(57)【要約】【課題】２つの基材同士を、低コストで微細な形状にパターニングされた接合膜で接合する接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供すること。【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材、第２の基材２２および第３の基材２３を用意する工程と、第１の基材の撥液性が付与されている面側に、シリコーン材料を含有する液状材料を塗布・乾燥して、所定形状にパターニングされた接合膜３を得る工程と、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、接合膜３を介して第１の基材と第２の基材２２とを接合させた後、第１の基材と第２の基材２２とを離間することにより、接合膜３を第１の基材から第２の基材２２に転写する工程と、転写された接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された接合体１を得る工程とを有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン材料を含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する第１の基材と、接合膜を介して互いに接合する第２の基材および第３の基材とを用意する第１の工程と、
前記第１の基材の撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合させた後、前記第１の基材と前記第２の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記第１の基材から前記第２の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第２の基材と前記第３の基材とを接合することにより、これら同士が接合された接合体を得る第４の工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第３の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記接合膜を形成する請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記第３の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記接合膜を形成する請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法である請求項４に記載の接合方法。
【請求項６】
前記所定形状は、前記接合膜による接合を必要とする部位に対応した形状をなしている請求項１ないし５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしている請求項１ないし６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項８】
前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されている請求項７に記載の接合方法。
【請求項９】
前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有する請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料である請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものである請求項１０に記載の接合方法。
【請求項１２】
前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われる請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１３】
前記プラズマの接触を、大気圧下で行う請求項１２に記載の接合方法。
【請求項１４】
前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされる請求項１２または１３に記載の接合方法。
【請求項１５】
前記第２の基材および前記第３の基材の前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１６】
前記第２の基材および前記第３の基材の前記接合膜と接触する部分には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理である請求項１６に記載の接合方法。
【請求項１８】
さらに、前記第２の基材と前記第３の基材とを接合させた後に、前記接合膜に対して、前記第２の基材と前記第３の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１９】
前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１８に記載の接合方法。
【請求項２０】
前記第２の基材と前記第３の基材とが、請求項１ないし１９のいずれかに記載の接合方法により形成された接合膜を介して接合されてなることを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に所定形状にパターニングされた膜を形成する方法として、膜の構成材料を含有する液状材料を、所定形状となるように塗布法を用いて基板上に塗布することによりパターニングされた液状被膜を形成し、この液状被膜を乾燥することにより、所定形状にパターニングされた膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような液状材料を用いてパターニングされた膜を形成する形成方法は、２つの基板同士を接合するために、熱または光硬化性樹脂を含有する接合膜を、基板上に所定形状に形成する場合にも適用し得る。
しかしながら、このような基板上に液状材料を塗布する方法では、基板に対する液状材料の濡れ性によっては、所定形状に塗布された液状被膜が基板上で濡れ広がり、その結果、形成される膜のパターニング精度が低下してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８９２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて２つの基材同士を接合することができる接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、シリコーン材料を含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する第１の基材と、接合膜を介して互いに接合する第２の基材および第３の基材とを用意する第１の工程と、
前記第１の基材の撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合させた後、前記第１の基材と前記第２の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記第１の基材から前記第２の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第２の基材と前記第３の基材とを接合することにより、これら同士が接合された接合体を得る第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて第２の基材と第３の基材とを接合することができる。
【０００７】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第３の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第３の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
【０００８】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成されることが好ましい。
液滴吐出法によれば、より高い成膜精度で接合膜を形成することができる。
本発明の接合方法では、前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法であることが好ましい。
インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴のサイズを小さくすれば、たとえ所定形状が微細なものであったとしても、この形状に対応した液状被膜を確実に形成することができる。
【０００９】
本発明の接合方法では、前記所定形状は、前記接合膜による接合を必要とする部位に対応した形状をなしていることが好ましい。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしていることが好ましい。
これにより、シリコーン材料の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜が形成されることから、得られる接合膜は特に膜強度に優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されていることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
【００１０】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有することが好ましい。
これにより、シリコーン材料が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、シリコーン材料とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。
さらに、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有するシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
【００１１】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
本発明の接合方法では、ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものであることが好ましい。
本発明の接合方法では、前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われることが好ましい。
これにより、接合膜を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体を短時間で製造することができる。
【００１２】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触を、大気圧下で行うことが好ましい。
大気圧下で行われるプラズマの接触、すなわち、大気圧プラズマ処理によれば、接合膜の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、接合膜を構成するポリエステル変性シリコーン材料が含んでいるポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去して、接合膜の表面付近に接着性を発現させる際に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【００１３】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされることが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、接合膜にプラズマを接触させ、接合膜の表面付近に接着性を確実に発現させることができる。
【００１４】
本発明の接合方法では、前記第２の基材および前記第３の基材の前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、表面処理を施さなくても、十分な接合強度が得られる。
本発明の接合方法では、前記第２の基材および前記第３の基材の前記接合膜と接触する部分には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基材の接合面が清浄化および活性化され、接合面に対して接合膜が化学的に作用し易くなる。その結果、基材の接合面と接合膜との接合強度を高めることができる。
【００１５】
本発明の接合方法では、前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、基材の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合方法では、さらに、前記第２の基材と前記第３の基材とを接合させた後に、前記接合膜に対して、前記第２の基材と前記第３の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有することが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【００１６】
本発明の接合方法では、前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
本発明の接合体は、前記第２の基材と前記第３の基材とが、本発明の接合方法により形成された接合膜を介して接合されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。
【図７】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図９】本発明の接合体が適用されたアクティブマトリクス型の有機発光装置の実施形態を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の接合方法および接合体を説明するのに先立って、本発明の接合方法で液状材料を供給する際に用いられる液滴吐出装置の一例について説明する。
＜液滴吐出装置＞
図１は、第１の基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図、図２は、図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本工程で用いる液滴吐出装置５００は、後述する接合膜３を形成する際に用いる液状材料３５を保持するタンク５０１と、チューブ５１０と、チューブ５１０を介してタンク５０１から液状材料３５が供給される吐出走査部５０２とを備える。吐出走査部５０２は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５１４を備える液滴吐出手段５０３と、液滴吐出手段５０３の位置を制御する第１位置制御装置５０４（移動手段）と、後述する接合膜３を形成する第１の基材２１を保持するステージ５０６と、ステージ５０６の位置を制御する第２位置制御装置５０８（移動手段）と、制御手段５１２とを備えている。タンク５０１と、液滴吐出手段５０３における液滴吐出ヘッド５１４とは、チューブ５１０で連結されており、タンク５０１から液滴吐出ヘッド５１４に液状材料３５が圧縮空気によって供給される。
【００２０】
制御手段（制御装置）５１２は、例えば、演算部やメモリー等を内蔵するマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御手段５１２には、図示しない操作部からの信号（入力）が、それぞれ、随時入力される。
また、制御手段５１２は、操作部からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、液滴吐出装置５００の各部の作動（駆動）をそれぞれ制御する。
【００２１】
第１位置制御装置５０４は、制御手段５１２からの信号に応じて、液滴吐出手段５０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向に直交するＺ軸方向に沿って移動させる。さらに、第１位置制御装置５０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで液滴吐出手段５０３を回転させる機能も有する。本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。第２位置制御装置５０８は、制御手段５１２からの信号に応じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交するＹ軸方向に沿ってステージ５０６を移動させる。さらに、第２位置制御装置５０８は、Ｚ軸に平行な軸の回りでステージ５０６を回転させる機能も有する。
【００２２】
ステージ５０６は、Ｘ軸方向とＹ軸方向との双方に平行な平面を有する。また、ステージ５０６は、液状材料３５を付与して接合膜３を形成する第１の基材２１をその平面上に固定、または保持できるように構成されている。
上述のように、液滴吐出手段５０３は、第１位置制御装置５０４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、ステージ５０６は、第２位置制御装置５０８によってＹ軸方向に移動させられる。つまり、第１位置制御装置５０４および第２位置制御装置５０８によって、ステージ５０６に対する液滴吐出ヘッド５１４の相対位置が変わる（ステージ５０６に保持された第１の基材２１と、液液滴吐出手段５０３とが相対的に移動する）。
【００２３】
制御手段５１２は、液状材料３５を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
液状材料３５を第１の基材２１上に供給する際には、液滴吐出ヘッド５１４と第１の基材２１とを相対的に走査しつつ、第１の基材２１上に液状材料３５を吐出する。すなわち、第２位置制御装置５０８の作動により、第１の基材２１が保持されているステージ５０６をＹ軸方向に移動させ、液滴吐出手段５０３の下を通過させつつ、液滴吐出手段５０３が備える液滴吐出ヘッド５１４のノズル５１８から液状材料３５の液滴（インク滴）３１を吐出して、第１の基材２１上の膜形成領域４１に付与する（着弾させる）。以下、この動作を「塗布走査（液滴吐出ヘッド５１４と第１の基材２１との主走査）」と言うことがある。
【００２４】
そして、この液状材料３５を第１の基材２１上に供給する工程においては、通常は、前記塗布走査（走査）を複数回行うようになっている。なお、前記塗布走査の回数は、１回でもよいことは言うまでもない。
本実施形態では、液滴吐出ヘッド５１４は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、インクジェットヘッドで構成されている。すなわち、本実施形態で説明する液滴吐出装置は、インクジェット装置である。
【００２５】
液滴吐出ヘッド５１４は、振動板５２６と、ノズルプレート５２８とを備えている。振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、タンク５０１から、チューブ５１０および孔５３１を介して供給される液状材料３５が常に充填される液だまり５２９が位置している。
また、振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、複数の隔壁５２２が位置している。そして、振動板５２６と、ノズルプレート５２８と、１対の隔壁５２２とによって囲まれた部分がキャビティ（インク室）５２０である。キャビティ５２０はノズル５１８に対応して設けられているため、キャビティ５２０の数とノズル５１８の数とは同じである。キャビティ５２０には、１対の隔壁５２２間に位置する供給口５３０を介して、液だまり５２９から液状材料３５が供給される。
【００２６】
振動板５２６上には、それぞれのキャビティ５２０に対応して、振動子５２４が位置する。振動子５２４は、駆動素子としてのピエゾ素子（圧電素子）５２４Ｃと、ピエゾ素子５２４Ｃを挟む１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとを含む。この１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとの間に駆動電圧（信号）を印加する（与える）ことで、ピエゾ素子５２４Ｃの振動に追従して振動板５２６が振動することにより、対応するノズル５１８から液状材料３５が液滴３１として吐出される。
【００２７】
この場合、前記駆動電圧（例えば、駆動電圧の大きさ等）を調整することにより、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量（液滴量）を調整することができるようになっている。
なお、ノズル５１８からＺ軸方向に液状材料３５が吐出されるように、ノズル５１８の形状が調整されている。
【００２８】
制御手段５１２は、複数の振動子５２４のそれぞれに互いに独立に駆動電圧を印加するように構成されていてもよい。つまり、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量が、制御手段５１２からの信号、すなわち、駆動電圧に応じてノズル５１８毎に制御されてもよい。また、制御手段５１２は、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル５１８と、吐出動作を行わないノズル５１８とを設定することでもできる。
【００２９】
なお、１つのノズル５１８と、ノズル５１８に対応するキャビティ５２０と、キャビティ５２０に対応する振動子５２４とを含んだ部分により吐出部が構成される。この吐出部は、１つの液滴吐出ヘッド５１４において、ノズル５１８の数と同じ数だけ存在することとなる。
上記のような液滴吐出装置５００を用いて、第１の基材２１上に液状材料を液滴３１として供給することにより、第１の基材２１の接合面（上面）２１０の所望の位置に液状材料を供給することができる。これにより、膜形成領域４１の形状に対応して第１の基材２１上に液状被膜３０を、ひいては接合膜３を確実に形成することができる。すなわち、第１の基材２１に、所定形状にパターニングされた液状被膜３０（接合膜３）を確実に形成することができる。
【００３０】
なお、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として、上述したピエゾ素子の代わりに静電アクチュエータを用いるものでもよい。また、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として電気熱変換素子を用い、この電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して液状材料３５を吐出するバブルジェット方式（「バブルジェット」は登録商標）の構成であってもよい。
本発明の接合方法において、以上のような液滴吐出装置を用いて、所定形状にパターニングされた接合膜を第１の基材２１上に形成することができ、この第１の基材２１上に形成された接合膜３を、第２の基材２２上に転写することにより、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合する。
【００３１】
以下、本発明の接合方法について説明する。
＜接合方法＞
本発明の接合方法は、シリコーン材料を含有する液状材料３５に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する第１の基材２１と、接合膜３を介して互いに接合する第２の基材２２および第３の基材２３とを用意する第１の工程と、第１の基材２１の撥液性が付与されている面側に、液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る第２の工程と、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合させた後、第１の基材２１と第２の基材２２とを離間することにより、接合膜３を第１の基材２１から第２の基材２２に転写する第３の工程と、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された接合体１を得る第４の工程とを有するものである。
【００３２】
かかる方法によれば、第１の基材２１の目的とする領域に対して高い成膜精度で前記所定形状にパターニングされた、シリコーン材料を原材料とする接合膜３を形成することができ、この接合膜３を第２の基材２２に転写することができるため、この接合膜３の表面付近に発現した接着性により、２つの基材２２、２３同士を強固に接合することができる。
なお、本明細書中で、「所定形状」とは、接合膜３による接合を必要とする部位に対応した形状のことを言い、本実施形態では、後述する第２の基材２２および第３の基材２３における接合面２２０、２３０の膜形成領域４１に対応した形状のことを言う。
【００３３】
以下、この本発明の接合方法の第１実施形態を、工程ごとに詳述する。
＜＜第１実施形態＞＞
図３〜図５は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図６は、接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本実施形態の接合方法は、第１の基材２１上に、所定形状にパターニングされて形成した接合膜３を、第２の基材２２上に転写した後、この第２の基材２２と第３の基材２３とを接合膜３を介して接合する接合方法である。
【００３４】
［１］まず、表面付近に撥液性を有する第１の基材２１と、接合膜３を介して互いに接合する第２の基材２２および第３の基材２３とを用意する（第１の工程）。
第１の基材２１は、表面付近に撥液性を有するものであれば、如何なる構成のものであってもよく、例えば、図３（ａ）に示すように、母材２１２の上面に、撥液性を有する撥液膜２１１が設けられたものが挙げられる。
【００３５】
また、撥液膜２１１は、フッ素系材料で構成される膜や、フッ素原子を含有するカップリング剤で構成される単分子膜等が挙げられる。
フッ素系材料のうち、フッ素系有機材料の具体例としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）およびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられる。一方、フッ素系無機材料の具体例としては、例えば、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸カリウムおよびケイフッ酸等が挙げられる。
【００３６】
また、フッ素原子を含有するカップリング剤としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３７】
母材２１２の構成材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００３８】
また、第２の基材２２および第３の基材２３は、互いに接合すべきものが適宜選択され、特に限定されるものではないが、その構成材料としては、前述した母材２１２の構成材料と同様のものが挙げられる。
さらに、第２の基材２２および第３の基材２３は、それぞれ、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
【００３９】
なお、第２の基材２２の構成材料と第３の基材２３の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
また、第２の基材２２の熱膨張率と第３の基材２３の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体１において、剥離を確実に防止することができる。
【００４０】
なお、後に詳述するが、第２の基材２２の熱膨張率と第３の基材２３の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
また、２つの基材２２、２３は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、２つの基材２２、２３をより強固に接合することができる。
【００４１】
また、２つの基材２２、２３のうち、少なくとも一方の構成材料は、樹脂材料であるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、２つの基材２２、２３を接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体１を得ることができる。
【００４２】
なお、上記のような観点から、２つの基材２２、２３のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、２つの基材２２、２３の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体１が得られる。
また、各基材２２、２３の形状は、それぞれ、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
【００４３】
なお、本実施形態では、図３〜５に示すように、各基材２２、２３がそれぞれ板状をなしている。これにより、各基材２２、２３は撓み易くなり、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体１における接合強度が高くなる。
また、各基材２２、２３が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材２２、２３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００４４】
次に、必要に応じて、第２の基材２２および第３の基材２３の接合面２２０および接合面２３０に接合される接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面２２０および接合面２３０が清浄化および活性化され、接合面２２０および接合面２３０に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面２２０および接合面２３０に対して接合膜３を接合したとき、接合面２２０および接合面２３０と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００４５】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第２の基材２２および第３の基材２３が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
【００４６】
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面２２０および接合面２３０を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面２２０および接合面２３０と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。
また、第２の基材２２および第３の基材２３の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の基材２２および第３の基材２３の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００４７】
このような材料で構成された第２の基材２２および第３の基材２３は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第２の基材２２および第３の基材２３を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材２２および第３の基材２３の接合面２２０および接合面２３０と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００４８】
なお、この場合、第２の基材２２および第３の基材２３の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３を形成する膜形成領域４１に位置する接合面２２０および接合面２３０付近が上記のような材料で構成されていればよい。
また、表面処理に代えて、第２の基材２２および第３の基材２３の接合面２２０および接合面２３０に、あらかじめ、被覆層を形成しておいてもよい。
【００４９】
この被覆層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような被覆層上に接合膜３を接合することにより、最終的に、信頼性の高い接合体１を得ることができる。
かかる被覆層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
また、これらの各材料で構成された被覆層の中でも、酸化物系材料で構成された被覆層によれば、第２の基材２２および第３の基材２３と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
なお、上記のような表面処理および被覆層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
【００５１】
［２］次に、第１の基材２１の撥液膜２１１が形成されている面側に、シリコーン材料を含有する液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る（第２の工程）。
【００５２】
以下、本工程について詳述する。
［２−１］まず、シリコーン材料を含有する液状材料３５を、例えば、前述した液滴吐出装置５００による液滴吐出法を用いて液滴３１として、第１の基材２１の撥液膜２１１が形成されている側の面である接合面２１０上に供給する。
これにより、図３（ａ）に示すような接合面２１０の膜形成領域４１に、接合面２１０の非膜形成領域４２に供給することなく、液滴３１を選択的に供給することができる。その結果、図３（ｂ）に示すように、第１の基材２１上に、膜形成領域４１の形状、すなわち所定形状にパターニングされた液状被膜３０が形成される。
【００５３】
ここで、本実施形態では、接合面２２０の膜形成領域４１に液状材料を選択的に塗布（供給）する方法として、液滴吐出装置５００を用いて液状材料３５を液滴３１として供給する液滴吐出法が用いられる。
液滴吐出法を用いて、液状材料を位置選択的に供給することにより、液状材料に無駄が生じるのを確実に防止することができる。また、例えば、基板上にレジスト層を形成して、これをマスクとして用いて膜をパターニングする場合と比較して、接合膜３を形成するまでの工程数の削減、時間の短縮および製造コストの削減を図ることができる。
【００５４】
さらに、本実施形態では、液滴吐出法は、液滴吐出ヘッド５１４としてインクジェットヘッドを備えるインクジェット法が用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴３１として、優れた位置精度で供給することができる。また、ピエゾ素子５２４Ｃの振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴３１のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴３１のサイズを小さくすれば、たとえ膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した液状被膜３０を確実に形成することができる。
【００５５】
液状材料の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、微細な形状の膜形成領域４１を描画し得る大きさの液滴３１を吐出することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜３０を次工程［２−２］で乾燥させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のシリコーン材料を液状材料中に含有したものとすることができる。
【００５６】
また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴３１の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、接合面２２０に供給された際の液滴３１の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状の接合膜３をも確実に形成することができる。
さらに、接合面２２０の膜形成領域４１に供給する液滴３１の供給量を適宜設定することにより、形成される接合膜３の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
【００５７】
また、本発明では、液状材料３５が液滴３１として塗布（供給）される接合面２１０には撥液性が付与されている。これにより、接合面２１０上に塗布された液滴３１は、接合面２１０上に供給された際に、接合面２１０上での濡れ広がりが的確に抑制または防止された状態で供給される。そのため、液状被膜３０は、優れたパターニング精度で、膜形成領域４１の形状を維持した状態で接合面２１０上に形成されることとなる。
【００５８】
液状被膜３０の接合面２１０に対する濡れ性は、例えば、液状被膜３０の接合面２１０に対する接触角で表すことができ、その接触角は、好ましくは８０〜１１０°程度、より好ましく８５〜１００°程度とされる。かかる関係を満足するように液状材料３５の種類および撥液膜２１１の種類を適宜選択することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００５９】
また、液滴３１として吐出される液状材料は、前述のようにシリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。
【００６０】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００６１】
シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、次工程［２−２］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料として構成するものである。
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、その主骨格が少なくとも１つのシラノール基を備える化合物のことを言い、主鎖の途中から枝分かれする分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式（１）で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式（２）で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式（３）で表わされる構造単位を有している。
【００６２】
【化１】
2010229272.tif 000003
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Ｚは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Ｘはシロキサン残基を表し、ａは１〜３の整数を表し、ｂは０または１〜２の整数を表し、ｃは０または１を表す。］
【００６３】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式（１）で表わされる構造単位、上記一般式（２）で表わされる構造単位および上記一般式（３）で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物（以下、「分枝状化合物」と略すこともある。）は、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
【００６４】
この分枝状化合物を用いることにより、次工程［２−２］において、液状材料３５中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
なお、上記一般式（１）〜上記一般式（３）中、基Ｒ（置換または無置換の炭化水素基）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、Ｉ）フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II）グリシドキシ基のようなエポキシ基III）メタクリル基のような（メタ）アクリロイル基、IV）カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
【００６５】
基Ｚが加水分解基である場合、この加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料３５の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００６６】
このような分枝状化合物は、その化合物中において、シラノール基（水酸基）を複数有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位において、基Ｚを複数有しており、これらの基Ｚが水酸基であるのが好ましい。これにより、分枝状化合物が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、後述する、分枝状化合物とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。さらに、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、シリコーン材料すなわち分枝状化合物中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度が優れたものとなる。
【００６７】
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが水酸基である上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、分枝状化合物中のメチル基の少なくとも１つをフェニル基に置換して、得られる接合膜３中に、フェニル基が含まれる構成とすることにより、接合膜３をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００６８】
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程
［３］および後工程［４］において、接合膜３にエネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物（シリコーン材料）として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式（４）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００６９】
【化２】
2010229272.tif 000004
［式中、ｎは、それぞれ独立して、０または１以上の整数を表す。］
【００７０】
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程
［４］において、接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合して接合体１を得る際に、例えば、第２の基材２２と第３の基材２３の各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材２２、２３間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００７１】
また、分枝状化合物は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜３を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、分枝状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
さらに、上記のようなシリコーン材料は、ポリエステル変性シリコーン材料であるのが好ましい。
【００７２】
ここで、本明細書中において、「ポリエステル変性シリコーン材料」とは、シリコーン材料と、ポリエステル樹脂とを脱水縮合反応させることにより得られたものである。
また、「ポリエステル樹脂」とは、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものを言い、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
【００７３】
このようなポリエステル樹脂を、上述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
飽和多塩基酸としては、特に限定されないが、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、無水フタル酸およびアジピン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７４】
また、多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、飽和多塩基酸と多価アルコールとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、飽和多塩基酸が有するカルボキシル基よりも多価アルコールが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
【００７５】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
以上のことを考慮すると、ポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（５）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００７６】
【化３】
2010229272.tif 000005
［式中、ｎは、０または１以上の整数を表す。］
【００７７】
上記のようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えているものであるとすると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、ポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度を確実に向上させることができる。
【００７８】
また、後工程［４］において、接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合した際に、接合膜３と第２の基材２２との界面および接合膜３と第３の基材２３との界面において、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、各基材２２、２３が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜３は、第２の基材２２の接合面２２０および第３の基材２３の接合面２３０に対して、強固に接合されたものとなる。
【００７９】
［２−２］次いで、第１の基材２１上に供給された液状材料、すなわち、接合面２１０の膜形成領域４１に選択的に形成された液状被膜３０を乾燥する。これにより、図３（ｃ）に示すように、膜形成領域４１の形状（所定形状）に対応してパターニングされた接合膜３が形成される。
液状被膜３０を乾燥させる際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
【００８０】
また、乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜３０を乾燥させることにより、次工程［３］および後工程［４］において、エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程［２−１］で説明したようなシラノール基を有するもの、または、ポリエステル変性シリコーン材料を用いた場合には、これらの材料が有するシラノール基同士を、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れたものとすることができる。
【００８１】
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
【００８２】
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
接合膜３の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
【００８３】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、後工程［４］において、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合する際に、接合膜３と接触させる第３の基材２３の接合面２３０にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と接合面２３０とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２３０との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００８４】
［３］次に、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合させた後、第１の基材２１と第２の基材２２とを離間することにより、接合膜３を第１の基材２１から第２の基材２２に転写する（第３の工程）。
【００８５】
以下、本工程について詳述する。
［３−１］まず、接合面２１０の膜形成領域４１に形成された接合膜３の表面３２に対してエネルギーを付与する。
接合膜３にエネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面３２付近の分子結合の一部が切断し、表面３２が活性化されることに起因して、表面３２付近に第２の基材２２に対する接着性が発現する。
【００８６】
このような状態の接合膜３は、第２の基材２２と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、本明細書中において、表面３２が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３２の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００８７】
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜３の表面を効率よく活性化させることができる。
【００８８】
これらの中でも、接合膜３に対するエネルギーの付与は、図３（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、接合膜３をプラズマに曝す方法が好ましく用いられる理由を説明するのに先立って、エネルギー線として紫外線を選択し、接合膜３に紫外線を照射する場合における問題点について説明する。
【００８９】
Ａ：まず、接合膜３の表面３２の活性化に長時間（例えば、１分〜数十分）を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合する工程において、その接合に長時間（数十分以上）を要する。すなわち、接合体１を得るのに長時間を要する。
Ｂ：また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、接合膜３を厚さ方向に透過し易い。このため、基材（本実施形態では、第１の基材２１）の構成材料（例えば、樹脂材料）等によっては、基材の接合膜３との界面（接触面）において劣化が生じ、接合膜３が基材から剥離し易くなる。
【００９０】
さらに、紫外線は、接合膜３の厚さ方向に透過する際に、接合膜３全体に作用し、その全体において、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断、除去される。すなわち、接合膜３中における有機成分の量が極端に低下し、その無機化が進行する。このため、有機成分の存在に起因する接合膜３の柔軟性が全体として低下し、得られる接合体１では、接合膜３の層内剥離が生じ易くなる。
【００９１】
Ｃ：さらに、接合された接合体１を、第２の基材２２を第３の基材２３から剥離して、各基材２２、２３をそれぞれ分別してリサイクルや再利用に用いる場合、この操作は、接合体１に対して、剥離用エネルギーを付与することにより各基材２２、２３同士を剥離し得る。このとき、例えば、接合膜３中に残存するメチル基（有機成分）がポリジメチルシロキサン骨格から切断、除去され、切断された有機成分がガスとなる。このガス（ガス状の有機成分）は、接合膜３にへき乖を生じさせ、接合膜３が分割される。
【００９２】
しかしながら、紫外線を照射した場合、前述のように、接合膜３全体の無機化が進行するため、剥離用エネルギーを付与した場合でも、ガスになる有機成分が極めて少なく、接合膜３にへき乖が生じ難いという問題がある。
これに対して、接合膜３の表面３２をプラズマに曝した場合では、接合膜３の表面３２付近において、選択的に、この接合膜３を構成する材料の分子結合の一部、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断される。
【００９３】
なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合膜３を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体１を短時間で製造することができる。
【００９４】
また、プラズマは、接合膜３の表面３２に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合膜３の表面３２付近で選択的に生じる。すなわち、接合膜３は、その表面３２付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて接合膜３を活性化させる場合の不都合（前述したようなＢおよびＣの不都合）が生じ難い。
【００９５】
このように、接合膜３の活性化にプラズマを用いることにより、接合体１において、接合膜３の層内剥離が生じ難く、第２の基材２２を第３の基材２３から剥離する場合には、この剥離操作を確実に行うことができる。
また、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、照射する紫外線の強度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化が極めて大きい。このため、第２の基材２２と第３の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるには、紫外線照射の厳密な条件管理が必要である。また、厳密な管理をしない場合、得られる接合体１間における、第１の基材２１と第２の基材２２との接合強度のバラつきが生じる。
【００９６】
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、接触させるプラズマの濃度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化は穏やかである。したがって、第２の基材２２と第３の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるのに、プラズマを発生させる条件を厳密に管理する必要がない。換言すれば、接合膜３の活性化にプラズマを用いる場合、接合体１の製造条件の許容範囲が広い。また、厳密な管理をしなくとも、得られる接合体１間において、第２の基材２２と第３の基材２３との接合強度のバラつきが生じ難い。
【００９７】
さらに、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、接合膜３の活性化すなわち接合膜３中の有機物の脱離に伴って、接合膜３自体が収縮（特に、膜厚の低下）するという問題がある。接合膜３が収縮した場合、第２の基材２２と第３の基材２３とを高い接合強度で接合することが困難となる。
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、前述したように、接合膜３の表面付近が選択的に活性化されるため、接合膜３の収縮はないか極めて少ない。したがって、接合膜３を比較的薄く形成した場合であっても、第２の基材２２と第３の基材２３とを高い接合強度で接合することができる。また、この場合、高い寸法精度の接合体１を得ることができるとともに、接合体１の薄型化を図ることも可能である。
【００９８】
以上のように、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合には、紫外線により接合膜３を活性化させる場合に比べて、多くのメリットがある。
また、接合膜３に対するプラズマの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において行うのが好ましい。すなわち、接合膜３を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜３の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、ポリエステル変性シリコーン材料のポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際（接合膜３の活性化の際）に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
かかる大気圧下におけるプラズマ処理は、例えば、図６に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて行うことができる。
【００９９】
図６は、大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。
図６に示す大気圧プラズマ装置１０００は、接合膜３が形成された第１の基材２１（以下、単に「被処理基板Ｗ」と言う。）を搬送する搬送装置１００２と、搬送装置１００２の上方に設置されたヘッド１０１０とを備えている。
この大気圧プラズマ装置１０００では、ヘッド１０１０が備える印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に、プラズマが発生するプラズマ発生領域ｐが形成される。
【０１００】
以下、各部の構成について説明する。
搬送装置１００２は、被処理基板Ｗを積載可能な移動ステージ１０２０を有している。この移動ステージ１０２０は、搬送装置１００２が有する移動手段（図示せず）の作動により、ｘ軸方向に移動することができる。
なお、移動ステージ１０２０は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
【０１０１】
ヘッド１０１０は、ヘッド本体１１０１と、印加電極１０１５と、対向電極１０１９とを有している。
ヘッド１０１０には、移動ステージ１０２０（搬送装置１００２）の上面とヘッド１０１０の下面１１０３との間隙１１０２に、プラズマ化された処理ガスＧを供給するガス供給流路１０１８が設けられている。
【０１０２】
ガス供給流路１０１８は、ヘッド１０１０の下面１１０３に形成された開口部１１８１で開口している。また、図６に示すように、下面１１０３の左側には、段差が形成されている。これにより、ヘッド本体１１０１の左側部分と移動ステージ１０２０との間隙１１０４が、間隙１１０２よりも小さく（狭く）なっている。このため、プラズマ化された処理ガスＧが間隙１１０４に入り込むのを抑制または防止されて、ｘ軸正方向に優先的に流れるようになっている。
【０１０３】
なお、ヘッド本体１１０１は、例えば、アルミナ、石英等の誘電体材料で構成されている。
ヘッド本体１１０１には、ガス供給流路１０１８を挟むように、印加電極１０１５と対向電極１０１９とが対抗して設置され、これにより一対の平行平板型電極が構成されている。これらのうち、印加電極１０１５は高周波電源１０１７に電気的に接続され、対向電極１０１９は接地されている。
【０１０４】
これら印加電極１０１５および対向電極１０１９は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
このような大気圧プラズマ装置１０００を用いて、被処理基板Ｗをプラズマ処理する場合、まず、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に電圧を印加して、電界Ｅを発生させる。この状態で、ガス供給流路１０１８に、処理ガスＧを流入させる。このとき、ガス供給流路１０１８に流入した処理ガスＧは、電界Ｅの作用により放電してプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスＧは、下面１１０３側の開口部１１８１から、間隙１１０２内に供給される。これにより、プラズマ化された処理ガスＧが被処理基板Ｗに設けられた接合膜３の表面３２に接触して、プラズマ処理が施される。
【０１０５】
かかる大気圧プラズマ装置１０００を用いることにより、容易かつ確実に、接合膜３にプラズマを接触させ、接合膜３を活性化させることができる。
ここで、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０（被処理基板Ｗ）と間の距離、すなわち、間隙１１０２高さ（図６中、ｈ１で示す長さ）は、高周波電源１０１７の出力や、被処理基板Ｗに施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜決定されるが、０．５〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３にプラズマを接触させて、接合膜３をより確実に活性化させることができる。
【０１０６】
また、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐ程度であるのが好ましく、１．０〜１．５ｋＶｐ−ｐ程度であるのがより好ましい。これにより、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０と間に電界Ｅをより確実に発生させることができ、ガス供給流路１０１８に供給された処理ガスＧを確実にプラズマ化させることができる。
【０１０７】
高周波電源１０１７の周波数（印加する電圧の周波数）は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
処理ガスＧの種類としては、特に限定されないが、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスＧには、希ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましく、特にヘリウムガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。
【０１０８】
すなわち、処理に用いるプラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであるのが好ましい。ヘリウムガスを主成分とするガス（処理ガスＧ）は、プラズマ化の際にオゾンを発生させ難く、このため、接合膜３の表面３２のオゾンによる変質（酸化）を防止することができる。その結果、接合膜３の活性化の程度が低下するのを抑制すること、すなわち、接合膜３を確実に活性化させることができる。さらに、ヘリウムガスのプラズマは、前述したペニング効果が極めて高く、接合膜３の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる観点からも好ましい。
【０１０９】
この場合、ヘリウムガスを主成分とするガスのガス供給流路１０１８への供給速度は、１〜２０ＳＬＭ程度であるのが好ましく、５〜１５ＳＬＭ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス（処理ガスＧ）中のヘリウムガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上が好ましく、９０ｖｏｌ％以上（１００％も含む）がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。
また、移動ステージ１０２０の移動速度は、特に限定されないが、１〜２０ｍｍ／秒程度であるのが好ましく、３〜６ｍｍ／秒程度であるのがより好ましい。このような速度でプラズマを接合膜３に接触させることにより、短時間であるにもかかわらず、接合膜３を十分かつ確実に活性化させることができる。
【０１１０】
［３−２］次に、図４（ａ）に示すように、接合膜３と第２の基材２２とが密着するように、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせる。これにより、図４（ｂ）に示すように、前記工程［３−１］において、接合膜３の表面３２に第２の基材２２に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第２の基材２２の接合面２２０とが化学的に結合する。
【０１１１】
ここで、本工程において、接合膜３と第２の基材２２とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第２の基材２２の接合面２２０に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第１の基材２１に形成された接合膜３と、第２の基材２２の接合面２２０とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３２に存在する水酸基と、第２の基材２２の接合面２２０に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合されると推察される。
【０１１２】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と第２の基材２２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と第２の基材２２とがより強固に接合されると推察される。
また、第１の基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第２の基材２２の接合面２２０や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第２の基材２２とが特に強固に接合される。
【０１１３】
なお、前記工程［３−１］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３−１］の終了後、できるだけ早く本工程［３−２］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３−１］の終了後、６０分以内に本工程［３−２］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせたとき、接合膜３と第２の基材２２との間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１１４】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、シリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた第１の基材２１を多量に製造または購入して保存しておき、必要な個数のみに前記工程［３−１］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、後述する接合体１の製造効率の観点から有効である。
【０１１５】
［３−３］次に、第１の基材２１と第２の基材２２とを離間する。
ここで、前述したように、接合膜３は、第１の基材２１が備える撥液膜２１１上に形成されているため、第１の基材２１との結合強度は極めて低い。これに対して、接合膜３は、第２の基材２２の接合面２２０に対して化学的に結合しているため、第２の基材２２との結合強度は、接合膜３と第１の基材２１との接合強度と比較して極めて高くなる。
そのため、第１の基材２１と第２の基材２２とを離間すると、接合膜３は、第１の基材２１と接合する接合面２１０から剥離するため、図４（ｃ）に示すように、第１の基材２１から第２の基材２２に転写される。
【０１１６】
［４］次に、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された接合体１を得る（第４の工程）。
以下、本工程について詳述する。
［４−１］まず、第１の基材２１から第２の基材２２に転写された接合膜３に対してエネルギーを付与する。
【０１１７】
ここで、接合膜３は、第１の基材２１から第２の基材２２に転写されているため、第１の基材２１と接合していた側の面が、第２の基材２２上で露出していることとなる。
接合膜３は、エネルギーが付与されると、その表面付近の分子結合の一部が切断し、表面が活性化されることに起因して、接着性が発現するものである。そのため、本工程にように、一度、他の基材（本実施形態では、第１の基材２１）と接合していた面に対しても、再度、エネルギーを付与することにより、この面に接着性を発現させることができる。
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、前記工程［３−１］で説明したのと同様に、図４（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
【０１１８】
［４−２］次に、第２の基材２２に形成された接合膜３と第３の基材２３とが密着するように、第２の基材２２と第３の基材２３とを貼り合わせる（図５（ａ）参照）。これにより、前記工程［４−１］において、接合膜３の表面に第３の基材２３に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第３の基材２３の接合面２３０とが化学的に結合する。その結果、第２の基材２２と第３の基材２３とが、膜形成領域４１において選択的に形成された接合膜３により部分的に接合され、図５（ｂ）に示すような接合体１が得られる。
ここで、本工程において、接合膜３と第３の基材２３とは、前記工程［３−２］で説明した接合膜３と第２の基材２２とが接合するメカニズムと同一のメカニズムにより接合される。
【０１１９】
以上のように本発明の接合方法では、接合体１は、撥液膜２１１を有する第１の基材２１上に予め接合膜３を形成し、この接合膜３を第２の基材２２に転写した後、接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合することにより得られる構成となっている。そのため、第１の基材２１上での液状材料の濡れ広がりが的確に防止または抑制されることから、膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した接合膜３を形成することができる。そして、接合膜３を第１の基材２１から第２の基材２２に転写できることから、この接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とが接合された接合体１を確実に得ることができる。
【０１２０】
また、かかる構成の接合体１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、２つの基材２２、２３が接合されている。このため、接合体１は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【０１２１】
また、このような接合方法によれば、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第２の基材２２および第３の基材２３をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合しているため、各基材２２、２３の構成材料に制約がないという利点もある。
【０１２２】
以上のことから、本発明によれば、第２の基材２２および第３の基材２３の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、第２の基材２２の熱膨張率と第３の基材２３の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１２３】
具体的には、第２の基材２２と第３の基材２３との熱膨張率の差にもよるが、第２の基材２２および第３の基材２３の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第２の基材２２と第３の基材２３とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第２の基材２２と第３の基材２３との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
【０１２４】
また、この場合、具体的な第２の基材２２と第３の基材２３との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
また、本実施形態によれば、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合する際に、これらが対向する面全体を接合するのではなく、接合膜３が選択的に形成された膜形成領域４１において接合する。この接合の際、接合膜３を形成する膜形成領域４１の大きさを適宜設定することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、第２の基材２２と第３の基材２３とが接合する接合膜３の面積や形状を制御して、接合体１の接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、接合膜３を容易に剥離可能な接合体１が得られる。
【０１２５】
すなわち、接合体１の接合強度を調整可能であると同時に、接合体１を分離する際の強度（割裂強度）を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体１を作製する場合には、接合体１の接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体１を分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。
【０１２６】
また、第２の基材２２と第３の基材２３とが接合する接合膜３の面積や形状を適宜設定することにより、接合膜３に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第２の基材２２と第３の基材２３との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材２２、２３を確実に接合することができる。
さらに、本実施形態にかかる接合方法によれば、非膜形成領域４２では、図５（ｃ）に示すように、第２の基材２２と第３の基材２３との間に、接合膜３の厚さに相当する距離（高さ）の空間３Ｃが形成される。この空間３Ｃを活かすため、膜形成領域４１の形状を適宜調整することにより、第２の基材２２と第３の基材２３との間に、閉空間や流路を形成したりすることができる。
【０１２７】
以上のようにして、図５（ｂ）に示す接合体（本発明の接合体）１を得ることができる。
このようにして得られた接合体１は、第２の基材２２と第３の基材２３との間の接合強度が４ＭＰａ（４０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第２の基材２２と第３の基材２３とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
なお、接合体１を得る際、または、接合体１を得た後に、この接合体１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［５Ａ］および［５Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１２８】
［５Ａ］  得られた接合体１を、第２の基材２２と第３の基材２３とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第２の基材２２の表面および第３の基材２３の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体１における接合強度をより高めることができる。
また、接合体１を加圧することにより、接合体１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体１における接合強度をさらに高めることができる。
【０１２９】
なお、この圧力は、第２の基材２２および第３の基材２３の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第２の基材２２および第３の基材２３の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１００ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５０ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第２の基材２２および第３の基材２３の各構成材料によっては、各基材２２、２３に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３０】
［５Ｂ］  得られた接合体１を加熱する。
これにより、接合体１における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体１を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１３１】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［５Ａ］、［５Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図５（ｃ）に示すように、接合体１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体１の接合強度を特に高めることができる。
【０１３２】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図７、図８は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１３３】
本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２１の接合面（表面）２１０の膜形成領域４１に接合膜３が形成される他に、さらに第２の基材２２および第３の基材２３の接合面（表面）２２０および接合面２３０のほぼ全面にも接合膜３が形成されている。そして、第２の基材２２および第３の基材２３がそれぞれ備える接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、これら接合膜３同士を、第１の基材２１から転写された接合膜３を介して接触させることにより、第２の基材２２と第３の基材２３とを接合させて、接合体１を得た以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３４】
［１’］まず、前記工程［１］と同様の第１の基材２１、第２の基材２２および第３の基材２３を用意する。
［２’］次に、前記工程［２］で説明したのと同様にして、第１の基材２１の接合面２２０の膜形成領域４１に所定形状にパターニングされた接合膜３を形成するとともに、第２の基材２２および第３の基材２３の接合面２２０および接合面２３０のほぼ全面にも接合膜３を形成する。
【０１３５】
［３’］次に、図７（ａ）に示すように、第２の基材２２の接合面２２０に形成された接合膜３にエネルギーを付与することにより、第２の基材２２に形成された接合膜３の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図７（ｂ）に示すように、各基材２１、２２に形成された接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合させた後、第１の基材２１と第２の基材２２とを離間することにより、第１の基材２１に形成されていた接合膜３を第１の基材２１から第２の基材２２に転写する（図７（ｃ）参照。）。
【０１３６】
本実施形態のように、第１の基材２１および第２の基材２２の双方に接合膜３が設けられている構成とすることにより、接合膜３同士間での接合がより強固なものとなるため、第１の基材２１に接合されていた接合膜３を、より確実に第１の基材２１から剥離することができる。
なお、第２の基材２２に形成された接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、前記工程［３］で説明したのと同様の方法を用いることができ、接合膜３をプラズマに曝す方法が特に好ましく用いられる。
また、接合膜３に対するエネルギーの付与は、第２の基材２２に形成された接合膜３ばかりでなく第１の基材２１に形成された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第２の基材２２に形成された接合膜３へのエネルギーの付与を省略して、第１の基材２１に形成された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい。
【０１３７】
［４’］次に、図８（ａ）に示すように、第３の基材２３の接合面２３０に形成された接合膜３にエネルギーを付与することにより、第３の基材２３に形成された接合膜３の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図８（ｂ）に示すように、各基材２２、３４に形成された接合膜３を介して第２の基材２２と第３の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された接合体１を得ることができる。
【０１３８】
本実施形態のように、第２の基材２２および第３の基材２３の双方に接合膜３が設けられている構成とすることにより、接合膜３同士間での接合がより強固なものとなるため、得られた接合体１は、より優れた接合強度を有するものとなる。
なお、接合膜３に対するエネルギーの付与は、第３の基材２３に形成された接合膜３ばかりでなく第２の基材２２に転写された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第３の基材２３に形成された接合膜３へのエネルギーの付与を省略して、第２の基材２２に転写された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい
【０１３９】
以上のようにして接合体１を得ることができる。
なお、接合体１を得た後、この接合体１に対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［５Ａ］および［５Ｂ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、図８（ｃ）に示すように、接合体１を加圧しつつ、加熱することにより、接合体１の各基材２２、２３同士がより近接する。これにより、各接合膜３の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。その結果、接合膜３の一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。
また、本実施形態では、第２の基材２２および第３の基材２３の接合面（表面）２２０および接合面２３０のほぼ全面に接合膜３を形成する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、接合面（表面）２２０および接合面２３０の何れか一方に前記接合膜３を形成するようにしてもよい。
【０１４０】
＜有機発光装置＞
次に、本発明の接合体を有機発光装置に適用した場合の実施形態について説明する。
図９は、本発明の接合体が適用されたアクティブマトリクス型の有機発光装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４１】
図９に示す有機発光装置４１０は、全体形状が板状をなすＴＦＴ回路基板（基板）４２０と、このＴＦＴ回路基板４２０上に設けられ、発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子４０１Ｒ、緑色（Ｇ）の有機ＥＬ素子４０１Ｇおよび青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子４０１Ｂと、各有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂ同士を区画する隔壁部４３５と、ＴＦＴ回路基板４２０に対向する上基板（保護基板）４０９とを有している。
【０１４２】
なお、以下では、有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂを総称して有機ＥＬ素子４０１と言うことがある。また、有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂをそれぞれ構成する有機半導体層（有機半導体層積層体）４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂを総称して有機半導体層４０７と言うことがある。また、有機半導体層４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂをそれぞれ構成する発光層４０６Ｒ、４０６Ｇ、４０６Ｂを総称して発光層４０６と言うことがある。
【０１４３】
基板４２１は、有機発光装置４１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板４０９は、例えば、各有機ＥＬ素子（有機発光素子）４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂの上側に配置され、これらの素子を保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の有機発光装置４１０は、上基板４０９（後述する陰極（第２の電極）４０８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板４０９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板４２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板４２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【０１４４】
一方、上基板４０９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。このような材料を用いることにより、上基板４０９が優れた光透過性を示すこととなり、よって、当該上基板４０９から光が確実に出射する（図９参照）。
【０１４５】
回路部４２２は、基板４２１上に形成された下地保護層４２３と、下地保護層４２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）４２４と、第１層間絶縁層４２５と、第２層間絶縁層４２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ４２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【０１４６】
このような回路部４２２上に、各駆動用ＴＦＴ４２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂが設けられている。
また、図９に示すように、隣接する有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂ同士は、隔壁部（バンク）４３５により区画されている。この隔壁部４３５は、互いに対向配置された陽極４０３と陰極４０８との間に設けられ、これらの電極間の距離を規制する機能も有している。
【０１４７】
隔壁部４３５は、板状をなす第１隔壁部４３１と、第１隔壁部４３１上に設けられたブロック状をなす第２隔壁部４３２とで構成される。第１隔壁部４３１は、隣接する陽極４０３間をまたぐように設けられている。また、第１隔壁部４３１は、陽極４０３に接する（接合した）陽極接合部３１１と、ＴＦＴ回路基板４２０の回路部４２２の上面に接する（接合した）基板接合部３１２とを有している。これにより、隔壁部４３５がＴＦＴ回路基板４２０に対して確実に固定される。第２隔壁部４３２は、主に有機半導体層４０７を包囲する部位である。この第２隔壁部４３２は、その両側面３２１が上方に向かって互いに接近するように傾斜した傾斜面となっている。また、第２隔壁部４３２の上面（頂面）３２２は、平面を構成している。
【０１４８】
このような構成の複数の隔壁部４３５は、全体として平面視での形状が格子状をなしている。これにより、各隔壁部４３５の内側に有機半導体層４０７（有機ＥＬ素子４０１）を設けることができ、このように設けられた有機半導体層４０７は、マトリクス状をなす。よって、有機ＥＬ素子４０１を有機発光装置４１０に好適に用いることができる。また、隔壁部４３５が格子状をなすことにより、隔壁部４３５の陰極４０８に対する接合箇所を比較的多く確保することができる。よって、陰極４０８との接合強度が高まり、有機発光装置４１０の長寿命化を確実に図ることができる。
第１隔壁部４３１および第２隔壁部４３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
【０１４９】
具体的には、第１隔壁部４３１および第２隔壁部４３２の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物（無機材料）や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような樹脂材料（有機材料）が挙げられる。また、第１隔壁部４３１の構成材料と第２隔壁部４３２の構成材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
このような隔壁部４３５の高さは、陽極４０３、正孔輸送層４０５および発光層４０６の合計の厚さにもよるが、例えば、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【０１５０】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂの陽極４０３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ４２４のドレイン電極２４５に配線４２７により電気的に接続されている。また、正孔輸送層４０５および発光層４０６Ｒ、４０６Ｇ、４０６Ｂを備える有機半導体層４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂとは、各有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂに対して個別に形成されており、陰極４０８は、共通電極とされている。
【０１５１】
そして、各有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂは、平面視において、マトリクス状に配置され、３つの有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂにより１画素が構成されている。
有機発光装置４１０では、個別に（複数）設けられた陽極４０３と、これらの陽極４０３を平面視で包含するように設けられた陰極４０８と、各陽極４０３にそれぞれ対応するように陰極４０８との間に設けられた有機半導体層４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂとで、有機ＥＬ素子４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂが構成されている。なお、本実施形態では、有機半導体層４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂは、陽極４０３側から正孔輸送層４０５と発光層４０６Ｒ、４０６Ｇ、４０６Ｂとがこの順で積層された積層体となっている。
【０１５２】
また、陰極４０８が全陽極４０３を包含するようなものであることにより、当該陰極４０８が全陽極４０３に対応する共通電極となり、個別に陰極４０８を設けるのが省略され、有機発光装置４１０の構造を簡単なものとすることができる。
陽極４０３は、ＴＦＴ回路基板４２０の回路部４２２の上面（一方の面）に設けられ（積層され）、正孔輸送層４０５（有機半導体層４０７）に正孔を注入する電極である。
【０１５３】
この陽極４０３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【０１５４】
陽極４０３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極４０３の厚さが薄すぎると、陽極４０３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極４０３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を発光層４０６において行うことができず、有機ＥＬ素子４０１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
【０１５５】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
陰極４０８は、有機半導体層４０７（発光層４０６）に電子を注入する電極である。
この陰極４０８の構成材料（陰極材料）としては、有機発光装置４１０が陰極４０８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する透明導電性材料が選択される。
【０１５６】
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５７】
陰極４０８の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極４０８の厚さが薄すぎると、陰極４０８としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極４０８が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子４０１として、実用に適さなくなるおそれがある。
【０１５８】
以上のような構成の有機発光装置４１０において、第２隔壁部４３２と、陰極４０８との接合体に、本発明の接合体が適用されている。
すなわち、第２隔壁部４３２の上面３２２と、陰極４０８の下面との接合に、本発明の接合方法が用いられる。この場合、陰極４０８上に、第２隔壁部４３２の上面３２２の形状に対応した接合膜３を撥液性が付与された他の基板から転写し、この接合膜３を介して第２隔壁部４３２の上面３２２と、陰極４０８の下面とを接合することにより、これら同士が接合された接合体を得ることができる。
【０１５９】
以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、本発明の接合体は、有機発光装置以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、本発明の接合体は、例えば、液滴吐出ヘッド、水晶デバイス等に適用することができる。
【実施例】
【０１６０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
まず、第１の基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板の表面にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜が形成されたものを用意し、さらに、第２の基材および第３の基材として、それぞれ、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、これらガラス基板に対して酸素プラズマによる下地処理を行った。
【０１６１】
次に、シリコーン材料として、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する液状材料（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製、「ＸＲ３２−Ａ１６１２」）を用意し、インクジェット法により第１の基材上に、この液状材料を５ｐＬの液滴として供給して、液状被膜を、アルファベットの大文字「Ｅ」の形状に各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
【０１６２】
次に、この液状被膜を、２００℃で、１時間乾燥・硬化させることにより、第１の基材上に、接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅６０μｍ）を形成した。
次に、第１の基材上に形成された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
【０１６３】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１６４】
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、第２の基材の表面とが接触するように、第１の基材と第２の基材とを重ね合わせた。そして、第１の基材と第２の基材とを５０ＭＰａで加圧しつつ、常温（２５度前後）で２０秒間維持することにより、第２の基材に対する接合膜の接合強度の向上を図った。
次に、第１の基材と前記第２の基材とを離間することにより、第１の基材上に形成された接合膜を第２の基材上に転写させた。
【０１６５】
次に、第２の基材上に転写された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、上記に示した条件と同様にしてプラズマを接触させた。これにより、再度、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、第３の基材の表面とが接触するように、第２の基材と第３の基材とを重ね合わせた。そして、第２の基材と第３の基材とを５０ＭＰａで加圧しつつ、常温（２５度前後）で２０秒間維持することにより、第３の基材に対する接合膜の接合強度の向上を図った。
以上の工程を経ることにより、第２の基材と第３の基材とが、アルファベットの大文字「Ｅ」の形状にパターニングされた接合膜を介して接合された接合体を得た。
そして、この接合体の第２の基材と第３の基材との間の接合強度を、ＱＵＡＤ ＧＲＯＵＰ社製「ロミュラス」）を用いて測定したところ、４ＭＰａ以上であった。
【０１６６】
（実施例２）
第２の基材として、ガラス基板に代えて、ステンレス鋼基板を用意し、第３の基材として、ガラス基板に代えて、ポリイミド基板を用意した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例２においても、前記実施例１と同様に、アルファベットの大文字「Ｅ」の形状に接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅６０μｍ）が形成され、さらに、接合体の第２の基材と第３の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であった。
【０１６７】
（実施例３）
第２の基材および第３の基材の一方の面のほぼ全面にも、第１の基材上に接合膜を形成したのと同様の液状材料を用いて接合膜を形成し、このような接合膜が形成された第２の基材および第３の基材を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例３においても、前記実施例１と同様に、アルファベットの大文字「Ｅ」の形状に接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅６０μｍ）が形成され、さらに、接合体の第２の基材と第３の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であった。
【符号の説明】
【０１６８】
１……接合体  ２１……第１の基材  ２２……第２の基材  ２３……第３の基材  ３……接合膜  ２１０、２２０、２３０……接合面  ２１１……撥液膜  ２１２……母材  ３０……液状被膜  ３１……液滴  ３２……表面  ３５……液状材料  ３Ｃ……空間  ４１……膜形成領域  ４２……非膜形成領域  ５００…液滴吐出装置  ５０１…タンク  ５０２…吐出走査部  ５０３…液滴吐出手段  ５０４…第１位置制御装置  ５０６…ステージ  ５０８…第２位置制御装置  ５１０…チューブ  ５１２…制御手段  ５１４…液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）  ５１８…ノズル  ５２０…キャビティ  ５２２…隔壁  ５２４…振動子  ５２４Ａ、５２４Ｂ…電極  ５２４Ｃ…ピエゾ素子  ５２６…振動板  ５２８…ノズルプレート  ５２９…液だまり  ５３０……供給口  ５３１……孔  ４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂ……有機ＥＬ素子  ４０３……陽極  ４３１……第１隔壁部  ３１１……陽極接合部  ３１２……基板接合部  ４３２……第２隔壁部  ３２１……側面  ３２２……上面（頂面）  ４３５……隔壁部（バンク）  ４０５……正孔輸送層  ４０６Ｒ、４０６Ｇ、４０６Ｂ……発光層  ４０７Ｒ、４０７Ｇ、４０７Ｂ……有機半導体層  ４０８……陰極  ４０９……上基板  ４１０……有機発光装置  ４２０……ＴＦＴ回路基板  ４２１……基板  ４２２……回路部  ４２３……下地保護層  ４２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ４２５……第１層間絶縁層  ４２６……第２層間絶縁層  ４２７……配線  １０００……大気圧プラズマ装置  １００２……搬送装置  １０１０……ヘッド  １１０１……ヘッド本体  １１０２、１１０４……間隙  １１０３……下面  １０１５……印加電極  １０１７……高周波電源  １０１８……ガス供給流路  １０１９……対向電極  １１８１……開口部  １０２０……移動ステージ  Ｅ……電界  Ｇ……処理ガス  ｐ……プラズマ発生領域  Ｗ……被処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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