(57)【要約】【課題】反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。【解決手段】液晶表示装置１は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、絶縁膜３１の表面に積層された第１透明電極２１と、反射領域１９に配置され、第１透明電極２１における一部の表面に積層された反射電極２３と、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、反射電極２３の表面全体に積層されると共に、反射電極２３の外側において第１透明電極２１の表面に積層された第２透明電極２２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第１透明電極と、
上記反射領域に配置され、上記第１透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第１透明電極の表面に積層された第２透明電極とを備えている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
上記第１透明電極及び第２透明電極は、互いに同じ材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＴＯである
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＺＯである
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
上記反射電極は、Ａｌを含む金属材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
上記第１透明電極の端部及び上記第２透明電極の端部は、上記反射電極の外側において互いに揃って形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有し、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第１透明電極と、
上記反射領域に配置され、上記第１透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第１透明電極の表面に積層された第２透明電極とを備えた半透過型の液晶表示装置を製造する方法であって、
上記絶縁膜上に第１の透明導電膜を成膜する工程と、
上記第１の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、該金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして上記反射電極を形成する工程と、
上記反射電極の表面全体及び該反射電極の外側に、第２の透明導電膜を成膜する工程と、
上記第１の透明導電膜及び第２の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、上記第１の透明導電膜から上記第１透明電極を形成すると共に、上記第２の透明導電膜から上記第２透明電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第１透明電極及び第２透明電極は、互いに同じ材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＴＯである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＺＯである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記反射電極は、Ａｌを含む金属材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半透過型の液晶表示装置は、画像の最小単位であると共にマトリクス状に配置される画素毎に、透過領域及び反射領域を備えている。そして、半透過型液晶表示装置は、外光が十分明るいときに、反射領域において外光を反射して反射モードの表示を行うと共に、外光が暗いときに、透過領域においてバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行うように構成されている。そのため、半透過型液晶表示装置は、外光の明るさに影響されることなく、十分なコントラストを維持し、高い視認性を得ることができる。
【０００３】
すなわち、透過領域には、バックライトの光を透過するようにＩＴＯ等からなる透明電極を有する一方、外光を反射するように反射領域に金属膜からなる反射電極を有している。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示されている半透過型の液晶表示装置１００は、拡大断面図である図４に示すように、ガラス基板１０１上に、ＴＦＴ１０２と、このＴＦＴ１０２を覆う層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３の表面に形成された反射電極１０４と、反射電極１０４を覆うように層間絶縁膜１０３上に形成された透明電極１０６とが形成されている。そして、反射電極１０４は、ＴＦＴ１０２のドレイン電極１０５とは直接電気的に接続されておらず、且つ、透明電極１０６の下部が上記ドレイン電極１０５に電気的に接続されている。
【０００５】
こうして、透明電極１０６の材料としてＩＴＯのみでなくＩＺＯも使用することができ、しかもフリッカを有効に防止するようにしている。
【０００６】
また、特許文献２に開示されている半透過型の液晶表示装置１００は、拡大断面図である図５に示すように、ガラス基板１０１上に、ＴＦＴ１０２と、このＴＦＴ１０２を覆う層間絶縁膜１０３とを備え、層間絶縁膜１０３上には、第１透明電極１１１、反射電極１０４、及び第２透明電極１１２が、この順に積層されている。
【０００７】
これら第１透明電極１１１、反射電極１０４、及び第２透明電極１１２の側端面は、層間絶縁膜１０３上において、ガラス基板１０１の表面に垂直な全体で１つの平面を構成するように揃って形成されている。
【０００８】
そして、反射電極１０４及び第２透明電極１１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括にウェットエッチング処理するようにしている。
【特許文献１】特開２００４−１０９７９７号公報
【特許文献２】特開２００６−３３０１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記特許文献１の液晶表示装置では、反射領域と透過領域とで透明電極の膜厚が同じであるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができない。したがって、透過率が最適な膜厚と、反射率が最適な膜厚とが異なる場合には、何れかの特性を犠牲にせざるを得ず、何れかの領域における表示品位が低下することが避けられない。
【００１０】
さらに、拡大断面図である図６に示すように、レジスト１０７から露出している透明電極１０６を塩化鉄系のエッチャントを用いてエッチングする際に、透明電極１０６の端部が層間絶縁膜１０３の表面から浮き上がり、その隙間からエッチャント１０８が浸入する結果、反射電極１０４がエッチングされて浸食されてしまう問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献２の液晶表示装置においても、第１透明電極１１１、反射電極１０４、及び第２透明電極１１２の側端面が層間絶縁膜１０３上で揃っているため、実際には、反射電極１０４及び第２透明電極１１２を一括にエッチングする際に、第１透明電極１１１と反射電極１０４との間にエッチャントが浸入して、反射電極１０４が電食されてしまう虞がある。
【００１２】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半透過型の液晶表示装置について、反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止しようとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有する半透過型の液晶表示装置であって、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第１透明電極と、上記反射領域に配置され、上記第１透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第１透明電極の表面に積層された第２透明電極とを備えている。
【００１４】
上記第１透明電極及び第２透明電極は、互いに同じ材料によって構成されていることが好ましい。
【００１５】
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＴＯであってもよい。
【００１６】
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＺＯであってもよい。
【００１７】
上記反射電極は、Ａｌを含む金属材料によって構成されていることが好ましい。
【００１８】
上記第１透明電極の端部及び上記第２透明電極の端部は、上記反射電極の外側において互いに揃って形成されていることが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有し、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第１透明電極と、上記反射領域に配置され、上記第１透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第１透明電極の表面に積層された第２透明電極とを備えた半透過型の液晶表示装置を製造する方法であって、上記絶縁膜上に第１の透明導電膜を成膜する工程と、上記第１の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、該金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして上記反射電極を形成する工程と、上記反射電極の表面全体及び該反射電極の外側に、第２の透明導電膜を成膜する工程と、上記第１の透明導電膜及び第２の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、上記第１の透明導電膜から上記第１透明電極を形成すると共に、上記第２の透明導電膜から上記第２透明電極を形成する工程とを有する。
【００２０】
上記第１透明電極及び第２透明電極は、互いに同じ材料によって構成されていることが好ましい。
【００２１】
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＴＯであってもよい。
【００２２】
上記第１透明電極及び第２透明電極の少なくとも一方は、ＩＺＯであってもよい。
【００２３】
上記反射電極は、Ａｌを含む金属材料によって構成されていることが好ましい。
【００２４】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００２５】
本発明に係る液晶表示装置は、透過領域において光を透過して透過表示を行う一方、反射領域において外光を反射して反射表示を行う。反射領域では、外光が第２透明電極を透過して、この第２透明電極の裏面側の反射電極において反射される。反射電極で反射された反射光は、第２透明電極を透過した後に使用者側へ出射される。
【００２６】
一方、透過領域では、光が絶縁膜側から第１透明電極に入射し、この第１透明電極及び第２透明電極を透過した後に、使用者側へ出射される。
【００２７】
したがって、反射領域と透過領域とで光が透過する透明電極の膜厚を異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。
【００２８】
さらに、反射電極は第１透明電極と第２透明電極とによって挟まれると共に、その外縁部分が全周に亘って第２透明電極に覆われることとなる。そして、反射電極の外側において第２透明電極が第１透明電極の表面に積層されていることから、第１透明電極及び第２透明電極を同時にエッチングしてこれら第１透明電極及び第２透明電極をパターニングすることが可能になる。しかも、そのとき、第１透明電極と第２透明電極との接合強度を、第１透明電極又は第２透明電極と絶縁膜との接合強度よりも大きくして、エッチャントが第１透明電極と第２透明電極との間から浸入しないようにすることが可能になる。したがって、反射電極のエッチャントによる溶食を防止することができることとなる。
【００２９】
また、上記液晶表示装置を製造する場合には、まず、絶縁膜上に第１の透明導電膜を成膜する。次に、第１の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして反射電極を形成する。その後、反射電極の表面全体及びこの反射電極の外側に、第２の透明導電膜を成膜する。次に、上記第１の透明導電膜及び第２の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、第１の透明導電膜から第１透明電極を形成すると共に、第２の透明導電膜から第２透明電極を形成する。
【００３０】
このように製造することにより、第１透明電極の端部及び第２透明電極の端部は、反射電極の外側において互いに揃って形成されることとなる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、反射領域と透過領域とで透明電極の膜厚を異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。したがって、反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上することができる。そのことに加え、反射電極を第１透明電極と第２透明電極とによって挟むと共に、その外縁部分を全周に亘って第２透明電極により覆うことができるため、エッチャントが第１透明電極と第２透明電極との間から浸入しないようにして、反射電極のエッチャントによる溶食を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３３】
《発明の実施形態１》
図１及び図２は、本発明の実施形態１を示している。
【００３４】
図１は、本実施形態１における液晶表示装置１の要部を拡大して示す断面図である。図２は、本実施形態１におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。
【００３５】
本実施形態１の液晶表示装置１は、半透過型の液晶表示装置であって、光源であるバックライトの光を透過して透過表示を行うための透過領域１８と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域１９とを有している。
【００３６】
液晶表示装置１は、スイッチング素子基板としてのＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板（図示省略）と、ＴＦＴ基板１１及び対向基板の間に介在された液晶層（図示省略）とを備えている。液晶層は、ＴＦＴ基板１１と対向基板との間において枠状のシール部材（図示省略）によって囲まれて封止されている。また、ＴＦＴ基板１１の背面側（つまり液晶層とは反対側）には、バックライト（図示省略）が配置されている。
【００３７】
上記対向基板は、例えばガラス基板の液晶層側表面に形成された、ＩＴＯ等からなる共通電極、カラーフィルター及びブラックマトリクス等と、液晶層とは反対側に貼り付けられた偏光板とを備えている。
【００３８】
一方、ＴＦＴ基板１１は、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。ＴＦＴ基板１１には、表示の単位領域である画素（図示省略）がマトリクス状に複数配置されている。ＴＦＴ基板１１には、複数のゲート配線（図示省略）が互いに平行に延びて形成されている。また、ＴＦＴ基板１１には、複数のソース配線（図示省略）が互いに平行に形成されており、上記ゲート配線と直交するように配置されている。そのことにより、ＴＦＴ基板１１には、ゲート配線及びソース配線からなる配線が格子状にパターン形成されている。
【００３９】
各画素は、上記ゲート配線とソース配線とによって区画される矩形状の領域により形成されている。各画素には、液晶層を駆動するための画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、後述するように、第１透明電極２１、反射電極２３、及び第２透明電極２２が、この順に積層して構成されている。
【００４０】
各画素には、画素電極１２をスイッチング駆動するスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin-Film Transistor：薄膜トランジスタ）１３がそれぞれ設けられている。ＴＦＴ１３は、ゲート配線に接続されたゲート電極１４と、ソース配線に接続されたソース電極１５と、画素電極１２に接続されたドレイン電極１６とを備えている。
【００４１】
そうして、走査電圧がゲート配線を介してゲート電極１４に印加された状態で、信号電圧がソース配線からソース電極１５及びドレイン電極１６を介して画素電極１２へ供給されるようになっている。
【００４２】
ＴＦＴ基板１１の積層構造について、図１を参照してさらに詳述する。
【００４３】
ＴＦＴ基板１１は、透明基板としてのガラス基板２５を備え、ガラス基板２５の液晶層側には上記ＴＦＴ１３及び画素電極１２等が形成される一方、液晶層とは反対側には図示省略の偏光板が貼り付けられている。
【００４４】
ガラス基板２５の液晶層側表面には、バッファ層２６が形成されている。バッファ層２６は、例えば、ＳｉＯ２及びＳｉＮＯがこの順に積層された積層体や、ＳｉＯ２等により構成されている。
【００４５】
バッファ層２６の表面には、ＴＦＴ１３の半導体層２７が島状にパターン形成されている。半導体層２７は、例えばＣＧＳ（Continuous Grain silicon：連続粒界結晶シリコン）、ＬＰＳ（Low-Temperature Poly-Silicon：低温ポリシリコン）又はα−Ｓｉ（amorphous silicon：非結晶シリコン）等により構成されている。
【００４６】
また、バッファ層２６上には、半導体層２７を覆うようにゲート絶縁膜２８が形成されている。ゲート絶縁膜２８は、ＳｉＮ及びＳｉＯ２がこの順に積層された積層体、ＳｉＯ２、又はＳｉＮ等により構成されている。
【００４７】
ゲート絶縁膜２８の表面には、上記半導体層２７に対向するように配置されたゲート電極１４が形成されている。ゲート電極１４は、例えば、ＴａＮ及びＷがこの順に積層された積層体、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ及びＡｌがこの順に積層された積層体等によって構成されている。
【００４８】
また、ゲート絶縁膜２８上には、ゲート電極１４を覆うようにバッファ層２９が形成されている。バッファ層２９は、例えば、ＳｉＯ２及びＳｉＮがこの順に積層された積層体、ＳｉＯ２とＳｉＮとＳｉＯ２とがこの順に積層された積層体、ＳｉＯ２、又はＳｉＮ等により構成されている。
【００４９】
バッファ層２９の表面には、ソース電極１５及びドレイン電極１６が形成されている。ソース電極１５及びドレイン電極１６は、バッファ層２９及びゲート絶縁膜２８を貫通して形成されたコンタクトホール３０を介して半導体層２７にそれぞれ接続されている。ソース電極１５及びドレイン電極１６は、ＴｉとＡｌとＴｉとがこの順に積層された積層体、ＴｉとＡｌとがこの順に積層された積層体、ＴｉＮとＡｌとＴｉＮとがこの順に積層された積層体、ＭｏとＡｌ−ＮｄとＭｏとがこの順に積層された積層体、又はＭｏとＡｌとＭｏとがこの順に積層された積層体等により構成されている。
【００５０】
また、バッファ層２９上には、ソース電極１５及びドレイン電極１６を覆うように、絶縁膜である透明樹脂膜３１が形成されている。透明樹脂膜３１は、感光性樹脂により構成されている。
【００５１】
透明樹脂膜３１の表面には、画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、第１透明電極２１、反射電極２３、及び第２透明電極２２が、この順に積層して構成されている。
【００５２】
第１透明電極２１は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、透明樹脂膜３１の表面に積層されている。第１透明電極２１は、透明樹脂膜３１に貫通形成されたコンタクトホール３２を介してドレイン電極１６に接続されている。第１透明電極２１は、ＩＴＯ又はＩＺＯによって構成されている。
【００５３】
反射電極２３は、反射領域１９に配置され、第１透明電極２１における一部の表面に積層されている。反射電極２３は、ＴＦＴ１３に重なるように配置され、Ａｌを含む金属材料によって構成されている。
【００５４】
第２透明電極２２は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、反射電極２３の表面全体に積層されると共に、この反射電極２３の外側において第１透明電極２１の表面に積層されている。第２透明電極２２は、第１透明電極２１と同じ材料によって構成されている。すなわち、第１透明電極２１及び第２透明電極２２は、それぞれＩＴＯ又はＩＺＯにより構成されている。
【００５５】
尚、第１透明電極２１及び第２透明電極２２の材質はこれに限らず、第１透明電極２１及び第２透明電極２２の少なくとも一方がＩＴＯ又はＩＺＯであってもよく、他の透明導電膜によって構成されていてもよい。
【００５６】
そして、図１に示すように、第１透明電極２１の端部及び第２透明電極２２の端部は、反射電極２３の外側（図１で左側）において互いに揃って形成されている。言い換えれば、第１透明電極２１の端部及び第２透明電極２２の端部は、連続する側面を構成している。こうして、反射領域１９には、第１透明電極２１、反射電極２３、及び第２透明電極２２の３層からなる画素電極１２が形成される一方、透過領域１８には、第１透明電極２１及び第２透明電極２２の２層からなる画素電極１２が形成されている。
【００５７】
上記液晶表示装置１では、図１に示すように、反射領域１９において、第２透明電極２２を透過した外光が反射電極２３で反射され、液晶層側へ出射されることにより反射表示が行われる。一方、透過領域１８では、バックライトの光が第１透明電極２１及び第２透明電極２２を順に透過して液晶層側へ出射し、このことにより透過表示が行われる。
【００５８】
−製造方法−
次に、上記液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、ガラス基板２５上にバッファ層２６を一様に形成し、そのバッファ層２６の表面に半導体層２７をフォトリソグラフィにより島状にパターニングして形成する。続いて、ゲート絶縁膜２８を形成すると共にその表面にゲート電極１４をフォトリソグラフィにより形成する。次に、ゲート絶縁膜２８上にバッファ層２９を形成した後に、半導体層２７の上方位置においてコンタクトホール３０を貫通形成する。
【００６０】
次に、バッファ層２９の表面に、ソース電極１５及びドレイン電極１６を、それぞれコンタクトホール３０を介して半導体層２７に接続されるように形成する。その後、バッファ層２９上に透明樹脂膜３１を形成すると共に、この透明樹脂膜３１にコンタクトホール３２を貫通形成する。
【００６１】
次に、透明樹脂膜３１上にＩＴＯ又はＩＺＯ等の第１の透明導電膜を成膜する。続いて、上記第１の透明導電膜の表面に金属膜を成膜する。その後、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして反射電極２３を形成する。
【００６２】
次に、反射電極２３の表面全体及びこの反射電極２３の外側に、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の第２の透明導電膜を成膜する。その後、上記第１の透明導電膜及び第２の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、第１の透明導電膜から第１透明電極２１を形成すると共に、第２の透明導電膜から第２透明電極２２を形成する。このように製造することにより、第１透明電極２１の端部及び第２透明電極２２の端部は、反射電極２３の外側において互いに揃って形成されることとなる。
【００６３】
こうして、ＴＦＴ基板１１を製造する。一方、ガラス基板上に共通電極やカラーフィルター等を形成して対向基板を製造する。そうして、これら対向基板とＴＦＴ基板１１とを、シール部材及び液晶層を介して貼り合わせることによって、上記液晶表示装置１を製造する。
【００６４】
−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、液晶表示装置１は、反射領域１９において、外光を、第２透明電極２２に透過させて、この第２透明電極２２の裏面側の反射電極２３において反射させることができる。そして、反射電極２３で反射された反射光を、第２透明電極２２を透過した後に液晶層側（使用者側）へ出射させることができる。一方、透過領域では、バックライトの光を、透明樹脂膜３１側から第１透明電極２１に入射させ、この第１透明電極２１及び第２透明電極２２を透過させた後に、液晶層側（使用者側）へ出射させることができる。
【００６５】
したがって、反射領域１９と透過領域１８とにおいて光が透過する透明電極２１，２２の膜厚を互いに異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。したがって、反射領域１９及び透過領域１８の双方における表示品位を向上することができる。
【００６６】
そのことに加え、反射電極２３を第１透明電極２１と第２透明電極２２とによって狭持すると共に、その反射電極２３の外縁部分を全周に亘って第２透明電極２２により覆うことができる。さらに、反射電極２３の外側において第２透明電極２２を第１透明電極２１の表面に積層していることから、第１透明電極２１及び第２透明電極２２を同時にエッチングして、これら第１透明電極２１及び第２透明電極２２を一括してパターニングすることができる。
【００６７】
しかも、そのとき、第１透明電極２１と第２透明電極２２との接合強度を、第１透明電極２１又は第２透明電極２２と透明樹脂膜３１との接合強度よりも大きくして、塩化鉄系のエッチャントが第１透明電極２１と第２透明電極２２との間から浸入しないようにすることができる。したがって、反射電極２３のエッチャントによる溶食を防止することができる。
【００６８】
すなわち、第１透明電極２１及び第２透明電極２２の端部を拡大して示す図２に示すように、第１透明電極２１及び第２透明電極２２を一括してパターニングするときには、レジスト３５を第２の透明導電膜の表面に形成した後にエッチングを行う。このとき、第１の透明導電膜（第１透明電極２１）と透明樹脂膜３１との接合力は、第１の透明導電膜（第１透明電極２１）と第２の透明導電膜（第２透明電極２２）との接合力よりも小さいため、エッチング時に、第１透明電極２１の端部が透明樹脂膜３１から剥がれる虞がある。ところが、第２透明電極２２が強い接合力で第１透明電極２１に接合しているため、エッチャント３６は第１透明電極２１と透明樹脂膜３１との間に浸入する虞があっても、エッチャント３６の第１透明電極２１及び第２透明電極２２の間への浸入を防止することができることとなる。その結果、塩鉄系のエッチャントを用いて第１透明電極２１及び第２透明電極２２のエッチングを行うことができる。
【００６９】
《発明の実施形態２》
図３は、本発明の実施形態２を示している。
【００７０】
図３は、本実施形態２における液晶表示装置１の要部を拡大して示す断面図である。尚、以降の各実施形態では、図１及び図２と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
上記実施形態１では、画素電極１２がドレイン電極１６を介してＴＦＴ１３の半導体層２７に接続されていたのに対し、本実施形態２は、画素電極１２を第２透明電極２２によってドレイン電極１６に直接に接続するようにしたものである。
【００７２】
すなわち、液晶表示装置１は、ＴＦＴ基板１１と、対向基板４２と、これら各基板１１，４２の間に設けられた液晶層４３とを備えている。尚、図３では、対向基板４２の詳細な構成の図示を省略している。
【００７３】
本実施形態におけるＴＦＴ１３は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、半導体層２７の表面が保護膜４４によって覆われている。保護膜４４はバッファ層２９によって覆われている。そして、半導体層２７の上方位置には、バッファ層２９及び保護膜４４を貫通するコンタクトホール３０が形成されている。
【００７４】
絶縁膜としてのバッファ層２９の表面及びコンタクトホール３０の内部には、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる第１透明電極２１が形成され、このことにより、第１透明電極２１が半導体層２７に接続されている。そして、上記実施形態１と同様に、第１透明電極２１の表面には反射電極２３が形成されると共に、第１透明電極の上には、反射電極２３を覆うように第２透明電極２２が積層されている。
【００７５】
−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によっても、反射領域１９と透過領域１８とにおいて光が透過する透明電極２１，２２の膜厚を互いに異ならせることが可能になるため、反射領域１９及び透過領域１８の双方における表示品位を向上することができる。そのことに加え、反射電極２３の外縁部分を全周に亘って第２透明電極２２により覆うことができるため、反射電極２３のエッチャントによる溶食を防止することができる。さらに、ドレイン電極１６の構造を省略して、製造プロセスを簡略化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
以上説明したように、本発明は、半透過型の液晶表示装置及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、本実施形態１における液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図２】図２は、本実施形態１におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。
【図３】図３は、本実施形態２における液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図４】図４は、従来の液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図５】図５は、従来の液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図６】図６は、従来におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１      液晶表示装置
１１      ＴＦＴ基板
１２      画素電極
１３      ＴＦＴ
１８      透過領域
１９      反射領域
２１      第１透明電極
２２      第２透明電極
２３      反射電極
２５      ガラス基板
２９      バッファ層（絶縁膜）
３１      透明樹脂膜（絶縁膜）
３５      レジスト
３６      エッチャント
【図１】
2010091854.tif 000003
【図２】
2010091854.tif 000004
【図３】
2010091854.tif 000005
【図４】
2010091854.tif 000006
【図５】
2010091854.tif 000007
【図６】
2010091854.tif 000008