(57)【要約】【課題】低バネ定数のレバー部と、耐久性の高い探針とを有するカンチレバーを提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる支持部２Ａと、シリコン窒化膜１３と自由端側にシリコン窒化膜１３と一体に形成された単結晶シリコンからなる基体部２Ｂとから構成された梁部５と、基体部２Ｂ上に形成された多結晶ダイヤモンドからなる探針４と、を有する。【選択図】図２
2010145124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンからなる支持部と、
絶縁体膜と自由端側に前記絶縁体膜と一体に形成されたシリコンからなる基体部とから構成された梁部と、
前記基体部の上に形成されたダイヤモンドからなる探針と、を有することを特徴とするカンチレバー。
【請求項２】
前記ダイヤモンドが導電性ダイヤモンドであり、
前記支持部の上に配設された電極部と、
前記探針と前記電極部とを電気的に接続する配線部とを有することを特徴とする請求項１に記載のカンチレバー。
【請求項３】
前記探針の下部領域を被覆する絶縁性ダイヤモンドからなる探針絶縁部を有することを特徴とする請求項３に記載のカンチレバー。
【請求項４】
前記支持部と前記基体部とが、同じ単結晶シリコン基板から形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のカンチレバー。
【請求項５】
前記絶縁体膜が、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のカンチレバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンドからなる探針を有するカンチレバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平４−６０４１０号公報には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）または磁気力顕微鏡等に用いる、いわゆるＭＥＭＳプロセスにより作製される片持ち梁であるカンチレバー１０１が開示されている。すなわち、図１に示すように、公知のカンチレバー１０１は、シリコンからなる支持部１０２と、支持部から延びたシリコン酸化物またはシリコンからなる梁部である梁部１０５と、梁部１０５の自由端（ＦＥ：Free  End）部に梁部１０５と一体に形成されたダイヤモンドからなる探針１０４を有する。
【０００３】
梁部１０５がシリコン酸化物により構成されている場合には、ダイヤモンドからなる探針１０４は、シリコン酸化物上の選択された位置に結晶核が形成しやすい状態をつくって結晶核を形成後、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法などの気相合成法によりダイヤモンド膜を形成し、集束イオンビームにより所望の形状への加工または先端部の先鋭化を行っている。
【０００４】
これに対して、梁部１０５が単結晶シリコンにより構成されている場合には、ダイヤモンドからなる探針１０４は、シリコン基板上にダイヤモンドの核が形成しやすいようにステップ、またはエッジ等の表面欠陥を形成後、やはり、ダイヤモンド膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法などの気相合成法により形成し、集束イオンビームにより所望の形態への加工または先端部の先鋭化を行っている。
【０００５】
また、出願人は、特開２００８−１９９９３６号公報に、支持部と、支持部から突出するように支持部に設けられたレバー部と、レバー部の自由端近傍に設けられたダイヤモンドからなる探針とを備えたカンチレバーを開示している。特開２００８−１９９９３６号公報に開示したカンチレバーでは、レバー部としてシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を用いた例を示している。
【特許文献１】特開平４−６０４１０号公報
【特許文献２】特開２００８−１９９９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜からなるレバー部を有するカンチレバーでは、レバー部の微細加工が可能なため低バネ定数が実現できる。しかし、シリコン酸化膜上の選択された箇所にダイヤモンド結晶核を安定して形成することは難しく、結晶性が良く、かつ高アスペクト比のダイヤモンドからなる探針を形成することは容易ではない。
【０００７】
一方、単結晶シリコンからなるレバー部を有するカンチレバーでは、単結晶シリコン上には結晶性の高いダイヤモンドからなる探針を形成できる。しかし単結晶シリコンはシリコン酸化膜等と比べると加工が容易ではない。低バネ定数のカンチレバーを実現するためには、レバー長を長くするか、またはレバー厚を薄くする等の必要があるが、レバー長を長くしたカンチレバーは取り扱い中の破損の恐れがあり、レバー厚の薄いシリコンカンチレバーを作製することは容易ではない。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、低バネ定数のレバー部と耐久性の高い探針とを有するカンチレバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のカンチレバーは、シリコンからなる支持部と、絶縁体膜と自由端側に前記絶縁体膜と一体に形成されたシリコンからなる基体部とから構成された梁部と、前記基体部の上に形成されたダイヤモンドからなる探針と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低バネ定数のレバー部と、耐久性の高い探針とを有するカンチレバーを提供することができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜第１の実施の形態＞  
以下、図面を参照して本発明の第１の実施の形態のカンチレバー１について説明する。図２は本実施の形態のカンチレバーの斜視図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面模式図である。なお、以下の図においては各部の図示されている厚さ等は、図示を容易にするため実際の厚さ等とは大きく異なる。  
図２および図３に示すように、本実施の形態のカンチレバー１は、単結晶シリコンからなる支持部２Ａと、支持部２Ａより延びたシリコン窒化膜からなる梁部５の主要部を構成するレバー部３と、梁部５の自由端部にシリコン窒化膜と一体形成された単結晶シリコンからなる基体部２Ｂと、基体部２Ｂ上に形成されたダイヤモンドからなる探針４とを有する。なお、カンチレバー１においては、探針４は全体が露出している。すなわち、カンチレバー１は、探針４が形成された基体部２Ｂが、シリコン窒化物からなるレバー部３の自由端（ＦＥ）側に一体形成されている。カンチレバー１は支持部２Ａと基体部２Ｂとが、同じ単結晶のシリコン基板１２（図４参照）から形成されている。
【００１２】
すなわち、本実施の形態のカンチレバー１は、探針４が結晶性の良いダイヤモンド膜が形成可能な単結晶シリコンからなる基体部２Ｂ上に形成されており、かつ、レバー部３の主要部が薄膜化および膜厚制御が容易なシリコン窒化膜から構成されている。
【００１３】
次に、図４を用いて本実施の形態のカンチレバー１の製造工程について簡単に説明する。図４は本実施の形態のカンチレバーの製造工程について説明するための断面模式図である。
【００１４】
図４（Ａ）に示すように、サンドブラスト法などで表面欠陥またはエッジ等を形成した単結晶のシリコン基板１２の表面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法にて数μｍから数十μｍの厚さのダイヤモンド膜１４を成膜する。シリコン基板１２の表面に表面欠陥を形成するのは、単結晶シリコンの欠陥部を起点としてダイヤモンド結晶核が形成することにより、結晶性の良い多結晶のダイヤモンド膜１４を形成できるためである。結晶性の良いダイヤモンド膜１４を形成するために、シリコン基板１２の表面に最初にナノダイヤモンド微粒子を種付けし、その後、ダイヤモンド膜１４を成膜してもよい。ここで、成膜するダイヤモンド膜１４の膜厚が探針４の探針長となる。
【００１５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのエッチング技術とを用いて、ダイヤモンド膜１４から探針４を形成する。探針４は単結晶のシリコン基板上に成長した結晶性の良いダイヤモンド膜１４から形成されているため、良好な結晶性を有する。そして探針４の探針長は数μｍ以上の長さが得られるため、高アスペクト比の探針４が作成できる。そしてダイヤモンド膜１４は結晶性が良いため、耐久性の高い探針４が作成である。
【００１６】
その後、探針４を含むシリコン基板１２の表面にＣＶＤ法またはスパッタ法により絶縁膜であるシリコン窒化膜１３を成膜する。シリコン窒化膜１３は低応力膜が好ましい。ここで成膜するシリコン窒化膜１３の膜厚がレバー部３の厚さとなる。シリコン窒化膜１３は成膜して形成される膜であるため、薄膜化および膜厚制御が容易である。
【００１７】
次に、図４（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術とを用いてシリコン窒化膜１３をパターニングし、さらにシリコン基板１２の裏面側に段差部１５を形成する。段差部１５は表面側の探針４およびシリコン窒化膜１３の探針４側領域に対応した形状であり、基体部２Ｂ形成用のものである。ここで形成する段差部１５の高さが基体部２Ｂの厚さとなる。
【００１８】
次に、図４（Ｄ）に示すように、シリコン基板１２の裏面に保護酸化膜１６を形成し、支持部２Ａに相当する部分をエッチングから保護するためのパターニングをする。
【００１９】
最後に、図４（Ｅ）に示すように、シリコン基板１２の裏面側から支持部２Ａ、レバー部３および基体部２Ｂを形成するためのエッチングをＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma-ＲＩＥ）を用いて行う。すなわち、本実施の形態のカンチレバー１では、支持部２Ａと基体部２Ｂとは同じバルクの単結晶のシリコン基板１２から分離して形成される。なお、シリコン窒化膜１３はシリコンをエッチングするエッチング条件では殆どエッチングされない。すなわち絶縁膜であるシリコン窒化膜１３はシリコンに対して高いエッチング選択性を有する膜である。  
そして、シリコン酸化膜からなる保護酸化膜１６を除去して、ダイヤモンドからなる探針４を有するカンチレバー１は完成する。
【００２０】
上記説明のように、本実施の形態のカンチレバー１の探針４は、結晶性の良い多結晶ダイヤモンドからなるため高信頼性でありかつ高アスペクト比である。また、本実施の形態のカンチレバー１はレバー部３の主要部が所望の厚さの簿膜を成膜可能なシリコン窒化膜からなるため、低バネ定数である。
【００２１】
なお、カンチレバー１の探針４は、先端部が鋭角状である必要はなく、さらに探針全体の形も円錐に限られるものではなく、円柱または多角柱に形成してもよい。さらにレバー部３は短冊状に限られるものではなく、図１に示した２本の梁を有する形状等であってもよい。
【００２２】
また、カンチレバー１ではレバー部３の材料に、シリコン窒化膜を用いたが、シリコン酸化膜、アルミ酸化膜、アルミ窒化膜、チタン酸化膜などの絶縁膜を用いることができ、シリコン酸化膜などシリコンとエッチング選択性のある膜を用いることが好ましい。
【００２３】
さらに、上記説明では、製造工程の最後で支持部２Ａ底面のシリコン酸化膜１６を除去しているが、除去せずに残しても良い。また支持部２Ａ等を形成するためのシリコン基板１２のエッチングにＩＣＰ−ＲＩＥを用いたが、ＣＣＰ-ＲＩＥ（Capacitive Coupled Plasma-ＲＩＥ）などその他のドライエッチングを用いても良いし、ＫＯＨなどのアルカリ系水溶液、または、硝酸−酢酸−フッ酸混合液等によるウエットエッチングを用いても良い。また、ボロンまたはリンなどでドープされた導電性のダイヤモンド膜をシリコン基板１２に成膜して、探針４を導電性のダイヤモンド膜から形成してもよい。
【００２４】
＜第２の実施の形態＞  
以下、図面を参照して本発明の第２の実施の形態のカンチレバー２１について説明する。なお、第２の実施の形態のカンチレバー２１は、第１の実施の形態のカンチレバー１と類似しているため、同じ説明は省略する。  
図５は本実施の形態のカンチレバーの斜視図であり、図６は図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面模式図である。  
図５および図６に示すように、本実施の形態のカンチレバー２１は、シリコンからなる支持部２２Ａと、梁部２５の主要部であり、第１の絶縁膜２３Ａであるシリコン窒化膜からなるレバー部２３と、レバー部２３の自由端（ＦＥ）部に配設されたシリコンからなる基体部２２Ｂと、基体部２２Ｂ上に形成された導電性ダイヤモンドからなる探針２４と、支持部２２Ａ上に配設された電極部２７Ｂと、探針２４と電極部２７Ｂとを電気的に接続する配線部２７と、レバー部２３、配線部２７および探針２４を被覆するシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜２３Ｂとを有する。
【００２５】
すなわち、本実施の形態のカンチレバー２１は、基体部２２Ｂ上に形成された探針２４が多結晶の導電性ダイヤモンドからなり、探針２４と電気的に接続された配線部２７が基体部２２Ｂからレバー部２３を介して支持部２２Ａにまで延びて、支持部２２Ａ表面の電極部２７Ｂと接続されている。
【００２６】
探針２４は、ボロンなどでドープされたＰ型の導電性ダイヤモンドからなり、第１の絶縁膜２３Ａおよび第２の絶縁膜２３Ｂで被覆されており、先端部２４Ａのみが露出している。また、同じバルクの単結晶のシリコン基板３２（図７参照）から形成されている基体部２２Ｂおよび支持部２２Ａは、保護絶縁膜２９および保護酸化膜２６により保護されている。
【００２７】
なお、図６等では図示を容易にするために、第１の絶縁膜２３Ａと、配線部２７と、第２の絶縁膜２３Ｂとを略同一の膜厚に表示しているが、第１の絶縁膜２３Ａの膜厚は配線部２７または第２の絶縁膜２３Ｂの膜厚より厚く、レバー部２３は第１の絶縁膜２３Ａからなる梁部２５の主要部である。すなわち配線部２７および第２の絶縁膜２３Ｂは、レバー部２３である第１の絶縁膜２３Ａ上に形成されている。また、カンチレバー２１のばね定数は、膜厚が厚い第１の絶縁膜２３Ａの物性に大きく依存している。なお、第２の絶縁膜２３Ｂには、第１の絶縁膜２３Ａと同様の材料の膜を用いることが好ましい。第２の絶縁膜２３Ｂの材料が第１の絶縁膜２３Ａと同様の材料の場合には、第２の絶縁膜２３Ｂの膜厚が第１の絶縁膜２３Ａよりも厚くてもよい。
【００２８】
次に、本実施の形態のカンチレバー２１の製造工程について、図７および図８を参照しながら簡単に説明する。図７および図８は本実施の形態のカンチレバーの製造工程について説明するための断面模式図である。
【００２９】
図７（Ａ）に示すように、サンドブラストなどで表面欠陥を形成したＰ型単結晶のシリコン基板３２の表面にＣＶＤ法にてボロンなどでドープされたＰ型の多結晶導電性のダイヤモンド膜３４を数μｍから数十μｍの厚さで成膜する。
【００３０】
次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて導電性ダイヤモンドからなる探針２４を形成する。その後、探針２４を含むシリコン基板３２の全面にＣＶＤ法により第１の絶縁膜２３Ａを、シリコン窒化膜を成膜後、コンタクトホール２３Ａ１等をパターニングすることにより形成する。さらに、イオンインプラテーション（Ion Implantation）または高濃度ホウ素拡散塗布膜を用いた方法で、コンタクトホール２３Ａ１内のシリコン基板３２表面にオーミックコンタクトを取るための高濃度のＰ型拡散層（図示せず）を形成する。
【００３１】
次に、図７（Ｃ）に示すように、モリブデンからなる配線部２７を、モリブデン膜を成膜後、パターニングすることにより形成する。配線部２７の材料はモリブデンには限定されず、導電性材料であれば、Ｐ型にドープした多結晶シリコン、またはシリコンに対してＰ型となるタングステンなどの金属を用いても良い。
【００３２】
次に、図７（Ｄ）に示すように、第２の絶縁膜２３Ｂを、シリコン窒化膜のＣＶＤ法による成膜およびパターニングにより作成し、さらに、第２の絶縁膜２３Ｂの支持部２２Ａ上となる場所に電極部２７Ｂ用のコンタクトホール２３Ｂ１を、配線部２７に到達する深さまで形成する。配線部２７は第１の絶縁膜２３Ａと第２の絶縁膜２３Ｂとにより挟持、すなわち封止される。また、導電性ダイヤモンドの探針２４の先端部２４Ａから第１の絶縁膜２３Ａおよび第２の絶縁膜２３Ｂを除去する。さらに、シリコン基板３２の裏面側に段差部３５を形成する。
【００３３】
次に、図７（Ｅ）に示すように、表面全面にＣＶＤ法を用いて１００ｎｍ程度の薄いシリコン窒化膜３３Ｃを成膜し、さらにシリコン基板３２の裏面に基体部２２Ｂを形成するための保護酸化膜２６を形成しパターニングする。
【００３４】
次に、図８（Ｆ）に示すように、ＩＣＰ−ＲＩＥを用いてシリコン基板３２の裏面側から支持部２２Ａ、レバー部２３および基体部２２Ｂを形成するためのエッチングを行う。さらに、同じバルクの単結晶のシリコン基板３２から形成された基体部２２Ｂおよび支持部２２Ａの周囲を保護絶縁膜２９であるシリコン酸化膜にて被覆する。
【００３５】
最後に、図８（Ｇ）に示すように、シリコン窒化膜３３Ｃをエッチングにて除去し、コンタクトホール２３Ｂ１を覆うようにＡｕ／Ｃｒ積層膜を蒸着法またはスパッタリング法など用いて成膜後、パターニングし電極部２７Ｂを形成することで、カンチレバー２１は完成する。
【００３６】
上記説明のように、本実施の形態のカンチレバー２１は、第１の実施の形態のカンチレバー１と同様に結晶性の良い導電性ダイヤモンドからなる高アスペクト比の探針２４を有する。また、レバー部２３は薄いレバー厚を実現できるシリコン窒化膜により構成されているために、カンチレバー２１は低ばね定数である。
【００３７】
さらに本実施の形態のカンチレバー２１は第１の実施の形態のカンチレバー１が有する効果に加えて、カンチレバー２１は、探針２４と支持部２２Ａ上の電極部２７Ｂとが配線部２７を介して電気的に接続されているため、探針２４の先端部２４Ａの電位検出および先端部２４Ａへの電力供給等が可能である。このため、本実施の形態のカンチレバー２１は、第１の実施の形態のカンチレバー１の使用用途に加えて、対象物が軟らかく低バネ定数が要求されるバイオテクノロジー分野の電気的計測または電気刺激などにも用いることができる。
【００３８】
なお、上記説明では、電極部２７Ｂの構成はＡｕ／Ｃｒ積層膜としたが、これに限定ざれず、アルミニウム単層、Ｎｉ単層、Ａｕ／Ｔｉ積層膜、Ｃｕ／Ｃｒ積層膜、Ｃｕ／Ｔｉ積層膜、Ｎｉ／Ｃｒ積層膜、またはＮｉ／Ｔｉ積層膜などの単層または積層の金属膜を用いても良い。
【００３９】
また、本実施の形態では、配線部２７を挟持した第１の絶縁膜２３Ａおよび第２の絶縁膜２３Ｂに、ともにシリコン窒化膜を用いたが、これには限定されず、シリコン酸化膜、アルミ酸化膜、アルミ窒化膜、またはチタン酸化膜などの絶縁膜を用いることができ、シリコン酸化膜などのシリコンとエッチング選択性のある材料からなる膜を用いることが好ましい。第１の絶縁膜２３Ａと第２の絶縁膜２３Ｂとを異なる材料で構成してもよい。
【００４０】
またシリコン基板３２としてＰ型シリコンを用いたが、Ｎ型シリコンを用いても良い。Ｎ型シリコンを基板として用いた場合、探針２４はリンなどをドープしたＮ型導電性ダイヤモンドからなることが好ましく、配線部２７の材料はシリコンに対してＮ型となるアルミニウムなどの金属を用いることが好ましい。
【００４１】
＜第３の発明の実施の形態＞  
以下、図面を参照して本発明の第３の実施の形態のカンチレバー４１について説明する。なお、第３の実施の形態のカンチレバー４１は、第１の実施の形態のカンチレバー１および第２の実施の形態のカンチレバー２１と類似しているため、同じ説明は省略する。  
図９は本実施の形態のカンチレバーの斜視図であり、図１０は図９のＸ−Ｘ線に沿った断面模式図である。  
図９および図１０に示すように、本実施の形態のカンチレバー４１は、シリコンからなる支持部４２Ａと、梁部４５の主要部であり、第１の絶縁膜４３Ａであるシリコン窒化膜からなるレバー部４３と、レバー部４３の自由端（ＦＥ）部に配設されたシリコンからなる基体部４２Ｂと、基体部４２Ｂ上に形成された導電性ダイヤモンドからなる探針４４と、支持部４２Ａ上に配設された電極部４７Ｂと、探針４４と電極部４７Ｂとを電気的に接続する配線部４７と、レバー部４３、配線部４７および探針４４下部を被覆するシリコン窒化膜からなる第１の絶縁膜４３Ａおよび第２の絶縁膜４３Ｂと、先端部４４Ａ以外の探針４４の周囲を被覆する探針絶縁部である絶縁性ダイヤモンド膜４８と、を有する。
【００４２】
探針４４は、ボロンなどでドープされたＰ型の導電性ダイヤモンドからなり、探針４４周囲の下部は第１の絶縁膜４３Ａで被覆されており先端部４４Ａは露出されている。第１の絶縁膜４３Ａおよび第２の絶縁膜４３Ｂによる探針４４の被覆は下部のみとし、探針４４の第１の絶縁膜４３Ａから露出した部分は長い方が好ましい。
【００４３】
すなわち、本実施の形態のカンチレバー４１では、探針４４は、絶縁性ダイヤモンド膜４８にて周囲を被覆された絶縁性ダイヤモンド膜４８からなり、先端部４４Ａは絶縁性ダイヤモンドが露出しており、探針４４の下部周囲のみがさらに第１の絶縁膜４３Ａおよび第２の絶縁膜４３Ｂにて被覆されている。そして、探針４４と電気的に接続された配線部４７がレバー部４３および支持部４２Ａ表面にまで延びて、支持部４２Ａ表面には電極部４７Ｂが形成されている。
【００４４】
次に、本実施の形態のカンチレバー４１の製造工程について説明する。なお、本実施の形態のカンチレバー４１の製造工程は、第２の実施形態のカンチレバー２１の製造工程と類似しているため、異なる点についてのみ説明する。
【００４５】
本実施の形態のカンチレバー４１の製造工程においては、第２の実施の形態のカンチレバー２１の製造工程の説明図である図７（Ｂ）に示す工程において、カンチレバー４１では導電性ダイヤモンド膜４８からなる探針４４を形成後に、探針４４表面に例えばナノダイヤモンドからなる絶縁性ダイヤモンド膜４８を成膜する。その後、第１の絶縁膜４３Ａであるシリコン窒化膜を成膜する。
【００４６】
続いて、図７（Ｄ）に示す工程において、探針４４の周囲を覆う第１の絶縁膜４３Ａおよび第２の絶縁膜４３Ｂからなる２層のシリコン窒化膜を探針４４下部のみを残してエッチングして除去する。  
その他のカンチレバー４１の製造工程は、第２の実施形態の製造工程と同様である。
【００４７】
本実施の形態のカンチレバー４１は第２の実施の形態のカンチレバー２１が有する効果に加えて、カンチレバー４１は、探針４４の周囲をＤＮＡ等が表面修飾しやすい絶縁性ダイヤモンド膜４８により被覆しているため、ＤＮＡまたはタンパク質などを探針４４表面に修飾して細胞内に導入したり、またはその逆に細胞内からＤＮＡまたはタンパク質など取り出したりやすい。すなわち、本実施の形態のカンチレバー４１は、特に、ＤＮＡまたはタンパク質を細胞に挿入するなどの細胞操作が容易である。
【００４８】
本発明は、上述した実施の形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】公知のカンチレバーの斜視図である。
【図２】第１の実施の形態のカンチレバーの斜視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面模式図である。
【図４】第１の実施の形態のカンチレバーの製造工程について説明するための断面模式図である。
【図５】第２の実施の形態のカンチレバーの斜視図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面模式図である。
【図７】第２の実施の形態のカンチレバーの製造工程について説明するための断面模式図である。
【図８】第２の実施の形態のカンチレバーの製造工程について説明するための断面模式図である。
【図９】第３の実施の形態のカンチレバーの斜視図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿った断面模式図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…カンチレバー
２Ａ…支持部
２Ｂ…基体部
３…レバー部
４…探針
５…梁部
１２…シリコン基板
１３…シリコン窒化膜
１４…ダイヤモンド膜
１５…段差部
１６…保護酸化膜
２１…カンチレバー
２２Ａ…支持部
２２Ｂ…基体部
２３…レバー部
２３Ａ…第１の絶縁膜
２３Ａ１…コンタクトホール
２３Ｂ…第２の絶縁膜
２３Ｂ１…コンタクトホール
２４…探針
２４Ａ…先端部
２６…保護酸化膜
２７…配線部
２７Ｂ…電極部
２９…保護絶縁膜
３２…シリコン基板
３３Ｃ…シリコン窒化膜
３４…ダイヤモンド膜
３５…段差部
４１…カンチレバー
４２Ａ…支持部
４２Ｂ…基体部
４３…レバー部
４３Ａ…第１の絶縁膜
４３Ｂ…第２の絶縁膜
４４…探針
４４Ａ…先端部
４７…配線部
４７Ｂ…電極部
４８…絶縁性ダイヤモンド膜
１０１…カンチレバー
１０２…支持部
１０４…探針
１０５…梁部
【図１】
2010145124.tif 000003
【図２】
2010145124.tif 000004
【図３】
2010145124.tif 000005
【図４】
2010145124.tif 000006
【図５】
2010145124.tif 000007
【図６】
2010145124.tif 000008
【図７】
2010145124.tif 000009
【図８】
2010145124.tif 000010
【図９】
2010145124.tif 000011
【図１０】
2010145124.tif 000012