(57)【要約】【課題】ウェハの加熱時にヒータにクラックや破損が生じることを抑制することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のヒータ支持部１２２と、ブースバー１２３ａ、１２３ｂを介してヒータ１２１に給電する電極１０７ａ、１０７ｂと、電極１０７ａ、１０７ｂを支持する支柱１０５と、電極１０７ａ、１０７ｂを固定する電極固定部材１０８とを有する。電極１０７ｂは、ヒータ１２２の使用温度範囲内で、上端が支柱１０５との間に所定の隙間を有してブースバー１２３ｂに固定されている。【選択図】図１
2010065303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、
前記成膜室内で基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを介して前記基板を加熱するヒータと、
前記ヒータを支持する導電性のヒータ支持部と、
前記サセプタを上部に配置し、前記ヒータおよび前記ヒータ支持部を内部に配置する回転筒と、
前記成膜室の下部に設けられ、前記回転筒を回転させる回転軸を備えた回転機構部とを有する成膜装置において、
前記回転軸の内部には、前記ヒータ支持部を介して前記ヒータに給電する２本の電極と、前記２本の電極を支持する支柱とが設けられ、
前記電極の一方は、上端が前記支柱に当接した状態で前記ヒータ支持部に固定され、下端が前記回転軸の下方に設けられた電極固定部に固定され、
前記電極の他方は、前記ヒータの使用温度範囲内で上端が前記支柱との間に所定の隙間を有して前記ヒータ支持部に固定され、下端が前記電極固定部に固定されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記２本の電極はいずれも上部がＬ字状であり、前記ヒータ支持部の下部と前記支柱の上部とは、それぞれ前記Ｌ字状の部分に係合する形状を有し、
前記ヒータ支持部の前記形状の部分に設けられた孔に挿通されたボルトによって、前記２本の電極のＬ字状の部分が前記ヒータ支持部に固定されており、
前記電極の一方は、前記Ｌ字状の部分が前記支柱の前記形状の部分に当接しており、前記電極の他方は、前記Ｌ字状の部分と前記支柱の前記形状との間に前記所定の隙間を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記所定の隙間は、前記ヒータを作動させない状態で０．５ｍｍ〜２ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記電極固定部はフッ素樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
成膜室内に設けられたサセプタに基板を載置し、上部に前記サセプタを配置する回転筒を前記成膜室の下部に設けられた回転機構で回転させながら前記基板を加熱し、前記成膜室内に反応ガスを供給して前記基板の表面に膜を形成する成膜方法において、
前記回転筒の内部にヒータを配置し、前記ヒータを支持するヒータ支持部を２本の電極を介して前記回転機構に固定し、前記電極の一方と前記回転機構との間に前記ヒータの熱膨張を吸収する隙間を設けて前記基板を加熱することを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ウェハ上にシリコンなどの単結晶／多結晶膜を成長させる成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板であるウェハ上にシリコンなどの単結晶膜を成長させたエピタキシャルウェハの製造には、枚葉式の成膜装置が使用されることが多い。
【０００３】
従来の枚葉式の成膜装置は、成膜室、成膜室を積載するベース、反応ガスを成膜室に供給するガス供給手段およびウェハの加熱手段等を備えている。そして、ベースの下面には上方に向かって成膜室内にまで伸びる中空円筒形状の支柱が取り付けられている。
【０００４】
支柱の上面には、ウェハ加熱手段が取り付けられている。一方、支柱の下面は、下蓋によって閉じられている。支柱の内部には、下蓋を貫通して支柱に固定される二本の配線部材が設けられている。この二本の配線部材は、支柱の上端部を抜けて成膜室内のウェハ加熱手段まで伸びている。
【０００５】
ウェハ加熱手段は、ヒータと導電性のヒータ支持部とからなる。ヒータはヒータ支持部に固定され、ヒータ支持部は支柱の上面に固定されている。これにより、ヒータは、支柱に固定される構造となっている。また、二本の配線部材は、それぞれヒータ支持部に接続しており、ヒータ支持部を介してヒータへの給電が可能となっている。
【０００６】
成膜室内には、ウェハを保持するサセプタが設けられているが、このサセプタは回転可能となっている。すなわち、円筒形状の支柱には、その周囲を囲むように中空の回転軸が設けられている。この回転軸は、ベアリングによって支柱と無関係に回転自在にベースに取り付けられ、別設のモータにより回転が与えられるようになっている。回転軸には回転筒が接続しており、回転筒の上面にサセプタを取り付けることによって、サセプタは、ウェハ加熱手段の上方で回転する。
【０００７】
したがって、このような成膜装置では、ウェハは、サセプタ上に載置された状態で回転しながら、サセプタの下方に設けられたヒータによって加熱される。そして、ガス供給手段を通じて反応ガスが供給されることで、ウェハ上にエピタキシャル膜が形成される。
【０００８】
特許文献１には、中空円筒形状の支柱の下蓋を１本の配線部品が貫通して支柱の下部と上部で固定されているタイプの成膜装置が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−１５２２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のような成膜装置においては、気相成長時に、ウェハ加熱手段での加熱によって、ウェハの温度が１０００℃を超えるような高温となる場合がある。このとき、ウェハ加熱手段も高温となって熱膨張を起こす。これを考慮して、ウェハ加熱手段を柔軟性に富む金属で構成すれば、熱によってウェハ加熱手段にクラックが発生するのを防ぐことができる。しかし、金属は、ウェハを汚染するおそれがあり好ましくない。
【００１１】
したがって、ウェハ加熱手段には、金属以外の材料が用いられる。具体的には、最も高温となるヒータには高純度のＳｉＣなどが用いられ、ヒータを支持する導電性のヒータ支持部には、ＳｉＣをコートしたカーボンなどが用いられる。また、ヒータに比べると若干到達温度の低い支柱の内部に配設された配線部品には、モリブデンなどが用いられる。
【００１２】
ＳｉＣやＳｉＣをコートしたカーボンは、ウェハを金属汚染するおそれはないものの、金属材料に比べて柔軟性に劣る。一方、上述したように、ヒータは、剛直なヒータ支持部を介して支柱に固定されている。このため、高温下での熱膨張によってヒータに生じた応力を解消する術がなく、ヒータにクラックが発生することがあった。
【００１３】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ウェハの加熱時において、ウェハ加熱手段を構成するヒータに発生する応力を解消する機構を備えた成膜装置を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の目的は、ウェハの加熱時に、ウェハ加熱手段を構成するヒータにクラックが生じるのを最小限に抑えて、成膜することのできる成膜方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の態様は、成膜室と、
前記成膜室内で基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを介して前記基板を加熱するヒータと、
前記ヒータを支持する導電性のヒータ支持部と、
前記サセプタを上部に配置し、前記ヒータおよび前記ヒータ支持部を内部に配置する回転筒と、
前記成膜室の下部に設けられ、前記回転筒を回転させる回転軸を備えた回転機構部とを有する成膜装置において、
前記回転軸の内部には、前記ヒータ支持部を介して前記ヒータに給電する２本の電極と、前記２本の電極を支持する支柱とが設けられ、
前記電極の一方は、上端が前記支柱に当接した状態で前記ヒータ支持部に固定され、下端が前記回転軸の下方に設けられた電極固定部に固定され、
前記電極の他方は、前記ヒータの使用温度範囲内で上端が前記支柱との間に所定の隙間を有して前記ヒータ支持部に固定され、下端が前記電極固定部に固定されていることを特徴とするものである。
【００１７】
前記２本の電極はいずれも上部がＬ字状であり、前記ヒータ支持部の下部と前記支柱の上部とは、それぞれ前記Ｌ字状の部分に係合する形状を有し、
前記ヒータ支持部の前記形状の部分に設けられた孔に挿通されたボルトによって、前記２本の電極のＬ字状の部分が前記ヒータ支持部に固定されており、
前記電極の一方は、前記Ｌ字状の部分が前記支柱の前記形状の部分に当接しており、前記電極の他方は、前記Ｌ字状の部分と前記支柱の前記形状との間に前記所定の隙間を有することが好ましい。
【００１８】
前記所定の隙間は、前記ヒータを作動させない状態で０．５ｍｍ〜２ｍｍであることが好ましい。
【００１９】
前記電極固定部はフッ素樹脂からなることが好ましい。
【００２０】
本発明の第２の態様は、成膜室内に設けられたサセプタに基板を載置し、上部に前記サセプタを配置する回転筒を前記成膜室の下部に設けられた回転機構で回転させながら前記基板を加熱し、前記成膜室内に反応ガスを供給して前記基板の表面に膜を形成する成膜方法において、
前記回転筒の内部にヒータを配置し、前記ヒータを支持するヒータ支持部を２本の電極を介して前記回転機構に固定し、前記電極の一方と前記回転機構との間に前記ヒータの熱膨張を吸収する隙間を設けて前記基板を加熱することを特徴とするものである。
【００２１】
前記回転機構は、回転筒を回転させる回転軸と、前記回転軸の下方に設けられた電極固定部とを有し、前記２本の電極は、前記回転軸の内部に設けられた支柱に支持されていて、前記電極の一方の上端には、前記支柱との間に前記隙間が設けられており、下端が前記電極固定部に固定されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の第１の態様によれば、ウェハ加熱手段を構成するヒータに発生する応力を解消する機構を備え、ウェハの加熱時において、ヒータにクラックや破損の生じることを十分に抑制することのできる成膜装置が提供される。
【００２３】
本発明の第２の態様によれば、ウェハ加熱手段を構成するヒータに発生する応力を解消する機構を備え、ウェハの加熱時において、ヒータにクラックや破損の生じることを十分に抑制することのできる成膜方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置１００の模式的な断面図である。本実施の形態においては、基板としてシリコンウェハ１０１を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハなどを用いてもよい。
【００２５】
成膜装置１００は、成膜室としてのチャンバ１０２と、チャンバ１０２を積載するベース１０４とを備えている。ベース１０４の下面側には、上方に向かってチャンバ１０２内にまで伸びる、非導電性で中空円筒形状を有する支柱１０５が取り付けられている。
【００２６】
チャンバ１０２の上部には、加熱されたシリコンウェハ１０１の表面に結晶膜を成膜するための反応ガスを供給する反応ガス供給路１０３が接続している。本実施の形態においては、反応ガスとしてトリクロロシランを用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、反応ガス供給路１０３からチャンバ１０２の内部に導入する。
【００２７】
反応ガス供給路１０３より供給された反応ガスは、シリコンウェハ１０１の方に流下する。尚、チャンバ１０２には、シリコンウェハ１０１に対して反応ガスが流れる方向（矢印方向）の上流側に、反応ガスが通過する貫通孔を適当数備えた整流板が設けられていてもよい。
【００２８】
チャンバ１０２の内部には、シリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１１０が、中空の回転筒１１１の上に設けられている。回転筒１１１は、回転軸１１２に支持されており、ベース１０４の下面からチャンバ１０２内に伸びる中空円筒形状の支柱１０５の周囲を囲むように設けられている。
【００２９】
回転軸１１２は、ベアリング（図示せず）によって支柱１０５と無関係に回転自在となるようにベース１０４に取り付けられおり、別設のモータ１１３により回転が与えられるようになっている。すなわち、回転軸１１２がモータ１１３を通じて回転すると、回転軸１１２に取り付けられた回転筒１１１が回転し、回転筒１１１の上に設けられたサセプタ１１０も回転する。
【００３０】
チャンバ１０２内に伸びる中空円筒形状の支柱１０５の上部には、ウェハ加熱手段１２０が取り付けられている。そして、支柱１０５とウェハ加熱手段１２０の間は、チャンバ１０２に汚染物質が流入するのを防ぐために、上蓋１０６で閉じられている。
【００３１】
加熱によって変化するシリコンウェハ１０１の表面温度は、チャンバ１０２の上部に設けられた放射温度計（図示せず）によって測定される。このため、チャンバ１０２を石英で構成して、放射温度計による温度測定がチャンバ１０２によって妨げられないようにすることが好ましい。尚、整流板を設ける場合も同様である。
【００３２】
次に、本実施の形態の成膜装置の主要部の構造について、具体的に説明する。
【００３３】
支柱１０５の上面の形状は、図１に示すように、フランジ形状、すなわち、円筒形部材からはみ出すように張り出た部分を持つ形状とすることができる。この場合、張り出た部分の周囲には、上方に向かって立ち上がる縁が設けられていることが好ましい。支柱１０５の上端部分がこうした形状を備えることで、以下で説明するウェハ加熱手段の取り付けをより確かなものとすることができる。尚、本実施の形態はこれに限られるものではなく、支柱１０５の上面の形状をドーナツ形状としてもよい。
【００３４】
中空円筒形状の支柱１０５の内部には、二本の電極１０７ａ、１０７ｂが設けられている。これらの電極は何れも、電極棒１０８ａ、１０８ｂと、電極棒１０８ａ、１０８ｂの上端部分に固定されるとともに、後に説明するブースバー１２３ａ、１２３ｂを支持するブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂとを有する。
【００３５】
ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは、電極棒１０８ａ、１０８ｂの上端部分から支柱１０５の周囲方向に伸びる形状を有する。このため、電極１０７ａ、１０７ｂの上部は、電極棒１０８ａ、１０８ｂと、ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂとで、Ｌ字状の形状となっている。電極棒１０８ａ、１０８ｂとブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは何れもモリブデン（Ｍｏ）製である。
【００３６】
回転軸１１２の下方には、電極固定部１０９が配設されている。二本の電極棒１０８ａ、１０８ｂは、電極固定部１０９に固定されて、支柱１０５の上端側に伸びている。尚、電極固定部１０９は、中空円筒形状の回転軸１１２の下蓋としての機能も果たしている。
【００３７】
ウェハ加熱手段１２０は、基板を加熱するヒータ１２１と、ヒータ支持部としてヒータ１２１を固定して支持する二本のアーム状のブースバー１２３ａ、１２３ｂとを有する。ブースバー１２３ａ、１２３ｂは、ヒータ１２１を支持する側とは反対の側の端部で、上記したブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂに支持されている。そして、ボルト止め等により、ブースバー１２３ａは、ブースバー支持部１２４ａと固定されて一体となっており、同様に、ブースバー１２３ｂは、ブースバー支持部１２４ｂと固定されて一体となっている。
【００３８】
具体的には、電極１０７ａ、１０７ｂは、いずれも上部がＬ字状であり、ブースバー１２３ａ、１２３ｂと、支柱１０５の上部とは、それぞれこのＬ字状の部分に係合する形状を有している。そして、ブースバー１２３ａ、１２３ｂの前記形状の部分に設けられた孔に挿通されたボルト１３１によって、電極１０７ａ、１０７ｂのＬ字状の部分がブースバー１２３ａ、１２３ｂに固定されている。
【００３９】
ヒータ１２１は、ＳｉＣを用いて構成される。また、ヒータ１２１を支持する二本のアーム状のブースバー１２３ａ、１２３ｂは、導電性の高耐熱性部材、例えば、ＳｉＣをコートしたカーボン材からなる。さらに、ブースバー支持部１２４ａ、１２４ｂは、電極棒１０８ａ、１０８ｂと同様に、モリブデンを用いて構成されている。これにより、ヒータ支持部であるブースバー１２３ａ、１２３ｂを介して、電極１０７ａ、１０７ｂからヒータ１２１への給電が可能となっている。
【００４０】
図１に示すように、固定されて一体となったブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａにおいて、ブースバー支持部１２４ａの下面は、支柱１０５の上端、すなわち、支柱１０５の円筒形部材からはみ出すように張り出た部分の上面の少なくとも一部に当接している。また、ブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａの少なくとも一方が、支柱１０５の上面の縁とも接している。このような少なくとも二点の支持によって、ブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａが支柱１０５に固定される構造となっている。
【００４１】
ここで、従来の成膜装置においては、固定されて一体となったもう一方のブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂにおいても、同様の方法によって支柱１０５に固定される構造とされてきた。かかる構造とすることで、ヒータ支持部によるヒータの支持が可能となると考えられてきたためである。しかしながら、本発明者は、鋭意検討した結果、図１に示すように、二組のブースバーとブースバー支持部のうちの一方を以下に説明する構造とした場合にも、十分にヒータを支持できることが分かった。
【００４２】
図１では、固定されて一体となったブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂにおいて、支柱１０５の円筒形部材からはみ出すように張り出た部分の上面および支柱１０５の上面の縁との間に、ヒータ１２１の使用温度範囲内で所定の隙間が構成されている。すなわち、ブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂにおいては、支柱１０５の上面との間で接することがない程度の幅の隙間が設けてあり、その結果、ブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂは、支柱１０５上面で固定されていない自由な状態となる。
【００４３】
一方、ブースバー支持部１２４ｂは、固定された電極棒１０８ｂとともに電極１０７ｂを構成しており、電極棒１０８ｂは、その下端部で電極固定部１０９により固定されている。したがって、ブースバー支持部１２４ｂおよびブースバー１２３ｂは、電極棒１０８ｂを介して電極固定部１０９に固定されていることになる。
【００４４】
ヒータ１２１は、剛性の大きいＳｉＣから構成されている。また、ヒータ１２１は、同様に剛性の大きいブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａを介して、支柱１０５の上面で支持されている。したがって、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間に隙間が設けてあっても、本実施形態にかかる成膜装置内でのヒータの固定は十分強固に実現可能である。
【００４５】
次に、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間に設けた隙間の作用と効果について説明する。
【００４６】
上記したように、気相成長時においては、成膜室内は１０００℃を超える非常に高温の環境下に置かれる。このため、最も高温となるヒータ１２１には、高純度のＳｉＣが用いられ、ヒータを支持する導電性のブースバー１２３ａ、１２３ｂには、ＳｉＣをコートしたカーボンが用いられる。しかし、ＳｉＣやＳｉＣをコートしたカーボンは、金属材料などが有するような柔軟性を備えていない。したがって、ウェハ加熱時の高温下において、ヒータ１２１は、自身の昇温によって熱膨張し、その結果、内部に応力を発生する。このとき、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間の構成を、ブースバー１２３ａとブースバー支持部１２４ａと同様の支柱１０５の上面で支持されている構成とすると、昇温されたヒータ１２１内に発生する応力を解消する術はない。その結果、ヒータ１２１にクラックを生じてしまう。
【００４７】
しかし、図１に示すように、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間に隙間が設けてあれば、昇温したヒータ１２１に応力が発生したとしても、ヒータ１２１は伸びて自身の寸法を変化させることが可能となり、その結果、応力を解消することができる。すなわち、ヒータが昇温により内部に応力を発生させたとしても、上記の隙間を利用して、ブースバー１２３ｂとブースバー支持部１２４ｂとが応力に応じて自身の位置を変化させるので、ヒータ内の応力を緩和させる変形をヒータにもたらすことができる。
【００４８】
このように、本実施の形態の成膜装置１００では、ヒータ１２１の使用温度範囲内において、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間に隙間が設けられている。これにより、成膜装置１００は、ウェハ加熱手段１２０を構成するヒータ１２１に発生する応力を解消する機構を備えることになる。その結果、シリコンウェハ１０１の加熱時において、ウェハ加熱手段１２０を構成するヒータ１２１にクラックや破損が生じるのを十分に抑制することができる。
【００４９】
尚、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間に設けられた隙間の幅については、ヒータ１２１が昇温によって変形する程度により決めることが好ましい。具体的には、用いるシリコンウェハ１０１の大きさおよびヒータの大きさによって好ましい範囲があり、通常は、ヒータ１２１を作動させない状態で０．５ｍｍ〜２ｍｍの隙間とすることが望ましい。
【００５０】
また、ヒータ１２１の一方を支持するブースバー１２３ｂは、ブースバー支持部１２４ｂに固定され、ブースバー支持部１２４ｂには電極棒１０８ｂが固定されている。そして、電極棒１０８ｂはその下端部で電極固定部１０９に固定されている。したがって、ヒータ１２１で発生する応力の影響は、ブースバー１２３ｂ、ブースバー支持部１２４ｂおよび電極棒１０８ｂを介して電極固定部１０９にまで及ぶこととなる。ここで、電極固定部１０９は、回転軸１１２の下方に配置されているが、チャンバ１０２の外側であることにより、それほどの高温には晒されないことになる。よって、耐熱性の観点では比較的広い温度範囲から材料の選択をすることが可能である。具体的には、適度な耐熱性を備え、ヒータ１２１に由来する応力が及んでもそれを吸収できる、比較的柔軟な部材を使用することが好ましい。そのような特性の部材としては樹脂材が好適である。本実施の形態では、上記条件の温度環境下においても劣化することなく使用が可能なフッ素樹脂を用いて、電極固定部１０９を構成することが好ましい。
【００５１】
次に、本発明の成膜方法について述べる。
【００５２】
本実施の形態では、成膜装置１００を用いてシリコンエピタキシャル膜を形成する。
【００５３】
まず、シリコンウェハ１０１をチャンバ１０２の内部に搬入する。次いで、サセプタ１１０の上にシリコンウェハ１０１を載置し、回転筒１１１に付随させて、シリコンウェハ１０１を５０ｒｐｍ程度で回転させる。
【００５４】
次に、ヒータ１２１を作動させて、シリコンウェハ１０１を加熱する。例えば、成膜温度である１１５０℃まで徐々に加熱する。放射温度計１２２による測定でシリコンウェハ１０１の温度が１１５０℃に達したことを確認した後は、徐々にシリコンウェハ１０１の回転数を上げていく。そして、反応ガス供給路１０３から反応ガスをシリコンウェハ１０１の上に流下させる。
【００５５】
成膜装置１００では、回転筒１１１の内部にヒータ１２１が配置されている。ヒータ１２１を支持するブースバー１２３ａ、１２３ｂは、２本の電極１０７ａ、１０７ｂを介して回転機構部１３０に固定されている。ヒータ１２１の使用温度範囲内において、ブースバー１２３ｂおよびブースバー支持部１２４ｂと支柱１０５上面との間には、ヒータ１２１の熱膨張を吸収する隙間が設けられているので、シリコンウェハ１０１の加熱時に、ヒータ１２１にクラックや破損が生じるのを十分に抑制することができる。
【００５６】
シリコンウェハ１０１の上に所定の膜厚のエピタキシャル膜を形成した後は、反応ガスの供給を終了する。その後は、シリコンウェハ１０１が所定の温度まで冷却されたのを確認してから、チャンバ１０２の外部にシリコンウェハ１０１を搬出する。
【００５７】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、これに限られるものではない。成膜室内に反応ガスを供給し、成膜室内に載置される基板を加熱して基板の表面に膜を形成する成膜装置であれば、他の成膜装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施の形態における成膜装置の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  成膜装置
１０１  シリコンウェハ
１０２  チャンバ
１０３  反応ガス供給路
１０４  ベース
１０５  冷却ガス供給路
１０６  上蓋
１０７ａ、１０７ｂ  電極
１０８ａ、１０８ｂ  電極棒
１０９  電極固定部
１１０  サセプタ
１１１  回転筒
１１２  回転軸
１１３  モータ
１２０  ウェハ加熱手段
１２１  ヒータ
１２３ａ、１２３ｂ  ブースバー
１２４ａ、１２４ｂ  ブースバー支持部
１３０  回転機構部
１３１  ボルト
【図１】
2010065303.tif 000003