(57)【要約】      （修正有）【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材上にめっき形成されためっき層を備える電気接点において、
前記めっき層が、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層をそれぞれ少なくとも１層含んで積層した積層めっき膜で形成されることを特徴とする電気接点。
【請求項２】
前記積層めっき膜は熱処理されたものである請求項１記載の電気接点。
【請求項３】
前記母材上にめっき形成された下地層と、前記下地層の表面に貴金属がめっきされた貴金属層とを有して構成され、前記下地層が前記積層めっき膜で形成される請求項１又は２に記載の電気接点。
【請求項４】
前記下地層は、Ｎｉ、あるいは、Ｎｉを含む合金で形成される請求項３記載の電気接点。
【請求項５】
母材上にめっき形成されためっき層を備える電気接点の製造方法において、
前記めっき層を、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層をそれぞれ少なくとも１層積層した積層めっき膜で形成することを特徴とする電気接点の製造方法。
【請求項６】
めっき浴中の光沢剤の種類を変えて、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層する請求項５記載の電気接点の製造方法。
【請求項７】
めっき浴中の電流密度を変えて、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層する請求項５記載の電気接点の製造方法。
【請求項８】
前記引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層した後、熱処理を行う請求項５ないし７のいずれか１項に記載の電気接点の製造方法。
【請求項９】
前記母材上にめっき形成された下地層と、前記下地層の表面に貴金属がめっきされた貴金属層とを有して構成し、前記下地層を、前記積層めっき膜で形成する請求項５ないし８のいずれか１項に記載の電気接点の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は母材上に下地層と貴金属層とが積層めっきされたスイッチやコネクタなどの電気接点に係る。
【背景技術】
【０００２】
従来より、母材表面にＡｕやＡｇなどの貴金属膜を有する電気接点では、前記貴金属膜の下地としてＮｉ（ニッケル）やＮｉを含む合金めっきが用いられてきた。従来では、生産性を向上させるべく電気接点を、高速めっきで形成した。このとき、めっき時の電流密度を高くすることにより高速めっきを促進でき、また、析出する結晶粒の粒度を小さくでき、緻密なめっき膜に形成できた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２４８２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、電解めっきにおいて、電流密度を高くすると緻密なめっき膜が得られるが、めっき膜中での残留応力（内部応力）が大きくなり、これが原因でめっき密着性が悪くめっき剥がれが生じたり、経時変化により残留応力が開放されて、応力腐食と呼ばれる腐食や変色不良を起こすことが問題であった。
【０００５】
上記特許文献１には、ワット浴あるいはスルファミン浴を用いることにより、Ｎｉめっき膜の電着応力を緩和させることが開示されているが、めっき中の残留応力をなくすものではない。
【０００６】
そこで、本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、特に、従来に比べてめっき層内部の残留応力を効果的に低減でき、良好な密着性等を確保できる電気接点、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、母材上にめっき形成されためっき層を備える電気接点において、
前記めっき層が、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層をそれぞれ少なくとも１層含んで積層した積層めっき膜で形成されることを特徴とするものである。
【０００８】
これにより、めっき層全体の残留応力（内部応力）を、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層との間で相殺して、適切且つ簡単に低減でき、めっき密着性と耐食性等に優れた電気接点とすることができる。
【０００９】
また、前記積層めっき膜は熱処理されたものであることが好ましい。引張り応力めっき層及び圧縮応力めっき層の個々の層内での残留応力を小さくでき、より効果的に、めっき層内部の残留応力をゼロに近づけることができる。
【００１０】
本発明では、前記母材上にめっき形成された下地層と、前記下地層の表面に貴金属がめっきされた貴金属層とを有して構成され、前記下地層が前記積層めっき膜で形成されることが好ましい。これにより、下地層と母材間、及び下地層と貴金属層間の密着性を向上させることができ、また下地層の溶出に基づくめっき内部の空洞化や析出を抑制でき耐食性等に優れた電気接点にできる。また、本発明では、前記下地層は、Ｎｉ、あるいは、Ｎｉを含む合金で形成されることが好適である。後述する実験でも、良好な密着性及び耐食性が得られることが確認されている。
【００１１】
また本発明は、母材上にめっき形成されためっき層を備える電気接点の製造方法において、
前記めっき層を、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層をそれぞれ少なくとも１層積層した積層めっき膜で形成することを特徴とする。
【００１２】
これにより、めっき層内部の残留応力を、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層との間で相殺して、適切且つ簡単に低減でき、めっき密着性と耐食性等に優れた電気接点を製造できる。また、本発明の電気接点の製造方法では、めっき時の電流密度を高くしても従来に比べてめっき層内部の残留応力を低減できるため、高速めっきが可能となり、生産性を向上させて電気接点を製造することができる。
【００１３】
本発明の電気接点の製造方法では、めっき浴中の光沢剤の種類を変えることにより、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層することができる。
【００１４】
あるいは本発明の電気接点の製造方法では、めっき浴中の電流密度を変えて、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層することができる。これにより、めっき浴を代えることなく、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層することができる。
【００１５】
さらに、前記引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層を積層した後、熱処理を行うことが好ましい。
【００１６】
また本発明では、前記母材上にめっき形成された下地層と、前記下地層の表面に貴金属がめっきされた貴金属層とを有して構成し、前記下地層を、前記積層めっき膜で形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電気接点は、めっき層内部の残留応力を適切且つ容易に低減でき、めっき密着性と耐食性等を向上させることができる。また、本発明の電気接点の製造方法では、めっき時の電流密度を高くしても残留応力を従来に比べて低減できるため、高速めっきが可能となり、生産性を向上させて電気接点を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態の電気接点の断面図、
【図２】第２の実施形態の電気接点の断面図、
【図３】光沢剤およびめっき浴の種類によるめっき内部の応力の違いを示すグラフ、
【図４】比較例１におけるＮｉめっき内部の状態を示すＳＥＭ写真、
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態における電気接点の断面図、図２は、本発明の第２の実施形態における電気接点の部分断面図、である。
【００２０】
図１に示す電気接点１は、母材２と、母材２の表面にめっきされた下地層３と、下地層３の表面にめっきされた貴金属層４を備えて構成される。
【００２１】
第１の実施形態の電気接点は、図１に示すように、下地層３は引張り応力めっき層３ａと、その表面にめっきされた圧縮応力めっき層３ｂとの積層めっき膜である。下地層３は、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂが積層されていれば、圧縮応力めっき層３ｂの表面に引張り応力めっき層３ａが積層された積層めっき膜でもよい。
【００２２】
引張り応力めっき層３ａ内部には引張り応力が働き、圧縮応力めっき層３ｂ内部には圧縮応力が働く。引張り応力と圧縮応力は互いに逆向きに働く力であるため、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとが積層されると、これらのめっき層の間で応力が相殺され、下地層３全体としての残留応力（内部応力）を低減でき、より好ましくはゼロにできる。これにより、下地層３の経時的な応力腐食を効果的に防止し、下地層３表面にめっきされる貴金属層４との密着性及び母材２との密着性を良好にでき、安定した接点特性を備えた長寿命の電気接点が得られる。
【００２３】
従って、図１のように、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとが１層づつ設けられるとき、引張り応力めっき層３ａの引張り応力と、圧縮応力めっき層３ｂの圧縮応力は、応力の絶対値が等しい、あるいはほぼ等しいことが好ましい。応力の絶対値が等しいと、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとを積層したときに層内部の応力が完全に相殺されて、下地層３の応力はゼロとなる。また、応力の絶対値がほぼ等しい場合でも、層内部の応力はほぼ相殺されるので、下地層３の応力をほぼゼロとすることができる。
【００２４】
また例えば、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂとが同じ材料で形成される場合、めっき浴の電流密度を変えたり、めっき浴に添加する光沢剤の種類を変えることで、引張り応力あるいは圧縮応力のどちらかに調整できる。また、めっき浴の種類や電流密度の強さ、めっき厚等により、応力の値を変えることができる。
【００２５】
母材２は、導電性の高い金属で形成され、例えば黄銅またはリン青銅が好適に用いられる。
【００２６】
下地層３を形成する引張り応力めっき層３ａまたは圧縮応力めっき層３ｂは、めっき層を形成する金属または金属合金であれば特に制限はないが、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ，Ｃｕなどの金属あるいはこれらの金属を含む合金が好適に用いられ、例えば、特にＮｉまたはＮｉ合金が好適に用いられる。引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂは、同じ金属または金属合金で形成されることが好ましいが、異なる金属または金属合金で形成されてもよい。また、貴金属層４は、例えばＡｕ、Ａｇなどの貴金属が好適に用いられる。
【００２７】
例えば、下地層３の膜厚は１〜２μｍ、貴金属層４の膜厚は０．２〜０．４μｍとすることができる。この場合、下地層３を形成する引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂは、それぞれ０．５〜１μｍとほぼ同じ膜厚で形成されるが、膜厚が異なっていてもよい。
【００２８】
また、図１に示される電気接点１では、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂのうち表面側に形成される層が、貴金属で形成されてもよい。
【００２９】
例えば、引張り応力めっき層３ａがＮｉ、Ｓｎ、Ｚｎ，Ｃｕなどの金属あるいは金属合金で形成され、圧縮応力めっき層３ｂがＡｕまたはＡｇなどの貴金属で形成され、さらに圧縮応力めっき層３ｂの表面に貴金属層４がめっきされる構成にすることができる。この場合も、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとの間で残留応力が相殺され、めっき層内部の残留応力がゼロ、あるいはほぼゼロとなる。なお、引張応力めっき層３ｂが貴金属でめっき形成されているため、その表面に貴金属層４が形成されなくても、電気接点が得られる。
【００３０】
さらに、図示されないが、母材２表面に圧縮応力めっき層３ｂがめっきされ、圧縮応力めっき層３ｂ表面に引張り応力めっき層３ａがめっきされる、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂの積層順が図１と逆の場合において、圧縮応力めっき層３ｂがＮｉ、Ｓｎ、Ｚｎ，Ｃｕなどの金属あるいは金属合金で形成され、引張り応力めっき層３ａがＡｕまたはＡｇなどの貴金属で形成されることもできる。この場合、引張り応力めっき層３ａの表面に貴金属層４がめっきされても、めっきされなくてもよい。
【００３１】
また例えば、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂいずれもが、ＡｕまたはＡｇなどの貴金属でめっき形成されることができる。この場合、圧縮応力めっき層３ｂの表面に貴金属層４がめっきされてもよいし、貴金属層４がめっきされなくてもよい。また、母材２と引張り応力めっき層３ａとの間に他の金属または金属合金めっき層が形成されることもできる。なお、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂいずれもが、ＡｕまたはＡｇなどの貴金属でめっき形成される場合も、母材２表面に圧縮応力めっき層３ｂがめっきされ、圧縮応力めっき層３ｂの表面に引張り応力めっき層３ａがめっきされる積層めっき膜であってもよい。
【００３２】
すなわち、引張り応力めっき層３ａまたは圧縮応力めっき層３ｂは、内部に引張り応力または圧縮応力が働くめっき層であれば、積層したときにめっき層内部の残留応力が相殺されるので、金属の種類に制限はなく、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ，Ｃｕなどの金属あるいはこれらの金属合金など下地として好適に用いられる金属だけでなく、ＡｕあるいはＡｇなどの貴金属も好適に用いられる。また、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂの積層順にも制限はない。
【００３３】
ただし、図１に示すように、母材２上にＮｉやＮｉ合金の下地層３が形成され、さらにＡｕやＡｇ等の貴金属層４が積層される構成では、下地層３は貴金属層４に比べて剛性（硬度）が高く、この結果、下地層３に残留応力が蓄積されやすいので、下地層３を図１に示すように、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとの積層めっき膜にすることが、より効果的に残留応力の低減を図ることができて好適である。
【００３４】
電気接点１は、さらに熱処理されることが好ましい。例えば、下地層３がめっきされた後、または下地層３および貴金属層４がめっきされた後に熱処理されると、下地層３を構成する引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂのそれぞれの残留応力をゼロに近づけることができ、より効果的に、下地層３全体の残留応力をゼロに近づけることができる（好ましくはゼロにできる）。熱処理の温度は８０℃以上３００℃未満で行われることが好ましい。熱処理温度が８０℃より低いと残留応力を完全に緩和することができず、また３００℃程度以上であると、結晶粒の粗大化が促進され、また、下地層３と母材２間、及び下地層３と貴金属層４間での拡散反応が生じやすくなるので、いずれも好ましくない。また熱処理は不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
【００３５】
図２に示す第２の実施形態の電気接点５は、母材２と、母材２の表面にめっきされた下地層３と、下地層３の表面にめっきされた貴金属層４を備えて構成される点は図１に示す電気接点１と同じであるが、下地層３がそれぞれ複数の引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂが交互に積層されて構成されている。
【００３６】
図２の電気接点５においても、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとが積層され、これらのめっき層の間で応力が相殺されるので、下地層３全体として内部の残留応力がゼロ、あるいはほぼゼロに等しくなる。これにより、下地層３の経時的な応力腐食を効果的に防止し、下地層３表面にめっきされる貴金属層４との密着性や母材２との密着性を良好にでき、安定した接点特性を備えた長寿命の電気接点が得られる。また図２のように、複数の引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂを交互に積層した構成にすることで、個々の引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂを従来よりも十分に薄く形成し、下地層３全体としての膜厚を薄くしつつ、下地層３全体の残留応力の微調整を行いやすい。
【００３７】
図２に示す電気接点５も、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂの積層順に特に制限はなく、圧縮応力めっき層３ｂが母材２表面にめっきされ、圧縮応力めっき層３ｂの表面に引張り応力めっき層３ａがめっきされて、さらに圧縮応力めっき層３ｂと引張り応力めっき層３ａとが交互に積層されることができる。
【００３８】
例えば、図２では、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂはそれぞれ３層が交互に積層されるが、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂはそれぞれ複数であれば、その数に特に制限はない。また、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂは交互に積層されることが好ましいが、引張り応力めっき層３ａの表面に引張り応力めっき層３ａが、あるいは圧縮応力めっき層３ｂの表面に圧縮応力めっき層３ｂが、積層されるものであってもよい。複数の引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂが交互に積層される場合、それぞれのめっき層は同数であることが好ましい。ただし、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂのいずれかのめっき層が他のめっき層に比べ少なくてもよい。
【００３９】
また、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂが同数である場合、引張り応力めっき層３ａの引張り応力と、圧縮応力めっき層３ｂの圧縮応力はそれぞれの応力の絶対値が等しい、あるいはほぼ等しいことが好ましい。それぞれの応力の絶対値が等しいと、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂを複数積層したときに層内部の応力が完全に相殺されて、下地層３の残留応力はゼロとなる。それぞれの応力の絶対値がほぼ等しい場合は、層内部の応力はほぼ相殺されるので、下地層３の残留応力をほぼゼロとすることができる。
【００４０】
また、図１の電気接点１と同様、母材２は、例えば黄銅またはリン青銅などの導電性の高い金属で形成される。また、貴金属層４は、例えばＡｕ、Ａｇなどの貴金属が好適に用いられる。引張り応力めっき層３ａまたは圧縮応力めっき層３ｂは、めっき層を形成することができるＮｉ、Ｓｎ、Ｚｎ，Ｃｕなどの金属または金属合金が好適に用いられる。あるいは、複数の引張り応力めっき層３ａまたは圧縮応力めっき層３ｂの一部が、ＡｕまたはＡｇなどの貴金属で形成されてもよい。なお、最も上側に形成される引張り応力めっき層３ａまたは圧縮応力めっき層３ｂがＡｕ、Ａｇなどの貴金属で形成される場合、貴金属層４を形成しないこともできる。
【００４１】
例えば、下地層３の膜厚は０．６〜１μｍ、貴金属層４の膜厚は０．２〜０．４μｍとすることができる。下地層３を形成する引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂは総和で、それぞれ０．３〜０．５μｍと図１の電気接点１に比べて薄く形成される。また、それぞれの引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂはほぼ同じ膜厚で形成されるが、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂの一部の膜厚が異なってもよい。
【００４２】
図２に示す第２の実施形態の電気接点５も、さらに熱処理されることが好ましい。熱処理により、引張り応力めっき層３ａおよび圧縮応力めっき層３ｂのそれぞれの残留応力をゼロに近づけることができ、より効果的に、下地層３全体の残留応力をゼロに近づけることができる（好ましくはゼロにできる）。熱処理の温度は８０℃以上３００℃未満で行われることが好ましい。熱処理温度が８０℃より低いと残留応力を完全に緩和することができず、また３００℃以上であると、結晶粒の粗大化が促進され、また、下地層３と母材２間、及び下地層３と貴金属層４間での拡散反応が生じやすくなるので、いずれも好ましくない。また熱処理は不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
【００４３】
図１、図２の実施形態では、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとが同じ層数であるが異なる層数であってもよい。かかる場合、層数が少ないほうの各めっき層の応力の絶対値を、層数が多いほうの各めっき層の応力の絶対値よりも大きくしてめっき層内部の残留応力がゼロに近づくように調整することが好ましい。
【００４４】
図１および図２に示す第１および第２の実施形態の電気接点１、５の製造方法について説明する。
【００４５】
第１の実施形態の電気接点１では、母材２上に、引張り応力めっき層３ａを形成し、引張り応力めっき層３ａ上に圧縮応力めっき層３ｂを形成する。さらに、圧縮応力めっき層３ｂ上に、貴金属層４をめっき形成する。めっきは電解めっきまたは無電解めっきのいずれでもよい。
【００４６】
あるいは、母材２上に、圧縮応力めっき層３ｂを形成し、さらに引張り応力めっき層３ａを形成し、引張り応力めっき層３ａ上に貴金属層４をめっき形成してもよい。この場合も、めっきは電解めっきまたは無電解めっきのいずれであってもよい。
【００４７】
例えば、下地層３は、１〜２μｍ、貴金属層４は０．２〜０．４μｍの膜厚でめっきされる。
【００４８】
第２の実施形態の電気接点５は、母材２上に、引張り応力めっき層３ａを形成し、引張り応力めっき層３ａ上に圧縮応力めっき層３ｂを形成した後、さらに引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂのめっき形成が繰り返し行われる。そして、最表面に貴金属層４がめっきされる。なお、この場合も、母材２上に、圧縮応力めっき層３ｂを形成し、さらに引張り応力めっき層３ａがめっきされ、これらが繰り返され、最表面に貴金属層４がめっきされてもよい。
【００４９】
図３に、Ｎｉ金属を、めっき浴、めっき浴に添加する光沢剤の種類、およびめっき厚を変えて電解めっきしたときのめっき残留応力を示す。
【００５０】
実験は、母材となる銅板表面に、ワット浴またはスルファミン浴中に、吸着タイプの光沢剤および共析タイプの光沢剤をそれぞれ添加した場合、および光沢剤無添加の場合について、１〜２１μｍの厚さでＮｉを電解めっきし、めっきされた母材のひずみを測定することにより行った。残留応力が正の値を示すときめっき内部には引張り応力が働き、負の値を示すときには圧縮応力が働く。なお、めっきは、めっき浴の温度を５０℃とし、電流密度２０Ａ／ｄｍ2で行った。吸着タイプの光沢剤は、例えば、クマリンであり、共析タイプの光沢剤は、例えば、サッカリン、ナフタレンスルフォン酸ソーダが用いられる。
【００５１】
図３に示されるように、共析タイプの光沢剤を添加した場合には、ワット浴、スルファミン浴ともに内部に圧縮応力が働き、また浴の種類によって生じる応力の値に大きな差はない。光沢剤を添加しない場合、または吸着タイプの光沢剤を添加した場合には、ワット浴、スルファミン浴ともに、内部に引張り応力が働き、またワット浴を用いるほうが、スルファミン浴中でめっきする場合に比べて、引張り応力の値が大きい。
【００５２】
図３のグラフより、Ｎｉイオンを含むめっき浴中に吸着タイプの光沢剤を添加したもの、あるいは光沢剤を添加しないめっき浴−１と、Ｎｉイオンを含むめっき浴中に共析タイプの光沢剤を添加しためっき浴−２とを用意し、めっき浴−１とめっき浴−２とを用いて交互にＮｉ層を積層めっきすれば、適切且つ簡単に引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層とを積層めっきすることができる。
【００５３】
また、共析タイプの光沢剤を添加したときのめっきはワット浴、スルファミン浴共に、スルファミン浴に吸着タイプの光沢剤を添加した場合、あるいは光沢剤無添加の場合のめっきと、残留応力の絶対値がほぼ等しい。よって、下地層３をＮｉで形成する場合であって、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとを同数積層する場合、引張り応力めっき層３ａをスルファミン浴（光沢剤無添加）、あるいはスルファミン浴に吸着タイプの光沢剤を添加して形成しためっき膜、圧縮応力めっき層３ｂを共析タイプの光沢剤を添加して形成しためっき膜とすれば、下地層３全体の残留応力をゼロ、あるいはほぼゼロにできる。
【００５４】
まためっき浴の電流密度によっても、引張り応力めっき層３ａ及び圧縮応力めっき層３ｂのそれぞれを得ることができる。よって、同一のめっき浴を用い、引張り応力めっき層が得られる電流密度と、圧縮応力めっき層が得られる電流密度とを交互に変化させれば、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとを積層めっきすることができる。かかる製造方法では、引張り応力めっき層３ａと圧縮応力めっき層３ｂとを得るために、わざわざ浴を変えることが必要なく、簡単な製造方法を実現できる。
【００５５】
下地層３および貴金属層４を積層した後、あるいは下地層３をめっきした後、熱処理することが好ましい。熱処理の温度は８０℃以上３００℃未満で行われることが好ましい。熱処理温度が８０℃より低いと残留応力を完全に緩和することができず、また３００℃程度以上であると、結晶粒の粗大化が促進され、また、下地層３と母材２間、及び下地層３と貴金属層４間での拡散反応が生じやすくなるので、いずれも好ましくない。また熱処理は不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
【００５６】
以上により、簡単且つ適切に下地層３全体の残留応力をゼロ、あるいはほぼゼロにすることができ、下地層３と母材２間及び下地層３と貴金属層４間を密着性良く形成することができる。また本実施形態の電気接点の製造方法では、めっき時の電流密度を高くしても従来に比べてめっき層内部の残留応力を低減できるため、高速めっきが可能となり、生産性を向上させて電気接点を製造することができる。
【実施例】
【００５７】
Ｎｉ金属めっきを下地層３として、図１に示す電気接点を作成し、耐食試験を行った。
（実施例１）
黄銅を母材２とし、母材２表面に２種類のＮｉめっき浴Ａ，Ｂを用いてＮｉをそれぞれ１μｍめっきして下地層３とし、さらに下地層３表面にＡｕを０．２μｍめっきして、図１に示すめっき積層構造を有する電気接点を得た。
【００５８】
ここで、Ｎｉめっき浴Ａは、スルファミン酸ニッケル３００ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル１０ｇ／Ｌ、クマリン０．００５ｍｏｌ／Ｌ、を含み、このＮｉめっき浴Ａを用いることにより引張り応力めっき層３ａを得た。Ｎｉめっき浴Ｂは、スルファミン酸ニッケル３００ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル１０ｇ／Ｌ、ナフタレンスルフォン酸ソーダ３ｇ／Ｌを含み、このＮｉめっき浴Ｂを用いることにより圧縮応力めっき層３ｂを得た。Ｎｉめっき浴ＡおよびＢの浴温は５０℃とし、電流密度１０Ａ／ｄｍ2でＮｉめっきを行った。
【００５９】
（実施例２）
実施例１の電気接点を、さらに温度２００℃で３０分間熱処理を行った。
【００６０】
（比較例１）
黄銅を母材２とし、母材２表面にＮｉめっき浴Ｂを用いて、Ｎｉを２μｍめっきして下地層３とし、さらに下地層３表面にＡｕを０．２μｍめっきした。ここで、Ｎｉめっき浴Ｂは実施例１で用いたＮｉめっき浴Ｂと同じ組成を有し、また浴温および電流密度も実施例１と同じとしてＮｉめっきを行った。
【００６１】
これら実施例１、実施例２、および比較例１の電気接点について、耐湿試験および硝酸曝気試験の２種類の耐食試験を行った。
【００６２】
耐湿試験は、温度８５℃、湿度９５％ＲＨ中に、各電気接点を１２０時間放置することにより行い、放置後の電気接点の様子を観察した。
【００６３】
硝酸曝気試験は、各電気接点を濃硝酸５０ｍｌとともにデシケータ中で密閉し、１時間曝露することにより行い、曝露後の電気接点の様子を観察した。
【００６４】
（耐食試験の結果）
比較例１の電気接点は、耐湿試験後めっき剥離が発生していた。図４は比較例１における電気接点の断面のＳＥＭ写真である。図４に示すように、Ｎｉが溶出して、Ｎｉが表面に析出し、また内部が空洞化していることがわかった。硝酸曝気試験後の電気接点では、Ａｕめっき表面のほとんどを覆うように青色生成物が生成していた。
【００６５】
実施例１の電気接点では、耐湿試験後、めっき剥離が発生していなかった。断面ＳＥＭ観察でも剥離は確認されなかった。また、硝酸曝気試験後の電気接点では、Ａｕめっき表面に青色生成物が斑点状に生成しているのが認められたが、表面のほとんどはＡｕめっきのままであった。
【００６６】
実施例２の電気接点では、耐湿試験後、めっき剥離が発生していなかった。断面ＳＥＭ観察でも剥離は確認されなかった。また、硝酸曝気試験後の電気接点でも、Ａｕめっき表面に変化は認められなかった。
【００６７】
以上より、Ｎｉ下地層が１層（圧縮応力めっき層１層）のみからなる比較例１では応力腐食が発生したが、実施例１および実施例２の電気接点では、経時変化による応力腐食が発生していないことがわかる。これは、引張り応力めっき層と圧縮応力めっき層が積層されてＮｉ下地層が形成されることにより、下地層全体の残留応力をゼロ、またはほぼゼロにできたためと考えられる。
【符号の説明】
【００６８】
１、５  電気接点
２  母材
３  下地層
３ａ  引張り応力めっき層
３ｂ  圧縮応力めっき層
４  貴金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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