(57)【要約】【課題】液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生することのない液晶表示装置の提供。【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、  前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、  前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、  前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、  前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されている。【選択図】  図１
2010164664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記封止剤は、絶縁性微粒子が混合されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、その側壁面が前記第１基板の端部の側壁面と同一の平面内に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を挟持して対向配置される基板の該液晶側に形成される絶縁膜であって、液晶封入口における該絶縁膜の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（パネル）は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板とこれら基板の間に前記液晶を封入するシール材とで外囲器を構成するようになっている。
【０００３】
液晶表示装置の画像表示部は、マトリックス状に配置された複数の画素からなり、前記各基板の液晶側の面に、所定のパターンからなる絶縁膜、導電膜、および半導体膜等が所定の順序に積層されることによって構成されている。
【０００４】
また、シール材はその一部に液晶封入口が形成され、この液晶封入口を通して外囲器内に液晶が封入された後に、該液晶封入口は封止剤の塗布によって封止されるように構成されている。
【０００５】
図９は、従来の液晶表示装置において、シール材における液晶封入口の構成を示した図である。図９（ａ）は平面図を、図９（ｂ）は図９（ａ）のIXb−IXb線における断面図を、図９（ｃ）は図９（ａ）のIXc−IXc線における断面図を、図９（ｄ）は図９（ａ）のIXd−IXd線における断面図を示している。なお、図９は本発明の実施例を示す図１に対応させて描いたものとなっている。このため、図９における以下の説明以外の他の詳細な構成は図１における説明を参照されたい。
【０００６】
図９（ａ）において、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２がある。これら基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２は、一対の複数枚取り基板をシール材ＳＬを介して貼り合わせた後に、切断することによって得るようになっている。このため、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の端辺における側壁面は同一平面（図９（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）において符号αで示す）内に形成されている。
【０００７】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面には画像表示部ＡＲを形成するための絶縁膜ＧＩ、ＰＡＳ１、ＰＡＳ２、ＬＩが、順次積層された状態で、基板ＳＵＢ１の端部の手前（図中距離ｗで示す）まで延在されて形成されている。絶縁膜ＧＩは、画像表示部ＡＲに形成される薄膜トランジスタ（図示せず）のゲート絶縁膜であり、絶縁膜ＰＡＳ１、ＰＡＳ２は前記薄膜トランジスタの上層に形成され、該薄膜トランジスタの液晶との接触を回避させる保護膜となっている。絶縁膜ＰＡＳ１は無機絶縁膜からなり、絶縁膜ＰＡＳ２は、たとえば樹脂等を塗布した有機絶縁膜から構成されている。絶縁膜ＰＡＳ２はたとえば表面を平坦化させるために形成され、その膜厚は比較的大きくなっている（膜厚２μｍ以上）。また、絶縁膜ＬＩは、各画素において液晶に電界を印加させるための画素電極と対向電極との間の電気的絶縁を図る層間絶縁膜となっている。ここで、絶縁膜ＧＩ、ＰＡＳ１、ＰＡＳ２、ＬＩのそれぞれを、基板ＳＵＢ１の端部の手前（図中距離ｗで示す）まで延在させて形成し、該端部にまで至る形成を回避させているのは、複数枚取り基板から基板ＳＵＢ１を切断する際に、その切断を容易にするためである。
【０００８】
シール材ＳＬは、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の周辺に近接させて配置され、前記絶縁膜ＬＩ上に重ねられて形成されている。そして、シール材ＳＬの一部において断続された箇所を液晶封入口ＥＣＬとして構成させている。また、該断続部によって形成されるシール材ＳＬの端部のそれぞれは基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の端部側に指向するように延在させ（図中符号ＳＬｅで示す）、液晶封入口ＥＣＬにおいて、液晶を画像表示部ＡＲ内に導き易いパターンとして構成している。
【０００９】
なお、図９では、液晶封入口ＥＣＬにおいて、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の周辺に沿って形成されるシール材ＳＬの延長線上に複数のドット状のシール材（図中符号ＳＬｄで示す）が並設されて形成されている。液晶封入口ＥＣＬの幅が大きい場合に該液晶封入口ＥＣＬの高さ（基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間隙）が小さくなってしまうことを回避させるためである。
【００１０】
なお、本発明に関連する文献としては、下記に示す特許文献１、２、３がある。
【００１１】
特許文献１は、シール材の液晶封入口において、一方の基板の液晶側の面に形成された絶縁膜、他方の基板の液晶側の面に形成された絶縁膜を除去した構成となっている。この場合、薄膜トランジスタが形成されている側の基板（図９では基板ＳＵＢ１に相当する基板）において、薄膜トランジスタを被って形成される絶縁膜（保護膜）はたとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成された酸化シリコンあるいは窒化シリコン等の無機絶縁膜が用いられ、その膜厚は約１μｍと小さくなっている。すなわち、図９に示す絶縁膜ＰＡＳ２に相当する比較的膜厚の大きな保護膜が形成されていない構成となっている。
【００１２】
特許文献２は、液晶封入口を封止する封止剤として、グラスファイバ等の固形粒子が混入された熱硬化性あるいは赤外線硬化性の樹脂を用いた液晶表示装置が開示されている。これによって、封止剤の硬化時における収縮を小さくするようにしている。液晶を挟持する一対の基板の液晶側の面において形成される絶縁膜等の構成は言及されていない。
【００１３】
特許文献３は、液晶封入口を封止する封止剤として、導電性粒子が混入された樹脂を用いた液晶表示装置が開示されている。これによって、液晶を挟持する一対の基板を設計通りの間隙とするとともに各基板に形成された電極の間の導電性を維持するようにしている。各基板の液晶側の面においては電極が配置された記載のみに止まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平６−１７５１４１号公報
【特許文献２】特開平８−３０４８３８号公報
【特許文献３】特開平８−６２６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、図９に示した構成において、シール材ＳＬの液晶封入口ＥＣＬを通して液晶を封入した後に、該液晶封入口ＥＣＬを封止剤ＥＳＬによって封止した場合に、該封止剤ＥＳＬを貫通するパスが発生し、このパスを通して気泡あるいは汚染物が外囲器内の液晶に侵入してしまうという不都合が生じた。
【００１６】
この原因を究明した結果、次のことが判明した。すなわち、図９に示した構成では、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された複数の絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩが積層された状態で該基板ＳＵＢ１の端部に近接して（図中端部からの距離ｗ）形成されている。このため、液晶封入口ＥＣＬにおいて、前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの端辺（図中符号Ｅで示す）における基板ＳＵＢ１との段差部が基板ＳＵＢ１の端部から僅かに離間されて位置づけられることになる。このため、封止剤ＥＳＬによる封止の際に該封止剤ＥＳＬは前記段差部を乗り上げて形成されることになる。
【００１７】
この場合、図９（ｃ）、（ｄ）に示すように、前記絶縁膜ＧＩ、ＰＡＳ１、ＰＡＳ２、ＬＩの端辺Ｅにおける基板ＳＵＢ１との段差部には、段差が高いため、液晶ＬＣが残留しており、この液晶ＬＣの一部は、封止剤ＥＳＬの封止の際の該封止剤ＥＳＬの画像表示部ＡＲ側への侵入によって、封止剤ＥＳＬの内側あるいは外側の方向に押し出され、該封止剤ＥＳＬ内における前記液晶ＬＣの経路が前記パスとして形成されてしまうことになる。
【００１８】
尚、この問題は、液晶封入口ＥＣＬにおいて、段差が高いとき、例えば、有機絶縁膜で構成された絶縁膜ＰＡＳ２の膜厚が２μｍ以上のときに発生し、段差が低い場合には液晶ＬＣが段差部にあまり残留しないため問題は生じない。また、この問題は、液晶封入口ＥＣＬにおいて、段差部が基板ＳＵＢ１の端部から比較的近い位置にあるとき、たとえば、距離ｗが０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さいときに発生する。
【００１９】
本発明の目的は、液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生することのない液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の液晶表示装置では、液晶封入口において、該液晶封入口を封止する封止剤が乗り上げてしまう絶縁膜の段差部をなくす構成にし、あるいは該段差部の高さを大幅に小さくする構成とするようにしたものである。
【００２１】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００２２】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする。
【００２３】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。
【００２４】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。
【００２５】
（４）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
（５）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記封止剤は、絶縁性微粒子が混合されていることを特徴とする。
【００２７】
（６）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする。
【００２８】
（７）本発明の液晶表示装置は、（６）において、前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。
【００２９】
（８）本発明の液晶表示装置は、（６）において、前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第１基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。
【００３０】
（９）本発明の液晶表示装置は、（６）において、前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。
【００３１】
（１０）本発明の液晶表示素装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、その側壁面が前記第１基板の端部の側壁面と同一の平面内に形成されていることを特徴とする。
【００３２】
（１１）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記第１基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。
【００３３】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００３４】
上述した液晶表示装置によれば、液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生してしまうのを防止することができる。
【００３５】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す要部構成図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す全体構成図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例１の画素の構成図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の実施例２を示す要部構成図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例３を示す要部構成図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の実施例４を示す要部構成図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の実施例５を示す要部構成図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例６を示す要部構成図である。
【図９】従来の液晶表示装置の一例を示す要部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００３８】
（全体の概略構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１を示す概略的な平面図である。図２に示す液晶表示装置はたとえば携帯電話用の液晶表示装置を示している。
【００３９】
図２において、たとえばガラスからなる基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２が対向して配置されている。これら基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２は、一辺を除く他の三辺において、これら辺の各側壁面が同一平面内にあるように配置されている。基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２は、一対の複数枚取り基板をシール材（図２において符号ＳＬで示す）を介して貼り合わせた後に、切断することによって得るようになっているからである。基板ＳＵＢ２は、図中下側の一辺において、基板ＳＵＢ１を露出させるように構成され、この露出された基板ＳＵＢ１の表面には画素駆動用の半導体装置（チップ）ＳＥＣがフェースダウンされて搭載されている。
【００４０】
基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間には液晶ＬＣ（図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）参照）が挟持されている。この液晶ＬＣは、シール材ＳＬによって基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２の間に封入されている。シール材ＳＬは、基板ＳＵＢ２の周辺に沿った環状のパターンからなり、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との固着を兼ねるようになっている。このシール材ＳＬは、たとえば基板ＳＵＢ２側の面に印刷あるいはディスペンサ等による塗布によって形成されるようになっている。シール材ＳＬによって囲まれた領域は、液晶ＬＣを一構成要素とする複数の画素の集合からなる画像表示部ＡＲが構成されるようになっている。
【００４１】
なお、シール材ＳＬは、たとえば前記半導体装置ＳＥＣが配置された側に対して反対側の辺の一部に、該シール材ＳＬの断続部によって構成した液晶封入口ＥＣＬが形成されている。この液晶封入口ＥＣＬは液晶ＬＣを基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に封入した後は封止剤ＥＳＬによって封止されるようになっている。この液晶封入口ＥＳＬの近傍の構成については後に詳述する。
【００４２】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面であってシール材ＳＬによって囲まれた領域には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。画素領域は、隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域で構成され、画像表示部ＡＲは、マトリックス状に配置される画素領域の集合によって構成されるようになっている。また、この実施例で示す液晶表示装置は、たとえばＩＰＳ（In Plane Switching）あるいは横電界方式と称され、隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間にはコモン信号線ＣＬが形成されている。後述の画素電極ＰＸとともに対向電極ＣＴは基板ＳＵＢ１側に形成され、対向電極ＣＴは前記コモン信号線ＣＬに接続されるようになっている。
【００４３】
画像表示部ＡＲにおいてたとえば点線丸枠に示す画素領域の等価回路は実線丸枠（図中Ａで示す）で示すようになっている。画素領域には、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、オンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、該画素電極ＰＸとの間に電界を発生させる対向電極ＣＴが備えられている。対向電極ＣＴにはコモン信号線ＣＬを通して映像信号に対して基準となる信号(基準信号)が供給されるようになっている。
【００４４】
前記各ゲート信号線ＧＬはたとえばその一端部から引き出し配線ＷＧが引き出され前記半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されている。この実施例の場合、たとえば、画像表示部ＡＲの上方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中左側の端部から、下方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中右側の端部から各引き出し配線ＷＧによって引き出されるようになっている。しかし、これに限定されることはなく、全て同方向側の端部から引き出されるように構成してもよい。前記各ドレイン信号線ＤＬは図中下端部から引き出し配線ＷＤが引き出され前記半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されている。前記各コモン信号線ＣＬはたとえば図中右端部において共通の引き出し配線ＷＣによって引き出され、該引き出し配線ＷＣは半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されている。
【００４５】
なお、図２に示した液晶表示装置は、各ゲート信号線ＧＬには半導体装置ＳＥＣからの信号が直接入力されるように構成したものである。しかし、基板ＳＵＢ１上にたとえばポリシリコンからなる薄膜トランジスタを備える走査信号駆動回路を形成し、各ゲート信号線ＧＬには該走査信号駆動回路を通して信号が供給されるように構成してもよい。
【００４６】
（画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成を示す図で、図２に示す実線丸枠Ａにおける部分の構成を示している。図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のIIIｂ−IIIｂ線における断面図である。
【００４７】
まず、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩが形成され、この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００４８】
ゲート絶縁膜ＧＩの表面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、たとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成されるようになる。
【００４９】
前記基板ＳＵＢ１の表面には図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備して構成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分として構成される。
【００５０】
前記基板ＳＵＢ１の表面にはドレイン信号線ＤＬ等をも被って絶縁膜ＰＡＳが形成されている。この絶縁膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するための保護膜からなり、たとえば、無機絶縁膜からなる絶縁膜ＰＡＳ１（たとえば膜厚３００ｎｍ）および有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２（たとえば膜厚２μｍ以上）の積層構造から構成される。絶縁膜ＰＡＳ２において有機絶縁膜を用いたのはたとえば絶縁膜ＰＡＳの表面を平坦化する効果を奏するためである。
【００５１】
絶縁膜ＰＡＳの表面であって隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間には、該ゲート信号線ＧＬの走行方向に沿って形成されるコモン信号線ＣＬが形成されている。このコモン信号線ＣＬは図中ｘ方向に並設される各画素領域のほぼ全域を被って形成され、各画素領域における対向電極ＣＴを兼備した構成となっている。このコモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。
【００５２】
基板ＳＵＢ１の表面には、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）をも被って
無機絶縁膜からなる絶縁膜ＬＩ（たとえば膜厚３００ｎｍ）が形成され、この絶縁膜ＬＩの上面には各画素領域に画素電極ＰＸが形成されている。絶縁膜ＬＩは画素電極ＰＸと後述の対向電極ＣＴとの層間絶縁を図る層間絶縁膜としての機能を有する。画素電極ＰＸは、たとえば図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図ではたとえば３個）の線状の電極からなり、これら各電極は、前記薄膜トランジスタＴＦＴ側の端部において互いに接続された接続部ＪＮを備えている。画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの接続部ＪＮの一部は、層間絶縁膜ＬＩおよび絶縁膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。また、この場合において、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）において、予め、前記スルーホールＴＨとほぼ同軸で該スルーホールＴＨよりも充分に径の大きな開口ＯＰが形成され、前記画素電極ＰＸが対向電極ＣＴと電気的にショートしてしまうのを回避させている。
【００５３】
（液晶封入口ＥＣＬの構成）
図１は、液晶封入口ＥＣＬを示した構成図である。図１（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図１（ｂ）は図１（ａ）のIb−Ib線における断面図を、図１（ｃ）は図１（ａ）のIc−Ic線における断面図を、図１（ｄ）は図１（ａ）のId−Id線における断面図を示している。
【００５４】
まず、基板ＳＵＢ１の液晶側の表面には、画像表示部ＡＲにおいて形成されている前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩが、これら順次積層された状態で、基板ＳＵＢ１の端部に近接するまで形成されている。
【００５５】
この場合、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、液晶封入口ＥＣＬの部分を除いて、基板ＳＵＢ１の端部から距離ｗ（０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値）を隔てるようにして形成されている。上述のように、基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２は、一対の複数枚取り基板をシール材ＳＬを介して貼り合わせた後に切断することによって得ることから、その切断を容易にするため、該切断箇所に前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体が形成されるのを回避させるようにしている。尚、特に切断に影響を与えるのは膜厚の大きな有機絶縁膜（絶縁膜ＰＡＳ２）なので、少なくとも有機絶縁膜（絶縁膜ＰＡＳ２）については切断箇所に形成することを回避し、その他の無機絶縁膜（絶縁膜ＧＩ、ＰＡＳ１、ＬＩ）については切断箇所にも形成するようにしてもよい。
【００５６】
この場合、液晶封入口ＥＣＬの部分において、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１は、基板ＳＵＢ１の端部から距離ｗ（０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値）を隔てるようにして形成されているが、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩは、基板ＳＵＢ１の端部から距離Ｗ（＞ｗ）を隔てるようにして形成されている。この距離Ｗは、後述する封止剤ＥＳＬによって液晶封入口ＥＣＬを封止する際の前記基板ＳＵＢ１の端部からの侵入距離以上の値に設定される。具体的には、前記距離Ｗは０．５ｍｍ以上の値に設定される。液晶封入口ＥＣＬの部分において、絶縁膜ＰＡＳ２を基板ＳＵＢ１の端部から画像表示部ＡＲ側へ後退させた理由は、前記絶縁膜ＰＡＳ２の膜厚が２μｍ以上と比較的厚く形成され、この絶縁膜ＰＡＳ２によって形成される大きな段差を前記封止剤ＥＳＬが乗り上げてしまうことのない構成とするためである。
【００５７】
なお、この実施例１では、液晶封入口ＥＣＬにおける前記絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、平面的に観て、シール材ＳＬの内周（画像表示部ＡＲ側の内周）を結ぶ仮想の線（図中二点鎖線γ）を越えることなく、基板ＳＵＢ１の端部から後退して形成されている。
【００５８】
ここで、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩを、液晶封入口ＥＣＬの部分において基板ＳＵＢ１の端部から大きく後退させ、それ以外の部分において基板ＳＵＢ１の端部からあまり後退させていないのは、基板ＳＵＢ１の端部に近接して形成される配線（たとえば、図２に示す引き出し配線ＷＧ、ＷＤ、ＷＣ）、端子等を該絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの延在によって保護するようにしているからである。この場合、該配線、端子等が形成される部分のみに前記絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩを残存させる方法もあるが、このようにした場合に、後述するシール材ＳＬの形成領域において該絶縁膜ＰＡＳ２の有無による凹凸が形成され、該シール材ＳＬの高さ調整に不都合が生じるからである。したがって、少なくとも絶縁膜ＰＡＳ２は、液晶封入口ＥＣＬを除くほぼ全周にわたって、シール材ＳＬの形成領域を超えて外側まで延在して形成されている。
【００５９】
また、絶縁膜ＬＩも、絶縁膜ＰＡＳ２と同様に、基板ＳＵＢ１の端部から距離Ｗで後退させているのは、該絶縁膜Ｌ１が絶縁膜ＰＡＳ２の上層に配置され、前記絶縁膜ＰＡＳ２の選択エッチングの際に、該絶縁膜ＬＩも同時に行うようにしているためである。しかし、この絶縁膜ＬＩにおいて、前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１と同様のパターンで構成し、基板ＳＵＢ１の端部から距離ｗを隔てるようにして形成してもよい。絶縁膜ＬＩは酸化シリコンあるいは窒化シリコン等のような無機絶縁膜からなり、その膜厚が比較的薄く、このようにしても本願発明の効果が得られるからである。
【００６０】
基板ＳＵＢ１の周辺にはシール材ＳＬがたとえば印刷あるいはディスペンサ等によって形成されている。このシール材ＳＬは、液晶封入口ＥＣＬを除いた部分において、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体上の凹凸の少ない面に形成でき、その高さをほぼ一定にすることができる。
【００６１】
液晶封入口ＥＣＬは、シール材ＳＬの断続された箇所に形成され、該断続部によって形成されるシール材ＳＬの端部ＳＬｅのそれぞれが基板ＳＵＢ１の端部側に指向して延在されて形成されている。これにより、液晶封入口ＥＣＬは液晶を画像表示部ＡＲ内に導き易いパターンとなっている。また、液晶封入口ＥＣＬにおいて、基板ＳＵＢ１の周辺に沿って形成されるシール材ＳＬの延長線上に複数のドット状のシール材（図中符号ＳＬｄで示す）が並設されて形成されている。液晶封入口ＥＣＬの幅が大きい場合に該液晶封入口ＥＣＬの高さ（基板ＳＵＢ１と後述の基板ＳＵＢ２との間隙）が小さくなってしまうことを回避させるためである。
【００６２】
なお、前記シール材ＳＬｄは、平面的に観た中心が、絶縁膜ＰＡＳ２と絶縁膜ＬＩの順次積層体の段差部にほぼ位置づけられるように配置されている。これにより、前記積層体の段差部を境にした画像表示部ＡＲ側の領域と液晶封入口ＥＣＬ側の領域における基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間隔を前記シール材ＳＬｄによって合わせるようにしている。
【００６３】
また、シール材ＳＬを介して基板ＳＵＢ１と対向配置される基板ＳＵＢ２がある。この基板ＳＵＢ２は、上述したように、基板ＳＵＢ１とともに一対の複数枚取りの基板を切断することによって形成されることから、その側壁面は基板ＳＵＢ１の側壁面と同一の平面（図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）において符号αで示す）内に形成されている。この基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、たとえば画素の有効領域ごとに開口が設けられたブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭ、さらに該ブラックマトリックスＢＭを被うようにしてたとえば樹脂からなる平坦化膜ＯＣが形成されている。この実施例では、前記平坦化膜ＯＣはたとえば基板ＳＵＢ２の端部に至るまで延在されている。平坦化膜ＯＣの膜厚は比較的薄く形成され、基板ＳＵＢ２の切断において不都合がないからである。
【００６４】
そして、液晶封入口ＥＣＬは、この液晶封入口ＥＣＬを通して液晶を封入した後に、封止剤ＥＳＬの塗布によって封止されるようになっている。ここで、液晶封入口ＥＣＬへの封止剤ＥＳＬの侵入は、絶縁膜ＧＩおよび絶縁膜ＰＡＳ１の順次積層体の段差を乗り越え、絶縁膜ＰＡＳ２および絶縁膜ＬＩの順次積層体の段差部（図中符号Ｅ'で示す）の手前で止まった状態となっている（図１（ｃ）、（ｄ）参照）。通常、液晶封入口ＥＣＬへの封止剤ＥＳＬの侵入は、基板ＳＵＢ１の端部から０．５ｍｍ（≦Ｗ）程度であり、図１に示す構成の場合、絶縁膜ＰＡＳ２および絶縁膜ＬＩの順次積層体の段差部Ｅ'を乗り越えてしまうことは希となる。
【００６５】
このため、絶縁膜ＰＡＳ２および絶縁膜ＬＩの段差部Ｅ'の近傍に残留した液晶は、封止剤ＳＥＬの侵入によって何ら影響を受けず、該封止剤ＳＥＬにパスを生じさせる原因となることもなくなる。したがって、上述した液晶表示装置によれば、液晶封入口ＥＣＬを封止する封止剤ＥＳＬにパスが発生してしまうのを防止することができる。
【実施例２】
【００６６】
図４は、本発明の液晶表示装置の実施例２を示す構成図である。図４（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図４（ｂ）は図４（ａ）のIVb−IVb線における断面図を、図４（ｃ）は図４（ａ）のIVc−IVc線における断面図を、図４（ｄ）は図４（ａ）のIVd−IVd線における断面図を示し、図１と対応した図となっている。
【００６７】
図４において、図１の場合と比較して異なる構成は、封止剤ＥＳＬは、たとえばシリカビーズ等の絶縁性微粒子ＢＺが混合されているものとなっていることにある。図４に示す構成において、液晶封入口ＥＣＬ内には、絶縁膜ＧＩと絶縁膜ＰＡＳ１の順次積層体による段差部（図中符号Ｅ"で示す）が存在している。上述したように、この段差部Ｅ"は高さが比較的小さく、封止剤ＥＳＬの侵入時に該段差部Ｅ"を乗り上げることがあっても、該封止剤ＥＳＬに致命傷となるようなパスが発生することは極めて希となる。
【００６８】
しかし、該封止剤ＥＳＬにおいて上述したパスの発生を皆無とするには、予め封止剤ＥＳＬにたとえばシリカビーズ等の絶縁性微粒子ＢＺを混合させておくことが極めて有効となる。このようにした場合、封止剤ＥＳＬ内の絶縁性微粒子ＢＺは、該封止剤ＥＳＬの侵入の際に、段差部Ｅ"にたとえ液晶が残留されていても、この液晶を該段差部Ｅ"から押し出してしまう効果が得られるからである。
【実施例３】
【００６９】
図５は、本発明の液晶表示装置の実施例３を示す構成図である。図５（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図５（ｂ）は図５（ａ）のVb−Vb線における断面図を、図５（ｃ）は図５（ａ）のVc−Vc線における断面図を、図５（ｄ）は図５（ａ）のVd−Vd線における断面図を示し、図１と対応した図となっている。
【００７０】
図５において、図１の場合と比較して異なる構成は、液晶封入口ＥＣＬにおいて、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１は、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩと同様に、基板ＳＵＢ１の端部から距離Ｗの値で後退させて形成されていることにある。すなわち、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、液晶封入口ＥＣＬが形成されている部分において、基板ＳＵＢ１の端部からＷ（＞ｗ）の値で後退させて形成されるようになっている。
【００７１】
この場合、液晶封入口ＥＣＬが形成されていない部分において、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、図１の場合と同様に、基板ＳＵＢ１の端部からｗ（０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい）の値で離間されて形成されるようになっている。上述したように、基板ＳＵＢ１の端部に近接して形成される配線（たとえば、図２に示す引き出し配線ＷＧ、ＷＤ、ＷＣ）、端子等を前記積層体の形成によって保護するためである。
【００７２】
このような構成によれば、液晶封入口ＥＣＬにおける基板ＳＵＢ１の液晶側の面において、封止剤ＥＳＬの侵入する領域には絶縁膜による段差部が全く形成されないように構成できる。このため、絶縁膜の段差部に封止剤ＥＳＬが乗り上げてしまうようなことがなく、前記封止剤ＥＳＬにパスが発生してしまうことがなくなる。
【実施例４】
【００７３】
図６は、本発明の液晶表示装置の実施例４を示す構成図である。図６（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図６（ｂ）は図６（ａ）のVIb−VIb線における断面図を、図６（ｃ）は図６（ａ）のVIc−VIc線における断面図を、図６（ｄ）は図６（ａ）のVId−VId線における断面図を示し、図５と対応した図となっている。
【００７４】
図６において、図５の場合と比較して異なる構成は、まず、液晶封入口ＥＣＬにおける絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、平面的に観て、シール材ＳＬの内周を結ぶ仮想の線（図中二点鎖線γ）を越えて、基板ＳＵＢ１の端部から後退させて形成していることにある。したがって、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体の基板ＳＵＢ１の端部からの後退量Ｗ'は、図５に示した場合（Ｗ）よりも多くなっている。これにより、封止剤ＥＳＬによる液晶封入口ＥＣＬの封止の際に、該封止剤ＥＳＬが必要以上に液晶封入口ＥＣＬ内に侵入してしまう可能性をも考慮した構成となっている。
【００７５】
そして、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体の上述したような後退にともない、ドット状のシール材ＳＬｄも図５に示した場合よりも後退させた位置に形成するようになっている。上述したように、前記積層体の段差部を境にした画像表示部ＡＲ側の領域と液晶封入口ＥＣＬ側の領域における基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間隔を合わせるためである。
【００７６】
この実施例４では、液晶封入口ＥＣＬにおける絶縁膜のさらなる後退は、絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩのそれぞれとしたものである。しかし、これらの絶縁膜のうち絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩだけであってもよい。すなわち、図１に示した絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体を、平面的に観て、シール材ＳＬの内周を結ぶ仮想の線（図中二点鎖線γ）を越えて、基板ＳＵＢ１の端部から後退させて形成するようにしてもよい。
【実施例５】
【００７７】
図７は、本発明の液晶表示装置の実施例５を示す構成図である。図７（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIb−VIIb線における断面図を、図７（ｃ）は図７（ａ）のVIIc−VIIc線における断面図を、図７（ｄ）は図７（ａ）のVIId−VIId線における断面図を示し、図５と対応した図となっている。
【００７８】
図７において、図５の場合と比較して異なる構成は、液晶封入口ＥＣＬにおける絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体は、基板ＳＵＢ１の端部側に突出させ、該積層体の側壁面は基板ＳＵＢ１の側壁面と同一の平面内に形成されるようになっている。
【００７９】
すなわち、液晶封入口ＥＣＬにおいて封止剤ＥＳＬが形成される領域に、前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体を形成させるようにすることによって、封止剤ＥＳＬの侵入する領域においてこれら絶縁膜による段差部をなくすように構成している。
【００８０】
したがって、このように構成することによっても、絶縁膜の段差部に封止剤ＥＳＬが乗り上げてしまうことがないことから、前記封止剤ＥＳＬにパスが発生してしまうことがなくなる。
【００８１】
なお、このように構成した場合、一対の複数枚取り基板を貼り合わせた後に、切断によって基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２を得る際に、その切断箇所に前記絶縁膜ＧＩ、絶縁膜ＰＡＳ１、絶縁膜ＰＡＳ２、絶縁膜ＬＩの順次積層体が存在する領域を有するが、この領域は極めて小さいことから、基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２の切断において弊害となってしまうことはない。
【実施例６】
【００８２】
図８は、本発明の液晶表示装置の実施例６を示す構成図である。図８（ａ）は、図２の一点鎖線枠Ｂ内の部分を拡大した平面図を、図８（ｂ）は図８（ａ）のVIIIb−VIIIb線における断面図を、図８（ｃ）は図８（ａ）のVIIIc−VIIIc線における断面図を、図８（ｄ）は図８（ａ）のVIIId−VIIId線における断面図を示し、図１と対応して描いた図となっている。
【００８３】
図８において、図１の場合と比較として異なる構成は、液晶封入口ＥＣＬ内に並設されたドット状のシール材ＳＬｄを設けていないことにある。ドット状のシール材ＳＬｄは、上述したように該液晶封入口ＥＣＬの高さ（基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間隙）の変動を回避するためにあり、これらシール材ＳＬｄがなくても本発明を適用できるからである。
【００８４】
なお、図８は、実施例１に示した構成に対してドット状のシール材ＳＬｄの形成をなくしたものである。しかし、このような構成は実施例２ないし５に示した構成に対して行うようにしてもよいことはいうまでもない。
【００８５】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、ＡＲ……画像表示部、ＥＣＬ……液晶封入口、ＥＳＬ……封止剤、ＳＥＣ……半導体装置、ＧＬ……ゲート信号線、ＷＧ……引き出し配線（ゲート信号線の）、ＤＬ……ドレイン信号線、ＷＤ……引き出し配線（ドレイン信号線の）、ＣＬ……コモン信号線、ＷＣ……引き出し配線（コモン信号線の）、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＰＤ……パッド部、ＴＨ……スルーホール、ＧＩ……絶縁膜（ゲート絶縁膜）、ＰＡＳ１……絶縁膜（保護膜：無機絶縁膜）、ＰＡＳ２……絶縁膜（保護膜:有機絶縁膜）、ＬＩ……絶縁膜（層間絶縁膜）、ＳＬｅ……シール材の端部、ＳＬｄ……ドット状のシール材、ＢＭ……ブラックマトリックス（遮光膜）、ＯＣ……平坦化膜、ＢＺ……絶縁性微粒子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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