(57)【要約】  【課題】同一軸で連続動作を行う際に、速度変更が必要な場合でも上位コントローラから１回のコマンドにより、モーションコントローラ側で途中停止しないで速度変更を実施できる機能を有する基板処理装置を提供する。  【解決手段】予め上位コントローラ７０１からダウンロードされた速度や位置を設定するためのパラメータを保持しておき、搬送ユニットの動作時に、該搬送ユニットの位置を監視し、所定の位置に達したら速度を変更するモーションコントローラ７０６を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施すためのプロセス制御や基板の搬送を行うための搬送制御を行う各種サブコントローラを制御する制御部と、前記基板に処理を施す処理ユニットの状態や前記基板を搬送するために使用される搬送ユニットの状態やこれらの動作を検出するセンサの状態をモニタ表示する操作部と、を設けたメインコントローラと、
予め前記メインコントローラからダウンロードされた速度と位置を設定するためのパラメータを保持しておき、前記搬送ユニットの動作時に、前記搬送ユニットの位置を監視し、所定の位置に達したら速度を変更するモーションコントローラと、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の基板を搬送する際に、操作系と制御系に分かれているメインコントローラ（上位コントローラ）と機構制御を実施する下位の機構制御コントローラ（モーションコントローラ等）とに関し、特に、上位コントローラからの同一の機構部の連続動作を効率的に実施する機能に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は従来の上位コントローラとモーションコントローラの通信シーケンス図である。
【０００３】
同一の機構に対して連続で動作する場合、例えば、基板又はこの基板を収納するウェーハキャリアとしてのワークを機構に拾い上げるPick Up動作を実施する場合、（１）Pick Up直前は高速度、（２）Pick Up動作はワークの載置位置のずれを抑えるために低速度、（３）Pick Up後の待機位置移動は中速度で行う必要があり、これらの動作を全てシーケンシャルに実施することでワークのPick Up動作が完了する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
その同一軸で３つの連続動作を実施するには、速度を切り替えながら機構動作させるため速度を切り替えるたびにコマンドを指定する必要がある。従い、上位コントローラは３回の動作コマンドをモーションコントローラに対して送信する必要があった。つまり、３回の動作コマンドを行うには、１回の動作コマンド毎に通信データ時間及び機構が完全に停止してからでないと次の動作コマンドを送信できないという制御遅延時間が存在してしまう。
【０００５】
今後、基板(ウェーハ)の大口径化(３００ｍｍ以上)が進むにつれて、上述した機構制御を行っていたのでは、その自重により停止する時間や動き出すための時間の遅延が生じてスループットの妨げとなる可能性がある。また、大口径ウェーハの停止させる制御や動き出しの制御を適切に行うには時間がかかり、セットアップに時間がかかり、結果として装置稼働率の低下を招きかねない。
【０００６】
本発明では、同一軸で連続動作を行う際に、速度変更が必要な場合でも上位コントローラから１回のコマンドにより、モーションコントローラ側で途中停止しないで速度変更を実施できる機能を有する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の特徴とするところは、基板に処理を施すためのプロセス制御や基板の搬送を行うための搬送制御を行う各種サブコントローラを制御する制御部と、前記基板に処理を施す処理ユニットの状態や前記基板を搬送するために使用される搬送ユニットの状態やこれらの動作を検出するセンサの状態をモニタ表示する操作部と、を設けたメインコントローラと、予め前記メインコントローラからダウンロードされた速度と位置を設定するためのパラメータを保持しておき、前記搬送ユニットの動作時に、前記搬送ユニットの位置を監視し、所定の位置に達したら速度を変更するモーションコントローラとを有することにある。
【発明の効果】
【０００８】
上位コントローラとモーションコントローラとの間で複数回の通信を行うことなく、目的とする位置へ最適な速度切り替えを実施しながら動作させることができるので、装置のスループットの向上に貢献することができる。また、従来のように動作コマンドを複数回送信することがないので通信量の削減が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の基板処理装置における好ましい実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の好ましい実施例においては、半導体製造装置として用いられるアッシャ装置により、半導体装置の製造方法が実現される。
図２は、本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略横断面図であり、図３は、本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。図２、図３に示されるように、アッシャ装置１０は、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）１００と、ロードロックチャンバ部２００と、トランスファーモジュール部３００と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部４００とを備えている。
【００１０】
ＥＦＥＭ１００は、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）１１０、１２０及びそれぞれのＦＯＵＰからロードロックチャンバへウエハを搬送する第１の搬送部である大気ロボット１３０を備える。ＦＯＵＰには２５枚のウエハが搭載され、大気ロボット１３０のアーム部がＦＯＵＰから５枚ずつウエハを抜き出す。
【００１１】
ロードロックチャンバ部２００は、ロードロックチャンバ２５０、２６０と、ＦＯＵＰから搬送されたウエハ６００をロードロックチャンバ２５０、２６０内でそれぞれ保持するバッファユニット２１０、２２０を備えている。バッファユニット２１０、２２０は、ボート２１１、２２１とその下部のインデックスアセンブリ２１２、２２２とを備えている。ボート２１１（２２１）と、その下部のインデックスアセンブリ２１２（２２２）は、θ軸２１４（２２４）により同時に回転する。
【００１２】
トランスファーモジュール部３００は、搬送室として用いられるトランスファーモジュール３１０を備えており、先述のロードロックチャンバ２５０、２６０は、ゲートバルブ３１１、３１２を介して、トランスファーモジュール３１０に取り付けられている。トランスファーモジュール３１０には、第２の搬送部として用いられる真空アームロボットユニット３２０が設けられている。
【００１３】
プロセスチャンバ部４００は、処理室として用いられるプラズマ処理ユニット４１０、４２０と、その上部に設けられたプラズマ発生室４３０、４４０とを備えている。プラズマ処理ユニット４１０、４２０は、ゲートバルブ３１３、３１４を介してトランスファーモジュール３１０に取り付けられている。
【００１４】
プラズマ処理ユニット４１０、４２０は、ウエハ６００を載置するサセプタテーブル４１１、４２１を備えている。サセプタテーブル４１１、４２１をそれぞれ貫通してリフターピン４１３、４２３が設けられている。リフターピン４１３は、Ｚ軸４１２、４２２の方向に、それぞれ上下する。
【００１５】
プラズマ発生室４３０、４４０は、反応容器４３１、４４１をそれぞれ備え、反応容器４３１、４４１の外部には、高周波コイル４３２、４４２が設けられている。高周波コイル４３２、４４２に高周波電力を印加して、ガス導入口４３３、４４３から導入されたアッシング処理用の反応ガスをプラズマ化し、そのプラズマを利用してサセプタテーブル４１１、４２１上に載置されたウエハ６００上のレジストをアッシング（プラズマ処理）する。
【００１６】
以上のように構成されたアッシャ装置１０においては、ＦＯＵＰ１１０、１２０からロードロックチャンバ２５０（２６０）へとウエハ６００が搬送される。この際、まず、図３に示されるように、大気ロボット１３０が、ＦＯＵＰのポッドにツィーザを格納し、５枚のウエハをツィーザ上へ載置する。このとき、取り出すウエハの高さ方向の位置に合わせて、大気ロボットのツィーザ及びアームを上下させる。
ウエハをツィーザへ載置した後、大気搬送ロボット１３０がθ軸１３１方向に回転し、バッファユニット２１０（２２０）のボート２１１（２２１）にウエハを搭載する。このとき、ボート２１１（２２１）のＺ軸２３０方向の動作により、ボート２１１（２２１）は、大気搬送ロボット１３０から２５枚のウエハ６００を受け取る。２５枚のウエハを受け取った後、ボート２１１（２２１）の最下層にあるウエハがトランスファーモジュール部３００の高さ位置に合うよう、ボート２１１（２２１）をＺ軸２３０方向に動作させる。
【００１７】
ロードロックチャンバ２５０（２６０）においては、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内にバッファユニット２１０（２２０）によって、保持されているウエハ６００を、真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２１に搭載する。θ軸３２５方向で真空アームロボットユニット３２０を回転し、さらにＹ軸３２６方向にフィンガーを延伸し、プラズマ処理ユニット４１０（４２０）内のサセプタテーブル４１１（４２１）上に移載する。
【００１８】
ここで、ウエハ６００を、フィンガー３２１からサセプタテーブル４１１（４２１）へ移載する工程を説明する。
【００１９】
真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２１とリフターピン４１３（４２３）との協働により、ウエハ６００をサセプタテーブル４１１（４２１）上に移載する。また、逆の動作により、処理が終了したウエハ６００をサセプタテーブル４１１（４２１）から、真空アームロボットユニット３２０によって、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内のバッファユニット２１０（２２０）にウエハ６００を移載する。
【００２０】
以上のように構成されたアッシャ装置１０では、ロードロックチャンバ２５０（２６０）へウエハ６００が搬送され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内が真空引き（真空置換）され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）から、トランスファーモジュール３１０を経てウエハ６００がプラズマ処理ユニット４１０（４２０）へと搬送され、プラズマ処理ユニット４１０（４２０）でウエハ６００からレジストの除去がなされ（除去工程）、レジストの除去がなされたウエハ６００が、トランスファーモジュール３１０を経て再びロードロックチャンバ２５０（２６０）へ搬送される。
【００２１】
図４には、プラズマ処理ユニット４１０の詳細が示されている。尚、先述のプラズマ処理ユニット４２０は、プラズマ処理ユニット４１０と同じ構成である。
プラズマ処理ユニット４１０は、半導体基板や半導体素子に乾式処理でアッシングを施す高周波無電極放電型のプラズマ処理ユニットである。プラズマ処理ユニット４１０は、図４に示すように、プラズマを生成するためのプラズマソース４３０、半導体基板などのウエハ６００を収容する処理室４４５、プラズマソース４３０（特に共振コイル４３２）に高周波電力を供給する高周波電源４４４、及び高周波電源４４４の発振周波数を制御する周波数整合器４４６を備えている。例えば、架台としての水平なベースプレート４４８の上部に前記のプラズマソース４３０を配置し、ベースプレート４４８の下部に処理室４４５を配置して構成される。また、共振コイル４３２と外側シールド４５２とで、螺旋共振器が構成される。
【００２２】
プラズマソース４３０は、減圧可能に構成され且つプラズマ用の反応ガスが供給され、反応容器４３１と、反応容器４３１の外周に巻回された共振コイル４３２と、共振コイル４３２の外周に配置され且つ電気的に接地された外側シールド４５２とから構成される。
【００２３】
反応容器４３１は、通常、高純度の石英硝子やセラミックスにて円筒状に形成された所謂チャンバである。反応容器４３１は、通常、軸線が垂直になるように配置され、トッププレート４５４及び処理室４４５によって上下端が気密に封止される。反応容器４３１の下方の処理室４４５の底面には、複数（例えば４本）の支柱４６１によって支持されるサセプタ４５９が設けられ、サセプタ４５９には、サセプタテーブル４１１及びサセプタ上のウエハを加熱する基板加熱部としてのヒータ４６３が具備される。
【００２４】
サセプタ４５９の下方に、排気板４６５が配設される。排気板４６５は、ガイドシャフト４６７を介して底板４６９に支持され、底板４６９は処理室４４５の下面に気密に設けられる。昇降基板４７１がガイドシャフト４６７をガイドとして昇降自在に動くように設けられる。昇降基板４７１は、少なくとも３本のリフターピン４１３を支持している。リフターピン４１３は、サセプタ４５９を貫通する。そして、リフターピン４１３の頂には、ウエハ６００を支持するウエハ支持部４１４が設けられている。ウエハ支持部４１４は、サセプタ４５９の中心方向に延出している。リフターピン４１３の昇降によって、ウエハ６００をサセプタテーブル４１１に載置し、あるいはサセプタテーブル４１１から持ち上げることができる。底板４６９を経由して、昇降駆動部（図示略）の昇降シャフト４７３が昇降基板４７１に連結されている。昇降駆動部が昇降シャフト４７３を昇降させることで、昇降基板４７１とリフターピン４１３を介して、リフトピン支持部４１４が昇降する。
【００２５】
サセプタ４５９と排気板４６５の間に、バッフルリング４５８が設けられる。バッフルリング４５８、サセプタ４５９、排気板４６５で第一排気室４７４が形成される。円筒状のバッフルリング４５８は、通気孔が多数均一に設けられている。従って、第一排気室４７４は、処理室４４５と仕切られ、また通気孔によって、処理室４４５と連通している。
【００２６】
排気板４６５に、排気連通孔４７５が設けられる。排気連通孔４７５によって、第一排気室と第二排気室４７６が連通される。第二排気室４７６には、排気管４８０が連通されており、排気管４８０にはガス排気ユニットとしての排気装置４７９が設けられている。
【００２７】
反応容器４３１の上部のトッププレート４５４には、ガス供給ユニットから伸長され且つ所要のプラズマ用の反応ガスを供給するためのガス供給管４５５が、ガス導入口４３３に付設されている。ガス供給ユニットは、ガスの流量を制御する機能を持ち、具体的には流量制御部であるマスフローコントローラ４７７及び開閉弁４７８を有している。マスフローコントローラ４７７及び開閉弁４７８を制御することで、ガスの供給量を制御する。
また、反応容器４３１内には、反応ガスを反応容器４３１の内壁に沿って流れるようにするための略円板形で、石英からなるバッフル板４６０が設けられている。
尚、流量制御部及び排気装置４７９によって供給量、排気量を調整することにより、処理室４４５の圧力が調整される。
【００２８】
共振コイル４３２は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、共振コイル４３２の電気的長さは、高周波電源４４４から供給される電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、…）又は半波長もしくは１／４波長に相当する長さに設定される。  例えば、1波長の長さは、13.56MHzの場合約22メートル、27.12MHzの場合約１１メートル、54.24MHzの場合約5.5メートルになる。共振コイル４３２は、絶縁性材料にて平板状に形成され且つベースプレート４４８の上端面に鉛直に立設された複数のサポートによって支持される。
【００２９】
共振コイル４３２の両端は電気的に接地されるが、共振コイル４３２の少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ４６２を介して接地される。図４中の符号４６４は他方の固定グランドを示す。更に、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に共振コイル４３２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル４３２の接地された両端の間には、可動タップ４６６によって給電部が構成される。
【００３０】
すなわち、共振コイル４３２は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え且つ高周波電源４４４から電力供給される給電部を各グランド部の間に備え、しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。共振コイル４３２が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、後述するように、プラズマソース４３０の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。
【００３１】
外側シールド４５２は、共振コイル４３２の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイル４３２との間に形成するために設けられる。外側シールド４５２は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。外側シールド４５２は、共振コイル４３２の外周から、例えば５〜１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
【００３２】
高周波電源４４４の出力側にはＲＦセンサ４６８が設置され、進行波、反射波等をモニタしている。ＲＦセンサ４６８によってモニタされた反射波電力は、周波数整合器４４６に入力される。周波数整合器４４６は、反射波が最小となるよう周波数を制御する。
【００３３】
コントローラ４７０は、単に高周波電源４４４のみを制御するものではなく、アッシャ装置１０全体の制御を行っている。コントローラ４７０には、表示部であるディスプレイ４７２が接続されている。ディスプレイ４７２は、例えば、ＲＦセンサ４６８による反射波のモニタ結果等、アッシャ装置１０に設けられた各種検出部で検出されたデータ等を表示する。
【００３４】
載置工程を説明する。ウエハ６００を搭載したフィンガー３２１が、処理室４４５に進入する。リフターピン４１３が上昇する。フィンガー３２１は、上昇されたリフターピン４１３にウエハ６００を載置する。
【００３５】
搬送工程にて、室温に保持されたウエハ６００を載置した後、アッシングガスを、ガス供給管４３３からプラズマソース４３０に供給する。アッシングガスは酸素、水素、水、アンモニア、四フッ化炭素（CF4）等がある。ガス供給後、高周波電源４４４が、共振コイル４３２に電力を供給する。
【００３６】
共振コイル４３２内部に励起される誘導磁界によって自由電子を加速し、ガス分子と衝突させることでガス分子を励起してプラズマを生成する。このようにして、プラズマ化されたアッシングガスにより、アッシング処理を行う。
【００３７】
上述した前記プラズマ処理ユニット４１０、基板６００を搬送する大気搬送ロボット１３０や真空アームロボットユニット３２０などの搬送ユニット、前記プラズマ処理ユニット４１０に処理ガス等を供給するガス供給ユニット、前記プラズマ処理ユニット４１０内を排気するガス排気ユニット、前記基板６００を加熱する基板加熱部４６３は、それぞれ制御コントローラ４７０によって制御されている。
【００３８】
図５は、本発明に於けるコントローラ構成を示す図である。尚、図５において、制御コントローラ４７０は、制御部７０３に該当する。
【００３９】
本発明に於けるコントローラシステム７００は、モニタ表示、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための画面を表示する表示部７０４や、該表示部７０４を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部を有する操作部７０２と、基板を搬送する前記搬送ユニットを制御する機構制御コントローラであるモーションコントローラ７０４等が接続され、また、シーケンサ７０５を介してＡＰＣ（オートプレッシャーコントローラ）やＲＦ（ＲＦセンサ４６８）や温調（温度調節器）などと接続されている制御部７０３とで構成される上位コントローラとしてのメインコントローラ７０１と、少なくとも前記モーションコントローラ７０６や前記シーケンサ７０５を含む下位のコントローラとしてのサブコントローラとで構成される。尚、表示部７０４は、操作部７０２と一体に取り付けられているが、操作部７０２と別体であってもよいし、また、メインコントローラ７０１に対して別体であってもよい。
【００４０】
また、前記上位コントローラ７０１は、図示しないＧＥＭコントローラとＬＡＮにて接続される。また、該ＧＥＭコントローラを介して図示しないユーザ(顧客)側のＨｏｓｔコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現する。
【００４１】
制御部７０３は各種サブコントローラと接続されており、各サブコントローラを制御する。モーションコントローラ７０６は、複数のモータ７０８と接続され、各モータを制御している。モーションコントローラ７０６には、前記大気ロボット１３０や真空アームロボットユニット３２０などの基板を搬送する搬送ユニットだけではなく、図示しない昇降駆動部も含まれる。
【００４２】
前記モーションコントローラ７０６は、速度パラメータとポジション(位置)パラメータを保持する。これらのパラメータは機構部毎に管理され、また目的別に複数個指定できる。尚、これらのパラメータは、動作させる前に予め上位コントローラ７０１に設けられた表示部７０４によって入力、決定され、モーションコントローラ７０６へ送信(ダウンロード)される。但し、ポジションパラメータについては、ペンダントを介してポジション(位置)の決定がされることがある。
【００４３】
図６はこれらのパラメータの構成を示したものである。速度テーブルにおいて、例えば、機構Ｎｏ．１により基板を拾い上げるPick Up動作を実施する場合、速度Ｎｏ．１は基板を保持していないため高速度、速度Ｎｏ．２は基板を保持した状態なので中速度、速度Ｎｏ．３は基板を他の機構に乗せ変えるため低速度に設定される。図６ではそれぞれ速度Ｎｏ．１＝ＸＸ、速度Ｎｏ．２＝ＹＹ、速度Ｎｏ．３＝ＺＺと文字列で表されているが、実際には数値で設定されるのはいうまでもない。同様にポジションテーブルにおいて、例えば、機構Ｎｏ．５により基板を拾い上げるPick Up動作を実施する場合、ポジションＮｏ．１は原点位置、ポジションＮｏ．２はＰｉｃｋＵｐ待機位置、ポジションＮｏ．３はＰｉｃｋＵｐ完了位置、ポジションＮｏ．４はＰｉｃｋＵｐ開始位置に設定される。同様に、各ポジションには文字列で表されている（ＸＸ，ＹＹ）が、実際には数値で設定されるのはいうまでもない。また、速度テーブルは３つの速度Ｎｏ．であり、ポジションテーブルは４つのポジションＮｏ．である場合についてパラメータ構成の例を挙げたがこれに限らず、各テーブルはいくつ設けても構わない。
【００４４】
図７は、機構動作を実施する際に使用する通信電文フォーマットを示す。上位コントローラ７０１からは、機構部の動作命令に際して、既にモーションコントローラ７０６が保持しているポジションの番号と速度または加速度の番号を指示して動作コマンド電文を送信する。ここで、機構ＮＯは対象とする機構部に予め付されている番号であり、目標ポジションＮＯと指定速度ＮＯは、それぞれ図６で示される番号であり、パラメータ１は、対象とする機構部、例えば、ロボットの場合、ロボットのアームＮＯであり、パラメータ２は、該アームに付されているツィーザ番号(本実施例におけるアッシャ装置の場合にはフィンガー番号)を示し、パラメータ３は、ボートやＦＯＵＰのスロット番号が示される。これらのパラメータは、ピッチ計算量に使用される。例えば、ベースポジション（初期位置）からＦＯＵＰのスロットへのピッチ量計算、基板を拾い上げるアームやツィーザのピッチ量計算に使用される。これらのピッチ量は、予めモーションコントローラ７０６に登録されている。この通信電文フォーマットを受信したモーションコントローラ７０６は指示された速度Ｎｏ．やポジションＮｏ．より指定値を導き出し機構本体へ出力する。モーションコントローラ７０６は、機構本体より動作終了信号を受信した後、上位コントローラ７０１へ動作終了電文にて報告を行う。動作結果は、正常に終了した場合、０であり、異常終了した場合、１が送信される。動作結果エラー詳細は、正常終了した場合、０である。
【００４５】
図８は、本発明の実施形態における上位コントローラ７０１とモーションコントローラ７０６との通信フローチャートを示す図である。
【００４６】
Ｓ１（ステップ１）：上位コントローラ７０１より基板をピックアップする命令コマンドを受信する。
Ｓ２（ステップ２）：現在位置と目標位置より速度切り替えが必要かどうかのチェックを行う。必要であれば、ステップ３へ移行する。必要でなければ、最終到達ポジションへの移動完了を待つ。
Ｓ３（ステップ３）：予め設定されていた速度切り替えポジションを機構部本体から送信されるポジションモニタ値を監視（チェック）する。
Ｓ４（ステップ４）：切り替えポジションに到達が認識したタイミングで、動作中のまま速度変更（切り替え）を実施する。
Ｓ５（ステップ５）：速度切り替えが終了し、次に速度切り替えるべきポジションがあればステップ３へ戻り、なければ最終ポジションへの移動完了を待ち、最終ポジションに到達したことを機構部本体から受信すると、上位コントローラ７０１へコマンド終了を送信する。
【００４７】
図９は、速度切り替えチェック時の現在位置と目標位置との関係を示す図である。
【００４８】
現在位置がＡの場合、最終目標位置に行くまでに、速度切り替え位置１及び速度切り替え位置２を経由しなければならないので速度切り替えが２回必要になる。現在位置がＢの場合、速度切り替え位置２を経由しなければならないので速度切り替えが１回必要である。現在位置がＣの場合、速度切り替えは必要なく、そのまま最終位置に行く。
【００４９】
基板のＰｉｃｋＵｐ動作に関して図６の各パラメータを例に取ると、上位コントローラ７０１からＰｉｃｋＵｐ待機位置への動作コマンドを受信した場合、現在位置がＡであれば原点位置とＰｉｃｋＵｐ開始位置である速度切り替え位置１との間であるので速度パラメータの速度Ｎｏは、１（高速に設定する番号）として制御される。同様に、現在位置がＢの場合、速度切り替え位置１とＰｉｃｋＵｐ完了位置である速度切り替え位置２との間であるので、速度パラメータの速度Ｎｏは、３（低速に設定する番号）として制御される。現在位置がＣのときは、速度切り替え位置２と最終目標位置との間であり、速度Ｎｏは、２（中速に設定する番号）として制御される。
【００５０】
上述したように、本実施形態においては、機構の位置及びその位置での速度を指定することにより、従来のようにコマンド終了（停止）を待ってから次の動作を行わせる（指示する）こと無く、機構の動作を制御することができるのでスループットの向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の従来技術における通信シーケンスを示す図である。
【図２】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略横断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置に用いられるプラズマ処理ユニットを示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置におけるコントローラ構成を示す図である。
【図６】速度パラメータとポジションパラメータの構成を示す図である。
【図７】動作コマンド電文通信フォーマットの一例を示す図である。
【図８】上位コントローラとモーションコントローラとの通信フローチャートを示す図である。
【図９】速度切り替えチェック時の現在位置と目標位置との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…アッシャ装置
２００…ロードロックチャンバ部
３００…トランスファーチャンバ部
４００…プロセスチャンバ部
４１０…プラズマ処理ユニット
４７２…表示装置
６００…ウエハ
７０１…上位コントローラ（メインコントローラ）
７０６…モーションコントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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