(57)【要約】【課題】  ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。【解決手段】  金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。これにより、大面積微細パターンの成形及び半導体工程の数十ナノパターンへの適用が可能になり、工程費用の低減、工程時間の短縮及び製造収率の向上が図られる。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属パターンがパターニングされた基板とマスターモールドとの間にモールド用レジンを塗布する段階と、
前記基板とマスターモールドを整列してインプリントする段階と、
前記モールド用レジンを硬化する段階と、
前記マスターモールドを離型した後に前記硬化されたモールド用レジンをエッチングし、ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階と、
を含むナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項２】
前記基板とマスターモールドを整列する段階において、
前記基板とマスターモールドに形成されたパターンを互いにずらして整列する、請求項１に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項３】
前記基板とマスターモールドの整列ずれの度合によってパターンの形状が決定される、請求項２に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項４】
前記基板とマスターモールドの整列ずれの度合によってパターンの線幅が調節される、請求項２に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項５】
前記ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階において、
前記モールド用レジンをエッチングできるガスによって残留膜が完全に除去される前まで行われる乾式エッチング工程を通じて多段パターンを持つレプリカモールドを製作する、請求項１に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項６】
前記ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階において、
前記モールド用レジンをエッチングできるガスによって残留膜が完全に除去されるまで行われる乾式エッチング工程を通じて微細パターンを持つレプリカモールドを製作する、請求項１に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項７】
前記金属パターンをエッチングして完全に除去する段階をさらに含む、請求項６に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項８】
前記エッチングの完了した前記レプリカモールドに接着防止膜を使って表面処理する段階をさらに含む、請求項６または７に記載のナノインプリント用モールド製作方法。
【請求項９】
請求項１によってレプリカモールドを製作し、
成形基板にインプリント用レジンを成形し、
前記レプリカモールドと前記成形基板を合着し前記レプリカモールドで前記インプリント用レジンを加圧し、
前記インプリント用レジンを硬化し、
前記レプリカモールドを前記インプリント用レジンから離型し、
前記インプリント用レジンを使って洗浄し硬化されていないレジンを除去することを含むナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１０】
前記レプリカモールドが、多段パターンと微細パターン中に一つを持つ、請求項９に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１１】
前記レプリカモールドと前記成形基板を合着することは、前記インプリント用レジンに前記多段パターンと微細パターン中に一つを刻む、請求項１０に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１２】
前記パターンが金属パターンで、前記金属パターン下の前記インプリント用レジン領域が硬化されていないことを含む、請求項１１に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１３】
前記インプリント用レジンを使って洗浄し硬化されていないレジンを除去することは、前記金属パターン下の前記インプリント用レジンの領域を除去することを含む、請求項１２に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１４】
前記インプリント用レジンが、ＵＶによって硬化されるレジンである、請求項９に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１５】
前記パターンが金属パターンで、前記インプリント用レジンを硬化することは、前記金属パターンを持つ前記基板の表面に平行光ＵＶを照射し前記金属パターンに接した前記インプリント用レジンの領域を硬化する、請求項１４に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１６】
金属パターンがパターニングされた基板のモールド用レジンをエッチングし、モールドを製作する段階と、
成形基板にインプリント用レジンを塗布する段階と、
前記インプリント用レジンが塗布された前記成形基板を前記モールドで加圧し、パターンをインプリンティングする段階と、
前記モールドを前記成形基板から離型する段階と、
を含むナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１７】
前記インプリント用レジンが、紫外線によって硬化されるレジンである、請求項１６に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１８】
前記成形基板が、ナノインプリント工程を通じて多段パターンが成形される基板である、請求項１６に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項１９】
前記成形基板が、ナノインプリント工程を通じて微細パターンが成形される基板である、請求項１６に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【請求項２０】
前記モールド用レジンに接着防止膜をコーティングし、前記モールドの離型特性を確保する、請求項１６に記載のナノインプリントを用いたパターン成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントと乾式エッチング工程を用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程によって多段パターンや微細パターンを成形する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールド（ｍｏｌｄ）を用いてインプリント（ｉｍｐｒｉｎｔ）方式でナノ大きさ（１〜１００ｎｍ）のパターンを成形するナノインプリント（ｎａｎｏ  ｉｍｐｒｉｎｔ）工程は、マスター（Ｍａｓｔｅｒ）モールドを用いて基板上に直接パターンを成形しても良いが、マスターモールドからレプリカ（Ｒｅｐｌｉｃａ）モールドを製作し、製作されたレプリカモールドを用いてパターンを成形することができる。
【０００３】
このようなナノインプリント工程は、既存のフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程に比べて比較的簡単な工程によってパターンを成形でき、３次元形態のモールドを用いる場合には３次元パターンを容易に成形でき、３０ｎｍ以下の微細線幅を持つモールドを用いる場合にはフォトリソグラフィ工程では不可能とされる微細線幅のパターンが成形可能になり、高生産性、低コストといった利点を有し、半導体工程や平板ディスプレイ製造工程に広く適用されている。
【０００４】
ナノインプリント工程を用いてパターンを成形するためにはまず、所望の形態のパターンを持つモールドを製作しなければならない。現在、微細線幅を持つモールドの製作には、Ｅ−ビームリソグラフィ（Ｅ−ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、焦点イオンビームリソグラフィ（ｆｏｃｕｓｅｄ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などが用いられている。しかし、数ナノメートル（ｎｍ）の分解能を持つＥ−ビームリソグラフィや焦点イオンビームリソグラフィは、５０ｎｍ以下のパターン製作においては多くの不具合がある。また、多段形態の３次元パターンを持つモールドを製作するためには露光工程を数回行ったりレーザー加工のような高費用の工程を行ったりしなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ナノインプリント及び乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて微細パターン及び多段形態のパターンを成形する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例によるナノインプリント用モールド製作方法は、金属パターンがパターニングされた基板とマスターモールドとの間にモールド用レジンを塗布する段階と、前記基板とマスターモールドを整列してインプリントする段階と、前記モールド用レジンを硬化する段階と、前記マスターモールドを離型した後に前記硬化されたモールド用レジンをエッチングし、ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階と、を含む。
【０００７】
前記基板とマスターモールドを整列する段階において、前記基板とマスターモールドに形成されたパターンを互いにずらして整列することを特徴とする。
【０００８】
また、前記基板とマスターモールドの整列ずれの度合によってパターンの形状が決定されることを特徴とする。
【０００９】
また、前記基板とマスターモールドの整列ずれの度合によってパターンの線幅が調節されることを特徴とする。
【００１０】
また、前記ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階において、前記モールド用レジンをエッチングできるガスによって残留膜が完全に除去される前まで行われる乾式エッチング工程を通じて多段パターンを持つレプリカモールドを製作することを特徴とする。
【００１１】
前記ナノインプリント用のレプリカモールドを製作する段階において、前記モールド用レジンをエッチングできるガスによって残留膜が完全に除去されるまで行われる乾式エッチング工程を通じて微細パターンを持つレプリカモールドを製作することを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の一実施例によるナノインプリント用モールド製作方法は、前記金属パターンをエッチングして完全に除去する段階をさらに含む。
【００１３】
また、上記本発明の一実施例によるナノインプリント用モールド製作方法は、前記エッチングの完了した前記レプリカモールドに接着防止膜を使って表面処理する段階をさらに含む。
【００１４】
本発明の他の実施例によるナノインプリントを用いたパターン成形方法は、金属パターンがパターニングされた基板のモールド用レジンをエッチングし、モールドを製作する段階と、成形基板にインプリント用レジンを塗布する段階と、前記インプリント用レジンが塗布された前記成形基板を前記モールドで加圧し、パターンをインプリンティングする段階と、前記モールドを前記成形基板から離型する段階と、を含む
。
【００１５】
前記インプリント用レジンは、紫外線によって硬化されるレジンであることを特徴とする。
【００１６】
前記成形基板は、ナノインプリント工程を通じて多段パターンが成形される基板であることを特徴とする。
【００１７】
前記成形基板は、ナノインプリント工程を通じて微細パターンが成形される基板であることを特徴とする。
【００１８】
前記モールド用レジンには接着防止膜をコーティングし、前記モールドの離型特性を確保することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一実施例によれば、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった多様な形態のモールドを、ナノインプリントと乾式エッチング工程とを結合して容易に製作でき、複雑な工程を行ことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いて微細パターンや多段形態のパターンを成形可能になり、これにより新しいデバイスを製作できる新しい工程を提供することができる。本発明の一実施例で提供された工程は、微細パターンや多段パターンが要求される半導体工程やディスプレイ製造工程に適用され、収率向上及び費用節減の効果を奏でることができるので、技術的な効果だけでなく経済的な効果も期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドの製作方法を説明する工程図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて多段パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて多段パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて多段パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて多段パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図３Ｃ】本発明の第２実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図３Ｄ】本発明の第２実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第１及び第２実施例によるナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を説明する動作流れ図である。
【図５Ａ】本発明の第３実施例によるエッチング工程を用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【図５Ｂ】本発明の第３実施例によるエッチング工程を用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施例を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２２】
図１Ａ〜図１Ｆは、本発明の一実施例によるナノインプリントと乾式エッチング工程を用いてナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法を説明する工程図である。
【００２３】
図１Ａで、マスターモールド１０と基板２１を用意する。このマスターモールド１０と基板２１は、フォトリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィまたはＥ−ビームリソグラフィなどのパターニング工程を通じて一定のパターン１１，２２が形成されている構造に製作されることができる。
【００２４】
図１Ｂで、マスターモールド１０と基板２１間に紫外線ＵＶ硬化が可能なモールド用レジン２３を塗布した後、マスターモールド１０と基板２１にそれぞれ形成されたパターン１１，２２を互いにずらして整列をする。この時、両パターン１１，２２がずれる度合によって以降に成形するパターン（図２Ｄの３２、図３Ｄの４２）の形状及び大きさが決定される。
【００２５】
図１Ｃで、整列が完了すると、マスターモールド１０と基板２１とを合着するが、マスターモールド１０を用いてマスターモールド１０と基板２１間に塗布されたモールド用レジン２３を加圧し、モールド用レジン２３にパターンをインプリンティングする。以降、マスターモールド１０側からＵＶを照射し、モールド用レジン２３を硬化する。
【００２６】
図１Ｄで、マスターモールド１０をモールド用レジン２３から離型すると、金属パターン２２がパターニングされた基板２１上にモールド用レジン２３がパターニングされる。この時、金属パターン２２とモールド用レジン２３間の接着力向上のために接着プロモーター（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）などが使用されることができる。
【００２７】
図１Ｅで、モールド用レジン２３のみをエッチングできるガスを使ってＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）のような乾式エッチング工程を行う。この時、エッチングの度合によって以降に成形するパターン（図２Ｄの３２）の形状を決定できるが、図１Ｅは、残留膜が完全に除去されずにある程度残るまで乾式エッチング工程を行った場合における、多段形態の３次元パターンを持つナノインプリント用レプリカ第１モールド（以下、‘ナノインプリント用第１モールド’という。）２０Ａが完成した状態である。
【００２８】
図１Ｆで、図１Ｅと同様に、モールド用レジン２３のみをエッチングできるガスを使ってＲＩＥのような乾式エッチング工程を行う。この時、エッチングの程度によって以降に成形するパターン（図３Ｄの４２）の形状を決定できるが、図１Ｆは、残留膜が完全に除去されるまで乾式エッチング工程を行った場合における、微細パターンを持つナノインプリント用レプリカ第２モールド（以下、‘ナノインプリント用第２モールド’という）２０Ｂが完成した状態である。
【００２９】
図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の第１実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて多段パターンを成形する方法を説明するである。
【００３０】
図２Ａで、図１Ａ〜図１Ｅに示す本発明の一実施例で完成した多段形態の３次元パターンを持つナノインプリント用第１モールド２０Ａを用意する。
【００３１】
図２Ｂで、多段形態の３次元パターンが成形される第１形成基板３０に、ＵＶ硬化が可能なインプリント用第１レジン３１を塗布する。第１形成基板３０は、ＵＶナノインプリント工程に容易な材質の基板とすることが好ましく、本実施例では紫外線ＵＶ透過が可能なガラス、石英、金属のようなフラット基板やＰＥＴ、ＰＥＮなどのようないかなるフレキシブル基板も使用可能である。インプリント用第１レジン３１は、ナノインプリント用第１モールド２０Ａの製作のためにパターニングされたモールド用レジン２３と同様に、ＵＶにより硬化される高分子樹脂とする。この時、ＵＶ硬化タイプ間の接着現象を防止すべく、ナノインプリント用第１モールド２０Ａにパターニングされたモールド用レジン２３と第１形成基板３０に塗布されたインプリント用第１レジン３１は互いに異なる材質としたり、同じ材質としたい場合にはナノインプリント用第１モールド２０Ａのモールド用レジン２３に離型特性を確保するための接着防止膜（Ａｎｔｉ  ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）をコーティングすることが好ましい。
【００３２】
図２Ｃで、第１形成基板３０と多段形態の３次元パターンを持つナノインプリント用第１モールド２０Ａとを合着する。具体的に、ナノインプリント用第１モールド２０Ａを用いて第１形成基板３０に塗布されたインプリント用第１レジン３１を加圧し、インプリント用第１レジン３１にパターンをインプリンティングする。以降、ナノインプリント用第１モールド２０Ａの基板２１側から平行光ＵＶを照射すると、金属パターン２２がパターニングされた領域にはＵＶが透過されずに、金属パターン２２がパターニングされていない領域にのみＵＶが透過されるため、金属パターン２２がパターニングされていない領域に整列されたインプリント用第１レジン３１部分のみがＵＶ照射によって硬化される。
【００３３】
図２Ｄで、ナノインプリント用第１モールド２０Ａをインプリント用第１レジン３１から離型し、離型後に硬化されていないインプリント用第１レジン３１をアルコールなどを使って洗浄し、硬化されていないインプリント用第１レジン３１を除去することで、第１形成基板３０に多段形態の３次元パターン（以下、‘多段パターン’という。）３２が成形される。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の第２実施例によるナノインプリント用のレプリカモールドを用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【００３５】
図３Ａで、図１Ａ〜図１Ｆに示す本発明の一実施例によって完成した微細パターンを持つナノインプリント用第２モールド２０Ｂを用意する。
【００３６】
図３Ｂで、微細パターンが成形される第２成形基板４０にＵＶ硬化が可能なインプリント用第２レジン４１を塗布する。この時、ＵＶ硬化タイプ間の接着現象を防止すべく、ナノインプリント用第２モールド２０Ｂにパターニングされたモールド用レジン２３と第２成形基板４０に塗布されたインプリント用第２レジン４１は互いに異なる材質としたり、同じ材質としたい場合にはナノインプリント用第２モールド２０Ｂのモールド用レジン２３に離型特性を確保するための接着防止膜をコーティングすることが好ましい。
【００３７】
図３Ｃで、第２成形基板４０と微細パターンを持つナノインプリント用第２モールド２０Ｂとを合着するが、ナノインプリント用第２モールド２０Ｂを用いて第２成形基板４０に塗布されたインプリント用第２レジン４１を加圧し、インプリント用第２レジン４１にパターンをインプリンティングする。以降、ナノインプリント用第２モールド２０Ｂの基板２１側から平行光ＵＶを照射すると、金属パターン２２がパターニングされた領域にはＵＶが透過されずに、金属パターン２２がパターニングされていない領域にのみＵＶが透過されるから、金属パターン２２がパターニングされていない領域に整列されたインプリント用第２レジン４１部分のみがＵＶ照射によって硬化される。
【００３８】
図３Ｄで、ナノインプリント用第２モールド２０Ｂをインプリント用第２レジン４１から離型し、離型後に硬化されていないインプリント用第２レジン４１をアルコールなどを使って洗浄し、硬化されていないインプリント用第２レジン４１を除去することで、第２成形基板４０に微細パターン４２が成形される。この時、成形された微細パターン４２は、マスターモールド１０のパターン１１の大きさを５０ｎｍとした場合、線幅を２５ｎｍ以下にも製作でき、図１Ｃのインプリンティングにおいて整列ずれの度合によって線幅を１０ｎｍ以下にもすることができる。
【００３９】
以下、上記のように構成されたナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ、２０Ｂでナノインプリント工程を用いて多段パターン３２や微細パターン４２を成形する方法の動作過程及び作用効果について説明する。
【００４０】
図４は、本発明の第１及び第２実施例によるナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を説明する動作流れ図である。
【００４１】
まず、本発明の一実施例によって多段パターンや微細パターンを持つナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂを製作する（動作１００；図１Ａ〜図１Ｅ、図１Ａ〜図１Ｆ参照）。
【００４２】
多段パターンや微細パターンを持つナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂは、金属パターン２２がパターニングされた基板２１にモールド用レジン２３がエッチングされている形態で、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かったナノインプリント用モールドを容易に製作することができる。
【００４３】
以降、ＵＶ硬化が可能なインプリント用第１または第２レジン３１，４１を、多段パターンや微細パターンが成形される基板３０，４０上に塗布し（動作１０２）、第１または第２成形基板３０，４０とナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂとを合着するが、ナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂを用いてインプリント用第１または第２レジン３１，４１が塗布された第１または第２成形基板３０，４０を加圧する（動作１０４）。
【００４４】
平行光ＵＶをナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂの基板２１側から照射し、インプリント用第１または第２レジン３１，４１を硬化する（動作１０６）。
【００４５】
以後、ナノインプリント用第１または第２モールド２０Ａ，２０Ｂをインプリント用第１または第２レジン３１，４１から離型し、硬化されていないインプリント用第１または第２レジン３１，４１をアルコールなどを使って洗浄することで（動作１０８）、第１または第２成形基板３０，４０に多段パターン３２や微細パターン４２を成形する（動作１１０；図２Ｄ及び図３Ｄ参照）。
【００４６】
このようにして第１または第２成形基板３０，４０に多段パターン３２や微細パターン４２が成形されると、ＵＶナノインプリント工程を終了する。
【００４７】
次に、微細パターンを成形する他の方式を図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。
【００４８】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の第３実施例によるエッチング工程を用いて微細パターンを成形する方法を説明する工程図である。
【００４９】
図５Ａで、図１Ａ〜図１Ｆに示す本発明の一実施例によって完成した微細パターンを持つナノインプリント用第２モールド２０Ｂを用意する。
【００５０】
図５Ｂで、金属パターン２２がパターニングされた基板２１をエッチングし、モールド用レジン２３が微細パターン２４として成形された基板２１を製作する。この時、微細パターン２４として成形されたモールド用レジン２３は、図１Ｃのインプリンティングにおいて整列ずれの度合によって線幅を調節することができる。
【００５１】
要するに、本発明の一実施例は、多段パターンや微細パターンを持つナノインプリント用モールド２０Ａ、２０Ｂを用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンを成形することができる。また、複雑な多段パターンを一度の工程で成形することによって高費用の露光工程を省略させることができ、また、既存の露光工程では成形し難かった５０ｎｍ以下級のパターンを具現でき、半導体高集積化に利用されることができる。この他にも、本発明の一実施例は、多段パターンが要求される半導体及びディスプレイ製造工程に適用でき、これにより、メモリー素子、ＴＦＴ、光学パターンの製作などを容易で反復的に生産可能になり、工程費用の低減、工程時間の短縮及び製造収率の向上に寄与できる。
【符号の説明】
【００５２】
１０    マスターモールド
１１    パターン
２０Ａ，２０Ｂ    ナノインプリント用第１及び第２モールド
２１    基板
２２    金属パターン
２３    モールド用レジン
２４、４２    微細パターン
３０    第１形成基板
３１    インプリント用第１レジン
３２    多段パターン
４０    第２成形基板
４１    インプリント用第２レジン
【図１Ａ】
2010074163.tif 000003
【図１Ｂ】
2010074163.tif 000004
【図１Ｃ】
2010074163.tif 000005
【図１Ｄ】
2010074163.tif 000006
【図１Ｅ】
2010074163.tif 000007
【図１Ｆ】
2010074163.tif 000008
【図２Ａ】
2010074163.tif 000009
【図２Ｂ】
2010074163.tif 000010
【図２Ｃ】
2010074163.tif 000011
【図２Ｄ】
2010074163.tif 000012
【図３Ａ】
2010074163.tif 000013
【図３Ｂ】
2010074163.tif 000014
【図３Ｃ】
2010074163.tif 000015
【図３Ｄ】
2010074163.tif 000016
【図４】
2010074163.tif 000017
【図５Ａ】
2010074163.tif 000018
【図５Ｂ】
2010074163.tif 000019