(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留りの向上を図る。【解決手段】トレイ７には、それぞれにウェハレベルＣＳＰ５を収容可能な複数のポケット７ａが設けられており、かつそれぞれのポケット７ａには、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３を支持する台座部７ｂと、台座部７ｂの周囲に形成された側壁７ｃとが設けられており、ウェハレベルＣＳＰ５の製造の後工程における工程間の搬送などで、このトレイ７のポケット７ａでウェハレベルＣＳＰ５を収容した際に、半導体チップの主面の有機膜を支持するのではなく複数の半田バンプ３を台座部７ｂによって支持することにより、前記有機膜に傷が形成されたり、前記有機膜が剥離して異物となって製品に付着したりすることを防止でき、その結果、製品であるウェハレベルＣＳＰ５（半導体装置）の歩留りや品質の向上を図る。【選択図】図９
2010109386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）それぞれの主面上に形成された配線層を覆う有機膜と、前記有機膜の複数の開口部それぞれに配置された外部端子である複数のボール電極とを有する複数の半導体装置形成領域が設けられた半導体ウェハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハを前記半導体装置形成領域に応じてダイシングによって分割して複数の半導体装置を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持した状態で検査する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の前記有機膜を支持可能な絶縁性のシート部材と、前記半導体装置の前記ボール電極それぞれに接触可能な複数の端子部と、前記端子部に接続する配線が設けられた導体部とを有しており、前記シート部材が有する複数の開口部それぞれに複数の前記端子部が配置された検査用ソケットを準備し、前記（ｃ）工程で、前記半導体装置の前記ボール電極を前記端子部に接触させ、かつ前記半導体装置の前記有機膜を前記シート部材が支持するように前記検査用ソケットに前記半導体装置を装着してバーンインテストを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持可能な第２の台座部をそれぞれに有する複数の第２の収容部を備えた中継用治具を準備し、前記（ｃ）工程で前記半導体装置のバーンインテストを行う際に、一度前記中継用治具の前記第２の収容部に前記半導体装置を配置して前記第２の台座部により前記複数のボール電極を支持し、その後、前記半導体装置の前記ボール電極を前記端子部に接触させ、かつ前記半導体装置の前記有機膜を前記シート部材が支持するように前記検査用ソケットに前記半導体装置を装着してバーンインテストを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記中継用治具の前記第２の収容部における前記第２の台座部の周囲に第３溝部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）それぞれの主面上に形成された配線層を覆う有機膜と、前記有機膜の複数の開口部それぞれに配置された外部端子である複数のボール電極とを有する複数の半導体装置形成領域が設けられた半導体ウェハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハを前記半導体装置形成領域に応じてダイシングによって分割して複数の半導体装置を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持した状態で前記半導体装置を搬送し、その後、前記半導体装置をバーンインテストする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持可能な台座部と、前記台座部の周囲に形成された側壁とをそれぞれに有する複数の収容部を備えており、非耐熱性材料によって形成されたトレイを準備し、前記（ｃ）工程の後、前記トレイの前記収容部に前記半導体装置を配置し、前記複数のボール電極を前記台座部によって支持した状態で前記半導体装置を出荷することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持可能な台座部と、前記台座部の周囲に形成された側壁とをそれぞれに有する複数の収容部を備えたトレイを準備し、前記（ｂ）工程の後、前記半導体装置を前記トレイの前記収容部に配置して前記複数のボール電極を前記台座部によって支持し、前記支持した状態で前記半導体装置にマーキングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
主面上に形成された配線層を覆う有機膜を有した半導体チップと、外部端子である複数のボール電極とを有した半導体装置を装着して前記半導体装置の電気的検査を行うことが可能な検査用ソケットであって、
前記半導体装置の前記ボール電極を配置可能な開口部を有し、前記半導体装置の前記有機膜を支持する絶縁性のシート部材と、
前記半導体装置の前記複数のボール電極それぞれに対応して前記シート部材の前記開口部に配置されており、前記ボール電極に接触可能な複数の端子部と、
前記シート部材と密着し、前記端子部に接続する配線が設けられた導体部とを有し、
前記シート部材における１つの前記開口部に複数の前記端子部が配置されていることを特徴とする検査用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレイおよび検査用ソケットならびに半導体装置の製造方法に関し、特に、異物付着防止に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体集積回路装置収納用トレイは、トレイ表面に設けられた収納部においてＢＧＡ（ボールグリッドアレイタイプの半導体集積回路装置）を支持する面およびＢＧＡの水平方向の動きを規制する壁を含む構成部からなるＢＧＡ支持部と、トレイ裏面に設けられ、トレイを表裏反転させた際に、ＢＧＡを支持する面およびＢＧＡの水平方向の動きを規制する壁を含む構成部からなるＢＧＡ固定部とが嵌合または噛み合わさる構造である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１１５７２号公報（図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＳＰ（Chip Scale Package) などの小型の半導体装置のうち、ウェハ・プロセス（前工程）とパッケージ・プロセス（後工程）を一体化した製造技術によって組み立てられるＣＳＰ型半導体装置（このような半導体装置を、ウェハレベルＣＳＰまたはウェハプロセスパッケージなどと呼ぶ）が開発されている。
【０００５】
ウェハレベルＣＳＰの製造では、その後工程においてダイシングによりウェハ状態から個片化を行い、一度、専用治具に詰め込み、その後、前記専用治具から取り出してトレイに収容し、このトレイに収容した状態で各工程間の搬送などを行うとともに、各検査工程では、トレイから取り出して検査用ソケットに装着して検査を行っている。
【０００６】
なお、ウェハレベルＣＳＰでは、半導体チップの主面に形成された配線層上にその保護を目的として有機膜が形成されており、前記トレイや前記検査用ソケットは、ウェハレベルＣＳＰの有機膜を支持する形状となっている。
【０００７】
したがって、有機膜を支持することにより、有機膜に傷が形成されたり、有機膜が剥離に至ることがある。有機膜は薄いため、有機膜が剥離すると配線が露出し、配線ショートなどの電気特性不具合が発生することが問題となる。
【０００８】
さらに、電気特性不具合や外観品質の低下によって歩留りが低下することが問題となる。
【０００９】
なお、前記特許文献１（特開平１１−１１５７２号公報）に記載されたトレイでは、そのＢＧＡ支持部（ポケットともいう）でウェハレベルＣＳＰを収容する際に、ウェハレベルＣＳＰの表面の有機膜を支持することになるため、有機膜に傷が形成され、異物が発生し、もしくは有機膜が剥離に至ることがあり、したがって、有機膜が剥離して配線が露出したりして配線ショートなどの電気特性不具合を引き起こすことが問題である。
【００１０】
さらに、ポケットであるＢＧＡ支持部には、裏面側に貫通する孔が広範囲に亘って形成されており、ウェハレベルＣＳＰの表裏を反転させてその外部端子であるボール電極を支持することができないばかりでなく、複数のトレイを積層した際に、有機膜などから発生した異物が下段のトレイ上のウェハレベルＣＳＰ上に落下して異物がウェハレベルＣＳＰに付着するという問題も懸念される。
【００１１】
本発明の目的は、製品の歩留りを向上させることができるトレイおよび検査用ソケットならびに半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、製品の品質を向上させることができるトレイおよび検査用ソケットならびに半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明の他の目的は、コストの低減化を図ることができるトレイおよび検査用ソケットならびに半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
すなわち、本発明は、主面上に形成された配線層を覆う有機膜を有した半導体チップと、前記配線層に電気的に接続される複数のボール電極とを有した半導体装置を収容可能なトレイであって、それぞれに前記半導体装置を収容可能な複数の収容部が設けられており、前記収容部それぞれは、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持する台座部と、前記台座部の周囲に形成された側壁とを有しているものである。
【００１７】
また、本発明は、主面上に形成された配線層を覆う有機膜を有した半導体チップと、外部端子である複数のボール電極とを有した半導体装置を装着して前記半導体装置の電気的検査を行うことが可能な検査用ソケットであって、前記半導体装置の前記ボール電極を配置可能な開口部を有しており、前記半導体装置の前記有機膜を支持する絶縁性のシート部材と、前記半導体装置の前記複数のボール電極それぞれに対応して前記シート部材の前記開口部に配置されており、前記ボール電極に接触可能な複数の端子部と、前記シート部材と密着しており、前記端子部に接続する配線が設けられた導体部とを有し、前記シート部材における１つの前記開口部に複数の前記端子部が配置されているものである。
【００１８】
また、本発明は、それぞれの主面上に形成された配線層を覆う有機膜と、前記有機膜の複数の開口部それぞれに配置された外部端子である複数のボール電極とを有する複数の半導体装置形成領域が設けられた半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハを前記半導体装置形成領域に応じてダイシングによって分割して複数の半導体装置を形成する工程と、前記半導体装置を形成する工程の後、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持した状態で検査する工程とを有するものである。
【００１９】
また、本発明は、それぞれの主面上に形成された配線層を覆う有機膜と、前記有機膜の複数の開口部それぞれに配置された外部端子である複数のボール電極とを有する複数の半導体装置形成領域が設けられた半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハを前記半導体装置形成領域に応じてダイシングによって分割して複数の半導体装置を形成する工程と、前記半導体装置を形成する工程の後、前記半導体装置の前記複数のボール電極を支持した状態で前記半導体装置を搬送し、その後、前記半導体装置をバーンインテストする工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２１】
主面上の配線層を覆う有機膜を有した半導体チップと複数のボール電極とを備えた半導体装置を収容可能なトレイにおいて、前記半導体装置を収容する複数の収容部それぞれが、複数のボール電極を支持する台座部を有していることにより、半導体装置の製造の後工程における工程間搬送などでこのトレイの収容部に前記半導体装置を収容した際に、有機膜を支持するのではなく台座部によって複数のボール電極を支持するため、有機膜に傷が形成されたり、有機膜が剥離して異物となって製品に付着したりすることを防止でき、その結果、半導体装置の品質と歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造を示す側面図である。
【図３】図１に示すＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図４】図３に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の組み立てにおける前工程の手順の一例を示すプロセスフロー図と断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立てにおける後工程の手順の一例の一部を示すプロセスフロー図と斜視図と断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の組み立てにおける後工程の手順の一例の一部を示すプロセスフロー図と斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態のトレイの構造の一例を示す平面図である。
【図９】図８に示すトレイの収容部の構造の一例を示す断面図である。
【図１０】図９に示すトレイの収容部における台座部の構造の一例を示す部分斜視図である。
【図１１】図９に示すトレイにおける半導体装置の収容方法の一例を示す断面図である。
【図１２】図８に示すＤ−Ｄ線に沿って切断したトレイ積層状態の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１３】図８に示すＥ−Ｅ線に沿って切断したトレイ積層状態の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の検査用ソケットへの半導体装置の装着状態の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１５】図１４に示すＦ部の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１６】図１４に示す検査用ソケットにおけるコンタクトシートの構造の一例を示す平面図である。
【図１７】図１に示す半導体装置の組み立ての後工程で用いられる自動着脱機の中間ポケット部（中継用治具）の構造の一例を示す平面図である。
【図１８】図１７に示す中間ポケット部の収容部の構造を示す断面図である。
【図１９】図１に示す半導体装置の組み立ての後工程で用いられるテストソケットの構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２４】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２５】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の構造を示す側面図、図３は図１に示すＡ部の構造を示す拡大部分平面図、図４は図３に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図、図５は図１に示す半導体装置の組み立てにおける前工程の手順の一例を示すプロセスフロー図と断面図、図６および図７はそれぞれ図１に示す半導体装置の組み立てにおける後工程の手順の一例の一部を示すプロセスフロー図と斜視図と断面図、図８は本発明の実施の形態のトレイの構造の一例を示す平面図、図９は図８に示すトレイの収容部の構造の一例を示す断面図、図１０は図９に示すトレイの収容部における台座部の構造の一例を示す部分斜視図、図１１は図９に示すトレイにおける半導体装置の収容方法の一例を示す断面図、図１２は図８に示すＤ−Ｄ線に沿って切断したトレイ積層状態の構造の一例を示す部分断面図、図１３は図８に示すＥ−Ｅ線に沿って切断したトレイ積層状態の構造の一例を示す部分断面図、図１４は本発明の実施の形態の検査用ソケットへの半導体装置の装着状態の構造の一例を示す部分断面図、図１５は図１４のＦ部の構造を示す拡大部分断面図、図１６は図１４に示す検査用ソケットにおけるコンタクトシートの構造の一例を示す平面図、図１７は図１に示す半導体装置の組み立ての後工程で用いられる自動着脱機の中間ポケット部（中継用治具）の構造の一例を示す平面図、図１８は図１７に示す中間ポケット部の収容部の構造を示す断面図、図１９は図１に示す半導体装置の組み立ての後工程で用いられるテストソケットの構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【００２８】
本実施の形態の半導体装置は、ウェハ・プロセス（前工程）とパッケージ・プロセス（後工程）を一体化した製造技術によって組み立てられるウェハレベルＣＳＰ（ウェハプロセスパッケージともいう）５である。
【００２９】
図１〜図４に示すウェハレベルＣＳＰ５の構成について説明すると、主面２ｂと、主面２ｂに配置された複数の電極であるパッド２ａと、主面２ｂ上に形成されており、かつ複数のパッド２ａそれぞれの配置を変える再配置配線２ｅと、主面２ｂ上に形成された絶縁膜とを有する半導体チップ２と、再配置配線２ｅにそれぞれ接続しており、かつ複数のパッド２ａの配置と異なった配置で設けられた複数の外部端子である半田バンプ（ボール電極）３とからなり、図４に示すように、再配置配線２ｅが形成された再配線層上に、絶縁性のポリイミドなどからなる有機膜２ｉが形成されているものである。
【００３０】
さらにウェハレベルＣＳＰ５の構成について説明すると、主面２ｂと、前記主面に対向する裏面２ｃと、側面２ｄと、主面２ｂに形成された集積回路と、主面２ｂを覆う有機膜２ｉと、有機膜２ｉから露出し、主面２ｂに、第１の間隔で配列された複数の電極であるパッド２ａと、有機膜２ｉ上に形成された複数の再配置配線２ｅ（配線）であって、各々の一端部が前記複数の電極であるパッド２ａに電気的に接続され、各々の他端部が前記第１の間隔より大きい第２の間隔で配列された複数の再配置配線２ｅとを有する半導体チップ２と、前記複数の再配置配線２ｅの他端部上に配置され、それぞれが前記複数の再配置配線２ｅの他端部に電気的に接続された複数の半田バンプ３とからなる。
【００３１】
なお、側面２ｄは、ウェハ状態からダイシングによって各パッケージに個片化する際に切断されて形成された切断面である。
【００３２】
ウェハレベルＣＳＰ５は、チップが封止用樹脂などを用いてパッケージングされる半導体装置とは異なって、半導体チップ２の側面２ｄと裏面２ｃが露出した構造のものである。
【００３３】
また、ウェハレベルＣＳＰ５では、図１および図２に示すように、半導体チップ２の主面２ｂに複数の外部端子である半田バンプ（突起電極）３がアレイ状に並んで配置されており、外観上は、ＢＧＡ（Ball Grid Array)と同様のものである。
【００３４】
さらに、図３および図４に示すように、ウェハレベルＣＳＰ５では、半導体チップ２の主面２ｂ上に形成された電極であるパッド２ａにさらに再配置配線２ｅが接続されており、この再配置配線２ｅに半田バンプ３がＡｕ層２ｐを介して接続されている。前記再配置配線２ｅは、アルミニウムなどからなるパッド２ａの配置を半田バンプ３が搭載可能な配置に置き換えるための中継用の配線である。すなわち、ウェハレベルＣＳＰ５では、パッド２ａの配置ピッチが狭ピッチ化されており、外部端子である半田バンプ３をパッド２ａに直接搭載できないため、したがって、半田バンプ３が搭載可能なように再配置配線２ｅによってピッチを拡大して半田バンプ３を再配置配線２ｅに接続している。
【００３５】
これにより、複数の半田バンプ３をアレイ状に配置することが可能になる。
【００３６】
なお、再配置配線２ｅは、例えば、Ｎｉ層２ｊ、Ｃｕ層２ｍおよびＣｒ層２ｎの３層構造であり、表面側から内部に向かって順にＮｉ層２ｊ、Ｃｕ層２ｍおよびＣｒ層２ｎが配置されており、Ｃｒ層２ｎとパッド２ａが接続している。また、Ｎｉ層２ｊは半田バンプ３との接続が良好になるようにＡｕ層２ｐを介して半田バンプ３と接続している。
【００３７】
また、シリコン基板２ｋの上層には、それぞれ層間絶縁膜である絶縁層２ｆを介してメタルの配線層が形成されている。
【００３８】
また、主面２ｂ上に形成されたパッド２ａは、再配置配線２ｅとの接続部を除いてパッシベーション膜である保護膜２ｇによって覆われている。さらに、保護膜２ｇ上には、第１の絶縁膜２ｈが積層して形成されており、この第１の絶縁膜２ｈ上に再配置配線２ｅが積み上げられて配置されている。さらに、再配置配線２ｅの上層には、その半田バンプ３との接続部を除いた状態で第２の絶縁膜である有機膜２ｉが積層されている。
【００３９】
なお、保護膜２ｇは、例えば、ＳｉＮから成り、また第１の絶縁膜２ｈおよび第２の絶縁膜である有機膜２ｉは、例えば、ポリイミドなどから成る柔らかな膜である。
【００４０】
次に、本実施の形態のウェハレベルＣＳＰ５（半導体装置）の製造方法を図５に示す前工程と、図６および図７に示す後工程に分けて説明する。
【００４１】
まず、図５に示す前工程では、ステップＳ１のウェハ準備を行った後、ステップＳ２において、ポリイミド膜である第１の絶縁膜形成を行う。ここでは、半導体ウェハ１の主面１ａ上に第１の絶縁膜２ｈを被覆し、その後、パッド２ａ上の第１の絶縁膜２ｈを除去するための露光およびエッチングを行い、続いて第１の絶縁膜２ｈのベーク処理を行う。
【００４２】
その後、ステップＳ３に示すＣｒ−Ｃｕ層の形成を、スパッタリングなどに行って再配置配線２ｅの下地層を形成する。その後、ステップＳ４に示すＣｒ−Ｎｉ層の形成を行う。ここでは、メッキ処理によってＣｒ−Ｃｕ層の上にＣｒ−Ｎｉ層を形成し、続いて、エッチングによってパターニングを行ってＣｒ−Ｃｕ−Ｎｉの各層からなる再配置配線２ｅを形成する。
【００４３】
その後、ステップＳ５に示す第２の絶縁膜である有機膜２ｉの形成を行う。有機膜２ｉは、第１の絶縁膜２ｈと同様に、例えば、ポリイミド膜である。まず、再配置配線２ｅ上に有機膜２ｉを被覆し、その後、半田バンプ接続部上の有機膜２ｉを除去するための露光およびエッチングを行い、さらに有機膜２ｉのベーク処理を行う。
【００４４】
その後、ステップＳ６に示す無電解メッキ処理を行う。すなわち、再配置配線２ｅの半田バンプ接続部にメッキ処理によりＡｕ層２ｐを形成する。
【００４５】
その後、ステップＳ７に示すプローブテストを行い、さらに、ステップＳ８に示す半田バンプ形成を行う。すなわち、Ａｕ層２ｐにリフローなどを行って外部端子である半田バンプ３を接続する。
【００４６】
これにより、ウェハレベルＣＳＰ５の製造における前工程を終了する。
【００４７】
その後、図６および図７に示す後工程を行う。
【００４８】
まず、図６に示すステップＳ１１のウェハ準備を行う。なお、半導体ウェハ１には、それぞれの主面２ｂ上に形成された再配置配線２ｅを覆う有機膜２ｉと、有機膜２ｉの複数の開口部それぞれに配置された外部端子である複数の半田バンプ（ボール電極）３とを備えた複数のデバイス領域（半導体装置形成領域）１ｃが設けられている。
【００４９】
その後、図６に示すステップＳ１２のダイシングと治具詰めを行う。まず、ダイシングでは、半導体ウェハ１をデバイス領域１ｃに応じてダイシングライン１ｂに沿って分割する。すなわち、ダイシングライン１ｂに沿ってブレード９を走行させて半導体ウェハ１を個片化して複数のウェハレベルＣＳＰ５を形成する。
【００５０】
その後、個片化されたウェハレベルＣＳＰ５をピックアップ部８によって突き上げ、ピックアップした後、専用ケース治具１０に収容する。その際、ウェハレベルＣＳＰ５の外部端子である複数の半田バンプ３が上方を向くように半導体チップ２の裏面２ｃを下方に向けた状態で専用ケース治具１０に収容する治具詰めを行う。
【００５１】
その後、ステップＳ１３に示すレーザーマークを行う。その際、本実施の形態では、予め、ボール受け用のトレイ７を準備しておき、このトレイ７に各ウェハレベルＣＳＰ５を収容してレーザーマークを行う。
【００５２】
ボール受け用のトレイ７は、ウェハレベルＣＳＰ５などのようなチップサイズパッケージを、その外部端子として設けられた複数の半田バンプ（ボール電極）３を支持した状態で収容するものである。
【００５３】
図８は、ボール受け用のトレイ７の構造の一例を示す図であり、トレイ７の表面７ｆ（図１２参照）側には、それぞれにウェハレベルＣＳＰ５を収容可能な複数のポケット（収容部）７ａがマトリクス配置で設けられており、かつそれぞれのポケット７ａには、図９に示すような、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ（ボール電極）３を支持する台座部７ｂと、台座部７ｂの周囲に形成された側壁７ｃとが設けられている。
【００５４】
ここで、本実施の形態のトレイ７が、半導体装置の外部端子であるボール電極（半田バンプ３）を支持可能な理由について説明する。
【００５５】
本実施の形態のトレイ７が収容可能な半導体装置は、例えば、ウェハレベルＣＳＰ５のように、半導体チップ２の側面２ｄや裏面２ｃが露出していて、パッケージサイズがチップサイズにほぼ等しく、かつ半導体チップ２の自重がそのままパッケージの重さとなるような小型・軽量のパッケージである。
【００５６】
すなわち、トレイ７に収容可能な半導体装置は、外観形状は、外部端子としてボール電極である半田バンプ３がマトリクス配置で設けられたＢＧＡ型のものであるが、一般的なＢＧＡは、フィラーなどが混入された封止用エポキシ系樹脂、ＢＧＡ基板、金線およびペースト材などを有しているのに対して、ウェハレベルＣＳＰ５は、封止用エポキシ系樹脂、ＢＧＡ基板、金線およびペースト材などを有していないため、その重量は、一般的なＢＧＡに比較して遥かに軽く、半導体チップ単体の重さにほぼ等しい程度の重量である。
【００５７】
したがって、トレイ７のポケット７ａにおいてその台座部７ｂで半田バンプ３を支持しても半田バンプ３が潰れることはなく、ボール受けを可能にすることができる。
【００５８】
なお、ウェハレベルＣＳＰ５では、半導体チップ２の主面２ｂの再配置配線２ｅ上にその保護・絶縁を目的としてポリイミド膜などの有機膜２ｉが形成されている。従来のトレイでは、その収容部において、半導体チップ２の主面２ｂ上の有機膜２ｉを支持していたが、この場合、有機膜２ｉは薄い膜であるため、搬送時の振動などで剥離したり、脱落して異物になるなどの不具合が生じており、その対策として有機膜２ｉを厚くして剥離や脱落を防ぐことも考えられるが、半田バンプ３を接続するために有機膜２ｉに形成する開口部はフォトリソグラフィ技術で形成する。
【００５９】
その際、有機膜２ｉを厚くしてしまうと、フォトリソグラフィ技術によって開口部を形成するのが困難となったり、また開口部の深さが深過ぎると半田バンプ３がＡｕ層２ｐに届かないという不具合も発生する。さらに、開口部の面積を大きくすると、パッド２ａのファインピッチ対応が困難となり、したがって、有機膜２ｉを厚くすることは好ましくない。なお、有機膜２ｉは、柔らかい膜であるため、傷を受け易く、厚くしたとしても異物が増える可能性もある。さらには配線を確実に保護するには、半田バンプ３の高さ以上に厚く有機膜２ｉを形成しないと効果が得られないことから有機膜２ｉを厚くするのは好ましくない。
【００６０】
したがって、本実施の形態のように、半導体チップ２の主面２ｂ上に有機膜２ｉが覆われているだけでなく、特に半導体チップ２の重さに近い程度の重さの半導体装置を収容対象とすることにより、ボール受けを可能にするトレイ７は、非常に有効である。
【００６１】
なお、ウェハレベルＣＳＰ５において、その有機膜２ｉや第１の絶縁膜２ｈの厚さは、例えば、約５μｍ程度であり、また、半導体チップ２のパッドピッチは、例えば、約８０μｍ程度であり、バンプピッチは、例えば、約0.４〜0.５ｍｍであり、バンプ径は、例えば、約0.２〜0.２５ｍｍである。
【００６２】
また、トレイ７は、例えば、カーボンなどの導電性粒子が混入された絶縁性の樹脂材料などで形成されている。
【００６３】
本実施の形態のトレイ７によれば、ウェハレベルＣＳＰ５の製造の後工程における工程間の搬送などで、このトレイ７のポケット７ａでウェハレベルＣＳＰ５を収容した際に、半導体チップ２の主面２ｂの有機膜２ｉを支持するのではなく複数の半田バンプ３を台座部７ｂによって支持するため、有機膜２ｉに傷が形成されたり、有機膜２ｉが剥離して異物となって製品に付着したりすることを防止できる。
【００６４】
その結果、有機膜２ｉの剥離により配線が露出して配線ショートなどの電気特性不具合を引き起こすことも防止でき、ウェハレベルＣＳＰ５（製品）の品質の向上を図ることができる。
【００６５】
さらに、有機膜２ｉに傷が形成されたり、有機膜２ｉの剥離を防止することができるため、ウェハレベルＣＳＰ５の外観品質を向上させることができる。
【００６６】
以上のように、ウェハレベルＣＳＰ５の品質の向上を図ることが可能なため、ウェハレベルＣＳＰ５（製品）の歩留りを向上させることができる。なお、本実施の形態のトレイ７を採用することにより、例えば、有機膜２ｉの剥離の発生率を５０％から１％以下に低減することができる。
【００６７】
また、図９に示すように、トレイ７には、その各ポケット７ａにおいて、台座部７ｂの周囲に第１溝部７ｄが形成されている。すなわち、各ポケット７ａにおいて、台座部７ｂの外周部に隣接して、かつ台座部７ｂより窪んだ第１溝部７ｄが形成されている。
【００６８】
これにより、ポケット７ａ内で発生したシリコン屑などの異物をこの第１溝部７ｄに落下させることができ、ウェハレベルＣＳＰ５に前記異物が付着することを防止することができる。
【００６９】
なお、トレイ７は、ウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３を支持するボール受け方式であるため、搬送時などの振動などによって多少のシリコン屑などの異物が発生したとしても、ウェハレベルＣＳＰ本体に対してバンプ高さがあるため、異物がウェハレベルＣＳＰ本体に傷を与えることを防止できる。
【００７０】
また、本実施の形態のトレイ７には、図１０に示すように、その台座部７ｂに第２溝部７ｅが形成されている。第２溝部７ｅは、例えば、台座部７ｂにおいて十字状に形成されている。ただし、第２溝部７ｅは、台座部７ｂに形成されていればその形状は十字状に限定されるものではないが、第２溝部７ｅは、台座部７ｂから第１溝部７ｄに連通するように形成されていることが好ましい。
【００７１】
すなわち、トレイ７においてポケット７ａの台座部７ｂに第２溝部７ｅが形成されていることにより、ポケット７ａにウェハレベルＣＳＰ５が収容されていない場合には、図１１に示すように、バキュームパッド２０がポケット７ａを吸引した際に、台座部７ｂの第２溝部７ｅから真空排気がリークするため、バキュームパッド２０がトレイ７を吸着することを防止できる。
【００７２】
また、トレイ７は、図１２および図１３に示すように、複数のトレイ７を積み重ねた際に、上段側のトレイ７の裏面７ｇと、下段側のトレイ７の表面７ｆとによって囲まれる空間の少なくとも一部が、トレイ７の外部と連通するような形状となっている。
【００７３】
すなわち、本実施の形態のトレイ７は、その各ポケット７ａにおいて、台座部７ｂと側壁７ｃとには貫通孔が全く形成されていない構造である。したがって、複数のトレイ７を積層した際に、上段側のトレイ７と下段側のトレイ７とによって囲まれる空間が密閉状態とならないような構造を有している。トレイ７を積層した際に、図１３に示すように上段側のトレイ７の裏面７ｇに設けられた内壁部７ｉを下段側のトレイ７の外枠部７ｊの表面７ｆで支持する構造となっており、その際、上段側のトレイ７の外周部に設けられた外壁部７ｈと、下段側のトレイ７の外枠部７ｊの表面７ｆ側の外周部との間に僅かな隙間が形成されるようになっているため、上段側のトレイ７と下段側のトレイ７とによって囲まれる空間の一部が、トレイ７の外部と前記隙間を介して連通している。したがって、前記隙間を介して図１２および図１３に示すようにエアー抜けを形成することができる。
【００７４】
これにより、複数のトレイ７を積み重ねた状態で、上段側のトレイ７を真空吸着または手作業で下段側のトレイ７から分離して取り出す際に、下段側のトレイ７が密着して上段側のトレイ７といっしょに上昇してくることを防止できる。
【００７５】
その結果、トレイ７の使い勝手を向上させて作業性の向上を図ることができる。
【００７６】
さらに、トレイ７の各ポケット７ａにおいて、台座部７ｂや側壁７ｃに貫通孔が形成されていないことにより、複数のトレイ７を積層した際に、上段側のトレイ７のポケット７ａから下段側のトレイ７に対してシリコン屑などの異物が落下することを防止でき、搬送時などでトレイ７に付着する異物を低減することができる。
【００７７】
以上のように本実施の形態の半導体装置の製造方法では、ウェハレベルＣＳＰ５をボール受けすることが可能なトレイ７を採用してその組み立てを行う。
【００７８】
図６のステップＳ１３に示すレーザーマーク工程では、このトレイ７にウェハレベルＣＳＰ５をボール受けした状態で、ウェハレベルＣＳＰ５のマーキングを行う。すなわち、ステップＳ１２に示すダイシングによる個片化後、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７のポケット７ａに配置し、複数のボール電極である半田バンプ３を台座部７ｂによって支持した状態でウェハレベルＣＳＰ５に対してレーザー１１を用いてマーキングを行う。
【００７９】
トレイ７を用いたボール受けでは、ウェハレベルＣＳＰ５をポケット７ａに収容した際に、ウェハレベルＣＳＰ５の半導体チップ２の裏面２ｃ側が上方を向くため、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７に収容した状態でレーザー１１によるマーキングを行うことができる。
【００８０】
その後、トレイ７にウェハレベルＣＳＰ５を収容した状態で次工程まで搬送し、ステップＳ１４に示すバーンイン（Ｂ／Ｉ）テストおよびＢＩＳＴなどの信頼性テストを行う。前記バーンインテストは、例えば、図１４に示すようなバーンインボード１２に取り付けられたバーンインソケット（検査用ソケット）４にウェハレベルＣＳＰ５を装着して行われる。
【００８１】
なお、バーンインテストを行う際には、ウェハレベルＣＳＰ５を収容したトレイ７を、図１７に示すように自動着脱機１９にセットし、さらに、トレイ７から自動着脱機１９の中継用治具である中間ポケット部１３のポケット（第２の収容部）１３ａに、一度ウェハレベルＣＳＰ５を移し替えて整列させ、中間ポケット部１３で位置決めを行った後、中間ポケット部１３からバーンインボード１２上のバーンインソケット４に各ウェハレベルＣＳＰ５を移し替る。
【００８２】
その際、中間ポケット部１３の各ポケット１３ａには、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３を支持可能な第２の台座部１３ｂがそれぞれに設けられており、中間ポケット部１３にポケット１３ａにウェハレベルＣＳＰ５を収容した際には、図１８に示すように、第２の台座部１３ｂによってウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３を支持する。すなわち、自動着脱機１９の中間ポケット部１３によってもウェハレベルＣＳＰ５をボール受けする。
【００８３】
これにより、自動着脱機１９の中間ポケット部１３においても、ウェハレベルＣＳＰ５の半導体チップ２の主面２ｂの有機膜２ｉを支持するのではなく半田バンプ３を第２の台座部１３ｂによって支持するため、有機膜２ｉに傷が形成されたり、有機膜２ｉが剥離して異物となって製品に付着したりすることを防止できる。
【００８４】
その結果、有機膜２ｉの剥離により配線が露出して配線ショートなどの電気特性不具合を引き起こすことも防止でき、ウェハレベルＣＳＰ５の品質の向上を図ることができる。さらに、有機膜２ｉに傷が形成されたり、有機膜２ｉの剥離を防止することができるため、ウェハレベルＣＳＰ５の外観品質を向上させることができる。また、ウェハレベルＣＳＰ５の品質の向上を図ることが可能なため、ウェハレベルＣＳＰ５の歩留りを向上させることができる。
【００８５】
さらに、各ポケット１３ａには、図１８に示すように第２の台座部１３ｂの周囲に第３溝部１３ｃが形成されており、これにより、ポケット１３ａ内で発生したシリコン屑などの異物をこの第３溝部１３ｃに落下させることができ、ウェハレベルＣＳＰ５に前記異物が付着することを防止できる。その結果、半導体チップ２においてチッピングの発生などを阻止することができる。また中間ポケット部１３における第２の台座部１３ｂに、トレイ７における第２溝部７ｅのような真空排気用の溝が形成されていないのは、トレイ７からバーンインソケット４に移す前に一度、整列配置するため、全てのポケット１３ａに半導体チップ２が収容されことから、バキュームパッド２０が第２の台座部１３ｂに吸着する問題は生じない。さらには、仮にチップが収容されていないポケット１３ａが存在しても、中間ポケット部１３が固定治具であるため、トレイ７のようにバキュームパッド２０により吸い上げる問題は生じない。このため、中間ポケット部１３には、真空排気用の溝は設けないことで製造コストの低減を図ることができる。
【００８６】
なお、中間ポケット部１３は、トレイ７と同様に、例えば、カーボンなどの導電性粒子が混入された絶縁性の樹脂材料などで形成されている。
【００８７】
中間ポケット部１３による位置決めを行った後、中間ポケット部１３から検査用ソケットであるバーンインソケット４に各ウェハレベルＣＳＰ５を移し替えてバーンインテストを行う。
【００８８】
図１４に示すバーンインソケット４の構成は、ウェハレベルＣＳＰ５を配置可能に形成され、かつ底部４ｂと内壁４ｄとによって形成された凹部４ａと、凹部４ａに配置されたウェハレベルＣＳＰ５を押圧する押圧部４ｆが設けられた上蓋４ｅと、ウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３を配置可能な開口部４ｉを有しており、かつウェハレベルＣＳＰ５の有機膜２ｉを支持する絶縁性のシート部材４ｊと、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３それぞれに対応してシート部材４ｊの開口部４ｉに配置されており、かつ図１５に示すように半田バンプ３に接触可能な複数の端子部４ｇと、シート部材４ｊと密着しており、かつ端子部４ｇに接続する配線が設けられた導体部４ｈとからなり、図１６に示すコンタクトシート４ｃのシート部材４ｊにおける１つの開口部４ｉに、複数の端子部４ｇが配置されているものである。
【００８９】
本実施の形態のコンタクトシート４ｃは、例えば、ポリイミドなどからなるシート部材４ｊと、導電性のメッキが施された端子部４ｇと、銅箔などからなる導体部４ｈから構成されている。バーンインテストは、押圧部４ｆによりウェハレベルＣＳＰ５を押圧した状態で行うため、半田バンプ３に荷重が加わり半田バンプ３の形状が変形してしまう虞がある。このため、シート部材４ｊを設けることで押圧に対するクッション代わりとしているが、ウェハレベルＣＳＰ５の有機膜２ｉとの接触による傷や剥離による異物が問題となる。そこで本実施の形態では、例えば図１６に示すように、シート部材４ｊの１つの開口部４ｉ内に４つの端子部４ｇが設けられており、したがって、シート部材４ｊの各１つの開口部４ｉに４つの半田バンプ３が配置される。
【００９０】
これにより、従来の１つ１つの半田バンプ３に対応して開口部４ｉが設けられている部材に比較して、シート部材４ｊの１つの開口部４ｉの大きさが大きくなり、その結果、ウェハレベルＣＳＰ５の有機膜２ｉとコンタクトシート４ｃのシート部材４ｊとの接触面積が小さくなり、有機膜２ｉによる異物の発生を低減することができる。
【００９１】
なお、バーンインテストの際には、図１５に示すようにウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３を端子部４ｇに接触させ、かつウェハレベルＣＳＰ５の有機膜２ｉをシート部材４ｊが支持するようにバーンインソケット４にウェハレベルＣＳＰ５を装着してバーンインテストを行う。
【００９２】
その際、シート部材４ｊの有機膜２ｉを支持する箇所の面積が小さくなるため、テスト時にシート部材４ｊとウェハレベルＣＳＰ５との間で前記異物やシリコン屑などを挟む要因を減らすことができ、テスト不良の発生を低減することができる。
【００９３】
前記バーンインテスト終了後、ウェハレベルＣＳＰ５をバーンインソケット４からトレイ７に詰め替えて、図６のステップＳ１５に示すベーク処理であるリテンションベークを行う。前記リテンションベークは、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７に収容した状態で行う。
【００９４】
その後、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７に収容した状態で次工程まで搬送し、そこでステップＳ１６に示すテスティングを行う。テスティング工程でのテスティングは、例えば、ファンクションテストなどであり、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７からテストソケット６に移し替えて、ファンクションテストをテストソケット６で行う。なお、図１９に示すようにテストソケット６は、上下動可能に設けられたフローティング台座６ａと、ウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３に接触するコンタクトピン６ｂと、半田バンプ３がコンタクトピン６に接触するまでウェハレベルＣＳＰ５を支持する支持部６ｃとからなり、テスティング時には、ウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３をコンタクトピン６ｂに接触させて半田バンプ３をコンタクトピン６ｂで支持した状態でテスト（検査）を行う。テストソケット６には、支持部６ｃの周囲に異物を落下させウェハレベルＣＳＰ５への異物付着を防止する第４溝部６ｄが形成されている。またフローティング台座６は、半田バンプ３がコンタクトピン６ｂに接触するまで有機膜２ｉは支持部６ｃと接触しているため、有機膜２ｉの傷や剥離による異物の問題が生じる虞がある。このためできるだけ有機膜２ｉと支持部６ｃとの接触面積を低減するために、支持部６ｃの接触面はウェハレベルＣＳＰ５の角部のみ支持するようにＬ字型の形状をしている。
【００９５】
テスティング終了後、再び、テストソケット６からトレイ７にウェハレベルＣＳＰ５を移し替え、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７に収容した状態で次工程まで搬送し、そこで図７のステップＳ１７に示す自動外観検査を行う。ここでは、ウェハレベルＣＳＰ５をトレイ７から検査用治具１４に移し替て、検査用治具１４上でウェハレベルＣＳＰ５の外観検査を行う。
【００９６】
その後、ステップＳ１８に示す出荷トレイ詰替えを行う。すなわち、予め、トレイ７として、耐熱性材料によって形成されているトレイ７と、非耐熱性材料によって形成されている出荷用トレイ１５とを準備しておき、ダイシング（ステップＳ１２）〜自動外観検査（ステップＳ１７）までの工程においてバーンインテストとテスティングを除く各工程での処理や工程間搬送には、ベーク処理などの高温処理を含んでいるため、耐熱性材料によって形成されたトレイ７を用いる。その後の工程や出荷にはベーク処理などの高温処理を含まないため非耐熱性材料によって形成された出荷用トレイ１５を用いる。
【００９７】
そこで、ステップＳ１７に示す自動外観検査終了後、耐熱性材料によって形成されたトレイ７から非耐熱性材料によって形成された出荷用トレイ１５にウェハレベルＣＳＰ５を移し替る。なお、出荷用トレイ１５の構造は、トレイ７の構造と全く同じであり、したがって、出荷用トレイ１５においても、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３を台座部によって支持するボール受けを行う。
【００９８】
前記出荷用トレイ１５への移し替え終了後、ステップＳ１９に示す最終外観を行う。ここでは、ウェハレベルＣＳＰ５を出荷用トレイ１５に収容した状態で実体顕微鏡や金属顕微鏡などを用いて最終の外観検査を行う。
【００９９】
その後、ステップＳ２０に示す異物除去を行う。ここでは、ウェハレベルＣＳＰ５を収容した出荷用トレイ１５に対してエアーブロー装置１６などによってエアーを吹き付けるか、または異物吸引などを行って出荷用トレイ１５上の異物除去を行う。
【０１００】
その後、ステップＳ２１に示す梱包を行う。すなわち、それぞれにウェハレベルＣＳＰ５を収容した複数の出荷用トレイ１５を積層し、アルミ防湿袋１７などに入れて封入する。さらに、バンド１８によって束ねた後、内装箱もしくは外装箱に入れてステップＳ２２に示す出荷となる。なお、出荷用トレイ１５もトレイ７と同様の構造であるため、出荷の際には、ウェハレベルＣＳＰ５の複数の半田バンプ３を支持した状態で出荷を行う。
【０１０１】
このように、耐熱性材料によって形成されたトレイ７と、非耐熱性材料によって形成された出荷用トレイ１５とを準備することにより、ウェハレベルＣＳＰ５の製造における工程間搬送では、耐熱性材料からなるトレイ７を使用し、ウェハレベルＣＳＰ５の出荷時には、非耐熱性材料からなる出荷用トレイ１５を使用することができる。すなわち、工程間搬送と出荷時とで非耐熱性材料の出荷用トレイ１５と耐熱性材料のトレイ７とを使い分けることが可能になり、その際、非耐熱性材料は耐熱性材料に比べて安価であるため、従来、コスト高の耐熱性材料のトレイ７のみを使用していたのに比較してトレイ本体のコストの低減化を図ることができる。
【０１０２】
さらに、出荷用トレイ１５もボール受けを行う構造であるため、出荷用トレイ１５でウェハレベルＣＳＰ５の半田バンプ３を支持した状態で出荷することにより、出荷後の搬送において、振動によって起こる有機膜２ｉなどの脱落による異物の発生を抑えることができる。
【０１０３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１０４】
例えば、前記実施の形態では、耐熱性材料によって形成されたトレイ７と、非耐熱性材料によって形成された出荷用トレイ１５とを準備して、工程間搬送および所定の処理（例えば、高温処理）時にはトレイ７を使用し、出荷時には、出荷用トレイ１５を使用する場合を説明したが、非耐熱性材料からなる出荷用トレイ１５は、必ずしも準備する必要はなく、耐熱性材料によって形成されたトレイ７のみを準備して、これを工程間搬送や前記所定の処理時に用い、さらに出荷に用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、トレイおよびソケットならびに半導体製造技術に好適である。
【符号の説明】
【０１０６】
１  半導体ウェハ
１ａ  主面
１ｂ  ダイシングライン
１ｃ  デバイス領域（半導体装置形成領域）
２  半導体チップ
２ａ  パッド
２ｂ  主面
２ｃ  裏面
２ｄ  側面
２ｅ  再配置配線
２ｆ  絶縁層
２ｇ  保護膜
２ｈ  第１の絶縁膜
２ｉ  有機膜
２ｊ  Ｎｉ層
２ｋ  シリコン基板
２ｍ  Ｃｕ層
２ｎ  Ｃｒ層
２ｐ  Ａｕ層
３  半田バンプ（ボール電極）
４  バーンインソケット（検査用ソケット）
４ａ  凹部
４ｂ  底部
４ｃ  コンタクトシート
４ｄ  内壁
４ｅ  上蓋
４ｆ  押圧部
４ｇ  端子部
４ｈ  導体部
４ｉ  開口部
４ｊ  シート部材
５  ウェハレベルＣＳＰ（半導体装置）
６  テストソケット
６ａ  フローティング台座
６ｂ  コンタクトピン
６ｃ  支持部
６ｄ  第４溝部
７  トレイ
７ａ  ポケット（収容部）
７ｂ  台座部
７ｃ  側壁
７ｄ  第１溝部
７ｅ  第２溝部
７ｆ  表面
７ｇ  裏面
７ｈ  外壁部
７ｉ  内壁部
７ｊ  外枠部
８  ピックアップ部
９  ブレード
１０  専用ケース治具
１１  レーザー
１２  バーンインボード
１３  中間ポケット部（中継用治具）
１３ａ  ポケット（第２の収容部）
１３ｂ  第２の台座部
１３ｃ  第３溝部
１４  検査用治具
１５  出荷用トレイ
１６  エアーブロー装置
１７  アルミ防湿袋
１８  バンド
１９  自動着脱機
２０  バキュームパッド
【図１】
2010109386.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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