(57)【要約】  【課題】円柱状部品の熱処理方法に関し、従来の方法に比べて生産性の向上、コスト低減および品質の向上を可能にする円柱状部品の熱処理方法の提供。【解決手段】焼入れ工程（Ｓ１）と、該焼入れ工程（Ｓ１）の後に施される焼もどし工程（Ｓ２）とを有し、前記焼入れ工程（Ｓ１）は、第１工程（Ｓ１１）と、第１工程（Ｓ１１）の後に施される第２工程（Ｓ１２）とを有しており、第１工程（Ｓ１１）では、円柱状部品（３）の外周表面（３１ｆ）から芯部（３２）までの一部の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱して焼入れしている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中炭素合金鋼から成る円柱状部品（３）の熱処理方法であって、該熱処理方法は焼入れ工程（Ｓ１）と、該焼入れ工程の後に施される焼もどし工程（Ｓ２）とを有し、前記焼入れ工程（Ｓ１）は、焼入れ第１工程（Ｓ１１）と、焼入れ第１工程の後に施される焼入れ第２工程（Ｓ１２）とを有し、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）は前記円柱状部品（３）の外周表面（３１ｆ）から芯部（３２）までの一部の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱して焼入れする工程であり、前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）は前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）で焼入れされた前記円柱状部品（３）の外周表面部（３１）のみをＡｃ３変態点以上の温度に誘導加熱して焼入れする工程であり、前記焼もどし工程（Ｓ２）は、前記焼入れ工程で（Ｓ１）焼入れされた前記円柱状部品（３）を低温焼もどしする工程であることを特徴とする円柱状部品の熱処理方法。
【請求項２】
前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱が誘導加熱である請求項１の円柱状部品の熱処理方法。
【請求項３】
前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱が炉中加熱である請求項１の円柱状部品の熱処理方法。
【請求項４】
前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）で加熱される前記円柱状部品（３）の一部の領域の半径方向寸法（ｒｒ）は、円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／３以上であり、３／４以下である請求項１〜３の何れか１項の円柱状部品の熱処理方法。
【請求項５】
前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）における外周表面部（３１）の深さ（ｔ）が、円柱状部品の半径（Ｒ）の１／１０以上で、円柱状部品の半径（Ｒ）の１／２以下である請求項１〜４の何れか１項の円柱状部品の熱処理方法。
【請求項６】
前記円柱状部品（３）が無限軌道帯用ピンである請求項１〜５の何れか１項の円柱状部品の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円柱状部品、とりわけ、大型（大径）の円柱状部品の熱処理方法に関する。ここで、「円柱状部品」には、例えば建設機械の無限軌道帯（履帯）の構成部品であるピンが含まれる。ただし、「円柱状部品」はピンに限るものではなく、また、大型の部品（ピンであれば大径のピン）に限定されるものでもない。
【背景技術】
【０００２】
油圧ショベルやブルドーザー等の建設機械に用いられる履帯１０（図８参照）は、図９に示すように、リンク１、履板２、ピン３、ブッシュ４を有している。
図１０において、履帯用のピン３のような円柱状部品では、外周表面部（外周表面およびその近傍）３１には曲げ応力とねじれ応力に耐えるための強度および耐摩耗性が要求され、芯部３２にはせん断応力に耐えるための強度および靭性が要求される。
【０００３】
これらの要求品質をすべて満足させるための履帯用ピンの熱処理方法として、従来から種々の方法が提案されている。
例えば、低炭素合金鋼を素材とし、「浸炭焼入れ」を行い、次に「低温焼もどし」を施す方法が存在する。係る方法（浸炭焼入れ方法）によれば、ＳＣＭ４１５またはＳＣＭ４２０等の低炭素合金鋼を素材とし、これに浸炭を施して外周表面部のみ高炭素合金鋼とし、その後、焼入れおよび低温焼もどしを施している。
しかし、浸炭焼入れ方法によれば、ピンの耐摩耗性および強度を向上するためには浸炭硬化層を深く、浸炭時間を長くする必要があり、コストが嵩むという問題がある。それと共に、浸炭ガスの大量使用等も、コスト高騰を惹起する。
【０００４】
また、中炭素合金鋼を素材とし、「全体加熱焼入れ」を行い、次に「低温焼もどし」を施す方法が存在する。詳細には、炭素含有量が０．３〜０．５質量％の中炭素合金鋼を素材とし、ピンの外周表面から芯部までの全体をＡｃ３変態点以上の温度に加熱し、急冷して焼入れし、その後、低温焼もどしを施している。
しかし、係る従来技術では、ピンの硬化層深さは、素材の焼入れ性やピンの直径等によって決まってしまうので、焼入れ性の低い素材を使用すると、必要な耐摩耗性および強度が得られなくなる。一方、焼入れ性の高い素材を使用すると、硬化層深さが深くなりすぎ、外周表面の圧縮残留応力が低くなり、ピンの破壊靭性および疲労強度が低くなるという問題がある。
【０００５】
履帯用ピンの熱処理方法の従来技術として、さらに、中炭素合金鋼を素材とし、「全体加熱焼入れ」を行い、「全体加熱高温焼もどし」を行い、「外周表面部の高周波焼入れ」を行い、最後に「低温焼もどし」を施す方法が存在する。詳細には、炭素含有量が０．３〜０．５質量％の中炭素合金鋼を素材とし、ピンの外周表面から芯部までの全体をＡｃ３変態点以上の温度に加熱し、急冷して焼入れした後、ピンの外周表面から芯部までの全体を高温焼もどしして、ピン全体のミクロ組織をソルバイト組織にする。その後、ピンの外周表面部に高周波焼入れを施し、そして、低温焼もどしを施す。
ここで、「全体加熱焼入れ」と「全体加熱高温焼もどし」の２工程を合わせて「素地調質（工程）」という。大型のピン（大径のピン：直径が概ね５０ｍｍ以上のピン）は、この方法によって熱処理が行われている。
【０００６】
図１１は、中炭素合金鋼の一例であるＳＣＭ４４０の組成（質量％）を表として示している。
以下、ＳＣＭ４４０を素材とするピンを「ピンＡ」と表現する。なお、ピンＡの長さは３７０ｍｍ、直径は７０ｍｍである。
【０００７】
図１２〜図１５は、ピンＡに、前記従来技術（全体加熱焼入れ、全体加熱高温焼もどし、高周波焼入れ、低温焼もどしを行う従来技術）を施した場合において、各熱処理工程におけるピンの断面における硬さ分布（外周表面から中心部までの硬さ分布）を示している。
図１２〜図１５において、横軸はピンＡの外周表面からの距離を示し、縦軸はロックウェル硬さを示している。
【０００８】
図１２は、全体加熱焼入れ工程の後における硬さ分布を示している。図１２で示すように、全体加熱焼入れ工程の後、ピンの外周表面部（外周表面近傍）の硬さはＨＲＣ５５程度で、芯部（ピンの中心近傍の領域：ピンの中心から半径方向所定距離の範囲）では、ＨＲＣ５０程度である。
図１３は、全体加熱高温焼もどし工程の後における硬さ分布を示している。図１３では、高温焼もどしによってピンの外周表面部の硬さはＨＲＣ４０程度まで低下する。また、中心を含む芯部では、ＨＲＣ３０程度となっている。
【０００９】
図１４は、高周波焼入れ工程後の硬さ分布を示している。図１４において、ピンの外周表面部の硬さは、高周波焼入れのためＨＲＣ６０程度に上昇している。ピンの芯部ではＨＲＣ３０程度のままである。そして、ピンの外周表面部と芯部との間の領域で、急激に硬さが低下する領域Ｂ２が存在している。
図１５は、低温焼もどし工程の後における硬さ分布を示している。図１５で示すように、低温焼もどしのために外周表面部の硬さがやや下がり、ＨＲＣ５５程度となる。
【００１０】
全体加熱焼入れ、全体加熱高温焼もどし、高周波焼入れ、低温焼もどしを行う上述の従来技術は、４工程を行うため、リードタイムが長くなり、全体の処理時間が長くなるという問題がある。
また、必要な芯部硬さ（素地硬さ）を確保するためには焼入れ性の高い素材を使用する必要があり、そのような素材は価格が高いので、コストアップにつながってしまう。
さらに、必要な芯部硬さ（素地硬さ）が得られないと、過大なせん断応力が負荷された際に、折損する可能性がある。
【００１１】
その他の従来技術として、所定の配合の鋼材に高周波焼入れを２回施す熱処理方法が提案されている（特許文献１参照）。
しかし、係る従来技術（特許文献１）では、二次焼入れ硬化層深さが０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ程度であり、履帯用ピンに要求される耐摩耗性を充足させることができない、という問題が存在する。
【特許文献１】特開平７−１１８７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上述したような従来技術の問題点に鑑みて提案されたものであり、円柱状部品、とりわけ、大型（大径）の円柱状部品の熱処理方法であって、従来の方法に比較して、生産性が高く、コストを低減することができ、品質の向上を可能にする円柱状部品の熱処理方法の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の円柱状部品の熱処理方法は、中炭素合金鋼から成る円柱状部品（３：ピン）の熱処理方法であって、該熱処理方法は焼入れ工程（Ｓ１）と、該焼入れ工程の後に施される焼もどし工程（Ｓ２）とを有し、前記焼入れ工程（Ｓ１）は、焼入れ第１工程（Ｓ１１）と、焼入れ第１工程の後に施される焼入れ第２工程（Ｓ１２）とを有し、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）は前記円柱状部品（３）の外周表面（３１ｆ）から芯部（３２）までの一部の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱して焼入れする工程であり、前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）は前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）で焼入れされた前記円柱状部品（３）の外周表面部（３１）のみをＡｃ３変態点以上の温度に誘導加熱して焼入れする工程であり、前記焼もどし工程（Ｓ２）は、前記焼入れ工程（Ｓ１）で焼入れされた前記円柱状部品（３）を低温焼もどしする工程であることを特徴としている（請求項１）。
【００１４】
ここで、前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）における「外周表面部（３１）」とは、円柱状部品（３）の外周表面（３１ｆ）のみならず、外周表面（３１ｆ）から半径方向内方（深さ方向）の一定の領域を含んでいる。換言すれば、外周表面（３１ｆ）から有効硬化層深さ（ｔ）だけ半径方向内方の領域が、「外周表面部」（３１）である。
「有効硬化層深さ（ｔ）」とは、有効硬化層の厚さ（深さ：半径方向寸法）であり、円柱状部品（３）の「外周表面」（３１ｆ）から「有効硬さ位置」（３１ｆｆ）までの距離である。
「有効硬化層」は、焼入れ第２工程後に有効硬さ以上になる領域（範囲）である。「有効硬さ」は、硬化した（焼入れされた）とみなされる硬さであり、本明細書では、「８０％マルテンサイト硬さ（ＨＲＣ４５）」を以って硬化した（焼入れされた）とみなしている。
「有効硬さ位置」（３１ｆｆ）は、「有効硬さ（ＨＲＣ４５）」になる位置（外周表面３１ｆからの深さ）である。
有効硬化層深さ（ｔ）は、必要な耐摩耗性を確保するために、３ｍｍ以上であるのが望ましい。
【００１５】
ここで、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱は誘導加熱であるのが好ましい（請求項２）。
あるいは、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱は炉中加熱であるのが好ましい（請求３）。
【００１６】
また、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）で加熱される前記円柱状部品（３）の一部の領域の半径方向寸法（ｒｒ）は、円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／３以上であり、３／４以下であるのが好ましい（請求項４）。
すなわち、  １／３≦ｒｒ／Ｒ≦３／４  であるのが好ましい。
【００１７】
そして、前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）における外周表面部（３１）の深さ（ｔ：有効硬化層深さ）は、円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／１０以上で、円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／２以下であるのが好ましい（請求項４）。
すなわち、  １／１０≦ｔ／Ｒ≦１／２  であるのが好ましい。
【００１８】
本発明において、前記円柱状部品（３）は無限軌道帯用ピンであるのが好ましい（請求項５）。
【００１９】
そして、前記円柱状部品（３）の直径は５０ｍｍ以上であるのが好ましい。
但し、前記円柱状部品（３）の直径が５０ｍｍ未満であっても、本発明を適用することが可能である。
【発明の効果】
【００２０】
上述する構成を具備する本発明によれば、円柱状部品（３）の熱処理が４工程から３工程に削減されるので、生産性が向上し、製造コストが低減する。
また、第２工程（Ｓ１２）では外周表面部（３１）のみが焼入れ硬化するので、外周表面部（３１）に高い圧縮の残留応力が付与され、円柱状部品（３）の疲労強度が向上する。
さらに、従来の方法によるものと比べて、ピンの横断面における最大せん断応力となる位置近傍の硬さが高くなるので、過大なせん断応力が負荷されても折損を防止することができる。そのため、必要な芯部硬さ（素地硬さ）を確保するために焼入れ性の高い素材を使用する必要がなくなり、使用するべき素材として合金元素の添加（量）が少ない素材の使用が可能になり、素材調達のコストが低減する。
【００２１】
本発明において、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱が誘導加熱であれば（請求項２）、焼入れ工程（Ｓ１）の連続化が可能になる。
一方、本発明において、前記焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱が炉中加熱であれば（請求項３）、焼入れ第１工程（Ｓ１１）の加熱に関するコストが低減する。
【００２２】
また本発明において、前記焼入れ第２工程（Ｓ１２）における外周表面部（３１）の深さ（ｔ：有効硬化層深さ）が円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／１０以上で、円柱状部品（３）の半径（Ｒ）の１／２以下に設定すれば（請求項４）、有効硬化層深さ（ｔ）が小さ過ぎてピン（３）が早期に摩耗することがなく、有効硬化層深さ（ｔ）が大き過ぎて、ピン（３）外周表面の圧縮残留応力が小さくなってしまうこともない。
【００２３】
さらに本発明によれば、焼入れ第１工程（Ｓ１１）は前記円柱状部品（３）の外周表面（３１ｆ）から芯部（３２）までの一部の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱して焼入れする工程であり、円柱状部品（３）の断面の全領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱するのではない。
そして、円柱状部品（３）の断面の全領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱しないため、本発明によれば、焼入れ第１工程（Ｓ１１）における加熱時間を短縮することができて、焼入れ第１工程（Ｓ１１）における加熱に費やされるエネルギーを節約することができる、という作用効果も奏する。
【００２４】
なお本発明において、製造される円柱状部品（３）が、たとえば、無限軌道帯用ピンであってもよいし、無限軌道帯用ピン以外の部品にも適用できる。
加えて、本発明によれば、製造される無限軌道帯用ピン（３）の直径が５０ｍｍ以上への適用を推奨するが、無限軌道帯用ピン（３）の直径は５０ｍｍ未満のものにも適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
本発明に係る円柱状部品の熱処理方法の実施形態を説明するため、円柱状部品として、例えば、油圧ショベルやブルドーザー等の建設機械の無限軌道帯（履帯）１０（図８参照）の構成部品である履帯用ピンを例示して、説明する。ただし、円柱状部品は、履帯用ピン（以下、「ピン」と記載する）に限るものではない。
【００２６】
また、本願発明の方法では直径が５０ｍｍ以上の大型ピンを例示しているが、本願発明の方法に係る円柱状部品の熱処理方法は、小型、中型のピンにも適用することが可能である。
ここで、小型ピンとは直径が３０ｍｍ未満のものを意味しており、中型ピンとは直径が３０ｍｍ以上で５０ｍｍ未満のものを意味しており、大型ピンとは直径が５０ｍｍ以上のものを意味している。
【００２７】
上述したように、建設機械の履帯１０（図８）は、図９に示すように、１対のリンク１、履板２、ピン３、ブッシュ４から成るユニットが、連続的に連結されて構成されている。
そして、履帯用のピン３（図１０参照）において、外周表面部（外周表面３１ｆから有効硬さ位置３１ｆｆまでの深さｔの範囲）３１には、曲げ応力とねじれ応力に耐えるための強度および耐摩耗性、すなわち、硬さが要求される。一方、芯部（外周表面部３１を除く部分）３２には、せん断応力に耐えるための強度および靭性が要求される。
本願発明の方法では、外周表面部３１に要求される硬さと、芯部３２に要求されるせん断強度および靭性を熱処理によって獲得するために、中炭素合金鋼から成る素材に熱処理を施すのである。
【００２８】
ここで、中炭素合金鋼とは、中炭素鋼にＭｎ、Ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ等の合金元素を添加したものをいう。これらの合金元素の添加目的は、焼入れ性向上、耐摩耗性向上、靭性向上等である。
また、中炭素鋼とは、炭素含有量が質量％で０．３０以上０．５０以下のものを言う。ちなみに、低炭素鋼とは、炭素含有量が質量％で０．３０未満のものを言い、高炭素鋼とは、炭素含有量が質量％で０．５０を超えるものを言う。
【００２９】
本願発明の方法では、大型ピン３は、機械加工完了後、図１に示す工程に従って製造される。
図２は、本願発明の方法を、図１２〜図１５を参照して説明した従来技術（全体加熱焼入れ、全体加熱高温焼もどし、高周波焼入れ、低温焼もどしを行う従来技術）に対比させて示している。より詳細には、図２では、本願発明の方法における各工程（製造プロセス）における断面の金属組織を、図１２〜図１５の従来技術における断面の金属組織と比較して模式的に示している。
それと共に図２では、図３〜図５および図１２〜図１５を参照することにより、図示の実施形態における各工程（製造プロセス）における断面の硬さ分布と、図１２〜図１５の従来技術における断面の硬さ分布とを比較することを企図している。
【００３０】
図１において、「機械加工完了品」なる文言で示す工程では、中炭素合金鋼から成る素材（棒鋼）に機械加工等を施して、大型ピン３に成形する。ピン３の素材はＳＣＭ４４０であり、前記したように、その成分（質量％）は図１１で示されている。
【００３１】
次に、ピン３を部分加熱焼入れ装置２０に搬入し、ピン３に対して焼入れ第１工程Ｓ１１を施す。明確には図示されていないが、部分加熱焼入れ装置２０は、加熱手段（加熱炉あるいは誘導加熱装置）と冷却装置とを有している。先ず、部分加熱焼入れ装置２０の加熱手段により、ピン３の一部（図１０における外周表面３１ｆから芯部３２に至る領域の一部）を、Ａｃ３変態点以上の温度に加熱する。
部分加熱焼入れ装置２０による加熱（一部加熱）は、誘導加熱によって行ってもよいし、加熱炉内で行ってもよい。加熱を加熱炉内で行う場合には、その加熱源（エネルギー）として、重油、軽油、灯油等の化石燃料または電気が用いられる。
【００３２】
ここで、「ピン３の一部（図１０における外周表面３１ｆから芯部３２に至る領域の一部）」は、外周表面３１ｆから「有効硬さ位置３１ｆｆ（図１０参照）」までの領域より深く、ピンの横断面における最大せん断応力となる位置近傍を包含している。
そして、上述したように「有効硬化層深さｔ」とは「有効硬化層の厚さ（深さ：半径方向寸法）」であり、図１０における円柱状部品３の外周表面３１ｆから有効硬さ位置３１ｆｆまでの距離である。さらに、「有効硬化層」は、焼入れ第２工程後に有効硬さ以上になる領域（範囲）であり、「有効硬さ」は、硬化した（焼入れされた）とみなされる硬さであり、本願発明の方法では、「８０％マルテンサイト硬さ（ＨＲＣ４５）」を以って硬化した（焼入れされた）とみなしている。「有効硬さ位置３１ｆｆ」は、「有効硬さ（ＨＲＣ４５）」になる位置である。
【００３３】
「ピン３の一部」あるいは「外周表面３１ｆから芯部３２に至る領域の一部」とは、例えば、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって、半径方向３／４以下の領域である。そして、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって、半径方向１／３以上であることが好ましい。すなわち、ピン３の半径(外周表面３１ｆから芯部３２に至る距離)を「Ｒ」、焼入れ第１工程Ｓ１１でＡｃ３変態点以上の温度に加熱される「ピン３の一部」の半径方向深さ（外周表面３１ｆから芯部３２に向かう深さ）を「ｒｒ」とすれば、下式を充足するのが好ましい。
１／３≦ｒｒ／Ｒ≦３／４
【００３４】
ワークのＡｃ３変態点（特定の温度）は、ワークの化学成分によって決まり、概略、次式で示される。
Ａｃ３（℃）＝９０８−２２４×Ｃ（％）＋３０×Ｓｉ（％）
−３４×Ｍｎ（％）＋４３９×Ｐ（％）−２３×Ｎｉ（％）
中炭素合金鋼では、Ａｃ３変態点は、加熱炉内での加熱の場合、概略８００℃程度（７８０〜８２０℃）である。図示しない誘導加熱（急速加熱）の場合には、Ａｃ３変態点は、加熱炉内での加熱の場合よりも１００℃程度高くなる。
【００３５】
焼入れ第１工程Ｓ１１を誘導加熱装置によって加熱する場合、ピン３の一部（ワークの外周表面３１ｆから芯部３２に至るすべての領域の一部）がＡｃ３変態点以上の温度に加熱されるように、図示しない発振機の周波数を選定する必要がある。
ここで、周波数ｆ（ｋＨｚ）と加熱深さｄ（ｍｍ）との間には、
ｄ＝（２５０／ｆ）１／２
なる関係がある。係る関係に従って、周波数ｆを適宜設定することにより、加熱領域を自在に制御して、ピン３の一部をＡｃ３変態点以上の温度に加熱することができる。
【００３６】
部分加熱焼入れ装置２０によりピン３の一部がＡｃ３変態点以上の温度に加熱されたならば、加熱を停止し、ワークの外周表面３１ｆの温度がＡｒ３変態点まで下がる前に、部分加熱焼入れ装置２０の図示しない冷却装置により冷却を開始して焼入れする。
Ａｒ３変態点は、中炭素合金鋼の場合、Ａｃ３変態点より１００℃程度低い温度になる。
焼入れの際に使用する冷却液（冷却手段）としては、水、水溶性焼入れ液、油等がある。コスト面、環境面を考慮すると、冷却液として水を使用することが望ましい。
【００３７】
部分加熱焼入れ装置２０によりピン３の一部を焼入れし、焼入れ第１工程Ｓ１１が完了したならば、部分加熱焼入れ装置３０に搬入する。明確には図示されていないが、部分加熱焼入れ装置３０は、誘導加熱装置と冷却装置とを有している。そして、ピン３に高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２を施す。
この高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２では、焼入れ第１工程Ｓ１１で部分焼入れされたピン３の外周表面部３１のみを、Ａｃ３変態点以上の温度に誘導加熱する。換言すれば、焼入れ第１工程Ｓ１１ではピン３の断面の一部領域（例えば、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって、半径方向３／４以下の領域）をＡｃ３変態点以上の温度に加熱したが、焼入れ第２工程Ｓ１２ではピン３の外周表面部３１のみをＡｃ３変態点以上の温度に加熱する。
【００３８】
焼入れ第１工程Ｓ１１の加熱も、焼入れ第２工程Ｓ１２の加熱も、ピン３の断面の全領域は加熱せず、いわゆる部分加熱である点では共通する。焼入れ第１工程Ｓ１１の加熱は、例えば、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって、半径方向３／４以下の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱するが、焼入れ第２工程Ｓ１２では、外周表面部３１のみを加熱している。
外周表面部３１のみの部分加熱を行うために、焼入れ第２工程Ｓ１２における加熱は、誘導加熱（例えば高周波誘導熱源による加熱）によらなければならない。
【００３９】
ここで、外周表面部３１とは、図１０に示すように、ピン３の外周表面３１ｆのみならず、その近傍をも含む一定の深さｔ（有効硬化層深さ）を有する領域である。
「有効硬化層深さｔ」は「有効硬化層の厚さ（深さ：半径方向寸法）」であり、図１０における円柱状部品３の外周表面３１ｆから有効硬さ位置３１ｆｆまでの距離である。さらに、「有効硬化層」は、焼入れ第２工程後に有効硬さ以上になる領域（範囲）であり、「有効硬さ」は、硬化した（焼入れされた）とみなされる硬さであり、本願発明の方法では、「８０％マルテンサイト硬さ（ＨＲＣ４５）」を以って、「硬化した（焼入れされた）」とみなしている。そして、「有効硬さ位置３１ｆｆ」は、「有効硬さ（ＨＲＣ４５）」になる位置である。
【００４０】
有効硬化層深さｔは、ピン３の半径Ｒの１／１０以上で、ピン３の半径Ｒの１／２以下であることが好ましい。すなわち、外周表面３１ｆからの有効硬化層深さｔは、ピンの半径をＲとすれば、Ｒ／１０≦ｔ≦Ｒ／２であるのが望ましい。
有効硬化層深さｔがＲ／１０よりも小さいと、ピン３が早期に摩耗してしまう。一方、有効硬化層深さｔがＲ／２よりも大きいと、ピン３の外周表面の圧縮残留応力が小さくなり、後述する効果（ピンに作用する引張応力を下げる効果）が得られないからである。
【００４１】
これに加えて、必要な耐摩耗性を確保するために、有効硬化層深さｔは、３ｍｍ以上であることが望ましい。
有効硬化層深さｔが  Ｒ／１０≦ｔ≦Ｒ／２（Ｒはピン３の半径）  であり、かつ、有効硬化層深さｔが３ｍｍ以上となるように、ピン３の外周表面部３１がＡｃ３変態点以上の温度に加熱されるように、誘導加熱による加熱深さｄを決定し、周波数ｆ（ｋＨｚ）と加熱深さｄ（ｍｍ）との関係式  ｄ＝（２５０／ｆ）１／２  に従って、周波数を決定するのである。
ここで、焼入れ第１工程Ｓ１１が誘導加熱装置によって加熱される場合、焼入れ第２工程Ｓ１２の誘導加熱装置の周波数は、焼入れ第１工程Ｓ１１の誘導加熱装置と同一の周波数を使用してもよい。この際、加熱時間や電流密度などの調整によって、必要な加熱深さを得る。
【００４２】
ピン３の外周表面部３１のみを誘導加熱することにより、ピン３の外周表面３１ｆから芯部３２にかけて温度勾配が生じる。外周表面部ではＡｃ３変態点以上であるが、芯部側すなわち半径方向内方に向かって温度は低下する。
外周表面部３１の芯部側近傍では４００〜７００℃（高温焼もどし温度に相当）となり、さらに芯部側（半径方向内方）の領域では１５０〜２５０℃（低温焼もどし温度に相当）となる。
【００４３】
ピン３の外周表面部３１がＡｃ３変態点以上の温度に加熱されたならば、加熱を停止し、ピン３を図示しない誘導加熱装置から取り出し、ピン３の外周表面３１ｆの温度がＡｒ３変態点まで下がる以前の段階で、部分加熱焼入れ装置３０の図示しない冷却装置により冷却を開始して焼入れする。
上述した通り、Ａｒ３変態点は、中炭素合金鋼の場合、Ａｃ３変態点より約１００℃低い温度になる。
高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２においても、焼入れ第１工程Ｓ１１と同様に、焼入れの際に用いられる冷却液（冷却手段）としては、コスト面、環境面からは水を使用することが望ましい。但し、水溶性焼入れ液、油等を用いてもよい。
【００４４】
高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２において、ピン３の外周表面部３１は、再度、焼入れされる。
また、ピン３の芯部３２における外周表面部３１近傍の領域では、高周波焼入れの際に４００〜７００℃に加熱されるため、高温焼もどしが施される。
さらに、芯部３２側の中心側（半径方向内方）領域では、高周波焼入れの際に１５０〜２５０℃に加熱されるので、低温焼もどしが施される。
【００４５】
これに対して、図１２〜図１５で説明した従来技術（全体加熱焼入れ、全体加熱高温焼もどし、高周波焼入れ、低温焼もどしを行う従来技術）では、本願発明の方法における焼入れ第１工程Ｓ１１と高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２との間に、すでに、素地高温焼もどし（図１３参照）が施されている。そのため、図１２〜図１５の従来技術における図１４の高周波焼入れ工程（本願発明の方法における焼入れ第２工程：Ｓ１２に相当する工程）では、芯部３２に対する焼もどしは行われない。
【００４６】
換言すれば、図１２〜図１５で説明した従来技術（全体加熱焼入れ、全体加熱高温焼もどし、高周波焼入れ、低温焼もどしを行う従来技術）では、単に外周表面部のみの高周波焼入れを行っているのに対して、本願発明の方法における高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２では、３種類の熱処理、具体的には外周表面部３１における高周波焼入れと、芯部３２の外周表面部３１側（半径方向外方）領域における高温焼もどしと、芯部３２の中心側（半径方向内方）領域における低温焼もどしを、同時に行っている。
【００４７】
高周波焼入れ工程（焼入れ第２工程）Ｓ１２の後、ピン３を低温焼もどし装置４０に搬入して、ピン３に低温焼もどし（Ｓ２）を施す。
この低温焼もどし工程（Ｓ２）においても、加熱は加熱炉（低温焼もどし炉）内で行ってもよく、図示しない誘導加熱装置によってもよい。
加熱炉内で低温焼もどしを行う場合は、１５０〜２５０℃にて加熱される。加熱源（エネルギー）としては、電気または重油、軽油、灯油等の化石燃料が用いられる。
【００４８】
一方、誘導加熱装置で低温焼もどし工程Ｓ２を行う場合には、誘導加熱が急速加熱であるため、加熱温度は加熱炉内で行う場合よりも若干高くなる。ピン３の少なくとも外周表面部３１が低温焼もどし温度に加熱されるように、上述した周波数ｆ（ｋＨｚ）と加熱深さｄ（ｍｍ）との関係式  ｄ＝（２５０／ｆ）１／２  に基いて、図示しない発振機の周波数を選定する必要がある。
加熱後の冷却は、自然放冷でもよい。あるいは、低温焼もどし装置４０に冷却装置を設けて、強制冷却を行ってもよい。
以上により、ピン３の熱処理が完了する。
【００４９】
次に、図２〜図７を参照して、本願発明の方法の作用効果を説明する。
図示の実施形態の熱処理方法は、図２でも明らかなように、従来技術に対して、円柱状部品の素地高温焼もどしの工程を省略（廃止）している。すなわち、従来の４工程からなる熱処理工程を、３工程に削減している。
この工程削減は、円柱状部品の製造時間の短縮のみならず、従来あった素地高温焼もどし工程に費やされていた熱エネルギーを不要とし、製造コストの大幅な削減につながる。
【００５０】
図３〜図５において、横軸にピンの外周表面から中心位置までの距離をとり、縦軸に硬さをとって、ピン断面の硬さ分布を示している。図３〜図５の左端がピンの外周表面で、右端がピンの中心を示している。
【００５１】
図３は、焼入れ第１工程Ｓ１１が完了した段階におけるピン３の断面の硬さ分布を示している。本願発明の方法では、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって半径方向１／２の領域について、Ａｃ３変態点以上の温度に加熱している。
図３から、焼入れ第１工程Ｓ１１が完了した段階では、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって半径方向１／２の位置で、硬さが急激に減少していることがわかる。
【００５２】
図４は、焼入れ第１工程Ｓ１１が完了し、ピン３の外周表面部３１のみをＡｃ３変態点以上の温度に加熱した後、急冷を施した段階、つまり焼入れ第２工程Ｓ１２が完了した段階におけるピン３の断面の硬さ分布を示している。
図４では、外周表面３１ｆから一定深さを越えた位置（有効硬化層深さｔを包含する）で硬さが急激に減少し、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって半径方向１／２の位置で、さらに硬さが急激に減少している。
【００５３】
図５は、焼もどし工程Ｓ２が完了した段階におけるピン３の断面の硬さ分布を示している。図４の硬さ分布と同様に、図５では、外周表面３１ｆから一定深さを越えた位置（有効硬化層深さｔを包含する）で硬さが急激に減少し、外周表面３１ｆから芯部３２に向かって半径方向１／２の位置で、さらに硬さが急激に減少している。
【００５４】
ここで、図５の符号Ｃ１で示す位置から外周表面３１ｆまでの領域は、ピン３への負荷による最大せん断応力が作用する領域を包含している。図５から明らかなように、係る領域における硬さの最低値（図５の符号Ｂ１で示す位置の硬さ）は、従来技術による場合の芯部硬さ（図１５参照）に比べて高くなることにより、せん断応力に対する強度が増加したことを意味している。すなわち、本願発明の方法により製造されたピン３は、過大な負荷が作用しても折損し難いのである。
また、必要な芯部硬さ（素地硬さ）を確保するために焼入れ性の高い素材を使用する必要がなくなり、高価な素材を必要としなくなるため、素材調達に係るコストが低減する。
なお、図２の高周波焼入れにおける符号Ｑは、高周波焼入れによって形成された（外周）表面硬化層を示している。
【００５５】
図５から明らかなように、本願発明の方法により製造されたピン３において、図５の符号Ｃ１で示す位置から外周表面３１ｆまでの領域は、ピン３への負荷による最大せん断応力が発生する位置である。
【００５６】
図６は、本願発明の方法により製造されたピン３の表面残留応力の測定結果を、従来技術で製造されたピンと比較して示している。図６の横軸は、円周方向の残留応力の測定値を示し、縦軸は軸方向の残留応力の測定値を示している。ここで、負の値は圧縮応力を意味している。したがって、絶対値が大きいほど圧縮残留応力が大きいということになる。
図６から明らかなように、本願発明の方法で製造されたピンの表面圧縮残留応力は、従来技術で製造されたピンに比べて、円周方向においては同程度であるが、軸方向においては大きくなった。すなわち、本発明の方法で製造されたピンにおいては、軸方向の圧縮残留応力が大きくなるという作用効果を奏する。
【００５７】
外周表面の圧縮残留応力の増加は、ピン３の外周表面３１ｆに、例えば、ショットピーニングや、ショットブラスト等を施したのと同等の効果が得られる。
そのため、ピン３に過大な負荷が作用して、その表面に引張応力が生じても、従来技術で製造されたピンに比較して、増加した圧縮残留応力の分だけ当該引張応力は減少する。
【００５８】
図７は、本願発明の方法により製造されたピン３の曲げ試験結果を、従来の方法で製造されたピンと比較して示している。図７の横軸はたわみの最大値を示し、縦軸は曲げ荷重の最大値を示している。
図７から明らかなように、本願発明の方法で製造されたピンの曲げ強度（図７では曲げ荷重）は、従来の方法で製造されたピンに比べて高くなっている。
【００５９】
図６および図７から明らかなように、本願発明の方法によれば、素材をより安価なものに変更することが可能であり、あるいは、従来と同等の強度を有する素材であれば、ピンの小型化が可能となる。
【００６０】
明確には図示されていないが、本願発明の方法において、焼入れ第１工程Ｓ１１の加熱を誘導加熱とすれば、焼入れ第２工程Ｓ１２も誘導加熱であるので、いわゆる「焼入れ工程のインライン化」が可能になる。
あるいは、焼入れ第１工程Ｓ１１の加熱を炉中加熱とすれば、誘導加熱炉に比べ、投入するエネルギーが削減でき、焼入れ第１工程Ｓ１１の加熱のコストが低減する。
【００６１】
これに加えて本願発明の方法では、焼入れ第１工程Ｓ１１において、ピン３の断面の全領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱するのではなく、ピン３の外周表面３１ｆから芯部３２までの一部の領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱して焼入れしている。そのため、ピン３の断面の全領域をＡｃ３変態点以上の温度に加熱する方法に比較して、本願発明の方法では焼入れ第１工程Ｓ１１における加熱時間を短縮することができて、加熱に費やされるエネルギーも節約することができる。
【００６２】
図示の実施形態はあくまでも例示であり、本発明の技術範囲を限定する趣旨の記述ではないことを付記する。
例えば、図示の実施形態では、建設機械の無限軌道帯用１０の大型ピン３を例にとって説明したが、小型、中型のピンにも適用することが可能である。さらには、無限軌道帯用ピン以外の円柱状部品の熱処理にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態に係る円柱状部品の熱処理の工程図。
【図２】本発明の実施形態における各工程（製造プロセス）における金属組織や硬さ分布を、従来技術に対比させて模式的に示した比較図。
【図３】本発明の実施形態で焼入れ第１工程を施されたピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図４】本発明の実施形態で焼入れ第２工程を施されたピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図５】本発明の実施形態で低温焼もどし工程を施されたピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図６】本発明の実施形態と従来技術の熱処理工程後におけるピンの表面残留応力の測定結果を比較して示す図。
【図７】本発明の実施形態と従来技術の熱処理工程後におけるピンの曲げ強度の測定結果を比較して示す図。
【図８】建設機械の無限軌道帯（履帯）の斜視図。
【図９】建設機械の無限軌道帯（履帯）の構成要素の分解斜視図。
【図１０】無限軌道帯（履帯）のピンの斜視図。
【図１１】熱処理の対象であるピンの素材の組成表の一例を表で示す図。
【図１２】従来技術における素地調質焼入れ後のピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図１３】従来技術における素地調質高温焼もどし後のピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図１４】従来技術における高周波焼入れ後のピンの断面における硬さ分布を示す図。
【図１５】従来技術における低温焼もどし後のピンの断面における硬さ分布を示す図。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・リンク
２・・・履板
３・・・円柱状部材（履帯用ピン）
４・・・ブッシュ
２０、３０・・・部分加熱焼入れ装置
３１・・・外周表面部
３１ｆ・・・外周表面
３２・・・芯部
４０・・・低温焼もどし装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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