(57)【要約】【課題】投影システムと自身に対向する対向表面の間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造を開示する。【解決手段】流体ハンドリング構造の下面の第一部分は、使用時に対向表面からの距離が下面の第二部分とは異なる。さらに、第一部分は、自身内に画定され、対向表面に向かって液体を供給するように構成された供給開口、及び流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成された抽出開口を有する。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体ハンドリング構造であって、
投影システムと前記流体ハンドリング構造に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、前記流体ハンドリング構造の下面の第一部分が、使用時に前記対向表面から前記下面の第二部分とは異なる距離にあり、前記第一部分の中に、
前記対向表面に向かって液体を供給する供給開口、及び
前記流体ハンドリング構造と前記対向表面との間から流体を除去する抽出開口が形成されている、流体ハンドリング構造。
【請求項２】
使用時に、前記第二部分が前記第一部分よりも前記対向表面から遠い、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項３】
前記第二部分が前記第一部分とは異なる平面にある、請求項１又は請求項２に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項４】
前記第二部分が、前記投影システムの光軸に対して前記供給開口の半径方向内側にある、請求項１から３のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項５】
前記供給開口が、前記投影システムの前記光軸に対して前記抽出開口の半径方向内側にある、請求項１から４のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項６】
前記下面の前記第一部分が１つの平面にある、請求項１から５のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項７】
前記第一部分が、前記抽出開口と供給開口の間で実質的にフィーチャがない、請求項１から６のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項８】
前記第一部分と第二部分の間に、前記投影システムの前記光軸に対する下面の平面角度及び／又は前記対向表面から前記下面までの距離に段状変化がある、請求項１から７のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項９】
前記第１部分から前記第二部分の間に、前記投影システムの前記光軸に対する前記下面の前記平面角度及び／又は前記対向表面から前記下面までの距離に連続的な角度変化の部分がある、請求項１から８のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１０】
前記対向表面から前記第一部分までの前記距離と前記対向表面から前記第二部分までの前記距離の差が少なくとも１０μｍ、望ましくは２０μｍ、又はさらに望ましくは少なくとも５０μｍである、請求項１から９のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１１】
前記対向表面から前記第一部分までの前記距離と前記対向表面から前記第二部分までの前記距離の差が１００〜１０００μｍの範囲、望ましくは３００〜５００μｍの範囲から選択される、請求項１から１０のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１２】
前記対向表面から前記第一部分までの前記距離と前記対向表面から前記第二部分までの前記距離の差が少なくとも２の係数、望ましくは少なくとも３の係数である、請求項１から１１のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１３】
前記第一部分が、前記投影システムの前記光軸に対して前記半径方向に最大１０ｍｍの長さであり、望ましくは前記半径方向に最大６ｍｍの長さである、請求項１から１２のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１４】
前記対向表面が実質的に平坦な表面であり、前記下面の前記第一部分に実質的に平行である、請求項１から１３のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１５】
流体ハンドリング構造であって、
投影システムと前記流体ハンドリング構造に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込め、前記流体ハンドリング構造の下面に、前記対向表面に向かって液体を供給する供給開口、及び前記流体ハンドリング構造と前記対向表面の間から流体を除去する抽出開口が形成され、前記下面が、前記投影システムの前記光軸に対して前記半径方向に最大１０ｍｍの長さである、流体ハンドリング構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液を含む。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、液浸システム構成の一形態である。この構成は、スキャン露光中に大きい塊の液体を加速すべきことが必要である。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている別の構成は、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。このタイプの構成を局所液浸システム構成と呼ぶことができる。
【０００６】
[0006]  ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、オールウェット構成と呼ばれ、液浸液が閉じ込められていない別のタイプの液浸システム構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【０００７】
[0007]  それぞれ参照によって全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【０００８】
[0008]  液浸リソグラフィ装置内で基板を露光した後、基板テーブルを露光位置から離して、基板を外して異なる基板と交換できる位置へと動かす。これは基板スワップとして知られている。２ステージのリソグラフィ装置では、投影システムの下で基板テーブルスワップを実行することができる。
【０００９】
[0009]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができる、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができる、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体にバリアを提供することによりバリア部材とすることができ、このようなバリア部材は流体閉じ込め構造とすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。流体ハンドリングシステムを、投影システムと基板テーブルの間に位置付けることができる。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【００１０】
[0010]  液体閉じ込め構造などの液体を使用する流体ハンドリングシステム内で、液体は空間に、つまり液浸空間に閉じ込められる。例えば閉じ込め構造内で、液体は構造の本体、投影システムの表面及び下にある表面（例えば基板テーブル、基板テーブル上に支持された基板、シャッタ部材及び／又は測定テーブル）によって閉じ込められる。局所領域液浸システムの場合は、液体は流体ハンドリングシステムと下にある構造の間にある液体メニスカスによって、液浸空間にも閉じ込められる。オールウェットシステムの場合、液体は液浸空間から出て基板及び／又は基板テーブルの上面上に流れることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
[0011]  基板及び／又は基板テーブルなどの下にある表面に液体を供給するように構成された供給開口、及び流体ハンドリング構造と下にある表面の間から流体を除去するように構成され、流体ハンドリング構造の下面に画定された抽出開口がある流体ハンドリング構造は、光軸の方向に剛直なことがある。これは、合焦誤差につながり得るので望ましくない。
【００１２】
[0012]  したがって、例えば剛性が減少した流体ハンドリング構造を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
[0013]  ある態様では、投影システムと自身に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造が提供され、流体ハンドリング構造の下面の第一部分は、使用時に対向表面から下面の第二部分とは異なる距離にあり、第一部分の中に、対向表面に向かって液体を供給するように構成された供給開口、及び流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成された抽出開口が形成されている。
【００１４】
[0014]  ある態様では、投影システムと自身に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造が提供され、流体ハンドリング構造の下面に、対向表面に向かって液体を供給するように構成された供給開口、及び流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成された抽出開口が形成され、下面は、投影システムの光軸に対して半径方向に最大１０ｍｍの長さである。
【００１５】
[0015]  ある態様では、投影システムと自身に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造が提供され、流体ハンドリング構造の下面の部分に、対向表面に向かって液体を供給するように構成された供給開口、及び流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成された抽出開口が形成され、下面のその部分が、下面の別の部分に対して突出している。
【００１６】
[0016]  ある態様では、投影システムの最終要素と基板の間に流体を提供することを含むデバイス製造方法が提供され、流体ハンドリング構造の下面にある供給開口を通して基板に向かって液体を供給し、流体ハンドリング構造の下面にある抽出開口を通して流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルの間から流体を除去することを含み、開口は、基板及び／又は基板テーブルからの距離が下面の第二部分とは異なる流体ハンドリング構造の下面の第一部分に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】[0018]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0019]リソグラフィ装置内で使用される液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示した図である。
【図３】[0019]リソグラフィ装置内で使用される液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示した図である。
【図４】[0020]リソグラフィ装置内で使用される液体供給システムとしてのさらなる流体ハンドリング構造を示した図である。
【図５】[0021]流体ハンドリング構造を示した断面図である。
【図６】[0022]本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示した平面図である。
【図７】[0023]本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示した断面図である。
【図８】[0024]本発明によらない流体ハンドリング構造及び本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造について、合計力及び剛性対距離を示した図である。
【図９】[0025]本発明のさらなる実施形態による流体ハンドリング構造を示した断面図である。
【図１０】[0026]本発明のさらなる実施形態による流体ハンドリング構造を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0017]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１９】
[0027]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0028]−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0029]−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0030]−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0031]−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２０】
[0032]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２１】
[0033]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２２】
[0034]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２３】
[0035]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２４】
[0036]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。投影システムのタイプは、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含んでよい。投影システムの選択又は組み合わせは適宜、使用される露光放射、又は液浸液の使用又は真空の使用などの他の要素に合わせる。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２５】
[0037]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２６】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２７】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２８】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００２９】
[0041]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第二ポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置付けてもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３０】
[0042]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３１】
[0043]  ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３２】
[0044]  スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３３】
[0045]  別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３４】
[0046]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３５】
[0047]  投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供するある構成が、いわゆる局所液浸システムＩＨである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される流体ハンドリング構造が使用される。液体によって充填された空間は基板の上面より平面図で小さく、液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。図２から図５には、４つの異なるタイプの流体ハンドリング構造が図示されている。
【００３６】
[0048]  図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に様々な方向及び数の入口及び出口を位置決めすることが可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素を取り巻く規則的パターンで設けられる。流体の流れ及び基板の方向が、図２及び図３の矢印で示されていることに留意されたい。
【００３７】
[0049]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置構成された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置構成することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口及び出口は動作しない）。流体の流れの方向が、図４の矢印で示されていることに留意されたい。
【００３８】
[0050]  提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を液体供給システムに設ける。このような構成が図５に図示されている。
【００３９】
[0051]  図５は、流体ハンドリング構造１２がある局所液体供給システムを概略的に示している。流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と、望ましくは実質的に平坦な表面である対向表面、例えば基板テーブルＷＴ及び／又は基板テーブルＷとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下のテキストで基板Ｗの表面に言及する場合は、他の表現をしていない限り、追加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面にも言及していることに留意されたい。）流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの表面の間に封止が形成され、流体封止、望ましくは気体封止のような非接触封止とすることができる。このようなシステムが、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４０】
[0052]  流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の液浸空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素の間の空間１１内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触封止１６を、投影システムＰＳのイメージフィールドを取り巻いた流体ハンドリング構造１２の下面４０に形成することができる。下面４０は対向表面に実質的に平行であることが望ましい。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置決めされ、それを囲む流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体入口１３によって投影システムＰＳの下方で、流体ハンドリング構造１２内の空間に入れる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造１２は投影システムＰＳの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、その上端が投影システムＰＳ又はその最終要素の形状に非常に一致する内周を有し、例えば円形でよい。底部では、流体ハンドリング構造１２の下面４０の縁部２０によって画定された内周がイメージフィールドの形状にほとんど一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。下面４０は外縁４５又はリムを有する。
【００４１】
[0053]  気体封止１６は、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスによって形成される。気体封止１６内の気体は、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように配置構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を液浸空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよい。環状溝は連続的又は不連続的でよい。気体の流れは、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４２】
[0054]  図６は、例えば図５の封止構成１４、１５、１６と交換できる、本発明のある実施形態のメニスカス固定デバイスを示している。図６のメニスカス固定デバイスは、複数の別個の（抽出）開口５０を備える。各開口５０は円形であるように図示されているが、必ずしもそうである必要はない。実際、開口５０の１つ又は複数の形状は、正方形、円形、直線形状、長方形、長円、三角形、スリットなどの細長い形状などから選択した１つ又は複数とすることができる。各開口５０は平面図で、恐らくは０．５ｍｍより大きい、望ましくは１ｍｍより大きい最大寸法の直径など、大きい最大断面寸法を有する。したがって、開口５０が汚染から大きい影響を受ける可能性は低い。
【００４３】
[0055]  図６のメニスカス固定デバイスの各開口５０はそれぞれ、別個の低圧源に接続することができる。代替的又は追加的に、それぞれ又は複数の開口５０を、それ自体が低圧に保持された共通のチャンバ（環状でよい）に接続することができる。この方法で、それぞれ又は複数の開口５０にて、均一の低圧を達成することができる。必要な低圧を生成するために、開口５０を真空源に接続することができる、及び／又は液体供給システムを囲む雰囲気の圧力を上昇させることができる。
【００４４】
[0056]  各開口５０は、液体と気体の混合物を、例えば２相流を抽出するように設計される。液体は空間１１から抽出され、気体は開口５０の液体とは別の側にある雰囲気から抽出される。これは、矢印１００に示すようなガスフローを生成する。このガスフローは、メニスカス９０を図６に示すように開口５０間の実質的に所定の位置に、例えば隣接する開口５０の間に固定するのに有効である。ガスフローは、運動量の閉塞によって、ガスフローが誘発する圧力勾配によって、及び／又は液体上のガスフローの抵抗（剪断）によって閉じ込められた液体を維持するのに役立つ。
【００４５】
[0057]  図６から見られるように、開口５０は平面図で角５２を有する多角形状を形成するように位置決めされる。図６の場合、これは主軸１１０、１２０が投影システムＰＳの下の基板Ｗの主要移動方向と位置合わせされた菱形の形状である。これは、開口５０が円形に配置構成された場合より最大スキャン速度が高速になることを保証するのに役立つ。というのは、２つの開口５０の間でメニスカスにかかる力がｃｏｓθの係数で減少するからであり、ここでθは基板Ｗが動く方向に対する２つの開口５０を結ぶ線の角度である。したがって、開口５０の形状の主軸１１０を基板の主要移動方向（通常はスキャン方向）と位置合わせさせ、第二軸１２０を基板の他方の主要移動方向（通常はステップ方向）と位置合わせさせることによって、スループットを最適化することができる。θが９０°とは異なる任意の配置構成に利点があることが理解される。したがって、主軸を主要移動方向と正確に位置合わせすることが不可欠ではない。形状が円形であれば、その場合、移動方向に直角に位置合わせされた２つの開口５０が常にあり、したがってこれら２つの出口間にあるメニスカスが、基板Ｗの動きによって得られる最大の力を受けることが、さらに理解される。以上から、辺が基板の主要移動方向に対して約４５°に位置合わせされた正方形を使用しても、大きい利点があることが分かる。しかし、本発明のある実施形態は、平面図が開口５０によって作成された任意の形状、例えば円形に適用可能である。
【００４６】
[0058]  開口の半径方向外側には、動作中に供給できる気体の流れが通るガスナイフ開口があってよい。このような配置構成が、参照により全体が本明細書に組み込まれる２００９年５月２５日出願の米国特許出願第６１／１８１，１５８号に記載されている。  
【００４７】
[0059]  図７は、図６に示した線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿って流体ハンドリング構造を通る断面図である。図７では、矢印１００は流体ハンドリング構造１２の外側から、開口５０に伴う通路５５に入るガスのフローを示す。矢印１５０は、流体ハンドリング構造１２の下からの液体の通過を示し、これは空間１１から来て、開口５０に入ることができる。通路５５及び開口５０は、２相抽出（つまり気体と液体）が望ましくは環状フローモードで生じるように設計される。環状フローモードでは、気体は実質的に通路５５の中心を通って流れ、液体は実質的に通路５５の壁に沿って流れる。その結果、脈動の発生が低い滑らかな流れになり、それにより他の方法では生じるような振動を最小化するのに役立つ。
【００４８】
[0060]  メニスカス９０は、開口５０に入るガスフローによって誘発された抵抗力で、開口５０間に固定される。約１５ｍ／秒、望ましくは２０ｍ／秒より大きい気体抵抗速度で十分である。ある実施形態では、ガスナイフがない。ガスナイフの使用を回避することにより、基板Ｗからの液体の蒸発量を減少させることができ、それにより液体の飛び、さらに熱膨張／収縮効果の両方を減少させることができる。
【００４９】
[0061]  針の形態でよく、それぞれが１ｍｍの直径で、３．９ｍｍ隔置された複数の別個のパッセージ５０（例えば約４０個、３６個など）が、メニスカスを固定するのに有効であり得る。このようなシステムの合計のガスフローは、１００ｌ／分のオーダである。
【００５０】
[0062]  開口５０及び流体ハンドリング構造１２のさらなる詳細は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２１２０４６号に見ることができる。
【００５１】
[0063]  下面４０には、流体（例えば液浸液などの液体）を流体ハンドリング構造１２から排出するさらなる（供給）開口７０が形成される。さらなる開口７０は、開口７０に伴う通路７５から空間１１に液体を入れるものと見なすことができる。供給開口７０は、投影システムＰＳの光軸に対して抽出開口５０の半径方向内側であり、下面４０の部分５１によって隔置される。流体ハンドリング構造１２の開口７０を出る液体は、基板Ｗに向かって誘導される。このタイプの開口７０は、液浸液中に気泡が発生する可能性を低下させるために設けられる。気体は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの間にあるギャップ内に捕捉することができる。流体ハンドリング構造１２の下面の前進部分にて、基板Ｗの対向表面は、流体ハンドリング構造に対して十分に高速で動くことができ、したがって液体は空間１１から開口５０へと流れることができない。縁部２０と開口５０の間にある流体ハンドリング構造１２の下面の部分はディウェット状態になることがあり、開口５０のメニスカス固定の有効性に影響する。それにより、さらなる開口５０を通して望ましくは開口５０の付近に液体を供給すると、気泡の封じ込め及びディウェットの危険性を低下するのに役立つ。
【００５２】
[0064]  開口７０の幾何形状は、流体ハンドリング構造１２による液体封じ込めの有効性に影響を与える。
【００５３】
[0065]  特に、供給開口７０は、図６に示すような平面図の開口５０の形状のように、有角の形状を平面図で有することが望ましい。実際、図６に示すように、開口７０と開口５０の有角形状は実質的に同様であることが望ましい。ある実施形態では、各形状は各角の頂点に開口７０又は開口５０を有する。複数の開口７０はそれぞれ、複数の開口５０それぞれから１０ｍｍ以内、望ましくは５ｍｍ以内であることが望ましい。つまり、開口５０によって作られる形状の全部分は、開口７０によって作られる形状の部分から１０ｍｍ以内にある。
【００５４】
[0066]  抽出開口５０及びさらなる供給開口７０に関するさらなる詳細は、参照により全体が本明細書に組み込まれる２００９年５月６日出願の米国特許出願ＵＳ１２／４３６，６２６号に見ることができる。
【００５５】
[0067]  抽出開口５０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間に、低圧が発生する。下面４０が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに近いほど、ガスのフロー１００が強くなり、それにより所定の位置へのメニスカス９０の固定が良好になる。抽出開口５０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の低圧が大きいほど、ガスフロー１００が大きくなり、それによりメニスカス９０の位置がさらに安定する。開口５０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の低圧の結果、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに向かって流体ハンドリング構造１２の引力が生じる。
【００５６】
[0068]  供給開口７０から出る液体のフローは、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間に斥力をもたらす。
【００５７】
[0069]  流体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間が通常通りに隔置されている場合、合計力（抽出開口５０からの引力と供給開口７０からの斥力と重力との合計）は引力である。流体ハンドリング構造１２の（例えば、投影システムＰＳの光軸の方向でもよいｚ方向、及び／又は基板の表面に対して概ね直角の方向の）剛性は、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ間の距離の変化とともに力のレベルがいかに変化するかを表す。したがって、ある実施形態では、剛性はｙ軸上の合計力対ｘ軸に沿った流体ハンドリング構造１２の下面４０と基板及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離の導関数である。ある実施形態では、ｘ軸及びｙ軸は流体ハンドリング構造の下面に平行な平面にあってよい。ｘ軸及びｙ軸は、基板の表面に概ね平行な平面にあってよい。
【００５８】
[0070]  流体ハンドリング構造１２の剛性が、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの典型的な動作距離において高すぎる場合、これは合焦誤差をもたらすことがある。というのは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの流体ハンドリング構造１２の高さに、往々にして位置誤差があるからである。所望の高さからのいかなる変動も、名目（及び較正）値に対する力の差をもたらす。この力の差は、予想位置からの基板Ｗの変位につながり、それにより合焦誤差につながる。
【００５９】
[0071]  図８（これについては、以下で詳細に説明する）は、異なる距離にある２つの異なる流体ハンドリング構造の合計静止力と剛性のグラフを示す。
【００６０】
[0072]  図８の下のグラフは、ある実施形態について、剛性対下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離を示す。下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離を、剛性がゼロである点にあるように設定することは、下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離が小さく変動すると、高い剛性が比較的素早く達成される結果になるので、得策ではないことに留意されたい。下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離が大きい場合に、剛性を低く設定できることが分かる。しかし、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間に存在するギャップが大きすぎると、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴと下面４０の間に延在するメニスカス９０の不安定性が増大するので、液体の損失があり得る。以上は全て、開口５０を所与の流量が通る場合のことである。
【００６１】
[0073]  本発明のある実施形態は、下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の剛性と、下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離との関係を変化させることができる措置に関する。特に、流体ハンドリング構造１２の剛性は、下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の動作距離の区域で低下させることができる。
【００６２】
[0074]  図７で見られるように、抽出開口５０及び供給開口７０は、下面４０の第一部分２１０に形成される。１つの実施形態では、第一部分２１０は自身内に開口５０、７０が形成された平面の、例えば平坦な表面を有する。第一部分２１０は、対向表面に実質的に平行であることが望ましい。ある実施形態では、供給開口７０と抽出開口５０の間の下面４０は、実質的にフィーチャがない。１つの実施形態では、供給開口７０と抽出開口５０の間の表面は平面であり、例えば平坦である。
【００６３】
[0075]  第一部分２１０の平面図面積は、流体ハンドリング構造１２の剛性に大きい影響を与えることがある。図７に示すように、第一部分２１０の平面図面積は、流体ハンドリング構造１２の下面に、使用時に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴから異なる距離にある第二部分２２０を形成することによって、減少させることができる。第二部分２２０は、第一部分２１０とは異なる平面にある。つまり、第一部分２１０と第二部分２２０の間で対向表面からの距離の差を獲得するために、流体ハンドリング構造１２の下面４０は平面ではなく、平坦でないこともある。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２の下面４０の少なくとも一部が、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に対してある角度がある。
【００６４】
[0076]  ある実施形態では、第二部分２２０は第一部分２１０の半径方向内側にある。第二部分２２０は、下面４０の内縁２０と第一部分２１０の間に延在することができる。ある実施形態では、第一部分２１０は１つの平面にあり、第二部分２２０は別の平面にあってよい。第一及び第二部分２１０、２２０の平面は、相互に平行でよい。ある実施形態では、２つの平面は相互に対して傾斜してよい。
【００６５】
[0077]  図７では、ｚ軸に沿って第二部分２２０からの第一部分２１０の距離が、寸法Ｄ０として図示されている。基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの第一部分の距離は、寸法Ｄ１として図示され、基板及び／又は基板テーブルＷＴからの第二部分２２０の距離は、寸法Ｄ２として図示されている。ここで見られるように、寸法Ｄ２は寸法Ｄ１より大きい。Ｄ１とＤ２との差はＤ０である。寸法Ｄ２は、寸法Ｄ１の少なくとも２倍であることが望ましく、少なくとも３倍又は４倍であることがさらに望ましい。したがって、寸法Ｄ０は少なくともＤ１と同じであり、Ｄ１の２倍の大きさであることが望ましく、又は３倍であることがさらに望ましい。通常、使用時に寸法Ｄ１は１００〜３００ミクロンの範囲であり、１３０〜２３０ミクロンであることが望ましい。
【００６６】
[0078]  図７の実施形態では、第一部分２１０と第二部分２２０の間に高さ８０の段状変化が存在する。段状変化は、図６及び図７に示すように下面４０に段状縁部８１を形成する。段は、下面の不連続的変化と説明することができる。ある実施形態では、第一部分２１０と第二部分２２０の間の段の表面は、第一及び第二部分の一方又は両方に対して傾斜してよい。段状縁部８１の表面は平面でよい。ある実施形態では、第一部分２１０と第二部分２２０の間の段状縁部８１の表面は、第一及び第二部分２１０、２２０の表面の一方又は両方に対して直角でよい。第一部分２１０と第二部分２２０の間、例えば第一部分２１０と段状縁部８１の表面の間、及び段状縁部８１の表面と第二部分２２０の間に、ｚ軸に対して下面４０に２つの不連続的角度変化があってよい。しかし、必ずしもそうではなく、図９及び図１０は異なる変形を示す。
【００６７】
[0079]  図９は、第一部分２１０と第二部分２２０の間にｚ軸に対して下面４０の角度に段状変化がある、さらに角度の変化が連続的である部分がある実施形態である。図１０では、第一部分２１０と第二部分２２０の間で、ｚ軸に対する下面４０の角度の変化は連続的である。高さ及び角度の変化は滑らかでよく、したがって高さの段状変化または角度の段状変化がない。
【００６８】
[0080]  図７、図９及び図１０の実施形態の組み合わせも可能である。各実施形態で、第一部分２１０を、第二部分２２０に対して突出していると述べることができる。第二部分２２０は、第一部分２１０に対して窪んでいてよい。
【００６９】
[0081]  ある実施形態では、下面４０のサイズを減少させることができる。しかし、必要な全てのダクト及び／又はチャンバを流体ハンドリング構造１２内に嵌合させることが困難なことがある。したがって、ある実施形態では、第一及び第二部分２１０、２２０は使用時に、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴによって提供される対向表面から異なる距離にある。この配置構成を使用する際に、流体ハンドリング構造１２の剛性は、開口５０を通る所与の流量、及び下面と対向表面の間の所与の距離にて減少させることができる。あるいは、本発明のある実施形態によって、所与の剛性で、開口５０を通る流量を増加させる、及び／又は下面と対向表面の間の距離を小さくすることができる。
【００７０】
[0082]  第一部分２１０のサイズを減少させることにより（米国特許出願ＵＳ１２／４３６，６２６号の配置構成は、流体ハンドリング構造１２の下面４０の全てを備える第一部分を有する）、抽出開口５０に適用した低圧の結果である引力、及び供給開口７０から供給されている液体の結果である斥力の両方が減少する。これは、開口５０、７０によって実行される機能（メニスカス９０の固定、及び基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ間のギャップの充填）に悪影響を与えずに達成することができる。というのは、開口５０、７０からの流量を維持することができ、第一部分２１０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離を維持することができるからである。
【００７１】
[0083]  段の高さ（つまりＤ０又はＤ２引くＤ１）は、１００〜１０００μｍであることが望ましく、３００μｍと５００μｍの間であることがさらに望ましい。段（つまりＤ０又はＤ２引くＤ１）は少なくとも１０μｍ、望ましくは２０μｍより大きい、又は５０μｍより大きいことが望ましい。
【００７２】
[0084]  ある実施形態では、第一部分２１０の半径方向長さ（図７にＬ１として図示）は、半径方向に最大１０ｍｍの長さであり、６ｍｍ未満の長さであることが望ましい。（半径方向の長さとは、ｚ方向に直角の平面における表面の長さであることに留意されたい。これは、下面４０の段８０の縁部に対して直角の方向で、外縁４５上の点と段８０上の点との間の距離とすることができる。）ある実施形態では、長さＬ１は４ｍｍと６ｍｍの間である。１つの実施形態では、第二部分２２０が存在しない。これは、米国特許出願ＵＳ１２／４３６，６３６号のＬ１という同じ寸法に匹敵し、これは通常、長さを測定している半径方向に応じて、２５ｍｍと６ｍｍの間で変動する。
【００７３】
[0085]  図８は、２つの流体ハンドリング構造１２について、合計力の変動及び剛性の変動を示す。太い線は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造１２からのデータである。比較のために、細い線は、米国特許出願ＵＳ１２／４３６，６２６号に示されているような流体ハンドリング構造１２の同じ結果を示し、ここで流体ハンドリング構造１２の下面４０全体が、本明細書で画定するような第一部分２１０を備える。図８の下のグラフに見られるように、供給開口７０及び抽出開口５０が形成されている第一部分２１０のサイズを減少させると、流体ハンドリング構造１２の剛性が、特に典型的な動作距離Ｄ１（望ましくは１３０〜２００μｍ）について、大幅に減少する。同様に、図８の上のグラフに見られるように、供給開口７０及び抽出開口５０が形成されている第一部分２１０のサイズを減少させると、流体ハンドリング構造１２により対向表面（例えば、基板Ｗ）にかかる力が、特に典型的な動作距離Ｄ１（望ましくは１３０〜２００μｍ）について、大幅に減少する。第一部分２１０のサイズ（その半径方向の長さ及び／又は平面図の表面積を意味する）は、所望の距離Ｄ１にて必要な特定の剛性に適合するように変動させることができる。
【００７４】
[0086]  本発明は、限定された寸法の第一部分を有することによって、例えば第一寸法を減少させることによって、動的力が対向表面Ｗ、ＷＴに与える好ましくない影響を減少させることができるので、望ましい。流体ハンドリング構造１２の同様の実施形態ではあるが、半径方向に異なる寸法の第一部分２１０で、試験を完了した。半径方向に第一部分２１０が小さくなった流体ハンドリング構造１２を使用する際に、半径方向が大きくなった第一部分２１０より、対向表面Ｗ、ＷＴに与えられる外乱力が小さくなることが判明した。第一部分２１０が半径方向に小さくなると、小さくなった第一部分２１０は、対向表面Ｗ、ＷＴと相互作用する領域の表面が小さくなる。それにより外乱力が減少する。
【００７５】
[0087]  図６に示すように、角５２に位置付けられた開口５０は、２つの隣接する角５２の間に位置付けられた開口５０よりも、内縁２０から遠い。開口と内縁２０の間の最短距離が長いほど、その角５２における圧力低下は大きい。圧力低下が大きくなると、開口５０に到達する液体が減少するという危険を冒すことがある。開口５０の区域の下面４０がディウェット状態になることがある。角５２の区域におけるメニスカスの不安定性は、角５２の間より高くなることがあり、例えばメニスカスの剥離により、液体の損失という危険を冒すことがある。
【００７６】
[0088]  角５２と角５２間との開口５０で最短距離が実質的に同じであるように、内縁２０から下面４０の内周を取り巻く開口までの最短距離を減少させることにより、例えば各開口５０について実質的に均一になるように、角で増加する圧力低下を減少させることができる。したがって、角５２におけるメニスカスの安定性を、比較的改良することができる。内縁２０から開口５０までの最短距離は、最短距離が各開口５０と段８０の最も近い部分との間であるように、第一部分２１０を下面４０の他の部分よりも対向表面Ｗ、ＷＴに近づけることによって達成することができる。より安定したメニスカスを有することにより、欠陥性を改良することができる。
【００７７】
[0089]  ある実施形態では、流体ハンドリング構造がある。流体ハンドリング構造は、投影システムと流体ハンドリング構造に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成される。流体ハンドリング構造の下面の第一部分は、使用時に対向表面から下面の第二部分とは異なる距離にある。第一部分は、自身内に形成された供給開口及び抽出開口を有する。供給開口は、対向表面に向かって液体を供給するように構成される。抽出開口は、流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成される。
【００７８】
[0090]  使用時に、第二部分は第一部分より対向表面から遠くてよい。第二部分は、第一部分とは異なる平面にあってよい。第二部分は、投影システムの光軸に対して供給開口の半径方向内側にあってよい。
【００７９】
[0091]  供給開口は、投影システムの光軸に対して抽出開口の半径方向内側にあってよい。
【００８０】
[0092]  下面の第一部分は、１つの平面にあってよい。第一部分は、抽出開口と供給開口の間に実質的にフィーチャがなくてよい。第一部分は、投影システムの光軸に対して半径方向で最大１０ｍｍの長さでよく、半径方向に最大６ｍｍの長さであることが望ましい。半径方向の第一部分の長さは、投影システムの光軸に対して２ｍｍから１０ｍｍの範囲から、望ましくは４ｍｍから６ｍｍの範囲から選択することができる。
【００８１】
[0093]  第一部分と第二部分の間に、投影システムの光軸に対する下面の平面角度及び／又は対向表面からの下面の距離に、段状変化があってよい。第一部分と第二部分の間に、投影システムの光軸に対する下面の平面角度及び／又は対向表面からの下面の距離に、連続的な角度変化の部分があってよい。
【００８２】
[0094]  対向表面から第一部分までの距離と対向表面から第二部分までの距離の差は、少なくとも１０μｍ、望ましくは２０μｍ、又はさらに望ましくは少なくとも５０μｍとすることができる。対向表面から第一部分までの距離と対向表面から第二部分までの距離の差は、１００〜１０００μｍの範囲から、望ましくは３００〜５００μｍの範囲から選択することができる。対向表面から第一部分までの距離と対向表面から第二部分までの距離の差は、少なくとも２の係数、望ましくは少なくとも３の係数とすることができる。
【００８３】
[0095]  対向表面は、実質的に平坦な表面でよく、下面の第一部分に実質的に平行とすることができる。
【００８４】
[0096]  ある実施形態では、流体ハンドリング構造が提供される。流体ハンドリング構造は、投影システムと流体ハンドリング構造に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成される。流体ハンドリング構造の下面は、自身内に形成された供給開口及び抽出開口を有する。供給開口は、対向表面に向かって液体を供給するように構成される。抽出開口は、流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成される。下面は、投影システムの光軸に対して半径方向に最大１０ｍｍの長さである。
【００８５】
[0097]  ある実施形態では、流体ハンドリング構造が提供される。流体ハンドリング構造は、投影システムと流体ハンドリング構造に対向する対向表面との間に画定された空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成される。流体ハンドリング構造の下面の一部に、供給開口及び抽出開口が形成される。供給開口は、対向表面に向かって液体を供給するように構成される。抽出開口は、流体ハンドリング構造と対向表面の間から流体を除去するように構成される。下面の部分が、下面の別の部分に対して突出している。
【００８６】
[0098]  ある実施形態では、投影システム及び流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。投影システムは、基板テーブルによって支持された基板に放射のビームを投影するように構成される。流体ハンドリング構造は、本明細書に説明した通りである。対向表面は、基板の表面及び／又は基板テーブルの表面である。
【００８７】
[0099]  ある実施形態では、デバイス製造方法が提供される。デバイス製造方法は、流体を提供することを含む。流体を提供することは、投影システムの最終要素と基板の間に液体を供給すること、及び流体を除去することを含む。液体を供給する際に、液体は流体ハンドリング構造の下面にある供給開口を通して、基板に向かって供給される。流体を除去する際に、流体は、流体ハンドリング構造の下面にある抽出開口を通して、流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルの間から除去される。開口は、基板及び／又は基板テーブルからの距離が下面の第二部分とは異なる流体ハンドリング構造の下面の第一部分に形成される。
【００８８】
[00100]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８９】
[00101]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００９０】
[00102]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【００９１】
[00103]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。
【００９２】
[00104]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又は液浸液閉じ込めの一部を提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【００９３】
[00105]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【００９４】
[00106]  さらに、本発明を特定の実施形態及び実施例の関係で開示してきたが、本発明は特に開示された実施形態を越えて他の代替実施形態及び／又は本発明の使用及びその明白な変更及び同等物まで拡大することが、当業者には理解される。また、本発明の幾つかの変形を図示し、詳細に説明してきたが、本発明の範囲に入る他の変更が、本開示に基づいて当業者には容易に明白になる。例えば、実施形態の特定の特徴及び態様の様々な組み合わせ又は副次的組み合わせを作成することができ、それでも本発明の範囲に入ることが想定される。したがって、開示された本発明の様々なモードを形成するために、開示された実施形態の様々な特徴及び態様を相互に組み合わせるか、置換できることを理解されたい。このように、本明細書で開示された本発明の範囲は、上述した特定の開示実施形態に限定されず、以下の請求の範囲を公正に読み取ることによってのみ決定されるべきであることが意図される。
【００９５】
[00107]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
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