(57)【要約】【課題】ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。【解決手段】基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する。ただし、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理、もしくは、第１レジスト膜に対する露光処理後に行われる露光後熱処理において、第１レジスト膜が形成された基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。【選択図】図１２
2010232241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストパターンを形成する方法であって、
（ａ）基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、前記第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、前記第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する工程と、
を備え、
前記（ａ）工程が、
前記第１レジスト膜に対する現像処理を行う前に、前記第１レジスト膜が形成された基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する工程、
を備えるレジストパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレジストパターン形成方法であって、
前記（ａ）工程が、
（ａ１）基板表面に前記第１レジスト材料を供給して前記第１レジスト膜を塗布形成する工程と、
（ａ２）前記第１レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する工程と、
（ａ３）前記第１レジスト膜を露光する工程と、
（ａ４）露光後の基板を加熱する工程と、
（ａ５）露光された前記第１レジスト膜へ現像液を供給する工程と、
を備え、
前記（ａ２）工程において、基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱するレジストパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレジストパターン形成方法であって、
前記（ａ）工程が、
（ａ１）基板表面に前記第１レジスト材料を供給して前記第１レジスト膜を塗布形成する工程と、
（ａ２）前記第１レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する工程と、
（ａ３）前記第１レジスト膜を露光する工程と、
（ａ４）露光後の基板を加熱する工程と、
（ａ５）露光された前記第１レジスト膜へ現像液を供給する工程と、
を備え、
前記（ａ４）工程において、基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱するレジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記第１レジスト材料と前記第２レジスト材料とがいずれもポジ型レジストであるレジストパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記第１レジスト材料がポジ型レジストであり、前記第２レジスト材料がネガ型レジストであるレジストパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記第１レジスト材料と前記第２レジスト材料とがいずれもネガ型レジストであるレジストパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記第１レジスト材料がネガ型レジストであり、前記第２レジスト材料がポジ型レジストであるレジストパターン形成方法。
【請求項８】
露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、
複数の処理部と、
前記複数の処理部間で基板を受け渡しする搬送装置と、
前記複数の処理部と前記搬送装置とを制御する制御部と、
を備え、
前記複数の処理部が、
基板にレジスト材料を供給してレジスト膜を塗布形成する塗布処理部と、
前記レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する塗布後加熱処理部と、
加熱後の基板を前記露光装置に渡すとともに、前記露光装置で露光された基板を受け取る受け渡し部と、
前記露光後の基板を加熱する露光後加熱処理部と、
露光された前記レジスト膜へ現像液を供給する現像処理部と、
を備え、
前記制御部が、
前記複数の処理部において、基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、前記第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成し、さらに、前記第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、前記第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する一連の処理工程を実行させる場合に、
前記塗布後加熱処理部または前記露光後加熱処理部における前記第１レジストパターンの形成に係る熱処理の加熱温度を、前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度に設定する基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記塗布処理部にて使用されうる１以上のレジスト材料のそれぞれと、当該レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点とを対応づけて記述したファイルを記憶した記憶手段、
を備え、
前記制御部が、
前記ファイルを参照して前記第１レジスト材料のガラス転移点を特定する基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の基板処理装置であって、
前記制御部が、
オペレータからの指示に基づいて前記塗布後加熱処理部もしくは前記露光後加熱処理部のいずれかを選択し、選択した加熱処理部における前記第１レジストパターンの形成に係る熱処理の加熱温度を、前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度に設定する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板（半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等）にレジストパターンを形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
ところで、近年の半導体デバイス等の急速な高密度化に伴い、パターンの微細化が要求されている。これに応じるべく、露光処理を行う露光装置の光源として、旧来の紫外線ランプに代えて比較的波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源といった遠紫外線光源（Deep UV）を用いることによって、レジストパターンの微細化を実現していた。ところが、近年のさらなる微細化要求に対してはＡｒＦエキシマレーザ光源でさえも十分ではない。これに対応するためには、より波長の短い光源、例えばＦ２レーザ光源を露光装置に採用することも考えられるが、また一方で、コスト面の負担を低減しつつさらなるパターン微細化を可能にする露光技術として液浸露光処理法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
液浸露光処理法は、投影光学系と基板との間に屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で「液浸露光」を行うことにより、開口率を大きくして解像度を向上させる技術である。この液浸露光処理法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）をそのまま流用したとしても、その等価波長を１３４ｎｍにすることができ、コスト負担増を抑制しつつレジストパターンを微細化することができる。
【０００５】
しかしながら、昨今のさらなる微細化要求にはこれらの技術を用いてもまだ十分に対応できていない。そこで、さらなる微細化を実現すべく提案されてきた技術として、次のものがある。
【０００６】
例えば、図１６（ａ）に示されるように、レジスト膜を形成して１回目の露光を行った後に、マスク位置を１回目の露光の際の位置から半周期分だけずらした位置に移動させて、当該位置で２回目の露光を行う方法が提案されている（ダブルエクスポージャー）。この方法によると、ある程度は微細なレジストパターンを形成することができるものの、露光装置の解像度の限界が妨げとなり、最近の微細化要求に十分に対応することは難しかった。
【０００７】
また、図１６（ｂ）に示されるように、レジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を２回行う方法も提案されている（ダブルライン）。ここでは、レジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理によって第１のエッチングパターンを形成した後に、再びレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を行って、第１のエッチングパターンの間に第２のエッチングパターンを形成する。この方法によると、最近の微細化要求にも対応可能な微細なパターンを形成することができる。しかしながら、この方法では、レジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を２回行わなければならないため、処理工程が多くなり生産コストの面から見て問題があった。
【０００８】
また、図１６（ｃ）に示されるように、レジスト膜形成から現像までの一連の処理を２回行う方法も提案されている（ダブルパターンニング）。ここでは、レジスト膜形成から現像までの一連の処理によって第１のレジストパターンを形成した後に、再びレジスト膜形成から現像までの一連の処理を行って、第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンを形成する。この方法によると、最近の微細化要求にも対応可能な微細なパターンを形成することができる。また、反復して行うのは現像工程まででよく、エッチング工程については一度ですむため、ダブルラインに比べて処理工程を少なくすることができるという利点もある。このため、ダブルパターンニングは、パターンの微細化に最も有効な技術として実用化が進められている。
【０００９】
ところで、ダブルパターンニングにおいては、第１のレジストパターンが形成された基板の表面に、２回目のレジスト膜形成処理を行わなければならない。ここで、先に形成された第１のレジストパターンの上にそのまま２回目のレジスト材料が塗布されると、第１のレジストパターンは、塗布された２回目のレジスト材料の溶剤に溶けてしまう。このような事態を防止するために、２回目のレジスト膜形成処理を行う前に、先に形成された第１のレジストパターンを硬化させておく必要がある（硬化処理（図１６（ｃ）））。
【００１０】
硬化処理の具体的な方法としては、例えば、形成されたレジストパターンに対して、レジストパターンを硬化させる成分を含んだ薬液（硬化剤）を塗布する方法が提案されている。
【００１１】
一方、特別な硬化剤を必要としない硬化処理の方法として、形成されたレジストパターンに対して紫外線を照射し、さらに、ガラス転移点以上の温度で熱処理を施す方法が提案されている。レジスト材料がガラス転移点以上の温度まで加熱されると、そこに含まれる樹脂が一旦軟らかくなり、その後冷え固まる過程においてこの樹脂を構成するポリマーの配列が再構成されて緻密なものとなっていく。つまり、レジスト材料は、一度ガラス転移点以上の温度まで加熱されると冷え固まったときに硬くなるという性質をもっている。この硬化処理の方法は、レジスト材料のもつこの性質を利用したものであり、形成されたレジストパターンをガラス転移点以上の温度で加熱して硬化させることによって、レジストパターンを２回目のレジスト材料の溶剤に溶けにくくするのである。
【００１２】
ただし、この硬化処理の方法においては、レジストパターンをガラス転移点以上の温度まで加熱する前に、紫外線を照射して、形成されたレジストパターンの表面を焼き固めておく必要がある。ガラス転移点以上の温度まで昇温されたレジスト材料は、一旦軟化してから硬化するため、表面が焼き固められていなければ、軟化する段階においてパターン形状が崩れる（だれる）からである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記の硬化処理の方法においては、レジストパターンを加熱する前に必ず紫外線を照射しなければならないため、処理工程が煩雑化し、生産コストが高くなるという難点がある。
【００１５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、基板にレジストパターンを形成する方法であって、（ａ）基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、前記第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、前記第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する工程と、を備え、前記（ａ）工程が、前記第１レジスト膜に対する現像処理を行う前に、前記第１レジスト膜が形成された基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する工程、を備える。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項１に記載のレジストパターン形成方法であって、前記（ａ）工程が、（ａ１）基板表面に前記第１レジスト材料を供給して前記第１レジスト膜を塗布形成する工程と、（ａ２）前記第１レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する工程と、（ａ３）前記第１レジスト膜を露光する工程と、（ａ４）露光後の基板を加熱する工程と、（ａ５）露光された前記第１レジスト膜へ現像液を供給する工程と、を備え、前記（ａ２）工程において、基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。
【００１８】
請求項３の発明は、請求項１に記載のレジストパターン形成方法であって、前記（ａ）工程が、（ａ１）基板表面に前記第１レジスト材料を供給して前記第１レジスト膜を塗布形成する工程と、（ａ２）前記第１レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する工程と、（ａ３）前記第１レジスト膜を露光する工程と、（ａ４）露光後の基板を加熱する工程と、（ａ５）露光された前記第１レジスト膜へ現像液を供給する工程と、を備え、前記（ａ４）工程において、基板を前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。
【００１９】
請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、前記第１レジスト材料と前記第２レジスト材料とがいずれもポジ型レジストである。
【００２０】
請求項５の発明は、請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、前記第１レジスト材料がポジ型レジストであり、前記第２レジスト材料がネガ型レジストである。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、前記第１レジスト材料と前記第２レジスト材料とがいずれもネガ型レジストである。
【００２２】
請求項７の発明は、請求項１から３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法であって、前記第１レジスト材料がネガ型レジストであり、前記第２レジスト材料がポジ型レジストである。
【００２３】
請求項８の発明は、露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、複数の処理部と、前記複数の処理部間で基板を受け渡しする搬送装置と、前記複数の処理部と前記搬送装置とを制御する制御部と、を備え、前記複数の処理部が、基板にレジスト材料を供給してレジスト膜を塗布形成する塗布処理部と、前記レジスト膜が塗布形成された基板を加熱する塗布後加熱処理部と、加熱後の基板を前記露光装置に渡すとともに、前記露光装置で露光された基板を受け取る受け渡し部と、前記露光後の基板を加熱する露光後加熱処理部と、露光された前記レジスト膜へ現像液を供給する現像処理部と、を備え、前記制御部が、前記複数の処理部において、基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、前記第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成し、さらに、前記第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、前記第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する一連の処理工程を実行させる場合に、前記塗布後加熱処理部または前記露光後加熱処理部における前記第１レジストパターンの形成に係る熱処理の加熱温度を、前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度に設定する。
【００２４】
請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理装置であって、前記塗布処理部にて使用されうる１以上のレジスト材料のそれぞれと、当該レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点とを対応づけて記述したファイルを記憶した記憶手段、を備え、前記制御部が、前記ファイルを参照して前記第１レジスト材料のガラス転移点を特定する。
【００２５】
請求項１０の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置であって、前記制御部が、オペレータからの指示に基づいて前記塗布後加熱処理部もしくは前記露光後加熱処理部のいずれかを選択し、選択した加熱処理部における前記第１レジストパターンの形成に係る熱処理の加熱温度を、前記第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度に設定する。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１〜１０の発明によると、第１レジスト膜に対する現像処理を行う前に、基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。したがって、現像処理により現れる第１のレジストパターンは硬化されており、その上に第２のレジスト材料が塗布されても、そこに含まれる溶剤に第１のレジストパターンが溶けることがない。特にここでは、第１レジスト材料が基板表面に膜状態で存在している状態の間に、基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱するので、レジストパターンがだれないように紫外線を照射する工程を行わずとも、上記の効果を得ることができる。すなわち、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】基板処理装置の平面図である。
【図２】基板処理装置を＋Ｘ側から見た側面図である。
【図３】基板処理装置を−Ｘ側から見た側面図である。
【図４】塗布ユニットの構成を示す概略図である。
【図５】制御機構の概略を示すブロック図である。
【図６】処理温度特定部が行う処理の流れを示す図である。
【図７】レジスト材料の選択画面の構成例を示す図である。
【図８】レジスト材料のガラス転移点を記述したファイルの構成例を示す図である。
【図９】硬化熱処理を行う熱処理工程の選択画面の構成例を示す図である。
【図１０】基板処理装置にて行われる処理の流れを示す図である。
【図１１】基板処理装置にて行われる処理の流れを示す図である。
【図１２】処理を施される基板の状態を模式的に示した図である。
【図１３】処理を施される基板の状態を模式的に示した図である。
【図１４】ポジ型レジスト同士を組み合わせてダブルパターンニング処理を行う場合の基板の状態を模式的に示した図である。
【図１５】ポジ型レジスト同士以外の組み合わせでダブルパターンニング処理を行う場合の基板の状態をそれぞれ模式的に示した図である。
【図１６】従来提案されている各種技術を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置５００について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図１〜図３には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が付されている。
【００２９】
〈１．基板処理装置の全体構成〉
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の全体構成を示す平面図である。この基板処理装置５００は、液浸露光処理の前後において、半導体基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」という。）に塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。図１に示すように、基板処理装置５００は、主として、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５、およびインターフェースブロック１６をこの順に並設した構成となっている。
【００３０】
インターフェースブロック１６の＋Ｙ側には、この基板処理装置５００とは別体の露光装置１７が接続される。露光装置１７は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。
【００３１】
インデクサブロック９には、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１と、複数のキャリア載置台９２と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。
【００３２】
反射防止膜用処理ブロック１０には、反射防止膜用熱処理部１００，１０１と、反射防止膜用塗布処理部３０と、第２のセンターロボットＣＲ２とが設けられている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１と反射防止膜用塗布処理部３０とは、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を上下に有している。
【００３３】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられている。また、隔壁２０の一部分には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に使用される。
【００３４】
レジスト膜用処理ブロック１１には、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１と、レジスト膜用塗布処理部４０と、第３のセンターロボットＣＲ３とが設けられている。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１とレジスト膜用塗布処理部４０とは、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を上下に有している。
【００３５】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられている。また、隔壁２１の一部分には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用される。
【００３６】
現像処理ブロック１２には、現像用熱処理部１２０，１２１と、現像処理部５０と、第４のセンターロボットＣＲ４とが設けられている。現像用熱処理部１２０，１２１と現像処理部５０とは、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を上下に有している。
【００３７】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられている。また、隔壁２２の一部分には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用される。
【００３８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３には、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１と、レジストカバー膜用塗布処理部６０と、第５のセンターロボットＣＲ５とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１とレジストカバー膜用塗布処理部６０とは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。第５のセンターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を上下に有している。
【００３９】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられている。また、隔壁２３の一部分には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用される。
【００４０】
レジストカバー膜除去ブロック１４には、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂと、第６のセンターロボットＣＲ６とが設けられている。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向配置されている。第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を上下に有している。
【００４１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられている。また、隔壁２４の一部分には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用される。
【００４２】
洗浄／乾燥処理ブロック１５には、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と、洗浄／乾燥処理部８０と、第７のセンターロボットＣＲ７とが設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１は、インターフェースブロック１６に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を有している。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と洗浄／乾燥処理部８０とは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向配置されている。また、第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を上下に有している。
【００４３】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。また、隔壁２５の一部分には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用される。
【００４４】
インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。
【００４５】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ側から見た側面図である。
【００４６】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１と、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（いわゆるＥＢＲ（Edge Bead Remover）ノズル）（図示省略）とを備える。
【００４７】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。ここで、塗布ユニットＲＥＳの構成について、図４を参照しながら具体的に説明する。図４は、塗布ユニットＲＥＳの構成を示す概略図である。塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１と、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液（レジスト材料）を供給する供給ノズル４２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４８】
スピンチャック４１は、回転駆動機構４１１によって回転される回転軸４１２の上端に固定されている。スピンチャック４１には、スピンチャック４１の上面側に連通する吸気路（図示省略）が形成されている。基板Ｗをスピンチャック４１上に載置した状態で吸気路の内部を排気すると、基板Ｗはスピンチャック４１上に水平姿勢で吸着保持される。また、スピンチャック４１上に基板Ｗを保持した状態で回転駆動機構４１１を動作させると、スピンチャック４１および基板Ｗは、基板Ｗの中心を通る鉛直軸周りに回転する。
【００４９】
供給ノズル４２には、配管４２１が接続されている。配管４２１の他端には、複数の配管４２２が接続されている。各配管４２２の他端は、レジスト材料を貯留したレジスト材料供給源４２３と接続されている。また、各配管４２２の経路途中には、バルブ４２４が介挿されている。塗布ユニットＲＥＳが備える複数のレジスト材料供給源４２３は、それぞれが互いに種類の異なるレジスト材料を貯留している。いずれかのバルブ４２４を選択して開放すると、当該バルブ４２４が介挿された配管４２２と接続されたレジスト材料供給源４２３から配管４２２および配管４２１を介して供給ノズル４２へレジスト材料が供給され、供給ノズル４２からスピンチャック４１に保持された基板Ｗの上面へ向けてレジスト材料が吐出される。
【００５０】
なお、後述するように、塗布ユニットＲＥＳの各部（例えば、回転駆動機構４１１、バルブ４２４）は、塗布ユニットＲＥＳ内の各部の動作を制御するユニットコントローラ９１Ｕと接続されており、ユニットコントローラ９１Ｕからの制御信号によりその動作が制御される。
【００５１】
再び図２を参照する。現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１と、スピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２とを備える。
【００５２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル６３（図示省略）とを備える。
【００５３】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解させる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２とを備える。
【００５４】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置される。
【００５５】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８と、スピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９とを備える。
【００５６】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ側から見た側面図である。
【００５７】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、それぞれ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰと２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰとが上下に積層配置されている。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５８】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５９】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００６０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００６１】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。
【００６２】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５１には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４も配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００６３】
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。
【００６４】
〈２．制御機構〉
基板処理装置５００の制御機構について図５を参照しながら説明する。図５は、制御機構の概略を示すブロック図である。この実施の形態の基板処理装置５００は、メインコントローラ９１、セルコントローラ９１Ｃ、ユニットコントローラ９１Ｕの３階層からなる制御階層を備えている。各コントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【００６５】
メインコントローラ９１は、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラ９１Ｃの管理を主に担当する。
【００６６】
メインパネルＭＰは、メインコントローラ９１のディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラ９１に対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラ９１に入力作業を行うようにしてもよい。
【００６７】
セルコントローラ９１Ｃは、基板処理装置５００内に規定される複数個のセルのそれぞれに対して個別に設けられた制御機構であり、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。ただし、「セル」とは、基板搬送に係る搬送制御単位であり、基板搬送を担当する各搬送ロボット（インデクサロボットＩＲ、センターロボットＣＲ１〜ＣＲ８、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ）と、当該搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成される。上述した各基板載置部は、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しが基板載置部を介して行われる。各セルのセルコントローラ９１Ｃは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラ９１Ｃに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラ９１Ｃは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラ９１Ｃに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラ９１を介して行われる。そして、各セルコントローラ９１Ｃはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラ９１Ｃ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。
【００６８】
ユニットコントローラ９１Ｕは、セルコントローラ９１Ｃの指示にしたがって、セル内に配置された処理ユニットを直接制御する。例えば、スピンユニット（塗布ユニットＢＡＲＣ、塗布ユニットＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、塗布ユニットＣＯＶ、除去ユニットＲＥＭ、および、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ）を制御するユニットコントローラ９１Ｕには、スピンコントローラＳＣやバルブコントローラＶＣ等が設けられている。スピンコントローラＳＣは、スピンチャックの回転駆動機構（塗布ユニットＲＥＳの場合、回転駆動機構４１１（図４参照））と電気的に接続されており、モータに制御信号を与えることにより、回転駆動機構のオンオフおよび回転数（回転速度）を制御する。バルブコントローラＶＣは、処理ユニット内の各バルブ（塗布ユニットＲＥＳの場合、バルブ４２４（図４参照））と電気的に接続されており、各バルブに制御信号を与えることにより、各バルブの開閉動作を制御することができる。また、例えば、熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ）を制御するユニットコントローラ９１Ｕには、ベークコントローラＢＣ等が設けられている。ベークコントローラＢＣは、ホットプレートのヒータと電気的に接続されており、ヒータに制御信号を与えることにより、ホットプレートの温度を定められた処理温度に制御することができる。
【００６９】
なお、基板処理装置５００に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置５００とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。また、ホストコンピュータ１００は、表示部および操作部を備えており、オペレータは操作部から種々のコマンドを入力することができる。ホストコンピュータ１００には、この実施の形態に係る基板処理装置５００が通常複数台接続されていてもよい。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置５００に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置５００のメインコントローラ９１の記憶部（例えばメモリ）に記憶される。
【００７０】
なお、露光装置１７には、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光装置１７は、基板処理装置５００のメインコントローラ９１の制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光装置１７もホストコンピュータ１００から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光装置１７における露光処理と同期した処理を基板処理装置５００が行うこととなる。
【００７１】
〈３．ダブルパターンニング〉
基板処理装置５００においては、ダブルパターンニングによりレジストパターンを形成する処理（ダブルパターンニング処理）を行うことができる。ところで、ダブルパターンニングにおいては、例えば図１２に示されるように、まず、基板Ｗの表面に所定のレジスト材料（第１レジスト材料）を塗布してレジスト膜（第１レジスト膜）を形成し（第１レジスト膜形成処理）、形成した第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行ってレジストパターン（第１レジストパターン）を形成する。続いて、第１レジストパターンが形成された基板Ｗの表面に、所定のレジスト材料（第２レジスト材料）を塗布してレジスト膜（第２レジスト膜）を形成し（第２レジスト膜形成処理）、形成した第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行ってレジストパターン（第２レジストパターン）を形成する（これら一連の処理については後に具体的に説明する）。
【００７２】
この実施の形態に係る基板処理装置５００は、第１レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを、第１レジスト材料のガラス転移点以上の温度で加熱処理する。ガラス転移点以上の温度に加熱されると、第１のレジスト材料は硬化する。したがって、このような加熱処理を行っておけば、形成された第１レジストパターンの上に第２レジスト膜形成処理において第２のレジスト材料が塗布されても、そこに含まれる溶剤に第１のレジストパターンが溶けてしまわない。以下において、基板Ｗを、第１レジスト材料のガラス転移点以上の温度で加熱する処理を「硬化熱処理」という。ただし、ここでいう「レジスト材料のガラス転移点」とは、レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点を意味しており、レジスト材料中に複数種類の樹脂が含まれる場合は、ガラス転移点が最も高い樹脂のガラス転移点を意味している。
【００７３】
基板処理装置５００は、硬化熱処理を実行するための機能部として、処理温度特定部９０を備えている（図５参照）。処理温度特定部９０は、メインコントローラ９１のハードディスクに予め記憶された動作プログラムに従ってＣＰＵが演算処理を行うことにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００７４】
処理温度特定部９０は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピがダブルパターンニング処理を記述したものである場合に、当該レシピに記述された一連の処理工程に含まれる熱処理工程であって１回目の現像処理より先に行われる熱処理工程のうちの１つの熱処理工程を、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択する。そして、選択された熱処理工程の処理温度を第１レジスト材料のガラス転移点以上の温度に設定する。
【００７５】
処理温度特定部９０が行う処理について、図６を参照しながら具体的に説明する。図６は、処理温度特定部９０が行う処理の流れを示す図である。ホストコンピュータ１００からダブルパターンニング処理を記述したレシピを受け取ると、処理温度特定部９０は、まず、第１レジスト膜形成処理および第２レジスト膜形成処理のそれぞれに用いるレジスト材料を特定する（ステップＳ９１）。
【００７６】
なお、第１レジスト膜形成処理および第２レジスト膜形成処理のそれぞれに用いるレジスト材料がレシピに指定されている場合、処理温度特定部９０は、レシピの記述からこれらを特定する。
【００７７】
また、第１レジスト膜形成処理および第２レジスト膜形成処理のそれぞれに用いるレジスト材料がレシピに指定されていない場合、処理温度特定部９０は、オペレータからの選択操作に基づいてこれらを特定する。例えば、メインパネルＭＰに、図７に例示するようなレジスト材料の選択画面Ｇを表示し、ここからオペレータに、第１レジスト膜形成処理および第２レジスト膜形成処理のそれぞれに用いるレジスト材料を選択させる。レジスト材料の選択画面Ｇには、選択可能なレジスト材料の候補として、塗布ユニットＲＥＳの備える複数のレジスト材料供給源４２３のそれぞれに貯留されたレジスト材料を一覧表示すればよい。なお、レジスト材料の選択画面Ｇには、オペレータがレジスト材料を選択する際に参考できる情報も表示しておくことが望ましい。例えば、各レジスト材料がポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであるかを示すことが好ましい。また、当該レジスト材料のガラス転移点を表示することも好ましい。
【００７８】
なお、第１レジスト膜形成処理に用いるレジスト材料と第２レジスト膜形成処理に用いるレジスト材料とは、互いに同じ種類のポジ型レジストであってもよく、互いに異なる種類のポジ型レジストであってもよい。また、互いに同じ種類のネガ型レジストであってもよく、互いに異なる種類のネガ型レジストであってもよい。また、ポジ型レジストとネガ型レジストの組み合わせであってもよい。ただし、「ポジ型レジスト」とは、光（もしくは、Ｘ線、電子ビーム）の照射により現像液に可溶となる特性をもつレジストであり、「ネガ型レジスト」とは、光（もしくは、Ｘ線、電子ビーム）の照射により現像液に不溶（もしくは難溶）となる特性をもつレジストである。
【００７９】
第１レジスト膜形成処理および第２レジスト膜形成処理のそれぞれに用いるレジスト材料が特定されると、続いて、処理温度特定部９０は、硬化熱処理の処理温度を決定する（ステップＳ９２）。具体的には、処理温度特定部９０は、まず、第１レジスト膜形成処理に用いるレジスト材料（第１レジスト材料）のガラス転移点を特定する（ステップＳ９２１）。この実施の形態においては、メインコントローラ９１のメモリに、図８に例示されるような、各種レジスト材料のガラス転移点を記述したファイルＦが格納されているものとする。処理温度特定部９０は、ファイルＦを参照して、第１レジスト材料のガラス転移点を特定する。ここで特定されたガラス転移点の温度が、硬化熱処理に必要な最低の温度となる。
【００８０】
第１レジスト材料のガラス転移点が特定されると、処理温度特定部９０は、特定されたガラス転移点に基づいて、硬化熱処理の処理温度を決定する（ステップＳ９２２）。具体的には、第１レジスト材料のガラス転移点以上の温度を、硬化熱処理の処理温度に決定する。なお、一般に、処理温度が低い方が熱処理における基板の表面温度の面内均一性を担保しやすい。したがって、硬化熱処理の処理温度はガラス転移点に決定することが好ましい。
【００８１】
硬化熱処理の処理温度が決定すると、続いて、処理温度特定部９０は、レシピに記述された一連の処理工程に含まれる熱処理工程のうち、第１レジスト膜に対する現像処理より先に行われる熱処理工程のうちのいずれかの熱処理工程を、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択する（ステップＳ９３）。第１レジスト膜に対する現像処理より先に行われる熱処理工程には、一般的に、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理（第１塗布後熱処理）や、第１レジスト膜に対する露光処理（第１露光処理）後に行われる露光後熱処理（第１露光後熱処理）等がある。
【００８２】
なお、硬化熱処理を行う熱処理工程がレシピで指定されている場合、処理温度特定部９０は、レシピで指定された熱処理工程を、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択する。
【００８３】
また、硬化熱処理を行う熱処理工程がレシピで指定されていない場合、処理温度特定部９０は、オペレータからの選択操作に基づいて硬化熱処理を行う熱処理工程を選択する。例えば、メインパネルＭＰに、図９に例示するような選択画面Ｈを表示し、ここからオペレータに、いずれの熱処理工程において硬化熱処理を行うかを選択させる。選択画面Ｈには、選択可能な熱処理工程の候補として、レシピに記述された一連の処理工程に含まれる熱処理工程のうち、第１レジスト膜に対する現像処理より先に行われる熱処理工程を一連表示すればよい。
【００８４】
続いて、処理温度特定部９０は、ステップＳ９３で選択された熱処理工程の処理温度を、ステップＳ９２で決定された処理温度に設定する（ステップＳ９４）。具体的には、レシピの記述に基づいて、ステップＳ９３で選択された処理工程を実行する処理部を特定し、特定された処理部の処理温度（ただし、第１レジスト膜に対して加熱処理を行う際の処理温度）を、ステップＳ９２で決定された処理温度に設定する。これにより、ステップＳ９３で選択された熱処理工程において硬化熱処理が行われることになる。
【００８５】
〈４．基板処理装置の動作〉
続いて、ダブルパターンニング処理を実行する場合の基板処理装置５００の動作について、図１０〜図１２を参照しながら説明する。図１０〜図１１は、ダブルパターンニング処理を実行する場合に基板処理装置５００にて行われる処理の流れを示す図である。また、図１２は、一連の処理を施される基板の状態を模式的に示した図である。なお、基板処理装置５００において実行される一連の処理動作は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容にしたがって、メインコントローラ９１がセルコントローラ９１Ｃのそれぞれに指示を与え、当該指示に応じて各セルコントローラ９１Ｃが、その制御下におくセルの各構成部を制御することにより実行される。
【００８６】
なお、以下に説明する一連の処理の実行に先だって、処理温度特定部９０が、上述した一連の処理（ステップＳ９１〜ステップＳ９４（図６参照））を実行して、レシピに記述された一連の処理工程に含まれる熱処理工程のうちのいずれかの熱処理工程を、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択し、当該熱処理工程の処理温度を、硬化熱処理の処理温度として決定された値に設定している。
【００８７】
例えば、上述した一連の処理において、ガラス転移点が「１６０℃」のレジスト材料が第１レジスト材料として選択され（ステップＳ９１）、硬化熱処理の熱処理温度が「１６０℃」に決定され（ステップＳ９２）、また、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理（第１塗布後熱処理）が、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択された場合（ステップＳ９３）、処理温度特定部９０は、第１塗布後熱処理の処理温度を「１６０℃」に設定する（ステップＳ９４）。以下の説明においては、上述した一連の処理が実行されることによって、第１塗布後熱処理の処理温度が「１６０℃」に設定されているものとする。
【００８８】
まず、インデクサブロック９のキャリア載置台９２上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたキャリアＣが搬入される（ステップＳ１）。
【００８９】
キャリア載置台９２上にキャリアＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００９０】
反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ２）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００９１】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ３）。反射防止膜用熱処理部１００，１０１における熱処理が終了すると、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００９２】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、第１レジスト材料として選択されたレジスト材料が供給ノズル４２から吐出され、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗに当該レジスト材料が供給される。これによって、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部に、第１レジスト膜が塗布形成される（第１レジスト膜形成処理）（ステップＳ４）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された第１レジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００９３】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の加熱処理（第１塗布後熱処理）および所定の冷却処理が行われる（ステップＳ５）。ただし、ここでは、第１塗布後熱処理が硬化熱処理を行う熱処理工程として選択されており、第１塗布後熱処理の処理温度は硬化熱処理の熱処理温度「１６０℃」に設定されている。したがって、第１塗布後熱処理は「１６０℃」での加熱処理が行われる。レジスト膜が塗布形成された後の基板Ｗを加熱することによって、レジスト膜中の残存溶剤が蒸発するとともに、レジスト膜と基板Ｗとの間の密着性が強化される（塗布後熱処理（ＰＡＢ（Post apply bake）））。特にここでは、基板Ｗを第１のレジスト材料のガラス転移点で加熱する。これによって、基板Ｗ上に塗布形成された第１レジスト膜を構成する第１のレジスト材料が硬化する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００９４】
現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００９５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面の第１レジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される（ステップＳ６）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００９６】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ７）。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００９７】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。更に、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【００９８】
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ８）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、液浸露光処理により基板Ｗの表面に形成された第１レジスト膜が露光され、フォトマスクに描かれた回路パターン（第１回路パターン）が第１レジスト膜に焼き付けられる（第１露光処理）。なお、露光装置１７は、最後の被処理基板Ｗに対する第１露光処理が終了すると、続く第２露光処理に備えてフォトマスクの交換を行う。
【００９９】
その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから第１露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ９）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、第１露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ１０）。
【０１００】
洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【０１０１】
インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、第１露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理（第１露光後熱処理）および所定の冷却処理が行われる（ステップＳ１１）。露光に引き続いて加熱処を行うことによって、化学増幅型レジストの露光後の触媒反応が促進される（露光後熱処理（ＰＥＢ（Post exposure bake）））。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【０１０２】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ１２）。
【０１０３】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【０１０４】
更に、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（第１現像処理）（ステップＳ１３）。現像液処理によって第１レジスト膜の余分な部分が除去されて、第１回路パターンに応じたレジストパターン（第１レジストパターン）が基板Ｗの表面に現れる。
【０１０５】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１４）。現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１０６】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。更に、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをキャリア載置台９２上のキャリアＣに一旦収納する（ステップＳ１５）。
【０１０７】
続いて、インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された基板Ｗを再び取り出す（ステップＳ１６）。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転し、取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【０１０８】
反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【０１０９】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、第２レジスト材料として選択されたレジスト材料が供給ノズル４２から吐出され、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗに当該レジスト材料が供給される。これによって、基板Ｗの上面に形成された第１のレジストパターンの上部に、第２レジスト膜が塗布形成される（第２レジスト膜形成処理）（ステップＳ１７）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された第２レジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。なお、先に行われた第１塗布後熱処理（ステップＳ５）において硬化熱処理が行われているため、基板Ｗの上面に形成されている第１のレジストパターンが、その上から塗布された第２レジスト材料の溶剤に溶けることはない。
【０１１０】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の加熱処理（第２塗布後熱処理）および所定の冷却処理が行われる（ステップＳ１８）。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における第２塗布後熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【０１１１】
現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【０１１２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面の第２レジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される（ステップＳ１９）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【０１１３】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ２０）。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【０１１４】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。更に、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【０１１５】
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ２１）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、液浸露光処理により基板Ｗの表面に形成された第２レジスト膜が露光され、フォトマスク（交換後のフォトマスク）に描かれた回路パターン（第２回路パターン）が第２レジスト膜に焼き付けられる（第２露光処理）。
【０１１６】
その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから第２露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ２２）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、第２露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ２３）。
【０１１７】
洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【０１１８】
インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の加熱処理（第２露光後加熱処理）および所定の冷却処理が行われる（ステップＳ２４）。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における第２露光後熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【０１１９】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ２５）。
【０１２０】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【０１２１】
更に、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（第２現像処理）（ステップＳ２６）。現像処理によって第２レジスト膜の余分な部分が除去されて、第２回路パターンに応じたレジストパターン（第２レジストパターン）が基板Ｗの表面に現れる。すなわち、基板Ｗの表面は、第１レジストパターンと第２レジストパターンとが形成された状態となっている。
【０１２２】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ２７）。現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１２３】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。更に、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをキャリア載置台９２上のキャリアＣに収納する。その後、キャリア載置台９２上からキャリアＣが搬出され（ステップＳ２８）、基板処理装置５００における一連の基板処理が終了する。
【０１２４】
なお、上記においては、第１塗布後熱処理（ステップＳ５）が、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択されている場合について説明したが、他の熱処理工程（ただし、第１レジスト膜に対する現像処理より先に行われる熱処理工程）が、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択されてもよい。
【０１２５】
例えば、第１露光後熱処理（ステップＳ１１）が硬化熱処理を行う熱処理工程として選択されていてもよい。図１３は、第１露光後熱処理が硬化熱処理を行う熱処理工程として選択されている場合において、上記の一連の処理を施される基板の状態を模式的に示した図である。この場合、ステップＳ５で行われる加熱処理ではなく、ステップＳ１１で行われる加熱処理が、硬化熱処理の熱処理温度で行われることになる。この場合、第１露光後熱処理によって、基板Ｗ上に塗布形成された第１レジスト膜を構成する第１のレジスト材料が硬化する。したがって、第２レジスト膜形成処理（ステップＳ１７）において基板Ｗの上面に形成された第１のレジストパターンの上部に第２レジスト膜が塗布形成されても、第１のレジストパターンが塗布された第２レジスト材料の溶剤に溶けることはない。
【０１２６】
〈５．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置５００によると、基板Ｗを第１レジスト材料のガラス転移点以上の温度で加熱処理する硬化熱処理を行って第１レジスト材料を硬化させるので、第１のレジストパターンが、その上に塗布された第２のレジスト材料の溶剤に溶けることを防止できる。特に、第１レジスト膜に対する現像処理より先に行われる熱処理工程を、硬化熱処理を行う熱処理工程として選択する（すなわち、第１レジスト材料が基板表面に膜状態で存在している状態の間に、硬化熱処理を行う）ので、先に形成された第１レジストパターンがだれないように紫外線を照射する工程を行わずとも、上記の効果を得ることができる。すなわち、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成された第１レジストパターンがその上に塗布された第２レジスト材料の溶剤に溶けることを防止できる。
【０１２７】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置５００によると、第１塗布後熱処理や第１露光後熱処理等のように、レジスト材料を硬化させる目的以外の目的で行われる熱処理において硬化熱処理を行うので、処理効率を低下させることなく上記の効果を得ることができる。
【０１２８】
特に、第１塗布後熱処理において硬化熱処理を行えば、第１露光処理における酸の拡散を制御しやすくなる。レジスト材料をガラス転移点以上の温度まで昇温するとレジスト材料における酸の拡散速度が遅くなるからである。逆に、第１塗布後熱処理ではなく第１露光後熱処理において硬化熱処理を行えば、第１露光処理において速やかに酸を拡散させることが可能となる。したがって、例えば、露光装置１７において十分な露光量が得られない場合は、第１露光後熱処理において硬化熱処理を行うことが好ましい。
【０１２９】
ところで、ダブルパターンニング処理において第１レジスト材料、第２レジスト材料の両方にポジ型レジストを用いると、図１４（ａ）に示されるように、第２露光処理の際に第１レジストパターンに光が照射されてしまう。したがって、第２露光処理において第１レジストパターンが現像液に可溶になり、第２現像処理において第１レジストパターンが除去されてしまう、という危険がある。通常は、このような事態を危惧して、ポジ型レジスト同士の組み合わせでダブルパターンニング処理を行うことは避けられていた。
【０１３０】
しかしながら、上記の実施の形態に係る基板処理装置５００においては、第１レジスト膜に対する現像処理より先に硬化熱処理を行うことによって、このような事態を確実に回避することができる。したがって、第１レジスト材料、第２レジスト材料の両方にポジ型レジストを用いることが可能となる。その理由は次の通りである。
【０１３１】
ポジ型レジスト同士を組み合わせてダブルパターンニング処理を行う場合、酸拡散剤として、比較的高い温度（例えば１３０℃程度以上）で反応する反応基を含むレジスト材料と、酸拡散剤として、比較的低い温度（例えば、１００℃程度）で反応する反応基を含むレジスト材料とを、それぞれ第１レジスト材料、第２レジスト材料として用いる。もしくは、これら２種類の反応基を両方含むレジスト材料を、第１レジスト材料および第２レジスト材料として兼用する。
【０１３２】
ところで、基板処理装置５００においては、第１レジスト膜に対する現像処理より先に硬化熱処理を行い、ここで基板Ｗをガラス転移点以上の温度で加熱処理するところ、一般的なレジスト材料のガラス転移点はおよそ１５０℃〜１７０℃の範囲にある。このため、硬化熱処理を行うと、第１レジスト膜において、比較的高い温度で反応する反応基による酸の拡散が起こる。
【０１３３】
一方、第２レジスト膜に対する熱処理（第２塗布後熱処理、第２露光後熱処理等）においては、その処理温度をガラス転移点以上の温度とする必要はなく、また、上述したとおり、熱処理においては処理温度が低い方が処理の均一性を担保しやすいので、処理温度は当該熱処理の目的を達成するのに必要な最低の温度（１００℃程度）に設定される。このため、第２レジスト膜においては、比較的低い温度で反応する反応基により酸の拡散が起こり、このとき、先に形成されている第１レジストパターンにおいては酸の拡散が殆ど起こらない。したがって、第２現像処理において第１レジストパターンが除去されてしまうことがなく、第１レジストパターン、第２レジストパターンの両方を基板Ｗ上に形成することができる（図１４（ｂ））。
【０１３４】
なお、第１レジスト材料がポジ型レジスト、第２レジスト材料がネガ型レジストである場合、図１５（ａ）に示されるように、第２露光処理の際に第１レジストパターンに光が照射されることはない。したがって、第２露光処理において第１レジストパターンが現像液に可溶になってしまうことはなく、第２現像処理によって第１レジストパターンが除去されてしまう危険性はない。第１レジスト材料がネガ型レジスト、第２レジスト材料がポジ型レジストである場合も同様で、この場合は、第２露光処理の際に、第１レジストパターンに光が照射されるので、第２現像処理によって第１レジストパターンが除去されてしまう危険はない。また、第１レジスト材料、第２レジスト材料の両方がネガ型レジストである場合、図１５（ｂ）に示されるように、第１レジストパターンは、第１露光処理において一度光の照射を受けているので、第２露光処理において光の照射を受けなくとも、現像液に可溶になってしまうことはない。したがって、第２現像処理によって第１レジストパターンが除去されてしまう危険はない。
【０１３５】
〈６．変形例〉
上記の各実施の形態においては、半導体基板Ｗを処理対象としていたが、本発明の基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。
【符号の説明】
【０１３６】
９    インデクサブロック
１０    反射防止膜用処理ブロック
１１    レジスト膜用処理ブロック
１２    現像処理ブロック
１３    レジストカバー膜用処理ブロック
１４    レジストカバー膜除去ブロック
１５    洗浄／乾燥処理ブロック
１６    インターフェースブロック
１７    露光装置
９１    メインコントローラ
１００，１０１    反射防止膜用熱処理部
５００    基板処理装置
９０    処理温度特定部
Ｗ    基板
【図１】
2010232241.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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