(57)【要約】【課題】微細で高密度配線を有する絶縁信頼性の高い配線基板を簡単な方法で製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。【解決手段】絶縁層１上または金属層２上に配線パターンに対応する開口３ａを有するめっきレジスト層３を形成するレジスト形成工程と、開口３ａ内の絶縁層１上または金属層２上にめっき金属層４を析出させるめっき工程と、絶縁層１上または金属層２上からめっきレジスト層３を剥離するレジスト剥離工程とを含む配線基板の製造方法であって、めっき工程の後でかつレジスト剥離工程の前に、めっき金属層４の表面をエッチングするエッチング工程を行なう配線基板の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上または金属層上に配線パターンに対応する開口を有するめっきレジスト層を形
成するレジスト形成工程と、前記開口内の前記絶縁層上または前記金属層上にめっき金属
層を析出させるめっき工程と、前記絶縁層上または前記金属層上から前記めっきレジスト
層を剥離するレジスト剥離工程とを含む配線基板の製造方法であって、前記めっき工程の
後でかつ前記レジスト剥離工程の前に、前記めっき金属層の表面をエッチングするエッチ
ング工程を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に
関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、その小型化、
薄型化がますます求められており、そのため配線基板における配線パターンも微細かつ高
密度なものが要求されている。このような微細で高密度の配線パターンを実現する方法と
してフルアディティブ法やセミアディティブ法と呼ばれる方法がある。フルアディティブ
法は、表面にめっき触媒核が付与された絶縁層上に配線パターンに対応する開口を有する
めっきレジスト層を形成し、このめっきレジスト層の開口内の絶縁層上に無電解めっき法
により配線パターン用のめっき金属層を析出させた後、めっきレジスト層を剥離すること
によりめっき金属層から成る配線パターンを形成する方法である。また、セミアディティ
ブ法は、絶縁層の表面に無電解めっき層や金属箔等から成る薄い下地金属層を設け、その
下地金属層上に配線パターンに対応する開口を有するめっきレジスト層を形成し、このめ
っきレジスト層の開口内の下地金属層上に電解めっき法により配線パターン用のめっき金
属層を析出させた後、めっきレジスト層を剥離し、その後、配線パターン部以外の露出す
る下地金属層をエッチング除去することにより下地金属層およびめっき金属層から成る配
線パターンを形成する方法である。
【０００３】
ところで、このようなアディティブ法に用いられるめっきレジスト層は、配線パターン
の微細化および高密度化に伴い、めっきレジスト層を形成する際やめっき金属層を析出さ
せる際等に不要な剥離が発生しないように、絶縁層や下地金属層との密着性が高められて
きている。さらに、配線パターン間の隙間が狭いものとなってきているために、一般的に
使用されているアルカリ性水溶液等から成る剥離液を使用してめっきレジスト層を膨潤さ
せることにより剥離しても、配線パターン間の狭い隙間に挟まっためっきレジスト層は容
易に剥離できない。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１には、めっきレジスト層をアルカリ性水溶液により膨潤させ
て剥離した後、残っためっきレジスト層の残渣を酸化樹脂エッチング剤や有機溶剤から成
る薬液にて処理することにより除去する方法が提案されている。
【０００５】
しかしながら、めっきレジスト層の残渣を酸化樹脂エッチング剤や有機溶剤から成る薬
液にて処理すると、これらの薬液が配線基板を構成する絶縁層を侵し、配線基板における
配線パターン間の電気的な絶縁信頼性の劣化等をもたらしてしまう危険がある。さらに酸
化樹脂エッチング剤や有機溶剤等の薬液を用いることにより、環境への負荷が大きくなっ
てしまうという問題点も有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２９８２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その課題は配線基板を構
成する絶縁層に悪影響を与えたり、環境への負荷を増大させたりすることなくめっきレジ
スト層を良好に剥離することができ、それにより微細で高密度配線を有する絶縁信頼性の
高い配線基板を簡単な方法で製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することで
ある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層上または金属層上に配線パターンに対応する開
口を有するめっきレジスト層を形成するレジスト形成工程と、前記開口内の前記絶縁層上
または前記金属層上にめっき金属層を析出させるめっき工程と、前記絶縁層上または前記
金属層上から前記めっきレジスト層を剥離するレジスト剥離工程とを含む配線基板の製造
方法であって、前記めっき工程の後でかつ前記レジスト剥離工程の前に、前記めっき金属
層の表面をエッチングするエッチング工程を行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、めっきレジスト層の開口内の絶縁層上または金
属層上にめっき金属層を析出させた後、該めっき金属層の表面を一旦エッチングし、次に
めっきレジスト層を剥離することから、前記エッチングによりめっきレジスト層とめっき
金属層との間に隙間が形成され、該隙間を介してめっきレジスト層とめっき金属層との間
に剥離液が浸透し、その結果、めっきレジスト層を良好に剥離することができ、それによ
り微細で高密度配線を有する絶縁信頼性の高い配線基板を簡単な方法で製造することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施形態例に係る配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面模式図である。
【図２】（ｆ），（ｇ）は本発明の一実施形態例に係る配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法をセミアディティブ法に適用した場合の一実
施形態例について、図１（ａ）〜（ｅ）および図２（ｆ）〜（ｇ）を参照して詳細に説明
する。なお、これらの図は、本実施形態を説明するための工程毎の断面模式図であり、図
中、１は絶縁層、２は下地金属層、３はめっきレジスト層、４はめっき金属層である。
【００１２】
まず、図１（ａ）に示すように、配線基板を構成する絶縁層１上に下地金属層２を被着
する。絶縁層１は配線基板用の絶縁層として必要な特性を備えていれば如何なる材料から
形成されていてもよいが、好適には例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、
アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電
気絶縁材料から成る。また、下地金属層２は、電解めっきのための下地金属層として必要
な特性を備えていれば如何なる材料から形成されていてもよいが、好適には例えば銅箔や
無電解銅めっき層、銅スパッタ膜等の厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い銅から成る。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、下地金属層２の上に配線パターンに対応する開口３ａ
を有するめっきレジスト層３を形成する。めっきレジスト層３は市販のアルカリ現像型の
ドライフィルムレジストを下地金属層２の上に貼着した後、開口３ａを有するように露光
および現像すればよい。なお、めっきレジスト層３の厚みは１５〜３０μｍ程度であり、
開口３ａの最小幅は１０〜２５μｍ程度である。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、開口３ａ内に露出した下地金属層２上に電解銅めっき
層から成るめっき金属層４を１０〜２５μｍの厚みに析出させる。めっき金属層４の析出
は、周知の電解銅めっき法を採用して下地金属層２から電荷を供給しながら行なえばよい。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、析出しためっき金属層４の表面を０．５〜２．０μｍ
程度の厚みだけエッチングする。このとき、このエッチングにより、めっきレジスト層３
の開口３ａの側面とめっき金属層４との間に僅かな隙間が形成される。なお、めっき金属
層３の表面をエッチングする厚みが０．５μｍ未満では、めっきレジスト層３の開口３ａ
の側面とめっき金属層４との間に隙間を形成することが殆どできず、また、２．０μｍを
超えると、めっき金属層４により所望の形状および幅の配線パターンを形成することが困
難となる。したがって、めっき金属層４の表面をエッチングする厚みは０．５〜２．０μ
ｍの範囲であることが好ましい。エッチングには過酸化水素水および硫酸を含有するエッ
チング液を用いればよい。エッチングに用いられる過酸化水素水および硫酸は、環境に対
して大きな負荷を与えることはない。
【００１６】
次に、図１（ｅ）に示すように、アルカリ性水溶液等から成る剥離液を使用してめっき
レジスト層４を膨潤させる。このとき、めっきレジスト層３の開口３ａの側面とめっき金
属層４との間には前記エッチングにより僅かな隙間が形成されているので、この隙間を介
して剥離液がめっきレジスト層３とめっき金属層４との間に浸透し、めっきレジスト層３
が良好に膨潤する。また、めっきレジスト層３の開口３ａの側面とめっき金属層４との間
には隙間が形成されているので、後述する流水洗浄またはシャワー洗浄を行なうことによ
り、めっきレジスト層３とめっき層４との間がめっきレジスト層３の残渣を残すことなく
良好に剥離される。剥離液に用いられるアルカリ性水溶液としては、例えば１〜５％濃度
の水酸化ナトリウム水溶液や１〜５％濃度の水酸化カリウム等が好適に用いられる。アル
カリ性水溶液の温度は２０〜７０℃の範囲であることが好ましい。また、めっきレジスト
層３をアルカリ性水溶液中に浸漬する時間またはめっきレジスト層３にアルカリ性水溶液
を浴びせる時間は、０．５〜７分間が好ましい。
【００１７】
次に、図２（ｆ）に示すように、下地金属層２およびめっき金属層４から剥離しためっ
きレジスト層３を流水洗浄またはシャワー水洗浄により除去した後、図２（ｇ）に示すよ
うに、配線パターン以外の部分の露出する下地金属層２をエッチング除去することにより、
絶縁層１上に残った下地金属層２とその上のめっき金属層４から成る配線パターン５を有
する微細かつ高密度配線の配線基板を得ることができる。したがって、本発明の配線基板
の製造方法によれば、微細で高密度配線を有する絶縁信頼性の高い配線基板を製造するこ
とができる。
【００１８】
なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態例では、本発明をセミ
アディティブ法に適用した場合を例にとって説明したが、本発明の配線基板の製造方法は
セミアディティブ法に限らず、フルアディティブ法により配線基板を製造する場合にも適
用可能である。
【符号の説明】
【００１９】
１  絶縁層
２  下地金属層
３  めっきレジスト層
３ａ  めっきレジスト層の開口
４  めっき金属層
【図１】
2010205803.tif 000003
【図２】
2010205803.tif 000004