(57)【要約】【課題】ユーザに対して煩雑な作業を強いることなしに直流試験の試験結果を容易に把握することができ、これにより試験効率を高めることができる半導体試験装置を提供する。【解決手段】半導体試験装置１は、半導体デバイスに直流信号を印加して半導体デバイスから得られる直流信号が所定の規格内であるか否かの試験（直流試験）に用いられる複数の測定装置３０ａ〜３０ｎと、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々から得られる測定結果と直流試験の試験条件（パス／フェイル判定に用いる直流信号の許容上限値及び許容下限値）とを関連付けたグラフを作成するグラフ作成部２５と、グラフ作成部２５で作成されたグラフを表示部２７に表示する表示処理部２６とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスに直流信号を印加して前記半導体デバイスから得られる直流信号が所定の規格内であるか否かを試験する直流試験が可能な半導体試験装置において、
前記半導体デバイスに対して前記直流試験を行う複数の直流試験装置と、
前記直流試験装置の各々から得られる試験結果と前記直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件とを関連付けたグラフを作成するグラフ作成部と、
前記グラフ作成部で作成されたグラフを表示部に表示する表示処理部と
を備えることを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件は、前記所定の規格を規定する直流信号の上限値及び下限値であることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記グラフ作成部は、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果について、前記所定の規格内にあるものと前記所定の規格外であるものとが異なる態様で表示されるグラフを作成することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記グラフ作成部は、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果のグラフに対して、前記試験結果の数値を示す情報と前記直流試験装置を特定する情報とを付加することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体試験装置。
【請求項５】
前記直流試験装置の各々から得られる試験結果を用いて所定の統計処理を行い、前記試験結果の分布を求める統計処理部を備えており、
前記グラフ作成部は、前記統計処理部で求められた前記試験結果の分布を示すグラフを作成する
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体試験装置。
【請求項６】
前記統計処理部は、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果を用いて、前記半導体デバイスから得られる直流信号の電圧値の度数分布を求める処理を行うことを特徴とする請求項５記載の半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの試験を行う半導体試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体試験装置を用いた半導体デバイス（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）という）の試験は、直流試験と交流試験とに大別される。直流試験とは、ＤＵＴの特定のピンに直流信号を印加したときに測定される直流信号が予め定められた規格内であるか否かを判定する試験であり、交流試験とは、パルス状の試験信号をＤＵＴに印加したときに、期待通りの信号が得られるか否かを判定する試験である。
【０００３】
上記の直流試験は、電圧印加電流測定試験（ＶＦＩＭ試験）、電流印加電圧測定試験（ＩＦＶＭ試験）、及び電流印加電流測定試験（ＩＦＩＭ試験）に大別される。ここで、ＶＦＩＭ試験とは、ＤＵＴの特定のピンに電圧を印加したときにそのピンから出力される電流を測定する試験である。また、ＩＦＶＭ試験とはＤＵＴの特定のピンに電流を供給したときにそのピンに現れる電圧を測定する試験であり、ＩＦＩＭ試験とはＤＵＴの特定のピンに電流を供給したときにそのピンから出力される電流を測定する試験である。尚、ＤＵＴの特定のピンに電圧を印加したときにそのピンとは異なるピンに現れる電圧を測定する電圧印加電圧測定試験（ＶＦＶＭ試験）もある。
【０００４】
一般的に、半導体試験装置は、上記の直流試験を実施する直流試験装置を複数備えており、複数のＤＵＴに対する直流試験を並列して行うことで試験効率を高めている。このため、直流試験の試験結果は、直流試験装置毎（ＤＵＴ毎）に得られる。図５は、直流試験により得られる試験結果の従来例を示す図である。図５に示す通り、従来の試験結果はテキスト形式で得られ、各行毎に直流試験装置の装置番号Ｎ１００、測定値Ｍ１００、判定結果Ｊ１００、測定レンジＲ１００、上限値Ｖ１０１、及び下限値Ｖ１０２が対応づけられたものである。
【０００５】
上記の測定値Ｍ１００はＤＵＴの特定のピンに直流信号を印加したときに実測される直流信号の電圧値であり、上限値Ｖ１０１及び下限値Ｖ１０２は、ＤＵＴが規格内であるか否かを判定するために用いられた電圧の上限値及び下限値である。ここで、判定結果Ｊ１００が「Ｐ」である場合には良品（パス）を意味し、判定結果Ｊ１００が「Ｆ」である場合には不良品（フェイル）を意味する。図５に示す試験結果は、半導体試験装置が備える液晶表示装置等のディスプレイに表示され、その行数は同測数（並列して同時に試験するＤＵＴの数）に比例して増加し、一般的には数十〜数千行程度になる。尚、半導体試験装置で行われる直流試験の詳細については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２２８９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前述した通り、直流試験の試験結果は直流試験装置毎に得られるため、その行数は直流試験装置の数に応じて増減する。直流試験装置の数が数十程度であれば、試験結果も数十行程度であるため、ユーザがディスプレイに表示される試験結果の全容を把握することはさほど困難ではない。しかしながら、近年においては直流試験装置の数が数百を超える場合があり、試験結果が数百行以上になることもある。すると、ユーザがディスプレイに表示された試験結果の全体に目を通すだけでも困難になり、この結果として以下に示す問題が生ずる。
【０００８】
第１の問題は、明らかに値が異常な測定値が測定値Ｍ１００として数箇所混入していても、ユーザがその異常な測定値を見落としてしまう可能性が極めて高いということである。また、第２の問題は、ユーザがディスプレイに表示されている試験結果を見ただけでは、そのばらつき具合や傾向（例えば、全体的に測定値が高め又は低め等）を把握することは極めて困難であるということである。
【０００９】
ここで、ユーザが直流試験装置で得られた試験結果を手作業で表計算ソフト等を用いて集計すれば、異常なデータの混入や試験結果の傾向等を把握することはできる。しかしながら、ユーザにとっては手作業による集計という極めて煩雑な作業が強いられることになり、また、集計の結果によってはＤＵＴに対する直流試験を再度実行したり、追加のデータを取得しなければならない可能性がある。このため、ユーザが直流試験を実施させる作業と試験結果を集計する作業とを繰り返さねばならず、結果として試験効率が悪化してしまう。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ユーザに対して煩雑な作業を強いることなしに直流試験の試験結果を容易に把握することができ、これにより試験効率を高めることができる半導体試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の半導体試験装置は、半導体デバイスに直流信号を印加して前記半導体デバイスから得られる直流信号が所定の規格内であるか否かを試験する直流試験が可能な半導体試験装置（１）において、前記半導体デバイスに対して前記直流試験を行う複数の直流試験装置（２３、３０ａ〜３０ｎ）と、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果と前記直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件とを関連付けたグラフを作成するグラフ作成部（２５）と、前記グラフ作成部で作成されたグラフを表示部（２７）に表示する表示処理部（２６）とを備えることを特徴としている。
この発明によると、直流試験装置を用いて半導体デバイスに対する直流試験が行われ、直流試験装置の各々から得られる試験結果と直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件とを関連付けたグラフがグラフ作成部によって作成され、作成されたグラフが表示処理部によって表示部に表示される。
また、本発明の半導体試験装置は、前記直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件が、前記所定の規格を規定する直流信号の上限値及び下限値であることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記グラフ作成部が、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果について、前記所定の規格内にあるものと前記所定の規格外であるものとが異なる態様で表示されるグラフを作成することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記グラフ作成部が、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果のグラフに対して、前記試験結果の数値を示す情報と前記直流試験装置を特定する情報とを付加することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果を用いて所定の統計処理を行い、前記試験結果の分布を求める統計処理部（２４）を備えており、前記グラフ作成部は、前記統計処理部で求められた前記試験結果の分布を示すグラフを作成することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記統計処理部が、前記直流試験装置の各々から得られる試験結果を用いて、前記半導体デバイスから得られる直流信号の電圧値の度数分布を求める処理を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、直流試験装置を用いて半導体デバイスに対する直流試験を行い、直流試験装置の各々から得られる試験結果と直流試験装置の各々の試験で用いた試験条件とを関連付けたグラフをグラフ作成部で作成し、作成したグラフを表示処理部により表示部に表示しているため、表計算ソフトを用いた試験結果の集計作業等の煩雑な作業をユーザに対して強いることなしに直流試験の試験結果を容易に把握することができ、これにより試験効率を高めることができるという効果がある
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。
【図２】グラフ作成部２５で作成されるグラフの一例を示す図である。
【図３】グラフ作成部２５で作成されるヒストグラムの一例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体試験装置の動作を示すフローチャートである。
【図５】直流試験により得られる試験結果の従来例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による半導体試験装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の半導体試験装置１は、入力装置１０、制御処理装置２０、及び測定装置３０ａ〜３０ｎ（直流試験装置）を備えており、ＤＵＴ（図示省略）に直流信号を印加してＤＵＴから得られる直流信号が所定の規格内であるか否かを試験する直流試験が可能である。尚、以下の説明では、理解を容易にするために、ＤＵＴが半導体メモリであるとし、半導体試験装置が半導体メモリの試験を行うメモリテスタであるとする。
【００１５】
入力装置１０は、ユーザが半導体試験装置１の制御処理装置２０に対して各種のデータや命令を入力する装置である。この入力装置１０は、例えばキーボードやマウス等のユーザによって操作される入力機器のみならず、ＣＤ−ＲＯＭや半導体メモリ等の記録媒体からのデータを入力する入力機器（ＣＤ−ＲＯＭドライブやＵＳＢ（Universal Serial Bus）インターフェイス等）を含む。
【００１６】
制御処理装置２０は、制御部２１、記憶部２２、判定部２３、分散値計算部２４（半導体統計処理部）、グラフ作成部２５、表示処理部２６、及び表示部２７を備えており、入力装置１０から入力されるユーザの指示に応じて半導体試験装置１の動作を統括的に制御するとともに、入力される各種情報に対して所定の処理を行う。例えば、ＤＵＴの直流試験を行う場合には、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々を制御するとともに、測定装置３０ａ〜３０ｎで得られた測定結果を表示する処理を行う。
【００１７】
制御部２１は、電源投入時又は入力装置１０からユーザの所定の指示が入力された時点で、記憶部２２に記憶されたプログラムＰをロードして実行し、制御処理装置２０の各ブロック（記憶部２２〜表示処理部２６）及び測定装置３０ａ〜３０ｎの動作を統括制御する。記憶部２２は、制御部２１で実行されるプログラムＰ、判定部２３及び測定装置３０ａ〜３０ｎで用いられる測定条件Ｃ、及び測定装置３０ａ〜３０ｎで得られる測定結果Ｒを記憶する。
【００１８】
ここで、上記の測定条件Ｃには、測定装置３０ａ〜３０ｎで測定が実施される際に設定される各種条件、測定装置３０ａ〜３０ｎで得られて記憶部２２に記憶される測定結果Ｒのパス／フェイル判定（良／不良判定）に用いられる許容上限値（上限値）と許容下限値（下限値）、及び同測数が含まれる。記憶部２２は、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の揮発性メモリ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ、ハードディスク等の磁気記録装置等で実現される。
【００１９】
判定部２３は、制御部２１の制御の下で、記憶部２２に記憶された測定結果Ｒと測定条件Ｃとを用いてＤＵＴのパス／フェイル判定を行う。具体的には、測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容上限値と許容下限値との間であればパス（良品）と判定し、測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容上限値よりも大きく又は測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容下限値よりも小さければフェイル（不良品）と判定する。尚、判定部２３は、その判定結果を測定条件Ｃ及び測定結果Ｒとともにグラフ作成部２５に出力する。分散値計算部２４は、制御部２１の制御の下で、記憶部２２に記憶された測定結果Ｒを収集し、ヒストグラムを作成するための度数分布や分散を計算する。
【００２０】
グラフ作成部２５は、制御部２１の制御の下で、判定部２３から出力される測定結果Ｒ、測定条件Ｃ、及び判定結果を用いて、少なくとも測定結果Ｒと測定条件Ｃとを関連付けたグラフを作成する。具体的には、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々で得られた測定結果Ｒと測定条件Ｃに含まれる許容上限値及び許容下限値との関係が分かるように測定結果Ｒと測定条件Ｃとを関連付けたグラフを作成する。尚、作成されるグラフは、測定結果Ｒが棒グラフで表示されるものが望ましいが、折れ線グラフ等の他のものであっても良い。
【００２１】
図２は、グラフ作成部２５で作成されるグラフの一例を示す図である。図２に示す例では、測定装置３０ａ〜３０ｎ毎に、測定装置３０ａ〜３０ｎを特定する情報であるＤＵＴ番号Ｎ１、測定結果Ｒの数値を示す情報である測定値Ｒ１、及び測定結果Ｒの棒グラフＧ１が並べられている（換言すると、測定結果Ｒの棒グラフＧ１に対して、ＤＵＴ番号Ｎ１と測定値Ｒ１とが付加されている）。また、測定結果Ｒの棒グラフＧ１に対して許容上限値を示す上限ラインＬ１と許容下限値を示す加減ラインＬ２とが重ねられている。尚、棒グラフＧ１は一端（図２に示す例では左端）が揃えてあり、測定結果Ｒの大きさに応じて他端（図２に示す例では右端）の位置（棒グラフの長さ）が変化する。
【００２２】
また、グラフ作成部２５は、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々の測定結果Ｒについて、判定部２５の判定結果がパスであるもの（所定の規格内にあるもの）とフェイルであるもの（所定の規格外であるもの）とが異なる態様で表示されるグラフを作成する。例えば、パスである測定結果Ｒとフェイルである測定結果Ｒとの色が異なるグラフを作成し、或いは、フェイルである測定結果Ｒのみがハイライト表示されるグラフを作成する。図２に示す例では、棒グラフＧ１のうちのＤＵＴ番号Ｎ１が「ＤＵＴ２」，「ＤＵＴ５」に対応する棒グラフは、他の棒グラフとは異なる色にされている。
【００２３】
また、グラフ作成部２５は、分散値計算部２４から出力される度数分布等を用いてヒストグラムを作成する。図３は、グラフ作成部２５で作成されるヒストグラムの一例を示す図である。図３に示すヒストグラムは、横軸に電圧を、縦軸に度数をそれぞれとり、０〜５［Ｖ］の範囲を０．５［Ｖ］刻みで分割し、分割された各範囲における測定結果Ｒの度数を示すものである。図３に示す例では、２．５〜３［Ｖ］の範囲における測定結果Ｒの度数が最も高く、電圧が低くなるにつれ、或いは電圧が高くなるにつれて徐々に度数が低くなる傾向が分かる
【００２４】
表示処理部２６は、制御部２１の制御の下で、グラフ作成部２５で作成されるグラフやヒストグラム等を表示部２７に表示させる処理を行う。表示部２７は、例えば液晶表示装置やＣＲＴ（Cathode Ray Tube）等を備えており、表示処理部２６の処理結果を表示する。ユーザは、表示部２７に表示される測定結果３０ａ〜３０ｎの測定結果（試験結果）を参照することで、試験結果に問題が生じていないか否かを確認することができる。
【００２５】
測定装置３０ａ〜３０ｎは、バスＢを介して制御処理装置２０の制御部２１及び記憶部２２に接続されており、制御処理装置２０の制御の下で不図示のＤＵＴに直流信号（直流電圧又は直流電流）を印加するとともに、ＤＵＴから得られる直流信号（直流電圧又は直流電流）を測定する。測定装置３０ａ〜３０ｎの総数は、多数のＤＵＴを並列して効率的に試験するために数百〜千個程度である。
【００２６】
次に、上記構成における半導体試験装置の動作について説明する。図４は、本発明の一実施形態による半導体試験装置の動作を示すフローチャートである。まず、直流試験を開始する前に、ユーザによる初期設定が行われる（ステップＳ１１）。具体的には、半導体試験装置１の入力装置１０がユーザによって操作され、直流試験を行うにあたって測定装置３０ａ〜３０ｎに設定すべき各種条件、許容上限値及び許容下限値、及び同測数が入力されて測定条件Ｃとして記憶部２２に記憶される。
【００２７】
以上の初期設定が終了し、ユーザが入力装置１０を操作して直流試験の開始指示を行うと、制御部２１によって記憶部２２に記憶された直流試験用のプログラムＰがロードされて実行され、これによりプログラムＰに従った直流試験が開始される。直流試験が開始されると、まず記憶部２２に記憶された測定条件Ｃが制御部２１によって読み出され、バスＢを介して測定装置３０ａ〜３０ｎの各々に転送されて設定される（ステップＳ１２）。尚、前述した通り、測定条件Ｃには測定装置３０ａ〜３０ｎに設定される各種条件以外に、許容上限値及び許容下限値及び同測数が含まれるが、ここで転送されるのは測定装置３０ａ〜３０ｎに設定される各種条件のみである。
【００２８】
測定装置３０ａ〜３０ｎに対する測定条件Ｃの転送及び設定が終了すると、バスＢを介して制御部２１から測定装置３０ａ〜３０ｎに対して測定実行命令が出力され、設定された測定条件に従った測定が測定装置３０ａ〜３０ｎの各々で実施される（ステップＳ１３）。例えば、測定装置３０ａ〜３０ｎが電圧印加電流測定試験（ＶＦＩＭ試験）を実施するよう設定されている場合には、測定装置３０ａ〜３０ｎから不図示のＤＵＴに対して所定の電圧値を有する直流電圧が印加され、そのときにＤＵＴに流れる直流電流が測定される。
【００２９】
測定装置３０ａ〜３０ｎにおける測定が終了すると、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々で得られた測定結果がバスＢを介して制御部２１に転送され、記憶部２２に測定結果Ｒとして記憶される（ステップＳ１４）。測定装置３０ａ〜３０ｎの測定結果が得られると、記憶部２２に記憶された測定条件Ｃ及び測定結果Ｒが制御部２１によって読み出されて判定部２３に転送される。尚、測定結果Ｒは判定部２３に転送されると同時に分散値計算部２４にも転送される。また、判定部２４に転送されるのは測定条件Ｃの全てではなく、測定条件Ｃに含まれる許容上限値及び許容下限値のみである。
【００３０】
その後、制御部２１から判定部２３に対して判定実施命令が出力されて、判定部２３において測定条件Ｃを用いた測定結果Ｒのパス／フェイル判定が実施される（ステップＳ１５）。具体的には、測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容上限値と許容下限値との間であればパスと判定され、測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容上限値よりも大きく又は測定結果Ｒが測定条件Ｃに含まれる許容下限値よりも小さければフェイルと判定される。判定部２３の判定結果は、パス／フェイルの判定に用いられた測定条件Ｃ及び測定結果Ｒとともにグラフ作成部２５に出力される。
【００３１】
次に、制御部２１から分散値計算部２４に対して計算実施命令が出力されて、分散値計算部２４において測定結果Ｒの度数分布や分散が計算される（ステップＳ１６）。具体的に、度数分布を計算する場合には、例えば０〜５［Ｖ］の範囲を０．５［Ｖ］刻みで分割し、各々の範囲に含まれる測定結果Ｒの数を計数する処理が行われる。分散値計算部２４で求められた度数分布等は、グラフ作成部２５に出力される。
【００３２】
以上の処理が終了すると、グラフ作成部２５において、判定部２３から出力される測定条件Ｃ及び測定結果Ｒ並びに判定結果を用いて測定結果Ｒと測定条件Ｃ等とが関連付けられたグラフが作成されるとともに、分散値計算部２４から出力される度数分布等を用いてヒストグラムが作成される（ステップＳ１７）。具体的には、図２に示すグラフや図３に示すヒストグラムが作成される。
【００３３】
つまり、図２に示す通り、測定装置３０ａ〜３０ｎを特定する情報であるＤＵＴ番号Ｎ１、測定結果Ｒの数値を示す情報である測定値Ｒ１、及び測定結果Ｒの棒グラフＧ１が並べられており、測定結果Ｒの棒グラフＧ１に対して許容上限値を示す上限ラインＬ１と許容下限値を示す加減ラインＬ２とが重ねられているグラフが作成される。尚、判定部２５の判定結果に応じて棒グラフＧ１は異なる色にされる。また、図３に示す通り、横軸に電圧を、縦軸に度数をそれぞれとり、０〜５［Ｖ］の範囲を０．５［Ｖ］刻みで分割し、分割された各範囲における測定結果Ｒの度数を示すヒストグラムが作成される。
【００３４】
作成されたグラフ及びヒストグラムは、グラフ作成部２５から表示処理部２６に転送され、表示処理部２６の処理によって表示部２７に表示される（ステップＳ１８）。以上の処理によって、表示部２７には測定装置３０ａ〜３０ｎを用いた直流試験の試験結果がグラフ表示されるとともに、測定装置３０ａ〜３０ｎの試験結果のヒストグラムが表示される。ここで、ユーザが表示部２７に表示されているグラフを参照して異常があると判断した場合には、入力装置１０が操作されて測定条件Ｃが変更され、異常が生じなくなるまで図４に示すステップＳ１２の以降の処理が繰り返される。
【００３５】
以上説明した通り、本実施形態では、測定装置３０ａ〜３０ｎの各々から得られる測定結果と試験条件に含まれる許容上限値及び許容下限値とを関連付けたグラフを作成して半導体試験装置１が備える表示部２７に表示している。このため、ユーザが表計算ソフト等を用いて測定結果を集計する等の煩雑な作業を行わなくとも、明らかに値が異常な測定結果の見落としを防止することができ、また、ある程度のばらつき具合や傾向（例えば、全体的に測定値が高め又は低め等）を把握することができる。ここで、上記のグラフに加えて測定結果のヒストグラムが表示されることで、測定結果のばらつき具合や傾向を詳細に把握することができる。この結果として、直流試験に要する時間を短縮することができ、試験効率を高めることができる。
【００３６】
以上、本発明の実施形態による半導体試験装置について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、分布計算部２４はヒストグラムを作成するための度数分布や分散を計算していたが、他の統計処理を行っても良い。ここで、他の統計処理としては、例えば、平均値、最頻値（モード）、中央値（メジアン）、標準偏差等を求める処理が挙げられる。
【００３７】
また、上記実施形態では、グラフ作成部２５が判定部２３から出力される判定結果等を用いたグラフのい作成と、分散値計算部２４から出力される度数分布等を用いたヒストグラムの作成とを行う例について説明した。しかしながら、グラフ作成部２５がグラフのみを作成するか、ヒストグラムのみを作成するか、グラフ及びヒストグラムの双方を作成するか、或いはグラフ及びヒストグラムの双方を作成しないかを、制御部２１の制御によって切り替え可能にしても良い。尚、グラフ及びヒストグラムの双方が作成されない場合には、、図５に示す従来例の通り、測定結果Ｒがテキスト形式で表示部２７に表示されることになる。
【００３８】
また、上記実施形態では半導体メモリの試験を試験を行うメモリテスタを例に挙げて説明したが、本発明は、メモリテスタ以外の半導体試験装置にも適用することができる。メモリテスタ以外の半導体試験装置としては、例えばＳＯＣ（System On a Chip）等の半導体論理回路を試験するロジックテスタ、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示ディスプレイ）を始めとしたＦＰＤ（Flat Panel Display）の駆動ドライバを試験するドライバテスタ等の各種の半導体試験装置が挙げられる。
【符号の説明】
【００３９】
１                半導体試験装置
２３              判定部
２４              分散値計算部
２５              グラフ作成部
２６              表示処理部
２７              表示部
３０ａ〜３０ｎ    測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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