(57)【要約】【課題】エキスパンド工程において、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることが可能で、半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることが可能なウエハ加工用テープを提供する。【解決手段】粘着フィルム２０を、半導体ウエハが貼り合わされる（固定される）領域のウエハ固定用領域３０と、ウエハ固定用領域３０を除く非固定用領域３１とに区分けし、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）が、  Ａ  ＜  Ｂ  を満たすように構成する。これにより、粘着フィルム２０をエキスパンドしたときに、ウエハ固定用領域３０を非固定用領域３１よりも優先的に伸ばすことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、
前記基材フィルムと前記粘着剤層とで形成される積層体のモジュラス値において、
前記ウエハ加工用テープの半導体ウエハが貼り合わされるウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と、前記ウエハ加工用テープの前記ウエハ固定用領域を除く非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）が、
Ａ  ＜  Ｂ
の関係を満たすことを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と前記非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）とが、５％モジュラス実測値であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記積層体の厚さが、前記ウエハ固定用領域で前記非固定用領域に比べ薄くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
前記非固定用領域の前記粘着剤層が、前記ウエハ固定用領域の前記粘着剤層より硬くなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
前記ウエハ固定用領域の前記基材フィルムの材質と前記非固定用領域の前記基材フィルムの材質とが異なっていることで、前記ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と前記非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）とが、
Ａ  ＜  Ｂ
の関係になっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項６】
基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、
前記基材フィルムと前記粘着剤層とで形成される積層体のモジュラス値において、
前記ウエハ加工用テープの半導体ウエハが貼り合わされるウエハ固定用領域の少なくとも中央領域のモジュラス値（Ｃ）と、前記中央領域の周辺領域のモジュラス値（Ｄ）が、
Ｃ  ＜  Ｄ
の関係を満たすことを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項７】
前記中央領域のモジュラス値（Ｃ）と前記周辺領域のモジュラス値（Ｄ）とが、５％モジュラス実測値であることを特徴とする請求項６に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項８】
前記積層体の厚さが、前記中央領域で前記周辺領域に比べ薄くなっていることを特徴とする請求項６または７に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項９】
前記周辺領域の前記粘着剤層が、前記中央領域の前記粘着剤層より硬くなっていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項１０】
前記中央領域の前記基材フィルムの材質と前記周辺領域の前記基材フィルムの材質とが異なっていることで、前記中央領域のモジュラス値（Ｃ）と前記周辺領域のモジュラス値（Ｄ）とが、
Ｃ  ＜  Ｄ
の関係になっていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項１１】
前記粘着剤層上に接着剤層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エキスパンド工程を有する半導体装置の製造工程において使用するウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年開発された新しい技術による半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位でダイシングする工程、ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらにダイシングされたチップをピックアップする工程、さらにダイボンディング工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープが提案され、既に実用化されている
一般的な半導体ウエハのダイシング工程、エキスパンド工程、及びピックアップ工程について図９を参照して説明する。図９（ａ）に示すように、まず、基材フィルム９３ａとその上に形成された粘着剤層９３ｂと接着剤層９４がこの順に積層されているウエハ加工用テープ９０に、半導体ウエハ９１とリングフレーム９２とを貼り合わせる。ここで、リングフレーム９２は粘着剤層９３ｂに貼り合わされ、半導体ウエハ９１は接着剤層９４に貼り合わされる。
【０００４】
次に、図９（ｂ）に示すように、吸着ステージ９６により、ウエハ加工用テープ９０を基材フィルム９３ａ側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード９５によって半導体ウエハ９１と接着剤層９４を半導体チップ９７単位にダイシングして個片化する。
【０００５】
その後、図９（ｃ）に示すように、ダイシングされた半導体チップ９７及び接着剤層９４を保持したウエハ加工用テープ９０をリングフレーム９２の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ９７及び接着剤層９４を保持した状態のウエハ加工用テープ９０に対して、中空円柱形状の突き上げ部材９８を、ウエハ加工用テープ９０の下面側から上昇させ、ウエハ加工用テープ９０をリングフレーム９２の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
【０００６】
エキスパンド工程を実施した後、ウエハ加工用テープ９０をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ９７及び接着剤層９４をピックアップするピックアップ工程を実施する。
【０００７】
また、半導体ウエハの分断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを分断する方法が提案されている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させたシートウエハ加工用テープが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で分断予定部を形成する工程と、シートをエキスパンドさせることにより、分断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を分断する工程とを備えた半導体基板の分断方法が開示されている。
【０００９】
特許文献１の半導体基板の分断方法では、レーザー光の照射とウエハ加工用テープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハとダイボンド樹脂層（接着剤層）を分断することができるので、ダイシングブレードを用いる場合のようなチッピングを発生させることなく半導体ウエハの分断が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−３３８４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、エキスパンド工程は、ダイシングブレードによって個片化された半導体チップ（以下、チップという）同士の間隔を広げるため、あるいは、レーザー光の照射された半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位に分断するために実施される。しかしながら図９において説明したようなウエハ加工用テープのエキスパンドにおいて、ウエハ加工用テープは、突き上げ部材９８に接触する部分で局所的に引き伸ばされ、チップ同士の間隔を十分に広げられなかったり、間隔が均一に広げられなかったりすることにより、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識不良を生じ、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによるチップの破損が生じるという問題があった。また、特許文献１に開示された方法によるウエハ加工用テープのエキスパンドにおいて、半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力が得られないために、半導体ウエハ及び接着剤層を完全に分断できない場合や、接着剤層の再接着が発生してしまうという問題もあった。
【００１２】
そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、エキスパンド工程において、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることが可能で、半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることが可能なウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有するウエハ加工用テープを、半導体ウエハが貼り合わされるウエハ固定用領域と、ウエハ固定用領域を除く非固定用領域とに区別したとき、基材フィルム及び粘着剤層のウエハ固定用領域のモジュラス値に比較して、非固定用領域のモジュラス値を大きくしたウエハ加工用テープを用いることにより、エキスパンドしたときに、ウエハ固定用領域が非固定用領域よりも優先的に伸ばされ、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げること、あるいは、半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
即ち、本発明の第1の態様にかかるウエハ加工用テープは、基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記基材フィルムと前記粘着剤層とで形成される積層体のモジュラス値において、前記ウエハ加工用テープの半導体ウエハが貼り合わされるウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と、前記ウエハ加工用テープの前記ウエハ固定用領域を除く非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）が、  Ａ  ＜  Ｂ  の関係を満たすことを特徴とする。
【００１５】
ここで、ウエハ固定用領域は、半導体ウエハが貼り合わされるウエハ加工用テープ上の領域（貼り合わせ領域）だけではなく、その貼り合わせ領域の近傍の周辺領域を含んでも良い。たとえば、図９（ｃ）に示したようなウエハ加工用テープにおいて、ウエハ固定用領域３０を、半導体ウエハを貼り合わせた領域より少し広い領域である「突き上げ部材９８との接触部分で囲まれた内側の領域」とすることもできる。
【００１６】
本発明の第２の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と前記非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）とが、５％モジュラス実測値であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第３の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第１または２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記積層体の厚さが、前記ウエハ固定用領域で前記非固定用領域に比べ薄くなっていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第４の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第１乃至３のいずれか１つの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記非固定用領域の前記粘着剤層が、前記ウエハ固定用領域の前記粘着剤層より硬くなっていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第５の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第１乃至４のいずれか１つの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ固定用領域の前記基材フィルムの材質と前記非固定用領域の前記基材フィルムの材質とが異なっていることで、前記ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と前記非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）とが、  Ａ  ＜  Ｂ  の関係になっていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第６の態様にかかるウエハ加工用テープは、基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記基材フィルムと前記粘着剤層とで形成される積層体のモジュラス値において、前記ウエハ加工用テープの半導体ウエハが貼り合わされるウエハ固定用領域の少なくとも中央領域のモジュラス値（Ｃ）と、前記中央領域の周辺領域のモジュラス値（Ｄ）が、  Ｃ  ＜  Ｄ  の関係を満たすことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第７の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第６の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中央領域のモジュラス値（Ｃ）と前記周辺領域のモジュラス値（Ｄ）とが、５％モジュラス実測値であることを特徴とする。
【００２２】
本発明の第８の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第６または７の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記積層体の厚さが、前記中央領域で前記周辺領域に比べ薄くなっていることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第９の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第６乃至８のいずれか１つの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記周辺領域の前記粘着剤層が、前記中央領域の前記粘着剤層より硬くなっていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の第１０の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第６乃至９のいずれか１つの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中央領域の前記基材フィルムの材質と前記周辺領域の前記基材フィルムの材質とが異なっていることで、前記中央領域のモジュラス値（Ｃ）と前記周辺領域のモジュラス値（Ｄ）とが、  Ｃ  ＜  Ｄ  の関係になっていることを特徴とする。
【００２５】
本発明の第１１の態様にかかるウエハ加工用テープは、上記の本発明の第１乃至１０のいずれか１つの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層上に接着剤層が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）に比較して非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）を大きくした本発明のウエハ加工用テープを用いれば、エキスパンドしたときに、ウエハ固定用領域を非固定用領域よりも優先的に伸ばすことができる。従って、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることができ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識不良を削減して、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによるチップの破損を削減することができる。また半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることができ、半導体ウエハ及び接着剤層の個片化を良好に実行させると共に接着剤層の再接着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の基本的な考え方を説明するための図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ本発明の第１、第２及び第３の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ本発明の第４、第５及び第６の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第７及び第８の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図６】は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図７】は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープの断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、エキスパンド工程で前後における半導体ウエハが貼り合わされたウエハ加工用テープの状態を説明するため図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、半導体ウエハのダイシング工程、エキスパンド工程、及びピックアップ工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の基本的な考え方を説明するための図である。
【００２９】
ウエハ加工用テープには、図１（ａ）に示すような、基材フィルム１の上に粘着剤層２が設けられたウエハ加工用テープ２２、図１（ｂ）に示すような、基材フィルム１と粘着剤層２と接着剤層３とがこの順に積層されたウエハ加工用テープ２１等がある。以下、ウエハ加工用テープ２１及び２２における基材フィルム１と粘着剤層２とで形成される積層体を粘着フィルム２０と呼ぶ。
【００３０】
本発明では、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ウエハ加工用テープ２１及び２２を、半導体ウエハが貼り合わされる（固定される）領域のウエハ固定用領域３０と、ウエハ固定用領域３０を除く非固定用領域３１とに区分けし、ウエハ固定用領域３０の粘着フィルム２０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１の粘着フィルム２０のモジュラス値（Ｂ）が、下記の関係式（１）を満たすように構成する。ここで、モジュラス値は、物体（弾性体）に一定の歪を与えたときの応力のことをいい、モジュラス値が大きい物体ほど、歪に対して変形しづらい物体であるといえる。
【００３１】
Ａ  ＜  Ｂ        ・・・・・・（１）
尚、ウエハ固定用領域３０は、半導体ウエハが貼り合わされるウエハ加工用テープ上の領域（貼り合わせ領域）だけではなく、その貼り合わせ領域の近傍の周辺領域を含んでも良い。たとえば、図９（ｃ）に示したようなウエハ加工用テープにおいて、ウエハ固定用領域３０を、半導体ウエハを貼り合わせた領域より少し広い領域である「突き上げ部材９８との接触部分で囲まれた内側の領域」とすることもできる。
【００３２】
また、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）は、５％モジュラス実測値(単位：Ｎ／１０ｍｍ)とする。ここで、エキスパンド工程において、実際のウエハ加工用テープのエキスパンドの際の伸び率は、約２％〜１１％程度であるため、伸び率（モジュラス強度）を中間値となる５％としたが、そのほかのモジュラス強度（たとえば、２％〜１１％）としても良い。
【００３３】
エキスパンド工程において、粘着フィルム２０は、伸び易い領域から優先的に伸びるため、非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）をウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）よりも大きくすることにより、ウエハ固定用領域３０が非固定用領域３１よりも優先的に伸びる。これは、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）が、上記の関係式（１）を満たしているため、非固定用領域３１が歪に対してウエハ固定用領域３０よりも変形しづらい領域であるためである。その結果、粘着フィルム２０をエキスパンドするときの力は、ウエハ固定用領域３０に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域３０を良好に引き伸ばすことができる。
【００３４】
さらに、非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）と、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）の差を大きくするほど、ウエハ固定用領域３０が非固定用領域３１よりも優先的に伸びる。その結果、粘着フィルム２０をエキスパンドするときの力は、ウエハ固定用領域３０に更に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域３０を更に良好に引き伸ばすことができる。
【００３５】
また、本発明では、上記のウエハ固定用領域３０の少なくとも中央領域３２のモジュラス値（Ｃ）と、該中央領域３２の周辺領域３３のモジュラス値（Ｄ）が、下記の関係式（２）を満たすように構成する。
【００３６】
Ｃ  ＜  Ｄ        ・・・・・・（２）
中央領域３２のモジュラス値（Ｃ）と周辺領域３３のモジュラス値（Ｄ）は、５％モジュラス実測値(単位：Ｎ／１０ｍｍ)とする。
【００３７】
上記のウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１の関係と同様に、周辺領域３３のモジュラス値（Ｄ）を中央領域３２のモジュラス値（Ｃ）よりも大きくすることにより、中央領域３２が周辺領域３３よりも優先的に伸びる。その結果、粘着フィルム２０をエキスパンドするときの力は、中央領域３２に優先的に伝わり、中央領域３２を良好に引き伸ばすことができる。
【００３８】
さらに、周辺領域３３のモジュラス値（Ｄ）と、中央領域３２のモジュラス値（Ｃ）の差を大きくするほど、中央領域３２が周辺領域３３よりも優先的に伸びる。その結果、粘着フィルム２０をエキスパンドするときの力は、中央領域３２に優先的に伝わり、中央領域３２を更に良好に引き伸ばすことができる。
【００３９】
次に、本発明にかかるウエハ加工用テープの実施形態について順次説明する。ウエハ加工用テープの粘着フィルムのウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）を変化させる方法は、例えば、「粘着フィルムの厚さを変化させる方法」、「粘着フィルムの粘着剤層の硬さを変化させる方法」、「粘着フィルムにおける基材フィルムの材質及び／または厚さを変化させる方法」等がある。
【００４０】
（粘着フィルムの厚さ変化）
まず、粘着フィルム２０のウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１との厚さを変化させることによってモジュラス値を変化させた、本発明にかかるウエハ加工用テープの実施形態について説明する。図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ本発明の第１、第２及び第３の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２２の断面図である。
【００４１】
図２（ａ）に示す実施形態は、半導体ウエハが貼り合わされる面側において、ウエハ固定用領域３０が凹となり、非固定用領域３１が凸となるように厚さを変化させたウエハ加工用テープ２２であり、図２（ｂ）に示す実施形態は、半導体ウエハが貼り合わされる面の反対面側において、ウエハ固定用領域３０が凹となり、非固定用領域３１が凸となるように厚さを変化させたウエハ加工用テープ２２である。また、図２（ｃ）に示す実施形態は、ウエハ加工用テープ２２の両面において、ウエハ固定用領域３０が凹となり、非固定用領域３１が凸となるように厚さを変化させたウエハ加工用テープ２２である。
【００４２】
図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、非固定用領域３１に粘着フィルム２０ａをｍ重にして、ウエハ固定用領域３０に粘着フィルム２０ａをｎ（ｎ＜ｍ）重にして、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１とにおいて厚さが異なり、さらに、非固定用領域３１の厚さがウエハ固定用領域３０の厚さよりも厚くしたウエハ加工用テープ２２を形成する。尚、図２（ａ）及び（ｂ）は、ｍ＝２、ｎ＝１の状態を例に挙げ、図２（ｃ）は、ｍ＝３、ｎ＝１の状態を例に挙げて示している。ここで、粘着フィルム２０ａは、粘着剤層２ａと基材フィルム１ａとから構成される。
【００４３】
図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）で示したウエハ加工用テープ２２は、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）が、上記の関係式（１）を満たし、エキスパンド工程において、ウエハ加工用テープ２２をエキスパンドするときの力が、ウエハ固定用領域３０に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域３０を良好に引き伸ばすことができる。
【００４４】
（粘着フィルムの粘着剤層の硬さの変化）
次に、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１とで粘着フィルム２０の粘着剤層２の硬さを変化させることによってモジュラス値を変化させた、本発明にかかるウエハ加工用テープの実施形態について説明する。図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ本発明の第４、第５及び第６の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２２の断面図である。
【００４５】
図３（ａ）に示す実施形態は、非固定用領域３１の粘着フィルム２０ａの粘着剤層２ａ上に、さらに硬い粘着剤層２ｂを塗工して、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１とで粘着フィルム２０の粘着剤層の硬さを変化させたウエハ加工用テープ２２であり、図３（ｂ）に示す実施形態は、非固定用領域３１の粘着フィルム２０ａの基材フィルム１ａの粘着剤層２ａとは反対側の面上に、さらに硬い粘着剤層２ｂを塗工して、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１とで粘着フィルム２０の粘着剤層の硬さを変化させたウエハ加工用テープ２２である。また、図３（ｃ）に示す実施形態は、非固定用領域３１の粘着フィルム２０ａの両面に、さらに硬い粘着剤層２ｂを塗工して、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１とで粘着フィルム２０の粘着剤層の硬さを変化させたウエハ加工用テープ２２である。
【００４６】
図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、硬い粘着剤層２ｂを、非固定用領域３１の粘着フィルム２０ａの片面または両面にグラビア塗工して、ウエハ固定用領域３０の粘着フィルム２０の粘着剤層の硬さよりも、非固定用領域３１の粘着フィルム２０の粘着剤層の硬さを硬くしたウエハ加工用テープ２２を形成する。
【００４７】
図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）で示したウエハ加工用テープ２２は、ウエハ固定用領域３０のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域３１のモジュラス値（Ｂ）が、上記の関係式（１）を満たし、エキスパンド工程において、粘着フィルム２０をエキスパンドするときの力が、ウエハ固定用領域３０に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域３０を良好に引き伸ばすことができる。
【００４８】
（粘着フィルムにおける基材フィルムの材質及び／または厚さの変化）
ウエハ固定用領域３０や非固定用領域３１の、それぞれのモジュラス値を変えるためには、それぞれの部分の基材フィルム１の材質や厚さを変えるという方法もある。例えば、ウエハ固定用領域３０の基材フィルム１をエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等で形成し、非固定用領域３１の基材フィルム１をポリプロピレン（ＰＰ）にすることや、非固定用領域３１の基材フィルム１をウエハ固定用領域３０の基材フィルム１よりも厚くする等である。尚、非固定用領域３１の基材フィルム１をウエハ固定用領域３０の基材フィルム１よりも厚くすることは、上記の（粘着フィルムの厚さ変化）の変形例でもある。
【００４９】
図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第７及び第８の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２１の断面図である。図４（ａ）に示す実施形態は、図２（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａの上に、更に接着剤層３が積層されたウエハ加工用テープ２１であり、接着剤層３がウエハ固定用領域３０から非固定用領域３１の一部まで延びている。図４（ｂ）に示す実施形態では、接着剤層３はウエハ固定用領域３０のみに存在している。
【００５０】
尚、図２（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０を例に挙げたが、図２(ｂ)及び図２（ｃ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａの上に、更に接着剤層３が積層したウエハ加工用テープ２１とすることもできる。
【００５１】
また、図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２１の断面図である。図５（ａ）に示す実施形態は、図３（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａ、２ｂの上に、更に接着剤層３が積層されたウエハ加工用テープ２１であり、接着剤層３がウエハ固定用領域３０から非固定用領域３１の一部まで延びている。図５（ｂ）に示す実施形態では、接着剤層３はウエハ固定用領域３０のみに存在している。
【００５２】
尚、図３（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０を例に挙げたが、図３(ｂ)及び図３（ｃ）に示したウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａ、２ｂの上に、更に接着剤層３が積層したウエハ加工用テープ２１とすることもできる。
【００５３】
また、図６は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２２の断面図である。図６に示す実施形態は、図２（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２において、厚さの異なる領域を、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１に替えて、中央領域３２と周辺領域３３とにしたウエハ加工用テープ２２である。尚、図２（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同様の厚さの変化を示す例を挙げたが、図２(ｂ)及び図２（ｃ）に示したウエハ加工用テープ２２と同様の厚さの変化を示すウエハ加工用テープ２２とすることもできる。
【００５４】
また、図７は、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２２の断面図である。図７に示す実施形態は、図３（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２において、粘着剤層の硬さの異なる領域を、ウエハ固定用領域３０と非固定用領域３１に替えて、中央領域３２と周辺領域３３とにしたウエハ加工用テープ２２である。尚、図３（ａ）に示したウエハ加工用テープ２２と同様の粘着剤層の硬さの変化を示す例を挙げたが、図３(ｂ)及び図３（ｃ）に示したウエハ加工用テープ２２と同様の粘着剤層の硬さの変を示すウエハ加工用テープ２２とすることもできる。
【００５５】
また、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２１は、図６に示した実施形態のウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａの上に、更に接着剤層３が積層されたウエハ加工用テープ２１である。
【００５６】
また、本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープ２１は、図７に示した実施形態のウエハ加工用テープ２２と同じ構成の粘着フィルム２０の最上位の粘着剤層２ａの上に、更に接着剤層３が積層されたウエハ加工用テープ２１である。
【００５７】
次に、図１乃至図７に示した粘着フィルム２０（粘着フィルム２０ａ）を構成する粘着剤層２（粘着剤層２ａ、粘着剤層２ｂ）及び基材フィルム１（基材フィルム１ａ）について説明する。
【００５８】
（基材フィルム）
基材フィルム１を構成する材料としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、本実施形態においては、粘着剤層２として、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用することから、放射線透過性を有するものを使用する。
【００５９】
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００６０】
（粘着剤層）
粘着剤層２は、基材フィルム１上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層２としては特に制限はなく、例えば、図１（ｂ）に示すウエハ加工用テープ２１の場合は、エキスパンドの際に、接着剤層３が剥離したりしない程度の保持性や、ピックアップの際に、粘着剤層２と接着剤層３との間で剥離するため、接着剤層３との剥離容易性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層２は放射線硬化性のものが好ましく、放射線硬化後、接着剤層３との剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００６１】
一方、接着剤層３を有さない図１（ａ）に示すウエハ加工用テープ２２の場合、エキスパンドの際に、ダイシングされて個片化された半導体チップが剥離しない程度の保持性や、ピックアップの際に、半導体チップとの剥離容易性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層２は放射線硬化性のものが好ましく、放射線硬化後、半導体チップとの剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００６２】
なお、粘着剤層２は、ダイシングされて個片化された半導体チップを接着固定する接着剤層３の機能を兼ねることもできる。すなわち、ダイシングされて個片化された半導体チップと粘着剤層２とが一体としてピックアップされた後、粘着剤層２が加熱され、半導体チップを所定の位置に固定する接着剤として機能させることもできる。
【００６３】
例えば、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基及びカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有するアクリル系共重合体を主成分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
【００６４】
粘着剤層２の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００６５】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点（以下、Ｔｇという）が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。Ｔｇが−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗い半導体ウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００６６】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００６７】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥された粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応による重量増加法により定量測定できる。
【００６８】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００６９】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のＴｇのものを作製することができる。また、Ｔｇの他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００７０】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００７１】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００７２】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
【００７３】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でも差し支えない。
【００７４】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の重量平均分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、半導体ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、重量平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、重量平均分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における重量平均分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００７５】
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
【００７６】
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００７７】
つぎに、粘着剤層２のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルム１と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００７８】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００７９】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００８０】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することはないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００８１】
また、粘着剤層２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層２の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００８２】
さらに、放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。粘着剤層２の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層２は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００８３】
次に、図１（ｂ）、図４及び図５に示したウエハ加工用テープ２１を構成する接着剤層３について説明する。
【００８４】
（接着剤層）
接着剤層３は、半導体ウエハが貼り合わされ分断された後、チップをピックアップする際に、分断された接着剤層３が粘着剤層２から剥離してチップに付着しており、チップをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものである。
【００８５】
接着剤層３としては、特に限定されるものではないが、接着フィルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤を好適に使用することができ、ポリイミド系接着剤、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００８６】
ウエハ加工用テープ２１は、予め円形形状にカットされた接着剤層３としての接着フィルムを、粘着剤層２上に、室温または加熱して圧力をかけてラミネートすることによって形成することができる。
【００８７】
また、ウエハ加工用テープ２１は、半導体ウエハ１枚分毎に切り分けられた形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取った形態とを含む。
【００８８】
（半導体チップの製造方法）
次に、図４（ｂ）に示す本発明の第８の実施形態であるウエハ加工用テープ２１を使用して、接着剤層付き半導体チップを製造する方法について、図８を参照して説明する。ここでは、図９で使用した分断装置とは異なるレーザーを使用した分断方法を用いて説明する。
【００８９】
図８は、エキスパンド工程で前後における半導体ウエハ１１が貼り合わされたウエハ加工用テープの状態を説明するための図であり、図８（ａ）は、半導体ウエハ１１が貼り合わされたウエハ加工用テープ２１が、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図である。図８（ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ２１と半導体ウエハ１１を示す断面図である。
【００９０】
まず、半導体ウエハ１１の分断予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハ１１内部に多光子吸収による改質領域を形成する(図示せず)。次いで、図８（ａ）に示すように、半導体ウエハ１１とウエハ加工用テープ２１の接着剤層３とを６０〜７０℃で加熱しながら貼り合わせ、最上位の粘着剤層２ａの外周部にリングフレーム１２を貼り付けて、最下位の基材フィルム１ａの下面を、エキスパンド装置のステージ１５上に載置する。図中、符号１４は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。なお、半導体ウエハ１１にレーザー光を照射する工程に先立って、ウエハ加工用テープ２１との貼合せ工程を実施してもよい。
【００９１】
次に、図８（ｂ）に示すように、リングフレーム１２を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材１４を上昇させ、ウエハ加工用テープ２１をエキスパンドする。尚、ウエハ加工用テープ２１のウエハ固定用領域３０が、突き上げ部材１４の接触部分で囲まれた領域に含まれるようにする。また、図中、符号１６は、突き上げ部材１４を上昇させたときの移動量(エキスパンド量)である。
【００９２】
これによりウエハ加工用テープ２１が周方向に引き伸ばされ、半導体ウエハ１１が、改質領域を起点としてチップ単位で分断されるとともに、接着剤層３も分断される。
【００９３】
その後、粘着剤層２ａに放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、半導体チップ１７をピックアップすることで、接着剤層付き半導体チップを得ることができる。
【００９４】
上述したような接着剤層付き半導体チップの製造方法において、エキスパンドした際に、半導体ウエハ１１が貼り合わされる領域を含むウエハ加工用テープ２１のウエハ固定用領域３０が、ウエハ加工用テープ２１における突き上げ部材１４との接触部分で囲まれた領域に含まれるようにして、ウエハ固定用領域３０が非固定用領域３１よりも優先的に伸びるようにする。その結果、ウエハ加工用テープ２１をエキスパンドするときの力は、ウエハ固定用領域３０に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域３０を良好に引き伸ばすことができる。
【００９５】
また、図９（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示したような接着剤層付き付き半導体チップの製造方法においても、エキスパンドした際に、半導体ウエハが貼り合わされる領域を含むウエハ加工用テープ２１のウエハ固定用領域３０が、ウエハ加工用テープ２１における突き上げ部材９８との接触部分で囲まれた領域に含まれるようにして、ウエハ固定用領域３０が非固定用領域３１よりも優先的に伸びるようにする。
【００９６】
以上のことから、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることができ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識不良を削減して、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによるチップの破損を削減することができる。
【００９７】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９８】
使用した基材フィルム、粘着剤層組成物、及び接着剤層組成物を以下に示す。
基材フィルム１Ａ：ポリオレフィンＡ（厚さ  １００μｍ）
粘着剤層組成物２Ａ：アクリル系Ａ接着剤組成物（厚さ  １０μｍ）
粘着剤層組成物２Ｂ：アクリル系Ｂ接着剤組成物（厚さ  ２０μｍ）
接着剤層組成物３Ａ：エポキシ−アクリル系Ａ接着剤組成物（厚さ  ２０μｍ）
【００９９】
(実施例１)
基材フィルム１Ａに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物２Ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させた粘着フィルムを作製した。作製した粘着フィルムの非固定用領域の表面または裏面に、同様に別途作製した粘着フィルムを貼り合わせ、非固定用領域においては粘着フィルムが２重になるように作製した（図２（ａ）及び（ｂ）、図４（ａ）及び（ｂ）を参照）。尚、２枚の粘着フィルムを貼り合わせるとき、一方の粘着フィルムの粘着剤層と、他方の粘着フィルムの基材フィルムとを貼り合わせる。
【０１００】
別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物３Ａを、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、実施例１のウエハ加工用テープ（図４（ａ）及び（ｂ）参照）を得た。
【０１０１】
(実施例２)
基材フィルム１Ａに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物２Ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させた粘着フィルムを作製した。作製した粘着フィルムの非固定用領域の表面または裏面に、さらに、粘着剤層組成物２Ｂを乾燥膜厚が２０μｍとなるようにグラビア塗工して、粘着フィルムを作製した（図３（ａ）及び（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）を参照）。
【０１０２】
別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物３Ａを、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、実施例２のウエハ加工用テープ（図５（ａ）及び（ｂ）参照）を得た。
【０１０３】
（比較例１）
基材フィルム１Ａに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物２Ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させた粘着フィルムを作製した。別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物３Ａを、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、比較例１のウエハ加工用テープを得た。
【０１０４】
（比較例２）
基材フィルム１Ａに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物２Ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させた粘着フィルムを作製した。作製した粘着フィルムのウエハ固定用領域の表面または裏面に、同様に別途作製した粘着フィルムを貼り合わせ、ウエハ固定用領域においては粘着フィルムが２重になるように作製した。尚、２枚の粘着フィルムを貼り合わせるとき、一方の粘着フィルムの粘着剤層と、他方の粘着フィルムの基材フィルムとを貼り合わせる。
【０１０５】
別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物３Ａを、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、比較例２のウエハ加工用テープを得た。
【０１０６】
（比較例３）
基材フィルム１Ａに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物２Ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させた粘着フィルムを作製した。作製した粘着フィルムのウエハ固定用領域の表面または裏面に、さらに、粘着剤層組成物２Ｂを乾燥膜厚が２０μｍとなるようにグラビア塗工して、粘着フィルムを作製した。
【０１０７】
別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物３Ａを、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、比較例３のウエハ加工用テープを得た。
【０１０８】
（接着剤層の分断性試験）
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）に、レーザー光を照射し、ウエハ内部の分断予定部分に多光子吸収による改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、実施例１，２及び比較例１，２，３のウエハ加工用テープをラミネートした。次に、ウエハ加工用テープの外周部に、内径３３０ｍｍの樹脂製のエキスパンドリングを貼り付け、エキスパンド装置によりエキスパンドリングを固定し、ウエハ加工用テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。尚、エキスパンド装置によりエキスパンドリングを固定したとき、ウエハ加工用テープのウエハ固定用領域が、ウエハ加工用テープにおける、エキスパンド装置の突き上げ部材との接触部分で囲まれた領域に含まれるようにした。
【０１０９】
エキスパンド速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
エキスパンド量：１５ｍｍ
その後、ウエハ加工用テープに紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させた。
【０１１０】
（接着剤層の分断性の評価方法）
エキスパンド後に、半導体ウエハとともに接着剤層が分断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。観察した結果を表１に示す。表１に示した接着剤層の分断の成功率は、総チップ数に対する、良好に分断された接着剤層の数をパーセンテージで表したものである。なお、レーザー加工後の総チップ数は、約４００個であり、チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍである。
【０１１１】
【表１】
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表１に示したように、ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）が、  Ａ  ＞  Ｂ  であるように構成された比較例２及び比較例３では、接着剤層の分断の成功率が２０％となり、良好な接着剤層の分断性を得ることができなかった。また、ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）が、  Ａ  ＝  Ｂ  であるように構成された比較例１では、接着剤層の分断の成功率が７０％となり、良好な接着剤層の分断性を得ることができなかった。
【０１１２】
これに対して、ウエハ固定用領域のモジュラス値（Ａ）と非固定用領域のモジュラス値（Ｂ）が、  Ａ  ＜  Ｂ  であるように構成された実施例１及び実施例２では、接着剤層の分断の成功率が１００％となり、良好な接着剤層の分断性を得ることができた。これは、ウエハ加工用テープをエキスパンドするときの力が、ウエハ固定用領域に優先的に伝わり、ウエハ固定用領域を良好に引き伸ばすことができたためである。
【０１１３】
従って、本実施形態に係るウエハ加工用テープによれば、ウエハ及び接着剤層の分断性を向上させることができ、この結果、半導体チップのピックアップ不良を抑制することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１，１ａ：基材フィルム
２，２ａ、２ｂ：粘着剤層
３：接着剤層
１１：半導体ウエハ
１２：リングフレーム
１４：突き上げ部材
１５：ステージ
２０，２０ａ、２０ｂ：粘着フィルム
２１、２２：ウエハ加工用テープ
３０：ウエハ固定用領域
３１：非固定用領域
３２：中央領域
３３：周辺領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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