(57)【要約】      （修正有）【課題】素子の低電圧駆動を可能にし、高効率な素子の提供。【解決手段】下記一般式［１］で示されることを特徴とするビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子。2010013421.tif 000074【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］
【化１】
2010013421.tif 000071
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またＲ４〜Ｒ１１は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。またＱは下記式
【化２】
2010013421.tif 000072
で示されたピリジル基、ピラゾリル基、ピリミジル基およびトリアゾリル基からなる群より選ばれた基であり、Ｒ１２〜Ｒ１９は水素および炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。）
で示されることを特徴とするビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体。
【請求項２】
下記一般式［２］
【化３】
2010013421.tif 000073
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またＲ４〜Ｒ１１は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Ｒ１２〜Ｒ１４は水素および炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。）
で示されることを特徴とするビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体。
【請求項３】
請求項１または２記載のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体よりなるホスト材料。
【請求項４】
請求項１または２記載のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の実用化に向けた研究開発が、国内外の電気メーカーや材料メーカーなどが中心になって進められている。液晶表示素子や発光ダイオードなどの既に世間で知られているディスプレイなどと、互角に渡り歩いていくには消費電力の低減および素子の長寿命化が必須の課題として挙げられている。
そこでこの問題を解決する目的で、近年リン光材料による有機ＥＬ素子の検討がなされている（非特許文献１）。
リン光材料は、従来の蛍光材料と異なり、三重項励起状態を使用することができるため量子効率が非常に高く、エネルギー失活がほとんどなく内部発光量子収率でほぼ１００％に達する材料である。
しかしこのリン光材料は、濃度消光を起こしやすいため蛍光材料と同様にホスト材料との併用が必要になってくる。
高効率発光を得るためには、輸送材料やホスト材料の最適化を図らないといけないが、リン光材料は蛍光材料と異なり三重項エネルギーを完全に閉じ込めないと満足な効果が得られない。特に青色の材料に関してはエネルギーレベルが非常に高い。そのためにこれまで使用されていた４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾール）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）では十分なエネルギーの閉じ込めができない。これまでこの青色リン光エネルギーを満足に閉じ込めることのできるワイドギャップ化されたホスト材料はほとんどなく、青色リン光材料の開発を妨げる一つの要因になっていた。
【０００３】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５（１）４（１９９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、素子の低電圧駆動を可能にし、高効率な素子を提供するために必要な新規なビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１は、下記一般式［１］
【化４】
2010013421.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またＲ４〜Ｒ１１は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。またＱは下記式
【化５】
2010013421.tif 000003
で示されたピリジル基、ピラゾリル基、ピリミジル基およびトリアゾリル基からなる群より選ばれた基であり、Ｒ１２〜Ｒ１９は水素および炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。）
で示されることを特徴とするビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体に関する。
本発明の第２は、下記一般式［２］
【化６】
2010013421.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またＲ４〜Ｒ１１は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Ｒ１２〜Ｒ１４は水素および炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。）
で示されることを特徴とするビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体に関する。
本発明の第３は、請求項１または２記載のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体よりなるホスト材料に関する。
本発明の第４は、請求項１または２記載のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００６】
本発明におけるＲ１〜Ｒ１１における炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ヘキシル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチルなどを挙げることができる。
またＲ４〜Ｒ１１に相当するアルコキシ基やアルキルアミノ基におけるアルキル基についても、上記のアルキル基を例示することができる。
Ｒ１２〜Ｒ１９における炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどを挙げることができる。
【０００７】
本発明の化合物は、下記の反応により製造することができる。
【化７】
2010013421.tif 000005
【化８】
2010013421.tif 000006
式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またＲ４〜Ｒ１１は水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を含有するアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。またＱは下記式
【化９】
2010013421.tif 000007
で示されたピリジル基、ピラゾリル基、ピリミジル基およびトリアゾリル基からなる群より選ばれた基であり、Ｒ１２〜Ｒ１９は水素および炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。
【０００８】
第一反応で使用する溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリン、デカリンなどの芳香族炭化水素系の溶媒で、原料のカルバゾールと反応するハロゲンを含有しないものであれば特に限定されるものではない。好ましくは、トルエン、キシレンおよびエチルベンゼンであり、より好ましくはキシレンである。キシレンに関しては、ｏ−，ｍ−，ｐ−の３種類の異性体が存在するが、これらが必ずしも分離されている必要はなく単一のものでも２種類以上の異性体が混合していても構わない。
反応で使用する塩基類に関しては、アルカリ金属を含むものであれば特に限定されるものではない。例示すれば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムのような水酸化物、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなような炭酸塩、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウムのような重炭酸塩あるいはリチウム、ナトリウム、カリウムあるいはセシウムなどのアルカリ金属のアルコラート、酢酸塩などの有機塩基である。好ましくは、炭酸塩もしくはアルコラートである。より好ましくは上記で述べた溶媒類に可溶なアルコラートであり、反応時間を考慮した場合ナトリウムターシャリーブトキシドである。
反応で使用するパラジウム触媒については、Ｐｄ（II）のものが使用できる。例示できるものとしては、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムと酢酸パラジウムが挙げられる。好ましくは、塩化パラジウムと酢酸パラジウム、より好ましくは塩化パラジウムである。
またパラジウムを活性化するために添加するリン触媒については、第３アルキルホスフィンを使用することができる。例示できるものとしては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ〔ｎ−（ｉｓｏ−）プロピル〕ホスフィン、トリ〔ｎ−（ｉｓｏ−、ｔｅｒｔ−）ブチル〕ホスフィンなどである。好ましくは、トリ〔ｎ−（ｉｓｏ−、ｔｅｒｔ−）ブチル〕ホスフィンでありより好ましくは、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンである。
【０００９】
第二反応で用いる溶媒は、ピナコラートジボロンを溶解させる溶媒を選択しなければならない。例示できるものとして、テトラヒドロフランやジオキサンのような環状エーテル、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドのような高極性溶媒が挙げられる。好ましくは環状エーテル溶媒、より好ましくはジオキサンである。
反応で使用する塩基類に関しては、前述の第一反応で使用される塩基が例示できる。この場合好ましくは、酢酸塩でありより好ましくは反応時間の観点より酢酸カリウムである。
反応で使用するパラジウムについては、第２反応ではホウ素化するためにＰｄ（０）のものが使用できる。ここでは有機配位子とパラジウムがキレートを形成しているものが例示できる。好ましくは、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムあるいはトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム〔Ｐｄ２（ｄｂａ）３〕であり、より好ましくは反応性よりトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムである。
またパラジウムを活性化するために添加するリン触媒については、第３アルキルホスフィンを使用することができる。例示できるものとしては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ〔ｎ−（ｉｓｏ−）プロピル〕ホスフィン、トリ〔ｎ−（ｉｓｏ−、ｔｅｒｔ−）ブチル〕ホスフィンのような脂肪族のものやトリシクロヘキシルホスフィン（ＰＣｙ３）のような脂環式である。用いるパラジウム化合物との相性からここでは脂環式のトリシクロヘキシルホスフィンが好ましい。
【００１０】
第三反応は鈴木カップリング反応で詳細は、Ｍｉｙａｕｒａ，Ｎ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ａ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９５，９５，２４５７などに記述されている。用いる溶媒は、芳香属炭化水素系溶媒とアルコール系溶媒の混合物もしくはエーテル系溶媒が使用できる。芳香属炭化水素系溶媒とアルコール系溶媒の混合物の形で用いる場合の芳香属炭化水素系溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどが例示できる。また対応するアルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどが例示できる。エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフランや１，４−ジオキサンのような環状エーテルやメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールジメトキシエーテルやエチレングリコールジエトキシエーテルなどが例示できる。
溶媒に対する原料の溶解性が反応進行の鍵になるため、好ましい溶媒はトルエンとアルコール系の混合溶媒であり、より好ましくはトルエンとエタノールの混合溶媒である。
反応で使用する塩基類に関しては、前述の第一反応で使用される塩基が例示できる。好ましくは、アルカリ金属の炭酸塩もしくは重炭酸塩であり、より好ましくは炭酸カリウムである。
反応で使用するパラジウムについては、第３反応はハロゲン化合物とホウ酸化合物とのカップリング反応であるため、第２反応と同様にＰｄ（０）のものが使用できる。好ましくは、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム〔Ｐｄ（ＰＰｈ３）４〕あるいはトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムであり、より好ましくはパラジウム化合物の反応性よりテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムである。
【００１１】
本発明の化合物の具体例を以下に例示する。なお、下記例示化合物においてメチル基は、他のアルキル基例えばエチル基やプロピル基などと置き換えることができる。
【００１２】
【化１０】
2010013421.tif 000008
【００１３】
【化１１】
2010013421.tif 000009
【００１４】
【化１２】
2010013421.tif 000010
【００１５】
【化１３】
2010013421.tif 000011
【００１６】
【化１４】
2010013421.tif 000012
【００１７】
【化１５】
2010013421.tif 000013
【００１８】
【化１６】
2010013421.tif 000014
【００１９】
【化１７】
2010013421.tif 000015
【００２０】
【化１８】
2010013421.tif 000016
【００２１】
【化１９】
2010013421.tif 000017
【００２２】
【化２０】
2010013421.tif 000018
【００２３】
【化２１】
2010013421.tif 000019
【００２４】
【化２２】
2010013421.tif 000020
【００２５】
【化２３】
2010013421.tif 000021
【００２６】
【化２４】
2010013421.tif 000022
【００２７】
【化２５】
2010013421.tif 000023
【００２８】
【化２６】
2010013421.tif 000024
【００２９】
【化２７】
2010013421.tif 000025
【００３０】
【化２８】
2010013421.tif 000026
【００３１】
【化２９】
2010013421.tif 000027
【００３２】
【化３０】
2010013421.tif 000028
【００３３】
【化３１】
2010013421.tif 000029
【００３４】
【化３２】
2010013421.tif 000030
【００３５】
【化３３】
2010013421.tif 000031
【００３６】
【化３４】
2010013421.tif 000032
【００３７】
【化３５】
2010013421.tif 000033
【００３８】
【化３６】
2010013421.tif 000034
【００３９】
【化３７】
2010013421.tif 000035
【００４０】
【化３８】
2010013421.tif 000036
【００４１】
【化３９】
2010013421.tif 000037
【００４２】
【化４０】
2010013421.tif 000038
【００４３】
【化４１】
2010013421.tif 000039
【００４４】
【化４２】
2010013421.tif 000040
【００４５】
【化４３】
2010013421.tif 000041
【００４６】
【化４４】
2010013421.tif 000042
【００４７】
【化４５】
2010013421.tif 000043
【００４８】
【化４６】
2010013421.tif 000044
【００４９】
【化４７】
2010013421.tif 000045
【００５０】
【化４８】
2010013421.tif 000046
【００５１】
【化４９】
2010013421.tif 000047
【００５２】
【化５０】
2010013421.tif 000048
【００５３】
【化５１】
2010013421.tif 000049
【００５４】
本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体は高いキャリア輸送性能を有する。従って、ホスト材料として使用することができる。これらはいずれも蒸着により層形成を行うのが望ましい。
【００５５】
本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する場合、適当な発光材料と組み合わせて使用することができる。
【００５６】
本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を発光層に用いる場合、本発明の化合物はホスト材料として使用できる。
【００５７】
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に複数層の有機化合物を積層した素子であり、発光層のホスト材料として本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を含有する。発光層は、発光材料とホスト材料から構成される。多層型の有機ＥＬ素子の構成例としては、例えば陽極（例えばＩＴＯ）／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層（正孔注入層）／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。
【００５８】
ホール輸送層、電子輸送層、および発光層のそれぞれの層は、各機能を分離した多層構造であることが望ましい。またホール輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層（ホール注入層および電子注入層）と輸送機能を受け持つ層（ホール輸送層および電子輸送層）を別々に設けることもできる。
【００５９】
以下本発明の有機ＥＬ素子の構成要素に関して、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極からなる素子構成を例として取り上げて説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、基板に支持されていることが好ましい。
【００６０】
基板の素材については特に制限はなく、例えば、従来の有機ＥＬ素子に慣用されているものが使用でき、例えば、ガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００６１】
本発明の有機ＥＬ素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体（４ｅＶ以上）、仕事関数の大きな金属同士の合金（４ｅＶ以上）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ＩＴＯ（インジウム−スズオキサイド）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。
【００６２】
陰極としては、仕事関数の小さな金属単体（４ｅＶ以下）、仕事関数の小さい金属同士の合金（４ｅＶ以下）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作成することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。
本発明の有機ＥＬ素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は透明もしくは半透明であることが好ましい。
【００６３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層（正孔輸送層）は、ホール（正孔）伝達化合物からなるもので、陽極より注入されたホール（正孔）を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極の間に正孔伝達化合物が配置されて陽極からホールが注入された場合、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上のホール移動度を有するホール伝達物質が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層に使用するホール伝達物質は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料においてホールの電荷注入材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００６４】
前記のホール伝達物質としては、たとえば銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｍ−トリル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４−ジアミノフェニル（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４−ジアミノフェニル（α−ＮＰＤ）等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、および水溶性のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）などが挙げられる。ホール輸送層は、これらの他のホール伝達化合物一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記のホール伝達物質とは別の化合物からなるホール輸送層を積層したものでも良い。
ホール注入材料としては、下記化学式に示されるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリマー混合物）やＤＮＴＰＤを挙げることができる。
【化５２】
2010013421.tif 000050
ホール輸送材料としては、下記化学式に示すＴＰＤ、ＤＴＡＳｉ、α−ＮＰＤなどを挙げることができる。
【化５３】
2010013421.tif 000051
【００６５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層は、電子輸送材料からなるもので、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極の間に電子輸送材料が配置されて陰極から電子が注入された場合、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上の電子移動度を有する電子輸送材料が好ましい。本発明の有機ＥＬ素子に使用する電子輸送層に使用する電子輸送材料は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において電子の電荷注入材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００６６】
前記の電子輸送材料としては、たとえばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）のようなキノリン錯体、１−Ｎ−フェニル−２−（ｐ−ビフェニルイル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（ＴＡＺ）のようなトリアジン誘導体、１，４−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ベンゼン（ＤＰＢ）のようなフェナントロリン誘導体、フッ化リチウムのようなハロゲン化アルカリ金属などが挙げられる。電子輸送層は、これらの他の電子輸送材料の一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記の電子輸送材料とは別の化合物からなる電子輸送層を積層したものでも良い。
【００６７】
電子注入材料としては、下記化学式に示されるフッ化リチウム（ＬｉＦ）や８−ヒドロキシキノリノラトリチウム錯体（Ｌｉｑ）などを挙げることができるが、本出願人の特願２００６−２９２０３２号にかかげるフェナントロリン誘導体のリチウム錯体（ＬｉＰＢ）や特願２００７−２９６９５号に掲げるフェノキシピリジンのリチウム錯体（ＬｉＰＰ）を用いることもできる。
【化５４】
2010013421.tif 000052
【００６８】
電子輸送材料としては、下記化学式に示すＡｌｑ３、ＴＡＺ、ＤＰＢなどを挙げることができる。
【化５５】
2010013421.tif 000053
【００６９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく、任意のものを選択して用いることができる。
【００７０】
発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体（例えばクマリン１、クマリン５４０、クマリン５４５など）、ピラン誘導体（例えばＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなど）、有機金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｍｑ３）等の蛍光材料や〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジル−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリレート（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛１−〔４−（トリフルオロメチル）フェニル〕−１Ｈ−ピラゾラート−Ｎ，Ｃ２′｝イリジウム（III）（Ｉｒｔｆｍｐｐｚ３）、ビス［２−（４′，６′−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２′］イリジウム（III）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（ＦＩｒ６）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）（Ｉｒｐｐｙ３）などのリン光材料などを挙げることができる。
【００７１】
発光層は、ホスト材料と発光材料（ドーパント）から形成される［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５  ３６１０（１９８９）］。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要であり、この時使用されるホスト材料としては本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を用いることが好ましい。その他既存のホスト材料４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，４−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン−２，２′−ジ［４″−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１，１′−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）等と併用することもできる。
【化５６】
2010013421.tif 000054
【００７２】
発光材料は、ホスト材料に対して好ましくは０．０１〜４０重量％であり、より好ましくは０．１〜２０重量％である。発光材料としては、下記に示す従来公知のＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒｐｐｙ３、Ｆｉｒ６等を挙げることができる。
【化５７】
2010013421.tif 000055
【００７３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、ホール注入性をさらに向上させる目的で陽極と有機化合物の層の間に有機導電体から構成されるホール注入層をさらに設けても良い。ここで使用されるホール注入材料としては、本発明の化合物の他に銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、およびＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）などが挙げられる。
【００７４】
本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体を含む素子のホール注入層、ホール輸送層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）、湿式製膜法〔溶媒塗布法（例えばスピンコート法、キャスト法、インクジェット法など）〕を使用することができる。電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）に限定される。素子の作成については上記の製膜法を併用しても構わない。
【００７５】
真空蒸着法によりホール輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常１０−５Ｔｏｒｒ程度以下の真空下で５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着原温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
【００７６】
ホール注入層、ホール輸送層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒（例えばヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等）、ハロゲン系溶媒（例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等）、エステル系溶媒（例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等）、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、エーテル系溶媒（例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等）、非プロトン性溶媒（例えばＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等）、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。
【００７７】
ホール輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５〜５，０００ｎｍになるようにする。
【００７８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層（封止層）を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。
【００７９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として通常１．５〜２０Ｖ程度印加すると発光が観察される。また本発明の有機ＥＬ素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
【００８０】
図２０〜２８に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい例を示す。
【００８１】
図２０は、本発明の有機ＥＬ素子における一例を示す断面図である。図２０は、基板１上に陽極２、正孔輸送層５、発光層３および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は電子輸送性の機能を有している場合に有用である。
【００８２】
図２１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２１は、基板１上に陽極２、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６および陰極４を順次設けた構成のものである。これはキャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。
【００８３】
図２２は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２２は、基板１上に陽極２、ホール注入層７、ホール輸送層５、発光層３、電子輸送層６および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、ホール注入層７を設けることにより、陽極２とホール輸送層５の密着性を高め、陽極からのホールの注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。
【００８４】
図２３は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２３は、基板１上に陽極２、ホール輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陰極４から電子の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。
【００８５】
図２４は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２４は、基板１上に陽極２、ホール注入層７、ホール輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陽極２からホールの注入を良くし、陰極４から電子注入を良くし、最も低電圧駆動に効果がある構成である。
【００８６】
図２５〜２８は素子の中にホールブロック層を挿入したものの断面図である。ホールブロック層は、陽極から注入されたホール、あるいは発光層３で再結合により生成した励起子が、陰極４に抜けることを防止する効果があり、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上に効果がある。ホールブロック層９については、発光層３と陰極４の間もしくは発光層３と電子輸送層６の間あるいは発光層３と電子注入層８の間に挿入することができる。より好ましいものは発光層３と電子輸送層６の間である。
【００８７】
図２５〜２８で、ホール輸送層５、ホール注入層７、電子輸送層６、電子注入層８、発光層３、ホールブロック層９のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であっても良い。
【００８８】
図２０〜２８は、あくまでも基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の構成はこれに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００８９】
本発明のビス（ジカルバゾリルフェニル）誘導体、例えば２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジンは、ガラス転移温度が１８６℃と高く実用性に十分なレベルの熱特性を有している。このものを発光層に用いた素子は、輝度−電流特性、電流密度−電圧特性が従来のホスト材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に比べて良好である。また長時間素子を点灯させても電圧上昇も少ない。
よって本発明の化合物は、素子を高効率化させるために必要なものであり工業的に極めて重要なものである。
【実施例】
【００９０】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００９１】
実施例１
２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の合成
１）３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）クロロベンゼン（ＤＣｚＣＢ）の合成
【化５８】
2010013421.tif 000056
四つ口フラスコに１，３−ジブロモクロロベンゼン（８．１１ｇ，３０ｍｍｏｌ）、カルバゾール（１０．５ｇ，６３ｍｍｏｌ）、塩化パラジウム（２６６ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、ターシャルブチルホスフィン（１．２１ｇ，６．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャルブトキシド（８．６５ｇ，９０ｍｍｏｌ）と脱水キシレン（２５０ｍｌ）を入れて、窒素気流下１２５℃で３０時間反応させた。その後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフ（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−ヘキサン＝２／１、トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／３）で行い、１．８１ｇのＤＣｚＣＢを得た。収率１３．６％
２）３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）ベンゼン−４′４′５′５′−テトラメチル−１′，３′，２′−ジオキサボロラン（ＤＣｚＢＤＯＢ）の合成
【化５９】
2010013421.tif 000057
四つ口フラスコに３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）クロロベンゼン（ＤＣｚＣＢ）（１．８１ｇ，４．０９ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボラン（１．１４ｇ，４．４９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１．２０ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〔Ｐｄ２（ｄｂａ）３〕（１２３ｍｇ，０．１３５ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（ＰＣｙ３）（１８２ｍｇ，０．６４８ｍｍｏｌ）と無水１，４−ジオキサン（１００ｍｌ）を入れて、窒素気流下８０℃で７２時間反応させた。その後、反応溶液を水に注ぎ酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフ（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−ヘキサン＝１／２）を行い、０．７ｇのＤＣｚＢＤＯＢを得た。この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを図１に示す。収率３２．０％
３）２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の合成
【化６０】
2010013421.tif 000058
四つ口フラスコにＤＣｚＢＤＯＢ（０．７０ｇ，１．３１ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモピリジン（０．１２４ｇ，０．５２４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム〔Ｐｄ（ＰＰｈ３）４〕（４５．４ｍｇ，０．０３９３ｍｍｏｌ）、トルエン：エタノール＝３：１の混合溶媒（４０ｍｌ）と２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１０ｍｌ）を入れて、窒素気流下９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応溶液に水を注ぎクロロホルムで抽出した。
精製はカラムクロマトグラフ（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−ヘキサン＝１／２）を行い、白色の粉末を０．４４８ｇ得た。収率９５．８％
得られた２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の１Ｈ−ＮＭＲを図２に示し、紫外線吸収スペクトルを図３に示す。また蛍光スペクトルを図４に示す。
また電気化学特性を表１に示す。
【表１】
2010013421.tif 000059
ａ  ：Ｄｅｔｅｒｍａｉｎｅｄ  ｂｙ  ＡＣ−３
ｂ  ：Ｅａ＝Ｉｐ  −ｅｎｅｒｇｙ  ｇａｐ
ｃ  ：Ｅｎｅｒｇｙ  ｇａｐ  ｗａｓ  ｅｓｔｉｍａｔｅ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ
ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ
Ｉｐ：イオン化ポテンシャル
Ｅｇ：エネルギーギャップ
Ｅａ：エネルギーアフィニティ（電子親和力）
エネルギーギャップ（Ｅｇ）については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりのところに接線を引き、求まった交点の波長Ｗ（ｎｍ）を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がＥｇになる。
Ｅｇ＝１２４０÷Ｗ
例えば接線を引いて求めた値Ｗ（ｎｍ）が４７０ｎｍだったとしたらこの時のＥｇの値は
Ｅｇ＝１２４０÷４７０＝２．６３（ｅＶ）
と言うことになる。
ＩＰ（イオン化ポテンシャル）はイオン化ポテンシャル測定装置（例えば理研計器ＡＣ−３）を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始したところの電圧（ｅＶ）の値を読む。
Ｅａ（電子親和力）は、ＩｐからＥｇを引いた値である。
実施例１で得られた２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の熱特性を表２に示す。
【表２】
2010013421.tif 000060
Ｔｇ：ガラス転移温度
Ｔｍ：融点
Ｔｄ：５％重量減少温度
【００９２】
実施例２および比較例１
実施例１で合成したホスト材料ＢＤＣｚＰＰｙを用いた青色リン光素子を作成した。またこの素子と比較するため、特許第４０８２２９７号公報記載の下記化合物〔３，３′，５，５′−テトラ（カルバゾール−９−イル）−１，１′−ビフェニル（以下ＴＣｚＢＰと略す）〕
【化６１】
2010013421.tif 000061
をホスト材料に用いた青色リン光素子を比較例１として作成した。
素子の構成
実施例２
◇：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）（ホール注入層）／３ＤＴＡＰＢＰ（３０ｎｍ）（ホール輸送層）／ＢＤＣｚＰＰｙ：ＦＩｒｐｉｃ（１３ｗｔ％）（１０ｎｍ）（発光層）／ｔｅｔｒａ−ｍＰｙＰｈＢＰ（４０ｎｍ）（電子輸送層）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）（電子注入層）／Ａｌ（１００ｎｍ）
比較例１
○：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（３０ｎｍ）／ＴＣｚＢＰ
：ＦＩｒｐｉｃ（１３ｗｔ％）（１０ｎｍ）／ｔｅｔｒａ−ｍＰｙＰｈＢＰ（４０ｎｍ）
／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
ＴＰＤＰＥＳ｛ポリ〔オキシ−１，４−フェニレンスルホニル−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレン（フェニルイミノ）（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジイル（フェニルイミノ）−１，４−フェニレン〕｝の構造式
【化６２】
2010013421.tif 000062
３ＤＴＡＰＢＰ〔３，３′″−ジ（Ｎ，Ｎ−ジトリル）アミノ−１，１′：３′，１″：３″，１′″−クォーターフェニル〕の構造式
【化６３】
2010013421.tif 000063
Ｔｅｔｒａ−ｍＰｙＰｈＢＰ｛３，３′，５，５′−テトラ〔３−（ピリジン−３−イル）フェニル〕−１，１′−ビフェニル｝の構造式
【化６４】
2010013421.tif 000064
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルは図５に、
輝度−電圧特性は図６に、
電流密度−電圧特性は図７に、
電流効率−電圧特性は図８に、
視感効率−電圧特性は図９に、
視感効率−輝度特性は図１０に、
外部量子効率−輝度特性は図１１に、
それぞれ示す。
１００ｃｄ／ｍ２時の電圧、電流密度、視感効率（Ｐ．Ｅ．）および外部量子効率（Ｑ．Ｅ．）を表３に示す。
【表３】
2010013421.tif 000065
また１０００ｃｄ／ｍ２時の電圧、電流密度、視感効率および外部量子効率を表４に示す。
【表４】
2010013421.tif 000066
【００９３】
実施例３および比較例２
実施例１で合成したホスト材料ＢＤＣｚＰＰｙを用いた緑色リン光素子を作成した。またこの素子と比較するため、特許第４０８２２９７号公報記載のＴＣｚＢＰをホスト材料に用いた緑色リン光素子を比較例２として作成した。
素子の構成
実施例３
△：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）（ホール輸送層）／ＢＤＣｚＰＰｙ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（１０ｎｍ）／ＴｐＰｙＰｈＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）；
比較例２
◇：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＴＣｚＢＰ
：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（１０ｎｍ）／ＴｐＰｙＰｈＢ（５０ｎｍ）（電子輸送層）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）．
ＴＡＰＣ［１，１−ビス｛４−〔Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ〕フェニル｝シクロヘキサン］の構造式
【化６５】
2010013421.tif 000067
ＴｐＰｙＰｈＢ｛１，３，５−トリス〔４−（ピリジン−３−イル）フェニル〕ベンゼン｝の構造式
【化６６】
2010013421.tif 000068
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルは図１２に、
輝度−電圧特性は図１３に、
電流密度−電圧特性は図１４に、
電流効率−電圧特性は図１５に、
視感効率−電圧特性は図１６に、
視感効率−輝度特性は図１７に、
外部量子効率−輝度特性は図１８に、
電流効率−電流密度特性は図１９に
それぞれ示す。
１００ｃｄ／ｍ２時の電圧、電流密度、視感効率（Ｐ．Ｅ．）および外部量子効率（Ｑ．Ｅ．）を表５に示す。
【表５】
2010013421.tif 000069
また１０００ｃｄ／ｍ２時の電圧、電流密度、視感効率および外部量子効率を表６に示す。
【表６】
2010013421.tif 000070
以上のことから明らかなように１０００ｃｄ／ｍ２またはこれ以上の条件になると本発明化合物の優位性は顕著である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】実施例１のＤＣｚＢＤＯＢの１Ｈ−ＮＭＲを示す。
【図２】実施例１のＢＤＣｚＰＰｙの１Ｈ−ＮＭＲを示す。
【図３】実施例１の２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の紫外線吸収スペクトルを示す。
【図４】実施例１の２，６−ジ〔３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル〕ピリジン（ＢＤＣｚＰＰｙ）の蛍光スペクトルを示す。
【図５】実施例２と比較例１のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを示す。
【図６】実施例２と比較例１の輝度−電圧特性を示す。
【図７】実施例２と比較例１の電流密度−電圧特性を示す。
【図８】実施例２と比較例１の電流効率−電圧特性を示す。
【図９】実施例２と比較例１の視感効率−電圧特性を示す。
【図１０】実施例２と比較例１の視感効率−輝度特性を示す。
【図１１】実施例２と比較例１の外部量子効率−輝度特性を示す。
【図１２】実施例３と比較例２のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを示す。
【図１３】実施例３と比較例２の輝度−電圧特性を示す。
【図１４】実施例３と比較例２の電流密度−電圧特性を示す。
【図１５】実施例３と比較例２の電流効率−電圧特性を示す。
【図１６】実施例３と比較例２の視感効率−電圧特性を示す。
【図１７】実施例３と比較例２の視感効率−輝度特性を示す。
【図１８】実施例３と比較例２の外部量子効率−輝度特性を示す。
【図１９】実施例３と比較例２の電流効率−電流密度特性を示す。
【図２０】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２１】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２２】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２３】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２４】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２５】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２６】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２７】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図２８】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  基板
２  陽極（ＩＴＯ）
３  発光層
４  陰極
５  正孔（ホール）輸送層
６  電子輸送層
７  正孔（ホール）注入層
８  電子注入層
９  正孔（ホール）ブロック層
【図１】
2010013421.tif 000075
【図２】
2010013421.tif 000076
【図３】
2010013421.tif 000077
【図４】
2010013421.tif 000078
【図５】
2010013421.tif 000079
【図６】
2010013421.tif 000080
【図７】
2010013421.tif 000081
【図８】
2010013421.tif 000082
【図９】
2010013421.tif 000083
【図１０】
2010013421.tif 000084
【図１１】
2010013421.tif 000085
【図１２】
2010013421.tif 000086
【図１３】
2010013421.tif 000087
【図１４】
2010013421.tif 000088
【図１５】
2010013421.tif 000089
【図１６】
2010013421.tif 000090
【図１７】
2010013421.tif 000091
【図１８】
2010013421.tif 000092
【図１９】
2010013421.tif 000093
【図２０】
2010013421.tif 000094
【図２１】
2010013421.tif 000095
【図２２】
2010013421.tif 000096
【図２３】
2010013421.tif 000097
【図２４】
2010013421.tif 000098
【図２５】
2010013421.tif 000099
【図２６】
2010013421.tif 000100
【図２７】
2010013421.tif 000101
【図２８】
2010013421.tif 000102