(57)【要約】【課題】製造工程で発生する汚染ガスが光半導体素子の出射光端面に付着して出力低下する問題を回避するとともに、高出力かつ小型化を容易に図ることができ、パッケージング効率に優れる半導体レーザー等の光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】キャップ９の内外両面、もしくはこれに加えてステム上面２０ｃに、機能性有機分子８の自己組織化によって有機被膜７ａ、７ｂを形成する。機能性有機分子８は、主鎖部Ｂ１の一端にステム２ｃ側またはリード端子２ａの少なくともいずれかに金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の結合態様を呈する第一官能基Ａ１を配し、他端に包接性を呈する第二官能基Ｃ１を配した化学構造とする。【選択図】図１
2010141114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が設けられたステムに対し、前記貫通孔に絶縁材を介してリード端子が固定されるとともに、前記ステムに半導体素子が搭載され、当該半導体素子を覆うように前記ステムに対してキャップが配設されてなる光半導体装置であって、
前記ステムと、前記キャップの少なくともいずれかには、機能性有機分子の自己組織化によって形成された有機被膜が被着され、
前記機能性有機分子は、主鎖部の一端に、前記ステムまたは前記キャップの少なくともいずれかに対して金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の少なくともいずれかの結合態様を呈する第一官能基が配され、他端に包接性を呈する第二官能基が配された化学構造を有し、
前記主鎖部は、グリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上で構成されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記光半導体素子の発振波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍである
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第一官能基は、チオール化合物、スルフィド化合物、含窒素複素環化合物の内の一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記ステムは、銅又は銅合金からなるヒートシンクを有し、当該ヒートシンクに光半導体素子搭載領域が設けられている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置用キャップとその製造方法、およびこれを用いた光半導体装置に関し、特に短波長のレーザーを出射する光半導体装置の劣化防止技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光半導体装置は技術開発により、小型化とともに高出力化が図られている。さらに、特に半導体レーザーは高密度で高精細なレーザーを用いることで記録媒体への記録密度を高めるため、半導体レーザーの出力の短波長化が求められており、より高エネルギー出力を持つ光半導体装置として半導体レーザーが期待されている。
最近では、記録媒体に記憶される情報量が増大傾向にあることから、記録密度を高めるため、青や紫の短波長を出力する半導体レーザーが多用され始めており、信頼性の観点から、気密端子からなるステムタイプの光半導体装置用パッケージとともに半導体レーザー用キャップが使用されている（例えば特許文献１を参照）。
【０００３】
ここで図４は、従来の光半導体装置（半導体レーザー）１ｘの構成を示す斜視図である。
半導体レーザー１ｘは、光半導体装置用パッケージ１０ｘのステム２ｃの上面２０ｃに光半導体素子（半導体レーザー素子やレーザーダイオード素子）４がマウントされ、この光半導体素子４を覆うように、光半導体装置用キャップ９が配設されてなる。
【０００４】
光半導体装置用パッケージ１０ｘは、鉄又は鉄を主成分とする合金からなる円盤状のステム２ｃに対し、その厚み方向２カ所を貫通させてなる各々の貫通孔に、絶縁ガラス２ｂを介して鉄または鉄を主成分とした合金からなる線状のリード端子２ａを配設させ、ステム２ｃの上面２０ｃに直方体状のヒートシンク３を突出するように配設した構成を持つ。
ヒートシンク３の側面は、光半導体素子搭載部３ａであり、これに光半導体素子４の電極部がサブマウント（図示せず）を介し、はんだなどの導電性接着材により接着されている。このとき、光半導体素子４はレーザー出力がなされる光出射端面を上にして配設される。
【０００５】
なお、ヒートシンク３は必須ではなく、光半導体素子４をステム上面２０ｃ上に直接配設することもできる。
このように、構成要素２ａ〜２ｃで光半導体装置用パッケージ１０ｘの基本構造体２が形成される。
一方、光半導体素子４は２本の金等のボンディングワイヤー５、６の各一端が接続される。そしてボンディングワイヤー５、６の各他端側は、各々のリード端子２ａに接続されている。このボンディングワイヤー５、６は、超音波を印加して接合する、いわゆる超音波ワイヤーボンディング法により接続する事が出来る。
【０００６】
ステム２ｃには、光半導体素子４を保護するため、その上面に透光窓ガラス９０を有する半導体レーザー用キャップ９が前記光半導体素子４を被覆しつつ、その鍔部９１がステム上面２０ｃに接するように配設される。
このような半導体レーザー用キャップ９は、特に気密性を必要とされる短波長発光の半導体レーザーの汚染防止を目的として配設される。
【０００７】
なお、キャップ９に覆われるステム２ｃの上面には、汚染ガス吸着機能を有する吸着物質１１が配置される。これは製造工程中において、製造工程雰囲気に起因する炭化水素化合物やケイ素化合物がレーザー光の照射を受けて重合もしくは分解され、これにより発生する不純物からなる汚染ガス（以下、単に「汚染ガス」と称する。）が、光半導体素子４の光出射端面に付着して出力低下の原因となるのを防止するためである。
【特許文献１】特開２００４−１４８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように従来の半導体レーザーでは、キャップで覆われるステム上面に吸着物質１１を配設するためのスペースが必要である。一方、吸着物質としては一定量を配設しないと汚染ガスの有効な吸着効果が望めない。このことが半導体レーザーの小型化を制約する原因となる。例えば図４に示す半導体レーザー１ｘでは、ステム上面２０ｃに吸着物質１１を配設しているが、この半導体レーザー１ｘをさらに小型化する場合には、吸着物質１１の配設スペースを維持して確保しつつ、ヒートシンク３のサイズを縮小しなければならない。その結果、ヒートシンク３の熱吸収量が低下するので、半導体レーザーの出力を下げざるを得ないことになる。
【０００９】
また、半導体レーザーを高出力化すると、その動作時に光半導体素子が発する熱量が増大する。このため、半導体レーザーでは発生した熱を吸収して正常動作を行う目的で、ヒートシンクを大型する必要がある。このようにヒートシンクが大型化すると、相対的にステム上面における吸着物質の配設スペースが小さくなるので、これを確保することが困難となる問題がある。
【００１０】
例えば半導体レーザー1ｘを高出力化するためにヒートシンク３を大型化する場合、吸着物質１１の配設スペースは小さくなる。これを避けるため、ステム２ｃ自体を大型化すると、半導体レーザ１ｘの小型化は難しくなる。また、大型したステム２ｃの上面２０ｃに吸着物質１１を配設すると、半導体レーザー１ｘのパッケージング効率が著しく低下し、良好に半導体レーザーを製造できないという問題も生じうる。
【００１１】
以上のように、小型且つ高出力の半導体レーザーを製造する上では、未だ解決すべき課題が存在する。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、製造工程で発生する汚染ガスが光半導体素子の光出射端面に付着して出力低下する問題を回避するとともに、高出力かつ小型化を容易に図ることができ、パッケージング効率に優れる半導体レーザー等の光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、貫通孔が設けられたステムに対し、前記貫通孔に絶縁材を介してリード端子が固定されるとともに、前記ステムに半導体素子が搭載され、当該半導体素子を覆うように前記ステムに対してキャップが配設されてなる光半導体装置であって、前記ステムと、前記キャップの少なくともいずれかには、機能性有機分子の自己組織化によって形成された有機被膜が被着され、機能性有機分子は、主鎖部の一端に、ステムまたはキャップの少なくともいずれかに対して金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の少なくともいずれかの結合態様を呈する第一官能基が配され、他端に包接性を呈する第二官能基が配された化学構造を有し、主鎖部は、グリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上で構成されているものとした。
【００１３】
ここで、前記光半導体素子の発振波長としては４００ｎｍ〜５００ｎｍとすることもできる。
前記第一官能基は、チオール化合物、スルフィド化合物、含窒素複素環化合物の内の一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成することもできる
また前記ステムには、銅又は銅合金からなるヒートシンクを有し、当該ヒートシンクに光半導体素子搭載領域が設けられている構成とすることもできる。
【発明の効果】
【００１４】
以上の構成を有する本発明の光半導体装置では、ステムもしくはキャップの少なくともいずれか（光半導体素子の近傍が望ましい）に、機能性有機分子の自己組織化により形成される有機被膜を配設する。この有機被膜の表面側に位置する、機能性有機分子の第二官能基の構成を適宜調節し、汚染ガスに対する優れた包接性（吸着性）を発揮させることによって、従来のようにステム上面に一定のスペースを確保し、吸着物質をステムを配設しなくても、光半導体素子の出力低下を招く汚染ガスを効果的に除去することができ、安定した光半導体素子の性能を発揮することができる。
【００１５】
具体的には、機能性有機分子の主鎖部の一末端に、ステムもしくはキャップに対して結合性を呈する第一官能基を配設することで、ステムもしくはキャップに対して第一官能基が結合するとともに第二官能基が上面に配向した機能性有機分子が自己組織化し、単分子膜からなる有機被膜が形成される。ここで、第二官能基に包接性の機能を付与すれば、当該有機被膜において、光半導体素子の光出射端面に付着しうる汚染ガスを吸収・結合させることができ、光半導体素子の出力低下を未然に防ぐことが可能となる。
【００１６】
さらに、機能性有機分子の主鎖部を前記自己組織化によって緻密に配列することにより、有機被膜が形成された面における水分や酸素等の浸入が抑制されるので、例えば有機被膜をステム上の表面やリード端子の表面に形成した場合には、これらの酸化や腐食を防止することができる。
なお、本発明において、機能性有機分子から構成する有機被膜は、自己組織化現象による単分子膜として構成されるが、上記のとおり、ステムやキャップに対して結合性を有している。従って、当該有機被膜は単分子レベルの厚みしか持たない被膜でありながら、当該有機被膜が施された部分を中心とする構成要素の防腐、防錆、及び有機物付着の防止や酸化物堆積の防止といった諸々の効果を奏することができる。また、いったん有機被膜を配設した後は、これを除去する必要はない。このような機能性・構成等の点において、本願発明は一般的な表面処理剤、界面活性剤、塗料等とは全く異なっている。
【００１７】
また、本発明は、従来と同様の光半導体装置に所定の有機被膜を形成することで実現できるので、非常に高い実現性を有している。
このように本発明によれば、光半導体装置の特に半導体レーザーにおいて、汚染ガス吸着機能を有する吸着物質を配置するためのスペースを割く必要がない。また、従来の半導体レーザーに所定の機能性有機分子からなる有機被膜を形成するだけで、光半導体素子に汚染ガスが吸着・結合するのを防止できるほか、吸着物質の配設スペースによる制約を受けることなくヒートシンクの大型化を図ることができるので、光半導体装置用パッケージのパッケージング効率に優れた半導体レーザーを実現できる利点をも有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の各実施の形態を添付の図面を参照しながら説明する。
尚、当然ながら本発明はこれらの実施形式に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
＜実施の形態１＞
１．光半導体装置用パッケージとこれを用いた光半導体装置（半導体レーザー）の構成  図１は、本発明の一適用例である、光半導体素子（レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード等）を発光源とした半導体レーザー１の構成を示す斜視図である。図２（ａ）は半導体レーザー１のｘｚ平面に沿った断面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ部の模式的な拡大断面図である。
【００１９】
半導体レーザー１の全体的な構成は前述の従来構成の半導体レーザー１ｘと同様であり、半導体レーザー用パッケージ１０に光半導体素子４が実装され、これを覆うようにキャップ９が配設されてなる。半導体レーザー１の主たる特徴は、１ｘのようにステム上面２０ｃに汚染ガス吸着機能を有する吸着物質１１を配設せず、代わりにキャップ９の表面に所定の有機被膜７ａ、７ｂを成膜した点にある。
【００２０】
図１及び図２（ａ）に示されるように、光半導体装置用パッケージ１０では、厚み方向（ｚ方向）に２個の貫通孔が設けられた円盤状のステム２ｃに対し、各々の貫通孔に絶縁材（絶縁ガラス２ｂ）を介してｚ方向を長手とする線状のリード端子２ａが配設されることにより、基本構造体２が形成されている。ステム２ｃには、その上面（ステム上面２０ｃ）に直方体状のヒートシンク３が備えられている。光半導体素子（半導体レーザーダイオード）４は、ヒートシンク３の一側面を光半導体素子搭載部３ａとして搭載されている。
【００２１】
ステム２は金属材料、例えば鉄または鉄を主成分とした合金や銅または銅を主成分とした合金から構成される。
リード端子２ａは、鉄または鉄を主成分とした合金からなる線材を主体とし、その表面に機能メッキであるニッケルメッキと、極薄い金メッキを順次積層して構成される。なお、この２層のメッキはヒートシンク３を含めたステム２ｃの表面の一部以上にも形成することができる。
【００２２】
リード端子２ａとステム２ｃとを絶縁する絶縁材はガラスに限らないが、ガラスが一般的で好適である。
ヒートシンク３は、放熱特性に優れる材料からなる。例えば銅または銅合金を主成分とした合金が例示できる。
なお、ヒートシンク３の大きさ（体積）及び材料は、必要とされる放熱温度に応じて適宜選択する。例えば、放熱温度に問題が無ければヒートシンク３を省略してステム２ｃ表面に直接半導体レーザーダイオード４を配設することもできる。また、放熱温度が大きければ、ある程度大型のヒートシンク３を使用する。この場合、特に放熱特性に優れる材料を用いることが好適である。
【００２３】
２本のリード端子２ａと光半導体素子４とは、互いにボンディングワイヤー５、６にて導通接続される。
このようなヒートシンク３、光半導体素子４等が配設されたステム上面２０ｃは、これらを覆いつつ、かつ、光半導体素子４を保護してその出力が外部に取り出せるように、透光窓ガラス９０が天面に形成されたキャップ９が配設される。このときキャップ９は、その鍔部９１がステム上面２０ｃと接合するように配される。
【００２４】
ここで半導体レーザー１では、半導体レーザー用キャップ９の所定の表面（ここでは図２（ｂ）に示すように、内側と外側の両面）に、機能性有機分子８の自己組織化によって形成された有機被膜７ａ、７ｂが形成されている特徴を持つ。この有機被膜７ａ、７ｂが、光半導体素子４の出力低下を招く原因となる汚染ガスを吸着する機能を発揮する。
以下、当該有機被膜７ａ、７ｂについて詳細を説明する。
【００２５】
２．有機被膜７ａ、７ｂの構成について
図３は機能性有機分子８の模式的な構造図である。当図に示される機能性有機分子８は、第一官能基Ａ１、主鎖部Ｂ１、第二官能基Ｃ１が同順に結合されてなる。
主鎖部Ｂ１は、グリコール鎖、メチレン鎖、フルオロメチレン鎖、またはシロキサン鎖等の成分から構成される。
【００２６】
第一官能基Ａ１は、金属との結合性を呈する一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成された機能部である。
第二官能基Ｃ１は、緻密に配列することにより包接性を呈する化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成された機能部である。
このような機能性有機分子８の各々は、図２（ｂ）に示すように、キャップ９の表面に第一官能基Ａ１が配向結合し、主鎖部Ｂ１の他方末端に配された第二官能基Ｃ１が前記表面外方へ向けて配向される。これにより、分子配向性に係る化学特性（相互親和性）が整えられ、いわゆる自己組織化構造体としての単分子膜（有機被膜７ａ、７ｂ）が自然に構成されている。当該有機被膜７ａ、７ｂの膜厚は、前記機能性有機分子８の大きさに依存し、ここでは数ｎｍオーダーに調整される（図１（ｂ））。
【００２７】
これにより有機被膜７ａ、７ｂは、キャップ９の内外両面を単分子レベルのサイズで緻密に保護するとともに、結果として炭素化合物やケイ素化合物の不純物からなる汚染ガスを有機被膜７ａ、７ｂに吸着、結合させ、光半導体素子４の光を出射する端面への付着防止機能を有する。
なお、主鎖部Ｂ１は適宜側鎖が結合された構造であってもよく、更に、親水性を有するグリコール鎖を主鎖部の一部に導入する事により、疎水的親和作用と親水的親和作用の両方による強い配向性を得ることもできる。
【００２８】
以下、本実施の形態１の機能性有機分子８として取りうる化学的構造について、詳細を説明する。
（第一官能基Ａ１について）
前記の通り第一官能基Ａ１には、金属材料に対する親和性、金属結合性（配位結合を含む）、金属結合性を有することが要求される。この特性を有するものであれば、第一官能基Ａ１は、一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれであってもよい。
【００２９】
例えばチオール及びこれを含むチオール化合物、スルフィド化合物（ジスルフィド化合物等）、含窒素複素環化合物（アゾール化合物、アジン化合物等）、またはこれらの一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれかであれば、金属原子に対して水素結合性又は配位結合性を有するので好適である。
第一官能基Ａ１がチオール基（Ｒ−ＳＨ、ただし、Ｒはアルカンやアルケン等の任意の官能基）を有する場合、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）など１価以上の陽イオンになりうる金属原子に配位し、Ａｕ−Ｓ−Ｒ又はＡｇ−Ｓ−Ｒ等の共有結合により、機能性有機分子７がダイパッド３ａに被着される。同様に、第一官能基Ａ１がジスルフィド基（Ｒ１−Ｓ−Ｓ−Ｒ２）の場合、Ａｕ（−Ｓ−Ｒ１）（−Ｓ−Ｒ２）又はＡｇ（−Ｓ−Ｒ１）（−Ｓ−Ｒ２）等の共有結合がなされ、強固な結合構造が形成される。
【００３０】
第一官能基Ａ１が、アゾール化合物、アジン化合物を含む場合は、当該化合物をなす分子中の窒素原子の非共有電子対が２価以上の陽イオンになりうる金属に配位結合できる。例えば、イミダゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、トリアジン化合物等は、主にＣｕ等の金属と配位結合を形成しやすいため好適である。
なお、上記化合物の種類によっては、共有結合や配位結合または水素結合等が同時に形成されうるが、このような複数種類の結合がなされることで、より強固な結合構造を期待できるものである。
【００３１】
（主鎖部Ｂ１について）
主鎖部Ｂ１は、一般的なメチレン系有機分子及びその類型種（メチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖、グリコール鎖のうち一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれか）等を利用できる。メチレン鎖は、分子間で互いに会合し、超分子的に炭化水素鎖の緻密な炭素鎖を形成できるので好適である。また、メチレン鎖を用いれば、比較的迅速に有機被膜７ａ、７ｂを形成できることが発明者らの検討により明らかにされている。
【００３２】
主鎖部Ｂ１にフルオロメチレン鎖を用いた場合、疎水性がメチレン鎖よりも強いため、有機被膜７ａ、７ｂ形成後には当該被膜７とキャップ９との間への液体浸入（例えば水分浸入）が強く抑制される。その結果、このような液体がキャップ９に接触することが回避され、キャップ９の液体による腐食の発生を抑制することができる。
主鎖部Ｂ１にシロキサン鎖を用いた場合、耐熱性および耐候性に優れる特性が発揮される。このため、例えば光半導体素子等の実装工程において、有機被膜７ａ、７ｂが比較的高温環境下に曝された場合にも、当該被膜７自体の変質・損傷の防止効果が奏される。
【００３３】
なお、主鎖部Ｂ１にグリコール鎖を用いた場合、親水性の相互作用による有機被膜７ａ、７ｂを形成でき、水等の極性溶媒に簡単に溶解させることができる利点を有する。従って、主鎖部Ｂ１にはグリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上とグリコール鎖とで構成されたものを用いることも好適である。
（第二官能基Ｃ１）について
第二官能基Ｃ１には、緻密に配列することにより包接性を呈する機能が要求される。当該性能を有すれば、一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれの構成であってもよい。
【００３４】
例えば、包接能を有する化合物の一種であるシクロデキストリン、カリックスアレーン、クラウンエーテル、ポルフィリン錯体が挙げられる。
これらの化合物又はその誘導体等を用いれば、主鎖部Ｂ１が緻密に配列すると共に第二官能基Ｃ１も緻密に最表面で配列し、最表面が規則的な極性状態を呈するようになる。それにより、最表面の規則的な極性状態の周期より大きな分子の付着が極性反発により抑制され、結果的に最表面が包接性を呈するようになるので、キャップ９の内外両面において、炭素化合物やケイ素化合物の不純物からなる汚染ガスを効果的に吸着、結合することができる。したがって、従来のようにステム上面２０ｃに吸着物質１１を配設しなくても、光半導体素子４の光出射面への汚染ガスが付着するのを防止でき、良好な半導体レーザーの発光特性を発揮させることができる。
【００３５】
このように本発明では、キャップ９の内外表面にわたり、機能性有機分子８の自己組織化により形成される有機被膜７ａ、７ｂを配設したこと（特に、図２に示すように、キャップ９の内面９２に有機被膜７ｂを配設したこと）によって、当該有機被膜７ａ、７ｂ上に汚染ガスを容易にかつ確実に吸着、結合することができる。これにより光半導体素子４が汚染ガスにより出力低下するのを未然かつ効果的に防止できる。
【００３６】
すなわち、有機被膜７ａ、７ｂをなす機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１の一末端には、金属結合性を呈する第一官能基Ａ１が配設されており、これによって有機被膜７ａ、７ｂはヒートシンクの搭載部１０３ａ上又はリード端子１０２ａの表面に対して強固に結合される。
一方、機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１の他端側には、包接性を発揮する第二官能基Ｃ１が配列されているので、製造工程中に汚染ガスが発生しても、速やかに機能性有機分子８に吸着、結合される。これにより、汚染ガスが光半導体素子４の光出射端面に付着することを防止でき、半導体レーザーの発光特性を良好かつ安定に維持できる。
【００３７】
このような本発明の効果は、例えば記録媒体へ記憶する情報量の記録密度を高めるためにレーザー光を４００ｎｍ〜５００ｎｍに短波長化した半導体レーザーにおいて、光特性を良好に維持する場合に、特に有用である。
なお、有機被膜７ａ、７ｂは単分子膜であるが、第一官能基において、キャップ９の表面に強固に結合しているため、汚染ガスをいったん吸着・結合した有機被膜７ａ、７ｂが剥がれることはなく、汚染ガスはそのまま有機被膜７ａ、７ｂにおいて確実に保持される。
【００３８】
また、有機被膜７ａ、７ｂでは、機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１が、前記自己組織化によって緻密に配列する。これにより有機被膜７ａ、７ｂの形成面において、水分や酸素等の浸入が抑制され、部材の酸化や腐食を防止して、半導体レーザー１の長寿命化を図ることができる。
また、有機被膜７ａ、７ｂは非常に薄い膜であるため、キャップ９の内部において、汚染ガス吸着機能を有する吸着物質１１のような配設スペースはほとんど不要である。この点で本発明は、光半導体装置用パッケージもしくはこれを用いてなる半導体レーザーを小型化する場合のパッケージング効率が極めて良好である。
【００３９】
このような機能性・構成等を有する点において、本願発明は一般的な表面処理剤、界面活性剤、塗料等とは全く異なるものである。
このように本発明は、従来と同等の構成の光半導体装置用パッケージまたはこれを用いた半導体レーザにおいて、所定の機能性有機分子からなる有機被膜７ａ、７ｂを形成するだけで実現できる利点も有している。
【００４０】
なお、上記構成例ではキャップ９の内外両面に有機被膜７ａ、７ｂを形成したが、両面に形成することは必須ではなく、このうちいずれか（例えば内面９２のみ）に形成することもできる。また、キャップまたはステム上面の部分的な領域に形成しても、それなりの効果が望める。しかしながら、光半導体素子４への汚染ガスの吸着を防止する観点からは、なるべくキャップ９で覆われる範囲の全体に有機被膜７ａ、７ｂを形成するのが望ましいと言える。
【００４１】
さらに、有機被膜７ａ、７ｂはステム２ｃ側に形成してもよい。例えばキャップ９の内面に加え、ステム上面２０ｃにも有機被膜７ａ、７ｂを形成することで、一層、光半導体素子４の不純物の付着を防止する効果が望める。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の半導体レーザーは、ＬＤ発光装置、ＬＥＤ照明装置等に利用される光半導体素子を実装した光半導体装置への用途が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施の形態１に係る半導体レーザーの構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体レーザーの構成を示す、ｘｚ平面に沿った断面図と、及びＡ部の拡大断面図である。
【図３】機能性有機分子の模式的な構造を示す図である。
【図４】従来の半導体レーザーの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１、１ｘ    半導体レーザー（光半導体装置）
２ｃ    ステム  
２ａ  リード端子
２ｂ  絶縁ガラス
３  ヒートシンク
３ａ  光半導体素子搭載部
４    光半導体素子（半導体レーザーダイオード）
５、６  ボンディングワイヤー
７ａ、７ｂ  有機被膜
８  機能性有機分子
９  半導体レーザー用キャップ
１０、１０ｘ    光半導体装置用パッケージ
９０    透光窓ガラス
９１    鍔部
【図１】
2010141114.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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