(57)【要約】【課題】ブレードの切り込みによる半導体素子における不良の発生を抑える。【解決手段】導電層２１２上に絶縁層２０１ｂを介して導電層２１１が形成された積層構造を備えるダイシングテープ２００上に半導体基板１００を配置して、導電層２１１が導通、かつ、導電層２１２が非導通となる切り込み深さで半導体基板１００及びダイシングテープ２００をダイシングする。この様なダイシングによって、切り込みによる半導体基板１００の個片化の際、半導体素子における不良の発生を抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングテープ内に切り込む前記ダイシングブレードの位置を、当該ダイシングテープ内に、その厚さ方向に絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を用いて検出する、
ことを特徴とするダイシング処理方法。
【請求項２】
支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングブレードの切り込み深さを、前記ダイシングテープ内にその厚さ方向に絶縁層を介して積層配置された二つの導電層の間に設定して行う、
ことを特徴とするダイシング処理方法。
【請求項３】
支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングテープ内に切り込む前記ダイシングブレードの位置を、
前記ダイシングテープ内において前記半導体基板側に位置して配置され、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含む第１の導電層と、
当該第１の導電層とは絶縁層を介して配設され、且つジグザグ状に連続して配設されてなる一つの導電層からなる第２の導電層と、
を用いて検出することを特徴とするダイシング処理方法。
【請求項４】
前記ダイシングテープ内において前記半導体基板側に位置して配置され、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含む第１の導電層と、
当該第１の導電層とは絶縁層を介して配設され、且つジグザグ状に連続して配設されてなる一つの導電層からなる第２の導電層は、
少なくとも一部が重畳して配置されてなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のダイシング処理方法。
【請求項５】
厚さ方向に、絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を具備し、
第１の導電層は、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含み、
前記第１の導電層から絶縁層を介して配設された第２の導電層は、ジグザグ状に連続する導電層からなる、
ことを特徴とするダイシングテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイシング処理方法及びダイシングテープに関し、特に、半導体基板を回転するブレードにより切断するダイシング処理方法、ならびに当該ブレードダイシングに適用されるダイシングテープの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、所謂ウエハープロセスにより、その一方の主面に所望の電子回路を含む半導体素子が複数個形成された半導体基板に対し、切断・分離処理を施して当該半導体素子を個片化する所謂ダイシング工程を有する。
【０００３】
かかるダイシング工程について、図面を参照しながら説明する。
被処理半導体基板を、図１７（Ａ）に示す。
当該半導体基板１０においては、その一方の表面１０Ａに、所望の電子回路を含む半導体集積回路素子が複数個形成されている。
【０００４】
尚、以下の記述にあっては、半導体集積回路素子を、半導体素子と表現する。
当該半導体基板１０に対し、個片化処理を行う際には、当該個片化処理に先行して、当該半導体基板の薄化処理がなされる。
【０００５】
半導体基板の薄化処理においては、当該半導体基板の裏面、即ち他方の主面に対して裏面研削処理、所謂バックグラインド処理が行われる。
当該バックグラインド処理の状態を、図１７（Ｂ）に示す。
【０００６】
バックグラインド処理に際しては、先ず当該半導体基板１０の一方の主面（電子回路形成面）１０Ａに保護テープ２１を貼付する。
そして、当該半導体基板１０を裏返し、バックグラインド装置（詳細は図示せず）のテーブル３１上に配置する。
【０００７】
しかる後、テーブル３１を回転させながら、バックグラインド（Back Grind：ＢＧ）ホイール３２によって、半導体基板１０の裏面１０Ｂを研削して、当該半導体基板１０を所望の厚さ、例えば数１０μの厚さとする。
【０００８】
次いで、バックグラインド処理（裏面研削処理）が終了した半導体基板１０の裏面１０Ｂに対し、ＤＡＦ（Die Attach Film、ダイ・アタッチ・フィルム）２２を貼付する（図１８（Ａ）参照）。当該ＤＡＦ２２は、後述するダイシングテープに対する接着剤としての機能を有し、また、当該ＤＡＦ２２と共に個片化された半導体素子を、パッケージに固定する際にも接着剤として機能する。
【０００９】
次いで、前記半導体基板１０の裏面１０Ｂを、ＤＡＦ２２を介してダイシングテープ４１上に配置する（図１８（Ｂ）参照）。
尚、当該ダイシングテープ４１には、ウェハリング４２が貼付されている。
【００１０】
しかる後、前記半導体基板１０の表面１０Ａから、保護テープ２１を剥離・除去する。
そして、被処理半導体基板１０は、前記ダイシングテープ４１を介してダイシング処理装置における処理テーブル上に配置され、ダイシングブレード５１により、切断・分離されて個片化され、個々の半導体素子１０Ｃとなる（図１９（Ａ）参照）。
【００１１】
この時、当該半導体基板１０の裏面１０Ｂに在るＤＡＦ２２も切断され、個々の半導体素子の裏面に粘着された状態とされる。
前記半導体基板１０の個片化により形成された半導体素子１０Ｃを、ダイシングテープ４１の拡張と、真空吸着治具（図示せず）等による吸着摘出（ピックアップ）により、当該ダイシングテープ４１から分離して、回路基板６１の一方の主面（表面）の所定の位置に搭載する（図１９（Ｂ）参照）。
【００１２】
当該半導体素子１０Ｃは、当該回路基板６１の一方の主面上に複数個搭載される。この時、当該半導体素子１０Ｃは、前記ＤＡＦ２２を介して回路基板６１上に固着される。
そして、半導体素子１０Ｃの電極と、回路基板６１にそれぞれの半導体素子１０Ｃの電極（図示せず）に対応して配設された電極端子（図示せず）との間を、ボンディングワイヤ６２により接続する。
【００１３】
次いで、複数の半導体素子１０Ｃを、回路基板６１の一方の主面（表面）上において、封止用樹脂７１により一括して樹脂封止する（図２０（Ａ）参照）。
そして、前記半導体素子１０Ｃの配置に対応して回路基板６１の他方の主面（裏面）に配設された電極端子に、外部接続用電極端子としてバンプ電極６３を配設する。
【００１４】
しかる後、複数の半導体素子１０Ｃの相互間において、封止用樹脂７１ならびに回路基板６１を、その厚さ方向にダイシング処理して分離し、個片化された樹脂封止型半導体装置８０を得る（図２０（Ｂ）参照）。
【００１５】
この様な半導体装置の製造工程において、図１７（Ａ）をもって示した半導体基板（半導体ウエハー）のダイシング処理は、従来、以下の様な手段が用いられている。
即ち、被処理半導体基板１０は、ダイシングテープ４１を介してダイシング処理装置における処理テーブル（図示せず）上に配置され、ダイシングブレード５１により、切断・分離されて個片化される。
【００１６】
尚、この時、被処理半導体基板１０は、ダイシングテープ４１上に接着層４１Ａならびに当該半導体基板１０の裏面に配設されているＤＡＦ２２を介して固着されており、またダイシングブレード５１は、当該ダイシングテープ４１の表面の一部に侵入する切り込み量（切り込み深さ）をもって被処理半導体基板１０を切断する（図２１（Ａ）参照）。
【００１７】
当該ダイシング処理は、半導体基板１０に対し、その主面のＸ軸方向ならびにＹ軸方向になされ、当該半導体基板１０は、半導体素子１０Ｃとして矩形状に分離、個片化される。
【００１８】
この時、個片化された半導体素子１０Ｃそれぞれの裏面には、前記ＤＡＦ２２が配設されている（図２１（Ｂ）参照）。
かかるダイシング処理においては、被処理半導体基板１０の厚さ方向（Ｚ方向）の切断を確実にするために、前記ダイシングブレード５１は、ダイシングテープ４１に対してその表面から１０〜５０μｍの深さにまで侵入する切り込み量をもって、被処理半導体基板１０を切断する。
【００１９】
当該ダイシングテープ４１への切り込み量は、例えば、当該ダイシングテープ４１の裏面におけるカットラインＣＬの有無、状態を検査することにより確認することができる（図２１（Ｃ）参照）。
【００２０】
前記ダイシングテープ４１内までの切り込み量は、ダイシング処理装置の制御部において、ダイシング処理の開始時に設定される。
即ち、ダイシングブレード５１の位置を、前記処理テーブルの上面からの距離（高さ）に基づき設定している。
【００２１】
しかしながら、この様なダイシング方法にあっては、次の様な事象により、被処理半導体基板の切断が適切に行われないことを生じていた。
一つに、ダイシング処理の進行に伴って、ダイシングブレード５１自体が磨耗することから、当該ダイシングブレード５１の刃先の位置に変化を生じ、被処理半導体基板１０及びＤＡＦ２２の積層厚を超える深さの切り込みが行われない状態に至ってしまう。
【００２２】
前述の如き半導体基板１０とＤＡＦ２２との積層構造にあっては、両者の硬度が異なるため、ダイシングブレード５１の磨耗の度合いがより高い。
また、前記ダイシングテープ４１は弾性を有することから、ダイシングブレード５１の押圧力に対応して当該ダイシングテープ４１が変形してしまい、被処理半導体基板１０とＤＡＦ２２との積層体、更にダイシングテープ４１に至る適切な切り込みが行われない。
【００２３】
この様な切り込み深さの不足を生ずると、ＤＡＦ２２においては、切断されない部分が生じ、また切断後に再結合を生じてしまうことがある。
かかるＤＡＦ２２の不切断部或いは再結合部の存在は、ダイシングテープ４１からの半導体素子１０Ｃの吸着摘出（ピックアップ）の際、当該ダイシングテープ４１からの分離（剥離）を困難なものとし、更に半導体素子１０Ｃに割れ、欠けなどを生じてしまう。
【００２４】
また、ＤＡＦ２２が切断されてもその切り屑が生じて、当該切り屑が半導体素子１０Ｃの表面に付着し、或いはその裏面においてＤＡＦ２２に付着してしまうことがある。
当該切り屑は、半導体素子１０Ｃを回路基板６１などへ搭載・固着する際に、当該半導体素子１０Ｃの表面に損傷を与える一因となり、また当該半導体素子１０Ｃの主面を回路基板６１の主面と平行なものとすることを困難なものとしてしまう。
【００２５】
一方、ダイシングブレード５１の切り込みが必要以上の深さまでなされると、当該ダイシングテープ４１に肉薄部、脆弱部を生じ、その拡張の際に当該ダイシングテープ４１には亀裂の発生、更には破断などを生じてしまう。
【００２６】
従って、ダイシングテープ上に固着された半導体基板に対する切り込みは、その切り込み深さをより正確なものとする必要がある。
このため、当該ダイシングテープの他方の主面即ちダイシング処理装置のテーブル側に、或いはダイシングテープの中間層として、被処理半導体基板と同等の面積を有する導電層を配設して、当該導電層へのダイシングブレードの接触の有無を検出することにより、当該ダイシングブレードの切り込み深さを検出することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−３７１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、上記特許文献に開示される手段にあっては、前記導電層がダイシングテープの全面に配設されているため、ダイシング処理の際、ダイシングブレードには大きな負荷が加わり、ダイシング精度が低下してしまう。
【００２８】
また、前記導電層の存在により、当該ダイシングテープの拡張性が損なわれてしまい、当該ダイシングテープ上からの半導体素子の取り上げ（ピックアップ）が困難とされる。
更に、前記導電層とダイシングブレードとの接触を、ダイシングテーブルを介して電気的に検出するために、当該ダイシングテーブルの少なくとも表面が、金属など導電性を有するものであることが必要とされる。
【００２９】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、ダイシングブレードの切り込みによる半導体基板の個片化の際、半導体素子における不良の発生を抑えると共に、当該半導体素子のダイシングテープからの取り上げ（ピックアップ）を容易に行うことができるダイシング処理方法を提供することを目的とする。
【００３０】
また、本発明はかかるダイシング処理方法を実行するに適当な、ダイシングテープを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記目的を達成するために、支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法が提供される。
【００３２】
この様なダイシング方法は、前記ダイシングテープ内に切り込む前記ダイシングブレードの位置を、当該ダイシングテープ内に、その厚さ方向に絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を用いて検出する。
【００３３】
また、上記目的を達成するために、ブレードによって切断される半導体基板に貼り付けられるダイシングテープが提供される。
この様なダイシングテープは、厚さ方向に、絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を具備し、第１の導電層は、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含み、前記第１の導電層から絶縁層を介して配設された第２の導電層は、ジグザグ状に連続する導電層を有する。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、ダイシングテープ中に、厚さ方向に互いに分離して２層に配設された導電層により、ダイシングブレードの切り込み深さを検出・監視することにより、当該ダイシングブレードのダイシングテープに対する切り込み量を知ることができ、もって被処理半導体基板に対する切り込みの不足、ならびにダイシングテープに対する過剰な切り込みを低減・防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
先ず、本発明によるダイシング処理方法の概念を、図１に示す。
本発明によるダイシング処理方法を実施するためのダイシング装置５００は、少なくともダイシングテーブル５０１、当該ダイシングテーブル５０１上に位置して配置可能なダイシングブレード５０２を具備する。
【００３６】
当該ダイシングテーブル５０１ならびにダイシングブレード５０２を、回転可能に支持する機構については、図示ならびに説明を省略する。
前記ダイシングテーブル５０１上には、ダイシングテープ２００を介して半導体基板１００が載置される。
【００３７】
尚、当該ダイシングテープ２００は、後述する如く、本発明の特徴的構成にかかるものであり、その構成を明示するために、図１においては、半導体基板１００よりも厚い状態をもって示している。
【００３８】
前記ダイシング装置５００において、少なくとも表面が絶縁性多孔質材料から構成されたダイシングテーブル５０１上には、長さの異なる複数の接触針（コンタクトピン）５１１，５１２が植立されており、長い接触針５１１は導通検出部ＳＫを介して相互に接続され、また短い接触針５１２は導通検出部ＤＫを介して相互に接続されている。
【００３９】
尚、ダイシングテーブル５０１の表面が、金属など導電性材料から構成される場合には、前記接触針と当該ダイシングテーブル５０１との間には絶縁物が配置され、両者は絶縁分離される。
【００４０】
また、前記接触針５１１，５１２においては、それぞれ、その先端部を除いて絶縁被覆が施されている（図示せず）。
一方、前記ダイシングテープ２００は、絶縁層２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ、ならびに当該絶縁層２０１ａと絶縁層２０１ｂとの間に配設された第１の導電層２１１、ならびに絶縁層２０１ｂと絶縁層２０１ｃとの間に配設された第２の導電層２１２を具備する。
【００４１】
当該絶縁層２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃは、厚さが２０μｍ程のポリオレフィン系樹脂から形成され、また、導電層２１１、導電層２１２は、厚さが１０μｍ〜３０μｍ、幅が２〜５ｍｍの、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）から形成される。
【００４２】
更に、当該ダイシングテープ２００は、半導体基板１００よりも例えば２０ｍｍ程大きな直径を有し、また、前記絶縁層２０１ａ上に配設された接着層２２１を具備する。
かかるダイシングテープ２００を、前記ダイシングテーブル５０１上に載置し、当該ダイシングテーブル５０１に圧着することにより、前記接触針５１１，５１２がダイシングテープ２００中に侵入し、長い接触針５１１は第１の導電層２１１に接触し、短い接触針５１２は第２の導電層２１２に接触した状態となる。
【００４３】
そして、半導体基板１００が、当該半導体基板１００の裏面に配設されたＤＡＦ３０１ならびに、前記接着層２２１を介して、ダイシングテープ２００上、即ち当該ダイシングテープ２００における絶縁層２０１ａ上に固着される。
【００４４】
この様に、ダイシングテーブル５０１上にダイシングテープ２００を介して配置された半導体基板１００に対して、円板状のダイシングブレード５０２を用いて、ダイシング処理が行われる。
【００４５】
半導体基板１００に対して、回転するダイシングブレード５０２が降下されて、当該半導体基板１００が切断される。
所定の高さで降下されて、半導体基板１００に対し相対的に横方向に移動するダイシングブレード５０２は、当該半導体基板１００を切断する。
【００４６】
この時、当該ダイシングブレード５０２の刃先が前記ダイシングテープ２００内に侵入して、前記絶縁層２０１ａを通り、第１の導電層２１１ａに達して、当該第１の導電層２１１をも切断する。
【００４７】
かかる第１の導電層２１１の切断は、導通検出部ＳＫにより、電流の非導通として検出される。
即ち、当該導通検出部ＳＫの状態の変化により、ダイシングブレード５０２の刃先が、第１の導電層２１１の在る位置を超えた深さにまで達したことが検出される。
【００４８】
そして、ダイシングブレード５０２の刃先が、第２の絶縁層２０１ｂ中に止まらず、更に深く侵入して、第２の導電層２１２、第３の絶縁層２０１ｃに達すると、当該第２の導電層２１２が切断される。
【００４９】
かかる第２の導電層２１２の切断は、導通検出部ＤＫにより、電流の非導通として検出される。
即ち、当該導通検出部ＤＫの状態の変化により、ダイシングブレード５０２の刃先が、第２の導電層２１２の在る位置を超えた深さにまで達したことが検出される。
【００５０】
この様に、本発明によれば、ダイシングテープ２００内に、その厚さ方向に互いに絶縁分離されて２層に配置された導電層の導通、或いは非導通をもって、ダイシングブレード５０２の刃先が半導体基板１００の厚さを超えて所定の深さまで達したか否か、更には当該所定の深さを超えてしまったか否かを検出する。
【００５１】
前記ダイシングテープ２００内において、絶縁層２０１ａと絶縁層２０１ｂとの間に配設される第１の導電層２１１のパターン形状を図２に示す。
即ち、当該第１の導電層２１１は、複数本の導電層が、横方向(Ｘ軸方向)ならびに縦方向（Ｙ軸方向）交差して配設され、格子状をなしている。
【００５２】
図示される状態にあっては、横方向（Ｘ軸方向）に６本の導電層２１１ａ１〜導電層２１１ａ６が配設され、縦方向（Ｙ軸方向）にも６本の導電層２１１ｂ１〜導電層２１１ｂ６が配設されて、それぞれの交点では一体化されている。
【００５３】
尚、此処では、ダイシングテープ２００を、破線で描いた円をもって示している。
即ち、縦方向（Ｙ軸方向）に所定の間隔をもって配置され、横方向（Ｘ軸方向）に延在する第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６と、横方向（Ｘ軸方向）に所定の間隔をもって配置され、縦方向（Ｙ軸方向）に延在する第１の導電層２１１ｂ１〜第１の導電層２１１ｂ６は、格子状に配置されて相互に接続されている。
【００５４】
一方、ダイシングテープ２００内において、絶縁層２０１ｂと絶縁層２０１ｃとの間、即ち前記第１の導電層２１１から絶縁層２０１ｂの厚さ分だけ半導体基板１００から離れて、深い位置に配設される第２の導電層２１２のパターン形状を図３に示す。尚、此処でも、ダイシングテープ２００を、破線で描いた円をもって示している。
【００５５】
即ち、当該第２の導電層２１２は、複数本の導電層が、それぞれコの字状のジグザグ形態をもって配設されている。
図示される状態にあっては、それぞれコの字状のジグザグ形態を有する３本の導電層２１２ａ〜導電層２１２ｃが、縦方向（Ｙ軸方向）に互いに平行して、且つ横方向（Ｘ軸方向）に互いに分離して配設されている。
【００５６】
ダイシングテープ２００内におけるところの、これら第１の導電層２１１ならびに第２の導電層２１２の積層状態を、図４に示す。此処でも、ダイシングテープ２００を、破線で描いた円をもって示している。
【００５７】
尚、当該図４においては、二つの導電層２１１，２１２の位置関係を明示するために、第１の導電層２１１上に第２の導電層２１２を位置させて表している。これは、ダイシングテーブル５０１側から見た構成に相当する。
【００５８】
かかる配置においては、例えば第２の導電層２１２ａは、縦方向においては第１の導電層２１１ｂ１と第１の導電層２１１ｂ２とに重畳し、横方向においては第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６のそれぞれに重畳している。
【００５９】
また、第２の導電層２１２ｂは、縦方向においては第１の導電層２１１ｂ３と第１の導電層２１１ｂ４とに重畳し、横方向においては第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６のそれぞれに重畳している。
【００６０】
同様に、また、第２の導電層２１２ｃは、縦方向においては第１の導電層２１１ｂ５と第１の導電層２１１ｂ５とに重畳し、横方向においては第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６のそれぞれに重畳している。
【００６１】
即ち、第１の導電層２１１における矩形状パターンが、第２の導電層２１２におけるジグザグ状パターン上に重畳して配置されている。
この様な、ダイシングテープ２００内における２層の導電層の配置間隔は、半導体基板の直径、及び／或いは当該半導体基板に形成される半導体素子の寸法などに対応して、適宜選択される。
【００６２】
当該導電層の配置間隔が変更された場合であっても、第１の導電層と第２の導電層との重畳関係は同様に適用される。
即ち、図５に示される様に、第１の導電層２１１の数が、縦方向、横方向の何れにあっても１０本とされた場合であっても、第２の導電層２１２におけるジグザグ状パターンは、当該第１の導電層２１１における矩形状パターンに重畳して配設される。
【００６３】
例えば第２の導電層２１２ｂは、縦方向においては第１の導電層２１１ｂ３と第１の導電層２１１ｂ４とに重畳し、横方向においては第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ１０のそれぞれに重畳している。
【００６４】
尚、此処でも、ダイシングテープ２００を、破線で描いた円をもって示している。
前記ダイシングテープ２００内における、第１の導電層２１１に接触し、電気的に接続される複数の接触針５１１の配設位置と、導通検出部との電気的接続形態を図６に示す。尚、同図（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ'断面を示している。
【００６５】
ダイシングテーブル５０１上にあって、接触針５１１は、ダイシングテープ２００内の第１の導電層２１１における交点部に対応するよう、且つ各交点部に対してそれぞれ２本配設される。
【００６６】
即ち、前記図２に示される第１の導電層２１１の配設形態にあっては、縦方向に６ヶ所、横方向に６ヶ所、計３６ヶ所の交点部に対応するよう位置して、それぞれ２本の接触針５１１が植立されている。
【００６７】
例えば、図２における交点ＣＰ１２に対しては、図６における接触針５１１ａｂ１２が位置する。
そして、当該２本の接触針のうちの一方は、縦方向（Ｙ軸方向）に並ぶ５本と共に導電層５２１ｂにより並列に接続され、また、当該２本の接触針の他方は、横方向（Ｘ軸方向）に並ぶ５本と共に導電層５２１ａにより並列に接続されている。
【００６８】
当該導電層５２１は、平行して隣り合う２つが、共通の導通検出部ＳＫに接続される。
即ち、縦方向（Ｙ軸方向）に延在する導電層５２１ｂ１と導電層５２１ｂ２は、導通検出部ＳＫ１に接続される。同様に、導電層５２１ｂ３と導電層５２１ｂ４は、導通検出部ＳＫ２に接続される。
【００６９】
そして、導電層５２１ｂ５と導電層５２１ｂ６は、導通検出部ＳＫ３に接続される。
一方、横方向（Ｘ軸方向）に延在する導電層５２１ａ１と導電層５２１ａ２は、導通検出部ＳＫ４に接続される。同様に、導電層５２１ａ３と導電層５２１ａ４は、導通検出部ＳＫ５に接続される。
【００７０】
そして、導電層５２１ａ５と導電層５２１ａ６は、導通検出部ＳＫ６に接続される。
尚、第１の導電層２１１は、ダイシングテーブル５０１が絶縁性部材から構成される場合には、当該ダイシングテーブル５０１の表面及び／或いは内部に配設され、ダイシングテーブル５０１が導電性部材から構成される場合には、当該ダイシングテーブル５０１の内部に絶縁性部材を介して配設される。
【００７１】
前記ダイシングテープ２００内における、第２の導電層２１２に接続される複数の接触針５１２の配設位置と、導通検出部との電気的接続形態を図７に示す。尚、同図（Ｂ）は、（Ａ）のＢ−Ｂ'断面を示している。
【００７２】
ダイシングテーブル５０１上にあって、接触針５１２は、ダイシングテープ２００内の第２の導電層２１２の両端部に対応して配設される。
即ち、前記図３に示される第２の導電層の配設形態にあっては、３本の導電層のそれぞれの両端部に対応するように位置して、それぞれ１本の接触針５１２が植立されている。
【００７３】
例えば、図３における導電層２１２ａに対しては、図７における接触針５１２ａ１と接触針５１２ａ２が位置する。
そして、接触針５１２ａ１は、導電層２１２ａの一端に接触し、また、接触針５１２ａ２は、導電層２１２ａの他端に接触する。
【００７４】
そして、当該導電層２１２ａは、導電層５３１ａ１と導電層５３１ｂ１を介して、導通検出部ＤＫ１に接続される。
当該ダイシングテープ２００内における他の第２の導電層２１２ｂ、ならびに２１２ｃも、それぞれに接触する接触針５１２、及びこれに接続された導電層５３１を介して、対応する導通検出部ＤＫ２、ＤＫ３に接続される。
【００７５】
当該第２の導電層２１２ｄも、ダイシングテーブル５０１が絶縁性部材から構成される場合には、当該ダイシングテーブル５０１の内部に配設され、ダイシングテーブル５０１が導電性部材から構成される場合には、当該ダイシングテーブル５０１の内部に絶縁性部材を介して配設される。
【００７６】
前記図６に示したダイシングテープ２００内における、第１の導電層２１１に接続される複数の接触針５１１の配設位置及び導通検出部ＳＫとの電気的接続形態と、図７に示したダイシングテープ２００内における、第２の導電層２１２に接続される複数の接触針５１２の配設位置及び導通検出部ＤＫとの電気的接続形態とを一体化して、図８に示す。
【００７７】
これは、前記図４に示されるところの、第１の導電層と第２の導電層の重畳配設形態に対応するものである。
前述の如き、接触針配設構成を有するダイシングテーブル５０１上に、前記ダイシングテープ２００を介して半導体基板１００を載置した状態、ならびに各導電層と導通検出部との接続状態を、図９及び図１０に示す。
【００７８】
図９においては、接触針５１１と第１の導電層２１１との接触位置関係を示し、図１０においては、接触針５１２と第２の導電層２１２との接触位置関係を示している。
ここでは、発明の構成を明確にするために、接触針５１１と第１の導電層２１１との接触位置関係と、接触針５１２と第２の導電層２１２との接触位置関係とを別の図に示すが、実装置にあっては、接触針の配置構成は前記図８に示す構成が適用される。
【００７９】
尚、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＣ−Ｃ'断面を、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＤ−Ｄ'断面を示す。
図９に示される第１の導電層２１１の配置構成においては、前述の如く、縦方向に延在する第１の導電層２１１ｂ１と、これに平行する第１の導電層２１１ｂ２との間は、横方向に延在する第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６により、６ヶ所において相互に接続されて交点を形成している。
【００８０】
また、縦方向に延在する第１の導電層２１１ｂ３と、これに平行する第１の導電層２１１ｂ４との間も同様に、横方向に延在する第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６により、６ヶ所において相互に接続されて交点を形成している。
【００８１】
更に、縦方向に延在する第１の導電層２１１ｂ５と、これに平行する第１の導電層２１１ｂ６との間も同様に、横方向に延在する第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６により、６ヶ所において相互に接続されて交点部を形成している。
【００８２】
そして、これらの交点部に対してそれぞれ接触針５１１が接触し、当該接触針５１１は、導電層５２１ａ、５２１ｂを介して、それぞれ対応する導通検出部ＳＫに接続される。
尚、接触針５１１、５１２にあっては、前述の如く、それぞれ、その先端部を除いて絶縁被覆が施されていることから、当該接触針５１１、５１２が第２の導電層２１２を貫通する状態にあっても、当該接触針５１１、５１２と第２の導電層２１２との間に電気的導通を生じない。
【００８３】
一方、図１０に示される第２の導電層２１２の配置構成においては、前述の如く、接触針５１２ａ１が、導電層２１２ａの一端に接続され、また、接触針５１２ａ２は、当該導電層２１２ａの他端に接触する。
【００８４】
そして、当該導電層２１２ａは、導電層５３１ａ１と導電層５３１ｂ１を介して、導通検出部ＤＫ１に接続される。
当該ダイシングテープ２００内における他の第２の導電層２１２ｂ、ならびに２１２ｃも、それぞれに接触する接触針、及びこれに接続された導電層を介して、導通検出部ＤＫ２、ＤＫ３に接続される。
【００８５】
当該図９ならびに図１０において、ＸＬ１〜ＸＬ３は、半導体基板１００に対する横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインを示し、またＹＬ１〜ＹＬ３は、半導体基板１００に対する縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインを示す。
【００８６】
当該ダイシングラインは、当然、当該半導体基板１００に形成された複数個の半導体素子の個片化に必要とする間隔をもって設定される。
前述の如く、かかるダイシング処理においては、ダイシングブレードは半導体基板１００の厚さを超えて、その先端がダイシングテープ２００内に侵入しつつ、被処理半導体基板と相対して横方向に移動し、当該半導体基板を切断する。
【００８７】
この時、当該ダイシングブレードの先端が、第１の導電層２１１に接すると、当該第１の導電層２１１も切断される。
即ち、図１１（Ａ）に示される如く、一つの導通検出部ＳＫ１に接続された、平行する一対の第１の導電層２１１ｂ１と第１の導電層２１１ｂ２との間において、当該第１の導電層２１１に沿ってダイシングブレードが切り込むことにより、当該平行する一対の第１の導電層２１１間に、当該平行する一対の第１の導電層２１１と交差して配設されている複数本の第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６が切断される。当該被切断部位を、領域ＣＡ１として示す。
【００８８】
この時、ダイシングブレードの、当該第１の導電層２１１に平行する方向のダイシング開始位置は特に制限されない。当該平行する一対の第１の導電層２１１に平行する方向にダイシングブレードが進行して、当該平行する一対の第１の導電層２１１と交差して配設されている複数本の第１の導電層２１１の全てが切断されれば良い。
【００８９】
前記複数本の第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６が全て切断されると、平行する一対の第１の導電層２１１ｂ１と第１の導電層２１１ｂ２との間における相互接続が無くなる。
【００９０】
当該平行する一対の第１の導電層２１１の間における相互接続が無くなったこと、即ち非導通状態に至ったことは導通検出部ＳＫ１により検出され、これにより、当該一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理は、一様な且つ所定の深さをもって実施されたことが検出される。
【００９１】
平行する一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理がなされても、導通検出部ＳＫにおける状態の変化がみられない場合、即ち導通状態が維持されている場合には、交差して配設されている複数本の第１の導電層２１１ａ１〜第１の導電層２１１ａ６のうちの何れか一つが切断されておらず、当該一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理が、一様な深さをもって実施されなかったことが検出される。
【００９２】
一方、前記ダイシングブレードが、絶縁層２０１ｂを超えて、ダイシングテープ２００内に深く侵入した場合には、図１１（Ｂ）に示される如く、前記平行する一対の第１の導電層２１１の直下に重畳して配設されている第２の導電層２１２ａが切断される。
【００９３】
当該被切断部位を、領域ＣＡ２として示す。
かかる第２の導電層２１２ａの切断がなされたか否か、即ち導通状態から非導通状態に至った否かは、導通検出部ＤＫ１により検出・表示される。
【００９４】
この様に、ブレードダイシング処理における半導体基板１００の被ダイシング状況は、前記導通検出部ＳＫならびに導通検出部ＤＫにより検出される。
これらの導通検出部における検出結果に基づき、半導体基板１００の被ダイシング状況は、以下の様に判定される。
【００９５】
縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）のダイシング処理における、被ダイシング状況の良否を、ダイシングテープ内に配設された一対の第１の導電層２１１と当該第１の導電層２１１に接続された導通検出部ＳＫの状態から判定する方法を、図１２に示す。
【００９６】
縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインＹＬ、或いは横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインＸＬに沿う（平行する）、二本（一対）の第１の導電層２１１間が非導通となれば、かかる非導通状態が導通検出部ＳＫにおいて検出・表示される。
【００９７】
即ち、かかる結果により、当該一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理は、所定の深さをもって適切に実施されたことが検出される。
当該適切なダイシング処理がなされたことを、図１２においては「Ｑ１」として表示している。
【００９８】
即ち、縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインＹＬ１〜ＹＬ３に沿うダイシング処理が、所定の深さをもって実施された場合には、導通検出部ＳＫ１〜ＳＫ３の何れにおいても、「Ｑ１」と表示される。
【００９９】
また、横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインＸＬ１〜ＸＬ３に沿うダイシング処理が、所定の深さをもって実施された場合には、導通検出部ＳＫ４〜ＳＫ５に何れにおいても、「Ｑ１」と表示される。
【０１００】
一方、縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインＹＬ、或いは横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインＸＬに沿う、一対の第１の導電層２１１ｂ間が導通状態のままであれば、当該一対の第１の導電層２１１ｂの延在方向に沿うダイシング処理は、所定の深さをもって実施されていないことが検出される。
【０１０１】
この様に、適切なダイシング処理がなされていない状態を、図１２においては「Ｑ２」として表示している。
即ち、縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインＹＬ１〜ＹＬ３に沿うダイシング処理が、所定の深さをもって実施されない場合には、当該所定の深さをもって実施されなかったダイシング処理に対応して、導通検出部ＳＫ１〜ＳＫ３の何れかにおいて「Ｑ２」と表示される。
【０１０２】
また、横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインＸＬ１〜ＸＬ３に沿うダイシング処理が、所定の深さをもって実施されない場合には、当該所定の深さをもって実施されなかったダイシング処理に対応して、導通検出部ＳＫ４〜ＳＫ５の何れかにおいて、「Ｑ２」と表示される。
【０１０３】
尚、結果として、一対の第１の導電層２１１の延在する方向に沿うダイシング処理が、所定の深さをもって適切に実施される場合であっても、当該平行する一対の第１の導電層２１１と交差して配設されている複数本の第１の導電層２１１の全てが切断されるまでは、導通検出部ＳＫは導通状態を示す。
【０１０４】
かかるブレードダイシング処理において、ダイシングブレード５０２が、ダイシングテープ２００内に所定の切り込み深さを保って半導体基板１００のダイシング処理を行っていれば、ダイシングブレード５０２は、当該ダイシングテープ２００内において第１の導電層２１１の下に絶縁層２０１ｂを介して配設された第２の導電層２１２に達せず、当該第２の導電層２１２を切断しない。
【０１０５】
この時、当該第２の導電層２１２に接続された導通検出部ＤＫは、導通状態であることを検出・表示する。
即ち、かかる結果により、前記一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理は、所定の深さをもって実施されたことが検出される。
【０１０６】
当該適切なダイシング処理がなされたことを、図１３において「Ｑ３」として表示している。
一方、ダイシングブレード５０２が、ダイシングテープ２００内により深く切り込んだ場合には、当該第２の導電層２１２の切断を生じる。
【０１０７】
当該第２の導電層２１２は、一つの導電層が略コの字状をもってジグザグに連続して配設されていることから、一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理において、当該第２の導電層２１２が１ヶ所でも切断状態に至ると、当該第２の導電層２１２に接続された導通検出部ＤＫは、非導通状態に至ったことを検出・表示する。
【０１０８】
即ち、かかる結果により、一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿うダイシング処理において、当該一対の第１の導電層２１１の延在方向に沿う部位の少なくとも一部が、所定の深さ以上に深く切り込まれたことが検出される。
【０１０９】
この様に、所定の深さ以上の深さをもってダイシング処理が実施されたことを、図１３において「Ｑ４」として表示している。
この様に、ダイシングブレード５０２が、ダイシングテープ２００内により深く切り込んだ場合、当該ダイシングブレード５０２自体に損傷を生じるなどのことから、当該ブレードダイシング処理の実行を停止する。
【０１１０】
尚、当該第２の導電層２１２を、ジグザグに連続して配設された一つの導電層により形成することに代えて、第１の導電層２１１の如く、平行する２本の導電層と当該導電層の間を複数箇所にて接続する、即ち格子状をなす導電層をもって形成することが考えられる。
【０１１１】
しかしながら、この様な導電層構造であると、平行する２本の導電層の間を複数箇所にて接続する導電層の全てが切断されない限り、導通検出部ＤＫは非導通状態を検出・表示しない。
【０１１２】
即ち、平行する２本の導電層に沿うダイシングラインに対するダイシング処理が、その全長にわたってダイシングテープ２００内により深く切り込んだ状態で実施されない限り、ダイシングブレード５０２が部分的にも所定の深さ以上に深く切り込んだことが検出されない。
【０１１３】
従って、当該ダイシングブレード５０２による不要な深い切り込みを検出することに対しては、適当ではない。
この様に、本発明によるブレードダイシング処理方法にあっては、内部に、二つの導電層がダイシング処理方向に対応して配置され、且つ絶縁層を介して積層されたダイシングテープ２００を適用する。
【０１１４】
そして、ダイシング処理の際、当該二つの導電層がダイシングブレード５０２によって切断されるか否かを電気的に検出することにより、当該ダイシングブレード５０２が所定の深さをもって切り込んでいるか否かが検出・表示される。
【０１１５】
この時、当該ダイシングブレード５０２がダイシングテープ２００内に、連続して所定の深さをもって切り込んでいることを検知するために、上層に位置する導電層、即ち前記第１の導電層２１１は、ダイシング方向に沿って延在する一対の導電層と、当該一対の導電層の間を複数の箇所において接続する導電層を相互に接続する導電層から形成され、当該ダイシングテープ２００の表面と平行な平面において格子状をなす。
【０１１６】
かかる格子状導電層の全てが、ダイシングブレード５０２によって切断分離されることにより、当該ダイシングブレード５０２がダイシングテープ２００の所定の深さまで達し、且つダイシングラインの全長にわたって、切り込みがなされたことが検出される。
【０１１７】
ダイシング処理後、その対象となったダイシングラインにおいて、対応する導通検出部ＳＫに導通状態の検出・表示がなされる場合には、所定の深さまで達しないダイシング処理がなされていることから、ダイシング装置の設定を確認・変更して再度ダイシング処理を行う。
【０１１８】
一方、第１の導電層２１１の下層に、絶縁層２０１ｂを介して配置される第２の導電層２１２は、当該ダイシングテープ２００の表面と平行な平面において、一つの導電層が略コの字状をもってジグザグに連続して配設される。
【０１１９】
かかるジグザグ状導電層の少なくとも一部が、ダイシングブレード５０２によって切断分離されることにより、当該ダイシングブレード５０２がダイシングテープ２００の所定の深さ以上の深さ、即ち所定の深さ以上の深さにまで達したことが検出される。
【０１２０】
ダイシング処理中、その対象となったダイシングラインにおいて、対応する導通検出部ＤＫに非導通状態の検出・表示がなされた場合には、所定の深さ以上に深いダイシング処理が行われることが発生したことから、直ちにダイシング装置を停止して、当該所定の深さ以上に深いダイシング処理の進行を止める。
【０１２１】
停止されたダイシング装置に対して、ダイシング条件の設定を確認・変更した後、ダイシング処理を再開する。
尚、当該導通検出部ＤＫにおいて非導通状態の検出・表示がなされた場合に、直ちにダイシング装置を停止することは、当該ダイシング処理装置の制御方法において自動化を図ることができる。
【０１２２】
本発明によるダイシング処理方法に従う工程フローを、図１４に示す。
また、縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理における工程フローを図１５に示し、横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理における工程フローを図１６に示す。
【０１２３】
本発明にかかるダイシング処理にあっては、予め、ダイシングブレード５０２の切り込み深さを設定する［ステップＳ３１］。
本発明にかかるダイシング処理にあっては、ダイシングブレード５０２のダイシングテープ２００内への切り込み深さ、即ち半導体基板１００を切断した当該ダイシングプレード５０２の刃先が、ダイシングテープ２００内において、絶縁層２０１ｂを介して積層された第１の導電層２１１と第２の導電層２１２の間に位置、即ち絶縁層２０１ｂ中に位置するように設定する。
【０１２４】
一方、半導体基板１００に対するダイシング処理情報を、ダイシング処理装置のデータ保持部（図示せず）に収容・保持する［ステップＳ３２］。
当該ダイシング処理情報は、半導体基板１００に形成された半導体素子情報であって、矩形状半導体素子の製品情報・外径寸法などを含み、当該半導体基板上１００に付与されたバーコード情報を読み出すことにより、データ保持部に収容する。
【０１２５】
前記ダイシング処理情報に基づき、半導体基板１００に対してダイシング処理を施す。
即ち、半導体基板１００に対して、先ず縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理を施す［ステップＳ３３］。
【０１２６】
当該縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理は、当該半導体基板１００において設定された、即ち半導体素子間の全ての縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシングラインに対して行われる。
【０１２７】
しかる後、前記半導体基板１００を、９０度回転せしめる［ステップＳ３４］。
そして、半導体基板１００に対して、横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理を施す［ステップＳ３５］。
【０１２８】
当該横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理も、半導体基板１００において設定された、即ち半導体素子間の全ての横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシングラインに対して行われる。
【０１２９】
前述の縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理と、横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理とによって、半導体基板１００に形成されていた複数個の半導体素子は、その裏面に配設されていたＤＡＦ３０１と共に切断・分離され、個々の半導体素子に分割（個片化）される。
【０１３０】
かかるダイシング処理における処理情報は、前記ダイシング処理装置のデータ保持部に収容・保持されて、これ以降のダイシング処理の際、必要に応じて利用される［ステップＳ３６］。
【０１３１】
縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理について、図１５を参照して説明する。
先ず、半導体基板１００における縦方向（Ｙ軸方向）のダイシングラインＹＬ１，ＹＬ２，ＹＬ３（図９参照）のうち、ダイシングラインＹＬ１を選択する［ステップＳ３３ａ］。
【０１３２】
そして、所定の回転数をもって回転するダイシングブレード５０２及び／或いは半導体基板１００を移動させ、当該ダイシングブレード５０２によりダイシングラインＹＬ１に沿って半導体基板１００を切り込んでゆく。
【０１３３】
この時、ダイシングテープ内にあって、切断される第１の導電層２１１の格子状の導通領域の導通を、コンタクトピン５１１を介して導通検出部ＳＫ１により検出する［ステップＳ３３ｂ］。
【０１３４】
また、この時、第２の導電層２１２の切断の発生の有無を、導通検出部ＤＫ１により検出する［ステップＳ３３ｃ］。
かかるダイシング処理の結果、前記導通検出部ＳＫ１の検出結果・表示が導通「Ｑ２」から非導通「Ｑ１」となり、且つ、導通検出部ＤＫ１の検出結果・表示が、導通「Ｑ３」を維持すれば、ダイシングラインＹＬ１に沿うダイシング処理は所定の深さをもって実施されたことになる。
【０１３５】
当該導通検出部ＳＫ１、導通検出部ＤＫ１の検出結果は、当該ダイシング装置の制御部へ送られる。
かかるダイシング処理の結果において、導通検出部ＳＫ１の検出結果・表示が導通「Ｑ２」のままである場合には、ダイシングラインＹＬ１において、所定の深さをもって実施されていない領域、即ち浅い領域が存在することを示している。
【０１３６】
この場合には、ダイシング条件の設定を確認・変更した後、再度ダイシングラインＹＬ１に対してダイシング処理を行う［ステップＳ３３ｄ］。
一方、かかるダイシング処理の際、導通検出部ＤＫ１の検出結果・表示が、導通「Ｑ３」から非導通「Ｑ４」に変更された場合には、ダイシングラインＹＬ１において、所定の深さ以上の深さに切断された領域が生じたことを示す。
【０１３７】
この場合には、直ちにダイシング装置を停止して、当該所定の深さ以上に深いダイシング処理の進行を止め、停止されたダイシング装置において、ダイシング条件の設定を確認・変更した後、ダイシング処理を再開する［ステップＳ３３ｄ］。
【０１３８】
前述の如く、ダイシングラインＹＬ１のダイシング処理において、導通検出部ＳＫ１の検出結果・表示が導通「Ｑ２」から非導通「Ｑ１」となり、且つ、導通検出部ＤＫ１の検出結果・表示が、導通「Ｑ３」を維持すれば、次なるダイシングラインＹＬ２に沿ったダイシング処理がなされる。
【０１３９】
この時、導通検出部ＳＫ２、導通検出部ＤＫ２の検出結果・表示をもって、当該ダイシングラインＹＬ２に対するダイシング処理の良否を監視する。
二つの導通検出部の何れかにおいて、異常が検出されたならば、前述の如くダイシング条件の設定を確認・変更した後、ダイシング処理を再開する。
【０１４０】
この様にして、半導体基板１００におけるところの、縦方向（Ｙ軸方向）に沿う全てのダイシングラインに対して、順次ダイシング処理を実施する［ステップＳ３３ｅ］。
縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理が終了したならば、半導体基板１００を９０度回転させ、当該半導体基板１００の横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理を行う。
【０１４１】
横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理について、図１６を参照して説明する。
先ず、半導体基板１００における横方向（Ｘ軸方向）のダイシングラインＸＬ１，ＸＬ２，ＸＬ３（図９参照）のうち、ダイシングラインＸＬ１を選択する［ステップＳ３５ａ］。
【０１４２】
そして、所定の回転数をもって回転するダイシングブレード５０２及び／或いは半導体基板１００を移動させ、当該ダイシングブレード５０２によりダイシングラインＸＬ１を切り込んでゆく。
【０１４３】
即ち、此処では、ダイシングブレード５０２は、図１６においての左側から右方向へ進行するものとする。
この時、切断される第１の導電層２１１の格子状の導通領域の導通を、コンタクトピン５１１を介して導通検出部ＳＫ４により検出する［ステップＳ３５ｂ］。
【０１４４】
また、この時、第２の導電層２１２の切断の発生の有無を、導通検出部ＤＫ１〜ＤＫ３により検出する［ステップＳ３５ｃ１〜ステップＳ３５ｃ３］。
当該ダイシング処理の結果、当該導通検出部ＳＫ４の検出結果・表示が導通「Ｑ２」から非導通「Ｑ１」となり、且つ、導通検出部ＤＫ１〜ＤＫ３の全ての検出結果・表示が、導通「Ｑ３」を維持すれば、ダイシングラインＸＬ１に沿うダイシング処理は所定の深さをもって実施されたことになる。
【０１４５】
当該導通検出部ＳＫ４、導通検出部ＤＫ１〜ＤＫ３の検出結果は、当該ダイシング装置の制御部へ送られる。
かかるダイシング処理の結果において、導通検出部ＳＫ４の検出結果・表示が導通「Ｑ２」のままである場合には、ダイシングラインＸＬ１において、所定の深さをもって実施されていない領域、即ち浅い領域が存在することを示している。
【０１４６】
この場合には、ダイシング条件の設定を確認・変更した後、再度ダイシングラインＸＬ１に対してダイシング処理を行う［ステップＳ３５ｄ］。
一方、かかるダイシング処理の際、導通検出部ＤＫ１、ＤＫ２、或いはＤＫ３の何れかにおける検出結果・表示が、導通「Ｑ３」から非導通「Ｑ４」に変更された場合には、ダイシングラインＸＬ１において、所定の深さ以上の深さに切断された領域が生じたことを示す。
【０１４７】
この場合には、直ちにダイシング装置を停止して、当該所定の深さ以上に深いダイシング処理の進行を止め、停止されたダイシング装置において、ダイシング条件の設定を確認・変更した後、ダイシング処理を再開する［ステップＳ３５ｄ］。
【０１４８】
前述の如く、ダイシングラインＸＬ１のダイシング処理において、導通検出部ＳＫ４の検出結果・表示が導通「Ｑ２」から非導通「Ｑ１」となり、且つ、導通検出部ＤＫ１〜ＤＫ３の検出結果・表示が、導通「Ｑ３」を維持すれば、次なるダイシングラインＸＬ２に対するダイシング処理がなされる。
【０１４９】
この時、導通検出部ＳＫ５、導通検出部ＤＫ１〜ＤＫ３の検出結果・表示をもって、当該ダイシングラインＸＬ２に対するダイシング処理の良否を監視する。
二つの導通検出部の何れかにおいて、異常が検出されたならば、前述の如くダイシング条件の設定を確認・変更した後、ダイシング処理を再開する。
【０１５０】
この様にして、半導体基板１００におけるところの、横方向（Ｘ軸方向）に沿う全てのダイシングラインに対して、順次ダイシング処理を実施する［ステップＳ３５ｅ］。
尚、この様に、縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理を行った後に、横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理を行う場合においては、先行した縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理の際に第２の導電層２１２の何れかが切断される状態を生じた場合、そのまま、即ち第２の導電層２１２の何れかが切断された状態において横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理を実行することになる。
【０１５１】
この様な場合、当該横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理工程にあっては、既に切断されている第２の導電層２１２に関する導通検出部ＤＫの検出結果については無視し、ダイシング方向に沿うところの次なる第２の導電層２１２に関する導通検出部ＤＫの検出結果によって対応する。
【０１５２】
かかる処理は、前述の如く、ダイシング装置の制御部へ送られる導通検出部ＳＫならびに導通検出部ＤＫの検出結果に基づいてなされる。
横方向（Ｘ軸方向）に沿うダイシング処理を先行し、次いで縦方向（Ｙ軸方向）に沿うダイシング処理を行う場合にも、同様の対応を行う。
【０１５３】
この様に、本発明にあっては、被処理半導体基板が載置されるところのダイシングテープにおいて、その厚さ方向に絶縁分離された二つの導電層を具備して、ダイシング処理の際、被処理半導体基板側から当該ダイシングテープ内に切り込むダイシングブレードの切り込み量（切り込み深さ）を監視・検出し、その検出結果に基づき、必要であればダイシング処理条件を補正して、ダイシング処理を続行する。
【０１５４】
これにより、当該ダイシング処理においての、ダイシングブレードのダイシングテープ中への切り込み量を所定の範囲とすることができ、もって被処理半導体基板の個片化を実現すると共に、当該ダイシングテープへの過剰な切り込みを抑制・防止することができる。
【０１５５】
被処理半導体基板側からダイシングテープ内への切り込みが所定の深さでなされることにより、被処理半導体基板の個片化を実現すると共に、当該半導体基板とダイシングテープとの間に位置するダイ・アタッチ・フィルム（ＤＡＦ）も当該半導体基板と共に切断・分離され、不要な切り屑を生じない。
【０１５６】
従って、当該ＤＡＦの切り屑による半導体素子表面への損傷の付与、或いは当該半導体素子の回路基板等への傾斜した搭載などを防止することができる。
また、ダイシングテープへの切り込み量を所定の範囲内とすることにより、当該ダイシングテープには深い切り込みによる肉薄部、脆弱部を生じない。
【０１５７】
もって当該ダイシングテープからの半導体素子のピックアップの際、当該ダイシングテープの拡張を行っても、その破断を生ずる恐れが無い。
尚、当該ダイシングテープ内に、その厚さ方向に絶縁分離されて配設される二つの導電層は、その厚さが薄いことから、当該導電層に接するダイシングブレードに損傷を与えることはなく、これにより当該ダイシングブレードの寿命を制限するものではない。
【０１５８】
（付記１）  支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングテープ内に切り込む前記ダイシングブレードの位置を、当該ダイシングテープ内に、その厚さ方向に絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を用いて検出する、
ことを特徴とするダイシング処理方法。
【０１５９】
（付記２）  支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングブレードの切り込み深さを、前記ダイシングテープ内にその厚さ方向に絶縁層を介して積層配置された二つの導電層の間に設定して行う、
ことを特徴とするダイシング処理方法。
【０１６０】
（付記３）  支持基板上に、ダイシングテープを介して半導体基板を載置し、当該半導体基板を、ダイシングブレードを用いて切断するダイシング処理方法において、
前記ダイシングテープ内に切り込む前記ダイシングブレードの位置を、
前記ダイシングテープ内において前記半導体基板側に位置して配置され、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含む第１の導電層と、
当該第１の導電層とは絶縁層を介して配設され、且つジグザグ状に連続して配設されてなる一つの導電層からなる第２の導電層と、
を用いて検出することを特徴とするダイシング処理方法。
【０１６１】
（付記４）  前記ダイシングテープ内において前記半導体基板側に位置して配置され、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含む第１の導電層と、
当該第１の導電層とは絶縁層を介して配設され、且つジグザグ状に連続して配設されてなる一つの導電層からなる第２の導電層は、
少なくとも一部が重畳して配置されてなる、
ことを特徴とする付記１または２に記載のダイシング処理方法。
【０１６２】
（付記５）  前記半導体基板は、ダイ・アタッチ・フィルムを介して前記ダイシングテープ上に配置されていることを特徴とする付記１記載のダイシング方法。
（付記６）  厚さ方向に、絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を具備する、
ことを特徴とするダイシングテープ。
【０１６３】
（付記７）  厚さ方向に、絶縁層を介して積層配置された二つの導電層を具備し、
第１の導電層は、ダイシングラインに沿う二つの導電層と、当該二つの導電層の間を複数の箇所で接続する導電層を含み、
前記第１の導電層から絶縁層を介して配設された第２の導電層は、ジグザグ状に連続する導電層からなる、
ことを特徴とするダイシングテープ。
【０１６４】
（付記８）  前記第１の導電層と第２の導電層は、少なくともその一部が重畳されている、
ことを特徴とする付記７記載のダイシングテープ。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の実施の形態の概要を説明するための断面図である。
【図２】ダイシングテープにおける上部導電層のパターンを示す平面図である。
【図３】ダイシングテープにおける下部導電層のパターンを示す平面図である。
【図４】ダイシングテープにおいて、上部導電層及び下部導電層が積層配置された状態を示す平面図（その１）である。
【図５】ダイシングテープにおいて、上部導電層及び下部導電層が積層配置された状態を示す平面図（その２）である。
【図６】上部導電層に接触するコンタクトピンが配設されたダイシングテーブルを示す図である。
【図７】下部導電層に接触するコンタクトピンが配設されたダイシングテーブルを示す図である。
【図８】上部導電層及び下部導電層と接触するコンタクトピンが配設されたダイシングテーブルを示す平面図である。
【図９】ダイシングテープにおける上部導電層とコンタクトピンとの接触状態を示す図である。
【図１０】ダイシングテープにおける下部導電層とコンタクトピンとの接触状態を示す図である。
【図１１】ダイシングテープにおける導電層の切断状態を説明するための図である。
【図１２】上部導電層の導通と切り込み深さとの関係を示す表である。
【図１３】下部導電層の導通と切り込み深さとの関係を示す表である。
【図１４】ダイシング処理方法を示す工程フロー図である。
【図１５】Ｙラインに沿ったダイシング処理方法を示す工程フロー図である。
【図１６】Ｘラインに沿ったダイシング処理方法を示す工程フロー図である。
【図１７】半導体装置の製造工程を説明するための図（その１）である。
【図１８】半導体装置の製造工程を説明するための図（その２）である。
【図１９】半導体装置の製造工程を説明するための図（その３）である。
【図２０】半導体装置の製造工程を説明するための図（その４）である。
【図２１】従来の半導体基板のダイシング処理方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１００  半導体基板
２００  ダイシングテープ
２１１，２１２  導電層
５００  ダイシング装置
５０２  ダイシングブレード
５１１，５１２  接触針
ＳＫ，ＤＫ  導通検出部
【図１】
2010141150.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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