(57)【要約】【課題】マイグレーションによる短絡を抑えることができる配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】裏面電極型太陽電池セルが設置される領域であるセル設置部の端に最も近接して配置されている周縁部配線の幅または間隔に特徴のある配線シート、半導体基板の端に最も近接して配置されている周縁部電極と周縁部電極に隣り合う電極との間隔に特徴のある裏面電極型太陽電池セル、これらの少なくとも一方を含む配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。【選択図】図１
2010283052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面電極型太陽電池セルを設置するための配線シートであって、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の一方の面側に設置された配線と、を含み、
裏面電極型太陽電池セルが設置される領域であるセル設置部の端に最も近接して配置されている配線である周縁部配線の幅が、前記周縁部配線よりも前記セル設置部の内側に配置されている配線の幅よりも広い、配線シート。
【請求項２】
裏面電極型太陽電池セルを設置するための配線シートであって、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の一方の面側に設置された配線と、を含み、
裏面電極型太陽電池セルが設置される領域であるセル設置部の端に最も近接して配置されている配線である周縁部配線と前記周縁部配線に隣り合う配線との間隔が、前記周縁部配線よりも前記セル設置部の内側に配置されている隣り合う配線同士の間隔よりも広い、配線シート。
【請求項３】
前記周縁部配線と前記周縁部配線に隣り合う配線との間隔が、前記周縁部配線よりも前記セル設置部の内側に配置されている隣り合う配線同士の間隔の２倍以上であることを特徴とする、請求項２に記載の配線シート。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の配線シートと、
半導体基板と前記半導体基板の一方の面側に設置された電極とを備えた裏面電極型太陽電池セルと、を含む、配線シート付き太陽電池セル。
【請求項５】
請求項４に記載の配線シート付き太陽電池セルを含む、太陽電池モジュール。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面側に設置された電極と、を含み、
前記半導体基板の端に最も近接して配置されている電極である周縁部電極と前記周縁部電極に隣り合う電極との間隔が、前記周縁部電極よりも前記半導体基板の内側に配置されている隣り合う電極同士の間隔よりも広い、裏面電極型太陽電池セル。
【請求項７】
前記周縁部電極と前記周縁部電極に隣り合う電極との間隔が、前記周縁部電極よりも前記半導体基板の内側に配置されている隣り合う電極同士の間隔の２倍以上であることを特徴とする、請求項６に記載の裏面電極型太陽電池セル。
【請求項８】
請求項６または７に記載の裏面電極型太陽電池セルと、
絶縁性基材と前記絶縁性基材の一方の面側に設置された配線とを備えた配線シートと、を含む、配線シート付き太陽電池セル。
【請求項９】
請求項８に記載の配線シート付き太陽電池セルを含む、太陽電池モジュール。
【請求項１０】
請求項１から３のいずれかに記載の配線シートと、
請求項６または７に記載の裏面電極型太陽電池セルと、を含む、配線シート付き太陽電池セル。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線シート付き太陽電池セルを含む、太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に太陽電池セルを用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
【０００３】
太陽電池セルは、従来から、たとえば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合を形成し、シリコン基板の受光面と受光面の反対側の裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルが主流となっている。また、両面電極型太陽電池セルにおいては、シリコン基板の裏面にシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。
【０００４】
また、シリコン基板の受光面に電極を形成せず、シリコン基板の裏面のみに電極を形成した裏面電極型太陽電池セルを配線シート上に設置した配線シート付きの太陽電池セル（配線シート付き太陽電池セル）についても研究開発が進められている（たとえば特許文献１等参照）。
【０００５】
以下、図１６（ａ）および図１６（ｂ）の模式的断面図を参照して、従来の配線シート付き太陽電池セルの製造方法について説明する。
【０００６】
まず、図１６（ａ）に示すように、配線シート１００上に裏面電極型太陽電池セル８０を設置する。
【０００７】
ここで、裏面電極型太陽電池セル８０のｎ型シリコン基板１０１の裏面のｎ+層１０２に接するｎ型用銀電極１０６の表面に形成された半田１１９が配線シート１００のガラエポ基板１１１上に形成されたｎ型用銅配線１１２の表面に形成された半田１１９上に設置されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８０のｎ型シリコン基板１０１の裏面のｐ+層１０３に接するｐ型用銀電極１０７の表面に形成された半田１１９が配線シート１００のガラエポ基板１１１上に形成されたｐ型用銅配線１１３の表面に形成された半田１１９上に設置される。なお、配線シート１００において、ｎ型用銅配線１１２およびｐ型用銅配線１１３はすべて同一の幅に形成されている。
【０００８】
そして、裏面電極型太陽電池セル８０側から熱風を吹きつけて双方の半田１１９を溶解させた後に冷却することによって、図１６（ｂ）に示すように、裏面電極型太陽電池セル８０のｎ型用銀電極１０６と配線シート１００のｎ型用銅配線１１２とが半田１１９によって接続されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８０のｐ型用銀電極１０７と配線シート１００のｐ型用銅配線１１３とが半田１１９によって接続されることによって、裏面電極型太陽電池セル８０と配線シート１００とが接合されて配線シート付き太陽電池セルが作製される。
【０００９】
上記のようにして作製された配線シート付き太陽電池セルは、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）などの透明樹脂中に封止されることにより太陽電池モジュールとされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−３４０３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１７（ａ）に、上記のようにして作製された従来の太陽電池モジュールの発電時における裏面電極型太陽電池セルの内側の接続部の模式的な拡大断面図を示し、図１７（ｂ）に上記のようにして作製された従来の太陽電池モジュールの発電時における裏面電極型太陽電池セルの端の接続部の模式的な拡大断面図を示す。
【００１２】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、太陽電池モジュールの発電時においては、ｎ型用銅配線１１２と比べてｐ型用銅配線１１３の方が高電位となるため、ｐ型用銅配線１１３からｎ型用銅配線１１２に向けて電気力線１２０が生じることになる。ここで、ｐ型用銅配線１１３とｎ型用銅配線１１２との間の電位差がそれぞれ同一である場合には、それぞれのｐ型用銅配線１１３からは同数の電気力線１２０が生じることになる。
【００１３】
たとえば図１７（ａ）に示すように、太陽電池モジュールの内側の接続部においては、ｐ型用銅配線１１３から生じる電気力線１２０がｐ型用銅配線１１３の両隣に位置するｎ型用銅配線１１２に向けてそれぞれ同数ずつ（この例では４本ずつ）生じることになる。
【００１４】
しかしながら、たとえば図１７（ｂ）に示すように、太陽電池モジュールの端の接続部においては、ｐ型用銅配線１１３は１つのｎ型用銅配線１１２にのみ隣り合っているため、ｐ型用銅配線１１３から生じる電気力線１２０はｐ型用銅配線１１３の一方の側に位置するｎ型用銅配線１１２に向けてのみ生じる（この例では８本）ことになる。
【００１５】
したがって、従来の太陽電池モジュールの裏面電極型太陽電池セルの端の接続部においては、裏面電極型太陽電池セルの内側の接続部と比べて、隣り合うｎ型用銅配線１１２とｐ型用銅配線１１３との間に２倍の電界強度の電界が生じていることになる。
【００１６】
このように、太陽電池モジュールの隣り合うｎ型用銅配線１１２とｐ型用銅配線１１３との間に大きな電界強度の電界が生じている場合には、配線シート１００の配線を構成する銅のイオンがマイグレーションしやすくなる。そして、マイグレーションした銅のイオンにより、隣り合うｎ型用銅配線１１２とｐ型用銅配線１１３との間に針状の物質が形成されてこれらの配線が電気的に接続されて短絡した場合には太陽電池モジュールの特性が大きく低下することになる。
【００１７】
なお、上記においては、配線シート１００の隣り合うｎ型用銅配線１１２とｐ型用銅配線１１３との間の銅イオンのマイグレーションによる短絡について述べたが、裏面電極型太陽電池セル８０の隣り合うｎ型用銀電極１０６とｐ型用銀電極１０７との間の銀イオンのマイグレーションによって生じた針状の物質による短絡も上記と同様に生じ得る。
【００１８】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、金属イオンのマイグレーションに起因する短絡を抑えることができる配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、裏面電極型太陽電池セルを設置するための配線シートであって、絶縁性基材と、絶縁性基材の一方の面側に設置された配線とを含み、裏面電極型太陽電池セルが設置される領域であるセル設置部の端に最も近接して配置されている配線である周縁部配線の幅が周縁部配線よりもセル設置部の内側に配置されている配線の幅よりも広い配線シートである。
【００２０】
また、本発明は、裏面電極型太陽電池セルを設置するための配線シートであって、絶縁性基材と、絶縁性基材の一方の面側に設置された配線とを含み、裏面電極型太陽電池セルが設置される領域であるセル設置部の端に最も近接して配置されている配線である周縁部配線と周縁部配線に隣り合う配線との間隔が周縁部配線よりもセル設置部の内側に配置されている隣り合う配線同士の間隔よりも広い配線シートである。ここで、周縁部配線と周縁部配線に隣り合う配線との間隔がセル設置部において周縁部配線よりも内側に配置されている隣り合う配線同士の間隔の２倍以上であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明は、上記のいずれかの配線シートと、半導体基板と半導体基板の一方の面側に設置された電極とを備えた裏面電極型太陽電池セルとを含む配線シート付き太陽電池セルである。
【００２２】
また、本発明は、上記の配線シート付き太陽電池セルを含む、太陽電池モジュールである。
【００２３】
また、本発明は、半導体基板と、半導体基板の一方の面側に設置された電極とを含み、半導体基板の端に最も近接して配置されている電極である周縁部電極と周縁部電極に隣り合う電極との間隔が周縁部電極よりも半導体基板の内側に配置されている隣り合う電極同士の間隔よりも広い裏面電極型太陽電池セルである。
【００２４】
ここで、本発明の裏面電極型太陽電池セルにおいては、周縁部電極と周縁部電極に隣り合う電極との間隔が、半導体基板において周縁部電極よりも内側に配置されている隣り合う電極同士の間隔の２倍以上であることが好ましい。
【００２５】
また、本発明は、上記の裏面電極型太陽電池セルと、絶縁性基材と絶縁性基材の一方の面側に設置された配線とを備えた配線シートとを含む配線シート付き太陽電池セルである。
【００２６】
また、本発明は、上記の配線シート付き太陽電池セルを含む太陽電池モジュールである。
【００２７】
また、本発明は、上記の配線シートと、上記の裏面電極型太陽電池セルとを含む配線シート付き太陽電池セルである。
【００２８】
さらに、本発明は、上記の配線シート付き太陽電池セルを含む太陽電池モジュールである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、金属イオンのマイグレーションに起因する短絡を抑えることができる配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の太陽電池モジュールの一例の模式的な断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の内側の接続部の模式的な拡大断面図であり、（ｂ）は、図１に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の端の接続部の模式的な拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、図１に示す裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図４】図１に示す裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す配線シートの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図６】図１に示す配線シートの表面の一例の模式的な平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す太陽電池モジュールに用いられる配線シート付き太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図８】本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図である。
【図９】（ａ）は、図８に示す太陽電池モジュールの発電時における半導体基板の内側の接続部の模式的な拡大断面図であり、（ｂ）は、図８に示す太陽電池モジュールの発電時における半導体基板の端の接続部の模式的な拡大断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｇ）は、図８に示す裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図１１】図８に示す裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。
【図１２】本発明の太陽電池モジュールのさらに他の一例の模式的な断面図である。
【図１３】（ａ）は、図１２に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の内側の接続部の模式的な拡大断面図であり、（ｂ）は、図１２に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の端の接続部の模式的な拡大断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、図１２に示す配線シートの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図１５】図１２に示す配線シートの表面の一例の模式的な平面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、従来の配線シート付き太陽電池セルの製造方法について図解する模式的な断面図である。
【図１７】（ａ）は従来の太陽電池モジュールの発電時における裏面電極型太陽電池セルの内側の接続部の模式的な拡大断面図であり、（ｂ）は従来の太陽電池モジュールの発電時における裏面電極型太陽電池セルの端の接続部の模式的な拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００３２】
＜実施の形態１＞
図１に、本発明の太陽電池モジュールの一例の模式的な断面図を示す。図１に示す構成の太陽電池モジュールは、裏面電極型太陽電池セル８が配線シート１０上に設置された構造の配線シート付き太陽電池セルがガラス基板などの透明基板１７とポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間のエチレンビニルアセテートなどの封止材１８中に封止された構造となっている。
【００３３】
ここで、裏面電極型太陽電池セル８は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する半導体基板１と、半導体基板１の裏面に交互に配列するようにして形成されたｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３と、ｎ型不純物拡散領域２に接するようにして形成されたｎ型用銀電極６と、ｐ型不純物拡散領域３に接するようにして形成されたｐ型用銀電極７とを含んでいる。したがって、半導体基板１の裏面側には、ｎ型不純物拡散領域２に対応するｎ型用銀電極６と、ｐ型不純物拡散領域３に対応するｐ型用銀電極７とが形成されている。
【００３４】
また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の受光面にはテクスチャ構造などの凹凸構造が形成されており、その凹凸構造を覆うようにして反射防止膜５が形成されている。また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面にはパッシベーション膜４が形成されている。
【００３５】
また、裏面電極型太陽電池セル８の裏面側のｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７はそれぞれ半導体基板１とは反対側に突出する形状となっており、ｎ型用銀電極６の電極幅およびｐ型用銀電極７の電極幅はそれぞれ半導体基板１から離れるにしたがって連続的に減少し、ｎ型用銀電極６の外表面およびｐ型用銀電極７の外表面はそれぞれ円柱の側面のように湾曲した曲面となっている。
【００３６】
なお、この例においては、ｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３はそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されており、ｎ型不純物拡散領域２とｐ型不純物拡散領域３とは半導体基板１の裏面において交互に所定の間隔をあけて配置されている。
【００３７】
また、この例においては、ｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７もそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されており、ｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７はそれぞれパッシベーション膜４に設けられた開口部を通して、半導体基板１の裏面のｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３に沿って、ｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３にそれぞれ接するようにして形成されている。
【００３８】
一方、配線シート１０は、絶縁性基材１１と、絶縁性基材１１の表面上に形成されたｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３とを含んでいる。
【００３９】
また、配線シート１０の絶縁性基材１１上のｎ型用銅配線１２は、裏面電極型太陽電池セル８の裏面のｎ型用銀電極６と互いに１本ずつ向かい合う形状に形成されている。
【００４０】
また、配線シート１０の絶縁性基材１１上のｐ型用銅配線１３は、裏面電極型太陽電池セル８の裏面のｐ型用銀電極７と互いに１本ずつ向かい合う形状に形成されている。
【００４１】
なお、この例においては、配線シート１０のｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３もそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されている。
【００４２】
そして、裏面電極型太陽電池セル８のｎ型用銀電極６と配線シート１０のｎ型用銅配線１２とは電気的に接続されているとともに、裏面電極型太陽電池セル８のｐ型用銀電極７と配線シート１０のｐ型用銅配線１３とも電気的に接続されている。
【００４３】
ここで、図１に示す太陽電池モジュールにおいては、配線シート１０の裏面電極型太陽電池セル８が設置される領域であるセル設置部（裏面電極型太陽電池セル８が設置される配線シート１０の表面領域であって、裏面電極型太陽電池セル８の１つ当たりの領域）の端に最も近接して配置されている周縁部配線（図１に示す例では、配線シート１０の右端のｐ型用銅配線１３と左端のｎ型用銅配線１２）の幅Ｄ２が、セル設置部の周縁部配線よりも内側に配置されている配線（図１に示す例では、配線シート１０の右端のｐ型用銅配線１３以外のｐ型用銅配線１３および左端のｎ型用銅配線１２以外のｎ型用銅配線１２）の幅Ｄ１よりも広くなっている。
【００４４】
図２（ａ）に、図１に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の内側の接続部の模式的な拡大断面図を示し、図２（ｂ）に図１に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の端の接続部の模式的な拡大断面図を示す。
【００４５】
図２（ａ）に示すように、図１に示す太陽電池モジュールの発電時においては、セル設置部の内側におけるｐ型用銅配線１３から生じる電気力線１２０はｐ型用銅配線１３の両隣に位置するｎ型用銅配線１２にそれぞれ分かれて生じるため、ｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度を低く抑えることができる。
【００４６】
そして、図２（ｂ）に示すように、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３の幅Ｄ２がその内側に配置されているｐ型用銅配線１３の幅Ｄ１よりも広く形成されているため、電気力線１２０が生じる起点の間隔が広がり、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電気力線１２０の密度を低く抑えることができる。
【００４７】
これにより、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度も低く抑えることができる。
【００４８】
また、図１に示す太陽電池モジュールのセル設置部の端に最も近接して配置されている幅Ｄ２のｎ型用銅配線１２とそのｎ型用銅配線１２に隣り合うｐ型用銅配線１３との間の電界の電界強度についても上記と同様のことが言える。
【００４９】
以上により、図１に示す太陽電池モジュールにおいては、太陽電池モジュールのセル設置部の端部近傍における銅配線および銀電極からの銅イオンおよび銀イオンなどの金属イオンのマイグレーションを抑えることができるため、金属イオンのマイグレーションにより生じる針状の物質に起因する太陽電池モジュールの特性の低下および信頼性の低下を抑えることができる。
【００５０】
以下、図３（ａ）〜図３（ｇ）の模式的断面図を参照して、図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の製造方法の一例について説明する。
【００５１】
まず、図３（ａ）に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板１の表面にスライスダメージ１ａが形成された半導体基板１を用意する。ここで、半導体基板１としては、たとえば、ｎ型またはｐ型のいずれかの導電型を有する多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板を用いることができる。
【００５２】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面のスライスダメージ１ａを除去する。ここで、スライスダメージ１ａの除去は、たとえば半導体基板１が上記のシリコン基板からなる場合には、上記のスライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
【００５３】
ここで、スライスダメージ１ａの除去後の半導体基板１の大きさおよび形状も特に限定されないが、たとえば厚さが１００μｍ以上５００μｍ以下の半導体基板１を用いることができる。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示すように、半導体基板１の裏面に、ｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３をそれぞれ形成する。ここで、ｎ型不純物拡散領域２は、たとえば、ｎ型不純物を含むガスを用いた気相拡散またはｎ型不純物を含むペーストを塗布した後に熱処理する塗布拡散などの方法により形成することができる。また、ｐ型不純物拡散領域３は、たとえば、ｐ型不純物を含むガスを用いた気相拡散またはｐ型不純物を含むペーストを塗布した後に熱処理する塗布拡散などの方法により形成することができる。
【００５５】
なお、ｎ型不純物を含むガスとしては、たとえばＰＯＣｌ3のようなリンなどのｎ型不純物を含むガスを用いることができ、ｐ型不純物を含むガスとしては、たとえばＢＢｒ3のようなボロンなどのｐ型不純物を含むガスを用いることができる。
【００５６】
また、ｎ型不純物拡散領域２は、ｎ型不純物を含み、ｎ型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、ｎ型不純物としては、たとえばリンなどを用いることができる。
【００５７】
また、ｐ型不純物拡散領域３は、ｐ型不純物を含み、ｐ型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、ｐ型不純物としては、たとえばボロンおよび／またはアルミニウムなどを用いることができる。
【００５８】
次に、図３（ｄ）に示すように、半導体基板１の裏面にパッシベーション膜４を形成する。ここで、パッシベーション膜４は、たとえば、熱酸化法またはプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの方法により形成することができる。
【００５９】
ここで、パッシベーション膜４としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００６０】
また、パッシベーション膜４の厚みは、たとえば０．０５μｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００６１】
次に、図３（ｅ）に示すように、半導体基板１の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜５を形成する。
【００６２】
ここで、テクスチャ構造は、たとえば、半導体基板１の受光面をエッチングすることにより形成することができる。たとえば、半導体基板１がシリコン基板である場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板１の受光面をエッチングすることによって形成することができる。
【００６３】
また、反射防止膜５は、たとえばプラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、反射防止膜５としては、たとえば、窒化シリコン膜などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００６４】
次に、図３（ｆ）に示すように、半導体基板１の裏面のパッシベーション膜４の一部を除去することによってコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂを形成する。ここで、コンタクトホール４ａは、ｎ型不純物拡散領域２の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成され、コンタクトホール４ｂは、ｐ型不純物拡散領域３の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成される。
【００６５】
なお、コンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂはそれぞれ、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜４上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜４をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応するパッシベーション膜４の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜４をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。
【００６６】
次に、図３（ｇ）に示すように、コンタクトホール４ａを通してｎ型不純物拡散領域２に接するｎ型用銀電極６を形成するとともに、コンタクトホール４ｂを通してｐ型不純物拡散領域３に接するｐ型用銀電極７を形成する。
【００６７】
なお、ｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７はそれぞれ、たとえば、銀ペーストをコンタクトホール４ａを通してｎ型不純物拡散領域２に接するように塗布するとともにコンタクトホール４ｂを通してｐ型不純物拡散領域３に接するように塗布した後に銀ペーストを焼成することによって形成することができる。
【００６８】
図４に、上記のようにして作製した図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の裏面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、裏面電極型太陽電池セル８の裏面においては、ｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７はそれぞれ帯状に形成されている。そして、帯状の複数のｎ型用銀電極６はそれぞれ１つの帯状のｎ型用集電電極６０に接続されており、帯状の複数のｐ型用銀電極７はそれぞれ１つの帯状のｐ型用集電電極７０に接続されている。
【００６９】
なお、この例においては、ｎ型用集電電極６０は、帯状のｎ型用銀電極６の長手方向に垂直な方向に伸びるようにして形成されており、ｐ型用集電電極７０は、帯状のｐ型用銀電極７の長手方向に垂直な方向に伸びるようにして形成されている。
【００７０】
したがって、図４に示す裏面電極型太陽電池セル８の裏面においては、１つのｎ型用集電電極６０と複数のｎ型用銀電極６とによって１つの櫛形状電極が形成されており、１つのｐ型用集電電極７０と複数のｐ型用銀電極７とによって１つの櫛形状電極が形成されている。そして、当該櫛形状電極の櫛歯に相当するｎ型用銀電極６とｐ型用銀電極７とはそれぞれ互いに向かい合って当該櫛歯を１本ずつ噛み合わせるようにして配置されている。そして、帯状のｎ型用銀電極６が接する半導体基板１の裏面部分に１本の帯状のｎ型不純物拡散領域２が配置されており、帯状のｐ型用銀電極７が接する半導体基板１の裏面部分に１本の帯状のｐ型不純物拡散領域３が配置されている。
【００７１】
以下、図５（ａ）〜図５（ｄ）の模式的断面図を参照して、図１に示す配線シート１０の製造方法の一例について説明する。
【００７２】
まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性基材１１の表面上に銅からなる導電層４１を形成する。ここで、絶縁性基材１１としては、たとえば、ポリエステル、ポリエチレンナフタレートまたはポリイミドなどの樹脂からなる基板を用いることができるが、これに限定されるものではない。絶縁性基材１１の厚さは、たとえば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００７３】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁性基材１１の表面の導電層４１上にレジスト４２を形成する。レジスト４２は、ｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３などの配線シート１０の配線を残す箇所以外の箇所に開口部を有する形状に形成する。
【００７４】
ここで、レジスト４２は、セル設置部の端に最も近接して配置されるｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅が、セル設置部の内側に配置されるｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅と比べて広く形成することができる形状に形成される。
【００７５】
なお、レジスト４２としてはたとえば従来から公知のものを用いることができ、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって所定の位置に塗布された樹脂を硬化したものなどを用いることができる。
【００７６】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト４２から露出している箇所の導電層４１を矢印４３の方向に除去することによって導電層４１のパターンニングを行ない、導電層４１の残部からｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３などの配線シート１０の配線を形成する。
【００７７】
ここで、導電層４１の除去は、たとえば、酸やアルカリの溶液を用いたウエットエッチングなどによって行なうことができる。
【００７８】
次に、図５（ｄ）に示すように、ｎ型用銅配線１２の表面およびｐ型用銅配線１３の表面からレジスト４２をすべて除去することによって、セル設置部の端に最も近接して配置されるｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅Ｄ２が、セル設置部の内側に配置されるｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅Ｄ１と比べて広く形成された配線シート１０が作製される。
【００７９】
図６に、上記のようにして作製した配線シート１０の表面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、配線シート１０の絶縁性基板１１の表面上において、ｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３はそれぞれ帯状に形成されている。また、配線シート１０のそれぞれのセル設置部の端に近接して配置されているｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅Ｄ２はそれぞれ、セル設置部の内側に配置されているｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３の幅Ｄ１よりも広く形成されている。また、図６に示す構造の配線シート１０においては、たとえば破線２０で取り囲まれた領域が１個のセル設置部となり、このセル設置部が４個×６列の２４個存在するように形成されている。なお、この例において、セル設置部の端は、ｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３とが交互に配列されている方向の端に相当する。
【００８０】
さらに、配線シート１０の絶縁性基材１１の表面上には帯状の接続用配線１４が形成されており、接続用配線１４によってｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３とが電気的に接続されている。なお、接続用配線１４は、たとえば、ｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３と同様に、導電層４１の残部から形成することができる。
【００８１】
このような構成とすることによって、配線シート１０の終端にそれぞれ位置している櫛形状のｎ型用銅配線１２ａおよび櫛形状のｐ型用銅配線１３ａ以外の隣り合うｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３とは、接続用配線１４によって電気的に接続されていることから、配線シート１０上で隣り合うようにして設置される裏面電極型太陽電池セル８同士は互いに電気的に接続されることになる。したがって、配線シート１０上に設置されたすべての裏面電極型太陽電池セル８は電気的に直列に接続されることになる。
【００８２】
以下、図７（ａ）〜図７（ｃ）の模式的断面図を参照して、図１に示す太陽電池モジュールに用いられる配線シート付き太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。
【００８３】
まず、図７（ａ）に示すように、上記のようにして作製した配線シート１０のｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３のそれぞれの表面上に半田（図示せず）を塗布する。ここで、半田としては、たとえば、錫とビスマスとを含むＳｎ−Ｂｉ系半田などを用いることができる。また、半田は、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布することができる。
【００８４】
次に、図７（ｂ）に示すように、配線シート１０上に裏面電極型太陽電池セル８を設置する。
【００８５】
ここで、裏面電極型太陽電池セル８は、たとえば図７（ｃ）に示すように、配線シート１０のｎ型用銅配線１２上に裏面電極型太陽電池セル８のｎ型用銀電極６が設置されるとともに、配線シート１０のｐ型用銅配線１３上に裏面電極型太陽電池セル８のｐ型用銀電極７が設置されるようにして、配線シート１０上に設置される。
【００８６】
その後、半田を冷却して固化することにより、図７（ｃ）に示す構造の配線シート付き太陽電池セルが接続される。
【００８７】
なお、上記においては、半田によって裏面電極型太陽電池セル８の電極と配線シート１０の配線とを電気的に接続したが、裏面電極型太陽電池セル８の電極と配線シート１０の配線とを接触させた状態で裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０との間に設置された絶縁性樹脂を硬化させることによっても配線シート付き太陽電池セルを作製することができる。
【００８８】
そして、上記のようにして作製された配線シート付き太陽電池セルは、たとえば図１に示すように、エチレンビニルアセテートなどの封止材１８を備えたガラス基板などの透明基板１７と、封止材１８を備えたポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間に挟み込まれ、配線シート付き太陽電池セルを構成する裏面電極型太陽電池セル８を封止材１８中に封止することによって図１に示す太陽電池モジュールが作製されることになる。
【００８９】
なお、上記においては、太陽電池モジュールのセル設置部の両端のそれぞれにおいて、セル設置部の端に最も近接して配置されている配線の幅をセル設置部の内側に位置する配線の幅よりも広げた場合について説明したが、太陽電池モジュールのセル設置部の少なくとも一方の端に最も近接して配置されている配線の幅がセル設置部の内側に位置する配線の幅よりも広げられていればよい。
【００９０】
また、上記においては、裏面電極型太陽電池セル８の電極としては、銀からなるｎ型用銀電極６およびｐ型用銀電極７を用いた場合について説明したが、裏面電極型太陽電池セル８の電極は銀に限定されるものではない。
【００９１】
また、上記においては、配線シート１０の配線としては、銅からなるｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３を用いた場合について説明したが、配線シート１０の配線は銅に限定されるものではない。
【００９２】
また、本発明における裏面電極型太陽電池セルの概念には、上述した半導体基板の一方の表面側（裏面側）のみにｎ型用銀電極およびｐ型用銀電極の双方が形成された構成のものだけでなく、ＭＷＴ（Metal  Wrap  Through）セル（半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池セル（太陽電池セルの受光面側と反対側の裏面側から電流を取り出す構造の太陽電池セル）のすべてが含まれる。
【００９３】
また、本発明における配線シート付き太陽電池セルの概念には、複数の裏面電極型太陽電池セルが配線シート上に設置されている構成のみならず、１つの裏面電極型太陽電池セルが配線シート上に設置されている構成も含まれる。
【００９４】
＜実施の形態２＞
図８に、本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図を示す。本実施の形態の太陽電池モジュールにおいては、たとえば図８に示すように、半導体基板１の端に最も近接して配置されている電極である周縁部電極（図８に示す例では、裏面電極型太陽電池セル８の右端のｐ型用銀電極７と左端のｎ型用銀電極６）と周縁部電極に隣り合う電極との間隔Ｄ３が、半導体基板１において周縁部電極よりも内側に配置されている隣り合う電極（図８に示す例では、裏面電極型太陽電池セル８の右端のｐ型用銀電極７以外のｐ型用銀電極７および左端のｎ型用銀電極６以外のｎ型用銀電極６）同士の間隔Ｄ４よりも広くなっている点に特徴がある。
【００９５】
図９（ａ）に、図８に示す太陽電池モジュールの発電時における半導体基板１の内側の接続部の模式的な拡大断面図を示し、図９（ｂ）に、図８に示す太陽電池モジュールの発電時における半導体基板１の端の接続部の模式的な拡大断面図を示す。
【００９６】
図９（ａ）に示すように、図８に示す太陽電池モジュールの発電時においては、半導体基板１の内側の接続部におけるｐ型用銅配線１３から生じる電気力線１２０はｐ型用銅配線１３の両隣に位置するｎ型用銅配線１２にそれぞれ分かれて生じるため、ｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度を低く抑えることができる。
【００９７】
また、図９（ｂ）に示すように、半導体基板１の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間隔Ｄ３が、半導体基板１の内側において隣り合って配置されたｐ型用銀電極７とｎ型用銀電極６との間隔Ｄ４よりも広げられているため、電気力線１２０が生じる起点の間隔が広がり、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電気力線１２０の密度を低く抑えることができる。これにより、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度を低く抑えることができる。
【００９８】
また、図８に示すセル設置部の端に最も近接して配置されているｎ型用銅配線１２とそのｎ型用銅配線１２に隣り合うｐ型用銅配線１３との間の電界の電界強度についても上記と同様のことが言える。
【００９９】
さらに、図８に示す半導体基板１の一方の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間隔Ｄ３および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間隔Ｄ３もそれぞれ、半導体基板１の内側において隣り合うｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ４よりも広げられているため、半導体基板１の一方の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間の電界および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間の電界のそれぞれの電界強度も低く抑えることができる。これは、電界の電界強度が距離に反比例することからも明らかである。
【０１００】
以上により、図８に示す太陽電池モジュールにおいては、太陽電池モジュールのセル設置部における銅配線および銀電極からの銅イオンおよび銀イオンなどの金属イオンのマイグレーションを抑えることができるため、金属イオンのマイグレーションにより生じる針状の物質に起因する太陽電池モジュールの特性の低下および信頼性の低下を抑えることができる。
【０１０１】
なお、上記の間隔Ｄ３は、上記の間隔Ｄ４の２倍以上であることが好ましい。間隔Ｄ３が間隔Ｄ４の２倍以上である場合には、より効率的に金属イオンのマイグレーションに起因する太陽電池モジュールの特性の低下および信頼性の低下を抑えることができる。
【０１０２】
以下、図１０（ａ）〜図１０（ｇ）の模式的断面図を参照して、図８に示す裏面電極型太陽電池セル８の製造方法の一例について説明する。
【０１０３】
まず、図１０（ａ）に示すように、半導体基板１の表面にスライスダメージ１ａが形成された半導体基板１を用意し、続いて、図１０（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面のスライスダメージ１ａを除去する。
【０１０４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、半導体基板１の裏面にｎ型不純物拡散領域２およびｐ型不純物拡散領域３をそれぞれ形成する。ここで、半導体基板１の一方の端に最も近接して配置されているｐ型不純物拡散領域３とそれに隣り合うｎ型不純物拡散領域２との間隔および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているｎ型不純物拡散領域２とそれに隣り合うｐ型不純物拡散領域３との間隔はそれぞれ、半導体基板１の内側に位置するｐ型不純物拡散領域３とｎ型不純物拡散領域２との間隔よりも広くなるようにして形成される。
【０１０５】
次に、図１０（ｄ）に示すように、半導体基板１の裏面にパッシベーション膜４を形成し、続いて、図１０（ｅ）に示すように、半導体基板１の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に凹凸構造上に反射防止膜５を形成する。
【０１０６】
次に、図１０（ｆ）に示すように、半導体基板１の裏面のパッシベーション膜４の一部を除去することによってコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂを形成する。
【０１０７】
ここで、半導体基板１の一方の端に最も近接して配置されているコンタクトホール４ａとそれに隣り合うコンタクトホール４ｂとの間隔、および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているコンタクトホール４ａとそれに隣り合うコンタクトホール４ｂとの間隔はそれぞれ、半導体基板１の内側に位置するコンタクトホール４ａとコンタクトホール４ｂとの間隔よりも広くなるようにして形成される。
【０１０８】
次に、図１０（ｇ）に示すように、コンタクトホール４ａを通してｎ型不純物拡散領域２に接するｎ型用銀電極６を形成するとともに、コンタクトホール４ｂを通してｐ型不純物拡散領域３に接するｐ型用銀電極７を形成する。以上により、図８に示す裏面電極型太陽電池セル８を作製することができる。
【０１０９】
図１１に、上記のようにして作製した図８に示す裏面電極型太陽電池セル８の裏面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、裏面電極型太陽電池セル８の裏面において、半導体基板１の端に最も近接して配置されているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間隔Ｄ３および半導体基板１の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間隔Ｄ３は、半導体基板１の内側において隣り合っているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間隔Ｄ４よりも広くなっている。なお、この例において、半導体基板１の端は、ｎ型用銀電極６とｐ型用銀電極７とが交互に配列されている方向の端に相当する。
【０１１０】
また、上記においては、太陽電池モジュールの半導体基板の両端のそれぞれに最も近接して配置されている電極とそれに隣り合う電極との間隔をそれぞれ半導体基板の内側において隣り合うようにして配置された電極同士の間隔よりも広げた場合について説明したが、太陽電池モジュールの半導体基板の少なくとも一方の端に最も近接して配置されている電極とそれに隣り合う電極との間隔が半導体基板の内側において隣り合うようにして配置された電極同士の間隔よりも広げられていればよい。
【０１１１】
本実施の形態における上記以外の説明は実施の形態１と同様であるため、その説明については省略する。
【０１１２】
＜実施の形態３＞
図１２に、本発明の太陽電池モジュールのさらに他の一例の模式的な断面図を示す。本実施の形態の太陽電池モジュールにおいては、たとえば図１２に示すように、セル設置部の端に最も近接して配置されている配線である周縁部配線（図１２に示す例では、配線シート１０の右端のｐ型用銅配線１３と左端のｎ型用銅配線１２）と周縁部配線に隣り合う配線との間隔Ｄ５が、半導体基板１において周縁部配線よりも内側に配置されて互いに隣り合う配線（図１２に示す例では、配線シート１０の右端のｐ型用銅配線１３以外のｐ型用銅配線１３および左端のｎ型用銅配線１２以外のｎ型用銅配線１２）同士の間隔Ｄ６よりも広くなっている点に特徴がある。
【０１１３】
図１３（ａ）に、図１２に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の内側の接続部の模式的な拡大断面図を示し、図１３（ｂ）に、図１２に示す太陽電池モジュールの発電時におけるセル設置部の端の接続部の模式的な拡大断面図を示す。
【０１１４】
図１３（ａ）に示すように、図１２に示す太陽電池モジュールの発電時においては、セル設置部の内側の接続部におけるｐ型用銅配線１３から生じる電気力線１２０はｐ型用銅配線１３の両隣に位置するｎ型用銅配線１２にそれぞれ分かれて生じるため、ｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度を低く抑えることができる。
【０１１５】
そして、図１３（ｂ）に示すように、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ５が、セル設置部の内側において隣り合って配置されているｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ６よりも広げられているため、電気力線１２０が生じる起点の間隔が広がり、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電気力線１２０の密度を低く抑えることができる。
【０１１６】
これにより、セル設置部の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間に生じる電界の電界強度を低く抑えることができる。
【０１１７】
また、図１３に示すセル設置部の端に最も近接して配置されているｎ型用銅配線１２とそのｎ型用銅配線１２に隣り合うｐ型用銅配線１３との間の電界についても上記と同様のことが言える。
【０１１８】
さらに、図１２に示す太陽電池モジュールのセル設置部の一方の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間隔および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間隔もそれぞれ広げられているため、半導体基板１の一方の端に最も近接して配置されているｐ型用銀電極７とそれに隣り合うｎ型用銀電極６との間の電界および半導体基板１の他方の端に最も近接して配置されているｎ型用銀電極６とそれに隣り合うｐ型用銀電極７との間の電界のそれぞれの電界強度も低く抑えることができる。これは、電界強度が距離に反比例することからも明らかである。
【０１１９】
以上により、図１２に示す太陽電池モジュールにおいては、太陽電池モジュールのセル設置部における銅配線および銀電極からの銅イオンおよび銀イオンなどの金属イオンのマイグレーションを抑えることができるため、金属イオンのマイグレーションにより生じる針状の物質に起因する太陽電池モジュールの特性および信頼性の低下を抑えることができる。
【０１２０】
なお、上記の間隔Ｄ５は、上記の間隔Ｄ６の２倍以上であることが好ましい。間隔Ｄ５が間隔Ｄ６の２倍以上である場合には、より効率的に金属イオンのマイグレーションに起因する太陽電池モジュールの特性および信頼性の低下を抑えることができる。
【０１２１】
以下、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）の模式的断面図を参照して、図１２に示す配線シート１０の製造方法の一例について説明する。
【０１２２】
まず、図１４（ａ）に示すように、絶縁性基材１１の表面上に銅からなる導電層４１を形成し、続いて、図１４（ｂ）に示すように、絶縁性基材１１の表面の導電層４１上にレジスト４２を形成する。
【０１２３】
ここで、レジスト４２は、ｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３などの配線シート１０の配線を残す箇所以外の箇所に開口部を有する形状に形成されるが、セル設置部の端に対応する位置に最も近接して配置されるレジスト４２とそれに隣り合うレジスト４２との間の開口部の幅が、セル設置部の内側に位置するレジスト４２とそれに隣り合うレジスト４２との間の開口部の幅よりも広くなるようにして形成される。
【０１２４】
次に、図１４（ｃ）に示すように、レジスト４２から露出している箇所の導電層４１を矢印４３の方向に除去することによって導電層４１のパターンニングを行なった後、図１４（ｄ）に示すように、ｎ型用銅配線１２の表面およびｐ型用銅配線１３の表面からレジスト４２をすべて除去する。
【０１２５】
以上により、セル設置部の一方の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とこれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ５およびセル設置部の他方の端に最も近接して配置されているｎ型用銅配線１２とこれに隣り合うｐ型用銅配線１３との間隔Ｄ５が、セル設置部の内側に隣り合うようにして配置されているｐ型用銅配線１３とｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ６よりも広くなるように形成された配線シート１０が作製される。
【０１２６】
図１５に、上記のようにして作製した配線シート１０の表面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、配線シート１０の絶縁性基板１１の表面上において、ｎ型用銅配線１２およびｐ型用銅配線１３はそれぞれ帯状に形成されている。また、配線シート１０のセル設置部の一方の端に最も近接して配置されているｎ型用銅配線１２とそれに隣り合うｐ型用銅配線１３との間隔Ｄ５およびセル設置部の他方の端に最も近接して配置されているｐ型用銅配線１３とそれに隣り合うｎ型用銅配線１２との間隔Ｄ５はそれぞれ、セル設置部の内側において隣り合うようにして配置されているｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３との間隔Ｄ６よりも広く形成されている。なお、この例においては、セル設置部の端は、ｎ型用銅配線１２とｐ型用銅配線１３とが交互に配列されている方向の端に相当する。
【０１２７】
また、上記においては、太陽電池モジュールのセル設置部の両端において、セル設置部の端に最も近接して配置されている配線とそれに隣り合う配線との間隔をセル設置部の内側において隣り合うようにして配置された配線同士の間隔よりも広げた場合について説明したが、太陽電池モジュールのセル設置部の少なくとも一方の端に最も近接して配置されている電極とそれに隣り合う電極との間隔がセル設置部の内側に配置された電極同士の間隔よりも広げられていればよい。
【０１２８】
本実施の形態における上記以外の説明は実施の形態１および実施の形態２と同様であるため、その説明については省略する。
【０１２９】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、上述の各実施の形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【０１３０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明は、配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに利用することができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１  半導体基板、１ａ  スライスダメージ、２  ｎ型不純物拡散領域、３  ｐ型不純物拡散領域、４  パッシベーション膜、４ａ，４ｂ  コンタクトホール、５  反射防止膜、６  ｎ型用銀電極、７  ｐ型用銀電極、８  裏面電極型太陽電池セル、１０  配線シート、１１  絶縁性基材、１２  ｎ型用銅配線、１３  ｐ型用銅配線、１７  透明基板、１８  封止材、１９  バックフィルム、２０  破線、６０  ｎ型用集電電極、７０  ｐ型用集電電極、８０  裏面電極型太陽電池セル、１００  配線シート、１０１  ｎ型シリコン基板、１０２  ｎ+層、１０３  ｐ+層、１０６  ｎ型用銀電極、１０７  ｐ型用銀電極、１１１  ガラエポ基板、１１２  ｎ型用銅配線、１１３  ｐ型用銅配線、１１９  半田、１２０  電気力線。
【図１】
2010283052.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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