(57)【要約】【課題】光ファイバ等の部材が、簡便かつ確実に位置決めされた光モジュール、および光モジュールにおける部材の簡便かつ確実な位置決め方法を提供する。【解決手段】光モジュールは、第１の基板１２と第２の基板１４とを含む。第１の基板１２の底面１２Ｂに第１のＶ字溝１２Ｖ、第２の基板１４の上面１４Ｕに第２のＶ字溝１４Ｖを形成する。第１の基板１２には、第１のＶ字溝１２Ｖの端部近傍にＦＰ−ＬＤ１６を配置する。一方、第２のＶ字溝１４Ｖ上には、入射端面１８Ｓが第２のＶ字溝１４Ｖの端部にあるように光ファイバ１８を載置する。この状態で第１の基板１２を第２の基板１４に積層させ、第１、第２の基板１２、１４と光ファイバ１８とを固定し、ＦＰ−ＬＤ１６と光ファイバ１８とを所定の位置に位置決めする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の溝が形成され、前記第１の溝の端部近傍に発光素子が配置された第１の基板と、
第２の溝が形成された第２の基板とを備え、
前記第１および第２の基板が、互いに対向する前記第１および第２の溝により前記光ファイバを挟持するように重ねられており、前記発光素子からの出射光が前記光ファイバの入射端面に入射するように、前記発光素子および前記光ファイバが位置決めされていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記溝の断面形状がＶ字であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記出射光が前記入射端面の中心に入射するように、前記発光素子および前記光ファイバが位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記光ファイバが、前記第２の溝の端部に前記入射端面があるように位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記第１および第２の溝が、同じ形状であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記発光素子の出射面が、前記入射端面に対向していることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記第１および第２の溝が、前記第１および第２の基板の異方性エッチング処理により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記第２の基板において、出射された前記出射光を反射して前記入射端面に入射させるための反射面を有する第３の溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記第２の基板の表面に垂直な方向に出射された前記出射光が、前記第２の基板の表面に平行な方向に沿って進むように反射されることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記第３の溝の開き角度が直角であることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１１】
反射された前記出射光が前記入射端面の中心に入射するように、前記第２の溝が、前記第１の溝よりも深く形成されていることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記第２の溝と前記第３の溝とが連設されていることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記第１および第２の基板において、複数の前記光ファイバを挟持するための複数対の溝が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１４】
第１の基板に第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、
前記第１の基板において、発光素子を前記第１の溝の端部近傍に配置する発光素子配置工程と、
第２の基板に第２の溝を形成する第２の溝形成工程と、
前記第２の基板において、光ファイバを前記第２の溝上に配置するファイバ配置工程と、
前記第１および第２の基板を、前記第１および第２の溝を互いに対向させて前記光ファイバを挟持するように重ねる積層工程とを備え、
前記発光素子からの出射光が前記光ファイバの入射端に入射するように、前記発光素子および前記光ファイバを位置決めすることを特徴とする光モジュールの位置決め方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野において用いられる光モジュールに関し、特に、受光素子や光ファイバを用いた光モジュールおよび光モジュールにおける各部材の位置決め方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているインターネット等の光通信分野においては、光ファイバを用いた光情報送受信装置が広く用いられている。このような装置においては、一般に、発光素子、あるいは受光素子と、光ファイバとを確実に結合するための光モジュールが含まれている。
【０００３】
光モジュールにおいては、発光素子等と光ファイバとの位置決め精度を高める必要がある。このため、単一の基板上に発光素子と光ファイバとを配置し、基板上のＶ字溝に発光素子を嵌合させてこれらの部材の光軸位置合わせを行うことが知られている（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−１６４７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
単一の基板上において、発光素子と光ファイバとの位置が一度調整された場合であっても、これらの部材を実装固定する際に位置ずれが生じ得る。例えば、発光素子と光ファイバとを単一の基板上に接着剤で固定する工程において、発光素子や光ファイバが基板から浮き上がってしまうことにより、光軸ずれ、光結合効率の低下などの問題が生じる場合がある。
【０００５】
さらに、同じ基板上に発光素子等と光ファイバとを実装する場合、基板上の狭い領域内に複数の部材を固定することになるため、実装される素子の汚染や破損といった問題も生じ易く、光モジュールの製造工程は複雑化する。
【０００６】
本発明は、光ファイバ等の部材が、簡便かつ確実に位置決めされた光モジュール、および光モジュールにおける部材の簡便かつ確実な位置決め方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光モジュールは、第１の溝が形成され、第１の溝の端部近傍に発光素子が配置された第１の基板と、第２の溝が形成された第２の基板とを備え、第１および第２の基板が、互いに対向する第１および第２の溝により光ファイバを挟持するように重ねられており、発光素子からの出射光が光ファイバの入射端面に入射するように、発光素子および光ファイバが位置決めされていることを特徴とする。
【０００８】
溝は、断面形状がＶ字であることが好ましい。また、光モジュールにおいては、出射光が入射端面の中心に入射するように、発光素子および光ファイバが位置決めされていることが好ましい。また、光ファイバは、第２の溝の端部に入射端面があるように位置決めされていることが好ましい。
【０００９】
第１および第２の溝は、例えば同じ形状である。また、発光素子の出射面は、入射端面に対向していることが好ましい。第１および第２の溝は、例えば、第１および第２の基板の異方性エッチング処理により形成されている。
【００１０】
第２の基板においては、出射された出射光を反射して入射端面に入射させるための反射面を有する第３の溝が形成されていることが好ましい。この場合、第２の基板の表面に垂直な方向に出射された出射光が、第２の基板の表面に平行な方向に沿って進むように反射されることがより好ましい。
【００１１】
また、第３の溝の開き角度は、直角であることが好ましい。さらに、反射された出射光が入射端面の中心に入射するように、第２の溝が、第１の溝よりも深く形成されていることが好ましい。第２の溝と第３の溝とが連設されていることが好ましい。第１および第２の基板においては、複数の光ファイバを挟持するための複数対の溝が設けられていることが好ましい。
【００１２】
本発明の光モジュールの位置決め方法は、第１の基板に第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、第１の基板において、発光素子を第１の溝の端部近傍に配置する発光素子配置工程と、第２の基板に第２の溝を形成する第２の溝形成工程と、第２の基板において、光ファイバを第２の溝上に配置するファイバ配置工程と、第１および第２の基板を、第１および第２の溝を互いに対向させて光ファイバを挟持するように重ねる積層工程とを備えている。そして位置決め方法は、発光素子からの出射光が光ファイバの入射端に入射するように、発光素子および光ファイバを位置決めすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光ファイバ等の部材が、簡便かつ確実に位置決めされた光モジュール、および光モジュールにおける部材の簡便かつ確実な位置決め方法を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、第１の実施形態における光モジュールを構成する部材を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態の光モジュールをＶ字溝の長手方向に沿って切断した断面図であり、図３は、第１の実施形態の光モジュールの正面図である。
【００１５】
光モジュール１０は、第１の基板１２と第２の基板１４とを含む。第１および第２の基板１２、１４は、例えばシリコン基板である。第１の基板１２の底面１２Ｂには、第１のＶ字溝１２Ｖ（第１の溝）が設けられている。第１の基板１２には、ファブリー・ペロー型半導体レーザ１６（発光素子・以下、ＦＰ−ＬＤという）が、底面１２Ｂに沿うように配置されている。ＦＰ−ＬＤ１６には、電力供給のためのワイヤ（図示せず）が接続されている。
【００１６】
第１のＶ字溝１２Ｖは、第１の基板１２の長辺１２Ｌに平行な方向に沿って、第１の基板１２の側面１２ＳからＦＰ−ＬＤ１６の近傍まで延びている。すなわち、ＦＰ−ＬＤ１６は、第１のＶ字溝１２Ｖの端部近傍であって、光ファイバ１８よりも第１の基板１２の内側に配置されている。
【００１７】
一方、第２の基板１４の上面１４Ｕには、第２のＶ字溝１４Ｖ（第２の溝）が形成されている。第２のＶ字溝１４Ｖ上には、光ファイバ１８が載置されている。第２のＶ字溝１４Ｖは、第１のＶ字溝１２Ｖと同一形状である。
【００１８】
第１の基板１２を、矢印Ａの示すように第２の基板１４に積層させる。このとき、第１のＶ字溝１２Ｖと第２のＶ字溝１４Ｖとが互いに対向し、光ファイバ１８は、第１および第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖによって挟持される。このように、第１および第２の基板１２、１４が積層された状態（以下、積層状態という）で、第１および第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖの隙間Ｇに接着剤が流し込まれ、第１および第２の基板１２、１４と光ファイバ１８とが固定される。
【００１９】
このようにして形成される光モジュール１０（図２参照）においては、ＦＰ−ＬＤ１６の出射面１６Ｓの端部に設けられた出射部１６Ｅから出射される出射光Ｌが、光ファイバ１８の入射端面１８Ｓに入射するように、ＦＰ−ＬＤ１６と光ファイバ１８とが位置決めされている。すなわち、ＦＰ−ＬＤ１６の出射面１６Ｓが光ファイバ１８の入射端面１８Ｓに対向し、かつ出射光Ｌが入射端面１８Ｓの中心点１８Ｃ（中心軸１８Ａの端部・図２、３参照）およびその周辺の領域に入射するように、これらの部材の位置が調整されている。そして入射端面１８Ｓに入射した出射光Ｌは、光ファイバ１８内を伝達される。
【００２０】
なお光ファイバ１８は、入射端面１８Ｓが第２のＶ字溝１４Ｖの端部にあり、入射端面１８Ｓとは反対側の出射端面（図示せず）が、第２の基板１４の側面１４Ｓから突出するように配置されている。また、図３においては、ＦＰ−ＬＤ１６のうち光モジュール１０の内部にある領域も、説明の便宜上、破線で示されている。
【００２１】
第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖの大きさ、形状は、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖの深さ１２Ｄ、１４Ｄ（図３参照）が、いずれも光ファイバ１８の半径Ｒ以上、直径２Ｒ以下の範囲内であり、かつ適度な大きさの隙間Ｇが形成されるように、使用される光ファイバ１８の径に応じて調整されている。
【００２２】
なお、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖは、第１、第２の基板１２、１４において対応する位置に設けられており、第１および第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖが対向するように第１、第２の基板１２、１４が積層されると、第１および第２の基板１２、１４の輪郭が互いに一致する。
【００２３】
次に、光モジュール１０におけるＦＰ−ＬＤ１６と光ファイバ１８との位置決め方法につき、詳細に説明する。まず、第１、第２の基板１２、１４において、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖを形成する（第１および第２の溝形成工程）。これらの工程においては、例えば、同じマスクを用いた第１、第２の基板１２、１４の異方性エッチング処理により、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖが設けられる。
【００２４】
このように、再現性の優れた異方性エッチング処理を採用すれば、同一形状の第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖを容易に形成できる。従って、同じ製法で第１、第２の基板１２、１４が多数製造された場合にあっても、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖの開き角度α（図１参照）は、いずれも所定の角度（例えば７０．５°）で一定に保たれる。なお、単一の基板の長手方向に沿って１本のＶ字溝を設け、この基板を長手方向に垂直な方向に切断し、第１および第２の基板１２、１４を設けても良い。
【００２５】
第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖは、第１、第２の基板１２、１４の中心面１２Ｃ、１４Ｃを挟んでそれぞれ左右対称形である（図３参照）。このため、第１の基板１２の底面１２Ｂと第２の基板１４の上面１４Ｕとを対向させた積層状態においても、第１のＶ字溝１２Ｖと第２のＶ字溝１４Ｖとは、第１および第２の基板１２、１４間の光モジュール１０の中心面１０Ｃを中心とした対称形、すなわち同じ形状である。なお中心面１０Ｃには、光ファイバ１８の中心軸１８Ａが含まれる（図３参照）。
【００２６】
次に、第１の基板１２の底面１２Ｂにおいて、第１のＶ字溝１２Ｖの端部近傍に、ＦＰ−ＬＤ１６を取り付けるための取付穴（図示せず）を形成する。このとき、ＦＰ−ＬＤ１６における出射部１６Ｅが光ファイバ１８の入射端面１８Ｓの中心点１８Ｃに対向する（図２参照）ように、取付穴の形状、大きさが調整される。そしてＦＰ−ＬＤ１６を取付穴内に配置し（発光素子配置工程）、固定する。
【００２７】
この発光素子配置工程においては、ＦＰ−ＬＤ１６を、容易かつ確実に適切な位置に配置することができる。第１のＶ字溝１２Ｖは、将来的に光ファイバ１８の上端を押さえる位置にあることから、光モジュール１０の完成時の入射端面１８Ｓの位置や向きが容易に把握されるからである。
【００２８】
一方、第２の基板１４側では、第２のＶ字溝１４Ｖ上に光ファイバ１８を配置し（ファイバ配置工程）、固定する。このファイバ配置工程においては、光ファイバ１８を容易かつ確実に適切な位置に配置することができる。入射端面１８Ｓが第２のＶ字溝１４Ｖの端部に接するように光ファイバ１８を配置することは容易だからである。
【００２９】
その後、図１に示すように第１および第２の基板１２、１４を積層させ（積層工程）、固定する。この積層工程においては、第２のＶ字溝１４Ｖ上の光ファイバ１８を第１のＶ字溝１２Ｖに嵌め込むことにより、両基板１２、１４をいずれも適当な相対位置で積層、固定させることができる。
【００３０】
以上のように本実施形態によれば、同じ形状の第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖを設けた第１、第２の基板１２、１４を用いることにより、光モジュール１０において、ＦＰ−ＬＤ１６と光ファイバ１８とを容易かつ正確に位置決めすることができる。そして光ファイバ１８を第１および第２の基板１２、１４で挟持することにより防塵効果が得られ、光ファイバ１８を保護することができる。
【００３１】
さらに、一方の基板に発光素子であるＦＰ−ＬＤ１６のみ、他方の基板に光ファイバ１８のみを配置すれば良いことから、単一の基板における狭い領域内に複数の部材を配置、固定する作業は不要であるため、接着剤等によるＦＰ−ＬＤ１６や光ファイバ１８の汚染、破損を防止できる。また、光モジュール１０の製造においては、発光素子配置工程とファイバ配置工程とが同時進行可能であるため、効率的な作業が可能である。
【００３２】
なお、図４に示す本実施形態の変形例のように、第１および第２の基板１２、１４において、ＦＰ−ＬＤ１６と光ファイバ１８の入射端面１８Ｓとの間に間隙１２Ｋ、１４Ｋをそれぞれ設け、第１、第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖを拡張しても良い。この場合、出射部１６Ｅから出射された出射光Ｌを、入射端面１８Ｓに確実に入射させることができるとともに、ＦＰ−ＬＤ１６を第２の基板１４側の間隙１４Ｋの端に位置合わせする作業がより容易になる。また、例えば一方の基板にのみ間隙１２Ｋもしくは１４Ｋを設けるなど、多少形状の異なる第１のＶ字溝１２Ｖおよび第２のＶ字溝１４Ｖを設けても良い。
【００３３】
次に、第２の実施形態について、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。図５は、第２の実施形態における光モジュール１０を構成する部材を示す斜視図である。図６は、第２の実施形態の光モジュール１０をＶ字溝の長手方向に沿って切断した断面図であり、図７は、第２の実施形態の光モジュール１０の正面図である。
【００３４】
本実施形態においては、発光素子としてＶＳＣＥＬ２０が用いられており、さらにＶＳＣＥＬ２０による出射光Ｌの出射方向に鑑みて、第２の基板１４の形状が第１の実施形態とは異なっている。すなわちＶＳＣＥＬ２０においては、出射部２０Ｅが第１の基板１２の表面のうち底面１２Ｂに垂直な方向に出射光Ｌを出射する（図６参照）。
【００３５】
そして第２の基板１４においては、出射光Ｌを反射するための反射面１５Ｓを有する第３のＶ字溝１５Ｖが設けられている。第３のＶ字溝１５Ｖは、第２のＶ字溝１４Ｖに連設されている（図５参照）。出射光Ｌは、反射面１５Ｓにより、第１の基板１２の底面１２Ｂに平行な方向に向かって進むように反射され、光ファイバ１８の入射端面１８Ｓに入射する（図６参照）。反射面１５Ｓは、出射光Ｌを効率的に反射するために、反射膜で覆われている。
【００３６】
第２のＶ字溝１４Ｖと第３のＶ字溝１５Ｖとは、同じ形状かつ寸法であり、互いに直交している。そして開き角度β、γは、いずれも直角である。これらの開き角度β、γは、直角以外の角度であっても良いものの、特に第３のＶ字溝１５Ｖの開き角度γは、上述の方向に出射光Ｌを反射させるために、垂直であることが好ましい。
【００３７】
なお、本実施形態においては、第２のＶ字溝１４Ｖの方が、第１のＶ字溝１２Ｖよりも深い。このように、第２のＶ字溝１４Ｖの深さ１４Ｄが第１のＶ字溝１２Ｖの深さ１２Ｄよりも大きい（図６、７参照）ことにより、光ファイバ１８は、光モジュール１０の中心面１０Ｃよりも下方に配置される。すなわち、光ファイバ１８の中心軸１８Ａは、中心面１０Ｃよりも下側を通っている。
【００３８】
このため、第１の基板１２と第２の基板１４との間の隙間Ｇよりも下方で反射された出射光Ｌが、入射端面１８Ｓの中心点１８Ｃ（中心軸１８Ａの端部）付近に確実に入射する。なお図７においては、説明の便宜上、ＶＳＣＥＬ２０も破線で示されている。
【００３９】
次に、光モジュール１０におけるＶＳＣＥＬ２０と光ファイバ１８との位置決め方法につき、詳細に説明する。まず、第１、第２の基板１２、１４において、第１〜第３のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖ、１５Ｖを形成する（第１および第２の溝形成工程）。
【００４０】
本実施形態においては、例えば、ダイサー（図示せず）を用いて第１、第２の基板１２、１４の表面を加工することにより、第１〜第３のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖ、１５Ｖが設けられる。開き角度β、γをいずれも直角にすることが、異方性エッチング処理による場合よりも容易だからである。従って、本実施形態の第１、第２の基板１２、１４は、例えば、シリコン基板ではなくガラス基板である。
【００４１】
そしてＶＳＣＥＬ２０を、第１の基板１２の底面１２Ｂに取付穴（図示せず）内に配置し（発光素子配置工程）、固定する。本実施形態では、ＶＳＣＥＬ２０は、その出射面２０Ｓ（底面）が第１の基板１２の底面１２Ｂに沿うように配置される。この発光素子配置工程においては、第１の実施形態と同様に、ＶＳＣＥＬ２０を容易かつ確実に、適切な位置に配置できる。第１のＶ字溝１２Ｖによって光ファイバ１８の固定される位置が明らかであるため、適当な位置に取付穴を設けられるからである。この結果、ＶＳＣＥＬ２０の出射部２０Ｅは、積層工程を経た後において、反射面１５Ｓにより反射された出射光Ｌを入射端面１８Ｓの中心点１８Ｃ付近に確実に入射させることのできる位置に配置される。
【００４２】
一方、第２の基板１４側では、第２のＶ字溝１４Ｖ上に光ファイバ１８を配置し（ファイバ配置工程）、固定する。このとき、光ファイバ１８の位置決めは容易である。入射端面１８Ｓが第３のＶ字溝１５Ｖの中心線１５Ｌ上にあるように、光ファイバ１８を配置すれば良いからである（図５および６参照）。
【００４３】
その後、矢印Ａの示すように第１および第２の基板１２、１４を積層させ（図５参照、積層工程）、固定する。この積層工程においては、第１の実施形態と同様に、第２のＶ字溝１４Ｖ上の光ファイバ１８を第１のＶ字溝１２Ｖに嵌め込ませるように、第１および第２の基板１２、１４をいずれも適当な相対位置で固定させることができる。
【００４４】
以上のように、第１の実施形態とは発光素子のタイプが異なる本実施形態においても、ＶＳＣＥＬ２０と光ファイバ１８とを容易かつ正確に位置決めすることができる。このため、出射光Ｌを光ファイバ１８の入射端面１８Ｓに確実に入射させることのできる光モジュール１０を、容易に製造できる。
【００４５】
次に、第３の実施形態について、これまでの実施形態との相違点を中心に説明する。図８は、第３の実施形態における光モジュール１０を構成する部材を示す斜視図である。
【００４６】
本実施形態では、第１および第２の基板１２、１４において、それぞれ複数の第１のＶ字溝１２Ｖ、第２のＶ字溝１４Ｖが設けられている点が、第１の実施形態と異なる。このように、複数対の第１および第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖを、第１、第２の基板１２、１４における対応する位置に設けることにより、パラレル伝送用光ファイバあるいは送受信用光ファイバの光モジュール１０を製造できる。
【００４７】
このような光モジュール１０においても、上述の実施形態と同様に、発光素子（送受信用光ファイバにおいては受光素子を含む）と光ファイバ１８との正確な位置決めが容易に可能である。特に本実施形態では、第１および第２の基板１２、１４を重ねる積層工程において、複数の光ファイバ１８を複数対の第１および第２のＶ字溝１２Ｖ、１４Ｖで挟持することとなるため、両基板１２、１４間の相対位置のずれをより確実に防止することができる。
【００４８】
光モジュール１０を構成する各部材の形状、材質等は、いずれの実施形態にも限定されない。例えば、第１および第２の基板１２、１４に形成される溝は、光ファイバ１８を所定の位置に容易に固定可能なＶ字溝、すなわち断面形状がＶ字の溝であることが好ましいが、これには限定されない。例えば、断面形状の少なくとも一部がＵ字型であっても良い。
【００４９】
溝の形成方法についても、異方性エッチング処理やダイサー加工以外の手法、例えばフォトリソグラフィ法を用いても良い。また、第１および第２の基板１２、１４は、シリコン基板、ガラス基板以外であっても良い。
【００５０】
なお光ファイバ１８は、いずれの実施形態においても、例えばＳＭＦ、ＭＭＦ等のいかなる種類であっても良い。また、一般的に高い位置決め精度は必要とされないものの、第１および第２の実施形態においても、受光素子と光ファイバ１８とを含む光モジュール１０を対象としても良い。
【００５１】
さらに、各実施形態を適宜組み合わせても良い。例えば、第２および第３の実施形態を組み合わせて、複数の光ファイバ１８とＶＳＣＥＬ２０とを１対ずつ位置決めしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施形態における光モジュールを構成する部材を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態の光モジュールをＶ字溝の長手方向に沿って切断した断面図である。
【図３】第１の実施形態の光モジュールの正面図である。
【図４】第１の実施形態の変形例を示す、図２に対応した断面図である。
【図５】第２の実施形態における光モジュールを構成する部材を示す斜視図である。
【図６】第２の実施形態の光モジュールをＶ字溝の長手方向に沿って切断した断面図である。
【図７】第２の実施形態の光モジュールの正面図である。
【図８】第３の実施形態における光モジュールを構成する部材を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  光モジュール
１２  第１の基板
１２Ｖ  第１のＶ字溝（第１の溝）
１４  第２の基板
１４Ｖ  第２のＶ字溝（第２の溝）
１５Ｓ  反射面
１５Ｖ  第３のＶ字溝（第３の溝）
１６  ＦＰ−ＬＤ（発光素子）
１６Ｓ  出射面
１８  光ファイバ
１８Ｓ  入射端面
２０  ＶＳＣＥＬ（発光素子）
２０Ｓ  出射面
Ｌ  出射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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