(57)【要約】【課題】膜を複数の領域に分離するための加工不良を抑制して半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。基板上に膜を形成する。そして、膜を複数の領域に分離するために、基板を介して膜に光ビームを照射する。膜を形成する工程と、光ビームを照射する工程との間に、形成した膜面を洗浄する。上記膜を形成する工程は、基板上に半導体層を形成する工程、および半導体層上に裏面電極膜を形成する工程の少なくともいずれかである。【選択図】図７
2010199506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成する工程と、
前記膜を複数の領域に分離するために、前記基板を介して前記膜に光ビームを照射する工程と、
前記膜を形成する工程と、前記光ビームを照射する工程との間に、形成した前記膜面を洗浄する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記膜を形成する工程は、前記基板上に半導体層を形成する工程、および前記半導体層上に裏面電極膜を形成する工程の少なくともいずれかである、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記膜面を洗浄する工程では、前記膜面を選択的に洗浄する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記膜面を洗浄する工程では、洗浄部材を前記膜面に接触しながら洗浄する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄部材は、静電ブラシおよび粘着ロールの少なくともいずれか一方である、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、薄膜太陽電池の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池などの半導体装置の製造において、基板上の導電膜の一部を除去することによって、この導電膜を複数の領域に分離する工程が行なわれることがある。基板上の導電膜の一部を除去する方法として、たとえばレーザスクライブによって導電膜に分離溝を形成する方法がある。基板上の導電膜に対して基板の膜面側からレーザスクライブが行なわれると、処理中に膜面から除去されていく物質がレーザ光の進行の妨げとなり得る。このため、通常、基板の膜面（表面）側とは反対の側（裏面側）から導電膜へとレーザ光が入射される。すなわち、レーザ光は基板を介して入射される。
【０００３】
このレーザスクライブが行なわれると、レーザ光が入射された導電膜の内部およびその周辺に切り滓、バリ等のパーティクルが発生する。このパーティクルをそのまま残しておくと、分離した複数の領域間の短絡が発生してしまう。そこで、レーザスクライブによって発生したパーティクルを除去することが考えられる。
【０００４】
レーザスクライブによって発生したパーティクルを除去する技術として、たとえば特開２００１−４４４６７号公報（特許文献１）には、レーザスクライブ後の基板に噴射ノズル機構から洗浄水を噴射して洗浄する方法が記載されている。また、たとえば特開２００１−４４４６６号公報（特許文献２）では、レーザスクライブ後の基板を純水中に浸漬した状態で搬送させるとともに、洗浄液に超音波振動を付与する洗浄方法が記載されている。また、特開平１１−３３０５１３号公報（特許文献３）には、レーザスクライブで生じたパーティクル（破片や完全に除去し得なかった不要部分）を粘着部材で除去する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−４４４６７号公報
【特許文献２】特開２００１−４４４６６号公報
【特許文献３】特開平１１−３３０５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１〜３において、基板上に膜を成膜すると、パウダーが発生し、このパウダーが基板の成膜面と反対の側（裏面側）に回り込む。この状態で、基板の裏面側からレーザスクライブにより導電膜を加工すると、パウダーがレーザ光の進行の妨げとなる。このため、導電膜を複数の領域に分離できていない加工不良が発生するという問題があった。
【０００７】
それゆえ本発明の目的は、膜を複数の領域に分離するための加工不良を抑制して半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。基板上に膜を形成する。そして、膜を複数の領域に分離するために、基板を介して膜に光ビームを照射する。膜を形成する工程と、光ビームを照射する工程との間に、形成した膜面を洗浄する。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、膜を形成した後であって、かつ光ビームを照射する前に、形成した膜面を洗浄している。これにより、膜を形成する際にパウダーが発生しても、このパウダーを除去することができる。このため、膜を複数の領域に分離するために光ビームを照射する際に、光ビームの進行の妨げとなるパウダーが低減されている。したがって、加工不良を抑制して半導体装置を製造することができる。
【００１０】
なお、上記「基板上」とは、「基板表面上」、「基板表面上に形成された表面電極膜上」および「該表面電極膜上に形成された半導体層上」を含む。
【００１１】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、上記膜を形成する工程は、基板上に半導体層を形成する工程、および半導体層上に裏面電極膜を形成する工程の少なくともいずれかである。
【００１２】
半導体層および裏面電極膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学蒸着）法で形成することが好ましいが、ＣＶＤ法で形成するとパウダーが発生しやすい。このため、半導体層および裏面電極膜の少なくともいずれかを形成する際に、本発明が好適に用いられる。
【００１３】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、上記膜面を洗浄する工程では、膜面を選択的に洗浄する。
【００１４】
これにより、パウダーが発生する側である膜面のみを洗浄することも可能となる。このため、パウダーが裏面に回り込む前に膜面のみを洗浄することができる。
【００１５】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、上記膜面を洗浄する工程では、洗浄部材を膜面に接触しながら洗浄する。これにより、パウダーを効果的に除去することができる。
【００１６】
上記半導体装置において好ましくは、上記洗浄部材は、静電ブラシおよび粘着ロールの少なくともいずれか一方である。これにより、パウダーをより効果的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、膜を形成する工程と、光ビームを照射する工程との間に、形成した膜面を洗浄する工程を備えているので、膜を複数の領域に分離するための加工不良を抑制して半導体装置の製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】（Ａ）は、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った概略断面図であり、（Ｂ）は線ＩＩＢ−ＩＩＢに沿った概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第４工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図８】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第５工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第６工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図１０】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第７工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第８工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図１２】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第９工程を概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【図１３】本発明の実施の形態１の変形例における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。また、図２（Ａ）および（Ｂ）のそれぞれは、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡおよび線ＩＩＢ−ＩＩＢに沿った概略断面図である。図１および図２を参照して、本実施の形態の半導体装置の一例である薄膜太陽電池１ａは、透明絶縁基板２と、透明電極層３と、半導体層としての半導体光電変換層４と、裏面電極膜としての裏面電極層５と、電極１０とを備えている。
【００２０】
透明絶縁基板２は、透光性を有する基板である。透明絶縁基板２上には、透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５がこの順序で積層されている。
【００２１】
透明電極層３は、導電膜であって、第１分離溝６によって複数の領域に分離されている。第１分離溝６は半導体光電変換層４で埋められている。
【００２２】
裏面電極層５は導電膜である。裏面電極層５および半導体光電変換層４は、第２分離溝８によって複数のセル領域１１に分離されている。
【００２３】
また半導体光電変換層４には、貫通部であるコンタクトライン７が形成されている。コンタクトライン７は、裏面電極層５によって埋められており、隣り合うセル領域１１間を電気的に直列に接続している。このように直列接続された複数のセル領域１１の端子として、電極１０が裏面電極層５上に設けられている。
【００２４】
続いて、本実施の形態の薄膜太陽電池１ａ（図１および図２）の製造方法について説明する。図３は、本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。図４〜図１２は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１〜第９工程を工程順に概略的に示す図であり、図１の線ＩＩＡ−ＩＩＡに沿った位置に対応する断面図（Ａ）、および線ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った位置に対応する断面図（Ｂ）である。
【００２５】
まず、主に図３、図４（Ａ）および（Ｂ）を参照して、透光性を有する透明絶縁基板２の表面２ａ上に導電膜として透明電極層３を形成する（ステップＳ１）。
【００２６】
透明絶縁基板２は、表面２ａと、表面２ａと反対側の裏面２ｂとを有している。透明絶縁基板２は、たとえばガラス基板である。また透明電極層３の材料は、たとえば、ＳｎＯ2（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いることができる。
【００２７】
次に、主に図３を参照して、形成した膜面を洗浄する工程として、透明電極層３において透明絶縁基板２が形成された面と反対側の膜面を洗浄する（ステップＳ２）。これにより、膜面のパウダーを除去することができる。
【００２８】
この洗浄するステップＳ２において、膜面を選択的に洗浄することが好ましい。また、洗浄するステップＳ２において、洗浄部材（図７における洗浄部材１００参照）を膜面に接触しながら洗浄することが好ましい。洗浄部材は、たとえば静電ブラシ、粘着ロール、エアーナイフなどのウエブクリーナードライ洗浄などを用いることができる。
【００２９】
次に、透明電極層３が形成された面と反対側の裏面２ｂを洗浄する。これにより、後述する第１スクライブ（ステップＳ３）において透明絶縁基板２の裏面２ｂから光ビームＬＭ１の透過を向上することができる。この洗浄は、膜面を洗浄するステップＳ２と同様に行なうことができる。
【００３０】
次に、図３、図５（Ａ）および（Ｂ）を参照して、透明電極層３を複数の領域に分離するために、透明絶縁基板２を介して光ビームＬＭ１（レーザ光）を透明電極層３に選択的に照射する（第１スクライブ工程：ステップＳ３）。この照射によるレーザスクライブによって、透明電極層３を分離する第１分離溝６が形成される。
【００３１】
光ビームＬＭ１の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえば１０６４ｎｍである。この光ビームＬＭ１によるレーザスクライブにより、透明電極層３を複数の領域に分離する第１分離溝６が形成される。
【００３２】
このレーザスクライブにおいて透明絶縁基板２の裏面２ｂに付着物があると、光ビームＬＭ１の透明絶縁基板２中の透過が妨げられることに起因して、除去されるべき透明電極層３が残存した箇所、すなわち除去不良箇所が生じることがある。除去不良箇所において残存した透明電極層３である残存透明電極層は、電気的絶縁が確保されるべき透明電極層３間を短絡させてしまう。しかし、本実施の形態では、上述したように、透明電極層３の表面（膜面）側を洗浄しているので、パウダーなどが透明絶縁基板２の裏面２ｂに回り込むことを抑制できる。また、透明絶縁基板２の裏面２ｂを洗浄していると、透明絶縁基板２の裏面２ｂの付着物をさらに抑制することができる。このため、光ビームＬＭ１の透明絶縁基板２中の透過が妨げられることを防止することができる。したがって、除去不良箇所の発生を抑制することができるので、電気的絶縁が確保されるべき透明電極層３間の短絡を防止することができる。
【００３３】
なお、除去不良箇所の有無を調べてもよい。この工程を実施する場合には、たとえば以下のように行なわれる。
【００３４】
透明電極層３のうち第１分離溝６により分離された場合の互いに隣り合う１対の間の抵抗を測定する。抵抗の測定の際には、上記１対の透明電極層３の間に抵抗計を接続する。そして、測定した抵抗値の大小により、除去不良箇所が存在するか否かを判定し、除去不良箇所が存在する場合には、除去不良箇所が存在する第１分離溝６を特定する。これにより、除去不良箇所の位置を特定する。
【００３５】
その後、除去不良箇所に対してリペアを行なう。つまり、残存透明電極層の除去が行なわれることによって、透明電極層３の間、すなわち第１分離溝６の電気的絶縁が確保される。
【００３６】
リペアの方法としては、たとえば透明絶縁基板２の透明電極層３が形成された側から光ビームを照射することで残存透明電極層をアブレーションする方法を用いることができる。あるいは、たとえばニードルを用い、メカニカル加工により残存透明電極層を除去する方法を用いることができる。
【００３７】
次に、主に図３を参照して、レーザスクライブにより生じたパーティクルを洗浄する（ステップＳ４）。
【００３８】
次に、図３および図６（Ａ）および（Ｂ）を参照して、第１分離溝６を埋めるように透明電極層３を覆う半導体光電変換層４を形成する（ステップＳ５）。半導体光電変換層４は、たとえば、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造を有し、２００ｎｍ以上５μｍ以下の厚さを有する。
【００３９】
この半導体光電変換層４は、たとえばＣＶＤ法により成膜される。このとき、成膜中に生じたシリコン膜の剥がれなどパウダーが発生する。
【００４０】
次に、図３および図７に示すように、形成した膜面を洗浄する工程として、半導体光電変換層４において透明電極層３が形成された面と反対側の膜面を洗浄する（ステップＳ６）。これにより、膜面に付着したパウダーを除去することができる。特に、ステップＳ５において、シリコン膜を形成する際にパウダーが発生しやすいため、このステップＳ６を実施することが好ましい。
【００４１】
この洗浄するステップＳ６において、膜面を選択的に洗浄することが好ましい。また、洗浄するステップＳ６において、図７（Ａ）および（Ｂ）に示すように、洗浄部材１００を膜面に接触しながら洗浄することが好ましい。この場合、ガスの吹き付けや、液体中での洗浄よりも、パウダー状の付着物を除去しやすい。洗浄部材１００は、たとえば静電ブラシ、粘着ロール、エアーナイフなどのウエブクリーナードライ洗浄などを用いることができる。洗浄部材１００として静電ブラシを用いる場合には、膜面に付着したパウダーを除去できるとともに、静電ブラシが接地されているため、膜面を除電することもできる。
【００４２】
次に、膜面を洗浄するステップＳ６と同様に、透明絶縁基板２の裏面２ｂを洗浄してもよい。これにより、後述する第２スクライブ（ステップＳ７）において透明絶縁基板２の裏面２ｂから光ビームＬＭ２の透過を向上することができる。
【００４３】
次に、図３および図８（Ａ）および（Ｂ）を参照して、透明絶縁基板２を介して透明電極層３および半導体光電変換層４に光ビームＬＭ２を照射する（第２スクライブ工程：ステップＳ７）。光ビームＬＭ２の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換層４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。これにより、半導体光電変換層４の一部がアブレーションされることでコンタクトライン７が形成される。
【００４４】
光ビームＬＭ２の照射の前に半導体光電変換層４の膜面を洗浄しているので、光ビームＬＭ２の透明絶縁基板２および透明電極層３中の透過が妨げられることを防止することができる。このため、半導体光電変換層４において除去不良箇所の発生を抑制することができる。
【００４５】
また、レーザスクライブにより生じたパーティクルを洗浄してもよい（ステップＳ７−１）。
【００４６】
次に、主に図３、図９（Ａ）および（Ｂ）を参照して、コンタクトライン７を埋めるように半導体光電変換層４を覆う裏面電極層５を形成する（ステップＳ８）。裏面電極層５は、たとえばＺｎＯ層とＡｇ（銀）層との積層体である。
【００４７】
この裏面電極層５は、たとえばＣＶＤ法により成膜される。このとき、成膜中に生じたＺｎＯ層またはＡｇ層の剥がれなどパウダーが発生する。
【００４８】
次に、主に図３を参照して、形成した膜面を洗浄する工程として、裏面電極層５において半導体光電変換層４が形成された面と反対側の膜面を洗浄する（ステップＳ９）。これにより、膜面に付着したパウダーを除去することができる。特に、ステップＳ８において、裏面電極層５を形成する際にパウダーが発生しやすいため、このステップＳ９を実施することが好ましい。
【００４９】
この洗浄するステップＳ９は、上述した洗浄するステップＳ６と同様であるので、その説明は繰り返さない。
【００５０】
次に、膜面を洗浄するステップＳ９と同様に、透明絶縁基板２の裏面２ｂを洗浄してもよい。これにより、後述する第３および第４スクライブ（ステップＳ１０、Ｓ１１）において透明絶縁基板２の裏面２ｂから光ビームＬＭ３、ＬＭ４の透過を向上することができる。
【００５１】
次に、主に図３、図１０（Ａ）および（Ｂ）を参照して、透明絶縁基板２を介して透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５に光ビームＬＭ３が照射される（第３スクライブ工程：ステップＳ１０）。光ビームＬＭ３の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換層４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。これにより半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで第２分離溝８が形成される。
【００５２】
光ビームＬＭ３の照射の前に裏面電極層５の膜面を洗浄しているので、光ビームＬＭ３の透明絶縁基板２および透明電極層３中の透過が妨げられることを防止することができる。このため、半導体光電変換層４および裏面電極層５において除去不良箇所の発生を抑制することができる。
【００５３】
なお、除去不良箇所の有無を調べてもよい。除去不良箇所の有無を調べる工程は、上述した工程と同様であるので、その説明を繰り返さない。
【００５４】
また、レーザスクライブにより生じたパーティクルを洗浄してもよい（ステップＳ１０−１）。
【００５５】
次に、主に図３、図１１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、透明絶縁基板２を介して透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５に、光ビームＬＭ４を照射する（第４スクライブ工程：Ｓ１１）。光ビームＬＭ４の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換層４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。これにより半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで、第２分離溝８の長手方向の両端（図１１（Ａ）の左右端）の各々の近傍に周縁溝９が形成される。
【００５６】
光ビームＬＭ４の照射の前に裏面電極層５の膜面を洗浄しているので、光ビームＬＭ４の透明絶縁基板２および透明電極層３中の透過が妨げられることを防止することができる。このため、半導体光電変換層４および裏面電極層５において除去不良箇所の発生を抑制することができる。これにより、周縁溝９の電気的絶縁が確保される。
【００５７】
なお、除去不良箇所の有無を調べてもよい。除去不良箇所の有無を調べる工程は、上述した工程と同様であるので、その説明を繰り返さない。
【００５８】
また、レーザスクライブにより生じたパーティクルを洗浄してもよい（ステップＳ１１−１）。
【００５９】
次に、膜面を洗浄するステップＳ９と同様に、透明絶縁基板２の裏面２ｂを洗浄してもよい。これにより、後述するトリミング（ステップＳ１２）において透明絶縁基板２の裏面２ｂから光ビームＬＭ５の透過を向上することができる。
【００６０】
次に、図３、図１２（Ａ）および（Ｂ）を参照して、周縁溝９のさらに外側（図１２（Ａ）の破線部の外側）の領域と、第２分離溝８の延在方向に沿った外側（図１２（Ｂ）の左右側）の領域とに、光ビームＬＭ５を照射する（トリミング工程：ステップＳ１２）。光ビームＬＭ５の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえば１０６４ｎｍである。これにより、透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされる。
【００６１】
なお、また、レーザスクライブにより生じたパーティクルを洗浄してもよい（ステップＳ１２−１）。
【００６２】
次に、図２（Ａ）および（Ｂ）を参照して、第２分離溝８の延在方向に直交する方向の両端の裏面電極層５の表面（膜面）上に、第２分離溝８の延在方向と同じ方向に延在する電極１０を形成する。
【００６３】
以上のステップＳ１〜Ｓ１２により、本実施の形態の半導体装置である薄膜太陽電池１ａが得られる。なお、成膜後に膜面を洗浄するステップＳ２、Ｓ６、Ｓ９は、いずれか１つの工程のみ実施してもよい。透明絶縁基板２上に半導体光電変換層４を形成するステップＳ５後、および半導体光電変換層４上に裏面電極層５を形成するステップＳ８後、第２〜第４スクライブ工程Ｓ７、Ｓ１０、Ｓ１１前に、成膜後に膜面を洗浄するステップＳ６、Ｓ９の少なくとも一方を実施することが好ましく、両方実施することがより好ましい。ステップＳ５、Ｓ８では、成膜時にパウダーが発生しやすいため、ステップＳ６、Ｓ９で膜面を洗浄することにより、裏面２ｂ側に回り込むパウダーを効果的に抑制することができる。
【００６４】
また、本実施の形態では半導体装置の一例として薄膜太陽電池１ａを例に挙げて説明したが、本発明の半導体装置は薄膜太陽電池に限定されない。また、薄膜太陽電池はタンデム型構造を有してもよい。図１３は、本発明の実施の形態１の変形例における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。主に図１３を参照して、たとえばダンデム型構造の薄膜太陽電池１ｂは、薄膜太陽電池１ａ（図２（Ｂ））の半導体光電変換層４として、非晶質の第１半導体光電変換層４ａと、中間反射層８０と、結晶質の第２半導体光電変換層４ｂとを有する。第１半導体光電変換層４ａおよび中間反射層８０は、中間分離溝２４を有する。第１半導体光電変換層４ａおよび中間反射層８０を形成した後、中間分離溝２４を形成する前、および、第２半導体光電変換層４ｂを形成した後、コンタクトライン７を形成する前にも、上述した膜面を洗浄する工程を適用することができる。
【００６５】
本実施の形態の半導体装置としての薄膜太陽電池１ａ、１ｂの製造方法によれば、透明絶縁基板２の表面２ａ上に透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を形成するステップＳ１、Ｓ５、Ｓ８と、透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を複数の領域に分離するために、透明絶縁基板２を介して透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５に光ビームを照射するステップＳ３、Ｓ７、Ｓ１０およびＳ１１と、透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を形成するステップＳ１、Ｓ５、Ｓ８と、光ビームを照射するＳ３、Ｓ７、Ｓ１０およびＳ１１との間に、形成した透明電極層３の膜面、半導体光電変換層４の膜面または裏面電極層５の膜面を洗浄するステップＳ２、Ｓ６、Ｓ９とを備えている。
【００６６】
本実施の形態における半導体装置としての薄膜態様電池１ａ、１ｂの製造方法によれば、透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を形成した後であって、かつ光ビームを照射する前に、形成した透明電極層３の膜面、半導体光電変換層４の膜面または裏面電極層５の膜面を洗浄している。これにより、透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を形成する際にパウダーが発生しても、このパウダーを除去することができる。このため、透明電極層３、半導体光電変換層４または裏面電極層５を複数の領域に分離するために光ビームＬＭ１〜ＬＭ４を照射する際に、光ビームＬＭ１〜ＬＭ５の進行の妨げとなるパウダーが低減されている。したがって、加工不良を抑制して半導体装置としての薄膜太陽電池１ａ、１ｂを製造することができる。
【００６７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明の半導体装置の製造方法は、薄膜太陽電池の製造方法に有利に適用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１ａ，１ｂ  薄膜太陽電池、２  透明絶縁基板、２ａ  表面、２ｂ  裏面、３  透明電極層、４  半導体光電変換層、４ａ  第１半導体光電変換層、４ｂ  第２半導体光電変換層、５  裏面電極層、６  第１分離溝、７  コンタクトライン、８  第２分離溝、９  周縁溝、１０  電極、１１  セル領域、２４  中間分離溝、８０  中間反射層、１００  洗浄部材、ＬＭ１，ＬＭ２，ＬＭ３，ＬＭ４，ＬＭ５  光ビーム。
【図１】
2010199506.tif 000003
【図２】
2010199506.tif 000004
【図３】
2010199506.tif 000005
【図４】
2010199506.tif 000006
【図５】
2010199506.tif 000007
【図６】
2010199506.tif 000008
【図７】
2010199506.tif 000009
【図８】
2010199506.tif 000010
【図９】
2010199506.tif 000011
【図１０】
2010199506.tif 000012
【図１１】
2010199506.tif 000013
【図１２】
2010199506.tif 000014
【図１３】
2010199506.tif 000015