(57)【要約】【課題】低抵抗の複数本のカーボンナンチューブからなるカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜、透明導電性フィルムおよびこれらの製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に複数本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブネットワークが形成され、前記カーボンナノチューブネットワークのカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結された導電性膜に関する。【選択図】図１
2010052972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜。
【請求項２】
請求項１記載の導電性膜の製造方法であって、
カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の導電性膜の製造方法であって、
カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性膜の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３のいずれか１つに記載の導電性膜の製造方法において、
前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含む導電性膜の製造方法。
【請求項５】
基板上に、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜が形成された導電性基板。
【請求項６】
請求項５記載の導電性基板の製造方法であって、
基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の導電性基板の製造方法であって、
基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７のいずれか１つに記載の導電性基板の製造方法において、
前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含む導電性基板の製造方法。
【請求項９】
樹脂製フィルム上に、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜が形成された透明導電性フィルム。
【請求項１０】
前記樹脂製フィルムの前記導電性膜が形成された面が、熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂から形成されていることを特徴とする請求項９記載の透明導電性フィルム。
【請求項１１】
請求項９または１０のいずれか１つに記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程と、
前記工程で得られた複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１２】
請求項９または１０のいずれか１つに記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程と、
前記工程で得られた複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２のいずれか１つに記載の透明導電性フィルムの製造方法において、
前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
請求項１１または１２のいずれか１つに記載の透明導電性フィルムの製造方法において、
前記導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程は、前記導電性膜が前記樹脂製フィルムの熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂から形成されている面に転写されることを特徴とし、
さらに前記熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂を硬化処理する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブネットワークとＧａ蒸気との接触により得られる、グラファイト膜を備えた導電性膜、導電性基板、透明導電性フィルムおよびこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素原子はｓｐ２混成軌道によって化学結合すると、二次元に広がった炭素６員環を平面に敷き詰めた網状構造膜を形成する。この炭素原子の２次元平面構造はグラフェンと呼ばれる。特殊な例として、このグラフェンが管状に閉じた構造をなしているものがカーボンナノチューブであり、グラフェン膜が放線方向に積層したものがグラファイトである。
【０００３】
カーボンナノチューブは直径１μｍ以下の太さのチューブ状材料であり、理想的なものとしては炭素６角網目の面がチューブの軸に平行になって管を形成し、さらにこの管が多重になることもある。このカーボンナノチューブは炭素でできた６角網目の繋り方や、チューブの太さにより金属的あるいは半導体的な性質を示すことが理論的に予想され、将来の機能材料として期待されている。
【０００４】
例えば、特許文献１〜４には、カーボンナノチューブの組織構造体を形成する手法として、カーボンナノチューブを分散媒中に超音波などを用いてよく分散させてカーボンナノチューブの分散液を調製し、該分散液を平面基板に滴下して乾燥させると、カーボンナノチューブの薄膜を作製できることが開示されている。しかし、該カーボンナノチューブの薄膜は、カーボンナノチューブ同士は接触のみで接続されているため、接触抵抗が高いという問題がある。
【特許文献１】特開２００７−６３０５１号公報
【特許文献２】特開２００２−２５５５２８号公報
【特許文献３】特開２００３−２３８１２６号公報
【特許文献４】特開２０００−８６２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は非常に再現性良く、低抵抗の複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜、およびこれを使用した導電性基板、透明導電性フィルム、これらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜である。
【０００７】
本発明は、カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む前記導電性膜の製造方法である。バルクのＧａと炭素は相図としては非固溶系である。しかし、ミクロのスケールではＧａと炭素の表面では結合が生じ、Ｇａ蒸気自体にグラファイト化反応に対する触媒作用があることを本発明者らは発見した。
【０００８】
本発明は、カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む前記導電性膜の製造方法である。Ｇａは液体としての原子集合状態ばかりではなく、個別原子がバラバラになった蒸気の状態であっても、アモルファスカーボン表面においてグラファイト構造への変換が起こること、すなわち、アモルファスカーボン表面のグラファイト化反応を起こすことを見いだした。すなわち、本発明は、アモルファスカーボン等の炭素源に対してＧａ蒸気を作用させることで、その表面をグラファイト化させる工程を含む。なお、本発明においてグラファイト膜とは、１層のグラフェン膜およびグラフェン膜が複数積層されてなるグラファイト膜のいずれも含むものとする。
【０００９】
本発明に係る導電性膜の製造方法は、前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含むことが好ましい。
【００１０】
本発明は、基板上に、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜が形成された導電性基板である。
【００１１】
本発明は、基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性基板の製造方法である。
【００１２】
本発明は、基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程を含む導電性基板の製造方法である。
【００１３】
本発明に係る導電性基板の製造方法は、前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含むことが好ましい。
【００１４】
本発明は、樹脂製フィルム上に、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜が形成された透明導電性フィルムである。
【００１５】
本発明に係る透明導電性フィルムは、前記樹脂製フィルムの前記導電性膜が形成された面が、熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂から形成されていることが好ましい。
【００１６】
本発明は、基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程と、前記工程で得られた複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法である。
【００１７】
本発明は、基板上にカーボンナノチューブネットワークを形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、前記カーボンナノチューブネットワークおよび前記工程で得られたアモルファスカーボン膜をＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程と、前記工程で得られた複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法である。
【００１８】
本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、前記カーボンナンチューブネットワークをＧａ蒸気に接触させて前記グラファイト膜を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブネットワークを形成する複数のカーボンナノチューブ同士の接触部を機械的に圧接する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、前記導電性膜を樹脂製フィルムに転写する工程は、前記導電性膜が前記樹脂製フィルムの熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂から形成されている面に転写されることを特徴とし、さらに前記熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂を硬化処理する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、カーボンナノチューブネットワークを有する低抵抗の導電性膜およびそれを使用した導電性基板、透明導電性フィルムを得ることができる。
【００２１】
本発明による付帯効果として、高い光透過性を挙げることができる。微小粒子等で基板表面に電気伝導性を付与しようとする場合には、細密充填させて基板表面全体を被覆しなければならないが、カーボンナノチューブを用いれば、基板表面全体を被覆する必要がないために、カーボンナノチューブの存在していない基板表面の隙間が多く、光を容易に透過させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
【００２３】
図１は本発明に係る導電性膜、導電性基板および透明導電性フィルムの製造工程を示す模式図である。初めに図１（ａ）の通り、基板１上をカーボンナノチューブ２（以下、「ＣＮＴ」と略称する）を分散したスラリーと接触させることにより、複数本のＣＮＴからなるカーボンナノチューブネットワーク（以下、「ＣＮＴネットワーク」と略称する）を形成する。該カーボンナノチューブネットワーク表面にＧａ蒸気を接触させることにより、ＣＮＴネットワークを形成するＣＮＴ同士がグラファイト膜で連結された導電性膜３および導電性基板を得る（図１（ｂ））。さらに、該導電性膜３のＣＮＴネットワークが形成された面上に、樹脂性フィルムの熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂が形成されている面を接触させた後、熱硬化またはＵＶ硬化させることにより、ＣＮＴネットワークを樹脂性フィルムに転写し、本発明に係る透明導電性フィルムを得る（図１（ｃ））。
【００２４】
（カーボンナノチューブ）
カーボンナノチューブ２としては、６角網目のチューブが１枚の構造のシングルウォールナノチューブ（以下、「ＳＷＮＴ」と略称する）でも、多層の６角網目のチューブから構成されているマルチウォールナノチューブ（以下、「ＭＷＮＴ」と略称する）でもよい。一般に、ＳＷＮＴのほうがフレキシブルであり、ＭＷＮＴになるとＳＷＮＴよりはフレキシブルさが失われ、多層になればなるほど剛直になる傾向にある。ＳＷＮＴとＭＷＮＴとは、その性質を考慮して、目的に応じて使い分けることが望ましい。
【００２５】
適用可能なカーボンナノチューブの長さとしては、特に限定されるものではないが、一般的に１０ｎｍ〜１０００μｍの範囲のものが用いられ、１００ｎｍ〜１００μｍの範囲のものが好ましく用いられる。カーボンナノチューブの直径（太さ）としては、特に限定されるものではないが、一般的に１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲のものが用いられ、より透光性が望まれる用途に対しては、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲のものが好ましく用いられる。
【００２６】
なお、カーボンナノチューブを基板１に塗布する際には、あらかじめＣＮＴを分散したスラリーを形成しておくことが好ましい。該スラリーは、アセトン中にアーク法で作製したＣＮＴを入れて、超音波を用いてバンドルしたＣＮＴを乖離させ、アセトン中に均一に分散させて作製する。その後、時間をおかずに基板１上に噴霧し乾燥させることにより、基板上にＣＮＴネットワークを形成することができる。前記のアセトンに代えて、アルキンベンゼンスルホン酸塩などの界面活性剤、スルホコハク酸ジエステルなどの疎水部−親水部−疎水部の構造を有する溶媒中にも同様にＣＮＴを分散させることができる。この場合は、ＣＮＴ同士の接触部に分散剤などが挟まることになるので、基板上で乾燥させた後、水またはアセトンなどで分散剤などの付着物を洗浄して除去することが好ましい。
【００２７】
（カーボンナノチューブネットワーク）
カーボンナノチューブネットワークとは複数のＣＮＴが基板１上でランダムに絡み合いネットワーク化したものである。従来のＣＮＴネットワークでは、ＣＮＴ同士は接触部での物理的接触でのみ電気的に接続されているため、電気抵抗が大きかった。本発明においては、ＣＮＴネットワークをＧａ蒸気で処理することで、ＣＮＴ表面にグラファイト膜が形成され、該グラファイト膜を介してＣＮＴ同士が連結される。そのため、ＣＮＴネットワークの電気抵抗を低くすることができ、抵抗値の低い導電性膜を得ることができる。
【００２８】
ＣＮＴを基板と接触させＣＮＴネットワークを作製する方法としては、特に限定されず、一般的な塗布方法をいずれも適用することができる。適用可能な塗布方法としては、例えば、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、ロールコート、刷毛塗り、スプレーコート等が挙げられる。中でも均質な薄膜状のＣＮＴネットワークを得ることが容易なスピンコートが特に好ましい。
【００２９】
（基板）
基板１としては、通常導電性膜の製造に用いられる基板であれば特に制限されないが、例えば、ガラス板、雲母板あるいは石英板等のように透明の材料を用いた場合、導電性基板全体としての透明性を極めて高くすることができる。炭素蒸着や金属蒸着などにより、基板表面に導電性を付与する手法が知られているが、本発明のようにカーボンナノチューブネットワークにより基板１の表面を導電化した場合、カーボンナノチューブで完全に被覆する必要が無く、空隙を有しているため、所定の表面導電率で比較した場合に光の透過率が非常に高い導電性基板を得ることができる。
【００３０】
（導電性膜）
本発明に係る導電性膜３とは、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜である。該導電性膜は、ＣＮＴ同士がグラファイト膜を介して電気的に接続されているため、抵抗値が低いことが特徴である。
【００３１】
（導電性基板）
本発明に係る導電性基板とは、基板１上に複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜３が形成された導電性基板である。該導電性基板は、基板上のＣＮＴ同士がグラファイト膜を介して電気的に接続されているため、抵抗値が低いことが特徴である。
【００３２】
（樹脂性フィルム）
樹脂性フィルム４は、通常基板として用いられる透光性の高い樹脂であれば特に制限されないが、導電性膜上に形成されたＣＮＴネットワークの転写を効率的に行なうことができるという観点から、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂またはアクリルシロップなどのＵＶ硬化性樹脂などの硬化性樹脂が塗布された高分子（ＰＥＴ）フィルムなどが好ましい。
【００３３】
以下に、本発明に係る導電性膜、導電性基板および透明導電性フィルムの製造方法において、ＣＮＴネットワーク上にグラファイト膜を形成する工程について詳述する。
【００３４】
＜実施の形態＞
図２は本発明で使用するグラファイト膜生成装置の一例を示す模式的断面図である。
【００３５】
（グラファイト膜生成装置）
本発明で使用するグラファイト膜生成装置は、石英反応管６の内部に液体Ｇａ９を充填したアルミナ容器１３が配置されている。基板１上に複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークが形成された被処理基板は、前記アルミナ容器１３の近傍に設置されている。石英反応管６の外側には反応管用ヒータ７が設置され、石英反応管６内部の温度調整が可能となっている。
【００３６】
（被処理基板の作製）
前記基板１としては、通常導電性基板の製造に用いられる従来周知のものを使用できるが、ガラス板、雲母板あるいは石英板等のように透明の材料を用いた場合、導電性膜全体としての透明性を極めて高くすることができる。
【００３７】
前記複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークの形成方法としては、従来周知の任意の方法を用いることができる。例えば、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、ロールコート、刷毛塗り、スプレーコート等が挙げられる。中でも均質な薄膜状のＣＮＴネットワークを得ることが容易なスピンコートが特に好ましい。その後、前記ＣＮＴネットワークに分散剤などの不純物が残留しないために、洗浄することが好ましい。
【００３８】
ＣＮＴ同士が強く接触するように、ローラなどでＣＮＴネットワークを上部より強く圧縮することが好ましい。
【００３９】
さらに、グラファイト膜を確実に形成するために、ＣＮＴネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成することが好ましい。アモルファスカーボン膜の形成方法としては従来周知の任意の方法を用いることができる。例えば、フェナントレン（Ｃ14Ｈ10）やピレン、メタンアセチレンなどを熱分解することによりアモルファスカーボン膜を形成してもよいし、電子ビームやイオンビームを用いて炭化水素系ガスを分解する方法を用いてもよい。該アモルファスカーボン膜の厚みは透光性を高めるという観点から、１０ｎｍ以下が好ましい。
【００４０】
（導電性膜の製造方法）
はじめに、石英反応管６の内部に前記被処理基板を水平に固定し、ターボポンプによる真空排気を行い、バックグラウンドを１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気する。
【００４１】
反応管用ヒータ７で加熱することで石英反応管６内部の液体Ｇａ９を気化し、Ｇａ蒸気５の温度を６００℃以上に上昇させ、複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークの表面に接触させる。Ｇａ蒸気５の触媒作用を向上させるため、Ｇａ蒸気５の温度は、さらに８００℃以上が好ましい。
【００４２】
前記熱処理を１０分〜１時間行ない、その後再び室温に徐冷する。
前記のＧａ蒸気５中の熱処理で、前記複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークの表面に、グラファイト膜が形成される。このようにして、基板１上に、複数のカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結されたカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜が形成され、導電性基板が得られる。
【００４３】
（透明導電性フィルムの製造方法）
前記の工程で作製した導電性膜を使用して、透明導電性フィルムを製造する方法について説明する。
【００４４】
前記導電性基板のＣＮＴネットワークが形成されている面上に樹脂製フィルムを接触させ、ＣＮＴネットワークを樹脂製フィルムに転写する。前記樹脂製フィルムのＣＮＴネットワークと接触する面には、熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂が塗布されていることが好ましい。次に、該樹脂製フィルムを硬化させることにより、ＣＮＴネットワークを該樹脂製フィルムに固着させて透明導電性フィルムを作製する。
【実施例】
【００４５】
＜実施例１，２、比較例１，２＞
セラミックス基板を準備し、その上にＣＮＴを分散したスラリーをスプレーで噴霧した後に、乾燥させることにより、基板上にＣＮＴネットワークを形成した。
【００４６】
実施例１、比較例１については、ＣＮＴネットワーク上に平均約５ｎｍのアモルファスカーボン膜をレーザーアブレーションで製膜した。
【００４７】
次に、実施例１，２について、図２に示すグラファイト膜生成装置を使用してグラファイト膜の製造を行なった。
【００４８】
長さ１ｍ、直径２５ｍｍの石英管を用意し、石英反応管６とした。この石英反応管６内に、液体Ｇａ９を充填した直径約１ｃｍのアルミナ容器を置き、近傍に基板１上に複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークが形成された被処理基板を設置した。
【００４９】
はじめに、石英反応管６の内部に前記被処理基板を水平に固定し、ターボポンプによる真空排気を行い、バックグラウンドを１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気した。
【００５０】
反応管用ヒータ７により、Ｇａ蒸気５の温度をを６５０℃に上昇させ、１時間の処理を行い再び室温に徐冷した。なお、比較例１および２はＧａ蒸気での処理を行わない試料基板である。
【００５１】
前記Ｇａ蒸気中の熱処理で、グラファイト膜がＣＮＴネットワーク表面に形成された。処理温度と得られた被処理基板のシート抵抗値は表１の通りとなった。なお、シート抵抗値は４端子法により測定した。
【００５２】
さらに、前記グラファイト膜が表面に形成されたＣＮＴネットワークを有する導電性基板に対して、熱硬化性樹脂をＣＮＴネットワークと接する面に有する樹脂フィルムを上から形成した後、熱硬化させることにより、ＣＮＴネットワークを該熱硬化性樹脂に転写、固着し、透明導電性フィルムを得た。該透明導電性フィルムのシート抵抗値は表１の通りとなった。
【００５３】
【表１】
2010052972.tif 000003
【００５４】
＜実施例３，４、比較例３，４＞
ガラス基板を準備し、その上にＣＮＴを分散したスラリーをスプレーで噴霧した後に、乾燥させることにより、基板上にＣＮＴネットワークを形成した。ＣＮＴネットワークに分散剤などの不純物が残留しないように水およびアセトンで洗浄した。
【００５５】
その後、実施例３、比較例３については、有機ガス（フェナントレン（Ｃ14Ｈ10））分解を用いてＣＮＴネットワーク上にアモルファスカーボン膜を形成した。
【００５６】
次に、実施例３，４について、図２に示すグラファイト膜生成装置を使用してグラファイト膜の製造を行なった。
【００５７】
長さ１ｍ、直径２５ｍｍの石英管を用意し、石英反応管６とした。この石英反応管６内に、液体Ｇａ９を充填した直径約１ｃｍのアルミナ容器を置き、近傍に基板１上に複数のカーボンナノチューブ２からなるＣＮＴネットワークが形成された被処理基板を設置した。
【００５８】
はじめに、石英反応管６の内部に前記被処理基板を水平に固定し、ターボポンプによる真空排気を行い、バックグラウンドを１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気した。
【００５９】
反応管用ヒータ７により、Ｇａ蒸気５の温度を７５０℃に上昇させ、１０分間の処理を行い再び室温に徐冷した。なお、比較例３および４はＧａ蒸気での処理を行わない試料基板である。
【００６０】
前記Ｇａ蒸気中の熱処理で、グラファイト膜がＣＮＴネットワーク表面に形成された。処理温度と得られた被処理基板のシート抵抗値は表２の通りとなった。なお、シート抵抗値は４端子法により測定した。
【００６１】
さらに、前記グラファイト膜が表面に形成されたＣＮＴネットワークを有する導電性基板に対して、熱硬化性樹脂をＣＮＴネットワークと接する面に有する樹脂フィルムを上から形成した後、熱硬化させることにより、ＣＮＴネットワークを該熱硬化性樹脂に転写、固着し、透明導電性フィルムを得た。該透明導電性フィルムのシート抵抗値は表２の通りとなった。
【００６２】
【表２】
2010052972.tif 000004
【００６３】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る導電性膜、導電性基板および透明導電性フィルムの製造工程を示す模式図である。
【図２】本発明で使用するグラファイト膜生成装置の一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  基板、２  カーボンナノチューブ、３  カーボンナノチューブネットワーク、４  樹脂製フィルム、５  Ｇａ蒸気、６  石英反応管、７  反応管用ヒータ、８  真空排気系、９  液体Ｇａ、１３  アルミナ容器。
【図１】
2010052972.tif 000005
【図２】
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