(57)【要約】【課題】本発明は波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関し、消費電力の低減を図ることを課題とする。【解決手段】基板１１と、この基板１１上に下部ミラー層１８〜２１を積層してなる第１のミラー部１２と、活性層２２を有し第１のミラー部１２上に積層された活性層部１３と、この活性層部１３上に上部ミラー層２５〜２８を積層してなる第２のミラー部１４と、活性層部１３に給電を行うための一対の電極１５，１６とを有する。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に第１のミラー層を複数積層してなる第１のミラー部と、
活性層を含む層が前記第１のミラー部上に積層された活性層部と、
前記活性層部上に第２のミラー層を複数積層してなる第２のミラー部と、
前記活性層部に給電を行うための第１及び第２の電極とを有し、
前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分に前記第１の電極を設け、
前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に前記第２の電極を設けた多波長レーザ素子。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１のミラー部及び前記第２のミラー部が介在しない請求項１記載の多波長レーザ素子。
【請求項３】
前記第１の電極は、前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分に形成された段部に設けられ、
前記第２の電極は、前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に形成された段部に設けられてなる請求項１又は２に記載の多波長レーザ素子。
【請求項４】
前記第１のミラー層及び前記活性層を含む層に形成され、前記活性層部及び前記第２のミラー部を囲繞するよう形成された絶縁部を有し、
前記第１の電極は、前記絶縁部の内側位置に前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分まで穿設された第１の孔部内に形成され、
前記第２の電極は、前記絶縁部の外側位置に前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分まで穿設された第２の孔部内に形成されてなる請求項１又は２に記載の多波長レーザ素子。
【請求項５】
基板上に複数の第１のミラー層を積層形成することにより第1のミラー部を形成する第１のミラー層積層工程と、
積層された前記第１のミラー層の上部に活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層の上部に複数の第２のミラー層を積層形成する第２のミラー層積層工程と、
前記活性層及び前記第２のミラー層に絶縁部を形成することにより、該絶縁部の内部に第２のミラー部と活性層部とを形成する第２のミラー部・活性層部形成工程と、
前記絶縁部の内側位置に、前記第２のミラー部と前記活性層部との境界部分に至る深さの第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記絶縁部の外側位置に、前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に至る深さの第２の電極を形成する第２の電極形成工程とを有する多波長レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多波長レーザ素子及びその製造方法に係り、特に波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、実装基板に表面実装できると共に省電力化及び低コスト化を図りうるVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting)レーザ装置が多用されるようになってきている。一方、レーザ装置が光源として用いられる光通信装置は、通信の大容量化に伴い１本の光ファイバーに波長の異なる複数のレーザ光を導入して通信を行う多重通信が行われている。
【０００３】
この多重通信に対応するため、異なる波長を有する複数のレーザ光を出射しうるようにした多波長レーザ素子が提案されている（特許文献１〜３参照）。従来の多波長レーザ素子は、使用する波長の数だけ発光部を設け、この発光部において光を共振させることにより所望する複数波長のレーザ光を生成するものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７３３９４号公報
【特許文献２】特開２００６−０７３９６５号公報
【特許文献３】特開平０６−０９７５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の多波長レーザ素子は、使用する波長の数だけ発光部を設ける必要があるため、各発光部に夫々電極を設けて給電を行う必要がある。また、一つの装置内で異なる波長のレーザ光を生成する多波長レーザ素子は内部に複数のミラー層を形成する必要があり、単一波長のレーザ光を生成するレーザ装置に比べて内部構造が複雑である。このため、一般に多波長レーザ素子は、装置の最上部及び最下部に電極が設けられることが多い（特許文献２参照）。
【０００６】
しかしながら、装置の最上部及び最下部に電極が設けられる構成では、電極間に電気抵抗が高いミラー層等が複数層介在することとなり、よって電極間の電気抵抗が増大してしまう。このため、従来の多波長レーザ素子では、消費電力が高くなってしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、消費電力の低減を図りうる多波長レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一の観点からは、基板と、前記基板上に第１のミラー層を複数積層してなる第１のミラー部と、活性層を含む層が前記第１のミラー部上に積層された活性層部と、前記活性層部上に第２のミラー層を複数積層してなる第２のミラー部と、前記活性層部に給電を行うための一対の電極とを有し、前記第１のミラー部と前記活性層部との間に、前記第１のミラー部が露出する第１の露出部を設け、前記活性層部と前記第２のミラー部との間に、前記活性層部が露出する第２の露出部を設け、前記電極を前記第１及び第２の露出部に接続した多波長レーザ素子が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の多波長レーザ素子は、一対の電極の間に電気抵抗が高い第１及び第２のミラー部が存在しないため、一対の電極間の一対の電極と活性層部との間における電気抵抗を低減でき、よって省電力化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の要部を拡大して示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１）。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その２）。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その３）。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その４）。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その５）。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その６）。
【図９】図９は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その７）。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その８）。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その９）。
【図１２】図１２は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１０）。
【図１３】図１３は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１１）。
【図１４】図１４は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１２）。
【図１５】図１５は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１３）。
【図１６】図１６は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１４）。
【図１７】図１７は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１５）。
【図１８】図１８は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１６）。
【図１９】図１９は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１７）。
【図２０】図２０は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子を示す断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１）。
【図２２】図２２は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その２）。
【図２３】図２３は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その３）。
【図２４】図２４は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その４）。
【図２５】図２５は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その５）。
【図２６】図２６は、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その６）。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００１２】
図１及び図２は、本発明の第１実施形態である多波長レーザ素子１０Ａを示している。図１は多波長レーザ素子１０Ａの断面図であり、図２は多波長レーザ素子１０Ａの要部を拡大して示す断面図である。
【００１３】
本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、第１のミラー部１２、活性層部１３、第２のミラー部１４、電極１５，１６、及び保護部４２等を有している。この多波長レーザ素子１０ＡはVCSELレーザ装置であり、よってレーザ光は多波長レーザ素子１０Ａの上面から上方に向け出射される。また本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、異なる４種類の波長（λ１〜λ４）を有するレーザ光を出射する。
【００１４】
基板１１はＧａＡｓよりなり、その厚さは約300μmとされている。尚、図示の便宜上、各図において基板１１の厚さはミラー部１２，１４及び活性層部１３等の厚さに比べて薄い厚さで図示している。
【００１５】
第１のミラー部１２は、基板１１上に積層形成されている。また、第１のミラー部１２は基板１１上の全面に積層形成されている。この第１のミラー部１２は、後述する第２のミラー部１４と共に活性層部１３で発光された光を共振させる光共振器として機能する。
【００１６】
第１のミラー部１２は、下部ミラー層１８〜２１とスペーサ層３０〜３３が交互に積層された構造とされている。各下部ミラー層１８〜２１は、夫々ＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に多数層（例えば２０〜３０層）積層された構造とされている。ＧａＡｌＡｓ層のＧａとＡｌの含有量は、ＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。またＸの値は、反射するレーザ光の波長に対応させて設定される。
【００１７】
スペーサ層３０〜３４は、それぞれの波長が、その波長に対応する上下のミラー層で最適に反射されるようにするため、上下のミラー層の間隔の調整を行う層である。このスペーサ層３０〜３４はＧａＡｌＡｓ層であり、その組成はＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。特に、スペーサ層３４はその上部に活性層部１３が形成されるため、バッファ層として機能する。
【００１８】
活性層部１３は、第１のミラー部１２の上に積層形成されている。活性層部１３は円柱形状を有しており、その直径は約80μmであり、厚さは約１μmである。よって、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分には段差が形成され、この段差部分には第１のミラー部１２が露出した第２の露出部４９が形成されている。負電極１５は、この第２の露出部４９上に活性層部１３を囲繞するように環状に形成されている（図１５（Ｂ）参照）。
【００１９】
上記の活性層部１３は、活性層２２、下部アパーチャ層２３、上部アパーチャ層２４、及びスペーサ層３５〜３７を積層した構造とされている。活性層２２は、電極１５，１６から給電が行われキャリアが注入されることにより発光する。正電極１６から負電極１５に向け流れる電流（図２に実線の矢印で示す）は、上部アパーチャ層２４に形成されたアパーチャ２４ａから下部アパーチャ層２３に形成されたアパーチャ２３ａに向け活性層２２を貫通して流れる。よって、活性層２２は、一対のアパーチャ２３ａ，２４ａに挟まれた位置で発光する（以下、この位置を発光部１７という）。
【００２０】
活性層２２は、ＧａＡｓ層とＧａＡｌＡｓ層を交互に積層した構造とされている。本実施形態では、活性層２２はＧａＡｓ層とＧａＡｌＡｓ層を４層積層した構造としている。しかしながら、活性層２２の構造はこれに限定されるものではない。また、ＧａＡｌＡｓ層の組成は、ＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で示され、Ｘの値は多波長レーザ素子１０Ａが適用される光学電子装置の要求により適宜設定される。
【００２１】
下部アパーチャ層２３及び上部アパーチャ層２４は、中央に位置するアパーチャ２３ａ，２４ａは導電性を有し、その外側部分は絶縁性を有した構造とされている。具体的には、下部及び上部アパーチャ層２３，２４は導電性を有するＡｌＡｓ層により形成され、他の部位は絶縁性を有したＡｌＸＯＹ（Ｘ，Ｙは整数）により形成されている。このＡｌＸＯＹは、ＡｌＡｓを酸化処理することにより得ることができる。
【００２２】
スペーサ層３５〜３７はＧａＡｌＡｓ層であり、その組成はＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。特に、スペーサ層３７はその上部に第２のミラー部１４が形成されるため、バッファ層として機能する。
【００２３】
第２のミラー部１４は、活性層部１３の上に積層形成されている。第２のミラー部１４は円柱形状を有しており、活性層部１３と互いの中心軸が一致するよう設けられている。また、第２のミラー部１４の直径は約30μmとされており、活性層部１３よりも小さく設定されている。（発明者殿へ：第２のミラー部１４の直径の一例をご記入願います）。よって、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分には段差が形成され、この段差部分には活性層部１３が露出した第１の露出部４８が形成されている。正電極１６は、この第１の露出部４８上に第２のミラー部１４を囲繞するように環状に形成されている（図１５（Ｂ）参照）。尚、第２のミラー部１４の厚さは、約１０μmとされている。
【００２４】
第２のミラー部１４は、前記した第１のミラー部１２と共に活性層部１３で発光された光を共振させる光共振器として機能する。この第２のミラー部１４は、上部ミラー層２５〜２８とスペーサ層３８〜４０が交互に積層された構造とされている。
【００２５】
各上部ミラー層２５〜２８は、夫々ＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に多数層（例えば２０〜３０層）積層された構造とされている。ＧａＡｌＡｓ層のＧａとＡｌの含有量は、ＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。またＸの値は、反射するレーザ光の波長に対応させて設定される。また、スペーサ層３８〜４０はＧａＡｌＡｓ層であり、その組成はＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。
【００２６】
保護部４２は、ポリイミド等の絶縁性樹脂により形成されている。この保護部４２は、第１のミラー部１２上で活性層部１３及び第２のミラー部１４を覆うように形成されている。しかしながら、レーザ光が出射される光出射部４６は、保護部４２から露出している。このように、第１及び第２のミラー部１２，１４及び活性層部１３は、保護部４２により覆われることにより保護され、よって多波長レーザ素子１０Ａの信頼性を高めることができる。
【００２７】
保護部４２は、接続電極４４，４５を有している（図１に示す）。この接続電極４４，４５は、貫通配線部４４ａ，４５ａと表面電極４４ｂ，４５ｂとを有している。貫通配線部４４ａ，４５ａはスルーホールである。貫通配線部４４ａは、保護部４２に負電極１５まで穿設された貫通孔の内壁に導電金属を形成したものである。また、表面電極４４ｂは、保護部４２に正電極１６まで穿設された貫通孔の内壁に導電金属を形成したものである。
【００２８】
貫通配線部４４ａの下端部は、負電極１５と電気的に接続されている。また、貫通配線部４４ａの上端部には保護部４２の表面に形成された表面電極４４ｂが接続されている。また、貫通配線部４５ａの下端部は、正電極１６と電気的に接続されている。また、貫通配線部４５ａの上端部には保護部４２の表面に形成された表面電極４５ｂが接続されている。よって、各電極１５，１６を保護部４２により被覆しても、接続電極４４が負電極１５と電気的に接続され、接続電極４５が正電極１６に接続されることにより、活性層２２に対して給電を行うことができる。
【００２９】
次に、多波長レーザ素子１０Ａの動作について説明する。本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、上記のように異なる４種類の波長λ１〜λ４を有するレーザ光を出射する。このため、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、第１のミラー部１２に４個の下部ミラー層１８〜２１と、第２のミラー部１４に４個の上部ミラー層２５〜２８を有している。活性層２２から放出された光は、光共振器として機能する第１及び第２のミラー部１２，１４間で共振すると共に、活性層部１３において励起される。そして、所定値まで励起されると、励起光は第２のミラー部１４を貫通し、光出射部４６から外部に出射される。
【００３０】
この際、光出射部４６から出射されるレーザ光の波長λは、ミラー層間を構築するＧａとＡｌと含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層の厚みにより決まる。本実施形態では、下部ミラー層１８と上部ミラー層２８との対が第１の光共振器を構成し、この下部ミラー層１８と上部ミラー層２８間で共振されるレーザ光の波長はλ１となる。また、下部ミラー層１９と上部ミラー層２７の対は第２の光共振器を構成し、この下部ミラー層１９と上部ミラー層２７間で共振されるレーザ光の波長はλ２となる。
【００３１】
また、下部ミラー層２０と上部ミラー層２６との対は第３の光共振器を構成し、この下部ミラー層２０と上部ミラー層２６間で共振されるレーザ光の波長はλ３となる。更に、下部ミラー層２１と上部ミラー層２５との対は第４の光共振器を構成し、この下部ミラー層３１と上部ミラー層２５間で共振されるレーザ光の波長はλ４となる。従って、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、一つの装置により異なる４種類の波長λ１〜λ４を有するレーザ光を出射することが可能となる。
【００３２】
また、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、活性層部１３において電流が通過するアパーチャ２３ａ，２３ｂを一箇所のみ設けている。これにより活性層部１３は、活性層２２の一箇所でのみ発光が行われる。即ち、本実施形態の多波長レーザ素子１０Ａは、一箇所の発光部１７で発生した光を上記した４つのミラー層対で共振させることにより異なる波長のレーザ光を生成している。このため、各レーザ光λ１〜λ４の共振される位置は、アパーチャ２３ａ，２３ｂを上下に貫通して共振される。このため、各レーザ光λ１〜λ４は略同一位置で略同軸的に共振されることとなり、多波長レーザ素子１０Ａから出射される場合も各レーザ光λ１〜λ４はいずれも光出射部４６から出射される。
【００３３】
従来のように異なる波長を有したレーザ光が装置の離間した異なる位置から出射される多波長レーザ素子では、出射したレーザ光を１本の光ファイバーに導光しようとした場合、プリズム及びミラー等の光路変換部品が必要となる。しかしながら、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａでは、各レーザ光λ１〜λ４が全て略同一位置（光出射部４６）から出射されるため、全てのレーザ光を直接光ファイバーに導光させることができる。よって、従来必要とされたプリズム及びミラー等が不要となり、多波長レーザ素子１０Ａが搭載される光学電子装置の部品点数の削減及び小型化を図ることができる。
【００３４】
ここで、多波長レーザ素子１０Ａに配設される電極１５，１６に注目する。本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、第１のミラー部１２，活性層部１３，及び第２のミラー部１４が階段形状（メサ形状ともいう）とされている。従って、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分には、第１のミラー部１２が露出した第２の露出部４９が形成される。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分には、活性層部１３が露出した第１の露出部４８が形成される。そして、正電極１６が第１の露出部４８に形成されると共に、負電極１５が第２の露出部４９に形成されている。
【００３５】
従って、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、一対の電極１５，１６の間に下部ミラー層１８〜２１及び上部ミラー層２５〜２８が介在しない構造となっている。よって、正電極１６と負電極１５との間に電流を流した場合、この電流は活性層部１３を流れ、第１のミラー部１２及び第２のミラー部１４を流れることはない。
【００３６】
第１及び第２のミラー部１２，１４に設けられる各ミラー層１８〜２１，２５〜２８は、前記のようにＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に多数層（例えば２０〜３０層）積層された構造であり、その電気的な抵抗値は高い。よって、仮にこの各ミラー層１８〜２１，２５〜２８に電流を流す電極構造では、多波長レーザ素子の消費電力が高くなってしまう。
【００３７】
しかしながら、本実施形態のように一対の電極１５，１６の間にミラー層１８〜２１，２５〜２８が介在しない構造としたことにより、電流は活性層部１３を流れ、ミラー層１８〜２１，２５〜２８は流れないため、多波長レーザ素子１０Ａの消費電力の低下を図ることができる。
【００３８】
具体的には、各ミラー層１８〜２１、２５〜２８は、性質の異なる層が多数層（例えば３０〜４０層）積層された構造であるため、１層のミラー層の電気抵抗は約100Ωにもなる。従って、ミラー層１８〜２１、２５〜２８全体としては、その電気抵抗は800Ωとなる。一方、レーザ光を出力させるためには、活性層２２に約10mAの電流を流す必要がある。従来のように、一対の電極の間にミラー層を介装する構造では、ミラー層にも電流を流す必要があり、レーザ光を出力させるのに必要な電圧は８Ｖ（＝800×0.01）となる。
【００３９】
これに対して本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、一対の電極１５，１６間にミラー層１８〜２１、２５〜２８は存在せず、活性層２２及びアパーチャ層２３，２４が存在するのみである。活性層２２は、本実施形態では４層からなり、その抵抗値は約10Ω程度である。このため、レーザ光を出力させるため活性層２２に流す電流を約10mAとすると、本実施形態において必要な電圧は0.1ｍ（＝10×0.01）となる。よって、同数のミラー層を有する多波長レーザ素子であっても、従来に比べて本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは消費電力の低減を図ることができる。
【００４０】
また、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、電極１５，１６を活性層部１３を挟むよう配置したことにより、前記のように第１のミラー部１２，活性層部１３，及び第２のミラー部１４は階段形状（メサ形状）となる。しかしながら、保護部４２を設けることにより段差形状は解消されるため、よって多波長レーザ素子１０Ａの実装基板（光電子機器内の基板）への実装処理等に不都合が生じるようなことはない。
【００４１】
次に、上記した多波長レーザ素子１０Ａの製造方法について説明する。
【００４２】
図３乃至図１９は、多波長レーザ素子１０Ａの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である。尚、図３乃至図１９において、図１及び図２に示した構成と対応する構成については同一の符号を付して適宜その説明を省略する。
【００４３】
多波長レーザ素子１０Ａは、図３に示すＧａＡｓよりなる基板１１に製造される。図３（Ａ）は、基板１１の外観図である。多波長レーザ素子１０Ａは、同図に示すウェハ状の基板１１に多数個が一括的に製造される。また図３（Ｂ）は、１個の多波長レーザ素子１０Ａの形成領域を拡大して示している。
【００４４】
この基板１１上には、先ずスペーサ層３０が形成される。このスペーサ層３０は、ＧａＡｌＡｓ層であり、その組成はＧａＸ・Ａｌ（１−Ｘ）・Ａｓ（Ｘ：0.0〜1.0）で表される。このスペーサ層３０の上部には、下部ミラー層１８が形成される。この下部ミラー層１８は、ＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に積層することにより形成される。このＧａＡｌＡｓ層の積層数は、例えば２０〜３０層である。図４は、基板１１上にスペーサ層３０及び下部ミラー層１８を形成した状態を示している。尚、スペーサ層３０及び下部ミラー層１８は、周知の薄膜形成方法を用いて形成することができる。具体的には、蒸着法、スパッタ法、気相成長法等を用いることができる。また、この各種薄膜形成法は、スペーサ層３０及び下部ミラー層１８の形成後に形成される各層においても同様に適用することができる。
【００４５】
次に、下部ミラー層１８の上部にスペーサ層３１を形成し、その上部に下部ミラー層１９を形成する。スペーサ層３１は、スペーサ層３０と同一構成を有している。また、下部ミラー層１９は、下部ミラー層１８と同様にＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に積層することにより形成されるが、共振波長を異ならせるため下部ミラー層１９の厚さは下部ミラー層１８の厚さと異ならせている。図５は、スペーサ層３１及び下部ミラー層１９が形成された状態を示している。
【００４６】
次に、下部ミラー層１９の上部にスペーサ層３２を形成し、その上部に下部ミラー層２０を形成する。スペーサ層３２は、スペーサ層３０，３１と同一構成を有している。また、下部ミラー層２０は、下部ミラー層１８，１９と同様にＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に積層することにより形成されるが、共振波長を異ならせるため下部ミラー層２０の厚さは下部ミラー層１８，１９の厚さと異ならせている。図６は、スペーサ層３２及び下部ミラー層２０が形成された状態を示している。
【００４７】
次に、下部ミラー層２０の上部にスペーサ層３３を形成し、その上部に下部ミラー層２１を形成する。スペーサ層３３は、スペーサ層３０〜３２と同一構成を有している。また、下部ミラー層２１は、下部ミラー層１８〜２０と同様にＧａとＡｌの含有量が異なる２種類のＧａＡｌＡｓ層を交互に積層することにより形成されるが、共振波長を異ならせるため下部ミラー層２１の厚さは下部ミラー層１８〜２０の厚さと異ならせている。図７は、スペーサ層３３及び下部ミラー層２１が形成された状態を示している。上記のように下部ミラー層１８〜２１が形成されることにより、第１のミラー部１２が製造される。
【００４８】
基板１１上に第１のミラー部１２が形成されると、下部ミラー層２１の上部にはバッファ層として機能するスペーサ層３４が形成され、更にその上部には下部アパーチャ層２３が形成される。この時点における下部アパーチャ層２３は、まだ酸化処理が行われておらず、その全面がＡｌＡｓ膜とされている。図８は、スペーサ層３４及び下部アパーチャ層２３が形成された状態を示している。
【００４９】
下部アパーチャ層２３の上部にはスペーサ層３５が形成され、更にその上部には活性層２２が形成される。活性層２２は、ＧａＡｓ層２２ａとＧａＡｌＡｓ層２２ｂを交互に積層することにより形成される。本実施形態では、２層のＧａＡｓ層２２ａと２層のＧａＡｌＡｓ層２２ｂを交互に積層した４層構造としている。図９は、スペーサ層３５及び活性層２２が形成された状態を示している。
【００５０】
下部アパーチャ層２３上にスペーサ層３５を介して活性層２２が形成されると、活性層２２の上部にはスペーサ層３６が形成され、更にその上部には上部アパーチャ層２４が形成される。この時点における上部アパーチャ層２４もまだ酸化処理が行われておらず、その全面がＡｌＡｓ膜とされている。図１０は、スペーサ層３６及び上部アパーチャ層２４が形成された状態を示している。
【００５１】
上部アパーチャ層２４が形成されると、その上部にはバッファ層として機能するスペーサ層３７が形成され、更にその上部に上部ミラー層２５〜２８及びスペーサ層３８〜４０が順次形成される。この上部ミラー層２５〜２８及びスペーサ層３８〜４０の形成は、前記した下部ミラー層１８〜２１及びスペーサ層３０〜３３と同様の方法で形成されるため、その説明は省略する。図１１は、上部ミラー層２５〜２８及びスペーサ層３８〜４０が形成された状態を示している。
【００５２】
尚、上部ミラー層２５〜２８の各層の厚さは、下部ミラー層１８〜２１の各層の厚さよりも小さく設定されている。このため、上部ミラー層２５〜２８（スペーサ層３８〜４０
を含む）の全体厚さは約10μmであり、下部ミラー層１８〜２１（スペーサ層３０〜３３を含む）の全体厚さ約15μmに対して薄くなっている。
【００５３】
次に、上部ミラー層２８上にレジスト（図示せず）を形成すると共に、第２のミラー部１４となる位置に対応する位置を残してレジストを除去する。そして、このレジストをマスクとして、積層された上部ミラー層２５〜２８及びスペーサ層３７〜４０をエッチングにより除去する。また、エッチング時間を制御することにより、このエッチングは上部ミラー層２５の下部位置まで実施される。本実施形態では、このエッチングはスペーサ層３７が露出するまで実施される。図１２は、第２のミラー部１４が形成された状態を示している。
【００５４】
第２のミラー部１４が形成されると、次にスペーサ層３７の上面及び第２のミラー部１４の上面にレジスト（図示せず）を形成すると共に、活性層部１３となる位置に対応する位置を除いてレジストを除去する。そして、このレジストをマスクとして、積層された活性層２２、下部アパーチャ層２３，上部アパーチャ層２４，及びスペーサ層３４〜３７をエッチングにより除去する。また、エッチング時間を制御することにより、このエッチングは下部アパーチャ層２３の下部位置まで実施される。本実施形態では、このエッチングはスペーサ層３４が露出するまで実施される。また、活性層部１３の下部から基板１１の間に形成されている下部ミラー層１８〜２１は、第１のミラー部１２を形成する。図１３は、活性層部１３が形成された状態を示している。
【００５５】
次に、活性層部１３に設けられた下部アパーチャ層２３及び上部アパーチャ層２４に酸化処理が実施される。この酸化処理では、アパーチャ２３ａ，２４ａとなる中央位置を除き酸化処理が行われる。よって、アパーチャ２３ａ，２４ａはＡｌＡｓ膜を維持するため導電性を維持し、その外周部分は酸化されることによりＡｌＸＯＹとなり絶縁性を持つことになる。図１４は、アパーチャ２３ａ，２４ａの外周位置に絶縁層を形成した状態を示している。尚、この酸化処理の方法としては、例えば外部から水蒸気を吹き付け下部アパーチャ層２３及び上部アパーチャ層２４を酸化させ、更に水蒸気を吹き付ける時間を調整することにより酸化させない中央部の大きさをコントロールする方法を用いることができる。
【００５６】
上記のように、第２のミラー部１４及び活性層部１３は、エッチング処理を行うことにより形成される。また、活性層部１３の直径に対し、第２のミラー部１４の直径は小さく設定されている。よって、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分には段差が形成され、活性層部１３が露出した第１の露出部４８が形成される。また、活性層部１３と第１のミラー部１２との境界部分にも段差が形成され、第１のミラー部１２が露出した第２の露出部４９が形成されている。
【００５７】
本実施形態では、第１の露出部４８に正電極１６を形成すると共に、第２の露出部４９に負電極１５を形成する。この各電極１５，１６はＡｌよりなり、蒸着法等を用いて形成する。図１５（Ａ）は負電極１５及び正電極１６が形成された状態を縦断面図であり、図１５（Ｂ）は負電極１５及び正電極１６が形成された状態を示す平面視した図である。尚、以下の説明に用いる図１６〜１９においても、（Ａ）で示す図は縦断面図であり、（Ｂ）で示す図は平面視した図である。
【００５８】
本実施形態では、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分、及び活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に段差が形成され、この段差部分に負電極１５及び正電極１６が形成されている。このため、図１５（Ｂ）に示すように、これを平面視した場合には、環状形状の各電極１５，１６は、同軸的に配置された状態となる。具体的には、正電極１６が内側に位置し、負電極１５がその外側に位置する。
【００５９】
また、上記のように各電極１５，１６を形成することにより、負電極１５は第１のミラー部１２の上部に位置し、正電極１６は第２のミラー部１４の下部に位置することとなる。よって、負電極１５と正電極１６との間には電気抵抗の高い各ミラー層１８〜２１，２５〜２８は介在しない構造となる。
【００６０】
各電極１５，１６が形成されると、続いてこの電極１５，１６を被覆するように保護部４２が形成される。この保護部４２はポリイミド等の絶縁樹脂であり、例えばスピンコートを用いて形成することができる。前記のように、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分、及び活性層部１３と第２のミラー部１４の境界部分には段差を有しているが、保護部４２を形成することにより保護部４２の上面は平面となる。また、第２のミラー部１４の最上面で光出射部４６となる部分は、保護部４２から露出されている。図１６（Ａ），（Ｂ）は、保護部４２が形成された状態を示している。
【００６１】
保護部４２が形成されると、続いて保護部４２に貫通孔５０，５１が穿設される。貫通孔５０の形成位置は、負電極１５の形成位置と対応するよう設定されている。よって、貫通孔５０を穿設することにより、負電極１５は貫通孔５０を介して外部に露出した状態となる。同様に、貫通孔５１の形成位置は、正電極１６の形成位置と対応するよう設定されている。よって、貫通孔５１を穿設することにより、正電極１６は貫通孔５１を介して外部に露出した状態となる。図１７（Ａ），（Ｂ）は、保護部４２に貫通孔５０，５１が穿設された状態を示している。尚、貫通孔５０，５１の形成は、レーザ加工法，エッチング等を用いることができる。
【００６２】
貫通孔５０，５１が形成されると、貫通孔５０の内壁に貫通配線部４４ａが、貫通孔５１の内壁に貫通配線部４５ａが形成される。この接続電極４４ａ，４５ａは、貫通孔５０，５１内に無電解めっき法を用いてシード層を形成した後、このシード層に給電することにより電解めっき法を用いて形成することができる。この接続電極４４ａ，４５ａの材質は、Ａｕを用いることができる。また、接続電極４４ａの下端部は負電極１５と電気的に接続され、貫通配線部４５ａの下端部は正電極１６と電気的に接続される。図１８（Ａ），（Ｂ）は、貫通孔５０，５１内に貫通配線部４４ａ，４５ａが形成された状態を示している。尚、接続電極４４ａ，４５ａの形成方法は、上記した方法に限定されるものではなく、例えば無電解めっき法のみで形成してもよい。また、接続電極４４ａ，４５ａの材質もＡｕに限定されるものではなく、他の導電性金属（例えば、Ｃｕ）を用いることも可能である。
【００６３】
貫通配線部４４ａ，４５ａが形成されると、保護部４２の表面に表面電極４４ｂ，４５ｂが形成される。表面電極４４ｂは、貫通配線部４４ａの上端と電気的に接続するよう形成される。また、表面電極４５ｂは、貫通配線部４５ａの上端と電気的に接続するよう形成される。この表面電極４４ｂ，４５ｂは、めっき法を用いて形成することができる。
【００６４】
また、貫通配線部４４ａと表面電極４４ｂは、負電極１５と電気的に接続するための接続電極４４を形成する。同様に、貫通配線部４５ａと表面電極４５ｂは、正電極１６と電気的に接続するための接続電極４５を形成する。よって、負電極１５及び正電極１６が保護部４２の深い位置に形成されていても、各電極１５，１６に対して保護部４２の表面に形成された表面電極４４ｂ，４５ｂから給電を行うことができる。図１９（Ａ），（Ｂ）は、各電極１５，１６と接続される接続電極４４，４５が形成された状態を示している。
【００６５】
上記のように接続電極４４，４５が形成されると、基板１１は個々の多波長レーザ素子単位でダイシングされ、これにより図１に示す多波長レーザ素子１０Ａが製造される。
【００６６】
次に、本発明の第２実施形態である多波長レーザ素子１０Ｂ及びその製造方法について説明する。
【００６７】
図２０は、第２実施形態である多波長レーザ素子１０Ｂを示す断面図である。また、図２１乃至図２６は、多波長レーザ素子１０Ｂの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である。尚、図２０乃至図２６において、図１乃至図１９に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、適宜その説明を省略する。
【００６８】
多波長レーザ素子１０Ｂは、第１のミラー部１２、活性層部１３、第２のミラー部１４、電極５５，５６、及び絶縁部５８等を有している。第１のミラー部１２、活性層部１３、及び第２のミラー部１４の基本構造は、第１実施例に係る多波長レーザ素子１０Ａと同一である。
【００６９】
即ち、第１のミラー部１２は、下部ミラー層１８〜２１及びスペーサ層３０からスペーサ層３３等を有している。また、活性層部１３は、活性層２２、下部アパーチャ層２３、上部アパーチャ層２４、及びスペーサ層３５，３６等を有している。また、第２のミラー部１４は、上部ミラー層２５〜２８、スペーサ層３８〜４０等を有している。そして、基板１１の上部に第１のミラー部１２が積層され、第１のミラー部１２の上部に活性層部１３が積層され、更に活性層部１３の上部に第２のミラー部１４が積層された構造とされている。
【００７０】
前記した第１実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａは、第１のミラー部１２、活性層部１３、第２のミラー部１４を電気的及び光学的に分離するため、第１のミラー部１２、活性層部１３、第２のミラー部１４を階段形状（メサ形状）とした。これに対して本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂは、第１のミラー部１２、活性層部１３、第２のミラー部１４を電気的及び光学的に分離するために絶縁部５８を用いている。
【００７１】
絶縁部５８は、活性層部１３及び第２のミラー部１４の形成位置を囲繞するよう形成された環状溝５９に絶縁性樹脂を配設した構造とされている。この環状溝５９の深さは、下部アパーチャ層２３よりも下方まで延在する深さとされている。また、その厚さは、絶縁部５８の内部に位置する活性層部１３及び第２のミラー部１４が、絶縁部５８の外部に位置する活性層２２及び上部ミラー層２５〜２８等と電気的に確実に絶縁されると共に光学的にも分離される厚さ（例えば、５μｍ）に設定されている。この絶縁部５８の材質としては、例えばポリイミド樹脂を用いることができる。
【００７２】
正電極５５は、絶縁部５８の内側位置に活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分まで穿設された孔６１内に形成されている。この正電極５５は、貫通配線部５５ａと表面電極５５ｂとを有している。孔６１は有底孔であり、第２のミラー部１４を貫通してアパーチャ２４ａに近接するよう形成されている。貫通配線部５５ａは、この孔６１の内部に導電性金属をめっきすることにより形成されている。よって貫通配線部５５ａは、有底筒状の電極形状となる。また、表面電極５５ｂは、貫通配線部５５ａの上端部に接続するよう形成されている。
【００７３】
負電極５６は、絶縁部５８の外側位置に第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分まで穿設された孔６２内に形成されている。この負電極５６は、貫通配線部５６ａと表面電極５６ｂとを有している。孔６２は有底孔であり、上部ミラー層２５〜２８、活性層２２、及びアパーチャ層２３，２４を貫通し、アパーチャ２３ａに近接するよう形成されている。貫通配線部５６ａは、この孔６２の内部に導電性金属をめっきすることにより形成されている。よって貫通配線部５６ａは、有底筒状の電極形状となる。また、表面電極５６ｂは、貫通配線部５６ａの上端部に接続するよう形成されている。
【００７４】
次に、多波長レーザ素子１０Ｂの動作について説明する。本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂも第１及び第２のミラー部１２，１４に夫々４個のミラー層１８〜２１，２５〜２８を有している。活性層２２から放出された光は、光共振器として機能する第１及び第２のミラー部１２，１４間で共振すると共に、活性層部１３において励起される。そして、所定値まで励起されると、励起光は第２のミラー部１４を貫通し、光出射部４６から外部に出射される。
【００７５】
この際、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂも、第１のミラー部１２に４個の下部ミラー層１８〜２１と、第２のミラー部１４に４個の上部ミラー層２５〜２８を有している。よって、光出射部４６からは、第１実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａと同様に異なる４種類の波長λ１〜λ４を有するレーザ光が出射される。本実施形態においても、異なる４種類の波長λ１〜λ４を有するレーザ光は、光出射部４６から略同軸的に一括的に出射するため、多波長レーザ素子１０Ｂが搭載される光学電子装置の部品点数の削減及び小型化を図ることができる。
【００７６】
また本実施形態においも、正電極５５の底部（下端部）と負電極５６の底部（下端部）との間に下部ミラー層１８〜２１及び上部ミラー層２５〜２８が介在しない構造となっている。よって、正電極５５と負電極５６との間に電流を流した場合、この電流は活性層部１３を流れ、電気抵抗が高い第１のミラー部１２及び第２のミラー部１４を流れることはない。よって、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂにおいても、消費電力の低下を図ることができる。
【００７７】
更に、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂは、絶縁部５８により活性層部１３及び第２のミラー部１４を電気的及び光学的に絶縁部５８の外部と画成しているため、第１実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａと異なり、第１のミラー部１２，活性層部１３，及び第２のミラー部１４を階段形状（メサ形状）とする必要がない。このため、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂは、第１実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ａでは必要とされた保護部４２を不要とすることができ、部品点数及びコストの低減を図ることができる。
【００７８】
次に図２１〜２６を用いて、上記した多波長レーザ素子１０Ｂの製造方法について説明する。
【００７９】
尚、図３乃至図１１を用いて説明した製造工程は、本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂの製造方法においても同様に実施される。よって、この共通する製造方法についての説明は省略するものとする。また、図２１〜２６の各図において、（Ａ）は各製造途中における断面図を示し、（Ｂ）は各製造途中における平面図を示している。
【００８０】
図１１に示すように、基板１１上に下部ミラー層１８〜２１、下部アパーチャ層２３、活性層２２、上部アパーチャ層２４、上部ミラー層２５〜２８等が積層形成されると、次に活性層部１３及び第２のミラー部１４の形成位置を囲繞するよう環状溝５９を形成する。この環状溝５９を形成するには、先ず上部ミラー層２８上にレジスト（図示せず）を形成すると共に、環状溝５９の形成位置のレジストを除去する。そして、このレジストをマスクとし、積層された上部ミラー層２５〜２８、活性層２２、下部アパーチャ層２３、上部アパーチャ層２４、及びスペーサ層３４〜４０をエッチングにより除去する。
【００８１】
この際、エッチング時間を制御することにより、環状溝５９は第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分まで形成される。具体的には、本実施形態における環状溝５９は、スペーサ層３４の厚さ方向に対する略中央位置まで形成している。図２１（Ａ），（Ｂ）は、環状溝５９が形成された状態を示している。
【００８２】
環状溝５９が形成されると、この環状溝５９内に水蒸気が導入され、下部アパーチャ層２３及び上部アパーチャ層２４の酸化処理が実施される。この酸化処理では、アパーチャ２３ａ，２４ａとなる中央位置を除いた部分に対して酸化処理が行われる。よって、アパーチャ２３ａ，２４ａはＡｌＡｓ膜を維持するため導電性を維持し、その外周部分は酸化されることによりＡｌＸＯＹとなり絶縁性を持つことになる。図２２（Ａ），（Ｂ）は、アパーチャ２３ａ，２４ａの外周位置が酸化されて絶縁性を有した状態を示している。
【００８３】
各アパーチャ層２３，２４に対する酸化処理が終了すると、続いて環状溝５９内に光透過性の低い絶縁性樹脂を充填することにより絶縁部５８を形成する。この絶縁性樹脂の絶縁部５８への充填は、ディスペンサーを用いて当該絶縁性樹脂を滴下することにより行う。滴下された絶縁性樹脂は、毛細管現象により絶縁部５８の奥所まで充填されていく。その後に加熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化させ、これにより絶縁部５８が形成される。図２３（Ａ），（Ｂ）は、環状溝５９内に絶縁部５８が形成された状態を示している。
【００８４】
絶縁部５８が形成されると、続いて孔６１，６２が穿設される。孔６１の形成位置は、絶縁部５８よりも内側の第２のミラー部１４内に設定されている。また、孔６１の深さは、底部が活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に位置するよう設定されている。また孔６２の形成位置は、絶縁部５８よりも外側に設定されている。また、孔６２の深さは、底部が第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に位置するよう設定されている。この際、孔６２は、活性層２２、下部アパーチャ層２３、上部アパーチャ層２４、上部ミラー層２５〜２８、スペーサ層３５〜４０を貫通して形成されている。図２４（Ａ），（Ｂ）は、保護部４２に貫通孔５０，５１が穿設された状態を示している。
【００８５】
孔６１，６２が形成されると、孔６１の内壁に配線部５５ａが、孔６２の内壁に配線部５６ａが形成される。この配線部５５ａ，５６ｂは、孔６１，６２内に無電解めっき法を用いてシード層を形成した後、このシード層に給電することにより電解めっき法を用いて形成することができる。この接続電極４４ａ，４５ａの材質は、各電極１５，１６と同一材質であるＡｕが用いられている。図２５（Ａ），（Ｂ）は、孔６１，５１内に配線部５５ａ，５６ａが形成された状態を示している。
【００８６】
配線部５５ａ，５６ａが形成されると、上部ミラー層２８の表面に絶縁膜６４及び表面電極５５ｂ，５６ｂが形成される。表面電極５５ｂは、配線部５５ａの上端と電気的に接続するよう形成される。また、表面電極５５ｂは、配線部５６ａの上端と電気的に接続するよう形成される。この表面電極５５ｂ，５６ｂは、めっき法を用いて絶縁膜６４の上部に形成される。絶縁膜６４はポリイミド等の絶縁性樹脂であり、スピンコート法を用いて形成することができる。
【００８７】
配線部５５ａと表面電極５５ｂは正電極５５を形成し、配線部５６ａと表面電極５５ｂは負電極５６を形成する。よって、レーザ光を発生させる活性層２２が第１のミラー部１２と第２のミラー部１４との間に挟まれた構造であっても、正電極５５の底部をアパーチャ２４ａに近接した位置に配置することができると共に、負電極５６の底部をアパーチャ２３ａに近接した位置に配置することができる。これにより、活性層２２が多波長レーザ素子１０Ｂの表面から離間した位置にあっても、多波長レーザ素子１０Ｂの表面に形成された表面電極５５ｂ，５６ｂから活性層２２に対して給電を行うことができる。図２６（Ａ），（Ｂ）は、正電極５５，負電極５６，及び絶縁膜６４が形成された状態を示している。
【００８８】
上記のように正電極５５及び負電極５６が形成されると、基板１１は個々の多波長レーザ素子単位でダイシングされ、これにより図２０に示す多波長レーザ素子１０Ｂが製造される。
【００８９】
本実施形態に係る多波長レーザ素子１０Ｂの製造方法は、多波長レーザ素子１０Ａと異なり第１のミラー部１２，活性層部１３，及び第２のミラー部１４を階段形状（メサ形状）とするためのエッチング処理が不要となる。また、形成された階段形状（メサ形状）を平坦化するための保護部４２の形成工程も不要となる。更に、絶縁部５８の形成は、電極５５，５６の形成時に行われる孔６１，６２の加工装置と同一の装置を用いて形成することが可能であり、また絶縁部５８となる絶縁性樹脂の充填処理もディスペンサーを用いて容易に行うことができる。よって、本実施形態による製造方法によれば、多波長レーザ素子１０Ｂを容易に形成することが可能となる。
【００９０】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【００９１】
例えば、本実施形態では第１のミラー部１２に４層の下部ミラー層１８〜２１を有し、第２のミラー部１４に４層の上部ミラー層２５〜２８を有した構成を例に挙げて説明した。しかしながら、各ミラー部に積層されるミラー層の積層数は４層に限定されるものではなく、これ以外の層数とすることも可能である。この層数は、所望する光出射部４６から同時出射されるレーザ光の数に応じて適宜設定すればよい。
【００９２】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板と、
前記基板上に第１のミラー層を複数積層してなる第１のミラー部と、
活性層を含む層が前記第１のミラー部上に積層された活性層部と、
前記活性層部上に第２のミラー層を複数積層してなる第２のミラー部と、
前記活性層部に給電を行うための第１及び第２の電極とを有し、
前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分に前記第１の電極を設け、
前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に前記第２の電極を設けた多波長レーザ素子。
（付記２）
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１のミラー部及び前記第２のミラー部が介在しない付記１記載の多波長レーザ素子。
（付記３）
前記第１の電極は、前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分に形成された段部に設けられ、
前記第２の電極は、前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に形成された段部に設けられてなる付記１又は２に記載の多波長レーザ素子。
（付記４）
前記第１及び第２の電極を覆う保護部と、
前記保護部を貫通するよう設けられると共に一端が前記第１又は第２の電極に接続された貫通配線部と、前記保護部の表面に形成されると共に前記貫通配線の他端に接続された表面電極とを有する接続配線とを設けてなる付記１乃至３のいずれか一項に記載の多波長レーザ素子。
（付記５）
前記第１のミラー層及び前記活性層を含む層に形成され、前記活性層部及び前記第２のミラー部を囲繞するよう形成された絶縁部を有し、
前記第１の電極は、前記絶縁部の内側位置に前記活性層部と前記第２のミラー部との境界部分まで穿設された第１の孔部内に形成され、
前記第２の電極は、前記絶縁部の外側位置に前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分まで穿設された第２の孔部内に形成されてなる付記１又は２に記載の多波長レーザ素子。
（付記６）
前記活性層部は、活性層と、アパーチャが形成されると共に前記活性層を挟んで配設される一対のアパーチャ層とを有し、
前記アパーチャを一箇所のみ形成することにより、前記活性層部の一箇所でのみ発光が行われる付記１乃至５のいずれか一項に記載の多波長レーザ素子。
（付記７）
基板上に複数の第１のミラー層を積層形成することにより第1のミラー部を形成する第１のミラー部形成工程と、
積層された前記第１のミラー部の上部に活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層の上部に複数の第２のミラー層を積層形成する第２のミラー層積層工程と、
積層された前記第２のミラー層をエッチングすることより、前記活性層との境界部分に第１の段差部を有する第２のミラー部を形成する第２のミラー部形成工程と、
前記活性層をエッチングすることにより、前記第１のミラー部との境界部分に第２の段差露部を有する活性層部を形成する活性層部形成工程と、
前記第１及び第２の段差部に第１及び第２の電極を形成する電極形成工程とを有する多波長レーザ素子の製造方法。
（付記８）
基板上に複数の第１のミラー層を積層形成することにより第1のミラー部を形成する第１のミラー層積層工程と、
積層された前記第１のミラー層の上部に活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層の上部に複数の第２のミラー層を積層形成する第２のミラー層積層工程と、
前記活性層及び前記第２のミラー層に絶縁部を形成することにより、該絶縁部の内部に第２のミラー部と活性層部とを形成する第２のミラー部・活性層部形成工程と、
前記絶縁部の内側位置に、前記第２のミラー部と前記活性層部との境界部分に至る深さの第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記絶縁部の外側位置に、前記第１のミラー部と前記活性層部との境界部分に至る深さの第２の電極を形成する第２の電極形成工程とを有する多波長レーザ素子の製造方法。
【符号の説明】
【００９３】
１０Ａ，１０Ｂ  多波長レーザ素子
１１  基板
１２  第１のミラー部
１３  活性層部
１４  第２のミラー部
１５，５６  負電極
１６，５５  正電極
１８〜２１  下部ミラー層
１９  下部ミラー層
２２  活性層
２３  下部アパーチャ層
２４  上部アパーチャ層
２５〜２８  上部ミラー層
３０〜４０  スペーサ層
４２  保護部
４４，４５  接続電極
４５  接続電極
４４ａ，４５ａ，５５ａ，５６ａ  配線部
４４ｂ，４５ｂ，５５ｂ，５６ｂ  表面電極
４８  第１の段部
４９  第２の段部
５０，５１，６１，６２  孔
５８  絶縁部
５９  環状溝
６４  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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