(57)【要約】【課題】リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成することが可能な面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。【解決手段】本発明は、面発光半導体レーザのためのアレイ上に配列された複数の半導体構造物１４ｃを半導体ウエハ１１ａ上に形成する工程と、互いに分離された複数のレジスト領域３５ａを含むマスク３５を複数の半導体構造物１４ｃ上にそれぞれ形成する工程と、マスクを形成した後に半導体ウエハ１１ａ上に誘電体多層膜を形成し、リフトオフにより誘電体分布ブラッグ反射器を形成する工程とを備える。複数のレジスト領域３５ａは互いに分離して形成されるので、レジストの熱収縮に起因するマスクの変形は、レジスト領域３５ａ毎に生じる。この変形は互いに独立しているので、個々のレジスト領域３５ａにおけるマスク形状の変形は小さい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光半導体レーザを作製する方法であって、
面発光半導体レーザのための複数の半導体層を含みアレイ状に配列された複数の半導体構造物を半導体ウエハ上に形成する工程と、
互いに分離された複数のレジスト領域を含むマスクを前記複数の半導体構造物上にそれぞれ形成する工程と、
前記マスクを形成した後に前記半導体ウエハ上に誘電体多層膜を形成する工程と、
前記誘電体多層膜を形成した後に、リフトオフにより誘電体分布ブラッグ反射器を形成する工程と
を備え、
前記複数のレジスト領域の各々は、前記複数の半導体構造物の各々の上に形成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記半導体構造物は、半導体メサを含み、
前記半導体メサは、トンネル接合領域を含み、
当該方法は、前記半導体構造物を形成する工程の後且つ前記マスクを形成する工程の前に、前記半導体メサの上面上に電極を形成する工程を更に含み、
前記電極は開口を有し、
前記半導体メサの上面は、第１及び第２のエリアを有しており、
前記半導体メサの上面の前記第１のエリアは前記トンネル接合領域上に位置し、且つ前記電極の前記開口に露出されており、
前記半導体メサの上面の前記第２のエリアは、前記第１のエリアを囲うように設けられており、
前記電極は前記第２のエリア上に形成されており、
前記誘電体分布ブラッグ反射器は、前記電極の前記開口の上端を覆わないように、前記半導体メサの前記上面上の前記第１のエリア上に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスクは、前記電極の前記開口の側面及び前記電極の前記上面を覆うように形成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体構造物は、半導体メサを含み、
前記半導体メサは、トンネル接合領域を含み、
当該方法は、前記半導体構造物を形成する工程の後且つ前記マスクを形成する工程の前に、前記半導体メサの上面上に電極を形成する工程を更に含み、
前記電極は開口を有し、
前記誘電体分布ブラッグ反射器は、前記電極上及び前記開口内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光半導体レーザを作製する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、トンネル接合型面発光半導体レーザ装置の製造方法が記載されている。この面発光半導体レーザは、半導体多層膜からなる下部反射鏡と、活性層と、トンネル接合部と、誘電体多層膜からなる上部反射鏡とを含む。
【特許文献１】特開２００６−３５１７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１のリフトオフ法では、アレイ状に配列するようにフォトリソグラフィで形成された開口を有するレジスト膜で、半導体基板の全面が覆われる。誘電体多層膜をレジスト膜及び半導体基板上の全面に成膜した後に、アセトン等の溶液でレジスト膜を除去することにより、開口に誘電体層からなるブラッグ反射鏡が形成される。リフトオフ法においては、誘電体ブラッグ反射器はレジスト膜の開口に設けられる。面発光半導体レーザの誘電体ブラッグ反射器の直径は、例えば５０ミクロン程度であるので、レジスト膜に設けられる開口の直径も５０ミクロン程度である。レジスト膜は半導体基板の全面を覆うように設けられるので、例えば２インチウエハに面発光半導体レーザ素子を作製する場合において、レジスト膜の面積に対する開口の面積の割合は３パーセント程度である。誘電体多層膜の成膜には、蒸着、イオンプレーティング等の方法が用いられる。これらの方法においては、基板は、誘電体多層膜の成膜中に１００℃以上に加熱される。１００℃以上の温度では、レジストは熱収縮する。レジスト膜は、基盤の全面にわたって熱収縮する。この熱収縮のため、レジスト膜は部分的に変形する。このため、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器が得られないことがある。これは、レーザ発振閾値の増大及びレーザ発振不良による歩留まりの低下の原因となる。
【０００４】
本発明は、上記した問題点に鑑みてなされたものであり、リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成することが可能な面発光半導体レーザを作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る面発光半導体レーザを作製する方法は、面発光半導体レーザのための複数の半導体層を含みアレイ上に配列された複数の半導体構造物を半導体ウエハ上に形成する工程と、互いに分離された複数のレジスト領域を含むマスクを複数の半導体構造物上にそれぞれ形成する工程と、マスクを形成した後に半導体ウエハ上に誘電体多層膜を形成する工程と、誘電体多層膜を形成した後に、リフトオフにより誘電体分布ブラッグ反射器を形成する工程とを備え、複数のレジスト領域の各々は、複数の半導体構造物の各々の上に形成されることを特徴とする。
【０００６】
この方法によれば、複数のレジスト領域の各々は、複数の半導体構造物の各々の上に互いに分離して形成されるので、レジストの熱収縮に起因するマスクの変形は、レジスト領域毎に生じる。このため、個々のレジスト領域におけるマスクの変形量は小さく、変形は、互いに独立している。故に、誘電体分布ブラッグ反射器を形成するためのマスクの形状の変形は小さい。故に、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成できる。
【０００７】
本発明に係る面発光半導体レーザを作製する方法では、半導体構造物は、半導体メサを含み、半導体メサは、トンネル接合領域を含み、当該方法は、半導体構造物を形成する工程の後且つマスクを形成する工程の前に、半導体メサの上面上に電極を形成する工程を更に含み、電極は開口を有し、半導体メサの上面は、第１及び第２のエリアを有しており、半導体メサの上面の第１のエリアはトンネル接合領域上に位置し、且つ電極の開口に露出されており、半導体メサの上面の第２のエリアは、第１のエリアを囲うように設けられており、電極は前記第２のエリア上に形成されており、誘電体分布ブラッグ反射器は、電極の開口の上端を覆わないように、半導体メサの上面上の第１のエリア上に形成されることを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、誘電体分布ブラッグ反射器の形成の際に、電極の開口のエッジ上に堆積されていないので、当該誘電体分布ブラッグ反射器は、エッジ上に堆積された多層膜を含まない。故に、誘電体分布ブラッグ反射器に応力の集中が発生しない。故に、応力集中に起因した亀裂の発生が抑制される。
【０００９】
本発明に係る面発光半導体レーザを作製する方法では、マスクは、電極の開口の側面及び電極の上面を覆うように形成されることが好適である。この方法によれば、電極の開口の上端を覆わないように誘電体分布ブラッグ反射器を形成することが可能となる。
【００１０】
本発明に係る面発光半導体レーザを作製する方法では、半導体構造物は、半導体メサを含み、半導体メサは、トンネル接合領域を含み、当該方法は、半導体構造物を形成する工程の後且つマスクを形成する工程の前に、半導体メサの上面上に電極を形成する工程を更に含み、電極は開口を有し、誘電体分布ブラッグ反射器は、電極上及び開口内に形成されていることを特徴とする。この方法によれば、誘電体分布ブラッグ反射器を、電極の開口のサイズとは独立したサイズに形成できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体分布ブラッグ反射器を得ることが可能な面発光半導体レーザを作製する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の面発光半導体レーザに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１３】
図１〜図６を参照しながら、第１の実施形態に係る面発光半導体レーザを作製する方法の工程の一例を説明する。
【００１４】
図１（ａ）に示されるように、半導体ウエハ１１上に半導体ＤＢＲ層１３、第１のｎ型スペーサ層１５、活性層１７、ｐ型スペーサ層１９、高濃度ｐ型半導体層２１及び第１高濃度ｎ型半導体層２３を順次成長させる。半導体ウエハ１１は、例えばｎ型ＧａＡｓ半導体ウエハである。引き続く結晶成長は、例えば有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ）もしくは分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により行われる。
【００１５】
半導体ＤＢＲ層１３は、例えばＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ半導体とＧａＡｓ半導体とを積層してなる。半導体ＤＢＲ層１３は、面発光半導体レーザにおいて、例えばブラッグ波長１２５０ｎｍの半導体分布ブラッグ反射器を構成する。第１のｎ型スペーサ層１５は、例えばＳｉドープのＧａＡｓ半導体からなる。活性層１７は、例えばＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ半導体からなり、３層の量子井戸層を含む。ｐ型スペーサ層１９は、例えばＣドープのＧａＡｓ半導体からなる。高濃度ｐ型半導体層２１は、例えばＣドープのＩｎＧａＡｓ半導体からなる。第１高濃度ｎ型半導体層２３は、例えばＴｅドープのＩｎＧａＡｓ半導体からなる。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示されるように、トンネルメサを形成する。本実施例ではトンネルメサは以下のように形成する。高濃度ｐ型半導体層２３上に高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａを形成する。例えば、第１高濃度ｎ型半導体層２３上にマスクをフォトリソグラフィにより形成する。マスクの形状は、例えば円形である。このマスクを用いたウェットエッチングにより第１高濃度ｎ型半導体層２３を部分的に除去して、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａは形成される。高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａは、高濃度ｐ型半導体層２１とトンネル接合ＴＪを形成する。高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａの直径Ｄ１は例えば５０００ｎｍであり、厚さＴ１は１５ｎｍである。トンネルメサは上記の構造に限定されることなく、ｐ型高濃度層及びｎ型高濃度層の少なくともいずれか一方がメサ形状であることができる。
【００１７】
続いて、図１（ｃ）に示されるように、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａ上及び高濃度ｐ型半導体層２１上に、第２のｎ型スペーサ層２５を成長する。第２のｎ型スペーサ層２５は、例えばＳｉドープのＧａＡｓ半導体からなる。さらに、第２のｎ型スペーサ層２５上に第２のｎ型半導体層２７を成長する。第２のｎ型半導体層２７は、例えばＴｅドープのＧａＡｓ半導体からなる。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示されるように、半導体メサ１４ａを形成する。半導体メサ１４ａは、フォトリソグラフィによるマスクを用いて半導体層１４をエッチングして形成される。半導体メサ１４ａの高さＨ２は、例えば８００ｎｍである。半導体メサ１４ａの直径Ｄ２は、例えば２５μｍである。半導体メサ１４ａは、第１のｎ型スペーサ層１５ａ、活性層１７ａ、ｐ型スペーサ層１９ａ、高濃度ｐ型半導体層２１ａ、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａ、第２のｎ型スペーサ層２５ａ及び第２のｎ型半導体層２７ａを含む。
【００１９】
続いて、図２（ｂ）に示されるように、第２のｎ型半導体層２７に開口を形成して、コンタクト層２７ｂを形成する。第２のｎ型スペーサ層２５ａの上面は、第１のエリア２５ｂ及び第２のエリア２５ｃを有しており、第１のエリア２５ｂは、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａ上に位置する。コンタクト層２７ｂの開口は、第１のエリア２５ｂが露出するように形成される。第２のエリア２５ｃは、第１のエリア２５ｂを囲う。次に、絶縁膜２９及びパッド３０を形成する。絶縁膜の第１の部分２９ａは、半導体ＤＢＲ層１３上における、半導体メサ１４ｂが形成される領域を除く領域上に形成される。絶縁膜の第２の部分２９ｂは、半導体メサ１４ｂの側面を覆うように形成される。パッド３０は、絶縁膜２９ａの一部及び絶縁膜２９ｂの一部を覆い、半導体メサ１４ｂの高さと略同じ高さを有するように形成される。パッド３０は樹脂からなり、この樹脂は例えばポリイミド樹脂である。絶縁膜の第３の部分２９ｃは、パッド３０の側面及び上面を覆うように形成される。絶縁膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃは、例えばＳｉＮからなる。以上のようにして、行及び列に配列された半導体構造物１４ｃが形成される。
【００２０】
図３（ａ）を参照すると、半導体ウエハ１１ａ上に形成される複数の半導体構造物１４ｃの上面図が模式的に示されている。複数の半導体構造物１４ｃが、半導体ウエハ１１ａ上にアレイ状に配列されている。
【００２１】
引き続き、図２（ｃ）を参照しながら電極の形成を説明する。図２（ｃ）に示されるように、第１の電極３１及び第２の電極３３を形成する。第１の電極３１は、第２のエリア２５ｃ上且つコンタクト層２７ｂ上に形成される。また、第１の電極３１は、第２のｎ型スペーサ層２５ａの上面の第１のエリア２５ｂが露出するような開口を有するように形成される。この形成法は、例えば蒸着である。第１の電極３１の厚さＴ３は、例えば５００ｎｍである。第１の電極３１の開口の直径Ｄ３は、例えば１０μｍである。第１の電極３１は、例えばアノードであり、また例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属層からなる。第２の電極３３は、絶縁膜２９ａに設けられた開口に露出された半導体ＤＢＲ層１３と電気的に接触するように形成される。この形成は例えば蒸着法による。第２の電極３３は、例えばカソードであり、また例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属層からなる。
【００２２】
図４（ａ）に示されるように、誘電体分布ブラッグ反射器を形成するためのマスク３５を形成する。また、図３（ｂ）を参照すると、半導体ウエハ１１ａ上に形成されるマスク３５の上面図が模式的に示されている。マスク３５は、互いに分離された複数のレジスト領域３５ａを含み、複数のレジスト領域３５ａは、それぞれ複数の半導体構造物１４ｃの上に形成される。個々の半導体構造物１４ｃ上のレジスト領域３５ａは、この隣の半導体構造物１４ｃ上のレジスト領域３５ａから分離されている。マスク３５は、行方向及び列方向に延びる開口３５ｂを有するように形成され、この開口３５ｂが複数のレジスト領域３５ａを分離する。また、レジスト領域３５ａは、誘電体分布ブラッグ反射器を形成するための開口９を有するように形成される。第２のｎ型スペーサ層２５の上面の第１のエリア２５ｂは、レジスト領域３５ａの開口９に露出されている。
【００２３】
次に、図４（ｂ）に示されるように、マスク３５を用いて誘電体多層膜３７ａを成膜する。誘電体多層膜３７ａは、互いに異なる屈折率を有し交互に配置された２つの誘電体層を含み、例えばＴｉＯ２／ＳｉＯ２の７対の層から成る。この誘電体多層膜３７ｃの厚さＴ４は、例えば２４００ｎｍである。誘電体多層膜３７ａの成膜には、蒸着、イオンプレーティング等の方法が用いられる。これらの方法において、半導体ウエハ１１は、誘電体多層膜３７ａの成膜中に１００℃以上に加熱される。１００℃以上の温度では、レジストは熱収縮する。故に、誘電体多層膜３７ａの成膜中にマスク３５は変形する。しかしながら、複数のレジスト領域３５ａは、複数の半導体構造物１４ｃの上に互いに分離して形成されるので、レジストの熱収縮に起因するマスク３５の変形は、各々のレジスト領域３５ａ毎に生じる。このため、各レジスト領域３５ａにおけるマスク３５の変形量は小さい。従って、レジスト領域３５ａの開口９の形状は影響を受けない。
【００２４】
一方、図５の模式図に、上記のマスク３５と異なるマスク３６が示されている。このマスク３６は、複数の半導体構造物１４ｃ毎に互いに分離されていない。このマスク３６を用いるとき、レジストの熱収縮に起因する変形がマスク３６の全体にわたって生じるので、変形量は大きい。従って、マスク３６の開口９ａの変形量も大きくなる。このため、所望の形状を有する誘電体分布ブラッグ反射器を得ることができない。
【００２５】
続いて、図６（ｂ）に示されるように、リフトオフにより誘電体分布ブラッグ反射器３７を形成する。マスク３５を除去することにより、マスク３５上の誘電体多層膜３７ｃが除去されるので、誘電体分布ブラッグ反射器３７が形成される。図６（ａ）は、以上説明した工程により作製される面発光半導体レーザ１の上面図である。半導体ウエハ１１上に作製された半導体構造物１４ｃ上に、誘電体分布ブラッグ反射器３７、パッド３０、第１の電極３１及び第２の電極３３が設けられている。また、半導体構造物１４ｃは、マスク３５の開口３５ｂにより形成された誘電体多層膜３７ｄに四方を囲まれている。誘電体多層膜３７ｄは、行方向及び列方向の格子状に形成される。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面を示す図である。上記のとおり、誘電体多層膜３７ａの成膜中におけるレジスト領域３５ａの開口９の形状の変化は小さいので、所望の形状を有する誘電体分布ブラッグ反射器３７を得ることができる。なお、複数の半導体構造物１４ｃ間の境界に成膜された誘電体多層膜３７ｄは、除去されない。この誘電体多層膜３７ｄの幅Ｗ５は、例えば１０μｍである。
【００２６】
次に、本発明の第２の実施形態に係る面発光半導体レーザを作製する方法の工程の例を説明する。
【００２７】
図７は、第２の実施形態に係る面発光半導体レーザを作製する方法により作製される面発光半導体レーザ３の構造を示す断面図である。図７に示す面発光半導体レーザ３の誘電体分布ブラッグ反射器４３は、第１の電極３１の開口の上端を覆わないように形成される点で、第１の実施形態に係る誘電体分布ブラッグ反射器３７とは異なっている。第１の電極３１は、半導体メサ１４ｂの上面の第２のエリア２５ｃ上に形成される。誘電体分布ブラッグ反射器４３は、半導体メサ１４ｂの上面の第１のエリア２５ｂ上に形成される。図８に示されるように、第１の電極６１の開口の上端を覆うように作製された誘電体分布ブラッグ反射器６３では、製造のばらつきにより、第１の電極６１の開口の上端と接触する部分における誘電体分布ブラッグ反射器６３内の応力がばらつく。過大な応力が加わるとき、この部分に応力の集中が生じる。この応力により、クラック６５が発生することがある。このクラック６５は、面発光半導体レーザ素子の通電寿命の低下及び歩留まり低下の原因となる。
【００２８】
第２の実施形態に係る方法によれば、第１の電極３１の開口の上端から離れて誘電体分布ブラッグ反射器４３が形成されるので、誘電体分布ブラッグ反射器４３の層内において電極との接触による応力が発生しない。
【００２９】
第２の実施形態に係る面発光半導体レーザを作製する方法は、図２（ｃ）に示される電極形成の工程までは、第１の実施形態と同様である。以下に、第２の実施形態に係る面発光半導体レーザを作製する方法における電極形成の工程の後の工程を説明する。
【００３０】
図９（ａ）に示されるように、誘電体分布ブラッグ反射器を形成するためのマスク４５を形成する。マスク４５は、互いに分離された複数のレジスト領域４５ａを含み、複数のレジスト領域４５ａは、それぞれ複数の半導体構造物１４ｃの上に形成される。また、レジスト領域４５ａは、誘電体分布ブラッグ反射器４３を形成するための開口４５ｂを有するように形成され、さらに、第１の電極３１の開口の側面３１ａ及び上面を覆うように形成されることができる。レジスト領域４５ａの上面における開口４５ｂの形状は、例えば円形であり、開口４５ｂの直径Ｄ７は、第１の電極３１の開口の直径Ｄ３より小さい。このようにレジスト領域４５ａが形成されるので、第１の電極３１の開口の上端を覆わないように誘電体分布ブラッグ反射器４３を形成することが可能となる。また、第２のｎ型スペーサ層２５の上面の第１のエリア２５ｂは、レジスト領域４５ａの開口４５ｂに露出されている。
【００３１】
次に、図９（ｂ）に示されるように、マスク４５を用いて誘電体多層膜４７ａを成膜する。誘電体多層膜４７ａは、互いに異なる屈折率を有し交互に配置された２つの誘電体層を含み、例えばＴｉＯ２／ＳｉＯ２の７対の層から成る。この誘電体多層膜４７ｃの厚さＴ８は、例えば２４００ｎｍである。
【００３２】
誘電体多層膜４７ａの成膜中に、半導体ウエハ１１は１００℃以上の温度になるので、マスク４５の材料のレジストは熱収縮する。従って、マスク４５は成膜中に変形する。しかしながら、複数のレジスト領域４５ａは、複数の半導体構造物１４ｃの上に互いに分離して形成されるので、レジストの熱収縮に起因するマスク４５の変形は、レジスト領域４５ａ毎に生じる。このため、個々のレジスト領域４５ａにおけるマスク４５の変形量は小さい。従って、レジスト領域４５ａの開口４５ｂの形状の変化も小さい。
【００３３】
続いて、リフトオフにより誘電体分布ブラッグ反射器４３を形成する。マスク４５を除去することにより、マスク４５上の誘電体多層膜４７ｃが除去されるので、誘電体分布ブラッグ反射器４３が形成される。以上説明した工程により、図７に示される面発光半導体レーザ３が作製される。誘電体分布ブラッグ反射器４３の上面形状は例えば円形であり、その直径Ｄ６は例えば７μｍである。
【００３４】
誘電体分布ブラッグ反射器４３の大きさは、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａのトンネル接合領域の大きさよりも大きいことが必要である。上記のとおり、誘電体多層膜４７ａの成膜中におけるレジスト領域４５ａの開口４５ｂの形状変化は小さいので、誘電体分布ブラッグ反射器４３が所望の形状と異なる形状に作製されることを想定する必要がない。従って、誘電体分布ブラッグ反射器４３の大きさを、半導体メサ１４ｂの上面における、高濃度ｎ型トンネルメサ２３ａのトンネル接合領域上のエリアを覆うために必要な程度に小さくすることができる。故に、第１の電極３１の開口の上端を覆わないように誘電体分布ブラッグ反射器４３を小さく形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、面発光半導体レーザの作製工程を示す図である。
【図２】図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、面発光半導体レーザの作製工程を示す図である。
【図３】図３（ａ）は、半導体ウエハ上に形成される複数の半導体構造物の上面を模式的に示す図である。図３（ｂ）は、半導体ウエハ上に形成されるマスクを模式的に示す図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、面発光半導体レーザの作製工程を示す図である。
【図５】図５は、複数のレジスト領域を有さず一体に形成されるマスクを模式的に示す図である。
【図６】図６（ａ）は、面発光半導体レーザを概略的に示す上メンズである。図６（ｂ）は、面発光半導体レーザの作製工程を示す図であると共に、図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７】図７は、第２の実施形態に係る面発光半導体レーザの構造を概略的に示す図である。
【図８】図８は、誘電体分布ブラッグ反射器が、第１の電極の開口の上端を覆うように作製された場合に、製造のばらつきにより誘電体分布ブラッグ反射器に発生することがある亀裂を説明するための図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２の実施形態に係る面発光半導体レーザの作製工程を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１，３…面発光半導体レーザ、９，９ａ…開口、１１，１１ａ…半導体ウエハ、１３…半導体ＤＢＲ層、１４…半導体層、１４ａ，１４ｂ…半導体メサ、１４ｃ…半導体構造物、１５…第１のｎ型スペーサ層、１７…活性層、１９…ｐ型スペーサ層、２１…高濃度ｐ型半導体層、２３…第１高濃度ｎ型半導体層、２３ａ…高濃度ｎ型トンネルメサ、２５…第２のｎ型スペーサ層、２５ｂ…第１のエリア、２５ｃ…第２のエリア、２７…第２のｎ型半導体層、２７ｂ…コンタクト層、２９ａ，２９ｂ，２９ｃ…絶縁膜、３０…パッド、３１…第１の電極、３３…第２の電極、３５，４５…マスク、３５ａ…レジスト領域、３６…マスク、３７，４３…誘電体分布ブラッグ反射器、３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ…誘電体多層膜、４５ａ…レジスト領域、４７ａ，４７ｂ，４７ｃ…誘電体多層膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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