(57)【要約】【課題】コストが低減された回転検出装置を提供する。【解決手段】回転体の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力するホール素子が表面側に形成された半導体チップと、回転体及びホール素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石と、半導体チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されるターミナルと、ターミナルが一体的に鋳込まれ、少なくとも半導体チップを搭載するベース部材と、を備える回転検出装置であって、ホール素子は、半導体チップの厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子であり、半導体チップは、表面側に縦型ホール素子の出力信号を処理する処理回路が形成され、表面の裏面を搭載面として、ベース部材上に配置されており、ベース部材における半導体チップ搭載面側から、ターミナルにおけるボンディングワイヤが接続される接続面が露出され、該接続面と表面とが略平行とされている。【選択図】図１
2010091346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力するホール素子が表面側に形成された半導体チップと、
前記回転体及び前記ホール素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石と、
前記半導体チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されるターミナルと、
前記ターミナルが一体的に鋳込まれ、少なくとも前記半導体チップを搭載するベース部材と、を備える回転検出装置であって、
前記ホール素子は、前記半導体チップの厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子であり、
前記半導体チップは、前記表面側に前記縦型ホール素子の出力信号を処理する処理回路が形成され、前記表面の裏面を搭載面として、前記ベース部材上へ配置されており、
前記ベース部材における半導体チップ搭載面側から、前記ターミナルにおける前記ボンディングワイヤが接続される接続面が露出され、該接続面と前記表面とが略平行とされていることを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記縦型ホール素子は、前記半導体チップに複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
複数の前記縦型ホール素子として、前記バイアス磁界の磁気的中心線に対して線対称となるように形成された対をなす縦型ホール素子を少なくとも１つ有することを特徴とする請求項２に記載の回転検出装置。
【請求項４】
前記対をなす縦型ホール素子は、前記磁気的中心線に対して略ハの字状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の回転検出装置。
【請求項５】
前記バイアス磁石は、筒状であり、
前記バイアス磁石が、前記ベース部材とともにハウジングを構成する有底筒状のケース部材の内部に収容されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の回転検出装置。
【請求項６】
前記バイアス磁石は、前記回転体との間に前記半導体チップが配置されるように、前記ベース部材上に配置されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転体の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号に基づいて、回転体の回転状態を検出する回転検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁束の変化に応じた電気信号を出力する磁電変換素子を用いて、回転体の回転状態を検出する回転検出装置が、例えば特許文献１，２に開示されている。
【０００３】
特許文献１に示される回転検出装置は、磁電変換素子としての磁気抵抗素子（以下、単にＭＲＥと示す）が形成されてなる検出部を有するセンサチップ（半導体チップ）と、該半導体チップの出力信号を処理する処理部を有する回路チップと、ＭＲＥにバイアス磁界を付与する磁界生成部材（バイアス磁石）と、ボンディングワイヤ及び回路チップを介して半導体チップと電気的に接続されるターミナルと、該ターミナルが一体的に鋳込まれ、半導体チップ及び回路チップを固定する突出部を有するハウジング（ベース部材）と、を備えている。そして、被検出対象である回転体の回転に伴うバイアス磁界（磁束）の変化を、ＭＲＥの抵抗値変化として感知して回転体の回転状態を検出するようになっている。
【０００４】
一方、特許文献２に示される回転検出装置は、磁電変換素子としてのホール素子を備えるＩＣ（半導体チップ）と、該ホール素子の出力信号を処理する電子部品（処理回路）と、半導体チップにバイアス磁界を印加する永久磁石（バイアス磁石）と、半導体チップと電気的に接続されるターミナルと、半導体チップ、バイアス磁石、及びターミナルを搭載する本体部（ベース部材）と、を備えている。そして、回転体の回転に伴うバイアス磁界（磁束）の変化を、ホール素子から出力されるホール電圧の変化として感知して回転体の回転状態を検出するようになっている。
【特許文献１】特開２００８−１８０６０３号公報
【特許文献２】特開２００３−１３９５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に示される回転検出装置では、磁電変換素子として、ＭＲＥを採用している。ＭＲＥは、基板に重金属（Ｎｉ−Ｃｏ系，Ｎｉ−Ｆｅ系など）を蒸着することで形成されるため、基板が重金属によって汚染される虞がある。基板が重金属によって汚染されると、基板に結晶欠陥が生じ、これによって酸化膜耐圧の劣化やリーク電流の増加が引き起こされ、該基板に形成されたデバイスの特性に悪影響が生じる虞がある。そのため、特許文献１に示されるように、半導体チップと、回路チップとを別々に用意するのが望ましい。しかしながら、半導体チップと、回路チップとを別々にする場合、ＭＲＥと処理回路を製造する製造工程を共通化することができないので、これによって製造工程が増え、コストが嵩むことが懸念される。また、半導体チップと回路チップとをベース部材に実装し、且つ半導体チップと回路チップとをボンディングワイヤによって電気的に接続しなくてはならないので、これによって実装工程が増え、コストが嵩むことが懸念される。
【０００６】
これに対し、特許文献２に示される回転検出装置は、磁電変換素子として、ホール素子を採用している。ホール素子は、基板にイオン注入することで形成されるので、特許文献１に示される回転検出装置とは異なり、基板の重金属汚染を懸念しなくとも良い。したがって、例えば、特開平１０−１３２８３６号公報に示されるように、ホール素子が形成される基板に、処理回路などのロジック回路を、ホール素子とともに形成することができる。このように、磁電変換素子としてホール素子を採用することで、ホール素子と処理回路とを同一の基板に形成することができる。したがって、磁電変換素子としてホール素子を採用した回転検出装置のほうが、磁電変換素子としてＭＲＥを採用した回転検出装置に比べて、製造工程及び実装工程を簡素化することができる。これにより、コストを低減することができる。
【０００７】
ところで、ホール素子は、ホール効果（基板を流れる電流と垂直に鎖交する磁束によって生じるホール電圧）によって、磁束の変化に応じた電気信号を出力する。したがって、ホール素子として、基板の表面に沿って電流が流れる横型ホール素子を採用した場合、基板におけるホール素子形成面に対して略垂直にバイアス磁界が印加されるように、基板とバイアス磁石との配置位置を決定しなくてはならない。上記条件を満たすためには、バイアス磁石を、ホール素子形成面、若しくはその裏面に配置しなくてはならない。特許文献２では、特許文献２の図１（ｃ）に示されるように、基板の裏面にバイアス磁石が配置されており、特許文献２に示されるホール素子は横型ホール素子である、と推定される。
【０００８】
特許文献２では、基板の側面をベース部材への搭載面とすることで、上記したように、ホール素子形成面の裏面にバイアス磁石が配置されている。そして、特許文献２の図１（ｃ）に示されるように、基板におけるホール素子形成面と、ターミナルにおける基板との電気的な接続面が、略垂直となっている。このような構成では、半導体チップとターミナルとを電気的に接続することが困難であり、特許文献１に示される回転検出装置の電気的な接続構成（特許文献１の図１参照）に比べて複雑である。したがって、実装工程が複雑化し、コストが嵩むことが懸念される。
【０００９】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、コストが低減された回転検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、回転体の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力するホール素子が表面側に形成された半導体チップと、回転体及びホール素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石と、半導体チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されるターミナルと、ターミナルが一体的に鋳込まれ、少なくとも半導体チップを搭載するベース部材と、を備える回転検出装置であって、ホール素子は、半導体チップの厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子であり、半導体チップは、表面側に縦型ホール素子の出力信号を処理する処理回路が形成され、表面の裏面を搭載面として、ベース部材上に配置されており、ベース部材における半導体チップ搭載面側から、ターミナルにおけるボンディングワイヤが接続される接続面が露出され、該接続面と表面とが略平行とされていることを特徴する。
【００１１】
このように本発明によれば、磁電変換素子として、磁束の変化に応じた電気信号を出力するホール素子を採用している。したがって、磁電変換素子としてＭＲＥを採用した回転検出装置とは異なり、本発明で示すように、磁電変換素子と処理回路とを同一の半導体チップに形成することができる。これにより、磁電変換素子と処理回路とが別の半導体チップに形成された構成に比べて、製造工程と実装工程を簡素化することができる。これにより、コストを低減することができる。
【００１２】
また、本発明によれば、ホール素子として、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子を採用している。これにより、半導体チップの表面に沿って電流が流れる横型ホール素子とは異なり、電流の流れる方向と磁束の印加方向とを略垂直にするために、基板の側面をベース部材への搭載面としなくても良く、本発明で示すように、半導体チップの裏面を、ベース部材への搭載面とすることができる。したがって、ベース部材における半導体チップ搭載面側から、ターミナルにおけるボンディングワイヤが接続される接続面が露出されるように構成し、半導体チップにおける縦型ホール素子の形成面と、ターミナルにおけるボンディングワイヤが接続される接続面とを略平行にすることができる。このように、磁電変換素子として横型ホール素子を採用した回転検出装置と比べて、半導体チップの電気的な接続構成が簡素化されるので、実装工程が簡素化され、コストが低減される。以上のようにして、本発明に係る回転検出装置は、コストが低減された回転検出装置となっている。
【００１３】
請求項２に記載のように、縦型ホール素子が、半導体チップに複数形成された構成とするのが良い。これによれば、複数の出力信号を得ることができるので、該出力信号を比較することで、回転体の回転数だけでなく、回転方向も検出することができる。
【００１４】
請求項３に記載のように、複数の縦型ホール素子として、バイアス磁界の磁気的中心線に対して線対称となるように形成された対をなす縦型ホール素子を少なくとも１つ有する構成としても良い。これによれば、バイアス磁石の近傍に磁性材料がない状態（オープンフラックス状態）で、磁気中心線に対して対称にバイアス磁界が形成されるので、対をなす縦型ホール素子それぞれに、バイアス磁界を均等に印加することができる。したがって、磁気中心線に対して線対称に配置された対をなす縦型ホール素子の電気信号を比較することで、回転体の回転に伴う磁束の変動を検出することができる。
【００１５】
請求項４に記載のように、対をなす縦型ホール素子は、磁気的中心線に対して略ハの字状に形成された構成とすることが好ましい。
【００１６】
バイアス磁石における一方の磁極（Ｎ極）から発生した磁束は、他方の磁極（Ｓ極）に集束するように、バイアス磁界を形成する。バイアス磁界は、Ｎ極近傍では磁気中心線に沿うように形成されるが、Ｎ極遠方では、Ｓ極に到達するように、磁気中心線に対して略垂直な方向へ広がるように曲がり始める。本発明によれば、対をなす縦型ホール素子が磁気中心線に対して略ハの字状に形成されている。すなわち、磁気中心線に対して略垂直な方向へ狭まるように形成されている。このように、バイアス磁界が縦型ホール素子を流れる電流に対して略垂直に印加されるように、縦型ホール素子が形成されるので、磁気中心線に対して略垂直な方向に複数の縦型ホール素子が半導体基板に形成された構成と比べて、縦型ホール素子を流れる電流に対して鎖交する磁束密度を向上し、出力信号の強度を向上することができる。
【００１７】
請求項５に記載のように、バイアス磁石は筒状であり、バイアス磁石が、ベース部材とともにハウジングを構成する有底筒状のケース部材の内部に収容される構成としても良い。または、請求項６に記載のように、バイアス磁石が、回転体との間に半導体チップが配置されるように、ベース部材上に配置される構成としても良い。いずれの構成においても、半導体チップの厚さ方向に流れる電流に対して、略垂直に鎖交し、且つ回転体に印加するバイアス磁界を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る回転検出装置の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、縦型ホール素子の概略構成を説明するための断面図である。なお、以下においては、半導体基板の厚さ方向に沿う方向を厚さ方向、該厚さ方向に対して略垂直であり、バイアス磁界の磁気的中心線に沿う方向（バイアス磁石の中心部を磁束が貫く方向）を貫通方向、該貫通方向及び厚さ方向に対して略垂直な方向を横方向と示す。また、図１において、バイアス磁石によって生成されるバイアス磁界を一点鎖線で示し、磁気的中心線を、貫通方向に沿う一点鎖線で示す。
【００１９】
図１及び図２に示すように、回転検出装置１００は、要部として、厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子２０を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０と外部装置とを電気的に接続するターミナル３０と、ターミナル３０が一体的に鋳込まれた蓋材４０と、蓋材４０とともにハウジングを形成する有底筒状のケース部材５０と、ケース部材５０の内部に収容された筒状のバイアス磁石６０と、を備える。
【００２０】
半導体チップ１０は、回転体２００の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力する縦型ホール素子２０と、該縦型ホール素子２０の出力信号を処理する処理回路（図示略）とが形成された半導体基板１１を有するものである。本実施形態に係る半導体基板１１は、図３に示すように、Ｐ導電型のベース基板１２と、該ベース基板１２の表面にエピタキシャル成長によって形成されたＮ導電型（Ｎ＋）のエピタキシャル層１３とを有している。そして、後述するように、半導体基板１１における表面１１ａ側の表層（エピタキシャル層１３）には、縦型ホール素子２０と、処理回路とが形成される構成となっている。半導体基板１１は、上記した表面１１ａの裏面１１ｂが、後述する蓋材４０の舌部４１への搭載面とされ、これにより、半導体チップ１０が舌部４１の表面４１ａに搭載された状態で、表面１１ａが、後述するターミナル３０の一端３１におけるボンディングワイヤ７０との接続面３１ａと、略平行となっている。そして、表面１１ａに形成されたパッド（図示略）と、ターミナル３０の一端３１における接続面３１ａとが、ボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されている。
【００２１】
縦型ホール素子２０は、ホール効果（半導体基板１１を流れる電流と垂直に鎖交する磁束によって生じるホール電圧）によって、回転体２００の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力するものである。本実施形態に係る縦型ホール素子２０は、図３に示すように、エピタキシャル層１３内に形成されたＮ導電型（Ｎ＋）の高濃度領域２１と、該高濃度領域２１間に直接電流が流れることを防ぐために、表面１１ａからベース基板１２に達するように形成されたＰ導電型（Ｐ＋）の分離領域２２と、縦型ホール素子２０と隣接する素子との寄生効果を防ぐためのＰ導電型（Ｐ＋）の区画領域２３と、ベース基板１２とエピタキシャル層１３との境界に形成される、高濃度領域２１間を流れる電流をバイパスするＮ導電型（Ｎ＋）の埋め込み領域２４と、を有している。図３の矢印で示すように、一方の高濃度領域２１から他方の高濃度領域２１へ流れる電流は、先ず、一方の高濃度領域２１から埋め込み領域２４へ流れ、埋め込み領域２４を介して、埋め込み領域２４から他方の高濃度領域２１へ流れるようになっている。このように、電流は、高濃度領域２１から埋め込み領域２４の方向、及び埋め込み領域２４から高濃度領域２１の方向に流れる。すなわち、電流は、厚さ方向に流れるようになっている。この厚さ方向に流れる電流に、貫通方向に沿うバイアス磁界の一部（磁束）が鎖交すると、横方向にホール電圧が生じる。該ホール電圧は、半導体基板１１に形成された処理回路（図示略）に出力され、該処理回路によって、回転状態（回転数、及び横方向）が検出されるようになっている。なお、分離領域２２としては、表面１１ａからベース基板１２に達するように絶縁トレンチを形成しても良い。
【００２２】
また、本実施形態に係る縦型ホール素子２０は、図１に示すように、磁気的中心線に対して線対称となり、バイアス磁界が縦型ホール素子２０を流れる電流に対して略垂直に印加されるように、略ハの字状に形成された２つの縦型ホール素子２０ａ，２０ｂを有している。図１の一点鎖線で示すように、バイアス磁石６０の中心部では、貫通方向に対して略平行にバイアス磁界が形成される。しかしながら、中心部から離れた位置では、バイアス磁界は、一方の磁極（Ｎ極）から他方の磁極（Ｓ極）に集束するように、横方向及び厚さ方向に沿う方向に曲がるように形成される。したがって、上記したように縦型ホール素子２０ａ，２０ｂを形成することで、横方向に沿って複数の縦型ホール素子２０が形成された構成と比べて、縦型ホール素子２０を流れる電流に対して鎖交する磁束密度を向上し、出力信号の強度を向上することができる。
【００２３】
ターミナル３０は、半導体チップ１０と外部装置とを電気的に接続するものである。ターミナル３０は、後述する蓋材４０に一体的に鋳込まれ、その一部が蓋材４０から露出されている。本実施形態では、ターミナル３０の一端３１におけるボンディングワイヤ７０との接続面３１ａ、及び外部装置との接続部位である他端３２が、蓋材４０から露出されている。
【００２４】
蓋材４０は、ケース部材５０とともにハウジングを構成し、縦型ホール素子２０を外部雰囲気から遮断するものである。本実施形態に係る蓋材４０は、半導体基板１１を搭載する平板状の舌部４１と、ケース部材５０の開口端５１を閉塞する蓋部４２とを有している。舌部４１は、蓋部４２における内面４２ａから貫通方向に沿って延設され、ターミナル３０における他端３２が、蓋部４２における外面４２ｂから貫通方向に沿って延設され、ハウジングから露出されている。そして、図２に示すように、蓋材４０の舌部４１における表面４１ａとターミナル３０における接続面３１ａとが略面一となっている。なお、蓋材４０は、特許請求の範囲に記載のベース部材に相当する。
【００２５】
ケース部材５０は、蓋材４０とともにハウジングを構成し、縦型ホール素子２０を外部雰囲気から遮断するものである。本実施形態に係るケース部材５０は、有底筒状に形成されており、その開口端５１が、蓋材４０によって閉塞されるようになっている。そして、ケース部材５０における内壁面５０ａに、バイアス磁石６０が設けられている。
【００２６】
バイアス磁石６０は、バイアス磁界を縦型ホール素子２０及び回転体２００に印加するものである。本実施形態にかかるバイアス磁石６０は、筒状に形成されており、ケース部材５０における内壁面５０ａに固定されるようになっている。そして、ケース部材５０とともに蓋材４０に固定された状態で、バイアス磁石６０内に半導体チップ１０が位置するようになっている。
【００２７】
次に、回転体２００の回転状態を検出する原理について概説する。図１及び図２に示すように、磁性材料を用いて形成され、外周に所定のピッチで形成された凸部を有する回転体２００が回転すると、凸部にバイアス磁界の一部が引かれるために、バイアス磁界の形成領域が変動し、縦型ホール素子２０を貫通する磁束の向きも変動する。縦型ホール素子２０を貫通する磁束の向きが変動すると、それに伴って、縦型ホール素子２０を流れる電流（厚さ方向に流れる電流）に鎖交する磁束密度も変動し、磁束密度に比例するホール電圧も変動する。このように、回転体２００の回転に伴って、ホール電圧も変動するので、該ホール電圧の変動を検出することで、回転体の回転状態（回転数や横方向）を検出することができる。なお、ホール電圧を処理する処理回路、及び該処理回路を用いた回転体の回転状態の検出方法は、例えば特開平６−３１７４３０号公報に詳説されているので、本実施形態ではその説明を割愛する。
【００２８】
次に、本実施形態に係る回転検出装置１００の作用効果を説明する。上記したように、本実施形態では、回転体２００の回転によるバイアス磁界（磁束）の変動に応じた電気信号を出力する磁電変換素子として、半導体基板１１の厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子２０を採用している。したがって、磁電変換素子としてＭＲＥを採用した回転検出装置とは異なり、磁電変換素子（縦型ホール素子２０）と処理回路（図示略）とを同一の半導体基板１１に形成することができる。したがって、本実施形態に係る回転検出装置１００は、磁電変換素子と処理回路とが別の半導体基板に形成された回転検出装置に比べて、製造工程及び実装工程が簡素化され、コストが低減された回転検出装置となっている。
【００２９】
また、上記したように、磁電変換素子として、半導体基板１１の厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子２０を採用している。したがって、半導体基板の表面に沿って電流が流れる横型ホール素子とは異なり、電流の流れる方向と磁束の印加方向とを略垂直にするために、半導体基板１１の側面を舌部４１への搭載面としなくても良い。そこで、本実施形態で示したように、半導体基板１１における縦型ホール素子２０が形成される表面１１ａの裏面１１ｂを舌部４１への搭載面とすることで、表面１１ａと、ターミナル３０の一端３１における接続面３１ａとを略平行とすることができる。このように、表面１１ａと接続面３１ａとが略平行となるので、表面１１ａと接続面３１ａとが略垂直となる回転検出装置（磁電変換素子として横型ホール素子を採用した回転検出装置）と比べて、半導体チップ１０の電気的な接続構成を簡素化することができる。これにより、実装工程が簡素化されるので、コストを低減することができる。以上のようにして、上記した回転検出装置１００は、コストが低減された回転検出装置となっている。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３１】
本実施形態では、筒状のバイアス磁石６０を、ケース部材５０の内壁面５０ａに設ける例を示した。しかしながら、バイアス磁界を縦型ホール素子２０及び回転体２００に印加することができるのであれば、バイアス磁石６０の形状、及びその配置位置は上記例に限定されない。例えば、図４に示すように、平面矩形状のバイアス磁石６０を、回転体２００との間に半導体チップ１０が位置するように、舌部４１の表面４１ａ上に固定しても良い。なお、図４は回転検出装置の変形例を示す平面図である。
【００３２】
また、本実施形態では、半導体基板１１が、Ｐ導電型（Ｐ−）のベース基板１２とＮ導電型（Ｎ−）のエピタキシャル層１３とを有する例を示した。しかしながら、図５に示すように、半導体基板１１が、Ｐ導電型（Ｐ−）のベース基板１２を有する構成としても良い。この場合、縦型ホール素子２０は、半導体基板１１の表面１１ａ側の表層に形成されたＮ導電型（Ｎ−）のウェル領域２５と、該ウェル領域２５に形成される複数のＮ導電型（Ｎ＋）の高濃度領域２１と、該高濃度領域２１間に形成され、高濃度領域２１間を直接電流が流れることを防ぐ分離領域２２と、縦型ホール素子２０と隣接する素子との寄生効果を防ぐためのＰ導電型（Ｐ）の区画領域２３と、を有している。この場合、電流は、図５に示すように、分離領域２２を迂回するように流れ、厚さ方向に流れるようになっている。なお、図５は縦型ホール素子の変形例を示す断面図である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る回転検出装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】縦型ホール素子の概略構成を説明するための断面図である。
【図４】回転検出装置の変形例を示す平面図である。
【図５】縦型ホール素子の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０・・・半導体チップ
２０・・・縦型ホール素子
３０・・・ターミナル
４０・・・蓋材
５０・・・カバー部材
６０・・・バイアス磁石
７０・・・ボンディングワイヤ
１００・・・回転検出装置
２００・・・回転体
【図１】
2010091346.tif 000003
【図２】
2010091346.tif 000004
【図３】
2010091346.tif 000005
【図４】
2010091346.tif 000006
【図５】
2010091346.tif 000007