(57)【要約】【課題】ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をドライエッチングにより除去することができると共に、ダスト発生やスループットの大幅低下等を防止する。【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ５上にカーボンＣＶＤ膜を形成する装置であって、装置本体２の内部に設けられウエハ５を載置するステージ４と、装置本体２の上部開口部を閉塞するシャワーヘッド３と、シャワーヘッド３の中央部からウエハ５の中央部に向けてガスを導入する中央ガス導入部９およびシャワーヘッド３の外周部からウエハ５のベベル部に向けてガスを導入する外周ガス導入部１０を有するガス供給系とを備え、ウエハ５上へのカーボンＣＶＤ膜の成膜時に、ウエハ５のベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去するためのエッチング用のガスを装置本体２の外部で活性化したうえで外周ガス導入部１０からウエハ５のベベル部に向けて送り込むように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ上にカーボンＣＶＤ膜を形成する半導体製造装置であって、
上部開口部を有する装置本体と、
前記装置本体の内部に設けられ前記ウエハを載置するステージと、
前記装置本体の上部開口部を閉塞するものであって、成膜用のガスまたはエッチング用のガスを前記装置本体内に導入するシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの中央部から前記ウエハの中央部分に向けてガスを導入する中央ガス導入部、および前記シャワーヘッドの外周部から前記ウエハのベベル部に向けてガスを導入する外周ガス導入部を有するガス供給系と
を備え、
前記ガス供給系は、前記ウエハ上へのカーボンＣＶＤ膜の成膜時に前記ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去するためのエッチング用のガスを、装置本体の外部で活性化したうえで前記外周ガス導入部から前記ウエハのベベル部に向けて送り込むように構成されてなることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記ガス供給系は、前記エッチング用のガスを、装置本体の外部で活性化したうえで前記外周ガス導入部から前記ウエハのベベル部に向けて送り込むときに、さらに不活性ガスを前記中央ガス導入部から前記ウエハの中央部に向けて送り込むように構成されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記ガス供給系は、さらに装置本体内をクリーニングするためのエッチング用のガスを前記外周ガス導入部および前記中央ガス導入部から前記装置本体内に送り込むことが可能なように構成されてなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ上にカーボンＣＶＤ膜を形成する半導体製造方法であって、
装置本体の上部開口部を閉塞するシャワーヘッドの中央部および外周部に設けられた中央ガス導入部および外周ガス導入部から成膜用のガスを前記装置本体内に導入して前記カーボンＣＶＤ膜を前記ウエハ上に成膜し、
前記カーボンＣＶＤ膜を成膜した後、予め活性化したエッチング用のガスを前記外周ガス導入部から前記ウエハのベベル部に向けて送り込むことにより、前記ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
前記ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去する際、不活性ガスを前記中央ガス導入部から前記ウエハの中央部に向けて送り込むことを特徴とする請求項４記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＥ−ＣＶＤ(plasma enhanced chemical vapor deposition)法を用いてウエハ上にカーボンＣＶＤ膜を形成する半導体製造装置および半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細なラインアンドスペースパターンを形成する微細加工技術として側壁加工プロセスが知られている。側壁加工プロセスにおいては、芯材加工後にスペーサ膜として例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を成膜して加工を行ってから、芯材を除去することにより残ったスペーサ膜をマスクとして下地の加工を行う。ここで、この側壁加工プロセスの芯材としては、従来ＬＰ−ＣＶＤ(low pressure chemical vapor deposition)法によるＴＥＯＳ膜やＳｉＮ膜等が一般的であったが、最近になって、Ｏ２アッシャーのようなドライエッチングにより除去が可能なＰＥ−ＣＶＤ法によるカーボンＣＶＤ膜を用いることも検討されている。
【０００３】
しかしながら、芯材としてカーボンＣＶＤ膜を用いた場合、ウエハのベベル部（外周縁部）に成膜されたカーボンＣＶＤ膜上のスペーサ膜が剥がれて装置内を汚染したり、芯材を抜く工程のＯ２アッシャー時に上記ウエハのベベル部のカーボンＣＶＤ膜が剥がれてウエハに転写されてダストとなることがあった。このため、カーボンＣＶＤ膜の成膜後に、ウエハのベベル部にカーボンＣＶＤ膜が残っていないように構成することが望まれる。
【０００４】
これに対し、例えば、カーボンＣＶＤ膜の成膜後に、ロード／ロック室においてＯ２アッシャーによりドライエッチングを行う対策が考えられる。しかし、ロード／ロック室にてドライエッチングを行う対策においては、ウエハの出し入れを行う圧力変動が大きいロード／ロック室での処理となるため、巻き上がりによるダスト発生やスループットの大幅低下という問題点があり、また、ロード／ロック室の排気もダスト等を除害する装置を通す必要性があるため、装置構造が複雑になるという問題点があった。
【０００５】
尚、ウエハのベベル部をエッチングするエッチング専用装置の一例が、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００６−１２０８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をドライエッチングにより除去することができると共に、ダスト発生やスループットの大幅低下等を防止することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体製造装置は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ上にカーボンＣＶＤ膜を形成する半導体製造装置であって、上部開口部を有する装置本体と、前記装置本体の内部に設けられ前記ウエハを載置するステージと、前記装置本体の上部開口部を閉塞するものであって、成膜用のガスまたはエッチング用のガスを前記装置本体内に導入するシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドの中央部から前記ウエハの中央部分に向けてガスを導入する中央ガス導入部、および前記シャワーヘッドの外周部から前記ウエハのベベル部に向けてガスを導入する外周ガス導入部を有するガス供給系とを備え、前記ガス供給系は、前記ウエハ上へのカーボンＣＶＤ膜の成膜時に前記ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去するためのエッチング用のガスを、装置本体の外部で活性化したうえで前記外周ガス導入部から前記ウエハのベベル部に向けて送り込むように構成されてなるところに特徴を有する。
【０００８】
本発明の一態様の半導体製造方法は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ上にカーボンＣＶＤ膜を形成する半導体製造方法であって、装置本体の上部開口部を閉塞するシャワーヘッドの中央部および外周部に設けられた中央ガス導入部および外周ガス導入部から成膜用のガスを前記装置本体内に導入して前記カーボンＣＶＤ膜を前記ウエハ上に成膜し、前記カーボンＣＶＤ膜を成膜した後、予め活性化したエッチング用のガスを前記外周ガス導入部から前記ウエハのベベル部に向けて送り込むことにより、前記ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をドライエッチングにより除去することができると共に、ダスト発生やスループットの大幅低下等を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図１ないし図６を参照しながら説明する。尚、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。
【００１１】
まず、図１は、本実施形態のＰＥ−ＣＶＤ装置１の全体構成を概略的に示す縦断面図である。ＰＥ−ＣＶＤ装置１は、有底円筒状の装置本体２と、この装置本体２の上部開口部を閉塞するように設けられたシャワーヘッド３と、装置本体２内に設けられたステージ４とを備えて構成されている。ステージ４は、下部電極を構成するものであり、接地されている。このステージ４上に、ウエハ５が載置支持される。
【００１２】
シャワーヘッド３におけるステージ４と対向する部分には、装置本体２内へ突出する突出部６が形成されており、この突出部６のうちの装置本体２の外側には、凹部７が形成されている。凹部７の内部は、凹部７の上部開口部を閉塞するように設けられた仕切り部材８の下面に突設された円筒状の仕切り壁８ａにより、中央ガス導入部９と、外周ガス導入部１０とに区分されている。
【００１３】
仕切り部材８の中心部には、ガス供給部１１が中央ガス導入部９に連通するように設けられており、後述するガス供給源から供給されたガスが上記ガス供給部１１を通して中央ガス導入部９内に供給されるように構成されている。中央ガス導入部９内に供給されたガスは、突出部６の底壁部６ａに形成された多数の貫通孔（図示しない）を通って装置本体２内に導入される。尚、上記底壁部６ａの上には、ガスを分散させる円板状の分散板１２が配設されている。
【００１４】
また、仕切り部材８の外周部における図１中の左端部には、ガス供給部１３が外周ガス導入部１０に連通するように設けられており、後述するガス供給源から供給されたガスが上記ガス供給部１３を通して外周ガス導入部１０内に供給されるように構成されている。外周ガス導入部１０内に供給されたガスは、突出部６の底壁部６ａの外周部に形成された貫通孔（図示しない）を通って装置本体２内に導入される。尚、上記底壁部６ａの上には、ガスを分散させるリング状の分散板１４が配設されている。
【００１５】
また、上記シャワーヘッド３は、上部電極を構成するものであり、高周波電源（ＲＦ電源）１５の一方の端子に接続されている。高周波電源１５の他方の端子は、接地されている。更に、装置本体２の内周部におけるステージ４の外周部に対向する部位には、リング状の排気部材１６が配設されている。この排気部材１６の内周面には、図２にも示すように、多数の排気孔１６ａが形成され、排気部材１６の内部には、環状の連通孔１６ｂが上記多数の排気孔１６ａと連通するように形成されている。
【００１６】
そして、装置本体２の周壁部における上記排気部材１６の図１中の右端部に当接する部位には、排気口部１７が設けられており、この排気口部１７に排気部材１６の連通孔１６ｂが接続孔１６ｃを介して連通している。上記排気口部１７には、図示しない排気ポンプ（真空ポンプ）が接続されており、この排気ポンプにより装置本体２内のガスを排気部材１６および排気口部１７を介して排気するように構成されている。
【００１７】
更に、上記構成の場合、排気部材１６に形成された排気孔１６ａは、図２に示すように、排気口部１７（接続孔１６ｃ）に近い部位ほど、形成（設置）間隔が広くなり、排気口部１７に遠い部位ほど、形成間隔が狭くなるように構成されている。これにより、装置本体２内のガスをほぼ均一に排気することが可能な構成となっている。
【００１８】
尚、外周ガス導入部１０内の分散板１４に形成されている複数の貫通孔（図示しない）についても、上記排気部材１６の排気孔１６ａと同様に、ガス供給部１３に近い部位ほど、形成（設置）間隔が広くなり、ガス供給部１３に遠い部位ほど、形成間隔が狭くなるように構成されている。これにより、ガス供給部１３から供給されたガスを装置本体２内にほぼ均一に送り込むことが可能な構成となっている。
【００１９】
次に、上記構成のＰＥ−ＣＶＤ装置１のシャワーヘッド３の中央ガス導入部９（ガス供給部１１）および外周ガス導入部１０（ガス供給部１３）に対して、種々のガスを供給するガス供給系について図３を参照して説明する。
【００２０】
まず、中央ガス導入部９のガス供給部１１にガスを供給するガス供給系について説明する。上記ガス供給部１１には、中央ガス供給管１８の図３中の下端部が接続されており、この中央ガス供給管１８には中央側のメインバルブ１９が設けられている。中央ガス供給管１８の図３中の上端部には、５本のガス供給管２０〜２４が並列接続されている。ガス供給管２０には、バルブ２５が設けられていると共に、Ｃ３Ｈ６ガスのガス供給源２６が接続されている。ガス供給管２１には、バルブ２７が設けられていると共に、Ｈｅガスのガス供給源２８が接続されている。
【００２１】
ガス供給管２２には、バルブ２９が設けられていると共に、Ｏ２ガスのガス供給源３０が接続されている。ガス供給管２３には、バルブ３１が設けられていると共に、Ａｒガスのガス供給源３２が接続されている。ガス供給管２４には、バルブ３３が設けられていると共に、Ｎ２ガスのガス供給源３４が接続されている。ここで、各ガス供給源２６、２８、３０、３２、３４は、各ガスの供給流量を制御するＭＦＣ（mass flow controller）と、各ガスを貯留するボンベ等とから構成されている。上記構成の場合、メインバルブ１９を開放し、バルブ２５、２７、２９、３１、３３を適宜開閉することにより、Ｃ３Ｈ６ガス、Ｈｅガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス、Ｎ２ガスのうちのいずれか１つ、または、２つ以上のガスを適宜供給可能なように構成されている。
【００２２】
次に、外周ガス導入部１０のガス供給部１３にガスを供給するガス供給系について説明する。上記ガス供給部１３には、外周ガス供給管３５の図３中の下端部が接続されており、この外周ガス供給管３５には外周側のメインバルブ３６が設けられている。外周ガス供給管３５の図３中の上端部には、３本のガス供給管３７〜３９が並列接続されている。ガス供給管３７には、バルブ４０が設けられていると共に、Ｃ３Ｈ６ガスのガス供給源４１が接続されている。ガス供給管３８には、バルブ４２が設けられていると共に、Ｈｅガスのガス供給源４３が接続されている。
【００２３】
ガス供給管３９には、反応室４４が設けられていると共に、２本のガス供給管４５、４６が並列接続されている。反応室４４は、マイクロ波放電により、内部に供給された酸素（Ｏ２）を活性化させる機能を有している。ガス供給管４５には、バルブ４７が設けられていると共に、Ｏ２ガスのガス供給源４８が接続されている。ガス供給管４６には、バルブ４９が設けられていると共に、Ａｒガスのガス供給源５０が接続されている。ここで、各ガス供給源４１、４３、４８、５０は、各ガスの供給流量を制御するＭＦＣ（mass flow controller）と、各ガスを貯留するボンベ等とから構成されている。上記構成の場合、メインバルブ３６を開放し、バルブ４０、４２、４７、４９を適宜開閉することにより、Ｃ３Ｈ６ガス、Ｈｅガス、Ｏ２ガス、Ａｒガスのうちのいずれか１つ、または、２つ以上のガスを適宜供給可能なように構成されている。
【００２４】
さて、上記構成のＰＥ−ＣＶＤ装置１において、ウエハ５上にカーボンＣＶＤ膜を成膜する工程を実行する。この場合、図６に示す表中の「成膜」の行で示すように、高周波電源１５をオンし、メインバルブ１９を開放し、バルブ２５、２７を開放し、バルブ２９、３１、３３を閉塞し、反応室４４をオフし、メインバルブ３６を開放し、バルブ４０、４２を開放し、バルブ４７、４９を閉塞している。これにより、Ｃ３Ｈ６ガスおよびＨｅガスをシャワーヘッド３の中央ガス導入部９および外周ガス導入部１０から装置本体２内に導入しながら、高周波電源１５をオンしてシャワーヘッド３とステージ４の間で放電を起こすことにより、カーボンＣＶＤ膜の成膜が実行される。図４（ａ）に、成膜されたカーボンＣＶＤ膜５１を示す。尚、図４（ａ）に示す構成においては、ウエハ５上には、加工膜５２が形成されており、この加工膜５２上にカーボンＣＶＤ膜５１が形成（成膜）されている。
【００２５】
次に、上記構成のＰＥ−ＣＶＤ装置１において、上述したようにしてカーボンＣＶＤ膜５１を成膜した後、続いて、該ＰＥ−ＣＶＤ装置１において、ウエハ５のベベル部に成膜されたカーボンＣＶＤ膜５１をエッチングして除去する工程を実行する。この場合、上記図６に示す表中の「エッチング」の行で示すように、高周波電源１５をオフし、メインバルブ１９を開放し、バルブ２５、２７、２９を閉塞し、バルブ３１、３３を開放し、反応室４４をオンし、メインバルブ３６を開放し、バルブ４０、４２を閉塞し、バルブ４７、４９を開放している。
【００２６】
これにより、ＡｒガスおよびＮ２ガス（不活性ガス）をシャワーヘッド３の中央ガス導入部９から装置本体２内に導入すると共に、Ａｒガスおよび反応室４４により活性化されたＯ２ガスをシャワーヘッド３の外周ガス導入部１０から装置本体２内に導入する。この結果、活性化された酸素（Ｏ２）ガスがウエハ５の外周部に流し込まれ、装置本体２内でウエハ５のベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜５１をエッチング除去することができる。しかも、不活性ガス(ＡｒガスおよびＮ２ガス)がウエハ５の中央部から流し込まれることから、ウエハ５のベベル部以外には活性化された酸素が回り込まないようになり、ウエハ５のベベル部のみに付いているカーボンＣＶＤ膜５１をエッチング除去するうえで非常に有効である（図４（ｂ）参照）。尚、この工程においては、シャワーヘッド３とステージ４の間での放電がウエハ５の中央部に成膜されたカーボンＣＶＤ膜５１に影響を及ぼすことを回避するために、装置本体２内（即ち、シャワーヘッド３とステージ４の間）に高周波電源１５のＲＦパワーを印加しない。
【００２７】
次に、上記エッチングが行なわれたカーボンＣＶＤ膜５１上に反射防止膜（図示しない）を形成した後、カーボンＣＶＤ膜５１に対して所定の加工を実行する（図４（ｃ）参照）。続いて、図４（ｄ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１上にスペーサ用のアモルファスシリコン膜５３を形成する。この後、カーボンＣＶＤ膜５１をストッパとしてアモルファスシリコン膜５３をＲＩＥ法によりエッチングする（図４（ｅ）参照）。そして、図４（ｆ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１を例えばＯ２アッシャーのようなドライエッチングにより剥離する。ここで、芯材としてのカーボンＣＶＤ膜５１をドライエッチングにより除去することで、ウエットエッチングを用いた場合に問題となる表面張力起因の倒れ発生を防止しつつスペーサ５４が形成される。またこのとき、ウエハ５のベベル部に付いているアモルファスシリコン膜５３が剥がれることはない。
【００２８】
ここで、ウエハ５のベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜５１をエッチング除去しない比較例（従来構成）について、図５を参照して説明する。この比較例では、図５（ａ）に示すように、加工膜５２上にカーボンＣＶＤ膜５１を形成した後、その上に反射防止膜５５を形成する。続いて、図５（ｂ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１に対して所定の加工を実行する。そして、図５（ｃ）に示すように、反射防止膜５５を剥離する。次いで、図５（ｄ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１上にスペーサ用のアモルファスシリコン膜５３を形成する。
【００２９】
この後、図５（ｅ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１をストッパとしてアモルファスシリコン膜５３をＲＩＥ法によりエッチングする。そして、図５（ｆ）に示すように、カーボンＣＶＤ膜５１を剥離すると、スペーサ５４が形成される。このとき、ウエハ５のベベル部に付いているカーボンＣＶＤ膜５１およびアモルファスシリコン膜５３が剥がれるという不具合があった。
【００３０】
これに対して、本実施形態によれば、図４（ｂ）に示すように、ウエハ５のベベル部に成膜されたカーボンＣＶＤ膜５１をエッチングして除去するように構成したので、図４（ｆ）に示すように、ウエハ５のベベル部に付いているアモルファスシリコン膜５３が剥がれることを防止できる。
【００３１】
一方、上記ＰＥ−ＣＶＤ装置１において、装置本体２内をクリーニング（いわゆる空焼き）する工程を実行する場合について説明する。この場合、上記図６に示す表中の「クリーニング」の行で示すように、高周波電源１５をオンし、メインバルブ１９を開放し、バルブ２５、２７、３３を閉塞し、バルブ２９、３１を開放し、反応室４４をオンし、メインバルブ３６を開放し、バルブ４０、４２を閉塞し、バルブ４７、４９を開放している。
【００３２】
これにより、Ｏ２ガスおよびＡｒガスをシャワーヘッド３の中央ガス導入部９から装置本体２内に導入すると共に、Ａｒガスおよび反応室４４により活性化されたＯ２ガスをシャワーヘッド３の外周ガス導入部１０から装置本体２内に導入する。そして、高周波電源１５をオンしてシャワーヘッド３とステージ４の間で放電を起こすことにより、装置本体２内に導入されたＯ２ガスが活性化される。これにより、活性化されたＯ２ガスにより装置本体２内がクリーニングされる。
【００３３】
（第２実施形態）
図７および図８は、本発明の第２実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一部分には、同一符号を付している。この第２実施形態では、図７に示すように、中央ガス供給管１８のうちのガス供給部１１に接続する側の部位と、ガス供給管３９のうちの外周ガス供給管３５に接続する側の部位とを、連結ガス供給管５６で接続し、この連結ガス供給管５６にバルブ５７を設けた。
【００３４】
上記第２実施形態のＰＥ−ＣＶＤ装置１により、ウエハ５上にカーボンＣＶＤ膜を成膜する工程を実行する場合は、図８に示す表中の「成膜」の行で示すように、連結ガス供給管５６のバルブ５７を閉塞し、他のバルブ等のオンオフ、開閉は、第１実施形態（図６参照）と同じである。
【００３５】
そして、上記ＰＥ−ＣＶＤ装置１において、上述したようにしてカーボンＣＶＤ膜５１を成膜した後、ウエハ５のベベル部に成膜されたカーボンＣＶＤ膜５１をエッチングして除去する工程を実行する場合も、上記図８に示す表中の「エッチング」の行で示すように、連結ガス供給管５６のバルブ５７を閉塞し、他のバルブ等のオンオフ、開閉は、第１実施形態（図６参照）と同じである。
【００３６】
一方、上記ＰＥ−ＣＶＤ装置１において、装置本体２内をクリーニングする工程を実行する場合は、上記図８に示す表中の「クリーニング」の行で示すように、連結ガス供給管５６のバルブ５７を開放し、他のバルブ等のオンオフ、開閉は、第１実施形態と異なる。具体的には、上記図８に示す表中の「クリーニング」の行で示すように、高周波電源１５をオフし、メインバルブ１９を閉塞し、バルブ２５、２７、２９、３１、３３を閉塞し、反応室４４をオンし、メインバルブ３６を開放し、バルブ４０、４２を閉塞し、バルブ４７、４９、５７を開放している。
【００３７】
これにより、Ａｒガスおよび反応室４４により活性化されたＯ２ガスを、シャワーヘッド３の中央ガス導入部９から装置本体２内に導入すると共に、シャワーヘッド３の外周ガス導入部１０から装置本体２内に導入する。この結果、装置本体２にとって負荷となるシャワーヘッド３とステージ４の間の放電を起こすことなく、活性化されたＯ２ガスにより装置本体２内をクリーニングすることができる。
【００３８】
尚、上述した以外の第２実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００３９】
（他の実施形態）
本発明は、上記各実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
【００４０】
即ち、上記各実施形態では、排気部材１６の内周面に排気孔１６ａを形成したが（図２参照）、これに限られるものではなく、排気部材１６の上面に排気孔を形成しても良いし、排気部材１６の内周面および上面に排気孔を形成しても良い。
【００４１】
また、上記各実施形態では、仕切り部材８の外周部における図１中の左端部に、１個のガス供給部１３を外周ガス導入部１０に連通するように設けたが、これに代えて、２個以上のガス供給部１３を仕切り部材８の外周部に外周ガス導入部１０と連通するように設け、これら２個以上のガス供給部１３から外周ガス導入部１０内にガスを供給するように構成しても良い。
【００４２】
さらに、ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜５１を除去する際、ウエハ５の中央部から流し込まれる不活性ガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用したが、不活性ガスとしてはこれに限定されるものではなく、例えばＡｒガスまたはＮ２ガスのいずれか一方をウエハ５の中央部から流し込むようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態を示すＰＥ−ＣＶＤ装置の縦断面図
【図２】排気部材の斜視図
【図３】ガス供給系を説明する図
【図４】ウエハの外周端部における成膜およびエッチングの各工程を説明する断面図
【図５】比較例を示す図４相当図
【図６】高周波電源のオンオフ、反応室のオンオフおよび各バルブの開閉動作を表にして示す図
【図７】本発明の第２の実施形態を示す図３相当図
【図８】図６相当図
【符号の説明】
【００４４】
図面中、１はＰＥ−ＣＶＤ装置、２は装置本体、３はシャワーヘッド、４はステージ、５はウエハ、８は仕切り部材、９は中央ガス導入部、１０は外周ガス導入部、１１はガス供給部、１２は分散板、１３はガス供給部、１４は分散板、１５は高周波電源、１６は排気部材、１７は排気口部、１８は中央ガス供給管、３５は外周ガス供給管、４４は反応室、５１はカーボンＣＶＤ膜、５２は加工膜、５３はアモルファスシリコン膜、５６は連結ガス供給管、５７はバルブである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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