(57)【要約】【課題】低浮上で長時間の耐摺動信頼性を向上し、同時にＳＮＲを向上することができる熱エネルギ支援媒体を提供する。【解決手段】基板１０上に軟磁性層１４１を形成し、その上に非磁性中間層１４２を介して軟磁性層１４３を形成後、中間層１６、結晶配向性制御中間層１８、人工格子中間層としてＣｏを主成分とする第１の層２０と、ＰｔとＰｄからなる第２の層２２とがくり返し積層された人工格子膜を記録層、保護層２４及び潤滑層２６を形成した構造とする。第２の層２２のＰｄ濃度は２０〜４０at.%とする。【選択図】図２
2010134987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏを主成分とする第１の層と、ＰｔとＰｄからなる第２の層とがくり返し積層された人工格子膜を記録層とする熱エネルギ支援媒体において、
前記第２の層に含まれるＰｄの濃度が２０〜４０at.%であることを特徴とする熱エネルギ支援媒体。
【請求項２】
請求項１記載の熱エネルギ支援媒体において、基板上に接着層を介して第１の軟磁性層が形成され、前記第１の軟磁性層の上に非磁性中間層を介して第２の軟磁性層が形成され、前記第２の軟磁性層の上に中間層を介して結晶配向性制御中間層が形成され、前記結晶配向性制中間層の上に前記記録層が形成されていることを特徴とする熱エネルギ支援媒体。
【請求項３】
Ｃｏを主成分とする第１の層と、ＰｔとＰｄからなる第２の層とがくり返し積層された人工格子膜を記録層とする熱エネルギ支援媒体において、
前記第２の層がＰｔ−Ｐｄ合金とＰｔの積層であり、前記第２の層に含まれるＰｄの濃度が２０〜４０at.%であることを特徴とする熱エネルギ支援媒体。
【請求項４】
請求項３記載の熱エネルギ支援媒体において、基板上に接着層を介して第１の軟磁性層が形成され、前記第１の軟磁性層の上に非磁性中間層を介して第２の軟磁性層が形成され、前記第２の軟磁性層の上に中間層を介して結晶配向性制御中間層が形成され、前記結晶配向性制中間層の上に前記記録層が形成されていることを特徴とする熱エネルギ支援媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度磁気記録を実現するのに適した熱エネルギ支援媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１には、Ｃｏ／ＰｔとＣｏ／Ｐｄの多層膜で異方性磁界が最大となるＰｔとＰｄの最適な膜厚がそれぞれおよそ０．２ｎｍと０．６ｎｍであることが記載されている。非特許文献２にはＣｏ／Ｐｄ多層膜のＰｄ膜厚を増加していくと、多層膜形成時の放電ガス圧力の増加と共に（Ｃｏ／Ｐｄ）層あたりの異方性エネルギが増加していくことが述べられている。
【０００３】
特許文献１には、Ｃｏ，Ｆｅ及びＣｏ−Ｆｅ合金の中から選ばれた金属からなる第１の層と、Ｐｔ，Ｐｄ及びＰｔ−Ｐｄ合金の中から選ばれた金属からなる第２の層とがくり返し積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体の製造方法が提案されている。
【０００４】
特許文献２には、熱支援記録の方式例が示されている。特許文献３にも、ニア−フィールドのヒーター（Near Field Heater）利用等、局所的に加熱する方法が例示されている。また、特許文献４に記載のように、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部を熱膨張させて突出させるようにした薄膜抵抗体を形成した薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドや、磁気ヘッドが磁気ディスクに対してリード・ライトを行うときに、通電して発熱させることにより、磁極先端部を熱膨張させて突出させるようにした薄膜抵抗体を薄膜磁気ヘッド素子の絶縁体層の内部に形成し、磁極先端部の突出により磁気ディスク面との間隙を小さくするように構成することが提案されている。特許文献５には、スライダの底部に近接場光を発生させるための散乱体の上部に磁極が配置されている熱アシスト記録装置用ヘッドも提案されている。
【０００５】
【非特許文献１】Journal of Applied Physics 97, 10J109 (2005)
【非特許文献２】IEEE Transaction on Magnetics, Vol. 39, No.5, September 2003, pp.2714-2716
【特許文献１】特開平５−２８５５２号公報
【特許文献２】ＵＳ２００６／０１５４１１０Ａ１
【特許文献３】ＵＳ２００２／０１０１６７３Ａ１
【特許文献４】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献５】特開２００７−１２８５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、ヘッドは円板外部のアンロード格納状態から、回転している円板上に外周側からロードされ、内周から外周の特定半径に長時間固定することなくシークしている。連続して長時間にわたり特定の半径に限定してヘッドを浮上させると、保護層上に形成した潤滑層が枯渇して保護層が破壊し易くなり、クラッシュに至る場合がある。例えば、半径３２.５ｍｍの媒体上で、特定半径２１ｍｍに限定して周速１１.８８ ｍ/ｓでヘッドを浮上させた場合に、この半径２１ｍｍ近傍の領域でのみ摺動信頼性が低下する。Ｃｏ／Ｐｄ人工格子を用いた媒体はＣｏ／Ｐｔ人工格子を用いた媒体に比べＳＮＲが高い反面、ヘッド浮上量を１．５ｎｍから２ｎｍに設定し、同一半径にヘッドを固定して４０９６秒間再生出力を７０℃で測定した場合の連続耐摺動信頼性が低い。ＳＮＲが高く、耐摺動信頼性も良好な人工格子を用いた熱エネルギ支援媒体は提案されていなかった。
【０００７】
このような背景から、本発明が解決しようとする課題は、低浮上で長時間の連続耐摺動信頼性を向上し、同時にＳＮＲを向上することができる熱エネルギ支援媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための第１の手段は、Ｃｏを主成分とする第１の層と、ＰｔとＰｄからなる第２の層とがくり返し積層された人工格子膜を記録層とする熱エネルギ支援媒体において、ＰｔとＰｄからなる第２の層に含まれるＰｄの濃度が２０〜４０at.%であるようにすることである。
【０００９】
前記課題を解決するための第２の手段は、Ｃｏを主成分とする第１の層と、ＰｔとＰｄからなる第２の層とがくり返し積層された人工格子膜を記録層とする熱エネルギ支援媒体において、ＰｔとＰｄからなる第２の層が（Ｐｔ−Ｐｄ）合金とＰｔの積層であるようにすることである。
【００１０】
Ｃｏを主成分とする第１の層には、酸素と硼素を同時に含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低浮上で長時間の連続耐摺動信頼性を向上し、同時にＳＮＲを向上した熱エネルギ支援媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１に示すように、スピンドルモータ１に固定された熱エネルギ支援媒体２と、サスペンション３を介して取り付けられたヘッドスライダー４とを組み合わせて電磁変換特性を評価した。記録の際に別途、記録面とは反対側に配置したレーザ光源５から発生させた波長６６０ｎｍのレーザ光を開口数（Numerical Aperture）が０．６５のレンズ６で集光し、ヘッドの書き込み磁極近傍を加熱しながら記録した。集光したスポットの径は９７０ｎｍである。レーザ出力は４０ｍＷで一定とした。電磁変換特性評価に用いるヘッドとして、本実施例ではヒタチグローバルストレージテクノロジーズ製造の大容量２．５型ハードディスク装置Travelstar 5K320に搭載されているヘッドを用いた。
【００１４】
図２は、実施例１による熱エネルギ支援媒体の構成を示す断面図である。この熱エネルギ支援媒体は、剛体基板１０上に接着層１２、軟磁性下地層１４１、非磁性層１４２、軟磁性下地層１４３、中間層１６、結晶配向性制御中間層１８、人工格子中間層２０、人工格子磁性層２２、人工格子中間層２０ｎ、人工格子磁性層２２ｎ、保護層２４及び潤滑層２６を有する。
【００１５】
次に熱エネルギ支援媒体の製造方法について説明する。基板１０として厚さ０．８ｍｍ、外径６５ｍｍの化学強化したガラス基板を用いた。インラインの枚葉式ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、全てのチャンバを０．２μＰａ以下の真空まで排気した。その後、基板１０を載せたキャリアを各プロセスチャンバに移動させて、人工格子中間層２０、人工格子磁性層２２から人工格子中間層２０ｎ、人工格子磁性層２２ｎまでの人工格子膜を除き、放電用Ａｒガス圧を０．７ＰａとしてＤＣマグネトロンスパッタリング法で以下の薄膜形成を行なった。薄膜の形成方法はＤＣマグネトロンスパッタに限定されない。人工格子層２０−２２の形成には、回転カソード機構を有するＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、放電用Ａｒガス圧を２Ｐａとした。酸化物を含有した薄膜形成時にＤＣパルススパッタ法やＲＦマグネトロンスパッタ法を併用することも可能である。
【００１６】
図２に示した層構成の熱エネルギ支援媒体形成時の放電ガス圧力とスパッタ方式、並びにターゲット組成と代表的な膜厚を表１に示す。
【００１７】
【表１】
2010134987.tif 000003
【００１８】
本実施例では、ガラス基板１０として、硼珪酸ガラス、或いはアルミノシリケートガラスからなる基板表面を化学強化した基板を洗浄後、乾燥して用いた。実施例４で述べるように加熱用の導波路を形成したヘッドを用いる場合には、化学強化したガラス基板に替え、アルミニウム合金基板上にＮｉ−Ｐめっき後、表面研磨した基板や、ＳｉやＴｉ合金からなる剛体基板を用いることもできる。基板の外径は６５ｍｍに限定されることなく、４８ｍｍや８４ｍｍ等から選択できる。基板の厚みも剛性が保たれる範囲で選択でき、０．６３５ｍｍも選択できる。接着層１２として、厚さ５ｎｍの５０at.%Ａｌ−５０at.%Ｔｉ合金膜を形成した。
【００１９】
軟磁性層１４１として厚さ２０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成し、非磁性層１４２として厚さ０．７ｎｍのＲｕ膜を形成後、再び軟磁性下地層１４３として厚さ２０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成した。軟磁性層１４１，１４３の組成は前記組成に限定されない。ＴａとＺｒの添加元素の濃度は、合計で２０at.%添加されている場合に、軟磁性下地層１４１と１４３をそれぞれ２０ｎｍより厚くすれば書き込み特性が向上した。ＴａとＺｒの添加元素の濃度を１５at.%に固定したまま、５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金の替わりに、例えば４８at.%Ｆｅ−３７at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金に変更することも可能である。Ｘ線回折による反射曲線の測定結果から、これらのＦｅ−Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金膜はいずれも微結晶あるいは非晶質であると考えられる。
【００２０】
非磁性層１４２はＲｕ或いはＲｕを主成分とする合金として、Ｒｕ−５０at.%Ｆｅ合金、Ｒｕ−４０at.%Ｃｒ合金、Ｒｕ−３０at.%Ｃｏ合金などを用いることができる。その膜厚は、軟磁性層１４１と１４３が反強磁性結合できる範囲で変えることもできる。さらに、この反強磁性結合を用いて軟磁性層１４１と１４３の残留磁化を等しく反平行にすれば、再生ノイズを低減することができる。軟磁性下地層１４３を形成後、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｗ合金からなる常磁性中間層１６を形成した。
【００２１】
さらに、Ｒｕを主成分とする結晶配向性制御中間層１８を形成後、Ｐｔ−Ｐｄ合金からなる人工格子中間層２０とＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２を交互に各２０層形成した。この交互に各２０層形成した多層が記録層である。人工格子の積層数は各２０層に限定されない。所望の出力が得られるように変更することが可能である。Ｃｏを主成分とする人工格子磁性層２２は、純度９９．９重量％（３Ｎｕｐ）の真空溶解したＣｏターゲットをＤＣマグネトロンスパッタして形成した。その後、炭素を主成分とする保護層２４とパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層２６を形成した。
【００２２】
人工格子中間層２０として以下の４種の材料を比較した。すなわち、（１）Ｐｔ−２０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合、（２）Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合、（３）Ｐｔ−５０at.%Ｐｄ合金層を０．８ｎｍの厚さとなるように形成した場合、（４）Ｐｔ−Ｐｄ合金層に替えＰｔ層を０．２ｎｍの厚さとなるように形成した場合を比較した。（３）は特許文献１の比較例２−２に記載されている媒体である。いずれも積層数を各２０層とした場合について、１６．５ｋｆｃ／ｍｍ（kilo-flux change per millimeter）におけるＳＮＲと書き込み電流Ｉｗの関係を測定した結果を図３に示す。
【００２３】
図３から、（３）のＰｔ−５０at.%Ｐｄ合金層を０．８ｎｍの厚さとなるように形成した場合を除き、書き込み電流Ｉｗを増加するとＳＮＲは改善した。（３）のＰｔ−５０at.%Ｐｄ合金層を０．８ｎｍの厚さとなるように形成した場合にはキュリー温度Ｔｃを超えて媒体を加熱して信号を書き込んだため、書き込み電流Ｉｗによらず信号が書き込めずＳＮＲが改善しないと考えられる。（１）と（２）のＰｄ−Ｐｔ合金を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合には、いずれも書き込み電流Ｉｗによらず、（４）のＰｔ層を０．２ｎｍの厚さとなるように形成した場合に比べＳＮＲが向上した。これはＰｔにＰｄを添加し、厚さを０．４ｎｍまで厚くした結果、キュリー温度Ｔｃが低下し、書き易くなったためであると考えられる。
【００２４】
Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍと変えた他は、人工格子磁性層２２，２２ｎの厚みを固定し、表１に示す条件でスパッタ法により薄膜形成した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層２６を形成した。積層数を各２０層としたこれらの熱エネルギ支援媒体について、書き込み電流Ｉｗを４０ｍＡに固定して１６．５ｋｆｃ／ｍｍにおけるＳＮＲと書き込み電流Ｉｗの関係を測定した結果を図４に示す。
【００２５】
図４から、Ｐｔ−Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．２ｎｍから厚くするとＳＮＲは増加し、０．５ｎｍで極大値をとった。さらにＰｔ−Ｐｄ合金層２０，２０ｎを厚くし、０．６ｎｍとした場合にＳＮＲは減少し始めた。Ｐｔ−Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．８ｎｍとした場合には、ＳＮＲが減少した。このＳＮＲの減少は、図３に示した（３）のＰｔ−５０at.%Ｐｄ合金層の厚さを０．８ｎｍとなるように形成した場合にも観測された。
【００２６】
これらの結果をもとに、上記（１），（２）と（４）の媒体を選択し、これらの磁気記録媒体について書き込み電流Ｉｗを４０ｍＡに固定して、ＳＮＲの線記録密度依存性を評価した結果を図５に示す。
【００２７】
書き込み電流Ｉｗ＝４０ｍＡで測定したＳＮＲは図５に示すように、１ｍｍあたりの記録密度（キロフラックスチェンジ）が２．１ｋｆｃ／ｍｍから４１．３ｋｆｃ／ｍｍの範囲でいずれも（１）Ｐｔ−２０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合と（２）Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合に、（４）Ｐｔ層を０．２ｎｍの厚さとなるように形成した場合（比較例）よりも良好なＳＮＲが得られた。
【００２８】
また、Ｉｗ＝４０ｍＡで測定したＮhad（ヘッドとアンプとディスクのノイズの和）は、１ｍｍあたりの記録密度（フラックスチェンジ）が２．１ｋｆｃ／ｍｍから４１．３ｋｆｃ／ｍｍの範囲でいずれも、（１）Ｐｔ−２０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合と、（２）Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合に、（４）Ｐｔ層を０．２ｎｍの厚さとなるように形成した場合（比較例）よりも低いＮhadが得られ、（１）と（２）の場合に線記録密度の増加と共にＮhadは増加することが明らかになった。
【００２９】
これらの熱エネルギ支援媒体について、７０℃の環境下で、ヘッドの媒体表面からの浮上高さを２ｎｍとして、半径２１ｍｍの同一トラックについて、skew角度を０度として４０９６秒間の連続摺動試験を行なった。（１），（２），（４）のいずれの媒体でも４０９６秒経過後にクラッシュすることなく、連続摺動試験前後で観測された出力低下は２％以内であった。安定した再生出力が得られ、摺動信頼性の問題はなかった。
【実施例２】
【００３０】
実施例１で用いた結晶配向性制御中間層１８と人工格子中間層２０の間に結晶配向性制御中間層１９を形成し、Ｃｏを主成分とするターゲットをスパッタして形成した人工格子磁性層２２に替わり、Ｃｏ−８at.%Ｂ−４mol.%Ｃｏ3Ｏ4合金を０．４ｎｍの厚さとなるように形成して、表２に示す構成の熱エネルギ支援媒体を形成した。スパッタ法を用いてＡｒ圧力を高くして薄膜形成すると、薄膜堆積時の原子の移動度が低下して薄膜の連続性が低下し、孤立化する。この効果は自己陰影効果(Self shadowing effect)として知られている (例えば、J. A. Thornton, J. Vac. Sci. Technol. 11（1974）666参照）。予め結晶性が高く連続した中間層１８を形成後、同一材料を用いて空間的に分離した中間層１９を形成することにより、相対的に中間層１８に比べ膜面内方向に不連続で孤立し、かつ結晶配向性の向上した中間層を形成することができる。
【００３１】
【表２】
2010134987.tif 000004
【００３２】
ヘッドの浮上量を１．５ｎｍとしてＳＮＲを評価した。書き込み時の加熱に用いたレーザ出力は４０ｍＷで一定とした。その結果、Ｉｗ＝４０ｍＡで測定したＳＮＲは１ｍｍあたりのフラックスチェンジが２．１ｋｆｃ／ｍｍから４１．３ｋｆｃ／ｍｍの範囲でいずれも、（１）Ｐｔ−２０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合と、（２）Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層を０．４ｎｍの厚さとなるように形成した場合に、人工格子中間層２０，２０ｎとしてＰｔ層を０．２ｎｍの厚さとなるように形成した場合（比較例）よりも０．６ｄＢから１．１ｄＢ良好なＳＮＲが得られた。
【００３３】
Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍと変えた他は、人工格子磁性層２２，２２ｎの厚みを固定し、表２に示す条件でスパッタ法により熱エネルギ支援媒体を形成した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層２６を形成した。積層数を各２０層としたこれらの熱エネルギ支援媒体について、書き込み電流Ｉｗを４０ｍＡに固定して、媒体表面からのヘッド浮上高さを１．５ｎｍとして、１６．５ｋｆｃ／ｍｍにおけるＳＮＲを測定した。
【００３４】
Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．２ｎｍから厚くするとＳＮＲは増加し、Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．４ｎｍとした場合にＳＮＲは極大値１３．４ｄＢをとった。Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎをそれぞれ０．６ｎｍとした場合、ＳＮＲは１１．８ｄＢに減少した。Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．８ｎｍとした場合、大きくＳＮＲが減少した。
【００３５】
これらの磁気記録媒体について、７０℃の環境下でヘッドの浮上高さを１．５ｎｍに設定して、半径２１ｍｍの同一トラックについてskew角度を０度として４０９６秒間の摺動試験を行なった。Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層とＰｔ−２０at.%Ｐｄ合金層の場合には、２０，２０ｎの厚さを０．２ｎｍから０．６ｎｍとしたいずれの媒体でも４０９６秒経過した後でもクラッシュすることなく安定した浮上による再生出力が得られ、連続摺動信頼性の問題は認められなかった。一方、Ｐｔ−４０at.%Ｐｄ合金層２０，２０ｎの厚さを０．８ｎｍとした場合、４０９６秒の経過を待たずヘッドクラッシュした。
【００３６】
以上の結果から、Ｃｏを主成分とする第１の層としては、実施例１の純度９９．９重量％（３Ｎｕｐ）の真空溶解したＣｏターゲットをＤＣマグネトロンスパッタして形成するだけでなく、本実施例２に記載のように、酸素と硼素を同時に含むようにしてもよいことが明らかとなった。
【実施例３】
【００３７】
実施例１のＰｔ−Ｐｄ合金からなる人工格子中間層２０とＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２を交互に各２０層形成する代わりに、図６に示すように、０．２〜０．４ｎｍの厚さとなるようにＰｔ−Ｐｄ合金からなる人工格子中間層２０、０〜０．２ｎｍの厚さとなるようにＰｔからなる人工格子中間層２１とＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２を交互に各２０層形成した。この交互に各２０層形成した多層が記録層である。Ｃｏを主成分とする人工格子磁性層２２として、Ｃｏ−６at.%Ｂ−５mol.%ＣｏＯ合金を０．４ｎｍ厚さとなるように形成した。その他は実施例１と同様にして熱エネルギ支援媒体を形成し、Ｉｗ＝４０ｍＡでＳＮＲを評価した。書き込み時の加熱に用いたレーザ出力は４０ｍＷで一定とした。その結果、表３に示すように、人工格子中間層２０としてＰｔ−２０at.%Ｐｄ合金あるいはＰｔ−４０at.%Ｐｄ合金を選択した場合に、人工格子中間層２１のＰｔとの組み合わせで、比較例媒体３−０に比べ１．０〜１．７ｄＢ良好なＳＮＲが得られた。
【００３８】
これらの実施例３−１〜３−８の熱エネルギ支援媒体について、７０℃の環境下でヘッドの媒体表面からの浮上高さを１．５ｎｍとして、半径２１ｍｍの同一トラックについてskew角度を０度として４０９６秒間の連続摺動試験を行なった。いずれの媒体でも４０９６秒経過後にもクラッシュすることなく、安定した浮上による再生出力が得られ、連続摺動によるクラッシュは認められなかった。
【００３９】
【表３】
2010134987.tif 000005
【００４０】
以上の結果から、Ｃｏを主成分とする第１の層としては、実施例１の純度９９．９重量％（３Ｎｕｐ）の真空溶解したＣｏターゲットをＤＣマグネトロンスパッタして形成するだけでなく、実施例２に記載のように、酸素と硼素を同時に含むようにしたＣｏ−８at.%Ｂ−４mol.%Ｃｏ3Ｏ4合金や、実施例２とは別の組成のＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２としてＣｏ−６at.%Ｂ−５mol.%ＣｏＯ合金を用いても良いことが明らかとなった。
【実施例４】
【００４１】
機械的な浮上特性を確認後、幾何学トラック幅ＰＷ１０５ｎｍの書き込み磁極で記録し、シールドギャップ長３５ｎｍを有するＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）ヘッドを用いて熱エネルギ支援媒体の電磁変換特性を測定した。図７に、単磁極ヘッドと近接場光を発生させるための散乱体を組み合わせた記録ヘッドを中心とした断面図を示す。
【００４２】
スライダ３２の表面に近接場光を発生させるための散乱体３４を形成し、その上に磁極３６を形成した。波長７８５ｎｍの半導体レーザ３８を用いて光を発生させ、半導体レーザ３８から発生する光をコア部４０とクラッド部４２から構成される導波路を用いて散乱体３４まで導いた。導波路のコア部４０はクラッド部４２で囲まれている。薄膜コイル４４を用いて発生させた磁界を主磁極４６によって散乱体３４の近くに導いた。主磁極４６及び薄膜コイル４４は、導波路に対して流出端４８側に配置した。散乱体３４の上部にある磁極３６と主磁極４６は、磁極５０を用いて結合した。薄膜コイル４４の反対側には、磁極５１を介して閉磁路を形成するための補助磁極５２を形成した。散乱体３４上の磁極３６と磁極５０、主磁極４６、磁極５１、補助磁極５２によって形成される磁気回路に、コイル４４が鎖交している。導波路の横には、記録信号を再生するための、磁気再生素子５４を形成した。磁気再生素子５４の周辺には、周りからの磁界を遮蔽するためのシールド５６を形成した。この再生素子は、補助磁極５２の横（流出端４８側）に置いても良いが、本実施例では図７に示す再生素子の配置とし、磁気再生素子５４としてＴＭＲ素子を用いた。必要に応じて通電して発熱させることにより再生素子５４を熱膨張させ突出させるようにした薄膜抵抗体５８を形成した。
【００４３】
記録時には１００ｍＷの波長７８５ｎｍの半導体レーザ３８を用いて光を発生させ、記録時に加熱した。再生時には波長７８５ｎｍの半導体レーザ３８を用いず、薄膜抵抗体５８に６０ｍＷ通電する条件で、実施例３で準備した磁気記録媒体について半径２１ｍｍでskew角度を０度として電磁変換特性を評価した。
【００４４】
その結果、表３に示した実施例３−１〜３−８のいずれの媒体でもＳＮＲ＝１２．２〜１３．７ｄＢの値が得られた。７０℃の環境下で、ヘッドの媒体表面からの浮上高さを２ｎｍとして４０９６秒間の摺動試験を行なった。いずれの媒体でも４０９６秒経過後にクラッシュすることなく、安定した浮上による再生出力が得られ、連続摺動によるクラッシュは認められなかった。
【実施例５】
【００４５】
実施例１のＰｔ−Ｐｄ合金からなる人工格子中間層２０とＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２を交互に各２０層形成する代わりに、図８に示すように０．２ｎｍの厚さとなるようにＰｔからなる人工格子中間層２０、０．２ｎｍの厚さとなるようにＰｄからなる人工格子中間層２１、０．２ｎｍの厚さとなるようにＰｔからなる人工格子中間層２０、とＣｏを主成分とする人工格子磁性層２２をこの順に交互に各２０層形成した。この交互に各２０層形成した多層が記録層である。Ｃｏを主成分とする人工格子磁性層２２に替わり、Ｃｏ−８at.%Ｂ−４mol.%ＣｏＯ合金を０．４ｎｍの厚さとなるように形成する他は実施例１と同様に磁気記録媒体を形成し、ＳＮＲを評価した。書き込み電流Ｉｗ＝４０ｍＡとし、図１の配置でヒタチグローバルストレージテクノロジーズ製造の大容量２．５型ハードディスク装置Travelstar 5K320に搭載されているヘッドを用い、レーザ出力を３２ｍＷに設定した場合、ＳＮＲは１３．５ｄＢ程度得られた。
【００４６】
この磁気記録媒体について、７０℃の環境下でヘッドの媒体表面からの浮上高さを２ｎｍとして、半径２１ｍｍの同一トラックについてskew角度を０度として４０９６秒間の連続摺動試験を行なった結果、４０９６秒経過後にクラッシュすることなく、安定した浮上による再生出力が得られ、連続摺動によるクラッシュは認められなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の熱エネルギ支援媒体は、高密度磁気記録を実現する媒体として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明で用いた背面加熱による熱エネルギ支援記録の概念構成図。
【図２】熱エネルギ支援媒体の構成を示す断面図。
【図３】ＳＮＲと書き込み電流Ｉｗの関係を示す図。
【図４】ＳＮＲとＰｔ−４０at.%Ｐｄ合金膜厚の関係を示す図。
【図５】ＳＮＲと線記録密度の関係を示す図。
【図６】本発明で用いた熱エネルギ支援記録ヘッドの断面構成図。
【図７】本発明で用いた熱エネルギ支援記録ヘッドの断面構成図。
【図８】本発明による磁気記録媒体の断面構成図。
【符号の説明】
【００４９】
１…スピンドルモータ
２…媒体
３…サスペンション
４…ヘッドスライダー
５…レーザ光源
６…レンズ
１０…基板
１２…接着層
１４…軟磁性下地層
１４１…軟磁性下地層
１４２…非磁性層
１４３…軟磁性下地層
１６…酸化物中間層
１６１…酸化物中間層
１７…非磁性中間層
１８…結晶配向性制御中間層
２０，２０ｎ，２１，２１ｎ…人工格子中間層
２２，２２ｎ…人工格子磁性層
２４…保護層
２６…潤滑層
３０…磁気記録媒体
３２…スライダ
３４…散乱体
３６…磁極
３８…半導体レーザ
４０…導波路コア部
４２…導波路クラッド部
４４…磁界発生用薄膜コイル
４６…主磁極
４８…流出端
５０，５１…磁極
５２…補助磁極
５４…磁気再生素子
５６…シールド
５８…薄膜抵抗体
【図１】
2010134987.tif 000006
【図２】
2010134987.tif 000007
【図３】
2010134987.tif 000008
【図４】
2010134987.tif 000009
【図５】
2010134987.tif 000010
【図６】
2010134987.tif 000011
【図７】
2010134987.tif 000012
【図８】
2010134987.tif 000013