(57)【要約】【課題】太陽電池特性の向上を可能とする裏面接合型の太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の一主面上における第１の領域上に形成され、第１導電型を有する第１の半導体層と、
前記半導体基板の前記一主面上における第２の領域上に形成され、第２導電型を有する第２の半導体層と
を備え、
前記第２の半導体層は、前記第２の領域上から前記第１の半導体層上に跨って形成され、
前記第１の領域上において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に挿入された再結合層を有する
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記第１の領域上において、前記第１の半導体層上に形成された第１の電極と、
前記第２の領域上において、前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と
を備え、
前記第１の電極は、前記再結合層を介して、前記第１の半導体層に接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記再結合層は、前記第２の半導体層と同じ半導体からなり、
前記再結合層中に含有されるドーパント量は、前記第２の半導体層中に含有されるドーパント量よりも多い
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記再結合層は、前記第１の半導体層と同じ半導体からなり、
前記再結合層中に含有されるドーパント量は、前記第１の半導体層中に含有されるドーパント量よりも多い
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の太陽電池。
【請求項５】
前記再結合層は、微結晶シリコンからなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記再結合層は、金属からなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第２導電型は、ｐ型である
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の太陽電池。
【請求項８】
前記再結合層と前記第２の半導体層との間に挿入され、前記第２導電型を有する第３の半導体層を含む
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面接合型の太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換できるため、新しいエネルギー源として期待されている。
【０００３】
従来、ｎ型半導体基板の裏面上に複数のｐ側電極と複数のｎ側電極とを備える、いわゆる裏面接合型の太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
具体的には、特許文献１に記載の太陽電池は、ｎ型半導体基板の裏面を覆うｉ型半導体層と、ｉ型半導体層上で所定の方向に沿って形成された複数のｐ型半導体層と、ｉ型半導体層及び複数のｐ型半導体層を覆うｎ型半導体層とを備える。各ｐ側電極は、ｎ型半導体層を介して、各ｐ型半導体層上に形成される。各ｎ側電極は、２つのｐ側電極間に形成される。
【０００５】
このような構成によれば、ｎ型半導体層を形成する工程において、ｐ型半導体層をマスクで覆う必要がないため、太陽電池の製造工程の簡略化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１０１１５１号公報（[００３９]段落、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、ｐ型半導体層上に形成されるｎ型半導体層とｐ型半導体層とによって、ｎ型半導体基板とｐ型半導体層とによって形成される電界とは逆向きの電界が形成されてしまう。そのため、太陽電池特性を向上させることが困難であった。
【０００８】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、太陽電池特性の向上を可能とする裏面接合型の太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴に係る太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の一主面上における第１の領域上に形成され、第１導電型を有する第１の半導体層と、半導体基板の一主面上における第２の領域上に形成され、第２導電型を有する第２の半導体層とを備え、第２の半導体層は、第２の領域上から第１の半導体層上に跨って形成され、第１の領域上において、第１の半導体層と第２の半導体層との間に挿入された再結合層を有することを要旨とする。
【００１０】
本発明の特徴に係る太陽電池によれば、基板と第１の半導体層とによって形成される接合の裏面側に、第１の半導体層と第２の逆接合が形成されることが抑制される。従って、キャリア収集ロスを低減することができるので、太陽電池の特性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の特徴に係る太陽電池において、第１の領域上において、第１の半導体層上に形成された第１の電極と、  第２の領域上において、第２の半導体層上に形成された第２の電極とを備え、第１の電極は、再結合層を介して、第１の半導体層に接続していてもよい。
【００１２】
本発明の特徴に係る太陽電池において、再結合層は、第２の半導体層と同じ半導体からなり、再結合層中に含有されるドーパント量は、第２の半導体層中に含有されるドーパント量よりも多くてもよい。
【００１３】
本発明の特徴に係る太陽電池において、再結合層は、第１の半導体層と同じ半導体からなり、再結合層中に含有されるドーパント量は、第１の半導体層中に含有されるドーパント量よりも多くてもよい。
【００１４】
本発明の特徴に係る太陽電池において、再結合層は、微結晶シリコンからなっていてもよい。
【００１５】
本発明の特徴に係る太陽電池において、再結合層は、金属からなっていてもよい。
【００１６】
本発明の特徴に係る太陽電池において、第２導電型は、ｐ型であってもよい。
【００１７】
本発明の特徴に係る太陽電池において、再結合層と第２の半導体層との間に挿入され、第２導電型を有する第３の半導体層を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、太陽電池特性の向上を可能とする裏面接合型の太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１００の裏面側の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１００の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２１】
［第１実施形態］
（太陽電池の構成）
本発明の第１実施形態に係る太陽電池の構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る太陽電池１００の裏面側の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、太陽電池１００は、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ、ｐ側電極２０ｐ、ｎ側電極２０ｎ及び再結合層Ｒを備える。
【００２３】
ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、薄板状の単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、太陽光を受ける受光面と、受光面の反対側に設けられた裏面とを有する。ｎ型結晶シリコン基板１０ｎは、受光面における受光によって光生成キャリアを生成する。光生成キャリアとは、光がｎ型結晶シリコン基板１０ｎに吸収されて生成される正孔と電子とをいう。なお、図示しないが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの受光面には光の入射を遮る構造体（例えば、電極など）が形成されておらず、受光面全面での受光が可能であることに留意すべきである。
【００２４】
ｉ型非晶質半導体層１１ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上において、第１方向に沿って形成される。ｉ型非晶質半導体層１１ｉは、不純物を積極的に導入することなく形成されている。ｉ型非晶質半導体層１１ｉの厚みは、実質的に発電に寄与しない程度、例えば数Å〜２５０Å程度である。
【００２５】
ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ上において、第１方向に沿って形成される。ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、ｐ型の導電型を有する。ｐ型非晶質半導体層１１ｐの厚みは、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２６】
なお、ｉ型非晶質半導体層１１ｉは形成されていなくてもよいが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ上にｉ型非晶質半導体層１１ｉとｐ型非晶質半導体層１１ｐとが順次形成された構造（いわゆる、「ＨＩＴ構造」）によれば、ｐｎ接合特性を向上することができる。
【００２７】
ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上からｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に跨って形成される。第１実施形態では、ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のほぼ全面を覆うように形成される。ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、不純物を積極的に導入することなく形成されている。ｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度である。
【００２８】
ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ上に形成される。第１実施形態では、ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉを覆うように形成される。ｎ型非晶質半導体層１２ｎの厚みは、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２９】
なお、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ上にｎ型非晶質半導体層１２ｎが形成された構造（いわゆる、「ＢＳＦ構造」）によれば、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面と非晶質半導体層との界面における少数キャリアの再結合を抑制することができる。
【００３０】
なお、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面とｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に薄いｉ型非晶質半導体層１２ｉを介挿した構造によれば、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面とｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間の特性を向上させることができる。
【００３１】
ここで、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎそれぞれは、シリコンを含む非晶質半導体によって構成することができる。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、或いは非晶質シリコンゲルマニウムなどが挙げられるが、これに限らず他の非晶質半導体を用いてもよい。また、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎそれぞれは、１種の非晶質半導体によって構成されていてもよいし、また、２種以上の非晶質半導体が組み合わされていてもよい。
【００３２】
ｐ側電極２０ｐは、キャリアを収集する収集電極である。ｐ側電極２０ｐは、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを介して、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に形成される。従って、ｐ側電極２０ｐは、第１方向に沿ってライン状に形成される。
【００３３】
ｐ側電極２０ｐとしては、Ａｇ，Ａｌなどの金属や、導電性ペーストなどを用いることができる。
【００３４】
ｎ側電極２０ｎは、キャリアを収集する収集電極である。ｎ側電極２０ｎは、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ上に形成される。従って、ｎ側電極２０ｎは、一のｐ側電極２０ｐと他のｐ側電極２０ｐとの間において、第１方向に沿ってライン状に形成される。
【００３５】
なお、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎは、単層構造でも良いし、複数層の積層構造でも良い。また、積層構造の場合、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ側に透明導電層を設けてもよい。透明導電層としては、例えば、酸化インジウムや酸化錫或いは酸化亜鉛などの透明導電性酸化物を用いることができる。
【００３６】
また、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎそれぞれは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ又はｎ型非晶質半導体層１２ｎの略全面を覆うように形成されていてもよい。これによって、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ又はｎ型非晶質半導体層１２ｎのシート抵抗がそれほど小さくない場合でも、ｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎによって十分キャリアを収集することができる。
【００３７】
再結合層Ｒは、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐによって形成されるｎ（ｉ）ｐ接合の裏面側に、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎによってｐ（ｉ）ｎ接合が形成されることを抑制するために設けられている。従って、本実施形態では、再結合層Ｒを介挿することによって、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られている。
【００３８】
以上のような特性を有する再結合層Ｒは、（１）エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位が存在する半導体材料や、（２）ｐ型非晶質半導体層１１ｐとオーム性接触する金属材料によって形成される。
【００３９】
（１）エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位が存在する半導体材料
このような半導体材料を用いた場合、エネルギーバンド中に存在する多くのギャップ内準位を介したキャリアの再結合を利用することによって、ｐ型非晶質半導体層１１ｐを介してｎ型結晶シリコン基板１０ｎで生成されたキャリアを取り出すことができる。従って、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面に再結合層Ｒを形成しても、両層の接触は、低抵抗、すなわちオーム性接触に近似する。
【００４０】
また、上述の通り、再結合層Ｒの表面に形成されるｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは極めて薄いので、キャリアに対する障壁としての作用は極めて小さい。
【００４１】
以上のように、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られることによって、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。
【００４２】
ここで、再結合層Ｒを構成する半導体材料としては、（i）ｐ型非晶質半導体層１１ｐよりも多量のｐ型不純物を含有するｐ型半導体材料、（ii）多くの格子欠陥を含む半導体材料、或いは（iii）ｎ型非晶質半導体層１２ｎよりも多量のｎ型不純物を含有するｎ型半導体材料を用いることができる。なお、多くの格子欠陥を含む半導体材料とは、例えば、非晶質シリコンにカーボンやゲルマニウムなどの異種元素を混入して格子欠陥を増大させた半導体材料（非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンゲルマニウム）や、ｐ型又はｎ型の微結晶シリコンなどである。
【００４３】
なお、再結合層Ｒの導電型がｎ型である場合には、再結合層Ｒを非晶質半導体層１２ｎと同じ原料ガスを用いて形成することができるので、製造コストの増加を抑制することができる。
【００４４】
（２）ｐ型非晶質半導体層１１ｐとオーム性接触する金属材料
このような金属材料を用いた場合、ｐ型非晶質半導体層１１ｐの表面に再結合層Ｒを形成しても、両層の接触は、低抵抗、すなわちオーム性接触に近似する。従って、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られることによって、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。
【００４５】
なお、このような金属材料としては、チタン（Ｔｉ）やタングステン（W）などを用いることができる。
【００４６】
また、抵抗成分の増大を抑制するためには、再結合層Ｒの厚みは、０．１〜２０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００４７】
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池１００の製造方法について、太陽電池１００の断図面を参照しながら説明する。
【００４８】
まず、図３に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面全面に、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐを順次形成した後、再結合層Ｒを形成する。再結合層Ｒを半導体材料によって形成する場合には、ＣＶＤ法などを用い、再結合層Ｒを金属材料によって形成する場合には、スパッタ法や蒸着法を用いることができる。
【００４９】
次に、図４に示すように、再結合層Ｒ上に、所定のパターンでレジスト膜３０を塗布する。所定のパターンは、ｐ側電極２０ｐが形成される領域に対応しており、例えば、図１の一点鎖線を基準に設定される。
【００５０】
次に、図５に示すように、エッチング処理を施すことによって、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及び再結合層Ｒをパターニングする。この際、再結合層Ｒの材料として非晶質半導体層のエッチング材料によってエッチングされる材料を用いた場合には、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐと同時に再結合層Ｒをエッチング加工することができるので、生産性の向上という観点から好ましい。続いて、レジスト膜３０を除去した後、エッチング処理及び水素プラズマ処理を施すことによって、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出する領域をクリーニングする。なお、これによって、再結合層Ｒの表面にもエッチング処理及び水素プラズマ処理が施されてもよい。
【００５１】
次に、図６に示すように、ＣＶＤ法を用いて、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上から再結合層Ｒ上に跨って、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを順次形成する。
【００５２】
次に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、メッキ法或いは印刷法などを用いて、ｎ型非晶質半導体層１２ｎ上に所定のパターンでｐ側電極２０ｐ及びｎ側電極２０ｎを形成する。
【００５３】
（作用及び効果）
第１実施形態に係る太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを有する。ｐ型非晶質半導体層１１ｐと再結合層Ｒとは、低抵抗で接触する。
【００５４】
そのため、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐによって形成される電界とは逆向きの電界が、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎとによって形成されることを抑制できる。従って、ｐ側電極２０ｐとｐ型非晶質半導体層１１ｐとの間での低抵抗化が図られるので、ｐ側電極２０ｐからキャリアを良好に取り出すことが可能となる。その結果、キャリア収集ロスを低減することができるので、太陽電池１００の特性を向上させることができる。
【００５５】
第１実施形態に係る再結合層Ｒは、エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位が存在する半導体材料によって形成することができる。この場合、エネルギーバンド中に多くのギャップ内準位を介したキャリアの再結合を利用することによって、ｐ型非晶質半導体層１１ｐを介してｎ型結晶シリコン基板１０ｎで生成されたキャリアを取り出すことができる。このような半導体材料としては、ｐ型非晶質半導体層１１ｐよりも多量のｐ型不純物を含有するｐ型半導体材料やｎ型非晶質半導体層１２ｎよりも多量のｎ型不純物を含有するｎ型半導体材料、或いは微結晶シリコンなどを用いることができる。特に、再結合層Ｒの導電型が非晶質半導体層１２ｎと同じである場合には、再結合層Ｒを非晶質半導体層１２ｎと同じ原料ガスを用いて形成することができるので、製造コストの増加を抑制することができる。
【００５６】
第１実施形態に係る再結合層Ｒは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとオーム性接触する金属材料によって形成することができる。このような金属材料としては、チタン（Ｔｉ）やタングステン（W）などを用いることができる。
【００５７】
また、第１実施形態に係る太陽電池１００の製造方法では、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及び再結合層Ｒをパターニングした後、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上から再結合層Ｒ上に跨って、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを順次形成する。
【００５８】
このように、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ上に再結合層Ｒが形成されるので、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎをマスクなどによってパターニングする必要がない。そのため、太陽電池１００の生産性を向上させることができる。
【００５９】
［第２実施形態］
以下において、第２実施形態に係る太陽電池１００について、図面を参照しながら説明する。以下においては、上記第１実施形態との相違点について主に説明する。
【００６０】
（太陽電池の構成）
図７は、第２実施形態に係る太陽電池１００の拡大断面図である。図７に示すように、太陽電池１００は、半導体層Ｓを有する。
【００６１】
半導体層Ｓは、再結合層Ｒとｉ型非晶質半導体層１２ｉとの間に介挿される。半導体層Ｓは、ｎ型非晶質半導体層１２ｎと同じ導電型を有する。従って、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎ、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐによって形成されるｎ（ｉ）ｐ接合の裏面側には、半導体層Ｓ、ｉ型非晶質半導体層１２ｉ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎによってｎ（ｉ）ｎ接合が形成される。
【００６２】
このように、ｎ（ｉ）ｐ接合の裏面側にｎ（ｉ）ｎ接合が形成されたとしても、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは極めて薄いので、キャリアに対する障壁としての作用は極めて小さい。従って、キャリアは、ｎ型非晶質半導体層１２ｎを介して、ｐ側電極２０ｐから取り出される。
【００６３】
なお、再結合層Ｒの導電型が非晶質半導体層１２ｎと同じである場合には、再結合層Ｒ、半導体層Ｓ及び非晶質半導体層１２ｎを同じ原料ガスを用いて形成することができるので、製造コストの増加を抑制することができる。
【００６４】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６５】
例えば、上記実施形態では、太陽電池１００の基板として、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎを用いることとしたが、これに限られるものではない。例えば、太陽電池１００の基板は、ｐ型の導電型を有していてもよい。また、太陽電池１００の基板は、多結晶Ｓｉ、微結晶Ｓｉなどの結晶系半導体材料や、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの化合物半導体材料を含む一般的な半導体材料によって構成されていてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では特に触れていないが、ｐ型基板を用いる場合には、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとが上記実施形態とは逆に形成される。すなわち、ｐ型非晶質半導体層１１ｐがｉ型非晶質半導体層１２ｉを覆うように形成される。この場合、一般的に、ｐ型非晶質半導体は、ｎ型非晶質半導体よりも電気抵抗が大きいので、ｐ側電極２０ｐとｎ側電極２０ｎとの間でリークが発生することをより抑制することができる。
【００６７】
また、上記実施形態では、ｉ型非晶質半導体層１１ｉとｉ型非晶質半導体層１２ｉとは、不純物を積極的に導入することなく形成されることとしたが、微量のドーパントを含んでいてもよい。
【００６８】
また、上記実施形態では特に触れていないが、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面上には、ｉ型非晶質半導体層１３ｉが形成されていなくてもよい。この場合、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面側における抵抗をさらに低減することができる。
【００６９】
また、上記実施形態では、ｐ型非晶質半導体層１１ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎは、非晶質半導体によって構成されることとしたが、非晶質半導体カーバイドや微結晶シリコンによって構成されていてもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、再結合層Ｒは、１層構造を有することとしたが、これに限られるものではない。再結合層Ｒは、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとのオーミック接触性を保持可能な他の層をさらに有していてもよい。
【００７１】
また、上記実施形態では、ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、１層構造を有することとしたが、これに限られるものではない。ｐ型非晶質半導体層１１ｐは、再結合層Ｒとのオーミック接触性を保持可能な他の層をさらに有していてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１０…太陽電池
１０ｎ…ｎ型結晶シリコン基板
１１ｉ…ｉ型非晶質半導体層
１１ｐ…ｐ型非晶質半導体層
１１１ｐ…基板側領域
１１２ｐ…再結合層側領域
１２ｉ…ｉ型非晶質半導体層
１２ｎ…ｎ型非晶質半導体層
２０ｎ…ｎ側電極
２０ｐ…ｐ側電極
３０…レジスト膜
Ｒ…再結合層
Ｓ…半導体層
１００…太陽電池
【図１】
2010199415.tif 000003
【図２】
2010199415.tif 000004
【図３】
2010199415.tif 000005
【図４】
2010199415.tif 000006
【図５】
2010199415.tif 000007
【図６】
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【図７】
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