(57)【要約】      （修正有）【課題】硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する半導体用接着剤。［化１］2010229172.tif 000008式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは、ブタジエン骨格の繰り返し単位を表し、１５０〜１７５の整数である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるエポキシ樹脂及び硬化剤を含有することを特徴とする半導体用接着剤。
【化１】
2010229172.tif 000007
式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１５０〜１７５の整数を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法において、半導体チップを基板等に接着固定（ダイボンディング）する際には、例えば、液状エポキシ等の接着剤が用いられる。ダイボンディング工程において用いられる接着剤に求められる性質として、例えば、吸水性の低さが挙げられる。半導体装置の製造方法においては、ダイボンディング工程の後に２００〜２６０℃の高温に達するリフロー工程を行う必要があり、このとき、接着剤が多くの水分を含んでいると、水分の急激な膨張及び気化により半導体装置にクラック等の不具合が生じやすいためである。
【０００３】
従来、接着剤の吸水性を低下させ、耐リフロー性を向上させるために、接着剤に無機充填材を添加する方法が用いられてきた。例えば、特許文献１には、接着強度、硬化性に優れ、特に銅リードフレームと半導体素子との接着に用いた場合に耐リフロー性に優れる半導体装置を得ることのできる半導体用ダイアタッチペーストが開示されており、特許文献１の半導体用ダイアタッチペーストは、必須成分として銀粉、シリカ等の充填材を含有している。
【０００４】
しかし、無機充填材の添加量が増加すると、接着剤を硬化して得られる硬化物の柔軟性が低下し、硬くて脆い硬化物となり、得られる半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。従って、硬化物が柔軟性を失うことなく、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた接着剤を得ることは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する半導体用接着剤である。
【０００８】
【化１】
2010229172.tif 000002
【０００９】
式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１５０〜１７５の整数を表す。
以下、本発明を詳述する。
【００１０】
一般に、柔軟性の高いエポキシ樹脂硬化物を得るためには、例えば、ブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂を用いることが考えられる。しかし、従来公知のブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂は、耐リフロー性に劣っていた。これは、従来公知のブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂は、その製法上、一般にニトリル基を有しており、比較的高極性であって吸水性が高いことが原因であると考えられる。
そこで、本発明者らは、従来公知のブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂とは異なり、ニトリル基を有さず比較的低極性の上記式（１）で表されるエポキシ樹脂を製造する方法を見出した。更に、本発明者らは、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と硬化剤とを含有する半導体用接着剤は、吸水性が低く耐リフロー性に優れ、かつ、高い柔軟性を有する硬化物を形成することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
本発明の半導体用接着剤は、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂を含有する。
【００１２】
【化２】
2010229172.tif 000003
【００１３】
上記式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１５０〜１７５の整数を表す。
【００１４】
上記式（１）で表されるエポキシ樹脂は、ブタジエン骨格を有する。上記式（１）で表されるエポキシ樹脂がブタジエン骨格を有することにより、得られる半導体用接着剤の硬化物は、高い柔軟性を有することができる。
また、従来公知のブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂は、一般にニトリル基を有し比較的高極性であるため、吸水性が高く、耐リフロー性に劣っていた。これに対し、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂は、ニトリル基を有さず比較的低極性であるため、得られる半導体用接着剤の吸水性を低下させることができ、耐リフロー性を向上させることができる。
【００１５】
上記式（１）で表されるエポキシ樹脂において、上記ブタジエン骨格の繰り返し数の下限は１５０、上限は１７５である。上記ブタジエン骨格の繰り返し数が１５０未満であると、得られる半導体用接着剤の硬化物は、充分に高い柔軟性を有することができない。上記ブタジエン骨格の繰り返し数が１７５を超えると、得られる半導体用接着剤が吸水性に劣ったり、硬化物が充分に高い柔軟性を有することができなかったりする。上記式（１）で表されるエポキシ樹脂において、上記ブタジエン骨格の繰り返し数の好ましい下限は１５５、好ましい上限は１６０である。
なお、上記式（１）中、ｎは上記ブタジエン骨格の繰り返し数を表す。従って、上記式（１）中、ｎは１５０〜１７５の整数を表す。
【００１６】
上記式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
上記炭素数１〜４のアルキル基は特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。
【００１７】
上記式（１）で表されるエポキシ樹脂を製造する方法は特に限定されず、例えば、下記式（２）で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂と下記式（３）で表されるブタジエン骨格を有するカルボン酸とを反応させて上記式（１）で表されるエポキシ樹脂を得る方法が挙げられる。
【００１８】
【化３】
2010229172.tif 000004
【００１９】
【化４】
2010229172.tif 000005
【００２０】
上記式（３）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１５０〜１７５の整数を表す。
【００２１】
上記反応方法は特に限定されず、例えば、上記式（２）で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂と上記式（３）で表されるブタジエン骨格を有するカルボン酸とを混合し、加熱溶解する方法が挙げられる。上記式（２）で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂は、従来公知の他のエポキシ樹脂と比べて上記式（３）で表されるブタジエン骨格を有するカルボン酸との相溶性が高いことから、加熱溶融によって反応させることができる。
なお、上記式（３）で表されるブタジエン骨格を有するカルボン酸に対して、過剰当量の上記式（２）で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００２２】
上記反応方法においては溶媒を用いてもよいが、環境に与える影響等の観点から、溶媒を用いないことが好ましい。
【００２３】
本発明の半導体用接着剤は、本発明の効果を妨げない範囲内で、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂以外の他のエポキシ樹脂（以下、他のエポキシ樹脂ともいう）を含有してもよい。
上記他のエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び、これらの変性物、水添化物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００２４】
本発明の半導体用接着剤が上記他のエポキシ樹脂を含有する場合、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計に占める上記他のエポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、好ましい上限は３０重量％である。上記他のエポキシ樹脂の含有量が３０重量％を超えると、得られる半導体用接着剤は、硬化物が充分に高い柔軟性を有することができなかったり、吸水性が高くなって耐リフロー性が低下したりすることがある。上記他のエポキシ樹脂の含有量のより好ましい上限は、２０重量％である。
【００２５】
本発明の半導体用接着剤は、硬化剤を含有する。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物硬化剤が好ましい。
【００２６】
上記酸無水物硬化剤は特に限定されないが、２官能酸無水物硬化剤が好ましい。上記２官能酸無水物硬化剤は特に限定されず、例えば、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水マレイン酸等が挙げられる。
【００２７】
また、上記硬化剤として、３官能以上の酸無水物硬化剤粒子を用いてもよい。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子は特に限定されず、例えば、酸無水物無水トリメリット酸等の３官能の酸無水物からなる粒子、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等の４官能以上の酸無水物からなる粒子等が挙げられる。
【００２８】
上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限が０．１μｍ、好ましい上限が２０μｍである。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、硬化剤の凝集が生じ、得られる半導体用接着剤が増粘することがある。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径が２０μｍを超えると、硬化時に硬化剤粒子が充分に拡散することができず、硬化不良となることがある。
【００２９】
上記硬化剤の含有量は特に限定されないが、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が１５０重量部である。上記硬化剤の含有量が５重量部未満であると、得られる半導体用接着剤が充分に硬化しないことがある。上記硬化剤の含有量が１５０重量部を超えると、得られる半導体用接着剤の接続信頼性が低下することがある。上記硬化剤の含有量は、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対するより好ましい下限が１０重量部、より好ましい上限が１４０重量部、更に好ましい下限が３０重量部、更に好ましい上限が７０重量部である。
【００３０】
また、上記硬化剤が、上記２官能酸無水物硬化剤と上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子とを含有する場合、これらの配合比は特に限定されないが、上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値［＝（３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量）／（２官能酸無水物硬化剤の含有量）］の好ましい下限が０．１、好ましい上限が１０である。上記値が０．１未満であると、上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子を添加する効果が充分に得られないことがある。上記値が１０を超えると、得られる半導体用接着剤の硬化物が脆くなり、充分な接着信頼性が得られないことがある。上記値のより好ましい下限は０．２、より好ましい上限は８である。
【００３１】
また、上記硬化剤として立体障害の小さい硬化剤を用いることで、得られる半導体用接着剤の吸水性をより低下させることができ、耐リフロー性を向上させることができる。上述した硬化剤のうち立体障害の小さい硬化剤の市販品として、例えば、ＹＨ３０６、ＹＨ３０７、ＹＨ３０９（以上、ジャパンエポキシレジン社製）、ＨＮＡ−１００（新日本理化社製）が挙げられる。
【００３２】
本発明の半導体用接着剤は、硬化促進剤を含有することが好ましい。
上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００３３】
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化促進剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００３４】
本発明の半導体用接着剤が上記硬化促進剤を含有する場合、上記硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対する好ましい下限が１重量部、好ましい上限が２０重量部である。上記硬化促進剤の含有量が１重量部未満であると、得られる半導体用接着剤が充分に硬化しないことがある。上記硬化促進剤の含有量が２０重量部を超えると、得られる半導体用接着剤は、硬化物が充分に高い柔軟性を有することができなかったり、接着信頼性が低下したりすることがある。
【００３５】
本発明の半導体用接着剤は、本発明の効果を妨げない範囲内で、無機充填材を含有してもよい。上記無機充填材を含有することにより、得られる半導体用接着剤の吸水性をより低下させることができ、耐リフロー性を向上させることができる。
上記無機充填材は特に限定されず、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、ガラス繊維、アルミナ微粒子等の無機微粒子等が挙げられる。
【００３６】
上記無機充填材として粒子状の無機充填材を用いる場合、平均粒子径の好ましい下限は０．１ｎｍ、好ましい上限は５０μｍである。上記粒子状の無機充填材の平均粒子径が０．１ｎｍ未満であると、無機充填材としての機能が発現できないことがある。上記粒子状の無機充填材の平均粒子径が５０μｍを超えると、充填量を多くすることができないことがある。上記粒子状の無機充填材の平均粒子径は、より好ましい下限は１μｍ、より好ましい上限は３０μｍである。
【００３７】
本発明の半導体用接着剤が上記無機充填材を含有する場合、上記無機充填材の含有量は特に限定されないが、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は１００重量部である。上記無機充填材の含有量が５重量部未満であると、上記無機充填材を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記無機充填材の含有量が１００重量部を超えると、得られる半導体用接着剤の硬化物は、充分に高い柔軟性を有することができないことがある。上記無機充填材の含有量は、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対するより好ましい下限は３０重量部、より好ましい上限は６０重量部である。
【００３８】
本発明の半導体用接着剤は、本発明の効果を阻害しない範囲内で希釈剤を含有してもよい。
上記希釈剤は特に限定されないが、半導体用接着剤の加熱硬化時に硬化物に取り込まれる反応性希釈剤が好ましい。なかでも、得られる半導体用接着剤の接着信頼性を悪化させないために、１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤がより好ましい。
上記１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤として、例えば、脂肪族型エポキシ、エチレンオキサイド変性エポキシ、プロピレンオキサイド変性エポキシ、シクロヘキサン型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、フェノール型エポキシが挙げられる。
【００３９】
本発明の半導体用接着剤が上記希釈剤を含有する場合、上記希釈剤の含有量は特に限定されないが、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対する好ましい下限は１重量部、好ましい上限は５０重量部である。上記希釈剤の含有量が１重量部未満であると、上記希釈剤を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記希釈剤の含有量が５０重量部を超えると、得られる半導体用接着剤の接着信頼性が劣ったり、必要な粘度特性が得られなかったりすることがある。上記希釈剤の含有量は、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との合計１００重量部に対するより好ましい下限が５重量部、より好ましい上限が２０重量部である。
【００４０】
本発明の半導体用接着剤は、必要に応じて、溶媒を含有してもよい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル（セロソルブ）類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類が挙げられる。
【００４１】
本発明の半導体用接着剤は、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。上記無機イオン交換体のうち、市販品としては、例えば、ＩＸＥシリーズ（東亞合成社製）等が挙げられる。
上記無機イオン交換体の含有量は特に限定されないが、好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％である。
【００４２】
本発明の半導体用接着剤は、その他必要に応じて、ブリード防止剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤等の添加剤を含有してもよい。
【００４３】
本発明の半導体用接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記式（１）で表されるエポキシ樹脂、上記硬化剤、及び、必要に応じて他の添加剤等を所定量配合して混合することにより半導体用接着剤を得る方法が挙げられる。
上記混合する方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を用いて混合する方法が挙げられる。
【００４４】
本発明の半導体用接着剤の用途は特に限定されないが、例えば、半導体装置の製造において、半導体チップを基板又は他の半導体チップに接着固定するために用いることができる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００４７】
（実施例１）
（１）式（１）で表されるエポキシ樹脂の合成
フラスコ中で、ブタジエン骨格を有するカルボン酸（宇部興産社製、ＣＴＢ）とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（アデカ社製、アデカレジンＥＰ−４０８８Ｓ）とを表１に示す組成に従って混合し、１７０度で６０分、加熱溶解させることにより、エポキシ樹脂を得た。得られたエポキシ樹脂はＮＭＲにより構造を解析し、式（１）で表されるエポキシ樹脂であることを確認した。
【００４８】
（２）半導体用接着剤の製造
得られた式（１）で表されるエポキシ樹脂、酸無水物硬化剤（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＨ３０６）、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＭＡＯＫ−ＰＷ）、無機充填材（トクヤマ社製、ＳＥ−８）及びカップリング剤（日鉱金属社製、ＳＰ−１０００）を表１に示す組成に従って混合し、遊星攪拌機を用いて、攪拌、脱泡及びろ過（開口径２０μｍのポリエステルメッシュ、ＮＢＣ社製「Ｔ−ＮＯ５０８Ｔ」）を行うことにより、半導体用接着剤を得た。
【００４９】
（実施例２〜７）
表１に示す組成に従って添加物の配合量を変えたこと以外は実施例１と同様にして、半導体用接着剤を得た。
なお、酸無水物硬化剤として、実施例１で用いたＹＨ３０６（ジャパンエポキシレジン社製）に加えて、ＹＨ３０７、ＹＨ３０９（以上、ジャパンエポキシレジン社製）、ＨＮＡ−１００（新日本理化社製）を、イミダゾール系硬化促進剤として、実施例１で用いた２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成工業社製）に加えて、２ＭＺＡ（四国化成工業社製）、Ｐ−０５０５（四国化成工業社製）を表１に示すように用いた。
【００５０】
（比較例１）
式（１）で表されるエポキシ樹脂の代わりに、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（アデカ社製、アデカレジンＥＰ−４０８８Ｓ）とＮＢＲ変性エポキシ樹脂（アデカ社製、ＥＰＲ−４０３３）とを用い、表１に示す組成に従って添加物の配合量を変えたこと以外は実施例１と同様にして、半導体用接着剤を得た。
【００５１】
（比較例２）
式（１）で表されるエポキシ樹脂の代わりに、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂（アデカ社製、ＥＰＲ−４０３３）を用い、表１に示す組成に従って添加物の配合量を変えたこと以外は実施例１と同様にして、半導体用接着剤を得た。
【００５２】
（比較例３）
式（１）で表されるエポキシ樹脂の代わりに、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＬ９８０）を用い、表１に示す組成に従って添加物の配合量を変えたこと以外は実施例１と同様にして、半導体用接着剤を得た。
【００５３】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体用接着剤について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
（１）吸水率
得られた半導体用接着剤からなるペースト約１ｇを、ＰＥＴフィルムの裏面上に約５ｍｍの高さとなるように塗布し、１１０度で０．５時間、次いで、１７０度で１時間硬化させた。得られた硬化物を温度摂氏８５度、湿度８５％の環境下に２４時間置いて吸水させ、吸水前後の硬化物の重量変化から下記式（Ａ）を用いて吸水率を算出した。
吸水率［％］＝｛（吸水後の硬化物重量［ｇ］）−（吸水前の硬化物重量［ｇ］）｝／  （吸水前の硬化物重量［ｇ］）×１００        （Ａ）
【００５５】
（２）柔軟性
ＰＥＴフィルムの裏面上に耐熱テープで長さ約５ｃｍ、幅約３ｍｍ、高さ約０．６ｍｍの型を作製し、この型に、得られた半導体用接着剤からなるペーストを流し込み、流し込んだ面を水平にした後、１１０度で０．５時間、次いで、１７０度で１時間硬化させた。
得られた硬化物について、粘弾性測定装置（アイティー計測制御社製、商品名「ＤＶＡ−２００」）を用いて、昇温速度１０℃／分、引っ張り、つかみ幅２４ｍｍ、１０Ｈｚで２７０℃まで昇温させて、２５℃及び２７０℃にて動的粘弾性測定を行うことにより、柔軟性を評価した。
【００５６】
（３）耐リフロー性
ＦＲ−４のガラスエポキシ基板（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２ｍｍ厚）とガラスチップ（松浪硝子工業社製、１０ｍｍ×１０ｍｍ）とを、得られた半導体用接着剤を用いて１１０度で０．５時間、次いで、１７０度で１時間硬化させることにより接着した。
得られた硬化物を温度摂氏８５度、湿度８５％の環境下に２４時間置いて吸水させた後、リフロー装置（日本ＡＮＴＯＭ社製、「ＵＮＩ−５０１６Ｆ」）を用いて、最高温度２７０度のリフロー工程（１８５℃１分、１８０℃２分、２７０℃１分、及び、１４０℃１分のサイクル）を３回行った。この操作を、合計６つのサンプルについて行った。
リフロー工程後、チップ−接着剤−基板の剥離やボイドの発生を目視により観察し、６つのサンプル全てにおいてリフロー工程後に剥離やボイドが観察されなかった場合を「○」と、少なくとも１つのサンプルにリフロー工程後に剥離やボイドが観察された場合を「×」として耐リフロー性を評価した。
【００５７】
【表１】
2010229172.tif 000006
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば、硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤を提供することができる。