(57)【要約】【課題】  接続信頼性が高い電子装置を提供する。【解決手段】  本発明の電子装置１０は、電子部品１１と、基板１２と、はんだ１３と、第１の高分子層１４と、第２の高分子層１５とを有し、前記電子部品１１と前記基板１２とが、前記はんだ１３により電気的に接続され、前記電子部品１１と前記基板１２との間の前記はんだ１３が存在しない部分に、前記第１の高分子層１４が形成され、前記第２の高分子層１５が、前記電子部品１１周囲および前記基板１２に接して、かつ前記第１の高分子層１４の側面の少なくとも一部を囲むように形成され、前記第１の高分子層１４の弾性率が、前記第２の高分子層１５の弾性率より低いことを特徴とする。【選択図】  図１
2010283215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、基板と、はんだと、第１の高分子層と、第２の高分子層とを有し、
前記電子部品と前記基板とが、前記はんだにより電気的に接続され、
前記電子部品と前記基板との間の前記はんだが存在しない部分に、前記第１の高分子層が形成され、
前記第２の高分子層が、前記電子部品周囲および前記基板に接して、かつ前記第１の高分子層の側面の少なくとも一部を囲むように形成され、
前記第１の高分子層の弾性率が、前記第２の高分子層の弾性率より低いことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記１の高分子層の弾性率が、０．００１〜１０ＧＰａの範囲であり、
前記２の高分子層の弾性率が、１０ＧＰａを超え４０ＧＰａ以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１の高分子層および前記第２の高分子層が、熱硬化性樹脂層であることを特徴とする請求項１または２記載の電子装置。
【請求項４】
前記はんだが、鉛フリーはんだであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記はんだが、はんだボールを含み、
前記電子部品が、前記はんだボールを含むＢＧＡ構造を有する電子部品であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記電子部品を、前記基板に前記はんだを用いて電気的に接続するはんだ接続工程と、
前記電子部品と前記基板との間の前記はんだが存在しない部分に、前記第１の高分子層を形成する第１の高分子層形成工程と、
前記電子部品周囲および前記基板に接するように、かつ前記第１の高分子層の側面の少なくとも一部を囲むように前記第２の高分子層を形成する第２の高分子層形成工程とを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子装置を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置および電子装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子装置の小型化・薄型化が急速に進んでおり、電子装置の基板に実装する電子部品の小型化・薄型化も必要となっている。電子装置における基板への電子部品の実装には、例えば、電子部品の周囲にリード線を配した「Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＰ）」が、一般的に用いられている。しかし、このＱＦＰでは、入出力端子数を増加させるためには、電子部品の外形寸法を大きくする必要がある。そこで、さらに高密度・小型化を実現するために、例えば、電子部品の底面にボール状の突起端子（例えば、はんだボールを含む端子等）を配した「Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ（ＢＧＡ）」構造を有する電子部品等が用いられている。
【０００３】
電子装置の基板への電子部品の実装は、電子部品と基板とを、はんだにより電気的に接続するのが一般的である。前述のはんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金はんだ（融点：２００℃以上）等の鉛フリーはんだがあげられる。この実装には、例えば、リフローと呼ばれる実装工程が使用される。この実装工程では、リフロー炉内を、はんだの融点より高い温度に加熱することで、はんだを溶融し、電子部品と基板とを接続する。リフロー後、リフロー炉内温度を下げて、はんだを凝固させる。
【０００４】
前述のＢＧＡ構造を有する電子部品を実装した電子装置では、例えば、使用環境における熱、衝撃、振動等が、はんだボールに直接加わってしまう。これによる悪影響（例えば、はんだボールのクラック発生等）を防止するため、電子部品と基板とのはんだによる接続部分のギャップ（隙間）に、例えば、エポキシ樹脂等のアンダーフィルと呼ばれる樹脂を充填し、熱硬化させて、はんだボールを補強する。このようにして、はんだボールのクラック発生を防止し、電子部品と基板との電気的接続の信頼性を確保するのが必須となっている。また、前述のように、電子部品の小型化・薄型化が進んでいるため、基板との接続部分の剛性が低下傾向にある。このため、電子部品と基板との間を、例えば、樹脂等により被覆して補強することも、前述と同様に、電子部品と基板との電気的接続の信頼性の確保に、必要となってきている。
【０００５】
このような背景にあって、電子部品と基板との電気的接続の信頼性を高めるために、例えば、特許文献１に記載の電子装置が提案されている。
前記特許文献１に記載の電子装置では、低誘電率層が形成された半導体チップにおける前記低誘電率層の破壊防止を目的として、前記半導体チップ直下にアンダーフィル樹脂が形成され、前記半導体チップの外周に前記アンダーフィル樹脂より弾性率の低いアンダーフィル樹脂が形成されている（同文献の請求項１、図１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２７７６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、複数の電子部品をモジュール化してマザー基板に実装した電子装置が増えている。また、電子部品を３次元実装した電子装置も使用されるようになってきている。このような電子装置を製造する場合には、例えば、リフロー等による実装工程を、複数回実施することとなる。この場合、先の実装工程で接続に用いられたはんだは、つぎの実装工程において、融点以上の温度に加熱されると、再び溶融することとなる。溶融状態のはんだは、凝固状態と比較して、その体積が膨張する。例えば、前述のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金はんだの場合には、４％程度膨張する。アンダーフィル樹脂が、はんだ周辺に形成されている場合、はんだの膨張により、アンダーフィル樹脂に高い圧力が加わり、アンダーフィル樹脂にクラックが発生する可能性がある。前記クラックが発生すると、溶融状態のはんだが、前記クラックをつたって流出してしまう。この状態で、はんだが再度凝固すると、はんだ量が不足して、電子部品と基板との電気的接続が断線してしまう可能性がある。このように、アンダーフィル樹脂にクラックが発生する可能性があることは、電子装置の接続信頼性を著しく低下させてしまうおそれがある。
【０００８】
前述のアンダーフィル樹脂のクラック発生を防止するには、例えば、弾性率の低いアンダーフィル樹脂を用いればよい。しかし、弾性率の低いアンダーフィル樹脂を用いると、はんだボール等のはんだの補強が充分でなくなる。すなわち、はんだの体積膨張に伴うアンダーフィル樹脂のクラック発生防止と、はんだの補強とは、トレードオフの関係にある。はんだの補強が充分でない場合には、はんだ部分の耐衝撃性が低下し、例えば、衝撃等の応力により、はんだにクラックが発生する可能性がある。このように、はんだにクラックが発生する可能性があることは、電子装置の接続信頼性を著しく低下させてしまうおそれがある。
【０００９】
本発明の目的は、接続信頼性が高い電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の電子装置は、
電子部品と、基板と、はんだと、第１の高分子層と、第２の高分子層とを有し、
前記電子部品と前記基板とが、前記はんだにより電気的に接続され、
前記電子部品と前記基板との間の前記はんだが存在しない部分に、前記第１の高分子層が形成され、
前記第２の高分子層が、前記電子部品周囲および前記基板に接して、かつ前記第１の高分子層の側面の少なくとも一部を囲むように形成され、
前記第１の高分子層の弾性率が、前記第２の高分子層の弾性率より低いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、接続信頼性が高い電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は、本発明の電子装置の実施形態１における一例の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子装置のＩ−Ｉ方向に見た断面図である。
【図２】本発明の電子装置の実施形態１におけるその他の例を示す平面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の電子装置の実施形態１におけるさらにその他の例の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子装置のＩＩ−ＩＩ方向に見た断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の電子装置の実施形態１におけるさらにその他の例の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子装置のＩＩＩ−ＩＩＩ方向に見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の電子装置および電子装置を製造する方法について、詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されない。
【００１４】
（実施形態１）
図１に、本実施形態の電子装置の一例の構成を示す。図１（ａ）は、本実施形態の電子装置の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ方向に見た断面図である。前記両図において、同一部分には、同一符号を付している。図１（ａ）および（ｂ）に示すとおり、この電子装置１０は、はんだボール１３が形成されているＢＧＡ構造を有する電子部品１１と、基板１２と、第１の熱硬化性樹脂層１４と、第２の熱硬化性樹脂層１５とを有する。前記電子部品１１と前記基板１２とは、前記はんだボール１３により電気的に接続されている。前記電子部品１１と前記基板１２との間の前記はんだボール１３が存在しない部分のほぼ全域に、前記第１の熱硬化性樹脂層１４が形成されている。前記電子部品１１の下端側の側面全周と前記基板１２に接して、かつ前記第１の熱硬化性樹脂層１４の側面全周とに接するようにして、前記第２の熱硬化性樹脂層１５が形成されている。本実施形態の電子装置１０では、前記第１の熱硬化性樹脂層１４の弾性率は、前記第２の熱硬化性樹脂層１５の弾性率より低い。
【００１５】
前述のとおり、例えば、リフロー等の実装工程を複数回実施した場合、または本実施形態の電子装置を使用する場合等において、前記はんだボールの融点以上の温度環境となった場合には、はんだが再度溶融される。本実施形態の電子装置では、前述のとおり、前記第１の熱硬化性樹脂層の弾性率は、前記第２の熱硬化性樹脂層の弾性率より低い。このため、この溶融によるはんだの体積膨張に伴う前記第１の熱硬化性樹脂層にクラックが発生するのを防止可能である。この結果、前記ＢＧＡ構造を有する電子部品と前記基板との間の電気的接続が断線することがない。また、電子装置に落下衝撃等の応力が加わると、前記電子部品の曲げ剛性が変化してしまう。この曲げ剛性の変化によって、前記電子部品の外周付近で前記基板が局所的に曲がることにより、前記第１の熱硬化性樹脂層に強い引っ張り力が発生する。このような場合に、前記第１の熱硬化性樹脂層にクラックが発生する可能性がある。しかしながら、本実施形態の電子装置では、前記クラックの発生も防止可能である。
【００１６】
また、本実施形態の電子装置では、前述のとおり、前記第２の熱硬化性樹脂層の弾性率が、前記第１の熱硬化性樹脂層の弾性率より高く、前述のように形成されている。このため、前記はんだボールを充分に補強可能であり、この結果、前記はんだボールにクラックが発生するのを防止可能である。これらの効果により、本実施形態の電子装置は、その接続信頼性が高い。なお、本実施形態の電子装置では、前記第２の熱硬化性樹脂層は、前記第１の熱硬化性樹脂層の側面全周と接するようにして形成されているが、本発明は、これに限定されない。落下等により前記電子部品の外周で発生する基板の局所変形を防止可能であれば、前記第２の熱硬化性樹脂層は、例えば、前記第１の熱硬化性樹脂層と接していない状態で形成されていてもよい。このようにするには、前記第２の熱硬化性樹脂層が、例えば、前記ＢＧＡ構造を有する電子部品と前記基板とを強固に接続するように形成されていればよい。
【００１７】
本実施形態の電子装置では、前述のとおり、電子部品として、ＢＧＡ構造を有する電子部品を用いているが、本発明は、これに限定されない。電子部品としては、ＢＧＡ構造を有する電子部品のほか、例えば、ＱＦＰ構造を有する電子部品等があげられる。なお、前記電子部品は、パッケージ化されていなくてもよい。
【００１８】
前記基板は、例えば、従来公知のものが使用可能である。前記基板としては、例えば、有機基板、無機基板等があげられる。前記有機基板としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させたガラスエポキシ基板、液晶ポリマー基板、テフロン（登録商標）基板等があげられる。前記無機基板としては、例えば、ガラスセラミック基板等があげられる。これらの基板は、単体で用いてもよいし、例えば、ＡｌやＣｕ等の金属板等と一体化したメタルベース基板等として用いてもよい。
【００１９】
本実施形態の電子装置では、前述のとおり、はんだとして、ＢＧＡ構造を有する電子部品に形成されているはんだボールを用いているが、本発明は、これに限定されない。はんだとしては、従来公知のはんだを使用可能である。なお、本発明において、「はんだ」とは、低融点のろう付け用合金を意味する。前記融点は、特に制限されないが、例えば、４５０℃以下である。前記はんだとしては、例えば、鉛フリーはんだがあげられる。前記鉛フリーはんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金はんだ（融点：２００℃以上）等の高融点はんだ；Ｓｎ−５２Ｉｎ（融点１１７℃）、Ｉｎ−３Ａｇ（融点１４１℃）等の低融点はんだがあげられる。前記はんだとして、例えば、前記低融点はんだを用いた場合において、本実施形態の電子装置が、例えば、前記低融点はんだの融点以上の温度で使用（例えば、自動車等のエンジンルーム付近（１２０℃程度）で使用）される場合には、低融点はんだは、使用時に溶融した状態となるが、このような場合であっても、本実施形態の電子装置は、前述の効果により、高い接続信頼性を確保できる。なお、このような場合には、使用時において、はんだが液相状態にあるため、はんだにクラックが発生しないという効果も得られる。
【００２０】
本実施形態の電子装置では、前述のとおり、第１の高分子層として、第１の熱硬化性樹脂層を用いているが、本発明は、これに限定されない。第１の高分子層は、前記第２の高分子層より、その弾性率が低ければよい。また、前記第１の高分子層は、リフロー等の実装工程が複数回実施された場合、または本実施形態の電子装置を使用する場合において、前記はんだボールの融点以上の温度環境となった場合でも、前記はんだの流出を防止可能なものであることが好ましい。前記第１の高分子層の形成材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ゴム等があげられる。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等があげられる。前記第１の高分子層の形成材料は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を組合せて用いてもよい。
【００２１】
前記第１の熱硬化性樹脂層の弾性率は、例えば、０．００１〜１０ＧＰａの範囲である。前記第１の熱硬化性樹脂層の弾性率は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に準じて求めることができる。
【００２２】
本実施形態の電子装置では、前述のとおり、第２の高分子層として、第２の熱硬化性樹脂層を用いているが、本発明は、これに限定されない。第２の高分子層は、前記第１の高分子層の弾性率より、その弾性率が高ければよい。この点を除いて、前記第２の高分子層の形成材料は、前記第１の高分子層の形成材料と同様のものがあげられる。
【００２３】
前記第２の熱硬化性樹脂層の弾性率は、例えば、１０ＧＰａを超え４０ＧＰａ以下の範囲である。前記第２の熱硬化性樹脂層の弾性率は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に準じて求めることができる。前記第１の熱硬化性樹脂層と前記第２の熱硬化性樹脂層との組み合わせとしては、例えば、前記第１の熱硬化性樹脂層の形成材料を低弾性のポリイミド樹脂とし、前記第２の熱硬化性樹脂層の形成材料を、高弾性のエポキシ樹脂とする組み合わせがあげられる。
【００２４】
つぎに、本実施形態の電子装置を製造する方法を説明する。本実施形態の電子装置を製造する方法は、はんだ接続工程と、第１の熱硬化性樹脂層形成工程と、第２の熱硬化性樹脂層形成工程とを含む。本実施形態の電子装置を製造する方法では、第１の高分子層形成工程および前記第２の高分子層形成工程を、それぞれ、前記第１の熱硬化性樹脂層形成工程および前記第２の熱硬化性樹脂層形成工程としている。
【００２５】
〔はんだ接続工程〕
まず、はんだボールが形成されたＢＧＡ構造を有する電子部品を、クリームはんだを塗布した基板の所定の位置に搭載する。この状態で、前記はんだボールの溶融温度以上の温度条件とすることで、前記はんだボールを溶融する。その後、温度を下げることで、前記はんだを凝固させる。このようにして、前記電子部品と前記基板とを、はんだを用いて電気的に接続する。本工程は、例えば、リフロー等の従来公知の実装工程により実施可能である。
【００２６】
〔第１の熱硬化性樹脂層形成工程〕
つぎに、前記電子部品と前記基板との間の前記はんだが存在しない部分のほぼ全域に、第１の熱硬化性樹脂層を形成する材料を充填する。前記第１の熱硬化性樹脂層を形成する材料は、前述のとおりである。この状態で、この材料が、熱硬化する温度まで昇温することにより、第１の熱硬化性樹脂層を形成する。前記第１の熱硬化性樹脂層の形成材料としては、その硬化温度が、例えば、前記はんだの溶融温度以下である材料を選択する。前記第１の熱硬化性樹脂層の弾性率は、前述のとおりである。前記第１の熱硬化性樹脂層を形成した後であれば、前述のように、再度はんだが溶融されても、溶融状態のはんだを保持可能である。
【００２７】
〔第２の熱硬化性樹脂層形成工程〕
つぎに、第２の熱硬化性樹脂層を形成する材料を、第２の熱硬化性樹脂層が前記電子部品と前記基板とに接した状態で形成されるように、前記電子部品の外側面の全周にわたって塗布する。この状態で、この材料が、熱硬化する温度まで昇温することにより、第２の熱硬化性樹脂層を形成する。前記第２の熱硬化性樹脂層の形成材料は、任意の硬化温度のものを使用可能である。前記第２の熱硬化性樹脂層の弾性率は、前述のとおりである。このようにして、本実施形態の電子装置を製造可能である。ただし、本実施形態の電子装置を製造する方法は、この例に限定されない。なお、３次元実装を実施する場合には、例えば、本実施形態の電子装置を製造する方法を、繰り返し実施すればよい。このようにすることで、再度溶融されたはんだの体積膨張に伴い、第１の熱硬化性樹脂層にクラックが発生するのを防止可能である。
【００２８】
本実施形態の電子装置では、例えば、第２の熱硬化性樹脂層が電子部品の一部に接して形成されていてもよい。図２に、この電子装置の一例の構成を示す。同図において、図１と同一部分には同一符号を付している。図２に示すとおり、この電子装置２０は、電子部品１１の４つの角部付近に、第２の熱硬化性樹脂層２５が形成されている。これら以外の構成は、前述の電子装置１０と同様である。このような形態であっても、落下等により前記電子部品の外周で発生する基板の局所変形を防止可能である。このため、この電子装置２０は、前述の電子装置１０と同様の効果を奏することが可能である。
【００２９】
本実施形態の電子装置では、例えば、第２の熱硬化性樹脂層が電子部品全体を覆うように形成されていてもよい。図３に、この電子装置の一例の構成を示す。図３（ａ）は、この電子装置の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ方向に見た断面図である。前記両図において、図１と同一部分には、同一符号を付している。図３（ａ）および（ｂ）に示すとおり、この電子装置３０は、電子部品１１全体を覆うようにして、第２の熱硬化性樹脂層３５が形成されている。これら以外の構成は、前述の電子装置１０と同様である。このような形態であれば、耐衝撃性をさらに向上可能である。このため、この電子装置３０は、前述の電子装置１０と同様の効果を奏することが可能である。
【００３０】
本実施形態の電子装置では、例えば、第２の熱硬化性樹脂層が、複数の層からなる積層体であってもよい。図４に、この電子装置の一例の構成を示す。図４（ａ）は、この電子装置の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ方向に見た断面図である。前記両図において、図１と同一部分には、同一符号を付している。図４（ａ）および（ｂ）に示すとおり、この電子装置４０では、第２の熱硬化性樹脂層４５は、第２−１の熱硬化性樹脂層４５ａと、第２−２の熱硬化性樹脂層４５ｂと、第２−３の熱硬化性樹脂層４５ｃとが、前記順序で電子部品１１と接する側から基板１２の外側に向かって積層された積層体である。前記第２−１の熱硬化性樹脂層４５ａの弾性率は、前記第２−２の熱硬化性樹脂層４５ｂの弾性率より低い。前記第２−２の熱硬化性樹脂層４５ｂの弾性率は、前記第２−３の熱硬化性樹脂層４５ｃの弾性率より低い。これら以外の構成は、前述の電子装置１０と同様である。このような形態であれば、前述の電子装置１０と同様の効果が奏されるのに加えて、第２の熱硬化性樹脂層として、より弾性率の高い層を形成可能であり、かつ前記第１の熱硬化性樹脂層と接する部分での、弾性率の差を小さくすることが可能である。
【００３１】
前述のとおり、本発明の電子装置は、接続信頼性が高い。従って、本発明の電子装置の用途としては、例えば、エンジン制御ユニットとしてＢＧＡ構造を有する電子部品の使用が検討されている用途等があげられる。ただし、その用途は限定されず、広い分野に適用可能である。
【実施例】
【００３２】
つぎに、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は、下記の実施例によってなんら限定ないし制限されない。
【００３３】
［実施例１］
図１に示す電子装置１０を作製した。以下に、実施例１で用いた電子装置の構成について説明する。
【００３４】
〔電子装置の作製〕
１．はんだ接続工程
まず、ＢＧＡ構造を有する電子部品（ＮＥＣエレクトロニクス（株）製、ファインピッチＢＧＡ）を、電子部品１１とした。この電子部品１１では、はんだボール１３は、ピッチサイズ：０．５ｍｍ、はんだ径：０．３ｍｍ、高さ：０．２５ｍｍである。このはんだボール１３の材料は、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ鉛フリーはんだ（融点：２２０℃、体積膨張率：約４％）である。クリームはんだが塗布された基板（（株）トッパンＮＥＣサーキットソリューションズ製、ビルドアップ・プリント配線板）を、基板１２とした。この基板１２の所定の位置に、前記電子部品１１を搭載し、リフロー炉に導入した。この状態で、炉内をはんだ溶融温度よりも高い温度（２２０℃以上）にして、前記はんだボール１３を溶融し、その後、室温まで冷却した。このようにして、前記電子部品１１と前記基板１２とを、はんだボール１３を用いて電気的に接続した。
【００３５】
２．第１の熱硬化性樹脂層形成工程
つぎに、前記電子部品１１と前記基板１２との間（高さ：約０．２５ｍｍ）の前記はんだ１３が存在しない部分のほぼ全域に、第１の熱硬化性樹脂層１４を形成する材料を充填した。この状態で、８５℃まで加熱して、この材料を硬化させた。このようにして、第１の熱硬化性樹脂層１４を形成した。この材料として、アンダーフィル材（ナミックス（株）製、商品名「アンダーフィルＵ８４４３」）を用いた。このアンダーフィル材の弾性率は、６．５ＧＰａである。このアンダーフィル材は、低粘度であるため、前記電子部品１１と前記基板１２との間の高さが、０．２５ｍｍと非常に狭い場合であっても充填可能である。
【００３６】
３．第２の熱硬化性樹脂層形成工程
つぎに、前記電子部品１１の外側面の全周にわたって、第２の熱硬化性樹脂層１５を形成する材料を塗布した。この状態で、９０℃まで加熱することにより、この材料を硬化させた。このようにして、第２の熱硬化性樹脂層１５を形成した。この材料としては、アンダーフィル材（ナミックス（株）製、商品名「アンダーフィルＵ８４４９」）を用いた。このアンダーフィル材の弾性率は、１４．０ＧＰａである。このようにして、第２の熱硬化性樹脂層１５を形成し、本実施例の電子装置１０を作製した。
【００３７】
〔実施例２〕
はんだボール１３の材料として、Ｓｎ−Ｉｎ鉛フリーはんだ（融点：１１７℃）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の電子装置１０を作製した。
【符号の説明】
【００３８】
１０、２０、３０、４０    電子装置
１１    ＢＧＡ構造を有する電子部品（電子部品）
１２    基板
１３    はんだボール（はんだ）
１４    第１の熱硬化性樹脂層（第１の高分子層）
１５、２５、３５、４５    第２の熱硬化性樹脂層（第２の高分子層）
４５ａ  第２−１の熱硬化性樹脂層
４５ｂ  第２−２の熱硬化性樹脂層
４５ｃ  第２−３の熱硬化性樹脂層
【図１】
2010283215.tif 000003
【図２】
2010283215.tif 000004
【図３】
2010283215.tif 000005
【図４】
2010283215.tif 000006