(57)【要約】【課題】裏面側透明電極層または裏面電極層の製膜条件の経時的変化に伴う発電出力のばらつきを抑制することができる光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、光電変換層と、裏面側透明電極層と、裏面電極層とを順次形成する光電変換装置の製造方法であって、前記裏面側透明電極層及び前記裏面電極層の少なくとも一方が、直流スパッタリング法を用いて、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電圧が一定に制御される条件で形成され、前記印加電圧が、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電力が一定に制御される条件で形成されるときの最終電圧値であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光電変換層と、裏面側透明電極層と、裏面電極層とを順次形成する光電変換装置の製造方法であって、
前記裏面側透明電極層及び前記裏面電極層の少なくとも一方が、直流スパッタリング法を用いて、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電圧が一定に制御される条件で形成され、
前記一定の印加電圧が、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電力が一定に制御される条件で形成されるときの最終電圧値であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記最終電圧値が、前記印加電力が一定に制御される条件で形成される場合におけるターゲット交換直前の電圧値であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記印加電圧が、１００Ｖ以上４００Ｖ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置の製造方法に関し、特に発電層をシリコンで製膜する太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を受光して電力に変換する光電変換装置として、例えば発電層（光電変換層）に薄膜シリコン系の層を積層させた薄膜系太陽電池が知られている。薄膜系太陽電池は、一般に、基板上に、透明電極層（第１透明電極層）、シリコン系半導体層（光電変換層）、裏面側透明電極層（第２透明電極層）、裏面電極層を順次積層して構成される。
【０００３】
裏面側透明電極層には、低抵抗で高い光透過率を有する材料が用いられる。例えば、ガリウム（Ｇａ）またはアルミニウム（Ａｌ）などがドープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素（Ｆ）などがドープされた酸化スズ（ＳｎＯ２）が好適とされる。
裏面電極層には、銀などの金属薄膜が用いられる。
【０００４】
裏面側透明電極層及び裏面電極層は、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いて形成される。一般に、ＤＣスパッタリング法を用いた製膜は、定電力制御で実施される。また、特許文献１には、反応性直流スパッタリング法による金属酸化物薄膜の製造において、スパッタ放電電圧が常に最大値となるように、検出されるスパッタ放電電圧の変動に基づき製膜電流を制御して製膜する方法が開示されている。これにより、最高製膜レートまたはそれに極めて近い製膜レートを維持することができ、その製膜レートの領域で放電を安定させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３０７１２９８号公報（請求項１、及び、段落［０００２］、［０００８］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば、一定電力で制御してスパッタリングを実施することにより、裏面側透明電極層及び裏面電極層の膜厚の均一性を確保できる。また、特許文献１の方法によれば、高速製膜が可能である。しかし、太陽電池の製造工程においては、膜厚制御性や高速製膜も然る事ながら、発電性能を向上させるために、裏面側透明電極層及び裏面電極層の膜質、すなわち、光学特性や電気特性を向上させる必要がある。
【０００７】
定電力制御で裏面側当面電極層または裏面電極層のスパッタリング製膜を実施した場合、ターゲットの消耗により電圧値が経時的に低下する。これに伴い、太陽電池の発電出力に変動が生じていた。特に、ターゲットの交換前後で、太陽電池の発電出力のばらつきが大きくなることが問題となっていた。
【０００８】
本発明は、裏面側透明電極層または裏面電極層の製膜条件の経時的変化に伴う発電出力のばらつきを抑制することができる光電変換装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上に、光電変換層と、裏面側透明電極層と、裏面電極層とを順次形成する光電変換装置の製造方法であって、前記裏面側透明電極層及び前記裏面電極層の少なくとも一方が、直流スパッタリング法を用いて、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電圧が一定に制御される条件で形成され、前記一定の印加電圧が、前記裏面側透明電極層または前記裏面電極層の製膜中における印加電力が一定に制御される条件で形成されるときの最終電圧値であることを特徴とする。
【００１０】
本発明者らは、裏面側透明電極層及び裏面電極層を、直流スパッタリング法を用いて一定電力にて製膜した場合に、電圧値の低下に伴い、太陽電池の発電出力が上昇する傾向があることを見出した。すなわち、本発明は、光電変換装置の裏面側透明電極層または裏面電極層の形成において、一定電力制御で長時間製膜した条件での電圧値（最終電圧値）を取得し、この最終電圧値での一定電圧制御として、裏面側透明電極層または裏面電極層を製膜する。これにより、裏面側透明電極層または裏面電極層の製膜条件がターゲットの消耗によって経時的に変化しても、光電変換装置の発電出力を、高出力で一定に維持することができる。これは、本発明の方法によって、ターゲット状態の変化による膜質変化を抑制できるためと考えられる。
【００１１】
上記発明において、前記最終電圧値が、前記印加電力が一定に制御される条件で形成される場合におけるターゲット交換直前の電圧値であることが好ましい。
【００１２】
上述のように、ターゲット交換による状態変化が、光電変換装置の出力変動に大きく影響する。光電変換装置の製造において、裏面側透明電極層または裏面電極層の製膜を、一定電力で製膜した際のターゲット交換直前の電圧値にて、一定電圧で実施する。これにより、ターゲット交換前後での光電変換装置の出力変動を抑制できる。この結果、高出力の光電変換装置を安定して生産することが可能となる。
【００１３】
上記発明において、前記印加電圧が、１００Ｖ以上４００Ｖ以下であることが好ましい。
ターゲット印加電圧が１００Ｖ未満では、放電が不安定となる。放電が不安定な状態で透明電極膜や金属膜を製膜すると、例えば透明電極膜の透過率が低下するなど、光学性能が低下する。この結果、光電変換装置の発電出力が低下する。また、ターゲット印加電圧が４００Ｖを超えると、製膜した透明電極膜や金属膜、特に透明電極膜にイオンダメージが加わり、透過率が低下するために、光電変換装置の発電出力が低下する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、裏面側透明電極層及び裏面電極層を直流スパッタリング法により製膜する際に、低電力制御で長時間製膜後の電圧値で一定になるように制御する。これにより、光電変換装置の製造において、ターゲット状態の経時変化に起因して、光電変換装置の発電出力が変動することを抑制することができる。特に、ターゲット交換前後で、光電変換装置の出力を高出力で一定にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の光電変換装置の製造方法により製造されるシングル型光電変換装置の構成を表す概略図である。
【図２】本発明の光電変換装置の製造方法により製造されるタンデム型光電変換装置の構成を表す概略図である。
【図３】本発明の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図４】本発明の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図５】本発明の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図６】本発明の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図７】一定電力での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜した際のターゲット電力、電圧、及び電流の経時変化を表す図である。
【図８】一定電圧での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜した際のターゲット電力、電圧、及び電流の経時変化を表す図である。
【図９】一定電力での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１０】一定電圧での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１１】直流スパッタリング法による裏面側透明電極層製膜のターゲット電圧と、シングル型非晶質シリコン太陽電池のモジュール出力との関係を表すグラフである。
【図１２】一定電力での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１３】一定電圧での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１４】直流スパッタリング法による裏面側透明電極層製膜のターゲット電圧と、シングル型結晶質シリコン太陽電池のモジュール出力との関係を表すグラフである。
【図１５】一定電力での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したタンデム型太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１６】一定電圧での直流スパッタリング法にて裏面側透明電極層を製膜したタンデム型太陽電池モジュールの発電出力の経時変化を表すグラフである。
【図１７】直流スパッタリング法による裏面側透明電極層製膜のターゲット電圧と、タンデム型太陽電池のモジュール出力との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１及び図２は、本実施形態の光電変換装置の構成を示す概略図である。
図１の光電変換装置１００は、シングル型シリコン太陽電池であり、基板１、透明電極層２、光電変換層３、裏面側透明電極層７、及び裏面電極膜４を備える。
図２の光電変換装置１００は、タンデム型シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層２、光電変換層３としての第１セル層９１（非晶質シリコン系）及び第２セル層９２（結晶質シリコン系）、中間コンタクト層５、裏面側透明電極層７、及び裏面電極層４を備える。
ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。また、結晶質シリコン系とは、非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコンも含まれる。
【００１７】
本実施形態に係る光電変換装置の製造方法を、太陽電池パネルを製造する工程を例に挙げて説明する。図３から図６は、本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【００１８】
（１）図３（ａ）
基板１として面積１ｍ２以上のソーダフロートガラス基板（例えば１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．５ｍｍ〜４．５ｍｍ）を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００１９】
（２）図３（ｂ）
透明電極層２として、酸化錫（ＳｎＯ２）を主成分とする膜厚約５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の透明導電膜を、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜する。この際、透明電極膜の表面には、適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層２として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。
【００２０】
（３）図３（ｃ）
その後、基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セルの直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板１とレーザー光を相対移動して、溝１０を形成するように幅約６ｍｍから１５ｍｍの所定幅の短冊状にレーザーエッチングする。
【００２１】
（４）図３（ｄ）
図１の光電変換層３、あるいは、図２の第１セル層９１として、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層及びｎ層を、プラズマＣＶＤ装置により製膜する。ＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスを主原料にして、減圧雰囲気：３０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃にて、透明電極層２上に太陽光の入射する側から非晶質シリコンｐ層３１、非晶質シリコンｉ層３２、非晶質シリコンｎ層３３の順で製膜する。非晶質シリコンｐ層３１は非晶質のＢドープシリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｉ層３２は、膜厚２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｎ層３３は、非晶質シリコンに微結晶シリコンを含有するＰドープシリコンを主とし、膜厚３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｐ層３１と非晶質シリコンｉ層３２の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【００２２】
なお、図１に示すシングル型太陽電池では、光電変換層３として、結晶質シリコンｐ層、結晶質シリコンｉ層、結晶質シリコンｎ層を順次積層させることも可能である。
【００２３】
図２のタンデム型太陽電池の場合、第１セル層９１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下にて、第２セル層９２としての結晶質シリコンｐ層４１、結晶質シリコンｉ層４２、及び、結晶質シリコンｎ層４３を順次製膜する。結晶質シリコンｐ層４１はＢドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。結晶質シリコンｉ層４２は微結晶シリコンを主とし、膜厚は１．２μｍ以上３．０μｍ以下である。結晶質シリコンｎ層４３はＰドープした微結晶シリコンまたは非晶質シリコンを主とし、膜厚２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２４】
微結晶シリコンを主とするｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、プラズマ放電電極と基板１の表面との距離ｄは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下にすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００２５】
第１セル層９１と第２セル層９２の間に、接触性を改善するとともに電流整合性を取るために半反射膜となる中間コンタクト層５を設ける。中間コンタクト層５として、膜厚：２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ焼結体を用いてスパッタリング装置により製膜する。また、中間コンタクト層５を設けない場合もある。
【００２６】
（５）図３（ｅ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層３の膜面側から照射する。パルス発振：１０ｋＨｚから２０ｋＨｚとして、加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの約１００μｍから１５０μｍの横側を、溝１１を形成するようにレーザーエッチングする。またこのレーザーは基板１側から照射しても良く、この場合は光電変換層３の非晶質シリコン系の第１セル層で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層３をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め公差を考慮して選定する。
【００２７】
（６）図４（ａ）
光電変換層３上に、裏面側透明電極層７及び裏面電極層４を順次製膜する。本実施形態において、裏面側透明電極層７及び裏面電極層４の少なくとも一方は、直流スパッタリング法を用いて製膜される。
裏面側透明電極層７（図４（ａ）には図示せず）は、ｎ層と裏面電極層との接触抵抗低減と光反射向上を目的として設けられる。裏面側透明電極層は、ＧａドープＺｎＯ（ＧＺＯ）膜、ＡｌドープＺｎＯ膜、ＦドープＳｎＯ２膜などとされ、膜厚は５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とされる。
裏面電極層４は、Ａｇ膜／Ｔｉ膜とされ、Ａｇ膜：１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下を、この順に積層する。あるいは、裏面電極層４を、２５ｎｍから１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、１５ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としても良い。
【００２８】
本実施形態における裏面側透明電極層７または裏面電極層４の形成方法は、以下のように実施される。
裏面側透明電極層７としてＧＺＯ膜を形成する場合、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ焼結体（Ｇａドープ量：０．３〜５質量％）を用い、製膜条件を減圧雰囲気：０．３〜０．６Ｐａ、基板温度：約５０℃に設定する。そして、印加電力を一定（例えば４ｋＷ）に制御しながら、製膜を実施する。ターゲットが消耗するのに伴い、電圧値が低下する。長時間製膜後、例えば、ターゲットを交換する直前の電圧値（最終電圧値とする）を取得する。
例えばターゲット交換後、上述と同等の製膜条件に設定し、印加電圧を最終電圧値に設定して、印加電圧が一定となるように制御しながら、ＧＺＯ膜の製膜を実施する。
【００２９】
最終電圧値は、１００Ｖ以上４００Ｖ以下とすると、放電を安定させることができるとともに、膜質すなわち透過率を高い値で保持することが出来るため好ましい。
【００３０】
裏面電極層４としてＡｇ膜を形成する場合、ターゲット：Ａｇを用い、製膜条件を減圧雰囲気：０．３〜０．６Ｐａ、基板温度：約２００℃に設定する。そして、裏面側透明電極層の形成と同様にして、印加電力を一定（例えば３ｋＷ）に制御しながら製膜を実施する。そして、例えばターゲット交換直前の電圧値（最終電圧値）を取得する。そして、ターゲット交換後の製膜では、印加電圧を最終電圧値にて一定となるように制御しながら、Ａｇ膜を製膜する。
【００３１】
（７）図４（ｂ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板１側から照射する。レーザー光が光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの２５０μｍから４００μｍの横側を、溝１２を形成するようにレーザーエッチングする。
【００３２】
（８）図４（ｃ）と図５（ａ）
基板端部におけるレーザーエッチング加工部の短絡を防止するため、周囲膜除去処理を行う。基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板１側から照射する。レーザー光が透明電極層２と光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２が除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５ｍｍから２０ｍｍの位置を、図４（ｃ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝１５を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図４（ｃ）では、光電変換層３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１５位置には裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域１４がある状態（図４（ａ）参照）が表れるべきであるが、基板１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１５として説明する。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。
【００３３】
絶縁溝１５は基板１の端より５ｍｍから１５ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。
【００３４】
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【００３５】
（９）図５（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート２４との健全な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲膜除去領域１４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域１４を形成する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図４（ｃ）工程で設けた絶縁溝１５よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１０よりも基板端側において、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去した。
【００３６】
（１０）図６（ａ）（ｂ）
端子箱２３の取付け部分はバックシート２４に開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層で設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セルと、他方端部の太陽電池発電セルとから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱２３の部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール６の全体を覆い、基板１からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、防水効果の高いバックシート２４を設置する。バックシート２４は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／Ａｌ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート２４までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させて密着させる。
【００３７】
（１１）図６（ａ）
太陽電池モジュール６の裏側に端子箱２３を接着剤で取付ける。
（１２）図６（ｂ）
銅箔と端子箱２３の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱２３の内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル５０が完成する。
（１３）図６（ｃ）
図６（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル５０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１４）図６（ｄ）
発電検査（図６（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
図１に示す構成のシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュールを作製した。
透明電極層２は、膜厚５００〜８００ｎｍのＳｎＯ２とした。非晶質シリコンからなる光電変換層３は、ｐ層３１の膜厚を１０〜３０ｎｍ、ｉ層３２の膜厚を２００〜３５０ｎｍ、ｎ層３３の膜厚を３０〜５０ｎｍとした。
裏面側透明電極層７は、膜厚５０〜１００ｎｍのＧＺＯ膜とした。裏面電極層４は、Ａｇ膜／Ｔｉ膜の積層構造とし、Ａｇ膜を１５０〜５００ｎｍ、Ｔｉ膜を１０〜５０ｎｍとした。
【００３９】
ＧＺＯ膜の製膜には直流スパッタリング法を用い、一定電力制御での製膜と、一定電圧制御での製膜とを実施した。図７に、一定電力制御でＧＺＯ膜を製膜したときの、ターゲット電力、電圧、及び電流の経時変化を示す。図８に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜したときの、ターゲット電力、電圧、及び電流の経時変化を示す。なお、図８の電圧値には、図７において一定電力で製膜した場合のターゲット交換直前の電圧値（最終電圧値）を適用した。各図において、横軸は日数（試験時間）、縦軸は試験開始直後を基準としたときのターゲット電力、電圧、及び電流を表す。
【００４０】
図９に、一定電力制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。図１０に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。各図において、横軸は日数（試験時間）、縦軸は試験開始直後を基準としたときのモジュール出力を表す。
【００４１】
一定電力制御の図９では、ターゲットの消耗によって電圧が低下するのに伴い、モジュール出力が向上する傾向が見られた。特に、ターゲット交換前後で、得られるモジュールの出力が大きく変動した。
一方、一定電圧制御の図１０では、ターゲットの消耗や交換に伴うターゲットの状態変化に依らず、得られるモジュール出力は一定であった。しかも、図９において最高出力が得られたターゲット交換直前での電圧値を適用して製膜を実施しているため、常に高いモジュール出力が得られた。
【００４２】
図１１に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合の、ターゲット電圧とシングル型非晶質シリコン太陽電池モジュール出力との関係を示す。同図において、横軸はターゲット電圧、縦軸は、ターゲット電圧４３０Ｖを基準としたときのモジュール出力を表す。このように、ターゲットの電圧を１００Ｖから４００Ｖの範囲内に設定して製膜を実施した場合に、高いモジュール出力を有する太陽電池を製造することができた。
【００４３】
（実施例２）
図１に示す構成のシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュールを作製した。透明電極層、裏面側透明電極層及び裏面電極層は実施例１と同様とした。結晶質シリコンからなる光電変換層は、ｐ層の膜厚を１０〜５０ｎｍ、ｉ層の膜厚を１．２〜３．０ｎｍ、ｎ層の膜厚を２０〜５０ｎｍとした。
裏面側透明電極層としてのＧＺＯの製膜は、実施例１と同様に、一定電力制御及び一定電圧制御で実施した。
【００４４】
図１２に、一定電力制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。図１３に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。各図において、横軸は日数（試験時間）、縦軸は試験開始直後を基準としたときのモジュール出力を表す。
結晶質シリコン太陽電池の場合も同様に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜することにより、ターゲットの状態変化に依らず、モジュール出力を一定にすることができた。また、一定電力制御での製膜において最高出力が得られた電圧値（すなわち、ターゲット交換直前での電圧値）を適用してＧＺＯ膜の製膜を実施することにより、高いモジュール出力を有する太陽電池を製造することができた。
【００４５】
図１４に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合の、ターゲット電圧とシングル型結晶質シリコン太陽電池モジュール出力との関係を示す。同図において、横軸はターゲット電圧、縦軸は、ターゲット電圧４３０Ｖを基準としたときのモジュール出力を表す。このように、結晶質シリコン太陽電池の場合も、ターゲットの電圧を１００Ｖから４００Ｖの範囲内に設定して製膜を実施した場合に、高いモジュール出力が得られた。
【００４６】
（実施例３）
図２に示す構成のタンデム型太陽電池モジュールを作製した。透明電極層２、裏面側透明電極層７及び裏面電極層４は実施例１と同様とした。非晶質シリコンからなる第１セル層９１は、ｐ層３１の膜厚を１０〜３０ｎｍ、ｉ層３２の膜厚を２００〜３５０ｎｍ、ｎ層３３の膜厚を３０〜５０ｎｍとした。結晶質シリコンからなる第２セル層９２は、ｐ層４１の膜厚を１０〜５０ｎｍ、ｉ層４２の膜厚を１．２〜３．０ｎｍ、ｎ層４３の膜厚を２０〜５０ｎｍとした。
裏面側透明電極層７としてのＧＺＯの製膜は、実施例１と同様に、一定電力制御及び一定電圧制御で実施した。
【００４７】
図１５に、一定電力制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるタンデム型太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。図１６に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合におけるタンデム型太陽電池モジュールの出力の経時変化を示す。各図において、横軸は日数（試験時間）、縦軸は試験開始直後を基準としたときのモジュール出力を表す。
タンデム型太陽電池の場合も同様に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜することにより、ターゲットの状態変化に依らず、モジュール出力を一定にすることができた。また、一定電力制御での製膜において最高出力が得られた電圧値（すなわち、ターゲット交換直前での電圧値）を適用してＧＺＯ膜の製膜を実施することにより、高いモジュール出力を有する太陽電池を製造することができた。
【００４８】
図１７に、一定電圧制御でＧＺＯ膜を製膜した場合の、ターゲット電圧とタンデム型太陽電池モジュール出力との関係を示す。同図において、横軸はターゲット電圧、縦軸は、ターゲット電圧４３０Ｖを基準としたときのモジュール出力を表す。このように、タンデム型太陽電池の場合も、ターゲットの電圧を１００Ｖから４００Ｖの範囲内に設定して製膜を実施した場合に、高いモジュール出力が得られた。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板
２  透明電極層
３  光電変換層
４  裏面電極層
５  中間コンタクト層
６  太陽電池モジュール
７  裏面側透明電極層
３１  非晶質シリコンｐ層
３２  非晶質シリコンｉ層
３３  非晶質シリコンｎ層
４１  結晶質シリコンｐ層
４２  結晶質シリコンｉ層
４３  結晶質シリコンｎ層
９１  第１セル層
９２  第２セル層
１００  光電変換装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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