(57)【要約】【課題】水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜装置を提供すること。【解決手段】成膜装置１００は、クライオポンプ６３を含む第１排気手段６０と、ＭＢＰまたはＴＭＰを含む第２排気手段７０と、第１排気手段６０と第２排気手段７０とを切換えるバルブ切換部８２とを備えている。当該装置は、第１排気手段６０による水分除去が終わった後で、バルブ切換部８２によって第１排気手段６０から第２排気手段７０に切換えることにより、十分な水分除去と、成膜時におけるガスの排気とを両立させている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧環境下において被着体に膜を形成するための成膜装置であって、
前記被着体が収納される成膜室と、
前記成膜室内に前記膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給手段と、
少なくとも前記成膜室内の水分を除去するための第１排気手段と、
前記成膜室内のガスを排気するための第２排気手段と、
前記第１排気手段と、前記第２排気手段とを切換える切換手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記第１排気手段は、クライオポンプを含んで構成され、
前記第２排気手段は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第２排気手段において、
前記メカニカルブースターポンプ、または前記ターボ分子ポンプの後段には、バックポンプとしてドライポンプまたはロータリーポンプがさらに備えられ、
前記ドライポンプまたはロータリーポンプには、前記メカニカルブースターポンプ、または前記ターボ分子ポンプを介さずに、前記成膜室内の排気をするための排気ルートが選択可能に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記被着体は、発光層を含む有機機能層が形成された基板であり、
前記膜は、前記有機機能層を覆う封止膜であり、
前記成膜室には、前記原料ガスを活性化させるための活性化ガスにプラズマを照射するプラズマ室がさらに備えられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
第１排気手段、および第２排気手段を備えた成膜室において被着体に膜を成膜するための成膜方法であって、
前記第２排気手段によって前記成膜室内を所定の減圧環境とする工程と、
前記第２排気手段から前記第１排気手段に切換える工程と、
前記第１排気手段によって前記成膜室内の水分を除去する工程と、
前記第１排気手段から前記第２排気手段に切換える工程と、
前記成膜室内に原料ガスを供給するとともに、前記原料ガスの一部を含む前記成膜室内のガスを前記第２排気手段によって排気する成膜工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相成長法を用いた成膜方法、および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）装置において、発光層を含む有機機能層や、陰極電極などは、水分によって劣化し易いため、水分の浸入を防止するために、当該部位全体を封止層で覆う構成が提案されている。
例えば、特許文献１（図１）には、有機機能層、および陰極電極を含む積層体全体を封止層（保護膜）で覆った構成の有機ＥＬ素子が示されている。また、当該文献によれば、封止層をＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置（特許文献１の図２参照）を用いて形成することにより、ステップガバレッジが良い封止層が形成できる、としている。
【０００３】
図６は、従来の成膜装置の概略構成図である。
成膜装置２００は、成膜室１１０内の支持台１２０にセットされた被着体としての基板１３０にプラズマＣＶＤ法によって封止層を成膜するための装置である。また、成膜室１１０の底部には、その室内を減圧環境とするための排気手段１７０が備えられていた。
排気手段１７０は、排気管１６０を介して、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）、またはターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）からなる第１ポンプ１６５と、ドライポンプからなる第２ポンプ１６６などから構成されていた。
【０００４】
例えば、封止層としてシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する場合、まず、排気手段１７０によって成膜室１１０内を所定の減圧環境にする。続いて、ガス供給管１５０から窒素ガスがプラズマ室１４０に供給され、プラズマ照射された窒素ガスがラジカル反応によってイオン化し、基板１３０に当たる。また、並行してガス供給管１５５からシランガス（ＳｉＨ4）を供給する。これにより、活性化した窒素プラズマに衝突したシランガスが分解するなどの化学反応が生じ、基板１３０の表面に、窒化膜を形成していた。
また、成膜中も排気手段１７０は駆動しており、成膜に使用されたガスを排気していた。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１１１２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような従来の成膜装置では、その構成上、成膜室１１０内に水分が残留し易く、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが難しいという課題があった。このため、当該環境下で封止層を成膜した有機ＥＬ装置の劣化を招く恐れがあった。
具体的には、第１ポンプとしてＭＢＰを用いた場合、１×１０0Ｐａ程度までしか到達真空度を下げることができず、成膜室１１０内に水分を含むガスが残留していた。また、ＴＭＰを用いた場合、最終的には、１×１０-4Ｐａ台程度までの到達真空度を確保することができるが、時間を要するばかりでなく、水分が十分に排気されているとはいい難かった。
これは、ＭＢＰや、ＴＭＰなどの回転運動による機械的な排気では、水や水素などの質量の軽い分子を完全に排出することが困難であることに起因していた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【０００８】
（適用例）
減圧環境下において被着体に膜を形成するための成膜装置であって、被着体が収納される成膜室と、成膜室内に膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給手段と、少なくとも成膜室内の水分を除去するための第１排気手段と、成膜室内のガスを排気するための第２排気手段と、第１排気手段と、第２排気手段とを切換える切換手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【０００９】
この成膜装置によれば、成膜装置は、成膜室内の水分を除去するための、例えば、クライオポンプからなる第１排気手段を備えている。このため、機械的な排気ポンプのみを備えていた従来の成膜装置と比べて、成膜室内の水分を確実に除去することができる。
また、原料ガスを供給して被着体に成膜する気相成長法による成膜装置の場合、原料ガスの供給と並行してガスの排気が必要となるが、本願に係る成膜装置によれば、切換手段を備えたことによって、第１排気手段による水分除去が終わった後で、第１排気手段から第２排気手段に切換えることができる。
従って、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜装置を提供することができる。
【００１０】
また、第１排気手段は、クライオポンプを含んで構成され、第２排気手段は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを含んで構成されていることが好ましい。
また、第２排気手段において、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプの後段には、バックポンプとしてドライポンプまたはロータリーポンプがさらに備えられ、ドライポンプまたはロータリーポンプには、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを介さずに、成膜室内の排気をするための排気ルートが選択可能に接続されていることが好ましい。
また、被着体は、発光層を含む有機機能層が形成された基板であり、膜は、有機機能層を覆う封止膜であり、成膜室には、原料ガスを活性化させるための活性化ガスにプラズマを照射するプラズマ室がさらに備えられていることが好ましい。
【００１１】
第１排気手段、および第２排気手段を備えた成膜室において被着体に膜を成膜するための成膜方法であって、第２排気手段によって成膜室内を所定の減圧環境とする工程と、第２排気手段から第１排気手段に切換える工程と、第１排気手段によって成膜室内の水分を除去する工程と、第１排気手段から第２排気手段に切換える工程と、成膜室内に原料ガスを供給するとともに、原料ガスの一部を含む成膜室内のガスを第２排気手段によって排気する成膜工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
この成膜方法によれば、例えば、クライオポンプを含む第１排気手段によって成膜室内の水分を除去する工程を含んでいるため、機械的な排気ポンプのみを備えていた従来の成膜装置と比べて、成膜室内の水分を確実に除去することができる。
さらに、第１排気手段から第２排気手段に切換える工程と、成膜室内に原料ガスを供給するとともに、原料ガスの一部を含む成膜室内のガスを第２排気手段によって排気する成膜工程とを含んでいるため、第１排気手段による水分除去が終わった後で、第２排気手段による成膜時の排気を行うことができる。
従って、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１４】
＜実施形態１＞
（成膜装置の構成）
図１は、本実施形態に係る成膜装置の全体構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態１に係る成膜装置１００の概要について図１を用いて説明する。成膜装置１００は、成膜室１０、プラズマ室４０、ガス供給管５５、第１排気手段６０、第２排気手段７０、制御手段８０などから構成されている。
成膜装置１００は、成膜室１０内にセットされた被着体としての基板３０にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって封止層などの膜（薄膜）を形成するためのＥＣＲプラズマＣＶＤ装置である。
【００１５】
成膜室１０は、真空チャンバであり、その室内環境を真空に近い減圧状態で維持可能な構成を備えている。成膜室１０の底部には、支持台２０が設けられている。支持台２０は、成膜室１０の底部から鉛直方向に立ち上がる支柱と、当該支柱の上部に設けられた平板状のステージとから構成されており、当該ステージ上には、基板３０が被成膜面を上方に向けて載せられている。なお、本明細書中で「上」とは天地における天上側を指し、「下」とは地面側を指すものとする。
成膜室１０の上方には、プラズマ室４０が設けられている。プラズマ室４０の上方には、例えば、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置（図示せず）が発生するマイクロ波を導くための導波管４２が設置されている。また、導波管４２とプラズマ室４０との境界には、例えば、石英から構成された窓（図示せず）が設けられており、マイクロ波のみがプラズマ室４０に入射する構成となっている。
【００１６】
また、プラズマ室４０は、空洞共振器になっており、その周囲には、磁気コイル４１が配置されている。プラズマ室４０の上面には、さらにガス供給手段としてのガス供給管５０が設けられている。ガス供給管５０には、例えば、窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ2）、アルゴン（Ａｒ）などの原料ガスに応じて選択された活性化ガスが、成膜時に供給される。
成膜室１０の一方の側面には、ガス供給手段としてのガス供給管５５が設けられている。ガス供給管５５からは、例えば、シランガスなどの原料ガスが成膜時に供給される。
第１排気手段６０は、排気管６１、バルブ６２、クライオポンプ６３などから構成されている。
クライオポンプ６３は、気体分子を極低温面（例えば、１０〜８０Ｋ）で凝縮、および吸着させることによって成膜室１０内の気体分子をポンプ内に溜め込む溜め込み式のポンプである。なお、図１において、クライオポンプ６３は、成膜室１０から排気管６１、およびバルブ６２を介して離れて図示されているが、実際は、排気管６１の開口は、排気管７１，７４よりも大きく形成され、クライオポンプ６３の極低温の吸着面が成膜室１０内において十分に露出するように設置されている。
【００１７】
第２排気手段７０は、排気管７１、バルブ７２、第１ポンプ７３、第２ポンプ７６、スクラバ７７などから構成されている。また、第２ポンプ７６と成膜室１０との間には、排気管７４とバルブ７５とが設けられている。これは、第１ポンプ７３を介することなく、直接第２ポンプ７６によって、成膜室１０内の排気を行うためのものである。換言すると、第２ポンプ７６によって、成膜室１０内の排気を直接行うためのバイパス経路が形成されている。
第１ポンプ７３は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプである。
第２ポンプ７６は、例えば、ルーツポンプなどのドライポンプまたはロータリーポンプであり、粗引きポンプ、および第１ポンプ７３のバックポンプとして機能する。
スクラバ７７は、シランガスなどの有害ガスを除去し、無害な排気とするための除外装置である。
【００１８】
制御手段８０は、制御部８１、バルブ切換部８２、検知部８３などから構成されている。制御部８１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、フラッシュメモリ、ＦｅＲＡＭなどの不揮発性のメモリからなる記憶部と、操作部（いずれも図示せず）とを含んで構成され、成膜装置１００の各手段、および各部位の動作を制御する。
記憶部には、成膜環境を構築するための粗引きから本引きまでの順序と内容を規定したプログラムと、成膜時における原料ガスの供給割合や、排気割合などを成膜材料ごとに規定したプログラムとを含む成膜プログラムなどの複数の制御プログラムなどが記憶されている。
操作部は、成膜装置１００を起動するための起動スイッチを含む複数の操作スイッチや、入力キーを備えており、封止層の材質や、膜厚などの成膜情報などを入力するための入力部である。
【００１９】
切換手段としてのバルブ切換部８２は、その出力部が各排気手段のバルブ６２，７２，７５に接続され、制御部８１からの制御信号に応じて各バルブの開閉を制御する。
検知部８３は、成膜室１０内の真空度を検知する部位であり、成膜室１０内に設置された圧力センサ８４が付属している。成膜室１０内の環境圧は、圧力センサ８４によって電気量として検知され、検知部８３に検知信号として送信される。
検知部８３は、例えば、検知信号をＡＤ（Analog to Digital）変換した圧力データを制御部８１に送信する。
【００２０】
（被着体の概要）
図２は、被着体としての基板の概要を示す断面図である。
ここでは、被着体としての基板３０の概要について、図２を用いて説明する。
基板３０は、素子基板３１上に、反射層３３、画素電極３５、有機機能層３７、共通電極３８、第１封止層３９、第２封止層４６などが複数の絶縁層を介して積層された構成となっている。
基板３０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置における素子基板であり、有機機能層３７が発する光を、矢印Ｌ側（第２封止層４６側）から出射する。
【００２１】
素子基板３１は、ガラス基板や、石英基板などから構成され、その表示領域における上層には、各画素電極３５を駆動するためのスイッチング素子や、走査線、データ線などの配線を含む素子層（図示せず）が形成されている。
素子基板３１の素子層上には、感光性樹脂からなる絶縁層３２が積層されている。
絶縁層３２上には、各画素電極３５と重なるように複数の反射層３３が形成されている。また、反射層３３を含む絶縁層３２の上層には、絶縁層３４が形成されている。
絶縁層３４上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極からなる複数の画素電極３５がマトリックス状に形成されている。また、隣り合う画素電極３５間の間隙には、断面が台形状の隔壁３６が平面視において格子状に形成されている。隔壁３６は、ブラックマトリックスである。
【００２２】
画素電極３５、および隔壁３６上には、有機機能層３７が積層されている。図２においては、簡略化のため有機機能層３７を１層で示しているが、複数層から形成されている。具体的には、例えば、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層と、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系材料からなる正孔輸送層と、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層と、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）からなる電子注入層とを、この順に積層した積層体となっている。また、電子注入層上に、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層がさらに形成されることもある。
有機機能層３７上には、ＭｇＡｇなどの略透明な金属薄膜層からなる共通電極３８が形成されている。
【００２３】
第１封止層３９は、共通電極３８、および表示領域の外側における素子基板３１を覆って形成されている。
第１封止層３９の表示領域上には、樹脂からなる絶縁層４５が形成されている。
第２封止層４６は、絶縁層４５、および表示領域の外側における第１封止層３９を覆って形成されている。
ここで、第１封止層３９、および第２封止層４６は、シリコン窒化膜、またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる封止層である。これらの封止層を形成する際には、図１に示すように、第１封止層３９、または第２封止層４６を形成する前の基板３０を、素子基板３１側を下にして支持台２０にセットする。
本実施形態の成膜装置１００によれば、後述する通り、有機機能層３７の水分を十分に除去した上で、これらの封止層を形成することができる。
【００２４】
（成膜工程）
図３は、成膜工程の流れを示したフローチャートである。
図４は、経時変化に伴う成膜室内の気圧変化を示すグラフである。
続いて、成膜室の減圧環境の構築を行う準備工程から、成膜工程までの成膜方法について、図３および図１を中心に、適宜図４を交えながら説明する。
なお、以下説明する各工程は、制御部８１（図１）の記憶部に記憶されている成膜プログラムが実行されることによって行われ、既に、操作者によって制御部８１の操作部に封止層の材質や、膜厚などの成膜情報が入力されているものとする。また、封止層としてシリコン窒化膜を形成する場合について、説明する。
【００２５】
ステップＳ１では、バルブ切換部８２により、バルブ６２，７２が閉じられるとともに、バルブ７５が開かれ、成膜室１０内を第２ポンプ７６によって粗引きするための準備が行われる。
ステップＳ２では、第２ポンプ７６により、成膜室１０内の粗引きが行われる。
第２ポンプによる粗引きは、図４のグラフａに示すように、成膜室１０内の気圧が略５×１０1Ｐａになるまで行われる。なお、気圧の検知は、検知部８３からの圧力データにより行われている。
ステップＳ３では、第２排気手段７０から第１排気手段６０への排気系の切換えが行われる。具体的には、バルブ切換部８２により、バルブ７５が閉じられるとともに、バルブ６２が開かれ、クライオポンプ６３による本引きの準備が行われる。
【００２６】
ステップＳ４では、クライオポンプ６３により、成膜室１０内の本引きが行われる。クライオポンプは、気体の分子、特に水や水素などの質量の軽い分子を効率的に凝縮、および吸着することができるため、成膜室１０内の水分を十分に除去することができる。
クライオポンプ６３による本引きは、図４のグラフｂに示すように、成膜室１０内の気圧が略５×１０-3Ｐａになるまで行われる。なお、５×１０-3Ｐａは、放電許容気圧であり、この気圧以下になれば、プラズマ放電が行えるという目安である。また、実際の成膜は、封止膜の材質や、膜厚などの成膜条件に応じて、放電許容気圧よりも低い気圧、換言すれば、より真空度の高い状態で行われる場合もある。
【００２７】
ステップＳ５では、第１排気手段６０から第２排気手段７０への排気系の切換えが行われる。具体的には、バルブ切換部８２により、バルブ６２が閉じられるとともに、バルブ７２が開かれ、第１ポンプ７３および第２ポンプ７６による成膜時における排気の準備が行われる。
ステップＳ６では、ガス供給管５０から窒素ガスをプラズマ室４０に供給するとともに、ガス供給管５５からシランガス（ＳｉＨ4）を成膜室１０内に供給する。また、並行して原料ガスを含む成膜室１０内のガスを第１ポンプ７３および第２ポンプ７６によって排気する。
これにより、プラズマ照射された窒素ガスがラジカル反応によってイオン化し、基板３０に当たり、また、並行して活性化した窒素プラズマに衝突したシランガスが分解するなどの化学反応が生じ、基板３０の表面に、窒化膜が形成される。つまり、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって、窒化膜が形成される。
【００２８】
上述した通り、本実施形態に係る成膜装置１００、および成膜方法によれば、以下の効果を得ることができる。
第２ポンプ７６による粗引きの後に、排気手段を切換えてクライオポンプ６３による本引きを行うことにより、成膜室１０内の水分を十分に除去することができる。
これにより、当該環境下にセットされている有機機能層３７（図２）を含む基板３０の水分も十分に除去されるため、有機機能層３７や、共通電極３８の劣化を防止することができる。さらに、水分が除去された状態で、無機材料からなる封止層が形成されるため、基板３０を備えた有機ＥＬ装置の信頼性を高めることができる。
特に、１系統の機械的な排気系（排気手段１７０）しか備えていなかったため十分な水分除去が困難であった従来の成膜装置（図６）と異なり、成膜装置１００によれば、従来の排気系と同様な第２排気手段７０に加えて、クライオポンプ６３を含む凝縮、および吸着作用によるもう一つの排気系（第１排気手段６０）を設けたことにより、成膜室１０内の十分な水分除去を可能とした。
【００２９】
また、一般的にＣＶＤ装置では、原料ガスの供給と並行して排気も行う必要があるため、溜め込み式のクライオポンプが用いられることはなかったが、成膜装置１００によれば、クライオポンプ６３を含む第１排気手段６０と、第２排気手段７０とを、バルブ切換部８２によって、切換え可能に構成したことにより、これを実現することができる。
具体的には、第１排気手段６０による水分除去が終わった後で、バルブ切換部８２によって第１排気手段６０から第２排気手段７０に切換えることにより、十分な水分除去と、成膜時におけるガスの排気とを両立させている。
従って、水分を十分に除去した状態でＣＶＤなどの気相成長法による成膜を行うことが可能な成膜装置１００を提供することができる。
【００３０】
さらに、成膜装置１００によれば、ＴＭＰによって本引きを行っていた従来の成膜装置（図６）よりも早く、成膜室１０内を放電許容気圧とすることができる。
図４のグラフｃ（破線）は、従来の成膜装置２００による本引きの一態様を示しており、成膜装置１００による本引きの様子を示したグラフｂ（粗引き開始から放電許容気圧まで約３時間）よりも、放電許容気圧（５×１０-3Ｐａ）に達するまでの時間（同約５時間）が長くなっている。なお、粗引きまでの時間は略同一である。また、これらの時間は、成膜室１０の大きさや、各ポンプの性能によって変化するが、成膜装置１００の方が、早く放電許容気圧となることは共通している。
これは、粗引き後の環境から、到達真空度をさらに高めるためには、水や水素などの質量の軽い分子を効率的に除去することが重要であり、クライオポンプ６３を用いた成膜装置１００の優位性を示す一つの指標である。
従って、成膜装置１００によれば、従来の成膜装置２００よりも製造効率良く、成膜を行うことができる。
【００３１】
また、本発明者等による別の実験でも、クライオポンプの優位性を示すデータが取得されている。
具体的には、成膜装置１００において、第２ポンプ７６で粗引きを行った後、バルブ７５を閉めるとともに、バルブ７２を開けて、第１ポンプ７３（ＴＭＰ）および第２ポンプ７６により能力の限界近くまで本引きを行った。この際、バルブ６２は閉じたままであり、クライオポンプ６３は使用しなかった。このときの、到達真空度は、５．８×１０-4Ｐａであった。
その後、バルブ７２を閉めるとともに、バルブ６２を開けて、クライオポンプ６３による吸着を行った。その結果、到達真空度は、３．５７×１０-4Ｐａまで下がった。
これは、ＴＭＰで限界近くまで本引きした状態であっても、成膜室１０内には水分を含む軽元素が残留していることを示すとともに、これらの残留元素をクライオポンプ６３によって除去できることを示している。
【００３２】
また、成膜装置１００は、空洞共振器として機能するプラズマ室４０などを備えており、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いているため、例えば、１００℃以下の低温環境下での成膜が可能であるため、高温による有機機能層３７などの劣化を防止することができる。
また、例えば、スパッタリング法などによる封止層の形成と異なり、表面および側面の膜厚差が小さくステップガバレッジの良い封止膜を形成することができる。
【００３３】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００３４】
＜変形例１＞
前記実施形態においては、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置１００、および成膜方法に本願を適用した場合について説明したが、これに限定するものではない。成膜室１０内を減圧した後に、当該室内に原料ガスを供給するとともに、成膜後のガスを排気するプロセスを含む成膜方法、および成膜装置、換言すれば、気相成長法による成膜方法、および成膜装置であれば、本願を適用することができる。
例えば、成膜装置１００は、減圧ＣＶＤ法、または、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法、ＩＣＰ（Inductively Coupled）プラズマ法に対応した構成であっても良い。これらの装置であっても、２つの排気手段、および切換手段などの本願の特徴ある構成を備え、図３の成膜方法を行う成膜装置であれば、前記実施形態と同様な作用および効果を得ることができる。
【００３５】
＜変形例２＞
図５は、本変形例に係る薄膜形成システムの概略構成図である。
ここでは、本願の成膜装置１００を含み、図２の基板３０を形成するための複数の薄膜形成装置を備えたマルチチャンバー方式の薄膜形成システム３００について図５を中心に、適宜図１、および図２を交えて説明する。
薄膜形成システム３００は、正六角形状の搬送室２５０、複数の成膜装置９７〜１０２などから構成されている。
搬送室２５０は、その室内環境を減圧状態に維持可能な真空チャンバとして構成されており、搬送室の各辺に面して、６つの成膜装置９７〜１０２がそれぞれ配置されている。
成膜装置９７〜１０２は、それぞれが基板３０の各層を形成する成膜装置であり、また、それぞれが基板３０を出し入れするためのゲート面Ｇを搬送室２５０の各辺に面するように配置されている。
例えば、成膜装置９８は、有機機能層３７を真空蒸着法によって形成する成膜装置であり、その隣の成膜装置９９は共通電極３８を真空蒸着法によって形成する成膜装置、その隣が実施形態１で説明した成膜装置１００という配置になっている。
【００３６】
この構成によれば、例えば、成膜装置９９により共通電極３８を成膜した後、搬送室２５０内に設置されている搬送ロボット２５１によって基板３０を取り出すとともに、その基板を成膜装置１００にセットする工程を効率良く行うことができる。
特に、基板搬送時に、基板３０を受け渡しする各成膜装置、および搬送室２５０の環境を、例えば、図４において粗引きが完了する程度の気圧（５×１０1Ｐａ）に揃えておくことにより、基板３０が成膜装置１００にセットされた後は、本引き以降の成膜工程を行えば良いので製造効率が良い。
さらに、基板３０が外気に触れることなく、減圧環境下で移動するため、基板３０への水分付着が低減され、劣化を抑制することができる。また、搬送室２５０の形状は、成膜工程数や、成膜装置数に応じて適宜変更すれば良く、例えば、三角形や、正方形、または、５角形などの多角形に設定しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施形態１の成膜装置の全体構成図。
【図２】被着体としての基板の概要断面図。
【図３】成膜工程の流れを示すフローチャート。
【図４】成膜室内の気圧変化を示すグラフ。
【図５】変形例２の薄膜形成システムの概略構成図。
【図６】従来の成膜装置の概略構成図。
【符号の説明】
【００３８】
１０…成膜室、３０…被着体としての基板、３７…有機機能層、３８…共通電極、３９…封止層としての第１封止層、４６…封止層としての第２封止層、５０，５５…ガス供給手段としてのガス供給管、６０…第１排気手段、６２，７２，７５…バルブ、６３…クライオポンプ、７０…第２排気手段、７３…第１ポンプ、７６…第２ポンプ、８０…制御手段、８１…制御部、８２…切換手段としてのバルブ切換部、１００…成膜装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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