(57)【要約】【課題】高速応答性に優れ、高感度な電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジを提供すること。【解決手段】導電性支持体上に少なくとも感光層を設けた電子写真感光体において、  該感光層に下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする。2010145891.tif 000086（式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はアルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換のアリレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）【選択図】図１
2010145891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層を有し、
該感光層は下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2010145891.tif 000080
（式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のアリレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【請求項２】
導電性支持体上に感光層を有し、
該感光層は下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化２】
2010145891.tif 000081
（式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【請求項３】
導電性支持体上に感光層を有し、
該感光層は下記一般式（II）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化３】
2010145891.tif 000082
（式（II）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【請求項４】
導電性支持体上に感光層を有し、
該感光層は下記一般式（III）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化４】
2010145891.tif 000083
（式（III）中、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【請求項５】
前記感光層は、さらにフタロシアニン顔料及び／又はアゾ顔料を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記アゾ顔料は、下記一般式（IV）で示される化合物を含むことを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体。
【化５】
2010145891.tif 000084
（式（IV）中、Ｃｐ1及びＣｐ2は下記式（Ｖ）で示されるカプラー残基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ｒ201及びＲ202は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシアノ基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【化６】
2010145891.tif 000085
（式（Ｖ）中、Ｒ203は水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ204、Ｒ205、Ｒ206、Ｒ207及びＲ208は水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、又は水酸基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ｚは炭素環式芳香族基又は複素環式芳香族基を形成するのに必要な原子群を表し、置換基を有していてもよい。）
【請求項７】
前記アゾ顔料のＣｐ1とＣｐ2とが別異であることを特徴とする請求項６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記フタロシアニン顔料は、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、及びクロロガリウムフタロシアニンの中から選ばれるいずれか１又は２以上を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線（１．５４２Å）を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角度（２θ±０．２°）のうちの少なくとも２７．２°に最大強度の回折ピークを有し、９．４°、９．６°、２４．０°に主要ピークを有し、７．３°に最小角度の回折ピークを有し、前記７．３°と９．４°との間に回折ピークを有しなく、２６．３°に回折ピークを有しないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項８に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記導電性支持体と、前記感光層との間に電荷ブロッキング層を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記感光層上に保護層を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記保護層は、１０１０Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する無機顔料及び／又は金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１１に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
前記保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと、１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化して形成されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電子写真感光体。
【請求項１４】
少なくとも帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及び電子写真感光体を具備してなる画像形成装置において、
該電子写真感光体は、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】
電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも１つの手段と、が一体となったカートリッジを搭載し、かつ該カートリッジが画像形成装置本体に対して着脱自在であることを特徴とする請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】
電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも１つの手段と、が一体となった画像形成装置用カートリッジにおいて、
前記電子写真感光体は、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置用プロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高いホール輸送性を有すると共に、電荷発生材料とのマッチング性に優れたα−フェニルスチルベン化合物を用いた電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機感光体（以下、電子写真感光体もしくは単に感光体とも称する。）は、可視光から赤外光までの各種露光光源に対応した材料が開発し易いこと、環境汚染の影響が少ない材料を選択できること、製造コストが安いことなどの理由により、無機感光体に対して有利な点が多い。電子写真感光体の電荷輸送剤としては、例えばオキサジアゾール化合物（例えば、特許文献１参照）、オキサゾール化合物（例えば、特許文献２参照）、ピラゾリン化合物（例えば、特許文献３参照）、ヒドラゾン化合物（例えば、特許文献４〜７参照）、ジアミン化合物（例えば、特許文献８参照）、スチルベン化合物（例えば、特許文献９〜１２参照）、ブタジエン化合物（例えば、特許文献１３参照）等がある。これらの電荷輸送剤は優れた特性を有し、実用化されているものがある。
しかしながら近年、画像形成装置の高速化並びに小型化が急速に進行するに伴って、電荷輸送機能の更なる向上が必要不可欠となっており、特に高いホール輸送性を有する電荷輸送剤の開発が強く求められている。
【０００３】
【特許文献１】特公昭３４−００５４６６号公報
【特許文献２】特開昭５６−１２３５４４号公報
【特許文献３】特公昭５２−０４１８８０号公報
【特許文献４】特公昭５５−０４２３８０号公報
【特許文献５】特公昭６１−０４０１０４号公報
【特許文献６】特公昭６２−０３５６７３号公報
【特許文献７】特公昭６３−０３５９７６号公報
【特許文献８】特公昭５８−０３２３７２号公報
【特許文献９】特公昭６３−０１８７３８号公報
【特許文献１０】特公昭６３−０１９８６７号公報
【特許文献１１】特公平３−０３９３０６号公報
【特許文献１２】特公平２−２４８６４号公報
【特許文献１３】特開昭６２−０３０２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、高速応答性に優れ、高感度な電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、少なくとも高いホール輸送性を有すると共に電荷発生材料とのマッチング性に優れたα−フェニルスチルベンを電荷輸送剤として使用することで上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
即ち、上記課題を解決するために本発明に係る電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジは、具体的には下記（１）〜（１６）に記載の技術的特徴を有する。
【０００７】
（１）：導電性支持体上に少なくとも感光層を設けた電子写真感光体において、該感光層に下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【０００８】
（１）：導電性支持体上に感光層を有し、該感光層は下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【０００９】
【化１】
2010145891.tif 000003
【００１０】
（式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のアリレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【００１１】
（２）：導電性支持体上に感光層を有し、該感光層は下記一般式（Ｉ）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１２】
【化２】
2010145891.tif 000004
【００１３】
（式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【００１４】
（３）：導電性支持体上に感光層を有し、該感光層は下記一般式（II）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１５】
【化３】
2010145891.tif 000005
【００１６】
（式（II）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【００１７】
（４）：導電性支持体上に感光層を有し、該感光層は下記一般式（III）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１８】
【化４】
2010145891.tif 000006
【００１９】
（式（III）中、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【００２０】
（５）：前記感光層は、さらにフタロシアニン顔料及び／又はアゾ顔料を含有することを特徴とする上記（１）乃至（４）のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００２１】
（６）：前記アゾ顔料は、下記一般式（IV）で示される化合物を含むことを特徴とする上記（５）に記載の電子写真感光体である。
【００２２】
【化５】
2010145891.tif 000007
【００２３】
（式（IV）中、Ｃｐ1及びＣｐ2は下記式（Ｖ）で示されるカプラー残基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ｒ201及びＲ202は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシアノ基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。）
【００２４】
【化６】
2010145891.tif 000008
【００２５】
（式（Ｖ）中、Ｒ203は水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ204、Ｒ205、Ｒ206、Ｒ207及びＲ208は水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、又は水酸基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ｚは炭素環式芳香族基又は複素環式芳香族基を形成するのに必要な原子群を表し、置換基を有していてもよい。）
【００２６】
（７）：前記アゾ顔料のＣｐ1とＣｐ2とが別異であることを特徴とする上記（６）に記載の電子写真感光体である。
【００２７】
（８）：前記フタロシアニン顔料は、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、及びクロロガリウムフタロシアニンの中から選ばれるいずれか１又は２以上を含むことを特徴とする上記（５）乃至（７）のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００２８】
（９）：前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線（１．５４２Å）を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角度（２θ±０．２°）のうちの少なくとも２７．２°に最大強度の回折ピークを有し、９．４°、９．６°、２４．０°に主要ピークを有し、７．３°に最小角度の回折ピークを有し、前記７．３°と９．４°との間に回折ピークを有しなく、２６．３°に回折ピークを有しないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする上記（８）に記載の電子写真感光体である。
【００２９】
（１０）：前記導電性支持体と、前記感光層との間に電荷ブロッキング層を有することを特徴とする上記（１）乃至（９）のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００３０】
（１１）：前記感光層上に保護層を有することを特徴とする上記（１）乃至（１０）のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００３１】
（１２）：前記保護層は、１０１０Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する無機顔料及び／又は金属酸化物を含有することを特徴とする上記（１１）に記載の電子写真感光体である。
【００３２】
（１３）：前記保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと、１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化して形成されることを特徴とする上記（１１）又は（１２）に記載の電子写真感光体である。
【００３３】
（１４）：少なくとも帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及び電子写真感光体を具備してなる画像形成装置において、該電子写真感光体は、上記（１）乃至（１３）のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置である。
【００３４】
（１５）：電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも１つの手段と、が一体となったカートリッジを搭載し、かつ該カートリッジが画像形成装置本体に対して着脱自在であることを特徴とする上記（１４）に記載の画像形成装置である。
【００３５】
（１６）：電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも１つの手段と、が一体となった画像形成装置用カートリッジにおいて、前記電子写真感光体は、上記（１）乃至（１３）のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置用プロセスカートリッジである。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、高速応答性に優れ、高感度な電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
次に、図面に沿って本発明のα−フェニルスチルベン化合物を用いる電子写真感光体をより詳細に説明する。
＜電子写真感光体の層構成について＞
本発明における電子写真感光体の層構成は、単層であっても又は複数積層された構成であってもよく、層構成に限定されない。例えば、以下に示す層構成が挙げられる。図１は、導電性支持体上に感光層が形成された電子写真感光体である。また、図２のように感光層と導電性支持体との間に下引き層を設けても良い。図３は、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を順次積層した電子写真感光体である。また、図４のように電荷発生層と導電性支持体との間に下引き層を設けても良い。なお、これらの層構成は代表的なものを示したものであって、本発明はこれらの層構成に限定されるものではない。
【００３８】
＜導電性支持体について＞
導電性支持体としては、体積抵抗１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すものが挙げられ、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金等の金属、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物を、蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状又は円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの；アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板及びそれらを、押し出し、引き抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等の表面処理した管等を使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体として用いることができる。
【００３９】
さらに、上記の導電性支持体上に導電性粉体をバインダー樹脂に分散させて導電性層を形成（塗工などを用いて形成）したものも、導電性支持体として用いることができる。このような導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック；アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉、導電性酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用いられるバインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が挙げられる。導電性層は、導電性粉体とバインダー樹脂を、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエン等の溶剤に分散させて塗布することにより設けることができる。さらに、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、ポリテトラフルオロエチレン系フッ素樹脂等の素材に導電性粉体を含有させた熱収縮チューブを用いて、円筒基体上に導電性層を設けたものも、導電性支持体として用いることができる。
【００４０】
また、これらの中でも陽極酸化皮膜処理を簡便に行うことのできるアルミニウムからなる円筒状支持体が良好に使用可能である。このアルミニウムとは、純アルミニウム系又はアルミニウム合金のいずれかをも含むものである。具体的には、ＪＩＳ１０００番台、３０００番台、６０００番台のアルミニウム又はアルミニウム合金が最も適している。陽極酸化皮膜は、各種金属、各種合金を電解質溶液中において陽極酸化処理したものであるが、中でもアルミニウムもしくはアルミニウム合金を電解質溶液中で陽極酸化処理を行ったアルマイトと呼ばれる被膜は、残留電位上昇が少なく、また反転現像を用いた際に発生する地汚れの防止効果が高く有効である。
【００４１】
陽極酸化処理は、クロム酸、硫酸、蓚酸、リン酸、硼酸、スルファミン酸などの酸性浴中において行われる。このうち、硫酸浴による処理が最も適している。一例を挙げると、硫酸濃度：１０〜２０％、浴温：５〜２５℃、電流密度：１〜４Ａ／ｄｍ２、電解電圧：５〜３０Ｖ、処理時間：５〜６０分程度の範囲で処理が行われるが、これに限定するものではない。このように作製される陽極酸化皮膜は多孔質であり、また絶縁性が高いため、表面が非常に不安定な状況である。このため、作製後の経時変化が存在し、陽極酸化皮膜の物性値が変化しやすい。これを回避するため、陽極酸化皮膜を更に封孔処理することが好ましい。封孔処理には、フッ化ニッケルや酢酸ニッケルを含有する水溶液に陽極酸化皮膜を浸漬する方法、陽極酸化皮膜を沸騰水に浸漬する方法、加圧水蒸気により処理する方法などがある。このうち、酢酸ニッケルを含有する水溶液に浸漬する方法が最も好ましい。封孔処理に引き続き、陽極酸化皮膜の洗浄処理が行われる。これは、封孔処理により付着した金属塩等の過剰なものを除去することが主な目的である。これが支持体（陽極酸化皮膜）表面に過剰に残存すると、この上に形成する塗膜の品質に悪影響を与えるだけでなく、一般的に低抵抗成分が残ってしまうため、逆に地汚れの発生原因にもなってしまう。洗浄は純水１回の洗浄でも構わないが、通常は多段階の洗浄を行う。この際、最終の洗浄液が可能な限りきれいな（脱イオンされた）ものであることが好ましい。また、多段階の洗浄工程のうち１工程に接触部材による物理的なこすり洗浄を施すことが好ましい。以上のようにして形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、５〜１５μｍ程度が好ましい。これより薄すぎる場合には陽極酸化皮膜としてのバリア性の効果が充分でなく、これより厚すぎる場合には電極としての時定数が大きくなりすぎて、残留電位の発生や感光体のレスポンスが低下する場合がある。
【００４２】
＜感光層について＞
次に、感光層について説明する。
感光層は、単層であっても複数の積層（積層型）であってもよい。
【００４３】
＜積層型感光層について＞
先ず、積層型から説明する。積層型感光層は、少なくとも電荷発生層及び電荷輸送層が積層されることによって構成されている。
【００４４】
＜電荷発生層について＞
電荷発生層は、電荷発生剤を主成分とする層である。電荷発生層には、公知の電荷発生剤を用いることが可能である。例えば、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、非対称ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）等のアゾ系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、また下記一般式（１）で表される金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料等が挙げられる。なお、これらの電荷発生剤は、単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００４５】
【化７】
2010145891.tif 000009
【００４６】
式（１）中、Ｍ（中心金属）は、金属及び無金属（水素）の元素を表す。ここであげられるＭ（中心金属）は、Ｈ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、ＴＩ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ等の単体、もしく酸化物、塩化物、フッ化物、水酸化物、臭化物などの２種以上の元素からなる。中心金属は、これらの元素に限定されるものではない。
【００４７】
本発明においてはフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質とは、少なくとも上記一般式（１）の基本骨格を有していればよく、２量体、３量体など多量体構造を持つもの、さらに高次の高分子構造を持つものでもかまわない。また、基本骨格に様々な置換基があるものでもかまわない。
【００４８】
電荷発生層に必要に応じて用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコ−ン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独または２種以上の混合物として用いることができる。
【００４９】
また、用いられる溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等の一般に用いられる有機溶剤が挙げられるが、中でも、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒を使用することが好ましい。これらは、単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００５０】
電荷発生層の塗工液は、電荷発生剤を必要に応じてバインダー樹脂（結着樹脂）と共に、ボールミル、アトライター、サンドミル、超音波等の公知の分散方法を用いて溶剤中に分散して得ることができる。なお、バインダー樹脂の添加は、電荷発生剤の分散前及び分散後のどちらでも構わない。電荷発生層の塗工液は、電荷発生剤、溶媒及びバインダー樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等の添加剤が含まれていてもよい。場合によっては、電荷発生層に後述の電荷輸送剤を添加することも可能である。バインダー樹脂の添加量は、電荷発生剤１００重量部に対して、通常、０〜５００重量部であり、１０〜３００重量部が好ましい。
【００５１】
電荷発生層は上記塗工液を用いて導電性支持体上又は後述する下引き層等の上に塗工し、乾燥することにより形成される。塗工方法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビードコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の公知の方法を用いることができる。電荷発生層の膜厚は、通常、０．０１〜５μｍ程度であり、０．１〜２μｍが好ましい。また塗工後の乾燥はオーブン等を用いて加熱乾燥される。電荷発生層の乾燥温度は、５０〜１６０℃であることが好ましく、８０〜１４０℃がさらに好ましい。
【００５２】
＜電荷輸送層について＞
電荷輸送層は、電荷輸送剤及びバインダー樹脂を主成分とする。電荷輸送剤には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあるが、本発明においては正孔輸送物質を電荷輸送剤と称する。
【００５３】
電荷輸送剤の中でも、本発明に係るα−フェニルスチルベン化合物は従来のα−フェニルスチルベン化合物に比べ高いホール輸送性を有するため、高感度の電子写真感光体を作製することができる。
【００５４】
以下に本発明に係るα−フェニルスチルベン化合物について詳細に説明する。
本発明に係るα−フェニルスチルベン化合物は下記一般式（Ｉ）で表される。
【００５５】
【化８】
2010145891.tif 000010
【００５６】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のアリレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。
【００５７】
またより好ましくは、上記一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。Ａｒ1は置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニレン基を表し、Ｒ5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。
【００５８】
さらに好ましくは下記一般式（II）または（III）で表される化合物である。
【００５９】
【化９】
2010145891.tif 000011
【００６０】
上記一般式（II）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。
【００６１】
【化１０】
2010145891.tif 000012
【００６２】
上記一般式（III）中、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一であってもよく、別異であってもよい。
【００６３】
前記一般式（Ｉ）、一般式（II）、および一般式（III）における置換もしくは無置換アリール基としては単環基、多環基（縮合多環基、非縮合多環基）の何れでもよく、一例として以下のものを挙げることができる。例えばフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
【００６４】
一般式（Ｉ）、一般式（II）、および一般式（III）におけるアルキル基としては、鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜２０のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基である。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。
【００６５】
アルコキシ基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。具体的には上記記載のアルキル基が置換されたアルコキシ基が挙げられる。
【００６６】
以下に一般式（Ｉ）〜（III）で示されるα−フェニルスチルベン化合物の具体例を示す。尚、本発明の電子写真感光体に用いられるα−フェニルスチルベン化合物は以下の具体例に限定されるものではない。
【００６７】
【表１】
2010145891.tif 000013
【００６８】
【表２】
2010145891.tif 000014
【００６９】
【表３】
2010145891.tif 000015
【００７０】
【表４】
2010145891.tif 000016
【００７１】
【表５】
2010145891.tif 000017
【００７２】
【表６】
2010145891.tif 000018
【００７３】
【表７】
2010145891.tif 000019
【００７４】
【表８】
2010145891.tif 000020
【００７５】
【表９】
2010145891.tif 000021
【００７６】
本発明の電子写真感光体に用いられるα−フェニルスチルベン化合物は、パラジウム触媒、第３級ホスフィン類及び塩基の存在下で、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物と一般式（VIII）のアミン化合物とを反応させることにより製造される。なお一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物は新規化合物である。
【００７７】
トリフラート化合物はＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．２６，４０９９，１９７６に一般的な合成法が記載されているが、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物も同様に、対応するジフェノール化合物をピリジンに溶解しこれにトリフルオロメタンスルホン酸無水物を０℃で滴下したのち室温で撹拌することにより容易に得られる。  
【００７８】
【化１１】
2010145891.tif 000022
【００７９】
（式中Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は前述の定義と同一である。）
【００８０】
【化１２】
2010145891.tif 000023
【００８１】
（式中Ｒ1およびＲ2の定義は前述と同一である。）
【００８２】
この反応は下記反応式で示すが一般にBuchwald-Hartwig反応（MERCKINDEX13th.edition）とよばれる。
【００８３】
Ａｒ−Ｙ  ＋  Ｈ2Ｎ−Ｒ    →    Ａｒ−ＮＨＲ
Ｙ＝Ｂｒ,Ｉ,ＯＳＯ2ＣＦ3
【００８４】
パラジウム触媒としては、均一系のパラジウム触媒が好ましく、具体的には、例えばヘキサクロロパラジウム（IV）酸ナトリウム或いはその水和物、ヘキサクロロパラジウム（IV）酸カリウム等の４価のパラジウム化合物、例えば塩化パラジウム（II）、臭化パラジウム（II）、酢酸パラジウム（II）、パラジウムアセチルアセテート（II）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（II）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（II）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（II）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（II）、パラジウムトリフルオロアセテート（II）等の２価のパラジウム化合物、例えばトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等の０価のパラジウム化合物等が挙げられる。
【００８５】
パラジウム触媒の使用量は、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物１モルに対しパラジウム換算で、通常０．０００００１〜２０モル％、好ましくは０．０００１〜１０モル％である。
【００８６】
第３級ホスフィン類としては例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリ−iso−ブチルホスフィン、トリ−sec−ブチルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジシクロペンチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジシクロヘキシルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジシクロヘプチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジイソプロピルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジブチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジイソブチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、Ｎ−フェニルピロール−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジシクロペンチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジシクロヘキシルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジシクロヘプチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジイソプロピルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジブチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジイソブチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン等が挙げられる。
第３級ホスフィン類の使用量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常０．１〜１０モル、好ましくは１．０〜５．０モルである。
【００８７】
塩基としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えばリン酸ナトリウム、リン酸カリウム等のアルカリ金属リン酸塩、例えばナトリウム−tert−ブトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等の金属アルコキシド等が挙げられる。かかる塩基の使用量は、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物１モルに対して、通常２〜５０モル、好ましくは２〜１０モルである。
【００８８】
アミン化合物(VIII)の使用量は、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物１モルに対し通常２．０〜１０モルであり、好ましくは２．０モル〜６．０モルである。
一般式（VIII）で示されるアミン化合物としては、ジフェニルアミン、４，４’−ジメチルジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ビフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、Ｎ−（４−トリル）−１−ピレニルアミン、９，９−ジメチル−２−フェニルアミノフルオレン、９，９−ジメチル−２−（４−トリル）アミノフルオレン等が挙げられる。
【００８９】
溶媒としては、反応に影響を及ぼさなければ特に限定されないが、具体的には例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホシキド等の非プロトン性極性溶媒ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン等のエーテル系溶媒等が挙げられる。
反応は窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
反応温度は、通常２０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃、特に好ましくは８０℃〜１２０℃である。
【００９０】
また、前記一般式（VII)で示されるジトリフラート化合物の代わりに、下記一般式（VI）で表されるジハロゲン化合物を用いることもできる。
【化１３】
2010145891.tif 000024
【００９１】
（式（VI）中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は前述の定義と同一である。）
【００９２】
一般式（VI）におけるハロゲン原子としては、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等が挙げられる。
【００９３】
一般式（Ｉ）及び（III）のα−フェニルスチルベン化合物は、パラジウム触媒、第３級ホスフィン類及び塩基の存在下で、一般式（VII）で示されるジトリフラート化合物とアリールホウ素化合物とを反応させることにより（一般にSuzuki−Miyaura反応とよばれる）製造される。
【００９４】
上記したアリールホウ素化合物の代わりに、熱的に安定で空気中で容易に扱えるビス（ピナコラト）ジボロンを用いハロゲン化アリールから合成されるアリールボロン酸エステルを用いても良い。
反応は上記Buchwald-Hartwig反応で示した条件をそのまま適応できる。
【００９５】
アリールホウ素化合物の具体例としては、４−ジメチルアミノフェニルボロン酸、４−ジエチルアミノフェニルボロン酸、４−（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸、４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラニル−２）アニリンから誘導される第３級アミンを有するボロン酸エステル類等が例示できる。
【００９６】
電荷輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００重量部に対して、通常、２０〜３００重量部であり、４０〜１５０重量部が好ましい。
【００９７】
バインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００９８】
また、バインダー樹脂として、電荷輸送機能を有する高分子電荷輸送剤、例えば、アリールアミン骨格やベンジジン骨格やヒドラゾン骨格やカルバゾール骨格やスチルベン骨格やピラゾリン骨格等を有するポリカーボネート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリシロキサン、アクリル樹脂等の高分子材料やポリシラン骨格を有する高分子材料等を用いることも可能であり、有用である。
【００９９】
電荷輸送層の塗布液として用いられる溶剤は、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、トルエン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、キシレン、アセトン、ジエチルエーテル、メチルエチルケトン等が用いられる。ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤は電子写真感光体の特性上問題はないものの、地球環境への負荷を低減させる目的で使用しないことが望ましい。これらの中でも有効に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテルやトルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素が好ましく用いられる。これらは、単独で使用してもよく、また２種以上混合して使用してもよい。
【０１００】
また、電荷輸送層の塗工液には、必要に応じて、単独又は２種以上の可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤、滑剤等の添加剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の可塑剤が使用可能であり、有効である。添加量としては、バインダー樹脂に対して０〜３０重量％が好ましく、１〜１０重量％がより好ましい。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー、オリゴマー等が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して０〜１重量％が好ましく、０．０１重量％〜０．５重量％がより好ましい。また、酸化防止剤も有効に使用することができる。例えば、フェノール系化合物、パラフェニレンジアミン類、ハイドロキノン類、有機硫黄化合物類、有機燐化合物類、ヒンダードアミン類等の従来公知の材料が使用でき、繰り返し使用に対する静電特性の安定化に有効である。添加量としては、バインダー樹脂に対して０〜１０重量％が好ましく、０．１〜２重量％がより好ましい。滑剤は表面の滑り性を高め、電子写真感光体表面の異物付着防止効果を得る目的で添加されることが多い。具体的には、シリコーンオイル類、シリコーン微粒子、フッ素樹脂微粒子、ワックス類等、従来公知の材料をそのまま使用することが可能である。添加量としては、バインダー樹脂に対して０〜３０重量％が好ましく、１〜２０重量％がより好ましい。
【０１０１】
電荷輸送層の塗工方法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビードコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の公知の方法を用いることができる。塗工した後は指触乾燥後、オーブン等で加熱乾燥させて製造される。電荷輸送層の乾燥温度は、電荷輸送層の塗工液に含有される溶剤の種類によって異なるが、８０〜１５０℃であることが好ましく、１００〜１４０℃がより好ましい。このようにして得られた電荷輸送層の膜厚は通常１０〜５０μｍで形成される。電子写真感光体の耐久性を考慮すると膜厚は厚い方が好ましい。電荷輸送層の膜厚は解像度・応答性の点から、３０μｍ以下とすることが好ましく、２５μｍ以下がより好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）に異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０１０２】
＜単層感光層について＞
本発明においては、感光層が単層構成であっても使用可能である。感光層は、前述の電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダー樹脂等を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを導電性支持体上又は後述する下引き層上に塗工及び乾燥することによって形成される。電荷発生剤及び電荷輸送剤（電子輸送剤及び正孔輸送剤）は、前述の電荷発生層及び電荷輸送層で挙げた材料を使用することが可能である。また、バインダー樹脂としては、前述の電荷輸送層で挙げた樹脂の他に、電荷発生層で挙げた樹脂を混合して用いてもよい。また、バインダー樹脂として前述の高分子電荷輸送剤も良好に使用できる。バインダー樹脂１００重量部に対する電荷発生剤の量は５〜４０重量部が好ましく、さらに好ましくは１０〜３０重量部であり、電荷輸送剤の量は０〜１９０重量部が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０重量部である。感光層は、電荷発生剤、バインダー樹脂を電荷輸送剤とともにテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、トルエン、メチルエチルケトン、アセトン等の溶剤に溶解ないし分散し、これを浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコートなどで塗工して形成できる。また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤、滑剤等の各種添加剤を添加することもできる。感光層の膜厚は５〜２５μｍ程度が適当である。
【０１０３】
＜下引き層について＞
本発明の電子写真感光体においては、導電性支持体と感光層との間に下引き層を設けることができる。これら下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であるものを使用することが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ポリアミド（共重合ナイロン）、メトキシメチル化ポリアミド（ナイロン）等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、イソシアネート、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。
【０１０４】
また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために金属酸化物を含有させることも可能であり有効である。モアレとは、レーザー光のようなコヒーレント光による書き込みを行う際に感光層内部での光干渉によってモアレと呼ばれる干渉縞が画像に形成される画像欠陥の一種である。基本的に、入射されたレーザー光をこの下引き層によって光散乱させることによりモアレ発生を防止するため、屈折率の大きな材料を含有させる必要がある。モアレを防止する上では、バインダー樹脂に無機顔料を分散させた構成が最も有効である。使用される無機顔料としては、白色の顔料が有効に使用され、金属酸化物、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、フッ化カルシウム、酸化カルシウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化インジウム等挙げられる。
【０１０５】
また、下引き層には、電子写真感光体表面に帯電される電荷と同極性の電荷を、感光層から導電性支持体側へ移動できる機能を有することが残留電位の低減上好ましく、上記無機顔料はその役割をも果たしている。例えば、負帯電型の電子写真感光体の場合、下引き層は電子伝導性を有することによって残留電位を低減できる。これらの無機顔料としては、前述の金属酸化物が有効に用いられるが、抵抗の低い無機顔料を用いたり、バインダー樹脂に対する無機顔料の添加比率を増加させたりすることによって残留電位を低減させる効果が高くなる反面、地汚れ抑制効果が低下する恐れもある。従って、感光体における下引き層の層構成や膜厚によってそれらを使い分けたり、添加量を調整したりすることによって、地汚れ抑制と残留電位低減の両立を図ることが必要である。モアレ防止、残留電位上昇及び地汚れの抑制を考慮すると、上記金属酸化物の中でもとりわけ酸化チタンが最も有効に用いられる。
【０１０６】
これらの下引き層は、バインダー樹脂、無機顔料（金属酸化物）を主成分とし、溶剤を含めた状態で湿式分散を行って塗工分散液を得ることができる。使用される溶剤は、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、シクロヘキサノン、ジオキサン等、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。無機顔料は、溶剤及びバインダー樹脂と共に従来公知の方法、例えばボールミル、サンドミル、アトライラー等により分散することにより塗工液を得ることができる。バインダー樹脂は分散前に添加しても分散後に樹脂溶液として添加しても良い。また、必要に応じて硬化（架橋）に必要な薬剤、添加剤、硬化促進剤等や無機顔料の分散性を高める目的で分散剤を加えることも可能である。これらの塗工液を用い、従来公知の方法、例えば浸漬塗工法、スプレーコート、リングコート、ビートコート、ノズルコート法などを用いて導電性基体上に形成される。塗布後は乾燥や加熱、必要に応じて光照射等の硬化処理により乾燥又は硬化させることにより作製できる。下引き層の膜厚は含有させる無機顔料の種類によって異なるが、０〜２０μｍが好ましく、２〜１０μｍがより好ましい。
【０１０７】
＜電荷ブロッキング層について＞
また、導電性支持体と下引き層の間もしくは下引き層と電荷発生層との間にさらに電荷ブロッキング層を設けることも可能である。電荷ブロッキング層は、導電性支持体からのホールの注入を抑制するために加えられるもので、主目的は地汚れの抑制にある。電荷ブロッキング層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ポリアミド（可溶性ナイロン）、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が挙げられる。電荷ブロッキング層の形成法としては、前記した方法、さらに公知の塗布法が採用される。なお、電荷ブロッキング層の厚さは、０．０５〜２μｍが適当である。電荷ブロッキング層と下引き層の２層構成とすることにより、地汚れ抑制効果は飛躍的に高まるが、残留電位上昇の影響が増加する傾向にある。そのため、電荷ブロッキング層及び下引き層の組成や膜厚を十分考慮して決める必要がある。
【０１０８】
＜保護層について＞
本発明の電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられることが好ましい。
近年のコンピュータ使用頻度の増加に伴い、プリンタによる画像出力の機会も増加の傾向にあり、プリンタによる高速出力並びに長寿命化が望まれている。従って、保護層を感光層上に設けることで感光層の劣化を抑制し、耐久性を向上させることが望ましい。
【０１０９】
また、保護層は感光層上に設けられることから、種々の特性に影響を与えるキャリア輸送能を考慮しなければならない。
このため、保護層においても膜厚と層構成とが重要である。膜厚に関しては、いずれの場合にも必要以上に厚膜化しないことが重要なポイントである。
【０１１０】
本発明において有効に活用できる保護層の層構成としては、大別すると、２つのタイプが挙げられる。１つは、バインダー樹脂中にフィラーが添加された構成であり、もう１つは、架橋型バインダーを用いたものである。ただし、必ずしもこの２つのタイプに限定されるものではなく、本発明の効果を損なわない範囲であれば上記２つのタイプ以外の層構成をとっても良い。
【０１１１】
《フィラー添加型保護層について》
先に、保護層（バインダー樹脂）中にフィラーが添加された構成について説明する。（以下、フィラー添加型保護層と呼ぶ）。
保護層に使用されるバインダー樹脂としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。中でも、ポリカーボネートもしくはポリアリレートが最も良好に使用できる。
【０１１２】
さらに、バインダー樹脂にはフィラーが添加される。フィラーとしては、有機フィラー材料および無機フィラー材料のいずれを用いても良く、これらを混合して用いても良い。
フィラーのうち有機性フィラー材料としては、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末、ａ−カーボン粉末等が挙げられ、無機性フィラー材料としては、銅、スズ、アルミニウム、インジウムなどの金属粉末、シリカ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化錫、錫をドープした酸化インジウム、アルミナ等の金属酸化物、チタン酸カリウムなどの無機材料が挙げられる。特に、フィラーの硬度の点からは、この中でも無機材料、無機顔料や金属酸化物が好ましく、シリカ、酸化チタン、アルミナが特に有効に使用できる。
【０１１３】
保護層中のフィラー濃度は、使用するフィラー種により、また感光体を使用する電子写真プロセス条件によっても異なるが、保護層の最表層側において全固形分に対するフィラーの比で５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下が良好である。また、使用するフィラーの体積平均粒径は、０．１μｍ〜２μｍの範囲が良好に使用され、好ましくは０．３μｍ〜１μｍの範囲である。この場合、平均粒径が小さすぎると耐摩耗性が充分に発揮されず、大きすぎると塗膜の表面性が悪くなったり、塗膜そのものが形成できなかったりするからである。
【０１１４】
尚、本発明におけるフィラーの平均粒径とは、特別な記載のない限り体積平均粒径であり、超遠心式自動粒度分布測定装置：ＣＡＰＡ−７００（堀場製作所製）により求めたものである。この際、累積分布の５０％に相当する粒子径（Ｍｅｄｉａｎ径）として算出されたものである。また、同時に測定される各々の粒子の標準偏差が１μｍ以下であることが重要である。これ以上の標準偏差の値である場合には、粒度分布が広すぎて、本発明の効果が得られなくなってしまう場合がある。
【０１１５】
また、本発明で使用するフィラーのｐＨも解像度やフィラーの分散性に大きく影響する。その理由の一つとしては、フィラー、特に金属酸化物は製造時に塩酸等が残存することが考えられる。その残存量が多い場合には、画像ボケの発生は避けられず、またそれは残存量によってはフィラーの分散性にも影響を及ぼす場合がある。
もう一つの理由としては、フィラー、特に金属酸化物の表面における帯電性の違いによるものである。通常、液体中に分散している粒子はプラス又はマイナスに帯電しており、それを電気的に中性に保とうとして反対の電荷を持つイオンが集まり、そこで電気二重層が形成されることによって粒子の分散状態は安定化している。粒子から遠ざかるに従いその電位（ゼータ電位）は徐々に低くなり、粒子から充分に離れて電気的に中性である領域の電位はゼロとなる。従って、ゼータ電位の絶対値の増加によって粒子の反発力が高くなることによって安定性は高くなり、ゼロに近づくに従い凝集し易く不安定になる。一方、系のｐＨ値によってゼータ電位は大きく変動し、あるｐＨ値において電位はゼロとなり等電点を持つことになる。従って、系の等電点からできるだけ遠ざけて、ゼータ電位の絶対値を高めることによって分散系の安定化が図られることになる。
【０１１６】
本発明の構成においては、フィラーとしては前述の等電点におけるｐＨが、少なくとも５以上を示すものが画像ボケ抑制の点から好ましく、より塩基性を示すフィラーであるほどその効果が高くなる傾向があることが確認された。等電点におけるｐＨが高い塩基性を示すフィラーは、系が酸性であったほうがゼータ電位はより高くなることにより、分散性及びその安定性は向上することになる。
ここで、本発明におけるフィラーのｐＨは、ゼータ電位から等電点におけるｐＨ値を記載した。この際、ゼータ電位の測定は、大塚電子（株）製レーザーゼータ電位計にて測定した。
【０１１７】
更に、画像ボケが発生し難いフィラーとしては、電気絶縁性が高いフィラー（比抵抗が１０１０Ω・ｃｍ以上）が好ましく、フィラーのｐＨが５以上を示すものやフィラーの誘電率が５以上を示すものが特に有効に使用できる。また、ｐＨが５以上のフィラー又は誘電率が５以上のフィラーを単独で使用することはもちろん、ｐＨが５以下のフィラーとｐＨが５以上のフィラーとを２種類以上を混合したり、誘電率が５以下のフィラーと誘電率が５以上のフィラーとを２種類以上混合したりして用いることも可能である。また、これらのフィラーの中でも高い絶縁性を有し、熱安定性が高い上に、耐摩耗性が高い六方細密構造であるα型アルミナは、画像ボケの抑制や耐摩耗性の向上の点から特に有用である。
【０１１８】
本発明において使用するフィラーの比抵抗は以下のように定義される。フィラーのような粉体は、充填率によりその比抵抗値が異なるので、一定の条件下で測定する必要がある。本発明においては、特開平５−１１３６８８号公報（図１）に示された測定装置と同様の構成の装置を用いて、フィラーの比抵抗値を測定し、この値を用いた。測定装置において、電極面積は４．０ｃｍ２である。測定前に片側の電極に４ｋｇの荷重を１分間かけ、電極間距離が４ｍｍになるように試料量を調節する。測定の際は、上部電極の重量（１ｋｇ）の荷重状態で測定を行ない、印加電圧は１００Ｖにて測定する。１０６Ω・ｃｍ以上の領域は、ＨＩＧＨ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（横河ヒューレットパッカード）、それ以下の領域についてはデジタルマルチメーター（フルーク）により測定した。これにより得られた比抵抗値を本発明でいうところの比抵抗値と定義するものである。
【０１１９】
フィラーの誘電率は以下のように測定した。上述のような比抵抗の測定と同様なセルを用い、荷重をかけた後に、静電容量を測定し、これより誘電率を求めた。静電容量の測定は、誘電体損測定器（安藤電気）を使用した。
【０１２０】
更に、これらのフィラーは少なくとも一種の表面処理剤で表面処理させることが可能であり、そうすることがフィラーの分散性の面から好ましい。フィラーの分散性の低下は残留電位の上昇だけでなく、塗膜の透明性の低下や塗膜欠陥の発生、さらには耐摩耗性の低下をも引き起こすため、高耐久化又は高画質化を妨げる大きな問題に発展する可能性がある。表面処理剤としては、従来用いられている表面処理剤すべてを使用することができるが、フィラーの絶縁性を維持できる表面処理剤が好ましい。例えば、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤、高級脂肪酸等、又はこれらとシランカップリング剤との混合処理や、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、シリコーン、ステアリン酸アルミニウム等、又はそれらの混合処理がフィラーの分散性及び画像ボケの点からより好ましい。シランカップリング剤による処理は、画像ボケの影響が強くなるが、上記の表面処理剤とシランカップリング剤との混合処理を施すことによりその影響を抑制できる場合がある。表面処理量については、用いるフィラーの平均一次粒径によって異なるが、３〜３０ｗｔ％が適しており、５〜２０ｗｔ％がより好ましい。表面処理量がこれよりも少ないとフィラーの分散効果が得られず、また多すぎると残留電位の著しい上昇を引き起こす。これらフィラーは単独もしくは２種類以上混合して用いられる。フィラーの表面処理量に関しては、上述のようにフィラー量に対する使用する表面処理剤の重量比で定義される。
【０１２１】
これらフィラー材料は、適当な分散機を用いることにより分散できる。また、保護層の透過率の点から使用するフィラーは一次粒子レベルまで分散され、凝集体が少ないほうが好ましい。
【０１２２】
また、保護層には残留電位低減、応答性改良のため、電荷輸送物質を含有することが好ましい。電荷輸送物質は、公知の電荷輸送物質を用いることができる。電荷輸送物質として、低分子電荷輸送物質を用いる場合には、保護層中における濃度傾斜を設けても構わない。耐摩耗性向上のため、表面側を低濃度にすることは有効な手段である。ここでいう濃度とは、保護層を構成する全材料の総重量に対する低分子電荷輸送物質の重量の比を表わし、濃度傾斜とは上記重量比において表面側において濃度が低くなるような傾斜を設けることを示す。また、高分子電荷輸送物質を用いることは、感光体の耐久性を高める点で非常に有利である。
【０１２３】
この他、保護層のバインダー樹脂としては公知の高分子電荷輸送物質も用いることができる。これを用いた場合の効果としては、耐摩耗性の向上、高速電荷輸送の効果を得ることができる。
【０１２４】
このような保護層の形成法としては通常の塗布法が採用される。尚、上述した保護層の厚さは０．１〜１０μｍ程度が適当である。
【０１２５】
《架橋型保護層》
次に、保護層のバインダー構成として、架橋構造からなる保護層について説明する（以下、架橋型保護層と呼ぶ）。
架橋構造の形成に関しては、１分子内に複数個の架橋性官能基を有する反応性モノマーを使用し、光や熱エネルギーを用いて架橋反応を起こさせ、３次元の網目構造を形成するものである。この網目構造がバインダー樹脂として機能し、高い耐摩耗性を発現するものである。
【０１２６】
また、上記反応性モノマーとして、全部もしくは一部に電荷輸送能を有するモノマーを使用する。このようなモノマーを使用することにより、網目構造中に電荷輸送部位が形成され、保護層としての機能を充分に発現することが可能となる。電荷輸送能を有するモノマーとしては、トリアリールアミン構造を有する反応性モノマーが有効に使用される。このような構成にすることにより、キャリア輸送速度が充分に確保され、トランジット時間の短縮化が図れる。
【０１２７】
このような網目構造を有する保護層は、耐摩耗性が高い反面、架橋反応時に体積収縮が大きく、あまり厚膜化するとクラックなどを生じる場合がある。このような場合には、保護層を積層構造として、下層（感光層側）には低分子分散ポリマーの保護層を使用し、上層（表面側）に架橋構造を有する保護層を形成しても良い。
【０１２８】
架橋型保護層の中でも下記のような特定の構成からなる架橋型保護層は、特に有効に使用される。
特定の構成からなる架橋型保護層とは、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化することにより形成される保護層であり、本発明に係る電子写真感光体は、この保護層を有することが好ましい。３官能以上のラジカル重合性モノマーを硬化した架橋構造を有するため３次元の網目構造が発達し、架橋密度が非常に高い高硬度且つ高弾性な保護層が得られ、かつ均一で平滑性も高く、高い耐摩耗性、耐傷性が達成される。このように感光体表面の架橋密度すなわち単位体積あたりの架橋結合数を増加させることが重要であるが、硬化反応において瞬時に多数の結合を形成させるため体積収縮による内部応力が発生する。この内部応力は架橋型保護層の膜厚が厚くなるほど増加するため保護層全層を硬化させると、クラックや膜剥がれが発生しやすくなる。この現象は初期的に現れなくても、電子写真プロセス上で繰り返し使用され帯電、現像、転写、クリーニングのハザード及び熱変動の影響を受けることにより、経時で発生しやすくなることもある。
【０１２９】
この問題を解決する方法としては、（１）架橋層及び架橋構造に高分子成分を導入する、（２）１官能及び２官能のラジカル重合性モノマーを多量に用いる、（３）柔軟性基を有する多官能モノマーを用いる、などの硬化樹脂層を柔らかくする方向性が挙げられるが、いずれも架橋層の架橋密度が希薄となり、飛躍的な耐摩耗性が達成されない。これに対し、本発明の電子写真感光体は、感光層（電荷輸送層）上に３次元の網目構造が発達した架橋密度の高い架橋型保護層を好ましくは１μｍ以上、１０μｍ以下の膜厚で設けることで、上記のクラックや膜剥がれが発生せず、且つ非常に高い耐摩耗性が達成される。かかる架橋型保護層の膜厚を２μｍ以上、８μｍ以下の膜厚にすることにより、さらに上記問題に対する余裕度が向上することに加え、更なる耐摩耗性向上に繋がる高架橋密度化の材料選択が可能となる。
【０１３０】
本発明の電子写真感光体がクラックや膜剥がれを抑制できる理由としては、架橋型保護層を薄膜化できるため内部応力が大きくならないこと、下層に感光層もしくは電荷輸送層を有するため表面の架橋型保護層の内部応力を緩和できることなどによる。このため架橋型保護層に高分子材料を多量に含有させる必要がなく、このとき生ずる、高分子材料とラジカル重合性組成物（ラジカル重合性モノマーや電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物）の反応より生じた硬化物との不相溶が原因の傷やトナーフィルミングも起こり難い。
【０１３１】
さらに、保護層全層にわたる厚膜を光エネルギー照射により硬化する場合、電荷輸送性構造による吸収から内部への光透過が制限され、硬化反応が充分に進行しない現象が起こることがある。そこで本発明では、架橋型保護層の膜厚を好ましくは１０μｍ以下の薄膜とすることにより内部まで均一に硬化反応が進行し、表面と同様に内部でも高い耐摩耗性が維持される。また、上記特定の構成からなる架橋型保護層は、上記３官能性ラジカル重合性モノマーに加え、さらに１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を含有しており、これが上記３官能以上のラジカル重合性モノマー硬化時に架橋結合中に取り込まれる。これに対し、官能基を有しない低分子電荷輸送物質を架橋保護層中に含有させた場合、その相溶性の低さから低分子電荷輸送物質の析出や白濁現象が起こり、架橋保護層の機械的強度も低下する。一方、２官能以上の電荷輸送性化合物を主成分として用いた場合は複数の結合で架橋構造中に固定され架橋密度はより高まるが、電荷輸送性構造が非常に嵩高いため硬化樹脂構造の歪みが非常に大きくなり、架橋型保護層の内部応力が高まる原因となる。
【０１３２】
また、本発明の電子写真感光体は良好な電気的特性を有し、このため繰り返し安定性に優れており高耐久化並びに高安定化が実現される。これは架橋型保護層の構成材料として１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を用い、架橋結合間にペンダント状に固定化したことに起因する。上記のように官能基を有しない電荷輸送物質は析出、白濁現象が起こり、感度の低下、残留電位の上昇等繰り返し使用における電気的特性の劣化が著しい。２官能以上の電荷輸送性化合物を主成分として用いた場合は複数の結合で架橋構造中に固定されるため、電荷輸送時の中間体構造（カチオンラジカル）が安定して保てず、電荷のトラップによる感度の低下、残留電位の上昇が起こりやすい。これらの電気的特性の劣化は、画像濃度低下、文字細り等の画像として現れる。さらに、本発明の電子写真感光体においては、下層の感光層（電荷輸送層）として従来の電子写真感光体において用いられている電荷トラップの少ない高移動度な設計がそのまま適用可能で、架橋型保護層の電気的副作用を最小限に抑えることができる。
【０１３３】
次に、架橋型保護層塗布液の構成材料について説明する。
本発明に用いられる電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーとは、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、及びカルバゾールなどの正孔輸送性構造、並びに、例えば縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有しておらず、且つラジカル重合性官能基を３個以上有するモノマーを指す。このラジカル重合性官能基とは、炭素−炭素２重結合を有し、ラジカル重合可能な基であれば何れでもよい。これらラジカル重合性官能基としては、例えば、下記に示す１−置換エチレン官能基、１，１−置換エチレン官能基等が挙げられる。
（１）１−置換エチレン官能基としては、例えば以下の一般式（１０）で表される官能基が挙げられる。
【０１３４】
ＣＨ２＝ＣＨ−Ｘ１−  ・・・一般式（１０）
【０１３５】
（ただし、式（１０）中、Ｘ1は、置換基を有していてもよいフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＣＯＮ（Ｒ10）−基（Ｒ10は、水素、メチル基、エチル基等のアルキル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。）、又は−Ｓ−基を表す。）
【０１３６】
これらの官能基を具体的に例示すると、ビニル基、スチリル基、２−メチル−１，３−ブタジエニル基、ビニルカルボニル基、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミド基、ビニルチオエーテル基等が挙げられる。
【０１３７】
（２）１，１−置換エチレン官能基としては、例えば以下の一般式（１１）で表される官能基が挙げられる。
【０１３８】
ＣＨ２＝ＣＹ−Ｘ２−  ・・・一般式（１１）
【０１３９】
（ただし、式（１１）中、Ｙは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基もしくはエトキシ基等のアルコキシ基、−ＣＯＯＲ11基（Ｒ11は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル、フェネチル基等のアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、又は−ＣＯＮＲ12Ｒ13（Ｒ12及びＲ13は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表し、互いに同一でもよく、別異であってもよい。）を表す。）を表し、また、Ｘ2は上記一般式（１０）のＸ1と同一の置換基、又は単結合もしくはアルキレン基を表す。ただし、Ｙ、Ｘ2の少なくとも何れか一方がオキシカルボニル基、シアノ基、アルケニレン基、又は芳香族環である。）
【０１４０】
これらの官能基を具体的に例示すると、α−塩化アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、α−シアノエチレン基、α−シアノアクリロイルオキシ基、α−シアノフェニレン基、メタクリロイルアミノ基等が挙げられる。
尚、これらＸ１、Ｘ２、Ｙについての置換基にさらに置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
【０１４１】
これらのラジカル重合性官能基の中では、特にアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が有用である。３個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物は、例えば水酸基がその分子中に３個以上ある化合物とアクリル酸（塩）、アクリル酸ハライド、アクリル酸エステルを用い、エステル反応又はエステル交換反応させることにより得ることができる。また、３個以上のメタクリロイルオキシ基を有する化合物も同様にして得ることができる。
また、ラジカル重合性官能基を３個以上有する単量体中のラジカル重合性官能基は、同一でも異なっても良い。
【０１４２】
電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーの具体例としては、以下のものが示されるが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
【０１４３】
即ち、本発明において使用する上記ラジカル重合性モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキシ変性（以後ＥＯ変性）トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキシ変性（以後ＰＯ変性）トリアクリレート、トリメチロールプロパンカプロラクトン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（ＰＥＴＴＡ）、グリセロールトリアクリレート、グリセロールエピクロロヒドリン変性（以後ＥＣＨ変性）トリアクリレート、グリセロールＥＯ変性トリアクリレート、グリセロールＰＯ変性トリアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート（ＤＴＭＰＴＡ）、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、リン酸ＥＯ変性トリアクリレート、２，２，５，５，−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンテトラアクリレートなどが挙げられ、これらは単独又は２種類以上を併用しても差し支えない。
【０１４４】
また、本発明に用いられる電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーとしては、架橋型保護層中に緻密な架橋結合を形成するために、該モノマー中の官能基数に対する分子量の割合（分子量／官能基数）は２５０以下が望ましい。また、この割合が２５０より大きい場合、架橋型保護層は柔らかく耐摩耗性が幾分低下する傾向が出てくるため、上記例示したモノマー等中、ＥＯ、ＰＯ、カプロラクトン等の変性基を有するモノマーにおいては、極端に長い変性基を有するものを単独で使用することは好ましくはない。また、架橋型保護層に用いられる電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーの成分割合は、架橋型保護層全量に対し２０〜８０重量％、好ましくは３０〜７０重量％である。モノマー成分が２０重量％未満では架橋型保護層の３次元架橋結合密度が少なく、従来の熱可塑性バインダー樹脂を用いた場合に比べ飛躍的な耐摩耗性向上が達成難くなる傾向がある。また、８０重量％を超えると電荷輸送性化合物の含有量が低下し、電気的特性の劣化が生じる傾向がある。使用されるプロセスによって要求される電気特性や耐摩耗性が異なり、それに伴い電子写真感光体における架橋型保護層の膜厚も異なるため一概には言えないが、両特性のバランスを考慮すると３０〜７０重量％の範囲が最も好ましい。
【０１４５】
架橋型保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とは、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、もしくはカルバゾールなどの正孔輸送性構造、又は、例えば縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基もしくはニトロ基を有する電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有しており、且つ１個のラジカル重合性官能基を有する化合物を指す。このラジカル重合性官能基としては、先のラジカル重合性モノマーで示したものが挙げられ、特にアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が有用である。また、電荷輸送性構造としてはトリアリールアミン構造が高い効果を有し、中でも下記一般式（Ａ）又は（Ｂ）の構造で示される化合物を用いた場合、感度、残留電位等の電気的特性が良好に持続される。
【０１４６】
【化１４】
2010145891.tif 000025
【０１４７】
【化１５】
2010145891.tif 000026
【０１４８】
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ7（Ｒ7は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ8Ｒ9（Ｒ8及びＲ9は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ3、Ａｒ4は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。）
【０１４９】
以下に、一般式（Ａ）、（Ｂ）の構造で示される化合物の具体例を示す。
前記一般式（Ａ）、（Ｂ）において、Ｒ1の置換基中、アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等がそれぞれ挙げられ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等により置換されていても良い。
Ｒ1の置換基のうち、特に好ましいものは水素原子、メチル基である。
【０１５０】
Ａｒ3、Ａｒ4は置換もしくは無置換のアリール基を、本発明においては該アリール基としては縮合多環式炭化水素基、非縮合環式炭化水素基及び複素環基を含むものであり、以下の基が挙げられる。
【０１５１】
該縮合多環式炭化水素基としては、好ましくは環を形成する炭素数が１８個以下のもの、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダセニル基、ｓ−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられる。
【０１５２】
該非縮合環式炭化水素基としては、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレンジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル及びジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物の１価基、又はビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルアルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、トリフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、１，１−ジフェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン、及びポリフェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物の１価基、又は９，９−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物の１価基が挙げられる。
【０１５３】
複素環基としては、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、オキサジアゾール、及びチアジアゾール等の１価基が挙げられる。
【０１５４】
また、前記Ａｒ3、Ａｒ4で表わされるアリール基は例えば以下に示すような置換基を有してもよい。
（１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基等。
（２）アルキル基、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−プロピル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキエチル基、２−エトキシエチル基、２−シアノエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ2）であり、Ｒ2は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基であり、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基等が挙げられる。
（５）アルキルメルカプト基またはアリールメルカプト基であり、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）下記式（Ｃ）で表される基である。
【０１５５】
【化１６】
2010145891.tif 000027
【０１５６】
（式（Ｃ）中、Ｒ3及びＲ4は各々独立に水素原子、前記（２）で定義したアルキル基、またはアリール基を表わす。アリール基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。Ｒ3及びＲ4は共同で環を形成してもよい。）
具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（トリール）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等が挙げられる。
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等が挙げられる。
（８）置換もしくは無置換のスチリル基、置換もしくは無置換のβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等。
【０１５７】
前記Ａｒ1、Ａｒ2で表わされるアリーレン基としては、前記Ａｒ3、Ａｒ4で表されるアリール基から誘導される２価基である。
【０１５８】
前記Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。
【０１５９】
置換もしくは無置換のアルキレン基としては、Ｃ1〜Ｃ12、好ましくはＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖のアルキレン基であり、これらのアルキレン基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチレン基、エチレン基、ｎ−ブチレン基、ｉ−プロピレン基、ｔ−ブチレン基、ｓ−ブチレン基、ｎ−プロピレン基、トリフルオロメチレン基、２−ヒドロキエチレン基、２−エトキシエチレン基、２−シアノエチレン基、２−メトキシエチレン基、ベンジリデン基、フェニルエチレン基、４−クロロフェニルエチレン基、４−メチルフェニルエチレン基、４−ビフェニルエチレン基等が挙げられる。
【０１６０】
置換もしくは無置換のシクロアルキレン基としては、Ｃ5〜Ｃ7の環状アルキレン基であり、これらの環状アルキレン基にはフッ素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基を有していても良い。具体的にはシクロヘキシリデン基、シクロへキシレン基、３，３−ジメチルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。
【０１６１】
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基としては、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、トリプロピレングリコールを表わし、アルキレンエーテル基アルキレン基はヒドロキシル基、メチル基、エチル基等の置換基を有してもよい。
【０１６２】
ビニレン基は、下記式（Ｄ）又は（Ｅ）で表される基である。
【０１６３】
【化１７】
2010145891.tif 000028
【０１６４】
【化１８】
2010145891.tif 000029
【０１６５】
（式（Ｄ）中、Ｒ5は水素、アルキル基（前記（２）で定義されるアルキル基と同じ）、アリール基（前記Ａｒ3、Ａｒ4で表わされるアリール基と同じ）、ａは１または２、ｂは１〜３を表わす。）
【０１６６】
前記Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。
置換もしくは無置換のアルキレン基としては、前記Ｘのアルキレン基と同様なものが挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基としては、前記Ｘのアルキレンエーテル２価基が挙げられる。
アルキレンオキシカルボニル２価基としては、カプロラクトン２価変性基が挙げられる。
【０１６７】
また、１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物として更に好ましくは、下記一般式（Ｆ）の構造の化合物が挙げられる。
【０１６８】
【化１９】
2010145891.tif 000030
【０１６９】
（式（Ｆ）中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、または下記式（Ｇ）で表される基である。）
【０１７０】
【化２０】
2010145891.tif 000031
【０１７１】
上記一般式（Ｆ）で表わされる化合物としては、Ｒｂ、Ｒｃの置換基がメチル基、エチル基である化合物が特に好ましい。
【０１７２】
本発明で用いる上記一般式（Ａ）及び（Ｂ）特に（Ｆ）の１官能性の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、炭素−炭素間の二重結合が両側に開放されて重合するため、末端構造とはならず、連鎖重合体中に組み込まれ、３官能以上のラジカル重合性モノマーとの重合で架橋形成された重合体中では、高分子の主鎖中に存在し、かつ主鎖−主鎖間の架橋鎖中に存在（この架橋鎖には１つの高分子と他の高分子間の分子間架橋鎖と、１つの高分子内で折り畳まれた状態の主鎖のある部位と主鎖中でこれから離れた位置に重合したモノマー由来の他の部位とが架橋される分子内架橋鎖とがある）するが、主鎖中に存
在する場合であってもまた架橋鎖中に存在する場合であっても、鎖部分から懸下するトリアリールアミン構造は、窒素原子から放射状方向に配置する少なくとも３つのアリール基を有し、バルキーであるが、鎖部分に直接結合しておらず鎖部分からカルボニル基等を介して懸下しているため立体的位置取りに融通性ある状態で固定されているので、これらトリアリールアミン構造は重合体中で相互に程よく隣接する空間配置が可能であるため、分子内の構造的歪みが少なく、また、電子写真感光体の保護層とされた場合に、電荷輸送経路の断絶を比較的免れた分子内構造を採りうるものと推測される。
【０１７３】
さらに、本発明に好適に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらの構造の化合物に限定されるものではない。
【０１７４】
【表１０】
2010145891.tif 000032
【０１７５】
【表１１】
2010145891.tif 000033
【０１７６】
【表１２】
2010145891.tif 000034
【０１７７】
【表１３】
2010145891.tif 000035
【０１７８】
【表１４】
2010145891.tif 000036
【０１７９】
【表１５】
2010145891.tif 000037
【０１８０】
【表１６】
2010145891.tif 000038
【０１８１】
【表１７】
2010145891.tif 000039
【０１８２】
【表１８】
2010145891.tif 000040
【０１８３】
【表１９】
2010145891.tif 000041
【０１８４】
【表２０】
2010145891.tif 000042
【０１８５】
【表２１】
2010145891.tif 000043
【０１８６】
【表２２】
2010145891.tif 000044
【０１８７】
【表２３】
2010145891.tif 000045
【０１８８】
【表２４】
2010145891.tif 000046
【０１８９】
【表２５】
2010145891.tif 000047
【０１９０】
【表２６】
2010145891.tif 000048
【０１９１】
【表２７】
2010145891.tif 000049
【０１９２】
【表２８】
2010145891.tif 000050
【０１９３】
【表２９】
2010145891.tif 000051
【０１９４】
【表３０】
2010145891.tif 000052
【０１９５】
【表３１】
2010145891.tif 000053
【０１９６】
【表３２】
2010145891.tif 000054
【０１９７】
【表３３】
2010145891.tif 000055
【０１９８】
【表３４】
2010145891.tif 000056
【０１９９】
【表３５】
2010145891.tif 000057
【０２００】
【表３６】
2010145891.tif 000058
【０２０１】
【表３７】
2010145891.tif 000059
【０２０２】
【表３８】
2010145891.tif 000060
【０２０３】
【表３９】
2010145891.tif 000061
【０２０４】
【表４０】
2010145891.tif 000062
【０２０５】
【表４１】
2010145891.tif 000063
【０２０６】
本発明において架橋型保護層は、電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー及び電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を同時に硬化させたものであるが、これ以外に耐摩耗性の向上を目的としてフィラー微粒子を含有させることができる。
【０２０７】
フィラー微粒子含有架橋型保護層は、架橋密度が高く、架橋していないフィラー含有バインダー樹脂層に比べて、樹脂部の耐摩耗性が高く、不均一な摩耗が抑制される。これに加えて、樹脂中に分散されたフィラー微粒子は、硬化樹脂架橋マトリックスに捉えられ、該架橋マトリックスのフィラー保持力が大きいため、フィラーの脱落も防止される。従って、非常に耐摩耗性が高まると考えられる。
【０２０８】
このフィラー微粒子としては、以下のようなものが使用できる。有機性フィラー材料としては、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末、カーボン微粒子などが挙げられる。カーボン微粒子とは、炭素が主成分の構造を有する粒子のことであり、非晶質、ダイヤモンド、グラファイト、無定型炭素、フラーレン、ツェッペリン、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン等の構造を有する粒子である。これらの構造の中で水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する粒子は、機械的及び化学的耐久性が良好である。水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン膜とは、ＳＰ３軌道を有するダイヤモンド構造、ＳＰ２軌道を有するグラファイト構造、非晶質カーボン構造などの類似構造が混在した粒子のことである。ダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン微粒子は、炭素だけで構成されるのではなく、水素、酸素、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素、沃素等の他の元素が含有されていてもかまわない。
【０２０９】
無機性フィラー材料としては、銅、スズ、アルミニウム、インジウムなどの金属粉末、酸化珪素、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス等の金属酸化物、チタン酸カリウムなどの無機材料が挙げられる。特に、フィラーの硬度の点からは、この中でも無機材料を用いることが有利である。特に金属酸化物が良好であり、さらには、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンが有効に使用できる。また、コロイダルシリカやコロイダルアルミナなどの微粒子も有効に使用できる。
【０２１０】
また、フィラーの平均一次粒径は、０．０１〜０．９μｍであることが架橋型保護層の光透過率や耐摩耗性の点から好ましく、０．１μｍ〜０．５μｍがより好ましい。フィラーの平均一次粒径が０．０１μｍ以下の場合は、耐摩耗性の低下、分散性の低下等を引き起こし、０．９μｍ以上の場合には、分散液中においてフィラーの沈降性が促進されたり、トナーのフィルミングが発生したりする可能性がある。
【０２１１】
架橋型保護層中のフィラー材料濃度は、高いほど耐摩耗性が高いので良好であるが、高すぎる場合には残留電位の上昇、表面層の書き込み光透過率が低下し、副作用を生じる場合がある。従って、概ね全固形分に対して、５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下程度である。また更に、これらのフィラーは少なくとも一種の表面処理剤で表面処理させることが可能であり、そうすることがフィラーの分散性の面から好ましい。フィラーの分散性の低下は残留電位の上昇だけでなく、塗膜の透明性の低下や塗膜欠陥の発生、さらには耐摩耗性の低下をも引き起こすため、高耐久化あるいは高画質化を妨げる大きな問題に発展する可能性がある。
【０２１２】
表面処理剤としては、従来用いられている表面処理剤を使用することができるが、フィラーの絶縁性を維持できる表面処理剤が好ましい。例えば、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤、高級脂肪酸等、あるいはこれらとシランカップリング剤との混合処理や、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、シリコーン、ステアリン酸アルミニウム等、あるいはそれらの混合処理がフィラーの分散性及び画像流れ防止の点からより好ましい。シランカップリング剤による処理は、画像流れの影響が強くなるが、上記の表面処理剤とシランカップリング剤との混合処理を施すことによりその影響を抑制できる場合がある。表面処理量については、用いるフィラーの平均一次粒径によって異なるが、３〜３０重量％が適しており、５〜２０重量％がより好ましい。表面処理量がこれよりも少ないとフィラーの分散効果が得られず、また多すぎると残留電位の著しい上昇を引き起こす。これらフィラー材料は単独もしくは２種類以上混合して用いられる。
【０２１３】
本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位上昇、帯電低下等を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、単層感光層、下引き層、中間層、保護層等の少なくとも１層に、酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤及びレベリング剤を添加することが可能であり、有効である。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【０２１４】
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２１５】
（ａ）フェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコールエステル、トコフェロール類など。
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
（ｃ）ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０２１６】
各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２１７】
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【０２１８】
各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２１９】
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
（ｇ）天然ワックス
カルナウバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０２２０】
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２２１】
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４ジ−ｔ−ブチルフェニル３，５−ジ−ｔ−ブチル４ヒドロキシベンゾエートなど。
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ３’−ターシャリブチル５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾールなど。
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなど。
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２’チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【実施例】
【０２２２】
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
製造例１（特許第３５４００９９号公報に記載のジフェノール化合物）
４，４’−ジメチル−４”−〔２，２−ビス（４−メトキシフェニル）ビニル〕トリフェニルアミン１１．０ｇ（２１．５ｍｍｏｌ）とナトリウムチオエチラート１０．０ｇ（１０７ｍｍｏｌ）を乾燥処理したＤＭＦ１１０ｍｌに採り、窒素気流下で３時間加熱還流した。室温まで放冷した後、内容物を氷水にあけ、濃塩酸により中和した。これを酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗、乾燥後溶媒を留去した後、シリカゲルでカラムクロマト処理〔溶離液：トルエン／酢酸エチル（７／１ｖｏｌ．）〕し、黄色粉末１０．８７ｇを得た。これをシクロヘキサンとトルエンの混合溶媒から再結晶した後減圧加熱乾燥して黄色粉末状の４，４’−ジメチル−４”−〔２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ビニル〕トリフェニルアミン９．５９ｇ（収率９２．３％）を得た。
【０２２３】
製造例２
製造例１で得られたジフェノール２９．４ｇを脱水ピリジン１８０ｍｌに溶解し、窒素気流下トリフルオロメタンスルホン酸無水物２２．５ｍｌを０〜２℃で９０分を要して滴下した。滴下後同温度で３０分攪拌した後、さらに室温で４時間攪拌した。反応物を水に注ぎ酢酸エチルで抽出し、希塩酸ついで水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去した。これをカラムクロマト処理（シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／２）し、黄色ガラス質の下記化学式（２）で表されるジトリフラート４３．３ｇを得た。
【０２２４】
【化２１】
2010145891.tif 000064
【０２２５】
また、製造例２で得られたジトリフラートの元素分析を行い、目的とする生成物が得られたことを確認した。元素分析値を下記表１に示す。
【０２２６】
【表４２】
2010145891.tif 000065
【０２２７】
さらに、製造例２で得られたジトリフラートの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図５に示す。ＳＯ2伸縮振動は１４２７、１１４１（ｃｍ-1）のスペクトルで検出され、ＣＦ伸縮振動は１２１２、８８５（ｃｍ-1）のスペクトルで検出される。図５に示されるとおり、製造例２で得られたジトリフラートからはＳＯ2及びＣＦのいずれの伸縮振動も検出される。
【０２２８】
合成例１
製造例２で得られたジトリフラート３．７４ｇ、ジフェニルアミン１．８６ｇをトルエン２５ｍｌに溶解し、これにトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム１８３ｍｇ、Ｎ−フェニルインドール−２−イル−ジシクロヘキシルホスフィン８０ｍｇおよびナトリウム−tert−ブトキシド１．４４ｇを加え窒素気流下３時間還流した。放冷後不溶物をろ過、ろ液を乾固し、粗製物をカラムクロマト処理（シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／２）し、黄色の下記化学式（３）で表されるα−フェニルスチルベン化合物２．０ｇを得た。得られたα−フェニルスチルベン化合物の融点は１８７．５〜１８８．５℃であった。
【０２２９】
【化２２】
2010145891.tif 000066
【０２３０】
また、合成例１で得られたα−フェニルスチルベン化合物の元素分析を行い、目的とする生成物が得られたことを確認した。元素分析値を下記表２に示す。
【０２３１】
【表４３】
2010145891.tif 000067
【０２３２】
さらに、合成例１で得られたα−フェニルスチルベン化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図６に示す。
【０２３３】
合成例２
製造例２で得られたジトリフラート１．５０ｇ、下記化学式（４）で表される４−（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸１．４５ｇ（東京化成工業株式会社製）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム７２ｍｇを脱気したトルエン４０ｍｌ/エタノール１０ｍｌの混合溶媒に溶解し、これに２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液４ｍｌを加え窒素気流下２１時間還流した。放冷後内容物を水に注ぎ、トルエンで抽出、トルエン層を水洗、乾燥した後カラムクロマト処理（シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝２／３）し、黄色の下記化学式（５）で表されるα−フェニルスチルベン化合物１．２ｇを得た。得られたα−フェニルスチルベン化合物の融点はガラス質であり測定できなかった。
【０２３４】
【化２３】
2010145891.tif 000068
【０２３５】
【化２４】
2010145891.tif 000069
【０２３６】
また、合成例２で得られたα−フェニルスチルベン化合物の元素分析を行い、目的とする生成物が得られたことを確認した。元素分析値を下記表３に示す。
【０２３７】
【表４４】
2010145891.tif 000070
【０２３８】
さらに、合成例２で得られたα−フェニルスチルベン化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図７に示す。
【０２３９】
続いて、電荷発生物質（チタニルフタロシアニン結晶）の合成例について記載する。
（合成例３）
（チタニルフタロシアニン結晶の合成）
合成は、特開２００４−８３８５９号公報に準じた。即ち、１，３−ジイミノイソインドリン２９２ｇとスルホラン１８００ｇを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃〜１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行った。反応終了後、放冷した後、析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、次にメタノールで数回洗浄し、更に８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過し、次いで、洗浄液が中性になるまでイオン交換水（ｐＨ：７．０、比伝導度：１．０μＳ／ｃｍ）により水洗いを繰り返し（洗浄後のイオン交換水のｐＨ値は６．８、比伝導度は２．６μＳ／ｃｍであった）、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキ（水ペースト）を得た。
【０２４０】
得られたこのウェットケーキ（水ペースト）４０ｇをテトラヒドロフラン２００ｇに投入し、室温下でホモミキサー（ケニス、ＭＡＲＫIIｆモデル）により強烈に撹拌（２０００ｒｐｍ）し、ペーストの濃紺色の色が淡い青色に変化したら（撹拌開始後２０分）、撹拌を停止し、直ちに減圧濾過を行った。濾過装置上で得られた結晶をテトラヒドロフランで洗浄し、顔料のウェットケーキを得た。これを減圧下（５ｍｍＨｇ）、７０℃で２日間乾燥して、チタニルフタロシアニン結晶８．５ｇを得た。前記ウェットケーキの固形分濃度は、１５質量％であった。結晶変換溶媒は、前記ウェットケーキに対する質量比で３３倍の量を用いた。なお、合成例３の原材料には、ハロゲン含有化合物を使用していない。得られたチタニルフタロシアニン粉末を、下記のＸ線回折スペクトル測定条件によりＸ線回折スペクトル測定したところ、Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θが２７．２±０．２°に最大ピークと最低角７．３±０．２°にピークを有し、更に９．４±０．２°、９．６±０．２°、２４．０±０．２°に主要なピークを有し、かつ７．３°のピークと９．４°のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン粉末を得られた。その結果を図８に示す。
【０２４１】
＜Ｘ線回折スペクトル測定条件＞
Ｘ線管球：Ｃｕ
電圧：５０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
走査速度：２°／分
走査範囲：３°〜４０°
時定数：２秒
【０２４２】
チタニルフタロシアニン結晶を下記組成の処方にて、下記に示す分散方法にて分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。この分散液を分散液１とする。
【０２４３】
＜処方＞
チタニルフタロシアニン結晶                                １５部
ポリビニルブチラール（積水化学製：ＢＸ−１）              １０部
２−ブタノン                                            ２８０部
【０２４４】
＜分散方法＞
市販のビーズミル分散機に直径０．５ｍｍのＰＳＺボールを用い、ポリビニルブチラールを溶解した２−ブタノン溶液及びチタニルフタロシアニン結晶を投入し、ローター回転数１２００ｒ．ｐ．ｍ．にて３０分間分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。
【０２４５】
なお、電荷発生層の膜厚は、７８０ｎｍにおける電荷発生層の透過率が２５％になるように調整した。電荷発生層の透過率は、上記処方の電荷発生層塗工液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き付けたアルミシリンダーに感光体作製と同じ条件で塗工を行い、電荷発生層を塗工していないポリエチレンテレフタレートフィルムを比較対象とし、市販の分光光度計（島津：ＵＶ−３１００）にて、７８０ｎｍの透過率を評価した。
【０２４６】
（合成例４）
特許第３１６６２９３号公報、合成例及び実施例１に準じて、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを合成した。
即ち、１，３−ジイミノイソインドリン３０部および三塩化ガリウム９．１部をキノリン２３０部中に添加し、２００℃において３時間反応させた後、生成物を濾別した。次いで、アセトン、メタノールで洗浄し、湿ケーキを乾燥してクロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。
【０２４７】
次いで、上記クロロガリウムフタロシアニン結晶３部を濃硫酸６０部に０℃にて溶解後、この溶液を５℃の蒸留水４５０部中に滴下して結晶を析出させた。蒸留水、希アンモニア水等で洗浄後、乾燥してヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２．５部を得た。更に、上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．５部をジメチルホルムアミド１５部および直径１ｍｍのガラスビーズ３０部と共に２４時間ミリングした後、結晶を分離した。次いで、メタノールで洗浄後、乾燥して、目的のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
【０２４８】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、合成例３と同じ条件によりＸ線回折スペクトル測定したところ、Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θが７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有していた。得られたスペクトルは、特許第３１６６２９３号公報、図８に記載のＸ線回折スペクトルと同様であった。
【０２４９】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を下記組成の処方にて、下記に示す分散方法にて分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。この分散液を分散液２とする。
【０２５０】
＜処方＞
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶                      １５部
ポリビニルブチラール（積水化学製：ＢＸ−１）              １０部
２−ブタノン                                            ２８０部
【０２５１】
＜分散方法＞
市販のビーズミル分散機に直径０．５ｍｍのＰＳＺボールを用い、ポリビニルブチラールを溶解した２−ブタノン溶液及びヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を投入し、ローター回転数１２００ｒ．ｐ．ｍ．にて３０分間分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。
【０２５２】
なお、電荷発生層の膜厚は、７８０ｎｍにおける電荷発生層の透過率が２５％になるように調整した。電荷発生層の透過率は、上記処方の電荷発生層塗工液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き付けたアルミシリンダーに感光体作製と同じ条件で塗工を行い、電荷発生層を塗工していないポリエチレンテレフタレートフィルムを比較対象とし、市販の分光光度計（島津：ＵＶ−３１００）にて、７８０ｎｍの透過率を評価した。
【０２５３】
（合成例５）
特許第３１２３１８５号公報、合成例及び実施例２に準じて、クロロガリウムフタロシアニンを合成した。
即ち、１，３−ジイミノイソインドリン３０部及び三塩化ガリウム９．１部をキノリン２３０部中に添加し、２００℃において３時間反応させた後、生成物を濾過し、アセトン、メタノールで洗浄した。次いで、湿ケーキを乾燥してクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。このクロロガリウムフタロシアニン結晶を、自動乳鉢で３時間乾式磨砕し、更にクロロガリウムフタロシアニン０．５部を、１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、水／クロロベンゼン１：１０の混合溶媒２０部中で２４時間ボールミリング処理した後、瀘別し、メタノール１０部で洗浄し、乾燥してクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。
【０２５４】
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶を、合成例３と同じ条件によりＸ線回折スペクトル測定したところ、Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θが７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを有していた。得られたスペクトルは、特許第３１２３１８５号、図４に記載のＸ線回折スペクトルと同様であった。
【０２５５】
クロロガリウムフタロシアニン結晶を下記組成の処方にて、下記に示す分散方法にて分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。この分散液を分散液３とする。
【０２５６】
＜処方＞
クロロガリウムフタロシアニン結晶                          １５部
ポリビニルブチラール（積水化学製：ＢＸ−１）              １０部
２−ブタノン                                            ２８０部
【０２５７】
＜分散方法＞
市販のビーズミル分散機に直径０．５ｍｍのＰＳＺボールを用い、ポリビニルブチラールを溶解した２−ブタノン溶液及びクロロガリウムフタロシアニン結晶を投入し、ローター回転数１２００ｒ．ｐ．ｍ．にて３０分間分散を行い、電荷発生層用塗工液を作製した。
【０２５８】
なお、電荷発生層の膜厚は、７８０ｎｍにおける電荷発生層の透過率が２５％になるように調整した。電荷発生層の透過率は、上記処方の電荷発生層塗工液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き付けたアルミシリンダーに感光体作製と同じ条件で塗工を行い、電荷発生層を塗工していないポリエチレンテレフタレートフィルムを比較対象とし、市販の分光光度計（島津：ＵＶ−３１００）にて、７８０ｎｍの透過率を評価した。
【０２５９】
（アゾ顔料分散液）
（合成例６）
特公平６０−２９１０９号公報及び特許第３０２６６４５号公報に記載の方法に準じて下記非対称アゾ顔料および対称アゾ顔料を作製し、以下に示す方法で分散を行った。
【０２６０】
下記組成の処方にて、下記に示す分散方法にて分散を行い、電荷発生層用塗工液として、分散液を作製した。この分散液を分散液４とする。
【０２６１】
＜処方＞
下記化学式（６）で示される非対称アゾ顔料                    ５部
ポリビニルブチラール（積水化学製：ＢＸ−１）                ２部
シクロヘキサノン                                        ２５０部
２−ブタノン                                            １００部
【０２６２】
【化２５】
2010145891.tif 000071
【０２６３】
＜分散方法＞
ボールミル分散機に直径１０ｍｍのＰＳＺボールを用い、ポリビニルブチラールを溶解した溶媒およびアゾ顔料を全て投入し、回転数８５ｒ．ｐ．ｍ．にて７日間分散を行い、分散液を作製した。
【０２６４】
なお、電荷発生層の膜厚は、６５５ｎｍにおける電荷発生層の透過率が４０％になるように調整した。電荷発生層の透過率は、上記処方の電荷発生層塗工液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き付けたアルミシリンダーに感光体作製と同じ条件で塗工を行い、電荷発生層を塗工していないポリエチレンテレフタレートフィルムを比較対象とし、市販の分光光度計（島津：ＵＶ−３１００）にて、６５５ｎｍの透過率を評価した。
【０２６５】
（アゾ顔料分散液）
（合成例７）
下記組成の処方にて、下記に示す分散方法にて分散を行い、電荷発生層用塗工液として、分散液を作製した。この分散液を分散液５とする。
【０２６６】
＜処方＞
下記化学式（７）で示される対称アゾ顔料                      ５部
ポリビニルブチラール（積水化学製：ＢＸ−１）                ２部
シクロヘキサノン                                        ２５０部
２−ブタノン                                            １００部
【０２６７】
【化２６】
2010145891.tif 000072
【０２６８】
＜分散方法＞
ボールミル分散機に直径１０ｍｍのＰＳＺボールを用い、ポリビニルブチラールを溶解した溶媒およびアゾ顔料を全て投入し、回転数８５ｒ．ｐ．ｍ．にて７日間分散を行い、分散液を作製した。
【０２６９】
なお、電荷発生層の膜厚は、６５５ｎｍにおける電荷発生層の透過率が４０％になるように調整した。電荷発生層の透過率は、上記処方の電荷発生層塗工液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き付けたアルミシリンダーに感光体作製と同じ条件で塗工を行い、電荷発生層を塗工していないポリエチレンテレフタレートフィルムを比較対象とし、市販の分光光度計（島津：ＵＶ−３１００）にて、６５５ｎｍの透過率を評価した。
【０２７０】
＜実施例１＞
導電性支持体としての直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダーに、下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、約３．５μｍの下引き層、約０．５μｍの電荷発生層、約２３μｍの電荷輸送層を形成し、積層感光体を作製した。なお、各層の塗工後に指触乾燥を行った後、下引き層は１３０℃、電荷発生層は９５℃、電荷輸送層は１２０℃で各々２０分乾燥を行うことにより、導電性支持体／下引き層／電荷発生層／電荷輸送層からなる有機感光体（電子写真感光体）を得た。
【０２７１】
（下引き層用塗工液組成）
酸化チタン
（ＣＲ−ＥＬ、平均一次粒径：約０．２５μｍ、石原産業（株）製）：    ５０部
アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、固形分：５０％、
大日本インキ化学工業（株）製）：                                    １４部
メラミン樹脂
（Ｌ−１４５−６０、固形分：６０％、大日本インキ化学工業（株）製）：  ８部
２−ブタノン：                                                        ７０部
【０２７２】
〔電荷発生層用塗工液組成〕
分散液１
【０２７３】
〔電荷輸送層用塗工液組成〕
下記化学式（５）で示されるα−フェニルスチルベン化合物            ７部
ビスフェノールＺポリカーボネート                                １０部
（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）
テトラヒドロフラン                                              ６８部
１％シリコーンオイル（溶媒：テトラヒドロフラン）
（ＫＦ５０−１ＣＳ、信越化学工業製）                        ０．２部
【０２７４】
【化２７】
2010145891.tif 000073
【０２７５】
＜実施例２＞
実施例１の電荷発生層用塗工液を分散液２に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２７６】
＜実施例３＞
実施例１の電荷発生層用塗工液を分散液３に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２７７】
＜実施例４＞
実施例１の電荷発生層用塗工液を分散液４に変更し、電荷発生層塗工後の乾燥温度を１２５℃とした以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２７８】
＜実施例５＞
実施例４の電荷発生層用塗工液を分散液５に変更した以外は実施例４と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２７９】
＜実施例６＞
実施例１で用いた前記化学式（５）で示されるα−フェニルスチルベン化合物を、下記化学式（３）で示されるα−フェニルスチルベン化合物に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２８０】
【化２８】
2010145891.tif 000074
【０２８１】
＜実施例７＞
実施例６の電荷発生層用塗工液を分散液２に変更した以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２８２】
＜実施例８＞
実施例６の電荷発生層用塗工液を分散液３に変更した以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した
【０２８３】
＜実施例９＞
実施例６の電荷発生層用塗工液を分散液４に変更し、電荷発生層塗工後の乾燥温度を１２５℃とした以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２８４】
＜実施例１０＞
実施例９の電荷発生層用塗工液を分散液５に変更した以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製した。
【０２８５】
＜実施例１１＞
実施例１において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設けた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。尚、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥した。
【０２８６】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）          ５部
メタノール                                                ７０部
ｎ−ブタノール                                            ３０部
【０２８７】
＜実施例１２＞
実施例６において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設けた以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した。なお、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥した。
【０２８８】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）          ５部
メタノール                                                ７０部
ｎ−ブタノール                                            ３０部
【０２８９】
＜実施例１３＞
実施例４において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設けた以外は実施例４と同様に電子写真感光体を作製した。なお、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥した。
【０２９０】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）          ５部
メタノール                                                ７０部
ｎ−ブタノール                                            ３０部
【０２９１】
＜実施例１４＞
実施例９において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設けた以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製した。なお、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥した。
【０２９２】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）          ５部
メタノール                                                ７０部
ｎ−ブタノール                                            ３０部
【０２９３】
＜実施例１５＞
実施例１において、電荷輸送層上に下記組成のフィラー添加型保護層塗工液を塗布・乾燥してフィラー添加型保護層を設けた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。なお、フィラー添加型保護層の膜厚は約５μｍとした。フィラー添加型保護層は１５０℃で２０分乾燥した。
【０２９４】
〔フィラー添加型保護層塗工液組成〕
アルミナ（ＡＡ０３  平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）      ３部
ポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）        ５．５部
テトラヒドロフラン                                              ２２０部
シクロヘキサノン                                                  ８０部
下記化学式（８）で示される電荷輸送物質                              ４部
【０２９５】
【化２９】
2010145891.tif 000075
【０２９６】
＜実施例１６＞
実施例６において、電荷輸送層上に下記組成のフィラー添加型保護層塗工液を塗布・乾燥してフィラー添加型保護層を設けた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。なお、フィラー添加型保護層の膜厚は約５μｍとした。フィラー添加型保護層は１５０℃で２０分乾燥した。
【０２９７】
〔フィラー添加型保護層塗工液組成〕
アルミナ（ＡＡ０３  平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）      ３部
ポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）        ５．５部
テトラヒドロフラン                                              ２２０部
シクロヘキサノン                                                  ８０部
前記化学式（８）で示される電荷輸送物質                              ４部
【０２９８】
＜実施例１７＞
実施例４において、電荷輸送層上に下記組成のフィラー添加型保護層塗工液を塗布・乾燥してフィラー添加型保護層を設けた以外は実施例４と同様に電子写真感光体を作製した。なお、フィラー添加型保護層の膜厚は約５μｍとした。フィラー添加型保護層は１５０℃で２０分乾燥した。
【０２９９】
〔フィラー添加型保護層塗工液組成〕
アルミナ（ＡＡ０３  平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）      ３部
ポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）        ５．５部
テトラヒドロフラン                                              ２２０部
シクロヘキサノン                                                  ８０部
前記化学式（８）で示される電荷輸送物質                              ４部
【０３００】
＜実施例１８＞
実施例９において、電荷輸送層上に下記組成のフィラー添加型保護層塗工液を塗布・乾燥してフィラー添加型保護層を設けた以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製した。なお、フィラー添加型保護層の膜厚は約５μｍとした。フィラー添加型保護層は１５０℃で２０分乾燥した。
【０３０１】
〔フィラー添加型保護層塗工液組成〕
アルミナ（ＡＡ０３  平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）      ３部
ポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）        ５．５部
テトラヒドロフラン                                              ２２０部
シクロヘキサノン                                                  ８０部
前記化学式（８）で示される電荷輸送物質                              ４部
【０３０２】
＜実施例１９＞
実施例１において、電荷輸送層上に、下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、ＵＶランプ（バルブ種 Ｈバルブ）（ＦｕｓｉｏｎＵＶシステムズ社製）を用いて、ランプ出力２００Ｗ／ｃｍ、照度：４５０ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：３０秒の条件で光照射を行なうことで架橋させた。この後、１３０℃２０分の乾燥を行なうことにより、約５μｍの架橋型保護層を形成した。架橋型保護層以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３０３】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３０４】
＜実施例２０＞
実施例６において、電荷輸送層上に、下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、ＵＶランプ（バルブ種 Ｈバルブ）（ＦｕｓｉｏｎＵＶシステムズ社製）を用いて、ランプ出力２００Ｗ／ｃｍ、照度：４５０ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：３０秒の条件で光照射を行なうことで架橋させた。この後、１３０℃２０分の乾燥を行なうことにより、約５μｍの架橋型保護層を形成した。架橋型保護層以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３０５】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３０６】
＜実施例２１＞
実施例４において、電荷輸送層上に、下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、ＵＶランプ（バルブ種 Ｈバルブ）（ＦｕｓｉｏｎＵＶシステムズ社製）を用いて、ランプ出力２００Ｗ／ｃｍ、照度：４５０ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：３０秒の条件で光照射を行なうことで架橋させた。この後、１３０℃２０分の乾燥を行なうことにより、約５μｍの架橋型保護層を形成した。架橋型保護層以外は実施例４と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３０７】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３０８】
＜実施例２２＞
実施例９において、電荷輸送層上に、下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、ＵＶランプ（バルブ種 Ｈバルブ）（ＦｕｓｉｏｎＵＶシステムズ社製）を用いて、ランプ出力２００Ｗ／ｃｍ、照度：４５０ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：３０秒の条件で光照射を行なうことで架橋させた。この後、１３０℃２０分の乾燥を行なうことにより、約５μｍの架橋型保護層を形成した。架橋型保護層以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３０９】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３１０】
＜実施例２３＞
実施例１において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設け、さらに、電荷輸送層上に下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、架橋型保護層を設けた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。尚、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍ、架橋型電荷輸送層の膜厚は約５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥し、架橋型電荷輸送層は１３０℃で２０分乾燥した。なお、ＵＶ照射条件は上記実施例と同様である。
【０３１１】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）              ５部
メタノール                                                    ７０部
ｎ−ブタノール                                                ３０部
【０３１２】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３１３】
＜実施例２４＞
実施例６において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設け、さらに、電荷輸送層上に下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、架橋型保護層を設けた以外は実施例６と同様に電子写真感光体を作製した。尚、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍ、架橋型電荷輸送層の膜厚は約５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥し、架橋型電荷輸送層は１３０℃で２０分乾燥した。なお、ＵＶ照射条件は上記実施例と同様である。
【０３１４】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）              ５部
メタノール                                                    ７０部
ｎ−ブタノール                                                ３０部
【０３１５】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３１６】
＜実施例２５＞
実施例４において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設け、さらに、電荷輸送層上に下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、架橋型保護層を設けた以外は実施例４と同様に電子写真感光体を作製した。尚、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍ、架橋型電荷輸送層の膜厚は約５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥し、架橋型電荷輸送層は１３０℃で２０分乾燥した。なお、ＵＶ照射条件は上記実施例と同様である。
【０３１７】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）              ５部
メタノール                                                    ７０部
ｎ−ブタノール                                                ３０部
【０３１８】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３１９】
＜実施例２６＞
実施例９において、導電性支持体と下引き層との間に下記組成の電荷ブロッキング層塗工液を塗布・乾燥して電荷ブロッキング層を設け、さらに、電荷輸送層上に下記組成の架橋型保護層用塗工液を塗工し、架橋型保護層を設けた以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製した。尚、電荷ブロッキング層の膜厚は約０．５μｍ、架橋型電荷輸送層の膜厚は約５μｍとした。電荷ブロッキング層は１３０℃で１０分乾燥し、架橋型電荷輸送層は１３０℃で２０分乾燥した。なお、ＵＶ照射条件は上記実施例と同様である。
【０３２０】
〔電荷ブロッキング層塗工液組成〕
Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（ＦＲ１０１：鉛市製）              ５部
メタノール                                                    ７０部
ｎ−ブタノール                                                ３０部
【０３２１】
〔架橋型保護層用塗工液〕
電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー                １０部
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物                    １０部
（例示化合物Ｎｏ．５４）
光重合開始剤                                                    １部
（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製））
アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）            ２部
テトラヒドロフラン                                          １００部
【０３２２】
＜比較例１＞
実施例１のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の下記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２３】
【化３０】
2010145891.tif 000076
【０３２４】
＜比較例２＞
比較例１の電荷発生層用塗工液を分散液２に変更した以外は比較例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２５】
＜比較例３＞
比較例１の電荷発生層用塗工液を分散液３に変更した以外は比較例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２６】
＜比較例４＞
比較例１の電荷発生層用塗工液を分散液４に変更し、電荷発生層塗工後の乾燥温度を１２５℃とした以外は比較例１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２７】
＜比較例５＞
比較例４の電荷発生層用塗工液を分散液５に変更した以外は比較例４と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２８】
＜比較例６＞
実施例１５のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１５と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３２９】
＜比較例７＞
実施例１７のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１７と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３３０】
＜比較例８＞
実施例１９のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１９と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３３１】
＜比較例９＞
実施例２１のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例２１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３３２】
＜比較例１０＞
実施例１１のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１１と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３３３】
＜比較例１１＞
実施例１３のα−フェニルスチルベン化合物を特公平３−３９３０６号公報記載の前記化学式（８）で示される化合物に変更した以外は実施例１３と同様に電子写真感光体を作製した。
【０３３４】
（明部電位測定）
実施例１〜１０および比較例１〜５で作製した電子写真感光体を用いて、明部電位の測定を行った。
明部電位測定にはリコー製ｉｍａｇｉｏ  Ｎｅｏ２７０改造機を用いた。
画像露光光源として６５５ｎｍの半導体レーザーを用いたリコー製ｉｍａｇｉｏ  Ｎｅｏ２７０の現像ユニットを分解し、表面電位計に接続された電位計プローブを現像ユニットに取り付け、それに感光体をセットして、暗部電位が−７００（Ｖ）になるように印加電位を調節した後、黒ベタ画像を出力することによって、明部電位を測定した。表面電位計はＴＲＥＫ ＭＯＤＥＬ３４４を用いた。
明部電位の測定結果を下記表４５に示す。
【０３３５】
【表４５】
2010145891.tif 000077
【０３３６】
上記表４５に示す結果から、本発明に係るα−フェニルスチルベン化合物を用いた電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジは従来のα−フェニルスチルベン化合物に比べて明部電位を低減することができる。
【０３３７】
（通紙試験）
前記リコー製ｉｍａｇｉｏ  Ｎｅｏ２７０改造機を用いて３万枚の通紙試験を行った。通紙試験の前後で明部電位、磨耗量を測定し、さらに地汚れを評価した。
尚、地汚れ評価は通紙試験前と３万枚の通紙試験に、下記数式（Ａ）または（Ｂ）で表される電界強度が３４．８（Ｖ/μｍ）となるように感光体を帯電し評価を実施した。
【０３３８】
１）感光層が感光体の表面にある感光体の場合
電界強度（Ｖ／μｍ）
＝現像位置における感光体未露光部表面電位の絶対値（Ｖ）／（感光層膜厚）（μｍ）
−数式（Ａ）
【０３３９】
２）感光層の表面上に保護層が設けられた感光体の場合
電界強度（Ｖ／μｍ）
＝現像位置における感光体未露光部表面電位の絶対値（Ｖ）／（感光層膜厚＋保護層膜厚）（μｍ）
−数式（Ｂ）
【０３４０】
地汚れの評価：
白ベタ画像を出力し、地肌部に発生する黒点の数、大きさからランク評価を実施した。ランク評価は４段階にて行い、極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×で表わした。
【０３４１】
実施例１５〜２２及び比較例６〜９で作製した電子写真感光体を用いて明部電位の測定を行った結果を下記表４６に示す。
【０３４２】
【表４６】
2010145891.tif 000078
【０３４３】
この結果から、本発明の電子写真感光体は感光層上に保護層を設けた場合であっても通紙試験の前後で明部電位の上昇を低減することができる。さらに、通紙試験の前後での明部電位の変化が小さい。
【０３４４】
実施例１、４、６、９、及び１１〜２６並びに比較例１、４、１０及び１１で作製した電子写真感光体を用いて通紙試験を行った後の地汚れ評価結果、磨耗量の結果を下記表４７に示す。
【０３４５】
【表４７】
2010145891.tif 000079
【０３４６】
上記表４７に示す結果から、本発明の電子写真感光体は地汚れの余裕度が高く、耐摩耗性も高い。
また、電荷ブロッキング層を設けることで、地汚れの余裕度が増す。さらに、保護層を設けることで耐摩耗性が向上する。またさらに両者を組み合わせることで、地汚れの余裕度向上と耐磨耗性向上が両立する。比較例のα−フェニルスチルベン化合物でも、電荷ブロッキング層、保護層を設けることで地汚れの余裕度が増し、耐摩耗性も向上するが、明部電位の上昇が大きい。
【０３４７】
本例の結果から本発明に係るα−フェニルスチルベン化合物を用いた電子写真感光体、並びにそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジは従来のα−フェニルスチルベン化合物に比べて明部電位を低減することができ、非常に有用であるといえる。さらに、電荷ブロッキング層や保護層を設けても明部電位の上昇が小さいため、電子写真感光体の長寿命化にも対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【０３４８】
【図１】本発明に係る電子写真感光体における単層感光層を有する実施の形態の層構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る電子写真感光体における単層感光層を有する実施の形態の層構成のその他の例を示す概略図である。
【図３】本発明に係る電子写真感光体における積層型感光層を有する実施の形態の層構成の一例を示す概略図である。
【図４】本発明に係る電子写真感光体における積層型感光層を有する実施の形態の層構成のその他の例を示す概略図である。
【図５】製造例２で得られたジトリフラートの赤外吸収スペクトル図である。
【図６】合成例１で得られたα−フェニルスチルベン化合物の赤外吸収スペクトル図である。
【図７】合成例２で得られたα−フェニルスチルベン化合物の赤外吸収スペクトル図である。
【図８】実施例で合成したチタニルフタロシアニンのＸ線回折スペクトルの図である。
【図１】
2010145891.tif 000087
【図２】
2010145891.tif 000088
【図３】
2010145891.tif 000089
【図４】
2010145891.tif 000090
【図５】
2010145891.tif 000091
【図６】
2010145891.tif 000092
【図７】
2010145891.tif 000093
【図８】
2010145891.tif 000094