(57)【要約】【課題】球状突起に起因する画像欠陥を克服し、電気特性の優れた光受容部材を安価に安定して製造し得る光受容部材の形成方法を提供する。【解決手段】気相成長法により、円筒状の基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、補助基体の外面の算術平均高さＲａが、０．１μm以上、１．０μm未満であることを特徴とする光受容部材の形成方法。【選択図】  図１
2010134056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部及び／又は下部に補助基体を設けた円筒状基体を減圧にし得る堆積室内に設置し、気相成長法により前記円筒状基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、
前記補助基体の外面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均高さＲａで０．１μm以上、１．０μm未満であることを特徴とする光受容部材の形成方法。
【請求項２】
前記補助基体の軸方向に沿って測定した算術平均高さＲａが周方向に沿って測定した算術平均高さＲａより大きいことを特徴とする請求項１に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項３】
前記補助基体の軸方向に沿って測定した算術平均高さＲａが周方向に沿って測定した算術平均高さＲａより０．１μｍ以上大きいことを特徴とする請求項２に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項４】
前記補助基体の外面を研磨部材で研磨したことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の光受容部材の形成方法。
【請求項５】
前記研磨部材が、研磨布、不織布研磨材、フェルトの中の少なくとも一つ、或いはそれらの組み合わせであることを特徴とする請求項４に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項６】
前記研磨部材を円筒状とし、前記研磨部材を回転させて前記補助基体の外面に当接させることによって前記補助基体の外面を研磨することを特徴とする請求項４又は５に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項７】
前記研磨部材の幅が、前記補助基体の軸方向の長さと略同一であることを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の光受容部材の形成方法。
【請求項８】
前記研磨を行う際、潤滑剤として水を供給しながら行うことを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の光受容部材の形成方法。
【請求項９】
前記補助基体の外面を研磨部材で研磨する前に、あらかじめブラスト処理することを特徴とする請求項４乃至８の何れかに記載の光受容部材の形成方法。
【請求項１０】
電子写真用光受容部材の形成に用いられることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の光受容部材の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す。）の様な電磁波に感受性のある光受容部材を連続して安定に形成する光受容部材の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真用光受容部材に用いられる素子部材を、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）等の各種材料から構成する技術が提案されている。中でもケイ素原子を主成分として含む非晶質堆積膜、例えば水素および／またはハロゲン（例えばフッ素や塩素等）で補償されたａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜が提案されている。このようなアモルファス堆積膜は、高性能、高耐久、無公害な感光体であり、広く実用化されている。
【０００３】
このような堆積膜の形成方法として、従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する熱ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法等、多数の方法が知られている。プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを直流または高周波（ＲＦやＶＨＦ）やマイクロ波などのグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基体上に薄膜状堆積膜を形成する。このプラズマＣＶＤ法は、電子写真用ａ−Ｓｉ堆積膜の形成方法等において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。
これらの技術により、電気的、光学的、および光導電率的特性が向上し、さらに、画像品位の向上も可能になっている。
【特許文献１】特開平０９−１２７７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の堆積膜形成方法により、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が達成され、生産コストの安い、実用的な特性と均一性を持つ電子写真用光受容部材を得ることが可能になった。また真空堆積室内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない電子写真用光受容部材を得ることは可能である。
しかしながら、これらの堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【０００５】
すなわち、近年、急激に需要が広がっているカラー複写機においては、これまで以上に画像欠陥に対する要求が厳しい。ところが、電子写真用光受容部材のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品においては、その感光体の製造工程が長時間に渡るために製造工程中にダストが発生しやすく、且つ、堆積面の面積が広いため、自ずとダストが付着する確率も高まる傾向がある。このダスト起因の堆積膜の異常成長は画像欠陥に直結するため、極力なくすことが必要となってきた。
従って、膜堆積速度が速く、光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスによる画像形成時に画像欠陥が少ない堆積膜を高収率で得るためには、改善すべき問題が残存していた。
【０００６】
上記の感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長とは次のようなものである。
ａ−Ｓｉ膜は円筒状基体表面に数μｍオーダーのダストが付着した場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って円筒状基体側に抜けてしまう。このため、球状突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【０００７】
この球状突起は、ダストを起点としているため、使用する円筒状基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、成膜開始前に円筒状基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。
しかし、球状突起の発生原因は円筒状基体上に付着したダストのみではない。すなわち、ａ−Ｓｉ光受容部材を製造する場合、要求される膜厚が数μmから数１０μmと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及び、この間にａ−Ｓｉ膜は円筒状基体のみではなく、反応炉壁や反応炉内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は円筒状基体のように管理された表面や温度を有していないため、場合によってはａ−Ｓｉ膜との密着力が弱く、長時間に渡る成膜中に膜剥がれを起こす場合があった。成膜中に僅かでも膜剥がれが発生すると、それがダストとなり、堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって球状突起の異常成長が発生してしまう。
【０００８】
従って、画像欠陥が少ない堆積膜を高収率で得るためには、成膜前の円筒状基体の管理のみならず、成膜中における成膜炉内の膜剥がれの防止についても慎重な管理が必要とされ、ａ−Ｓｉ光受容部材の製造を難しいものにしていた。
本発明の目的は、上述のごとき電子写真用光受容部材等に用いられる従来の光受容部材における諸問題、具体的には球状突起に起因する画像欠陥を、電気的特性を犠牲にすることなく克服して、安価に安定して歩留まり良く製造し得る、高画質の使いやすい電子写真用光受容部材の製造を可能にする光受容部材の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、上部及び／又は下部に補助基体を設けた円筒状基体を減圧にし得る堆積室内に設置し、気相成長法により円筒状基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、前記補助基体の外面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均高さＲａで、０．１μm以上、１．０μm未満であることを特徴とする光受容部材の形成方法を提供するものである。
また、前記補助基体の軸方向に沿って測定した算術平均高さＲａが、周方向に沿って測定した算術平均高さＲａより、大きいことを特徴とする光受容部材の形成方法を提供するものである。
また、前記補助基体の軸方向に沿って測定した算術平均高さＲａが、周方向に沿って測定した算術平均高さＲａより、０．１μｍ以上大きいことを特徴とする光受容部材の形成方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明においては、上部及び／又は下部に補助基体を設けた円筒状基体を減圧にし得る堆積室内に設置し、気相成長法により該円筒状基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、前記補助基体の外面の算術平均高さＲａを０．１μm以上、１．０μm未満とすることにより、成膜中に補助基体に成膜される堆積膜の密着性が向上し、剥がれにくくなることで成膜中に発生するダストが減少し、球状突起の発生数を減少させ、その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状または黒点状の画像欠陥が大幅に減少する。
また、本発明によるところの補助基体は、外面の算術平均高さＲａを０．１μm以上、１．０μm未満とされているため、補助基体表面からの熱放射率は、表面が鏡面仕上げされた円筒状基体と近くなる。このため、補助基体に接する円筒状基体の温度分布が均一化され、光受容部材の軸方向の特性や膜厚の均一化が促進される。また、補助基体と円筒状基体の温度分布が均一化されるため、両者の熱膨張率が一致し、接触部分での位置ズレや、傾きを低減することができ、その結果放電状態を安定化することができ、光受容部材の膜質の均一化や、製造ロット毎の特性上のバラツキを大幅に減少することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
ａ−Ｓｉからなる光受容部材は、前述のようにプラズマＣＶＤ法の如き気相成長法により形成されるが、光受容部材形成時のプラズマ状態（放電状態）は、その光受容部材の諸特性を大きく左右する。
例えば高周波プラズマＣＶＤ法の場合、高周波電極を兼ねた反応炉と対向電極としての円筒状基体が同心円状に配置され、その間でプラズマを発生させて成膜を行う。このとき、例えば補助基体なしで円筒状基体のみを設置すると、円筒状基体の端部においては対向電極が消失するため、放電状態の乱れが生じてしまう。このため、円筒状基体の軸方向全体に渡って均一な膜を形成する目的で、通常、円筒状基体の上部及び／又は下部に補助基体を設けて放電均一化を図ることが一般的に行われる。補助基体には円筒状基体と同じ厚さの堆積膜が付着するため、成膜中にこれらの膜が剥がれないようにする必要がある。
【００１２】
しかし、円筒状基体は鏡面旋盤により精密に鏡面仕上げされており、密着性が高いのに対し、補助基体は繰り返し使用するために再生処理として、例えばブラスト処理（砂やビーズ等の研磨剤を圧縮空気の力でたたきつけて表面を削る処理方法）をしており、表面性に大きな違いがある。このため、鏡面切削された円筒状基体に対して密着性が最適化された製造条件では、時として補助基体から膜剥がれが生じることがあった。
さらに、補助基体をブラスト処理などにより再生する場合の問題点としては、研磨材として使われている砂やビーズ、或いはそれらの破片が補助基体の表面に突き刺さることがあることである。補助基体の表面に突き刺さったこれらの破片はそのまま堆積室内に持ち込まれる。そして、円筒状基体及び補助基体が加熱される際に脱落して堆積室内を汚染したり、成膜中に脱落して発塵したり、光受容部材の表面に付着して画像欠陥を引き起こしてしまう場合があった。
【００１３】
本発明者らはこの補助基体からの膜剥がれや発塵による品質低下問題について鋭意検討を行った。そして、補助基体の表面粗さを様々に変化させてａ−Ｓｉ膜の密着性の評価を行ったところ、おおよそ図１のような傾向があることを見出した。すなわち、
（１）密着性は極小値を持つこと
（２）極小値を境にして表面粗さを荒らしても、減らしても密着性は向上していくこと
（３）表面粗さを増大させると密着性は向上していくが、徐々に効果は飽和していくこと
（４）表面粗さを荒らす方向よりも、表面粗さを減らす方向の方が密着性を高くできること
が判明した。
【００１４】
従来、密着性を上げるためには、表面粗さを荒らすことが良く行われているが、図１から対策の方向性は間違っていないことが分かる。しかし、今回の検討で判明したことは、それと全く逆の方向である表面粗さを下げる方が荒らした場合より密着性向上に効果がある、ということである。この結果から、補助基体を鏡面仕上げにすることが密着性向上の観点からは最も効果的であることが分かる。
しかし、実際に生産において鏡面仕上げした補助基体を投入するには、成膜毎に補助基体を鏡面旋盤で切削し、切削油の洗浄、乾燥を経て再使用する必要があるため、製造コストが大幅に増加してしまう。また、ブラストやエッチングで補助基体を再生する場合に比べて鏡面旋盤による切削で再生すると補助基体の切りしろが多くなって消耗が激しく、補助基体の繰り返し使用回数が著しく制限されるという問題も発生する。
従って、鏡面仕上げした補助基体を用いることはコスト面で不利であり望ましくない、との結論に至った。
【００１５】
そこで、本発明者らは、鏡面仕上げに匹敵する膜の密着性を持ち、かつ、製造コストの増加に結びつかない方法を鋭意検討した。
その結果、補助基体の周囲を研磨部材で研磨し、算術平均高さＲａを０．１μｍ以上、１．０μm未満にすると鏡面仕上げと同等の密着性が得られることを見出した。
【００１６】
また、補助基体を研磨部材で研磨することで、ブラスト処理で発生するようなビーズ等の破片の刺さりが発生せず、堆積室内を汚染したり、成膜中に破片が脱落したりすることが防止できる。
また、前もって補助基体のブラスト処理を行い、次に本発明に従って研磨処理を行った場合でも、ブラスト処理時に補助基体表面に突き刺さった破片が研磨工程で除去されるため、破片による画像欠陥の発生を効果的に抑えられることが判明した。
このように研磨仕上げした補助基体の密着性が鏡面仕上げ並に向上する原因を詳細に検討した結果、次のことが判明した。
【００１７】
すなわち、図２の模式図に示したように、本発明の補助基体２０１の表面には周方向に多数の研磨スジ２０２が入っていることが観察された。そして、補助基体の周方向と軸方向の表面粗さを調べると、周方向に比べて軸方向が粗くなっていることが判明した。周方向の算術平均高さＲａと軸方向の算術平均高さＲａを比較すると、軸方向のＲａは概ね周方向より０．１μｍ以上大きい値となっていた。この表面粗さの異方性が何らかの効果をもたらしている可能性を考え、さらに検討していくと次のことがわかった。
すなわち、電子写真用光受容部材に用いられるような光受容部材においては、通常、膜厚が２０〜５０μｍもの厚さとなり、膜剥がれなく堆積させることが非常に難しい。このため、応力調整をすることが常識となっているが、通常は、円筒状基体の曲率に合わせて圧縮応力となるように膜応力を調整し、密着性を高めている。このため、周方向の密着性は高くなるが、一方で軸方向では曲率が無いため、密着性が悪くなりやすい。
【００１８】
本発明の補助基体の表面には前述したように周方向に多数の研磨スジが入っているが、成膜後の補助基体の表面を光学顕微鏡で詳細に観察すると、周方向の研磨スジに沿って、微小な球状突起が多数成長していることが判明した。すなわち、これらの微小な球状突起が周方向に異方性を持って多数成長することにより、軸方向で大きくなりがちだった応力をうまく緩和して密着性を上げている可能性が高いと考えられる。
このことを確かめるために、補助基体の研磨をランダムな方向で行い、周方向の表面粗さと軸方向の表面粗さをほぼ等しくなるように行い、密着性を確認した。その結果、周方向に比べて軸方向が粗くなっている補助基体に比べて僅かに密着性は劣る結果となった。但し、従来のブラスト処理の補助基体と比べると格段に密着性が改善していることには変わりなかった。
【００１９】
従って、本発明の効果を得るには、
補助基体の表面を算術平均高さＲａで０．１μｍ以上、１．０μm未満にすることが必要であり、
さらに、周方向に比べて軸方向がＲａで０．１μｍ以上粗くなっていることがより好ましい実施形態であるといえる。
【００２０】
補助基体の算術平均高さＲａは１．０μm以上になると、球状突起の大きさが大きくなり、また、個数も増えるため、中には成膜途中で脱落するものが出てきて画像欠陥の原因となることが判明した。
また、Ｒａを０．１μｍ未満とするには、粒度の非常に細かい研磨部材で長時間研磨を行わなければならず、補助基体の再生処理のスループットが落ち、結果として光受容部材のコストアップに繋がる結果となる。
従って、算術平均高さＲａを０．１μm以上、１．０μm未満に制御することで、製造コストを抑えながら従来のブラスト処理した補助基体よりも格段に密着性の改善が可能となる。
さらに周方向の表面粗さより軸方向の表面粗さを大きくすることによって鏡面仕上げした補助基体以上の密着性を得ることが出来る。
【００２１】
さらに、本発明の補助基体を用いた場合、光受容部材の膜質の均一性が向上する、という予期しない効果が得られることが判明した。これは当初、予定していなかった効果であるが、詳細について検討した結果、次のことが判明した。
本発明の補助基体は算術平均高さＲａが０．１μm以上、１．０μm未満になるように研磨されており、非常に表面性が良好である。このため、表面の反射率が鏡面切削に近いレベルまで向上しており、熱放出率が円筒状基体と同程度まで抑えられている。このため、成膜前の加熱時に、従来の補助基体では温度が下がり気味であったのに対して、本発明の補助基体では円筒状基体とほぼ同程度まで温度を上げることが出来、円筒状基体の端部での温度低下が防止され、膜質均一化が進んだものと考えられる。
【００２２】
また、補助基体と円筒状基体の温度分布が均一化されるため、両者の熱膨張率が一致し、接触部分での位置ズレや、傾きを低減することができ、その結果放電状態を安定化することができ、光受容部材の膜質の均一化や、製造ロット毎の特性上のバラツキを大幅に減少することができた。
本発明は、以上の検討により完成したものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２３】
（補助基体）
本発明において、補助基体の表面粗さは算術平均高さＲａで０．１μm以上、１．０μm未満とされる。０．１μm以上、１．０μm未満とすることで、従来のブラスト処理品と比べて格段にａ−Ｓｉ膜の密着性が向上する。
また、周方向より軸方向の表面粗さを大きくすることで鏡面仕上げした場合と同等の密着性が得られるため、より好ましい。周方向より軸方向の表面粗さを大きくする方法の一例としては、補助基体を回転させながら全周に渡って周方向に研磨することにより達成される。この場合、周方向の算術平均高さＲａより軸方向の算術平均高さを０．１μm以上大きくなるように設定することが重要である。このようにすることによって軸方向で大きくなりがちな膜応力を効果的に打ち消すことが出来、よりａ−Ｓｉ膜の密着性を改善することが可能となる。
【００２４】
本発明のように補助基体を研磨部材で研磨することで、ブラスト処理で発生するようなビーズ等の破片の刺さりが発生せず、堆積室内を汚染したり、成膜中に破片が脱落したりすることが防止できる。
また、本発明においては、前もって補助基体をブラスト処理によりａ−Ｓｉ膜の剥離を行っておき、次に本発明に従って研磨処理を行うことも好ましい形態として挙げられる。この場合でも、ブラスト処理時に補助基体表面に突き刺さった破片が本発明の研磨工程で効果的に除去されるため、破片による画像欠陥の発生を充分に抑えることが可能となる。
【００２５】
従来のブラスト等で再生されていた補助基体では表面粗さが大きいため、光の反射率が低かった。一般に物体に光（熱）を当てた場合、一部は吸収され、残りは反射されるが、熱平衡状態の場合は熱の吸収量と放出量は等しいから、反射率が低い物体（＝熱の吸収量が大きい物体）ほど熱の放出量も大きいと言うことが出来る。
従って、従来の補助基体は円筒状基体よりも温度が下がりやすかった。このため、補助基体に接している円筒状基体の上端及び／又は下端の温度が下がり気味になり、これが光受容部材の特性ムラの原因になる場合があった。
【００２６】
一方、本発明の補助基体は、表面粗さがＲａで０．１μm以上、１．０μm未満と非常に滑らかに仕上げられているため、従来のブラスト等で再生されていた補助基体に比べて格段に反射率が高く、鏡面仕上げされた円筒状基体と近くなっている。
従って、本発明においては、補助基体と円筒状基体の温度も近くなり、円筒状基体の全体に渡って均一な温度に保つことが可能となった。このため、均一な膜質の光受容部材を容易に得ることができる。
【００２７】
さらには、円筒状基体及び補助基体の温度が比較的均一化されるため、両者の熱膨張率が一致し、接触部分での位置ズレや傾きを低減することができる。その結果、放電状態を安定化することができ、円筒状基体全体に渡って放電むらが起こりにくく、光受容部材の膜質の均一化や、製造ロット毎の特性上のバラツキを大幅に減少させる効果が得られる。
【００２８】
本発明における補助基体は、上記円筒状基体に相接するように設けることを必須とするが、着脱可能な形式となっていることが好ましい。
高周波印加電極に面する円筒状基体の表面および補助基体の表面は略同一平面となっていることが好ましい。例えば、補助基体の直径（外径）を円筒状基体の直径（外径）と略同じとすることが好ましい。
円筒状基体が対向電極を兼ねる場合に特に問題となる電極端での放電むらによる堆積膜の膜厚や膜質の不均一化を防止するためには、円筒状基体に対する補助基体の表面の面積比を０．０２倍〜２倍に設定することが好ましい。ここで補助基体の大きさとしては、余り大きすぎると装置自体が大きくなってしまうためにコスト高となり、従って量産性が悪くなってしまうので好ましくない。また逆に小さすぎると、放電強度が不均一な部分の影響を円筒状基体自身が受けてしまうため均一な膜質、膜厚の堆積膜を形成することができなくなる。以上のようなことを考慮すると補助基体の大きさは円筒状基体との表面積比として１：０．０２〜２の範囲にあることが好ましい。
【００２９】
補助基体の材質は、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。補助基体の材質は必ずしも円筒状基体と一致している必要はないが、円筒状基体と同種の材質であることが密着性を向上させる観点からは好ましい。また、Ａｌがａ−Ｓｉ膜の密着性も高く、コストも安いため、好ましい材料として挙げることが出来る。
【００３０】
（研磨装置）
本発明において、補助基体を研磨する研磨装置の一例を図３に示す。この図において、３０１は補助基体、３０２は円筒状の研磨部材、３０３は補助基体をセットするチャッキング部材、３０４は補助基体駆動モーター、３０５は研磨部材駆動モーターである。
まず、チャッキング部材３０３に補助基体３０１をセットし、次に研磨部材３０２を補助基体３０１に当接させる。当接する圧力は可変出来るようになっている。補助基体駆動モーター３０４で補助基体を円周方向に回転させると同時に研磨部材駆動モーター３０５で研磨部材３０２を円周方向に回転させる。こうすることで、補助基体３０１の外面に堆積しているａ−Ｓｉ膜が剥離され、次に補助基体の母材の表面が全周に渡って均一に研磨される。
【００３１】
研磨部材、及び補助基体の回転速度は、本発明の算術平均粗さが得られるように設定されればいかなる値でも用いることが出来る。一例を挙げるなら、例えば１ｒｐｍ〜５０ｒｐｍ、好ましくは５ｒｐｍ〜３０ｒｐｍとすることが出来る。また、本発明においては、補助基体と研磨部材の回転方向については特に制限はなく、所望の方向に決めて良いが、逆方向にすると研磨時間が短縮されるので好ましい。また、両者の速度差は研磨時間との兼ね合いで所望の値とすることが出来る。
本発明においては、算術平均高さＲａが０．１μｍ以上、１．０μm未満となるように研磨することが必要だが、この範囲に加工するためには、研磨部材の研磨粒度を変化させたり、研磨部材と補助基体の当接圧力を変化させることで調整できる。
研磨を行うに際し、乾式のまま研磨を行うことも出来るが、潤滑剤として水を供給しながら研磨することがより好ましい。水を供給しながら研磨することによって摩擦熱によって補助基体が昇温することを防止でき、補助基体表面に焼きが入ったり、酸化されることを防止することができる。また、研磨部材に研磨粉が目詰まりすることを防止できるため、研磨加工中の研磨速度の低下を防止することが出来、さらには研磨の仕上がりも良好となる。
研磨が終わった補助基体３０１は洗浄され、乾燥工程を経て再び成膜に供される。
【００３２】
（研磨部材）
本発明に用いられる研磨部材は、研磨布、不織布研磨材、フェルト、砥石など何でも好適に用いることができ、さらに、それらを複数組み合わせたものを用いてもよい。研磨布とは、いわゆるサンドペーパーのことであり、比較的研磨力の強いものである。不織布研磨材とは、絡ませた繊維に砥剤をまぶして固めたもので、絡まった繊維がクッションとなり、砥剤が被研磨対象を過度に削り込むのを防ぎながら均一に研磨することが可能である。フェルトとは、繊維のからみあう性質を利用して、縮絨させて固めたものであり、フェルトだけでは研磨力が充分でない場合は必要に応じて砥剤を染み込ませた状態で使うこともできる。
研磨部材の形状としては、シート状でも、ディスクグラインダーで用いられるようなディスク形状でもよく、さらには、回転軸の回りに取り付けて円筒状にして回転動作により研磨するようにしてもよいが、本発明においては、補助基体の表面を研磨するため、研磨部材を円筒状にして周方向に回転させながら補助基体に接触させて研磨を施す形態が特に好ましい。このような方法を使うことで、表面粗さの周方向と軸方向の異方性を簡単に形成することが出来、より本発明の効果を増大することが出来る。
【００３３】
図４に本発明で用いられる研磨部材の具体的一例を示す。
図４（ａ）は回転軸４０１の回りに複数の研磨布４０２を取り付け、円筒状にした研磨部材の一例である。
図４（ｂ）は不織布研磨材或いはフェルトから成る研磨材４０３を円筒状に成型し、回転軸４０１の回りに取り付けた研磨部材の一例である。
図４（ｃ）は不織布研磨材或いはフェルトから成る研磨材４０３の間に研磨布４０２を挟み込んだ複合タイプの研磨材を回転軸４０１の回りに取り付けた研磨部材の一例である。
【００３４】
本発明においては、特に研磨布や不織布研磨材、フェルト、更には不織布研磨材やフェルトの間に研磨布を挟み込んだ複合タイプが好適に用いられる。これは、研磨部材自体が柔軟であり、ムラ無く補助基体に接触可能であることと、適度な研磨力があるため、補助基体の軸方向全体に渡って均一に、短時間で算術平均高さＲａを０．１μｍ以上、１．０μm未満に調整可能であるからである。また、柔軟性があることから、局所的に過度に研磨が進むといったことを防止することが出来、補助基体の消耗を最小限に抑えることが可能である。
【００３５】
研磨布、不織布研磨材、フェルトに用いられる砥剤は適宜選択されるが、代表的にはアルミナ、ジルコニア、シリコンカーバイト、エメリー、ダイヤモンドなどが好適に用いられる。
砥剤の粒度は、補助基体の材質の硬度に合わせて＃１００〜＃１０００までの所望のものを用いることが出来る。一般に硬度の高い材質を研磨する場合には粒度の大きいものを用いることが好ましく、材質の硬度が低い場合は粒度の小さいものを用いた方が好ましい。一例としては、材質がアルミニウムの場合は、＃４００程度の粒度の研磨剤が好適に用いられる。
【００３６】
研磨において表面粗さを調整する方法としては、一般的に表面粗さを小さくする場合には粒度の小さいものを用い、表面粗さを大きくする場合には粒度の大きいものを用いればよい。また、別の方法としては、研磨部材の押しつけ圧力を低くすると表面粗さは小さくなり、押しつけ圧を高くすると表面粗さは大きくなる。従って、砥剤の粒度、研磨部材の押しつけ圧を適宜調整することにより、本発明の表面粗さに容易にコントロールすることが可能である。
【００３７】
研磨部材の外径は自由に設定されるが、耐久性やコストの観点から補助基体と同程度の外径が好ましい。また、研磨部材の軸方向の長さは、補助基体と略同一の長さが好ましい。これは、研磨部材が補助基体よりも短い場合、研磨部材、あるいは補助基体を軸方向に往復運動をさせる必要が生じ、装置コストが増大する。また、たとえ往復運動をさせても補助基体の中央部と端部で研磨量にムラが出来やすく、好ましくない。また、研磨部材が補助基体より長いと補助基体の端部で研磨部材にしわが発生し、削り残しが発生するため不都合となる。
【００３８】
（ブラスト処理）
本発明においては、補助基体を研磨加工する前に、ブラスト処理を行っても良い。ブラスト処理とは、砂やビーズなどの研磨剤を圧縮空気の力でたたきつけて表面を削る処理方法である。このようなブラスト処理をあらかじめ行うことで、成膜後の補助基体の表面に堆積した硬度の高いａ−Ｓｉ膜を除去することが出来るため、その後に行う研磨工程での研磨時間が短縮され、また、研磨部材の寿命が延びるといった効果が期待できる。
ブラスト処理には、圧縮空気のみを用いて処理する乾式ブラスト処理と、砂やビーズに加えて水も同時に圧縮空気の力で吹き付ける湿式ブラスト処理の２方式がある。本発明の補助基体を処理する場合には、粉塵が舞い上がることを防ぎ、また、表面を荒らしすぎないことからも湿式ブラスト処理がより好ましい。
用いられる研磨剤としては、ガラスビーズ、カーボランダム、ジルコニアビーズ、アルミナ、エメリー、スチールビーズ、ステンレスビーズ、砂などが挙げられるが、補助基体の再生処理には、母材を痛めにくいことからガラスビーズが好適に用いられる。
ブラスト処理に用いられる研磨剤の粒径は、処理速度や希望する面粗さなどから所望の粒径が用いられるが、一例としては５０μｍ〜４００μｍ、より好ましくは８０μｍ〜３００μｍ程度の粒径を用いることが出来る。
【００３９】
（算術平均高さＲａの測定方法）
補助基体の算術平均高さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に規定）は、次のようにして求められる。
本発明において算術平均高さＲａの測定は、ＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に準拠したフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４(株式会社ミツトヨ)を用いて測定した。用いた触針の形状はＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。すなわち、先端形状は球状の先端をもつ円錐とし、先端半径２μｍ、円錐のテーパー角度６０゜、測定力は０．７５ｍＮとした。
また、基準長さ、評価長さ、λs輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とそれより短い波長成分との境界を定義するフィルタ）、λc輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とうねり成分との境界を定義するフィルタ）の設定はＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。具体的には、測定されるＲａの値より表１のように決定した。
【００４０】
【表１】
2010134056.tif 000003
【００４１】
なお、スキャン速度は０．１ｍｍ／ｓｅｃ、測定環境は気温２５℃、湿度６５％とした。その他、特に記載していない条件に関しては、全てＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に基づいて行った。また、具体的なフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４による測定手順は、全て装置付属の取扱説明書に従って行った。
なお、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１によれば、測定方向は算術平均高さＲａが最大になる方向に対象面を設定することになっているが、本発明においては、補助基体の周方向と軸方向の表面粗さをそれぞれ求めて検討を行った。
また、本発明における算術平均高さＲａは５回測定したときの平均値を採用した。
【００４２】
（円筒状基体）
本発明における円筒状基体には特に限定はなく、使用目的に応じた材質や形状等を有するものであればよい。例えば材質においては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等の導電性材料、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、セラミツクス等の絶縁性材料の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理したもの等が使用できる。中でも、Ａｌはａ−Ｓｉ膜の密着性も高く、コストも安いため、好ましい材料として挙げることが出来る。
【００４３】
（高周波印加電極）
本発明における円筒状基体及び補助基体の対向電極となる高周波印加電極は少なくも一対設けられることを必須とするが、他に特に限定はなく、放電による堆積膜の形成方法で通常使用されているものを適宜使用することができる。例えば高周波印加電極が堆積室を兼ねてもよいし、また独立に堆積室内に設けられてもよい。形状についても円筒状、円盤状あるいは平板状等であってもよい。また、円筒状基体の表面に平行な仮想面を設定し、その仮想面内に例えば棒状の数個の電極を等間隔に配列したもの等でもよい。また本発明における放電としては、例えばグロー放電等が好ましいものとして挙げられる。
【００４４】
（ａ−Ｓｉ堆積膜）
光導電層としては、本発明ではケイ素原子を母体とし、更に水素原子及び／又はハロゲン原子を含む非晶質材料で構成される。
ａ−Ｓｉ膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって形成可能であるが、プラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜は特に高品質の膜が得られるため好ましい。原料としてはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）を原料ガスとして用い、高周波電力によって分解することによって形成可能である。更に層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。
【００４５】
このとき、支持体の温度は、１５０℃〜４００℃、より好ましくは２００℃〜３５０℃程度の温度に保つことが特性上好ましい。これは支持体表面での表面反応を促進させ、充分に構造緩和をさせるためである。また、これらのガスに更にＨ２あるいはハロゲン原子を含むガスを所望量混合して層形成することも特性向上の上で好ましい。ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、フッ素ガス（Ｆ２）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ５、ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含むケイ素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６等の弗化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。
【００４６】
（成膜装置）
以下、高周波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための装置及び形成方法について詳述する。
図５は、本発明の電子写真用光受容部材を作成するために供される、１３．５６ＭＨzの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例を模式的に示した図である。
この装置は大別すると、堆積室５０１、堆積室内を減圧する為の排気装置５０８から構成されている。堆積室５０１内には、上下に補助基体５０７を取り付けられた円筒状基体５０２が基体加熱ヒーター５０３を包含するように設置される。円筒状基体５０２の下に取り付けられた補助基体５０７はアースに接続されており、円筒状基体と補助基体全体をアース電位に保持している。なお、補助基体５０７は、本発明に従って、算術平均高さＲａが０．１μｍ以上、１．０μｍ未満にコントロールされている。堆積室内には、原料ガス導入管５０５が設置されている。又、堆積室の炉壁を兼ねる高周波印加電極５０６は導電性材料からなり、絶縁碍子５１３によって絶縁されている。高周波印加電極にはマッチングボックス５１１を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源５１２が接続されている。
不図示の原料ガス供給装置のボンベは原料ガス導入バルブ５０９を介して堆積室５０１内の原料ガス導入管５０５に接続されている。
【００４７】
以下、図５の装置を用いた、電子写真用光受容部材の形成方法の一例について説明する。
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体５０２を補助基体５０７に取りつけ、堆積室５０１内の基体加熱ヒーター５０３を包含するように取りつける。
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス導入バルブ５０９を開き、メインバルブ５１５を開いて堆積室５０１及び原料ガス導入管５０５を排気する。真空計５１０の読みが０．６７Ｐa以下になった時点で原料ガス導入バルブ５０９から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原料ガス導入管５０５より徐々に堆積室５０１に導入する。そして、堆積室５０１内が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、メインバルブ５１５の開口あるいは排気装置５０８の排気速度を調整する。
【００４８】
その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体５０２を基体加熱ヒーター５０３により加熱し、円筒状基体５０２の温度を１５０℃〜４００℃の所定の温度に制御する。円筒状基体５０２が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、成膜用の所定の原料ガス、例えばＳiＨ4、Ｓi2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などの材料ガスを、またＢ2Ｈ6、ＰＨ3などのドーピングガスを不図示のミキシングパネルにより混合した後に堆積室５０１内に徐々に導入する。
次に、不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、堆積室５０１内が０．１Ｐａから数１００Ｐａの圧力に維持するよう真空計５１０を見ながらメインバルブ５１５の開口あるいは排気装置５０８の排気速度を調整する。
【００４９】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体５０２上に光受容層の形成を行なう。内圧が安定したのを確認後、高周波電源５１２を所望の電力に設定して高周波電力を高周波印加電極５０６に供給し高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス５１１を調整し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。この放電エネルギーによって堆積室５０１内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体５０２の上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は円筒状基体５０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させても良い。
【実施例】
【００５０】
以下実施例により、本発明の効果を具体的に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
［実施例１］
図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体に、以下に述べるアルミニウム製の補助基体を取り付ける。そして、さきに詳述した手順に従って、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
本実施例では、図４（ｂ）に示した、不織布研磨材を円筒状に成型し回転軸の回りに取り付けた研磨部材（株式会社イチグチ製スコーライトフラップＳ、但し、軸方向長さは８０ｍｍの特注品）を使用した。そして、この研磨部材を図３の研磨装置に取付け、潤滑剤として水を供給しながら補助基体の研磨を行った。研磨部材及び補助基体の回転速度は各々５ｒｐｍとし、回転方向は逆方向とした。このようにして補助基体の算術平均高さＲａが０．１μｍ以上、１．０μｍ未満となるように調整した５種類を用意し、各々について成膜を行った。このとき、目標とする表面粗さに合わせて、不織布研磨剤の砥剤の粗さは＃１００から＃１０００までを使い分けると共に研磨部材の押しつけ圧も適宜調整した。
なお、算術平均高さＲａの測定は、さきに詳述した手順に従って、補助基体の軸方向に沿った方向と、周方向に沿った方向の２パターンについて行った。
【００５１】
【表２】
2010134056.tif 000004
【００５２】
成膜終了後、補助基体の表面に堆積したａ−Ｓｉ膜の密着性を評価した。
また、作製した電子写真用光受容部材をキヤノン製複写機ｉＲ５０００改造機に設置し、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０nｍのＬＥＤ）光量４ｌｘ・ｓ、主帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、帯電能、感度ムラ、画像濃度むら、白ポチ等の電子写真特性について評価を行なった。さらに光受容部材表面の球状突起の発生数について評価を行った。
各項目は、以下の方法で評価を行った。
【００５３】
（密着性）
成膜後に取り出した補助基体に堆積したａ−Ｓｉ膜の密着性を目視で観察した。
ａ−Ｓｉ膜は成膜後に冷却して大気に接触させると剥がれることがあるが、本評価では、冷却後の取り出し時の膜の状態を確認することで補助基体とａ−Ｓｉ膜の密着性の目安とした。評価は次の基準に従った。
Ａ      補助基体全面に渡り膜剥がれは全くなく、密着性は非常に良好
Ｂ      補助基体の端部に僅かな膜剥がれが見られる
Ｃ      補助基体の広い範囲に膜剥がれが見られる
Ｄ      補助基体の全面に膜剥がれが見られる
【００５４】
（帯電能）
帯電器に１０００μＡの電流を印加し、コロナ帯電を行い、表面電位計（ＴＲＥＫ社製  Ｍｏｄｅｌ３４４）により電子写真用光受容部材の中央部の暗部表面電位を測定する。
そして比較例３の電子写真用光受容部材の暗部表面電位を１００％とした相対評価を行い、その結果を以下のように分類した。
Ａ      １１０％より大
Ｂ      １００％より大、１１０％以下
Ｃ      １００％以下
【００５５】
（感度ムラ）
電子写真用光受容部材を４５０Ｖの暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量（例えば０．３μＪ／ｃｍ2）を照射する。像露光光源は６６０ｎｍレーザー光源を用いた。この時、表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表面電位を測定する。電子写真用光受容部材の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに明部表面電位を測定する。そして得られた明部表面電位のバラツキ（標準偏差）をもって、感度ムラとする。
そして比較例３の電子写真用光受容部材の感度ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。
Ａ      ８０％未満
Ｂ      ８０％以上、１００％未満
Ｃ      １００％以上
【００５６】
（画像濃度むら）
中間調チャートを原稿台に置いてＡ３用紙にコピーし、得られたＡ３コピー画像の短辺方向の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに反射濃度計（マクベス社製ＲＤ９１４）で画像濃度を測定し、その画像濃度のばらつきを評価した。
そして得られた画像濃度のバラツキ（標準偏差）をもって、画像濃度ムラとする。
そして比較例３の電子写真用光受容部材の画像濃度ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。
Ａ      ８０％未満
Ｂ      ８０％以上、１００％未満
Ｃ      １００％以上
【００５７】
（白ポチ）
Ａ３サイズの黒原稿を原稿台に置き複写した。こうして得られた画像の中央部の１００ｃｍ2の面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白ポチの個数を数えた。
得られた結果は、比較例３での個数を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
Ａ        ７０〜５０（％）
Ｂ        ９０〜７０（％）
Ｃ      １１０〜９０（％）
【００５８】
（球状突起の発生数）
電子写真用光受容部材の中央部の表面を光学顕微鏡で観察し、１００ｃｍ2の面積内での直径１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。そして比較例３の電子写真用光受容部材の表面の球状突起の個数を１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。
Ａ        ７０〜５０（％）
Ｂ        ９０〜７０（％）
Ｃ      １１０〜９０（％）
【００５９】
［比較例１］
実施例１と同様の手順で、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
本比較例では、補助基体の材質はアルミニウム製とし、鏡面旋盤を用いて表面を鏡面切削したものを用いて成膜を行った。なお、算術平均高さＲａの測定は、さきに詳述した手順に従って、補助基体の軸方向に沿った方向と、周方向に沿った方向の２パターンについて行った。
得られた電子写真用光受容部材の評価は、実施例１と同様に行った。
【００６０】
［比較例２］
実施例１と同様の手順で、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
本比較例では、実施例１と同様の手順で補助基体の研磨を行ったが、補助基体の算術平均高さＲａは、本件範囲外の１．０μm以上となるように加工した。なお、算術平均高さＲａの測定は、さきに詳述した手順に従って、補助基体の軸方向に沿った方向と、周方向に沿った方向の２パターンについて行った。
得られた電子写真用光受容部材の評価は、実施例１と同様に行った。
【００６１】
［比較例３］
実施例１と同様の手順で、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
本比較例では、補助基体の材質はアルミニウム製とし、従来通り湿式ブラスト処理装置（使用した研磨剤は粒径２５０μmの球形ガラスビーズ）により再生したものを用いて成膜を行った。なお、算術平均高さＲａの測定は、さきに詳述した手順に従って、補助基体の軸方向に沿った方向と、周方向に沿った方向の２パターンについて行った。
得られた電子写真用光受容部材の評価は、実施例１と同様に行った。
実施例１、比較例１、２の結果を合わせて表３に示す。
【００６２】
【表３】
2010134056.tif 000005
【００６３】
表３から明らかなように、本発明の光受容部材形成方法により、球状突起の発生数が大幅に減少し、画像欠陥の少ない光受容部材を作製することができることがわかった。また、補助基体と円筒状基体の温度差が小さくなったことで、円筒状基体の温度均一性が向上し、また、接触部分での位置ズレや傾きが低減したため、帯電能が向上し、特性の均一性も非常に良好であった。
なお、比較例１の鏡面切削を行った補助基体を用いた電子写真用光受容部材も、本発明と同様に良好な結果が得られた。しかし、毎回、鏡面旋盤で切削し、切削油を洗浄で落として乾燥させるために掛かるコスト、及び、鏡面旋盤で切削する分、補助基体の寿命が短くなることなどを全て含めて本発明の補助基体とランニングコストを比較したところ、約１０倍のコストがかかる結果となり、コスト面でのデメリットが大きいことが判明した。
【００６４】
［実施例２］
図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体に、以下に述べるアルミニウム製の補助基体を取り付ける。そして、さきに詳述した手順に従って、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
本実施例においては、図４（ａ）に示した、回転軸の回りに複数の研磨布を取り付けて円筒状にした研磨部材（株式会社イチグチ製フラップホイル、但し、軸方向長さは８０ｍｍの特注品）を使用した。そして、この研磨部材を取り付けた図６の研磨装置で、潤滑剤として水を供給しながら補助基体を研磨した。研磨布の研磨粒度は＃６００を用いた。
【００６５】
図６において、６０３は補助基体をセットするチャッキング部材、６０４は補助基体駆動モーター、６０５は研磨部材駆動モーターである。
図６の研磨装置では、研磨部材６０２と補助基体６０１が直交するように構成されている。そして、研磨部材を不図示の往復運動機構で補助基体の軸方向に沿って左右に動かすことで、補助基体の軸方向に研磨を行うことができるようになっている。ここで研磨部材の回転速度は３０ｒｐｍ、補助基体の回転速度は１ｒｐｍとし、往復運動は１往復２秒とした。この条件で研磨することで補助基体全周に渡って軸方向に均一に研磨が行われる。
このようにして軸方向に研磨が終わった後、図３の研磨装置に上記と同じ研磨部材を取り付けて、潤滑剤として水を供給しながら補助基体を周方向に研磨した。ここで研磨部材、補助基体の回転速度は各々１５ｒｐｍ、回転方向は逆回転とした。
軸方向の研磨量と周方向の研磨量のバランスを調整することにより、算術平均高さＲａを０．８５μｍ前後に調整しつつ、軸方向のＲａと周方向のＲａの差を変化させて７種類の補助基体を用意した。そして、それぞれの補助基体を用いて７本の電子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真用光受容部材の評価は、実施例１と同様に行った。
実施例２の結果を表４に示す。
【００６６】
【表４】
2010134056.tif 000006
【００６７】
表４から明らかなように、周方向のＲａ及び軸方向のＲａを０．１μm以上、１．０μm未満に調整することにより白ポチや球状突起の低減効果が得られた。また、周方向のＲａよりも軸方向のＲａが０．１μｍ以上大きくなるように算術平均高さを調整することにより、本発明の効果がより顕著に得られることが判明した。
【００６８】
［実施例３］
図４（ｂ）に示した、円筒状に成形したフェルト製研磨材を回転軸の回りに取り付けた研磨部材（株式会社イチグチ製フェルトホイル、但し、軸方向長さは特注品）を図３に示した研磨装置に取り付け、潤滑剤として水を供給しながら補助基体の研磨を行った。
本実施例では、研磨部材の長さの検討を行った。研磨部材の長さが補助基体の長さの（ａ）０．８倍、（ｂ）１．０倍、（ｃ）１．５倍の３種類を用意し、研磨部材、補助基体の回転速度は３０ｒｐｍ、逆回転の条件で（ａ）〜（ｃ）とも同一時間研磨を行った。なお、（ａ）に関しては、研磨部材が補助基体より短いため、不図示の往復運動機構により研磨部材を補助基体の軸方向に５秒に１回の割合で往復運動させ、全体が研磨されるようにした。
研磨後、補助基体の軸方向に１ｃｍ刻みで周方向の算術平均高さを測定し、粗さ分布を調べた。結果を図７に示す。
【００６９】
図７から分かるように、（ａ）０．８倍で研磨した補助基体では、研磨部材を往復運動させているものの、補助基体の中央部に比べて端部で研磨量が不足し、表面粗さが大きい部分が残った。また、（ｃ）１．５倍で研磨した補助基体では、補助基体の端部数ミリのところで研磨部材にシワが出来てしまい、その部分に削り残しが出来てしまった。（ａ）、（ｃ）とも、さらに研磨時間を延長したところ、補助基体全体に渡って表面粗さを本発明の範囲内に調整することが出来た。一方、（ｂ）１．０倍で研磨したものは補助基体の軸方向に均一に研磨されるため、表面粗さは均一に調整されており、最も望ましい結果が得られた。
【００７０】
［実施例４］
図４（ｃ）に示した、円筒状に成形した不織布研磨剤の間に研磨布を挟み込んだ複合タイプの研磨部材（株式会社イチグチ製スコーライトフラップＭ、但し、軸方向長さは８０ｍｍの特注品）を図３の研磨装置に取り付けて水を供給しながら補助基体の研磨を行った。研磨部材の研磨粒度については、不織布研磨剤は＃４００、研磨布は＃３２０とした。また、研磨部材、補助基体の回転速度は１２ｒｐｍ、回転方向は逆回転とした。
本実施例では、補助基体の再生手順の比較を行った。手順（Ａ）として、成膜後の補助基体を図３の研磨装置に前記の研磨部材をセットして研磨を行い、研磨部材の補助基体への押し当て圧を調整して、周方向の算術平均高さＲａが０．３μｍ、軸方向の算術平均粗さＲａが０．４５μｍとなるようにした。
また、手順（Ｂ）としては、成膜後の補助基体にまず、湿式ブラスト処理（研磨剤は粒径２５０μmの球形ガラスビーズ）を実施して堆積したａ−Ｓｉ膜を除去した。その後、図３の研磨装置に上記の研磨部材をセットして研磨を行い、研磨部材の補助基体への押し当て圧を調整することで周方向の算術平均高さＲａが０．３μｍ、軸方向の算術平均粗さＲａが０．４５μｍとなるようにした。なお、湿式ブラスト処理後の補助基体の算術平均高さＲａは２．５〜３．５μｍであった。
手順（Ａ）、（Ｂ）について、研磨装置にて前記の表面粗さに調整するのに必要な時間、及び、処理を１００回繰り返した後の研磨部材の状態を目視で点検し、評価した。結果を表５に示す。
【００７１】
【表５】
2010134056.tif 000007
【００７２】
表５から分かるように、あらかじめ湿式ブラストなどにより一旦ａ−Ｓｉ膜を除去し、その後、研磨処理を行うと、研磨時間の短縮や、研磨部材の寿命延長という観点で効果が見られる。従って、製造工程の条件に合わせて、適宜、好ましい手順を用いることが出来る。
【００７３】
［実施例５］
図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例では、実施例４の手順（Ａ）、（Ｂ）で得られた処理１回目と１００回目の補助基体を用いて成膜を行った。得られた電子写真用光受容部材について実施例１と同様の評価を行った。結果を表６に示す。
【００７４】
【表６】
2010134056.tif 000008
【００７５】
表６から明らかなように、手順（Ａ）、手順（Ｂ）に関わらず、補助基体の算術平均高さを本発明の範囲に調整しさえすれば、本発明の効果が充分に得られることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】補助基体の算術平均高さと密着性の関係を表すグラフである。
【図２】本発明における補助基体の研磨後の外観を示す模式的説明図である。
【図３】本発明における研磨装置の一例を示す模式的説明図である。
【図４】本発明における研磨部材の一例を示す模式的説明図である。
【図５】本発明における電子写真用光受容部材を形成するための装置の一例を示す模式的説明図である。
【図６】本発明における別の研磨装置の一例を示す模式的説明図である。
【図７】実施例３における補助基体の軸方向の算術平均高さを表すグラフである。
【符号の説明】
【００７７】
２０１    補助基体
２０２    研磨スジ
３０１    補助基体
３０２    研磨部材
３０３    チャッキング部材
３０４    補助基体駆動モーター
３０５    研磨部材駆動モーター
４０１    回転軸
４０２    研磨布
４０３    不織布研磨材或いはフェルトから成る研磨材
５０１    堆積室
５０２    円筒状基体
５０３    基体加熱ヒーター
５０５    原料ガス導入管
５０６    高周波印加電極
５０７    補助基体
５０８    排気装置
５０９    原料ガス導入バルブ
５１０    真空計
５１１    マッチングボックス
５１２    高周波電源
５１３    絶縁碍子
５１５    メインバルブ
６０１    補助基体
６０２    研磨部材
６０３    チャッキング部材
６０４    補助基体駆動モーター
６０５    研磨部材駆動モーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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