(57)【要約】【課題】本発明は、高いターゲット利用効率を有するマグネトロンスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリングターゲットは、マグネトロン装置及び該マグネトロン装置の磁界内に設置されるターゲットを備え、前記マグネトロン装置は、金属板、前記金属板内に嵌着される複数の第一マグネット及び複数の第二マグネットを備え、前記第一マグネット及び前記第二マグネットの磁力線が相反し、前記複数の第一マグネット及び前記複数の第二マグネットは、複数の行及び複数の列に沿って配列され、各行の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、各列の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、前記マグネトロン装置の磁界内に前記行方向に沿って延在する磁力線と前記列方向に沿って延在する磁力線が存在する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネトロン装置及び該マグネトロン装置の磁界内に設置されるターゲットを備えてなるマグネトロンスパッタリングターゲットであって、
前記マグネトロン装置は、金属板、前記金属板内に嵌着される複数の第一マグネット及び複数の第二マグネットを備え、前記第一マグネット及び前記第二マグネットの磁力線が相反し、前記複数の第一マグネット及び前記複数の第二マグネットは、複数の行及び複数の列に沿って配列され、各行の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、各列の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、前記マグネトロン装置の磁界内に前記行方向に沿って延在する磁力線と前記列方向に沿って延在する磁力線が存在することを特徴とするマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項２】
各列の複数の第一マグネットと複数の第二マグネットは、交互に並べられることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項３】
各行の複数の第一マグネットと複数の第二マグネットは、交互に並べられることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記金属板と前記ターゲットは、互いに離間して設置されることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記マグネトロン装置は、前記金属板と前記ターゲットとの間に設置される支持素子をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項６】
前記マグネトロン装置は、前記金属板に設置され且つ前記ターゲットに向かって延在する支持素子をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項７】
前記マグネトロンスパッタリングターゲットは、収容ホルダーをさらに備え、前記ターゲットは前記収容ホルダーに固定され、前記マグネトロン装置は、前記収容ホルダーと前記ターゲットとの間に設置されることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項８】
前記マグネトロンスパッタリングターゲットは、前記マグネトロン装置に接続する駆動装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項９】
前記駆動装置の駆動によって、前記マグネトロン装置は前記行方向に沿って運動することを特徴とする請求項８に記載のマグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項１０】
成膜チャンバー、基板ホルダー及び請求項１〜９のいずれの一項に記載のマグネトロンスパッタリングターゲットを備えてなるマグネトロンスパッタリング装置であって、
前記マグネトロンスパッタリングターゲットは、前記成膜チャンバーに固定され、前記マグネトロンスパッタリングターゲットのターゲットと前記成膜チャンバーに囲まれた成膜キャビティを形成し、前記基板ホルダーは、前記成膜チャンバー内に収容され且つ前記ターゲットに対向し、前記基板ホルダーは、表面に薄膜を成膜する基板を保持するために用いられることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記マグネトロンスパッタリングターゲットを囲って設置される冷却キャビティと、前記冷却キャビティ内に設置されて、スパッタする時に前記ターゲットの温度を下げる冷却装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スパッタとは、ターゲットと表面に薄膜を成膜する基板を保持するための基板ホルダーとの間に直交する磁界と電界を発生させ、真空の成膜キャビティにアルゴンガスのような不活性ガスを導入し、電界の作用によって前記アルゴンガスをアルゴンイオンと電子に電離し、前記ターゲットに前記アルゴンイオンが衝突することでターゲット材料が飛散され、基板に薄膜として堆積されることを意味する。前記ターゲットへのアルゴンイオンの衝突時に前記ターゲットから二次電子が放出され、前記二次電子は、前記基板に高速に加速されて飛び込んでいるところ、前記ターゲット表面のマグネトロン磁場により長時間ターゲット表面に滞在する。電磁界の共同作用によって、二次電子の運動軌跡は、電界方向に沿って加速するとともに磁界方向を回って螺旋前進する複雑の曲線であるため、二次電子の運動経路が長くなり、運動過程でアルゴンガス分子と衝突することでアルゴンガス分子を電離し、アルゴンイオンが得られ、このアルゴンイオンがターゲットに衝突し、何度も衝突してから二次電子のエネルギーもだんだん下がり、磁力線の束縛をふりすてて、ターゲットから離れて、極めて低いエネルギーで薄膜を成膜する基板に飛び込んで、薄膜を成膜する基板の温度がより低い。
【０００３】
マグネトロンスパッタは、磁界の束縛を利用して二次電子の運動経路を延長し、二次電子の運動方向を変換し、不活性ガスの電離率を高め、電子のエネルギーを効果的に利用して、スパッタ効率を高める（非特許文献１を参照）。
【０００４】
従来の技術において、マグネトロンスパッタに用いられるマグネトロンスパッタリングターゲットのマグネットの磁力線が密集せず、且つ均一に分布されないため、ターゲットの侵食領域の分布が均一でなく、ターゲットの利用効率を低減させる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｓａｆｉ、“Ｓｕｒｆａｃｅ  ＆  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”、Ｒｅｃｅｎｔ  Ａｓｐｅｃｔｓ  Ｃｏｎｃｅｒｎｉｎｇ  ＤＣ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ：ａ  Ｒｅｖｉｅｗ、２０００年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、前記課題を解決し、高いターゲット利用効率を有するマグネトロンスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るマグネトロンスパッタリングターゲットは、マグネトロン装置及び該マグネトロン装置の磁界内に設置されるターゲットを備え、前記マグネトロン装置は、金属板、前記金属板内に嵌着される複数の第一マグネット及び複数の第二マグネットを備え、前記第一マグネット及び前記第二マグネットの磁力線が相反し、前記複数の第一マグネット及び前記複数の第二マグネットは、複数の行及び複数の列に沿って配列され、各行の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、各列の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、前記マグネトロン装置の磁界内に前記行方向に沿って延在する磁力線と前記列方向に沿って延在する磁力線が存在する。
【０００８】
本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置は、成膜チャンバー、基板ホルダー及び前記マグネトロンスパッタリングターゲットを備え、前記マグネトロンスパッタリングターゲットは、前記成膜チャンバーに固定され、前記マグネトロンスパッタリングターゲットのターゲットと前記成膜チャンバーが囲んで成膜キャビティを形成し、前記基板ホルダーは、前記成膜チャンバー内に収容され且つ前記ターゲットに対向し、前記基板ホルダーは、表面に薄膜を成膜する基板を保持することに用いられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係わるマグネトロンスパッタリングターゲットにおいて、マグネトロン装置は、複数の行及び複数の列に沿って配列される複数の第一マグネット及び複数の第二マグネットを備え、隣り合う両行のマグネットとの間の距離が小さいため、複数のマグネットが生じる磁力線も密集に分布される。又、前記複数の第一マグネット及び前記複数の第二マグネットは、複数の行及び複数の列に沿って金属板内に嵌着され、各行の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、各列の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合うため、前記マグネトロン装置の磁界内に前記行方向に沿って延在する磁力線と前記列方向に沿って延在する磁力線が存在し、スパッタする時、前記ターゲットが均一に侵食され、スパッタ速度及びターゲット利用効率を高める。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットの構造を示す立体図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットの構造を示す立体分解図である。
【図３】図１に示すマグネトロンスパッタリングターゲットのＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットのマグネトロン装置の構造を示す図である。
【図５】本発明の第二実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットの構造を示す立体図である。
【図６】本発明の第二実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットのマグネトロン装置の構造を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係るマグネトロンスパッタリング装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
図１〜図３を参照すると、本発明の第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲット１００は、収容ホルダー１１０と、マグネトロン装置１２０と、ターゲット１３０と、２つの固定板１４０と、四つの固定部材１５０と、駆動装置１６０と、を備える。
【００１３】
前記収容ホルダー１１０は、前記マグネトロン装置１２０を収容し且つ前記ターゲット１３０を固定することに用いられる。前記収容ホルダー１１０は、平板１１１と、第一側壁１１２と、第二側壁１１３と、を備える。前記平板１１１は、長方形であって、収容面１１１１を有する。前記第一側壁１１２及び前記第二側壁１１３は、前記収容面１１１１に直交するように前記収容面１１１１の両側に形成されており、且つ前記平板１１１の長さ方向に沿って延在する。前記収容面１１１１、前記第一側壁１１１２及び前記第二側壁１１３は、収容空間１１４を形成する。前記第一側壁１１２と前記第二側壁１１３との間の距離は、前記マグネトロン装置１２０の幅に対応され、前記第一側壁１１２及び前記第二側壁１１３の高さは、前記マグネトロン装置１２０の高さに対応される。前記第一側壁１１２は、前記収容面１１１１に平行する第一底面１１２１を有し、前記第一底面１１２１には、内部ねじ山を有する２つの取付孔（図示せず）が形成されている。前記第二側壁１１３は、前記収容面１１１１に平行する第二底面１１３１を有し、前記第二底面１１３１には、内部ねじ山を有する２つの取付孔（図示せず）が形成されている。
【００１４】
前記マグネトロン装置１２０は、前記収容ホルダー１１０の収容空間１１４内に収容される。前記マグネトロン装置１２０は、金属板１２１と、複数のマグネット１２２と、複数の支持素子１２３と、を備える。前記金属板１２１は、長方形であって、その長さは前記平板１１１の長さより大きく、前記金属板１２１の幅は、前記第一側壁１１２と前記第二側壁１１３との間の距離より小さい。前記金属板１２１は、前記収容ホルダー１１０の収容面１１１１に接触する第一表面１２１１と、前記第一表面１２１１に対向して設置される第二表面１２１２と、前記第一表面１２１１と前記第二表面１２１２との間に連接され且つ前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２に対向する第一側面１２１３と、前記第一表面１２１１と前記第二表面１２１２との間に連接され且つ前記収容ホルダー１１０の第二側壁１１３に対向する第二側面１２１４と、を備え、前記第一側面１２１３と前記第二側面１２１４は、対向して設置される。
【００１５】
図４を参照すると、前記複数のマグネット１２２は、前記金属板１２１内に嵌着されており、各々のマグネット１２２の１つの磁極が前記金属板１２１の第二表面１２１２から露出する。本実施形態において、前記複数のマグネット１２２は、前記金属板１２１の長さ方向に沿って４行に配列され、各行に９つのマグネット１２２を有し、即ち４行９列に配列される。前記複数のマグネット１２２は、磁力線方向が相反する複数の第一マグネット１２２１と複数の第二マグネット１２２２を備える。即ち、前記第一マグネット１２２１のＮ極が前記金属板１２１の第二表面１２１２から露出すると、前記第二マグネット１２２２のＳ極が前記金属板１２１の第二表面１２１２から露出し、前記第一マグネット１２２１のＳ極が前記金属板１２１の第二表面１２１２から露出すると、前記第二マグネット１２２２のＮ極が前記金属板１２１の第二表面１２１２から露出する。前記第一マグネット１２２１と前記第二マグネット１２２２は、互いに離間して形成され、各々の第一マグネット１２２１は、前記第二マグネット１２２２に隣り合うが、前記第一マグネット１２２１には隣り合わず、各々の第二マグネット１２２２は、前記第一マグネット１２２１に隣り合うが、前記第二マグネット１２２２には隣り合わない。例えば、第一行の複数のマグネット１２２は、第一マグネット１２２１、第二マグネット１２２２、第一マグネット１２２１、第二マグネット１２２２．．．．．．第一マグネット１２２１の順序に配列され、第二行の複数のマグネット１２２は、第二マグネット１２２２、第一マグネット１２２１、第二マグネット１２２２、第一マグネット１２２１．．．．．．第二マグネット１２２２の順序に配列され、第三行の複数のマグネット１２２の配列順序は、前記第一行の複数のマグネット１２２の配列順序と同じであって、第四行の複数のマグネット１２２の配列順序は、前記第二行の複数のマグネット１２２の配列順序と同じである。磁力線は、隣り合う２つの第一マグネット１２２１と第二マグネット１２２２との間に存在されるため、複数のマグネット１２２が生じる磁力線は、前記金属板１２１の長さ方向に沿って分布されるとともに、前記金属板１２１の幅方向に沿って分布される。隣り合う両行のマグネットとの間の距離が小さいため、複数のマグネット１２２が生じる磁力線も密集して分布される。前記金属板１２１の実際の大きさに基づいて、マグネットアレイの行数及び列数を変換することができ、複数のマグネット１２２が生じる磁力線を密集して分布させる。
【００１６】
本実施形態において、前記支持素子１２３は、支持柱１２３０である。複数の支持柱１２３０は、別々に前記金属板１２１の第一側面１２１３及び第二側面１２１４に固定されて、前記金属板１２１を支持する。前記支持柱１２３０の高さは、前記金属板１２１の第一表面１２１１と第二表面１２１２との間の間隔より大きい。本実施形態において、前記支持柱１２３０は、円柱形であって、支持面１２３１と、前記支持面１２３１に対向する頂面１２３２と、前記頂面１２３２と前記支持面１２３１との間に連接される側面１２３３と、を備える。前記支持柱１２３０は、その側面１２３３によって前記金属板１２１の第一側面１２１３又は第二側面１２１４に固定され、前記支持柱１２３０の支持面１２３１は、前記金属板１２１の第二表面１２１２から突出し、且つ前記金属板１２１の第二表面１２１２から突出する高さは等しい。前記支持柱１２３０における前記金属板１２１の第二表面１２１２から突出する高さは、１ｃｍ〜２ｃｍであることが好ましい。前記支持柱１２３０は、前記金属板１２１の第一側面１２１３又は第二側面１２１４にスライド可能に取り付けることができ、前記支持柱１２３０を前記金属板１２１の第一側面１２１３と前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２との間又は前記金属板１２１の第二側面１２１４と前記収容ホルダー１１０の第二側壁１１３との間に配置させる。前記支持柱１２３０の支持面１２３１は、前記ターゲット１３０に接触し、前記支持柱１２３０の頂面１２３２は、前記収容ホルダー１１０の収容面１１１１に接触する。
【００１７】
前記ターゲット１３０は、成膜用金属材料からなる。本実施形態において、前記ターゲット１３０は、長方形の板状であって、その長さは、前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２及び第二側壁１１３の長さに対応し、前記ターゲット１３０の幅は、前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２と第二側壁１１３との間の距離に対応する。前記ターゲット１３０は、互いに対向して設置される取付面１３１及び衝撃面１３２を有する。前記ターゲット１３０の四角には、それぞれ前記取付面１３１及び前記衝撃面１３２を貫く１つの第一貫通孔１３３が開設される。前記四つの第一貫通孔１３３は、前記第一側壁１１２の２つの取付孔及び前記第二側壁１１３の２つの取付孔に対応する。
【００１８】
前記固定板１４０は、細長い板状であって、その長さは前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２と第二側壁１１３との間の距離に対応する。前記２つの固定板１４０には、それぞれ２つの第二貫通孔１４２が形成されている。
【００１９】
本実施形態において、前記固定部材１５０は、ボルトであって、その外表面には、前記収容ホルダー１１０の取付孔の内部ねじ山に対応する外部ねじ山が設置される。前記固定部材１５０の直径は、前記収容ホルダー１１０の取付孔、前記ターゲット１３０の第一貫通孔１３３及び前記固定板１４０の第二貫通孔１４２の孔径に対応する。前記固定部材１５０は、前記固定板１４０の第二貫通孔１４２及び前記ターゲット１３０の第一貫通孔１３３を貫いて前記収容ホルダー１１０の取付孔に螺合することにより、前記ターゲット１３０の衝撃面１３２を前記固定板１４０に接触させ、前記ターゲット１３０の取付面１３１を前記第一側壁１１２の第一底面１１２１及び前記第二側壁１１３の第二底面１１３１に接触させ、前記支持柱１２３の支持面１２３１を前記ターゲット１３０の取付面１３１に接触させ、前記ターゲット１３０を前記マグネトロン装置１２０の磁界内に位置させる。前記金属板１２１の第二表面１２１２は、前記ターゲット１３０の取付面１３１に平行し且つ互いに離間する。前記固定部材１５０の数量は、本実施形態の４つに限定されるものではなく、実際の需要によって２つ、３つ又は他の数でもよい。
【００２０】
前記駆動装置１６０は、前記マグネトロン装置１２０に接続されて、前記マグネトロン装置１２０を駆動することに用いられ、空気圧シリンダなどのようなものである。前記マグネトロン装置１２０は、前記駆動装置１６０の駆動によって、前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２及び第二側壁１１３の延在方向に沿って往復運動することができる。
【００２１】
スパッタする場合、前記マグネトロン装置１２０は、前記駆動装置１６０の駆動によって前記収容ホルダー１１０の第一側壁１１２及び第二側壁１１３の延在方向に沿って往復運動するため、前記マグネトロン装置１２０の複数のマグネット１２２が生じる前記金属板１２１の幅方向に沿って分布された磁力線も移動し、前記ターゲット１３０の衝撃面１３２が均一に侵食され、前記ターゲット１３０の利用効率を高める。
【００２２】
図５及び図６を参照すると、本発明の第二実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲット２００の構造は、前記第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲット１００の構造と近似するが、異なる点は、マグネトロン装置２２０の金属板２２１内に嵌着された複数のマグネット２２２の配列方式である。具体的に説明すると、第一行の複数のマグネット２２２は、第一マグネット２２２１、第二マグネット２２２２、第一マグネット２２２１、第二マグネット２２２２．．．．．．第一マグネット２２２１の順序に配列され、第二行の複数のマグネット２２２の配列順序は、前記第一行の複数のマグネット２２２の配列順序と同じであって、第三行の複数のマグネット２２２は、第二マグネット２２２２、第一マグネット２２２１、第二マグネット２２２２、第一マグネット２２２１．．．．．．第二マグネット２２２２の順序に配列され、第四行の複数のマグネット２２２の配列順序は、前記第三行の複数のマグネット２２２の配列順序と同じである。金属板２２１の長さ方向に沿って、磁力線は各行の隣り合う２つの第一マグネット２２２１と第二マグネット２２２２との間に存在し、前記金属板２２１の幅方向に沿って、磁力線は同列の第一行のマグネット２２２と第四行のマグネット２２２との間及び同列の第二行のマグネット２２２と第三行のマグネット２２２との間に存在されるため、複数のマグネット２２２が生じる磁力線は、前記金属板２２１の長さ方向に沿って分布されるとともに、前記金属板２２１の幅方向に沿って分布される。隣り合う両行のマグネットとの間の距離が小さいため、複数のマグネット２２２が生じる磁力線も密集して分布される。
【００２３】
本実施形態において、前記マグネトロン装置２２０の支持素子２２３は、２つの支持板２２３０である。前記マグネトロン装置２２０は、前記２つの支持板２２３０によって前記ターゲット２３０と互いに離間して設置される。前記２つの支持板２２３０は、皆細長い板状であって、別々に前記金属板２２１の第二表面２２１２における第一側面２２１３に近い片側と第二側面２２１４に近い片側に固定され、且つ前記ターゲット２３０に接触する。前記２つの支持板２２３０の厚さは、同じである。
【００２４】
前記支持板２２３０の数量は、本実施形態の２つに限定されるものではなく、実際の需要によって１つ、３つ又は３つ以上でもよい。
【００２５】
以下、図７を参照して、本発明の第一実施形態に係るマグネトロンスパッタリングターゲットを採用したマグネトロンスパッタリング装置について説明する。
【００２６】
マグネトロンスパッタリング装置３００は、マグネトロンスパッタリングターゲット３１０、成膜チャンバー３２０と、真空ポンプ３３０と、ガス導入系３４０と、表面に薄膜を成膜する基板を保持するための基板ホルダー３５０と、冷却キャビティ３６０と、冷却装置３７０と、電源３８０と、を備える。前記成膜チャンバー３２０は、底壁３２１及び側壁３２２を備える。前記マグネトロンスパッタリングターゲット３１０は、前記側壁３２２に固定されて、ターゲット３１１を前記底壁３２１に平行させる。前記ターゲット３１１、前記側壁３２２及び前記底壁３２１によって成膜キャビティ３２３が形成される。前記基板ホルダー３５０は、前記底壁３２１に設置され且つ前記マグネトロンスパッタリングターゲット３１０に対向する。前記ガス導入系３４０は、前記成膜キャビティ３２３に連通されて、アルゴンガスなどのような成膜用ガスを提供することに用いられる。前記真空ポンプ３３０は、前記成膜キャビティ３２３に連通されて、スパッタする時、前記成膜キャビティ３２３内の真空度を確保することに用いられる。前記電源３８０は、前記ターゲット３１１及び前記基板ホルダー３５０に接続して、前記成膜キャビティ３２３に高圧電界を提供して、前記アルゴンガスをアルゴンイオンと電子に電離する。
【００２７】
前記冷却キャビティ３６０は、前記マグネトロンスパッタリングターゲット３１０を囲って設置され、且つ前記マグネトロンスパッタリングターゲット３１０の金属板３１２とターゲット３１１との間の隙間に連通する。前記冷却装置３７０は、前記冷却キャビティ３６０内に設置されており、ファン又はエアコンなどである。スパッタする時、前記冷却装置３７０は、前記冷却キャビティ３６０内の空気を冷却して、前記冷却キャビティ３６０に連通する前記金属板３１２と前記ターゲット３１１との間の隙間の温度を下げて、前記ターゲット３１１の温度が高くなりすぎることを防ぐ。本実施形態において、前記冷却キャビティ３６０に前記冷却装置３７０が設置されているため、放熱効率を高め、前記金属板３１２と前記ターゲット３１１との間の隙間の気体流通を加速する。
【００２８】
本実施形態の係るマグネトロンスパッタリング装置３００が採用する前記マグネトロンスパッタリングターゲット３１０において、マグネトロン装置が移動可能な異なる方向の磁力線分布を有するため、スパッタする時、スパッタ効率及びターゲットの利用効率を高めて、スパッタコストを下げる。又、冷却キャビティ３６０に冷却装置３７０を設置して、ターゲット３１１に対して放熱させるため、冷却水を採用して放熱する時に生じるショート及び真空度が低い問題を免れる。
【００２９】
以上本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【００３０】
１００，２００，３１０  マグネトロンスパッタリングターゲット
１１０  収容ホルダー
１１１  平板
１１２  第一側壁
１１３  第二側壁
１１４  収容空間    
１２０，２２０  マグネトロン装置
１２１，３１２  金属板
１２２，２２２  マグネット
１２３，２２３  支持素子
１３０，２３０，３１１  ターゲット
１３１  取付面
１３２  衝撃面
１３３  第一貫通孔
１４０  固定板
１４２  第二貫通孔
１５０  固定部材
１６０  駆動装置
３００  マグネトロンスパッタリング装置
３２０  成膜チャンバー
３２１  底壁
３２２  側壁
３２３  成膜キャビティ
３３０  真空ポンプ
３４０  ガス導入系
３５０  基板ホルダー
３６０  冷却キャビティ
３７０  冷却装置
３８０  電源
１１１１  収容面
１１２１  第一底面
１１３１  第二底面
１２１１  第一表面
１２１２，２２１２  第二表面
１２１３，２２１３  第一側面
１２１４，２２１４  第二側面
１２２１，２２２１  第一マグネット
１２２２，２２２２  第二マグネット
１２３０  支持柱
１２３１  支持面
１２３２  頂面
１２３３  側面
２２３０  支持板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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