(57)【要約】【課題】作製時の磁気特性の劣化を起こすことなく、また、簡便な方法で製造でき、生産性に優れた磁気記録媒体の提供。【解決手段】基板と、軟磁性層、結晶配向制御層、磁気記録層、および保護層とをこの順に含み、磁気記録層が、グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層とを含み、グラニュラー磁性層の少なくとも１つは、複数の磁性部と、磁性部を取り囲む分離部とを含み、分離部は、磁性部の磁気特性とは異なる磁気特性を有し、および非グラニュラー磁性層は連続膜であることを特徴とする磁気記録媒体。【選択図】図１
2010113773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、軟磁性層、結晶配向制御層、磁気記録層、および保護層とをこの順に含む磁気記録媒体であって、前記磁気記録層が、グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層とを含み、前記グラニュラー磁性層の少なくとも１層は、複数の磁性部と、該磁性部を取り囲む分離部とを含み、該分離部は、該磁性部の磁気特性とは異なる磁気特性を有し、および該非グラニュラー磁性層は連続膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁気記録層が、１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー磁性層とから構成されていることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁気記録層が、第１グラニュラー磁性層と、第２グラニュラー磁性層と、第１および第２グラニュラー磁性層の間に設けられた非磁性材料からなる結合層と、第２グラニュラー磁性層の該結合層とは反対側に設けられた非グラニュラー磁性層とから構成されていることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上に、軟磁性層および結晶配向制御層をこの順に積層する工程と
グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層を積層する工程と、
非グラニュラー磁性層および保護層をこの順に積層する工程と
を含み、該グラニュラー磁性層の少なくとも１層に対して：
該グラニュラー磁性層の上に、複数の開口部を有するマスクを形成する工程と、
該マスクを通して、該グラニュラー磁性層を活性化ハロゲン含有反応性ガスに暴露して、該グラニュラー磁性層の該開口部に相当する位置に分離部を形成し、それ以外の位置を磁性部とする工程と、
該マスクを除去する工程と
を含む手順を実施して、磁性部および分離部を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳しくは垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。本発明の磁気記録媒体は、高記録密度においても良好な電磁変換特性を有するディスクリートトラック媒体またはパターンド媒体として好適である。また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、優れた生産性を提供する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化社会を支える情報の記録装置の１つに磁気記憶装置がある。情報の大量化に伴って、磁気記憶装置に用いられる磁気記録媒体には記録密度の向上が要求されている。高記録密度を実現するためには、磁化反転が生じる単位（記録単位）を小さくしなければならない。そのためには、磁性結晶粒のサイズの微細化と同時に、記録単位を明確に分離して区分することによって、隣接する記録単位問の磁気的な相互作用を低減することが重要である。
【０００３】
磁気記録の高密度化を実現する技術の１つとして、長手磁気記録媒体に代えて、垂直磁気記録媒体が提案されている。一般的に、垂直磁気記録媒体は、基体上に、軟磁性層、結晶配向制御層、磁気記録層および保護層がこの順に積層された構造を有する。垂直磁気記録媒体用の磁気記録層用材料としては、現在では主として、六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）をもつＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討されている。垂直磁気記録を行う際には、そのｃ軸が膜面に垂直（すなわちｃ面が膜面に平行）になるように、ｈｃｐ構造を有する材料の結晶配向を制御する。また、磁気記録媒体の今後のさらなる高密度化に対応するために、このＣｏＣｒ系合金結晶質膜を構成する結晶粒の微細化、粒径分布の低減、粒子間の磁気的な相互作用の低減等に対する取り組みがなされている。
【０００４】
さらに、高密度化のための磁性層構造制御の１方式として、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層（一般にグラニュラー磁性層と呼ばれる）を用いる方法が提案されている。たとえば、ＳｉＯ２等の酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔターゲットを用いるＲＦスパッタリング成膜を行なうことによって、各々の磁性結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造を持つグラニュラー磁性層が形成でき、低ノイズ化が実現されることが報告されている（特許文献１参照）。このようなグラニュラー磁性層においては、非磁性非金属（非磁性酸化物）の粒界相が磁性結晶粒を物理的に分離して、磁性結晶粒間の磁気的な相互作用が低下する。磁気的な相互作用の低下は、記録単位の遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制して、低ノイズ特性を実現する。
【０００５】
垂直磁気記録媒体の記録層として、グラニュラー磁性層を用いることが提案されている。ここで、磁気記録層の下地層として、磁気記録層の強磁性結晶粒と同じｈｃｐ構造を有する結晶配向制御層を設けることが提案されている（特許文献２および３参照）。ここで、結晶配向制御層の結晶質（結晶粒子）の位置および構造に対応して磁気記録層中に磁性結晶粒が成長する。また、結晶配向制御層中の結晶粒界の多孔質領域あるいは非晶質領域の位置に対応して磁気記録層中に非磁性酸化物（非磁性非金属）が析出および成長する。すなわち、結晶配向制御層の結晶粒子の上に磁気記録層の磁性結晶粒をエピタキシャル成長させ、結晶配向制御層の結晶配向性を磁気記録層に引き継がせることで磁気記録層の結晶配向性を制御できる。同時に、磁気記録層の磁性結晶粒の周囲に介在する非晶質相（非磁性非金属）の結晶粒界を形成することができる。以上のことから、磁気記録層として用いるグラニュラー磁性層の結晶状態を制御することが可能になる。一般的には、Ｒｕを下地層とし、グラニュラー構造をもつＣｏＰｔＣｒＯ合金を磁性層とした垂直磁気記録媒体が提案されている。下地層であるＲｕ層の膜厚を増加させるにしたがってグラニュラー磁性層のｃ軸配向性が向上し、それに伴い、優れた磁気特性と電磁変換特性とを有する垂直磁気記録媒体が得られる。
【０００６】
また、グラニュラー磁性層を含む複数の磁性層からなる磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体が提案されている。たとえば、垂直磁気記録媒体の磁気記録層を、グラニュラー構造の第１の磁性層と非グラニュラー構造の第２の磁性層で構成することにより、良好な電磁気変換特性と共に、高い耐久性を担保することが可能になるとしている（特許文献４参照）。さらに、第１磁性層、結合層および第２磁性層からなる層構成を有し、第１磁性層および第２磁性層が強磁性結合しており、かつ第１磁性層または第２磁性層の少なくとも一方がグラニュラー構造を有する磁気記録層を用いることによって、熱安定性を損なうことなしに、垂直磁気記録媒体の記録容易性を向上させることが提案されている（特許文献５参照）。
【０００７】
前述のようなグラニュラー磁性層を用いた従来技術の垂直磁気記録媒体においては、比較的良好な磁気特性および電磁変換特性が得られている。しかしながら、従来技術の垂直磁気記録媒体に用いられるグラニュラー磁性層は、全体的に一様な構造を有する連続膜（ベタ膜とも呼ばれる）であった。さらなる高記録密度化のためには、以下の課題を達成する必要がある：（１）隣接トラックへの書きにじみの防止、（２）磁性結晶粒のランダムな配置によるジグザグ磁壁の形成の低減、（３）結晶粒を小さくしていくことによる熱揺らぎによる影響の低減、および、（４）磁性結晶粒間の磁気的な相互作用の低減。
【０００８】
上記の課題を達成する手段として、磁化反転する単位（記録単位）を明確に区分することが提案されている。そのような手段の１つとして、ディスクリートトラック媒体が提案されている。ディスクリートトラック媒体においては、時期的に完全に分離された複数の磁性体列を作成し、該磁性体列を磁気記録を行うためのトラックとして用いる。すなわち、隣接するトラック間の境界を人工的に形成する。ディスクリートトラック媒体は、上記の（１）隣接トラックへの書きにじみの防止、および（２）ジグザグ磁壁の形成の低減に有効である。
【０００９】
さらに、記録単位を明確に区分する別の手段として、パターンド媒体が注目されている。このパターンド媒体は、人工的にそろえた形状および大きさを有し、単一磁区を形成する複数の島をアレイ状に配列し、各々の島を１つの記録単位（ビット）として記録を行なう究極の記録媒体である。
【００１０】
これらのディスクリートトラック媒体およびパターンド媒体を得るために、各種の方法が提案されている。例えば、基体上に高透磁率層と磁性層とを有する磁気記録媒体において、高透磁率層と磁性層との欠如部を設けることにより、記録再生が行われるトラック間隙を形成することが提案されている（特許文献６、特に図１参照）。このような構造を採ることによって、再生時に隣接するトラック部間の記録が混入することを確実に回避することができると記載されている。
【００１１】
また、磁気記録層を含む各構成層を形成する前の円板状基板表面にエッチングすることにより渦巻状の凹部を形成し、その凹部に磁性体を埋め込むことで磁性体列を作る方法が提案されている（特許文献７、特に図１参照）。
【００１２】
また、軟磁性層の一部を除去し、軟磁性層を除去した部位に非磁性のガードバンドを埋め込み、その上に磁気記録層を形成することで磁気的に独立した磁性体列を作る方法が提案されている（特許文献８、特に図１参照）。
【００１３】
また、軟磁性層および結晶配向制御層のパターニングを行うことにより、磁気的に独立した磁性体列からなる磁気記録層を形成する方法が提案されている（特許文献９、特に図２および図３参照）。この方法においては、非磁性基板上に、軟磁性層および結晶配向制御層を形成した後に、ディスクリート作用を発揮させるための欠如凹部を形成する。次いで、欠如凹部に非磁性材料を充填して非磁性層を形成する。さらに、その上に磁気記録層を形成する際に、結晶配向制御層の上に良好な磁気特性を有する磁性体列が形成されるが、非磁性層の上には良好な磁気特性を有する層が形成されない。以上の方法によって、磁気的に独立した複数の磁性体列が形成され、それら磁性体列を、記録再生を行う複数のデータトラックとして用いる。
【００１４】
さらに、基板上に、軟磁性層、中間層、および磁気記録層を形成し、該磁気記録層から中間層の途中に至る所定の凹凸パターンを形成して、磁気記録層を多数の記録要素に分割する方法が提案されている（特許文献１０参照）。この構成の利点として以下の事項が記載されている：（１）磁気記録層を貫通する凹凸パターンを設けることによって、隣接トラックへの記録・再生時のクロストークを防止できる；および（２）凹凸パターンの形成を中間層の途中までとし、軟磁性層に影響を及ぼさないことによって、記録・再生特性の悪化も防止できる。
【００１５】
また、磁気記録層上に所定のパターンの開口部を有するレジストマスクを形成し、レジストマスクを通したイオン注入を行うことにより、開口部の位置に対応する磁気記録層の磁気特性を変質させ、分離部を形成する方法が提案されている（特許文献１１参照）。
【００１６】
さらに、磁気記録層上に所定のパターンを有するマスクを設け、次いでマスクを介してハロゲン含有活性ガスまたは反応液を作用させ、磁気記録層の一部を非強磁性化するディスクリートトラック媒体およびパターンド媒体の製造方法が提案されている（特許文献１２参照）。また、上記の方法で形成されるパターン化された磁気記録層の上に、連続膜の磁気記録層を形成することも提案されている。しかしながら、磁気記録層としてグラニュラー磁性層を用いる場合については検討されてない
【００１７】
【特許文献１】米国特許第５６７９４７３号明細書
【特許文献２】特開２００３−１２３２３９号公報
【特許文献３】特開２００３−２４２６２３号公報
【特許文献４】特開２００７−１０３００８号公報
【特許文献５】特開２００６−４８９００号公報
【特許文献６】特開平４−３１０６２１号公報
【特許文献７】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献８】特許第２５１３７４６号公報
【特許文献９】特開２００３−１６６２２号公報
【特許文献１０】特開２００６−１２２８５号公報
【特許文献１１】特開２００２−２８８８１３号公報
【特許文献１２】特開２００２−３５９１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上述したように、これまでに提案されているディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の製造方法の多くは、磁気記録媒体の構成層の一部を積極的に除去することに依存する。具体的には、磁性層、基板、軟磁性層、または、軟磁性層および結晶配向制御層の両方を、その一部を除去する構成層として用いる。
【００１９】
しかしながら、特許文献６および１０に記載の方法のように磁気記録層の一部を除去する場合、磁気記録層そのものを直接エッチングするため、エッチングによる磁気記録層へのダメージ、および／またはエッチングガスまたはエッチング液の残留成分による磁気記録層の腐食が発生し、磁気記録層の磁気特性が劣化する恐れがある。
【００２０】
また、特許文献７に記載されるように、基板に渦巻状の溝を設け、その溝に磁性体を埋め込むことで磁性体列を作る方法では、微細な溝の中のみに良好な結晶配向性および垂直磁気異方性を備えた磁気記録層を形成するのは困難であり、良好な磁気特性は望めない。
【００２１】
また、特許文献８に記載される軟磁性層をエッチングで除去する方法、および特許文献９のように軟磁性層および結晶配向制御層を除去する方法においては、平坦化工程が設けられている。なぜなら、表面に大きな凹凸があると、磁気ヘッドの浮上安定性が悪化するからである。平坦化工程は、たとえば、所定の構成層の除去によって形成された凹部に非磁性材料を充填し、次いでＣＭＰ（chemical mechanical polishing）などによって表面を研磨して平滑にすることによって実施される。しかしながら、微小で深い凹凸を空隙なく均一に充填するのは困難である。さらに、微小で深い隙間の場合、充填前の凹凸に応じて、充填後の表面の凹凸も大きくなってしまう。そのため、ＣＭＰなどによって表面を平滑にする場合も、平滑にするのが困難となるか、あるいは研磨量が多くなることによって膜厚の制御ができなくなる恐れがある。
【００２２】
一方、特許文献１１に記載のイオン注入によって磁気特性を変質させた分離部を形成する方法では、構成層の一部の積極的除去を伴わないため、平坦化工程を必要としない。しかしながら、イオン注入によって磁気特性を変質させるとした場合、イオンを注入する深さに応じて、注入されたイオンが横方向へ拡散する。１０ｎｍ以上の深さまでイオンを注入する場合、１０ｎｍ程度の幅までイオンが拡散する。そのため、微細化に限界があり、ディスクリートトラック媒体またはパターンド媒体で必要とされる８０ｎｍ以下のサイズの分離部を作製するには好ましくない。
【００２３】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の提案に見られるような、作製時の磁気特性の劣化を起こすことなく、また、簡便な方法で製造でき、生産性に優れた磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の磁気記録媒体は、基板と、軟磁性層、結晶配向制御層、磁気記録層、および保護層とをこの順に含み、前記磁気記録層が、グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層とを含み、前記グラニュラー磁性層の少なくとも１つは、複数の磁性部と、該磁性部を取り囲む分離部とを含み、該分離部は、該磁性部の磁気特性とは異なる磁気特性を有し、および該非グラニュラー磁性層は連続膜であることを特徴とする。ここで、磁気記録層は、１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー磁性層とから構成されていてもよい。あるいはまた、磁気記録層が、第１グラニュラー磁性層と、第２グラニュラー磁性層と、第１および第２グラニュラー磁性層の間に設けられた非磁性材料からなる結合層と、第２グラニュラー磁性層の該結合層とは反対側に設けられた非グラニュラー磁性層とから構成されていてもよい。
【００２５】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は：基板上に、軟磁性層および結晶配向制御層をこの順に積層する工程と；グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層を積層する工程と；非グラニュラー磁性層および保護層をこの順に積層する工程とを含む。さらに、該グラニュラー磁性層の少なくとも１つに対して：該グラニュラー磁性層の上に、複数の開口部を有するマスクを形成する工程と；該マスクを通して、該グラニュラー磁性層を活性化ハロゲン含有反応性ガスに暴露して、該グラニュラー磁性層の該開口部に相当する位置に分離部を形成し、それ以外の位置を磁性部とする工程と；該マスクを除去する工程とを含む手順を実施して、磁性部および分離部を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
以上の構成を採る本発明の磁気記録媒体は、優れた磁気特性および電磁変換特性を有し、より高密度記録に対応が可能である。
【００２７】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、従来のディスクリートトラック媒体およびパターンド媒体の製造方法の提案に見られるような、作製時の磁気特性の劣化を起こすことがない。また、本発明の方法は、簡便であり、優れた生産性を有する。なぜなら、特に凹凸を形成する工程を含まないことによって、平坦化工程そのものを不要にすることができるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の磁気記録媒体は、基板と、軟磁性層、結晶配向制御層、磁気記録層、および保護層とをこの順に含み、前記磁気記録層が、グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層とを含み、前記グラニュラー磁性層の少なくとも１つは、複数の磁性部と、該磁性部を取り囲む分離部とを含み、該分離部は、該磁性部の磁気特性とは異なる磁気特性を有し、および該非グラニュラー磁性層は連続膜である。図１に、１つのグラニュラー磁性層を含む構成例を示した。
【００２９】
図１の磁気記録媒体は、非磁性の基板１０、軟磁性層２０、結晶配向制御層３０、磁気記録層４０および保護層５０を含み、磁気記録層４０は、結晶配向制御層３０と接触し、複数の磁性部４２−ｍと、磁性部４２−ｍを取り囲む分離部４２−ｓとを含むグラニュラー磁性層４２と、非グラニュラー磁性層４４とから構成される。
【００３０】
基板１０は、通常の磁気記録媒体に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いて作成することができる。
【００３１】
軟磁性層２０は、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させ磁気記録層４０に急峻な磁場勾配を形成するための層である。この軟磁性層２０は、ＮｉＦｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などを用いて形成することができる。あるいはまた、非晶質のＣｏ合金、たとえばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いて軟磁性層２０を形成することによ、良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることができる。軟磁性層２０の膜厚の最適値は、磁気記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性に依存する。しかしながら、生産性の観点からは、軟磁性層２０の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００３２】
結晶配向制御層３０は、磁気記録層４０（すなわち、グラニュラー磁性層４２および非グラニュラー磁性層４４）の結晶配向性、結晶粒径、および粒界偏析を好適に制御するための層である。磁気記録層４０の結晶配向を好適に制御するためには、結晶配向制御層３０の磁気記録層４０側の表面が、ｈｃｐの結晶構造を有するＲｕまたはＲｕを含む合金からなることがのぞましい。ここで、ＲｕまたはＲｕを含む合金中のＲｕ結晶が、その上に成長する磁気記録層材料の結晶粒子が、隣接する結晶粒子に連結することなく、個々に分離して成長できる程度に分離していることが特に望ましい。
【００３３】
ＲｕまたはＲｕを含む合金を用いて結晶配向制御層３０を形成すると、Ｒｕ結晶は粒界を持って成長する。すなわち、多数のＲｕ結晶が、垂直に、すなわち軟磁性層２０から磁気記録層４０に向かって成長する。このＲｕ結晶は、軟磁性層から磁気記録層に向かって幅が徐々に狭くなり、隣接するＲｕ結晶との間隔が徐々に広がってくる。
【００３４】
磁気記録層４０（その構成層であるグラニュラー磁性層４２または非グラニュラー磁性層４４）をこの結晶配向制御層３０の上に形成すると、磁性結晶粒がそれぞれのＲｕ結晶の上に成長する。結晶配向制御層３０が適正な厚さを有する場合、結晶配向制御層３０の磁気記録層４０側の表面には、多数のＲｕ結晶が適切な間隔を有して形成されている。このような構成の結晶配向制御層３０の上に、適切な磁性材料を積層すると、Ｒｕ結晶の上にｃ軸配向した磁性結晶粒が形成され、この磁性結晶粒の周囲を囲むように酸化物または窒化物のような非磁性粒界が形成され、グラニュラー構造を有するグラニュラー磁性層４２が形成される。
【００３５】
結晶配向制御層３０が適正な厚さより薄くなると、結晶配向制御層３０の磁気記録層４０側の面において、隣接するＲｕ結晶間の間隙が狭くなり、Ｒｕ結晶の上に形成された隣接する磁性結晶粒が一体化して、グラニュラー構造が形成されなくなる。また、結晶配向制御層３０が厚すぎると、隣接するＲｕ結晶間の間隙は大きくなるが、グラニュラー磁性層４２中の粒界層の割合が多くなり、グラニュラー磁性層４２の磁気特性が低下し易くなる。結晶配向制御層３０の膜厚の最適値は、結晶配向制御層３０がＲｕ単体またはＲｕ合金のいずれで形成されるか、およびＲｕ合金を用いる場合、その組成によっても異なる。また、グラニュラー磁性層４２を形成するのに用いる材料の強磁性結晶粒の粒径および取り巻く非磁性粒界の厚さによっても、結晶配向制御層３０の膜厚の最適値は変化する。一般的には、結晶配向制御層３０は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲の膜厚を有することが望ましい。
【００３６】
グラニュラー磁性層４２は、強磁性結晶粒と、強磁性結晶粒を取り囲む多孔質または非晶質の非磁性粒界からなるグラニュラー構造を有する磁性層である。グラニュラー磁性層４２の強磁性結晶粒を構成する材料は、ＣｏＣｒ系合金を含む。特に、ＣｏおよびＣｒに対して、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂのうちの少なくとも１つの元素を添加した合金を用いることが、優れた磁気特性および記録再生特性を得るために望ましい。一方、グラニュラー磁性層４２の非磁性粒界を構成するための材料は、Ｓｉ、Ａ１、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物を含む。前述の材料を用いることによって、安定なグラニュラー構造を得ることができる。
【００３７】
グラニュラー磁性層４２は、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。前述の範囲内の膜厚を有することによって、磁気記録層としての十分な特性を実現することができ、同時に磁気記録の容易性および記録再生分解能を向上させることができる。さらに、生産性向上および記録の高密度化の観点からは、グラニュラー磁性層４２が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
【００３８】
グラニュラー磁性層４２は、記録再生を行う複数の磁性部４２−ｍと、磁性部４２−ｍを囲む分離部４２−ｓとから構成される。ここで、磁性部４２−ｍは、積層したままのグラニュラー磁性層４２の磁気特性を有する部分である。一方、分離部４２−ｓは、後述する活性化ハロゲン含有反応性ガスに対する暴露により磁気的に変質し、良好な磁気特性を有さず、複数の磁性部４２−ｍを磁気的に分離する部分である。ディスクリートトラック媒体を形成する場合、複数の磁性部４２−ｍが記録トラック領域における同心円状の複数のトラックおよびサーボ信号を記録する領域におけるサーボパターンを構成し、分離部４２−ｓが複数のトラックを区分する領域およびサーボパターンを区分する領域を構成する。なお、サーボ信号を記録する領域においては、信号の０／１が反転するのみであるので、分離部４２−ｓがサーボパターンを構成し、磁性部４２−ｍがサーボパターンを区分する領域を構成してもよい。あるいはまた、パターンド媒体を形成する場合、複数の磁性部４２−ｍが複数の記録単位（サーボ信号を記録するための記録単位を含む）を構成し、分離部４２−ｓが記録単位を区分する領域を構成する。複数の磁性部４２−ｍの配置間隔は、磁気記録媒体の構成および記録密度に依存する。たとえば記録密度５００ギガビット毎平方インチのディスクリートトラック媒体の隣接するトラック間の間隔は６０ｎｍである。あるいはまた、記録密度１テラビット毎平方インチのパターンド媒体の隣接する記録単位の間隔は２５ｎｍである。
【００３９】
図１においては、分離部４２−ｓをグラニュラー磁性層４２の全厚にわたって形成した例を示した。しかしながら、複数の磁性部４２−ｍを磁気的に分離できることを条件として、分離部４２−ｓをグラニュラー磁性層４２の厚さ方向の一部（すなわち、グラニュラー磁性層４２の表面側の一部）のみに形成してもよい。
【００４０】
分離部４２−ｓは、後述する活性化ハロゲン含有反応性ガスに対する暴露によって磁気的に変質されているのみであり、その膜厚は積層時から変化しない。したがって、グラニュラー磁性層４２は、磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓの形成後においても、その表面に凹凸が存在しない。よって、グラニュラー磁性層４２の上に形成する非グラニュラー磁性層４４および保護層５０の表面にも、磁気ヘッドの浮上安定性に悪影響を及ぼす物理的な凹凸が形成されることはない。
【００４１】
磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成したグラニュラー磁性層４２の上に、金属の酸化物または窒化物からなる非磁性粒界を含有しない非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層４４が形成されている。非グラニュラー磁性層４４は、ＣｏおよびＣｒに対して、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂのうちの少なくとも１つの元素を添加した合金から形成することが望ましい。このような材料を用いることによって、優れた磁気特性および記録再生特性を得ることが可能となる。
【００４２】
非グラニュラー磁性層４４は、グラニュラー磁性層４２の非磁性粒界を通して溶出するＣｏ原子をブロックして、磁気記録媒体の高い耐久性を担保する。このため、非グラニュラー磁性層４４は、一様な膜厚を有する連続膜（いわゆるベタ膜）である必要がある。非グラニュラー磁性層は、磁気記録媒体の高い耐久性と高い記録密度とを両立するために、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
【００４３】
保護層５０は、磁気記録層４０以下の層を保護するための層である。保護層５０は、従来から一般的に用いられている材料、たとえばカーボン（たとえば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）など）、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２などを主体とする材料を用いて形成することができる。保護層５０は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。そのような範囲内の膜厚を有することによって、ピンホールの発生、耐久性の低下、および磁気ヘッド−磁気記録層４０間の間隔が広がることによる磁気信号出力の低下を防止することができる。
【００４４】
図１には示していないが、保護層５０の上に、液体潤滑剤層をさらに形成することが望ましい。液体潤滑剤層は、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤などの当該技術において知られている任意の材料を用いて形成することができる。液体潤滑剤層の膜厚などの諸条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００４５】
次に、図２を参照して、本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明する。最初に、基板１０の上に、軟磁性層２０および結晶配向制御層３０を積層する。軟磁性層２０および結晶配向制御層３０は、スパッタ法、無電解メッキ法などの当該技術において知られている任意の方法で作製することができる。
【００４６】
次いで、図２（ａ）に示すように、結晶配向制御層３０の上に、グラニュラー磁性層４２’を積層する。本明細書において、符号「４２’」は、磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成する前のグラニュラー磁性層を表わす。グラニュラー磁性層４２’は、前述の強磁性結晶粒の材料および非磁性粒界を形成するためのの材料の混合物からなるターゲットを用いるスパッタ法、あるいは無電解メッキ法などの当該技術において知られている任意の方法で作製することができる。
【００４７】
次いで、図２（ｂ）に示すように、グラニュラー磁性層４２’の上にレジスト材料を塗布して、レジスト層７０を形成する。用いることができるレジスト材料は、パターニング方法に依存する。たとえば電子線（ＥＢ）描画によるパターニングを行う場合には、ＥＢ描画用レジスト（たとえば、日本ゼオン製ＺＥＰ−５２０Ａなど）を用いることが望ましい。レジスト層７０の厚さは、後述する活性化ハロゲン含有反応性ガスに対する暴露からその下にあるグラニュラー磁性層４２’を保護できる限りにおいて、任意に設定することができる。
【００４８】
次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト層７０のパターニングを行い、グラニュラー磁性層４２’の一部を露出させる。パターニングは、たとえばＥＢ描画によりレジスト層７０の一部を硬化させ、湿式現像によって未高架部分を除去することによって実施することができる。あるいはまた、レジスト層７０を残すべき部位に凹部を有するスタンパを押圧する、いわゆるナノプリント法を用いてレジスト層７０のパターニングを行ってもよい。
【００４９】
次に、図２（ｄ）に示すように、活性化ハロゲン含有反応性ガスに対して暴露し、グラニュラー磁性層４２’の露出部を磁気的に変質させて分離部４２−ｓとし、レジスト層７０に覆われた部分を磁性部４２−ｍとする。本工程において用いることができるハロゲン含有反応性ガスは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、Ｃｌ２などを含む、ハロゲンを含有するガスである。本工程におけるハロゲン含有反応性ガスの圧力は、ラジカル反応が進行する範囲であればよく、たとえば０．１〜３Ｐａに設定することができる。
【００５０】
ハロゲン含有反応性ガスの活性化は、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などに用いられるプラズマ発生機構によって実施することができる。用いることができるプラズマ発生機構は、当該技術において知られている任意の機構を用いることができる。本発明においては、簡便な機構で高密度プラズマを発生することができる誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）方式を用いることが望ましい。印加する電力は、ハロゲン含有反応性ガスがラジカル反応を起こすのに充分であり、かつ露出しているグラニュラー磁性層４２’の表面を物理的にエッチングしないように設定することが望ましい。暴露時間にも依存するが、一般的に１００〜５００Ｗ、好ましくは２００〜４００Ｗの電力を印加して活性化を行うことが好ましい。
【００５１】
また、本工程において、グラニュラー磁性層４２’を含む積層体に対してバイアス電力を印加してもよい。しかしながら、露出しているグラニュラー磁性層４２’の表面を物理的にエッチングしないようにするため、バイアス電力を０Ｗとするとすることが望ましい。
【００５２】
次に、図２（ｅ）に示すように、前工程でマスクとして用いたレジスト層７０の除去を行う。レジスト層７０の除去は、酸素プラズマ中でのアッシング、または市販のレジスト剥離液を用いる洗浄によって実施することができる。
【００５３】
なお、複数のグラニュラー磁性層を用いる場合、前述のグラニュラー磁性層の積層からレジスト層除去までの工程を反復して行うことができる。ただし、レジスト層形成からレジスト層除去までの工程は、複数のグラニュラー磁性層のうち、磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓの形成を必要とするグラニュラー磁性層のみに対して実施し、磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓの形成を必要としないグラニュラー磁性層に対しては実施しない。
【００５４】
次に、図２（ｆ）に示すように、グラニュラー磁性層４２の上に非グラニュラー磁性層４４を積層して、磁気記録層４０を得る。非グラニュラー磁性層４４の形成は、グラニュラー磁性層４２の形成と同様に、スパッタ法、あるいは無電解メッキ法などの当該技術において知られている任意の方法で作製することができる。スパッタ法を用いて非グラニュラー磁性層４４を形成する場合、非磁性粒界を形成するための材料を含まないターゲットを用いる。
【００５５】
最後に、図２（ｇ）に示すように、非グラニュラー磁性層４４の上に保護層５０を積層して、磁気記録媒体を得る。保護層５０の形成は、スパッタ法、化学気相成長（ＣＶＤ）法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。また、ＤＬＣからなる保護層５０を形成する場合には、ＣＶＤ法、物理気相成長（ＰＶＤ）法などの方法を用いることができる。
【００５６】
必要に応じて、ディップコート、スピンコートなどの当該技術において知られている方法を用いて、前述の液体潤滑剤材料を保護層５０上に塗布して、液体潤滑剤層を設けることができる。
【００５７】
図３に、２つのグラニュラー磁性層を含む、本発明の磁気記録媒体の別の構成例を示す。図３の磁気記録媒体は、図１に示した磁気記録媒体と同様の非磁性の基板１０、軟磁性層２０、結晶配向制御層３０、および保護層５０を含む。図３の例における磁気記録層４０は、第１グラニュラー磁性層４２ａ、結合層４６、第２グラニュラー磁性層４２ｂ、および非グラニュラー磁性層４４をこの順に含む積層構造を有する。図３においては、第１グラニュラー磁性層４２ａおよび第２グラニュラー磁性層４２ｂの両方が、複数の磁性部４２（ａ，ｂ）−ｍと、磁性部４２−ｍを取り囲む分離部４２（ａ，ｂ）−ｓとから構成される例を示す。
【００５８】
図３の構成例において、結晶配向制御層３０と結合層４６との間に位置する第１グラニュラー磁性層４２ａ、および結合層４６と非グラニュラー磁性層４４との間に位置する第２グラニュラー磁性層４２ｂは、図１の構成例におけるグラニュラー磁性層４２と同様の構成を採ることができる。
【００５９】
ただし、第１グラニュラー磁性層４２ａまたは第２グラニュラー磁性層４２ｂの一方のみに複数の磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成し、他方に複数の磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成しなくてもよい。磁気記録媒体の磁気信号特性として十分な信号出力対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）を確保できることを条件として、複数の磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成するグラニュラー磁性層４２（ａ，ｂ）を決定することができる。たとえば、第１グラニュラー磁性層４２ａが第２グラニュラー磁性層４２ｂに比べて大きな保磁力を有し、かつ第１グラニュラー磁性層４２ａの分離部４２ａ−ｓが完全に非強磁性化する場合には、第１グラニュラー磁性層４２ａのみを磁性部４２ａ−ｍおよび分離部４２ａ−ｓからなる構成とすることができる。逆に、第２グラニュラー磁性層４２ｂが第１グラニュラー磁性層４２ａに比べて大きな保磁力を有し、かつ第２グラニュラー磁性層４２ｂの分離部４２ｂ−ｓが完全に非強磁性化する場合には、第２グラニュラー磁性層４２ｂのみを磁性部４２ｂ−ｍおよび分離部４２ｂ−ｓからなる構成とすることができる。また、第１グラニュラー磁性層４２ａまたは第２グラニュラー磁性層４２ｂの一方のみを磁性部４２ｂ−ｍおよび分離部４２ｂ−ｓからなる構成とすることによって十分なＳ／Ｎを確保できない場合、図３に示すように、第１グラニュラー磁性層４２ａおよび第２グラニュラー磁性層４２ｂの両方を磁性部４２（ａ，ｂ）−ｍおよび分離部４２（ａ，ｂ）−ｓからなる構成とする必要がある。
【００６０】
図３の構成においては、特許文献５に記載の発明と同様に、第１グラニュラー磁性層４２ａおよび第２グラニュラー磁性層４２ｂの強磁性の異方性磁界および一軸異方性定数、ならびにこれらの層の膜厚を調整し、さらに結合層４６によって２つのグラニュラー磁性層４２間の交換結合エネルギーを調整することによって、熱安定性を損なうことなしに、磁気記録媒体の記録容易性を向上させることができる。
【００６１】
交換結合エネルギーを適切に調整するという観点から、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、ＲｅおよびＩｒからなる群から選択される金属、またはこれらを主成分とする合金を用いて結合層４６を形成することが望ましい。また、結合層４６は、２ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。このような範囲内の膜厚を有することによって、２つのグラニュラー磁性層の交換結合エネルギーを適切に調製することができる。
【００６２】
図３の構成例において第２グラニュラー磁性層４２ｂと保護層５０との間に位置する非グラニュラー磁性層４４は、図１の例の非グラニュラー磁性層４４と同様の構成を有する。本構成の非グラニュラー磁性層４４もまた、２つのグラニュラー磁性層４２（ａ，ｂ）の非磁性粒界を通して溶出するＣｏ原子をブロックして、磁気記録媒体の高い耐久性を担保するのに有効である。
【００６３】
第１グラニュラー磁性層４２ａおよび／または第２グラニュラー磁性層４２ｂのいずれに分離部４２−ｓを設ける場合であっても、分離部４２−ｓは、活性化ハロゲン含有反応性ガスに対する暴露によって磁気的に変質されているのみであり、その膜厚は積層時から変化しない。したがって、グラニュラー磁性層４２（ａ，ｂ）は、磁性部４２（ａ，ｂ）−ｍおよび分離部４２（ａ，ｂ）−ｓの形成後においても、その表面に凹凸が存在しない。よって、グラニュラー磁性層４２（ａ，ｂ）の上に形成する、結合層４６、非グラニュラー磁性層４４および保護層５０の表面にも、磁気ヘッドの浮上安定性に悪影響を及ぼす物理的な凹凸が形成されることはない。
【００６４】
本発明の磁気記録媒体における磁気記録層４０の層構成は、図１および３の構成例に限定されるものではない。本発明の磁気記録媒体において、グラニュラー構造を有する少なくとも１つのグラニュラー磁性層と、非グラニュラー構造を有する非グラニュラー磁性層とを含み、前記グラニュラー磁性層の少なくとも１つは、複数の磁性部と、該磁性部を取り囲む分離部とを含み、該分離部は、該磁性部の磁気特性とは異なる磁気特性を有し、および該非グラニュラー磁性層は連続膜であるとの要件を満たす他の構成を有する磁気記録層を用いてもよい。
【実施例】
【００６５】
以下に、本発明の実施例を説明する。以下の実施例は、本発明を好適に説明するための例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。また、本実施例では、ディスクリートトラック媒体で説明するが、パターンド媒体でも同じようなプロセスで本発明の構成を作製することができる。
【００６６】
＜実施例１＞
基板１０として、表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を準備した。スパッタ法により、基板１０の上に、ＣｏＺｒＮｂからなる膜厚２００ｎｍの軟磁性層２０、および膜厚３ｎｍのＮｉＦｅＮｂ膜および膜厚１４ｎｍのＲｕ膜からなる結晶配向制御層３０を形成した。続いて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いるスパッタ法により、結晶配向制御層３０上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなる膜厚１５ｎｍのグラニュラー磁性層４２’を積層し、図２（ａ）に示す積層体を得た。ここで、グラニュラー磁性層４２’の非磁性粒界は、ＳｉＯ２から形成されていた。
【００６７】
次いで、図２（ｂ）に示すように、スピンコート法を用いて、グラニュラー磁性層４２’上にＥＢ描画用レジスト材料（日本ゼオン製ＺＥＰ−５２０Ａ）を塗布し、膜厚５０ｎｍのレジスト層７０を形成した。
【００６８】
次いで、ＥＢ描画装置を用いて、レジスト層７０を露光し、続いてコータデベロッパ装置中、ＥＢレジスト用現像液（日本ゼオン製ＺＥＰ−ＲＤ）を用いて現像を行い、図２（ｃ）に示すように所望のパターン形状を有するレジスト層７０を得た。データ記録領域におけるＥＢ描画は、幅４０ｎｍの同心円状のラインが６０ｎｍ間隔で配列されるレジスト層７０が得られるように実施した。一方、サーボ信号記録領域においては、バーストの各島に相当する位置にレジスト層７０が残存するようにＥＢ描画を実施した。
【００６９】
次いで、パターン形状のレジスト層７０を形成した積層体を、ＩＣＰ方式の高密度プラズマエッチング装置に配置し、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露を行った。ハロゲン含有反応性ガスとして、流量５０ｓｃｃｍ、圧力１ＰａのＣＦ４を用いた。プラズマ発生電力として、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力３００Ｗの高周波電力を印加した。なお、この際に積層体にはバイアス電力を印加しなかった。この処理によって、レジスト層７０に覆われていない部分を磁気的に変質させ、分離部４２−ｓを形成した。レジスト層７０に覆われた部分は当初の磁気特性を維持する磁性部４２−ｍとなり、図２（ｄ）に示すようにグラニュラー磁性層４２を得た。データ記録領域における磁性部４２−ｍは、幅４０ｎｍを有し、６０ｎｍの間隔で配列された同心円状の複数のトラックを構成した。
【００７０】
次いで、ＩＣＰ方式の高密度プラズマエッチング装置中において、流量５０ｓｃｃｍ、圧力１ＰａのＯ２に対して、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２００Ｗの高周波電力を印加して酸素プラズマによるアッシングを行い、図２（ｅ）に示すようにレジスト層７０を除去した。なお、この際に積層体にはバイアス電力を印加しなかった。以上の処理によって、グラニュラー磁性層４２へのダメージを少なくしつつ、レジスト層７０の剥離を行うことができた。
【００７１】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いるスパッタ法を用いて、グラニュラー磁性層４２上にＣｏＣｒＰｔ合金からなる膜厚１０ｎｍの非グラニュラー磁性層４４を形成し、磁気記録層４０を得た。
【００７２】
次いで、図２（ｇ）に示すように、スパッタ法を用いて、カーボンからなる膜厚４ｎｍの保護層５０を形成した。最後に、ディップコート法を用いてパーフルオロポリエーテルを塗布して、膜厚２ｎｍの液体潤滑剤層（不図示）を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００７３】
以上で得られた磁気記録媒体の物理的な凹凸をＡＦＭで評価した。その結果、磁性部４２−ｍと分離部４２−ｓのパターンに起因する表面の凹凸は最大０．５ｎｍであった。この凹凸は、ヘッドの浮上安定性などの観点から磁気記録媒体に求められる２ｎｍ以下という基準を満たしていた。さらに、市販の垂直磁気記録用ヘッドを用いたヘッド浮上性テストを行った。得られた磁気記録媒体を用いた場合のヘッドの媒体への接触は、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露を行わない通常の磁気記録媒体と同程度であった。このことから、本発明の磁気記録媒体が、平坦化工程を適用していないにもかかわらず、優れたヘッド浮上安定性を示すことが分かった。
【００７４】
さらに、得られた磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。その結果、データ領域において、トラックの信号特性と、トラック間隙の信号特性との差を確認することができた。このことから、本発明の磁気記録媒体において、隣接するトラックが磁気的に分離されていることを確認した。
【００７５】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順を行って、図２（ａ）に示す、基板１０、軟磁性層２０、結晶配向制御層３０、およびグラニュラー磁性層４２’を積層した３枚のサンプルを作製した。得られたサンプルのそれぞれに対して、以下の処理を施して、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露の効果を検証した。
【００７６】
最初に、磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓを形成するための処理（すなわち、レジスト塗布、ＥＢ露光、現像、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露およびレジスト剥離）を実施せずに、非グラニュラー磁性層４４、保護層５０および液体潤滑剤層を形成し、サンプルＡを得た。サンプルＡは、通常の連続膜からなる磁気記録媒体をシミュレートするサンプルである。
【００７７】
次に、レジスト塗布を行った後、ＥＢ露光および現像を行わずに、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露およびレジスト剥離を実施し、非グラニュラー磁性層４４、保護層５０および液体潤滑剤層を形成し、サンプルＢを得た。サンプルＢは、磁性部４２−ｍのみからなる磁気記録層を有する磁気記録媒体をシミュレートするサンプルである。
【００７８】
最後に、レジスト塗布を行った後、ＥＢ露光を行わずに、現像、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露およびレジスト剥離を実施し、非グラニュラー磁性層４４、保護層５０および液体潤滑剤層を形成し、サンプルＣを得た。サンプルＣは、分離部４２−ｓのみからなる磁気記録層を有する磁気記録媒体をシミュレートするサンプルである。
【００７９】
なお、上記のサンプル作製にあたって、各工程は実施例１と同様の手順によって実施した。
【００８０】
得られたサンプルＡ〜Ｃを、カー効果磁気測定により評価した。その結果を図４に示す。
【００８１】
図４から明らかなように、サンプルＡおよびＢは、それぞれ５６００Ｏｅおよび６２００Ｏｅの保磁力Ｈｃを示し、良好な強磁性特性を示した。それに対して、サンプルＣは、２０００Ｏｅ以下のＨｃを示し、磁気的に大きく変質していることが分かった。この結果から、活性化ハロゲン含有反応性ガスに対してグラニュラー磁性層を暴露した場合、たとえその上に非グラニュラー磁性層を積層したとしても、グラニュラー磁性層の変質を補償できず、良好な特性を示さなくなることが分かった。このことからも、本発明の磁気記録媒体における分離部４２−ｓが、複数の磁性部４２−ｍのそれぞれを磁気的に分離することに有効であることが分かる。
【００８２】
さらに、サンプルＣの断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した。ＴＥＭ写真を図５に示した。図５から明らかなように、グラニュラー磁性層（分離部４２−ｓ）のグラニュラー構造の非磁性粒界に相当する部分に、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露によって変質したと考えられる溝が観察された。このことから、活性化ハロゲン含有反応性ガスによる磁性層の変質が、磁気記録媒体表面に垂直方向に延びる非磁性粒界を基点として進行することが分かった。言い換えると、本発明の方法における活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露においては、磁気的な変質がランダムな方向に広がるイオン注入などとは異なり、磁気記録媒体表面に垂直方向への異方性を有する磁気的な変質が起こっている。このことは、グラニュラー磁性層４２における磁性部４２−ｍおよび分離部４２−ｓのパターンの微細化に有利である。
【００８３】
＜実施例３＞
本実施例においては、２つのグラニュラー磁性層が結合層を介して隣接し、一方のグラニュラー磁性層に磁性部および分離部が形成された磁気記録媒体を作製した。
【００８４】
実施例１と同様の手順により、基板上に、ＣｏＺｒＮｂからなる膜厚２００ｎｍの軟磁性層、および膜厚３ｎｍのＮｉＦｅＮｂ膜および膜厚１４ｎｍのＲｕ膜からなる結晶配向制御層を形成した。続いて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いるスパッタ法により、結晶配向制御層上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなる膜厚１０ｎｍの第１グラニュラー磁性層を積層した。
【００８５】
次いで、スパッタ法により、第１グラニュラー磁性層上にＲｕからなる膜厚０．５ｎｍの結合層を積層した。
【００８６】
次いで、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いるスパッタ法により、結合層上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなる膜厚５ｎｍの第２グラニュラー磁性層を積層した。
【００８７】
得られた第２グラニュラー磁性層に対して、実施例１と同様の手順により、レジスト塗布、ＥＢ露光、現像、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露およびレジスト剥離を行い、第２グラニュラー磁性層中に磁性部および分離部を形成した。
【００８８】
最後に、実施例１と同様の手順により、非グラニュラー磁性層、保護層および液体潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００８９】
以上で得られた磁気記録媒体の物理的な凹凸をＡＦＭで評価した。その結果、磁性部と分離部のパターンに起因する表面の凹凸は最大０．５ｎｍであった。この凹凸は、ヘッドの浮上安定性などの観点から磁気記録媒体に求められる２ｎｍ以下という基準を満たしていた。さらに、市販の垂直磁気記録用ヘッドを用いたヘッド浮上性テストを行った。得られた磁気記録媒体を用いた場合のヘッドの媒体への接触は、活性化ハロゲン含有反応性ガスへの暴露を行わない通常の磁気記録媒体と同程度であった。このことから、本発明の磁気記録媒体が、平坦化工程を適用していないにもかかわらず、優れたヘッド浮上安定性を示すことが分かった。
【００９０】
さらに、得られた磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。その結果、データ領域において、トラックの信号特性と、トラック間隙の信号特性との差を確認することができた。このことから、本発明の磁気記録媒体において、隣接するトラックが磁気的に分離されていることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の第１の構成例の断面図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の第１の構成例の製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の垂直磁気記録媒体の第２の構成例を説明するための断面図である。
【図４】実施例２で作製したサンプルＡ〜Ｃのカー効果磁気測定結果を示すグラフである。
【図５】実施例２で作製したサンプルＣの断面のＴＥＭ写真を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０    基板
２０    軟磁性層
３０    結晶配向制御層
４０    磁気記録層
４２（ａ，ｂ）  グラニュラー磁性層
４２（ａ，ｂ）−ｍ  磁性部
４２（ａ，ｂ）−ｓ  分離部
４４  非グラニュラー磁性層
４６  結合層
５０    保護層
７０    レジスト層
【図１】
2010113773.tif 000003
【図２】
2010113773.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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