(57)【要約】【課題】透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】このＥＬ装置（表示装置）１００は、複数の画素２と、複数の画素２にそれぞれ設けられた反射層２３と、反射層２３の表面を覆うように形成されるとともに、反射層２３の端部２３ａに対応する部分に段差部２４ａを含む低温パッシベーション膜２４と、低温パッシベーション膜２４の表面に形成されるとともに、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側に配置された画素電極２５ａ〜２５ｃとを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
前記複数の画素にそれぞれ設けられた反射層と、
前記反射層の表面を覆うように形成されるとともに、前記反射層の端部に対応する部分に段差部を含む絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に形成されるとともに、平面的に見て、前記絶縁膜の段差部よりも内側に配置された透明電極とを備える、表示装置。
【請求項２】
前記透明電極は、平面的に見て、前記反射層の端部と同じ位置または前記反射層の端部よりも内側に配置されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記透明電極上に発光層を備える、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素には、それぞれ、前記透明電極が形成されており、
前記複数の画素の各々に形成される前記透明電極のうち少なくとも一部は、積層された複数の導電層を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記積層された複数の導電層のうち上層に形成された導電層は、下層に形成された導電層の表面および側面を覆うとともに、前記下層に形成された導電層の端部よりも外側に配置された端部を有するように形成されている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜の前記複数の画素の境界部分に対応する部分には、前記絶縁膜に開口部が形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光層上に形成された上部電極をさらに備え、
前記透明電極および前記上部電極に所定の電圧を印加することにより、前記発光層が発光するように構成されている、請求項３〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、反射層の表面上に絶縁膜を介して透明電極が形成された表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射層の表面上に絶縁膜を介して透明電極が形成された表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示された表示装置では、複数の画素にそれぞれ反射層が設けられており、それぞれの反射層の表面および側面（端部）を覆うように絶縁膜が形成されている。この絶縁膜の反射層の端部に対応する部分には、反射層の端部の形状を反映した段差部が形成されている。また、絶縁膜の表面上および段差部の表面上には、透明電極が形成されている。透明電極の表面上には、発光体（発光層）を介して導電層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４８６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、透明電極のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分は、絶縁膜の平坦な部分の表面上に形成された透明電極の部分に比べて密着力が小さいため、透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離しやすいという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、複数の画素と、複数の画素にそれぞれ設けられた反射層と、反射層の表面を覆うように形成されるとともに、反射層の端部に対応する部分に段差部を含む絶縁膜と、絶縁膜の表面に形成されるとともに、平面的に見て、絶縁膜の段差部よりも内側に配置された透明電極とを備える。
【０００７】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、透明電極を、絶縁膜の表面に形成するとともに、平面的に見て、絶縁膜の段差部よりも内側に配置することによって、透明電極が絶縁膜の段差部には形成されずに絶縁膜の段差部よりも内側の平坦な部分にだけ透明電極が形成されるので、透明電極の絶縁膜に対する密着力が小さくなるのを抑制することができる。これにより、透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。
【０００８】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、透明電極は、平面的に見て、反射層の端部と同じ位置または反射層の端部よりも内側に配置されている。このように構成すれば、透明電極が絶縁膜の反射層の端部に対応する段差部には形成されずに、絶縁膜の段差部よりも内側の平坦な部分にだけ透明電極が形成されるので、透明電極の絶縁膜に対する密着力が小さくなるのを抑制することができる。これにより、透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。
【０００９】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、透明電極上に発光層を備える。このように構成すれば、透明電極の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制したＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を構成することができる。
【００１０】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素には、それぞれ、透明電極が形成されており、複数の画素の各々に形成される透明電極のうち少なくとも一部は、積層された複数の導電層を含む。このように構成すれば、絶縁膜の段差部よりも内側の平坦な部分に、積層された複数の導電層の端部が形成されるので、積層された複数の導電層の端部が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、積層された複数の導電層のうち上層に形成された導電層は、下層に形成された導電層の表面および側面を覆うとともに、下層に形成された導電層の端部よりも外側に配置された端部を有するように形成されている。このように構成すれば、絶縁膜の段差部よりも内側の平坦な部分に、積層された複数の導電層のうち最も外側に端部が位置する最上層の導電層の端部を形成することができるので、最上層に形成された導電層の端部が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜の複数の画素の境界部分に対応する部分には、絶縁膜に開口部が形成されている。このように構成すれば、たとえば、透明電極を、平面的に見て、絶縁膜の開口部側にはみ出すように形成する場合と比べて、隣接する画素にそれぞれ形成された透明電極同士の距離が小さくなるのが抑制されるので、透明電極同士がショート（短絡）してしまうのを抑制することができる。
【００１３】
上記透明電極上に発光層を備える表示装置において、好ましくは、発光層上に形成された上部電極をさらに備え、透明電極および上部電極に所定の電圧を印加することにより、発光層が発光するように構成されている。このように構成すれば、透明電極が絶縁膜から剥離するのが抑制されるので、透明電極の剥離に起因して透明電極の表面上に形成された発光層の発光不良が発生するのを抑制することができる。これにより、表示品位が劣化するのを抑制したＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を構成することができる。
【００１４】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、無機絶縁膜からなる。このように構成すれば、無機絶縁膜の段差部よりも内側の平坦な部分に透明電極を形成することができるので、透明電極が無機絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。
【００１５】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する表示装置を備える。このように構成すれば、透明電極が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の平面図である。
【図２】図６の５００−５００線に沿った断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図６】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図７】図６の６００−６００線に沿った断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
本発明の一実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００１９】
本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１の表面上には、複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１０１と、表示領域１０１を囲むように配置される非表示領域１０２とが設けられている。非表示領域１０２には、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。表示領域１０１に配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。
【００２０】
画素２は、画素選択用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、駆動電流制御用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子１０とから構成されている。ＴＦＴ７のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ８のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の他方（ＴＦＴ８のゲート）と共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。
【００２１】
次に、図２〜図７を参照して、本発明の一実施形態による画素２の詳細な構成について説明する。図２は、画素２の３画素分の平面図である図６の５００−５００の線に沿った断面図である。ただし、図２は、基板１に後述する封止基板３１が貼り合わされている断面図であるが、図６は、基板１に後述する画素電極２５ａ、２５ｂおよび２５ｃまでが形成された平面図であり、それ以降の形成物を省略してある。図３〜図５は、図６に至る形成途中の平面図である。
【００２２】
図２に示すように、ＥＬ装置１００では、基板１の表面上に、バッファ膜１２が形成されているとともに、バッファ膜１２の表面上には、バッファ膜１３が形成されている。バッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる。バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の画素選択用のＴＦＴ７、および、駆動電流制御用のＴＦＴ８が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層１４１、および、能動層１４２が形成されている。
【００２３】
また、保持容量９は、能動層１４１（１４２）と同一層から形成されている活性層９１上に後述する絶縁膜１５を介してゲート層９２が形成されることにより構成されている（図３参照）。
【００２４】
また、図２に示すように、バッファ膜１３の表面上には、能動層１４１（１４２）を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４１（１４２）上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ＴＦＴ７のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５１（ゲート線５）が形成されている。このゲート電極５１は、クロムやモリブデンなどからなる。ＴＦＴ８のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５２が形成されている。また、絶縁膜１５、ゲート電極５１およびゲート電極５２の表面上には、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。
【００２５】
絶縁膜１５には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１５１ａ（１５２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１５１ｂ（１５２ｂ）が形成されている。また、層間絶縁膜１６には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）が形成されている。
【００２６】
コンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）に接続するようにソース電極１７（１８）が形成されるとともに、コンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）には、能動層１４１（１４２）のドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）に接続するようにドレイン電極１９（２０）が形成されている。
【００２７】
また、図４に示すように、保持容量９の活性層９１と、ＴＦＴ７のソース電極１７（ソース領域１４１ａ）と、ＴＦＴ８のゲート電極５２とは、配線層９３により電気的に接続されている。また、保持容量９のゲート層９２と、ＴＦＴ８のドレイン電極２０（ドレイン領域１４２ｂ）と、共通給電線１１とは、電気的に接続されている。
【００２８】
また、図２に示すように、ソース電極１７（１８）、ドレイン電極１９（２０）および層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜からなり、約１００ｎｍ以上約５００ｎｍ以下の厚みを有するパッシベーション膜２１が形成されている。パッシベーション膜２１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる有機平坦化膜２２が形成されている。パッシベーション膜２１および有機平坦化膜２２には、それぞれ、コンタクトホール２１ａおよびコンタクトホール２２ａが形成されている。このコンタクトホール２１ａおよび２２ａは、ＴＦＴ８のソース電極１８の表面を露出させるために形成されている。
【００２９】
また、有機平坦化膜２２の表面上には、画素２（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応する領域毎に、それぞれ、ＡｌＮｄ（アルミニウムネオジウム）などのアルミニウム合金膜やＣｒ（クロム）などの金属膜からなり、約１００ｎｍの厚みを有する反射層２３が形成されている。この反射層２３は、図５に示すように、平面的に見て、ＴＦＴ８のソース電極１８が形成されている領域以外の画素２の領域とオーバラップするように配置されている。
【００３０】
ここで、本実施形態では、図２に示すように、反射層２３の表面上および側面には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）などの無機絶縁膜からなり、約１０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下の厚みを有する低温パッシベーション膜２４が形成されている。なお、低温パッシベーション膜２４は、本発明の「絶縁膜」の一例である。この低温パッシベーション膜２４の端部近傍には、反射層２３の端部２３ａの形状を反映した段差部２４ａが形成されている。また、図６に示すように、低温パッシベーション膜２４は、平面的に見て、反射層２３とオーバラップするとともに、反射層２３よりも大きく形成されている。
【００３１】
また、図７に示すように、低温パッシベーション膜２４の隣接する画素２の境界部分に対応する部分には、有機平坦化膜２２などに含まれた水分を除去する（水抜きする）ための水分除去用開口部２４ｂが形成されている。なお、水分除去用開口部２４ｂは、本発明の「開口部」の一例である。
【００３２】
また、図２に示すように、ＴＦＴ８のソース電極１８、および、低温パッシベーション膜２４の表面上には、画素２（Ｒ、ＧおよびＢ）毎に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２５ａ、２５ｂおよび２５ｃが形成されている。なお、画素電極２５ａ、２５ｂおよび２５ｃは、それぞれ、本発明の「透明電極」の一例である。この画素電極２５ａ、２５ｂおよび２５ｃは、画素２にそれぞれ設けられたＴＦＴ８のソース電極１８と電気的に接続されており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。
【００３３】
また、画素２（Ｒ）に形成された画素電極２５ａは、３層に積層された導電層２５１、２５２および２５３を含んでいる。画素電極２５ａの３層に積層された導電層２５１、２５２および２５３のうち上層に形成された導電層２５３（２５２）は、下層に形成された導電層２５２（２５１）の表面および側面を覆うように形成されている。また、本実施形態では、最外表面（最上層）に形成された導電層２５３の端部２５３ａは、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａおよび水分除去用開口部２４ｂ側にはみ出さず、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。また、図６に示すように、画素電極２５ａの３層に積層された導電層２５１、２５２および２５３のうち最外表面（最上層）に形成された３層目の導電層２５３の外周部２５３ｂは、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側で、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。
【００３４】
また、図２に示すように、画素２（Ｇ）に形成された画素電極２５ｂは、２層に積層された導電層２５１および２５２を含んでいる。画素電極２５ｂの２層に積層された導電層２５１および２５２のうち上層に形成された導電層２５２は、下層に形成された導電層２５１の表面および側面を覆うように形成されている。また、本実施形態では、最外表面に形成された導電層２５２の端部２５２ａは、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａおよび水分除去用開口部２４ｂ側にはみ出さず、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。また、図６に示すように、画素電極２５ｂの２層に積層された導電層２５１および２５２のうち上層に形成された２層目の導電層２５２の外周部２５２ｂは、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側で、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。
【００３５】
また、図２に示すように、画素２（Ｂ）に形成された画素電極２５ｃは、１層の導電層２５１からなる。また、本実施形態では、導電層２５１の端部２５１ａは、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａおよび水分除去用開口部２４ｂ側にはみ出さず、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。また、図６に示すように、導電層２５１の外周部２５１ｂは、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側で、かつ、反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置されている。
【００３６】
また、図２に示すように、隣接する画素２の間の領域には、低温パッシベーション膜２４の水分除去用開口部２４ｂと、水分除去用開口部２４ｂの近傍に形成された画素電極２５ａ〜２５ｃの表面とを覆うように、隔壁２７が形成されている。なお、水分除去用開口部２４ｂは、低温パッシベーション膜２４の下層に形成された有機平坦化膜２２の水分を除去するために設けられている。
【００３７】
隔壁２７および画素電極２５ａ〜２５ｃの表面を覆うように、有機発光層２６が形成されている。なお、有機発光層２６は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層２６の表面上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極２８が形成されている。なお、対向電極２８は、本発明の「上部電極」の一例である。対向電極２８の表面上には、封止膜２９が形成されている。封止膜２９の表面上には、接着剤層３０を介して、封止基板３１が貼り合わされている。
【００３８】
このように、画素２毎に設けられた有機発光層２６からパネル外部に出射される光の色（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応するように、導電層を１層〜３層に積層させて画素電極２５ａ〜２５ｃの厚みを異ならせている。これにより、有機発光層２６から出射された光を、反射層２３と対向電極２８との間で共振させることが可能となり、光強度を強めた状態で対向電極２８側から光を出射させることができる。
【００３９】
また、上記のような構成において、画素電極２５ａ〜２５ｃを陽極、対向電極２８を陰極とした場合には、共通給電線１１（図１参照）に正電源、対向電極２８に負電源を接続する。そして、ＴＦＴ７により選択された画素２は、信号線６からの信号に応じてＴＦＴ８により共通給電線１１からの駆動電流が制御されるとともに画素電極２５ａ〜２５ｃに印加される。これにより、有機発光層２６から光が出射されるように構成されている。
【００４０】
図８〜図１０は、それぞれ、本実施形態によるＥＬ装置１００を用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図８〜図１０を参照して、本実施形態によるＥＬ装置１００を用いた電子機器について説明する。
【００４１】
本実施形態によるＥＬ装置１００は、図８〜図１０に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）２００、第２の例としての携帯電話３００、および、第３の例としての情報携帯端末４００（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。図８のＰＣ２００においては、キーボードなどの入力部２００ａおよび表示画面２００ｂなどに本実施形態によるＥＬ装置１００を用いることが可能である。図９の携帯電話３００においては、表示画面３００ａに本実施形態によるＥＬ装置１００が用いられる。図１０の情報携帯端末４００においては、表示画面４００ａに本実施形態によるＥＬ装置１００が用いられる。
【００４２】
本実施形態では、上記のように、画素電極２５ａ、２５ｂおよび２５ｃを、低温パッシベーション膜２４の表面に形成するとともに、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側に配置することによって、画素電極２５ａ〜２５ｃが低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａには形成されずに低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側の平坦な部分にだけ画素電極２５ａ〜２５ｃが形成されるので、画素電極２５ａ〜２５ｃの低温パッシベーション膜２４に対する密着性が小さくなるのを抑制することができる。これにより、画素電極２５ａ〜２５ｃの低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａの表面上に形成された部分が低温パッシベーション膜２４から剥離するのを抑制することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、上記のように、画素電極２５ａ〜２５ｃを、平面的に見て、反射層２３の端部２３ａと同じ位置または反射層２３の端部２３ａよりも内側に配置することによって、画素電極２５ａ〜２５ｃが低温パッシベーション膜２４の反射層２３の端部２３ａに対応する段差部２４ａには形成されずに、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側の平坦な部分にだけ画素電極２５ａ〜２５ｃが形成されるので、画素電極２５ａ〜２５ｃの低温パッシベーション膜２４に対する密着力が小さくなるのを抑制することができる。これにより、画素電極２５ａ〜２５ｃの段差部２４ａの表面上に形成された部分が低温パッシベーション膜２４から剥離するのを抑制することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、上記のように、透明電極上に発光層を備えることによって、画素電極２５ａ〜２５ｃの段差部２４ａの表面上に形成された部分が低温パッシベーション膜２４から剥離するのを抑制したＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１００を構成することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、上記のように、複数の画素２の各々に形成される画素電極２５ａ〜２５ｃのうち少なくとも一部が、積層された複数の導電層２５１〜２５３を含めることによって、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側の平坦な部分に、積層された導電層２５１〜２５３の端部２５１ａ〜２５３ａが形成されるので、積層された複数の導電層２５１〜２５３の端部２５１ａ〜２５３ａが低温パッシベーション膜２４から剥離するのを抑制することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、上記のように、積層された複数の導電層２５１〜２５３のうち上層に形成された導電層２５１〜２５３を、下層に形成された導電層２５１〜２５３の表面および側面を覆うとともに、下層に形成された導電層２５１〜２５３の端部２５１ａ〜２５３ａよりも外側に配置された端部２５１ａ〜２５３ａを有するように形成することによって、低温パッシベーション膜２４の段差部２４ａよりも内側の平坦な部分に、積層された複数の導電層２５１〜２５３のうち最も外側に端部２５１ａ〜２５３ａが位置する最上層の導電層２５１〜２５３の端部２５１ａ〜２５３ａを形成することができるので、最上層に形成された導電層２５１〜２５３の端部２５１ａ〜２５３ａが低温パッシベーション膜２４から剥離するのを抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜２４の複数の画素２の境界部分に対応する部分に、低温パッシベーション膜２４に水分除去用開口部２４ｂを形成することによって、たとえば、画素電極２５ａ〜２５ｃを、平面的に見て、低温パッシベーション膜２４の水分除去用開口部２４ｂ側にはみ出すように形成する場合と比べて、隣接する画素２にそれぞれ形成された画素電極２５ａ〜２５ｃ同士の距離が小さくなるのが抑制されるので、画素電極２５ａ〜２５ｃ同士がショート（短絡）してしまうのを抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、上記のように、画素電極２５ａ〜２５ｃおよび対向電極２８に所定の電圧を印加することにより、有機発光層２６が発光するように構成することによって、画素電極２５ａ〜２５ｃが低温パッシベーション膜２４から剥離するのが抑制されるので、画素電極２５ａ〜２５ｃの剥離に起因して画素電極２５ａ〜２５ｃの表面上に形成された有機発光層２６の発光不良が発生するのを抑制することができる。これにより、表示品位が劣化するのを抑制したＥＬ装置１００を構成することができる。
【００４９】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５０】
たとえば、上記実施形態では、画素電極の端部を、平面的に見て、低温パッシベーション膜の段差部よりも内側で、かつ、反射層の端部よりも内側に配置した例を示したが、本発明はこれに限らず、画素電極の端部を、平面的に見て、低温パッシベーション膜の段差部よりも内側で、かつ、反射層の端部と略同じ位置に配置してもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、絶縁膜を無機絶縁膜により形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、無機絶縁膜以外の絶縁膜により形成してもよい。
【００５２】
また、上記実施形態では、絶縁膜をシリコン窒化膜からなる無機絶縁膜により形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、シリコン窒化膜以外の無機絶縁膜により形成してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、反射層をＡｌＮｄ（アルミニウムネオジウム）などのアルミニウム合金膜やＣｒなどの金属膜により形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層をＡｌＮｄ以外のアルミニウム合金膜やＣｒ以外の金属膜により形成してもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、有機ＥＬからなる発光層を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、有機ＥＬ以外の発光層を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
２  画素
２３  反射層
２４  低温パッシベーション膜（絶縁膜）
２４ａ  段差部
２４ｂ  水分除去用開口部（開口部）
２５ａ、２５ｂ、２５ｃ  画素電極（透明電極）
２６  有機発光層（発光層）
２８  対向電極（上部電極）
１００  ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置（表示装置）
２００  ＰＣ（電子機器）
２５１、２５２、２５３  導電層
２５１ａ、２５２ａ、２５３ａ  端部
２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂ  外周部
３００  携帯電話（電子機器）
４００  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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