(57)【要約】【課題】ホール素子が形成された半導体装置において磁力線の検出感度を高める。【解決手段】半導体基板１０の半導体層１１の表面に、定電流が供給される１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂを含むホール素子２０が形成されている。ホール素子２０は薄い第１の絶縁膜１３に覆われており、その第１の絶縁膜１３上には、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａを覆う第１の金属層１５が形成されている。また、第１の金属層１５の一部上に開口部１６Ａを有して、第１の絶縁膜１３及び第１の金属層１５を覆うようにして、第２の絶縁膜１６が形成されている。第２の絶縁膜１６上には、開口部１６Ａ内で第１の金属層１５と接続されると共に、当該第１の金属層１５よりも広く延在する第２の金属層１７が形成されている。第１の金属層１５及び第２の金属層１７の比透磁率は、いずれも、第２の絶縁膜１６の比透磁率よりも大きい。【選択図】図３
2010287755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された半導体層と、
前記半導体層に形成され、定電流が供給される１対のコンタクト部を含むホール素子と、
前記ホール素子及び前記半導体層を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され前記１対のコンタクト部の間の領域を覆う第１の金属層と、
前記第１の金属層の一部上を開口する開口部を有して前記第１の絶縁膜及び前記第１の金属層を覆う第２の絶縁膜と、
前記開口部内で前記第１の金属層と接続されると共に、前記第２の絶縁膜上において当該第１の金属層よりも広く延在する第２の金属層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の金属層及び前記第２の金属層の各比透磁率は、いずれも、前記第２の絶縁膜の比透磁率よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜は前記第２の絶縁膜よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の金属層は、前記半導体基板の表面の全域と重畳して前記第２の絶縁膜上に延在することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の金属層及び前記第２の金属層は同一の金属からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ホール素子が形成された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁電変換素子としてホール素子を備えたＩＣ等の半導体装置が開発されている。ホール素子を備えたＩＣは、例えば、携帯電話等の小型電子機器に搭載され、そのホール素子は、例えば携帯電話のバイブレータにおける微弱な磁界を検出する磁気センサとして機能する。この用途のＩＣ内では、例えば、シリコンからなる半導体基板上にホール素子が形成され、そのホール素子は、通常、半導体基板の垂直方向に入射した磁力線に応じてホール電圧を発生するように構成されている。
【０００３】
このようなホール素子の構成例について以下に説明する。図４に示すように、例えばＰ型の半導体基板１１０上にＮ−型の半導体層１１１が形成され、その半導体層１１１の表面にホール素子１２０が形成されている。ホール素子１２０内の全面には、半導体基板１１０の垂直方向に均一な磁束密度で磁力線が入射する。また、半導体層１１１及び半導体基板１１０中には金属配線等の高い比透磁率を有した構成要素が存在しないため、半導体層１１１及び半導体基板１１０の比透磁率は、例えば約０．００１〜０．００４の低い比透磁率で略均一である。
【０００４】
ホール素子１２０内の半導体層１１１の表面には、例えばＮ＋型の不純物添加層からなる１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂが互いに離間して対向するように形成されている。１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂには不図示の定電流源から一定の電流が供給され、例えばコンタクト部１１２Ａから、もう一方のコンタクト部１１２Ｂに向かって半導体層１１１中にホール電流ＩＨが流れる。
【０００５】
この構成では、いわゆるホール効果として、検出対象となる磁力線の方向、即ち半導体基板１１０の垂直方向と、１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂ間でホール電流ＩＨが流れる方向の両者に対して直交する向きに、ローレンツ力Ｆが働いて電荷が移動し、電位差が生じる。このホール効果による電位差をホール電圧ＶＨとして測定することにより、ホール素子１２０に入射した磁力線の強さを検出することができる。このホール電圧ＶＨは、ホール電流ＩＨの大きさと、半導体基板１１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度との積に比例する。
【０００６】
なお、ホール素子１２０では、定電流源から供給されたホール電流ＩＨの大部分は、１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂの間の領域１１１Ａ内における半導体層１１１中を流れ、それ以外の領域における半導体層１１１にはホール電流ＩＨの極僅かな電流成分しか流れない。
【０００７】
また、上述したように、ホール素子１２０内の全面において、入射する磁力線の磁束密度は略均一であり、半導体層１１１及び半導体基板１１０の比透磁率は略均一である。
【０００８】
従って、１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂの間の領域１１１Ａでは、ホール電流ＩＨの大部分が流れるので磁力線に対して効率よくホール効果が生じるが、それ以外の領域では極僅かな電流成分しか流れないので殆どホール効果が生じない。即ち、ホール電圧ＶＨが発生する際には、１対のコンタクト部１１２Ａ，１１２Ｂの間の領域１１１Ａが主な磁電変換領域として寄与することになり、それ以外の領域は殆ど寄与していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２６８３５号公報
【特許文献２】特開２００３−１３０８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したホール素子１２０が形成されたＩＣ等の半導体装置は、携帯電話等の小型電子機器に搭載されるため、その小型電子機器の内外における均一で小さな磁束密度の磁力線が検出の対象となる。また、小型電子機器では省電力化が厳しく要求されるため、ホール素子１２０に供給できる電流、即ちホール電流ＩＨは微弱なものに限られている。そして、ホール電圧ＶＨは、ホール電流ＩＨの大きさと、半導体基板１１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度との積に比例することから、ホール素子１２０から出力されるホール電圧ＶＨは低く、磁力線の検出感度も低かった。
【００１１】
ホール電圧ＶＨを高めるためには、ホール電流ＩＨを大きくするか、ホール素子１２０に入射する磁力線の磁束密度を高くする方法が考えられる。しかし、ホール電流ＩＨを大きくすると、ホール素子１２０が形成されたＩＣ等の半導体装置における消費電力が大きくなるため、その半導体装置を、省電力化が厳しく要求される小型電子機器に搭載することができなくなる。
【００１２】
また、ホール素子１２０に入射する磁力線の磁束密度を高める方法としては、ホール素子１２０を覆って、フェライト等の強磁性体を、集磁板として形成する方法が考えられる。しかし、集磁板として機能するフェライト等の強磁性体は、トランジスタ等の半導体装置の製造プロセスで形成される配線と比較すると、遥かに厚く形成する必要があるため、ホール素子１２０が形成されたＩＣ等の半導体装置のサイズも厚くなる。従って、この場合、半導体装置を携帯電話等の小型電子機器に搭載できる程度に薄く小型化することはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題に鑑みて為されたものであり、その主な特徴は以下の通りである。即ち、本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された半導体層と、半導体層に形成され、定電流が供給される１対のコンタクト部を含むホール素子と、ホール素子及び半導体層を覆う第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成され１対のコンタクト部の間の領域を覆う第１の金属層と、第１の金属層の一部上を開口する開口部を有して第１の絶縁膜及び第１の金属層を覆う第２の絶縁膜と、当該開口部内で第１の金属層と接続されると共に、第２の絶縁膜上において当該第１の金属層よりも広く延在する第２の金属層と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、第１の金属層及び第２の金属層の各比透磁率は、いずれも、第２の絶縁膜の比透磁率よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、第１の絶縁膜は第２の絶縁膜よりも薄く形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、第２の金属層は、半導体基板の表面の全域と重畳して第２の絶縁膜上に延在することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、第１の金属層及び第２の金属層は同一の金属からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第２の金属層に入射した磁力線が、ホール電流の大部分が流れて効率よくホール効果が生じる１対のコンタクト層の間の領域に集束し、当該領域の磁束密度が高くなる。これにより、弱い磁界の磁力線に対しても、従来例に比して高いホール電圧を得ることができようになり、磁力線の検出感度を高めることができる。その際、ホール電流を増やす必要がないため、半導体装置を省電力化することができる。また、フェライト等の厚い集磁板を形成する必要がないため、半導体装置を薄く小型化することができる。
【００１９】
また、半導体装置のパターン上の制約によりホール素子の形成領域が小さくならざるを得ない場合においても、第２の金属層が十分広く形成されていれば、１対のコンタクト層の間の領域に磁力線が集束して磁束密度が高くなるため、従来例に比して磁力線の検出感度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。
【図４】従来例による半導体装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は本実施形態による半導体装置を示す平面図であり、ホール素子２０を上面からみた場合の主な構成要素のみを図示し、ホール素子２０が形成された半導体層１１より上層の構成要素については図示を省略している。図２は図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図であり、図３は図１のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。
【００２２】
この実施形態によるホール素子２０が形成された半導体装置は、その一例として、ホール素子２０以外のデバイス、例えばトランジスタも同一の半導体基板１０上に形成されたＩＣであるものとするが、ホール素子２０以外のデバイスの構成については説明を省略する。
【００２３】
図１の平面図に示すように、ＩＣを構成する例えばＰ型の半導体基板１０の表面に、例えばＮ−型の半導体層１１が形成され、その半導体層１１の表面の一部にホール素子２０が形成されている。ホール素子２０は、半導体基板１０の表面に対して垂直方向あるいは略垂直方向に入射する磁力線に応じてホール電圧ＶＨを発生する磁気センサとして機能する。なお、ホール素子２０内における半導体基板１０及び半導体層１１の比透磁率は、その全面において略均一であり、例えば約０．００１〜０．００４である。ホール素子２０内に入射する磁力線の磁束密度は、半導体基板１０及び半導体層１１の全面において略均一であるものとする。
【００２４】
ホール素子２０内における半導体層１１の表面には、例えばＮ＋型の不純物添加層からなる１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂが、互いに離間して対向するように形成されている。
【００２５】
１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂは、定電流源３０に接続されており、例えばコンタクト部１２Ａから、もう一方のコンタクト部１２Ｂに向かって半導体層１１中にホール電流ＩＨが流れるように構成されている。このホール電流ＩＨのうち、極僅かな電流成分は、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａの外側近傍に広がるようにして流れるものの、ホール電流ＩＨの大部分は、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の最短経路を通って領域１１Ａ内を流れる。ホール電流ＩＨは、このホール素子２０の磁電変換に用いられる定電流であることから、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａが、ホール素子２０の主な磁電変換領域となる。
【００２６】
また、ホール素子２０内における半導体層１１には、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂを結ぶ線と直交する線上において、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａを挟むようにして、１対の出力端子Ｔ１，Ｔ２が接続されている。この１対の出力端子Ｔ１，Ｔ２は、それらの間において、領域１１Ａに入射した磁力線とホール電流ＩＨによるホール効果で生じた電位差、即ちホール電圧ＶＨを出力するための端子であり、例えば不図示の他のコンタクト部、金属電極等によって形成される。
【００２７】
なお、ホール電圧ＶＨは、ホール電流ＩＨの大きさと、半導体基板１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度との積に比例し、領域１１Ａの半導体層１１中においてホール電流ＩＨが流れる領域の深さに反比例する。このホール電流ＩＨが流れる領域の深さは、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの深さに依存することから、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂが浅いほど、高いホール電流ＩＨを得ることができる。そこで、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの深さは、なるべく浅いことが好ましいが、半導体装置の製造プロセス上の制約、即ち加工精度、工程数などの制約を受ける。１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの深さは、例えば不図示のトランジスタのドレイン層やソース層と同時に形成される場合、極力浅く形成される例として、約０．２５μｍである。
【００２８】
以下に、半導体層１１より上層の断面構成について図２及び図３を参照して説明する。ホール素子２０を含む半導体層１１上に、その表面の略全域を覆って、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる第１の絶縁膜１３が形成されている。第１の絶縁膜１３は、後述する磁気抵抗を極めて小さくする都合上、数十ｎｍと薄く形成される必要があり、例えば不図示のトランジスタのゲート絶縁膜と同程度の厚さである。また、第１の絶縁膜１３の比透磁率は、例えば約０．０００２である。
【００２９】
第１の絶縁膜１３上には、コンタクト部１２Ａと接続された電極１４Ａ、及びコンタクト部１２Ｂと接続された電極１４Ｂが形成されており、コンタクト部１２Ａ，１２Ｂには、それらの電極１４Ａ，１４Ｂを介して、定電流源３０からホール電流ＩＨが供給される。
【００３０】
また、半導体基板１０の平面方向において、ホール電流ＩＨの大部分が流れる１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａを覆うように、第１の絶縁膜１３上に第１の金属層１５が形成されている。この第１の金属層１５は、半導体装置の製造プロセスにおける多層配線等の形成に用いられる金属、例えば銅やアルミニウムであり、例えば約０．５μｍ〜１μｍの厚さを有している。この第１の金属層１５の比透磁率は、半導体基板１０及び半導体層１１の比透磁率よりも大きく、例えば３〜４桁のオーダーの差を以って設定され、例えば約１．０である。
【００３１】
さらに、第１の金属層１５の一部上を開口する開口部１６Ａを有して、第１の絶縁膜１３、電極１４Ａ，１４Ｂ、及び第１の金属層１５を覆うようにして、第２の絶縁膜１６が形成されている。第２の絶縁膜１６は、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなり、例えば約０．５μｍ〜１μｍの厚さを有した層間絶縁膜であり、図示されていない領域も含む第１の絶縁膜１３の全域あるいは略全域を覆っている。この第２の絶縁膜１６の比透磁率は、第１の金属層１５の比透磁率よりも小さく、例えば４〜５桁のオーダーの差を以って設定され、例えば約０．０００２である。
【００３２】
第２の絶縁膜１６上には、その開口部１６Ａ内で第１の金属層１５と接続され、半導体基板１０の平面方向において、第１の金属層１５と重畳すると共に、第１の金属層１５より広く延在する第２の金属層１７が形成されている。第２の金属層１７は、半導体基板１０の平面方向において、少なくともホール素子２０の全域あるいは略全域を覆って形成され、好ましくは、ホール素子２０の外側に延びて、半導体基板１０の全域あるいは略全域を覆って形成される。
【００３３】
第２の金属層１７は、半導体装置の製造プロセスにおける多層配線等の形成に用いられる金属、例えば銅やアルミニウムであり、例えば約０．５μｍ〜１μｍの厚さを有している。この第２の金属層１７の比透磁率は、第１の金属層１５の比透磁率と同じか略同じであり、例えば約１．０である。即ち、第１の金属層１５及び第２の金属層１７の比透磁率は、いずれも第２の絶縁膜１６の比透磁率よりも大きく、例えば４〜５桁のオーダーの差を以って設定される。
【００３４】
第１の金属層１５、第２の絶縁膜１６、及び第２の金属層１７の断面構成から分かるように、半導体基板１０と対向する側の第２の金属層１７の面は、第１の金属層１５と接する部分以外では、第２の金属層１７の比透磁率より低い比透磁率を有した第２の絶縁膜１６と接している。また、第１の金属層１５も、第２の金属層１７と接する部分以外では、第１の金属層１５の比透磁率よりも低い比透磁率を有した第２の絶縁膜１６に囲まれている。
【００３５】
これにより、第２の金属層１７の上面に入射した磁力線の大部分は、第１の金属層１５及び第２の金属層１７よりも比透磁率の低い第２の絶縁膜１６に入射することなく、第２の金属層１７内を通って第１の金属層１５内に導かれる。ここで、第２の金属層１７は、半導体基板１０の平面方向において、第１の金属層１５の形成領域よりも広く延在し、ホール素子２０の全域もしくは略全域を覆っていることから、半導体基板１０の平面方向の広い範囲にわたって入射した磁力線の大部分が、高い磁束密度で第１の金属層１５に集束することになる。
【００３６】
さらに、第１の金属層１５内に集束した高い磁束密度の磁力線は、第１の金属層１５より比透磁率の低い周囲の第２の絶縁膜１６に入射することなく、ホール電流ＩＨの大部分が流れる１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａ内において、半導体基板１０の垂直方向あるいは略垂直方向に向かって延びる。
【００３７】
なお、第１の絶縁膜１３の比透磁率は第２の絶縁膜１６と同様であり、（例えば約０．０００２）、第１の金属層１５及び第２の金属層１７よりも高いが、第１の絶縁膜１３の厚さは、数十ｎｍと僅かであり、第２の絶縁膜１６と比較すると極めて薄い。そのため、第１の絶縁膜１３の磁気抵抗は、第１の絶縁膜１３の厚さに比例して極めて小さくなる。従って、第１の金属層１５に集束された磁力線は、この第１の絶縁膜１３の僅かな磁気抵抗によって妨げられることなく、半導体基板１０の垂直方向あるいは略垂直方向に沿って第１の絶縁膜１３を透過して、ホール電流ＩＨの大部分が流れる１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａ内における半導体層１１内に入射する。
【００３８】
特に、第２の金属層１７が、ホール素子２０の外側にも延びて半導体基板１０の平面を広く覆う場合には、より多くの磁力線が第１の金属層１５に集束することになり、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａ内に入射する磁力線の磁束密度がより高くなる。
【００３９】
こうして、ホール電流ＩＨの大部分が流れる１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａにおいて、高い磁束密度の磁力線が半導体層１１中に入射することから、その領域１１Ａ内で高い効率でホール効果が生じることになる。即ち、領域１１Ａ内の半導体層１１では、入射した磁力線とホール電流ＩＨの両者に直交する向きに、従来例に比して大きなローレンツ力Ｆが働いて、ホール素子２０の端子Ｔ１，Ｔ２から出力されるホール電圧ＶＨが高くなって、磁力線の検出感度が向上する。
【００４０】
結果として、弱い磁界における磁力線に対しても、従来例に比して高いホール電圧ＶＨを得ることができ、磁力線の検出感度を高めることができる。その際、ホール電流ＩＨを増やして半導体装置の消費電力を増大させる必要はない。また、集磁板としてフェライト等の強磁性体を厚く形成して半導体装置を大型化させることもない。即ち、本実施形態では、上述したように第１の金属層１５及び第２の金属層１７を用いて磁力線を集束するが、第１の金属層１５及び第２の金属層１７を合わせた全体の厚さは、例えば約１μｍ〜２μｍであり、フェライト等の強磁性体と比較すると遥かに薄くなる。従って、半導体装置を薄く小型化することができる。
【００４１】
また、ＩＣ等の半導体装置におけるパターン上の制約、例えばホール素子２０以外の不図示のデバイスや配線等のパターンによる制約により、半導体基板１０の平面方向において、ホール素子２０の形成領域が限られて１対のコンタクト層１２Ａ，１２Ｂが小さくならざるを得ない場合がある。しかし、そもそもホール電圧ＶＨは、ホール電流ＩＨの大きさと、半導体基板１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度との積に比例し、ホール電流ＩＨの大部分が流れる領域１１Ａの平面方向の幅（ホール電流ＩＨが流れる方向と直交する方向の幅）には依存しない。従って、１対のコンタクト層１２Ａ，１２Ｂが小さくなって、ホール電流ＩＨの大部分が流れる領域１１Ａが小さくなった場合にも、上記のように領域１１Ａ内で半導体基板１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度を高めれば、従来例に比して高いホール電圧ＶＨを得ることができ、磁力線の検出感度を高めることができる。
【００４２】
このとき、１対のコンタクト層１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａの大きさの変化に応じて第１の金属層１５を小さく形成し、その一方で第２の金属層１７の広さは変えないものとすると、領域１１Ａ内で半導体基板１０の垂直方向に入射する磁力線の磁束密度は、上記実施形態に比して高くなり、さらに磁力線の検出感度を高めることができる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
【００４４】
例えば、上記比透磁率の関係を満たすものであれば、第２の金属層１７は、第１の金属層１５と同一の材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。
【００４５】
第１の金属層１５と第２の金属層１７が同一の材料からなる場合、それらは同じ工程で同時に形成されてもよい。その場合、図示しないが、第２の絶縁膜１６を形成した後、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａ上で、第２の絶縁膜１６に開口部を形成し、その開口部内から第２の絶縁膜１６上に延在するように、第１の金属層１５及び第２の金属層１７を形成すればよい。
【００４６】
また、図示しないが、第１の金属層１５と第２の金属層１７は、それらと同様の比透磁率を有した他の金属層を介して接続されてもよい。さらにいえば、第１の金属層１５と第２の金属層１７との間で、それらと接続される他の金属層として、第１の金属層１５及び第２の金属層１７と同様の比透磁率を有した単数あるいは複数の金属層（半導体装置の製造プロセスにおける多層配線等に用いられる金属、例えば銅やアルミニウムからなる）が形成されてもよい。即ち、本発明は、第１の金属層１５から第２の金属層１７までの構造が３層以上の多層配線構造を有している場合についても適用される。
【００４７】
また、上記実施形態では、ホール素子２０が形成された半導体装置は、ホール素子２０以外のデバイス、例えばトランジスタも同一の半導体基板１０上に形成されたＩＣを一例として説明したが、本発明はＩＣに限定されない。例えば、本発明は、ホール素子２０以外のデバイスが形成されず、ホール素子２０及びそれに接続された電極等のみが形成された半導体装置に対しても適用される。
【符号の説明】
【００４８】
１０，１００  半導体基板          １１，１１１  半導体層
１２Ａ，１２Ｂ，１１２Ａ，１１２Ｂ  コンタクト部
１３  第１の絶縁膜                １４Ａ，１４Ｂ  電極
１５  第１の金属層                １６  第２の絶縁膜
１７  第２の金属層                ２０，１２０  ホール素子
Ｔ１，Ｔ２  出力端子
【図１】
2010287755.tif 000003
【図２】
2010287755.tif 000004
【図３】
2010287755.tif 000005
【図４】
2010287755.tif 000006