(57)【要約】【課題】貫通孔を形成するための第１のブラインドホールの位置と第２のブラインドホールの位置とがずれたとしても、高い歩留まりで貫通孔を形成することができる。【解決手段】本発明に係る配線板は、基板１２の両面から形状の異なる孔により貫通孔Ｈ４を形成した配線板である。その貫通孔Ｈ４は、基板１２の第１面側に形成された第１の開口部（第１のブラインドホールＨ１）の深さが第２面側に形成された第２の開口部（第２のブラインドホールＨ２）の深さよりも浅く、第１の開口の径が第２の開口の径よりも大きい。そして、貫通孔Ｈ４に充填された金属からなるスルーホール導体が、基板１２の第１面に形成された第１の導体回路と基板１２の第２面に形成された第２の導体回路とを接続する。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面と対向する第２面とを有する基板を準備することと、
前記基板の前記第１面側に、前記第１面から前記第２面に向かって内径が縮径し、前記第１面に第１の開口を有する第１の開口部を形成することと、
前記基板の前記第２面側に、前記第２面から前記第１面に向かって内径が縮径し、前記第２面に第２の開口を有する第２の開口部を形成することにより、前記基板を貫通し前記第１の開口部と前記第２の開口部とを連結した貫通孔を形成することと、
前記基板の前記第１面に第１の導体回路を形成することと、
前記基板の前記第２面に第２の導体回路を形成することと、
前記貫通孔をめっきで充填することにより、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを導通するスルーホール導体を形成することを含むプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の開口の径Ｒ１は前記第２の開口の径Ｒ２以上の大きさであり、前記第１の開口部の深さＤ１は前記第２の開口部の深さＤ２より小さい、
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の開口部の深さＤ１と前記第２の開口部の深さＤ２との和は、前記基板の厚さよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の開口の形状と前記第２の開口の形状とは、円である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の開口の形状と前記第２の開口の形状とは、楕円であり、前記第１の開口の径Ｒ１と前記第２の開口の径Ｒ２とは、長径である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の開口の重心を通り前記第１面と垂直な直線をＺ軸とし、前記第１の開口の重心を通り前記Ｚ軸と垂直な直線をＸ軸とする場合に、該ＸＺ平面と前記第１の開口部の内壁とが交わる交線を第１交線とし、該ＸＺ平面と前記第２の開口部の内壁とが交わる交線を第２交線とし、前記第１交線と前記第２交線と交わる交点における第１交線の接線の傾きの大きさが、前記交点における第２交線の接線の傾きの大きさよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の開口部の深さＤ１は、前記基板の厚さの半分未満であり、前記第２の開口部の深さＤ２は、前記基板の厚さの半分よりも深い、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の開口の径Ｒ１は前記第２の開口の径Ｒ２より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
さらに、前記基板の前記第１面、及び／又は、前記第２面にビルドアップ層を形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の開口の重心を通り前記第１面に垂直な直線と、前記第２の開口の重心を通り前記第１面に垂直な直線とは、オフセットしている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
第１面と該第１面と対向する第２面とを有し、前記第１面側に形成され、前記第１面から前記第２面に向けて内径が縮径している第１の開口部と、前記第２面側に形成され、前記第２面から前記第１面に向けて内径が縮径している第２の開口部とが連結した貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記第１面に形成されている第１の導体回路と、
前記基板の前記第２面に形成されている第２の導体回路と、
前記貫通孔を充填している金属からなり、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを接続しているスルーホール導体と、を有するプリント配線板であって、
前記第１の開口部は、深さがＤ１であり、前記第１面に径Ｒ１の第１の開口を有し、
前記第２の開口部は、深さがＤ２であり、前記第２面に径Ｒ２の第２の開口を有し、
前記第１の開口の径Ｒ１が前記第２の開口の径Ｒ２以上の大きさであり、前記第１の開口部の深さＤ１は前記第２の開口部の深さＤ２より小さい、
ことを特徴とするプリント配線板。
【請求項１１】
前記第１の開口部の深さＤ１と前記第２の開口部の深さＤ２との和は、前記基板の厚さよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１０に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記第１の開口の形状と前記第２の開口の形状とは、円である、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
前記第１の開口の重心を通り前記第１面と垂直な直線をＺ軸とし、前記第１の開口の重心を通り前記Ｚ軸と垂直な直線をＸ軸とする場合に、該ＸＺ平面と前記第１の開口部の内壁とが交わる交線を第１交線とし、該ＸＺ平面と前記第２の開口部の内壁とが交わる交線を第２交線とし、前記第１交線と前記第２交線と交わる交点における第１交線の接線の傾きの大きさが、前記交点における第２交線の接線の傾きの大きさよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のプリント配線板。
【請求項１４】
前記第１の開口部の深さＤ１は、前記基板の厚さの半分未満であり、前記第２の開口部の深さＤ２は、前記基板の厚さの半分よりも深い、
ことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載のプリント配線板。
【請求項１５】
前記第１の開口の径Ｒ１は前記第２の開口の径Ｒ２より大きい、
ことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載のプリント配線板。
【請求項１６】
さらに、前記基板の前記第１面、及び／又は、前記第２面にビルドアップ層を有している、
ことを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載のプリント配線板。
【請求項１７】
前記第１の開口の重心を通り前記第１面に垂直な直線と、前記第２の開口の重心を通り前記第１面に垂直な直線とは、オフセットしている、
ことを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板とその製造方法に関し、特に貫通孔を有する配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に断面が砂時形状（鼓状）の貫通孔を形成し、形成した貫通孔に金属をめっきで充填することでスルーホール導体を形成する方法が、特許文献１に開示されている。断面が砂時形状に形成された貫通孔は、基板の一面に形成された円錐状の第１のブラインドホールと、基板の他面に形成された円錐状（鼓状）の第２のブラインドホールとから形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４１４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のプリント配線板では、基板の一面に形成された第１のブラインドホールと基板の他面に形成された第２のブラインドホールとは、ほぼ同じ深さである。この場合、貫通孔を形成するためには、第１のブラインドホールと第２のブラインドホールの位置とを高い精度で合わせる必要がある。仮に、第１のブラインドホールの位置と第２のブラインドホールの位置とがずれると、第１と第２のブラインドホールが連通せず、貫通孔が形成され難くなると考えられる。このため、特許文献１に記載の貫通孔の形成方法は、貫通孔の歩留まりが低くなる可能性が高いと考えられる。
【０００５】
本発明は、貫通孔を容易に形成する方法と、この方法により形成された貫通孔を有する配線板を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明は、貫通孔を形成するための第１のブラインドホールの位置と第２のブラインドホールの位置とがずれたとしても、高い歩留まりで貫通孔を形成することができる貫通孔の形成方法と、この方法で形成された貫通孔を有する配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点に係るプリント配線板の製造方法は、
第１面と、該第１面と対向する第２面とを有する基板を準備することと、
前記基板の前記第１面側に、前記第１面から前記第２面に向かって内径が縮径し、前記第１面に第１の開口を有する第１の開口部を形成することと、
前記基板の前記第２面側に、前記第２面から前記第１面に向かって内径が縮径し、前記第２面に第２の開口を有する第２の開口部を形成することにより、前記基板を貫通し前記第１の開口部と前記第２の開口部とを連結した貫通孔を形成することと、
前記基板の前記第１面に第１の導体回路を形成することと、
前記基板の前記第２面に第２の導体回路を形成することと、
前記貫通孔をめっきで充填することにより、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを導通するスルーホール導体を形成することを含むプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の開口の径Ｒ１は前記第２の開口の径Ｒ２以上の大きさであり、前記第１の開口部の深さＤ１は前記第２の開口部の深さＤ２より小さい。
【０００８】
本発明の第２の観点に係るプリント配線板は、
第１面と該第１面と対向する第２面とを有し、前記第１面側に形成され、前記第１面から前記第２面に向けて内径が縮径している第１の開口部と、前記第２面側に形成され、前記第２面から前記第１面に向けて内径が縮径している第２の開口部とが連結した貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記第１面に形成されている第１の導体回路と、
前記基板の前記第２面に形成されている第２の導体回路と、
前記貫通孔を充填している金属からなり、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを接続しているスルーホール導体と、を有するプリント配線板であって、
前記第１の開口部は、深さがＤ１であり、前記第１面に径Ｒ１の第１の開口を有し、
前記第２の開口部は、深さがＤ２であり、前記第２面に径Ｒ２の第２の開口を有し、
前記第１の開口の径Ｒ１が前記第２の開口の径Ｒ２以上の大きさであり、前記第１の開口部の深さＤ１は前記第２の開口部の深さＤ２より小さい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、貫通孔を形成するための第１のブラインドホールの位置と第２のブラインドホールの位置とがずれたとしても、高い歩留まりで貫通孔を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール導体の製造工程を示す断面図である。
【図２Ａ】実施形態１に係る配線板の貫通孔と導体回路の製造工程を示す平面図である。
【図２Ｂ】実施形態１に係る配線板の貫通孔と導体回路の製造工程を示す平面図である。
【図２Ｃ】実施形態１に係る配線板の貫通孔と導体回路の製造工程を示す平面図である。
【図３Ａ】第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとの重心線の位置が重なる場合の断面図である。
【図３Ｂ】第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとの重心線の位置がずれた場合の断面図である。
【図３Ｃ】第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとの重心線の位置がずれた場合の断面図である。
【図４Ａ】第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとが同じ深さの場合を示す断面図である。
【図４Ｂ】第２のブラインドホールが第１のブラインドホールよりも深い場合を示す断面図である。
【図５Ａ】金属層に直接レーザを照射して加工する方法を示す図である。
【図５Ｂ】金属層に開口を形成し、該開口にレーザを照射して加工する方法を示す図である。
【図５Ｃ】照射するレーザのエネルギー強度をイメージとして示す図である。
【図５Ｄ】複数回に渡ってパルス状のレーザを照射する方法のイメージを示す図である。
【図６Ａ】重心線の位置がずれた場合の貫通孔を示す断面図である。
【図６Ｂ】重心線の位置がずれた場合の貫通孔を示す断面図である。
【図６Ｃ】重心線の位置がずれた場合の貫通孔を示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態３に係る参考例の第１のブラインドホールの断面図である。
【図７Ｂ】実施形態３に係る中間部が膨らんだ第１のブラインドホールの断面図である。
【図７Ｃ】実施形態３に係る第２のブラインドホールの断面図である。
【図７Ｄ】実施形態３に係る参考例の第１のブラインドホールによって形成された貫通孔の断面図である。
【図７Ｅ】実施形態３に係る中間部が膨らんだ第１のブラインドホールによって形成された貫通孔の断面図である。
【図７Ｆ】実施形態３に係る重心線がずれた場合の貫通孔を示す断面図である。
【図８Ａ】図７Ａの第１ブラインドホールの壁面（内壁）を示す断面図である。
【図８Ｂ】図７Ｂの第１ブラインドホールの壁面（内壁）を示す断面図である。
【図８Ｃ】図７Ｂの第１ブラインドホールの縮径割合を説明した図である。
【図９Ａ】第１ブラインドホールと第２ブラインドホールとが連結しない場合の例を示す断面図である。
【図９Ｂ】第１ブラインドホールと第２ブラインドホールとの連結部が小さい場合の例を示す断面図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態４に係る第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとが交わる交点を示す図である。
【図１０Ｂ】実施形態４に係る交点における接線の傾きの大きさを示す図である。
【図１０Ｃ】実施形態４に係る壁面の傾きが直線的な第１のブラインドホールによって形成された貫通孔を示す図である。
【図１０Ｄ】実施形態４に係る壁面の傾きが緩やかな第１のブラインドホールによって形成された貫通孔を示す図である。
【図１０Ｅ】実施形態４に係る貫通孔内に、突き出した部分があることを示す図である。
【図１０Ｆ】実施形態４に係る貫通孔内に、突き出した部分がないことを示す図である。
【図１１Ａ】本発明の実施形態８に係る重心線が一致した場合の連絡部を示す図である。
【図１１Ｂ】実施形態８に係る重心線が一致しない場合の連絡部を示す図である。
【図１２Ａ】実施形態８に係る第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとの接続部分が斜めの貫通孔を示す断面図である。
【図１２Ｂ】実施形態８に係る第１のブラインドホールと第２のブラインドホールとの接続部分が斜めの貫通孔を示す図である。
【図１３Ａ】応用例の多層基板のコア基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ｂ】応用例の多層基板のコア基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ｃ】応用例の多層基板のコア基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ｄ】応用例の多層基板のコア基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４Ａ】応用例のコア基板に貫通孔が形成された多層基板の平面図である。
【図１４Ｂ】応用例の多層基板の表面にはんだバンプが形成された多層基板の平面図である。
【図１５Ａ】楕円形の開口の例を示す平面図である。
【図１５Ｂ】多角形の開口の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に本実施形態に係る配線板の製造方法と該製造方法により製造される配線板について説明する。
【００１２】
（実施形態１）
以下、実施形態１に係る、スルーホール導体を備える配線板の製造方法について説明する。
【００１３】
この製造方法は、概略的に説明すると、ｉ）図１Ｂに示すように、基板１２の一面側に第１のブラインドホールＨ１（第１の開口部）を形成し、ii）図１Ｃに示すように、基板１２の他面側に、第１のブラインドホールＨ１に連通する第２のブラインドホールＨ２（第２の開口部）を形成することにより、貫通孔Ｈ４を形成し、iii）図１Ｆに示すように、めっきにより、貫通孔Ｈ４を銅で充填し、スルーホール導体１４３を形成する。
【００１４】
以下、この製造方法を図面を参照して具体的に説明する。
【００１５】
まず、図１Ａに示す銅張積層板１０を用意する。銅張積層板１０は、基板１２と、基板１２の第１面１２１に形成された銅箔層１３と、基板１２の第２面１２２に形成された銅箔層１１とから構成されている。
【００１６】
なお、図１Ａ乃至図１Ｆは、銅張積層板１０のＸＺ面での断面図である。ＸＺ面は、基板１２の第１面１２１と第２面１２２に垂直な直線をＺ軸とし、基板１２の長手方向に平行な直線をＸ軸とする。
【００１７】
基板１２は、絶縁性基板から構成され、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、アリル化ファニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等から構成される。また、基板１２は、硬化済みの樹脂とガラスクロス、ガラス不織布又はアラミド不織布等の補強材とからなる繊維強化基板であってもよい。
【００１８】
基板１２は、レーザによって貫通孔を形成するため、厚みが０．１ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲にあることが好ましい。さらに、基板１２の厚みは、０．１５ｍｍ〜０．４５ｍｍの範囲にあることがより好ましい。基板１２の厚さがこの範囲にあることにより、基板１２の強度を確保しつつ、銅張積層板１０や基板１２にレーザによって容易に貫通孔を形成できる。
【００１９】
なお、以下の説明では、銅張積層板１０は、０．３ｍｍの厚さのガラスエポキシ製の基板１２と、その両面に積層されている５μｍの銅箔層１１と１３とからなる。
【００２０】
次に、図２Ａに示すように、ドリルまたはレーザによって、銅張積層板１０の各隅部に基準穴（貫通孔）Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を形成する。基準穴Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４は、位置合わせ用のアライメントマークとして機能する。
【００２１】
次に、銅箔層１１、１３のレーザ光の吸収効率を高めるため、その表面を酸化する黒化処理を施し、銅箔層１１、１３の表面を針状の酸化銅にする。
【００２２】
次に、銅張積層板１０の一方の主面１０１にレーザが照射されるように、銅張積層板１０をレーザ加工機にセットする。
【００２３】
次に、基準穴Ｂ１〜Ｂ４を基準にして、銅張積層板１０のスルーホール導体の形成予定位置（即ち、第１のブラインドホールＨ１の形成予定位置）にレーザ加工機のレーザの照射位置を合わせる。
【００２４】
さらに、形成予定の第１のブラインドホールＨ１の形状と大きさ（径）と深さとに基づいて、照射するレーザの径、レーザの強度、１パルス当たりのエネルギー、パルス数等を設定する。
【００２５】
次に、図１Ｂに示すように、銅張積層板１０の一主面１０１に、レーザ加工機のレーザ照射装置５０からレーザＬＡ１を照射して、基板１２の第１面１２１から第２面１２２に向けてテーパーしている第１のブラインドホールＨ１を形成する。即ち、基板１２の第１面１２１から第２面１２２に向かって内径が除々に小さくなる第１のブラインドホールＨ１を形成する。図２Ａに示すように、第１のブラインドホールＨ１は基板１２の第１面１２１に第１の開口Ｈ１２を有している。
【００２６】
第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２は、図２Ａに示すように、円形であることが望ましい。また、第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１は５０〜３００μｍであることが好ましい。
【００２７】
また、第１のブラインドホールＨ１の、基板１２の第１面１２１からの深さＤ１は、基板１２の厚さの１／６以上２／３以下であることが好ましい。実施形態１では、基板１２の厚さが０．３ｍｍなので、深さＤ１は０．０５〜０．２０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２８】
次に、銅張積層板１０の他方の主面１０２にレーザが照射されるように、銅張積層板１０を裏返してレーザ加工機にセットする。
【００２９】
次に、基準穴Ｂ１〜Ｂ４を基準にして、レーザの照射位置が第１のブラインドホールＨ１の位置に一致するように、レーザの照射位置と銅張積層板１０の位置とを調整する。
【００３０】
さらに、形成予定の第２のブラインドホールＨ２の形状と大きさとに基づいて、レーザの径、レーザの強度、１パルス当たりのエネルギー及び、パルス数等を調整する。
【００３１】
次に、図１Ｃに示すように、銅張積層板１０の他方の主面１０２に、レーザ加工機のレーザ照射装置５０からレーザＬＡ２を照射して、第２のブラインドホールＨ２を、第１のブラインドホールＨ１と連通するように形成する。なお、第２のブラインドホールＨ２は、第１のブラインドホールＨ１と連通するため、厳密な意味では、ブラインドホールではない。しかし、仮に、第１のブラインドホールＨ１と連通しない状態（第１のブラインドホールＨ１が形成されていないと仮定した場合）、即ち、単体では、ブラインドホールである。このため、本明細書では、第２のブラインドホールＨ２をブラインドホールと呼ぶこととする。図２Ｂに示すように、第２のブラインドホールＨ２は基板１２の第２面１２２に第２の開口Ｈ２２を有している。
【００３２】
図１Ｃに示すように、第２のブラインドホールＨ２は、基板１２の第２面１２２から第１面１２１に向けてテーパーしている。また、第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２の平面形状は、図２Ｂに示すような円形に形成されることが好ましい。さらに、第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２は、第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１以下であって、５０〜３００μｍであることが好ましい。本実施形態では、第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２は、第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１に等しい１５０μｍであるとする。
【００３３】
また、第２のブラインドホールＨ２の基板１２の第２面１２２からの深さＤ２は、第１のブラインドホールＨ１に達する深さで、且つ、基板１２の厚さの１／５以上５／６以下が好ましい。本実施形態では、基板１２の厚さが、０．３ｍｍなので、深さＤ２は０．０６ｍｍ〜０．２５ｍｍであることが好ましい。実施形態１では、第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２は０．２２５ｍｍである。Ｄ２は基板１２の基板１２の第２面１２２から第２のブラインドホールＨ２の仮想的な頂点（第１のブラインドホールＨ１が存在しないと仮定した場合の頂点）までの距離である。
【００３４】
第２のブラインドホールＨ２と第１のブラインドホールＨ１とが連結して形成される貫通孔Ｈ４は、その軸線に沿った断面が、砂時計状（鼓状）をしている。
【００３５】
上述した条件を満たす第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とを形成することによって、銅張積層板１０に高い歩留まりで貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【００３６】
この貫通孔形成条件をまとめると、下記の（１）乃至（３）になる。
【００３７】
（１）第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１＋第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２＞基板１２の厚さ
（２）第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１＜第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２
（３）第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１≧第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２
ここで、上記条件（１）が成立することによる利点について説明する。
【００３８】
図３Ａに示すように、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１と第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２との和が基板１２の厚さと同じ場合、第１のブラインドホールＨ１の重心線Ｌ１と第２のブラインドホールＨ２の重心線Ｌ２とが重なれば、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが連結する。その結果、基板１２を貫通する貫通孔Ｈ４が形成される。しかし、図３Ｂに示すように、重心線Ｌ１の位置と重心線Ｌ２の位置とがわずかでもずれると、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが連結しない。その結果、貫通孔Ｈ４を形成することができない。
【００３９】
条件（１）を満たす場合（即ち、深さＤ１と深さＤ２との和が基板１２の厚さより大きい場合）、重心線Ｌ１の位置と重心線Ｌ２の位置とが、図３Ｂと同じ量ｍだけずれたとしても、図３Ｃに示すように、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが連結しやすくなる。その結果、貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【００４０】
なお、重心線Ｌ１は第１の開口の重心を通り、基板１２の第１面に垂直な直線であり、重心線Ｌ２は第２の開口の重心を通り、基板１２の第１面に垂直な直線である。
【００４１】
次に、上記条件（２）が成立することによる利点について説明する。
【００４２】
図４Ａ、図４Ｂの断面図上で、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが接続する部分の一方の内壁面をＧ１とし、他方の内壁面をＧ２とする。内壁面Ｇ１と接し、かつ、基板１２の第１面１２１に垂直な直線をＧｘとし、内壁面Ｇ２と接し、かつ、第１面１２１に垂直な直線をＧｙとする。垂直線Ｇｘと垂直線Ｇｙとの距離は、貫通孔Ｈ４の内径の最小値Ｗａ、Ｗｂとなる。図４Ａは、深さＤ１と深さＤ２とが同じ大きさの場合の最小径Ｗａを示している。図４Ｂは、深さＤ２が深さＤ１よりも大きい場合の最小径Ｗｂを示している。最小径Ｗａと最小径Ｗｂを比較すると、最小径Ｗｂの方が最小径Ｗａより大きい。
【００４３】
これは、条件（２）を満たす場合には、第１のブラインドホールＨ１内に第２のブラインドホールＨ２が入り込むため、仮に重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とがずれたとしても、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが繋がりやすいことを意味する。従って、条件（２）を満たす場合には、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とがほぼ確実に接続し、貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、条件（３）の内、第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２とが同じ大きさの場合について説明した。径Ｒ２が径Ｒ１よりも小さい場合については、実施形態２で説明する。
【００４５】
上述したような方法や条件によって形成される貫通孔Ｈ４の内壁にデスミア処理を行い、貫通孔Ｈ４内に残るスミアを除去する。
【００４６】
次に、図１Ｄ及び図２Ｃに示すように、無電解めっきを行い、貫通孔Ｈ４の内壁と、銅張積層板１０の両主面１０１、１０２に、無電解めっき膜（無電解銅めっき膜１４１）を形成する。
【００４７】
次に、図１Ｅに示すように、無電解銅めっき膜１４１をシード層として、電解銅めっき処理を行い、電解銅めっき膜１４２を形成する。この時、貫通孔Ｈ４は、電解銅めっき膜１４２で充填され、スルーホール導体１４３が形成される。
【００４８】
この際、貫通孔Ｈ４の連結部Ｈ３の近傍が狭いので、この狭い箇所が先に塞がれ、この塞がれた箇所から順次銅が析出して、スルーホール導体１４３が成長する。スルーホール導体１４３の成長に伴って貫通孔Ｈ４内から空気等が排出される。従って、貫通孔Ｈ４内に空気等が閉じこめられて形成される所謂ボイドが形成され難い。
【００４９】
また、貫通孔Ｈ４の穴径が小さく、電解銅めっきによる電解銅めっき膜１４２の形成で貫通孔Ｈ４が充填されるので、スルーホール導体１４３内に樹脂等を充填しなくてもよい。
【００５０】
貫通孔Ｈ４の開口の径（第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１及び第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２）が５０μｍ〜３００μｍの範囲であると、スルーホール導体１４３の接続信頼性と複数のスルーホール導体１４３間の狭ピッチ化が両立しやすい。また、貫通孔Ｈ４の最小径（直線Ｇｘと直線Ｇｙ間の距離）ｗが３０μｍ〜２００μｍの範囲であると、低抵抗で接続信頼性が高いスルーホール導体１４３を得ることができる。
【００５１】
本実施形態の貫通孔Ｈ４は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２とが共に１５０μｍであり、適正なスルーホール導体１４３を形成できる。
【００５２】
次に、図１Ｆ及び図２Ｃに示すように、電解銅めっき膜１４２及び銅箔層１１、１３をパターニングして、基板１２の第１面１２１に導体回路１４４（第１の導体回路）を形成し、第２面１２２に導体回路１４５（第２の導体回路）を形成する。導体回路１４４と導体回路１４５とはスルーホール導体１４３により導通されている。基板１２に導体回路を形成することで、プリント配線板１００が完成する。実施形態１では、導体回路１４４、１４５は金属層（銅箔）と無電解めっき膜（無電解銅めっき膜１４１）と電解めっき膜（電解銅めっき膜１４２）とからなる。スルーホール導体１４３は無電解めっき膜（無電解銅めっき膜１４１）と電解めっき膜（電解銅めっき膜１４２）とからなる。
【００５３】
こうして完成したプリント配線板１００は、図１Ｆ及び図２Ｃに示すように、第１面１２１側に形成されている第１のブラインドホールＨ１と、第１面１２１と対向する第２面１２２側に形成されている第２のブラインドホールＨ２とが基板１２内部で連結して形成された貫通孔Ｈ４を有する絶縁性の基板１２と；基板１２の第１面１２１に形成されている導体回路１４４と；基板１２の第２面１２２に形成されている導体回路１４５と；貫通孔Ｈ４を充填している銅からなり、導体回路１４４と導体回路１４５とを導通するスルーホール導体１４３と；を有している。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法は、基板１２の第１面１２１側に深さＤ１の第１のブラインドホールＨ１を、第２面１２２側に深さＤ２の第２のブラインドホールＨ２を形成する。このとき、深さＤ１と深さＤ２とを加えた長さが基板１２の厚さよりも大きくなるように形成する。従って、仮に、第１のブラインドホールＨ１の重心線Ｌ１の位置と第２のブラインドホールＨ２の重心線Ｌ２の位置とがずれたとしても、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とを十分な大きさの内径（最小径ｗ）で連結し、貫通孔Ｈ４を形成することができる。従って、基板１２の第１面１２１に形成されている導体回路１４４と第２面１２２に形成されている導体回路１４５とは、貫通孔Ｈ４を充填しているスルーホール導体１４３により低い抵抗率で導通される。
【００５５】
さらに、貫通孔Ｈ４が、中央部分が小径で、第１面１２１及び第２面１２２に向かうに連れて径が大きくなる砂時計状に形成されている。このため、貫通孔Ｈ４内を銅めっきで充填する際に、銅が小径部分から析出して、基板１２の表面に向かって成長するため、ボイドが発生し難い。従って、ボイドを起点としたクラックが起こり難い。
【００５６】
また、スルーホール導体１４３がボイドを含みにくいので、配線抵抗が小さく、配線遅延が生じ難く、高周波の信号を伝達することができる。
【００５７】
また、例えば、深さＤ１を基板１２の厚さの１／２未満とし、深さＤ２を基板１２の厚さの１／２より大きくすることにより、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分は、基板１２の中央より第１面１２１に寄った位置に形成される。そのため、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分において、第１のブラインドホールＨ１の内壁の傾きが急峻になりにくいので、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との位置がずれても連結しやすい。従って、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との位置合わせの精度を低減できる。
【００５８】
次に、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とをテーパー形状に加工する方法の詳細について説明する。
【００５９】
まず、レーザ加工機は、例えば炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧ（Ultraviolet-Visible−Yttrium-Aluminum-Garnet）レーザを使用する。
【００６０】
次に、レーザ加工機によるレーザの照射方法の例を４つ説明する。
【００６１】
（Ａ）図５Ａに示すように、銅箔等の薄い金属層の面に直接レーザを照射することで、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とを、それぞれ、テーパー形状に形成する。この方法は、直接穴あけ法と呼ばれる。上述した方法である。
【００６２】
（Ｂ）図５Ｂに示すように、エッチング等によって銅箔層１１、１３に開口を形成し、基板１２が露出した銅張積層板１０を用意する。開口が形成された銅箔層１１、１３をコンフォーマルマスクという。次に、銅箔層１１、１３の開口から露出している基板１２にレーザを照射することで、第１のブラインドホールＨ１、第２のブラインドホールＨ２をテーパー形状に形成する。この方法は、コンフォーマルマスク法と呼ばれる。
【００６３】
（Ｃ）中心部のエネルギーが周辺部のエネルギーより強いレーザを基板１２に照射することで、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とをテーパー形状に形成する方法がある。
【００６４】
方法（Ａ）又は（Ｂ）に方法（Ｃ）を組み合わせてもよい。
【００６５】
より好ましくは、中心から周辺に向かってに指数関数的にエネルギーが減衰するレーザを使用して、第１のブラインドホールＨ１、第２のブラインドホールＨ２を形成する。図５Ｃは、レーザの長さＰによって、１パルス分のレーザのエネルギー強度を模式的に示している。図示するように、このレーザは、中心部のエネルギー（Ｐ１）が周辺部のエネルギー（Ｐ２）よりも強く、中心部から周辺部に向かって指数関数的にエネルギーが弱くなっている。
【００６６】
（Ｄ）図５Ｄに示すように、複数回に渡ってパルス状のレーザを照射することで、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とをテーパー形状に形成する方法がある。この方法では、レーザの径を除々に小さくすることが好ましい。
【００６７】
さらに好ましくは、ブラインドホールを形成する最終のパルス状レーザに中心部のエネルギー密度が周辺部のエネルギー密度よりも高いレーザを使用する。
【００６８】
上述した方法（Ａ）乃至（Ｃ）においても、形成する第１のブラインドホールＨ１、第２のブラインドホールＨ２の深さと形状とを制御するために、レーザを複数回照射することが好ましい。
【００６９】
（実施形態２）
実施形態１では、貫通孔形成条件（３）の内、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２とが同じ大きさの場合について説明した。実施形態２では、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１が第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２よりも大きい場合について説明する。なお、それ以外は、実施形態１と同様である。
【００７０】
本実施形態では、レーザ加工装置のレーザの照射範囲を調整して、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１を２５０μｍに形成し、第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２を、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１よりも小さく、２００μｍに形成する。
【００７１】
本実施形態によって形成される貫通孔Ｈ４の利点について、図６Ａ乃至図６Ｃを参照して説明する。図６Ａ乃至６Ｃは、基板１２のＸＺ断面図である。
【００７２】
図６Ａに示すように、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２とが同一であっても、上記条件（１）と（２）を満たしていれば、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とがずれても（重心線Ｌ１と重心線Ｌ２との距離をずれ量ｍとする）第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが連結しやすくなるので、貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【００７３】
しかし、ずれ（ずれ量ｍ１）が大きくなると、図６Ｂに示すように、貫通孔Ｈ４に、第１のブラインドホールＨ１の頂点（ＸＺ断面図でブラインドホールの最も深い部分）Ｔ１と第２のブラインドホールＨ２の頂点Ｔ２とが残ってしまう。この場合、貫通孔Ｈ４を銅めっき膜で充填することが困難となり、ボイドが発生しやすくなる。
【００７４】
図６Ｃに示すように、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１を第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２よりも大きくすることによって、図６Ｂの場合と同じずれ量ｍ１であっても、ブラインドホールの頂点の数を減らし（図６Ｃでは、第１のブラインドホールＨ１の頂点Ｔ１のみが残る）、又は、無くすことができる。貫通孔Ｈ４の内部に有する頂点の数を少なくすることによって、貫通孔Ｈ４を、めっきで充填しやすくなる。
【００７５】
また、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１を小さく（浅く）、径Ｒ１を大きく、第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２を大きく（深く）、径Ｒ２を小さく形成することにより、第１のブラインドホールＨ１の内壁と接続面Ｈ５とで囲まれる第１のブラインドホールＨ１の容量と、第２のブラインドホールＨ２の内壁と接続面Ｈ５とで囲まれる第２のブラインドホールＨ２の容量とをほぼ等しくすることが可能となる。第１のブラインドホールＨ１の容量と第２のブラインドホールＨ２の容量とをほぼ等しくすると、第１のブラインドホールＨ１内に析出すべき銅めっき膜の量と第２のブラインドホールＨ２内に析出すべき銅めっき膜の量とが等しくなる。従って、基板１２の第１面１２１に形成する電解銅めっき膜１４２と第２面１２２とに形成する電解銅めっき膜１４２の厚みをほぼ等しくすることができる。なお、前述した接続面Ｈ５は、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが接続する部分（Ｇ１、Ｇ２）を結ぶことで得られる曲線で囲まれる面（図１２Ａ及び図１２Ｂの接続面Ｈ５参照）のことである。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法では、大きな径の第１の開口Ｈ１２を有し、第１面１２１から第２面１２２に向かってテーパーしている第１のブラインドホールＨ１に対して、小さな径の第２の開口Ｈ２２を有し、第２面１２２から第１面１２１に向かってテーパーしている第２のブラインドホールＨ２を形成する。従って、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とは基板１２の内で連結しやすい。
【００７７】
従って、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との位置を合わせる精度を低減できる。
【００７８】
また、第１のブラインドホールＨ１の容積と第２のブラインドホールＨ２の容積とをほぼ同じ容積に形成すれば、基板１２の第１面１２１に形成する電解銅めっき膜１４２の厚さと第２面１２２に形成する電解銅めっき膜１４２の厚さをほぼ等しくすることができる。
【００７９】
（実施形態３）
実施形態３では、実施形態１と異なり、第１のブラインドホールＨ１の内壁の縮径割合と第２のブラインドホールＨ２の内壁の縮径割合とが異なる場合について説明する。なお、縮径割合以外は、実施形態１と同様である。
【００８０】
なお、縮径とは、ブラインドホールの内径が表面から底に向けて除々に小さくなることを言う。縮径割合とは、内径が小さくなる割合のことを言う。第１のブラインドホールＨ１の縮径割合とは、基板１２の第１面１２１から第２面１２２に向かう距離に対する第１のブラインドホールＨ１の内径が小さくなる割合のことを言う。第２のブラインドホールＨ２の縮径割合とは、基板１２の第２面１２２から第１面１２１に向かう距離に対する第２のブラインドホールＨ２の内径が小さくなる割合のことを言う。
【００８１】
本実施形態によって形成される貫通孔Ｈ４の利点について、図７Ａに示す参考例の第１のブラインドホールＨ１と、図７Ｂに示す本実施形態の第１のブラインドホールＨ１とを比較しながら説明する。
【００８２】
以下の図７Ａ乃至図７Ｆの断面図は、第１のブラインドホールＨ１の重心を通り基板１２の第１面１２１に垂直な直線をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な直線をＸ軸としたＸＺ断面の図である。
【００８３】
基板１２の第１面１２１側に形成されている参考例の第１のブラインドホールＨ１は、円錐形状であり、その内径は一定の割合で減少し、その縮径割合は一定である。図７Ａに示すように、その断面は二等辺三角形である。
【００８４】
一方、基板１２の第１面１２１側に形成されている本実施形態の第１のブラインドホールＨ１は、第１の開口Ｈ１２と頂点との中間部が膨らんだ略円錐形状である。第１のブラインドホールＨ１の縮径割合は一定でなく、第１の開口Ｈ１２から頂点に向かって大きくなっている。図７Ｂに示すように、その断面は両壁部が外側に膨らんだ略弧状の形状である。
【００８５】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１及び第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１が同じ場合であっても、縮径割合の違いにより、その断面の形状は大きく異なる。
【００８６】
本実施形態において、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１を２５０μｍ、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１を０．１２５ｍｍに形成する。
【００８７】
ここで、図８Ａ乃至図８Ｃを用いて、図７Ａ、７Ｂに示す第１のブラインドホールＨ１の縮径割合について詳細に説明する。図８Ａ乃至図８Ｃは、ＶＷ断面図である。
【００８８】
まず、ＶＷ断面図の原点とＶ軸とＷ軸について説明する。第１のブラインドホールＨ１の頂点（ＸＺ断面図で第１のブラインドホールＨ１の最も深い部分）が原点である。そして、その原点を通り、基板１２の第１面１２１に平行な直線がＶ軸であり、第１のブラインドホールＨ１の頂点（原点）を通りＶ軸に垂直な直線がＷ軸である。
【００８９】
Ｖ軸に平行な直線と図７Ａに示す第１のブラインドホールＨ１の内壁との交点をＶ１１、Ｖ１２とする。また、Ｖ軸に平行な直線と図７Ｂに示す第１のブラインドホールＨ１の内壁との交点をＶ２１、Ｖ２２とする。交点Ｖ１１、Ｖ２１は第２象限にあり、交点Ｖ１２、Ｖ２２は第１象限にあり、第１象限の交点と第２象限の交点間の距離を内径Ｖ１、Ｖ２とする。また、交点Ｖ１１、Ｖ１２間又は交点Ｖ２１、Ｖ２２間を繋ぎＶ軸に平行な直線とＷ軸との交点の値をＷｎとする。点（０、Ｗｎ）を通りＶ軸に平行な直線を直線Ｗｎと称し、値Ｗｎにおける内径をＶ１（Ｗｎ）、Ｖ２（Ｗｎ）とする。Ｖ１（Ｗｎ）は、図８Ａに示す第１のブラインドホールＨ１の内径であり、Ｖ２（Ｗｎ）は、図８Ｂに示す第１のブラインドホールＨ１の内径である。上記、図７Ａが図８Ａに対応し、図７Ｂが図８Ｂに対応する。
【００９０】
Ｗ座標の値を０（頂点）からＤ１（第１のブラインドホールＨ１の底から第１面１２１まで。ここでは、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１の正負の値が逆になる。）まで変化させた場合、図８Ａに示すブラインドホールは、Ｗの値に比例して内径Ｖ１が変化する。一方、図８Ｂに示す第１のブラインドホールＨ１は、Ｗの値の変化に対して、０（頂点）から極値点までは内径Ｖ２が大きく変化し、極値点からＤ１（第１面１２１）までは内径Ｖ２の値は大きく変化しない。内壁の縮径割合は、極値点で屈曲している。
【００９１】
図８Ｂを詳しく図８Ｃに示すと、直線ＷｎがＷ軸方向にΔＷ変化すると、内径Ｖ２がΔＶ２変化する。ΔＷとΔＶ２の割合（ΔＶ２／ΔＷ（＝（ΔＶ２１＋ΔＶ２２）／ΔＷ））を縮径割合として表すことができる。なお、ΔＶ２１は、直線ＷｎがＷ軸方向にΔＷ変化する時、Ｗ軸から交点Ｖ２１までの距離が変化する量を表し、ΔＶ２２は、Ｗ軸から交点Ｖ２２までの距離が変化する量を表す。つまり、ΔＶ２は、変化前の内径Ｖ２（Ｗｎ）の値から変化後の内径Ｖ２（Ｗｎ＋ΔＷｎ）の値を引いた値の絶対値である。
【００９２】
第１のブラインドホールＨ１が図８Ｃに示すような形状の場合、極値点から頂点までの内径Ｖ２が変化する割合ΔＶ２ｂの方が、表面から極値点までの内径Ｖ２が変化する割合ΔＶ２ａよりも大きい。つまり、図７Ｂの第１のブラインドホールＨ１は、表面から底付近まで内径Ｖ２の長さがほぼ同じ大きさであり、頂点付近が鈍角な形状である。
【００９３】
次に、これらの第１のブラインドホールＨ１に対して、図７Ｃに示すような、径Ｒ２が第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と同じで、深さＤ２が第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１よりも大きく、断面が二等辺三角形である円錐形状の第２のブラインドホールＨ２を第２面１２２側に形成する。
【００９４】
本実施形態において、第２のブラインドホールＨ２は、径Ｒ２を２５０μｍ、深さＤ２を０．２２５ｍｍに形成する。
【００９５】
図７Ｄは、図７Ａの第１のブラインドホールＨ１と図７Ｃの第２のブラインドホールＨ２とからなる貫通孔Ｈ４を示している。図７Ｄでは、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２の形状は円錐であり、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２が一致している。図７Ｄの貫通孔Ｈ４の最小径をＲ０１とする。
【００９６】
一方、図７Ｅは、図７Ｂの第１のブラインドホールＨ１と図７Ｃの第２のブラインドホールＨ２とからなる貫通孔Ｈ４を示している。図７Ｅでは、第１のブラインドホールＨ１の形状は略半球であり、第２のブラインドホールＨ２の形状は円錐である。そして、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１と第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２が一致している。その際に、図７Ｅの貫通孔Ｈ４の最小径をＲ０２とする。
【００９７】
この場合、図７Ｂに示すように、第１面１２１から底付近（頂点付近）までの第１のブラインドホールＨ１の内径は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１に近い大きさである。それに対し、図７Ａに示す第１のブラインドホールＨ１の内径は、第１面１２１から頂部に向かって一定の割合で小さくなる。そのため、第１のブラインドホールＨ１の断面の内壁の形状が頂部から基板１２の第１面１２１に向かって指数関数的に変化する場合（図７Ｂに示す場合）と直線的に変化する場合（図７Ａに示す場合）では、第１のブラインドホールＨ１に第２のブラインドホールＨ２が入り込む量（体積）が異なる。前者が後者より入り込む量（体積）が大きい。
【００９８】
つまり、最小径Ｒ０２の方が最小径Ｒ０１よりも大きい。そのため、図７Ｂに示す第１のブラインドホールＨ１を有する貫通孔Ｈ４を充填するスルーホール導体１４３は、図７Ａに示す参考例の第１のブラインドホールＨ１を有する貫通孔Ｈ４を充填するスルーホール導体１４３よりも低抵抗になりやすい。また、図７Ｆに示すように、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とがずれたとしても、最小径Ｒ０２’は、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致したときの最小径Ｒ０２とほぼ同じ大きさにすることができる。
【００９９】
また、図７Ｅに示す貫通孔Ｈ４の方が、図７Ｄに示す貫通孔Ｈ４よりも容積が大きいことから、スルーホール導体１４３が有する金属の量が多く、接続の信頼性が高い。
【０１００】
さらに、第１のブラインドホールＨ１の容積と第２のブラインドホールＨ２の容積とをほぼ等しく形成することができる。従って、基板１２の第１面１２１と第２面１２２とに電解銅めっき膜１４２を析出させる際に、電解銅めっき膜１４２の厚さをほぼ等しくすることができる。
【０１０１】
図７Ｅに示された貫通孔Ｈ４の第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分は、基板１２の中央と第１面１２１の間に存在することが好ましい。なお、基板１２の中央とは、基板１２の厚さが半分の部分を通り第１面１２１に平行な直線のことをいう。
【０１０２】
さらに、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分は、第１面１２１から基板１２の厚さの１／３より深く、基板１２の中央より第１面１２１側に存在し、且つ、最小径Ｒ０２は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１の２／３以上９／１０以下の大きさであることが望ましい。このような条件を満たす貫通孔Ｈ４に形成されたスルーホール導体１４３は、基板１２の反りに対する接続信頼性が高くなる。
【０１０３】
次に、貫通孔Ｈ４を形成するためのレーザの照射方法について説明する。
【０１０４】
図７Ｂ、図８Ｂに示した、面から頂点までの内径Ｖ２の長さがほぼ同じ大きさであり、頂点が鈍角な第１のブラインドホールＨ１は、例えば、図５Ｃに示した、開口の中心から周辺に向かって指数関数的にエネルギーが弱くなるレーザを使用して形成することができる。
【０１０５】
また、複数のパルスによってブラインドホールを形成し、各パルスのレーザのエネルギーと照射範囲とを変化させる方法でもよい。その際に、各パルスレーザは、中心から周辺に向かって指数関数的にエネルギーが弱くなるレーザを使用することが望ましい。
【０１０６】
以上説明したように、縮径割合が一定値ではなく、面から所定の深さ（極値点）まで緩やかに変化し、所定の深さ以降は大きく変化する第１のブラインドホールＨ１を形成することで、貫通孔Ｈ４の最小径を大きくすることができる。また、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との交差する部分（極値点）は、基板１２の第１面１２１から基板１２の厚さの１／３より深く、基板１２の中央より浅い位置に存在することが好ましい。このような構成とすれば、貫通孔Ｈ４に金属を充填してスルーホール導体１４３を形成すると、低い抵抗率と信頼性の向上とを実現することができる。
【０１０７】
さらに、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との容積をほぼ等しくすることにより、基板１２の第１面１２１と第２面１２２とに電解銅めっき膜１４２を析出する際に、電解銅めっき膜１４２の厚さをほぼ等しくすることができる。
【０１０８】
（実施形態４）
開口の径やブラインドホールの深さが同じであっても、ブラインドホールの内壁の傾きが急峻な場合には、貫通孔が形成されない場合が生じ得る。例えば、第１のブラインドホールＨ１の内壁の傾きが急峻であると、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、第２のブラインドホールＨ２形成用のレーザの重心線Ｍｂが第１のブラインドホールＨ１形成用のレーザの重心線Ｍａから僅かにずれただけで、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との連結が困難になったり、連結部Ｈ３の径が異常に小さくなる可能性がある。その場合、所期の性能が得られなくなるおそれがある。なお、重心線Ｍａは第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザの照射範囲の重心を通り基板１２の第１面１２１に垂直な直線であり、重心線Ｍｂは第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザの照射範囲の重心を通り基板１２の第２面１２２に垂直な直線である。また、照射するレーザのエネルギー密度や照射範囲の形状等により、レーザの照射範囲の重心線Ｍａ、Ｍｂが開口の重心線Ｌ１、Ｌ２となる場合がある。
【０１０９】
そのため、第１のブラインドホールＨ１の内壁の傾きは比較的小さく（第１のブラインドホールＨ１の頂点近傍は鈍く）、一方、第１のブラインドホールＨ１に入り込む第２のブラインドホールＨ２の内壁の傾きは大きく（第２のブラインドホールＨ２の頂点近傍は鋭く）形成することが望ましい。
【０１１０】
実施形態４では、実施形態３の場合と同様に、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが異なる形状に形成する。
【０１１１】
貫通孔Ｈ４を形成する条件について、図１０Ａ乃至図１０Ｆを用いて説明する。
【０１１２】
なお図１０Ａ乃至図１０Ｆは基板１２のＸＺ断面図である。このＸＺ断面は、後述する第１の開口Ｈ１２の重心を通り第１面１２１に垂直な直線をＺ軸とし、第１の開口Ｈ１２の重心を通り第１面１２１に平行な直線をＸ軸とする。
【０１１３】
図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて、基板１２の厚さは０．２ｍｍ、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１と第２の開口Ｈ２２の径Ｒ２とは同一であり（径Ｒ１＝径Ｒ２）、第１のブラインドホールＨ１の深さＤ１は第２のブラインドホールＨ２の深さＤ２よりも小さい（浅い）。
【０１１４】
具体的には、径Ｒ１と径Ｒ２とは１５０μｍ、深さＤ１は０．０８ｍｍ、深さＤ２は０．１８０ｍｍである。
【０１１５】
図１０Ａに示すように、第１のブラインドホールＨ１の内壁（側壁）がＸＺ平面によって、切断される曲線を交線１とし、第２のブラインドホールＨ２の内壁（側壁）がＸＺ平面によって、切断される曲線を交線２とし、交線１と交線２とが交わる点を交点Ｐとする。交点Ｐは第１のブラインドホールＨ１の内壁と第２のブラインドホールＨ２の内壁が交わる点である。図１０Ｂに示すように、交点Ｐにおける交線１の接線の傾きの大きさ（傾きの絶対値｜ΔＺ１／ΔＸ｜）と交線２の接線の傾きの大きさ（傾きの絶対値｜ΔＺ２／ΔＸ｜）は、下記の関係を満たす。
【０１１６】
（４）交線１の接線の傾きの大きさ（｜ΔＺ１／ΔＸ｜）＜交線２の接線の傾きの大きさ（｜ΔＺ２／ΔＸ｜）
実施形態１で示した条件（１）乃至（３）に加えて、条件（４）を満たす第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とによって形成される貫通孔Ｈ４の利点について説明する。
【０１１７】
図１０Ｃ、図１０Ｄにおいて、実施形態３と同様に、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とがオフセット量ｗ２（ずれ量）の距離ずれている場合、条件（４）を満たす図１０Ｄの方が図１０Ｃに比べて、最小径が大きい。
【０１１８】
条件（４）を満たさない場合、図１０Ｅに示すように、第１のブラインドホールＨ１の左側の壁面と第２のブラインドホールＨ２の左側の壁面とによって囲まれる部分に、絶縁層（図中、点線で囲まれ、貫通孔Ｈ４の内部方向に突き出した部分の樹脂）が、レーザで除去されることなく、貫通孔Ｈ４の内部に突き出ている。一方、条件（４）を満たす場合、図１０Ｆに示すように、第１のブラインドホールＨ１の左側の壁面と第２のブラインドホールＨ２の左側の壁面とによって囲まれる部分に絶縁層は無く、貫通孔Ｈ４の内部に突き出る部分が形成されない。
【０１１９】
貫通孔Ｈ４内部に突き出る樹脂を有する貫通孔Ｈ４をめっきで充填してスルーホール導体１４３を形成すると、基板１２にクラックが起こりやすい。しかしながら、条件（４）を満たす貫通孔Ｈ４は、貫通孔Ｈ４の内部に突き出る樹脂が形成されにくく、基板１２にクラックが生じにくい。
【０１２０】
また、条件（１）乃至（４）を満たす貫通孔Ｈ４において、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分（接合部Ｐ１０）は、基板１２の中央と第１面１２１との間に存在することが好ましい。より好ましくは、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが交差する部分は、第１面１２１から基板１２の厚さの１／３より深く、基板１２の中央より浅い位置に存在し、且つ、最小径Ｒ０２は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１の２／３以上９／１０以下の大きさであることが望ましい。この様な貫通孔Ｈ４にスルーホール導体１４３が形成されると、基板１２の反りに対し、スルーホール導体１４３や基板１２にクラックが入り難くなるからである。また、スルーホール導体１４３と基板１２との間で剥がれが発生し難くなる。
【０１２１】
また、条件（１）乃至（４）を満たす貫通孔Ｈ４を形成するために、第１のブラインドホールＨ１を形成する際には、レーザの照射範囲の重心から周辺に向かって指数関数的にエネルギーが弱くなっていくレーザを使用し、第２のブラインドホールＨ２を形成する際には、レーザの範囲の重心から周辺に向かって直線的にエネルギーが弱くなっていくレーザを使用することが望ましい。
【０１２２】
以上説明したように、条件（１）乃至（４）を満たした貫通孔Ｈ４を形成することにより、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２がずれたとしても、貫通孔Ｈ４の内部に突出する樹脂部分が形成され難い。そのため、この貫通孔Ｈ４内にめっきを充填しやすい。この貫通孔Ｈ４に金属を充填することでスルーホール導体１４３を形成しても、クラックが起こり難い。
【０１２３】
また、この貫通孔Ｈ４に金属を充填する際に、最小径の部分から第１面１２１と第２面１２２とに向けてめっきが均等に析出するため、第１面１２１又は、第２面１２２に必要以上の銅を析出しなくても、導体回路１４４、１４５を形成できる。したがって、基板１２の第１面１２１と第２面１２２とに形成される導体回路１４４、１４５の厚みを薄くできる。
【０１２４】
さらに、第１の開口Ｈ１２と第１のブラインドホールＨ１の内壁と接続面Ｈ５とで囲まれる第１のブラインドホールＨ１の容積と、第２の開口Ｈ２２と第２のブラインドホールＨ２の内壁と接続面Ｈ５とで囲まれる第２のブラインドホールＨ２容積とをほぼ等しくすることができるので、基板１２の表裏に析出される電解銅めっき膜１４２の厚みを同じ厚さに形成しやすい。
【０１２５】
（実施形態５）
実施形態１では、第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザの重心線Ｍａと第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザの重心線Ｍｂとが一致するように両ブラインドホールを形成することによって、貫通孔Ｈ４が形成されている。それに対して、実施形態５では、重心線Ｍａと重心線Ｍｂとが所定の距離だけ離れている（オフセットした）ブラインドホールを形成する。本実施形態では、図６Ａに示すように第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１と第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とが重ならない貫通孔Ｈ４を形成する方法について説明する。なお、本実施形態では、基板１２（絶縁基板）を出発材料とする。
【０１２６】
まず、基板１２に基準穴Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を形成し、アライメントマークとする。
【０１２７】
続いて、基板１２の第１面１２１に、実施形態１と同様に、アライメントマークに関連させてＸＹ座標を定める。
【０１２８】
次に、基板１２の第１面１２１に第１のブラインドホールＨ１を形成するために、レーザを照射する座標を定める。例えば、照射範囲の重心線Ｍａの座標を（Ｘ１、Ｙ１）＝（１００、１００）とする。
【０１２９】
実施形態１と同様に第１のブラインドホールＨ１を形成し、基板１２を裏返す。
【０１３０】
次に、アライメントマークに関連させて、基板１２の第２面１２２にＸＹ座標を定める。なお、第２面１２２のＸＹ軸は、第１面１２１のＸＹ軸を第２面１２２に等倍で投影されている軸である。
【０１３１】
次に、基板１２の第２面１２２に第２のブラインドホールＨ２を形成するために、レーザを照射する座標を定める。例えば、照射範囲の重心線Ｍｂの座標を（Ｘ２、Ｙ２）＝（１００、１０５）とする。この場合、第２の開口Ｈ２２の重心の座標は第１の開口Ｈ１２の重心の座標からＹ軸方向に５μｍ離れている。
【０１３２】
その後は、実施形態１と同様に第２のブラインドホールＨ２を形成することによって、貫通孔Ｈ４を形成する。
【０１３３】
このように、第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザを照射する位置（座標）と第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザを照射する位置（座標）とを変えることによって、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１と第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とが重ならない貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【０１３４】
以上説明したように、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１と第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とがずれている貫通孔Ｈ４を形成することによって、第１面１２１に形成される導体回路１４４と第２面１２２に形成される導体回路１４５との配線の関係上同一の座標に貫通孔Ｈ４を形成できない場合や、配線領域が広く、同一の座標に貫通孔Ｈ４を形成できない場合であっても、貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【０１３５】
また、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２をオフセットすることで、接続面Ｈ５は基板１２の第１面１２１や第２面１２２と平行になり難くなる。つまり、接続面Ｈ５は、基板１２の第１面１２１や第２面１２２に対し角度を有している。接続面Ｈ５が基板１２の第１面１２１と第２面１２２に対して斜めになることで、スルーホール導体１４３の基板１２の反りに対する接続信頼性が向上する。
【０１３６】
（実施形態６）
実施形態２では、第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍａと第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが一致している。さらに、条件（１）乃至（３）を満たすようにブラインドホールを形成することによって、貫通孔Ｈ４が形成されている。
【０１３７】
これに対して、実施形態６では、実施形態５と同様に、レーザの照射範囲の重心線Ｍａとレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが所定の距離だけ離れている。そのため、本実施形態の貫通孔Ｈ４は、図６Ｃに示すように、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１との第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とがオフセットしている。
【０１３８】
上述したように、本実施形態では、第１のブラインドホールＨ１の形成位置と第２のブラインドホールＨ２の形成位置とがずれても貫通孔Ｈ４を形成しやすい。
【０１３９】
（実施形態７）
実施形態３では、第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍａと第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが一致している。さらに、第１のブラインドホールＨ１は、第１面１２１から極値点までの内径の変化は小さく、極値点から底（頂点）までの内径の変化が大きく形成されている。
【０１４０】
それに対して、実施形態７では、実施形態５と同様に、レーザの照射範囲の重心線Ｍａとレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが所定の距離だけ離れている。そのため、本実施形態の貫通孔Ｈ４は、図７Ｆに示すように、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１との第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とがオフセットしている。
【０１４１】
上述したように、本実施形態では、第１のブラインドホールＨ１の形成位置と第２のブラインドホールＨ２の形成位置とがずれても貫通孔Ｈ４を形成しやすい。
【０１４２】
（実施形態８）
実施形態４では、第１のブラインドホールＨ１を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍａと第２のブラインドホールＨ２を形成するためのレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが一致している。さらに、条件（１）乃至（４）を満たすようにブラインドホールを形成することによって、貫通孔Ｈ４が形成されている。
【０１４３】
それに対して、実施形態８では、実施形態５と同様に、レーザの照射範囲の重心線Ｍａとレーザの照射範囲の重心線Ｍｂとが所定の距離だけ離れている。そのため、本実施形態の貫通孔Ｈ４は、図１０Ｆに示すように、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１との第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とがオフセットしている。
【０１４４】
基板１２に形成される導体回路１４４と導体回路１４５との間を接続するスルーホール導体１４３の信頼性を向上させるために、オフセットする量（重心線Ｌ１と重心線Ｌ２との間の距離）は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１の５０％以下が好ましい。
【０１４５】
図１１Ａに示すように、貫通孔Ｈ４が理想的に形成され、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致する場合、連結部Ｈ３の開口径（最小径：Ｈ３’）が大きくなる。一方、理想的な貫通孔Ｈ４が形成できず、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致しない場合、図１１Ｂに示すように、連結部Ｈ３の開口径（最小径：Ｈ３’’）は、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致する場合よりも小さくなる。
【０１４６】
しかしながら、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２との不一致が大きくても、本実施形態では、第１のブラインドホールＨ１に入り込む第２のブラインドホールＨ２の部分が大きい。従って、連結部Ｈ３の開口径は、連絡に十分な大きさが得られる。そのため、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２を形成する位置がずれても、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とを連結することができ、所期した性能の貫通孔Ｈ４が形成される。
【０１４７】
本実施形態によれば、重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致しない貫通孔Ｈ４は重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とが一致している貫通孔Ｈ４と同様に、貫通孔Ｈ４の最小径を大きくすることができる。そのため、スルーホール導体１４３の抵抗を小さくすることができる。また、貫通孔Ｈ４毎に重心線Ｌ１と重心線Ｌ２とのオフセット量が異なっても、形成される各スルーホール導体１４３の抵抗値が代わることを防止しやすい。
【０１４８】
オフセットする量（重心線Ｌ１と重心線Ｌ２との間の距離）は、第１の開口Ｈ１２の径Ｒ１の５％以上３０％以下であることが望ましい。図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２とが接続する接続面Ｈ５は、基板１２の第１面１２１及び第２面１２２に対して斜めであって、接続面Ｈ５と第１面１２１及び第２面１２２との間の角度θが小さくなりやすい。なお、図１２Ａは図１２ＢのＸＺ断面である。角度θは、ＸＺ断面図における接続面Ｈ５が第１面１２１に対して有する角度である。
【０１４９】
スルーホール導体１４３の接続面Ｈ５が基板１２の面（第１面１２１及び第２面１２２）に対して斜めになると、プリント配線板１００に反りが発生した場合でも、スルーホール導体１４３の接合部Ｐ１０（第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２が接続する部分）に加わる力が分散しやすい。そのため、スルーホール導体１４３やプリント配線板１００にクラックが発生し難く、スルーホール導体１４３と基板１２との間が剥がれることを防止する効果がある。
【０１５０】
さらに、角度θが小さいと、仮に基板１２がＺ軸方向に膨張したとしても、スルーホール導体１４３の接続信頼性が高いまま維持しやすい。そのため、角度θは５度以上４０度以下であることが好ましい。さらに、角度θが１０度以上３０度以下であると、長期信頼性が向上する。
【０１５１】
以上説明したように、条件（１）乃至（４）を満たすように貫通孔Ｈ４を形成することで、位置合わせの精度が低くても、正常な貫通孔Ｈ４を形成することができる。
【０１５２】
また、第１の開口Ｈ１２の重心線Ｌ１と第２の開口Ｈ２２の重心線Ｌ２とがオフセットし（一致していない）、接続面Ｈ５が斜めになるように貫通孔Ｈ４を形成することによって、クラックが発生し難く、スルーホール導体１４３とプリント配線板１００との間が剥がれにくくすることができる。つまり、プリント配線板１００に反りが発生しやすい場合でも、スルーホール導体１４３の信頼性を高くすることができる。
【０１５３】
（応用例）
上述のプリント配線板１００を多層配線板のコア基板２０として、コア基板２０に絶縁層をさらに積層して、ビルドアッププリント配線板２００（図１３Ｄ、図１４Ｂ）を形成する。
【０１５４】
応用例では、コア基板２０の両面にビルドアップ層を形成することについて説明する。このビルドアップ層は、層間樹脂絶縁層２１、２２と、導体回路１４８、１４９と、ビア導体Ｈ６とを有している。
【０１５５】
まず、コア基板２０の構成及びその製造方法は、基本的に図１３Ａに示すように、上述したプリント配線板１００の構成及びその製造方法と同一である。但し、ビルドアッププリント基板の芯として、ビルドアップ層と部品とを支持する強度、上層部を形成する際に必要な耐熱性、熱膨張性、寸法安定性、反りねじれ等の上部層形成工程の条件に有ったものを用意する。
【０１５６】
次に、コア基板２０の両方の面上に絶縁フィルム（例えば、味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦシリーズ）を積層し、その絶縁フィルムを熱硬化して、層間樹脂絶縁層を形成する。
【０１５７】
次に、層間樹脂絶縁層の両方の面にレーザを照射して、層間樹脂絶縁層の表面からコア基板２０上の導体回路１４４、１４５又はスルーホール導体１４３まで達するビア導体Ｈ６用のブラインドホールを形成する。
【０１５８】
次に、ブラインドホールの内壁と層間樹脂絶縁層との上に、無電解銅めっき膜１４１を形成する。
【０１５９】
続いて、無電解銅めっき膜１４１上にめっきレジストを形成して、めっき処理しない部分を保護する。
【０１６０】
次に、めっきレジストに覆われていない露出部分の無電解銅めっき膜１４１上に、電解銅めっき膜１４２を形成する。
【０１６１】
次に、めっきレジストを除去する。
さらに、層間樹脂絶縁層上の電解銅めっき膜１４２の間に存在する無電解銅めっき膜１４１を除去することによって、図１３Ｂ及び図１４Ａに示すように、無電解銅めっき膜１４１とこの膜上の電解銅めっき膜１４２とからなる導体回路１４８、１４９とビア導体Ｈ６とを形成する。このビア導体Ｈ６は、層間樹脂絶縁層に形成されているブラインドホールの内部を充填しているめっきからなるスルーホール導体であることが好ましい。
【０１６２】
ビア導体Ｈ６によって、コア基板２０の導体回路１４４、１４５又はスルーホール導体１４３と、層間樹脂絶縁層上の導体回路１４８、１４９とが導通される。
【０１６３】
次に、層間樹脂絶縁層２１、２２の形成工程からパターニング工程までの各工程を積層する層の数だけ繰り返し、多層基板を形成する。
【０１６４】
続いて、図１３Ｃに示すように、多層基板の両表面に導体回路１４８、１４９の一部やビア導体Ｈ６を露出するためのブラインドホール３６、３７を有するソルダーレジスト層３１、３２を形成する。ソルダーレジスト層３１、３２に形成されているブラインドホール３６、３７は、ビア導体Ｈ６の上面を一部露出しても、ビア導体Ｈ６の全上面に加えてビア導体Ｈ６に導通している導体回路１４８、１４９の一部を露出してもよい。
【０１６５】
次に、ソルダーレジスト層３１、３２のブラインドホール３６、３７により露出している導体回路１４８、１４９やビア導体Ｈ６上に、ニッケル、パラジウム、金等の金属膜を形成することで、はんだパットが形成される。
【０１６６】
次に、はんだパッド上に、はんだペーストを印刷する。
【０１６７】
続いて、リフローすることで、はんだパッド上にはんだバンプ３８、３９が形成される。図１３Ｄに示すように、はんだバンプ３８、３９を有するビルドアッププリント配線板２００は、はんだバンプ３８、３９を介して、ＩＣチップ等の電子部品あるいはドーターボード等と導通する。
【０１６８】
ビルドアッププリント配線板２００は、図１３Ｄ及び図１４Ｂに示すように、第１面側に形成されている第１のブラインドホールＨ１と、第１面と対向する第２面側に形成されている第２のブラインドホールＨ２とからなり、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２が基板の内部で連結している貫通孔Ｈ４を有する絶縁性のコア基板２０と；コア基板２０の第１面に形成されている導体回路１４４と；コア基板２０の第２面に形成されている導体回路１４５と；貫通孔Ｈ４を充填している金属からなり、導体回路１４４と導体回路１４５とを導通するスルーホール導体１４３と；コア基板２０の第１面上に形成されている層間樹脂絶縁層２１（第１の層間樹脂絶縁層）と；コア基板２０の第２面上に形成されている層間樹脂絶縁層２２（第２の層間樹脂絶縁層）と；層間樹脂絶縁層２１の表面に形成されている導体回路１４８（第１の導体回路）と；層間樹脂絶縁層２２の表面に形成されている導体回路１４９（第２の導体回路）と；コア基板２０の導体回路１４４、１４５と層間樹脂絶縁層上の導体回路１４８、１４９とを導通するビア導体Ｈ６と；層間樹脂絶縁層２１上に形成され、はんだパッドを露出するブラインドホール３６を有するソルダーレジスト層３１と；層間樹脂絶縁層２２上に形成され、はんだパッドを露出するブラインドホール３７を有するソルダーレジスト層３２と；はんだパッド上に形成されているはんだバンプ３８、３９と；を有している。
【０１６９】
その他、前記の配線板の構成や製造工程は一例であり、任意に変更及び修正が可能である。
【０１７０】
（ａ）上記実施形態では、基板１２に銅の金属層が形成された銅張積層板１０について説明したが、銅に限らずニッケル等の他の金属層が形成された金属付き基板を用いてもよい。
【０１７１】
（ｂ）上記実施形態では、貫通孔Ｈ４を充電する導体として、銅を例示したが、銅以外の金属等の導体を充電することも可能である。例えば、無電解銅めっき処理の代わりに、無電解ニッケルめっき処理をして無電解ニッケル膜を形成してもよい。又、電解銅めっき処理の代わりに、電解ニッケル処理をして電解ニッケル膜を形成したり、電解はんだめっき処理をして電解はんだめっき膜を形成してもよい。
【０１７２】
（ｃ）上記実施形態では、無電解めっき処理により、無電解銅めっき膜を形成し、電解めっき処理によって電解銅めっき膜１４２を形成したが、金属を堆積させるために、スパッタリングをしてもよい。例えば、銅をスパッタリングして、銅からなるスパッタ膜をシード層とする。さらに、銅又は、銅とチタンとをスパッタリングして、シード層の上に銅又は、銅とチタンとのスパッタ膜を形成してもよい。
【０１７３】
（ｄ）各実施形態において、第１のブラインドホールＨ１と第２のブラインドホールＨ２との形成順序を逆にしてもよい。つまり、各実施形態において、まず、基板１２に第２のブラインドホールＨ２を形成し、続いて第１のブラインドホールＨ１を形成してもよい。貫通孔Ｈ４を形成した後は、実施形態１と応用例と同様の処理を行うことができる。
【０１７４】
（ｅ）各実施形態において、第１のブラインドホールＨ１の第１の開口Ｈ１２と第２のブラインドホールＨ２の第２の開口Ｈ２２を円形とする例を示したが、第１の開口Ｈ１２と第２の開口Ｈ２２の形状は任意である。例えば、図１５Ａに示すように、第１の開口Ｈ１２、第２の開口Ｈ２２は、楕円形でもよい。この場合、例えば、楕円の長径を第１の開口Ｈ１２、第２の開口Ｈ２２の径Ｒ１，Ｒ２とする。また、図１５Ｂに示すように、第１の開口Ｈ１２、第２の開口Ｈ２２は、多角形でもよい。この場合、例えば、多角形の対角（又はある角と対向する片）を結ぶ線を第１の開口Ｈ１２、第２の開口Ｈ２２の径Ｒ１，Ｒ２とする。
【０１７５】
（ｆ）各実施形態において、プリント配線板の出発材料を、銅張積層板１０としたが、基板１２とすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１７６】
本発明に係るプリント配線板は、電子機器の回路基板に適している。また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、電子機器の回路基板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１７７】
１０  銅張積層板
１１  銅箔層
１２  基板
１３  銅箔層
２０  コア基板
２１  層間樹脂絶縁層（第１の層間樹脂絶縁層）
２２  層間樹脂絶縁層（第２の層間樹脂絶縁層）
３１、３２  ソルダーレジスト層
３６、３７  ブラインドホール
３８、３９  バンプ
５０  レーザ照射装置
１００  プリント配線板
１４１  無電解銅めっき膜
１４２  電解銅めっき膜
１４３  スルーホール導体
１４４  導体回路（第１の導体回路）
１４５  導体回路（第２の導体回路）
１４８  導体回路（第１の導体回路）
１４９  導体回路（第２の導体回路）
２００  ビルドアッププリント配線板
Ｂ１〜Ｂ４  基準穴（貫通孔）
Ｈ１  第１のブラインドホール（第１の開口部）
Ｈ２  第２のブラインドホール（第２の開口部）
Ｈ３  連結部
Ｈ４  貫通孔
Ｈ５  接続面
Ｈ６  ビア導体
Ｈ１２  第１の開口
Ｈ２２  第２の開口
Ｐ１０  接合部
【図１Ａ】
2010287878.tif 000003
【図１Ｂ】
2010287878.tif 000004
【図１Ｃ】
2010287878.tif 000005
【図１Ｄ】
2010287878.tif 000006
【図１Ｅ】
2010287878.tif 000007
【図１Ｆ】
2010287878.tif 000008
【図２Ａ】
2010287878.tif 000009
【図２Ｂ】
2010287878.tif 000010
【図２Ｃ】
2010287878.tif 000011
【図３Ａ】
2010287878.tif 000012
【図３Ｂ】
2010287878.tif 000013
【図３Ｃ】
2010287878.tif 000014
【図４Ａ】
2010287878.tif 000015
【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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