(57)【要約】【課題】無電解めっき膜を形成する絶縁樹脂層表面の平坦化の際に砥石の目詰まりを防止するとともに、密着性のよい無電解めっき膜を形成する。【解決手段】不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む（または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む）樹脂１０ａと、セラミックス１０ｂとを同一粒子中に含有したフィラー１０を、ベース樹脂１１に分散させた絶縁樹脂層１２を形成し、研削により絶縁樹脂層１２の表面に露出させた樹脂１０ａを酸化して、官能基としてヒドロキシル基、カルボニルまたはカルボキシル基を生成し、官能基にシランカップリング剤を結合させ、絶縁樹脂層１２上にシランカップリング剤及び金属触媒を介して無電解めっき膜を析出させる。【選択図】図１
2010109202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の表面を研削により平坦化するとともに、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記表面に露出させる工程と、
酸化処理により、前記表面に、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂の官能基として、ヒドロキシル基、カルボニルまたはカルボキシル基を生成する工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を結合させる工程と、
前記絶縁樹脂層上に前記シランカップリング剤及び金属触媒を介して無電解めっき膜を析出させる工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記添加剤は、多孔質セラミックス粒子に前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を含浸させたものであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記添加剤は、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記セラミックスでコーティングしたものであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記添加剤は、前記セラミックスを、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂でコーティングしたものであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層と、
前記第１の樹脂または前記第２の樹脂に対して、シランカップリング剤及び金属触媒を介して化学的に結合された無電解めっき膜と、
を有することを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法及び回路基板に関し、特に、配線などに用いる無電解めっきを有する回路基板の製造方法及び回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置や回路基板の多層配線形成時において、絶縁樹脂層や配線層を平坦化する手法として、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法が用いられてきた。しかし、加工装置が高価であり、スループットも低く、製造コストが高くなる問題があった。
【０００３】
そのため、近年、ＣＭＰ法に代わる平坦化技術として、低コストで、短時間での加工が可能な研削法が適用され始めてきている。
研削法は、ダイヤモンド、ｃＢＮ（立方晶窒化ホウ素）または超硬材料からなる研粒をボンドで固定した砥石や研磨剤を、研削面に押し当てて被研削物を除去する技術である。研削法では、高速加工が可能な上、磨滅した研粒は脱落して新しい研粒が露出するため、表面粗さの小さい平坦面を安定して得ることが可能である。
【０００４】
なお、研削法は、ＣＭＰなど遊離砥粒による研磨と比較すると、砥粒をボンドにより密に充填した砥石により研削を行うため、研削屑の逃げる空間が少なく、目詰まりがしやすいという欠点がある。そのため、被研削物としては、シリコンやガラスなど靭性が低く、硬くて脆い脆性材料が適している。
【０００５】
一方、本発明者は、安価な無電解めっき法を用いて、絶縁樹脂層の表面に密着性の優れた金属配線層を形成する回路基板の製造方法を提案している。
【特許文献１】特開２００８−４１７２０号公報
【特許文献２】特開２００８−１８１９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の回路基板の製造方法では、絶縁樹脂層に密着性の優れた無電解めっき膜を形成する目的で、絶縁樹脂層に弾性率の低い樹脂フィラー（添加剤）を分散させていた。そのため、絶縁樹脂層も低弾性率化し、研削による平坦化処理を行う際に、砥石が研削屑による目詰まりを起こしやすいという問題があった。
【０００７】
柔らく、粘性を有する樹脂材料の目詰まりは除去しにくく、通常の水洗などによる砥面洗浄では除去できない。また、高圧水洗すると、砥石そのものを破壊してしまうという問題があった。
【０００８】
また、目詰まりが発生すると、加工面にも悪影響を与えるほか、砥石負荷の増大による砥石破壊の危険性も生じやすくなる。そのために目詰まりが発生するたびにドレッシング（砥石表面の目直し）が必要となり、被研削物を連続的に効率よく加工することが困難になりスループットが低下し、加工コストが増加するという問題もある。
【０００９】
なお、セラミックスの粉末を絶縁樹脂層に添加し、研削中に砥石に目詰まりした樹脂を除去させる手法が考えられるが、樹脂フィラーとセラミックスでは比重が大きく違うため、絶縁樹脂層中に均一に分散しくい。
【００１０】
上記の点を鑑みて、本発明者は、無電解めっきを形成する絶縁樹脂層表面の平坦化の際に砥石の目詰まりを防止するとともに、密着性のよい無電解めっき膜を形成可能な回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、砥石の目詰まりの発生が少なく研削できる絶縁樹脂層と、その絶縁樹脂層に形成される密着性のよい無電解めっき膜を有した回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、以下のような工程を有する回路基板の製造方法が提供される。この回路基板の製造方法は、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の表面を研削により平坦化するとともに、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記表面に露出させる工程と、酸化処理により、前記表面に、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂の官能基として、ヒドロキシル基、カルボニルまたはカルボキシル基を生成する工程と、前記官能基にシランカップリング剤を結合させる工程と、前記絶縁樹脂層上に前記シランカップリング剤及び金属触媒を介して無電解めっき膜を析出させる工程と、を有する。
【００１３】
また、上記目的を達成するために、以下のような回路基板が提供される。この回路基板は、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層と、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂に対して、シランカップリング剤及び金属触媒を介して化学的に結合された無電解めっき膜と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
無電解めっき膜の下地層となる絶縁樹脂層表面を研削により平坦化する際に、砥石の目詰まりを防止することができるとともに、密着性のよい無電解めっき膜を有した回路基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
まず、本実施の形態の概要を、図面を参照して説明する。
図１は、フィラーの拡大図及び無電解めっき形成工程を示す断面図である。
本実施の形態において用いるフィラー１０は、１粒子中に樹脂１０ａとセラミックス１０ｂとを含有させたものである。図１（Ａ）では、その一形態として、多孔質のセラミックス１０ｂに樹脂１０ａを含浸させたものを示している。他の形態については後述する。
【００１６】
無電解めっき形成工程では、まず、このようなフィラー１０をベース樹脂１１中に分散させた絶縁樹脂層１２を、図示しない基材または下層の絶縁層上に成膜し、加熱硬化する（図１（Ｂ））。
【００１７】
フィラー１０に含有される樹脂１０ａは、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む樹脂を用いる。
【００１８】
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む樹脂として、アクリル樹脂、ブタジエン樹脂、ニトリル樹脂、ウレタン樹脂などが適用可能である。
また、不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む樹脂として、アクリルニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴムなどが適用可能である。
【００１９】
これらの樹脂１０ａは、ベース樹脂１１よりも弾性率が低い。
セラミックス１０ｂは、たとえば、シリカ、アルミナ、ジルコニアなどである。
ベース樹脂１１は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）などである。
【００２０】
同一粒子中に樹脂１０ａとセラミックス１０ｂとを含有したフィラー１０をベース樹脂１１に分散させて絶縁樹脂層１２を形成することで、樹脂１０ａとセラミックス１０ｂを絶縁樹脂層１２に均一に含有させることができる。
【００２１】
次に、たとえば、ダイヤモンド砥粒を有する砥石により、絶縁樹脂層１２を所望の厚さまで研削し、表面を平坦化する（図１（Ｃ））。
このとき、ベース樹脂１１中のフィラー１０は、砥石（砥粒）により粉砕され、研削後の絶縁樹脂層１２の表面には、フィラー１０中の樹脂１０ａが露出した状態になっている。
【００２２】
また、研削中には、フィラー１０が粉砕されたときに発生するセラミックス１０ｂの破片が、砥石表面に付着した樹脂を削り取り、除去することができる。
図２は、図１（Ｃ）で示した無電解めっき形成工程の続きの工程における断面図である。
【００２３】
研削工程後、酸素プラズマ処理またはＵＶ（紫外線）オゾン処理などによる酸化処理を行う。絶縁樹脂層１２の表面には、樹脂１０ａが露出しているので、酸化によりヒドロキシル基、カルボニル基またはカルボキシル基である官能基１３が生成される（図２（Ａ））。
【００２４】
次に、官能基１３にシランカップリング剤１４を吸着または反応により結合させる（図２（Ｂ））。
そして、絶縁樹脂層１２上に、シランカップリング剤１４とＰｄ（パラジウム）などの金属触媒１５を介してＣｕ（銅）などの無電解めっき膜１６を析出させる（図２（Ｃ））。
【００２５】
以上のような手法によれば、弾性率の低い樹脂１０ａを用いた場合でも、絶縁樹脂層１２の表面の平坦化の際に、砥石の目詰まりを防止できる。また、絶縁樹脂層１２の樹脂１０ａと無電解めっき膜１６とが、シランカップリング剤１４と金属触媒１５を介して化学結合しているため、密着性のよい無電解めっき膜１６を形成できる。
【００２６】
次に、上記の手法を、プリント基板やインターポーザ基板などの回路基板の、配線を形成する際に適用した場合を例にして具体的に説明する。
図３乃至図５は、回路基板の製造時の配線層形成工程における断面図を示す図である。
【００２７】
まず、基材（シリコンウェハ、セラミックス基板、プリント板など）２０上に、シリコン酸化膜などの絶縁膜２１を形成し、その上に下部電極２２を形成する。なお、基材２０上に配線を設け、ビアなどで下部電極２２と電気的に接続されていてもよい。そして、下部電極２２上に上層の配線層とのコンタクトを図るためのビアポスト２３を形成する。下部電極２２やビアポスト２３は、たとえば、電気めっき、またはスタッドバンプを用いて形成される（図３（Ａ））。
【００２８】
その後、下部電極２２やビアポスト２３を覆うように、ベース樹脂２４ａにフィラー２４ｂを分散させた絶縁樹脂層２４を形成する（図３（Ｂ））。
ベース樹脂２４ａとして、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ＢＣＢなどを用いる。
【００２９】
フィラー２４ｂは、前述したフィラー１０と同様のものを用いる。フィラーの粒径は、要求される絶縁樹脂層２４の厚さが１０〜５０μｍ程度である場合、セラミックスと樹脂とを均一に絶縁樹脂層２４に含有させるため、１０μｍ以下とすることが望ましく、より好ましくは１μｍ以下とすることが望ましい。また、フィラー２４ｂの添加量は、無電解めっきを密着性よく形成するとともに、研削工程で砥石の目詰まりを防止するために、ベース樹脂２４ａの５〜６０ｗｔ％とすることが望ましい。フィラー２４ｂ中のセラミックスと樹脂との比率は、無電解めっき膜を密着性よく形成するとともに、研削工程で砥石の目詰まりを防止するために、セラミックス：樹脂＝１：１〜１：４程度とすることが望ましい。
【００３０】
次に、絶縁樹脂層２４を加熱硬化後、研削により平坦化加工を行い研削面にビアポスト２３を露出させる（図３（Ｃ））。研削は、フィラー２４ｂ中のセラミックス片が砥石に付着した樹脂を除去しながら行われるので、砥石が樹脂により目詰まりすることを防止することができる。研削面には、ビアポスト２３と同時に、フィラー２４ｂに含まれる不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうちの少なくとも１つを含む樹脂が露出される。研削面の粗さは、たとえば、粒度が＃２０００番である砥石を用いると、１μｍ以下となる。
【００３１】
次に、酸素プラズマまたはＵＶオゾンなどによる酸化処理を行うことで、絶縁樹脂層２４の表面に、主にフィラー２４ｂに含まれる樹脂の官能基２５として、ヒドロキシル基、カルボニル基またはカルボキシル基が生成される（図４（Ａ））。
【００３２】
その後、絶縁樹脂層２４の表面に露出した官能基２５にシランカップリング剤（Ｒ1−Ｓｉ（ＯＲ2）３）２６を吸着または反応させる（図４（Ｂ））。シランカップリング剤２６のＲ1は金属捕捉能を有する官能基であり、たとえば、メルカプト基、アゾール基、またはトリアジンチオール基であることが望ましい。シランカップリング剤２６を加水分解して生成したシラノール基は、絶縁樹脂層２４の表面に露出した官能基２５と反応し、加熱脱水により結合される。
【００３３】
次に、シランカップリング剤２６に金属触媒２７を介して無電解めっき膜２８を形成する（図４（Ｃ））。
具体的には、たとえば、Ｓｎ（錫）／Ｐｄコロイド触媒付与液に代表されるＰｄ付与液に浸漬し、金属触媒２７であるＰｄをシランカップリング剤２６の金属補足能を有する官能基に結合させる。Ｐｄの還元後、無電解めっき膜２８を析出させるが、金属触媒２７と絶縁樹脂層２４がシランカップリング剤２６を介して強固に化学的に結合しているため、密着性のよい無電解めっき膜２８を形成することができる。
【００３４】
その後、フォトレジストを無電解めっき膜２８上に塗布し、乾燥後にフォトリソグラフィプロセスにより、配線を形成する無電解めっき膜２８表面を露出させたフォトレジストパターン２９を形成する（図５（Ａ））。次に、無電解めっき膜２８を通電層としてＣｕなどの電解めっき膜３０を、露出している無電解めっき膜２８上に成長させる（図５（Ｂ）。そして、フォトレジストパターン２９を除去し、配線箇所以外の無電解めっき膜２８をエッチングすることで配線パターンを形成することができる（図５（Ｃ））。
【００３５】
以上のような工程で回路基板の配線を形成することで、絶縁樹脂層２４の表面の平坦化の際に、砥石の目詰まりを防止できるとともに、密着性のよい無電解めっき膜２８の上に電解めっき膜３０を成長させるので、密着性のよい配線を形成できる。
【００３６】
なお、上記では、フィラー２４ｂとして、多孔質のセラミックスに樹脂を含浸させたものを用いた場合について説明したが、これに限定されない。
図６は、フィラーの例を示す図である。
【００３７】
セラミックスと樹脂とを同一粒子中に含むフィラーの他の例として、３種類のフィラー２４ｃ，２４ｄ，２４ｅを図示している。
フィラー２４ｃは、樹脂フィラー３１中にセラミックス微粒子３２を混合させたものである。
【００３８】
フィラー２４ｄは、セラミックス粒子３３を芯材として樹脂３４をコーティングしたものである。
フィラー２４ｅは、樹脂粒子３５をセラミックス３６でコーティングしたものである。このようなフィラー２４ｅは、たとえば、樹脂粒子３５と、セラミックス粉末としてアルミナ微粒子及びシリカ超微粒子を回転チャンバー中で高速回転させ、粒子同士を回転壁に高圧で押し付け、複合化することで形成できる。
【００３９】
たとえば、樹脂粒子３５の粒径を、０．５〜５μｍ、アルミナ微粒子の粒径を０．１μｍ程度、シリカ超微粒子の粒径を十数〜数十ｎｍとした場合、粒径１〜７μｍ程度のフィラー２４ｅが形成される。
【００４０】
以上のようなフィラー２４ｃ，２４ｄ，２４ｅを用いても、フィラー２４ｂをベース樹脂２４ａに分散させた場合と同様の効果を得ることができる。
また、フィラーとして、化粧品や医薬などに使われるマイクロカプセル内にセラミックスを混入させたものを用いてもよい。
【００４１】
ところで、上記のように無電解めっき膜を形成する手法を、ウェハレベルパッケージなどの半導体装置の製造方法に適用してもよい。
以下では、ウェハレベルパッケージなどの半導体装置の上層の配線を、無電解めっき膜を利用して形成する場合について説明する。
【００４２】
なお、以下では、半導体基板として、半導体ウェハを用いた場合について説明するが、半導体チップに対して以下の工程を行ってもよいし、基板上に単数または複数の半導体チップが接着されたものに対して以下の工程を行ってもよい。
【００４３】
図７乃至図１０は、半導体装置の製造方法の各工程における断面図を示す図である。
まず、一般的な半導体装置の製造プロセスを用いて、半導体ウェハ（たとえば、シリコンウェハ）４０に、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）構造と、多層配線層を形成する（図７（Ａ））。
【００４４】
ＭＯＳＦＥＴは、半導体ウェハ４０において、素子分離領域４１で画定された領域に形成されたソース領域４２、ドレイン領域４３、半導体ウェハ４０上にソース領域４２とドレイン領域４３に跨るように形成されたゲート酸化膜４４を有している。さらにゲート酸化膜４４上に形成されたゲート電極４５と、ゲート電極４５の側面を覆うように形成されたサイドウォール４６を有している。
【００４５】
多層配線層は、ＭＯＳＦＥＴを覆うように形成された層間絶縁膜４７上に積層された層間絶縁膜４８，４９，５０を有している。層間絶縁膜４７には、コンタクトプラグ５１が形成されておりソース領域４２とドレイン領域４３と、層間絶縁膜４８に形成された配線５２との電気的接続を図っている。また、また層間絶縁膜４９にはビア５３が形成されており、配線５２と層間絶縁膜５０の配線５４との電気的接続を図っている。なお、配線５２，５４とビア５３は、バリアメタル５５により覆われている。また、配線５２，５４が形成される層間絶縁膜４８，５０上には、拡散防止層５６，５７が形成されている。
【００４６】
なお、以降の図では、図７（Ａ）に示したＭＯＳＦＥＴ及び多層配線層の図示を省略する。
次に、図７（Ａ）で示したような多層配線層上にさらに層間絶縁膜５８を形成し、層間絶縁膜５８の上部に電極パッド５９を埋め込み、図示しないビアにより、多層配線層との電気的接続を図る。また、層間絶縁膜５８上に、電極パッド５９が露出するように開口部が設けられたパシベーション膜６０を形成する（図７（Ｂ））。
【００４７】
なお、電極パッド５９は、半導体ウェハ４０の各チップ領域の周辺部にペリフェラル型で複数配置されている。また、電極パッド５９は、たとえば、Ａｌ（アルミニウム）またはＡｌ合金であり、パシベーション膜６０は、たとえば、ＳｉＮ（シリコン窒化）膜である。電極パッド５９の大きさは、たとえば、６０〜１００μｍ□である。
【００４８】
次に、電極パッド５９上に、スタッドバンプ６１を形成したのち、前述したようなフィラー６２ａを分散させた絶縁樹脂層６２を、パシベーション膜６０上に形成する（図７（Ｃ））。
【００４９】
スタッドバンプ６１は、たとえば、Ａｕ（金）またはＣｕなどであり、バンプサイズは、たとえば、直径が４０〜８０μｍで、高さは３０〜６０μｍである。絶縁樹脂層６２には、たとえば、フィラー６２ａを、２０〜５０ｗｔ％で分散させたエポキシ樹脂シートを用いる。このエポキシ樹脂シートをパシベーション膜６０上にラミネートし、エポキシ樹脂の耐熱性と硬化に必要な温度を考慮し、１７０〜２００℃、３０〜９０分で加熱し、硬化させる。加熱硬化後の絶縁樹脂層６２の厚さは、たとえば、４０〜８０μｍとする。
【００５０】
フィラー６２ａは、多孔質シリカ粒子に、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうちの少なくとも１つを含む樹脂を含浸させたものを用いる。使用する多孔質シリカ粒子の粒径は、たとえば、１〜５μｍである。
【００５１】
加熱硬化後、たとえば、粒度が＃２０００番である砥石を用いて、絶縁樹脂層６２の厚さが、たとえば、２０〜４０μｍ程度となるまで研削し、研削面にスタッドバンプ６１を露出させる（図８（Ａ）））。
【００５２】
このとき研削面には、フィラー６２ａの粉砕面も現れ、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む樹脂、あるいは不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうちの少なくとも１つを含む樹脂が露出している。
【００５３】
砥石は、たとえば、ダイヤモンドからなる砥粒と各砥粒を接着するビトリファイドボンドを有している。上記の製造条件の例で研削を行った結果、研削後の砥石面には、樹脂の目詰まりは観察されなかった。これは研削中に粉砕されたシリカ片が、目詰まりを除去したものと考えられる。
【００５４】
その後、以下のような工程により図８（Ｂ）のような無電解めっき膜６３を形成する。
まず、絶縁樹脂層６２の表面を、酸素プラズマ処理装置またはＵＶオゾン発生機により酸化処理し、絶縁樹脂層６２の表面に、フィラー６２ａ中の樹脂の官能基として、ヒドロキシル基、カルボニル基またはカルボキシル基を生成する。次に、シランカップリング剤を上記の官能基に吸着または反応させ、その後、シランカップリング剤に金属触媒を介して無電解めっき膜６３を形成する。
【００５５】
無電解めっき膜６３の具体的な製造条件の一例を以下に示す。なお、以下の製造条件は、前述した回路基板の製造の際にも適用可能なものである。
酸素プラズマ処理装置を用いて酸化処理を行う場合には、１００〜３００Ｗの電力で発生させた酸素プラズマ中で、試料を３〜８分間曝す。
【００５６】
ＵＶオゾン発生機を用いて酸化処理を行う場合には、２０〜６０Ｗの電力で発生させたオゾン中で、試料を１〜５分間曝す。
シランカップリング剤には、たとえば、信越シリコーン社製のγ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−８０２）を用いる。そして、たとえば、１ｗｔ％のシランカップリング剤の水溶液に、試料を１分間浸漬したのち、１２０℃のオーブンで、１０〜３０分間脱水処理する。これにより、絶縁樹脂層６２の表面に露出した官能基とシランカップリング剤とを結合することができる。
【００５７】
シランカップリング剤に、金属触媒を介して無電解めっきを形成するために、たとえば、ロームアンドハース社製のＰｄ触媒溶液（商品名：キャタポジット４４）を用い、５５℃に加熱し、試料を３分間浸漬させる。その後、ロームアンドハース社製の触媒活性化処理液（商品名：アクセレレータ１９Ｅ）を用い、室温で６分間の活性化処理を行う。次に、ロームアンドハース社製のめっき液（商品名：カッパーミックス）を用いて、室温で、試料を２０分間浸漬することで、無電解めっき膜６３を約０．５μｍ析出させることができる。
【００５８】
次に、フォトレジストを無電解めっき膜６３上に塗布する。そして、乾燥後にフォトリソグラフィプロセスにより、スタッドバンプ６１と電気的に接続する配線を形成する領域を開口したフォトレジストパターン６４を形成する。その後、無電解めっき膜６３を通電層として、Ｃｕなどの電解めっき膜６５を、たとえば、５〜１０μｍの厚さで成長させる（図８（Ｃ））。
【００５９】
その後、フォトレジストパターン６４を除去する（図９（Ａ））。
次に、再び、フォトレジストを絶縁樹脂層６２及び電解めっき膜６５上に塗布し、乾燥後にフォトリソグラフィプロセスにより、電気めっき膜６５の表面の一部を開口したフォトレジストパターン６６を形成する。その後、めっきにより、たとえば、４０〜５０μｍの高さのビアポスト６７を形成する（図９（Ｂ））。
【００６０】
その後、フォトレジストパターン６６を除去し、配線パターンとなる電解めっき膜６５の下部以外の無電解めっき膜６３をエッチングにより除去する（図９（Ｃ））。そして、絶縁樹脂層６２と同様にフィラーを分散させた絶縁樹脂層６８を形成し（図１０（Ａ））、ビアポスト６７を覆う。その後は、図８、図９で示した工程を繰り返すことで所望の層数の配線層を形成することできるが、以下では簡略化のため、絶縁樹脂層６８を多層配線層の最上層として説明を進める。
【００６１】
図１０（Ａ）で示しているように、最上層の絶縁樹脂層６８上には、ビアポスト６７と電気的に接続する電極パッド６９を形成する。そして、絶縁樹脂層６８の上部にソルダーレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスにより電極パッド６９を露出させるようにソルダーレジストパターン７０を形成する。
【００６２】
次に、露出した電極パッド６９上に半田バンプ７１を形成する（図１０（Ｂ））。
その後は、図示を省略するが、ダイシングによりチップ化する。
以上の工程により、半導体装置の配線を形成することで、絶縁樹脂層６２の表面の平坦化の際に、砥石の目詰まりを防止できる。また、密着性のよい無電解めっき膜６３の上に電解めっき膜６５を成長させるので、密着性のよい配線を形成できる。
【００６３】
なお、上記では、無電解めっき膜を用いて配線を形成する場合について説明したが、配線に限らず、電極パッドを形成するようにしてもよい。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６４】
（付記１）  不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の表面を研削により平坦化するとともに、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記表面に露出させる工程と、
酸化処理により、前記表面に、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂の官能基として、ヒドロキシル基、カルボニルまたはカルボキシル基を生成する工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を結合させる工程と、
前記絶縁樹脂層上に前記シランカップリング剤及び金属触媒を介して無電解めっき膜を析出させる工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００６５】
（付記２）  前記添加剤は、多孔質セラミックス粒子に前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を含浸させたものであることを特徴とする付記１記載の回路基板の製造方法。
（付記３）  前記添加剤は、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記セラミックスでコーティングしたものであることを特徴とする付記１記載の回路基板の製造方法。
【００６６】
（付記４）  前記添加剤は、前記セラミックスを、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂でコーティングしたものであることを特徴とする付記１記載の回路基板の製造方法。
（付記５）  前記添加剤は、前記第１の樹脂中または前記第２の樹脂中に、前記セラミックスを混合したものであることを特徴とする付記１記載の回路基板の製造方法。
【００６７】
（付記６）  不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層と、
前記第１の樹脂または前記第２の樹脂に対して、シランカップリング剤及び金属触媒を介して化学結合された無電解めっき膜と、
を有することを特徴とする回路基板。
【００６８】
（付記７）  不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の表面を研削により平坦化するとともに、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂を前記表面に露出させる工程と、
酸化処理により、前記表面に、前記第１の樹脂または前記第２の樹脂の官能基として、ヒドロキシル基、カルボニルまたはカルボキシル基を生成する工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を結合させる工程と、
前記絶縁樹脂層上に前記シランカップリング剤及び金属触媒を介して無電解めっき膜を析出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記８）  不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも１つを含む第１の樹脂、または不飽和炭素結合を含有し、他にシアノ基、アリール基のうち少なくとも１つを含む第２の樹脂と、セラミックスとを同一粒子中に含有した添加剤を、ベース樹脂中に分散させた絶縁樹脂層と、
前記第１の樹脂または前記第２の樹脂に対して、シランカップリング剤及び金属触媒を介して化学的に結合された無電解めっき膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】フィラーの拡大図及び無電解めっき形成工程を示す断面図である。
【図２】図１（Ｃ）で示した無電解めっき形成工程の続きの工程における断面図である。
【図３】回路基板の製造時の配線層形成工程における断面図を示す図である（その１）。
【図４】回路基板の製造時の配線層形成工程における断面図を示す図である（その２）。
【図５】回路基板の製造時の配線層形成工程における断面図を示す図である（その３）。
【図６】フィラーの例を示す図である。
【図７】半導体装置の製造方法の各工程における断面図を示す図である（その１）。
【図８】半導体装置の製造方法の各工程における断面図を示す図である（その２）。
【図９】半導体装置の製造方法の各工程における断面図を示す図である（その３）。
【図１０】半導体装置の製造方法の各工程における断面図を示す図である（その４）。
【符号の説明】
【００７１】
１０  フィラー
１０ａ  樹脂
１０ｂ  セラミックス
１１  ベース樹脂
１２  絶縁樹脂層
１３  官能基
１４  シランカップリング剤
１５  金属触媒
１６  無電解めっき膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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