(57)【要約】【課題】従来装置に比べて、より小型軽量化を図ることができるガス供給装置を提供する。【解決手段】プロセスガス流入路２６ａ、Ｖ字流路２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ、２６ｇ、パージガス流入路２６ｆが内部に形成された流路ブロック１と、弁座に対して弁体を着座又は退座させることにより各流路を開閉する手動弁５、圧力調整弁６、逆止弁８、三方弁９等とを備え、流路ブロック１に各弁装置を流路に沿って搭載し、各弁装置の弁座２１ｂ，２２ｂ，２４ｂ，２５ｂを各流路の途中に備える。【選択図】図１
2010084854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にガスの流路が形成された流路ブロックと、弁座に対して弁体を着座又は退座させることにより前記流路を開閉する複数の弁装置とを備え、前記流路ブロックに前記弁装置を複数装備してなるガス供給装置であって、前記弁座を前記流路の途中に備えることを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記弁装置は、
前記弁体を弁座に対して着座又は退座させる弁駆動部材と、
該弁駆動部材を収容する円筒状の収容体と、
該収容体の外周に形成された雄ねじと
を備え、
前記流路ブロックは、
前記収容体の雄ねじが螺合する雌ねじを内周面に有しており、前記流路に連通する収容体螺嵌凹部を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記流路ブロックは、
前記複数の弁装置が搭載された第１流路ブロックと、
該第１流路ブロックの下流側に着脱自在に接続された第２流路ブロックと
を備え、
更に、前記第２流路ブロックに搭載されており、ガスの流量を制御する流量制御装置を備える
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記第２流路ブロックは、
前記第１流路ブロックから流入したガスが通流する主流路と、
該主流路の途中で分岐した第１分岐路と、
前記主流路の途中であって、前記第１分岐路よりも下流側で分岐した第２分岐路と、
前記主流路の前記第１及び第２分岐路間に内嵌しており、前記主流路に流入したガスを整流させる整流部材と
を備え、
前記流量制御装置は、
前記第１分岐路及び第２分岐路に接続された通流管と、
該通流管を通流したガスの流量を検出する流量検出手段と、
ガスの流量を制御するための制御弁を、該流量検出手段の検出結果に応じて前記主流路に対して移動させる制御弁駆動手段と
を備えることを特徴とする請求項３に記載のガス供給装置。
【請求項５】
前記流路ブロックに搭載されており、前記流路を通流するガスの圧力を検出する圧力検出部を収容した検出部収容体を有する圧力検出装置を備え、
該圧力検出装置は、
前記検出部収容体の外周に形成された雄ねじを備え、
前記流路ブロックは、
前記検出部収容体の雄ねじが螺合する雌ねじを内周面に有しており、前記流路に連通する検出部収容体螺嵌凹部を備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載のガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程で使用されるプロセスガス、パージガス等の供給を行うガス供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等の半導体製造装置には、ガス供給装置が設けられている。ガス供給装置は、エッチング、化学蒸着等の半導体製造工程に必要なプロセスガスを半導体製造装置へ供給し、半導体製造装置はプロセスガスを用いてエッチング、化学蒸着等の半導体製造処理を実行する。また、ガス供給装置は、窒素ガス等のパージガスを半導体製造装置へ供給することによって、腐食性及び毒性を有するプロセスガスの排気処理を行う。
【０００３】
図６は、従来のガス供給装置の構成を模式的に示す側面図である。ガス供給装置は、プレフィルタ１０４、手動弁１０５、圧力調整弁１０６、圧力検出装置１０７、逆止弁１０８，三方弁１０９、及びマスフローコントローラ１１０を、上流側（図の左側）から順に並設したプロセスガス供給ラインを備えている。手動弁１０５、圧力調整弁１０６、圧力検出装置１０７、三方弁１０９、及びマスフローコントローラ１１０は、夫々ユニット化されており、各ユニットは支持脚を兼ねる複数の継手ブロック２ａ〜２ｆにより相互に連結されている。継手ブロック２ａ〜２ｆの内部にはＶ字状の流路が形成されており、該流路によって隣り合う各ユニットが連通するように構成されている。
【０００４】
図６に示したガス供給装置においては、最上流のプレフィルタ１０４を経て供給されるプロセスガスは、手動弁１０５が開放されている場合、圧力調整弁１０６によって調圧され、圧力検出装置１０７を経て三方弁１０９に達し、該三方弁１０９の動作により、マスフローコントローラ１１０を経て最下流に設けた継手２ｆから図示しない半導体製造装置へ送り出される。また、三方弁１０９の切り替えによって、図示しないパージガス供給ラインから三方弁１０９に達したパージガスはマスフローコントローラ１１０を経て半導体製造装置へ送り出される。
【０００５】
一方、特許文献１には、図６に示した継手ブロック２ａ〜２ｆを一体成形した流路ブロックを備え、該流路ブロックに各種弁装置を搭載したガス供給装置が開示されている。特許文献１によれば、ガス供給装置を小型及び軽量化することができる。
【特許文献１】特開２００１−２２７６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に係るガス供給装置においては、ユニット化された各種弁装置を流路ブロックに搭載する構成であるため、依然として弁装置と、流路ブロックとの接続部分に構成部材の無駄が発生していた。つまり、弁装置は、流路ブロックを通流するガスを弁装置内部に引き込むための流入路及び流出路を備える必要があった。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、流路を開閉するための弁体が着座又は退座する弁座を、流路ブロックに形成された流路の途中に備えることにより、流路ブロックからガスを弁装置へ引き込むための構成部分を廃し、従来装置に比べて、より小型軽量化を図ることができるガス供給装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るガス供給装置は、内部にガスの流路が形成された流路ブロックと、弁座に対して弁体を着座又は退座させることにより前記流路を開閉する複数の弁装置とを備え、前記流路ブロックに前記弁装置を複数装備してなるガス供給装置であって、前記弁座を前記流路の途中に備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明にあっては、流路ブロックに形成された流路の途中に弁座が設けられており、流路ブロックに搭載された複数の弁装置は、該弁座に対して弁体を着座又は退座させることによって、流路を開閉する。従って、流路を通流するガスの流れを直接的に制御することができる。よって、流路ブロックに搭載された弁装置の内部へガスを引き込む流路が不要になる。
【００１０】
本発明に係るガス供給装置は、前記弁装置は、前記弁体を弁座に対して着座又は退座させる弁駆動部材と、該弁駆動部材を収容する円筒状の収容体と、該収容体の外周に形成された雄ねじとを備え、前記流路ブロックは、前記収容体の雄ねじが螺合する雌ねじを内周面に有しており、前記流路に連通する収容体螺嵌凹部を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、流路ブロックに形成された収容体螺嵌凹部に、弁装置の収容体が螺嵌している。従って、本発明に係るガス供給装置は、流路ブロックの外部に弁装置を載置する従来のガス供給装置に比べて、小型である。
【００１２】
本発明に係るガス供給装置は、前記流路ブロックは、前記複数の弁装置が搭載された第１流路ブロックと、該第１流路ブロックの下流側に着脱自在に接続された第２流路ブロックとを備え、更に、前記第２流路ブロックに搭載されており、ガスの流量を制御する流量制御装置を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明にあっては、複数の弁装置が搭載された第１流路ブロックと、流量制御装置が搭載された第２流路ブロックとを分離することができる。分離することによって、第１流路ブロック及び第２流路ブロックの接続部分を開放し、流量制御装置に係る各種部品の取り付け、交換等が可能になる。
【００１４】
本発明に係るガス供給装置は、前記第２流路ブロックは、前記第１流路ブロックから流入したガスが通流する主流路と、該主流路の途中で分岐した第１分岐路と、前記主流路の途中であって、前記第１分岐路よりも下流側で分岐した第２分岐路と、前記主流路の前記第１及び第２分岐路間に内嵌しており、前記主流路に流入したガスを整流させる整流部材とを備え、前記流量制御装置は、前記第１分岐路及び第２分岐路に接続された通流管と、該通流管を通流したガスの流量を検出する流量検出手段と、ガスの流量を制御するための制御弁を、該流量検出手段の検出結果に応じて前記主流路に対して移動させる制御弁駆動手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明にあっては、第１流路ブロックから第２流路ブロックの主流路にガスが流入する。主流路に流入したガスの一部は第１分岐路から流量制御装置の通流管へ流入し、通流管を通流したガスは、第２分岐路を通じて再び主流路へ流入する。流量制御装置が備える流量検出手段は通流管を通流したガスの流量を検出し、制御弁駆動手段は、流量検出手段の検出結果に基づいて制御弁を主流路に対して移動させることによって流量を制御する。主流路を通流するガスの流量を直接制御するように構成されているため、従来のように流路ブロックから流量制御装置へガスを引き込み、該流量制御装置内部でガスの分流、流量検出及び流量制御を行う構成に比べて、必要な構成部材が削減される。
【００１６】
本発明に係るガス供給装置は、前記流路ブロックに搭載されており、前記流路を通流するガスの圧力を検出する圧力検出部を収容した検出部収容体を有する圧力検出装置を備え、該圧力検出装置は、前記検出部収容体の外周に形成された雄ねじを備え、前記流路ブロックは、前記検出部収容体の雄ねじが螺合する雌ねじを内周面に有しており、前記流路に連通する検出部収容体螺嵌凹部を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明にあっては、流路ブロックに形成された検出部収容体螺嵌凹部に、圧力検出装置の検出部収容体が螺嵌している。従って、本発明に係るガス供給装置は、流路ブロックの外部に圧力検出装置を載置する従来のガス供給装置に比べて、小型である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、流路ブロックからガスを弁装置へ引き込むための構成部分を廃し、従来のガス供給装置に比べて、ガス供給装置をより小型化し、軽量化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
図１は、本発明の実施の形態に係るガス供給装置の構成を模式的に示す分解側断面図、図２は、ガス供給装置の構成を模式的に示す側断面図である。本発明の実施の形態に係るガス供給装置は、いわゆるサーフェスマウント型の集積化ガス供給システムを構成する流路ブロック１を備えており、流路ブロック１の下流側（図１中右側）には、図示しないＣＶＤ、スパッタリング装置、プラズマエッチング装置等の半導体デバイス製造装置が配管接続され、流路ブロック１の上流側（図１中左側）にはプロセスガスを供給するプロセスガス供給源が配管接続されている。
【００２０】
流路ブロック１は、上流側から順に、プレフィルタ４、手動弁５、圧力調整弁６、圧力検出装置７、逆止弁８及び三方弁９が搭載された第１流路ブロック２と、第１流路ブロック２の下流側にボルトで着脱自在に接続された第２流路ブロック３とで構成され、第２流路ブロック３には、ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（流量制御装置）１０が搭載されている。なお、手動弁５、圧力調整弁６、逆止弁８及び三方弁９は、複数の弁装置を構成している。
【００２１】
第１流路ブロック２は略直方体形状をなし、設置されるべき略長方形の設置面と、設置面長辺側の正面部及び背面部と、設置面短辺側に設けられた上流側側面部及び下流側側面部と、設置面に略平行な上面部とを有する。第１流路ブロック２は、内周面に雌ねじ２１ａを形成した平面視円形状の収容体螺嵌凹部２１を上面部に有し、収容体螺嵌凹部２１には手動弁５が螺嵌している。また、収容体螺嵌凹部２１と同様、圧力調整弁６螺嵌用の収容体螺嵌凹部２２、圧力検出装置７螺嵌用の収容体螺嵌凹部（検出部収容体螺嵌凹部）２３、逆止弁８螺嵌用の収容体螺嵌凹部２４、及び三方弁９螺嵌用の収容体螺嵌凹部２５が、上面部の収容体螺嵌凹部２１より下流側にこの順で並設されており、各収容体螺嵌凹部２２，２３，２４，２５の内周面には雌ねじ２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが形成され、圧力調整弁６、圧力検出装置７、逆止弁８及び三方弁９が夫々螺嵌している。
【００２２】
上流側側面部には、プロセスガスをブロック内に流入させるための入力ポートが突設されており、入力ポートにはプレフィルタ４が挿嵌されている。第１流路ブロック２の内部には、該入力ポート及び収容体螺嵌凹部２１を連通し、プロセスガスを収容体螺嵌凹部２１へ流入させるプロセスガス流入路２６ａが形成されている。また、第１流路ブロック２の内部には、隣り合う各収容体螺嵌凹部２１，２２，２３，２４，２５を連通させるＶ字流路２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅと、パージガス供給源及び収容体螺嵌凹部２５を連通させ、パージガスを収容体螺嵌凹部２５に流入させるパージガス流入路２６ｆとが形成されている。更に、下流側側面部には、第１流路ブロック２から第２流路ブロック３へプロセスガス又はパージガスを流出させるための流出口が形成されており、第１流路ブロック２の内部には、該流出口及び収容体螺嵌凹部２５を連通し、プロセスガス又はパージガスを流出させるためのＶ字流路２６ｇが形成されている。
更にまた、第１流路ブロック２は、第２流路ブロック３に接続するためのボルトの頭が上下方向から挿嵌する平面視又は底面視略Ｔ字状のボルト挿嵌凹部２７が適宜箇所に形成されている。なお、第１流路ブロック２の各種流路、凹部等は、ＮＣ旋盤等を用いた自動加工によって形成すると良い。
【００２３】
図３は、第１流路ブロック２に搭載された手動弁５、逆止弁８及び三方弁９の構成を模式的に示す側断面図である。手動弁５は、図示しないねじ機構及び該ねじ機構によって上下方向に進退動作する棒状の弁駆動部材５２を収容すると共に、弁室を構成する円筒状の収容体５１を備える。収容体５１の外周面には収容体螺嵌凹部２１に螺合する雄ねじ５１ａが形成されている。弁駆動部材５２の下端には弁体５２ａが形成されており、弁体５２ａは付勢バネ５３によって上方へ付勢されている。また、手動弁５は、ねじ機構に駆動力を与え、弁体５２ａを上下動させる操作部５６を収容体５１の上部に備える。
【００２４】
収容体螺嵌凹部２１の底面略中央部にはプロセスガス流入路２６ａが連通した孔部が形成されており、該孔部の周縁には弁座２１ｂが設けられている。弁座２１ｂは、テフロン（登録商標）製であり、前記孔部の内周縁に形成された段部に嵌合している。なお、弁座２１ｂは着脱が可能である。また、収容体螺嵌凹部２１の底面であって、弁座２１ｂよりも外側部分にはＶ字流路２６ｂが連通している。更に、収容体螺嵌凹部２１の底部には、ダイヤフラム５５と、ダイヤフラム押さえ５４とが内嵌している。ダイヤフラム５５は、収容体螺嵌凹部２１に螺嵌した収容体５１によって挾持され、ねじ機構の動作によって進出した弁体５２ａが、ダイヤフラム５５を弁座２１ｂに押しつけることによって、プロセスガス流入路２６ａを閉止するように構成されている。
【００２５】
逆止弁８は、手動弁５と同様の構成であり、空気圧アクチュエータによって上下方向に進退動作する棒状の弁駆動部材８２を収容すると共に、弁室を構成する円筒状の収容体８１を備える。また、収容体８１の外周面には収容体螺嵌凹部２４に螺合する雄ねじ８１ａが形成されている。弁駆動部材８２の下端には弁体８２ａが形成されており、弁体８２ａは付勢バネ８３によって上方へ付勢されている。
【００２６】
収容体螺嵌凹部２４の底面略中央部には、収容体螺嵌凹部２１と同様、Ｖ字流路２６ｄが連通した孔部が形成されており、該孔部の周縁には弁座２４ｂが設けられている。弁座２４ｂは、弁座２１ｂと同様の構成であり、前記孔部の内周縁に形成された段部に嵌合している。また、収容体螺嵌凹部２４の底面であって、弁座２４ｂよりも外側部分にはＶ字流路２６ｅが連通した孔部が形成されている。更に、収容体螺嵌凹部２４の底部には、ダイヤフラム８５と、ダイヤフラム押さえ８４とが内嵌し、ダイヤフラム８５は、収容体螺嵌凹部２４に螺嵌した収容体８１によって挾持されている。
【００２７】
三方弁９は、逆止弁８と同様、空気圧アクチュエータによって上下方向に進退動作する棒状の弁駆動部材９２を収容すると共に、弁室を構成する円筒状の収容体９１を備え、収容体９１の外周面には収容体螺嵌凹部２５に螺合する雄ねじ９１ａが形成されている。弁駆動部材９２の下端には弁体９２ａが形成されており、弁体９２ａは付勢バネ９３によって上方へ付勢されている。
【００２８】
収容体螺嵌凹部２５の底面略中央部には、パージガス流入路２６ｆが連通した孔部が形成されており、該孔部の周縁には弁座２５ｂが設けられている。弁座２５ｂは、弁座２１ｂと同様の構成であり、前記孔部の内周縁に形成された段部に嵌合している。また、収容体螺嵌凹部２５の底面であって、弁座２５ｂよりも外側部分にはＶ字流路２６ｅ，２６ｇに夫々連通した孔部が形成されている。更に、収容体螺嵌凹部２５の底部には、ダイヤフラム９５と、ダイヤフラム押さえ９４とが内嵌し、ダイヤフラム９５は、収容体螺嵌凹部２５に螺嵌した収容体９１によって挾持されている。
手動弁５及び逆止弁８が開状態で、弁体９２ａが下方へ進出した場合、Ｖ字流路２６ｅ内のプロセスガスが弁室を兼ねた収容体９１内に導入され、Ｖ字流路２６ｇを通じて、下流側へ供給される。逆止弁８が閉状態、つまり弁体８２ａが上方へ後退した場合、Ｖ字流路２６ｅ、２６ｇ及びパージガス流入路２６ｆが連通状態になり、パージガス流入路２６ｆ内のパージガスが収容体９１内に導入される。逆止弁８は閉状態にあるため、収容体９１内に導入されたパージガスは上流側に逆流せず、Ｖ字流路２６ｇを通じて、下流側へ供給される。
【００２９】
図４は、第１流路ブロック２に搭載された圧力調整弁６の構成を模式的に示す側断面図である。圧力調整弁６は、ねじ機構によって上下方向に進退動作する弁駆動部材６５を収容する円筒状の上部収容体６２及び下部収容体６１と、弁駆動部材６５を上方へ付勢する付勢バネ６４と、上部収容体６２の上部に設けられた円柱状の操作部６３とを備える。操作部６３は、外周面に雄ねじを有する円筒部材６３ａを下方に突設しており、上部収容体６２の内周面に形成された雌ねじ６２ａに螺合することによってねじ機構を構成している。
下部収容体６１は、上端内周面に形成された段部を有し、弁室を上下に分割するようダイヤフラム６７と、ダイヤフラム押さえ６６とが内嵌し、前記段部に係止されている。上部収容体６２及び下部収容体６１は、夫々外内周面に形成されたねじ部によってねじ止め固定され、ダイヤフラム６７及びダイヤフラム押さえ６６を挾持している。
【００３０】
収容体螺嵌凹部２２は、底面略中央部から上方へ突出しており、内部に弁室２２ｄを有する筒状突出部２２ｃを備える。筒状突出部２２ｃは、先端部に段部を形成しており、該段部には弁座２２ｂが内嵌し、筒状突出部２２ｃの先端部に螺合した圧力調整用のノズル体６８によって挾持されている。弁室２２ｄの内部には、弁座２２ｂに着座又は退座する弁体６９が配されており、該弁体６９は、付勢バネ６９ｂによって上方へ付勢されている。弁体６９は上端から上方へ延設された駆動棒６９ａを有し、駆動棒６９ａは上下方向へ進退動作ができるように、弁座２２ｂ及びノズル体６８に形成された孔部に挿通している。また、弁室２２ｄの底部は、Ｖ字流路２６ｃに連通している。ノズル体６８は、角部が湾曲した中空略円筒状であり、側面にプロセスガスが流入する孔部６８ｂが形成されている。
操作部６３が回動し、ねじ機構によって弁制御部材６５が進出した場合、ダイヤフラム６７は下方に撓み、付勢ばね６９ｂの付勢力に抗して、駆動部６９ａ及び弁体６９は下方へ退出し、弁座２２ｂの流路が拡大する。また、操作部６３が逆方向に回動し、ねじ機構によって弁制御部材６５が後退した場合、駆動部６９ａ及び弁体６９は上方へ進出し、弁座２２ｂの流路が縮小する。このように弁座２２ｂの流路を拡大又は縮小することによって、ガス圧を調整する。
【００３１】
一方、図１及び図２に示す圧力検出装置７は、例えば、ダイヤフラム式の圧力センサである。圧力検出装置７の収容体７１は、収容体７１を上下に隔てる図示しないダイヤフラムを収容しており、該ダイヤフラムは収容体７１に導入されたガスの圧力に応じて上下方向に変形するように構成されている。また、収容体７１は、前記ダイヤフラムの変形を検出するひずみゲージを収容している。該ひずみゲージは、前記ダイヤフラムの変形に応じて電気抵抗が変化する抵抗体であり、圧力検出装置７は、該抵抗体の電気抵抗の変化を検出することによって、圧力を検出する。
【００３２】
図５は、第２流路ブロック３に搭載されたマスフローコントローラ１０の構成を示す模式図である。第２流路ブロック３は、側面視が第１流路ブロック２と略同形の略直方体形状をなしており、設置面、上流側側面部、下流側側面部及び上面部を備える。第２流路ブロック３の内部には、第１流路ブロック２からのプロセスガス又はパージガスが流入し、通流する主流路３１が形成されており、更に主流路３１の途中で上方へ分岐した分岐往路３２と、分岐往路３２よりも下流側で分岐した分岐復路３３とが形成されている。主流路３１の分岐往路３２及び分岐復路３３間には、主流路３１に流入したプロセスガス又はパージガスを整流させるバイパス層流部材（整流部材）３８が内嵌している。また、第２流路ブロック３は、上面部の下流側に平面視円形状の大径凹部３５と、大径凹部３５の底面に形成された小径凹部３６とを備え、大径凹部３５の周面及び主流路３１は連通管３４によって連通している。更に、第２流路ブロック３の下流側側面には、プロセスガス又はパージガスが流出する出力ポートが突出しており、該出力ポート及び小径凹部３６の周面とは流出路３７によって連通している。
更にまた、第２流路ブロック３の上流側側面にはボルト孔３９が設けられており、第１流路ブロック２及び第２流路ブロック３は、ボルトで接続固定されている。
【００３３】
マスフローコントローラ１０は、分岐往路３２及び分岐復路３３に接続された通流管１０ａと、通流管１０ａの上流側及び下流側に巻回された発熱抵抗体１０ｂと、発熱抵抗体１０ｂ及び複数の電気抵抗で構成され、通流管１０ａを通流する質量流量に応じた電圧を出力するブリッジ回路１０ｃと、ブリッジ回路１０ｃから出力された電圧を増幅する増幅回路１０ｄと、増幅回路１０ｄにて増幅された電圧及び設定電圧を比較し、比較結果に比例した電圧を出力する比較制御回路１０ｅと、下端部に制御弁１０ｈが設けられており、比較制御回路１０ｅの比較結果に応じて伸縮する制御弁駆動部材１０ｆと、制御弁１０ｈが配された弁室１０ｇとを備える。弁室１０ｇは、大径凹部３５に内嵌した円柱状の外形部分を有し、弁室１０ｇ内部には連通管３４及び小径凹部３６に連通し、制御弁１０ｈの進退によって、大径凹部３５及び小径凹部３６間の流路面積が変化するように構成されている。なお、発熱抵抗体１０ｂ及びブリッジ回路１０ｃは、流量検出手段として機能し、比較制御回路１０ｅ及び制御弁駆動部材１０ｆは、制御弁駆動手段として機能している。
【００３４】
このように構成されたガス供給装置にあっては、手動弁５、圧力調整弁６、逆止弁８及び三方弁９の機能部品である弁座２１ｂ，２２ｂ，２４ｂ，２５ｂを第１流路ブロックに設けることによって、流路ブロック１からガスを各種弁装置へ引き込むための構成部分を廃し、従来のガス供給装置に比べて、ガス供給装置をより小型化し、軽量化することができる。また、小型軽量化によって、ガス供給装置の製造コストを削減することができる。
【００３５】
また、手動弁５、圧力調整弁６、圧力検出装置７、逆止弁８及び三方弁９を、第１流路ブロック２に螺合することによって、従来のガス供給装置に比べて、ガス供給装置をより小型化することができる。
【００３６】
更に、手動弁５、圧力調整弁６、圧力検出装置７、逆止弁８及び三方弁９を装備した第１流路ブロック２と、マスフローコントローラ１０を装備した第２流路ブロック３とを着脱可能に構成してあるため、流量制御に必要なバイパス層流部材３８を第２流路ブロック３に簡易に組み込むことができる。
更にまた、マスフローコントローラ１０が故障した場合、マスフローコントローラ１０部分を他の弁装置から取り外すことができ、バイパス層流部材３８を含めた保守管理を容易に行うことができる。
【００３７】
なお、本実施の形態では圧力調整弁を備えた構成を例示したが、圧力検出装置の検出結果をマスフローコントローラに与え、該マスフローコントローラが圧力変動の影響を考慮した質量流量を制御するように構成し、圧力調整弁６を廃止するように構成しても良い。
また、圧力センサを内蔵したマスフローコントローラも実用化されており、該マスフローコントローラを第１流路ブロックに搭載する場合、圧力調整弁及び圧力検出装置の双方を廃止しても良い。
更に、言うまでもなく、各弁装置の機能を統合することによって、第１流路ブロックに装備する弁装置を適宜変更し、ガス供給装置を構成しても良い。
【００３８】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態に係るガス供給装置の構成を模式的に示す分解側断面図である。
【図２】ガス供給装置の構成を模式的に示す側断面図である。
【図３】第１流路ブロックに搭載された手動弁、逆止弁及び三方弁の構成を模式的に示す側断面図である。
【図４】第１流路ブロックに搭載された圧力調整弁の構成を模式的に示す側断面図である。
【図５】第２流路ブロックに搭載されたマスフローコントローラの構成を示す模式図である。
【図６】従来のガス供給装置の構成を模式的に示す側面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  流路ブロック
２  第１流路ブロック
３  第２流路ブロック
４  プレフィルタ
５  手動弁（弁装置）
６  圧力調整弁（弁装置）
７  圧力検出装置
８  逆止弁（弁装置）
９  三方弁（弁装置）
１０  マスフローコントローラ（流量制御装置）
１０ａ  通流管
１０ｂ  発熱抵抗体（流量検出手段）
１０ｃ  ブリッジ回路（流量検出手段）
１０ｄ  増幅回路
１０ｅ  比較制御回路（制御弁駆動手段）
１０ｆ  制御弁駆動部材（制御弁駆動手段）
１０ｈ  制御弁
２１、２２，２３，２４，２５  収容体螺嵌凹部
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ  雌ねじ
２１ｂ，２２ｂ，２４ｂ，２５ｂ  弁座
２６ａ  プロセスガス流入路
２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｇ  Ｖ字流路
２６ｆ  パージガス流入路
３１  主流路
３２  分岐往路（第１分岐路）
３３  分岐復路（第２分岐路）
３８  バイパス層流部材（整流部材）
５１，７１，８１，９１  収容体
６１  下部収容体
６２  上部収容体
５２，６５，８２，９２  弁駆動部材
５２ａ，６９，８２ａ，９２ａ  弁体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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