(57)【要約】【課題】カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。【解決手段】カルコパイライト型太陽電池１０の光吸収層１６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなる合金層２６をセレン化することで形成される。ここで、該合金層２６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット（ＣＩＧターゲット）２４のみを用いるスパッタリングによって第１電極層１４上に成膜が行われることで設けられる。【選択図】図２
2010232608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一端面の上方に形成された第１電極層と第２電極層との間に、少なくとも、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が介在されたカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いるスパッタリングによって、前記第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程と、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層に対してセレン化処理を施すことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより、前記光吸収層を得る工程と、
を有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のカルコパイライト型太陽電池の製造方法において、前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）、（２）を同時に満足するものを用いることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９  …（１）
０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７  …（２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光吸収層がカルコパイライト型化合物からなるカルコパイライト型太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カルコパイライト型太陽電池は、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ、すなわち、いわゆるＣＩＧＳ等のカルコパイライト型化合物からなる光吸収層を具備するものであり、シリコン太陽電池に比して変換効率が高い等の優れた特性を示す。この種のカルコパイライト型太陽電池は、例えば、ガラス基板上に形成された第１電極層と、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ等のカルコパイライト化合物からなり且つｐ型半導体である光吸収層と、ｎ型半導体からなるバッファ層と、透明な第２電極層とがこの順序で積層された積層体として構成される。
【０００３】
この中の光吸収層は、例えば、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの各ターゲットを順不同にスパッタするマルチスパッタリングを行うことによって、図９に示すように第１電極層１上にＣｕ層２、Ｉｎ層３、Ｇａ層４を積層することでプリカーサを形成した後、これらＣｕ層２、Ｉｎ層３、Ｇａ層４に対してセレン化雰囲気下で熱処理を施すことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａを合金化するとともにセレン化することで得られる。プリカーサは、特許文献１に開示されているように、Ｃｕ−Ｇａ合金からなるターゲット及びＩｎからなるターゲットを順不同にスパッタするマルチスパッタリングを行ったりすることによっても形成することができる。
【０００４】
以上から諒解されるように、この手法では、複数回のスパッタリング及びセレン化処理の２工程を行うことが必須となるので、光吸収層を得るまでに長時間を要する。この不都合を解消するべく、特許文献２、３には、カルコパイライト型化合物半導体をターゲットに用いてスパッタリングを行うことによって、セレン化処理を行うことなく光吸収層を形成する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１３５４９５号公報
【特許文献２】特開平８−１７２０５２号公報
【特許文献３】特開２００８−１６３３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記したようにＳｅ以外の元素を３層又は２層で形成したプリカーサに対してセレン化処理を施すことで光吸収層を形成する場合、ＧａとＩｎの各々のＳｅに対する反応性が相違することや、ＣＩＧＳ化合物を形成する過程で膜中の熱拡散速度に差があることに起因して、Ｇａが選択的に第１電極層１側に偏析してしまうことが確認されている。本発明者らの鋭意検討によれば、該Ｇａ偏析の発生に伴い、図１０に示すように、光吸収層５が、ＣｕＧａＳｅ2層６、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層７の２層構造となった状態、換言すれば、組成が互いに異なる結晶層が積層された状態となるという知見が得られた。また、このような２層分離状態の光吸収層５を具備するカルコパイライト型太陽電池では、変換効率が低下することが認められた。
【０００７】
エアマス（ＡＭ）１．５状態における太陽電池の理想バンドギャップは１．４ｅＶであり、ＣＩＧＳからなる光吸収層において、バンドギャップが１．４ｅＶとなる理想的なＧａ濃度はＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．６であることが知られているが、上記したように３層又は２層構成のプリカーサを形成するときにＧａ濃度がこのようになるセレン化処理を行うと、Ｇａ濃度がより高いためにＧａ偏析が一層促進され、光吸収層が層分離もより顕著となり、変換効率が低下する原因となる。
【０００８】
この不都合は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａのスパッタリング順序を変更した場合も同様に惹起される。すなわち、Ｇａの成膜順序を後にするのみでは、この不都合を解消することは困難である。要するに、上記した従来技術におけるプリカーサの形成方法、換言すれば、カルコパイライト型太陽電池の製造方法では、Ｇａ／ＩＩＩ族比を０．６に近づけるべくＧａ濃度を大きくした場合、Ｇａが光吸収層の下部に偏析し、ＣＩＧＳにおけるＧａの組成比を大きくすることが困難となるのみならず、上記した２層分離が起こるために変換効率が低下する懸念がある。
【０００９】
一方、特許文献２、３に記載されるように、Ｓｅを含むターゲットを用いる場合、形成されるプラズマの各元素に対するスパッタ率が異なるので、得られたＣＩＧＳ層におけるＳｅの組成比が、ターゲットにおけるＳｅの組成比に比して小さくなってしまう。換言すれば、光吸収層に含まれるＳｅの割合が小さくなり、このために所望の組成の光吸収層が得られなくなる。従って、光吸収層に対してＳｅを補う工程が必要となる。
【００１０】
さらに、Ｓｅを含有するターゲットは高抵抗であるため、ＲＦスパッタ等を用いる必要があるが、ＲＦスパッタは成膜速度が非常に遅いため、光吸収層を得るまでの時間が増大し、このためにカルコパイライト型太陽電池の生産効率が低下してしまう。
【００１１】
本発明は、上記した問題を解決するためになされたもので、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が層分離を起こすことなく、該光吸収層の膜品質を向上させるとともに、製造コストを低減することを可能とする、カルコパイライト型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するために、本発明は、基板の一端面の上方に形成された第１電極層と第２電極層との間に、少なくとも、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が介在されたカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いるスパッタリングによって、前記第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程と、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層に対してセレン化処理を施すことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより、前記光吸収層を得る工程と、
を有することを特徴とする。
【００１３】
すなわち、本発明においては、先ず、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなるターゲット（ＣＩＧターゲット）を用いることで該ＣＩＧターゲットの組成に略対応する組成の合金層を形成する。このようにして得られた合金層では、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの各元素の粒子が略均等に分散した状態で存在する。換言すれば、該合金層においては、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの粒子が略均等に混ざり合っている。
【００１４】
従って、この合金層をセレン化した場合、ＧａとＳｅの選択的な反応が発生し難くなる。これにより、Ｇａが光吸収層の下部に偏析することを有効に防止することができるようになる。その結果、ＣｕＧａＳｅ2層が形成されること、すなわち、光吸収層が層分離状態となることを回避することができ、単一層構造としてのＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅからなる略均質な光吸収層を得ることができる。
【００１５】
しかも、このような略均質な光吸収層（単一層）を具備するカルコパイライト型太陽電池では、上記したような２層分離状態に比して界面欠陥等が減少するので、電流−電圧特性や量子効率等の諸特性が向上する。すなわち、本発明によって得られたカルコパイライト型太陽電池には、優れた発電特性が発現する。
【００１６】
その上、成膜回数が１回になるとともに、プリカーサを得るべく３層又は２層の積層を行うためのターゲット交換工程等の煩雑な作業が不要となる。勿論、交換作業が不要となることに伴ってカルコパイライト型太陽電池を製造するのに要する時間が短縮される。このため、カルコパイライト型太陽電池の生産効率が大幅に向上する。
【００１７】
また、ＣＩＧターゲットは低抵抗であるので、ＤＣスパッタ等によって成膜を行うことが可能となる。この場合、成膜速度が大きくなるので、カルコパイライト型太陽電池を一層効率よく製造することができる。
【００１８】
なお、光吸収層におけるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比を理想的な組成比に制御するためには、前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が所定の条件を満足するものを使用することが好ましい。具体的には、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）、（２）を同時に満足するものを用いることが好適である。
【００１９】
０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９  …（１）
０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７  …（２）
【発明の効果】
【００２０】
本発明においては、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなるターゲットを用いて該ターゲットの組成に略対応する組成の合金層を形成した後、この合金層をセレン化してカルコパイライト型化合物に変化させることで光吸収層を得るようにしている。前記合金層においては、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの各元素の粒子が略均等に分散した状態で存在するので、この合金層をセレン化して得られた光吸収層には、ＣｕＧａＳｅ2層が含まれない。
【００２１】
すなわち、本発明によれば、光吸収層が２層分離状態となることを回避することができ、結局、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅからなる略均質な単一層からなる光吸収層を得ることができる。そして、このような光吸収層を具備するカルコパイライト型太陽電池は、優れた諸特性を示す。
【００２２】
また、合金層を形成するための成膜は１回のみであり、このため、従来技術のようにターゲットを交換する必要がない。そして、成膜回数が１回であること、及びターゲットの交換作業が不要となることに伴い、カルコパイライト型太陽電池を製造するのに要する時間が短縮される。従って、カルコパイライト型太陽電池の生産効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】カルコパイライト型太陽電池の概略側面図である。
【図２】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いてスパッタリングを行うことで合金層を形成する状態を示す状態説明図である。
【図３】第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層が形成された状態を示す概略側面図である。
【図４】前記合金層がセレン化処理によってカルコパイライト型化合物に変化することで光吸収層が形成された状態を示す概略側面図である。
【図５】本実施の形態に係る製造方法によって形成された光吸収層と、従来技術によって形成された光吸収層の低角度域におけるＸ線回折パターンである。
【図６】本実施の形態に係る製造方法によって形成された光吸収層と、従来技術によって形成された光吸収層の高角度域におけるＸ線回折パターンである。
【図７】本実施の形態に係る製造方法によって形成された光吸収層を具備する太陽電池セルと、従来技術によって形成された光吸収層を具備する太陽電池セルの電流−電圧特性を示すグラフである。
【図８】本実施の形態に係る製造方法によって形成された光吸収層を具備する太陽電池セルと、従来技術によって形成された光吸収層を具備する太陽電池セルの量子効率を示すグラフである。
【図９】Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの各ターゲットを用いてマルチスパッタリングを行うことで第１電極層上にＣｕ層、Ｉｎ層及びＧａ層を形成した状態を示す概略側面図である。
【図１０】図９に続いてＣｕ層、Ｉｎ層及びＧａ層をセレン化することで得られた光吸収層において、下方にＣｕＧａＳｅ2層、上方にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層が存在する状態を示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係るカルコパイライト型太陽電池の製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
先ず、カルコパイライト型太陽電池の構成につき、その模式図である図１を参照して概略説明する。このカルコパイライト型太陽電池１０は、ガラス基板１２上に、第１電極層１４、カルコパイライト化合物からなり且つｐ型半導体である光吸収層１６、ｎ型半導体からなるバッファ層１８、透明な第２電極層２０がこの順序で積層されて構成される。
【００２６】
第１電極層１４は一般的には金属からなり、その好適な材質としてはＭｏやＷ等が挙げられる。
【００２７】
第１電極層１４上に形成された光吸収層１６は、この場合、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ、すなわち、いわゆるＣＩＧＳからなる。後述するように、この光吸収層１６は、プリカーサとしてのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層がセレン化されることによって形成される。
【００２８】
この光吸収層１６上に配置されるバッファ層１８の好適な材質としては、ＣｄＳやＺｎＳ、ＩｎＳ等が挙げられる。さらに、第２電極層２０は、太陽光等の光を透過するべく、光透過性に優れる透明体であり且つ集電効率が高いものが選定される。この種の物質の好適な例としては、ＺｎＯにＡｌをドープしたＺｎＯ：Ａｌ等が挙げられる。
【００２９】
なお、図１における参照符号２２は、カルコパイライト型太陽電池１０を作製する過程でスクライブが行われることに伴って形成されたスクライブ溝を表す。
【００３０】
このように構成されるカルコパイライト型太陽電池１０においては、図１に矢印で示される方向に光電流ｉが流れる。
【００３１】
次に、本実施の形態に係るカルコパイライト型太陽電池１０の製造方法につき説明する。この製造方法は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット２４を用いることで第１電極層１４上に光吸収層１６の前駆体となるＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層２６（図２参照）を形成する工程と、該Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層２６をセレン化することによってＣＩＧＳからなる光吸収層１６を得る工程とを含む。なお、以下においては、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層２６及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット２４のそれぞれを、単に合金層２６、ＣＩＧターゲット２４と表記することもある。
【００３２】
はじめに、例えば、スパッタリングを行うことにより、ガラス基板１２上にＭｏ又はＷ等からなる第１電極層１４を成膜する。
【００３３】
次に、前記第１電極層１４上に光吸収層１６の前駆体となる合金層２６を成膜する。この成膜に際しては、図２に示すように、ＣＩＧターゲット２４を用いてのスパッタリングが行われる。
【００３４】
なお、ＣＩＧターゲット２４は、該ＣＩＧターゲット２４に含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）、（２）を同時に満足するように設定されている。
０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９  …（１）
０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７    …（２）
【００３５】
このような組成比のＣＩＧターゲット２４を用いることにより、光吸収層１６におけるＧａの組成比を理想的な組成比である０．６に近づけることが可能となる。
【００３６】
スパッタリングに際しては、例えば、イオン化したＡｒがＣＩＧターゲット２４に高速で衝突し、その結果、該ＣＩＧターゲット２４からＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金の原子ないし分子が放出される。この放出された原子ないし分子が第１電極層１４上に付着・堆積し、その結果、合金層２６が所定の厚みで成膜される。
【００３７】
このことから諒解される通り、本実施の形態においては、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａの３元系合金からなるＣＩＧターゲット２４を用いての１回のスパッタリングによって合金層２６を得る。このため、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの各ターゲットや、Ｃｕターゲット及びＩｎ−Ｇａターゲットを用いて複数回のスパッタリングを行うことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層２６を得る従来技術に比して成膜時間が著しく短縮する。
【００３８】
しかも、この従来技術では、材質が互いに相違する層同士を積層するためにスパッタリング設備のチャンバを開放してターゲットを交換するという煩雑な作業が必要となるが、本実施の形態によれば、スパッタリング回数を１回のみとすることができるので、作業が簡素化する。
【００３９】
以上の理由から、カルコパイライト型太陽電池１０を得るまでの時間が短縮され、生産効率が向上する。例えば、単位時間あたりの生産数を２〜３倍とすることもできる。
【００４０】
本実施の形態では、上記した組成のＣＩＧターゲット２４を用いている。この場合、形成された合金層２６においては、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの粒子が略均等に分散した状態となっている。
【００４１】
好ましくは、この合金層２６上にアルカリ層（図示せず）が設けられる。このアルカリ層は、例えば、塩化ナトリウム水溶液をはじめとするナトリウム塩水溶液等のアルカリ溶液を塗布した後、該溶液を乾燥することによって形成することもできる。なお、前記溶液の塗布は、合金層２６までが形成された半製品を前記溶液内に浸漬することによって行われる。又は、スピンコート等の公知の塗布方法を採用するようにしてもよい。
【００４２】
次に、アルカリ層が形成された半製品を熱処理炉に収容し、プレヒートを行った後、前記熱処理炉内にセレン化ガス（例えば、Ｈ2Ｓｅガス）を導入する。このセレン化ガスによって合金層２６を構成するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金がセレン化され、カルコパイライト型化合物であるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅに変化する。これにより、光吸収層１６が得られる。
【００４３】
この際には、前記アルカリ層に含まれるＮａ等のアルカリ成分がＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅの結晶化を促進する。なお、アルカリ層は最終的に光吸収層１６に拡散して消滅するので、該アルカリ層が光吸収層の上方に層として残留することはない。
【００４４】
上記したように、合金層２６に含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの粒子は、互いに略均等に混ざり合った状態で分散している。従って、この合金層２６をセレン化した場合、ＧａとＳｅの選択的な反応が発生し難い。このため、第１電極層１４に臨む下方にＧａが偏析してＣｕＧａＳｅ2層が形成されることが防止され、その結果、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅからなる均質な単一層としての光吸収層１６が得られる。
【００４５】
このことは、Ｘ線回折測定パターンである図５及び図６からも支持される。すなわち、これら図５及び図６には、Ｃｕ層、Ｉｎ層及びＧａ層を第１電極層１４上に積層した後にセレン化を行う従来技術によって得られた光吸収層と、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなるＣＩＧターゲット２４を用いて合金層２６を形成し、この合金層２６をセレン化する本実施の形態によって得られた光吸収層１６とのＸ線回折測定パターンが示されている。なお、図５は低角度域、図６は高角度域である。
【００４６】
図５及び図６から諒解されるように、従来技術によって形成された光吸収層のＸ線回折測定パターンには、ＣｕＧａＳｅ2に帰属する明確なピークＡ、Ｂ及びＣが出現している。これに対し、本実施の形態によって形成された光吸収層１６では、ＣｕＧａＳｅ2に帰属するピークが出現していない。このことから、光吸収層１６にＣｕＧａＳｅ2層が含まれていないこと、換言すれば、光吸収層１６が層分離を起こしておらず、ＣＩＧＳからなる均質な単一層として形成されていることが明らかである。
【００４７】
また、光吸収層１６におけるＣＩＧＳに帰属するピークＸ１（図５参照）、Ｙ１（図６参照）の各々と、従来技術によって得られた光吸収層におけるピークＸ２（図５参照）、Ｙ２（図６参照）の各々とを対比すると、ピークＸ２、Ｙ２はともに、ピークＸ１、Ｙ１よりも低角度で出現していることが分かる。このことは、従来技術によって得られた光吸収層におけるＣＩＧＳに含まれるＧａの組成比が低いことを意味する。
【００４８】
このように、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなるＣＩＧターゲット２４を用いて合金層２６を形成し、この合金層２６をセレン化することにより、層分離が認められない均質で単一であり、しかも、Ｇａ濃度が理想的な光吸収層１６を得ることができる。
【００４９】
次に、ケミカルバスデポジション法等によって、ｎ型半導体であるＣｄＳ、ＺｎＳ、ＩｎＳ等からなるバッファ層１８を形成する。
【００５０】
さらに、メカスクライブを行った後、例えば、ＺｎＯ−Ａｌからなるターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、ＺｎＯ−Ａｌ層からなる透明な第２電極層２０を成膜する。
【００５１】
その後、メカスクライブが再度行われ、これにより、所定数のセルに分割されたカルコパイライト型太陽電池１０を含む太陽電池セルが得られるに至る。
【００５２】
図７は、以上のようにして得られた太陽電池セルと、上記した従来技術によって得られた太陽電池セルの電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性を示すグラフである。なお、曲線Ｃ１が本実施の形態に係る製造方法によって得られた太陽電池セルのＩ−Ｖ特性曲線であり、曲線Ｃ２が従来技術に係る製造方法によって得られた太陽電池セルのＩ−Ｖ特性曲線である。
【００５３】
この図７から、電流値が同一であれば、本実施の形態に係る製造方法によって得られた太陽電池セルの方が電圧が高いこと、すなわち、発電出力が大きいことが明らかである。曲線Ｃ１と曲線Ｃ２で囲繞される領域、すなわち、図７中に斜線で示した領域の面積から計算を行うと、１０〜２０％程度の出力の向上が認められる。
【００５４】
さらに、図８、本実施の形態に係る製造方法によって得られた太陽電池セル、及び従来技術に係る製造方法によって得られた太陽電池セルの量子効率を、波長と規格化値との関係を表すグラフ中の曲線Ｃ３、Ｃ４として示す。この図８において、低波長〜可視光域波長で曲線Ｃ３の規格化値が曲線Ｃ４に比して大きいことから、上記のようにＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット２４を用いて合金層２６を形成した後、該合金層２６をセレン化するという製造方法を採用することにより、この波長域で量子効率を向上させ得ることが確認された。
【００５５】
このような量子効率の向上により、短絡電流が大きくなる。また、カルコパイライト型太陽電池１０の内部欠陥が低減するので、開放電圧が大きくなるという利点もある。
【００５６】
すなわち、本実施の形態により、諸特性に優れたカルコパイライト型太陽電池１０を得ることができる。
【００５７】
なお、上記した実施の形態では、ＣＩＧターゲット２４として、Ｇａの組成比が上記式（１）、（２）を同時に満足するものを選定するようにしているが、合金層２６をセレン化したものが光吸収層として機能し得る組成であれば如何なるものであってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１０…カルコパイライト型太陽電池        １２…ガラス基板
１４…第１電極層                        １６…光吸収層
１８…バッファ層                        ２０…第２電極層
２４…Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット    ２６…Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層
【図１】
2010232608.tif 000003
【図２】
2010232608.tif 000004
【図３】
2010232608.tif 000005
【図４】
2010232608.tif 000006
【図５】
2010232608.tif 000007
【図６】
2010232608.tif 000008
【図７】
2010232608.tif 000009
【図８】
2010232608.tif 000010
【図９】
2010232608.tif 000011
【図１０】
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