(57)【要約】      （修正有）【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。【選択図】図５Ａ
2010199117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、
前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラと
を備える基板処理装置であって、
前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、
前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
枚葉装置等の基板処理装置においては、装置の劣化や部品の故障などが原因でエラーが発生することがある。通常、エラーが発生すると装置は生産を停止するようになっている。このため、エラーの原因を早急に突き止め、対策を講じる必要がある。一般的には、装置制御のためのコントローラの操作部がログ取得機能を備え、ガス圧力やガス流量などのプロセスに関するデータは、ログ取得機能により取得及び保存することができることが多い。しかし、操作部が上位のコントローラからイーサネットなどのネットワークを介してデータを受信し、さらに、上位のコントローラが複数の下位のコントローラからネットワークを介してデータを受信する場合などには、ログ取得の周期は長くなってしまう。
ところで、基板処理装置で発生するエラーは、原因を突き止めるのが簡単なものから困難なものまで、多岐にわたる。例えば、センサが故障した場合には、故障が検知された状態が継続し、オペレータやメンテナンス要員（保守員）が故障したセンサを交換するまではエラーは解除されない。このような場合、エラーの原因を突き止めることは比較的簡単である。一方、装置を長期にわたって使用していると、ロボット機構の劣化や垂れ、ガタなどにより搬送中にツィーザが振動することがある。ツィーザが振動すると、ウエハ（基板）検知センサの出力信号がオン及びオフを繰り返してしまう。このような場合には、エラーとして検知され、装置が停止してしまう。しかし、一定時間後にはツィーザの振動は収まっているため、装置停止後にオペレータや保守員が確認する時点では、エラーが解除されていることが多い。ログ取得の周期はツィーザの振動時間に比べて長いため、ツィーザの振動によるエラーについては、操作部のログ取得機能を利用しても、エラーの原因を突き止めることが難しいことが多い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明に係る基板処理装置によれば、装置のハードウエアに近い下位コントローラで装置状態のログを取得することにより、高速で装置状態を示すデータをサンプリングすることができる。この高速サンプリングにより、従来の上位コントローラにおけるログ取得では見つけることが困難であったセンサ信号のばたつきや、短時間の圧力変動などを見つけやすくなり、エラーの原因を把握しやすくなる。また、エラー発生から過去に遡って装置状態を示すデータを参照することによって、装置がどのように変化してエラーが発生したかを知ることができ、エラー対策に有効となる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略横断面図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置のプラズマ処理ユニットをさらに説明する図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置において、エラーが発生しない場合を説明する図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置において、エラーが発生する場合を説明する図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置において、発生するエラーの原因が特定しづらい場合を説明する図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置において、発生するエラーの原因が特定しづらい別の場合を説明する図である。
【図５Ａ】本発明の第２の実施形態に係るアッシャ装置に接続されるＰＬＣのメモリ領域を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の第２の実施形態に係るアッシャ装置に接続されるＰＬＣのメモリ領域を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るアッシャ装置でエラーが検知され、エラーが通知された時点のログを取得する場合の各装置の動作を示すシーケンス図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[第１の実施形態]
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施例においては、プラズマ処理装置として用いられ、半導体製造装置として用いられるアッシャ装置により、半導体装置の製造方法が実現される。
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略横断面図であり、図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。
なお、以下、各図面において、実質的に同じ構成部分には、同じ符号が付加される。
【０００８】
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、アッシャ装置１は、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１００と、ロードロックチャンバ部２００と、トランスファーモジュール部３００と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部４００とを備えている。
【０００９】
ＥＦＥＭ１００は、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）１１０と、ＦＯＵＰ１１０それぞれからロードロックチャンバ部２００へウエハを搬送する大気搬送ロボット１２０とを備える。
ＦＯＵＰ１１０には、例えば、２５枚のウエハが搭載され、大気搬送ロボット１２０のアーム部が、ＦＯＵＰ１１０から例えば５枚ずつウエハ５００を抜き出す。ここでは、ウエハ５００は、被処理基板である。
【００１０】
ロードロックチャンバ部２００は、ロードロックチャンバ２１０と、ＦＯＵＰ１１０から搬送されたウエハ５００をロードロックチャンバ２１０内でそれぞれ保持するバッファユニット２２０とを備えている。バッファユニット２２０は、ボート２３０と、その下部のインデックスアセンブリ２４０とを備えている。ボート２３０と、その下部のインデックスアセンブリ２４０とは、θ軸（図１中の矢印で示される方向）を中心とした方向に同時に回転する。
【００１１】
トランスファーモジュール部３００は、搬送室として用いられるトランスファーモジュール３１０を備えており、トランスファーモジュール３１０には、ロードロックチャンバ２１０が、ゲートバルブ２５０を介して取り付けられている。トランスファーモジュール３１０には、プロセスチャンバ部４００へウエハ５００を搬送する真空アームロボットユニット３２０が設けられている。
【００１２】
プロセスチャンバ部４００は、処理室として用いられるプラズマ処理ユニット４１０を有している。プラズマ処理ユニット４１０は、ゲートバルブ２５０を介してトランスファーモジュール３１０に取り付けられている。
【００１３】
以下、図２を参照して、図１Ａ及び図１Ｂのプラズマ処理ユニット４１０をさらに説明する。
プラズマ処理ユニット４１０は、半導体基板や半導体素子に乾式処理でアッシングを施す高周波無電極放電型のプラズマ処理ユニットである。プラズマ処理ユニット４１０は、プラズマを生成するためのプラズマソース部４１２と、半導体基板などのウエハ５００を収容する処理室４１４と、プラズマソース部４１２（特に共振コイル）に高周波電力を供給する高周波電源４１６と、高周波電源４１６の発振周波数を制御する周波数整合器４１８とを備えている。
【００１４】
プラズマ処理ユニット４１０は、架台として用いられる水平なベースプレート４２０を有し、ベースプレート４２０は、上部にプラズマソース部４１２を配置し、下部に処理室４１４を配置して構成される。また、共振コイル４２２と外側シールド４２４とにより、螺旋共振器が構成される。
【００１５】
プラズマソース部４１２は、減圧可能に構成され、プラズマ用の反応ガスが供給される反応容器４２６と、反応容器の外周に巻回された共振コイル４２２と、共振コイル４２２の外周に配置され、電気的に接地された外側シールド４２４とから構成される。
なお、共振コイル４２２、高周波電源４１６及び周波数整合器４１８についての詳細は、後述する。
【００１６】
反応容器４２６は、通常、高純度の石英硝子やセラミックスにて円筒状に形成されたいわゆるチャンバである。反応容器４２６は、通常、軸線が垂直になるように配置され、トッププレート４２８及び処理室４１４によって上下端が気密に封止される。反応容器４２６の下方の処理室４１４の底面には、複数（例えば４本）の支柱４３０によって支持されるサセプタ４３２が設けられ、サセプタ４３２には、サセプタテーブル４３４及びサセプタ４３２上のウエハ５００を加熱する基板加熱部４３６が具備される。
【００１７】
サセプタ４３２の下方には、排気板４３８が配設される。排気板４３８は、ガイドシャフト４４０を介して底板４４２に支持され、底板４４２は処理室４１４の下面に気密に設けられる。ガイドシャフト４４０をガイドとして昇降自在に動くよう、昇降基板４４４が設けられる。昇降基板４４４は、少なくとも３本のリフターピン４４６を支持している。
【００１８】
リフターピン４４６は、サセプタ４３２を貫通する。リフターピン４４６の頂には、ウエハ５００を支持するウエハ支持部４４８が設けられている。
ウエハ支持部４４８は、サセプタ４３２の中心方向に延出している。リフターピン４４６の昇降によって、ウエハ５００をサセプタテーブル４３４に載置したり、サセプタテーブル４３４から持ち上げたりすることができる。底板４４２を経由して、昇降駆動部（不図示）の昇降シャフト４５０が昇降基板に連結され、昇降駆動部が昇降シャフト４５０を昇降させることで、昇降基板４４４及びリフターピン４４６を介して、ウエハ支持部４４８が昇降する。
【００１９】
サセプタ４３２及び排気板４３８の間に、円筒状のバッフルリング４５２が設けられる。バッフルリング４５２と、サセプタ４３２及び排気板４３８とで、第１排気室４５４が形成され、第１排気室４５４は、処理室４１４と仕切られている。また、第１排気室４５４は、バッフルリング４５２に設けられた多数均一の通気孔によって、処理室と連通している。
【００２０】
第１排気室４５４は、排気板に設けられた排気連通孔４５６によって、第２排気室４５８と連通している。第２排気室４５８には、排気管４６０が連通されており、排気管４６０には排気装置４６２が設けられている。
【００２１】
反応容器４２６上部のトッププレート４２８には、ガス供給ユニットから伸長され、所要のプラズマ用の反応ガスを供給するためのガス供給管４６２が、ガス導入口４６６を介して付設されている。ガス供給ユニットは、ガスの流量を制御する機能を持つ。具体的には、ガス供給ユニットは、流量制御部であるマスフローコントローラ４６８及び開閉弁４７０を有し、マスフローコントローラ４６８及び開閉弁４７０を制御することで、ガスの供給量を制御する。
【００２２】
また、反応容器４２６内には、反応ガスを反応容器４２６の内壁に沿って流れるようにするための略円板形で、石英からなるバッフル板４７２が設けられている。なお、流量制御部４６８及び排気装置４６２によって供給量、排気量を調整することにより、処理室４１４の圧力が調整される。
【００２３】
なお、本装置は、以上の構成に限らず、次のようにしてサセプタ４３２を構成してもかまわない。
すなわち、サセプタ４３２下面中心部に、サセプタ４３２を支持する柱状のサセプタ支持部をさらに設け、このサセプタ支持部の内側にヒータや、ヒータに電力を供給するヒータ線等が格納されるよう、サセプタ４３２を構成してもかまわない。このような構成により、各線がプラズマや処理ガスにさらされることがないため、サセプタ４３２の耐性を向上させることができる。
【００２４】
共振コイル４２２は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、共振コイル４２２の電気的長さは、高周波電源から供給される電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、・・・）又は半波長もしくは１／４波長に相当する長さに設定される。
例えば、1波長の長さは、１３．５６ＭＨｚの場合約２２メートル、２７．１２ＭＨｚの場合約１１メートル、５４．２４ＭＨｚの場合約５．５メートルになる。
共振コイル４２２は、絶縁性材料にて平板状に形成され、かつ、ベースプレート４２０の上端面に鉛直に立設された複数のサポートによって支持される。
【００２５】
共振コイル４２２の両端は電気的に接地されるが、共振コイル４２２の少なくとも一端は、アッシャ装置１を最初に設置する際又は処理条件を変更する際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ４７４を介して接地される。図３中の符号４７６は他方の固定グランドを示す。さらに、アッシャ装置１を最初に設置する際又は処理条件を変更する際に共振コイル４２２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル４２２の接地された両端の間には、可動タップ４７４によって給電部が構成される。
【００２６】
すなわち、共振コイル４２２は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え、かつ、高周波電源４１６から電力供給される給電部を各グランド部の間に備え、しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。共振コイル４２２が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、プラズマソース部４１２の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。
【００２７】
外側シールド４２４は、共振コイル４２２の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイルとの間に形成するために設けられる。外側シールド４２４は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。外側シールド４２４は、共振コイル４２２の外周から、例えば５〜１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
【００２８】
高周波電源４１６の出力側にはＲＦセンサ４７８が設置され、進行波、反射波等をモニタしている。ＲＦセンサ４７８によってモニタされた反射波電力は、周波数整合器４１８に入力される。周波数整合器４１８は、反射波が最小となるよう周波数を制御する。
【００２９】
アッシャ装置１は、複数のコントローラ６００を有する。ここでは、複数のコントローラ６００のうちの一つが図示され、このコントローラ６００は、例えば、ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）であり、高周波電源４１６により供給される電力量を検出するセンサ（不図示）に接続され、電力量を示すデータを取得しつつ、高周波電源４１６を制御する。図示しないが、残りのコントローラ６００は、ウエハ５００の搬送状態を検出するセンサ、処理室４１４内の温度を検出するセンサ及び処理室４１４内のガス圧力を検出するセンサ（すべて不図示）などに接続され、アッシャ装置１の処理室４１４内の各部品（アクチュエータなど）の状態を示すデータ（装置状態データ）を取得しつつ、各部品を制御する。コントローラ６００により取得された装置状態データは、上位コントローラ７００によって、予め定められた周期で一括して取得される。上位コントローラ７００は、自動制御を行い、コントローラ６００と通信可能に接続される。
【００３０】
さらに、上位コントローラ７００には、ＬＡＮケーブルなどを介して、一般的なコンピュータとしての機能を備える端末装置８００が接続される。ここでは、端末装置８００は、例えば、ＨＭＩ（Human Machine Interface）であり、上位コントローラ７００から、コントローラ６００により取得された装置状態データを受信し、ディスプレイなどを介してオペレータに提供することができる。
【００３１】
ここで、ＰＬＣであるコントローラ６００（特に、ＰＬＣ内のＣＰＵユニット）について、簡単に説明する（コントローラ６００の詳細は、図５Ａ及び図５Ｂを参照して後述）。
ＰＬＣ６００では、ＰＬＣ６００のサンプリング周期で、アッシャ装置１の処理室４１４内の各部品の状態が反映される。つまり、上位コントローラ７００では、ＰＬＣ６００のサンプリング周期以下の短い期間で発生した部品の状態変化は検知されない。
【００３２】
ここでは、複数のコントローラ６００が上位コントローラ７００に接続され、上位コントローラ７００が端末装置８００に接続されるものとして説明したが、複数のコントローラ６００及び上位コントローラ７００の間に、サブコントローラなどをさらに接続してもかまわないし、複数のコントローラ６００のそれぞれの機能を備える１つのコントローラ６００を上位コントローラ７００に接続してもかまわない。
また、アッシャ装置１、コントローラ６００、上位コントローラ７００及び端末装置８００は、同一装置内に設けられてもかまわないし、これらのうちのいずれかが別の装置内に設けられてもかまわない。
【００３３】
以上のように構成されたアッシャ装置１では、ウエハ５００は、ロードロックチャンバ２１０に搬送され、ロードロックチャンバ２１０内で真空引き（真空置換）され、ロードロックチャンバ２１０から、トランスファーモジュール３１０を経て、プラズマ処理ユニット４１０に搬送され、プラズマ処理ユニット４１０でレジストの除去がなされ（除去工程）、再びトランスファーモジュール３１０を経てロードロックチャンバ２１０へ搬送される。
【００３４】
この際、大気搬送ロボット１２０がθ軸方向（図１Ａ中の矢印で示される方向）に回転し、バッファユニット２２０のボート２３０にウエハ５００を搭載する。このとき、ボート２３０のＺ軸方向（図１Ｂ中の矢印で示される方向）の動作により、ボート２３０は、大気搬送ロボット１２０から２５枚のウエハ５００を受け取る。２５枚のウエハ５００を受け取った後、ボート２３０の最下層にあるウエハ５００がトランスファーモジュール部３００の高さ位置に合うよう、ボート２３０をＺ軸方向に動作させる。
【００３５】
ロードロックチャンバ２１０においては、ロードロックチャンバ２１０内にバッファユニット２２０によって保持されているウエハ５００を、真空アームロボットユニット３２０のフィンガーに搭載する。θ軸方向で真空アームロボットユニット３２０を回転し、さらにＹ軸方向（図１Ａ中の矢印で示される方向）にフィンガーを延伸し、プラズマ処理ユニット４１０内のサセプタテーブル４３４上に移載する。
【００３６】
フィンガーからサセプタテーブル４３４上にウエハを移載するには、真空アームロボットユニット３２０のフィンガー及びリフターピン４４６を協働させる。また、逆の動作により、処理が終了したウエハ５００をサセプタテーブル４３４から、真空アームロボットユニット３２０によって、ロードロックチャンバ２１０内のバッファユニット２２０にウエハ５００を移載する。
【００３７】
プラズマ処理ユニット４１０においては、ウエハ５００を搭載したフィンガーが処理室４１４に進入し、リフターピン４４６が上昇する。フィンガーは、上昇したリフターピン４４６にウエハ５００を載置する。
【００３８】
室温に保持されたウエハ５００が載置された後、ガス供給管４６４からプラズマソース部４１２にアッシングガスが供給される。アッシングガスは、例えば、酸素、水素、水、アンモニア、四フッ化炭素（ＣＦ４）などである。アッシングガスが供給された後、高周波電源４１６が、共振コイル４２２に電力を供給する。
【００３９】
共振コイル４２２内部では、誘導磁界が励起されて自由電子が加速され、自由電子がガス分子と衝突することにより、ガス分子を励起してプラズマを生成する。このようにして、アッシャ装置１では、プラズマ化されたアッシングガスにより、アッシング処理を行う。
【００４０】
以下、図３及び図４を参照して、アッシャ装置１で発生するエラーを説明する。
図３は、アッシャ装置１で発生するエラーの原因が特定しやすい場合を説明する図である。
まず、図３Ａを用いて、アッシャ装置１でエラーが発生しない場合を説明する。図３Ａは、アッシャ装置１で行われる処理フローの一部（図１Ａの真空アームロボットユニット３２０が、ロードロックチャンバ部２００からプロセスチャンバ部４００にウエハを搬送する処理など）と、搬送室３１０のロードロックチャンバ部２００との接合部付近に設置されたウエハ検知センサの状態と、ウエハの有無、ウエハ検知センサの出力信号とを、処理フローのステップごとに示した図である（以下、図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂについても同様）。
図３Ａに示すように、処理を開始するステップでは、ロボットのアームにはウエハがないので、検知センサからの出力信号は「ウエハなし」を示す。ロボットのアームが搬送元からウエハを取り出すステップでは、アームにはウエハが載置されているので、検知センサからの出力信号は「ウエハあり」を示す。ロボットのアームが搬送先に移動するステップ及びロボットのアームがウエハを搬送先に載置するステップでは、ウエハを載置したアームは移動しているので、検知センサからの出力信号は「ウエハなし」を示す。
【００４１】
次に、図３Ｂを用いて、アッシャ装置１でエラーが発生する場合を説明する。
図３Ｂに示すように、検知センサが故障した場合には、検知センサの出力信号は、ロボットのアームにウエハが載置されているか否かというウエハ載置状況を正確に示すとは限らない。しかし、検地センサが故障して、出力信号が常にオフを示す場合には、処理を開始するステップで出力信号に異常があることが分かり、検知センサが故障していることが分かる。
【００４２】
図４Ａは、アッシャ装置１で発生するエラーの原因が特定しづらい場合を説明する図である。
ロボットのアームの劣化などの理由により、ロボットのアームがウエハを搬送する間にツィーザが振動する場合には、図４Ａに示すように、ロボットのアームが搬送元からウエハを取り出すステップにおいて、検知センサにツィーザの振動が伝わり、検知センサの出力信号がオンオフを繰り返す。上位コントローラ７００（図２）は、コントローラ６００（図２）を介してこのような出力信号を受信した場合、エラーを検知して、コントローラ６００及び端末装置８００にエラーを通知する。コントローラ６００は、通知されたエラーに基づいて、アッシャ装置１を停止する。端末装置８００で表示されるエラー及びアッシャ装置１の停止により、オペレータは、アッシャ装置１でエラーが発生したと認識して、アッシャ装置１の状態を確認する。しかし、通常、アッシャ装置１及び端末装置８は物理的に離れた場所に設置されていることが多い。また、上位コントローラ７００は、複数のコントローラ６００それぞれから、装置状態データを一括して受信するので、上位コントローラ７００が装置状態データを取得する周期は、複数のコントローラ６００それぞれが装置状態データを取得する周期に比べて長くなることが多い。よって、オペレータがアッシャ装置１の状態を確認するのは、アッシャ装置１でエラーが発生してから時間が経った後になる。また、ツィーザの振動は装置停止後から減衰するので、エラーが発生してから時間が経った後には、ツィーザの振動がすでにおさまっていることが多い。したがって、オペレータがアッシャ装置１の状態を確認しても、エラーの原因が特定しづらいことが多い。
【００４３】
図４Ｂは、アッシャ装置１で発生するエラーの原因が特定しづらい別の場合を説明する図である。
アッシャ装置１で用いられるガスは、図２の開閉弁４７０を開閉することにより、工場内のガス供給設備から供給される。ガスの圧力の異常は、開閉弁４７０に設けられたセンサによって検知される。ガス供給設備によって供給されるガスの容量が小さく、アッシャ装置１で用いられるガスの容量に近い場合には、ガス供給設備がアッシャ装置１にガスを供給したとき、アッシャ装置１のガスの圧力が低下する。ガスの圧力が閾値（例えば、ガス圧力低下のエラーを検知する閾値）を下回り、エラーが検知された場合には、オペレータは、アッシャ装置１でエラーが発生したと認識して、アッシャ装置１の状態を確認する。しかし、図４Ａを参照して説明した場合と同様、オペレータがアッシャ装置１の状態を確認するのは、アッシャ装置１でエラーが発生してから時間が経った後になる。エラーが発生してから時間が経った後には、インターロックにより開閉弁４７０が閉まり、ガスの圧力は正常な数値に戻るので、オペレータがアッシャ装置１の状態を確認しても、エラーの原因が特定しづらいことが多い。
【００４４】
以上説明したように、エラーが検知されても、エラーの原因が特定しづらい場合がある。
以下に説明する本発明の第２の実施形態は、このような場合に対応するために改良されたものである。
【００４５】
[第２の実施形態]
以下、本発明の第２の実施形態に係るアッシャ装置を説明する。
図５Ａは、本発明の第２の実施形態に係るアッシャ装置に接続される、ＰＬＣであるコントローラ６００のメモリ領域を示す図である。図５Ａに示すように、ＰＬＣ６００のメモリ領域は、ＰＬＣ６００の入力モジュールなどを介して、アッシャ装置１に設けられた各センサから受信した装置状態データ（例えば、センサのオンオフ状態を示す信号値や、温度及び圧力などを示すアナログ値など）を記憶する装置状態領域（装置状態エリア）６０２と、ＰＬＣ６００のサンプリング周期ごとに装置状態エリア６０２のデータのコピーを記憶することによって、装置状態エリア６０２のログを取得するログ領域（ログエリア）６０４−１〜６０４−ｎとにより構成される。現在の装置状態を示す装置状態データは、ＰＬＣ６００のサンプリング周期で更新される。ここで、サンプリング周期とは、ログを取得する周期を意味し、サンプリング周期の最短は、ＰＬＣ６００でプログラム（不図示）が実行される周期（サイクルタイム）である。
装置状態データを記憶する装置状態領域（装置状態エリア）６０２と、装置状態データのコピーを記憶するログ領域（ロギングエリア）６０４−１〜６０４−ｎとにより構成される。ＰＬＣ６００でプログラム（不図示）が実行されることにより、ＰＬＣ６００のメモリ領域では、受信した装置状態データのログを記憶するためのロギングエリア６０４を確保する。具体的には、ロギングエリア６０４−１に記憶された装置状態データは破棄され、ロギングエリア６０４−２〜６０４−ｎに記憶された装置状態データのログがロギングエリア６０４−１〜６０４−（ｎ−１）に記憶される。このようにして、ロギングエリア６０４−ｎが確保され、受信した装置状態データのログがロギングエリア６０４−ｎに記憶される。
例えば、１００個のロギングエリア６０４−１〜６０４−１００が確保され、ＰＬＣ６００のサンプリング周期が５０ｍｓｅｃである場合には、現時点から遡って５秒間の装置状態がロギングエリア６０４−１〜６０４−１００に記憶される。
なお、正常時には、ＰＬＣ６００でプログラムが実行されてログが取得されるが、エラー発生時には、エラー発生時の装置状態データが破棄されないよう、プログラムが停止される。一定の周期でログを取得する場合には、ＰＬＣ６００内のクロックパルスの切り替えをトリガとして、ＰＬＣ６００でプログラムが実行されるようにしてもかまわない。
このように、ＰＬＣ６００で装置状態データのログを取得することにより、上位コントローラで装置状態データのログを取得する場合に比べ、より短い周期でログを取得することができ、このログを参照することによって、アッシャ装置１で発生したエラーの原因を特定することができる。よって、エラーからの復旧処理にとりかかるまでの時間を短縮できるので、結果的に、アッシャ装置１の稼働率を上げることができる。
また、エラーが特定しづらい場合（上記図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明した場合など）には、アッシャ装置１の状態が正常に回復した後であっても、装置状態データのログを参照することによって、エラーの原因を特定することができる。
【００４６】
図５Ｂは、ＰＬＣであるコントローラ６００のメモリ領域を示す図である。図５Ｂに示すように、ＰＬＣ６００のメモリ領域は、図５Ａと同様、装置状態データを記憶する装置状態領域（装置状態エリア）６０２と、装置状態データのコピーを記憶するログ領域（ロギングエリア）６０４−１〜６０４−ｎとにより構成される。ＰＬＣ６００でプログラム（不図示）が実行されることにより、ＰＬＣ６００のメモリ領域では、上位コントローラ７００からエラーが通知されたことをトリガとして、この時点でロギングエリア６０４−１〜６０４−ｎに記憶されているログを、外部メモリに１つのログファイル（ここではログファイル１）として出力する。なお、エラー発生後のアッシャ装置１の状態の変化を把握するため、上位コントローラ７００からエラーが通知された時点のログだけではなく、さらに、上位コントローラ７００からエラーが通知されてから予め定められた時間を経過したログを、外部メモリにログファイルとして出力してもかまわない。
このように、ログファイルを外部メモリに出力することにより、装置製造元にログファイルを確認してもらい、エラーの原因を特定してもらうことができるので、オペレータがアッシャ装置１の状態を直接確認してエラーの原因を特定する場合に比べ、エラーの原因を特定するまでの時間を短縮し、エラーの原因を特定するまでにかかる費用を削減することができる。
なお、ここでは、ログファイル名をログファイル１、ログファイル２、・・・としているが、エラーが通知された日時及びエラーを識別するための識別子（エラーＩＤ）などがログファイル名に含まれてもかまわない。
【００４７】
図６は、アッシャ装置１でエラーが検知され、エラーが通知された時点のログを取得する場合、ログファイル名に、エラー通知日時及びログＩＤを含めるときの各装置（アッシャ装置１、コントローラ６００、上位コントローラ７００及び端末装置８００）の動作を示すシーケンス図である。図６（ａ）は、ログファイル名に、エラー通知日時を含める場合のシーケンス図であり、図６（ｂ）は、ログファイル名に、エラーＩＤを含める場合のシーケンス図である。
図６（ａ）に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、端末装置８００はＮＴＰ（Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）サーバとして機能し、時刻同期信号をコントローラ６００に対して送信することにより、コントローラ６００と時刻同期を行う。ステップ１０２（１０２）において、アッシャ装置１は、コントローラ６００に対して装置状態データを送信する。ステップ１０４（Ｓ１０４）において、コントローラ６００は、ステップ１０２で受信した装置状態データのコピーをログ領域に書き込む。ステップ１０６（Ｓ１０６）において、コントローラ６００は、ステップ１０２で受信した装置状態データを上位コントローラ７００に対して送信する。ステップ１０８（Ｓ１０８）において、上位コントローラ７００は、ステップ１０６で受信した装置状態データに基づいて、エラーを検知する。ステップ１１０，１１２（Ｓ１１０，１１２）において、上位コントローラ７００は、ステップ１０８で検知したエラーを、コントローラ６００及び端末装置８００に対して通知する。ステップ１１４（Ｓ１１４）において、コントローラ６００は、エラーが通知された時点でログ領域に書き込まれている装置状態データを、外部メモリにログファイルとして出力する。このとき、コントローラ６００は、ステップ１１０でエラーが通知された日時を、ログファイルの名前に含める。ステップ１１６（Ｓ１１６）において、端末装置８００は、ステップ１１２で通知されたエラーを、エラーが通知された日時とともに表示する。
このように、コントローラ６００及び端末装置８００の時刻を同期させることにより、コントローラ６００が出力するログファイルと、端末装置８００で表示されるエラーとを、エラー通知日時によって紐付けすることができる。よって、複数のエラーが発生した場合であっても、ログファイルを特定することができる。
【００４８】
図６（ｂ）のステップ２００〜２０８（Ｓ２００〜２０８）において、図６（ａ）のステップ１０２〜１１２（Ｓ１０２〜１１２）と同じ処理が行われる。ステップ２１０（Ｓ２１０）において、端末装置８００は、ステップ２０８で通知されたエラーに対し、エラーＩＤを割り当て、エラーＩＤとともにエラーを表示する。ステップ２１２（Ｓ２１２）において、端末装置８００は、ステップ２１０で割り当てたエラーＩＤを、コントローラ６００に対して通知する。ステップ２１４（Ｓ２１４）において、コントローラ６００は、ステップ２１２でエラーＩＤが通知された時点のログを外部メモリにログファイルとして出力する。このとき、コントローラ６００は、ステップ２１２で通知されたエラーＩＤを、ログファイルの名前に含める。
このように、端末装置８００で付与されたエラーＩＤをコントローラ６００に対して通知することにより、コントローラ６００が出力するログファイルと、端末装置８００で表示されるエラーとを、エラーＩＤによって紐付けすることができる。よって、複数のエラーが発生した場合であっても、ログファイルを特定することができる。
【００４９】
なお、本発明の実施形態に係るアッシャ装置１は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置などのガラス基板を処理する装置にも適用される。また、本発明の実施形態に係るアッシャ装置１は、他の基板処理装置である露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置などにも適用される。また、本発明の実施形態に係るアッシャ装置１は、炉内の処理を限定せず、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化散を形成する処理、及び、金属を含む膜を形成する処理を含む成膜処理を行うことができる。さらに、本発明の実施形態に係るアッシャ装置１は、アニール処理、酸化処理、窒化処理及び拡散処理等を行うことができる。
【００５０】
好適には、前記下位コントローラは、前記エラー通知後の前記検出部からの出力内容をログファイルとして記憶し、前記ログファイルを保存する基準となる時刻は、前記操作部に前記検出部からの出力内容を表示する基準となる時刻と同期する。
【００５１】
好適には、前記下位コントローラにエラーが通知された後、前記操作部は、前記エラーを識別する識別子（ＩＤ）を割り当て、この識別子とともに前記検出部からの出力内容を表示し、下位コントローラに識別子を通知する。
【００５２】
好適には、前記下位コントローラに識別子が通知された後、前記下位コントローラは、前記エラー通知後の前記検出部からの出力内容を、前記識別子が含まれる名前を付けて、ログファイルとして記憶する。
【００５３】
好適には、前記下位コントローラは、前記エラー通知時の前記検出部からの出力内容をログファイルとして記憶する。
【００５４】
上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理方法は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置において、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知するステップと、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶するステップとを実行する基板処理方法である。
【符号の説明】
【００５５】
１            アッシャ装置
１００      ＥＦＥＭ
１１０    ＦＯＵＰ
１２０    大気搬送ロボット
２００      ロードロックチャンバ部
２１０    ロードロックチャンバ
２２０    バッファユニット
２３０    ボート
２４０    インデックスアセンブリ
２５０    ゲートバルブ
３００      トランスファーモジュール部
３１０    トランスファーモジュール
３２０    真空アームロボットユニット
４００      プロセスチャンバ部
４１０    プラズマ処理ユニット
４１２  プラズマソース部
４１４  処理室
４１６  高周波電源
４１８  周波数整合器
４２０  ベースプレート
４２２  共振コイル
４２４  外側シールド
４２６  反応容器
４２８  トッププレート
４３０  支柱
４３２  サセプタ
４３４  サセプタテーブル
４３６  基板加熱部
４３８  排気板
４４０  ガイドシャフト
４４２  底板
４４４  昇降基板
４４６  リフターピン
４４８  ウエハ支持部
４５０  昇降シャフト
４５２  バッフルリング
４５４  第１排気室
４５６  排気連通孔
４５８  第２排気室
４６０  排気管
４６２  排気装置
４６４  ガス供給管
４６６  ガス導入口
４６８  マスフローコントローラ
４７０  開閉弁
４７２  バッフル板
４７４  可動タップ
４７６  固定グランド
４７８  ＲＦセンサ
５００      ウエハ
６００      コントローラ
６０２    装置状態領域
６０４    ログ領域
７００      上位コントローラ
８００      端末装置
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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