(57)【要約】【課題】補助容量配線とは別体の透明な補助容量用下電極を設けることにより、補助容量を従来例の液晶表示装置よりも増大化させることができ、開口率が大きく、しかも、フリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置を提供すること。【解決手段】補助容量線１３と電気的に接続される透明導電性の補助容量用下電極１５と、走査線１２、補助容量線１３及び補助容量用下電極１５を覆う第１絶縁膜１６と、ＴＦＴを覆う第２絶縁膜１９と、第２絶縁膜１９を貫通するコンタクトホール２０によってＴＦＴと電気的に接続された透明導電性の画素電極２１とを備え、補助容量用下電極１５と画素電極２１と第１、第２絶縁膜１６、１９とで補助容量を構成する。【選択図】  図３
2010091904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持した第１基板及び第２基板を備え、前記第１基板の前記液晶層側には、第
１絶縁膜と前記第１基板の間に互いに平行に形成されたそれぞれ複数の走査線及び補助容
量線と、前記第１絶縁膜の表面に前記走査線及び補助容量線と交差するように形成された
複数の信号線と、複数の前記走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素
子と、前記スイッチング素子、前記信号線及び露出している前記第１絶縁膜の表面を被覆
する第２絶縁膜と、複数の前記走査線及び信号線で区画された領域毎に前記第２絶縁膜の
表面に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、
前記第１基板と前記第１の絶縁膜との間には、複数の前記走査線及び信号線で区画され
た領域毎に前記補助容量線と電気的に接続された透明導電性材料からなる補助容量用下電
極が形成され、
前記画素電極は前記第２絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチン
グ素子の電極と電気的に接続されており、
前記補助容量下電極と前記画素電極との間で補助容量を形成したことを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子の電極は平面視で前記補助容量線と重畳する位置まで延在され、
前記コンタクトホールは平面視で前記補助容量線、前記補助容量下電極及び前記スイッチ
ング素子の電極と重畳する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。
【請求項３】
前記第２絶縁膜の前記信号線と平面視で重畳する位置には樹脂材料からなる層間膜が形
成され、前記画素電極は平面視で前記層間膜の表面において前記信号線と重畳しているこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に透明な補助容量電極を備えた補助容量が大きく、
しかも、開口率が大きい液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置はＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。
【０００３】
液晶表示装置の液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式の
ものとがある。縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の電極によ
り、概ね列方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示装置
としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。このうち、従
来のＴＮモードの液晶表示装置の一般的な構成を図６〜図９を用いて説明する。
【０００４】
図６は従来のＴＮモードの液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図７は図６の
VII−VII線の断面図である。図８は図６のVIII−VIII線の断面図である。図９Ａは図６に
示す液晶表示装置の１サブ画素部分の模式的な等価回路図であり、図９Ｂは図６に示す液
晶表示装置の１サブ画素の各部分の電圧波形を示す図である。
【０００５】
従来の液晶表示装置５０は、互いに対向配置されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ
基板ＣＦ間に液晶ＬＣを封入した構成を備えている。アレイ基板ＡＲは第１透明基板１１
を有し、この第１透明基板１１上には複数本の走査線１２及び信号線１８がゲート絶縁膜
１６を挟んでマトリクス状に形成されている。また、走査線１２及び信号線１８で囲まれ
た領域毎に補助容量用下電極５１及び画素電極２１が設けられており、この画素電極２１
は図９Ａにおいては等価的に液晶容量ＣＬＣで表わされている。通常、液晶容量ＣＬＣに
は補助容量用下電極５１及び補助容量上電極となるドレイン電極Ｄにより形成された補助
容量部Ｃｓが並列に接続されている。液晶容量ＣＬＣの一端は駆動用スイッチング素子と
しての薄膜トランジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）に接続されているとともに、他
端は第２透明基板２３の表面にカラーフィルタ層２４及びトップコート層２５を介して設
けられた共通電極２６に接続されて所定のコモン電位Ｖｃが印加されている。
【０００６】
ＴＦＴのソース電極Ｓは信号線１８に接続されて画像信号Ｖｓの供給を受け、また、Ｔ
ＦＴのドレイン電極Ｄはコンタクトホール２０を経て液晶容量ＣＬＣの一端、すなわち画
素電極２１に接続されている。さらに、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線１２に接続されて
所定の電圧を有するゲートパルスＶｇが印加されるようになされている。なお、ここに示
した液晶表示装置５０においては、各ＴＦＴ、走査線１２及び信号線１８を覆うように、
第１透明基板１１の表面全体にパッシベーション膜１９及び層間膜３４が設けられている
。画素電極２１は、層間膜３４の表面に形成されているとともに、コンタクトホール２０
を介してＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。また、画素電極２１と共通
電極２６との間には液晶ＬＣが封入されている。
【０００７】
この液晶表示装置５０においては、液晶容量ＣＬＣとゲート電極Ｇとの間には結合容量
が形成される。この結合容量は画素電極２１と走査線１２との間の浮遊容量成分ＣＳＤと
ＴＦＴ内部のゲート領域とドレイン領域との間の寄生容量成分ＣＧＤが合わさったもので
あり、後者の寄生容量成分ＣＧＤが支配的であるとともにその値は個々のＴＦＴによって
かなりのばらつきが存在している。
【０００８】
この一画素の各部分の電圧波形を図９Ｂを用いて説明する。この液晶表示装置５０にお
いては、共通電極２６に印加されるコモン電位Ｖｃは周期的に反転されており、それに伴
って信号線１８に印加される画像信号Ｖｓも周期的に反転するバイアス電圧が重畳されて
いる。まず、所定のサブ画素の選択期間中にゲートパルスＶｇがゲート電極Ｇに印加され
ると、このサブ画素のＴＦＴはオン状態になる。この時、信号線１８から供給された画像
信号ＶｓがＴＦＴを介して画素電極２１に書き込まれて、いわゆるサンプリングが行なわ
れる。次にこのサブ画素が非選択期間になると、ゲートパルスＶｇの印加が停止されてロ
ーレベルゲート電圧が印加され、ＴＦＴはオフ状態となるが、書き込まれた画像信号は液
晶容量ＣＬＣに保持されている。
【０００９】
選択期間から非選択期間に移行するとき、矩形波ゲートパルスＶｇはハイレベルからロ
ーレベルに急激に立ち下がるので、このとき前述した結合容量を介してカップリングによ
り液晶容量ＣＬＣに蓄えられた電荷が瞬間的に放電する。このため、画素電極２１に書き
込まれた画像信号Ｖｓに電圧シフトΔＶ（図示せず）が生じてしまう。したがって、液晶
表示装置５０の個々のサブ画素ごとに結合容量の値にばらつきがあるため、前記電圧シフ
トΔＶにもばらつきが生じるので、結果として液晶表示装置５０の表示画面を周期的に変
化させ、いわゆるフリッカ及び残像を生じて表示品位を著しく劣化させてしまう。
【００１０】
従来、電圧シフトΔＶの絶対量及びばらつきを抑制するため、液晶容量ＣＬＣに並列接
続されている補助容量部Ｃｓを大きめに形成するという対策が講じられていた。すなわち
結合容量を介して放電される電荷量を補うに足る電荷を予め補助容量Ｃｓに蓄えるもので
ある。そして、この補助容量部Ｃｓは、他の電極から独立した補助容量用下電極５１を補
助容量上電極となる画素電極２１に電気的に接続されたＴＦＴのドレイン電極Ｄに平面視
で重畳して配置し、その補助容量用下電極５１に共通電極２６と共通の電圧を与えるいわ
ゆるCs on Common方式の蓄積容量型のものが多く使用されている。
【００１１】
近年、携帯機器用の小型の液晶表示装置は高精細化が進んできており、それに伴い電極
／配線間の寄生容量によるクロストークが発生しやすいので、大きな補助容量Ｃｓが要求
されるようになっている。このような大きな補助容量を確保する目的で、下記特許文献１
には、第１補助容量用電極と画素電極とを重畳させ、補助容量線と接続された第２補助容
量用電極を第１補助容量用電極と重畳配置させた液晶表示装置の発明が開示されている。
また、下記特許文献２には、補助容量用電極と補助容量線とを異なる層に独立かつ重畳さ
せて形成し、画素電極と補助容量線間で第１補助容量を形成すると共に、補助容量用電極
と補助容量線との間で第２補助容量を形成した液晶表示装置の発明が開示されている。
【００１２】
しかしながら、上記特許文献１及び２に開示されている液晶表示装置においては、補助
容量Ｃｓは画素電極の領域に形成されており、この寸法を大きく設定すると画素の開口率
が犠牲になるため、十分な表示コントラストを得ることができなくなると共に透過率（輝
度）も確保できなくなる。一方、下記特許文献３には、図１０に示したように、補助容量
電極５１を従来の不透明な金属層５２に透明導電性層５３を加えた２種類の層からなるも
のとし、表示用の透明導電性材料からなる画素電極２１を補助容量の上電極として兼用す
ることによって、開口率を大きくするようにした液晶表示装置の発明が開示されている。
【００１３】
なお、図１０は上記引用文献３に開示されている液晶表示装置のアレイ基板の模式断面
図であり、図１０においては図６〜図８に示した従来例の液晶表示装置５０と同一構成部
分には同位置の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【特許文献１】特開平５−２６５０３５号公報
【特許文献２】特開平５−２６５０３６号公報
【特許文献３】特開平５−３２３３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上記特許文献３に開示されている液晶表示装置では、表示用の透明導電
性材料からなる画素電極２１はＴＦＴのドレイン電極Ｄに直接接続されている。そのため
、画素電極２１を平面視でＴＦＴと重畳する位置まで形成することができず、ＴＦＴの形
成領域まで利用して保持容量の増大化と開口率の向上化を達成することはできなかった。
また、上記特許文献３に開示されている液晶表示装置では、画素電極２１を形成した後に
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成し、その後にパッシベーション膜１９を形成する
必要がある。そのため、画素電極２１は、一端形成された後に更にエッチング雰囲気に曝
されてしまうので、画素電極の表面が荒れてしまうという問題点が存在する。加えて、表
示用と補助容量上電極を兼用する画素電極２１を信号線の近傍にまで延在させると、信号
線と画素電極２１に寄生容量が生じてフリッカやクロストーク等が生じ易くなる。このた
めに画素電極２１と信号線とが平面視で重ならないようにする対策方法が考えられるが、
そうすると補助容量のみならず開口率も小さくなるという問題があった。
【００１５】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、補助容量
配線とは別体の透明な補助容量用下電極を設け、且つ、従来例の液晶表示装置よりも補助
容量を大きく形成することができるとともに開口率も大きくすることができ、フリッカや
クロストーク等が生じ難い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持した第１基板及び第
２基板を備え、前記第１基板の前記液晶層側には、第１絶縁膜と前記第１基板の間に互い
に平行に形成されたそれぞれ複数の走査線及び補助容量線と、前記第１絶縁膜の表面に前
記走査線及び補助容量線と交差するように形成された複数の信号線と、複数の前記走査線
及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子、前記
信号線及び露出している前記第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、複数の前記走査
線及び信号線で区画された領域毎に前記第２絶縁膜の表面に形成された画素電極と、を備
えた液晶表示装置において、前記第１基板と前記第１絶縁膜との間には、複数の前記走査
線及び信号線で区画された領域毎に前記補助容量線と電気的に接続された透明導電性材料
からなる補助容量用下電極が形成され、前記画素電極は前記第２絶縁膜に形成されたコン
タクトホールを介して前記スイッチング素子の電極と電気的に接続されており、前記補助
容量下電極と前記画素電極との間で補助容量を形成したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、補助容量線とは別体の透明な補助容量用下電極を備えており
、この補助容量下電極は、透明であるために、走査線及び信号線で区画された領域毎に広
い面積で形成することができる。また、画素電極は、コンタクトホールを介してスイッチ
ング素子の電極と電気的に接続されているので、補助容量下電極と第１の絶縁膜及び第２
の絶縁膜を介して対向配置されていることになる。そのため、本発明の液晶表示装置によ
れば、画素電極は補助容量上電極として作動し、画素電極と補助容量下電極との間に、第
１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を誘電体とする大きな容量の補助容量が形成され、開口率が
大きく、しかも、フリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置を提供することがで
きる。加えて、本発明の液晶表示装置においては、上記特許文献３に開示されている発明
のように、画素電極が形成された後にエッチング雰囲気に曝されることがないので、画素
電極表面が荒れることがなく、均一な品質の液晶表示装置が得られる。
【００１８】
本発明の液晶表示装置においては、前記スイッチング素子の電極は平面視で前記補助容
量線と重畳する位置まで延在され、前記コンタクトホールは平面視で前記補助容量線、前
記補助容量下電極及び前記スイッチング素子の電極と重畳する位置に形成されていること
が好ましい。
【００１９】
通常、補助容量線は、走査線と同時に形成されるため、不透明な金属材料で形成される
。補助容量線と補助容量下電極は電気的に接続されていればよいため、補助容量線は補助
容量下電極の上又は下の何れにも形成できる。更に、本発明の液晶表示パネルでは、スイ
ッチング素子の電極は平面視で前記補助容量線と重畳する位置まで延在されているので、
画素電極とスイッチング素子の電極、すなわちスイッチング素子がＴＦＴの場合にはドレ
イン電極、と電気的に接続するためのコンタクトホールは、平面視で補助容量線、補助容
量下電極及びスイッチング素子の電極と重畳する位置に形成することができる。このよう
な構成とすると、スイッチング素子と補助容量線との間の距離を短くすることができ、し
かも、不透明なスイッチング素子の電極及び補助容量線が重畳している狭い面積範囲で画
素電極とスイッチング素子との間の電気的接続を確保することができるため、１サブ画素
内に占める不透明な部分の面積を小さくできる。そのため、本発明の液晶表示装置によれ
ば、透過表示に有効に使用できる領域の面積が相対的に広くなるため、開口率が大きく、
しかも、フリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置が得られる。
【００２０】
本発明の液晶表示装置においては、前記第２絶縁膜の前記信号線と平面視で重畳する位
置には樹脂材料からなる層間膜が形成され、前記画素電極は平面視で前記層間膜の表面に
おいて前記信号線と重畳していることが好ましい。
【００２１】
画素電極を信号線と部分的に重畳するように形成すると、１サブ画素内の画像表示に利
用できない部分の面積を減らすことができるが、画素電極と信号線との間に生じる寄生容
量が大きくなる。この寄生容量はフリッカやクロストークの原因となる。しかしながら、
本発明の液晶表示装置においては、第２絶縁膜の信号線と平面視で重畳する位置に樹脂材
料からなる層間膜を形成し、画素電極は平面視で層間膜の表面において信号線と重畳する
ように形成されているため、画素電極と信号線との間の距離が長くなる。そのため、本発
明の液晶表示装置によれば、１サブ画素内の画像表示に利用できない領域の面積が減ると
共に画素電極と信号線との間に生じる寄生容量が小さくなるので、より開口率が大きく、
しかも、よりフリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、実施形態及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明するが、
以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものでは
なく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行った
ものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられ
た各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されて
いるものではない。
【００２３】
図１は第１実施形態の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１サブ画素
分の平面図である。図２は図１のII−II線の断面図である。図３は図１のIII−III線の断
面図である。図４は第２実施形態の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した
１サブ画素分の平面図である。図５は図４のＶ−Ｖ線の断面図である。
【００２４】
［第１実施形態］
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａを図１〜図３を用いて説明する。なお、図１〜図３
においては図６〜図８に示した従来例の液晶表示装置５０と同一構成部分には同一の参照
符号を付与して説明する。この液晶表示装置１０Ａは縦電界方式のＴＮモードで作動する
ものである。この液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは、透明な絶縁性を有するガラス
等からなる第１透明基板１１上には、液晶ＬＣに面する側に、アルミニウムやモリブデン
等の金属からなる複数の走査線１２が等間隔で平行に形成されている。なお、走査線１２
は、ＴＦＴのゲート電極Ｇの形成予定位置が部分的に幅広に形成されている。また、隣り
合う走査線１２間の走査線１２側には、同じくアルミニウムやモリブデン等の金属からな
る補助容量線１３が形成されている。なお、補助容量線１３には、図１に示すように、後
述のコンタクトホール２０と平面視で重畳する部分が幅広に形成されている。
【００２５】
図３に示すように、走査線１２及び後述する信号線１８で囲まれた領域毎に、平面視で
走査線１２及び信号線１８と重畳しないように配置されていると共に、補助容量線１３と
電気的に接続されたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等
の透明導電性材料からなる補助容量用下電極１５が形成されている。
【００２６】
また、走査線１２、補助容量線１３、補助容量用下電極１５及び第１透明基板１１の露
出部分を覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜１６が積
層されている。このゲート絶縁膜１６が本発明の第１絶縁膜に対応する。そして、ゲート
電極Ｇの形成予定位置のゲート絶縁膜１６上には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどか
らなる半導体層１７が形成されている。また、ゲート絶縁膜１６上にはアルミニウムやモ
リブデン等の金属からなる複数の信号線１８が走査線１２と交差するようにして形成され
ており、この信号線１８からはＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半
導体層１７の表面と部分的に接触している。
【００２７】
更に、信号線１８及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄが
ゲート絶縁膜１６上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層１７と部分的に接触している。また、ドレイン電極Ｄは、図１に示すように
、後述のコンタクトホール２０に対応する部分まで延在されている。上述の走査線１２と
信号線１８とに囲まれた領域が１サブ画素領域に相当する。そしてゲート電極Ｇ、ゲート
絶縁膜１６、半導体層１７、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子と
なる薄膜トランジスタＴＦＴが構成され、それぞれのサブ画素にこのＴＦＴが形成されて
いる。
【００２８】
更に、信号線１８、ＴＦＴ及びゲート絶縁膜１６の露出部分を覆うようにして例えば窒
化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜１９が積層されている。この
パッシベーション膜１９が本発明の第２絶縁膜に対応する。また、パッシベーション膜１
９には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が形成されてい
る。そして、それぞれのサブ画素において、コンタクトホール２０の内面、パッシベーシ
ョン膜１９の表面及びパッシベーション膜１９の開口となるドレイン電極Ｄの表面を被覆
するようにＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる画素電極２１が形成されてい
る。この画素電極２１は、開口率を大きくするために、信号線１８と平面視で部分的に重
畳するように形成されている。更に、画素電極２１の表面には全ての画素を覆うように例
えばポリイミドからなる第１配向膜２２が積層されている。
【００２９】
また、カラーフィルタ基板ＣＦには、透明な絶縁性を有するガラス等からなる第２透明
基板２３の表示領域上であって液晶ＬＣに面する側に、それぞれの画素に対応して形成さ
れる例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状
のカラーフィルタ層２４が設けられている。また、カラーフィルタ層２４の表面には透明
樹脂層からなるトップコート層２５が形成され、このトップコート層２５の表面にはカラ
ーフィルタ基板ＣＦの全面に亘ってＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる共通
電極２６が積層され、更に、共通電極２６の表面には例えばポリイミドからなる第２配向
膜２７が積層されている。そして、カラーフィルタ基板ＣＦの液晶ＬＣに面する側の表面
には、アレイ基板ＡＲの走査線１２、信号線１８及びＴＦＴに対応する位置に遮光部材２
８が形成されている。
【００３０】
このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向さ
せ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に液晶ＬＣ
を充填することにより第１実施形態に係るＴＮ方式の液晶表示装置１０Ａが得られる。な
お、液晶層ＬＣを所定の厚みに保持するためのスペーサ（不図示）がカラーフィルタ基板
ＣＦに形成されており、アレイ基板ＡＲの背面には第１偏光板２９が貼り付けられており
、カラーフィルタ基板ＣＦの表示面側には第２偏光板３０が貼り付けられている。また、
第１偏光板２９の背面には、従来例の液晶表示装置の場合と同様に、図示しない周知の光
源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置３１が配置されている。
【００３１】
この第１実施形態の液晶表示装置１０Ａにおいては、図３に示すように、画素電極２１
はパッシベーション膜１９を貫通するコンタクトホール２０によってＴＦＴのドレイン電
極Ｄと接続されているので、画素電極２１は平面視で薄膜トランジスタＴＦＴと重畳する
ように形成することが可能である。そのため、図１に示すように、画素電極２１を走査線
１２と信号線１８で囲まれる領域のほとんどを占めるように形成することができるので、
開口率が大きくすることができるようになる。
【００３２】
また、補助容量用下電極１５は、走査線１２及び信号線１８と平面視で重ならない領域
であれば形成可能であり、補助容量用下電極１５は、ＴＦＴに対応する部分を除いて、画
素電極２１と略同じ領域に形成されている。そして、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａ
においては、透明な補助容量用下電極１５を下電極とし、透明な画素電極２１を補助容量
用上電極とし、透明なゲート絶縁膜１６及びパッシベーション膜１９を誘電体として補助
容量が形成されている。補助容量はＴＦＴがオフになっても画像信号を保持するものであ
り、この補助容量形成領域の面積が広いために、補助容量を大きくすることができ、フリ
ッカやクロストークを低減することができる。また、補助容量形成領域は透明であるので
、開口率を向上させることができる。なお、補助容量用下電極１５は補助容量線１３の上
層を覆うように形成されているが、補助容量用下電極１５は補助容量線１３と電気的に結
合されていればよいので、補助容量用下電極１５の表面に補助容量線１３を形成してもよ
い。
【００３３】
［第２実施形態］
第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂを図４、図５を用いて説明する。図４は第１実施形
態の液晶表示装置１０Ａの図１に対応する１サブ画素分の平面図であり、図５は同じく図
２に対応する断面図である。なお、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、第１
実施形態の液晶表示装置１０Ａの図３に対応する断面図は実質的に同一であるので、図示
省略し、また、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が同一の箇所には同一の参照符
号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００３４】
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、開口率を大きくするために、画素電極２１は
信号線１８と平面視で部分的に重畳するように形成されているため、画素電極２１と信号
線１８との間に寄生容量が形成されるので、フリッカやクロストークの原因となる。そこ
で、この第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂは、平面視で信号線１８と重なるように、パ
ッシベーション膜１９と画素電極２１の間にフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる層
間膜３２を形成したものである。この層間膜３２によって、信号線１８と画素電極２１の
距離を大きくすることができる。そのため、画素電極２１を信号線１８と平面視で部分的
に重畳するように形成しても、信号線１８と画素電極２１との間に形成される寄生容量を
低減することができ、フリッカやクロストークを低減することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１サブ画素分の平面図である。
【図２】図１のII−II線の断面図である。
【図３】図１のIII−III線の断面図である。
【図４】第２実施形態の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１サブ画素分の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】従来のＴＮモードの液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図７】図６のVII−VII線の断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII線の断面図である。
【図９】図９Ａは図６に示す液晶表示装置の１サブ画素部分の模式的な等価回路図であり、図９Ｂは図９に示す液晶表示装置の１サブ画素の各部分の電圧波形を示す図である。
【図１０】別の従来例の液晶表示装置のアレイ基板の模式断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０Ａ、１０Ｂ…液晶表示装置  １１…第１透明基板  １２…走査線  １３…補助容量
線  １５、５１…補助容量用下電極  １６…ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）  １７…半導体
層  １８…信号線  １９…パッシベーション膜（第２絶縁膜）  ２０…コンタクトホール
２１…画素電極  ２２…第１配向膜  ２３…第２透明基板  ２４…カラーフィルタ層  
２５…トップコート層  ２６…共通電極  ２７…第２配向膜  ２８…遮光部材  ２９…第
１偏光板  ３０…第２偏光板  ３１…バックライト装置  ３２、３４…層間膜  ＬＣ…液
晶層  ＡＲ…アレイ基板  ＣＦ…カラーフィルタ基板  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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