(57)【要約】【課題】遮光膜の遮光性を悪化させることなく、層内レンズを構成する膜を薄膜化することができ、光学特性を向上させることができる固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。【解決手段】撮像形成領域のうち各電荷転送電極をそれぞれ覆うように遮光膜を形成するステップと撮像形成領域上に層内レンズ形成用リフロー膜を形成するステップとの間に、リフロー膜がエッチングされたときに遮光膜を保護するエッチングストッパ膜を形成するステップを有し、しかも、当該ステップはエッチングストッパ膜を受光部を含む撮像形成領域上全体に形成する。【選択図】図１
2010199153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部が形成された半導体基板上の撮像形成領域に、各前記受光部に対応して当該受光部で変換した信号電荷を転送するための電荷転送電極をそれぞれ形成する第１ステップと、
前記撮像形成領域のうち各前記電荷転送電極をそれぞれ覆うように遮光膜を形成する第２ステップと、
前記撮像形成領域上に層内レンズ形成用リフロー膜を形成する第３ステップと、を有しており、
さらに、前記第２ステップと前記第３ステップとの間に、前記リフロー膜がエッチングされたときに前記遮光膜を保護するエッチングストッパ膜を形成するステップを有し、しかも、当該ステップは前記エッチングストッパ膜を前記受光部を含む前記撮像形成領域上全体に形成する固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングストッパ膜は、前記リフロー膜と同等の透過率を有する請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングストッパ膜は、前記リフロー膜と同等の屈折率を有する請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングストッパ膜はＮＳＧにより形成され、前記リフロー膜はＢＰＳＧにより形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記遮光膜と前記エッチングストッパ膜との間に保護層を形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記保護層は、シリコン窒素膜により形成される請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングストッパ膜のエッチングレートは、前記リフロー膜のエッチングレートの約２分の１である請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
撮像領域を有し、当該撮像領域に複数の受光部と複数の電荷転送電極を形成した半導体基板と、
各前記電荷転送電極上にそれぞれ形成された遮光膜と、
前記複数の受光部上及び前記遮光膜上に形成された層内レンズ形成用リフロー膜と、を備え、
前記層内レンズ形成用リフロー膜の下層に、当該リフロー膜と透過率及び屈折率を同等とした層間膜が形成されている固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子に関する。詳しくは、層内レンズを有する固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は、従来の固体撮像素子の１画素の断面構造を模式的に示した図である。従来の固体撮像素子１００は、表面に受光部１０１を有する半導体基板１０２を備えている。また、受光部１０１以外の半導体基板１０２上にはゲート酸化膜１０３を介して第１及び第２の電荷転送電極１０４，１０５が形成され、これら第１及び第２の電荷転送電極１０４，１０５を覆うように、層間絶縁膜１０６を介して遮光膜１０７が形成されている。なお、これら第１及び第２の電荷転送電極１０４，１０５はコンタクトホール１０８により電気的に接続されている。
【０００３】
また、遮光膜１０７を含む半導体基板１０２上には、受光部１０１に対応する位置に凹面１０９を有するリフロー膜１１０が形成され、このリフロー膜１１０上には、凹面１０９を埋めるように高屈折率膜１１１が形成されている。リフロー膜１１０及び高屈折率膜１１１は凹面１０９をレンズ面とする層内レンズ１１２を形成している。高屈折率膜１１１上には、ＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）層１１３、平坦化膜１１４及びＯＣＬ（On Chip Lens；オンチップレンズ）１１５がこの順で形成されている。
【０００４】
ところで、近年、携帯電話などのモバイル機器へのカメラ機能搭載の目的から、固体撮像素子の画素サイズの微細化に対する要求が強まっているが、光学特性の向上のためには層内レンズの構造を相似的にシュリンクする必要がある。すなわち、画素サイズの微細化に伴い層内レンズの水平方向のサイズを縮小する場合には、同様に層内レンズの垂直方向のサイズも縮小する必要がある。
【０００５】
層内レンズの垂直方向のサイズを縮小する方法として、特許文献１に示すように、層内レンズを低層化する方法が提案されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の固体撮像素子の製造方法では、図１１に示すように、画素サイズを微細化するにつれて層内レンズの形状が急峻になる。そのため、Ｆ値開放側の感度特性が悪化し、絞りがあるＦ値以下の開放側になると、相対感度が低下するという問題がある。
【０００７】
そこで、層内レンズの垂直方向のサイズを縮小する他の方法として、特許文献２に示すように、層内レンズを構成する膜、例えば、リフロー膜を薄膜化する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−６７３３７号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、リフロー膜は、固体撮像素子を製造する工程においてエッチングされるものであり、リフロー膜の下層に形成された遮光膜がエッチングされないように膜厚を調整する必要がある。そのため、特許文献２に記載の固体撮像素子の製造方法のように、単純にリフロー膜の膜厚を薄くすると、遮光膜がエッチングされ、その結果、遮光膜の遮光性が悪化するおそれがある。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、遮光膜の遮光性を悪化させることなく、リフロー膜の膜厚を薄くして光学特性を向上させることができる固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、複数の受光部が形成された半導体基板上の撮像形成領域に、各前記受光部に対応して当該受光部で変換した信号電荷を転送するための電荷転送電極をそれぞれ形成する第１ステップと、前記撮像形成領域のうち各前記電荷転送電極をそれぞれ覆うように遮光膜を形成する第２ステップと、前記撮像形成領域上に層内レンズ形成用リフロー膜を形成する第３ステップと、を有しており、さらに、前記第２ステップと前記第３ステップとの間に、前記リフロー膜がエッチングされたときに前記遮光膜を保護するエッチングストッパ膜を形成するステップを有し、しかも、当該ステップは前記エッチングストッパ膜を前記受光部を含む前記撮像形成領域上全体に形成する固体撮像素子の製造方法とした。
【００１２】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記エッチングストッパ膜は、前記リフロー膜と同等の透過率を有することとした。
【００１３】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記エッチングストッパ膜は、前記リフロー膜と同等の屈折率を有することとした。
【００１４】
また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記エッチングストッパ膜はＮＳＧにより形成され、前記リフロー膜はＢＰＳＧにより形成されることとした。
【００１５】
また、請求項５に係る発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記遮光膜と前記エッチングストッパ膜との間に保護層を形成することとした。
【００１６】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記保護層は、シリコン窒素膜により形成されることとした。
【００１７】
また、請求項７に係る発明は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記エッチングストッパ膜のエッチングレートは、前記リフロー膜のエッチングレートの約２分の１であることとした。
【００１８】
また、請求項８に係る発明は、撮像領域を有し、当該撮像領域に複数の受光部と複数の電荷転送電極を形成した半導体基板と、各前記電荷転送電極上にそれぞれ形成された遮光膜と、前記複数の受光部上及び前記遮光膜上に形成された層内レンズ形成用リフロー膜と、を備え、前記層内レンズ形成用リフロー膜の下層に、当該リフロー膜と透過率及び屈折率を同等とした層間膜が形成されている固体撮像素子とした。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、遮光膜を含む半導体基板上に、エッチングストッパ膜である層間膜を形成し、この層間膜上にリフロー膜を形成するようにしている。従って、リフロー膜を薄膜化した場合であっても、この層間膜により遮光膜がエッチング工程でエッチングされることを防止しつつ、リフロー膜の膜厚を薄膜化することができ、光学特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の１画素の断面構造を模式的に示した図である。
【図２】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図３】図２に続く工程を示す図である。
【図４】図３に続く工程を示す図である。
【図５】本発明の変形例に係る固体撮像素子の１画素の断面構造を模式的に示した図である。
【図６】本発明の変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図７】図６に続く工程を示す図である。
【図８】図７に続く工程を示す図である。
【図９】図８に続く工程を示す図である。
【図１０】従来の固体撮像素子の１画素の断面構造を模式的に示した図である。
【図１１】層内レンズを低層化した固体撮像素子の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像素子の構成
２．固体撮像素子の製造方法
３．その他の固体撮像素子の構成及び製造方法
【００２２】
［１．固体撮像素子の構成］
以下、図面を参照して、本実施形態に係る固体撮像素子について説明する。図１は、本実施形態に係る固体撮像素子１の１画素の断面構造を模式的に示した図である。
【００２３】
図１に示すように、固体撮像素子１は、撮像領域を有する半導体基板２を備えている。半導体基板２の撮像領域には受光部３が形成され、半導体基板２上には、受光部３に対応して、ゲート酸化膜４を介して第１の電荷転送電極５が形成され、さらに、第１の電荷転送電極５上には、熱酸化膜６を介して第２の電荷転送電極７が形成されている。また、熱酸化膜６にはコンタクトホール８が形成されており、このコンタクトホール８により、第１の電荷転送電極５と第２の電荷転送電極７は電気的に接続されている。
【００２４】
第１及び第２の電荷転送電極５，７をそれぞれ覆うように、開口部１０を有する遮光膜１１が層間絶縁膜９を介して形成されている。また、遮光膜１１を含む半導体基板２上には、層間膜１２及び層内レンズ形成用リフロー膜１３（以下、「リフロー膜１３」という。）が形成されている。リフロー膜１３の受光部３に対応する位置には凹面１４が形成され、この凹面１４を埋めるように高屈折率膜１５が形成されている。リフロー膜１３及び高屈折率膜１５により凹面１４をレンズ面とする層内レンズ１６が形成されている。
【００２５】
さらに、高屈折率膜１５上にはＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）層１７、平坦化膜１８及びＯＣＬ（On Chip Lens；オンチップレンズ）層１９が形成されている。
【００２６】
このような構成を有する画素がマトリクス状に複数配列されて、固体撮像素子１の撮像領域が構成されている。
【００２７】
また、図示を省略するが、固体撮像素子１の撮像領域の周辺部には、固体撮像素子１を駆動するための駆動信号を第１及び第２の電荷転送電極５，７に供給するための配線（以下、「周辺配線」という。）が形成されている。
【００２８】
半導体基板２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）により形成されている。また、半導体基板２の撮像領域に形成された受光部３は、例えば、フォトダイオードにより形成されており、ＯＣＬ１９等を通過して入射した入射光を信号電荷に光電変換している。また、第１及び第２の電荷転送電極５，７は、受光部３で光電変換された信号電荷を転送するためのものである。
【００２９】
遮光膜１１は、ＯＣＬ１９等を通過して固体撮像素子１内に入射した入射光等の光により第１及び第２の電荷転送電極５，７等が照射されないように遮光するための膜である。この遮光膜１１は、半導体基板２の受光部３に対応する位置に開口部１０を有しており、入射光が半導体基板２の受光部３に照射可能な構成となっている。また、遮光膜１１は、高融点金属膜により形成され、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）が用いられる。
【００３０】
層間膜１２は、半導体基板２の受光部３上において、後述するエッチング工程においては、エッチングストッパ膜として機能するものである。この層間膜１２には、屈折率や透過率がリフロー膜１３と同等の膜、例えば、ＮＳＧ（non-doped silicate glass；非添加珪酸ガラス）膜が用いられる。層間膜１２に屈折率や透過率がリフロー膜１３と同等の膜を用いることで、リフロー膜１３と高屈折率膜１５とにより構成される層内レンズ１６の光学特性を損ねることがなく、光学設計を容易にすることができる。
【００３１】
また、層間膜１２は、リフロー膜１３に対して低いエッチングレート、例えば、リフロー膜１３のエッチングレートの約２分の１のエッチングレートを有している。そのため、後述するエッチング工程において、遮光膜１１がエッチングされないように保護するためのエッチングストッパとして機能することになる。
【００３２】
層間膜１２をリフロー膜１３と遮光膜１１との間に形成することで、リフロー膜１３を薄膜化した場合であっても、後述するエッチング工程において、遮光膜１１がエッチングされることを防止することができる。これにより、遮光膜１１の遮光性が保持され、例えば、スミア特性の悪化を防止することができる。したがって、リフロー膜１３を薄膜化することが可能となり、層内レンズ１６の垂直方向のサイズを縮小することができる。これにより、輝度シェーディング特性、色シェーディング特性及びグローバル色ムラ特性等の光学特性を向上させることができる。
【００３３】
リフロー膜１３は、上述のとおり、高屈折率膜１５ともに層内レンズ１６を構成するものであり、リフロー膜１３の凹面１４によりレンズ面が形成される。また、リフロー膜１３により層内レンズ１６の高さが決定され、リフロー膜１３の膜厚を薄くすることで、層内レンズ１６の高さを低く、層内レンズ１６の垂直方向のサイズを縮小することができる。なお、リフロー膜１３には、例えば、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass；ホウ素リン珪酸ガラス)膜が用いられる。
【００３４】
［２．固体撮像素子の製造方法］
次に、図２〜４を参照して上記固体撮像素子の製造方法について説明する。なお、本実施形態の固体撮像素子１の製造方法は、層内レンズ１６を形成する工程に特徴を有すため、この層内レンズ１６を形成する工程を中心に説明する。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板２の撮像領域を形成するための撮像形成領域の表面に受光部３を形成し、続いて、撮像形成領域上に、受光部３に対応して第１及び第２の電荷転送電極５，７を形成する。さらに、撮像形成領域のうち第１及び第２の電荷転送電極５，７を覆うように遮光膜１１を形成した後、例えば、ウェットエッチングにより、開口部１０を形成する。なお、図示しないが、受光部３、第１及び第２の電荷転送電極５，７、及び開口部１０等は画素の数に応じて複数形成される。また、遮光膜１１は、それぞれ複数形成された各第１及び第２の電荷転送電極５，７を覆うように形成されている。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、エッチングストッパ膜としての層間膜１２を形成する。具体的に層間膜１２は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により、半導体基板２の受光部３を含む撮像形成領域上全体に、ＮＳＧ膜を堆積することで形成される。
【００３７】
また、層間膜１２の膜厚は、後述する周辺配線をエッチングにより層間膜１２の下層に形成された遮光膜１１等の膜が露出しない程度の膜厚であればよい。
【００３８】
次に、図３（ａ）に示すように、リフロー膜１３を形成する。具体的にリフロー膜１３は、例えば、ＣＶＤ法により、層間膜１２上にＢＰＳＧ膜を堆積することで形成される。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、リフロー膜１３を熱処理することにより、リフロー膜１３の上面に、層内レンズ１６のレンズ面となる凹面１４を形成する。
【００４０】
受光部３上のリフロー膜１３の膜厚は、例えば、輝度シェーディング、色シェーディング及びグローバル色ムラ等の光学特性に影響する。そのため、リフロー膜１３の膜厚を薄くすることが好ましく、これらの膜厚を薄くすることで、上記光学特性を向上させることができる。
【００４１】
次に、撮像形成領域を除く周辺部（図示せず）に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属層を形成した後、例えば、エッチング法により、この金属層を選択的に除去することで、図示しない配線層を形成する。このとき、撮像形成領域では、図４（ａ）に示すように、リフロー膜１３の上面部も同時にエッチングされる。
【００４２】
しかし、上述のとおり、リフロー膜１３の下層には層間膜１２を形成しているので、リフロー膜１３が設計値以上にエッチングされた場合であっても層間膜１２の下層に形成された遮光膜１１等の膜はエッチングされることなく保護されることになる。従って、上記設計値をリフロー膜１３をできるだけ薄膜化されるように設定したときに、温度等の変動によってリフロー膜１３がオーバーエッチされたときでも遮光膜１１の遮光性等を損なうことがなく固体撮像素子１の品質劣化を防止できる。
【００４３】
次に、高屈折率膜１５を形成する。具体的に高屈折率膜１５は、例えば、ＣＶＤ法により、凹面１４を埋めるように窒化膜、例えば、Ｐ−ＳｉＮ膜を堆積することで形成される。
【００４４】
続いて、図４（ｂ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing；化学機械研磨）法により、高屈折率膜１５の表面を平坦化することで、凹面１４をレンズ面とする層内レンズ１６が形成される。
【００４５】
次に、高屈折率膜１５上に、ＣＦ層１７、平坦化膜１８及びＯＣＬ１９を形成することで、図１に示すような固体撮像素子１が形成される。
【００４６】
上述の工程により、層内レンズ１６の高さを低く、すなわちリフロー膜１３を薄膜化することができる。これにより、例えば、輝度シェーディング、色シェーディング及びグローバル色ムラ等の光学特性を向上させることができる。
【００４７】
しかも、遮光膜１１とリフロー膜１３との間に層間膜１２を形成するようにしたので、リフロー膜１３を薄膜化した場合であっても、周辺配線を形成するエッチング工程においても、遮光膜１１等の膜はエッチングされることなく保護される。これにより、遮光膜１１の遮光性は損なわれることなく保持される。
【００４８】
また、遮光膜１１とリフロー膜１３との間に層間膜１２を形成しているが、この層間膜１２に屈折率や透過率がリフロー膜１３と同等の膜を用いている。従って、リフロー膜１３と高屈折率膜１５とにより構成される層内レンズ１６の光学特性を損ねることがなく、光学設計を容易にすることができる。
【００４９】
［３．その他の固体撮像素子の構成及び製造方法］
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００５０】
（変形例）
本変形例は、遮光膜１１と層間膜１２との間に、層間膜１２よりさらにエッチングレートの低い保護層２１を形成し、周辺配線を形成するエッチング工程において、さらに、遮光膜１１がエッチングされないようにしたものである。なお、上述した第１の実施形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００５１】
図５は、本変形例に係る固体撮像素子１’の１画素の断面構造を模式的に示した図である。図示するように、固体撮像素子１’は遮光膜１１と層間膜１２との間に保護層２１を有している。
【００５２】
保護層２１は、エッチングストッパ膜として機能するものである。この保護層２１は遮光膜１１上に形成されることで、後述する周辺配線を形成するエッチング工程において、遮光膜１１等の膜がエッチングされることを防止している。また、保護層２１は、リフロー膜１３に用いられるＢＰＳＧや、層間膜１２に用いられるＮＳＧよりもさらにエッチングレートが低いシリコン窒素膜により形成され、例えば、Ｐ−ＳｉＮにより形成される。
【００５３】
なお、Ｐ−ＳｉＮにより保護層２１を形成する場合には、保護層２１を層内レンズ１６となる部分（受光部３の上部）を避けて配置することが好ましい。Ｐ−ＳｉＮと、ＢＰＳＧやＮＳＧとは透過率や屈折率が大きく異なるため、受光部３の上部に保護層２１を形成することで輝度シェーディング、色シェーディング及びグローバル色ムラ等の光学特性を悪化させるおそれがあるためである。したがって、保護層２１を受光部３の上部を避けて配置することで、上記光学特性を損ねることなく、遮光膜１１等の膜がエッチングされることが防止される。これにより、スミア特性を向上させることもできる。
【００５４】
次に、図６〜９を参照して上記固体撮像素子１’の製造方法について説明する。
【００５５】
まず、図６（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様、半導体基板２の撮像形成領域の表面に受光部３を形成し、続いて、撮像形成領域上に、受光部３に対応して第１及び第２の電荷転送電極５，７を形成する。さらに、撮像領域のうち第１及び第２の電荷転送電極５，７を覆うように遮光膜１１を形成した後、例えば、ウェットエッチングにより開口部１０を形成する。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示すように、保護層２１を形成する。具体的に保護層２１は、例えば、ＣＶＤ法により、遮光膜１１を含む半導体基板２上にＰ−ＳｉＮ膜を堆積することで形成される。なお、保護層２１の膜厚は、後述する周辺配線をエッチングする工程において、遮光膜１１等の膜がエッチングされない程度の膜厚であればよい。
【００５７】
次に、図７（ａ）に示すように、保護層２１のうち受光部３上の部分を、例えば、ウェットエッチング法により選択的に除去し、開口部２２を形成する。これにより、保護層２１は、受光部３の上部の層内レンズ１６を避けて配置される。
【００５８】
次に、上述した図２（ｂ）〜図３（ａ）に示す方法と同様の方法により、保護層２１を含む半導体基板２上に、層間膜１２及びリフロー膜１３を形成し（図７（ｂ），図８（ａ）参照）、続いて、図３（ｂ）に示す方法と同様の方法により、リフロー膜１３を熱処理することで、リフロー膜１３の上面に凹面１４を形成する（図８（ｂ）参照）。
【００５９】
次に、撮像形成領域を除く周辺部（図示せず）に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属層を形成した後、例えば、エッチング法により、この金属層を選択的に除去することで、図示しない配線層を形成する。このとき、撮像形成領域では、図９（ａ）に示すように、リフロー膜１３も同時にエッチングされる。しかしながら、上述のとおり、リフロー膜１３の下層に層間膜１２に加えて保護層２１を形成することで、意図しない過剰なエッチングが生じて層間膜１２がオーバーエッチされた場合であっても保護層２１により遮光膜１１はエッチングされずに保護される。
【００６０】
次に、上述した図４（ｂ）に示す方法と同様の方法により、高屈折率膜１５を形成した後（図９（ｂ）参照）、ＣＦ層１７、平坦化膜１８及びＯＣＬ１９を形成することで、図５に示すような固体撮像素子１’が形成される。
【００６１】
上述のとおり、本変形例によれば、遮光膜１１と層間膜１２との間に保護層２１を形成するようにしたので、周辺配線を形成するエッチング工程を行う際に遮光膜１１がエッチングされることをさらに抑制することができ、遮光膜１１の遮光性をさらに高めることができる。これにより、スミア特性をさらに向上させることができる。
【符号の説明】
【００６２】
１，１’  固体撮像素子
２  半導体基板
３  受光部
４  ゲート酸化膜
５  第１の電荷転送電極
６  熱酸化膜
７  第２の電荷転送電極
８  コンタクトホール
９  層間絶縁膜
１０，２２  開口部
１１  遮光膜
１２  層間膜
１３  層内レンズ形成用リフロー膜
１４  凹面
１５  高屈折膜
１６  層内レンズ
１７  ＣＦ層
１８  平坦化膜
１９  ＯＣＬ
２１  保護層
【図１】
2010199153.tif 000003
【図２】
2010199153.tif 000004
【図３】
2010199153.tif 000005
【図４】
2010199153.tif 000006
【図５】
2010199153.tif 000007
【図６】
2010199153.tif 000008
【図７】
2010199153.tif 000009
【図８】
2010199153.tif 000010
【図９】
2010199153.tif 000011
【図１０】
2010199153.tif 000012
【図１１】
2010199153.tif 000013