(57)【要約】【課題】横電界表示型の液晶パネルでは配向規制力が弱いため、リバースツイスト現象が出現し易い。【解決手段】互いに一定の距離を挟んで対向配置される第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止される液晶層と、配向膜と、前記第１の基板側に形成される対向電極パターンと、前記第１の基板側に複数本の電極枝によって形成される画素電極パターンであって、前記複数本の電極枝のうちコンタクトから延びる複数本の電極枝を横断的に連結する部分連結枝を前記コンタクトの近傍に形成した画素電極パターンとを有する液晶パネルを提案する。【選択図】図８
2010145869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに一定の距離を挟んで対向配置される第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封止される液晶層と、
配向膜と、
前記第１の基板側に形成される対向電極パターンと、
前記第１の基板側に複数本の電極枝によって形成される画素電極パターンであって、前記複数本の電極枝のうちコンタクトから延びる複数本の電極枝を横断的に連結する部分連結枝を前記コンタクトの近傍に形成した画素電極パターンと
を有する液晶パネル。
【請求項２】
前記画素電極パターンと前記対向電極パターンは、同じ階層面に形成される
請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記画素電極パターンと前記対向電極パターンは、異なる階層面に形成される
請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記画素電極パターンを構成する前記複数本の電極枝によって形成されるスリットの延設方向と液晶の配向方向との交差角が７°以上に形成される
請求項２又は３に記載の液晶パネル。
【請求項５】
互いに一定の距離を挟んで対向配置される第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止される液晶層と、配向膜と、前記第１の基板側に形成される対向電極パターンと、前記第１の基板側に複数本の電極枝によって形成される画素電極パターンであって、前記複数本の電極枝のうちコンタクトから延びる複数本の電極枝を横断的に連結する部分連結枝を前記コンタクトの近傍に有する画素電極パターンとを形成した液晶パネルと、
前記液晶パネルを駆動する駆動回路と、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、画素電極と対面電極との間に発生される横方向電界により液晶分子の配列を基板面と平行に回転制御する駆動方式の液晶パネルに関する。なお、この明細書で提案する発明は、当該液晶パネルを搭載した電子機器としての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶パネルのパネル構造には、パネル面に対して垂直方向に電界を発生する縦電界表示型に加え、様々な駆動方式に対応したパネル構造が提案されている。例えばパネル面に対して水平方向に電界を発生する横電界表示型のパネル構造が提案されている。
【０００３】
この横電界表示型の液晶パネルは、液晶分子の回転方向が基板面と平行である。すなわち、横電界表示型の液晶パネルでは、液晶分子の基板面に対する垂直方向への回転が少ない。このため、光学特性（コントラスト、輝度、色調）の変化が比較的少ないという特性が知られている。すなわち、横電界表示型の液晶パネルは、縦電界表示型の液晶パネルよりも視野角が大きい特徴がある。
【０００４】
図１に、横電界表示型の液晶パネルを構成する画素領域の断面構造例を示し、図２に対応する平面構造例を示す。
液晶パネル１は、２枚のガラス基板３及び５と、これらによって挟み込まれるように封入された液晶層７とで構成される。各基板のうち外側表面には偏光板９が配置され、内側表面には配向膜１１が配置される。なお、配向膜１１は、液晶層７の液晶分子群を一定方向に配列させるために使用される膜である。一般に、ポリイミド膜が使用される。
【０００５】
また、ガラス基板５には、透明導電膜で形成された画素電極１３と対向電極１５が形成される。このうち、画素電極１３は、櫛歯状に加工された５本の電極枝１３Ａの両端をそれぞれ連結部１３Ｂで連結した構造を有している。また、画素電極１３の図中上端には、電極枝１３Ａの一部と連結部１３Ｂと一体的に接続される矩形形状のコンタクト部１３Ｃが形成されている。
【０００６】
一方、対向電極１５は、電極枝１３Ａよりも下層側（ガラス基板５側）に画素領域の全体を覆うように形成されている。この電極構造により、電極枝１３Ａと対向電極１５の間に放物線状の電界が発生する。図１では、この電界を破線の矢印にて示している。
【０００７】
なお、画素領域は、図２に示す信号線２１と走査線２３とで囲まれた領域が対応する。因みに、各画素領域には、画素電極１３に対する信号電位の印加を制御する薄膜トランジスタが配置される。この薄膜トランジスタのゲート電極は走査線２３と接続されており、走査線２３の電位によってオン・オフ動作が切替制御されるようになっている。
【０００８】
また、薄膜トランジスタの一方の主電極は信号線２１と不図示の配線パターンを通じて接続され、他方の主電極はコンタクト２５と接続されている。従って、薄膜トランジスタがオン動作した場合には、信号線２１と画素電極１３とが電気的に接続される。
また、図２に示すように、この明細書においては、電極枝１３Ａ間の隙間をスリット３１と呼ぶ。図２の場合、スリット３１の延設方向は、信号線２１の延設方向と同じである。すなわち、スリット３１は、図中のＹ軸方向に沿って形成される。
参考までに、図３（Ａ）及び（Ｂ）に、コンタクト２５付近の断面構造を示す。
【特許文献１】特開平１０−１２３４８２号公報
【特許文献２】特開平１１−２０２３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
横電界表示型の液晶パネルでは、図４に示すように、スリット３１の両端部分（電極枝１３Ａが連結部１３Ｂやコンタクト１３Ｃで連結される部分の近く）で、電圧印加時の液晶分子の配向が乱れ易いことが知られている。コンタクト部は矩形状の電極となるため横電界が発生せず、配向制御が弱いためである。さらにコンタクト周りは通常凹凸が大きく配向が乱れる核となり易いという理由もある。この現象は、ディスクリネーションと呼ばれる。
図４では、前述したディスクリネーションの発生し易い領域４１を網掛けにて示している。図４の場合、計８個の領域４１で液晶分子の配向の乱れが発生する。
【００１０】
ところで、このディスクリネーションに外部圧力（指押し等）が加わると、液晶分子の配列の乱れは、図中矢印で示すように、電極枝１３Ａの延設方向に沿って広がる特性がある。なお、この液晶分子の配列の乱れは、液晶分子の配列を電界方向とは逆方向に回転させる方向に作用する。この現象を、リバースツイスト現象と呼ぶことにする。
図５に、リバースツイスト現象の発生例を示す。図５では、この液晶分子の配列の乱れた領域４３を、電極枝１３Ａの延設方向に沿って延びる網掛け表示として表している。
【００１１】
なお、現在用いられている液晶パネルでは、リバースツイスト現象が発生すると、自然放置によって元に戻せない問題がある。画素の上部と下部のそれぞれから広がるディスクリネーションが画素中央部で結合することにより安定化状態を形成し、領域４３に位置する液晶分子の配向方向を元に戻せないためである。結果的に、リバースツイスト現象の発生した領域４３が、画残り（すなわち、表示ムラ）としていつまでも視認される問題があった。以下、この画残りを、リバースツイストラインという。
【００１２】
因みに、コンタクト部１３Ｃから直接延びる２本の電極枝１３Ａには、リバースツイストラインが残り易い。図５では、画素領域の中央側に位置する２本のリバースツイストラインを両側のリバースツイストラインよりも強調して表している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで、発明者らは、互いに一定の距離を挟んで対向配置される第１及び第２の基板と、第１及び第２の基板間に封止される液晶層と、配向膜と、第１の基板側に形成される対向電極パターンと、第１の基板側に複数本の電極枝によって形成される画素電極パターンであって、複数本の電極枝のうちコンタクトから延びる複数本の電極枝を横断的に連結する部分連結枝をコンタクトの近傍に形成した画素電極パターンとを有する液晶パネルを提案する。
【００１４】
なお、画素電極パターンと対向電極パターンは、同じ階層面に形成しても良いし、異なる階層面に形成しても良い。すなわち、横電界表示型の液晶パネルであり、画素電極にスリットを有するものであれば、画素領域の断面構造は問わない。
さらに、画素電極パターンを構成する複数本の電極枝によって形成されるスリットの延設方向と液晶の配向方向との交差角が７°以上に形成されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
前述したように、発明者らは、配向安定性が弱いコンタクトの近傍領域に、複数本の電極枝を横断的に連結する部分連結枝を形成する。これにより、液晶が外圧によって押し下げられた場合にも、コンタクトの近傍領域に発生するディスクリネーションが電極枝に沿って画素中央へ成長するのを、コンタクトの近傍領域と部分連結枝との間に閉じ込めることができる。結果的に、外圧を原因とする表示ムラ（リバースツイストライン）の発生を最小限にとどめることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、発明の最良の形態例を、以下に示す順番で説明する。
（Ａ）液晶パネルモジュールの外観例及びパネル構造
（Ｂ）画素構造例１：シングルドメイン構造を有する場合
（Ｃ）画素構造例２：疑似デュアルドメイン構造を有する場合
（Ｄ）画素構造例３：デュアルドメイン構造を有する場合
（Ｅ）画素構造例４：デュアルドメイン構造を有する場合
（Ｆ）画素構造例５：他の断面構造
（Ｇ）画素構造例６：他の断面構造
（Ｈ）画素構造例７：他の画素構造例
（Ｉ）他の形態例
【００１７】
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１８】
（Ａ）液晶パネルモジュールの外観例及びパネル構造
図６に、液晶パネルモジュール５１の外観例を示す。液晶パネルモジュール５１は、支持基板５３に対向基板５５を貼り合わせた構造を有している。支持基板５３は、ガラス、プラスチックその他の基材で構成される。対向基板５５も、ガラス、プラスチックその他の透明部材を基材とする。対向基板５５は、封止材料を挟んで支持基板５３の表面を封止する部材である。
【００１９】
なお、基板の透明性は光の射出側だけ確保されていれば良く、他方の基板側は不透性の基板でも良い。
この他、液晶パネル５１には、外部信号や駆動電源を入力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５７が必要に応じて配置される。
【００２０】
図７に、液晶パネルモジュール５１のシステム構成例を示す。液晶パネルモジュール５１は、下部ガラス基板６１（図１のガラス基板５に対応する。）上に、画素アレイ部６３と、信号線ドライバ６５と、ゲート線ドライバ６７と、タイミングコントローラ６９を配置した構成を有している。この形態例の場合、画素アレイ部６３の駆動回路は、１個又は複数個の半導体集積回路として形成され、ガラス基板上に実装される。
【００２１】
因みに、画素アレイ部６３は、表示上の１画素を構成するホワイトユニットがＭ行×Ｎ列に配置されたマトリクス構造を有している。なお、この明細書において、行とは、図中Ｘ方向に配列される３×Ｎ個のサブ画素７１で構成される画素列をいう。また、列とは、図中Ｙ方向に配列されるＭ個のサブ画素７１で構成される画素列をいう。勿論、ＭとＮの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。
【００２２】
また、信号線ドライバ６５は、画素階調に対応する信号電位Ｖsig を信号線ＤＬに印加するのに用いられる。この形態例の場合、信号線ＤＬは、図中Ｙ方向に延びるように配線されている。
ゲート線ドライバ６７は、信号電位Ｖsig の書き込みタイミングを与える制御パルスをスキャン線ＷＬに印加するのに用いられる。この形態例の場合、スキャン線ＷＬは、図中Ｘ方向に延びるように配線される。
【００２３】
ここで、サブ画素７１には、不図示の薄膜トランジスタが形成されており、そのゲート電極はスキャン線ＷＬに接続され、主電極の一方は信号線ＤＬに接続され、主電極の他方は画素電極１３に接続される。
タイミングコントローラ６９は、信号線ドライバ６５及びゲート線ドライバ６７に駆動パルスを供給する回路デバイスである。
【００２４】
（Ｂ）画素構造例１
図８に画素構造例を示す。この画素構造は、ＦＦＳ（Fringe Field
Switching）型の液晶パネルで使用されるものである。
従って、画素領域の断面構造は、図１に示す構造となる。すなわち、対向電極１５は、画素電極１３よりも下層側に画素領域の全域を覆うように配置される。
【００２５】
図８に示す画素構造の基本構造は、図２に示す画素構造と同じである。すなわち、画素電極１３は、櫛歯状に加工された５本の電極枝１３Ａの両端を連結部１３Ｂで連結した構造を有している。
また、画素電極１３は、画素領域の図中上端側に、コンタクト部１３Ｃを有している。このコンタクト部１３Ｃは、その中央付近に形成されたコンタクト２５を通じ、不図示の薄膜トランジスタに接続されている。
【００２６】
また、コンタクト部１３Ｃは、一端側において連結部１３Ｂと接続されると共に、他端側において３本の電極枝１３Ａに接続されている。
なお、ここでの３本の電極枝１３Ａは、５本の電極枝１３Ａのうち両端に位置する２本の電極枝１３Ａ以外の電極枝１３Ａである。
【００２７】
ところで、このコンタクト部１３Ｃは、パターン面積が大きい。このため、コンタクト部１３Ｃに直接接続される３本の電極枝１３Ａによって形成される２本のスリット３１との境界部分の配向安定性が弱くなり易い。配向安定性が弱いということは、液晶が押し下げられた場合に発生されるリバースツイストも成長し易いことを意味する。
【００２８】
そこで、図８に示す画素構造例の場合には、コンタクト部１３Ｃの近傍位置に、コンタクト部１３Ｃから直接延びる３本の電極枝１３Ａ間を横断的に接続する部分連結枝８１を形成する。この部分連結部８１により、画素領域の中央側に位置する３本の電極枝１３Ａによって形成される２本のスリット３１を２つの領域に物理的に分割することができる。
【００２９】
これら２本のスリット３１は、液晶が押し下げられた場合に、リバースツイストの成長が顕著に出現し易いスリットである。
ただし、部分連結枝８１が存在することで、液晶が押し下げられた場合でも、リバースツイストの成長はコンタクト部１３Ｃ側のスリット３１内に留めることができ、画素領域の中央付近までは及ばないようにできる。図９に、液晶が外圧により押し下げられた場合の状態を示す。
【００３０】
図９と図５を比較すれば分かるように、部分連結枝８１を形成した画素領域では、画素領域内に残存するリバースツイストラインが大幅に少なくなる。特に、画素領域の中央付近に発生するリバースツイストラインを無くす又は大幅に少なくすることができる。
結果的に、この画素構造の採用により、液晶パネル全体としての表示品質を大きく改善することができる。
【００３１】
なお、コンタクト部１３Ｃと部分連結枝８１の間に形成される隙間はできるだけ狭いことが望ましい。例えば製造限界近くまで隙間が狭いことが望ましい。隙間が狭いほど、配向規制力の作用する画素領域の面積を増やすことができるためである。
同じく、部分連結枝８１は領域を２つに分割できれば良いので、そのパターン幅は製造限界まで細くすることが望ましい。
【００３２】
（Ｃ）画素構造例２
図１０に、２つ目の画素構造例を示す。この画素構造例も、ＦＦＳ（Fringe
Field Switching）型の液晶パネルで使用されるものを想定する。
【００３３】
この画素電極１３の基本的なパターン構造は、前述した画素構造例（図８）と同じである。すなわち、画素電極１３は、５本の電極枝１３Ａ、連結部１３Ｂ、コンタクト部１３Ｃ、部分連結枝８１で構成される。
ところで、前述した画素構造例（図８）の場合には、信号線２１及び電極枝１３Ａがいずれも、Ｙ軸方向と平行に形成する場合を例示した。
【００３４】
これに対し、図１０に示す画素構造例の場合には、画素領域内の配線がＹ軸方向に対して傾斜して形成される点で、前述した画素構造例と異なっている。
なお、この傾斜方向は、Ｙ軸方向に対して上下に位置する２つの画素領域間で逆転するように形成される。すなわち、Ｙ軸方向に対して時計周りに傾斜するパターンと反時計回りに傾斜するパターンとが、Ｙ軸方向に沿って交互に配置される。換言すると、この形態例における画素領域は、Ｘ軸方向に延びる走査線２３に対して上下鏡面構造になる。
【００３５】
なお、図１０には、画素領域のパターンが、Ｙ軸方向に対して時計周りに傾斜された場合を主に示している。因みに、配向膜１１の配向方向は、Ｙ軸方向と平行である。従って、この画素領域では、電界の印加時に、液晶分子が反時計回りに回転する。
【００３６】
勿論、図１０に主に示した画素領域の上下には、画素領域のパターンが、Ｙ軸方向に対して反時計周りに傾斜される画素領域が形成されることになる。勿論、この画素領域では、電界の印加時に、液晶分子が時計回りに回転する。
【００３７】
このように、液晶分子の回転方向が上下２つの画素領域で逆方向になることにより、視野角の広い液晶パネルを実現することができる。
なお、以上に示したこの画素構造は、疑似的なデュアルドメイン構造を構成する。
【００３８】
以下では、液晶層７の配向方向と電極枝１３Ａによって形成されるスリット３１の延設方向との望ましい関係について説明する。なお、液晶層７の配向方向とは（なお、「液晶の配向方向」ともいう。）、液晶がもつ誘電率異方性の向きで定義され、誘電率が大きい方向をいうものとする。
図１０に示す画素構造では、配向膜１１の配向方向と電極枝１３Ａによって形成されるスリット３１の延設方向と液晶層７の交差角αが７°以上になる場合を好適な構造として表している。
【００３９】
この値は、以下の実験により定めたものである。以下、発明者らが確認した特性を説明する。
まず、図１１に、スリット３１の延設方向と液晶層７の配向方向との間に認められた特性を示す。この図１１は、交差角αと表示ムラが消失するまでの時間との関係を表している。図１１の横軸は、スリット３１の延設方向と液晶層７の配向方向との交差角αであり、図１１の縦軸は、表示ムラが消失するまでの時間である。
【００４０】
図１１に示す実験結果より、交差角αが７°未満の場合には、リバースツイスト現象による表示ムラが自然に消失しないことが確認された。
一方、交差角αが７°以上の場合には、リバースツイスト現象による表示ムラを自然に消失できることが確認された。これが、図１０において、交差角αを７°以上と表記した理由である。
なお、交差角αが７°の場合、表示ムラの消失に要した時間は 3.5[秒]であった。また、実験の結果、交差角αが大きいほど、表示ムラが消失するまでの時間が短縮されることが確認された。
【００４１】
例えば交差角αが１０°の場合には、３[秒]で表示ムラが消失することが確認された。また例えば交差角αが１５°の場合には、 2.5[秒]で表示ムラが消失することが確認された。また例えば交差角αが２０°の場合には、 1.5[秒]で表示ムラが消失することが確認された。
このことから、交差角αが大きいほど、横電界表示型の液晶パネルにおける液晶分子の配向規制力を高めることできることが分かる。
【００４２】
図１２に、交差角αと表示ムラのレベルとの間に観察された結果を示す。図１２の横軸は、スリット３１の延設方向と液晶層７の配向方向との交差角αであり、図１２の縦軸は、表示ムラの視認レベルである。
図１２に示すように、交差角αが１０°以上であれば、表示画面をいずれの角度から見ても表示ムラが見えないことが確認された。また、交差角αが５°の場合には、表示画面を斜め方向から見た場合に、表示ムラが微かに見えることが確認された。なお、交差角αが５°以上１０°未満の範囲では、図１２に示すように視認性が少しずつ変化することが確認された。
【００４３】
ただし、交差角αが大きければ大きいほど良いのではない。
図１３に、確認された透過特性を示す。なお、図１３の横軸は、スリット３１の延設方向と液晶層７の配向方向との交差角αであり、図１３の縦軸は、相対透過率である。因みに、図１３では、交差角αが５°の場合を１００％として表している。
【００４４】
図１３の場合、交差角αが５°の場合における透過率が最大になり、交差角αが４５°の場合における透過率が最小になる。なお、交差角αが４５°の場合における相対的な透過率は約６４％になる。
図１３に示すように、交差角αと相対透過率との間にはおおよそ線形の関係が認められる。この透過率の観点からすると、交差角αは、小さいほど表示輝度の点で有利になることが分かる。
【００４５】
以上の特性より、発明者らは、スリット３１の延設方向と液晶層７の配向方向との交差角αは７°以上１５°以下であることが望ましいと考える。この条件を満たせば、相対的な透過率と表示ムラが消失されるまでの時間の両方を良好な状態に保つことができる。
これにより、指押し等によるリバースツイスト現象によって液晶分子の配列が乱れたとしても、数秒以内に自然に消去することができる液晶パネルを実現することができる。
【００４６】
（Ｄ）画素構造例３
図１４に、３つ目の画素構造例を示す。この画素構造も、ＦＦＳ（Fringe
Field Switching）型の液晶パネルで使用されるものである。
ただし、３つ目の画素構造では、１つの画素領域内にデュアルドメイン構造を採用する場合について説明する。すなわち、画素電極１３を画素領域（図中、破線で示す矩形領域）のＹ軸方向中央付近で屈折させる構造を採用する。
なお、図１４における屈曲点は１つであるが、２つ以上の屈曲点を設けてマルチドメイン構造にすることも可能である。
【００４７】
ここで、図１４に示す画素構造は、屈曲点よりＸ軸方向に延びる仮想線を境界として上下鏡面構造となるように構成する。もっとも、コンタクト部１３Ｃや部分連結枝８１は画素領域内に１つである。従って、これらについては上下鏡面構造の対象外である。また、上下鏡面構造には、画素電極１３だけでなく、信号線２１も含まれる。
【００４８】
また、この条件の場合にも、液晶層７の配向方向とスリット３１の延設方向との交差角αは７°以上に形成する。勿論、交差角αは、７°以上１５°未満が全体的な表示性能の観点からは望ましい。また、液晶層７の配向方向は、Ｙ軸方向と平行である場合を想定する。
【００４９】
このデュアルドメイン構造を有する画素構造の場合、画素領域の上半分と下半分で液晶分子の回転方向が逆向きになる。すなわち、画素領域の図中上半分では電界の印加によって液晶分子が反時計回りに回転するのに対し、画素領域の図中下半分では電界の印加によって液晶分子が時計回りに回転する。
【００５０】
このように、液晶分子の回転方向が逆方向になることにより、どの角度から表示画面を見ても１画素当たりの光量を均一化することができる。従って、１つ目の画素構造よりも視野角の広い液晶パネルを実現することができる。
勿論、前述したように、液晶層７の配向方向とスリット３１の延設方向との関係は最適化されている。従って、指押し等によるリバースツイストによって液晶分子の配列が乱れたとしても、数秒以内に自然に消去することができる。
【００５１】
（Ｅ）画素構造例４
図１５に、４つ目の画素構造例を示す。この画素構造は、図１４に示したデュアルドメイン構造の変形例に対応する。すなわち、１画素内でデュアルドメイン構造を採用する画素構造に対応し、基本的な画素構造は図１４に示した画素構造と同じである。
相違点は、電極枝１３Ａの屈曲点同士を横断的に接続する連結枝１３Ｄを追加的に採用する点である。
【００５２】
その理由は、以下の通りである。図１４に示す３つ目の画素構造の場合、ドメインの境界部分（屈曲点の部分）で液晶分子の回転方向が逆向きとなる。このため、この境界部分に配向規制力が弱まり、配向乱れが発生され易くなる。この配向乱れは、リバースツイストライン現象の消失に影響を及ぼす可能性がある。
【００５３】
一方、図１５に示す画素構造例の場合には、屈曲点において５本全ての電極枝１３Ａを連結する連結枝１３Ｃによって２つのドメインを物理的に分離することができる。
このため、各ドメインの境界部分での液晶分子の配列の乱れを無くすことができる。結果的に、図１５に示す画素構造は、リバースツイストラインの消失を、図１４に示す画素構造の場合よりも短縮することができる。
【００５４】
（Ｆ）画素構造例５
前述した４つの画素構造例では、いずれも図１で説明した断面構造を有するＦＦＳ型の液晶パネルについて説明した。すなわち、櫛歯状に加工された画素電極１３の下層に、画素領域の全体を覆うように対向電極１５を配置した画素構造を有する液晶パネルについて説明した。
【００５５】
しかし、図１６に示すように、対向電極１５を櫛歯形状に加工した液晶パネル９１を採用しても良い。なお、図１６には、図１との対応部分に同一符号を付して示している。
図１６の場合、対向電極１５の電極枝１５Ａは、画素電極１３の電極枝１３Ａの隙間（スリット３１）を埋めるように配置される。
すなわち、対向電極１５の電極枝１５Ａは、画素領域内で、画素電極１３の電極枝１３Ａと重ならないように配置される。勿論、画素電極１３と対向電極１５との間に形成される電界について違いはない。
【００５６】
（Ｇ）画素構造例６
前述した各画素構造例の場合には、いずれも画素電極１３と対向電極１５が層違いに形成される画素構造を前提に説明した。
しかしながら、発明者らの提案する技術は、画素電極１３と対向電極１５が同一層に形成される横電界表示型の液晶パネルにも適用できる。
【００５７】
図１７に、６つ目の画素構造例に対応する断面構造例を示し、図１８に６つ目の画素構造例に対応する平面構造例を示す。なお、この液晶パネルも基本的な構造は、他の画素構造に対応する液晶パネルの構造と同じである。
すなわち、液晶パネル１０１は、２枚のガラス基板３及び５と、これらによって挟み込まれるように封入された液晶層７とで構成される。各基板のうち外側表面には偏光板９が配置され、内側表面には配向膜１１が配置される。
【００５８】
また、図１７に示す液晶パネル１０１も、画素電極１３と対向電極１５はガラス基板５に形成される。
このうち、画素電極１３は、櫛歯状に加工された４本の電極枝１３Ａの一端を連結部１３Ｂで連結した構造を有している。
【００５９】
一方、画素領域内における対向電極１５は、図１６の場合と同じく櫛歯状に形成される。図１７の場合、画素領域内には３本の電極枝１５Ａが形成され、その一端が共通電極線３３に接続されている。ここで、対向電極１５の電極枝１５Ａは、画素電極１３の電極枝１３Ａの隙間に嵌め込まれるように、画素電極１３と同じ階層に形成される。なお、共通電極線３３は、図１８に示すように、信号線２１と走査線２３に沿うように格子状に形成される。
【００６０】
以上の通り、この画素構造例の場合には、画素電極１３の電極枝１３Ａと対向電極１５の電極枝１５Ａが同一階層において、Ｘ軸方向に交互に出現するように配置される。この電極構造により、画素電極１３の電極枝１３Ａと対向電極１５の電極枝１５Ａの間に放物線状の電界が発生する。図１７には、この電界を破線にて示す。
【００６１】
また、図１８に示すように、ここでの画素構造例の場合には、コンタクト部１３Ｃから直接延びる電極枝１３Ａが２本である。従って、この画素構造の場合には、これら２本の電極枝１３Ａを相互に連結するように、部分連結枝８１を形成する。
この画素構造により、指押し等による外圧によるリバースツイストラインが画素領域の中央付近に生じ難い液晶パネルを実現することができる。
【００６２】
（Ｈ）画素構造例７
前述した６つの画素構造例においては、いずれも画素電極１３の電極枝１３Ａによって形成されるスリット３１の延設方向がＹ軸方向と平行又はＹ軸方向に対して鋭角に交差する場合について説明した。
しかしながら、画素電極１３の電極枝１３Ａによって形成されるスリット３１の延設方向は、Ｘ軸方向と平行又はＸ軸方向に対して鋭角に交差しても良い。
【００６３】
図１９に、この種の画素構造の一例を示す。なお、図１９は、画素電極１３と対向電極１５がガラス基板５側の他層に配置される場合(図１)の画素構造例を表している。勿論、６つ目の画素構造例と同様の画素構造も考えられる。
図１９の説明に戻る。図１９の場合、画素電極１３の電極枝１３Ａは、走査線２３と平行に形成される。そして、電極枝１３Ａの両端は、連結部１３Ｂにより連結されている。このため、電極枝１３Ａ同士の間に形成されるスリット３１は、Ｘ方向に延設されている。
【００６４】
この画素構造例の場合も、コンタクト部１３Ｃと、このコンタクト部１３Ｃから直接延びる電極枝１３Ａとの境界部分で配向規制力が弱まり易い。
しかし、これらの電極枝１３Ａ間を横断するように部分連結枝８１を形成することにより、前述した他の画素構造例の場合と同様に、外部圧力の印加時における当該領域のリバースツイストラインの成長を効果的に抑制することができる。
【００６５】
（Ｉ）他の形態例
（Ｉ−１）基板材料
前述の形態例に係る説明では、基板をガラス基板としたが、プラスチック基板その他の基板を用いても良い。
【００６６】
（Ｉ−２）配向膜の配向方向１
前述した形態例のうち画素構造例１（図８）の場合には、液晶層７の配向方向とスリット３１の延設方向とが３°程度の鋭角で交差する場合を想定した。
勿論、交差角αが７°以上になる場合には、画素構造例２（図１０）と同様に、発生したリバースツイストラインを自然放置で消去できる効果を期待することができる。
【００６７】
（Ｉ−３）配向膜の配向方向１
前述した形態例のうち画素構造例２（図１０）、画素構造例３（図１４）及び画素構造例４（図１５）の場合には、液晶層７の配向方向とスリット３１の延設方向との間に形成される交差角αが７°以上の場合を望ましい例として説明した。
【００６８】
しかしながら、交差角αは、７°未満でも構わない。その場合には、表示ムラが残存することになるが、図９において説明したように、画素領域の中央付近におけるリバースツイストラインの成長を効果的に改善できるため、表示品質の改善効果が期待できる。
【００６９】
（Ｉ−４）製品例
前述の説明では、横電界を発生し得る様々な画素構造について説明した。ここでは、これら形態例に係る画素構造を有する液晶パネル（駆動回路を実装しない状態）や液晶パネルモジュール（駆動回路を実装した状態）を実装した電子機器について説明する。
【００７０】
図２０に、電子機器１１１の概念構成例を示す。電子機器１１１は、前述した画素構造を有する液晶パネル１１３、システム制御部１１５及び操作入力部１１７で構成される。システム制御部１１５で実行される処理内容は、電子機器１１１の商品形態により異なる。
【００７１】
また、操作入力部１１７の構成も商品形態により異なり、例えばＧＵＩ（グラフィックユーザーインターフェース）、スイッチ、ボタン、ポインティングデバイスその他の操作子で構成される。
【００７２】
なお、電子機器１１１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
図２１に、その他の電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。テレビジョン受像機１２１の筐体正面には、フロントパネル１２３及びフィルターガラス１２５等で構成される表示画面１２７が配置される。表示画面１２７の部分が、形態例で説明した液晶パネルに対応する。
【００７３】
また、この種の電子機器１１１には、例えばデジタルカメラが想定される。図２２に、デジタルカメラ１３１の外観例を示す。図２２（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図２２（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【００７４】
デジタルカメラ１３１は、保護カバー１３３、撮像レンズ部１３５、表示画面１３７、コントロールスイッチ１３９及びシャッターボタン１４１で構成される。このうち、表示画面１３７の部分が、形態例で説明した液晶パネルに対応する
【００７５】
また、この種の電子機器１１１には、例えばビデオカメラが想定される。図２３に、ビデオカメラ１５１の外観例を示す。
ビデオカメラ１５１は、本体１５３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１５５、撮影のスタート／ストップスイッチ１５７及び表示画面１５９で構成される。このうち、表示画面１５９の部分が、形態例で説明した液晶パネルに対応する。
【００７６】
また、この種の電子機器１１１には、例えば携帯端末装置が想定される。図２４に、携帯端末装置としての携帯電話機１６１の外観例を示す。図２４に示す携帯電話機１６１は折りたたみ式であり、図２４（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図２４（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【００７７】
携帯電話機１６１は、上側筐体１６３、下側筐体１６５、連結部（この例ではヒンジ部）１６７、表示画面１６９、補助表示画面１７１、ピクチャーライト１７３及び撮像レンズ１７５で構成される。このうち、表示画面１６９及び補助表示画面１７１の部分が、形態例で説明した液晶パネルに対応する。
【００７８】
また、この種の電子機器１１１には、例えばコンピュータが想定される。図２５に、ノート型コンピュータ１８１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１８１は、下側筐体１８３、上側筐体１８５、キーボード１８７及び表示画面１８９で構成される。このうち、表示画面１８９の部分が、形態例で説明した液晶パネルに対応する。
【００７９】
これらの他、電子機器１１１には、プロジェクター、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【００８０】
（Ｉ−５）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】横電界表示型の液晶パネルの断面構造例を説明する図である。
【図２】横電界表示型の液晶パネルの平面構造例を説明する図である。
【図３】コンタクト付近の断面構造例を示す図である。
【図４】ディスクリネーションを説明する図である。
【図５】リバースツイスト現象を説明する図である。
【図６】液晶パネルモジュールの外観例を示す図である。
【図７】液晶パネルモジュールのシステム構成例を示す図である。
【図８】１つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図９】リバースツイストラインの発生例を説明する図である。
【図１０】２つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図１１】交差角の大きさと表示ムラの消失時間の関係を説明する図である。
【図１２】交差角の大きさと表示ムラのレベルの関係を説明する図である。
【図１３】交差角の大きさと相対透過率の関係を説明する図である。
【図１４】３つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図１５】４つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図１６】５つ目の画素構造例を示す図である（断面構造）。
【図１７】６つ目の画素構造例を示す図である（断面構造）。
【図１８】６つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図１９】７つ目の画素構造例を示す図である（平面構造）。
【図２０】電子機器のシステム構成を説明する図である。
【図２１】電子機器の外観例を示す図である。
【図２２】電子機器の外観例を示す図である。
【図２３】電子機器の外観例を示す図である。
【図２４】電子機器の外観例を示す図である。
【図２５】電子機器の外観例を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１１        配交膜
１３        画素電極
１３Ａ      電極枝
１３Ｂ      連結部
１３Ｃ      コンタクト部
１５        対向電極
１５Ａ      電極枝
２５        コンタクト
３１        スリット
８１        部分連結枝
【図６】
2010145869.tif 000003
【図７】
2010145869.tif 000004
【図１２】
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【図１３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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