(57)【要約】【課題】金属材料層が複数積層されたコンタクトプローブにおいて、積層された各金属材料層間の密着力を向上させるコンタクトプローブの製造方法、および当該コンタクトプローブの製造方法を用いて形成したコンタクトプローブを提供する。【解決手段】当該コンタクトプローブの製造方法は、基板１を準備する工程と、基板１の一方の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより、第１の樹脂型３を形成する工程と、第１の樹脂型３を埋め込むように第１の電鋳を行う工程と、第１の金属層５の、基板１と対向する主表面と反対側の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより第２の樹脂型７を形成する工程とを備える。第２の樹脂型７を埋め込むように第２の金属層９を形成するために第２の電鋳を行う工程とを少なくとも備えている。第２の電鋳を行う工程の前に、第１の金属層５の主表面上に希ガスイオンを照射する工程を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板の一方の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより第１の樹脂型を形成する工程と、
前記第１の樹脂型を埋め込むように第１の金属層を形成するために第１の電鋳を行う工程と、
前記第１の金属層の、前記基板と対向する主表面と反対側の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより第２の樹脂型を形成する工程と、
前記第２の樹脂型を埋め込むように第２の金属層を形成するために第２の電鋳を行う工程とを少なくとも備えており、
前記第２の電鋳を行う工程の前に、前記第１の金属層の主表面上に希ガスイオンを照射する工程を備える、コンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
前記第１の電鋳を行う工程により形成される前記第１の金属層の主表面を研磨する工程と、
前記第２の電鋳を行う工程により形成される前記第２の金属層の主表面を研磨する工程とをさらに備える、請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
前記希ガスイオンを照射する工程において、５０Ｖ以上１０００Ｖ以下の加速電圧で加速したアルゴンイオンを照射する、請求項１または２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法を用いて形成したコンタクトプローブ。
【請求項５】
破断強度が５００ＭＰａ以上である、請求項４に記載のコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法およびコンタクトプローブに関するものであり、より特定的には、積層構造を有し、層間の密着性の高いコンタクトプローブの製造方法および当該コンタクトプローブに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣおよびＬＳＩが高密度で実装された電子部品の電気的な検査をするために、多数のコンタクトプローブを配置したプローブカードが使用される。コンタクトプローブは、先端部を電子部品の電極などに接続することにより当該電子部品と電気的に導通する。そして当該コンタクトプローブから電気特性などの各種データを収集する。コンタクトプローブの先端部は尖っており、電極の表面に形成された酸化被膜を破り、電気的な導通を得る。また、検査対象である電子部品の反りおよび電極の高さのばらつきを吸収し、電極との確実な接触を得るため、バネ構造を有する。
【０００３】
たとえば特開２００７−２７１３４３号公報（特許文献１）に開示されているコンタクトプローブの製造方法は、先端部を形成する工程と、先端部にバネ部と支持部とを形成する工程とを備える。これらの各部材を、導電性基板上においてリソグラフィにより樹脂型のパターンを形成する工程と、樹脂型のパターンに金属材料層を電鋳する工程と、金属材料層を平坦化する工程とにより形成する。そして最後に樹脂型や導電性基板を、電鋳により形成したコンタクトプローブの構造体から除去することにより、所望のコンタクトプローブを形成する。リソグラフィにより、所望の形状のコンタクトプローブの構造体が電鋳処理にて容易に形成できるパターンを形成するため、各部材の形状を自在に成形することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７１３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されたコンタクトプローブの製造方法においては、上記リソグラフィを行ない形成した樹脂型に金属材料層を電鋳する工程を複数回行なっている。たとえば１回目の電鋳工程により形成された金属材料層の主表面上に２回目の電鋳工程を行う。すなわち１回目の電鋳工程により形成された金属材料層の主表面上に２回目の電鋳工程により形成される金属材料層を積層する。なお、ここで主表面とは、表面のうち最も面積の大きい主要な面をいう。
【０００６】
この場合、たとえば１回目の電鋳工程により形成される金属材料層と、２回目の電鋳工程により形成される金属材料層との間の密着性が問題となる。具体的には、上記方法により形成されたコンタクトプローブを用いて実際に電子部品などの電気特性の測定を行う場合に、当該コンタクトプローブの特に上記バネ構造の部分において、大きな曲げ応力が加わる。このとき、たとえば１回目の電鋳工程により形成される金属材料層と、２回目の電鋳工程により形成される金属材料層との間の密着力が十分でなければ、上記曲げ応力の印加により、両者が互いに剥離を起こす可能性がある。上記のように剥離を起こせば、当該コンタクトプローブは破断を起こすため、その強度が低下する。
【０００７】
上記のような剥離の発生を抑制するために、金属材料層を積層する場合には、通常、積層される表面に対して電解研磨を施したり、適切な処理剤で当該表面近傍を除去する。このようにして剥離を起こす原因となりやすい表面を除去してから、２回目の電鋳工程を行う。しかし上記の処理だけでは不十分なことが多く、積層された複数の金属材料層の界面における剥離や、剥離に伴う強度低下が依然として大きな問題となっていた。
【０００８】
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、電鋳工程により形成される金属材料層が複数積層されたコンタクトプローブにおいて、積層された各金属材料層間の密着力を向上させるコンタクトプローブの製造方法、および当該コンタクトプローブの製造方法を用いて形成したコンタクトプローブを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るコンタクトプローブの製造方法は、基板を準備する工程と、基板の一方の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより第１の樹脂型を形成する工程と、第１の樹脂型を埋め込むように第１の金属層を形成するために第１の電鋳を行う工程と、第１の金属層の、上記基板と対向する主表面と反対側の主表面上に塗布したレジストに対してリソグラフィにより第２の樹脂型を形成する工程と、第２の樹脂型を埋め込むように第２の金属層を形成するために第２の電鋳を行う工程とを少なくとも備えている。第２の電鋳を行う工程の前に、上記第１の金属層の主表面上に希ガスイオンを照射する工程を備える。
【００１０】
本発明に係るコンタクトプローブの製造方法においては、コンタクトプローブの構造体を電鋳により形成する。ここで電鋳とは、母型に（たとえば数１０μｍ以上の）超厚付け電気めっきを行う施した後に、当該超厚付け電気めっきにより形成した金属材料層を母型から剥離して製品を作る工程である。電鋳により形成される、コンタクトプローブの構造体の形状は、リソグラフィにより形成される樹脂型の形状により決定される。この樹脂型は、形成したいコンタクトプローブの形状を形成することが可能な形状を有している。この樹脂型を埋め込むように電鋳を行なえば、所望の形状を有する金属材料層（上記の第１の金属層や第２の金属層など）を形成することができる。所望の形状を有するコンタクトプローブの構造体を形成するために、リソグラフィによる樹脂型の形成と、当該樹脂型を埋め込むように電鋳を行う処理とを複数回繰り返す。このようにすれば、電鋳により形成された金属材料層の積層された構造体である、所望の形状を有するコンタクトプローブを形成することができる。すなわち当該コンタクトプローブの構造体は、金属材料層が複数積層された構成を有している。
【００１１】
ここで、コンタクトプローブの構造体を構成する各金属材料層の主表面上に、新たに電鋳により金属材料層を積層する処理を行う前に、金属材料層の主表面上に希ガスイオンを照射する処理を行う。すなわち上述したように、第１の金属層の主表面上に第２の金属層を形成する前に、第１の金属層の、第２の金属層を積層する主表面上に希ガスイオンを照射する。このような処理を施すことにより、続いて積層される第２の金属層の、上記希ガスイオンを照射した第１の金属層の主表面との密着力が向上することを本願発明の発明者は見出した。したがって、上記処理を施すことにより、たとえば使用時にコンタクトプローブの金属材料層が湾曲することにより、当該金属材料層に曲げ応力が加わっても、第１の金属層と第２の金属層とが界面において剥離するなどの不具合が発生することを抑制することができる。
【００１２】
上述した本発明に係るコンタクトプローブの製造方法において、第１の電鋳を行う工程により形成される第１の金属層の主表面を研磨する工程と、第２の電鋳を行う工程により形成される第２の金属層の主表面を研磨する工程とをさらに備えることが好ましい。
【００１３】
電鋳を行うことにより金属材料層を形成する工程を複数回行う場合、上記のように各金属材料層である第１の金属層を形成した後に、第１の金属層の主表面を研磨することにより、第１の金属層が所望の寸法となるように調整する。また、第２の金属層を形成した後に、同様に第２の金属層の主表面を研磨することにより、第２の金属層が所望の寸法となるように調整する。このようにすれば、形成されるコンタクトプローブの寸法精度をより向上することができるとともに、当該研磨を行なった表面をより平坦化することができる。
【００１４】
上述した本発明に係るコンタクトプローブの製造方法においては、上記希ガスイオンを照射する工程において、５０Ｖ以上１０００Ｖ以下の加速電圧で加速したアルゴンイオンを照射することが好ましい。このようにすれば、当該アルゴンイオンを照射された、第１の金属層（金属材料層）の主表面上にさらに第２の金属層（金属材料層）を形成する際に、当該第１の金属層と第２の金属層との密着力をより確実に向上することができる。このため、たとえば使用時にコンタクトプローブの金属材料層が湾曲することにより、当該金属材料層に曲げ応力が加わっても、第１の金属層と第２の金属層とが界面において剥離するなどの不具合が発生することをより確実に抑制することができる。なお、上記範囲の中でも１００Ｖ以上５００Ｖ以下とすることがより好ましい。
【００１５】
上述した本発明に係るコンタクトプローブの製造方法を用いて形成したコンタクトプローブは、たとえば第１の金属層と第２の金属層など、金属材料層が複数積層された構成である場合において、当該第１の金属層と第２の金属層との密着力を高めることができる。したがって、たとえば使用時にコンタクトプローブの金属材料層が湾曲することにより、当該金属材料層に曲げ応力が加わっても、第１の金属層と第２の金属層とが界面において剥離するなどの不具合が発生することをより確実に抑制することができる。
【００１６】
本発明に係るコンタクトプローブは、第１の金属層と、第１の金属層上に積層された第２の金属層とを備えるコンタクトプローブであって、破断強度が５００ＭＰａ以上である。
【００１７】
本発明に従ったコンタクトプローブは、上述のように第１および第２の金属層を含む積層構造を有し、当該積層構造における金属層の界面における密着性が向上されている。そのため、従来の金属層を積層した構造を有するコンタクトプローブのように、金属層の界面において剥離が発生して変形・破壊される場合より、より高い破断強度値を示す。破断強度以下の応力が当該コンタクトプローブの金属材料層に加わっても、当該応力を解放すれば、当該コンタクトプローブは塑性変形することなく、応力が加わらない元の状態に戻すことができる。したがって、破断強度値の高い本発明によるコンタクトプローブを用いれば、形成されるコンタクトプローブを使用する際に大きな曲げ応力が加わっても、当該応力を解放することにより、当該コンタクトプローブに応力が加わらない状態に戻すことができる。つまり、従来のような金属の積層構造を有するコンタクトプローブより使用できる応力範囲を広くできる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、使用時に剥離などの不具合が発生することを抑制するコンタクトプローブの製造方法、および当該製造方法を用いて形成したコンタクトプローブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態１における基板を準備する工程においての製造態様を示す断面図である。
【図３】実施の形態１における１回目のリソグラフィ工程においての製造態様を示す断面図である。
【図４】実施の形態１における１回目の電鋳工程においての製造態様を示す断面図である。
【図５】実施の形態１における１回目の研磨工程においてのおいての製造態様を示す断面図である。
【図６】実施の形態１における２回目のリソグラフィ工程においての製造態様を示す断面図である。
【図７】実施の形態１におけるアルゴンイオンを照射する工程においての製造態様を示す断面図である。
【図８】実施の形態１における２回目の電鋳工程においての製造態様を示す断面図である。
【図９】実施の形態１における２回目の研磨工程においての製造態様を示す断面図である。
【図１０】図９の樹脂型に囲まれた構造体の態様を示す断面図である。
【図１１】実施の形態１において形成されるコンタクトプローブの上面図である。
【図１２】図１１のコンタクトプローブの側面図である。
【図１３】実施の形態２における基板を準備する工程においての製造態様を示す断面図である。
【図１４】実施の形態２における１回目のリソグラフィ工程においての製造態様を示す断面図である。
【図１５】実施の形態２における１回目の電鋳工程においての製造態様を示す断面図である。
【図１６】実施の形態２における１回目の研磨工程においてのおいての製造態様を示す断面図である。
【図１７】実施の形態２における第１の樹脂型を除去した製造態様を示す断面図である。
【図１８】実施の形態２におけるアルゴンイオンを照射する工程においての製造態様を示す断面図である。
【図１９】実施の形態２における２回目の電鋳工程においての製造態様を示す断面図である。
【図２０】実施の形態２における２回目の研磨工程においての製造態様を示す断面図である。
【図２１】図２０の樹脂型に囲まれた構造体の態様を示す断面図である。
【図２２】実施の形態２において形成されるコンタクトプローブの上面図である。
【図２３】図２２のコンタクトプローブの側面図である。
【図２４】実施の形態３において実施の形態１のコンタクトプローブを形成するためのアルゴン銃を照射する工程においての製造態様を示す断面図である。
【図２５】実施の形態３において実施の形態２のコンタクトプローブを形成するためのアルゴン銃を照射する工程においての製造態様を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明の各実施の形態について説明する。なお、各実施の形態において、同一の機能を果たす要素には同一の参照符号を付し、その説明は、特に必要がなければ繰り返さない。
【００２１】
（実施の形態１）
以下、図１のフローチャートと、図２〜図９に示す各工程における製造態様を示す断面図とを適宜比較参照しながら、本発明の実施の形態１に係るコンタクトプローブの製造方法について説明する。
【００２２】
まず図１に示すように、基板を準備する工程（Ｓ１０）を行う。具体的には、コンタクトプローブを構成するための樹脂型や、当該樹脂型を用いたコンタクトプローブの構造体を構成するための土台としての基板を準備する工程である。
【００２３】
より具体的には、図２に示すように、たとえばＳＵＳからなる平板の基板１を準備する。ただし基板１の材料はＳＵＳに限らず、たとえば銅、ニッケルなどの金属性基板や、チタン、クロムなどの金属材料をスパッタリングしたシリコン基板を用いてもよい。これらの手法により準備した導電性を有する基板を基板１として用いることが好ましい。
【００２４】
次に、１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）を行う。具体的には、コンタクトプローブを構成する第１の金属層（金属材料層）を形成するための型として用いる第１の樹脂型を形成する工程である。
【００２５】
基板１の一方の主表面１ａに塗布したレジストに対してリソグラフィにより、上述した第１の樹脂型を形成する。レジストには、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などのポリメタクリル酸エステルを主成分とする樹脂材料、または紫外線（ＵＶ）もしくはＸ線に感受性を有する化学増幅型樹脂材料などを用いる。レジストの厚みは、形成しようとするコンタクトプローブの第１の金属層の厚みに応じて任意に設定することができる。たとえば、１０μｍ以上２００μｍ以下の厚みとなるようにすることが好ましい。
【００２６】
より具体的には、図２に示す基板１の一方の主表面（上側の主表面１ａ）上のほぼ全面に上述したレジストを、たとえば上述した、所望の厚みとなるように塗布する。たとえば、基板１の一方の主表面上の一部の領域にレジストを一定量供給した後、スピンコータを用いて回転させることにより、当該レジストを基板１の主表面上のほぼ全面に塗布する。次に、基板１の、レジストを供給した主表面に対向する領域にリソグラフィ用のマスクを配置し、当該マスクを介してＵＶまたはＸ線などを照射する。厚みが１００μｍを超え、高いアスペクト比を有する構造体が必要な場合、または寸法精度が±２μｍ程度の高精度の構造体が必要な場合は、ＵＶ（たとえば波長２００ｎｍ）よりも短波長であるＸ線（たとえば波長０．４ｎｍ）を用いることが好ましい。また、Ｘ線のなかでも指向性の高いシンクロトロン放射のＸ線（以下、「ＳＲ」という）を使用する態様がより好ましい。ＳＲを用いるＬＩＧＡ法は、ディープなリソグラフィが可能であり、厚みが１００μｍのコンタクトプローブをミクロンオーダーの高精度で大量に製造することができる。一方、ＵＶを用いると、コスト面でメリットを追求することができる。
【００２７】
マスクは、形成しようとする第１の金属層の形状に応じてパターニングしたＵＶまたはＸ線に対する透光性基材と、吸収層とからなる。入射されたＵＶやＸ線などを透過する透光性基材には、Ｘ線用マスクでは、窒化シリコン、シリコン、ダイヤモンド、チタンなどを用い、ＵＶ用マスクでは、石英ガラスなどを用いる。また、入射されたＵＶやＸ線などを吸収する吸収層としては、Ｘ線用マスクの場合には金、タングステン、タンタルなどの重金属またはその化合物などを用い、ＵＶ用マスクの場合は、クロムなどを用いる。
【００２８】
このようなマスクの、基板１が配置された側と反対側（図３における上側）からＸ線またはＵＶを照射する。このようにすれば、透光性基材を通過したＵＶまたはＸ線などのエネルギー線は、マスクを通過して基板１に到達し、基板１の主表面上に塗布されているレジストを露光する。一方、マスクの吸収層に照射されたＵＶまたはＸ線は、マスクに吸収されるため基板１に到達しない。このため吸収層に対向するレジストは当該ＵＶまたはＸ線により露光されない。たとえば上記レジストがポジ型レジストの場合、上述のようにマスクを介してレジストを露光した後に当該レジストを塗布した基板１に対して現像処理を行うことにより、露光を受けた領域では変質（分子鎖が切断）したレジストのみが基板１から除去される。これに対して、エネルギー線がマスクに吸収されたために露光を受けなかったレジストは、現像処理を行なっても基板１から除去されない。このようにして、マスクに形成された吸収層のパターンに応じて、基板１の主表面上に塗布したレジストを、図３に示す樹脂型３として形成することができる。なお、上述したポジ型レジストと逆に、露光を受けたレジストが現像処理の後に基板１の主表面上に残り、露光を受けなかったレジストが現像処理により除去されるネガ型レジストを用いて、上記と同様の処理を行なってもよい。
【００２９】
以上のようにして１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）により、図３に示す樹脂型３を形成した後に、図１に示す１回目電鋳工程（Ｓ３０）を行う。具体的には、金属イオン溶液に図３に示す基板１を浸漬し、当該基板１に対して電気化学的反応処理を行う。このようにして、基板１の主表面上に所望の金属材料層（第１の金属層）を形成する工程である。ここでいう電気化学的反応処理とは、めっき処理と同様の処理であるが、形成される金属層はめっき処理により形成される金属の薄膜よりも厚みが大きく、コンタクトプローブを構成するための金属層（構造体）を形成するための処理である。あるいは、上記電気化学的反応処理を電鋳ということもある。
【００３０】
第１の金属層５は、樹脂型３を埋め込むように形成される。また、樹脂型３の最上面および、樹脂型３の外部の領域についても、電鋳処理により金属材料が同様に形成される。このため、全体としては図４に示すように第１の金属層５が形成された状態になる。なお、第１の金属層５としては、たとえばニッケルマンガンなどのニッケル合金やニッケル単体を形成することが好ましい。また、電鋳処理により形成する第１の金属層５の厚みは、図４に示すように樹脂型３の厚みより厚くてもよいが、当該樹脂型３の厚みと同じ、あるいは樹脂型３の厚みより薄くしてもよい。
【００３１】
電鋳処理を行なった結果、樹脂型３が露出した状態となっている（たとえば樹脂型３の厚みと同じ厚みの第１の金属層５が形成されている）場合には、そのまま２回目のリソグラフィを行なってもよい。しかし、たとえば図４に示すように樹脂型３の厚みより厚く第１の金属層５が形成され、所望の第１の金属層５の厚みが樹脂型３の厚みに等しいか、あるいはそれ以下の場合には、図５に示すように、研磨工程を行うことにより、図４に示す第１の金属層５の最上面である主表面５ａから一定の厚み分の領域を除去することが好ましい。その結果図５に示すように、最上面が主表面５ｂとなり、樹脂型３の厚みに等しいか、それ以下となるように、第１の金属層５の厚みが薄くなる。
【００３２】
このようにすれば、形成されるコンタクトプローブの、特に厚みに関する寸法精度を高めることができるとともに、第１の金属層５の最上面（主表面５ｂ）の面粗度を小さくする（すなわち主表面５ｂを平坦化する）ことができる。このため、次工程における加工精度を向上することができる。なお、研磨を行なった後における第１の金属層５の厚みは、たとえば２０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
図５のように所望の厚みを有する第１の金属層５が形成されたところで、図１に示すように２回目リソグラフィ工程（Ｓ４０）を行う。具体的には、１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）と同様の処理を、第１の金属層５の主表面５ｂ上に対して再度行う工程である。すなわち、第１の金属層５の、基板１と対向する主表面と反対側の主表面である主表面５ｂ上に塗布したレジストに対して、リソグラフィを行う。このようにして、コンタクトプローブを構成する第２の金属層（金属材料層）を形成するための第２の樹脂型を形成する工程である。
【００３４】
上述した１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）においては、基板１の一方の主表面１ａ（上側の主表面）上のほぼ全面に上述したレジストを塗布する。これと同様に２回目リソグラフィ工程（Ｓ４０）においては主表面５ｂ上のほぼ全面に上述したレジストを、所望の厚みとなるように塗布する。その後、塗布したレジストを所望の形状を有する第２の樹脂型とするための露光処理を、透光性基材と吸収層とを備えるマスクを用いて行う。そして当該レジストに対して現像処理を行う。以上のようにして、図６に示す樹脂型７を形成する。なお、図６に示す樹脂型７を形成した後、次の工程に進む前に、第１の金属層５の主表面５ｂに対して酸性溶液および純水を用いた洗浄を行なってもよい。
【００３５】
上記の樹脂型７は、第１の金属層５の主表面５ｂ上に積層する第２の金属層を形成するためのパターンである。したがって、樹脂型７が図６のように形成されたところで、第１の金属層５の最上面である主表面５ｂ上に第２の金属層を形成すれば、所望の形状を有する第２の金属層が形成される。しかしここで、第２の金属層を形成する前に、図１に示すように希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行うことが好ましい。具体的にはたとえば図７に矢印で示すアルゴンイオン２を、第１の金属層５の主表面５ｂ上に照射する。この工程において、照射するアルゴンイオン２は、５０Ｖ以上１０００Ｖ以下の加速電圧で加速されていることが好ましい。加速電圧が５０Ｖ以下であると、照射されるアルゴンイオン２が主表面５ｂに存在する酸化膜などを除去するために必要な衝撃力を十分に与えることができない。このため主表面５ｂ上に形成される第２の金属層と第１の金属層５との密着性を十分高めることができない。また、当該加速電圧が１０００Ｖ以上であれば、照射されるアルゴンイオン２が主表面５ｂに与えるエネルギーが強すぎるため、当該主表面５ｂにダメージを与える可能性がある。具体的には、たとえばアルゴンイオン２が主表面５ｂに物理的なダメージを与えることにより、主表面５ｂの面粗度が大きくなる（つまり、主表面５ｂの平坦性が悪化する）可能性がある。あるいは上記アルゴンイオン２が主表面５ｂに熱的なダメージを与えることにより、主表面５ｂが加熱による変質などを起こす可能性がある。なお、上記アルゴンイオン２を照射するエネルギーは、上述した範囲の中でも１００Ｖ以上５００Ｖ以下とすることが特に好ましい。なお、このようなエネルギーをもつアルゴンイオン２を照射するため、平行平板型電極のプラズマエッチング装置を用いることが好ましい。具体的にはたとえばＲＦ電力３００Ｗ、ガス圧１０Ｐａの条件で２０分間、２００Ｖの加速電圧で加速したアルゴンイオン２を照射することが好ましい。
【００３６】
以上のように希ガスイオンを、金属材料層が積層されるべき金属材料層の表面に照射する。このようにすれば、当該希ガスイオンが、たとえば図７における第１の金属層５の主表面５ｂのように、後に新たに金属材料層（第２の金属層）を形成する表面上に形成された酸化膜などに対して物理的な衝撃を与える。この物理的な衝撃により、当該酸化膜を主表面５ｂから除去することができる。
【００３７】
たとえば上記酸化膜が形成された第１の金属層５の表面上に新たな金属材料層である第２の金属層を形成（積層）すれば、第１の金属層と第２の金属層とが積層された境界の領域に当該酸化膜が挟まった状態となる。すると当該酸化膜が、第１の金属層と第２の金属層との密着力を劣化させる可能性がある。したがって第１の金属層と第２の金属層とからなるコンタクトプローブの強度が低下する可能性がある。このため、第１の金属層と第２の金属層との密着力を向上し、当該コンタクトプローブの強度の低下を抑制するために、以上に述べた希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行うことが好ましい。
【００３８】
なお、上記希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）においては、照射する希ガスとして、アルゴンガスのほかにたとえばネオンガスやヘリウムガスを用いてもよい。また、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）において実際に主表面５ｂ上に希ガスイオンを照射する時間は、５分以上３０分以下であることが好ましい。５分以下であると、照射されるアルゴンイオン２が主表面５ｂに存在する酸化膜などを十分に除去することができない。このため主表面５ｂを十分に洗浄することができない。また、当該加速電圧を印加する時間が３０分以上であれば、照射されるアルゴンイオン２が樹脂型７にエネルギーを過剰に与えることになる。このため、樹脂型７に熱的ダメージを与えて変形させたり、樹脂型７をエッチングする可能性がある。なお、上記照射する時間は５分以上２０分以下、より好ましくは７分以上１５分以下、さらに好ましくは７分以上１２分以下とすることができる。
【００３９】
また、以上に述べた希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）は、第１の金属層５が形成された後、次工程としての第２の金属層を形成する（すなわち、第２の金属層を形成するために再度電鋳を行う）工程の前に行なえばよい。しかし、希ガスイオンを照射する表面上に次工程としての第２の金属層を形成する（すなわち、第２の金属層を形成するために再度電鋳を行う）工程の直前に行うことが特に好ましい。たとえ希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行ない、第２の金属層を形成する主表面上の酸化膜等を除去するなどの清浄化の処理を行なったとしても、第２の金属層を形成する前に別の処理を行うことにより、新たに当該主表面上に酸化膜などの、第１の金属層と第２の金属層との密着力を低下させる原因となる層が形成される可能性がある。このため、図１に示すように希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行なった後、速やかに２回目電鋳工程（Ｓ６０）を行うことが特に好ましい。
【００４０】
上述した１回目電鋳工程（Ｓ３０）においては、基板１の主表面１ａ上などに対して電気化学的反応処理を行うことにより、基板１の主表面上に所望の金属材料層（第１の金属層）を形成する。２回目電鋳工程（Ｓ６０）においては同様に、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）においてアルゴンイオン２が照射された、第１の金属層５の主表面５ｂ上に所望の金属層（第２の金属層９）を形成する。すなわち第２の金属層９は樹脂型７を埋め込むように形成される。このようにして図８に示すように、第１の金属層５と第２の金属層９とが積層されたコンタクトプローブを構成するための積層体が形成される。すなわち第２の金属層９も第１の金属層５と同様に、コンタクトプローブを構成する構造体の一部である。なお、２回目電鋳工程（Ｓ６０）を行う具体的な手順については、上述した１回目電鋳工程（Ｓ３０）と同様である。したがって、第２の金属層９についても、第１の金属層５と同様に、たとえばニッケルマンガンなどのニッケル合金やニッケル単体を形成することが好ましい。
【００４１】
そして図１に示す後工程（Ｓ７０）を行う。具体的には、上述した１回目電鋳工程（Ｓ３０）の後に第１の金属層５に対して行なった処理と同様に、２回目電鋳工程（Ｓ６０）において形成された第２の金属層９の主表面９ａから一定の厚み分の領域を除去する研磨加工を行うことが好ましい。たとえば第２の金属層９の所望の厚みが、第２のパターンである樹脂型７の厚みと等しいとすれば、図８に示すように、２回目電鋳工程（Ｓ６０）において形成された、樹脂型７に囲まれた領域における第２の金属層９の厚み（主表面９ａから主表面５ｂまで）は所望の厚みよりも厚い。このため余分な厚み分を研磨工程にて除去することにより、図９に示すように樹脂型７の厚みに等しい第２の金属層９の厚み（主表面９ｂから主表面５ｂまで）とすることが好ましい。このようにすれば、形成されるコンタクトプローブを構成する第２の金属層９についても、所望の厚み（所望の寸法）とすることにより寸法精度を高めることができる。
【００４２】
なお、上述した第１の金属層５や第２の金属層９の厚みは、プローブカードの設計により決定されるものであり、両者ともに、たとえば当該厚みを２０μｍ以上４０μｍ以下とすることができる。
【００４３】
さらに、上述した研磨工程により、第２の金属層９の最上面（主表面９ｂ）の面粗度を小さくする（すなわち主表面９ｂを平坦化する）ことができる。したがって形成されるコンタクトプローブの品質を向上することができる。なお、第２の金属層９の厚みは、研磨を行う前の樹脂型７の厚みに合わせてもよいし、研磨を行う前の樹脂型７の厚みよりも薄くなるように研磨を行なってもよい。
【００４４】
そして、第１の金属層５および第２の金属層９が積層された積層体を、基板１から取り外す処理を行う。まず上記積層体をアクリル樹脂で覆うように押し固めたあと、当該アクリル樹脂で覆った積層体を基板１から取り外す。この時点では積層体はアクリル樹脂に埋め込まれているが、ここでフッ素と酸素を用いてアッシングすることにより当該アクリル樹脂を一部削り落とす。そしてアクリル樹脂を削り落とした部分を利用して積層体をアクリル樹脂から取り出す。
【００４５】
以上により、図９において樹脂型３および樹脂型７に囲まれた領域の、第１の金属層５と第２の金属層９との積層による構造体が、図１０に示すコンタクトプローブ１０として形成される。
【００４６】
図１０は図２〜図９の製造態様を示す断面図の内容を引き継いだ簡略図である。図１０に示すコンタクトプローブ１０の詳細な形状を、図１１および図１２に示す。なお、図１２は図１１に示したコンタクトプローブ１０を、図１１における下側の側方から見た側面図である。
【００４７】
図１１および図１２における左右の両端部にある針部１１は、電子部品の電極等に接続することにより、当該電子部品と電極等と電気的に接続される領域である。針部１１の厚みを他の領域の厚みよりも薄くすることにより、針部１１の先端部に加わる圧力を高くすることができる。このようにして、測定対象物の電極表面に形成された酸化膜を容易に除去することができる。針部１１が酸化膜を除去できれば、電気特性などをより精密に測定することができる。
【００４８】
なお、図１１および図１２に示すコンタクトプローブ１０は、左右の両端部に針部１１が存在する。ただし、たとえば第１の金属層５の一方の端部のみを針部１１としたコンタクトプローブとしてもよい。
【００４９】
図１１および図１２のコンタクトプローブ１０において、左右方向における中央付近の領域は、たとえば図１１に示すように円弧状（半円状）をなしている。当該円弧状をなす部分は、たとえば両端部の針部１１を電子部品の電極等に接続した際に、大きな曲げ応力が加わることがある領域である。したがって、特に当該領域における第１の金属層５と第２の金属層９との積層された界面における密着力が高いことが好ましい。このため上述したように、第２の金属層９を形成する２回目電鋳工程（Ｓ６０）を行う直前に、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行うことが好ましい。なお、図１１の上面図に示すコンタクトプローブ１０は円弧状をなしている。しかし本実施の形態に係るコンタクトプローブは、当該上面図がたとえば直線状をなすものであってもよい。
【００５０】
また図１１および図１２に示すコンタクトプローブ１０において、見かけの破断強度が５００ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００５１】
たとえば破断強度が５００ＭＰａ以下である金属材料層からなるコンタクトプローブを形成すれば、当該コンタクトプローブを使用する際に加わる曲げ応力により、当該コンタクトプローブに塑性変形が起こる可能性が高くなる。このため、破断強度が５００ＭＰａ以上であるコンタクトプローブを用いることにより、使用時における塑性変形の発生を抑制することができる。しかし、たとえば第１の金属層と第２の金属層とを含む、複数の金属材料層が互いに積層された領域における密着力が不足していると、当該領域において第１の金属層と第２の金属層とが剥離するなどの不具合が起きる。たとえば第１の金属層５と第２の金属層９とを備える、図１１、図１２に示すコンタクトプローブ１０の破断強度が５００ＭＰａであるとし、このコンタクトプローブ１０が、剥離によって第１の金属層５と第２の金属層９とに分離した場合を考える。ここで、たとえば第１の金属層５と第２の金属層９との厚みがほぼ等しく、上記分離により第１の金属層５のみに曲げ応力が加われば、当該第１の金属層５の破断強度は５００ＭＰａの半分の２５０ＭＰａに低下する。このため当該コンタクトプローブ１０の見かけ上の破断強度が低下する。したがって、本発明によるコンタクトプローブ１０のように第１の金属層５と第２の金属層９との剥離の問題の発生を抑制できれば、十分な値の破断強度値を実現できる。
【００５２】
なお、以上の実施の形態１におけるコンタクトプローブ１０は、第１の金属層５と第２の金属層９との２層を有する構造である。しかし実施の形態１に係るコンタクトプローブは３層以上の金属層を備えていてもよい。この場合においても、たとえば第２の金属層の主表面上に第３の金属層を電鋳により形成する前に、第２の金属層の主表面上に希ガスイオンを照射することが好ましい。
【００５３】
（実施の形態２）
実施の形態２におけるコンタクトプローブについても、実施の形態１と同様に、大筋では図１のフローチャートに示す製造手順に従い形成される。ただし針部の形成など一部において実施の形態１と異なる。以下、図１のフローチャートと、図１３〜図２０に示す各工程における製造態様を示す断面図とを適宜比較参照しながら、本発明の実施の形態２に係るコンタクトプローブの製造方法について説明する。
【００５４】
図１に示す基板を準備する工程（Ｓ１０）においては、実施の形態１と同様に、図１３に示すように基板１を準備する。図１３は図２と同様である。
【００５５】
図１に示す１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）において、実施の形態１と同様に透光性基材と吸収層とからなるマスクを用いてリソグラフィによる露光処理や現像処理を行うことにより、図１４に示すように、基板１の主表面１ａ上に第１の樹脂型（樹脂型３）を形成する。ただし樹脂型３の形状が、図３に示す実施の形態１における樹脂型３と異なる。
【００５６】
次に図１に示す１回目電鋳工程（Ｓ３０）において、図１４に示す樹脂型３が配置されていない領域（すなわち樹脂型３に囲まれた領域）に、第１の金属層としてのロジウム金属層１５を形成する。ロジウムは硬度が高い、融点が高い、各種電極との反応性が低い、などの性質を有する金属材料である。このためロジウムは、コンタクトプローブの電極に接続するために両端部に配置される針部の材料として適している。
【００５７】
ここで、実施の形態１と同様に、２回目のリソグラフィ工程を行う前に、ロジウム金属層１５の主表面から一定の厚み分の領域を除去する研磨加工を行うことが好ましい。たとえば図１５に示す、樹脂型３の最上面である主表面３ａと、ロジウム金属層１５の最上面である主表面１５ａとから一定の厚み分の領域を除去する。このようにして図１６に示すように、樹脂型３の最上面が主表面３ｂ、ロジウム金属層１５の最上面が主表面１５ｂとなり、主表面３ｂと主表面１５ｂとの基板１に対する高さ（上下方向の厚み）がほぼ等しくなるように加工を行うことが好ましい。なお、図１５における当該研磨加工を行う前の状態において、樹脂型３の方がロジウム金属層１５よりも厚みが大きい。しかし、たとえば樹脂型３よりもロジウム金属層１５の厚みが大きくなるように１回目電鋳工程（Ｓ３０）においてロジウム金属層１５を形成し、後でロジウム金属層１５の厚みが樹脂型３の厚みに略等しくなるように研磨加工を行なってもよい。なお、研磨を行なった後におけるロジウム金属層１５の厚みは、たとえば５μｍ以上１５μｍ以下とすることができる。
【００５８】
図１６に示す状態においては、電鋳によりコンタクトプローブの本体をなす（ロジウム金属層１５以外の）金属材料層を形成する領域が存在しない。そこで実施の形態２においては図１７に示すように、図１６の研磨処理を行なった後に、樹脂型３を除去する工程を行うことが好ましい。樹脂型３の除去はたとえば酸やアルカリを用いたウェットエッチングにより処理を行うことが好ましい。
【００５９】
このようにして図１７に示す態様とした上で、図１に示す２回目リソグラフィ工程（Ｓ４０）を行う。ここで、図１７に示す主表面１ａに対して、１回目リソグラフィ工程（Ｓ２０）と同様の処理を再度行う。すなわち、コンタクトプローブを構成する第２の金属層（金属材料層）を形成するための第２の樹脂型を形成する工程である。主表面１ａ上などに塗布したレジストに対してリソグラフィにより、図１８に示す樹脂型７を形成することができる。なお、図１８に示す樹脂型７を形成した後、次の工程に進む前に、第１の金属層５の主表面５ｂに対して酸性溶液および純水を用いた洗浄を行なってもよい。
【００６０】
次に図１に示す希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）において、実施の形態１と同様に、後に２回目電鋳工程により第２の金属層を形成するロジウム金属層１５の表面上に、図１８に示すようにアルゴンイオン２を照射する。具体的には、基板１の主表面１ａのうちロジウム金属層１５や樹脂型７が配置されていない剥き出しの領域、およびロジウム金属層１５の上側の主表面１５ｂ上にアルゴンイオン２を照射する。このようにして当該主表面１ａ、１５ｂ上に存在する酸化膜などを除去する。なお、後述するように、本実施の形態２においては、ロジウム金属層１５の主表面１５ｂ上に第２の金属層を積層する。すなわちロジウム金属層１５と第２の金属層との密着力を制御する必要がある。したがって図１８のように主表面１５ｂ上と主表面１ａ上とにアルゴンイオン２の照射を行なってもよいが、主表面１５ｂ上のみにアルゴンイオン２の照射を行なってもよい。また、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）はロジウム金属層１５を形成した後、次工程における第２の金属層９を形成する前に行うが、なかでも第２の金属層９を形成する工程の直前に行うことが特に好ましい。
【００６１】
希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行なった後に、図１に示す２回目電鋳工程（Ｓ６０）を行う。ここで先の工程においてアルゴンイオン２を照射した基板１の主表面１ａ上、ロジウム金属層１５の主表面１５ｂ上に電鋳を行うことにより、樹脂型７を埋め込むように、図１９に示すように第２の金属層９としての金属材料層を形成する。なお、第２の金属層９としては、たとえばニッケルマンガンなどのニッケル合金やニッケル単体を形成することが好ましい。このようにして図１９に示すように、第１の金属層としてのロジウム金属層１５と第２の金属層９とが積層されたコンタクトプローブを構成するための積層体が形成される。
【００６２】
そして図１に示す後工程（Ｓ７０）において、実施の形態１と同様に、２回目電鋳工程（Ｓ６０）において形成された第２の金属層９の主表面９ａから一定の厚み分の領域を除去する研磨加工を行うことが好ましい。このようにすれば、たとえば図２０に示すように、第２の金属層９の主表面が主表面９ｂとなるように第２の金属層９の厚みや、主表面９ｂの面粗度を調整することができる。なお、研磨を行なった後における第２の金属層９の厚みは、たとえば３０μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。
【００６３】
最後に、第１の金属層としてのロジウム金属層１５および第２の金属層９が積層された積層体を、基板１から取り外す。また樹脂型７についても除去を行う。すると図２０において樹脂型７に囲まれた領域の、ロジウム金属層１５と第２の金属層９との積層による構造体が、図２１に示すコンタクトプローブ１０として形成される。
【００６４】
図２１は図１３〜図２０の製造態様を示す断面図の内容を引き継いだ簡略図である。図２１に示すコンタクトプローブ１０の詳細な形状を、図２２および図２３に示す。なお、図２３は図２２を、図２２における下側の側方から見た側面図である。
【００６５】
図２２および図２３に示すように、実施の形態１のコンタクトプローブ１０における針部１１が、実施の形態２のコンタクトプローブ２０におけるロジウム金属層１５に相当する。ロジウム金属層１５と第２の金属層９（たとえばニッケルマンガンなど）との密着力が、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）のアルゴンイオン２により向上されている。このため、たとえば使用時に大きな曲げ応力が加わる、針部としてのロジウム金属層１５と第２の金属層９との密着の界面において、剥離などの不具合が発生することを抑制することができる。
【００６６】
なお、図２２および図２３に示すコンタクトプローブ２０は、左右の両端部にロジウム金属層１５が存在する。ただし、たとえば第１の金属層５の一方の端部のみにロジウム金属層１５が存在するコンタクトプローブとしてもよい。
【００６７】
また、図２２の上面図に示すコンタクトプローブ２０は円弧状をなしている。しかし本実施の形態に係るコンタクトプローブは、当該上面図がたとえば直線状をなすものであってもよい。
【００６８】
本発明の実施の形態２は以上の点についてのみ、実施の形態１と異なる。したがって実施の形態２について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て実施の形態１に順ずる。
【００６９】
（実施の形態３）
実施の形態３において形成されるコンタクトプローブは、実施の形態１、２において説明したコンタクトプローブ１０、２０と同様である。また、当該コンタクトプローブの製造方法についても、上述した実施の形態１、２と大筋で同様であり、図１のフローチャートの製造手順に従う。ただし、実施の形態３における製造方法は、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）においてのみ、実施の形態１、２とは異なる。
【００７０】
具体的には、たとえば実施の形態１に示すコンタクトプローブ１０を形成する場合、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）の態様を示す図７により説明したプロセスの代わりに、図２４の概略図を用いて説明するプロセスを用いることができる。上述したように、実施の形態１においては、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）において、アルゴンイオン２を第１の金属層５の主表面５ｂ上に照射する。アルゴンイオン２を照射することにより、主表面５ｂ上に存在する酸化膜など、第２の金属層９との密着性を低下させる原因を除去する。しかし実施の形態３においては、図２４に示すように、アルゴン銃４から出射するアルゴンイオンを第１の金属層５の主表面５ｂ上に照射し、主表面５ｂを清浄化する処理を行う。
【００７１】
このようにしても、アルゴン銃４から出射されたアルゴンイオンが照射された主表面５ｂの領域については、酸化膜などの第２の金属層９との密着性を低下させる原因を除去することができる。したがって、アルゴン銃４から出射されたアルゴンイオンを照射した主表面５ｂ上に対して、その後速やかに２回目電鋳工程（Ｓ６０）により第２の金属層９を形成することにより、第１の金属層５と第２の金属層９との密着性を高めたコンタクトプローブ１０を形成することができる。
【００７２】
実施の形態２におけるコンタクトプローブ２０を形成する場合においても同様である。具体的には、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）の態様を示す図１８により説明したプロセスの代わりに、図２５の概略図を用いて説明するプロセスを用いることができる。上述したように、実施の形態３においては、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）において、図２５に示すように、アルゴン銃４から出射されたアルゴンイオンを第１の金属層としてのロジウム金属層１５の主表面１５ｂ上に照射する。図１８においては基板１の主表面１ａ上にもロジウム金属層１５の主表面１５ｂ上と同様にアルゴンイオン２を照射している。これは図１８のアルゴンイオン２の照射においては、たとえば平行平板型電極を用いて加速させたアルゴンイオン２を、当該平行平板型電極に対向する基板１の主表面１ａ上およびロジウム金属層１５の主表面１５ｂ上に照射するためである。すなわち平行平板型電極の大きさが、基板１の主表面１ａと同程度またはそれ以上に大きいため、平行平板型電極に対向する基板１の主表面１ａがアルゴンイオン２の照射を受けることになる。しかし、実施の形態３においては局所的な照射が可能であるアルゴン銃４を用いている。このため、アルゴン銃４による清浄化が必要な、後工程により第２の金属層９が積層される界面となるロジウム金属層１５の主表面１５ｂのみにアルゴン銃４から出射されたアルゴンイオンの照射を行なってもよい。
【００７３】
アルゴン銃４は、たとえば２００Ｖの加速電圧を印加したアルゴンイオンを、図２４または図２５に示すようにイオンビームとして目標とする主表面１ａや主表面１５ｂなどの一部の領域に局所的に照射する。当該アルゴン銃４の照射密度はたとえば３ｍＡ／ｃｍ２とし、１つの領域に対してたとえば３０秒間照射を行うことが好ましい。そしてアルゴン銃４を走査させながら、照射させたい領域の全体に対して照射を行うことが好ましい。
【００７４】
以上より、実施の形態３のようにアルゴン銃４を用いて希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行なえば、特に局所的な領域のみに当該照射を行ないたい場合において、照射を行う時間の短縮や省エネ効果を波及させることができる。すなわち本方法は実施の形態２のように、本来はロジウム金属層１５の上面のみをイオン照射すればいい場合などに活用できる。また、当該アルゴン銃４を用いて希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行う場合には、イオンの照射対象物の形状がより立体的であっても、アルゴン銃４からのイオンの照射方向などを適宜調整することで、そのような立体的な対象の表面についても確実に希ガスイオンを照射することができる。
【００７５】
本発明の実施の形態３は以上の点についてのみ、実施の形態１および２と異なる。したがって実施の形態３について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て実施の形態１および２に順ずる。
【実施例１】
【００７６】
上述した実施の形態１に示す製造方法に従い形成したコンタクトプローブ１０（以下「プローブＡ」）と、基本的に実施の形態１に示す製造方法に従っているが、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行なわずに形成した比較用コンタクトプローブ（以下「プローブＢ」）との強度を比較する試験を行なった。なお、図１１には上面図が円弧状のプローブが記載されているが、本実施例においてはプローブＡ、プローブＢともに当該上面図が直線状である。
【００７７】
（試料の製造方法について）
プローブＡとプローブＢとは、製造過程において希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行なったか否かについてのみ異なる。すなわち他の製造条件や形成したプローブの寸法、材質などはすべて同様である。
【００７８】
プローブＡの製造過程においては、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）において、基板１の主表面１ａ以上の面積を有し、基板１に対向させた平行平板型電極に電圧を印加することで（２００Ｖの加速電圧で）加速したアルゴンイオン２を、主表面１ａに照射した。照射した時間は２０分間とした。
【００７９】
（試料の寸法および材質について）
形成したプローブＡとプローブＢとの第１の金属層５および第２の金属層９の材質はニッケルマンガン合金であり、第１の金属層５の厚みは２０μｍ、第２の金属層９の厚みは３０μｍとした。そして、形成したプローブＡとプローブＢとの、図１２に示す第１の金属層５と第２の金属層９との厚みの和は５０μｍであった。また、プローブＡおよびプローブＢの長手方向に交差する方向(幅方向）における幅は６０μｍとした。
【００８０】
（測定方法・測定結果について）
まずプローブＡの一方の針部１１（図１２参照）に荷重を加えたところ、４ｇｆの荷重により２００μｍ変形した。このときの最大応力は、計算上１２００ＭＰａであった。このような加重を２０００回繰り返した後において、当該プローブＡに破断や剥離などの損傷は認められなった。しかし、当該プローブＡの一方の針部１１に６ｇｆの荷重を加えると破断した。破断が起こったときに加わっていた最大応力は１８００ＭＰａであった。しかし破断の際に第１の金属層と第２の金属層との間に剥離は生じていなかった。
【００８１】
一方、同様にプローブＢの一方の針部１１（図１２参照）に荷重を加えたところ、２．４ｇｆの荷重により１２０μｍ変形したところで破断した。このときプローブＢは、第１の金属層と第２の金属層との間で剥離していた。加重によって第１の金属層と第２の金属層との間で剥離が発生し、第１の金属層のみに加重が加わる形となった。このため、第１の金属層に加わる最大応力が７２０ＭＰａから１８００ＭＰａに急増して破断したものと考えられる。
【００８２】
以上より、希ガスイオンを照射する工程（Ｓ５０）を行うことにより、第１の金属層５と第２の金属層９との密着力が向上していることがわかる。
【００８３】
以上のように本発明の各実施の形態および実施例について説明を行なったが、今回開示した各実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、電子部品の測定に用いるコンタクトプローブの強度を向上する技術として、特に優れている。
【符号の説明】
【００８５】
１  基板、１ａ，３ａ，３ｂ，５ａ，５ｂ，９ａ，９ｂ，１５ａ，１５ｂ  主表面、２  アルゴンイオン、３，７  樹脂型、４  アルゴン銃、５  第１の金属層、９  第２の金属層、１０，２０  コンタクトプローブ、１１  針部、１５  ロジウム金属層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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