(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気ディスク及びその製造方法において、パーティクルの発生の抑制及び安定した基板の支持を両立させる。【解決手段】基板１１上に少なくとも磁気記録層１１−１，１１−２が設けられた磁気ディスク１０において、基板の外周端面１２から基板の中心に向かって形成された案内溝を有し、案内溝は曲面で形成されており、前記案内溝を有する基板を支持部材で支持する工程を含み、前記基板は前記支持部材の支持部が前記案内溝に挿入されることで支持される。【選択図】図２
2010205365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも磁気記録層が設けられた磁気ディスクであって、
前記基板の外周端面から前記基板の中心に向かって形成された第１の案内溝を有し、
前記第１の案内溝は曲面で形成されている、磁気ディスク。
【請求項２】
前記基板の中心に設けられた開口と、
前記開口を形成する前記基板の内周端面から前記外周端面に向かって形成された第２の案内溝を更に有し、
前記第２の案内溝は曲面で形成されている、請求項１記載の磁気ディスク。
【請求項３】
外周端面から中心に向かって曲面で形成された第１の案内溝を有する基板を第１の支持部材で支持する第１の工程を含み、
前記基板は前記第１の支持部材の曲面を有する支持部が前記第１の案内溝に挿入されることで支持される、磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、前記中心に設けられた開口を形成する内周端面から前記外周端面に向かって曲面で形成された第２の案内溝を更に有し、
前記基板を第２の支持部材で支持する第２の工程を更に含み、
前記基板は前記第２の支持部材の曲面を有する支持部が前記第２の案内溝に挿入されることで支持される、請求項３記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程は、前記基板をカセットケースから取り出して搬送機構にロードすると共に前記基板を前記搬送機構からアンロードして前記カセットケースに挿入するロード・アンロード工程、研磨又はテキスチャリングを含む加工工程、洗浄工程、乾燥工程及び成膜工程からなるグループから選択された１つの工程である、請求項３又は４記載の磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク及びその製造方法に係り、特に高密度記録に適した磁気ディスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクに代表される高密度記録用の磁気記録媒体では、ヘッドの磁気記録媒体からの浮上量が非常に小さくなっている。このため、基板上に各種層をスパッタリング等により積層する場合、基板上に残渣物が残っていると記録層におけるデータ消失やヘッドが磁気ディスクと接触するヘッド・ディスク障害が発生してしまい、磁気ディスクを有する磁気ディスク装置の信頼性が低下してしまう。
【０００３】
図１は、従来の基板支持方法の一例を説明する図である。図１において、１はディスク状の基板、２は処理工程で基板１を支持する支持部材を示す。支持部材２は、基板１をカセットケース（図示せず）から取り出して搬送機構（図示せず）にロードしたり基板を搬送機構からアンロードしてカセットケースに挿入するロード・アンロード工程、研磨等の加工工程、洗浄工程、乾燥工程、成膜工程等で基板１を支持するのに用いられる。基板１の外周部分には面取り部１Ａが設けられており、基板１の外周部分が支持部材２に支持される際にＶ字状溝部２Ａの斜面に円滑に案内されるようになっている。又、面取り部１Ａを設けることで、支持部材２が基板１に強く押し付けられた際に基板１の外周部分が破損するのを防止している。
【０００４】
図１中、（ａ）は基板１が支持部材２に支持される前の状態、（ｂ）は基板１の面取り部１Ａが支持部材２のＶ字状溝部２Ａに案内される状態、（ｃ）は基板１が支持部材２に支持された状態を示す。
【０００５】
しかし、基板１の面取り部１Ａが支持部材２のＶ字状溝部２Ａに案内される時、摩擦により摩擦粉、所謂パーティクル３が発生する。このようなパーティクル３が基板１の表面１−１，１−２に付着すると、成膜工程においてパーティクル３の上に形成された層が剥離して記録層におけるデータ消失を発生したり、パーティクル３により磁気ディスクの表面に突起が形成されてＨＤＩを発生したりする可能性がある。
【０００６】
又、支持部材２の厚さは基板１の厚さより厚いにもかかわらず、面取り部１Ａを支持するＶ字状溝部２Ａの接触面積が比較的小さいため、基板１を安定に支持することは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平３−２２５６２０号公報
【特許文献２】特開昭６２−２９３５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の基板支持方法では、パーティクルの発生の抑制及び安定した基板の支持を両立させることは難しいという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、パーティクルの発生の抑制及び安定した基板の支持を両立させることが可能な磁気ディスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、基板上に少なくとも磁気記録層が設けられた磁気ディスクであって、前記基板の外周端面から前記基板の中心に向かって形成された案内溝を有し、前記案内溝は曲面で形成されている磁気ディスクが提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、外周端面から中心に向かって曲面で形成された案内溝を有する基板を支持部材で支持する工程を含み、前記基板は前記支持部材の曲面を有する支持部が前記案内溝に挿入されることで支持される磁気ディスクの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の磁気ディスク及びその製造方法によれば、パーティクルの発生の抑制及び安定した基板の支持を両立させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の基板支持方法の一例を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例における磁気ディスクの一例を示す斜視図である。
【図３】基板の溝の形状を説明する断面図である。
【図４】実施例における基板支持方法の一例を説明する図である。
【図５】カセットケースの一例を示す斜視図である。
【図６】カセットケースの一部を示す平面図である。
【図７】カセットケースで使用可能な支持部材の一例を示す図である。
【図８】カセットケースで使用可能な支持部材の他の例を示す図である。
【図９】図７及び図８の支持部材の支持部に使用可能な形状を示す図である。
【図１０】カセットケースで使用可能な支持部材の更に他の例を示す図である。
【図１１】カセットケースで使用可能な支持部材の更に他の例を示す図である。
【図１２】カセットケースの底面に開口が設けられている場合の基板の取り出し方法の一例を説明する図である。
【図１３】基板の開口の部分を支持する支持部材を示す図である。
【図１４】基板を３箇所で支持する支持構造を示す図である。
【図１５】磁気ディスクの製造方法の工程の一部を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
開示の磁気ディスクは、基板上に少なくとも磁気記録層と、基板の外周端面から基板の中心に向かって形成された案内溝を有し、案内溝は曲面で形成されている。又、開示の磁気ディスクの製造方法では、支持部材の曲面を有する支持部が基板の案内溝に挿入されることで基板を支持する。
【００１５】
以下に、本発明の磁気ディスク及びその製造方法の各実施例を、図２以降と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
図２は、本発明の一実施例における磁気ディスクの一例を示す斜視図である。図２に示すように、磁気ディスク１０は、ディスク形状の基板１１を有する。基板１１の外周端面１２には、円周に沿って案内溝１３が形成されている。案内溝１３は、曲面で形成されており、外周端面１２から基板１１の中心に向かって所定の深さを有する。基板１１の中心には、内周端面１４により形成された開口１５が設けられている。内周端面１４には、円周に沿って案内溝１６が形成されている。案内溝１６は、曲面で形成されており、内周端面１４から基板１１の外周に向かって所定の深さを有する。尚、案内溝１３，１６の一方のみを設けても良いことは言うまでもない。
【００１７】
基板１１の表面（以下、記録面と言う）１１−１，１１−２には、少なくとも磁気記録層（図示せず）が形成されている。磁気記録層は、水平磁気記録方式用の記録層構造を有するものであっても、垂直磁気記録方式用の記録層構造を有するものであっても良く、基板１１上の層構造は特に限定されない。
【００１８】
基板は、例えばアルミニウム、ステンレス、ガラス、セラミック及びプラスチックからなるグループから選択された１つの材料で形成されている。プラスチックは、例えばポリカーボネイト、非晶質ポリオレフィン（ＡＰＣ：Amorphous Poly-Olefine）、ＭＣナイロン（登録商標）、ＰＯＭ（Poly-Oxy-Methylene，又は、ジュラコン（登録商標））、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ：Ultra High Molecular Weight Poly-Ethylene）、エーテル・エーテル・ケトン、ベークライト、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ：Acrylonitrile Butadiene Styrene）、塩化ビニル（ＰＶＣ：Poly-Vinyl
Chloride）、アクリル、ＰＥＴ（Poly-Ethylene Terephthalate）、ポリプロピレン（ＰＰ：Poly-Propylene）、ポリエチレン（ＰＥ：PolyEthylene）、テフロン（Teflon：登録商標）からなるグループから選択された１つの材料である。
【００１９】
案内溝１３，１６の形成方法は特に限定されないが、例えば基板１１がアルミニウム基板であれば基板１１を機械的に削ることで形成可能であり、基板１１がプラスチック基板であれば基板１１の成型時に同時に形成可能である。
【００２０】
図３は、基板１１の溝１３，１６の形状を説明する断面図である。溝１６の形状は溝１３の形状と同じであっても良いため、図３では一例として溝１３の形状を示す。図３中、（ａ），（ｂ）は円弧状の溝１３を示し、（ｃ）は２つの異なる曲面で形成された所謂だるま形状の溝１３を示す。図３中、（ａ）の場合は溝１３の幅が基板１１の幅と等しいが、（ｂ）の場合は溝１３の幅が基板１１の幅より狭い。図３中、（ｃ）に示すだるま形状の溝１３の場合、溝１３の入り口が広いので支持部材２１の支持部２２が確実に溝１３内に挿入され、又、溝１３の奥が入り口より狭いので支持部２２が基板１１を安定に支持することができる。尚、溝１３と溝１６は、曲面で形成されていれば良く、互いに異なる形状を有するものであっても良いことは言うまでもない。
【００２１】
図４は、本実施例における基板支持方法の一例を説明する図である。溝１６の形状は溝１３の形状と同じであっても良いため、図４では一例として溝１３を用いた基板支持方法を示す。支持部材２１は、先端が曲面で形成された支持部２２を有する。この例では、支持部２２の先端形状が基板１１の溝１３の形状と対応している。支持部２２は、溝１３を円周に沿って所定距離（即ち、所定角度範囲）に渡って連続的に支持する構造であっても、溝１３を円周に沿った複数の不連続な箇所で支持する構造であっても良い。図４中、（ａ）は基板１１の溝１３が支持部材２１の支持部２２に案内される状態、（ｂ）は基板１１が支持部材２１に支持された状態を示す。
【００２２】
基板１１の案内溝１３に挿入される支持部材２１の支持部２２により基板１１を支持することにより、支持部材２１の支持部２２が案内溝１３を形成する曲面と接触する際の摩擦によるパーティクルの発生を抑えることができると共に、パーティクルが基板１１の表面に付着しにくくすることができる。又、支持部材２１の支持部２２自体は、基板１１の厚さより薄く形成しても、支持部材２１の支持部２２と基板１１の案内溝１３を形成する曲面との接触面積を比較的大きくすることができるので、基板１１を安定に支持することができる。支持部材２１の厚さは基板１１の厚さと同程度としても良く、１つの支持部材２１に複数の支持部２２を形成しても良い。更に、基板１１の外周部分に面取り部を形成する必要がないため、その分磁気ディスク１０の記録面１１−１，１１−２の面積を増加させることができる。案内溝１３を形成する曲面を適切な形状とすることで、パーティクルが基板１１の案内溝１３に溜まりにくくすることもできる。
【００２３】
直径が２．５インチの磁気ディスク１０の場合、基板１１の厚さが０．６３５ｍｍであると、溝１３，１６の半径方向上の深さは例えば０．０５ｍｍであり、基板１１の外周部分に面取り部を形成しないことで外周部分で半径方向上例えば０．１５ｍｍ〜０．２０ｍｍ分磁気ディスク１０の記録面１１−１，１１−２の面積を増加させることができる。ただし、溝１３，１６の半径方向上の深さは、深い方がより安定した基板１１の支持が可能となる。
【００２４】
図５は、カセットケースの一例を示す斜視図であり、図６は、カセットケースの一部を示す平面図である。図５及び図６に示すカセットケース３１は、各種工程を施すべき基板１１を収納したり、各種加工を施された基板１１を収納するのに用いられる。カセットケース３１は、複数の基板１１を平行に並べて同時に支持する構造を有し、各基板１１は上記の如き支持部材２１の支持部２２が溝１３に挿入されることにより支持される。基板１１の厚さが０．６３５ｍｍであると、図１の如き従来の基板支持方法を用いると同じ厚さの基板は例えば６．３５ｍｍの間隔で同じ大きさのディスクケースに収納されるので、最大でも２５枚しか収納できない。これに対し、本実施例では基板１１を例えば０．１ｍｍの間隔でディスクケース３１に収納することができるので、最大２０８枚収納可能となる。つまり、基板１１を支持する間隔は、支持部材２１又は支持部２２の厚さに制限されることはない。
【００２５】
図７は、カセットケース３１で使用可能な支持部材２１の一例を示す図である。この例では、カセットケース３１の両側の内壁に設けられた一対の支持部２２は、溝１３を円周に沿って所定距離（即ち、所定角度範囲）に渡って連続的に支持する構造を有する。
【００２６】
図８は、カセットケース３１で使用可能な支持部材２１の他の例を示す図である。この例では、カセットケース３１の両側の内壁に設けられた支持部２２は、溝１３を円周に沿った複数の不連続な箇所で支持する構造を有する。この例では基板１１が４箇所で支持されているが、３箇所以上で支持する構造であれば良い。
【００２７】
図９は、図７及び図８の支持部材２１の支持部２２に使用可能な形状を示す図である。図９に示すように、支持部２２の曲面の曲率半径は、溝１３を形成する曲面の曲率半径より小さい。図９中、（ａ）は支持部２２が先端に向かって細くなった形状の例を示し、（ｂ）は支持部２２の先端が球形状を有する例を示す。このように、基板１１の溝１３（又は、１６）の形状と支持部２２の形状は、図４に示すように対応している必要はない。
【００２８】
図１０及び図１１は、カセットケース３１で使用可能な支持部材２１の更に他の例を示す図である。図１０の例では、カセットケース３１の底面に設けられた支持部材２１の支持部２２は、溝１３を円周に沿って所定距離（即ち、所定角度範囲）に渡って連続的に支持する構造を有する。図１１の例では、カセットケース３１の両側の内壁に設けられた一対の支持部２２は、溝１３を円周に沿って所定距離（即ち、所定角度範囲）に渡って連続的に支持する構造を有するが、所定距離が図７の場合より短い。尚、図１０及び図１１の支持構造は、基板１１を搬送する際に基板１１を支持する機構に使用可能であることは言うまでもない。
【００２９】
図１２は、カセットケース３１の底面に開口３３が設けられている場合の基板１１の取り出し方法の一例を説明する図である。図１２に示すカセットケース３１は、図７と類似した構造を有するので、その説明は省略する。基板１１をカセットケース３１から取り出す時には、支持部材３５を開口３３からカセットケース３１内に挿入して図１２中上方向に移動し、支持部材３５の支持部３６を基板１１の溝１３に挿入した状態で更に上方向へ押し上げる。支持部３６は、支持部２２と同様の構造を有するので、基板１１を安定に支持可能である。
【００３０】
支持部材３５が基板１１を押し上げて基板１１の開口１５がカセットケース３１の上端から露出すると、例えば図１３に示す如き支持部材４５により基板１１をカセットケース３１から取り出す。図１３は、基板１１の開口１５の部分を支持する支持部材を示す図である。具体的には、基板１１の開口１５より径の小さい円柱状の支持部材４５を開口１５に挿入し、支持部材４５を図１３中上方向へ移動することで支持部材４５の支持部（図示せず）を基板１１の溝１６に挿入し、基板１１が支持部材４５により支持された状態で所望の位置まで搬送する。支持部材４５の支持部は、例えば支持部材４５の外周面に連続的に、或いは、不連続に設けられている。支持部材４５の支持部は、上記支持部２２と同様の形状を有する。
【００３１】
尚、図１２及び図１３において、カセットケース３１から一度に取り出す基板１１は１枚に限定されず、２枚以上の基板１１を同時に取り出すようにしても良いことは言うまでもない。
【００３２】
図１４は、基板１１を３箇所で支持する支持構造を示す図である。図１４において、支持構造は３つのチャック５５を有する。チャック５５自体は、周知の機構により基板１１に対して移動可能である。チャック５５には円柱状の支持部材５５Ａが設けられており、支持部材５５Ａは支持部５６を有する。支持部５６は、支持部材５５Ａの外周面に連続的に環状に設けられている。支持部５６の形状は、基板１１の溝１３の形状に対応している。基板１１は、３箇所のチャック５５により安定に支持される。このようなチャック５５は、基板１１を搬送する搬送機構、基板１１を搬送すると共に反転する反転・搬送機構等の周知の機構で使用可能である。
【００３３】
上記の如き支持構造を有する支持部材は、基板をカセットケースから取り出して搬送機構（図示せず）にロードすると共に基板を搬送機構からアンロードしてカセットケースに挿入するロード・アンロード工程、研磨（ポリッシュ）又はテキスチャリングを含む加工工程、洗浄工程、乾燥工程、成膜工程等において使用することができる。図１５は、磁気ディスクの製造方法の工程の一部を説明する図である。
【００３４】
図１５において、ロード工程ＳＴ０では、基板１１は上記の如き方法でカセットケース３１から取り出されて搬送機構（図示せず）にロードされる。加工工程ＳＴ１では、基板１１の一方の表面に対してテキスチャリングや研磨等の加工が施される。加工された基板１１は、周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対してテキスチャリングや研磨等の加工が施された後、この反転・搬送機構により洗浄工程ＳＴ２へ移送される。
【００３５】
洗浄工程ＳＴ２では、基板１１の両面に対して例えば純水のシャワによる第１の洗浄工程を行い、周知の反転・搬送機構によりテープとシャワを併用した第２の洗浄工程へ移送される。第２の洗浄工程では、基板１１の一方の表面に対してテープとシャワを併用した洗浄が施される。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第２の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により第３の洗浄工程へ移送され、基板１１の両面に対して例えば純水のシャワによる洗浄が行われる。第３の洗浄工程では、純水のシャワにＵＳ（Ultrasonic)波又はＭＳ（Megasonic)波を印加する。
【００３６】
第３の洗浄工程を経た基板１１は、周知の反転・搬送機構により第４の洗浄工程へ移送され、基板１１の一方の表面に対して洗浄ローラによるスクラブとシャワを併用した洗浄が施される。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第４の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により第５の洗浄工程へ移送され、基板１１の一方の表面に対してシャワノズルによる純水のシャワによる洗浄が行われる。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第５の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により乾燥工程ＳＴ３へ移送される。
【００３７】
乾燥工程ＳＴ３では、周知の乾燥装置（図示せず）により基板１１の乾燥が行われ、基板１１の一方の表面が乾燥されると、上記周知の反転・搬送機構により基板１１が反転され、乾燥装置により基板１１の他方の表面が乾燥される。つまり、基板１１の両面を乾燥する場合は、基板１１を乾燥させた下側の回転機構（図示せず）を上側の回転機構（図示せず）と入れ替えて基板１１を上側の回転機構の図１４に示す如きチャック５５から一端取り外して反転してから再度上側の回転機構のチャック５５に装着する。
【００３８】
乾燥工程ＳＴ３の後は、基板１１は周知の搬送機構によるアンロード工程ＳＴ４及びロード工程ＳＴ５を経て成膜工程ＳＴ６へ移送され、基板１１上に磁気ディスクの記録層を含む各種層がスパッタリング等の工程により順次積層されて、最終的に磁気ディスクが製造される。磁気ディスクは、水平磁気記録方式を採用する構造を有するものであっても、垂直磁気記録方式を採用する構造を有するものであっても良い。
【００３９】
成膜工程ＳＴ６の後のアンロード工程ＳＴ７では、基板１１、即ち、磁気ディスク１０は、上記の如き方法で搬送機構からアンロードされてカセットケース３１に挿入される。
【００４０】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板上に少なくとも磁気記録層が設けられた磁気ディスクであって、
前記基板の外周端面から前記基板の中心に向かって形成された第１の案内溝を有し、
前記第１の案内溝は曲面で形成されている、磁気ディスク。
（付記２）
前記基板の中心に設けられた開口と、
前記開口を形成する前記基板の内周端面から前記外周端面に向かって形成された第２の案内溝を更に有し、
前記第２の案内溝は曲面で形成されている、付記１記載の磁気ディスク。
（付記３）
前記基板はアルミニウム、ステンレス、ガラス、セラミック及びプラスチックからなるグループから選択された１つの材料で形成されている、付記１又は２記載の磁気ディスク。
（付記４）
前記プラスチックは、ポリカーボネイト、非晶質ポリオレフィン、ＭＣナイロン（登録商標）、ＰＯＭ、超高分子量ポリエチレン、エーテル・エーテル・ケトン、ベークライト、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、塩化ビニル、アクリル、ＰＥＴ、ポリプロピレン、ポリエチレン、テフロン（登録商標）からなるグループから選択された１つの材料である、付記３記載の磁気ディスク。
（付記５）
外周端面から中心に向かって曲面で形成された第１の案内溝を有する基板を第１の支持部材で支持する第１の工程を含み、
前記基板は前記第１の支持部材の曲面を有する支持部が前記第１の案内溝に挿入されることで支持される、磁気ディスクの製造方法。
（付記６）
前記第１の工程は、前記支持部の厚さが前記基板の厚さより薄い第１の支持部材により前記基板を支持する、付記５記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記７）
前記基板は、前記中心に設けられた開口を形成する内周端面から前記外周端面に向かって曲面で形成された第２の案内溝を更に有し、
前記基板を第２の支持部材で支持する第２の工程を更に含み、
前記基板は前記第２の支持部材の曲面を有する支持部が前記第２の案内溝に挿入されることで支持される、付記５又は６記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記８）
前記第２の工程は、前記支持部の厚さが前記基板の厚さより薄い第２の支持部材により前記基板を支持する、付記７記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記９）
前記第１の工程は、前記基板をカセットケースから取り出して搬送機構にロードすると共に前記基板を前記搬送機構からアンロードして前記カセットケースに挿入するロード・アンロード工程、研磨又はテキスチャリングを含む加工工程、洗浄工程、乾燥工程及び成膜工程からなるグループから選択された１つの工程である、付記５乃至８のいずれか１項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１０）
前記第２の工程は、前記基板をカセットケースから取り出して搬送機構にロードすると共に前記基板を前記搬送機構からアンロードして前記カセットケースに挿入するロード・アンロード工程、研磨又はテキスチャリングを含む加工工程、洗浄工程、乾燥工程及び成膜工程からなるグループから選択された１つの工程である、付記５乃至９のいずれか１項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１１）
複数の基板を平行に並べて同時に支持するカセットケースであって、
各基板は外周端面から中心に向かって曲面で形成された案内溝を有し、
各基板を前記案内溝で支持する支持部材を備え、
前記支持部材は、前記案内溝に挿入される曲面で形成された支持部を有する、カセットケース。
（付記１２）
前記支持部の厚さは前記基板の厚さより薄い、付記１１記載のカセットケース。
（付記１３）
前記支持部材の前記支持部の曲面形状は、前記案内溝を形成する曲面形状に対応している、付記１１又は１２記載のカセットケース。
（付記１４）
前記支持部材の前記支持部は、前記溝を円周に沿って所定距離に渡って連続的に支持する構造を有する、付記１１乃至１３のいずれか１項記載のカセットケース。
（付記１５）
前記支持部材の前記支持部は、前記溝を円周に沿った複数の不連続な箇所で支持する構造を有する、付記１１乃至１３のいずれか１項記載のカセットケース。
（付記１６）
前記複数の基板を０．１ｍｍ〜６ｍｍの間隔で支持する、付記１１乃至１５のいずれか１項記載のカセットケース。
【００４１】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４２】
１０      磁気ディスク
１１      基板
１１−１，１１−２      記録面
１２      外周端面
１３，１６      溝
１４      内周端面
１５      開口
２１，３５，４５，５５Ａ      支持部材
２２，３６，５６      支持部
５５      チャック
【図１】
2010205365.tif 000003
【図２】
2010205365.tif 000004
【図３】
2010205365.tif 000005
【図４】
2010205365.tif 000006
【図５】
2010205365.tif 000007
【図６】
2010205365.tif 000008
【図７】
2010205365.tif 000009
【図８】
2010205365.tif 000010
【図９】
2010205365.tif 000011
【図１０】
2010205365.tif 000012
【図１１】
2010205365.tif 000013
【図１２】
2010205365.tif 000014
【図１３】
2010205365.tif 000015
【図１４】
2010205365.tif 000016
【図１５】
2010205365.tif 000017