(57)【要約】【課題】デマルチプレクサ方式を採用した電気光学装置において、高品位な表示を行う。【解決手段】電気光学装置は、Ｍ本毎にブロック化された複数のデータ線（６ａ）と、該複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチ（７１）を含み、ブロック毎に１本のデータ線を、選択信号に応じて選択して、画像信号をその選択したデータ線に出力する選択回路（７）とを備える。更に、複数のデータ線の配列方向に沿って延びる配線部分を夫々有しており、選択信号が夫々供給されるＭ本の選択信号供給線（ＳＬ１〜ＳＬ８）と、複数のデータ線の配列方向に交わる方向に沿って夫々延びると共に、スイッチの選択信号入力線（７１Ｇ）及び選択信号供給線の前記配線部分に夫々電気的に接続されており、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有する複数の引出配線（Ｈ１〜Ｈ８）とを備える。【選択図】図５
2010134078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域に設けられると共に、Ｍ（但し、Ｍは２以上の自然数）本毎にブロック化された複数のデータ線と、
該複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチを含み、前記ブロック毎に１本のデータ線を、選択信号に応じて選択して、画像信号を前記選択したデータ線に出力する選択回路と、
前記複数のデータ線の配列方向に沿って延びる配線部分を夫々有しており、前記選択信号が夫々供給されるＭ本の選択信号供給線と、
前記複数のデータ線の配列方向に交わる方向に沿って夫々延びると共に、前記スイッチの選択信号入力線及び前記選択信号供給線の前記配線部分に夫々電気的に接続されており、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有する複数の引出配線と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の引出配線は、
前記選択信号供給線よりも第１層間絶縁膜を介して上層側に配置された第１引出配線層と、
前記選択信号供給線よりも第２層間絶縁膜を介して下層側に配置されると共に、前記第１引出配線層と互いに電気的に接続された第２引出配線層と
を夫々有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記選択信号線よりも前記第１層間絶縁膜を介して上層側に配置され、前記引出配線に沿って延びる配線部分を夫々有し、前記選択回路へ前記画像信号を夫々供給する複数の画像信号線を備え、
前記第２引出配線層は、前記基板上で平面的に見て前記画像信号線と少なくとも部分的に重なるように、前記第１引出配線層よりも幅広に形成される
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記選択信号入力線は、前記選択信号供給線と同一膜からなることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、一般に、シリアル−パラレル変換された画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線は所定の本数毎にブロック化されており、シリアル−パラレル変換された画像信号は、ブロック単位で、該ブロックに含まれるデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、所定の本数のデータ線が同時に、且つ複数のデータ線は所定の本数毎に順次駆動される。
【０００３】
シリアル−パラレル変換された画像信号は、素子基板上の画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に配線された複数の画像信号線に供給される。そして、各画像信号線は、中継配線を介して、サンプリングスイッチの入力配線に電気的に接続される。
【０００４】
例えば特許文献１では、画像信号線（特許文献１中、「ビデオ信号線」）と交差する配線層の構造を最適化して、画像信号線及び配線層に寄生する電気的成分を等価にし、表示特性を向上させる技術が提案されている。
【０００５】
一方、この種の電気光学装置では、Ｎ本のデータ線に供給すべき画像信号を時分割で入力すると共に、時分割でＮ本のデータ線を複数本ずつ選択して供給する駆動方式（即ち、デマルチプレクサ方式或いはハイブリッド方式）が採用されることがある。このようなデマルチプレクサ方式が採用された電気光学装置では、画像信号線から供給される画像信号が、複数のスイッチを含むデマルチプレクサ（或いは選択回路）に入力され、デマルチプレクサによって選択されたデータ線に出力される。
【０００６】
デマルチプレクサに含まれる複数のスイッチは、例えばトランジスタによって夫々構成され、例えば、素子基板上の周辺領域に配線された複数本の制御信号線（或いは選択信号供給線）によって夫々供給される複数系列の制御信号（或いは選択信号）に基づいて駆動される。そして、各制御信号線は、引出配線を介して、例えばトランジスタから夫々なる複数のスイッチのゲートに電気的に接続されたゲート配線に電気的に接続される。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−３０７１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したデマルチプレクサ方式が採用された電気光学装置では、複数の引出配線間で、配線抵抗や寄生容量が互いに異なることに起因して、表示画面上でデータ線に沿った縦線状の表示ムラ（例えば系列スジ）が発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、デマルチプレクサ方式を採用した電気光学装置において、高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域に設けられると共に、Ｍ（但し、Ｍは２以上の自然数）本毎にブロック化された複数のデータ線と、該複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチを含み、前記ブロック毎に１本のデータ線を、選択信号に応じて選択して、画像信号を前記選択したデータ線に出力する選択回路と、前記複数のデータ線の配列方向に沿って延びる配線部分を夫々有しており、前記選択信号が夫々供給されるＭ本の選択信号供給線と、前記複数のデータ線の配列方向に交わる方向に沿って夫々延びると共に、前記スイッチの選択信号入力線及び前記選択信号供給線の前記配線部分に夫々電気的に接続されており、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有する複数の引出配線とを備える。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、外部に設けられた例えば画像信号供給回路から、基板上の例えば画像信号端子を介して画像信号線に画像信号が供給される。画像信号線に供給された画像信号は選択回路（或いはデマルチプレクサ）を構成する複数のスイッチに対して、１つのブロック（或いは１つのグループ又は１つのデータ線群）に含まれるＭ本のデータ線に対応する数、即ちＭ個のスイッチ毎に供給される。画像信号は、Ｎ系統（但し、Ｎは２以上の自然数）にシリアル−パラレル変換（或いはシリアル−パラレル展開又は相展開）されており、系統別に互いに異なる画像信号線を介して複数のスイッチに供給される。即ち、例えば、第１系統の画像信号は、第１の画像信号線を介して第１のブロック（即ち、第１のデータ線群）に対応するＭ個のスイッチに供給され、第２系統の画像信号は、第２の画像信号線を介して第２のブロック（即ち、第２のデータ線群）に対応するＭ個のスイッチに供給され、・・・、第Ｎ系統の画像信号は、第Ｎの画像信号線を介して（即ち、第Ｎのデータ線群）に対応するＭ個のスイッチに供給される。複数のスイッチは例えばＭ本の選択信号供給線によって夫々供給されるＭ系列の選択信号に基づいて夫々駆動され、各系列毎にデータ線を選択して画像信号を供給する。これにより、各ブロック（即ち、各データ線群）について、Ｍ個のスイッチからＭ系列の選択信号に基づいてＭ本のデータ線の各々に対して画像信号が供給され、対応する画素に入力される（即ち、書き込まれる）。これと共に、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して走査信号が各画素に供給される。画素毎に設けられた例えば画素スイッチング用トランジスタは、走査信号に応じて画像信号を画素電極へ選択的に供給する。その結果、電気光学装置においてアクティブマトリクス駆動が行われる。
【００１２】
本発明では、Ｍ本の選択信号供給線は、複数のデータ線の配列方向（即ち、データ線が延びる方向と交わる方向、或いは、例えば走査線が延びる方向）に沿って延びる配線部分を夫々有する。即ち、Ｍ本の選択信号供給線は、複数のデータ線の配列方向に沿って配列された、選択回路を構成する複数のスイッチの配列に沿って延びるように形成された配線部分を夫々有する。複数の引出配線の各々は、該配線部分から引き出されるように、複数のデータ線の配列方向に交わる方向（即ち、データ線が延びる方向、言い換えれば、選択信号供給線における前記配線部分が延びる方向と交わる方向）に沿って延びている。言い換えれば、複数の引出配線は、基板上で平面的に見てＭ本の選択信号供給線と交差するように延びている。各選択信号供給線には、１つのブロック（即ち、１つのデータ線群）毎に１本の引出配線が設けられている。即ち、各選択信号供給線には、ブロック数分の引出配線が設けられている。複数の引出配線は、典型的には、選択信号供給線との電気的な絶縁状態を維持するため、層間絶縁膜を介して選択信号供給線とは互いに異なる層に配置された導電膜から形成される。複数の引出配線の各々は、対応する、選択回路を構成するスイッチの選択信号入力線（即ち、例えばトランジスタからなるスイッチのゲート配線）に電気的に接続される。
【００１３】
本発明では特に、複数の引出配線は、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有する。ここで、「互いに同じ膜構成を有する」とは、複数の引出配線が、互いに同じ材料からなると共に互いに同じ積層構造を有することを意味し、例えば、一の引出配線が、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置された２つの導電膜からなる二重配線として構成される場合には、他の引出配線も、該２つの導電膜と同一膜からなる二重配線として構成されることも含む趣旨である。尚、ここで「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。言い換えれば、「同一膜」とは、同一の導電材料からなる薄膜を同時にパターニングすることにより得られる膜を意味する。
【００１４】
よって、複数の引出配線の配線抵抗及び寄生容量を揃えることができる。従って、複数の引出配線間で、配線抵抗や寄生容量が互いに異なることに起因して、画素領域上でデータ線に沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。即ち、例えば、複数の引出配線間で配線抵抗や寄生容量が互いに異なることに起因する、１つのブロックに含まれるＭ本のデータ線間で生じる表示ムラ（即ち、系列スジ）や、この表示ムラの画素領域における左右差（つまり、画素領域における複数のデータ線の配列の一端側と他端側との間で生じる表示ムラの差）を殆ど或いは完全に無くすことができる。更に、例えば、選択回路に含まれる複数のスイッチに選択信号を供給する順番を入れ替えながらデータ線を駆動するローテーション駆動や画像信号に対してオフセット信号を加えるＤＣ（direct-current）オフセットなどの信号補正処理による効果を好適に得ることができる。即ち、本発明によれば、複数の引出配線の配線抵抗及び寄生容量が揃えられているので、信号補正処理を複数のデータ線について均一に施すことが可能となる。これらの結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１５】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、例えば系列スジ等の表示上の不具合を低減でき、高品位な表示を行うことができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数の引出配線は、前記選択信号供給線よりも第１層間絶縁膜を介して上層側に配置された第１引出配線層と、前記選択信号供給線よりも第２層間絶縁膜を介して下層側に配置されると共に、前記第１引出配線層と互いに電気的に接続された第２引出配線層とを夫々有する。
【００１７】
この態様によれば、複数の引出配線の各々は、典型的には、第１引出配線層及び第２引出配線層とからなる二重配線として形成される。よって、例えば仮に複数の引出配線の各々が第１引出配線層のみから構成される場合と比較して、複数の引出配線の各々の配線抵抗を低くすることができる。従って、複数の引出配線上における選択信号のひずみを低減或いは防止できる。
【００１８】
上述した、複数の引出配線が第１及び第２引出配線層を有する態様では、前記選択信号線よりも前記第１層間絶縁膜を介して上層側に配置され、前記引出配線に沿って延びる配線部分を夫々有し、前記選択回路へ前記画像信号を夫々供給する複数の画像信号線を備え、前記第２引出配線層は、前記基板上で平面的に見て前記画像信号線と少なくとも部分的に重なるように、前記第１引出配線層よりも幅広に形成されてもよい。
【００１９】
この場合には、画素領域の周辺に位置する周辺領域からの光漏れを第２引出配線層によって低減できる。従って、例えば、画像信号線や引出配線などの配線の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうことを低減或いは防止できる。つまり、周辺領域における光漏れに起因する表示画像への悪影響を低減或いは防止できる。
【００２０】
上述した、複数の画像信号線を備える態様では、前記選択信号入力線は、前記選択信号供給線と同一膜からなるように構成してもよい。
【００２１】
この場合には、選択回路を構成する例えばトランジスタからなるスイッチの選択信号入力線（例えばゲート配線）は、画像信号線よりも第１層間絶縁膜を介して下層側に配置される。よって、選択信号供給線及び画像信号線間の寄生容量を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。従って、選択信号供給線及び画像信号線間の寄生容量に起因して、画素領域上でデータ線に沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【００２２】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２３】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２４】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるデマルチプレクサ方式を採用した液晶装置を例にとる。
【００２６】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１０を参照して説明する。
【００２７】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２８】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、素子基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、紫外線硬化樹脂からなり、製造プロセスにおいて素子基板１０上に塗布された後、紫外線照射により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３０】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、画像信号が供給される画像信号端子を含む外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、本発明に係る「選択回路」の一例としてのデマルチプレクサ７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、素子基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３１】
素子基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。尚、引回配線９０には、図３を参照して後述する、本発明に係る「選択信号供給線」の一例としての制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８が含まれる。
【００３２】
図２において、素子基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０における素子基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３３】
尚、ここでは図示しないが、素子基板１０上には、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３４】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。
【００３５】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【００３６】
図３において、液晶装置１００は、素子基板１０上に、デマルチプレクサ７及び走査線駆動回路１０４を備えている。素子基板１０上の外部回路接続端子１０２のうち画像信号端子１０２ｖに外部回路としての画像信号供給回路４００が電気的に接続されている。
【００３７】
素子基板１０上の画像表示領域１０ａには、１０８８本の走査線１１ａが行方向（即ち、Ｘ方向）に延在するように設けられ、また、８本毎にグループ化（或いはブロック化）された１９８４（＝２４８×８）本のアルミニウム等の金属膜からなるデータ線６ａが、列方向（即ち、Ｙ方向）に延在するように、且つ、各走査線１１ａと互いに電気的な絶縁を保つように、設けられている。尚、走査線１１ａ及びデータ線６ａの本数はそれぞれ１０８８本及び１９８４本に限定されるものではない。１グループを構成するデータ線数は、本実施形態では「８」としたが、「２」以上であればよい。
【００３８】
画素部６００は、１０８８本の走査線１１ａと１９８４本のデータ線６ａとの交差に対応して、それぞれ配列されている。従って、本実施形態では、画素部６００は、縦１０８８行×横１９８４列で、所定の画素ピッチでマトリクス状に配列することになる。
【００３９】
図４に示すように、画素部６００は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。
【００４０】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線１１ａに電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。
【００４１】
液晶素子７２は、画素電極９ａ、対向電極２１並びに画素電極９ａ及び対向電極２１間に狭持された液晶から構成されている。液晶素子７２において、データ線６ａ及び画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４２】
蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
【００４３】
以上のような画素部６００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。
【００４４】
再び図３において、本実施形態では、１グループ（或いは１ブロック）を構成する８列のデータ線６ａを区別するために、右から順にそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ系列と呼ぶ場合がある。詳細には、ａ系列とは１、９、１７、・・・、１９７７列目のデータ線６ａであり、ｂ系列とは２、１０、１８、・・・、１９７８列目のデータ線６ａであり、ｃ系列とは３、１１、１９、・・・、１９７９列目のデータ線６ａであり、ｄ系列とは４、１２、２０、・・・、１９８０列目のデータ線６ａであり、ｅ系列とは５、１３、２１、・・・、１９８１列目のデータ線６ａであり、ｆ系列とは６、１４、２２、・・・、１９８２列目のデータ線６ａであり、ｇ系列とは７、１５、２３、・・・、１９８３列目のデータ線６ａであり、ｈ系列とは８、１６、２４、・・・、１９８４列目のデータ線６ａである。
【００４５】
走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタを有しており、１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａに、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・、Ｇ１０８８を供給する。詳細には、走査線駆動回路１０４は、１フレームの期間にわたって１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａを順番に選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧に相当するＬレベルとする。
【００４６】
画像信号供給回路４００は、素子基板１０とは別体構成であり、表示動作の際には、画像信号端子１０２ｖを介して素子基板１０と電気的に接続される。画像信号供給回路４００は、走査線駆動回路１０４によって選択された走査線１１ａと、各グループに属する８列のデータ線６ａのうち、デマルチプレクサ７によって選ばれるデータ線６ａとに対応する画素電極９ａに対し、当該画素電極９ａが含まれる画素の階調に応じた電圧の画像信号を出力する。画像信号供給回路４００から画像信号端子１０２ｖに供給された画像信号は、引回配線９０（図１参照）に含まれる画像信号線３００を介してデマルチプレクサ７へ供給される。本実施形態では、上述したように、データ線６ａの列数は「１９８４」であり、これらが８列毎にグループ化されているので、画像信号供給回路４００によって２４８系統にシリアル−パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、・・・、ＶＩＤ２４８が、２４８個の画像信号端子１０２ｖ及び２４８本の画像信号線３００を介して、データ線６ａのグループの各々に供給される。
【００４７】
尚、画像信号供給回路４００は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４８を供給する画像信号供給期間に先立つ期間に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４８に代えて、データ線６ａをプリチャージするためのプリチャージ信号ＰＣＳを、２４８本の画像信号線３００に一括して出力してもよい。
【００４８】
デマルチプレクサ７は、データ線６ａ毎に設けられた複数のトランジスタ７１を含んで構成されている。尚、複数のトランジスタ７１は、本発明に係る「複数のスイッチ」の一例である。トランジスタ７１はｎチャネル型であり、各ドレインはデータ線６ａの一端に電気的に接続されている。同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のトランジスタ７１のソースは、当該グループに対応する画像信号線３００と電気的に共通接続されている。
【００４９】
即ち、ｍ番目（但し、ｍは１以上２４８以下の整数）のグループは、ａ系列の（８ｍ−７）列目、ｂ系列の（８ｍ−６）列目、ｃ系列の（８ｍ−５）列目、ｄ系列の（８ｍ−４）列目、ｅ系列の（８ｍ−３）列目、ｆ系列の（８ｍ−２）列目、ｇ系列の（８ｍ−１）列目及びｈ系列の（８ｍ）列目のデータ線６ａから構成されるので、これら８列のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のソースは電気的に共通接続されて、画像信号ＶＩＤ（ｍ）が供給される。トランジスタ７１のゲートには、８本の制御信号線ＳＬ（即ち、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８）を介して制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８が供給される。詳細には、（８ｍ−７）列目のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のゲートには、制御信号線ＳＬ１を介して制御信号Ｓｅｌ１が供給され、同様に（８ｍ−６）列目、（８ｍ−５）列目、（８ｍ−４）列目、（８ｍ−３）列目、（８ｍ−２）列目、（８ｍ−１）列目及び（８ｍ）列目のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のゲートには、引回配線９０（図１参照）に含まれる制御信号線ＳＬ２、・・・、ＳＬ８の各々を介して制御信号Ｓｅｌ２、・・・、Ｓｅｌ８が供給される。制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８は、図示しない外部回路としてのタイミング制御回路から外部回路接続端子１０２のうち制御信号端子１０２ｓを介して制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８に供給される。尚、制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８は、本発明に係る「選択信号」の一例である。
【００５０】
尚、図５から図１０を参照して後に詳細に説明するが、８本の制御信号線ＳＬの各々は、対応するトランジスタ７１のゲート配線７１Ｇに、引出配線Ｈ１〜Ｈ８を介して電気的に接続されている。
【００５１】
次に、上述のように構成された液晶装置の動作について、図３を参照して説明する。
【００５２】
図３において、走査線駆動回路１０４は、ある１フレーム（第ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ１０８８を１水平期間（例えば４０００ナノ秒）毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。
【００５３】
１水平期間における画像信号供給期間では、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８に対して制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８が夫々入力されると共に、２４８本の画像信号線３００には画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４８が夫々入力される。ここで、画像信号供給期間では、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８の電位は、制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８が供給されることで、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせて画像信号供給回路４００は、画像信号線３００に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４８を供給する。トランジスタ７１は、制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８のパルス幅によって規定される単位期間だけ、導通状態とされ、データ線６ａに系列毎に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４８が供給される。
【００５４】
詳細には、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ１が供給されることで制御信号線ＳＬ１の電位がＨレベルとなったとき、ｉ行目の走査線１１ａとａ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧だけ対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、８本の制御信号線ＳＬのうち制御信号線ＳＬ１だけがＨレベルであるので、ａ系列のデータ線６ａが選択される（即ち、ａ系列のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１だけがオンする）結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれａ系列（１、９、１７、・・・、１９７７列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｉがＨレベルであると、ｉ行目に位置する画素のすべてにおいて、画素スイッチング用ＴＦＴ３０がオン（導通）状態となるので、ａ系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｉ行１列、ｉ行９列、ｉ行１７列、・・・、ｉ行１９７７列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００５５】
次に、画像信号供給回路４００は、制御信号Ｓｅｌ２が供給されることで制御信号線ＳＬ２の電位がＨレベルとなったとき、今度はｉ行目の走査線１１ａとｂ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号線ＳＬ２だけがＨレベルであるため、ｂ系列のデータ線６ａが選択される結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｂ系列（２、１０、１８、・・・、１９７８列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行２列、ｉ行１０列、ｉ行１８列、・・・、ｉ行１９７８列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００５６】
同様に、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ３が供給されることで制御信号線ＳＬ３の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｃ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ４が供給されることで制御信号線ＳＬ４の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｄ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ５が供給されることで制御信号線ＳＬ５の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｅ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ６が供給されることで制御信号線ＳＬ６の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｆ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ７が供給されることで制御信号線ＳＬ７の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｇ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ８が供給されることで制御信号線ＳＬ８の電位がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｈ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、それぞれ１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。これにより、ｉ行目の各画素の階調に応じた画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８が、ｃ系列（３、１１、１９、・・・、１９７９列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行３列、ｉ行１１列、ｉ行１９列、・・・、ｉ行１９７９列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｄ系列（４、１２、２０、・・・、１９８０列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｅ系列（５、１３、２１、・・・、１９８１列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行５列、ｉ行１３列、ｉ行２１列、・・・、ｉ行１９８１列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｆ系列（６、１４、２２、・・・、１９８２列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行６列、ｉ行１４列、ｉ行２２列、・・・、ｉ行１９８２列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｇ系列（７、１５、２３、・・・、１９８３列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行７列、ｉ行１５列、ｉ行２３列、・・・、ｉ行１９８３列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｈ系列（８、１６、２４、・・・、１９８４列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行８列、ｉ行１６列、ｉ行２４列、・・・、ｉ行１９８４列の画素電極９ａに印加される。
【００５７】
これにより、ｉ行目の画素に対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極９ａに印加された電圧は、走査信号ＧｉがＬレベルになっても、液晶容量によって次の第（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。
【００５８】
次に、本実施形態に特徴的な、８本の制御信号線ＳＬと複数のトランジスタ７１のゲート配線７１Ｇとを電気的に接続するための複数の引出配線Ｈの構成について、図３に加えて図５から図１０を参照して説明する。
【００５９】
図５は、本実施形態に係る液晶装置の複数の引出配線の構成を示す平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’線での断面図である。図７は、図５のＢ−Ｂ’線での断面図である。図８は、図５のＣ−Ｃ’線での断面図である。図９は、図５のＤ−Ｄ’線での断面図である。図１０は、図５のＥ−Ｅ’線での断面図である。
【００６０】
尚、ここでは、画像信号ＶＩＤ（ｎ）が供給される同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のトランジスタ７１のゲート配線７１Ｇに夫々電気的に接続される８本の引出配線Ｈ（即ち、引出配線Ｈ１〜Ｈ８）の構成について主に説明する。つまり、画像信号ＶＩＤ（ｎ）が供給される同一グループに属するデータ線６ａに対応する引出配線Ｈ１〜Ｈ８について主に説明する。他のグループに属するデータ線６ａに対応する引出配線Ｈ１〜Ｈ８も同様に構成されている。
【００６１】
尚、図６から図１０では、説明の便宜上、画像信号線よりも上層側に形成される例えば絶縁膜等の構成要素の図示を省略している。
【００６２】
図５から図１０において、８本の制御信号線ＳＬ（即ち、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８）は、素子基板１０上の積層構造における層間絶縁膜４１上に、例えばアルミニウム膜等から形成されている。言い換えれば、８本の制御信号線ＳＬは、データ線６ａと同一膜から形成されている。
【００６３】
図３及び図５に示すように、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８の各々は、Ｘ方向（即ち、データ線６ａの配列方向）に沿って延びる配線部分を有している。この配線部分から引出配線Ｈ（即ち、引出配線Ｈ１〜Ｈ８）がＹ方向に沿って延びるように形成されている。引出配線Ｈは、トランジスタ７１のゲート配線７１Ｇと制御信号線ＳＬとの間を電気的に接続する。制御信号線ＳＬ１には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ１が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ２には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ２が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ３には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ３が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ４には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ４が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ５には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ５が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ６には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ６が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ７には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ７が電気的に接続され、制御信号線ＳＬ８には、データ線６ａのグループ毎に、１本の引出配線Ｈ８が電気的に接続されている。尚、ゲート配線７１Ｇは、本発明に係る「選択信号入力線」の一例である。
【００６４】
図５から図１０において、画像信号線３００は、制御信号線ＳＬよりも層間絶縁膜４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。
【００６５】
図３及び図５に示すように、画像信号線３００は、Ｙ方向に沿って延びており、制御信号線ＳＬ１〜ＳＬ８と互いに交差している。
【００６６】
図５から図１０において、本実施形態では特に、引出配線Ｈ１〜Ｈ８は、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有している。
【００６７】
具体的には、引出配線Ｈ１〜Ｈ８のいずれも、制御信号線ＳＬよりも層間絶縁膜４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成された第１引出配線層Ｈａと、制御信号線ＳＬよりも層間絶縁膜４１を介して下層側（言い換えれば、素子基板１０上に形成された下地絶縁膜１２上）に、例えば導電性ポリシリコン膜等の半導体膜から形成された第２引出配線層Ｈｂとからなる二重配線として形成され、且つ、引出配線Ｈ１〜Ｈ８は、配線長及び配線幅が揃えられている。尚、第１引出配線層Ｈａ（即ち、第１引出配線層Ｈａ１〜Ｈａ８）は、画像信号線３００と同一膜から形成されており、第２引出配線層Ｈｂ（即ち、第２引出配線層Ｈｂ１〜Ｈｂ８）は、図４を参照して上述した画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極と同一膜から形成されている。引出配線Ｈ１は、第１引出配線層Ｈａ１及び第２引出配線層Ｈｂ１からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ２は、第１引出配線層Ｈａ２及び第２引出配線層Ｈｂ２からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ３は、第１引出配線層Ｈａ３及び第２引出配線層Ｈｂ３からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ４は、第１引出配線層Ｈａ４及び第２引出配線層Ｈｂ４からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ５は、第１引出配線層Ｈａ５及び第２引出配線層Ｈｂ５からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ６は、第１引出配線層Ｈａ６及び第２引出配線層Ｈｂ６からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ７は、第１引出配線層Ｈａ７及び第２引出配線層Ｈｂ７からなる二重配線として形成され、引出配線Ｈ８は、第１引出配線層Ｈａ８及び第２引出配線層Ｈｂ８からなる二重配線として形成されている。第１引出配線層Ｈａ（即ち、第１引出配線層Ｈａ１〜Ｈａ８）は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１を介して、制御信号線ＳＬに電気的に接続されており、第２引出配線層Ｈｂ（即ち、第２引出配線層Ｈｂ１〜Ｈｂ８）は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８２を介して、制御信号線ＳＬに電気的に接続されている。図５、図９及び図１０に示すように、第１引出配線層Ｈａ（即ち、第１引出配線層Ｈａ１〜Ｈａ８）は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３を介して、制御信号線ＳＬと同一膜からなるゲート配線７１Ｇに電気的に接続されている。第２引出配線層Ｈｂ（即ち、第２引出配線層Ｈｂ１〜Ｈｂ８）は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８４を介して、制御信号線ＳＬと同一膜からなるゲート配線７１Ｇに電気的に接続されている。
【００６８】
よって、本実施形態によれば、引出配線Ｈ１〜Ｈ８の配線抵抗及び寄生容量を揃えることができる。従って、複数の引出配線Ｈ間で、配線抵抗や寄生容量が互いに異なることに起因して、画像表示領域１０ａにおける表示上でデータ線６ａに沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。即ち、例えば、複数の引出配線Ｈ間で配線抵抗や寄生容量が互いに異なることに起因する、１つのブロックに含まれる８本のデータ線６ａ間で生じる表示ムラ（即ち、系列スジ）や、この表示ムラの画像表示領域１０ａにおける左右差（つまり、画像表示領域１０ａにおける複数のデータ線６ａの配列の一端側と他端側との間で生じる表示ムラの差）を殆ど或いは完全に無くすことができる。更に、例えば、デマルチプレクサ７に含まれる複数のトランジスタ７１に制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８を供給する順番を入れ替えながらデータ線６ａを駆動するローテーション駆動や画像信号に対してオフセット信号を加えるＤＣオフセットなどの信号補正処理による効果を好適に得ることができる。即ち、本実施形態によれば、１９８４本の引出配線Ｈの配線抵抗及び寄生容量が揃えられているので、信号補正処理を１９８４本のデータ線６ａについて均一に施すことが可能となる。これらの結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００６９】
本実施形態では特に、複数の引出配線Ｈは、上述したように、第１引出配線層Ｈａ及び第２引出配線層Ｈｂとからなる二重配線として形成されているので、例えば仮に複数の引出配線Ｈが第１引出配線層Ｈａのみから構成される場合と比較して、複数の引出配線Ｈの各々の配線抵抗を低くすることができる。従って、複数の引出配線Ｈ上における制御信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８のひずみを低減できる。
【００７０】
更に、図５から図１０において、本実施形態では特に、第２引出配線層Ｈｂ（即ち、第２引出配線層Ｈｂ１〜Ｈｂ８）は、素子基板１０上で平面的に見て、画像信号線３００と部分的に重なるように、第１引出配線層Ｈａよりも幅広に形成されている。言い換えれば、第２引出配線層Ｈｂは、素子基板１０上で平面的に見て、第１引出配線層Ｈａと概ね重なるように形成されると共に、第１引出配線層Ｈａと画像信号線３００との間の隙間を覆うように、その配線幅が第１引出配線層Ｈａよりも広く形成されている。よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域（具体的には、第１引出配線層Ｈａと画像信号線３００との間の隙間）からの光漏れを第２引出配線層Ｈｂによって低減できる。従って、例えば、画像信号線３００や引出配線Ｈなどの配線の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうことを低減或いは防止できる。つまり、周辺領域における光漏れに起因する表示画像への悪影響を低減或いは防止できる。
【００７１】
加えて、図５、図９及び図１０において、本実施形態では特に、トランジスタ７１のゲート配線７１Ｇは、上述したように、制御信号線ＳＬと同一膜から形成されており、画像信号線３００よりも層間絶縁膜４１を介して下層側に配置されている。よって、ゲート配線７１Ｇ及び画像信号線３００間の距離を層間絶縁膜４１の膜厚によって大きくすることができ、ゲート配線７１Ｇ及び画像信号線３００間の寄生容量を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。従って、ゲート配線７１Ｇ及び画像信号線３００間の寄生容量に起因して、画像表示領域１０ａにおける表示上にデータ線６ａに沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、例えば系列スジ等の表示上の不具合を低減でき、高品位な表示を行うことができる。
【００７３】
ここで、本実施形態に係る引出配線の構成及び効果について、図１１に示す比較例を参照して説明を加える。
【００７４】
図１１は、比較例における、図５と同趣旨の平面図である。
【００７５】
図１１に示す比較例は、引出配線Ｈ１〜Ｈ８が、画像信号線３００と同一膜からなる配線（単一層の配線）として形成されている点、及び引出配線Ｈ１〜Ｈ８が、互いに異なる配線長を有している点で、上述した第１実施形態と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態と概ね同様に構成されている。
【００７６】
図１１に示す比較例では、引出配線Ｈ１〜Ｈ８が、互いに異なる配線長を有している（例えば、引出配線Ｈ１の配線長Ｌ１は、引出配線Ｈ８の配線長Ｌ８よりも長い）ので、引出配線Ｈ１〜Ｈ８の配線抵抗及び寄生容量は互いに異なる。よって、画像表示領域１０ａにおける表示画像上に、データ線６ａに沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうおそれがある。
【００７７】
しかるに本実施形態によれば、上述したように、引出配線Ｈ１〜Ｈ８は、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有しており、引出配線Ｈ１〜Ｈ８の配線抵抗及び寄生容量が揃えられているので、データ線６ａに沿った縦線状の表示ムラが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【００７８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００７９】
先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図１２を参照して説明する。ここに図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００８０】
図１２に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００８４】
尚、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８５】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００８６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の複数の引出配線の構成を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図８】図５のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図９】図５のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図１０】図５のＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図１１】比較例における、図５と同趣旨の平面図である。
【図１２】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８８】
６ａ…データ線、７…デマルチプレクサ、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、３０…画素スイッチング用ＴＦＴ、７１…トランジスタ、７１Ｇ…ゲート配線、８１、８２、８３、８４…コンタクトホール、３００…画像信号線、Ｈ１〜Ｈ８…引出配線、Ｈａ１〜Ｈａ８…第１引出配線層、Ｈｂ１〜Ｈｂ８…第２引出配線層、ＳＬ１〜ＳＬ８…制御信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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