(57)【要約】【課題】被印刷基材に、高精細かつ平坦性の高い画像パターンが形成される画像形成方法、その画像形成方法を実施するための画像形成装置およびその画像形成方法により製造される画像パターン、を提供する。【解決手段】画像形成方法は、基板１０の主表面１０ａにインキ層２０を形成する工程と、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部３２と、インキに対して親和性を有するインキ親液部３４とがパターニングされた転写面３０ａを有する転写ブランケット３０と、基板１０とを、インキ層２０を介して互いに接触させつつ押圧する工程と、転写ブランケット３０と基板１０とを離間させることによって、インキ親液部３４に接していたインキを基板１０から転写ブランケット３０に転写させる工程とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被印刷基材の主表面にインキ層を形成する工程と、
インキに対して反撥性を有するインキ撥液部と、インキに対して親和性を有するインキ親液部とがパターニングされた転写面を有する転写ブランケットと、前記被印刷基板とを、前記インキ層を介して互いに接触させつつ押圧する工程と、
前記転写ブランケットと前記被印刷基材とを離間させることによって、前記インキ親液部に接していたインキを前記被印刷基材から前記転写ブランケットに転写させる工程とを備える、画像形成方法。
【請求項２】
前記主表面よりもインキに対して高い反撥性を有する展延面を有するインキ展延材を準備し、前記展延面にインキ層を形成する工程をさらに備え、
前記被印刷基材の主表面にインキ層を形成する工程は、前記展延面に形成されたインキ層を前記被印刷基材に転写する工程を含む、請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
インキに対して反撥性を有するインキ撥液部と、インキに対して親和性を有するインキ親液部とがパターニングされた転写面を有する転写ブランケットを準備し、前記転写面にインキ層を形成する工程と、
前記転写ブランケットと被印刷基材とを、前記インキ層を介して互いに接触させつつ押圧する工程と、
前記転写ブランケットと前記被印刷基材とを離間させることによって、前記インキ撥液部に接していたインキを前記転写ブランケットから前記被印刷基材に転写させる工程とを備える、画像形成方法。
【請求項４】
前記転写面よりもインキに対して高い反撥性を有する展延面を有するインキ展延材を準備し、前記展延面にインキ層を形成する工程をさらに備え、
前記転写面にインキ層を形成する工程は、前記展延面に形成されたインキ層を前記転写ブランケットに転写する工程を含む、請求項３に記載の画像形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の画像形成方法によって製造された、画像パターン。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の画像形成方法を実施するための画像形成装置であって、
前記インキ撥液部および前記インキ親液部がパターニングされた前記転写面を有する前記転写ブランケットと、
インキ層を形成するためのインキ層形成機構部と、
前記転写ブランケットと被印刷基材とを押圧する押圧機構部と、
前記転写面を洗浄する洗浄機構部とを備える、画像形成装置。
【請求項７】
前記インキ撥液部は、シリコーン樹脂材料から形成される、請求項６に記載に画像形成装置。
【請求項８】
前記インキ撥液部は、フッ素化合物樹脂材料から形成される、請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記インキ親液部は、前記インキ撥液部よりも前記転写面上で凸形状となるように形成されている、請求項６から８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記洗浄機構部は、前記転写面に残されたインキ層を接着可能な粘着シートを有する、請求項６から９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
被印刷基材を、前記インキ層形成機構部および前記押圧機構部に順に搬送する搬送機構部をさらに備え、
前記洗浄機構部は、前記搬送機構部による被印刷基材の搬送ライン上で前記転写面を洗浄するように設けられる、請求項６から１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、一般的には、画像形成方法、画像形成装置および画像パターンに関し、より特定的には、レジスト剤もしくは導電性ペースト材料などの機能性樹脂材料、または液晶用のカラーフィルター材料などを、印刷法を用いてパターニングするための画像形成方法、その画像形成方法を実施するための画像形成装置およびその画像形成方法により製造される画像パターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の画像形成方法に関して、たとえば、特開２００４−２４９６９６号公報には、印刷法においてインキの糸曳き現象をなくし、フォトリソグラフィ法に近い高品質の印刷物を得ることを目的とした画像形成法が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４９６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の平版オフセット印刷においては、湿し水を使用せずに、インキを画線部のみに選択的に付着させる水なし平版を用いた印刷方法が主流となっている。この印刷方法では、印刷版の非画線部が、シリコーンゴムやフッ素化合物などのインキに対して撥液性を有する材料から形成される。
【０００５】
一般的に、平版オフセット印刷機は、複数の練りローラーと、印刷版面にインキを塗布するための付けローラーとを備える。インキは、練りローラー間で練り合わせることによって均一に広げられ、付けローラーを介して印刷版面に塗布される。インキが、さらに印刷版からブランケット、ブランケットから被印刷基材へと転写されることによって、被印刷基材に所望の画像パターンが形成される。このとき、インキは両側に引き裂かれて凝集破壊することによって転写されているため、インキ間に糸曳き現象が生じてしまう。このような糸曳き現象が生じると、転写後の画像パターンに膜厚ムラや体積ムラが発生するため、糸引き現象は、画像パターンの解像度や平坦性の劣化を招く原因となっている。
【０００６】
糸曳き現象による解像度や平坦性の劣化を解決する方法として、インキに対する親液性および撥液性を利用して、インキを分断／転写する画像形成方法が考えられる。図２６から図２９は、インキの糸曳き現象を防ぐための画像形成方法の工程を示す断面図である。
【０００７】
図２６を参照して、この画像形成方法においては、まず、インキ親液部１０２およびインキ撥液部１０３が形成された印刷版１００の表面上に、キャップコーターやダイコーター、ドクターブレード等を用いて、インキ層１０１を形成する。図２７を参照して、次に、インキ撥液性が付与された表面を有する画像転写シート１０４を準備し、この画像転写シート１０４をインキ層１０１を介して印刷版１００に接触させ、押圧する。画像転写シート１０４と印刷版１００と引き離すことによって、インキ撥液部１０３に接していたインキ１０１ａのみが画像転写シート１０４上に転写される。
【０００８】
図２８を参照して、次に、被印刷基材１０５を準備し、この被印刷基材１０５をインキ１０１ａを介して画像転写シート１０４に接触させ、押圧する。図２９を参照して、次に、被印刷基材１０５と画像転写シート１０４とを引き離すことによって、画像転写シート１０４上のインキ１０１ａが被印刷基材１０５上に転写される。以上の工程により、被印刷基材１０５に所望の画像パターンが形成される。
【０００９】
しかしながら、上記の画像形成方法では、印刷版１００から画像転写シート１０４への第１転写工程と、画像転写シート１０４から被印刷基材１０５への第２転写工程との２回のインキ転写工程が実施される。この場合、各インキ転写工程における押圧歪みが積算されて最終的に得られる画像パターンの歪み量が大きくなってしまう危険性がある。また、第２転写工程においては、画像転写シート１０４上のインキパターンが画線部のみの孤立パターンとなっている。このため、押圧時に受ける歪み、特に押圧方向に対して直交する方向に加わる力による歪みの影響が大きくなり、高精細かつ平坦性の高い画像パターンを形成することが困難となる。
【００１０】
このような問題の発生は、任意の下層画像パターンの上に上層画像パターンを精度よく形成する、つまり、段差のある表面上に画像パターンを高精度に積層することが必要となる、ＴＦＴ素子や半導体デバイス、発光素子などの電子デバイスの製造プロセスにおいて、デバイスの特性低下や特性不良の原因となり、歩留まりの低下や製造コストの増大に繋がってしまう。
【００１１】
さらに上記の画像形成方法においては、２回のインキ転写工程が必要であるために、印刷版１００の表面上にインキ溶液を塗布してから最終的に被印刷基材１０５に画像パターンが形成されるまでの時間が長くなる。この場合、インキ溶液の主成分となる溶媒が低沸点を有し、その揮発性が高い場合、インキ層１０１の表面が早期に乾燥してしまう。これにより、第２転写工程において、画像転写シート１０４から被印刷基材１０５にインキが転写せず、画像パターンが形成されないおそれがある。
【００１２】
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、被印刷基材に、高精細かつ平坦性の高い画像パターンが形成される画像形成方法、その画像形成方法を実施するための画像形成装置およびその画像形成方法により製造される画像パターンを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の１つの局面に従った画像形成方法は、被印刷基材の主表面にインキ層を形成する工程と、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部と、インキに対して親和性を有するインキ親液部とがパターニングされた転写面を有する転写ブランケットと、被印刷基板とを、インキ層を介して互いに接触させつつ押圧する工程と、転写ブランケットと被印刷基材とを離間させることによって、インキ親液部に接していたインキを被印刷基材から転写ブランケットに転写させる工程とを備える。
【００１４】
このように構成された画像形成方法によれば、インキ撥液部がインキに対して撥液性を有し、インキ親液部がインキに対して親液性を有する性質を利用することにより、インキ撥液部に接していたインキを選択的に被印刷基板に残すことができる。これにより、インキ撥液部のパターン形状に即した所望の画像パターンを被印刷基板に形成することができる。本発明では、転写ブランケットおよび被印刷基材の押圧工程時、インキ層は、被印刷基材の主表面に形成された当初の形態で設けられている。このため、インキ層が押圧工程時に受ける歪み、特に押圧方向に直交する方向に加わる力による歪みの影響を小さくし、高精細かつ平坦性の高い画像パターンを被印刷基材に形成することができる。
【００１５】
また好ましくは、画像形成方法は、主表面よりもインキに対して高い反撥性を有する展延面を有するインキ展延材を準備し、展延面にインキ層を形成する工程をさらに備える。被印刷基材の主表面にインキ層を形成する工程は、展延面に形成されたインキ層を被印刷基材に転写する工程を含む。このように構成された画像形成方法によれば、被印刷基材の主表面に均一なインキ層を形成することができる。
【００１６】
この発明の別の局面に従った画像形成方法は、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部と、インキに対して親和性を有するインキ親液部とがパターニングされた転写面を有する転写ブランケットを準備し、転写面にインキ層を形成する工程と、転写ブランケットと被印刷基材とを、インキ層を介して互いに接触させつつ押圧する工程と、転写ブランケットと被印刷基材とを離間させることによって、インキ撥液部に接していたインキを転写ブランケットから被印刷基材に転写させる工程とを備える。
【００１７】
このように構成された画像形成方法によれば、インキ撥液部がインキに対して撥液性を有し、インキ親液部がインキに対して親液性を有する性質を利用することにより、インキ撥液部に接していたインキを選択的に被印刷基材に移すことができる。これにより、インキ撥液部のパターン形状に即した所望の画像パターンを被印刷基板に形成することができる。本発明では、転写ブランケットおよび被印刷基材の押圧工程時、インキ層は、転写ブランケットの転写面に形成された当初の形態で設けられている。このため、インキ層が押圧工程時に受ける歪み、特に押圧方向に直交する方向に加わる力による歪みの影響を小さくし、高精細かつ平坦性の高い画像パターンを被印刷基材に形成することができる。
【００１８】
また好ましくは、画像形成方法は、転写面よりもインキに対して高い反撥性を有する展延面を有するインキ展延材を準備し、展延面にインキ層を形成する工程をさらに備える。転写面にインキ層を形成する工程は、展延面に形成されたインキ層を転写ブランケットに転写する工程を含む。このように構成された画像形成方法によれば、転写ブランケットの転写面に均一なインキ層を形成することができる。
【００１９】
この発明に従った画像パターンは、上述のいずれかに記載の画像形成方法により製造される。このように構成された画像パターンによれば、低コストな印刷法を使用して、高精細かつ平坦性の高い画像パターンを得ることができる。
【００２０】
この発明に従った画像形成装置は、上述のいずれかに記載の画像形成方法を実施するための画像形成装置である。画像形成装置は、インキ撥液部およびインキ親液部がパターニングされた転写面を有する転写ブランケットと、インキ層を形成するためのインキ層形成機構部と、転写ブランケットと被印刷基材とを押圧する押圧機構部と、転写面を洗浄する洗浄機構部とを備える。
【００２１】
このように構成された画像形成装置によれば、低タクトかつ低フットプリントで連続処理が可能な装置を実現することができる。これにより、生産コストの低減、特に設備投資額の低減を図ることができる。
【００２２】
また好ましくは、インキ撥液部は、シリコーン樹脂材料から形成される。また好ましくは、インキ撥液部は、フッ素化合物樹脂材料から形成される。このように構成された画像形成装置によれば、高撥液性と高離型性とを併せ持つ材料からインキ撥液部を形成することにより、高精細かつ平坦性の高い画像パターンを形成することができる。
【００２３】
また好ましくは、インキ親液部は、インキ撥液部よりも転写面上で凸形状となるように形成されている。このように構成された画像形成装置によれば、転写ブランケットと被印刷基板とを互いに接触させつつ押圧する工程時、被印刷基板と転写ブランケットとの間に作用する圧力が、インキ撥液部よりもインキ親液部で大きくなる。これにより、インキ親液部とインキとの密着力が増大するため、より高精細かつ平坦性の高い画像パターンを形成することができる。
【００２４】
また好ましくは、洗浄機構部は、転写面に残されたインキ層を接着可能な粘着シートを有する。このように構成された画像形成装置によれば、低タクトかつ低フットプリントで連続処理が可能な装置を実現することができる。
【００２５】
また好ましくは、画像形成装置は、被印刷基材を、インキ層形成機構部および押圧機構部に順に搬送する搬送機構部をさらに備える。洗浄機構部は、搬送機構部による被印刷基材の搬送ライン上で転写面を洗浄するように設けられる。このように構成された画像形成装置によれば、低タクトかつ低フットプリントで連続処理が可能な装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、この発明に従えば、被印刷基材に、高精細かつ平坦性の高い画像パターンが形成される画像形成方法、その画像形成方法を実施するための画像形成装置およびその画像形成方法により製造される画像パターンを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の実施の形態１における画像形成方法の第１工程を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１における画像形成方法の第２工程を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１における画像形成方法の第３工程を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１における画像形成方法の第４工程を示す断面図である。
【図５】第１実施例において用いた転写ブランケットの転写面を示す平面図である。
【図６】第１実施例において得られた画像パターンを示す斜視図である。
【図７】この発明の実施の形態２における画像形成方法の第１工程を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２における画像形成方法の第２工程を示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態２における画像形成方法の第３工程を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態２における画像形成方法の第４工程を示す断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態３における画像形成方法の第１工程を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３における画像形成方法の第２工程を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態３における画像形成方法の第３工程を示す断面図である。
【図１４】図１１から図１３中に示す工程によってインキ層が形成された基板を示す平面図である。
【図１５】この発明の実施の形態４における画像形成装置を示す斜視図である。
【図１６】図１５中の画像形成装置に設けられた押圧機構部の第１動作を示す側面図である。
【図１７】図１５中の画像形成装置に設けられた押圧機構部の第２動作を示す側面図である。
【図１８】図１５中の画像形成装置に設けられた押圧機構部の第３動作を示す側面図である。
【図１９】図１５中の画像形成装置に設けられたクリーナ板を示す斜視図である。
【図２０】図１５中の画像形成装置を用いて画像パターンを形成する第１工程を示す斜視図である。
【図２１】図１５中の画像形成装置を用いて画像パターンを形成する第２工程を示す斜視図である。
【図２２】図１５中の画像形成装置を用いて画像パターンを形成する第３工程を示す斜視図である。
【図２３】図１５中の画像形成装置を用いた基板の処理シーケンスを示す表である。
【図２４】図２６から図２９中に示す画像形成方法を実施するための画像形成装置における処理工程を示すフローチャートである。
【図２５】図１５中の画像形成装置における処理工程を示すフローチャートである。
【図２６】インキの糸曳き現象を防ぐための画像形成方法の第１工程を示す断面図である。
【図２７】インキの糸曳き現象を防ぐための画像形成方法の第２工程を示す断面図である。
【図２８】インキの糸曳き現象を防ぐための画像形成方法の第３工程を示す断面図である。
【図２９】インキの糸曳き現象を防ぐための画像形成方法の第４工程を示す断面図である。
【図３０】この発明の実施の形態５における画像形成装置において、転写ブランケットの転写面を拡大して示す断面図である。
【図３１】図３０中の転写ブランケットを用いた転写時の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下で参照する図面では、同一またはそれに相当する部材には、同じ番号が付されている。
【００２９】
（実施の形態１）
図１から図４は、この発明の実施の形態１における画像形成方法の工程を示す断面図である。本実施の形態における画像形成方法は、印刷法によって、基板１０に画像パターンを形成するための方法である。
【００３０】
図１から図４を参照して、本実施の形態における画像形成方法の基本的な工程についてまず説明すると、画像形成方法は、被印刷基材としての基板１０の主表面１０ａにインキ層２０を形成する工程（図１）と、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部３２と、インキに対して親和性を有するインキ親液部３４とがパターニングされた転写面３０ａを有する転写ブランケット３０と、基板１０とを、インキ層２０を介して互いに接触させつつ押圧する工程（図２，図３）と、転写ブランケット３０と基板１０とを離間させることによって、インキ親液部３４に接していたインキを基板１０から転写ブランケット３０に転写させる工程（図４）とを備える。
【００３１】
続いて、本実施の形態における画像形成方法の各工程について詳細な説明を行なう。
図１を参照して、基板１０は、平面状に延在する主表面１０ａを有する。基板１０は、たとえば、ガラス、シリコン、酸化シリコン、石英、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミドフィルムから選択される材料により形成されている。
【００３２】
図１中に示す工程においては、液体状のインキ材料（インキ溶液）を主表面１０ａに塗布することによって、基板１０にインキ層２０を形成する。インキ層２０は、主表面１０ａの全面に形成される。インキ層２０は、主表面１０ａ上で平面的に連続して延在する形態で形成される。インキ材料を主表面１０ａに塗布する方法は、特に限定されず、たとえば、スリットコート法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法などの各種方法が利用される。
【００３３】
インキ材料は、インキの固形分および溶媒を含んで構成されている。固形分としては、目的とする画像パターンに求める特性に応じて、種々の導電材料もしくは絶縁材料から選択される。固形分の一例としては、銀、金、銅、ＩＴＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の金属もしくは金属酸化物の微粒子や、ポリイミド、アクリル、フッ素樹脂等の有機系樹脂、ＳＯＧ（spin-on glass）などが挙げられる。また、溶媒に関しても、上記固形分を分散もしくは溶解できるものであれば特に限定されず、一例として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸イソプロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
【００３４】
図２から図４を参照して、転写ブランケット３０は、転写面３０ａを有する。転写面３０ａには、インキ撥液部３２およびインキ親液部３４が形成されている。インキ撥液部３２は、基板１０に形成される画像パターンの形状に即した形状を有する。インキ親液部３４は、転写面３０ａ上においてインキ撥液部３２を除いた全領域に形成されている。
【００３５】
転写ブランケット３０は、主表面１０ａの表面形状に追従して基板１０に密着する必要がある。このため、転写ブランケット３０として、ウレタン樹脂や織布などのクッション層材料と、インキ撥液部３２を構成する表面層との積層体上に、インキ親液部３４をパターニングしたものを用いることが好ましい。
【００３６】
インキ撥液部３２およびインキ親液部３４を形成する材料は、インキに対する密着性（接着強度）に関して、インキ親液部３４の表面が最も大きく、基板１０の主表面１０ａが次に大きく、インキ撥液部３２の表面が最も小さくなるように選択される。一例を挙げれば、インキ撥液部３２として、シリコーン樹脂製ゴムまたはフッ素樹脂系ゴムを用いることができる。これらの材料は、高撥液性および高離型性を併せ持つため、図４中に示す工程においてインキの全量転写を実現することができる。また、インキ親液部３４としては、レジスト樹脂を用いることができる。
【００３７】
インキ撥液部３２を形成する材料の他の一例としては、ジメチルシロキサン、メチルビニルシロキサン、メチルフルオロビニルシロキサンもしくはメチルフェニルビニルシロキサン等のポリマー、または、これらのポリマーと、ニトリルブタジエンゴム（以下「ＮＢＲ」という）、エチレンプロピレンジエンモノマー（以下「ＥＰＤＭという」もしくはスチレンブタジエンゴム（以下「ＳＢＲ」という）とのブレンドおよび共重合系、または、ＮＢＲ、ＥＰＤＭもしくはＳＢＲ等にシリコンオイル等を混ぜ込んだもの等のゴム部材が挙げられる。また、ガラス、シリコン、酸化シリコン、石英、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォンもしくはポリイミドフィルム等の有機系の樹脂材料の表面、または、金属、ゴム、樹脂もしくはセラミック等の表面に離型剤で離型処理したものが挙げられる。
【００３８】
また、インキ親液部３４の他の一例としては、ガラス、シリコン、酸化シリコン、石英、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミドフィルム等の有機系の樹脂材料や、金属、ゴム、樹脂、セラミックが挙げられる。
【００３９】
図２および図３中に示す工程においては、転写面３０ａと主表面１０ａとが対向するように、基板１０を転写ブランケット３０に対して位置決めする。次に、転写面３０ａと、主表面１０ａに形成されたインキ層２０とを接触させつつ、基板１０および転写ブランケット３０を押圧する。
【００４０】
図４中に示す工程においては、基板１０および転写ブランケット３０を離間させることによって、転写面３０ａと主表面１０ａとを引き離す。この際、インキ親液部３４に接していたインキ層の全量が、基板１０から転写ブランケット３０に転写され、基板１０の主表面１０ａには、インキ撥液部３２に接していたインキ層２０の全量が残留する。
【００４１】
その後、基板１０に対して各インキ材料に適した焼成処理を施すことによって、インキ層２０に含まれる溶媒を蒸発させ、インキの固形物を固化させる。以上の工程により、基板１０の主表面１０ａに所望の画像パターンを形成する。
【００４２】
本実施の形態における画像形成方法においては、パターン形成に必要なインキの転写工程が１回であるため、複数回の転写工程を実施する場合と比較して、転写工程の押圧時に生じるインキパターンの歪みやアライメントのずれを低減させることができる。
【００４３】
また、基板１０から転写ブランケット３０への転写工程時、インキ層２０は、孤立パターンの形態ではなく、主表面１０ａの全面を覆う形態で設けられている。このため、転写工程時に受ける歪み（特に、押圧方向に対して直交する方向の歪み）を効果的に抑制することができる。
【００４４】
また、パターン形成に必要なインキの転写工程が１回であるため、インキ材料の溶液を塗布してから最終の画像パターンが形成されるまでに要する時間を短縮化することができる。これにより、乾燥時間の短いインキであっても使用が可能となり、印刷プロセスの適用範囲を拡大することができる。
【００４５】
以上に説明した、この発明の実施の形態１における画像形成方法によれば、基板１０に高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することができる。これにより、本実施の形態における画像形成方法を用いて製造された半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ、発光素子などの製品の高性能化を図ることができる。また、インキの転写工程が１回ですむため、インキ材料の溶液を塗布してから最終の画像パターンが形成されるまでに要する時間を短縮化することができる。
【００４６】
このような作用、効果を奏する本発明は、液晶ＴＦＴアレイや半導体デバイスの層間絶縁膜といった平坦性の高い膜の形成が必要な用途や、非常に乾燥の速いインク材料を用いるプロセスにより好適に適用される。
【００４７】
続いて、本実施の形態における画像形成方法による作用、効果を検証するために行なった第１実施例および比較例について説明する。
【００４８】
図５は、第１実施例において用いた転写ブランケットの転写面を示す平面図である。図１から図５を参照して、本実施例では、基板１０としてガラス基板を用いた。スリットコータを用いて、基板１０の主表面１０ａ上にインキ材料を塗布し、インキ層２０を約１．５μｍの膜厚で形成した。インキ材料として、ＣＦ（カラーフィルタ）用インキ（緑）と、Ａｇナノ粒子分散インキとを用いた。
【００４９】
次に、レジスト樹脂から形成され、幅Ｌ＝２０μｍを有するインキ親液部３４と、シリコーン樹脂から形成され、幅Ｓ＝２０μｍを有するインキ撥液部３２とが転写面３０ａに形成された転写ブランケット３０を用い、転写ブランケット３０と基板１０とを押圧、離間させた。
【００５０】
図６は、第１実施例において得られた画像パターンを示す斜視図である。図６を参照して、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合と、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合とのそれぞれにおいて、基板１０の主表面１０ａ上に画像パターン２５を形成することができた。画像パターン２５のパターン線幅Ｌ／Ｓおよび膜厚Ｔを測定した。その結果、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなり、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１．５μｍ、膜厚Ｔは１．０μｍとなった。また、画像パターン２５の頂面２５ａの表面平坦度を測定したところ、ＣＦ用インキ（緑）およびＡｇナノ粒子分散インキを用いた場合のいずれにおいても、表面平坦度は約０．１μｍ以下となった。
【００５１】
比較のため、図２６から図２９に示す画像形成方法の工程に従って画像パターンを形成し、得られた画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓ、膜厚Ｔおよび表面平坦度を測定した。使用するインキ材料、塗布膜厚および画像パターンの形成条件は、上記の第１実施例の場合と同様とした。測定の結果、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±３μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなり、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±３μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなった。ＣＦ用インキ（緑）およびＡｇナノ粒子分散インキを用いた場合のいずれにおいても、表面平坦度は約０．３〜０．５μｍとなった。
【００５２】
以上の第１実施例および比較例による検証により、本実施の形態における画像形成方法によれば、得られる画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓのばらつきが小さくなり、画像パターンの表面平坦度が向上することを確認できた。
【００５３】
（実施の形態２）
図７から図１０は、この発明の実施の形態２における画像形成方法の工程を示す断面図である。
【００５４】
図７から図１０を参照して、本実施の形態における画像形成方法の基本的な工程についてまず説明すると、画像形成方法は、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部３２と、インキに対して親和性を有するインキ親液部３４とがパターニングされた転写面３０ａを有する転写ブランケット３０を準備し、転写面３０ａにインキ層２０を形成する工程（図７）と、転写ブランケット３０と被印刷基材としての基板１０とを、インキ層２０を介して互いに接触させつつ押圧する工程（図８，図９）と、転写ブランケット３０と基板１０とを離間させることによって、インキ撥液部３２に接していたインキを転写ブランケット３０から基板１０に転写させる工程（図１０）とを備える。
【００５５】
続いて、本実施の形態における画像形成方法の各工程について詳細な説明を行なう。なお、実施の形態１における画像形成方法と重複する内容については、説明を繰り返さない。
【００５６】
本実施の形態では、図７中に示す工程において、液体状のインキ材料を転写面３０ａに塗布することによって、転写ブランケット３０にインキ層２０を形成する。転写面３０ａにインキ層２０が設けられる形態は、実施の形態１において主表面１０ａに設けられたインキ層２０と同様である。
【００５７】
図８から図１０を参照して、本実施の形態においても、インキ撥液部３２は、基板１０に形成される画像パターンの形状に即した形状を有する。インキ親液部３４は、転写面３０ａ上においてインキ撥液部３２を除いた全領域に形成されている。インキ撥液部３２およびインキ親液部３４を形成する材料は、インキに対する密着性（接着強度）に関して、インキ親液部３４の表面が最も大きく、基板１０の主表面１０ａが次に大きく、インキ撥液部３２の表面が最も小さくなるように選択される。
【００５８】
図８および図９中に示す工程において、転写面３０ａと主表面１０ａとが対向するように、基板１０を転写ブランケット３０に対して位置決めする。次に、主表面１０ａと、転写面３０ａに形成されたインキ層２０とを接触させつつ、基板１０および転写ブランケット３０を押圧する。
【００５９】
図１０中に示す工程において、基板１０および転写ブランケット３０を離間させることによって、転写面３０ａと主表面１０ａとを引き離す。この際、インキ撥液部３２に接していたインキ層２０の全量が、転写ブランケット３０から基板１０に転写され、インキ親液部３４に接していたインキ層の全量が、転写ブランケット３０の転写面３０ａに残留する。
【００６０】
その後、基板１０に対して各インキ材料に適した焼成処理を施すことによって、インキ層２０に含まれる溶媒を蒸発させ、インキの固形物を固化させる。以上の工程により、基板１０の主表面１０ａに所望の画像パターンを形成する。
【００６１】
本実施の形態における画像形成方法では、まず転写ブランケット３０にインキ層２０を形成し、そのあとインキ撥液部３２に接していたインキ層２０を転写ブランケット３０から基板１０に転写させることによって、基板１０に画像パターンを形成する。このような画像形成方法によっても、パターン形成に必要なインキの転写工程を１回とし、実施の形態１における画像形成方法と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
続いて、本実施の形態における画像形成方法による作用、効果を検証するために行なった第２実施例について説明する。
【００６３】
図７から図１０中に示す画像形成方法の工程に従って画像パターンを形成し、得られた画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓ、膜厚Ｔおよび表面平坦度を測定した。使用するインキ材料、塗布膜厚および画像パターンの形成条件は、上記の第１実施例の場合と同様とした。測定の結果、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１μｍ、膜厚Ｔは１．３μｍとなり、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１．５μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなった。ＣＦ用インキ（緑）およびＡｇナノ粒子分散インキを用いた場合のいずれにおいても、表面平坦度が約０．１μｍ以下となった。
【００６４】
実施の形態１において説明した比較例との対比により、本実施の形態における画像形成方法によれば、得られる画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓのばらつきが小さくなり、画像パターンの表面平坦度が向上することを確認できた。
【００６５】
（実施の形態３）
図１１から図１３は、この発明の実施の形態３における画像形成方法の工程を示す断面図である。本実施の形態では、実施の形態１における図１中の工程に替わって、図１１から図１３中に示す工程を実施する。以下、実施の形態１における画像形成方法と重複する内容については、説明を繰り返さない。
【００６６】
図１１を参照して、本実施の形態では、まず、基板１０にインキ層２０を形成するためのインキ展延材としてのインキ展延シート４０を準備する。インキ展延シート４０は、平面状に延在する展延面４０ａを有する。展延面４０ａは、基板１０の主表面１０ａよりもインキに対して高い反撥性を有する。言い換えれば、展延面４０ａは、基板１０の主表面１０ａよりもインキに対して低い密着性（接着強度）を有する。インキ展延シート４０は、たとえば、シリコーン樹脂製ゴムまたはフッ素樹脂系ゴムから形成されている。
【００６７】
次に、展延面４０ａにインキ材料を塗布し、インキ層２０を形成する。インキ層２０は、展延面４０ａの全面に形成される。展延面４０ａと主表面１０ａとが対向するように、基板１０をインキ展延シート４０に対して位置決めする。
【００６８】
図１２を参照して、次に、主表面１０ａと、展延面４０ａに形成されたインキ層２０とを接触させつつ、基板１０およびインキ展延シート４０を押圧する。図１３を参照して、次に、基板１０およびインキ展延シート４０を離間させることによって、インキ層２０を展延面４０ａから主表面１０ａに転写させる。
【００６９】
図１４は、図１１から図１３中に示す工程によってインキ層が形成された基板を示す平面図である。
【００７０】
図１４を参照して、本実施の形態では、インキ層２０が主表面１０ａの一部の領域に形成されている。このような場合、主表面１０ａに直接インキ材料を塗布し、その一部の領域に対して均一なインキ層２０を形成することは難しい。また、主表面１０ａの全面にインキ層２０を形成し、そのあと不要な領域のインキを転写ブランケット３０に転写させる方法も考えられるが、この場合、廃棄するインキの量が増大してコスト的に不利となる。
【００７１】
これに対して、図１１から図１３中に示すように、まず所定の広さを有するインキ展延シート４０の展延面４０ａにインキ層２０を形成し、そのインキ層２０を基板１０に転写させることによって、均一なインキ層２０を基板１０に形成することが可能となる。
【００７２】
なお、インキ展延シート４０を用いたインキ層２０の形成工程を、図７から図１０中に示す実施の形態２における画像形成方法に適用してもよい。この場合、展延面４０ａは、転写ブランケット３０の転写面３０ａよりもインキに対して高い反撥性を有する。インキ撥液部３２がシリコーン樹脂から形成されている場合、インキ展延シート４０をフッ素を添加したシリコーン樹脂から形成してもよい。インキ撥液部３２がフッ素樹脂から形成されている場合、インキ展延シート４０を、インキ撥液部３２よりもフッ素含有量を大きくしたフッ素樹脂から形成してもよい。
【００７３】
インキ展延シート４０を用いたインキ層２０の形成工程を、実施の形態２における画像形成方法に適用した場合、柔軟性を有する転写ブランケット３０に直接インキ層２０を形成する場合と比較して、均一なインキ層２０を容易に形成することができる。また、転写ブランケット３０が円筒形状を有する場合であっても、均一なインキ層２０を形成することができる。
【００７４】
このように構成された、この発明の実施の形態３における画像形成方法によれば、実施の形態１に記載の効果を同様に得ることができる。
【００７５】
（実施の形態４）
図１５は、この発明の実施の形態４における画像形成装置を示す斜視図である。図１５中に示す画像形成装置５０は、図１から図４中に示す実施の形態１における画像形成方法を実施するための装置である。
【００７６】
図１５を参照して、まず画像形成装置５０の基本的な構造について説明すると、画像形成装置５０は、インキ撥液部３２およびインキ親液部３４がパターニングされた転写面３０ａを有する転写ブランケット３０と、インキ層２０を形成するためのインキ層形成機構部としてのスリットダイコータ８１と、転写ブランケット３０と基板１０とを押圧する押圧機構部７０と、転写面３０ａを洗浄する洗浄機構部としてのクリーナ板５６とを有する。
【００７７】
続いて、画像形成装置５０の各部構造について詳細な説明を行なう。
画像形成装置５０は、基板１０を搬送するための搬送機構部としての、複数のステージ５１およびレール５３を有する。複数のステージ５１は、互いに間隔を隔ててレール５３に設置されている。複数のステージ５１は、レール５３上でスライド移動可能に設けられている。複数のステージ５１には、その配列方向に交互に基板１０およびクリーナ板５６が搭載される。
【００７８】
複数のステージ５１の移動方向における上流側には、スリットダイコータ８１が設置されている。なお、インキ層２０を形成するためのインキ層形成機構部は、スリットダイコータ８１に限定されず、インキ材料を塗布する方法に応じて適宜変更される。複数のステージ５１の移動方向における下流側には、転写ブランケット３０および押圧機構部７０が設置されている。このような構成により、レール５３上をスライド移動するステージ５１は、スリットダイコータ８１に対向する位置と、転写ブランケット３０および押圧機構部７０に対向する位置とを順に通過する。
【００７９】
図１６から図１８は、図１５中の画像形成装置に設けられた押圧機構部の動作を示す側面図である。図１６から図１８中では、転写ブランケット３０に対向する位置に基板１０を搭載するステージ５１が位置決めされている。
【００８０】
図１５から図１８を参照して、押圧機構部７０は、固定板７１と、エアバルーン７６と、ブランケット保持板６１と、シャフト６２と、コイルばね６６とを有する。固定板７１は、ステージ５１に搭載された基板１０もしくはクリーナ板５６と距離を隔てて対向する位置に設けられている。固定板７１は、金属から形成されている。固定板７１は、印刷時に作用する圧力に対して十分な剛性を示すような構造を有する。
【００８１】
ブランケット保持板６１は、固定板７１とステージ５１との間に配置されている。ブランケット保持板６１は、平板形状を有する。ブランケット保持板６１は、固定支持された固定支持端６１ｐを有する。本実施の形態では、固定支持端６１ｐが、固定板７１から延出する固定壁７２に固定されている。このような形態に限られず、固定支持端６１ｐは、固定板７１とは別に設けられた部材に固定されてもよい。
【００８２】
ブランケット保持板６１は、支持部材としてのシャフト６２により単純支持された単純支持端６１ｑをさらに有する。ここでいう単純支持とは、その支持点での曲げモーメントの作用しない支持方法全般を意味する。固定支持端６１ｐと単純支持端６１ｑとは、ブランケット保持板６１の両端に設けられている。
【００８３】
本実施の形態では、単純支持端６１ｑを単純支持するシャフト６２が、可動部材としてのコイルばね６６により移動可能に支持されている。コイルばね６６の他方端は、固定板７１に接続されている。このような構成により、単純支持端６１ｑは、シャフト６２およびコイルバネ６６によって、固定板７１とステージ５１との間を結ぶ方向に移動可能に支持されるとともに、固定板７１に近接する方向の圧縮力を受けている。
【００８４】
ブランケット保持板６１は、板ばねから形成されている。ブランケット保持板６１は、固定支持端６１ｐから遠ざかるに従ってステージ５１とブランケット保持板６１との間の距離Ｈが増大するように湾曲する状態（図１６中に示す状態）と、ステージ５１とブランケット保持板６１との間の距離Ｈが一定となるように延在する状態（図１８中に示す状態）との間で弾性的に変形可能である。言い換えれば、ブランケット保持板６１は、固定支持端６１ｐを固定支持点として単純支持端６１ｑに向けて弓形に湾曲する状態と、固定支持端６１ｐと単純支持端６１ｑとの間で平面状に延在する状態との間で弾性的に変形可能である。
【００８５】
ステージ５１と対向するブランケット保持板６１の表面には、転写ブランケット３０が貼り合わされている。
【００８６】
エアバルーン７６は、固定板７１とブランケット保持板６１との間に設けられている。エアバルーン７６は、密閉空間を形成する袋状部材から形成されている。エアバルーン７６は、固定板７１に密着して設けられている。固定板７１には、エアバルーン７６の内部空間に連通するエア管７３が接続されている。エア管７３を通じて空気が吸排気されることにより、エアバルーン７６の容積が増大もしくは減少する。エアバルーン７６の容積が増大するに従って、エアバルーン７６からブランケット保持板６１に対して平面的に圧力が付与される。
【００８７】
図１９は、図１５中の画像形成装置に設けられたクリーナ板を示す斜視図である。図１９を参照して、クリーナ板５６は、複数枚の粘着シート５７が積層されて構成されている。複数枚の粘着シート５７は、最も上層に配置された粘着シート５７から順に１枚ずつ引き剥がし可能なように設けられている。粘着シート５７は、クリーナ板５６に対して転写ブランケット３０を押圧したときに、転写ブランケット３０に付着したインキを粘着除去することが可能な程度の粘着性を有する。クリーナ板５６は、押圧機構部７０の作動に伴って転写ブランケット３０に付着したインキを除去することが可能な洗浄機構部として設けられている。
【００８８】
続いて、図１５中の画像形成装置を用いて基板１０に画像パターンを形成する工程の流れについて説明する。図２０から図２２は、図１５中の画像形成装置を用いて画像パターンを形成する工程を示す斜視図である。図２３は、図１５中の画像形成装置を用いた基板の処理シーケンスを示す表である。
【００８９】
図２０および図２３を参照して、まず、最初の基板１０（基板Ａ）を搭載したステージ５１を画像形成装置５０に搬入し（受け入れ）、そのステージ５１をスリットダイコータ８１からなる塗布装置に位置決めする。スリットダイコータ８１から基板１０の主表面１０ａにインキ材料を塗布することにより、基板１０にインキ層２０を形成する（図１中に示す工程）。
【００９０】
図１５および図２３を参照して、次に、ステージ５１を搬送することによって、インキ層２０が形成された基板１０（基板Ａ）を搭載するステージ５１を、転写ブランケット３０および押圧機構部７０からなる押圧・剥離装置に位置決めする（図２中に示す工程）。このとき、最初のクリーナ板５６（クリーナ板Ａ）を搭載するステージ５１が、塗布装置に位置決めされる。
【００９１】
図１６から図１８を参照して、基板１０を搭載するステージ５１を押圧・剥離装置に位置決めした状態で、エア管７３の注入口を通じてエアバルーン７６に空気を供給することによりブランケット保持板６１を変形させていく。ブランケット保持板６１の変形に伴って、固定支持端６１ｐ側から単純支持端６１ｑ側に順に、転写ブランケット３０と基板１０とが接触していく（図３中に示す工程）。次に、エアバルーン７６から空気を徐々に放出させることにより、単純支持端６１ｑ側から固定支持端６１ｐ側に順に、転写ブランケット３０を基板１０から剥離していく（図４中に示す工程）。これにより、インキ親液部３４に接していたインキが基板１０から転写ブランケット３０に転写され、基板１０の主表面１０ａに画像パターンが形成される。
【００９２】
本実施の形態における画像形成装置５０においては、転写ブランケット３０および基板１０を一方の側から他方の側に順に接触させ、他方の側から一方の側に順に剥離させる構成に起因して、主表面１０ａに平行な方向の力がインキ層２０に大きく作用する。このような場合であっても、インキ層２０は、孤立パターンの形態ではなく、主表面１０ａの全面を覆う形態で設けられているため、転写工程時に受ける歪みを効果的に抑制することができる。
【００９３】
図２１および図２３を参照して、次に、ステージ５１を移動させることによって、画像パターンが形成された基板１０（基板Ａ）を搭載するステージ５１を押圧・剥離装置から退避させるとともに、クリーナ板５６（クリーナ板Ａ）を搭載するステージ５１を押圧・剥離装置に位置決めする。このとき、新たな基板１０（基板Ｂ）を搭載したステージ５１が、塗布装置に位置決めされる。
【００９４】
図１６から図１８中に示す工程と同じ要領により、クリーナ板５６と転写ブランケット３０とを接触させ、離間させる。この工程により、転写ブランケット３０に付着していたインキがクリーナ板５６の粘着シート５７に転写され、転写ブランケット３０が洗浄される。また同時に、スリットダイコータ８１から基板１０（基板Ｂ）の主表面１０ａにインキ材料を塗布することにより、基板１０にインキ層２０を形成する。
【００９５】
画像パターンが形成された基板１０については、ステージ５１から取り外した後、図示しない加熱処理装置に搬入し、焼成処理を施す。基板１０が取り外されたステージ５１には、新たな基板１０が搭載され、再び画像形成装置５０に送られる。
【００９６】
図２２および図２３を参照して、次に、ステージ５１を移動させることによって、クリーナ板５６（クリーナ板Ａ）を搭載したステージ５１を押圧・剥離装置から退避させるとともに、インキ層２０が形成された基板１０（基板Ｂ）を搭載したステージ５１を押圧・剥離装置に位置決めする。このとき、新たなクリーナ板５６（クリーナ板Ｂ）を搭載するステージ５１が、塗布装置に位置決めされる。
【００９７】
転写ブランケット３０を洗浄したクリーナ板５６については、最も上層の粘着シート５７が引き剥がされた後、再び画像形成装置５０に送られる。以降、押圧・剥離装置による画像形成工程と、クリーナ板５６によるブランケット洗浄工程および塗布装置によるインキ層形成工程とが、交互に繰り返し実施される。
【００９８】
なお、本実施の形態における画像形成装置５０においては、板ばねから形成されたブランケット保持板６１を利用して、転写ブランケット３０および基板１０を一方の側から他方の側に順に接触させ、他方の側から一方の側に順に剥離させる構成としたが、画像形成装置は、このような構成に限定されず、転写ブランケット３０と基板１０とを全面的に同時に接触および剥離させる構成としてもよい。
【００９９】
図２４は、図２６から図２９中に示す画像形成方法を実施するための画像形成装置における処理工程を示すフローチャートである。図２５は、図１５中の画像形成装置における処理工程を示すフローチャートである。
【０１００】
図２４を参照して、図２６から図２９中に示す画像形成方法を実施する場合、印刷版１００にインキ層１０１を形成した後（Ｓ２０１）、印刷版１００から画像転写シート１０４への第１転写工程（Ｓ２０２）と、画像転写シート１０４から被印刷基材１０５への第２転写工程（Ｓ２０３）との２回のインキ転写工程が実施される。この場合、第１転写工程を終えた印刷版１００を一旦、基板１０の連続処理ラインから外して、印刷版洗浄工程（Ｓ２０４）を実施する必要がある。すなわち、図２６から図２９中に示す画像形成方法を実施するためには、印刷版１００を洗浄するための装置を、基板１０の連続処理ラインの外に設置する必要が生じる。
【０１０１】
図２５を参照して、一方、本実施の形態における画像形成装置５０は、基板１０にインキ層２０を形成する工程（Ｓ１０１）を実施するためのスリットダイコータ８１と、転写工程（Ｓ１０２）を実施するための転写ブランケット３０および押圧機構部７０と、転写ブランケット３０を洗浄する工程（Ｓ１０３）を実施するためのクリーナ板５６とが、基板１０の連続処理ライン内に一括に組み込まれたインライン型の画像形成装置として構成される。
【０１０２】
このように、実施の形態１における画像形成方法は印刷版を用いないため、連続処理ラインの外に設置していた印刷版の洗浄装置が不要となる。また、インキ転写工程を１回に低減できるため、アライメント精度を必要としないクリーナー板転写法を用いた転写ブランケット洗浄工程を装置内に組み込み、基板１０の連続処理を行なうことが可能となる。
【０１０３】
このように構成された、この発明の実施の形態４における画像形成装置５０によれば、生産タクトの短縮や装置フットプリントの低減を実現し、生産ラインの設備投資を大幅に低減することができる。
【０１０４】
なお、本実施の形態では、実施の形態１における画像形成方法の工程を実施するための画像形成装置５０の構造について説明を行なったが、実施の形態２における画像形成方法を実施するための画像形成装置についても、インキ層形成機構部の設置場所を転写ブランケットにインキ材料を塗布可能な位置に変更することにより、画像形成装置５０と同様に構成することができる。
【０１０５】
（実施の形態５）
図３０は、この発明の実施の形態５における画像形成装置において、転写ブランケットの転写面を拡大して示す断面図である。本実施の形態における画像形成装置は、実施の形態４における画像形成装置５０と比較して、基本的に同様の構造を備える。以下、重複する構造についてはその説明を繰り返さない。
【０１０６】
図３０を参照して、本実施の形態における画像形成装置においては、インキに対して反撥性を有するインキ撥液部３２と、インキに対して親和性を有するインキ親液部３４とがパターニングされ、かつ、インキ親液部３４がインキ撥液部３２よりも凸形状となるように形成された転写面３０ａを有する転写ブランケット３０が用いられる。
【０１０７】
転写ブランケット３０に対向して基板１０が位置決めされた状態で、インキ親液部３４は、インキ撥液部３２よりも、基板１０の主表面１０ａに向けてより大きく突出するように形成されている。転写ブランケット３０は、インキ撥液部３２およびインキ親液部３４がパターニングされ、平面状に延在するパターニング面３０ｂを有する。パターニング面３０ｂを基準としたインキ親液部３４の高さＴ１は、パターニング面３０ｂを基準としたインキ撥液部３２の高さＴ２よりも大きい。
【０１０８】
図３１は、図３０中の転写ブランケットを用いた転写時の状態を示す断面図である。図３１は、実施の形態１における図３に対応し、実施の形態２における図９に対応する図である。
【０１０９】
図３１を参照して、本実施の形態では、転写面３０ａ上にパターニングされたインキ親液部３４がインキ撥液部３２よりも凸形状となるよう形成されている。このため、インキ層２０とインキ親液部３４とが接する面２０ａに作用する圧力が、インキ層２０とインキ撥液部３２とが接する面に作用する圧力よりも高くなり、インキ親液部３４とインキの密着力が大きくなる。これにより、実施の形態１における画像形成方法においては、図４中に示す工程時、インキ親液部３４に接していたインキを基板１０から転写ブランケット３０により確実に転写させ、実施の形態２における画像形成方法においては、図１０中に示す工程時、インキ親液部３４に接していたインキをより確実に転写ブランケット３０側に残留させることができる。
【０１１０】
また、インキ親液部３４が有する凸形状部分によりインキ層２０を押圧するため、インキ親液部３４のエッジに相当する部分２０ｂに物理的に大きな力が作用する。これにより、インキ親液部３４に接する部分とインキ撥液部３２に接する部分との間でインキが分断され易くなり、パターン精度を向上させることが可能となる。
【０１１１】
続いて、本実施の形態における画像形成装置による作用、効果を検証するために行なった第３実施例および第４実施例について説明する。
【０１１２】
図３０中に示す転写ブランケット３０を用い、第３実施例では、図１から図４中に示す画像形成方法の工程に従って画像パターンを形成し、第４実施例では、図７から図１０中に示す画像形成方法の工程に従って画像パターンを形成した。その後、各実施例で得られた画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓ、膜厚Ｔおよび表面平坦度をそれぞれ測定した。なお、使用するインキ材料、塗布膜厚および画像パターンの形成条件は、全て上記の第１実施例の場合と同様とした。
【０１１３】
測定の結果、第３実施例では、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±０．８μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなり、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１．２μｍ、膜厚Ｔは１．０μｍとなった。ＣＦ用インキ（緑）およびＡｇナノ粒子分散インキを用いた場合のいずれにおいても、表面平坦度は約０．１μｍ以下となった。
【０１１４】
また、第４実施例では、ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±０．９μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなり、Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合、パターン線幅Ｌ／Ｓは２０±１．３μｍ、膜厚Ｔは１．２μｍとなった。ＣＦ用インキ（緑）およびＡｇナノ粒子分散インキを用いた場合のいずれにおいても、表面平坦度は約０．１μｍ以下となった。
【０１１５】
実施の形態１および２における第１実施例、第２実施例の結果と、本実施の形態における第３実施例、第４実施例の結果との対比により、本実施の形態における画像形成装置によれば、得られる画像パターンのパターン線幅Ｌ／Ｓのばらつきがさらに小さくなることを確認できた。
【０１１６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１７】
１０  基板、１０ａ  主表面、２０  インキ層、２０ａ  インキ層とインキ親液部とが接する面、２０ｂ  インキ親液部のエッジに相当する部分、３０  転写ブランケット、３０ａ  転写面、３２  インキ撥液部、３４  インキ親液部、４０  インキ展延シート、４０ａ  展延面、５０  画像形成装置、５１  ステージ、５３  レール、５６  クリーナ板、５７  粘着シート、７０  押圧機構部、８１  スリットダイコータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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