(57)【要約】【課題】記録ヘッドにおいて、半導体基板内における表面近傍に、単純な製造工程で製造可能な構造を有したフィルタ部を設ける。【解決手段】記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記液体を前記吐出口へ供給する第１の液体供給流路と、前記液体を前記第１の液体供給流路へ供給する第２の液体供給流路と、前記第２の液体供給流路と前記第１の液体供給流路との間に配されたフィルタ部とを含む半導体基板とを備え、前記フィルタ部は、前記第１の液体供給流路により供給された前記液体から異物を除去して、異物が除去された液体を前記第１の液体供給流路へ通過させるように配された複数のスルーホールを有し、前記半導体基板における前記フィルタ部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。【選択図】図１
2010052302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、
前記液体を前記吐出口へ供給する第１の液体供給流路と、
前記液体を前記第１の液体供給流路へ供給する第２の液体供給流路と、前記第２の液体供給流路と前記第１の液体供給流路との間に配されたフィルタ部とを含む半導体基板と、
を備え、
前記フィルタ部は、
前記第１の液体供給流路により供給された前記液体から異物を除去して、異物が除去された液体を前記第１の液体供給流路へ通過させるように配された複数のスルーホールを有し、前記半導体基板における前記フィルタ部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている
ことを特徴とする記録ヘッド。
【請求項２】
前記フィルタ部は、前記半導体基板の表面に沿って格子状に延びている
ことを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項３】
前記フィルタ部の厚さは、５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の記録ヘッド。
【請求項４】
前記複数のスルーホールのそれぞれの平均開口面積をＯＡ１、前記吐出口の開口面積をＯＡ２、前記複数のスルーホールの総開口面積をＳＯＡとするとき、
ＯＡ１≦ＯＡ２
かつ
ＯＡ２＜ＳＯＡ
が成り立つ
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録ヘッド。
【請求項５】
前記第２の液体供給流路は、上部の断面積が下部の断面積より小さい
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録ヘッド。
【請求項６】
前記半導体基板は、シリコンを主成分とする半導体で形成されており、
前記第２の液体供給流路の側面は、シリコンの＜１００＞面または＜１１０＞面である
ことを特徴とする請求項５に記載の記録ヘッド。
【請求項７】
前記半導体基板は、
前記吐出口に供給された前記液体に熱エネルギーを作用させるように、前記吐出口の下方に配された電気熱変換素子をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の記録ヘッド。
【請求項８】
前記吐出口と前記電気熱変換素子との間に金属膜をさらに備えた
ことを特徴とする請求項７に記載の記録ヘッド。
【請求項９】
液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドの製造方法であって、
半導体基板の表面側における前記吐出口の下方となるべき第１の領域に、メッシュ状のパターンで不純物を注入する第１の工程と、
前記半導体基板の裏面の一部から前記第１の領域へ連続する第２の領域を、不純物の濃度に応じたエッチング選択比を有するエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、第２の液体供給流路を形成するとともに、前記第１の領域における前記不純物が注入されていない領域を前記エッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、前記メッシュ状のパターンを有するフィルタ部を形成する第２の工程と、
前記フィルタ部を通過した前記液体を前記吐出口へ供給する第１の液体供給流路を前記半導体基板の上方に形成する第３の工程と、
を備えたことを特徴とする記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程では、前記半導体基板の表面から深さが５μｍ以下まで前記不純物を注入する
ことを特徴とする請求項９に記載の記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のインクジェット用の記録ヘッドは、インクを吐出させる吐出口を小さくすることにより、微細なインク滴を形成して吐出させることができる。この場合、インク供給量を確保するために液流路の断面積を吐出口の断面積より大きくする必要があり、インク中に混入したゴミがインクとともに吐出口近傍まで達することがある。ゴミが吐出口近傍に達すると、そのゴミが、インクの吐出方向を所定の方向から外れさせたり、吐出口を塞いでインクが突出されなくなるようにしたりする。
【０００３】
そこで、インク供給量を確保しながらゴミが吐出口近傍に達しないようにするために、液流路にフィルタを設けることが提案されている。
【０００４】
特許文献１には、特許文献１の図３に示されるように、Ｓｉ基板２１におけるインク供給口１３の上に、パターニングされたＳｉＮ膜４及び密着向上層７を含むメンブレンフィルタ構造１６を設けることが記載されている。
【０００５】
特許文献２には、特許文献２の図１（Ｆ）に示されるように、半導体基板１０におけるインク供給口１１の下に、パターニングされたＳｉＯ２膜３とパターニングマスク層６とを含むフィルターを設けることが記載されている。
【０００６】
特許文献３には、特許文献３の図１（ｂ）に示されるように、基板８Ａ内に、液流路２とインク供給口３とを連通する複数の貫通孔５から構成された供給口フィルター１を設けることが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１７８３６４号公報
【特許文献２】特開２００６−１６８１４１号公報
【特許文献３】特開２００６−１３０７４２号公報
【非特許文献１】Ｓ.Ｙａｍａｍｏｔｏ,Ｔ.Ｓｕｚｕｋｉ,Ｏ.Ｎｋａｏ,Ｈ.Ｍｉｓｈｉｍｕｒａ,Ｍ.Ｓａｔｏ、フジクラ技報第１０１号、ｐ７３、２００１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された技術では、メンブレンフィルタ構造１６がＳｉ基板２１の外部に形成されている。
【０００８】
特許文献２に記載された技術では、フィルターが半導体基板１０の外部に形成されている。
【０００９】
特許文献３に記載された技術では、特許文献３の図２（ｂ）に示すように、基板８Ａの表面１０からポジレジストのマスクを用いてＲＩＥなどの異方性ドライエッチングを行って貫通孔５となる縦長の孔１２を形成している。その後、特許文献３の図２（ｄ）に示すように、溶解可能な樹脂１３を孔１２に埋め込んでいる。そして、特許文献３の図３（ｇ）に示すように、基板８Ａの裏面からエッチャントを用いた結晶異方性ウェットエッチングを行うことにより、孔１２に埋め込まれた樹脂１３がインク供給口３の内側に突出するように形成している。その後、樹脂１３を溶解除去して、特許文献３の図１（ｂ）に示された複数の貫通孔５から構成された供給口フィルター１が形成されている。
【００１０】
本発明の目的は、記録ヘッドにおいて、半導体基板内における表面近傍に、単純な製造工程で製造可能な構造を有したフィルタ部を設けることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１側面に係る記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記液体を前記吐出口へ供給する第１の液体供給流路と、前記液体を前記第１の液体供給流路へ供給する第２の液体供給流路と、前記第２の液体供給流路と前記第１の液体供給流路との間に配されたフィルタ部とを含む半導体基板とを備え、前記フィルタ部は、前記第１の液体供給流路により供給された前記液体から異物を除去して、異物が除去された液体を前記第１の液体供給流路へ通過させるように配された複数のスルーホールを有し、前記半導体基板における前記フィルタ部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２側面に係る記録ヘッドの製造方法は、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドの製造方法であって、半導体基板の表面側における前記吐出口の下方となるべき第１の領域に、メッシュ状のパターンで不純物を注入する第１の工程と、前記半導体基板の裏面の一部から前記第１の領域へ連続する第２の領域を、不純物の濃度に応じたエッチング選択比を有するエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、第２の液体供給流路を形成するとともに、前記第１の領域における前記不純物が注入されていない領域を前記エッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、前記メッシュ状のパターンを有するフィルタ部を形成する第２の工程と、前記フィルタ部を通過した前記液体を前記吐出口へ供給する第１の液体供給流路を前記半導体基板の上方に形成する第３の工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、記録ヘッドにおいて、半導体基板内における表面近傍に、単純な製造工程で製造可能な構造を有したフィルタ部を設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００の構成を示す図である。図１（ａ）は、記録ヘッド１００の断面構成を示す図である。図１（ｂ）は、記録ヘッド１００のレイアウト構成を示す図である。
【００１５】
記録ヘッド１００は、液体に熱エネルギーを作用させることにより、液体を吐出口３０から吐出させる。液体は、例えば、インクである。記録ヘッド１００は、例えば、ＤＮＡチップ、有機トランジスタ、カラーフィルタなどの作製に用いられる装置に適用できる。また、記録ヘッド１００は、液滴を記録媒体（例えば、紙）上に付着させるインクジェット方式のプリンタに適用できる。
【００１６】
記録ヘッド１００は、半導体基板１０、及び第１の液体供給流路２０を備える。半導体基板１０には、液体を通過させる流路が設けられている。第１の液体供給流路２０は、半導体基板１０の上方に配されており、半導体基板１０における流路を通過した液体を吐出口３０へ供給する。
【００１７】
半導体基板１０は、シリコンを主成分とする半導体で形成されている。半導体基板１０は、第２の液体供給流路１１、本体部１２、フィルタ部１３、及び電気熱変換素子１４を含む。
【００１８】
第２の液体供給流路１１は、下方から液体が供給され、その液体を第１の液体供給流路２０へ供給する。第２の液体供給流路１１は、上部の断面積ＣＡ１が下部の断面積ＣＡ２より小さい。第２の液体供給流路１１の側面は、シリコンの＜１００＞面または＜１１０＞面である。これにより、第２の液体供給流路１１の下方から供給された液体は、第２の液体供給流路１１の下部から第２の液体供給流路１１の上部へ流れる際にその圧力が上昇する。
【００１９】
第２の液体供給流路１１は、後述するように、半導体基板１０の下面に形成された酸化膜７のパターンをマスクとして、半導体基板１０における第２の領域ＡＲ２に対して薬液を用いた結晶異方性エッチングを行うことにより形成されたものである。第２の領域ＡＲ２は、半導体基板１０の裏面１０ｂの一部から後述の第１の領域ＡＲ１へ連続するように延びた領域である。
【００２０】
本体部１２は、第２の液体供給流路１１を囲む。本体部１２は、後述のように、半導体基板１０に対して薬液を用いた異方性エッチングを行った際にエッチングされなかった部分である。
【００２１】
フィルタ部１３は、第１の液体供給流路２０と第２の液体供給流路１１との間において第２の液体供給流路１１の上部に接するように配されている。フィルタ部１３は、第２の液体供給流路１１に供給された液体に含まれた異物を除去する。これにより、第２の液体供給流路の側面と第１の液体供給流路とを連通するようにフィルタにおける貫通孔が配される場合に比べて、フィルタ部の厚さを薄く抑えることができるので、フィルタ部１３を通過する液体の圧力損失を低減できる。
【００２２】
フィルタ部１３は、複数のスルーホール１３ａ及びフレーム部１３ｂを含む。
【００２３】
複数のスルーホール１３ａは、第２の液体供給流路１１に供給された液体を通過させることにより異物を除去するように配されている。異物は、例えば、ゴミである。複数のスルーホール１３ａのそれぞれは、例えば、図１（ｂ）に示すように、上面視において略矩形状であり、第１の領域ＡＲ１において２次元的に規則的な間隔で配列されている。第１の領域ＡＲ１は、半導体基板１０の表面１０ａ側におけるフィルタ部１３となるべき領域である。
【００２４】
ここで、複数のスルーホール１３ａのそれぞれの平均開口面積をＯＡ１、吐出口３０の開口面積をＯＡ２、複数のスルーホール１３ａの総開口面積をＳＯＡとするとき、
ＯＡ１≦ＯＡ２・・・数式１
かつ
ＯＡ２＜ＳＯＡ・・・数式２
が成り立つ。すなわち、数式１に示されるように、複数のスルーホール１３ａのそれぞれの平均開口面積をＯＡ１を小さくすることでゴミのフィルタリング効果を向上させることができる。また、数式２に示されるように、複数のスルーホール１３ａの総開口面積をＳＯＡを吐出口３０の開口面積をＯＡ２に対して十分に大きくするので、吐出口３０へ十分な量の液体を供給することができる。
【００２５】
フレーム部１３ｂは、複数のスルーホール１３ａを囲むように配され、本体部１２より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。すなわち、フィルタ部１３は、半導体基板１０におけるフィルタ部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。フレーム部１３ｂが有する不純物は、例えば、ホウ素（ボロン）である。これにより、後述するように、フィルタ部１３は、単純な製造工程で製造可能な構造を有している。
【００２６】
フレーム部１３ｂは、メッシュ状のパターンを有している。すなわち、フィルタ部１３は、半導体基板１０の表面１０ａに沿って格子状に延びている（図１（ｂ）参照）。これにより、フレーム部１３ｂにより囲まれた複数のスルーホール１３ａの深さを容易に浅くすることができる。複数のスルーホール１３ａのそれぞれの深さは、例えば、５μｍ以下である。すなわち、フィルタ部１３の厚さは、５μｍ以下である。これにより、フィルタ部１３を通過する液体の圧力損失を低減できる。
【００２７】
ここで、仮に、複数のスルーホール１３ａのそれぞれの深さを５μｍよりも深くすると、複数のスルーホール１３ａの内径を異物を除去可能な大きさにした場合に、複数のスルーホール１３ａが受ける圧力損失が顕著になる。
【００２８】
なお、不純物は、リン、砒素、及びアンチモンのいずれかであってもよい。
【００２９】
また、複数のスルーホール１３ａのうち本体部１２に接するスルーホール１３ａ１は、上部の断面積が下部の断面積より小さくなっている。スルーホール１３ａ１は、本体部１２に接する側面がシリコンの＜１００＞面または＜１１０＞面である。これにより、スルーホール１３ａ１の下方から供給された液体は、スルーホール１３ａ１の下部からスルーホール１３ａ１の上部へ流れる際にその圧力が上昇する。
【００３０】
電気熱変換素子１４は、吐出口３０に供給された液体に熱エネルギーを作用させるように、吐出口３０の下方であってフィルタ部１３に隣接する第３の領域ＡＲ３に複数配されている。これにより、吐出口３０に供給された液体に対して、吐出口３０から吐出されるのに十分な圧力を与えることができる。
【００３１】
第３のＡＲ３領域は、例えば、第１の領域ＡＲ１の両側に配されている。複数の電気熱変換素子１４は、例えば、図１（ｂ）に示すように、上面視において略矩形状であり、２列に並んだ第３の領域ＡＲ３において一定のピッチで配列されている。第３の領域ＡＲ３は、半導体基板１０の表面１０ａ側において第１の領域ＡＲ１に隣接した領域である。
【００３２】
第１の液体供給流路２０は、複数のスルーホール１３ａと吐出口３０とを連通しており、フィルタ部１３を通過した液体を吐出口３０へ供給する。第１の液体供給流路２０は、流路４ａ、流路５ａ、及び流路６ａを含む。
【００３３】
流路４ａは、半導体基板１０の上に配された表面保護膜４における複数のスルーホール１３ａに沿った開口である。表面保護膜４は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物で形成されている。流路４ａは、フィルタ部１３を通過した液体を流路５ａへ供給する。
【００３４】
流路５ａは、表面保護膜４の上に配された密着性向上層５における流路４ａに沿った開口である。密着性向上層５は、例えば、ＨＩＭＡＬで形成されている。流路５ａは、流路４ａを通過した液体を流路６ａへ供給する。
【００３５】
流路６ａは、密着性向上層５の上に配された被覆感光性樹脂６における半導体基板１０の表面に沿って延びた開口である。流路６ａは、流路５ａを通過した液体を吐出口３０へ供給する。吐出口３０は、密着性向上層５の上に配された被覆感光性樹脂６における半導体基板１０の表面に垂直に延びた開口である。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、記録ヘッド１００において、半導体基板１０内における表面１０ａ近傍に、単純な製造工程で製造可能な構造を有したフィルタ部１３を設けることができる。また、本実施形態に係る記録ヘッド１００では、半導体基板１０内に形成されたフィルタ部１３が、第１の液体供給流路２０と第２の液体供給流路１１との間において第２の液体供給流路１１の上部に接するように配されている。これにより、第２の液体供給流路の側面と第１の液体供給流路とを連通するようにフィルタが配される場合に比べて、フィルタ部の厚さを薄く抑えることができるので、フィルタ部１３を通過する液体の圧力損失を低減できる。すなわち、半導体基板の内部にフィルタ部を設けた場合でも、フィルタ部を通過する液体が受ける圧力損失を低減することができる。
【００３７】
次に、本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００の製造方法を示す工程断面図である。
【００３８】
図２（ａ）に示す工程では、半導体基板１０ｉを準備する。
【００３９】
図２（ｂ）に示す工程では、半導体基板１０ｉにおける第１の領域ＡＲ１に、メッシュ状のパターンで不純物イオンを注入する。第１の領域ＡＲ１は、半導体基板１０ｉの表面１０ｉａ側における吐出口３０の下方となるべき領域であってフィルタ部１３となるべき領域である。不純物イオンは、例えば、ボロンイオンである。第１の領域ＡＲ１に注入されるボロンイオンの深さ（第１の領域ＡＲ１の深さ）は、表面１０ｉａから５μｍ以内であることが好ましい。
【００４０】
なお、不純物イオンは、リンイオン、砒素イオン、及びアンチモンイオンのいずれかであってもよい。
【００４１】
第１の領域ＡＲ１に注入されるボロンイオンの濃度は、１０１９ａｔｍ/ｃｍ３以上であることが望ましい。非特許文献１にも記載されている通り、この濃度以下ではエッチングレートが急激に低下するため、加工上望ましくない。
【００４２】
なお、イオン注入法の代わりに固相拡散法を用いて、第１の領域ＡＲ１にメッシュ状のパターンで不純物を注入してもよい。
【００４３】
次に、半導体基板１０ｉの裏面１０ｉｂに酸化膜７ｉを形成する。
【００４４】
図２（ｃ）に示す工程では、半導体基板１０ｉにおける第３の領域ＡＲ３に、図１（ｂ）に示すようなメッシュ状のパターン（具体的には、格子状のパターン）で所定の不純物イオンを注入することにより、電気熱変換素子１４を形成する。第３の領域ＡＲ３は、半導体基板１０ｉの表面１０ｉａ側（表面側）における第１の領域ＡＲ１に隣接した領域である。また、半導体基板１０ｉの表面１０ｉａ側における第３の領域ＡＲ３に対して第１の領域ＡＲ１と反対側に隣接した領域に、電気熱変換素子１４を駆動するドライバーＩＣ（不図示）等を形成する。
【００４５】
次に、半導体基板１０ｉの表面１０ｉａを覆うように表面保護膜４ｉを形成する。表面保護膜４ｉは、液体から電気熱変換素子１４やドライバＩＣ等を保護する。表面保護膜４は、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いてシリコン窒化物又はシリコン酸化物で成膜する。
【００４６】
図２（ｄ）で示す工程では、半導体基板１０の表面１０ｉａ及び裏面１０ｉｂに樹脂を塗布してレジストによりパターニングして灰化処理を行うことにより、密着性向上層５及び密着性向上層５ｊを形成する。密着性向上層５及び密着性向上層５ｊは、例えば、東京応化製の樹脂ＯＤＵＲを用いて形成される。
【００４７】
次に、第１の液体供給流路２０となるべき領域に、溶解可能な樹脂４０で第１の液体供給流路２０に対応した形状を形成する。
【００４８】
さらに、密着性向上層５及び樹脂４０の上に被覆性感光樹脂６を塗布することにより、ノズル構造すなわち第１の液体供給流路２０及び吐出口３０に対応した構造を成型する。
【００４９】
図２（ｅ）で示す工程では、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いて、密着性向上層５ｊのパターンをマクスとして酸化膜７ｉをエッチングすることにより、パターニングされた酸化膜７を形成する。
【００５０】
図２（ｆ）で示す工程では、半導体基板１０ｉの裏面１０ｉｂ側から薬液による結晶異方性エッチングを行うことにより、第２の液体供給流路１１及び複数のスルーホール１３ａを形成する。
【００５１】
具体的には、酸化膜７及び密着性向上層５ｊのパターンをマスクとして、第２の領域ＡＲ２をエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、第２の液体供給流路１１を形成する。第２の領域ＡＲ２は、半導体基板１０ｉの裏面１０ｉｂの一部から第１の領域ＡＲ１へ連続するように延びた領域である。このエッチャントは、不純物の濃度に応じたエッチング選択比を有する。すなわち、このエッチャントは、半導体において不純物が注入された領域に対して不純物が注入されていない領域が高いエッチング選択比を有する。エッチャントは、例えば、ＴＭＡＨ（Ｔｒｉ-ｍｅｔｈｙｌ  Ａｎｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒａｔｅ）やＫＯＨなどが望ましい。このとき、半導体基板１０ｉは、例えば、シリコンの結晶方位に沿ってエッチングされていくので、第２の液体供給流路１１の側面は、シリコンの＜１００＞面または＜１１０＞面になる。
【００５２】
その後、上記のエッチャントを用いて第１の領域ＡＲ１を引き続きエッチングする。これにより、第１の領域ＡＲ１における不純物イオンが注入されていない領域を上記のエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、複数のスルーホール１３ａが形成される。また、第１の領域ＡＲ１における不純物イオンが注入された領域がエッチングされずに残ることにより、フレーム部１３ｂが形成される。すなわち、メッシュ状のパターン（具体的には、格子状のパターン）を有するフィルタ部１３が形成される。
【００５３】
図２（ｇ）に示す工程では、第１の液体供給流路２０となるべき領域を満たす樹脂４０を所定の溶媒で溶解することにより除去することにより、第１の液体供給流路２０における流路５ａ及び流路６ａを形成する。また、ドライエッチング法により、密着性向上層５ｊを除去するとともに、表面保護膜４におけるスルーホール１３ａにより露出された部分を選択的に除去することにより第１の液体供給流路２０における流路４ａを形成する。
【００５４】
そして、半導体基板１０の裏面１０ｂ側すなわち酸化膜７の裏面７ｂにインク供給部材（不図示）を貼り付けることにより、記録ヘッドを完成する。
【００５５】
本実施形態によれば、半導体基板に第２の液体供給流路及び複数のスルーホールを同じ薬液を用いて連続的にエッチングすることにより、第２の液体供給流路及びフィルタ部を連続的に形成できる。これにより、第２の液体供給流路の側面と第１の液体供給流路とを連通する貫通孔を有するフィルタを形成する場合に比べて、第２の液体供給流路及びフィルタ部を形成するための工程数を減らすことができる。
【００５６】
また、第２の液体供給流路及びフィルタ部を連続的に形成できるので、第２の液体供給流路及びフィルタ部が製造装置内における発塵の影響を受けにくい。これにより、記録ヘッドの製造歩留まりを向上できる。
【００５７】
さらに、フィルタ部を半導体基板の外部でなく内部に形成するので、フィルタ部が半導体基板の表面から剥がれることが無い。
【００５８】
本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００の構成を示す図である。図３（ａ）は、記録ヘッド２００の断面構成を示す図である。図３（ｂ）は、記録ヘッド２００のレイアウト構成を示す図である。以下では、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５９】
本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００は、金属膜２４０をさらに備える。
【００６０】
金属膜２４０は、図３（ａ）に示すように、吐出口３０と電気熱変換素子１４との間であって密着性向上層５と表面保護膜２０４との間に配されている。金属膜２４０は、例えば、Ｔａで形成されている。金属膜２４０は、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１０の表面１０ａに垂直な方向から透視した場合に、第３の領域ＡＲ３における複数の電気熱変換素子１４を完全に覆って連続して延びるように形成される。これにより、吐出口３０から液体が吐出される際にキャビテーション（気泡）が表面保護膜２０４に及ぼす応力を緩和することができるので、表面保護膜２０４におけるクラックの発生を抑制することができる。この目的のためには、金属膜２４０がＴａで形成されていることが有効である。この結果、表面保護膜２０４の厚さを薄くしても要求される耐久性を満たすことができる。表面保護膜２０４は、例えば、３０００Åの厚さにすることができる。
【００６１】
また、記録ヘッド２００の製造方法が、図４に示すように、次の点で第１実施形態と異なる。図４は、本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００の製造方法を示す工程断面図である。
【００６２】
図４（ｃ１）に示す工程では、表面保護膜２０４ｉを形成した後に、スパッタリング法により、表面保護膜２０４ｉの上に金属膜２４０となるべき金属層を形成する。金属層は、例えば、Ｔａで形成される。そして、金属層を図３（ｂ）に示すパターンにパターニングすることにより、金属膜２４０を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００の構成を示す図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る記録ヘッド１００の製造方法を示す工程断面図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００の構成を示す図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る記録ヘッド２００の製造方法を示す工程断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００  記録ヘッド
【図１】
2010052302.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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