(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度で成膜速度及び形成される薄膜の成膜厚の再現性を向上することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１を載置する材料設置部４と、基板１００をターゲット１０１に対向させる基板ホルダ３と、材料設置部４と基板ホルダ３との間に設けられたシャッタ５と、基板ホルダ３の近傍に配置され、基板１００に成膜される薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な第１センサ６Ａと、材料設置部４とシャッタ５との間に配置された第２センサ６Ｂとを含むセンサ部６と、薄膜の成膜速度及び成膜厚を制御する制御部７とを備え、制御部７は、シャッタ５を退避させた直後は第２センサ６Ｂに基づいて制御を行い、第１センサ６Ａが安定してから第１センサ６Ａに基づく制御を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜材料を用いて対象物の表面に成膜を行う成膜装置であって、
前記成膜材料が載置される材料設置部と、
前記対象物を前記材料設置部に載置された前記成膜材料に対向させて支持する対象物支持部と、
前記材料設置部と前記対象物支持部との間に、前記材料設置部と前記対象物支持部との間から退避可能に設けられたシャッタと、
前記対象物支持部の近傍に配置され、前記対象物に成膜される薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な第１センサと、前記材料設置部と前記シャッタとの間に配置された第２センサとを有するセンサ部と、
前記センサ部の測定結果に基づいて前記成膜速度及び前記成膜厚を制御可能に構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記シャッタを退避させた直後は前記第２センサの出力値に基づいて前記成膜速度を制御し、前記第１センサの出力値が安定してから前記第１センサの出力値に基づいて前記成膜速度を制御するよう構成され、
前記シャッタを退避させてから前記第１センサの出力値に基づいた前記成膜速度の制御開始までの初期成膜厚として前記第２センサの出力値を採用し、前記初期成膜厚に前記第１センサの出力値に基づく制御開始後の前記第１センサの成膜厚の出力値を積算した総成膜厚値に基づいて前記成膜厚を制御することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１センサの出力値に基づく制御開始のタイミングを所定の条件に基づいて自動的に判定する判定部を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
成膜材料を用いて対象物の表面に成膜を行う成膜方法であって、
前記成膜材料と前記対象物との間をシャッタで遮蔽した状態で、前記シャッタと前記成膜材料との間に配置したシャッタ側センサを用いたフィードバック制御により成膜速度を安定化する予備工程と、
前記シャッタを退避させてから前記フィードバック制御を継続しつつ、前記対象物の表面に前記成膜材料からなる薄膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程における前記成膜速度のフィードバック制御の出力ソースを、前記シャッタ側センサから、前記対象物の近傍に配置され、前記対象物に成膜される前記薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な対象物側センサに切り替える切替工程と、
前記対象物の表面における前記薄膜の成膜厚を所定の範囲内に制御する成膜厚制御工程と、
を備え、
前記切替工程において、
前記シャッタが退避してから前記出力ソースが前記対象物側センサに切り替えられるまでに成膜された前記薄膜の成膜厚が、初期成膜厚として前記シャッタ側センサの出力値に基づいて取得され、
前記出力ソースが前記対象物側センサに切り替えられた後に成膜された前記薄膜の成膜厚が、前記対象物側センサの出力値に基づいて前記初期成膜厚に積算されることによって前記薄膜の総成膜厚値が取得され、
前記成膜厚制御工程において、前記総成膜厚値に基づいて前記薄膜の成膜厚が制御されることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
前記対象物側センサの出力値が安定したかどうかを所定の条件に基づいて判定する判定工程をさらに備え、
前記判定工程において前記対象物側センサの出力値が安定したと判定されたときに前記切替工程が実行されることを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜を成膜するための成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置を用いて基板等の対象物の表面に成膜を行う場合、成膜により堆積した膜の厚さである成膜厚の再現性を確保することは重要である。再現性の向上のため、成膜速度や実際に形成された薄膜の成膜厚等の値を検知するセンサ等を用いたフィードバック制御等によって、成膜厚の再現性を向上させることが提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、蒸着原料に電子ビームを照射して被処理体に成膜を行う蒸着装置において、被処理体と蒸着材料との間に退避可能に設けられたシャッタと蒸着材料との間に第２膜厚モニタが配置された蒸着装置が提案されている。
【０００４】
この蒸着装置では、シャッタが蒸着材料と被処理体との間を遮蔽している閉状態のときは、第２膜厚モニタの信号に基づいて電子ビームを照射する電子銃のパワーが制御される。当該制御は、シャッタが退避した開状態となってしばらくしてから被処理体の近傍に配置された第１膜厚モニタの信号に基づく制御に切り替えられる。
これによって、第１膜厚モニタの検出値が不安定な、シャッタが開状態となって間もない時期においても成膜速度を安定化することができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３２８１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の蒸着装置では、成膜速度を安定化することはできるものの、第１膜厚モニタが出力する成膜厚値については不安定状態が解消されるわけではないという問題がある。
【０００７】
図４は、特許文献１と同等の構成を有する成膜装置における第１膜厚モニタの成膜速度の出力値の推移を示すグラフである。第２膜厚モニタを用いた成膜速度の制御によって、シャッタが退避された成膜開始時には、成膜速度は既に１ナノメートル毎秒（ｎｍ／ｓｅｃ）に安定化しているが、図４に示すように、第１膜厚モニタの出力する成膜速度値が安定化するまでには一定の時間（図４のグラフにおいては約５秒間）を要することがわかる。
これは、シャッタが退避され第１膜厚モニタに成膜され始める成膜開始時には、第１膜厚モニタによって検出される成膜厚値が、不安定だからである。（成膜速度は、成膜厚の時間変化から算出される。）したがって、第１膜厚モニタによって検出された成膜厚値は、実際に基板等の被処理体に形成される成膜厚とは異なる値となる。
図５は、当該第１膜厚モニタの出力する成膜厚値を示すグラフである。上述のように、実際は成膜速度は既に１ｎｍ／ｓｅｃに安定化しているので、成膜開始後５秒経過した時点における実際の成膜厚は概ね５ｎｍ前後であるが、図５に示すように第１膜厚モニタの出力する成膜厚値はこれを正確には反映できていない。このように、最終的に再現性を高めたい成膜厚値の精度を向上させることは容易ではない。
【０００８】
また、図４に示す第１膜厚モニタの成膜速度値が安定化するまでに要する時間は毎回同様ではなく、成膜条件、真空槽内部の状態等によって毎回異なる。そのため、シャッタが退避された成膜開始時から所定の時間（例えば５秒）が経過したときに、成膜速度の制御に用いる検出値を第２膜厚モニタのものから第１膜厚モニタのものに切り替えるように設定した場合、その時点では第１膜厚モニタの検出値がいまだ安定していない場合もありうる。この場合は不正確な第１膜厚モニタの検出値に基づいて成膜を制御することになるので、成膜厚の制御の精度がさらに低下することになり、問題である。
【０００９】
また、成膜の制御に用いる検出値を第２膜厚モニタから第１膜厚モニタに切り替えたとき、第１膜厚モニタの検出値が十分安定してから、しばらく時間が経っている場合もありうる。この場合、第１膜厚モニタが十分安定したら、より正確に被処理体への成膜厚を検出することができる第１膜厚モニタに出来るだけ早く切り替えて成膜の制御をした方が正確に制御を行えるにもかかわらず、長時間第２膜厚モニタを用いて制御を行うことになるので、制御の正確性が低下する。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、高精度で成膜速度及び形成される薄膜の成膜厚の再現性を向上することのできる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第一の態様は、成膜材料を用いて対象物の表面に成膜を行う成膜装置であって、前記成膜材料が載置される材料設置部と、前記対象物を前記材料設置部に載置された前記成膜材料に対向させて支持する対象物支持部と、前記材料設置部と前記対象物支持部との間に、前記材料設置部と前記対象物支持部との間から退避可能に設けられたシャッタと、前記対象物支持部の近傍に配置され、前記対象物に成膜される薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な第１センサと、前記材料設置部と前記シャッタの間に配置された第２センサとを有するセンサ部と、前記センサ部の測定結果に基づいて前記成膜速度及び前記成膜厚を制御可能に構成された制御部とを備え、前記制御部は、前記シャッタを退避させた直後は前記第２センサの出力値に基づいて前記成膜速度を制御し、前記第１センサの出力値が安定してから前記第１センサの出力値に基づいて前記成膜速度を制御するよう構成され、前記シャッタを退避させてから前記第１センサの出力値に基づいた前記成膜速度の制御開始までの初期成膜厚として前記第２センサの出力値を採用し、前記初期成膜厚に前記第１センサの出力値に基づく制御開始後の前記第１センサの成膜厚の出力値を積算した総成膜厚値に基づいて前記成膜厚を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明の成膜装置によれば、シャッタが退避してから、第１センサの出力が安定するまでは、信頼性の低い第１センサの成膜厚値ではなく、出力値の安定している第２センサの成膜厚値が初期成膜厚に採用され、これに第１センサ安定後の第１センサの成膜厚値が積算されて総成膜厚値が取得されるため、より正確な成膜厚値が取得される。
【００１３】
前記制御部は、前記第１センサの出力値に基づく制御開始のタイミングを所定の条件に基づいて自動的に判定する判定部を有してもよい。この場合、より早いタイミングでより正確に対象物表面の成膜速度及び成膜厚を反映する第１センサに制御の出力ソースを切り替えることができ、より高精度に成膜を行うことができる。
【００１４】
本発明の第二の態様は、成膜材料を用いて対象物の表面に成膜を行う成膜方法であって、前記成膜材料と前記対象物との間をシャッタで遮蔽した状態で、前記シャッタと前記成膜材料との間に配置したシャッタ側センサを用いたフィードバック制御により成膜速度を安定化する予備工程と、前記シャッタを退避させてから前記フィードバック制御を継続しつつ、前記対象物の表面に前記成膜材料からなる薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程における前記成膜速度のフィードバック制御の出力ソースを、前記シャッタ側センサから前記対象物の近傍に配置され、前記対象物に成膜される前記薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な対象物側センサに切り替える切替工程と、前記対象物の表面における前記薄膜の成膜厚を所定の範囲内に制御する成膜厚制御工程とを備え、前記切替工程において、前記シャッタが退避してから前記出力ソースが前記対象物側センサに切り替えられるまでに成膜された前記薄膜の成膜厚が、初期成膜厚として前記シャッタ側センサの出力値に基づいて取得され、前記出力ソースが前記対象物側センサに切り替えられた後に成膜された前記薄膜の成膜厚が、前記対象物側センサの出力値に基づいて前記初期成膜厚に積算されることによって前記薄膜の総成膜厚値が取得され、前記成膜厚制御工程において、前記総成膜厚値に基づいて前記薄膜の成膜厚が制御されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の成膜方法においては、前記対象物側センサの出力値が安定したかどうかを所定の条件に基づいて判定する判定工程をさらに備え、前記判定工程において前記対象物側センサの出力値が安定したと判定されたときに前記切替工程が実行されてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の成膜装置及び成膜方法によれば、高精度で成膜速度及び形成される薄膜の成膜厚の再現性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態の成膜装置の構成を示す図である。
【図２】同成膜装置を用いた成膜方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】同成膜装置の実施例及び比較例において複数回成膜を行った結果を示す表である。
【図４】従来の成膜装置における成膜対象物近傍の第１膜厚モニタが出力する成膜速度値の推移を示すグラフである。
【図５】同第１膜厚モニタが出力する成膜厚値の推移を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一実施形態の成膜装置について、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態の成膜装置１を示す概略図である。
成膜装置１は、スパッタリングによる成膜を行う装置であって、真空槽２と、真空槽２の内部上方に設けられて成膜の対象物の一例である基板１００を保持する基板ホルダ（対象物支持部）３と、真空槽２内部の下部に設けられた材料設置部４と、基板保持部３と材料設置部４との間に設けられたシャッタ５と、成膜速度及び成膜厚を検出するためのセンサ部６と、センサ部６の検出値にもとづいて、成膜装置１における成膜速度及び成膜厚を所定の範囲内に制御するための制御部７とを備えて構成されている。
【００１９】
真空槽２の側面には、放電ガスの導入ポート８が形成されている。放電ガスの流量はマスフローコントローラ１９によって制御され、これにより真空槽２内のガス圧力が制御される。
【００２０】
基板ホルダ３は回転軸９を中心に回転可能に構成されており、基板ホルダ３の下側（材料設置部４に対向する側）の面に成膜の対象物となる基板１００が設置される。回転軸９は図示しないモータ等の駆動源と接続されており、基板ホルダ３を回転軸９回りに回転させることが可能である。
【００２１】
材料設置部４は、成膜材料が設置されるバッキングプレート１０と、バッキングプレート１０の下方に設けられたマグネトロンカソード１１とを備えた公知の構成となっている。バッキングプレート１０上には、適宜選択された材質のターゲット（成膜材料）１０１が載置される。本実施形態においては、一例としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）の粒径０．１〜１０ミリメートル（ｍｍ）の顆粒がターゲット１０１として用いられており、石英製の皿１２に充填された状態でバッキングプレート１０上に載置されている。
マグネトロンカソード１１には電源１３が接続されており、電源１３からマグネトロンカソード１１に電圧を印加することにより、基板１００の表面にターゲット１０１の材質からなる薄膜を形成することができる。
【００２２】
シャッタ５は真空槽２の下部にその軸周りに回動自在に設けられた回動軸１４に支持固定されている。シャッタ５は、成膜速度等の成膜環境が安定するまでターゲット１０１と基板１００との間を遮蔽し、基板１００への成膜が行われないよう制御する。回動軸１４はモータ等の公知の構成からなる駆動部１５と接続されており、駆動部１５が回動軸１４を回動させることによってシャッタ５を基板１００とターゲット１０１との間から退避させることが可能である。
【００２３】
センサ部６は、第１センサ（対象物側センサ）６Ａと、第２センサ（シャッタ側センサ）６Ｂとの２つの水晶センサを備える。第１センサ６Ａは、基板ホルダ３の近傍に設置され、当該成膜厚の時間変化から成膜速度を算出し、出力することが可能である。一方、第２センサ６Ｂは、シャッタ５とターゲット１０１との間であってシャッタ５寄りの位置に真空槽２に支持されて配置されている。センサ６Ａ、６Ｂはそれぞれ位置が異なるため実際にセンサ６Ａ、６Ｂに堆積される成膜厚はそれぞれ異なるが、センサ６Ｂはセンサ６Ａ、センサ６Ａは基板１００の成膜厚とそれぞれ等しく表示されるように表示値に補正をかけている。各センサ６Ａ、６Ｂは制御部７に接続されている。
【００２４】
制御部７は成膜装置１全体の制御を行う制御部本体１６と、フィードバック制御の対象となる出力ソースを第１センサ６Ａと第２センサ６Ｂとの間で切り替える切替部１７と、切替部１７の切り替えタイミングの判定を行う判定部１８とを備えている。
【００２５】
制御部本体１６は、電源１３、駆動部１５、及びマスフローコントローラ１９と接続されており、これらのアウトプットを制御することが可能である。また、制御部本体１６は図示しない入力機構を備えており、使用者が目標成膜速度や設定成膜厚等を入力可能に構成されている。
【００２６】
上記のように構成された成膜装置１の使用時の動作について説明する。
図２は成膜装置１を用いた本実施形態の成膜方法の流れを示すフローチャートである。本実施形態の成膜方法は、成膜開始前に成膜速度を安定化するための予備工程Ｓ１０と、対象物の表面に薄膜を形成する成膜工程Ｓ２０と、成膜工程Ｓ２０中に第１センサ６Ａの出力が安定したかどうかを判定する判定工程Ｓ３０と、判定工程Ｓ３０において第１センサ６Ａの出力が安定したと判断されたときに、フィードバック制御の出力ソースを切り替える切替工程Ｓ４０と、対象物表面の成膜厚を所定の範囲に制御するための成膜厚制御工程Ｓ５０とを備えている。
【００２７】
まずユーザは、成膜前の準備として、基板ホルダ３に基板１００を設置し、ターゲット１０１をバッキングプレート１０上に載置する。このとき、シャッタ５は基板１００とターゲット１０１との間を遮蔽するように位置させる（以下、このシャッタ５の位置を「閉じ位置」と称する。）。そして、図示しない排気手段によって真空槽２の排気を行い、真空槽２内を真空にする。
【００２８】
続いて反応ガスを導入ポート８から導入してから、電源１３から電力をマグネトロンカソード１１に印加してプラズマ２０を発生させる。発生したプラズマ２０によってターゲット１０１は加熱され、同時にプラズマ２０中の反応ガスイオンによりスパッタリングされて真空槽２内に飛散を開始する。ここまでで、成膜の準備が終了し、処理はステップＳ１０の予備工程に移行する。
【００２９】
ステップＳ１０において、制御部本体１６は、シャッタ５を閉じ位置にした状態で成膜速度が所望の速度、例えば１．０ｎｍ／ｓｅｃとなるように電源１３の電力供給量のフィードバック制御を行う。このとき制御部本体１６は第２センサ６Ｂの出力値をフィードバックのための出力ソースとして採用するように設定される。
なお、所望の成膜速度は、ユーザが入力機構を介して予め制御部本体１６に入力しておく。また、必要に応じてステップＳ１０において所定時間プレスパッタリングが行われてもよい。
【００３０】
第２センサ６Ｂで測定した成膜速度値が所望の範囲に安定化したところで処理はステップＳ２０の成膜工程に進み、制御部本体１６が駆動部１５を介して回動軸１４を回動させてシャッタ５を基板１００とターゲット１０１との間から退避させるとともに、図示しない駆動源を介して回転軸９が回転され、基板ホルダ３が回転軸９回りに回転される。これによりターゲット１０１が基板１００の表面に付着し始め、基板１００に対する成膜が開始される。このシャッタ５が退避した時点から第２センサ６Ｂに付着していく成膜厚を第２センサ６Ｂでカウントしていく。したがって、第１センサ６Ａにも成膜され始め、第１センサ６Ａでの測定が開始されるが、ステップＳ２０の初期においては、制御部本体１６はステップＳ１０と同様に、第２センサ６Ｂの出力値に基づいて電源１３のフィードバック制御を継続する。
【００３１】
成膜工程Ｓ２０を継続しつつ、ステップＳ３０の判定工程において、フィードバック制御に用いる出力値のソースをより基板１００に近い第１センサ６Ａに切り替えてよいかの判定が行われる。具体的には、第１センサ６Ａの出力値が所望の成膜速度を含む所定の範囲内に安定したかどうかが第１センサ６Ａの出力値に基づいて判定部１８によって判定される。
安定したか否かの判定基準は、要求される成膜厚の精度や成膜対象物の種別等によって適宜ユーザが設定してよい。本実施形態では、一例として、２５０ミリ秒（ｍｓｅｃ）ごとに行われる第１センサ６Ａのサンプリングの連続４回分において、いずれもその出力値が１．０ｎｍ／ｓｅｃプラスマイナス５％となった場合に判定部１８が第１センサ６Ａの出力が安定した（「Ｙｅｓ」）と判定するように設定されている。
判定部１８は上記判定が「Ｙｅｓ」となるまで上記判定工程Ｓ３０を繰り返し、判定が「Ｙｅｓ」となったところで処理はステップＳ４０に進む。
【００３２】
ステップＳ４０においては、判定部１８のＹｅｓ判定を受け、フィードバック制御の出力ソースを第２センサ６Ｂから第１センサ６Ａに切り替える。これ以後、電源１３のフィードバックは第１センサ６Ａの出力する成膜速度値に基づいて行われる。
【００３３】
また、ステップＳ４０においては、上述の出力ソースの切り替えと並行して、成膜厚値の調整が行われる。まず、制御部本体１６は、第２センサ６Ｂの出力値に基づいて、シャッタ５が退避してから出力ソースの切り替えまでの時間における成膜厚値を初期成膜厚として取り出す。そして、当該初期成膜厚に出力ソース切り替え後の成膜厚を第１センサ６Ａの出力値に基づいて積算していくことで成膜開始後の総成膜厚値を取得し、当該総成膜厚値に基づいて基板１００上の成膜厚をモニタリングする。
【００３４】
ステップＳ５０においては、基板１００上の成膜厚が所望の値に達したかどうかが上述の総成膜厚値に基づいて制御部本体１６で判定される。この判定が「Ｎｏ」であれば成膜は継続され、「Ｙｅｓ」となったところで制御部本体１６は電源１３によるマグネトロンカソード１１への電力供給を遮断し、回動軸１４を回動させてシャッタ５を閉じ位置に戻して成膜を終了する。
以上説明した成膜装置１について、実施例と比較例とを用いてさらに説明する。
【００３５】
（実施例）
基板１００として光学ガラス（商品名Ｓ−ＢＳＬ７：株式会社オハラ製）からなるものを使用し、基板ホルダ３に取り付けた。ターゲット１０１としては、粒径０．１〜１０ｍｍのＭｇＦ２顆粒を使用した。その後、不図示の真空ポンプにより真空槽２内の雰囲気を１×１０−４パスカル（Ｐａ）まで真空引きした。このとき基板１００の加熱は行わなかった。
【００３６】
その後、放電ガスであるＯ２ガスをマスフローコントローラ１９により流量を制御しながら、導入ポート８から真空槽２内に導入し、ガス圧力を４×１０−１Ｐａに調整した。そして、電源１３から高周波電力をマグネトロンカソード１１に供給し、プラズマ２０を発生させた。
【００３７】
設定成膜速度は１．０ｎｍ／ｓｅｃとし、形成する薄膜の成膜厚は１００ｎｍに設定した。第１センサ６Ａの出力値安定化の判断基準は、上述の説明と同様、連続４回のサンプリングにおいて、いずれもその出力値が１．０ｎｍ／ｓｅｃプラスマイナス５％となった場合とした。
【００３８】
（比較例）
基板１００及びターゲット１０１は、実施例と同一のものを使用した。出力ソースの切り替えは、常にシャッタ５の退避後１０秒間経過後とし、判定部１８による第１センサ６Ａの出力値が安定化したかどうかの判定は行わなかった。成膜厚値としては、第１センサ６Ａの積算値をそのまま採用した。設定成膜速度及び形成する薄膜の成膜厚は実施例と同一とした。
【００３９】
実施例及び比較例において、それぞれ１０回の成膜を行った結果を図３に示す。実施例においては、１０回の成膜において成膜厚が設定成膜厚のプラスマイナス０．１％の範囲に保たれており、きわめて高精度に成膜厚を制御することができた。一方、比較例においては、１０回の成膜における成膜厚の範囲は、設定成膜厚のプラスマイナス２．５％の範囲に広がっており、実施例に比べて精度は低かった。
【００４０】
本実施形態の成膜装置１によれば、切替工程Ｓ４０においてフィードバック制御の出力ソースが第２センサ６Ｂから第１センサ６Ａに切り替わる際に、それまで成膜された成膜厚値として、成膜開始時に既に出力値が安定している第２センサ６Ｂの出力値が初期成膜厚として取り出される。そして、これに出力ソース切り替え以降の第１センサ６Ａの成膜厚値が積算されて総成膜厚値が取得される。したがって、成膜開始直後の不安定な出力に基づく第１センサ６Ａの初期成膜厚値を排除して総成膜厚値を取得することができるので、より高精度の成膜厚制御を行うことができる。
【００４１】
また、判定工程Ｓ３０において、判定部１８が第１センサ６Ａの出力値に基づいて、切替工程Ｓ４０を行うタイミングを自動的に判定するので、成膜条件や真空槽２内部の状態によって微妙に変化する第１センサ６Ａの出力安定化のタイミングを的確に検出することができる。その結果、第１センサ６Ａの出力が安定しないうちに出力ソースが切り替えられることを防止しつつ、より早いタイミングで基板１００の成膜状況をより正確に反映する第１センサ６Ａに出力ソースを切り替えて、成膜厚値の取得と成膜速度のフィードバック制御を行うことができるので、さらに高精度の成膜厚制御をすることができる。。
【００４２】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した各実施形態においては、スパッタリングによって成膜を行う成膜装置の例を挙げたが、本発明は蒸着法等の他の方法によって成膜を行う成膜装置にも適用可能である。
【００４３】
また、成膜材料も上述のＭｇＦ２には限定されず、金属、金属化合物、セラミックス等各種の材料を適宜選択することができる。また、その形状についても顆粒には限定されず、板状、粉末状等各種形状のものが適宜選択されてよい。
【００４４】
また、上述した実施形態においては、センサ部６が水晶センサで構成される例を説明したが、水晶センサに代えて光学式の膜厚センサが用いられてもよい。さらに、水晶センサで成膜速度をモニタし、光学式センサで成膜厚をモニタするといったように、これらのセンサが適宜組み合わされてセンサ部が構成されてもよい。
【００４５】
また、上述した実施形態においては、制御部本体１６の外に切換部１７と判定部１８がそれぞれ別個に配置されているが、切換部１７、判定部１８は制御部本体１６に組み込まれ、一体となっていてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１  成膜装置
３  対象物支持部
４  材料設置部
５  シャッタ
６  センサ部
６Ａ  第１センサ（対象物側センサ）
６Ｂ  第２センサ（シャッタ側センサ）
７  制御部
１８  判定部
Ｓ１０  予備工程
Ｓ２０  成膜工程
Ｓ３０  判定工程
Ｓ４０  切替工程
Ｓ５０  成膜厚制御工程
【図１】
2010229495.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010229495.tif 000005
【図４】
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【図５】
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