(57)【要約】【課題】光損失の少なく、電気配線の絶縁性に優れた光電気混載基板、およびかかる光電気混載基板を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】光電気混載基板１は、上面側に光素子５０を搭載するための光素子搭載部を有し、光素子搭載部に光素子５０を搭載したとき、光素子５０の電極部の位置に貫通孔１０１を備えたフレキシブル基板１０と、貫通孔１０１を充填する導体ポスト３０と、導体ポスト３０に連結され、基板１０の上面から突出するように設けられた、光素子５０との電気的接続に供される突起部３１とからなる突起電極と、基板１０の下面側に設けられ、ミラー２３を備える光導波路２０と、基板１０と光導波路２０との間に設けられた配線パターン４０とを有しており、光導波路２０と光素子５０とが光学的に接続され、かつ配線パターン４０は、突起電極を介して光素子５０と電気的に接続されるよう構成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側に光素子を搭載するための光素子搭載部を有し、該光素子搭載部に光素子を搭載したとき、前記光素子の電極部の位置に貫通孔を備えた可撓性を有する可撓性基板と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記可撓性基板の前記一方の面から突出するように設けられ、前記光素子の電極部との電気的接続に供される突起電極と、
前記可撓性基板の他方の面側に設けられ、コア部およびクラッド部と、前記コア部を伝搬する光線を屈曲させるミラーとを備える光導波路と、
前記可撓性基板と前記光導波路との間に設けられた導体パターンとを有し、
前記光導波路は、前記コア部が、前記ミラーを介して、前記光素子の受光部または発光部と光学的に接続されるよう構成されており、
前記導体パターンは、前記突起電極を介して、前記光素子の電極部と電気的に接続されるよう構成されていることを特徴とする光電気混載基板。
【請求項２】
前記光導波路は、前記導体パターンを絶縁する絶縁層としての機能を有する請求項１に記載の光電気混載基板。
【請求項３】
前記可撓性基板は、該可撓性基板を貫通する光スルーホールを備えており、該光スルーホールは、前記ミラーと前記光素子の受光部または発光部との間の光路上に位置している請求項１または２に記載の光電気混載基板。
【請求項４】
前記光スルーホールは、光透過性を有する充填剤で充填されている請求項３に記載の光電気混載基板。
【請求項５】
前記突起部は、その表面が、ニッケルの被覆層と金の被覆層で覆われている請求項１ないし４のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項６】
前記突起電極の前記可撓性基板の一方の面からの突出高さは、５〜３０μｍである請求項１ないし５のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項７】
前記可撓性基板の平均厚さは、７〜５０μｍである請求項１ないし６のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項８】
前記可撓性基板は、ポリイミド系樹脂を主材料として構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項９】
前記光素子搭載部に光素子を搭載したものであり、
前記搭載された光素子の電極部と前記突起電極とが電気的に接続されている請求項１ないし８のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項１０】
前記可撓性基板は、前記光導波路が設けられていない領域を有し、該領域には、剛性を有する剛性基板が積層されている請求項１ないし９のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項１１】
前記導体パターンは、前記領域に延長されており、また、前記領域には電気素子が搭載されており、
前記延長した導体パターンを介して、前記突起電極と前記電気素子とが電気的に接続されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の光電気混載基板。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の光電気混載基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電気混載基板および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化の波とともに、大容量の情報を高速でやりとりできる広帯域回線（ブロードバンド）の普及が進んでいる。また、これらの広帯域回線に情報を伝送する装置として、ルータ装置、ＷＤＭ(Wavelength Division Multiplexing)装置等の伝送装置が用いられている。これらの伝送装置内には、ＬＳＩのような演算素子、メモリーのような記憶素子等が組み合わされた信号処理基板が多数設置されており、各回線の相互接続を担っている。
【０００３】
各信号処理基板には、演算素子や記憶素子等が電気配線で接続された回路が構築されているが、近年、処理する情報量の増大に伴って、各基板では、極めて高いスループットで情報を伝送することが要求されている。しかしながら、情報伝送の高速化に伴い、クロストークや高周波ノイズの発生、電気信号の劣化、特性インピーダンスの不整合等の問題が顕在化しつつある。このため、電気配線がボトルネックとなって、信号処理基板のスループットの向上が困難になっている。
【０００４】
一方、光周波搬送波を使用してデータを移送する光通信技術が開発され、近年、この光周波搬送波を、一地点から他地点に導くための手段として、光導波路が普及しつつある。この光導波路は、線状のコア部と、その周囲を覆うように設けられた筒状のクラッド部とを有している。コア部は、光周波搬送波の光に対して実質的に透明な材料によって構成され、クラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成されている。
【０００５】
このような光導波路では、コア部の一端から導入された光が、クラッド部との境界で反射しながら他端に搬送される。光導波路の入射側には、半導体レーザ等の発光素子が配置され、出射側には、フォトダイオード等の受光素子が配置される。発光素子から入射された光は光導波路を伝搬し、受光素子により受光され、受光した光の明滅パターンに基づいて通信を行う。
【０００６】
最近になって、信号処理基板内の電気配線を光導波路で置き換える動きが進んでいる。電気配線を光導波路で置き換えることにより、前述したような電気配線の問題が解消され、信号処理基板のさらなる高スループット化が可能になると期待されている。
【０００７】
ところが、演算素子や記憶素子はもちろん、光信号と電気信号の相互変換を担う発光素子や受光素子のような各素子の駆動には電力を供給するための電気配線が不可欠である。このため、信号処理基板には、電気配線と光導波路とが混載されることとなり、このような基板（光電気混載基板）の開発が進められている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、光送信用ＩＣおよび光受信用ＩＣを搭載するとともに、光送信用ＩＣと光受信用ＩＣとの間で光信号の伝送を行うための薄膜状の光導波路を形成した、光信号を伝送可能なプリント基板について記載されている。また、プリント基板には厚み方向に貫通するスルーホールが設けられており、このスルーホールを介して、プリント基板のそれぞれ異なる面に搭載された光送信用ＩＣと光導波路との間、および、光受信用ＩＣと光導波路との間がそれぞれ接続されている。
【０００９】
このようなプリント基板の製造では、まず、バンプを備えた各ＩＣと、他に必要な集積回路、抵抗、容量等の受動部品をプリント基板上に搭載する。次いで、この状態でリフローにより一括してはんだ接続を行うことにより、特許文献１に記載のプリント基板が製造される。
【００１０】
しかしながら、かかる方法では、各ＩＣにそれぞれバンプを形成する必要があり、製造工程の複雑化を招く。また、バンプを形成する必要性から、搭載可能なＩＣの形状や種類に制約が生じることも懸念されている。さらには、このバンプは、例えば各ＩＣの電極パッドにはんだボールを融着することにより形成されるが、このとき電極パッドに対するはんだボールの位置がずれ易いため、各ＩＣをプリント基板に固定したときに、相互の位置精度が低下し、光導波路と各ＩＣとの間の光軸ずれに伴う光損失が増大するおそれがある。
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−２９４４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、光損失の少なく、電気配線の絶縁性に優れた光電気混載基板、およびかかる光電気混載基板を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１）  一方の面側に光素子を搭載するための光素子搭載部を有し、該光素子搭載部に光素子を搭載したとき、前記光素子の電極部の位置に貫通孔を備えた可撓性を有する可撓性基板と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記可撓性基板の前記一方の面から突出するように設けられ、前記光素子の電極部との電気的接続に供される突起電極と、
前記可撓性基板の他方の面側に設けられ、コア部およびクラッド部と、前記コア部を伝搬する光線を屈曲させるミラーとを備える光導波路と、
前記可撓性基板と前記光導波路との間に設けられた導体パターンとを有し、
前記光導波路は、前記コア部が、前記ミラーを介して、前記光素子の受光部または発光部と光学的に接続されるよう構成されており、
前記導体パターンは、前記突起電極を介して、前記光素子の電極部と電気的に接続されるよう構成されていることを特徴とする光電気混載基板。
【００１４】
（２）  前記光導波路は、前記導体パターンを絶縁する絶縁層としての機能を有する上記（１）に記載の光電気混載基板。
【００１５】
（３）  前記可撓性基板は、該可撓性基板を貫通する光スルーホールを備えており、該光スルーホールは、前記ミラーと前記光素子の受光部または発光部との間の光路上に位置している上記（１）または（２）に記載の光電気混載基板。
【００１６】
（４）  前記光スルーホールは、光透過性を有する充填剤で充填されている上記（３）に記載の光電気混載基板。
【００１７】
（５）  前記突起部は、その表面が、ニッケルの被覆層と金の被覆層で覆われている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００１８】
（６）  前記突起電極の前記可撓性基板の一方の面からの突出高さは、５〜３０μｍである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００１９】
（７）  前記可撓性基板の平均厚さは、７〜５０μｍである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００２０】
（８）  前記可撓性基板は、ポリイミド系樹脂を主材料として構成されている上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００２１】
（９）  前記光素子搭載部に光素子を搭載したものであり、
前記搭載された光素子の電極部と前記突起電極とが電気的に接続されている上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００２２】
（１０）  前記可撓性基板は、前記光導波路が設けられていない領域を有し、該領域には、剛性を有する剛性基板が積層されている上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００２３】
（１１）  前記導体パターンは、前記領域に延長されており、また、前記領域には電気素子が搭載されており、
前記延長した導体パターンを介して、前記突起電極と前記電気素子とが電気的に接続されている上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光電気混載基板。
【００２４】
（１２）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の光電気混載基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、非常に薄い可撓性基板を介して光導波路と光素子とを配置することが可能になるため、これらの間の光路長を短くすることができ、これにより光通信における光損失を抑制することができる。
【００２６】
また、導体パターンが可撓性基板と光導波路との間に配設されていることから、光導波路が導体パターンの絶縁膜として機能することができ、導体パターンの絶縁性が向上する。
【００２７】
さらに、可撓性基板側に形成された突起電極により、光素子を可撓性基板上に搭載するための光素子搭載部が構成されているため、可撓性基板に対する光素子の位置精度を高めることができる。これにより、光導波路と光素子との間の光軸合わせが容易になり、この間の光損失を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の光電気混載基板および電子機器について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
＜光電気混載基板＞
図１は、本発明の光電気混載基板の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」といい、下側を「下」という。
【００３０】
図１に示す光電気混載基板１は、剛性を有するリジッド部１１と、可撓性を有するフレキシブル部１２とに分かれており、これらに共通する部材として、フレキシブル（可撓性）基板１０を有する。
【００３１】
また、リジッド部１１は、上述したフレキシブル基板１０と、その下面側に２枚のリジッド（剛性）基板１１１、１１２とを積層した積層体で構成されている。これにより、リジッド部１１では、各リジッド基板１１１、１１２によりフレキシブル基板１０を補強することとなり、十分な剛性が確保される。
【００３２】
一方、フレキシブル部１２は、上述したフレキシブル基板１０と、その下面側に可撓性を有する光導波路２０とを積層した積層体で構成されている。これにより、フレキシブル部１２では、十分な可撓性が確保される。なお、光導波路２０には、その途中を斜め４５°に横切るミラー２３が形成されており、このミラー２３は、光導波路２０のコア部を通過する光路の方向を上方に向けて直角に変換する光路変換、または、光導波路２０の上方（側方）から入射された光がコア部に向けて反射されるよう光路を直角に変換する光路変換を担う。
【００３３】
さらに、フレキシブル部１２のフレキシブル基板１０の上面には、光素子５０が設けられており、上方に向けられた光路はこの光素子５０の受光部または発光部に導かれるよう構成されている。すなわち、光導波路２０と光素子５０の受光部または発光部との間は、ミラー２３を介して光学的に接続されている。なお、フレキシブル基板１０のうち、光素子５０とミラー２３との間の光路が通過する部分には、フレキシブル基板１０を貫通する光スルーホール１３が形成されている。この光スルーホール１３が形成されていることにより、フレキシブル基板１０が光透過性を有する必要がなくなるため、フレキシブル基板１０の構成材料の選択の幅を広げることができる。換言すれば、フレキシブル基板１０が光透過性を有している場合には、光スルーホール１３を省略することもできる。
【００３４】
また、フレキシブル基板１０、リジッド基板１１１およびリジッド基板１１２には、それぞれ複数個の貫通孔１０１が形成されており、各貫通孔１０１は、それぞれ導電性材料で構成された導体ポスト３０で充填されている。
【００３５】
また、各基板１０、１１１、１１２の基板間および基板の下面には、配線パターン（導体パターン）４０が配設されている。この配線パターン４０は、各導体ポスト３０間を接続しており、これにより光電気混載基板１内で電気回路を構築している。
【００３６】
さらに、各導体ポスト３０は、その上端部がフレキシブル基板１０の上面から突出するよう設けられている。この突出部分は、後に詳述するが、光電気混載基板１に搭載される光素子５０や電気素子６０との電気的接続を担う突起部３１である。例えば、これらの突起部３１のうち、前記ミラー２３の上方には光素子５０との接続用の突起部３１が配置されており、これらの突起部３１の上面が光素子搭載部となる。
【００３７】
このような光電気混載基板１は、各導体ポスト３０および配線パターン４０で構成された電気回路と光導波路２０とを混載しており、電気回路において電気信号を、光導波路２０において光信号を、それぞれ伝送するとともに、これらの信号を光電気混載基板１に搭載された光素子５０や電気素子６０によって処理することができる。
【００３８】
以下、光電気混載基板１の各部について順次詳述する。
フレキシブル基板１０は、可撓性を有するとともに絶縁性を有する材料で構成された基板である。かかる材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられるが、なかでもポリイミド系樹脂を主材料とするものが好ましく用いられる。ポリイミド系樹脂は、耐熱性が高く、優れた可撓性を有していることから、フレキシブル基板１０の構成材料として特に好適である。
【００３９】
また、フレキシブル基板１０としては、一方の面にあらかじめ導電膜が形成された基板（銅張りフィルム等）が好適に用いられる。この場合、導電膜をフォトリソグラフィ法およびエッチング法により、所望の形状にパターニングすることにより、後述する配線パターン４０を容易に形成することができる。
【００４０】
また、フレキシブル基板１０の平均厚さは、光電気混載基板１の可撓性および薄型化の観点から、７〜５０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜４０μｍ程度であるのがより好ましい。このような厚さのフレキシブル基板１０であれば、十分な可撓性を有するとともに、自重や搭載する各種素子の重量によって意図せず変形してしまうことが防止される。また、光電気混載基板１の薄型化が図られるとともに、ミラー２３と光素子５０との間の距離を十分に短縮することができる。その結果、例えば光導波路２０を伝搬してきた後、ミラー２３により上方に反射された光が、広く発散する前に光素子５０に到達することができるため、光通信における光損失を抑制することができ、光通信のＳ／Ｎ比を高めることができる。また、光素子５０が発光素子である場合には、発光した光を発散させてしまう前にミラー２３に到達させることができるので、同様に光通信のＳ／Ｎ比を高めることができる。
【００４１】
なお、フレキシブル基板１０に形成された光スルーホール１３は、必要に応じて、光透過性を有する充填剤で充填されていてもよい。この場合、充填剤は、その屈折率が、フレキシブル基板１０の屈折率より高いものであるのが好ましい。このような充填剤を用いることにより、光スルーホール１３からフレキシブル基板１０側への光の漏出を抑制することができる。すなわち、光スルーホール１３は光導波路と同様の構造を有するものとなるため、光スルーホール１３を通過する光の損失を抑制することができる。
【００４２】
また、この充填剤は、光スルーホール１３の上方に位置する空間、すなわち、光素子５０と光スルーホール１３との間の空間にも充填されていてもよい。これにより、ミラー２３と光素子５０との間の光通信の確実性をより高めることができる。
【００４３】
このような充填剤の主材料としては、フレキシブル基板１０の構成材料に応じて適宜選択されるものの、例えば、各種アクリル系樹脂、各種ポリカーボネート系樹脂、各種エポキシ系樹脂、各種シリコーン系樹脂、各種ノルボルネン系樹脂等が挙げられる。
【００４４】
なお、光素子５０としては、面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）のような発光素子、フォトダイオード（ＰＤ、ＡＰＤ）のような受光素子等が挙げられる。
【００４５】
リジッド基板１１１およびリジッド基板１１２は、それぞれ剛性を有するとともに絶縁性を有する材料で構成された基板である。かかる材料としては、例えば、紙、ガラス布、樹脂フィルム等の基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたものが挙げられる。
【００４６】
かかる各リジッド基板１１１、１１２の平均厚さは、特に限定されないが、光電気混載基板１の薄型化の観点から、好ましくは５０μｍ〜３ｍｍ程度、より好ましくは１００μｍ〜２．５ｍｍ程度とされる。
【００４７】
なお、各貫通孔１０１や光スルーホール１３は、それぞれ各基板１０、１１１、１１２にレーザー加工等を用いて簡単に形成可能である。
【００４８】
光導波路２０は、線状のコア部２１と、コア部２１の周囲を覆うように設けられた筒状のクラッド部２２とを有しており、コア部２１の一端に入射された光をコア部２１とクラッド部２２との界面で全反射させ、他端に伝搬することができる。
【００４９】
光導波路２０の横断面形状は、好ましくは正方形または矩形（長方形）のような四角形とされる。コア部２１の幅および高さは、特に限定されないが、１〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００５０】
また、コア部２１とクラッド部２２とは、互いに光の屈折率が異なり、その屈折率の差は、０．５％以上であるのが好ましく、０．８％以上であるのがより好ましい。一方、上限値は、特に設定されなくてもよいが、好ましくは５．５％程度とされる。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。
【００５１】
なお、前記屈折率差とは、コア部２１の屈折率をＡ、クラッド部２２の屈折率をＢとしたとき、次式で表される。
屈折率差（％）＝｜Ａ／Ｂ−１｜×１００
【００５２】
コア部２１、クラッド部２２の各構成材料は、それぞれ上記の屈折率差が生じる材料であれば特に限定されないが、具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等を用いることができる。
【００５３】
また、光導波路２０に設けられたミラー２３は、光導波路２０にレーザー加工、研削加工等を施すことにより形成される。なお、ミラー２３の表面（ミラー面）には、必要に応じて反射膜を成膜するようにしてもよい。この反射膜としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属膜が好ましく用いられる。
【００５４】
このような光導波路２０は、フレキシブル基板１０の下面に上記材料を成膜することにより形成してもよく、あらかじめ光導波路２０を形成した後、フレキシブル基板１０の下面に貼り合わせるようにしてもよい。
【００５５】
なお、光導波路２０の平均厚さは、１５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。光導波路２０の厚さが前記範囲内であれば、後に詳述するが、光導波路２０の絶縁性が十分に高いものとなる。すなわち、光導波路２０は、配線パターン４０を確実に絶縁し得る絶縁層として十分に機能するものとなる。
【００５６】
また、コア部２１の平均厚さは、５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２５〜８０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５７】
一方、クラッド部２２の平均厚さは、３〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜３０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５８】
各導体ポスト３０は、例えば、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される１種または２種以上を組み合わせた導電性材料により構成される。２種以上を組み合わせた例としては、Ｓｎ−Ｐｂ系（はんだ）、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系等が挙げられる。
【００５９】
かかる導体ポスト３０の形成方法としては、例えば、導電ペーストを塗布する方法、めっき法等が挙げられる。
【００６０】
そして、各導体ポスト３０の上端部に設けられる突起部３１は、各導体ポスト３０の上端部表面に成膜された金属膜等により構成される。このような突起部３１は、各導体ポスト３０の上端部に設けられる。
【００６１】
突起部３１を構成する導電性材料としては、前述したような金属材料の他、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ等が挙げられる。また、突起部３１を構成する導電性材料の好ましい組み合わせとしては、導体ポスト３０側からＮｉ層とＡｕ層とを順次成膜してなる積層膜が挙げられる。このような積層膜は、Ｎｉ層により、導体ポスト３０とＡｕ層との間の密着性を高めることができ、また、化学的安定性の高いＡｕ層により、導体ポスト３０の酸化や劣化を防止することが可能である。
【００６２】
また、突起部３１のフレキシブル基板１０の上面からの突出高さは、５〜３０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜２５μｍ程度であるのがより好ましい。突起部３１の突出高さを前記範囲内とすることにより、突起部３１が光素子５０の電極パッドに対して選択的かつ確実に接触させることができ、確実な電気的接続を可能にする。また、光素子５０とミラー２３との距離が必要以上に長くなるのを防止し、例えば光導波路２０を伝搬してきた後、ミラー２３により上方に反射された光が、広く発散する前に光素子５０に到達することができるため、光通信における光損失を抑制することができ、光通信のＳ／Ｎ比を高めることができる。また、光素子５０が発光素子である場合には、発光した光を発散させてしまう前にミラー２３に到達させることができるので、同様に光通信のＳ／Ｎ比を高めることができる。
【００６３】
なお、突起部３１は、その全体（フレキシブル基板１０の上面から突出している部分の全体）が上述した金属材料で構成されていてもよいが、内側部分が導体ポスト３０と一体的に構成され、その表面のみに上述した金属材料の被膜が成膜された構成であってもよい。
【００６４】
さらに、本実施形態では、導体ポスト３０と突起部３１とからなる突起電極について説明しているが、この突起電極は、２つの部分が一体化されたものであってもよい。
【００６５】
また、前述したように、各導体ポスト３０同士の間は、フレキシブル基板１０、リジッド基板１１１およびリジッド基板１１２の各基板間や下面、フレキシブル基板１０と光導波路２０との間に配設された配線パターン４０により接続されているが、この配線パターン４０の構成材料にも、突起部３１を構成する導電性材料と同様の材料を用いることができる。
【００６６】
なお、図１に示すように、フレキシブル部１２では、配線パターン４０がフレキシブル基板１０と光導波路２０との間に配設されているが、前述したように、光導波路２０は各種樹脂材料やガラス材料で構成されているため、絶縁性が高い。このため、光導波路２０は、配線パターン４０の絶縁性を確保する絶縁膜としての機能をも担うものとなる。換言すれば、配線パターン４０を覆う絶縁膜を設ける必要がないため、光電気混載基板１の構造および製造工程の簡略化を図ることができる。
【００６７】
また、リジッド部１１のフレキシブル基板１０の上面には、電気素子６０が設けられており、配線パターン４０と電気素子６０の電極パッドとの間が、導体ポスト３０と突起部３１とを介して電気的に接続されている。
【００６８】
電気素子６０は、ＬＳＩ、ＲＡＭ、抵抗、コンデンサ等のいかなる電気素子であってもよいが、図１に示す電気素子６０は、ドライバＩＣ６１と、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）とリミッティングアンプ（ＬＡ）とのコンビネーションＩＣ６２とで構成されている。
【００６９】
このうち、ドライバＩＣ６１は、光素子５０が発光素子である場合、発光素子の動作を制御している。また、コンビネーションＩＣ６２は、光素子５０が受光素子である場合、受光素子による検出信号を増幅するよう動作する。すなわち、光電気混載基板１では、これらの光素子５０や電気素子６０が協調して動作することにより、光信号と電気信号の相互変換が確実に行われ、高速かつ低ノイズでの信号処理を容易に行うことができる。
【００７０】
このような各電気素子６０は、光電気混載基板１側に設けられた突起電極（導体ポスト３０および突起部３１）を介して接続されているため、光電気混載基板１に対する位置精度を高めることができる。これにより、光導波路２０と光素子５０との間の光軸合わせが容易になり、この間の光損失を抑制することができる。
【００７１】
また、従来は、光電気混載基板に搭載する光素子や電気素子にそれぞれバンプを形成する必要があるため、搭載可能な素子の形状や種類に制約が生じていたが、本発明によれば、前述したように光電気混載基板１側にバンプに代わる突起電極が設けられているため、各素子にバンプを形成する必要がなくなる。このため、形状等によらず、幅広い種類から選択された素子を光電気混載基板１に搭載することができる。
【００７２】
ここで、図２には、本発明の光電気混載基板の実施形態の他の構成例を示す縦断面図を示す。
【００７３】
図２に示す光電気混載基板１は、リジッド部１１におけるフレキシブル基板１０と２枚のリジッド基板１１１、１１２との位置関係が異なること以外は、図１に示す光電気混載基板１と同様である。
【００７４】
具体的には、図２に示す光電気混載基板１は、リジッド部１１において、２枚のリジッド基板１１１、１１２の間に、フレキシブル基板１０が挟まれるようにして積層されている。
【００７５】
このような図２に示す光電気混載基板１も、前述した図１に示す光電気混載基板１と同様の作用・効果を奏する。
【００７６】
＜電子機器＞
本発明の光電気混載基板を備える電子機器（本発明の電子機器）は、光信号と電気信号の双方の信号処理を行ういかなる電子機器にも適用可能であるが、例えば、ルータ装置、ＷＤＭ装置、携帯電話、ゲーム機、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばＬＳＩ等の演算装置とＲＡＭ等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光電気混載基板を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。
【００７７】
さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度が高められるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。
【００７８】
以上、本発明の光電気混載基板および電子機器の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば光電気混載基板を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の光電気混載基板の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の光電気混載基板の実施形態の他の構成例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１                      光電気混載基板
１０                    フレキシブル基板
１１                    リジッド部
１２                    フレキシブル部
１３                    光スルーホール
１０１                  貫通孔
１１１、１１２          リジッド基板
２０                    光導波路
２１                    コア部
２２                    クラッド部
２３                    ミラー
３０                    導体ポスト
３１                    突起部
４０                    配線パターン（導体パターン）
５０                    光素子
６０                    電気素子
６１                    ドライバＩＣ
６２                    コンビネーションＩＣ
【図１】
2010113102.tif 000003
【図２】
2010113102.tif 000004