(57)【要約】【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる光書込装置を提供する。【解決手段】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程として、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧を印加する「第１の初期化処理工程（明初期化）」を行い。明初期化の初期化光を消灯した後に、初期化光を消灯したままで、書込時と逆極性の負電圧を印加する「第２の初期化処理工程（暗初期化）」を行う。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷輸送層及び前記電荷輸送層を挟み込む一対の電荷発生層を備えた光導電体層と、前記光導電体層上に形成された液晶表示層と、前記光導電体層及び前記液晶表示層を挟み込む一対の電極と、を少なくとも有する光書込型表示媒体に、初期化時には初期化光を照射すると共に、画像書き込み時には書込光を照射する光照射手段と、
前記一対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記初期化時には、前記光照射手段から初期化光を照射し且つ前記一対の電極間に前記光導電体層側を正極とする正電圧を印加する第１の初期化を行い、前記光照射手段による初期化光を消灯した後に、前記初期化光の消灯状態を維持し且つ前記一対の電極間に前記光導電体層側を負極とする負電圧を印加する第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
を備えた光書込装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記初期化光の消灯時から予め定めた期間が経過した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１に記載の光書込装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記初期化光の消灯時から２ミリ秒から５００ミリ秒の範囲の期間が経過した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１又は２に記載の光書込装置。
【請求項４】
前記光照射手段による初期化光の消灯を検知する消灯検知手段を更に備え、
前記制御手段は、前記消灯検知手段が前記初期化光の消灯を検知した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１に記載の光書込装置。
【請求項５】
前記消灯検知手段は、前記初期化光の光量が前記電荷発生層に電荷を発生させる光量未満になったときに、前記初期化光の消灯を検知する請求項４に記載の光書込装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光書込装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光書き込み型の表示デバイスは、所定の電圧を素子に印加しつつ、受光した光量により光スイッチング素子のインピーダンスを変化させ、表示素子に印加される電圧あるいは電流を制御することにより、表示素子を駆動し、画像を表示するものである。特に、メモリ性のある表示素子と光導電性スイッチング素子を積層し、これに、電圧を印加すると共に、光画像を入射し、書き込みを行う光書き込み型表示媒体は、書き込み装置から媒体を切り離して持ち歩くことが可能な電子ペーパとして注目されている。
【０００３】
表示素子としては、例えば、ポリマーに分散しメモリ性を付与したネマチック液晶、コレステリック液晶、強誘電液晶のような液晶表示素子、あるいは電気泳動素子や電界回転素子、トナー電界移動型素子や、これらをカプセル化した素子等が検討されている。光スイッチング素子としては、例えば、電子写真の分野で用いられるアモルファスシリコン素子、有機光導電体を用いた機能分離型二層構造の光導電素子、電荷輸送層の上下に電荷発生層を形成した構造（いわゆる、デュアルＣＧＬ構造）の光導電素子が検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
光導電素子は、その製造工程において高温の熱処理を必要としないため、ＰＥＴフィルムなどのフレキシブル基板への適用も可能であり、かつ、真空プロセスも不要なために安価に作製できるという利点を有する。
【０００５】
モノクロタイプの光書込み型電子ペーパでは、例えば、特許文献１に示されるように、一対の電極間に液晶層である表示層と光導電体層である光導電層とを備えた表示媒体に、一対の電極に所定電圧を印加した状態で光導電層側の表面を露光することで、所望の画像を書き込んでいる。具体的には、一対の電極に所定電圧を印加した状態で露光を行うことで光導電層に光電流が流れて液晶層の露光領域に係る分圧が増大して、液晶の状態が変化し画像が書き込まれる。書き込まれた画像は、電圧印加を解除しても保持される。
【０００６】
新たな画像を書き込んで繰り返し表示を行う場合には、まず、表示媒体を初期化して表示画像を消去する。初期化時には、表示媒体に初期化光を照射しながら電極間に電圧を印加する。光導電層の電荷発生層で発生したキャリアは電界の影響によって電荷輸送層中を移動し、理想的な状態では電圧印加の解除によってキャリアが消滅して、表示媒体の初期化が完了する。
【０００７】
特許文献１及び２の技術によれば、駆動パルスを印加して表示素子を駆動するときに、直前の主パルスに対して逆極性の補助パルスを該主パルスに連続して印加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１２５６９号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる光書込装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために各請求項に係る発明は、以下の構成を備えることを特徴としている。
【００１１】
請求項１に係る発明は、電荷輸送層及び前記電荷輸送層を挟み込む一対の電荷発生層を備えた光導電体層と、前記光導電体層上に形成された液晶表示層と、前記光導電体層及び前記液晶表示層を挟み込む一対の電極と、を少なくとも有する光書込型表示媒体に、初期化時には初期化光を照射すると共に、画像書き込み時には書込光を照射する光照射手段と、前記一対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記初期化時には、前記光照射手段から初期化光を照射し且つ前記一対の電極間に前記光導電体層側を正極とする正電圧を印加する第１の初期化を行い、前記光照射手段による初期化光を消灯した後に、前記初期化光の消灯状態を維持し且つ前記一対の電極間に前記光導電体層側を負極とする負電圧を印加する第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する制御手段と、を備えた光書込装置である。
【００１２】
請求項２に係る発明は、前記制御手段は、前記初期化光の消灯時から予め定めた期間が経過した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１に記載の光書込装置である。
【００１３】
請求項３に係る発明は、前記制御手段は、前記初期化光の消灯時から２ミリ秒から５００ミリ秒の範囲の期間が経過した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１又は２に記載の光書込装置である。
【００１４】
請求項４に係る発明は、前記光照射手段による初期化光の消灯を検知する消灯検知手段を更に備え、前記制御手段は、前記消灯検知手段が前記初期化光の消灯を検知した後に、第２の初期化を行うように、前記光照射手段及び前記電圧印加手段を制御する請求項１に記載の光書込装置である。
【００１５】
請求項５に係る発明は、前記消灯検知手段は、前記初期化光の光量が前記電荷発生層に電荷を発生させる光量未満になったときに、前記初期化光の消灯を検知する請求項４に記載の光書込装置である。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に係る発明によれば、デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる、という効果を奏する。
【００１７】
請求項２に係る発明によれば、初期化光を消灯した直後に第２の初期化を行うように駆動する場合に比べて、より確実に、初期化工程での残留電位の発生を防止することができる、という効果を奏する。
【００１８】
請求項３に係る発明によれば、初期化光の消灯時から第２の初期化の開始までの時間を定めない場合に比べて、初期化工程が無用に長くなるのを防止できる、という効果を奏する。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、消灯検知手段で初期化光の消灯を検知せずに第２の初期化を行うように駆動する場合に比べて、更に確実に、初期化工程での残留電位の発生を防止することができる、という効果を奏する。
【００２０】
請求項５に係る発明によれば、本構成を有しない場合に比して、初期化光の消灯を明確な基準で判別できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】デュアルＣＧＬ構造を有する光書込型表示媒体の構成の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す構造の表示媒体の等価回路を示す回路図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、コレステリック液晶の分子配向と光学特性の関係を示す模式的な説明図である。（Ａ）はプレーナ状態、（Ｂ）はフォーカルコニック状態、（Ｃ）ホメオトロピック状態の各状態におけるものである。
【図４】コレステリック液晶層の電気光学応答を説明するためのグラフである。
【図５】本実施の形態に係る光書込装置の構成の一例を示す概略図である。
【図６】画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は初期化工程における光導電体層内でのキャリアの発生・移動の状態を示す図である。
【図８】光書込装置の制御部で実行される画像書込処理ルーチンを示すフローチャートである。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は第２の初期化工程で、初期化光が照射された場合の問題点を説明する説明図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は、初期化工程の電圧印加と初期化光照射のタイミングの他の例を示す模式図である。
【図１１】実施例１の画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。
【図１２】比較例１の画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。
【００２３】
＜デュアルＣＧＬ構造を有する光書込型表示媒体＞
（光書込型表示媒体の構造）
まず、本実施の形態で用いられるデュアルＣＧＬ構造の光導電素子を有する光書込型の表示媒体について説明する。図１は、デュアルＣＧＬ構造を有する光書込型表示媒体の構成の一例を示す概略構成図である。図１に示すように、表示媒体１２は、表示面側（図面の上側）から順に、基板１３、電極１５、液晶層１７、光吸収層１９、ラミネート層１８、デュアルＣＧＬ構造の光導電体層２０、電極２２、及び基板２４が積層されて構成されている。
【００２４】
基板１３及び基板２４は、各機能層を基板間に保持し、表示媒体１２の構造を維持する目的の部材である。基板１３及び基板２４は、外力に耐える強度を有するシート形状の物体であり、表示面側に設けられた基板１３は少なくとも入射光を、表示面と反対側に設けられた基板２４は、後述する書き込み光及び初期化光を少なくとも透過する。また、これらの基板１３及び基板２４は、フレキシブル性を有することが好ましい。なお、本実施形態では、光導電層（電荷発生層、電荷輸送層）に有機材料を用いるため、高温で熱処理をする工程がないので、フレキシブル基板が得られること、成形が容易なこと、コストの点などから光透過性の高分子フィルム基板を用いることが有利である。
【００２５】
電極１５及び電極２２は、詳細を後述する光書込装置１４から印加された電圧を、表示媒体１２内の各機能層へ面均一に印加するための部材である。このため、電極１５及び電極２２は、面均一な導電性を有し、表示面側に設けられた電極１５は少なくとも入射光を、表示面と反対側に設けられた電極２２は、後述する露光光を少なくとも透過する。なお、本実施の形態において、「導電」及び「導電性」とはシート抵抗が５００Ω/□以下のものを示す。
【００２６】
光導電体層２０は、上記電極１５と電極２２との間に設けられ、内部光電効果をもち、露光光の照射強度に応じてインピーダンス特性が変化することにより、照射された光の強度分布に応じた電気的特性分布を示す層である。本実施の形態においては、光導電体層２０は、図１に示すように、表示面側から順に、電荷発生層（上ＣＧＬ）２０Ａ、電荷輸送層（ＣＴＬ）２０Ｂ、電荷発生層（下ＣＧＬ）２０Ｃが順に積層されたデュアルＣＧＬ構造とされている。デュアルＣＧＬ構造の光導電素子は、交流駆動が可能であり、液晶層のチャージアップを防止できる、という利点を有する。
【００２７】
電荷発生層２０Ａは、照射された光を吸収して電荷を発生させる機能を有する層である。従って、書き込み光及び初期化光としては、光導電体層２０の電荷発生層２０Ａの吸収する吸収波長領域の光を照射する。電荷発生層２０Ａとしては、照射された光を吸収して励起子（電子とホールの一対のキャリア）を発生させ、電荷発生層２０Ａの内部、または電荷発生層２０Ａと電荷輸送層２０Ｂとの界面で自由キャリアに効率良く分離させられるものが好ましい。
【００２８】
電荷輸送層２０Ｂは、電荷発生層２０Ａまたは電荷発生層２０Ｃで発生した電荷が注入されて、印加された電場方向にドリフトする機能を有する層である。一般に電荷輸送層２０Ｂは、電荷発生層２０Ａ及び電荷発生層２０Ｃの数１０倍の厚みを有する。このため、電荷輸送層２０Ｂの容量、電荷輸送層２０Ｂの暗電流、及び電荷輸送層２０Ｂ内部に流れる電流が、光導電体層２０全体の明暗インピーダンスを決定付けている。
【００２９】
電荷輸送層２０Ｂは、電荷輸送材料を含んで構成され、電荷発生層２０Ａ及び電荷発生層２０Ｃからの正孔（ホール）の注入が効率良く発生し（電荷発生層２０Ａとイオン化ポテンシャルが近いことが好ましい）、注入された正孔ができるだけ高速にホッピング移動するものが好適である。なお、露光光の非露光時のインピーダンスを高くするためには、熱キャリアによる暗電流は低い方が好ましい。
【００３０】
液晶層１７は、上記光導電体層２０より表示面側に、後述するラミネート層１８及び光吸収層１９を介して設けられている。液晶層１７としては、コレステリック（カイラルネマチック）液晶の光干渉状態の変化を利用して、電場によって入射光の反射・透過状態を変調する機能を有し、選択した状態が無電場で保持される性質のものが用いられる。この液晶層としては、さらに、曲げや圧力などの外力に対して変形しない構造であることが好ましい。
【００３１】
本実施の形態の液晶層１７としては、コレステリック液晶及び透明樹脂からなる自己保持型液晶複合体の液晶層が形成されてなるものが用いられる。すなわち、本実施の形態の液晶層１７は、複合体として自己保持性を有するためスペーサ等を必要としない液晶層である。本実施形態では、液晶層１７は、高分子マトリックス（透明樹脂）１７Ａ中に、コレステリック液晶１７Ｂが分散されて構成されている。なお、本実施の形態においては、液晶層１７が自己保持型液晶複合体の液晶層であるとして説明するが、自己保持型液晶複合体であることは必須ではなく、単に液晶のみで液晶層を構成することとしても勿論構わない。
【００３２】
コレステリック液晶１７Ｂは、入射光のうち特定の色光の反射・透過状態を変調する機能を有し、液晶分子がらせん状に捩れて配向しており、らせん軸方向から入射した光のうち、らせんピッチに依存した特定の光を干渉反射する。この液晶分子は、電場によって配向が変化し、反射状態が変化される。このコレステリック液晶１７Ｂは印加電圧に対して反射率が高く表示性能が優れており、またメモリ性を有することから、本実施形態の表示媒体１２に特に有効に用いられる。なお、液晶層１７を、自己保持型液晶複合体とする場合には、ドロップサイズが均一で、単層稠密に配置されていることが好ましい。なお、コレステリック液晶１７Ｂの光変調機能については後で詳しく説明する。
【００３３】
上記の液晶層１７と光導電体層２０との間には、光導電体層２０の電荷発生層２０Ａに接する側から順に、ラミネート層１８及び光吸収層１９が積層されている。ラミネート層１８は、それぞれ上下基板内面に形成した各機能層を貼り合わせる際に、凹凸吸収及び接着の役割を果たす目的で設けられる層である。
【００３４】
ラミネート層１８は、ガラス転移点の低い高分子材料からなり、熱や圧力によって貼り合わせる対象となる層（本実施の形態では光導電体層２０と液晶層１７）を密着・接着させる材料が選択される。また、本実施の形態では、このラミネート層１８は、絶縁性の層として構成されることが、キャリアの発生のしやすさから好ましい。なお、本実施の形態において、「絶縁性」及び「絶縁」とは、シート抵抗が１０10Ω/□以上のものを目安とする。
【００３５】
光吸収層（遮光層）１９とは、露光光と入射光とを光学分離し、相互干渉による誤動作を防ぐとともに、表示時に表示媒体１２の非表示面側から入射する外光と表示画像を光学分離し、画質の劣化を防ぐ目的で設けられる層である。ただし、このような目的から、光吸収層１９には、少なくとも電荷発生層２０Ａの吸収波長域の光、及び液晶層１７の反射波長域の光を吸収する機能が要求される。
【００３６】
なお、本実施の形態の表示媒体１２においては、光吸収層１９は、上記ラミネート層１８を介して電荷発生層２０Ａ上に積層されている場合を説明するが、電荷発生層２０Ａ上に光吸収層１９が直接積層された構成であってもよい。この場合には、光吸収層１９は、絶縁性の層として構成されることが、キャリアの発生のしやすさから好ましい。また、ラミネート層の材質及び/または形成法によっては光導電層にダメージを与えるものがあり、その場合にはラミネート層１８と電荷発生層２０Ａとの間に絶縁性の隔離層を設けてもよい。
【００３７】
なお、図１に示す表示媒体１２においては、電荷発生層２０Ｃと電極２２との間に配置された電荷発生層２０Ｃ及び電極２２が、電荷輸送層２０Ｂから流出されたホール（正孔）が電圧印加解除後に逆流して電荷輸送層２０Ｂへ再注入されることを阻止する阻止層２１として機能していると考えられる。
【００３８】
（光書込型表示媒体の表示・記録動作）
次に、上記の光書込型表示媒体の画像表示・記録動作について説明する。
上記の構成の表示媒体１２において、電極１５及び電極２２間に電圧が印加されると、電極１５と電極２２との間に積層された各層には、それぞれの分圧が印加される。その状態で光導電体層２０に書き込み光が照射されると、その照射された書き込み光に応じて光導電体層２０の抵抗分布が変化するため、書き込み光に応じて液晶層１７に印加される分圧も変化する。液晶層１７に印加される電圧分布が変化すると液晶の配向が変化するので、書き込み光に応じた情報が液晶層１７に表示・記録される。
【００３９】
具体的には、図２を参照して説明する。図２は、図１に示される構造の表示媒体１２の等価回路を示す回路図である。図２中、Ｃｌｃ，Ｃｏｐｃ及びＲｌｃ，Ｒｏｐｃは、それぞれ液晶層１７及び光導電体層２０の静電容量及び抵抗値である。なお、Ｃｅ及びＲｅは、液晶層１７及び光導電体層２０以外の構成要素の等価静電容量及び等価抵抗値である。
【００４０】
表示媒体１２の電極１５と電極２２との間に印加される電圧をＶとすると、各構成要素には、各構成要素間のインピーダンス比によって決まる分圧Ｖｌｃ，Ｖｏｐｃ及びＶｅが印加される。さらに、書き込み光を照射すると、この書き込み光の強度に応じて光導電体層２０の抵抗値Ｒｏｐｃが変化するため、書き込み光による露光または非露光によって液晶層１７に印加される分圧が制御される。具体的には、電極１５及び電極２２間に電圧を印加した状態で書き込み光により露光された露光領域は、光導電体層２０の抵抗値Ｒｏｐｃが小さくなって液晶層１７に印加される分圧は、非露光領域に比べて大きくなる。
【００４１】
ここで、コレステリック液晶１７Ｂの光変調機能について更に詳しく説明する。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、コレステリック液晶の分子配向と光学特性の関係を示す模式的な説明図である。コレステリック液晶１７Ｂは、図３（Ａ）に示すように、らせん軸がセル表面に垂直になり、入射光に対して上記の選択反射現象を起こすプレーナ状態と、図３（Ｂ）に示すように、らせん軸がほぼセル表面に平行になり、入射光を少し前方散乱させながら透過させるフォーカルコニック状態と、及び図３（Ｃ）に示すように、らせん構造がほどけて液晶分子（液晶ダイレクタ）が電界方向を向き、入射光をほぼ完全に透過させるホメオトロピック状態と、の３つの状態を示す。
【００４２】
上記の３つの状態のうち、プレーナ及びフォーカルコニックは、無電圧で双安定に存在することができる。従って、コレステリック液晶１７Ｂの配向状態は、液晶層に印加される電圧（分圧Ｖｌｃ）に対して一義的に決まらず、プレーナが初期状態の場合には、印加電圧の増加に伴って、プレーナ、フォーカルコニック、ホメオトロピックの順に変化する。また、フォーカルコニックが初期状態の場合には、印加電圧の増加に伴って、フォーカルコニック、ホメオトロピックの順に変化する。一方、液晶層１７に印加した電圧を急激にゼロにした場合には、プレーナ及びフォーカルコニックはそのままの状態を維持し、ホメオトロピックはプレーナに変化する。
【００４３】
図４はコレステリック液晶層の電気光学応答を説明するためのグラフである。なお、図４において、縦軸は正規化光反射率であり、最大光反射率を１００、最小光反射率を０として、光反射率を正規化している。また、プレーナ、フォーカルコニック及びホメオトロピックの各状態間には、遷移領域が存在するため、正規化光反射率が５０以上の場合を選択反射状態、正規化光反射率が５０未満の場合を透過状態と定義し、プレーナとフォーカルコニックの状態変化の閾値の電圧を上側閾値電圧Ｖｐｆとし、フォーカルコニックとホメオトロピックの状態変化の閾値の電圧を下閾値電圧Ｖｆｈとしている。
【００４４】
電圧印加を解除して電圧を急激にゼロにしたときの液晶層１７は、図４に示すようなスイッチング挙動を示す。即ち、液晶層１７に印加された分圧Ｖｌｃが上側閾値電圧であるＶｆｈ以上の場合には、ホメオトロピックからプレーナに変化した選択反射状態となる。液晶層１７に係る分圧Ｖｌｃが、下側閾値電圧Ｖｐｆと上側閾値電圧Ｖｆｈとの間の場合には、フォーカルコニックによる透過状態となる。液晶層１７に係る分圧Ｖｌｃが、Ｖｐｆ以下の場合には、電圧印加前の状態を継続した状態、即ち、プレーナによる選択反射状態又はフォーカルコニックによる透過状態となる。
【００４５】
例えば、モノクロタイプの光書込型表示媒体では、フォーカルコニックを初期状態とすると、液晶層１７に印加される分圧が大きな（Ｖｆｈ以上）露光領域では、電圧印加の解除により、ホメオトロピックからプレーナに変化した選択反射状態となり、白画素が表示される。一方、液晶層１７に印加される分圧が小さい（Ｖｆｈ未満）非露光領域では、電圧印加の解除により、フォーカルコニックによる透過状態となり、黒画素が表示される。こうして、白地に黒画像が表示される。
【００４６】
＜光書き込み装置＞
（光書き込み装置の構造）
図５は本実施の形態に係る光書込装置の構成の一例を示す概略図である。図５に示すように、本実施の形態の光書込装置１４には、表示媒体１２が取り付けられている。表示媒体１２としては、図１に示す構成の表示媒体１２を用いる場合を想定して説明する。また、本実施の形態では、表示媒体１２が光書込装置１４と分離可能に構成されている例について説明するが、図示したとおり、表示媒体１２は光書込装置１４と一体化されて、光書込型表示装置１０を構成していてもよい。
【００４７】
光書込装置１４は、表示媒体１２に画像を書き込む装置であり、表示媒体１２に対して書き込み光を走査露光する露光装置３０、表示媒体１２の全面に初期化光を一括露光する一括露光装置３２、表示媒体１２の電極１５と電極２２との間に電圧を印加する電圧印加部２６、及び露光装置３０と一括露光装置３２と電圧印加部２６とに電気的に接続され、これらを制御する制御部２８を含んで構成されている。
【００４８】
露光装置３０は表示媒体１２上に、表示媒体１２の光導電体層２０の吸収する吸収波長領域の光としての書き込み光を表示媒体１２へ照射する光源３０Ａと、光源３０Ａを表示媒体１２の全領域に対して走査駆動する駆動部３０Ｂと、を含んで構成されている。光源３０Ａから照射された書き込み光の液晶層１７の照射領域は、光源３０Ａが走査駆動されない状態においては、液晶層１７に表示される画像の各画素に対応する領域以下の大きさであることが好ましく、この光源３０Ａからの書き込み光の露光及び非露光が調整され且つ、光源３０Ａが駆動部３０Ｂによって走査駆動されることで、液晶層１７に表示する画像の各画素に応じて書き込み光の露光及び非露光が調整される。
【００４９】
光源３０Ａとしては、制御部２８からの入力信号に基づいて、表示媒体１２の光導電体層２０へ所望の書き込み光（スペクトル・強度・空間周波数）を照射するものであれば、特に制限されるものではない。なお、光源３０Ａにより照射される書き込み光としては、光導電体層２０の吸収波長域のエネルギーができるだけ多い光であることが好ましい。
【００５０】
この光源３０Ａとしては、具体的には、冷陰極管、キセノンランプ、ハロゲンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＥＬ、レーザ等を一次元のアレイ状に配置したものが使用される。また、駆動部３０Ｂとしては、ポリゴンミラーや、光源３０Ａを一次元的あるいは二次元的に走査させる駆動装置等が挙げられる。なお、これらの光源には、さらに、各種光学素子（たとえばマイクロレンズアレイ、セルホックレンズアレイ、プリズムアレイ、視野角調整シート）を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
一括露光装置３２は、図示を省略する光源を含んで構成され、表示媒体１２の光導電体層２０の全領域に初期化光を一括して照射可能に構成されている。一括露光装置３２としては、例えば、上記光源３０Ａと同様の光源が、光導電体層２０の全領域を覆うようにアレイ状に配列されて構成された構成が挙げられる。本実施の形態では、一括露光装置３２には、▲印で図示したように、初期化光の消灯を検知する消灯検知センサ３２Ｄが設けられている。消灯検知センサ３２Ｄは、例えば、照射される初期化光の光量が、電荷発生層２０Ａ又は電荷発生層２０Ｃに電荷を発生させる光量未満になったときに、初期化光の消灯を検知するように構成することができる。
【００５２】
なお、上記では、初期化に要する時間を短くする観点から、表示媒体１２に対して書き込み光を走査露光する露光装置３０と、表示媒体１２の全面に初期化光を一括露光する一括露光装置３２とを、別々に設ける例について説明したが、装置構成を簡略化し、１つの露光装置で「書き込み光」による露光と「初期化光」による露光とを行うようにしてもよい。例えば、一括露光装置３２を省略し、露光装置３０を用いて表示媒体１２の全面に初期化光を走査露光することができる。
【００５３】
電圧印加部２６は、制御部２８からの入力信号に基づいて、表示媒体１２の電極１５と電極２２との間に、該入力信号に応じた極性及び電圧値の電圧を、該入力信号に応じた時間印加するものであればよい。この電圧印加部２６としては、例えばバイポーラ高電圧アンプ等が用いられる。
【００５４】
この電圧印加部２６による表示媒体１２への電圧印加は、詳細には、接触端子２５を介して、電極１５及び電極２２間になされる。ここで、接触端子２５とは、電圧印加部２６及び表示媒体１２の電極１５及び電極２２に接触して、両者の導通を行う部材であり、高い導電性を有し、電極１５、電極２２、及び電圧印加部２６との接触抵抗が小さいものが選択される。なお、接触端子２５は、表示媒体１２と光書込装置１４とを切りはなせるように、電極１５及び電極２２と、電圧印加部２６と、のどちらか、あるいは両者から分離できる構造であることが好ましい。
【００５５】
接触端子２５としては、金属（たとえば金・銀・銅・アルミ・鉄）、炭素、これらを高分子中に分散させた複合体、導電性高分子（たとえばポリチオフェン系・ポリアニリン系）などでできた端子で、電極を挟持するクリップ・コネクタ形状のものが挙げられる。
【００５６】
制御部２８は、図示を省略するＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）等から構成されており、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って光書込装置１４の装置各部を制御すると共に、無線回線または有線回線を介して外部装置等から取得した画像データに応じた画像を表示媒体１２に表示するように、電圧印加部２６、露光装置３０、及び一括露光装置３２を制御する。
【００５７】
図５の制御部２８において機能ブロックとして図示した通り、制御部２８は、機能的には、第１初期化処理部２８Ａと、第２初期化処理部２８Ｂと、書込処理部２８Ｃと、を含んで構成されている。第１初期化処理部２８Ａは、後述する第１の初期化工程を行う機能部である。第２初期化処理部２８Ｂは、後述する第２の初期化工程を行う機能部である。書込処理部２８Ｃは、後述する書込工程を行う機能部である。
【００５８】
なお、上述した通り、表示媒体１２は、光書込装置１４と一体化された構成であってもよいし、光書込装置１４と分離可能に構成されていてもよい。表示媒体１２を光書込装置１４に対して分離可能に構成する場合には、例えば、表示媒体１２を、図示を省略するスロット等に装着することで、表示媒体１２の電極１５及び電極２２が電圧印加部２６から電圧印加可能に接続されると共に、表示媒体１２の液晶層１７の露光装置３０及び一括露光装置３２から露光光の照射可能な状態とされるように構成すればよい。
【００５９】
このように、表示媒体１２を光書込装置１４に対して分離可能に構成した場合には、表示媒体１２のみを単体で配布することが容易とされると共に、閲覧、回覧、配布等に容易に供される。また、表示媒体１２を再度光書込装置１４のスロットに装着することで、新たな画像の書き込みや書き込んだ画像の消去も可能とされる。
【００６０】
（画像書き込みの手順）  
次に、画像書き込みの手順（シークエンス）の一例について説明する。図６は、画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。図６に示すように、画像書き込みは、例えば、第１の初期化工程、第２の初期化工程、及び書込工程の順序で行われる。また、図７（Ａ）〜（Ｃ）は初期化工程における光導電体層２０内でのキャリアの発生・移動の状態を示す図である。
【００６１】
まず、第１の初期化工程では、表示媒体１２に一括露光装置３２から初期化光を照射すると共に、電極１５及び電極２２間に光導電体層２０側の電極２２を正極とする正電圧を印加する第１の初期化を行う。初期化光を照射しながら初期化処理を行うので、以下では第１の初期化を「明初期化」とも称する。
【００６２】
図７（Ａ）に示すように、第１の初期化工程では、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）は、照射された初期化光を吸収してキャリア（電子とホール）を発生させる。発生したホールは、電荷輸送層２０Ｂ（ＣＴＬ）に注入され、正電圧により印加された電場方向にドリフトされて、電荷発生層２０Ａ（上ＣＧＬ）に移動する。
【００６３】
次に、第２の初期化工程では、表示媒体１２に一括露光装置３２から初期化光を照射しないで、電極１５及び電極２２間に光導電体層２０側の電極２２を負極とする負電圧を印加する第２の初期化を行う。即ち、第２の初期化では、第１の初期化とは逆極性の電圧を印加する。初期化光を照射せずに初期化処理を行うので、以下では第２の初期化を「暗初期化」とも称する。
【００６４】
第１の初期化における初期化光の点灯時を「Ａ」、初期化光の消灯時を「Ｂ」とし、第２の初期化における負電圧の印加時を「Ｃ」とする。デュアルＣＧＬ構造では、第２の初期化は「暗初期化」でなければならず、負電圧の印加時Ｃが、初期化光の消灯時Ｂの後になることが重要である。その理由については後述する。
【００６５】
図７（Ｂ）に示すように、第２の初期化工程では、電荷発生層２０Ａ（上ＣＧＬ）に移動したホールが、電荷輸送層２０Ｂ（ＣＴＬ）に注入され、負電圧により印加された電場方向にドリフトされて、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）に戻される。電荷発生層２０Ｃに戻されたホールは、電極２２側に放出されて消滅する。或いは、電荷発生層２０Ｃに戻されたホールは、電子と再結合して消滅する。
【００６６】
また、このとき仮に、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）に取り残されるキャリアが発生したとしても、図７（Ｃ）に示すように、電荷発生層２０Ｃにあるキャリアは、電極１５及び電極２２間への電圧印加の解除に伴って、接地された電極２２側に放出されて消滅する。このため、本実施の形態では、明初期化及び暗初期化からなる２段階の初期化工程において、光導電体層２０内の余剰キャリア（電荷）が除去される。また、初期化工程において、光導電体層２０内にキャリアが残留することがなく、残留電位が発生しない。
【００６７】
また、表示媒体１２の液晶層１７全体の配向は、初期化光が照射されたことで、電圧印加の解除によって液晶層１７の分圧Ｖｌｃが急峻にゼロまで減衰したときに、ホメオトロピックからプレーナに変化した選択反射状態となる。これにより、前回の表示画像が消去されて、表示媒体１２に白紙画面が表示された状態となる。
【００６８】
次に、書込工程では、画像書き込み及び画像確定を行う。まず、電極１５及び電極２２間に光導電体層２０側の電極２２を正極とする正電圧を印加すると共に、表示媒体１２に露光装置３０から書き込み光をパルス照射して画像書込みを行う。書き込み光により表示媒体１２を走査露光するのである。画像書き込みでは、第１の初期化と同極性で且つ第２の初期化と逆極性の電圧を印加する。次に、画像書き込みが終了した後に、電圧印加を解除することによって書き込み画像を確定する画像確定を行う。
【００６９】
上述した通り、液晶層１７に印加される分圧が大きな露光領域では、電圧印加の解除により選択反射状態となり、白画素が表示される。液晶層１７に印加される分圧が小さい非露光領域では、電圧印加の解除により透過状態となり、黒画素が表示される。こうして、表示媒体１２には、白地に黒画像が描画されたモノクロ画像が表示される。
【００７０】
なお、上記では、第１の初期化工程、第２の初期化工程、及び書込工程の順序で「画像書き込み」を行う例について説明したが、書込工程後に初期化工程を行い、その状態を保存することもできる。この場合、次回の書き込み時には初期化を行う必要はない。
【００７１】
（画像書き込みの処理ルーチン）  
上述した画像書き込みは、図５の制御部２８が、以下に説明する処理ルーチンを実行して、光書込装置１４の装置各部を制御することにより実施される。図８は光書込装置の制御部で実行される画像書込処理ルーチンを示すフローチャートである。
【００７２】
制御部２８では、光書込装置１４に表示媒体１２が装着されることで表示媒体１２が、電圧印加部２６によって電極１５及び電極２２間に電圧印加可能で、且つ露光装置３０及び一括露光装置３２から初期化光及び書き込み光の照射が可能な状態とされると共に、図示を省略するスイッチが操作されて画像書き込み指示を示す信号が入力されると、図示を省略するＲＯＭに記憶された画像書込処理のプログラムを読み取ることで、図８に示す処理ルーチンが開始される。
【００７３】
まず、ステップ１００では、外部装置から取得した画像データを読み取る。この画像データの読取りは、外部装置から有線回線または無線回線を介して取得した画像データを読み取ってもよいし、各種記録媒体から画像データを読み取ってもよい。
【００７４】
次のステップ１０２では、書込時に印加する電圧と同極性の正電圧（電極１５側を負極、電極２２側を正極として印加する電圧）の印加開始を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、制御信号に基づいて、液晶層１７にかかる分圧が、初期化光の照射時にコレステリック液晶１７Ｂのフォーカルコニックからホメオトロピックへの状態変化の上側閾値（図５ではＶｔｈ）を超えるように、所定の電圧値の正電圧を電極１５及び電極２２間に印加する。
【００７５】
次のステップ１０４では、一括露光装置３２へ、液晶層１７の全面に初期化光を照射するために、初期化光の点灯を指示する制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた一括露光装置３２では、光導電体層２０の全領域へ向かって初期化光の照射を開始する。
【００７６】
次のステップ１０６では、上記ステップ１０４で初期化光の点灯を指示してから予め定めた時間が経過するまで否定判断を繰り返し行い、予め定めた時間が経過すると肯定判断してステップ１０８へ進む。
【００７７】
次のステップ１０８では、一括露光装置３２へ、初期化光の照射を停止するために、初期化光の消灯を指示する制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた一括露光装置３２では、初期化光を消灯する。
【００７８】
次のステップ１１０では、ステップ１０２で印加された正電圧の印加解除を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、電極１５及び電極２２間への電圧印加を解除する。ステップ１０２〜ステップ１１０の処理が、制御部２８の第１初期化処理部２８Ａで実行される第１の初期化処理（明初期化）に相当する。
【００７９】
次のステップ１１２では、書込時に印加する電圧と逆極性の負電圧（電極１５側を正極、電極２２側を負極として印加する電圧）の印加開始を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、制御信号に基づいて、液晶層１７にかかる分圧が、上記の上側閾値Ｖｔｈを超えるように、所定の電圧値の負電圧を電極１５及び電極２２間に印加する。
【００８０】
なお、図６を参照して説明した通り、続く第２の初期化は「暗初期化」でなければならず、負電圧の印加時Ｃが、初期化光の消灯時Ｂの後になることが重要である。本実施の形態では、一括露光装置３２には、消灯検知センサ３２Ｄが設けられている。従って、ステップ１１２では、消灯検知センサ３２Ｄの検出信号に基づいて、初期化光の消灯を検知した場合に、負電圧の印加開始を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力するようにしてもよい。
【００８１】
次のステップ１１４では、上記ステップ１１２で負電圧の印加開始を指示してから予め定めた時間が経過するまで否定判断を繰り返し行い、予め定めた時間が経過すると肯定判断してステップ１１６へ進む。
【００８２】
次のステップ１１６では、ステップ１１２で印加された負電圧の印加解除を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、電極１５及び電極２２間への電圧印加を解除する。ステップ１１２〜ステップ１１６の処理が、制御部２８の第２初期化処理部２８Ｂで実行される第２の初期化処理（暗初期化）に相当する。
【００８３】
この通り、第２の初期化処理（暗初期化）では、初期化光が消灯された状態のまま、電極１５及び電極２２間に負電圧が印加され、電圧印加状態が所定時間継続されることとなる。即ち、第２の初期化処理では、表示媒体１２には、電極１５及び電極２２間に負電圧が印加され、この電圧印加期間の間は初期化光が照射されない状態となる。
【００８４】
上記のステップ１０２〜ステップ１１６の処理が実行されることによって、表示媒体１２の全領域に初期化光が照射され、液晶層１７には上側閾値Ｖｔｈを超える電圧値の分圧が印加される。図４に示すように、正電圧又は負電圧の印加と電圧印加の解除とにより、液晶層１７の全領域のコレステリック液晶１７Ｂがホメオトロピック状態を経てプレーナ状態に変化する。
【００８５】
なお、上記の「明初期化」では、液晶層１７には上側閾値Ｖｔｈを超える電圧値の分圧が印加される。従って、「明初期化」における電圧印加により、液晶層１７の全領域のコレステリック液晶１７Ｂがホメオトロピック状態に変化するまでに要する印加時間を予め測定しておく。そして、ステップ１０６の「予め定めた時間」は、測定された時間以上の印加時間となるように設定すればよい。
【００８６】
図７（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明した通り、第１の初期化工程では、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）で発生したホールは、電荷輸送層２０Ｂ（ＣＴＬ）に注入され、正電圧により印加された電場方向にドリフトされて、電荷発生層２０Ａ（上ＣＧＬ）に移動する。第２の初期化工程では、電荷発生層２０Ａ（上ＣＧＬ）に移動したホールが、負電圧により印加された電場方向にドリフトされて、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）に戻される。電荷発生層２０Ｃに戻されたホールは消滅する。従って、初期化工程において、光導電体層２０内にキャリアが残留することがなく、残留電位が発生しない。
【００８７】
次のステップ１１８では、画像を書き込む書込電圧として、正電圧の印加開始を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、制御信号に基づいて、所定の電圧値の正電圧を印加する。即ち、書き込み光の非露光時には、液晶層１７にかかる分圧が上側閾値Ｖｆｈを超えないように、所定の電圧値の正電圧を印加する。また、書き込み光の露光時には、液晶層１７にかかる分圧が上側閾値Ｖｆｈを超えるように、所定の電圧値の正電圧を印加する。
【００８８】
次のステップ１２０では、上記ステップ１００で読み取った画像データに基づいて、読み取った画像データの画像を液晶層１７に表示したときの、該液晶層１７上に表示された画像領域以外の領域（所謂、非画像領域）に、書き込み光を走査露光するように指示する制御信号を露光装置３０へ出力する。
【００８９】
この制御信号は、詳細には、例えば、ステップ１００で読み取った画像データの画像を液晶層１７に表示したときの、該画像の各画素に対応する液晶層１７上の領域以外の領域が書き込み光で露光されるように、画像を構成する各画素の液晶層１７上の位置座標以外の領域の位置座標を示す位置情報と、露光を示す露光指示情報と、を含んで構成すればよい。
【００９０】
制御信号を受け付けた露光装置３０では、駆動部３０Ｂによって光源３０Ａを露光指示信号に含まれる各位置情報へ移動させると共に、該移動先において光源３０Ａから露光光を照射する。
【００９１】
ステップ１１８〜ステップ１２０の処理によって、正電圧が印加された状態の表示媒体１２に、表示する画像に応じて非画像領域に書き込み光が走査露光されることで、走査露光された領域に対応する液晶層１７上の領域には、上側閾値Ｖｔｈを超える分圧が印加され、液晶層１７の露光された領域がホメオトロピック状態へと変化する。
【００９２】
次のステップ１２２では、露光装置３０による液晶層１７の全領域の走査露光が終了するまで否定判断を繰り返し行い、走査露光が終了すると肯定判断してステップ１２４へ進む。ステップ１２２の判断は、例えば、上記ステップ１２０の処理によって走査露光を指示する制御信号を受け付けた露光装置３０が、制御信号に応じて液晶層１７の全領域の内の非画像領域への書き込み光の走査露光が終了したときに、終了信号を制御部２８へ出力するようにし、この終了信号を受け付けることによって肯定判断をすればよい。
【００９３】
ステップ１２４では、ステップ１１８で印加された正電圧の印加解除を指示する制御信号を電圧印加部２６へ出力して、本ルーチンを終了する。この制御信号を受け付けた電圧印加部２６は、電極１５及び電極２２間への電圧印加を解除する（電極間の電圧をゼロとする）。電圧印加が解除されたことにより、書き込み画像が確定される。即ち、ステップ１２０の処理によって、書き込み光で露光された液晶層１７の露光領域は、ホメオトロピックからプレーナに状態変化して、プレーナ状態に保持される。一方、書き込み光で露光されていない液晶層１７の非露光領域は、フォーカルコニックに状態変化して、フォーカルコニック状態に保持される。
【００９４】
上記のステップ１１８〜ステップ１２４の処理が、制御部２８の書込処理部２８Ｃで実行される画像書込処理に相当する。上記ステップ１００〜ステップ１２４の処理が実行され、第１初期化処理部２８Ａによる第１の初期化処理、第２初期化処理部２８Ｂによる第２の初期化処理、及び書込処理部２８Ｃによる画像書込処理が連続して実行されることで、表示媒体１２には、図６に示した電圧波形で変化する電圧が印加される。
【００９５】
図６を参照して再度確認すると、第１の初期化処理工程（明初期化）では、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧が所定時間印加され、所定時間経過後に電圧印加が一旦解除される。次の第２の初期化処理工程（暗初期化）では、初期化光を消灯して書込時と逆極性の負電圧が所定時間印加され、所定時間経過後に電圧印加が一旦解除される。そして、画像書込工程では、書込電圧（正電圧）が印加された状態で、表示媒体１２が書き込み光により走査露光される。
【００９６】
同一極性の電圧のみが印加されることで液晶層１７におけるイオン移動等による分極（チャージアップ）が生じて、繰り返し書込により液晶層１７の劣化が生じる虞がある。本実施の形態の第２の初期化処理工程では、書込電圧に対して逆極性の電圧が、電極１５及び電極２２間に印加される。このように書込電圧に対して逆極性の電圧を印加する交流駆動を行うことで、チャージアップによる液晶層１７の劣化が抑制される。
【００９７】
また、本実施の形態の初期化処理工程では、残留電荷が発生しない。従って、この初期化処理に続いて行われる書込処理においては、残留電荷が存在しない状態となっている。このため、表示媒体１２について繰り返し表示を行っても、残留電位の影響により光感度の低下や画質劣化が生じることはない。
【００９８】
ここで、デュアルＣＧＬ構造では、第２の初期化は「暗初期化」でなければならず、図６に示したように、負電圧の印加時Ｃが、初期化光の消灯時Ｂの後になることが、重要である理由を簡単に説明する。詳細なメカニズムは不明であるが、以下のように推測される。図９（Ａ）及び（Ｂ）は第２の初期化工程で、初期化光が照射された場合の問題点を説明する説明図である。図９（Ａ）に示すように、第２の初期化工程では、電極１５及び電極２２間に光導電体層２０側の電極２２を負極とする負電圧が印加されている。
【００９９】
負電圧が印加された状態で、表示媒体１２に初期化光が照射されると、電荷発生層２０Ａ（上ＣＧＬ）は、照射された初期化光を吸収してキャリア（電子とホール）を発生させる。発生したホールは、電荷輸送層２０Ｂ（ＣＴＬ）に注入され、負電圧により印加された電場方向にドリフトされて、電荷発生層２０Ｃ（下ＣＧＬ）に移動する。
【０１００】
図９（Ｂ）に示すように、電圧印加が解除された状態で、光導電体層２０内に残留電荷が発生したと仮定する。この場合、電荷発生層２０Ｃに取り残されたホールは電極２２側に放出されて消滅する。一方、電荷発生層２０Ａに取り残された電子は、電極１５側に抜け出ることができず、行き場を失い残留電荷となる。
【０１０１】
電荷発生層２０Ａに負の残留電荷が残ってしまうと、引き続く走査露光による書込を行なう際に液晶に印加される分圧が所望の値からずれてしまうことにより書込画像品質が低下してしまう場合がある。また、繰り返し書込で残留電荷が蓄積してしまうとさらに画像品質が低下してしまう場合がある。即ち、残留電位の影響により液晶層における所望の状態変化が実現されず、正常な書き込みが行えない場合がある。このような残留電荷が発生しないようにするためには、第２の初期化は「暗初期化」でなければならず、負電圧の印加時Ｃが、初期化光の消灯時Ｂの後でなければならない。
【０１０２】
図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、初期化工程の電圧印加と初期化光照射のタイミングの他の例を示す模式図である。図１０（Ａ）に示すように、第２の初期化工程における負電圧の印加時Ｃは、第１の初期化工程における初期化光の消灯時Ｂの直後としてもよい。また、図１０（Ｂ）に示すように、第２の初期化工程における負電圧の印加時Ｃは、第１の初期化工程における初期化光の消灯時Ｂから予め定めた期間Δｔが経過した後としてもよい。期間Δｔは２ｍｓ（ミリ秒）以上とするのが好ましい。また、初期化工程が長くなり過ぎないように、期間Δｔは１秒以下が好ましく、２ｍｓ〜５００ｍｓの範囲とすることがより好ましい。
【０１０３】
図１０（Ｃ）に示すように、負電圧の印加時Ｃを初期化光の消灯時Ｂから所定期間Δｔが経過した後とすると共に、初期化光の消灯時Ｂに合わせて、第１の初期化工程における正電圧の印加を解除してもよい。何れの場合も、第２の初期化は、負電圧が印加された状態で表示媒体１２に初期化光が照射されない「暗初期化」である。このため、初期化処理工程では、残留電荷が発生しない。
【０１０４】
このΔｔの好ましい値は、あらかじめ測定しておくこともできる。すなわち、明初期化に用いる光源に対して消灯指示を出してから、電荷発生層２０Ａにおける電荷発生が十分小さくなるまで光源の光量が低下する時間を測定し、適切なΔｔの範囲を見積もっておくことができる。その上で、図８におけるステップ１０８と１１０の間、あるいは、ステップ１１０と１１２の間にΔｔ経過待ちするステップを挿入することができる。あるいは、書込画像の画質が良好になるように、あるいは残像が残らないように、あるいは繰り返し書込の安定性が向上するように、Δｔを調整することができる。
【０１０５】
また、先に述べたとおり、一括露光装置３２に装備した消灯検知センサ３２Ｄによる光量検知レベルが一定値以下になることを検知するステップを１０８から１１２の間に挿入してもよい。その場合でも、初期化工程が長くなりすぎないように、５００ｍｓ程度を限度とすることが好ましい。
【０１０６】
これらは、初期化光源としてハロゲンランプやＥＬシートのように光量の低下に比較的時間がかかるものを用いている場合や、大面積を初期化するなどのために光源の電源の応答時間が遅い場合などに特に重要となる。
【０１０７】
＜好適な光書込型の表示媒体＞
本実施の形態で好適に用いられるデュアルＣＧＬ構造を有する光書込型の表示媒体１２を、材料、層厚、及び作製方法の観点から更に詳しく説明する。上述した通り、表示媒体１２は、表示面側から順に、基板１３、電極１５、液晶層１７、光吸収層１９、ラミネート層１８、デュアルＣＧＬ構造の光導電体層２０、電極２２、及び基板２４が積層されて構成されている（図１参照）。
【０１０８】
基板１３及び基板２４を構成する具体的な材料としては、無機シート（たとえばガラス・シリコン）、高分子フィルム（たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリスルホン、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイミド）等が挙げられる。これらの基板１３、及び基板２４の厚みとしては、５０μｍ以上５００μｍ以下の範囲程度が好適である。
【０１０９】
電極１５及び電極２２としては、金属（たとえば金、アルミニウム）、金属酸化物（たとえば酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））、導電性有機高分子（たとえばポリチオフェン系・ポリアニリン系）などで形成された導電性薄膜が挙げられる。なお、これらの電極１５及び電極２２各々の表面及び/または裏面には、密着力改善膜、光反射防止膜、ガスバリア膜など公知の機能性膜を形成してもよい。また、電極１５及び電極２２は、上記基板１３及び基板２４の各々の上にスパッタリングされて形成されているが、必ずしもスパッタリングによる必要はなく、印刷、ＣＶＤ、蒸着などにより形成してもよい。
【０１１０】
電荷発生層２０Ａとしては、電荷発生材料をバインダー樹脂に分散したものなどが挙げられる。この電荷発生材料としては、金属又は無金属フタロシアニン顔料、スクアリウム顔料、アズレニウム顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、キナクリドン顔料、ピロロピロール顔料、ジブロモアントアントロン顔料などの多環キノン顔料、等が適用可能であるが、フタロシアニン顔料である、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、あるいはチタニルフタロシアニンの一種類かあるいは混合物を主成分とする電荷発生材料が好ましい。
【０１１１】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、Ｘ線回折スペクトルのブラック角（２θ±０．２°）がｉ）７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°、ｉｉ）７．７°、１６．５°、２５．１°及び２６．６°、ｉｉｉ）７．９°、１６．５°、２４．４°及び２７．６°、ｉｖ）７．０°、７．５°、１０．５°、１１．７°、１２．７°、１７．３°、１８．１°、２４．５°、２６．２°及び２７．１°、ｖ）  ６．８°、１２．８°、１５．８°及び２６．０°又はｖｉ）７．４°、９．９°、２５．０°、２６．２°及び２８．２°に強い回折ピークを有するような結晶構造のものが、電荷発生効率が高く、特に好ましい。
【０１１２】
クロロガリウムフタロシアニンとしては、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°、又は６．８°、１７．３°、２３．６°及び２６．９°、又は８．７°〜９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°及び２８．８°に強い回折ピークを有する結晶構造のものが、電荷発生効率が高く、特に好ましい。
また、チタニルフタロシアニンとしては、Ｘ線回折スペクトルのブラック角（２θ±０．２°）が、９．５°，９．７°，１１．７°，１５．０°，２３．５°，２４．１°，２７．３°に回折ピークをもつ結晶構造のものが、電荷発生効率が高く、特に好ましい。
【０１１３】
電荷発生層２０Ａに用い得るバインダー樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、カルボキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン樹脂を含む）、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロール樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂などが適用可能である。特に、ポリビニルアセタール樹脂やカルボキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂は、電荷発生材料を良好に分散させるため、好ましいバインダー樹脂である。
【０１１４】
電荷発生層２０Ａにおける電荷発生材料等（電荷輸送材料を添加する場合はそれも含む）の低分子化合物とバインダー樹脂との混合比（低分子化合物／バインダー樹脂）は、１／１０乃至２０／１の範囲とすることが好ましく、１／１乃至１０／１の範囲とすることがより好ましい。
【０１１５】
電荷発生層２０Ａの作製方法としては、真空蒸着法やスパッタ法などドライな膜形成法のほか、溶剤を用いるスピンコート法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法などが適用可能である。いずれの方式も、ａ−Ｓｉやフォトダイオード作製におけるような基板加熱や厳しい工程管理は不要である。ただし、前記電荷輸送材料を混合して用いる場合には、作製の容易性等から溶剤を用いる塗布により作製することが好ましい。この溶剤としては、少なくとも電荷輸送層２０Ｂに損傷（電荷輸送層の膨潤やクラックの発生等）を与えない溶剤が好ましい。このため、電荷発生層２０Ａの形成溶剤として用いられる溶媒としては、電荷輸送層２０Ｂを構成する材料にもよるが、一般に、アルコール系、ケトン系、エーテル系、エステル系などの溶媒が有効である。中でも、アルコール等の分子中に水酸基を有する溶媒は、ポリカーボネート系樹脂をバインダーとした電荷輸送層上に作製する電荷発生層２０Ａ形成塗布液の溶媒として最適である。
【０１１６】
電荷発生層２０Ａ形成塗布液の調製については、前記溶剤（またはバインダー樹脂を溶解した溶液）中に、前記電荷発生材料と必要に応じて添加される電荷輸送材料とを前記好ましい混合比率で添加し混合、分散させる。混合／分散方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、アトライター、超音波等を用いる常法が適用される。分散の際、電荷発生材料の粒子サイズを０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１１７】
電荷発生層２０Ａ形成塗布液の固形分含有量の濃度は、１質量％以上３０質量％以下の範囲とすることが好ましい。１質量％未満では膜厚が薄すぎて電気特性が得られない場合があり、３０質量％を超えると粘度が高すぎて膜形成が困難になる場合がある。また、１質量％未満、あるいは３０質量％を超えると、電荷発生材料微粒子の分散安定性が悪く、保存安定性や成膜性が悪化するといった問題が現れる場合がある。
【０１１８】
電荷発生層２０Ａの膜厚は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の範囲が好ましく、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲がより好ましい。１０ｎｍより薄いと、光感度が不足しかつ均一な膜の作製が難しくなる場合があり、また、１μｍより厚くなると、光感度は飽和し、膜内応力によって剥離が生じ易くなる場合がある。
【０１１９】
電荷発生層２０Ｃとしては、上記電荷発生層２０Ａと同様に、電荷発生材料をバインダー樹脂に分散したものが挙げられ、上記説明した電荷発生層２０Ａにおいて例示した電荷発生材料やバインダー樹脂が同様に用いられる。
【０１２０】
電荷発生層２０Ｃにおける電荷発生材料とバインダー樹脂との混合比、塗布液の調製、形成方法、膜厚等は、上記電荷発生層２０Ａで述べた内容に準ずるため、詳細な説明を省略する。
【０１２１】
電荷輸送層２０Ｂに含まれる電荷輸送材料としては、ベンジジン系、カルバゾール系、オキサジアゾール系、ヒドラゾン系、スチルベン系、トリフェニルアミン系、トリフェニルメタン系などが適用される。なお、上記電荷輸送性材料は、ほとんどが正孔輸送性であり、本実施の形態では電荷輸送層２０Ｂは実質的に正孔輸送層であるとして説明するが、このような形態に限られない。
【０１２２】
また、これら電荷輸送性材料の分子構造を主鎖あるいは側鎖に有する電荷輸送性高分子を用いてもよい。特に、特開２００７−２７９３７１号公報に例示されるような、主鎖に電荷輸送性の分子構造を有するものが好ましい。電荷輸送性高分子を電荷輸送性材料として使用する場合には、後で述べるバインダー樹脂は必ずしも使用しなくても良い。
【０１２３】
電荷輸送層２０Ｂに含まれるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂等が適用可能である。
【０１２４】
特に、ポリカーボネート樹脂は、電荷輸送層のバインダーとした場合、電荷輸送特性が良好である上に、強度や柔軟性、透明性のバランスに優れているため、好ましいものである。また、電荷輸送層２０Ｂにおける電荷輸送材料とバインダー樹脂との混合比（電荷輸送材料／バインダー樹脂）は１／１０乃至１０／１の範囲が好ましく、３／７乃至７／３の範囲がより好ましい。
【０１２５】
電荷輸送層２０Ｂの作製方法としては、真空蒸着法やスパッタ法などドライな膜形成法のほか、溶剤を用いるスピンコート法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法などが適用可能である。溶剤塗布法の場合には、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【０１２６】
電荷輸送層２０Ｂの膜厚は、１μｍ以上１００μｍ以下の範囲とすることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることがより好ましい。電荷輸送層２０Ｂの膜厚が１μｍ以上１００μｍ以下であると、耐電圧が高く信頼性が確保されると共に、機能素子とのインピーダンスマッチングが容易となり設計が容易となる。
【０１２７】
コレステリック液晶１７Ｂとして使用可能な具体的な液晶としては、ステロイド系コレステロール誘導体、あるいはネマチック液晶やスメクチック液晶（たとえばシッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビフェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、ジオキサン系、シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、シクロヘキシルエタン系、シクロヘキサン系、トラン系、アルケニル系、スチルベン系、縮合多環系）、またはこれらの混合物に、カイラル剤（たとえばステロイド系コレステロール誘導体、シッフ塩基系、アゾ系、エステル系、ビフェニル系）を添加したもの等が挙げられる。
【０１２８】
液晶層１７がコレステリック液晶１７Ｂと高分子マトリックス１７Ａからなる自己保持型液晶複合体を形成する形態としては、コレステリック液晶の連続相中に網目状の樹脂を含むＰＮＬＣ（Polymer Network Liquid Crystal）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）構造（マイクロカプセル化されたものを含む）が用いられ、ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造とすることによって、コレステリック液晶と高分子の界面にアンカリング効果を生じ、無電界でのプレーナまたはフォーカルコニックの保持状態が、より安定となる。
【０１２９】
上記ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造は、高分子と液晶とを相分離させる公知の方法、例えば、アクリル系、チオール系、エポキシ系などの、熱や光、電子線などによって重合する高分子前駆体と液晶を混合し、均一相の状態から重合させて相分離させるＰＩＰＳ（Polymerization Induced PhaseSeparation）法、ポリビニルアルコールなどの、液晶の溶解度が低い高分子と液晶とを混合し、攪拌懸濁させて、液晶を高分子中にドロップレット分散させるエマルジョン法、熱可塑性高分子と液晶とを混合し、均一相に加熱した状態から冷却して相分離させるＴＩＰＳ（Thermally Induced Phase Separation）法、高分子と液晶とをクロロホルムなどの溶媒に溶かし、溶媒を蒸発させて高分子と液晶とを相分離させるＳＩＰＳ（Solvent Induced Phase Separation）法などによって形成されるが、特に限定されるものではない。
【０１３０】
高分子マトリックス１７Ａとして採用可能な材料としては、水溶性高分子材料（例えばゼラチン、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体、ポリアクリル酸系ポリマー、エチレンイミン、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアミド、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアミジン、イソプレン系スルホン酸ポリマー）、あるいは水性エマルジョン化できる材料（例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【０１３１】
ラミネート層１８に好適な材料としては、粘着性の高分子材料（例えばウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂）が挙げられる。
【０１３２】
この光吸収層１９としては、具体的には、無機顔料（例えばカドミウム系、クロム系、コバルト系、マンガン系、カーボン系）、または有機染料や有機顔料（アゾ系、アントラキノン系、インジゴ系、トリフェニルメタン系、ニトロ系、フタロシアニン系、ペリレン系、ピロロピロール系、キナクリドン系、多環キノン系、スクエアリウム系、アズレニウム系、シアニン系、ピリリウム系、アントロン系）を直接成膜する乾式法か、あるいはこれらを高分子バインダー（たとえばポリビニルアルコール樹脂、ポリアクリル樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させて塗布液を調製し、これを塗布し乾燥させて成膜する湿式塗布法等により形成される。光吸収層１９の膜厚としては、１μｍ以上１０μｍ以下とすることが望ましい。
【実施例】
【０１３３】
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、これら各実施例は、本発明を制限するものではない。
【０１３４】
（実施例１）
＜光書込型表示媒体の作製＞
（光導電層の形成）
ポリビニルブチラール（積水化学社製、エスレックＢＸ−５）：２質量部を、１−ブタノール：２４０質量部に溶解させた溶液に、電荷発生材料として、Ｘ線回析によるブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°にピークをもつ結晶構造のクロロガリウムフタロシアニン：３質量部、及び分散媒体としてガラスビーズ（直径１ｍｍ）：５００質量部を添加し、ガラス容器内でペイントシェーカーにより２時間分散させ、下部電荷発生層形成塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法によりＩＴＯ付きＰＥＴフィルム（東レハイビーム、１２５μｍ）のＩＴＯ面上に塗布後、１００℃の送風乾燥機内で１時間乾燥させ、下部電荷発生層を約０．１５μｍ厚に形成した。
【０１３５】
電荷輸送材料として下記式（ＣＴ−１）で示される化合物：６質量部、バインダー樹脂としてポリ（４，４'−シクロヘキシリデンジフェニレンカーボネート）（重量平均分子量：３万）：４質量部、をモノクロロベンゼン：４０質量部に溶解させて電荷輸送層形成塗布液を作製した。この塗布液を用い、ブレードコートにより前記下部電荷発生層上に塗布し、３０分間風乾した後、１００℃の送風乾燥機内で１時間乾燥させ、約９μｍ厚の電荷輸送層を形成した。
【０１３６】
【化１】
2010230869.tif 000003
【０１３７】
ポリビニルブチラール（積水化学社製、エスレックＢＸ−５）：２質量部を、１−ブタノール：１２０質量部に溶解させた溶液に、電荷発生材料として、Ｘ線回析によるブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．４°、１６．６°、２５．５°、及び２８．３°にピークをもつ結晶構造のクロロガリウムフタロシアニン：３質量部、及び分散媒体としてガラスビーズ（直径１ｍｍ）：２５０質量部を添加し、ガラス容器内でペイントシェーカーにより２時間分散させ、上部電荷発生層形成塗布液を調製した。
【０１３８】
この塗布液をスピンコート法により前記電荷輸送層上に塗布し、３０分間風乾した後、１３０℃の送風乾燥機内で１時間乾燥させ、約０．２μｍ厚の上部電荷発生層を形成した。この上に、ポリビニルアルコール樹脂の水溶液をスピンコート法により塗布後、１００℃で１時間乾燥して約１μｍ厚の隔離層を形成した。
【０１３９】
（液晶層の作製）
ネマチック液晶Ｅ７（メルク社製）８４質量部と、カイラル剤Ｒ８１１（メルク社製）１０．８質量部と、カイラル剤Ｒ１０１１（メルク社製）２．７質量部とを混合して、選択反射波長が６５０ｎｍであるコレステリック液晶１００部を得た。このコレステリック液晶と、多価イソシアネートとしてタケネートＤ−１１０Ｎ（武田薬品工業社製）１０質量部と、垂直配向成分の前駆体としてオクタデカノール３部（アルドリッチ社製）とを、酢酸エチル１０００質量部中に溶解して油相組成物を調製した。これをポリビニルアルコール１質量％水溶液１００００質量部の中に投入し、ミキサーで撹拌・分散して体積平均粒径が７μｍのエマルジョンを作製した。
【０１４０】
これにポリアリルアミン（日東紡社製）の１０％水溶液を１００質量部加え、７０℃で２時間加熱してポリウレアを壁材とするマイクロカプセルを得た。得られたマイクロカプセルを遠沈回収後、その固形成分の質量に対して１／３となる量のポリビニルアルコールを含むポリビニルアルコール１０質量％水溶液を加えることにより液晶含有塗布液を調整した。
【０１４１】
ＩＴＯ膜付きのＰＥＴフィルムのＩＴＯ膜面の上に、上記塗布液をワイヤーバー法にて塗布することにより、厚さ約３５μｍの液晶層を形成した。次に、カーボンブラックをポリビニルアルコール水溶液中に分散し（固形分：１０質量％）、この分散液を前記液晶層上に塗布し、黒色の遮光層（厚さ：３μｍ）を形成した。
【０１４２】
（光書き込み型表示媒体の作製）
前記で作製した光導電層の隔離層の上に、２液型ポリウレタン系接着剤であるＡ５０／Ａ３１５（武田薬品工業社製）の酢酸ブチル溶液を塗布し、乾燥させて厚さ５μｍの接着層を形成した。この接着層上に、前記で作製した液晶層と遮光層が形成されたＰＥＴフィルムを、遮光層が接するように密着させ、９０℃でラミネートを行い、モノクロ表示の反射型の液晶表示媒体（光書き込み型表示媒体）を得た。
【０１４３】
＜書込実験＞
得られた光書込型表示媒体について次のようにして書込試験を実施した。図１１は実施例１の画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。まず、明書込（白書込）を実施した。明初期化工程では、印加電圧を＋５００Ｖ、初期化光の光量を５０μＷ／ｃｍ２とし、初期化光の照射と同時に正電圧の印加を開始した。電圧印加時間は２００ｍｓとし、初期化光の照射時間は１９５ｍｓとした。即ち、明初期化工程の最後の５ｍｓ間は、書き込み光の無照射時間（Δｔ）であり、正電圧のみ印加されている状態であった。続く暗初期化工程では、初期化光の照射無しで、−５００Ｖの負電圧のみを２００ｍｓの期間印加した。その後、印加電圧を０Ｖとし、初期化光の照射無しの状態を１００ｍｓの期間だけ維持した。
【０１４４】
最後に書込工程として、＋５００Ｖの書込電圧（正電圧）を１０００ｍｓの期間印加すると同時に、書込電圧の印加開始から５００ｍｓ後に、書き込み光の光量を１５０μＷ／ｃｍ２とし、書き込み光を５ｍｓの期間だけ照射して画像書込を行なった。ここで、印加電圧の極性は、光スイッチング層側の電極を正にする場合が＋「正」である。また、初期化光及び書き込み光の光源には、何れも７８０ｎｍにピークを持つＬＥＤ光源を用いた。
【０１４５】
また、同様にして、暗書込（黒書込）を実施した。上記シークエンスにおいて、書込工程において書き込み光を照射しない以外は全く同様にして書き込みを行なった。表示媒体の反射率として、視感反射率（Ｙ値）を、積分球型分光測色計ＣＭ−２０２２（ミノルタ製）によって測定した。
【０１４６】
その結果、明書込時の反射率は４０％、暗書込時の反射率は５％で、コントラストは８と良好であり、目視評価においても良好な明／暗状態が書き込まれていた。さらに、明書込と暗書込を１セットとして、これを１００セット繰り返した。その後、明書込および暗書込を行なって反射率の測定をしたが、全く変化はなかった。
【０１４７】
（比較例１）
図１２は比較例１の画像書き込みのシークエンスを示す模式図である。実施例１と同じ光書込型媒体を用い、図１２に示す書込シークエンスで書込を実施した。実施例１における明初期化工程において、初期化光の照射時間を２０１ｍｓとし、負電圧の印加が開始されてからも１ｍｓの間、初期化光が照射されている状態とした（図１２の遅延時間の部分）。それ以降の工程は全く同様にして、明書込と暗書込を実施した。このように負電圧の印加時に僅か１ｍｓの間だけ初期化光が照射される状況は、明初期化工程における電圧印加と初期化光照射が同時に終了すると設定したにもかかわらず、何らかの原因でずれてしまうことがある場合を意図的に再現したものである。
【０１４８】
実施例１と同様にして反射率を測定したところ、明書込の反射率は３０％、暗書込の反射率は５％であり、明書込の反射率が低下していた。実施例１と同様に１００セットの繰り返しを実施したところ、明反射率は８％まで低下した。
【０１４９】
詳細なメカニズムは不明であるが、図９を参照して説明したように、暗初期化工程において負電圧が印加されているときに初期化光が照射されると、上部電荷発生層内に負電荷が蓄積するが、これをうち消すべき正電荷が初期化工程では供給されなくなっているため、引き続く書込工程で書込電圧が印加されても蓄積した負電荷の影響で液晶表示媒体中に十分な電界強度が印加されなくなり、結果として書き込めなくなっていると予想される。
【０１５０】
以上の実施例１及び比較例１の結果から、デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程として、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧を印加する「第１の初期化処理工程（明初期化）」の後で、初期化光を消灯して書込時と逆極性の負電圧を印加する「第２の初期化処理工程（暗初期化）」を行うことで、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行えることがわかる。
【符号の説明】
【０１５１】
１０ 光書込型表示装置
１２ 表示媒体
１４ 光書込装置
１５ 電極
１７ 液晶層
１７Ｂ コレステリック液晶
２０ 光導電層
２０Ａ 電荷発生層
２０Ｂ 電荷輸送層
２０Ｃ 電荷発生層
２２ 電極
２６ 電圧印加部
２８ 制御部
３０ 露光装置
３０Ａ 光源
３０Ｂ 駆動部
３２ 一括露光装置
【図１】
2010230869.tif 000004
【図２】
2010230869.tif 000005
【図３】
2010230869.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
2010230869.tif 000009
【図７】
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【図８】
2010230869.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2010230869.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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