(57)【要約】【課題】圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法等を提供する。【解決手段】本発明のＨＧＡ１０の製造方法は、第１圧電体層４１３を有する第１圧電積層体４１と、第２圧電体層４２３を有する第２圧電積層体４２とを備えた薄膜圧電アクチュエータ４０を準備する工程Ｓ１０１と、サスペンション２２を準備する工程Ｓ１０３と、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する固定工程Ｓ１０５と、固定工程Ｓ１０５の後に第１圧電体層４１３を再分極処理する第１再分極処理工程Ｓ１０９と、固定工程Ｓ１０５の後に第２圧電体層４２３を再分極処理する第２再分極処理工程Ｓ１１１とを有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対して記録及び再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、前記ヘッドスライダが搭載されるサスペンションと、前記ヘッドスライダを前記サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電アクチュエータと、を備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法であって、
第１電極層、第２電極層、及び、前記第１電極層と前記第２電極層との間に設けられた第１圧電体層を有する第１圧電積層体と、第３電極層、第４電極層、及び、前記第３電極層と前記第４電極層との間に設けられた第２圧電体層を有する第２圧電積層体と、を備えた前記薄膜圧電アクチュエータであって、前記第１圧電体層は、前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向の成分を有する第１分極ベクトルを有しており、前記第１圧電積層体は、前記第１圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、前記第２圧電体層は、前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向の成分を有する第２分極ベクトルを有しており、前記第２圧電積層体は、前記第２圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、前記第１圧電積層体と前記第２圧電積層体は、それらの厚さ方向に積層するように一体形成されておらず、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第３電極層、及び、前記第４電極層は、互いに非導通である前記薄膜圧電アクチュエータを準備する工程と、
前記第１電極層、前記第２電極層、前記第３電極層、及び、前記第４電極層とそれぞれ電気的に接続するための第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部と、前記第１圧電積層体が設けられる第１領域、及び、前記第２圧電積層体が設けられる第２領域からなる薄膜圧電アクチュエータ搭載領域と、を有する前記サスペンションを準備するサスペンション準備工程と、
前記薄膜圧電アクチュエータを前記サスペンションの前記薄膜圧電アクチュエータ搭載領域に固定する固定工程と、
前記第１電極層、前記第２電極層、前記第３電極層、及び、前記第４電極層を、それぞれ、前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部と電気的に接続する電気接続工程と、
前記固定工程の後に、前記第１圧電体層内に前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向の電界が発生し、かつ、前記第２圧電体層内に前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向と逆方向の電界が発生しないように前記第１電極層と前記第２電極層間に電圧を印加することにより、前記第１圧電体層を再分極処理する第１再分極処理工程と、
前記固定工程の後に、前記第２圧電体層内に前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向の電界が発生し、かつ、前記第１圧電体層内に前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向と逆方向の電界が発生しないように前記第３電極層と前記第４電極層間に電圧を印加することにより、前記第２圧電体層を再分極処理する第２再分極処理工程と、
前記ヘッドスライダを前記サスペンションに固定する工程と、
を有するヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２】
前記サスペンション準備工程において準備される前記サスペンションの前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部は、互いに非導通であり、
前記第１電極部と、前記第３電極部及び前記第４電極部の一方とを電気的に接続すると共に、前記第２電極部と、前記第３電極部及び前記第４電極部の他方とを電気的に接続する電極部間接続工程をさらに有する請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項３】
前記電極部間接続工程は、前記第１再分極処理工程及び前記第２再分極処理工程の後に行われ、
前記電極部間接続工程において、前記第１電極部と前記第４電極部とを電気的に接続すると共に、前記第２電極部と前記第３電極部とを電気的に接続する請求項２に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項４】
前記サスペンション準備工程において準備される前記サスペンションは、
前記第１電極部と、前記第４電極部の双方と隣接すると共に電気的に絶縁された第１導電部材と、
前記第２電極部と、前記第３電極部の双方と隣接すると共に電気的に絶縁された第２導電部材と、
をさらに有し、
前記電気接続工程は、前記第１再分極処理工程及び前記第２再分極処理工程の後に行われ、
前記電極部間接続工程における前記第１電極部と前記第４電極部との電気的接続、及び、前記第２電極部と前記第３電極部との電気的接続は、前記電気接続工程において、さらに前記第１電極部と前記第４電極部とを前記第１導電部材に電気的に接続すると共に、前記第２電極部と前記第３電極部とを前記第２導電部材に電気的に接続することにより達成される請求項３に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法で前記ヘッドジンバルアセンブリを製造する工程と、
前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと電源とを電気的に接続する電源接続工程と、
を有するハードディスク装置の製造方法。
【請求項６】
前記電源接続工程において、前記第１圧電体層と前記第２圧電体層とを互いに逆相で伸縮させることが可能なように、前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと前記電源とを電気的に接続する請求項５に記載のハードディスク装置の製造方法。
【請求項７】
磁気記録媒体に対して記録及び再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、前記ヘッドスライダが搭載されたサスペンションと、前記ヘッドスライダを前記サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電アクチュエータと、を備え、
前記薄膜圧電アクチュエータは、
第１電極層、第２電極層、及び、前記第１電極層と前記第２電極層との間に設けられた第１圧電体層を有する第１圧電積層体と、
第３電極層、第４電極層、及び、前記第３電極層と前記第４電極層との間に設けられた第２圧電体層を有する第２圧電積層体と、
を有し、
前記第１圧電体層は、前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向の成分を有する第１分極ベクトルを有しており、前記第１圧電積層体は、前記第１圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、
前記第２圧電体層は、前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向の成分を有する第２分極ベクトルを有しており、前記第２圧電積層体は、前記第２圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、
前記第１圧電積層体と前記第２圧電積層体は、それらの厚さ方向に積層するように一体形成されておらず、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第３電極層、及び、前記第４電極層は、互いに非導通であり、
前記サスペンションは、
前記第１電極層、前記第２電極層、前記第３電極層、及び、前記第４電極層とそれぞれ電気的に接続された第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部と、
前記第１圧電積層体が設けられる第１領域、及び、前記第２圧電積層体が設けられる第２領域からなる薄膜圧電アクチュエータ搭載領域と、
を有し、
前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部は、互いに非導通であり、
前記薄膜アクチュエータは、前記サスペンションの前記薄膜圧電アクチュエータ搭載領域に固定されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと電気的に接続されている薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源と、
を備えるハードディスク装置。
【請求項９】
前記第１圧電体層と前記第２圧電体層とを互いに逆相で伸縮させることが可能なように、前記薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源は前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと電気的に接続されている請求項８に記載のハードディスク装置。
【請求項１０】
前記第１圧電体層と前記第２圧電体層を再分極処理するための再分極処理電源と、
前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと前記薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源とが電気的に接続された第１状態から、前記第１電極部、前記第２電極部、前記第３電極部、及び、前記第４電極部のそれぞれと前記再分極処理電源とが電気的に接続された第２状態へ可逆的に切り替える切り替え器と、
をさらに備える請求項８又は９に記載のハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、ハードディスク装置の製造方法、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の高密度大容量化へのアプローチにおいて、トラッキングの高精度位置決め機構としての薄膜圧電アクチュエータの必要性が高くなっている。ヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されたサスペンションからなるヘッドジンバルアセンブリに薄膜圧電アクチュエータを設けることにより、この薄膜圧電アクチュエータによってヘッドスライダを微細に変位させることができる。これにより、ヘッドスライダの位置を高精度に制御することが可能なヘッドジンバルアセンブリが得られる。下記特許文献１には、このような薄膜圧電アクチュエータの例が記載されている。
【０００３】
下記特許文献１に記載の薄膜圧電アクチュエータは、基板の表面上において鏡面対称形状に配置された一対の圧電素子ユニット１、２により構成されている。圧電素子ユニット１は、積層された薄膜状の２つの圧電素子４、５、即ち、２層の圧電体層で構成されている。圧電素子ユニット２も、同様の構成を有している。このような圧電素子ユニット（圧電積層体）を一対備える薄膜圧電アクチュエータをヘッドジンバルアセンブリに設けると、一対の圧電素子ユニットを例えばそれぞれ逆相で伸縮させることにより、ヘッドスライダを大きく変位させることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２８１６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の薄膜圧電アクチュエータの一対の圧電素子ユニット（圧電積層体）は、上述のようにそれぞれ２層の圧電体層を有するため、構造が複雑で量産性が低く、製造コストも高くなるという欠点を有する。それに対して、それぞれ単層の圧電体層を有する一対の圧電積層体で薄膜圧電アクチュエータを構成すれば、このような欠点は改善される。
【０００６】
しかしながら、それぞれ単層の圧電体層を有する一対の圧電積層体で構成された薄膜圧電アクチュエータ（以下、「単層型の薄膜圧電アクチュエータ」と言う場合がある。）は、サスペンションに固定する際等に応力が加わると、圧電体に分極が生じる正圧電効果により圧電体層内に電界が発生する。この機械的応力によって発生する電界（分極）によって、圧電体層の自発分極の方向が、ばらついたり反転したりする場合があり、これにより、薄膜圧電アクチュエータの特性が低下する場合がある。
【０００７】
それぞれ２層の圧電体層を有する一対の圧電積層体で構成された薄膜圧電アクチュエータ（２層型の薄膜圧電アクチュエータ）の場合、上述のような圧電分極の方向がばらついたり反転したりする不具合は、それ程問題とならない場合もある。何故なら、２層型の薄膜圧電アクチュエータは、単層型の薄膜圧電アクチュエータよりも構造的に剛性があるため圧電体層内に正圧電効果による分極が生じ難い上に、正圧電効果によるイオン変位に起因して積層された上下の圧電体層内のそれぞれに電荷が発生しても、これらの電荷が相殺するように上下の圧電体層を互いに結線することが可能だからである。それに対して、単層型の薄膜圧電アクチュエータにおいては、上述のような圧電分極の方向がばらついたり反転したりする不具合に起因する薄膜アクチュエータの特性低下は、大きな問題となる。
【０００８】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法、及び、このようなヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスク装置の製造方法、並びに、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリ、及び、このようなヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するため、本発明に係るヘッドジンバルアセンブリの製造方法は、磁気記録媒体に対して記録及び再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されるサスペンションと、ヘッドスライダをサスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電アクチュエータとを備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法であって、第１電極層、第２電極層、及び、第１電極層と第２電極層との間に設けられた第１圧電体層を有する第１圧電積層体と、第３電極層、第４電極層、及び、第３電極層と第４電極層との間に設けられた第２圧電体層を有する第２圧電積層体とを備えた薄膜圧電アクチュエータであって、第１圧電体層は、第１電極層から第２電極層に向かう方向の成分を有する第１分極ベクトルを有しており、第１圧電積層体は、第１圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、第２圧電体層は、第３電極層から第４電極層に向かう方向の成分を有する第２分極ベクトルを有しており、第２圧電積層体は、第２圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、第１圧電積層体と第２圧電積層体は、それらの厚さ方向に積層するように一体形成されておらず、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層は、互いに非導通である薄膜圧電アクチュエータを準備する工程と、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層とそれぞれ電気的に接続するための第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部と、前記第１圧電積層体が設けられる第１領域、及び、第２圧電積層体が設けられる第２領域からなる薄膜圧電アクチュエータ搭載領域とを有するサスペンションを準備するサスペンション準備工程と、薄膜圧電アクチュエータを前記サスペンションの薄膜圧電アクチュエータ搭載領域に固定する固定工程と、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層を、それぞれ、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部と電気的に接続する電気接続工程と、固定工程の後に、第１圧電体層内に前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向の電界が発生し、かつ、第２圧電体層内に前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向と逆方向の電界が発生しないように第１電極層と第２電極層間に電圧を印加することにより、第１圧電体層を再分極処理する第１再分極処理工程と、固定工程の後に、第２圧電体層内に前記第３電極層から前記第４電極層に向かう方向の電界が発生し、かつ、第１圧電体層内に前記第１電極層から前記第２電極層に向かう方向と逆方向の電界が発生しないように第３電極層と第４電極層間に電圧を印加することにより、第２圧電体層を再分極処理する第２再分極処理工程と、ヘッドスライダをサスペンションに固定する工程とを有する。
【００１０】
本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法によれば、それぞれ単層の圧電体層を有する一対の圧電積層体で構成された薄膜圧電アクチュエータ、即ち、単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリが得られる。さらに、本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法によれば、薄膜圧電アクチュエータをサスペンションに固定した後に、第１圧電体層と第２圧電体層のそれぞれを再分極処理している。これにより、薄膜圧電アクチュエータをサスペンションに固定する際、薄膜圧電アクチュエータに応力が加わり、正圧電効果によって第１圧電体層及び第２圧電体層内に電界が発生し、この電界によって第１圧電体層及び第２圧電体層の圧電分極の方向がばらついたり反転したりしても、第１圧電体層及び第２圧電体層の圧電分極の方向を元の状態に戻す、又は、近づけることが可能である。その結果、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータの特性低下を抑制することが可能となる。
【００１１】
さらに本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法は、サスペンション準備工程において準備されるサスペンションの第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部は、互いに非導通であり、第１電極部と、第３電極部及び第４電極部の一方とを電気的に接続すると共に、第２電極部と、第３電極部及び第４電極部の他方とを電気的に接続する電極部間接続工程をさらに有することが好ましい。
【００１２】
これにより、薄膜圧電アクチュエータを動作させる際、２箇所に電圧を印加するだけで、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部の全てに電圧を印加することができる。その結果、ハードディスク装置に利用した際に、回路構成を単純化することが可能なヘッドジンバルアセンブリが得られる。
【００１３】
さらに本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法において、電極部間接続工程は、第１再分極処理工程及び第２再分極処理工程の後に行われ、電極部間接続工程において、第１電極部と前記第４電極部とを電気的に接続すると共に、第２電極部と第３電極部とを電気的に接続することが好ましい。
【００１４】
これにより、第１圧電体層と第２圧電体層とが互いに逆相に伸縮するように、より具体的には、第１圧電体層が、その厚さ方向に伸びる際（即ち、第１圧電体層が、その面内方向に縮む際）、第２圧電体層が、その厚さ方向に縮む（即ち、第２圧電体層が、その面内方向に伸びる）ように、薄膜圧電アクチュエータを動作させることができる。これにより、ヘッドスライダの変位レンジを大きくすることが可能となる。
【００１５】
さらに本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法において、サスペンション準備工程において準備される前記サスペンションは、第１電極部と、第４電極部の双方と隣接すると共に電気的に絶縁された第１導電部材と、第２電極部と、第３電極部の双方と隣接すると共に電気的に絶縁された第２導電部材とをさらに有し、電気接続工程は、第１再分極処理工程及び第２再分極処理工程の後に行われ、電極部間接続工程における第１電極部と第４電極部との電気的接続、及び、第２電極部と第３電極部との電気的接続は、電気接続工程において、さらに第１電極部と第４電極部とを第１導電部材に電気的に接続すると共に、第２電極部と第３電極部とを第２導電部材に電気的に接続することにより達成されることが好ましい。
【００１６】
これにより、電気接続工程において電極部間接続工程も行うことができるため、製造工程が簡略化される。
【００１７】
本発明に係るハードディスク装置の製造方法は、上述のいずれかの方法でヘッドジンバルアセンブリを製造する工程と、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと電源とを電気的に接続する電源接続工程とを有する。
【００１８】
本発明のハードディスク装置の製造方法によれば、薄膜圧電アクチュエータをサスペンションに固定する際に第１圧電体層と第２圧電体層の圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータの特性低下を抑制することができる。
【００１９】
さらに、本発明に係るハードディスク装置の製造方法は、電源接続工程において、第１圧電体層と第２圧電体層とを互いに逆相で伸縮させることが可能なように、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと電源とを電気的に接続することが好ましい。
【００２０】
これにより、第１圧電体層と第２圧電体層とが互いに逆相に伸縮するように薄膜圧電アクチュエータを動作させることができる。その結果、薄膜圧電アクチュエータによるヘッドスライダの変位レンジを大きくすることができる。
【００２１】
本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、磁気記録媒体に対して記録及び再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されたサスペンションと、ヘッドスライダをサスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電アクチュエータとを備え、薄膜圧電アクチュエータは、第１電極層、第２電極層、及び、第１電極層と第２電極層との間に設けられた第１圧電体層を有する第１圧電積層体と、第３電極層、第４電極層、及び、第３電極層と第４電極層との間に設けられた第２圧電体層を有する第２圧電積層体とを有し、第１圧電体層は、第１電極層から第２電極層に向かう方向の成分を有する第１分極ベクトルを有しており、第１圧電積層体は、第１圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、第２圧電体層は、第３電極層から第４電極層に向かう方向の成分を有する第２分極ベクトルを有しており、第２圧電積層体は、第２圧電体層以外に圧電体層を有しておらず、第１圧電積層体と第２圧電積層体は、それらの厚さ方向に積層するように一体形成されておらず、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層は、互いに非導通であり、サスペンションは、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層とそれぞれ電気的に接続された第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部と、第１圧電積層体が設けられる第１領域、及び、第２圧電積層体が設けられる第２領域からなる薄膜圧電アクチュエータ搭載領域とを有し、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部は、互いに非導通であり、薄膜アクチュエータは、サスペンションの薄膜圧電アクチュエータ搭載領域に固定されている。
【００２２】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、それぞれ単層の圧電体層を有する一対の圧電積層体で構成された薄膜圧電アクチュエータ、即ち、単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリとなる。さらに、本発明のヘッドジンバルアセンブリにおいて、第１電極層、第２電極層、第３電極層、及び、第４電極層は互いに非導通であると共に、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部も互いに非導通である。これにより、本発明のヘッドジンバルアセンブリによれば、薄膜圧電アクチュエータをサスペンションに固定する際等に薄膜圧電アクチュエータに応力が加わり、正圧電効果によって第１圧電体層及び第２圧電体層内に電界が発生し、この電界によって第１圧電体層及び第２圧電体層の圧電分極の方向がばらついたり反転したりしても、第１圧電体層内に第１電極層から第２電極層に向かう方向の電界が発生するように第１電極層と第２電極層間に電圧を印加することにより、第１圧電体層の圧電分極の方向を元の状態に戻す、又は、近づけることが可能であり、第２圧電体層内に第３電極層から第４電極層に向かう方向の電界が発生するように第３電極層と第４電極層間に電圧を印加することにより、第２圧電体層の圧電分極の方向を元の状態に戻す、又は、近づけることが可能である。その結果、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータの特性低下を抑制することが可能となる。
【００２３】
本発明のハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリと、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと電気的に接続されている薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源とを備える。
【００２４】
本発明のハードディスク装置によれば、上述のように圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータの特性低下を抑制することが可能となる。
【００２５】
本発明のハードディスク装置は、第１圧電体層と第２圧電体層とを互いに逆相で伸縮させることが可能なように、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源は第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと電気的に接続されていることが好ましい。
【００２６】
これにより、第１圧電体層と第２圧電体層とが互いに逆相に伸縮するように薄膜圧電アクチュエータを動作させることができる。その結果、ヘッドスライダの変位レンジを大きくすることが可能となる。
【００２７】
本発明のハードディスク装置は、第１圧電体層と第２圧電体層を再分極処理するための再分極処理電源と、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源とが電気的に接続された第１状態から、第１電極部、第２電極部、第３電極部、及び、第４電極部のそれぞれと再分極処理電源とが電気的に接続された第２状態へ可逆的に切り替える切り替え器とをさらに備えることが好ましい。
【００２８】
これにより、ハードディスク装置の使用中の分極疲労等が原因で第１圧電体層や第２圧電体層の分極の方向がばらついたり反転したりしても、再分極処理電源を用いて、第１圧電体層や第２圧電体層を再分極し、これらの分極の方向を元の状態に戻す、又は、元の状態に近づけることが可能となる。その結果、ハードディスク装置の使用中の分極疲労等が原因で薄膜圧電アクチュエータの特性が低下しても、この特性を容易に回復させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法、及び、このようなヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスク装置の製造方法、並びに、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリ、及び、このようなヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスク装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、第１実施形態のＨＧＡを備えるハードディスク装置の模式図である
【図２】図２は、図１のＨＧＡの拡大斜視図である。
【図３】図３は、図２のＨＧＡの斜視分解図である。
【図４】図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った薄膜圧電アクチュエータの断面図である。
【図５】第１実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、固定工程を説明するための斜視図である。
【図７】図７は、固定工程直後における薄膜圧電アクチュエータの断面図である。
【図８】図８は、電気接続工程を説明するための電気配線図である。
【図９】図９は、第１再分極処理工程、及び、第２再分極処理工程を説明するための電気配線図である。
【図１０】図１０は、電源接続工程を説明するための電気配線図である。
【図１１】図１１は、電源接続工程を説明するための電気配線図である。
【図１２】第２実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、電極部間接続工程を説明するための電気配線図である。
【図１４】図１４は、第２再分極処理工程直後のフレクシャの部分拡大平面図である。
【図１５】図１５は、電極部間接続工程を説明するためのフレクシャの部分拡大平面図である。
【図１６】図１６は、第２実施形態の電源接続工程を説明するための電気配線図である。
【図１７】図１７は、第２実施形態で製造されるＨＧＡと、第２実施形態で製造されるハードディスク装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、ハードディスク装置、及び、これらの製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００３２】
（第１実施形態）
第１実施形態に係るＨＧＡ、及び、ハードディスク装置について説明する。図１は、本実施形態のＨＧＡを備えるハードディスク装置の模式図である。ハードディスク装置１は、ＨＧＡ１０を作動させて、高速回転する磁気記録媒体としてのハードディスク５の記録面に、ヘッドスライダ５０の薄膜磁気ヘッドによって磁気情報を記録及び再生するものである。
【００３３】
ハードディスク装置１は、筺体３内に、ハードディスク５と、これに磁気情報を記録及び再生するＨＧＡ１０と、ＨＧＡ１０によるハードディスク５への磁気情報の記録・再生の制御等を行う制御部７と、薄膜磁気ヘッドをハードディスク５上から退避させておくためのランプ機構９とを備えている。
【００３４】
ハードディスク５は、モータによって回転させられる。ＨＧＡ１０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２１により、支軸２３の回りを回動可能とされており、ハードディスク５に対応するように取り付けられたヘッドスライダ５０を有している。
【００３５】
制御部７は、後述する薄膜圧電アクチュエータを駆動させるための電源部１１と、薄膜圧電アクチュエータと電源部１１との電気接続関係を変更するための切り替え器１５とを有している。
【００３６】
次に、ＨＧＡ１０の構成について詳細に説明する。図２は、図１のＨＧＡの拡大斜視図であり、図３は、図２のＨＧＡの斜視分解図である。図２及び図３に示すように、ＨＧＡ１０は、サスペンションアーム２０とフレクシャ３０からなるサスペンション２２と、フレクシャ３０上に設けられた薄膜圧電アクチュエータ４０と、サスペンション２２に搭載されたヘッドスライダ５０とを有している。薄膜圧電アクチュエータ４０は、ヘッドスライダ５０をサスペンションアーム２０に対して相対的に変位させるものであり、ＨＧＡ１０が薄膜圧電アクチュエータ４０を有することにより、ＨＧＡ１０は薄膜磁気ヘッド５１を２段階で変動させることができる。即ち、薄膜磁気ヘッド５１の比較的大きな移動はＶＣＭ２１によるサスペンション２２全体の駆動により制御され、微小な移動は薄膜圧電アクチュエータ４０によるヘッドスライダ５０の駆動により制御される。
【００３７】
サスペンションアーム２０は、金属で構成されている。サスペンションアーム２０の先端には、ヘッドスライダ５０がランプ機構９に退避する際にスロープに乗り上がるためのタブ２６が形成されている。
【００３８】
フレクシャ３０は、図３に示すように、例えばポリイミド樹脂等の樹脂で形成された可撓性を有する配線基板３７と、例えばステンレス鋼等の金属によって形成されており配線基板３７の底面に部分的に貼り付けられている支持板３４とにより構成されている。フレクシャ３０は、レーザスポット溶接等によってサスペンションアーム２０に接着されている。
【００３９】
配線基板３７は、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６とヘッドスライダ搭載領域３８とを有する。薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６は、薄膜圧電アクチュエータ４０の形状に対応する形状を有している。具体的には、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６は、前端側の領域であって薄膜圧電アクチュエータ４０が搭載される第１領域３６ａ、第２領域３６ｂと、後端側の領域であって薄膜圧電アクチュエータ４０用の第１電極パッド３９ａ（第１電極部）、第２電極パッド３９ｂ（第２電極部）、第３電極パッド３９ｃ（第３電極部）、第４電極パッド３９ｄ（第４電極部）、ヘッドスライダ５０の記録用電極及び再生用電極等のための電極パッド（図示せず）が形成されている電極パッド領域３６ｃとを有している。第１領域３６ａと第２領域３６ｂは、フレクシャ３０の基端側から先端側に向かう直線に沿った方向を長手方向とし、その直線を挟むようにそれぞれ形成されている。また、第１領域３６ａと第２領域３６ｂは、その直線と直交する方向に離間している。
【００４０】
ヘッドスライダ搭載領域３８は、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ａ及び第２領域３６ｂよりもフレクシャ３０の先端側に設けられた領域である。ヘッドスライダ搭載領域３８には、ヘッドスライダ５０の記録用パッド及び再生用パッドにそれぞれ接続される記録用電極（図示せず）及び再生用電極（図示せず）が設けられている。この記録用電極及び再生用電極は、ソルダーボールボンディング等の方法で、配線基板３７上に形成された複数の配線により、対応する電極パッド領域３６ｃ上の電極パッドと電気的に接続されている。
【００４１】
フレクシャ３０には、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ａの先端部から第２領域３６ｂの先端部に亘る領域上にヘッドスライダ搭載領域３８と離間して配置された変位伝達板３３が設けられている。変位伝達板３３には、ヘッドスライダ５０の後端部が搭載される。変位伝達板３３は、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の電極パッド領域３６ｃに貼り付けられた支持板３４から第１領域３６ａ及び第２領域３６ｂの外縁に沿って延びている曲線状のウィング部３５と接続されることで、支持板３４と一体化されている。薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６に薄膜圧電アクチュエータ４０が搭載され、ヘッドスライダ搭載領域３８及び変位伝達板３３にヘッドスライダ５０が搭載されると、変位伝達板３３の上面はヘッドスライダ５０の下面に対向し、変位伝達板３３の下面は薄膜圧電アクチュエータ４０の上面に対向することになる。また、変位伝達板３３は、薄膜圧電アクチュエータ４０の動作時においては薄膜圧電アクチュエータ４０の変位をヘッドスライダ５０に伝達する機能を有する。なお、変位伝達板３３及びウィング部３５は、支持板３４と同様に例えばステンレス鋼等の金属で構成されている。
【００４２】
次に、図３及び図４を参照しながら、薄膜圧電アクチュエータ４０の詳細について説明する。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った薄膜圧電アクチュエータの断面図である。
【００４３】
図３に示すように、薄膜圧電アクチュエータ４０は、互いに分離した第１圧電積層体４１及び第２圧電積層体４２を有している。第１圧電積層体４１は薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ａに搭載され、第２圧電積層体４２は薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第２領域３６ｂに搭載されている。そのため、第１圧電積層体４１及び第２圧電積層体４２は、それぞれ薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６に搭載された状態において、フレクシャ３０の基端側から先端側に向かう直線に沿った方向を長手方向としており、互いにこの直線と直交する方向、即ち、それぞれの積層方向と直交する方向に離間している。
【００４４】
また、第１圧電積層体４１と第２圧電積層体４２は、薄膜圧電アクチュエータ４０の基端領域４０Ｒ以外の領域において、それぞれの互いに対向する内側の辺が互いに離間して平行に延びており、それぞれの幅は、基端領域４０Ｒから先端側に向けて徐々に狭まっている。なお、第１圧電積層体４１と第２圧電積層体４２は、例えば薄膜圧電アクチュエータ４０の基端領域４０Ｒにおいて互いに接続されていてもよい。
【００４５】
第１圧電積層体４１の基端領域４０Ｒには、駆動電圧が印加される電極４１Ｅ１、４１Ｅ２が設けられており、第２圧電積層体４２の基端領域４０Ｒには、駆動電圧が印加される電極４２Ｅ１、４２Ｅ２が設けられている。薄膜圧電アクチュエータ４０の第１圧電積層体４１と第２圧電積層体４２は、例えば紫外線硬化型樹脂等の接着剤により、フレクシャ３０の薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ａと第２領域３６ｂにそれぞれ固定されている。電極４１Ｅ１、４１Ｅ２、４２Ｅ１、４２Ｅ２は、それぞれ第１電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄに電気的に接続されている。
【００４６】
図４に示すように、第１圧電積層体４１は、第１電極層４１１、第１圧電体層４１３、及び、第２電極層４１２がこの順に積層されてなる。同様に、第２圧電積層体４２は、第３電極層４２１、第２圧電体層４２３、及び、第４電極層４２２がこの順に積層されてなる。第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層は、それぞれ導電性材料で構成されており、例えば白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属や、これらの金属の少なくとも一つを含む合金、あるいは、ＳｒＲｕO3などの導電性セラミックス等で構成されている。第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層の厚さは特に制限されないが、例えば、０．０１μｍ〜２μｍとすることができる。
【００４７】
第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３は、それぞれ圧電材料で構成されており、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ・Ｔｉ）Ｏ３）等の強誘電体材料で構成されている。第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の厚さは特に制限されないが、例えば０．１μｍ〜１０μｍとすることができる。
【００４８】
第１圧電体層４１３は、第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向、より詳細には、第１圧電体層の厚さ方向であって第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向を向いた第１分極ベクトル４１Ｖを有している。本実施形態では、第１圧電体層４１３の第１分極ベクトル４１Ｖは、第１圧電体層４１３の厚さ方向と平行であるが、第１圧電体層４１３の第１分極ベクトル４１Ｖは、第１圧電体層４１３の厚さ方向の成分を有していれば、第１圧電体層４１３の厚さ方向と平行でなくてもよい。
【００４９】
第２圧電体層４２３についても同様である。即ち、第２圧電体層４２３は、第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向、より詳細には、第２圧電体層の厚さ方向であって第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向を向いた第２分極ベクトル４２Ｖを有している。本実施形態では、第２圧電体層４２３の第２分極ベクトル４２Ｖは、第２圧電体層４２３の厚さ方向と平行であるが、第２圧電体層４２３の第２分極ベクトル４２Ｖは、第２圧電体層４２３の厚さ方向の成分を有していれば、第２圧電体層４２３の厚さ方向と平行でなくてもよい。また、本実施形態では、第１分極ベクトル４１Ｖと第２分極ベクトル４２Ｖは、平行である。
【００５０】
なお、第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３は、複数の分極ドメインから構成されていてもよい。この場合、第１圧電体層４１３の第１分極ベクトル４１Ｖは、第１圧電体層４１３の各分極ドメインの分極ベクトルを合成したものとなり、第２圧電体層４２３の第２分極ベクトル４２Ｖは、第２圧電体層４２３の各分極ドメインの分極ベクトルを合成したものとなる。
【００５１】
電極４１Ｅ１、４１Ｅ２、４２Ｅ１、４２Ｅ２は、それぞれコンタクトホール等を介して、第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、第４電極層４２２と電気的に接続されている。そして、詳細は後述するように、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄは、それぞれ切り替え器１５を介して、薄膜圧電アクチュエータ４０を駆動させるための電源部１１と電気的に接続されている（図１参照）。
【００５２】
次に、本実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法について説明する。
【００５３】
図５は、本実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００５４】
図５のフローチャート１００に示すように、本実施形態のハードディスク装置の製造方法は、主として、ＨＧＡ製造工程Ｓ１００Ｈと、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄと電源とを電気的に接続する電源接続工程Ｓ１１５と、を有している。また、ＨＧＡ製造工程においては、主として、薄膜圧電アクチュエータ４０を準備するアクチュエータ準備工程Ｓ１０１と、サスペンション２２を準備するサスペンション準備工程Ｓ１０３と、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する固定工程Ｓ１０５と、第１〜第４電極層４１１、４１２、４２１、４２２を、それぞれ電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄに電気的に接続する電気接続工程Ｓ１０７と、第１圧電体層４１３を再分極処理する第１再分極処理工程Ｓ１０９と、第２圧電体層４２３を再分極処理する第２再分極処理工程Ｓ１１１と、ヘッドスライダをサスペンションに固定工程する固定工程Ｓ１１３と、を行うことができる。
【００５５】
（アクチュエータ準備工程、及び、サスペンション準備工程）
アクチュエータ準備工程Ｓ１０１及びサスペンション準備工程Ｓ１０３においては、上述のようなアクチュエータ４０及びサスペンション２２をそれぞれ準備する（図１、図２及び図３参照）。
【００５６】
（固定工程）
図６は、固定工程を説明するための斜視図である。図６に示すように、固定工程Ｓ１０５においては、薄膜圧電アクチュエータ４０の第１圧電積層体４１を、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ａ（図３参照）に固定し、薄膜圧電アクチュエータ４０の第２圧電積層体４２を、薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６の第１領域３６ｂ（図３参照）に接着剤等で固定することにより、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する。
【００５７】
図７は、固定工程直後における薄膜圧電アクチュエータの断面図である。薄膜圧電アクチュエータ４０がサスペンション２２に固定される際、薄膜圧電アクチュエータ４０の第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３に応力が加わる場合がある。これにより、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３内に正圧電効果により電界が発生する。このような電界が発生すると、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の圧電分極の方向がばらついたり、反転したりする場合がある。即ち、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に接着剤等で固定すると、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３に変形が生じる。この変形により第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の結晶内のイオン変位の方向が変化して、配向している第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の自発分極に影響を与える。
【００５８】
その結果、第１分極ベクトル４１Ｖや第２分極ベクトル４２Ｖは、その方向や大きさが変化する。この変化の大きさは、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３に加わる応力の大きさの他、膜剛性や自発分極の大きさ等の第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の特性にも依存する。図７においては、第１分極ベクトル４１Ｖが反転し、第２分極ベクトル４２Ｖの大きさが小さくなった例を示している。第１分極ベクトル４１Ｖや第２分極ベクトル４２Ｖがこのように変化したままであると、薄膜圧電アクチュエータ４０が所望の態様で動作しなくなってしまうため、薄膜圧電アクチュエータ４０の特性が低下する場合がある。
【００５９】
（電気接続工程）
図８は、電気接続工程を説明するための電気配線図である。図８に示すように、電気接続工程Ｓ１０７においては、第１圧電積層体４１の電極４１Ｅ１、４１Ｅ２、及び、第２圧電積層体４２の電極４２Ｅ１、４２Ｅ２を、それぞれサスペンション２２の第１電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄに電気的に接続する。この電気的な接続は、例えば、ソルダーボールボンディングによって行うことができる。本実施形態のＨＧＡ１０においては、電極４１Ｅ１、４１Ｅ２、４２Ｅ１、４２Ｅ２は、互いに非導通であり、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄも、互いに非導通であるため、第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、第４電極層４２２も、互いに非導通となっている。
【００６０】
（第１再分極処理工程、及び、第２再分極処理工程）
図９は、第１再分極処理工程、及び、第２再分極処理工程を説明するための電気配線図である。図９に示すように、第１再分極処理工程Ｓ１０９と第２再分極処理工程Ｓ１１１においては、電源６１を用いて第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３を再分極処理する。具体的には、電源６１の正極を第１電極パッド３９ａと第３電極パッド３９ｃに電気的に接続すると共に、電源６１の負極を第２電極パッド３９ｂと第４電極パッド３９ｄに電気的に接続する。
【００６１】
これにより、第１圧電体層４１３内に第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向の電界４１Ｅが発生し、第１分極ベクトル４１Ｖが固定工程Ｓ１０５を行う前の状態に戻る、又は、近づく。このようにして、第１圧電体層４１３が再分極処理される。第１圧電体層４１３の再分極処理を有効に行う観点から、電界４１Ｅの大きさは、第１圧電体層４１３を構成する材料の抗電界よりも大きいことが好ましい。また、電界４１Ｅの大きさは、第１圧電体層４１３へ加えられた応力の大きさや第１圧電体層４１３のイオン変位の強度に応じて、適宜調節される。また、第１圧電体層４１３を再分極処理する際、本実施形態では第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層４２２は互いに非導通であるため、第２圧電体層４２３内に第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向とは逆方向の電界は発生しないため、第２圧電体層４２３の圧電分極の方向をさらにばらつかせたり反転させたりすることはない。
【００６２】
また、第１圧電体層４１３の再分極処理と同時に、第２圧電体層４２３も再分極処理される。即ち、第２圧電体層４２３内に第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向の電界４２Ｅが発生し、第２分極ベクトル４２Ｖが固定工程Ｓ１０５を行う前の状態に戻る、又は、近づく。このようにして、第２圧電体層４２３も再分極処理される。第２圧電体層４２３の再分極処理を有効に行う観点から、電界４２Ｅの大きさは、第２圧電体層４２３を構成する材料の抗電界よりも大きいことが好ましい。また、電界４２Ｅの大きさは、第２圧電体層４２３へ加えられた応力の大きさや第２圧電体層４２３のイオン変位の強度に応じて、適宜調節される。また、第２圧電体層４２３を再分極処理する際、本実施形態では第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層４２２は互いに非導通であるため、第１圧電体層４１３内に第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向とは逆方向の電界は発生しないため、第１圧電体層４１３の圧電分極の方向をさらにばらつかせたり反転させたりすることはない。
【００６３】
上述のように、再分極処理とは、第１圧電体層４１３（又は第２圧電体層４２３）に電界４１Ｅ（又は電界４２Ｅ）を印加することにより、第１圧電体層４１３（又は第２圧電体層４２３）内のイオン変位を元の状態に戻す、又は、近づけることを意味する。このような再分極処理を行うことにより、変形していた第１圧電体層４１３（又は第２圧電体層４２３）の形状は、元の形状に戻る、又は、近づく。
【００６４】
なお、本実施形態では、第１再分極処理工程Ｓ１０９と第２再分極処理工程Ｓ１１１を同時に行っているが、これらの工程は別途行ってもよい。また、本実施形態では、第１再分極処理工程Ｓ１０９と第２再分極処理工程Ｓ１１１は、電気接続工程Ｓ１０７の後に行っているが、第１再分極処理工程Ｓ１０９と第２再分極処理工程Ｓ１１１は、電気接続工程Ｓ１０７の前に行ってもよい。この場合、第１圧電体層４１３の再分極処理は、電源６１の正極を電極４１Ｅ１に、負極を電極４１Ｅ２に電気的に接続することによって行うことができ、第２圧電体層４２３の再分極処理は、電源６の正極を電極４２Ｅ１に、負極を電極４２Ｅ２に電気的に接続することによって行うことができる。
【００６５】
以上の工程を経ることにより、本実施形態のＨＧＡ１０が得られる。
【００６６】
（電源接続工程）
図１０は、電源接続工程を説明するための電気配線図である。図１０に示すように、電源接続工程Ｓ１１５においては、切り替え器１５を介して、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄをそれぞれ電源部１１の薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１と電気的に接続する。
【００６７】
電源部１１は、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１、再分極処理電源１１Ｅ２、及び、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１と接続された２つの出力端子１１ａ、１１ｂ、及び、再分極処理電源１１Ｅ２と接続された２つの出力端子１１ｃ、１１ｄを有している。本実施形態では、再分極処理電源１１Ｅ２は直流電源であり、その正極が出力端子１１ｃと、その負極が出力端子１１ｄと、それぞれ接続されている。
【００６８】
切り替え器１５は、４つの入力端子１５ｒ、１５ｓ、１５ｔ、１５ｕと、４つの出力端子１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを有している。また、出力端子１５ａにはスイッチ素子ＳＷ１が接続されており、スイッチ素子ＳＷ１によって出力端子１５ａの接続先を、入力端子１５ｒと入力端子１５ｔのいずれかとすることができる。同様に、出力端子１５ｂにはスイッチ素子ＳＷ２が接続されており、スイッチ素子ＳＷ２によって出力端子１５ｂの接続先を、入力端子１５ｓと入力端子１５ｕのいずれかとすることができ、出力端子１５ｃにはスイッチ素子ＳＷ３が接続されており、スイッチ素子ＳＷ３によって出力端子１５ｃの接続先を、入力端子１５ｓと入力端子１５ｔのいずれかとすることができ、出力端子１５ｄにはスイッチ素子ＳＷ４が接続されており、スイッチ素子ＳＷ４によって出力端子１５ｄの接続先と、入力端子１５ｒと入力端子１５ｕのいずれかとすることができる。
【００６９】
切り替え器１５は、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄと、電源部１１との電気接続関係を２つの状態間で可逆的に切り替える機能を有している。図１０は、この電気接続関係が第１の状態である場合の電気配線図を示している。電気接続関係が第１の状態においては、出力端子１５ａ及び出力端子１５ｄは、それぞれ入力端子１５ｒに接続され、出力端子１５ｂ及び出力端子１５ｃは、それぞれ入力端子１５ｓに接続されている。
【００７０】
電源接続工程Ｓ１１５においては、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄを、それぞれ出力端子１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄに電気的に接続し、入力端子１５ｒと入力端子１５ｓを、それぞれ出力端子１１ａと出力端子１１ｂに電気的に接続し、入力端子１５ｔと入力端子１５ｕを、それぞれ出力端子１１ｃと出力端子１１ｄに電気的に接続する。これにより、第１電極パッド３９ａ及び第４電極パッド３９ｄを電源部１１の出力端子１１ａと電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ及び第３電極パッド３９ｃを電源部１１の出力端子１１ｂと電気的に接続する。
【００７１】
この工程の後、ＨＧＡ１０を、筐体３、ハードディスク５、制御部７、ランプ機構９等と組み合わせることにより、図１に示すような本実施形態のハードディスク装置１が完成する。
【００７２】
図１０に示すように、第１電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄと、電源部１１との電気接続関係が第１の状態の場合、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１によって第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３とを互いに逆相で伸縮させることができる。例えば、出力端子１１ａが正電位、出力端子１１ｂが負電位となるように薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１から出力端子１１ａと出力端子１１ｂ間に電圧が印加されると、第１圧電体層４１３には第１分極ベクトル４１Ｖと同方向に電圧が印加されるのに対し、第２圧電体層４２３には、第２分極ベクトル４２Ｖと逆方向に電圧が印加される。そのため、第１圧電体層４１３は、その厚さ方向に伸びる（即ち、その面内方向に縮む）のに対し、第２圧電体層４２３は、その厚さ方向に縮む（即ち、その面内方向に伸びる）。
【００７３】
また、出力端子１１ａが負電位、出力端子１１ｂが正電位となるように薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１から出力端子１１ａと出力端子１１ｂ間に電圧が印加されると、第１圧電体層４１３は、その厚さ方向に縮む（即ち、その面内方向に伸びる）のに対し、第２圧電体層４２３は、その厚さ方向に伸びる（即ち、その面内方向に縮む）。このように第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３を伸縮させる場合の出力端子１１ａと出力端子１１ｂ間に印加される電圧値の範囲は、第１圧電体層４１３内及び第２圧電体層４２３内に生じる電界の大きさの最大値が、第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の材料の抗電界よりも小さくなるように、調節される。
【００７４】
第１圧電積層体４１及び第２圧電積層体４２は、それぞれ薄膜圧電アクチュエータ搭載領域３６に搭載された状態において、フレクシャ３０の基端側から先端側に向かう直線に沿った方向を長手方向としているため（図３参照）、第１圧電積層体４１及び第２圧電積層体４２は、特にそれぞれの長手方向に大きく伸縮する。そのため、例えば出力端子１１ａが正電位、出力端子１１ｂが負電位となるように薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１から出力端子１１ａと出力端子１１ｂ間に電圧が印加されると、第１圧電積層体４１は図３の矢印Ａ１の方向に特に縮み、第２圧電積層体４２は図３の矢印Ａ２の方向に特に伸びる。
【００７５】
また、出力端子１１ａが負電位、出力端子１１ｂが正電位となるように薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１から出力端子１１ａと出力端子１１ｂ間に電圧が印加されると、第１圧電積層体４１は図３の矢印Ａ１の方向と逆方向に特に伸び、第２圧電積層体４２は図３の矢印Ａ２の方向と逆方向に特に縮む。
【００７６】
このような第１圧電積層体４１と第２圧電積層体４２の変位は、変位伝達板３３によってヘッドスライダ５０に伝えられる。これにより、薄膜圧電アクチュエータ４０によってヘッドスライダ５０をトラック幅方向に変位させることができる。ハードディスク装置１の動作時においては、薄膜磁気ヘッド５１がハードディスク５から読み取った位置情報に基づき、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１によって薄膜圧電アクチュエータ４０に印加する電圧の大きさ及び極性を適切に変えることにより、ヘッドスライダ５０を適切な位置に保ち続けることができる。薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１から薄膜圧電アクチュエータ４０に印加する電圧信号の形状は、例えば、時間と共に極性が変化する矩形状とすることができる。また、本実施形態では、上述のように第１圧電積層体４１と第２圧電積層体４２を逆相で変位させているため、ヘッドスライダ５０の変位レンジを大きくすることができる。
【００７７】
図１１は、切り替え器によって、第１〜第４電極パッドと、電源部との電気接続関係を第２状態に切り替えた場合の電気配線図である。図１１に示すように、第２状態においては、スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４を切り替えることにより、出力端子１５ａと出力端子１５ｃをそれぞれ入力端子１５ｔに電気的に接続し、出力端子１５ｂと出力端子１５ｄをそれぞれ入力端子１５ｕと電気的に接続する。
【００７８】
ハードディスク装置１が完成した後であっても、ハードディスク装置１の使用中に、薄膜圧電アクチュエータ４０の駆動を続けた際の分極疲労等が原因で、第１圧電体層４１３や第２圧電体層４２３の圧電分極の方向は、ばらついたり反転したりして、薄膜圧電アクチュエータ４０の特性が低下することがある。しかし、図１１に示す第２状態の場合、再分極処理電源１１Ｅ２によってこのような状態の第１圧電体層４１３や第２圧電体層４２３を再分極処理することができる。
【００７９】
具体的には、再分極処理電源１１Ｅ２によって入力端子１５ｔ及び入力端子１５ｕ間に直流電圧を印加することにより、第１圧電体層４１３内に第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向の電界を発生させ、第２圧電体層４２３内に第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向の電界を発生させる。この際、第１圧電体層４１３内に第１圧電体層４１３の材料の抗電界よりも大きな電界を発生させ、また、第２圧電体層４２３内に第２圧電体層４２３の材料の抗電界よりも大きな電界を発生させることが好ましい。これにより、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の分極の方向を元の状態に戻す、又は、元の状態に近づけることが可能となる。そのため、ハードディスク装置１の使用中の分極疲労等が原因で薄膜圧電アクチュエータ４０の特性が低下しても、この特性を容易に回復させることが可能となる。
【００８０】
上述のような本実施形態のＨＧＡ１０の製造方法によれば、それぞれ単層の圧電体層（第１圧電体層４１３、第２圧電体層４２３）を有する一対の圧電積層体（第１圧電積層体４１、第２圧電積層体４２）で構成された薄膜圧電アクチュエータ４０、即ち、単層型の薄膜圧電アクチュエータ４０を備えるＨＧＡ１０が得られる（図３及び図４参照）。
【００８１】
さらに、本実施形態のＨＧＡ１０の製造方法によれば、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定した後に、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３のそれぞれを再分極処理している（図９参照）。これにより、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する際、薄膜圧電アクチュエータ４０に応力が加わり、正圧電効果によって第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３内に電界が発生し、この電界によって第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の圧電分極の方向がばらついたり反転したりしても、第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の圧電分極の方向を元の状態に戻す、又は、近づけることが可能である（図７及び図９参照）。その結果、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することが可能となる。
【００８２】
また、上述のような本実施形態のハードディスク装置１の製造方法によれば、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する際に第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することができる。
【００８３】
また、上述のような本実施形態のＨＧＡ１０は、それぞれ単層の圧電体層（第１圧電体層４１３、第２圧電体層４２３）を有する一対の圧電積層体（第１圧電積層体４１、第２圧電積層体４２）で構成された薄膜圧電アクチュエータ、即ち、単層型の薄膜圧電アクチュエータ４０を備えるＨＧＡ１０となる（図３及び図４参照）。
【００８４】
さらに、上述のような本実施形態のＨＧＡ１０は、第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層４２２は互いに非導通であると共に、第１電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、及び、第４電極パッド３９ｄも互いに非導通である（図３及び図８参照）。そのため、上述のような本実施形態のＨＧＡ１０によれば、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２に固定する際等に薄膜圧電アクチュエータ４０に応力が加わり、正圧電効果によって第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３内に電界が発生し、この電界によって第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の圧電分極の方向がばらついたり反転したりしても、第１圧電体層４１３内に第１電極層４１１から第２電極層４１２に向かう方向の電界が発生するように第１電極層４１１と第２電極層４１２間に電圧を印加するができ、また、第２圧電体層４２３内に第３電極層４２１から第４電極層４２２に向かう方向の電界が発生するように第３電極層４２１と第４電極層４２２間に電圧を印加することができる。これにより、第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３の圧電分極の方向を元の状態に戻す、又は、近づけることが可能である。その結果、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することが可能である。
【００８５】
また、上述のような本実施形態のハードディスク装置１によれば、上述のようなＨＧＡ１０を備えているため、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することが可能である。
【００８６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法について説明する。
【００８７】
図１２は、本実施形態に係るＨＧＡの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法を示すフローチャートである。図１２のフローチャート１００ａに示すように、本実施形態のハードディスク装置の製造方法は、第１実施形態のＨＧＡ製造工程Ｓ１００Ｈに対応するＨＧＡ製造工程Ｓ１００Ｈａにおいて、電気接続工程Ｓ１０７が第１再分極処理工程Ｓ１０９及び第２再分極処理工程Ｓ１１１の後に行われる点、及び、電気接続工程Ｓ１０７の後に、第１電極パッド３９ａと第４電極パッド３９ｄを電気的に接続、及び、第２電極パッド３９ｂと第３電極パッド３９ｃとを電気的に接続する電極部間接続工程Ｓ１１２をさらに有する点、及び、サスペンション準備工程で準備するサスペンションの構成において、第１実施形態と相違する。また、本実施形態のハードディスク装置の製造方法は、電源部が切り替え器を有していない点で、第１実施形態と相違する。
【００８８】
図１３は、電極部間接続工程を説明するための電気配線図である。図１３のサスペンション２２ａは、第１実施形態のサスペンション２２に対応する。本実施形態のサスペンション２２ａは、２つの端子３１ｔ、３２ｔを有している点で第１実施形態のサスペンション２２と相違する。そして、電極部間接続工程Ｓ１１２においては、第１実施形態における第１電極パッド３９ａ及び第４電極パッド３９ｄにそれぞれ対応する第１電極パッド３９ａ１及び第４電極パッド３９ｄ１を端子３１ｔに電気的に接続すると共に、第１実施形態における第２電極パッド３９ｂ及び第３電極パッド３９ｃにそれぞれ対応する第２電極パッド３９ｂ１及び第３電極パッド３９ｃ１を端子３２ｔに電気的に接続する。これにより、第１電極パッド３９ａ１と第４電極パッド３９ｄ１とを電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ１と第３電極パッド３９ｃ１とを電気的に接続する。
【００８９】
電極部間接続工程Ｓ１１２を行う具体的な方法について、図１４及び図１５を用いて説明する。図１４は、第２再分極処理工程直後のフレクシャの部分拡大平面図である。図１４に示すように、本実施形態においては、第１実施形態のフレクシャ３０に対応するフレクシャ３０ａは、第１電極パッド３９ａ１、第２電極パッド３９ｂ１、第３電極パッド３９ｃ１、第４電極パッド３９ｄ１の形状、及び、第１導電部材３１と第２導電部材３２を備えている点において、第１実施形態と異なる。
【００９０】
第１導電部材３１は、それぞれ凹凸部を有する第１凹凸電極３１ａと第４凹凸電極３１ｄを有しており、それぞれ端子３１ｔと電気的に接続されている。第１電極パッド３９ａ１及び第４電極パッド３９ｄ１は、それぞれ第１凹凸電極３１ａと第４凹凸電極３１ｄの凹凸部に対応した形状の凹凸部を有している。そして、第１電極パッド３９ａ１と第１凹凸電極３１ａは、一方の凹部と他方の凸部が対向するように隣接しており、第４電極パッド３９ｄ１と第４凹凸電極３１ｄは、一方の凹部と他方の凸部が対向するように隣接している。
【００９１】
第２導電部材３２は、それぞれ凹凸部を有する第２凹凸電極３２ｂと第３凹凸電極３２ｃを有しており、それぞれ端子３２ｔと電気的に接続されている。第２電極パッド３９ｂ１及び第３電極パッド３９ｃ１も、それぞれ第２凹凸電極３２ｂと第３凹凸電極３２ｃの凹凸部に対応した形状の凹凸部を有している。そして、第２電極パッド３９ｂ１と第２凹凸電極３２ｂは、一方の凹部と他方の凸部が対向するように隣接しており、第３電極パッド３９ｃ１と第３凹凸電極３２ｃは、一方の凹部と他方の凸部が対向するように隣接している。
【００９２】
図１５は、電極部間接続工程を説明するためのフレクシャの部分拡大平面図である。図１５に示すように、本実施形態においては、電気接続工程Ｓ１０７と電極部間接続工程Ｓ１１２が、同時に行われる。具体的には、電極４１Ｅ１と第１電極パッド３９ａ１と第１凹凸電極３１ａとが、例えば半田ボール８０ａによって電気的に接続され、電極４１Ｅ２と第２電極パッド３９ｂ１と第２凹凸電極３２ｂとが、例えば半田ボール８０ｂによって電気的に接続され、電極４２Ｅ１と第３電極パッド３９ｃ１と第３凹凸電極３２ｃとが、例えば半田ボール８０ｃによって電気的に接続され、電極４２Ｅ２と第４電極パッド３９ｄ１と第４凹凸電極３１ｄとが、例えば半田ボール８０ｄによって電気的に接続される。このようにして、電極４１Ｅ１、４１Ｅ２、電極４２Ｅ１、４２Ｅ２を、それぞれ第１電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄに電気的に接続する工程（電気接続工程Ｓ１０７）と、第１電極パッド３９ａ１及び第４電極パッド３９ｄ１を端子３１ｔに電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ１及び第３電極パッド３９ｃ１を端子３２ｔに電気的に接続する工程（電極部間接続工程Ｓ１１２）が、同時に行われる。本実施形態では、このように２つの工程を同時に行うことができるため、製造工程が簡略化されている。
【００９３】
なお、電極部間接続工程Ｓ１１２は、電気接続工程Ｓ１０７工程とは別に行ってもよい。その場合、電気接続工程Ｓ１０７工程は、第１再分極処理工程Ｓ１０９や第２再分極処理工程Ｓ１１１の前に行ってもよい。
【００９４】
また、電極部間接続工程Ｓ１１２は、第１導電部材３１及び第２導電部材３２を用いずに行ってもよい。具体的には、サスペンション準備工程Ｓ１０３で準備するサスペンションを第１実施形態と同様とし（即ち、第１導電部材３１及び第２導電部材３２を有していないサスペンションとする）、金属ワイヤ、半田、導電性樹脂等の導電性材料を用いて、第１電極パッド３９ａ１及び第４電極パッド３９ｄ１を端子３１ｔに電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ１及び第３電極パッド３９ｃ１を端子３２ｔに電気的に接続してもよい。
【００９５】
図１６は、本実施形態の電源接続工程を説明するための電気配線図である。本実施形態においては、第１実施形態の電源部１１に対応する電源部１１ｘは切り替え器１５（図１０及び図１１参照）を有していない。図１６に示すように、電源接続工程Ｓ１１５においては、電源部１１ｘの出力端子１１ａと端子３１ｔとを電気的に接続し、出力端子１１ｂと端子３２ｔとを電気的に接続することにより、電極パッド３９ａ１、第２電極パッド３９ｂ１、第３電極パッド３９ｃ１、第４電極パッド３９ｄ１をそれぞれ電源部１１ｘの薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１と電気的に接続する。図１７は、本実施形態で製造されるＨＧＡと、本実施形態で製造されるハードディスク装置の模式図である。図１７のハードディスク装置１ａとＨＧＡ１０ａは、それぞれ第１実施形態のハードディスク装置１とＨＧＡ１０に対応する。ハードディスク装置１ａは、第１実施形態の制御部７に対応する制御部７ａが切り替え器１５（図１、図１０、及び図１１参照）を有していない点において、第１実施形態と相違する。
【００９６】
上述のような本実施形態に係るＨＧＡ１０ａの製造方法によれば、第１実施形態に係るＨＧＡ１０の製造方法における場合と同様の理由により、単層型の薄膜圧電アクチュエータ４０を備えるＨＧＡ１０ａが得られると共に、圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することが可能となる。
【００９７】
さらに、本実施形態に係るＨＧＡ１０ａの製造方法によれば、第１電極パッド３９ａ１と第４電極パッド３９ｄ１とを電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ１と第３電極パッド３９ｃ１とを電気的に接続する電極部間接続工程Ｓ１１２を有しているため（図１３参照）、薄膜圧電アクチュエータ４０を動作させる際、２箇所（端子３１ｔと端子３２ｔ）に電圧を印加するだけで、第１電極パッド３９ａ１、第２電極パッド３９ｂ１、第３電極パッド３９ｃ１、及び、第４電極パッド３９ｄ１の全てに電圧を印加することができる。その結果、ハードディスク装置１ａに利用した際に、回路構成を単純化することが可能なＨＧＡ１０ａが得られる。
【００９８】
さらに、本実施形態に係るＨＧＡ１０ａの製造方法によれば、電極部間接続工程Ｓ１１２において上述のような電気的接続を行っているため、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３とが逆相に伸縮するように薄膜圧電アクチュエータ４０を動作させることがきる（図１３、及び図１６参照）。これにより、ヘッドスライダ５０の変位レンジを大きくすることが可能となる。
【００９９】
また、上述のような本実施形態に係るハードディスク装置１ａの製造方法によれば、第１実施形態のハードディスク装置１の製造方法の製造方法における場合と同様の理由により、薄膜圧電アクチュエータ４０をサスペンション２２ａに固定する際に第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する薄膜圧電アクチュエータ４０の特性低下を抑制することができる。
【０１００】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形態様が可能である。
【０１０１】
例えば、上述の各実施形態においては、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３とが互いに逆相で伸縮するように第１電極パッド３９ａ（第１電極パッド３９ａ１）、第２電極パッド３９ｂ（第２電極パッド３９ｂ１）、第３電極パッド３９ｃ（第３電極パッド３９ｃ１）、第４電極パッド３９ｄ（第４電極パッド３９ｄ１）と、電源部１１（電源部１１ｘ）との電気的接続を行っているが（図１０、図１１、及び図１６参照）、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３とが互いに同相で伸縮するようにこれらの電気的接続を行ってもよい。例えば、第１実施形態の電源接続工程Ｓ１１５において、電極パッド３９ａ、第２電極パッド３９ｂ、第３電極パッド３９ｃ、第４電極パッド３９ｄと、電源部１１との電気接続関係が第１の状態のとき（図１０参照）、第１電極パッド３９ａと第３電極パッド３９ｃを電源部１１の出力端子１１ａと電気的に接続し、第２電極パッド３９ｂと第４電極パッド３９ｄを電源部１１の出力端子１１ｂと電気的に接続すると共に、電気接続関係が第２の状態のとき（図１１参照）、第１電極パッド３９ａと第３電極パッド３９ｃを電源部１１の出力端子１１ｃと電気的に接続し、第２電極パッド３９ｂと第４電極パッド３９ｄを電源部１１の出力端子１１ｄと電気的に接続してもよい。また、例えば、第２実施形態の電極部間接続工程Ｓ１１２において、第１電極パッド３９ａ１と第３電極パッド３９ｃ１とを電気的に接続すると共に、第２電極パッド３９ｂ１と第４電極パッド３９ｄ１とを電気的に接続してもよい。
【０１０２】
また、上述の第１実施形態の電源接続工程Ｓ１１５において、電源部１１は、薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源を２つ備え、第１の薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源を第１電極パッド３９ａと第２電極パッド３９ｂ間に電気的に接続し、第２の薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源を第２電極パッド３９ｂと第４電極パッド３９ｄ間に電気的に接続してもよい。この場合、これらの電気的接続は、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３とが互いに逆相及び同相のどちらの態様で伸縮するように行ってもよい。これにより、第１と第２の薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源を用いて、第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３にそれぞれ独立して電圧を印加させることができるため、薄膜圧電アクチュエータ４０によるヘッドスライダ５０の駆動をより精密に行うことができる。
【０１０３】
また、上述の各実施形態において、ハードディスク装置１（ハードディスク装置１ａ）の薄膜圧電アクチュエータ４０を例えば歪みセンサ、変位センサ、変形センサ、又は圧力センサなどのセンサとして用いてもよい。例えばＨＧＡ１０（ＨＧＡ１０ａ）に加速度が印加されたり、ヘッドスライダ５０がハードディスク５と接触したりすると、薄膜圧電アクチュエータ４０内の第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３が歪み、正圧電効果により、第１電極層４１１と第２電極層４１２間、及び、第３電極層４２１と第４電極層４２２間に電圧が発生する。これらの電圧の大きさや極性は、薄膜圧電アクチュエータ４０の歪みの態様に依存するため、第１電極層４１１と第２電極層４１２間、及び、第３電極層４２１と第４電極層４２２間の電圧を測定する電圧計を設けることにより、薄膜圧電アクチュエータ４０を歪みセンサとして用いることができる。
【０１０４】
また、例えば、ヘッドスライダ５０がハードディスク５にある突起等と衝突すると、ヘッドスライダ５０が変位するため、薄膜圧電アクチュエータ４０内の第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３が歪む。そのため、第１電極層４１１と第２電極層４１２間、及び、第３電極層４２１と第４電極層４２２間の電圧を測定する電圧計を設けることにより、薄膜圧電アクチュエータ４０を、ヘッドスライダ５０がハードディスク５の突起等に衝突したことを検出する変位センサとして用いることができる。
【０１０５】
また、例えば、ヘッドスライダ５０の変位が固定化されてＨＧＡ１０（ＨＧＡ１０ａ）が変形すると、薄膜圧電アクチュエータ４０内の第１圧電体層４１３と第２圧電体層４２３の歪みも固定化される。そのため、第１電極層４１１と第２電極層４１２間、及び、第３電極層４２１と第４電極層４２２間の電圧を測定する電圧計を設けることにより、薄膜圧電アクチュエータ４０を、ＨＧＡ１０（ＨＧＡ１０ａ）の変形を検出する変形センサとして用いることができる。
【０１０６】
このような電圧計を設ける態様としては、例えば、上述の第１実施形態において、制御部７に２つの電圧計を設け、図１０に示した第１の電気接続関係から、第１電極パッド３９ａと第２電極パッド３９ｂ間に第１の電圧計が電気的に接続され、第３電極パッド３９ｃと第４電極パッド３９ｄ間に第２の電圧計が電気的に接続された第３の電気接続関係に切り替える機能を切り替え器１５にさらに付与することが考えられる。また、上述の第２実施形態において、制御部７ａに１つの電圧計を設けると共に、図１６に示した電気接続関係から、端子３１ｔと端子３２ｔ間にこの電圧計が接続された電気接続関係に切り替える機能を有する切り替え器をさらに制御部７ａ内に設けることが考えられる。
【０１０７】
また、上述の各実施形態において、第１分極ベクトル４１Ｖと第２分極ベクトル４２Ｖの方向は、互いに平行であるが、第１分極ベクトル４１Ｖと第２分極ベクトル４２Ｖの方向は、互いに反平行であってもよい。その場合、第１圧電体層４１３の上下の電極層のうち、第１分極ベクトル４１Ｖの基端側の電極層が第１電極層となり、第１分極ベクトル４１Ｖの先端側の電極層が第２電極層となり、また、第２圧電体層４２３の上下の電極層のうち、第２分極ベクトル４２Ｖの基端側の電極層が第３電極層となり、第２分極ベクトル４２Ｖの先端側の電極層が第４電極層となる。
【０１０８】
また、上述の各実施形態において、第１圧電体層４１３及び第２圧電体層４２３は、それぞれ単一の層で構成されているが、それぞれ圧電材料からなる層が複数積層された積層膜で構成されていてもよい。その場合、この積層膜を構成する複数の圧電材料からなる層のそれぞれの分極ベクトルを合成したものが、第１分極ベクトルや第２分極ベクトルとなる。
【０１０９】
また、上述の各実施形態において、第１電極層４１１、第２電極層４１２、第３電極層４２１、及び、第４電極層４２２は、それぞれ単一の層で構成されているが、それぞれ導電性材料からなる層が複数積層された積層膜で構成されていてもよい。
【０１１０】
また、上述の第１実施形態において、電源部１１は薄膜圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１と再分極処理電源１１Ｅ２の２つの電源を有している（図１０及び図１１参照）。しかし、圧電アクチュエータ駆動用電源１１Ｅ１が薄膜圧電アクチュエータ４０を駆動させるための電圧とは別に、又はこれと重畳して第１圧電体層４１３や第２圧電体層４２３を再分極処理するための直流電圧を発生させることが可能であれば、電源部１１は再分極処理電源１１Ｅ２を有していなくてもよい。その場合、出力端子１１ａは入力端子１５ｒだけでなく入力端子１５ｔにも電気的に接続し、出力端子１１ｂは入力端子１５ｓだけでなく入力端子１５ｕにも電気的に接続すればよい。
【符号の説明】
【０１１１】
１・・・ハードディスク装置、５・・・ハードディスク（磁気記録媒体）、１０・・・ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリ）、２２・・・サスペンション、３６・・・圧電アクチュエータ搭載領域、３９ａ・・・第１電極パッド（第１電極部）、３９ｂ・・・第２電極パッド（第２電極部）、３９ｃ・・・第３電極パッド（第３電極部）、３９ｄ・・・第４電極パッド３９ｄ（第４電極部）、４０・・・薄膜圧電アクチュエータ、４１１・・・第１電極層、４１２・・・第２電極層４１２、４１３・・・第１圧電体層、４２１・・・第３電極層、４２２・・・第４電極層４２２、４２３・・・第２圧電体層、４１Ｖ・・・第１分極ベクトル、４２Ｖ・・・第２分極ベクトル、５０・・・ヘッドスライダ、５１・・・薄膜磁気ヘッド、Ｓ１０１・・・アクチュエータ準備工程、Ｓ１０３・・・サスペンション準備工程、Ｓ１０５・・・固定工程、Ｓ１０７・・・電気接続工程、Ｓ１０９・・・第１再分極処理工程、Ｓ１１１・・・第２再分極処理工程、Ｓ１１３・・・固定工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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