(57)【要約】【課題】できる限り少ない発熱量で素子の突出量を大きくすることができる磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁気ディスクに対して記録または再生を行う素子１８，１２と、磁気ディスクの表面に素子１８，１２を近づけるように熱的に突出させるための発熱部１４とを備えた磁気ヘッドＢには、その突出させる方向に沿って素子１８，１２の周辺領域Ｓ０とその両側の外側領域Ｓ１とを区切るように一対の溝３０が形成されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録または再生を行う素子と、上記素子を熱的に突出させるための発熱部とを備えた磁気ヘッドであって、
上記素子を突出させる方向に沿ってこの素子の周辺領域を区切るように溝が形成されていることを特徴とする、磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気ディスクと、
上記磁気ディスクに対向配置されるスライダと、
上記スライダに形成され、上記磁気ディスクに対して記録または再生を行う素子と、
上記磁気ディスクの表面に上記素子を近づけるように熱的に突出させるための発熱部と、
上記素子を突出させる方向に沿ってこの素子の周辺領域を区切るように形成された溝と、
を備えている、磁気ディスク装置。
【請求項３】
スライダに磁気ヘッドを形成するための磁気ヘッドの製造方法であって、
上記スライダに、再生を行う再生素子と、記録を行う記録素子と、上記再生素子および記録素子を含むこれらの周辺領域を加熱する発熱部とを形成する素子形成工程と、
上記周辺領域を区切るように溝を形成する溝形成工程と、
を有することを特徴とする、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
上記溝形成工程においては、上記磁気ヘッドの磁気作用面に向かう方向を加工方向として除去加工を行い、この除去加工を上記磁気作用面の手前で止める、請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
上記溝形成工程においては、上記磁気ヘッドの磁気作用面から除去加工を開始する、請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
上記溝形成工程においては、上記発熱部を発熱させつつ上記再生素子および記録素子の突出量を監視しながら上記溝を形成する、請求項３ないし５のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録素子あるいは再生素子を熱的に突出させることが可能な磁気ヘッド、この磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置、およびその磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録素子および再生素子を熱的に突出させることが可能な磁気ヘッドに関する技術としては、特許文献１に開示されたものがある。同文献に開示された磁気ヘッドは、記録素子としての励磁コイル素子と、再生素子としての磁気抵抗効果素子と、これらの素子を磁気ディスク側に突出させる発熱部とを備えている。
【０００３】
磁気ヘッドは、スイングアームの先端にサスペンションを介して支持されたスライダの端面に設けられている。スライダは、高速回転する磁気ディスクとの間に極めて薄い空気膜を形成する。これにより、磁気ヘッドは、磁気ディスクの表面にほとんど接するような状態で浮上させられる。こうして磁気ディスク上にわずかに浮上した磁気ヘッドにおいては、発熱部の熱によって記録素子や再生素子の周辺部が熱膨張させられ、これらの素子が磁気ディスク側に突出させられる。これにより、磁気ヘッドの浮上量は、磁気ディスクの表面に向けて突出した分だけ小さくなり、さらなる浮上量の低減が実現される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１２３６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、素子を熱的に突出させる上記磁気ヘッドの技術では、素子の周辺部を含む磁気ヘッド全体が絶縁材料によって一様に素子を被覆した構造からなるため、発熱部からの熱が素子の周辺部だけでなくその余の部分にも伝わりやすい。これでは、素子の周辺部を局所的に熱膨張によって突出させることが困難である。一方、素子の周辺部を大きく突出させるには、発熱量を多くして熱膨張が大きくなるようにすればよいが、そうした場合には素子に対する熱的な負荷が大きくなり、磁気ヘッドの記録再生特性を劣化させるおそれがあった。つまり、従来の技術では、できる限り少ない発熱量で素子の突出量を大きくすることができる磁気ヘッドが具現化されていなかった。
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、できる限り少ない発熱量で素子の突出量を大きくすることができる磁気ヘッド、この磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置、およびそのような磁気ヘッドの製造方法を提供することをその課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００８】
本発明によれば、記録または再生を行う素子と、上記素子を熱的に突出させるための発熱部とを備えた磁気ヘッドであって、上記素子を突出させる方向に沿ってこの素子の周辺領域を区切るように溝が形成されている磁気ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により開示された技術によれば、素子の周辺領域を熱的に突出させる方向に沿って溝で区切った構造の磁気ヘッドが実現される。このような磁気ヘッドでは、発熱部から素子の周辺領域に伝えられた熱が溝によってある程度遮断され、その周辺領域に熱が集中して外側に伝わりにくくなる。これにより、周辺領域が局所的に熱膨張しやすくなるので、できる限り少ない発熱量で素子を含む周辺領域の突出量を大きくすることができる。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用された磁気ディスク装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す磁気ディスク装置に備えられた磁気ヘッドの内部透視斜視図である。
【図３】図２に示す磁気ヘッドの内部透視正面図である。
【図４】本発明が適用された磁気ヘッドの製造工程を説明するための説明図である。
【図５】図４に続く製造工程を説明するための説明図である。
【図６】図５に続く製造工程を説明するための説明図である。
【図７】製造工程の要部を説明するための説明図である。
【図８】磁気ヘッドの溝の深さに対する素子周辺部の突出量についてシミュレーション結果を説明するための説明図である。
【図９】本発明に係る磁気ヘッドの他の実施形態を示す内部透視斜視図である。
【図１０】図９に示す磁気ヘッドの内部透視正面図である。
【図１１】本発明に係る磁気ヘッドの他の実施形態を示す内部透視斜視図である。
【図１２】図１１に示す磁気ヘッドの内部透視正面図である。
【図１３】本発明が適用された磁気ヘッドの製造方法について他の実施形態を説明するための説明図である。
【図１４】本発明が適用された磁気ヘッドの製造方法について他の実施形態を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００１３】
図１〜３は、本発明に係る磁気ヘッドの一実施形態を示しており、図４〜７は、その磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示している。図１に示すように、磁気ディスク装置Ａには、磁気ディスク１、スピンドルモータ２、およびスイングアーム３が備えられており、磁気ヘッドＢは、スイングアーム３の先端にサスペンション４を介して支持されたスライダ５の端面５Ａに設けられている。スライダ５は、磁気ディスク１の表面に浮上面５Ｂを対面させた状態で配置させられ、磁気ヘッドＢの磁気作用面Ｂ２は、スライダ５の浮上面５Ｂと概ね一致するように形成されている。磁気ディスク１が高速回転すると、磁気ディスク１の表面と浮上面５Ｂとの間に極めて薄い空気膜が形成される。磁気ヘッドＢは、このような空気膜を介して磁気ディスク１の表面上にたとえば１０〜１５ｎｍ程度の浮上量をもって浮上させられる。
【００１４】
図２に示すように、磁気ヘッドＢは、基板１０、第１シールド膜１１、再生素子１２、再生端子１３、発熱部１４、発熱端子１５、第２シールド膜１６、記録コイル１７、記録素子１８、記録端子１９、第３シールド膜１９ａ、および絶縁層２０を備えている。このような磁気ヘッドＢは、横縦厚みの外形寸法がたとえば１．０×０．３×０．０３ｍｍ程度の薄片体からなる。スライダ５の端面５Ａに対して平行となる磁気ヘッドＢの表層面Ｂ１には、一対の溝３０が形成されており、スライダ５の浮上面５Ｂに沿う磁気作用面Ｂ２には、再生素子１２および記録素子１８が露出している。
【００１５】
基板１０は、たとえばアルチックといったセラミックの焼成材からなり、半導体製造プロセスによってスライダ５の端面５Ａに形成されている。
【００１６】
第１シールド膜１１は、再生素子１２を磁気的に遮蔽するためのものであり、基板１０上において再生素子１２と対向するように形成されている。
【００１７】
再生素子１２は、たとえばＭＲあるいはＧＭＲといった磁気抵抗効果素子であり、第１シールド膜１１上において一対の再生端子１３に接続された状態で絶縁層２０に被覆されるように形成されている。このような再生素子１２は、磁気作用面Ｂ２に露出するように形成されており、一対の再生端子１３が接続された間の部分で磁気ディスク１に記録された磁界を検出して電気信号を生じる。
【００１８】
再生端子１３は、再生素子１２からの電気信号を磁気再生信号として外部に取り出すためのものであり、再生素子１２と第２シールド膜１６との間において絶縁層２０に被覆されるように形成されている。再生端子１３の一端は、再生素子１２の端部に接続されており、その他端は、図示しないリード端子と接続されるように磁気ヘッドＢの外面に露出している。
【００１９】
発熱部１４は、再生素子１２や記録素子１８の周辺領域Ｓ０に熱を伝え、その周辺領域Ｓ０を熱膨張させることにより、再生素子１２および記録素子１８を含む磁気作用面Ｂ２の素子周辺部Ｂ２０を磁気ディスク１の方へと熱的に突出させるためのものである。この発熱部１４は、再生端子１３と第２シールド層１６との間において絶縁層２０に被覆されるように形成されている。
【００２０】
発熱端子１５は、発熱部１４に電力を供給して通電状態とするためのものであり、発熱部１４と同一の層にあって絶縁層２０に被覆されるように形成されている。発熱端子１５の一端は、発熱部１４の端部に接続されており、その他端は、図示しないリード端子と接続されるように磁気ヘッドＢの外面に露出している。
【００２１】
第２シールド膜１６は、再生素子１２と記録素子１８とを磁気的に遮蔽するためのものであり、発熱部１４および発熱端子１５が形成された層と記録コイル１７との間で層をなすように形成されている。
【００２２】
記録コイル１７は、記録素子１８に記録磁界を発生させるためのものであり、第２シールド膜１６と記録素子１８との間において絶縁層２０に被覆されるように形成されている。記録コイル１７の一端は、一方の記録端子１９に接続されており、その他端は、他方の記録端子１９に接続されている。
【００２３】
記録素子１８は、磁気記録用のコア磁極であり、記録コイル１７に電流が流れるとその電流の大きさおよび向きに応じた記録磁界を第２シールド膜１６との間に生じる。この記録素子１８は、第２シールド膜１６と表層面Ｂ１との間において絶縁層２０に被覆されるように形成されており、磁気作用面Ｂ２に一部露出している。
【００２４】
記録端子１９は、記録信号に応じて記録コイル１７に所定の電流を流すためのものであり、記録素子１８と同一の層にあって絶縁層２０に被覆されるように形成されている。記録端子１９の一端は、記録コイル１７に接続されており、その他端は、図示しないリード端子と接続されるように磁気ヘッドＢの外面に露出している。
【００２５】
第３シールド膜１９ａは、磁気記録用のリターン磁極として機能し、記録素子１８に対して第２シールド膜１６とは反対側に対向するように形成されている。
【００２６】
絶縁層２０は、たとえばアルミナからなり、基板１０上の各部を被覆するように形成されている。
【００２７】
一対の溝３０は、表層面Ｂ１において記録素子１８や記録端子１９に達しない程度の深さで磁気作用面Ｂ２に対して略垂直となる縦方向（磁気ディスク１の厚み方向であり、素子周辺部Ｂ２０を突出させる方向）に延びるように形成されている。これらの溝３０は、再生素子１２および記録素子１８ならびに発熱部１４を含む周辺領域Ｓ０とその両側の外側領域Ｓ１とを区切るように形成されている。本実施形態の溝３０は、その一端部３０Ａが磁気作用面Ｂ２に達することなくその手前で止まっており、周辺領域Ｓ０および外側領域Ｓ１は、磁気作用面Ｂ２側において連続している。このような溝３０は、周辺領域Ｓ０を外側領域Ｓ１から分断することである程度変形しやすくするとともに、発熱部１４からの熱を周辺領域Ｓ０に集中させて外側領域Ｓ１に伝わりにくくする役割をもつ。これにより、周辺領域Ｓ０は、発熱部１４からの熱によって局所的に熱膨張しやすく、磁気作用面Ｂ２に露出した再生素子１２や記録素子１８を含む素子周辺部Ｂ２０は、磁気ディスク１側に大きく突出させられる。
【００２８】
上記一対の溝３０は、以下に説明する半導体製造プロセスの製造方法により形成される。なお、この製造方法においては、再生端子１３、発熱端子１５、および記録端子１９の形成工程を省略し、溝３０の深さは、第１シールド膜１１の層まで達するようにしている。
【００２９】
まず、図４（Ａ）に示すように、基板１０上には、第１シールド膜１１を形成する。この第１シールド膜１１は、基板１０上にレジスト層を形成した後、パターニングおよびエッチングによってレジスト層に凹部を形成し、その凹部に第１シールド膜１１の材料を充填した後、レジスト層を除去することにより形成される。このような第１シールド膜１１が形成される基板１０の表面には、たとえばアルミナの絶縁膜（図示略）があらかじめ形成されている。
【００３０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１０上における第１シールド膜１１の両側には、溝３０を形成するための金属パターン３１を形成する。このような金属パターン３１は、たとえば次の製造工程を経て形成される。
【００３１】
図７（Ａ）に示すように、基板１０上には、たとえば銅による金属膜３２を形成し、その後、図７（Ｂ）に示すように、金属膜３２の上面には、レジスト層４０を形成した後、パターニングおよびエッチングによってレジスト層４０に凹部４１を形成する。
【００３２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、レジスト層４０の凹部４１には、電界メッキによって金属膜３２を成長させることで金属充填部３３を形成し、その後、図７（Ｄ）に示すように、レジスト層４０を有機溶媒によって溶融除去する。これにより、金属充填部３３が露出する。
【００３３】
次に、図７（Ｅ）に示すように、金属膜３２および金属充填部３３の表面に対し、イオンミリング処理を施す。これにより、金属充填部３３が残った状態で金属膜３２の一部が除去され、図４（Ｂ）に示す金属パターン３１が形成される。
【００３４】
その後、図４（Ｃ）に示すように、基板１０上には、第１シールド膜１１および金属パターン３１を覆うように絶縁層２０ａを形成する。
【００３５】
次に、図４（Ｄ）に示すように、基板１０上においては、絶縁層２０ａを平坦化して第１シールド膜１１および金属パターン３１を露出させた後、再びこれらを覆うように絶縁層２０ｂを形成する。
【００３６】
次に、図４（Ｅ）に示すように、同図（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を行うことにより、絶縁層２０ｂ上には、再生素子１２および絶縁層２０ｃ，２０ｄを形成する。再生素子１２は、絶縁層２０ｂ上にレジスト層を形成した後、パターニングおよびエッチングによってレジスト層に凹部を形成し、その凹部に再生素子１２の磁性材料を充填した後、レジスト層を除去することにより形成される。
【００３７】
次に、図４（Ｆ）に示すように、繰り返し同様の工程を行うことにより、絶縁層２０ｄ上には、発熱部１４、絶縁層２０ｅ，２０ｆ、および第２シールド膜１６を形成する。
【００３８】
次に、図５（Ａ）に示すように、絶縁層２０’（絶縁層２０ｂ〜２０ｆ）において金属パターン３１と対応する部分には、たとえばマスクパターンを用いたエッチングあるいはイオンミリング処理によってスルーホール５０を形成する。
【００３９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、スルーホール５０には、図７（Ｃ）〜（Ｅ）と同様の工程を行うことにより、金属パターン３１ａを形成する。
【００４０】
次に、図５（Ｃ）に示すように、絶縁層２０’上においては、金属パターン３１ａおよび第２シールド膜１６を覆うように絶縁層２０ｇを形成した後、この絶縁層２０ｇを平坦化して第２シールド膜１６および金属パターン３１ａを露出させる。
【００４１】
次に、図５（Ｄ）に示すように、絶縁層２０ｇには、図４（Ｅ），（Ｆ）および図５（Ａ）と同様の工程を行うことにより、絶縁層２０ｈおよび記録素子１８を形成した後、金属パターン３１ａと対応する部分にスルーホール５１を形成する。
【００４２】
次に、図５（Ｅ）に示すように、スルーホール５１には、図７（Ｃ）〜（Ｅ）と同様の工程を行うことにより、金属パターン３１ｂを形成し、その後、絶縁層２０ｈ上には、金属パターン３１ｂおよび記録素子１８を覆うように絶縁層２０ｉを形成する。
【００４３】
次に、図６（Ａ）に示すように、記録素子１８に対応する絶縁層２０”（絶縁層２０ａ，２０’，２０ｇ〜２０ｉ）の表面部分には、第３シールド膜１９ａを形成する。
【００４４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、絶縁層２０”上においては、第３シールド膜１９ａを覆うように絶縁層２０ｊを形成し、その後、この絶縁層２０ｊを平坦化して金属パターン３１’（金属パターン３１，３１ａ，３１ｂ）を露出させる。
【００４５】
次に、図６（Ｃ）に示すように、絶縁層２０ｊ上においては、金属パターン３１’に対応する部分以外を覆うようにレジストによるマスクパターン層４２を形成する。
【００４６】
最終的には、図６（Ｄ）に示すように、マスクパターン層４２を介して金属パターン３１’を酸により溶解除去し、その後、マスクパターン層４２を有機溶媒によって溶融除去する。これにより、一対の溝３０が第１シールド膜１１の層まで達するように形成され、図２に示すものよりも溝３０の深さが大きい磁気ヘッドが得られる。
【００４７】
上記磁気ヘッドＢは、次のような作用をもつ。
【００４８】
高速回転する磁気ディスク１の表面上においては、空気膜を介してスライダ５が浮上する。これにより、スライダ５の端面５Ａに設けられた磁気ヘッドＢも、磁気ディスク１の表面上に浮上させられ、その浮上量は、磁気ディスク１の表面から磁気作用面Ｂ２までの距離となり、たとえば１０〜１５ｎｍ程度である。
【００４９】
このようにして浮上させられた磁気ヘッドＢにおいて発熱部１４が発熱すると、この発熱部１４からの熱が周辺領域Ｓ０に伝えられ、再生素子１２や記録素子１８を含む磁気作用面Ｂ２の素子周辺部Ｂ２０が外側領域Ｓ１となる部分よりも磁気ディスク１側に突出する。その突出量は、たとえば数ｎｍ程度である。これにより、磁気ヘッドＢの浮上量は、素子周辺部Ｂ２０が突出した分だけ実質的に小さくなる。このような磁気ヘッドＢの浮上量減少は、再生エラーや記録エラーを可及的に低減させることになり、さらには高記録密度化にもつながる。
【００５０】
素子周辺部Ｂ２０を熱的に突出させる際、一対の溝３０によって周辺領域Ｓ０が外側領域Ｓ１と分断された構造であるため、発熱部１４の発熱量がそれほど多くなくても周辺領域Ｓ０に熱が集中しやすく、局所的に素子周辺部Ｂ２０が熱膨張して突出しやすくなる。そのため、できる限り少ない発熱量で速やかに素子周辺部Ｂ２０を所望とする突出量にすることができる。
【００５１】
上記一対の溝３０を形成することで素子周辺部Ｂ２０の突出量が大きくなることは、図８に示すシミュレーション結果からも明らかである。
【００５２】
図８に示すように、シミュレーションとしては、溝の深さに対する素子周辺部の突出量につき、たとえば表層面の縦寸法を３０μｍ、溝３０の深さを０〜２５μｍとし、有限要素法による熱的解析を試みた。これにより同図に示すシミュレーション結果を得た。つまり、溝を形成しない場合（溝の深さが０の場合）の突出量を１００％とすると、深さ１０μｍの溝を形成した場合には突出量が１．５％程度大きくなり、深さ２５μｍの溝を形成した場合には突出量が４％程度大きくなった。これによれば、溝の深さをできる限り大きくすることで素子周辺部の突出量が大きくなることが明らかである。
【００５３】
したがって、本実施形態の磁気ヘッドＢによれば、発熱部１４から周辺領域Ｓ０に伝えられた熱が一対の溝３０によって遮断され、その周辺領域Ｓ０に熱が集中して外側領域Ｓ１に伝わりにくい。そのため、周辺領域Ｓ０に含まれる磁気作用面Ｂ２の素子周辺部Ｂ２０が局所的に熱膨張しやすく、できる限り少ない発熱量で再生素子１２や記録素子１８を含む素子周辺部Ｂ２０の突出量を大きくすることができる。
【００５４】
本実施形態の磁気ヘッドＢの製造方法によれば、基板１０を磁気ヘッド単位に分割する前に半導体製造プロセスを実施することにより、多数個の磁気ヘッドＢにおける溝３０を一括して形成することができ、効率よく溝３０を形成することができる。
【００５５】
図９〜１２は、本発明に係る磁気ヘッドの他の実施形態を示し、図１３および図１４は、その製造方法の他の実施形態を示している。なお、先述の実施形態によるものと同一または類似の構成要素については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５６】
図９および図１０に示す磁気ヘッドＣでは、表層面Ｂ１における一対の溝３０が磁気作用面Ｂ２を通り抜けるように形成され、溝３０の一端部３０Ｂが磁気作用面Ｂ２とは反対側の外面（符号略）の近傍に形成されている。すなわち、周辺領域Ｓ０および外側領域Ｓ１は、磁気作用面Ｂ２側において分断されている。このような溝３０によれば、外側領域Ｓ１に対して磁気作用面Ｂ２の素子周辺部Ｂ２０が確実に分断されるので、そのような素子周辺部Ｂ２０を熱的により変形しやすい部分とすることができ、熱膨張によって素子周辺部Ｂ２０の突出量をより大きくすることができる。
【００５７】
図９および図１０に示す一対の溝３０は、図１３に示すようにレーザ光Ｌを用いた除去加工によって形成することができる。
【００５８】
レーザ光Ｌを用いた除去加工を行う際には、スライダ５の端面５Ａに先述した実施形態と同様の半導体製造プロセスによって基板１０から表層面Ｂ１までの積層構造を形成した後、その表層面Ｂ１に対してたとえばレーザ光Ｌを照射し、このレーザ光Ｌによる除去加工によって一対の溝３０を形成する。
【００５９】
このとき、レーザ光Ｌは、磁気作用面Ｂ２から除去加工を開始し、その磁気作用面Ｂ２から次第に遠ざかる方向に移動させられ、磁気作用面Ｂ２とは反対側の外面に達する直前で停止させられる。これにより、磁気作用面Ｂ２には、一対の溝３０によって分断された素子周辺部Ｂ２０が形成され、この素子周辺部Ｂ２０は、外側領域Ｓ１に対して変形しやすくなる。レーザ光Ｌは、磁気作用面Ｂ２の縁端から移動開始されるので、レーザ加工による加工痕が磁気作用面Ｂ２にほとんど生じることなく、磁気ヘッドＢの浮上に悪影響を及ぼすような磁気作用面Ｂ２が形成されることはない。
【００６０】
このようなレーザ光Ｌを用いた製造方法においては、発熱部１４を発熱させた状態でレーザ光Ｌを所定量ずつ移動させながら素子周辺部Ｂ２０の突出量をたとえば撮像装置で監視することができる。これにより、素子周辺部Ｂ２０の突出量を所望とする量になった時点でレーザ光Ｌの移動を停止させることができ、個々の磁気ヘッドＣにおける突出量のばらつきを抑えることができる。
【００６１】
図１１および図１２に示す磁気ヘッドＤでは、表層面Ｂ１における磁気作用面Ｂ２側の端部から反対側の端部まで一対の溝３０が通り抜けるように形成されている。すなわち、周辺領域Ｓ０および外側領域Ｓ１は、表層面Ｂ１上において完全に分断されている。このような溝３０によれば、周辺領域Ｓ０の変形自由度が高まり、素子周辺部Ｂ２０がより変形しやすくなるので、そのような素子周辺部Ｂ２０の突出量をより一層大きくすることができる。
【００６２】
図１１および図１２に示す一対の溝３０も、図１４に示すようにレーザ光Ｌを用いた除去加工によって形成することができる。
【００６３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００６４】
上記実施形態で示した構成は、あくまでも一例にすぎず、仕様に応じて適宜設計変更することが可能である。
【００６５】
たとえば表層面には、一対の溝の間でこれらを繋ぐように磁気作用面に平行な溝を形成してもよい。
【００６６】
製造方法としては、たとえば図９や図１１に示す溝を図４〜７に示す半導体製造プロセスによる除去加工によって形成してもよい。
【００６７】
本発明としては、さらに以下の付記を開示する。
【００６８】
（付記１）
記録または再生を行う素子と、上記素子を熱的に突出させるための発熱部とを備えた磁気ヘッドであって、
上記素子を突出させる方向に沿ってこの素子の周辺領域を区切るように溝が形成されていることを特徴とする、磁気ヘッド。
【００６９】
（付記２）
上記溝の一端部は、上記素子の磁気作用面へと通り抜ける寸前で行き止まりとなるように形成されている、付記１に記載の磁気ヘッド。
【００７０】
（付記３）
上記溝の一端部は、上記素子の磁気作用面へと通り抜けるように形成されている、付記１に記載の磁気ヘッド。
【００７１】
（付記４）
磁気ディスクと、
上記磁気ディスクに対向配置されるスライダと、
上記スライダに形成され、上記磁気ディスクに対して記録または再生を行う素子と、
上記磁気ディスクの表面に上記素子を近づけるように熱的に突出させるための発熱部と、
上記素子を突出させる方向に沿ってこの素子の周辺領域を区切るように形成された溝と、
を備えている、磁気ディスク装置。
【００７２】
（付記５）
スライダに磁気ヘッドを形成するための磁気ヘッドの製造方法であって、
上記スライダに、再生を行う再生素子と、記録を行う記録素子と、上記再生素子および記録素子を含むこれらの周辺領域を加熱する発熱部とを形成する素子形成工程と、
上記周辺領域を区切るように溝を形成する溝形成工程と、
を有することを特徴とする、磁気ヘッドの製造方法。
【００７３】
（付記６）
上記溝形成工程においては、上記磁気ヘッドの磁気作用面に向かう方向を加工方向として除去加工を行い、この除去加工を上記磁気作用面の手前で止める、付記５に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００７４】
（付記７）
上記溝形成工程においては、上記磁気ヘッドの磁気作用面から除去加工を開始する、付記５に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００７５】
（付記８）
上記溝形成工程においては、上記発熱部を発熱させつつ上記再生素子および記録素子の突出量を監視しながら上記溝を形成する、請求項５ないし７のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、磁気ディスク装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
Ａ              磁気ディスク装置
Ｂ              磁気ヘッド
Ｂ２            磁気作用面
Ｓ０            周辺領域
Ｓ１            外側領域
１              磁気ディスク
５              スライダ
１２            再生素子
１４            発熱部
１８            記録素子
３０            溝
３０Ａ，３０Ｂ  一端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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