(57)【要約】      （修正有）【課題】従来に比べて、ＦＳＳパターンの隙間部分が目立ちにくい透明電波吸収体用の吸収層を提供する。【解決手段】第１の透明基板１２０上に、透明導電性素子１２６と、該透明導電性素子１２６の周囲の非パターン化領域とで構成されたＦＳＳパターンを有し、該ＦＳＳパターンの上に第２の透明基板１３５を設置することにより構成された、透明電波吸収体用の吸収層１１０であって、前記非パターン化領域には、透明絶縁性部材１３１が充填され、該透明絶縁性部材１３１は、該透明絶縁性部材１３１の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板１２０の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板１３５の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成されることを特徴とする、透明電波吸収体用の吸収層。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明基板上に、透明導電性素子と、該透明導電性素子の周囲の非パターン化領域とで構成されたＦＳＳパターンを有し、該ＦＳＳパターンの上に第２の透明基板を設置することにより構成された、透明電波吸収体用の吸収層であって、
前記非パターン化領域には、透明絶縁性部材が充填され、
該透明絶縁性部材は、該透明絶縁性部材の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成されることを特徴とする、透明電波吸収体用の吸収層。
【請求項２】
さらに、前記透明導電性素子と前記第２の透明基板の間に、前記透明絶縁性部材が設置されていることを特徴とする請求項１に記載の吸収層。
【請求項３】
前記導電性素子は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の吸収層。
【請求項４】
前記透明絶縁性部材は、屈折率ｎＦが１．３７５〜１．７７５の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の吸収層。
【請求項５】
前記透明絶縁性部材は、樹脂で構成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の吸収層。
【請求項６】
吸収層と反射層とを間隔を介して配置することにより構成された透明電波吸収体であって、
前記吸収層は、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の吸収層であることを特徴とする透明電波吸収体。
【請求項７】
（Ａ）第１の屈折率を有する第１の透明基板を準備するステップと、
（Ｂ）前記第１の透明基板の表面上に、透明導電膜を形成するステップと、
（Ｃ）前記透明導電膜の一部を除去することにより、前記第１の透明基板の露出部が形成されるステップと、
（Ｄ）前記露出部を、前記第１の屈折率との差が０．２以内である第２の屈折率を有する透明絶縁性部材で被覆するステップと、
（Ｅ）前記透明導電膜および前記透明絶縁性部材上に、前記第２の屈折率との差が０．２以内である第３の屈折率を有する第２の透明基板を設けるステップと
を備えたことを特徴とする透明電波吸収体用の吸収層を製作する方法。
【請求項８】
第１の透明基板上に、透明導電性素子と、該透明導電性素子の周囲の非パターン化領域とで構成されたパターンを有するＦＳＳを有し、該ＦＳＳの上に第２の透明基板を有する、透明電波吸収体用の吸収層を製作する方法であって、
（Ａ）前記第１の透明基板の一方の表面上に、前記透明導電性素子のパターンを形成するステップと、
（Ｂ）前記第２の透明基板の一方の表面上に、透明絶縁性部材を設置するステップであって、前記透明絶縁性部材は、該透明絶縁性部材の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成される、ステップと、
（Ｃ）前記第１の透明基板の前記一方の表面と、前記第２の透明基板の前記一方の表面とが対向するようにして、前記第１および第２の透明基板を接合するステップであって、これにより、少なくとも前記非パターン化領域に、前記透明絶縁性部材が充填されるステップと、
を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電波吸収体に関し、特に、ＦＳＳを有する透明電波吸収体の吸収層に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の無線技術の著しい進展は、同時に、無線システムにおいて、干渉や混信などの電波障害を引き起こす可能性を高める結果となっている。例えば、物品に備えられたＲＦＩＤタグをリーダライターと呼ばれる無線機器で認識する、ＵＨＦ帯のＲＦＩＤシステムにおいては、リーダライターの識別ゾーンにおける電波障害が普及を妨げる大きな要因となっている。
【０００３】
このような無線システムの識別ゾーンにおける干渉や混信等の電波障害を防止するため、透明電波吸収体の使用が提案されている。
【０００４】
一般に、透明電波吸収体は、透明吸収層と、該透明吸収層から所定の距離（例えば波長の１／４）だけ離間して設置された透明反射層とで構成される。最近の例では、両層の離間距離を狭めるため、透明吸収層は、２つの透明基板の間に、ＦＳＳ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ）と呼ばれる周波数選択部材を設置することにより構成される。ＦＳＳは、透明導電性素子とその周囲の隙間部分とで構成されたパターン（以下、「ＦＳＳパターン」と称する）を有する。一方、透明反射層は、透明基板に透明反射膜を設置することにより構成される。
【０００５】
ところで、このような構成を有する透明電波吸収体において、該透明電波吸収体を例えば、吸収層の側から視認した場合、ＦＳＳパターンにぎらつきが生じ、ＦＳＳパターンの隙間部分が目立って見えてしまう。またこれにより、透明電波吸収体の見栄えが悪くなり、意匠性や美観が損なわれることが問題となっている。
【０００６】
そこで、このような意匠性の問題に対応するため、液晶表示装置の分野ではあるが、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）からなる透明導電性素子同士の隙間部分に、屈折率がＩＴＯに近い、ＺｒＯ２およびＳｉＯ２からなる透明絶縁材（屈折率１．８１）を充填することが提案されている（特許文献１）。この場合、透明導電性素子と隙間部分（すなわち透明絶縁材充填部分）との間の反射率の差が小さくなるため、隙間部分が見えにくくなることが報告されている。
【特許文献１】特開平２−２２６２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の特許文献１に記載の方法は、液晶表示装置に関するものであり、以下の理由により、透明電波吸収体の吸収層には、そのまま適用することは難しい。
【０００８】
透明電波吸収体において、ＦＳＳパターンのぎらつきおよび／または隙間部分の際だった視認性には、吸収層を形成する各透明基板とＦＳＳパターンの隙間部分（すなわち空気部分）との界面での屈折率の差異が大きく関与している。例えば、一方の透明基板がガラスの場合、その屈折率は、１．５２程度である。従って、この界面での屈折率の差Δｎは、空気の屈折率ｎ＝１として、Δｎ＝０．５２となる。
【０００９】
一方、透明導電性素子間の隙間部分に、特許文献１のような屈折率が１．８１の透明絶縁材を充填した場合、一つの透明基板と隙間部分（すなわち透明絶縁材）の界面での屈折率の差Δｎは、Δｎ＝１．８１−１．５２＝０．２９となる。このように、隙間部分に透明絶縁材を充填することにより、界面での屈折率の差Δｎは、多少低下するものの、その低下量はあまり大きくはなく、効果としては未だ不十分である。
【００１０】
従って、特許文献１の方法を透明電波吸収体にそのまま適用しても、ぎらつきを抑制したり、ＦＳＳパターンの隙間部分を十分に視認できなくしたりすることは難しく、前述の意匠性の問題は、依然として残ると考えられる。
【００１１】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、従来に比べて、ＦＳＳパターンの隙間部分が目立ちにくく、ぎらつきの少ない透明電波吸収体用の吸収層を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、第１の透明基板上に、透明導電性素子と、該透明導電性素子の周囲の非パターン化領域とで構成されたＦＳＳパターンを有し、該ＦＳＳパターンの上に第２の透明基板を設置することにより構成された、透明電波吸収体用の吸収層であって、
前記非パターン化領域には、透明絶縁性部材が充填され、
該透明絶縁性部材は、該透明絶縁性部材の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成されることを特徴とする、透明電波吸収体用の吸収層が提供される。
【００１３】
ここで本発明よる透明電波吸収体用の吸収層は、さらに、前記透明導電性素子と前記第２の透明基板の間に、前記透明絶縁性部材が設置されていても良い。
【００１４】
また本発明による透明電波吸収体用の吸収層において、前記導電性素子は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で構成されていても良い。
【００１５】
また本発明による透明電波吸収体用の吸収層において、前記透明絶縁性部材は、屈折率ｎＦが１．３７５〜１．７７５の範囲であっても良い。
【００１６】
また本発明による透明電波吸収体用の吸収層において、前記透明絶縁性部材は、樹脂で構成されても良い。
【００１７】
また本発明では、吸収層と反射層とを間隔を介して配置することにより構成された透明電波吸収体であって、
前記吸収層が、前述のいずれかの特徴を有する吸収層で構成された、透明電波吸収体が提供される。
【００１８】
また本発明では、
（Ａ）第１の屈折率を有する第１の透明基板を準備するステップと、
（Ｂ）前記第１の透明基板の表面上に、透明導電膜を形成するステップと、
（Ｃ）前記透明導電膜の一部を除去することにより、前記第１の透明基板の露出部が形成されるステップと、
（Ｄ）前記露出部を、前記第１の屈折率との差が０．２以内である第２の屈折率を有する透明絶縁性部材で被覆するステップと、
（Ｅ）前記透明導電膜および前記透明絶縁性部材上に、前記第２の屈折率との差が０．２以内である第３の屈折率を有する第２の透明基板を設けるステップと
を備えたことを特徴とする透明電波吸収体用の吸収層を製作する方法が提供される。
【００１９】
さらに本発明では、第１の透明基板上に、透明導電性素子と、該透明導電性素子の周囲の非パターン化領域とで構成されたパターンを有するＦＳＳを有し、該ＦＳＳの上に第２の透明基板を有する、透明電波吸収体用の吸収層を製作する方法であって、
（Ａ）前記第１の透明基板の一方の表面上に、前記透明導電性素子のパターンを形成するステップと、
（Ｂ）前記第２の透明基板の一方の表面上に、透明絶縁性部材を設置するステップであって、前記透明絶縁性部材は、該透明絶縁性部材の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成される、ステップと、
（Ｃ）前記第１の透明基板の前記一方の表面と、前記第２の透明基板の前記一方の表面とが対向するようにして、前記第１および第２の透明基板を接合するステップであって、これにより、少なくとも前記非パターン化領域に、前記透明絶縁性部材が充填されるステップと、
を有する方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、従来に比べて、ＦＳＳパターンの隙間部分が目立ちにくく、ぎらつきの少ない透明電波吸収体用の吸収層を提供することが可能となる。また、そのような特徴を有する透明電波吸収体、およびそのような特徴を有する透明電波吸収体用の吸収層の製作方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面により、本発明の特徴について詳しく説明する。
【００２２】
図１には、本発明による透明電波吸収体の断面の一例を示す。また、図２には、本発明の透明電波吸収体における吸収層の上面図の一例を示す。なお、両図において、いくつかの部材の寸法は、誇張して示されており、このため、これらの図は、実際のスケールには対応していないことに留意する必要がある。
【００２３】
図１に示すように、本発明の透明電波吸収体１００は、吸収層１１０と、反射層１４０と、両者の間に空間１６０を形成するためのスペーサ１７０とで構成される。
【００２４】
吸収層１１０は、第１の透明基板１２０上にＦＳＳ（周波数選択膜）１２５を配置し、さらにこのＦＳＳ１２５の上に第２の透明基板１３５を設置することにより構成される。第１の透明基板１２０および第２の透明基板１３５は、例えば、ガラス、または透明プラスチック（例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート））等の透明材料で構成される。
【００２５】
一方、反射層１４０は、第３の透明基板１５０と、その一方の表面に配置された透明反射膜１４５とにより構成される。第３の透明基板１５０は、例えば、ガラス、または透明プラスチック（例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート））等の透明材料で構成される。透明反射膜１４５は、例えば、透明金属薄膜と透明酸化物薄膜とを繰り返し積層することにより構成される。透明金属薄膜には、例えば、銀が使用され、透明酸化物薄膜には、例えば、酸化亜鉛、酸化インジウム等が使用される。
【００２６】
図２には、吸収層１１０の上面図を示す。この図は、図１の上側から、吸収層１１０を見たときの状態を示している。ただし図２では、第２の透明基板１３５は、省略されていることに留意する必要がある。ＦＳＳ１２５は、図２に示すように、第１の透明基板１２０上に配置された導電性素子１２６の規則パターンにより構成される。導電性素子１２６は、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電性材料で構成される。
【００２７】
図２の例では、導電性素子１２６は、一辺の長さがＬの正方形の形状を有し、各導電性素子１２６が縦方向（Ｘ方向）と横方向（Ｙ方向）に、繰り返し（５回）配置されることにより、導電性素子１２６の規則パターンが形成される。なお、各導電性素子１２６は、幅の寸法がｇの非パターン化領域１３０により、他の導電性素子１２６と離間されている。本願では、このような導電性素子１２６の規則パターンと、非パターン化領域１３０とからなるパターンを、以降「ＦＳＳパターン」１２８と称する。
【００２８】
ここで、本発明では、図１に示すように、ＦＳＳ１２５の非パターン化領域１３０に、透明絶縁性部材１３１が充填されていることを特徴とする。また、この透明絶縁性部材１３１の材料は、第１の透明基板１２０の屈折率ｎ１、および第２の透明基板１３５の屈折率ｎ２の両方に近い屈折率を有するように選定される。より具体的には、透明絶縁性部材１３１の屈折率ｎＦは、第１の透明基板１２０の屈折率ｎ１との差Δｎ１（すなわちｎ１−ｎＦ）の絶対値、および第２の透明基板１３５の屈折率ｎ２との差Δｎ２（すなわちｎ２−ｎＦ）の絶対値Δｎ２がいずれも、０〜０．２の範囲となるように選定される。
【００２９】
次に、このように構成された本発明による透明電波吸収体の特徴をより良く理解するため、透明絶縁性部材のない透明電波吸収体の構成およびその問題について説明する。
【００３０】
図３には、透明絶縁性部材のない透明電波吸収体の模式的な断面図を示す。また、図４には、図３の透明電波吸収体の吸収層の部分の断面拡大図を模式的に示す。
【００３１】
透明絶縁性部材のない透明電波吸収体３００は、基本的に、図１に示した本発明による電波吸収体１００とほぼ同様の部材で構成される。従って、図３において、図１の部材と対応する部材には、図１の参照符号に２００を足した符号が付されている。例えば、吸収層は、３１０で表され、ＦＳＳは３２５で表され、導電性素子は３２６で表されている。
【００３２】
ただし、透明絶縁性部材のない透明電波吸収体３００の場合、本発明による透明電波吸収体１００とは異なり、非パターン化領域３３０に、透明絶縁性部材１３１は、充填されていない。すなわち、非パターン化領域３３０は、隙間３３２になっており、ここには空気が存在している。
【００３３】
このように構成された透明絶縁性部材のない透明電波吸収体３００の場合、図４に示すように、吸収層３１０の第１の透明基板３２０の側から光４１０が照射されると、該光の一部４１０Ａは、第１の透明基板３２０、ＦＳＳパターンの非パターン化領域３３０（すなわち隙間３３２）、および第２の透明基板３３５を通り、吸収層３１０を透過する。
【００３４】
ここで、第１および第２の透明基板３２０、３３５が、いずれもＰＥＴ（屈折率１．５７５）で構成されているとすると、第１の透明基板３２０と非パターン化領域３３０の間の界面ＩＡ、および非パターン化領域３３０と第２の透明基板３３５との間の界面ＩＢでは、屈折率に大きな変化が生じることになる。すなわち、空気の屈折率を１とした場合、いずれの界面ＩＡ、ＩＢにおいても、屈折率の差の絶対値は、０．５７５となり、屈折率に大きな変化が生じる。
【００３５】
このような界面ＩＡ、ＩＢでの屈折率の大きな変化は、透明電波吸収体３００を視認した際に、非パターン化領域３３０がぎらついたり、際立って見えたりする原因となる。また、そのような非パターン化領域３３０がぎらつきは、透明電波吸収体の意匠性や美感を損なう要因となる。
【００３６】
また、このような問題を軽減するため、前述の特許文献１に記載のように、非パターン化領域３３０に、ＺｒＯ２とＳｉＯ２とからなる屈折率が１．８１の充填剤を充填することが考えられる。しかしながら、非パターン化領域３３０に、そのような充填剤を充填したとしても、ＰＥＴ製の第１の透明基板３２０（屈折率１．５７５）と充填剤との界面ＩＡ、および充填剤とＰＥＴ製の第２の透明基板３３５（屈折率１．５７５）との界面ＩＢには、いずれも、０．２３５程度の屈折率の変化が残る。従って、そのような方法を適用したとしても、両界面における屈折率の変化は、十分に低減されているとは言い難い。従って、この場合も、依然として、透明電波吸収体を視認した際に、ＦＳＳパターンがぎらつき、非パターン化領域が際だって見え、これにより美感が損なわれる恐れがある。
【００３７】
これに対して、前述の図１に示した本発明による電波吸収体１００では、ＦＳＳ１２５の非パターン化領域１３０は、第１および第２の透明基板と屈折率の近い透明絶縁性部材１３１で充填されており、透明絶縁性部材１３１を構成する材料は、第１の透明基板１２０の屈折率ｎ１、および第２の透明基板１３５の屈折率ｎ２の両方に近い屈折率を有する。より具体的には、透明絶縁性部材１３１の屈折率ｎＦは、第１の透明基板１２０の屈折率ｎ１との差Δｎ１（すなわちｎ１−ｎＦ）の絶対値、および第２の透明基板１３５の屈折率ｎ２との差Δｎ２（すなわちｎ２−ｎＦ）の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるように選定されている。従って、本発明では、第１の透明基板１２０と透明絶縁性部材１３１との界面Ｉ１、および透明絶縁性部材１３１と第２の透明基板１３５との界面Ｉ２における屈折率の変化を十分に抑制することができる。これにより、本発明の透明電波吸収体では、従来の透明電波吸収体のような、ＦＳＳパターンがぎらつき、および／または非パターン化領域が際だって見え、透明電波吸収体の意匠性が損なわれるという問題を有意に抑制することが可能になる。
【００３８】
例えば、本発明において、第１の透明基板１２０および第２の透明基板１３５がいずれもＰＥＴ（屈折率１．５７５）で構成される場合、透明絶縁性部材１３１は、屈折率ｎＦが、１．３７５〜１．７７５の範囲の材料で構成される。また、第１の透明基板１２０および第２の透明基板１３５がいずれもガラス（屈折率１．５２）で構成される場合、透明絶縁性部材１３１は、屈折率ｎＦが、１．３２〜１．７２の範囲の材料で構成される。また、第１の透明基板１２０がＰＥＴ（屈折率１．５７５）で構成され、および第２の透明基板１３５がガラス（屈折率１．５２）で構成される場合（あるいはその逆の場合）、透明絶縁性部材１３１は、屈折率ｎＦが、１．３７５〜１．７２の範囲の材料で構成される。
【００３９】
なお、本願において、屈折率とは、波長５５０ｎｍにおける屈折率を意味する。
【００４０】
このような透明絶縁性部材１３１の材料としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、ポリアルコール・ポリグリコール型エポキシ樹脂、ポリオレフィン型エポキシ樹脂、脂環式やハロゲン化ビスフェノールなどのエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、いずれも屈折率が１．５５〜１．６０の範囲である。
【００４１】
また、透明絶縁性部材１３１の材料として、エポキシ樹脂以外にも、天然ゴム（屈折率１．５２）、ポリイソプレン（屈折率１．５２１）、ポリ１，２−ブタジエン（屈折率１．５０）、ポリイソブテン（屈折率１．５０５〜１．５１）、ポリブテン（屈折率１．５１２５）、ポリ−２−へプチル−１，３−ブタジエン（屈折率１．５０）、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン（屈折率１．５０６）、ポリ−１，３−ブタジエン（屈折率１．５１５）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン（屈折率１．４５６３）、ポリオキシプロピレン（屈折率１．４４９５）、ポリビニルエチルエーテル（屈折率１．４５４）、ポリビニルヘキシルエーテル（屈折率１．４５９１）、ポリビニルブチルエーテル（屈折率１．４５６３）などのポリエーテル類、ポリビニルアセテート（屈折率１．４６６５）、ポリビニルプロピオネート（屈折率１．４６６５）などのポリエステル類、ポリウレタン（屈折率１．５〜１．６）、エチルセルロース（屈折率１．４７９）、ポリ塩化ビニル（屈折率１．５４〜１．５５）、ポリアクリロニトリル（屈折率１．５２）、ポリメタクリロニトリル（屈折率１．５２）、ポリスルホン（屈折率１．６３３）、ポリスルフィド（屈折率１．６）、およびフェノキシ樹脂（屈折率１．５〜１．６）などが使用できる。
【００４２】
また、透明絶縁性部材１３１の材料として、上記樹脂の他にも、ポリエチルアクリレート（屈折率１．４６８５）、ポリブチルアクリレート（屈折率１．４６）、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート（屈折率１．４６３）、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート（屈折率１．４６３８）、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート（屈折率１．４６５）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート（屈折率１．４６５）、ポリメチルアクリレート（屈折率１．４７２〜１．４８０）、ポリイソプロピルメタクリレート（屈折率１．４７２８）、ポリドデシルメタクリレート（屈折率１．４７４）、ポリテトラデシルメタクリレート（屈折率１．４７４６）、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート（屈折率１．４８４）、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート（屈折率１．４８４）、ポリエチルメタクリレート（屈折率１．４８５）、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート（屈折率１．４８６８）、ポリテトラカルバニルメタクリレート（屈折率１．４８８９）、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート（屈折率１．４８８９）、ポリメチルメタクリレート（屈折率１．４８９３）などのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用できる。さらに、これらのアクリルポリマーは、必要に応じて、２種以上共重合したり、２種以上を混合したりして使用しても良い。
【００４３】
なお、前述の説明では、ＦＳＳパターンの例として図２に示す形態のものを示したが、本発明による吸収層において、ＦＳＳパターンの態様は、特に限られない。例えば、ＦＳＳパターンは、図７に示すような導電性素子および非パターン化領域の規則配列で構成されても良い。
【００４４】
この図において、ＦＳＳパターン１２８Ａは、第1の導電性素子１２６Ａと、第２の導電性素子１２７Ａと、両者の間に設置された非パターン化領域１３０Ａとの２次元繰り返しパターンで構成される。ここで第１の導電性素子１２６Ａは、前述の図２における導電性素子１２６と同様に、一辺の長さがＬの正方形の形状を有する。また、非パターン化領域１３０Ａは、幅ｇを有する。これに対して、第２の導電性素子１２７Ａは、第１の導電性素子１２８Ａ以外の導電性素子で構成され、実質的に３種類の部分（第１の矩形部分１２７'、 第２の矩形部分１２７''、および正方形部分１２７'''）を有する。第１の矩形部分１２７'のＸ方向の長さは、Ｄであり、Ｙ方向の長さは、Ｌである。第２の矩形部分１２７''のＸ方向の長さは、Ｌであり、Ｙ方向の長さは、Ｄである。一方、正方形部分１２７'''のＸおよびＹ方向の長さは、Ｄである。
【００４５】
この他にも、様々な形態のＦＳＳパターンが想定され得ることは、当業者には明らかである。
【００４６】
（第２の実施形態）
次に、本発明による透明電波吸収体の別の実施形態について説明する。
【００４７】
図８には、本発明による第２の透明電波吸収体の一例の模式的な断面図を示す。この透明電波吸収体５００は、基本的に、図１に示した電波吸収体１００とほぼ同様の部材で構成される。従って、図８において、図１の部材と対応する部材には、図１の参照符号に４００を足した符号が付されている。例えば、透明電波吸収体５００の吸収層は、５１０で表され、透明電波吸収体５００のＦＳＳは、５２５で表され、透明電波吸収体５００の導電性素子は、５２６で表されている。
【００４８】
ただし、この第２の透明電波吸収体５００の場合、前述の透明電波吸収体１００とは異なり、ＦＳＳ５２５の上部に、ＦＳＳパターン全体を覆うようにして、透明絶縁性部材５３４が設置されている。換言すれば、透明絶縁性部材５３４は、ＦＳＳパターンの非パターン化領域５３０を充填するとともに、導電性素子５２６の上部表面全体を覆うようにして設置される。なお、この透明絶縁性部材５３４は、前述の透明電波吸収体１００の透明絶縁性部材１３１と同様、第１の透明基板５２０の屈折率ｎ１、および第２の透明基板５３５の屈折率ｎ２の両方に近い屈折率を有する材料で構成されるという特徴を有する。より具体的には、透明絶縁性部材５３４の屈折率ｎＦは、第１の透明基板５２０の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および第２の透明基板５３５の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値Δｎ２がいずれも、０〜０．２の範囲となるように選定される。
【００４９】
このように構成された第２の透明電波吸収体５００において、第１の透明基板５２０と透明絶縁性部材５３４の界面Ｉ１、および透明絶縁性部材５３４と第２の透明基板５３５の界面Ｉ２では、いずれも従来の構成に比べて、屈折率の変化が小さく抑制される。従って、第２の透明電波吸収体５００においても、前述の透明電波吸収体１００と同様、ＦＳＳパターンの非パターン化領域の視認性、およびぎらつきを有意に抑制することができる。
【００５０】
また、第２の透明電波吸収体５００の場合、導電性素子５２６と第２の透明基板５３５の間に、屈折率がｎＦの透明絶縁性部材５３４が介在されることになる。
【００５１】
上述の例の場合、この界面での屈折率の変化は、導電性素子の屈折率を１．８１（ＩＴＯの場合）とし、第２の透明基板の屈折率を１．５７５（ＰＥＴの場合）とすると、１．８１−１．５７５＝０．２３５となる。これに対して、第２の透明電波吸収体５００では、同界面の屈折率の変化は、例えばｎＦ＝１．６０の場合、１．６０−１．５７５＝０．０２５となる。従って、第２の透明電波吸収体５００では、第１の透明基板５２０の側から、非パターン化領域５３０を通過する光のみならず、導電性素子５２６を通過する光に対しても、屈折を抑制することが可能となる。従って、より一層、ＦＳＳパターンが目立たちにくい透明電波吸収体を提供することが可能となる。
【００５２】
（製造方法）
次に、本発明による透明電波吸収体用の吸収層を製作する方法の一例について説明する。図９には、本発明による方法のフロー図を示す。この方法は、第１の透明基板の一方の表面上に、ＦＳＳパターンを形成するステップ（ステップＳ１１０）と、ＦＳＳパターンの非パターン化領域に、透明絶縁性部材を充填するステップと、前記第１の透明基板と、新たな第２の透明基板とを、ＦＳＳパターンを介して接合するステップと、を有する。本発明の方法では、前記透明絶縁性部材が、該透明絶縁性部材の屈折率ｎＦと、前記第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１の絶対値、および前記第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２の絶対値がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料で構成されるという特徴を有する。
【００５３】
以下、各ステップについて、詳しく説明する。
【００５４】
（ＦＳＳパターンを形成するステップ：ステップＳ１１０）
まず最初に、第１の透明基板が準備される。第１の透明基板は、前述のような透明材料で構成される。第１の透明基板の厚さは、特に限られず、例えば、５０μｍ〜１ｍｍ（例えば１００μｍ）の範囲である。
【００５５】
次に、この第１の透明基板の第１の表面に、導電性素子の配列と非パターン化領域とからなるＦＳＳパターンが形成される。
【００５６】
ＦＳＳパターンは、例えば、第１の透明基板の第１の表面全体に、透明導電膜を成膜した後、これをパターン処理することにより形成される。透明導電膜の成膜には、ＣＶＤ法、スパッタ法、スピンコート法などの従来の成膜方法が使用できる。透明導電膜は、例えば、ＩＴＯで構成される。また、透明導電膜のパターン処理は、例えば、レーザーを用いて、または適当なマスクを用いたエッチング処理により実施される。
【００５７】
あるいは、適当なマスク部材を用いて、第１の透明基板の第１の表面に、直接ＦＳＳパターンを形成しても良い。また、マスク部材を使用せずに、第１の透明基板の第１の表面に、プリント印刷法により、直接ＦＳＳパターンを形成しても良い。
【００５８】
パターン化された透明導電性素子の厚さは、例えば、１０ｎｍ〜１μｍの範囲である。また、隙間（非パターン化領域）の幅は、例えば、１μｍ〜２００μｍの範囲であっても良い。
【００５９】
（非パターン化領域に、透明絶縁性部材を充填するステップ：ステップＳ１２０）
次に、ＦＳＳパターンの非パターン化領域に、透明絶縁性部材が充填される。この処理は、例えば、ＦＳＳパターンの非パターン化領域を塞ぐように、透明絶縁性部材を直接設置することにより行われる。透明絶縁性部材の充填は、例えば、透明絶縁性部材を含むペースト等をＦＳＳパターン上に塗布した後、スピンコート処理およびその後の乾燥処理を行うことにより、実施しても良い。あるいは、適当なマスクを用いて、従来の成膜技術により、ＦＳＳパターンの非パターン化領域に、透明絶縁性部材を直接充填しても良い。
【００６０】
なお、透明絶縁性部材は、必ずしもＦＳＳパターンの非パターン化領域にのみ設置されている必要はなく、透明導電性素子の上部にも設置されても良い。後者の場合、最終的に、前述の図８に示したような構造を有する吸収層５１０が得られる。
【００６１】
ここで、透明絶縁性部材は、その屈折率ｎＦが、前述のように、第１の透明基板の屈折率ｎ１との差Δｎ１（すなわちｎ１−ｎＦ）の絶対値、および後述する第２の透明基板の屈折率ｎ２との差Δｎ２（すなわちｎ２−ｎＦ）の絶対値Δｎ２がいずれも、０〜０．２の範囲となるような材料から選定されることに留意する必要がある。
【００６２】
（第１の透明基板と第２の透明基板とを接合するステップ：ステップＳ１３０）
次に、第２の透明基板が準備される。第２の透明基板は、前述の第１の透明基板と同じ材質であっても、異なっていても良い。また、第２の透明基板の厚さは、特に限られないが、例えば、１００μｍ〜１０ｍｍの範囲であっても良い。
【００６３】
次に、第１の透明基板と、第２の透明基板とが、ＦＳＳパターンを介して対向するようにして接合される。このため、第１の透明基板と第２の透明基板との間に、別途、接着剤が設置されても良い。あるいは、接着性を有する透明絶縁性部材を使用することにより、第１の透明基板と第２の透明基板とを接合しても良い。
【００６４】
以上の工程を経て、本発明による吸収層を製作することができる。
【００６５】
なお、前述の製造方法は、一例であって、本発明による吸収層の製作方法は、これに限られるものではない。例えば、上記ステップＳ１２０〜Ｓ１３０において、第２の透明基板の表面の一部または全体に、予め透明絶縁性部材（またはそのペースト等）を設置しておき、この第２の基板を第１の基板と接合させた際に、第２の透明基板の側から、非パターン化領域に透明絶縁性部材が充填されるようにしても良い。非パターン化領域（すなわち隙間）の深さは、通常、最大でも１００ｎｍ程度しかないため、このような方法においても、非パターン化領域に透明絶縁性部材を十分に充填することができる。
【００６６】
その他、様々な方法により、非パターン化領域に透明絶縁性部材を充填することができることは、当業者には明らかである。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６８】
（実施例１）
厚さが１００μｍのＰＥＴ製の第１の基板（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ）の一方の表面に、該表面全体を覆うように、公知のスパッタリング法により、厚さ約８０ｎｍのＩＴＯ膜を設置した。なお第１の基板の屈折率は、１．５７５であった。その後、ＹＡＧレーザを用いて、ＩＴＯ膜をパターン化した。これにより、ＩＴＯ素子の一辺の寸法Ｌが２０ｍｍで、非パターン化領域の幅ｇが１００μｍの二次元繰り返しパターンを得た（図２参照）。
【００６９】
次に、厚さが１．８ｍｍのガラス製の第２の基板（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ）の一方の表面に、厚さ２５μｍの粘着剤（リンテック(株)製）を接着した。第２の基板の屈折率は、１．５２であり、この粘着剤シートの屈折率は、１．５４であった。
【００７０】
さらに、前述のパターンを表面に有するＰＥＴ製の第１の基板上に、前述の粘着剤シートを貼り付けた第２の基板を配置した。この際には、粘着剤シートが第１の基板と接するようにして、第１の基板に対して第２の基板を配置した。次に、両者を押し付け、接合した。これにより、非パターン化領域に、粘着剤が充填された吸収層のサンプル（以下、「実施例１のサンプル」と称する）が得られた。なお、この実施例１のサンプルの断面構造は、図８に示した構造と実質的に等しく、すなわち、各パターン化ＩＴＯ素子の表面は、粘着剤により被覆されていた。
【００７１】
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、一方の表面にＩＴＯのパターンを有するＰＥＴ製の第１の基板を調製した。次に、この第１の基板上に、厚さが１．８ｍｍのガラス製の第２の基板を設置し、両者を接合した。なお、接合は、ポリイミドテープで４辺を固定し、さらに、３０分間オートクレーブで０．９５ＭＰａの圧力を加えることにより実施した。
【００７２】
これにより、非パターン化領域に空気が充填された吸収層のサンプル（以下、「比較例１のサンプル」と称する）を得た。
【００７３】
（比較例２）
実施例１と同様の方法により、一方の表面にＩＴＯのパターンを有するＰＥＴ製の第１の基板を調製した。また、厚さが１．８ｍｍのガラス製の第２の基板（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ）を調製した。
【００７４】
次に、従来のＣＶＤ法で、第１の基板上に膜厚が約１００μｍのＳｉＮ膜を成膜した。これにより、第１の基板の非パターン化領域およびＩＴＯ上部に、屈折率が１．８のＳｉＮ材料が設置された。
【００７５】
さらにその上部に、第２の基板を設置し、各部材を接合した。
【００７６】
これにより、非パターン化領域に、ＳｉＮが充填された吸収層のサンプル（以下、「比較例２のサンプル」と称する）が得られた。
【００７７】
（比較例３）
実施例１と同様の方法により、一方の表面にＩＴＯのパターンを有するＰＥＴ製の第１の基板を調製した。また、厚さが１．８ｍｍのガラス製の第２の基板（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ）を調製した。
【００７８】
次に、従来のＣＶＤ法で、第１の基板上に膜厚が約１００μｍのＺｎＯ膜を成膜した。これにより、第１の基板の非パターン化領域およびＩＴＯ上部に、屈折率が１．８のＺｒＯ材料が設置された。
【００７９】
さらにその上部に、第２の基板を設置し、各部材を接合した。
【００８０】
これにより、非パターン化領域に、ＺｎＯが充填された吸収層のサンプル（以下、「比較例３のサンプル」と称する）が得られた。
【００８１】
実施例１および比較例１〜３のサンプルに対して、以下の評価を行った。
（目視評価）
前述の各サンプルを用いて、５人の観察者により、各吸収層サンプルの目視評価を行った。
【００８２】
最初に、ＦＳＳパターンの視認性について評価した。これは、サンプルから３０ｃｍの距離だけ離れた状態で、観察者が各サンプルを観察し、ＦＳＳパターンが認められるか否かを評価することにより実施した。評価は、ＦＳＳパターンが認められないサンプルを○とし、認められるサンプルを×とし、どちらとも言えないものを△として、３段階で行った。
【００８３】
評価結果を表１にまとめて示す。
【００８４】
【表１】
2010141057.tif 000003
この結果から、実施例１のサンプルでは、比較例１〜３のサンプルに比べて、ＦＳＳパターンが認められにくい傾向にあることがわかった。
【００８５】
次に、各サンプルのぎらつき性について評価した。これは、サンプルから３０ｃｍの距離だけ離れた状態で、観察者が各サンプルを観察し、ぎらつきの程度を評価することにより実施した。評価は、ぎらつきの少ないサンプルを○とし、ぎらつきの激しいサンプルを×とし、その中間の程度のものを△として、３段階で行った。
【００８６】
評価結果を表２にまとめて示す。
【００８７】
【表２】
2010141057.tif 000004
この結果から、実施例１のサンプルでは、比較例１〜３のサンプルに比べて、ぎらつきが軽減されていることがわかった。
（ヘイズ測定）
次に、実施例１および比較例１のサンプルを用いて、ヘイズ測定を行った。ここで、「ヘイズ（値）」とは、サンプルを通過する透過光のうち、前方散乱によって、入射光から所定の角度（例えば２．５゜）以上逸れた透過光を意味し、この数値の大小により、サンプルのぎらつきを定量的に評価することができる（すなわち、ヘイズ値が大きいほど、ぎらつきは、大きくなる）。本願では、ヘイズ値は、ＪＩＳＫ７１３６（２０００）「プラスチック−透明材料のヘーズの求め方」に準拠し、ヘーズメーター（日本電色工業株式会社製、ＮＤＨ５０００Ｗ）を用いて、以下の式
Ｈ＝（Ｔｄ／Ｔｉ）×１００    式（１）
から算出した。なお、Ｈは、ヘイズ値であり、Ｔｄは、拡散透過率、Ｔｉは、全光線透過率である。測定は、各サンプルの第１の基板の側を光源側にした場合と、第２の基板の側を光源側にした場合の両方で１回ずつ実施し、得られた結果の平均をヘイズ値とした。
【００８８】
測定の結果、実施例１および比較例１のサンプルのヘイズ値は、それぞれ、０．３４％および０．７７％であった。この結果から、実施例１のサンプルでは、比較例１のサンプルに比べて、ぎらつきが抑制されていることがわかった。
【００８９】
（視感反射性の評価）
次に、実施例１および比較例２、３のサンプルを用いて、視感反射性の評価を実施した。視感反射性の評価は、以下の方法により行った。
【００９０】
なお、視感反射率は、分光反射率測定器（島津製作所製ＵＶ−３１００）を用いて分光反射率を測定し、ＪＩＳ−Ｒ３１０６に準拠して算出した。一般に、視感反射の値が１０％以下であれば、吸収層のぎらつきは、有意に抑制されていると言える。
【００９１】
測定の結果、実施例１の視感反射の値は、８％であった。一方、比較例２および３のサンプルでは、視感反射の値は、それぞれ、１１％および１３％であった。この結果から、実施例１のサンプルでは、比較例２、３のサンプルに比べて、ぎらつきが有意に抑えられることがわかった。
【００９２】
（光学顕微鏡による評価）
図５には、実施例１の光学顕微鏡写真の一例を示す。また、図６には、比較例１の光学顕微鏡写真の一例を示す。これらの写真は、ＦＳＳの上面（すなわち、図２と同様の視認方向）から撮影されたものである（なお、第２の基板は、省略されている）。
【００９３】
図６に示すように、比較例１の場合、２つの導電性素子の間に、黒っぽい線状の非パターン化領域３３０が明りょうに認められる。これに対して、実施例１の場合、導電性素子同士の間に存在する非パターン化領域には、透明導電性部材が設置されており、図６に比べて、被パターン化領域がより不明瞭になっている。すなわち、本発明による吸収層では、ＦＳＳパターンの視認性が有意に低下していることがわかる。
【００９４】
このように、いずれの評価法においても、本発明による吸収層サンプルでは、比較例１〜３の吸収層サンプルに比べて、ぎらつきが抑えられるとともに、ＦＳＳパターンが目立ちにくく、視認されにくいことが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、透明電波吸収体、特に透明電波吸収体のＦＳＳの構造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明による透明電波吸収体の模式的な断面図の一例である。
【図２】本発明による透明電波吸収体の吸収層の上面図の一例である。
【図３】従来の透明電波吸収体の模式的な断面図の一例である。
【図４】従来の透明電波吸収体の吸収層の模式的な拡大断面図の一例である。
【図５】本発明による吸収層のＦＳＳパターン部分の顕微鏡写真である。
【図６】従来の吸収層のＦＳＳパターン部分の顕微鏡写真である。
【図７】吸収層のＦＳＳにおける別のＦＳＳパターンを示した図である。
【図８】本発明による第２の透明電波吸収体の模式的な断面図の一例である。
【図９】本発明による透明電波吸収体を製作する際のフローを示した図である。
【符号の説明】
【００９７】
１００  本発明による透明電波吸収体
１２０  第１の透明基板
１２５  ＦＳＳ
１２６  導電性素子
１２６Ａ  第１の導電性素子
１２７Ａ  第２の導電性素子
１２７'  第１の矩形部分
１２７''  第２の矩形部分
１２７'''  正方形部分
１２８、１２８Ａ  ＦＳＳパターン
１３０、１３０Ａ  非パターン化領域
１３１  透明絶縁性部材
１３５  第２の透明基板
１４０  反射層
１４５  反射膜
１５０  第３の透明基板
１６０  空間
１７０  スペーサ
３００  従来の透明電波吸収体
３１０  吸収層
３２０  第１の透明基板
３２５  ＦＳＳ
３２６  導電性素子
３３０  非パターン化領域
３３２  隙間
３３５  第２の透明基板
３４０  反射層
３４５  反射膜
３５０  第３の透明基板
３６０  空間
３７０  スペーサ
４１０  光
４１０Ａ  光の第１の部分
５００  本発明による第２の電波吸収体
５１０  吸収層
５２０  第１の透明基板
５２５  ＦＳＳ
５２６  導電性素子
５３０  非パターン化領域
５３４  透明絶縁性部材
５３５  第２の透明基板
５４０  反射層
５４５  反射膜
５５０  第３の透明基板
５６０  空間
５７０  スペーサ
ＩＡ、ＩＢ  界面
Ｉ１、Ｉ２  界面。
【図１】
2010141057.tif 000005
【図２】
2010141057.tif 000006
【図３】
2010141057.tif 000007
【図４】
2010141057.tif 000008
【図７】
2010141057.tif 000009
【図８】
2010141057.tif 000010
【図９】
2010141057.tif 000011
【図５】
2010141057.tif 000012
【図６】
2010141057.tif 000013