(57)【要約】【課題】高い電気絶縁性を備えるとともに放熱性に優れた発光ダイオード搭載用基板とその製造方法を提供する。【解決手段】発光ダイオード搭載用基板１を、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２と、この金属基板２を被覆する電気絶縁層３とを有するものとし、電気絶縁層３は金属基板２側から下地絶縁層４と表面絶縁層５とが積層されたものとし、下地絶縁層４を酸化アルミニウム膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲とし、表面絶縁層５を金属酸化物膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板と、該金属基板を被覆する電気絶縁層とを有し、該電気絶縁層は金属基板側から下地絶縁層と表面絶縁層とが積層されたものであり、前記下地絶縁層は酸化アルミニウム膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲であり、前記表面絶縁層は無機酸化物膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲であることを特徴とする発光ダイオード搭載用基板。
【請求項２】
前記表面絶縁層は酸化アルミニウム膜あるいは酸化珪素膜であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード搭載用基板。
【請求項３】
Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板を加熱して、該金属基板の表面に厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲である酸化アルミニウム膜を成膜して下地絶縁層とし、該下地絶縁層上にパーヒドロポリシラザン溶液を塗布した後、焼成して、厚みが０．３〜１μｍの範囲である酸化珪素膜を成膜して表面絶縁層とすることにより、前記下地絶縁層と前記表面絶縁層とからなる電気絶縁層を形成することを特徴とする発光ダイオード搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板を加熱して、該金属基板の表面に厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲である酸化アルミニウム膜を成膜して下地絶縁層とし、該下地絶縁層上にゾルゲル法で厚みが０．３〜１μｍの範囲である無機酸化物膜を成膜して表面絶縁層とすることにより、前記下地絶縁層と前記表面絶縁層とからなる電気絶縁層を形成することを特徴とする発光ダイオード搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード搭載用基板に係り、特に放熱性に優れた発光ダイオード搭載用基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をするため、赤、緑、青の各発光を組み合わせた表示装置、各種の照明装置、液晶表示装置のバックライト、各種表示板、交通信号機等に使用されている。この発光ダイオードは、発熱量が多く、発熱により発光ダイオードの温度が上昇して発光特性が低下することが知られている。例えば、電気絶縁性を有する基板上に所望の電極パターンを形成し、発光ダイオードを搭載した場合、基板がガラスエポキシ樹脂、アルミナ、セラミックス等のような熱伝導性の悪いものであると、上昇した熱は電極パターンのめっき面を通して放熱されるのみであり、その放熱効果は低く、発光ダイオードの温度上昇の問題が発生する。
このため、基板の裏面側に熱伝導性の良い放熱層を形成し、発光ダイオードで発生した熱を効率的に放熱する構造を備えた発光ダイオード搭載用基板が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１０８５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の発光ダイオード搭載用基板では、発光ダイオードや電極パターンと放熱層との間に熱伝導率が悪いガラスエポキシ樹脂、セラミックス等の電気絶縁性基板が介在しており、このため、発光ダイオードで発生した熱が基板の裏面に設けた放熱層へ伝導し難く、効果的な放熱が行なえないという問題があった。
また、近年の高輝度、高照度等の要求に応じた高出力の発光ダイオードを使用する場合には、電流量が増し、発熱量も大きくなるため、更に放熱性に優れた発光ダイオード搭載用基板が求められている。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、高い電気絶縁性を備えるとともに放熱性に優れた発光ダイオード搭載用基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明の発光ダイオード搭載用基板は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板と、該金属基板を被覆する電気絶縁層とを有し、該電気絶縁層は金属基板側から下地絶縁層と表面絶縁層とが積層されたものであり、前記下地絶縁層は酸化アルミニウム膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲であり、前記表面絶縁層は無機酸化物膜からなり厚みが０．３〜１μｍの範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記表面絶縁層は酸化アルミニウム膜あるいは酸化珪素膜であるような構成とした。
【０００６】
また、本発明の発光ダイオード搭載用基板の製造方法は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板を加熱して、該金属基板の表面に厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲である酸化アルミニウム膜を成膜して下地絶縁層とし、該下地絶縁層上にパーヒドロポリシラザン溶液を塗布した後、焼成して、厚みが０．３〜１μｍの範囲である酸化珪素膜を成膜して表面絶縁層とすることにより、前記下地絶縁層と前記表面絶縁層とからなる電気絶縁層を形成するような構成とした。
【０００７】
また、本発明の発光ダイオード搭載用基板の製造方法は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板を加熱して、該金属基板の表面に厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲である酸化アルミニウム膜を成膜して下地絶縁層とし、該下地絶縁層上にゾルゲル法で厚みが０．３〜１μｍの範囲である無機酸化物膜を成膜して表面絶縁層とすることにより、前記下地絶縁層と前記表面絶縁層とからなる電気絶縁層を形成するような構成とした。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光ダイオード搭載用基板は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板と酸化アルミニウム膜からなる下地絶縁層との密着強度が高く、また、下地絶縁層の表面が適度な粗面であるため表面絶縁層に対してアンカー効果を発現し、下地絶縁層への表面絶縁層の付着力が高いものとなり、このような下地絶縁層と表面絶縁層とが積層されてなる電気絶縁層は金属基板に強固に固着され、例えば、厚み数十μｍの電極パターン等が形成されても、その応力による電気絶縁層の剥離、欠損等が防止され優れた電気絶縁性を発現するとともに、電気絶縁層の厚みは最大で２μｍであるため、基板全体の熱伝導性はＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板と同様に良好なものであり、発光ダイオードや電極パターンと発光ダイオード搭載用基板とを熱伝導状態に接続することができ、発光ダイオードで発生した熱は基板全体で効率良く放熱される。
【０００９】
また、本発明の発光ダイオード搭載用基板の製造方法では、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板を加熱して酸化アルミニウム膜からなる下地絶縁層を成膜しており、この酸化アルミニウム膜は金属基板内部から析出したものであるため、金属基板との密着強度が高く、また、この下地絶縁層の表面は適度の粗さを有するので、表面絶縁層に対してアンカー効果を発現して高い付着力を得ることができ、電気絶縁層が金属基板に強固に固着され、さらに、電気絶縁層の厚みが最大で２μｍであるため、基板全体の熱伝導性を、熱伝導性が良好なＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板とほぼ同等に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の発光ダイオード搭載用基板を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）モジュールの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオード搭載用基板を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）モジュールの他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
［発光ダイオード搭載用基板］
図１は、本発明の発光ダイオード搭載用基板を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）モジュールの一例を示す概略断面図である。図１に示されるＬＥＤモジュールは、発光ダイオード搭載用基板１上に電極パターン１１が配設され、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２は直接発光ダイオード搭載用基板１に搭載されており、このＬＥＤチップ１２の端子と電極パターンがリード線１３で接続され、これらが封止樹脂１４を封止されている。
また、図２は、本発明の発光ダイオード搭載用基板を用いたＬＥＤモジュールの他の例を示す概略断面図である。図２に示されるＬＥＤモジュールは、発光ダイオード搭載用基板１上に電極パターン２１が配設され、ＬＥＤチップ２２の端子に形成されたバンプ２３を介して電極パターン２１上にＬＥＤチップ２２が搭載されている。また、このＬＥＤチップ２２を被覆するように蛍光体層２４が設けられ、これらが封止樹脂２５で封止され、封止樹脂２５の上面は凸レンズ形状となっている。
【００１２】
本発明の発光ダイオード搭載用基板１は、金属基板２と、この金属基板２を被覆する電気絶縁層３を有し、電気絶縁層３は、金属基板２側から下地絶縁層４と表面絶縁層５とが積層されたものである。
発光ダイオード搭載用基板１を構成する金属基板２は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板であり、例えば、ＳＵＳ４３０系を使用することができ、より具体的にはＹＵＳ２０５（新日鐵（株）製）を使用することができる。この金属基板２は、熱伝導性が良好であり、電気絶縁層３を介してＬＥＤモジュールや電極パターンから金属基板２に伝導された熱は、金属基板の全面に伝導され、電気絶縁層３を介して効率的に外部に放熱される。金属基板２の形状は、発光ダイオード搭載用基板１を用いるＬＥＤモジュールの形状に対応して適宜設定することができ、また、厚みは、例えば、０．１〜１．０ｍｍの範囲で設定することができる。
【００１３】
電気絶縁層３を構成する下地絶縁層４は、酸化アルミニウム膜からなっている。下地絶縁層４の厚みは、０．３〜１μｍ、好ましくは０．５〜０．７μｍの範囲であり、中心線平均粗さ（Ｒａ）は、３００〜５００ｎｍ、好ましくは３５０〜４５０ｎｍの範囲である。下地絶縁層４の厚みが０．３μｍ未満であると、金属基板２と表面絶縁層５との密着性が不十分となり、１μｍを超えると、成膜に要する時間が長くなるとともに、電気絶縁層３の厚みが大きくなり発光ダイオード搭載用基板１全体の熱伝導性を低下させることになり好ましくない。下地絶縁層４の中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００ｎｍ未満であると、表面絶縁層５に対する下地絶縁層４のアンカー効果の発現が不十分であり、中心線平均粗さ（Ｒａ）が５００ｎｍを超えると、下地絶縁層４のアンカー効果の更なる向上はみられず、逆に、下地絶縁層４の成長に伴う酸化アルミニウム膜表面の粗度が大きなものとなり、発光ダイオード搭載用基板の回路形成に支障を来し好ましくない。
【００１４】
ここで、本発明において中心線平均粗さ（Ｒａ）は、プローブ顕微鏡を用いて所定の長さ（例えば、４μｍ）の凹凸を測定することにより得られる。
また、電気絶縁層３を構成する表面絶縁層５は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム等の無機酸化物膜からなっている。この表面絶縁層５の厚みは、０．３〜１μｍ、好ましくは０．３〜０．５μｍの範囲である。表面絶縁層５の厚みが０．３μｍ未満であると、電気絶縁性、機械的強度が不十分となるおそれがあり、また、１μｍを超えると、表面絶縁層５に生じる膜応力により表面絶縁層５に割れ・剥がれ等の不具合が発生するため好ましくない。
【００１５】
このような本発明の発光ダイオード搭載用基板１は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２と酸化アルミニウム膜からなる下地絶縁層４との密着強度が高く、また、下地絶縁層４の表面が適度な粗面であるため表面絶縁層５に対してアンカー効果を発現し、下地絶縁層４への表面絶縁層５の付着力が高いものとなり、このような下地絶縁層４と表面絶縁層５とが積層されてなる電気絶縁層３は金属基板２に強固に固着され、例えば、厚み数十μｍの電極パターン１１，２１が形成されても、その応力による電気絶縁層３の剥離、欠損等が防止され優れた電気絶縁性を発現する。また、電気絶縁層３の厚みは最大で２μｍであるため、発光ダイオード搭載用基板１全体の熱伝導性はＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２と同様に良好なものであり、電極パターン１１，２１やＬＥＤチップ１２，２２と発光ダイオード搭載用基板１とを熱伝導状態に接続することができる。これにより、ＬＥＤチップ１２，２２で発生した熱は、発光ダイオード搭載用基板１全体で効率良く放熱される。
【００１６】
本発明の発光ダイオード搭載用基板の搭載するＬＥＤチップ１２，２２の発光部は、特に制限はなく、例えば、ＩｎＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰとＧａＰまたはＩｎＧａＮとＹＡＧ構造を有する蛍光体からなるＬＥＤ、または、ＩｎＧａＮと蛍光体からなるＬＥＤ、または、ＺｎＳｅからなるＬＥＤ等を挙げることができる。また、これらのＬＥＤにおいて、青色、緑色、黄色、赤色、および白色の発光は、ＩｎＧａＮおよびＡｌＩｎＧａＰとＧａＰのそれぞれのＬＥＤを使用する。また、青色から緑色の波長域の発光は、ＩｎＧａＮのＬＥＤを使用し、黄色から赤色の波長域の発光は、ＡｌＩｎＧａＰとＧａＰのそれぞれのＬＥＤを使用し、赤色から赤外の波長域の発光は、ＧａＰにＺｎをドープしたＬＥＤを使用することができる。
また、本発明の発光ダイオード搭載用基板に形成する電極パターン１１，２１は、Ａｇペースト、Ｃｕペースト等のスクリーン印刷、ＣｕやＡｇ等のめっき成膜、ＡｇやＡｕ等のスパッタリング成膜等のプロセスを用いて形成することができる。
【００１７】
また、このＬＥＤチップ２２を被覆するように形成されている蛍光体層２４は、要求される発光色とＬＥＤチップ２２の発光色とから適宜選択することができる。例えば、ＬＥＤチップ２２が青色発光であり、蛍光体層２４から白色光を得たい場合、（Ｂａ，Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+やＹ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ3+等の黄緑色蛍光体粉末とＳｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+や（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ2+等の赤色蛍光体粉末を分散含有させた透明樹脂を用いて蛍光体層２４を形成することができる。
また、封止樹脂１４，２５は、光透過性が良好で耐熱性に優れた樹脂を使用して形成することができ、例えば、サンユレック（株）製の市販ＬＥＤ用透明封止樹脂（ＮＬＤシリーズ・ＮＬＤ−Ｌシリーズ）等の樹脂を単独で、あるいは、２種以上の組み合わせて使用することができる。
尚、上述の発光ダイオード搭載用基板の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
［発光ダイオード搭載用基板の製造方法］
次に、本発明の発光ダイオード搭載用基板の製造方法の一実施形態を、上述の発光ダイオード搭載用基板１を例として説明する。
本発明では、まず、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２を加熱して、金属基板２の表面に、厚みが０．３〜１μｍの範囲、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００〜５００ｎｍの範囲である下地絶縁層４を形成する。このように形成した下地絶縁層４は、金属基板２に含有されるアルミニウムが加熱酸化を受けて金属基板内部から析出した酸化アルミニウム膜からなる。このため、下地絶縁層４と金属基板２との密着強度が高く、また、この下地絶縁層４の表面は適度の粗さを有するので、後工程で成膜される表面絶縁層５に対してアンカー効果が発現される。
【００１９】
次いで、下地絶縁層４上に厚みが０．３〜１μｍの範囲である無機酸化物膜を成膜して表面絶縁層５とする。これにより、下地絶縁層４と表面絶縁層５とからなる電気絶縁層３を金属基板２に形成する。この表面絶縁層５の形成には、パーヒドロポリシラザン溶液を塗布した後、加水分解で酸化珪素膜を成膜する方法、あるいは、ゾルゲル法で無機酸化物膜を成膜する方法がある。成膜時の塗布方法は、例えば、ディップコート、スピンコート等を用いることができる。また、無機酸化物膜としては、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化珪素膜、酸化ジルコニウム膜等が挙げられる。
【００２０】
このような本発明の発光ダイオード搭載用基板の製造方法では、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２を加熱して酸化アルミニウム膜からなる下地絶縁層４を成膜しており、この酸化アルミニウム膜は金属基板２内部から析出したものであるため、金属基板２との密着強度が高く、また、この下地絶縁層４の表面は適度の粗さを有するので、表面絶縁層５に対してアンカー効果を発現して高い付着力を得ることができる。このため、電気絶縁層３が金属基板２に強固に固着され、さらに、電気絶縁層２の厚みが最大で２μｍであるため、発光ダイオード搭載用基板２全体の熱伝導性を、熱伝導性が良好なＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼板からなる金属基板２とほぼ同等に維持することができる。
尚、上述の発光ダイオード搭載用基板の製造方法の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００２１】
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
金属基板として厚み０．２ｍｍのＳＵＳ４３０基板（新日鐵（株）製  ＹＵＳ２０５  （２５ｍｍ×２５ｍｍ））を準備し、この金属基板を大気中で加熱（１０５０℃、５時間）した。その後、この金属基板の断面をＦＩＢで分析した結果、酸化アルミニウム膜からなる下地絶縁層（厚み０．７μｍ）が形成されていることが確認された。また、この下地絶縁層の中心線平均粗さ（Ｒａ）を下記の測定方法で測定した結果、４００ｎｍであった。
（中心線平均粗さ（Ｒａ）の測定方法）
プローブ顕微鏡（セイコーインスツルメンツ（株）製  ナノピクス２１００）を
使用し、測定長：４μｍでの表面凹凸を測定（５回）し、測定結果の平均値から
中心線平均粗さ（Ｒａ）を求める。
【００２２】
次に、パーヒドロポリシラザン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアル（株）製  ＮＬ３２０Ａを５重量％含有した溶液）を、ディップコートにより上記の下地絶縁層上に塗布し、室温で乾燥してゲルに転換した後、大気中で４００℃、６０分間の焼成を施して、酸化珪素膜からなる表面絶縁層（厚み０．７μｍ）を成膜した。これにより、下地絶縁層と表面絶縁層からなる積層構造の電気絶縁層を形成し、発光ダイオード搭載用基板を得た。
【００２３】
［実施例２］
金属基板の加熱条件を１０００℃、５時間として、厚み０．３μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００ｎｍの下地絶縁層を成膜し、また、塗布量を調整して、厚み０．３μｍの表面絶縁層を成膜して電気絶縁層を形成した他は、実施例１と同様にして、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２４】
［実施例３］
金属基板の加熱条件を１１００℃、５時間として、厚み１．０μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）が５００ｎｍの下地絶縁層を成膜し、また、塗布量を調整して、厚み１．０μｍの表面絶縁層を成膜して電気絶縁層を形成した他は、実施例１と同様にして、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２５】
［比較例１］
厚み１．０ｍｍのガラスエポキシ樹脂基板（エイト工業（株）製  ＦＲ−４リジッド基板（２５ｍｍ×２５ｍｍ））を準備し、この基板の一方の面に、スパッタリングにより放熱層としてＡｌ層（厚み０．５μｍ）を形成し、このＡｌ層を放熱層とした発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２６】
［比較例２］
厚み０．２ｍｍのアルミナ樹脂基板（エイト工業（株）製  アルミナ９９．５％アルミナセラミックス基板（２５ｍｍ×２５ｍｍ））を準備し、この基板の一方の面に、スパッタリングにより放熱層としてＡｌ層（厚み０．５μｍ）を形成し、このＡｌ層を放熱層とした発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２７】
［比較例３］
金属基板の加熱条件を９００℃、５時間として、厚み０．２μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２５０ｎｍの下地絶縁層を成膜した他は、実施例１と同様に電気絶縁層を形成して、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２８】
［比較例４］
塗布量を調整して、厚み０．２μｍの表面絶縁層を成膜した他は、実施例１と同様に電気絶縁層を形成して、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００２９】
［比較例５］
金属基板の加熱条件を１１００℃、５時間として、厚み１．０μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）が５００ｎｍの酸化アルミニウム膜を成膜し、電気絶縁層をこの酸化アルミニウム膜のみからなるものとした他は、実施例１と同様にして、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００３０】
［比較例６］
金属基板上に実施例１のパーヒドロポリシラザン溶液を直接塗布し、実施例１と同様の条件で乾燥、加水分解処理を施して、厚み１．５μｍの酸化珪素膜を成膜し、電気絶縁層をこの酸化珪素膜のみからなるものとした他は、実施例１と同様にして、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００３１】
［比較例７］
金属基板上にスパッタリング法により厚み１．５μｍの酸化アルミニウム膜を成膜し、電気絶縁層をこの酸化アルミニウム膜のみからなるものとした他は、実施例１と同様にして、発光ダイオード搭載用基板を作製した。
【００３２】
［評  価］
上述のように作製した各発光ダイオード搭載用基板の１つの面、比較例１で作製した発光ダイオード搭載用基板ではＡｌ層の形成されていない面に、４個の電極（１１．５ｍｍ×７．５ｍｍ）と、各電極に接続された配線からなる電極パターンを、Ａｇペーストのスクリーン印刷プロセスにより形成した。この電極パターンの厚みは２０μｍとした。
次に、ＬＥＤチップ（日亜化学（株）製  ＬＸＫ２−ＰＷＣ４−０１６０）を発光ダイオード搭載用基板上に直接搭載するとともに、ＬＥＤチップの端子と４個の電極をリード線（金線）で接続してＬＥＤモジュールを得た。
このＬＥＤモジュールに１．５Ａの電流を通電し、１時間後のＬＥＤチップの温度を熱電対で測定し、結果を下記の表１に示した。
【００３３】
さらに、この発光ダイオード搭載用基板を構成する電気絶縁層について、下記の条件でリーク電流を測定し、結果を下記の表１に示した。
（リーク電流の測定方法）
基板上（比較例１で作製した発光ダイオード搭載用基板ではＡｌ層の形成されて
いない面）上に１辺が１ｍｍの正方形の電極を上記の電極パターン形成と同様に
して形成し、電気絶縁層（比較例１で作製した発光ダイオード搭載用基板ではガ
ラスエポキシ樹脂基板）と電極間に３０Ｖと１００Ｖを印加した際に流れる電流
密度（Ａ／ｍｍ2）をそれぞれ測定する。
【００３４】
【表１】
2010287753.tif 000003
【００３５】
表１に示されるように、本発明の発光ダイオード搭載用基板である実施例１〜３では、放熱性に優れるとともに、電気絶縁層のリーク電流も小さいことが確認された。
これに対して、ガラスエポキシ樹脂基板とＡｌ層との積層構造からなる発光ダイオード搭載用基板（比較例１）、および、アルミナ基板とＡｌ層との積層構造からなる発光ダイオード搭載用基板（比較例２）は、リーク電流は小さいものの、放熱性が悪くＬＥＤチップが高温の曝され、実用に供し得ないものであった。
また、下地絶縁層の厚みが０．３μｍ未満で、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３００ｎｍ未満である比較例３は、放熱性に優れ、電気絶縁層のリーク電流も小さいが、下地絶縁層と表面絶縁層の界面にヒートサイクルに由来すると思われる微小剥離が発生した。
【００３６】
また、表面絶縁層の厚みが０．３μｍ未満である比較例４は、放熱性に優れ、電気絶縁性も使用上問題のないレベルではあるが、塗布膜厚の不足によりリーク電流が若干増加した。
また、金属基板を熱酸化して形成した酸化アルミニウム膜のみからなる電気絶縁層を備えた比較例５は、絶縁信頼性が不十分であった。
また、パーヒドロポリシラザンの加水分解で形成した酸化珪素膜のみからなる電気絶縁層を備えた比較例６は、絶縁信頼性が不十分であった。
さらに、スパッタリング法で成膜した酸化アルミニウムのみからなる電気絶縁層を備えた比較例７は、絶縁信頼性が不十分であった。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、発光ダイオードを使用する種々の装置、機器の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１…発光ダイオード搭載用基板
２…金属基板
３…電気絶縁層
４…下地絶縁層
５…表面絶縁層
【図１】
2010287753.tif 000004
【図２】
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