(57)【要約】【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板１上に第二の物質４を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔４ａを形成し、微細孔４ａ内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶（７、８、９）を成長させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にナノサイズの金属微粒子を形成し、
次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることにより柱状構造を形成し、
引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板上に第二の物質を充填した後、前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔を形成し、
更に、前記微細孔内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶を成長させることを特徴とするヘテロ構造の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第一の物質のＶＬＳ成長方向が特定の結晶方位に向かって起こることを利用し、その成長方向から傾いた面方位を有する傾斜基板を前記基板として用いることにより、前記微細孔を前記基板に垂直な方向に対し斜めの向きの縦長の孔としたことを特徴とするヘテロ構造の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のヘテロ構造の製造方法において、
前記柱状構造を除去する際に、選択エッチングを使用することを特徴とするヘテロ構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヘテロ構造の製造方法に関するものである。詳しくは、微細孔内にヘテロ構造を形成する際のヘテロ構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、深さ方向の長さが孔径よりも桁違いで長いナノホールアレイとして陽極酸化によるアルミナのナノホールアレイが知られている（非特許文献１）。
この方法は、アルミの基板を酸化することにより自己組織化的にナノホールができる特徴がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】H. Masuda, M. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L126 (1996)
【非特許文献２】S. Bhunia, T. Kawamura, Y. Watanabe, S. Fujikawa, and K. Tokushima, Appl. Phys. Lett., 83, 3371 (2003)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記方法では作製されるナノホールアレイはアルミナに限定され、また、孔径も１０ｎｍ以下は困難である。
ＳｉやＧａＡｓ等の化合物半導体でＡｕ等の金属との共晶による融点の低下により微小金属の下に選択的に結晶成長が起こるＶＬＳ（Vapor-Liquid-Solid：気相-液相-固相）成長法が知られている（非特許文献２）。
【０００５】
ＶＬＳ成長法は、［１１１］Ｂ方向に柱状構造が成長し、成長条件によって柱の径が長さ方向で変わらないナノワイヤを形成することができる。
しかしながら、低温成長であるため結晶は双晶となる可能性がある。双晶の界面に生ずるバンド歪は、キャリアの伝導性の低下や再結合点の発生につながり、素子特性の低下や素子寿命の劣化という問題を引き起こす。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の請求項１に係るヘテロ構造の製造方法は、
基板上にナノサイズの金属微粒子を形成し、
次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることにより柱状構造を形成し、
引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板上に第二の物質を充填した後、前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔を形成し、
更に、前記微細孔内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶を成長させることを特徴とする。
【０００８】
上記課題を解決する本発明の請求項２に係るヘテロ構造の製造方法は、
請求項１において、
前記第一の物質のＶＬＳ成長方向が特定の結晶方位に向かって起こることを利用し、その成長方向から傾いた面方位を有する傾斜基板を前記基板として用いることにより、前記微細孔を前記基板に垂直な方向に対し斜めの向きの縦長の孔としたことを特徴とする。
【０００９】
上記課題を解決する本発明の請求項３に係るヘテロ構造の製造方法は、
請求項１，２に記載のヘテロ構造の製造方法において、
前記柱状構造を除去する際に、選択エッチングを使用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、微細孔内にヘテロ構造を作製し、量子閉じ込め構造を作製することができる。その結果、特に、半導体では微細孔内に良質な結晶を成長できるため、高特性の光或いは電子デバイスの提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）はＧａＡｓ（３１１）Ｂ基板上にＡｕ微粒子が同形で整然と並んだ様子を表した斜視図、図１（ｂ）はＧａＡｓのナノワイヤアレイを表した斜視図、図１（ｃ）はＩｎＰにより埋め込み成長を行った様子を表した斜視図、図１（ｄ）はエッチング後の多孔構造体を表した斜視図である。
【図２】図２（ａ）は微細孔の断面図、図２（ｂ）はナノホール形成時に基板までエッチングされた様子を表した断面図、図２（ｃ）はナノホールに更にホール径を小さくした様子を表した断面図、図２（ｄ）はナノホールにヘテロ構造を作製し、量子閉じ込め構造を作製した様子を表した断面図である。
【図３】図３（ａ）はナノホール膜がフィルタとして機能する様子を表した断面図、図３（ｂ）はナノホール膜内に光が導波する様子を表した断面図である。
【図４】本発明における多孔構造体の製造過程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
先ず、基板上にナノサイズの金属微粒子をアレイ状に形成し、次いで、この金属微粒子に第一の物質を構成する元素を含む原料を供給することで、ＶＬＳ（気相・液相・固相）成長により第一の物質の柱状構造が形成される。
柱状構造は金属微粒子と同様にナノサイズであり、幅が１００ｎｍ以下で、高さは数ミクロンから数ミリまでが可能である。
【００１３】
引き続き、第二の物質で柱状構造の高さよりも下まで基板を埋め込み成長をした後、第一の物質と第二の物質の反応性の違いを利用した選択エッチングにより第一の物質である柱状構造を除去して微細孔をアレイ状に有する構造体を形成する。
特に、基板として第一の物質の成長方向から傾いた面方位を有する傾斜基板を用いれば、ＶＬＳ成長法における成長方向が特定の結晶方位に向かって起こることを利用でき、基板に垂直な方向に対し斜めの向きの縦長の孔が形成される。
【００１４】
そして、微細孔に更に第三の物質を成長して量子構造を形成する。
【００１５】
なお、本発明においては、多孔構造体とは、ナノオーダー（ナノスケール）径の微細孔を有する構造体に限らず、当該微細孔を所定の物質で満たしたものもいう。
【実施例１】
【００１６】
本発明の第１実施形態例における多孔構造体を図１、図２に示す。
図１は多孔構造体の製造過程を示す斜視図、図２は多孔構造体の断面図である。
本実施形態例における多孔構造体は、図４に示すフローチャートに従い、以下のように製造される。
【００１７】
先ず、図１（ａ）に示すように、ＧａＡｓ（３１１）Ｂ基板１上にレジスト塗布後ＥＢにより直径２０ｎｍのホールを形成し、Ａｕを蒸着して２００ｎｍ間隔で８ｎｍ径、高さ５ｎｍのＡｕ微粒子２をアレイ状を形成した（ステップＳ１）。
【００１８】
次いで、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長）により、基板温度４３０℃でＴＭＧａ（トリメチルガリウム）とＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）とＡｓＨ3又はＴＢＡｓ（ターシャリブチルアルシン）とを用いて、Ａｕ微粒子２上にＡｌＧａＡｓナノワイヤを選択的に結晶成長させ、図１（ｂ）に示すように、規則正しく配列された５ｎｍ程度の径の柱状構造３を形成した（ステップＳ２）。
【００１９】
本実施例で使用するＧａＡｓ（３１１）Ｂ基板１は、ＡｌＧａＡｓナノワイヤの成長方向から傾いた面方位を有する傾斜基板である。
そのため、柱状構造３は基板１に垂直な方向に対して２９．５°傾いた方向の［１１１］Ｂ方向に成長した。
柱状構造３の高さが３００ｎｍとなるようにナノワイヤの成長時間と原料の流量を調整した。
【００２０】
引き続き、図１（ｃ）に示すように、７００℃でＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）とＰＨ3又はＴＢＰ（ターシャリブチルホスフィン）を用いて、厚さ１５０ｎｍとなるように基板上１にＩｎＰ層４で埋め込み成長を行った（ステップＳ３）。
【００２１】
次に、図１（ｄ）に示すように、硫酸・過酸化水素・水よりなる溶液を用いて、ＡｌＧａＡｓナノワイヤよりなる柱状構造３を選択的に除去し、ナノサイズの微細孔（いわゆるナノホール）４ａをアレイ状に有する構造体（多孔構造体）５を作製した（ステップＳ４）。同様にＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板１においても多孔構造体が作製された。その断面を図２（ａ）に示す。
【００２２】
ちなみに、図２（ｂ）に示すように、選択エッチングの時間を長くすることによりＧａＡｓ基板１もエッチングすることが可能であり、多孔構造体５の微細孔４ａの下に空気層Ａを形成してもよい。
また、図２（ｃ）に示すように、多孔構造体５の表面及びその微細孔４ａ内に、更にＭＯＶＰＥによりＩｎＰ層６を成長し、微細孔４ａの孔径を更に小さくしてもよい。
微細孔４ａ内にＩｎＰ層６を成長したように、微細孔を囲む壁を多層化することにより、ナノワイヤ径よりも小さい径（例えば、１ｎｍより小さい径）を有する微細孔を形成することが可能となる。
【００２３】
そして、本実施例では、図２（ｄ）に示すように、微細孔４ａ内にヘテロ構造を作製し、量子閉じ込め構造を作製している。
即ち、微細孔４ａ内に３０ｎｍのＩｎＰ７と、ＴＭＧａ，ＴＭＩｎ，ＡｓＨ3を用いてＩｎ組成０．５のＧａＩｎＡｓ（８ｎｍ）量子ドット８、更に５０ｎｍのＩｎＰ９を順に成長させた。
この成長は６５０℃と高温でＭＯＶＰＥ成長されるため高品質な結晶が形成される。
フォトルミネッセンス測定をしたところ、１．５μｍに強い発光が観測された。
【参考例１】
【００２４】
本発明の参考例を説明する。
Ｓｉ（１１１）基板をナノ電極リソグラフィで格子状に酸化を行い、その後ＭＯＶＰＥ装置内で２０ｎｍＧａＡｓを成長した。
酸化された格子状の部分にはＧａＡｓは成長しないため、格子のサイズを調整することで５０ｎｍ角のＧａＡｓ島を２００ｎｍ間隔で配列することができた。
【００２５】
その後Ａｕの蒸着を行い、アニールすることでＧａＡｓ島に直径２０ｎｍ、高さ５ｎｍの金の微粒子を形成した。
その後４００℃でＧａＡｓナノワイヤをＴＭＧａ，ＡｓＨ3を用いて成長した。
ナノワイヤよりなる柱状構造は基板に垂直に５００ｎｍの長さで配列して成長された。
【００２６】
その後スパッタリングによりＳｉＯ2を膜厚２００ｎｍとなるように蒸着した。
図１（ｃ）と同様にナノワイヤよりなる柱状構造が突き出た構造となるため、硫酸・過酸化水素・水でエッチングすることで、図１（ｄ）と同様なＳｉＯ2膜の多孔構造体が形成された。
この後、Ｓｉ基板をＨＦ−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨの溶液で除去することにより、薄膜多孔構造体（ナノホール膜）が作製された。
【００２７】
この薄膜多孔構造体７は、図３（ａ）に矢印で示すように、液体、気体を通す時のフィルタとなり、微小固体でこの孔径よりも大きいものは通過できない。また、光、電子線等についても同様である。
また、図３（ｂ）に矢印で示すように、光を薄膜多孔構造体７内に伝播させ、回折効果により波長選択フィルタ等の動作が期待されるフォトニック結晶導波路に適用することも可能である。
【００２８】
なお、ＶＬＳ成長法に用いられる基板材料として実施例１ではＧａＡｓ、参考例１ではＳｉ基板上のＧａＡｓを、当該基板材料と共晶を作る材料として実施例１，参考例１では共にＡｕを、ナノワイヤの材料としては実施例１ではＡｌＧａＡｓ、参考例１ではＧａＡｓをそれぞれ使用していたが、本発明は、これらに限られるものではない。
【００２９】
例えば、基板材料としては、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＮ、サファイア、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＳｉＣ等の半導体基板を用いることができる。
また、当該基板材料と共晶を作る材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｆｅ等の金属を用いることができる。
更に、ナノワイヤの材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃの単体からＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅの二元化合物、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ等の三元化合物、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ等の四元化合物などの半導体を使用することができる。
【００３０】
このように説明したように、本発明における多孔構造体及びその製造方法は、例えば、数ｎｍ径の孔を有する構造体及びその製造に関するものであり、特に、ＶＬＳ成長法によりナノワイヤを形成し、当該ナノワイヤの周囲を所定の物質で充填し、当該ナノワイヤをエッチングにより除去することにより、数ｎｍ径の孔を有する構造体を製造することに特徴がある。
【００３１】
ナノオーダー径の多孔構造体を製造する従来方法として、アルミニウム板の陽極酸化し、多孔質アルミナを製造する方法があったが、多孔を有する物質がアルミナに限定されるという問題があった。
本発明における製造方法は、ＶＬＳ成長法によりナノワイヤを形成した後、それを除去する方法であるため、多孔構造体の材料として、様々な材料を適用できるという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、３次元閉じ込め量子ナノ構造等の応用が考えられる。
【符号の説明】
【００３３】
１ ＧａＡｓ（３１１）Ｂ基板
２ Ａｕ微粒子
３ 柱状構造
４ ＩｎＰ層
４ａ 微細孔
５ 多孔構造体
６ ＩｎＰ層
７ ＩｎＰ
８ Ｉｎ組成０．５のＧａＩｎＡｓ（８ｎｍ）量子ドット
９ ＩｎＰ
１０ 薄膜多孔構造体
Ａ 空気層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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