(57)【要約】【課題】インナーリードの加工限界の制約の下で、金属細線の長さを短縮して、その金属材料コストを低減する。【解決手段】リードフレーム本体から延びた４本の吊りリード１０によって、１つのアイランド１１の４つの角部が支持されており、このアイランド１１に向けて全部で６４本のインナーリード１２ａ，１２ｂが延在している。そして、６４本のインナーリードの先端部が１本おきに、アイランド１１に近くなるように延長されている。つまり、インナーリード１２ａの先端部は、隣接したインナーリード１２ｂよりもアイランド１１により近くなるように延長されおり、全体では３２本のインナーリード２ａの先端部が残りの３２本のインナーリード１２ｂの先端部よりもアイランド１１に近くなるように延長されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吊りリードに支持され、その主面上に半導体チップが固着されるアイランドと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、を備え、
前記複数のインナーリードの先端部が数本おきに前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記複数のインナーリードの先端部が１本おきに前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
吊りリードに支持されたアイランドと、
前記アイランドの主面上に固着され、複数のパッドを有する半導体チップと、
前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、
前記パッドと対応する前記インナーリードとを接続する金属細線と、
前記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、前記複数のインナーリードの先端部が数本おきに前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
【請求項４】
前記複数のインナーリードの先端部が１本おきに前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体チップに内蔵される集積回路の大規模化と高集積化に伴い、半導体チップ上の設けられる入出力端子であるパッドの数が増加している。これに伴って、半導体チップを樹脂パッケージで封止した樹脂半導体装置において、リード端子数も増加している。そのため、樹脂パッケージの４方向からリード端子を取り出したＱＦＰ（Quad Flat Package）が使用されている。
【０００３】
図４は、６４本のリード端子を有するＱＦＰの構造を示す図であり、リードフレームのアイランド周辺を図示したものである。リードフレーム本体から延びた４本の吊りリード５０によって、１つのアイランド５１が支持されており、このアイランド５１に向けて６４本のインナーリード５２が延在している。
【０００４】
アイランド５１の主面上に複数のパッド５３を有する半導体チップ５４が固着されている。６４個のパッド５３は半導体チップ５４の周端に沿って配置されている。パッド５３と対応するインナーリード５２とは金属細線５５によってワイヤーボンドされている。
【特許文献１】特開２００４−２２８１６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したリードフレームにおいて、金属細線５５の長さを短くしてその材料コストを抑えるために、インナーリード５２の先端部はできる限りアイランド５１に近接させることが望まれる。
【０００６】
しかしながら、リードフレームの板厚寸法やそれに用いる金属材料（Ａｕ、Ｃｕ等）により、インナーリード５２の加工限界があり、隣接するインナーリード５２間の間隔Ａと、インナーリード５２の幅Ｂとには制約があった。（図４を参照）つまり、全てのインナーリード５２の先端部を延ばしてアイランド５１に近づけていくと、インナーリード５２の間隔Ａ、幅Ｂは短くなっていくが、加工限界に達するとそれ以上はアイランド５１に近づけられなくなる。従って、インナーリード５２と半導体チップ５４のパッド５３とを接続する金属細線５５の長さを短縮するにも限界があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のリードフレームは、吊りリードに支持され、その主面上に半導体チップが固着されるアイランドと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、を備え、前記複数のインナーリードの先端部が数本おきに、前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の樹脂封止半導体装置は、前記リードフレームを用いたものであり、吊りリードに支持されたアイランドと、前記アイランドの主面上に固着され、複数のパッドを有する半導体チップと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、前記パッドと対応する前記インナーリードとを接続する金属細線と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、前記複数のインナーリードの先端部が数本おきに、前記アイランドに近くなるように延長されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のリードフレーム及び樹脂封止半導体装置によれば、インナーリードの加工限界の制約の下で、一部のインナーリードをアイランドに近接させることにより、金属細線（ボンディングワイヤー）の長さを短縮して、その金属材料コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施形態によるリードフレーム及び樹脂封止半導体装置について、図面を参照して説明する。図１のＱＦＰに示すように、リードフレーム本体から延びた４本の吊りリード１０によって、１つのアイランド１１の４つの角部が支持されており、このアイランド１１に向けて全部で６４本のインナーリード１２ａ，１２ｂが延在している。
【００１１】
図１の例では、６４本のインナーリードの先端部が１本おきに、アイランド１１に近くなるように延長されている。つまり、インナーリード１２ａの先端部は、隣接したインナーリード１２ｂよりもアイランド１１により近くなるように延長されており、全体では３２本のインナーリード１２ａの先端部が残りの３２本のインナーリード１２ｂの先端部よりもアイランド１１に近くなるように延長されている。
【００１２】
そして、６４個のパッド１３を有する半導体チップ１４が、アイランド１１の主面上にＡｇペースト等の導電性ペーストを介して固着されている。６４個のパッド１３は半導体チップ１４の周端に沿って配置されている。パッド１３と対応するインナーリード１２ａ，１２ｂとは金属細線１５によってワイヤーボンドされている。
【００１３】
これにより、インナーリード１２ａ，１２ｂの加工限界により決まる間隔Ａ、幅Ｂの制約の下で、延長された３２本のインナーリード１２ａに対応した金属細線１５の長さを短縮して、その金属材料コストを低減することができる。つまり、延長前のインナーリード１２ａ，１２ｂの先端部位置がインナーリード１２ａ，１２ｂの間隔Ａによって決まっている場合には、インナーリード１２ａを延長しても問題はなく、インナーリード１２ａの幅Ｂの最小限界までその先端部を延長することができる。
【００１４】
このようにインナーリード１２ａの先端部を延長すれば、インナーリード１２ａの先端部とパッド１３とを結ぶ金属細線１５の長さを短縮することができる。また、延長前のインナーリード１２ａ，１２ｂの先端部位置がインナーリード１２ａ，１２ｂの幅Ｂによって決まっている場合には、インナーリード１２ａの幅Ｂを最小限界以上に維持しながら先端部を延長すればよいことになる。
【００１５】
尚、図１の例では、６４本のインナーリードの先端部が１本おきに、アイランド１１に近くなるように延長されているが、これに限らず、インナーリードの先端部は数本（例えば、２、３本おきに）おきに、アイランド１１に近くなるように延長されていてもよいが、上述のように１本おきに延長した方が、金属細線１５に用いられる金属材料の使用量を低減する上で効率的である。
【００１６】
また、本実施形態によれば、金属細線１５の長さを短縮することにより、金属材料の使用量を低減することができることに加えて、金属細線１５の長さが短縮されれば、それが有するインピーダンスやインダクタンスも低減され、ノイズの影響の低減、信号遅延の低減などを図ることができ、その結果半導体チップ１４の動作特性にも良い影響を与えることが期待できる。特に、電源供給用のパッド１３に対応するインナーリードの先端部を上述のように延長することで、金属細線１５に伴う電源ノイズの影響を低減し、電源電圧降下を小さくするなどの効果を期待することができる。
【００１７】
図１においては省略されているが、インナーリード、アウターリードの支持構造について図２を参照して説明する。図２は図１の破線で囲んだ部分の詳細構造を示したものであるが、図１のリードフレーム全体が同様の構造を有している。
【００１８】
図示のように、インナーリード１２ａ，１２ｂは、外側の対応するアウターリード１６に連結されており、各アウターリード１６の端がリードフレーム本体の支持部１７に連結されることで支持されている。また、通常、インナーリード１２ａ，１２ｂはその間に連結されたタイバー１８によっても支持されている。この場合、タイバー１８は、インナーリード１２ａ，１２ｂとアウターリード１６の境界部に形成されている。
【００１９】
リードフレームにおいて、金属細線１５がワイヤーボンディング工程により形成された後に、トランスファモールド工程により、絶縁性樹脂からなる樹脂パッケージ１９により半導体チップ１４が封止される。樹脂パッケージ１９は、タイバー１８より内側の領域に形成される。樹脂パッケージ１６の形成後、タイバー１８は刃物により切断され、さらにアウターリード１６も支持部１７から切り離される。そして、切り離されたアウターリード１６は所定の形状に折り曲げられ、樹脂封止半導体装置が完成する。
【００２０】
図３は、樹脂封止半導体装置の断面図であり、図３（ａ）は延長されたインナーリード１２ａを含む断面図、図３（ｂ）は延長されていないインナーリード１２ｂを含む断面図である。図示のように、延長されたインナーリード１２ａは延長されていないインナーリード１２ｂに比べて、アイランド１１の主面上の半導体チップ１４により近接している。
【００２１】
そして、延長されたインナーリード１２ａとパッド１３を結ぶ金属細線１５は、延長されていないインナーリード１２ｂとパッドを結ぶ金属細線１５に比べて短縮される。また、延長されていないインナーリード１２ｂとパッド１３を結ぶ金属細線１５（図３（ｂ））は、延長されたインナーリード１２ａとパッド１３を結ぶ金属細線１５（図３（ａ））に比べて、高い空中配線の軌道を描いており両者の軌道が異なっていることから、インナーリード１２ａを延長しても、隣接したインナーリード１２ａ，１２ｂの間でショートが生じるおそれはないことがわかる。
【００２２】
尚、上記実施形態はＱＦＰを例として説明したが、本発明はこれに限られず、他のタイプ、例えば、ＱＩＰ（Quad In-line Package）、ＳＩＰ（Single In-line Package）等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態によるリードフレーム及び樹脂封止半導体装置のアイランド周辺の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態によるリードフレーム及び樹脂封止半導体装置のインナーリード、アウターリードの支持構造を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態による樹脂封止半導体装置の部分断面図である。
【図４】従来例のリードフレームのアイランド周辺の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  吊りリード      １１  アイランド      １２ａ，１２ｂ  インナーリード
１３  パッド      １４  半導体チップ      １５  金属細線
１６  アウターリード      １７  支持部      １８  タイバー
１９  樹脂パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2010074034.tif 000005
【図４】
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