(57)【要約】【課題】上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する、高反射率、高導電性を有し、かつ、平均面粗さおよび接触抵抗の小さいＡｌ合金反射電極膜を提供する。【課題手段】上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成する反射電極膜を、質量％で、Ｍｇ：０．５〜１５％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を合計量：０．５〜１０％、残部がＡｌおよび不可避不純物からなるＡｌ合金、あるいは、Ｍｇ：０．５〜１５％、Ｃｅ：０．５〜１０質量％に加え、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種を合計量：２〜９質量％またはＰｄ：４〜１５質量％を含有し、残部はＡｌおよび不可避不純物からなるＡｌ合金で構成することにより、高反射率、高導電性を有し、平均面粗さが小さく、ＩＴＯ、ＡＺＯなどの正孔注入電極膜との接触抵抗の小さい反射電極膜を形成する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を合計量で０．５〜１０質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
【請求項２】
Ｍｇを１〜５質量％、Ｃｅを１〜３質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する請求項１に記載の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
【請求項３】
Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種を合計量で２〜９質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
【請求項４】
Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｐｄを４〜１５質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ膜の両面に形成した陽極と陰極の間に電圧を印加し、陽極より正孔を、陰極より電子をそれぞれ有機ＥＬ膜に注入し、有機ＥＬ発光層中で正孔と電子とが結合する際に発光する原理による発光素子である。有機ＥＬ素子を画素として使用する有機ＥＬディスプレイは、携帯電話などの携帯機器の表示装置として実用化されている。自発光である有機ＥＬ素子を用いる有機ディスプレイは、液晶ディスプレイのようなバックライトは不要であり、薄型軽量で低消費電力、かつ、コントラスト比の高いことなどの特徴を有する。
【０００３】
有機ＥＬ素子から光を取り出す方式には、ガラス等の透明基板側から光を取り出す下部発光型（ボトムエミッションタイプ）と、基板とは反対側に光を取り出す上部発光型（トップエミッションタイプ）とがあり、上部発光型有機ＥＬ素子の層構造としては、ガラス基板表面に、基板側から順に、反射電極膜と正孔注入膜からなる陽極層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、および有機発光層で構成された有機ＥＬ層、さらに電子注入層および光透過性の陰極層を積層形成してなる上部発光型有機ＥＬ素子が知られている。
従来、上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射電極膜として、高純度Ａｌや、合金成分として、Ｎｄ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｉのうちの１種または２種以上を５原子％以下含有したＡｌ合金で構成された反射電極膜が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５６８４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子は、薄型軽量、低消費電力、高コントラスト比などの点から有用性が高いが、実用性をより高めるために有機ＥＬ素子の長寿命化が求められているところ、有機ＥＬ素子の劣化メカニズムの一つとして、有機ＥＬ層の下地膜の凹凸に起因する非発光点（ダークスポット）の発生がある。つまり、有機ＥＬ層の厚さは１０〜２００ｎｍ程度と非常に薄く、有機ＥＬ層の下地層である陽極層表面の凹凸が大きい場合には凸部への電界が高まり電流が集中することになり、有機ＥＬ層の劣化が促進され、発光輝度が低下し、ついには発光しなくなる。
上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層は、通常、反射電極膜と正孔注入膜（例えば、ＩＴＯ、ＡＺＯ）とで構成されているが、正孔注入膜は非常に薄いため反射電極膜の表面状態を転写することから、有機ＥＬ素子の長寿命化を図るためには、反射電極膜の表面粗さを小さくすることによって、陽極層の平均面粗さを小さくし、非発光点（ダークスポット）の発生を抑制することが必要となる。
前記特許文献１においては、反射電極膜を、高純度Ａｌや特定成分組成のＡｌ合金で構成することによって、高反射率、低抵抗の上部発光型有機ＥＬ素子が得られるとされているものの、有機ＥＬ素子の非発光点（ダークスポット）の発生防止という点では十分でなく、その結果、使用寿命が短命であるという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明者らは、上記の上部発光型有機ＥＬ素子の長寿命化を図るべく、特に前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成する反射電極膜について鋭意研究を行なったところ、
上記反射電極膜を、Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を０．５〜１０質量％含有し、残部はＡｌおよび不可避不純物からなるＡｌ合金で構成することによって、上部発光型有機ＥＬ素子に必要とされる高反射率、低抵抗という特性を備えたまま、同時に、非発光点（ダークスポット）の発生を抑制でき、さらに、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗も小さい反射電極膜を得られる、
ということを知見したのである。
【０００７】
この発明は、かかる知見に基づいて成されたものであって、
「（１）  Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を合計量で０．５〜１０質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
（２）  Ｍｇを１〜５質量％、Ｃｅを１〜３質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する前記（１）に記載の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
（３）  Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種を合計量で２〜９質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。
（４）  Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｐｄを４〜１５質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成を有する上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜。」
に特徴を有するものである。
【０００８】
この発明の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成するＡｌ合金反射電極膜について説明する。
まず、この発明のＡｌ合金反射電極膜は、
（ａ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を合計量で０．５〜１０質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成のＡｌ合金、
（ｂ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種を合計量で２〜９質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成のＡｌ合金、
（ｃ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｐｄを４〜１５質量％、残部はＡｌおよび不可避不純物からなる成分組成のＡｌ合金、
上記（ａ）〜（ｃ）のＡｌ合金の溶解鋳造インゴットあるいはＡｌ合金粉末加圧焼結体を塑性加工し、再結晶加熱処理し、機械加工することによって得られるＡｌ合金をターゲットとして、通常の条件で基板上にスッパッタリングすることによって成膜することができる。
【０００９】
次に、この発明の反射電極膜を構成するＡｌ合金の成分組成について説明する。
（ａ）請求項１，２の発明について：
Ｍｇは、Ａｌに固溶し、反射電極膜の成膜時に結晶粒成長を抑制することにより、膜表面の平均面粗さを小さくする作用を有するとともに、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗を小さくする作用があるが、その含有量が０．５質量％未満では、上記平均面粗さ及び接触抵抗を小さくする効果は十分でなく、一方、その含有量が１５質量％を超えると、成膜に用いるＡｌ合金スパッタリングターゲットに割れが発生しやすくなり成膜が困難になるばかりか、得られる膜自体の比抵抗が上昇し、高導電性反射電極膜を形成することができなくなることから、Ｍｇの含有量を０．５〜１５質量％と定めた。より好ましくは、Ｍｇ含有量は１〜５質量％である。
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上からなる添加成分は、いずれも、反射電極膜の耐食性を向上させ、長期にわたり高反射率を維持すると共に、Ａｌとの金属間化合物を結晶粒界に形成することにより、結晶粒成長を抑制し、膜の平均面粗さを一層小さくする作用を有する。さらに、Ｍｇと共にこれらの成分を添加することによって、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗をより一層小さくする作用をも有する。しかし、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上からなる添加成分の合計含有量が０．５質量％未満では、耐食性向上効果、結晶粒成長抑制効果および接触抵抗低減効果が不十分であり、一方、これらの合計含有量が１０質量％を超えると、成膜に用いるＡｌ合金スパッタリングターゲットに割れが発生しやすくなるため成膜が困難になり、また、膜の反射率が低下するようになるとともに、膜自体の比抵抗が上昇傾向を示し高導電性を損なうようになることから、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上からなる添加成分の合計含有量は、０．５質量％以上１０質量％以下と定めた。
なお、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの中では、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗をより一段と小さくするという点からはＣｅの添加が特に有効であり、Ｍｇ含有量を１〜５質量％とし、同時に、Ｃｅを１〜３質量％添加含有させることによって、接触抵抗の大幅な低下が生じ、反射電極膜としての極めて望ましい特性が得られる。
【００１０】
（ｂ）請求項３の発明について：
Ｍｇは、請求項１，２の発明と同様、Ａｌに固溶し、反射電極膜の成膜時に結晶粒成長を抑制することにより、膜表面の平均面粗さを小さくする作用を有するとともに、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗を小さくする作用があるが、その含有量が０．５質量％未満では、上記平均面粗さ及び接触抵抗を小さくする効果は十分でなく、一方、合金成分として、Ｎｉ、Ｃｏを含有する場合には、Ｍｇの含有量が８質量％を超えると、成膜に用いるＡｌ合金スパッタリングターゲットに割れが発生しやすくなり成膜が困難になる傾向が表れ、更にＭｇの含有量が１５質量％を超えると膜の反射率の低下が顕著になることから、Ｍｇの含有量を０．５〜１５質量％と定めた。より好ましいＭｇの含有量は０．５〜８質量％である。
Ｃｅは、上記したように、反射電極膜の耐食性を向上させ、長期にわたり高反射率を維持すると共に、Ａｌとの金属間化合物を結晶粒界に形成することにより、結晶粒成長を抑制し、膜の平均面粗さを一層小さくする作用を有し、Ｍｇとの共存によって、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗をより一層小さくする作用をも有するが、その含有量が０．５質量％未満では、上記作用を十分に発揮することができず、一方、その含有量が８質量％を超えると、成膜に用いるＡｌ合金スパッタリングターゲットに割れが発生しやすくなり成膜が困難になる傾向が表れ、更にＣｅの含有量が１０質量％を超えると膜の反射率の低下が顕著になることから、Ｃｅの含有量を０．５〜１０質量％と定めた。より好ましいＣｅの含有量は１〜８質量％である。
Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種は、反射膜中のＡｌ原子と強く結合してＡｌの拡散を抑制し、恒温恒湿環境下における反射膜表面の結晶粒の粗大化を抑制し、膜の表面粗さを小さく保持し、表面平滑性および平滑性の保持性能を一層向上する効果があるが、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種の合計含有量が２質量％未満では、膜表面の平滑性の保持の効果が少なく、一方、その合計含有量が９質量％を超えると、反射膜の反射率が低下する傾向が顕著に表れるので、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種の合計含有量は２〜９質量％と定めた。
【００１１】
（ｃ）請求項４の発明について：
Ｍｇ、Ｃｅそれぞれの組成範囲限定理由は、上記請求項３の場合と同様である。
また、Ｐｄの作用効果については、上記請求項３のＮｉ，Ｃｏの場合と同様であるが、Ｐｄの場合には、その含有量が４質量％未満では、膜表面の平滑性の保持の効果が少なく、一方、その含有量が１５質量％を超えると、反射膜の反射率が低下する傾向が顕著に表れるので、Ｐｄの含有量は４〜１５質量％と定めた。
【発明の効果】
【００１２】
この発明の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜は、  Ａｌ合金の成分として、
（ａ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕの内の１種または２種以上を合計量で０．５〜１０質量％含有することによって、また、
（ｂ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｎｉ，Ｃｏの内の１種または２種を合計量で２〜９質量％含有することによって、また、
（ｃ）Ｍｇを０．５〜１５質量％、Ｃｅを０．５〜１０質量％、Ｐｄを４〜１５質量％含有することによって、
反射電極膜に必要とされる高反射率、高導電性を有するばかりか、平均面粗さが小さく、また、ＩＴＯ等の正孔注入膜との接触抵抗も小さくなることから、非発光点（ダークスポット）の発生を抑制することができ、その結果、上部発光型有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
つぎに、この発明の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜を、実施例により具体的に説明する。
【実施例１】
【００１４】
まず、請求項１、２の発明についての実施例を記す。
原料として、純度：９９９９質量％以上の高純度Ａｌを用意し、さらにいずれも純度：９９９質量％以上のＭｇ、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄを用意した。
まず、純度：９９９９質量％以上の高純度Ａｌを高周波真空溶解炉にて真空中で溶解したのち炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガスを充填し、Ａｌ溶湯中に、前記Ｍｇ、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄを添加し、その後、黒鉛製鋳型に鋳造することによりインゴットを作製した。
得られたインゴットを４３０℃で２時間加熱した後、熱間圧延し、さらに５００℃で１時間保持の条件で再結晶化熱処理を施し、機械加工することにより、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組成を有するターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜２０を製造した。
【００１５】
比較のために、添加合金成分は本発明ターゲットと同じであるが、その含有量が本発明範囲外である比較例ターゲット１〜１０を本発明ターゲットの製造条件と同様な条件で製造した。
さらに、純度：９９．９９質量％以上の高純度Ａｌを用いた従来例ターゲット１、および、特許文献１に開示されている合金成分Ｎｄ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｉのいずれかを５原子％以内の範囲で含有する従来例ターゲット２〜１０を、本発明ターゲットの製造条件と同様な条件で製造した。
上記比較例ターゲット１〜１０および従来例ターゲット１〜１０の成分組成を表２に示す。
【００１６】
これら表１、表２に示される本発明ターゲット１〜２０、比較例ターゲット１〜１０および従来例ターゲット１〜１０をそれぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０-５Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対向しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配置した縦：３０ｍｍ、横：３０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍの無アルカリガラス基板と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍを有する本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０を作製した。
このようにして作製した各反射電極膜の成分組成を、ＩＣＰ−ＡＥＳ法（誘導結合プラズマ分析法）を用いて調査したところ、いずれも、表１、表２に示される各ターゲットの成分組成と実質的に同一成分組成の反射電極膜が得られていることを確認した。
【００１７】
このようにして作製した厚さ：１００ｎｍを有する本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０について、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）の測定及び試験を行った。
また、（ｄ）の測定サンプルは別の手順で作製した。
（ａ）Ａｌ合金反射電極膜の初期反射率試験
作製した直後の本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０の各反射率を日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計を用いて測定し、波長：５５０ｎｍでの反射率を表３、表４に示した。
【００１８】
（ｂ）比抵抗測定
本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０について、有機ＥＬ素子の製造過程で受ける熱履歴を模擬して、窒素中、２５０℃で３０分間の熱処理を施した後、その比抵抗を、株式会社三菱化学アナリテック製のロレスタＧＰを用いて四探針法により測定し、その結果をそれぞれ表３、表４に示した。
【００１９】
（ｃ）平均面粗さ測定
本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０について、有機ＥＬ素子の製造過程で受ける熱履歴を模擬して、窒素中、２５０℃で３０分間の熱処理を施した後、その平均面粗さをセイコーインスツル株式会社の原子間力顕微鏡ＳＰＡ―４００を用いて１μｍ×１μｍの領域で測定し、平均面粗さの値をそれぞれ表３、表４に示した。
【００２０】
（ｄ）接触抵抗率測定
本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０と、正孔注入膜としてのＩＴＯとの接触抵抗を、ＴＬＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌｉｎｅ  Ｍｏｄｅｌ）法に基づいて以下の手順で測定した。
直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍのＩＴＯターゲットをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、無アルカリガラス基板を幅：１ｍｍ、長さ：３０ｍｍのスリットを設けたステンレス製マスクシートと重ね合わせた状態で基板ホルダーに装着し、基板温度：２５０℃、Ａｒガス圧：０．５Ｐａ、投入電力：直流１５０Ｗの条件で成膜することにより、ガラス基板上に幅：１ｍｍ、長さ：３０ｍｍ、厚さ：２００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。
次いで、幅：１ｍｍ、長さ：１０ｍｍのスリットを２ｍｍ間隔で９本配置したステンレス製マスクシートを用意し、スリットの長手方向がＩＴＯ膜の長手方向に直交するようにＩＴＯ膜付のガラス基板とステンレス製マスクとを重ね合わせて基板ホルダーにセットして、本発明ターゲット１〜２０、比較例ターゲット１〜１０および従来例ターゲット１〜１０を順次用いて、厚さ：３００ｎｍのＡｌ合金膜をＩＴＯ膜に重ねて成膜した。
このようにして作製したＡｌ合金とＩＴＯの積層膜を、窒素中、２５０℃×３０分保持の熱処理を施して接触抵抗率測定用の試料とした。
Ａｌ合金膜の９本の電極のうちから２本を選択し、その全ての組み合わせにおいて電気抵抗を測定し、電極間の距離と抵抗測定値をグラフにプロットし、最小自乗法によって直線を引いた。
グラフ上で電極間距離と抵抗値の各切片を−２Ｌｔと２Ｒｃとして、
接触抵抗率ρｃを、
ρｃ＝Ｌｔ×Ｒｃ×Ｗ（但し、ＷはＩＴＯ膜の幅であり、この場合０．１ｃｍ）により求め、それらの結果をそれぞれ表３、表４に示した。
【００２１】
（ｅ）耐食性試験
本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０をそれぞれ温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽に１００時間保持したのち取出し、反射率を日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計を用いて測定し、波長：５５０ｎｍでの反射率を表３、表４に示した。
【００２２】
（ｆ）平滑性保持性能の評価
本発明反射電極膜１〜２０、比較例反射電極膜１〜１０および従来例反射電極膜１〜１０をそれぞれ温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽に１００時間保持したのち取出し、恒温恒湿試験保持後の膜の平均面粗さを、セイコーインスツル株式会社の原子間力顕微鏡ＳＰＡ―４００を用いて１μｍ×１μｍの領域で測定し、平均面粗さの値をそれぞれ表３、表４に示した。
【００２３】
【表１】
2010287565.tif 000002
【００２４】
【表２】
2010287565.tif 000003
【００２５】
【表３】
2010287565.tif 000004
【００２６】
【表４】
2010287565.tif 000005
【００２７】
表１〜４に示される結果から、本発明反射電極膜１〜２０は、比較例反射電極膜１〜１０あるいは従来例反射電極膜１〜１０と比べて、初期反射率、比抵抗値および耐食性に大差は無いが、本発明反射電極膜１〜２０は、比較例反射電極膜１〜１０あるいは従来例反射電極膜１〜１０に比して、平均面粗さが小さく、しかも、正孔注入膜との接触抵抗も小さいことから、反射電極膜として必要とされる諸特性を備えつつ、非発光点（ダークスポット）の発生を抑制することができることから、上部発光型有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることが可能となる。
【実施例２】
【００２８】
次に、請求項３、４の発明についての実施例を記す。
原料として、純度：９９９９質量％以上の高純度Ａｌを用意し、さらにいずれも純度：９９９質量％以上のＭｇ、Ｃｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄを用意した。
まず、純度：９９９９質量％以上の高純度Ａｌを高周波真空溶解炉にて真空中で溶解したのち炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガスを充填し、Ａｌ溶湯中に、前記Ｍｇ、Ｃｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄを添加し、その後、黒鉛製鋳型に鋳造することによりインゴットを作製した。
得られたインゴットを５５０℃で２時間加熱した後、熱間圧延し、さらに５５０℃で１時間保持の条件で再結晶化熱処理を施し、機械加工することにより、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表５に示される成分組成を有するターゲット（以下、本発明ターゲットという）２１〜３６を製造した。
【００２９】
比較のために、添加合金成分は本発明ターゲットと同じであるが、その含有量が本発明範囲外である比較例ターゲット１１〜２０を本発明ターゲットの製造条件と同様な条件で製造した。比較例ターゲット１２および１４は熱間圧延において割れが発生したが、膜の評価サンプル作製のために割れた状態で使用した。
上記比較例ターゲット１１〜２０の成分組成を表６に示す。
【００３０】
これら表５、表６に示される本発明ターゲット２１〜３６および比較例ターゲット１１〜２０をそれぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０-５Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対向しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配置した縦：３０ｍｍ、横：３０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍの無アルカリガラス基板と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍを有する本発明反射電極膜２１〜３６および比較例反射電極膜１１〜２０を作製した。
このようにして作製した各反射電極膜の成分組成を、ＩＣＰ−ＡＥＳ法（誘導結合プラズマ分析法）を用いて調査したところ、いずれも、表５、表６に示される各ターゲットの成分組成と実質的に同一成分組成の反射電極膜が得られていることを確認した。
【００３１】
このようにして作製した厚さ：１００ｎｍを有する本発明反射電極膜２１〜３６および比較例反射電極膜１１〜２０について、実施例１の場合と同様にして、以下の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）の測定及び試験を行った。
また、実施例１の場合と同様、（ｄ）の測定サンプルは別の手順で作製した。
（ａ）Ａｌ合金反射電極膜の初期反射率試験
（ｂ）比抵抗測定
（ｃ）平均面粗さ測定
（ｄ）接触抵抗率測定
（ｅ）耐食性試験
（ｆ）平滑性保持性能の評価
上記（ａ）〜（ｆ）の測定値を、それぞれ、表７、表８に示す。
【００３２】
【表５】
2010287565.tif 000006
【００３３】
【表６】
2010287565.tif 000007
【００３４】
【表７】
2010287565.tif 000008
【００３５】
【表８】
2010287565.tif 000009
【００３６】
表５〜８に示される結果から、本発明反射電極膜２１〜３６は、従来例反射電極膜１〜１０と比べて、初期反射率がやや低く、比抵抗値はやや高いが十分な特性を有しており、平均面粗さは一段と小さく、また、正孔注入膜との接触抵抗も小さく、さらに、平坦性保持性能は一段と優れることが分かる。さらに、比較例反射電極膜１１〜２０と比較すると、初期反射率、比抵抗値、平均面粗さ、接触低効率、および平坦性保持性能のいずれかの点で優れていることが分かる。従って、本発明反射電極膜２１〜３６は、反射電極膜として必要とされる諸特性を備えつつ、非発光点（ダークスポット）の発生を抑制することができることから、上部発光型有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
この発明の上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜は、高反射率、低比抵抗（高電導性）、耐食性を備え、さらに、平均面粗さが小さく低接触抵抗を示すことから、ＣＤ，ＤＶＤなどの光学記録媒体に用いられている反射膜や、反射型ＳＴＮ液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置の反射性導電膜等への幅広い適用が可能である。