(57)【要約】【課題】キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池１００の製造方法は、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのパターニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの形成工程前に、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出領域Ｒ２のクリーニング工程を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面の第１領域上において、第１導電型を有する第１半導体層を形成する工程Ａと、
前記一主面の第２領域をクリーニングする工程Ｂと、
前記一主面の前記第２領域上から前記第１半導体層上に跨って、第２導電型を有する第２半導体層を形成する工程Ｃと
を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａは、
前記一主面の略全面に前記第１導電型を有する第３半導体層を形成する工程と、
前記第３半導体層のうち前記第１の領域上に形成された部分をレジスト膜で覆う工程と、
前記第３半導体層のうち前記レジスト膜から露出する部分を除去する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ａと前記工程Ｂの間に、前記第１半導体層上に再結合層を形成する工程をさらに備え、
前記工程Ｃにおいて、前記第２領域上から前記再結合層上に跨って、前記第２半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面接合型の太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換できるため、新しいエネルギー源として期待されている。
【０００３】
従来、基板の裏面上に複数のｐ側電極と複数のｎ側電極とを備える、いわゆる裏面接合型の太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載の太陽電池は、以下の方法によって製造される。まず、基板の裏面をクリーニングする。次に、基板の裏面上に所定パターンの第１マスクを設けて、ｉ型半導体層、ｐ型半導体層及びｐ側電極を順次形成する。次に、第１マスクを除去して、基板の裏面上からｐ側電極上に跨るようにｉ型半導体層及びｎ型半導体層を順次形成する。次に、第１マスクと反対パターンの第２マスクをｎ型半導体層上に設けて、ｎ側電極を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０１１５１号公報（[００３９]段落、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、基板の裏面におけるキャリアの再結合を抑制するには、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層を順次形成する前に、基板の裏面のうち第１マスクが設けられた領域にクリーニング処理を施すことが好ましい。
【０００７】
しかしながら、ｐ側電極形成後において、例えばウェットエッチング処理のようなクリーニング処理を施すと、イオン化されたｐ側電極の構成物質によって基板の裏面が汚染されてしまう。また、ｐ側電極形成前にクリーニング処理を施すと、ｐ側電極形成時に、基板の裏面がｐ側電極の構成物質によって汚染されてしまう。従って、特許文献１に記載の手法では、基板の裏面におけるキャリアの再結合を抑制することが困難であった。
【０００８】
本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板の一主面の第１領域上において、第１導電型を有する第１半導体層を形成する工程Ａと、前記一主面の第２領域上をクリーニングする工程Ｂと、前記一主面の前記第２領域上から前記第１半導体層上に跨って、第２導電型を有する第２半導体層を形成する工程Ｃとを備えることを要旨とする。
【００１０】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法によれば、一主面のうち第２領域上をクリーニングした後に、第２領域上に第２半導体層を形成することができる。従って、半導体基板の一主面と第２半導体層との界面においてキャリアが再結合することを抑制することができる。
【００１１】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法において、前記工程Ａは、前記一主面の略全面に前記第１導電型を有する第３半導体層を形成する工程と、前記第３半導体層のうち前記第１の領域上に形成された部分をレジスト膜で覆う工程と、前記第３半導体層のうち前記レジスト膜から露出する部分を除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程とを含んでいてもよい。
【００１２】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法は、前記工程Ａと前記工程Ｂの間に、前記第１半導体層上に再結合層を形成する工程をさらに備え、前記工程Ｃにおいて、前記第２領域上から前記再結合層上に跨って、前記第２半導体層を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１００の裏面側の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１００の拡大断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１６】
［第１実施形態］
（太陽電池の構成）
本発明の第１実施形態に係る太陽電池の構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る太陽電池１００の裏面側の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、太陽電池１００は、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎを備える。
【００１８】
ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、薄板状の単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、太陽光を受ける受光面と、受光面の反対側に設けられた裏面とを有する。ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、受光面における受光によって光生成キャリアを生成する。光生成キャリアとは、光がｎ型結晶シリコン基板１０ｎに吸収されて生成される正孔と電子とをいう。なお、図示しないが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの受光面には光の入射を遮る構造体（例えば、電極など）は形成されておらず、受光面全面での受光が可能であることに留意すべきである。
【００１９】
ｉ型非晶質半導体層１１ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上において、第１方向に沿って形成される。ｉ型非晶質半導体層１１ｉは、不純物を積極的に導入することなく形成されている。ｉ型非晶質半導体層１１ｉの厚みは、実質的に発電に寄与しない程度、例えば数Å〜２５０Å程度である。
【００２０】
ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ上において、第１方向に沿って形成される。ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、ｐ型の導電型を有する。ｐ型非晶質半導体層１１ｐの厚みは、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２１】
なお、ｉ型非晶質半導体層１１ｉは形成されていなくてもよいが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ上にｉ型非晶質半導体層１１ｉとｐ型非晶質半導体層１１ｐとが順次形成された構造（いわゆる、「ＨＩＴ構造」）によれば、ｐｎ接合特性を向上することができるので好ましい。
【００２２】
ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上からｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に跨って形成される。第１実施形態では、ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のほぼ全面を覆うように形成される。ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、不純物を積極的に導入することなく形成されている。ｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度である。
【００２３】
ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ上に形成される。第１実施形態では、ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉを覆うように形成される。ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐと異なるｎ型の導電型を有する。ｎ型非晶質半導体層１２ｎの厚みは、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２４】
なお、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ上にｉ型非晶質半導体層１２ｉが形成された構造（いわゆる、「ＢＳＦ構造」）によれば、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面と非晶質半導体層との界面における少数キャリアの再結合を抑制することができる。
【００２５】
なお、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面とｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に薄いｉ型非晶質半導体層１２ｉを介挿した構造によれば、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面とｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間の特性を向上させることができる。
【００２６】
ここで、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎそれぞれは、シリコンを含む非晶質半導体によって構成することができる。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、或いは非晶質シリコンゲルマニウムなどが挙げられるが、これに限らず他の非晶質半導体を用いてもよい。また、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎそれぞれは、１種の非晶質半導体によって構成されていてもよいし、また、２種以上の非晶質半導体が組み合わされていてもよい。
【００２７】
ｐ側電極２０ｐは、キャリアを収集する収集電極である。ｐ側電極２０ｐは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを介して、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に形成される。従って、ｐ側電極２０ｐは、第１方向に沿ってライン状に形成される。
【００２８】
ｎ側電極２０ｎは、キャリアを収集する収集電極である。ｎ側電極２０ｎは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを介して、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上に形成される。従って、ｎ側電極２０ｎは、一のｐ側電極２０ｐと他のｐ側電極２０ｐとの間において、第１方向に沿ってライン状に形成される。
【００２９】
なお、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎは、単層構造でも良いし、複数層の積層構造でも良い。また、積層構造の場合、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ側に透明導電層を設けてもよい。透明導電層としては、例えば、酸化インジウムや酸化錫或いは酸化亜鉛などの透明導電性酸化物を用いることができる。
【００３０】
また、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎそれぞれは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ又はｎ型非晶質半導体層１２ｎの略全面を覆うように形成されていてもよい。これによって、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ又はｎ型非晶質半導体層１２ｎのシート抵抗がそれほど小さくない場合でも、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎによって十分キャリアを収集することができる。
【００３１】
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池１００の製造方法について、太陽電池１００の断図面を参照しながら説明する。
【００３２】
まず、図３に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面全面に、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐを順次形成する。
【００３３】
次に、図４に示すように、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に、所定のパターンでレジスト膜３０を塗布する。所定のパターンは、ｐ側電極２０ｐが形成される領域に対応しており、例えば、図１の一点鎖線を基準に設定される。続いて、ウェットエッチング処理を施すことによって、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのうちレジスト膜３０から露出する露出領域Ｒ１を除去する。これによって、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐは、パターニングされる。
【００３４】
次に、図５に示すように、レジスト膜３０を除去した後、ウェットエッチング処理及び水素プラズマ処理を施すことによって、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出する露出領域Ｒ２をクリーニングする。なお、この場合、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面にウェットエッチング処理及び水素プラズマ処理が施される程度を小さくすることが好ましい。
【００３５】
次に、図６に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上からｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に跨って、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを順次形成する。
【００３６】
次に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、メッキ法或いは印刷法などを用いて、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ上に所定のパターンでｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎを形成する。
【００３７】
（作用及び効果）
第１実施形態に係る太陽電池１００の製造方法は、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのパターニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの形成工程前に、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出領域Ｒ２のクリーニング工程を備える。
【００３８】
従って、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面とｉ型非晶質半導体層１２ｉとの界面におけるキャリアの再結合を抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態に係る太陽電池１００の製造方法では、露出領域Ｒ２のクリーニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを順次形成する。従って、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎをマスクなどによってパターニングする必要がない。そのため、太陽電池１００の生産性を向上させることができる。
【００４０】
［第２実施形態］
以下において、第２実施形態に係る太陽電池１００について、図面を参照しながら説明する。以下においては、第１実施形態との相違点について主に説明する。具体的には、第２実施形態に係る太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｉ型非晶質半導体層１２ｉとの間に介挿される再結合層Ｒを有する。
【００４１】
（太陽電池の構成）
本発明の第２実施形態に係る太陽電池の構成について、図７を参照しながら説明する。図７は、第２実施形態に係る太陽電池１００の断面図である。
【００４２】
図７に示すように、太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に形成される再結合層Ｒを有する。
【００４３】
再結合層Ｒは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐによって形成される電界とは逆向きの電界が、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎによって形成されることを抑制するために設けられている。従って、本実施形態では、再結合層Ｒを介挿することによって、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られている。
【００４４】
なお、抵抗成分の増大を抑制するためには、再結合層Ｒの厚みは、０．１〜２０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００４５】
以上のような特性を有する再結合層Ｒは、（１）エネルギーバンド中に存在する多くのギャップ内準位が存在する半導体材料や、（２）ｐ型非晶質半導体層１１ｐとオーム性接触する金属材料によって形成される。
【００４６】
（１）エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位が存在する半導体材料
このような半導体材料を用いた場合、エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位を介したキャリアの再結合を利用することによって、ｐ型非晶質半導体層１１ｐを介してｎ型結晶シリコン基板１０ｎで生成されたキャリアを取り出すことができる。従って、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面に再結合層Ｒを形成しても、両層の接触は、低抵抗、すなわちオーム性接触に近似する。
【００４７】
また、上述の通り、再結合層Ｒの表面に形成されるｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは極めて薄いので、キャリアに対する障壁としての作用は極めて小さい。
【００４８】
以上のように、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られることによって、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。
【００４９】
ここで、再結合層Ｒを構成する半導体材料としては、（i）多量の不純物を含有する半導体材料や、（ii）多くの格子欠陥を含む半導体材料を用いることができる。なお、ｐ型非晶質半導体層１１ｐよりも多量のｐ型不純物を含有するｐ型半導体材料や、なお、上記（i）の材料としては、ｐ型非晶質半導体層１１ｐよりも多量のｐ型不純物を含有するｐ型半導体材料や、ｎ型非晶質半導体層１２ｎよりも多量のｎ型不純物を含有するｎ型半導体材料などを用いることができる。また、上記（ii）の材料としては、例えば、非晶質シリコンにカーボンやゲルマニウムなどの異種元素を混入して格子欠陥を増大させた半導体材料（非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンゲルマニウム）や、ｐ型又はｎ型の微結晶シリコンなどを用いることができる。
【００５０】
なお、再結合層Ｒの導電型がｐ型である場合には、再結合層Ｒを非晶質半導体層１２ｐと同じ原料ガスを用いて形成することができるので、製造コストの増加を抑制することができる。
【００５１】
（２）ｐ型非晶質半導体層１１ｐとオーム性接触する金属材料
このような金属材料を用いた場合、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面に再結合層Ｒを形成しても、両層の接触は、低抵抗、すなわちオーム性接触に近似する。従って、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られることによって、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。
【００５２】
なお、このような金属材料としては、チタン（Ｔｉ）やタングステン（W）などを用いることができる。
【００５３】
（太陽電池の製造方法）
次に、第２実施形態に係る太陽電池１００の製造方法について、太陽電池１００の断図面を参照しながら説明する。
【００５４】
まず、図８に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面全面に、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐを順次形成した後、再結合層Ｒを形成する。再結合層Ｒを半導体材料によって形成する場合には、ＣＶＤ法などを用い、再結合層Ｒを金属材料によって形成する場合には、スパッタ法や蒸着法を用いることができる。
【００５５】
次に、図９に示すように、再結合層Ｒ上に、所定のパターンでレジスト膜３０を塗布する。所定のパターンは、ｐ側電極２０ｐが形成される領域に対応しており、例えば、図１の一点鎖線を基準に設定される。
【００５６】
次に、図１０に示すように、ウェットエッチング処理を施すことによって、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及び再結合層Ｒのうちレジスト膜３０から露出する露出領域Ｒ１を除去する。これによって、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及び再結合層Ｒは、パターニングされる。続いて、レジスト膜３０を除去した後、ウェットエッチング処理及び水素プラズマ処理を施すことによって、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出する露出領域Ｒ２をクリーニングする。この際、再結合層Ｒの表面にもウェットエッチング処理及び水素プラズマ処理が施されてもよい。
【００５７】
次に、図１１に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上から再結合層Ｒ上に跨って、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを順次形成する。
【００５８】
次に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、メッキ法或いは印刷法などを用いて、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ上に所定のパターンでｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎを形成する。
【００５９】
（作用及び効果）
第２実施形態に係る太陽電池１００の製造方法は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に再結合層Ｒを形成する工程を有する。ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上から再結合層Ｒ上に跨って形成される。
【００６０】
このように、太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを有する。ｐ型非晶質半導体層１１ｐと再結合層Ｒとは、低抵抗で接触する。
【００６１】
そのため、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐによって形成される電界とは逆向きの電界が、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎとによって形成されることが抑制される。従って、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られるので、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。その結果、キャリア収集ロスを低減することができるので、太陽電池１００の特性を向上させることができる。
【００６２】
また、第２実施形態に係る太陽電池１００の製造方法では、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面は再結合層Ｒによって覆われるため、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面にはクリーニング処理が施されない。
【００６３】
従って、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面にクリーニング処理の影響が及ぶことを抑制することができる。その結果、太陽電池の特性をより向上させることができる。
【００６４】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６５】
例えば、上記実施形態では、太陽電池１００の基板として、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎを用いることとしたが、これに限られるものではない。例えば、太陽電池１００の基板は、ｐ型の導電型を有していてもよい。また、太陽電池１００の基板は、多結晶Ｓｉ、微結晶Ｓｉなどの結晶系半導体材料や、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの化合物半導体材料を含む一般的な半導体材料によって構成されていてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では特に触れていないが、ｐ型基板を用いる場合には、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとが上記実施形態とは逆に形成される。すなわち、ｎ型非晶質半導体層１２ｎがｉ型非晶質半導体層１２ｉを覆うように形成される。この場合、一般的に、ｎ型アモルファスシリコンは、ｐ型アモルファスシリコンよりも電気抵抗が大きいので、ｐ側電極２０ｐとｎ側電極２０ｎとの間でリークが発生することをより抑制することができる。
【００６７】
また、上記実施形態では、ｉ型非晶質半導体層１１ｉとｉ型非晶質半導体層１２ｉとは、不純物を積極的に導入することなく形成されることとしたが、微量のドーパントを含んでいてもよい。
【００６８】
また、上記実施形態では特に触れていないが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上には、ｉ型非晶質半導体層１３ｉが形成されていなくてもよい。この場合、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面側における抵抗をさらに低減することができる。
【００６９】
また、上記実施形態では、再結合層Ｒは、１層構造を有することとしたが、これに限られるものではない。再結合層Ｒは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとのオーミック接触性を保持可能な他の層をさらに有していてもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、１層構造を有することとしたが、これに限られるものではない。ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、再結合層Ｒとのオーミック接触性を保持可能な他の層をさらに有していてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１０…太陽電池
１０ｎ…ｎ型結晶シリコン基板
１１ｉ…ｉ型非晶質半導体層
１１ｐ…ｐ型非晶質半導体層
Ｒ…再結合層
１２ｉ…ｉ型非晶質半導体層
１２ｎ…ｎ型非晶質半導体層
２０ｎ…ｎ側電極
２０ｐ…ｐ側電極
３０…レジスト膜
１００…太陽電池
【図１】
2010199416.tif 000003
【図２】
2010199416.tif 000004
【図３】
2010199416.tif 000005
【図４】
2010199416.tif 000006
【図５】
2010199416.tif 000007
【図６】
2010199416.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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