(57)【要約】【課題】部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減する。【解決手段】ガラス基板408と導光板１２とを接着する遮光性を有する接着剤１８により、光を遮蔽する。これにより、部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減することができる。【選択図】図１
2010164530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線が入射されることにより電荷を生成する光導電層と、
前記光導電層の表面側に形成され、前記光導電層へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、
前記表面とは反対にある前記光導電層の反対面側に設けられ、前記光導電層が生成した電荷を収集する電荷収集電極と、
前記電荷収集電極が設けられた基板と、
前記基板から見て前記光導電層が配置される側とは反対側に配置され、前記基板を通して前記光導電層側へ光を照射するための導光板と、
前記電荷収集電極の外周側において、前記基板と前記導光板とを接着する遮光性を有する接着剤と、
を備える放射線検出器。
【請求項２】
前記接着剤の内周側において前記導光板と前記基板との間に配置され、前記導光板から基板への光を拡散させる光拡散板を備える請求項１の放射線検出器。
【請求項３】
前記導光板の外周側には、前記導光板へ光を照射する光源部が配置され、
前記接着剤が、前記基板と前記光源との間に配置された請求項１又は請求項２に記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器としては、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などのスイッチ素子をオン・オフすることにより読み取るTFT方式の放射線検出器が知られている。
【０００３】
TFT方式の放射線検出器は、スイッチ素子が形成された基板上に、アモルファスSe（a-Se）膜等の光導電層が積層されて構成されている。
【０００４】
このような放射線検出器において、光導電層に残留電荷が発生した場合に、基板側から光導電層へ光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、基板側からの光照射によって、分割電極を備えた放射線検出器に発生する電界を安定化することにより、感度変動をなくした放射線検出器が開示されている（特許文献２参照）。
【０００６】
このように、光を照射する構成では、画像検出機能を有さないエリアにおいて、光が透過することで光電変換層に悪影響を与えることがあるため、特許文献３には、電磁波シールド部材（アルミ、銅等）を介在させる構成が提案されている。
【特許文献１】特開平９−９１５３号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６７６９号公報
【特許文献３】特開２００６−３２２７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献３のように、電磁波シールド部材を介在させると、部品点数が増え、また、電磁波シールド部材を基板等に接着する必要があるため、製造工程が多くなる。
【０００８】
本発明は、上記事実を考慮し、部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る放射線検出器は、放射線が入射されることにより電荷を生成する光導電層と、前記光導電層の表面側に形成され、前記光導電層へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、前記表面とは反対にある前記光導電層の反対面側に設けられ、前記光導電層が生成した電荷を収集する電荷収集電極と、前記電荷収集電極が設けられた基板と、前記基板から見て前記光導電層が配置される側とは反対側に配置され、前記基板を通して前記光導電層側へ光を照射するための導光板と、前記電荷収集電極の外周側において、前記基板と前記導光板とを接着する遮光性を有する接着剤と、を備える。
【００１０】
この構成によれば、バイアス電極により光導電層へバイアス電圧が印加される。光導電層は、放射線が入射されることにより電荷を生成する。光導電層が生成した電荷は、電荷収集電極により収集される。導光板により、基板を通して光導電層に光が照射される。
【００１１】
ここで、本発明の請求項１の構成では、基板と導光板とを接着する遮光性を有する接着剤により、光を遮蔽するので、部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減することができる。
【００１２】
本発明の請求項２に係る放射線検出器は、請求項１の構成において、前記接着剤の内周側において前記導光板と前記基板との間に配置され、前記導光板から基板への光を拡散させる光拡散板を備える。
【００１３】
この構成によれば、光拡散板が、導光板から基板への光を拡散させるので、基板へ照射される光の光量の均一性を高められる。
【００１４】
本発明の請求項３に係る放射線検出器は、請求項１又は請求項２の構成において、前記導光板の外周側には、前記導光板へ光を照射する光源部が配置され、前記接着剤が、前記基板と前記光源との間に配置されている。
【００１５】
この構成によれば、光源部から基板への光が遮蔽でき、光照射による悪影響を効果的に低減することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、上記構成としたので、部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る放射線検出器の実施形態の一例を図面に基づき説明する。
【００１８】
本実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線撮影装置等に使用されるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。
【００１９】
放射線検出器としては、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式の放射線検出器と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などの電気的スイッチをオン・オフすることにより読み取る方式（以下、TFT方式という）の放射線検出器400等がある。
【００２０】
（TFT方式の放射線検出器400の構成）
TFT方式の放射線検出器400の構成について説明する。図１は、TFT方式の放射線検出器400の全体構成を示す概略断面図である。図２は、TFT方式の放射線検出器400の要部構成を示すものであり、ガラス基板408及びそのガラス基板408上に積層された各部を示す図である。
【００２１】
本実施形態に係るTFT方式の放射線検出器400は、図１及び図２に示すように、画像情報を担持した放射線の一例としてのＸ線が入射されることにより電荷を生成する光導電層404を備えている。光導電層404としては、アモルファスSe、Bi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12 (M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO、HgI2、PbI2、CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物などが用いられるが、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好まれる。
【００２２】
非晶質（アモルファス）材料としては、例えば、アモルファスSe（a-Se）膜が用いられている。また、アモルファスSeにAs、Sb、Geをドープした材料が、熱安定性に優れ、光導電層404の好適な材料となる。
【００２３】
なお、光導電層404が生成した電荷とは、光導電層404が直接生成したもの以外に、光導電層404が間接的に生成したものも含み、例えば、光導電層404が直接生成した電荷に対応して生成される電荷も含む概念である。
【００２４】
光導電層404上には、光導電層404の表面側に形成され、光導電層404へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極401が形成されている。このバイアス電極401は、例えば、金（Au）や白金により形成されている。このバイアス電極401を透過した放射線が光導電層404に照射される。
【００２５】
光導電層404に対してバイアス電極401が設けられている表面とは反対の反対面側、すなわち光導電層404下には、光導電層404が生成した電荷を収集する複数の電荷収集電極407aが形成されている。電荷収集電極407aは、図２に示すように、それぞれ電荷蓄積容量407c及びスイッチ素子407bに接続されている。また、電荷収集電極407aは、ガラス基板408に設けられている。
【００２６】
また、電荷収集電極407aとスイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとからアクティブマトリックス層407が構成され、ガラス基板408とアクティブマトリックス層407とからアクティブマトリックス基板450が構成されている（図３参照）。
【００２７】
光導電層404とバイアス電極401との間には、図２に示すように、電荷選択透過性を有する電荷選択透過層402を設けるのが好ましい。電荷選択透過性とは、バイアス電極401と反対極性の電荷を透過させると共にバイアス電極401と同極性の電荷の透過を阻止する性質をいう。
【００２８】
なお、光導電層404と電荷収集電極407aとの間にも、図２に示すように、電荷選択透過層402とは逆極性の下部電荷選択透過層406を設けるのが好ましい。
【００２９】
バイアス電極401が正極であるときは、電荷選択透過層402は、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する層（正孔注入阻止層）で構成され、バイアス電極401が負極である場合には、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する層（電子注入阻止層）で構成される。
【００３０】
なお、電荷選択透過層402が正孔注入阻止層である場合には、下部電荷選択透過層406に電子注入阻止層が用いられ、電荷選択透過層402が電子注入阻止層である場合には、下部電荷選択透過層406に正孔注入阻止層が用いられる。
【００３１】
正孔注入阻止層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、正孔ブロック材料を混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００３２】
正孔注入阻止層に含有される正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。さらにカーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００３３】
なお、下部電荷選択透過層406については、無機材料を用いても良い。無機材料からなる電子注入阻止層としては、Sb2S3、ZnTe、CdTeや、Sb-Te、Sb-S、As-Se、As-S系化合物等の組成から成る無機材料を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または2種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。
【００３４】
無機材料からなる正孔注入阻止層としては、CdS、CeO2、Ta2O5、SiO等の無機材料が好ましく用いられる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または2種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。
【００３５】
なお、Ｓｂ２Ｓ３は電子を捕獲する局在準位を多く有する性質が強いので電子注入阻止性を有するが、Ｓｂ２Ｓ３層と隣接するａ−Ｓｅ層との界面が電気的障壁になるために正孔注入阻止性の層として使われることもある。
【００３６】
また、電荷選択透過層402と光導電層404との間、及び下部電荷選択透過層406と光導電層404との間には、図２に示すように、それぞれ結晶化抑制層403、405を設けても良い。結晶化抑制層403、405としてはGeSe、GeSe２、Sb２Se３、a-As２Se３や、Se−As、Se−Ge、Se−Sb系化合物等を用いることが可能である。
【００３７】
なお、図１は、放射線検出器400を概略的に示すものであり、バイアス電極401、電荷収集電極407aを含むアクティブマトリックス層407、電荷選択透過層402、下部電荷選択透過層406、結晶化抑制層403、405等を省略して図示している。
【００３８】
図３は、放射線検出器400の１画素単位の構造を示す断面図であり、図４は、その平面図である。図３及び図４に示す１画素のサイズは、0.05mm×0.05mm〜0.3mm×0.3mm程度であり、放射線検出器全体としてはこの画素がマトリクス状に500×500〜6000×6000画素程度配列されている。
【００３９】
図３に示すように、アクティブマトリックス基板450は、ガラス基板408、ゲート配線411、電荷蓄積容量電極（以下、Cs電極と称する）418、ゲート絶縁膜413、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416、信号線410、絶縁保護膜417、層間絶縁膜420、及び電荷収集電極407aを有している。
【００４０】
また、ゲート配線411やゲート絶縁膜413、信号線410、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416等により薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子407bが構成されており、Cs電極418やゲート絶縁膜413、ドレイン電極412等により電荷蓄積容量407cが構成されている。
【００４１】
ガラス基板408は支持基板であり、ガラス基板としては、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃1737等）が好ましい。なお、支持基板としては、ガラス基板に限られず、各種セラミック基板、樹脂基板等を用いることができる。
【００４２】
ゲート配線411及び信号線410は、図４に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には薄膜トランジスタからなるスイッチ素子407bが形成されている。
【００４３】
スイッチ素子407bにおいて、信号線410はスイッチ素子を構成するための延長部分（ソース電極）を備えており、ドレイン電極412は電荷収集電極407aと電荷蓄積容量407cの上部電極に接続されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜413はSiNxやSiOx等からなっている。ゲート絶縁膜413は、ゲート配線411及びCs電極418を覆うように設けられており、ゲート配線411上に位置する部位がスイッチ素子407bにおけるゲート絶縁膜として作用し、Cs電極418上に位置する部位は電荷蓄積容量407cにおける誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量407cは、ゲート配線411と同一層に形成されたCs電極418とドレイン電極412との重畳領域によって形成されている。なお、ゲート絶縁膜413としては、SiNxやSiOxに限らず、ゲート配線411及びCs電極418を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
【００４５】
また、チャネル層（ｉ層）415はスイッチ素子407bのチャネル部であり、信号線410とドレイン電極412とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）416は信号線410とドレイン電極412とのコンタクトを図る。
【００４６】
絶縁保護膜417は、信号線410及びドレイン電極412上、つまり、ガラス基板408上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわたって形成されている。これにより、ドレイン電極412と信号線410とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜417は、その所定位置、つまり、ドレイン電極412においてCs電極418と対向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール421を有している。
【００４７】
電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極407aは、コンタクトホール421を埋めるようにして形成されており、信号線410上及びドレイン電極412上に積層されている。電荷収集電極407aと光導電層404とは電気的に導通しており、光導電層404で発生した電荷を電荷収集電極407aで収集できるようになっている。
【００４８】
続いて、電荷収集電極407aについて詳細に説明する。本実施形態で用いる電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜によって構成されている。非晶質透明導電酸化膜材料としては、インジウムと錫との酸化物（ITO：Indium-Tin-Oxide）や、インジウムと亜鉛との酸化物（IZO：Indium-Zinc-Oxide）、インジウムとゲルマニウムとの酸化物（IGO：Indium-Germanium-Oxide）等を基本組成とするものを使用することができる。
【００４９】
また、電荷収集電極407aとしては、各種の金属膜や導電酸化膜が使用されているが、下記の理由により、ITO（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電酸化膜が用いられることが多い。放射線検出器400において入射Ｘ線量が多い場合、不要な電荷が半導体膜中（あるいは半導体膜と隣接する層との界面付近）に捕獲されることがある。
【００５０】
このような残留電荷は、長時間メモリーされたり、時間をかけつつ移動したりするので、以降の画像検出時にＸ線検出特性が劣化したり、残像（虚像）が現れたりして問題になる。そこで、特開平９−９１５３号公報（対応米国特許第５５６３４２１号）には、光導電層404に残留電荷が発生した場合に、光導電層404の外側から光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている。
【００５１】
また、特開２００４−１４６７６９（対応米国特許第６９９５３７５号、および第７０３４３１２号）には光照射によって分割電極を備えた放射線検出器に発生する電界を安定化することにより、感度変動をなくした放射線検出器が開示されている。この場合、光導電層404の下側（電荷収集電極407a側）から効率よく光を照射するためには、電荷収集電極407aが照射光に対して透明である必要がある。
【００５２】
なお、ガラス基板408から見て光導電層404が配置される側とは反対側からガラス基板408へ光照射する構成、すなわち、ガラス基板408の下面から光照射するための構成については、後述する。
【００５３】
また、電荷収集電極407aの面積充填率（フィルファクター）を大きくする目的、またはスイッチ素子407bをシールドする目的、またはトップゲートとして機能させて大線量照射時のTFTの破壊を防止する目的で、スイッチ素子407bを覆うように電荷収集電極407aを形成することが望まれるが、電荷収集電極407aが不透明であると、電荷収集電極407aの形成後にスイッチ素子407bを観察することができない。
【００５４】
例えば、電荷収集電極407aを形成後、スイッチ素子407bの特性検査を行う場合、スイッチ素子407bが不透明な電荷収集電極407aで覆われていると、スイッチ素子407bの特性不良が見つかった際、その原因を解明するために光学顕微鏡等で観察することができない。従って、電荷収集電極407aの形成後もスイッチ素子407bを容易に観察することができるように、電荷収集電極407aは透明であることが望ましい。
【００５５】
層間絶縁膜420は、感光性を有するアクリル樹脂からなり、スイッチ素子407bの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜420には、コンタクトホール421が貫通しており、電荷収集電極407aはドレイン電極412に接続されている。コンタクトホール421は、図３に示すように逆テーパ形状で形成されている。バイアス電極401とCs電極418との間には、図示しない高圧電源が接続されている。
【００５６】
また、図１に示すように、ガラス基板408上には、光導電層404及びバイアス電極401を覆って光導電層404及びバイアス電極401を封止する封止部材の一例としての封止層444が形成されている。
【００５７】
封止層444の材料には、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する材料が選択される。具体的には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などの常温硬化性樹脂が用いられる。
【００５８】
なお、封止部材としては、図５に示すように、保護部材442及び封止層444を備える構成であってもよい。
【００５９】
図５に示す構成では、保護部材442は、ガラス基板408上において、光導電層404の周囲を囲んでおり、４辺（４本の直線）で構成された枠状に形成されている。保護部材442の内周側の空間には、光導電層404及びバイアス電極401を覆って光導電層404及びバイアス電極401を封止する封止層444が形成されている。
【００６０】
保護部材442には、絶縁性を有する絶縁性部材が用いられている。絶縁性部材としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル(アクリル)、ポリ塩化ビニール、ガラス等が用いられる。
【００６１】
また、封止部材としては、光導電層404及びバイアス電極401を覆う保護膜を用いても良い。この保護膜には、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する材料が選択され、例えば、ＰＥＴフイルムが用いられる。なお、保護膜は、封止層444に替えて設けられても良いし、封止層444上に重ねて設けられても良い。また、保護膜は、保護部材442を被覆するように形成してもよい。
【００６２】
さらに、封止部材としては、光導電層404及びバイアス電極401を覆う保護板を用いても良い。この保護板には、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する材料が選択され、例えば、ガラス基板が用いられる。なお、保護板は、封止層444上に重ねて設けられる。
【００６３】
（TFT方式の放射線検出器の動作原理）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。
光導電層404にＸ線が照射されると、光導電層404内に電荷（電子−正孔対）が発生する。バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極401とCs電極418とを介して光導電層404に電圧が印加された状態において、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは電気的に直列に接続された構造となっているので、光導電層404内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。
【００６４】
電荷蓄積容量407cに蓄積された電荷は、ゲート配線411への入力信号によってスイッチ素子407bをオン状態にすることにより信号線410を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート配線411と信号線410とからなる電極配線、スイッチ素子407b及び電荷蓄積容量407cは、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート配線411に入力する信号を順次走査し、信号線410からの信号を信号線410毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００６５】
（ガラス基板408の下面から光照射するための構成）
次に、ガラス基板408の下面から光照射するための構成について説明する。
【００６６】
ガラス基板408から見て光導電層404が配置される側とは反対側、すなわち、図１におけるガラス基板408の下面側には、ガラス基板408に光を導くための導光板１２が配置されている。
【００６７】
この導光板１２は、板状に形成されており、例えば、樹脂製の板体で構成されている。導光板１２は、その線膨張係数が、ガラス基板408の線膨張係数よりも、封止層444の線膨張係数に近似しており、その材料には、例えば、アクリル樹脂が用いられる。
また、導光板１２は、表面と、該表面と対向する裏面と、該表面及び該裏面を繋ぐ４つの端面とを有する６面体で構成されている。
【００６８】
導光板１２の４つの端面のうち、対向する２つの端面が、導光板１２内部へ光が入射される入射面１２Ａとなっており、残り２つの端面が、入射面１２Ａから内部へ入射された光を導光板１２内部で反射させる反射面１２Ｃとなっている。
【００６９】
なお、１つの端面が入射面１２Ａであり、残り３つの端面が、入射面１２Ａから内部へ入射された光を導光板１２内部で反射させる反射面である構成であってもよい。この場合においては、後述の光源部１４は、１つの入射面１２Ａにのみ設けられる。
【００７０】
また、導光板１２の表面は、入射面１２Ａの入射方向Ａ（図１における矢印Ａ方向）と交差する出射方向Ｂ（図１における矢印Ｂ方向）に光が外部へ出射される出射面１２Ｂとなっている。
【００７１】
導光板１２の裏面１２Ｄには、光を拡散する拡散材料である拡散インクのドットパターン２２が形成されている。入射面１２Ａから入射した光は、裏面１２Dのドットパターン２２の非形成部における空気との界面で全反射されることによって、光源部１４から離れた所まで大きく減衰せずに伝播することができる。一方、裏面１２Ｄのドットパターン２２の形成部においては、光散乱が起こり、散乱された光のうち出射面１２Ｂにおいて全反射条件を満たさないものは、出射面１２Ｂからガラス基板408に向けて出射される。
【００７２】
導光板１２の裏面１２Ｄには、散乱して裏面１２Ｄから外部に放出された光を出射面１２Ｂに導くための反射シート２０が設けられている。この反射シート２０は、光散乱を利用した反射シートであり、たとえば微細なボイドや白色顔料粒子を含有する樹脂フィルムが用いられる。これにより、入射面１２Ａから入射した光により、導光板１２の出射面１２Ｂから効率良く基板を照射することができる。
【００７３】
このように、導光板１２は、入射面１２Ａから入射した光を内部で反射させて出射面１２Ｂから出射させるように構成されている。
【００７４】
導光板１２の外周側には、光を入射させる光源部１４が導光板１２の入射面１２Ａ側にそれぞれ配置されている。
【００７５】
光源部１４は、例えば、光を発する光源の一例としてのＬＥＤと、そのＬＥＤからの光を入射面１２Ａの面内に集光する光学部材の一例としての集光レンズと、を備えて構成されている。
【００７６】
なお、光源としては、ＬＥＤに限られず、例えば、電球などの他の点状光源であってもよく、また、蛍光灯などの線状光源であってもよい。集光する光学部材は、集光レンズ等のレンズに限られず、例えば、ミラー等の反射板で構成されていてもよい。
【００７７】
ＬＥＤは、導光板１２の入射面１２Ａに沿って、入射面１２Ａの長手方向（図１の紙面上の手前から奥への方向）複数配置されており、ＬＥＤ毎に集光レンズが配置されている。
【００７８】
ここで、本実施形態では、ガラス基板408と導光板１２とは、電荷収集電極407aの外周側において遮光性を有する接着剤１８により接着されている。これにより、ガラス基板408と導光板１２は、一体化される。
【００７９】
ここでいう電荷収集電極407aは、放射線検出に寄与する電荷収集電極407aであって、ここでいう電荷収集電極407aには、放射線検出に寄与しないダミー電極は含まれない。
【００８０】
また、接着剤１８が配置される領域としては、電荷収集電極407aの外周側であって、ガラス基板408と光源部１４との間を含む領域に配置されていればよい。従って、接着剤１８は、光導電層404の外周側に配置されていてもよく、また、図６に示すように、接着剤１８は、ガラス基板408と光源部１４との間の領域のみ、すなわち、図６における光源部１４の上部のみに配置された構成であっても良い。
【００８１】
遮光性を有する接着剤１８としては、例えば、ほとんどの波長の光を吸収する色としての黒い色とされた接着剤１８が考えられる。
【００８２】
黒色の接着剤１８としては、黒い色材が含有された接着剤１８を用いることができる。
黒色材としては、染料、顔料のいずれも用いることができる。顔料としては有機顔料、無機顔料のいずれも使用でき、黒色顔料ではファーネスブラック、ランプブラック、アセチレンブラック、チャンネルブラック等のカーボンブラック顔料等が挙げられる。
【００８３】
遮光性を有する接着剤１８は、放射線検出領域外にある光導電層404に悪影響を与える光が遮断できればよく、その悪影響を与える光が特定領域の波長であれば、その特定領域の波長をカットできる構成であっても良い。例えば、接着剤１８は、エレクトローンホールペアを生じる青い波長領域を遮光する構成とすることができる。
【００８４】
導光板１２の出射面１２Ｂ側には、導光板１２の出射面１２Ｂからガラス基板408へ出射した光を拡散する光拡散板２４が設けられている。
【００８５】
光拡散板２４は、接着剤１８の内周側において、導光板１２とガラス基板408との間に配置されている。光拡散板２４は、ガラス基板408に接着されるものの、導光板１２には接着されておらず、導光板１２との間には、空気層２６が形成されている。空気層２６は、導光板１２よりも光の屈折率が低いため、導光板１２内で反射する光が全反射を生じやすくなる。なお、空気層２６は、導光板１２よりも光の屈折率が低いもの、例えば、空気以外のガスなどの気体に替えても良い。
【００８６】
また、光拡散板２４は、ガラス基板408及び導光板１２のいずれにも接着されずに、導光板１２とガラス基板408との間に挟み込まれる構成であってもよい。
【００８７】
（本実施形態の作用）
次に、上記の実施形態について作用を説明する。
【００８８】
本実施形態に係る放射線検出器400では、ガラス基板408上に形成された光導電層404及び封止層444と同程度の線膨張係数の材料からなる導光板１２が、ガラス基板408の下面側に接着されて一体化されるので、周囲環境温度の変化や放射線検出器400の駆動基板類からの温度上昇などによっておこる温度変化に対して、部材の変形及び変形を原因とする破損等を抑制することができる。
【００８９】
また、画像検出の機能を有さないガラス基板408及び導光板１２の外周部のみにて両者を接着し、中央部の画像検出エリアは、ガラス基板408及び導光板１２の間に光拡散板２４を挟み込む構造をとることで、導光板１２とガラス基板408との距離が固定され、光照射の効率が安定し、光導電層404内の電界が安定する。
【００９０】
また、この構造をとることで、光拡散板２４が光を拡散して、ガラス基板408へ照射される光の光量の均一性を高める効果を維持しながら、ガラス基板408の反り抑制機能を得ることができる。
【００９１】
ここで、導光板１２からガラス基板408へ光が照射されると、漏れ光が画像検出エリアの周辺部の光導電層404に照射されることになり、このエリアでＸ線照射とは無関係に行われた光電変換によって発生した電荷が層内に蓄積され、その電荷はＸ線照射時によって発生した電荷とともに画素電極に収集されることから収集電荷量のばらつきの原因となるという悪影響を及ぼす。画像的にはムラの発生という悪影響が出る。
【００９２】
これに対して、本実施形態では、ガラス基板408と導光板１２とを接着する遮光性を有する接着剤１８により、光を遮蔽するので、部品点数を増加させずに、光照射による悪影響を低減することができる。
【００９３】
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る放射線検出器の全体構成を示す概略図である。
【図２】図２は、放射線検出器の要部を示す概略構成図である。
【図３】図３は、放射線検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、放射線検出器の１画素単位の構造を示す平面図である。
【図５】図５は、保護部材及び封止層で封止部材を構成した放射線検出器の構成を示す概略図である。
【図６】図６は、接着剤の接着領域を変えた変形例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００９５】
１２   導光板
１４   光源部
１８   接着剤
２４   光拡散板
400    放射線検出器
401    バイアス電極
404    光導電層
407a   電荷収集電極
408    ガラス基板（基板）
【図１】
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【図２】
2010164530.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010164530.tif 000006
【図５】
2010164530.tif 000007
【図６】
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