(57)【要約】      （修正有）【課題】アミン系化合物、これを含む有機発光素子、及びその有機発光素子を具備した平板表示装置の提供。【解決手段】下記化学式１で表示されるアミン系化合物及びこれを含む有機膜を具備した有機発光素子：2010031012.tif 000027【選択図】図１
2010031012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表示されるアミン系化合物：
【化１】
2010031012.tif 000024
式中、
Ａｒは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ２０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基であり、
Ｒ１は、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基であり、
Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基、フッ素、シアノ基またはアミノ基であり、
Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基である。
【請求項２】
前記Ａｒが、置換または非置換のＣ６−Ｃ１６アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ１６ヘテロアリール基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記Ａｒが、非置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサフェニル基、ピリジニル基、キノリニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基またカルバゾリル基；またはハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、ジ（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリールオキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、及びＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基からなる群から選択された一つ以上の置換基で置換されたフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサフェニル基、ピリジニル基、キノリニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基またはカルバゾリル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記Ａｒは、下記化学式２ａないし２ｑのうちいずれか一つである、請求項１に記載の化合物：
【化２】
2010031012.tif 000025
前記化学式２ａないし２ｑのうち、Ｑ１及びＱ２は互いに独立的に、水素、フッ素、シアノ基、アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、またはＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基であり、＊は、化学式１のうち、Ｎとの結合サイトである。
【請求項５】
前記Ｒ１が、置換または非置換のＣ６−Ｃ１４アリール基である、請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
前記Ｒ１が、非置換のフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、またはヘキサフェニル基；またはハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、ジ（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリールオキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、及びＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基からなる群から選択された一つ以上の置換基で置換されたフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、またはヘキサフェニル基である、請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の化合物。
【請求項７】
前記Ｒ１が、フェニル基、ナフチル基、ハロフェニル基、またはフェニル基で置換されたフェニル基である、請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
前記Ｒ２及びＲ３が互いに独立的に、水素、フッ素、シアノ基、アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、またはＣ１−Ｃ１０アルコキシ基である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
前記Ｒ４ないしＲ７が互いに独立的に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基またはＣ６−Ｃ１４アリール基である、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
下記化学式として表示される化合物１，６，７，９，２２，４６，６０，７２，７４，８３のうち、いずれか一つである、請求項１に記載の化合物：
【化３】
2010031012.tif 000026
【請求項１１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に介在された有機膜とを具備した有機発光素子であって、前記有機膜が請求項１ないし１０のうちいずれか１項に記載の化合物を含む、有機発光素子。
【請求項１２】
前記有機膜が、正孔注入層または正孔輸送層である、請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記有機膜が、正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜である、請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記有機膜が、発光層である、請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
前記有機膜が、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された１層以上の層をさらに含む、請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記有機発光素子が、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する、請求項１２に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
請求項１１に記載の有機発光素子及び薄膜トランジスタを具備し、前記有機発光素子の第１電極が、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結される、平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アミン系化合物、及びこれを含む有機膜を具備した有機発光素子に関し、さらに詳細には、電気的安定性と高い電荷輸送能とを有し、ガラス転移温度が高くて結晶化を防止できる材料であるアミン系化合物、これを含む有機膜を具備した有機発光素子、及びその有機発光素子を具備した平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）は、自発光型素子であって、視野角が広くてコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が速いという長所を有しているために、大きな注目を集めている。有機発光素子は、輝度、駆動電圧及び応答速度特性にすぐれ、多色化が可能であるという点で、多くの研究がなされている。
【０００３】
有機発光素子は、アノード／有機層／カソードの構造からなりうるが、有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうち、１層以上の層を多様に含むことができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
正孔注入層の材料及び／または正孔輸送層の材料として、ポリフェニル化合物またはアントラセン誘導体などが使用可能であるが、これまで公知の正孔注入層及び／または正孔輸送層の形成材料を含む有機発光素子は、寿命、効率及び消費電力の特性が、満足すべきほどのレベルに達しておらず、改善の余地が多い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記技術的課題を解決するために、下記化学式１で表示されるアミン系化合物が提供される：
【０００６】
【化１】
2010031012.tif 000003
【０００７】
式中、Ａｒは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ２０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基であり、Ｒ１は、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基であり、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基、フッ素、シアノ基またはアミノ基であり、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基である。
【０００８】
また、上記技術的課題を解決するために、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に上記化合物を含む有機膜を具備した有機発光素子が提供される。
【０００９】
前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層または発光層でありうる。
【００１０】
また、上記課題を解決するために、上記有機発光素子及び薄膜トランジスタを具備し、前記有機発光素子の第１電極が前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結される平板表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
化学式１で表示されるアミン系化合物は、優秀な電気的特性及び電荷輸送能を有しており、有機発光素子の正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態による有機発光素子の構造を示した図である。
【図２】本発明の実施形態による有機発光素子及び従来の有機発光素子の寿命特性を比較して示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
下記化学式１で表示される化合物は、下記のように、カルバゾール環とフルオレン環とを同時に有する：
【００１４】
【化２】
2010031012.tif 000004
【００１５】
上記化学式１のアミン系化合物は、分子内にカルバゾリル基とフルオレニル基とを同時に有するアミン系化合物であり、正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料としての機能を有することができる。
【００１６】
上記化学式１のアミン系化合物は、カルバゾール基の導入によって、ガラス転移温度（Ｔｇ）や融点が高い。従って、電界発光時における有機層内、または有機層間、ないしは有機層と金属電極との間で発生するジュール熱に対する耐熱性及び高温環境下での耐性が向上しうる。従って、上記化学式１で表示されるアミン系化合物を利用して製造された有機発光素子は、素子形成、保存、保管及び／または駆動時の耐久性が高い。
【００１７】
一方、上記化学式１のアミン系化合物は、フルオレンの導入によって、フィルム状の分子膜状態が改善されうる。これにより、上記化学式１のアミン系化合物を含む有機膜を具備した有機発光素子の各種特性が向上しうる。
【００１８】
上記化学式１で、Ａｒは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ２０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基でありうる。これは、蒸着容易性を考慮したものである。
【００１９】
具体的に、上記Ａｒは、置換または非置換のＣ６−Ｃ１６アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ１６ヘテロアリール基でありうる。
【００２０】
さらに具体的に、上記Ａｒは、非置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサフェニル基、ピリジニル基、キノリニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基またカルバゾリル基；またはハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、ジ（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリールオキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、及びＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基からなる群から選択された一つ以上の置換基で置換されたフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサフェニル基、ピリジニル基、キノリニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基またはカルバゾリル基でありうるが、それらに限定されるものではない。
【００２１】
例えば、上記Ａｒは、フェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノオキシフェニル基、フルオロフェニル基、ナフチル基、低級アルキルナフチル基、低級アルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルビフェニル基、低級アルコキシビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基またはキノリン基でありうる。上記低級アルキル及び低級アルコキシの炭素数は、１ないし５の範囲が望ましい。
【００２２】
望ましい具体的なＡｒの例は、フェニル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−またはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、シアノフェニル基、トリフルオロフェニル基、メトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−またはｐ−トリル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ナフタセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、メチルビフェニル基、ペンタフェニル基、ヘキサフェニル基、カルバゾリル基、ピリジル基またはキノリル基である。
【００２３】
さらに望ましくは、上記Ａｒは、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基及びカルバゾリル基から選択される単環ないし三環のアリール基、またはそれらの芳香族環にＣ１−Ｃ５アルキル、Ｃ１−Ｃ５アルコキシ、シアノ、アミノ、フェノキシ、フェニル及びハロゲン元素からなる群から選択された１個ないし３個が置換された上記単環ないし三環のアリール基でありうる。
【００２４】
上記Ａｒの一実施形態は、下記化学式２ａないし２ｑのうち、いずれか一つであるが、それらに限定されるものではない：
【００２５】
【化３】
2010031012.tif 000005
【００２６】
上記化学式２ａないし２ｑのうち、Ｑ１及びＱ２は互いに独立的に、水素、フッ素、シアノ基、アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、Ｃ６−Ｃ１４ヘテロアリール基、またはＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基であり、＊は、化学式１のうちＮとの結合サイトである。ここで、Ｃ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基は、例えば、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基またはＣ１−Ｃ１０アルコキシ基で置換されたビフェニル基、ターフェニル基でありうる。
【００２７】
望ましくはＡｒは、化学式２ａ，２ｂ，２ｃまたは２ｈでありうる。
【００２８】
上記化学式１で、Ｒ１は、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基でありうる。
【００２９】
具体的に上記Ｒ１は、置換または非置換のＣ６−Ｃ１４アリール基でありうる。
【００３０】
さらに具体的に、上記Ｒ１は、非置換のフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、またはヘキサフェニル基；またはハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）アミノ基、（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、ジ（Ｃ６−Ｃ１４アリール）アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリールオキシ基、Ｃ６−Ｃ１４アリール基、及びＣ６−Ｃ１４アリール基で置換されたＣ６−Ｃ１４アリール基からなる群から選択された一つ以上の置換基で置換されたフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、ペナントレニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基、ペナレニル基、ピレニル基、ペンタフェニル基、またはヘキサフェニル基でありうるが、それらに限定されるものではない。
【００３１】
望ましくは上記Ｒ１は、フェニル基、ナフチル基、ハロフェニル基、またはフェニル基で置換されたフェニル基（ビフェニル基）であるが、それらに限定されるものではない。
【００３２】
上記化学式１で、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基、フッ素、シアノ基またはアミノ基でありうる。
【００３３】
具体的に、上記Ｒ２及びＲ３は互いに独立的に、水素、フッ素、シアノ基、アミノ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、またはＣ１−Ｃ１０アルコキシ基でありうるが、それらに限定されるものではない。さらに具体的に上記Ｒ２及びＲ３は、水素でありうる。
【００３４】
上記化学式１で、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立的に、水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基でありうる。
【００３５】
具体的に、上記Ｒ４ないしＲ７は互いに独立的に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基またはＣ６−Ｃ１４アリール基でありうるが、それらに限定されるものではない。さらに具体的に、上記Ｒ４ないしＲ７は互いに独立的に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、フェニル基、またはナフチル基でありうるが、それらに限定されるものではない。
【００３６】
本明細書で、非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基は、線形及び分枝形であって、その非制限的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノナニル、ドデシルなどを挙げることができ、上記アルキル基のうち、一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボン酸基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸でもその塩、またはＣ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ２−Ｃ１０アルキニル基、Ｃ６−Ｃ１６アリール基、またはＣ４−Ｃ１６ヘテロアリール基で置換されうる。
【００３７】
本明細書で、非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基は、−ＯＡ（ここで、Ａは、上記非置換のＣ１−Ｃ２０アルキル基である）の構造を有する基であり、その非制限的な例として、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、ペントキシなどを挙げることができる。これらアルコキシ基のうち、少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【００３８】
本明細書で、非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基は、一つ以上の芳香族環を含むＣ６−Ｃ３０炭素環芳香族システムを意味し、２以上の環を有する場合、互いに融合されたり、単一結合などを介して連結されうる。上記アリール基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【００３９】
本明細書で、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−，ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ｏ−，ｍ−及びｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、ペナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などを挙げることができる。
【００４０】
本明細書で、非置換のＣ６−Ｃ３０アリールオキシ基は、−ＯＢ（このうち、Ｂは、上記Ｃ６−Ｃ３０アリール基である）で表示される化学式を意味する。上記Ｃ６−Ｃ３０アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基などがあって、それらのうち、少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【００４１】
本明細書で、非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基は、Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳのうちから選択された１個以上のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである一つ以上の芳香族環からなるシステムを意味し、２以上の環を有する場合、それらは互いに融合されたり、単一結合などを介して連結されることができる。上記ヘテロアリール基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【００４２】
本明細書で、非置換のＣ４−Ｃ２０ヘテロアリール基の例には、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダニジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基などを挙げることができる。これらは、上記アルキル基の置換基と同様に置換されうることはいうまでもない。
【００４３】
本明細書中、非置換のＣ４−Ｃ２０縮合多環基は、一つ以上の芳香族環及び／または一つ以上の非芳香族環が互いに融合された２以上の環を含む置換基を指すものであり、上記アリール基またはヘテロアリール基の例のうち一部以上は、上記縮合多環基に含まれうる。
【００４４】
以下、本発明の上記化学式１で表現される化合物の具体的な例として、下記化学式３で表示される化合物１ないし９６を挙げることができる。しかし、本発明の化学式１で表現される化合物が、それら化合物によって限定されるものではない。
【００４５】
【化４】
2010031012.tif 000006
2010031012.tif 000007
2010031012.tif 000008
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2010031012.tif 000011
2010031012.tif 000012
【００４６】
本発明の一実施形態による有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び上記第１電極と上記第２電極との間に上記化学式１で表示されるアミン系化合物を含む有機膜を具備する。上記化学式１で表示されるアミン系化合物を含む有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であって、正孔注入機能及び正孔輸送機能をいずれも有する単一膜でもありうる。または、上記化学式１で表示されるアミン系化合物を含む有機膜は、発光層でもありうる。このとき、上記化学式１で表示されるアミン系化合物は、青色、緑色または赤色の蛍光材料または燐光材料のホスト材料として使用することができる。
【００４７】
例えば、上記化学式１で表示されるアミン系化合物を含む有機膜は、正孔輸送層である。
【００４８】
一方、上記第１電極はアノードであり、上記第２電極はカソードでありうるが、これと反対の場合も、もちろん可能である。
【００４９】
上記有機発光素子は、必要によって、上記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層のうち、一つ以上の層をさらに具備でき、必要によっては、上記有機膜の各層を二層に形成することも可能である。
【００５０】
例えば、本発明による有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造（図１参照）を有することができる。または、上記有機発光素子は、第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極構造を有することができる。
【００５１】
本発明による有機発光素子は、前面発光型、背面発光型など多様な構造に適用可能である。
【００５２】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法について、図１に図示された有機発光素子を参照しつつ、説明することとする。図１の有機発光素子は、基板（不図示）、第１電極（アノード）、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び第２電極（カソード）を具備している。
【００５３】
まず、基板上部に、大きい仕事関数を有する第１電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法などによって形成し、第１電極を形成する。上記第１電極は、アノードまたはカソードでありうる。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。第１電極用物質としては、伝導性にすぐれる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇなどを利用でき、透明電極または反射電極として形成できる。
【００５４】
次に、上記第１電極の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔ）法のような多様な方法を利用し、正孔注入層（ＨＩＬ）を形成できる。
【００５５】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に、蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０−８ないし１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃの範囲で適切に選択することが望ましい。
【００５６】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、２，０００ｒｐｍないし５，０００ｒｐｍほどのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、８０℃ないし２００℃ほどの温度範囲で適切に選択することが望ましい。
【００５７】
上記正孔注入層の物質としては、上記化学式１で表示されるアミン系化合物を利用できる。または、公知の正孔注入材料を使用することもできるが、例えば、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用できるが、それらに限定されるものではない。
【００５８】
【化５】
2010031012.tif 000013
【００５９】
上記正孔注入層の厚さは１００Åないし１０，０００Åほど、例えば、１００Åないし１，０００Åでありうる。上記正孔注入層の厚さが上記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしし、優秀な正孔注入特性を得ることができる。
【００６０】
次に、上記正孔注入層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用し、正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうちから選択される。
【００６１】
上記正孔輸送層の物質は、上記化学式１で表示されるアミン系化合物でありうる。または、公知の正孔輸送層物質を利用することもできるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールのようなカルバゾール誘導体、ＮＰＢ、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有するアミン誘導体などを使用できる。
【００６２】
【化６】
2010031012.tif 000014
【００６３】
上記正孔輸送層の厚さは、５０Åないし１，０００Åほど、例えば、１００Åないし６００Åでありうる。上記正孔輸送層の厚さが上記範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な正孔輸送特性を得ることができる。
【００６４】
次に、上記正孔輸送層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用し、発光層（ＥＭＬ）を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうちから選択される。
【００６５】
上記発光層は、上記化学式１で表示されるアミン系化合物を含むことができる。例えば、化学式１で表示されるアミン系化合物は、ホストまたはドーパントとして使用することができる。上記化学式１で表示されるアミン系化合物以外に、発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成できるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することもできる。上記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び公知の燐光ドーパントをいずれも使用できる。
【００６６】
例えば、ホストとしては、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、またはジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）などを使用できるが、それらに限定されるものではない。
【００６７】
一方、公知の赤色ドーパントとして、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）などを利用できるが、それらに限定されるものではない。
【００６８】
【化７】
2010031012.tif 000015
【００６９】
また、公知の緑色ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３、Ｃ５４５Ｔなどを利用できるが、それらに限定されるものではない。
【００７０】
【化８】
2010031012.tif 000016
【００７１】
一方、公知の青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用できるが、それらに限定されるものではない。
【００７２】
【化９】
2010031012.tif 000017
【００７３】
上記ドーパントの含有量は、発光層の形成材料１００重量部（すなわち、ホストとドーパントとの総重量は、１００重量部である）を基準として、０．１ないし２０重量部、例えば、０．５〜１２重量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が上記範囲を満足するならば、濃度消光現象を実質的に防止できる。
【００７４】
上記発光層の厚さは、１００Åないし１，０００Åほど、望ましくは、２００Åないし６００Åでありうる。上記発光層の厚さが上記範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を得ることができる。
【００７５】
発光層が燐光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）を発光層の上部に形成できる（図１には図示せず）。このときに使用できる正孔阻止層の物質は、特別に制限されるものではなく、公知の正孔阻止層の物質のうち、任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、Ｂａｌｑ、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）などを利用できる。
【００７６】
上記正孔阻止層の厚さは、５０Åないし１，０００Åほど、例えば、１００Åないし３００Åでありうる。上記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、上記正孔阻止層の厚さが１，０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇しうるのである。
【００７７】
次に、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうちから選択される。
【００７８】
上記電子輸送層の物質は、特別に限定されるものではなく、公知の電子輸送層の形成材料のうちから任意に選択されうる。例えば、その例としては、キノリン誘導体、特に、Ａｌｑ３、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような公知の材料を使用することができるが、それらに限定されるものではない。
【００７９】
【化１０】
2010031012.tif 000018
【００８０】
上記電子輸送層の厚さは１００Åないし１，０００Åほど、例えば、１００Åないし５００Åでありうる。上記電子輸送層の厚さが上記範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子輸送特性を得ることができる。
【００８１】
また、電子輸送層の上部に、カソードから電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層（ＥＩＬ）が積層されうる。
【００８２】
電子注入層としてはＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層の形成材料として公知の任意の物質を利用できる。上記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうちから選択される。
【００８３】
上記電子注入層の厚さは、１Åないし１００Åほど、望ましくは、５Åないし９０Åでありうる。上記電子注入層の厚さが上記範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子注入特性を得ることができる。
【００８４】
最後に、電子注入層の上部に、真空蒸着法やスパッタリング法のような方法を利用し、第２電極を形成できる。上記第２電極は、カソードまたはアノードとして使用することができる。上記第２電極の形成用物質としては、小さい仕事関数を有する金属、合金、導電性化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透明カソードを使用することもできる。
【００８５】
本発明による有機発光素子は、多様な形態の平板表示装置、例えば、受動マトリックス有機発光表示装置、及び能動マトリックス有機発光表示装置に備えることができる。特に、能動マトリックス有機発光表示装置に備わる場合、基板側に備わった第１電極は、画素電極として薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極きて電気的に連結されうる。また、上記有機発光素子は、両面に画面を表示できる平板表示装置に備えることができる。
【実施例】
【００８６】
以下、本発明について、化合物１、６、７、９，２２、４６、６０、７２、７４及び８３の望ましい合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明が下記の実施例に限定されるということを意味するものではない。
【００８７】
（合成例１：中間体１の合成）
フェニルカルバゾール２．４３３ｇ（１０ｍｍｏｌ）を８０％の酢酸１００ｍＬに入れた後、ここに、ヨード（Ｉ２）１．３５７ｇ（５．３５ｍｍｏｌ）とオルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）０．３３３ｇ（１．４６ｍｍｏｌ）とを固体状態で加えた後、窒素雰囲気で８０℃、２時間撹拌した。
【００８８】
反応終了後、エチルエーテル（５０ｍＬ）で三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させて得られた残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体１を白色固体で３．２３ｇ（収率８７％）得た。
【００８９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．４３（ｄ、１Ｈ）、８．０５（ｄ、１Ｈ）、７．６２（ｄｄ、１Ｈ）、７．６１−７．７５（ｍ、２Ｈ）、７．５１−７．４３（ｍ、３Ｈ）、７．４１−７．３５（ｍ、２Ｈ）、７．２７（ｄｄ、１Ｈ）、７．１４（ｄ、１Ｈ）
【００９０】
（合成例２：中間体２の合成）
上記の中間体１の合成と同じ方法で、フェニルカルバゾールの代わりにナフチルカルバゾールを反応させ、中間体２を８５％の収率で合成した。
【００９１】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２９（ｓ、１Ｈ）、８．１３（ｄ、１Ｈ）、７．９２（ｄ、１Ｈ）、７．８０−７．７３（ｍ、３Ｈ）、７．５９−７．４９（ｍ、５Ｈ）、７．３７−７．２９（ｍ、３Ｈ）
【００９２】
（合成例３：中間体３の合成）
上記の中間体１の合成と同じ方法で、フェニルカルバゾールの代わりに４−フルオロフェニルカルバゾールを反応させ、中間体３を８３％の収率で合成した。
【００９３】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．３０（ｓ、１Ｈ）、８．１３−８．１１（ｍ、１Ｈ）、７．７４（ｄ、１Ｈ）、７．５６−７．５２（ｍ、３Ｈ）、７．３７−７．２９（ｍ、３Ｈ）、７．０８−７．０３（ｍ、２Ｈ）
【００９４】
（合成例４：中間体４の合成）
上記の中間体１の合成と同じ方法で、フェニルカルバゾールの代わりにビフェニルカルバゾールを反応させ、中間体４を６２％の収率で合成した。
【００９５】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．３０（ｓ、１Ｈ）、８．１３−８．１１（ｍ、１Ｈ）、７．７４（ｄ、１Ｈ）、７．５９−７．５３（ｍ、３Ｈ）、７．４０−７．２８（ｍ、８Ｈ）、６．６４−６．６０（ｍ、２Ｈ）
【００９６】
【化１１】
2010031012.tif 000019
【００９７】
（合成例５：中間体５の合成）
２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレン１７．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル１５０ｍＬに溶かした後、−７８℃でノルマルブチルリチウム（ヘキサン中で２０ｍＬ、２．５Ｍ）を添加した。３０分後に温度を徐々に常温に昇温させた。３０分後、ホウ酸トリイソプロピル２３ｍＬ（１００ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル５０ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に維持し、上記溶液を徐々に添加した。室温で５時間撹拌した後で水を添加し、ジエチルエーテル（２００ｍＬ）で三回洗浄した。洗浄したジエチルエーテル層をＭｇＳＯ４で乾燥させた後で減圧乾燥させて生成物を得て、ノルマルヘキサンで再結晶させて中間体５を白色固体で００．３ｇ（収率６５％）得た。
【００９８】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．０９（ｓ、２ＯＨ）、７．８４−７．８１（ｄｄ、１Ｈ）、７．７５−７．７２（ｍ、２Ｈ）、７．６７−７．６５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４９−７．４６（ｄｄ、１Ｈ）、７．４０（ｄ、１Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
【００９９】
（合成例６：中間体６の合成）
上記の中間体５の合成と同じ方法で、２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに２，７−ジブロモ−９，９−ジフェニルフルオレンを反応させ、中間体６を５８％の収率で合成した。
【０１００】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．２７（ｄ、１Ｈ）、８．０９（ｓ、２ＯＨ）、７．９４−７．９２（ｄｄ、１Ｈ）、７．８１（ｄ、１Ｈ）、７．７４（ｄ、１Ｈ）、７．６９（ｄ、１Ｈ）、７．６０−７．５１（ｍ、５Ｈ）、７．１８（ｔ、４Ｈ）、７．０２−６．９７（ｍ、２Ｈ）
【０１０１】
【化１２】
2010031012.tif 000020
【０１０２】
（合成例７：中間体７の合成）
２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを８．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）、アニリンを４．１ｍＬ（４５ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを４．３ｇ（４５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．５５ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３を０．１２ｇ（０．６ｍｍｏｌ）でトルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間撹拌した。上記反応が完結した後、常温に冷やし、これを、蒸溜水とジエチルエーテル１００ｍＬとで三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させて得られた残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体７を７．８７ｇ（収率９２％）得た。
【０１０３】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．５４−７．４９（ｍ、２Ｈ）、７．２７−７．２１（ｍ、３Ｈ）、７．１２−７．０８（ｍ、３Ｈ）、６．９７−６．９３（ｍ、１Ｈ）、６．９０−６．８６（ｍ、１Ｈ）、６．５９−６．５６（ｍ、１Ｈ）、５．４４（ＮＨ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１４９．１、１４６．８、１４２．２、１４０．０、１３４．６、１３３．５、１２９．４、１２７．８、１２７．１、１２６．８、１２０．４、１１９．７、１１９．１、１１７．４、１０９．０、１０７．５、４４．９、２４．５
【０１０４】
（合成例８：中間体８の合成）
上記の中間体７の合成と同じ方法で、アニリンの代わりに４−フルオロアニリンを反応させ、中間体８を７８％の収率で合成した。
【０１０５】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−７．９５−７．９１（ｍ、２Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．５４−７．４９（ｍ、２Ｈ）、７．２４−７．１９（ｍ、３Ｈ）、７．１２（ｄ、１Ｈ）、６．９７−６．９３（ｍ、１Ｈ）、６．５９−６．５６（ｄｄ、１Ｈ）、５．４４（ｓ、ＮＨ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６１．０、１５４．５、１４９．１、１４６．８、１４０．０、１３８．３、１３４．６、１３２．５、１２７．８、１２７．１、１２６．８、１２０．４、１１９．７、１１６．５、１１５．８、１１２．３、１１２．１、１０９．６、１０７．５、４４．９、２４．５
【０１０６】
（合成例９：中間体９の合成）
上記の中間体７の合成と同じ方法で、アニリンの代わりに１−ブロモナフタレンを反応させ、中間体９を８３％の収率で合成した。
【０１０７】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．４１（ｄｄ、１Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．７２（ｄ、１Ｈ）、７．５９−７．３６（ｍ、５Ｈ）、７．２４−７．０９（ｍ、４Ｈ）、６．９７−６．９３（ｍ、１Ｈ）、６．５５（ｄｄ、１Ｈ）、５．８３（ｓ、ＮＨ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１４９．１、１４８．７、１４４．３、１４０．０、１３７．２、１３４．６、１３３．３、１２８．８、１２８．２、１２７．８、１２７．１、１２６．８、１２５．０、１２４．５、１２２．４、１２２．３、１２１．３、１１９．７、１１６．８、１０９．２、１０７．７、９９．０、４４．９、２４．５
【０１０８】
（合成例１０：中間体１０の合成）
上記の中間体７の合成と同じ方法で、アニリンの代わりに４−アミノビフェニルを反応させ、中間体１０を８５％の収率で合成した。
【０１０９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．６０−７．４９（ｍ、６Ｈ）、７．４０−７．２９（ｍ、３Ｈ）、７．２４−７．２０（ｍ、１Ｈ）、７．１２（ｄ、１Ｈ）、６．９５（ｔ、１Ｈ）、６．７９−６．７５（ｍ、２Ｈ）、６．５９−６．５６（ｍ、１Ｈ）、５．４４（ｓ、ＮＨ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１４９．１、１４６．８、１４０．０、１３８．８、１３７．４、１３４．９、１３４．６、１３２．９、１２９．９、１２８．８、１２７．８、１２７．２、１２７．１、１２６．８、１２０．４、１１９．７、１１６．３、１０９．０、１０７．５、４４．９、２４．５
【０１１０】
（合成例１１：中間体１１の合成）
上記の中間体７の合成と同じ方法で、アニリンの代わりにＮ，Ｎ’−ジビフェニル−１，４−フェニレンジアミンを反応させ、中間体１１を７４％の収率で合成した。
【０１１１】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．７６−７．６４（ｍ、８Ｈ）、７．５４−７．４９（ｍ、２Ｈ）、７．４０−７．１１（ｍ、１０Ｈ）、６．９７−６．９３（ｍ、１Ｈ）、６．６０−６．４３（ｍ、７Ｈ）、５．４４（ｓ、ＮＨ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１４９．１、１４７．９、１４６．８、１４３．８、１４０．０、１３６．９、１３６．４、１３５．４、１３４．６、１３４．２、１３２．３、１２８．９、１２８．８．１２７．８、１２７．２、１２７．１、１２６．８、１２０．４、１１９．７、１１７．７、１１４．６、１０９．０、１０７．５、４４．９、２４．５
【０１１２】
【化１３】
2010031012.tif 000021
【０１１３】
（合成例１２：中間体１２の合成）
中間体５を９．５１ｇ（３０ｍｍｏｌ）、中間体１を１６．６ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．７ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＫ２ＣＯ３を２０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）で１００ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／Ｈ２Ｏ（２：１）混合溶液に溶かし、８０℃で５時間撹拌した。反応液をジエチルエーテル６００ｍｌで三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させて得られた残留物をジクロロメタンとノルマルヘキサンとで再結晶し、中間体１２を１０．０３ｇ（収率６５％）得た。
【０１１４】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、７．６８（ｄ、１Ｈ）、７．６３（ｓ、１Ｈ）、７．５０−７．４６（ｍ、５Ｈ）、７．３６−７．２７（ｍ、５Ｈ）、７．０７−６．９４（ｍ、４Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６３．３、１５０．７、１４４．７、１４４．２、１４１．６、１４１．０、１３７．０、１３６．０、１３４．０、１３１．８、１３１．６、１２９．８、１２９．３、１２９．２、１２７．４、１２７．１、１２６．８、１２６．３、１２１．８、１２１．２、１２０．６、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．６、１１５．４、１１４．５、１０９．０、４９．６、２４．５
【０１１５】
（合成例１３：中間体１３の合成）
上記の中間体１２の合成と同じ方法で、中間体１の代わりに中間体２を反応させ、中間体１３を６３％の収率で合成した。
【０１１６】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１５（ｄ、１Ｈ）、７．９５−７．９１（ｍ、２Ｈ）、７．８１−７．４６（ｍ、９Ｈ）、７．３６−７．２７（ｍ、４Ｈ）、７．０６（ｄ、１Ｈ）、７．００−６．９４（ｍ、４Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６３．３、１５０．７、１４４．９、１４４．２、１４１．６、１４０．０、１３６．１、１３６．０、１３４．０、１３１．８、１３１．６、１２９．５、１２９．３、１２９．２、１２８．２、１２７．９、１２７．６、１２６．８、１２６．７、１２６．２、１２４．３、１２２．５、１２２．３、１２１．８、１２１．４、１２１．２、１２０．６、１１９．９、１１８．６、１１７．３、１１６．６、１１４．５、１１０．２、１０５．１、４９．６、２４．５
【０１１７】
（合成例１４：中間体１４の合成）
上記の中間体１２の合成と同じ方法で、中間体１の代わりに中間体３を反応させ、中間体１４を６２％の収率で合成した。
【０１１８】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９５（ｄ、１Ｈ）、７．６９（ｄ、１Ｈ）、７．６３（ｓ、１Ｈ）、７．５６−７．４６（ｍ、３Ｈ）、７．３６−７．２７（ｍ、４Ｈ）、７．０８−６．９４（ｍ、６Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６３．３、１６２．０、１５５．５、１５０．７、１４４．２、１４３．８、１４１．６、１４０．０、１３６．１、１３６．０、１３４．０、１３１．６、１２９．３、１２９．２、１２６．８、１２６．３、１２５．５、１２５．３、１２１．８、１２１．２、１２０．６、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．６、１１５．４、１１４．５、１１３．８、１１３．１、１０９．０、４９．６、２４．５
【０１１９】
（合成例１５：中間体１５の合成）
上記の中間体１２の合成と同じ方法で、中間体１の代わりに中間体４を反応させ、中間体１５を５８％の収率で合成した。
【０１２０】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９５（ｄ、１Ｈ）、７．６９（ｄ、１Ｈ）、７．６３（ｓ、１Ｈ）、７．６０−７．５６（ｍ、２Ｈ）、７．４９−７．４５（ｍ、１Ｈ）、７．４１−７．２７（ｍ、９Ｈ）、７．０７−６．９４（ｍ、４Ｈ）、６．６４−６．６０（ｍ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６３．３、１５０．７、１４４．２、１４４．１、１４１．６、１４０．３、１３９．３、１３６．９、１３６．０、１３５．４、１３４．０、１３１．９、１３１．８、１３１．６、１２９．３、１２９．２、１２８．９、１２８．８、１２７．２、１２６．８、１２６．３、１２１．８、１２１．２、１２０．６、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．６、１１６．８、１１５．４、１１４．５、１０９．０、４９．６、２４．５
【０１２１】
（合成例１６：中間体１６の合成）
上記の中間体１２の合成と同じ方法で、中間体５の代わりに中間体６を反応させ、中間体１６を５５％の収率で合成した。
【０１２２】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９５（ｄ、１Ｈ）、７．７７（ｄ、１Ｈ）、７．６５−７．６３（ｍ、２Ｈ）、７．５９（ｄｄ、１Ｈ）、７．５２−７．４６（ｍ、９Ｈ）、７．３７−７．２７（ｍ、４Ｈ）、７．２０−７．１３（ｍ、５Ｈ）、７．０６（ｄｄ、１Ｈ）、７．０２−６．９７（ｍ、３Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６４．２、１５１．５、１４５．４、１４４．７、１４２．９、１４１．０、１４０．７、１３７．０、１３５．７、１３５．１、１３２．８、１３１．３、１３０．１、１２９．８、１２８．８、１２７．８、１２７．４、１２７．１、１２６．３、１２６．０、１２５．１、１２２．９、１２２．３、１２１．７、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．６、１１５．４、１１４．１、１０９．０、７２．９
【０１２３】
【化１４】
2010031012.tif 000022
【０１２４】
（合成例１７：化合物１の合成）
中間体１２を５．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、中間体７を３．４２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を３６６ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）、及びＰ（ｔ−Ｂｕ）を３８０ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）でトルエン６０ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間撹拌した。上記反応が完結した後、常温に冷やし、これを蒸溜水とジエチルエーテル５０ｍＬとで三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて溶媒を蒸発させ、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製し、化合物１を５．９ｇ（収率８２％）を得た。
【０１２５】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．６９−７．４６（ｍ、８Ｈ）、７．３７−７．２７（ｍ、６Ｈ）、７．２４−６．９３（ｍ、８Ｈ）、６．６４−６．５９（ｍ、１Ｈ）、６．３１（ｄｄ、２Ｈ）、５．６５（ｄｄ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４７．０、１４４．９、１４４．７、１４１．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．５、１３４．８、１３４．０、１３１．８、１２９．８、１２９．４、１２９．３、１２７．８、１２７．４、１２７．１、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１２４．０、１２２．９、１２１．７、１２１．１、１２０．５、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１７．２、１１５．４、１１４．５、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１２６】
（合成例１８：化合物６の合成）
上記の化合物１の合成と同じ方法で、中間体７の代わりに中間体８を反応させ、化合物６を７５％の収率で合成した。
【０１２７】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．６９−７．４６（ｍ、８Ｈ）、７．３７−６．９３（ｍ、１４Ｈ）、６．７３（ｄｄ、２Ｈ）、６．３１（ｄｄ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６２．０、１５８．７、１５５．５、１４８．１、１４７．１、１４６．０、１４４．７、１４１．０、１４０．７、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．５、１３４．８、１３４．０、１３１．８、１２９．８、１２９．３、１２７．８、１２７．４、１２７．１、１２６．８、１２６．４、１２６．３、１２６．２、１２６．１、１２１．７、１２１．１、１２０．５、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１７．２、１１６．２、１１５．５、１１５．４、１１４．５、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１２８】
（合成例１９：化合物７の合成）
上記の化合物１の合成と同じ方法で、中間体７の代わりに中間体９を反応させ、化合物７を８０％の収率で合成した。
【０１２９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．５０（ｄｄ、１Ｈ）、８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．８５（ｄｄ、１Ｈ）、７．６９−６．９３（ｍ、２４Ｈ）、６．２９（ｄｄ、２Ｈ）、６．０８（ｄｄ、１Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１５０．６、１５０．５、１５０．０、１４７．１、１４４．７、１４１．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．５、１３４．８、１３４．０、１３１．８、１２９．８、１２９．３、１２８．６、１２７．８、１２７．６、１２７．４、１２７．１、１２６．８、１２６．７、１２６．３、１２６．１、１２６．０、１２４．１、１２３．５、１２２．９、１２１．７、１２１．５、１２０．５、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１８．０、１１７．４、１１６．４、１１５．４、１１４．５、１１２．９、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１３０】
（合成例２０：化合物９の合成）
上記の化合物１の合成と同じ方法で、中間体７の代わりに中間体１０を反応させ、化合物９を７７％の収率で合成した。
【０１３１】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．７６−６．９３（ｍ、２７Ｈ）、６．４３−６．２９（ｍ、４Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４６．３、１４５．５、１４４．７、１４１．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３５．４、１３４．８、１３４．２、１３４．０、１３１．８、１２９．８、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２７．７、１２７．４、１２７．２、１２７．１、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１１７．８、１１７．７、１１７．２、１１５．４、１１４．５、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１３２】
（合成例２１：化合物２２の合成）
上記の化合物１の合成と同じ方法で、中間体７の代わりに中間体１１を反応させ、化合物２２を７２％の収率で合成した。
【０１３３】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．７６−７．６３（ｍ、１０Ｈ）、７．５６（ｄｄ、２Ｈ）、７．４９（ｄｄ、４Ｈ）、７．４１−７．０７（ｍ、１５Ｈ）、７．００−６．９３（ｍ、３Ｈ）、６．４７−６．４３（ｍ、４Ｈ）、６．３２−６．１９（ｍ、６Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４６．８、１４５．７、１４４．７、１４３．８、１４１．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３５．４、１３４．８、１３４．２、１３４．０、１３１．８、１２９．８、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２７．８、１２７．４、１２７．２、１２７．１、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１２１．７、１２１．１、１２０．５、１１９．９、１１９．７、１１９．６、１１８．７、１１７．８、１１７．７、１１７．２、１１５．４、１１４．５、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１３４】
（合成例２２：化合物４６の合成）
上記の化合物９の合成と同じ方法で、中間体１２の代わりに中間体１３を反応させ、化合物４６を７５％の収率で合成した。
【０１３５】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１５（ｄ、１Ｈ）、７．９９−７．９１（ｍ、３Ｈ）、７．８０−７．４９（ｍ、１３Ｈ）、７．４１−７．０７（ｍ、１１Ｈ）、７．００−６．９３（ｍ、３Ｈ）、６．４３−６．３９（ｍ、２Ｈ）、６．３１（ｄｄ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４６．３、１４５．５、１４４．９、１４０．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３６．１、１３５．４、１３４．８、１３４．２、１３４．０、１３１．８、１２９．５、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２８．２、１２７．８、１２７．６、１２７．２、１２６．８、１２６．７、１２６．２、１２６．１、１２４．３、１２２．５、１２２．３、１２１．７、１２１．４、１２１．１、１２０．５、１１９．９、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１７．７、１１７．３、１１７．２、１１６．６、１１４．５、１１２．７、１１０．２、１０５．１、４６．１、４４．９、２４．５
【０１３６】
（合成例２３：化合物６０の合成）
上記の化合物９の合成と同じ方法で、中間体１２の代わりに中間体１４を反応させ、化合物６０を７８％の収率で合成した。
【０１３７】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．７６−７．５２（ｍ、１０Ｈ）、７．４１−６．９３（ｍ、１６Ｈ）、６．４３−６．３９（ｍ、２Ｈ）、６．３１（ｄｄ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１６１．９、１５８．７、１５５．５、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４６．３、１４５．５、１４３．８、１４０．０、１３９．６、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３６．１、１３５．４、１３４．８、１３４．２、１３４．０、１３１．８、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２７．８、１２７．２、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１２５．５、１２５．３、１２１．７、１２１．１、１２０．５、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１７．７、１１７．２、１１５．４、１１４．５、１１３．８、１１３．１、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１３８】
（合成例２４：化合物７２の合成）
上記の化合物７の合成と同じ方法で、中間体１２の代わりに中間体１５を反応させ、化合物７２を８１％の収率で合成した。
【０１３９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．５０（ｄｄ、１Ｈ）、８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．８５（ｄｄ、１Ｈ）、７．６９−６．９３（ｍ、２６Ｈ）、６．６４−６．６０（ｍ、２Ｈ）、６．２９（ｄｄ、２Ｈ）、６．０９（ｄｄ、１Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１５０．６、１５０．５、１５０．０、１４７．１、１４４．１、１４０．３、１３９．６、１３９．３、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３５．４、１３４．８、１３４．０、１３１．８、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２８．６、１２７．８、１２７．６、１２７．２、１２６．８、１２６．７、１２６．３、１２６．１、１２６．０、１２４．１、１２３．５、１２２．９、１２１．７、１２１．５、１２０．５、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１４０】
（合成例２５：化合物７４の合成）
上記の化合物９の合成と同じ方法で、中間体１２の代わりに中間体１５を反応させ、化合物７４を８３％の収率で合成した。
【０１４１】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．７６−７．５３（ｍ、１０Ｈ）、７．４１−６．９３（ｍ、１８Ｈ）、６．６４−６．６０（ｍ、２Ｈ）、６．４３−６．３９（ｍ、２Ｈ）、６．３１（ｄｄ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、１２Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５８．７、１４８．６、１４８．１、１４７．１、１４６．３、１４５．５、１４４．１、１４０．３、１３９．６、１３９．３、１３８．０、１３７．０、１３６．９、１３６．５、１３５．４、１３４．８、１３４．２、１３４．０、１３１．８、１２９．３、１２８．９、１２８．８、１２７．８、１２７．２、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１２１．７、１２１．１、１２０．５、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１７．７、１１７．２、１１６．８、１１５．４、１１４．５、１１２．７、１０９．０、４６．１、４４．９、２４．５
【０１４２】
（合成例２６：化合物８３の合成）
上記の化合物１の合成と同じ方法で、中間体１２の代わりに中間体１６を反応させ、化合物８３を６９％の収率で合成した。
【０１４３】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−８．１６−８．１４（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．６９−７．５６（ｍ、１０Ｈ）、７．４９（ｄ、４Ｈ）、７．３７−６．９３（ｍ、１８Ｈ）、６．６４−６．５９（ｍ、１Ｈ）、６．４２（ｄｄ、１Ｈ）、６．３１（ｄｄ、１Ｈ）、５．６７−５．６３（ｍ、２Ｈ）、１．８５（ｓ、６Ｈ）
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）−１５９．７、１４９．５、１４８．１、１４７．１、１４６．５、１４４．７、１４４．４、１４１．０、１４０．８、１３８．３、１３８．０、１３７．０、１３６．５、１３６．２、１３５．１、１３４．５、１３２．８、１２９．８、１２９．４、１２８．８、１２８．６、１２７．８、１２７．４、１２７．１、１２６．８、１２６．３、１２６．１、１２６．０、１２５．１、１２４．０、１２２．９、１２２．２、１２１．７、１２０．４、１１９．９、１１９．５、１１８．７、１１８．６、１１７．８、１１６．９、１１５．４、１１４．１、１１３．６、１１２．７、１０９．０、６９．５、４４．９、２４．５
【０１４４】
（実施例１）
アノードは、コーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ）１５Ωｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線（ＵＶ）を照射し、オゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。
【０１４５】
上記基板上部に、まず正孔注入層として、公知の物質である２−ＴＮＡＴＡを真空蒸着して６００Å厚に形成した後、次に、正孔輸送性化合物として、化合物１を３００Å厚に真空蒸着して正孔輸送層を形成した。
【０１４６】
上記正孔輸送層の上部に、公知の緑色蛍光ホストであるＡｌｑ３と公知の緑色蛍光ドーパントであるＣ５４５Ｔを、重量比９８：２で同時蒸着し、３００Å厚に発光層を形成した。
【０１４７】
次に、上記発光層の上部に、Ａｌｑ３を電子輸送層として３００Å厚に蒸着し、ＬｉＦを電子注入層として１０Å厚に蒸着し、Ａｌを３，０００Å（カソード電極）厚に真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成することによって、有機発光素子を製造した。
【０１４８】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．４２Ｖであり、発光輝度８，３０３ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１０，０．６４４）であり、発光効率は１６．６ｃｄ／Ａであった。
【０１４９】
（実施例２）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物６を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１５０】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．２８Ｖであり、発光輝度８，４８５ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１０，０．６４３）であり、発光効率は１７．０ｃｄ／Ａであった。
【０１５１】
（実施例３）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物７を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１５２】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．１６Ｖであり、発光輝度８，５９０ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３０９，０．６４２）であり、発光効率は１７．２ｃｄ／Ａであった。
【０１５３】
（実施例４）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物９を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１５４】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．４５Ｖであり、発光輝度７，６３４ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１０，０．６４２）であり、発光効率は１５．３ｃｄ／Ａであった。
【０１５５】
（実施例５）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物２２を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１５６】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．３４Ｖであり、発光輝度８，０３６ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３０９，０．６４１）であり、発光効率は１６．１ｃｄ／Ａであった。
【０１５７】
（実施例６）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物４６を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１５８】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．３９Ｖであり、発光輝度８，１２６ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１０，０．６４３）であり、発光効率は１６．３ｃｄ／Ａであった。
【０１５９】
（実施例７）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物６０を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１６０】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．２９Ｖであり、発光輝度７，９１４ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１１，０．６４４）であり、発光効率は１５．８ｃｄ／Ａであった。
【０１６１】
（実施例８）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物７２を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１６２】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．２４Ｖであり、発光輝度８，３９３ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３０９，０．６４３）であり、発光効率は１６．８ｃｄ／Ａであった。
【０１６３】
（実施例９）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物７４を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１６４】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．３０Ｖであり、発光輝度８，０９０ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３０９，０．６４１）であり、発光効率は１６．２ｃｄ／Ａであった。
【０１６５】
（実施例１０）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに化合物８３を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１６６】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧６．３４Ｖであり、発光輝度７，８９８ｃｄ／ｍ２の高輝度を示し、色座標は（０．３１０，０．６４２）であり、発光効率は１５．８ｃｄ／Ａであった。
【０１６７】
（比較例１）
正孔輸送層の形成時、上記化合物１の代わりに４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を利用したことを除いては、実施例１と同様にし、有機発光素子を製作した。
【０１６８】
該素子は、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２であり、駆動電圧７．４５Ｖであり、発光輝度６，１０２ｃｄ／ｍ２を示し、色座標は（０．３０９，０．６４２）とほぼ同一であり、発光効率は１２．２ｃｄ／Ａであった。
【０１６９】
実施例１ないし１０の有機発光素子は、比較例１の有機発光素子に比べ、駆動電圧はおよそ１Ｖ以上低くなり、効率の向上した優秀なＩ−Ｖ−Ｌ（電流−電圧−輝度）特性を示すということが分かった。
【０１７０】
一方、下記表１に実施例１，３，４，６，７，９及び比較例１の有機発光素子の半減寿命を示した（図２も参照）。
【０１７１】
【表１】
2010031012.tif 000023
【０１７２】
上記表１によれば実施例１，３，４，６，７及び９の有機発光素子の寿命は、比較例１の有機発光素子の寿命に比べ、向上しているということを確認することができた。
【０１７３】
本発明について、上記合成例及び実施例を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本発明に属する技術分野の当業者ならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点を理解することが可能であろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。
【図１】
2010031012.tif 000028
【図２】
2010031012.tif 000029