(57)【要約】【課題】開口率、透過率の改善が図られる電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】電気光学装置２は、基板１２上に電極３４を有する電気光学装置であって、基板１２上に設けられた絶縁膜７６と、絶縁膜７６上に設けられた線状部８０を有する下地層７８と、少なくとも下地層７８の線状部８０の一部を覆うように設けられ、線状部８０に沿った方向に延在する電極３４と、を含み、下地層７８は、絶縁膜７６より電極３４の成膜時に電極３４の結晶の成長を促進させる。【選択図】図３
2010145455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極を有する電気光学装置であって、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた線状部を有する下地層と、
少なくとも前記下地層の前記線状部の一部を覆うように設けられ、該線状部に沿った方
向に延在する前記電極と、
を含み、
前記下地層は、前記絶縁膜より前記電極の成膜時に該電極の結晶の成長を促進させるこ
とを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記電極は、透明であり且つＩＴＯからなるものであることを特徴とする電気光学装置
。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜からなり、
前記下地層は、シリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜からなるものであることを特徴と
する電気光学装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜からなり、
前記下地層は、シリコン窒化膜からなるものであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
基板上に電極を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、線状部を有する下地層を形成する工程と、
前記絶縁膜上及び前記下地層の前記線状部上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に、前記下地層の前記線状部と平面視で重なる領域にレジスト層を形成す
る工程と、及び、
前記導電膜を、前記レジスト層をマスクにエッチングし、前記電極を形成する工程と、
を含み、
前記下地層は、前記絶縁膜より前記導電膜の成膜時に該導電膜の結晶の成長を促進させ
る絶縁膜であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記導電膜は、透明であり且つＩＴＯからなるものであることを特徴とする電気光学装
置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜からなり、
前記下地層は、シリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜からなるものであることを特徴と
する電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜からなり、
前記下地層は、シリコン窒化膜からなるものであることを特徴とする電気光学装置の製
造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶装置等の電気光学装置では、平面状に配置された複数の画素領域を有してお
り、液晶層等の電気光学層を各画素領域で発生させた電界によって駆動している。又、例
えば透過型の液晶装置では、各画素領域の開口率を向上させるため、画素領域に配置され
た画素電極を例えば多結晶ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透光性の導電材料で形成
している。
【０００３】
透光性の導電材料で構成された画素電極は、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチン
グによりパターニングすることによって形成される。しかし、多結晶ＩＴＯは、一般的に
塩酸と硝酸との混合液をエッチャントとしてエッチングされるが、エッチング速度が遅い
ことに加え、結晶毎にエッチングが進行することからエッチング後に残渣が生じてしまう
。そのため、隣接する他の画素領域との間での画素電極の絶縁状態を維持するため、画素
電極間の間隔を十分に確保する必要があり、微細加工が困難である。
【０００４】
ここで、エッチングレートを改善するために、ヨウ化水素、塩化鉄系の薬液を用いたり
、濃硫酸、濃塩酸系を昇温させて用いたり等、エッチング液が提案されている（例えば、
特許文献１及び２参照）。
【０００５】
一方、ＦＦＳモードの液晶装置は、素子基板及び対向基板のうち、素子基板に画素電極
と、電極間絶縁膜と、開口部が形成された共通電極とを積層し、画素電極と共通電極とに
印加された電場により液晶を駆動する。
【０００６】
このようなＦＦＳモードの液晶装置において、画素スイッチング素子として、トップゲ
ート構造の薄膜トランジスタを用いた場合の構造（断面図及び平面図）を図７（Ａ）、（
Ｂ）に示す。ここに示す例は、本願発明と対比するために本願発明者が案出したものであ
る。図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、液晶２８が素子基板１２と対向基板１０との間に
保持されている点では、ＦＦＳモードの液晶装置もＴＮモードの液晶装置と同様であるが
、ＦＦＳモードの液晶装置の場合、素子基板１２の側には、画素スイッチング用の薄膜ト
ランジスタ３８と、この薄膜トランジスタ３８を覆う層間絶縁膜６４、７０と、層間絶縁
膜７０に形成されたコンタクトホール７２及びドレイン電極６８を介して薄膜トランジス
タ３８に電気的に接続された画素電極３０とに加えて、画素電極３０を覆う電極間絶縁膜
７６と、この電極間絶縁膜７６の上層に形成された共通電極３４とが形成されている。共
通電極３４は、コンタクトホール７２が形成されている領域も含めて、素子基板１２上の
画像表示領域の全面にわたって形成されていると共に、複数のスリット状の開口部４６が
整列した状態に形成されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−５８９９号公報
【特許文献２】特開平１０−１７８１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このままでは横方向のエッチングレートも上昇してしまい、電極の微細
加工が困難であった。一方で、開口率、透過率の面等から、電極の微細なパターニングへ
の要求が高まってきている。又、上記従来の液晶表示装置の製造方法においても、ＩＴＯ
等の透光性の導電材料で構成された電極のより微細なパターニングを行うことが望まれて
いる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］基板上に電極を有する電気光学装置であって、前記基板上に設けられた絶
縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた線状部を有する下地層と、少なくとも前記下地層の前
記線状部の一部を覆うように設けられ、該線状部に沿った方向に延在する前記電極と、を
含み、前記下地層は、前記絶縁膜より前記電極の成膜時に該電極の結晶の成長を促進させ
ることを特徴とする電気光学装置。
【００１１】
これによれば、画素レイアウトにおいて、少なくとも電極の線状部の下層に、電極の除
去された領域の絶縁膜と異なる下地層が設けられる。下地層については、絶縁膜より電極
の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有している。これにより、ＩＴＯをエッチン
グする際に、平面的に下地層とオーバーラップする領域が横方向のエッチングストップ領
域としての機能を有する。即ち、電極をエッチャントに浸漬させると、電極のうち絶縁層
と対応する領域が下地層と対応する領域と比較して短時間で除去される。そのため、エッ
チャントに対して絶縁層と対応する領域において絶縁層が露出すると共に、下地層と対応
する領域においては電極がゆっくりエッチング進行している。これにより、下地層と対応
する領域においては、残渣の発生を抑制できる。以上より、電極の線状部の微細なパター
ンを精度よく、残渣を発生させることなく形成することができ、開口率、透過率の改善が
図られる。
【００１２】
［適用例２］上記電気光学装置であって、前記電極は、透明であり且つＩＴＯからなる
ものであることを特徴とする電気光学装置。
【００１３】
これによれば、開口率、透過率の改善が更に図られる。
【００１４】
［適用例３］上記電気光学装置であって、前記絶縁膜は、有機絶縁膜からなり、前記下
地層は、シリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜からなるものであることを特徴とする電気
光学装置。
【００１５】
これによれば、下地層が絶縁膜より電極の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有
しているので、絶縁膜上と下地層上とで互いに異なる結晶性を有する電極を容易に設ける
ことができる。
【００１６】
［適用例４］上記電気光学装置であって、前記絶縁膜は、シリコン酸化膜からなり、前
記下地層は、シリコン窒化膜からなるものであることを特徴とする電気光学装置。
【００１７】
これによれば、下地層が絶縁膜より電極の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有
しているので、絶縁膜上と下地層上とで互いに異なる結晶性を有する電極を容易に設ける
ことができる。
【００１８】
［適用例５］基板上に電極を有する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、線状部を有する下地層を形成する工程と、前記
絶縁膜上及び前記下地層の前記線状部上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に、前
記下地層の前記線状部と平面視で重なる領域にレジスト層を形成する工程と、及び、前記
導電膜を、前記レジスト層をマスクにエッチングし、前記電極を形成する工程と、を含み
、前記下地層は、前記絶縁膜より前記導電膜の成膜時に該導電膜の結晶の成長を促進させ
る絶縁膜であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１９】
これによれば、画素レイアウトにおいて、少なくとも電極の線状部の下層に、電極の除
去された領域の絶縁膜と異なる下地層が設けられる。下地層については、絶縁膜より電極
の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有している。これにより、ＩＴＯをエッチン
グする際に、平面的に下地層とオーバーラップする領域が横方向のエッチングストップ領
域としての機能を有する。即ち、電極をエッチャントに浸漬させると、電極のうち絶縁層
と対応する領域が下地層と対応する領域と比較して短時間で除去される。そのため、エッ
チャントに対して絶縁層と対応する領域において絶縁層が露出すると共に、下地層と対応
する領域においては電極がゆっくりエッチング進行している。これにより、下地層と対応
する領域においては、残渣の発生を抑制できる。以上より、電極の線状部の微細なパター
ンを精度よく、残渣を発生させることなく形成することができる。
【００２０】
［適用例６］上記電気光学装置の製造方法であって、前記導電膜は、透明であり且つＩ
ＴＯからなるものであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００２１】
これによれば、開口率、透過率の改善が図られる。
【００２２】
［適用例７］上記電気光学装置の製造方法であって、前記絶縁膜は、有機絶縁膜からな
り、前記下地層は、シリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜からなるものであることを特徴
とする電気光学装置の製造方法。
【００２３】
これによれば、下地層が絶縁膜より電極の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有
しているので、絶縁膜上と下地層上とで互いに異なる結晶性を有する導電膜を容易に設け
ることができる。
【００２４】
［適用例８］上記電気光学装置の製造方法であって、前記絶縁膜は、シリコン酸化膜か
らなり、前記下地層は、シリコン窒化膜からなるものであることを特徴とする電気光学装
置の製造方法。
【００２５】
これによれば、下地層が絶縁膜より電極の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有
しているので、絶縁膜上と下地層上とで互いに異なる結晶性を有する導電膜を容易に設け
ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、実施形態について図面を参照して説明する。尚、以下の説明で参照する図におい
ては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を適宜変更している。又、カラーフィルタや配向膜等の図示は省略してある。
【００２７】
（全体構成）
図１は、本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置２を示す図であり、図１（Ａ
）は、液晶装置２上に形成された各構成要素と共に対向基板１０の側から見た平面図、及
び図１（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ’断面図である。本実施形態に係る液晶装置２では、ＬＴＰ
Ｓ（Low Temperature Poly Silicon）パネルでＦＦＳ（Fringe Field Switching）表示モ
ードを実現する画素が形成されている。
【００２８】
図１（Ａ）、（Ｂ）において、液晶装置２は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装
置であり、素子基板（基板）１２の上には、シール材１４が対向基板１０の縁に沿うよう
に設けられている。素子基板１２において、シール材１４の外側の領域には、データ線駆
動回路１６及び実装端子１８が素子基板１２の一辺に沿って設けられており、実装端子１
８が配列された辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路２０が形成されている。素
子基板１２の残る一辺には、画像表示領域２２の両側に設けられた走査線駆動回路２０間
をつなぐための複数の配線２４が設けられており、更に、額縁２６の下等を利用して、プ
リチャージ回路や検査回路等の周辺回路が設けられることもある。対向基板１０は、シー
ル材１４と略同じ輪郭を備えており、このシール材１４によって対向基板１０が素子基板
１２に固着されている。素子基板１２と対向基板１０との間に液晶（電気光学層）２８が
保持されている。
【００２９】
詳しくは後述するが、素子基板１２には、画素電極３０がマトリクス状に形成されてい
る。これに対して、対向基板１０には、シール材１４の内側領域に遮光性材料からなる額
縁２６が形成され、その内側が画像表示領域２２とされている。対向基板１０では、素子
基板１２の画素電極３０の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、或いは
ブラックストライプ等と称せられる遮光膜３２が形成されている。
【００３０】
本実施形態の液晶装置２は、液晶２８をＦＦＳモードで駆動する。このため、素子基板
１２の上には、画素電極３０に加えて共通電極（電極）３４も形成されており、対向基板
１０には、対向電極が形成されていない。
【００３１】
（液晶装置２の詳細な構成）
図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置２及びそれに用いた素子基板１２の構成を
説明する。
図２は、本実施形態に係る液晶装置２に用いた素子基板１２の画像表示領域２２の電気
的な構成を示す等価回路図である。
【００３２】
図２に示すように、液晶装置２の画像表示領域２２には複数の画素３６がマトリクス状
に形成されている。複数の画素３６の各々には、画素電極３０、及び画素電極３０を制御
するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（画素スイッチング素子）３８が形成
されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線４０が薄膜トランジス
タ３８のソースに電気的に接続されている。薄膜トランジスタ３８のゲートには走査線４
２が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線４２に走査信号を線順次で印
加するように構成されている。画素電極３０は、薄膜トランジスタ３８のドレインに電気
的に接続されており、薄膜トランジスタ３８を一定期間だけそのオン状態とすることによ
り、データ線４０から供給されるデータ信号を各画素３６に所定のタイミングで書き込む
。このようにして画素電極３０を介して、図１（Ｂ）に示す液晶２８に書き込まれた所定
レベルの画素信号は、素子基板１２に形成された画素電極３０と共通電極３４との間で一
定期間保持される。ここで、画素電極３０と共通電極３４との間には保持容量４４が形成
されており、画素電極３０の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も
長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高
い表示を行うことのできる液晶装置２が実現される。
【００３３】
図２では、共通電極３４が走査線駆動回路２０から延びた配線のように示してあるが、
素子基板１２の画像表示領域２２の略全面に形成されており、所定の電位に保持される。
【００３４】
（各画素の詳細な構成）
図３は、本実施形態に係る液晶装置２の画素３６を示す図であり、図３（Ｂ）は、素子
基板１２において相隣接する画素３６の平面図、及び図３（Ａ）は、そのIII−III’断面
図である。又、図３（Ｂ）では、画素電極３０は長い点線で示し、データ線４０及びそれ
と同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線４２は二点鎖線で示し、共通電極３４に
おいて部分的に除去された部分は実線で示してある。
【００３５】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１２上には、マトリクス状に複数の透明な
画素電極３０（長い点線で囲まれた領域）が各画素３６毎に形成され、画素電極３０の縦
横の境界領域に沿ってデータ線４０（一点鎖線で示す領域）、及び走査線４２（二点鎖線
で示す領域）が形成されている。又、素子基板１２の画像表示領域２２の略全面にはＩＴ
Ｏ膜からなる共通電極３４が形成されており、共通電極３４には、スリット状の開口部４
６（実線で示す領域）が複数、形成されている。又、共通電極３４には、開口部４６を挟
んで複数の線状部４８が形成されている。本実施形態において、複数の開口部４６及び線
状部４８は、走査線４２の延設方向に沿って互いに平行に延びている。これにより、対向
基板１０側から画像を視認するという構成が採れる。
【００３６】
図３（Ａ）に示す素子基板１２の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板等の透明基板
５０からなり、対向基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板等の透明基板５２
からなる。本実施形態では、透明基板５０，５２のいずれについてもガラス基板が用いら
れている。
【００３７】
素子基板１２には、透明基板５０の表面にシリコン酸化膜等からなる下地保護膜（図示
せず）が形成されていると共に、その表面側において、各画素電極３０に対応する位置に
トップゲート構造の薄膜トランジスタ３８が形成されている。図３（Ａ）、（Ｂ）に示す
ように、薄膜トランジスタ３８は、島状の半導体膜５４に対して、チャネル形成領域５６
、ソース領域５８、ドレイン領域６０が形成された構造を備えており、チャネル形成領域
５６の両側に低濃度領域を備えたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するように形
成されることもある。本実施形態において、半導体膜５４は、素子基板１２に対してアモ
ルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニール等により多結晶化さ
れたポリシリコン膜である。
【００３８】
半導体膜５４の上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、或いはそれらの積層膜か
らなるゲート絶縁膜６２が形成され、ゲート絶縁膜６２の上層には、走査線４２の一部が
ゲート電極として重なっている。本実施形態では、半導体膜５４がコの字形状に屈曲しお
り、ゲート電極がチャネル方向における２箇所に形成されたツインゲート構造を有してい
る。
【００３９】
ゲート電極（走査線４２）の上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、或いはそれら
の積層膜からなる層間絶縁膜６４が形成されている。層間絶縁膜６４の表面にはデータ線
４０が形成され、このデータ線４０は、層間絶縁膜６４に形成されたコンタクトホール６
６を介して最もデータ線４０側に位置するソース領域に電気的に接続している。層間絶縁
膜６４の表面にはドレイン電極６８が形成されており、ドレイン電極６８は、データ線４
０と同時形成された導電膜である。
【００４０】
データ線４０及びドレイン電極６８の上層側には、層間絶縁膜７０が形成されている。
本実施形態において、層間絶縁膜７０は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂か
らなる平坦化膜として形成されている。
【００４１】
層間絶縁膜７０の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極３０が島状に形成されている。画
素電極３０は、層間絶縁膜７０に形成されたコンタクトホール７２を介してドレイン電極
６８に電気的に接続し、このドレイン電極６８は、層間絶縁膜６４及びゲート絶縁膜６２
に形成されたコンタクトホール７４を介してドレイン領域６０に電気的に接続している。
【００４２】
画素電極３０の表面には電極間絶縁膜（絶縁膜）７６が形成されている。電極間絶縁膜
７６の上層には、下地層７８の線状部８０を介して前述した共通電極３４の線状部４８が
形成されている。
【００４３】
下地層７８の線状部８０は、少なくとも共通電極３４の線状部４８の下層に形成されて
いる。下地層７８の線状部８０は、共通電極３４が除去された領域（開口部４６）の下層
である電極間絶縁膜７６と異なる絶縁膜で形成されている。下地層７８の線状部８０は、
共通電極３４のＩＴＯを成膜する際に、ＩＴＯの結晶の大きさをより大きく成長させる機
能を有する絶縁膜である。
【００４４】
ＩＴＯの結晶性（結晶の大きさ）の違いは、その下層の絶縁膜の違いに関係する。それ
は、シリコン窒化膜＞シリコン酸化膜＞有機絶縁膜（例えば、アクリル性絶縁膜）の関係
にある。例えば、下層の絶縁膜がシリコン窒化膜である時にＩＴＯ結晶の大きさが３〜５
μｍ、下層の絶縁膜がシリコン酸化膜である時にＩＴＯの結晶の大きさが２〜３μｍ、下
層の絶縁膜がアクリル性絶縁膜である時にＩＴＯの結晶の大きさが２μｍ程度の結晶性を
示す。この関係より、共通電極３４が除去された領域（開口部４６）の下層である電極間
絶縁膜７６にアクリル性絶縁膜を用いた場合、共通電極３４の線状部４８の下層である下
地層７８の線状部８０にシリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜を用いる。或いは、共通電
極３４が除去された領域（開口部４６）の下層である電極間絶縁膜７６にシリコン酸化膜
を用いた場合、共通電極３４の線状部４８の下層である下地層７８の線状部８０にシリコ
ン窒化膜を用いる。これにより、下地層７８の線状部８０が電極間絶縁膜７６よりＩＴＯ
の成膜時に成長する結晶を促進させる機能を有しているので、電極間絶縁膜７６上と異な
る下地層７８上とで互いに異なる結晶性を有する共通電極３４を容易に設けることができ
る。
【００４５】
これにより、ＩＴＯ膜をエッチングする際に、平面的に下地層７８の線状部８０とオー
バーラップする領域が横方向のエッチングストップ領域としての機能を有し、共通電極３
４の線状部４８の微細なパターンを精度よく、残渣を発生させることなく形成することが
できる。
【００４６】
共通電極３４は、開口部４６を介し画素電極３０に対して横方向で対向する状態にあり
、画素電極３０と共通電極３４との間に形成された横電界によって液晶２８を駆動するこ
とができる。又、共通電極３４は、画素電極３０に対して電極間絶縁膜７６を介して対向
しており、画素電極３０と共通電極３４との間には、電極間絶縁膜７６を誘電体膜とする
保持容量４４が形成されている。
【００４７】
（製造方法）
図４及び図５は、本実施形態に係る液晶装置２に用いた素子基板１２の製造方法を示す
工程断面図である。本実施形態の液晶装置２の製造工程のうち、素子基板１２の製造工程
では、ガラス基板からなる透明基板５０の表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図
示せず）を形成した後、薄膜トランジタ形成工程を行う。具体的には、先ず、ポリシリコ
ン膜からなる半導体膜５４を島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の
温度条件下で、透明基板５０の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜をプラズマＣ
ＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法等により
、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半
導体膜５４を形成する。次に、ＣＶＤ法等を用いて、半導体膜５４の表面にシリコン窒化
膜やシリコン酸化膜、或いはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜６２を形成する。次に
、透明基板５０の表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜
、タンタル膜等の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし
、走査線４２（ゲート電極）を形成する。次に、半導体膜５４に不純物を導入して、ソー
ス領域５８やドレイン領域６０等を形成する。
【００４８】
次に、層間絶縁膜６４形成工程では、ＣＶＤ法等を用いて、シリコン窒化膜やシリコン
酸化膜、或いはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜６４を形成する。次に、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて、層間絶縁膜６４にコンタクトホール６６，７４を形成する。
【００４９】
次に、データ線４０形成工程では、透明基板５０の表面全体にモリブデン膜、アルミニ
ウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、或いはそれらの積層膜等の金属膜を形
成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、データ線４０及びドレイン
電極６８を形成する。
【００５０】
次に、層間絶縁膜７０形成工程では、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、図４（
Ａ）に示すように、コンタクトホール７２を備えた層間絶縁膜７０を１．５〜２．０μｍ
の厚さに形成する。
【００５１】
次に、画素電極３０形成工程では、透明基板５０の表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導
電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図４（Ｂ）に示す
ように、画素電極３０を形成する。
【００５２】
次に、電極間絶縁膜７６形成工程では、アクリル性絶縁膜を塗布した後、露光、現像し
、図４（Ｃ）に示すように、電極間絶縁膜７６を形成する。尚、アクリル性絶縁膜に代え
てシリコン酸化膜を用いてもよい。その際、後述の下地層７８にはシリコン窒化膜を用い
る。
【００５３】
次に、下地層７８形成工程では、図４（Ｄ）に示すように、ＣＶＤ法等を用いて、シリ
コン窒化膜或いはシリコン酸化膜からなる絶縁膜８２を形成した後、感光性樹脂の塗布、
露光、現像を行い、下地層７８を残す領域（線状部８０）にレジストマスク８４を形成す
る。そして、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図５（Ａ）に示すように
、下地層７８の線状部８０を形成する。下地層７８の線状部８０の膜厚は、３０ｎｍ以上
であれば機能するが、加工性を含め３０〜１００ｎｍ程度が望ましい。これにより、下地
層７８の線状部８０が電極間絶縁膜７６よりＩＴＯの成膜時に成長する結晶を促進させる
機能を有しているので、電極間絶縁膜７６上と下地層７８上とで互いに異なる結晶性を有
するＩＴＯを容易に設けることができる。
【００５４】
次に、共通電極３４形成工程では、図５（Ｂ）に示すように、電極間絶縁膜７６及び下
地層７８の線状部８０の表面全体にＩＴＯからなる透明導電膜（導電膜）８６を形成した
後、感光性樹脂の塗布、露光、現像を行い、図５（Ｃ）に示すように、共通電極３４を残
す領域（少なくとも下地層７８の線状部８０とオーバーラップする領域）にレジストマス
ク（レジスト層）８８を形成する。そして、レジストマスク８８を形成した状態で、透明
導電膜８６を硫酸、塩酸の交合液でエッチングし、図３（Ａ）に示すように、共通電極３
４を形成する。これにより、対向基板１０側から画像を視認するという構成が採れる。こ
の際、ＩＴＯの成膜条件は、例えば、圧力０．１〜１．０Ｐａ、電圧０．５〜５Ｗ／ｃｍ
２、ガスＡｒ、Ｏ2（Ｏ2／Ａｒ＝０〜１０％）である。
【００５５】
本実施形態によれば、透明導電膜８６のＩＴＯ膜をエッチングする際に、平面的に下地
層７８の線状部８０とオーバーラップする領域が横方向のエッチングストップ領域として
の機能を有する。即ち、透明導電膜８６のＩＴＯ膜をエッチャントに浸漬させると、透明
導電膜８６のＩＴＯ膜のうち電極間絶縁膜７６と対応する領域が下地層７８の線状部８０
と対応する領域と比較して短時間で除去される。そのため、エッチャントに対して電極間
絶縁膜７６と対応する領域において電極間絶縁膜７６が露出すると共に、下地層７８の線
状部８０と対応する領域において透明導電膜８６のＩＴＯ膜がゆっくりエッチング進行し
ている。これにより、下地層７８の線状部８０と対応する領域においても、残渣の発生を
抑制できる。以上より、透明導電膜８６のＩＴＯ膜をエッチングする際に、平面的に下地
層７８の線状部８０とオーバーラップする領域が横方向のエッチングストップ領域として
の機能を有し、共通電極３４の線状部４８の微細なパターンを精度よく、残渣を発生させ
ることなく形成することができる。
【００５６】
（変形例１）
本実施形態では、共通電極３４の線状部４８の電極間隔をスリットの構成としたが、電
極の構成はこれに限定されず、共通電極３４は櫛歯状電極を備える構成とすることができ
る。
【００５７】
（変形例２）
本実施形態では、共通電極３４を上側の電極、画素電極３０を下側の電極の構成とした
が、電極の構成はこれに限定されず、下側の電極を共通電極、上側の電極を画素電極の構
成にしても同様な特性が得られる。
【００５８】
（変形例３）
本実施形態では、画素電極３０が平面略ベタ状の電極であり、共通電極３４が複数の線
状部４８を備える構成としたが、電極の構成はこれに限定されず、共通電極３４が平面略
ベタ状の電極であり、画素電極３０が複数の帯状電極を備える構成とすることができる。
この場合、少なくとも画素電極３０の複数の帯状電極の下層に下地層の線状部が形成され
る。
【００５９】
（変形例４）
本実施形態では、画素電極３０が平面略ベタ状の電極であり、共通電極３４が複数の線
状部４８を備える構成としたが、電極の構成はこれに限定されず、画素電極３０及び共通
電極３４が、それぞれ複数本の帯状電極を備える構成とすることができる。即ち、画素電
極３０及び共通電極３４が、同層で平面的に隣接して対向する構成の電界発生（横電界）
方式を採用することができる。例えば、共通電極及び画素電極のいずれも平面視略櫛歯状
の電極とし、それらの櫛歯部分を構成する帯状電極が、互いに噛み合うように配置されて
いる電極構造とすることができる。このように電極の構成を変えても、上記実施形態と同
様の作用効果が得られる。
【００６０】
（変形例５）
本実施形態の液晶装置２は、透過型の液晶装置であるが、これに限定する趣旨ではなく
、例えば反射型又は半透過反射型の液晶装置としてもよい。
【００６１】
（変形例６）
本実施形態の液晶装置２に含まれる液晶２８のモードは、ＦＦＳモードに限られず、Ｉ
ＰＳ（In Plain Switching）、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertical Alignment：
垂直配向）、及びＳＴＮ（Super Twisted Nematic）等、種々のモードを採用することが
できる。
【００６２】
（変形例７）
本実施形態では、画素スイッチング素子３８を低温ポリシリコン半導体層を備えた薄膜
トランジスタとしたが、画素スイッチング素子３８としては、アモルファスシリコン半導
体層を備えた薄膜トランジスタや、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、更には半導体層を備えな
い、いわゆるパッシブ方式等を用いることもでき、特に限定されない。
【００６３】
尚、本実施形態は、電気光学装置及びその製造方法を電気光学層として液晶を用いた装
置及びその製造方法に適用した例であるが、これに代えて、電気光学層として電気信号に
応じて表示を行う種々の電気光学装置及びその製造方法に適用することができる。例えば
、表示パネルとしての有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＰＤＰ（Plasma
Display Panel）、ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）ディスプレイ、ＥＰＤ（Electrophoreti
c Display）等及びそれぞれの製造方法に適用することができる。
又、本実施形態では、電極として、電気光学層を駆動するための電極を例に説明したが
、これに代えて、電極を、電気光学装置と外部の回路を接続するための接続端子部、電気
光学装置内の各種回路間の接続配線部に適用することもできる。
【００６４】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る液晶装置２を適用した電子機器について説明する。
図６は、本実施形態に係る液晶装置２を備える電子機器の斜視図である。図６（Ａ）に
、液晶装置２を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコ
ンピュータ１００は、表示ユニットとしての液晶装置２と本体部１０２を備える。本体部
１０２には、電源スイッチ１０４及びキーボード１０６が設けられている。図６（Ｂ）に
、液晶装置２を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機２００は、複数の操作ボタン
２０２及びスクロールボタン２０４、並びに表示ユニットとしての液晶装置２を備える。
スクロールボタン２０４を操作することによって、液晶装置２に表示される画面がスクロ
ールされる。図６（Ｃ）に、液晶装置２を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Dig
ital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末３００は、複数の操作ボタン３０２及び
電源スイッチ３０４、並びに表示ユニットとしての液晶装置２を備える。電源スイッチ３
０４を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置２に表示され
る。
【００６５】
尚、液晶装置２が適用される電子機器としては、図６に示すものの他、デジタルスチル
カメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これ
らの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置２が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置を示す図。
【図２】本実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画素を示す図。
【図４】本実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図。
【図５】本実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図。
【図６】本実施形態に係る液晶装置を備える電子機器の斜視図。
【図７】従来の液晶装置を示す図。
【符号の説明】
【００６７】
２…液晶装置（電気光学装置）  １０…対向基板  １２…素子基板（基板）  １４…シ
ール材  １６…データ線駆動回路  １８…実装端子  ２０…走査線駆動回路  ２２…画像
表示領域  ２４…配線  ２６…額縁  ２８…液晶（電気光学層）  ３０…画素電極  ３２
…遮光膜  ３４…共通電極（電極）  ３６…画素  ３８…薄膜トランジスタ（画素スイッ
チング素子）  ４０…データ線  ４２…走査線  ４４…保持容量  ４６…開口部  ４８…
線状部  ５０，５２…透明基板  ５４…半導体膜  ５６…チャネル形成領域  ５８…ソー
ス領域  ６０…ドレイン領域  ６２…ゲート絶縁膜  ６４…層間絶縁膜  ６６…コンタク
トホール  ６８…ドレイン電極  ７０…層間絶縁膜  ７２，７４…コンタクトホール  ７
６…電極間絶縁膜（絶縁膜）  ７８…下地層  ８０…線状部  ８２…絶縁膜  ８４…レジ
ストマスク  ８６…透明導電膜（導電膜）  ８８…レジストマスク  １００…パーソナル
コンピュータ  １０２…本体部  １０４…電源スイッチ  １０６…キーボード  ２００…
携帯電話機  ２０２…操作ボタン  ２０４…スクロールボタン  ３００…情報携帯端末  
３０２…操作ボタン  ３０４…電源スイッチ。
【図１】
2010145455.tif 000003
【図２】
2010145455.tif 000004
【図３】
2010145455.tif 000005
【図４】
2010145455.tif 000006
【図５】
2010145455.tif 000007
【図６】
2010145455.tif 000008
【図７】
2010145455.tif 000009