(57)【要約】【課題】  所定の層をエッチングにより除去する際に、除去する必要のない配線層がエッチングにより除去され難くする多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  配線層と絶縁層とが交互に積層され、所定の前記配線層の一部が前記絶縁層に設けられた貫通孔を介して他の前記配線層の一部と電気的に接続された多層配線基板の製造方法であって、一方の側に前記配線層が形成された前記絶縁層の他方の側に金属箔を圧着し、前記絶縁層を硬化させる金属箔圧着工程と、前記金属箔を介して前記絶縁層にレーザを照射し、前記配線層が露出しないように前記配線層上に前記絶縁層の一部を残して前記絶縁層に孔を形成する孔形成工程と、前記孔形成工程よりも後に、前記金属箔を薄化する金属箔薄化工程と、前記金属箔薄化工程よりも後に、前記配線層上に残した前記絶縁層を除去して前記孔を貫通させ、貫通した前記孔内に前記配線層の一部を露出させる配線層露出工程と、を有することを要件とする。【選択図】  図１３
2010287851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層とが交互に積層され、所定の前記配線層の一部が前記絶縁層に設けられた貫通孔を介して他の前記配線層の一部と電気的に接続された多層配線基板の製造方法であって、
一方の側に前記配線層が形成された前記絶縁層の他方の側に金属箔を圧着し、前記絶縁層を硬化させる金属箔圧着工程と、
前記金属箔を介して前記絶縁層にレーザを照射し、前記配線層が露出しないように前記配線層上に前記絶縁層の一部を残して前記絶縁層に孔を形成する孔形成工程と、
前記孔形成工程よりも後に、前記金属箔を薄化する金属箔薄化工程と、
前記金属箔薄化工程よりも後に、前記配線層上に残した前記絶縁層を除去して前記孔を貫通させ、貫通した前記孔内に前記配線層の一部を露出させる配線層露出工程と、を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔の前記絶縁層と接する面は粗化されており、
前記金属箔圧着工程において、前記金属箔の粗化された面が前記絶縁層の他方の側の面に転写される請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
更に、前記孔形成工程よりも前に、前記金属箔の表面にレーザ吸収層を形成するレーザ吸収層形成工程を有する請求項１又は２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ吸収層は、前記金属箔の表面を粗化又は酸化させることにより形成される請求項３記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
更に、前記配線層露出工程よりも後に、前記金属箔を除去する金属箔除去工程と、
前記絶縁層の他方の側の面上、前記孔の内壁面上、及び前記孔内に露出する前記配線層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を有する請求項１乃至４の何れか一項記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
更に、前記配線層露出工程よりも後に、前記金属箔上、前記孔の内壁面上、及び前記孔内に露出する前記配線層上に金属層を形成する金属層形成工程を有する請求項１乃至４の何れか一項記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層と絶縁層とが交互に積層された多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁層に形成されたビアホール（開口部）を介して複数の配線層が電気的に接続された多層配線基板が知られている。図１は、従来の多層配線基板を部分的に例示する断面図である。図１を参照するに、従来の多層配線基板１００は、コア基板１１０と、第１配線層１２０と、第２配線層１３０と、絶縁層１４０とを有する。なお、コア基板１１０には貫通電極が形成されていても良い。
【０００３】
図１に示す多層配線基板１００において、第１配線層１２０は、コア基板１１０上に形成されている。絶縁層１４０は、第１配線層１２０を覆うようにコア基板１１０上に形成されている。第２配線層１３０は、絶縁層１４０上に形成されている。第２配線層１３０は、第１層１３０ａ及び第２層１３０ｂから構成されている。第１配線層１２０と第２配線層１３０とは、絶縁層１４０を貫通するビアホール１４０ｘを介して電気的に接続されている。
【０００４】
図２〜図７は、従来の多層配線基板の製造工程を例示する図である。図２〜図７において、図１に示す多層配線基板１００と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２〜図７を参照しながら、従来の多層配線基板１００の製造方法について説明する。
【０００５】
始めに、図２に示す工程では、周知の方法により、コア基板１１０上に第１配線層１２０を形成し、更に第１配線層１２０を覆うように絶縁層１４０を形成する。そして、絶縁層１４０上に、例えば無電解めっき法等により金属層１５０を形成する。金属層１５０は、後述する図３に示す工程において、レーザ光により絶縁層１４０にビアホール１４０ｘを形成する際に、ビアホール１４０ｘが形成される部分の絶縁層１４０の表面近傍が変形することを防止する機能を有する。第１配線層１２０及び金属層１５０の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。金属層１５０の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【０００６】
次いで、図３に示す工程では、金属層１５０を介して絶縁層１４０にレーザ光を照射し、絶縁層１４０に第１配線層１２０を露出するビアホール１４０ｘを形成する。次いで、図４に示す工程では、デスミア処理の後エッチングにより図３に示す金属層１５０を除去する。
【０００７】
次いで、図５に示す工程では、絶縁層１４０上（ビアホール１４０ｘの壁面も含む）及びビアホール１４０ｘ内に露出する第１配線層１２０上に、例えば無電解めっき法等により第２配線層１３０を構成する第１層１３０ａを形成する。第１層１３０ａは、後述する図６に示す工程において、電解めっき法により第２配線層１３０を構成する第２層１３０ｂを形成する際に給電層として機能する。第１層１３０ａの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第１層１３０ａの厚さは、例えば１μｍとすることができる。
【０００８】
次いで、図６に示す工程では、第２配線層１３０の形成位置に対応する開口部１６０ｘを有するレジスト層１６０を形成する。そして、第１層１３０ａを給電層とする電解めっき法により、開口部１６０ｘ内に露出する第１層１３０ａ上に、第２配線層１３０を構成する第２層１３０ｂを形成する。第２層１３０ｂの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第２層１３０ｂの厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【０００９】
次いで、図７に示す工程では、図６に示すレジスト層１６０を除去する。そして、第２層１３０ｂが積層されていない部分の第１層１３０ａを、第２層１３０ｂをマスクとしてエッチングにより除去する。これにより、第１層１３０ａ及び第２層１３０ｂから構成されている第２配線層１３０が形成され、図１に示す多層配線基板１００が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２３５２０２号公報
【特許文献２】特開２００１−１７７２４６号公報
【特許文献３】特開２００９−１８５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、前述の図４に示す工程において、金属層１５０をエッチングにより除去する際に、金属層１５０とともにビアホール１４０ｘ内に露出する第１配線層１２０の一部もエッチングにより除去されるため、第１配線層１２０の厚さが薄くなるという問題があった。
【００１２】
上記の点に鑑みて、所定の層をエッチングにより除去する際に、除去する必要のない配線層がエッチングにより除去され難くする多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本多層配線基板の製造方法は、配線層と絶縁層とが交互に積層され、所定の前記配線層の一部が前記絶縁層に設けられた貫通孔を介して他の前記配線層の一部と電気的に接続された多層配線基板の製造方法であって、一方の側に前記配線層が形成された前記絶縁層の他方の側に金属箔を圧着し、前記絶縁層を硬化させる金属箔圧着工程と、前記金属箔を介して前記絶縁層にレーザを照射し、前記配線層が露出しないように前記配線層上に前記絶縁層の一部を残して前記絶縁層に孔を形成する孔形成工程と、前記孔形成工程よりも後に、前記金属箔を薄化する金属箔薄化工程と、前記金属箔薄化工程よりも後に、前記配線層上に残した前記絶縁層を除去して前記孔を貫通させ、貫通した前記孔内に前記配線層の一部を露出させる配線層露出工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１４】
開示の技術によれば、所定の層をエッチングにより除去する際に、除去する必要のない配線層がエッチングにより除去され難くする多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の多層配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図２】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】第１の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図１７】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図１８】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１９】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図２０】第２の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。
【図２１】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図２２】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２３】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図２４】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図２５】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図２６】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。
【００１７】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る多層配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る多層配線基板の構造について説明する。図８は、第１の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。図８を参照するに、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０は、コア基板１１と、第１配線層１２と、第２配線層１３と、第１絶縁層１４と、第３配線層２２と、第４配線層２３と、第２絶縁層２４と、貫通電極２９とを有する多層配線基板である。
【００１８】
多層配線基板１０において、中心部には貫通電極２９を有するコア基板１１が設けられている。コア基板１１としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板１１の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極２９は、コア基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものであり、第１配線層１２の一部と第３配線層２２の一部とを電気的に接続している。
【００１９】
第１配線層１２は、コア基板１１の一方の面１１ａに形成されている。第１配線層１２としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第１配線層１２の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。第１絶縁層１４は、コア基板１１の一方の面１１ａに第１配線層１２を覆うように形成されている。第２配線層１３は、第１絶縁層１４上に形成されている。第２配線層１３は、第１層１３ａ及び第２層１３ｂから構成されている。第１配線層１２と第２配線層１３とは、第１絶縁層１４に形成された第１ビアホール１４ｘを介して電気的に接続されている。
【００２０】
第２配線層１３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２配線層１３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。第１絶縁層１４の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層１４は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有しても構わない。第１絶縁層１４の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。
【００２１】
第３配線層２２は、コア基板１１の他方の面１１ｂに形成されている。第３配線層２２としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第３配線層２２の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。第２絶縁層２４は、コア基板１１の他方の面１１ｂに第３配線層２２を覆うように形成されている。第４配線層２３は、第２絶縁層２４上に形成されている。第４配線層２３は、第１層２３ａ及び第２層２３ｂから構成されている。第３配線層２２と第４配線層２３とは、第２絶縁層２４に形成された第２ビアホール２４ｘを介して電気的に接続されている。
【００２２】
第４配線層２３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第４配線層２３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。第２絶縁層２４の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第２絶縁層２４は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有しても構わない。第２絶縁層２４の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。以上が、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の構造である。
【００２３】
［第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。図９〜図１９は、第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図である。図９〜図１９において、図８に示す多層配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図９〜図１９を参照しながら、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の製造方法について説明する。
【００２４】
始めに、図９に示す工程では、第１配線層１２、第３配線層２２、貫通電極２９が設けられたコア基板１１を用意する。コア基板１１としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板１１の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極２９は、コア基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものであり、第１配線層１２の一部と第３配線層２２の一部とを電気的に接続している。第１配線層１２及び第３配線層２２としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００２５】
次いで、図１０に示す工程では、コア基板１１の一方の面１１ａに第１配線層１２を被覆する第１絶縁層１４を形成する。又、コア基板１１の他方の面１１ｂに第３配線層２２を被覆する第２絶縁層２４を形成する。第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有しても構わない。第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。
【００２６】
第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４は、例えばコア基板１１の一方の面１１ａ及び他方の面１１ｂにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートすることにより形成することができる。なお、図１０に示す工程では、第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４は未硬化の状態である。
【００２７】
次いで、図１１に示す工程では、第１絶縁層１４の一方の面１４ａに、片面（第１絶縁層１４の一方の面１４ａ側）が粗化された金属箔１５を配設し圧着する。又、第２絶縁層２４の一方の面２４ａに、片面（第２絶縁層２４の一方の面２４ａ側）が粗化された金属箔２５を配設し圧着する。その後、第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４を、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させる。金属箔１５及び２５の材料としては、例えばＣｕやＣｕ合金等を用いることができる。金属箔１５及び２５の厚さは、例えば１８μｍとすることができる。なお、金属箔１５及び２５が１２μｍ以上の厚さを有していると、取り扱い上の問題が生じないため、好ましくは１２μｍ以上とする。
【００２８】
金属箔１５及び２５は、後述する図１５に示す工程で除去され、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａは金属箔１５及び２５の粗面が転写され粗化される。第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａを粗化することにより、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａと後述する図１６に示す工程で第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａに形成される第２配線層１３を構成する第１層１３ａ及び第４配線層２３を構成する第１層２３ａとの密着性を向上することができる。
【００２９】
次いで、図１２に示す工程では、金属箔１５を介して第１絶縁層１４にレーザ光を照射し、金属箔１５及び第１絶縁層１４に第１ビアホール１４ｘを形成する。第１ビアホール１４ｘは、第１配線層１２上に第１絶縁層１４の一部を残し、第１配線層１２が露出しないように形成する。第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の最薄部の厚さＴ１は、例えば１μｍとすることができる。
【００３０】
又、金属箔２５を介して第２絶縁層２４にレーザ光を照射し、金属箔２５及び第２絶縁層２４に第２ビアホール２４ｘを形成する。第２ビアホール２４ｘは、第３配線層２２上に第２絶縁層２４の一部を残し、第３配線層２２が露出しないように形成する。第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の最薄部の厚さＴ２は、例えば１μｍとすることができる。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。
【００３１】
第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘを形成する際に、第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の厚さ及び第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の厚さは、レーザの照射パワー及び照射時間により制御することができる。第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の最薄部の厚さＴ１≒１μｍ、第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の最薄部の厚さＴ２≒１μｍとする。
【００３２】
なお、金属箔１５及び２５を介して第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４にレーザ光を照射する前に、金属箔１５及び２５の表面（レーザが照射される面）を粗化や酸化等することにより金属箔１５及び２５の表面にレーザ吸収層を形成することが好ましい。金属箔１５及び２５の表面にレーザ吸収層を形成しないと、レーザのエネルギーが金属箔１５及び２５の表面で反射されてしまい、第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘの加工が困難になるためである。
【００３３】
金属層１５及び２５を介して第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４にレーザ光を照射することにより、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａ近傍における、レーザの余剰エネルギーによる第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘの孔径変動を抑制することができる。
【００３４】
次いで、図１３に示す工程では、金属箔１５及び２５をエッチングにより薄化する。金属箔１５及び２５の材料としてＣｕを用いた場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより金属箔１５及び２５を薄化することができる。薄化後の金属箔１５及び２５の厚さＴ３及びＴ４は、例えば１〜２μｍとすることができるが、薄化後の金属箔１５及び２５の厚さＴ３及びＴ４は、薄いほど有利である。
【００３５】
図１３に示す工程を図１１に示す工程と図１２に示す工程との間に実施することも可能であるが、次のような理由により好ましくない。第１に、１μｍ程度に薄化した金属箔１５及び２５にピンホールがあると、レーザ吸収層の形成に用いる処理液が、ピンホールがある金属箔１５及び２５に覆われた部分の第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４に悪影響を与える虞があるからである。第２に、１μｍ程度に薄化した金属箔１５及び２５にピンホールがあると、第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘ内に残る第１絶縁層１４及び第３配線層２２を除去する工程（図１４に示す工程）において、ピンホールがある金属箔１５及び２５に覆われた部分の第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４に悪影響を与える虞があるからである。
【００３６】
なお、図１３に示す工程において、第１配線層１２の表面は第１絶縁層１４で覆われ、第３配線層２２の表面は第２絶縁層２４で覆われている。その結果、金属箔１５及び２５をエッチングにより薄化する際に、第１配線層１２及び第３配線層２２の一部がエッチングにより除去されることがないため、第１配線層１２及び第３配線層２２の厚さが薄くなることを防止することができる。
【００３７】
次いで、図１４に示す工程では、第１配線層１２上に残る第１絶縁層１４を除去し、第１ビアホール１４ｘ内に第１配線層１２の一部を露出させる。又、第３配線層２２上に残る第２絶縁層２４を除去し、第２ビアホール２４ｘ内に第３配線層２２の表面の一部を露出させる。第１配線層１２上に残る第１絶縁層１４及び第３配線層２２上に残る第２絶縁層２４は、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等で酸化分解することにより除去することができる。
【００３８】
なお、この工程において、第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４の露出している部分（第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘの壁面）は粗化されるが、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａは金属箔１５及び２５に覆われているため粗化されることはない。この工程における粗化の程度（例えば０．５μｍオーダーの凹凸が形成される）は、第１配線層１２上に残る第１絶縁層１４及び第３配線層２２上に残る第２絶縁層２４を完全に除去しなければならないため、前述の図１１に示す工程及び後述の図１６に示す工程における粗化の程度よりも大きい（過剰である）。従って、もしも第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａがこの工程で粗化されると、高周波信号伝送及び微細配線形成を妨げることになる。
【００３９】
なぜなら、粗化の程度が大きい（例えば０．５μｍオーダーの凹凸が形成される）と、表面に形成された凹凸の表皮効果により高周波信号（例えば数十ＧＨｚオーダーの信号）に信号遅延を生じさせるためである。又、粗化の程度が大きい（例えば０．５μｍオーダーの凹凸が形成される）と、表面に形成された凹凸は、配線が微細化されるに従って配線の幅と近接してくるためである。しかしながら、前述のように、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａは金属箔１５及び２５に覆われており、この工程において粗化されないため、高周波信号伝送及び微細配線形成を妨げることにはならない。
【００４０】
次いで、図１５に示す工程では、図１４に示す金属箔１５及び２５をエッチングにより除去する。金属箔１５及び２５を除去した後の第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａは、金属箔１５及び２５の粗面が転写され粗化されている。
【００４１】
金属箔１５及び２５の材料としてＣｕを用いた場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより金属箔１５及び２５を除去することができる。金属箔１５及び２５をエッチングにより除去する際に、金属箔１５及び２５とともに第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘ内に露出する第１配線層１２及び第３配線層２２の表面もエッチングにより除去され第１配線層１２及び第３配線層２２は薄化するが、金属箔１５及び２５の厚さＴ３及びＴ４が極めて薄い（例えば１〜２μｍ）ため、第１配線層１２及び第３配線層２２の薄化量を低減することができる。
【００４２】
次いで、図１６に示す工程では、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ（第１ビアホール１４ｘの側壁部分も含む）及び第１ビアホール１４ｘ内に露出する第１配線層１２上に、第２配線層１３を構成する第１層１３ａを形成する。又、第２絶縁層２４の一方の面２４ａ（第２ビアホール２４ｘの側壁部分も含む）及び第２ビアホール２４ｘ内に露出する第３配線層２２上に、第４配線層２３を構成する第１層２３ａを形成する。第１層１３ａ及び２３ａは、後述する図１８に示す工程において、電解めっき法により第２層１３ｂ及び２３ｂを形成する際に給電層として機能する。
【００４３】
第１層１３ａ及び２３ａは、無電解めっき法又はスパッタ法により形成することができる。第１層１３ａ及び２３ａとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第１層１３ａ及び２３ａの厚さは、例えば１μｍとすることができる。なお、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａが粗化されているためアンカー効果が生じ、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａと第１層１３ａ及び２３ａとの密着性が向上する。
【００４４】
次いで、図１７に示す工程では、第２配線層１３を構成する第１層１３ａ上に、第２層１３ｂの形成位置に対応する開口部１６ｘを有するレジスト層１６を形成する。又、第４配線層２３を構成する第１層２３ａ上に、第２層２３ｂの形成位置に対応する開口部２６ｘを有するレジスト層２６を形成する。レジスト層１６及び２６としては、例えば感光性樹脂組成物等を用いることができる。
【００４５】
次いで、図１８に示す工程では、第１層１３ａを給電層とする電解めっき法により、レジスト層１６の開口部１６ｘ内に露出する第１層１３ａ上に、第２配線層１３を構成する第２層１３ｂを形成する。又、第１層２３ａを給電層とする電解めっき法により、レジスト層２６の開口部２６ｘ内に露出する第１層２３ａ上に、第４配線層２３を構成するに第２層２３ｂを形成する。第２層１３ｂ及び２３ｂとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２層１３ｂ及び２３ｂの厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができるが、レジスト層１６及び２６の厚さよりも薄いことが望ましい。
【００４６】
次いで、図１９に示す工程では、図１８に示すレジスト層１６及び２６を除去する。そして、第２層１３ｂが積層されていない部分の第１層１３ａを、第２層１３ｂをマスクとしてエッチングにより除去する。又、第２層２３ｂが積層されていない部分の第１層２３ａを、第２層２３ｂをマスクとしてエッチングにより除去する。第１層１３ａ及び２３ａの材料としてＣｕを用いた場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより第１層１３ａ及び２３ａを除去することができる。これにより、第１層１３ａ及び第２層１３ｂから構成されている第２配線層１３、並びに第１層２３ａ及び第２層２３ｂから構成されている第４配線層２３が形成され、図８に示す多層配線基板１０が製造される。
【００４７】
なお、本実施の形態では、コア基板１１の一方の面１１ａ及び他方の面１１ｂにそれぞれ２層のビルドアップ配線層（第１配線層１２及び第２配線層１３、第３配線層２２及び第４配線層２３）を形成したが、図１０〜図１９に示す工程を繰り返すことにより、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００４８】
又、図１９に示す構造体に、第２配線層１３及び／又は第４配線層２３を覆うように、所定の開口部を有するソルダーレジスト層を形成してもよい。更に、ソルダーレジスト層の所定の開口部から露出する第２配線層１３及び／又は第４配線層２３上に、Ａｕ層等を形成してもよい。以上が、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の製造方法である。
【００４９】
このように、第１の実施の形態によれば、一方の側に配線層が形成された絶縁層の他方の側に金属箔を圧着し、絶縁層を硬化させる。次いで、金属箔を介して絶縁層にレーザを照射し、配線層が露出しないように配線層上に絶縁層の一部を残して絶縁層にビアホール（孔）を形成する。次いで、エッチングにより金属箔を厚さ１〜２μｍ程度に薄化した後、配線層上に残した絶縁層を除去してビアホール（孔）を貫通させ、貫通したビアホール（孔）内に配線層の一部を露出させる。その結果、金属箔を厚さ１〜２μｍ程度に薄化する工程において、配線層上には絶縁層の一部が残っており配線層が露出されていないため、配線層がエッチングされて配線層の厚さが薄くなることを防止することができる。
【００５０】
又、配線層上に残した絶縁層を除去して配線層の一部を露出させた後に金属箔をエッチングにより除去する。その際に、配線層の表面もエッチングにより除去され配線層は薄化するが、金属箔の厚さは１〜２μｍ程度と極めて薄いため、配線層の薄化量を低減することができる。
【００５１】
又、配線層上に残した絶縁層を除去して配線層の一部を露出させる工程において、絶縁層の金属箔が形成されている部分は粗化されることがない。その結果、高周波信号伝送及び微細配線形成に好適となる。
【００５２】
〈第２の実施の形態〉
［第２の実施の形態に係る多層配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る多層配線基板の構造について説明する。図２０は、第２の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。図２０を参照するに、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０は、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０における第２配線層１３が第２配線層３３に、第４配線層２３が第４配線層４３に置換された点を除いて、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０と同様に構成される。以下、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０と共通する部分についてはその説明を省略し、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０と異なる部分を中心に説明する。
【００５３】
多層配線基板３０において、第２配線層３３は、第１絶縁層１４上に形成されている。第２配線層３３は、第１層３５ａ、第２層３３ａ、及び第３層３３ｂから構成されている。第１配線層１２と第２配線層３３とは、第１絶縁層１４に形成された第１ビアホール１４ｘを介して電気的に接続されている。第２配線層３３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２配線層３３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。
【００５４】
第４配線層４３は、第２絶縁層２４上に形成されている。第４配線層４３は、第１層４５ａ、第２層４３ａ、及び第３層４３ｂから構成されている。第３配線層２２と第４配線層４３とは、第２絶縁層２４に形成された第２ビアホール２４ｘを介して電気的に接続されている。第４配線層４３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第４配線層４３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。以上が、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の構造である。
【００５５】
［第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。図２１〜図２６は、第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図である。図２１〜図２６において、図２０に示す多層配線基板３０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２１〜図２６を参照しながら、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の製造方法について説明する。
【００５６】
始めに、第１の実施の形態の図９及び図１０と同様の工程を実施した後、図２１に示す工程では、第１絶縁層１４の一方の面１４ａに、金属箔３５を配設し圧着する。又、第２絶縁層２４の一方の面２４ａに、金属箔４５を配設し圧着する。その後、第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４を、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させる。
【００５７】
金属箔３５は薄金属箔３５ａが支持金属箔３５ｂに支持された構造を有し、薄金属箔３５ａの片面（第１絶縁層１４の一方の面１４ａ側）は粗化されている。又、金属箔４５は、薄金属箔４５ａが支持金属箔４５ｂに支持された構造を有し、薄金属箔４５ａの片面（第２絶縁層２４の一方の面２４ａ側）は粗化されている。金属箔３５及び４５がこのような構造を有するのは、薄金属箔３５ａ及び４５ａのみでは強度が弱く、取り扱いが困難だからである。
【００５８】
薄金属箔３５ａ及び４５ａ、並びに支持金属箔３５ｂ及び４５ｂの材料としては、例えばＣｕやＣｕ合金等を用いることができる。薄金属箔３５ａ及び４５ａの厚さは、例えば４μｍとすることができる。なお、薄金属箔３５ａ及び４５ａは、ピンホール発生等の問題により、４μｍ以下の厚さとすることは困難である。支持金属箔３５ｂ及び４５ｂの厚さは、例えば３２μｍとすることができる。なお、薄金属箔３５ａ及び４５ａは、最終的には第２配線層３３を構成する第１層３５ａ及び第４配線層４３を構成する第１層４５ａとなる。
【００５９】
次いで、図２２に示す工程では、図２１に示す支持金属箔３５ｂ及び４５ｂを除去する。薄金属箔３５ａと支持金属箔３５ｂとは、例えば粘着剤を介して一体化されており、支持金属箔３５ｂのみを機械的に除去することができる。又、薄金属箔４５ａと支持金属箔４５ｂとは、例えば粘着剤を介して一体化されており、支持金属箔４５ｂのみを機械的に除去することができる。
【００６０】
次いで、第１の実施の形態の図１２と同様な工程により、薄金属箔３５ａを介して第１絶縁層１４にレーザ光を照射し、薄金属箔３５ａ及び第１絶縁層１４に第１ビアホール１４ｘを形成する。第１ビアホール１４ｘは、第１配線層１２上に第１絶縁層１４の一部を残し、第１配線層１２が露出しないように形成する。第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の最薄部の厚さは、例えば１μｍとすることができる。
【００６１】
又、薄金属箔４５ａを介して第２絶縁層２４にレーザ光を照射し、薄金属箔４５ａ及び第２絶縁層２４に第２ビアホール２４ｘを形成する。第２ビアホール２４ｘは、第３配線層２２上に第２絶縁層２４の一部を残し、第３配線層２２が露出しないように形成する。第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の最薄部の厚さは、例えば１μｍとすることができる。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。
【００６２】
第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘを形成する際に、第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の厚さ及び第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の厚さは、レーザの照射パワー及び照射時間により制御することができる。第１配線層１２上に残す第１絶縁層１４の最薄部の厚さ≒１μｍ、第３配線層２２上に残す第２絶縁層２４の最薄部の厚さ≒１μｍとする。
【００６３】
薄金属箔３５ａ及び４５ａを介して第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４にレーザ光を照射することにより、第１絶縁層１４の一方の面１４ａ及び第２絶縁層２４の一方の面２４ａ近傍における、レーザの余剰エネルギーによる第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘの孔径変動を抑制することができる。
【００６４】
次いで、第１の実施の形態の図１３と同様な工程により、薄金属箔３５ａ及び４５ａをエッチングにより更に薄化する。薄金属箔３５ａ及び４５ａの材料としてＣｕを用いた場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより薄金属箔３５ａ及び４５ａを薄化することができる。薄化後の薄金属箔３５ａ及び４５ａの厚さは、例えば１〜２μｍとすることができるが、薄化後の薄金属箔３５ａ及び４５ａの厚さは、薄いほど有利である。
【００６５】
薄金属箔３５ａ及び４５ａをエッチングにより薄化する工程を図２２に示す工程と第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘを形成する工程との間に実施することも可能であるが、次のような理由により好ましくない。第１に、１μｍ程度に薄化した薄金属箔３５ａ及び４５ａにピンホールがあると、レーザ吸収層の形成に用いる処理液が、ピンホールがある薄金属箔３５ａ及び４５ａに覆われた部分の第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４に悪影響を与える虞があるからである。第２に、１μｍ程度に薄化した薄金属箔３５ａ及び４５ａにピンホールがあると、第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール２４ｘ内に残る第１絶縁層１４及び第３配線層２２を除去する工程（図１４に示す工程）において、ピンホールがある薄金属箔３５ａ及び４５ａに覆われた部分の第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４に悪影響を与える虞があるからである。
【００６６】
なお、この工程において、第１配線層１２の表面は第１絶縁層１４で覆われ、第３配線層２２の表面は第２絶縁層２４で覆われている。その結果、薄金属箔３５ａ及び４５ａをエッチングにより薄化する際に、第１配線層１２及び第３配線層２２の一部がエッチングにより除去されることがないため、第１配線層１２及び第３配線層２２の厚さが薄くなることを防止することができる。
【００６７】
次いで、第１の実施の形態の図１４と同様の工程を実施した後、図２３に示す工程では、薄金属箔３５ａの表面、第１ビアホール１４ｘの側壁部分の第１絶縁層１４、及び第１ビアホール１４ｘ内に露出する第１配線層１２上に、第２配線層３３を構成する第２層３３ａを形成する。又、薄金属箔４５ａの表面、第２ビアホール２４ｘの側壁部分の第２絶縁層２４、及び第２ビアホール２４ｘ内に露出する第３配線層２２上に、第４配線層４３を構成する第２層４３ａを形成する。第２層３３ａ及び４３ａは、後述する図２５に示す工程において、電解めっき法により第３層３３ｂ及び４３ｂを形成する際に給電層として機能する。
【００６８】
第２層３３ａ及び４３ａは、無電解めっき法又はスパッタ法により形成することができる。第２層３３ａ及び４３ａとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２層３３ａ及び４３ａの厚さは、例えば１μｍとすることができる。
【００６９】
このように、第２の実施の形態では、第１の実施の形態の図１５に示す工程に相当する、薄金属箔３５ａ及び４５ａをエッチングにより除去する工程を有さない。薄金属箔３５ａ及び４５ａの粗化された面が未硬化の第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４に密着されたのち、第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４が硬化されるため、薄金属箔３５ａ及び４５ａと第１絶縁層１４及び第２絶縁層２４との間には高い密着強度が得られる。この高い密着強度を活かすためであり、微細配線が必要ない場合に有効である。
【００７０】
次いで、図２４に示す工程では、第２配線層３３を構成する第２層３３ａ上に、第３層３３ｂの形成位置に対応する開口部１６ｘを有するレジスト層１６を形成する。又、第４配線層４３を構成する第２層４３ａ上に、第３層４３ｂの形成位置に対応する開口部２６ｘを有するレジスト層２６を形成する。レジスト層１６及び２６としては、例えば感光性樹脂組成物等を用いることができる。
【００７１】
次いで、図２５に示す工程では、第２層３３ａを給電層とする電解めっき法により、レジスト層１６の開口部１６ｘ内に露出する第２層３３ａ上に、第２配線層３３を構成する第３層３３ｂを形成する。又、第２層４３ａを給電層とする電解めっき法により、レジスト層２６の開口部２６ｘ内に露出する第２層４３ａ上に、第４配線層４３を構成するに第３層４３ｂを形成する。第３層３３ｂ及び４３ｂとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第３層３３ｂ及び４３ｂの厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができるが、レジスト層１６及び２６の厚さよりも薄いことが望ましい。
【００７２】
次いで、図２６に示す工程では、図２５に示すレジスト層１６及び２６を除去する。そして、第３層３３ｂが積層されていない部分の薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び第２層３３ａを、第３層３３ｂをマスクとしてエッチングにより除去する。又、第３層４３ｂが積層されていない部分の薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）及び第２層４３ａを、第３層４３ｂをマスクとしてエッチングにより除去する。
【００７３】
薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び第２層３３ａ並びに薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）及び第２層４３ａの材料としてＣｕを用いた場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び第２層３３ａ並びに薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）及び第２層４３ａを除去することができる。これにより、薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）、第２層３３ａ及び第３層３３ｂから構成されている第２配線層３３、並びに薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）、第２層４３ａ、及び第３層４３ｂから構成されている第４配線層４３が形成され、図２０に示す多層配線基板３０が製造される。
【００７４】
ここで、薄金属箔３５ａ及び４５ａは例えば厚さ１〜２μｍに薄化されているため、以下のような効果を奏する。すなわち、薄金属箔３５ａ及び４５ａが薄化されていない場合（例えば厚さ４μｍ）と比較して、薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び第２層３３ａ並びに薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）及び第２層４３ａをエッチングにより除去する時間を短縮することができる。
【００７５】
又、薄金属箔３５ａ及び４５ａが薄化されていない場合（例えば厚さ４μｍ）と比較して、第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２の減少を抑制することができる。なお、第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２の減少は、薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び第２層３３ａ並びに薄金属箔４５ａ（第１層４５ａ）及び第２層４３ａをエッチングにより除去するに際し、第３層３３ｂ及び４３ｂの一部も同時にエッチングされることにより生じる。
【００７６】
ここで、薄金属箔３５ａ及び４５ａが薄化されていない場合を考える。一例として、エッチング前の配線幅Ｗ１及びＷ２を３０μｍ、薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び４５ａ（第１層４５ａ）の厚さを４μｍ、第２層３３ａ及び４３ａの厚さを１μｍとすると、エッチング後の第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２は、３０μｍ−（４μｍ＋１μｍ）×２＝２０μｍとなり、第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２は１０μｍ減少する。
【００７７】
一方、薄金属箔３５ａ及び４５ａが薄化されている場合を考える。一例として、エッチング前の配線幅Ｗ１及びＷ２を３０μｍ、薄化された薄金属箔３５ａ（第１層３５ａ）及び４５ａ（第１層４５ａ）の厚さを１μｍ、第２層３３ａ及び４３ａの厚さを１μｍとすると、エッチング後の第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２は、３０μｍ−（１μｍ＋１μｍ）×２＝２６μｍとなり、第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２は４μｍの減少となる。このように、薄金属箔３５ａ及び４５ａを薄化することにより（例えば厚さ１μｍ）、薄金属箔３５ａ及び４５ａが薄化されていない場合（例えば厚さ４μｍ）と比較して、第３層３３ｂ及び４３ｂの配線幅Ｗ１及びＷ２の減少は抑制される。
【００７８】
なお、本実施の形態では、コア基板１１の一方の面１１ａ及び他方の面１１ｂにそれぞれ２層のビルドアップ配線層（第１配線層１２及び第２配線層３３、第３配線層２２及び第４配線層４３）を形成したが、第１の実施の形態の図１０〜図１９に相当する工程を繰り返すことにより、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００７９】
又、図２６に示す構造体に、第２配線層３３及び／又は第４配線層４３を覆うように、所定の開口部を有するソルダーレジスト層を形成してもよい。更に、ソルダーレジスト層の所定の開口部から露出する第２配線層３３及び／又は第４配線層４３上に、Ａｕ層等を形成してもよい。以上が、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の製造方法である。
【００８０】
このように、第２の実施の形態によれば、一方の側に配線層が形成された絶縁層の他方の側に薄金属箔を圧着し、絶縁層を硬化させる。次いで、薄金属箔を介して絶縁層にレーザを照射し、配線層が露出しないように配線層上に絶縁層の一部を残して絶縁層にビアホール（孔）を形成する。次いで、エッチングにより薄金属箔を厚さ１〜２μｍ程度に薄化した後、配線層上に残した絶縁層を除去してビアホール（孔）を貫通させ、貫通したビアホール（孔）内に配線層の一部を露出させる。その結果、薄金属箔を厚さ１〜２μｍ程度に薄化する工程において、配線層上には絶縁層の一部が残っており配線層が露出されていないため、配線層がエッチングされて配線層の厚さが薄くなることを防止することができる。
【００８１】
又、配線層上に残した絶縁層を除去して配線層の一部を露出させた後に、薄金属箔を含む配線層を形成する。その後、薄金属箔の一部をエッチングによって除去するが、その際に、配線層もエッチングされ配線幅が減少する。しかしながら、薄金属箔の厚さは１〜２μｍ程度と極めて薄いため、配線層の配線幅の減少を抑制することができる。
【００８２】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００８３】
１０，３０  多層配線基板
１１  コア基板
１１ａ  コア基板の一方の面
１１ｂ  コア基板の他方の面
１２  第１配線層
１３，３３  第２配線層
１３ａ，２３ａ，３５ａ，４５ａ  第１層
１３ｂ，２３ｂ，３３ａ，４３ａ  第２層
１４  第１絶縁層
１４ａ  第１絶縁層の一方の面
１４ｘ  第１ビアホール
１５，２５，３５，４５  金属箔
１６，２６  レジスト層
１６ｘ，２６ｘ  開口部
２２  第３配線層
２３，４３  第４配線層
２４  第２絶縁層
２４ａ  第２絶縁層の一方の面
２４ｘ  第２ビアホール
２９  貫通電極
３３ｂ，４３ｂ  第３層
３５ａ，４５ａ  薄金属箔
３５ｂ，４５ｂ  支持金属箔
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４  厚さ
Ｗ１，Ｗ２  配線幅
【図１】
2010287851.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010287851.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2010287851.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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