(57)【要約】【課題】配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させる。【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板３は、ランド部７０と、ランド部７０の側部に接続されたライン部７１と、を有する導電層７と、ランド部７０上で導電層７に接続された導体８と、を備えている。ライン部７１は、導電層７の厚み方向に導電層７を貫通し、ライン部７１を流れる電流を部分的に分岐させる切り欠き部７３を有する。さらに、本発明の一実施形態にかかる実装構造体１は、配線基板３に搭載された電子部品２を備えている。電子部品２は、導電層７及び導体８と電気的に接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド部と、該ランド部の側部に接続されたライン部と、を有する導電層と、
前記ランド部上で前記導電層に接続された導体と、
を備え、
前記ライン部は、前記導電層の厚み方向に前記導電層を貫通し、前記ライン部を流れる電流を部分的に分岐させる切り欠き部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記切り欠き部の端部は、前記ランド部と前記ライン部との境界部に位置することを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記切り欠き部の平面形状は、前記ランド部と前記導体との接続部に対向する辺の両端部に、前記接続部に向かって突出する凸部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記ランド部と前記導体との接続部は、前記ライン部の長手方向に沿って前記切り欠き部を移動させた場合の軌跡と前記ランド部とが重複する領域内に、位置することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記ランド部は、第１ランド部と、前記ライン部を介して前記第１ランド部に接続された第２ランド部と、を有し、
前記切り欠き部は、前記第１ランド部に近接する第１切り欠き部と、該第１切り欠き部から離間しつつ前記第２ランド部に近接する第２切り欠き部と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記切り欠き部の平面形状は、近接する前記ランド部から離間する方向に向かって幅が狭くなっていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記ライン部の平面形状は、前記切り欠き部を有する領域よりも、その他の領域の幅が狭いことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記導電層及び前記導体に電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板及び実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
図１０に示したように、配線基板９としては、絶縁層９０を介して厚み方向に離間した複数の導電層９１の間を、平面方向に離間した複数のビア導体９２によって電気的に接続したものがある。導電層９１及びビア導体９２は、配線基板９において、電力供給線及び信号線を構成している。
【０００４】
ここで、１つの導電層９１（表層に位置する導電層９１′以外）に着目した場合、導電層９１には上面９３及び下面９４のそれぞれにビア導体９２が接続されている。電流は、一例において、図中に矢印で示したようにビア導体９２（厚み方向）、導電層９１（平面方向）及びビア導体９２（厚み方向）の順に流れる。この際、電流は導体領域において最短距離を流れるため、ビア導体９２と導電層９１との接続部では、一部分９５（図中で円で囲った部分）に電流が集中して電流密度に偏りが生じる。そのため、電流が集中する部分においては、電子と金属原子との衝突により、ビア導体９２に含まれる金属原子が移動することがある。この現象は、エレクトロマイグレーションと称されものであるが、エレクトロマイグレーションの発生によってビア導体９２と導電層９１との接続部の一部分９５（電流が集中する部分）における金属密度が低下する。その結果、ビア導体９２と導電層９１との接続部においてクラックが生じ、配線基板９の信頼性が低下することがある。
【０００５】
エレクトロマイグレーションは、主として電力供給線において生じるが、今後、信号線が微細化されていった場合には、信号線においても生じる可能性が高まってくる。
【０００６】
一方、表層に位置する導電層９１′に着目した場合、導電層９１′に１つのビア導体９２′が接続されている。この場合においても、導電層９１′に接続されたビア導体９２′と導電層９１との接続部分では、一部分９５′においてエレクトロマイグレーションが生じ、配線基板９に対する電子部品９６の接続信頼性が低下することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１１６１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態にかかる配線基板は、ランド部と、該ランド部の側部に接続されたライン部と、を有する導電層と、前記ランド部上で前記導電層に接続された導体と、を備える。前記ライン部は、前記導電層の厚み方向に前記導電層を貫通し、前記ライン部を流れる電流を部分的に分岐させる切り欠き部を有する。
【００１０】
本発明の一実施形態にかかる実装構造体は、前記配線基板に搭載された電子部品を備える。前記電子部品は、前記導電層及び前記導体と電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１１】
前記配線基板における前記ライン部は、前記切り欠き部を有し、前記切り欠き部が前記ライン部を流れる電流を部分的に分岐させる。そのため、前記配線基板において、前記導電層と前記導体との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。
【図３】導電層及びその周辺部分を示す部分斜視図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】導電層の平面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は、導電層の他の例を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、電流密度の演算対象となる導電層を説明するための斜視図である。
【図８】シミュレーション時の電流の経路を説明するためのものであり、図７（ｂ）に示した例の断面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した配線部における導電層の要部を示す平面図及び電流密度のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０】従来の実装構造体の一例における要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板及び実装構造体について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１５】
電子部品２は、たとえばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１６】
配線基板３は、コア基板５及び一対の配線層６を含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、絶縁基体５０、スルーホール５１、スルーホール導体５２、及び絶縁体５３を含んでいる。
【００１８】
絶縁基体５０は、コア基板５の主要部をなすものである。この絶縁基体５０は、たとえば強化基材に熱硬化性樹脂を含浸させた複数のシートを積層し、熱硬化性樹脂を、例えば熱プレスによって硬化させることによって作製することができる。
【００１９】
強化基材は、例えばガラス繊維又は樹脂繊維を平織りしたものを使用することができる。樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂又は全芳香族ポリアミド樹脂により形成されたものを使用することができる。
【００２０】
熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂を使用することができる。
【００２１】
絶縁基体５０は、強化基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。この場合の絶縁基体５０は、低熱膨張樹脂のみから作製してもよいし、低熱膨張樹脂から成る複数のシートを、接着性樹脂を介して積層することによって作製してもよい。
【００２２】
絶縁基体５０のための低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用すれば、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００２３】
スルーホール５１は、スルーホール導体５２が形成される部分であり、コア基板５を厚み方向（Ｚ方向）に貫通している。スルーホール５１は、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されている。このようなスルーホール５１は、従来周知のドリル加工などによって形成することができる。
【００２４】
スルーホール導体５２は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホール５１の内面に沿って形成されている。このスルーホール導体５２は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料から成る。スルーホール導体５２は、スルーホール５１の内面に対して電解めっき等を行うことによって形成することができる。
【００２５】
絶縁体５３は、スルーホール導体５２によって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。この絶縁体５３は、残存空間に樹脂材料を充填した後に樹脂材料を固化させることにより形成することができる。絶縁体５３のための樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。コア基板５に絶縁体５３を形成することによって、絶縁体５３の直上直下に後述するビア導体８を形成することができる。そのため、スルーホール導体５２から引き回す配線の距離を短くすることができるため、配線基板３の小型化を実現することができる。
【００２６】
一対の配線層６は、コア基板５の両面に積層されたものであり、複数の絶縁層６０、複数の導電層７、及び複数のビア導体８を含んでいる。導電層７及びビア導体８は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。
【００２７】
絶縁層６０は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、貫通孔６１を有している。貫通孔６１は、ビア導体８が形成される部分である。この貫通孔６１は、例えばＹＡＧレーザー装置、ＣＯ２レーザー装置又はエキシマレーザー装置を用いて、絶縁層６０に対して垂直にレーザー光を照射することによって形成することができる。レーザー光の出力は、例えば１．０×１０−３Ｊ以上５．０×１０−１Ｊ以下のエネルギーに設定される。レーザー光の照射時間は、例えば１．０×１０−３秒以上１．０秒以下とされる。このような手法によれば、レーザー光が絶縁層６０の上面から垂直に照射されることから、上部よりも下部が幅狭な貫通孔６１が形成される。
【００２８】
貫通孔６１の形成後は、貫通孔６１の内面に付着した焼き残りを除去するためのデスミア処理を行なってもよい。このデスミア処理は、例えばプラズマ処理あるいはエッチング処理により行なうことができる。プラズマ処理は、例えばアルゴンガス又は酸素ガス雰囲気下において、マイクロ波を用いて処理することにより行なうことができる。エッチング処理は、エッチング液を用いたウエットエッチングを採用することができる。エッチング液としては、例えば蒸留水１リットルに対して、過マンガン酸２０ｇ以上４０ｇ以下、水酸化ナトリウム３５ｇ以上４５ｇ以下を加えた過マンガン酸水溶液を用いることができる。エッチング液は、３０℃以上４０℃以下に温めた状態で使用するのが好ましく、その場合のエッチング時間は、例えば２分以上４分以下とされる。
【００２９】
絶縁層６０は、電子部品２と熱膨張率が近い材料により形成するのが好ましく、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層６０は、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂により形成され、その熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下に設定される。
【００３０】
絶縁層６０のための熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。
【００３１】
絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、電子部品２との熱膨張率が近いことに加えて、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要がある。そのため、絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。
【００３２】
絶縁層６０は、フィラーを含有していても構わない。絶縁層６０にフィラーを含有させることによって、絶縁層６０の硬化前の粘度を調整することができるため、絶縁層６０の厚み寸法の精度を向上させることが可能となる。フィラーとしては、例えば直径が０．０５μｍ以上６μｍ以下の球状のものを使用することができる。フィラーを形成するための材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。
【００３３】
複数の導電層７は、後述するビア導体８とともに配線部を構成するものであり、図３及び図４に示したように厚み方向に互いに分離されている。この導電層７は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなり、ランド部７０及びライン部７１を含んでいる。
【００３４】
図４に示したように、ランド部７０は、それぞれ異なるビア導体８が接続される部分であり、平面方向に互いに離間して配置されている。これらのランド部７０の平面形状は、後述するビア導体８との接続部８０に相似し、該接続部８０の平面形状よりも大きく形成される。このため、ランド部７０とビア導体８との位置合わせ精度を高め、導電層７とビア導体８との接続部分の接続信頼性を向上させることができる。なお、ランド部７０の平面形状の大きさは、該接続部８０の平面形状の大きさ１．８倍以上２．５倍以下に形成されることが望ましい。
【００３５】
図３から図５に示したように、ライン部７１は、ランド部７０の側部に接続されており、２つのランド部７０を相互に接続するものである。ライン部７１の幅は、ランド部７０の幅と等しく設定されている。なお、ランド部７０とライン部７１とが接続する箇所を、ランド部７０とライン部７１との境界部７２という。
【００３６】
このような導電層７は、従来周知の成膜法によって導体膜を形成した後にパターンニングすることによって所望の形状に形成される。成膜法としては、例えば蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法を採用することができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法により行なうことができる。
【００３７】
図２から図４に示したように、ビア導体８は、厚み方向に離間した導電層７同士を相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により柱状に形成されている。ビア導体８は、上面が下面よりも大きなテーパ状に形成されており、上述のようにランド部７０において導電層７に接続されている。
【００３８】
図２に示したように、絶縁層６０の最上層に形成されたビア導体８′は、外部接続用端子として機能するものであり、電子部品２のパッド２０とバンプ４を介して接続される部分である。
【００３９】
このようなビア導体８は、無電界めっき等によって貫通孔６１の表面にめっき膜を被着させることにより形成することができる。
【００４０】
本実施形態の実装構造体１によれば、配線基板３において、ライン部７１が、導電層７の厚み方向（Ｚ方向）に導電層７を貫通し、ライン部７１を流れる電流を部分的に分岐させる切り欠き部７３を有する。切り欠き部７３内は、絶縁層６０の一部が充填されている。切り欠き部７３は、ライン部７１に取り囲まれており、ライン部７１を流れる電流を部分的に分岐させるため、ランド部７０とビア導体８との接続部８０に対して、１箇所に集中することなく電流が入力される。そのため、接続部８０における電流が分散され、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。その結果、接続部８０におけるクラックの発生を抑制することが可能となるため、配線基板３において、導電層７とビア導体８との接族部分の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００４１】
切り欠き部７３の平面形状は、例えば、ライン部７０の長手方向（Ｘ方向）の大きさが１μｍ以上に設定され、ライン部７０の幅方向（Ｙ方向）の大きさがビア導体８の０．８倍以上１．５倍以下に設定されている。なお、切り欠き部７３の平面形状は、切り欠き部７３内に対する絶縁層６０の充填性の観点から、ライン部７０の長手方向（Ｘ方向）の大きさが５μｍ以上に設定されていることが望ましい。
【００４２】
切り欠き部７３の平面形状は、ランド部７０とビア導体８との接続部８０に対向する対向辺７４を有する。切り欠き部７３により分岐された電流は、対向辺７４の両端部から接続部８０に対して入力される。
【００４３】
対向辺７４は、ランド部７０とライン部７１との境界部７２に位置している。この構成では、切り欠き部７３の端部がランド部７０とライン部７１との境界部７２に位置することにより、対向辺７４の両端部と接続部８０とがライン部７０の長手方向に沿って接近するため、対向辺７４の両端部から接続部８０に対して電流がより分岐した状態で入力される。
【００４４】
対向辺７４の両端部は、接続部８０に向かって突出する凸部７５を有する。この構成では、対向辺７４の両端部が接続部８０に向って突出していることにより、対向辺７４の両端部と接続部８０とがライン部７０の長手方向に沿って接近するため、対向辺７４の両端部から接続部８０に対して電流がより分岐した状態で入力される。
【００４５】
接続部８０は、ライン部７０の長手方向に沿って切り欠き部７３を移動させた場合の軌跡とランド部７０とが重複する重複領域Ｒ内に、位置する。この構成では、対向辺７４の両端部と接続部８０とがライン部７０の幅方向に沿って離間するため、対向辺７４の両端から接続部８０に対して、電流がより分岐した状態で入力される。なお、重複領域Ｒは、図５に示したように、ランド部７０における、ライン部７０の長手方向に平行であって切り欠き部７３の両端部に接する仮想直線Ｌａ、Ｌｂにより囲まれた領域である。
【００４６】
ランド部７０は、第１ランド部７０と、ライン部７１を介して第１ランド部７０に接続された第２ランド部７０′と、を有し、切り欠き部７３は、第１ランド部７００に近接する第１切り欠き部７３と、第１切り欠き部７３から離間しつつ第２ランド部７０′に近接する第２切り欠き部７３′と、を有する。この構成では、導電層７のランド部７０、７０′それぞれが、近接する切り欠き部７３、７３′を有するため、ランド部７０、７０′の接続部８０、８０′それぞれにおいて、電流が分散され、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。また、ライン部７１にて、切り欠き部７３、７３′の間の領域の導電部分を幅広に形成できるため、熱応力に起因するライン部７１のクラックの発生を抑制することができる。
【００４７】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４８】
例えば、ビア導体の平面形状は円形状とは限らず、楕円形状又は多角形状等であってもよい。
【００４９】
また、ライン部は２つのランド部間に渡って直線状とは限らず、切り欠き部の形成されていない領域において一部が曲がっていても構わない。
【００５０】
また、ライン部の幅はランド部の幅と等しいとは限らず、ランド部の幅より小さく設定されていてもよい。
【００５１】
また、ライン部に形成される切り欠き部は２つとは限らず、１つ又は３つ以上であってもよい。
【００５２】
また、切り欠き部の平面形状は円形状とは限らず、導電層は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示した形態であってもよい。
【００５３】
また、ライン部の幅は一定とは限らず、ライン部は、図６（ｄ）に示した形態であってもよい。
【００５４】
図６（ａ）ないし図６（ｄ）に示した導電層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄは、切り欠き部７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ、７３Ｄの形状が先に説明した配線基板３における導電層７（図１から図５参照）とは異なっている。
【００５５】
図６（ａ）に示した切り欠き部７３Ａの平面形状は、接続部８０Ａに対向する対向辺７４Ａがライン部７１Ａの幅方向に沿った直線状となっている。
【００５６】
図６（ｂ）に示した切り欠き部７３Ｂの平面形状は、接続部８０Ｂに対向する対向辺７４Ｂが接続部８０Ｂに対して中央が突出してなる曲線状となっている。
【００５７】
図６（ｃ）に示した切り欠き部７３Ｃの平面形状は、接続部８０Ｃから離間する方向に向かって幅が狭くなっている。この構成では、電流の分岐を維持しつつ、ライン部７１Ｃの切り欠き部７３Ｃを有する領域にて導電部分を広く形成することができ、熱応力に起因するライン部７１Ｃのクラックの発生を抑制することができる。
【００５８】
また、切り欠き部７３Ｃの平面形状は、接続部８０Ｃに対向する対向辺７４Ｃを有する三角形状となっている。前記三角形状において、対向辺７４Ｃに対向する角７６Ｃは丸みを帯びており、曲率半径が２μｍ以上１０μｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、角７６Ｃにおける熱応力を分散させることができる。
【００５９】
図６（ｄ）に示したライン部７１Ｄの平面形状は、切り欠き部７３Ｄ、７３Ｄ′の間の領域が、切り欠き部７３Ｄ、７３Ｄ′を有する領域よりも、幅狭となっている。この構成では、電流の分岐を維持しつつ、ライン部７１Ｄの一部を幅狭にすることができ、配線の高密度化を可能とすることができる。なお、切り欠き部７３Ｄ、７３Ｄ′の間の領域の幅は、接続部８０Ｄ′の０．５倍以上１倍以下に設定されていることが望ましい。
【００６０】
また、切り欠き部７３Ｄの形状は、図６（ｃ）に示した切り欠き部７３Ｃの平面形状と同様の形状である。このため、ライン部７１Ｄの形状を切り欠き部７３Ｄの形状に対応させることにより、ライン部７１Ｄの切り欠き部７３Ｄを有する領域を、切り欠き部７３Ｄ、７３Ｄ′の間の領域に向かって幅が狭くなるように形成することができる。
【００６１】
図６（ｄ）に示したような、一部が幅狭であるライン部７１Ｄの形態は、図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した導電層７においても適用することができる。
【実施例】
【００６２】
本実施例では、導電層の形状がビア導体とランド部との接続部分での電流密度に与える影響を検討した。
【００６３】
電流密度は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ａ′、７Ｂ′について、それぞれシミュレーションにより演算した。
【００６４】
図７（ａ）に示した導電層７Ａ′は、ライン部７１Ａ′が、導電層７Ａ′の厚み方向に貫通し、ライン部７１Ａ′を流れる電流を部分的に分岐させる切り欠き部７３Ａ′を有するものである。この導電層７Ａ′における各部の寸法については、下記表１及び表２に示した通りである。また、ビア導体８Ａ′とランド部７０Ａ′との接続部８０Ａ′の寸法については、下記表３に示した通りである。なお、表３のＤ２及びＤ３は、後述する図８に示されている。
【００６５】
【表１】
2010199319.tif 000003
【００６６】
【表２】
2010199319.tif 000004
【００６７】
【表３】
2010199319.tif 000005
【００６８】
図７（ｂ）に示した導電層７Ｂ′は、ライン部７１Ｂ′が切り欠き部を有さないものであり、この点以外における各部の寸法は図７（ａ）に示した導電層７Ａ′と同様である。この導電層７Ｂ′は、従来の導電層に相当するものである。
【００６９】
電流密度は、図８に示したように、ランド部７０Ｂ′からランド部７１Ｂ′に向けて１Ａの直流電流を流した仮定して、ビア導体８Ｂ′の底面と導電層７Ｂ′のランド部７０Ｂ′との接続部８０Ｂ′における周縁のものとして演算した。なお、接続部８０Ａ′についても接続部８０Ｂ′と同様に演算した。電流密度の演算は、「Ａｎｓｏｆｔ  Ｑ３Ｄ  ＥｘｔｒａＢｔｏｒ」という市販のソフトを用いて行い、その結果については図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した。これらの図においては、接続部８０Ａ′、８０Ｂ′の周縁における基準点Ｐからの長さＬ３をそれぞれ横軸として電流密度の演算結果を縦軸として示した。
【００７０】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示したように、図７（ａ）に示した形態の導電層７Ａ′（ライン部が切り欠き部を有する形態）では、比較的に広範囲にわたって電流密度が高い部分が広がっている。これに対して、図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ｂ′（ライン部が切り欠き部を有さない従来の形態）では、基準点Ｐの反対側の近傍に電流が集中している。
【００７１】
また、図７（ａ）に示した形態の導電層７Ａ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ｂ′に関して演算された電流密度よりも小さくなった。
【００７２】
このように、ライン部が電流を部分的に分岐させる切り欠き部を有する形態では、ランド部とビア導体との接続部において、一箇所に電流が集中することを抑制することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１  実装構造体
２  電子部品
２０  パッド
３  配線基板
４  導電バンプ
５  コア基板
５０  絶縁基体
５１  スルーホール
５２  スルーホール導体
５３  絶縁体
６  配線層
６０  絶縁層
６１  貫通孔
７  導電層
７０  ランド部
７１  ライン部
７２  境界部
７３  切り欠き部
７４  対向辺
７５  （接続部に向かって突出する切り欠き部の）凸部
８  ビア導体
８０  （ビア導体と導電層との）接続部
Ｒ  （切り欠き部を移動させた軌跡とランド部とが重複する）重複領域
Ｌａ、Ｌｂ  仮想直線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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