(57)【要約】【課題】エッジカバーや層間絶縁膜の内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することを目的とする。【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子３０は、基板２０上に発光領域１１及びそれ以外の領域の少なくとも一部を含むように設けられた第１電極３１と、基板２０上の発光領域１１以外の領域における第１電極３１の周縁部を覆うように設けられたエッジカバー３２と、基板２０上の第１電極３１及びエッジカバー３２の上層における少なくとも発光領域１１を覆うように設けられた有機ＥＬ層３４と、有機ＥＬ層３４の上層における少なくとも発光領域１１を覆うように設けられた第２電極３５と、を備える。基板２０上の発光領域１１以外の領域において、エッジカバー３２よりも上層に捕水層３３が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に発光領域及びそれ以外の領域の少なくとも一部を含むように設けられた第１電極と、
上記基板上の発光領域以外の領域における上記第１電極の周縁部を覆うように設けられたエッジカバーと、
上記基板上の上記第１電極及び上記エッジカバーの上層における少なくとも上記発光領域を覆うように設けられた有機ＥＬ層と、
上記有機ＥＬ層の上層における少なくとも上記発光領域を覆うように設けられた第２電極と、
を備えた有機ＥＬ素子であって、
上記基板上の上記発光領域以外の領域において、上記エッジカバーよりも上層に捕水層が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ素子において、
上記捕水層は、上記エッジカバーの基板側とは反対側表面に接触するように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項３】
請求項１に記載された有機ＥＬ素子において、
上記有機ＥＬ層は、上記発光領域以外の領域を含んで設けられており、
上記捕水層は、上記有機ＥＬ層の基板側とは反対側表面に接触するように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記捕水層は、上記第２電極の基板側表面に接触するように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記捕水層は、上記第２電極に非接触に設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項６】
請求項５に記載された有機ＥＬ素子において、
上記第２電極は、上記有機ＥＬ層上にパターン形成されて設けられており、
上記捕水層は、上記第２電極と重ならないように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項７】
請求項１から４のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記第２電極は、有機ＥＬ素子の全面を覆うように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項８】
請求項１から４のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記第２電極は、上記有機ＥＬ層上にパターン形成されて設けられており、
上記捕水層は、上記第２電極と一部分が重なるように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記捕水層は、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属酸化物で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載された有機ＥＬ素子において、
上記捕水層は、厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載された有機ＥＬ素子の製造方法であって、
上記捕水層の形成を圧力が１０−１Ｐａ以下の雰囲気下で行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置、及び有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴い、陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能であるフラットパネルディスプレイに対する需要が高まってきている。低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、基板上に有機ＥＬ素子が設けられた構成を有する。基板は、例えばガラス基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられ、その表面を平坦化し且つ絶縁化するために層間絶縁膜が設けられている。また、有機ＥＬ素子は、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層された構造を有する。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との短絡を防止するために発光領域以外の領域にエッジカバーが形成されている。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ層は、水分や酸素に晒されることにより損傷を受け、劣化した部分での輝度が低下する問題がある。有機ＥＬ層に水分等が浸入するのを防いで輝度の低下を阻止するために、一般に、封止部材の基板側表面に乾燥剤を貼付することが行われている。
【０００５】
また、特許文献１には、第２電極上を覆うように捕水層が蒸着形成された構成の有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、第２電極としてアルカリ金属の水素化物を用いた有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【０００７】
特許文献３には、捕水剤を分散した状態で含有した絶縁体材料を用いてエッジカバーが形成された有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−５０４７号公報
【特許文献２】特開２０００−１１３９９０号公報
【特許文献３】特開２０００−３０８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、エッジカバーや層間絶縁膜は、誘電率や膜厚、平坦化が容易であること、パターン形成や形成されたパターン端部のテーパ角の制御化しやすい点などを鑑みて、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。これらの有機樹脂材料は、無機膜に比べて、内部に水分を蓄積しやすい。そのため、有機樹脂材料でエッジカバーを構成した場合、エッジカバーに隣接して設けられた有機ＥＬ層に水分がしみ出して、有機ＥＬ層の周辺部が損傷を受ける問題がある。エッジカバーからしみ出した水分により有機ＥＬ層の周辺部が損傷を受けると、発光領域の周辺部の輝度が低下し、輪郭が不明瞭になったり発光領域が小さくなったりする、いわゆる画素シュリンク現象が生じる。
【００１０】
しかしながら、封止部材の基板側表面に乾燥剤層が貼付された有機ＥＬ表示装置や特許文献１の構成の有機ＥＬ表示装置は、外部から有機ＥＬ素子内に浸入する水分を捕捉する効果を有するものの、エッジカバーが透湿性の低い第２電極で覆われているので、エッジカバーの内部から有機ＥＬ層にしみ出す水分に対する捕捉効果は得られない。また、第２電極がエッジカバーの全面を覆うように形成されていない場合でも、エッジカバーの内部からしみ出した水分は第２電極上の中空部を通らないことには乾燥剤層に到達できず、水分捕捉性能は不十分である。さらに、これらの構成の有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ層の発光領域の上方に乾燥剤や捕水層が設けられているので、基板側とは反対側から発光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置には適用できない。
【００１１】
特許文献２の構成の有機ＥＬ表示装置によれば、アルカリ金属の水素化物によりエッジカバーの内部に含まれている水分を捕捉可能である。しかしながら、第２電極の発光領域においても水分を捕捉することになるので、発光領域の第２電極が水分と反応して変質し、変色して有機ＥＬ発光特性が低下する虞がある。
【００１２】
特許文献３の構成の有機ＥＬ表示装置によれば、エッジカバーの内部に捕水剤が含有されているので、エッジカバーの内部に含まれている水分や、層間絶縁膜からエッジカバーに流れてくる水分を捕水することができるものの、有機樹脂材料中に捕水剤を均一に分散させることは困難であり捕水効果にばらつきが生じる上、捕水剤が有機樹脂材料に取り囲まれた状態で存在しているので捕水剤の捕水効果が十分とはいえない。また、エッジカバーは一般にフォトリソグラフィ技術を用いて形成するが、フォトリソグラフィ技術において、アルカリ水溶液を用いて現像処理を行った場合にエッジカバー内に含まれる捕水剤が多量の水分を接触することによっても捕水性能が低下する。
【００１３】
本発明の目的は、エッジカバーや層間絶縁膜の内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に発光領域及びそれ以外の領域の少なくとも一部を含むように設けられた第１電極と、
上記基板上の発光領域以外の領域における上記第１電極の周縁部を覆うように設けられたエッジカバーと、
上記基板上の上記第１電極及び上記エッジカバーの上層における少なくとも上記発光領域を覆うように設けられた有機ＥＬ層と、
上記有機ＥＬ層の上層における少なくとも上記発光領域を覆うように設けられた第２電極と、
を備え、
上記基板上の上記発光領域以外の領域において、上記エッジカバーよりも上層に捕水層が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、エッジカバーよりも上層に捕水層が設けられているので、エッジカバーの内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層で捕捉されて捕水層に移動する。そして、結果として、エッジカバーの内部の水分が有機ＥＬ素子内にしみ出して有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層の発光領域周辺のエッジカバーと接している部分では、経時に伴ってエッジカバーからしみ出す水分により損傷を受けて有機ＥＬ発光特性が低下して輪郭が不明瞭になったり発光領域が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバーの上層に捕水層を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【００１６】
また、上記の構成によれば、捕水層が発光領域以外の領域に設けられているので、有機ＥＬ層の発光領域が縮小されることがない。
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記捕水層が、上記エッジカバーの基板側とは反対側表面に接触するように設けられていることが好ましい。
【００１８】
上記の構成によれば、捕水層がエッジカバー表面に接触するように設けられているので、エッジカバー中に含まれる水分を効率よく捕捉することができる。また、上記の構成の有機ＥＬ表示装置の製造工程においては、エッジカバーを形成して捕水層を形成した後に有機ＥＬ層を成膜することになるので、有機ＥＬ層を形成する段階から、有機ＥＬ層に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、上記有機ＥＬ層が、上記発光領域以外の領域を含んで設けられており、
上記捕水層は、上記有機ＥＬ層の基板側とは反対側表面に接触するように設けられていてもよい。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記捕水層が、上記第２電極の基板側表面に接触するように設けられていてもよい。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記捕水層が、上記第２電極に非接触に設けられていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、捕水層が第２電極に非接触に設けられているので、捕水層が捕水した水分によって第２電極が劣化するのを防ぐことができる。
【００２３】
捕水層が第２電極に非接触に設けられている場合、上記第２電極が、上記有機ＥＬ層上にパターン形成されて設けられており、
上記捕水層は、上記第２電極と重ならないように設けられていてもよい。
【００２４】
上記の構成によれば、捕水層が第２電極と非接触に設けられているので、捕水層で捕捉された水分により第２電極が劣化することがない。
【００２５】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記第２電極は、有機ＥＬ素子の全面を覆うように設けられていてもよい。
【００２６】
上記の構成によれば、第２電極は、パターン形成することなく設けられているので、製造工程において第２電極の形成が容易になる。また、捕水層と第２電極とが接触するように設けられている場合には第２電極が捕水層の水分により劣化する虞があるが、その場合でも、捕水層は有機ＥＬ素子の発光領域以外の領域に設けられているので、捕水層の水分により第２電極が劣化しても有機ＥＬ発光特性への影響は及ばない。
【００２７】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記第２電極が、上記有機ＥＬ層上にパターン形成されて設けられており、
上記捕水層は、上記第２電極と一部分が重なるように設けられていてもよい。
【００２８】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記捕水層が、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属酸化物で構成されていることが好ましい。
【００２９】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記捕水層が、厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
【００３０】
上記の構成によれば、捕水層の厚さが５０ｎｍ以上であるので、捕水層が優れた捕水効果を有する。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記の有機ＥＬ素子を備えたものである。
【００３２】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、圧力が１０−１Ｐａ以下の雰囲気下で捕水層の形成を行う。
【００３３】
上記の製造方法によれば、捕水層を圧力が１０−１Ｐａ以下程度の真空雰囲気下で行うので、捕水層を形成する工程において捕水層の捕水性能が劣化することが抑制される。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上の発光領域以外の領域において、エッジカバーよりも上層に捕水層が設けられているので、エッジカバーの内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層で捕捉されて捕水層に移動する。そして、結果として、エッジカバーや層間絶縁膜の内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与え、有機ＥＬ素子の輝度が低くなって有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】図２の切り出し線ＩＩＩ−ＩＩＩで切り出された部分の断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図である。
【図５】実施形態１の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図６】実施形態１の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図７】実施形態１の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図８】実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図９】図８の切り出し線ＩＸ−ＩＸで切り出された部分の断面図である。
【図１０】実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の断面図である。
【図１１】実施形態２の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】実施形態２の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１３】実施形態２の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１４】実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の実施形態について、以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００３７】
《実施形態１》
＜有機ＥＬ表示装置＞
図１〜３は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１０を示す。この有機ＥＬ表示装置１０は、例えば、携帯電話やポータブルメディアプレーヤー等のディスプレイ等に用いられる。
【００３８】
有機ＥＬ表示装置１０は、ＴＦＴ基板２０上に有機ＥＬ素子３０が設けられ、これらが不活性ガス雰囲気下で封止部材４０により封止された構造を有する。そして、それらによって複数の発光領域１１がマトリクス状に構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１０は、ＲＧＢフルカラー表示を行う構成であってもよく、ＲＧＢの３色に白色を加えてＲＧＢＷフルカラー表示を行う構成としてもよい。この有機ＥＬ表示装置１０がＲＧＢフルカラー表示を行う場合、複数の発光領域１１は、赤色補助画素、緑色補助画素、及び青色補助画素の３種類の補助画素で構成される。また、各発光領域１１は、矩形であってもよく、発光色毎に異なる形状となっていてもよい。
【００３９】
ＴＦＴ基板２０は、ガラス基板やプラスチック基板等の基板２１上に、例えば、水平方向に互いに平行に複数のゲート線が配設され、それらと垂直な方向に複数の信号線が配設されている。そして、ゲート線及び信号線の交差する位置にＴＦＴ２２がマトリクス状に配設されている。なお、このＴＦＴ２２がマトリクス状に配設された部分に対応するようにそれぞれ発光領域１１が構成されている。さらに、ゲート線や信号線、ＴＦＴ２２を覆うように、基板２１上に層間絶縁膜２３が形成されている。ＴＦＴ基板２０は、例えば、厚さが０．７〜１．１ｍｍ、縦長さが４００〜５００ｍｍ、及び横長さが３００〜４００ｍｍである。
【００４０】
ＴＦＴ２２は、各発光領域１１におけるスイッチング素子としての機能を有する。ＴＦＴ２２を構成する材料としては、例えば、非晶質シリコンや多結晶シリコン等の無機半導体材料等が挙げられる。
【００４１】
層間絶縁膜２３を構成する材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、感光性ゾルゲル材料、ノボラック樹脂等の有機樹脂材料が挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、有機ＥＬ表示装置１０がボトムエミッション型構造である場合にはＴＦＴ基板２０に光透過性が要求されるので、ポリイミド樹脂等の不透明な材料は適さない。層間絶縁膜２３には、各ＴＦＴ２２に対応するように、コンタクトホールが設けられており、これにより、ＴＦＴ基板２０表面からＴＦＴ２２まで導通可能となっている。層間絶縁膜２３は、例えば膜厚が２μｍ程度である。
【００４２】
第１電極３１は、各発光領域１１に対応するように島状パターンに設けられていると共に、第１電極３１のそれぞれは、層間絶縁膜２３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ２２に電気的に接続されている。第１電極３１は、有機ＥＬ層３４にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極３１を構成する材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等が挙げられる。第１電極３１は、有機ＥＬ層３４への正孔注入効率を高める観点から、ＩＴＯやＩＺＯ等の仕事関数が大きい材料で形成されていることが好ましい。第１電極３１は、例えば厚さが１００ｎｍ程度である。
【００４３】
エッジカバー３２は、パターン形成された第１電極３１の開口部に対応するように設けられている。なお、エッジカバー３２の一部は、第１電極３１の島状パターンの周縁部の一部を覆うように形成されている。第１電極３１上であってエッジカバー３２が設けられていない領域が発光領域１１となる。エッジカバー３２は、第１電極３１の島状パターンの周縁部を覆うように設けられているので、その周縁部で有機ＥＬ層３４が薄くなったり電解集中が起こったりすることに起因して第１電極３１と第２電極３５とが短絡するのを防止することができる。
【００４４】
エッジカバー３２を構成する材料としては、上記層間絶縁膜２３を構成する材料として挙げたのと同一の材料が使用される。なお、エッジカバー３２は、吸水性の低い材料で構成されていることが好ましい。エッジカバー３２は有機ＥＬ層３４と接するようにして設けられているので、エッジカバー３２の吸水性が高く水分を多く含んでいると、その水分が有機ＥＬ層３４にしみ出して有機ＥＬ層３４に損傷を与える虞があるからである。エッジカバー３２は、例えば厚さが０．５〜１．５μｍである。
【００４５】
エッジカバー３２上には、エッジカバー３２から基板と反対の方向に突出するようにマスクスペーサが設けられていてもよい。マスクスペーサは、有機ＥＬ層３４を蒸着形成する際に蒸着マスクを重ね合わせる時のスペーサとして機能する。マスクスペーサを構成する材料としては、上記エッジカバー３２を構成する材料として挙げたのと同一の材料が挙げられる。
【００４６】
捕水層３３は、エッジカバー３２を覆うようにエッジカバー３２の頂部にパターン形成されて設けられている。捕水層３３は、エッジカバー３２や層間絶縁膜２３等の内部に含まれている水分を捕水する機能を有する。エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、捕水性に優れた捕水層３３に捕捉される。また、エッジカバー３２内の水分が捕捉されて捕水層３３に移動することにより、エッジカバー３２内の水分濃度が低くなるので、層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動する。そして、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらにエッジカバー３２と接して設けられた捕水層３３で捕捉される。このようにして、エッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕水層３３で捕捉することができる。捕水層３３がエッジカバー３２に接して設けられているので、エッジカバー３２内の水分の捕水効率が高められる。
【００４７】
捕水層３３を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属やアルカリ金属酸化物が挙げられる。アルカリ金属としては、例えばバリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）等が、アルカリ金属酸化物としては、例えば酸化バリウム（ＢａＯ）や酸化カルシウム（ＣａＯ）等が挙げられる。これらの材料は、水分を化学吸着により捕捉することが可能である。これらのうち、水分だけではなく酸素を捕捉することができる観点から、捕水層３３の材料としてアルカリ金属を使用することが好ましい。なお、上記の他、活性炭、シリカゲル等の物理吸着を行う物質等で捕水層３３が構成されていてもよい。捕水層３３は、厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、１００〜２００ｎｍであることがより好ましい。厚さが５０ｎｍより小さいと捕水層３３の捕水性能が十分ではなくなる虞がある。一方、厚さが１μｍよりも大きいと応力によって膜剥がれが生じる虞がある。捕水層３３の厚さについては、捕水能力と装置の処理能力に合わせて適宜設定されている。
【００４８】
有機ＥＬ層３４は第１電極３１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層された構成を有する。なお、これらのうち少なくとも発光層を備えていればよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層については、作製する有機ＥＬ素子３０が必要とされている特性に応じて適宜設けられていればよい。また、正孔注入層と正孔輸送層、及び電子輸送層と電子注入層は、それぞれ、一層に設けられていてもよい。
【００４９】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率及び正孔輸送効率を高める機能を有する。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン等や、これらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物或いはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー或いはポリマー等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。なお、正孔注入層及び正孔輸送層は、有機ＥＬ素子３０の全面を覆うように設けられている。
【００５０】
発光層は、第１電極３１側から注入されたホール（正孔）と第２電極３５側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する。発光層は、それぞれの発光色の発光材料が、各発光色の画素領域に対応するように島状のパターンに設けられている。発光層は、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。発光層の材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、或いはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。発光層は、例えば、厚さが１０〜１００ｎｍである。なお、隣接する画素領域が同一の発光色の画素領域である場合は、発光層は島状のパターンに設けられていなくてもよく、この場合にはエッジカバー３２及び捕水層３３の一部又は全部を覆うように発光層が設けられることとなる。
【００５１】
電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、第２電極３５から発光層への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン等や、これらの誘導体、金属錯体等が挙げられる。電子輸送層と電子注入層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。なお、電子輸送層及び電子注入層は、有機ＥＬ素子３０の全面を覆うように設けられていてもよく、各画素領域に対応するようにパターン形成して設けられていてもよい。
【００５２】
第２電極３５は、有機ＥＬ層３４やエッジカバー３２、捕水層３３を覆うように、有機ＥＬ素子３０の全面に設けられている。第２電極３５は有機ＥＬ層３４に電子を注入する機能を有する。第２電極３５は仕事関数の小さい金属等で形成されている。第２電極３５を構成する材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウムなどが挙げられる。第２電極３５は、例えば厚さが５０〜１００ｎｍである。
【００５３】
また、第２電極３５を覆うように保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。保護膜は、酸素や水分が外部から有機ＥＬ層３４内部へ浸入するのを阻止する機能を有する。保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成されている。保護膜を構成する材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等が挙げられる。保護膜は、例えば厚さが１００〜１０００ｎｍである。
【００５４】
封止部材４０は、例えば、ガラスやプラスチック等で形成されている。そして、封止部材４０で封止された中空部分には、例えばＮ２等の不活性ガスが充填されている。封止部材４０は、例えば、厚さが０．４〜１．１ｍｍである。封止部材４０の縦長さ及び横長さは、有機ＥＬ素子３０の寸法に合わせて適宜調整されていてもよく、ＴＦＴ基板２０と略同一の寸法であってもよい。封止部材４０の縦長さ及び横長さがＴＦＴ基板２０と略同一の寸法である場合、封止部材４０は、ＴＦＴ基板２０を封止するように設けられた後に有機ＥＬ素子３０の大きさに合わせて分断されていてもよい。なお、封止部材４０とＴＦＴ基板２０との間に形成される中空部分には、不活性ガスの代わりに、エポキシ樹脂等の樹脂が充填されていてもよい。
【００５５】
封止部材４０には、その基板側表面に乾燥剤が貼付されていることが好ましい。また、封止部材４０の基板側表面への乾燥剤の貼付のために、例えば、封止部材４０の基板側表面に凹部を設けられていてもよい。その場合、凹部の深さは、例えば０．２〜０．３ｍｍである。
【００５６】
乾燥剤は、例えばシート状や液状を有する。乾燥剤は、例えば、○○、○○、○○、○○等である。封止部材４０の基板側表面に乾燥剤が貼付されていることにより、外部から有機ＥＬ素子３０内に浸入した水分を捕捉することができ、外部から浸入した水分によって有機ＥＬ層３４が損傷を受けるのを防ぐことができる。    
【００５７】
封止部材４０やＴＦＴ基板２０の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。
【００５８】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０では、配線からの信号入力によりＴＦＴ２２をオンさせると、第１電極３１から有機ＥＬ層３４へホールが注入されると共に、第２電極３５から有機ＥＬ層３４へ電子が注入される。そして、正孔と電子とが発光層内で再結合する。再結合により励起状態となった電子が基底状態に戻る際に放出する失活エネルギーが、有機ＥＬ素子３０の発光として取り出される。各画素領域の発光輝度を制御することで、有機ＥＬ表示装置１０にて所定の画像を表示することができる。
【００５９】
なお、実施形態１では第１電極３１が陽極及び第２電極３５が陰極である構成としたが、第１電極３１が陰極及び第２電極３５が陽極であってもよく、その場合、第１電極３１から有機ＥＬ層３４に電子が注入されると共に、第２電極３５から有機ＥＬ層３４に正孔が注入される。
【００６０】
また、上記では有機ＥＬ表示装置１０が有機ＥＬ素子３０の発光を基板側から取り出すボトムエミッション構造である場合について説明したが、特にこれに限られず、封止部材４０側から発光を取り出すトップエミッション構造を有していてもよい。有機ＥＬ表示装置１０がトップエミッション構造である場合、第１電極３１を光反射性の材料で構成し、且つ、第２電極３５を光透過性又は光半透過性の材料で構成する必要がある。例えば、第１電極３１をＡｌ膜とＩＺＯ膜の積層体で構成し、第２電極３５を膜厚２ｎｍ程度のＭｇＡｇ合金膜及び膜厚２０ｎｍ程度のＡｇ膜の積層体で構成する。このとき、第１電極３１のＡｌ膜が光反射性材料として機能すると共に、ＩＺＯ膜が正孔を有機ＥＬ層３４に注入する機能を有する。また、第２電極３５のＭｇＡｇ合金膜が有機ＥＬ層３４に電子を注入する機能を有すると共に、Ａｇ膜が電極としての導電性を有する。そして、両積層体の厚みが十分薄いために、第２電極３５全体として光半透過性を有し、有機ＥＬ素子３０の発光を封止部材４０側から取り出すことができる。なお、有機ＥＬ表示装置１０がトップエミッション型構造を有する場合には、有機ＥＬ表示装置１０の封止部材４０側に光透過性が要求されるため、一般には乾燥剤は貼付されていない。
【００６１】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
図４を用いて、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。
【００６２】
まず、公知の方法によりガラス基板２１上にＴＦＴ２２を作製し、さらに感光性樹脂を塗布して層間絶縁膜２３とする。この層間絶縁膜２３に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行って、ＴＦＴ２２に導通するコンタクトホールを形成する。
【００６３】
次に、図４（ａ）に示すように第１電極３１を形成する。例えばＩＴＯで第１電極３１を形成する場合、まず、スパッタ法を用いてＩＴＯ膜を成膜する。その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、エッチング液として塩化第二鉄等を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。そして、フォトレジストを剥離し、基板洗浄を行い、第１電極３１を形成する。
【００６４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２３と同様にして、例えば感光性ポリイミド樹脂をパターン形成してエッジカバー３２を形成する。
【００６５】
次に、図４（ｃ）に示すように、エッジカバー３２の頂部に対応するようにパターニングを行って捕水層３３を形成する。具体的には、まず、エッジカバー３２を脱水するために減圧してベークすると共に、酸素プラズマ処理を行って第１電極３１の表面を洗浄する。続いて、捕水層３３を形成しない領域（つまり、エッジカバー３２以外の領域）をマスクで被覆した状態で、例えばスパッタ法、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて、ＣａＯ膜を成膜する。このとき、例えば圧力が１０−１Ｐａ以下、及び基板温度が２０〜１００℃であることが好ましい。
【００６６】
なお、乾式プロセスである真空プロセスを経て捕水層３３を形成するとしたが、特にこれに限られず、インクジェット法などの湿式プロセス等によって捕水層３３を形成してもよい。但し、湿式プロセスによれば捕水層３３の捕水能力が低下する虞があるため、乾式プロセスで捕水層３３を形成することが好ましい。
【００６７】
次に、抵抗加熱蒸着法やＥＢ蒸着法等を用いて有機ＥＬ層３４を形成する。このとき、真空に近い雰囲気下で有機ＥＬ層３４の形成を行うことが好ましい。具体的には、圧力が１０−５Ｐａ以下、及び基板温度が２０〜１００℃であることが好ましい。また、酸素濃度及び水分濃度がいずれも１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００６８】
まず、正孔注入層兼正孔輸送層３４ａを有機ＥＬ素子３０の全面に蒸着形成する。次に、蒸着マスクで所定の発光色の発光領域１１以外の部分を被覆した状態で、発光層３４ｂを蒸着形成する。有機ＥＬ表示装置１０がＲＧＢフルカラー表示を行う場合には、赤色発光材料、青色発光材料及び緑色発光材料を任意の順番で形成して発光層３４ｂとする。そして、最後に、電子輸送層兼電子注入層３４ｃを有機ＥＬ素子３０の全面に蒸着形成する。これにより有機ＥＬ層３４が形成される。
【００６９】
なお、ここでは発光層３４ｂの形成時のみ蒸着マスクを使用するとしたが、正孔注入層兼正孔輸送層３４ａや電子輸送層兼電子注入層３４ｃを形成する時にも蒸着マスクを使用してもよい。
【００７０】
続いて、例えばスパッタ法等を用いて有機ＥＬ層３４全体を覆うように第２電極３５を形成する。
【００７１】
さらに、公知の方法を用いてＳｉＯＮ等からなる保護膜を全面に形成してもよい。
【００７２】
最後に、ＴＦＴ基板２０上に形成された有機ＥＬ素子３０を封止するように、不活性ガス雰囲気中で封止部材４０を取り付ける。このとき、封止部材４０は、エポキシ樹脂等の封止樹脂を用いてシールしてもよく、ガラスフリッタを用いてＴＦＴ基板２０と封止部材４０を融着してもよい。
【００７３】
以上の工程により、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１０を製造することができる。
【００７４】
＜実施形態１の効果＞
実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２の基板側とは反対側の表面に捕水層３３が設けられた構成を有するので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらにエッジカバー３２と接するように設けられた捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【００７５】
また、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１０は、捕水層３３が発光領域１１以外の領域において設けられているので、トップエミッション型の構造の有機ＥＬ表示装置１０であっても任意の材料で形成することができる。
【００７６】
さらに、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、捕水層３３上に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層が設けられ、さらに第２電極３５が設けられた構成を有するので、捕水層３３と第２電極３５が非接触である。そのため、捕水層３３が捕捉した水分によって第２電極３５が変質して変色し、有機ＥＬ発光特性が低下する虞がない。また、捕水層３３が正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層と接触して設けられているため接触部分においてこれらが水分によって損傷を受けるが、発光領域１１以外の領域において有機ＥＬ層３４の有機膜が損傷を受けても有機ＥＬ発光特性には影響しない。
【００７７】
＜実施形態１の第１変形例＞
図５は、実施形態１の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【００７８】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４上に捕水層３３が設けられていることを除いて、実施形態１と同一の構成の有機ＥＬ素子３０を備えている。
【００７９】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。まず、実施形態１と同一の方法でエッジカバー３２を形成後、実施形態１と同じ方法を用いて有機ＥＬ層３４を形成する。そして、有機ＥＬ層３４の上に、実施形態１と同じ方法を用いて捕水層３３を形成する。但し、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の電子注入層や電子輸送層が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。その後の工程は実施形態１と同一である。
【００８０】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２上に有機ＥＬ層３４を介して捕水層３３が設けられているので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて、有機ＥＬ層３４を通って捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらに捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【００８１】
なお、エッジカバー３２と捕水層３３との間には有機ＥＬ層３４が設けられているものの、有機ＥＬ層３４は３０〜３００ｎｍ程度の薄膜であるため、捕水層３３の捕水性能は十分に発揮される。また、エッジカバー３２と捕水層３３との間の有機ＥＬ層３４は水分の通り道となって水分に晒されることとなるが、捕水層３３は発光領域１１以外の領域に設けられているので、有機ＥＬ発光特性には影響を及ぼさない。
【００８２】
＜実施形態１の第２変形例＞
図６は、実施形態１の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【００８３】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４を構成する複数の有機膜の間（具体的には、例えば正孔注入及び兼正孔輸送層３４ａと、電子輸送層及び電子注入層３４ｃとの間）に捕水層３３が設けられていることを除いて、実施形態１と同一の構成の有機ＥＬ素子３０を備えている。
【００８４】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。まず、実施形態１と同一の方法でエッジカバー３２を形成後、実施形態１と同じ方法を用いて正孔輸送層及び正孔注入層３４ａ、及び発光層３４ｂを形成する。そして、その上に実施形態１と同じ方法を用いて捕水層３３を形成してさらに電子輸送層及び電子注入層３４ｃを形成する。但し、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の正孔注入層や正孔輸送層が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。その後の工程は実施形態１と同一である。
【００８５】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、実施形態１の第１変形例と同一の効果が得られる。
【００８６】
＜実施形態１の第３変形例＞
図７は、実施形態１の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【００８７】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４を構成する複数の有機膜全てが発光領域１１のみにパターン形成して設けられていることを除いて、実施形態１と同一の構成の有機ＥＬ素子３０を備えている。
【００８８】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、有機ＥＬ層３４の形成において正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の形成も発光層と同様にパターン形成することを除いて、実施形態１と同一の方法を用いることができる。なお、捕水層３３と有機ＥＬ層３４のうちいずれを先に形成してもよい。但し、有機ＥＬ層３４の形成後に捕水層３３を形成する場合には、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の有機ＥＬ層３４が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。
【００８９】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２上に有機ＥＬ層３４を介して捕水層３３が設けられているので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらに捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【００９０】
《実施形態２》
＜有機ＥＬ表示装置＞
図８及び９は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１０を示す。この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ表示装置１０は、第２電極３５が有機ＥＬ表示装置１０の発光領域１１に対応するようにパターン形成されていることを除いて、実施形態１と同一の構成を有する。なお、第２電極３５は島状のパターンに形成されていてもよく、帯状やその他の形状のパターンに形成されていてもよい。また、パターン形成された第２電極３５のそれぞれは、外部から電荷を供給するための配線に電気的に接続されている。
【００９１】
なお、捕水層３３がパターン形成して設けられている領域と重ならないように設けられているとして説明したが、図１０に示すように、捕水層３３が設けられている領域と同じ領域に一部が重なるようにして設けられていてもよい。
【００９２】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。
【００９３】
実施形態１と同一の方法で、ＴＦＴ基板２０上に第１電極３１、エッジカバー３２、捕水層３３、有機ＥＬ層３４を形成する。
【００９４】
続いて、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法により、蒸着マスクを用いて第２電極３５をパターン形成する。
【００９５】
最後に実施形態１と同様にして有機ＥＬ素子３０を覆うように基板上に封止部材４０を設ける。このようにして有機ＥＬ表示装置１０を作製することができる。
【００９６】
＜実施形態２の効果＞
実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２の基板側とは反対側の表面に捕水層３３が設けられた構成を有するので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらにエッジカバー３２と接するように設けられた捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【００９７】
また、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、第２電極３５が有機ＥＬ層３４上にパターン形成されて設けられているので、エッジカバー３２内に含まれている水分や捕水層３３で捕捉された水分が第２電極３５の外部に抜けるための流路が存在することとなる。そのため、水分による有機ＥＬ層３４の損傷を抑制する効果がより優れたものとなる。
【００９８】
＜実施形態２の第１変形例＞
図１１は、実施形態２の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【００９９】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４上に捕水層３３が設けられていることを除いて実施形態２と同一の構成の有機ＥＬ表示装置１０を備えている。
【０１００】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。まず、実施形態２と同一の方法でエッジカバー３２を形成後、実施形態２と同じ方法を用いて有機ＥＬ層３４を形成する。そして、有機ＥＬ層３４の上に、実施形態２と同じ方法を用いて捕水層３３を形成する。但し、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の電子注入層や電子輸送層が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。その後の工程は実施形態２と同一である。
【０１０１】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２の基板側とは反対側の表面に捕水層３３が設けられた構成を有するので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉され、有機ＥＬ層３４を通って捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらに捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【０１０２】
また、この有機ＥＬ表示装置１０によれば、第２電極３５が有機ＥＬ層３４上にパターン形成されて設けられているので、エッジカバー３２内に含まれている水分や捕水層３３で捕捉された水分が第２電極３５の外部に抜けるための流路が存在することとなる。そのため、水分による有機ＥＬ層３４の損傷を抑制する効果がより優れたものとなる。
【０１０３】
なお、エッジカバー３２と捕水層３３との間には有機ＥＬ層３４が設けられているものの、有機ＥＬ層３４は３０〜３００ｎｍ程度の薄膜であるため、捕水層３３の捕水性能は十分に発揮される。また、エッジカバー３２と捕水層３３との間の有機ＥＬ層３４は水分の通り道となって水分に晒されることとなるが、捕水層３３は発光領域１１以外の領域に設けられているので、有機ＥＬ発光特性には影響を及ぼさない。
【０１０４】
＜実施形態２の第２変形例＞
図１２は、実施形態２の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【０１０５】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４を構成する複数の有機膜の間（具体的には、例えば正孔注入層及び正孔輸送層３４ａと、電子輸送層及び電子注入層３４ｃとの間）に捕水層３３が設けられていることを除いて実施形態２と同一の構成の有機ＥＬ表示装置１０を備えている。
【０１０６】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。まず、実施形態２と同一の方法でエッジカバー３２を形成後、実施形態２と同じ方法を用いて正孔輸送層及び正孔注入層３４ａ、及び発光層３４ｂを形成する。そして、その上に実施形態２と同じ方法を用いて捕水層３３を形成してさらに電子輸送層及び電子注入層３４ｃを形成する。但し、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の正孔注入層や正孔輸送層が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。その後の工程は実施形態２と同一である。
【０１０７】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、実施形態２の第１変形例と同一の効果が得られる。
【０１０８】
＜実施形態２の第３変形例＞
図１３は、実施形態２の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面を示す。
【０１０９】
この有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ層３４を構成する複数の有機膜全てが発光領域１１のみにパターン形成して設けられていることを除いて実施形態２と同一の構成の有機ＥＬ表示装置１０を備えている。
【０１１０】
この有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、有機ＥＬ層３４の形成において正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の形成も発光層と同様にパターン形成することを除いて、実施形態２と同一の方法を用いることができる。なお、捕水層３３と有機ＥＬ層３４のうちいずれを先に形成してもよい。但し、有機ＥＬ層３４の形成後に捕水層３３を形成する場合には、捕水層３３をスパッタ法を用いて形成すると、スパッタ時に放出される熱やプラズマによって表示領域の有機ＥＬ層３４が損傷を受ける可能性があるので、スパッタ法以外の方法で捕水層３３を形成することが好ましい。
【０１１１】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー３２の基板側とは反対側の表面に捕水層３３が設けられた構成を有するので、エッジカバー３２の内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて捕水層３３に移動する。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、さらに捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３でエッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【０１１２】
また、この有機ＥＬ表示装置１０によれば、第２電極３５が有機ＥＬ層３４上にパターン形成されて設けられているので、エッジカバー３２内に含まれている水分や捕水層３３で捕捉された水分が第２電極３５の外部に抜けるための流路が存在することとなる。そのため、水分による有機ＥＬ層３４の損傷を抑制する効果がより優れたものとなる。
【０１１３】
《実施形態３》
＜有機ＥＬ表示装置＞
図１４は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１０を示す。この有機ＥＬ表示装置１０は、パッシブマトリクス駆動を行う。有機ＥＬ表示装置１０は、基板上に有機ＥＬ素子３０が設けられた構造を有する。
【０１１４】
基板は、ＴＦＴ２２アレイが形成されておらず、ガラス基板やプラスチック基板等で構成されている。基板は、例えば縦長さが４００〜５００ｍｍ、横長さが３００〜４００ｍｍ、及び厚さが０．７〜１．１ｍｍである。基板表面には、絶縁性の材料で層間絶縁膜２３が設けられていてもよい。
【０１１５】
有機ＥＬ素子３０は、縞状に複数設けられた第１電極３１と、その第１電極３１に交差するように縞状に複数設けられた第２電極３５とを有する。そして、複数の第１電極３１と第２電極３５との間に有機ＥＬ層３４が設けられている。これにより、第１電極３１と第２電極３５との交差する部分が格子状に形成される。この両電極の交差する部分が、有機ＥＬ表示装置１０の画素領域となる。
【０１１６】
有機ＥＬ表示装置１０は、コラム（列）方向の第１電極３１（信号電極）とロウ（行）方向の第２電極３５（走査電極）にそれぞれ同時にバイアス電極をかける。これにより、両電極に挟まれている有機ＥＬ層３４が発光する。
【０１１７】
第１電極３１は、基板上の一方向（列方向）に縞状に配設されている。第１電極３１は、例えば厚さが１００ｎｍ程度であり、配設ピッチが１００〜５００μｍである。
【０１１８】
第１電極３１が設けられていない溝部には、絶縁性の材料でエッジカバー３２が設けられている。エッジカバー３２は、例えば高さが０．５〜１．５ｎｍである。エッジカバー３２は、列方向のみならず行方向にも縞状に設けられていてもよく、その場合、エッジカバー３２は格子状に設けられることになる。
【０１１９】
行方向に設けられたエッジカバー３２上には、さらに、基板側とは反対側に突出するように第２電極隔壁３２ａが設けられている。第２電極隔壁３２ａは、縞状に設けられる第２電極３５を分離形成可能とする機能を有する。なお、行方向にエッジカバー３２が設けられていない場合には、第１電極３１上に第２電極隔壁３２ａが設けられていてもよい。第２電極隔壁３２ａを構成している材料としては、エッジカバー３２を構成する材料として挙げたものと同一の材料が挙げられる。第２電極隔壁３２ａは、例えば幅１０〜５０μｍ及び高さが２〜５μｍである。
【０１２０】
列方向のエッジカバー３２の頂部及び行方向の第２電極隔壁３２ａの頂部には、捕水層３３が設けられている。捕水層３３は、実施形態１及び２と同一の材料で構成されている。厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、１００〜２００ｎｍであることがより好ましい。厚さが５０ｎｍより小さいと捕水層３３の捕水性能が十分ではなくなる虞がある。一方、厚さが１μｍよりも大きいと応力によって膜剥がれが生じる虞がある。
【０１２１】
第１電極３１上には、エッジカバー３２によって区画された領域に有機ＥＬ層３４が設けられている。有機ＥＬ層３４は、実施形態１及び２と同様に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層が順に積層された構成を有する。
【０１２２】
有機ＥＬ層３４上には、第２電極３５が設けられている。第２電極３５は、実施形態１や２と同一の材料で構成されている。
【０１２３】
以上の構成の有機ＥＬ素子３０は、実施形態１や２と同一の材料からなる封止部材４０で封止されている。封止部材４０の基板側表面には乾燥剤が貼付されていてもよい。
【０１２４】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、実施形態３の有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について説明する。
【０１２５】
まず、導電性基板を用いる場合には基板表面をポリイミド樹脂で覆う等の方法によって絶縁処理を行い、この上に、実施形態１と同様にして第１電極３１及びエッジカバー３２を順に形成する。
【０１２６】
次に、第１電極３１を形成した方向と直交する方向に、第２電極隔壁３２ａを形成する。第２電極隔壁３２ａは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。そして、第２電極隔壁３２ａを形成した後に、エッジカバー３２や第２電極隔壁３２ａの任意の部分に対応するように、実施形態１と同様にして捕水層３３を形成する。
【０１２７】
なお、ここでは第２電極隔壁３２ａを形成した後に捕水層３３を形成するとして説明したが、エッジカバー３２上に捕水層３３を形成した後に第２電極隔壁３２ａを形成しても構わない。但し、第２電極隔壁３２ａをフォトリソグラフィ技術を用いて形成する場合には、大気中でアルカリ水溶液等を用いて現像処理を行うので、捕水層３３が大気及び水に晒されることにより捕水能力が低下してしまう虞がある。そのため、第２電極隔壁３２ａを形成した後に捕水層３３を形成することが好ましい。
【０１２８】
最後に、実施形態１と同様にして第２電極３５を形成し、さらに、封止部材４０で有機ＥＬ素子３０を封止する。こうして、実施形態３の有機ＥＬ表示装置１０を製造することができる。
【０１２９】
＜実施形態３の効果＞
実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、第２電極隔壁３２ａの基板側とは反対側の表面に捕水層３３が設けられた構成を有するので、第２電極隔壁３２ａの内部に含まれている水分は、優れた捕水性能を有する捕水層３３で捕捉されて捕水層３３に移動する。また、第２電極隔壁３２ａ内の水分濃度が低下することによりエッジカバー３２に含まれている水分は相対的に水分濃度が低い第２電極隔壁３２ａへと移動し、エッジカバー３２から第２電極隔壁３２ａに移動した水分は、さらに捕水層３３で捕捉される。また、エッジカバー３２内の水分濃度が低下することにより層間絶縁膜２３に含まれている水分は相対的に水分濃度の低いエッジカバー３２へと移動し、層間絶縁膜２３からエッジカバー３２に移動した水分は、第２電極隔壁３２ａを通じてさらに捕水層３３で捕捉される。このようにして捕水層３３で、第２電極隔壁３２ａ、エッジカバー３２及び層間絶縁膜２３の内部に含まれている水分を捕捉することができるので、結果として、エッジカバー３２の内部の水分が有機ＥＬ素子３０内にしみ出して有機ＥＬ層３４や第２電極３５に損傷を与えて発光の輝度が低下することを抑制することができる。特に、有機ＥＬ層３４の周辺のエッジカバー３２と接している部分では、経時に伴ってエッジカバー３２からしみ出す水分により損傷を受けて輪郭が不明瞭になったり発光領域１１が小さくなったりする画素シュリンク現象が生じるが、エッジカバー３２の上層に捕水層３３を設けることにより、このような現象が起こるのを抑制することができる。
【０１３０】
また、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、第２電極３５が有機ＥＬ層３４上にパターン形成されて設けられているので、エッジカバー３２内に含まれている水分や捕水層３３で捕捉された水分が第２電極３５の外部に抜けるための流路が存在することとなる。そのため、水分による有機ＥＬ層３４の損傷を抑制する効果がより優れたものとなる。
【０１３１】
《その他の実施形態》
本発明の有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ表示装置の他、液晶表示装置の有機ＥＬバックライトや有機ＥＬ照明装置等に用いることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置、及び有機ＥＬ素子の製造方法について有用である。
【符号の説明】
【０１３３】
１０  有機ＥＬ表示装置
１１  発光領域
２０  基板（ＴＦＴ基板）
３０  有機ＥＬ素子
３１  第１電極
３２  エッジカバー
３３  捕水層
３４  有機ＥＬ層
３５  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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