(57)【要約】【課題】ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定する。【解決手段】ＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおいて、チップ搭載領域４ｃの第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されていることにより、超音波を印加してバンプ電極２を金属パターン４に接続する際に、第３パターン４ｆは梁となるようなパターンによって支持されていないため、超音波の振動に合わせて動く。これにより、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができ、バンプ電極２の接続強度検査において、入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。【選択図】図２
2010134686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法：
（ａ）整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有する金属パターンが貼り付けられた支持部材を準備する工程；
（ｂ）回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するＲＦＩＤ用チップを、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記複数のバンプ電極を介して前記整合回路部のチップ搭載領域に配置する工程；
（ｃ）前記ＲＦＩＤ用チップの前記裏面側から治具を介して超音波を印加し、前記複数のバンプ電極と前記金属パターンとを接合する工程；
ここで、
前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有し、
前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、
前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されている。
【請求項２】
請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの面積は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの面積よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記治具は、前記超音波の印加により、第１方向に沿って振動し、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの前記第１方向に沿った方向の幅は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの前記第１方向に沿った方向の幅よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第３パターンは、前記第１方向に交差する第２方向に沿って細長く形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項５】
請求項３記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第１方向は、前記ＲＦＩＤ用チップの前記主面の４つの辺のうちの少なくとも何れか１辺に沿った方向であることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第３パターンを２つ有しており、前記２つの第３パターンは、それぞれ前記第１及び第２パターンから分離して浮島状に形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記（ｃ）工程の後、前記第１パターンと前記第２パターンの上に跨がって配置される前記ＲＦＩＤ用チップの側面に対して、前記第１パターン側から前記第３パターン側に向かう荷重を付与して前記入力用のバンプ電極及び前記ＧＮＤ用のバンプ電極の接合強度を検査することを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項８】
支持部材と、
整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有し、前記支持部材上に配置された金属パターンと、
回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有し、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記整合回路部のチップ搭載領域に前記複数のバンプ電極を介して搭載されたＲＦＩＤ用チップと、
を含み、
前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有し、
前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、
前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレット。
【請求項９】
請求項８記載のＲＦＩＤ用インレットにおいて、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの面積は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの面積よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレット。
【請求項１０】
請求項８記載のＲＦＩＤ用インレットにおいて、
前記ＲＦＩＤ用チップは、第１方向に沿った一対の第１辺と、前記第１方向と交差する第２方向に沿った一対の第２辺を有し、
前記入力用のバンプ電極及び前記ＧＮＤ用のバンプ電極は、前記第１方向に沿って配置され、
前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの前記第１方向に沿った方向の幅は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの前記第１方向に沿った方向の幅よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレット。
【請求項１１】
請求項１０記載のＲＦＩＤ用インレットにおいて、前記第３パターンは、前記第２方向に沿って細長く形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤ用インレット及びその製造技術に関し、特に、ＲＦＩＤ用チップがフリップチップ接続されるＲＦＩＤ用インレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁フィルムの一面に接着したＣｕ箔からなるアンテナと、このアンテナに接続された半導体チップとを備えた電子タグ用インレットにおいて、半導体チップの主面上に、Ａｕバンプ９ａ、９ｂとダミーのＡｕバンプ９ｃ、９ｄとが形成された構造を有する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁フィルムの一面に接着したＣｕ膜からなるアンテナと、このアンテナに接続された半導体チップとを備えた電子タグ用インレットにおいて、半導体チップのＡｕバンプ（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ）がＡｕ−Ｓｎ共晶合金層を介してリードパターンに接続された構造を有する技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−８６６４４号公報
【特許文献２】特開２００４−３５５４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、非接触型の電子タグやＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification)用タグ等に搭載されるＲＦＩＤ用インレットが開発されている。このＲＦＩＤ用インレットの薄型化を実現するためには、ＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップ（以降、単にチップともいう）をフィルム等の上に設けられた金属パターンにフリップチップ接続して実装することが有効である。
【０００５】
ここで、ＲＦＩＤ用チップの主面には、入力用とＧＮＤ用のパッドの合計２パッドが形成されているが、フリップチップ接続する際にバンプ電極が２つしかチップの主面に配置されていない場合、安定してチップを実装することが困難であることから、前記特許文献１及び２に示すように、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）も意図的に設けることが有効である。
【０００６】
しかしながら、このようなダミーバンプ電極を有するＲＦＩＤ用チップをフリップチップ接続した場合、本願発明者は以下の問題を発見した。
【０００７】
すなわち、チップは、超音波を用いてバンプ電極と金属パターンとの接合が行われるが、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）が形成されていると、チップ支持用のバンプ電極と金属パターンとの接合も同時に行われるため、後の工程で、入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合強度を検査する際、入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定できないことが問題である。
【０００８】
また、チップ支持用のバンプ電極が確実にアンテナ部と接合していても、本来接合しておく必要がある入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上できないことが問題である。
【０００９】
本発明の目的は、ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定することができる技術を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上することができる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有する金属パターンが貼り付けられた支持部材を準備する工程；（ｂ）回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するＲＦＩＤ用チップを、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記複数のバンプ電極を介して前記整合回路部のチップ搭載領域に配置する工程。さらに、（ｃ）前記ＲＦＩＤ用チップの前記裏面側から治具を介して超音波を印加し、前記複数のバンプ電極と前記金属パターンとを接合する工程；ここで、前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有している。また、前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されている。
【００１４】
また、本発明は、支持部材と、整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有し、前記支持部材上に配置された金属パターンと、回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有し、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記整合回路部のチップ搭載領域に前記複数のバンプ電極を介して搭載されたＲＦＩＤ用チップとを含んでいる。さらに、前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有している。また、前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されている。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
ＲＦＩＤ用インレットにおいて、整合回路部のチップ搭載領域の第３パターンが第１及び第２パターンから分離されていることにより、超音波印加によるフリップチップ接続時のチップ支持用のバンプ電極の接合力を、入力用のバンプ電極の接合力やＧＮＤ用のバンプ電極の接合力に比べて弱くすることができ、バンプ電極の接合強度検査において入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定することができる。
【００１７】
入力用のバンプ電極とＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合だけを管理すればよいため、入力用のバンプ電極やＧＮＤ用のバンプ電極の接合の品質維持を容易に行うことができ、ＲＦＩＤ用インレットにおける入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１９】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの構造の一例を示す平面図、図２は図１のＡ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図である。また、図４は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立て手順の一例を示す製造フロー図、図５は図１に示すＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップの主面側の構造の一例を示す平面図、図６は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てで用いられるベースフィルム上の金属パターンの一例を示す平面図である。さらに、図７は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング時の構造の一例を示す部分平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図９は図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図１０は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング後の接合強度測定の状態の一例を示す断面図である。
【００２３】
また、図１１は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂塗布時の構造の一例を示す部分平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図１３は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化時の構造の一例を示す部分平面図、図１４は図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。さらに、図１５は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける通信特性検査時の構造の一例を示す部分平面図、図１６は図１５の通信特性検査時の構造の一例を示す部分側面図、図１７は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける金属パターン付きベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図、図１８は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化後のベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。また、図１９は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（外巻き）の一例を示す平面図、図２０は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（内巻き）の一例を示す平面図、図２１は本発明の実施の形態１の第１変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図、図２２は本発明の実施の形態１の第２変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。
【００２４】
本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットは、非接触型のＲＦＩＤタグ用のインレットであり、例えば、通信回路を備えたＲＦＩＤ用チップ１と、金属箔等からなる小型アンテナとを有するものである。なお、本実施の形態１で使用する周波数帯域は、８６０ＭＨｚから９６０ＭＨｚのＵＨＦ帯域であるが、もちろんこの周波数帯域以外のものであっても良い。
【００２５】
図１〜図３に示すＲＦＩＤ用インレット７の構成について説明すると、細長い長方形の絶縁性のベースフィルム（支持部材）３と、その表面に貼り付けられた金属箔からなる金属パターン４と、複数のバンプ電極２を介してフリップチップボンディングで金属パターン４に電気的に接続されたＲＦＩＤ用チップ１と、ＲＦＩＤ用チップ１の外周部に塗布された保護用樹脂８とからなる。保護用樹脂８は、ＲＦＩＤ用チップ１と金属パターン４の間、及びＲＦＩＤ用チップ１とベースフィルム３の間にも充填されている（図１２参照）。
【００２６】
なお、図２及び図３では接合部等の構造説明のために、保護用樹脂８は省略して示している。
【００２７】
また、ベースフィルム３は、樹脂シート等であってもよく、例えば、ポリエチレン・テレフタレートあるいはポリエチレン・ナフタレート等を主要な成分とする絶縁性の樹脂からなる。
【００２８】
さらに、ベースフィルム３上に接着、かつ配置された金属パターン４は、メタル薄膜パターン（金属箔）であり、例えば、アルミニウムを主要な成分とする薄膜からなる。金属パターン４は、図１に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１が電気的に接続されたループ（枠）状の整合回路部４ａと、この整合回路部４ａと一体に形成され、かつ整合回路部４ａの両側に配置されたアンテナ部４ｂを有している。
【００２９】
また、ＲＦＩＤ用チップ（半導体素子、ＲＦＩＤタグ・チップ）１は、図５に示すように、回路素子１ｃ及び複数のバンプ電極２が形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有している。そこで、ＲＦＩＤ用チップ１は、主面１ａが金属パターン４と対向するように、図２に示すように整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃに複数のバンプ電極２を介して搭載されている。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１は、フリップチップボンディングによって金属パターン４に接続されている。
【００３０】
なお、図１に示すように金属パターン４のアンテナ部４ｂは、ＲＦＩＤ用チップ１を中心として、その両側にほぼ対称に配置されている。また、アンテナ部４ｂの形状は、例えば、ダイポール・アンテナ（単一ダイポール・アンテナ（Single Dipole Antenna)）であり、２つの極（又は電極）を有している。
【００３１】
本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７では、図５に示すようにＲＦＩＤ用チップ１の主面１ａに４つのバンプ電極２が設けられているが、これらは、回路素子１ｃと電気的に接続された入力用のバンプ電極２ａと、回路素子１ｃと電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと、回路素子１ｃと電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃである。つまり、ＲＦＩＤ用チップ１には、１つの入力用のバンプ電極２ａ（入力端子）と、１つのＧＮＤ用のバンプ電極２ｂ（ＧＮＤ端子）と、２つのチップ支持用のバンプ電極２ｃが設けられている。
【００３２】
ただし、ＲＦＩＤ用チップ１では前記入力端子と前記ＧＮＤ端子とにおいて、例えば、前記入力端子は、出力端子に切り換わってもよく、あるいは、前記入力端子と前記ＧＮＤ端子の双方が、同時に入出力の機能を担ってもよい。また、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃは、チップ支持構造の安定性を保つために配置されたバンプである。
【００３３】
これらのバンプ電極２に対応してフリップチップボンディングが可能なように、図２に示す金属パターン４におけるチップ搭載領域４ｃは、入力用のバンプ電極２ａと電気的に接続される第１パターン４ｄと、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと電気的に接続される第２パターン４ｅと、チップ支持用のバンプ電極２ｃと接続される第３パターン４ｆとを有しており、第３パターン４ｆは円形であるとともに、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されている。
【００３４】
すなわち、図６に示すように、金属パターン４から成る整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃには、ＲＦＩＤ用チップ１のバンプ電極２と接続するための第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び第３パターン４ｆが設けられており、それらのうち、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは、開口部４ｇを挟んでその両側に配置され、それぞれが開口部４ｇと反対側の端部で整合回路部４ａに接続されている。言い換えれば、第1パターン４ｄと第２パターン４ｅのそれぞれは、整合回路部４ａの一部であり、この整合回路部４ａと一体に形成されている。なお、図１及び図２に示すように、チップ搭載領域（チップ・ボンディング部）４ｃ内で見れば、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅも互いに分離されているが、整合回路部４ａの領域内で見れば、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは一体に形成されている。つまり、チップ搭載領域４ｃの外側で第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは一体に形成されている。また、チップ搭載領域４ｃ内において、第１パターン４ｄの面積は、第２パターン４ｅの面積とほぼ同じ大きさである。
【００３５】
また、ダミーバンプ電極となるチップ支持用のバンプ電極２ｃと接続する２つの第３パターン４ｆは、それぞれ第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離しており、それぞれは浮島状に形成されている。また、２つの第３パターン４ｆのそれぞれの面積は、第１パターン４ｄ（又は、第２パターン４ｅ）の面積、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅを有する整合回路部４ａの面積、又はこの整合回路部４ａとアンテナ部４ｂの総面積よりも小さい。
【００３６】
ここで、ベースフィルム３上への金属パターン４の形成方法について説明する。
【００３７】
本実施の形態１の金属パターン４は、例えば、グラビア印刷と呼ばれる印刷方式でベースフィルム３上に形成される。この方式は、ベースフィルム３上に接着剤を介して金属箔を貼り付け、その後、所望のパターンにインクを塗布し、エッチング液に浸すことで、インクが塗布されたパターンの周囲の金属箔が削り取られ、最後に残ったインクを薬液によって除去することで、所望のパターンの金属箔（金属パターン４）を形成できる。
【００３８】
なお、グラビア印刷の場合、エッチングにより不要な金属箔を除去するため、金属パターン４を形成する際、四角形よりも、円形や楕円の方が形成し易い。
【００３９】
また、本実施の形態１では、ＲＦＩＤ用チップ１をフリップチップボンディングによって金属パターン４に接合する際に、超音波と熱（例えば、８０℃程度）をＲＦＩＤ用チップ１に印加して接合している。つまり、接合ツールを介して印加された超音波を用いて、金属パターン４にＲＦＩＤ用チップ１のバンプ電極２を擦り付け、これにより金属パターン４とバンプ電極２を金属間接合させるのであるが、その際、適度な加熱も行うことで接合の安定度を高める（プロセスマージンを大きくする）ことができる。
【００４０】
しかしながら、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７は、上記したように、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃのダミーバンプ電極に接合する第３パターン４ｆを、第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離している。すなわち、梁となるようなパターンによって第３パターン４ｆを支持していない。そのため超音波を用いてバンプ電極２を金属パターン４に接続する際に、第３パターン４ｆを超音波の振動方向（第1方向９）６に沿って動かすことができる。
【００４１】
これにより、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。
【００４２】
その結果、図１０に示すようなフリップチップ接続後のバンプ電極２の接続強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力を知ることができる。
【００４３】
さらに、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂそれぞれの本来の接合力を知ることができるため、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合だけを管理すればよく、したがって、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合の品質維持を容易に行うことができる。
【００４４】
これにより、ＲＦＩＤ用インレット７における入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合信頼性を向上することができる。
【００４５】
さらに、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７においては、第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離していることに加えて、図２に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。同様に、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第２パターン４ｅの面積は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。
【００４６】
これにより、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。
【００４７】
その結果、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力をより確実に知ることができる。
【００４８】
次に、第３パターン４ｆの面積（大きさ）とは別に、超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の第３パターン４ｆの幅に着目する。ＲＦＩＤ用チップ１は、第１方向９に沿った一対の辺である第１辺１ｄと、第１方向９と交差する第２方向１０に沿った一対の他の辺である第２辺１ｅを有している。その際、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。
【００４９】
このように第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離していることに加えて、第３パターン４ｆの超音波の振動方向６（第１方向９）の幅を第１パターン４ｄより狭くすることでも、前記面積を小さくするのと同様に、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。
【００５０】
その結果、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力をより確かに知ることができる。
【００５１】
次に、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの製造方法を図４に示す製造フローを用いて説明する。
【００５２】
まず、図４のステップＳ１に示すダイシングを行う。ここでは、図示しないウエハに対してダイシングを行って図５に示すＲＦＩＤ用チップ１を取得する。ＲＦＩＤ用チップ１は、回路素子１ｃ及び複数のバンプ電極２が形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有している。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１には、その主面１ａ側の内部に通信回路等の回路素子１ｃが形成されており、さらに主面１ａの４つの角部には、それぞれめっき等で形成されたバンプ電極２が設けられている。これら４つのバンプ電極２のうち、１つは回路素子１ｃと電気的に接続された入力用のバンプ電極２ａであり、他の１つは回路素子１ｃと電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極２ｂである。さらに残りの２つは回路素子１ｃと電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃである。
【００５３】
その後、ステップＳ２に示すフリップチップボンディングを行う。まず、図１７に示す金属パターン付きベースフィルム２０を準備する。ここで、図１及び図６に示すように、支持部材であるベースフィルム３の表面には、ループ状の整合回路部４ａと、整合回路部４ａと一体に形成され、かつ整合回路部４ａの両側に配置されたアンテナ部４ｂとを有する金属パターン４が貼り付けられている。
【００５４】
さらに、ループ状の整合回路部４ａの一部は、図６に示すように、開口部４ｇによって金属パターン４が途切れており、ここの領域がチップ搭載領域４ｃとなっている。チップ搭載領域４ｃには、入力用のバンプ電極２ａと電気的に接続される第１パターン４ｄと、この第１パターン４ｄと開口部４ｇを挟んで配置され、かつＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと電気的に接続される第２パターン４ｅと、チップ支持用のバンプ電極２ｃと電気的に接続される第３パターン４ｆとが形成されており、第３パターン４ｆは円形であり、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されて浮島状に形成されている。
【００５５】
図１７に示す金属パターン付きベースフィルム２０を準備した後、図８及び図９に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１を、その主面１ａがベースフィルム３上の金属パターン４と対向するように、複数のバンプ電極２を介して整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃに配置する。その際、図７に示すように、第１パターン４ｄ上に入力用のバンプ電極２ａを配置し、第２パターン４ｅ上にＧＮＤ用のバンプ電極２ｂを配置し、さらに第３パターン４ｆ上にチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃを配置する。
【００５６】
この状態で、図８に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１の裏面１ｂ側から接合ツール（治具）５を介して超音波を印加し、複数のバンプ電極２と金属パターン４とを接合する。
【００５７】
なお、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７では、ベースフィルム３上に貼り付けられた金属パターン４のうち、図２に示すようにチップ搭載領域４ｃにおいて、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きくなるように形成されている。さらに、第３パターン４ｆは、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されて浮島状に形成されている。
【００５８】
この状態で、図７及び図８に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１の裏面１ｂ側から接合ツール５によってＲＦＩＤ用チップ１に超音波を印加してフリップチップボンディングを行う。その際、超音波の振動方向６が図２に示す第１方向９と沿った方向となるように接合ツール５によって超音波を印加する。なお、第１方向９は、ＲＦＩＤ用チップ１の主面１ａの４つの辺のうちの少なくとも何れか１辺に沿った方向であり、本実施の形態１では、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅが並んでいる方向である。
【００５９】
この第１方向９を振動方向６として超音波を印加すると、第３パターン４ｆは第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離して浮島状に形成されていることにより、図９に示すように、２つの第３パターン４ｆは両者とも梁となるようにパターンによって支持されていないため、超音波の振幅に合わせて第１方向９に動く（Ｃ矢印のように動く）。超音波印加時に金属パターン４（この場合、第３パターン４ｆ）が動くと、超音波が伝わりにくくなるため、その結果、バンプ電極２と金属パターン４の接合力が弱まるという現象が起こる。
【００６０】
したがって、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。
【００６１】
すなわち、チップ支持用のバンプ電極２ｃの接合力を、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合力に比べて確実に弱くすることができる。
【００６２】
なお、超音波印加時には、熱（例えば、８０℃程度）も併用してＲＦＩＤ用チップ１に印加して接合することが望ましい。
【００６３】
また、図２に示すように本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７においては、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。同様に、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第２パターン４ｅの面積は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。
【００６４】
これによっても、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。
【００６５】
さらに、超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の第３パターン４ｆの幅に着目した場合、ＲＦＩＤ用チップ１は、第１方向９に沿った一対の辺である第１辺１ｄと、第１方向９と交差する第２方向１０に沿った一対の他の辺である第２辺１ｅを有しており、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。
【００６６】
このように第３パターン４ｆの超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の幅を第１パターン４ｄより狭くすることでも、前記面積を小さくするのと同様に、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。
【００６７】
次に、フリップチップボンディングを完了した組み立て途中の製品について、抜き取り検査として行うバンプ電極２の接合状態の品質検査について説明する。
【００６８】
前記バンプ電極２の接合状態の品質検査では、図１０に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１を接合強度測定治具１３で押し付けて、金属パターン４からバンプ電極２が剥がれた時の強度を、接合強度測定計１２の値から読み取る。この値は、バンプ電極２が破断する際の、各バンプ電極２に加えられるせん断力の合計値である。一般的にバンプ電極２の数が４つの場合、測定値が、例えば１００ｇ以上であったら安定した接合であると考えられる。
【００６９】
接合強度の具体的な測定方法は、金属パターン４の第１パターン４ｄと第２パターン４ｅの上に跨がって配置されるＲＦＩＤ用チップ１の側面１ｆに対して、接合強度測定治具１３により第１パターン４ｄ側から第３パターン４ｆ側に向かう荷重を付与する。すなわち、図１０に示す荷重付与方向１４に沿ってＲＦＩＤ用チップ１の側面１ｆに対して所定の荷重を付与する。そして、金属パターン４から入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂが剥がれた時の接合強度測定計１２の値を読み取り、これにより、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合強度を知ることができる。
【００７０】
つまり、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７の組み立てにおいて、金属パターン４の整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃの第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されていることにより、超音波を印加してバンプ電極２を金属パターン４に擦り付けて接続する際に、第３パターン４ｆは梁となるようなパターンによって支持されていないため、支持形態が弱く超音波の振動に合わせて動く。つまり、第３パターン４ｆは、独立した形態であるため、超音波の振動に対してベースフィルム３とともに揺れ動いてしまい、金属同士の擦りが発生しにくい。これに対して、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅは、それぞれ梁となる支持パターン４ｈによって支えられているため、支持形態が強く超音波の振動に合わせて揺れ動く量は第３パターン４ｆに比べて遥かに小さい。
【００７１】
したがって、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。
【００７２】
その結果、フリップチップ接続後のバンプ電極２の接合強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力の本来の接合力を知ることができる。
【００７３】
すなわち、ＲＦＩＤ用インレット７の組み立てにおいて、入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。
【００７４】
また、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合力を知ることができるため、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合だけを管理すればよく、したがって、管理項目を少なくすることができ、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合の品質維持を容易に行うことができる。
【００７５】
なお、接合の品質維持を容易に行えるため、接合不良等が発生しても迅速に不良原因を把握して不良を改善させることができ、ＲＦＩＤ用インレット７における入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合信頼性を向上することができる。
【００７６】
また、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみに対して超音波印加時のパラメータ（超音波出力や時間等）を管理すればよいため、ダミーバンプ電極を含む４つのバンプ電極全てを略均一に接合させる場合に比べてマシンタクトの低下を抑制することができる。
【００７７】
さらに、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみに対して超音波印加時のパラメータ（超音波出力や時間等）を管理すればよいため、ダミーバンプ電極を含む４つのバンプ電極全てを略均一に接合させる場合に比べて接合ツール５の長寿命化を図ることができる。
【００７８】
次に、フリップチップボンディング完了後、図４に示すステップＳ３の保護用樹脂塗布を行う。ここでは、図１１及び図１２に示すように、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅに跨がるＲＦＩＤ用チップ１の第１辺１ｄの近傍に対して、ノズル１１を介して保護用樹脂８を滴下し、金属パターン４とＲＦＩＤ用チップ１の間、及びベースフィルム３とＲＦＩＤ用チップ１の間に保護用樹脂８を浸透させて充填する。
【００７９】
その後、図４に示すステップＳ４の保護用樹脂硬化を行う。ここでは、図１３及び図１４に示す保護用樹脂８を紫外線１５または熱によって硬化させる。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１の各側面１ｆの周囲と、ＲＦＩＤ用チップ１の下部（フリップチップ接続部）に充填した保護用樹脂８に対して、紫外線１５または熱を印加して保護用樹脂８を硬化させる。
【００８０】
その後、図４に示すステップＳ５の通信特性検査を行う。ここでは、図１５及び図１６に示すように、ベースフィルム３上に並んで形成された複数のＲＦＩＤ用インレット７のうちの１つずつと、これらＲＦＩＤ用インレット７の下方に配置された検査用アンテナ１６との間で、所定の検査用の信号１７を相互に送受信してＲＦＩＤ用インレット７の通信特性検査を行う。すなわち、検査用アンテナ１６の上方に複数のＲＦＩＤ用インレット７が形成されたベースフィルム３を配置して、このベースフィルム３を流れ方向１８に移動させてベースフィルム３上のＲＦＩＤ用インレット７を順次移動させて検査用アンテナ１６上に配置されたＲＦＩＤ用インレット７と検査用アンテナ１６との間で信号１７を送受信して通信特性検査を行う。
【００８１】
その後、図４に示すステップＳ６の梱包及びステップＳ７の出荷を行う。ここでは、ステップＳ５の通信特性検査で合格と判定された図１８に示すようなベースフィルム３上のＲＦＩＤ用インレット７を、図１９に示す外巻き方法または図２０に示す内巻き方法でリール１９に巻き取り、このリール１９に巻き取った状態で図示しない梱包箱等に収納してステップＳ７の出荷を行う。
【００８２】
次に、図２１に示す本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７の第１変形例と、図２２に示す第２変形例について説明する。
【００８３】
まず、図２１に示す第１変形例のＲＦＩＤ用インレット７は、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃにおいて、第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離した第３パターン４ｆが、第１方向９に交差する第２方向１０に沿って細長い形状に形成されている。
【００８４】
すなわち、ＲＦＩＤ用インレット７は、矩形（長方形）に形成された第３パターン４ｆを有しており、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）とともに、第２方向１０に沿って細長く形成されている。つまり、第３パターン４ｆは、細長い長方形を成し、この長方形の長手方向が第２方向１０に沿うように配置されている。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。
【００８５】
このように第３パターン４ｆを長方形で形成し、かつその長手方向が第２方向１０に沿うように配置することで、ＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃとこの第３パターン４ｆをフリップチップボンディングで接続する際のバンプ電極２の位置ずれのマージンを増やすことができる。もし、バンプ電極２に位置ずれが生じ、第３パターン４ｆから脱落した場合には、ＲＦＩＤ用チップ１が傾いてしまい、実装性が低下してしまう。しかしながら、本変形例では第３パターン４ｆの面積を、図６に示す円形よりも大きくしているため、バンプ電極２が脱落する問題を抑制できるため、図６の形状に比べ、ＲＦＩＤ用チップ１の実装性の向上を図ることができる。また、第３パターン４ｆの第1方向９に沿った幅（ｂ）を、第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）よりも細く形成しているため、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆとの接合強度を低下させることができる。これにより、フリップチップ接続後のバンプ電極２の接合強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力の本来の接合力を知ることができる。
【００８６】
さらに、グラビア印刷によってベースフィルム３上に金属パターン４を形成する際に、第３パターン４ｆを長方形（矩形）にすることにより、第３パターン４ｆの形成を容易に行うことができる。
【００８７】
次に、図２２に示す第２変形例のＲＦＩＤ用インレット７は、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃにおいて長方形の第３パターン４ｆが１つだけ設けられているものである。すなわち、図２１に示す第１変形例のＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃは、ＲＦＩＤ用チップ１の角部に対応して２つ設けられていたが、図２２に示す第２変形例のＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃは、１つだけが設けられているものである。すなわち、チップ支持用のバンプ電極２ｃが入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの両方と略等しい距離の位置に設けられており、このチップ支持用のバンプ電極２ｃに対応して１つの第３パターン４ｆが設けられているものである。
【００８８】
なお、ＲＦＩＤ用チップ１におけるダミーバンプ電極となるチップ支持用のバンプ電極２ｃの設置数は、ＲＦＩＤ用チップ１の支持における安定度が維持可能な範囲であれば、１つであっても、２つであっても、あるいは３つ以上であってもよい。
【００８９】
（実施の形態２）
図２３は本発明の実施の形態２のＲＦＩＤ用インレットのベースフィルム上の金属パターンの一例を示す部分平面図、図２４は本発明の実施の形態２の変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分断面図である。
【００９０】
本実施の形態２のＲＦＩＤ用インレット７は、ベースフィルム３のチップ搭載領域４ｃにおいて、図２３のＤ部に示すように、図２に示すような第３パターン４ｆが一切設けられていないものである。
【００９１】
つまり、第３パターン４ｆを設けないことで、フリップチップボンディングの際の超音波印加時に、ＲＦＩＤ用チップ１側のチップ支持用のバンプ電極２ｃは何れのパターンとも接続することはない。
【００９２】
したがって、バンプ電極２の接合強度測定（検査）の際には、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。
【００９３】
なお、図２３に示す構造では、第３パターン４ｆが設けられていないため、その分、フリップチップボンディング後のＲＦＩＤ用チップ１の支持状態の安定度が低下することが懸念される。そこで、図２４に示すＲＦＩＤ用インレット７では、チップ支持用のバンプ電極２ｃに、さらに第３パターン４ｆの厚さに相当する高さのスタッドバンプ２ｄを接合して不足分のバンプ高さを補っている。これにより、フリップチップボンディング後のＲＦＩＤ用チップ１の支持状態の安定度を高めることができる。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１をベースフィルム３に対して略水平になるように支持することができる。さらに、超音波接合時の品質の安定化を図ることができる。
【００９４】
本実施の形態２のＲＦＩＤ用インレット７及びその製造方法によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００９５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９６】
例えば、前記実施の形態１では、第３パターン４ｆが円形や長方形の場合を取り上げて説明したが、第３パターン４ｆの形状は、楕円や正方形、あるいは他の多角形であってもよい。なお、楕円の場合は、図２１又は図２２のように、金属パターン４の長辺が第２方向１０に沿うように、金属パターン４を形成することが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明は、ＲＦＩＤ用チップを有する電子装置の製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図である。
【図４】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立て手順の一例を示す製造フロー図である。
【図５】図１に示すＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップの主面側の構造の一例を示す平面図である。
【図６】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てで用いられるベースフィルム上の金属パターンの一例を示す平面図である。
【図７】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。
【図１０】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング後の接合強度測定の状態の一例を示す断面図である。
【図１１】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂塗布時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。
【図１３】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。
【図１５】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける通信特性検査時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１６】図１５の通信特性検査時の構造の一例を示す部分側面図である。
【図１７】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける金属パターン付きベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。
【図１８】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化後のベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。
【図１９】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（外巻き）の一例を示す平面図である。
【図２０】図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（内巻き）の一例を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態１の第１変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態１の第２変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２のＲＦＩＤ用インレットのベースフィルム上の金属パターンの一例を示す部分平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態２の変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  ＲＦＩＤ用チップ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  回路素子
１ｄ  第１辺
１ｅ  第２辺
１ｆ  側面
２  バンプ電極
２ａ  入力用のバンプ電極
２ｂ  ＧＮＤ用のバンプ電極
２ｃ  チップ支持用のバンプ電極
２ｄ  スタッドバンプ
３  ベースフィルム（支持部材）
４  金属パターン
４ａ  整合回路部
４ｂ  アンテナ部
４ｃ  チップ搭載領域
４ｄ  第１パターン
４ｅ  第２パターン
４ｆ  第３パターン
４ｇ  開口部
４ｈ  支持パターン
５  接合ツール（治具）
６  振動方向
７  ＲＦＩＤ用インレット
８  保護用樹脂
９  第１方向
１０  第２方向
１１  ノズル
１２  接合強度測定計
１３  接合強度測定治具
１４  荷重付与方向
１５  紫外線
１６  検査用アンテナ
１７  信号
１８  流れ方向
１９  リール
２０  金属パターン付きベースフィルム
【図１】
2010134686.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2010134686.tif 000018
【図１７】
2010134686.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2010134686.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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