれ変更した以外は、実施例２７と同様にして、実施例２８〜３１の感光性樹脂組成物（２１）〜（２４））を調製した。
【０１６５】
［実施例３２］
＜感光性樹脂組成物（２５）の調製＞
重合体（３）１３質量部、前記ＮＱＤ−１  ５質量部、前記架橋剤−１  ７．５質量部を、シクロへキサノン７４．５質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（２５）を得た。
【０１６６】
［実施例３３］
＜感光性樹脂組成物（２６）の調製＞
重合体（３）１３質量部、前記ＮＱＤ−１  ５質量部、前記架橋剤−１  ２．５質量部をシクロへキサノン７９．５質量部に溶解し、感光性樹脂組成物（２６）を得た。
【０１６７】
［比較例４〜６］
＜感光性樹脂組成物（Ｃ１）〜（Ｃ３）の調製＞
実施例１において重合体（１）を、比較ポリマー１、２、及び３に、それぞれ変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例４〜６の感光性樹脂組成物（Ｃ１）〜（Ｃ３）を得た。
【０１６８】
［比較例７〜９］
＜感光性樹脂組成物（Ｃ４）〜（Ｃ６）の調製＞
実施例２２において用いた重合体（１）を、比較ポリマー１、２、及び３に、それぞれ変更した以外は、実施例２２と同様にして、比較例７〜９の感光性樹脂組成物（Ｃ４）〜（Ｃ６）を得た。
【０１６９】
＜評価＞
１．透明性の評価
ガラス基板（コーニング１７３７、０．７ｔ（コーニング社製））上に、スピンナーを用いて、実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物(１)〜(２６),(Ｃ１)〜(Ｃ６)を塗布した後、９０℃にて２分間ホットプレート上でプレベークして膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜にキャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）で積算照射量が３００ｍＪ／ｃｍ２（照度：２０ｍＷ／ｃｍ２）となるように露光し、塗膜を有するガラス基板を液晶セルオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して、硬化膜を有するガラス基板を得た。この硬化膜を有するガラス基板の光線透過率を分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム（（株）日立製作所製）」を用いて４００〜８００ｎｍの範囲の波長で測定した。評価基準は以下の通りである。結果を表２に示す。
−評価基準−
◎：透過率９８％以上
○：透過率９５％以上〜９８％未満
△：透過率９０％以上〜９５％未満
×：透過率９０％未満
【０１７０】
２．耐熱性の評価
上記の透明性の評価と同様にしてガラス基板（コーニング１７３７、０．７ｔ（コーニング社製））上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の膜厚（Ｔ２）を測定した。次いで、この硬化膜を有するガラス基板を液晶セルオーブン内にて２４０℃で１時間追加ベークした後、当該硬化膜の膜厚（ｔ２）を測定し、追加ベークによる膜厚変化率｛｜ｔ２−Ｔ２｜／Ｔ２｝×１００〔％〕を算出した。膜厚変化率の値が２％以下のとき、耐熱性は良好といえる。結果を表２に示す。
【０１７１】
３．比誘電率の評価
実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物をベアウエハ（Ｎ型低抵抗）（ＳＵＭＣＯ社製）上に塗布し、オーブン中１２５℃で３分間乾燥し、膜厚７μｍの塗膜を得た。得られた塗膜に高圧水銀灯を用いてｉ線（３６５ｎｍ）を１００ｍＪ／ｃｍ２（照度：２０ｍＷ／ｃｍ２）照射した後、この塗膜を有するウェハをクリーンオーブン内にて２２０℃／３０ｍｉｎ焼成することにより、硬化膜を有するウェハを得た。
得られた硬化膜について、ＣＶｍａｐ９２Ａ（Ｆｏｕｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ  Ｉｎｃ．社製）を用い、測定周波数１ＭＨｚで比誘電率を測定した。比誘電率の値が３．０未満のとき、低誘電率性は良好といえる。評価基準は以下の通りである。結果を表２に示す。
なお、比誘電率の測定は、上述の通り、塗布工程、プリベーク工程、全面露光（１００ｍＪ／ｃｍ２（照度：２０ｍＷ／ｃｍ２））工程及びポストベーク工程（２２０℃／３０ｍｉｎ）のみ行い評価したものである。
【０１７２】
−評価基準−
◎：比誘電率３．０未満
○：比誘電率３．０以上〜３．１未満
△：比誘電率３．１以上〜３．２未満
×：比誘電率３．２以上
【０１７３】
【表２】
2010242001.tif 000019
【０１７４】
表２に示されるように、実施例の各感光性樹脂組成物は、比較例の各感光性樹脂組成物との対比において、透明性、耐熱性、比誘電率の何れの評価においても優れたものであった。
【０１７５】
［実施例３４］
ＴＦＴを用いた有機ＥＬ表示装置を以下の方法で作製した（図１参照）。
ガラス基板６上にボトムゲート型のＴＦＴ１を形成し、このＴＦＴ１を覆う状態でＳｉ３Ｎ４から成る絶縁膜３を形成した。次に、この絶縁膜３に、ここでは図示を省略したコンタクトホールを形成した後、このコンタクトホールを介してＴＦＴ１に接続される配線２（高さ１．０μｍ）を絶縁膜３上に形成した。この配線２は、ＴＦＴ１間又は、後の工程で形成される有機ＥＬ素子とＴＦＴ１とを接続するためのものである。
【０１７６】
更に、配線２の形成による凹凸を平坦化するために、配線２による凹凸を埋め込む状態で絶縁膜３上へ平坦化膜４を形成した。絶縁膜３上への平坦化膜４の形成は、実施例１０で調製した感光性樹脂組成物（３）を基板上にスピン塗布し、ホットプレート上でプリベーク（９０℃×２分）した後、マスク上から高圧水銀灯を用いてｉ線（３６５ｎｍ）を１００ｍＪ／ｃｍ２（照度２０ｍＷ／ｃｍ２）照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、２２０℃で１時間の加熱処理を行った。該感光性樹脂組成物を塗布する際の塗布性は良好で、露光、現像、焼成の後に得られた硬化膜には、シワやクラックの発生は認められなかった。更に、配線２の平均段差は５００ｎｍ、作製した平坦化膜の膜厚は２０００ｎｍであった。
【０１７７】
次に、得られた平坦化膜４上に、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を形成した。まず、平坦化膜４上に、ＩＴＯからなる第一電極５を、コンタクトホール７を介して配線２に接続させて形成した。その後、レジストを塗布、プリベークし、所望のパターンのマスクを介して露光し、現像した。このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯエッチャント用いたウエットエッチングによりパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液（モノエタノールアミンとＤＭＳＯの混合液）を用いて該レジストパターンを剥離した。こうして得られた第一電極は、有機ＥＬ素子の陽極に相当する。
【０１７８】
次に、第一電極の周縁を覆う形状の絶縁層８を形成した。絶縁層には、実施例２４で調製した感光性樹脂組成物（１７）を用い、前記と同様の方法で絶縁膜８を形成した。この絶縁膜を設けることによって、第一電極とこの後の工程で形成する第二電極との間のショートを防止することができる。
【０１７９】
更に、真空蒸着装置内で所望のパターンマスクを介して、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を順次蒸着して設けた。次いで、基板上方の全面にＡｌから成る第二電極を形成した。得られた上記基板を蒸着機から取り出し、封止用ガラス板と紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。
【０１８０】
以上のようにして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴ１が接続してなるアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られた。駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な表示特性を示し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置であることが分かった。
【０１８１】
以上、実施例３４により、本発明の感光性樹脂組成物を用いた電子デバイスの一例として、有機ＥＬ表示装置の作製例を示したが、本発明の感光性樹脂組成物を用いて作製される電子デバイスとしては、本発明の感光性樹脂組成物により形成された平坦化膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
【符号の説明】
【０１８２】
１：ＴＦＴ
２：配線
３：絶縁膜
４：平坦化膜
５：第一電極
６：ガラス基板
７：コンタクトホール
８：絶縁膜
【図１】
2010242001.tif 000023