(57)【要約】【課題】対向リークの発生が抑えられている液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１は、マトリクス状に配置されている画素電極２５ならびにゲートバスライン２７およびソースバスライン２３を有するアクティブマトリクス基板２と、アクティブマトリクス基板２と液晶層６を挟んで対向しており、ブラックマトリクス４４と対向電極４３とを有する対向基板４とを備えている。ブラックマトリクス４４は樹脂により形成されており、ブラックマトリクス４４と対向電極４３とが重なる領域では、ブラックマトリクス４４とガラス基板４１との間に対向電極４３が形成されている。【選択図】図１
2010134030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置されている画素電極ならびにゲートバスラインおよびソースバスラインが形成されている第１基板と、該第１基板と液晶層を挟んで対向しており、該第１基板と対向する側にブラックマトリクスと透明電極とが形成されている第２基板とを備えている液晶表示装置において、
上記ブラックマトリクスは樹脂により形成されており、
上記ブラックマトリクスと上記透明電極とが重なる領域では、上記ブラックマトリクスと上記第２基板との間に上記透明電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記ブラックマトリクスおよび上記ソースバスラインの、上記第２基板の法線方向への投影形状において、上記ソースバスラインは、上記ブラックマトリクスの内側にあることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記ブラックマトリクスおよび上記ゲートバスラインの、上記第２基板の法線方向への投影形状において、上記ゲートバスラインは、上記ブラックマトリクスの内側にあることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
液晶層を挟んで互いに対向する第１基板と第２基板とを備えており、該第２基板の該第１基板に面している側にカラーフィルタ層、ブラックマトリクスおよび透明電極を有する液晶表示装置の製造方法において、
上記第２基板上に上記カラーフィルタ層を形成する工程と、
上記カラーフィルタ層が形成された上記第２基板上に、上記透明電極を形成する工程と、
上記透明電極上に、樹脂を用いて上記ブラックマトリクスを形成する工程とをこの順に含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイなどの液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、省エネルギー、薄型および軽量等の特徴を活かし、液晶テレビ、モニターおよび携帯電話等に幅広く利用されている。
【０００３】
図４は、ｎｏｎＳＨＡ（Super High Aperture）構造の液晶表示装置１００の一実施形態を示す断面図である。
【０００４】
図４に示すように、液晶表示装置１００は、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子、ソースバスライン１２３およびゲートバスラインを透明基板上に複数形成したアクティブマトリクス基板１０２と、複数色のカラーフィルタ層１４２、ブラックマトリクス１４４および共通電極１４３を形成した対向基板１０４と、両基板間に介在する液晶層１０６とを有している。
【０００５】
従来、上記構成を有する液晶表示装置１００では、薄膜トランジスタにおける電流のリークが生じると、画面のコントラストが低下するなどの画質劣化が生じるといった問題があった。
【０００６】
そこで、この問題を解決するために、例えば、対向基板の開口形状を薄膜トランジスタ基板側の金属電極より内側に配置し、薄膜トランジスタのチャンネル部、ゲート電極、ソース電極を対向基板側から完全に遮蔽する液晶パネルが開発され、特許文献１に開示されている。この液晶パネルによれば、薄膜トランジスタのチャンネル部に達する光が抑えられ、光によるリークの発生を抑えることができる。
【０００７】
また、両基板間において電気的短絡（上下リーク）が発生すると、輝点化および黒点化などの画素欠陥を生じるなどの問題が発生していた。
【０００８】
この問題を解決するために、特許文献２に開示されている液晶表示装置では、薄膜トランジスタを形成する基板側において、ゲート電極およびソース電極が厚い層間絶縁膜に覆われている。これにより、ゲート電極およびソース電極を介した両基板間の電気的短絡が防止されている。
【特許文献１】特開平４−２０４４２０号公報（１９９２年７月２４日公開）
【特許文献２】特開平９−８０４１６号公報（１９９７年３月２８日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ｎｏｎＳＨＡ構造の絵素は、アクティブマトリクス基板上のソースバスラインと、対向基板上の透明電極との距離が短くなっている。このため、図５に示すように、液晶表示装置１００の製造工程において、液晶層１０６内、ソースバスライン１２３上に異物１７０が混入すると、異物１７０が共通電極１４３にも接触し、対向し合う基板１０４，１０２間におけるリークが発生する可能性が高くなる。
【００１０】
しかし、上記特許文献１に記載の液晶パネルでは、光によるリークの発生が抑えられるものの、図５に示すような異物１７０の混入により引き起こされる対向し合う基板１０４，１０２間のリークについては考慮されていない。
【００１１】
また、上記特許文献２に記載の液晶表示装置では、ゲート電極およびソース電極を厚い層間絶縁膜で被覆することにより、液晶層内に混入した異物により引き起こされる上記リークの発生を防止している。しかし、近年、液晶表示装置のさらなる生産能力の向上が望まれており、より簡略な構成を用いた、対向し合う基板間におけるリーク発生の防止手段の開発が望まれている。
【００１２】
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、対向し合う基板間におけるリーク発生が抑えられた新たな液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、マトリクス状に配置されている画素電極ならびにゲートバスラインおよびソースバスラインが形成されている第１基板と、該第１基板と液晶層を挟んで対向しており、該第１基板と対向する側にブラックマトリクスと透明電極とが形成されている第２基板とを備えている液晶表示装置において、上記ブラックマトリクスは樹脂により形成されており、上記ブラックマトリクスと上記透明電極とが重なる領域では、上記ブラックマトリクスと上記第２基板との間に上記透明電極が形成されている構成である。
【００１４】
上記構成によれば、液晶表示装置は、互いに対向し合う第１基板と第２基板とを備えており、両基板間には液晶層が形成されている。第１基板上には、画素電極がマトリクス上に配置されて形成されており、また、ゲートバスラインおよびソースバスラインが形成されている。一方、第２基板の第１基板に対向する側の面には透明電極および樹脂により形成されているブラックマトリクスが設けられている。ブラックマトリクスと透明電極とが重なる領域では、ブラックマトリクスと第２基板との間に透明電極が形成されている。すなわち、ブラックマトリクスと第２基板とに挟まれて、透明電極が形成されている。したがって、ブラックマトリクスと透明電極が重なる領域においては、透明電極と第１基板との間には、ブラックマトリクスが介在している。そのため、液晶表示装置の製造過程において、液晶層内のブラックマトリクスが形成される領域に異物が混入したとしても、ソースバスラインなどの第１基板上の構成と透明電極とが異物によりつながれることを、ブラックマトリクスによって防ぐことができる。このとき、第１基板上の構成とブラックマトリクスとが異物によりつながるが、ブラックマトリクスは金属ではなく樹脂により形成されているため、両基板間が異物によりつながったとしても、電気的につながることはない。そのため、両基板間の電気的短絡（対向リーク）を防ぐことができるという効果を奏する。
【００１５】
また、本発明に係る液晶表示装置では、上記ブラックマトリクスおよび上記ソースバスラインの、上記第２基板の法線方向への投影形状において、上記ソースバスラインは、上記ブラックマトリクスの内側にあることが好ましい。
【００１６】
上記構成によれば、第２基板において、ソースバスラインと対向する位置には、透明電極ではなくブラックマトリクスが第１基板に面している。そのため、製造過程においてソースバスライン上、液晶層内に異物が混入し、第２基板上の構成とつながったとしても、その第２基板上の構成は樹脂より形成されているブラックマトリクスとなるため、電気的につながることはなく、対向リークが発生することはない。したがって、異物が混入しても、ソースバスラインを介した対向リークの発生を抑えることができるという効果を奏する。
【００１７】
また、本発明に係る液晶表示装置では、上記ブラックマトリクスおよび上記ゲートバスラインの、上記第２基板の法線方向への投影形状において、上記ゲートバスラインは、上記ブラックマトリクスの内側にあることが好ましい。
【００１８】
上記構成によれば、第２基板において、ゲートバスラインと対向する位置には、透明電極ではなくブラックマトリクスが第１基板に面している。そのため、製造過程においてゲートバスライン上、液晶層内に異物が混入し、第２基板上の構成とつながったとしても、その第２基板上の構成は樹脂より形成されているブラックマトリクスとなるため、電気的につながることはなく、対向リークが発生することはない。したがって、異物が混入しても、ゲートバスラインを介した対向リークの発生を抑えることができるという効果を奏する。
【００１９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記問題を解決するために、液晶層を挟んで互いに対向する第１基板と第２基板とを備えており、該第２基板の該第１基板に面している側にカラーフィルタ層、ブラックマトリクスおよび透明電極を有する液晶表示装置の製造方法において、上記第２基板上に上記カラーフィルタ層を形成する工程と、上記カラーフィルタ層が形成された上記第２基板上に、上記透明電極を形成する工程と、上記透明電極上に、樹脂を用いて上記ブラックマトリクスを形成する工程とをこの順に含む構成である。
【００２０】
上記構成によれば、第２基板上にカラーフィルタ層、ブラックマトリクス層および透明電極層を形成する過程において、まず、基板上にカラーフィルタ層が設けられ、次いで透明電極が設けられ、最後に樹脂を用いてブラックマトリクスを形成する。透明電極を形成した後にブラックマトリクスを形成するため、透明電極とブラックマトリクスが重なる領域においては、ブラックマトリクスが最外層となる。すなわち、透明電極は第２基板とブラックマトリクスとの間に形成されることになる。そのため、液晶表示装置の製造過程において、液晶層内のブラックマトリクスが形成されている領域に異物が混入したとしても、ソースバスラインなどの第１基板上の構成と透明電極とが異物によりつながれることを、ブラックマトリクスによって防止する液晶表示装置を製造することができる。このとき、第１基板上の構成とブラックマトリクスとが異物によりつながれることになるが、ブラックマトリクスを金属ではなく樹脂により形成するため、両基板間が異物によりつながれたとしても、電気的につながることはない。そのため、両基板間の電気的短絡（対向リーク）の発生が抑えられた液晶表示装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、第１基板と液晶層を挟んで対向している第２基板とを備えており、ブラックマトリクスと透明電極とが形成されている第２基板において、ブラックマトリクスは樹脂により形成されており、ブラックマトリクスと透明電極とが重なる領域では、ブラックマトリクスと第２基板との間に透明電極が形成されている。そのため、液晶層内に異物が侵入しても、ブラックマトリクスが形成されている領域においては、第１基板と第２基板とが異物により電気的につながることはなく、対向リークの発生が抑えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る液晶表示装置の一実施形態について、図１〜図３に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００２３】
〔液晶表示装置〕
図１は、本発明の実施形態に係るｎｏｎＳＨＡ構造を有する液晶表示装置１の概略構成を模式的に示す断面図である。図２は、液晶表示装置１の構成を示す上面図である。なお、図１は、図２中のＡ−Ａ’矢視切断線における断面図である。
【００２４】
図１に示すように、液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板２と、それに対向するように設けられた対向基板４と、両基板２，４の間に挟持されるように設けられた液晶層６とを備えている。
【００２５】
アクティブマトリクス基板２は、透明絶縁基板であるガラス基板２１（第１基板）と、ガラス基板２１上に相互に並行に延びるように設けられた複数のゲートバスライン２７と、ゲートバスライン２７と並行するように設けられた複数の補助容量ライン２６と、ゲートバスライン２７および補助容量ライン２６と直交する方向に相互に並行に延びるように設けられた複数のソースバスライン２３と、ゲートバスライン２７およびソースバスライン２３の各の交差部分に設けられた半導体層２０と、各半導体層２０に対応して一対のゲートバスライン２７およびソースバスライン２３によって囲われる表示領域に設けられた画素電極２５とを有する。
【００２６】
また、アクティブマトリクス基板２には、ゲートバスライン２７および補助容量ライン２６を覆うように、全面にゲート絶縁膜２２が形成されており、さらに、ソースバスライン２３および半導体層２０を覆うように、全面に層間絶縁膜２４が形成されている。画素電極は、層間絶縁膜２４上に形成されている。
【００２７】
ゲート絶縁膜２２と層間絶縁膜２４との層間には、半導体層２０が形成されている。この半導体層は、ゲート電極の対応部分にチャネル領域が形成され、チャネル領域の外側にソース電極３０およびドレイン電極２９が形成されている。
【００２８】
液晶層６は、電気光学特性を有する液晶材料から形成されている。
【００２９】
対向基板４は、透明絶縁基板であるガラス基板４１（第２基板）と、ガラス基板４１上に形成されたカラーフィルタ層４２と、カラーフィルタ層４２を覆うように、全面に形成された対向電極（透明電極）４３と、対向電極４３上に形成されたブラックマトリクス４４とを有する。
【００３０】
ブラックマトリクス４４は、例えば、ＵＶ硬化型アクリル樹脂と被覆カーボンまたはＲＧＢの混色とを組み合わせたものなどである。
【００３１】
図１に示すように、液晶表示装置１の対向基板４において、ブラックマトリクス４４と対向電極４３とが重なる領域では、対向電極４３は、ガラス基板４１とブラックマトリクス４４との間に設けられている。すなわちブラックマトリクス４４と対向電極４３とが重なる領域では、アクティブマトリクス基板２と相対するのはブラックマトリクス４４となる。
【００３２】
液晶表示装置１において、アクティブマトリクス基板２と液晶層６との間、および対向基板４と液晶層６との間には、配向膜（不図示）が設けられている。配向膜は、液晶分子を配向させるための膜であり、ラビング等の配向処理がなされている場合もある。
【００３３】
図２に示すように、液晶表示装置１の上面（紙面と直交する方向）から見た場合、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７と、ブラックマトリクス４４とは重なっており、かつ、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７はブラックマトリクス４４の内側に位置している。なお、図２では説明の便宜上、対向基板４を一部透過した状態で示している。すなわち、ブラックマトリクス４４、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７の、対向基板４の法線方向への投影形状において、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７は、ブラックマトリクス４４の内側にあるように、ブラックマトリクス４４、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７が設けられている。すなわち、対向基板４において、ソースバスライン２３およびゲートバスライン２７と対向する位置にはブラックマトリクス４４が形成されている。
【００３４】
次に、液晶表示装置１内に異物が混入した場合における、液晶表示装置１の作用について図３および図５を参照しながら説明する。
【００３５】
図５に示す従来の液晶表示装置１００では、ソースバスライン１２３上に異物１７０が混入すると、異物１７０が対向基板１０４上の対向電極（共通電極）１４３とも接することになり、その結果、対向リークが発生してしまう。これにより、液晶表示装置１００の品質の低下を招来する。
【００３６】
図３は、液晶表示装置１の製造過程において、液晶層６内、ソースバスライン２３上に異物７０が混入した状態を示す液晶表示装置１の断面図である。上述および図３に示すように、本発明に係る液晶表示装置１では、対向基板４において、ソースバスライン２３と対向する位置にはブラックマトリクス４４が形成されている。ブラックマトリクス４４が形成されている領域では、アクティブマトリクス基板２と面している対向基板４上の構成は、対向電極４３ではなくブラックマトリクス４４となっている。そのため、ソースバスライン２３上に異物７０が混入したとしても、異物７０が対向電極４３と接することを防ぐことができる。これによりソースバスライン２３と対向電極４３との電気的つながりによる対向リークの発生を抑えることができる。
【００３７】
また、従来の液晶表示装置１００では、ブラックマトリクスは、チタンなどの金属成分により形成されている。そのため、液晶表示装置１のように、対向電極１４３とアクティブマトリクス基板１０２との間にブラックマトリクス１４４を形成したとしても、異物１７０がブラックマトリクス１４４と接すると、ソースバスライン１２３と対向基板１０４とが電気的につながることになり、結果、対向リークが発生してしまうことになる。
【００３８】
これに対し、本発明に係る液晶表示装置１では、ブラックマトリクス４４をＵＶ硬化型アクリル樹脂などの樹脂により形成している。そのため、ソースバスライン２３上にある異物７０がブラックマトリクス４４に接触していても、ソースバスライン２３と対向基板４とが電気的につながることがない。その結果、ソースバスライン２３と対向電極４３との電気的つながりによる対向リークの発生を抑えることができる。
【００３９】
また、対向基板４において、ゲートバスライン２７と対向する位置にはブラックマトリクス４４が形成されており、ブラックマトリクス４４が形成されている領域では、アクティブマトリクス基板２と面している対向基板４上の構成は、対向電極４３ではなく樹脂により形成されているブラックマトリクス４４となっている。そのため、ゲートバスライン２７上に異物７０が混入した場合であっても、ソースバスライン２３上に異物７０が混入した場合と同様に、ゲートバスライン２７と対向基板４とが電気的につながることがない。その結果、ゲートバスライン２７と対向電極４３との電気的つながりによる対向リークの発生を抑えることができる。
【００４０】
上述のように、液晶表示装置１では、対向基板４における対向電極４３とブラックマトリクス４４の配置を変更し、ブラックマトリクス４４を樹脂により形成することによって、対向リークの発生の抑制を実現している。そのため、アクティブマトリクス基板２上にアクリル樹脂などの厚い有機絶縁層を設ける必要がなくなる。
【００４１】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について説明する。
【００４２】
（対向基板製造工程）
ガラス基板４１上に、ドライフィルム方式およびスピンコーティング方式などにより、アクティブマトリクス基板２の画素に対応するＲＧＢ（赤、青および緑）の各着色層をパターン形成してカラーフィルタ層４２を形成する。
【００４３】
次いで、カラーフィルタ層４２が形成された基板全体に、ＩＴＯなどの透明電極をスパッタリングにより成膜して対向電極４３を形成する。
【００４４】
次いで、対向電極４３上に、遮光部となるブラックマトリクス４４を格子状にパターン形成する。この格子パターンは、アクティブマトリクス基板２と対向基板４とを重ね合わせたときに、ゲートバスライン２７およびソースバスライン２３の配置パターンと重なるようにパターニングされている。
【００４５】
すなわち、対向基板製造工程は、ガラス基板４１上にカラーフィルタ層４２を形成する工程と、対向電極４３を形成する工程と、対向電極４３上に、樹脂を用いてブラックマトリクス４４を形成する工程とをこの順に含んでいる。
【００４６】
次いで、印刷または塗布により、ポリイミドなどポリイミド系樹脂からなる配向膜を形成する。または、ポリイミド系樹脂の薄膜を形成した後、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００４７】
以上のようにして、本発明を構成する対向基板４を製造することができる。
【００４８】
なお、ブラックマトリクス４４の形成方法としては、以下のようないくつかの方法が可能である。
【００４９】
第１の方法としては、まず、ブラックマトリクス４４のもととなるネガティブ感光性の黒色樹脂をガラス基板４１上に成膜する。この成膜方法としては、例えば、スピンコータによる塗布、予めフィルム状に形成された黒色レジストをガラス基板４１状に貼り付ける方法、およびカスケード塗布による方法がある。次に、所定のブラックマトリクスパターンを有するフォトマスクを通じてガラス基板４１上に紫外線を照射し、黒色樹脂の露光部を硬化させる。その後、未露光部の黒色樹脂を現像工程にて除去することによりブラックマトリクス４４を形成する。
【００５０】
また、ブラックマトリクス４４を形成する第２の方法としては、まず、ネカティブ感光性の未着色樹脂を第１の方法と同様にしてガラス基板４１上に成膜する。次に、第１の方法と同様にして露光および現像を行い、ブラックマトリクス４４の原形をパターニングする。その後、パターン形成部を黒色に着色することによりブラックマトリクス４４を形成する。着色方法としては、無電解メッキ法、染色法などがある。
【００５１】
また、ブラックマトリクス４４を形成する第３の方法としては、まず、現像性を有する黒色樹脂を第１の方法と同様にしてガラス基板４１上に成膜する。次に、ポジティブ性のフォトレジストをその表面上に形成し、第１の方法と同様にして露光および現像を行う。現像においては露光部のフォトレジストと黒色樹脂が一括して除去される。そして、加熱により黒色樹脂を架橋硬化し、その後に未露光部レジストを除去することによりブラックマトリクス４４を形成する。
【００５２】
（アクティブマトリクス基板製造工程）
ガラス基板２１上に、スパッタリング装置を用いてアルミニウム（Ａｌ）膜を成膜する。Ａｌ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチングなどのエッチング工程によりパターン形成して、ゲートバスライン２７とゲート電極と補助容量ライン２６とを同時に形成する。
【００５３】
なお、本実施形態においては、基板として透明絶縁基板であるガラス基板を用いているが、透明絶縁性を有していればよく、例えばプラスチック基板等であってもよい。
【００５４】
次いで、ゲートバスライン２７上の基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等からなるゲート絶縁膜２２を成膜する。
【００５５】
次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子を形成するために、プラズマＣＶＤにより活性半導体層を成膜する。活性半導体層を成膜した後、ｎ型アモルファスシリコンなどのアモルファスシリコン層を、プラズマＣＶＤにより活性半導体層上に成膜する。アモルファスシリコン層を形成した後、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成して半導体層２０を形成する。
【００５６】
次いで、スパッタリング装置を用いてＡｌ膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチングなどのエッチング工程によりパターンを形成して、ソースバスライン２３、ソース電極３０およびドレイン電極２９を形成する。
【００５７】
なお、本実施形態においては、ゲートバスライン２７、ゲート電極、補助容量ライン２６、ソースバスライン２３、ソース電極３０およびドレイン電極２９の形成にＡｌを用いたが、所望のバスライン抵抗が得られるものであればよく、例えば、チタン（Ｔｉ）およびクロム（Ｃｒ）などの金属、ならびにこれらの合金などを用いることも可能である。また、ＴｉＮ（窒化チタン）／Ａｌ／Ｔｉ、およびＭｏ（モリブデン）／Ａｌ／Ｍｏなどの積層膜であってもよい。
【００５８】
次に、これらの上に、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等からなる絶縁膜をプラズマＣＶＤにより成膜し、無機絶縁膜である層間絶縁膜２４を形成する。その後、層間絶縁膜２４に、その上に形成する画素電極２５とドレイン電極２９とを電気的にコンタクトさせるためのコンタクトホール２８、および補助容量形成用のスルーホールをフォトリソグラフィ技術により形成する。
【００５９】
次いで、この層間絶縁膜２４上の基板全体にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によりパターンを形成して、画素電極２５を形成する。
【００６０】
次いで、印刷または塗布により、ポリイミドなどポリイミド系樹脂からなる配向膜を形成する。または、ポリイミド系樹脂の薄膜を形成した後、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００６１】
以上のようにして、本発明を構成するアクティブマトリクス基板２を製造することができる。
【００６２】
（液晶表示装置製造工程）
パネルのセル厚を保つことができるように、アクティブマトリクス基板２および対向基板４に、プラスチックビーズなどのスペーサを散布する。または、予め、両基板２，４に柱スペーサを形成する。
【００６３】
次に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる熱硬化型シール剤を、ディスペンサを用いて両基板２，４に描画する。両基板２，４を貼り合わせ、熱を加えることによりシールを硬化させた後に液晶材料を注入して封止することにより、液晶層６を形成する。または、液晶材料を滴下した後に両基板２，４を貼り合わせ、シールを硬化させることにより、液晶層６を形成することができる。
【００６４】
なお、本実施の形態では、シール材料として熱硬化型材料を用いているが、ＵＶ（紫外線）硬化型材料を用いてもよい。この場合には、ＵＶ照射によりシールを硬化させることができる。
【００６５】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置１を製造することができる。
【００６６】
本発明に係る製造方法では、対向電極４３を形成する工程とブラックマトリクス４４を形成する工程との順番を従来の方法から変更し、かつ、ブラックマトリクス４４を樹脂により形成することによって、対向リークの発生が抑えられる液晶表示装置１の提供を実現している。そのため、アクティブマトリクス基板２上にアクリル樹脂などの厚い有機絶縁層を設ける工程を省略しつつ、対向リークの発生が抑えられる液晶表示装置１の提供を実現している。
【００６７】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明によれば、簡略な構成で対向リークの発生が抑えられた液晶表示装置を提供することができる。そのため、携帯端末およびデジタルカメラなどの小型機器はもとより、テレビなどの大型機器についても有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の上面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示装置に異物が混入しているときの断面模式図である。
【図４】従来の液晶表示装置の断面模式図である。
【図５】従来の液晶表示装置に異物が混入しているときの断面模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１    液晶表示装置
２    アクティブマトリクス基板
４    対向基板
６    液晶層
２０    半導体層
２１    ガラス基板（第１基板）
２２    ゲート絶縁膜
２３    ソースバスライン
２４    層間絶縁膜
２５    画素電極
２６    補助容量ライン
２７    ゲートバスライン
２８    コンタクトホール
２９    ドレイン電極
３０    ソース電極
４１    ガラス基板（第２基板）
４２    カラーフィルタ層
４３    対向電極（透明電極）
４４    ブラックマトリクス
７０    異物
【図１】
2010134030.tif 000003
【図２】
2010134030.tif 000004
【図３】
2010134030.tif 000005
【図４】
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【図５】
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