(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。【解決手段】種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。この種結晶１４のａ面である側面に、Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体をａ軸方向に結晶成長させる。これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。【選択図】図３
2010037153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体製造方法において、
前記種結晶は、長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成されており、
前記種結晶のａ面に、III 族窒化物半導体結晶をａ軸方向に板状に成長させることで、III 族窒化物半導体のｃ面基板を得る、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項２】
前記III 族窒化物半導体結晶が、頂角１２０度で対辺の長さが前記種結晶ａ面の長手方向の長さである二等辺三角形の板状となるまで成長させた段階で結晶成長を終了させる、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項３】
前記種結晶は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面のうち少なくとも１つの面をIII 族窒化物半導体のａ面とする棒状の形状である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項４】
前記種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状の凹部が形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項５】
前記種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状のマスクが形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項６】
前記種結晶は、III 族窒化物半導体とは異なる材料の成長基板上にａ面のIII 族窒化物半導体が形成されたテンプレート基板であり、
前記凹部は、前記成長基板に達する深さまで形成されている、
ことを特徴とする請求項４に記載のIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体製造方法によって得られたｃ面基板を種結晶として、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、前記ｃ面基板にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法。
【請求項８】
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、III 族窒化物半導体を結晶成長させることによりｃ面基板を製造する際に用いる種結晶において、
前記種結晶は、長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成されている、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶。
【請求項９】
前記種結晶は、長手方向をｍ軸方向とし、長手方向側面のうち少なくとも１つの面をIII 族窒化物半導体のａ面とする棒状の形状である、
ことを特徴とする請求項８に記載のIII 族窒化物半導体育成用の種結晶。
【請求項１０】
前記種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状の凹部が形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板である、
ことを特徴とする請求項８に記載のIII 族窒化物半導体育成用の種結晶。
【請求項１１】
前記種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状のマスクが形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板である、
ことを特徴とする請求項８に記載のIII 族窒化物半導体育成用の種結晶。
【請求項１２】
前記種結晶は、III 族窒化物半導体とは異なる材料の成長基板上にａ面のIII 族窒化物半導体が形成されたテンプレート基板であり、
前記凹部は、前記成長基板に達する深さまで形成されている、
ことを特徴とする請求項１０に記載のIII 族窒化物半導体育成用の種結晶。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎａフラックス法によってIII 族窒化物半導体のｃ面基板を製造するIII 族窒化物半導体製造方法およびIII 族窒化物半導体育成用の種結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長方法が開発され、大型で良質のＧａＮ基板を得ることができる製造方法として期待されている。このＮａフラックス法は、Ｎａ（ナトリウム）とＧａ（ガリウム）を融解し数十気圧の圧力下で窒素と反応させて、ＧａＮ（窒化ガリウム）を結晶成長させるものである。
【０００３】
このＮａフラックス法では、従来種結晶としてｃ面のＧａＮ基板や、テンプレート基板が用いられていて、種結晶上にｃ面成長させている。また、特許文献１には、Ｎａフラックス法において、III 族窒化物半導体のａ面、ｍ面基板を種結晶とし、ａ面成長、ｍ面成長させる方法が示されている。また、特許文献２には、ｃ面のＧａＮ基板を種結晶とし、ｃ軸に垂直な方向に成長させることでｃ面基板の面積を拡張させる方法が示されている。
【特許文献１】特開２００３−２０６１９８
【特許文献２】特表２００８−５０１６００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ｃ面基板上にＧａＮをｃ面成長させる方法では、成長速度が遅く、厚いｃ面のＧａＮ基板を得るのは難しかった。
【０００５】
そこで本発明の目的は、Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造において、従来よりも短時間でｃ面のIII 族窒化物半導体基板を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明は、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体製造方法において、種結晶は、長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成されており、種結晶のａ面にIII 族窒化物半導体結晶をａ軸方向に板状に成長させることで、III 族窒化物半導体のｃ面基板を得ることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【０００７】
アルカリ金属は通常Ｎａを用いるが、Ｋ（カリウム）を用いることもできる。また、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）などのアルカリ土類金属や、Ｌｉ（リチウム）などを混合させてもよい。また、混合融液には炭素を添加するのが望ましい。雑晶の発生が抑制され、結晶成長が促進されるからである。
【０００８】
種結晶のａ面を長手方向がｍ軸方向の帯状とするには、たとえば長手方向がｍ軸方向で、混合融液１９に接する長手方向側面がａ面の棒状の形状としたり、III 族窒化物半導体のａ面基板に帯状の凹部やマスクを形成したりすればよい。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、III 族窒化物半導体結晶は、頂角１２０度で対辺の長さが種結晶ａ面の長手方向の長さである二等辺三角形の板状となるまで成長させた段階で結晶成長を終了させることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１０】
頂角が１２０度の二等辺三角形となるのは、ｍ面が形成されるためである。
【００１１】
第３の発明は、第１の発明または第２の発明において、種結晶は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面のうち少なくとも１つの面をIII 族窒化物半導体のａ面とする棒状の形状であることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１２】
第４の発明は、第１の発明または第２の発明において、種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状の凹部が形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板であることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１３】
第５の発明は、第１の発明または第２の発明において、種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状のマスクが形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板であることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１４】
マスクの材料は、混合融液に融解せず、III 族窒化物半導体を結晶成長させないものであればよく、たとえばＷ（タングステン）などを用いることができる。
【００１５】
第６の発明は、第４の発明において、種結晶は、III 族窒化物半導体とは異なる材料の成長基板上にａ面のIII 族窒化物半導体が形成されたテンプレート基板であり、凹部は、成長基板に達する深さまで形成されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１６】
成長基板の材料は、たとえばサファイア基板である。
【００１７】
第７の発明は、第１の発明から第６の発明であるIII 族窒化物半導体製造方法によって得られたｃ面基板を種結晶として、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、ｃ面基板にIII 族窒化物半導体を結晶成長させることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法である。
【００１８】
第８の発明は、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、III 族窒化物半導体を結晶成長させることによりｃ面基板を製造する際に用いる種結晶において、種結晶は、長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶である。
【００１９】
第９の発明は、第８の発明において、種結晶は、長手方向をｍ軸方向とし、長手方向側面のうち少なくとも１つの面をIII 族窒化物半導体のａ面とする棒状の形状であることを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶である。
【００２０】
第１０の発明は、第８の発明において、種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状の凹部が形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板であることを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶である。
【００２１】
第１１の発明は、第８の発明において、種結晶は、ｍ軸方向に沿ったストライプ状のマスクが形成されたIII 族窒化物半導体のａ面基板であることを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶である。
【００２２】
第１２の発明は、第１０の発明において、種結晶は、III 族窒化物半導体とは異なる材料の成長基板上にａ面のIII 族窒化物半導体が形成されたテンプレート基板であり、凹部は、成長基板に達する深さまで形成されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体育成用の種結晶である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長において、ａ面の成長速度が早く、ｃ面やｍ面はａ面に比べて成長速度が非常に遅い、という現象を利用したものである。長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成された種結晶をＮａフラックス法に用いると、ａ面上にａ軸方向に早く結晶成長し、ｃ軸方向やｍ軸方向にはあまり結晶成長しないため、主面をｃ面とする板状のIII 族窒化物半導体結晶を得ることができる。また、ａ軸方向への結晶成長はｃ軸方向やｍ軸方向への結晶成長よりも早いことから、従来のｃ軸方向の成長によってｃ面基板を得る場合に比べ、結晶育成時間を大幅に短縮することができる。
【００２４】
特に第２の発明のように、頂角が１２０度の二等辺三角形の板状となるまで結晶成長させた段階で終了させると効率がよい。その理由は、二等辺三角形の板状に形成されるまではａ軸方向の結晶成長であり、その結晶成長速度は速いが、ｍ面が形成されて二等辺三角形の板状となったあとは、混合融液に接する結晶面はｃ面、ｍ面であり、ｃ軸方向およびｍ軸方向の結晶成長となるので結晶成長の速度が遅くなるためである。
【００２５】
また、第７の発明によると、より転位の少ない高品質なIII 族窒化物半導体を得ることができる。その理由は、第１の発明から第６の発明により得られたｃ面基板には、結晶成長方向であるａ軸方向に沿って転位が生じるが、再度このｃ面基板を種結晶としてＮａフラックス法により結晶成長させると、成長方向であるｃ軸方向には転位が伝搬しないためである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２７】
実施例１は、Ｎａフラックス法によってｃ面基板を得るIII 族窒化物半導体製造方法である。まず、この製造方法に用いるIII 族窒化物半導体製造装置の構成について説明する。
【００２８】
図１は、III 族窒化物半導体製造装置の構成を示す図である。III 族窒化物半導体製造装置は、図１に示すように、反応容器１０と、反応容器１０内部に配置され、III 族金属とアルカリ金属との混合融液１９、および種結晶１４を保持する坩堝１１と、反応容器１０を加熱する加熱装置１２と、窒素を供給する供給管１６と、反応容器１０内部から外部へ排気する排気管１７と、により構成されている。
【００２９】
反応容器１０は、円筒形状のステンレス製で、耐圧・耐熱性を有している。反応容器１０の内部には、坩堝１１が配置されている。
【００３０】
坩堝１１は、円筒形状のアルミナ製である。内部にIII 族金属とアルカリ金属との混合融液１９、および種結晶１４が配置されたダミー基板１５が保持される。アルカリ金属としてＮａが通常用いられるが、Ｋ（カリウム）を用いてもよく、Ｌｉ（リチウム）や、ＭｇやＣａなどのアルカリ土類金属が添加されていてもよい。また、Ｃ（炭素）が添加されていることが望ましい。雑晶の発生が抑制され、結晶成長が促進されるからである。
【００３１】
加熱装置１２は、反応容器１０外側の側部に配置されている。この加熱装置１２によって反応容器１０内部の温度が制御される。
【００３２】
種結晶１４はIII 族窒化物半導体からなる棒状の直方体である。長手方向がｍ軸方向であり、４つの長手方向側面のうち、対向する側面１４１、１４２はａ面、その側面１４１、１４２に直交して対向する側面１４３、１４４はｃ面であり、側面１４３はＮ極性面、側面１４４はＧａ極性面である（図２参照）。また、これらの側面１４１〜１４４に直交する面１４５、１４６はｍ面である。したがって種結晶１４のａ面は、長手方向がｍ軸方向の帯状に形成されている。このような種結晶１４は、たとえばIII 族窒化物半導体のｃ面基板をａ軸に沿ってストライプ状に切断することで得られる。種結晶１４は、鉛直方向がｃ軸方向、水平方向はａ軸方向、ｍ軸方向であり、Ｎ極性面がダミー基板１５に接するように、ダミー基板１５上に配置されている。したがって、種結晶１４のａ面である側面１４１、１４２が鉛直方向に平行で、ｃ面である側面１４３、１４４が鉛直方向に垂直となるように配置されていて、Ｎ極性面である側面１４３がダミー基板１５に接する下面、Ｇａ極性面である側面１４１は混合融液１９に接する上面である。なお、種結晶１４をダミー基板１５上に複数配置するようにしてもよい。
【００３３】
供給管１６および排気管１７は、反応容器１０内部に開口して接続している。供給管１６は、反応容器１０内に窒素を供給し、排気管１７は、反応容器１０内部から外部への排気をするものである。この供給管１６および排気管１７による窒素供給量、排気量によって反応容器１０内部の圧力が制御される。なお、窒素に替えて窒素を含む気体の化合物、たとえばアンモニアを供給するようにしてもよい。また、アルゴンなどの不活性ガスを窒素や窒素を含む気体の化合物に混合して供給してもよい。
【００３４】
このIII 族窒化物半導体製造装置は、加熱装置１２で温度を、供給管１６および排気管１７で圧力を制御することにより、坩堝１１に保持された混合融液１９中のIII 族金属と窒素を反応させて種結晶１４にIII 族窒化物半導体結晶を成長させる装置である。III 族窒化物半導体結晶は、種結晶１４のａ面（側面１４１、１４２）から板状に成長させる。板状に成長したIII 族窒化物半導体結晶の主面は、ａ面に垂直であるからｃ面となる。すなわち、長手方向をｍ軸方向とする帯状のａ面からIII 族窒化物半導体を板状に結晶成長させることでｃ面基板を得ることができる。板状に成長させるには、ａ軸方向の成長速度がｃ軸方向やｍ軸方向の成長速度よりも十分に早い条件であればよく、Ｎａフラックス法において通常用いられる温度、圧力の範囲であればこの条件は満たされる。すなわち、温度は８００〜９００℃、圧力は３．５〜５．０ＭＰａの範囲であればよい。より望ましいのは温度８５０〜８８０℃、圧力３．８〜４．２ＭＰａの範囲である。ａ軸方向の成長速度がｃ軸方向やｍ軸方向の成長速度に比べてより早くなるからである。
【００３５】
図３は、温度８７０℃、圧力４．２ＭＰａの条件で結晶育成時間を２０時間として、ＧａＮを結晶成長させた場合について示している。種結晶１４の材料にはＧａＮを用い、混合融液１９にはＧａ、Ｎａ、Ｃを混合したものを用いた。Ｃの割合はＮａに対して０．５ｍｏｌ％である。種結晶１４のａ面である側面１４１、１４２には、Ｎａフラックス法によって結晶成長したＧａＮのｃ面基板１８がそれぞれ形成されている。このｃ面基板１８は、平面形状が二等辺三角形で、厚さが種結晶１４のｃ軸方向の幅Ｌの板状である。この二等辺三角形の頂角は約１２０度で、対辺は種結晶１４の長手方向（ｍ軸方向）の長さである。また、１２０度を成すｃ面基板１８の側面１８ａ、ｂはｍ面である。したがって、種結晶１４と２つのｃ面基板１８を合わせた全体としての形状は、側面をｍ面とする六角形で、膜厚がＬのｃ面基板となっている。
【００３６】
また図４は、結晶育成時間を１２０時間とした以外は上記と同一の条件でＧａＮを結晶成長させた場合について示している。結晶育成時間を２０時間とした図３と比較するとわかるように、図３の状態からｍ軸方向、ｃ軸方向へとさらに結晶成長していて、全体としては、側面をｍ面とする六角形のｃ面基板の面積がより広く、かつ、より厚くなった形状である。また、ｍ軸方向への結晶成長の結果としてａ軸方向へ幅Ｘ成長したが、これはｃ軸方向への成長の幅Ｙとほぼ同じであった。
【００３７】
図３に示すように、ｍ面が形成されて二等辺三角形状となるまではａ軸方向の成長であり、結晶成長の速度が早いため、結晶育成時間が２０時間で済むのに対し、二等辺三角形状となったあとはｍ軸方向、ｃ軸方向の成長となるため結晶成長速度が遅く、図４に示す形状となるまでにはさらに１００時間を要している。
【００３８】
このことから、二等辺三角形の板状に形成された段階で結晶成長を終了させると、効率的にIII 族窒化物半導体のｃ面基板を製造することができることがわかる。
【００３９】
なお、実施例１では種結晶１４のａ面である側面１４１、１４２の両方の面からIII 族窒化物半導体を結晶成長させているが、側面１４１、１４２のうち一方の側面がダミー基板１５に接するように配置することで、他の一方の側面のみが混合融液１９に接するようにし、一方の側面のみからａ軸方向（水平方向）に結晶成長させてもよい。
【実施例２】
【００４０】
実施例２のIII 族窒化物半導体製造方法は、実施例１のIII 族窒化物半導体製造方法で用いた種結晶１４およびダミー基板１５に替えて図５に示す種結晶２４を用いるものである。
【００４１】
種結晶２４は、III 族窒化物半導体のａ面基板２４１上に、ｍ軸方向に沿ったストライプ状の凹部２４３を形成し、その凹部２４３にマスク２４２を形成したものである。マスク２４２は凹部２４３の底面にのみ形成してもよいし、凹部２４３を埋めるように形成してもよい。マスク２４２は、タングステンである。混合融液１９に融解せず、マスク上にIII 族窒化物半導体を成長させないものであれば、タングステン以外のものを用いてもよい。種結晶２４の構造をこのようにすることで、長手方向をｍ軸方向とする帯状のａ面が複数形成された構造となる。種結晶２４は、ａ面が上面、つまり鉛直方向がａ軸方向となるように混合融液１９中に配置されていて、ａ面は混合融液１９に接している。
【００４２】
なお、種結晶２４は、サファイア基板などの異種基板上にａ面を主面とするIII 族窒化物半導体が形成されたテンプレート基板であってもよい。
【００４３】
図６は、種結晶２４を用いてＮａフラックス法によりIII 族窒化物半導体を結晶成長させた結果を示す図である。帯状に形成された複数のａ面上に、III 族窒化物半導体がａ軸方向に結晶成長し、マスク２４２上には結晶成長しないため、図６のように、複数のｃ面基板２８を一度に得ることができる。このｃ面基板２８は、実施例１のｃ面基板と同様に平面形状が頂角１２０度の二等辺三角形であり、側面はｍ面である。
【実施例３】
【００４４】
実施例３のIII 族窒化物半導体製造方法は、実施例１のIII 族窒化物半導体製造方法において用いた種結晶１４およびダミー基板１５に替えて図７に示す種結晶３４を用いるものである。
【００４５】
種結晶３４は、ｒ面サファイア基板３４１上にａ面を主面とするIII 族窒化物半導体３４２が形成されたテンプレート基板である。III 族窒化物半導体３４２には、長手方向をｍ軸方向とするストライプ状の凹部３４３が形成されている。その凹部３４３はサファイア基板３４１に達する深さであり、サファイア基板３４１が露出している。これにより、長手方向をｍ軸方向とする帯状のａ面が複数形成された構造となっている。種結晶３４は、実施例２の種結晶２４と同様に、ａ面が上面、つまり鉛直方向がａ軸方向となるように混合融液１９中に配置されていて、ａ面は混合融液１９に接している。なお、サファイア基板の露出面にタングステンなどのマスクを形成してもよい。
【００４６】
この種結晶３４を用いてＮａフラックス法によりIII 族窒化物半導体を結晶成長させた場合も、実施例２と同様にIII 族窒化物半導体のｃ面基板を一度に複数得ることができる。
【実施例４】
【００４７】
実施例１において作製した図３に示すｃ面基板１８を種結晶として、実施例１に示したIII 族窒化物半導体製造装置を用いたＮａフラックス法によりｃ面基板１８のｃ面にIII 族窒化物半導体を成長させる。これにより、図８に示すように、ｃ面基板上および種結晶１４のｃ面上にIII 族窒化物半導体が結晶成長し、さらに厚膜なｃ面基板となる。この成長したIII 族窒化物半導体結晶４０は、転位が少なく、高品質となる。これは次の理由による。実施例１により得られたｃ面基板１８はａ面成長であったため、転位はａ軸方向に沿って生じる。一方、このｃ面基板１８を種結晶として成長するIII 族窒化物半導体結晶４０はｃ軸方向に成長する。そのため、ｃ面基板１８のａ軸に沿った転位は、III 族窒化物半導体結晶４０には伝搬せず、転位が少なく高品質なIII 族窒化物半導体４０を成長させることができるのである。
【００４８】
なお、種結晶は実施例１〜３に示したものに限るものではなく、長手方向をｍ軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のａ面が形成されたものであればよい。
【００４９】
また、実施例２〜３ではいずれも種結晶のａ面が鉛直方向に垂直となるようにしているが、種結晶のａ面が混合融液に接するのであればよい。たとえば、種結晶のａ面を鉛直方向に平行にして混合融液と接するようにしてもよい。
【００５０】
また、III 族窒化物半導体製造装置の構成は実施例に示したものに限るものではなく、たとえば坩堝を回転させる機構を備えた製造装置であってもよい。また、種結晶を混合融液の界面付近に保持した状態で回転させる機構を備えた製造装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、III 族窒化物半導体のｃ面基板の製造に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１のIII 族窒化物半導体製造装置の構成を示した図。
【図２】種結晶１４について示した図。
【図３】種結晶１４に成長したｃ面基板１８について示した図。
【図４】種結晶１４に成長したｃ面基板１８について示した図。
【図５】種結晶２４について示した図。
【図６】種結晶２４に成長したｃ面基板２８について示した図。
【図７】種結晶３４について示した図。
【図８】ｃ面基板１８を種結晶としてさらに結晶成長させた結果を示す図。
【符号の説明】
【００５３】
１０：反応容器
１１：坩堝
１２：加熱装置
１４、２４、３４、４４：種結晶
１５：ダミー基板
１６：供給管
１７：排気管
１８、２８：ｃ面基板
【図１】
2010037153.tif 000003
【図２】
2010037153.tif 000004
【図３】
2010037153.tif 000005
【図４】
2010037153.tif 000006
【図５】
2010037153.tif 000007
【図６】
2010037153.tif 000008
【図７】
2010037153.tif 000009
【図８】
2010037153.tif 000010