(57)【要約】【課題】レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。【解決手段】シリコン基板１の全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜としての窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１上に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、半導体装置を構成するゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上に、紫外線反射防止膜１２の形状加工用のフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程とを有している。このとき、紫外線反射防止膜１２によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が形成された半導体基板全面に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜を成膜し、該第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
半導体装置が形成された半導体基板全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜を成膜する第１反射防止膜成膜工程と、
該第１反射防止膜上に前記第２反射防止膜を成膜する第２反射防止膜成膜工程と、
該半導体装置を構成するゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域上に、該第１反射防止膜の形状加工用のフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程とを有する請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記フォトレジストパターン形成工程において、前記第２反射防止膜によって露光が吸収されて該露光の反射光が抑制され、該反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止する請求項１または２に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記フォトレジストパターン形成工程において、前記フォトレジストパターン直下以外の第２反射防止膜を現像液により溶解して除去する請求項１または２に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記第１反射防止膜は無機系膜であり、前記第２反射防止膜は有機系膜である請求項２に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
前記露光は紫外線光である請求項１または３に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法により形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、可視光を反射防止する第１反射防止膜をエッチング処理して、前記ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域に、端縁部がテーパ状になることなく角状になった島形状の第１反射防止膜を形成する第１反射防止膜形成工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２反射防止膜は、前記フォトレジストパターンの現像液の他に、該フォトレジストパターンの剥離液にも溶ける材料で構成されている請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１反射防止膜形成工程は、前記エッチング処理後に、前記第２反射防止膜上のフォトレジストパターンを剥離して除去するときに、該フォトレジストパターン直下の該第２反射防止膜も溶解して除去する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上に形成されたゲート酸化膜上に、前記半導体装置を構成する第１ゲート電極を形成する第１ゲート電極形成工程と、
該第１ゲート電極の上面および側面を覆う第１層間絶縁膜を形成する第１層間絶縁膜形成工程と、
該第１ゲート電極の位置に対応する該第１層間絶縁膜上に第２ゲート電極を形成する第２ゲート電極形成工程と、
該第２ゲート電極の上面および側面を覆う第２層間絶縁膜を形成する第２層間絶縁膜形成工程とを有し、
該第２層間絶縁膜が形成された基板全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜を成膜し、該第１反射防止膜上に前記第２反射防止膜を成膜する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、前記第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域毎に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が配設され、該受光部の中央領域上に、可視光を反射防止する島形状の第１反射防止膜を形成する固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子において、電荷転送電極として動作する第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域以外には層間絶縁膜を形成し、該第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域は、前記第１反射防止膜として、可視光域の島形状の反射防止膜の端縁部がテーパ状になることなく角状に形成されている固体撮像素子。
【請求項１３】
前記第１ゲート電極の上面および側面に第１層間絶縁膜が配設され、該第１ゲート電極に対応した第１層間絶縁膜上には第２ゲート電極が配設され、該第２ゲート電極の上面および側面に第２層間絶縁膜が配設されている請求項１２に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程で用いるレジストパターンの形成方法、これを用いた半導体装置の製造方法、この半導体装置の製造方法として、例えば被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子の製造方法、この固体撮像素子の製造方法により作製された固体撮像素子および、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法におけるリソグラフィ工程のレジストパターンの形成方法を固体撮像素子の製造方法に適用した場合について説明する。
【０００３】
図９（ａ）〜図９（ｄ）は、従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための第１ゲート電極形成工程までを示す要部縦断面図、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、図９（ｄ）に続く従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための第２ゲート電極形成工程までを示す要部縦断面図、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、図１０（ｃ）に続く従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための窒化膜成膜工程までを示す要部縦断面図、図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、図１１（ｃ）に続く従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための窒化膜形成工程までを示す要部縦断面図である。
【０００４】
まず、図９（ａ）に示すように、半導体基板としてのシリコン基板１０１上にＳｉＯ２膜であるゲート酸化膜１０２を形成し、さらにゲート酸化膜１０２上にゲート窒化膜１０３を形成し、さらにゲート窒化膜１０３上にゲートＨＴＯ膜１０４を形成し、さらにゲートＨＴＯ膜１０４上に第１ポリシリコン膜１０５を形成する。この第１ポリシリコン膜１０５は第１ゲート電極となるためドーピングされて導電性を持たせる。
【０００５】
さらに、図９（ｂ）に示すように、ドーピングされた第１ポリシリコン膜１０５上に第１ゲート電極の加工のためにマスクとなるフォトレジストパターン１０６を形成する。即ち、第１ポリシリコン膜１０５上にフォトレジスト膜材料を成膜し、第１ゲート電極が形成される第１ポリシリコン膜１０５上の位置にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、第１ポリシリコン膜１０５上に、第１ゲート電極の加工のためのフォトレジストパターン１０６を形成する。
【０００６】
続いて、図９（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜１０５上のフォトレジストパターン１０６をマスクとして、予めドーピングされた第１ポリシリコン膜１０５をエッチング処理して所定位置にそれぞれ第１ゲート電極１０５Ａを形成する。
【０００７】
このようにして、図９（ａ）〜図９（ｃ）の各工程によってゲートＨＴＯ膜１０４上に第１ゲート電極１０５Ａを形成することができる。このとき、第１ゲート電極１０５Ａを自己整合的に不純物イオンをドーピングして、隣接する第１ゲート電極１０５Ａ間のシリコン基板１０１の表面側にフォトダイオードＰＤの不純物拡散領域を形成することができる。
【０００８】
その後、図９（ｄ）に示すように、予めドーピングされた第１ポリシリコン膜１０５から所定形状に形成された第１ゲート電極１０５Ａを表面熱酸化して、第１ゲート電極１０５Ａの上面および側面を覆う第１層間絶縁膜１０７を形成する。
【０００９】
次に、図１０（ａ）に示すように、第１層間絶縁膜１０７およびゲートＨＴＯ膜１０４上に第２ポリシリコン膜１０８を成膜し、成膜した第２ポリシリコン膜１０８は第２ゲート電極となるためドーピングされて導電性を持たせる。
【００１０】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、ドーピングされた第２ポリシリコン膜１０８上に第２ゲート電極の加工のためにフォトレジストパターン１０９を形成する。即ち、第２ポリシリコン膜１０８上にフォトレジスト膜を成膜し、第２ゲート電極が形成される第１ゲート電極１０５Ａの上方位置にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、第２ポリシリコン膜１０８上にフォトレジストパターン１０９を形成する。
【００１１】
その後、図１０（ｃ）に示すように、第２ポリシリコン膜１０８上のフォトレジストパターン１０９をマスクとして、予めドーピングされた第２ポリシリコン膜１０８をエッチング処理して、ゲートＨＴＯ膜１０４からゲート窒化膜１０３さらにゲート酸化膜１０２の途中までエッチング除去し、第１ゲート電極１０５Ａの位置に対応する第１層間絶縁膜１０７上の所定位置にそれぞれ第２ゲート電極１０８Ａを形成する。
【００１２】
このようにして、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）の各工程によって第１層間絶縁膜１０７上に第２ゲート電極１０８Ａを形成することができる。これによって、フォトトランジスタＰＤの周辺高さを合わせるために、２段の第１ゲート電極１０５Ａおよび第２ゲート電極１０８Ａが形成されている。
【００１３】
次に、図１１（ａ）に示すように、第２ゲート電極１０８Ａ上に残ったフォトレジストパターン１０９を除去した後に、図１１（ｂ）に示すように、予めドーピングされた第２ポリシリコン膜１０８から島状に形成された第２ゲート電極１０８Ａを表面熱酸化して、第２ゲート電極１０８Ａの上面および側面を覆う第２層間絶縁膜１１０を形成すると共に、ゲート電極間に残ったゲート酸化膜１０２も熱酸化されて第２層間絶縁膜１１０が形成される。
【００１４】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜１１０上の基板全面にＳｉＮ膜の窒化膜１１１を所定の厚さだけ成膜する。
【００１５】
次に、図１２（ａ）に示すように、ゲート電極間の窒化膜１１１の中央領域上に、窒化膜１１１の形状加工のためにフォトレジストパターン１１２を形成する。即ち、窒化膜１１１上にフォトレジスト膜材料を成膜し、ゲート電極間の中央領域であって、フォトダイオードＰＤの中央領域の上方にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、窒化膜１１１上に、窒化膜加工用のフォトレジストパターン１１２を形成する。このとき、窒化膜１１１およびポリシリコン膜からの露光の反射光を受けてフォトレジスト膜１１２の側面にくびれＢ（ハレーション）が発生する。
【００１６】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、ゲート電極間の中央領域の窒化膜１１１上のフォトレジストパターン１１２をマスクとして、窒化膜１１１さらに第２層間絶縁膜１１０をドライエッチング処理して、窒化膜１１１さらに第２層間絶縁膜１１０の途中までエッチング除去して第２層間絶縁膜１１０Ａとして所定膜厚だけ残し、ゲート電極間の中央領域であって、フォトダイオードＰＤの中央領域の上方に、角部がテーパ状になった島形状の窒化膜１１１Ａを形成する。このように、島形状の窒化膜１１１Ａの線幅制御が悪化してしまう。
【００１７】
さらに、図１２（ｃ）に示すように、所定形状の窒化膜１１１Ａ上に残ったフォトレジストパターン１１２を剥離して除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平６−２０９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
近年、ＬＳＩの高集積化および微細化に伴って、寸法精度に対する要求も厳しくなっている。
【００２０】
上記従来の構成では、段差部を有する半導体基板上に反射膜となる膜が形成されると、レジスト膜厚変動に起因する多重干渉効果や、図１２（ａ）に示すような段差側面からの紫外線の反射光Ａによるフォトレジスト膜１１２の側面にくびれＢ（ハレーション）が生じやすくなる。このように、フォトレジスト膜１１２の側面にくびれＢ（ハレーション）が発生すると、その後のエッチングによる窒化膜１１１Ａの線幅制御の寸法精度に悪影響が生じる。可視光域の反射防止膜として作用する窒化膜１１１Ａの線幅寸法精度の悪化によって、固体撮像素子のフォトダイオードＰＤにおける受光効率が悪化する虞がある。なお、この窒化膜１１１Ａは、有機系の反射防止膜であって、可視光域の反射防止膜であるが、紫外線露光時の紫外線は反射してしまうため、フォトレジスト膜１１２の側面にくびれＢ（ハレーション）が生じることになる。
【００２１】
このような段差部からの反射の影響を低減するために、反射基板上に露光光を吸収する反射防止膜を形成した後に、フォトレジスト膜の塗布を行う反射防止膜法は、レジストパターン形成後の反射防止膜の除去の際に、問題を生ずる。このレジストパターンの形成方法が特許文献１の図１３（ａ）および図１３（ｂ）に記載されている。
【００２２】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、特許文献１に記載されている従来のレジストパターンの形成方法の問題点を説明するための要部縦断面図である。
【００２３】
まず、図１３（ａ）に示すように、シリコン基板２０１の表面にゲート酸化膜２０２を形成した後に、基板全面にポリシリコン膜２０３を堆積し、このポリシリコン膜２０３上に、特に紫外線を吸収可能とする反射防止膜材料を成膜する。さらに、この成膜された反射防止膜材料上の基板全面にポジ型レジスト膜を塗布して形成する。
【００２４】
さらに、露光、現像によってポジ型レジストパターン２０５を得る。続いて、ウェットエッチング処理によりポジ型レジストパターン２０５直下以外の領域の反射防止膜材料を除去すると、アンダーカットされた姿態を有する反射防止膜２０４が形成されるか，もしくはテーパー状のスカム（ｓｃｕｍ）の発生が起り、寸法精度が著しく劣化する。
【００２５】
逆に、図１３（ｂ）に示すように、寸法精度向上のために、上述した不用領域の反射防止膜材料の除去をドライ（プラズマ）エッチング処理で行うと、残留形成される反射防止膜２０４Ａにはアンダーカットは持たないが、ポジ型レジストパターン２０５がポジ型レジストパターン２０５Ａに変形する。これは、上記ドライエッチング処理が酸素を主体とする異方性プラズマエッチングであるため、ポジ型レジスト膜上部もエッチング除去されて角落ちが起る。このような形状のポジ型レジスト膜２０５Ａでは、後の下地のポリシリコン膜２０３のドライエッチングの際に、寸法が変動する虞がある。特に、解像力，焦点深度向上のためにレジスト膜を薄膜化した場合には、この現象は深刻な問題となる。
【００２６】
何れにせよ、図１３（ｂ）の場合、ポジ型レジストパターン２０５Ａをマスクとしてドライ（プラズマ）エッチングする対象は、反射防止膜下地のポリシリコン膜２０３であり、残留形成される反射防止膜２０４Ａがポジ型レジストパターン２０５Ａ下に埋もれているため、別工程で反射防止膜２０４Ａを別途エッチング除去しなければならない。
【００２７】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、別工程を設ける必要がなく、レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成することができるレジストパターンの形成方法、これを用いた半導体装置の製造方法、この半導体装置としての固体撮像素子の製造方法、この固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子および、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明のレジストパターンの形成方法は、半導体装置が形成された半導体基板全面に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜を成膜し、該第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２９】
また、好ましくは、本発明のレジストパターンの形成方法において、半導体装置が形成された半導体基板全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜を成膜する第１反射防止膜成膜工程と、該第１反射防止膜上に前記第２反射防止膜を成膜する第２反射防止膜成膜工程と、該半導体装置を構成するゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域上に、該第１反射防止膜の形状加工用のフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程とを有する。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明のレジストパターンの形成方法におけるフォトレジストパターン形成工程において、前記第２反射防止膜によって露光が吸収されて該露光の反射光が抑制され、該反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止する。
【００３１】
さらに、好ましくは、本発明のレジストパターンの形成方法におけるフォトレジストパターン形成工程において、前記フォトレジストパターン直下以外の第２反射防止膜を現像液により溶解して除去する。
【００３２】
さらに、好ましくは、本発明のレジストパターンの形成方法における第１反射防止膜は有機系膜であり、前記第２反射防止膜は無機系膜である。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明のレジストパターンの形成方法における露光は紫外線光である。
【００３４】
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の上記レジストパターンの形成方法により形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、可視光を反射防止する第１反射防止膜をエッチング処理して、前記ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域に、端縁部がテーパ状になることなく角状になった島形状の第１反射防止膜を形成する第１反射防止膜形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３５】
また、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法における第２反射防止膜は、前記フォトレジストパターンの現像液の他に、該フォトレジストパターンの剥離液にも溶ける材料で構成されている。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法における第１反射防止膜形成工程は、前記エッチング処理後に、前記第２反射防止膜上のフォトレジストパターンを剥離して除去するときに、該フォトレジストパターン直下の該第２反射防止膜も溶解して除去する。
【００３７】
さらに、好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法において、半導体基板上に形成されたゲート酸化膜上に、前記半導体装置を構成する第１ゲート電極を形成する第１ゲート電極形成工程と、該第１ゲート電極の上面および側面を覆う第１層間絶縁膜を形成する第１層間絶縁膜形成工程と、該第１ゲート電極の位置に対応する該第１層間絶縁膜上に第２ゲート電極を形成する第２ゲート電極形成工程と、該第２ゲート電極の上面および側面を覆う第２層間絶縁膜を形成する第２層間絶縁膜形成工程とを有し、該第２層間絶縁膜が形成された基板全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜を成膜し、該第１反射防止膜上に前記第２反射防止膜を成膜する。
【００３８】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、本発明の上記半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、前記第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域毎に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が配設され、該受光部の中央領域上に、可視光を反射防止する島形状の第１反射防止膜を形成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３９】
本発明の固体撮像素子は、本発明の上記固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子において、電荷転送電極として動作する第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域以外には層間絶縁膜を形成し、該第１ゲート電極に隣接する半導体基板の所定表面領域の中央領域は、前記第１反射防止膜として、可視光域の島形状の反射防止膜の端縁部がテーパ状になることなく角状に形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４０】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、前記第１ゲート電極の上面および側面に第１層間絶縁膜が配設され、該第１ゲート電極に対応した第１層間絶縁膜上には第２ゲート電極が配設され、該第２ゲート電極の上面および側面に第２層間絶縁膜が配設されている。
【００４１】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４２】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００４３】
本発明においては、半導体装置が形成された半導体基板全面に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜を成膜し、該第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成する。
【００４４】
これによって、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成することから、第２反射防止膜によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止することが可能であり、フォトレジストパターン直下以外の第２反射防止膜を現像液により容易に溶解して除去することが可能であるので、レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成することができる。
【発明の効果】
【００４５】
以上により、本発明によれば、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成するから、第２反射防止膜によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止することが可能であり、フォトレジストパターン直下以外の第２反射防止膜を現像液により容易に溶解して除去することが可能であるため、レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態１における半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法を説明するための第１ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図２（ｄ）に続く第２ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図３（ｃ）に続く窒化膜成膜工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図４（ｃ）に続く窒化膜形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態２における固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態２に係るレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための反射防止膜形成工程を模式的に示す要部縦断面図である。
【図８】本発明の実施形態３として、本発明の実施形態２の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、従来のレジストパターンの形成方法を含む固体撮像素子の製造方法を説明するための第１ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための図９（ｄ）に続く第２ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための図１０（ｃ）に続く窒化膜成膜工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、従来のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための図１１（ｃ）に続く窒化膜形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、特許文献１に記載されている従来のレジストパターンの形成方法の問題点を説明するための要部縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下に、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法の実施形態１について図面を参照しながら詳細に説明し、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法の実施形態２を固体撮像素子の製造方法に適用した場合について図面を参照しながら詳細に説明した後に、この固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態３について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４８】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１における半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
【００４９】
図１において、本実施形態１の半導体装置２０は、半導体基板としてのシリコン基板１上に、島状に、ゲート酸化膜２、ゲート窒化膜３およびゲートＨＴＯ膜４をこの順に積層した積層上に第１ゲート電極５Ａが配設され、その第１ゲート電極５Ａの上面および側面に第１層間絶縁膜７が配設され、同様に、その上に第２ゲート電極８Ａが配設され、その第２ゲート電極８Ａの上面および側面に第２層間絶縁膜１０が配設されている。このように、上下２段に第１ゲート電極５Ａおよび第２ゲート電極８Ａが積み上げられて形成されている。隣接する第１ゲート電極５Ａ間の中央領域以外には、第２層間絶縁膜１０Ａを所定膜厚だけ残し、隣接する第１ゲート電極５Ａ間の中央領域には、可視光域の反射防止膜として作用する島形状の窒化膜１１Ａが、角部がテーパ状になることなく、高寸法精度に形成されている。
【００５０】
この場合の第１ゲート電極５Ａは、信号処理や素子制御を行うための周辺回路部におけるトランジスタのゲート電極に対応し、第２ゲート電極８Ａは、この周辺回路部を構成するトランジスタの各駆動領域やゲート電極に接続される回路配線に対応している。隣接する第１ゲート電極５Ａ間のシリコン基板１の表面側には、固体撮像素子の受光部（フォトダイオード）以外のものとして、例えばピックアップ装置からの光データを受光する受光素子が配設されていてもよい。これ以外のものとして、本発明のレジストパターンの形成方法を、周りに段差部を有するチャージポンプ回路などのキャパシタの形成に適用することもできる。
【００５１】
以下に、上記構成の半導体装置２０の製造方法について、図２〜図５を参照して詳細に説明する。
【００５２】
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置２０の製造方法を説明するための第１ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図、図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置２０の製造方法を説明するための図２（ｄ）に続く第２ゲート電極形成工程までを模式的に示す要部縦断面図、図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置２０の製造方法を説明するための図３（ｃ）に続く窒化膜成膜工程までを模式的に示す要部縦断面図、図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置２０の製造方法を説明するための図４（ｃ）に続く窒化膜形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【００５３】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板としてのシリコン基板１上にＳｉＯ２膜であるゲート酸化膜２を形成し、さらにゲート酸化膜上にゲート窒化膜３を形成し、さらにゲート窒化膜３上にゲートＨＴＯ膜４を形成し、さらにゲートＨＴＯ膜４上に第１ポリシリコン膜５を形成する。この第１ポリシリコン膜５は、第１ゲート電極となるためドーピングされて導電性を持たせる。
【００５４】
さらに、図２（ｂ）に示すように、ドーピングされた第１ポリシリコン膜５上に第１ゲート電極の加工のためにマスクとなるフォトレジストパターン６を形成する。即ち、第１ポリシリコン膜５上にフォトレジスト膜材料を成膜し、第１ゲート電極が形成される第１ポリシリコン膜５上の所定位置にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、第１ポリシリコン膜５上に、第１ゲート電極の加工のためのフォトレジストパターン６を形成する。
【００５５】
続いて、図２（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜５上のフォトレジストパターン６をマスクとして、予めドーピングされた第１ポリシリコン膜５をエッチング処理して所定位置にそれぞれ第１ゲート電極５Ａを形成する。
【００５６】
このようにして、図２（ａ）〜図２（ｃ）の各工程によってゲートＨＴＯ膜４上に第１ゲート電極５Ａをそれぞれ形成することができる。
【００５７】
その後、図２（ｄ）に示すように、予めドーピングされた第１ポリシリコン膜５から所定形状に形成された第１ゲート電極５Ａを表面熱酸化して、第１ゲート電極５Ａの上面および側面を覆う第１層間絶縁膜７を形成する。
【００５８】
次に、図３（ａ）に示すように、第１層間絶縁膜７およびゲートＨＴＯ膜４上に第２ポリシリコン膜８を成膜し、成膜した第２ポリシリコン膜８は第２ゲート電極となるためドーピングされて導電性を持たせる。
【００５９】
続いて、図３（ｂ）に示すように、ドーピングされた第２ポリシリコン膜８上に第２ゲート電極の加工のためにフォトレジストパターン９を形成する。即ち、第２ポリシリコン膜８上にフォトレジスト膜材料を成膜し、第２ゲート電極が形成される第１ゲート電極５Ａの上方位置にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、第２ポリシリコン膜８上に所定形状のフォトレジストパターン９を形成する。
【００６０】
その後、図３（ｃ）に示すように、第２ポリシリコン膜８上のフォトレジストパターン１０９をマスクとして、予めドーピングされた第２ポリシリコン膜８をエッチング処理して、ゲートＨＴＯ膜４からゲート窒化膜３さらにゲート酸化膜２の途中までエッチング除去し、第１ゲート電極５Ａの位置に対応する第１層間絶縁膜７上の所定中央位置にそれぞれ第２ゲート電極８Ａを形成する。
【００６１】
このようにして、図３（ａ）〜図３（ｃ）の各工程によって第１層間絶縁膜７上に第２ゲート電極８Ａを形成することができる。これによって、上下２段の第１ゲート電極１０５Ａおよび第２ゲート電極１０８Ａによる段差部が形成される。
【００６２】
次に、図４（ａ）に示すように、島状に形成された第２ゲート電極８Ａ上に残ったフォトレジストパターン９を除去した後に、図４（ｂ）に示すように、第１ゲート電極８Ａを表面熱酸化して、第１ゲート電極８Ａの上面および側面を覆う第２層間絶縁膜１０を形成すると共に、ゲート電極間に残ったゲート酸化膜２も熱酸化されて第２層間絶縁膜１０が形成される。
【００６３】
続いて、図４（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜１０上の基板全面に、第１反射防止膜として、無機系膜であるＳｉＮ膜の可視光域の窒化膜１１を所定の厚さだけ成膜する。さらに、その窒化膜１１上の基板全面に、第２反射防止膜として、紫外線光を吸収して反射防止すると共に現像液および剥離液で溶ける有機系膜である紫外線反射防止膜１２を成膜する。
【００６４】
この有機系の紫外線反射防止膜１２は、現像液（アルカリ）に反応して溶解する紫外線反射防止膜(日産化学社製)である。
【００６５】
次に、図５（ａ）に示すように、ゲート電極間の紫外線反射防止膜１２の中央領域上（またはゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上）に、窒化膜１１の形状加工のためにフォトレジストパターン１３を形成する。即ち、紫外線反射防止膜１２上の基板全面にフォトレジスト膜材料を成膜し、ゲート電極間の中央領域（またはゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上）の上方にフォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、紫外線反射防止膜１２上に、窒化膜加工用のフォトレジストパターン１３を形成する。このとき、下地の紫外線反射防止膜１２によって紫外線露光が吸収されるため、紫外線露光の反射光が発生しにくく、従来のような段差部から反射光でフォトレジスト膜の側面にくびれＢ（ハレーション）が発生するようなことはない。さらに、このフォトレジストパターン１３直下以外の破線で示す紫外線反射防止膜１２は、その後の現像液により溶解して除去できる。
【００６６】
続いて、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極間の中央領域の窒化膜１１さらに紫外線反射防止膜１２上のフォトレジストパターン１３をマスクとして、窒化膜１１から第２層間絶縁膜１０をドライエッチング処理して、窒化膜１１さらに第２層間絶縁膜１０の途中までエッチング除去してＳｉＯｎ膜の第２層間絶縁膜１０Ａとして所定膜厚だけ残し、ゲート電極間の中央領域の上方に、端縁部（角部）がテーパ状になることなく角状になって、高寸法精度に形成された可視光域反射防止膜である島形状の窒化膜１１Ａを形成することができる。これによって、島形状の窒化膜１１Ａを精度よく線幅制御できる。
【００６７】
さらに、図５（ｃ）に示すように、所定形状の紫外線反射防止膜１２上に残ったフォトレジストパターン１３を剥離して除去する。このとき、フォトレジストパターン１３直下の紫外線反射防止膜１２も剥離液に容易に溶解して除去される。このように、高段差パターンであってもレジストパターン形成後、レジスト剥離処理時に紫外線反射防止膜１２も除去できる。
【００６８】
以上により、本実施形態１の半導体装置２０の製造方法は、シリコン基板１上に形成されたゲート酸化膜２上に第１ゲート電極５Ａを形成する第１ゲート電極形成工程と、第１ゲート電極５Ａの上面および側面を覆う第１層間絶縁膜７を形成する第１層間絶縁膜形成工程と、第１ゲート電極５Ａの位置に対応する第１層間絶縁膜７上に第２ゲート電極８Ａを形成する第２ゲート電極形成工程と、第２ゲート電極８Ａの上面および側面を覆う第２層間絶縁膜１０を形成する第２層間絶縁膜形成工程と、第２層間絶縁膜１０が形成された基板全面に窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１が形成された基板全面に、紫外線を吸収して反射防止すると共に現像液で溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、ゲート電極間の紫外線反射防止膜１２の中央領域上に、窒化膜１１の形状加工のためにフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程と、フォトレジストパターン１３をマスクとして、窒化膜１１をエッチング処理してゲート電極間の中央領域の上方に、角部がテーパ状になることなく、高寸法精度に形成された島形状の窒化膜１１Ａを形成する窒化膜形成工程とを有している。
【００６９】
この半導体装置２０の製造方法に用いるレジストパターン１３の形成方法は、半導体装置が形成されたシリコン基板１の全面に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜としての紫外線反射防止膜１２を成膜し、この紫外線反射防止膜１２上に所定形状のレジストパターン１３を形成するものである。即ち、シリコン基板１の全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜としての窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１上に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、半導体装置を構成するゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上に、紫外線反射防止膜１２の形状加工用のフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程とを有している。このとき、紫外線反射防止膜１２によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止することができる。また、フォトレジストパターン１３直下以外の紫外線反射防止膜１２を現像液により溶解して除去することができる。
【００７０】
したがって、本発明のレジストパターンの形成方法は、ＷＥＴで溶解する紫外線反射防止膜１２上にフォトレジスト膜材料を塗布して、所定形状に露光、現像処理してフォトレジストパターン１３を形成し、ドライエッチング後のフォトレジストパターン１３の剥離時に紫外線反射防止膜１２も溶解して除去することができる。これによって、レジストパターン１３の直下の紫外線反射防止膜１２および窒化膜１１の膜パターンを、寸法精度を高精度にフォトレジストパターン１３と同形状の膜パターンとして形成することができる。
【００７１】
（実施形態２）
上記実施形態１では、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた半導体装置の製造方法について説明したが、本実施形態２では、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法について説明する。
【００７２】
図６は、本発明の実施形態２における固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
【００７３】
図６において、本実施形態２の固体撮像素子３０は、半導体基板としてのシリコン基板１上に、島状に、ゲート酸化膜２、ゲート窒化膜３およびゲートＨＴＯ膜４をこの順に積層した積層上に第１ゲート電極５Ａが配設され、その第１ゲート電極５Ａの上面および側面に第１層間絶縁膜７が配設され、同様に、その上に第２ゲート電極８Ａが配設され、その第２ゲート電極８Ａの上面および側面に第２層間絶縁膜１０が配設されて２段の段差部が配設されている。このように、上下２段に第１ゲート電極５Ａおよび第２ゲート電極８Ａが積み上げられて形成されている。隣接する第１ゲート電極５Ａ間のシリコン基板１の表面側には、第１ゲート電極５Ａを自己整合的に不純物イオンをドーピングして、受光素子として入射光を光電変換して信号電荷を生成するフォトダイオードＰＤの不純物拡散領域を形成している。このフォトダイオードＰＤ上の中央領域以外には、第２層間絶縁膜１０Ａを所定膜厚だけ残し、このフォトダイオードＰＤ上の中央領域には、可視光域の第１反射防止膜として作用する島形状の窒化膜１１Ａが、従来のように端縁部（角部）がテーパ状になることなく角状に、高寸法精度に形成されている。
【００７４】
この場合、第１ゲート電極５Ａは、受光部であるフォトダイオードＰＤの信号電荷を読み出して電荷転送するための電荷転送電極である。第１ゲート電極５Ａの上の第２ゲート電極８Ａは配線を構成していてもよい。
【００７５】
この第２ゲート電極８Ａおよび第２層間絶縁膜１０Ａ上には、入射光が第１ゲート電極５Ａや第２ゲート電極８Ａにより反射してノイズが発生するのを防ぐために遮光膜１４が形成されている。また、フォトダイオードＰＤの上方には、遮光膜１４の開口部が形成されている。これらの隣接する遮光膜１４間の段差部を埋めるように層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜のフォトダイオードＰＤ上方の凹みを利用して層内レンズ１５が配設されている。さらに層内レンズ１５上の平坦化膜１６を介してカラーフィルタ１７が配置されている。このカラーフィルタ１７上には平坦化膜１８を介して、層内レンズ１５と共に、フォトダイオードＰＤの平面視中央部上（島形状の窒化膜１１Ａ）に入射光を集光させるためのマイクロレンズ１９が配置されている。以上により、本実施形態２の固体撮像素子３０が構成される。
【００７６】
以下に、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子３０の製造方法について、前述した図２から図５は本実施形態２においてもフォトトランジスタＰＤの構成以外は同様であるが、図５に対応した図７を参照して詳細に説明する。
【００７７】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、本発明の実施形態２に係るレジストパターンの形成方法を用いた固体撮像素子の製造方法を説明するための図４（ｃ）に続く窒化膜形成工程までを模式的に示す要部縦断面図である。
【００７８】
図７（ａ）に示すように、フォトダイオードＰＤの上方において、紫外線を吸収して反射防止すると共に現像液で溶ける無機系の紫外線反射防止膜１２の中央領域上に、窒化膜１１の形状加工のためにフォトレジストパターン１３を形成する。即ち、紫外線反射防止膜１２上の基板全面にフォトレジスト膜材料を成膜し、ゲート電極間の紫外線反射防止膜１２の中央領域上（またはゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域（受光領域）の中央領域上）に、フォトレジスト膜が残るように露光および現像して所定形状にパターニングすることにより、紫外線反射防止膜１２上に、窒化膜加工用のフォトレジストパターン１３を形成する。このとき、下地の紫外線反射防止膜１２によって紫外線露光が吸収されるため、段差部による紫外線露光の反射光が発生しにくく、従来のような段差部からの反射光によりフォトレジスト膜の側面にくびれＢ（ハレーション）が発生するようなことはない。さらに、フォトレジストパターン１３直下以外の破線で示す紫外線反射防止膜１２は、その後のパターン形成時の現像液により溶解して除去される。
【００７９】
続いて、図７（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰＤ上方の中央領域の窒化膜１１さらに紫外線反射防止膜１２上のフォトレジストパターン１３をマスクとして、窒化膜１１から第２層間絶縁膜１０をドライエッチング処理して、窒化膜１１さらに第２層間絶縁膜１０の途中までエッチング除去してＳｉＯｎ膜の第２層間絶縁膜１０Ａとして所定膜厚だけ残し、フォトダイオードＰＤ上方の中央領域に、角部がテーパ状になることなく、高寸法精度に形成された島形状の窒化膜１１Ａを形成することができる。これによって、島形状の窒化膜１１Ａを精度よく線幅制御できる。
【００８０】
さらに、図７（ｃ）に示すように、所定形状の紫外線反射防止膜１２上に残ったフォトレジストパターン１３を剥離して除去する。このとき、フォトレジストパターン１３直下の紫外線反射防止膜１２も剥離液に溶解して除去される。このように、高段差パターンであってもレジストパターン形成後、エッチング後のレジストの剥離で紫外線反射防止膜１２も除去できる。
【００８１】
したがって、本実施形態２によれば、上記実施形態１の場合と同様に、フォトレジストパターン１３の直下の紫外線反射防止膜１２および窒化膜１１の膜パターンを、寸法精度を高精度にフォトレジストパターン１３と同形状の膜パターンとして形成することができる。
【００８２】
（実施形態３）
本実施形態３では、上記実施形態２の固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器の一例について詳細に説明する。
【００８３】
図８は、本発明の実施形態３として、本発明の実施形態２の固体撮像素子３０を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【００８４】
図８において、本実施形態３の電子情報機器９０は、上記実施形態２の固体撮像素子３０からの撮像信号を所定の信号処理をしてカラー画像信号を得る固体撮像装置９１と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部９２と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段９３と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段９４と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力手段９５とを有している。なお、この電子情報機器９０として、これに限らず、固体撮像装置９１の他に、メモリ部９２と、表示手段９３と、通信手段９４と、プリンタなどの画像出力手段９５とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
【００８５】
この電子情報機器９０としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置（ＰＤＡ）などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
【００８６】
したがって、本実施形態３によれば、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力手段９５により良好にプリントアウト（印刷）したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部９２に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
【００８７】
なお、本実施形態１、２では、詳細には説明しなかったが、レジストパターン１３の形成方法として、半導体装置が形成されたシリコン基板１の全面に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜し、この紫外線反射防止膜１２上に所定形状のレジストパターン１３を形成する。即ち、半導体装置が形成されたシリコン基板１の全面に、可視光を反射防止する窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１上に紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、半導体装置を構成するゲート電極に隣接するシリコン基板の所定表面領域の中央領域上に、窒化膜１１の形状加工用のフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程とを有している。これによって、レジストパターン１３の直下の窒化膜１１の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターン１３と同形状の窒化膜１１の膜パターンとして正確に形成することができる本発明の目的を達成することができる。
【００８８】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜３を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜３に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜３の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は、リソグラフィ工程のレジストパターンの形成方法、これを用いた半導体装置の製造方法、この半導体装置の製造方法として、例えば被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子の製造方法、この固体撮像素子の製造方法により作製された固体撮像素子および、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける第２反射防止膜上に所定形状のレジストパターンを形成することから、第２反射防止膜によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止することが可能であり、フォトレジストパターン直下以外の第２反射防止膜を現像液により容易に溶解して除去することが可能であるため、レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成することができる。
【符号の説明】
【００９０】
１  シリコン基板
２  ゲート酸化膜
３  ゲート窒化膜
４  ゲートＨＴＯ膜
５  第１ポリシリコン膜
５Ａ  第１ゲート電極
６、９、１３  フォトレジストパターン
７   第１層間絶縁膜
８  第２ポリシリコン膜
８Ａ  第２ゲート電極
１０、１０Ａ  第２層間絶縁膜
１１、１１Ａ   窒化膜
１２  紫外線反射防止膜
１４  遮光膜
１５  層内レンズ
１６、１８  平坦化膜
１７  カラーフィルタ
１９  マイクロレンズ
２０  半導体装置
３０  固体撮像素子
ＰＤ  フォトダイオード
９０  電子情報機器
９１  固体撮像装置
９２  メモリ部
９３  表示手段
９４  通信手段
９５  画像出力手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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