(57)【要約】【課題】磁気ディスク上の保護層及び減摩層の改良は磁気ヘッドと磁気ディスクの間の接触によりもたらされる摩擦音及び損傷を最小にする。【解決手段】組成物は低断面潤滑剤および一以上のシクロホスファゼン環を含む化合物の混合物を含む。低断面潤滑剤はペルフルオロポリエーテル主鎖、主鎖の各末端に少なくとも1つの官能基ならびに末端間の主鎖領域に位置する少なくとも1つの官能基を含む。また装置は磁気ディスク及び磁気ディスク上組成物を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低断面潤滑剤および一以上のシクロホスファゼン環を含む化合物の混合物を含み、ただし、該低断面潤滑剤はペルフルオロポリエーテル鎖を有する主鎖及び該主鎖に結合された少なくとも3つの官能基を含む、組成物。
【請求項２】
該低断面潤滑剤は該主鎖の各端に少なくとも1つの官能基ならびに該主鎖の該端間の領域に位置する複数の官能基を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
該官能基はヒドロキシル基もしくはジオールを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
該一以上のシクロホスファゼン環はアルコキシ、アリールオキシ置換基、あるいはヒドロキシル基を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ10：1〜1：10の割合を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ3：1〜1：3の割合を有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ1：1の割合を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
磁気ディスク；及び
低断面潤滑剤および一以上のシクロホスファゼン環を含む化合物の混合物を含む該磁気ディスク上組成物（ただし該低断面潤滑剤はペルフルオロポリエーテル鎖を有する主鎖及び該主鎖に結合された少なくとも3つの官能基を含む）を含む、装置。
【請求項９】
該低断面潤滑剤は該主鎖の各端に少なくとも1つの官能基ならびに該主鎖の該端間の領域に位置する複数の官能基を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
該官能基はヒドロキシル基もしくはジオールを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
該一以上のシクロホスファゼン環はアルコキシまたはアリールオキシ置換基を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
該一以上のシクロホスファゼン環はヒドロキシルを少なくとも一基含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
該混合物はほぼ3〜25Åの厚さを有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
該混合物はほぼ9〜15Åの厚さを有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
該低断面潤滑剤は1000〜30000ドルトンの分子量を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１６】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ10：1〜1：10の割合を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１７】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ3：1〜1：3の割合を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
該低断面潤滑剤および該化合物はほぼ1：1の割合を有する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
該低断面潤滑剤は一以上のシクロホスファゼン環を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項２０】
該低断面潤滑剤は一以上のシクロホスファゼン環を有する、請求項８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
ハードディスク装置の記録密度は着実に増加した。実際に平方インチ当たり100ギガビット（Gbit/inch2）の記録密度が報告された。これらの高密度を達する必要条件は磁気ヘッド及び磁気ディスクの磁気記録層間の距離をなるだけ減少することである。目下この距離は一般に20 nmである。
【０００２】
この距離をなるだけ減少するために磁気ディスクの表面粗さはできるだけ縮小されるだろう。それ故に接触始動／停止（CSS）系から加重／除重（L/UL）系へ転移があった。CSS系で磁気ヘッドは円板が回転していないときに磁気ディスクに接触し、磁気ヘッドは磁気ディスクが回転し始めれば空気流のために飛び上がる（除重される）。L/UL系で磁気ヘッドは円板が停止されるときに磁気ディスクから離れて引き込まれ、磁気ディスクが回転し始めれば磁気ディスクに載せられる。さらにまたL/UL系で滑動防止特性はやや緩和されることができる。しかしながらハードディスク装置は正常動作にあっても発生しうるヘッド配向の急不整ばかりでなく加重動作から衝撃に耐えることができなければならない。
【０００３】
従来はペルフルオロポリエーテル（PFPE）系潤滑剤は摩擦を減少するために磁気ディスク上面に適用された。しかしながらZドール（Zdol）及びZテトラオール（Ztetraol）のようなPFPE系潤滑剤はAl2O3のようなルイス酸の存在において接触分解が欠点である。弗化水素（HF）は摩擦熱からの熱分解あるいは分解のために生ぜられ、このHFは減摩剤のさらなる分解に至る連鎖反応をもたらすことが考えられる。
【０００４】
さらに、ZDol及びZTetraolのような長鎖PFPE潤滑剤はさらなる欠点を有する。ZDol及びZTetraolは官能基（ヒドロキシル基）をペルフルオロポリエーテル（PFPE）鎖の2つの末端に有するだけであるので鎖はディスク表面でかさばる傾向がある。ふくれ鎖は結果として高断面形をもった潤滑剤になる。
【０００５】
磁気ディスク上の保護層及び減摩層の改良は磁気ヘッドと磁気ディスクの間の接触によりもたらされる摩擦音及び損傷を最小にするために調査された。例えば、シクロホスファゼン環基を有するペルフルオロポリエーテルを含む潤滑剤混合物は報告された。しかしながらシクロホスファゼン環基を有するペルフルオロポリエーテルのZDolまたはZTetraol潤滑剤を加えた混合物はそれでも結果として高断面潤滑剤になる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態は低断面潤滑剤および一以上のシクロホスファゼン環を含む化合物の混合物を含む組成物を包含し、ただし、低断面潤滑剤はペルフルオロポリエーテル鎖を有する主鎖及び主鎖に結合される少なくとも3つの官能基を含む。
【０００７】
この発明の望ましい実施形態はこの発明を実施するために予期される最良の様態の例解として簡単に次の詳細な説明において示され、記述される。実現されるものであるようにこの発明は他及び異なる実施形態が可能であり、詳細は種々の明らかな点ですべてこの発明から逸脱することなく改良法が可能である。よって説明は性質において実例となり、限定するものではないと考えられることになる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図1Aは媒体記憶装置の略図解である。
【０００９】
図1Bは高断面潤滑剤の略図解である。
【００１０】
図1Cはペルフルオロポリエーテル主鎖の略図解である。
【００１１】
図1DはZDol記憶媒体潤滑剤の末端基の略図解である。
【００１２】
図1EはZTetraol記憶媒体潤滑剤の末端基の略図解である。
【００１３】
【図２】低断面潤滑剤を高断面潤滑剤と比較する略図である。
【００１４】
【図３】発明の実施形態の低断面潤滑剤を製造する方法の実施形態の例解図である。
【００１５】
【図４】低断面潤滑剤のNMR図である。
【００１６】
【図５】低断面潤滑剤を高断面潤滑剤と比較する気相クロマトグラフィー図である。
【００１７】
【図６】分子量を変化する低断面潤滑剤の合成を例解する気相クロマトグラフィー図である。
【００１８】
【図７】低断面潤滑剤のNMR図である。
【００１９】
【図８】異なる潤滑系で標高抗力試験結果を比較する箱形図である。
【００２０】
【図９】低断面潤滑剤のNMR図である。
【００２１】
【図１０】数個の低断面潤滑剤の結合比を比較する棒グラフである。
【００２２】
【図１１】発明の数個の実施形態の潤滑減損を比較する棒グラフである。
【００２３】
【図１２】発明の数個の実施形態の水接触角を比較する棒グラフである。
【００２４】
【図１３】発明の数個の実施形態の結合比を比較する棒グラフである。
【００２５】
【図１４】発明の数個の実施形態の潤滑減損を比較する棒グラフである。
【００２６】
【図１５】発明の数個の実施形態の水接触角を比較する棒グラフである。
【００２７】
【図１６】数個の低断面潤滑剤の熱安定度を例解する図である。
【００２８】
【図１７】数個の低断面潤滑剤の熱安定度を例解する図である。
【００２９】
【図１８】数個の低断面潤滑剤の潤滑側面を例解する図である。
【００３０】
【図１９】数個の低断面潤滑剤の拡散率を例解する図である。
【００３１】
【図２０】数個の低断面潤滑剤の高断面潤滑剤との隙間比較を例解する箱形図である。
【００３２】
【図２１】数個の低断面潤滑剤の高断面潤滑剤との隙間比較を例解する箱形図である。
【００３３】
【図２２】本発明の実施形態のディスクヘッドなだれ高さを高断面潤滑剤と比較する略図である。
【００３４】
【図２３】数個の低断面潤滑剤の静止摩擦／摩擦性能を高断面潤滑剤と比較する棒グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
低断面潤滑剤は読み/書きヘッドが記録媒体表層で低い方に（より近くに）飛ぶことを許容する新類型のハードディスク駆動装置潤滑剤である。これは低断面潤滑剤が媒体表面でもっと平坦に横になるからである。すなわち低断面潤滑剤の粗さは在来ZDolまたはZTetraol潤滑剤よりもっと低い。
【００３６】
ZDolまたはZTetraolのような在来潤滑剤は定着ヒドロキシル基（官能基）をPFPE鎖の2つの末端に有するだけである。これらのヒドロキシル基は炭素保護膜に固定すれば、長柔軟重合体鎖はよくかさばる。結果は表面粗さを増進する傾向がある高断面を有する潤滑剤である。本発明の多数の低断面潤滑剤も官能基をPFPE鎖の2つの末端に有する。しかしながら加えてまた一以上の官能基をPFPE鎖の中央に有する。発明の一実施形態で例えば、官能基はヒドロキシル基である。好ましくは中間官能基は炭素保護膜に結合する。そのような結合が生じれば官能基隣接重合体は炭素保護膜表面に引き下げられる。結果はもっと平坦に媒体の表層で横になる潤滑剤である。つまり低断面潤滑剤である。
【００３７】
本発明に用いられる低断面潤滑剤の基本構造はしかしながらZドール及びZテトラオール型PFPE潤滑剤に類似する。このため低断面潤滑剤はそのように同じ短所について欠点がある。すなわち本発明の混合物に組込まれる低断面潤滑剤はルイス酸の存在において接触分解を受ける。従って低断面潤滑剤の耐久性はZドール及びZテトラオールのものと同様である。
【００３８】
シクロホスファゼン環を有する化合物はルイス酸による接触分解にもっと抵抗し、かくしてもっと耐久性のある傾向がある。すなわちシクロホスファゼン環は化学安定度を潤滑剤混合物に提供する。発明者は低断面ならびに改良耐久性を有する潤滑剤組成物を低断面潤滑剤およびシクロホスファゼン環を有する化合物を混合することにより処方する可能性はあることがわかった。この発明の一実施形態で低断面潤滑剤とシクロホスファゼン化合物の割合は1：1である。この発明の代替実施形態で割合は10：1〜1：10に変動することが可能である。好ましくは割合は1：3〜3：1に変動する。
【実施例】
【００３９】
図1Aは媒体記憶装置100を図解する。媒体記憶装置100は磁性層102、炭素保護膜104、及び高断面潤滑剤106を含む。炭素保護膜104は磁性層102を保護する硬被膜である。潤滑剤106は媒体記憶装置100にわたって読み／書きヘッド（示されない）の通過を促進する。
【００４０】
図1Bは高断面潤滑剤106の略図解である。高断面潤滑剤106は主鎖108のどちらの端でも官能基110を加えたPFPE主鎖108を有する。官能基110は炭素保護膜104と結合し、高断面潤滑剤106を媒体記憶装置100の表層に定着する。主鎖108は比較的長く、二位置で固定されるだけであるので高断面潤滑剤106は表層で一団になることができる。これは高断面潤滑剤分子106の範囲を定める大砕円で例解される。
【００４１】
図1Cは高側面PFPEの主鎖108を図解する。2つの高断面記憶媒体潤滑剤106の末端官能基110は図1D及び図1Eに例解される。図1Dは高断面記憶媒体潤滑剤106 ZDolの末端官能基110について説明し、ところが図1Eは高断面記憶媒体潤滑剤106 ZTetraolの末端官能基について説明する。ZDolは単ヒドロキシル基をPFPE主鎖108の両端に有し、ところが一方でZTetraolは2つのヒドロキシル基をPFPE主鎖108の端に有する。
【００４２】
図２は本発明の低断面潤滑剤200を高断面記憶媒体潤滑剤106と比較する略図解である。この実施形態で低断面潤滑剤は3つの官能基210を有する。官能基210の2つは高断面潤滑剤106と同様にPFPE主鎖208の端にある。現実施形態の低断面潤滑剤はしかしながら第３の官能基を二端間のPFPE主鎖208の領域に含む。このましくはこの実施形態で第３の官能基210はPFPE主鎖208の中心近くに結びつけられている。しかしながら第３の官能基210は厳密中心にあるには及ばない。
【００４３】
この発明の代替実施形態で低断面潤滑剤200は二端間のPFPE主鎖208の領域に結びつけられた複数の官能基210を含む。実際に表Ｉは本発明者により組立て及び評価された数個の低断面潤滑剤200について官能基分子量ならびに数を提供する。表Ｉの低断面潤滑剤200の6つはどれも高断面ZDol 1000潤滑剤を変性することにより調製された。官能基数は表１のPFPE主鎖208で3〜8で変化する。しかしながら官能基数は8に限定されない。好ましくは追加官能基208は主鎖208に沿って相対的均等に間隔をおかれうる。しかしながら同等に間隔をおかれる必要はない。追加として低断面潤滑剤の分子量は好ましくは1000〜30000ドルトンである。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
図３は本発明の低断面潤滑剤を組み立てる方法を例解する。この実施形態で高断面潤滑剤ZDolはKOHの存在においてエピクロロヒドリンと反応される。結果はZDol分子のPFPE主鎖にヒドロキシル基の付加である。帰着ポリマーの分子量は、例えば、これらに限定されないが出発材料、Zディオール(Zdol)とエピクロロヒドリンのモル比、及び反応温度で制御されることができる。
【００４６】
図４はこの発明の一具体例による混合物の低断面潤滑剤の13C NMRプロットである。このプロットは潤滑剤試料の分子構造は合成されると予測されたものであることを確認する。換言すれば設計分子の成功した合成を確認する。
【００４７】
図５及び図６は合成された低断面潤滑剤物質の分子量分布を出発材料（ZDol1000）のものと比較するゲル浸透クロマトグラフィー（GPC）のクロマトグラムである。図はさらにまた合成低断面潤滑剤がZDol1000よりも高分子量を有することを確認し、後続の設計分子の成功した合成の形跡を規定する。図６はさらにまた合成経路を通って得られた低断面潤滑剤物質はさらに異分子量の数個画分に分別されることができることを例解する。GPCは異画分が異なる分子量分布を有することを証明し、異なる用途に選択を提供する。
【００４８】
図７は低断面潤滑剤002Cの13C NMRプロットであり、ところが一方で図９は低断面潤滑剤LPL-002Cの19F NMRである。これらの2つのNMRスペクトルは相互に、LPL-002Cが望まれる分子構造を有することを確認する。これらのプロットは合成される物質はすべて低断面潤滑剤物質であり、各自分子量で異なるだけであることを確認する。
【００４９】
図８は発明具体例の数個の低断面潤滑剤を高断面潤滑剤と比較する箱形プロットである。もっとはっきり言えば図８は異なった潤滑剤の標高抗力耐久試験結果を例解する。標高抵抗試験はディスク耐久性をヘッド−ディスク接触条件の下で評価する促進磨耗試験である。回転台で実行され、記録ヘッドは周囲以下の圧力条件の下で（高度標高条件を模擬する）ディスクと接触させられ、ところが一方でディスクは所定rpmで回転する。試験は240分で端を切られた。試験は28Å炭素/12Å潤滑剤でZDol/X1P(C1)を含む混合物、低断面潤滑剤3B/A20H(C2)、及び低断面潤滑剤3C/A20H(C4)は240分を通過したことを証明する。Zテトラオールは200分を通過した。25Å炭素/9Å潤滑剤で潤滑剤はどれも240分に通用しなかった。ZDol/X1P(C5)とZテトラオール(C6)は特に不十分に作動した。しかしながら低断面潤滑剤3000/A20H(C7)と低断面潤滑剤3C/A20H(C8)はZDol/X1P(C5)とZテトラオール(C6)より有意大の耐久性を示した。
【００５０】
図１０〜図１５は異なった低断面潤滑剤の結合比、潤滑減損及び水接触角を高断面潤滑剤と比較する。一般に追加官能基をもって低断面潤滑剤はより高い結合比率を示す。しかしながら4つのヒドロキシル基（どちらの末端にも2つ）をもってZテトラオールはまた高結合比率を示す。他方では官能基が低断面潤滑剤にもっと多ければさらによく作動した。潤滑減損に関して低断面潤滑剤はZDolより有意に低い潤滑減損を示した。ZテトラオールはZDolよりすぐれて作動した。もう一度官能基が低断面潤滑剤にもっと多ければさらによく作動した。結合比及び潤滑減損のように水接触角は追加官能基数の相互関係を示す。低断面潤滑剤はすべてZDolより上等の水接触角およびZTetraolに相等もしくは上等の水接触角を有した。
【００５１】
図１６及び図１７は低断面潤滑剤の熱安定度を例解する。図１６は温度の関数としての質量変化のプロットであり、ところが一方で図１７は温度の関数として質量変化率のプロットである。これらの図は熱安定度は官能基数が増加し、しかも分子量が増加すると大抵増加する。
【００５２】
図１８は数個の低断面潤滑剤の潤滑側面を例解する。表IIは数個の低断面潤滑剤、低分子量ZDol及びZテトラオールの分子量ならびに単分子層厚の比較を要約する。表は低断面潤滑剤は高分子量を有するのにより薄単分子層厚を有することを例証する。好ましくはこの発明の異なった実施形態の潤滑剤混合物はほぼ3〜25Åの厚さがある。もっと好ましくは厚さは9〜15Åである。
【００５３】
【表２】
2010037563.tif 000004
【００５４】
図１９は2つの低断面潤滑剤の拡散率をRMW（商用Zドールよりも狭い分子量分布を有する分別Zドール潤滑剤）及びZTetraolと共に温度の関数として比較する。2つの低断面潤滑剤はZTetraolより高拡散率を示すがRMWより低い。
【００５５】
図２０及び図２１は異なった低断面潤滑剤の隙間を高断面潤滑剤と比較する。図２１は低断面潤滑剤のA20Hとの混合物(1：1)及びA20Hとの高断面ZDol混合物と単一低断面潤滑剤を比較する。2つの低断面潤滑剤とZTetraolはRMWよりかなりすぐれた隙間を示す。LPL-001Aは、差がRMWに関する差異未満であるがZTetraolより高度間隔を示す。
【００５６】
図２２はディスクヘッドなだれ高さならびに粗い表面を有するディスク、すなわち高断面潤滑剤を使用するものおよび均し面のディスク、すなわち低断面潤滑剤を使用するものの隙間を比較する略図解である。媒体記憶装置の浮動高さは浮動読み／書きヘッド底面からディスクの平均表面を示す理論線までの距離として定義される。隙間は浮動読み／書きヘッドの底面からディスク実表面で最高頂点までの距離である。2つのもの間の差異がディスクなだれ高さである。ディスクヘッドなだれ高さは変動浮動ヘッドが表面にあてることなく移動するために利用できない距離量の測度である。逆に隙間は変動浮動ヘッドが表面にあてることなく移動できる距離量である。平滑面を有するディスクは与えられた浮動高さに対してより大の隙間に解釈されるもっと小のディスクヘッドなだれ高さを有する。
【００５７】
図２３は異なった低断面潤滑剤の静止摩擦及び摩擦特性をRMW及びZTetraolと比較する棒グラフである。低断面潤滑剤は一般に高断面潤滑剤より低い静止摩擦及び摩擦特性を示す。
【００５８】
前述される実施および他の実施は次の特許請求の範囲内である。
【図１】
2010037563.tif 000005
【図２】
2010037563.tif 000006
【図３】
2010037563.tif 000007
【図４】
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【図５】
2010037563.tif 000009
【図６】
2010037563.tif 000010
【図７】
2010037563.tif 000011
【図８】
2010037563.tif 000012
【図９】
2010037563.tif 000013
【図１６】
2010037563.tif 000014
【図１７】
2010037563.tif 000015
【図１８】
2010037563.tif 000016
【図１９】
2010037563.tif 000017
【図２０】
2010037563.tif 000018
【図２１】
2010037563.tif 000019
【図２２】
2010037563.tif 000020
【図１０】
2010037563.tif 000021
【図１１】
2010037563.tif 000022
【図１２】
2010037563.tif 000023
【図１３】
2010037563.tif 000024
【図１４】
2010037563.tif 000025
【図１５】
2010037563.tif 000026
【図２３】
2010037563.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
該基板上の磁気記録層；及び
該磁気記録層上の潤滑剤層（ただし、該潤滑剤層は低断面潤滑剤化合物および一以上のシクロホスファゼン環を含む第二化合物を含む。）を含み、該低断面潤滑剤化合物はペルフルオロポリエーテル主鎖、該ペルフルオロポリエーテル主鎖の第一端で結合された第一の官能基、該ペルフルオロポリエーテル主鎖の第二端で結合された第二の官能基、該ペルフルオロポリエーテル主鎖に該ペルフルオロポリエーテル主鎖の該第一及び第二端間で結合された少なくとも1つの官能基を含む、磁気記録媒体。
【請求項２】
該潤滑剤層はほぼ3Å〜ほぼ25Åの厚さを有する、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
該各官能基は一以上のヒドロキシル基もしくはジオールを含む、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
低断面潤滑剤化合物と該第二化合物の割合はほぼ10：1〜ほぼ1：10である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
該低断面潤滑剤化合物は該ペルフルオロポリエーテル主鎖に結合された一以上のシクロホスファゼン環を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
さらに該潤滑層及び磁気記録層間に保護層を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
低断面潤滑剤化合物；および
一以上のシクロホスファゼン環を含む第二化合物を含む組成物であって、該低断面潤滑剤化合物はペルフルオロポリエーテル主鎖、該ペルフルオロポリエーテル主鎖の第一端で結合された第一の官能基、該ペルフルオロポリエーテル主鎖の第二端で結合された第二の官能基、及び該ペルフルオロポリエーテル主鎖に該ペルフルオロポリエーテル主鎖の該第一及び第二端の間に結合された少なくとも1つの官能基を含む、組成物。
【請求項８】
該各官能基は一以上のヒドロキシル基もしくはジオールを含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
該一以上のシクロホスファゼン環は少なくとも一のアルコキシ、アリールオキシ置換基、あるいはヒドロキシル基を含む、請求項７又は８に記載の組成物。
【請求項１０】
低断面潤滑剤化合物と該第二化合物の割合はほぼ10：1〜ほぼ1：10である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
低断面潤滑剤化合物と該第二化合物の割合はほぼ3：1〜ほぼ1：3である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
該低断面潤滑剤化合物は該ペルフルオロポリエーテル主鎖に結合された一以上のシクロホスファゼン環を含む、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれか１項に記載の組成物を磁気記録層上に付着して潤滑剤層を形成することを含む、方法。
【外国語明細書】
2010037563000001.pdf