(57)【要約】【課題】高生産性・低コストで、強力なゲッタリング能力を有し、かつ金属不純物濃度の低い半導体基板を製造することのできる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板にイオン注入を行う工程と、該イオン注入を行った前記シリコン基板の主表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有する半導体基板の製造方法であって、前記イオン注入工程は、注入イオンの加速・質量分析の後の後段加速を行わずに直に前記シリコン基板にイオン注入を行う工程とし、かつ前記イオン注入工程の後、前記エピタキシャル層形成工程の前に、前記シリコン基板の表面をエッチングする洗浄を行う洗浄工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。【選択図】図１
2010109141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板にイオン注入を行う工程と、該イオン注入を行った前記シリコン基板の主表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有する半導体基板の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、注入イオンの加速・質量分析の後の後段加速を行わずに直に前記シリコン基板にイオン注入を行う工程とし、
かつ前記イオン注入工程の後、前記エピタキシャル層形成工程の前に、前記シリコン基板の表面をエッチングする洗浄を行う洗浄工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記注入イオンを、炭素または炭素を含むイオンとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記注入イオンのドーズ量を、５×１０１３〜５×１０１５／ｃｍ２とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程は、少なくとも前記シリコン基板をアンモニア過水で洗浄する工程とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄工程の後、前記エピタキシャル層形成工程の前に、前記シリコン基板に対してアニール処理を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板は、固体撮像素子の製造に使用されるものとすることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強力なゲッタリング能力をもつ半導体基板の製造方法に関するものであり、具体的には、表層近傍の炭素イオン注入層による近接ゲッター能力と、バルク中の酸素析出物によるバルクゲッターのダブルゲッター能力を有し、かつ欠陥の少ない高品質なエピタキシャル層が形成された半導体基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を形成するための半導体基板として、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法や、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ＣＺ）法で成長させたシリコン単結晶ウェーハ、これらのシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハ、シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施したアニールウェーハ等が従来から用いられている。
【０００３】
一方、半導体素子の製造は、クラス１００以下の超クリーンルーム内で行われているが、原材料（ガス，水，薬品類）や半導体製造装置等からの不純物によるシリコン単結晶ウェーハの汚染を完全に避けることはできない。そしてこれらの不純物がシリコン単結晶ウェーハの素子活性領域に存在していると、半導体素子の品質及び特性が著しく劣化する。
そこで、これらの不純物をゲッタリングして素子活性領域から除去するために、イントリンシックゲッタリング（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ：ＩＧ）やエクストリンシックゲッタリング（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ  Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ：ＥＧ）が従来から行われている。さらに、これらの処理を施したウェーハ表面にエピタキシャル層を形成する場合もある。
【０００４】
特に、エピタキシャルウェーハは、半導体素子を製造する観点から見ると、基板ウェーハとは異なる抵抗率を有する電気的活性層を形成することができるので、半導体素子を設計する際の自由度が大きく、また結晶欠陥の原因となる酸素や炭素の濃度が低い高純度の単結晶薄膜（エピタキシャル層）を任意の厚さに形成できる等の利点が多いため、高耐圧半導体素子や集積回路素子、固体撮像素子（ＣＣＤ＜Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ＞，  ＣＩＳ＜ＣＭＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ＞）等の基板として多く用いられており、また製品として実用化されている。
【０００５】
このようなエピタキシャル層の実用的な形成方法として、主にＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）が用いられており、以下の主な４種類のソースガスが使用されている。
例えば、水素還元法では、ソースガスとしてＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３が使用される。
ＳｉＣｌ４  ＋  ２Ｈ２  →  Ｓｉ  ＋  ４ＨＣｌ
ＳｉＨＣｌ３  ＋  Ｈ２  →  Ｓｉ  ＋  ３ＨＣｌ
また、熱分解法では、ソースガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４が使用される。
ＳｉＨ２Ｃｌ２  →  Ｓｉ  ＋  ２ＨＣｌ
ＳｉＨ４  →  Ｓｉ  ＋  ２Ｈ２
このうち、固体撮像装置用の半導体基板の製造には、安価であること、成長速度が大きく、厚膜のエピタキシャル成長用に適している等の理由から主にＳｉＨＣｌ３が用いられている。
【０００６】
しかし、いずれのソースガスを用いてエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハも、エピタキシャル層の形成中に、多くの不純物、特に金属不純物が混入する。このような金属不純物は、作製したエピタキシャルウェーハを固体撮像素子に適用した場合に、暗電流による白傷欠陥が充分に低減できず、特性や歩留りを悪くする原因となっていた。
【０００７】
このような重金属不純物の発生源としては、エピタキシャル成長装置内のＳＵＳ系部材由来のもの、ソースガスの配管由来のもの等が考えられる。ソースガスに塩素系が含まれていると、エピタキシャル成長時に分解してＨＣｌガスが作られる。このＨＣｌガスがベルジャー内のＳＵＳ系部材を腐食して、金属の塩化物としてソースガス中に取り込まれ、この金属塩化物がエピタキシャル層中に取り込まれるものと考えられる。
また、エピタキシャル層形成前に、シリコン単結晶ウェーハ表面を軽くエッチオフするために、ＨＣｌガスを故意に導入する場合もあり、これも腐食の一因となっている。
【０００８】
そこで、エピタキシャルウェーハを用いて固体撮像素子を形成する場合に、上記金属不純物をゲッタリングして除去するためのゲッタリング技術として、シリコン基板の主表面から炭素イオンを注入して、炭素イオン注入領域を形成し、この表面にシリコンエピタキシャル層を形成する炭素ゲッタリングエピタキシャルウェーハの製造方法がある（特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開平６−３３８５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、炭素ゲッタリング層を形成する際の炭素イオン注入工程において、金属汚染が基板中に導入されデバイス特性を悪化させる事が知られている。この対策として、例えば特開２００４−１６５２２５号公報に記載されている技術では、イオン注入装置の金属汚染レベルが所定のレベル以下である事を確認してから、炭素イオンを注入する工程を行っている。
しかしこの方法では、金属汚染レベルの少ないイオン注入装置しか使用できない。又、イオン注入装置の金属汚染レベルを厳しく維持・管理する必要があるので、そのための多大な時間と労力が必要となる。この為、生産性があがらず、コストがかかっていた。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、高生産性・低コストで、強力なゲッタリング能力を有し、かつ金属不純物濃度の低い半導体基板を製造することのできる半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明では、少なくとも、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板にイオン注入を行う工程と、該イオン注入を行った前記シリコン基板の主表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有する半導体基板の製造方法であって、前記イオン注入工程は、注入イオンの加速・質量分析の後の後段加速を行わずに直に前記シリコン基板にイオン注入を行う工程とし、かつ前記イオン注入工程の後、前記エピタキシャル層形成工程の前に、前記シリコン基板の表面をエッチングする洗浄を行う洗浄工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する（請求項１）。
【００１３】
このように、イオン注入時は、質量分析後の加速は実施しないでイオン注入を行うこととする。これによって注入される汚染物質を、ウェーハ表面近傍又は表面保護膜（酸化膜または有機薄膜）中にとどまらせることができる。そしてその後にシリコン基板の表面のエッチングを行う洗浄工程により、汚染物質を含有する基板の表面層を除去する事で、イオン注入工程によって注入された汚染物質、特に金属不純物をシリコン基板から除去することができる。
この方法によれば、イオン注入装置を汚染レベルによって選別する必要がなく、自由に装置を選択する事ができ、かつ汚染レベルを厳しく管理する必要もない。そのため生産性を向上させることができ、また金属不純物濃度の低いシリコン基板を得ることができる。そしてこのようなシリコン基板の主表面上にエピタキシャル層を形成することによって、金属不純物濃度が低く、また表面近傍に強力なゲッタリングサイトを有した半導体基板を製造することができる。
【００１４】
また、前記注入イオンを、炭素または炭素を含むイオンとすることが好ましい（請求項２）。
このように、注入するイオンを、炭素または炭素を含むイオンとすることによって、半導体基板のエピタキシャル層直下にゲッタリング能力の高いゲッタリング層を形成することができ、また酸素析出物の析出を促進させることができる。
【００１５】
そして、前記注入イオンのドーズ量を、５×１０１３〜５×１０１５／ｃｍ２とすることが好ましい（請求項３）。
注入イオンのドーズ量が５×１０１３／ｃｍ２以上であれば、イオン注入に掛かる時間が短時間であっても十分なゲッタリング能力を有した半導体基板とすることができる。またドーズ量が５×１０１５／ｃｍ２以下であれば、結晶性回復のためのアニール処理を行わずともエピタキシャル層に欠陥が発生する可能性を十分に低くすることができる。
【００１６】
更に、前記洗浄工程は、少なくとも前記シリコン基板をアンモニア過水で洗浄する工程とすることが好ましい（請求項４）。
このようにシリコンに対するエッチング速度が遅いアンモニア過水で洗浄することによって、シリコン基板表面を均一にエッチングすることができ、また基板表面のパーティクルを同時に除去できるため、非常に好適である。
【００１７】
また、前記洗浄工程の後、前記エピタキシャル層形成工程の前に、前記シリコン基板に対してアニール処理を行うことが好ましい（請求項５）。
このように、エピタキシャル層を形成する前に、イオン注入によって乱れた結晶性を回復させるアニール処理を行うことによって、よりエピタキシャル層に欠陥の少ない半導体基板を製造することができる。
【００１８】
また、前記半導体基板は、固体撮像素子の製造に使用されるものとすることが好ましい（請求項６）。
上述のように、本発明の製造方法によって製造された半導体基板は、金属不純物濃度が低く、且つゲッタリング能力の高い基板であるため、固体撮像素子用に好適なものとなっている。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、イオン注入装置の金属不純物レベルを厳しく管理する必要をなくすことができる。従って、管理に必要なコストや時間を従来に比べて省く事ができる。又、イオン注入装置を選別して使用する必要がないため、装置を自由に選択でき、生産ラインの効率を高める事ができる。以上より、生産性の向上とコストの削減が期待できる。また、イオン注入層が形成されたものであるため、ゲッタリング能力の高い半導体基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、高生産性・低コストで、強力なゲッタリング能力を有し、かつ金属不純物濃度の低い半導体基板を製造することのできる半導体基板の製造方法の開発が待たれていた。
【００２１】
そこで、本発明者らは、下地となるシリコン基板に対するイオン注入条件について鋭意検討を重ねた結果、以下に示すような発想に基づいてイオン注入を行い、またその後にシリコン基板の表面のエッチングを兼ねた洗浄を行い、その後エピタキシャル層を形成することによって上記課題を解決できることを知見し、本発明を完成させた。
【００２２】
以下にその発想について簡単に説明する。
まず、イオン注入装置について図４を用いて簡単に説明する。図４はイオン注入装置の概略の一例を示した図である。
イオン注入装置３０において、まずイオンをイオン源３１にて生成し、生成されたイオンに電界をかけて取り出し、前段加速機構３２によって加速（前段加速）させる。その後、質量分析機構３３を用いて磁場による質量分析を行い、所定の質量を有したイオンのみを取り出し、その後後段加速機構３４によって更に電界を印加し２回目の更なる加速（後段加速）を行う。この様にして加速されたイオンをシリコン基板３５の表面に注入する。シリコン基板３５に注入される深さは、加速エネルギーが大きい程深く、小さいほど浅くなる。
【００２３】
ここで、イオン注入装置において、質量分析前に発生するイオン化した汚染物質は、質量分析機により分離されるので、シリコン基板への影響はない。しかし、質量分析機以降に発生するイオン化した汚染物質については分離手段を設けていないため、分離することができない。
もし、通常通り質量分析後に後段加速を実施すると、イオン化した汚染物質も同様に加速され、ウェーハに深く注入されてしまうことになる。しかし、質量分析後の加速がなければ、イオン化した汚染物質は低いエネルギーしか持たないので、ウェーハ表面もしくは極浅い領域にとどまる事となる。
そしてこの原理を応用して、質量分析後に後段加速を実施しない事により、汚染物質をウェーハ表面及び極浅い領域に留まらせて、その後表面をエッチングする洗浄を行うことにより汚染物質を容易に且つ確実に取り除く事ができることを発想し、本発明を完成させた。
【００２４】
以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図１は本発明の半導体基板の製造方法の工程の一例を示すフロー図である。
【００２５】
工程（ａ）
まず、基板となるシリコン基板１１を準備する。
このとき準備するシリコン基板は、一般的に用いられているものであれば良く、例えばＣＺ法で育成したシリコン単結晶棒からスライスして作製したものを用いればよい。またその導電型や比抵抗率などの電気特性値や結晶方位や結晶径は、設計する半導体素子（例えば固体撮像素子等）に適したものとなるように適宜選択することができる。
【００２６】
工程（ｂ）
次に、準備したシリコン基板１１に対してイオン注入を行って、イオン注入層１２を形成する。図１では、注入イオンを炭素とした例を挙げたが、もちろんこれに限定されるものではなく、例えばＧｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のイオンを注入することができる。
ここで、本発明において、このイオン注入工程では、注入イオンの前段加速・質量分析を行った後の再加速（後段加速）を行わずに、質量分析後のイオンを直接シリコン基板に注入する。
本発明においては、後段加速を行わないため、所望の加速エネルギーとするためには、前段加速の段階で所望の加速エネルギーとすることが望ましい。
【００２７】
また、この注入イオンとして炭素または炭素を含むイオンをシリコン基板１１に対して注入することができる。
このように、炭素または炭素を含むイオンを注入することによって、酸素析出を促進することができるため、製造された半導体基板のＩＧ能力をより高いものとすることができる。このため、よりゲッタリング能力の高い半導体基板を製造することができる。
【００２８】
そして、注入イオンのドーズ量を５×１０１３〜５×１０１５／ｃｍ２とすることができる。
このように、５×１０１３〜５×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオンを注入することによって、酸素析出物の析出を促すことができる。また、注入するイオンのドーズ量が少ないため、イオン注入工程自体に掛かる作業時間を短縮することができ、このため、低コストで高品質な半導体基板を製造することができる。更に、シリコン基板の結晶性の乱れを低くでき、後にエピタキシャル層を形成する際に欠陥が発生することを抑制することができる。
【００２９】
工程（ｃ）
その後、イオン注入を行った後のシリコン基板１１に対して、その表面のエッチングを兼ねた洗浄工程を行う。
この洗浄工程を行うことによって、先のイオン注入工程によってシリコン基板１１に注入された汚染物質を含んだ表面層を汚染物質ごとエッチングして除去する。
【００３０】
ここで、洗浄工程として、少なくともシリコン基板１１の表面をエッチングするものであればよいが、この洗浄をアンモニア過水で洗浄する工程とすることができる。
アンモニア過水は、シリコン基板の表面をエッチングするが、この時のエッチング速度はＫＯＨ等のアルカリ溶液に比べて遅い。このようなアンモニア過水で洗浄を行うことによって、シリコン基板の表面を均一にエッチングすることができるため、平坦な表面の半導体基板を得ることができる。また、アンモニア過水によって洗浄することで、基板表面に付着したパーティクルも同時に除去することができる。
【００３１】
また、この洗浄工程の後、且つ後述するエピタキシャル層形成工程の前に、シリコン基板１１に対してアニール処理を行うことができる。
このように、エピタキシャル層を形成する前に、結晶回復のアニール処理を行うことによって、イオン注入によって乱れたシリコン基板表面の結晶性を回復させることができ、形成されるエピタキシャル層にも欠陥が導入されることをより抑制することができる。
【００３２】
工程（ｄ）
その後、洗浄したシリコン基板１１の主表面上にエピタキシャル層１３を形成して、半導体基板１０が製造される。
このエピタキシャル層の形成は、一般的な手法を用いることができる。例えば、気相成長によって形成する場合、一般的な条件で行えば良く、例えば、Ｈ２をキャリアガスとしてＳｉＨＣｌ３等のソースガスをチャンバー内に導入し、サセプタ上に配置した上記半導体単結晶基板の主表面上に、１０５０〜１２５０℃程度でＣＶＤ法により、エピタキシャル成長させることができる。
【００３３】
そして、このようにして得られた半導体基板１０を、固体撮像素子形成用に用いることができる。
上述のように、本発明によれば、汚染物質、特に金属不純物の濃度が低く、またゲッタリング能力の高い半導体基板を得ることができるため、このような半導体基板を用いて固体撮像素子を製造すれば、良好な特性の固体撮像素子を歩留り良く製造することができる。
【００３４】
以上説明してきたように、本発明の半導体基板の製造方法で、イオン注入工程では、質量分析後の加速（後段加速）は実施しないでイオン注入を行う。更に、イオン注入後、エピタキシャル層形成前に、シリコン基板表面をエッチングする洗浄を行う。
これによって、イオン注入装置において質量分析後に混入する汚染物質がシリコン基板に深く注入されることを抑制でき、表面近傍に留めることができる。そしてその後、シリコン基板の表面をエッチングする洗浄によって、汚染物質を含むシリコン基板表面を除去することによって、イオン注入工程における汚染を防ぐことができるようになる。
このような製造方法によれば、イオン注入装置を汚染レベルによって選別する必要がなく、自由に装置を選択する事ができ、かつ汚染レベルを厳しく管理する必要もない。よって、生産性を向上させることができ、コストを下げる事ができる。また、イオン注入工程由来の不純物を除去できるため、半導体基板中の不純物濃度、特に金属不純物濃度を低くすることができる。このため、金属不純物濃度が厳しく制限されている固体撮像素子などに用いると、非常に好適である。
【実施例】
【００３５】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
図１に示す工程に従って半導体基板を製造した。
まず、シリコン基板１１として、チョクラルスキー法（ＣＺ法）で成長させた、面方位（１００）、抵抗率１０〜２０Ω・ｃｍ、酸素濃度が１．１２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン基板を準備した（工程（ａ））。
【００３６】
次に、この基板をＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液、及びＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２水溶液で洗浄した。次にこのシリコン基板１１の主表面から、７０ｋｅＶの加速エネルギー、ドーズ量１×１０１５／ｃｍ２で炭素をイオン注入して、イオン注入層１２を形成した（工程（ｂ））。
この際の加速エネルギーは、前段加速のみで行った。この時の炭素の投影飛程はシリコン基板表面からおよそ０．２μｍであり、そのピーク濃度はおよそ５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【００３７】
その後、シリコン基板１１に対して、エッチング効果のあるＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液、及び最表面の金属汚染を除去するＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２水溶液洗浄を行った（工程（ｃ））。
【００３８】
その後、イオン注入ダメージの回復アニールを行った。具体的には、ウェーハをチャンバー内に投入後、水素雰囲気中にて１１３０℃で６０秒間アニールを行った。
その後エピタキシャル成長炉に導入した後、ＳｉＨＣｌ３ガスを導入し、厚さ６μｍ、抵抗率３０Ω・ｃｍのエピタキシャル層１３を成長させ、半導体基板１０を製造した（工程（ｄ））。
【００３９】
（比較例）
図３に示す工程に従って半導体基板を製造した。
まず、シリコン基板２１として、チョクラルスキー法（ＣＺ法）で成長させた、面方位（１００）、抵抗率１０〜２０Ω・ｃｍ、酸素濃度が１．１２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン基板を準備した（工程（ａ’））。
【００４０】
次に、この基板をＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液、及びＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２水溶液で洗浄した。次にこのシリコン基板２１の主表面から、７０ｋｅＶの加速エネルギー、ドーズ量１×１０１５／ｃｍ２で炭素をイオン注入して、イオン注入層２２を形成した（工程（ｂ’））。
このとき、質量分析前のイオンの加速エネルギーは３５ｋｅＶ、質量分析後の加速エネルギーを３５ｋｅＶとした。この時の炭素の投影飛程はシリコン基板表面からおよそ０．２μｍであった。
【００４１】
その後、シリコン基板２１に対して、エッチング効果のあるＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液、及び最表面の金属汚染を除去するＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２水溶液洗浄を行った（工程（ｃ’））。
【００４２】
その後、イオン注入ダメージの回復アニールを行った。具体的には、ウェーハをチャンバー内に投入後、水素雰囲気中にて１１３０℃で６０秒間アニールを行った。
その後エピタキシャル成長炉に導入した後、ＳｉＨＣｌ３ガスを導入し、厚さ６μｍ、抵抗率３０Ω・ｃｍのエピタキシャル層２３を成長させ、半導体基板２０を製造した（工程（ｄ’））。
【００４３】
実施例及び比較例において、炭素イオン注入後のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液での洗浄時間を変えて、基板表面のエッチング量を変化させた時の、洗浄後の基板表面の不純物濃度（代表例としてＭｏ）を測定し、深さ方向に対するＭｏ不純物濃度プロファイルを作成し、その結果を図２に示す。グラフの横軸はＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液で洗浄した際のエッチング量、すなわち深さ方向の厚さを示すものである。ただし、エッチング深さが０のデータは、洗浄無し、すなわちイオン注入直後のデータを表すものである。
【００４４】
図２の実施例の半導体基板のＭｏの深さ方向分布のデータからわかるように、イオン注入直後のウェーハ表面には、さまざまな汚染物質が検出されるが、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２水溶液にて１０ｎｍ以上エッチング除去された深さにおいては、全て検出下限であり、１０１９／ｃｍ３という高い濃度でイオン注入を行ったにも係わらず汚染物質がほとんど注入されなかった事が判った。
これに対し、図２の比較例の半導体基板のＭｏの深さ方向分布のデータからわかるように、後段加速を行った場合、イオン注入時の汚染物質は表面から深い領域にピークをもって分布しており、洗浄では除去する事が困難なことがわかった。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の半導体基板の製造方法の工程の一例を示すフロー図である。
【図２】本発明の実施例と比較例の製造方法で製造された半導体基板の、深さ方向のＭｏ濃度分布を示したグラフである。
【図３】比較例の半導体基板の製造方法の工程を示すフロー図である。
【図４】イオン注入装置の概略の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０，２０…半導体基板、  １１，２１…シリコン基板、  １２，２２…イオン注入層、  １３，２３…エピタキシャル層、
３０…イオン注入装置、  ３１…イオン源、  ３２…前段加速機構、  ３３…質量分析機構、  ３４…後段加速機構、  ３５…シリコン基板。
【図１】
2010109141.tif 000003
【図２】
2010109141.tif 000004
【図３】
2010109141.tif 000005
【図４】
2010109141.tif 000006