(57)【要約】      （修正有）【課題】高品質化かつ薄型化を図ることができ、電磁波の遮断する効果のある高周波ＩＣなどの電子回路モジュールを提供する。【解決手段】基板１に電子回路部品（高周波ＩＣ）２を実装し、基板に、電子部品の周囲を囲う金属製のフレーム３をグランド接続して実装し、電子回路部品の周囲を樹脂４で封止し、樹脂の表面に、フレームと接触して、フレームと共に電子回路部品の周囲を囲う金属製の表面コート５を形成する。これにより、電子回路モジュールを製造する。【選択図】図１
2010205869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子回路部品を実装し、
前記基板に、前記電子部品の周囲を囲う金属製のフレームをグランド接続して実装し、
前記電子回路部品の周囲を樹脂で封止し、
前記樹脂の表面に、前記フレームと接触して、当該フレームと共に前記電子回路部品の周囲を囲う金属製の表面コートを形成する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から研磨し、
前記樹脂の研磨面に、前記表面コートを形成する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から研磨して当該樹脂の表面に前記フレームが露出した状態とし、
前記樹脂の研磨面に、前記表面コートを形成する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から前記フレームと共に研磨し、
前記樹脂の研磨面に、前記表面コートを形成する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記樹脂の表面に前記表面コートを形成するときに、当該表面コートを薄膜にて形成する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記電子回路部品を前記樹脂で封止するときに、前記基板上の全面を前記樹脂で封止する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法であって、
前記電子回路部品を樹脂で封止するときに、前記電子回路部品が前記フレームで囲まれた領域のみを前記樹脂で封止する、
電子回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板に実装された電子回路部品と、
前記基板にグランド接続されて実装された、前記電子回路部品の周囲を囲う金属製のフレームと、
前記電子回路部品の周囲を封止する樹脂と、
前記フレームと接触して、当該フレームと共に前記電子回路部品の周囲を囲うよう、前記樹脂の表面に形成された金属製の表面コートと、
を備えた電子回路モジュール。
【請求項９】
請求項８記載の電子回路モジュールであって、
前記表面コートは、研磨された前記樹脂の研磨面に形成されている、
電子回路モジュール。
【請求項１０】
請求項８記載の電子回路モジュールであって、
前記表面コートは、研磨された前記樹脂及び当該樹脂と共に研磨された前記フレームの研磨面に形成されている、
電子回路モジュール。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電子回路モジュールであって、
前記表面コートは、薄膜形成されている、
電子回路モジュール。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の電子回路モジュールを搭載した電子回路搭載装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路モジュールの製造方法にかかり、特に、実装された電子回路部品に対する電磁波を遮蔽するシールドを備えた電子回路モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子部品は、小型化、軽量化、の要求が高まっており、特に、薄型化つまり厚みを抑制することが強く要求されている。また、電子部品の高周波ノイズ対策のために、実装されている電子回路部品例えば高周波ＩＣをシールド（電磁波の遮蔽）することも必要とされている。
【０００３】
ここで、例えば、特許文献１では、高周波ＩＣを、アルミニウムの蒸着膜が形成されたケースで覆う、という構成が開示されている。また、特許文献２では、高周波ＩＣを覆う樹脂の周囲を、さらに、直接蒸着やメッキなどの方法でシールド材を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１１６８９９号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示されているように電子部品を電磁波の遮蔽を行うケースで覆う構成において、上述したように電子部品モジュール自体を薄型化する場合には、上記ケースの厚さを薄く形成しなければならない。ところが、ケースを薄く形成することは困難であり、部品コストが増加する、という問題が生じる。また、基板に搭載された他の部品とケースとのクリアランを設ける必要があるため、さらなる薄型化が困難である。
【０００６】
また、特許文献２に開示のメッキや蒸着などの方法では、凹凸形状に形成された樹脂の周囲を完全にシールドで覆うことは困難であり、電子回路モジュール自体の品質が低下しうる。さらに、上述したように、シールドを凹凸形状の樹脂の周囲に形成しているため、当該シールドをグランドに接続する場合に、確実なグランド接続を確保できない場合があり、グランドが不安定になり、電磁波の遮断する効果が満足に発揮できない、という問題が生じる。
【０００７】
以上のように、上記特許文献に開示された技術では、電子回路モジュールの品質の向上を図りつつ、薄型化を図ることが困難であった。
【０００８】
このため、本発明の目的は、上述した課題である、高品質化かつ薄型化を図ることができる電子回路モジュールを提供する、ことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる目的を達成するため本発明の一形態である電子回路モジュールの製造方法は、
基板に電子回路部品を実装し、
上記基板に、上記電子部品の周囲を囲う金属製のフレームをグランド接続して実装し、
上記電子回路部品の周囲を樹脂で封止し、
上記樹脂の表面に、上記フレームと接触して、当該フレームと共に上記電子回路部品の周囲を囲う金属製の表面コートを形成する、
という構成を採る。
【００１０】
また、本発明の他の形態である電子回路モジュールは、
基板と、
上記基板に実装された電子回路部品と、
上記基板にグランド接続されて実装された、上記電子回路部品の周囲を囲う金属製のフレームと、
上記電子回路部品の周囲を封止する樹脂と、
上記フレームと接触して、当該フレームと共に上記電子回路部品の周囲を囲うよう、上記樹脂の表面に形成された金属製の表面コートと、
を備える、という構成を採る。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、以上のように構成されることにより、高品質化、かつ、さらなる薄型化を図ることができる電子回路モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１における電子回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図４】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図５】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図６】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図７】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の変形例における一工程の様子を示す図である。
【図８】実施形態２における電子回路モジュールの製造方法の変形例における一工程の様子を示す図である。
【図９】実施形態３における電子回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】実施形態３における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図１１】実施形態３における電子回路モジュールの製造方法の一工程の様子を示す図である。
【図１２】実施形態３における電子回路モジュールの製造方法の変形例における一工程の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜実施形態１＞
本発明の第１の実施形態を、図１を参照して説明する。図１は、電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、電子部品モジュールの製造方法の概略を説明する。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態における電子部品モジュールの製造方法は、まず、基板に電子回路部品を実装する（ステップＳ１）。続いて、上記基板に、上記電子部品の周囲を囲う金属製のフレームをグランド接続して実装する（ステップＳ２）。続いて、上記電子回路部品の周囲を樹脂で封止する（ステップＳ３）。その後、上記樹脂の表面に、上記フレームと接触して、当該フレームと共に上記電子回路部品の周囲を囲う金属製の表面コートを形成する（ステップＳ４）。
【００１５】
上記方法により構成された電子部品モジュールは、特に、基板上に樹脂を形成する前に、フレームを基板にグランド接続させて実装しているため、フレーム及び当該フレームに接触された表面コートを、より確実にグランド接続することができる。そして、このグランド接続されたフレーム及び表面コートにて電子回路部品が囲まれているため、当該電子部品に対して外部の電磁波をより確実に遮蔽することができる。さらに、表面実装技術（ＳＭＴ：Surface Mount Technology）を利用しており、特に、電子回路部品の上方に樹脂及び表面コートを積層して形成した構成であるため、低コストにて電子回路モジュールの厚さを制御することが容易となる。その結果、電子回路モジュールの品質を高く維持しつつ、低コストにて薄型化、小型化を図ることができる。
【００１６】
また、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から研磨し、
上記樹脂の研磨面に、上記表面コートを形成する、
という構成を採ってもよい。
【００１７】
また、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から研磨して当該樹脂の表面に上記フレームが露出した状態とし、
上記樹脂の研磨面に、上記表面コートを形成する、
という構成を採ってもよい。
【００１８】
また、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記電子回路部品を樹脂で封止した後に、当該樹脂を表面側から上記フレームと共に研磨し、
上記樹脂の研磨面に、上記表面コートを形成する、
という構成を採ってもよい。
【００１９】
また、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記樹脂の表面に上記表面コートを形成するときに、当該表面コートを薄膜にて形成する、
という構成を採ってもよい。
【００２０】
このように、樹脂やフレームを研磨したり、表面コートを薄膜にて形成することで、電子回路モジュールの厚さをさらに抑制して、薄型化を図ることができる。
【００２１】
なお、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記電子回路部品を上記樹脂で封止するときに、上記基板上の全面を上記樹脂で封止する、
という構成を採ってもよい。
【００２２】
また、上記電子回路モジュールの製造方法では、
上記電子回路部品を樹脂で封止するときに、上記電子回路部品が上記フレームで囲まれた領域のみを上記樹脂で封止する、
という構成を採ってもよい。
【００２３】
そして、上述した電子回路モジュールの製造方法にて製造される電子回路モジュールは、
基板と、
上記基板に実装された電子回路部品と、
上記基板にグランド接続されて実装された、上記電子回路部品の周囲を囲う金属製のフレームと、
上記電子回路部品の周囲を封止する樹脂と、
上記フレームと接触して、当該フレームと共に上記電子回路部品の周囲を囲うよう、上記樹脂の表面に形成された金属製の表面コートと、
を備えて構成される。
【００２４】
また、上記電子回路モジュールでは、上記表面コートは、研磨された上記樹脂の研磨面に形成されている、という構成を採る。また、上記電子回路モジュールでは、上記表面コートは、研磨された上記樹脂及び当該樹脂と共に研磨された上記フレームの研磨面に形成されている、という構成を採る。さらに、また、上記電子回路モジュールでは、上記表面コートは、薄膜形成されている、という構成を採る。
【００２５】
そして、上述した電子回路モジュールは、電子機器など電子回路を搭載したあらゆる電子回路搭載装置に適用可能である。例えば、携帯電話機やハードディスク駆動装置、各種計測装置などに搭載可能である。これにより、各電子回路搭載装置の高品質化及び小型化を図ることができる。
【００２６】
＜実施形態２＞
次に、本発明の第２の実施形態を、図２乃至図８を参照して説明する。図２は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。図３乃至図６は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法における各工程の様子を示す図である。図７乃至図８は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法の変形例における各工程の様子を示す図である。
【００２７】
ここで、本実施形態は、上述した実施形態１にて開示した電子回路モジュールの製造方法の具体的な一例を示すものである。なお、以下では、電子回路モジュールに実装される電子回路部品として、高周波ＩＣを一例に挙げて説明するが、本発明の電子回路モジュールは、いかなる電子回路部品を搭載したものであってもよい。以下、本実施形態における電子回路モジュール及びその製造方法について詳述する。
【００２８】
まず、図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように、基板１上に、高周波ＩＣ２（電子回路部品）を実装する（ステップＳ１１）。このとき、本実施形態では、高周波ＩＣ２をワイヤーボンディング２１にて基板１に実装している。但し、高周波ＩＣ２を実装する方法は、ワイヤーボンディング２１に限定されず、ダイボンディングなど、いかなる方法でもよい。なお、図３（Ａ），（Ｂ）は、製造段階の一工程において基板１を上方から見た図（上面図）であり、図４（Ａ），（Ｂ）、さらには、後述する図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６は、製造段階の一工程にある基板１を側方から見た図（正面図）であり、後述するメタルフレーム３を部分的に断面した図を示している。
【００２９】
続いて、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、上述したように基板１に実装された高周波ＩＣ２の周囲を囲う金属製であるメタルフレーム３（フレーム）を、基板１上に実装する（ステップＳ１２）。具体的に、メタルフレーム３は、例えば、断面が略正方形状の両端が開口した筒状体である。そして、メタルフレーム３は、図３（Ｂ）に示すように、内部に高周波ＩＣ２が位置するよう、開口した一端側が基板１上に載置される。これにより、高周波ＩＣ２は、四方がメタルフレーム３の側壁にて隙間なく囲まれた状態となり、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、高周波ＩＣ２の上方つまり基板１とは反対側は、開口された状態となる。
【００３０】
ここで、上記基板１には、グランド接続されたグランドパターンが形成されており、このグランドパターンに、メタルフレーム３の接続部分が半田３１にて接合される。これにより、メタルフレーム３は、グランドパターンとグランド接続され、確実にグランドが確保された状態となる。なお、半田３１にてメタルフレーム３のグランドパターンに接続する方法は一例であって、他の方法にて接続してもよい。
【００３１】
続いて、図５（Ａ）に示すように、基板１の高周波ＩＣ２が実装されている面に対して、全面的に樹脂４を充填する（ステップＳ１３）。特に、本実施形態では、高周波ＩＣ２とメタルフレーム３とが、完全に埋まるまで樹脂４を充填する。これにより、高周波ＩＣ２が樹脂４で完全に封止される。
【００３２】
続いて、上述したように充填した樹脂４の表面側、つまり、基板１の高周波ＩＣ２の搭載面側（図５（Ａ）の上方側）から、樹脂４及びメタルフレーム３を研磨する（ステップＳ１４）。具体的には、はじめは樹脂４のみを研磨し、徐々に樹脂４の厚さが薄くなる。すると、樹脂４の表面がメタルフレーム３の上端部分に達して、当該樹脂４の表面にメタルフレーム３が露出する。そして、さらに、メタルフレーム３と共に樹脂４を同時に研磨して、さらに樹脂４の厚さを薄くし、かつ、メタルフレーム３の高さを低くし、基板１を含む電子回路モジュール全体の厚さを予め設定された厚さに形成する。最終的に、樹脂４の厚さは、図５（Ｂ）に示すように、少なくとも高周波ＩＣ２が埋まる厚さまで薄くなる。そして、このとき、研磨面（図５（Ｂ）の上面）には、メタルフレーム３が露出した状態となる。
【００３３】
続いて、図６に示すように、樹脂４の表面、つまり、研磨面に、蒸着、メッキ、スパッタ等の方法を用いて、金属の薄膜であるメタル薄膜５（表面コート）を形成する（ステップＳ１５）。このとき、上述したように、メタル薄膜５を形成する研磨面には、メタルフレーム３が露出しているため、メタル薄膜５とメタルフレーム３が電気的に接続された状態となる。そして、メタルフレーム３は、上述したように基板１にグランド接続されているため、メタル薄膜５はメタルフレーム３を介して基板１のグランドパターンにグランド接続された状態となる。
【００３４】
以上により、高周波ＩＣ２は、側方がメタルフレーム３で囲まれ、また、上方がメタル薄膜５で囲まれる。つまり、高周波ＩＣ２は、その周囲がグランド接続された金属（メタルフレーム３及びメタル金属５）にて、確実に囲まれた状態となる。その結果、周囲を囲うメタルフレーム３とメタル金属５が、高周波ＩＣ２に対して外部の電磁波を遮蔽するシールドなり、当該高周波ＩＣ２を搭載した電子回路モジュールの高品質化を図ることができる。
【００３５】
そして、上記構成は、表面実装技術（ＳＭＴ：Surface Mount Technology）を利用して製造しており、特に、高周波ＩＣ２の上方に樹脂４及びメタル薄膜５を積層して形成している。従って、簡易な製造方法にて、低コストに、かつ、電子回路モジュールの厚さを適切に制御することができる。その結果、低コストにて、高品質であり、薄型化、小型化された電子回路モジュールを製造することができる。
【００３６】
ここで、上記では、基板１の全面に樹脂４を充填した後に、当該樹脂４を表面側（上方側）から所定の厚さまで研磨し、さらに、メタルフレーム３も同時に研磨する場合を説明したが（図２のステップＳ１４）、必ずしも上述した方法で製造することに限定されない。以下、電子回路モジュールの製造方法の変形例を、図７乃至図８を参照して説明する。
【００３７】
図７に示す例では、まず、図７（Ａ）に示すように、図５（Ａ）の場合と比較して予め低い高さに形成されたメタルフレーム３を基板１上に実装する。続いて、上述同様に、基板１上に、高周波ＩＣ２及びメタルフレーム３が埋まるまでの高さまで樹脂４を充填する。その後、メタルフレーム３の上端部分が露出するまで、樹脂４の表面側から当該樹脂４を研磨する。すると、図７（Ｂ）に示すように、上述した図５（Ｂ）と同様に、樹脂４の研磨面にメタルフレーム３が露出した形状となり、この研磨面（表面）にメタル薄膜５を形成することで、上述同様の電子回路モジュールを製造することができる。
【００３８】
また、図８に示す例では、まず、図８（Ａ）に示すように、上記図７（Ａ）と同様に、予め低い高さに形成されたメタルフレーム３を、基板１上に実装する。続いて、高周波ＩＣ２が埋まるまでの高さまで樹脂４を充填する。このとき、充填する樹脂４の量は、図８（Ｂ）に示すように、当該樹脂４に高周波ＩＣ２は埋まるがメタルフレーム３が埋まることなく、当該メタルフレーム３の上端が樹脂４から露出した状態となる程度とする。すると、上述した図５（Ｂ）と同様の形状となり、この表面にメタル薄膜５を形成することで、上述同様の電子回路モジュールを製造することができる。
【００３９】
＜実施形態３＞
次に、本発明の第３の実施形態を、図９乃至図１２を参照して説明する。図９は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。図１０乃至図１１は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法における各工程の様子を示す図である。図１２は、本実施形態における電子回路モジュールの製造方法の変形例における各工程の様子を示す図である。
【００４０】
なお、本実施形態は、上述した実施形態２にて開示した電子回路モジュールの製造方法と、工程が一部同じである。従って、同じ工程については詳細な説明を省略し、異なる工程について詳述する。
【００４１】
まず、上述した、図３（Ａ），（Ｂ）及び図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板１上に高周波ＩＣ２を実装すると共に（ステップＳ２１）、当該高周波ＩＣ２の周囲を囲う金属製であるメタルフレーム３を、基板１上に実装する（ステップＳ２２）。このとき、メタルフレーム３を、基板１に装備されたグランドパターンに半田にてグランド接続して、当該基板１に実装する。
【００４２】
続いて、本実施形態では、図１０（Ａ）に示すように、基板１上に実装された上記メタルフレーム３にて囲まれた領域内にのみ、つまり、当該メタルフレーム３で囲まれた高周波ＩＣ２の周囲及び上方のみに、樹脂４を充填する（ステップＳ２３）。このとき、高周波ＩＣ２が完全に埋まるまで樹脂４を充填するが、当該樹脂４はメタルフレーム３の上端から溢れないようにする。これにより、高周波ＩＣ２が樹脂４で完全に封止される。なお、図１０（Ａ）の例では、メタルフレーム３の上端に達しない程度に樹脂４を充填しているが、当該メタルフレーム３の上端から樹脂４があふれてしまう程度に樹脂４を充填してもよい。
【００４３】
続いて、上述したように充填した樹脂４の表面側、つまり、基板１の高周波ＩＣ２の搭載面側（図１０（Ａ）の上方側）から、樹脂４及びメタルフレーム３を研磨する（ステップＳ２４）。具体的に、図１０（Ａ）の例では、まず、メタルフレーム３の上端側から当該メタルフレーム３のみを研磨し、徐々にメタルフレーム３の高さが低くなる。すると、樹脂４の表面とメタルフレーム３の上端部分の高さが等しくなり、メタルフレーム３と共に樹脂４を同時に研磨する状態となる。そして、さらに研磨を続けることで、メタルフレーム３の高さ及び樹脂４の厚さを薄くし、基板１を含む電子回路モジュール全体の厚さを予め設定された厚さに形成する。最終的に、樹脂４の厚さは、図１０（Ｂ）に示すように、少なくとも高周波ＩＣ２が埋まる厚さまで薄くなる。このとき、当然であるが、研磨面（図１０（Ｂ）の上面）には、メタルフレーム３が露出した状態となる。
【００４４】
続いて、図１１に示すように、樹脂４の表面、つまり、研磨面に、蒸着、メッキ、スパッタ等の方法を用いて、金属の薄膜であるメタル薄膜５を形成する（ステップＳ２５）。このとき、上述したように、メタル薄膜５を形成する研磨面には、メタルフレーム３が露出しているため、メタル薄膜５とメタルフレーム３とが電気的に接続された状態となる。そして、メタルフレーム３は、上述したように基板１にグランド接続されているため、メタル薄膜５はメタルフレーム３を介して基板１のグランドパターンにグランド接続された状態となる。
【００４５】
以上により、本実施形態における製造方法であっても、高周波ＩＣ２は、その周囲がグランド接続された金属（メタルフレーム３及びメタル金属５）にて、確実に囲まれた状態となる。その結果、周囲を囲うメタルフレーム３とメタル金属５とが、高周波ＩＣ２に対して外部の電磁波を遮蔽するシールドなり、当該高周波ＩＣ２を搭載した電子回路モジュールの高品質化を図ることができる。
【００４６】
そして、上記構成を、表面実装技術（ＳＭＴ：Surface Mount Technology）を利用して製造しており、特に、高周波ＩＣ２の上方に樹脂４及びメタル薄膜５を積層するよう形成している。従って、簡易な製造方法にて、低コストに、かつ、電子回路モジュールの厚さを適切に制御することができる。その結果、低コストにて、高品質であり、薄型化、小型化された電子回路モジュールを製造することができる。
【００４７】
ここで、上記では、メタルフレーム３内に樹脂４を充填した後に、当該メタルフレーム３及び樹脂４を同時に所定の厚さまで研磨する場合を説明したが（図９のステップＳ２４）、必ずしも上述した方法で製造することに限定されない。以下、電子回路モジュールの製造方法の変形例を、図１２を参照して説明する。
【００４８】
図１２に示す例では、まず、図１２（Ａ）に示すような、予め低い高さに形成されたメタルフレーム３を、基板１上に実装する。続いて、上述同様に、高周波ＩＣ２が埋まるまでの高さまで樹脂４を充填する。このとき、樹脂４の高さがメタルフレーム３の上端部分と同じ位置になるよう、樹脂４をメタルフレーム３内に充填することで、図１２（Ｂ）に示す状態となる。すると、メタルフレーム３の上端は樹脂４に埋まることなく露出した状態であるため、その後は、研磨を行うことなく、この表面にメタル薄膜５を形成することで、上述した図１１に示す形状と同様の電子回路モジュールを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、電子機器などの各種装置に装備される、高周波ＩＣなどの電子回路部品を実装した電子回路モジュールを製造する際に利用することができ、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【００５０】
１  基板
２  高周波ＩＣ
３  メタルフレーム
４  樹脂
５  メタル薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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