(57)【要約】【課題】加工後には支持体から容易に分離できる一方、加工時においては支持体上で確実に支持することで、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能な薄膜コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】金属箔１２と金属箔１２上に設けられた誘電体層１４と誘電体層１４上に設けられた電極層１６とを備える薄膜コンデンサ１０を製造する方法であって、金属箔１２の周縁を支持体２００上に固定した状態で、金属箔１２上に誘電体層１４と上部電極層１６とを形成する工程を含む加工を行って加工体を作製し、支持体２００に固定された金属箔１２の周縁よりも内側にある加工体の領域を切り出して、支持体２００から分離する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と前記金属箔上に設けられた誘電体層と前記誘電体層上に設けられた電極層とを備える薄膜コンデンサを製造する方法であって、
金属箔の周縁を支持体上に固定した状態で、前記金属箔上に前記誘電体層と前記電極層とを形成する工程を含む加工を行って加工体を作製し、
前記支持体に固定された前記金属箔の周縁よりも内側にある前記加工体の領域を切り出して、前記支持体から分離する、
ことを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記金属箔の前記支持体への固定は、該支持体上に無端環状に設けられた粘着層を介して行う、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記粘着層を介した前記金属箔の前記支持体上への固定は、真空ラミネートにより行う、ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記支持体は金属から形成されており、
前記金属箔の前記支持体への固定は、溶接部位が無端環状に連続する溶接により行う、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記加工は、前記金属箔上に形成された前記誘電体層と前記電極層の上部を樹脂により覆い、加熱して硬化させる工程を含む、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項６】
金属箔上に誘電体膜と電極膜とが設けられた積層体を予め用意し、
前記積層体の前記金属箔の周縁を前記支持体上に固定した状態で、前記誘電体膜と前記電極膜とをパターニングし前記誘電体層と前記電極層とを形成して前記加工体を作製する、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の薄型化が急速に進んでおり、例えば、下部電極上に誘電体薄膜と電極膜とを薄膜技術により成膜して形成した薄膜コンデンサに対するニーズが高まってきている。このような薄膜コンデンサとして、例えば特許文献１に開示されているものがある。
【０００３】
この薄膜コンデンサの製造においては、ガラス板等の基材上にベタで設けられた離型膜上で粘着支持しながら薄膜コンデンサを形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２５９９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の製造方法のように、裏面側から離型膜を用いてベタで支持しながら薄膜コンデンサを作製するのでは、薄膜コンデンサを作製した後に離型膜から剥がす必要がある。したがって、特許文献１の製造方法では、熱により粘着力が低下する離型膜を用い、薄膜コンデンサの加工後に離型膜に熱を当てて粘着力を低下させて、支持体としての基材から分離している。
【０００６】
しかしながら、熱により粘着力が低下する離型膜を用いた場合は、最高でも２００℃程度で粘着力が無くなるため、それ以上の温度で薄膜コンデンサの加工が必要な場合には、離型膜から剥がれてしまう。この場合、剥離後に薄膜コンデンサの加工を行った後に、再び粘着シートを用いて再び支持体に貼り付けることも可能であるが、その際に皺が寄るなどして、パターニング（すでにあるパターンに新たに作製するパターンの位置を合わせる作業）が難しくなり、これによりショートが生じるなどの不具合が発生するおそれがあった。
【０００７】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、加工後には支持体から容易に分離できる一方、加工時においては支持体上で確実に支持することで、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能な薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、金属箔と前記金属箔上に設けられた誘電体層と前記誘電体層上に設けられた電極層とを備える薄膜コンデンサを製造する方法であって、金属箔の周縁を支持体上に固定した状態で、前記金属箔上に前記誘電体層と前記電極層とを形成する工程を含む加工を行って加工体を作製し、前記支持体に固定された前記金属箔の周縁よりも内側にある前記加工体の領域を切り出して、前記支持体から分離する、ことを特徴とする。
【０００９】
この製造方法では、金属箔の周縁を支持体上に固定した状態で加工体を作製し、その周縁よりも内側にある加工体の領域を切り出して支持体から分離するため、金属箔の周縁の部分は支持体から分離する必要がない。したがって、この周縁部分で強固に固定することで、支持体上で確実に支持した状態で加工することができる。その結果、プロセス時にパターンずれなどが生じることがなく、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能となる。また、金属箔の周縁よりも内側は支持体に固定されていないため、その領域を切り出すことで、支持体から容易に分離することができる。
【００１０】
前記金属箔の前記支持体への固定は、該支持体上に無端環状に設けられた粘着層を介して行う、ことを特徴としてもよい。このようにすれば、粘着層の粘着力を利用して金属箔の周縁部分で強固に固定することで、支持体上で確実に支持した状態で加工することができる。また、粘着層よりも内側にある加工体の領域を切り出すことで、支持体から容易に分離することができる。また、粘着層が無端環状であるため、ウェットエッチングにより加工を行う場合に、エッチング液が金属箔の裏面に回り込むことを防止することができる。
【００１１】
前記粘着層を介した前記金属箔の前記支持体上への固定は、真空ラミネートにより行う、ことを特徴としてもよい。このようにすれば、金属箔と粘着層と支持体との間に空気が残ることがないため、残存空気が膨張収縮することにより生じ得る加工体への悪影響を防止することができる。
【００１２】
前記支持体は金属から形成されており、前記金属箔の前記支持体への固定は、溶接部位が無端環状に連続する溶接により行う、ことを特徴としてもよい。このようにすれば、溶接により金属箔の周縁部分で強固に固定することで、支持体上で確実に支持した状態で加工することができる。また、溶接部位よりも内側にある加工体の領域を切り出すことで、支持体から容易に分離することができる。また、溶接部位が無端環状に連続するため、ウェットエッチングにより加工を行う場合に、エッチング液が金属箔の裏面に回り込むことを防止することができる。
【００１３】
前記加工は、前記金属箔上に形成された前記誘電体層と前記電極層の上部を樹脂により覆い、加熱して硬化させる工程を含む、ことを特徴としてもよい。樹脂を加熱して硬化させる場合、２００℃よりも高い温度が必要になる場合があるが、従来のような熱により粘着力が低下する離型膜を用いて加工を行おうとしても、最高でも２００℃程度で離型膜の粘着力が無くなるため、離型膜は利用することができず、本願発明はこのような加熱が必要な場合に特に有効である。
【００１４】
金属箔上に誘電体膜と電極膜とが設けられた積層体を予め用意し、前記積層体の前記金属箔の周縁を前記支持体上に固定した状態で、前記誘電体膜と前記電極膜とをパターニングし前記誘電体層と前記電極層とを形成して前記加工体を作製する、ことを特徴としてもよい。このようにすれば、積層体を支持体上に強固に固定した状態で、パターニングして誘電体層と電極層とを容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、加工後には支持体から容易に分離できる一方、加工時においては支持体上で確実に支持することで、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能な薄膜コンデンサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法により製造される薄膜コンデンサを示す概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体を作製する工程を示す概略断面図である。
【図４】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体を支持体上に固定した状態を示す概略断面図である。
【図５】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体を支持体上に固定した状態を示す概略平面図である。
【図６】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体の加工工程を示す概略断面図である。
【図７】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体の加工工程を示す概略断面図である。
【図８】他の実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法において、積層体を支持体上に固定した状態を示す概略平面図である。
【図９】比較例の薄膜コンデンサの製造方法において、積層体を支持体上に固定した状態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（薄膜コンデンサ１０）
【００１８】
図１は、本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造方法により製造される薄膜コンデンサを示す概略断面図である。図１に示すように、薄膜コンデンサ１０は、金属箔１２と、金属箔１２上に設けられた誘電体層１４と、誘電体層１４上に設けられた上部電極層１６と、カバー層１８と、一対の端子電極２０ａ，２０ｂと、を備えている。
【００１９】
金属箔１２としては、卑金属であるＣｕ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素を含む金属から形成された金属箔が好ましく用いられるが、特にＮｉから形成された金属箔が好適に用いられる。
【００２０】
金属箔１２の厚さは、５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜７０μｍであることがより好ましく、５０μｍ程度であることが更に好ましい。金属箔１２の厚さが薄過ぎる場合、薄膜コンデンサ１０の製造時に金属箔１２をハンドリンクし難くなる傾向がある一方、金属箔１２の厚さが厚過ぎる場合、リーク電流を抑制する効果が小さくなる傾向があり、また熱処理した時に生じる反り等の変形を熱離処理後に加圧して元に戻すことが困難になる。なお、金属箔１２の面積は、例えば、１×０．５ｍｍ２程度である。
【００２１】
誘電体層１４は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ１−ＸＣａＸ）ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３等のペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３等に代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料や、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９等に代表されるビスマス層状化合物、（Ｓｒ1-ＸＢａＸ）Ｎｂ２Ｏ６、ＰｂＮｂ２Ｏ６等に代表されるタングステンブロンズ型強誘電体材料等から構成される。誘電体層１４の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍである。
【００２２】
上部電極層１８は、卑金属であるＣｕ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素を含む金属から形成されると好ましく、特にＣｕまたはＣｕ合金から形成されると好ましい。
【００２３】
カバー層１８は、金属箔１２と誘電体層１４と上部電極層１６とを覆っている。このカバー層１８は、例えばポリイミド樹脂等の電気絶縁材料から形成されている。
【００２４】
端子電極２０ａ，２０ｂは、例えばＣｕ等の導電性材料から構成され、カバー層１８に設けられたビアを通して金属箔１２及び上部電極層１６からそれぞれ引き出されている。
（薄膜コンデンサ１０の製造方法）
【００２５】
次に、上記した薄膜コンデンサ１０の製造方法について、図２から図７を参照して説明する。
【００２６】
図２のフローチャートに示すように、本実施形態に係る薄膜コンデンサ１０の製造方法は、積層体を作製する工程（Ｓ１）と、支持体上に積層体を固定する工程（Ｓ２）と、積層体を加工する工程（Ｓ３）と、加工により得られた加工体を切り出す工程（Ｓ４）と、切り出した加工体を各個片にダイシングする工程（Ｓ５）と、を備えている。
【００２７】
まず、図３に示すように、積層体１００を作製する（Ｓ１）。この積層体１００の作製においては、金属箔１２の表面全体に誘電体膜１４ａを形成する。誘電体膜１４ａの組成は、完成後の薄膜コンデンサ１０が備える誘電体層１４と同様である。また、誘電体膜１４ａの形成方法としては、ゾルゲル法やＭＯＤ法（有機金属化合物堆積法）等の溶液塗布焼成法、スパッタリング法等のＰＶＤ法又はＣＶＤ法等の成膜技術が挙げられる。なお、誘電体膜１４ａを焼成する時の温度は、誘電体膜１４ａが焼結（結晶化）する温度とすることが好ましく、具体的には５００〜１０００℃であることが好ましい。また、焼成時間は５分〜２時間程度とすればよい。また、焼成時の雰囲気は、特に限定されず、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、中性雰囲気の何れでも良いが、少なくとも、金属箔１２が酸化しない程度の酸素分圧下で焼成することが好ましい。
【００２８】
次に、誘電体膜１４ａの表面全体に電極膜１６ａを形成する。電極膜１６ａの組成は、完成後の薄膜コンデンサ１０が備える上部電極層１６と同様である。また、電極膜１６ａの形成方法としては、ＤＣスパッタリング等が挙げられる。これにより、金属箔１２、誘電体膜１４ａ、及び電極膜１６ａを順次積層してなる積層体１００を得る。
【００２９】
なお、積層体１００の形成後に積層体１００に対してアニール処理を施すと好ましい。アニール処理は、減圧雰囲気下で、温度が２００〜４００℃である雰囲気下で行えばよい。ここで、減圧雰囲気とは、１気圧（＝１０１３２５Ｐａ）より低い圧力を有する雰囲気を意味する。アニール処理を行うことにより、電気特性を安定化することができる。
【００３０】
次に、積層体１０の加工を行うため、図４及び図５に示すように、支持体２００上に積層体１００を固定する（Ｓ２）。支持体２００としては、例えばガラス基板を用いることができる。ガラス基板の厚さは、例えば５００〜２０００μｍである。
【００３１】
支持体２００上への積層体１００の固定は、金属箔１２の周縁を固定することで行う。より詳細には、支持体２００上に無端環状に設けられた粘着層２１０を介して行う。粘着層２１０としては、例えば、半硬化したポリイミドフィルムや耐熱性の高いウレタン系粘着材などを用いることができる。なお、前記ポリイミドフィルムやウレタン系粘着材には所定の分解温度まで加熱されると膨張する熱膨張性マイクロカプセルのような添加物を混合していないため、２００℃以上においても粘着力を失うことはない。
【００３２】
この粘着層２１０は、外周が金属箔１２の外形よりも大きく設けられていると共に、内周が金属箔１２の外形よりも小さく設けられ、無端環状に形成されている。したがって、金属箔１２はその周縁において粘着層２１０に固定される。粘着層２１０の厚さは、例えば１０〜４０μｍである。このような無端環状の粘着層２１０は、ベタの粘着層の中央部をカッターで切り抜いたり、フォトリソグラフィーによりパターニングして中央部を除去したりして形成することができる。
【００３３】
なお、粘着層２１０を介して積層体１００を支持体２００に固定するために、市販されているラミネータを用いて、支持体２００に積層体１００を重ね合わせたものをラミネート処理すると好ましい。特に、真空ラミネータにより真空ラミネート処理するとより好ましい。このように真空ラミネート処理すれば、金属箔１２と粘着層２１０と支持体２００との間に空気が残ることがないため、残存空気が膨張収縮することにより生じ得る加工体への悪影響を防止することができる。
図５を参照して、積層体１００、粘着層２１０及び支持体２００の典型的な寸法を例示すると、積層体１００は外形が８０ｍｍ角であり、粘着層２１０は外形が１００ｍｍ角であり、支持体２００は外形が１２０ｍｍ角である。
【００３４】
次に、積層体１００の加工を行う（Ｓ３）。なお、上記積層体１００を加工することで、図１に示す薄膜コンデンサ１０が二次元状に連続して複数設けられた加工体が一度に形成されるものであるが、図６及び図７を参照した説明においては、説明の便宜上、単体の薄膜コンデンサ１０についてクローズアップして説明するものとする。以下に示すように、電極膜１６ａ、誘電体膜１４ａを順次ウェットエッチングでパターニングすることによって、上部電極層１６、誘電体層１４をそれぞれ形成する。
【００３５】
まず、図６（ａ）に示すように、積層体１００の最上位に設けられた電極膜１６ａをフォトレジストで覆う。フォトレジストには、例えばドライフィルムや液状レジストなどを用いることができる。そして、フォトレジストのパターニングを行う。フォトレジストをフォトマスクを通して露光し、続いてフォトレジストの現像処理をする。これにより、フォトレジストに上部電極層１６に対応したパターン５０が形成される。
【００３６】
次に、電極膜１６ａのパターニングを行う。電極膜１６ａにおいてフォトレジストにより覆われていない部分をエッチング液を用いてウェットエッチングした後、フォトレジスト５０を取り去る。これにより、図６（ｂ）に示すように、上部電極層１６が形成される。
【００３７】
次に、新たに上部電極層１６と誘電体膜１４ａをフォトレジストで覆う。そして、図６（ｃ）に示すように、フォトレジストのパターニングを行う。フォトレジストをフォトマスクを通して露光し、続いてフォトレジストの現像処理をする。これにより、フォトレジストに誘電体層１４に対応したパターン５２が形成される。
【００３８】
次に、誘電体膜１４ａのパターニングを行う。誘電体膜１４ａにおいてフォトレジストにより覆われていない部分をエッチング液を用いてウェットエッチングした後、フォトレジスト５２を取り去る。これにより、図７（ａ）に示すように、誘電体層１４が形成される。
【００３９】
このように、金属箔１２上に誘電体膜１４ａと電極膜１６ａとが積層されてなる積層体１００を予め形成し、金属箔１２の周縁を粘着層２１０を介して支持体２００上に固定した状態で、誘電体膜１４ａと電極膜１６ａの加工を行って、金属箔１２上に誘電体層１４と上部電極層１６とが形成される。
【００４０】
誘電体層１４の形成後、図７（ｂ）に示すように、金属箔１２、誘電体層１４、及び上部電極１６の表面を覆うように保護層として機能するカバー層１８を形成する。本実施形態では、例えば感光性ポリイミドを塗布し、図７（ｃ）に示すように、露光・現像を行いパターン化して、ビアを形成する。そして、支持体２００から分離することなく、そのままの状態で３５０℃程度の温度でポリイミドのキュア（硬化）を行う。このとき、粘着層２１０は粘着力を失うことは無く、固定状態は強固なままである。
【００４１】
次に、カバー層１８の上面に、一対の端子電極２０ａ、２０ｂを形成する。一方の端子電極２０ａは、ビアを介して金属箔１２と電気的に接続させ、他方の端子電極２０ｂは、ビアを介して上部電極１６と電気的に接続させる。端子電極２０ａ、２０ｂの形成は、例えばＣｕや、ＣｕとＴｉ等からなるシード層をスパッタ法で成膜した後、ドライフィルムを用いてパターニングしてから、めっき法にて行う。めっき後にドライフィルムおよびドライフィルム下に存在したシード層を除去することにより、図１に示す薄膜コンデンサ１０が二次元状に連続して設けられた加工体が形成される。
【００４２】
次に、加工体の切り出しを行う（Ｓ４）。すなわち、図５に示すように、上記の工程で形成された加工体のうち、粘着層２１０を介して支持体２００に固定された金属箔１２の周縁よりも内側にある加工体の領域（図５の破線よりも内側の領域）を切り出して、支持体２００から分離する。切り出しには、例えばカッターを用いることができる。
【００４３】
そして、切り出した加工体を別の支持体に貼り付けた状態で、薄膜コンデンサ１０をダイシングして個片化する（Ｓ５）。このようにして、本実施形態の薄膜コンデンサ１０が製造される。
【００４４】
以上詳述したように、本実施形態の薄膜コンデンサ１０の製造方法では、粘着層２１０の粘着力を利用して金属箔１２の周縁を支持体２００上に固定した状態で積層体１００の加工を行い、作製した加工体の周縁よりも内側にある加工体の領域を切り出して支持体２００から分離するため、金属箔１２の周縁の部分は支持体２００から分離する必要がない。したがって、この周縁部分で剥がれることのないように強固に固定することで、支持体２００上で確実に支持した状態で加工することができる。その結果、プロセス時にパターンずれなどが生じることがなく、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能となる。また、金属箔１２の周縁よりも内側は支持体２００に固定されていないため、その領域を切り出すことで、支持体２００から容易に分離することができる。
【００４５】
また、粘着層２１０が無端環状であるため、ウェットエッチングにより加工を行う場合に、エッチング液が金属箔１２の裏面に回り込むことを防止することができ、金属箔１２が侵食されるのを防止することができる。
（薄膜コンデンサ１０の他の製造方法）
【００４６】
次に、薄膜コンデンサ１０の製造方法の他の実施形態について図８を参照して説明する。この製造方法は、支持体２００への積層体１００の固定方法が異なる以外は、上記した実施形態と同様である。
【００４７】
上記した実施形態では、粘着層２１０を介して積層体１００を支持体２００上に固定していたが、支持体２００への固定は、図８に示すように、溶接により行う。この場合、支持体２００は金属から形成する。例えば、金属箔１２がＮｉから形成される場合、支持体２００もＮｉ又はＮｉを含む合金（ステンレスなど）から形成することができる。この場合、積層体１００と支持体２００が同じ金属を主成分とするため、熱膨張係数がほぼ等しくなり、熱処理を行う場合に積層体１００に生じる応力が緩和される効果がある。
【００４８】
溶接は、積層体１００の金属箔１２を介して行い、図８に示すように、溶接部位２２０が無端環状に連続するように行うと好ましい。積層体１００を加工した後の加工体の切り出しは、溶接により支持体２００に固定された金属箔１２の周縁よりも内側にある加工体の領域（図８の溶接部位２２０よりも内側の領域）を切り出して、支持体２００から分離する。
【００４９】
このようにしても、溶接により金属箔１２の周縁部分で積層体１００を強固に固定することで、支持体２００上で確実に支持した状態で加工することができる。その結果、プロセス時にパターンずれなどが生じることがなく、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能となる。また、溶接部位よりも内側にある加工体の領域を切り出すことで、支持体２００から容易に分離することができる。また、溶接部位が無端環状に連続するように固定すると、ウェットエッチングにより加工を行う場合に、エッチング液が金属箔１２の裏面に回り込むことを防止することができ、金属箔１２が侵食されるのを防止することができる。
【００５０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、上記した実施形態では、誘電体層１４が１層の場合について説明したが、複数層であってもよい。この場合、隣接する誘電体層１４の間に内部電極層を設ければよい。
【００５１】
また上記した実施形態では、積層体１００を形成し、これを金属箔１２を介して支持体２００上に固定してから誘電体膜１４ａと電極膜１６ａを加工していたが、単層の金属箔１２のみを粘着層２１０又は溶接により支持体２００上に固定してから積層体１００を形成した後、誘電体層１４と上部電極層１６のパターニングを行い、後にカバー層１８、及び端子電極２０ａ，２０ｂを設けて加工体を作製してもよい。更には、単層の金属箔１２のみを粘着層２１０又は溶接により支持体２００上に固定した後、この金属箔１２上に誘電体層１４と上部電極層１６を順次パターニングしながら積層し、更にカバー層１８、及び端子電極２０ａ，２０ｂを設けて加工体を作製してもよい。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
【００５３】
薄膜コンデンサ１０を以下の方法で作製した。まず研磨した金属箔１２としてのＮｉ箔(厚み５０μｍ、８０×８０ｍｍ)上にチタン酸バリウム（ＢＴ）溶液を化学溶液法(Chemical Solution Deposition：ＣＳＤ)により塗布し、焼成して誘電体膜１４ａを３００ｎｍ形成した。その上にスパッタ法にて電極膜１６ａとしてのＣｕを５００ｎｍ堆積し、積層体１００を作製した。これらの膜については、成膜時または成膜後にパターニングは行っていない。
【００５４】
ここで、積層体１００の加工(パターニング)を行うために、Ｎｉ箔１２と支持体２００としてのガラス基板が向き合うように、積層体１００を図４に示す構造でガラス基板２００に粘着層２１０を用いて固定した。粘着層２１０としては、半硬化のポリイミドシートを用いた。固定には市販のラミネータ(大成ラミネータ製VAII-700)を用い、ラミネート時の圧力は０．４ＭＰａ、温度１００℃とした。
【００５５】
まず、ラミネータを用いガラス基板２００に粘着層２１０の片側を固定した。さらに、粘着層２１０の反対側に積層体１００のＮｉ箔１２側を固定した。その後、４００mJ/cm2の紫外線をガラス基板２００側から粘着層２１０に照射した後、窒素雰囲気中において２００℃ で１時間キュアを行った。
【００５６】
積層体１００をガラス基板２００に固定した後、通常のフォトリソグラフィー工程を用い、フォトレジストのパターニングを行った。フォトレジストとしては、マイクロポジットＳ１８３０（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製）を用いた。フォトレジストパターン作製後、Ｃｕからなる電極膜１６ａのエッチングを行い、その後レジストを剥離した。Ｃｕのエッチング溶液としては、Ｃｕを侵食し、且つ誘電体膜１４ａ及びフォトレジストパターンを侵食しないものを用いればよく、例えば、ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液を用いた。
【００５７】
次に、同様のフォトリソグラフィー工程にて、誘電体膜１４ａであるＢＴのエッチングを行った。ＢＴのエッチング溶液としては、ＢＴを侵食し、且つＮｉ及びフォトレジストパターンを侵食しないものを用いればよく、例えば、フッ化アンモニウム、及び塩酸の混合溶液を用いた。
【００５８】
このようにして、誘電体膜１４ａと電極膜１６ａの加工を行って、金属箔１２上に誘電体層１４と上部電極層１６とを形成した。
【００５９】
誘電体層１４の形成後、金属箔１２、誘電体層１４、及び上部電極１６の表面を覆うように感光性ポリイミドを塗布し、露光・現像を行いパターン化して、ビアを形成した。そして、支持体２００から分離することなく、そのままの状態で３５０℃程度の温度でポリイミドのキュア（硬化）を行ってカバー層１８を形成した。
【００６０】
次に、カバー層１８の上面に、一対の端子電極２０ａ、２０ｂを形成した。一方の端子電極２０ａは、ビアを介して金属箔１２と電気的に接続させ、他方の端子電極２０ｂは、ビアを介して上部電極１６と電気的に接続させた。端子電極２０ａ、２０ｂの形成は、ＣｕとＴｉからなるシード層をスパッタ法で成膜した後、ドライフィルムを用いてパターニングしてから、めっき法にて行った。
【００６１】
次に、加工体の切り出しを行った。すなわち、上記の工程で形成された加工体のうち、粘着層２１０を介して支持体２００に固定された金属箔１２の周縁よりも内側にある加工体の領域をカッターを用いて切り出して、支持体２００から分離した。
【００６２】
分離後、薄膜コンデンサ１０の歩留り(コンデンサがショートしていない確率)を測定したところ、９８％であった。
（比較例）
【００６３】
粘着層として実施例のポリイミドシート２１０を用いる代わりに、図９に示すように、両面粘着シート(片側の粘着材は熱発泡シート、１５０℃で発泡し粘着力が０になる)３１０を用いてベタで積層体１００を固定した。この場合、カバー層１８としてのポリイミドのキュア時に粘着力が０になるため、キュア前に支持体２００から積層体１００を分離して、キュアを行った。キュア後にＣｕとＴｉからなるシード層をスパッタ法で成膜した後、再度ガラス基板２００に固定してドライフィルムを用いてパターニングしてから、めっき法にて端子電極２０ａ，２０ｂを作製した。
【００６４】
この比較例においては、めっき前のドライフィルムのパターニングで積層体１００との位置ずれが生じた(積層体１００を支持体２００に固定し直した際に、積層体１００にひずみが生じたものと推測される)ため、めっき後の歩留りは６５％であった。
【符号の説明】
【００６５】
１０…薄膜コンデンサ、１２…金属箔、１４…誘電体層、１４ａ…誘電体膜、１６…上部電極層、１６ａ…電極膜、１８…カバー層、２０ａ，２０ｂ…端子電極、５０，５２…フォトレジスト、１００…積層体、２００…支持体、２１０…粘着層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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