(57)【要約】【課題】落下等により外部から加えられた大きな衝撃によるコンタクトスプリングの塑性変形を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるコンデンサマイクロホンを提供する。【解決手段】回路基板２３に対し振動膜３０を対向配置し、振動膜３０の回路基板２３側にスペーサ２９を介在させて背電極３１を配置し、回路基板２３と背電極３１との間に配置したコンタクトスプリング３３により、背電極３１をスペーサ２９に対し弾性的に当接させて回路基板２３と背電極３１とを導通させた。この構成において、コンデンサマイクロホン２１に外部から加わった衝撃による背電極３１の回路基板２３側への変位を制限する変位制限手段としての当接部４２を筐体基枠２４に設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に対し振動膜を対向配置し、振動膜の回路基板側にスペーサを介在させて背電極を配置し、回路基板と背電極との間に配置したコンタクトスプリングにより、背電極をスペーサに対し弾性的に当接させて回路基板と背電極とを導通させたコンデンサマイクロホンにおいて、
前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段が設けられていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記回路基板と前記スペーサとの間に介在され、前記背電極が収容される開口部を有する筐体基枠を備え、
前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部に対面するように前記筐体基枠の内周側に形成され、前記背電極の回路基板側への変位時に同外周縁部が当接する当接部であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記当接部において前記背電極の外周縁部に対面する面上には、同背電極との衝突を緩衝する層状弾性部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記筐体基枠は、前記回路基板に接合される第１基枠体と、この第１基枠体に一体化されるとともに前記背電極を収容した状態で前記スペーサに接合される第２基枠体とにより構成され、前記当接部は、前記第１基枠体の内周縁部により構成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
前記変位制限手段は、前記コンタクトスプリングから前記回路基板側へ延出され、前記背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接片であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
前記コンタクトスプリングは、金属板材から打ち抜き形成されたものであって、前記当接片は、コンタクトスプリングに一体形成されていることを特徴とする請求項５に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項７】
前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部から前記回路基板側へ延出され、同背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接部であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バックエレクトレット型のコンデンサマイクロホンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術としては、例えば特許文献１に開示されるものがある。特許文献１の構成においては、筐体内に支持された振動膜に対し、スペーサを介して背電極が対向配置されている。背電極は、回路基板と背電極との間に圧縮状態で介在されたコンタクトスプリングにより、振動膜側へ付勢されてスペーサに当接した状態で保持されるとともに回路基板に対して導通されている。そして、エレクトレット化されたフィルムが一体化された背電極としての背電極と、導電層が形成された振動膜とによりコンデンサ部を構成している。このような構成によれば、背電極においてスペーサとの当接部分に加えられる荷重はコンタクトスプリングの付勢力を越えないため、当接部分において誘電体層が潰されることはなく、コンデンサマイクロホンの感度が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４１４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１のような構成においては、前述した構成のコンデンサマイクロホンが装備された携帯電話等の機器を硬い床や舗装路面等に落としたときのように、過大な加速度が背電極に瞬時に加わると、つまり大きな衝撃が加わると、背電極がコンタクトスプリングの付勢力に抗して回路基板側へ変位する場合がある。そして、背電極が回路基板側へ大きく変位してコンタクトスプリングに塑性変形を起こさせる虞がある。このような場合には、コンタクトスプリングから背電極に付与される付勢力が設定値から減少し、この結果、背電極と振動膜との間隔が設定値から拡がったり、背電極と回路基板とのコンタクトスプリングを介した導通が不良となったりすることが生じる可能性がある。
【０００５】
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、落下等により外部から加えられた大きな衝撃によるコンタクトスプリングの塑性変形を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるコンデンサマイクロホンを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、回路基板に対し振動膜を対向配置し、振動膜の回路基板側にスペーサを介在させて背電極を配置し、回路基板と背電極との間に配置したコンタクトスプリングにより、背電極をスペーサに対し弾性的に当接させて回路基板と背電極とを導通させたコンデンサマイクロホンにおいて、前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、前記回路基板と前記スペーサとの間に介在され、前記背電極が収容される開口部を有する筐体基枠を備え、前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部に対面するように前記筐体基枠の内周側に形成され、前記背電極の回路基板側への変位時に同外周縁部が当接する当接部であることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、前記当接部において前記背電極の外周縁部に対面する面上には、同背電極との衝突を緩衝する層状弾性部が設けられていることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、前記筐体基枠は、前記回路基板に接合される第１基枠体と、この第１基枠体に一体化されるとともに前記背電極を収容した状態で前記スペーサに接合される第２基枠体とにより構成され、前記当接部は、前記第１基枠体の内周縁部により構成されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、前記変位制限手段は、前記コンタクトスプリングから前記回路基板側へ延出され、前記背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接片であることを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、前記コンタクトスプリングは、金属板材から打ち抜き形成されたものであって、前記当接片は、コンタクトスプリングに一体形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部から前記回路基板側へ延出され、同背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接部であることを特徴とする。
【００１２】
（作用）
コンデンサマイクロホンに外部から加わった大きな衝撃により、背電極がコンタクトスプリングの変形を伴って回路基板側へ変位したとき、その変位が変位制限手段により制限される。このため、背電極の変位によるコンタクトスプリングの過度の変形が規制され、その塑性変形が防止される。この結果、背電極と振動膜との間の間隔の設定値からの拡大や、コンタクトスプリングを介した背電極と回路基板との間の導通の不良化が防止される。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、落下等により外部から加えられた大きな衝撃によるコンタクトスプリングの塑性変形を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。
【図２】同じく分解斜視図。
【図３】回路基板上の導電パターンとレジストとの位置関係を示す平面図。
【図４】（ａ）は回路基板の上面側の導電パターンを示す平面図、（ｂ）は同じくレジストを示す平面図。
【図５】回路基板の下面側の導電パターンを示す平面図。
【図６】筐体基枠の上面を示す平面図。
【図７】第２実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。
【図８】背電極を示す一部破断の斜視図。
【図９】第３実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。
【図１０】コンタクトスプリングを示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
(第１実施形態)
次に、この発明を具体化した第１実施形態について、図１〜図６を参照して説明する。
図１及び図２に示すように、この実施形態のコンデンサマイクロホン２１の筐体２２は、平板状の回路基板２３と、四角枠状の筐体基枠２４と、平板状のトップカバー基板２５とを積層して、接着シート２７Ａ，２７Ｂにより一体に固定した構造となっている。前記回路基板２３，筐体基枠２４及びトップカバー基板２５はエポキシ樹脂等の樹脂製の電気絶縁体により構成されている。この実施形態では、前記部材はガラス布基材エポキシ樹脂にて構成されているが、エポキシ樹脂に限定されるものではない。
【００１６】
図４（ａ）に示すように回路基板２３の上面には銅箔よりなる導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃが形成されている。なお、図４（ａ）においては、説明の便宜上、導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃをハッチングで示す。
【００１７】
導電パターン２３ａは、その第１端部５０が回路基板２３の上面において、長手方向の一端部寄りに、かつ、短手方向の一側端部寄りに位置するとともに、その第２端部５１が回路基板２３の上面において中央部寄りに延出されている。そして、導電パターン２３ａの第１端部５０は導通部５０ａとされている。
【００１８】
ここで、説明の便宜上、図４（ａ）に示すように、回路基板２３の厚み方向に貫通する中心軸Ｏを想定し、回路基板２３の上面において中心軸Ｏに直交する短手方向の軸をｘ軸とし、同じく長手方向の軸をｙ軸とする。そして、回路基板２３の上面において、ｘ軸を対称軸とする前記導通部５０ａとは線対称の領域Ｐ１、及び、ｙ軸を対称軸とする導通部５０ａの線対称の領域Ｐ２、並びに、中心軸Ｏを中心点とした導通部５０ａの点対称の領域Ｐ３は、導電パターンが設けられていない領域（以下、無導電パターン領域という）に含まれている。なお、無導電パターン領域とは、回路基板２３の上面において、前記導電パターン２３ｃに囲まれるとともに、導電パターン２３ａ、２３ｂを除外した領域である。導電パターン２３ｂは、この実施形態では、複数（この実施形態では４個）設けられている。
【００１９】
前記導電パターン２３ｃは、アース用の導電パターンであって、筐体基枠２４の枠形状に相対するように枠状に設けられている。導電パターン２３ａ，２３ｂは、部品接続のための導電パターンであって、電源入力用や信号取り出し用となっている。
【００２０】
又、図３及び図４（ｂ）に示すように、導電パターン２３ａ〜２３ｃの一部の領域、及び、無導電パターン領域において領域Ｐ１〜Ｐ３を含む面はレジスト５２にて覆われている。なお、図３及び図４（ｂ）においては、説明の便宜上、レジスト５２をハッチングで示す。
【００２１】
レジスト５２は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁部材からなるが、この材質に限定されるものではなく、絶縁性の合成樹脂であればよい。又、レジスト５２は、その全体に亘って同一の膜厚に形成されるとともに導電パターン２３ａの導通部５０ａと同じ厚みとされている。すなわち、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分と、導通部５０ａとは回路基板２３の上面を基準として同じ高さ（すなわち、厚み）となるようにされている。導通部５０ａとレジスト５２の厚みは、通常２０μｍ〜４０μｍ程度に設定されている。なお、この実施形態における導通部５０ａとレジスト５２の厚みは、３０μｍに設定されている。
【００２２】
レジスト５２には、導通部５０ａを露出させる切り欠き５２ａが形成されるとともに、ｘ軸を対称軸とする切り欠き５２ａと線対称の位置には無導電パターン領域を露出させる切り欠き５２ｃが形成されている。又、レジスト５２において、導電パターン２３ａの第２端部５１、各導電パターン２３ｂの一端部、及び、導電パターン２３ｃの一部に対応した部分には窓５２ｂがそれぞれ設けられ、当該各部分はそれぞれ窓５２ｂを介して露出されている。
【００２３】
又、導電パターン２３ｃの枠状の周部は、レジスト５２にて覆われていない露出部分とされて筐体基枠２４と相対する。
又、図５に示すように回路基板２３の下面には銅箔よりなる複数の導電パターン２３ｄ，２３ｅが形成されている。なお、図５においては、説明の便宜上、導電パターン２３ｄ，２３ｅをハッチングで示す。
【００２４】
図４（ａ）及び図５に示すように、回路基板２３の外周部には、複数のスルーホール２３ｇが設けられるとともに、同スルーホール２３ｇの内周には図示しない導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール２３ｇの導電層を介して、前記導電パターン２３ｃと導電パターン２３ｄとが電気接続されている。導電パターン２３ｄにおいては、その一部がアース端子となる。
【００２５】
又、回路基板２３の中央部には、複数のスルーホール２３ｈが形成され、これらのスルーホール２３ｈの内周には導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール２３ｈの導電層を介して、導電パターン２３ａ，２３ｂと導電パターン２３ｅとが電気接続されている。この導電パターン２３ｅは、図示しない信号出力端子や電源入力端子に接続される。
【００２６】
なお、図１に示すように、回路基板２３の内部には、銅箔よりなる中間層２３ｆが設けられ、この中間層２３ｆは、導電パターン２３ｃと導電パターン２３ｄとを電気接続する各スルーホール２３ｇに対し電気接続されている。
【００２７】
又、回路基板２３の上面には、電界効果トランジスタ２６等よりなるインピーダンス変換素子が実装されている。インピーダンス変換素子は、導電パターン２３ａの第２端部５１と、導電パターン２３ｂのうちのいくつかに電気接続されている。
【００２８】
図１及び図２に示すように、前記筐体基枠２４は、回路基板２３側に配置される第１基枠体４０と、第１基枠体４０よりも大きな開口部を有するとともにトップカバー基板２５側に配置される第２基枠体４１とを積層して一体化することにより形成されている。そして、筐体基枠２４の内周側全体に、第１基枠体４０の内周縁部により変位制限手段としての段差状の当接部４２が形成されている。この当接部４２の上面４２ａには、例えばフォトレジストやソルダレジストに使用されるレジスト材やポリジメチルシロキサンよりなる層状弾性部４３が形成されている。この層状弾性部４３は、例えばスクリーン印刷により形成される。
【００２９】
図１に示すように、筐体基枠２４の上下両面及び側壁外側面には、銅箔よりなる連続した導電パターン２４ａ，２４ｂ，２４ｃが形成されている。導電パターン２４ａは、図２に示すように筐体基枠２４の上開口部周縁に対して環状に設けられている。又、図示しないが、導電パターン２４ｂは、筐体基枠２４の上開口部周縁に対し、導電パターン２４ａと同様に環状に設けられている。
【００３０】
導電パターン２４ｃは、筐体基枠２４の側壁外側面において、同筐体基枠２４の４つのコーナ部Ｃの外側面を除いた部分に設けられた凹部２４ｉに導電ペーストが塗布されることにより、若しくは、銅箔メッキ等の金属箔メッキを施すことにより形成され、導電パターン２４ａ，２４ｂ同士を電気的に接続している。
【００３１】
又、下面側の導電パターン２４ｂは、図１に示すように回路基板２３の上面の前記導電パターン２３ｃに対して電気的に接続され、導電パターン２３ｃを介して回路基板２３の下面の導電パターン２３ｄに電気的に接続されている。凹部２４ｉ内には、エポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂からなる充填部２４ｊが形成されている。
【００３２】
そして、図２及び図６に示すように、筐体基枠２４の４つのコーナ部Ｃには、それぞれ断面円形のスルーホール２４ｋが設けられている。スルーホール２４ｋの内周には、図示しない導電層が形成されるとともに、スルーホール２４ｋの内部には、例えば導電ペーストからなる導電剤が充填されている。
【００３３】
図１及び図２に示すように筐体基枠２４の下部の開口部周縁は、前記導電パターン２３ｃの外方に配置された四角環状の接着シート２７Ａにより前記回路基板２３に対して一体に接着固定されている。そして、回路基板２３上の電界効果トランジスタ２６等の電装部品は、この筐体基枠２４内に収容配置されている。
【００３４】
図１及び図２に示すように前記トップカバー基板２５の上下両面には銅箔等よりなる導電パターン２５ａ，２５ｂが形成されている。トップカバー基板２５には、外部から音を取り込むための音孔２８が形成されている。そして、トップカバー基板２５は、筐体基枠２４の上部の開口部周縁に対し、前記導電パターン２４ａの外方に配置された四角環状の接着シート２７Ｂにより接着固定されている。
【００３５】
図１及び図２に示すように、前記筐体基枠２４とトップカバー基板２５との間には、絶縁性フィルムからなる環状のスペーサ２９が挟持固定されている。スペーサ２９は、筐体基枠２４の導電パターン２４ａに対して導電性接着剤により接着されている。スペーサ２９の上面にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファィド）フィルム等の絶縁性合成樹脂薄膜よりなる振動膜３０が接着により張設されており、その振動膜３０の下面には金蒸着により導電層３０ａが形成されている。振動膜３０の四隅には、その一部を上方へ裏返した折り返し部３０ｂが形成されている。従って、この折り返し部３０ｂにおいては、その上側に導電層３０ａが配置されている。
【００３６】
振動膜３０及びスペーサ２９には図示しないスルーホールが設けられ、導電層３０ａは、同スルーホールに充填された導電ペースト、及び、スペーサ２９と導電パターン２４ａと間の導電性接着剤を介して導電パターン２４ａと電気的に接続されている。
【００３７】
図１に示すように、前記トップカバー基板２５には複数のスルーホール３６が形成され、それらのスルーホール３６の内周面には前記導電パターン２５ａ，２５ｂと連続する導電パターン２５ｃが設けられている。また、スルーホール３６内には導電性接着剤３７ａが充填され、この導電性接着剤３７ａと前記導電パターン２５ｃとにより導電部３７が形成されている。この導電部３７は、振動膜３０の折り返し部３０ｂの導電層３０ａと電気接続されている。
【００３８】
図１及び図２に示すように、筐体基枠２４の第１基枠体４０内において、振動膜３０の下面にはスペーサ２９を介在させて背電極３１が対向配置されている。この背電極３１は、ステンレス鋼板からなるプレート本体３１ａの上面にＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフィルム３１ｂが貼着されて構成されている。そのフィルム３１ｂにはコロナ放電等による分極処理が施されており、この分極処理によりフィルム３１ｂはエレクトレット化されている。すなわち、この実施形態のコンデンサマイクロホン２１は、前記背電極３１にエレクトレットが設けられたバックエレクトレットタイプとなっている。
【００３９】
さらに、前記背電極３１は、第１基枠体４０の内周形状よりも小さな外周形状となる平面形ほぼ長円状をなすように形成されていて、それらの内外周面間には隙間が形成されている。背電極３１の中央部には前記振動膜３０の振動による空気移動を許容するための貫通孔３２が形成されている。この背電極３１は、フィルムを貼着したステンレス鋼の板材をフィルム側から打ち抜いて形成される。また、背電極３１は、その外周縁部が、前記第１基枠体４０における当接部４２の層状弾性部４３の上面に対面するようになっており、背電極３１が回路基板２３側へ一定量以上変位したときには、同外周縁部が層状弾性部４３を介して当接部４２の上面に当接するようになっている。
【００４０】
図１及び図２に示すように、前記筐体基枠２４内において、背電極３１と回路基板２３との間にはコンタクトスプリング３３が圧縮状態で介装されている。このコンタクトスプリング３３は、背電極３１をスペーサ２９の下面に対し弾性的に当接させるとともに回路基板２３と背電極３１とを導通させている。この構成により、振動膜３０と背電極３１とが所定の間隔を隔てて保持され、それらの間に所定の容量を確保したコンデンサ部が形成されている。この構成において、背電極３１の外周部下面は、前記筐体基枠２４における当接部４２上の層状弾性部４３の上面に対し、隙間Ｌを隔てて対面している。
【００４１】
前記コンタクトスプリング３３は、金属板としてのステンレス鋼板の表裏両面に金メッキを施してなる金属板材を打ち抜き成形することにより形成され、ほぼ四角環状の枠部３３ａと、その枠部３３ａの四隅から下部両側方に向かって斜めに突出する４つの脚部３３ｂとを備えている。そして、枠部３３ａの下方における脚部３３ｂ間には空間Ｓが形成され、この空間Ｓ内に、回路基板２３上の前記電界効果トランジスタ２６が配置されている。
【００４２】
前記コンタクトスプリング３３の枠部３３ａの上面には背電極３１の下面に当接する４つの球面状の接触部３４が突出形成されるとともに、各脚部３３ｂの先端下面には４つの球面と状の接触部３５が突出形成されている。図３に示すように、４つの脚部３３ｂのうち、１つの脚部３３ｂは、その接触部３５が回路基板２３上の導電パターン２３ａの導通部５０ａに対して接触され、別の１つの脚部３３ｂは、その接触部３５が回路基板２３上の領域Ｐ２に接触されている。また、４つの脚部３３ｂのうち、残りの２つの脚部３３ｂは、その接触部３５が、回路基板２３の上面において領域Ｐ１，Ｐ３上に位置するレジスト５２の上面に対して接触されている。すなわち、コンタクトスプリング３３により、背電極３１のプレート本体３１ａと、回路基板２３の導電パターン２３ａとが導通されている。
【００４３】
さて、上記のように構成されたコンデンサマイクロホン２１において、音源からの音波がトップカバー基板２５の音孔２８を介して振動膜３０に至ると、その振動膜３０は音の周波数、振幅及び波形に応じて振動される。そして、振動膜３０の振動に伴って、振動膜３０と背電極３１との間隔が設定値から変化し、コンデンサ部のインピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化が、回路基板２３上のインピーダンス変換素子により電圧信号に変換されて出力される。
【００４４】
コンデンサマイクロホン２１に対し外部から加えられた衝撃により、図１における上側から下側へ向かう向きの加速度が背電極３１に加わると、背電極３１は二点鎖線で示すようにコンタクトスプリング３３の変形を伴って回路基板２３側へ変位する。このとき、背電極３１は、一定量以上変位したところで、その外周縁部下面が筐体基枠２４の当接部４２上の層状弾性部４３に当接し、この当接により回路基板２３側への変位が規制される。このため、背電極３１の変位に基づくコンタクトスプリング３３の過度の変形が防止される。また、背電極３１が当接部４２の上面に当接するとき、この上面に形成された層状弾性部４３の弾性変形により、背電極３１に加わる衝撃が緩和される。
【００４５】
以上詳述したこの実施形態は、下記の各効果を奏する。
（１）コンデンサマイクロホン２１に外部から加わった衝撃による背電極３１の回路基板２３側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段としての当接部４２を筐体基枠２４に設けた。このため、背電極３１の変位によるコンタクトスプリング３３の過度の変形が規制され、その塑性変形が防止される。従って、背電極３１に対するコンタクトスプリング３３の付勢力の減少が防止される。この結果、背電極３１と振動膜３０との間隔が設定値から拡大したり、コンタクトスプリング３３を介した背電極３１と回路基板２３との間の導通の不良化が生じたりすることを防止できる。ゆえに、外部から加えられた衝撃に対するコンデンサマイクロホン２１の信頼性が向上する。
【００４６】
（２）背電極３１の外周縁部に対面するように筐体基枠２４の内周側全体に形成した当接部４２により、背電極３１の変位を制限するようにした。従って、背電極３１の変位を、その外周縁部全体に対する当接部４２の当接により制限するため、背電極３１に加わった加速度の向きが、背電極３１の中心軸線に対して傾斜していたとしても、背電極３１の変位を適切に制限することができる。ゆえに、コンデンサマイクロホン２１の信頼性が一層向上する。
【００４７】
（３）当接部４２の上面には、背電極３１の衝突を緩衝する層状弾性部４３を設けた。従って、コンデンサマイクロホン２１に加わった過大な衝撃により、背電極３１が大きな加速度で当接部４２に衝突しても、フィルム３１ｂ及び背電極３１に加わる衝撃は吸収される。このため、背電極３１とフィルム３１ｂとが剥離したり、あるいは背電極３１が変形したり、さらにはフィルム３１ｂが損傷したりすることがなく、これにより、エレクトレットの誘電状態が弱くなることは防止される。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、この発明を具体化した第２実施形態について、図７及び図８を参照して説明する。なお、これ以降の実施形態については、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００４９】
図７及び図８に示すように、この実施形態において、前記筐体基枠２４は、第１実施形態とは異なり、当接部４２は設けられず、単一の部材により形成されている。
一方、コンタクトスプリング３３には、枠部３３ａの両側辺から下方へ延出する変位制限手段としての一対の当接部３３ｃが一体形成されている。この当接部３３ｃは、コンタクトスプリング３３の回路基板２３側への圧縮変形時に、回路基板２３の導電パターン２３ｃ上に当接してコンタクトスプリング３３のそれ以上の変形を制限するようになっている。
【００５０】
さて、コンデンサマイクロホン２１に対し外部から加えられた衝撃により、図７に二点鎖線で示すように、背電極３１がコンタクトスプリング３３の変形を伴って回路基板２３側へ一定量以上変位すると、コンタクトスプリング３３の両当接部３３ｃが回路基板２３の上面に当接する。この結果、コンタクトスプリング３３のそれ以上の変形が規制されて背電極３１の変位が制限されるため、背電極３１の変位に基づくコンタクトスプリング３３の過度の変形が防止される。
【００５１】
従って、この実施形態は、前記第１実施形態の（１）の効果を奏する。
（第３実施形態）
次に、この発明を具体化した第３実施形態について、図９及び図１０を参照して説明する。
【００５２】
図９及び図１０に示すように、この実施形態において、前記背電極３１は、その外周縁部全体が下方へ延出されて変位制限手段としての当接部３１ｃとされている。この当接部３１ｃは、背電極３１の回路基板２３側への変位時に、回路基板２３のレジスト５２上に当接してそれ以上の変位を制限するようになっている。
【００５３】
さて、コンデンサマイクロホン２１に対し外部から加えられた衝撃により、図９に示すように、背電極３１がコンタクトスプリング３３の変形を伴って回路基板２３側へ一定量以上変位すると、背電極３１の当接部３１ｃが回路基板２３の上面に当接し、背電極３１のそれ以上の変位が制限される。このため、背電極３１の変位に基づくコンタクトスプリング３３の過度の変形は防止される。また、背電極３１の当接部３１ｃがレジスト５２上に衝突するため、レジスト５２の弾性変形により背電極３１に加わる衝撃が緩和される。
【００５４】
従って、この実施形態は、前記第１実施形態の（１），（３）の効果を奏する。
（他の実施形態）
なお、前記実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
【００５５】
・第１実施形態において、当接部４２（すなわち第１基枠体４０）の高さを高くしたり、層状弾性部４３の厚さを厚くしたりすることにより、当接部４２の上面４２ａに形成した層状弾性部４３の上面と、背電極３１の外周部下面との間に隙間Ｌを設けない構成とすること。
【００５６】
・第１実施形態において、第１基枠体４０と第２基枠体４１よりなるとともに当接部４２を有する筐体基枠２４を単一の部材により構成すること。
・第１実施形態において、図２に二点鎖線で示すように、第１基枠体４０の当接部４２を、第１基枠体４０の内周側における互いに離間した複数の位置に形成することにより、互いに独立した複数から構成すること。
【００５７】
・第３実施形態において、図１０に二点鎖線で示すように、背電極３１の外周縁部から下方へ延出する当接部３１ｃを、背電極３１の外周における互いに離間した複数の位置に形成することにより、互いに独立した複数から構成すること。
【００５８】
・第１及び第３実施形態において、板ばねからなるコンタクトスプリング３３に代えて、電界効果トランジスタ２６を内包するように回路基板２３と背電極３１との間に介在される１つのコイルスプリングからなるコンタクトスプリングを採用すること。
【００５９】
・この発明を、筐体基枠２４とトップカバー基板２５とが一体化された構成のコンデンサマイクロホンに具体化すること。
【符号の説明】
【００６０】
２１…コンデンサマイクロホン、２３…回路基板、２４…筐体基枠、２９…スペーサ、３０…振動膜、３１…背電極、３１ｃ…変位制限手段としての当接部、３３…コンタクトスプリング、３３ｃ…変位制限手段としての当接片、４０…第１基枠体、４１…第２基枠体、４２…変位制限手段としての当接部、４３…層状弾性部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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