(57)【要約】【課題】基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置を提供する。【解決手段】第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ１と、複数の被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜２０ｃをそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタ１１，２１を搬送する搬送部８とを備え、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切り第１の凸部に処理室４を定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切り第２の凸部にロードロック室７を定義し、第１及び第２のサセプタ１１，２１をロードロック室７と処理室４との間を交互に搬送する。【選択図】図１
2010242152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、
複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタを搬送する搬送部とを備え、
前記チャンバの内部において、前記第１の凸部がなす領域の直下を前記第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第１の凸部に処理室を定義し、
前記チャンバの内部において、前記第２の凸部がなす領域の直下を、前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第２の凸部にロードロック室を定義し、
前記第１及び第２のサセプタを前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送し、前記処理室において前記複数の被処理基板を処理し、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第１及び第２のサセプタを交互に搬送することを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記搬送部が、
前記第１及び第２のサセプタをそれぞれ支持して、前記第１及び第２のサセプタをそれぞれ昇降させる第１及び第２の昇降部と、
前記第１及び第２のサセプタを、前記第１の凸部がなす領域の直下、及び前記第２の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体
とを備えることを特徴とする請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の昇降部が、前記第１及び第２のサセプタを同時に昇降させることを特徴とする請求項２に記載の真空装置。
【請求項４】
前記第１及び第２のサセプタが上昇して、前記第１の凸部がなす領域の直下を前記第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切り、
前記第２の凸部がなす領域の直下を、前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空装置。
【請求項５】
第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第１及び第２のサセプタを含むサセプタのセットであって、
前記第１及び第２のサセプタのそれぞれが、
前記チャンバの内部において、前記第１の凸部がなす領域の直下を前記第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第１の凸部に処理室を定義し、前記第２の凸部がなす領域の直下を、前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第２の凸部にロードロック室を定義することが可能な真空仕切板と、
前記真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、前記真空仕切板より小さな専有面積で、前記真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、
前記基板載置部と前記真空仕切板の間に挟まれ、前記複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部
とを備え、前記第１及び第２のサセプタが、前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送され、前記処理室において前記複数の被処理基板が処理され、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第１及び第２のサセプタが交互に搬送されることを特徴とするサセプタのセット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置に係り、特に加熱部（ヒータ）を有する真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットに関する。
【背景技術】
【０００２】
化学気相成長（ＣＶＤ）装置等の真空装置が太陽電池製造プロセスや半導体製造プロセス等で用いられる。真空装置では、被処理基板を加熱し成膜プロセス等の処理が行われる（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
従来の真空装置では、ロードロック室と処理室とがインラインに配置され、ロードロック室及び処理室の内部には、被処理基板を搬送する搬送系が設置されている。
【０００４】
ロードロック室及び処理室内には基板加熱用及び基板保温用のヒータがそれぞれ設けられるため、ロードロック室及び処理室内は高温環境である。また、処理室内は、成膜プロセスによるパウダー状の副生成物や着膜剥離片等のダストの多い環境である。
【０００５】
このような環境内に基板の搬送系が設置されると、ベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等により搬送駆動のトラブルが短期間のうちに発生する可能性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２９５５５１号公報
【特許文献２】特開２００１−２３９１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、（イ）第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、（ロ）複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタを搬送する搬送部とを備え、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第１の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第２の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義し、第１及び第２のサセプタをロードロック室側から処理室側に交互に搬送し、処理室において複数の被処理基板を処理し、この処理後、処理室側からロードロック室側に第１及び第２のサセプタを交互に搬送する真空装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様は、第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第１及び第２のサセプタを含むサセプタのセットに関する。この他の態様に係る第１及び第２のサセプタのそれぞれによれば、（イ）第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第１の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第２の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義することが可能な真空仕切板と、（ロ）真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、真空仕切板より小さな専有面積で、真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、（ハ）基板載置部と真空仕切板の間に挟まれ、複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部とを備える。そして、第１及び第２のサセプタが、ロードロック室側から処理室側に交互に搬送され、処理室において複数の被処理基板が処理され、該処理後、処理室側からロードロック室側に第１及び第２のサセプタが交互に搬送される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る真空装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る真空装置の第１及び第２のサセプタ及び回転体の一例を示す概略上面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図４に引き続く概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図５に引き続く概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図６に引き続く概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図７に引き続く概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図８に引き続く概略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための９４に引き続く概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１０に引き続く概略断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１１に引き続く概略断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１２に引き続く概略断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１３に引き続く概略断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１４に引き続く概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１５に引き続く概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１３】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１４】
（真空装置）
本発明の実施の形態に係る真空装置は、図１に示すように、第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ１と、複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃをそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタ（サセプタのセット）１１，２１を搬送する搬送部８とを備える。本発明の実施の形態に係る真空装置では、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第１の凸部に処理室４がチャンバ１の内部に定義される。また、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第２の凸部にロードロック室７がチャンバ１の内部に定義される。なお、「第１の凸部」及び「第２の凸部」は単なる定義の問題であって、図１では、便宜上、チャンバ３０の上部の左側の領域を「第１の凸部」、チャンバ３０の上部の右側の領域を「第２の凸部」と定義しているが、逆に、図１の右側を「第１の凸部」、図１の左側を「第２の凸部」と定義しても良く、更には、第１の凸部がなす密閉領域がロードロック室７として定義され、第２の凸部がなす密閉領域が処理室４として定義されるとしても良い。
【００１５】
そして、第１及び第２のサセプタ１１，２１をロードロック室７側から処理室４側に交互に搬送し、処理室４において複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃを処理し、この処理後、処理室４側からロードロック室７側に第１及び第２のサセプタ１１，２１を交互に搬送する。
【００１６】
本発明の実施の形態に係る真空装置としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長（ＣＶＤ）装置等が採用できる。
【００１７】
被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃとしては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン（Ｓｉ）等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃとして用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００１８】
処理室４にはプラズマ放電のための電極５が配置されている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が上記のＣＶＤ装置の例では、処理室４には、図示を省略するが、処理室４内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室４の温度を検出する温度センサ、処理室４内を真空排気する真空ポンプ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）装置ならばクヌーセンセルが、スパッタリング装置ならば放電電極が、真空蒸着装置ならば電子ビーム（ＥＢ）装置等が処理室４に備えられている。
【００１９】
ロードロック室７は、チャンバ１を大気に開放しないよう被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃを出し入れする機構を備える。ロードロック室７は、Ｏリング６１を介してチャンバ１と接続する開閉可能な蓋６を備える。又、ロードロック室７には、図示を省略するが、ロードロック室７内を真空排気する真空ポンプが設置されている。
【００２０】
第１のサセプタ１１は、第１及び第２の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第１の真空仕切板１２と、第１の真空仕切板１２上に配置された第１の加熱部（ヒータ）１３と、第１の加熱部１３上に配置され、複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃをそれぞれ載置する第１の基板載置部１４とを備える。第２のサセプタ２１は、第１及び第２の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第２の真空仕切板２２と、第２の真空仕切板２２上に配置された第２の加熱部（ヒータ）２３と、第２の加熱部２３上に配置され、複数の被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃをそれぞれ載置する第２の基板載置部２４とを備える。第１及び第２の加熱部１３，２３としては、プレートヒータやランプヒータ等が使用可能である。第１及び第２の加熱部１３，２３は、第１及び第２のサセプタ１１，２１のそれぞれを、設定温度（成膜プロセス温度）に保持する。第１及び第２の加熱部１３，２３は例えば回転軸２の内部を介して電源に接続されている。第１の真空仕切板１２の周辺部は、真空シール部として平坦な上面が露出し、Ｏリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。第２の真空仕切板２２の周辺部も真空シール部として機能するように平坦な上面が露出し、第２の真空仕切板２２の周辺部がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。
【００２１】
第１の基板載置部１４は、図１及び図２に示すように、被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉを載置する。第２の基板載置部２４は、被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉを載置する。第１及び第２の基板載置部１４，２４のそれぞれは、例えばカーボンからなる均熱板である。なお、図２では便宜上、第１の基板載置部１４に９つの被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉが載置され、第２の基板載置部２４に９つの被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉが載置された場合を図示しているが、第１及び第２の基板載置部１４，２４の表面のサイズ、第１及び第２の基板載置部１４，２４に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されないが、第１の真空仕切板１２の周辺部及び第２の真空仕切板２２の周辺部が真空シール部として露出するように、第１及び第２の基板載置部１４，２４は、真空仕切板１２，２２よりも小さな専有面積で、真空仕切板１２，２２の上方に配置される。
【００２２】
図１に示した搬送部８は、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ支持する第１及び第２のサセプタ支持部１５，２５と、第１及び第２のサセプタ支持部１５，２５にそれぞれ取り付けられ、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ昇降させる第１及び第２の昇降部１６，２６と、第１及び第２のサセプタ１１，２１を載置し、第１及び第２のサセプタ１１，２１が、第１の凸部がなす領域の直下、及び第２の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体３と、回転体を回転させる回転軸２を備える。回転体３には第１及び第２のサセプタ支持部１５，２５が貫通する大きさの開口部が設けられている。回転体３を回転させる際には、回転体３の上面に第１及び第２のサセプタ１１，２１が載置される。そして、第１及び第２のサセプタ支持部１５，２５が第１及び第２のサセプタ１１，２１と分離し、第１及び第２の加熱部１３，２３、第１及び第２のサセプタ支持部１５，２５が回転体３よりも下方に退避される。
【００２３】
第１の昇降部１６は、第１のサセプタ支持部１５を介して、第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかを、回転体３上からロードロック室７の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第２の昇降部２６は、第２のサセプタ支持部２５を介して、第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかを、回転体３上から処理室４の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第１及び第２の昇降部１６，２６は、第１及び第２のサセプタ１１，２１を同時に昇降させてもよく、個別に昇降させることも可能である。
【００２４】
回転軸２には、真空導入継手（真空ポンプ）９が取り付けられている。真空ポンプ９により、チャンバ１内は真空に維持される。本発明の実施の形態においては、処理室４の図示を省略した真空ポンプ及びチャンバ１の真空ポンプ９により、処理室４及びチャンバ１内を個々に真空排気しても良い。また、真空ポンプ９により処理室４及びチャンバ１内を一括して真空排気する構成であっても良い。また、真空ポンプ９がなく、処理室４の図示を省略した真空ポンプにより、処理室４及びチャンバ１内を一括して真空排気する構成であっても良い。
【００２５】
（真空装置の動作方法）
次に、本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法を、図３のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２６】
（イ）ステップＳ１１において、図４に示すように、第１の昇降部１６を駆動して第１のサセプタ１１を上昇させる。第１の真空仕切板１２がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。ロードロック室７内を大気圧に戻した後、図５に示すように、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて第１の基板載置部１４に被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃを載置する。その後、蓋６を閉じ、ロードロック室７内が真空排気される。第１の加熱部１３は常時オンしており、第１の加熱部１３により第１の基板載置部１４を介して被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃは加熱され設定温度（成膜プロセス温度）まで瞬時に昇温される。
【００２７】
（ロ）ステップＳ１２において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図６に示すように、第１の昇降部１６を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバ１に導入する。第１のサセプタ１１が回転体３上まで降下した後、図７に示すように、回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１が処理室４及びロードロック室７直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図８に示すように、第１及び第２の昇降部１６，２６を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１を同時にそれぞれ上昇させる。この結果、真空シール部として機能する第２の真空仕切板２２の周辺部がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、真空シール部として機能する第１の真空仕切板１２の周辺部がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００２８】
（ハ）ステップＳ１３において、処理室４において被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃに対して成膜プロセスが行われる。処理室４内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃは予め設定温度（成膜プロセス温度）まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第１の加熱部１３により被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃの温度が設定温度（成膜プロセス温度）に保持される。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ１４において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、図９に示すようにロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて第２の基板載置部２４に被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃを載置する。その後、蓋６を閉じ、ロードロック室７内が真空排気される。このとき、第２の加熱部２３は常時オンしており、第２の加熱部２３により第２の基板載置部２４を介して被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃは加熱され設定温度（成膜プロセス温度）まで瞬時に昇温する。
【００２９】
（ニ）ステップＳ１５において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図１０に示すように、第１の昇降部１６を駆動して第２のサセプタ２１を降下させ、第２のサセプタ２１を予め真空排気されたチャンバ１に導入する。一方、処理室４側では、成膜プロセスが終了した後、第２の昇降部２６を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバ１に導入する。第１及び第２のサセプタ１１，２１がそれぞれ回転体３上まで降下した後、図１１に示すように回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１がロードロック室７及び処理室４直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図１２に示すように、第１及び第２の昇降部１６，２６を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ上昇させる。第２の真空仕切板２２がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、第１の真空仕切板１２がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００３０】
（ホ）ステップＳ１６において、処理室４において被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対して成膜プロセスが行われる。処理室４内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃは予め設定温度（成膜プロセス温度）まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第２の加熱部２３により被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃの温度が設定温度（成膜プロセス温度）に保持される。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ１７において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃを回収する。ステップＳ１８において、未処理の被処理基板があれば、ステップＳ１９において、図示を省略した移載機を用いて図１３に示すように第１の基板載置部１４に未処理の被処理基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃを載置する。
【００３１】
（ヘ）ステップＳ２０において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図１４に示すように、第１の昇降部１６を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバ１に導入する。一方、処理室４側では、成膜プロセスが終了した後、第２の昇降部２６を駆動して第２のサセプタ２１を降下させ、第２のサセプタ２１を予め真空排気されたチャンバ１に導入する。第１及び第２のサセプタ１１，２１がそれぞれ回転体３上まで降下した後、図１５に示すように回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１が処理室４及びロードロック室７直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図１６に示すように、第１及び第２の昇降部１６，２６を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ上昇させる。第１の真空仕切板１２がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、第２の真空仕切板２２がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００３２】
（ト）処理室４側では、ステップＳ１３に戻り、処理室４内が所定圧力まで真空排気された後、被処理基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃが加熱部により所定温度に保持されて成膜プロセスが行われる。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ２１において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃを回収する。ステップＳ２２において、未処理の被処理基板があれば、ステップＳ１４に戻り、移載機を用いて第１の基板載置部１４に未処理の被処理基板を載置する。こうして処理室４における成膜処理を順次繰り返し、所定のロット数の成膜処理を行う。
【００３３】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、搬送部８が高温環境を形成する第１及び第２の加熱部１３，２３、ダスト環境である処理室４から隔離されるので、ロードロック室と処理室をインラインに配置した場合と比して、搬送系のベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等の頻度を減少させることができる。よって、搬送駆動のトラブルを回避でき、搬送系の寿命を延ばすことができる。
【００３４】
更に、第１及び第２のサセプタ１１，２１が第１及び第２の加熱部を有しているので、第１及び第２の基板載置部１４，２４に載置した被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃを瞬時に加熱することができる。よって、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。
【００３５】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の実施の形態に係る真空装置は、ＣＶＤ装置の他にも、例えば、ＳｉＯ2膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等をリフロー（メルト）する熱真空装置、ＣＶＤ酸化膜等のデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００３６】
１…チャンバ
２…回転軸
３…回転体
４…処理室
５…電極
６…蓋
７…ロードロック室
８…搬送部
９…真空ポンプ
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ…被処理基板
１１…第１のサセプタ
１２…第１の真空仕切板
１３…第１の加熱部
１４…第１の基板載置部
１５…第１のサセプタ支持部
１６…第１の昇降部
２１…第２のサセプタ
２２…第２の真空仕切板
２３…第２の加熱部
２４…第２の基板載置部
２５…第２のサセプタ支持部
２６…第２の昇降部
４１，６１，６２…Ｏリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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