(57)【要約】【課題】基板のコストと導電生成接着剤の使用量とを低減することによりコストを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】パターンは、接着領域パターン４と非接着領域パターン５とに分かれて形成されており、チップ電極３０と接着領域パターン４とは、導電性接着剤６により接着されている。これにより、定常状態で安定的な金メッキ処理を施すパターンの面積は、従来の基板１０２よりも基板３の方が小さくなるので、基板３は従来の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。また、半導体チップ２の裏面に形成されたチップ電極３０と、接着領域パターン４とは、液状の導電性接着剤６により接着される。よって、半導体装置１は、高価な導電性接着剤６の使用量を従来の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面にチップ電極が形成されている半導体チップと、
表面にパターンが形成されている基板とを備えており、
上記半導体チップの上記裏面と、上記基板の上記表面とが対向して配置されている半導体装置において、
上記パターンは、接着領域パターンと非接着領域パターンとに分かれて形成されており、
上記チップ電極と上記接着領域パターンとは、導電性接着剤により接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記接着領域パターンに隣接してパターン間領域が形成され、
上記非接着領域パターンであるダム形成パターンが、上記パターン間領域に隣接して形成され、
上記接着領域パターンと上記ダム形成パターンとは、上記パターン間領域を挟んで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記接着領域パターンが長方形であり、
上記長方形の対向する二つの長辺の外側に、上記非接着領域パターンであるダム形成パターンがそれぞれ形成されており、
二つの上記ダム形成パターンと上記接着領域パターンとの間に、パターン間領域がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記接着領域パターンが長方形であり、
上記長方形の対向する二つの長辺の外側と、上記長方形の対向する二つの短辺の外側とに、上記非接着領域パターンであるダム形成パターンがそれぞれ形成されており、
四つの上記ダム形成パターンと上記接着領域パターンとの間に、パターン間領域がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記パターン間領域は空隙であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記基板が長方形であり、
上記二つの長辺に隣接して形成されている上記パターン間領域が長方形であり、
上記二つの長辺に隣接して形成されている上記パターン間領域の長辺と、上記基板の短辺とが平行であることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の半導体装置１００の構造を示す図である。図８（ａ）は従来の半導体装置１００の平面図であり、図８（ｂ）は従来の半導体装置１００の正面図である。
【０００３】
図８に示すように、裏面にチップ電極を備える半導体チップの内、例えば一辺の長さが１０ｍｍを超えるような大きな半導体チップ１０１を、電極付き回路基板１０２（以降単に基板１０２と称する）に液状の導電性接着剤１０３で接着させる場合を考える。この場合、半導体チップ１０１のチップサイズに限りなく近い全面領域に導電性接着剤１０３を塗布させると、高価な導電性接着剤を多量に使用する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、図８の従来の半導体装置１００において、チップ電極１３０が形成されている半導体チップ１０１のチップサイズに限りなく近い基板１０２の全面領域に導電性接着剤１０３を塗布させると、高価な導電性接着剤を多量に使用する必要がある。
【０００５】
また、図８の従来の半導体装置１００において、電極付き回路基板１０２表面のパターン１０４には、定常状態で安定的な金メッキ処理を施すことが多い。この場合、半導体チップ１０１のチップサイズに限りなく近い全面領域にパターン１０４が形成されていると、電極付き回路基板１０２のコストが高くなる。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板のコストと導電生成接着剤の使用量とを低減することによりコストを低減できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、上記課題を解決するために、裏面にチップ電極が形成されている半導体チップと、表面にパターンが形成されている基板とを備えており、上記半導体チップの上記裏面と、上記基板の上記表面とが対向して配置されている半導体装置において、上記パターンは、接着領域パターンと非接着領域パターンとに分かれて形成されており、上記チップ電極と上記接着領域パターンとは、導電性接着剤により接着されていることを特徴とする。
【０００８】
上記発明によれば、上記半導体チップのチップサイズに限りなく近い上記基板の全面領域に上記パターンを形成せず、上記接着領域パターン及び上記非接着領域パターンを形成している。よって、従来の半導体チップの、チップサイズに限りなく近い基板の全面領域に形成されているパターンの面積よりも、上記接着領域パターン及び上記非接着領域パターンの面積の総和の方が小さくなる。
【０００９】
従って、定常状態で安定的な金メッキ処理を施すパターンの面積は、従来の基板よりも上記基板の方が小さくなるので、上記基板は従来の基板よりもコストを低減することが可能となる。
【００１０】
また、上記半導体チップの裏面に形成された上記チップ電極と、上記接着領域パターンとは、液状の上記導電性接着剤により接着される。よって、上記半導体装置は、上記チップ電極と上記接着領域パターンとを接続した上で、高価な上記導電性接着剤の使用量を従来の半導体装置よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００１１】
上記半導体装置では、上記接着領域パターンに隣接してパターン間領域が形成され、上記非接着領域パターンであるダム形成パターンが、上記パターン間領域に隣接して形成され、上記接着領域パターンと上記ダム形成パターンとは、上記パターン間領域を挟んで配置されてもよい。
【００１２】
また、上記半導体装置では、上記接着領域パターンが長方形であり、上記長方形の対向する二つの長辺の外側に、上記非接着領域パターンであるダム形成パターンがそれぞれ形成されており、二つの上記ダム形成パターンと上記接着領域パターンとの間に、パターン間領域がそれぞれ形成されてもよい。
【００１３】
さらに、上記半導体装置では、上記接着領域パターンが長方形であり、上記長方形の対向する二つの長辺の外側と、上記長方形の対向する二つの短辺の外側とに、上記非接着領域パターンであるダム形成パターンがそれぞれ形成されており、四つの上記ダム形成パターンと上記接着領域パターンとの間に、パターン間領域がそれぞれ形成されてもよい。
【００１４】
これらのようにダム形成パターンを備えることにより、上記接着領域パターンに液状の導電性接着剤を塗布させる場合に、上記接着領域パターンから漏れ出た上記導電性接着剤は、上記パターン間領域に流れ込み、さらに上記パターン間領域の外側に形成されている上記ダム形成パターンによりせき止められる。
【００１５】
これらのように、上記ダム形成パターンが、上記導電性接着剤を溜めるダムの役割を果たすことにより、上記導電性接着剤が上記半導体チップの外に流れ出ることはなくなる。よって、半導体装置の外観的な不良を防ぐことが出来ると共に、上記基板の外部に形成されている電極と上記導電性接着剤とが接触することによる電気的な不良を防ぐことが出来る。
【００１６】
上記半導体装置では、上記パターン間領域は空隙であってもよい。
【００１７】
これにより、上記パターン間領域に上記導電性接着剤を溜めることが出来ると共に、上記半導体チップの接着後に樹脂封止を行った時に上記パターン間領域を樹脂で充填することが可能となる。
【００１８】
上記半導体装置では、上記基板が長方形であり、上記二つの長辺に隣接して形成されている上記パターン間領域が長方形であり、上記二つの長辺に隣接して形成されている上記パターン間領域の長辺と、上記基板の短辺とが平行であってもよい。
【００１９】
これにより、長方形である上記パターン間領域の長辺は、上記基板の長辺と平行になるように形成されている場合よりも短くなっている。従って、上記パターン間領域を樹脂で充填することがより容易となり、上記半導体チップと上記基板との間に空隙が生じることを防ぐことが出来る。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置は、以上のように、パターンは、接着領域パターンと非接着領域パターンとに分かれて形成されており、チップ電極と上記接着領域パターンとは、導電性接着剤により接着されているものである。
【００２１】
それゆえ、基板のコストと導電生成接着剤の使用量とを低減することによりコストを低減できる半導体装置を提供するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の一実施形態について実施例１〜実施例４、図１〜図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２３】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１の構造を示す図である。図１（ａ）は本発明の実施形態に係る半導体装置１の平面図であり、図１（ｂ）は本発明の実施形態に係る半導体装置１の正面図である。
【００２４】
半導体装置１は、裏面にチップ電極３０を備える半導体チップ（セル）２と、基板３を備えている。半導体チップ２の裏面と対向する、基板３の表面には、接着領域パターン４及び非接着領域パターン５が形成されている。
【００２５】
半導体装置１では、半導体チップ２のチップサイズに限りなく近い基板３の全面領域にパターンを形成せず、接着領域パターン４及び非接着領域パターン５を形成している。よって、図８において半導体チップ１０１のチップサイズに限りなく近い基板１０２の全面領域に形成されているパターン１０４の面積よりも、接着領域パターン４及び非接着領域パターン５の面積の総和の方が小さくなる。従って、定常状態で安定的な金メッキ処理を施すパターンの面積は、図８の基板１０２よりも図１の基板３の方が小さくなるので、図１の基板３は、図８の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。
【００２６】
なお、基板３に形成されるパターンの詳細については、実施例１〜実施例４において述べるが、各実施例における数値はあくまで一例である。
【００２７】
また、半導体チップ２の裏面に形成されたチップ電極３０と、接着領域パターン４とは、液状の導電性接着剤６により接着される。よって、図１の半導体装置１は、チップ電極３０と接着領域パターン４とを接続した上で、高価な導電性接着剤６の使用量を図８の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００２８】
〔実施例１〕
図２（ａ）は本実施例１に係る半導体装置１の平面図であり、図２（ｂ）は本実施例１に係るアライメントマーク１０の平面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に記載している数値の単位は、全てｍｍ（メリメートル）である。
【００２９】
図２（ａ）において、半導体チップ２の長辺の長さＬ１は、１８．７５ｍｍであり、半導体チップ２の短辺の長さＬ２は、Ｌ２＝１２．５ｍｍである。基板３の長辺の長さＬ３は、Ｌ３＝Ｌ１＋２×０．１２５＝１９ｍｍであり、基板３の短辺の長さＬ４は、Ｌ４＝Ｌ２＋２×０．１２５＝１２．７５ｍｍである。
【００３０】
以下に記載する、接着領域パターン、非接着領域パターン、及びパターン間領域について、長辺の長さは全てＬ５であり、Ｌ５＝Ｌ２−２×０．１２５＝１２．２５ｍｍである。
【００３１】
接着領域パターン４は、基板３上に３個形成されている。接着領域パターン４の長辺の長さはＬ５であり、接着領域パターン４の短辺の長さＬ６は２ｍｍである。接着領域パターン４それぞれについて、２つの長辺に隣接してパターン間領域７が形成されている。パターン間領域７の長辺の長さはＬ５であり、パターン間領域７の短辺の長さＳ１は、Ｓ１＝０．５ｍｍである。
【００３２】
パターン間領域７それぞれについて、接着領域パターン４と隣接していない側の長辺に隣接して、非接着領域パターン５が形成されている。非接着領域パターン５の長辺の長さはＬ５であり、非接着領域パターン５の短辺の長さＬ７は、Ｌ７＝０．３ｍｍである。
【００３３】
連続する２つの接着領域パターン４の間には、２つの非接着領域パターン５が形成されているが、この２つの非接着領域パターン５の間には、４つの非接着領域パターン８及び５つのパターン間領域９が交互に形成されている。非接着領域パターン８の長辺の長さはＬ５であり、非接着領域パターン８の短辺の長さＬ８は、Ｌ８＝０．２５ｍｍである。パターン間領域９の長辺の長さはＬ５であり、パターン間領域９の短辺の長さＳ２は、Ｓ２＝０．５７ｍｍである。
【００３４】
半導体装置１において、半導体チップ２の面積を１００％とした場合に、接着領域パターン４、非接着領域パターン５及び非接着領域パターン８の面積の総和は、約５２％となる。図８の基板１０２では、パターン１０４の面積≒半導体チップ１０１の面積＝１００％であるので、定常状態で安定的な金メッキ処理を施す面積は、図８の基板１０２よりも図２の基板３の方が小さくなる。よって、図２の基板３は、図８の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。
【００３５】
また、半導体装置１において、液状の導電性接着剤６が塗布されるのは接着領域パターン４のみである。よって、図１の半導体装置１は、高価な導電性接着剤６の使用量を図８の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００３６】
上述したように各パターン及び各パターン間領域が形成されている基板３において、接着領域パターン４に液状の導電性接着剤６を塗布させる場合を考える。この場合、接着領域パターン４から漏れ出た導電性接着剤６は、接着領域パターン４の両端に形成されたパターン間領域７に流れ込み、さらに各パターン間領域７の外側に形成されている非接着領域パターン５によりせき止められる。
【００３７】
このように、非接着領域パターン５が、導電性接着剤６を溜めるダムの役割を果たすことにより、導電性接着剤６が半導体チップ２の外に流れ出ることはなくなる。よって、半導体装置１の外観的な不良を防ぐことが出来ると共に、基板３の外部に形成されている電極と導電性接着剤６とが接触することによる電気的な不良を防ぐことが出来る。
【００３８】
また、非接着領域パターン８を設けていることにより、半導体チップ２にたわみが生じて半導体チップ２が割れるという不具合を防ぐことが可能となる。
【００３９】
また、基板３には、基板３上の点Ｏから基板３の長辺方向に４．４２５ｍｍ、点Ｏから基板３の短辺方向に０．９７５ｍｍの点に中心が来るように、アライメントマーク１０が形成されている。アライメントマーク１０の各寸法は図２（ｂ）に示されている。アライメントマーク１０が形成されていることより、半導体チップ２を基板３上に正確に位置決めすることが可能となる。
【００４０】
さらに、導電性接着剤６は半導体チップ２を基板３接着した後は、樹脂で封止することにより半導体装置１が完成するが、パターン間領域７及びパターン間領域９は、長さがＬ５である長辺が、長さがＬ４である基板３の短辺と平行になるように形成されているので、長さがＬ３である基板３の長辺と平行になるように形成されている場合よりも短くなっている。従って、パターン間領域７及びパターン間領域９を樹脂で充填することがより容易となり、半導体チップ２と基板３との間に空隙が生じることを防ぐことが出来る。
【００４１】
なお、図２（ａ）の半導体装置１では、パターン間領域７は、長さがＬ５である長辺が、長さがＬ４である基板３の短辺と平行になるように形成されている。しかし、図３に示すように、長さがＬ６である長辺が、長さがＬ３である基板３の長辺と平行になるようなパターン間領域１１をパターン間領域７と共に形成してもよい。パターン間領域１１の短辺の長さはＳ１とする。
【００４２】
この場合、接着領域パターン４と共にパターン間領域１１を挟むように非接着領域パターン１２が形成される。非接着領域パターン１２の長辺の長さはＬ６、非接着領域パターン１２の短辺の長さはＬ７である。
【００４３】
このように、パターン間領域１１及び非接着領域パターン１２を形成することにより、非接着領域パターン５と同様に非接着領域パターン１２も導電性接着剤６を溜めるダムの役割を果たすことが可能となる。よって、半導体装置１における、外観的な不良及び電気的な不良を防ぐことが出来る。
【００４４】
また、図３に示される、パターン間領域１１及び非接着領域パターン１２に代えて、図４に示される、パターン間領域１３及び非接着領域パターン１４を設けてもよい。非接着領域パターン１４は、非接着領域パターン１２の長辺の長さをより長くして形成されている。非接着領域パターン１４の長辺の長さＬ９は、Ｌ９＝Ｌ６＋２×Ｓ１＋２×Ｌ７である。非接着領域パターン１４の短辺の長さはＬ７である。
【００４５】
パターン間領域１３は、接着領域パターン４と非接着領域パターン１４との間に形成されている。パターン間領域１３の長辺の長さはＬ９であり、パターン間領域１３の短辺の長さはＳ１である。
【００４６】
このように、パターン間領域１３及び非接着領域パターン１４を形成することにより、非接着領域パターン５と同様に非接着領域パターン１４も導電性接着剤６を溜めるダムの役割を果たすことが可能となる。よって、半導体装置１における、外観的な不良及び電気的な不良を防ぐことが出来る。
【００４７】
なお、半導体装置１では、パターン間領域７は例えば空隙であってもよい。これにより、パターン間領域７に導電性接着剤６を溜めることが出来ると共に、半導体チップ２の接着後に樹脂封止を行った時に、パターン間領域７を樹脂で充填することが可能となる。
【００４８】
〔実施例２〕
本発明の他の実施例について図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施例２において説明すること以外の構成は、前記実施例１と同じである。また、説明の便宜上、前記実施例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４９】
図５は、本実施例２に係る半導体装置１５の平面図である。半導体装置１５は、実施例１における半導体装置１に対して、基板３上に形成されるパターンが異なっている。
【００５０】
実施例１の半導体装置１では、３つの接着領域パターン４が形成されていたが、半導体装置１５では、４つの接着領域パターン１６が形成されている。接着領域パターン１６の短辺の長さＬ１０は１．７ｍｍであり、接着領域パターン４の短辺の長さＬ６＝２ｍｍよりも短くなっている。
【００５１】
連続する２つの接着領域パターン１６の間には、２つの非接着領域パターン５が形成されているが、この２つの非接着領域パターン５の間には、パターン間領域１７が形成されている。パターン間領域１７の長辺の長さはＬ５であり、パターン間領域９の短辺の長さＳ３は、Ｓ３＝１．８ｍｍである。
【００５２】
半導体装置１５において、半導体チップ２の面積を１００％とした場合に、接着領域パターン１６及び非接着領域パターン５の面積の総和は、約４９％となる。図８の基板１０２では、パターン１０４の面積≒半導体チップ１０１の面積＝１００％であるので、定常状態で安定的な金メッキ処理を施す面積は、図８の基板１０２よりも図５の基板３の方が小さくなる。よって、図５の基板３は、図８の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。
【００５３】
また、半導体装置１５において、液状の導電性接着剤６が塗布されるのは接着領域パターン１６のみである。よって、図５の半導体装置１５は、高価な導電性接着剤６の使用量を図８の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００５４】
〔実施例３〕
本発明のさらに別の実施例について図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施例３において説明すること以外の構成は、前記実施例１，２と同じである。また、説明の便宜上、前記実施例１，２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５５】
図６は、本実施例３に係る半導体装置１８の平面図である。半導体装置１８は、実施例１における半導体装置１に対して、基板３上に形成されるパターンが異なっている。
【００５６】
接着領域パターン１９は、基板３上に３個形成されている。接着領域パターン１９の長辺の長さはＬ５である点は、接着領域パターン４と同様であるが、接着領域パターン１９の短辺の長さＬ１１は２．５ｍｍであり、接着領域パターン４の短辺の長さＬ６よりも長くなっている。
【００５７】
接着領域パターン４それぞれについて、２つの長辺に隣接してパターン間領域７が形成されている。パターン間領域７の長辺の長さはＬ５であり、パターン間領域７の短辺の長さＳ１は、Ｓ１＝０．５ｍｍである。
【００５８】
連続する２つの接着領域パターン１６の間には、２つの非接着領域パターン５が形成されているが、この２つの非接着領域パターン５の間には、パターン間領域２０が形成されている。パターン間領域２０の長辺の長さはＬ５であり、パターン間領域２０の短辺の長さＳ４は、Ｓ４＝３．１ｍｍである。
【００５９】
また、基板３には、基板３上の点Ｏから基板３の長辺方向に４．９２５ｍｍ、点Ｏから基板３の短辺方向に０．９７５ｍｍの点に中心が来るように、アライメントマーク２１が形成されている。アライメントマーク２１の各寸法は、図２（ｂ）に示されているアライメントマーク１０と同一である。
【００６０】
半導体装置１８において、半導体チップ２の面積を１００％とした場合に、接着領域パターン１９及び非接着領域パターン５の面積の総和は、約５０％となる。図８の基板１０２では、パターン１０４の面積≒半導体チップ１０１の面積＝１００％であるので、定常状態で安定的な金メッキ処理を施す面積は、図８の基板１０２よりも図６の基板３の方が小さくなる。よって、図６の基板３は、図８の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。
【００６１】
また、半導体装置１８において、液状の導電性接着剤６が塗布されるのは接着領域パターン１９のみである。よって、図６の半導体装置１８は、高価な導電性接着剤６の使用量を図８の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００６２】
〔実施例４〕
本発明のさらに別の実施例について図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施例４において説明すること以外の構成は、前記実施例１〜３と同じである。また、説明の便宜上、前記実施例１〜３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６３】
図７は、本実施例４に係る半導体装置２２の平面図である。半導体装置２２は、実施例１における半導体装置１に対して、基板３上に形成されるパターンが以下の点において異なっている。
【００６４】
実施例１の半導体装置１においては、連続する２つの接着領域パターン４の間には、２つの非接着領域パターン５が形成されており、この２つの非接着領域パターン５の間には、４つの非接着領域パターン８及び５つのパターン間領域９が交互に形成されている。
【００６５】
これに対して、本実施例４の半導体装置２２においては、連続する２つの接着領域パターン４の間には、メッシュパターン２３が形成されている。メッシュパターン２３について、メッシュの厚みは０．２ｍｍであり、１つのメッシュにおける対角線の長さは２ｍｍである。
【００６６】
半導体装置２２では、連続する２つの接着領域パターン４の間には、メッシュパターン２３が形成されており、メッシュパターン２３が形成されている領域には樹脂を封止することは出来ない。しかし、メッシュパターン２３は、半導体チップ２にたわみが生じて半導体チップ２が割れるという不具合を防ぐのに好適である。
【００６７】
半導体装置２２において、半導体チップ２の面積を１００％とした場合に、接着領域パターン４、非接着領域パターン５及びメッシュパターン２３の面積の総和は、約５０％となる。図８の基板１０２では、パターン１０４の面積≒半導体チップ１０１の面積＝１００％であるので、定常状態で安定的な金メッキ処理を施す面積は、図８の基板１０２よりも図７の基板３の方が小さくなる。よって、図７の基板３は、図８の基板１０２よりもコストを低減することが可能となる。
【００６８】
また、半導体装置２２において、液状の導電性接着剤６が塗布されるのは接着領域パターン４のみである。よって、図７の半導体装置２２は、高価な導電性接着剤６の使用量を図８の半導体装置１００よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。
【００６９】
なお、本発明の実施形態において、接着領域パターン、非接着領域パターン及びメッシュパターンはメタルパターンであるが、これに限定されない。
【００７０】
また、本発明の実施形態において、接着領域パターン及び非接着領域パターンは長方形であるが、これに限定されず、例えば正方形でもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の半導体装置は、基板のコストと導電生成接着剤の使用量とを低減することによりコストを低減できる半導体装置を提供することが可能であるので、裏面にチップ電極を有する半導体チップを備える半導体装置に好適に用いることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｂ）は本発明の実施形態に係る半導体装置の正面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例に係る半導体装置の平面図であり、（ｂ）は本発明の実施例に係るアライメントマークの平面図である。
【図３】長辺が基板の長辺と平行になるようなパターン間領域を形成された、本発明の実施例に係る半導体装置を示す平面図である。
【図４】長辺が基板の長辺と平行になるようなパターン間領域を形成された、本発明の実施例に係る半導体装置を示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体装置の平面図である。
【図６】本発明のさらに別の実施例に係る半導体装置の平面図である。
【図７】本発明のさらに別の実施例に係る半導体装置の平面図である。
【図８】（ａ）は従来の半導体装置の平面図であり、（ｂ）は従来の半導体装置の正面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１，１５，１８，２２  半導体装置
２  半導体チップ
３  基板
４，１６，１９  接着領域パターン
５，１２，１４  非接着領域パターン（非接着領域パターン、ダム形成パターン）
６  導電性接着剤
７，１１，１３  パターン間領域
８  非接着領域パターン（非接着領域パターン）
９，１７，２０  パターン間領域
１０，２１  アライメントマーク
２３  メッシュパターン
３０  チップ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
2010141110.tif 000005
【図４】
2010141110.tif 000006
【図５】
2010141110.tif 000007
【図６】
2010141110.tif 000008
【図７】
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【図８】
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