(57)【要約】【課題】耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させること。【解決手段】配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された耐薬品性層２と、耐薬品性層２の上に形成された導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、導体層３２を含んでいる。プローブカード用基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された耐薬品性層２と、耐薬品性層２の上に形成されている導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、導体層３２を含んでいるとともに、接触子４に電気的に接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層と、
導体層を含んでおり、前記耐薬品性層の上に形成された導体パターンと、
を備えた配線基板。
【請求項２】
前記導体パターンが、前記絶縁層と前記導体層との間に設けられた介在層をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁層に埋設されているとともに、前記耐薬品性層と前記絶縁層との間に設けられた介在層をさらに備えた請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記導体パターンが、前記導体層を覆っている被覆層を含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
前記被覆層の端部が、前記耐薬品性層に接しているとともに、前記導体パターンの幅方向に延在していることを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層と、
導体層を含んでおり、前記耐薬品性層の上に形成されているとともに、接触子に電気的に接続される導体パターンと、
を備えたプローブカード用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプローブカードに用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、絶縁層の表面に形成された導体パターンを有している。例示的な導体パターンは、例えば、実質的に銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなる導体層を含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、例えば半導体ウエハに接触する接触子を形成するための薬品処理が施されることがある。この薬品処理の際に、配線基板の表面に形成された導体パターンが劣化する可能性がある。一方で、配線基板は、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して改善される必要がある。このように、配線基板は、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層と、耐薬品性層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、導体層を含んでいる。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層と、耐薬品性層の上に形成されている導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、導体層を含んでいるとともに、接触子に電気的に接続される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層の表面部分に埋設された耐薬品性層を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一つの実施形態における配線基板を示している。
【図２】図１に示された耐薬品性層２の形成領域を示している。
【図３】図１に示された耐薬品性層２の例示的な形成方法を示している。
【図４】耐薬品性層２の例示的な形成方法を模式的に示している。
【図５】図１に示された配線基板の例示的な製造方法を示している。
【図６】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図７】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図８】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図９】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１に示されているように、本発明の一つの実施形態における配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された耐薬品性層２と、耐薬品性層２の上に形成された複数の導体パターン３とを含んでいる。配線基板の例示的な用途は、プローブカード用基板である。配線基板は、複数の導体パターン３に電気的に接続された複数の接触子４を含んでいる。
【００１２】
例示的な絶縁層１は、実質的にセラミックスからなる。他の例示的な絶縁層１は、実質的に樹脂からなる。
【００１３】
耐薬品性層２は、絶縁層１の表面部分に埋設されている。層２の“耐薬品性”とは、例えば接触子４を形成する際に用いられる薬品に関して、導体層３２に比べて化学的な反応が起こりにくいことをいう。例示的な薬品は、強アルカリ性水溶液である。強アルカリ性水溶液の例は、水酸化ナトリウム水溶液である。他の例示的な薬品は、強酸溶液である。強酸溶液の例は、硝酸溶液または塩酸である。他の例示的な薬品は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液、アンモニア過水またはテトラ‐メチル‐アンモニウム‐ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液である。例示的な耐薬品性層２２は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。プローブカード用基板は、耐薬品性層２１を含んでいることにより、薬品による導体層３２の劣化に関して低減されている。
【００１４】
本実施形態の配線基板は、耐薬品性層２が絶縁層１に埋設されていることにより、導体パターン３の形成の精度に関して改善されている。
【００１５】
図２に示されているように、耐薬品性層２の外側縁は、導体パターン３の形成領域の外側に位置している。耐薬品性層２の内側縁は、導体パターン３の形成領域の内側に位置している。図２において、耐薬品性層２の内側縁は、導体パターン３を透視した状態で、破線によって示されている。
【００１６】
導体パターン３は、絶縁層１および耐薬品性層２の上に形成された介在層３１と、介在層３１の上に形成された導体層３２とを含んでいる。導体パターン３は、導体層３２の上に形成された第１被覆層３３と、第１被覆層３３の上に形成された第２被覆層３４とをさらに含んでいる。
【００１７】
介在層３１は、耐薬品性層２が形成されている領域の内側において絶縁層１に接している。“介在”とは、絶縁層１と導体層３２との間に設けられていることをいう。介在層３１は、導体パターン３の絶縁層１に対する接合強度を向上させることを目的に設けられている。介在層３１は、耐薬品性層２の上面の一部分に接しており、耐薬品性層２を部分的に覆っている。例示的な介在層３１は、実質的にチタン（Ｔｉ）からなる。他の例示的な介在層３１は、実質的にクロム（Ｃｒ）からなる。他の例示的な介在層３１は、実質的にタングステン（Ｗ）からなる。
【００１８】
導体層３２の端部は、耐薬品性層２の上方に位置している。例示的な導体層３２は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。他の例示的な導体層３２は、実質的に銀（Ａｇ）からなる。
【００１９】
第１被覆層３３は、導体層３２の上面と側面とに接しており、導体層３２を覆っている。第１被覆層３３の端部は、耐薬品性層２の上面と介在層３１の側面とに接している。例示的な第１被覆層３３は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。本実施形態の配線基板は、第１被覆層３３の端部が耐薬品性層２に接していることにより、導体パターン３の耐薬品性に関して改善されている。
【００２０】
第２被覆層３４は、第１被覆層３３の上面と側面とに接しており、第１被覆層３３を覆っている。第２被覆層３４の端部は、耐薬品性層２の上面に接している。例示的な第２被覆層３４は、実質的に金（Ａｕ）からなる。本実施形態の配線基板は、第２被覆層３４の端部が耐薬品性層２に接していることにより、導体パターン３の耐薬品性に関して改善されている。
【００２１】
本実施形態における配線基板は、絶縁層１の表面部分に埋設された耐薬品性層２を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層１に対する導体パターン２の密着強度に関して向上されている。
【００２２】
以下、配線基板の例示的な製造方法について説明する。配線基板の製造方法は、耐薬品性層２を形成する工程と、導体パターン３を形成する工程とを含んでいる。
【００２３】
耐薬品性層２の例示的な形成方法は、図３に示されているように、工程３０２および工程３０４を含んでいる。工程３０２は、下地層２１を形成することである。図４に示されているように、下地層２１は、絶縁層１の表面部分の凹部１１の底面に形成される。下地層２１の例示的な形成方法は、無電解メッキである。下地層２１の他の例示的な形成方法は、スパッタリングである。工程３０４は、上層２２を形成することである。上層２２は、凹部１１において下地層２１の上に形成される。上層２２の例示的な形成方法は、電解メッキである。
【００２４】
導体パターン３を形成する工程は、図５に示されているように、工程５０２から工程５０８までを含んでいる。
【００２５】
工程５０２は、絶縁層１の上と耐薬品性層２の一部の領域の上に、介在層３１を形成することである。介在層３１の例示的な形成方法は、スパッタリングである。介在層３１の他の例示的な形成方法は、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）である。
【００２６】
工程５０４は、介在層３１の上に導体層３２を形成することである。導体層３２の例示的な形成方法は、電解メッキまたはスパッタリングである。
【００２７】
工程５０６は、導体層３２の上に第１被覆層３３を形成することである。第１被覆層３３の例示的な形成方法は、電解メッキである。第１被覆層３３の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２８】
工程５０８は、第１被覆層３３の上に第２被覆層３４を形成することである。第２被覆層３３の例示的な形成方法は、電解メッキである。第２被覆層３４の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２９】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図６に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる点は、耐薬品性層２の形成領域である。その他の構成は、図１に示された配線基板の構成と同様である。
【００３０】
耐薬品性層２の外側縁は、導体パターン３の形成領域の内側に位置している。従って、本実施形態の配線基板は、配線の微細化に関して改善されている。
【００３１】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図７に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる点は、第１被覆層３３の端部および第２被覆層３４の端部の構造である。その他の構成は、図１に示された配線基板の構成と同様である。
【００３２】
第１被覆層３３の端部は、導体パターン３の幅方向３００に延在している。従って、本実施形態の配線基板は、耐薬品性層２と第１被覆層３３との接合強度に関して改善されている。配線基板は、耐薬品性に関して改善されている。本実施形態の配線基板は、絶縁層１と導体層３２との熱膨張率差による導体パターン３の剥離に関して低減されている。
【００３３】
第２被覆層３４の端部は、導体パターン３の幅方向３００に延在している。従って、本実施形態の配線基板は、耐薬品性に関して改善されている。
【００３４】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図８に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる点は、耐薬品性層２の形成領域である。
【００３５】
耐薬品性層２は、導体パターン３の形成領域において全面的に設けられている。従って、本実施形態の配線基板は、耐薬品性に関して改善されている。耐薬品性層２は、絶縁層１に埋設されている。従って、本実施形態の配線基板は、導体パターン３の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。
【００３６】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図９に示されているように、本実施形態において図８に示された配線基板と異なる点は、耐薬品性層２の形状と、介在層５である。
【００３７】
耐薬品性層２は、絶縁層１の内部方向１００に向かって広がった形状を有している。従って、本実施形態の配線基板は、耐薬品性層２の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。
【００３８】
配線基板は、耐薬品性層２と絶縁層１の間に設けられた介在層５をさらに含んでいる。介在層５は、耐薬品性層２の絶縁層１に対する接合強度を向上させることを目的に設けられている。介在層３１は、耐薬品性層２の上面の一部分に接しており、耐薬品性層２を部分的に覆っている。例示的な介在層３１は、実質的にチタン（Ｔｉ）からなる。他の例示的な介在層３１は、実質的にクロム（Ｃｒ）からなる。他の例示的な介在層３１は、実質的にタングステン（Ｗ）からなる。本実施形態の配線基板は、介在層５を含んでいることにより、耐薬品性層２の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。
【符号の説明】
【００３９】
１  絶縁層
２  耐薬品性層
３  導体パターン
３１  介在層
３２  導体層
３３  第１被覆層
３４  第２被覆層
４  接触子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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