(57)【要約】【課題】コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層体１２ａは、複数の多孔質の磁性体層が積層されてなる。コイルＬ１は、積層体１２ａに内蔵され、かつ、コイル導体１８ａ〜１８ｄにより構成されている。コイルＬ２は、積層体１２ａに内蔵され、コイル導体１８ｅ〜１８ｈにより構成されていると共に、コイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードチョークコイルを構成している。コイル導体１８の周囲の領域Ｒ２内に存在する空孔ｈ２には、結晶化ガラスが充填されている。【選択図】図３
2010232343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質の積層体と、
前記積層体に内蔵され、かつ、少なくとも１以上の第１のコイル導体により構成されている第１のコイルと、
前記積層体に内蔵され、かつ、少なくとも１以上の第２のコイル導体により構成されている第２のコイルと、
を備え、
前記第１のコイルと前記第２のコイルとは、コモンモードチョークコイルを構成しており、
前記第２のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体と、前記第１のコイルの最も近くに位置する前記第２のコイル導体とに挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記積層体は、複数の絶縁体層が積層されてなり、
前記第２のコイルは、前記第１のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、
前記第２のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体は、積層方向の最も下側に設けられている前記第１のコイル導体であり、
前記第１のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体は、積層方向の最も上側に設けられている前記第２のコイル導体であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、積層方向の下側に進行しながら、同じ方向に旋廻していること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体はそれぞれ、複数設けられており、
積層方向に隣り合う前記複数の第１のコイル導体に挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されており、
積層方向に隣り合う前記複数の第２のコイル導体に挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されていること、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記積層体の表面に設けられ、かつ、前記第１のコイルに接続されている第１の外部電極を、
前記積層体の表面に設けられ、かつ、前記第２のコイルに接続されている第２の外部電極を、
更に備え、
前記第１のコイルと前記第２の外部電極とに挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填され、
前記第２のコイルと前記第１の外部電極とに挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記各第１のコイル導体及び前記各第２のコイル導体の周囲に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体は、結晶化ガラスを含有する導電性材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記積層体は、３５％以上８０％以下の空孔率を有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１のコイルのコイル軸と前記第２のコイルのコイル軸とは、平行であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
請求項２に記載の電子部品の製造方法であって、
加熱により消失する消失物質が混入された絶縁性物質により、前記複数の絶縁体層を作製する工程と、
前記複数の絶縁体層上に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、
前記複数の絶縁体層を積層して積層体を作製する工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
を備え、
前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程では、該第１のコイル導体及び該第２のコイル導体の内、少なくとも、積層方向の最も下側に設けられる該第１のコイル導体、及び、積層方向の最も上側に設けられる該第２のコイル導体を、結晶化ガラスを含有する導電材料により形成すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程では、全ての前記第１のコイル導体及び全ての前記第２のコイル導体を、結晶化ガラスを含有する導電材料により形成すること、
を特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶化ガラスは、前記積層体の焼成時に、溶融すること、
を特徴とする請求項１０又は請求項１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、コモンモードチョークコイルを内蔵する電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルが知られている。以下に、図面を参照しながら該積層型コモンモードチョークコイルについて説明する。図１は、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイル１１０の外観斜視図である。図８は、積層型コモンモードチョークコイル１１０の積層体１１２の分解斜視図である。
【０００３】
積層型コモンモードチョークコイル１１０は、図１に示すように、積層体１１２及び外部電極１１４（１１４ａ〜１１４ｄ）により構成されている。積層体１１２は、直方体をなしている。外部電極１１４は、積層体１１２の側面に設けられている。
【０００４】
また、積層体１１２は、図８に示すように、絶縁性シート１１６（１１６ａ〜１１６ｊ）が積層されて構成され、コイルＬ１１，Ｌ１２を内蔵している。コイルＬ１１は、外部電極１１４ａ，１１４ｂ間に接続されており、コイルＬ１２は、外部電極１１４ｃ，１１４ｄ間に接続されている。
【０００５】
コイルＬ１１は、コイル導体１１８ａ〜１１８ｄ及びビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３により構成されている。コイル導体１１８ａ〜１１８ｄはそれぞれ、絶縁性シート１１６ｂ〜１１６ｅに設けられ、ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３により互いに接続されている。
【０００６】
コイルＬ１２は、コイル導体１１８ｅ〜１１８ｈ及びビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６により構成されている。コイル導体１１８ｅ〜１１８ｈはそれぞれ、絶縁性シート１１６ｆ〜１１６ｉに設けられ、ビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６により互いに接続されている。そして、コイルＬ１１とコイルＬ１２とは、積層方向に並ぶことにより、互いに磁気的に結合してコモンモードチョークコイルを構成している。
【０００７】
更に、積層型コモンモードチョークコイル１１０では、絶縁性シート１１６ｅの厚みが、他の絶縁性シート１１６ａ〜１１６ｄ，１１６ｆ〜１１６ｊの厚みよりも大きい。これにより、コイルＬ１１，Ｌ１２間の絶縁性を向上させている。更に、コイルＬ１１，１２間の浮遊容量を低減している。
【０００８】
ところで、積層型コモンモードチョークコイル１１０では、コイルＬ１１とコイルＬ１２との間の浮遊容量の低減と同様に、コイルＬ１１，Ｌ１２と外部電極１１４との間の浮遊容量の低減も要求されている。
【０００９】
このような要求を満たすため方法としては、例えば、積層体１１２を多孔質材料により作製することが挙げられる。積層体１１２を多孔質材料により作製した場合には、積層体１１２内に多数の空孔が形成される。ここで、空気の比誘電率は、全物質中で最小の１である。よって、積層体１１２を多孔質材料により作製することにより、積層体１１２の平均の比誘電率を低下させることが可能となる。その結果、コイルＬ１１，Ｌ１２と外部電極１１４との間の浮遊容量も低減される。
【００１０】
しかしながら、積層体１１２が多孔質材料により作製された場合には、以下に説明するように、イオンマイグレーションにより、コイルＬ１１，Ｌ１２間の絶縁性が低下するおそれがある。より詳細には、積層体１１２が多孔質材料により作製されると、コイル導体１１８の周囲に空孔が存在するようになる。また、コイル導体１１８は、一般的に、銀ペーストにより作製される。コイルＬ１１，Ｌ１２に信号が流れると、コイルＬ１１とコイルＬ１２との電位差により、コイルＬ１１とコイルＬ１２との間に電界が発生する。コイル導体１１８の一部は、耐湿環境下で空孔を通じて侵入した水分により銀イオンとなってしまう。そのため、銀イオンは、この電界により例えば、コイルＬ１２からコイルＬ１１に向かって移動してしまう。その結果、コイルＬ１１，コイルＬ１２間の絶縁性が低下してしまう。すなわち、積層型コモンモードチョークコイル１１０の耐電圧が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第２９５８５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本発明の目的は、コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明の一形態に係る電子部品は、多孔質の積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、少なくとも１以上の第１のコイル導体により構成されている第１のコイルと、前記積層体に内蔵され、かつ、少なくとも１以上の第２のコイル導体により構成されている第２のコイルと、を備え、前記第１のコイルと前記第２のコイルとは、コモンモードチョークコイルを構成しており、前記第２のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体と、前記第１のコイルの最も近くに位置する前記第２のコイル導体とに挟まれた領域内に存在する空孔には、結晶化ガラスが充填されていること、を特徴とする。また、該電子部品において、前記積層体は、複数の絶縁体層が積層されてなり、前記第２のコイルは、前記第１のコイルよりも積層方向の下側に設けられ、前記第２のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体は、積層方向の最も下側に設けられている前記第１のコイル導体であり、前記第１のコイルの最も近くに位置する前記第１のコイル導体は、積層方向の最も上側に設けられている前記第２のコイル導体であってもよい。
【００１４】
本願発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、加熱により消失する消失物質が混入された絶縁性物質により、前記複数の絶縁体層を作製する工程と、前記複数の絶縁体層上に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、前記複数の絶縁体層を積層して積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備え、前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程では、該第１のコイル導体及び該第２のコイル導体の内、少なくとも、積層方向の最も下側に設けられる該第１のコイル導体、及び、積層方向の最も上側に設けられる該第２のコイル導体を、結晶化ガラスを含有する導電材料により形成すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１に示す電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図及び領域Ｄにおける拡大図である。
【図４】図１に示す電子部品のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図５】図１に示す電子部品のＣ−Ｃにおける断面構造図である。
【図６】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】その他の実施形態に係る電子部品の断面構造図である。
【図８】特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルの積層体の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１８】
（電子部品の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０ａ，１０ｂの外観斜視図である。図２は、電子部品１０ａの積層体１２ａの分解斜視図である。以下、電子部品１０ａの積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０ａに長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０ａの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。
【００１９】
電子部品１０ａは、図１に示すように、磁性体材料からなる直方体状の積層体１２ａ、及び、ｙ軸方向の両端に位置する積層体１２ａの側面（表面）に形成された４つの外部電極１４（１４ａ〜１４ｄ）を備えている。
【００２０】
積層体１２ａは、多孔質材料からなり、３５％以上８０％以下の空孔率を有している。ここでの空孔率は、積層体１２ａの全体積中に対する、磁性体材料が存在していない部分の体積の割合である。よって、空孔に磁性体材料以外の物質（例えば、後述する結晶化ガラス）が充填されている場合であっても、空孔とみなす。積層体１２ａは、図２に示すように、磁性体層１６（１６ａ〜１６ｎ）がｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されて構成されており、螺旋状のコイルＬ１，Ｌ２を内蔵している。磁性体層１６は、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）からなる長方形状の多孔質の絶縁体層である。該磁性体層１６を構成する材料の透磁率は、４００である。ただし、磁性体層１６が多孔質であるので、該磁性体層１６の透磁率は１００である。また、磁性体層１６の厚みは、２０μｍである。
【００２１】
コイルＬ１は、図２に示すように、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルである。コイルＬ１は、少なくとも１以上（本実施形態では４つ）のコイル導体１８（１８ａ〜１８ｄ）、引き出し導体２０（２０ａ，２０ｂ）及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３を含んでいる。コイル導体１８及び引き出し導体２０は、例えばＡｇを主成分とし、かつ、結晶化ガラス（例えば、ＳｉＯ2／ＭｇＯ／Ａｌ2Ｏ3（Ｂ2Ｏ3））を含有する導電性材料からなる。
【００２２】
コイル導体１８ａ〜１８ｄはそれぞれ、磁性体層１６ｄ〜１６ｇのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体１８はそれぞれ、長方形状の軌道の一部をなしており、１／２ターンのターン数を有している線状導体である。ただし、コイル導体１８ｄは、外部電極１４ｂと接続可能に構成されるために、１／４ターンのターン数を有している。コイル導体１８ａ〜１８ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより、長方形状の軌道をなしている。
【００２３】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、磁性体層１６ｄ〜１６ｆをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８同士を接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体１８ａ，１８ｂを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体１８ｂ，１８ｃを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体１８ｃ，１８ｄを接続している。
【００２４】
引き出し導体２０ａは、磁性体層１６ｄのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ａは、コイル導体１８ａと外部電極１４ａとに接続されている。引き出し導体２０ｂは、磁性体層１６ｇのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｂは、コイル導体１８ｄと外部電極１４ｂとに接続されている。以上の構成により、外部電極１４ａ，１４ｂ間には、ｚ軸方向の負方向側に進行しながら、時計回りに旋廻する螺旋状のコイルＬ１が構成されている。
【００２５】
コイルＬ２は、図２に示すように、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルである。コイルＬ２は、図２に示すように、コイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。また、コイルＬ２は、少なくとも１以上（本実施形態では４つ）のコイル導体１８（１８ｅ〜１８ｈ）、引き出し導体２０（２０ｃ，２０ｄ）及びビアホール導体ｂ４〜ｂ６を含んでいる。コイル導体１８及び引き出し導体２０は、例えばＡｇを主成分とし、かつ、結晶化ガラスを含有する導電性材料からなる。
【００２６】
コイル導体１８ｅ〜１８ｈはそれぞれ、磁性体層１６ｈ〜１６ｋのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体１８はそれぞれ、長方形状の軌道の一部をなしており、１／２ターンのターン数を有している線状導体である。ただし、コイル導体１８ｇは、コイル導体１８ｈが外部電極１４ｄと接続できるように、３／４ターンのターン数を有している。コイル導体１８ｅ〜１８ｈは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより、長方形状の軌道をなしている。また、コイル導体１８ａ〜１８ｄが形成している長方形状の軌道と、コイル導体１８ｅ〜１８ｈが形成している長方形状の軌道とは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合っている。
【００２７】
ビアホール導体ｂ４〜ｂ６は、磁性体層１６ｈ〜１６ｊをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８同士を接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ４は、コイル導体１８ｅ，１８ｆを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体１８ｆ，１８ｇを接続している。ビアホール導体ｂ６は、コイル導体１８ｇ，１８ｈを接続している。
【００２８】
引き出し導体２０ｃは、磁性体層１６ｈのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｃは、コイル導体１８ｅと外部電極１４ｃとに接続されている。引き出し導体２０ｄは、磁性体層１６ｋのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。引き出し導体２０ｄは、コイル導体１８ｈと外部電極１４ｄとに接続されている。以上の構成により、外部電極１４ｃ，１４ｄ間には、ｚ軸方向の負方向側に進行しながら、時計回りに旋廻する螺旋状のコイルＬ２が構成されている。すなわち、コイルＬ１とコイルＬ２とは同じ方向に旋廻している。
【００２９】
以上のように、コイルＬ１とコイルＬ２とは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なった軌道を有していると共に、同じ方向に旋廻している。そのため、外部電極１４ａ，１４ｃを入力端子とし、外部電極１４ｂ，１４ｄを出力端子とした場合には、コイルＬ１及びコイルＬ２には、同じ方向に電流が流れ、同じ方向に磁束が発生する。したがって、コイルＬ１とコイルＬ２とは互いに磁気的に結合している。その結果、コイルＬ１とコイルＬ２とは、コモンモードチョークコイルを構成している。
【００３０】
ここで、電子部品１０ａでは、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性を向上させるため、並びに、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄ間及びコイルＬ２と外部電極１４ａ，１４ｂ間の絶縁性を向上させるための構成を有している。そこで、以下に、かかる構成について図面を参照しながら説明する。図３は、図１に示す電子部品１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図及び領域Ｄにおける拡大図である。図４は、図１に示す電子部品１０ａのＢ−Ｂにおける断面構造図である。図５は、図１に示す電子部品１０ａのＣ−Ｃにおける断面構造図である。
【００３１】
図３ないし図５に示すように、積層体１２ａは、領域Ｒ１，Ｒ２により構成されている。領域Ｒ２は、コイル導体１８の周囲を取り囲む領域であり、領域Ｒ１は、積層体１２ａの領域Ｒ２を除く領域である。領域Ｒ１には、図３（ｂ）に示すように、内部に何も充填されていない空孔ｈ１が無数に形成されている。領域Ｒ２には、図３（ｂ）に示すように、内部に結晶化ガラスが充填された空孔ｈ２が無数に形成されている。
【００３２】
ここで、特に、結晶化ガラスが充填された空孔ｈ２が形成されていることが望ましい領域について、説明する。空孔ｈ２は、コイル導体１８ａ〜１８ｄの内、コイルＬ２の最も近くに位置するコイル導体１８ｄと、コイル導体１８ｅ〜１８ｈの内、コイルＬ１の最も近くに位置するコイル導体１８ｅとに挟まれた領域Ｅに設けられていることが望ましい。換言すれば、空孔ｈ２は、図４及び図５に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｄの内、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられているコイル導体１８ｄと、コイル導体１８ｅ〜１８ｈの内、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられているコイル導体１８ｅとに挟まれた領域Ｅ内に設けられていることが望ましい。これは、後述するように、領域Ｅにおいてイオンマイグレーションが発生しやすく、このイオンマイグレーションがコイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下の原因となるからである。
【００３３】
更に、空孔ｈ２は、図５に示すように、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとに挟まれた領域Ｆ内に設けられていることが望ましい。また、図示しないが、空孔ｈ２は、コイルＬ２と外部電極１４ａ，１４ｂとに挟まれた領域Ｇ内に設けられていることが望ましい。これは、後述するように、領域Ｆ，Ｇにおいてイオンマイグレーションが発生しやすく、このイオンマイグレーションが、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間、及び、コイルＬ２と外部電極１４ａ，１４ｂとの間の絶縁性の低下の原因となるからである。
【００３４】
また、空孔ｈ２は、図３ないし図５に示すように、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ａ〜１８ｃに挟まれた領域Ｈ、及び、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ｄ〜１８ｆに挟まれた領域Ｈに設けられていることが望ましい。これは、後述するように、領域Ｈにおいてイオンマイグレーションが発生しやすく、このイオンマイグレーションがコイル導体１８間の絶縁性の低下の原因となるからである。
【００３５】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０ａの製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００３７】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤及び消失物質を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。消失物質とは、焼成時の加熱により消失する物質であり、例えば、ポリメタクリル酸メチルである。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００３８】
次に、磁性体層１６ｄ〜１６ｆ，１６ｈ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ６を形成する。具体的には、磁性体層１６ｄ〜１６ｆ，１６ｈ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００３９】
次に、磁性体層１６ｄ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシート上に、導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｈ及び引き出し導体２０ａ〜２０ｄを形成する。該導電性ペーストは、例えば、Ａｇを６０ｗｔ％〜７０ｗｔ％、結晶化ガラスを２０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の割合で混合したものに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。結晶化ガラスは、ＳｉＯ2を４０ｗｔ％〜５０ｗｔ％、ＭｇＯを４０ｗｔ％〜５０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3（Ｂ2Ｏ3）を１０ｗｔ％〜２０ｗｔ％の割合で混合したものである。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｃ，１８ｅ〜１８ｇ及び引き出し導体２０ａ，２０ｃを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００４０】
次に、各セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を作製する。具体的には、磁性体層１６ｎとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、磁性体層１６ｎとなるべきセラミックグリーンシート上に磁性体層１６ｍなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、磁性体層１６ｍとなるべきセラミックグリーンシートを磁性体層１６ｎに対して圧着する。圧着条件は、１００トン〜１２０トンの圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。この後、磁性体層１６ｌ，１６ｋ，１６ｊ，１６ｉ，１６ｈ，１６ｇ，１６ｆ，１６ｅ，１６ｄ，１６ｃ，１６ｂ，１６ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
【００４１】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法（１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）の積層体１２ａにカットする。これにより未焼成の積層体１２ａが得られる。この未焼成の積層体１２ａには、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８７０℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。焼成において、セラミックグリーンシート中の消失物質は消失する。更に、焼成において、結晶化ガラスは、溶融してコイル導体１８及び引き出し導体２０外へと拡散し、コイル導体１８及び引き出し導体２０の周囲の空孔ｈ２に入り込んで再結晶化する。これにより、図３（ｂ）に示すように、領域Ｒ２に結晶化ガラスが充填された無数の空孔ｈ２が形成されるようになる。
【００４２】
以上の工程により、焼成された積層体１２ａが得られる。積層体１２ａには、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１２ａの表面には、主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極１４となるべき銀電極が形成される。銀電極の焼き付けは、８００℃で６０分間行われる。
【００４３】
次に、外部電極１４が設けられた部分以外の積層体１２ａの空孔部にエポキシ樹脂を含浸させる。エポキシ樹脂は、積層体１２ａの機械的強度の補強を目的として、積層体１２ａの外側からガラス充填のされていない空孔ｈ１に充填される。最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４を形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ａが完成する。
【００４４】
（効果）
前記電子部品１０ａによれば、以下に説明するように、外部電極１４とコイルＬ１，Ｌ２との間の浮遊容量を低減することができる。より詳細には、電子部品１０ａでは、積層体１２ａは、無数の空孔を含んだ多孔質部材により構成されている。空孔内は空気又は樹脂により満たされており、空気の比誘電率は、全物質中で最小の１であり、エポキシ樹脂の比誘電率は約４である。そのため、積層体１２ａは、多孔質部材により構成されていない積層体（例えば、特許文献１に記載の積層型コモンモードチョークコイルの積層体）よりも、低い比誘電率を有するようになる。その結果、電子部品１０ａでは、多孔質部材により構成されていない積層体からなる電子部品に比べて、外部電極１４とコイルＬ１，Ｌ２との間の浮遊容量が低減される。
【００４５】
また、電子部品１０ａによれば、以下に説明するように、図４及び図５に示すように、コイル導体１８ｄとコイル導体１８ｅとに挟まれた領域Ｅ内に存在する空孔ｈ２には、結晶化ガラスが充填されているので、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下が抑制される。より詳細には、コイルＬ１，Ｌ２とは、コイル導体１８ｄ，１８ｅにおいて最も近接する。そして、電子部品１０ａでは、外部電極１４ａ，１４ｃが入力端子として用いられ、外部電極１４ｂ，１４ｄが出力端子として用いられる。そのため、コイル導体１８ｄ，１８ｅ間の電位差は、コイルＬ１，Ｌ２間の電位差の中で最大となる。よって、コイル導体１８ｄ，１８ｅにより挟まれた領域Ｅでは、他のコイル導体１８間よりも電界が大きくなる。そのため、領域Ｅ内において、コイル導体１８ｄ，１８ｅのＡｇがイオン化すると、Ａｇイオンがコイル導体１８ｅからコイル導体１８ｄへ向かって移動してしまう（イオンマイグレーションの発生）。その結果、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性が低下する。
【００４６】
そこで、電子部品１０ａでは、コイル導体１８ｄ，１８ｅにより挟まれた領域Ｅ内に存在する空孔ｈ２に、絶縁性を有する結晶化ガラスが充填されている。これにより、電子部品１０ａでは、領域Ｅ内の空孔ｈ２に結晶化ガラスが充填されていない電子部品に比べて、領域Ｅ内に外部環境からの水分の浸入を抑制する。その結果、電子部品１０ａでは、コイル導体１８ｄ，１８ｅのＡｇのイオン化が抑制されるようになり、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下が抑制される。
【００４７】
また、電子部品１０ａによれば、以下に説明するように、図５に示すように、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとに挟まれた領域Ｆ内に存在する空孔ｈ２には、結晶化ガラスが充填されているので、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間の絶縁性の低下が抑制される。より詳細には、電子部品１０ａでは、外部電極１４ａ，１４ｃが入力端子として用いられ、外部電極１４ｂ，１４ｄが出力端子として用いられる。そのため、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間には、電位差が発生し、電界が発生する。よって、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間において、コイル導体１８ａ〜１８ｄ及び外部電極１４ｃのＡｇがイオン化すると、Ａｇイオンがコイル導体１８ａ〜１８ｄから外部電極１４ｄへ向かって移動してしまう（イオンマイグレーションの発生）。同様に、Ａｇイオンが外部電極１４ｃからコイル導体１８ａ〜１８ｄへ向かって移動してしまう。その結果、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間の絶縁性が低下する。
【００４８】
そこで、電子部品１０ａでは、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとに挟まれた領域Ｆ内に存在する空孔ｈ２に、結晶化ガラスが充填されている。これにより、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下が抑制される理由と同じ理由により、コイルＬ１と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間の絶縁性の低下が抑制される。更に、同じ理由により、コイルＬ２と外部電極１４ａ，１４ｂとの間の絶縁性の低下が抑制される。
【００４９】
また、電子部品１０ａによれば、以下に説明するように、図３ないし図５に示すように、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ａ〜１８ｃに挟まれた領域Ｈ、及び、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ｄ〜１８ｆに挟まれた領域Ｈに存在する空孔ｈ２に、結晶化ガラスが充填されているので、コイル導体１８間の絶縁性の低下が抑制される。より詳細には、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８同士は、異なる電位を有している。そのため、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８間には、電界が発生している。ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８間において、コイル導体１８のＡｇがイオン化すると、Ａｇイオンがコイル導体１８間において移動してしまう（イオンマイグレーションの発生）。その結果、コイル導体１８間の絶縁性が低下する。
【００５０】
そこで、電子部品１０ａでは、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ａ〜１８ｃに挟まれた領域Ｈ、及び、ｚ軸方向に隣り合うコイル導体１８ｄ〜１８ｆに挟まれた領域Ｈに存在する空孔ｈ２に、結晶化ガラスが充填されている。これにより、コイルＬ１，Ｌ２間の絶縁性の低下が抑制される理由と同じ理由により、コイル導体１８間の絶縁性の低下が抑制される。
【００５１】
ただし、結晶化ガラスが充填された空孔ｈ２は、領域Ｅ〜Ｈのみに限らず、コイル導体１８の周囲の領域Ｒ２に設けられていることが望ましい。空孔ｈ２への結晶化ガラスの充填は、結晶化ガラスが混入された導電性ペーストによりコイル導体１８が作成され、焼成時において該結晶化ガラスがコイル導体１８外に拡散し、空孔ｈ２にて再結晶することにより実現される。よって、結晶化ガラスが混入された導電性ペーストを用いて、全てのコイル導体１８を形成すれば、焼成時に、領域Ｅ〜Ｈを全て含んだ領域Ｒ２に存在する空孔ｈ２に結晶化ガラスが充填されるようになる。すなわち、簡単な工程により、空孔ｈ２に結晶化ガラスを充填することが可能となる。
【００５２】
また、積層体１２ａは、３５％以上８０％以下の空孔率を有していることが望ましい。これは、空孔率が３５％より小さくなると、積層体１２ａの比誘電率が高くなり、外部電極１４とコイルＬ１，Ｌ２との間の浮遊容量を十分に低減できないおそれがあるからである。また、空孔率が８０％より大きくなると、積層体１２ａの十分な強度を確保できないからである。
【００５３】
ここで、本願発明者は、電子部品１０ａが奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するシミュレーション及び実験を行った。
【００５４】
まず、本願発明者は、電子部品１０ａがコイルＬ１，Ｌ２と外部電極１４との間の浮遊容量を低減できていることを示すために、以下のシミュレーションを行った。シミュレーションにおいて、電子部品１０ａに相当する第１のモデルＭ１を作成した。また、比較例として、電子部品１０ａにおいて空孔ｈ１，ｈ２が設けられていない第２のモデルＭ２を作成した。そして、第１のモデル及び第２のモデルにおいて、入力する信号の周波数を変化させて、それぞれの周波数におけるインピーダンスを求めた。図６は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸はインピーダンスを示し、横軸は周波数を示す。
【００５５】
図６のグラフによれば、第１のモデルＭ１は、ノーマルモード及びコモンモードの両方において、第２のモデルＭ２よりも高周波特性が向上していることが分かる。これは、積層体１２ａが多孔質材料により作成されることで、コイルＬ１，Ｌ２と外部電極１４との間の浮遊容量が低減されたことにより、コイルＬ１，Ｌ２の共振周波数が高くなったためである。以上のシミュレーションにより、電子部品１０ａにおいて、コイルＬ１，Ｌ２と外部電極１４との間の浮遊容量を低減できていることが分かる。
【００５６】
次に、本願発明者は、電子部品１０ａにおいて絶縁性が向上していることを示すために、以下の実験を行った。実験において、電子部品１０ａを作成した。また、比較例として、結晶化ガラスを有さない電子部品を作成した。比較例に係る電子部品は、電子部品１０ａと結晶化ガラスの有無以外においては同じ構造を有している。そして、電子部品１０ａと比較例に係る電子部品とに対して、耐湿電圧負荷試験を行った。温度８５℃、湿度８５ＲＨ％の環境下で、電子部品１０ａと比較例に係る電子部品に対して１０Ｖの直流電圧を印加することで試験を行った。
【００５７】
前記実験によれば、電子部品１０ａでは、ＩＲ（絶縁抵抗）の劣化は確認されなかった。一方、比較例に係る電子部品では、数時間の実験によりＩＲの劣化が確認された。したがって、電子部品１０ａにおいて絶縁性が向上していることが分かる。
【００５８】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記実施形態に示したものに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。以下に、その他の実施形態に係る電子部品１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は、その他の実施形態に係る電子部品１０ｂの断面構造図である。なお、電子部品１０ｂの外観斜視図は、図１に示される。
【００５９】
電子部品１０ｂと電子部品１０ａとの間には、磁性体層１６ａ〜１６ｃ，１６ｌ〜１６ｎの材質と、磁性体層１７ａ〜１７ｃ，１７ｌ〜１７ｎの材質とにおいて相違点が存在する。具体的には、電子部品１０ａでは、全ての磁性体層１６は、同じ多孔質材料により作成されていた。一方、電子部品１０ｂでは、コイルＬ１よりもｚ軸方向の正方向側に位置する磁性体層１７ａ〜１７ｃ、及び、コイルＬ２よりもｚ軸方向の負方向側に位置する磁性体層１７ｌ〜１７ｎは、磁性体層１６ｄ〜１６ｋよりも、低い空孔率を有している。これにより、積層体１２ｂの強度が、積層体１２ａの強度よりも高くなる。なお、電子部品１０ｂの製造方法については、電子部品１０ａと同様であるので、説明を省略する。
【００６０】
ところで、電子部品１０ａの製造方法において、全てのコイル導体１８が、結晶化ガラスを含んだ導電性ペーストにより作成されていた。しかしながら、全てのコイル導体１８が結晶化ガラスを含んだ導電性ペーストで作成される必要はない。コイル導体１８ａ〜１８ｄの内、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられているコイル導体１８ｄと、コイル導体１８ｅ〜１８ｈの内、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられているコイル導体１８ｅとが、結晶化ガラスを含んだ導電性ペーストにより作成されていればよい。
【００６１】
また、電子部品１０ａ，１０ｂにおいて、コイルＬ１，Ｌ２は、ｚ軸方向に並び、コイルＬ１，Ｌ２のコイル軸は、ｚ軸方向に平行である。しかしながら、コイルＬ１，Ｌ２の配置はこれに限らない。コイルＬ１，Ｌ２は、ｘ軸方向に平行に並び、コイルＬ１，Ｌ２のコイル軸は、ｘ軸方向に平行であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００６３】
Ｅ〜Ｈ  領域
Ｌ１，Ｌ２  コイル
Ｒ１，Ｒ２  領域
ｂ１〜ｂ６  ビアホール導体
ｈ１，ｈ２  空孔
１０ａ，１０ｂ  電子部品
１２ａ，１２ｂ  積層体
１４ａ〜１４ｄ  外部電極
１６ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１７ｃ，１７ｌ〜１７ｎ  磁性体層
１８ａ〜１８ｈ  コイル導体
２０ａ〜２０ｄ  引き出し導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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