(57)【要約】【課題】  ＳＥＭレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。【解決手段】  記憶装置に、異なる条件で欠陥検出が行われた２種類の欠陥検出データが記憶される。撮像装置が、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する。制御装置が、欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定する。欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。【選択図】図１
2010127748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物の欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている欠陥検出データと、前記検査対象物の他の少なくとも１つの欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている他の欠陥検出データとを記憶する領域が確保された記憶装置と、
前記検査対象物の表面のうち、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する第１の撮像装置と、
前記第１の撮像装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定し、
前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、前記第１の撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う欠陥レビュー装置。
【請求項２】
前記制御装置は、
前記重複欠陥が１つの欠陥として登録されるように、前記複数の欠陥検出データを結合して、１つの結合データを作成し、該結合データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を前記第１の撮像装置により取得する請求項１に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項３】
前記制御装置は、
１つの前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を前記第１の撮像装置により取得し、
２つ目以降の欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する際には、画像を取得する前に、当該欠陥が重複欠陥か否かを判定し、重複欠陥である場合には、当該重複欠陥の位置情報で特定される位置の画像の取得を行わない請求項１に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項４】
前記第１の撮像装置は、走査型電子顕微鏡であり、
さらに、検査対象物の表面のうち指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する光学顕微鏡である第２の撮像装置を有し、
前記制御装置は、前記第１の撮像装置で取得された画像内に欠陥が発見されなかった位置の画像を、前記第２の撮像装置により取得し、
前記第１の撮像装置から取得された画像、及び前記第２の撮像装置から取得された画像に基づいて、欠陥種別を決定する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項５】
前記第１の撮像装置は、観察座標系によって特定される位置の画像を取得し、
前記制御装置は、前記検査対象物に形成されているパターンの画像を取得し、前記検査対象物に固定された対象物座標系における該パターンの座標と、取得された該パターンの画像から求めた観察座標系における該パターンの座標とから、前記対象物座標系と前記観察座標系との第１の関係を求め、
前記第１の関係を適用して、前記欠陥検出データのいずれかに登録されている１つの欠陥を抽出し、抽出された欠陥の画像を取得し、取得された画像内における欠陥の位置に基づいて、前記第１の関係を補正する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、前記欠陥検出データに登録されている欠陥のうち局所的に群集するクラスタ欠陥を除外した残りの欠陥から１つの欠陥を抽出する請求項５に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項７】
前記記憶装置は、前記第１の関係を補正する際に、抽出の対象となり得る欠陥が分布する領域の幅を記憶する抽出可能領域記憶部を含み、
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、前記検査対象物の外周を外側の縁とし、前記抽出可能領域記憶部に記憶されている幅を持つ環状の領域から、１つの欠陥を抽出し、該環状の領域内に欠陥が存在しない場合には、該検査対象物の外周線に最も近い欠陥を抽出する請求項５または６に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、１つの欠陥を抽出した後、抽出された欠陥を始点とし、前記検査対象物の中心を通過する半直線と、該検査対象物の外周線との交点に最も近い欠陥を、２番目の欠陥として抽出する請求項５乃至７のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項９】
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、１番目及び２番目に抽出した欠陥のうち一方の欠陥と、前記検査対象物の中心とを通過する第１の直線に直交し、前記検査対象物の中心を通過する第２の直線と、該検査対象物の外周との２つの交点の各々に最も近い欠陥を、３番目及び４番目の欠陥として抽出する請求項８に記載の欠陥レビュー装置。
【請求項１０】
検査対象物の表面の欠陥を、少なくとも２つの異なる検出条件で検出し、検出条件ごとに、検出された欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録された欠陥検出データを取得する工程と、
同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥とする工程と、
前記重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しないようにして、前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する工程と
を有する欠陥レビュー方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる検出条件で検出された２種類の欠陥検出結果に基づいて欠陥レビューを行う欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
斜方照明光学系を用いた検査装置、落射照明光学系を用いた検査装置、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）外観検査装置等により、半導体ウエハの欠陥検査が行われる。これらの検査装置で得られた複数の検査データの同一性判定処理が行われる。同一性判定処理により、検出物の個数が大幅に低減される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２５０８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
暗視野欠陥検出法、明視野欠陥検出法等により、欠陥の位置を特定し、欠陥が検出された領域のＳＥＭ画像を取得することにより、ＳＥＭで観察すべき領域の合計の面積を小さくすることができる。欠陥検出装置で検出された欠陥をＳＥＭで観察する方法は、ＳＥＭレビューと呼ばれる。
【０００５】
種々の欠陥検出法により欠陥検出を行うと、１枚の半導体ウエハについて複数の欠陥検出データが得られる。これらの欠陥検出データの各々についてＳＥＭレビューを行い、検出された欠陥の種別、例えば下層のパターン不良、ＳＴＩのスクラッチ、層間絶縁膜のスクラッチ、異物の付着、タングステンの残渣等を決定することができる。ＳＥＭレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する欠陥レビュー装置は、
検査対象物の欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている欠陥検出データと、前記検査対象物の他の少なくとも１つの欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている他の欠陥検出データとを記憶する領域が確保された記憶装置と、
前記検査対象物の表面のうち、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する第１の撮像装置と、
前記第１の撮像装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定し、
前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、前記第１の撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。
【０００７】
上記課題を解決する欠陥レビュー方法は、
検査対象物の表面の欠陥を、少なくとも２つの異なる検出条件で検出し、検出条件ごとに、検出された欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録された欠陥検出データを取得する工程と、
同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥とする工程と、
前記重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しないようにして、前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する工程と
を有する。
【発明の効果】
【０００８】
重複欠陥の位置の画像を重複して取得することが回避されるため、レビュー時間の短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１に、実施例による欠陥レビュー装置２０のブロック図、及び検査対象ウエハを示す。欠陥レビュー装置２０は、入力部２１、制御装置２２、出力部２４、記憶装置３０、ＳＥＭ２５、及び光学顕微鏡２９を含む。入力部２１に、欠陥検出データ４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ等が入力される。欠陥検出データ４２Ａは、検査対象である半導体ウエハ（検査対象ウエハ）４０に対し、ある欠陥検出条件で欠陥検出処理４１Ａを行うことにより取得される。欠陥検出データ４２Ａには、検出された欠陥、及び欠陥の位置が登録されている。欠陥の位置は、例えば、検査対象ウエハ４０の表面に定義されたＸＹ座標系（対象物座標系）で表される。欠陥検出データ４２Ｂ、４２Ｃは、それぞれ検査対象ウエハ４０に対して、欠陥検出処理４１Ｂ、４１Ｃを行うことにより取得される。
【００１０】
欠陥検出処理４１Ａ〜４１Ｃには、明視野式欠陥検査、レーザ散乱式（暗視野式）欠陥検査等が採用され、それらの検出方法または検出条件が相互に異なる。
【００１１】
以下、明視野式欠陥検査について、簡単に説明する。まず、検査対象ウエハをスキャンしながら、カメラ等の撮像装置で表面のパターンの画像を取り込む。同一のパターンが形成される領域の画像同士を比較し、両者に相違点が検出されると、その相違点を欠陥と認識する。画像同士を比較する方法には、ランダムモード（チップ比較モード）と、アレイモード（セル比較モード）とがある。
【００１２】
ランダムモードでは、通常、着目しているチップの画像を、両隣のチップの画像と比較する。両隣のチップの画像との違いが検出されると、着目しているチップに欠陥が存在すると認識される。アレイモードでは、メモリセルのように、１つのチップ内に同一パターンのセルが複数存在する場合に、着目しているセルの画像を、両隣のセルの画像と比較する。両隣のセルの画像との違いが検出されると、着目しているセルに欠陥が存在すると認識される。
【００１３】
次に、暗視野式欠陥検査について、簡単に説明する。検査対象ウエハに斜め方向からレーザを照射し、その散乱光をカメラ等で検出する。正常なパターンからの散乱光による画像信号は無視し、異物からの散乱光による画像信号のみを抽出することにより、異物を検出する。
【００１４】
一例として、欠陥検査処理４１Ａ〜４１Ｃに、暗視野式欠陥検査が採用することができる。欠陥検査処理４１Ａ〜４１Ｃにおいては、レーザの入射角が相互に異なるように設定される。欠陥検査処理４１Ａ〜４１Ｃに、明視野式欠陥検査を採用してもよい。このとき、欠陥検査処理４１Ａ〜４１Ｃにおいては、光源の明るさ、光源の波長等が相互に異なるように設定される。また、欠陥検査処理４１Ａ〜４１Ｃに、暗視野式欠陥検査と明視野式欠陥検査とを組み合わせて採用してもよい。
【００１５】
入力部２１に入力された欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃは、制御装置２２の処理により、それぞれ記憶装置３０の欠陥検出データ記憶部３１Ａ〜３１Ｃに格納される。なお、４つ以上の欠陥検出データ記憶部を確保してもよい。制御装置２２は、ＳＥＭ２５及び２９を制御する。
【００１６】
ＳＥＭ２５は、可動ステージ２６及び電子ビーム源２７を含む。可動ステージ２６は、検査対象ウエハ４０を保持して、２次元方向に移動する。可動ステージ２６には、観察座標系（ＵＶ座標系）が定義されている。ＳＥＭ２５は、観察座標系の座標で指令された位置のＳＥＭ画像を、制御装置２２に送信する。光学顕微鏡２９は、観察座標系の座標で指令された位置の光学像を、制御装置２２に送信する。
【００１７】
記憶装置３０には、さらに、結合データ記憶部３４、抽出可能領域記憶部３５、及び画像データ記憶部３６が確保されている。これらの機能については、後述する。
【００１８】
出力部２４は、欠陥レビュー結果や、ＳＥＭ画像、光学画像等を表示する。
【００１９】
図２に、実施例による欠陥レビュー方法のフローチャートを示す。ステップＳＡ１において、同一の検査対象ウエハ４０について、異なる検出条件で欠陥検出処理４１Ａ〜４１Ｃを行い、欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃを取得する。ここで、「異なる検出条件で欠陥検出処理を行う」場合は、同一の検査装置を用いて、異なる条件で欠陥の検出処理を行う場合のみならず、明視野欠陥検査と暗視野欠陥検査のように、異なる検査装置を用いて欠陥検出処理を行う場合をも含む。なお、実施例では、異なる３つの条件で欠陥検出を行うことにより、３つの欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃを取得したが、少なくとも２つの異なる条件で欠陥検出を行い、少なくとも２つの欠陥検出データを取得すればよい。また、４つ以上の異なる検出条件で欠陥の検出処理を行い、４つ以上の欠陥検出データを取得してもよい。
【００２０】
取得された欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃを、ＳＥＭレビュー装置２０に入力する。入力された欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃは、それぞれ欠陥検出データ記憶部３１Ａ〜３１Ｃに格納される。
【００２１】
ステップＳＡ２において、検査対象ウエハ４０を、ＳＥＭ２５の可動ステージ２６に載置する。載置後、検査対象ウエハ４０に定義された対象物座標系との位置合わせを行う。具体的には、可動ステージ２６に定義された観察座標系との相対位置関係を計測する。
【００２２】
図３に、ステップＳＡ２の詳細なフローチャートを示し、図５に、可動ステージ２６、及びその上に保持された検査対象ウエハ４０の平面図を示す。対象物座標系のＸ軸と観察座標系のＵ軸とがほぼ平行になるように、検査対象ウエハ４０が可動ステージ２６に保持される。このため、対象物座標系のＹ軸と観察座標系のＶ軸とがほぼ平行になる。検査対象ウエハ４０を可動ステージ２６に載置する際には、対象物座標系と観察座標系との原点の位置合わせが行われる。
【００２３】
ステップＳＢ１において、可動ステージをＶ軸方向に移動させながら、ＳＥＭ２５で、Ｙ軸に平行な直径に沿って並ぶ３つのチップ４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ内の特定のパターンのＳＥＭ画像を取得する。例えば、チップ４４Ａ〜４４Ｃの各々の４つの角に対応するパターンの画像を取得する。これらの特定のパターンのウエハ座標は既知である。チップ４４Ａ及び４４Ｃは、それぞれ直径の両端の近傍から選択され、チップ４４Ｂは、中心、または中心の近傍から選択される。
【００２４】
ステップＳＢ２において、可動ステージをＵ軸方向に移動させながら、ＳＥＭ２５で、Ｘ軸に平行な直径に沿って並ぶ３つのチップ４４Ｄ、４４Ｂ、４４Ｅ内の特定のパターンのＳＥＭ画像を取得する。チップ４４Ｄ及び４４Ｅは、それぞれ直径の両端の近傍から選択される。チップ４４Ｂは、前のステップＳＢ１で選択されたものと同一である。
【００２５】
ステップＳＢ３において、取得された特定のパターンの画像の解析を行うことにより、５個のチップ４４Ａ〜４４Ｅ内の特定のパターンの観察座標系における座標を求める。各パターンの対象物座標系における座標と観察座標系における座標とのずれが許容範囲内か否かを判定する。許容範囲は、例えば１μｍに設定される。座標のれが許容範囲内であれば、ステップＳＢ７を実行し、位置ずれが許容範囲を越えている場合には、ステップＳＢ４を実行する。
【００２６】
ステップＳＢ４において、観察座標系の補正処理が実効済か否かを判定する。補正処理が実行済ではない場合、ステップＳＢ５において、観察座標系の補正処理を行う。補正処理後、補正された観察座標系を用いて、ステップＳＢ１に戻り、画像取得処理を実行する。ステップＳＢ４において観察座標系の補正処理が実効済であると判定された場合には、可動ステージ２６等の設備異常と考えられるため、ステップＳＢ６において警報を発出し、オペレータに点検を促す。
【００２７】
ステップＳＢ３で、座標ずれが許容範囲内であると判定された場合に実行されるステップＳＢ７では、欠陥の位置合わせ処理を行う。
【００２８】
図４に、欠陥の位置合わせ処理のフローチャートを示す。図６Ａに、例えば欠陥検出データ４２Ａに登録されている欠陥４５の分布を示す。欠陥が局所的に群集して検出される場合がある。このように、局所的に群集した欠陥４５Ｃは、「クラスタ欠陥」と呼ばれる。クラスタ欠陥か否かの判定は、例えば微小な領域内の欠陥の数が、ある上限値を超えている場合、その微小領域内の欠陥はクラスタ欠陥と認定される。
【００２９】
ステップＳＣ１において、クラスタ欠陥４５Ｃを抽出対象から除外する。図６Ｂに、抽出対象から除外されたクラスタ欠陥４５Ｃを白丸で示す。
【００３０】
ステップＳＣ２において、図６Ｃに示すように、クラスタ欠陥４５Ｃを除いた残りの欠陥４５から、検査対象ウエハ４０の外周近傍の１つの欠陥を抽出し、第１の欠陥ＤＰ１とする。ここで、「外周近傍」は、例えば、検査対象ウエハ４０の外周を外側の縁とする円環状の領域４６と定義することができる。円環状の領域４６の幅は、図１に示した抽出可能領域記憶部３５に記憶されている。この幅は、例えば５μｍとする。
【００３１】
第１の欠陥ＤＰ１として、この円環状の領域４６から任意に１つの欠陥４５を抽出してもよいし、外周に最も近い欠陥４５を抽出してもよい。円環状の領域４６内に欠陥が存在しない場合には、円環状の領域４６の幅を１μｍずつ広くしながら、欠陥の有無を判定する。広くした円環状の領域内に欠陥が存在する場合には、それらの欠陥から任意の１つの欠陥を第１の欠陥ＤＰ１として抽出する。その他に、円環状の領域４６内に欠陥が存在しない場合には、それよりも内側の領域の欠陥４５のうち最も外側の欠陥を第１の欠陥ＤＰ１として抽出してもよい。
【００３２】
ステップＳＣ３において、図６Ｄに示すように、第１の欠陥ＤＰ１を始点とし検査対象ウエハ４０の中心を通過する半直線４７と、検査対象ウエハ４０の外周との交点４８に最も近い欠陥４５を抽出し、第２の欠陥ＤＰ２とする。なお、交点４８からの距離が、抽出可能領域記憶部３５に記憶されている寸法以下の欠陥から、任意の１つの欠陥を抽出してもよい。
【００３３】
ステップＳＣ４において、図６Ｅに示すように、半直線４７に直交し、検査対象ウエハ４０の中心を通過する直線５０と、検査対象ウエハ４０の外周との２つの交点５１、５２の各々に最も近い欠陥を抽出し、それぞれ第３の欠陥ＤＰ３、第４の欠陥ＤＰ４とする。なお、交点５１、５２の各々からの距離が、抽出可能領域記憶部３５に記憶されている寸法以下の欠陥から、任意の欠陥を１つずつ抽出してもよい。
【００３４】
直線５０に代えて、第２の欠陥ＤＰ２を通過する直径と直交し、検査対象ウエハ４０の中心を通過する直線を採用してもよい。また、直線５０に代えて、第１の欠陥ＤＰ１と第２の欠陥ＤＰ２とを通過する直線に直交する直線を採用してもよい。
【００３５】
上記方法では、欠陥検出データ４２Ａに登録されている欠陥から第１〜第４の欠陥ＤＰ１〜ＤＰ４を抽出したが、他の欠陥検出データに登録されている欠陥から抽出してもよい。また、複数の欠陥検出データのいずれかに登録されている欠陥から抽出してもよい。
【００３６】
ステップＳＣ５において、第１の欠陥ＤＰ１〜第４の欠陥ＤＰ４の位置のＳＥＭ画像を取得する。これらの欠陥が、ＳＥＭ画像の中心に位置するように、観察座標系を補正する。
【００３７】
抽出された第１の欠陥ＤＰ１〜第４の欠陥ＤＰ４のいずれかが疑似欠陥であり、ＳＥＭ画像内に欠陥が発見されない場合には、疑似欠陥の近傍の欠陥から他の欠陥を抽出すればよい。
【００３８】
実際の欠陥を観察して観察座標系の補正を行うことにより、第１の欠陥ＤＰ１〜第４の欠陥ＤＰ４以外の他の欠陥についても、欠陥がほぼ中心に位置するＳＥＭ画像を取得することができる。また、第１の欠陥ＤＰ１〜第４の欠陥ＤＰ４は、検査対象ウエハ４０の外周の近傍であって、かつ円周方向にほぼ均等に分布する。このため、観察座標系の補正の精度を高めることができる。
【００３９】
第１の欠陥ＤＰ１〜第４の欠陥ＤＰ４として、クラスタ欠陥４５Ｃから抽出すると、実際に抽出された欠陥に隣接する欠陥を、抽出された欠陥だと誤認定し易くなる。欠陥の抽出前に、クラスタ欠陥４５Ｃを除外しておくことにより、このような誤認定を防止することができる。
【００４０】
欠陥の位置合わせ処理が終了すると、図２に示したステップＳＡ３を実行する。ステップＳＡ３では、検出されている欠陥の位置情報に基づいて、欠陥のＳＥＭ画像を取得する。以下、ステップＳＡ３の詳細な手順について説明する。
【００４１】
図７Ａ〜図７Ｃに、それぞれ欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃの一例を示す。欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃの各々には、検出された欠陥の識別子及びその位置情報が登録されている。例えば、欠陥検出データ４２Ａの欠陥ＤＡ１、欠陥検出データ４２Ｂの欠陥ＤＢ１、及び欠陥検出データ４２Ｃの欠陥ＤＣ１の位置は、全て（ｘ１，ｙ１）である。このため、これらの欠陥は同一の欠陥であると考えられる。このように、検出されている欠陥の位置情報に基づいて、欠陥の同一性の判定を行う。同一の欠陥であると判定する条件として、欠陥の位置が厳密に一致することを要求する必要はない。欠陥の検出された位置が僅かに異なる場合であっても、その差が、検出誤差の範囲内、または欠陥の寸法程度であれば、両者を同一の欠陥であると判定してもよい。
【００４２】
１つの欠陥が、欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃのうち少なくとも２つに登録されている場合、この欠陥を、「重複欠陥」と呼ぶこととする。重複欠陥が、１つの欠陥として登録されるように、欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃを結合して、結合データ４２Ｍを生成する。結合データ４２Ｍは、図１に示した結合データ記憶部３４に記憶される。
【００４３】
図７Ｄに、結合データ４２Ｍの一例を示す。例えば、欠陥検出データ４２Ａの欠陥ＤＡ１、欠陥検出データ４２ＢのＤＢ１、及び欠陥検出データ４２Ｃの欠陥ＤＣ１が１つの欠陥として登録されている。
【００４４】
図８Ａ〜図８Ｃに、それぞれ欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃに登録されている欠陥の分布の例を示し、図８Ｄに、結合データ４２に登録されている欠陥の分布の一例を示す。
【００４５】
制御装置２２は、結合データ４２Ｍに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置のＳＥＭ画像を、順番に取得する。取得されたＳＥＭ画像は、図１に示した画像記憶部３６に格納される。図８Ｄに、ＳＥＭ画像を取得する欠陥の順番の一例を、矢印で示している。
【００４６】
ステップＳＡ４において、取得したＳＥＭ画像内に欠陥が発見されないものがあるか否かを判定する。欠陥が発見されなかったＳＥＭ画像が存在する場合には、ステップＳＡ５において、欠陥が発見されなかった位置の光学像を取得した後、ステップＳＡ６を実行する。全てのＳＥＭ画像内に欠陥が発見された場合には、ステップＳＡ５をスキップして、ステップＳＡ６を実行する。ステップＳＡ５で取得された光学像は、図１に示した画像データ記憶部３６に格納される。
【００４７】
光学像の取得時にも、ＳＥＭ画像の取得時と同様に、重複欠陥については、重複した光学像の取得を行わない制御が行われる。
【００４８】
ステップＳＡ６では、検出された欠陥の欠陥種別を、ＳＥＭ画像及び光学像に基づいて決定する。例えば、ＳＥＭ画像では欠陥が発見されなかったが、光学像では欠陥が発見された場合には、その欠陥は下層に形成された欠陥であると認定される。ＳＥＭ画像で欠陥が発見された場合には、その欠陥は上層欠陥であると認定される。ＳＥＭ画像及び光学像のいずれでも欠陥が発見されなかった場合には、その欠陥は、プロセス起因の欠陥ではなく、欠陥検出プロセスに起因するい疑似欠陥であると認定される。
【００４９】
さらに、ＳＥＭ画像や光学像の幾何学的形状、大きさ、模様等から、下層パターン不良、下層の異物、層間絶縁膜のスクラッチ、上層の異物、埋込タングステンの残渣等に欠陥種別に分類することができる。
【００５０】
図９Ａ〜図９Ｃに、欠陥検出データ記憶部３１Ａ〜３１Ｃの内容を示す。欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃの各々について、登録されている欠陥ごとに、欠陥種別、ＳＥＭ画像が格納されている場所を示すポインタ、及び光学像が格納されている場所を示すポインタ等が対応づけて記憶される。
【００５１】
欠陥種別、ＳＥＭ画像、光学像は、オペレータからの要求により、出力部２４へ出力される。欠陥種別が登録された複数の欠陥検出データから、欠陥検出処理の好適な条件を推測することができる。一例として、疑似欠陥が少なく、かつ上層欠陥の検出漏れの少ない欠陥検出条件が、好適な条件となる。  
【００５２】
次に、図１０Ａ〜図１０Ｃを参照して、上記実施例の変形例について説明する。この変形例では、図２に示したステップＳＡ３の具体的な手順が上記実施例のものと異なる。
【００５３】
図１０Ａ〜図１０Ｃに、それぞれ欠陥検出データ４２Ａ〜４２Ｃに登録されている欠陥の分布の一例を示す。まず、図１０Ａに示すように、欠陥検出データ４２Ａに登録されている欠陥の位置のＳＥＭ画像を順番に取得する。図１０Ａの白丸で囲まれた欠陥は、ＳＥＭ画像が取得されることを意味する。
【００５４】
図１０Ｂに示すように、次の欠陥検出データ４２Ｂに登録されている欠陥の位置のＳＥＭ画像を順番に取得する。このとき、ＳＥＭ画像を取得しようとする欠陥が重複欠陥であるか否かを判定する。ＳＥＭ画像を取得しようとする欠陥が重複欠陥であると判定された場合には、当該欠陥については、ＳＥＭ画像の取得を行わない。欠陥検出データ４２Ｂの当該欠陥には、図１０Ａの工程で既に取得されている同一の欠陥のＳＥＭ画像を対応付ける。重複欠陥ではないと判定された場合には、当該欠陥の位置のＳＥＭ画像の取得を行う。
【００５５】
図１０Ｃに示すように、次の欠陥検出データ４２Ｃに登録されている欠陥の位置のＳＥＭ画像を順番に取得する。このときにも、ＳＥＭ画像を取得しようとする欠陥が重複欠陥っであるか否かを判定し、重複欠陥ではない欠陥についてのみＳＥＭ画像の取得を行う。図１０Ｃでは、欠陥ＤＣ１からＤＣ８までの欠陥が全て重複欠陥である場合を示している。欠陥検出データ４２Ｃに登録されている欠陥ＤＣ１からＤＣ８までの欠陥については、ＳＥＭ画像の取得を行わない。
【００５６】
上記実施例及び変形例においては、重複欠陥と認定された欠陥のＳＥＭ画像を重複して取得することが回避される。これにより、欠陥レビュー時間の短縮化を図ることができる。また、同一箇所への電子ビームの繰り返し照射が回避されるため、検査対象ウエハの受けるダメージを軽減することができる。
【００５７】
上記実施例では半導体ウエハの欠陥レビューを行う場合を例に挙げたが、同様の方法で、他の検査対象物、例えば液晶表示装置用のＴＦＴ基板等の欠陥レビューを行うこともできる。
【００５８】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５９】
以上の実施例及びその変形例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６０】
（付記１）
検査対象物の欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている欠陥検出データと、前記検査対象物の他の少なくとも１つの欠陥検出処理によって検出された複数の欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録されている他の欠陥検出データとを記憶する領域が確保された記憶装置と、
前記検査対象物の表面のうち、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する第１の撮像装置と、
前記第１の撮像装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定し、
前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、前記第１の撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う欠陥レビュー装置。
【００６１】
（付記２）
前記制御装置は、
前記重複欠陥が１つの欠陥として登録されるように、前記複数の欠陥検出データを結合して、１つの結合データを作成し、該結合データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を前記第１の撮像装置により取得する付記１に記載の欠陥レビュー装置。
【００６２】
（付記３）
前記制御装置は、
１つの前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を前記第１の撮像装置により取得し、
２つ目以降の欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する際には、画像を取得する前に、当該欠陥が重複欠陥か否かを判定し、重複欠陥である場合には、当該重複欠陥の位置情報で特定される位置の画像の取得を行わない付記１に記載の欠陥レビュー装置。
【００６３】
（付記４）
前記第１の撮像装置は、走査型電子顕微鏡であり、
さらに、検査対象物の表面のうち指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する光学顕微鏡である第２の撮像装置を有し、
前記制御装置は、前記第１の撮像装置で取得された画像内に欠陥が発見されなかった位置の画像を、前記第２の撮像装置により取得し、
前記第１の撮像装置から取得された画像、及び前記第２の撮像装置から取得された画像に基づいて、欠陥種別を決定する付記１乃至３のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【００６４】
（付記５）
前記第１の撮像装置は、観察座標系によって特定される位置の画像を取得し、
前記制御装置は、前記検査対象物に形成されているパターンの画像を取得し、前記検査対象物に固定された対象物座標系における該パターンの座標と、取得された該パターンの画像から求めた観察座標系における該パターンの座標とから、前記対象物座標系と前記観察座標系との第１の関係を求め、
前記第１の関係を適用して、前記欠陥検出データのいずれかに登録されている１つの欠陥を抽出し、抽出された欠陥の画像を取得し、取得された画像内における欠陥の位置に基づいて、前記第１の関係を補正する付記１乃至４のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【００６５】
（付記６）
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、前記欠陥検出データに登録されている欠陥のうち局所的に群集するクラスタ欠陥を除外した残りの欠陥から１つの欠陥を抽出する付記５に記載の欠陥レビュー装置。
【００６６】
（付記７）
前記記憶装置は、前記第１の関係を補正する際に、抽出の対象となり得る欠陥が分布する領域の幅を記憶する抽出可能領域記憶部を含み、
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、前記検査対象物の外周を外側の縁とし、前記抽出可能領域記憶部に記憶されている幅を持つ環状の領域から、１つの欠陥を抽出し、該環状の領域内に欠陥が存在しない場合には、該検査対象物の外周線に最も近い欠陥を抽出する付記５または６に記載の欠陥レビュー装置。
【００６７】
（付記８）
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、１つの欠陥を抽出した後、抽出された欠陥を始点とし、前記検査対象物の中心を通過する半直線と、該検査対象物の外周線との交点に最も近い欠陥を、２番目の欠陥として抽出する付記５乃至７のいずれか１項に記載の欠陥レビュー装置。
【００６８】
（付記９）
前記制御装置は、前記第１の関係を補正する際に、１番目及び２番目に抽出した欠陥のうち一方の欠陥と、前記検査対象物の中心とを通過する第１の直線に直交し、前記検査対象物の中心を通過する第２の直線と、該検査対象物の外周との２つの交点の各々に最も近い欠陥を、３番目及び４番目の欠陥として抽出する付記８に記載の欠陥レビュー装置。
【００６９】
（付記１０）
検査対象物の表面の欠陥を、少なくとも２つの異なる検出条件で検出し、検出条件ごとに、検出された欠陥、及び当該欠陥の位置情報が登録された欠陥検出データを取得する工程と、
同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥とする工程と、
前記重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しないようにして、前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する工程と
を有する欠陥レビュー方法。
【００７０】
（付記１１）
前記欠陥検出データを取得した後、前記重複欠陥が１つの欠陥として登録されるように、前記複数の欠陥検出データを結合して、１つの結合データを作成する工程と、
前記画像を取得する工程において、前記結合データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する付記１０に記載の欠陥レビュー方法。
【００７１】
（付記１２）
前記画像を取得する工程が、
１つの前記欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する工程と、
２つ目以降の欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を取得する際には、画像を取得する前に、当該欠陥が重複欠陥か否かを判定し、重複欠陥である場合には、当該重複欠陥の位置情報で特定される位置の画像の取得を行わない工程と
を含む付記１０に記載の欠陥レビュー方法。
【００７２】
（付記１３）
前記画像を取得する工程において、走査型電子顕微鏡により画像を取得し、
さらに、
走査型電子顕微鏡で取得された画像内に欠陥が発見されなかった位置の画像を、光学顕微鏡により取得する工程と、
前記走査型電子顕微鏡による画像と、前記光学顕微鏡による画像とに基づいて、欠陥種別を決定する工程と
を含む付記１０乃至１２のいずれか１項に記載の欠陥レビュー方法。
【００７３】
（付記１４）
前記画像を取得する工程が、
観察座標系によって位置を特定して、前記検査対象物に形成されているパターンの画像を取得し、前記検査対象物に固定された対象物座標系における該パターンの座標と、観察座標系における該パターンの座標とから、前記対象物座標系と前記観察座標系との第１の関係を求める工程と、
前記第１の関係を適用して、前記検査対象物上の１つの欠陥を抽出し、抽出された欠陥の画像を取得し、取得された画像内における欠陥の位置に基づいて、前記第１の関係を補正する工程と
を含む付記１０乃至１３のいずれか１項に記載の欠陥レビュー方法。
【００７４】
（付記１５）
前記第１の関係を補正する際に、前記欠陥のうち局所的に群集するクラスタ欠陥を除外した残りの欠陥から１つの欠陥を抽出する付記１４に記載の欠陥レビュー方法。
【００７５】
（付記１６）
前記第１の関係を補正する際に、前記検査対象物の外周までの距離が第１の距離以下の欠陥から、１つの欠陥を抽出し、該第１の距離以下の欠陥が存在しない場合には、該検査対象物の外周線に最も近い欠陥を抽出する付記１４または１５に記載の欠陥レビュー方法。
【００７６】
（付記１７）
前記第１の関係を補正する際に、１つの欠陥を抽出した後、抽出された欠陥を始点とし、前記検査対象物の中心を通過する半直線と、該検査対象物の外周線との交点に最も近い欠陥を、２番目の欠陥として抽出する付記１４乃至１６のいずれか１項に記載の欠陥レビュー方法。
【００７７】
（付記１８）
前記第１の関係を補正する際に、１番目及び２番目に抽出した欠陥のうち一方の欠陥と、前記検査対象物の中心とを通過する第１の直線に直交し、前記検査対象物の中心を通過する第２の直線と、該検査対象物の外周との２つの交点の各々に最も近い欠陥を、３番目及び４番目の欠陥として抽出する付記１７に記載の欠陥レビュー方法。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施例による欠陥レビュー装置のブロック図である。
【図２】実施例による欠陥レビュー方法のフローチャートである。
【図３】実施例による欠陥レビュー方法のステップＳＡ２の詳細なフローチャートである。
【図４】実施例による欠陥レビュー方法のステップＳＢ７の詳細なフローチャートである。
【図５】実施例による欠陥レビュー装置の可動ステージ、及び可動ステージに載置された検査対象ウエハの平面図である。
【図６−１】欠陥の位置合わせを行うための欠陥抽出過程を示す検査対象ウエハの平面図（その１）である。
【図６−２】欠陥の位置合わせを行うための欠陥抽出過程を示す検査対象ウエハの平面図（その２）である。
【図７】（７Ａ）〜（７Ｃ）は、欠陥検出データの一例を示す図表であり、（７Ｄ）は、結合データの一例を示す図表である。
【図８】（８Ａ）〜（８Ｃ）は、欠陥検出データに登録されている欠陥の分布の一例を示す検査対象ウエハの平面図であり、（８Ｄ）は、結合データに登録されている欠陥の分布の一例を示す検査対象ウエハの平面図である。
【図９】欠陥検査データ記憶部に格納されている欠陥検出データの一例を示す図表である。
【図１０】実施例の変形例によるＳＥＭ画像の取得順序を示すための検査対象ウエハの平面図である。
【符号の説明】
【００７９】
２０  欠陥レビュー装置
２１  入力部
２２  制御装置
２４  出力部
２５  走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
２６  可動ステージ
２７  電子ビーム源
２９  光学顕微鏡
３０  記憶装置
３１Ａ〜３１Ｃ  欠陥検出データ記憶部
３４  結合データ記憶部
３５  抽出可能領域記憶部
４０  検査対象ウエハ
４１Ａ〜４１Ｃ  欠陥検出処理
４２Ａ〜４２Ｃ  欠陥検出データ
４４Ａ〜４４Ｅ  チップ
４５  欠陥
４５Ｃ  クラスタ欠陥
４６  円環状の領域
４７  半直線
４８  半直線４７と外周との交点
５０  半直線４７に直交し、中心を通過する直線
５１、５２  直線５０と外周との交点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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