(57)【要約】【課題】  ＥＵＶマスクの欠陥修正工程において吸収層膜材の過度のエッチングを抑制し、高精度な修正が可能となるＥＵＶマスクの欠陥修正方法を提供する。【解決手段】  欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、前記第一の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第一の領域を除去することにより露出した前記第二の領域の吸収層側面を酸化する工程と、前記第二の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】  図８
2010109164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶマスク基板上に形成され、少なくとも吸収層と反射防止層からなるパターンの欠陥の修正を行う方法において、
前記欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、
前記第一の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、
前記第一の領域を除去することにより露出した前記第二の領域の吸収層側面を酸化する工程と、
前記第二の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、
前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程と
を備えることを特徴とするＥＵＶマスクの欠陥修正方法。
【請求項２】
前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程において、前記反射防止層を除去した後は前記エッチングガスの流量を下げることを特徴とする請求項１記載のＥＵＶマスクの欠陥修正方法。
【請求項３】
ＥＵＶマスク基板上に形成され、少なくとも吸収層と反射防止層からなるパターンの欠陥の修正を行う方法において、
前記欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、
前記第一の領域に対しエッチングガス及び酸化用ガスの混合雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、
前記第二の領域に対しエッチングガス及び酸化用ガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、
前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程と
を備えることを特徴とするＥＵＶマスクの欠陥修正方法。
【請求項４】
前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程において、前記反射防止層を除去した後は前記エッチングガスの流量を下げることを特徴とする請求項４記載のＥＵＶマスクの欠陥修正方法。
【請求項５】
前記所望のパターンエッジからの所定の距離は、前記第一の領域の吸収層をエッチングする際に発生するサイドエッチング長であることを特徴とする請求項１乃至４に記載のＥＵＶマスクの欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＥＵＶマスクの欠陥修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のところ、半導体集積回路の製造に用いられる露光用マスクは透過型のフォトマスクが使われている。これは主に波長が２４８ｎｍ或いは１９３ｎｍの紫外光で縮小露光されるものであり、その縮小倍率は主に１／４の場合が多い。この透過型のフォトマスクを用いた半導体集積回路の製造方法は、メモリー用デバイスとしてはハーフピッチが３０ｎｍ〜４０ｎｍ程度まではその物理特性や、生産コストの面からも継続して用いられていくと考えられている。
【０００３】
しかし、更なるデバイスの微細化の要求を満たすために、大規模な生産手法としては別の方法が検討されている。極端紫外（ＥＵＶ：Extreme UltraViolet）光露光技術がその一つである。ＥＵＶ光露光技術に用いられるフォトマスク（以下、ＥＵＶマスクと称する）の構造はこれまでの透過型のフォトマスクとは大きく異なり、反射型の投影光学系で用いられるようになる。しかし、デバイスに対する縮小倍率は透過型のフォトマスクと変わらず１／４となる公算が高い。従って、透過型のフォトマスクよりも微細なマスクパターンを製造する技術が要求されている。
【０００４】
そのため、ＥＵＶマスクの製造工程においてマスクパターン上に形成された欠陥を修正する場合、従来のフォトマスクで用いられていたＦＩＢ（Focused Ion Beam）を用いた修正装置ではビーム分解能が足りないことが問題となっている。また、高分解能のＥＢ（Electron Beam）を用いた修正装置では修正部分のエッチングに時間がかかってしまうため、反応性の高いガスを用いて修正することが試みられているが、この場合ではエッチングが過度に進み、高精度な修正を行うことができないという問題があった（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００４−５３７７５８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＵＶマスクの欠陥修正工程において吸収層膜材の過度のエッチングを抑制し、高精度な修正が可能となるＥＵＶマスクの欠陥修正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によるＥＵＶマスクの欠陥修正方法は、ＥＵＶマスク基板上に形成され、少なくとも吸収層と反射防止層からなるパターンの欠陥の修正を行う方法において、前記欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、前記第一の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第一の領域を除去することにより露出した前記第二の領域の吸収層側面を酸化する工程と、前記第二の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の別態様によるＥＵＶマスクの欠陥修正方法は、ＥＵＶマスク基板上に形成され、少なくとも吸収層と反射防止層からなるパターンの欠陥の修正を行う方法において、前記欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、前記第一の領域に対しエッチングガス及び酸化剤の混合雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第二の領域に対しエッチングガス及び酸化剤雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
ＥＵＶマスクの欠陥修正工程において吸収層膜材の過度のエッチングを抑制し、高精度な修正が可能となるＥＵＶマスクの欠陥修正方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法について図１を用いて説明を行う。図１は一般的なＥＵＶマスクの構造を示した平面図（図１（ａ））と平面図中のＡ−Ｂ線に沿って切断された断面図（図１（ｂ））を示している。
【００１１】
図１は一般的なＥＵＶ露光用ブランクスを用意し、電子ビーム描画、レジスト現像、エッチング加工、洗浄などの工程を経て形成されたマスクパターンを模式的に示している。本実施形態で用いられるＥＵＶ露光用ブランクスは、低熱膨張マスク基板１０１の上に反射層１０２、反射層１０２の上にキャッピング層１０３、バッファー層１０４、吸収層１０５、反射防止層１０６を積み重ねた構造を有している。
【００１２】
例えば、反射層１０２はモリブデンとシリコンの薄膜を交互に重ねたマルチレイヤーからなり、キャッピング層１０３はシリコン膜、バッファー層１０４はクロム系の物質で形成されることが考えられる。バッファー層１０４を形成しない構造のＥＵＶ露光用ブランクスの場合はキャッピング層１０３がルテニウム膜で形成される。また、例えば、吸収層１０５はタンタルボロンナイトライドあるいはタンタルナイトライドで形成され、反射防止層１０６はタンタルボロンオキサイドあるいはタンタルオキサイドで形成される。
【００１３】
吸収層１０５及び反射防止層１０６に用いられるタンタルは、酸化しやすい性質があり、パターンを形成した段階で吸収層１０５の断面は大気中の酸素と結合し、酸化被膜１０７を形成している。一方、反射防止層１０６はすでに酸化膜であるため影響は無いと考えられる。
【００１４】
パターンが形成されたマスクは形状検査装置によりデータ比較検査あるいはパターン比較検査等の欠陥検査が行われる。その欠陥検査工程において、図２に示すような欠陥領域１０８を検出した場合について説明を行う。このような欠陥領域１０８は、パターンを形成する途中の工程でダストが付着することが原因で形成されてしまうものが大多数を占める。欠陥が検出されなかったマスクは、修正工程を経ずに次の工程へ進む。
【００１５】
フォトマスクの欠陥修正装置としては、一般的にＦＩＢを用いた修正装置（以下、ＦＩＢ修正装置と称する）或いは電子ビームを用いた修正装置（以下、ＥＢ修正装置と称する）
が考えられる。現在のところ、ＦＩＢ修正装置はガリウムイオンビームを利用した装置しか実用化に至っておらず、その装置ではＥＵＶマスクに形成される微細なパターンを修正するには分解能が足りないことが判明している。そのため、ＥＵＶマスクに用いる修正装置としては現在のところＥＢ修正装置が有力視されている。ＥＢ修正装置は、１００ｎｍ前後のラインアンドスペースパターンに対しても十分な観察能力を有している。
【００１６】
ＦＩＢ修正装置、ＥＢ修正装置ともに修正方法は同じであり真空チャンバーの中に対象の膜材と反応性の高いエッチングを流しながら欠陥領域１０８にビームを照射することで修正を進めていく。ＦＩＢ修正装置で欠陥領域１０８をエッチング修正する際にはビームそのもののスパッタリングが大きく寄与しており、エッチングガスはそのアシストをするだけの意味合いが強いため塩素やヨウ素という反応性の比較的低いハロゲンガスをエッチングガスとして用いることができる。
【００１７】
一方、ＥＢ修正装置で欠陥領域１０８をエッチング修正する際には電子ビーム自体のスパッタリング作用が非常に低く、エッチングガス分子を反応種にして、欠陥領域１０８の対象の膜材と反応させることになるため、反応性が低いガスではエッチングに非常に時間がかかってしまい、スループット低下という重大な問題に陥ってしまう。従ってＥＢ修正装置では比較的反応性の高いフッ素系のガスを使うケースが多い。フッ素系ガスとして修正機によく利用されるのは二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）等が考えられ、本実施形態ではＸｅＦ２ガスを用いる場合について説明を行う。  
上記に示したように、ＥＵＶ露光マスクの吸収層１０５として用いられる材料はタンタルボロンナイトライドあるいはタンタルナイトライド（ＴａＮ）である。これらの物質は、エッチングガスであるＸｅＦ２と直接反応して溶解していく性質を有しているため、ＸｅＦ２を用いてこれらの物質をエッチングしようとすると、図３に示すようにエッチングが過度に進んでしまい、良好な修正ができない。また、反射防止層１０６はタンタルの酸化物からなるためエッチングされないのに対して、吸収層１０５のみが等方的にエッチングされてしまうため、マスクのパターンエッジがアンダーカット形状となる点も問題となる。
【００１８】
上記の問題を解決するために本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法では、電子ビームの照射による修正を二段階に分けて行うことを特徴としている。なお、ＥＢ修正装置の構成は従来公知のものを用いることとし、ＥＵＶマスクをＥＢ修正装置にロードし、欠陥を検出した座標に移動させる工程や、欠陥位置に移動したのち、欠陥を含む数μｍエリアの画像を取り込み、イメージ情報に従って修正すべき領域を決定する工程等を行うものとする。ＥＢ修正装置により得られるＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）イメージはドットピッチ１ｎｍ程度の画素で構成され、ドット単位で修正のビーム照射をＯＮ／ＯＦＦできるものとする。
【００１９】
まず、図４に示すように、欠陥領域１０８を一度目の電子ビーム照射により修正を行う領域（以下、第一次照射領域と称する）１０９と、二度目の電子ビーム照射により修正を行う領域（以下、第二次照射領域と称する）１１０とを決定する。第二次照射領域１１０はターゲットとするパターンのエッジから距離ｄまでの領域とし、ターゲットとするパターンのエッジから距離ｄよりも離れた領域を第一次照射領域１０９として設定する。この距離ｄは吸収層１０５がエッチングガスにより等方的にエッチングされ、アンダーカット形状になる場合の反射防止層１０６に対する後退量を実験或いはシミュレーション等の手段を用いて予め計測しておくことにより設定される。
【００２０】
第一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０の設定後、図５（ａ）に示すようにガスノズル１１１よりＸｅＦ２ガス１１２を真空チャンバー内に流しながら、第一次照射領域のみに電子ビーム照射１１３を行う。反射防止層１０６はタンタルの酸化物で出来ているために電子ビームで反応種となったＸｅＦ２ガス１１２だけに反応し、図５（ｂ）に示すように、第一次照射領域の反射防止層１０６がエッチング除去される。
【００２１】
図５（ｂ）の状態から継続してエッチングを行うと、図５（ｃ）に示すように、吸収層１０５が等方的にエッチングされる。エッチングが吸収層１０５の下部のバッファー層１０４にまで達したかどうかは、予め設定しておいた所定の時間でエッチングを終了させる設定でも良いし、後方散乱電子を検出しながらエンドポイントをモニタリングする方法でもよい。予めエッチング時間を設定する場合には、ガス圧やビーム条件からエッチングレートを算出し、エッチング時間を決定する。
【００２２】
また、吸収層１０５はエッチングレートが大きいために、加工初期段階に比べてガス圧を低くするというような調整を加えても構わない。いずれにせよエッチングの下方向への進行がバッファー層に達したら直ちにＸｅＦ２ガス１１２の導入をストップし、下方向への更なるエッチングの進行を抑制する。ここで、吸収層１０５のサイドエッチングによる後退量は、一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０を決定する際に予め設定しておいた距離ｄ分となるため、欠陥領域をターゲットとするパターンに近づけることができる。
【００２３】
吸収層１０５の等方的なエッチングの後、図６（ａ）に示すように、吸収層１０５の更なるサイドエッチングを防止するために、酸化用ガス１１４をチャンバー内に導入し吸収層１０５の側壁に酸化被膜１１５を形成する。例えば、本実施形態では酸化用ガス１１４としてＯ２ガスを用いている。
【００２４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第二次照射領域１１０の加工工程に移り、第二次照射領域１１０の反射防止層１０６をエッチングする。ここでは、図５（ａ）の工程と同様に、反射防止層１０６は電子ビームで反応種となったＸｅＦ２ガス１１２だけに反応するため精度良くエッチングを行うことができる。この時、吸収層１０５は酸化被膜１１５に覆われているため、エッチングされない。
【００２５】
その後、第二次照射領域１１０に電子ビーム照射し、図６（ｃ）に示す形状を得る。この過程では、後方散乱電子捕獲によりエッチング工程のエンドポイントを認識することが有効である。ここで、エッチングするべき吸収層１０５は非常にわずかであるから、図６（ｂ）の工程において、まず反射防止層１０６をエッチングするだけのビームドーズ量を一旦与えておいて、次にわずかなドーズ量を吸収層１０５に施すことで図６（ｃ）に示すような最終的な垂直形状を得ることができる。また、ビームドーズ量の他にエッチングガスの流量を減少させて調整を行っても良い。
【００２６】
ここで過度のエッチングを行うと、再びアンダーエッチング形状になることが考えられるため、反射防止層を削ったあとはガス圧を下げる等を行うとより効果的である。必要なエッチングレート得るために、反射防止層１０６をエッチングする工程ではエッチングガスのガス流量を増加させ、吸収層１０５をエッチングする工程ではエッチングガスのガス流量を減少させる等の手段は、エンドポイント制御をするときにも有効でありこれらの組合せは適宜組み合わせて実施しても構わない。
【００２７】
エッチングがエンドポイントまで達したら、プロセスガスをＸｅＦ２ガス１１２から酸化用ガス１１４に切り替える。そうすることでエッチングした側面に酸化被膜１１６を形成することが出来る（図７）。この酸化被膜１１６は、側壁保護材として機能し、修正を行った領域の座標近傍数ミリメートル内に別の欠陥がある場合に同様の修正を行っても、その際に使用するエッチングガスの影響を受けることを防止することが可能となる。
【００２８】
上記に記載した本実施形態の一連のフローを図８に示す。本実施形態では、エッチングガスを励起するビームとして電子ビームを用い、エッチングガスとしてＸｅＦ２ガス、酸化用ガスとしてＯ２ガスを用いた例を説明したが、例えば、イオンビームを用いた構成であっても構わない。また、フッ素や塩素、ヨウ素等を用いたエッチングプロセスでも良いし、酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いても構わない。また、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏガス以外で同様の効果のある酸化用ガスを用いても構わない。
【００２９】
また、本実施形態では第一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０の設定を同時に決定することで、欠陥の修正を１シーケンスで行うことができる方法について説明を行った。この方法では、欠陥の修正工程のスループットが早くなるという利点がある。一方、第一次照射領域１０９の加工が終わった後、ＳＥＭイメージを取り直し、第二次照射領域１１０を再設定するという工程により修正を行っても構わない。この方法では、第一次照射領域１０９の加工での修正誤差を把握でき、それに応じて第二次照射領域１１０の設定を行うことができるため、最終的な修正精度を高めることができる。
【００３０】
以上のように、本実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法により、精度良くＥＵＶマスクの欠陥修正を行うことが可能となる。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法について図９及び図１０を用いて説明を行う。第一次照射領域及び第二次照射領域の設定方法に関しては上記した第１の実施形態と同様であるが、エッチングプロセスが異なるため、第１の実施形態とは異なる割合で領域が設定される。なお、第１の実施形態と同様の箇所には同じ符号を付して説明を行う。
【００３２】
第一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０の設定後、図９（ａ）に示すようにガスノズル１１１よりＸｅＦ２ガス１１２を真空チャンバー内に流しながら、第一次照射領域のみに電子ビーム照射１１３を行う。反射防止層１０６はタンタルの酸化物で出来ているために電子ビームで反応種となったＸｅＦ２ガス１１２だけに反応し、図９（ｂ）に示すように、第一次照射領域の反射防止層１０６がエッチング除去される。
【００３３】
図９（ｂ）の状態から継続してエッチングを行う場合に本実施形態では、図９（ｃ）に示すように、ＸｅＦ２ガス１１２に酸化用ガス１１４としてＯ２ガスを混ぜたものをプロセスガスとして用いる。こうすることで、吸収層１０５は酸化とエッチングを繰り返しながらプロセスが進行するので、適正なエッチングレートが得られる。酸化用ガス１１４を混ぜる割合は吸収層１０５のエッチングが進むにつれて段階的に増やしていき、エッチングがエンドポイントに達したら酸化用ガス１１４の供給のみに変化させることが好ましい。エッチングがエンドポイントにまで達したかどうかは、予め設定しておいた所定の時間でエッチングを終了させる設定でも良いし、後方散乱電子を検出しながらエンドポイントをモニタリングする方法でもよい。予めエッチング時間を設定する場合には、ガス圧やビーム条件からエッチングレートを算出し、エッチング時間を決定する。
【００３４】
酸化用ガス１１４を加える割合にもよるが、吸収層１０５をエッチングする際にいくらかのサイドエッチングが見込まれるため、このサイドエッチング量を予め実験的に求めておく必要がある。このサイドエッチング量により、第一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０の設定を行うことは第１の実施形態と同様であるが、サイドエッチング量は第１の実施形態とは異なることが予想される。
【００３５】
続いて、  次いで、図１０（ａ）に示すように、第二次照射領域１１０の加工工程に移り、第二次照射領域１１０の反射防止層１０６をエッチングする。このときプロセスガスは、例えば、ＸｅＦ２ガス１１２が１００％の状態からスタートさせ、反射防止層１０６を削り終える直前から酸化用ガス１１４を徐々に加えるようにする（図１０（ｂ））。反射防止層１０６のエッチング後は、吸収層１０５の裾引き形状を必要な位置で垂直に切り落とすだけであるため、酸化用ガス１１４の割合を段階的に増やしていき、徐々にエッチングレートを小さくしていくことによって安定した垂直形状のエッジを形成することができる。そうすることにより、既に形成してある側壁の酸化被膜１１５を破ってエッチングが横方向に進行していく危険性を低減することが出来るため望ましい。
【００３６】
吸収層１５の垂直形状が得られる、すなわちエッチングがエンドポイントまで達したら、図１０（ｃ）に示すように、プロセスガスを酸化用ガス１１４が１００％の状態にして側壁の酸化被膜を完全な状態にする。この酸化被膜１１６は、側壁保護材として機能し、修正を行った領域の座標近傍数ミリメートル内に別の欠陥がある場合に同様の修正を行っても、その際に使用するエッチングガスの影響を受けることを防止することが可能となる。
【００３７】
上記に記載した本実施形態の一連のフローを図１１に示す。本実施形態では、エッチングガスを励起するビームとして電子ビームを用い、エッチングガスとしてＸｅＦ２ガス、酸化用ガスとしてＯ２ガスを用いた例を説明したが、例えば、イオンビームを用いた構成であっても構わない。また、フッ素や塩素、ヨウ素等を用いたエッチングプロセスでも良いし、酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いても構わない。また、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏガス以外で同様の効果のある酸化用ガスを用いても構わない。
【００３８】
また、本実施形態では第一次照射領域１０９及び第二次照射領域１１０の設定を同時に決定することで、欠陥の修正を１シーケンスで行うことができる方法について説明を行った。この方法では、欠陥の修正工程のスループットが早くなるという利点がある。一方、第一次照射領域１０９の加工が終わった後、ＳＥＭイメージを取り直し、第二次照射領域１１０を再設定するという工程により修正を行っても構わない。この方法では、第一次照射領域１０９の加工での修正誤差を把握でき、それに応じて第二次照射領域１１０の設定を行うことができるため、最終的な修正精度を高めることができる。
【００３９】
以上のように、本実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法により、精度良くＥＵＶマスクの欠陥修正を行うことが可能となる。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶマスクの欠陥修正方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４２】
１０１    マスク基板
１０２    反射層
１０３    キャッピング層
１０４    バッファー層
１０５    吸収層
１０６    反射防止層
１０７、１１５、１１６    酸化被膜
１０８    欠陥領域
１０９    第一次照射領域
１１０    第二次照射領域
１１１    ガスノズル
１１２    ＸｅＦ２ガス
１１３    電子ビーム
１１４    酸化用ガス
【図１】
2010109164.tif 000003
【図２】
2010109164.tif 000004
【図３】
2010109164.tif 000005
【図４】
2010109164.tif 000006
【図５】
2010109164.tif 000007
【図６】
2010109164.tif 000008
【図７】
2010109164.tif 000009
【図８】
2010109164.tif 000010
【図９】
2010109164.tif 000011
【図１０】
2010109164.tif 000012
【図１１】
2010109164.tif 000013