(57)【要約】【課題】回転しているウエハＷの表面に現像液を吐出して現像を行うにあたって、ウエハＷの表面の撥水性が大きくてもウエハＷの表面全体に亘って現像液の液膜を形成させ、現像欠陥を低減すること。【解決手段】スピンチャック１１に保持されたウエハＷを回転させた状態で、現像液ノズル３０をウエハＷの周縁部上方から中心部上方へ移動させながら当該現像液ノズル３０よりウエハＷへ現像液の吐出を行う。そして、現像液ノズル３０がウエハＷの中心部上方に配置されたときにウエハＷの回転数を例えば１００ｒｐｍの低速回転として、ウエハＷの中央部に現像液の液溜まりを形成する。その後、ウエハの回転数を例えば２０００ｒｐｍ程度の高速回転として、瞬時に現像液の液溜まりをウエハＷの表面全体へ広げる。【選択図】図７
2010199323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持部に保持された基板を回転させながら現像液ノズルから当該基板に現像液を吐出する現像方法において、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記現像液の吐出位置が基板の周縁部から中心部へ移動するように現像液ノズルを操作する工程と、
次いで前記現像液が基板の中心部に吐出されている状態で、少なくとも基板の中心部に液溜まりを形成するために基板の回転数を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で回転させる工程と、
その後、基板を前記第２の回転数より高い第３の回転数で回転させて、現像液を基板の表面に広げる工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。
【請求項２】
前記基板はその表面の水の接触角が８５度以上であることを特徴とする請求項１に記載の現像方法。
【請求項３】
前記第１の回転数は５００〜１５００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の現像方法。
【請求項４】
前記第２の回転数は５０〜５００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項５】
前記第３の回転数は１０００〜２５００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項６】
基板保持部に保持された基板を回転させながら現像液ノズルから当該基板に現像液を吐出する現像装置において、
基板を保持する基板保持部と、
この基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板へ現像液を塗布する現像液ノズルと、
この現像液ノズルを操作する操作機構と、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記現像液の吐出位置が基板の周縁部から中心部へ移動するように現像液ノズルを操作するステップと、
次いで前記現像液が基板の中心部に吐出されている状態で、少なくとも基板の中心部に液溜まりを形成するために基板の回転数を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で回転させるステップと、
その後、基板を前記第２の回転数より高い第３の回転数で回転させて、現像液を基板の表面に広げるステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト液が塗布され、露光処理された後の基板に対して、現像処理を行う現像方法及び現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に、現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
ところで、現像処理の手法には基板保持部であるスピンチャックにウエハを保持させ、当該ウエハを鉛直軸回りに回転させると共に現像液ノズルをウエハの周縁部より中心部へ移動させながら、現像液ノズルより現像液を吐出して現像処理を行う手法がある（特許文献１参照）。前記手法について図１１を用いて具体的に説明すると、先ずウエハの回転数を例えば１０００ｒｐｍとして前処理液を塗布し（時刻ｔ０）、ウエハの表面の濡れ性を高め、後に塗布する現像液が広がり易い環境を整える（プリウェット工程）。次に、ウエハの周縁部から中心部へ現像液ノズルを移動させながら現像液を吐出し（時刻ｔ１）、回転しているウエハの遠心力により現像液を螺旋状に広げ、ウエハの表面に現像液の液膜を形成する。このときウエハの回転数は例えば１０００ｒｐｍである。その後、現像液の吐出を停止し（時刻ｔ２）、ウエハの回転数を例えば５０ｒｐｍまで減速することにより現像液をウエハの表面に保持し、現像処理を行う。そして、現像処理後にウエハへ洗浄液を供給して現像液を洗い流し、スピン乾燥を行う。
【０００４】
一方、露光機においては、露光の解像度を上げるために例えば純水の液膜をウエハの表面に形成した状態で露光する液浸露光を行うものが知られている。この液浸露光では露光機液浸部（レンズ先端）のスキャンの追随性を高めて従来の露光装置と同等のスループットを確保するために露光処理するウエハの表面に撥水性の高い例えば水の接触角が８０〜８５度程度の保護膜を形成したり、また保護膜を形成せずに撥水性の高い例えば水の接触角が８５度以上のレジストを用いてレジスト膜の形成を行うことが検討されている。なお、接触角とは水滴がウエハの表面に付着しているときに水滴の断面における水滴の外縁を形成する円弧について、基板の表面における接線と当該表面とのなす角度のことである。
【０００５】
前述の現像手法においては、図１２（ａ）に示すようにウエハＷの中心位置に吐出された現像液Ｄは遠心力により広がっていくが、ウエハＷの周縁に向かう程、液膜が薄くなるのでウエハＷの表面の撥水性が高いと均一に広がりにくくなり、図１２（ｂ）に示すようにウエハの周縁付近にて現像液Ｄの液膜が形成されない露出部位Ｂが生じてしまう場合がある。また、仮にウエハの表面の全体に現像液Ｄの液膜が形成されたとしても、洗浄工程に移るまでの間に表面張力により液膜が破れてしまうおそれもある。この結果、液膜が形成されずに表面が露出する部位Ｂがあることによって現像欠陥が発生しやすいという課題がある。また、ウエハＷの表面の撥水性が大きいと現像液Ｄをウエハへ吐出したときに、吐出された現像液Ｄがウエハの表面より跳ね返って、現像液ノズルの汚れの要因となり、また現像装置内部のパーティクルの原因となるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２１００５９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情の下に基づいてなされたものであり、回転している基板の表面に現像液を塗布するにあたって、基板の表面の撥水性が大きくても基板の表面全体に亘って現像液の液膜を形成することができ、現像欠陥を低減することができる現像方法及び現像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る現像方法は、
基板保持部に保持された基板を回転させながら現像液ノズルから当該基板に現像液を吐出する現像方法において、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記現像液の吐出位置が基板の周縁部から中心部へ移動するように現像液ノズルを操作する工程と、
次いで前記現像液が基板の中心部に吐出されている状態で、少なくとも基板の中心部に液溜まりを形成するために基板の回転数を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で回転させる工程と、
その後、基板を前記第２の回転数より高い第３の回転数で回転させて、現像液を基板の表面に広げる工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る現像方法は以下の構成を取っても良い。
前記基板はその表面の水の接触角が８５度以上である構成。
前記第１の回転数は５００〜１５００ｒｐｍである構成。
前記第２の回転数は５０〜５００ｒｐｍである構成。
前記第３の回転数は１０００〜２５００ｒｐｍである構成。
【００１０】
また本発明に係る現像装置は、
基板保持部に保持された基板を回転させながら現像液ノズルから当該基板に現像液を吐出する現像装置において、
基板を保持する基板保持部と、
この基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板へ現像液を塗布する現像液ノズルと、
この現像液ノズルを操作する操作機構と、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記現像液の吐出位置が基板の周縁部から中心部へ移動するように現像液ノズルを操作するステップと、
次いで前記現像液が基板の中心部に吐出されている状態で、少なくとも基板の中心部に液溜まりを形成するために基板の回転数を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で回転させるステップと、
その後、基板を前記第２の回転数より高い第３の回転数で回転させて、現像液を基板の表面に広げるステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、現像液ノズルから基板の中心部に現像液を供給するときには基板の回転数を低くし、これにより少なくとも基板の中央部に液溜まりが形成され、その後基板の回転数を高くしている。このため少なくとも中央部に溜められた液が高速回転により広がるので液膜が厚い状態で周縁部へ向かうことから、基板の表面の撥水性が高くても均一に広がりやすくなり、現像欠陥の発生を抑制することができる。また、高速回転にしたときに十分に均一に広がることができる程度の液溜まりを低速回転で形成した後、そのまま低速回転で液を周縁部まで広げずに高速回転に移行すれば、スループットの低下を極力抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る現像装置の縦断面図である。
【図２】前記現像装置の平面図である。
【図３】前記現像装置に用いられる現像液ノズルの斜視図である。
【図４】前記現像装置を制御する制御部の模式図である。
【図５】ウエハの回転数と現像液の供給のタイミングを説明する説明図である。
【図６】現像液ノズルが移動する様子を模式的に示した模式図である。
【図７】ウエハへ現像液が供給される様子を模式的に示した模式図である。
【図８】本発明の実施形態に係る現像装置が組み込まれた塗布・現像装置を示す平面図である。
【図９】前記塗布・現像装置の斜視図である。
【図１０】前記塗布・現像装置の縦断面図である。
【図１１】ウエハの回転数と関連付けた従来の現像液の供給レシピである。
【図１２】従来の現像液の供給レシピに基づくウエハが現像液に被膜される様子を模式的に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る現像方法の実施の形態を説明する。図１及び図２はこの実施形態を実施するための現像装置を示す図であり、この現像装置は中央に基板例えばウエハＷを吸着保持する基板保持部であるスピンチャック１１を有している。このスピンチャック１１は回転軸１２を介して下方に設けられた例えばモータである回転駆動部１３に接続されており、ウエハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転することができ、また昇降することが可能である。また、現像装置には、スピンチャック１１に保持されたウエハＷを取り囲むようにカップ体２０が設けられている。このカップ体２０は、外カップ２１と内カップ２２とから成り、カップ体２０の上方側は開口している。前記外カップ２１は上部側が四角形状であり、下部側が円筒状である。また、外カップ２１の下端部には段部２３が形成されている。さらに、前記外カップ２１は下方に設けられた昇降部２４により昇降することが可能である。前記内カップ２２は円筒状であり、上部側が内側に傾斜している。また、内カップ２２は、その下端面が前記外カップ２１の昇降時に段部２３と当接することによって上方へ押し上げられる。
【００１４】
またスピンチャック１１に保持されたウエハＷの下方側には円形板２５が設けられており、この円形板２５の外側には縦断面形状が山形のガイド部材２６が設けられている。前記ガイド部材２６はウエハＷよりこぼれ落ちた現像液や洗浄液を後述する液受け部２７へ導くためのものである。また円形板２５の外側には縦断面が凹部上に形成された液受け部２７が全周に亘って設けられている。この液受け部２７の底面には、下方より廃液管２８が接続されている。また図示していないが廃液管２８は廃液タンクに接続され、その途中には気液分離器が設けられ、排気と廃液の分離が行われる。また、図示していないが現像装置には円形板２５を下方より貫通する例えば３本の昇降ピンが設けられており、この昇降ピンは図示しない基板搬送アームとの協働作用によってウエハＷをスピンチャック１１に受け渡すことが可能である。
【００１５】
また、現像装置にはスピンチャック１１に保持されたウエハＷの上方側に、現像液ノズル３０及び洗浄液ノズル４０が設けられている。前記現像液ノズル３０には、図３に示すようにその下端面に例えば長さＬ１が８〜１５ｍｍ、幅Ｌ２が０．１〜１ｍｍである帯状の吐出口３０ａが設けられている。
【００１６】
現像液ノズル３０は現像液供給管３１を介して現像液供給源３２や液供給制御機器（バルブ、ポンプ等）を含む現像液供給系５４に接続されている。また、図２に示すように現像液ノズル３０は支持部材であるノズルアーム３３の一端に支持されており、このノズルアーム３３の他端は図示しない昇降機構を介して移動基体３４に接続されている。この移動基体３４は、Ｘ方向に伸びるガイドレール３５沿って移動することが可能である。また、図中３６は現像液ノズル３０の待機部であり、この待機部３６にて現像液ノズル３０の先端部の洗浄等が行われる。
【００１７】
前記洗浄液ノズル４０はウエハＷへ洗浄液例えば純水を吐出するためのノズルであり、洗浄液供給管４１を介して洗浄液供給源４２や洗浄液供給制御機器（バルブ、ポンプ等）を含む洗浄液供給系５５に接続されている。また、図２に示すように、洗浄液ノズル４０はノズルアーム４３の一端に支持されて図示しない昇降機構を介して移動基体４４と接続されており、この移動基体４４はガイドレール３５に沿ってＸ方向に移動可能である。図中４５は洗浄液ノズル４０の待機部である。
【００１８】
図４は現像装置の各部を制御するための制御部５０を示し、この制御部５０は例えばＣＰＵ５１、プログラム格納部５２に格納されたプログラム５２ａ、データバス５３などから構成されるコンピュータである。前記プログラム５２ａはプロセスレシピに基づいて回転駆動部１３、現像液供給系５４、洗浄液供給系５５及びノズル駆動系５６を制御する。
【００１９】
次に、上述の現像装置を用いてウエハＷを現像する方法を説明する。現像装置に搬入されるウエハＷには、塗布装置にてその表面に撥水性の高い例えば水の静的接触角が８５度以上のレジストが塗布され、露光装置にて液浸露光が施されている。先ず、現像装置の外カップ２１及び内カップ２２が下方へ位置している状態にて、図示しない搬送アームにより現像装置内にウエハＷを搬送する。このウエハＷを搬送アームと昇降ピンとの協働作用によってスピンチャック１１に載置され、吸着保持される。
【００２０】
続いて、ウエハＷを第１の回転数で回転させながら、現像液の吐出位置が当該ウエハＷの周縁部から中心部へ移動するように現像液ノズル３０を操作する工程を説明する。図５に示すようにウエハＷを第１の回転数例えば５００ｒｐｍで回転させ、現像液ノズル３０をその吐出口３０ａの長さ方向がウエハＷの中央部と周縁部を結ぶラインに一致するように、例えばウエハＷの半径方向と一致するように、当該ウエハＷの周縁部の上方に配置し（図６参照）、ウエハＷへ現像液を吐出する（図５の時刻ｔ０）。吐出された現像液はウエハＷの回転による遠心力によって展伸される。この現像液を吐出している状態のまま現像液ノズル３０をウエハＷの中心部の上方へ移動させる（図６参照）。前記現像液ノズル３０をウエハＷの周縁部の上方から中央部の上方へ移動するのに要する時間は例えば１秒程度である。このように現像液ノズル３０をウエハＷの周縁部の上方から中央部の上方へ移動させながら、吐出口３０ａより現像液を帯状に吐出していることから、ウエハＷの表面に隙間無く現像液を塗布することができ、現像液が塗布された部位では現像処理が行われる。
【００２１】
次に、現像液ノズル３０がウエハＷの中心部上方まで移動したときに（図５の時刻ｔ１）、ウエハＷの回転数を第２の回転数例えば１００ｒｐｍまで落とし、例えば２秒間引き続き現像液の吐出を行う。そして、ウエハＷの中心部へ現像液Ｄの供給を行っている状態で、ウエハＷの回転数を第２の回転数より高い第３の回転数例えば２０００ｒｐｍまで上昇させ（図５の時刻ｔ２）、例えば１０秒後に現像液Ｄの供給を停止する。そして、その直後にウエハＷを例えば２００００ｒｐｍ／ｓの減速度で一気に減速して、第４の回転数例えば５０ｒｐｍまで落とし（図５の時刻ｔ３）、現像液ノズル３０を待機部３６へ退避させる。この第４の回転数は、現像液Ｄの周縁がその表面張力でウエハＷの中央部へ引き戻されずにウエハＷの周縁部に形成した状態とするのに十分な回転数である。この第４の回転数にて例えば２秒程度、ウエハＷを回転させ、その後ウエハＷの回転を例えば４５秒間停止させる。
【００２２】
しかる後に洗浄液ノズル４０からウエハＷの中心部に洗浄液の吐出を行う。このときのウエハＷの回転数は例えば５００ｒｐｍであり、吐出された洗浄液はウエハＷの中心から周縁へ向かって広げられて、現像液Ｄの洗浄が行われる。その後、洗浄液の供給を停止して、洗浄液ノズル４０を待機部４５へ退避させ、昇降機構によって外カップ２１及び内カップ２２を上昇させて、ウエハＷを例えば２０００ｒｐｍの回転数として所定の時間スピン乾燥させる。その後、ウエハＷは現像装置より搬送アームによって搬出され現像処理を終了する。
【００２３】
以上のように現像液ノズル３０をウエハＷの中心部の上方に位置させたときに、ウエハＷの回転数を例えば１００ｒｐｍ程度の低速回転とすることにより、吐出された現像液ＤはウエハＷの遠心力により徐々に外方へ広がってゆくが、低速回転であるためにウエハＷの中央部に液溜まりができる（図７（ａ））。その後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍの高速回転とすることで大きな遠心力により一気に広がろうとするが、中央部に液溜まりが存在するので広がっていく液膜の源の液量が多い。このため液膜が厚いことから、ウエハＷの表面の撥水性が高くても液膜が途切れにくく、ウエハＷの中心部から周縁部へ向かって均一に広がる（図７（ｂ））。また、一部の現像液ＤはウエハＷの周縁より外方へこぼれ落ちるが、前述のガイド部材２６を伝って流れてゆき、液受け部２７に一時的に溜められ、廃液管２８より現像装置の外部へ排出される。
【００２４】
前記第２の回転数は、ウエハＷの中心部に現像液Ｄの液溜まりを形成するための回転数であるから、その回転数が高過ぎるとウエハＷの遠心力が大きくなって、現像液の吐出が追いつかず液溜まりが形成されなくなる。逆に第２の回転数が低過ぎると、既にウエハＷの表面に形成されている液膜が破れてしまうことから、５０〜５００ｒｐｍが好ましく、より好ましくは５０〜２００ｒｐｍである。また、ウエハＷを第２の回転数で回転させている時間は、ウエハＷの中央部に液溜まりが形成されるのに十分な時間以上であればよい。この時間が長くても処理に対する影響は無いが、中央部に液溜まりが形成されていれば、その後低速回転を維持させておく必要はないので、スループットを向上させる観点からは速やかに例えば既述のように１秒後に第３の回転数まで上昇させる（高速回転に移行する）ことが好ましい。従って、本発明は少なくともウエハＷの中央部に液溜まりが形成されることが必要であると言える。
【００２５】
前記第３の回転数は現像液Ｄ（液溜まり）を瞬時にウエハＷの周縁部まで広げるための回転数である。前記液溜まりを瞬時に広げる理由は、ウエハＷの表面が高い撥水性例えば接触角８５度にもなると、ウエハＷの表面の乾燥速度が大きく乾燥しやすいため、液膜が薄い状態で現像液Ｄを広げるのに長い時間を費やすと液膜が部分的に乾燥して、引きちぎれ、均一に広がらないためである。従って、ここでいう瞬時とはウエハＷの中央部の液溜まりが均一に広がる状態を確保できる程度に速やかに第３の回転数に移行するという意味である。
【００２６】
上述の実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら周縁部から中心部へ現像液の吐出位置を移動させて現像を行うにあたって、現像液ノズル３０よりウエハＷの中心部へ現像液Ｄを吐出するときには、ウエハＷを低速な第２の回転数とし少なくともウエハＷの中心部に現像液Ｄの液溜まりを形成している。その後、ウエハＷを高速な第３の回転数とし、中心部に溜められた現像液Ｄが、その液膜が厚い状態で周縁部まで広がることから、ウエハＷの表面の撥水性が高くても均一に広がりやすく、現像欠陥の発生を抑制することができる。また、高速回転（第３の回転数）にしたときに十分に均一に広がることができる程度の液溜まりを低速回転（第２の回転数）で形成した後、そのまま低速回転で液を周縁部まで広げずに高速回転に移行すれば、スループットの低下を極力抑えることができる。
【００２７】
続いて本発明の現像装置を適用した塗布、現像装置の一例について簡単に説明する。図８は前記塗布、現像装置の平面図であり、図９は前記塗布、現像装置の斜視図である。この装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、このブロックＳ１では、載置台１０１上に載置された密閉型のキャリア１００から受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡しアームＣが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア１００に戻すように構成されている。
【００２８】
前記処理ブロックＳ２は、図９に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。
【００２９】
前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する液処理装置と、この液処理装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送アームＡ２，Ａ４とを備えている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においては、前記薬液がレジスト液であり、疎水化処理ユニットが組み込まれることを除けば同様の構成である。一方、第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に本発明の現像ユニットが２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウエハＷを搬送するための共通の搬送アームＡ１が設けられている。さらに処理ブロックＳ２には、図８及び図１０に示すように、棚ユニットＵ１が設けられ、この棚ユニットＵ１の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ１の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤ１によってウエハＷが搬送される。
【００３０】
このような塗布、現像装置では、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ１の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に受け渡しアームＣによって順次搬送され、ここからウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、疎水化処理ユニットにおいてウエハ表面が疎水化された後、液処理装置２にてレジスト膜が形成される。レジスト膜形成後のウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。
【００３１】
その後、この場合はウエハＷは受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１→受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、レジスト膜の上に反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。なおレジスト膜の上の反射防止膜を形成しない場合や、ウエハＷに対して疎水化処理を行う代わりに、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２にて反射防止膜が形成される場合もある。
【００３２】
一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ１に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図１０中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。
【００３３】
次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで液浸露光処理が行われた後、棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５における受け渡しアームＣのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリア１００に戻される。なお図８においてＵ３は各々加熱部と冷却部等を積層した処理ユニット群である。
【符号の説明】
【００３４】
Ｗ          ウエハ
１１        スピンチャック
１３        回転駆動部
２０        カップ体
３０        現像液ノズル
３０ａ      吐出孔
３２        現像液供給源
４０        洗浄液ノズル
４２        洗浄液供給源
５０        制御部
５２ａ      プログラム
５６        ノズル駆動系
Ｄ          現像液
【図１】
2010199323.tif 000003
【図２】
2010199323.tif 000004
【図３】
2010199323.tif 000005
【図４】
2010199323.tif 000006
【図５】
2010199323.tif 000007
【図６】
2010199323.tif 000008
【図７】
2010199323.tif 000009
【図８】
2010199323.tif 000010
【図９】
2010199323.tif 000011
【図１０】
2010199323.tif 000012
【図１１】
2010199323.tif 000013
【図１２】
2010199323.tif 000014