(57)【要約】【課題】マスク交換することなく、ワークへのレーザ光線の結像幅である加工ラインの幅を容易に調整可能として、作業の効率化やコスト上昇を抑える。【解決手段】光学系５５のミラー５６とリレーレンズ５７との間に、レーザ光線Ｌの光軸と直交する平板状のマスク６０を配設する。マスク６０は水平方向に移動可能とし、マスク６０に形成した移動方向に延びる細長い台形状の開口６１に、レーザ光線Ｌを透過させる。ウェーハ１には開口６１を透過する部分のレーザ光線Ｌの断面形状が結像する。マスク６０を移動させることにより、ウェーハ１へのレーザ光線Ｌの結像幅を調整可能とした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持された前記ワークにレーザ光線を照射する発振器、および該レーザ光線を前記ワークに導いて該レーザ光線の焦点を該ワークの所望箇所に結ぶ光学系を備えたレーザ加工手段と
を含むレーザ加工装置であって、
前記レーザ加工手段の前記光学系は、
前記レーザ光線が透過する透過部を有し、該透過部を透過させることにより前記レーザ光線の照射領域の一部を遮光するマスクと、
該マスクを、前記レーザ光線の光軸と略直交する方向に移動させることにより、前記透過部を透過する前記レーザ光線の遮光領域を変化させて、前記ワークへの該レーザ光線の結像幅を変化させるマスク移動手段と
を少なくとも備えることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記透過部は、前記マスクの移動方向に向かうにしたがって幅が変化するテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークにレーザ光線を照射して溝やスリット等を形成するレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのチップ製造工程においては、略円板状の半導体ウェーハの表面に、格子状に配列された分割予定ラインによって多数の矩形状のチップ領域を区画し、これらチップ領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成した後、ウェーハに対して裏面研削など必要な処理を行ってから、ウェーハを分割予定ラインに沿って切断して分割する、すなわちダイシングして、各チップ領域を半導体チップとして得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やＰＣ（パーソナル・コンピュータ）等の各種電気・電子機器に広く用いられている。
【０００３】
ウェーハを半導体チップに個片化するダイシングの手段としては、高速回転させた薄い円板状のブレードをウェーハに切り込ませるブレードダイシングが一般的である。一方、近年では、透過性のレーザ光線を分割予定ラインに沿って照射することによりウェーハをダイシングするレーザダイシングも開発され、採用されてきている（特許文献１）。このレーザダイシングにおいては、ワークへのレーザ光線の結像形状をマスクによって所望の形状に変形させて加工ラインを調整するといった技術が提案されている（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献２に記載されるように、マスクに形成した開口にレーザ光線を透過させる技術は、ワークへのレーザ光線の結像形状を変形させる他に、結像の幅を変えて、形成する溝やスリット等の加工ラインの幅を所望の幅に調整可能とするといった応用が考えられる。ところがそのためには、開口の幅が異なるマスクを複数用意し、加工ラインの幅に応じてマスクを選択して交換するといった作業を要することになり、煩雑であることやコスト上昇などが欠点として懸念される。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、マスクの交換を必要とせずワークへのレーザ光線の結像幅である加工ラインの幅を容易に調整することができ、その結果、作業の効率化やコスト上昇を抑えることができるレーザ加工装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークにレーザ光線を照射する発振器、および該レーザ光線をワークに導いて該レーザ光線の焦点を該ワークの所望箇所に結ぶ光学系を備えたレーザ加工手段とを含むレーザ加工装置であって、レーザ加工手段の光学系は、レーザ光線が透過する透過部を有し、該透過部を透過させることによりレーザ光線の照射領域の一部を遮光するマスクと、該マスクを、レーザ光線の光軸と略直交する方向に移動させることにより、透過部を透過するレーザ光線の遮光領域を変化させて、ワークへの該レーザ光線の結像幅を変化させるマスク移動手段とを少なくとも備えることを特徴としている。
【０００８】
本発明によれば、発振器から照射されるレーザ光線がマスクの透過部を透過し、保持手段に保持されているワークに照射され、結像する。ワークへのレーザ光線の結像幅は、透過部の幅に対応したものとなり、マスク移動手段でマスクを移動させることにより、結像幅、すなわち加工ラインの幅が変化する。このため、マスク移動手段によりマスクを移動させるといった簡便な動作で、レーザ光線による加工ラインの幅を所望の幅に容易に調整することができる。
【０００９】
ワークへのレーザ光線の結像幅を具体的に変化させる形態としては、マスクの透過部がマスクの移動方向に向かうにしたがって幅が変化するテーパ状に形成されている形態が挙げられる。
【００１０】
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、あるいはセラミック、ガラス系、シリコン系等の基板、各種電子部品、液晶表示装置を制御駆動するＬＣＤドライバ等の各種ドライバ、さらにはミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、マスクの交換を必要とせずワークへのレーザ光線の結像幅である加工ラインの幅を容易に変化させることができ、作業の効率化やコスト上昇を抑えることができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウェーハ
図１の符号１は、一実施形態でのワークである半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコン等の単結晶材料からなる円板状のもので、外周部の一部には、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット１ａが形成されている。
【００１３】
ウェーハ１の表面には、格子状に形成された分割予定ライン２により多数の矩形状のチップ３が区画されている。これらチップ３の表面には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。ウェーハ１は全ての分割予定ライン２が切断され、多数のチップ３にダイシングされる。
【００１４】
分割予定ライン２の切断は、レーザ光線照射によって溝を形成した後にブレードでフルカットしたり、レーザ光線照射のみでフルカットしたりすることによってなされる。いずれにしろ、分割予定ライン２にはレーザ光線が照射されてレーザ加工される。この場合のレーザ加工は上記の溝形成やフルカットなどであり、該レーザ加工は、図２に示す一実施形態に係るレーザ加工装置１０により好適になされる。
【００１５】
ウェーハ１がレーザ加工装置１０に供給される際には、図１に示すように環状のフレーム４の内側に粘着テープ５を介して保持された状態とされる。フレーム４は、金属等の板材からなる剛性を有するものである。粘着テープ５は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム４とウェーハ１の裏面が貼着される。このようにして粘着テープ４およびフレーム５で保持されたウェーハ１は、フレーム５をハンドリングすることにより運搬されてレーザ加工装置１０にセットされる。以下に、レーザ加工装置１０を説明する。
【００１６】
［２］レーザ加工装置
［２−１］全体構成
本実施形態のレーザ加工装置１０では、ウェーハ１は、円板状のチャックテーブル（保持手段）４１に表面を上に向けて水平にセットされる。そして、レーザ加工手段５０のレーザヘッド５２から分割予定ライン２にレーザ光線が照射されるようになっている。
【００１７】
図２に示すように、レーザ加工装置１０は基台１１を有しており、この基台１１上には、ＸＹ移動テーブル１２が、水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在に設けられている。このＸＹ移動テーブル１２の上に上記チャックテーブル４１が設置されており、ＸＹ移動テーブル１２がＸ方向やＹ方向に移動することにより、レーザヘッド５２からウェーハ１の分割予定ラインに沿ってレーザ光線が照射されるようになっている。
【００１８】
ＸＹ移動テーブル１２は、基台１１上にＸ方向に移動自在に設けられたＸ軸ベース２０と、このＸ軸ベース２０上にＹ方向に移動自在に設けられたＹ軸ベース３０との組み合わせで構成されている。Ｘ軸ベース２０は、基台１１上に固定されたＸ方向に延びる一対の平行なガイドレール２１に摺動自在に取り付けられており、モータ２２でボールねじ２３を作動させるＸ軸駆動機構２４によってＸ方向に移動させられる。一方、Ｙ軸ベース３０は、Ｘ軸ベース２０上に固定されたＹ方向に延びる一対の平行なガイドレール３１に摺動自在に取り付けられており、モータ３２でボールねじ３３を作動させるＹ軸駆動機構３４によってＹ方向に移動させられる。
【００１９】
Ｙ軸ベース３０の上面には、円筒状のチャックベース４０が固定されており、このチャックベース４０の上に、チャックテーブル４１がＺ方向（上下方向）を回転軸として回転自在に支持されている。チャックテーブル４１は、ウェーハ１を真空吸引作用により吸着して保持する一般周知の真空チャック式のものであって、チャックベース４０内に収容された図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。チャックテーブル４１の周囲には、フレーム５を着脱自在に保持する一対のクランプ４２が、互いに１８０°離れた位置に配設されている。これらクランプ４２は、チャックベース４０に取り付けられている。
【００２０】
この場合のＸＹ移動テーブル１２においては、Ｘ軸ベース２０のＸ方向への移動が、レーザ光線を分割予定ライン２に沿って照射する加工送りとされる。そして、Ｙ軸ベース３０のＹ方向への移動が、レーザ光線を照射する対象の分割予定ライン２を切り替える割り出し送りとされる。なお、加工送りと割り出し送りの方向は、この逆、つまり、Ｙ方向が加工送り、Ｘ方向が割り出し送りに設定されてもよく、限定はされない。
【００２１】
次に、レーザ加工手段５０を説明する。レーザ加工手段５０は、チャックテーブル４１の上方に向かってＹ方向に延びる直方体状のケーシング５１を有しており、このケーシング５１の先端に、上記レーザヘッド５２が支持されている。ケーシング５１は、基台１１の上面に立設されたコラム１３に、Ｚ方向に沿って上下動自在に設けられており、コラム１３内に収容された図示せぬ上下駆動機構によって上下動させられる。
【００２２】
ケーシング５１内には、レーザ加工手段５０の構成要素として、図３に示すように、パルスレーザ光線発振手段５３と、伝送光学系５４が収容されている。パルスレーザ光線発振手段５３は、ＹＡＧレーザ発振器、あるいはＹＶＯ４レーザ発振器からなるパルスレーザ光線発振器５３ａを有しており、このパルスレーザ光線発振器５３ａには、繰り返し周波数設定手段５３ｂが付設されている。伝送光学系５４は、ビームスプリッタ等の適宜な光学要素を含んでいる。
【００２３】
上記レーザヘッド５２内には、図３に示すように、集光光学系５５が収容されている。集光光学系５５は、ミラー５６と、ミラー５６の下方に配設されたマスク６０と、マスク６０の下方に配設された２組のレンズ（リレーレンズ５７と対物レンズ５８）とを備えている。ミラー５６は、パルスレーザ光線発振器５３ａから伝送光学系５４を通して水平に照射されたレーザ光線Ｌを下方のマスク６０の方向に向けて直角に反射し、光軸を図２でＺ方向と平行にするものである。
【００２４】
マスク６０は、ミラー５６で反射されたレーザ光線Ｌの一部を透過させることによりレーザ光線Ｌの横断面形状を元の円形状から所望の形状に変形させるものである。マスク６０は本発明に係るものであり、後で詳述する。マスク６０を透過したレーザ光線Ｌはリレーレンズ５７と対物レンズ５８を透過し、チャックテーブル４１に保持されたウェーハ１の分割予定ライン２に照射される。
【００２５】
図２に示すように、ケーシング５１の先端であってレーザヘッド５２の隣には、撮像手段７０が配設されている。この撮像手段７０は、レーザヘッド５２から照射されるレーザ光線の照射領域を撮像して検出するものであり、チャックテーブル４１にセットされたウェーハ１を照明する照明手段や、可視光線によって撮像するＣＣＤ等からなる撮像素子を備えている。本実施形態のレーザ加工装置１０にあっては、撮像手段７０で撮像されたウェーハ１の表面の画像データが図示せぬ制御手段に送られ、該制御手段によってなされるアライメントに基づき、ウェーハ１の分割予定ライン２に対するレーザ加工が遂行される。この場合のアライメントとは、該画像データを画像処理して、レーザ光線を照射する領域を検出する作業を言う。
【００２６】
［２−２］動作概要
以上がレーザ加工装置１０の基本構成であり、該装置１０によるレーザ加工は次のようにしてなされる。まず、レーザ加工すべきウェーハ１は、図１に示したように粘着テープ４を介してフレーム５に保持される。そしてこのウェーハ１は、チップ３が形成されている表面が上に向けられて、予め真空運転されているチャックテーブル４１の上面に同心状に載置され、真空吸着作用で吸着、保持される。また、フレーム５がクランプ４２によって保持される。
【００２７】
次に、ＸＹ移動テーブル１２がＸ方向およびＹ方向に移動してウェーハ１が撮像手段７０の直下に移動させられ、ウェーハ１の表面が撮像手段７０で撮像される。続いて、撮像手段７０で撮像されたウェーハ１の表面の画像データが上記制御手段に送られ、該制御手段によって上記アライメントが行われ、レーザ加工を分割予定ライン２に施すために必要な動作データが作成され、記憶される。
【００２８】
次に、レーザ加工手段５０のケーシング５１が上下動させられ、レーザヘッド５２とウェーハ１との間の距離が、ウェーハ１に対するレーザ加工に適した距離に調整される。次いで、上記動作データに基づいてＸＹ移動テーブル１２のＸ軸ベース２０をＸ方向に移動させる加工送りを行いながら１本の分割予定ライン２にレーザ光線を照射するレーザ加工（溝形成やフルカットなど）と、レーザ加工対象の分割予定ライン２にレーザ光線が照射されるようにＹ軸ベース２０をＹ方向に移動させる割り出し送りを繰り返して、一方向に延びる多数の分割予定ライン２にレーザ加工を施す。一方向に延びる全ての分割予定ライン２へのレーザ加工を終えたら、チャックテーブル４１を９０°回転させ、一方向と直交する他方向に延びる全ての分割予定ライン２に対し、同じ要領でレーザ加工を施す。
【００２９】
ここで、レーザ加工のために照射するレーザ光線の条件の一例を挙げておく。
・光源…ＹＡＧレーザまたはＹＶＯ４レーザ
・波長…３５５ｎｍ
・出力（パルスエネルギー）…１．０〜２．０Ｗ
・繰り返し周波数…５０ｋＨｚ
・パルス幅…１０ｎｓ
【００３０】
［２−３］チップのピックアップ
全ての分割予定ライン２にレーザ光線が照射されて１枚のウェーハ１に対するレーザ加工が終了したら、該レーザ加工の形態に応じた後工程にウェーハ１は移され、最終的に各チップ３を得る。例えばレーザ加工が溝形成であった場合には、残りの厚さがブレードでフルカットされてダイシングされ、各チップ３が粘着テープ４から剥離されてピックアップされる。また、レーザ加工がフルカットの場合はダイシングは完了であり、この後は各チップ３が粘着テープ４から剥離されてピックアップされる。
【００３１】
［３］マスク
［３−１］マスクの構成
次に、上記集光光学系５５のマスク６０について説明する。
マスク６０は、図４に示すように矩形板状のものであって、上記ミラー５６とリレーレンズ５７との間の適宜な位置に、水平な状態で設置されている。マスク６０の長手方向一端部には、マスク移動手段の一部を構成するアーム６５が接続されている。このアーム６５の先にはシリンダ等の駆動手段が連結されており、この駆動手段によってマスク６０は矢印で示す方向に往復移動させられる。この往復移動方向は、上記加工送りと平行な方向（図２、図４でＸ方向）であって、ミラー５６で反射されてマスク６０方向に照射されるＺ方向と平行なレーザ光線Ｌの光軸に直交している。
【００３２】
マスク６０の材質としては、レーザ光線の照射を受けても影響を受けないものが選択されるが、例えばステンレス（ＳＵＳ）やセラミック等が用いられる。特にステンレスはレーザ光線が反射して加熱されにくいことから好適とされる。
【００３３】
マスク６０の中央には、レーザ光線が透過するスリット状の開口（透過部）６１が形成されている。この開口６１は、マスク６０の往復方向に延びる細長い左右対称の台形状に形成されており、その幅は、往復方向の一方向に向かうにしたがい一定の割合で変化している。開口６１の幅広側の端部の幅、すなわち最大幅は、レーザ光線の円形状の横断面の直径と同等か、それよりも小さく設定されている。マスク６０が往復移動すると、開口６１の一端から他端の間をレーザ光線が透過するが、その時、レーザ光線の光軸は開口６１の左右対称線を通過する。すなわちレーザ光線の光軸と開口６１のＹ方向の中心は一致している。
【００３４】
［３−２］マスクの作用効果
上記マスク６０を含む集光光学系５５によれば、ミラー５６でマスク６０方向に反射されたレーザ光線Ｌは、マスク６０の開口６１を透過することにより、レーザ光線Ｌの照射領域の一部が開口６１の両端縁で遮光され、かつ、横断面形状が開口６１に対応する形状に形成される。そしてそのレーザ光線Ｌは、リレーレンズ５７と対物レンズ５８を透過してウェーハ１の分割予定ライン２に照射して結像される。図４に示すように、ウェーハ１へのレーザ光線Ｌの結像Ｌ１の形状は、開口６１を透過する部分の断面形状に相似した形状となり、結像Ｌ１の幅は、レーザ加工によって分割予定ライン２に形成される加工ライン２Ａの幅となる。例えばレーザ加工が溝を形成する加工であれば、結像の幅は溝の幅に相当する。
【００３５】
ここで、マスク６０とリレーレンズ５７との間の距離は、リレーレンズ５７の焦点距離Ｆ１となるように設定され、対物レンズ５８とウェーハ１との距離は、対物レンズ５８の焦点距離Ｆ２となるように設定される。この場合、一般周知のように像倍率はＦ２／Ｆ１となるので、例えば、図５に示すように、マスク６０の開口６１におけるレーザー光線Ｌの照射部分の最大照射幅がＷであり、Ｆ１＝６５１ｍｍ、Ｆ２＝２５ｍｍであった場合、結像倍率は約０．０３８倍となるので、加工幅は０．０３８Ｗとなる。
【００３６】
したがって、マスク６０を移動させて開口６１を透過するレーザ光線Ｌの幅を変えることにより、加工ライン２Ａの幅を変えることができる。すなわち、マスク６０を移動させるといった簡便な動作で、レーザ光線による加工ライン２Ａの幅を所望の幅に容易に調整することができる。開口６１の左右の両端縁は、マスク６０の移動方向に対してテーパ状に傾斜しているため、結像Ｌ１の幅を無段階的に調整することができる。これは換言すると、マスク６０を移動させることによりウェーハ１に施す加工ライン２Ａを高い精度で制御することができるということになる。また、加工ライン２Ａの中に幅の異なる部分を連続的に形成することもできる。
【００３７】
図４は開口６１の異なる位置をレーザ光線Ｌが透過している状態を示しており、（ａ）は開口６１の幅広側の端部、図４（ｂ）は開口６１の中間部、図４（ｃ）は開口６１の幅狭側の端部をそれぞれレーザ光線Ｌが透過している。ウェーハ１への結像Ｌ１の幅である加工ライン２Ａの幅は、（ａ），（ｂ），（ｃ）の順に小さく設定される。
【００３８】
本実施形態によれば、開口幅が異なるマスクを複数用意してマスクを交換するといった煩雑な作業をすることなく、上記のようにマスク６０を移動させることによりウェーハ１への加工ライン２Ａの幅を所望の幅に容易に調整することができる。このため、加工ライン２Ａの幅の調整作業の効率化が図られるとともに、コスト上昇を抑えることができる。
【００３９】
［３−３］多様な開口の形態
マスク６０に形成される開口６１の形状は上記実施形態に限定はされず、マスク６０の移動に伴ってウェーハ１に対するレーザ光線の結像の幅を可変できる形状であれば、いかなる形状でも適用可能である。図６（ａ）〜（ｇ）は、開口６１の種々の形状を例示しており、マスク６０は矢印方向に往復移動する。以下、開口６１の形状を述べると、（ａ）は上記実施形態と同様に台形状、（ｂ）は二等辺三角形状、（ｃ）は台形状であるが左右の両端縁が内側に膨出している。これら開口６１によると、マスク６０を一方向に移動させると、レーザ光線の結像の幅がしだいに大から小、あるいは小から大に変化する。
【００４０】
図６（ｄ）〜（ｆ）の開口６１は、それぞれ（ａ）〜（ｃ）の開口６１を図中上下対称となるように合体させたものである。これら開口６１は、マスク６０を一方向に移動させると、レーザ光線の結像の幅がしだいに小から大に変化し、この後、再び小に戻る。また、図６（ｇ）の開口６１は幅の広さが２段階になった凸状に形成されている。
【００４１】
図６（ａ）〜（ｆ）の開口６１では、結像幅を無段階に調整可能であるが、図６（ｇ）に示す開口６１では結像幅は２段階に調整される。なお、２段階よりも多くの段階（３段階または４段階、あるいはそれ以上）に結像幅を調整できるように、開口６１の幅を段階的に変化させてもよい。このように段階的に加工幅を切り替える方式にすると、レーザ光線は加工ラインの端方向に均等に照射されるので、加工がより一層安定する。
【００４２】
［４］マスクおよびマスク移動手段の別形態
本発明のマスクおよびマスク移動手段は、上記実施形態に限定はされず、様々な形態が考えられる。以下、マスクおよびマスク移動手段の別形態を例示する。
【００４３】
［４−１］第１の別形態
図７の符号８０は、第１の別形態のマスクを示している。このマスク８０は可撓性を有する帯状のもので、レーザ光線Ｌの光軸に対して直交する状態に配設される。マスク８０の幅方向中央には、レーザ光線Ｌが透過するスリット状の開口（透過部）８１が形成されている。開口８１はマスク８０の長手方向に延びる細長い左右対称のテーパ状に形成されている。開口８１の幅は、マスク８０の一端側から他端側に向かうにしたがい一定の割合で変化している。
【００４４】
マスク８０の両端部は、互いに平行に配設されて回転可能とされたローラ（マスク移動手段）８５，８６に巻回されており、マスク８０は、ローラ８５，８６が回転することにより、その回転方向に応じて往復移動する。
【００４５】
ローラ８５，８６が矢印Ｂ方向に回転すると、マスク８０はローラ８５に巻き取られてｂ方向に移動する。マスク８０がｂ方向に移動するにつれて、レーザ光線Ｌが透過する開口８１の幅は広くなり、ウェーハ１への結像幅もこれに応じて広くなる。また、ローラ８５，８６が矢印Ｃ方向に回転すると、マスク８０はローラ８６に巻き取られてｃ方向に移動する。マスク８０がｃ方向に移動するにつれて、レーザ光線Ｌが透過する開口８１の幅は狭くなり、ウェーハ１への結像幅もこれに応じて狭くなる。すなわち、ローラ８５，８６を回転させてマスク８０を移動させることにより、ウェーハ１へのレーザ光線の結像幅を調整することができるようになっている。
【００４６】
ローラ８５，８６は図示せぬ回転駆動機構によって回転させられ、マスク８０は常に張力がかかった状態に保持される。また、ローラ８５，８６は回転方向に応じて一方が駆動側、他方が従動側とされるものでもよく、双方ともに駆動されるものであってもよい。
【００４７】
［４−２］第２の別形態
図８の符号９０は、第２の別形態のマスクを示している。このマスク９０は円板状で、矩形板状のフレーム９５に回転可能に嵌め込まれ、支持されている。マスク９０は、中心の回転軸がレーザ光線Ｌの光軸と平行であって、面方向がレーザ光線Ｌと直交する状態に配設される。マスク９０には、環状の開口（透過部）９１が形成されている。この開口９１は全周にわたっては形成されておらず、一端と他端が近接した不連続な環状である。開口９１の幅は、一端から他端に向かうにしたがい一定の割合で変化している。開口９１の幅方向中央を通る環状の中心線９１ａは、マスク９０と同心状となっている。
【００４８】
マスク９０は、レーザ光線Ｌの光軸が開口９１の中心線９１ａを直交して通過するように配設される。このマスク９０は、図示せぬ回転駆動機構によって双方向（Ｄ方向およびＥ方向）に回転させられ、Ｄ方向に回転するにつれて、レーザ光線Ｌが透過する開口９１の幅は狭くなり、ウェーハ１への結像幅もこれに応じて狭くなる。また、マスク９０がＥ方向に回転すると、レーザ光線Ｌが透過する開口９１の幅は広くなり、ウェーハ１への結像幅もこれに応じて広くなる。すなわち、マスク９０を回転させて開口９１を回転させることにより、ウェーハ１へのレーザ光線Ｌの結像幅を調整することができるようになっている。
【００４９】
上記の第１および第２の別形態では、マスクの移動量が多くても、移動させるに必要なスペースは移動量にかかわらず変化しない。このため、マスクを配設するスペースが小さくても開口の幅の変化量を大きくとることができるとともに、省スペース化が図られる。という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置でレーザ加工が施される半導体ウェーハの斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置を示す斜視図である
【図３】一実施形態のレーザ加工装置が具備するレーザ加工手段の構成を簡略的に示す図である。
【図４】一実施形態のマスクの作用を示す斜視図である。
【図５】マスクの開口にレーザ光線が照射されている状態を示す平面図である。
【図６】マスクに形成される開口の多様な形態を示す平面図である。
【図７】マスクおよびマスク移動手段の第１の別形態を示す斜視図である。
【図８】マスクおよびマスク移動手段の第２の別形態を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）はマスク単体の平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…半導体ウェーハ（ワーク）
１０…レーザ加工装置
４１…チャックテーブル（保持手段）
５０…レーザ加工手段
５３…発振器
５３ａ…パルスレーザ光線発振器
５５…集光光学系
６０，８０，９０…マスク
６１，８１，９１…開口（透過部）
６５…アーム（マスク移動手段）
８５，８６…ローラ（マスク移動手段）
Ｌ…レーザ光線
Ｌ１…結像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010089094.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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