(57)【要約】【課題】品質を向上させると共に製造歩留まりを向上させて、高品質で安価な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、表示部１２、ゲートドライバ１３、ソースドライバ１４、複数の入出力端子１５１〜１５ｎ、および、メモリ回路１６を有する。メモリ回路１６は、ゲートドライバ１３およびソースドライバ１４を構成する素子の特性を記憶データとして、記憶する。表示部１２は、入出力端子１５１〜１５ｎに制御信号が入力されることで、メモリ回路１６に記憶された記憶データを、画像データとして表示する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
この表示部に画像を表示させると共に複数の素子を有する駆動回路と、
この駆動回路に電気的に接続されると共に少なくとも上記駆動回路の上記複数の素子の特性を記憶データとして記憶するメモリ回路と、
上記駆動回路に電気的に接続された複数の入出力端子と
を備え、
上記表示部は、上記入出力端子に制御信号が入力されることで、上記メモリ回路に記憶された上記記憶データを、画像データとして表示することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
上記駆動回路は、第１のドライバ回路を有し、
上記メモリ回路は、上記表示部に関して上記第１のドライバ回路と反対側に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の表示装置において、
上記駆動回路は、第２のドライバ回路を有し、
この第２のドライバ回路は、上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記メモリ回路から出力された上記記憶データを、上記表示部に出力することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の表示装置において、
上記駆動回路は、第２のドライバ回路を有し、
上記メモリ回路は、複数あり、この複数のメモリ回路は、上記第２のドライバの近傍に、分散して配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の表示装置において、
上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記第２のドライバ回路は、上記表示部への信号出力を停止する一方、上記メモリ回路は、上記記憶データを上記表示部に直接出力することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一つに記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
表示部を駆動させる複数の素子と複数のメモリ素子とを同一基板上に形成する第１の工程と、
上記複数の素子のうちの少なくとも一部の素子の特性を測定し、その情報を上記複数のメモリ素子の少なくとも一部に記憶させる第２の工程と、
上記表示部、上記複数の素子および上記複数のメモリ素子を含む表示装置を製造する第３の工程と、
上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別する第４の工程と
を備えることを特徴とする表示装置の選別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置、電子機器、および、表示装置の選別方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などにおいて、画素部やドライバ回路にＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）が用いられている。
【０００３】
従来の液晶表示装置としては、図７に示すように、ガラス基板７１上に形成された、画素部としての表示部７２、ゲートドライバ７３、ソースドライバ７４、および、入出力端子７５１〜７５ｎを有する。表示部７２の選択素子、ゲートドライバ７３およびソースドライバ７４の回路を構成する素子として、ＴＦＴが用いられている。
【０００４】
しかしながら、ＴＦＴは、耐熱温度の低いガラス基板上に形成されているため、高い温度を与えることができず、ＴＦＴを構成する薄膜は、例えば、単結晶シリコン基板上に形成される膜と比較して膜特性の劣るものとなり、かつ、ロット間で均一な膜質を得ることが非常に難しい。
【０００５】
さらに、表示装置の大型化、高精細化も進んでおり、フォトレジスト工程におけるアライメントずれなどの影響も大きくなってきている。このようなＴＦＴの製造工程に起因して、ＴＦＴ特性のロット間のばらつきも大きくなる傾向にある。
【０００６】
このようなＴＦＴ特性のばらつきが表示装置の品質そのものに大きな影響を与える。例えば、液晶表示装置において、フリッカの少ない優れた表示特性を得るためには、対向電極に印加する電圧を、ＴＦＴのゲート電極とソース電極との間の寄生容量に起因する所謂フィールドスルー電圧に応じて微調整して設定する必要がある（特開平７−４３６７５号公報：特許文献１参照）。ただ、この電圧の適切な値は、ロット間で異なることから、液晶表示装置完成後に対向電極に印加する電圧を変化させ、表示装置に発生するフリッカの程度を見ながら適切な電圧値を設定するといった作業が一般的に行われている。
【特許文献１】特開平７−４３６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の表示装置では、液晶表示装置が全て完成した後に、対向電極電圧の微調整などの作業をＴＦＴの素子特性を知ることなく行うと、変化させる電圧の範囲をあらかじめ広く設定しなければならず、設定に長い時間を要する場合がある。
【０００８】
従来、これ以外の項目も含め、ＴＦＴ特性のばらつきに起因する表示特性のばらつきは、あくまで表示特性を見ながら微調整を行う必要があるため、製造のスループット等を考慮すると、その改善には限界があった。
【０００９】
また、例えば、液晶表示装置の製造時に不良が発生した場合、その原因を究明するにも時間がかかり、これが歩留まりの低下を招いていた。
【００１０】
この対策として、ガラス基板上に、例えば、不揮発性メモリやヒューズ／アンチヒューズ素子などの記憶素子を設け、ＴＦＴ工程が完了した後にＴＦＴが所望の特性を示しているか検査する工程を設け、その検査結果を上記記憶素子に記憶させる方法も考えられるが、これを実現するためには、上記記憶素子に記憶させた情報を電気的に読み出して出力させるための端子を新たに設ける必要がある。
【００１１】
例えば、モバイル用途の液晶表示装置においては、表示装置と上記表示装置を制御するための制御機器とを電気的に接続するため、導電性の配線を備えたフレキシブル基板を上記表示装置と制御機器との間に接続しているが、近年の表示装置の高精細化や多機能化に伴い、記憶素子を読み出すための端子を新たに設けることが困難になってきている。
【００１２】
また、記憶素子を読み出すための端子を新たに設けることが可能になったとしても、これがコスト上昇や歩留りを低下させる要因となる。
【００１３】
そこで、この発明の課題は、品質を向上させると共に製造歩留まりを向上させて、高品質で安価な表示装置、この表示装置を有する電子機器、および、表示装置の選別方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、この発明の表示装置は、
表示部と、
この表示部に画像を表示させると共に複数の素子を有する駆動回路と、
この駆動回路に電気的に接続されると共に少なくとも上記駆動回路の上記複数の素子の特性を記憶データとして記憶するメモリ回路と、
上記駆動回路に電気的に接続される複数の入出力端子と
を備え、
上記表示部は、上記入出力端子に制御信号が入力されることで、上記メモリ回路に記憶された上記記憶データを、画像データとして表示することを特徴としている。
【００１５】
この発明の表示装置によれば、上記表示部は、上記入出力端子に制御信号が入力されることで、上記メモリ回路に記憶された上記記憶データを、画像データとして表示するので、例えば、メモリ回路から読み出したＴＥＧ（Test Element Group）の測定結果やプロセス情報等の記憶データを、表示部に表示させ参照しながら、表示装置の画像調整や検査を行うことができる。このため、従来よりも効率的かつ高精度に、表示装置の画像調整や検査を行うことが可能となる。
【００１６】
また、表示装置の製造完了後も、表示装置の素子特性や製造プロセスに関する情報をいつでも読み出すことができるため、例えば、表示装置をさらに携帯電子機器など製品の一部として組み上げた後も情報を読み出すことが可能となるなど、ドレーサビリティが飛躍的に向上し、商品管理の面でも表示装置の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
【００１７】
また、一実施形態の表示装置では、上記駆動回路は、第１のドライバ回路を有し、上記メモリ回路は、上記表示部に関して上記第１のドライバ回路と反対側に位置する。
【００１８】
この実施形態の表示装置によれば、上記メモリ回路は、上記表示部に関して上記第１のドライバ回路と反対側に位置するので、図７に示すような従来の構成における、回路を構成する素子がほとんど存在しない領域に、メモリ回路を配置することが可能であり、面積の増大が全くないか、もしくは、面積増大を最小限に抑制することが可能となる。
【００１９】
また、一実施形態の表示装置では、上記駆動回路は、第２のドライバ回路を有し、この第２のドライバ回路は、上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記メモリ回路から出力された上記記憶データを、上記表示部に出力する。
【００２０】
この実施形態の表示装置によれば、この第２のドライバ回路は、上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記メモリ回路から出力された上記記憶データを、上記表示部に出力するので、上記メモリ回路と直接信号の入出力を行うための入出力端子を設ける必要がなく、入出力端子を増加させない、もしくは、入出力端子の増加を最小限に抑制することが可能となり、コスト上昇や歩留りの低下を抑制することができる。
【００２１】
また、一実施形態の表示装置では、上記駆動回路は、第２のドライバ回路を有し、上記メモリ回路は、複数あり、この複数のメモリ回路は、上記第２のドライバの近傍に、分散して配置されている。
【００２２】
この実施形態の表示装置によれば、上記メモリ回路は、複数あり、この複数のメモリ回路は、上記第２のドライバの近傍に、分散して配置されているので、第２のドライバ回路の空白領域に、メモリ回路を埋め込むことができて、表示装置の額縁面積が増大しない。この場合、メモリ回路は、記憶するデータ量が比較的小容量となり、並列に動作させることが可能となるため、消費電力を低減できる。
【００２３】
また、一実施形態の表示装置では、上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記第２のドライバ回路は、上記表示部への信号出力を停止する一方、上記メモリ回路は、上記記憶データを上記表示部に直接出力する。
【００２４】
この実施形態の表示装置によれば、上記入出力端子に上記制御信号が入力されることで、上記第２のドライバ回路は、上記表示部への信号出力を停止する一方、上記メモリ回路は、上記記憶データを上記表示部に直接出力するので、上記メモリ回路と直接信号の入出力を行うための入出力端子を設ける必要がなく、入出力端子を増加させない、もしくは、入出力端子の増加を最小限に抑制することが可能となり、コスト上昇や歩留りの低下を抑制することができる。
【００２５】
また、この発明の電子機器は、上記表示装置を備えることを特徴としている。
【００２６】
ここで、電子機器とは、例えば、携帯電話等の携帯情報端末、携帯オーディオ機器、携帯映像機器、ＤＶＤ、テレビ等をいう。
【００２７】
この発明の電子機器によれば、上記表示装置を備えるので、高品質で安価な表示装置を組み込まれており、必要に応じて、表示装置を構成する素子の特性やプロセス等に関連する情報を、バーコードデータやＱＲデータ等の画像データとして読み出すことが可能である。したがって、高品質で安価であり、商品管理の面でも優れた信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。
【００２８】
また、この発明の表示装置の選別方法は、
表示部を駆動させる複数の素子と複数のメモリ素子とを同一基板上に形成する第１の工程と、
上記複数の素子のうちの少なくとも一部の素子の特性を測定し、その情報を上記複数のメモリ素子の少なくとも一部に記憶させる第２の工程と、
上記表示部、上記複数の素子および上記複数のメモリ素子を含む表示装置を製造する第３の工程と、
上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別する第４の工程と
を備えることを特徴としている。
【００２９】
この発明の表示装置の選別方法によれば、上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別するので、表示装置を製造した後に、表示装置の素子に関する情報を読み出して、この情報に基づいて表示装置を選別できる。したがって、表示装置の品質を向上できると共に歩留まりも大幅に向上できる。
【発明の効果】
【００３０】
この発明の表示装置によれば、上記表示部は、上記入出力端子に制御信号が入力されることで、上記メモリ回路に記憶された上記記憶データを、画像データとして表示するので、品質を向上させると共に製造歩留まりを向上させて、高品質で安価な表示装置を実現できる。
【００３１】
この発明の電子機器によれば、上記表示装置を備えるので、高品質で安価な電子機器を実現できる。
【００３２】
この発明の表示装置の選別方法によれば、上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別するので、表示装置の品質を向上できると共に歩留まりも大幅に向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３４】
（第１の実施形態）
図１は、この発明の表示装置の第１実施形態である概略構成図を示している。図１に示すように、この表示装置は、アクティブマトリックス液晶表示装置であり、表示部１２、ゲートドライバ１３、ソースドライバ１４、複数の入出力端子１５１〜１５ｎ、および、メモリ回路１６を有する。
【００３５】
上記表示部１２、上記ゲートドライバ１３、上記ソースドライバ１４、上記入出力端子１５１〜１５ｎ、および、上記メモリ回路１６は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いて、ガラス基板１１上に形成されている。
【００３６】
第１のドライバ回路としての上記ゲートドライバ１３と、第２のドライバ回路としての上記ソースドライバ１４とは、上記表示部１２に画像を表示させる駆動回路を構成する。この駆動回路は、複数の素子を有する。
【００３７】
上記ゲートドライバ１３は、上記表示部１２の左右側面の一面側に配置され、上記ソースドライバ１４は、上記表示部１２の上下面の一面側に配置されている。
【００３８】
上記メモリ回路１６は、上記ソースドライバ１４に電気的に接続される。上記メモリ回路１６は、上記表示部１２に関して上記ゲートドライバ１３と反対側に位置する。
【００３９】
上記メモリ回路１６は、不揮発性のメモリ素子を有する。上記メモリ回路１６は、少なくとも上記駆動回路の上記複数の素子の特性を記憶データとして記憶する。この記憶データは、上記ゲートドライバ１３および上記ソースドライバ１４の少なくとも一方を構成する素子の特性を含む。
【００４０】
上記複数の入出力端子１５１〜１５ｎは、上記ソースドライバ１４に電気的に接続される。上記ソースドライバ１４は、上記ゲートドライバ１３に電気的に接続される。
【００４１】
上記表示部１２は、上記入出力端子１５１〜１５ｎに制御信号が入力されることで、上記メモリ回路１６に記憶された記憶データを、画像データとして表示する。つまり、上記ソースドライバ１４は、上記入出力端子１５１〜１５ｎに上記制御信号が入力されることで、上記メモリ回路１６から出力された上記記憶データを、上記表示部１２に出力する。
【００４２】
ここで、上記記憶データとしては、例えば、ＴＥＧ（Test Element Group）の測定結果である。ＴＥＧとは、単体のトランジスタ特性やトランジスタの寄生容量、寄生抵抗などを測定するためのものであり、液晶表示装置の製造途中で排除される。ＴＥＧの測定にあたっては、測定機器（テスタ）によって行われ、測定機器側で結果を判定する。その結果は、測定機器によって、上記メモリ回路１６に自動的に書き込まれる。
【００４３】
上記制御信号は、上記表示部１２が適切に表示されるか否かを検査するための検査装置から、入出力端子１５１〜１５ｎに、入力される。
【００４４】
上記画像データとしては、例えば、バーコードデータあるいはＱＲコードデータであり、あらかじめ測定装置側で測定したデータから画像データに変換して、上記メモリ回路１６に記憶させる。
【００４５】
次に、上記液晶表示装置の製造および選別方法を説明する。
【００４６】
まず、図２に示すように、マザーガラス上にＴＦＴを作製する（工程Ｓ１）。このとき、図３に示すように、液晶表示装置を形成する表示装置部３１１ａ〜３１７ａ、３２１ａ〜３２７ａ、３３１ａ〜３３７ａ、３４１ａ〜３４７ａだけでなく、ＴＦＴ特性に影響するシート抵抗や寄生容量などの各種パラメータやＴＦＴ特性そのものを測定するためのＴＥＧ部３１１ｂ〜３１７ｂ、３２１ｂ〜３２７ｂ、３３１ｂ〜３３７ｂ、３４１ｂ〜３４７ｂが形成されている。
【００４７】
図４に示すように、上記表示装置部３１１ａは、図１に示す液晶表示装置であり、表示部１２、ゲートドライバ１３、ソースドライバ１４、入出力端子１５１〜１５ｎおよびメモリ回路１６を有する。ＴＥＧ部３１１ｂは、ＴＥＧ１７、電極パッド９１１〜９１ｋ、９２１〜９２ｋ、９３１〜９３ｌ、９４１〜９４ｌを有する。
【００４８】
このうち、表示部１２の選択素子や、ゲートドライバ１３およびソースドライバ１４の回路を構成する素子として、ＴＦＴが用いられており、メモリ回路１６は、電源が供給されない状態でもデータを保持することが可能なメモリ素子、例えば、不揮発性メモリやヒューズ／アンチヒューズ素子などを備えている。
【００４９】
なお、一部の電極パッド９１１〜９１ｋ、９２１〜９２ｋは、それぞれＴＥＧ１７の一部に電気的に接続されており、他部の電極パッド９３１〜９３ｌ、９４１〜９４ｌは、メモリ回路１６に電気的に接続されている。
【００５０】
ＴＦＴ製造工程を経た後、電極パッド９１１〜９１ｋ、９２１〜９２ｋ、９３１〜９３ｌ、９４１〜９４ｌに、測定機器（テスタ）の端子（針）を接続し、一部の電極パッド９１１〜９１ｋ、９２１〜９２ｋからＴＥＧ１７の特性を測定する（工程Ｓ２）。
【００５１】
このとき、ＴＥＧ１７の測定結果で不良があると判定されれば（工程Ｓ３）、少なくとも対になる表示装置部３１１ａを不良と判定し（工程Ｓ４）、他部の電極パッド９３１〜９３ｌ、９４１〜９４ｌから表示装置部３１１ａが不良であることを示すデータやプロセス情報等をメモリ回路１６に書き込み、不良はないと判定されれば（工程Ｓ２）、ＴＥＧ１７の測定結果やプロセス情報等をメモリ回路１６に書き込む（工程Ｓ５）。なお、測定結果は、測定機器によって、メモリ回路１６に自動的に書き込まれる。
【００５２】
このように全ての表示装置部内のメモリ回路にデータを書き込んだ後、ディスプレイ製造工程へと進み、液晶表示装置を製造する（工程Ｓ６）。
【００５３】
ディスプレイ製造工程を経た後は、ＴＥＧ部３１１ｂはガラス基板分断時に切り落とされ、表示装置部３１１ａのみ液晶表示装置として使用される。液晶表示装置の概略構成図は、図１に示す通りである。
【００５４】
その後、検査工程に入る前にメモリ回路１６に記憶されたデータを読み出す（工程Ｓ７）。メモリ回路１６は、メモリがアレイ状に高密度に配置されており、回路内部に、ソースドライバ１４と動作を同期させるためのカウンタ回路や読み出した情報を逐次ソースドライバ１４に送るための読出し回路を有する。メモリ回路１６に、入出力端子１５１〜１５ｎを介して、制御信号が入ると、カウンタ回路及び読出し回路が自動的に動作し、ソースドライバ１４の回路動作に同期して、メモリ回路１６に記憶された情報が自動的に逐次読み出される。なお、上記制御信号は、表示部１２が適切に表示されるか否かを検査するための検査装置から、入出力端子１５１〜１５ｎに、入力される。
【００５５】
このとき、ソースドライバ１４側では、制御信号が入力されることによって、入出力端子１５１〜１５ｎから入力された映像信号を表示させるモードから、メモリ回路１６に記憶されたデータをソースドライバ１４から表示部１２に順次供給するモードへと、切り替わり、メモリ回路１６に記憶された記憶データが表示部１２に画像データとして表示される。
【００５６】
その際の画像データとしては、１次元のバーコードデータでも構わないし、２次元のＱＲコードでも構わない。また、これ以外の画像データでも構わないし、複数の表示方式を組み合わせて表示しても構わない。なお、画像データとしては、あらかじめ測定装置側で測定したデータから画像データに変換され、メモリ回路１６に記憶される。
【００５７】
また、ある一定の時間毎に同じ内容であるが違う表示方式のデータを表示しても構わないし、ある一定の時間毎に違う内容のデータを表示しても構わない。
【００５８】
複数の表示方式を組み合わせて表示するか、ある一定の時間毎に同じ内容であるが違う表示方式のデータを表示すれば、表示されるデータの信頼性が高まる。ある一定の時間毎に違う内容のデータを表示すれば、大容量のデータを表示することが可能となる。また、上記表示方式のいずれかの組み合わせでも構わない。
【００５９】
画像データ表示の際、読み出されたデータがあらかじめ記憶された不良品判定のデータであるか、ディスプレイ製造工程時の不良に起因するデータ表示不良が発生していれば、不良品である判定して（工程Ｓ８）、排除する（工程Ｓ９）。
【００６０】
その後、メモリ回路１６から読み出したデータを参照しながら、調整・検査工程（工程Ｓ１０）を経て、さらに良品／不良品の選別を行い（工程Ｓ１１）、不良品であれば排除し（工程Ｓ１２）、良品であれば液晶表示の製造を完了する。
【００６１】
上記構成の表示装置によれば、上記表示部１２は、上記入出力端子１５１〜１５ｎに制御信号が入力されることで、上記メモリ回路１６に記憶された上記記憶データを、画像データとして表示するので、例えば、メモリ回路１６から読み出したＴＥＧ（Test Element Group）の測定結果やプロセス情報等の記憶データを、表示部１２に表示させて読み取り、読み取ったデータを参照しながら、表示装置の画像調整や検査を行うことができる。このため、従来よりも効率的かつ高精度に、表示装置の画像調整や検査を行うことが可能となる。
【００６２】
また、表示装置の製造完了後も、表示装置の素子特性や製造プロセスに関する情報をいつでも読み出すことができるため、例えば、表示装置をさらに携帯電子機器など製品の一部として組み上げた後も情報を読み出すことが可能となるなど、ドレーサビリティが飛躍的に向上し、商品管理の面でも表示装置の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
【００６３】
また、上記メモリ回路１６は、上記表示部１２に関して上記ゲートドライバ１３と反対側に位置するので、図７に示すような従来の構成における、回路を構成する素子がほとんど存在しない領域に、メモリ回路を配置することが可能であり、面積の増大が全くないか、もしくは、面積増大を最小限に抑制することが可能となる。
【００６４】
また、ソースドライバ１４は、上記入出力端子１５１〜１５ｎに上記制御信号が入力されることで、上記メモリ回路１６から出力された上記記憶データを、上記表示部１２に出力するので、上記メモリ回路と直接信号の入出力を行うための入出力端子を設ける必要がなく、入出力端子を増加させない、もしくは、入出力端子の増加を最小限に抑制することが可能となり、コスト上昇や歩留りの低下を抑制することができる。
【００６５】
また、上記構成の表示装置の選別方法は、
表示部１２を駆動させる複数の素子（駆動回路１３，１４を構成する素子）と複数のメモリ素子（メモリ回路１６を構成する素子）とを同一のガラス基板上に形成する第１の工程と、
上記複数の素子のうちの少なくとも一部の素子の特性を測定し、その情報（上記記憶データ）を上記複数のメモリ素子の少なくとも一部に記憶させる第２の工程と、
上記表示部１２、上記複数の素子および上記複数のメモリ素子を含む表示装置を製造する第３の工程と、
上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部１２に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別する第４の工程と
を備えている。
【００６６】
したがって、上記複数のメモリ素子の少なくとも一部で記憶した上記情報を画像データとして上記表示部１２に表示し、この画像データに基づいて上記表示装置の良否を判断して、上記表示装置を選別するので、表示装置を製造した後に、表示装置の素子に関する情報を読み出して、この情報に基づいて表示装置を選別できる。したがって、表示装置の品質を向上できると共に歩留まりも大幅に向上できる。
【００６７】
（第２の実施形態）
図５は、この発明の表示装置の第２の実施形態を示している。上記第１の実施形態と相違する点を説明すると、この第２の実施形態では、メモリ回路の構成が相違する。
【００６８】
図５に示すように、この表示装置は、アクティブマトリックス液晶表示装置であり、表示部２２、ゲートドライバ２３、ソースドライバ２４、複数の入出力端子２５１〜２５ｎ、および、メモリ回路２６１〜２６ｍを有する。
【００６９】
上記表示部２２、上記ゲートドライバ２３、上記ソースドライバ２４、上記入出力端子２５１〜２５ｎ、および、上記メモリ回路２６１〜２６ｍは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いて、ガラス基板２１上に形成されている。
【００７０】
上記表示部２２、上記ゲートドライバ２３、上記ソースドライバ２４および上記入出力端子２５１〜２５ｎと、表示装置の製造方法および選別方法とに関しては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００７１】
上記メモリ回路２６１〜２６ｍは、複数あり、この複数のメモリ回路２６１〜２６ｍは、上記ソースドライバ２４の表示部２２への出力部近傍に、分散して配置されている。複数のメモリ回路２６１〜２６ｍは、ソースドライバ２４と表示部２２とを接続する電気配線に、接続されている。
【００７２】
上記入出力端子２５１〜２５ｎに上記制御信号が入力されることで、上記ソースドライバ２４は、上記表示部２２への信号出力を停止する一方、上記メモリ回路２６１〜２６ｍは、上記記憶データを上記表示部２２に直接出力する。
【００７３】
出力される記憶データは、メモリ回路２６１〜２６ｍに記憶された情報量がそれぞれ１ビットであるならば、常に同じデータが出力され続けてもよいが、複数ビットの情報が記憶されている場合は、ゲートドライバ２３と同期して、メモリ回路２６１〜２６ｍに記憶された異なるアドレスに記憶された情報がそれぞれ逐次読み出される。
【００７４】
図１に示す表示装置では、１次元のバーコードデータや２次元のＱＲコードなどの画像データとして表示部１２に表示させるデータの情報量が大容量の場合に有効であるが、図５に示す表示装置では、表示部２２に表示させるデータの情報量が比較的少ない場合に有効である。
【００７５】
図１に示す表示装置では、メモリ回路１６を表示部１２に関してゲートドライバ１３の反対側に配置していたが、ソースドライバ１４に逐次情報を送らなければならないため、メモリ回路１６とソースドライバ１４とを電気的に接続する配線に要する面積が大きくなり、また、比較的高速な動作が必要とされるため、消費電力も大きくなる可能性があった。
【００７６】
図５に示す表示装置では、メモリ回路２６１〜２６ｍは、記憶する情報量が比較的小容量で並列に動作させることが可能であるため、消費電力を低減することが可能である。
【００７７】
また、メモリ回路２６１〜２６ｍを、ソースドライバ２４の回路の空白領域に埋め込むことが可能であるため、表示装置の額縁面積が増大することもない。
【００７８】
また、上記ソースドライバ２４は、上記表示部２２への信号出力を停止する一方、上記メモリ回路２６１〜２６ｍは、上記記憶データを上記表示部に直接出力するので、上記メモリ回路と直接信号の入出力を行うための入出力端子を設ける必要がなく、入出力端子を増加させない、もしくは、入出力端子の増加を最小限に抑制することが可能となり、コスト上昇や歩留りの低下を抑制することができる。
【００７９】
なお、図５の表示装置では、ソースドライバ２４から表示部２２に信号を供給するデータ線毎にメモリ回路２６１〜２６ｍを分散配置していたが、何本かのデータ線毎にメモリ回路２６１〜２６ｍを配置しても構わない。
【００８０】
（第３の実施形態）
図６は、この発明の電子機器の一実施形態を示している。この電子機器は、携帯電話機であり、上記第１の実施形態または上記第２の実施形態の表示装置を有する。
【００８１】
この携帯電話機は、表示部６１、ＲＯＭ（読出し専用メモリ）６２、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）６３、制御回路６４、アンテナ６５、無線回路６６、電源回路６７、オーディオ回路６８、カメラモジュール６９、および、メモリカード７０を有する。
【００８２】
上記表示部６１には、上記第１の実施形態または上記第２の実施形態の表示装置が組み込まれている。
【００８３】
上記構成により、高品質で安価な表示装置を組み込まれており、必要に応じて、表示装置を構成する素子の特性やプロセス等に関連する情報をバーコードデータやＱＲデータ等の画像データとして読み出すことが可能であることから、高品質で安価であり、また、商品管理の面でも優れた信頼性の高い携帯電子機器を提供することが可能となる。
【００８４】
なお、電子機器としては、例えば、携帯情報端末、携帯オーディオ機器、携帯映像機器、ＤＶＤ、テレビ等であってもよい。
【００８５】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、ゲートドライバ、ソースドライバおよびメモリ回路の数量や配置は、上述の実施形態に限定されず、変更自由である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の表示装置の第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】表示装置の製造方法および選別方法を示すフローチャートである。
【図３】製造途中の表示装置を示す概略構成図である。
【図４】製造途中の表示装置を示す拡大図である。
【図５】本発明の表示装置の第２実施形態を示す概略構成図である。
【図６】電子機器の一実施形態を示す概略構成図である。
【図７】従来の表示装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８７】
１１、２１  ガラス基板
１２、２２  表示部
１３、２３  ゲートドライバ
１４、２４  ソースドライバ
１５１〜１５ｎ、２５１〜２５ｎ  入出力端子
１６、２６１〜２６ｍ  メモリ回路
１７  ＴＥＧ
９１１〜９１ｋ、９２１〜９２ｋ、９３１〜９３ｌ、９４１〜９４ｌ  電極パッド
３１１ａ〜３１７ａ、３２１ａ〜３２７ａ、３３１ａ〜３３７ａ、３４１ａ〜３４７ａ  表示装置部
３１１ｂ〜３１７ｂ、３２１ｂ〜３２７ｂ、３３１ｂ〜３３７ｂ、３４１ｂ〜３４７ｂ  ＴＥＧ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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