(57)【要約】【課題】非表示領域に形成したダミー画素電極に共通電位を印加した場合でも、共通電位の変化がビデオ信号線などの駆動回路用高速信号線に影響を及ぼすことのない電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の非表示領域１０ｂには、共通電極２１と同電位が印加されたダミー画素電極９ｂと、ダミー画素電極９ｂに下層側で平面的に重なるビデオ信号線７５とが形成されているが、ビデオ信号線７５とダミー画素電極９ｂとの間には、グランド電位が印加されたシールド電極６ｃが介在している。このため、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂに印加される共通電位ＬＣＣＯＭの極性が反転するなど、共通電位ＬＣＣＯＭが変化するような場合でも、かかる共通電位ＬＣＣＯＭの変化がビデオ信号線７５に影響を及ぼさない。【選択図】図３
2010145454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極が設けられた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記対向
基板と前記素子基板とを貼り合せるシール材と、該シール材で囲まれた領域内で前記素子
基板と前記対向基板とによって保持された液晶層と、前記素子基板あるいは前記対向基板
に設けられた共通電極と、を有し、前記共通電極に印加される電位が設定期間毎に変化す
る電気光学装置であって、
前記素子基板において前記画素電極が複数配置された画像表示領域より外周側の非表示
領域には、
前記画素電極と同一の導電膜により形成され、前記共通電極と同電位が印加されたダミ
ー画素電極と、
該ダミー画素電極より下層側に設けられた駆動回路用高速信号線と、
少なくとも前記駆動回路用高速信号線に対して上層側で平面的に重なるように設けられ
、定電位が印加されたシールド電極と、
を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記シールド電極は、前記定電位としてグランド電位が印加されていることを特徴とす
る請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動回路用高速信号線は、駆動回路のサンプルホールド回路に画像データをシリア
ル転送する複数本のビデオ信号線であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気
光学装置。
【請求項４】
前記ダミー電極は、前記シール材より内側に設けられ、
前記駆動回路用高速信号線は、前記シール材より外側の周辺領域に設けられ、
前記シールド電極は、当該周辺領域に前記ダミー画素電極と同一の平面パターンをもっ
て当該ダミー画素電極と同一の導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１乃
至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記駆動回路用高速信号線は、前記ダミー画素電極と平面的に重なる領域に設けられ、
前記シールド電極は、前記駆動回路用高速信号線と前記ダミー画素電極との間に介在し
ていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記駆動回路用高速信号線および前記ダミー画素電極は、前記シール材より内側に設け
られていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極は、前記対向基板側から入射した光を反射する反射性画素電極であること
を特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置された素子基板と対向基板との間に液晶層が保持された電気光学装
置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などといった電気光学装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の
表示装置として広く採用されている。かかる電気光学装置は、画素電極が設けられた素子
基板と、画素電極に対向する共通電極が設けられた対向基板と、対向基板と素子基板とを
貼り合せるシール材と、シール材で囲まれた領域内で素子基板と対向基板とによって保持
された液晶層とを有している。
【０００３】
かかる電気光学装置のうち、反射型液晶装置では、画素電極が反射性の画素電極として
構成されている。このため、反射型液晶装置では特に、液晶の配向の乱れや光学的な散乱
を防止することを目的に、画素電極を覆うように絶縁膜を形成した後、絶縁膜および画素
電極の表面を研磨し、画素電極の表面と、隣接する画素電極で挟まれた領域とを連続した
平坦面とした構成が採用される。
【０００４】
かかる平坦化を行なう際、画像表示領域を外周側で囲むように、表示に直接寄与しない
ダミー画素電極を形成しておき、画像表示領域とその外側の非表示領域との間に段差が発
生することを防止することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
このような構成を採用した際、ダミー画素電極に共通電極と同電位を供給しておけば、
ダミー画素電極によって、非表示領域に位置する液晶の配向状態も制御することができる
ので、非表示領域からの光の漏れなどを防止することができる。
【特許文献１】特開２００６−２６７９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ダミー画素電極と平面的に重なる領域にビデオ信号線などの駆動回路用
高速信号線が通っている場合に、共通電極に印加される共通電位の極性を反転させる反転
駆動方式を採用すると、ダミー画素電極の電位変化が駆動回路用高速信号線に供給された
信号波形を劣化させるという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、非表示領域に形成したダミー画素電極に共通
電位を印加した場合でも、共通電位の変化がビデオ信号線などの駆動回路用高速信号線に
影響を及ぼすことのない電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供
することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画素電極が設けられた素子
基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記対向基板と前記素子基板とを貼り
合せるシール材と、該シール材で囲まれた領域内で前記素子基板と前記対向基板とによっ
て保持された液晶層と、前記素子基板あるいは前記対向基板に設けられた共通電極と、を
有し、前記共通電極に印加される電位が設定期間毎に変化する電気光学装置であって、前
記素子基板において前記画素電極が複数配置された画像表示領域より外周側の非表示領域
には、前記画素電極と同一の導電膜により形成され、前記共通電極と同電位が印加された
ダミー画素電極と、該ダミー画素電極より下層側に設けられた駆動回路用高速信号線と、
少なくとも前記駆動回路用高速信号線に対して上層側で平面的に重なるように設けられ、
定電位が印加されたシールド電極と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置において、素子基板の非表示領域には、共通電極と同電位が
印加されたダミー画素電極が形成され、かかるダミー画素電極より下層側には駆動回路用
高速信号線が形成されているが、駆動回路用高速信号線に対して上層側で平面的に重なる
ようにシールド電極が形成されている。このため、画素電極およびダミー画素電極に印加
される共通電位の極性が反転するなど、共通電位が変化するような場合でも、かかる共通
電位の変化が駆動回路用高速信号線に影響を及ぼさない。それ故、駆動回路用高速信号線
によって転送される信号の波形が劣化してしまうことを確実に防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記シールド電極は、例えば、前記定電位としてグランド電位が印加
されている構成を採用することができる。グランド電位であれば、素子基板上に既に存在
するため、新たな電位を生成する必要がない。
【００１１】
本発明において、前記駆動回路用高速信号線は、例えば、駆動回路のサンプルホールド
回路に画像データをシリアル転送する複数本のビデオ信号線である。かかるビデオ信号線
は、画像データが高速でシリアル転送されるため、信号の劣化が発生しやすいが、本発明
によれば、信号の劣化を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記ダミー画素電極は、前記シール材より内側に設けられ、前記駆動
回路用高速信号線は、前記シール材より外側の周辺領域に設けられ、前記シールド電極は
、当該周辺領域に前記ダミー画素電極と同一の平面パターンをもって当該ダミー画素電極
と同一の導電膜により形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極と
同層の電極が広い領域にわたって形成されているため、画像表示領域をその周辺領域も含
めて確実に平坦化することができる。
【００１３】
本発明において、前記駆動回路用高速信号線は前記ダミー画素電極と平面的に重なる領
域に設けられ、前記シールド電極は、前記駆動回路用高速信号線と前記ダミー画素電極と
の間に介在している構成を採用してもよい。かかる構成によれば、共通電位が印加された
ダミー画素電極に対して駆動回路用高速信号線が重なっている場合でも、共通電位の変化
が駆動回路用高速信号線に影響を及ぼさない。それ故、駆動回路用高速信号線によって転
送される信号の波形が劣化してしまうことを確実に防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記駆動回路用高速信号線および前記ダミー画素電極は、シール材よ
り内側に設けられていることが好ましい。このように構成すると、シール材より外側の周
辺領域を狭めることができる。
【００１５】
本発明は、前記画素電極が、前記対向基板側から入射した光を反射する反射性画素電極
である場合に適用すると効果が大きい。反射型液晶装置では特に、液晶の配向の乱れや光
学的な散乱を防止することを目的に、画素電極を覆うように絶縁膜を形成した後、絶縁膜
および画素電極の表面を研磨し、画素電極の表面と、隣接する画素電極で挟まれた領域と
を連続した平坦面とした構成が採用される。かかる平坦化を行なう際、画像表示領域を外
周側で囲むように、表示に直接寄与しないダミー画素電極を形成しておけば、画像表示領
域とその外側の非表示領域との間に段差が発生することを防止することができる。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ、投射型表示装
置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電
気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変
調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である反射型の液晶装置を説
明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、カラーフィ
ルタや配向膜などの図示は省略してある。また、電界効果型トランジスタでは、印加する
電圧の極性によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、
画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置（反射型の液晶装置）の電気的構成を示す説明
図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置全体の電気的構成を示
すブロック図、および画素の構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１に示す電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、反射型の液晶パネル１０
０ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリ
クス状に配列された矩形の画像表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおい
て、後述する素子基板１０では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよ
び複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａ
が構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスタとしての電界効果
型トランジスタ３０、および後述する反射性の画素電極９ａが形成されている。電界効果
型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジ
スタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のド
レインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外側の非表示領域１０ｂには走査線駆
動回路６０およびデータ線駆動回路７０が構成されている。データ線駆動回路７０は各デ
ータ線６ａの一端に電気的に接続しており、走査線駆動回路６０は、各走査線３ａに電気
的に接続している。走査線駆動回路６０は、シフトレジスタ６１を備えており、シフトレ
ジスタ６１に入力されたクロック信号ＣＬＹ、クロック反転信号ＣＢＹ、およびスタート
パルスＳＰＹに基づいて走査信号を生成し、各走査線３ａに順次供給する。データ線駆動
回路７０は、シフトレジスタ７１、サンプルホールド回路７４、および複数本のビデオ信
号線７５を備えており、サンプルホールド回路７４は、第１ラッチ回路７２および第２ラ
ッチ回路７３を備えている。かかるデータ線駆動回路７０は、シフトレジスタ７１に入力
されたクロック信号ＣＬＸ、クロック反転信号ＣＢＸ、およびスタートパルスＳＰＸに基
づいて、ビデオ信号線７５から供給されるビデオ信号ＶＩＤ１〜６を所定のタイミングで
第１ラッチ回路７２に保持した後、第２ラッチ回路７３に転送し、ラッチ転送信号ＬＡＴ
に基づいて、各データ線６ａに画像信号が出力する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と
液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶
容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量
４０が付加されている。本形態では、保持容量４０を構成するために、複数の画素１００
ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成され、かかる容量線３ｂには電
位ＶＣＯＭが印加されている。なお、電位ＶＣＯＭとしては、後述する共通電極に印加さ
れる共通電位ＬＣＣＯＭと同一電位を用いることができる。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の平面的構成の説明図であり、図２（ａ
）、（ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素
と共に対向基板の側から見たときの平面図、および要部の平面図である。図３は、図２（
ａ）のＨ１−Ｈ１′断面図である。
【００２３】
図２および図３に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、素子基
板１０と対向基板２０とが所定の間隙を介してシール材１０７によって貼り合わされてお
り、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。
【００２４】
素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７で囲まれた領域内には液晶
層５０が保持されている。シール材１０７は、部分的な途切れ部分によって液晶注入口が
形成され、かかる液晶注入口は、シール材１０７の内側に液晶を注入した後、封止材１０
８により封止されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着
剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビー
ズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板１０の基体は透光性基板
１０ｄであり、対向基板２０の基体も、同様な透光性基板２０ｄである。
【００２５】
以下、素子基板１０の各領域を、図３に示すように、
画像表示領域１０ａ・・画素電極９ａの配列領域
非表示領域１０ｂ・・・画像表示領域１０ａより外側の領域
周辺領域１０ｃ・・・・シール材１０７より外側の領域
と定義する。
【００２６】
本形態において、素子基板１０は対向基板２０より大きく、対向基板２０の端部から張
り出した張り出し領域１０ｅを備えている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａ
の外側（非表示領域１０ｂ）には、データ線駆動回路７０、走査線駆動回路６０、および
複数の端子１０２が形成されている。
【００２７】
本形態において、データ線駆動回路７０は、非表示領域１０ｂのうち、画像表示領域１
０ａにおいて張り出し領域１０ｅが位置する側で隣接する領域に形成され、その一部はシ
ール材１０７より外側の周辺領域１０ｃまで延在している。端子１０２は、周辺領域１０
ｃにおいて、素子基板１０の縁に沿って配列されている。走査線駆動回路６０は、非表示
領域１０ｂのうち、画像表示領域１０ａにおいてデータ線駆動回路７０が位置する辺に隣
接する辺に沿うように形成され、シール材１０７より内側に位置している。また、対向基
板２０のコーナー部においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとる
ための上下導通材１０９が形成されている。
【００２８】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金などといっ
たアルミニウム系金属材料や、銀や銀合金などといった銀系金属材料からなる反射性の画
素電極９ａがマトリクス状に形成されている。本形態では、画素電極９ａには、上記の金
属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系金属材料が
用いられている。対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透光性の共
通電極２１が形成されている。
【００２９】
かかる反射型の電気光学装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機等といった
電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラ
ーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には
、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブ
ラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配
置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ
）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の
各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解
された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成さ
れない。
【００３０】
（各画素の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素の説明図であり、図４（ａ）、（
ｂ）は各々、相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学
装置１００を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）において、データ線６ａお
よびドレイン電極６ｂは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半
導体層１ａは短い点線、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。
【００３１】
図４に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板１
０ｄにおいて対向基板２０と対向する面１０ｘに酸化シリコン膜等からなる透光性の下地
絶縁層１５が形成され、下地絶縁層１５の上層側において、画素電極９ａと平面的に重な
る位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トラ
ンジスタ３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体
層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低
濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えて
いる。半導体層１ａの表面側には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる透光性のゲ
ート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面には、金属膜やドープトシリコン
膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａにおける高濃度ド
レイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持
容量４０が形成されている。
【００３２】
本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造
を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的
に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化
により形成された酸化シリコン膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン
膜や窒化シリコン膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層２には、熱酸化により
形成された酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜との多層膜を用いることもできる。さらに、素子基板１０では、基体として、単結晶
シリコン基板を用いることができる。
【００３３】
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からな
る層間絶縁膜７１、７２が形成されている。層間絶縁膜７１の表面には、データ線６ａお
よびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタ
クトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは
、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅ
に電気的に接続している。
【００３４】
層間絶縁膜７２の表面には、反射性の画素電極９ａが島状に形成されており、画素電極
９ａは、層間絶縁膜７２に形成されたコンタクトホール７２ｂを介してドレイン電極６ｂ
に電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コン
タクトホール７２ｂの内部は、プラグ８ａと称せられる導電膜によって埋められ、画素電
極９ａは、プラグ８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる構成
によれば、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７２ｂに起因する凹凸が発生しないと
いう利点がある。また、プラグ８ａの表面と層間絶縁膜７２の表面とは、連続した平坦面
を形成しており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。かかるプラグ８ａを
形成するには、層間絶縁膜７２にコンタクトホール７２ｂを形成した後、プラグ用の導電
膜を形成し、しかる後に導電膜を研磨する。かかる研磨では、化学機械研磨（Chemical M
echanical Polishing）が用いられる。
【００３５】
素子基板１０において、隣接する画素電極９ａの間には、画素電極９ａの厚さ寸法に相
当する深さ寸法の凹部９ｓが形成され、かかる凹部９ｓは、凹部充填用絶縁膜７８ａで埋
められている。凹部充填用絶縁膜７８ａは、凹部９ｓのみに形成されており、画素電極９
ａと平面的に重なる領域には形成されていない。また、凹部充填用絶縁膜７８ａの厚さ寸
法は、凹部９ｓの深さ寸法と等しい。このため、凹部充填用絶縁膜７８ａの表面と画素電
極９ａの表面とは、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に配向膜１６が形成
されている。従って、配向膜１６をラビング処理されたポリイミド膜などにより形成した
場合、ラビング処理を適正に行なうことができる。また、凹部充填用絶縁膜７８ａによっ
て、隣接する画素電極９ａの間に横電界が発生するのを防止することができる。
【００３６】
対向基板２０では、透光性基板２０ｄにおいて素子基板１０と対向する面全体にＩＴＯ
膜からなる共通電極２１が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が形成されてい
る。
【００３７】
このように構成した素子基板１０と対向基板２０は、画素電極９ａと共通電極２１とが
対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれ
た空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極
９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成され
た配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、一種または数種のネテ
ィック液晶を混合したもの等からなる。
【００３８】
かかる反射型の電気光学装置１００においては、走査線３ａによって選択された画素１
００ａでは、データ線６ａから供給された画像信号が電界効果型トランジスタ３０を介し
て書き込まれ、画素電極９ａと共通電極２１との間に発生した電場により液晶層５０の配
向が制御される。従って、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再
び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果
、画像が表示される。
【００３９】
本形態の電気光学装置１００は、ノーマリブラック方式であり、液晶層５０に電界が加
わっていない画素１００ａからは表示光が出射されない。また、本形態の電気光学装置１
００は、１フレーム毎に液晶層５０に印加される電場が反転するフレーム反転方式が採用
されている。かかるフレーム反転方式を採用するにあたって、共通電極２１に印加される
共通電位ＬＣＣＯＭは、１フレーム毎に極性が反転する。
【００４０】
（ダミー画素電極およびシールド電極の構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００に形成した各種電極（画素電極、ダミー
画素電極、およびシールド電極）の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、
画素電極の平面図、ダミー画素電極の平面図、およびシールド電極の平面図である。
【００４１】
図４に参照して説明した凹部充填用絶縁膜７８ａによって、隣接する画素電極９ａの間
の凹部９ｓを埋めるにあたっては、画素電極９ａを形成した後、絶縁膜を形成し、しかる
後に、画素電極９ａが露出するまで絶縁膜を研磨する。かかる研磨では化学機械研磨が用
いられる。化学機械研磨では、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる
研磨布（パッド）と素子基板１０との間にスラリーを供給しながら、研磨布を素子基板１
０上で相対回転させて研磨を行なう。このため、画像表示領域１０ａの周辺部分について
も、画像表示領域１０ａと同様な表面状態にあることが好ましい。そこで、本形態では、
図２および図３に示すように、非表示領域１０ｂには、画素電極９ａが配列された画像表
示領域１０ａとシール材１０７で挟まれた領域にダミー画素電極９ｂを形成しておく。こ
こで、ダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成され、画素電極９ａと同一の導電
膜からなる。このため、本形態では、画素電極９ａが配列された画像表示領域１０ａの外
周縁には、画素電極９ａの有無に起因する段差が発生せず、画像表示領域１０ａ全体を好
適に平坦化することができる。
【００４２】
ここで、画素電極９ａは、図５（ａ）に示すように、各々が独立した島状に形成される
。これに対して、ダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同様な矩形領域９１ｂと、隣接
する矩形領域９１ｂ同士を接続するブリッジ部９２ｂとを備えており、ダミー画素電極９
ｂは互いに繋がっている。そこで、本形態では、ダミー画素電極９ｂに対しては、共通電
極２１と同様、共通電位ＬＣＣＯＭが印加されている。このため、液晶層５０においてダ
ミー画素電極９ｂと平面的に重なる部分も液晶分子の配向が制御される。ここで、電気光
学装置１００はノーマリブラックモードで構成されているため、液晶層５０においてダミ
ー画素電極９ｂと平面的に重なる部分からは光が出射されないため、画像表示領域１０ａ
の外側からの光の漏れが防止される。
【００４３】
また、本形態では、張り出し領域１０ｅにおいて、シール材１０７と端子１０２の配列
領域とによって挟まれた領域にシールド電極９ｃが形成されている。かかるシールド電極
９ｃは、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂと同時形成された電極であり、画素電極
９ａおよびダミー画素電極９ｂと同一の導電膜からなる。また、シールド電極９ｃは、図
５（ｃ）に示すように、画素電極９ａや矩形領域９１ｂと同様な矩形領域９１ｃと、隣接
する矩形領域９１ｃ同士を接続するブリッジ部９２ｃとを備えており、ダミー画素電極９
ｂと同一の平面パターンを備えている。このため、本形態では、画像表示領域１０ａの外
周側の広い領域にわたって、画素電極９ａの有無に起因する段差が発生せず、画像表示領
域１０ａ全体を好適に平坦化することができる。
【００４４】
ここで、シールド電極９ｃに対して下層側で平面的に重なる領域には、データ線駆動回
路７０のサンプルホールド回路７４にビデオ信号を供給するビデオ信号線７５が通ってお
り、かかるビデオ信号線７５は、画像データがシリアル転送される高速信号線である。
【００４５】
そこで、本形態では、図２（ｂ）および図３に示すように、シール材１０７と平面的に
重なる領域には、ダミー画素電極９ｂとシールド電極９ｃとを絶縁分離するスリット９５
が形成されており、シールド電極９ｃに対しては定電位が印加されている。本形態では、
定電位として、グランド電位ＧＮＤがシールド電極９ｃに印加されている。このため、シ
ールド電極９ｃは、複数の端子１０２のうち、グランド端子１０２ａに電気的に接続され
ている。
【００４６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の非表示領域１
０ｂには、共通電極２１と同電位が印加されたダミー画素電極９ｂと、ビデオ信号線７５
（駆動回路用高速信号線）が形成されているが、ビデオ信号線７５は、ダミー画素電極９
ｂと平面的に重なる位置からずれた位置に形成されている。このため、画素電極９ａおよ
びダミー画素電極９ｂに印加される共通電位ＬＣＣＯＭの極性が反転するなど、共通電位
ＬＣＣＯＭが変化するような場合でも、かかる共通電位ＬＣＣＯＭの変化がビデオ信号線
７５に影響を及ぼさない。それ故、ビデオ信号線７５によって転送される信号の波形が劣
化してしまうことを確実に防止することができる。
【００４７】
また、非表示領域１０ｂには、シール材１０７より外側の周辺領域１０ｃにダミー画素
電極９ｂと同時形成された電極がビデオ信号線７５と平面的に重なる位置に形成されてい
るが、かかる電極は、グランド電位が印加されたシールド電極９ｃである。このため、共
通電位ＬＣＣＯＭの変化がビデオ信号線７５に影響を及ぼさないとともに、外部からの電
磁波ノイズがビデオ信号線７５に影響を及ぼさない。それ故、ビデオ信号線７５によって
転送される信号の波形が劣化してしまうことを確実に防止することができる。さらに、ビ
デオ信号線７５から外部への電磁波ノイズの放出をシールド電極９ｃで防止することもで
きる。
【００４８】
また、本形態において、シールド電極９ｃには、定電位としてグランド電位が印加され
ており、かかるグランド電位であれば、素子基板１０上に既に存在する。このため、シー
ルド電極９ｃに印加するための定電位を追加して生成する必要がない。
【００４９】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の平面的構成の説明図であり
、図６（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐを各構成要素
と共に対向基板２０の側から見たときの平面図、および要部の平面図である。図７は、図
６（ａ）のＨ２−Ｈ２′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と
同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５０】
図６および図７に示す電気光学装置も、実施の形態１と同様、反射型の液晶装置であり
、素子基板１０において、画像表示領域１０ａには複数の画素電極９ａがマトリクス状に
配置されている。また、素子基板１０において、非表示領域１０ｂには走査線駆動回路６
０およびデータ線駆動回路７０が構成されており、本形態でも、実施の形態１と同様、デ
ータ線駆動回路７０はビデオ信号線７５（駆動回路用高速信号線）を備えている。
【００５１】
本形態でも、実施の形態１と同様、電気光学装置１００は、ノーマリブラック方式であ
り、液晶層５０に電界が加わっていない画素１００ａからは表示光が出射されない。また
、本形態の電気光学装置１００は、１フレーム毎に液晶層５０に印加される電場が反転す
るフレーム反転方式が採用されている。かかるフレーム反転方式を採用するにあたって、
共通電極２１に印加される共通電位ＬＣＣＯＭは、１フレーム毎に極性が反転する。
【００５２】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、データ線駆動回路
７０は、非表示領域１０ｂに構成されている。但し、本形態では、実施の形態１と違って
、データ線駆動回路７０は、シール材１０７の内側領域に構成されている。
【００５３】
また、本形態でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａの表面側に形成した絶縁膜を研
磨して平坦化を行なう。このため、画像表示領域１０ａの周辺部分についても、画像表示
領域１０ａと同様な表面状態とすることを目的に、画像表示領域１０ａとシール材１０７
とに挟まれた領域にはダミー画素電極９ｂが形成されており、かかるダミー画素電極９ｂ
は、画素電極９ａと同時形成されてなる。ここで、画素電極９ａは、図５（ａ）、（ｂ）
を参照して説明したように、各々が独立した島状に形成され、ダミー画素電極９ｂは、画
素電極９ａと同様な矩形領域９１ｂと、隣接する矩形領域９１ｂ同士を接続するブリッジ
部９２ｂとを備えている。
【００５４】
本形態では、ダミー画素電極９ｂに対して下層側で平面的に重なる領域にはビデオ信号
線７５が通っており、かかるビデオ信号線７５は、画像データがシリアル転送される高速
信号線である。そこで、本形態では、ビデオ信号線７５およびダミー画素電極９ｂと平面
的に重なる領域には、ビデオ信号線７５とダミー画素電極９ｂとの間に介在するようにシ
ールド電極６ｃが形成されている。本形態では、ビデオ信号線７５は、下地絶縁膜１５と
層間絶縁膜７１との間でゲート線３ａ（図４参照）と同一の導電膜からなり、画素電極９
ａおよびダミー画素電極９ｂは、層間絶縁膜７２の上層に形成されていることから、シー
ルド電極６ｃについては、層間絶縁膜７１と層間絶縁膜７２との間でデータ線６ａ（図４
参照）と同一の導電膜により形成されている。
【００５５】
また、シールド電極６ｃに対しては定電位が印加され、かかる定電位として、本形態で
は、グランド電位ＧＮＤがシールド電極６ｃに印加されている。このため、シールド電極
６ｃは、複数の端子１０２のうち、グランド端子１０２ａに電気的に接続されている。
【００５６】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の非表示領域１
０ｂには、共通電極２１と同電位が印加されたダミー画素電極９ｂに対して、下層側で平
面的に重なる領域にビデオ信号線７５（駆動回路用高速信号線）が形成されているが、ビ
デオ信号線７５とダミー画素電極９ｂとの間には、グランド電位が印加されたシールド電
極６ｃが介在している。このため、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂに印加される
共通電位ＬＣＣＯＭの極性が反転するなど、共通電位ＬＣＣＯＭが変化するような場合で
も、かかる共通電位ＬＣＣＯＭの変化がビデオ信号線７５に影響を及ぼさない。ビデオ信
号線７５によって転送される信号の波形が劣化してしまうことを確実に防止することがで
きる。
【００５７】
また、本形態では、ビデオ信号線７５、ダミー画素電極９ｂ、およびデータ線駆動回路
７０全体がシール材１０７より内側に設けられている。このため、シール材１０７より外
側の周辺領域１０ｃを狭めることができる。
【００５８】
また、本形態では、ビデオ信号線７５とダミー画素電極９ｂとの間にシールド電極６ｃ
を形成するにあたって、データ線６ａと同時形成された導電膜を利用している。このため
、シールド電極６ｃを追加する場合でも、新たな導電層を追加する必要がないので、生産
性に優れているという利点がある。
【００５９】
さらに、本形態において、シールド電極６ｃには、定電位としてグランド電位が印加さ
れており、かかるグランド電位であれば、素子基板１０上に既に存在する。このため、シ
ールド電極６ｃに印加するための定電位を追加して生成する必要がない。
【００６０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、反射型の液晶装置に本発明を適用したが、透過型の液晶装
置に対して、上記のシールド電極６ｃ、９ｃを設けた構成を採用してもよい。
【００６１】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型の電気光学装置１００は、図８（ａ）に示す投射型表示装置（液晶
プロジェクタ／電子機器）や、図８（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることが
できる。
【００６２】
図８（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って光源部８１０、
インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００
を有している。また、投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装
置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビー
ムスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射
された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光
が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイック
ミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚
の電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（電気光学装置１００）を備えている。か
かる投射型表示装置１０００は、３つの電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて
変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４
０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０に投射する
。
【００６３】
次に、図８（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロー
ルボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００〈直視型表示装置〉
を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表
示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal D
igital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表
示ユニットとしての電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作する
と、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００６４】
また、本発明を適用した電気光学装置１００が搭載される電子機器としては、図８（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチル
カメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。
【００６５】
さらに、電気光学装置１００を透過型に構成した場合も、透過型の投射型表示装置のラ
イトバルブや、直視型の表示装置に本発明を適用した電気光学装置１００を用いることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明を適用した電気光学装置（反射型の液晶装置）の電気的構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の平面的構成の説明図である。
【図３】図２（ａ）のＨ１−Ｈ１′断面図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の画素の説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置に形成した各種電極（画素電極、ダミー画素電極、およびシールド電極）の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の平面的構成の説明図である。
【図７】図６（ａ）のＨ２−Ｈ２′断面図である。
【図８】本発明を適用した反射型の電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
６ｃ、９ｃ・・シールド電極、９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、１０・・素
子基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、３０・・電界効果型トランジスタ（画素
トランジスタ）、５０・・液晶層、６０・・走査線駆動回路、７０・・データ線駆動回路
、７５・・ビデオ信号線（高速信号線）、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素
【図１】
2010145454.tif 000003
【図３】
2010145454.tif 000004
【図４】
2010145454.tif 000005
【図５】
2010145454.tif 000006
【図６】
2010145454.tif 000007
【図７】
2010145454.tif 000008
【図８】
2010145454.tif 000009
【図２】
2010145454.tif 000010