(57)【要約】【課題】従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体を提供する。【解決手段】酸素ガスと窒素ガスとを含み、窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量）が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、載置台と上部電極との間に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを発生させ、処理チャンバー内をクリーニングする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される載置台と、
前記処理チャンバー内の前記載置台の上方に、前記載置台と対向するように配置された上部電極と
を具備したプラズマ処理装置の前記処理チャンバー内をクリーニングするプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
酸素ガスと窒素ガスとを含み、酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、前記載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、
前記載置台と前記上部電極との間に高周波電力を印加して前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、前記処理チャンバー内をクリーニングする
ことを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスの酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．２〜０．４の範囲とされていることを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスの酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計が１００〜８００ｓｃｃｍであることを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
前記上部電極に高周波電力を印加し、前記載置台には高周波電力を印加しないことを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】
処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される載置台と、
前記処理チャンバー内の前記載置台の上方に、前記載置台と対向するように配置された上部電極と
を具備したプラズマ処理装置を制御するためのプログラムが格納された記憶媒体であって、
酸素ガスと窒素ガスとを含み、酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、前記載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、
前記載置台と前記上部電極との間に高周波電力を印加して前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、前記処理チャンバー内をクリーニングするように構成されたプログラムが格納されていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体装置の製造工程においては、処理チャンバー内に処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマによって処理チャンバー内に配置した基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板のプラズマ処理を行うプラズマエッチング装置等が使用されている。
【０００３】
上記のプラズマ処理装置としては、例えば、処理チャンバー内に、基板を載置する載置台（下部電極）と、この載置台と対向するように設けられた上部電極とを具備し、これらの載置台と上部電極との間に高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマエッチング装置が知られている。
【０００４】
上記のようなプラズマエッチング装置では、プラズマエッチングを行う際に反応副生成物が処理チャンバー内に堆積するため、処理チャンバー内をクリーニングすることが行われている。このようなプラズマエッチング装置のクリーニング方法としては、載置台にダミー基板を配置し、この状態で処理チャンバー内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスのプラズマを発生させてプラズマにより処理チャンバー内のクリーニングを行う技術が知られている。
【０００５】
上記のように、処理チャンバーのクリーニングを行う際に、ダミー基板を用いるのは、処理チャンバー内の載置台上に設けられた基板吸着のための静電チャック等がプラズマに曝されてダメージを受けることを防止するためである。また、上記のようにダミー基板を用いずに、処理チャンバー内のクリーニングを行う所謂ウエハレスドライクリーニングも知られている。このウエハレスドライクリーニングでは、静電チャック等がプラズマに曝されてダメージを受けることを防止するため、クリーニングガスとして、酸素ガスの単ガスを用い、酸素のプラズマを用いてクリーニングを行っている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、同一処理チャンバー内で、基板に順次複数種のプラズマエッチングを施す技術では、載置台に被処理基板を載置した状態で、クリーニングガスとして、流量が１００〜４００ｍＬ／ｍｉｎの窒素ガスに、流量が５〜１５ｍＬ／ｍｉｎの酸素ガスを添加した混合ガスを用い、処理チャンバー内のクリーニングを行うクリーニング技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、このクリーニング技術は、基板を載置台に載置した状態でクリーニングを行うものであり、ウエハレスドライクリーニングではなく、ウエハレスドライクリーニングについては何等考慮されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２０７８４２号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように従来は、プラズマエッチング装置においてダミー基板等を用いないウエハレスドライクリーニングを行う場合、クリーニングガスとして酸素ガスを用いている。しかしながら、本発明者等が詳査したところ、このようにクリーニングガスとして酸素ガスを用いた場合、載置台上の静電チャックの周縁部等に堆積した堆積物が除去できずに残り、この状態でプラズマエッチング装置の使用を続けると、堆積物に起因して半導体ウエハが正常に静電チャックにチャッキングされないチャッキングエラー等の不具合が生じるという問題があることが判明した。
【０００９】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びその記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される載置台と、前記処理チャンバー内の前記載置台の上方に、前記載置台と対向するように配置された上部電極とを具備したプラズマ処理装置の前記処理チャンバー内をクリーニングするプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、酸素ガスと窒素ガスとを含み、酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、前記載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、前記載置台と前記上部電極との間に高周波電力を印加して前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、前記処理チャンバー内をクリーニングすることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、請求項１記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記クリーニングガスの酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．２〜０．４の範囲とされていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、請求項１又は２記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記クリーニングガスの酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計が１００〜８００ｓｃｃｍであることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、請求項１乃至３いずれか１項記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記上部電極に高周波電力を印加し、前記載置台には高周波電力を印加しないことを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の記憶媒体は、処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される載置台と、前記処理チャンバー内の前記載置台の上方に、前記載置台と対向するように配置された上部電極とを具備したプラズマ処理装置を制御するためのプログラムが格納された記憶媒体であって、酸素ガスと窒素ガスとを含み、酸素ガス流量と窒素ガス流量の合計に対する窒素ガス流量の比（窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量））が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、前記載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、前記載置台と前記上部電極との間に高周波電力を印加して前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、前記処理チャンバー内をクリーニングするように構成されたプログラムが格納されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理装置であるプラズマエッチング装置の構成を示す図。
【図２】デポの組成分析の結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置であるプラズマエッチング装置の構成を示すものである。
【００１８】
プラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【００１９】
プラズマエッチング装置１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー（処理容器）２を有しており、この処理チャンバー２は接地されている。処理チャンバー２内の底部にはセラミックスなどの絶縁板３を介して、被処理物、例えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられている。さらに、このサセプタ支持台４の上には、下部電極を兼ねたサセプタ（載置台）５が設けられている。このサセプタ５には、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００２０】
サセプタ支持台４の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し冷媒排出管９から排出される。そして、その冷熱がサセプタ５を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷが所望の温度に制御される。
【００２１】
サセプタ５は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材の間に電極１２を配置して構成されている。そして、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハＷを静電吸着する。
【００２２】
絶縁板３、サセプタ支持台４、サセプタ５、静電チャック１１には、半導体ウエハＷの裏面に、伝熱媒体（例えばＨｅガス等）を供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱が半導体ウエハＷに伝達され半導体ウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
【００２３】
サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置された半導体ウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
【００２４】
サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、処理チャンバー２の上部に支持されている。上部電極２１は、電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性材料からなる電極支持体２５とによって構成されている。電極板２４は、例えば、ＳｉやＳｉＣ等の導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔２３を有する。この電極板２４は、サセプタ５との対向面を形成する。
【００２５】
上部電極２１における電極支持体２５の中央にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されている。さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフローコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されている。処理ガス供給源３０から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガス及びウエハレスドライクリーニングのためのクリーニングガスが供給される。
【００２６】
処理チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開いた状態で、半導体ウエハＷを隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送する。
【００２７】
上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿されている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、２７〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
【００２８】
下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は、第１の高周波電源４０より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理基板である半導体ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０の周波数は、例えば１〜２０ＭＨｚの範囲が好ましい。
【００２９】
図１に示すように、上記構成のプラズマエッチング装置１は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置１の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００３０】
ユーザインターフェース部６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００３１】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３２】
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３３】
その後、バルブ２８が開放されて、処理ガス供給源３０から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ２９によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の中空部へと導入され、さらに電極板２４の吐出孔２３を通って、図１の矢印に示すように、半導体ウエハＷに対して均一に吐出される。
【００３４】
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第１の高周波電源４０から所定の周波数の高周波電力が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
【００３５】
他方、第２の高周波電源５０から、上記の第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
【００３６】
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。このようにして半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出された後、処理チャンバー２内に所定のクリーニングガスが供給され、処理チャンバー２内が所定の圧力に維持された状態でクリーニングガスのプラズマを発生させて処理チャンバー２内のウエハレスドライクリーニングが行われる。
【００３７】
上記構成のプラズマエッチング装置１において、Ｃ４Ｆ８／Ｃ３Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２のエッチングガス（総流量７９０ｓｃｃｍ）、圧力２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、高周波電力（上部／下部）＝１２００／４２００ＷにてＳｉＯ２膜のプラズマエッチングを約２００秒行い、半導体ウエハを処理チャンバー２から搬出した後、ウエハレスドライクリーニングを行うという１つのサイクルを、繰り返して実施することにより、２０時間のランニングを行った。
【００３８】
実施例では、上記のウエハレスドライクリーニングは、クリーニングガスとして、Ｏ２ガス／Ｎ２ガス＝２７０／１３０ｓｃｃｍを用い、圧力１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）、高周波電力（上部／下部）＝２０００／０Ｗにて、処理チャンバー２内のウエハレスドライクリーニングを２０秒行った。
【００３９】
上記の実施例における２０時間のランニングを行った後、処理チャンバー２を開いてその内部を目視により観察した。この結果、処理チャンバー２内は、静電チャック１１の周縁部も含めて堆積物の残留がない状態に維持できていることが確認できた。そこで、次に１００時間のランニングを行い、その後の処理チャンバー２内の状態を観察したところ、静電チャック１１の周縁部も含めて堆積物の残留がない状態に維持されていることが確認できた。
【００４０】
上記の実施例において、ウエハレスドライクリーニングでは、静電チャック１１の表面が露出した状態となっており、静電チャック１１の表面がプラズマによるダメージを受け易くなっている。このため、第１の高周波電源４０から上部電極２１に高周波電力を印加するのみで、第２の高周波電源５０からのサセプタ５への高周波電力の印加は行わないことが好ましい。また、第１の高周波電源４０からの印加電力が高くなるとウエハレスドライクリーニングにおける堆積物に対するエッチングレートが高くなるので、印加電力は１５００Ｗ〜２５００Ｗ程度とすることが好ましく、一方、静電チャック１１の表面のプラズマによるダメージを考慮すると、上記の実施例における２０００Ｗ程度とすることがさらに好ましい。
【００４１】
また、上記の実施例におけるクリーニングガスの総流量は、多くなり過ぎるとウエハレスドライクリーニングにおける堆積物に対するエッチングレートが低くなる傾向がある。このため１００ｓｃｃｍ〜８００ｓｃｃｍ程度とすることが好ましく、上記の実施例における４００ｓｃｃｍ程度とすることがさらに好ましい。
【００４２】
また、クリーニングガスに添加するＮ２ガスの量が少なすぎるとＮ２ガス添加による効果が十分でなく、一方、Ｎ２ガス添加量が多くなり過ぎるとウエハレスドライクリーニングにおける堆積物に対するエッチングレートが低くなる傾向がある。このためＯ２ガス流量とＮ２ガス流量の合計に対するＮ２ガス流量の比（Ｎ２ガス流量／（Ｎ２ガス流量＋Ｏ２ガス流量））を０．０５〜０．５の範囲とすることが好ましく、０．２〜０．４の範囲とすることがさらに好ましい。上記の実施例では、Ｏ２ガス流量とＮ２ガス流量の合計に対するＮ２ガス流量の比は、１３０／４００すなわち、約０．３３となっている。なお、堆積物は、静電チャックの周縁部に多く堆積し、中心部にはそれ程堆積しないため、ウエハレスドライクリーニング時には、周縁部のエッチングレートが中心部のエッチングレートよりも高くなるように条件を調整することが好ましく、これにより、静電チャックに対するダメージを最小限に抑えることができる。
【００４３】
また、上記の実施例において、ランニング時間が０時間（初期状態）、ランニング時間が６０時間、１００時間の状態におけるフォトレジスト及びＳｉＯ２膜のエッチングレート及びエッチングレートの面内均一性を測定したところ、以下のようになった。
ランニング時間０時間
フォトレジストのエッチングレート：１１４．８ｎｍ／ｍｉｎ±６．６％
ＳｉＯ２膜のエッチングレート：５６０．３ｎｍ／ｍｉｎ±８．１％
ランニング時間６０時間
フォトレジストのエッチングレート：１１４．５ｎｍ／ｍｉｎ±６．５％
ＳｉＯ２膜のエッチングレート：５５６．１ｎｍ／ｍｉｎ±６．５％
ランニング時間１００時間
フォトレジストのエッチングレート：１１３．９ｎｍ／ｍｉｎ±８．３％
ＳｉＯ２膜のエッチングレート：５５５．０ｎｍ／ｍｉｎ±６．８％
【００４４】
上記のように、ランニング時間６０時間後、１００時間後においても、初期状態とほとんど変わらない安定したエッチングを行うことができ、上記の実施例におけるウエハレスドライクリーニング工程が、エッチング工程に悪影響を与えないことが確認できた。
【００４５】
なお、上記の実施例では、ＣＦ系のガスを用いてＳｉＯ２膜のプラズマエッチングを行っているため、ＣＦ系の副生成物が堆積している。そして、クリーニングガス中の窒素がＣＦ系の副生成物からフッ素を引き抜くように作用し、副生成物がカーボンリッチな状態となり、酸素プラズマと反応し易くなって除去されていると推測される。
【００４６】
比較例１として、上記の実施例におけるウエハレスドライクリーニング工程に換えて、クリーニングガスとして、Ｏ２ガス（単ガス）＝６００ｓｃｃｍを用い、圧力２６．６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）、高周波電力（上部／下部）＝１０００／０Ｗにて、２０秒間のウエハレスドライクリーニング工程を行うサイクルで、実施例の場合と同様なランニングを２０時間行った。そして、２０時間のランニング後の処理チャンバー２内を観察したところ、処理チャンバー２内には、静電チャック１１の周縁部も含めてやや多い堆積物が残留していた。
【００４７】
比較例２として、上記の実施例におけるウエハレスドライクリーニング工程に換えて、クリーニングガスとして、Ｏ２ガス（単ガス）＝４００ｓｃｃｍを用い、圧力１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）、高周波電力（上部／下部）＝２０００／０Ｗにて、２０秒間のウエハレスドライクリーニング工程を行うサイクルで、実施例の場合と同様なランニングを２０時間行った。そして、２０時間のランニング後の処理チャンバー２内を観察したところ、処理チャンバー２内の堆積物は、比較例１の場合よりは少なくなっていたが、静電チャック１１の周縁部等に堆積物が残留していた。なお、この比較例２は、クリーニングガスとして、Ｏ２ガス（単ガス）を用いた場合において、クリーニングガス流量、圧力、高周波電力の条件を変更して得られた最良のクリーニング結果となる条件のものであるが、実施例の場合と比べると、明らかにクリーニング状態が劣っていた。
【００４８】
前述したクリーニングのモデルを検証するためにデポの組成分析を行った。その結果を図２に示す。結果として、図２に示される（１）のプラズマ処理後，（２）の比較例１の場合に比べて、（３）の比較例２，（４）の実施例では、フッ素の量が減少し、カーボンの量が増加していることが読み取れる。また、（３）の比較例２（Ｏ２単ガス）と（４）の実施例（Ｏ２／Ｎ２）との違いは、残留Ｏがデポ中に存在するか否かで、（４）ではクリーニングガス中に窒素ガスを含むことにより、（３）では存在する強固な結合であるＣ−Ｏ−Ｆ結合が存在しないため、Ｏ２単ガスでのクリーニングより良好なクリーニング結果が得られたと思われる。
【００４９】
以上説明したとおり、本実施形態によれば、従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することができる。なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１……プラズマエッチング装置、２……処理チャンバー、５……サセプタ（載置台）、２１……上部電極、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
2010199475.tif 000003
【図２】
2010199475.tif 000004