(57)【要約】【課題】メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具を提供する。【解決手段】プロセスマッフル１と、プロセスマッフル１内に配置されたマッフルフロア５と、マッフルフロア５上を摺動しながら半導体ウエーハＷを搬送する搬送ベルト９と、搬送ベルト９の動きを監視する監視装置と、を備え、監視装置は例えばエンコーダ３０を有する。このような構成であれば、搬送ベルト９の移動速度の変化（例えば、脈動）を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス時期を決定することができる。【選択図】図１
2010109176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、
前記搬送ベルトの動きを監視する監視装置と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記監視装置は、
前記エンコーダから出力される信号に異常が有るか否かを判断する判断部、をさらに有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、
前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、
前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部、をさらに備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、
前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、
前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。
【請求項８】
処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔の内部を清掃する工程と、を含み、
前記孔の内部を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。
【請求項９】
処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンスに使用される治具であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、
前記針の一端を保持する保持部と、を備えることを特徴とするメンテナンス治具。
【請求項１０】
前記保持部の前記針を保持する側に取り付けられた樹脂材、をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のメンテナンス治具。
【請求項１１】
前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項９に記載のメンテナンス治具。
【請求項１２】
前記針は、ピアノ線からなることを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか一項に記載のメンテナンス治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示された常圧気相成長装置（以下、常圧ＣＶＤ装置ともいう。）がある。常圧ＣＶＤ装置は、常圧環境にある反応室内に基板を配置してこれを加熱すると共に、反応室内に原料ガスを供給し、供給された原料ガスを熱で化学反応させることにより、基板上に所望の膜を成膜する装置である。
このような常圧ＣＶＤ装置は、処理室内で基板をローダ側からアンローダ側へ搬送するためのベルトを有する。また、このベルトの下部には、処理室の底面に相当する温度コントロールされた金属板があり、この金属板はマッフルフロアと呼ばれている。マッフルフロアには直径１ｍｍ弱の微細な孔が多数形成されており、孔よりＮ2ガスを放出することにより、マッフルフロア表面での生成物異常成長を抑制すると共に、基板に対する成膜レートのコントロールを可能としている。
【特許文献１】特開平６−１００１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記孔は長時間使用するとデポ物が堆積し孔が塞がれ、Ｎ2ガスが放出されなくなる。孔からＮ2ガスが放出されなくなると種々の問題が発生するため、定期的にデポ物を取り除いて孔を復元する必要があった（定期的メンテナンス）。
また、デポ物の堆積による孔の閉鎖の程度は、装置の使用条件により異なる。例えば、ガス種、温度、加工時間、メンテナンスの仕上げ具合などにより、閉鎖の程度は大きく左右される。従って、定期的メンテナンスでは、使用可能期間内であるにも関わらず孔が塞がれて加工不良が発生することや、メンテナンス時期に到達したにも関わらず孔に問題が無く、（結果的に）装置を不要に停止させ生産効率を落としてしまうことがあった。
【０００４】
さらに、孔の復元については、孔を塞いでいるデポ物をドリルで削り取ることにより開口させることも可能であるが、この処理方式（以下、ドリル方式ともいう。）ではドリルの歯が破断し易く、また、処理そのものが熟練を要する仕事であるため、復元作業に長時間を要していた。
そこで、本発明のいくつかの態様は、このような課題に着目してなされたものであって、メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置は、処理室と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、前記搬送ベルトの動きを監視する監視装置と、を備えることを特徴とするものである。
また、上記の構成において、前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴としても良い。
【０００６】
また、上記の構成において、前記監視装置は、前記エンコーダから出力される信号に異常が有るか否かを判断する判断部、をさらに有することを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴としても良い。
【０００７】
また、上記の構成において、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部、をさらに備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給されることを特徴としても良い。
本発明の別の形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、上記の構成を有する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とするものである。
【０００８】
本発明のさらに別の形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、処理室と、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、前記メンテナンス治具を用いて前記孔の内部を清掃する工程と、を含み、前記孔の内部を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明のさらに別の形態に係るメンテナンス治具は、処理室と、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンスに使用される治具であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えることを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記の構成において、前記保持部の前記針を保持する側に取り付けられた樹脂材、をさらに備えることを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記針は、ピアノ線からなることを特徴としても良い。ここで、ピアノ線とは、炭素鋼で作られた金属線のことである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る常圧ＣＶＤ装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示すように、この常圧ＣＶＤ装置１００は、プロセスマッフル１と、インジェクター３と、マッフルフロア５と、クーリングマッフル７と、搬送ベルト９と、エッチングマッフル１１と、超音波洗浄器１３と、ガス噴射口１５と、赤外線ランプ１７と、ラグローラー１９と、複数のピンチローラー２１と、水冷ローラー２３と、エンコーダ３０と、を備える。
【００１２】
プロセスマッフル１は、例えば常圧（即ち、ほぼ１気圧）の環境下で成膜処理を行うための処理室である。また、インジェクター３は、プロセスマッフル１内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部である。原料ガスは、半導体ウエーハＷ上に形成される膜の種類によって種々選択することができる。例えば、半導体ウエーハＷ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を成膜する場合は、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）の組み合わせ、又は、テトラエトキシラン（ＴＥＯＳ）とオゾン（Ｏ3）の組み合わせを用いることができる。なお、ＴＥＯＳは常温・常圧で液体であるため、例えば、ＴＥＯＳを不活性ガスでバブリングして、ＴＥＯＳ雰囲気を含む不活性ガスを作成し、これを原料ガスの一つとしても良い（即ち、ＴＥＯＳの輸送に、不活性ガスによるバブリングを用いても良い）。不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）等を用いることができる。
【００１３】
マッフルフロア５は、プロセスマッフル１内に配置された支持板である。マッフルフロア５の温度は、処理中は、成膜条件に適した温度（通常は、３００℃〜６００℃のうちの任意の範囲）にコントロールされる。マッフルフロア５には、熱伝導性に優れた材料（例えば、ステンレス等の金属）が使用されている。また、図２に示すように、このマッフルフロア５には、例えば直径１ｍｍ弱の微細な孔６が多数形成されている。処理中は、これら多数の孔６から搬送ベルト９側へ不活性ガス（例えば、Ｎ2又はＡｒ等）が放出することにより、マッフルフロア５表面での生成物異常成長を抑制できると共に、搬送ベルト９に載せられた半導体ウエーハＷ表面での成膜レートをコントロールできるようなっている。
【００１４】
図１に戻って、クーリングマッフル７は、成膜後の半導体ウエーハＷを冷却するための冷却室である。搬送ベルト９は、例えばその上面に半導体ウエーハを載せて搬送するものである。搬送ベルト９は、例えば、プロセスマッフル１の入口１ａからクーリングマッフル７の出口７ｂまで、半導体ウエーハＷを搬送する。
エッチングマッフル１１は、クーリングマッフル７の出口７ｂから出て（図示しない）アンローダ側に半導体ウエーハＷを渡した後の搬送ベルト９を所定の薬液又はガスでエッチングするためのエッチング室である。例えば、プロセスマッフル１内でＳｉＯ2の成膜処理が行われる場合は、搬送ベルト９の表面にも意図せずＳｉＯ2が堆積する。これをそのまま残しておくとパーティクルの原因となるので、エッチングマッフル１１では、搬送処理を終えた後のベルト表面を例えばフッ酸（ＨＦ）の蒸気でエッチングしてＳｉＯ2を取り除く。
【００１５】
超音波洗浄器１３は、エッチング後の搬送ベルト９を水洗するためのものである。ガス噴射口１５は、水にぬれた搬送ベルト９の水分を飛ばすためのものである。ガス噴射口１５から噴射されるガスは、例えば、高温の窒素又は空気等である。赤外線ランプ１７は、搬送ベルト９を最終的に乾かすためのである。ラグローラー１９は、搬送ベルト９を一方向（即ち、プロセスマッフル１の入口１ａからクーリングマッフル７の出口７ｂの方向）に駆動するためのものである。ピンチローラー２１は、搬送ベルト９の張力を維持して、ラグローラー１９による搬送ベルト９の駆動を補助するものである。水冷ローラー２３は、搬送ベルト９の張力を維持すると共に、赤外線ランプ１７によって加熱された搬送ベルト９を冷却するためのものである。
【００１６】
エンコーダ３０は、搬送ベルト９の移動具合を監視するための監視装置の一部である。このエンコーダ３０は、搬送ベルト９の動きに応じて回転するローラー３１を有する。即ち、エンコーダ３０は、搬送ベルト９の表面に密着（即ち、密に接触）し、搬送ベルト９との間に働く摩擦力によって回転するローラー３１を有する。搬送ベルト９が実線矢印の方向に移動すると、摩擦力によりローラー３１も破線矢印の方向に回転し、ローラー３１は搬送ベルト９の移動速度に応じた速度で回転するようになっている。このローラー３１の回転運動がエンコーダ３０に伝えられるようになっている。
【００１７】
これにより、図１の常圧ＣＶＤ装置１００では、マッフルフロア５上を摺動する搬送ベルト９の動きをエンコーダ３０で検知し、搬送ベルト９の移動具合から異常を検知し、成膜不良（例えば、膜厚の不均一性）が発生する前にメンテナンス時期を決定することができる。その原理は、マッフルフロア５上にデポ物（例えば、ＳｉＯ2）が堆積し始めると、図２に示した孔６が塞がり始め、同時に搬送ベルト９がデポ物と接触することにより搬送ベルト９の摺動負荷が増す。その摺動負荷がラグローラー１９のグリップ力を上回った時、空転の症状となり、結果として搬送ベルト９の動きがギクシャク（脈動）し始める。この脈動がローラー３１を介してエンコーダ３０に伝えられ、エンコーダ３０から出力される信号に基づいて異常が検出される。
【００１８】
例えば図３に示すように、搬送ベルトの移動具合を監視するための監視装置５０は、エンコーダ３０から出力される信号を解析するために、ｆ／Ａ変換器４１と、Ａ／Ｄ変換器４３と、パーソナルコンピュータ（以下、ＰＣという。）４５と、を有する。
エンコーダ３０では、ローラー３１の回転量が電気的なパルス信号に変換されて出力されるが、このパルス信号はｆ／Ａ変換器４１で電圧量（即ち、アナログ信号）に変換される。即ち、ｆ／Ａ変換器４１では、単位時間当たりのパルスのカウント値が、単位時間当たりの電圧量に変換される。そして、このアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器４３でデジタル信号に変換され、ＰＣ４５に送信される。ＰＣ４５では、このデジタル信号に基づいて、電圧量の経時変化が画面上に表示される。
【００１９】
図４は、ＰＣ４５の画面表示の一例を示す図である。図４の横軸は時間を示し、縦軸はエンコーダ３０から出力される信号（即ち、パルスのカウント値）に応じた電圧値を示す。ラグローラー１９でスリップが発生し、搬送ベルト９が脈動すると、図４に示すように電圧値が突発的に上昇する。半導体装置の製造ラインでは、例えば図４に示すような電圧波形について、その高さ（即ち、電圧値）の上限規格を設けておく。そして、この上限規格を一定の回数以上オーバーしたら、ＰＣ４５はエンコーダ３０から出力される信号に異常が有ると判断して、その画面上にアラート（警報）を表示するように設定しておく。作業者は、このアラートを確認したら、例えば、常圧ＣＶＤ装置１００が備える（図示しない）ローダを停止させて、未処理の半導体ウエーハについての成膜処理を中止する。そして、メンテナンスの準備に取り掛かる。
【００２０】
このように、本発明の第１実施形態によれば、搬送ベルト９の移動速度の変化（例えば、脈動）を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス時期を決定することができる。例えば、脈動を検出した場合は、常圧ＣＶＤ装置１００による成膜処理を停止して、当該装置のメンテナンスに取り掛かることができる。
上記の常圧ＣＶＤ装置１００では、搬送ベルト９の動きを監視する監視装置５０の一部にエンコーダ３０を用いているため、脈動を精度良く検出することができる。さらに、エンコーダ３０から出力される信号を最終的にアナログの波形に変換して画面上に表示している。これにより、作業者は搬送ベルト９の脈動を画面上で確認することが容易となっている。
【００２１】
なお、上記の第１実施形態では、ＰＣ４５の画面上に表示されたアラート（警報）を作業者が確認した後で、常圧ＣＶＤ装置１００による成膜処理を作業者が停止する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはない。例えば、図５に示すように、常圧ＣＶＤ装置１００は、ＰＣ４５からのフィードバック信号Ｓ１を受けて、その成膜処理を自動的に停止するようにしても良い。
【００２２】
即ち、図４に示したような電圧波形の上限規格を一定の回数以上オーバーしたら、ＰＣ４５はエンコーダ３０から出力される信号に異常が有ると判断して、画面上にアラート（警報）を表示させる。また、この表示と前後して、或いは同時に、ＰＣ４５は常圧ＣＶＤ装置１００の制御部１０にフィードバック信号Ｓ１を送信する。制御部１０は、このフィードバック信号Ｓ１を受信すると、ローダ１２に停止信号Ｓ２を送信する。この停止信号Ｓ２を受けて、ローダ１２は搬送ベルト上への半導体ウエーハの供給動作を停止する。
このような構成であれば、ＰＣ４５の画面を作業者が監視していなくても、アラートの表示とほぼ同時に、ローダ１２を停止させることができ、後続の成膜処理を直ちに中止することができる。従って、成膜不良の発生をさらに抑制することができる。
【００２３】
（２）第２実施形態
次に、成膜処理を停止した後の、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス方法について説明する。
図６は、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス方法の一例を示す概念図である。図６に示すように、マッフルフロア５の孔６を塞いでいるデポ物は、ポンチ６０を用いて取り除くことができる。ここで、ポンチ６０は、孔６の直径よりも小さな直径の針６１と、針６１の一端を保持する保持部６２と、を備えるメンテナンス治具のことである。
図７はポンチ６０の構成例を示す概念図である。
【００２４】
図７において、針６１の直径φ１は例えば０．８ｍｍであり、保持部６２の直径φ２は例えば１０ｍｍである。また、針６１の長さＬは例えば１．０ｃｍである。なお、この場合の孔６の直径は例えば０．９ｍｍであり、孔６の深さ（即ち、マッフルフロア５の厚さ）は例えば０．５ｃｍである。また、針６１の材質はピアノ線（即ち、炭素鋼で作られた金属線）であることが好ましい。これにより、打ち込みの衝撃力に耐えうる、十分な強度の針６１を実現することができ、同じ針６１を繰り返し使用することが可能である。さらに、針６１の先端６１ａは、平面を広く有することが好ましい。つまり、尖っていないことが好ましい。これにより、先端６１ａとデポ物との接触面積を広く稼ぐことができ、デポ物を効率良く押し出すことができる。
【００２５】
図６に示すように、ポンチ６０を用いて孔６内を清掃する場合は、針６１の他端（即ち、先端）６１ａを孔６内に差し込み、保持部６２の針６１を保持する側の反対側の面６２ｂを例えばハンマー６９で叩いて、針６１を孔６内に打ち込む。これにより、デポ物は針６１の先端６１ａに押されてマッフルフロア５の反対側（図６では、下側）に押し出され、孔６内から取り除かれる。以下、この処理方式をポンチ方式と呼ぶ。本発明者の知見では、上述のドリル方式ではドリルの歯が破断し易いが、ポンチ方式では針６１が折れにくい。また、処理そのものが簡単であり、孔６内を塞いでいるデポ物をマッフルフロア５の反対側へ一気に押し出すことができるので、孔６内を効率良く清掃することができる。これにより、孔６の復元作業を短時間に終わらせることができる。
このように、本発明の第２実施形態によれば、常圧ＣＶＤ装置１００をメンテナンスする際に、マッフルフロア５の孔６内をポンチ６０を用いて清掃する。これにより、孔６内を塞いでいるデポ物をマッフルフロア５の反対側へ一気に押し出すことができ、孔６内を効率良く清掃することができる。
【００２６】
なお、上述のポンチ６０では、図８（ａ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側の面６２ａに、樹脂材６４が取り付けられていても良い。或いは、図８（ｂ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側の面６２ａに、樹脂材からなるテープ６５が巻きつけられていても良い。このような構成であれば、針６１を孔６内に打ち込む際に、保持部６２とマッフルフロア５とが直に衝突することを防ぐことができ、保持板６２とマッフルフロア５の双方に働く衝撃力を樹脂の弾性力で緩和することができる。
また、本発明のポンチは、保持部６２に対して、針６１が着脱可能に取り付けられていても良い。例えば、針６１は保持部６２に対してピンバイス方式で取り付けられていても良い。
【００２７】
図９（ａ）〜９（ｂ）はピンバイス方式のポンチ６０´の構成例を示す図であり、図９（ａ）は保持部６２の側面を示し、図９（ｂ）は保持部６２の下面を示し、図９（ｃ）は針６１を保持部６２に固定するための固定部６６の断面を示す。ピンバイス方式では、図９（ａ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側はコレクトチャックとなっており、針６１の一端をくわえることができる嵌設孔ｈが設けられている。また、この保持部６２の外側面と、固定部６６の内側面にはそれぞれ対応するネジ溝が設けられている。図９（ａ）に示すように、嵌設孔ｈに針６１の一端を挿し込み、この状態で固定部６６を保持部６２の外側面に被せてネジを回すと、図９（ｂ）の矢印で示すように、嵌設孔ｈの径が徐々に狭まって針６１が保持部６２に固定される。また、固定したときと反対方向にネジを回すと、嵌設孔ｈの径が徐々に広がって針６１を保持部６２から取り外すことができる。
【００２８】
このような構成であれば、例えば、使用の過程で劣化した針６１を新品の針６１に交換することができる。保持部６２は交換せずに済むので、メンテナンスにかかるコストの低減に寄与することができる。
また、本発明のポンチは、押圧力の有無によって針６１が伸縮する（即ち、動く）ような構成であっても良い。
【００２９】
図１０は、ポンチ６０´´の構成例を示す図である。図７との違いは、針６１と保持部６２との間に弾性体（一例として、バネ）６７が設けられている点である。図１０の矢印で示すように、針６１に押圧力が与えられると、バネ６７は縮み、針６１は保持部６２内に押し込まれる。また、押圧力が取り除かれると、バネ６７は伸び、針６１は保持部６２内から外側へ飛び出す。また、このポンチ６０´´では、針６１の移動方向をガイドすると共に、その移動可能な範囲を一定の範囲に制限するためのガイド機構６８が設けられている。このガイド機構６８は、例えば、保持部６２の内側面に設けられた溝６８ａと、この溝６８ａに嵌め込まれた板６８ｂとを有する。板６８ｂには、針６１の一端が固定されている。
【００３０】
このような構成であれば、例えば、図６において、針６１の先端６１ａをマッフルフロア５の表面に押し当てながら孔６を探すときに、針６１の先端６１ａが孔６内に入ると針は縮んだ状態から一気に伸び、そのときの振動が保持部６２を介して作業者の手に伝わる。これにより、孔６の位置が特定し易くなる。
上記の第１、第２実施形態では、プロセスマッフル１が本発明の「処理室」に対応し、マッフルフロア５が「支持板」に対応し、インジェクター３が本発明の「ガス供給部」に対応している。また、ｆ／Ａ変換器４１、Ａ／Ｄ変換器４３及びＰＣ４５の組み合わせが「変換表示部」に対応し、ＰＣ４５は「判断部」にも対応している。また、常圧ＣＶＤ装置１００が本発明の「半導体製造装置」に対応し、ポンチ６０、６０´又は６０´´が本発明の「メンテナンス治具」に対応している。
【００３１】
なお、上記の第１、第２実施形態では、本発明の「半導体製造装置」の一例として、半導体ウエーハＷに対して成膜処理を行う常圧ＣＶＤ装置１００について説明した。しかしながら、半導体製造装置はこれに限られることはない。本発明の「半導体製造装置」は、搬送ベルトを用いて基板等を搬送しながら、その表面に加工処理を施す他の製造装置にも適用可能であり、そのような他の製造装置の一例として半導体実装工程で使用されるリフロー装置がある。また、本発明において、加工処理が施される「基板」は半導体ウエーハＷに限定されるものではなく、例えば、ガラス基板であっても良い。ガラス基板は、主に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造工程で使用されるものである。或いは、本発明の「基板」は半導体実装工程でＩＣチップが取り付けられる配線基板であっても良い。配線基板としては、例えばガラスエポキシ基板や、ポリイミド等の材質からなるフィルム基板が挙げられる。フィルム基板は、主に、ＩＣチップの実装法の一つであるＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）で使用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態に係る常圧ＣＶＤ装置１００の構成例を示す図。
【図２】マッフルフロア５の断面構成の一例を示す図。
【図３】監視装置５０の構成例を示す図。
【図４】ＰＣ４５の画面表示の一例を示す図。
【図５】フィードバック制御の一例を示す図。
【図６】第２実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図。
【図７】ポンチ６０の構成例を示す図。
【図８】ポンチ６０の他の構成例を示す図。
【図９】ポンチ６０´の構成例を示す図。
【図１０】ポンチ６０´´の構成例を示す図。
【符号の説明】
【００３３】
１  プロセスマッフル、３  インジェクター、５  マッフルフロア、６  孔  ７  クーリングマッフル、９  搬送ベルト、１０  制御部、１１  エッチングマッフル、１２  ローダ、１３  超音波洗浄器、１５  ガス噴射口、１７  赤外線ランプ、１９  ラグローラー、２１  ピンチローラー、２３  水冷ローラー、３０  エンコーダ、４１  ｆ／Ａ変換器、４３  Ａ／Ｄ変換器、４５  ＰＣ、５０  監視装置、６０、６０´、６０´´  ポンチ、６１  針、６１ａ  （針の）先端、６２  保持部、６４  樹脂材、６５  テープ、６６  固定部、６７  弾性体（バネ）、６８  機構、６８ａ  溝、６８ｂ  板、１００  常圧ＣＶＤ装置、Ｗ  半導体ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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