(57)【要約】【課題】良好な記録特性を有する追記型情報記録媒体を得る【解決手段】凹部及び凸部が形成され、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層を含み、有機色素層の光学濃度が０．２５以下であり、かつ凹部のピッチ幅が０．３２から０．４μｍ、凹部の幅が、凹部のピッチ幅に対して、５０ないし８０％である追記型情報記録媒体。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心円状またはスパイラル状の凹部と凸部が形成された基板と、前記基板の前記凹部及び凸部上に形成され、少なくとも短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層を含む記録層とを備え、前記有機色素層の光学濃度が０．２５以下であり、かつ前記凹部間のピッチ幅が０．３２から０．４μｍ、前記凹部の幅が、前記凹部間のピッチ幅に対して、５０ないし８０％であることを特徴とする追記型情報記録媒体。
【請求項２】
前記凹部内の有機色素層の厚さが５０ｎｍ以下、前記凸部上の有機色素層の厚さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の追記型情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層は、短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される前記記録マーク部分の光反射率の方が高くなることを特徴とする請求項１に記載の追記型情報記録媒体。
【請求項４】
前記有機色素層は、その一部または全部が色素部と有機金属錯体でなるアニオン部とから構成され、最大吸収波長領域が前記短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在する有機色素を含むことを特徴とする請求項１に記載の追記型情報記録媒体。
【請求項５】
基板上に同心円状またはスパイラル状の凹部と凸部が形成された基板と、前記基板の前記凹部及び凸部上に形成された反射層、及び該反射層上に形成され、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層を含む記録層と、該記録層上に形成されたカバー層を備え、前記有機色素層の光学濃度が０．２以下であり、かつ前記凹部間のピッチ幅が０．３２から０．４μｍ、前記凹部の幅が、前記凹部間のピッチ幅に対して、５０ないし８０％であることを特徴とする追記型情報記録媒体。
【請求項６】
前記凹部内の有機色素層の厚さが５０ｎｍ以下、前記凸部上の有機色素層の厚さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の追記型情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層は、短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される前記記録マーク部分の光反射率の方が高くなることを特徴とする請求項５に記載の追記型情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層と前記カバー層との間に、前記記録層の材料と当該カバー層の材料の混合を防止する界面層をさらに設けたことを特徴とする請求項５に記載の追記型情報記録媒体。
【請求項９】
前記有機色素層は、モノメチンシアニンからなるカチオン部、及びアゾ金属錯体からなるアニオン部を含む有機色素と、ホルマザン金属錯体からなるクエンチャーとを含有し、最大吸収波長領域が前記短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在することを特徴とする請求項５に記載の追記型情報記録媒体。
【請求項１０】
前記有機色素層は、金属錯体単体及び金属錯体多量体を含む有機色素を含有し、最大吸収波長領域が前記短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在することを特徴とする請求項５に記載の追記型情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば青色レーザ光等のような短波長レーザ光による情報の記録再生を可能とした追記型情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の光ディスクとして、波長が４０５ｎｍ程度の青色レーザ光で記録再生用を行う光ディスクが使用されている。
【０００３】
このような短波長のレーザ光を用いた情報記録のための記録材料として、記録再生用レーザ光の波長（４０５ｎｍ）よりも長短波長側に吸収極大を持つ有機色素材料を用いた記録媒体が開発されている。これは、青色レーザ光を用いて記録再生を行なう場合、単分子あたりの分子量を小さくすることが必要であるため、紫外線等に対する安定性及び保存耐久性が悪くなり、熱に対しての安定性も悪く、記録マークのコントラスト及び解像度が低いという問題を有しているためである。このような、吸収特性をもつ光ディスクでは、レーザ光を照射して形成した記録マーク部分の光反射率が、レーザ光照射前の光反射率よりも低くなるという、いわゆるＨ（Ｈｉｇｈ）ｔｏ  Ｌ（Ｌｏｗ）の特性をもつ（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、有機色素を用いた短波長用追記型光ディスクにおいて、記録時の線速をあげて記録しようとすると、色素自体の熱容量が大きく蓄熱しやすいため、記録マークの滲みが大きくなり、隣接トラックにまで影響して、クロスライト特性の劣化が生じやすくなる。さらに、記録特性が低下し、十分な再生信号ＳＮ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ）比及びビット誤り率が得られないという不都合も生じる。
【０００５】
なお、隣接トラックに情報が記録されない条件では、一応の記録感度を得られる場合もあるが、隣接トラックに情報を記録してしまうと、隣接トラックへのクロスライトが大きいことから、再生信号ＳＮ比は低くなり、ビット誤り率は高くなって、実用に適するレベルに達しないものとなり、記録特性が低下していた。
【特許文献１】２００４−１１０３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、良好な記録特性を有する追記型情報記録媒体を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、同心円状またはスパイラル状の凹部と凸部が形成された基板と、前記基板の前記凹部及び凸部上に形成され、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層を含む記録層とを備え、前記有機色素層の光学濃度が０．２５以下であり、かつ前記凹部間のピッチ幅が０．３２から０．４μｍ、前記凹部の幅が、前記凹部間のピッチ幅に対して、５０ないし８０％であることを特徴とする追記型情報記録媒体を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、良好な記録特性を有する追記型情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の追記型情報記録媒体は、同心円状またはスパイラル状の凹部と凸部が形成された基板と、前記基板の前記凹部及び凸部上に形成され、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層を含む記録層とを備え、前記有機色素層の光学濃度が０．２５以下であり、かつ前記凹部間のピッチ幅が０．３２から０．４μｍ、前記凹部の幅が、前記凹部間のピッチ幅に対して、５０ないし８０％である。
【００１０】
上記追記型情報記録媒体は、以下の２つの態様に分けられる。
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、基板は透明樹脂基板であり、記録層は、有機色素層上に設けられた反射膜をさらに有しており、記録及び再生レーザ光は、透明樹脂基板側から入射され得る。
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【００１３】
図１に、本発明の追記型情報記録媒体の一例を表す断面図を示す。
【００１４】
図示するように、本発明の第１の態様に係る追記型情報記録媒体は、同心円状またはスパイラル状の凹部及び凸部が形成された例えばポリカーボネート等の樹脂からなる基板１と、基板１の凹部及び凸部上に形成された記録層４とを備えている。記録層４は、基板１の凹部及び凸部上に設けられ、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層２及び有機色素層２上に設けられた反射膜３を含む。また、この有機色素層２の光学濃度は０．２５以下例えば０．１以上０．２以下であり、かつ凹部間のピッチ幅Ｔ１が０．３２ないし０．４μｍ例えばＴ１＝０．４μｍ、凹部の幅ｔが、凹部間のピッチ幅Ｔに対して、例えば５０ないし８０％であり、例えばｔ＝０．２６μｍである。また、反射層３上には、接着剤層５を介してダミー基板６を設けることが出来る。
【００１５】
記録レーザ光は、透明基板１側より入射される。
【００１６】
また、本発明の第２の態様によれば、記録層は、基板と有機色素層との間に反射層をさらに有し、有機色素層上には界面層が形成され、さらにカバー層が設けられている。
【００１７】
図２に、本発明の追記型情報記録媒体の他の一例を表す断面図を示す。
【００１８】
図示するように、本発明の第２の態様に係る追記型情報記録媒体２０は、同心円状またはスパイラル状の凹部及び凸部が形成された基板９と、基板９の凹部及び凸部上に形成された反射層３、及び反射層３上に形成され、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成される有機色素層２を含む記録層４と、該記録層４上に界面層１１が形成され、さらに接着剤層７を介して形成された透明なカバー層８を備え、有機色素層２の光学濃度が０．２５以下例えば０．１        以上０．２以下であり、かつ凹部間のピッチ幅Ｔ１が０．３２から０．４μｍ例えば０．３２μｍ、凹部の幅ｔが、前記凹部のピッチ幅に対して、５０ないし８０％である。
【００１９】
本発明においては、このように、基板上に積層される有機色素層の光学濃度、厚み、溝幅を最適化することにより、十分に記録特性が得られる。
【００２０】
凹部内の有機色素層の厚さは、５０ｎｍ以下、さらには、  ２０  ないし  ４５ｎｍ、前記凸部上の有機色素層の厚さは、１０ｎｍ以下、５ないし１０ｎｍにすることができる。
【００２１】
短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、短波長レーザ光の照射により形成される前記記録マーク部分の光反射率の方が高くなる記録層を用いることが出来る。
【００２２】
記録膜は、その一部または全部が色素部と有機金属錯体でなるアニオン部とから構成し、最大吸収波長領域が前記短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在する有機色素を含むことができる。
【００２３】
本発明の第２の態様において、記録層とカバー層との間に、記録層の材料とカバー層の材料の混合を防止する界面層をさらに設けることができる。界面層としては、Ｓｉ、ＧｅＺｎ等の酸化物、窒化物、硫化物もしくはこれらの混合物を使用することができる。
【００２４】
本発明に用いられる有機色素層は、モノメチンシアニンからなるカチオン部、及びアゾ金属錯体からなるアニオン部を含む有機色素と、ホルマザン金属錯体からなるクエンチャーとを含有し得、最大吸収波長領域が短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在することができる。
【００２５】
また、本発明に用いられる他の有機色素層は、金属錯体単体及び金属錯体多量体を含む有機色素を含有し得、最大吸収波長領域が前記短波長レーザ光の波長よりも長波長側に存在することができる。
【００２６】
本発明に使用される有機色素材料として、シアニンカチオン−コバルトアゾ錯体アニオン色素があげられる。
【００２７】
そのカチオン部の一般式を式（Ｉ），（ＶＩ），（ＶＩＩＩ）に示す。
【００２８】
式（ＩＩ），（ＩＩ’），及び（ＩＩＩ）に、式（Ｉ）の置換基、式（ＶＩＩ）に、式（ＶＩ）の置換基を各々示す。
【００２９】
カチオン部の具体的構造を化合物Ｃ−１〜Ｃ−５５に示す。
【００３０】
アニオン部のアゾ錯体アニオンの一般式を式Ａ−１〜Ａ−８に示す。
【００３１】
また、本発明に使用されるホルマザン錯体の一般式をＨ−５，Ｈ−６に、具体例をＨ−１，Ｈ−２，Ｈ−３およびＨ−４に示す。
【化１】
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【００３２】
（Ｉ）
式中、環Ａ１は、ベンゼン環またはナフタレン環を表し、環Ａ３は５員環または６員環を表し、５員環及び６員環は、他の環と縮合され得、置換され得る。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、炭素原子数７ないし２０のアリールアルキル基、下記一般式（ＩＩ）（ＩＩ’）または（ＩＩＩ）で表される置換基を表す。Ｒ７は、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、炭素原子数７ないし２０のアリールアルキル基又は下記一般式（ＩＩ）または（ＩＩ’）で表される置換基を表し、Ｒ１２は下記一般式（ＩＩ）または（ＩＩ’）で表される置換基を表子、Ｒ２０は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、炭素原子数７ないし２０のアリールアルキル基、炭素原子数２ないし２０の複素環基またはアミノ基を表す。上記炭素原子数１ないし８のアルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−，−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｎ＝ＣＨ、−Ｃ≡Ｃ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えることが出来る。Ａｎｑ−はｑ価のアニオンを表し、ｑは１または２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。
【化２】
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【００３３】
【化３】
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【００３４】
上記一般式（ＩＩ）において、ＬとＴとの間の結合は、二重結合、共役二重結合又は三重結合であり、Ｌは炭素原子を表し、Ｔは炭素原子、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、ｘ，ｙ及びｚは、０又は１を表し、ｓは、０ないし４の数を表し、Ｒ１３は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されても良い炭素原子数１ないし４のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されても良い炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を表し、Ｒ１４，Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されても良い炭素原子数６ないし１２のアリール基を表し、Ｒ１４とＲ１６は、結合して環構造を形成し得る上記一般式（ＩＩ’）において、Ｌ’とＴ’との間の結合は、二重結合、又は共役二重結合であり、Ｌ’は炭素原子を表し、Ｔ’は炭素原子、酸素原子、又は窒素原子を表し、ｓ’は０ないし４の数を表し、Ｌ’とＴ’とを含む環は、ヘテロ原子を含んでも良い６員環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、アントラセン環又はアントラキノン環を表し、これにＬ’とＴ’とを含む環は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基又はアルコキシ基で置換することが出来る。
【化４】
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【００３５】
式中、ＲａないしＲｉは、各々独立に、水素原子、水酸基、又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていても良く、Ｚは直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１ないし８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−，−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ、又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていても良く、Ｍは金属原子を表す。
【化５】
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【００３６】
式中、環Ａ１は、ベンゼン環またはナフタレン環を表し、ｘは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｒ８Ｒ９−、−ＮＨ−、又は−ＮＲ’−を表し、Ｒ，Ｒ２１及びＲ２２は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、炭素原子数７ないし２０のアリールアルキル基あるいは下記一般式（ＶＩＩ）で表される置換基を表す。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，およびＲ６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数６ないし１２のアリール基を表し、Ｒ３とＲ４とは連結して環を形成しても良くＲ２５、並びにＸ中の基であるＲ８及びＲ９は、各々独立に、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、炭素原子数７ないし２０のアリールアルキル基、又は下記一般式（ＶＩＩ）で表される置換基を表し、Ｒ８及びＲ９は、連結して環を形成し得る。Ｒ２５およびＲ３４は、各々独立に、水素原子、水酸基、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基、炭素原子数６ないし３０のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又は上記式（ＩＩＩ）で表される置換基を有し、Ｒ２３とＲ２４とは、連結して環構造を形成することができる。上記炭素原子数１ないし８のアルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−，又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えることが出来る。Ａｎｑ−はｑ価のアニオンを表し、ｑは１または２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。Ｄ及びＪは、下記一般式（Ｖ）と同じである。
【化６】
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【００３７】
式中Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，およびＲ６は、上記一般式（Ｖ）と同じである。
【化７】
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【００３８】
式中、環Ａ１は、ベンゼン環またはナフタレン環を表し、Ｒ１９は、水素原子、水酸基、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基、炭素原子数６ないし３０のアリール基、炭素原子数２ないし２０の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、又はシアノ基を有し、ｎは、１ないし５の数であり、Ａ１，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２５，Ｘ，Ａｎｑ−，ｐ及びｑは、上記一般式（ＶＩ）と同じである。
【００３９】
上記一般式（ＶＩＩＩ）において、Ｒ１０で表される炭素原子数２ないし２０の複素環基としては、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペラジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾイル、トリアジル、ピロリジル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、インドリル、ユロリジル、モルフォリニル、チオモルフォリニル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１イル、２，４−ジオキシイミダソセリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル等があげられる。
【００４０】
又、Ｒ１９で表される炭素原子数１ないし８のアルキル基、及びハロゲン原子としては、上記一般式（Ｉ）の説明で例示した基があげられ、Ｒ１９で表される炭素原子数１ないし８のアルコキシ基及び炭素原子数６ないし３０のアリール基としては、上記一般式（ＶＩ）の説明で例示した基があげられる。
【化８】
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【００４１】
【化９】
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【００４２】
【化１０】
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【００４３】
【化１１】
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【００４４】
【化１２】
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【００４５】
【化１３】
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【００４６】
【化１４】
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【００４７】
【化１５】
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【００４８】
【化１６】
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【００４９】
【化１７】
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【００５０】
【化１８】
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【００５１】
【化１９】
2010009721.tif 000021
【００５２】
【化２０】
2010009721.tif 000022
【００５３】
【化２１】
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【００５４】
【化２２】
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【００５５】
【化２３】
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【００５６】
【化２４】
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【００５７】
【化２５】
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【００５８】
【化２６】
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【００５９】
【化２７】
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【００６０】
【化２８】
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【００６１】
【化２９】
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【００６２】
【化３０】
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【００６３】
【化３１】
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【００６４】
【化３２】
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【００６５】
【化３３】
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【００６６】
【化３４】
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【００６７】
【化３５】
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【００６８】
【化３６】
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【００６９】
【化３７】
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【００７０】
【化３８】
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【００７１】
【化３９】
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【００７２】
【化４０】
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【００７３】
【化４１】
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【００７４】
【化４２】
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【００７５】
【化４３】
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【００７６】
【化４４】
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【００７７】
【化４５】
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【００７８】
【化４６】
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【００７９】
【化４７】
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【００８０】
【化４８】
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【００８１】
【化４９】
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【００８２】
【化５０】
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【００８３】
【化５１】
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【００８４】
【化５２】
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【００８５】
【化５３】
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【００８６】
【化５４】
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【００８７】
【化５５】
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【００８８】
【化５６】
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【００８９】
【化５７】
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【００９０】
【化５８】
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【００９１】
【化５８】
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【００９２】
【化６０】
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【００９３】
【化６１】
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【００９４】
【化６２】
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【００９５】
【化６３】
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【００９６】
【化６４】
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【００９７】
【化６５】
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【００９８】
【化６６】
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【００９９】
【化６７】
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【０１００】
【化６８】
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【０１０１】
【化６９】
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【０１０２】
【化７０】
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【０１０３】
【化７１】
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【０１０４】
【化７２】
2010009721.tif 000074
【０１０５】
【化７３】
2010009721.tif 000075
【０１０６】
【化７４】
2010009721.tif 000076
【０１０７】
【化７５】
2010009721.tif 000077
【０１０８】
【化７６】
2010009721.tif 000078
【０１０９】
【化７７】
2010009721.tif 000079
【０１１０】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【０１１１】
実施例１
基板厚０．６ｍｍ、溝深さ５０ｎｍ、凹部間ピッチ幅０．４ｕｍで溝幅を１０％−９０％まで順次変化させた透明ポリカーボネート基板を準備した。
【０１１２】
この基板上にカチオン部が例えば上記式Ｃ−１で表されるモノメチンシアニン色素からなり、アニオン部がコバルトを中心金属とする例えば上記式Ａ−１で表される有機金属錯体からなる有機色素１．２ｗｔ％テトラフルオロプロパノール溶液をスピンコータの回転数を調整することにより塗布し、光学濃度０．１−０．４まで０．１刻みで調整した塗布基板を準備した。次にこの塗布基板を８０度で３０分間乾燥させた。次にこの塗布基板に真空スパッタ法によりＡｇ９９Ｂｉ１なるＡｇ合金を１００ｎｍスパッタし、反射層を形成した。
【０１１３】
最後に、ダミー基板として、このディスクを同様の厚みをもつ透明ポリカーボネート基板と、接着剤として、紫外線硬化樹脂を用いて貼り合わせて、サンプルディスクを作成した。
【０１１４】
次に、このディスクを波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５からなる光ヘッドをもつ光ディスクドライブにセットし、線速６ｍ／ｓ及び２６ｍ／ｓで回転させながら、８／１２変調（１、１０ＲＬＬ）を持つ信号を記録した。
【０１１５】
続いて、この信号の再生特性をＢＥＲ（Ｂｉｔ  ＥＲＲＯＲ  Ｒａｔｅ）にて評価した。
【表１】
2010009721.tif 000080
【０１１６】
光ディスクドライブのＢＥＲのエラー訂正の限界は３Ｅ−３であり、これ以下であれば、正常にエラーなくデータを読み出すことが可能となる。本発明の光学濃度及び凹部幅では、上記の３Ｅ−３以下のＢＥＲがえられていることがわかり、エラー訂正して正常なデータ再生が可能であることが確認された。
【０１１７】
実施例２
基板厚０．５ｍｍ、溝深さ５０ｎｍ、凹部間ピッチ幅０．３２ｕｍで溝幅を２０％−９０％まで順次変化させた透明ポリカーボネート基板を準備した。この基板上に基板に真空スパッタ法によりＡｇ９９Ｂｉ１なるＡｇ合金を６０ｎｍスパッタし、反射層を形成した。
【０１１８】
続いてカチオン部が例えば上記式Ｃ−５で表されるモノメチンシアニン色素からなり、アニオン部がコバルトを中心金属とする例えば上記式Ａ−３で表される有機金属錯体からなる有機色素１．２ｗｔ％テトラフルオロプロパノール溶液をスピンコータの回転数を調整することにより塗布し、光学濃度０．１−０．４まで０．１刻みで調整した塗布基板を準備した。
【０１１９】
次に、この塗布基板を８０度で３０分間乾燥させた。次にスパッタ法により、ＺｎＳ：ＳｉＯ２の界面層を、２０ｎｍの厚みに形成した。その上に、厚さ９５μｍのポリカーボネート樹脂からなるカバー層を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合わせて、サンプルディスクを作成した。
【０１２０】
ディスクの記録再生評価は、記録再生光波長λ＝４０６ｎｍ、ＮＡ（開口数）＝０．８５の光学系を有するパルステック社製ＯＤＵ１０００テスターを用いて行った。記録再生は、基板上の凹部に対して行った。ディスクは、線速度５．３ｍ／ｓで記録には、（１、７）ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調されたマーク長変調信号を用いた。１倍速での基準クロック周期Ｔは、１５．１５ｎｓｅｃ．（チャネルクロック周波数６６ＭＨｚ）である。
【０１２１】
ジッター（Ｊｉｔｔｅｒ）測定は、記録信号をリミット・イコライザーにより波形等化した後２値化を行い、２値化した信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジと、チャネルクロック信号の立ち上がりエッジとの時間差の分布σをタイムインターバルアナライザにより測定し、チャネルクロック周期をＴとして、σ／Ｔにより測定した。（データ．トゥー．クロック．ジッター  Ｄａｔａ  ｔｏ  Ｃｌｏｃｋ  Ｊｉｔｔｅｒ）。
【表２】
2010009721.tif 000081
【０１２２】
このディスクの実用特性としての限界は、ジッター６．５％以下と考えられており、本発明の光学濃度及び凹部幅では、上記の６．５％以下のジッターがえられていることがわかり、この範囲のディスクが実用的な特性を持つことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明の追記型情報記録媒体の一例を表す断面図
【図２】本発明の追記型情報記録媒体の他の一例を表す断面図
【符号の説明】
【０１２４】
１…基板、２…有機色素層、３…反射層、４…記録層、５，７…接着剤層、６…ダミー基板、８…カバー層
【図１】
2010009721.tif 000082
【図２】
2010009721.tif 000083