(57)【要約】【課題】高周波増幅器の線形性を改善し、広範囲の入力信号に対して高線形特性を持ち、消費電力が少なく高効率で、集積が容易となる、高周波増幅器及び高周波モジュール並びにそれらを用いた移動体無線機を提供する。【解決手段】高周波増幅用トランジスタのベースに接続されたベースバイアス供給用回路を備えた高周波増幅器において、ベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスと、高周波半導体トランジスタの入力インピーダンスとが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役（コンジュゲート）になるように回路を構成した。【選択図】図１
2010283556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の入力端子及び出力端子と、
ベース端子が前記入力端子に接続された高周波増幅用トランジスタと、
前記高周波増幅用トランジスタのベースに接続されたベースバイアス供給用回路と
を備えて成り、
前記ベースバイアス供給用回路を見込んだ場合のインピーダンスと、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスとが、前記高周波信号の所定の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように構成される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】
請求項１において、
前記ベースバイアス供給用回路は、インダクタを介して前記高周波増幅用トランジスタのベースと接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項３】
請求項１において、
前記ベースバイアス供給用回路は、前記高周波増幅用トランジスタと第１のバイアス用トランジスタとを含んで構成されたカレントミラー回路を備え、
前記カレントミラー回路は、ベース電流補償用の第２のバイアス用トランジスタを備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のバイアス用トランジスタのベース-エミッタ間に所定のインピーダンスを持つインピーダンス要素が接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項５】
請求項２において、
前記インダクタは、集中定数回路、分布定数線路、チップ部品、およびＭＭＩＣ上に構成されたスパイラス線路のいずれかである
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項６】
請求項１において、
前記ベースバイアス供給用回路は、
エミッタフォロア回路を構成する第２のバイアス用トランジスタと、
前記第２のバイアス用トランジスタのベース電圧安定用の電圧源回路を構成するダイオードと、
前記第２のバイアス用トランジスタのベース-エミッタ間に接続された所定のインピーダンスを持つインピーダンス要素と
を備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項７】
請求項４において、
前記インピーダンス要素がコンデンサである
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項８】
請求項１において、
前記ベースバイアス供給用回路は、前記高周波増幅用トランジスタの前記ベース端子をバイアスし、前記高周波増幅用トランジスタとでカレントミラー回路を構成するフィードバックループを有し、
前記ベースバイアス供給用回路の前記フィードバックループを構成するループ内に、抵抗とコンデンサとを有するローパスフィルタを備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項９】
請求項４において、
前記インピーダンス要素がインダクタとコンデンサとの直列接続を含んで成るＬＣ直列回路である
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１０】
請求項３において、
前記高周波増幅用トランジスタのベース端子部分にコンデンサと抵抗との並列接続を含んで成る回路が直列に接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１１】
請求項２において、
高周波増幅用トランジスタのベース端子をバイアスするためのカレントミラーバイアス回路を有し、
前記カレントミラーバイアス回路と高周波信号線路との接続点と、前記高周波増幅用トランジスタのベース端子との間に、前記高周波信号線路に直列に接続された抵抗を有し、
接続された前記抵抗の前記高周波増幅用トランジスタのベース端子に近い方の第２の端子から、前記カレントミラーバイアス回路と前記高周波増幅用トランジスタのベース端子とを結ぶインダクタの高周波信号路から離れた方の第３の端子までがキャパシタにて接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１２】
請求項８において、
前記ベースバイアス供給用回路が、
位相歪補償を調整する機能を有するインピーダンス要素と、
前記位相歪補償とは独立して、前記ローパスフィルタで振幅歪補償を調整する要素と
を備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１３】
高周波信号の入力端子及び出力端子と、
ベース端子が前記入力端子に接続された高周波増幅用トランジスタと、
前記高周波増幅用トランジスタの前記ベース端子をバイアスし、前記高周波増幅用トランジスタとでカレントミラー回路を構成するフィードバックループを有するバイアス回路と
を備えて成り、
前記バイアス回路の前記フィードバックループを構成するベース電流補償用トランジスタのベース-エミッタ間に、直流が抑制され、交流成分は通過する所定のインピーダンスが接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記バイアス回路の前記フィードバックループを構成するループ内に、抵抗とコンデンサとを有るローパスフィルタを備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記所定のインピーダンスは、容量とインダクタンスとが直列接続された回路を含んで成るＬＣ直列回路である
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１６】
請求項１３において、
前記バイアス回路は、インダクタを介して前記高周波増幅用トランジスタのベースと接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１７】
請求項１３において、
前記バイアス回路はエミッタフォロア回路で構成され、
該エミッタフォロア回路を構成するトランジスタのベース-エミッタ間に、直流が抑制され、交流成分は通過する所定のインピーダンスが接続される
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１８】
請求項１３において、
前記バイアス回路が、
位相歪補償を調整する機能を有するインピーダンス要素と、
前記位相歪補償とは独立して、振幅歪補償を調整するローパスフィルタと
を備える
ことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項１９】
受信系ユニットと、
送信系ユニットと、
前記受信系ユニットが信号経路と接続される状態と前記送信系ユニットが前記信号経路と接続される状態との間で相補的な切替動作を行うことにより送受を切り替える高周波スイッチと
を備えて成り、
前記送信系ユニットは、少なくとも１つの増幅器部を備え、
前記増幅器部を構成する増幅器は、
高周波信号の入力端子及び出力端子と、
ベース端子が前記入力端子に接続された高周波増幅用トランジスタと、
前記高周波増幅用トランジスタのベースに接続されたベースバイアス供給用回路と
を備えて成り、
前記ベースバイアス供給用回路を見込んだ場合のインピーダンスと、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスとが、前記高周波信号の所定の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように構成される
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記ベースバイアス供給用回路は、前記高周波増幅用トランジスタの前記ベース端子をバイアスし、前記高周波増幅用トランジスタとでカレントミラー回路を構成するフィードバックループを有し、
前記フィードバックループを構成するベース電流補償用トランジスタのベース-エミッタ間に、直流が抑制され、交流成分は通過する所定のインピーダンスが接続される
ことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波アナログ信号の増幅を行う高周波増幅器及びそれを用いた高周波モジュールに係り、特に、ＣＤＭＡ方式やＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）方式及びその拡張方式を採用した高線形が必須となる移動体無線通信に適した、高周波増幅器及びそれを用いた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波アナログ信号の増幅器として、従来は、特許文献１〜４に記載されたようなものが知られている。
【０００３】
特許文献１には、高周波用の増幅器として、高周波信号増幅用のバイポーラトランジスタのベースバイアス回路がエミッタフォロアで構成されており、このエミッタフォロアトランジスタのベース部分に可変インピーダンス回路を挿入された回路が開示されている。また、この可変インピーダンス回路を可変することで高周波信号増幅用のバイポーラトランジスタの振幅歪と位相歪との双方を低減できると記載されており振幅歪と位相歪を独立して制御を行っていない。
【０００４】
特許文献２では、可変インピーダンス回路を歪検出回路によって得られた歪レベル信号をフィードバックし制御することで常に低く保つものであるが、可変インピーダンス回路を歪検出回路を実現するには、大きな面積を有した制御回路等の構成が必須となる。
【０００５】
特許文献３では、入力される信号レベルに応じてベース電流を補償する回路を示しているが、これは、入力信号振幅に応じてベース電流を変化させることで、バイアス電圧一定印加時には、起きうる利得低下を防ぎ振幅のみの線形性（ＡＭ−ＡＭ歪）を向上させるものである。
【０００６】
特許文献４には、飽和特性を改善するために、高周波信号増幅用のトランジスタのバイアス電圧供給回路が整流用トランジスタと定電流源を備え、整流用トランジスタのノードＮＤ１とインダクタとの間にキャパシタＣ１が接続され、整流用トランジスタのベースと基準電圧との間にキャパシタＣ２を接続したものが開示されている。特許文献４では、ノードＮＤ１に洩れた高周波信号成分によって高周波信号増幅用のトランジスタの整流作用が顕著になってノードＮＤ１の電位すなわちベース電位が入力電力の増加と共に減少するのを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−０３６９７３号公報
【特許文献２】特開２００５−００６２１２号公報
【特許文献３】特開２００８−０４７９７８号公報
【特許文献４】特開２００５−２２８１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年の無線規格としては、ＣＤＭＡ方式やＯＦＤＭ方式などのデジタル変調方式が、無線ＬＡＮやＷｉＭＡＸなど、多くの移動体無線に採用されている。また、これらのデジタル変調方式では増幅器に高線形性が求められる。
【０００９】
すなわち、従来のＧＭＳＫ方式のようにＦＳＫ（周波数変調方式）、ＰＳＫ（位相変調方式）をベースとする高周波信号の電力が時間的に変動しない方式と違い、ＣＤＭＡ方式やＯＦＤＭ方式では、高周波信号の電力が時間的に変動し、ピーク値は平均値に比べてかなり大きいという特徴がある。特に、ＯＦＤＭ方式では、Ｎ個の異なる周波数の搬送波が多重化されており、かつ、各信号の周波数間隔は狭いため、多重化された信号のピーク電力値は、平均電力値の５〜１６倍(7〜12dB)にも達する。従って、このようなピーク電力値と平均電力値の差が大きいアナログ信号（時間的にレベル変動するという意味において）の増幅を行なう用途における増幅器には、小信号動作時から大信号動作時までの広い範囲にわたる入力信号に対して極めて高い線形性が求められる。
【００１０】
しかし、上記各特許文献に記載された従来の高周波増幅器では、このような広い範囲にわたる入力信号に対する高い線形性を実現できなかった。すなわち、従来の高周波増幅器では、図２０Ａに示すように、入力電力Pinの増加に対して出力電力Poutは常に一定に増幅が行われるのでは無く、入力信号レベルが小さい（Pin_S）領域からあるレベルを超えた大きな入力信号（Pin_L）の領域になると出力電力Poutの振幅歪MAG（利得値の減少）が増加する。また、振幅歪同様に出力電力Poutの位相歪Phaseも、図２０Ｂに示すように増加する特性を持つ。すなわち、あるレベルを超えた大きな入力信号（Pin_L）の領域になると位相歪Pout Phaseが増加する。この入力電力Pinの増加に対する振幅歪および位相歪の双方を十分に低減させなければ、高周波増幅器の高効率化、小型化等の高性能化を行えない。これまでは、振幅歪と位相歪の双方を独立して最適化する点に関して十分な配慮がなされていなかった。
【００１１】
すなわち、ＯＦＤＭ方式などのデジタル変調方式を対象とした場合、特許文献１に開示された増幅器では、大信号動作時における線形性を向上させるように調整した場合、振幅歪補償と位相歪補償回路が同時に変化し、各々独立した調整が困難であった。
【００１２】
同様に、特許文献２、３に開示された増幅器でも、広い範囲の高周波入力信号に対して増幅器の振幅歪（AM-AM歪）を抑えることを主目的としており、位相歪(AM-PM歪)を主として抑えることは困難であると考えられる。
【００１３】
また、特許文献４に開示された増幅器では、洩れ電流の影響を抑制するために、バイアス電圧供給回路の整流用トランジスタのノードＮＤ１が交流的に接地されている。この構成により、高周波信号増幅用のトランジスタのベース電位が入力電力の増加と共に減少するのを防いでいる。しかし、特許文献４の構成では、その図２や図６にも示されているように、広い範囲にわたる入力信号に対して充分に高い線形性を実現するには至っていない。
【００１４】
本発明の解決すべき課題は、上記問題点を改善し、調整回路規模を大きく増加させることなく、広範囲の入力信号に対して高線形性を実現できる高周波増幅器及び高周波増幅器及びそれを用いた高周波モジュールを提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。即ち、本発明の高周波増幅器は、高周波信号の入力端子及び出力端子と、ベース端子が前記入力端子に接続された高周波増幅用トランジスタと、前記高周波増幅用トランジスタのベースに接続されたベースバイアス供給用回路とを備えて成り、前記ベースバイアス供給用回路を見込んだ場合のインピーダンスと、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスとが、前記高周波信号の所定の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、回路規模を増加させることなく、高い線形特性を持ち、消費電力が少なく、集積が容易となる、高周波増幅器及び高周波モジュール並びにそれらを用いた移動体無線機を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図２Ａ】第１の実施例の高周波増幅器において、ベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasの特性の例を示す図である。
【図２Ｂ】第１の実施例の高周波増幅器において、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスＺsの特性の例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図４】第２の実施例の特徴部分の機能を説明するためのブロック図である。
【図５】第２の実施例の高周波増幅用トランジスタの等価回路を示す図である。
【図６】第２の実施例の作用として、（Ａ）バイアス回路、（Ｂ）高周波増幅用トランジスタ夫々の入力信号による位相変化と（Ｃ）それらを合成した場合の位相変化のイメージを簡単に示す図である。
【図７】本発明の第３の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図９】第４の実施例の高周波増幅器に関して、高周波シミュレーションを用い計算を行った結果のうち、入力電力に対する利得の変化特性を表した図である。
【図１０】第４の実施例の高周波増幅器に関して、高周波シミュレーションを用い計算を行った結果のうち、入力電力に対する出力電力の位相変化特性を表した図である。
【図１１】第４の実施例の高周波増幅器に関して、高周波シミュレーションを用い計算を行った結果のうち、ＯＦＤＭ信号を入力とし、入力電力に対するＥＶＭ特性を表した図である。
【図１２】本発明の第５の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第６の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１４】本発明の第７の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１５】本発明の第８の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１６】本発明の第９の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１７】本発明の第１０の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１８】本発明の第１１の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。
【図１９】本発明の第１２の実施例になる高周波モジュールの一構成例を示す機能ブロック図である。
【図２０Ａ】一般的な高周波増幅器の、入力電力増加時の振幅特性を示す図である。
【図２０Ｂ】一般的な高周波増幅器の、入力電力増加時の位相特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の代表的な実施例によれば、高周波増幅用トランジスタをバイアスするバイアス回路を備えた高周波増幅器において、ベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスと、高周波半導体トランジスタの入力インピーダンスが高周波信号の所定の入力レベルにおいて、お互いの虚数値が共役（コンジュゲート）になるように構成することで、入力信号レベルが大きくなったときにおいても高周波増幅器の線形性を改善することができる。  
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。  
本実施例の高周波増幅器１００は、入力信号を増幅して出力する高周波増幅用トランジスタ（第１のトランジスタ）１０３と、この高周波増幅用トランジスタ１０３のベース側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するベースバイアス回路１０７と、高周波増幅用トランジスタ１０３のコレクタ側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのチョークコイル１０６とを備えている。
【００２０】
入力端子１０１から入力された高周波信号は、直流阻止（抑制）用コンデンサ１０８を通り高周波増幅用トランジスタ１０３にて増幅され、直流阻止（抑制）用コンデンサ１０９を通り出力端子１０２に出力される。なお、１０４はバイアス回路電源端子、１０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子、１０６は高周波阻止用チョークコイルである。また、１１０はベースバイアス回路と高周波信号線路の接続点（ベースバイアス供給点）を示している。
【００２１】
この高周波増幅回路１００において、入力端子１０１から入力された高周波信号が増加した場合、通常、高周波増幅用トランジスタ１０３のデバイスサイズによって飽和電力が決定する。高周波増幅用トランジスタ１０３の出力電力が飽和に近づくと信号振幅が抑制（クリップ）され線形性が低下（ＡＭ−ＡＭ歪の発生）する。また、高周波増幅用トランジスタ１０３の出力電力が飽和に近づくと高周波増幅用トランジスタ１０３が持つ容量成分が増加し、信号位相が変化（ＡＭ−ＰＭ歪の発生）する。この双方の歪増加により線形性が大きく低下する。
【００２２】
ここで、高周波増幅器において高線形性を実現するために最も重要である位相変化歪（ＡＭ−ＰＭ歪）を低減するために、本発明では、高周波増幅用トランジスタ１０３の入力信号レベルの増加に伴い発生する信号の位相変化を、ベースバイアス回路１０７が持つ入力信号レベルの増加に伴い発生する高周波増幅用トランジスタ１０３の信号の位相変化とは逆位相の位相変化を持たせている。
【００２３】
すなわち、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点１１０からベースバイアス回路１０７のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、高周波増幅用トランジスタ１０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の所定の範囲の入力において、虚数値が共役（コンジュゲート）になるように、回路を構成している。なお、所定の範囲は、高周波増幅器の用途や要求される仕様に応じて、適宜設定される入力信号の範囲である（以下の実施例でも同じ）。
【００２４】
接続点１１０のコンダクタンスをＹ110とすると、以下のようになる。ただし、Ｒは抵抗。
【００２５】
Ｚbias= Ｒ＋ｊ０
Ｚs = Ｒ−ｊ０
Ｙ110＝１／Ｚbias＋１／Ｚs 
図２Ａに、第１の実施例の高周波増幅器における、ベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasの特性を示す。また、図２Ｂに、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスＺsの特性を示す。
【００２６】
Ｐｉｎ＿Ｓは、高周波増幅用トランジスタ１０３の入力信号レベルが小さい状態、Ｐｉｎ＿Ｌは、入力信号レベルが大きい状態を示している。入力信号レベルがＰｉｎ＿ＳからＰｉｎ＿Ｌに変化するのに伴い、Ｚbias、Ｚsの絶対値が対応して変化する。すなわち、高周波増幅器１００は、そのベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスと、高周波増幅用トランジスタの入力インピーダンスが高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が実質的に共役（コンジュゲート）になるような回路として構成されている。
【００２７】
本実施例によれば、ベースバイアス供給用回路のみを見込んだ場合のインピーダンスと、高周波半導体トランジスタの入力インピーダンスとが、高周波信号の所定の、換言すると広範囲の入力レベルにおいて、お互いの虚数値が共役になるように構成することで、入力信号レベルが大きくなったときにおいても高周波増幅器の線形性を改善することができる。そのため、回路規模を増加させることなく、高い線形特性を持ち、消費電力が少なく、集積が容易となる、高周波増幅器を提供することができる。
【実施例２】
【００２８】
図３は、本発明の第２の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。本実施例の高周波増幅器は、入力信号を増幅して出力する高周波増幅用トランジスタ（第１のトランジスタ）２０３と、この高周波増幅用トランジスタ２０３のベース側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのベースバイアス回路と、高周波増幅用トランジスタ２０３のコレクタ側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのチョークコイル２０６とを備えている。このベースバイアス回路は、高周波増幅用（バイポーラ）トランジスタ２０３と第１のバイアス用トランジスタ２１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ ２１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ２０３の入力端子（ベース端子）との接続点２１０（ベースバイアス供給点）は、インダクタ２２４を用いて接続を行っている。ここで用いたインダクタ２２４は、集中定数のみならず分布定数線路、チップ部品、ＭＭＩＣ上に構成されたスパイラス線路等どのようなものでも構成可能である。高周波増幅のその他の構成に関しては実施例１と同様である。すなわち、２０１は入力端子、２０２は出力端子、２０４はバイアス回路電源端子、２０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、２０７はバイアス電流調整用端子、２０８は直流阻止（抑制）用コンデンサ、２０９は直流阻止（抑制）用コンデンサ、２１４は抵抗を示している。
【００２９】
ここで用いているベースバイアス回路では、高周波増幅用トランジスタ２０３と第１のバイアス用トランジスタ２１５と第２のバイアス用トランジスタ２１２とにおいてベース電流補償型カレントミラー回路を構成し、第２のバイアス用トランジスタ２１２のベース-エミッタ間に任意のインピーダンスを持つインピーダンスボックス（Ｚｘ）２１３を接続している。
【００３０】
このインピーダンスボックス（Ｚｘ）２１３が接続されることにより、第２のバイアス用トランジスタ ２１２に、高周波増幅用トランジスタ２０３の持つ入力信号に対する位相変化とは逆位相の位相変化を実現でき、増幅器全体において高線形性を持たせることを実現するものである。尚、このインピーダンスボックス２１３は、ＧＮＤに対し直流的にオープン（開放）、もしくは整合インピーダンスに対し極めて大きい抵抗値を持つ。
【００３１】
図４は、第２の実施例の特徴部分の機能を説明するためのブロック図である。ベースバイアス回路は高周波増幅用のバイポーラトランジスタの入力端子（ベース端子）との接続点２１０にインダクタ２２４を用いて接続されている。また、バイポーラトランジスタのコレクタ側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのチョークコイルが接続されている。さらに、上記特性を有するインピーダンスボックス（Ｚｘ）２１３が接続されることにより、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点２１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ２０３の入力インピーダンスＺsとが、所定の入力レベルの範囲、すなわち高周波信号の小さい小信号（Pin_S）領域から大きな大信号（Pin_L）領域まで、虚数値が共役（コンジュゲート）になる。
【００３２】
上記した動作を、図５に示した高周波増幅用トランジスタ２０３の等価回路を用いて説明する。図５において、Ｉbは高周波増幅用トランジスタ２０３のベース電流、Ｖsはトランジスタ２０３のベースにかかる電圧、Ｉcはトランジスタ２０３の出力電流（Ｉc＝ｇｍ＊Ｖs）、ＶLはトランジスタ２０３の出力電圧である。図５の等価回路において、入力信号レベルの大小Ｐin_S、Ｐin_Lによって高周波増幅用トランジスタ２０３の持つ入力キャパシタ、抵抗成分および出力キャパシタ、抵抗成分が変化する。これに伴い、高周波増幅用トランジスタ２０３の入力信号と出力信号の位相変化（位相歪）が図６の（Ｂ）のように発生する。すなわち、高周波信号が小信号（Pin_S）領域から大信号（Pin_L）に増加するのに伴い、位相変化（位相歪）は減少する。これを打ち消す為、高周波増幅用トランジスタのベースバイアスを印加する為のベースバイアス回路に、入力信号レベルに対し、高周波増幅用トランジスタで発生する位相変化（位相歪）と逆特性となるような図６（Ａ）のような特性を持たせる。すなわち、インピーダンスボックス（Ｚｘ）２１３を接続し、所定の範囲の入力レベルにおいて、インピーダンスＺbiasと入力インピーダンスＺsの虚数値が共役（コンジュゲート）となるようにベースバイアス回路を構成する。そして、これらの双方の特性を合成することにより、図６（Ｃ）のように、入力信号レベルの大小、すなわち、Ｐｉｎ＿Ｓ（小信号）、Ｐｉｎ＿Ｌ（大信号）の如何にかかわらず、入力信号と出力信号の位相変化（位相歪）が極めて小さい特性を得ることが出来る。
【００３３】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例３】
【００３４】
図７は、本発明の第３の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。本実施例の高周波増幅器は、入力信号を増幅して出力する高周波増幅用トランジスタ（第１のトランジスタ）３０３と、この高周波増幅用トランジスタ３０３のベース側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのベースバイアス回路と、高周波増幅用トランジスタ３０３のコレクタ側にバイアス電圧およびバイアス電流を供給するためのチョークコイル３０６とを備えている。このベースバイアス回路は、第２のバイアス用トランジスタ３１２においてエミッタフォロア回路を構成している。また、このエミッタフォロア回路では、実施例２の第１のバイアス用トランジスタに相当するものとして、ダイオード３１５を第２のバイアス用トランジスタ３１２のベース電圧安定用の電圧源回路として用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ３０３の入力端子（ベース端子）との接続（接続点３１０）は、インダクタ３２４を用いて接続を行っている。ここで用いたインダクタ３２４は、集中定数のみならず分布定数線路、チップ部品、ＭＭＩＣ上に構成されたスパイラス線路等どのようなものでも構成可能である。高周波増幅に関しては実施例１と同様である。
【００３５】
本実施例では、エミッタフォロア回路を構成する第２のバイアス用トランジスタ３１２のベース-エミッタ間に、任意のインピーダンスを持つインピーダンスボックス３１３を接続している。その他の構成に関しては実施例２と同様である。すなわち、３０１は入力端子、３０２は出力端子、３０４はバイアス回路電源端子、３０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、３０７はバイアス電流調整用端子、３０８は直流阻止（抑制）用コンデンサ、３０９は直流阻止（抑制）用コンデンサ、３１０はベースバイアス回路と高周波信号線路の接続点、３１４は抵抗を示している。
【００３６】
本実施例では、第２のバイアス用トランジスタ３１２のベース-エミッタ間にインピーダンスボックス３１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点２３０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ３０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の所定の範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。これにより、第２のバイアス用トランジスタ３１２に、高周波増幅用トランジスタ３０３の持つ入力信号に対する位相変化とは逆位相の位相変化を実現でき、増幅器全体において高線形性を持たせることを実現する。尚、このインピーダンスボックス３１３は、直流的にオープン（開放）である。
【００３７】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器及び高周波モジュールを提供する事ができる。
【実施例４】
【００３８】
図８は、本発明の第４の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な構成及び動作は、図３に示した実施例２と同様であり、第２のバイアス用トランジスタ４１２のベース-エミッタ間に接続されたインピーダンスボックスＺｘがコンデンサ４１３に置き換えられたものとなっている。
【００３９】
その他の構成に関しては実施例１と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ４０３と、この高周波増幅用トランジスタ４０３のベースバイアス回路と、チョークコイル４０６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ４０３と第１のバイアス用トランジスタ４１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ４１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ４０３の入力端子との接続（接続点４１０）は、インダクタ４２４を用いて接続している。４０１は入力端子、４０２は出力端子、４０４はバイアス回路電源端子、４０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、４０７はバイアス電流調整用端子、４０８は直流阻止（抑制）用コンデンサ、４０９は直流阻止（抑制）用コンデンサ、４１４は抵抗を示している。
【００４０】
トランジスタ４１２のベース-エミッタ間にコンデンサ４１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点４１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ４０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００４１】
この実施例４にて構成された回路を、実際に高周波シミュレーションを用いてコンデンサ４１３の有無時について計算した結果、我々は、図９、図１０、図１１に示すような結果を得ている。
【００４２】
図９は、実施例４において入力電力に対する利得の変化特性を表した図である。図１０は、実施例４において入力電力に対する出力電力の位相変化特性を表した図である。まず、図９に示したように、入力電力を増加させても利得（振幅）偏差は殆ど発生しない。換言すると、ベース-エミッタ間にコンデンサ４１３を追加接続したことの影響は殆どない。これに対し、図１０に示したように、入力電力の増加に対する位相偏差の特性は、コンデンサ４１３を入れることで大きく改善されていることが分かる。換言すると、位相歪補償を、振幅歪補償とは独立して調整することができる。
【００４３】
また、図１１に、本構成の高周波増幅器にＯＦＤＭ信号を入力した場合のＥＶＭ特性の高周波シミュレーション結果を示す。この結果をみても、コンデンサ４１３を入れることでＥＶＭ値が大きく改善されていることが分かる。従って、この実施例の高周波増幅器は、ＯＦＤＭ方式及びその拡張方式を採用した高線形が必須となる無線通信用の高周波増幅器及び高周波モジュール及びそれらを用いた移動体無線機に用いるのに適している。
【００４４】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例５】
【００４５】
図１２は、本発明の第５の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な動作は、図７に示した実施例３と同様であり、エミッタフォロア回路を構成する第２のバイアス用トランジスタ５１２のベース-エミッタ間に接続されたインピーダンスボックスＺｘがコンデンサ５１３に置き換えられたものとなっている。
【００４６】
その他の構成に関しては実施例３と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ５０３と、ベースバイアス回路と、チョークコイル５０６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ５０３とダイオード５１５とによりカレントミラー回路を構成しており、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ５１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ５０３の入力端子との接続（接続点５１０）は、インダクタ５２４を用いて接続されている。５０１は入力端子、５０２は出力端子、５０４はバイアス回路電源端子、５０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、５０７はバイアス電流調整用端子、５０８は直流阻止用コンデンサ、５０９は直流阻止用コンデンサ、５１４は抵抗を示している。トランジスタ５１２のベース-エミッタ間にコンデンサ５１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点５１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ５０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００４７】
本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例６】
【００４８】
図１３は、本発明の第６の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。位相補償に関する基本的な構成及び動作としては、図３に示した実施例２及び図８に示した実施例４と同様である。ここでは、更に、第１のバイアス用トランジスタ６１５のベースバイアス部分に、直列に抵抗６１６，６１７が挿入され、一端がこれらの抵抗６１６，６１７間の接続点に接続され他端が直接接地されたコンデンサ６１８を加え、ローパスフィルタを構成したものである。更に、第１のバイアス用トランジスタ６１５に並列にコンデンサ６１１を接続している。
【００４９】
その他の構成に関しては実施例２若しくは４と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ６０３と、ベースバイアス回路と、チョークコイル６０６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ６０３と第１のバイアス用トランジスタ６１５とによりカレントミラー回路を構成しており、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ６１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ６０３の入力端子との接続（接続点６１０）は、インダクタ６２４を用いて接続している。６０１は入力端子、６０２は出力端子、６０４はバイアス回路電源端子、６０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、６０７はバイアス電流調整用端子、６０８は直流阻止用コンデンサ、６０９は直流阻止用コンデンサ、６１４は抵抗を示している。トランジスタ６１２のベース-エミッタ間にコンデンサ６１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点６１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ６０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００５０】
本実施例では、ローパスフィルタおよびコンデンサ６１８の追加により、バイアス回路の第１のバイアス用トランジスタ６１５の安定性を向上させている。
【００５１】
ここで、抵抗６１６，６１７、コンデンサ６１１，６１８で構成されたローパスフィルタは、高周波増幅用トランジスタ６０３の持つ入力信号に対する振幅変化とは逆の振幅変化を実現でき、入力電力に対する振幅歪（ＡＭ−ＡＭ）を低減可能となり増幅器全体において高線形性を実現するものである。また、これに第２のバイアス用トランジスタ６１２にコンデンサ６１３が接続されることにより、高周波増幅用トランジスタ６０３の持つ入力電力に対する位相変化とは逆位相の位相変化を実現でき、入力電力に対する位相歪（ＡＭ−ＰＭ）を低減可能となり増幅器全体において高線形性を実現するものである。この位相歪を低減させるために、ここでは、コンデンサ６１３を用いているが、図３に示した実施例２のように任意のインピーダンスを持つインピーダンスボックスＺXを用いても、なんら問題はない。
【００５２】
以上述べたように、本実施例では、振幅歪と位相歪の双方を独立して最適化することができる。すなわち、本実施例によれば、入力電力に対する振幅歪（ＡＭ−ＡＭ）と位相歪（ＡＭ−ＰＭ）が任意にコントロールできることにより、ＯＦＤＭ等に代表される振幅、位相の双方に信号を載せている変調方式に対する高線形化が可能となる。
【００５３】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して振幅、位相双方の高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例７】
【００５４】
図１４は、本発明の第７の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な動作は、図８に示した実施例４と同様であり、高周波増幅用トランジスタ７０３のベース端子部分（第２の端子）７１０ｂに直列にコンデンサ７２５と抵抗７２６との並列回路を挿入したものである。その他の構成に関しては実施例４と同様である。すなわち、ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ７０３と第１のバイアス用トランジスタ７１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ７１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ７０３の入力端子との接続点（第１の端子）７１０ａは、インダクタ７２４を用いて接続を行っている。７０１は入力端子、７０２は出力端子、７０４はバイアス回路電源端子、７０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、７０６はチョークコイル、７０７はバイアス電流調整用端子、７０８は直流阻止用コンデンサ、７０９は直流阻止用コンデンサ、７１４は抵抗を示している。また、トランジスタ７１２のベース-エミッタ間にコンデンサ７１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点７１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ４０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００５５】
本実施例によれば、並列回路の挿入により、高周波増幅用トランジスタ７０３の低周波における安定度を向上させることができる。これにより、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、安定で、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例８】
【００５６】
図１５は、本発明の第８の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な動作は、図８に示した実施例４と同様であり、図１５での高周波増幅用トランジスタ８０３ベース端子部分（第１の端子）８１０ａとバイアス回路部を繋ぐインダクタ８２４のバイアス回路側端子（第３の端子）８２０と、高周波増幅用トランジスタ８０３のベース端子部分（第２の端子）８１０ｂとを、コンデンサ８２５で接続し、高周波増幅用トランジスタ８０３のベース端子部分８１０ａと接続点（第２の端子）８１０ｂとの間に直列に抵抗８２８を挿入したものである。その他の構成に関しては実施例４と同様である。すなわち、ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ８０３と第１のバイアス用トランジスタ８１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ８１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。８０１は入力端子、８０２は出力端子、８０４はバイアス回路電源端子、８０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、８０６はチョークコイル、８０７はバイアス電流調整用端子、８０８は直流阻止用コンデンサ、８０９は直流阻止用コンデンサ、８１４は抵抗を示している。また、トランジスタ８１２のベース-エミッタ間にコンデンサ８１３が接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点８１０ａ（または接続点８１０ｂ）からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ８０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００５７】
本実施例は、コンデンサ８２５を接続することにより、高周波増幅用トランジスタ８０３の低周波における安定度を向上させつつ高周波特性を向上させたものである。これにより、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、安定で、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器を提供する事ができる。
【実施例９】
【００５８】
図１６は、本発明の第９の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な動作は、図３に示した実施例２と同様であり、第２のバイアス用トランジスタ９１２のベース-エミッタ間に接続されたインピーダンスボックスＺｘがインダクタとコンデンサの直列回路であるＬＣ直列回路９１３に置き換えられたものとなっている。その他の構成に関しては実施例２と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ９０３と、ベースバイアス回路と、チョークコイル９０６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ９０３と第１のバイアス用トランジスタ９１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ９１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ９０３の入力端子との接続（接続点９１０）は、インダクタ９２４を用いて接続を行っている。９０１は入力端子、９０２は出力端子、９０４はバイアス回路電源端子、９０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、９０７はバイアス電流調整用端子、９０８は直流阻止用コンデンサ、９０９は直流阻止用コンデンサ、９１４は抵抗を示している。また、第２のバイアス用トランジスタ９１２のベース-エミッタ間にＬＣ直列回路９１３を接続し、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点９１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ９０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように構成されている。
【００５９】
ＬＣ直列回路９１３の採用により、位相変化量に周波数特性を持たせることが可能となる。
【００６０】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、安定で、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器及び高周波モジュールを提供する事ができる。
【実施例１０】
【００６１】
図１７は、本発明の第１０の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。図３に示した実施例２のバイアス用トランジスタが、ＦＥＴで構成された第３のバイアス用トランジスタ１０１２に置き換えられている。その他の構成及び動作は実施例２と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ１００３と、ベースバイアス回路と、チョークコイル１００６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ１００３と第１のバイアス用トランジスタ１０１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ１０１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。このベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ１００３の入力端子との接続（接続点１０１０）は、インダクタ１０２４を用いて接続を行っている。１００１は入力端子、１００２は出力端子、１００４はバイアス回路電源端子、１００５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、１００７はバイアス電流調整用端子、１００８は直流阻止用コンデンサ、１００９は直流阻止用コンデンサ、１０１４は抵抗を示している。また、トランジスタ１０１２のベース-エミッタ間にインピーダンスボックスＺｘが接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点１０１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジス１００３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように構成されている。
【００６２】
本実施例によれば、ベース電流補償用トランジスタの制御が電流制御から電圧制御となりバイアス回路においての消費電流を下げると共に制御操作が簡単となる。
【００６３】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器及び高周波モジュールを提供する事ができる。
【実施例１１】
【００６４】
図１８は、本発明の第１１の実施例になる高周波増幅器の構成を示す図である。基本的な動作は、図７示した実施例３と同様であり、第２のバイアス用トランジスタがＦＥＴで構成された第３のバイアス用トランジスタ１１１２に置き換えられたものとなっている。その他の構成に関しては実施例３と同様である。すなわち、高周波増幅器は、高周波増幅用トランジスタ１１０３と、ベースバイアス回路と、チョークコイル１１０６とを備えている。ベースバイアス回路は、高周波増幅用トランジスタ１１０３とダイオード１１１５とによりカレントミラー回路を構成している。また、このカレントミラー回路では、第２のバイアス用トランジスタ１１１２をベース電流補償用トランジスタとして用いている。ベースバイアス回路部と高周波増幅用トランジスタ１１０３の入力端子との接続（接続点１１１０）は、インダクタ１１２４で行っている。１１０１は入力端子、１１０２は出力端子、１１０４はバイアス回路電源端子、１１０５は高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子である。また、１１０７はバイアス電流調整用端子、１１０８は直流阻止用コンデンサ、１１０９は直流阻止用コンデンサ、１１１４は抵抗を示している。また、トランジスタ１１１２のベース-エミッタ間にインピーダンスボックスＺｘが接続され、ベースバイアス回路と高周波信号線路との接続点１１１０からベースバイアス回路のみを見込んだ場合のインピーダンスＺbiasと、バイポーラトランジスタ１１０３の入力インピーダンスＺsが、高周波信号の広範囲の入力レベルにおいて、虚数値が共役になるように、高周波増幅器の回路が構成されている。
【００６５】
本実施例によれば、ベース電流補償用トランジスタの制御が電流制御から電圧制御となりバイアス回路においての消費電流を下げると共に制御操作が簡単となる。
【００６６】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する、高周波増幅器及び高周波モジュールを提供する事ができる。
【実施例１２】
【００６７】
図１９は、本発明の第１２の実施例になる高周波モジュールの構成を示す図である。この高周波モジュールは、ＲＦＩＣ１９０１と、実施例１ないし１１のいずれかの高周波増幅器を含んだフロントエンドモジュール１９１０と、アンテナ１９２０を備えている。フロントエンドモジュール１９１０は、低雑音高周波増幅器部を有する受信系ユニット１９１２と、高周波高出力増幅器部１００Ａ〜１００Ｃや整合回路１９１８を有する送信系ユニット１９１４と、送受を切替えるための高周波スイッチ１９１６等で構成されている。本発明の高周波増幅器の技術をフロントエンドモジュールの送信系増幅器部１００Ａ〜１００Ｃ、少なくとも、最終段の増幅器部１００Ｃに使用することにより、同じデバイスサイズを使用した高周波増幅器の消費電力を低減でき、さらにモジュール内部に占める送信系の面積を少なくすることが可能となる。
【００６８】
このように、本実施例によれば、回路規模を増加させることなく、集積化が容易で回路規模の小さい、かつ、広範囲の入力信号に対して高線形性を有する高周波モジュールを提供する事ができる。
【００６９】
また、本実施例の高周波増幅器や高周波モジュールは、ＣＤＭＡ方式やＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）方式及びその拡張方式を採用した高線形が必須となる移動体無線機に用いるのに適している。
【符号の説明】
【００７０】
１００…高周波増幅器、
１０１,２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１…入力端子、
１０２,２０２，３０２，４０２，５０２，６０２，７０２，８０２，９０２，１００２，１１０２…出力端子、
１０３,２０３，３０３，４０３，５０３，６０３，７０３，８０３，９０３，１００３，１１０３…高周波増幅用トランジスタ、
１０４,２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，８０４，９０４，１００４，１１０４…バイアス回路電源端子、
１０５,２０５，３０５，４０５，５０５，６０５，７０５，８０５，９０５，１００５，１１０５…高周波増幅用トランジスタコレクタ電圧端子、
１０６,２０６，３０６，４０６，５０６，６０６，７０６，８０６，９０６，１００６，１１０６…高周波阻止用チョークコイル、
１０７…ベースバイアス回路、
１０８,２０８，３０８，４０８，５０８，６０８，７０８，８０８，９０８，１００８，１１０８…直流阻止用コンデンサ、
１０９,２０９，３０９，４０９，５０９，６０９，７０９，８０９，９０９，１００９，１１０９…直流阻止用コンデンサ、
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０ａ，７１０ｂ，８１０ａ，８１０ｂ，９１０，１０１０，１１１０…ベースバイアス回路と高周波信号線路の接続点、
１０１２，１１１２…第３のバイアス用トランジスタ、
２０７，３０７，４０７，５０７，６０７，７０７，８０７，９０７，１００７，
１１０７…バイアス電流調整用端子、
２１２，３１２，４１２，５１２，６１２，７１２，８１２，９１２…第２のバイアス用トランジスタ、
２１３，３１３，１０１３，１１１３…インピーダンスボックス、
２１４，３１４，４１４，５１４，６１４，７１４，８１４，９１４，１０１４，１１１４…抵抗、
２１５，４１５，６１５，７１５，８１５，９１５，１０１５，１１１５…第１のバイアス用トランジスタ、
２２４，４２４，６２４，７２４，８２４，９２４，１０２４，１１２４…インダクタ、
３１５，５１５，１１１５…ダイオード、
４１３，５１３，６１３，７１３，８１３…コンデンサ、
９１３…ＬＣ直列回路、
６１１，６１８，７２５，８２５…コンデンサ、
６１６，６１７，７２６，８２８…抵抗、
１９０１…ＲＦＩＣ、
１９１０…フロントエンドモジュール、
１９２０…アンテナ、
１９１２…受信系ユニット、
１９１４…送信系ユニット、
１９１６…高周波スイッチ、
１９１８…整合回路、
１００Ａ〜１００Ｃ…高周波高出力増幅器部。
【図１】
2010283556.tif 000003
【図２Ａ】
2010283556.tif 000004
【図２Ｂ】
2010283556.tif 000005
【図３】
2010283556.tif 000006
【図４】
2010283556.tif 000007
【図５】
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【図６】
2010283556.tif 000009
【図７】
2010283556.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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