(57)【要約】【課題】基板処理装置のスループットを向上させるために装置内の処理ユニット搭載数を増やした場合においても、装置全体のフットプリントを増大させない。【解決手段】基板に所定の処理を施す液処理ユニットと熱処理ユニット４１に対して、搬送手段によって前記基板を搬送する塗布現像処理システム１において、前記液処理ユニットに対しては、搬送手段により前記基板が水平状態で搬入、搬出され、熱処理ユニット４１に対しては、搬送手段により基板が搬入出口４０から垂直状態で搬入、搬出される。熱処理ユニット４１の幅ｄを高さｈよりも小さくして縦型ユニットとして縦置きすることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備え、搬送手段によって前記基板を各々の処理ユニットに搬送する基板処理装置において、
前記複数の処理ユニットは、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理ユニットと基板に加熱又は冷却処理を行う熱処理ユニットとを含み、
前記液処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が水平状態で搬入、搬出され、
前記熱処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記熱処理ユニットは、当該熱処理ユニット内に搬入された基板を垂直状態で加熱処理又は冷却処理することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記熱処理ユニットは、前記垂直状態で搬送された基板を受け取り、かつ当該基板に対して加熱処理又は冷却処理を行うユニット本体内の所定の位置に基板を移動する、基板支持手段を備えたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板支持手段は、基板側に進退して基板の裏面側に接触可能な複数の支持ピンを有し、
これら複数の支持ピンにおける基板との接触部分には、吸着手段が備えられたことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板支持手段は、前記基板の裏面側を収容するトレイを有し、
前記トレイはユニット本体に対して出入り可能であり、
前記ユニット本体から出た状態の前記トレイに対して前記搬送手段から前記基板が受け渡されることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記トレイは、受け取った基板を掛止可能な掛止手段を備えたことを特徴とする、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板支持手段は、前記基板の外周部を把持する把持手段を備えたことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記液処理ユニットは、基板に塗布液を塗布して基板に塗布膜を形成する塗布処理ユニットまたは前記塗布膜が形成された基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットであり、
前記複数の処理ユニットには、前記塗布処理ユニットまたは前記現像処理ユニットで処理される前または後の基板に対して、所定の検査または測定を行う他のユニットを含み、
前記他のユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理装置内で、搬送手段によって各々の処理ユニットに搬送された前記基板に所定の処理を施す基板処理方法において、
前記複数の処理ユニットには、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理ユニットと基板に加熱又は冷却処理を行う熱処理ユニットとを含み、
前記液処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が水平状態で搬入、搬出され、前記液処理ユニットでは水平状態の前記基板に対して液処理が行われ、
前記熱処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出され、前記熱処理ユニットでは垂直状態の前記基板に対して加熱又は冷却処理が行われることを特徴とする、基板処理方法。
【請求項１０】
前記液処理ユニットは、基板に塗布液を塗布して基板に塗布膜を形成する塗布処理ユニットまたは前記塗布膜が形成された基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットであり、
前記複数の処理ユニットには、前記塗布処理ユニットまたは前記現像処理ユニットで処理される前または後の基板に対して、所定の検査または測定を行う他のユニットを含み、
前記他のユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出され、前記他のユニット内では垂直状態の前記基板に対して検査または測定が行われることを特徴とする、請求項９に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板を加熱または冷却処理する熱処理ユニットとを含んだ基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造やＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、基板上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われ、例えば特許文献１に示す構成が知られている。この装置では、例えば図１２に示すように多数枚のウエハＷを収納したキャリア２００がキャリアブロックＰＳ１のキャリアステージ２１０に搬入され、キャリア２００内のウエハＷはトランスファーアームＰＣにより処理ブロックＰＳ２に搬入される。そして処理ブロックＰＳ２内の塗布ユニット３２０に搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロックＰＳ３を介して露光装置Ｓ４に搬送される。露光処理後のウエハは、再び処理ブロックＰＳ２に戻されて現像ユニット（図示せず）にて現像処理が行われ、元のキャリア２００内に戻されるようになっている。同図中冷却ユニット（ＣＯＬ３１０）や加熱ユニット（ＣＨＰ３１０、３２０）は、塗布ユニット３２０や現像ユニットの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行うためのユニットであり、多段に積層されている。
【０００４】
ここでウエハＷは処理ブロックＰＳ２に設けられたメインアームＰＡ１により、塗布ユニット３２０、現像処理ユニット（図示せず）、冷却ユニット（ＣＯＬ３１０）、加熱ユニット（ＣＨＰ３１０、３２０）等の処理ブロックＰＳ２内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。
【０００５】
ところで近年露光装置のスループットが大きくなってきており、これに合わせて塗布、現像装置においても露光装置のスループットに合わせた処理能力が求められている。塗布、現像装置のスループットを高めるためには、メインアームＰＡ１のウエハ搬送スピードを向上させる、メインアームＰＡ１と各モジュール間でのウエハの搬入出のスピードを向上させるということも検討されているが、メインアームＰＡ１の駆動機構の性能に拠るところが大きく、自ずと限界がある。
【０００６】
また処理ブロックＰＳ２内の各モジュールでの処理スピードを向上させるとしても、レジスト、現像液のような処理液本来の性能により処理時間が決まってしまうため、処理液自体の性能向上を待つ他はない。
【０００７】
そこで塗布、現像装置のスループットを高めるためには、処理ブロック内に配置するユニットの数を多くするということが考えられるが、これは同時に処理ブロックが大型化し、塗布、現像装置のクリーンルーム内における占有面積（フットプリント）が大きくなってしまうという問題がある。
【０００８】
さらに近年においては、特許文献２に記載されているように塗布、現像装置内に基板の検査装置を設けた、いわゆるインラインシステムが採用される例が増えている。レジストパターンが形成された基板に対しては、所定の検査、例えばレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、及び現像欠陥等の検査が行われ、合格と判定された基板のみが次工程に送られる。
【０００９】
特許文献２のインラインシステムにおいては、図１３に示すように基板検査ユニット４３０をインラインで搭載しているため、図１２と比較して、熱処理ユニットの数が減少している。これでは、１つの熱処理ユニットに搬送されるウエハＷの数が増え、結果として塗布、現像装置のスループットを低下させてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２５３５０１号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置のスループットを向上させるために装置内の処理ユニット搭載数を増やした場合においても、装置全体のフットプリントが増大しない技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の基板処理装置は、基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備え、搬送手段によって前記基板を各々の処理ユニットに搬送する基板処理装置において、前記複数の処理ユニットは、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理ユニットと基板に加熱又は冷却処理を行う熱処理ユニットとを含み、前記液処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が水平状態で搬入、搬出され、前記熱処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出されることを特徴とする。
【００１３】
上記基板処理装置において、前記熱処理ユニットは、当該熱処理ユニット内に搬入された基板を垂直状態で加熱処理又は冷却処理するものであってもよい。
【００１４】
これらの基板処理装置において前記熱処理ユニットは、前記垂直状態で搬送された基板を受け取り、かつ当該基板に対して加熱処理又は冷却処理を行うユニット本体内の所定の位置に基板を移動する、基板支持手段を備えていてもよい。
【００１５】
前記基板支持手段は、基板側に進退して基板の裏面側に接触可能な複数の支持ピンを有し、これら複数の支持ピンにおける基板との接触部分には、吸着手段が備えられていてもよい。
【００１６】
また、前記基板支持手段は、前記基板の裏面側を収容するトレイを有し、前記トレイはユニット本体に対して出入り可能であり、前記ユニット本体から出た状態の前記トレイに対して前記搬送手段から前記基板が受け渡されてもよい。
【００１７】
また、前記トレイは、受け取った基板を掛止可能な掛止手段を備えていてもよい。
【００１８】
前記基板支持手段は、前記基板の外周部を把持する把持手段を備えていてもよい。
【００１９】
前記液処理ユニットは、基板に塗布液を塗布して基板に塗布膜を形成する塗布処理ユニットまたは前記塗布膜が形成された基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットであり、前記複数の処理ユニットには、前記塗布処理ユニットまたは前記現像処理ユニットで処理される前または後の基板に対して、所定の検査または測定を行う他のユニットを含み、前記他のユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出される構成であってもよい。
【００２０】
また、本発明の基板処理方法は、基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理装置内で、搬送手段によって各々の処理ユニットに搬送された前記基板に所定の処理を施す基板処理方法において、前記複数の処理ユニットには、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理ユニットと基板に加熱又は冷却処理を行う熱処理ユニットとを含み、前記液処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が水平状態で搬入、搬出され、前記液処理ユニットでは水平状態の前記基板に対して液処理が行われ、前記熱処理ユニットに対しては、前記搬送手段により前記基板が垂直状態で搬入、搬出され、前記熱処理ユニットでは垂直状態の前記基板に対して加熱又は冷却処理が行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、熱処理ユニットに対して基板を垂直状態で搬入出すると共に、熱処理ユニット内において基板を垂直状態で処理するため、熱処理ユニットの床面に対する占有面積を小さくすることができ、基板処理装置のスループットを向上させるために装置内の熱処理ユニット搭載数を増やした場合においても、基板処理装置全体のフットプリントを増大させずに済む。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布現像処理システムの水平断面を示す説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムにおけるメインアームの搬送領域から液処理ブロック側をみた説明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムにおけるメインアームの搬送領域から非液処理ブロック側をみた説明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおけるメインアームの一例を示す説明図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおけるメインアームがウエハを搬送する場合のアーム体の向きを示す説明図である。
【図６】非液処理ブロックの縦置き、横置きを比較するための説明図である。
【図７】非液処理ブロックに設けられた加熱ユニットの説明図である。
【図８】加熱ユニットの別の実施形態を示す説明図である。
【図９】非液処理ブロックに設けられた加熱冷却ユニットの説明図である。
【図１０】加熱ユニットの別の実施形態を示す説明図である。
【図１１】加熱ユニットに設けられた基板外周部把持手段の説明図である。
【図１２】従来のレジストパターン形成装置の形態を示す平面説明図である。
【図１３】従来のレジストパターン形成装置の形態を示す平面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理装置の例として、基板である半導体ウエハに対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布現像処理システム１の概略を示す水平断面を示した平面図であり、図２は、塗布現像処理システム１におけるメインアームの搬送領域から液処理ブロック側をみた説明図であり，図３は，同じくメインアームの搬送領域から非液処理ブロック側をみた説明図である。
【００２４】
塗布現像処理システム１は、基板例えば１３枚のウエハＷが密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば８個の非液処理ブロックであるところの、熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、検査測定ブロックＧ６、及び２個の受け渡しブロックＧ７、Ｇ８及び１個の液処理ブロックＧ９、を含む処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３とを有し、インターフェイスブロックＳ３は露光装置Ｓ４と接続される。
【００２５】
キャリアブロックＳ１には、キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方（処理ブロックＳ２側）の壁面に、各キャリア２０ごとに対応して設けられている開閉部２２と、各々の開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣ１とが設けられている。このトランスファーアームＣ１は、後述する第１の液処理ユニットＨ１、第２の液処理ユニットＨ２に対応する受け渡しステージＴＲＳ１と、第３の液処理ユニットＨ３に対応する受け渡しステージＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように進退自在、昇降自在、鉛直回りに回転自在、かつキャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２６】
キャリアブロックＳ１の奥側（インターフェイスブロックＳ３側）には筐体２４により周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は主に、レジスト液や現像液等の処理液を用いてウエハＷに所定の処理を行う第１の液処理ユニットＨ１〜第４の液処理ユニットＨ４とで構成された液処理ブロックＧ９、ウエハＷに対する加熱や冷却を行う熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、ウエハＷに形成された塗布膜等の測定や検査等を行う検査測定ブロックＧ６などウエハＷに対して処理液等の液体を直接供給することなく所定の処理、測定、検査を行う非液処理ブロックと、主にウエハＷの受け渡しを行う、同じく非液処理ブロックである受け渡しブロックＧ７、Ｇ８とで構成されている。液処理ブロックＧ９は、この例では下方側から順に、現像処理を行うための第１の液処理ユニットＨ１、同じく現像処理を行うための第２の液処理ユニットＨ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の液処理ユニットＨ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の液処理ユニットＨ４が積み重ねられて構成されている。これら第１の液処理ユニットＨ１〜第４の液処理ユニットＨ４はキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ向かって伸びた形態を有している。
【００２７】
続いて第１の液処理ユニットＨ１〜第４の液処理ユニットＨ４の構成について説明するが、本実施形態においてこれら第１の液処理ユニットＨ１〜第４の液処理ユニットＨ４には共通部分が多く含まれており、略同様のレイアウトで構成されている。そこで第２の液処理ユニットＨ２を例として図１、図２を参照しながら説明する。第２の液処理ユニットＨ２は露光後のウエハに現像処理を行うための液処理ユニットとして構成されており、筐体３０を備え、筐体３０内には複数個、例えば３個の現像部３３が配置されている。現像部３３はウエハＷを保持して回転させるウエハ保持部３３ａと、このウエハ保持部３３ａを囲むカップ３４などを備えており、図示しない処理液ノズルから現像液がウエハの表面に供給され、現像液の液膜がウエハ上に形成されて現像処理が行われる。その後図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハ表面の現像液が洗い流され、続いてウエハが回転されて乾燥されることにより現像処理が終了する。なお図中３０ａはウエハＷの搬送口である。また、第１の液処理ユニットＨ１については、第２の液処理ユニットＨ２と略同様の構成である。
【００２８】
第３の液処理ユニットＨ３及び第４の液処理ユニットＨ４について簡単に説明する。第３の液処理ユニットＨ３及び第４の液処理ユニットＨ４も第２の液処理ユニットＨ２と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットの処理液として現像液の代わりに反射防止膜形成用の処理液、あるいはレジスト膜形成用の処理液（レジスト液）が用いられる点、処理液の塗布の手法が異なる点等が挙げられる。
【００２９】
一方、非液処理ブロックについて説明すると、図１、図３に示すように、この例では、ウエハに対して所定の温度で加熱処理又は冷却処理を行う熱処理ユニット４１で構成された熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、ウエハに形成された塗布膜等に対して所定の検査、測定を行う検査測定ユニット４２で構成された検査測定ブロックＧ６がキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けて順に並べて配置されている。また、受け渡しブロックＧ７は、ウエハをキャリアブロックＳ１と処理ブロック２との間もしくは、後述する複数のメインアーム間で受け渡すための受け渡しステージで構成され、同様に受け渡しブロックＧ８はウエハＷを複数のメインアーム間もしくは、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間で受け渡すための受け渡しステージで構成されている。
【００３０】
熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５を構成する熱処理ユニット４１としては、図３に示したように、例えば露光後のウエハを加熱処理したり、現像処理後のウエハを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニットＨＰや、加熱処理の後にウエハを所定温度に調整するための冷却ユニットＣＯＬ、ウエハに対して疎水化処理を行う疎水化処理ユニットＡＤ等が採用される。また、ウエハの加熱処理と冷却処理とを連続して実行可能なように加熱処理ユニットと冷却処理ユニットとを隣接して配置し一体的なユニットとした加熱冷却ユニットＣＨＰであってもよい。なお、この実施形態では例えば１つのブロック、例えば図３に示したように、熱処理ブロックＧ１に各熱処理ユニット４１が８段に積層されている。また、各熱処理ユニット４１は略直方体形状の筐体でその外形が形成されており、各筐体におけるウエハが搬入出される搬入出口４０を有する面４１ａについていうと、面４１ａの幅ｄと、高さｈとを比較すると、高さｈ＞幅ｄとなる長方形である。すなわち、熱処理ユニット４１は高さ方向に長いいわゆる縦型のユニットであり、この縦型の熱処理ユニット４１が積層配置されて、各熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５が構成されている。
【００３１】
検査測定ブロックＧ６を構成する検査測定ユニット４２としては、例えば塗布処理、現像処理の不具合及び欠陥を検出するための欠陥検査ユニットＡＤＩ、基板表面の異物を検査する異物検査ユニット、基板上に形成されたレジスト膜のパターンの線幅（ＣＤ）を測定するための線幅測定ユニットＯＣＤ、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査ユニット、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するための残渣検査ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査ユニット、レジストの膜厚を測定するための膜厚測定ユニット、基板の反りのデータを取得する基板反り検査ユニットが採用される。
【００３２】
またその他に検査測定ブロックＧ６には、検査測定ユニット４２の代わりにウエハの周縁部を露光する周縁露光ユニットＷＥＥを配置しても良い。さらに、ウエハにレーザーによる処理を施して所定の識別コードを作成する基板識別タイトル露光ユニットやウエハＷのアライメントマークを被覆しているレジストをレーザーによる処理を行うことで昇華させて当該マークを露出させるレーザーアブレーションユニットを配置しても良い。なお、この実施形態では例えば１つのブロックに例えば図３に示したように、各検査測定ユニット４２が４段に積層されている。また、各各検査測定ユニット４２の略直方体の筐体は、上記熱処理ユニット４１と同様に、ウエハが搬入出される搬入出口４０を有する面４２ａについていえば、面４２ａの幅Ｄと、高さＨとを比較すると、高さＨ＞幅Ｄとなる長方形である。したがって検査測定ユニット４２も熱処理ユニット４１と同様、いわゆる高さ方向に長い縦型のユニットであり、この縦型の検査測定ユニット４２が積層配置されて、検査測定ブロックＧ６が構成されている。
【００３３】
図１、図２中Ａ１〜Ａ３は、ウエハの搬送手段であるメインアームである。本実施形態においてこれらのメインアームＡ１〜Ａ３は同一の構成であるので、メインアームＡ１を例として説明する。このメインアームＡ１は、現像処理を行なう第１の液処理ユニットＨ１、第２の液処理ユニットＨ２、熱処理ユニット４１、検査測定ユニット４２、後述する受け渡しステージで構成された受け渡しブロックＧ７、Ｇ８の間でウエハの搬送及び受け渡しを行うように構成されている。
【００３４】
メインアームＡ１の構成並びに各駆動軸の動きについて図４（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。メインアームＡ１は例えばウエハＷの裏面側を保持するための２枚のアーム体５１、５２及びこれらアーム体５１、５２を支持する搬送基体５３を備えており、アーム体５１、５２は搬送基体５３上を各々独立して進退移動自在に構成されている。アーム体５１、５２は複数の吸引口５４を備えており、図示しない吸引手段の制御により、メインアームＡ１でウエハＷを搬送する際にウエハＷの吸着保持が可能である。搬送基体５３は回転駆動軸５５の一端側に接続されており、図示しない駆動機構により回転駆動軸５５の軸周り、すなわち図中のθ１方向に回転自在に構成されている。一方、回転駆動軸５５を支持する基部５５ａの端部側は昇降板部材５６に接続されており、図示しない他の駆動機構により、回転駆動軸５５自体が昇降板部材に５６に対して図中のθ２方向に回転自在である。また、昇降板部材５６は、図示しない昇降機構により、アーム支持枠体５７に沿って図４（ａ）中の往復矢印に示したように昇降自在に構成されている。さらに、アーム支持枠体５７は、図示しない駆動機構により、ガイドレール５８に沿って移動自在に構成されている（図１参照）。
【００３５】
図５（ａ）は、メインアームＡ１がウエハＷを、現像処理を行なう第１の液処理ユニットＨ１、第２の液処理ユニットＨ２に、図５（ｂ）は、同じく熱処理ユニット４１に搬送する際のアーム体５１、５２及び搬送基体５３の向きを示したものである。図５（ａ）のように、第１の液処理ユニットＨ１、第２の液処理ユニットＨ２に対してウエハＷを搬送する際は、ウエハＷは塗布現像処理システム１の設置面に対して水平状態となっている。一方、図５（ｂ）のように、熱処理ユニット４１に対してウエハＷを搬送する際は、ウエハＷは塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態となっている。図１、図２に示すように、第１の液処理ユニットＨ１、第２の液処理ユニットＨ２と熱処理ユニット４１とは、メインアームＡ１を挟んで対向して配置されている。よって、例えば第１の液処理ユニットＨ１で現像処理が行われたウエハＷを熱処理ユニット４１で加熱処理したい場合は、まず搬送基体５３を回転（θ1方向）させて第１の液処理ユニットＨ１側に向いているアーム体５１、５２を、熱処理ユニット４１側に向かせ、次いで、回転駆動軸５５を回転（θ２方向）させることで搬送基体５３及びアーム体５１、５２を、塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態とする。なお、アーム体５１、５２には上記のように複数の吸引口５４が設けられていてウエハＷを吸着保持可能であるので、アーム体５１、５２が設置面に対して垂直状態になったとしてもウエハＷが落下することは無い。
【００３６】
図1、図２、図３に示すように、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側には、メインアームＡ１〜Ａ３とトランスファーアームＣ１とがアクセスできる位置に棚状の受け渡しステージで構成された受け渡しブロックＧ７が設けられると共に、この受け渡しブロックＧ７に対してウエハＷの受け渡しを行うために昇降自在の上下搬送手段である受け渡しアームＤ１が設けられている。
【００３７】
この受け渡しブロックＧ７において、メインアームＡ１がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ１が設けられている。各受け渡しステージＴＲＳ１は例えば方形の筐体を備え、各筐体内にはウエハＷを載置することでウエハの温度を、予定した温度に調節する機構を備えたプレート（図示せず）が設けられており、また各受け渡しステージＴＲＳ１は当該プレート上を突没自在なピン（図示せず）が設けられている。そして例えば各受け渡しステージＴＲＳ１についていうと、例えば筐体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口（図示せず）を介して各アーム体５１、５２が前記筐体内に進入して、前記ピンを介してプレートから浮上した状態のウエハＷの裏面を各アーム体５１、５２が保持することができる。またその逆に前記ピン上にウエハＷを載せ、その後当該ピンがプレート側に下降することで、各アーム体５１、５２により搬送されたウエハＷをプレート上に載置することができる。
【００３８】
同様にメインアームＡ２がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ２が、メインアームＡ３がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ３が設けられている。各受け渡しステージＴＲＳ２、３はすべて上述の受け渡しステージＴＲＳ１のような構造を有している。各受け渡しステージＴＲＳの数は限定されるものではなく、２基以上設けられていてもよい。
【００３９】
上記受け渡しアームＤ１は、受け渡しステージＴＲＳ１〜３に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また上記受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣ１との間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。
【００４０】
図1、図２、図３に示すように、処理ブロックＳ２のインターフェイスブロックＳ３側には、メインアームＡ１〜Ａ３がアクセスできる位置に棚状の受け渡しステージで構成された受け渡しブロックＧ８が設けられると共に、この受け渡しブロックＧ８に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在の上下搬送手段である受け渡しアームＤ２が設けられている。
【００４１】
この受け渡しブロックＧ８において、メインアームＡ１がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ４が設けられており、メインアームＡ２がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ５が設けられており、メインアームＡ３がアクセス可能な高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ６が設けられている。各受け渡しステージＴＲＳ４、ＴＲＳ５、ＴＲＳ６は上述の受け渡しステージＴＲＳ１のような構造を有しており、ウエハの冷却機能を備え、受け渡されたウエハの温調管理ができるように構成されている。また、受け渡しステージＴＲＳ４に対しては後述のインターフェイスアームＩもアクセス可能であり、当該受け渡しステージＴＲＳ４は処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハの受け渡しを行う。
【００４２】
処理ブロックＳ２の奥側（キャリアブロックＳ１の反対側）には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、受け渡しブロックＧ８の受け渡しステージＴＲＳ４と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＩが備えられている。このインターフェイスアームＩは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されており、処理ブロックＳ２で所定の処理が施されたウエハを受け渡しステージＴＲＳ４から受け取り、露光装置Ｓ４へ搬入する一方で、露光装置Ｓ４で露光処理が施されたウエハを露光装置Ｓ４から搬出し、受け渡しステージＴＲＳ４に受け渡すように構成されている。
【００４３】
この塗布現像処理システム１は、図１に示したように、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有する制御部９９を備えている。プログラム格納部には後述するようなこの塗布現像処理システム１の作用、つまりウエハの処理、ウエハの受け渡し、搬送経路のレシピ管理などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるコンピュータプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部９９に読み出されることにより、制御部９９はこの塗布現像処理システム１の動作を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４４】
ここでこの塗布現像処理システム１における作用について説明する。外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣ１によりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣ１→受け渡しブロックＧ７の受け渡しステージＴＲＳ２→液処理ブロックＧ９における第３の液処理ユニットＨ３に対応しているメインアームＡ２→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における冷却ユニットＣＯＬ→メインアームＡ２→下部反射防止膜形成ユニット→メインアームＡ２→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における加熱ユニットＨＰ→メインアームＡ２→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における冷却ユニットＣＯＬ→メインアームＡ２→受け渡しブロックＧ７の受け渡しステージＴＲＳ２の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
【００４５】
続いて受け渡しステージＴＲＳ２のウエハは、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ３→第４の液処理ユニットＨ４に対応しているメインアームＡ３→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における冷却ユニットＣＯＬ→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における疎水化処理ユニットＡＤ→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における冷却ユニットＣＯＬ→メインアームＡ３→レジスト塗布を担っている第３の液処理ユニットＨ３→メインアームＡ３→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５における加熱ユニットＨＰの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、メインアームＡ３により検査測定ブロックＧ６の周縁露光ユニットＷＥＥに搬送されて周縁部が露光される。
【００４６】
周縁が露光されたウエハの全数あるいはそれらウエハの中から選択されたウエハは、引き続き周辺露光ユニットＷＥＥ内に設けられた図示しない膜厚検査装置でレジスト膜の膜厚が測定される。その後、メインアームＡ３により受け渡しブロックＧ８の受け渡しステージＴＲＳ６に搬送される。次いで受け渡しステージＴＲＳ６のウエハは、受け渡しアームＤ２→受け渡しステージＴＲＳ５→メインアームＡ２→塗布処理の不具合及び欠陥を検出するための検査測定ブロックＧ６の欠陥検査ユニットＡＤＩの順序で搬送される。この欠陥検査ユニットＡＤＩではウエハＷの全数あるいはそれらのウエハの中から選択されたものについて検査が行われる。検査の結果に不具合がなかったウエハは、メインアームＡ２により受け渡しステージＴＲＳ５に搬送される。次いで受け渡しステージＴＲＳ５のウエハは、受け渡しアームＤ２→受け渡しステージＴＲＳ４→インターフェイスアームＩ１→露光装置Ｓ４の順に搬送され、露光装置Ｓ４で所定の露光処理が行われる。
【００４７】
露光処理後のウエハは、インターフェイスアームＩ１→受け渡しステージＴＲＳ４→メインアームＡ１→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５の加熱冷却ユニットＣＨＰ→メインアームＡ１→現像処理を行う第１の液処理ユニットＨ１または第２の液処理ユニットＨ２→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５の加熱ユニットＨＰ→熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５の冷却ユニットＣＯＬの順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハはメインアームＡ１により現像処理の不具合及び欠陥を検出するための検査測定ブロックＧ６の欠陥検査ユニットＡＤＩ、あるいは基板上に形成されたレジスト膜のパターンの線幅（ＣＤ）を測定するための線幅測定ユニットＯＣＤに搬送され、順次所定の検査、測定を行った後に受け渡しブロックＧ７の受け渡しステージＴＲＳ１に搬送され、然る後トランスファーアームＣ１によりキャリアブロックＳ１の載置台２１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４８】
塗布現像処理システム１における非液処理ブロックである熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５並びに検査測定ブロックＧ６においては、図２にも示したように、３基の疎水化処理ユニットＡＤ、１４基の加熱ユニットＨＰ、１５基の冷却ユニットＣＯＬ、８基の加熱冷却ユニットＣＨＰ、１基の周辺露光ユニットＷＥＥ、２基の欠陥検査ユニットＡＤＩ、１基の線幅測定ユニットＯＣＤが積層された構成となっている。そしてこれらユニットの各筐体は、いずれも、高さｈ＞幅ｄ、高さＨ＞幅Ｄとなるいわゆる縦型のユニットであり、非液処理ブロックである熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５並びに検査測定ブロックＧ６ではこれら縦型のユニットが縦に積層されている（いわゆる「縦置き」）。
【００４９】
ここでより具体的に説明するために、例えば、ｄ＝１６０ｍｍ  、ｈ＝４００ｍｍ  、Ｄ＝２４０ｍｍ、Ｈ＝４００ｍｍとすると、図６（ａ）に示すように、熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６によって構成されている非液処理ブロック全体の幅ＤＡは１０４０ｍｍ、高さＨＡは３２００ｍｍとなる。一方、図６（ｂ）は、これらの処理ブロックを単純に９０度水平に倒した例、すなわち、各々のユニットではウエハが搬入出される搬入出口４０を有する面において、面の幅ｄ、Ｄと面の高さｈ、Ｈとが幅ｄ、Ｄ＞高さｈ、Ｈとなるように配置されている例を示している（いわゆる「横置き」）。この場合、全体の幅ＤＢは３２００ｍｍ、高さＨＢは１０４０ｍｍである。図６（ｂ）においては、熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５の上に検査測定ブロックＧ６を載せた構造となっているが、ウエハの検査、測定の順序等の都合によっては、図６（ｃ）のように熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５の隣に検査測定ブロックＧ６を配置した方が都合が良い場合もある。この場合は、全体の幅ＤＣは３６００ｍｍ、高さＨＣは８００ｍｍである。
【００５０】
上記のように本実施形態においては、非液処理ブロックを構成する熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６の各ユニットへ、メインアームＡ１〜Ａ３でウエハを搬送する際にウエハを、塗布現像処理システム１の設置面に対し垂直とした状態で搬送可能であり、また熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６を構成する各ユニットを縦置きに積層したので、各ユニットを横置きにした場合と比較して、非液処理ブロックを構成する熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６全体の床占有面積が、１／３以下となっている。よって、本実施形態のように塗布現像処理システム内に検査測定ユニットをインラインに搭載したとしても、システム全体のフットプリントを増大させずに済む。また、熱処理ユニットなどの他の処理ユニットの数も減少させずに済むので、システム全体のスループットも低下させることがない。
【００５１】
続いてこの塗布現像処理システム１において、メインアームＡ１〜Ａ３によって、非液処理ブロックを構成する熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６を構成する各ユニットへウエハを搬送する際の、各ユニット側でのウエハの搬入、搬出のためのウエハの受け渡し例について説明する。本実施形態においては、上記のように非液処理ブロックを構成する熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６の各ユニット全てが縦置きに配置されているので、これらのユニットの中から熱処理ユニット４１の１つである加熱ユニットＨＰを例として説明する。
【００５２】
図７（ａ）、（ｂ）は、各々熱処理ユニット４１の１つである加熱ユニットＨＰの斜視図、説明図である。この例では、搬入出口４０は、ウエハの通過部４０ａと、メインアームＡ１〜Ａ３のアーム体５１、５２が通過する通過部４０ｂとを有し、さらに例えばこれら通過部４０ａ、４０ｂを開閉するシャッタ（図示せず）を備えている。図中６０は、加熱ユニットＨＰの本体６６の基台６１に埋めこまれたウエハＷを加熱処理する熱板である。また図中、６０ａは熱板の内側を覆うように設けられた断熱構造体であり、熱板６０からの熱の放散を抑える役割を有する。図中、６２はウエハＷを支持する基板支持手段としての支持ピンであり、駆動機構６２ａに接続され、駆動機構６２ａにより基台６１、熱板６０の外方に突没自在に構成され、メインアームＡ１〜Ａ３のアーム体５１、５２の一方が加熱処理ユニットＨＰ内に進入した際にアーム体５１、５２と接触しない位置に配置されている。
【００５３】
図中、６２ｂはウエハＷを吸着保持する吸着手段としての吸引口である。支持ピン６２の内部は空洞になっており、吸引口６２ｂが配置された端部とは逆の端部が図示しない吸引源に接続されており、吸引源の吸引／解除制御によりウエハの吸着保持／解除が可能な構成となっている。この支持ピン６２を介してメインアームＡ１〜Ａ３と熱板６０との間でウエハＷの受け渡しが行われる。すなわち、図５（ｂ）のように、例えばメインアームＡ１のアーム体５１に保持されたウエハＷは、加熱ユニットＨＰの前の受け渡し位置まで搬送されたときには設置面に対して垂直状態となっている。この位置でアーム体５１が加熱ユニットＨＰ内に進入し、次いで支持ピン６２がウエハＷ裏面に向かって突出する。支持ピン６２の先端の吸引口６２ａがウエハＷ裏面に接すると吸引源が吸引動作を開始し、ウエハＷは支持ピン６２に吸着した状態となる。これとほぼ同じタイミングでアーム体５１側の複数の吸引口５４はウエハＷの吸着保持を解除する。本実施形態においては、このようにメインアームＡ１と加熱ユニットＨＰとの間でウエハＷが受け渡されるため、ウエハＷが塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態での受け渡しであってもウエハＷが落下することがない。
【００５４】
本実施形態においては、上記のようにウエハＷを塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態を保ったまま、メインアームＡ１〜Ａ３によるウエハＷの搬送、メインアームＡ１〜Ａ３と加熱ユニットＨＰを始めとした非液処理ブロックを構成する熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６の各ユニットとの間でのウエハＷの受け渡し、各ユニットでの所定の処理、測定、検査が可能である。よって、熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６を構成する各ユニットを縦置き配置して塗布現像処理システム１全体でのフットプリントを小さくしたとしても、塗布現像処理システム１全体でのスループットを低下させることなく、ウエハの搬送、処理、測定、検査等を行うことができる。
【００５５】
図８（ａ）〜（ｂ）は、加熱ユニットＨＰの別の実施形態の説明図である。図中６９はウエハＷの表面から所定距離だけ離間した位置からウエハＷを加熱するヒーター部であり、図中７０はウエハＷ裏面側を収容して支持する基板支持手段としてのトレイである。このトレイ７０は、図示しない駆動機構により加熱ユニットＨＰの外部のウエハＷ受け渡し位置と加熱ユニットＨＰ内部のウエハＷ処理位置との間で移動可能（図８（ａ）の往復矢印参照）に構成されている。図中７１はアライメント枠であり、ウエハＷの直径よりも数ｍｍ程度大きい直径をもつ略円形の形状に形成されており、このアライメント枠７１内の底部である載置面７２にウエハＷが載置されるようになっている。図中７３はウエハＷをトレイ７０内に掛止する手段である掛止ガイドであり、トレイ７０から突没自在に構成されている（図８（ｂ）の往復矢印参照）。
【００５６】
次にトレイ７０とメインアームＡ１〜Ａ３との間でのウエハＷの受け渡しについて説明する。図８（ｂ）、（ｃ）に示すように円形状のアライメント枠７１の外周付近には円周状に傾斜部７４が形成されており、その傾斜部７４の一部及びトレイ７０の端面の一部にはメインアームＡ１〜Ａ３のアーム体５１、５２との干渉を避けるための切り欠き部７５が形成された構成となっている。まず、ウエハＷを保持したアーム体５１が、加熱ユニットＨＰの外部のウエハＷ受け渡し位置まで移動した状態のトレイ７０の側方に重なるように接近し、所定の受け渡し位置で停止する。このとき、ウエハＷの裏面の一部は載置面７２に接するが、アーム体５１は切り欠き部７５があるために載置面７２及びトレイ７０には接触しない。続いて、アーム体５１の複数の吸引口５４がウエハＷの吸着保持を解除すると同時に、トレイ７０から掛止ガイド７３が突出してウエハＷの周縁部をトレイ７０に掛止する。その後、すでにウエハＷを吸着保持していないアーム体５１がトレイ７０から離間することで、ウエハＷの受け渡しは完了し、ウエハＷを支持したトレイ７０は加熱ユニットＨＰ内部のウエハ処理位置へと移動する。なお、加熱ユニットＨＰにおいて、メインアームＡ１〜Ａ３とトレイ７０との間でウエハＷの受け渡しが完了し、トレイ７０が加熱ユニットＨＰ内部に移動した後は、図示しないシャッター手段が加熱ユニットＨＰの側方部を閉鎖し、加熱ユニットＨＰ内は外部に対して雰囲気が遮断される構成となっている。
【００５７】
なお図８（ｃ）に示すように、載置面７２には複数の吸引口７６を設けても良い。吸引口７６は図示しない吸引源に接続され、吸引源の吸引／解除制御によりウエハＷの吸着保持／解除が可能な構成とする。このような構成とすることで、ウエハＷはより確実にトレイ７０の載置面７２に保持されるので、トレイ７０の移動時にも載置位置がずれることがない。この実施形態のように吸引口７６を設ける場合は、掛止ガイド７３を設けない構成としてもよい。
【００５８】
さらに図８（ｄ）に示すように、載置面７２にはウエハＷの裏面を数点で支持するプロキシミティピン７７を設けても良い。このようにウエハＷの裏面と載置面７２との接触部位を極力小さくすることで、ウエハＷ裏面へのパーティクル等の異物の付着を抑制することができる。なお、プロキシミティピン７７に基板を吸着する吸引手段を設けてもよく、この場合はウエハＷの裏面と載置面７２との接触部位を小さくしながら、より確実なウエハＷの保持が可能となる。
【００５９】
図９は、上記実施形態における基板支持手段としてのトレイ７０を加熱冷却ユニットＣＨＰに適用した例である。なお、トレイ７０の細部構造については加熱ユニットＨＰの場合と同様である。加熱冷却ユニットＣＨＰは、図のように冷却処理手段である冷却部７８を備えた冷却処理ユニットと加熱処理手段であるヒーター部７９を備えた加熱処理ユニットとを隣接して並べ、一体的なユニットとしたものであり、冷却処理と加熱処理とを連続して実行することが可能である。本実施形態においては、加熱ユニットＨＰで説明した図示しない駆動機構を延伸して利用することで、トレイ７０が冷却処理ユニットと加熱処理ユニットとの間で移動可能に構成されており、両ユニット間でのウエハＷの移動のために別の移動手段を設ける必要がない。なお、加熱ユニットＨＰと同様に、メインアームＡ１〜Ａ３とトレイ７０との間でウエハＷの受け渡しが完了し、トレイ７０が加熱冷却ユニットＣＨＰ内部に移動した後は、図示しないシャッター手段が加熱ユニットＣＨＰの側方部を閉鎖する。さらに冷却処理ユニットと加熱処理ユニットとの間にも図示しない同様のシャッター手段が設けられているので、冷却処理ユニット、加熱処理ユニット共にウエハの処理中は外部との雰囲気が遮断される。
【００６０】
上記実施形態においても、上記のようにウエハＷを塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態を保ったまま、メインアームＡ１〜Ａ３によるウエハＷの搬送、メインアームＡ１〜Ａ３と加熱ユニットＨＰを始めとした熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６の各ユニットとの間でのウエハＷの受け渡し、各ユニットでの所定の処理、測定、検査が可能である。よって、非液処理ブロックである熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６の各ユニットを縦置き配置して塗布現像処理システム１全体でのフットプリントを小さくしたとしても、塗布現像処理システム１全体でのスループットを低下させることなく、ウエハＷの搬送、処理、測定、検査等を行うことができる。
【００６１】
図１０は、加熱ユニットＨＰのさらに別の実施形態の説明図である。上記例では基板支持手段はウエハＷの裏面を支持または保持していたが、この例はウエハＷの外周部を対向して把持するように構成された基板外周部把持手段での基板支持となっている。図中８１は、ウエハＷに上側から当接する上部支持ガイドであり、８２は、ウエハＷに下側から当接する下部支持ガイドであるが、これらが一対となって基板外周部把持手段を形成している。これら上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２は図示しない駆動機構により、一体的にまたは各々独立して図１０中のＺ軸方向に昇降自在である。すなわち把持対象とするウエハＷの外周部に対して、接近、離隔が可能である。さらに、これら上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２は図示しない駆動機構により、一体的に図１０中のＸ軸、Ｙ軸方向に移動自在である。
【００６２】
図中８５はウエハＷの表面から所定距離だけ離間した位置からウエハＷを加熱するヒーター部である。本実施形態においては、上記のように上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２がＹ軸方向にも移動可能であるので、ウエハＷとヒーター部８５との距離をより精密に制御した状態での加熱処理が可能である。
【００６３】
図１１（ａ）は、上部支持ガイド８１のウエハＷと当接する面の説明図である。このように上部支持ガイド８１のウエハＷと当接する面には、ウエハＷの厚さよりも僅かに広い幅の溝８３が形成されている。これらの溝８３を有する上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２でウエハＷの外周部や端部を挟み込み、ウエハＷを支持する構成となっている。また、図１１（ｂ）は別の実施形態の例であるが、この例では溝８４の長さが上記例での溝８３よりも短く形成されており、ウエハＷの上端部付近および下端部付近のみが支持される。このようにすることで、特に上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２が図１０中のＸ軸方向に移動する場合に、ウエハＷの位置ずれを抑制することができる。
【００６４】
次に上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２とメインアームＡ１〜Ａ３との間でのウエハＷの受け渡しについて説明する。まず、ウエハＷを保持したアーム体５１が、加熱ユニットＨＰの外部のウエハＷ受け渡し位置まで移動した状態の上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２の間の位置まで移動する。このとき両支持ガイドはアーム体５１に衝突しないように、各々、十分図１０中のＺ軸方向に離間している（すなわち、ウエハＷから離れている）。続いて上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２がウエハＷ方向に移動して（接近して）ウエハＷの外周部を支持する。この後、アーム体５１の複数の吸引口５４がウエハＷの吸着保持を解除し、すでにウエハＷを吸着保持していないアーム体５１が加熱ユニットＨＰから離間することで、ウエハＷの受け渡しは完了し、ウエハＷを把持した上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２は、加熱ユニットＨＰの本体６６内部のウエハ処理位置へと移動する。なお、上記例と同様に、加熱ユニットＨＰにおいて、上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２が加熱ユニットＨＰの本体６６内部に移動した後は、図示しないシャッター手段が加熱ユニットＨＰの本体６６の側方部を閉鎖し、本体６６内は外部に対して雰囲気が遮断される構成となっている。また、この実施形態も上記例と同様に、加熱冷却処理ユニットＣＨＰにも適用でき、この場合も上部支持ガイド８１、下部支持ガイド８２が、冷却処理ユニットと加熱処理ユニットとの間での移動機構となる。
【００６５】
上記実施形態においても、上記のようにウエハＷを塗布現像処理システム１の設置面に対して垂直状態を保ったまま、メインアームＡ１〜Ａ３によるウエハＷの搬送、メインアームＡ１〜Ａ３と加熱ユニットＨＰを始めとした非液処理ブロックである熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６を構成する各ユニットとの間でのウエハＷの受け渡し、各ユニットでの所定の処理、測定、検査が可能である。よって、非液処理ブロックである熱処理ブロックＧ１〜Ｇ５、及び検査測定ブロックＧ６を構成する各ユニットを縦置き配置して塗布現像処理システム１全体でのフットプリントを小さくしたとしても、塗布現像処理システム１全体でのスループットを低下させることなく、ウエハＷの搬送、処理、測定、検査等を行うことができる。
【００６６】
なお、図示はしないが、ウエハＷの外周部を中心に支持する基板外周部把持手段の例としては、一般家庭、オフィス等で利用されているパーソナルコンピュータ等でのコンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の挿入部位に利用されているスロットローディング機構を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１            塗布現像処理システム
Ｗ            ウエハ
Ｓ１          キャリアブロック
Ｓ２          処理ブロック
Ｓ３          インターフェイスブロック
Ｓ４          露光装置
Ｈ１〜Ｈ４    液処理ユニット
Ｇ１〜Ｇ５    熱処理ブロック
Ｇ６          検査測定ブロック
Ｇ７、Ｇ８    受け渡しブロック
４１          熱処理ユニット
４２          検査測定ユニット
Ａ１〜Ａ３    メインアーム
５１、５２    アーム体
ＨＰ          加熱ユニット
ＣＯＬ        冷却ユニット
ＣＨＰ        加熱冷却ユニット
６２          支持ピン
７０          トレイ
８２          上部支持ガイド
８３          下部支持ガイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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