(57)【要約】【課題】  ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数のａ−ＳｉＣ中間層を設けた場合であっても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくい電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体がａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に５層以上のａ−ＳｉＣ中間層からなる変化層を有し、その変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の中からＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５〜０．６５であるａ−ＳｉＣ中間層の隣り合う２層を選択したとき、光導電層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ））と表面層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）との間の増加率（層間の増加率）が１９％以下である。【選択図】  図１
2010286823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、該基体上のアモルファスシリコンで構成された光導電層と、該光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体が、該光導電層と該表面層との間に、各々が水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された５層以上の中間層からなる変化層をさらに有し、
該変化層に含まれる中間層の各々におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、最も光導電層側の中間層から最も表面層側の中間層まで単調増加しており、
ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層が、該変化層に２層以上含まれており、
該変化層に含まれる中間層のうち、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層の中から隣り合う２層を選択し、該隣り合う２層のうち、光導電層側の中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））をＡとし、表面層側の中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））をＢとしたとき、下記式（１）
層間の増加率＝｛（Ｂ−Ａ）／Ａ｝×１００［％］  ・・・  （１）
で定義される層間の増加率が１９％以下であることを、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にあるすべての中間層の層間で満足し、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．９０以下であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、該変化層に含まれるいずれの中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））よりも大きい
ことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．７０以上０．９０以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記変化層が５層以上９層以下の中間層からなる層である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記変化層に含まれる中間層の各々の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記変化層に含まれる中間層のうち、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以下の範囲にある中間層の膜厚の合計が２００ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
第１３族元素を含有する中間層が、前記変化層に１層以上含まれている請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記第１３族元素を含有する中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．１０以上である請求項６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記変化層に含まれる中間層のうち、前記第１３族元素を含有する中間層の各々の膜厚の合計が５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項６または７に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体および電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置に用いられる電子写真感光体の一種として、アモルファスシリコンで構成された光導電層（感光層）と光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体が広く知られている。アモルファスシリコンで構成された光導電層や水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層は、例えば、プラズマＣＶＤ法などの成膜技術によって形成される。以下、アモルファスシリコンを「ａ−Ｓｉ」とも表記し、ａ−Ｓｉで構成された光導電層を「ａ−Ｓｉ光導電層」とも表記し、ａ−Ｓｉ光導電層を有する電子写真感光体を「ａ−Ｓｉ感光体」とも表記する。また、水素化アモルファスシリコンカーバイドを「ａ−ＳｉＣ」とも表記し、ａ−ＳｉＣで構成された表面層を「ａ−ＳｉＣ表面層」とも表記する。
【０００３】
また、このようなａ−Ｓｉ感光体に関しては、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間にａ−ＳｉＣで構成された中間層を設けることも検討されてきた（特許文献１および２）。このような中間層は、表面層の表面における反射光と表面層および光導電層の界面における反射光との干渉を抑制する、光導電層と表面層との耐剥離性（密着性）を向上させる、などの各種目的によって設けられ、また、１層のみではなく複数の中間層が設けられることもあった。以下、ａ−ＳｉＣで構成された中間層を「ａ−ＳｉＣ中間層」とも表記する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３０１２３３号公報
【特許文献２】特開昭６１−１５９６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のように検討・改善が進んでいるａ−Ｓｉ感光体であるが、近年の電子写真プロセスの高速化・高画質化の観点から見ると、いまだ改善すべき点も残っているのが現状である。
【０００６】
例えば、電子写真プロセスの高速化に伴い、電子写真装置のプロセススピードが大きくなると、クリーニングブレードのびびりなどによるトナー（現像剤）のすり抜けが発生しやすくなる。その解決策としては、電子写真感光体に対するクリーニングブレードの押し付け圧力を上げるという方法がある。
【０００７】
ところが、本発明者らが検討したところ、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数のａ−ＳｉＣ中間層を設けた場合、クリーニングブレードの押し付け圧力が上がるに従い、ａ−ＳｉＣ中間層の層間で剥離が発生しやすくなることがわかった。これは、電子写真感光体に対するクリーニングブレードの押し付け圧力が上がることにより、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数設けられたａ−ＳｉＣ中間層の層間の界面において応力が集中するためであると考えられる。
【０００８】
本発明の目的は、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数のａ−ＳｉＣ中間層を設けた場合であっても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくい電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基体と、該基体上のアモルファスシリコンで構成された光導電層と、該光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体が、該光導電層と該表面層との間に、各々が水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された５層以上の中間層からなる変化層をさらに有し、
該変化層に含まれる中間層の各々におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、最も光導電層側の中間層から最も表面層側の中間層まで単調増加しており、
ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層が、該変化層に２層以上含まれており、
該変化層に含まれる中間層のうち、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層の中から隣り合う２層を選択し、該隣り合う２層のうち、光導電層側の中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））をＡとし、表面層側の中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））をＢとしたとき、下記式（１）
層間の増加率＝｛（Ｂ−Ａ）／Ａ｝×１００［％］  ・・・  （１）
で定義される層間の増加率が１９％以下であることを、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３５以上０．６５以下の範囲にあるすべての中間層の層間で満足し、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．９０以下であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、該変化層に含まれるいずれの中間層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））よりも大きい
ことを特徴とする電子写真感光体である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数のａ−ＳｉＣ中間層を設けた場合であっても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくい電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真装置の一例を示す図である。
【図３】プラズマＣＶＤ方式の堆積膜形成装置の一例を示す図である。
【図４】帯電能測定装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の電子写真感光体は、前述のとおり、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された光導電層と、該光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）で構成された表面層とを有する電子写真感光体である。そしてさらに、本発明の電子写真感光体は、該光導電層と該表面層との間に、各々が水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された５層以上の中間層からなる変化層を有している。
【００１３】
図１に、本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す。
【００１４】
図１（ａ）に示す層構成の電子写真感光体では、基体１０１上に、下部電荷注入阻止層１０２、光導電層１０３、５層の中間層（第１中間層１０６〜第５中間層１１０）からなる変化層１０４、および、表面層１０５が順次形成されている。光導電層１０３はａ−Ｓｉで構成されており、変化層１０４に含まれる各中間層および表面層１０５はａ−ＳｉＣで構成されている。
【００１５】
図１（ｂ）に示す層構成の電子写真感光体では、基体２０１上に、下部電荷注入阻止層２０２〜２０３、光導電層２０４、５層の中間層からなる変化層２０５、および、表面層２０６が順次形成されている。光導電層２０４はａ−Ｓｉで構成されており、変化層２０５に含まれる各中間層および表面層２０６はａ−ＳｉＣで構成されている。
【００１６】
図１（ｃ）に示す層構成の電子写真感光体では、基体３０１上に、下部電荷注入阻止層３０２、光導電層３０３、９層の中間層からなる変化層３０４、および、表面層３０５が順次形成されている。光導電層３０３はａ−Ｓｉで構成されており、変化層３０４に含まれる各中間層および表面層３０５はａ−ＳｉＣで構成されている。
【００１７】
図１（ｄ）に示す層構成の電子写真感光体では、基体４０１上に、下部電荷注入阻止層４０２〜４０３、光導電層４０４、９層の中間層からなる変化層４０５、および、表面層４０６が順次形成されている。光導電層４０４はａ−Ｓｉで構成されており、変化層４０５に含まれる各中間層および表面層４０６はａ−ＳｉＣで構成されている。
【００１８】
以下、各層および基体について説明する。
【００１９】
（変化層および変化層に含まれる中間層）
本発明の電子写真感光体の「変化層」とは、５層以上のａ−ＳｉＣ中間層からなる層（５層以上のａ−ＳｉＣ中間層が積層されてなる積層構造の層）のことである。
【００２０】
そして、本発明の電子写真感光体の変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、最も光導電層側の中間層から最も表面層側の中間層まで単調増加している。以下、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を、単に「Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）」とも表記する。
【００２１】
このように、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が光導電層側から表面層側にかけて次第に大きくなっている変化層をａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に設けることによって、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が限りなくゼロに近いａ−Ｓｉ光導電層と、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．６１以上であるａ−ＳｉＣ表面層との耐剥離性を向上させることができる。
【００２２】
さらに、本発明の電子写真感光体の変化層には、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層が２層以上含まれている。そして、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層の中から隣り合う２層を選択し、それら隣り合う２層のうち、光導電層側の中間層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＡとし、表面層側の中間層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＢとしたとき、下記式（１）
層間の増加率＝｛（Ｂ−Ａ）／Ａ｝×１００［％］  ・・・  （１）
で定義される層間の増加率が１９％以下であることを、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にあるすべての中間層の層間で満足している。
【００２３】
このような構成の変化層を採用することによって、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に、５層以上のａ−ＳｉＣ中間層からなる変化層を設けた場合であっても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくくなる。
【００２４】
・各層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚の測定・算出
本発明において、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）は、断面透過型電子顕微鏡（断面ＴＥＭ）を用いて測定・算出した。まず、測定対象の電子写真感光体を１ｃｍ×１ｃｍに切り出し、集束イオンビーム加工観察装置（ＦＩＢ、（株）日立製作所製、商品名：ＦＢ−２０００Ｃ）に設置してマイクロサンプリングを行った。この断面を、電界放出型電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ、日本電子（株）製、商品名：ＪＥＭ２１００Ｆ）にて観察し、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ、日本電子（株）製、商品名：ＪＥＤ−２３００Ｔ）を用い、特性Ｘ線により、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を算出した。測定条件としては、加速電圧を２００ｋＶ、ＥＤＸの点分析時間を３０〜４０秒、ビーム径を直径１ｎｍとした。
【００２５】
より具体的には、上記断面から走査型ＴＥＭ（ＳＴＥＭ）によって明視野像（ＢＦ−ＳＴＥＭ像）および高角度環状暗視野像（ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像）を撮った。ＢＦ−ＳＴＥＭ像の方が界面での段差コントラストを、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像の方が各層の組成差によるコントラストを比較的反映するため、これらを組み合わせて各層の膜厚を決定した。
【００２６】
次に、ＳＴＥＭによって得られた画像を基に、各層の中央付近でＥＤＸの点分析を行った。この分析値から、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）および炭素原子の原子数（Ｃ）を求め、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を算出した。
【００２７】
以下、例を挙げて、本発明の電子写真感光体の変化層をより詳細に説明する。
【００２８】
例えば、図１に示す層構成の電子写真感光体の変化層１０４に含まれる第１中間層１０６〜第５中間層１１０の各々のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）に関して、第１中間層１０６が０．０５、第２中間層１０７が０．１６、第３中間層１０８が０．３９、第４中間層１０９が０．４６、第５中間層１１０が０．５４とする。
【００２９】
上記例において、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にあるａ−ＳｉＣ中間層には、第３中間層１０８、第４中間層１０９および第５中間層１１０が該当する。また、上記式（１）で定義される層間の増加率に関して、第３中間層１０８と第４中間層１０９との間においては、｛（０．４６−０．３９）／０．３９｝×１００＝１８％となる。また、第４中間層１０９と第５中間層１１０との間においては、｛（０．５４−０．４６）／０．４６｝×１００＝１７％となる。すなわち、上記例の場合、第３中間層１０８と第４中間層１０９との間でも、第４中間層１０９と第５中間層１１０との間でも、上記増加率が１９％以下であるため、これらａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくくなっている。
【００３０】
一方、第１中間層１０６と第２中間層１０７との間における上記増加率は２２０％となっており、第２中間層１０７と第３中間層１０８との間における上記増加率は１４４％となっており、どちらも１９％を超えている。しかしながら、隣り合う２層のうち、少なくとも一方のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にない場合、上記増加率が１９％を超えていても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における耐剥離性に大きく影響しないことが、本発明者らの実験によって確認されている。
【００３１】
本発明において、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数は、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との耐剥離性の向上の観点から、５層以上であればよい。一方、電子写真感光体の感度（光感度）の低下を抑制する観点からは、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数は、９層以下であることが好ましい。
【００３２】
また、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚は、耐剥離性の向上や製造安定性に起因する感度ムラを抑制する観点から、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。薄い膜厚の層を形成する場合、一般的に、層の形成時間を短く設定しなければならない。このとき、あまりに層の形成時間を短くすると、層形成条件（ＣＶＤ法であれば、例えば、反応容器の中の圧力や高周波電力などのパラメーター）を安定的に管理することが困難になる場合がある。層形成条件を安定的に管理することができないと、形成される層の膜厚や膜質のムラが大きくなる傾向がある。そして、層の膜厚や膜質のムラは感度ムラの原因となりやすい。一方、層の膜厚が厚すぎると、耐剥離性が低下する場合がある。これは、膜厚が厚くなることで、層の応力が増加することに起因すると考えられる。
【００３３】
また、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層のうち、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以下であるａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計は、電子写真感光体の感度の低下を抑制する観点から、２００ｎｍ以下であることが好ましい。これは、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以下であるａ−ＳｉＣ中間層が、通常の電子写真装置で用いられる波長の像露光光を比較的吸収しやすい層であることに起因する。このような像露光光を比較的吸収しやすいａ−ＳｉＣ中間層の膜厚が厚いと、本来、光導電層に到達すべき像露光光の多くを変化層が吸収してしまうことになるため、電子写真感光体の感度が低下しやすくなる。
【００３４】
また、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層には、ａ−ＳｉＣ中の未結合手を補償するため、ケイ素原子、炭素原子および水素原子に加えて、ハロゲン原子を含有させることが好ましい。
【００３５】
ａ−ＳｉＣ中間層における、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は０．０５以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。また、０．７０以下であることが好ましく、０．５０以下であることがより好ましい。
【００３６】
また、変化層に第１３族元素（周期表の第１３族元素のこと。以下同じ。）を含有するａ−ＳｉＣ中間層を１層以上含ませると、電子写真感光体の表面を負帯電した際、負電荷の光導電層への注入を阻止することができるようになる。そのため、電子写真感光体を負帯電用の電子写真感光体として用いることが可能となる。
【００３７】
変化層に第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層が１層以上含まれる場合、その第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）は、画像ボケの発生を抑制する観点から、０．１０以上であることが好ましい。
【００３８】
例えば、上記例において、さらに第２中間層１０７と第３中間層１０８が、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層であるとする。
【００３９】
この場合、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．１０以上であるａ−ＳｉＣ中間層には、第２中間層１０７〜第５中間層１１０が該当し、その中には、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層である第２中間層１０７および第３中間層１０８も含まれる。
【００４０】
一方、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．１０未満であるａ−ＳｉＣ中間層には、画像ボケの発生を抑制する観点から、第１３族元素を含有させないことが好ましい。上記例の場合、第１中間層１０６が、これに該当する。これは、層内での正孔の移動が容易であるかどうかに関連する。すなわち、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．１０未満であるａ−ＳｉＣ中間層は、もともと暗導電率が比較的大きいため、層内での正孔の移動が比較的容易な層である。そういった特性をもつａ−ＳｉＣ中間層に、さらに正孔の移動を容易にさせる第１３族元素を含有させてしまうと、層内での正孔の移動がきわめて容易な層となってしまう。負帯電用の電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する場合、像露光光が照射されることによって発生するａ−Ｓｉ光導電層中の正孔が、負帯電用の電子写真感光体の表面の負電荷を打ち消すためにａ−ＳｉＣ表面層へと移動しようとする。この移動の際、正孔は変化層を通過することになる。しかしながら、層内での正孔の移動がきわめて容易なａ−ＳｉＣ中間層が変化層に含まれていると、正孔は、本来の動きとは異なり、電子写真感光体の表面と平行な方向にも移動してしまう。この結果、形成される静電潜像がボケたものになってしまい、画像ボケとなると考えられる。
【００４１】
ａ−ＳｉＣ中間層に含有させる第１３族元素としては、具体的には、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）が挙げられる。これらの中でも、特にホウ素原子（Ｂ）が好ましい。
【００４２】
ａ−ＳｉＣ中間層をプラズマＣＶＤ法によって形成する場合、ホウ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６などが挙げられる。これらの中でも、取り扱いやすさの観点から、Ｂ２Ｈ６が好ましい。
【００４３】
ａ−ＳｉＣ中間層中の第１３族元素の含有量は、ａ−ＳｉＣ中間層を構成する元素の総数に対して１００原子ｐｐｍ以上３００００原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
また、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計は、帯電特性、特に高電界条件における負電荷の注入の阻止能力の観点から、５０ｎｍ以上であることが好ましい。これは、負電荷の光導電層への注入を阻止する能力を有する第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚が薄すぎると、高電界条件における阻止能力が低下する場合がある。また、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計は、画像ボケの発生を抑制する観点から、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。これは、層内での正孔の移動が容易であるかどうかと、正孔の移動距離に関連する。すなわち、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層は、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が同じであって第１３族元素は含有しない層に比べて、層内での正孔の移動が比較的容易な層である。負帯電用の電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する場合、像露光光が照射されることによって発生するａ−Ｓｉ光導電層中の正孔が、負帯電用の電子写真感光体の表面の負電荷を打ち消すためにａ−ＳｉＣ表面層へ移動しようとする。この移動の際、正孔は変化層を通過することになる。しかしながら、層内での正孔の移動が容易なａ−ＳｉＣ中間層が変化層の中に一定以上の膜厚で存在すると、正孔の移動距離のうち、本来の移動方向とは異なる電子写真感光体の表面と平行な面内方向への移動距離が大きくなってしまう。この面内方向への移動距離があるレベルを超えると静電潜像がボケたものになってしまい、画像ボケとなると考えられる。
【００４５】
また、変化層に第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層が２層以上含まれている場合、帯電特性、特に高電界条件における負電荷の注入の阻止能力という観点から、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が増加するに伴って、この層に含有される第１３族元素の量も増加していることが好ましい。これは、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が大きくなるに伴って、帯電特性、特に高電界条件における負電荷の注入の阻止能力という観点での好適な第１３族元素の量が大きくなることに起因していると考えられる。
【００４６】
ａ−ＳｉＣ中間層に含有される第１３族元素は、ａ−ＳｉＣ中間層中にまんべんなく均一に分布していてもよいし、ａ−ＳｉＣ中間層の膜厚方向に不均一に分布する状態で分布していてもよい。ただし、どちらの場合にも、面内方向における特性の均一化を図る観点からは、電子写真感光体の表面と平行な面内方向においては均一な分布でまんべんなく第１３族元素がａ−ＳｉＣ中間層に含有されていることが好ましい。
【００４７】
なお、本発明において、「第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層」には、意図せずに第１３族元素がａ−ＳｉＣ中間層に含有されてしまう場合、いわゆるコンタミネーションのレベルで含有されているような場合は包含されない。ここでいうコンタミネーションのレベルとは、ａ−ＳｉＣ中間層を構成する元素の総数に対して１原子ｐｐｍ以下である。
【００４８】
ａ−ＳｉＣ中間層の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易さなどの観点から、プラズマＣＶＤ法が好ましい。
【００４９】
形成方法としてプラズマＣＶＤ法を選択した場合のａ−ＳｉＣ中間層の形成方法は、以下のとおりである。
【００５０】
基本的には、ケイ素原子供給用の原料ガスと炭素原子供給用の原料ガスとを、内部を減圧にしうる反応容器の中に所望のガス状態で導入し、反応容器の中にグロー放電を生起させる。これによって導入した原料ガスを分解し、あらかじめ所定の位置に設置された基体上に（基体上にａ−Ｓｉ光導電層が形成されてなるものの上に）ａ−ＳｉＣ中間層を形成すればよい。
【００５１】
ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が挙げられる。また、炭素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）などの炭化水素が挙げられる。
【００５２】
基体の温度は、２００℃以上４５０℃以下であることが好ましく、２５０℃以上３５０℃以下であることがより好ましい。これは、反応を促進させ、十分に構造緩和をさせるためである。
【００５３】
反応容器の中の圧力は、１×１０−２Ｐａ以上１×１０３Ｐａ以下であることが好ましく、５×１０−２Ｐａ以上５×１０２Ｐａ以下であることがより好ましく、１×１０−１Ｐａ以上１×１０２Ｐａ以下であることがより一層好ましい。
【００５４】
プラズマＣＶＤ法に用いられる放電周波数は、１ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下のＲＦ帯が好ましい。
【００５５】
原料ガスの流量比、反応容器の中の圧力、高周波電力などの成膜パラメーターを適宜変更することにより、形成されるａ−ＳｉＣ中間層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を制御することができる。
【００５６】
（表面層）
ａ−ＳｉＣ表面層は、前述の変化層の上に形成される。
【００５７】
ａ−ＳｉＣ表面層の形成方法や、原料ガス、基体の温度、反応容器の中の圧力、プラズマＣＶＤ法に用いられる放電周波数などは、前述のａ−ＳｉＣ中間層の場合と同様である。
【００５８】
本発明において、ａ−ＳｉＣ表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）は０．６１以上０．９０以下である。このような層とすることで、電子写真感光体の耐摩耗性や耐傷性を向上させることができる。特に、耐摩耗性や耐傷性を向上させる観点から、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）は０．７０以上であることが好ましい。一方、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．９０以下であることは、ａ−ＳｉＣ表面層自体の硬度の低下を抑える観点から好ましい。
【００５９】
また、ａ−ＳｉＣ表面層には、ａ−ＳｉＣ中の未結合手を補償するため、ケイ素原子、炭素原子および水素原子に加えて、ハロゲン原子を含有させることが好ましい。
【００６０】
ａ−ＳｉＣ表面層における、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は０．０５以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。また、０．７０以下であることが好ましく、０．５０以下であることがより好ましい。
【００６１】
ａ−ＳｉＣ表面層の膜厚は、電子写真感光体の耐摩耗性や耐傷性の観点から、１００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００６２】
（光導電層）
ａ−Ｓｉ光導電層は、後述の基体や下部電荷注入阻止層と前述の変化層との間に形成される。
【００６３】
ａ−Ｓｉ光導電層の形成方法や、原料ガス、基体の温度、反応容器の中の圧力、プラズマＣＶＤ法に用いられる放電周波数などは、炭素原子に関するもの以外、前述のａ−ＳｉＣ中間層の場合と同様である。
【００６４】
ａ−Ｓｉ光導電層には、ａ−Ｓｉ中の未結合手を補償するため、ケイ素原子に加えて、水素原子やハロゲン原子を含有させることが好ましい。
【００６５】
ａ−Ｓｉ光導電層における、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は０．１０以上であることが好ましく、０．１５以上であることがより好ましい。また、０．３０以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましい。
【００６６】
また、ａ−Ｓｉ光導電層には、必要に応じて、伝導性を制御するための原子を含有させることができる。
【００６７】
ａ−Ｓｉ光導電層に含有される伝導性を制御するための原子は、ａ−Ｓｉ光導電層中にまんべんなく均一に分布していてもよいし、ａ−Ｓｉ光導電層の膜厚方向に不均一に分布する状態で分布していてもよい。ただし、どちらの場合にも、面内方向における特性の均一化を図る観点からは、電子写真感光体の表面と平行な面内方向においては均一な分布でまんべんなく伝導性を制御するための原子がａ−Ｓｉ光導電層に含有されていることが好ましい。
【００６８】
ａ−Ｓｉ光導電層に含有させる伝導性を制御するための原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができる。すなわち、ａ−Ｓｉ光導電層にｐ型伝導性を与える第１３族元素、または、ａ−Ｓｉ光導電層にｎ型伝導性を与える第１５族元素を用いることができる。
【００６９】
第１３族元素としては、具体的には、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）が挙げられる。これらの中でも、特にホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）が好ましい。
【００７０】
第１５族元素としては、具体的には、リン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）が挙げられる。これらの中でも、特にリン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）が好ましい。
【００７１】
ａ−Ｓｉ光導電層中の伝導性を制御するための原子の含有量は、ａ−Ｓｉ光導電層を構成する元素の総数に対して１×１０−２原子ｐｐｍ以上１×１０４原子ｐｐｍ以下であることが好ましく、５×１０−２原子ｐｐｍ以上５×１０３原子ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１×１０−１原子ｐｐｍ以上１×１０３原子ｐｐｍ以下であることがより一層好ましい。
【００７２】
ａ−Ｓｉ光導電層の膜厚は、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、６０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４０μｍ以下であることがより一層好ましい。光導電層の膜厚が薄すぎると、帯電部材への通過電流量が増大し、電子写真感光体の劣化が早まることがある。光導電層の膜厚が厚すぎると、ａ−Ｓｉ光導電層を構成するａ−Ｓｉの異常成長部位が大きくなることがある。具体的には、異常成長部位が、水平方向で５０〜１５０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍとなり、電子写真感光体の表面を摺擦する部材へのダメージが無視できなくなったり、画像欠陥となったりする場合がある。
【００７３】
なお、ａ−Ｓｉ光導電層は、単一の層からなる単層構成であってもよいし、電荷発生層と電荷輸送層とに分離した積層構成であってもよい。
【００７４】
（下部電荷注入阻止層）
本発明の電子写真感光体には、その特性を向上させるために、基体とａ−Ｓｉ光導電層との間に下部電荷注入阻止層を設けることが好ましい。
【００７５】
下部電荷注入阻止層は、ａ−Ｓｉまたはａ−ＳｉＣで構成された層であることが好ましい。
【００７６】
下部電荷注入阻止層の形成方法や、原料ガス、基体の温度、反応容器の中の圧力、プラズマＣＶＤ法に用いられる放電周波数などは、前述のａ−ＳｉＣ中間層の場合と同様である。
【００７７】
下部電荷注入阻止層には、伝導性を制御するための原子を含有させることによって、下部電荷注入阻止層の伝導型（ｐ型またはｎ型）を制御し、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する能力を持たせることが可能である。この場合、必要に応じて、下部電荷注入阻止層に、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）または酸素原子（Ｏ）を含有させることによって、下部電荷注入阻止層の応力を調整し、基体と光導電層との耐剥離性を向上させることもできる。
【００７８】
下部電荷注入阻止層に伝導性を制御するための原子を含有させる場合の原子の種類、分布状態、含有量などは、ａ−Ｓｉ光導電層に伝導性を制御するための原子を含有させる場合と同様である。
【００７９】
また、図１（ｂ）および（ｄ）に示すように、下部電荷注入阻止層を複数設けた積層構成とすることもできる。下部電荷注入阻止層を積層構成とする場合、例えば、基体２０１・４０１側から第１下部電荷注入阻止層２０２・４０２、第２下部電荷注入阻止層２０３・４０３という順で積層した２層構成とすることが挙げられる。負帯電用の電子写真感光体の場合、第１下部電荷注入阻止層２０２・４０２は、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣで構成された層であることが好ましい。そして、第２下部電荷注入阻止層２０３・４０３は、第１５族元素を含有するａ−ＳｉＣで構成された層であることが好ましい。下部電荷注入阻止層をこのような積層構成とすることで、暗減衰や残留電位といった特性と絶縁破壊の抑制とを高いレベルで両立することが可能となる。
【００８０】
下部電荷注入阻止層には、ａ−Ｓｉまたはａ−ＳｉＣ中の未結合手を補償するため、ケイ素原子（および炭素原子）に加えて、水素原子やハロゲン原子を含有させることが好ましい。
【００８１】
下部電荷注入阻止層における、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）およびハロゲン原子の原子数（Ｘ）との和の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は０．０５以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。また、０．７０以下であることが好ましく、０．５０以下であることがより好ましい。
【００８２】
（基体）
基体１０１は、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンなどの金属やこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、加工性や製造コストの観点から、アルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましく、アルミニウム−マグネシウム系合金、アルミニウム−マンガン系合金がより好ましい。
【００８３】
（電子写真感光体の作製方法）
次に、プラズマＣＶＤ法を用いて本発明の電子写真感光体を作製する場合について、図面を用いて説明する。
【００８４】
図３に、プラズマＣＶＤ方式の堆積膜形成装置（成膜装置）の一例を示す。
【００８５】
図３に示す堆積膜形成装置は、主として、堆積装置６１００、原料ガス供給装置６２００、および、反応容器６１１０の中を減圧するための排気装置（不図示）から構成されている。堆積装置６１００は、カソード電極６１１１を備えており、高周波電源６１２０が高周波マッチングボックス６１１５を介してカソード電極６１１１に接続されている。また、反応容器６１１０の中には、基体加熱用ヒーター６１１３および原料ガス導入管６１１４が設置されている。
【００８６】
反応容器６１１０は、排気バルブ６１１８を介して排気装置（不図示）に接続されており、反応容器６１１０の中は真空排気可能となっている。
【００８７】
原料ガス供給装置６２００は、各原料ガスのボンベが反応容器６１１０の中のガス導入管６１１４に接続されている。
【００８８】
図３に示す堆積膜形成装置を用いた堆堆膜（ａ−Ｓｉ光導電層、ａ−ＳｉＣ中間層、ａ−ＳｉＣ表面層などの層）の形成は、例えば、以下のような手順によって行われる。
【００８９】
まず、反応容器６１１０の中に基体６１１２を設置し、例えば真空ポンプなどの排気装置（不図示）により、反応容器６１１０の中を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター６１１３により、基体６１１２の温度を例えば２００℃以上３５０℃以下の範囲にある所定の温度に制御する。
【００９０】
次に、堆積膜形成用の各原料ガスを、ガス供給装置６２００により流量制御し、反応容器６１１０の中に導入する。そして、真空計６１１９の表示を見ながら排気バルブ６１１８を操作し、所定の圧力に設定する。
【００９１】
以上のようにして堆積膜形成の準備が完了した後、以下のような手順で各堆積膜の形成を行う。
【００９２】
圧力が安定したところで、高周波電源６１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス６１１５を通じてカソード電極に電力を供給し、高周波グロー放電を生起させる。放電に用いる周波数は、１ＭＨｚ〜３０ＭＨｚのＲＦ帯が好適に使用できる。
【００９３】
反応容器６１１０の中に導入された各原料ガスが高周波グロー放電の放電エネルギーによって分解され、基体６１１２の表面に所定の堆積膜が形成される。所望の膜厚の堆積膜の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、ガス供給装置の各バルブを閉じて反応容器６１１０への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００９４】
同様の操作を、原料ガスの流量、圧力、高周波電力などの条件を変えながら複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の電子写真感光体を作製することができる。
【００９５】
また、形成される堆積膜の均一化を図るために、堆積膜形成を行っている間は、基体６１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【００９６】
すべての堆積膜の形成が終わったのち、リークバルブ６１１７を開き、反応容器６１１０の中を大気圧とした後、基体６１１２を取り出す。
【００９７】
（電子写真装置）
図２に、本発明の電子写真装置の一例を示す。
【００９８】
図２に示す電子写真装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像にトナーが付着してトナー像が形成され、繰り返し使用される電子写真感光体５０１を有している。電子写真感光体５０１の周りには、電子写真感光体５０１の表面を正または負の極性・電位に帯電するための帯電器（帯電手段）５０２が配置されている。帯電器５０２は、画像品質の観点から、電子写真感光体５０１に接触配置された磁性粒子を有する接触帯電手段であることが好ましい。
【００９９】
また、電子写真感光体５０１の周りには、帯電された電子写真感光体５０１の表面に画像露光光５０３を照射して静電潜像を形成するための画像露光装置（不図示・画像露光手段）が配置されている。
【０１００】
画像露光装置としては、例えば、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナーによる走査露光系などが用いられる。また、画像品質の観点から、画像部に対応する領域を露光するイメージエリア露光法（ＩＡＥ法）で負帯電用の電子写真感光体の表面に静電潜像を形成することが好ましい。
【０１０１】
また、電子写真感光体５０１の周りには、電子写真感光体５０１の表面に形成された静電潜像にトナーを付着させて現像してトナー像を形成するための現像器（現像手段）の１つとして、ブラックトナーＢを有する第１現像器５０４ａが配置されている。また、イエロートナーＹを有する２成分現像器とマゼンタトナーＭを有する２成分現像器とシアントナーＣを有する２成分現像器とを内蔵した回転型の第２現像器５０４ｂも配置されている。第２現像器５０４ｂは、画像品質の観点から、トナーと磁性粒子を含有する２成分現像手段であることが好ましい。
【０１０２】
また、電子写真感光体５０１の周りには、中間転写ベルト５０５にトナー像を転写した後の電子写真感光体５０１の表面をクリーニングするためのクリーナー（クリーニング手段）５０６が設けられている。クリーニングとは、トナー像を転写した後の電子写真感光体５０１の表面に残ったトナー（転写残トナー）を除去することを意味している。
【０１０３】
また、電子写真感光体５０１の周りには、電子写真感光体５０１の表面を除電するための除電露光装置（除電露光手段）５０７が設けられている。
【０１０４】
中間転写ベルト５０５は、電子写真感光体５０１との間に当接ニップ部を形成し、駆動するように配置されている。中間転写ベルト５０５の内側には、電子写真感光体５０１の表面に形成されたトナー像を中間転写ベルト５０５の表面に転写するための一次転写ローラー５０８が配置されている。一次転写ローラー５０８には、電子写真感光体５０１の表面のトナー像を中間転写ベルト５０５の表面に一次転写するための一次転写バイアスを一次転写ローラー５０８に印加するためのバイアス電源（不図示）が接続されている。中間転写ベルト５０５の周りには、中間転写ベルト５０５に転写されたトナー像を転写材（記録材）５５３に二次転写するための二次転写ローラー５０９が、中間転写ベルト５０５の表面に接触するように配置されている。二次転写ローラー５０９には、中間転写ベルト５０５の表面のトナー像を転写材５５３に二次転写するための二次転写バイアスを二次転写ローラー５０９に印加するためのバイアス電源が接続されている。また、中間転写ベルト５０５の表面のトナー像を転写材５５３に転写した後、中間転写ベルト５０５の表面に残ったトナー（二次転写残トナー）をクリーニング（除去）するための中間転写ベルトクリーナー５１０が設けられている。
【０１０５】
上記のような中間転写方式の場合、中間転写ベルト５０５、一次転写ローラー５０８、二次転写ローラー５０９などが転写手段に当たる。
【０１０６】
図２に示す電子写真装置では、トナー像を電子写真感光体５０１の表面から中間転写ベルト５０５の表面に一次転写した後、そのトナー像を転写材５５３に二次転写する構成（中間転写方式）となっている。しかしながら、本発明の電子写真装置は、中間転写方式の電子写真装置に限定されない。例えば、中間転写ベルト５０５を設けずに、電子写真感光体５０１の表面から転写材５５３に直接トナー像を転写する構成としてもよい。
【０１０７】
また、図２に示す電子写真装置には、画像が形成される複数の転写材５５３を保持するための給紙カセット５１４が設けられている。また、図２に示す電子写真装置には、転写材５５３を給紙カセット５１４から中間転写ベルト５０５と二次転写ローラー５０９との当接ニップ部に転写材５５３を搬送するための搬送機構も設けられている。
【０１０８】
また、図２に示す電子写真装置には、転写材５５３の搬送経路上に、転写材５５３に転写されたトナー像を転写材５５３に定着する定着器（定着手段）５１５が配置されている。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例および比較例を挙げながら、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１１０】
［実施例１］
直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の管材の表面に鏡面加工を施して得られたシリンダーを基体（導電性基体）として用い、図３に示す堆積膜形成装置を用いて電子写真感光体を作製した。
【０１１１】
なお、本実施例では、図１（ａ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１１２】
各層の形成条件（成膜条件）を表１に示す。表１において、各層の膜厚はそれぞれ設計値を示している。
【０１１３】
【表１】
2010286823.tif 000003
【０１１４】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、前述の方法によって測定・算出した。
【０１１５】
また、作製した電子写真感光体を、耐剥離性１、耐剥離性２、表面層摩耗量、感度、感度ムラ、総合評価の各項目について、以下の方法で評価した。その結果を表１１に示す。
【０１１６】
（耐剥離性１）
作製した電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン（株）製、商品名：ｉＲＣ６８００）に設置し、白地に全面２ポイントの文字よりなるテストチャートを原稿台に置いて、２５万枚連続通紙試験を行った。２５万枚連続通紙試験が終了した後、電子写真感光体を電子写真装置から取り出し、光学顕微鏡を用いて、電子写真感光体の観察を行い、中間層の層間の剥離の有無を確認した。
【０１１７】
得られた結果は、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランクの効果が得られた。
Ａ：剥離は全く見られない。
Ｂ：剥離は見られるが、画像上に剥離の影響は現れない。
【０１１８】
（耐剥離性２）
耐剥離性１の評価と同様に、２５万枚連続通紙試験を行った後の電子写真感光体における中間層の層間の耐剥離性を摩耗試験機（新東科学（株）製、商品名：ＨＥＩＤＯＮ（Ｔｙｐｅ：１４Ｓ））を用いて評価した。作製した電子写真感光体の表面を、この摩耗試験機を用いてダイヤモンド針で引っ掻き、中間層の層間に剥離が発生したときのダイヤモンド針にかかる荷重の大小で、中間層の層間の耐剥離性を評価した。
【０１１９】
この評価方法では、数値が小さいほど、中間層の層間の耐剥離性が低いことを示している。
【０１２０】
得られた結果は、実施例１の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：リファレンスに比べて１０５％以上。
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満。
Ｂ：リファレンスに比べて９５％未満。
【０１２１】
（表面層摩耗量）
表面層の耐摩耗性の評価として、作製直後の電子写真感光体の表面層の膜厚と、上記２５万枚連続通紙試験を行った後の電子写真感光体の表面層の膜厚との差を求め、２５万枚連続通紙試験後の表面層摩耗量とした。
【０１２２】
作製直後の電子写真感光体の表面層の膜厚は、電子写真感光体の合計１８点を測定し、その１８点の平均値により算出した。測定位置は、周方向の任意の位置で長手方向９点（電子写真感光体の長手方向の中央を基準として、０ｍｍ、±５０ｍｍ、±９０ｍｍ、±１３０ｍｍ、±１５０ｍｍ）および上記任意の位置から１８０°回転させた位置での長手方向９点（上記と同じ）とした。
【０１２３】
また、測定方法は、次のとおりである。すなわち、２ｍｍのスポット径で電子写真感光体の表面に垂直に光を照射し、分光計（大塚電子（株）製、商品名：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、反射光の分光測定を行った。得られた反射波形を基に表面層の膜厚を算出した。このとき、波長範囲を５００〜７５０ｎｍ、光導電層の屈折率を３．３０、表面層の屈折率を１．８０とした。
【０１２４】
表面層の膜厚を測定した後、作製した電子写真感光体を前述の電子写真装置に設置し、白地に全面２ポイントの文字よりなるテストチャートを原稿台に置いて、２５万枚連続通紙試験を行った。試験が終了した後、電子写真感光体を電子写真装置から取り出し、作製直後と同じ位置で表面層の膜厚を測定し、作製直後と同様に２５万枚連続通紙試験後の表面層の膜厚を算出した。
【０１２５】
この評価方法では、数値が小さいほど、表面層摩耗量が少ないことを示している。
【０１２６】
得られた結果は、実施例１の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：リファレンスに比べて９５％未満。
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満。
Ｂ：リファレンスに比べて１０５％以上。
【０１２７】
（感度）
作製した電子写真感光体を前述の電子写真装置に設置し、画像露光を切った状態で帯電器のワイヤーおよびグリットに、それぞれ高圧電源を接続した。そして、グリット電位を８２０Ｖとし、帯電器のワイヤーへ供給する電流を調整して電子写真感光体の表面電位を４５０Ｖとなるように設定した。
【０１２８】
次に、先に設定した帯電条件で電子写真感光体の表面を帯電した状態で、画像露光光を照射し、その照射エネルギーを調整することにより、現像器位置での電子写真感光体の表面電位を５０Ｖとした。このときの画像露光光の照射エネルギーを感度として評価した。
【０１２９】
この評価方法では、数値が少ないほど、優れた感度を有することを示している。
【０１３０】
得られた結果は、実施例３−２の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡＡ：リファレンスに比べて９７％未満。
ＡＡ：リファレンスに比べて９７％以上１０３％未満。
Ａ：リファレンスに比べて１０３％以上１０７％未満。
Ｂ：リファレンスに比べて１０７％以上。
【０１３１】
（感度ムラ）
作製した電子写真感光体を前述の電子写真装置に設置し、現像器位置における電子写真感光体の表面の暗部電位が４５０Ｖになるように帯電器に印加する帯電電流を調整した。
【０１３２】
この帯電電流を維持したまま、画像露光光（レーザー光）を照射し、現像器位置での電子写真感光体の表面の明部電位が５０Ｖになるように画像露光光の強度を調整した。このときの画像露光光の強度を固定し、これを電子写真感光体の表面の他の部位に照射したときの表面電位を電子写真感光体の表面の任意の２０点で測定した。得られた測定値の中で最も特性の悪い値と良い値、すなわち最大と最小の電位の値を求め、最大の電位の値に対する最小の電位の値の割合を感度ムラとした。
【０１３３】
この評価方法では、数値が大きいほど、感度ムラが大きいことを示している。
【０１３４】
得られた結果は、実施例４−１の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：リファレンスに比べて９５％未満。
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満。
Ｂ：リファレンスに比べて１０５％以上。
【０１３５】
（総合評価）
耐剥離性１、耐剥離性２、表面層摩耗量、感度、感度ムラの評価で得られた結果を、ＡＡＡランクが３点、ＡＡランクが２点、Ａランクが１点、Ｂランクが０点として合計した得点を基に、以下のように総合的にランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：９点以上で、Ｂランクがないもの。
Ａ：６点以上８点以下で、Ｂランクがないもの。
Ｂ：５点以下、もしくはＢランクが１つでもあるもの。
【０１３６】
［実施例２］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表２に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１３７】
なお、本実施例では、図１（ａ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１３８】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１３９】
【表２】
2010286823.tif 000004
【０１４０】
［実施例３−１］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表３に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１４１】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１４２】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１４３】
【表３】
2010286823.tif 000005
【０１４４】
［実施例３−２］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表４に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１４５】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。ただし、変化層は、１５層の中間層からなる層とした。
【０１４６】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１４７】
【表４】
2010286823.tif 000006
【０１４８】
［実施例４−１］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表５に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１４９】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１５０】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１５１】
【表５】
2010286823.tif 000007
【０１５２】
［実施例４−２］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表６に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１５３】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１５４】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１５５】
【表６】
2010286823.tif 000008
【０１５６】
［実施例５−１］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表７に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１５７】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１５８】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１５９】
【表７】
2010286823.tif 000009
【０１６０】
［実施例５−２］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表８に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１６１】
なお、本実施例では、図１（ｃ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１６２】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１６３】
【表８】
2010286823.tif 000010
【０１６４】
［比較例１］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表９に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１６５】
なお、本比較例では、図１（ａ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１６６】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１６７】
【表９】
2010286823.tif 000011
【０１６８】
［比較例２］
実施例１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１０に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１６９】
なお、本比較例では、図１（ａ）に示す層構成の正帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１７０】
このようにして作製した正帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例１と同様にして行った。その結果を表１１に示す。
【０１７１】
【表１０】
2010286823.tif 000012
【０１７２】
【表１１】
2010286823.tif 000013
【０１７３】
表１１に示した結果に基づいて、本発明の効果について説明する。
【０１７４】
実施例１と比較例１から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層のうち、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にあるａ−ＳｉＣ中間層の中から隣り合う２層を選択し、それら隣り合う２層のうち、光導電層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＡとし、表面層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＢとしたとき、上記式（１）で定義される層間の増加率が１９％以下である場合に、耐剥離性１および耐剥離性２がともに良好であり、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくくなることがわかる。
【０１７５】
また、実施例１と比較例２から、ａ−ＳｉＣ表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．６１以上０．９０以下である場合に、表面層摩耗量が良好であり、電子写真感光体の耐摩耗性が向上することがわかる。
【０１７６】
また、実施例１と実施例２から、ａ−ＳｉＣ表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．７０以上０．９０以下である場合に、表面層摩耗量が特に良好であり、電子写真感光体の耐傷性がより向上することがわかる。
【０１７７】
また、実施例３−１と実施例３−２から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数が９層以下である場合に、電子写真感光体の感度の低下が抑制されることがわかる。よって、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数は、５層以上９層以下であることが好ましいことがわかる。
【０１７８】
また、実施例４−１と実施例４−２から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚が１０ｎｍ以上である場合に、感度ムラが抑制されることがわかる。また、実施例４−２と実施例３−１から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚が２００ｎｍ以下である場合に、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離がより発生しにくくなることがわかる。よって、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましいことがわかる。
【０１７９】
また、実施例５−２と実施例４−２から、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以下であるａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計が２００ｎｍ以下である場合に、電子写真感光体の感度の低下が抑制されることがわかる。
【０１８０】
［実施例６］
直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の管材の表面に鏡面加工を施して得られたシリンダーを基体（導電性基体）として用い、図３に示す堆積膜形成装置を用いて負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１８１】
なお、本実施例では、図１（ａ）に示す層構成の負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０１８２】
各層の形成条件（成膜条件）を表１２に示す。表１２において、各層の膜厚はそれぞれ設計値を示している。
【０１８３】
【表１２】
2010286823.tif 000014
【０１８４】
このようにして作製した電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、前述の方法によって測定・算出した。
【０１８５】
また、作製した電子写真感光体を、耐剥離性１、耐剥離性２、画像ボケ、表面層摩耗量、感度、電位ムラ、帯電能、総合評価の各項目について、以下の方法で評価した。その結果を表２８に示す。
【０１８６】
（耐剥離性１）
作製した電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン（株）製、商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に設置し、白地に全面２ポイントの文字よりなるテストチャートを原稿台に置いて、２５万枚連続通紙試験を行った。２５万枚連続通紙試験が終了した後、電子写真感光体を電子写真装置から取り出し、光学顕微鏡を用いて、電子写真感光体の観察を行い、中間層の層の層間の剥離の有無を確認した。なお、ここで用いた電子写真装置（キヤノン（株）製、商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機は、電子写真感光体の表面の帯電極性を負帯電に変更し、帯電器を電子写真感光体に接触配置された磁性粒子を有する接触帯電器に変更したものである。後述する画像ボケおよび表面層摩耗量の評価に関しても同じように改造した電子写真装置を使用した。
【０１８７】
得られた結果は、以下のような基準でランク付けを行った。
Ａ：剥離は全く見られない。
Ｂ：剥離は見られるが、画像上に剥離の影響は現れない。
【０１８８】
（耐剥離性２）
耐剥離性１を評価した後の電子写真感光体を摩耗試験機（新東科学（株）製、商品名：ＨＥＩＤＯＮ（Ｔｙｐｅ：１４Ｓ））に設置し、電子写真感光体を、この摩耗試験機を用いてダイヤモンド針で引っ掻き、中間層の層間に剥離が発生したときのダイヤモンド針にかかる荷重の大小で、中間層の層間の耐剥離性を評価した。
【０１８９】
この評価方法では、数値が小さいほど、中間層の層間の耐剥離性が低いことを示している。
【０１９０】
得られた結果は、実施例６の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：リファレンスに比べて１０５％以上
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満
Ｂ：リファレンスに比べて９５％未満
【０１９１】
（画像ボケ）
Ａｄｏｂｅ製のＡｄｏｂｅ  Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐを用い、１２００ｄｐｉの解像度で、ドットを４５°方向に１７０ｌｐｉ（１インチあたり１７０線）の線密度配置した面積階調ドットスクリーンを用い、全階調範囲を１７段階に均等配分した階調データを作成した。このとき最も濃い階調を１６、最も薄い階調を０として各階調に番号を割り当て、階調階段とした。
【０１９２】
作製した電子写真感光体を上記電子写真装置の改造機に設置し、前述の階調データを用い、テキストモードを用いてＡ３用紙に画像を出力した。得られた画像を各階調ごとに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製、５０４分光濃度計）により、画像濃度を測定した。反射濃度測定では、各々の階調ごとに３枚の画像を出力し、それら濃度の平均値を評価値とした。
【０１９３】
こうして得られた評価値と階調階段との相関係数を算出し、得られた相関係数を用いて画像ボケとして評価した。各階調の反射濃度が完全に直線的に変化する階調表現が得られた場合は、相関係数は１．００となる。
【０１９４】
この評価項目では、数値が小さいほど、画像ボケが少なく、直線に近い階調表現がなされていることを示している。
ＡＡ：相関係数が１．５以下である
Ａ：相関係数が１．５を超え、１．８以下である
Ｂ：相関係数が１．８を超える
【０１９５】
（表面層摩耗量）
まず、作製した電子写真感光体を上記電子写真装置の改造機に設置し、白地に全面２ポイントの文字よりなるテストチャートを原稿台に置いて、２５万枚連続通紙試験を行った。次いで、１０万枚連続通紙試験を行い、その後、電子写真感光体の表面層の膜厚を、実施例１と同様にして、分光計（大塚電子（株）製、商品名：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて測定した。１０万枚連続通紙試験を行う前の電子写真感光体の表面層の膜厚と、行った後の電子写真感光体の表面層の膜厚との差を求め、１０万枚連続通紙試験後の表面層摩耗量とした。
【０１９６】
この評価方法では、数値が小さいほど、表面層摩耗量が少ないことを示している。
【０１９７】
得られた結果は、実施例６の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
なお、本発明により、Ａランク以上の効果が得られた。
ＡＡ：リファレンスに比べて９５％未満。
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満。
Ｂ：リファレンスに比べて１０５％以上。
【０１９８】
（感度）
作製した電子写真感光体を上記電子写真装置の改造機に設置し、黒現像器位置において、電子写真感光体の表面の軸方向での中心位置の暗部電位が−４５０Ｖになるように電子写真感光体の表面を帯電した。次いで、黒現像器位置において、電子写真感光体の表面の軸方向での中心位置の明部電位が−１００Ｖになるように画像露光光の光量を調整した。このときの画像露光光の光量を感度として評価した。なお、この評価においては、上記電子写真装置の改造機のさらなる改造として、画像露光光の光量を調整できるように変更し、黒現像器を表面電位計に変更した。後述の電位ムラの評価で用いた電子写真装置の改造機も同様である。
【０１９９】
この評価方法では、数値が少ないほど、優れた感度を有することを示している。
【０２００】
得られた結果は、実施例８−２の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
ＡＡＡ：リファレンスに比べて９３％未満。
ＡＡ：リファレンスに比べて９３％以上９７％未満。
Ａ：リファレンスに比べて９７％以上１０３％未満。
【０２０１】
（電位ムラ）
作製した電子写真感光体を上記電子写真装置の改造機（感度の評価のときと同様の改造）に設置し、電子写真感光体の表面の黒現像器位置における暗部電位が−４５０Ｖになるように帯電器を調整し、電子写真感光体の表面の黒現像器位置における明部電位が−１００Ｖになるように画像露光光の光量を調整した。この状態において、電子写真感光体の表面の明部電位の分布を測定し、その最大値と最小値の差を電位ムラとした。
【０２０２】
この評価項目では、最大値と最小値の差が小さいほど、電位ムラが良好であることを示している。
【０２０３】
得られた結果は、実施例９−１の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
ＡＡ：リファレンスに比べて９５％未満。
Ａ：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満。
【０２０４】
（帯電能）
作製した電子写真感光体を図４に示す帯電能測定装置に設置し、負帯電用のコロナ帯電器７０２を用いて電子写真感光体７０１の表面に−６０００μＣ／ｍ２の負電荷を与えた。その後、０．１８秒間放置した後の電子写真感光体７０１の表面電位を表面電位計７０３で測定し、電子写真感光体７０１の帯電能とした。
【０２０５】
この評価項目では、０．１８秒間放置した後の電子写真感光体７０１の表面電位が高いほど、帯電能が良好であることを示している。
【０２０６】
得られた結果は、実施例１２−１の電子写真感光体の値をリファレンス（１００％）とし、以下のような基準でランク付けを行った。
ＡＡ：リファレンスに比べて１１０％以上１２０％未満
Ａ：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満
【０２０７】
（総合評価）
耐剥離性１、耐剥離性２、画像ボケ、表面層摩耗量、感度、電位ムラ、帯電能の評価で得られた結果を、ＡＡＡランクが３点、ＡＡランクが２点、Ａランクが１点、Ｂランクが０点として合計した得点を基に、以下のように総合的にランク付けを行った。
ＡＡ：１３点以上１４点以下で、Ｂランクがないもの。
Ａ：１０点以上１２点以下で、Ｂランクがないもの。
Ｂ：９点以下、もしくはＢランクが１つでもあるもの。
【０２０８】
なお、各評価項目および総合評価においては、Ａランク以上で本発明の効果が得られていると判断している。
【０２０９】
［実施例７］
実施例６の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１３に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２１０】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２１１】
【表１３】
2010286823.tif 000015
【０２１２】
［実施例８−１］
実施例６の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１４に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２１３】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２１４】
【表１４】
2010286823.tif 000016
【０２１５】
［実施例８−２］
実施例６の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１５に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２１６】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２１７】
【表１５】
2010286823.tif 000017
【０２１８】
［実施例９−１］
実施例８−１の手順において、中間層の形成条件を表１６に示す条件に変更した以外は、実施例８−１と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２１９】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２２０】
【表１６】
2010286823.tif 000018
【０２２１】
［実施例９−２］
実施例８−１の手順において、中間層の形成条件を表１７に示す条件に変更した以外は、実施例８−１と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２２２】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２２３】
【表１７】
2010286823.tif 000019
【０２２４】
［実施例１０−１］
実施例９−１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１８に示す条件に変更した以外は、実施例９−１と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２２５】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２２６】
【表１８】
2010286823.tif 000020
【０２２７】
［実施例１０−２］
実施例９−１の手順において、表面層と中間層の形成条件を表１９に示す条件に変更した以外は、実施例９−１と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２２８】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２２９】
【表１９】
2010286823.tif 000021
【０２３０】
［実施例１１］
実施例１０−１の手順において、下部電荷注入阻止層の形成条件を表２０に示す条件に変更した以外は、実施例１０−１と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２３１】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２３２】
【表２０】
2010286823.tif 000022
【０２３３】
［実施例１２−１］
実施例６の手順において、中間層の形成条件を表２１に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２３４】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２３５】
【表２１】
2010286823.tif 000023
【０２３６】
［実施例１２−２］
実施例６の手順において、中間層の形成条件を表２２に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２３７】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２３８】
【表２２】
2010286823.tif 000024
【０２３９】
［実施例１２−３］
実施例６の手順において、中間層の形成条件を表２３に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２４０】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２４１】
【表２３】
2010286823.tif 000025
【０２４２】
［実施例１２−４］
実施例６の手順において、中間層の形成条件を表２４に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２４３】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２４４】
【表２４】
2010286823.tif 000026
【０２４５】
［比較例３］
実施例６の手順において、表面層と中間層の形成条件を表２５に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２４６】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２４７】
【表２５】
2010286823.tif 000027
【０２４８】
［比較例４］
実施例６の手順において、表面層と中間層の作製条件を表２６に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２４９】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２５０】
【表２６】
2010286823.tif 000028
【０２５１】
［比較例５］
実施例６の手順において、表面層と中間層の形成条件を表２７に示す条件に変更した以外は、実施例６と同様にして負帯電用の電子写真感光体を作製した。
【０２５２】
このようにして作製した負帯電用の電子写真感光体の中間層および表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）および膜厚を、実施例１と同様にして測定・算出した。また、作製した電子写真感光体の評価を実施例６と同様にして行った。その結果を表２８に示す。
【０２５３】
【表２７】
2010286823.tif 000029
【０２５４】
【表２８】
2010286823.tif 000030
【０２５５】
表２８に示した結果に基づいて、本発明の効果について説明する。
【０２５６】
実施例６と比較例３から、変化層に含まれる中間層のうち、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以上０．６５以下の範囲にある中間層の中から隣り合う２層を選択し、それら隣り合う２層のうち、光導電層側の中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＡとし、表面層側の中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）をＢとしたとき、上記式（１）で定義される層間の増加率が１９％以下である場合に、耐剥離性１および耐剥離性２がともに良好であり、中間層の層間における剥離が発生しにくくなることがわかる。
【０２５７】
また、実施例６と比較例４から、表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．６１以上０．９０以下である場合に、表面層摩耗量が良好であり、電子写真感光体の耐摩耗性が向上することがわかる。
【０２５８】
また、実施例６と実施例７から、表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．７０以上０．９０以下である場合に、表面層摩耗量が特に良好であり、電子写真感光体の耐傷性がより向上することがわかる。
【０２５９】
実施例６と比較例５から、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．１０以上である場合に、画像ボケが発生しにくくなることがわかる。
【０２６０】
また、実施例８−１と実施例８−２から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数が９層以下である場合に、電子写真感光体の感度の低下が抑制されることがわかる。よって、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の層数は、５層以上９層以下であることが好ましいことがわかる。
【０２６１】
また、実施例８−１と実施例９−２から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚が２００ｎｍ以下である場合に、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離がより発生しにくくなることがわかる。また、実施例９−１と実施例９−２から、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚が１０ｎｍ以上である場合に、電位ムラが良好になることがわかる。よって、変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の各々の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましいことがわかる。
【０２６２】
また、実施例９−２と実施例１０−２から、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５以下であるａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計が２００ｎｍ以下である場合に、電子写真感光体の感度の低下が抑制されることがわかる。
【０２６３】
また、実施例１２−１と実施例１２−２から、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計が５０ｎｍ以上である場合に、帯電特性、特に高電界条件における負電荷の注入の阻止能力が良好になることがわかる。また、実施例１２−３と実施例１２−４から、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計が１０００ｎｍ以下である場合に、画像ボケが発生しにくくなることがわかる。よって、第１３族元素を含有するａ−ＳｉＣ中間層の膜厚の合計は、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましいことがわかる。
【符号の説明】
【０２６４】
１０１  基体
１０２  下部電荷注入阻止層
１０３  光導電層
１０４  変化層
１０５  表面層
１０６  第１中間層
１０７  第２中間層
１０８  第３中間層
１０９  第４中間層
１１０  第５中間層
【図１】
2010286823.tif 000031
【図２】
2010286823.tif 000032
【図３】
2010286823.tif 000033
【図４】
2010286823.tif 000034