(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の周縁部の洗浄効率を向上させること。【解決手段】基板２を回転させるための基板回転手段１９と、回転する洗浄体３２で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段２１と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段２２とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板２の周縁部に回転する洗浄体３２を接触させて、洗浄液で洗浄するときに、基板回転手段１９による基板２の回転方向と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転方向とを反対方向として、基板２と洗浄体３２とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体３２の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段１９による基板２の回転速度と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜３．５：１の範囲となるようにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを備え、
基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向を同一方向とするとともに、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を１：１〜3.5：１の範囲としたことを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲としたことを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項３】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１としたことを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項４】
前記洗浄体を円周方向に２分割した領域に異なる種類の洗浄部材を形成したことを特徴とする請求項３に記載の基板液処理装置。
【請求項５】
前記洗浄体は、円周方向に２分割した領域にブラシ状の洗浄部材とスポンジ状の洗浄部材とを形成したことを特徴とする請求項４に記載の基板液処理装置。
【請求項６】
基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを用いて、回転する基板の周縁部に回転する洗浄体を接触させて洗浄液で洗浄する基板液処理方法において、
基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜3.5：１の範囲となるように、基板と洗浄体とを回転させて洗浄体で基板の周縁部を洗浄することを特徴とする基板液処理方法。
【請求項７】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲とすることを特徴とする請求項６に記載の基板液処理方法。
【請求項８】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とすることを特徴とする請求項６に記載の基板液処理方法。
【請求項９】
基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板の周縁部に回転する洗浄体を接触させて洗浄液で洗浄するための基板液処理プログラムを格納した記憶媒体において、
基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜3.5：１の範囲となるように、基板と洗浄体とを回転させて洗浄体で基板の周縁部を洗浄することを特徴とする基板液処理プログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１０】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲とすることを特徴とする請求項９に記載の基板液処理プログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１１】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とすることを特徴とする請求項９に記載の基板液処理プログラムを格納した記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを格納した記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品を製造する工程においては、半導体基板を洗浄する基板洗浄工程が設けられている。
【０００３】
基板は、回路パターンなどを形成する表面（主面）がパーティクル等の汚染物質で汚染されていると露光等によるパターン形成に支障をきたすおそれがあるために、基板洗浄工程において基板の表面が洗浄されている。さらに、基板は、周縁部が汚染されていると搬送時や処理時などに基板の保持手段を介して他の基板に汚染物質が転写してしまうおそれがあり、また、浸漬による処理時や液浸露光時などに基板を浸漬させた液中に汚染物質が浮遊して基板表面などに再付着してしまうおそれがあるために、基板洗浄工程において基板の周縁部も洗浄されている。
【０００４】
この基板洗浄工程において基板の周縁部を洗浄するために用いられる基板液処理装置としては、基板を水平に保持しながら回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体を基板の周縁部に接触させて基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板の回転中心部に洗浄液を供給して回転する基板の遠心力を利用して基板の周縁部に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを有した構成の基板液処理装置が知られている。（たとえば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７８５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板液処理装置では、基板と洗浄体とを共に回転させながら基板の周縁部を洗浄液で洗浄するようにしているために、基板や洗浄体の回転速度によって基板の周縁部での洗浄効率（汚染物質の除去率）が変化する。
【０００７】
本発明は、共に回転する基板と洗浄体とを接触させながら洗浄液で基板の周縁部を洗浄するのに適した基板液処理装置・基板液処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを備え、基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向を同一方向とするとともに、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を１：１〜3.5：１の範囲とした。
【０００９】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲とした。
【００１０】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とした。
【００１１】
前記洗浄体を円周方向に２分割した領域に異なる種類の洗浄部材を形成した。
【００１２】
前記洗浄体は、円周方向に２分割した領域にブラシ状の洗浄部材とスポンジ状の洗浄部材とを形成した。
【００１３】
本発明では、基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを用いて、回転する基板の周縁部に回転する洗浄体を接触させて洗浄液で洗浄する基板液処理方法において、基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜3.5：１の範囲となるように、基板と洗浄体とを回転させて洗浄体で基板の周縁部を洗浄する。
【００１４】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲とする。
【００１５】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とする。
【００１６】
本発明では、基板を回転させるための基板回転手段と、回転する洗浄体で基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段と、基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板の周縁部に回転する洗浄体を接触させて洗浄液で洗浄するための基板液処理プログラムを格納した記憶媒体において、基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜3.5：１の範囲となるように、基板と洗浄体とを回転させて洗浄体で基板の周縁部を洗浄する。
【００１７】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を1.5：１〜３：１の範囲とする。
【００１８】
前記基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、基板回転手段による基板の回転方向と周縁洗浄手段による洗浄体の回転方向とを反対方向として基板と洗浄体とが接触する洗浄部分での基板と洗浄体の進行方向を同一方向とするとともに、基板回転手段による基板の回転速度と周縁洗浄手段による洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を１：１〜3.5：１の範囲とすることで、基板の洗浄効率（汚染物質の除去率）を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る基板液処理装置を示す平面図。
【図２】基板洗浄ユニットを示す平面図。
【図３】同側面図。
【図４】洗浄時における基板と洗浄体の動作を示す説明図（ａ）、同部分拡大図（ｂ）。
【図５】基板の回転速度を一定とした場合の洗浄体の回転速度と洗浄効率との関係を示すグラフ。
【図６】洗浄体の回転速度を一定とした場合の基板の回転速度と洗浄効率との関係を示すグラフ。
【図７】基板の回転速度と洗浄体の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）と洗浄効率との関係を示すグラフ。
【図８】洗浄体を示す平面図（ａ）、同側面断面図（ｂ）。
【図９】他の洗浄体を示す平面図（ａ）、同側面断面図（ｂ）。
【図１０】他の洗浄体を示す平面図（ａ）、同側面断面図（ｂ）。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明に係る基板液処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に示すように、基板液処理装置１は、前端部に半導体ウエハ（以下、「基板２」という。）を搬入及び搬出するための基板搬入出部３を形成するとともに、基板搬入出部３の後部に基板２を搬送するための基板搬送部４を形成し、基板搬送部４の後部に基板２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板液処理部５を形成している。
【００２３】
基板液処理部５は、基板搬送部４の後部に基板２の受け渡しを行うための基板受渡ユニット６を設けるとともに、基板受渡ユニット６の後部に基板２を基板液処理部５の内部で搬送するための搬送ユニット７を設け、搬送ユニット７の左右両側部に基板２の洗浄を行うための基板洗浄ユニット8〜15を上下及び前後に２個ずつ並べて配設している。
【００２４】
そして、基板液処理装置１では、たとえば、基板搬入出部３に載置された複数枚の基板２を積載したキャリア17から基板２を一枚ずつ基板搬送部４で取り出して基板受渡ユニット６へ搬送し、搬送ユニット７で基板受渡ユニット６から基板２を基板洗浄ユニット8〜15のいずれかに搬送し、基板洗浄ユニット8〜15で基板２を洗浄し、その後、再び搬送ユニット７で基板２を基板受渡ユニット６へ搬送し、基板搬送部４で基板２を基板受渡ユニット６から基板搬入出部３のキャリア17へと搬出するようにしている。
【００２５】
次に、上記基板液処理装置１において、基板２の洗浄処理を行う基板洗浄ユニット8〜15の具体的な構造について説明する。なお、以下の説明では、上側の前側に配設した基板洗浄ユニット８の構造について説明するが、他の基板洗浄ユニット9〜15も概略同様の構成となっている。
【００２６】
基板洗浄ユニット８は、図２及び図３に示すように、チャンバー18の内部に、基板２を回転させる基板回転手段19と、基板２の表面（上面）を洗浄する表面洗浄手段20と、基板２の周縁部を洗浄する周縁洗浄手段21と、基板２に洗浄液を供給する洗浄液供給手段22とを収容している。
【００２７】
以下に、基板洗浄ユニット８を構成する基板回転手段19、表面洗浄手段20、周縁洗浄手段21、洗浄液供給手段22の具体的な構成について順に説明する。
【００２８】
基板回転手段19は、チャンバー18の底部中央に駆動モータ23を取付け、その駆動モータ23の回転軸24の上端部に基板２を吸着保持する基板保持体25を取付けている。
【００２９】
そして、基板回転手段19は、搬送ユニット７によって所定位置に搬送された基板２を基板保持体25で水平に保持しながら所定回転速度で基板２を回転させるようにしている。
【００３０】
表面洗浄手段20は、チャンバー18に移動機構26を取付け、移動機構26の先端部に洗浄ノズル27を取付けている。
【００３１】
そして、表面洗浄手段20は、移動機構26によって洗浄ノズル27を基板２の中央上方位置と基板２の周縁外方位置との間で水平方向に移動可能とし、基板２の搬送時には洗浄ノズル27を基板２の周縁外方位置に退避させ、基板２の表面全面の洗浄時には洗浄ノズル27を基板２の中央上方位置から基板２の周縁上方位置に向けて水平方向に移動させ、洗浄ノズル27から基板２の上面に向けて薬液を液滴状に噴射して、基板２の表面を洗浄するようにしている。
【００３２】
周縁洗浄手段21は、チャンバー18に移動機構28を取付け、移動機構28の先端部に回転軸29を先端を下方に向けて取付け、回転軸29の先端に小径スポンジ30と大径スポンジ31とからなる断面逆Ｔ字形の洗浄体32を取付けている。なお、ここでは、スポンジ状の洗浄部材からなる洗浄体32を用いているが、基板２と接触状態で洗浄を行う構成であればよく、たとえば、ブラシ状の洗浄部材からなる洗浄体を用いてもよい。また、図９に示すように、洗浄体32と基板２との接触部位に小突起39を形成しておき、この小突起39の磨耗状態を検査することで洗浄体32の交換時期を外観上で判断できるようにすることもできる。また、図10に示すように、洗浄体32を色の異なる外側スポンジ40と内側スポンジ41とで構成しておき、洗浄体32の外観上に現れる色を検査することで洗浄体32の交換時期を外観上で判断できるようにすることもできる。
【００３３】
また、周縁洗浄手段21は、移動機構28の先端部に支持体33を取付け、支持体33の下端部に供給ノズル34を洗浄体32に向けて取付けている。
【００３４】
そして、周縁洗浄手段21は、移動機構28によって洗浄体32を基板２の周縁位置と基板２の外方位置との間で水平方向に移動可能とし、基板２の搬送時には洗浄体32を基板２の外方位置に退避させ、基板２の洗浄時には洗浄体32を基板２の周縁位置に移動させ、小径スポンジ30の外周面を基板２の端部に押し付けるとともに大径スポンジ31の上面を基板２の裏面側縁部に押し付け、洗浄体32を回転軸29で回転させることによって小径スポンジ30と大径スポンジ31とで基板２の周縁部を擦りながら洗浄するようにしている。その際に、周縁洗浄手段21は、供給ノズル34から洗浄体32に向けて純水を供給し、純水で洗浄体32を膨潤させるとともに、洗浄体32に付着したパーティクル等の汚染物質を洗い流すようにしている。
【００３５】
洗浄液供給手段22は、チャンバー18に支持体35を取付け、支持体35の上端部に供給ノズル36を基板２の表面回転中心部方向に向けて傾斜状に取付けている。
【００３６】
そして、洗浄液供給手段22は、供給ノズル36から回転する基板２の表面に液膜を形成させることができる量の洗浄液（ここでは、純水）を基板２の表面回転中心部（中央部）に向けて吐出して供給し、基板回転手段19によって基板２を回転させることで遠心力の作用で基板２の表面に液膜を形成するとともに、基板回転手段19によって回転させた基板２の表面周縁部と周縁洗浄手段21によって回転させた洗浄体32との間に洗浄液を介在させるようにしている。なお、基板２の表面に遠心力で液膜を形成することによって、基板２の表面へ向けてパーティクルを含んだ洗浄液が撥ね返って再付着してしまうのを防止している。
【００３７】
基板洗浄ユニット８は、以上に説明したように構成しており、基板回転手段19、表面洗浄手段20、周縁洗浄手段21、洗浄液供給手段22などを図示しない制御装置の記憶媒体に格納した基板液処理プログラムで適宜制御することによって、以下に説明するようにして基板２を洗浄する。
【００３８】
まず、搬送ユニット７によって搬送された基板２を基板回転手段19で水平に保持しながら所定方向に向けて所定回転速度で回転させるとともに、洗浄液供給手段22によって所定量の洗浄液を基板２の表面中央部に向けて供給して液膜を形成し、移動機構28で洗浄体32を所定方向に向けて所定回転速度で回転させながら基板２の周縁部に接触させ、周縁洗浄手段21の洗浄体32で基板２の周縁部を洗浄する。
【００３９】
その後、表面洗浄手段20と周縁洗浄手段21を基板２の周縁外方位置に退避させ、洗浄液供給手段22によって基板２に洗浄液を供給して、基板２のリンス処理を行う。
【００４０】
その後、洗浄液供給手段22によって所定量の洗浄液を基板２の表面中央部に向けて供給して液膜を形成し、移動機構26によって洗浄ノズル27を基板２の中央上方位置から基板２の周縁上方位置に向けて移動させることにより表面洗浄手段20で基板２の回路パターンを形成した表面を洗浄する。
【００４１】
その後、洗浄液供給手段22からの洗浄液の供給を停止するとともに、基板回転手段19によって洗浄時よりも高速回転速度で基板２を回転させ、遠心力の作用で基板２の表面から洗浄液を吹き飛ばして基板２の表面を乾燥させる。
【００４２】
このように、上記基板液処理装置１の基板洗浄ユニット８では、基板２と洗浄体32とを共に回転させながら接触させて基板２の周縁部を洗浄液で洗浄するようにしている。
【００４３】
ここで、基板２と洗浄体32とを共に回転させながら洗浄を行うときには、基板２と洗浄体32の回転方向を同一方向とする場合と反対方向とする場合とがある。しかし、基板２の回転方向と洗浄体32の回転方向とを同一方向とし、基板２と洗浄体32とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体32との進行方向が反対方向となるようにした場合には、基板２と洗浄体32との間に介在する洗浄液の影響により基板２から洗浄体32が浮いて横滑りを起こした状態となってしまい、洗浄効率が低くなる。
【００４４】
そこで、図４に示すように、基板回転手段19によって基板２を平面視で時計回り（右回り）に回転させる一方、周縁洗浄手段21によって洗浄体32を平面視で反時計回り（左回り）に回転させて、基板回転手段19による基板２の回転方向と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転方向とを反対方向とし、これにより、基板２と洗浄体32とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体32との進行方向を同一方向とし、基板２や洗浄体32の回転速度と洗浄効率との関係を調べた。
【００４５】
その結果、まず、基板２の回転速度を100rpmと一定にして洗浄体32の回転速度を変化させた場合には、図５に示すように、洗浄体32の回転速度を増大させることによって洗浄効率が増大し、洗浄体32の回転速度が50rpmの時をピークとし、さらに洗浄体32の回転速度を増加させると洗浄効率が徐々に低減することがわかった。
【００４６】
これは、洗浄体32の回転速度が50rpmよりも低い場合には、基板２と洗浄体32との接触回数が少なく、洗浄効率が低くなってしまったものと考えられる。
【００４７】
一方、洗浄体32の回転速度が50rpmよりも高い場合には、基板２と洗浄体32との接触回数は増大するにもかかわらず、洗浄体32の回転速度が速すぎて洗浄体32に付着した汚染物質が洗浄体32から剥離せずに基板２に再付着してしまい、かえって洗浄効率が低くなってしまったものと考えられる。
【００４８】
また、洗浄体32の回転速度を50rpmと一定にして基板２の回転速度を変化させた場合には、図６に示すように、基板２の回転速度を増大させることによって洗浄効率が徐々に増大し、基板２の回転速度が100rpmの時をピークとし、さらに基板２の回転速度を増加させると洗浄効率が徐々に低減することがわかった。
【００４９】
これは、基板２の回転速度が100rpmよりも低い場合には、基板２と洗浄体32との接触回数が少なく、また、洗浄体32によって基板２から剥離した汚染物質が基板２に再付着してしまうことから、洗浄効率が低くなってしまったものと考えられる。
【００５０】
一方、基板２の回転速度が100rpmよりも高い場合には、基板２と洗浄体32との接触回数は増大するにもかかわらず、基板２と洗浄体32との間に介在する洗浄液の影響により基板２から洗浄体32が浮いて横滑りを起こした状態となってしまい、かえって洗浄効率が低くなってしまったものと考えられる。
【００５１】
さらに、基板２と洗浄体32の回転速度の比（回転速度比（基板：洗浄体））を変化させた場合には、図７に示すように、比較的付着力の弱い汚染物質が付着した基板２（図７中、×印のプロットで示す。）では回転速度比が２：１をピークとし、回転速度比が1.5：１〜2.5：１の範囲では洗浄効率がほぼ100％となり、回転速度比が１：１〜3.5：１の範囲では洗浄効率が90％以上となり、その前後では洗浄効率が徐々に低くなる。
【００５２】
一方、比較的付着力の強い汚染物質が付着した基板２（図７中、●印のプロットで示す。）では回転速度比が２：１をピークとし、回転速度比が1.5：１〜2.5：１の範囲では洗浄効率が90％以上となり、回転速度比が1.5：１〜３：１の範囲では洗浄効率が80％以上となり、その前後では洗浄効率が徐々に低くなる。
【００５３】
これにより、基板回転手段19による基板２の回転速度と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とすることで洗浄効率が著しく向上し、特に、回転速度比が１：１未満の場合では洗浄体32によって基板２から剥離した汚染物質が基板２に再付着してしまい洗浄効率が５０％以下になってしまうおそれがあり、また、回転速度比が４：１以上の場合では基板２と洗浄体32との間に介在する洗浄液の影響により基板２から洗浄体32が浮いて横滑りを起こした状態となって洗浄効率が５０％以下になってしまうおそれがある。そのため、基板２を洗浄体32に対して高速で回転させて回転速度比が４：１以上となることは現実的ではないが、少なくとも、回転速度比を１：１〜3.5：１の範囲とする必要があり、望ましくは回転速度比を1.5：１〜３：１の範囲（より望ましくは回転速度比を1.5：１〜2.5：１の範囲）とする。
【００５４】
また、洗浄によって剥離する酸化膜やレジスト膜などの物質によっても付着力の違いにより適する回転速度比の範囲が変わるために、回転速度比と洗浄効率との関係を予め調べて洗浄効率が９０％以上となる範囲内の回転速度比とすることが望ましい。
【００５５】
特に、基板回転手段19による基板２の回転速度と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１近傍とすることで洗浄効率を著しく向上させることができる。
【００５６】
しかも、基板回転手段19による基板２の回転速度と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１とした場合には、基板２が１回転する間に洗浄体32の半分の領域と接触して洗浄されることになるため、図８に示すように、洗浄体32を円周方向に２分割し、その２分割した領域に、たとえばＰＰ（ポリプロピレン）製のブラシ状の洗浄部材37とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジ状の洗浄部材38のように異なる種類の洗浄部材37,38を形成した洗浄体32を用いて基板２の洗浄を行うこともできる。
【００５７】
この場合、洗浄体32のブラシ状の洗浄部材37で基板２の周縁部を１周分洗浄し、その後、洗浄体32のスポンジ状の洗浄部材38で基板２の周縁部を１周分洗浄することができ、ブラシ状の洗浄部材37によって大きな汚染物質を強力に剥離する洗浄と、スポンジ状の洗浄部材38によって小さな汚染物質までも残さず剥離する洗浄とを交互に行うことができ、洗浄効率をより一層向上させることができる。
【００５８】
以上に説明したように、基板２を回転させるための基板回転手段19と、回転する洗浄体32で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段21と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段22とを有する基板液処理装置１を用いて、基板２の周縁部に洗浄体32を接触させながら洗浄液で基板２の周縁部を洗浄する場合には、基板２や洗浄体32の回転方向や回転速度などによって基板２の周縁部での洗浄効率が変化し、基板回転手段19による基板２の回転方向と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転方向とを反対方向として基板２と洗浄体32とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体32との進行方向を同一方向とするとともに、基板回転手段19による基板２の回転速度と周縁洗浄手段21による洗浄体32の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）を２：１、少なくとも１：１〜3.5：１の範囲、望ましくは1.5：１〜３：１の範囲とすることで、基板２の洗浄効率を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１  基板液処理装置                      ２  基板
３  基板搬入出部                        ４  基板搬送部
５  基板液処理部                        ６  基板受渡ユニット
７  搬送ユニット                        8〜15  基板洗浄ユニット
17  キャリア                            18  チャンバー
19  基板回転手段                        20  表面洗浄手段
21  周縁洗浄手段                        22  洗浄液供給手段
23  駆動モータ                          24  回転軸
25  基板保持体                          26  移動機構
27  洗浄ノズル                          28  移動機構
29  回転軸                              30  小径スポンジ
31  大径スポンジ                        32  洗浄体
33  支持体                              34  供給ノズル
35  支持体                              36  供給ノズル
37,38  洗浄部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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