(57)【要約】【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。【選択図】図１
2010287653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、
前記銅配線上に形成された拡散防止膜と、
を有し、
前記拡散防止膜は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である、半導体装置。
【請求項２】
前記有機シリカ膜に含まれる窒素含有量が原子比で３％以上１６％以下である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記拡散防止膜は、前記銅配線に接する第一のバリア膜と、前記第一のバリア膜上に形成された第二のバリア膜と、を有し、
前記第一のバリア膜と前記第二のバリア膜との膜厚比が１：９〜６：４である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記銅配線を被覆する金属膜をさらに有し、
前記金属膜上に前記拡散防止膜が積層されている、請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属膜がＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＳｎＰ、ＣｏＳｎＢ、ＮｉＢ及びＮｉＭｏＢのいずれかから選択される金属からなる、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記拡散防止膜が前記銅配線の表面に接している、請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に銅配線を埋め込む工程と、
前記銅配線上に拡散防止膜を形成する工程と、
を含み、
前記拡散防止膜を形成する前記工程において、直鎖状有機シリカ化合物と窒素原子を含むガスとを用いたＣＶＤ法により前記拡散防止膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記直鎖状有機シリカ化合物が、下記式（１）に示す化合物である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【化１】
2010287653.tif 000013
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は飽和炭素化合物、Ｒ４は不飽和炭素化合物であり、Ｒ１〜Ｒ３はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基のいずれかであり、Ｒ４は、ビニル基またはアリル基を表す。）
【請求項９】
前記直鎖状有機シリカ化合物が下記式（２）乃至（５）のいずれかである、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【化２】
2010287653.tif 000014
【化３】
2010287653.tif 000015
【化４】
2010287653.tif 000016
【化５】
2010287653.tif 000017
【請求項１０】
前記窒素原子を含むガスがアンモニアガスまたは窒素ガスを含む、請求項７乃至９いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記拡散防止膜を形成する前記工程は、チャンバー内で行い、前記拡散防止膜を形成する前記工程の直後に、前記チャンバー内で、前記拡散防止膜上に第二の絶縁膜を成膜する工程を有する、請求項７乃至１０いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第二の絶縁膜が、下記式（６）に示す環状有機シリカ化合物である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【化６】
2010287653.tif 000018
（式（６）中、Ｒ５、Ｒ６は不飽和炭素化合物または飽和炭素化合物であり、ビニル基、アリル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基のいずれかを表す。）
【請求項１３】
前記環状有機シリカ化合物が下記式（７）〜（９）に示す構造を有する、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【化７】
2010287653.tif 000019
【化８】
2010287653.tif 000020
【化９】
2010287653.tif 000021
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン半導体集積回路（ＬＳＩ）において、微細化が進むにつれ寄生容量の増加に伴う消費電力の増加や、信号遅延が問題となってくる。これら問題を回避するために層間絶縁膜の比誘電率の低下が不可欠となり、ポーラス膜が適用されるようになった。ポーラス膜の成膜には成膜時にポロジェンを膜中に導入し、それらをポストキュア処理等により排除する方法が一般に用いられる。この方法により、比誘電率２．０前半の層間絶縁膜が得られるようになった。
【０００３】
特許文献１、２には、環状モノマー、または、環状モノマーおよび直鎖状モノマーを原料としたプラズマ重合法によって、層間絶縁膜の比誘電率を低下させる試みが記載されている。しかしながら、実効誘電率の低下には、さらなる層間絶縁膜での低誘電率化が必要となってくる。
【０００４】
また、導電材料に使用される銅（Ｃｕ）の拡散を防止することで、実効誘電率を低下させる技術も知られている。具体的には、Ｃｕ配線の側面および底面には、導電性の金属膜を用い、Ｃｕ配線の上面には、絶縁膜を用いることで、Ｃｕの拡散を防止している。この絶縁膜としては、主に、ＳｉＮ膜やＳｉＣＮ膜が使われる。しかしながら、これら拡散防止用の絶縁膜は比誘電率が４．９であり、層間絶縁膜や酸化膜と比較しても高く、実効誘電率の低下の妨げとなっている。
【０００５】
特許文献３では、モノシランとアンモニア（ＮＨ３）ガスを原料とした触媒ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＮ膜を成膜する方法が示されている。この方法では安価な原料ガスのみで、比誘電率３．５程度の絶縁膜が得られることが記載されている。しかしながら、特許文献３に記載の技術を用いた場合、低い比誘電率が得られるのは４００℃以上の高温成膜時のみであり、４００℃より低い温度では、比誘電率４以上とシリコン酸化膜とかわらない数値を示す。
【０００６】
そこで、特許文献４では、ＳｉＮ膜に代わりＳｉＣ膜を用いる方法が提案されている。特許文献４には、同一チャンバー内において基板に対してＮＨ３プラズマ処理を行う工程と、ＮＨ３プラズマ処理を行う工程に引き続きＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法にＳｉＣ膜を成膜する方法が示されている。この方法では、ＳｉＣ膜の成膜の前にモノシラン（ＳｉＨ４）／一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）系のプラズマによりチャンバー内をクリーニングすることで、窒素を含む反応生成物を除去する。こうすることにより、低誘電率で、かつ、拡散防止能を備えたＳｉＣ膜を得ることが出来ることが記載されている。
【０００７】
また、特許文献５では、不飽和炭化水素及びアモルファスカーボンを含む有機シリカ膜、または、この有機シリカ膜とＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮなどの内層絶縁膜との二層構造によりキャップ膜を形成することが記載されている。有機シリカ膜は、従来の絶縁膜よりも、低誘電率で、かつ、Ｃｕの拡散耐性を有することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００８／０１０５９１号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００７／１３２８７９号パンフレット
【特許文献３】特開２００２−０７５９９２号公報
【特許文献４】特開２００６−２５３２９０号公報
【特許文献５】国際公開第２００８／０７８６４９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献４、５の技術では、拡散防止能力が不足するという問題があった。そのため、半導体装置の歩留まりや、信頼性が低下することがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、
前記銅配線上に形成された拡散防止膜と、
を有し、
前記拡散防止膜は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である、半導体装置、
が提供される。
【００１１】
また、本発明によれば、
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に銅配線を埋め込む工程と、
前記銅配線上に拡散防止膜を形成する工程と、
を含み、
前記拡散防止膜を形成する前記工程において、直鎖状有機シリカ化合物と窒素原子を含むガスとを用いたＣＶＤ法により前記拡散防止膜を形成する、半導体装置の製造方法、
が提供される。
【００１２】
この発明によれば、直鎖状有機シリカ化合物および窒素原子を含むガスを用いて拡散防止膜を形成する。これにより、窒素を含む有機シリカ膜からなる拡散防止膜を得ることができる。これにより、Ｃｕの拡散防止能に優れ、かつ、比誘電率の低い拡散防止膜を得ることができる。したがって、実効誘電率が低減し、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造装置を模式的に示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造装置を模式的に示す図である。
【図５】第２の実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】第３の実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図９】実施例１の結果を示す図である。
【図１０】実施例２の結果を示す図である。
【図１１】実施例３の結果を示す図である。
【図１２】実施例４の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の半導体装置の配線構造を示す模式的な断面図である。この半導体装置は、基板（図示しない）と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２（絶縁膜）と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれた銅（Ｃｕ）配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜（拡散防止膜、第二のバリア膜）４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。
【００１７】
基板は、たとえば、単結晶シリコン基板や、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、液晶製造用基板などの半導体基板である。
【００１８】
層間絶縁膜５１、５２には、ビア及びＣｕ配線１が埋めこまれ、これらが絶縁分離されている。層間絶縁膜５１、５２は、シリコン酸化膜（比誘電率４．２）よりも比誘電率の低い材料を用いて形成すると好ましい。こうすることで、半導体素子を接続する多層配線間の容量を低減することができる。具体的には、多孔質絶縁膜を用いることが好ましく、例えば、シリコン酸化膜を多孔化したり、ＨＳＱ（ハイドロゲンシルセスキオキサン（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ））膜、もしくはＳｉＯＣＨ、ＳｉＯＣ（例えば、Ｂｌａｃｋ  ＤｉａｍｏｎｄＴＭ、ＣＯＲＡＬＴＭ、ＡｕｒｏｒａＴＭ）などを多孔化して得ることができる。また、層間絶縁膜５１、５２は、後述する環状有機シリカ化合物を用いて形成してもよい。
【００１９】
Ｃｕ配線１は、半導体装置を電気的に接続するものである。Ｃｕ配線１は、Ｃｕを主成分とするダマシン配線である。ダマシン配線とは、あらかじめ形成された層間絶縁膜５１の溝に、金属配線材を埋め込み、溝内以外の余剰な金属を、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などにより除去することで形成される埋め込み配線をいう。Ｃｕによりダマシン配線を形成する場合には、Ｃｕ配線１の側面および外周をバリアメタル膜２で覆い、Ｃｕ配線１の上面を第一のバリア絶縁膜３で覆う配線構造が一般に用いられる。Ｃｕ配線１は、Ｃｕからなる部材で形成されてもよいし、Ｃｕ以外の金属元素をＣｕからなる部材に含めてもよい。
【００２０】
バリアメタル膜２は、バリア性を有する導電性膜であり、Ｃｕ配線１を構成する金属元素が層間絶縁膜５１、５２や下層へ拡散することを防止するために、Ｃｕ配線１の側面および底面を被覆する。例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭窒化タングステン（ＷＣＮ）のような高融点金属やその窒化物等、またはそれらの積層膜が使用される。
【００２１】
Ｃｕ配線１の上面には、第一のバリア絶縁膜３（第一のバリア膜）がＣｕ配線１と接するように形成されている。第一のバリア絶縁膜３は、Ｃｕの酸化や層間絶縁膜５中へのＣｕの拡散を防ぐキャップ膜である。また、第一のバリア絶縁膜３は、Ｃｕ配線１表面の酸化を抑制する。さらに、第一のバリア絶縁膜３は、加工時にエッチングストップ層としての役割を有する。第一のバリア絶縁膜３として、例えば、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＮ膜などが用いられる。
【００２２】
第二のバリア絶縁膜４は、式（１）で示す直鎖状有機シリカ化合物を用いたプラズマＣＶＤ法により、炭素二重結合及びアモルファスカーボン構造を備えた有機シリカ膜として形成させることができる。式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は飽和炭素化合物、Ｒ４は不飽和炭素化合物であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、Ｒ４は、ビニル基、アリル基のいずれかである。プラズマＣＶＤ法とは、例えば、気体状の原料を減圧下の反応室に連続的に供給し、プラズマエネルギーによって、分子を励起状態にし、気相反応、あるいは基板表面反応などによって基板上に連続膜を形成する手法である。本実施形態では、上記プラズマＣＶＤ法の際、直鎖状有機シリカ化合物とともに窒素を含むガスを反応系内に投入する。こうすることで、有機シリカ膜に窒素原子を導入させることができる。第二のバリア絶縁膜４の成膜法について、詳細は後述する。
【００２３】
【化１】
2010287653.tif 000003
【００２４】
第二のバリア絶縁膜４は、第一のバリア絶縁膜３と比較し比誘電率が低く、かつ、Ｃｕ配線１が拡散するのを防ぐ。第二のバリア絶縁膜４は、第一のバリア絶縁膜３上に形成されている。第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚比は、１：９〜６：４の範囲にすると好ましい。
【００２５】
第二のバリア絶縁膜４を形成する有機シリカ膜に含まれる窒素含有量は、原子比で３％以上１６％以下とすることが好ましい。３％以上とすることで、より効果的にＣｕ拡散を阻止し、膜強度を高めることができる。また、第二のバリア絶縁膜４の窒素含有量１６％以下とすることで、誘電率を十分に低くすることができる。
【００２６】
つづいて、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図２は、本実施形態の半導体装置を製造する方法を説明する断面図である。まず、図２（ａ）で示すように、図示しない基板上に層間絶縁膜５１を形成する。ついで、リソグラフィー及び異方性エッチングによって、層間絶縁膜５１中に配線溝および配線孔を形成する。ついで、配線溝および配線孔のそれぞれの底面及び側面に、バリアメタル膜２を形成した後、層間絶縁膜５１にＣｕ配線１を埋め込む。ついで、Ｃｕ粒成長のための熱処理を施す。この熱処理の温度は２００℃〜４００℃、時間は３０秒〜１時間に設定する。ついで、ＣＭＰなどの研磨技術を用い、配線溝および配線孔以外の余剰なＣｕおよびバリアメタルを除去する（図２（ａ））。ＣＭＰ法とは、研磨液をウェハ表面に流しながら回転させた研磨パッドにウェハ表面を接触させて研磨する方法である。ＣＭＰ法によれば、Ｃｕ配線１の表面を平坦化することができる。なお、層間絶縁膜５１の形成後、配線溝および配線孔を形成前に、層間絶縁膜５１上にハードマスク膜（図示しない）を形成してもよい。ハードマスク膜は、たとえば、酸化シリコンなどを用いた絶縁膜である。ハードマスク膜を層間絶縁膜５１に積層することで、層間絶縁膜５１の低誘電率化による強度低下により、直接ＣＭＰを行うのが困難な場合に、層間絶縁膜５１を保護することができる。
【００２７】
ついで、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣのいずれかから成る第一のバリア絶縁膜３を層間絶縁膜５１上に形成する。その後、直鎖状有機シリカ化合物および窒素原子を含むガスを用いて、同じくプラズマＣＶＤ法により第一のバリア絶縁膜３上に第二のバリア絶縁膜４を形成する（図２（ｂ））。このとき、第一のバリア絶縁膜３及び第二のバリア絶縁膜４のそれぞれの膜厚の和は、通常用いるバリア絶縁膜の膜厚に等しくする。またこの第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚の比は１：９から６：４程度であることが好ましい。
【００２８】
ついで、層間絶縁膜５２を堆積させ（図２（ｃ））、層間絶縁膜５１中に配線溝および配線孔を形成する（図２（ｄ））。配線溝および配線孔のそれぞれの底面及び側面に、バリアメタル膜２を形成した後（図２（ｅ））、層間絶縁膜５１にＣｕ配線１を埋め込み（図２（ｆ））、配線溝および配線孔以外の余剰なＣｕおよびバリアメタルを除去する（図２（ｇ））。図２（ｈ）〜（ｉ）では、図２（ｂ）〜（ｃ）を繰り返す。図２（ｉ）の構造を完成させた後、さらに、図２（ｃ）〜（ｉ）の動作を繰り返して、多層配線構造を作製する。このようにして配線層を形成させた後は、通常の製造工程を行って半導体装置を完成させる。
【００２９】
第二のバリア絶縁膜４を形成する工程についてさらに詳細に説明する。第二のバリア絶縁膜４は、少なくとも１種以上の直鎖状有機シリカ化合物と窒素原子を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。具体的には、窒素原子を含むガスは、アンモニアガス、窒素ガスまたはこれらの混合ガスを含むガスとすることができるが、還元性の高いガスが好ましいため、アンモニアガスを用いるとより好ましい。
【００３０】
第二のバリア絶縁膜４は、たとえば、図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて形成することができる。図示するプラズマＣＶＤ装置は、反応室（チャンバー）１０１と下部電極１０２と上部電極１０３とを備える。反応室１０１は、プラズマ重合反応により成膜を行う容器である。下部電極１０２は、ヒーター（図示せず）によって３００℃以上に加温されている。また、上部電極１０３には、同心円状あるいは、らせん状にガス供給孔が配置されている。上部電極１０３にはＲＦ電源１０４によって発生した高周波が印加され、この高周波はマッチングボックス１０５によってインピーダンスの整合が行われる。上部電極１０３に高周波が印加されることで下部電極１０２との間にプラズマが発生し、基板１０６上に重合膜が形成される。直鎖状有機シリカ化合物は、液体として、リザーバー１０７内に蓄えられ、圧送ガスユニット１０８から供給される圧送ガスによって押し出される。直鎖状有機シリカ化合物は、液体マスフロー１０９によって流量が制御され、気化器１１０に導入される。気化器１１０には搬送ガスユニット１１１から供給される搬送ガスも導入されている。搬送ガスは気化器導入前に気体マスフロー１１２によって流量制御されている。搬送ガスには、希ガスを用い、たとえば、ヘリウムガスやアルゴンガスを用いる。気化器１１０内で原料と搬送ガスは混合され、直鎖状有機シリカ化合物は、気化器１１０内の温度によって液体から気体となり、搬送ガスと気化した直鎖状有機シリカ化合物との混合気体が反応室１０１に導入される。同時に窒素系ガスユニット１１３からは窒素原子を含むガスが反応室１０１内に供給される。反応室１０１内でプラズマ重合反応によって使用されたガスは、真空ポンプ１１４により排気される。
【００３１】
直鎖状有機シリカ化合物には、前述した式（１）で示される直鎖状有機シリカ化合物を用いる。より具体的には、第二のバリア絶縁膜４の原料は下記式（２）〜（５）で示される直鎖状有機シリカ化合物を用いる。
【００３２】
【化２】
2010287653.tif 000004
【００３３】
【化３】
2010287653.tif 000005
【００３４】
【化４】
2010287653.tif 000006
【００３５】
【化５】
2010287653.tif 000007
【００３６】
第二のバリア絶縁膜４の成膜方法の一例を以下に示す。リザーバー１０７に蓄えられた式（１）に示される直鎖状有機シリカ化合物は圧送ガスユニット１０８からＨｅガスの圧力によって押し出される。押し出された液体の直鎖状有機シリカ化合物は、液体マスフロー１０９によって流量を０．１〜５ｇ／ｍｉｎに制御され気化器１１０内に導入される。一方、搬送ガスユニット１１１よりＨｅガスが気体マスフロー１１２によって１００〜１０００ｓｃｃｍに制御され気化器１１０に導入される。気化器１１０の温度は、式（１）に示す直鎖状有機シリカ化合物の構造や側鎖により決定され、具体的には、直鎖状有機シリカ化合物の原料の常圧（１気圧）での沸点に対し±１００℃前後の温度が選択される。気化器１１０内で気化した直鎖状有機シリカ化合物のガスと搬送ガスであるＨｅガスとが混合し、反応室１０１に導入される。また、窒素系ガスユニット１１３より導入される窒素原子を含んだガスは、５〜５００ｓｃｃｍである。成膜時の圧力は、直鎖状有機シリカ化合物の種類、直鎖状有機シリカ化合物のガスと搬送ガスとの混合比率により設定することができるが、たとえば、８００Ｐａ以下とする。成膜時のＲＦ電源１０４の出力は、反応室１０１の体積、上部電極１０３と下部電極１０２との間隔に依存し、成膜の際プラズマが安定する領域を選択することができるが、たとえば、２ｋＷ以下とする。
【００３７】
また、第二のバリア絶縁膜４を形成した後に、同一の反応室１０１を使い、図２（ｂ）及び図２（ｃ）で示す工程を連続的に行って、第二のバリア絶縁膜４上に層間絶縁膜５２（第二の絶縁膜）を成膜してもよい。図４は、このとき使用されるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。
【００３８】
図４において図示するプラズマＣＶＤ装置には、原料のリザーバー１０７ａ、ｂが２つ装備しておりそれぞれが独立に気化および反応室１０１ａへの導入が可能である点が図３のプラズマＣＶＤとは異なる。
【００３９】
図４のプラズマＣＶＤ装置の基本的な構成は、図３の装置と同様であるが、反応室（チャンバー）１０１ａと下部電極１０２ａと上部電極１０３ａとを備える。反応室１０１ａは、プラズマ重合反応により成膜を行う容器である。下部電極１０２ａは、ヒーター（図示せず）によって３００℃以上に加温されている。また、上部電極１０３ａには、同心円状あるいは、らせん状にガス供給孔が配置されている。上部電極１０３ａにはＲＦ電源１０４ａによって発生した高周波が印加され、この高周波はマッチングボックス１０５ａによってインピーダンスの整合が行われる。上部電極１０３ａに高周波が印加されることで下部電極１０２ａとの間にプラズマが発生し、基板１０６ａ上に重合膜が形成される。直鎖状有機シリカ化合物は、液体として、リザーバー１０７ａ内に蓄えられ、圧送ガスユニット１０８ａから供給される圧送ガスによって押し出される。直鎖状有機シリカ化合物は、液体マスフロー１０９ａによって流量が制御され、気化器１１０ａに導入される。気化器１１０ａには搬送ガスユニット１１１ａから供給される搬送ガスも導入されている。搬送ガスは気化器導入前に気体マスフロー１１２ａによって流量制御されている。気化器１１０ａ内で原料と搬送ガスは混合され、直鎖状有機シリカ化合物は、気化器１１０ａ内の温度によって液体から気体となり、搬送ガスと気化した直鎖状有機シリカ化合物との混合気体が反応室１０１ａに導入される。同時に窒素系ガスユニット１１３ａからは窒素原子を含むガスが反応室１０１ａ内に供給される。反応室１０１ａ内でプラズマ重合反応によって使用されたガスは、真空ポンプ１１４ａにより排気される。
【００４０】
リザーバー１０７ｂには層間絶縁膜５２の原料となる材料を蓄える。層間絶縁膜５２の原料は、たとえば、下記式（６）で示される環状有機シリカ化合物とする。式（６）中Ｒ５、Ｒ６は不飽和炭素化合物または飽和炭素化合物であり、ビニル基、アリル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基のいずれかである。
【００４１】
【化６】
2010287653.tif 000008
【００４２】
より具体的には、層間絶縁膜５２の原料は、たとえば、下記式（７）〜（９）で示される環状有機シリカ化合物とすることができる。
【００４３】
【化７】
2010287653.tif 000009
【００４４】
【化８】
2010287653.tif 000010
【００４５】
【化９】
2010287653.tif 000011
【００４６】
第二のバリア絶縁膜４を成膜した後、層間絶縁膜５２を同一の反応室１０１ａで成膜する方法を以下に説明する。上述した第二のバリア絶縁膜４を基板１０６ａ上に成膜した後、窒素系ガスユニット１１３ａからのガス供給を停止し、液体マスフロー１０９ａの流量を遷移的に下げて行き最終的に０とする。同様に搬送ガスであるＨｅ流量も気体マスフロー１１２ａの流量を遷移的に下げて行き最終的に０とする。その遷移中に、リザーバー１０７ｂに蓄えられた式（６）に示される環状有機シリカ化合物が、圧送ガスユニット１０８ｂからＨｅガスの圧力によって押し出される。押し出された液体の環状有機シリカ化合物は、液体マスフロー１０９ｂによって流量を０．１〜５ｇ／ｍｉｎに制御され気化器１１０ｂ内に導入される。一方、搬送ガスユニット１１１ｂよりＨｅガスが気体マスフロー１１２ｂによって１００〜１０００ｓｃｃｍに制御され気化器１１０ｂに導入される。気化器１１０ｂの温度は、式（６）に示す環状有機シリカ化合物の構造や側鎖により決定される。具体的には、この環状有機シリカ化合物の常圧（１気圧）での沸点に対し、±１００℃前後の温度が選択される。
【００４７】
気化器１１０ｂ内で気化した環状有機シリカ化合物と、搬送ガスであるＨｅガスとが混合され、反応室１０１ａに導入される。気化器１１０ａには搬送ガスユニット１１１ａから供給される搬送ガスも導入されている。搬送ガスは気化器導入前に気体マスフロー１１２ａによって流量制御されている。成膜時の圧力は、環状有機シリカ化合物の種類及び環状有機シリカ化合物の蒸気と搬送ガスとの混合比率により設定することができ、たとえば、８００Ｐａ以下とする。成膜時のＲＦ電源１０４ａの出力は、反応室１０１ａの体積、上部電極１０３ａと下部電極１０２ａとの間隔に依存し、成膜の際プラズマが安定する領域を選択することができるが、たとえば、２ｋＷ以下とする。上述のように、第二のバリア絶縁膜４の成膜後遷移的に条件を変えるのではなく、ＲＦ出力及び反応室１０１ａに導入されるガスをゼロにし、反応室１０１ａ内の不活性ガスによるパージと真空引きとをそれぞれ繰り返し、その後、層間絶縁膜５２を成膜しても良い。
【００４８】
つづいて、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態によれば、直鎖状有機シリカ化合物および窒素原子を含むガスを用いて第二のバリア絶縁膜４を形成する。これにより、窒素を含む有機シリカ膜からなる第二のバリア絶縁膜４を得ることができる。これにより、Ｃｕの拡散防止能に優れ、かつ、比誘電率の低い拡散防止膜を得ることができる。したがって、実効誘電率が低減し、高速かつ消費電力の低いＬＳＩを実現することができる。
【００４９】
図１で示す構造において、側鎖に二重結合を含む直鎖状有機シリカ化合物のみを用いて第二のバリア絶縁膜４を形成した場合、ＳｉＮ膜やＳｉＣＮ膜と比較すると界面から任意の距離における拡散したＣｕ濃度が１．６倍ほど高かった。そのため、僅かであるがＳｉＮ膜やＳｉＣＮ膜よりＣｕ拡散防止能が劣っていた。また、層間絶縁膜５１、５２とも組成が似ているため、エッチングのストッパー膜として使用した場合、選択比を大きくすることができなかった。
【００５０】
一方、本実施形態では、窒素原子を含むガスを直鎖状有機シリカ化合物と同時に反応室内に導入して第二のバリア絶縁膜４の成膜を行うことで、第二のバリア絶縁膜４中に窒素を導入することができる。これにより、Ｃｕバリア性を向上させることができる。また、第二のバリア絶縁膜４中に窒素を導入することで、層間絶縁膜５１、５２のビア底部分での密着性を向上させることができる。さらに、窒素導入による組成の違いから選択性を上げることができ、第二のバリア絶縁膜４は、ビア底でのエッチングストッパーとして作用することができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態である半導体装置の配線構造を模式的に示す断面図である。本実施形態の半導体装置は、Ｃｕ配線１ａを被覆するメタルキャップ膜（金属膜）６ａをさらに有する。「被覆」とは、Ｃｕ配線１ａの上面がメタルキャップ膜６ａで覆われ、露出していないことをいう。メタルキャップ膜６ａ上に第二のバリア絶縁膜４ａが積層されているが、第１の実施形態のように第一のバリア絶縁膜３は形成されていない。その他の構成は、第１の実施形態の半導体装置と同様である。層間絶縁膜５１ａが第１の実施形態の層間絶縁膜５１に対応し、層間絶縁膜５２ａが第１の実施形態の層間絶縁膜５２に対応する。
【００５２】
メタルキャップ膜６ａは無電解めっき法により形成され、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＳｎＰ、ＣｏＳｎＢ、ＮｉＢおよびＮｉＭｏＢのいずれかから選択される金属で形成することができる。
【００５３】
メタルキャップ膜６ａは、Ｃｕの拡散耐性を有する有機シリカ膜を成膜時に成膜ガス中のＯによりＣｕ表面が酸化されるのを抑制する酸化防止層である。
【００５４】
つづいて、第２の実施形態の半導体装置の製造方法について図６を用いて説明する。図２（ａ）の構造の作製手順と同様の操作を行い、層間絶縁膜５１ａ内にバリアメタル膜２ａ及びＣｕ配線１ａを作製する（図６（ａ））。ついで、無電解めっき法を用いてＣｕ配線１ａの表面に選択的にＣｏＷＰなどのメタルキャップ膜６ａを形成する（図６（ｂ））。ついで、メタルキャップ膜６ａの上に第二のバリア絶縁膜４ａを成膜し（図６（ｃ））、その後、層間絶縁膜５２ａを堆積させる（図６（ｄ））。ついで、リソグラフィーおよび異方性エッチングによって、層間絶縁膜５２ａ中に配線溝および配線孔をそれぞれ形成する（図６（ｅ））。その後バリアメタル膜２ａを形成し（図６（ｆ））、Ｃｕ配線１ａを埋め込む（図７（ｇ））。ついで、Ｃｕ粒成長のための熱処理を施す。この熱処理の温度は２００℃〜４００℃、時間は３０秒〜１時間に設定する。続いてＣＭＰなどの研磨技術を用い、配線溝および配線孔以外の余剰な配線材料およびバリアメタルを除去する（図６（ｈ））。次に、無電解めっき法を用いてＣｕ表面に選択的にＣｏＷＰなどのメタルキャップ膜６ａを形成する（図６（ｉ））。その後、第１の実施の形態で説明したように、直鎖状有機シリカ化合物及び窒素原子を含むガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により、第二のバリア絶縁膜４ａを形成する（図６（ｊ））。図６（ｄ）〜（ｊ）を繰り返すことでより上層の配線層を形成することができる。
【００５５】
本実施形態も第１の実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００５６】
（第３の実施形態）
図７は第３の実施形態である半導体装置の配線構造を模式的に示す断面図である。この実施形態では、Ｃｕ配線１ｂに接するように第二のバリア絶縁膜４ｂが形成されている。第二のバリア絶縁膜４ｂは、第１の実施形態の第二のバリア絶縁膜４に対応し、第一のバリア絶縁膜３は形成されていない。その他の構成は、第１の実施形態の半導体装置と同様である。層間絶縁膜５１ｂは第１の実施形態の層間絶縁膜５１に対応し、層間絶縁膜５２ｂは第１の実施形態の層間絶縁膜５２に対応する。第二のバリア絶縁膜４ｂの形成の際に、窒素原子を含む還元性ガスを添加することで、第二のバリア絶縁膜４ｂを形成しつつ、Ｃｕ配線１ｂの表面上の酸化を防止する。
【００５７】
つづいて、本実施形態の半導体装置の製造方法について図８を用いつつ説明する。図２（ａ）の構造の作製手順と同様の操作を行い、層間絶縁膜５１ｂ内にバリアメタル膜２ｂ及びＣｕ配線１ｂを作製する（図８（ａ））。この上に第二のバリア絶縁膜４ｂを成膜し（図８（ｂ））、その後、層間絶縁膜５１ｂを堆積させる（図８（ｃ））。次にリソグラフィーおよび異方性エッチングによって、層間絶縁膜５１ｂ中に配線溝および配線孔を形成する（図８（ｄ））。その後、バリアメタル膜２ｂをそれぞれ形成し（図８（ｅ））、Ｃｕ配線１ｂを埋め込む（図８（ｆ））。次に、Ｃｕ粒成長のための熱処理を施す。この熱処理の温度は２００℃〜４００℃、時間は３０秒〜１時間に設定する。続いて、ＣＭＰなどの研磨技術を用い、配線溝および配線孔以外の余剰なＣｕ配線１ｂおよびバリアメタル膜２ｂを除去する（図８（ｇ））。その後、第１の実施の形態で説明したように、直鎖状有機シリカ化合物及び窒素原子を含むガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により、第二のバリア絶縁膜４ｂを形成する（図８（ｈ））。図８（ｃ）〜（ｈ）を繰り返すことでより上層の配線層を形成することができる。
【００５８】
本実施形態も第１の実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００５９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば上述した実施の形態では配線溝と配線孔を同時に形成するデュアルダマシン法を用いて説明したが、たとえば、シングルダマシン法を用いたときの配線層形成にも同様に適用される。
【実施例】
【００６０】
（実施例１）
式（１）に示す直鎖状有機シリカ化合物を気化器によってガス化し、搬送ガスであるＨｅと共に反応室に導入した。同時に窒素系ガスユニットからＮＨ３ガスを反応室に導入しプラズマＣＶＤ法あるいはプラズマ重合法によりシリコン基板上に第二のバリア絶縁膜４を形成した。図９は、本実施例の第二のバリア絶縁膜４のラマン分光分析の結果である。図で示すように、横軸１２００〜１８００ｃｍ−１にかけて、アモルファスカーボンの起因とみられるブロードのピークが確認された。また、１６００ｃｍ−１付近にｓｐ２構造の炭素に起因するピークが確認され、第二のバリア絶縁膜４に炭素の二重結合が含まれることがわかった。
【００６１】
（実施例２）
式（１）に示す直鎖状有機シリカ化合物を気化器によってガス化し、搬送ガスであるＨｅと共に反応室に導入した。同時に窒素系ガスユニットからＮＨ３ガスを反応室に導入しプラズマＣＶＤ法あるいはプラズマ重合法によりシリコン基板上に第二のバリア絶縁膜４を形成した。図４に示す装置を用い、窒素系ガスユニット１１３から供給されるＮＨ３ガスの流量を制御することで、第二のバリア絶縁膜４中の窒素原子の含有量を調整した。図１０は、第二のバリア絶縁膜４中の窒素原子の含有量に対する膜強度とビア層間絶縁膜との関係を示す。膜強度に関してはシリコン基板上に５００ｎｍ成膜を行い、ナノインデンターを使い測定を行った。またビア層間絶縁膜下との密着強度に関してはｍ−ＥＬＴ（ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｅｄｇｅ  ｌｉｆｔ−ｏｆｆ  ｔｅｓｔ）によって求めた。この結果から膜強度及び密着強度ともＮ含有量の増加により向上することが確認できた。
【００６２】
（実施例３）
第二のバリア絶縁膜のＣｕ拡散防止能に対する窒素原子の含有量の評価を行った。シリコン酸化膜上に、第二のバリア絶縁膜、Ｃｕ膜を積層し、４００℃にて７時間アニール後、第二のバリア絶縁膜を通じてシリコン酸化膜側にどの程度Ｃｕが漏れだしているかで評価を行った。第二のバリア絶縁膜は、式（２）に示す直鎖状有機シリカ化合物とアンモニアガスとを用いたプラズマＣＶＤ法により形成した。図３に示す装置を用い、窒素系ガスユニット１１３から供給されるアンモニアガスの流量を制御することで、第二のバリア絶縁膜中の窒素原子の含有量を調整した。評価は二次イオン質量分析計のＣｕのデプスプロファイルを元に行い、シリコン酸化膜の任意の深さにおけるＣｕ濃度により行った。その結果を図１１に示す。この結果から第二のバリア膜におけるＣｕ拡散耐性は膜中のＮの原子比が３％以上でリーク電流が問題ないレベルとなることが判明した。比較例１として第二のバリア絶縁膜の代わりにＳｉＣ膜を用いた場合、Ｃｕ濃度は９．８であった。
【００６３】
（実施例４）
第二のバリア絶縁膜のk値（比誘電率）に対する窒素原子の含有量の評価を行った。抵抗が０．１Ωｃｍ以下のｐ型基板上に５００ｎｍの厚みで第二のバリア絶縁膜を形成した。第二のバリア絶縁膜は、式（３）に示す直鎖状有機シリカ化合物と窒素ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。図３に示す装置を用い、窒素系ガスユニット１１３から供給される窒素ガスの流量を制御することで、第二のバリア絶縁膜中の窒素原子の含有量を調整した。膜のｋ値は、水銀プローバーを用いて算出した。図１２は膜中のＮの原子比に対するｋ値の挙動を示す。水銀プロ−バーの電極面積は０．０１ｃｍ２である。比較例２として、上記ｐ型基板に、第二のバリア絶縁膜ではなく、ＳｉＣＮ膜を形成したところ、ＳｉＣＮ膜はｋ値が４．７であった。この結果から、第二のバリア絶縁膜中に１６％の窒素原子を含有していてもｋ値は４．０程度と低く、ｋ値を大きく増加させることがないまま比誘電率の低下及び実効誘電率の低下が可能となった。
【００６４】
（実施例５）
図２（ｂ）の構造を用い、第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４とをあわせた合成ｋ値を求めた。なお、層間絶縁膜５１にかえてシリコン酸化膜を用いた。このシリコン酸化膜は、抵抗が０．１Ωｃｍ以下のｐ型基板上に成膜した。第一のバリア絶縁膜３はＳｉＣＮ膜とした。第二のバリア絶縁膜４は、式（４）に示す直鎖状有機シリカ化合物とアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。また、比較例３として、第一のバリア絶縁膜３（ＳｉＣＮ）のみが形成され、第二のバリア絶縁膜４は形成されていない構造を用いた。本実施例における第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚の和は、比較例３の第一のバリア絶縁膜３の膜厚に等しくなるようにした。第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚比によるバリア膜の合成ｋ値を求めた結果を表１に示す。合成ｋ値とは、第一のバリア絶縁膜と第二のバリア絶縁膜を積層した状態での比誘電率である。この結果、第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚比が１：９〜６：４であるとき、合成ｋ値が比較例３の構造より１０％以上低下することがわかった。
【表１】
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【００６５】
（実施例６）
図１に示す配線構造を作製した。第二のバリア絶縁膜４及び層間絶縁膜５２は、図４に示す装置を用いて、同一の反応室１０１ａ内で連続して成膜した。図１に示す配線構造を作製した後、実効誘電率を求めた。第一のバリア絶縁膜３はＳｉＣＮ膜とした。また、第二のバリア絶縁膜４は、式（５）に示す直鎖状有機シリカ化合物とアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。第一のバリア絶縁膜３の厚みは５ｎｍ、第二のバリア絶縁膜４の厚みは２５ｎｍとした。層間絶縁膜５１、５２は、式（７）で示される環状有機シリカ化合物を用いて成膜した。また、比較例４として、第一のバリア絶縁膜３（ＳｉＣＮ膜）のみが形成され、第二のバリア絶縁膜４は形成されていない構造を用いた。第一のバリア絶縁膜３と第二のバリア絶縁膜４との膜厚の和は、３０ｎｍであり、比較例３の第一のバリア絶縁膜３の膜厚も３０ｎｍとした。その結果、実施例４の構造では、比較例４と比較して実効誘電率が６％低下することがわかった。
【００６６】
（実施例７）
図５に示す配線構造を作製した。第二のバリア絶縁膜４ａ及び層間絶縁膜５２ａは、図４に示す装置を用いて、同一の反応室１０１ａ内で連続して成膜した。図５に示す配線構造を作製した後、実効誘電率を求めた。第二のバリア絶縁膜４ａは、式（５）に示す直鎖状有機シリカ化合物とアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。第二のバリア絶縁膜４ａの厚みは３０ｎｍとした。層間絶縁膜５１ａ、５２ａは、式（８）で示される環状有機シリカ化合物を用いて成膜した。また、比較例５として、第二のバリア絶縁膜４に代えてＳｉＣＮ膜が形成されている構造を用いた。比較例５のＳｉＣＮ膜の膜厚も３０ｎｍとした。その結果、実施例５の構造では、比較例５と比較して実効誘電率が６．５％低下することがわかった。
【００６７】
（実施例８）
図７に示す配線構造を作製した。第二のバリア絶縁膜４ｂ及び層間絶縁膜５２ｂは、図３に示す装置を用いて、同一の反応室１０１内で連続して成膜した。図７に示す配線構造を作製した後、実効誘電率を求めた。第二のバリア絶縁膜４ｂは、式（５）に示す直鎖状有機シリカ化合物とアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。第二のバリア絶縁膜４ｂの厚みは３０ｎｍとした。層間絶縁膜５１ｂ、５２ｂは、式（９）で示される環状有機シリカ化合物を用いて成膜した。また、比較例６として、第二のバリア絶縁膜４ｂに代えて、ＳｉＣＮ膜が形成された構造を用いた。比較例６のＳｉＣＮ膜の膜厚も３０ｎｍとした。その結果、実施例６の構造では、比較例６と比較して実効誘電率が６．８％低下することがわかった。
【００６８】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【００６９】
本発明の他の態様を以下に示す。
（１）窒素を含む有機シリカ膜であり、膜中には炭素の二重結合と、アモルファスカーボン構造の両方を備えることを特徴とする絶縁膜。
（２）前記有機シリカ膜に含まれる窒素含有量が原子比で３％以上１６％以下であることを特徴とする（１）記載の絶縁膜。
（３）前記有機シリカ膜の原料が上記式（１）に示す直鎖状有機シリカ化合物であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は飽和炭素化合物、Ｒ４は不飽和炭素化合物であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、Ｒ４は、ビニル基、アリル基のいずれかであることを特徴とする（１）乃至（２）のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
（４）前記直鎖状有機シリカ化合物が上記式（２）、（３）、（４）、（５）に示す構造を有する原料の少なくともいずれかの１つであることを特徴とする（３）に記載の絶縁膜の形成方法。
（５）前記有機シリカ膜が前記直鎖状有機シリカ化合物と窒素を含むガスから成膜されることを特徴とする（４）に記載の絶縁膜の形成方法。
（６）前記窒素を含むガスがＮＨ３、Ｎ２であることを特徴とする（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
（７）第一のバリア絶縁膜上に、前記有機シリカ膜を積層することを特徴とする半導体装置。
（８）前記第一のバリア絶縁膜と第二のバリア絶縁膜の膜厚比が１：９〜６：４の間であることを特徴とする（７）記載の半導体装置。
（９）キャップメタル上に前記有機シリカ膜を積層することを特徴とする半導体装置。
（１０）前記キャップメタルがＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＳｎＰ、ＣｏＳｎＢ、ＮｉＢ、ＮｉＭｏＢのいずれかであることを特徴とする（９）記載の半導体装置。
（１１）金属配線上に前記有機シリカ膜を積層することを特徴とする半導体装置。
（１２）前記有機シリカ膜上に、連続して同一チャンバー内で低誘電率絶縁膜を成膜することを特徴とする（７）乃至（１１）のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（１３）前記低誘電率絶縁膜が、上記式６に示す環状有機シリカ化合物であり、Ｒ５、Ｒ６は不飽和炭素化合物または飽和炭素化合物であり、ビニル基、アリル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基のいずれかであることを特徴とする（１２）に記載の絶縁膜の形成方法。
（１４）前記環状有機シリカ化合物が上記式７，８，９に示す構造を有することを特徴とする（１３）に記載の絶縁膜の形成方法。
【符号の説明】
【００７０】
１  銅配線
１ａ  銅配線
１ｂ  銅配線
２  バリアメタル膜
２ａ  バリアメタル膜
２ｂ  バリアメタル膜
３  バリア絶縁膜
４  バリア絶縁膜
４ａ  バリア絶縁膜
４ｂ  バリア絶縁膜
６ａ  メタルキャップ膜
５１  層間絶縁膜
５１ａ  層間絶縁膜
５１ｂ  層間絶縁膜
５２  層間絶縁膜
５２ａ  層間絶縁膜
５２ｂ  層間絶縁膜
１０１  反応室
１０１ａ  反応室
１０２  下部電極
１０２ａ  下部電極
１０３  上部電極
１０３ａ  上部電極
１０４  ＲＦ電源
１０４ａ  ＲＦ電源
１０５  マッチングボックス
１０５ａ  マッチングボックス
１０６  基板
１０６ａ  基板
１０７  リザーバー
１０７ａ  リザーバー
１０７ｂ  リザーバー
１０８  圧送ガスユニット
１０８ａ  圧送ガスユニット
１０８ｂ  圧送ガスユニット
１０９  液体マスフロー
１０９ａ  液体マスフロー
１０９ｂ  液体マスフロー
１１０  気化器
１１０ａ  気化器
１１０ｂ  気化器
１１１  搬送ガスユニット
１１１ａ  搬送ガスユニット
１１１ｂ  搬送ガスユニット
１１２  気体マスフロー
１１２ａ  気体マスフロー
１１２ｂ  気体マスフロー
１１３  窒素系ガスユニット
１１３ａ  窒素系ガスユニット
１１４  真空ポンプ
１１４ａ  真空ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010287653.tif 000028
【図８】
2010287653.tif 000029
【図９】
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【図１０】
2010287653.tif 000031
【図１１】
2010287653.tif 000032
【図１２】
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