(57)【要約】【課題】インナーリードによるフォーミング量の工程バラツキが少なく、静止時出力電圧の温度ドリフトが少ない物理量検出装置を提供する。【解決手段】水晶振動片１２をインナーリード３６によりリッド５０側へ押し上げ、水晶振動片１２をパッケージ４０のキャビティ６８内に弾性支持する構造を有するジャイロセンサーであって、水晶振動片１２におけるリッド５０に対抗する面にスペーサー２８を設け、スペーサー２８は、パッケージ４０をリッド５０により封止した状態においてリッド５０に接触し、インナーリード３６による水晶振動片１２の押し上げ量を規制することを特徴とする。このような特徴を有するジャイロセンサー１０では、スペーサー２８は、インナーリード３６による水晶振動片１２の中心に設けることが望ましい。【選択図】図１
2010169406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量検出素子をインナーリードによりリッド側へ押し上げ、前記物理量検出素子をパ
ッケージのキャビティ内に弾性支持する構造を有する物理量検出装置であって、
前記物理量検出素子における前記リッドに対向する面にスペーサーを設け、
前記スペーサーは、前記パッケージを前記リッドにより封止した状態において前記リッ
ドに接触し、前記インナーリードによる前記物理量検出素子の押し上げ量を規制すること
を特徴とする物理量検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の物理量検出装置であって、
前記スペーサーは、前記インナーリードによる前記物理量検出素子支持点間の中心に設
けたことを特徴とする物理量検出装置。
【請求項３】
請求項１に記載の物理量検出装置であって、
前記スペーサーは少なくとも３つ設け、前記リッドに対して少なくとも３点で接触する
ことを特徴とする物理量検出装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の物理量検出装置であって、
前記物理量検出素子は、基部と、当該基部から延設された一対の支持アームと一対の検
出アーム、および前記支持アームのそれぞれから延設された対を成す駆動アームとを有し
、
前記スペーサーは、前記支持アームと前記駆動アームとの交差部にも設けたことを特徴
とする物理量検出装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の物理量検出装置であって、
前記リッドにおける前記物理量検出素子と対向する側の面の前記スペーサーに対向する
位置に凸部を形成したことを特徴とする物理量検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量検出装置に係り、特に耐衝撃性及び搭載高さの精度を高めた物理量検
出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
角速度や加速度といった物理量を検出する物理量検出装置として、ジャイロセンサーや
加速度センサーが知られている。そして、このような物理量検出装置における物理量検出
素子として、基部と、この基部から延設された一対の検出アームと一対の支持アーム、お
よび各支持アームから延設された対を成す駆動アームを有する、いわゆるＷＴ型と呼ばれ
るものがある。このような物理量検出素子は、近年の小型化薄型化への要望を受け、基板
等へ固定される基部のサイズが小型化されたことにより、次のような問題を生ずるように
なった。すなわち、接着部の面積が小さくなることにより、接着剤の塗布量や接着面の面
積を均一に保つことが困難となるのである。このように物理量検出素子を接着する接着層
の形状や接着剤の量に不均一が生じたり、接着剤に液ダレや不要な回り込みが生じた場合
、接着層の全体的な物性が変動する。このような物性の変動が生ずると、素子の振動特性
が変化し、物理量の検出精度が低下するという問題があった。
【０００３】
このような振動特性の変化を抑制する手段として、特許文献１には、インナーリード（
ボンディングワイヤ）を利用して物理量検出素子を実装する構成が開示されている。具体
的には、インナーリードの先端側、すなわち物理量検出素子との接合部側を折り曲げ、物
理量検出素子がパッケージの底板等の基板から浮いた状態で実装されるようにしたのであ
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９４４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されているような実装形態によれば確かに、物理量検出素子が直接パ
ッケージの底面等に接触することが無くなり、接着剤の余分な回り込みを避けることがで
きる。また、電気的導通を図るための接合部は略点接触となるため、接合面の面積の誤差
を小さくすることができる。このため、上記のような理由による素子の振動特性の変化を
抑制することができると共に、インナーリードがバネの役割を担うことより、物理量検出
装置としての耐衝撃性等も向上することとなる。
【０００６】
しかし、上記のようなインナーリードを用いた実装方法では、素子を支持する高さ（フ
ォーミング量）によってインナーリードの持つ共振周波数が変化する。インナーリードの
共振周波数の変化は、静止時出力電圧の温度ドリフトの要因となるため、検出精度の向上
に関する課題となる。
【０００７】
そこで本発明では上記課題を解決し、インナーリードによるフォーミング量の工程バラ
ツキが少なく、いわゆるヌル電圧（静止時出力電圧）の温度ドリフトが少ない物理量検出
装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］物理量検出素子をインナーリードによりリッド側へ押し上げ、前記物理量
検出素子をパッケージのキャビティ内に弾性支持する構造を有する物理量検出装置であっ
て、前記物理量検出素子における前記リッドに対向する面にスペーサーを設け、前記スペ
ーサーは、前記パッケージを前記リッドにより封止した状態において前記リッドに接触し
、前記インナーリードによる前記物理量検出素子の押し上げ量を規制することを特徴とす
る物理量検出装置。
【０００９】
このような特徴を有する物理量検出装置によれば、物理量検出素子のフォーミング量の
工程バラツキの少ない物理量検出装置を構成することができる。このため、静止時出力電
圧の温度ドリフトが少なく、検出精度、信頼性の高い物理量検出装置とすることができる
。
【００１０】
［適用例２］適用例１に記載の物理量検出装置であって、前記スペーサーは、前記イン
ナーリードによる前記物理量検出素子支持点間の中心に設けたことを特徴とする物理量検
出装置。
【００１１】
このような特徴を有する物理量検出装置によれば、物理量検出素子支持点間の中心に設
けたスペーサーがリッドに接触することとなるため、スペーサーを１つとした場合であっ
ても、安定してフォーミング量の調整を行うことができる。また、スペーサーを１つとし
て物理量検出素子支持点間の中心のみに設ける構成とすることで、角速度や加速度等の物
理量を加えた際に物理量検出素子に生ずる変形に影響を与えない。このため、物理量の検
出感度が低下する虞が無い。
【００１２】
［適用例３］適用例１に記載の物理量検出装置であって、前記スペーサーは少なくとも
３つ設け、前記リッドに対して少なくとも３点で接触することを特徴とする物理量検出装
置。
【００１３】
このような特徴を有する物理量検出装置によれば、スペーサーとリッドとの接点を線で
結ぶことで面を構成することができる。このため、物理量検出素子のフォーミング量の調
整と共に、実装状態の傾きを修正することができる。
【００１４】
［適用例４］適用例２または適用例３に記載の物理量検出装置であって、前記物理量検
出素子は、基部と、当該基部から延設された一対の支持アームと一対の検出アーム、およ
び前記支持アームのそれぞれから延設された対を成す駆動アームとを有し、前記スペーサ
ーは、前記支持アームと前記駆動アームとの交差部にも設けたことを特徴とする物理量検
出装置。
【００１５】
このような特徴を有することにより、物理量検出素子の厚み方向に衝撃が加えられた際
の支持アームの変形を抑制することができる。このため、変形によるリッドと駆動アーム
の接触を防止することが可能となる。
【００１６】
［適用例５］適用例１乃至適用例４のいずれかに記載の物理量検出装置であって、前記
リッドにおける前記物理量検出素子と対向する側の面の前記スペーサーに対向する位置に
凸部を形成したことを特徴とする物理量検出装置。
このような構成とすることにより、物理量検出素子のフォーミング量の調整量の自由度
が増すこととなる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係るジャイロセンサーの構成を示す図である。
【図２】実施形態に係る水晶振動片の形態を示す平面図である。
【図３】実施形態に係る水晶振動片に、バンプおよびスペーサーを形成する工程を示した図である。
【図４】実施形態に係る支持基板の構成を示す平面図である。
【図５】第２の実施形態に係るジャイロセンサーの構成を示す図である。
【図６】第３の実施形態に係るジャイロセンサーの構成を示す図である。
【図７】第４の実施形態に係るジャイロセンサーの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下本発明の物理量検出装置に係る実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。なお、以下の実施形態では、物理量検出装置としてジャイロセンサーを例に挙げて
説明する。
まず、第１の実施形態に係るジャイロセンサーついて、図１を参照して詳細に説明する
。
【００１９】
本実施形態に係るジャイロセンサー１０は、物理量検出素子としての水晶振動片１２と
支持基板３０、ＩＣ３８、パッケージ４０、およびリッド５０を基本として構成される。
なお、図１はジャイロセンサーの側断面を示す図である。水晶振動片１２は、角速度を検
出する役割を担う。本実施形態では、物理量検出素子として水晶振動片１２を例に挙げた
が、振動片の材質としては、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等、圧電効果を奏す
る部材であれば特に限定するものでは無い。水晶振動片１２の具体的構成は、図２を参照
して以下に説明する。
【００２０】
本実施形態の水晶振動片１２は、基部１４と、基部１４から延設された一対の検出アー
ム１６ａ，１６ｂ、検出アーム１６ａ，１６ｂに直交する方向へ向けて基部１４から延設
された一対の支持アーム２０、各支持アーム２０の先端から検出アーム１６ａ，１６ｂに
平行に延設された２対の駆動アーム２２ａ〜２２ｄとを有する。図２に示す水晶振動片１
２では、各検出アーム１６ａ，１６ｂ、各駆動アーム２２ａ〜２２ｄの先端には、重み付
けの役割を担う重量部１８ａ，１８ｂ，２４ａ〜２４ｄが設けられている。また、検出ア
ーム１６ａ，１６ｂ、駆動アーム２２ａ〜２２ｄにはそれぞれ、励振電極としての検出電
極（不図示）と駆動電極（不図示）が形成され、基部１４に形成された入出力電極２６に
接続されている。なお、検出アーム１６ａ，１６ｂ、駆動アーム２２ａ〜２２ｄの断面形
状に関しては、アームに溝（不図示）を設けることにより、いわゆるＨ型断面を採用する
ことで、溝の深さ方向と直交する方向の屈曲性を向上させ、検出感度を上げるようにして
も良い。
【００２１】
ここで、本実施形態に係る水晶振動片１２は、詳細を後述するリッド５０と対向する側
の面（他方の面）における基部１４に、スペーサー２８が形成されている。スペーサー２
８は、金バンプやハンダ、或いは樹脂などで構成することができる凸部である。基部１４
の他方の面にスペーサー２８を設けることにより、リッド５０によりパッケージ４０の開
口部を封止した際、リッド５０にスペーサー２８が接触することとなり、水晶振動片１２
のフォーミング量の調整が成される。なお、本実施形態におけるスペーサー２８は、水晶
振動片１２における基部の中心、換言すると、詳細を後述するインナーリード３６による
支持部である複数の入出力電極２６間の中心に１つ設けるようにしている。スペーサー２
８の数を１つとし、配設位置を水晶振動片１２の中心としたことで、水晶振動片１２に対
して角速度が印加された際の水晶振動片１２の変形に影響を与えることが無い。よって、
ジャイロセンサー１０としての感度を低下させる虞が無い。
【００２２】
水晶振動片１２は、上記のようなスペーサー２８を金バンプにより構成することで、詳
細を後述するインナーリード３６（３６ａ〜３６ｆ：図４参照）との接合面（一方の面）
と、リッド５０との対向面（他方の面）の双方に凸部を有することとなる。ここで、水晶
振動片１２に対するバンプの形成は、図３に示すような工程で行うことができる。
【００２３】
まず、一方の面におけるバンプ６４の形成である。水晶振動片１２の一方の面と他方の
面の双方には、金バンプを接合するための下地として、クロムメッキ層１３と、クロムメ
ッキ層１３の上層に形成された金メッキ層１５が施されている。なお、一方の面における
クロムメッキ層１３、金メッキ層１５はそれぞれ、上述した入出力電極２６、励振電極等
を構成する電極膜であり、他方の面におけるクロムメッキ層１３、金メッキ層１５はそれ
ぞれ、入出力電極２６や励振電極とは電気的に切断された金属膜として形成される。
【００２４】
上記のように構成された水晶振動片１２をボンディングステージ７０上に配置する。そ
して一方の面の入出力電極２６上にバンプ６４を形成する。バンプ６４の形成は、超音波
接合によれば良い（図３（Ａ）参照）。
【００２５】
超音波接合によりバンプ６４を形成した後、定盤７２とボンディングステージ７０とに
より水晶振動片１２を挟み込み、バンプ６４を押圧する。定盤７２により押圧されたバン
プ６４は、その高さが均一となり、インナーリード３６に接合した際の傾きを抑制するこ
とができる（図３（Ｂ）参照）。
【００２６】
次に、他方の面におけるバンプ（スペーサー２８）の形成である。一方の面にバンプ６
４を形成した水晶振動片１２をボンディングステージ７０ａ上に配置する。ここで、ボン
ディングステージ７０ａには、実装用のバンプ６４を収容する凹部７１を形成し、一方の
面に形成したバンプ６４が潰れてしまうこと、および加圧時のバランスが崩れることを防
ぐようにする。スペーサー２８の形成は、一方の面におけるバンプ６４の形成と同様に、
超音波接合により行う（図３（Ｃ）参照）。そして形成されたスペーサー２８は、ボンデ
ィングステージ７０ａと定盤７２により挟み込み、高さの調整が行われる。
【００２７】
このようにして形成されるバンプ６４やスペーサー２８は、水晶振動片１２からの高さ
（厚み）を略一定に定めることができるため、水晶振動片１２のフォーミング量調整のた
めの基準とすることに適することとなる。
【００２８】
支持基板３０は、詳細を後述するパッケージ４０の底面４２、あるいは段部４４，４６
から水晶振動片１２を浮かせた状態で支持する役割を担う。その構成としては図４に示す
ように、可撓性を有する導電性のワイヤ（インナーリード）３６（３６ａ〜３６ｆ）と、
当該インナーリード３６を被覆する絶縁性の樹脂フィルム３２とより成る。支持基板３０
の中心付近の樹脂フィルム３２には開口部３４が設けられ、インナーリード３６が剥き出
しにされている。開口部３４に位置するインナーリード３６は、水晶振動片１２を浮かせ
た状態で支持するために、支持基板３０の主面に対して水晶振動片１２を配置する側へオ
フセットさせるように屈曲している。ここで、オフセットさせたインナーリード３６の先
端（一端）が、水晶振動片１２の入出力電極２６に接続される接続端子となる。また、各
インナーリード３６の他端は、詳細を後述するパッケージ４０の段差部４６に配された内
部接続端子（不図示）と接続される接続端子となる。
【００２９】
ＩＣ３８は、上述した水晶振動片１２の駆動アーム２２ａ〜２２ｄを制御すると共に、
水晶振動片１２の検出アーム１６ａ，１６ｂによって得られた信号を検出する役割等を担
う集積回路である。なお、ＩＣ３８は、パッケージの底面４２に対して接着剤６０等を介
して搭載される。また、能動面に形成された接続パッド（不図示）とパッケージ４０の段
部４４に配された内部接続端子（不図示）は、金属ワイヤ４５を介して電気的に接続され
る。
【００３０】
パッケージ４０は、上述した水晶振動片１２と支持基板３０、及びＩＣ３８を収容する
箱体である。パッケージ４０の内側には、段部４４，４６、および底面４２から構成され
る階段状のキャビティ６８が形成されている。なお、構成部材としては絶縁性を有するセ
ラミックス等とすると良い。
【００３１】
パッケージ４０の底面４２、及び段部４４，４６には、上述した支持基板３０やＩＣ３
８を実装するための内部接続端子（不図示）が設けられている。また、パッケージ４０の
外部底面（裏面）には、外部接続端子（不図示）が設けられている。なお上述した内部接
続端子と外部接続端子とは、図示しないスルーホール等により、電気的に接続されている
。
【００３２】
パッケージ４０は一般的に、複数のセラミックグリーンシート等を積層し、これを焼結
することで構成される。その際、各セラミックグリーンシートの厚みに関してはロット間
誤差が殆ど無い。このため、パッケージ４０の開口部の上部に載置されるリッド５０から
、スペーサー２８の厚み分だけ水晶振動子１２を押し下げるようにすることで、水晶振動
片１２のフォーミング量を略均等に調整することが可能となる。
【００３３】
リッド５０は、上述したパッケージ４０の開口部を封止する蓋体である。一般的には構
成部材として、パッケージ４０と線膨張係数の近似する金属（合金：例えばコバール）や
ガラス（例えばソーダガラス）等が用いられる。パッケージ４０とリッド５０の接合に関
しては接続部材６６として、リッド５０を金属とした場合にはコバール等の低融点金属が
、リッド５０をガラスとした場合には低融点ガラスが、それぞれ用いられる。
【００３４】
上記のような構成要素を有するジャイロセンサー装置１０は、パッケージ４０の底面４
２に接着剤６０を塗布し、ＩＣ３８を搭載する。ＩＣ３８を搭載した後、金属ワイヤ４５
を介したワイヤボンディングを行い、パッケージ４０の内部実装端子との電気的な接続を
図る。
【００３５】
次に、水晶振動片１２に対してバンプ６４、およびスペーサー２８の形成を行う。バン
プ６４の形成を行った水晶振動片１２は、当該バンプ６４を介して支持基板３０のインナ
ーリード３６に接合する。水晶振動片１２を接合した後、パッケージ４０の段部４６に設
けた内部実装端子に導電性接着剤６２を塗布し、支持基板３０を実装する。このような構
成とすることで、水晶振動片１２はインナーリード３６により弾性的に支持されることと
なる。
【００３６】
なお、支持基板３０のインナーリード３６に対する水晶振動片１２の搭載方法は、バン
プ６４を介した超音波ボンディングの他、スポット溶接や導電性接着剤、ハンダ付け等で
あっても良い。また、支持基板のパッケージ４０の段部４６に対する実装も同様に、バン
プを介した接合等であっても良い。
【００３７】
支持基板３０を実装した後、パッケージ４０の開口部にリッド５０を接合する。リッド
５０の接合により、水晶振動片１２の他方の面に形成されたスペーサー２８がリッド５０
の主面に接触し、インナーリード３６によって弾性支持された水晶振動片１２を底面４２
側へ押し下げる。これにより、水晶振動片１２のフォーミング量が調整される。
【００３８】
リッド５０の接合は、シームリングを用いたシーム溶接や、低融点ガラスを用いた溶着
により行えば良い。なおリッド５０の接合は真空雰囲気中で行い、パッケージ４０の内部
空間を真空とする。水晶振動子１２の励振を妨げないようにするためである。
【００３９】
このような構成のジャイロセンサー１０によれば、水晶振動片１２のフォーミング量の
工程バラツキが無くなる。このため、インナーリード３６の持つ共振周波数にもバラツキ
が無くなり、インナーリード３６の接合状態の対称性も確保される。これにより、ジャイ
ロセンサー１０の静止時出力電圧の温度ドリフトが抑制され、角速度の検出精度、信頼性
を向上させることができる。
また、水晶振動片１２には、インナーリード３６による弾性作用が効くため、耐衝撃性
を確保した上で水晶振動片１２の搭載高さを高精度に定めることができる。
【００４０】
次に、第２の実施形態に係るジャイロセンサーについて、図５を参照して説明する。な
お、本実施形態のジャイロセンサー１０ａの基本的な構成は、上述した第１の実施形態に
係るジャイロセンサー１０と同様である。相違点は、水晶振動片における他方の面に設け
たスペーサーの数と配置位置にある。よって、その機能と同一とする箇所については、図
面に同一の符号を付してその詳細な説明は省略することとする。また、図５において、図
５（Ａ）はジャイロセンサーの側断面を示す図であり、図５（Ｂ）は水晶振動片の構成を
示す平面図である。
【００４１】
第１の実施形態におけるスペーサー２８は、水晶振動片１２の中心に１つ設ける構成と
していた。これに対して本実施形態に係るジャイロセンサー１０ａでは、水晶振動片１２
における基部１４に少なくとも３つ（本実施形態では４つ：スペーサー２８ａ〜２８ｄ）
設けたことを特徴としている。なお４つのスペーサー２８ａ〜２８ｄの配置は直線的では
無く、４つのスペーサー２８ａ〜２８ｄを結ぶ線が多角形を形成する位置関係とすると良
い。
【００４２】
このような構成とすることにより、スペーサー２８ａ〜２８ｄを結ぶ４点が面を構成す
ることとなり、水晶振動片１２の実装時の傾きを修正することが可能となる。なお、その
他の構成、作用、効果については、上述した第１の実施形態に係るジャイロセンサー１０
と同様である。
【００４３】
次に、第３の実施形態に係るジャイロセンサーについて、図６を参照して説明する。な
お、本実施形態のジャイロセンサー１０ｂも、その基本的な構成は、上述した第１、第２
の実施形態に係るジャイロセンサー１０、１０ａと同様である。相違点は、リッドにおけ
る一方の面に設けたスペーサーの形態にある。よって、その機能と同一とする箇所につい
ては、図面に同一の符号を付してその詳細な説明は省略することとする。また、図６にお
いて、図６（Ａ）はジャイロセンサーの側断面を示す図であり、図６（Ｂ）は水晶振動片
の構成を示す平面図である。
【００４４】
本実施形態に係るジャイロセンサー１０ｂのスペーサーは、水晶振動片１２側と、リッ
ド５０側に分割された形態を有する。具体的には、水晶振動片１２側に設けられたスペー
サー２８ｅと、リッド５０における水晶振動片１２に対向する側の面に設けられた凸状部
によって構成されるスペーサー５２とから構成されるのである。
【００４５】
スペーサー５２は、リッド５０における水晶振動片１２に対向する側の面であって、ス
ペーサー２８ｅに対応する位置に設けられる。このような構成とすることにより、スペー
サー２８ｅの高さはスペーサー５２の高さ分だけ低く抑えた場合でも、フォーミング量の
調整を行うことが可能となる。このため、設計段階においてリッド５０と水晶振動片１２
との間の隙間が大きいジャイロセンサーであっても、フォーミング量の調整が可能となる
。
【００４６】
なお、スペーサー５２はその先端に、スペーサー２８ｅの接触面よりも広い面積の平面
を有する。このような構成とすることにより、工程のバラツキにより水晶振動片１２の実
装位置がパッケージ４０の中心位置から外れた場合であっても、スペーサー２８ｅの先端
をスペーサー５２の先端に接触させることが可能となる。
【００４７】
スペーサーの形態を上記のようにする場合、リッド５０側に設けるスペーサー５２は、
水晶振動片１２におけるスペーサーと同様にバンプ等により構成することも可能であるが
、エッチング等によりリッドを削り込むことで構成しても良い。このような処理で形成す
る場合、バッチ処理が可能となるため、生産性が高く、製造コストを抑えることができる
からである。
なお、その他の構成、作用、効果については、上述した第２の実施形態に係るジャイロ
センサー１０ａと同様である。
【００４８】
次に、第４の実施形態に係るジャイロセンサーについて、図７を参照して説明する。本
実施形態に係るジャイロセンサー１０ｃは、水晶振動片の基部に１つ乃至複数のスペーサ
ーを有する（図７においてはスペーサーは１つ）。すなわち、基本構成を第１の実施形態
に係るジャイロセンサー１０乃至第３の実施形態に係るジャイロセンサー１０ｂのいずれ
かにしているのである。よって、その機能を同一とする箇所については、図面に同一の符
号を付してその詳細な説明は省略することとする。また、図７において、図７（Ａ）はジ
ャイロセンサーの側断面を示す図であり、図７（Ｂ）は水晶振動片の構成を示す平面図で
ある。
【００４９】
本実施形態に係るジャイロセンサー１０ｃでは、基部１４に設けたスペーサー２８の他
に、支持アーム２０と駆動アーム２２との交差部にもスペーサー２８ｆ，２８ｇを設ける
構成とした。
【００５０】
このような構成とすることにより、水晶振動片１２のフォーミング量の調整だけでなく
、水晶振動片１２に対して垂直方向（Ｚ軸方向）の衝撃が加えられた際、支持アーム２０
の変形を抑制することができる。このため、衝撃による変形で、駆動アーム２２がリッド
５０と接触することを防止することができる。なお、その他の構成、作用、効果について
は、上述した第１乃至第３の実施形態に係るジャイロセンサー１０，１０ａ，１０ｂと同
様である。
【符号の説明】
【００５１】
１０………ジャイロセンサー、１２………水晶振動片、１４………基部、１６（１６ａ
，１６ｂ）………検出アーム、１８（１８ａ，１８ｂ）………重量部、２０………支持ア
ーム、２２（２２ａ〜２２ｄ）………駆動アーム、２４（２４ａ〜２４ｄ）………重量部
、２８………スペーサー、３０………支持基板、３２………樹脂フィルム、３４………開
口部、３６（３６ａ〜３６ｆ）………インナーリード、３８………ＩＣ、４０………パッ
ケージ、４２………底面、４４，４６………段部、５０………リッド。
【図２】
2010169406.tif 000003
【図３】
2010169406.tif 000004
【図４】
2010169406.tif 000005
【図１】
2010169406.tif 000006
【図５】
2010169406.tif 000007
【図６】
2010169406.tif 000008
【図７】
2010169406.tif 000009