(57)【要約】【課題】ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをワイヤで結線したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、リードとモールド樹脂の剥離によるワイヤの断線を適切に防止する。【解決手段】モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ４０が接続されている部位は、当該ワイヤ４０が接続されている部位よりもリード３０の一端側および他端側の上面３１に対して段差を有して突出する突出部３２とされており、この突出部３２の上面である突出面３３にワイヤ４０が接続されており、突出部３２の段差面３４は、リード３０のうち突出部３２に隣り合う部位の上面３１を覆うように当該上面３１側に傾斜した面として構成されている。【選択図】図１
2010283252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側および他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出する突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の一端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（３０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記段差面（３４）は、当該段差面（３４）における前記突出面（３３）側に位置する部位が、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように凹形状に湾曲した面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部（３２）のうち前記リード（３０）の長手方向の端部寄りの部位には、当該長手方向に沿い且つ前記突出面（３３）に直交する断面が前記突出面（３３）側に広がるＶ字形状をなす溝（３５）が設けられることにより、当該端部に位置する前記段差面（３４）の傾斜角度は、前記溝（３５）のＶ字における傾斜角度を承継したものとされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）の前記上面（３１）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の一端側および他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされており、この凹部（３６）の底部に前記ワイヤ（４０）が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記リード（３０）において、前記凹部（３６）の底部と前記リード（３０）における前記凹部（３６）に隣り合う部位の前記上面（３１）との間に位置する段差面（３７）は、前記凹部（３６）の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側に位置する部位の表面は、凹凸形状とされており、この凹凸部が前記モールド樹脂（５０）に食い込んでいることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）のうち、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側に位置する部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも表面粗度が小さく、前記モールド樹脂（５０）との密着性が小さいものとされていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
ダイパッド（１０）の上面（１１）に半導体素子（２０）を搭載し、
細長板状をなす複数本のリード（３０）を、一端側が前記ダイパッド（１０）に対向し他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置し、
前記リード（３０）の上面（３１）と前記半導体素子（２０）との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ（４０）で結線し、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を、モールド樹脂（５０）で封止するようにした半導体装置の製造方法において、
前記複数本のリード（３０）として、前記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも前記一端側および前記他端側に位置する部位の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされ、且つ、前記突出部（３２）の段差面（３４）が、前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されている第１のリード（３０ａ）と、
前記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも前記一端側および前記他端側に位置する部位の前記上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされている第２のリード（３０ｂ）とを用い、
さらに、前記第１のリード（３０ａ）と前記第２のリード（３０ｂ）とを交互に隣り合って配置し、
その後、前記ワイヤボンディング工程では、前記半導体素子（２０）に１次ボンディングを行った後に、前記第１のリード（３０ａ）における前記突出部（３２）の上面である突出面（３３）に２次ボンディングを行って前記ワイヤ（４０）の結線を行い、
続いて、当該結線が行われた前記第１のリード（３０ａ）の隣に位置する前記第２のリード（３０ｂ）における前記凹部（３６）の底部に１次ボンディングを行った後に、当該半導体素子（２０）に２次ボンディングを行うことにより前記ワイヤ（４０）の結線を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをワイヤで結線したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置、および、そのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、ダイパッドの上面に半導体素子を搭載し、細長板状をなす複数本のリードを、一端側がダイパッドに対向し他端側がダイパッドから離れる方向に延びるように配置し、リードの上面と半導体素子との間でワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤで結線し、リードの他端側を露出させつつ、ダイパッド、半導体素子、リードおよびワイヤをモールド樹脂で封止してなるものが一般的である。
【０００３】
このような半導体装置においては、たとえば、はんだリフロー時に発生する応力や、冷熱サイクル時に発生する応力等により、モールド樹脂とリードとの剥離が生じ、その剥離が進行することによってモールド樹脂内部のワイヤが断線するという問題があった。
【０００４】
この問題に対して、従来では、リードのうちワイヤが接続されている部位、すなわちリードのワイヤ接続部の近くに窪みを設けることによって、当該リードのワイヤ接続部近辺のモールド樹脂とリードとの密着強度を上げるようにしたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２１３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、上記特許文献１について、試作検討を行った。図１７は、本発明者の試作品としての半導体装置の要部構成を示す概略断面図である。
【０００７】
この試作品においては、図１７に示されるように、リード３０のうちワイヤボンディングを行うインナーリードの近傍に窪みＫを作ることで、モールド樹脂５０と当該インナーリードと密着強度を上げて、剥離発生を防止している。
【０００８】
この試作品の構造では、図１７中の矢印Ｙに示されるように、たとえばモールド樹脂５０の外部からモールド樹脂５０の剥離が進展してきた場合、その剥離の進展は図１７中の剥離進展停止点Ｐにて停止すると考えられる。しかし、この構造では、剥離進展停止点Ｐがモールド樹脂５０であるため、その箇所Ｐで当該剥離の進展が止まったとしても、応力により樹脂割れＷが発生する可能性がある。
【０００９】
そして、この樹脂割れＷが窪みＫを縦断した場合、再度、剥離の進展が進行してワイヤ接続部まで到達するため、ワイヤ４０の断線が防止できないという問題がある。つまり、上記特許文献１に準拠する試作品の構造では、あくまでも、窪みＫによってモールド樹脂５０とインナーリードとの密着力を増強させることによるモールド樹脂５０の剥離防止を行っているのみであり、当該剥離の進行を停止させるという点では不十分であると推定される。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをワイヤで結線したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、リードとモールド樹脂の剥離によるワイヤの断線を適切に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側および他端側の上面（３１）に対して段差を有して突出する突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。
【００１２】
それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離は、インナーリードにおけるリード（３０）の一端側または他端側からワイヤ（４０）が接続されている部位すなわちワイヤ接続部に進行してくるが、どちら側から進行してきたとしても当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出面（３３）とその隣の部位の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。
【００１３】
また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂（５０）に対する楔効果が発揮されるから、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が適切に防止される。
【００１４】
請求項２に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の一端側の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。
【００１５】
それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離が、インナーリードにおけるリード（３０）の一端側からワイヤ接続部に進行してきたとしても、当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出部（３２）とその隣の部位の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。
【００１６】
また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることで、上記同様に、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。
【００１７】
請求項３に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（３０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の他端側の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。
【００１８】
それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離が、インナーリードにおけるリード（３０）の他端側からワイヤ接続部に進行してきたとしても、当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出部（３２）とその隣の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。
【００１９】
また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることで、上記同様に、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。
【００２０】
ここで、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置においては、段差面（３４）は、当該段差面（３４）における突出面（３３）側に位置する部位が、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように凹形状に湾曲した面であるものにできる。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置においては、突出部（３２）のうちリード（３０）の長手方向の端部寄りの部位には、当該長手方向に沿い且つ突出面（３３）に直交する断面が突出面（３３）側に広がるＶ字形状をなす溝（３５）が設けられることにより、当該端部に位置する段差面（３４）の傾斜角度は、溝（３５）のＶ字における傾斜角度を承継したものとされているものとしてもよい。上記楔効果を発揮する段差面（３４）としてはこういうものにできる。
【００２２】
請求項６に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）の上面（３１）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の一端側および他端側の上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされており、この凹部（３６）の底部にワイヤ（４０）が接続されていることを特徴としている。
【００２３】
それによれば、ワイヤ（４０）は、ワイヤ接続部としての凹部（３６）の底部に接続されるが、凹部（３６）の底部はそもそも剥離が進行しにくい場所であるので、リード（３０）とモールド樹脂（５０）との剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。
【００２４】
ここで、請求項７に記載の発明のように、請求項６に記載の半導体装置においては、リード（３０）において、凹部（３６）の底部とリード（３０）における凹部（３６）に隣り合う部位の上面（３１）との間に位置する段差面（３７）は、凹部（３６）の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されていてもよい。
【００２５】
この凹部（３６）の段差面（３７）を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂（５０）に対する楔効果が発揮されるから、当該凹部（３６）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなり、好ましい。
【００２６】
また、請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７に記載の半導体装置において、モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側に位置する部位の表面は、凹凸形状とされており、この凹凸部がモールド樹脂（５０）に食い込んでいることを特徴としている。それによれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）との密着力が向上し、好ましい。
【００２７】
また、請求項９に記載の発明では、請求項１〜請求項８に記載の半導体装置において、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）のうち、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側に位置する部位は、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも表面粗度が小さく、前記モールド樹脂（５０）との密着性が小さいものとされていることを特徴としている。
【００２８】
それによれば、インナーリードのうちワイヤ接続部よりもモールド樹脂（５０）の内部側に位置する部位が、当該ワイヤ接続部よりもモールド樹脂（５０）の剥離が発生しやすくなるが、この部位が優先的に剥離することで、発生する応力を開放することが可能となる。また、この部位は、ワイヤ断線や水分侵入とは無縁の場所であり、剥離が発生しても、その影響は小さい。
【００２９】
請求項１０に記載の発明は、ダイパッド（１０）の上面（１１）に半導体素子（２０）を搭載し、細長板状をなす複数本のリード（３０）を、一端側がダイパッド（１０）に対向し他端側がダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置し、リード（３０）の上面（３１）と半導体素子（２０）との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ（４０）で結線し、リード（３０）の他端側を露出させつつ、ダイパッド（１０）、半導体素子（２０）、リード（３０）およびワイヤ（４０）を、モールド樹脂（５０）で封止するようにした半導体装置の製造方法において、次の点を特徴とするものである。
【００３０】
・複数本のリード（３０）として、ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも一端側および他端側に位置する部位の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされ、且つ、突出部（３２）の段差面（３４）が、突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されている第１のリード（３０ａ）と、記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも一端側および他端側に位置する部位の上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされている第２のリード（３０ｂ）とを用いること。
【００３１】
・さらに、第１のリード（３０ａ）と第２のリード（３０ｂ）とを交互に隣り合って配置すること。
【００３２】
・その後、ワイヤボンディング工程では、半導体素子（２０）に１次ボンディングを行った後に、第１のリード（３０ａ）における突出部（３２）の上面である突出面（３３）に２次ボンディングを行ってワイヤ（４０）の結線を行い、続いて、当該結線が行われた第１のリード（３０ａ）の隣に位置する第２のリード（３０ｂ）における凹部（３６）の底部に１次ボンディングを行った後に、当該半導体素子（２０）に２次ボンディングを行うことによりワイヤ（４０）の結線を行うこと。本製造方法はこれらの点を特徴としている。
【００３３】
つまり、本発明の製造方法は、上記請求項１のリードを第１のリード（３０ａ）とし、上記請求項６のリードを第２のリード（３０ｂ）として、これらを交互に配置した状態で上記のようにワイヤボンディングを行うものである。
【００３４】
それによれば、ボンディングツールの動きは、半導体素子（２０）のパッド（２１）→第１のリード（３０ａ）→その隣の第２のリード（３０ｂ）→半導体素子（２０）のパッド（２１）→同じ半導体素子（２０）におけるその隣のパッド（２１）→第１のリード（３０ａ）・・・、というようになり、一般の場合に比べて移動距離が短くなるので、ワイヤボンディング作業時間の短縮が図れるとともに、ワイヤ角度が直交に近い１次ボンディングによって凹部（３６）の底部への結線が容易になる。
【００３５】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図５】第４実施形態のリードにおける傾斜した段差面の形成方法を示す工程図である。
【図６】（ａ）は本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図９】本発明の第８実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第９実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第１０実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、（ａ）はリードの一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。
【図１２】第１０実施形態の他の例を示す概略断面図であり、（ａ）はリードの一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。
【図１３】従来方法に基づく本発明者の試作におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のワイヤ接続部の概略断面図である。
【図１４】本発明の第１１実施形態に係るワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の第１のリードにおけるワイヤ接続部の概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の第２のリードにおけるワイヤ接続部の概略断面図である。
【図１５】本発明の第１２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面図であり、（ａ）はＱＦＪパッケージの例、（ｂ）はＱＦＮパッケージの例を示す。
【図１７】本発明者の試作品としての半導体装置の要部構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１の概略平面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った同半導体装置１の概略断面図であり、（ｃ）は、同半導体装置１におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。なお、図１（ａ）では、半導体装置１のうちモールド樹脂５０で封止されている構成要素を示してある。
【００３９】
本実施形態の半導体装置１は、大きくは、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の上面１１に搭載された半導体素子２０と、ダイパッド１０の周囲に設けられたリード３０と、リード３０の上面３１側と半導体素子２０とを結線するワイヤ４０と、これらを封止するモールド樹脂５０とを備えて構成されている。
【００４０】
ダイパッド１０は、Ｃｕや４２アロイなどよりなるリードフレームのアイランドや、Ｃｕや鉄またはアルミニウムなどよりなるヒートシンクなどとして構成されるものであり、板状をなす。ここでは、ダイパッド１０は矩形板状をなしている。
【００４１】
半導体素子２０は、半導体プロセスで形成されたシリコン半導体チップなどであり、具体的には、ＩＣチップやトランジスタ素子、ダイオードなどよりなる。また、この半導体素子２０は、図示しないはんだや接着剤などのダイボンド材によりダイパッド１０の上面１１に接合され、固定されている。
【００４２】
リード３０は、Ｃｕや４２アロイなどの一般的なリードフレームのリードを用いて、後述する突出部３２を加工したものである。そして、複数個のリード３０がダイパッド１０の周囲に配置されている。個々のリード３０は細長板状をなしており、その長手方向の一端側をダイパッド１０に対向させ他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるように配置されている。
【００４３】
そして、モールド樹脂５０の内部にて、リード３０の長手方向の両端の中間に位置する部位の上面３１側と半導体素子２０のパッド２１（図１（ａ）参照）とがワイヤ４０で結線されている。つまり、リード３０の一端側であってモールド樹脂５０で封止されている部位、すなわちインナーリードの上面３１側と半導体素子２０とがワイヤ４０で結線されている。
【００４４】
なお、リード３０の上面３１とは、リード３０の両板面のうちのダイパッド１０の上面（つまり、ダイパッド１０における半導体素子２０の搭載面）１１と同一方向を向いている面である。
【００４５】
ここで、ワイヤ４０は金やアルミニウムなどよりなり、一般的なワイヤボンディング方法により形成されたものである。そして、このワイヤ４０によって、半導体素子２０とリード３０とが電気的に接続されている。
【００４６】
また、モールド樹脂５０はエポキシ樹脂などの一般のモールド材料よりなるもので、トランスファーモールド法などにより形成されるものである。このモールド樹脂５０は、リード３０の他端側をモールド樹脂５０より露出させつつ、ダイパッド１０、半導体素子２０、リード３０およびワイヤ４０を封止し、これら封止された部位を保護している。
【００４７】
このように、本実施形態の半導体装置１は、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載し、ダイパッド１０側に一端側が位置し他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるリード３０をダイパッド１０の周囲に配置し、このリード３０の他端側が露出するように、これらをモールド樹脂５０で封止した樹脂封止型の半導体装置１を構成している。
【００４８】
さらに、本実施形態の半導体装置１においては、図１に示されるように、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０すなわちインナーリードにおいて、その上面３１側に、当該上面３１より突出する突出部３２が形成されている。そして、この突出部３２の上面である突出面３３にワイヤ４０が接続されている。
【００４９】
このように突出部３２は、リード３０におけるワイヤ４０が接続されている部位、つまりワイヤ接続部である。そして、この突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の部位の上面３１に対して、段差を有して突出したものである。
【００５０】
また、突出部３２の段差面３４は、突出面３３と、リード３０における突出部３２に隣り合う部位の上面３１との間に位置するものである。言い換えれば、突出部３２の突出面３３は、モールド樹脂５０内のリード３０における突出部３２以外の上面３１に対して、段差面３４の分、高くなっているものである。
【００５１】
そして、本実施形態では、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、この突出部３２の段差面３４は、リード３０における突出部３２に隣り合う部位の上面３１を覆うように当該上面３１側に傾斜した面として構成されている。
【００５２】
具体的には、この段差面３４は凹形状に湾曲した面であり、当該段差面３４における突出面３３側に位置する部位が、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１側に傾斜し、当該上面３１を覆う形とされている。
【００５３】
つまり、図１（ｃ）に示されるように、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位と、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１とのなす角度θが鋭角となっており、このような鋭角を形成するように、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位が傾斜した面とされている。さらに言うならば、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位は、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１と直角な方向に対して当該上面３１側に傾いた面とされている。
【００５４】
なお、本実施形態では、段差面３４は、突出部３２におけるリード３０の一端側の端部および突出部３２におけるリード３０の他端側の端部の両方に設けられているが、これら両方の段差面３４の構成は同じである。このような段差面３４を持って突出する突出部３２を有するリード３０は、プレス加工やエッチング加工などにより形成される。
【００５５】
そして、本実施形態の半導体装置１は、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載・固定し、複数本のリード３０をダイパッド１０の周囲に配置し、リード３０の上面３１と半導体素子２０との間でワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ４０で結線した後、このものを、金型などに設置して、リード３０の他端側を露出させつつモールド樹脂５０で封止することにより、製造される。
【００５６】
ところで、本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離は、インナーリードにおけるリード３０の一端側または他端側からワイヤ接続部に進行してくるが、どちら側から進行してきたとしても当該剥離の進行は、段差面３４によって止められるから、ワイヤ接続部である突出面３３まで進行することはない。
【００５７】
つまり、本実施形態によれば、リード３０のインナーリードに突出部３２を設け、この突出部３２の突出面３３にワイヤ４０を接続することにより、ワイヤ接続部の周囲からのモールド樹脂５０の剥離進行が、突出部３２の段差面３４によって止められるから、従来のように、当該剥離がワイヤ接続部まで進行するのを防止できる。
【００５８】
ちなみに、従来では、上記図１７に示したように、剥離停止点が樹脂であるため、樹脂割れにより、再び剥離が進行する恐れがあったが、本実施形態ではそのような懸念はなくなる。
【００５９】
また、リード３０の上面３１からのモールド樹脂５０の剥離は、当該剥離の進行方向に発生するせん断応力と、当該剥離の進行方向と直交する方向（つまり、リード３０の厚さ方向）に発生する引きはがし応力との２つの応力により発生する。ここで、上記段差面３４による剥離進行の停止は、せん断応力に対しては効果がある。
【００６０】
そして、本実施形態では、さらに、段差面３４を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂５０に対する楔効果が発揮されるから、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがし応力に対して強いものとなる。
【００６１】
つまり、本実施形態では、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成となっている。よって、本実施形態によれば、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が適切に防止される。
【００６２】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６３】
上記第１実施形態では、ワイヤ接続部である突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の両方の端部側の部位の上面３１に対して、段差を有して突出したものであった。
【００６４】
それに対して、図２に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の一端側（つまりモールド樹脂５０の内部側）の上面３１に対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。
【００６５】
つまり、本実施形態のワイヤ接続部は、当該ワイヤ接続部よりもインナーリードの一端側の上面３１のみに対して段差を有して突出した突出部３２として構成され、その突出面３３にワイヤ４０が接続されている。また、この場合、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記同様の傾斜面として構成されている。
【００６６】
本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離が、インナーリードにおけるリード３０の一端側からワイヤ接続部に向かって進行しやすい場合に効果がある。つまり、当該剥離が、インナーリードにおけるリード３０の一端側から進行してきたとしても、当該剥離の進行は段差面３４によって止められるから、突出面３３まで進行することはない。
【００６７】
また、本実施形態においても、段差面３４を上記傾斜面とすることで、上記同様に、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがしに対して強いものとなる。つまり、本実施形態によっても、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成が実現され、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。
【００６８】
（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６９】
図３に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の他端側（つまりモールド樹脂５０の外部側）の上面３１に対して段差を有して突出し、一端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。
【００７０】
つまり、本実施形態のワイヤ接続部は、当該ワイヤ接続部よりもインナーリードの他端側の上面３１のみに対して段差を有して突出した突出部３２として構成され、その突出面３３にワイヤ４０が接続されている。また、この場合、リード３０の他端側に位置する段差面３４は、上記同様の傾斜面として構成されている。
【００７１】
本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離が、インナーリードにおけるリード３０の他端側からワイヤ接続部に向かって進行しやすい場合に効果がある。つまり、当該剥離が、インナーリードにおけるリード３０の他端側から進行してきたとしても、当該剥離の進行は段差面３４によって止められるから、突出面３３まで進行することはない。
【００７２】
また、本実施形態においても、段差面３４を上記傾斜面とすることで、上記同様に、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがしに対して強いものとなる。つまり、本実施形態によっても、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成が実現され、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。
【００７３】
（第４実施形態）
図４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置４の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の段差面３４の構成を変更したことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００７４】
上記第１実施形態では、段差面３４をエッチングなどにより凹状に湾曲した面とすることで上記傾斜面を構成していた。
【００７５】
それに対して、図４に示されるように、本実施形態では、突出部３２のうちリード３０の長手方向（図4中の左右方向）に沿った端部寄りの部位に、溝３５を設けている。この溝３５においては、リード３０の長手方向に沿い且つ突出面３３に直交する断面形状が、突出面３３側に広がるＶ字形状をなすものとされている。
【００７６】
それにより、突出部３２のうちリード３０の長手方向の端部に位置する段差面３４の傾斜角度は、溝３５のＶ字における傾斜角度を承継したものとされている。ここで、当該Ｖ字の傾斜角度とは、当該Ｖ字を構成する溝３５の２つの側面と、突出部３２に隣り合う上面３１とのなす角度であり、この角度は上記第１実施形態の角度θ（上記図１（ｃ）参照）と同様に、鋭角をなしている。
【００７７】
このように本実施形態では、突出部３２の端部寄りの部分に溝３５を設け、当該端部を押し広げる形で傾斜させることにより、段差面３４と当該突出部３２に隣り合う部位の上面３１とのなす角度が鋭角となるように傾斜した面として、当該段差面３４を構成している。
【００７８】
次に、この溝３５の形成方法について、図５を参照して述べる。図５は、本実施形態のリード３０における傾斜した段差面３４の形成方法を示す工程図であり、上記図４に対応した断面にてワークを示している。
【００７９】
まず、図５（ａ）に示されるように、リード３０に対して、エッチングやプレス加工を施すことにより、突出部３２を形成する。次に、上記溝３５に対応した凸形状の突起Ｔ２を有する金型Ｔ１を用いて、プレス加工を行うことにより、図５（ｂ）に示されるように、突出部３２の端部寄りの部位に上記溝３５を形成する。
【００８０】
この溝３５の形成により、溝３５の外側に位置する突出部３２の端部が押し広げられ、段差面３４が傾斜する。こうして溝３５が形成され、本実施形態のリード３０における傾斜した段差面３４ができあがる。
【００８１】
そして、本実施形態によっても、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の一端側および他端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。
【００８２】
ここで、上記図５（ａ）に示される突出部３２の突出面３３に対して、ワイヤボンディングのコイニング工程を行い、その後、上記溝３５の形成を行ってもよいが、このコイニング工程における金型を上記図５（ａ）に示される形状の金型Ｔ１とすれば、コイニング工程において同時に溝３５を形成することも可能である。この場合、追加工としての溝３５の形成工程を増加することがなくなる。
【００８３】
（第５実施形態）
図６（ａ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置５の概略断面構成を示す図であり、図６（ｂ）は、同半導体装置５におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第４実施形態に示した溝３５を有する突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００８４】
上記第４実施形態では、突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の両方の端部側の部位の上面３１に対して、段差面３４を有して突出していた。
【００８５】
それに対して、図６に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の一端側（つまりモールド樹脂５０の内部側）の上面３１のみに対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。そして、この場合も、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記第４実施形態と同様、溝３５による傾斜面として構成されている。
【００８６】
そして、本実施形態によれば、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の一端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。
【００８７】
（第６実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置６の概略断面構成を示す図である。図７（ｂ）は、同半導体装置６におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。本実施形態も、上記第４実施形態に示した溝３５を有する突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００８８】
図７に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の他端側（つまりモールド樹脂５０の外部側）の上面３１のみに対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。そして、この場合も、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記第４実施形態と同様、溝３５による傾斜面として構成されている。
【００８９】
そして、本実施形態によれば、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の他端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。
【００９０】
（第７実施形態）
図８は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置７の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード３０におけるワイヤ接続部を上記突出部ではなく、凹部３６としたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００９１】
図８に示されるように、本実施形態の半導体装置７においては、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０すなわちインナーリードにおいて、その上面３１側には、当該上面３１よりも凹んだ凹部３６が形成されている。
【００９２】
この凹部３６は、リード３０の一端側および他端側の上面３１に対して段差を有して凹んだものであり、この凹部３６の底部にワイヤ４０が接続されている。つまり、この凹部３６は、リード３０のワイヤ接続部として構成されている。このような凹部３６はエッチングやプレス加工などにより形成される。
【００９３】
本実施形態によれば、ワイヤ４０は、ワイヤ接続部としての凹部３６の底部に接続されるが、凹部３６の底部はそもそも剥離が進行しにくい場所である。そのため、リード３０とモールド樹脂５０との剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。
【００９４】
（第８実施形態）
図９は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第７実施形態において、さらに凹部３６の段差面３７を変更したものであり、ここでは、その変更点を中心に述べることとする。
【００９５】
図９に示されるように、凹部３６の段差面３７は、リード３０において、凹部３６の底部とリード３０における凹部３６に隣り合う部位の上面３１との間に位置する面であり、この段差面３７は、凹部３６の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されている。ここでは、上記第１実施形態に示したようなエッチングなどにより凹状に湾曲した面として、段差面３４を傾斜面として構成している。
【００９６】
それによれば、この凹部３６の段差面３７を上記傾斜面とすることでモールド樹脂５０に対する楔効果が発揮されるから、当該凹部３６においてはモールド樹脂５０の引きはがし応力に対しても耐性を有するため、好ましい。
【００９７】
（第９実施形態）
図１０は、本発明の第９実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、ワイヤ接続部の種々の例を示すものである。
【００９８】
上記各実施形態においては、リード３０におけるワイヤ接続部としての突出部３２や凹部３６を、エッチングやプレス加工により形成していたが、本実施形態では、これら突出部３２や凹部３６を、リード３０の折り曲げ加工により形成するものである。
【００９９】
図１０において、（ａ）に示される例は、折り曲げ加工により凹部３６を形成した例であり、（ｂ）および（ｃ）に示される例は、折り曲げ加工により突出部３２を形成した例である。なお、突出部３２の場合は、折り曲げ加工後にエッチングや切削などにより、段差面３４を上記傾斜面に加工すればよい。
【０１００】
この折り曲げ加工によれば、上記突出部３２や凹部３６による効果に加えて、次のような効果が期待される。
【０１０１】
すなわち、本実施形態のような折り曲げ加工されたリード３０によれば、リード３０とモールド樹脂５０との界面の距離について、インナーリードにおけるリード３０の一端側からワイヤ接続部までの距離、および、インナーリードにおけるリード３０の他端側からワイヤ接続部までの距離を、長くとることができるというメリットがある。この距離が長いほど、モールド樹脂５０の剥離がワイヤ接続部に到達するまでの時間が長くなり、好ましい。
【０１０２】
（第１０実施形態）
図１１は、本発明の第１０実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、（ａ）はリード３０の一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記した各実施形態と組み合わせて適用されるものである。
【０１０３】
すなわち、本実施形態では、図１１に示されるように、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードにおいて、上記実施形態のような突出部３２や凹部３６のようなワイヤ接続部よりもリード３０の一端側（つまりリード３０におけるモールド樹脂５０の内部側）に位置する部位の表面を、凹凸形状としている。
【０１０４】
図１１では、当該ワイヤ接続部よりもリード３０の一端側に位置する部位に、凹みを設けて凹凸形状を構成している。そして、半導体装置においては、この凹凸部がモールド樹脂５０に食い込んでいるため、リード３０とモールド樹脂５０との密着力が向上し、好ましい。
【０１０５】
また、図１２は、本第１０実施形態の他の例を示す概略断面図であり、（ａ）はリード３０の一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面構成を示す図である。この図１２の例では、当該ワイヤ接続部よりもリード３０の一端側に位置する部位に、上記図１１とは逆に凸部を設けて凹凸形状を構成しており、その効果は、上記図１１と同様である。
【０１０６】
（第１１実施形態）
図１３は、従来方法に基づいて本発明者が試作を行った半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のワイヤ接続部の概略断面図である。
【０１０７】
図１３を参照して、従来のこの種の半導体装置における一般的なワイヤボンディング方法について、説明する。
【０１０８】
従来では、ダイパッド１０に搭載・固定された半導体素子２０と、その周囲に配置された複数のリード３０との間でワイヤボンディングを行う。この場合、一般に半導体素子２０を１次ボンディング側、リード３０を２次ボンディング側とする。
【０１０９】
そして、この場合、ボンディングツールの動きは、図１３（ａ）中の矢印に示されるように、半導体素子２０の１番目のパッド２１→１番目のリード３０→半導体素子２０の２番目のパッド２１→２番目のリード３０→半導体素子２０の３番目のパッド２１→３番目のリード３０・・・、というようになる。つまり、各パッド２１とリード３０とのボンディングについて、リード３０から半導体素子２０までボンディングツールを戻す動作が必要となる。
【０１１０】
このような従来のワイヤボンディング方法に対して、本発明の第１１実施形態では、独自のワイヤボンディング方法を提供する。
【０１１１】
図１４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の第１のリード３０ａにおけるワイヤ接続部の概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の第２のリード３０ｂにおけるワイヤ接続部の概略断面図である。
【０１１２】
本製造方法の概略の流れは、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載し、複数本のリード３０を、一端側がダイパッド１０に対向し他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるように配置し、リード３０の上面３１と半導体素子２０との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ４０で結線し、リード３０の他端側を露出させつつ、ダイパッド１０、半導体素子２０、リード３０およびワイヤ４０を、モールド樹脂５０で封止するものである。
【０１１３】
ここで、本実施形態の製造方法では、複数本のリード３０として、上記第１実施形態に示したリードと同様の突出部３２を有する第１のリード３０ａと、上記第７実施形態や第８実施形態に示したリードと同様の凹部３６を有する第２のリード３０ｂとを用いる。
【０１１４】
第１のリード３０ａは、上記図１に示したものと同様に、ワイヤ接続部が上記突出部３２とされ、且つ、当該突出部３２の段差面３４が上記傾斜した面として構成されているものである。第２のリード３０ｂは、上記図９に示したものと同様に、ワイヤ接続部が上記凹部３６とされているものである。そして、図１４（ａ）に示されるように、これら第１のリード３０ａと第２のリード３０ｂとを交互に隣り合って配置する。
【０１１５】
その後、ワイヤボンディング工程では、まず、図１４（ａ）中の矢印に示されるように、半導体素子２０に１次ボンディングを行った後に、第１のリード３０ａにおける突出部３２の突出面３３に２次ボンディングを行ってワイヤ４０の結線を行う。続いて、当該結線が行われた第１のリード３０ａの隣に位置する第２のリード３０ｂにおける凹部３６の底部に１次ボンディングを行った後に、半導体素子２０に２次ボンディングを行うことによりワイヤ４０の結線を行う。
【０１１６】
つまり、第１のリード３０ａのボンディングについては、半導体素子２０を１次ボンディング側、第１のリード３０ａを２次ボンディング側とし、第２のリード３０ｂのボンディングについては、第２のリード３０ｂを１次ボンディング側、半導体素子２０を２次ボンディング側とする。そして、この第１のリード３０ａと半導体素子２０とのワイヤボンディング、第２のリード３０ｂと半導体素子２０とのワイヤボンディングを交互に繰り返して行う。
【０１１７】
それによれば、ボンディングツールの動きは、半導体素子２０のパッド２１→第１のリード３０ａ→その隣の第２のリード３０ｂ→半導体素子２０のパッド２１→同じ半導体素子２０におけるその隣のパッド２１→第１のリード３０ａ・・・、というようになり、上記図１３に示した一般的な方法に比べて移動距離が短くなる。
【０１１８】
このように、本実施形態の製造方法によれば、上述ボンディングツールが戻る動作を最低限の距離にすることができるため、ワイヤボンディング作業時間の短縮が図れ、生産性の向上、コスト低減などが期待できる。
【０１１９】
また、図１４（ｃ）に示されるように、第２のリード３０ｂの凹部３６の底部にワイヤボンディングを行う場合、２次ボンディングに比べてワイヤ角度が直交に近い１次ボンディングによって凹部３６の底部への結線を行うため、ワイヤ４０と第２のリード３０との干渉を回避しつつボンディングを行いやすい。
【０１２０】
（第１２実施形態）
図１５は、本発明の第１２実施形態に係る半導体装置８の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード３０におけるインナーリードの表面粗度を部分的に異ならせたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【０１２１】
図１５に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードのうち、ワイヤ接続部である突出部３２よりもリード３０の一端側に位置する部位を、突出部３２よりも表面粗度が小さく、モールド樹脂５０との密着性が小さいものとしている。
【０１２２】
つまり、具体的には、リード３０の表面のうち突出部３２および突出部３２よりもリード３０の他端側の部位に対して、ニッケル粗化メッキやサンドブラストあるいはエッチングなどの粗化処理を施し、突出部３２よりもリードの一端側の部位には、当該粗化処理を行わないものとしている。
【０１２３】
図１５では、粗化処理された部分である粗化部３０ｃを太い実線３０ｃで表している。なお、図１５に示される例では、リード３０のアウターリードの表面までも粗化部３０ｃとされているが、当該アウターリードの表面については、粗化処理されていないものであってもよい。
【０１２４】
本実施形態によれば、インナーリードのうちワイヤ接続部である突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位において、突出部３２の突出面３３よりもモールド樹脂５０の剥離が発生しやすくなる。
【０１２５】
そして、この突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位が突出面３３よりも優先的に剥離することで、モールド樹脂５０に発生する応力を開放することが可能となる。そのため、かえって突出面３３におけるモールド樹脂５０の剥離を発生しにくいものにできる。
【０１２６】
また、この突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位は、ワイヤ断線や水分侵入とは無縁の箇所であり、仮に剥離が発生しても、その影響は小さい。また、本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、ワイヤ接続部が凹部３６であるものも含めて、上記各実施形態と組み合わせて適用されるものである。
【０１２７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態に示したリード３０について、突出部３２や凹部３６、さらには粗化部３０ｃについては、あくまでモールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードについての構成である。つまり、上記した突出部３２、凹部３６、粗化部３０ｃは、インナーリードにおける他の部位に対して突出、凹み、表面粗度大とされたものであり、上記各実施形態におけるアウターリードについては、その形状や厚さ、表面状態などは、特に限定されるものではない。
【０１２８】
図１６は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図であり、（ａ）はＱＦＪ（クワッド・フラット・Ｊリード）パッケージの例、（ｂ）はＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード）パッケージの例を示す。
【０１２９】
上記各実施形態は、ＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）タイプの半導体装置に対するものであったが、ＱＦＪやＱＦＮに対しても同様に適用できる。この図１６に示される例では、上記図１に示したＱＦＰの半導体装置に対して、リード３０のアウターリードの形状を変更したのみで、インナーリードは全く変更がないものである。つまり、これら図１６の例によっても、上記図１と同様の効果が得られる。
【０１３０】
また、たとえば、モールド樹脂５０の形状が正方形や長方形であるなどのパッケージの形状の差異や、リード３０の厚みや幅による差異等、半導体装置の構造を考慮して、剥離し易いリード３０の位置や箇所が予めわかっている場合には、そのリード３０のみに、上記各実施形態の構成を適用することも可能である。
【符号の説明】
【０１３１】
１０    ダイパッド
１１    ダイパッドの上面
２０    半導体素子
３０    リード
３０ａ  第１のリード
３０ｂ  第２のリード
３１    リードの上面
３２    突出部
３３    突出部の突出面
３４    突出部の段差面
３５    溝
３６    凹部
３７    凹部の段差面
４０    ワイヤ
５０    モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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