(57)【要約】【課題】真空用エンコーダセンサにおいて、ベーキングにより高い真空度を得ることができるようにする。【解決手段】リード端子１４を接続された磁気抵抗効果素子１１と永久磁石１５とをセンサケース１７内に封止樹脂１６で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、（１）センサケース１７と封止樹脂１６との境界部、（２）リード端子１４と封止樹脂１６との境界部のうちの少なくともいずれか一方に鉛筆硬度が３Ｈ以下の緩衝樹脂層１を備えるようにした。【選択図】図３
2010127756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とがセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層が設けられていることを特徴とする真空用エンコーダセンサ。
【請求項２】
リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とがセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該封止樹脂上部に緩衝樹脂層が形成されており、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方が該緩衝樹脂層により覆われていることを特徴とする真空用エンコーダセンサ。
【請求項３】
前記緩衝樹脂層が鉛筆硬度３Ｈ以下のエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１又は２記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項４】
前記緩衝樹脂層の厚さが前記センサケース内壁の対向面間隔の０．２５％〜１０％であることを特徴とする請求項１記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項５】
内周にモータコイル又はマグネットが装着された円筒状のステータと、マグネット又はモータコイルが装着されたロータとが、互いに磁気的空隙を介して同心円状に対向配置され、前記ロータが前記ステータと軸受を介して回転自在に軸支持され、前記ステータの内周に真空用エンコーダセンサが固定されるとともに、前記ロータの外周の一部にスリットディスクを設けて成る真空用エンコーダセンサ付き真空用モータにおいて、
前記真空用エンコーダセンサとして、請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空用エンコーダセンサを適用したことを特徴とする真空用エンコーダセンサ付き真空用モータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置等の真空環境下で使用されるサーボモータの位置および速度を検出するためのエンコーダセンサおよびそのエンコーダセンサを適用した真空用モータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空用エンコーダセンサは、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石がセンサケース内に収納されており、これらが封止樹脂により固定されている。センサケースの一端は開放されており、封止樹脂が露出している構造である（例えば、特許文献１参照）。
また、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とがセンサケース内に収納されて、これらを封止樹脂により固定した後、センサカバを設けることにより封止樹脂が露出しないようにした構造のものもある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−８４０１５号公報（第４頁、図８）
【特許文献２】特開２００５−２７４３９０号公報（第４−５頁、図１）
【０００３】
〈特許文献１に相当する真空用エンコーダセンサの欠点〉
図７は、従来の封止樹脂が露出している真空用エンコーダセンサ（従来例１と言う）の構成を示す側断面図であり、特許文献１に相当する。
図７において、１１は磁気抵抗効果素子であり、回路基板１３の一方面上に取り付けられている。回路基板１３の他方面上には磁気抵抗効果素子１１にバイアス磁界を印加する永久磁石１５が取り付けられている。また、回路基板１３にはリード端子１４が固定されており、リード端子１４は接続具１２を介して磁気抵抗効果素子１１と電気的に接続されている。磁気抵抗効果素子１１、回路基板１３、および永久磁石１５はセンサケース１７内に収納され、封止樹脂１６により固定されている。
この真空用エンコーダセンサは真空用モータに適用され、真空環境下に設置される。この真空用モータは短時間で高い真空度を得るために、真空用エンコーダを含む真空用モータ全体が真空環境下でベーキングされる。
このように、この真空用エンコーダセンサは真空環境下に設置され、ベーキングされるのであるが、この真空用エンコーダセンサには、ベーキングしても高い真空度を得ることができないという問題があった。
【０００４】
〈従来例１では高い真空度が得られなかった理由〉
その理由について説明する。
センサケース１７には円筒形の非磁性金属が用いられ、封止樹脂１６には主に一般的な注形用エポキシ樹脂（例えばビスフェノール型エポキシ樹脂主剤を芳香族アミン型硬化剤で硬化させたもの）のような硬い熱硬化性樹脂が用いられる。封止樹脂１６はセンサケース１７に注形された後、１００−１２０℃で硬化された後、室温まで自然冷却される。このため、封止樹脂１６にはセンサケース１７の半径方向に引張応力が残留する。一般的な注形用エポキシ樹脂は硬いため、引張応力に耐えられずセンサケース１７から剥離する箇所が生じる。これは、封止樹脂１６と他の構成要素との境界部でも同様である。つまり、封止樹脂１６とセンサケース１７との境界部や、封止樹脂１６とリード端子１４との境界部、および封止樹脂１６と永久磁石１５との境界部などの封止樹脂１６と他の構成要素との境界部には微小な空隙が生じた状態になる。このような真空用エンコーダセンサを真空環境下でベーキングした場合、この封止樹脂１６や内包された各構成要素に吸着もしくは吸蔵されたガスは構成要素の外部へ放出される。封止樹脂１６から放出されるガスは主に露出した面から真空環境に放出されるが、他の構成要素から放出されたガスは上述の微小な空隙を通って真空環境に放出される。しかし、一般的な注形用エポキシ樹脂である封止樹脂１６は、非磁性金属であるセンサケース１７に比べて熱膨張率が非常に大きいので、ベーキング中は封止樹脂１６の膨張により上述した微小な空隙はさらに小さくなる。このため、各構成要素から放出されたガスは真空中に放出され難くなり、封止樹脂１６と各構成要素間および各構成要素間に存在する微小な空隙に溜まる。ベーキングが終了して封止樹脂１６の温度が下がると、封止樹脂１６が収縮するために空隙がもとの大きさに戻っていく。このときに、空隙に溜まっていたガスが真空環境下に放出されるので、この真空用エンコーダセンサを設置した真空用モータはベーキングしても高い真空度を得ることができなかった。
【０００５】
また、上述のように室温においても封止樹脂１６と他の構成要素との境界部に微小な空隙が存在するので、この真空用エンコーダセンサを設置した真空用モータは室温においても高い真空度を得ることができないというような問題もあった。
【０００６】
〈特許文献２に相当する真空用エンコーダセンサの欠点〉
図８は、従来の封止樹脂が露出していない真空用エンコーダセンサ（従来例２と言う）の構成を示す側断面図であり、特許文献２に相当する。
図８において、２１はセンサカバ、２２はＯリング、２３はネジ、２４は充填口である。磁気抵抗効果素子１１はセンサケース１７内に収納され、封止樹脂１６により固定されている。センサケース１７と充填口２４を有するセンサカバ２１はＯリング２２を介してネジ２３で固定されており、充填口２４は封止して使用される。このため、封止樹脂１６が外部に露出しない構造となっている。
この真空用エンコーダセンサも真空用モータに適用され、真空環境下に設置される。この真空用モータは短時間で高い真空度を得るために、真空用エンコーダを含む真空用モータ全体を真空環境下でベーキングされるのであるが、ベーキングしても高い真空度を得ることができないという同じ問題があった。
【０００７】
〈従来例２でも高い真空度が得られなかった理由〉
その理由について説明する。
センサカバ２１により封止樹脂１６が露出しない構造の真空用エンコーダセンサの場合も上述したような理由から各構成要素間には微小な空隙が存在する。
ベーキングにより各構成要素からガスが放出されるが、センサケース１７とセンサカバ２１はＯリング２２を介して密閉されているために、ガスは空隙にたまり密閉空間の圧力が上昇する。このためにセンサケース１７が歪み、Ｏリング２２によるシールが不十分になる。このため、ベーキングにより高い真空度を得ることができなかった。
また、構造が複雑なため製造工数が増加し、製造コストが大幅に増加するという問題もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、簡便な構造で真空環境下でのベーキングにより高い真空度を得ることができるとともに、室温で排気した場合にも高い真空度を得ることができる真空用エンコーダセンサおよび真空用モータにおける真空位置検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とをセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層が設けられていることを特徴とするものである。
また、請求項２に記載の発明は、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とがセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該封止樹脂上部に緩衝樹脂層が形成されており、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方が該緩衝樹脂層により覆われていることを特徴とするものである。
また、請求項３に記載の発明は、前記緩衝樹脂層が鉛筆硬度３Ｈ以下のエポキシ樹脂であることを特徴とするものである。
また、請求項４に記載の発明は、前記緩衝樹脂層の厚さが前記センサケース内壁の対向面間隔の０．２５％〜１０％であることを特徴とするものである。
さらに、請求項５に記載の発明は、真空用エンコーダセンサ付き真空用モータに係り、内周にモータコイル又はマグネットが装着された円筒状のステータと、マグネット又はモータコイルが装着されたロータとが、互いに磁気的空隙を介して同心円状に対向配置され、前記ロータが前記ステータと軸受を介して回転自在に軸支持され、前記ステータの内周に真空用エンコーダセンサが固定されるとともに、前記ロータの外周の一部にスリットディスク設けて成る真空用エンコーダセンサ付き真空用モータにおいて、前記真空用エンコーダセンサとして、請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空用エンコーダセンサを適用したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に記載の発明によると、センサケースと封止樹脂との境界部、リード端子と封止樹脂との境界部の少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層として軟らかいエポキシ樹脂を備えているので、ベーキング後に封止樹脂が収縮しても、緩衝樹脂層が伸びてセンサケースと封止樹脂との境界部およびリード端子と封止樹脂との境界部に空隙が生じない。このために、ベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境部に放出されることを防止でき、高い真空度を得ることができる。また、封止樹脂を加熱硬化した後も同様な理由でセンサケースと封止樹脂との境界部およびリード端子と封止樹脂との境界部に空隙が生じないので、ベーキングしない場合にも高い真空度を得ることができる。さらに構造が簡便であり、製造コストを低く抑えることができる。  
請求項２に記載の発明によると、封止樹脂上部に緩衝樹脂層を形成しているので、簡単な構造でベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境に放出されることを防止できる。
請求項３に記載の発明によると、緩衝層の硬さを最適化しているので、ベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境に放出されることを防止できる効果がさらに高まる。
請求項４に記載の発明によると、センサケースと封止樹脂との境界部、リード端子と封止樹脂との境界部の緩衝樹脂層の厚さを最適化しているので、より高い真空度を得ることができる。
請求項５に記載の発明によると、真空用モータにおける真空位置検出装置に、高い真空度を得ることのできる真空用エンコーダセンサを使用しているので、真空モータにおいてもより高い真空度を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の実施例１に係る真空用エンコーダセンサの側断面図である。
図において、１は本発明によって設けられた緩衝樹脂層である。１１は磁気抵抗効果素子、１２は接続具、１３は回路基板、１４はリード端子、１５は永久磁石、１６は封止樹脂、１７はセンサケースである。
本発明が従来技術（図７）と異なるのは、本発明では緩衝樹脂層１を備えた点であり、実施例１（図１）では特にリード端子１４と封止樹脂１６との境界部に緩衝樹脂層１を設けているのが特徴である。
【００１３】
実施例１の真空用エンコーダセンサの組立について図１を基に説明する。
内径２０ｍｍ、深さ２５ｍｍのセンサケース１７内に磁気抵抗効果素子１１、永久磁石１５および厚さ０．２ｍｍの緩衝樹脂層１を設けたリード端子１４などをセンサケース内に仮止めし、封止樹脂１６を注形した。その後、１２０℃の空気中に１７時間設置して緩衝樹脂層１および封止樹脂１６を硬化させた。
封止樹脂１６にはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤１００重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合し、アルミナ粉末を約５０体積％分散させたエポキシ樹脂（鉛筆硬度５Ｈ以上）を用いた。
センサケース１７には非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼を用いた。
〈緩衝樹脂層１の組成〉
緩衝樹脂層１には鉛筆硬度がＨＢである、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤５０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤５０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂を用いた。
なお、鉛筆硬度の測定は、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−４に準拠し、ＭＩＴＳＵ−ＢＩＳＨＩ製Ｈｉ−ｕｎｉの鉛筆を用いた。
【実施例２】
【００１４】
図２は、本発明の実施例２に係る真空用エンコーダセンサの側断面図である。
図において、１は本発明によって設けられた緩衝樹脂層である。１１は磁気抵抗効果素子、１２は接続具、１３は回路基板、１４はリード端子、１５は永久磁石、１６は封止樹脂、１７はセンサケースである。
実施例２が実施例１と異なるのは、実施例１ではリード端子１４と封止樹脂１６との境界部に緩衝樹脂層１を設けたのに対して実施例２ではセンサケース１７と封止樹脂１６との境界部に設けたのが特徴である。
【００１５】
実施例２の真空用エンコーダセンサの組立について図２を基に説明する。
内径２０ｍｍ、深さ２５ｍｍのセンサケース１７内に緩衝樹脂層１を厚さが０．２ｍｍになるように塗布した後、磁気抵抗効果素子１１、永久磁石１５、リード端子１４などをセンサケース内に仮止めし、封止樹脂１６を注形し、その後、１２０℃の空気中に１７時間設置して緩衝樹脂層１および封止樹脂１６を硬化させた。封止樹脂１６、緩衝樹脂層１の組成は実施例１と同じである。
【実施例３】
【００１６】
図３は、本発明の実施例３に係る真空用エンコーダセンサの側断面図である。
図において、１は本発明によって設けられた緩衝樹脂層である。１１は磁気抵抗効果素子、１２は接続具、１３は回路基板、１４はリード端子、１５は永久磁石、１６は封止樹脂、１７はセンサケースである。
実施例３が実施例１および２と異なるのは、実施例３が実施例１および２の両方を採用して、緩衝樹脂層１をセンサケース１７と封止樹脂１６との境界部およびリード端子１４と封止樹脂１６との境界部の両方に設けたのが特徴である。
【００１７】
実施例３の真空用エンコーダセンサの組立について図３を基に説明する。
内径２０ｍｍ、深さ２５ｍｍのセンサケース１７内に緩衝樹脂層１を厚さが０．２ｍｍになるように塗布した後、磁気抵抗効果素子１１、永久磁石１５および厚さ０．２ｍｍの緩衝樹脂層１を設けたリード端子１４などをセンサケース内に仮止めし、封止樹脂１６を注形した。その後、１２０℃の空気中に１７時間設置して緩衝樹脂層１および封止樹脂１６を硬化させた。
封止樹脂１６、緩衝樹脂層１の組成は実施例１と同じである。
【００１８】
〈実施例と比較例〉
このようにして作製した実施例３の真空用エンコーダセンサを２５℃、５５％ＲＨの調湿空気中に２４時間静置した後、真空中でのガス放出速度を調べた。ガス放出速度は公知の差圧流量法（スループット法）により測定し、室温にて３０時間真空排気した後にベーキングを１５時間行った。ベーキング温度は１２０℃とした。従来例には緩衝樹脂層１を設けていない真空用エンコーダセンサを用いた。また、比較例として、図３の緩衝樹脂層１の替わりに鉛筆硬度が４Ｈのアクリル樹脂層を０．２ｍｍ設けた真空用エンコーダセンサを用いた。いずれの場合も、緩衝樹脂層１以外の構成は実施例と同じである。
図４に、ガス放出速度の測定例として、従来例と図３の実施例３の真空用エンコーダセンサにおけるガス放出速度と排気時間の関係を示す。ガス放出速度は、小さいほど高い真空度が得られることを意味している。
実施例３の真空用エンコーダにおけるベーキング後の到達ガス放出速度Ｑは、
Ｑ＝１．４×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ
であり、従来例のガス放出速度Ｑ’は、
Ｑ’＝２９０×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ
であった。すなわち、実施例３の真空用エンコーダのガス放出速度Ｑは従来例のガス放出速度Ｑ’の約１／２００の値を示した。
つまり、図３の実施例３では従来例に比べてベーキング後に２桁以上高い真空度を得ることができた。なお、ベーキング前の室温排気３０ｈ時点（ベーキング前）の実施例３のガス放出速度Ｑｆは
Ｑｆ  ＝２９０×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ
であり、ベーキング前の室温排気３０ｈ時点（ベーキング前）のガス放出速度の従来例のガス放出速度Ｑｆ’は、
Ｑｆ’＝１５００×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ
で、実施例３のほうが小さく、しかも、ベーキングしない場合（Ｑｆ）においても従来例のベーキング後と同等のガス放出速度を得ることができた。
【００１９】
表１に実施例、比較例、および従来例のベーキング後のガス放出速度（相対値）を示す。
【表１】
2010127756.tif 000003
表１において、実施例１は、リード端子１４と封止樹脂１６との境界部にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤５０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤５０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂の緩衝樹脂層１を設けたものである。
実施例２は、センサケース１７と封止樹脂１６との境界部に上記同じ組成のエポキシ樹脂の緩衝樹脂層１を設けたものである。
実施例３は、センサケース１７と封止樹脂１６との境界部、リード端子１４と封止樹脂１６との境界部、の両方に上記同じ組成のエポキシ樹脂の緩衝樹脂層１を設けたものである。
実施例３のセンサケース１７と封止樹脂１６との境界部、リード端子１４と封止樹脂１６との境界部、の両方に上記同じ組成のエポキシ樹脂の緩衝樹脂層１を設けたガス放出速度が１／２００と最も小さかった。
また、いずれか一方の境界部のみにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤５０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤５０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂の緩衝樹脂層１を設けた実施例２および実施例３においても従来例や比較例に比べてベーキング後のガス放出速度が大幅に低減されていた。つまり、実施例１〜３はいずれもベーキングにより高い真空度を得ることができた。なお、ベーキング前の室温排気中のガス放出速度は、実施例１〜３のすべてにおいて従来例の約１／４に低減されていた。
【００２０】
表１の実施例において、従来例に対するガス放出速度の低減効果が最も低い図１の構造の真空用エンコーダセンサについて、緩衝樹脂層１の鉛筆硬度と厚さを変えてベーキング後のガス放出速度を調べた。緩衝樹脂層１の鉛筆硬度と組成は以下の３種類とした。
（イ）鉛筆硬度ＨＢ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤５０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤５０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂
（ロ）鉛筆硬度３Ｈ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤７０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤３０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂
（ハ）鉛筆硬度４Ｈ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースにした主剤８０重量部、ダイマー酸型エポキシ樹脂主剤２０重量部にジアミノジフェニルメタンをベースにしたアミン型硬化剤３０重量部を混合したエポキシ樹脂
また、比較例として、封止樹脂１６に上記（イ）の組成を用いた図７の構成の真空用エンコーダセンサを用いた。
表２にベーキング後のガス放出速度（相対値）の測定結果を示す。
【表２】
2010127756.tif 000004
いずれの場合も従来例に比べてガス放出速度は低減されている。特に、（イ）鉛筆硬度ＨＢ、（ロ）鉛筆硬度３Ｈの例において、緩衝樹脂層１の厚さが０．０５〜１．０ｍｍの場合にガス放出速度は他の例より非常に小さくなった。
以上述べたように、センサケース１７と封止樹脂１６との境界部、リード端子１４と封止樹脂１６との境界部の少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層１を備えることによって、ベーキング後およびベーキング前の室温排気時のガス放出速度を大幅に低減できた。
なお、図１〜３において、緩衝樹脂層１は、センサケース１７の深さ方向すべてに備えているが、センサケース１７の内周に備えられていれば、深さ方向の幅や位置およびセンサケース１７の形状やサイズは特に限定されない。リード端子１４と封止樹脂１６との境界部に備えた緩衝樹脂層１においても同様である。
また、緩衝樹脂層１は鉛筆硬度が３Ｈ以下であれば良く、実施例に挙げたものに限定されるものではない。
【実施例４】
【００２１】
図５は、本発明の実施例４を示す真空用エンコーダセンサの側断面図である。
図において、１は本発明によって設けられた緩衝樹脂層である。１１は磁気抵抗効果素子、１２は接続具、１３は回路基板、１４はリード端子、１５は永久磁石、１６は封止樹脂、１７はセンサケースである。
実施例４が実施例３と異なるのは、実施例３では緩衝樹脂層をセンサケース１７と封止樹脂１６との境界部およびリード端子１４と封止樹脂１６との境界部に設けていたが、本実施例では封止樹脂上部におけるセンサケース１７と封止樹脂１６との境界部、および封止樹脂上部におけるリード端子１４と封止樹脂１６との境界部に緩衝樹脂層を設けた点である。
実施例４の真空用エンコーダセンサの組立について図５を基に説明する。
内径２０ｍｍ、深さ２５ｍｍのセンサケース１７内に磁気抵抗効果素子１１、永久磁石１５および厚さ０．２ｍｍの緩衝樹脂層１を設けたリード端子１４などをセンサケース内に仮止めし、封止樹脂１６を注形した。これを１２０℃の空気中に１７時間設置して緩衝樹脂層１および封止樹脂１６を硬化させた後、緩衝樹脂層１を形成した。封止樹脂１６の組成は実施例１と同様である。
このセンサヘッドにおいて、緩衝樹脂層１の鉛筆硬度と厚さを変えて、実施例１〜３と同様の手順でベーキング後のガス放出速度を調べた。
表３にベーキング後のガス放出速度（相対値）の測定結果を示す。なお、表３中の組成（イ）、（ロ）、（ハ）はいずれも表２の場合と同様である。
【表３】
2010127756.tif 000005
【００２２】
いずれの場合も従来例に比べてガス放出速度は低減されている。特に、（イ）鉛筆硬度ＨＢ、（ロ）鉛筆硬度３Ｈの例において、いずれの厚さの場合にもガス放出速度は従来例の１／１０以下であった。
なお、図５において、緩衝樹脂層１は封止樹脂１６上に均一に形成されているが、センサケース１７と緩衝樹脂１６との境界部、リード端子１４と封止樹脂１６との境界部のいずれか一方を覆っていれば良く、必ずしも均一に形成される必要はない。また、緩衝樹脂層１は鉛筆硬度が３Ｈ以下であればよく、実施例に挙げたものに限定されるものではない。
【００２３】
〈本発明の真空用エンコーダセンサの応用例〉
図６は、本発明の応用例を示す図で、真空用エンコーダセンサを真空用モータの真空位置検出装置として用いた真空用モータの側断面図である。
図６において、円筒状に形成されたステータ３４の内周にモータコイル３３が装着されており、ロータマグネット３２を有するロータ３１がモータコイル３３と磁気的空隙を介して同心円状に対向配置されており、ロータ３１は軸受３５を介してステータ３４に回転自在に軸支持されている。
また、ステータ３４の内周には、本発明に係る真空用エンコーダセンサ４０が固定されるとともに、ロータ３１の外周の一部には平板状のスリットディスク３６を接着剤等で貼着してなるスリットディスクベース３７がネジ３８で固定されている。真空用エンコーダセンサ４０とスリットディスク３６は軸方向に空隙を介して対向配置されており、真空環境下におけるモータの位置、速度を検出できるようになっている。
ステータ３４内部は図示しない真空排気手段により真空環境となっており、真空用エンコーダセンサ４０として実施例１〜４に記載の真空用エンコーダセンサを用いている。したがってベーキングにより真空用モータが高い真空度を得ることができた。
【００２４】
この応用例は回転型の真空用モータの位置検出装置であるが、直動型の真空用モータの位置検出装置にも適用できることは明らかである。
ケースとその内側の封止樹脂との間の緩衝樹脂層によって、境界部の空隙の発生を防ぐことができるので、円筒フレーム内にコイルを厚肉モールドした真空用ギャップワインディングモータという用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例１を示す真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【図３】本発明の実施例３を示す真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【図４】本発明の実施例１および従来例のガス放出速度と排気時間の関係を表す線図である。
【図５】本発明の実施例４を示す真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【図６】本発明の応用例を示す真空用モータにおける真空位置検出装置の側断面図である。
【図７】封止樹脂が露出した構造の従来例１としての真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【図８】封止樹脂が露出しない構造の従来例２としての真空用エンコーダセンサの側断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１  緩衝樹脂層
１１  磁気抵抗効果素子
１２  接続具
１３  回路基板
１４  リード端子
１５  永久磁石
１６  封止樹脂
１７  センサケース
２１  センサカバ
２２  Ｏリング
２３  ネジ
３１  ロータ
３２  ロータマグネット
３３  モータコイル
３４  ステータ
３５  軸受
３６  スリットディスク
３７  スリットディスクベース
３８  ネジ
３９  センサケーブル
４０  真空用エンコーダセンサ
４１  コネクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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