(57)【要約】【課題】アクティブエリアに受光素子を配置し、しかも、この受光素子の検出性能を向上することが可能な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  複数の画素によって構成されたアクティブエリア１０２に対向した表示面を備えた表示装置であって、各画素に配置され表示面に向かって発光する自発光性の表示素子６０と、アクティブエリアに配置され表示面からの入射光を受光する受光素子８０と、受光素子と表示面との間に配置され受光素子に対向した開口部ＯＰが形成された遮光層ＳＬと、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
2010091610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成されたアクティブエリアに対向した表示面を備えた表示装置であって、
各画素に配置され、前記表示面に向かって発光する自発光性の表示素子と、
前記アクティブエリアに配置され、前記表示面からの入射光を受光する受光素子と、
前記受光素子と前記表示面との間に配置され、前記受光素子に対向した開口部が形成された遮光層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示素子は、
反射層及び反射層の上に積層された透過層を有する第１電極と、
前記第１電極の透過層上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であり、
前記遮光層は、前記第１電極の反射層と同一層において同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記受光素子の制御配線は、前記表示素子の制御配線と同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記受光素子は、各画素に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記受光素子は、ｎ画素おき（但し、ｎは正の整数）に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記受光素子は、２つの画素に隣接する位置に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記アクティブエリアは、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素によって構成され、
前記受光素子は、赤色画素、または、青色画素、または赤色画素と青色画素との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
各画素を区画するとともに前記受光素子を覆うように配置され、光透過性を有する樹脂材料によって形成された隔壁を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生した光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生した光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。
【０００６】
一方で、特許文献１によれば、インプットセンサを内蔵した液晶表示装置が開示されている。これによれば、表示面への入射光の変化を検知する機能を利用して、液晶表示装置を接触検知装置として活用している。
【０００７】
また、特許文献２によれば、表示部とは別に、有機ＥＬ素子からなる発光素子と、発光素子に対応して設けられた受光素子とを備えたタッチパネルが提案されている。
【特許文献１】特開２００５−２８４６６１号公報
【特許文献２】特開２００５−３３９４０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
有機ＥＬ表示装置にセンサとして機能する受光素子を内蔵する場合、画像を表示するアクティブエリアに受光素子を配置することは困難である。すなわち、受光素子は、本来、外光や表示面からの反射光の変化を検出することが期待される。しかしながら、有機ＥＬ素子が発光素子であるため、受光素子がアクティブエリアにおいて有機ＥＬ素子に近接して配置された場合には、受光素子は、隣接した有機ＥＬ素子から出射された出射光を受光してしまい、検出すべき外光や反射光を十分に検出できないおそれがある。
【０００９】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、アクティブエリアに受光素子を配置し、しかも、この受光素子の検出性能を向上することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアに対向した表示面を備えた表示装置であって、
各画素に配置され、前記表示面に向かって発光する自発光性の表示素子と、
前記アクティブエリアに配置され、前記表示面からの入射光を受光する受光素子と、
前記受光素子と前記表示面との間に配置され、前記受光素子に対向した開口部が形成された遮光層と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、アクティブエリアに受光素子を配置し、しかも、この受光素子の検出性能を向上することが可能な表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えばトップエミッション方式の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１３】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１００を備えている。このような構成の有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示するアクティブエリア１０２を有している。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されており、図１に示した例では、長方形状に形成されている。
【００１４】
また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１５】
このようなアレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止されている。ここでは、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１００に対向して配置された封止基板２００を備えている。
【００１６】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール材３００により貼り合せられている。シール材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの樹脂材料であっても良いし、低融点ガラスなどのフリットガラスであってもよい。
【００１７】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路４０及びこの画素回路４０によって駆動制御される自発光性の表示素子６０を備えている。
【００１８】
表示素子６０は、自発光素子である有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｂを備えている。
【００１９】
また、アレイ基板１０は、アクティブエリア１０２に配置された受光素子８０を備えている。
【００２０】
各種有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１２１の上に、アンダーコート層１２２、ゲート絶縁膜１２３、層間絶縁膜１２４、保護絶縁膜１２５などの絶縁層を備える他に、画素回路４０や各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。
【００２１】
これらのアンダーコート層１２２、ゲート絶縁膜１２３、及び、層間絶縁膜１２４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２２】
保護絶縁膜１２５は、有機系材料によって形成されても良いし、アンダーコート層１２２などと同様に無機系材料によって形成されても良い。保護絶縁膜１２５が有機系材料によって形成される場合、有機系材料をコーティングするなどの手法により成膜して、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化することができる。
【００２３】
図２に示した例では、アンダーコート層１２２の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ポリシリコンによって形成されても良いし、アモルファスシリコンによって形成されても良いが、ここでは、ポリシリコンによって形成されている。アンダーコート層１２２及び半導体層２１は、ゲート絶縁膜１２３によって覆われている。
【００２４】
ゲート絶縁膜１２３の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート絶縁膜１２３や、ゲート電極２０Ｇ及びゲート線は、層間絶縁膜１２４によって覆われている。層間絶縁膜１２４の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。
【００２５】
これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１２３及び層間絶縁膜１２４を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線、及び、層間絶縁膜１２４は、保護絶縁膜１２５によって覆われている。
【００２６】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子６０は、保護絶縁膜１２５の上に配置されている。この有機ＥＬ素子６０は、第１電極６１と第２電極６２との間に有機活性層６３を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。
【００２７】
すなわち、第１電極６１は、保護絶縁膜１２５の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６１は、保護絶縁膜１２５をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、トランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。
【００２８】
このような第１電極６１は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合には、第１電極６１は、反射層を含んでいることが望ましい。図２に示した例では、第１電極６１は、反射層６１Ｒ及び透過層６１Ｔを積層した積層体によって構成されている。
【００２９】
有機活性層６３は、第１電極６１上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６３は、発光層以外の層として、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。
【００３０】
第２電極６２は、有機活性層６３を覆うように配置され、陰極として機能する。このような第２電極６２は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合には、第２電極６２は、半透過層を含んでいることが望ましい。
【００３１】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６１の周縁を覆うように配置され（あるいは第１電極６１を露出するように配置され）、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば光透過性を有する絶縁性の樹脂材料をパターニングすることによって形成されている。また、この隔壁７０は、有機活性層６３とともに、第２電極６２によって覆われている。
【００３２】
封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子６０に対向するように配置されている。この封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性基板である。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２の周辺において、シール材３００により貼り合わせられている。これにより、有機ＥＬ素子６０は、アレイ基板１００と封止基板２００との間の気密なスペースに封止される。
【００３３】
トップエミッション方式の場合、封止基板２００の内面（すなわちアレイ基板１００と対向する面）には、シール材３００とアクティブエリア１０２との間に乾燥剤を配置しても良い。また、封止基板２００の外面（すなわちアレイ基板１０に対向する面とは反対側の面）２００Ａは、画像が表示される表示面となり、この外面２００Ａには必要に応じて偏光板などの光学素子を配置しても良い。
【００３４】
ところで、受光素子８０は、有機ＥＬ素子６０と同一基板上に配置されている。この実施の形態においては、図２に示すように、受光素子８０は、フォトダイオードとして構成されているが、他の構成であっても良いことは言うまでもない。
【００３５】
すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１２２の上には、受光素子８０の半導体層８１が配置されている。この半導体層８１は、上述したトランジスタ素子２０の半導体層２１と同一層に配置されており、半導体層２１と同一材料により形成可能である。つまり、半導体層８１は、ポリシリコンによって形成されても良いし、アモルファスシリコンによって形成されても良いが、ここでは、ポリシリコンによって形成されている。半導体層８１は、ゲート絶縁膜１２３及び層間絶縁膜１２４によって覆われている。
【００３６】
層間絶縁膜１２４の上には、受光素子８０のアノード８０Ａ及びカソード８０Ｃが配置されている。これらのアノード８０Ａ及びカソード８０Ｃは、ゲート絶縁膜１２３及び層間絶縁膜１２４を半導体層８１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層８１にそれぞれコンタクトしている。これらのアノード８０Ａ及びカソード８０Ｃは、保護絶縁膜１２５及び隔壁７０によって覆われている。
【００３７】
ここで、半導体層８１から表示面（すなわち封止基板２００の外面２００Ａ）までの間に積層される薄膜は、いずれも光透過性を有する材料によって形成されている。このような構成により、受光素子８０は、封止基板２００を介してアレイ基板１００に向かって入射した外光や表示面２００Ａからの反射光の変化を検出する。
【００３８】
一方で、受光素子８０の検出性能を向上する上で、受光素子８０に隣接した有機ＥＬ素子６０からの出射光の影響を軽減する必要がある。
【００３９】
このため、この実施の形態においては、有機ＥＬ表示装置１は、受光素子８０と表示面２００Ａとの間に配置された遮光層ＳＬを備えている。この遮光層ＳＬには、受光素子８０に対向した開口部ＯＰが形成されている。図２に示した例では、遮光層ＳＬは、アレイ基板１００に設けられている。
【００４０】
このような構成によれば、受光素子８０の上層（つまり、受光素子に対して光が入射する側）に設けた遮光層ＳＬにより、近隣の有機ＥＬ素子６０から受光素子８０への光の直接入射を抑制することができ、また、受光素子８０には、遮光層ＳＬに設けた開口部ＯＰから外光や表示面で反射した反射光が入射可能となる。これにより、有機ＥＬ素子６０からの出射光の影響を受けにくくなり、受光素子８０の検出性能を向上することが可能となる。
【００４１】
特に、遮光層ＳＬの開口部ＯＰは、受光素子８０における受光面（半導体層８１のアノード８０Ａ及びカソード８０Ｃと重ならない部分）の直上に形成されている。このため、受光面の法線に対して斜め方向から入射した光の受光面への到達は抑制される一方で、正面方向つまり受光面の法線方向から入射した光は受光面に到達するため、受光素子８０の検出性能を向上することが可能となる。開口部ＯＰの大きさは、例えば受光面のサイズと同等であり、４〜５０μｍ×４〜５０μｍ程度の範囲で設定可能である。このような開口部ＯＰの大きさは、画素サイズや隣接する有機ＥＬ素子からの出射光ノイズの影響を加味して調整することが有効である。
【００４２】
したがって、表示面に接触した物体からの反射光あるいは表示面に物体が接触したことによる外光の変化を効果的に検出することができ、有機ＥＬ表示装置の表示面を接触入力装置として活用することができる。
【００４３】
しかも、受光素子８０は、画素回路４０を構成するトランジスタ素子２０などと同一工程において形成可能である。このため、受光素子８０を形成するための別個の工程が不要であり、製造コストの増加が抑制できる。
【００４４】
特に、アレイ基板１００が図２に示したようなトップエミッション方式の有機ＥＬ素子６０を適用した構成においては、遮光層ＳＬは、第１電極６１を構成する反射層６１Ｒと同一層において同一材料によって形成可能である。すなわち、図２に示したように、遮光層ＳＬは、保護絶縁膜１２５の上に配置され（特に、保護絶縁膜１２５と隔壁７０との間に配置され）、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成可能である。
【００４５】
このような構成によれば、遮光層ＳＬは、有機ＥＬ素子６０を構成する反射層６１Ｒと同一工程において形成可能である。このため、遮光層ＳＬを形成するための別個の工程が不要であり、製造コストの増加が抑制できる。
【００４６】
このような受光素子８０は、アクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子６０の実質的な発光部（つまり、第１電極６１が隔壁７０から露出した部分）に重ならない位置であればいかなる位置に配置しても良い。
【００４７】
例えば、受光素子８０は、アクティブエリア１０２の各画素ＰＸに配置されても良い。図３に示した例のように、各画素ＰＸが有機ＥＬ素子６０の実質的な発光部ＥＰ及び画素回路４０を配置するための回路部ＣＰを有する構成においては、受光素子８０は、回路部ＣＰなどを利用して配置可能である。
【００４８】
また、受光素子８０は、ｎ画素おき（但し、ｎは正の整数）に配置されても良い。図４に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、青色画素ＰＸＢが繰り返しこの順序で行方向に並んで配置されている。そして、ここでは、受光素子８０は、行方向に、２画素おきに配置されている。なお、このような場合、行方向に直交する列方向においても同様に、受光素子８０は、ｎ画素おきに配置されても良い。
【００４９】
さらに、受光素子８０は、２つの画素に隣接する位置に配置されても良い。図５に示した例では、受光素子８０は、青色画素ＰＸＢと赤色画素ＰＸＲとの間に配置されている。
【００５０】
緑色波長の光に対する感度が最も高い受光素子８０を適用する場合、受光素子８０は、できるだけ緑色画素ＰＸＧから遠ざけて配置することが望ましい。したがって、受光素子８０は、赤色画素ＰＸＲ、または、青色画素ＰＸＢ、または赤色画素ＰＸＲと青色画素ＰＸＢとの間に配置されることが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子６０からの出射光の影響がさらに低減され、受光素子８０の検出性能をより向上することが可能となる。
【００５１】
このように、アレイ基板１００において、有機ＥＬ素子６０とともに配置された受光素子８０は、隔壁７０によって覆われている。隔壁７０は、上述したように光透過性を有する樹脂材用によって形成されているため、受光素子８０の検出性能に悪影響を及ぼすことはない。
【００５２】
ここで、一実施例について説明する。ここでは、特に、受光素子８０の制御配線が有機ＥＬ素子６０の制御配線と教養可能な構成について説明するが、受光素子８０の制御用に専用の配線を用いる構成や、制御用薄膜トランジスタの極性を変えた構成を採用することも可能であり、回路構成はここで説明する例に限らない。
【００５３】
図６に示すように、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、それぞれの有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の駆動を制御するための画素回路４０を備えている。各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の画素回路４０は、いずれも同一構成であり、４つのスイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ、ＳＷＤ、２つの蓄積容量素子ＣＳ１、ＣＳ２などを備えて構成されている。
【００５４】
スイッチＳＷＡのゲートは第１ゲート線ＧＬ１に接続され、ソースは映像信号線ＳＧに接続されている。赤色画素ＰＸＲの画素回路４０においては、スイッチＳＷＡのソースは映像信号線ＳＧ１に接続されている。緑色画素ＰＸＧの画素回路４０においては、スイッチＳＷＡのソースは映像信号線ＳＧ２に接続されている。青色画素ＰＸＢの画素回路４０においては、スイッチＳＷＡのソースは映像信号線ＳＧ３に接続されている。
【００５５】
スイッチＳＷＢのゲートは、蓄積容量素子ＣＳ１を介してスイッチＳＷＡのドレインに接続されている。スイッチＳＷＢのソースは電源線Ｐに接続され、ドレインはスイッチＳＷＤに接続されている。スイッチＳＷＣのゲートは、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。スイッチＳＷＤのゲートは、第３ゲート線ＧＬ３に接続されている。スイッチＳＷＤのソースはスイッチＳＷＢに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子６０の第１電極６１に接続されている。
【００５６】
図６に示した例では、受光素子８０を含む受光回路９０は、赤色画素ＰＸＲに配置され、３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃ、１つの蓄積容量素子ＣＳａなどを備えて構成されている。
【００５７】
スイッチＳＷａのゲートは第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。スイッチＳＷａのソース・ドレインは、それぞれ映像信号線ＳＧ１と、受光素子８０及びスイッチＳＷｃのゲートとに接続されている。スイッチＳＷｂのゲートは第３ゲート線ＧＬ３に接続されている。スイッチＳＷｂのソース・ドレインは、それぞれ映像信号線ＳＧ２と、映像信号線ＳＧ３とに接続されている。スイッチＳＷｃのソース・ドレインは、それぞれ映像信号線ＳＧ２と、受光素子８０のアノード８０Ａとに接続されている。
【００５８】
図７には、実施例として用いる映像信号線のドライバＩＣならびにプリチャージおよび受光素子検出用電源への接続の一例を示している。ここに示した例では、信号書き込み用ドライバＩＣの１出力を時分割して３つの映像信号線に順次映像信号を書き込む形式の例である。１出力に１つの映像信号線であっても、３つ以上の映像信号線に映像信号を書き込む方法をとることも可能である。この例の場合、信号書き込み用ドライバＩＣがセンサ用ドライバＩＣを兼ねているが、別なＩＣで構成することも可能である。
【００５９】
図８に示すように、映像信号の書き込み時には、映像信号の出力側が選択されるタイミングにおいて、スイッチＳＷ６がＯＮするとともに第１ゲート線ＧＬ１にＯＮ信号が供給される。これに伴って、各画素ＰＸの画素回路４０におけるスイッチＳＷＡが導通状態となる。そして、順次スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３が切り替わって、それぞれ映像信号線ＳＧ１、ＳＧ２、ＳＧ３を介して各画素ＰＸに映像信号を書き込む。このような映像信号書込時には、スイッチＳＷ７はＯＦＦしている。
【００６０】
映像信号を書き込み後には、センサモードに切り替わる。すなわち、このタイミングにおいては、スイッチＳＷ６がＯＦＦする一方で、スイッチＳＷ７がＯＮする。また、このタイミングにおいては、第３ゲート線ＧＬ３にＯＮ信号が供給され、この第３ゲート線ＧＬ３に接続されたスイッチＳＷＤ及びＳＷｂが導通状態となる。このとき、画素回路４０においては、スイッチＳＷＢによって制御された電流量が電源線Ｐから有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に供給される。これにより、有機ＥＬ素子６０は、所定の輝度で発光する。一方、受光回路９０においては、スイッチＳＷ４がＯＮすることによって映像信号線ＳＧ３を介して受光素子８０に対して逆バイアスが印加されるとともに、スイッチＳＷ２がＯＮすることによって受光素子８０からの出力が映像信号線ＳＧ２を介して検知され、スイッチＳＷ７から図示しない制御回路に入力し、表示面への接触が判定される。
【００６１】
非表示期間においては、第３ゲート線ＧＬ３がＯＦＦし、スイッチＳＷ７がＯＦＦするとともに、スイッチＳＷ４がＯＦＦすることによって逆バイアスもＯＦＦする。この非表示期間においては、第２ゲート線ＧＬ２を解して画素回路４０がオフセットキャンセルされ、また、スイッチＳＷ５を介して受光素子８０がリセットされる。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子と同一基板上に受光素子を設置することができ、しかも、この場合において、近隣の有機ＥＬ素子から受光素子への光の入射を抑制することができるため、受光素子の検出性能を向上することが可能となり、外光や表示面で反射した反射光を高精度で検出することが可能となる。
【００６３】
すなわち、本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置に表示面接触検知機能を付加することができ、有効性の高い有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【００６４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置において有機ＥＬ素子及び受光素子の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、本実施形態における受光素子の配置例を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態における受光素子の他の配置例を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施形態における受光素子の他の配置例を説明するための図である。
【図６】図６は、本実施例における画素回路及び受光回路の一形態を説明するための回路構成図である。
【図７】図７は、本実施例における映像信号線ドライバの一形態を説明するための回路構成図である。
【図８】図８は、本実施例における信号書込モード及びセンサモードの一例を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００６６】
１…有機ＥＬ表示装置
１００…アレイ基板  １０２…アクティブエリア
ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素  ＥＰ…発光部  ＣＰ…回路部
２０…トランジスタ素子
２１…半導体層
４０…画素回路
６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…有機ＥＬ素子（表示素子）
６１…第１電極  ６１Ｒ…反射層  ６１Ｔ…透過層
６２…第２電極
６３…有機活性層
７０…隔壁
８０…受光素子  ８１…半導体層
９０…受光回路
ＳＬ…遮光層  ＯＰ…開口部
１２０…配線基板
２００…封止基板  ３００…シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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