(57)【要約】【課題】従来のホットスポット予測方法は予測処理に多くの時間がかかる問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置の製造不良箇所の予測方法は、露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所の予測方法であって、レイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成ステップ（Ｓ２）と、前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動ステップ（Ｓ３）と、前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出ステップ（Ｓ４）と、前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差情報を記憶する誤差チェックステップ（Ｓ５）と、を複数回数反復処理し、前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所をホットスポットとして予測する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所の予測方法であって、
半導体基板上に形成される回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成ステップと、
前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動ステップと、
前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出ステップと、
前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として記憶する誤差チェックステップと、を複数回数反復処理し、
前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高い領域として予測する半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項２】
前記誤差情報は、前記反復処理の一反復処理毎に算出される誤差情報を蓄積した情報である請求項１に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項３】
前記エッジ移動ステップは、前記反復処理の一反復処理毎に算出されるエッジ移動量情報を反復処理毎に蓄積する請求項１に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項４】
前記サイトは、前記レイアウトパターンのエッジ位置とエッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置と前記結像位置とを横切る直線情報であって、
前記結像位置算出ステップでは、前記サイトと前記エッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置との交点座標を前記結像位置として算出し、
前記誤差チェックステップでは、前記サイトと前記レイアウトパターンのエッジ位置との交点座標と前記結像位置との誤差を算出する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項５】
前記製造不良の危険性が高い領域は、前記誤差情報と前記エッジ移動ステップにおいて出力されるエッジ移動量情報の少なくとも一方に基づき求められる請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項６】
前記半導体装置は、第３のレイアウトデータに基づき製造されるものであって、前記第３のレイアウトデータは、前記予測の結果に基づき前記第１のレイアウトデータのレイアウトパターンを補正して生成される第２のレイアウトデータに対して光学近接補正処理を行い生成される請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項７】
半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所の予測する予測装置であって、
半導体基板上に形成される回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成部と、
前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動部と、
前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出部と、
前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として出力する誤差チェック部と、
前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高いホットスポット領域として抽出するホットスポット情報生成部と、
を有する半導体装置の製造不良箇所の予測装置。
【請求項８】
前記誤差チェック部が出力する前記誤差情報と反復処理回数の少なくとも一方の情報に基づき、前記エッジ移動部、前記結像位置算出部及び前記誤差チェック部による反復処理を継続するか否かを判断する終了判定部を有する請求項７に記載の半導体装置の不良箇所の予測装置。
【請求項９】
前記誤差情報は、前記反復処理の一反復処理毎に算出される誤差情報を蓄積した情報である請求項８に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項１０】
前記エッジ移動部は、前記反復処理の一反復処理毎に算出されるエッジの移動量情報を反復処理毎に蓄積する請求項８に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法。
【請求項１１】
前記サイトは、前記レイアウトパターンのエッジ位置とエッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置と前記結像位置とを横切る直線情報であって、
前記結像位置算出部は、前記サイトと前記エッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置との交点座標を前記結像位置として算出し、
前記誤差チェック部では、前記サイトと前記レイアウトパターンのエッジ位置との交点座標と前記結像位置との誤差を算出する請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測装置。
【請求項１２】
前記半導体装置上に形成される回路パターンに対応した第３のレイアウトデータを生成するＯＰＣ処理部を有し、
前記ＯＰＣ処理部は、前記ホットスポット情報に基づき前記第１のレイアウトデータのレイアウトパターンを補正して生成される第２のレイアウトデータに対して光学近接補正処理を行い前記第３のレイアウトパターンを生成する請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測装置。
【請求項１３】
記憶装置と演算装置とを備えたコンピュータ上で動作し、半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所を予測する予測プログラムであって、
前記半導体装置の回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータを前記記憶装置から読み出し、前記第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成ステップと、
前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動ステップと、
前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出ステップと、
前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として記憶する誤差チェックステップと、を前記演算装置に実行させ、
前記演算装置において、前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高い領域として予測する半導体装置の製造不良箇所の予測プログラム。
【請求項１４】
前記誤差チェックステップにおいて出力される前記誤差情報及び反復回数の少なくとも一方の情報に基づき、前記エッジ移動部、前記結像位置算出部及び前記誤差チェック部による反復処理を継続するか否かを判断する終了判定ステップを前記演算装置に実行させる請求項１３に記載の半導体装置の不良箇所の予測プログラム。
【請求項１５】
前記誤差情報は、前記反復処理の一反復処理毎に算出される誤差情報を蓄積した情報である請求項１４に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測プログラム。
【請求項１６】
前記エッジ移動ステップは、前記反復処理の一反復処理毎に算出されるエッジ移動量情報を反復処理毎に蓄積する請求項１４に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測プログラム。
【請求項１７】
前記サイトは、前記レイアウトパターンのエッジ位置とエッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置と前記結像位置とを横切る直線情報であって、
前記結像位置算出ステップでは、前記サイトと前記エッジ移動ステップにおいて移動されたエッジ位置との交点座標を前記結像位置として算出し、
前記誤差チェックステップでは、前記サイトと前記レイアウトパターンのエッジ位置との交点座標と前記結像位置との誤差を算出する請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測プログラム。
【請求項１８】
前記半導体装置上に形成される回路パターンに対応した第３のレイアウトデータを生成するＯＰＣ処理ステップを前記演算装置に実行させ、
前記ＯＰＣ処理ステップにおいて、前記ホットスポット情報に基づき前記第１のレイアウトデータのレイアウトパターンを補正して生成される第２のレイアウトデータに対して光学近接補正処理を行い前記第３のレイアウトパターンを生成する請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置及び予測プログラムは、半導体基板上に形成される回路パターンに光学近接補正を加えるＯＰＣ（Optical Proximity Correct）処理における半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置及び予測プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の製造プロセスの微細化が進んでいる。この微細化に伴い、半導体の製造工程のうち露光工程において、光学近接効果により、レチクルパターンと実際の形成される半導体基板上の回路パターンとのずれが顕著になってきている。ここで、レチクルパターンとは、露光マスクのことであり、レイアウト工程において生成される回路パターンの画像データ（以下、ＧＤＳデータと称す）に基づくパターンを有するものである。また、光学近接効果とは、光の干渉の影響によりレチクルパターンと実際に半導体基板上に露光されるパターンとにずれが生じる現象である。
【０００３】
この光学近接効果による半導体装置の製造不良を検出する方法の一例が特許文献１に開示されている。特許文献１では、ＧＤＳデータに対してエッジ位置を確認するＥＰＥ（Edge Placement Error）チェックを行い、パターン間の距離が近い部分をリソグラフィの危険箇所として抽出する。そして、半導体基板上に回路パターンを形成した後に、露光工程後のウェハの管理において危険箇所として抽出された部分についてはより精度の高い試料寸法測定方法を適用する。これにより、特許文献１では、リソグラフィの不良に起因する半導体装置の故障を精度よく検出する。
【０００４】
また、このような光学近接効果の影響を小さくするために、近年の半導体装置のレイアウト工程では、光学近接効果をＧＤＳデータ上で補正する光学近接補正（以下、ＯＰＣ（Optical Proximity Correct）処理と称す）を行う。このＯＰＣ処理の一例が特許文献２に開示されている。
【０００５】
特許文献２において開示されているウェハイメージモデリング及び予測システム１００の処理フローを図１０に示す。図１０に示すように、特許文献２に開示されるＯＰＣ処理では、まず、回路データから（デザイン）レイアウトデータ（シリコンモデル）を生成する（１０２）。そして、オンシリコン予測（１０４）を行い、オンシリコン予測の結果に基づき、レイアウトデータのエラー検出及びその報告（１０６）を行う。そして、エラーフィクサーにてレイアウトデータのエラーを修正する（１０８）。これにより、修正された設計データを得る（１１０）。
【０００６】
このオンシリコン予測の詳細を図１１に示す。図１１に示すように、オンシリコン予測では、半導体基板上に形成されるパターンの外形予測、ホットスポット予測、感度表示予測、マスクエラー増大因子（ＭＥＥＦ）、プロセスウインドウ予測及び正規化イメージ・ログスロープ（ＮＩＬＳ）予測の少なくとも１つを出力する。
【０００７】
特許文献２では、最終的なレイアウトパターンを作成する前に、光学近接効果により不良が発生すると予測される危険箇所を抽出し、抽出した危険箇所を考慮してレイアウトパターンの修正及びＯＰＣ処理を行う。これにより、特許文献２では、ＯＰＣ処理の効率及び精度を向上させることができる。
【０００８】
また、一般的にＯＰＣ処理は非常に時間のかかる処理であるため、処理の効率化について特許文献３〜５にその高速化手法が開示されている。特許文献３では、予めリソグラフィ（露光工程）における不具合が発生しそうな箇所を特定しておき、特定した箇所に対してのみエラーの検出及びその修正を行う。また、特許文献４では、レイアウトパターンを複数のブロックに分割し、コンピュータを並列動作させることによりＯＰＣ処理の高速化を実現する。特許文献５では、ＯＰＣ処理をブロック（レイアウトセル）毎に完了させておき、１チップに対するＯＰＣ処理を行う場合は、ブロックの境界部分についてのエラー検出及びその修正を行う。
【特許文献１】特開２００７−２４８０８７号公報
【特許文献２】特表２００７−５３６５６４号公報
【特許文献３】特開２００６−１２６７４５号公報
【特許文献４】特開２００８−６４８２０号公報
【特許文献５】特開２００８−２０７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２〜５に記載の技術では、いずれも光学近接効果を加味して半導体基板上に形成される回路パターンを光強度シミュレーションにより予測したＧＤＳデータ（コンターと称す）を生成する。その後、コンターに対してデザインルールチェックを行う。そして、このデザインルールチェックの結果に基づき半導体装置の製造不良の危険箇所を予測する。このとき、光強度シミュレーションは非常に多くの計算量を要する演算であるため、コンターの生成には多くの時間がかかる。従って、特許文献２〜５では、コンターの生成に多くの時間がかかり設計時間が増大する問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法の一態様は、半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所の予測方法であって、半導体基板上に形成される回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成ステップと、前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動ステップと、前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出ステップと、前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として記憶する誤差チェックステップと、を複数回数反復処理し、前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高い領域として予測する。
【００１１】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測装置の一態様は、半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所の予測する予測装置であって、半導体基板上に形成される回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成部と、前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動部と、前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出部と、前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として出力する誤差チェック部と、前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高いホットスポット領域として抽出するホットスポット情報生成部と、を有する。
【００１２】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測プログラムの一態様は、記憶装置と演算装置とを備えたコンピュータ上で動作し、半導体装置の製造工程のうちの露光工程における光学的なパターンのずれに起因する半導体装置の製造不良箇所を予測する予測プログラムであって、前記半導体装置の回路のデータに基づき生成された第１のレイアウトデータを前記記憶装置から読み出し、前記第１のレイアウトデータのレイアウトパターンの所定の位置にサイトを設定するサイト生成ステップと、前記レイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させるエッジ移動ステップと、前記サイト上の移動後のエッジに対応する結像位置を算出する結像位置算出ステップと、前記サイト上の前記結像位置と前記レイアウトパターンのエッジとの誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として記憶する誤差チェックステップと、を前記演算装置に実行させ、前記演算装置において、前記誤差情報に基づき前記第１のレイアウトデータにおいて前記結像位置が不安定な箇所を抽出し、抽出された箇所を製造不良の危険性が高い領域として予測する。
【００１３】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置、及び、予測プログラムでは、第１のレイアウトデータのレイアウトパターンのエッジを移動させ、サイト上の移動後のエッジに対する結像位置を計算する。そして、サイト上の結像位置と第１のレイアウトデータのレイアウトパターンのエッジ位置との誤差を算出して誤差情報を出力する。本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置、及び、予測プログラムでは、この誤差情報に基づきエッジの結像位置が不安定な部分を製造不良の危険性が高い箇所として予測する。つまり、本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置、及び、予測プログラムでは、コンターを生成することなく、簡単な数値計算のみで製造不良の危険性が高い箇所を予測することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置、及び、予測プログラムによれば、半導体装置の製造不良の危険性が高い箇所の予測を高速化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法のフローチャートを図１に示す。図１に示すフローチャートは、本実施の形態における半導体設計工程のうちレイアウトデータに対するＯＰＣ処理のフローを示すものである。本実施の形態では、図１に示すフローチャートを開始する前に回路設計工程があり、図１に示すフローチャートが終了した後に更にレチクル製造及び半導体の製造工程がある。また、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測は、ＯＰＣ処理内の処理の１つとして行われるものであるが、この製造不良箇所予測は他の処理とは独立した処理として行われても構わない。
【００１６】
図１に示すように、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、まず、回路設計工程において生成された回路データから第１のレイアウトデータを生成する（ステップＳ１）。この第１のレイアウトデータは、回路データに基づき生成される画像データであって、以下の説明では、ＧＤＳデータと称す。
【００１７】
続いて、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測は、ＯＰＣ処理に含まれるＯＰＣ前処理の処理フローを用いて露光工程（リソグラフィ）において不良箇所が発生する危険性の高い箇所（ホットスポット）を予測する。このＯＰＣ前処理では、後述するステップＳ９において行われるＯＰＣ処理において行われる処理フローを用いるのみであって、第１のレイアウトパターンに対して最終的な光学近接補正は行わない。
【００１８】
ＯＰＣ前処理では、まず、ステップＳ１において生成されたＧＤＳデータを読み込み、ＧＤＳデータ上のレイアウトパターンにサイトを設定する（ステップＳ２）。ここで、サイトとは、ＧＤＳデータ上のレイアウトパターンのエッジ、後述するステップＳ３にて行われるエッジ移動後のレイアウトパターンのエッジ及び後述するステップＳ４のエッジ結像位置の算出処理により算出される結像位置と交差する直線情報である。そして、ステップＳ４、ステップＳ５ではこのサイトと計算対象の辺の交点座標を計算する。
【００１９】
続くエッジ移動ステップでは、ステップＳ２において読み込んだＧＤＳデータに対して光学近接効果を加味したレイアウトパターンのエッジの移動を行う（ステップＳ３）。ステップＳ３では、予め決められたルールに従ってエッジの移動処理が行われ、レイアウトパターンのパターン幅及びターン長の拡大又は縮小が行われる。そして、ステップＳ３のエッジ移動ステップでは、このエッジの移動量をエッジ移動量情報として出力する。
【００２０】
続いて、エッジ結像位置の算出ステップでは、ステップＳ３において移動されたエッジ位置に対応する結像位置を算出する（ステップＳ４）。このエッジ結像位置の算出ステップでは、サイト上に位置するエッジ移動後のエッジに対して結像位置を算出し、結像位置の座標情報を出力する。
【００２１】
次いで、誤差チェックステップ（例えば、ＥＰＥ（Edge Placement Error）チェック）では、エッジ結像位置とＧＤＳデータのレイアウトパターンのエッジ位置との誤差を算出し、誤差情報として出力する（ステップＳ５）。誤差チェックステップでは、サイト上のエッジ結像位置の座標情報とサイト上のレイアウトパターンのエッジ位置の座標情報とを比較することでそのずれ量を算出する。
【００２２】
そして、ステップＳ２〜Ｓ５の処理が予め規定回数に達したか否かを判断する（ステップＳ６）。本実施の形態では、ステップＳ２〜Ｓ５のＯＰＣ前処理の終了判定条件として反復回数を用いるが、誤差チェックステップにおいて算出される誤差が所定の値を下回ることを終了条件としても構わない。ステップＳ６の終了条件が満たされていない場合は、ステップＳ２〜Ｓ５を再度実行する。このとき、各反復処理において算出されるエッジ移動量情報と誤差情報とは反復処理毎に蓄積される。また、ステップＳ６の終了条件が満たされている場合はステップＳ７へと進む。
【００２３】
ステップＳ７では、エッジの移動量情報及び誤差情報の少なくとも一方を用いてリソグラフィの欠陥が発生する可能性の高い箇所を予測し、予測された箇所をホットスポット情報として出力する。より具体的には、反復処理の回数が多くなってもエッジの移動量が収束しない箇所はリソグラフィの欠陥が発生する可能性が高いホットスポットとして予測される。また、誤差情報に含まれる誤差値が反復回数が多くなっても収束しない箇所も同様にホットスポットとして予測される。ホットスポット情報は、エッジの移動量が収束しない又は誤差情報の誤差値が不安定な箇所のパターンの座標情報を含む。
【００２４】
続くワイヤリペアステップでは、ホットスポット情報により特定されるレイアウトパターンを変更し、第２のレイアウトデータ（修正後ＧＤＳデータ）を生成する（ステップＳ８）。例えば、回路データとホットスポット情報をＰ＆Ｒツール（Place and Routeツール）に入力し、第１のレイアウトデータとは異なるレイアウトパターンを有する修正後ＧＤＳデータを生成する。
【００２５】
そして、ステップＳ９のＯＰＣ処理では、修正後ＧＤＳデータを入力データとしてこの修正後ＧＤＳデータに対して光学近接補正を加え、第３のレイアウトデータ（ＯＰＣ後ＧＤＳデータ）を生成する。ステップＳ９のＯＰＣ処理では、ＯＰＣ前処理、リソグラフィシミュレーション及びルールチェックが行われる。このとき、ステップＳ９のＯＰＣ処理では、ＯＰＣ前処理によりＯＰＣ後ＧＤＳデータを出力し、ＯＰＣ後ＧＤＳデータに対してリソグラフィシミュレーションを行い、コンターを出力する。そして、コンターに対してデザインルールチェックを行う。なお、コンターは、ＯＰＣ後ＧＤＳデータに対して露光を行った場合に半導体基板上に結像するレイアウトパターンの外形を求めたものである。例えば、コンターは、ＯＰＣ後ＧＤＳデータに対応する光強度の等高線情報として計算され、半導体基板上のレイアウトパターンの外形と近似する形状を有する。
【００２６】
ステップＳ９においてデザインルール上の欠陥がないと判断されることでＯＰＣ後ＧＤＳデータが確定する。なお、ステップＳ９においてデザインルール上の欠陥があった場合は、再度ステップＳ２からの処理を行うことが好ましい。
【００２７】
続いて、図１に示した製造欠陥箇所の予測フロー（ステップＳ２〜Ｓ７）について具体的なレイアウトパターンを参照して、より具体的に説明する。まず、図２（ａ）〜（ｇ）に製造欠陥が生じる可能性のない、つまり、ＯＰＣ処理を行うことに問題のないレイアウトパターンを示す。そして、図２を参照してステップＳ２〜Ｓ６の処理について説明する。
【００２８】
図２（ａ）は、ステップＳ２において読み込まれるＧＤＳデータに含まれるレイアウトパターンＧｐａ１の外形について示すものである。そして、ステップＳ２では、レイアウトパターンＧｐａ１に対してサイトＳｉ１〜Ｓｉ８を設定する。図２（ａ）に示すように、サイトＳｉ１〜Ｓｉ８は、レイアウトパターンＧｐａ１のエッジに対して交差する直線である。
【００２９】
図２（ｂ）は、レイアウトパターンＧｐａ１に対してエッジの移動を行い、ＯＰＣパターンＯｐａ１に相当するエッジを生成したレイアウトの概略図を示す。図２（ｂ）に示すようにＯＰＣパターンＯｐａ１は、レイアウトパターンＧｐａ１よりも広い領域を有する。これは、半導体基板上に形成される結像パターンは、一般的に光学近接効果によりレイアウトパターンＧｐａ１よりも小さくなるためである。なお、ステップＳ３のエッジ移動ステップでは、ＯＰＣパターンＯｐａ１を生成することなく移動後のエッジ位置の座標情報を生成するのみである。
【００３０】
図２（ｃ）は、ＯＰＣパターンＯｐａ１に対してエッジ結像位置を計算する場合のレイアウトパターンの概略図を示す。図２（ｃ）では、結像位置の具体例を示すために、半導体基板上に結像されるパターンを示すコンターパターンＣｐａ１を示したが、ステップＳ４のエッジ結像位置計算ステップでは、サイトＳｉ１〜Ｓｉ８上における結像位置の座標を求めるのみである。また、図２（ｃ）では、コンターパターンＣｐａ１は、サイトＳｉ１及びサイトＳｉ５においてレイアウトパターンＧｐａ１の内側に結像位置が存在する。そのため、ステップＳ５の誤差チェックステップにおいてこの誤差が算出され、次の反復処理では、誤差を小さくするためのエッジ位置の移動処理が行われる。
【００３１】
図２（ｄ）は、２回目の反復処理において行われるエッジ移動処理後のレイアウトパターンの概略図を示す。図２（ｄ）に示すように２回目の反復処理におけるエッジ移動ステップでは、前回の誤差チェックステップにおいて結像位置がレイアウトパターンＧｐａ１の内側であったため、サイトＳｉ１及びサイトＳｉ５に該当する部分のＯＰＣパターンＯｐａ１を拡大したＯＰＣパターンＯｐｃ２に対応するエッジ位置座標を生成する。
【００３２】
図２（ｅ）は、ＯＰＣパターンＯｐａ２に対してエッジ結像位置を計算する場合のレイアウトパターンの概略図を示す。図２（ｅ）では、結像位置の具体例を示すために、半導体基板上に結像されるパターンを示すコンターパターンＣｐａ２を示したが、ステップＳ４のエッジ結像位置計算ステップでは、サイトＳｉ１〜Ｓｉ８上における結像位置の座標を求めるのみである。また、図２（ｅ）では、コンターパターンＣｐａ２は、サイトＳｉ１及びサイトＳｉ５においてレイアウトパターンＧｐａ１の外側に結像位置が存在する。そのため、ステップＳ５の誤差チェックステップにおいてこの誤差が算出され、次の反復処理では、誤差を小さくするためのエッジ位置の移動処理が行われる。
【００３３】
図２（ｆ）は、３回目の反復処理において行われるエッジ移動処理後のレイアウトパターンの概略図を示す。図２（ｆ）に示すように３回目の反復処理におけるエッジ移動ステップでは、前回の誤差チェックステップにおいて結像位置がレイアウトパターンＧｐａ１の内側であったため、サイトＳｉ１及びサイトＳｉ５に該当する部分のＯＰＣパターンＯｐａ１を縮小したＯＰＣパターンＯｐｃ３に対応するエッジ位置座標を生成する。
【００３４】
図２（ｇ）は、ＯＰＣパターンＯｐａ３に対してエッジ結像位置を計算する場合のレイアウトパターンの概略図を示す。図２（ｇ）では、結像位置の具体例を示すために、半導体基板上に結像されるパターンを示すコンターパターンＣｐａ３を示したが、ステップＳ４のエッジ結像位置計算ステップでは、サイトＳｉ１〜Ｓｉ８上における結像位置の座標を求めるのみである。また、図２（ｇ）では、コンターパターンＣｐａ３のエッジ位置は、サイトＳｉ１〜サイトＳｉ８においてレイアウトパターンＧｐａ１のエッジとほぼ同じ位置に存在する。そのため、ステップＳ５の誤差チェックステップにおいて算出される誤差はほぼゼロとなり、その後の反復処理においてこのエッジ位置は移動の対象から外される。
【００３５】
ここで、図２（ａ）〜（ｇ）において示した処理における結像位置と理想回路パターン（例えば、レイアウトパターンＯｐａ１）のエッジ位置との誤差と処理の反復回数との関係を図３に示す。図３に示すように、図２に示す例では、反復回数が増加する度に誤差量が小さくなり、３回目の反復処理が完了した時点で誤差量はほぼゼロとなり、誤差が収束する。つまり、図２に示すレイアウトパターンＧｐａ１ではホットスポット情報は抽出されない。
【００３６】
続いて、ステップＳ７においてホットスポット情報が抽出されるレイアウトパターンを図４、５、７に示し、これらのパターンについて説明する。なお、図４、５、７においてはサイトの表示を省略する。
【００３７】
図４に示す例では、レイアウトパターンＧｐｂ１と、レイアウトパターンＧｐｂ１に３方向が囲まれるレイアウトパターンＧｐｂ２と、が配置される（図４（ａ））。そして、エッジ移動ステップにおいて、図４（ａ）に示すレイアウトパターンに対してエッジの移動を行った場合のレイアウトパターンの概略図を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示す概略図は、レイアウトパターンＧｐｂ１、Ｇｐｂ２に対応するＯＰＣパターンＯｐｂ１、Ｏｐｂ２を示した。そして、図４（ｂ）に示したＯＰＣパターンＯｐｂ１、Ｏｐｂ２に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｂ１、Ｃｐｂ２を図４（ｃ）に示す。図４（ｃ）に示すように、この場合、コンターパターンＣｐｂ２の長手方向のパターン長が光学近接効果により拡大し、コンターパターンＣｐｂ１との距離が近くなる（領域Ａ）。また、コンターパターンＣｐｂ２は長手方向においてレイアウトパターンＧｐｂ２よりも長いパターン長となる（領域Ａ）。そのため、次の反復処理では、ＯＰＣパターンＯｐｂ２においてＯＰＣパターンＯｐｂ１に対向する短辺を長手方向に後退させる。
【００３８】
図４（ｄ）に、２回目の反復処理においてエッジ移動処理がなされた場合のＯＰＣパターンＯｐｂ３の概略図を示す。そして、図４（ｄ）に示したＯＰＣパターンＯｐｂ１、Ｏｐｂ３に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｂ１、Ｃｐｂ３を図４（ｅ）に示す。図４（ｅ）に示すように、この場合、コンターパターンＣｐｂ３の長手方向のパターン長が光学近接効果により縮小し、コンターパターンＣｐｂ１との距離が遠くなる（領域Ｂ）。また、コンターパターンＣｐｂ３は長手方向においてレイアウトパターンＧｐｂ２よりも短いパターン長となる（領域Ｂ）。そのため、次の反復処理では、コンターパターンＣｐｂ３とレイアウトパターンＧｐｂ２との誤差を小さくするために再度ＯＰＣパターンＯｐｂ３の長手方向の長さを長くする。
【００３９】
しかし、ＯＰＣパターンＯｐｂ２又はＯＰＣパターンＯｐｂ３の長手方向のエッジ移動に対してコンターパターンの変動が大きいため、反復処理を継続しても例えば図４（ｃ）と図４（ｅ）の状態を繰り返すことになる。そのため、図４に示す例では、領域Ａ又は領域Ｂをエッジ移動量が安定しない（又は収束しない）領域としてホットスポット情報として登録する。そして、ステップＳ８のワイヤリペアステップにおいて例えばレイアウトパターンＧｐｂ１とレイアウトパターンＧｐｂ２との距離を大きくし、ＯＰＣ処理におけるパターンの収束性を向上させる。
【００４０】
また、図５に示す例では、レイアウトパターンＧｐｃ１と、レイアウトパターンＧｐｃ１の辺と対向する短辺を有するレイアウトパターンＧｐｃ２、Ｇｐｃ３と、が配置される（図５（ａ））。そして、エッジ移動ステップにおいて、図５（ａ）に示すレイアウトパターンに対してエッジの移動を行った場合のレイアウトパターンの概略図を図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）に示す概略図は、レイアウトパターンＧｐｃ１〜Ｇｐｃ３に対応するＯＰＣパターンＯｐｃ１〜Ｏｐｃ３を示した。そして、図５（ｂ）に示したＯＰＣパターンＯｐｃ１〜Ｏｐｃ３に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｃ１〜Ｃｐｃ３を図５（ｃ）に示す。図５（ｃ）に示すように、この場合、コンターパターンＣｐｃ２、Ｃｐｃ３の長手方向のパターン長が光学近接効果により拡大し、コンターパターンＣｐｃ１においてコンターパターンＣｐｃ２、Ｃｐｃ３と近接する部分のパターン幅が広くなる（領域Ｃ）。この領域Ｃでは、コンターパターンＣｐｃ２、Ｃｐｃ３とコンターパターンＣｐｃ１との距離が近くなる。また、コンターパターンＣｐｃ２、Ｃｐｃ３は長手方向においてレイアウトパターンＧｐｃ２、Ｇｐｃ３よりも長いパターン長となる（領域Ｃ）。そのため、次の反復処理では、ＯＰＣパターンＯｐｃ２、Ｏｐｃ３においてＯＰＣパターンＯｐｃ１に対向する辺を長手方向に後退させる。
【００４１】
図５（ｄ）に、２回目の反復処理においてエッジ移動処理がなされた場合のＯＰＣパターンＯｐｃ４〜Ｏｐｃ６の概略図を示す。そして、図５（ｄ）に示したＯＰＣパターンＯｐｃ４〜Ｏｐｃ６に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｃ４〜Ｃｐｃ６を図５（ｅ）に示す。図５（ｅ）に示すように、この場合、コンターパターンＣｐｃ５、Ｃｐｃ６の長手方向のパターン長が光学近接効果により縮小し、コンターパターンＣｐｃ４との距離が遠くなる（領域Ｄ）。また、コンターパターンＣｐｃ５、Ｃｐｃ６は長手方向においてレイアウトパターンＧｐｃ２、Ｇｐｃ３よりも短いパターン長となる（領域Ｄ）。更に、コンターパターンＣｐｃ４においてコンターパターンＣｐｃ４、Ｃｐｃ５と近接する部分のパターン幅が狭くなる（領域Ｄ）。この領域Ｄでは、コンターパターンＣｐｃ５、Ｃｐｃ６とコンターパターンＣｐｃ４との距離が遠くなる。そのため、次の反復処理では、コンターパターンＣｐｃ４、Ｃｐｃ５とレイアウトパターンＧｐｃ２、Ｇｐｃ３との誤差を小さくするために再度ＯＰＣパターンＯｐｃ５、Ｏｐｃ６の長手方向の長さを長くする。
【００４２】
しかし、ＯＰＣパターンＯｐｃ５又はＯＰＣパターンＯｐｃ６の長手方向のエッジ移動に対してコンターパターンの変動が大きいため、反復処理を継続しても例えば図５（ｃ）と図５（ｅ）の状態を繰り返すことになる。そのため、図５に示す例では、領域Ｃ又は領域Ｄをエッジ移動量が安定しない（又は収束しない）領域としてホットスポット情報として登録する。そして、ステップＳ８のワイヤリペアステップにおいて例えばレイアウトパターンＧｐｃ１とレイアウトパターンＧｐｃ２、Ｇｐｃ３との距離を大きくし、ＯＰＣ処理におけるパターンの収束性を向上させる。
【００４３】
図４、５において説明したレイアウトパターンにおける結像位置と理想回路パターン（例えば、レイアウトパターンＯｐｂ１、Ｏｐｂ２又はレイアウトパターンＧｐｃ１〜Ｇｐｃ３）のエッジ位置との誤差と処理の反復回数との関係を図６に示す。図６に示すように、図４、５に示す例では、反復回数が増加しても誤差量が小さくならず、誤差量自体も収束しない。つまり、図４、５に示すレイアウトパターンでは領域Ａ〜Ｄがホットスポット情報としては抽出される。
【００４４】
また、ホットスポット情報が抽出されるレイアウトパターンの別の例を図７に示す。図７に示す例では、レイアウトパターンＧｐｄ１〜Ｇｐｄ４を有する。レイアウトパターンＧｐｄ１、Ｇｐｄ２は図面横方向に延在するパターンである。また、レイアウトパターンＧｐｄ３、Ｇｐｄ４は、レイアウトパターンＧｐｄ１、Ｇｐｄ２に挟まれ、かつ、短辺が対向するパターンである。
【００４５】
そして、エッジ移動ステップにおいて、図７（ａ）に示すレイアウトパターンに対してエッジの移動を行った場合のレイアウトパターンの概略図を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）に示す概略図は、レイアウトパターンＧｐｄ１〜Ｇｐｄ４に対応するＯＰＣパターンＯｐｄ１〜Ｏｐｃ４を示した。そして、図７（ｂ）に示したＯＰＣパターンＯｐｄ１〜Ｏｐｄ３に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｄ１〜Ｃｐｄ４を図７（ｃ）に示す。図７（ｃ）に示すように、この場合、コンターパターンＣｐｄ２、Ｃｐｄ３の長手方向のパターン長が光学近接効果により短縮する（領域Ｅ）。この領域Ｅでは、コンターパターンＣｐｄ３、Ｃｐｄ４と距離が遠くなる。また、コンターパターンＣｐｄ３、Ｃｐｄ４は長手方向においてレイアウトパターンＧｐｄ３、Ｇｐｄ４よりも長いパターン長となる（領域Ｅ）。そのため、次の反復処理では、ＯＰＣパターンＯｐｄ３、Ｏｐｄ４の距離が近くなるようにエッジ位置を変更する。
【００４６】
図７（ｄ）に、２回目の反復処理においてエッジ移動処理がなされた場合のＯＰＣパターンＯｐｄ１〜Ｏｐｄ４の概略図を示す。図７（ｄ）に示すように、図７に示す例では、本来であれば２回目の反復処理においてＯＰＣパターンＯｐｄ３、Ｏｐｄ４の距離を近づけなければならないが、レチクル製造の最小配線間隔Ｄに起因してこの距離を近づけることができない。そのため、図７（ｅ）に示すように、ＯＰＣパターンＯｐｄ１〜Ｏｐｄ４に対して結像位置を算出した場合に算出されるコンターパターンＣｐｄ１〜Ｃｐｄ４は、図７（ｃ）で示したコンターパターンと同じものとなる。従って、その後反復処理を継続しても、コンターパターンＣｐｄ３、Ｃｐｄ４の距離は近くならない。このような場合においても、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、ステップＳ７のリソグラフィ欠陥箇所の抽出ステップにおいて、誤差情報の値から領域Ｅをホットスポットとして抽出する。なお、図７に示す例では、ステップＳ８のワイヤリペアステップにおいて、レイアウトパターンＧｐｄ３、Ｇｐｄ４の距離が遠くなるようにパターンを修正する。
【００４７】
図７において説明したレイアウトパターンにおける結像位置と理想回路パターン（例えば、レイアウトパターンＯｐｄ１〜Ｏｐｄ４）のエッジ位置との誤差と処理の反復回数との関係を図８に示す。図８に示すように、図７に示す例では、反復回数が増加しても誤差量は収束するものの、誤差量が小さくならない。
【００４８】
ここで、上記において説明した半導体装置の製造不良箇所の予測方法をハードウェアにて実現した場合について説明する。本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法を実現する製造不良箇所予測装置２０のブロック図を図９に示す。図９に示すように、製造不良箇所予測装置２０は、ＯＰＣ前処理部２１、ホットスポット情報生成部２２、ワイヤリペア部２３、ＯＰＣ処理部２４を有する。なお、ワイヤリペア部２３及びＯＰＣ処理部２４は、製造不良箇所予測装置２０とは異なる装置として実装されていても構わない。また、製造不良箇所予測装置２０は、表示装置１０、入力装置１１、記憶装置３０と接続される。
【００４９】
表示装置１０は、製造不良箇所予測装置２０を操作するためのインタフェースを表示する。入力装置１１は、ユーザーが製造不良箇所予測装置２０を操作するための入力インタフェースである。記憶装置３０は、製造不良箇所予測装置２０に与えるデータ及び製造不良箇所予測装置２０が出力するデータを格納する。
【００５０】
ＯＰＣ前処理部２０は、サイト生成部２５、エッジ移動処理部２６、エッジ結像位置算出部２７、誤差チェック部（例えば、ＥＰＥチェック部）２８、終了判定部２９を有する。サイト生成部２５は、図１のステップＳ２のサイト生成ステップを実行するものである。より具体的には、サイト生成部２５は、記憶装置３０からＧＤＳデータを読み出し、読み出したＧＤＳデータに対してサイトを設定する。
【００５１】
エッジ移動処理部２６は、図１のステップＳ３のエッジ移動ステップを実行するものである。より具体的には、サイト生成部２５が記憶装置３０から読み出したＧＤＳデータに含まれるレイアウトパターンのエッジを所定のルールに基づき移動させる。そして、エッジ移動処理部２６は、反復処理毎にエッジ移動量情報を記憶装置３０に蓄積する。
【００５２】
エッジ結像位置算出部２７は、図１のステップＳ４のエッジ結像位置算出ステップを実行する。より具体的には、エッジ移動部２６が生成した移動後のエッジの半導体基板上における結像位置の座標情報を算出する。また、このエッジ結像位置算出部２７は、サイト生成部２７が設定したサイト上の座標情報を計算する。
【００５３】
ＥＰＥチェック部２８は、図１のステップＳ５の誤差チェックステップを実行するものである。より具体的には、ＥＰＥチェック部２８は、サイト上の結像位置とレイアウトパターンのエッジ位置との誤差を算出し、算出された誤差を誤差情報として出力する。なお、この結像位置とレイアウトパターンのエッジ位置は同一のサイト上に位置するものとする。ＥＰＥチェック部２６は、算出した誤差情報を反復処理毎に記憶装置３０に蓄積する。
【００５４】
終了判定部２９は、図１のステップＳ６のＯＰＣ前処理の終了判定ステップを実行するものである。より具体的には、終了判定部２９は、誤差チェック部２８が出力する誤差情報と反復処理回数の少なくとも一方の情報に基づき、ＯＰＣ前処理部２１の反復処理を継続するか否かを判断する。なお、本実施の形態では、終了判定部２９は、反復処理回数により終了判定を行う構成とした。
【００５５】
ホットスポット情報生成部２２は、図１のステップＳ７のリソグラフィ欠陥箇所抽出ステップを実行する。より具体的には、ホットスポット情報生成部２２は、エッジの移動量情報及び誤差情報の少なくとも一方を用いてリソグラフィの欠陥が発生する可能性の高い箇所を予測し、予測された箇所をホットスポット情報として出力する。そして、ホットスポット情報は、記憶装置３０に記憶される。
【００５６】
ワイヤリペア部２３は、図１のステップＳ８のワイヤリペアステップを実行するものである。より具体的には、ワイヤリペア部２３は、記憶装置３０からホットスポット情報及びＧＤＳデータを読み出し、ホットスポット情報に含まれる危険予測箇所に相当するＧＤＳデータのレイアウトパターンを修正する。そして、ワイヤリペア部２３は、修正を施したＧＤＳデータを修正後ＧＤＳデータとして記憶装置３０に格納する。
【００５７】
ＯＰＣ処理部２４は、図１のステップＳ９のＯＰＣ処理ステップを実行するものである。より具体的には、ＯＰＣ処理部２４は、上記のＯＰＣ前処理部２１を用いてＯＰＣ後ＧＤＳデータを生成し、このＯＰＣ後ＧＤＳデータに対してリソグラフィシミュレーション及びルールチェックを行う。つまり、ＯＰＣ処理部２４は、リソグラフィシミュレーションとルールチェックを行うのみである。また、ＯＰＣ処理ステップ（ステップＳ９）の処理は、ＯＰＣ前処理部２１及びＯＰＣ処理部２４により実現される。
【００５８】
このように本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法は、処理の各フローをハードウェアに実行させることで実現できる。このとき、製造不良箇所予測装置２０の各ブロックは、それぞれ演算を行うが、この演算をＣＰＵ（Central Processing Unit）等の汎用演算回路に行わせることもできる。汎用演算回路を用いる場合、演算回路に対して半導体装置の製造不良箇所の予測方法の各処理フローを実行させる予測プログラムを演算回路にて実行する。そして、予測プログラムに基づき演算回路及び記憶装置３０を動作させることで本実施の形態に半導体装置の製造不良箇所の予測方法をハードウェア上に搭載されたプログラムにより実現することができる。
【００５９】
上記説明より、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、ＯＰＣ前処理においてＯＰＣパターンの外形を求めるエッジ移動ステップ（ステップＳ３）で出力されるエッジ移動量情報、あるいは、誤差チェックステップ（ステップＳ５）で出力される誤差情報に基づき製造不良（リソグラフィ不良）の発生の可能性が高い箇所を予測することができる。このＯＰＣ前処理では、光学近接効果による結像パターンのずれの算出をサイト上の座標に対してのみ行う。つまり、ＯＰＣ前処理では、コンターパターンが生成されない。しかしながら、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、少ない計算量で半導体装置の製造不良箇所の危険性が高い箇所（ホットスポット）を予測することができる。また、短い時間でホットスポットを予測することができることから、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法は、設計工程の時間を短縮することができる。
【００６０】
この設計工程の時間短縮の効果は、回路が高密度に集積され、複雑なレイアウトパターンを有する半導体装置の設計において非常に顕著なものとなる。例えば、複雑なレイアウトパターンでは、ホットスポット情報に基づきレイアウトパターンを一度修正しても、更に別の箇所でホットスポットが形成される場合がある。このような場合、複数回のホットスポットの予測及びその修正が必要になる。そのため、複雑なレイアウトパターンを有する半導体装置を設計する場合に、ホットスポットの予測回数が増加すると設計工程にかかる時間が膨大になる場合がある。このような場合に本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法を用いることで、複数回のホットスポット予測のそれぞれの回の時間を短縮することができるため、設計工程の時間短縮の効果をより顕著に得ることができる。
【００６１】
また、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、予測されたホットスポット情報に基づきＧＤＳデータを修正し、リソグラフィ不良の発生が予測される箇所を修正する。これにより、修正後ＧＤＳデータに基づき生成されるＯＰＣ後ＧＤＳデータに基づき形成される半導体装置のリソグラフィ不良を回避することができる。
【００６２】
また、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法では、ホットスポットの予測に用いられる情報をＯＰＣ処理に含まれるＯＰＣ前処理の処理フローを用いて生成する。つまり、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法を実現するために、新たな処理フローを追加することがない。従って、本実施の形態にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法は、他のＯＰＣ処理の高速化方法に比べて実現が容易である。
【００６３】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測方法の処理を示すフローチャートである。
【図２】ホットスポットが発生しないレイアウトパターンの例である。
【図３】図２に示すレイアウトパターンにおける誤差の収束状態を示すグラフである。
【図４】ホットスポットが発生するレイアウトパターンの第１の例である。
【図５】ホットスポットが発生するレイアウトパターンの第２の例である。
【図６】図４、５に示すレイアウトパターンにおける誤差の収束状態を示すグラフである。
【図７】ホットスポットが発生するレイアウトパターンの第３の例である。
【図８】図７に示すレイアウトパターンにおける誤差の収束状態を示すグラフである。
【図９】実施の形態１にかかる半導体装置の製造不良箇所の予測装置のブロック図である。
【図１０】特許文献１に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法の処理を示すフローチャートである。
【図１１】特許文献１に記載の半導体装置の製造不良箇所の予測方法の処理を示すフローチャートのうちオンシリコン予測フローの詳細を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０    表示装置
１１    入力装置
２０    製造不良箇所予測装置
２１    ＯＰＣ前処理部
２２    ホットスポット情報生成部
２３    ワイヤリペア部
２４    ＯＰＣ処理部
２５    サイト生成部
２６    エッジ移動処理部
２７    エッジ結像位置算出部
２８    ＥＰＥチェック部
２９    終了判定部
３０    記憶装置
Ｓｉ１〜Ｓｉ８    サイト
Ｇｐａ１、Ｇｐｂ１、Ｇｐｂ２    レイアウトパターン
Ｇｐｃ１〜Ｇｐｃ３、Ｇｐｄ１〜Ｇｐｄ４    レイアウトパターン
Ｏｐａ１、Ｏｐｂ１〜Ｏｐｂ３    ＯＰＣパターン
Ｏｐｃ１〜Ｏｐｃ６、Ｏｐｄ１〜Ｏｐｃ４    ＯＰＣパターン
Ｃｐａ１、Ｃｐａ１〜Ｃｐａ３    コンターパターン
Ｃｐｃ１〜Ｃｐｃ６、Ｃｐｄ１〜Ｃｐｃ４    コンターパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010127970.tif 000009
【図８】
2010127970.tif 000010
【図９】
2010127970.tif 000011
【図１０】
2010127970.tif 000012
【図１１】
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