(57)【要約】【課題】Ｈｖ≧１７０、引張強度≧５５０ＭＰａ、及び７０％ＩＡＣＳ以上を有し、例えばＱＦＰ、ＱＦＮ等の半導体リードフレーム用に適する電子部品用銅合金板を提供する。【解決手段】Ｃｏ：０．１〜０．５質量％、Ｐ：０．０３〜０．２質量％、Ｍｇ：０．０１超〜０．１５質量％を含み、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、Ｃｏ，Ｍｇ，Ｐの含有量が下記式(１)、(２)を満たし、ＣｏとＰを含む析出物の平均粒径が５０ｎｍ以下、かつＣｏとＰとＭｇを含む析出物の平均粒径が１００ｎｍ以下である銅合金板。１≦（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦５・・・（１）１≦［Ｃｏ］／［Ｍｇ］≦３５・・・（２） ただし、（１），（２）式において、［Ｃｏ］，［Ｍｇ］，［Ｐ］は各元素の質量％を意味する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ：０．１〜０．５質量％、Ｐ：０．０３〜０．２質量％、Ｍｇ：０．０１超〜０．１５質量％を含み、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、Ｃｏ，Ｍｇ，Ｐの含有量が下記式(１)、(２)を満たし、Ｃｏ−Ｐ金属間化合物の平均粒径が５〜５０ｎｍ、かつＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の平均粒径が５〜１００ｎｍであることを特徴とする電子部品用銅合金板。
１≦（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦５・・・（１）
１≦［Ｃｏ］／［Ｍｇ］≦３５・・・（２）
ただし、（１），（２）式において、［Ｃｏ］，［Ｍｇ］，［Ｐ］は各元素の質量％を意味する。
【請求項２】
さらにＳｎ：０．０１〜０．３質量％を含むことを特徴とする請求項１に記載された電子部品用銅合金板。
【請求項３】
さらにＺｎ：０．０１〜１質量％を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載された電子部品用銅合金板。
【請求項４】
さらに、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒのうち１種又は２種以上を合計で０．０００５〜０．１質量％含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された電子部品用銅合金板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体リードフレーム用等に適する、高強度で高導電率を有する電子部品用銅合金板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＰ、ＱＦＮ等の半導体リードフレーム用銅合金として、従来よりＦｅとＰとを含有するＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系の銅合金が汎用されている。Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系の銅合金としては、例えば、Ｃ１９２１０合金（Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％Ｐ）や、ＣＤＡ１９４合金(Ｃｕ−２．２質量％Ｆｅ−０．０３質量％Ｐ−０．１５質量％Ｚｎ)等が例示される。また、特許文献１には、Ｆｅ：０．０１〜１．０％、Ｐ：０．０１〜０．４％、Ｍｇ：０．１〜１．０％を含有する銅合金が記載されている。これらの銅合金は、いずれも銅母相中にＦｅ又はＦｅ−Ｐ等の金属間化合物を析出させ、強度及び導電率を向上させたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３９７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、半導体装置の小型化、軽量化などに伴い、これらのリードフレーム用銅合金にも、一段と高い強度（Ｈｖ≧１７０、引張強度≧５５０ＭＰａ）や導電率（７０％ＩＡＣＳ）が求められるようになってきた。
しかし、Ｃ１９２１０合金はビッカース硬さがＨｖ１３０程度と強度が低く、ＣＤＡ１９４合金はＨｖ１６０程度で強度が低くかつ導電率が低い。また、特許文献１に記載された銅合金は、これらのＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系の銅合金を改良したものだが、軟化開始温度が余り高くなく、最終冷延前に時効処理して強度と導電率を調整する際、導電率を向上させる時効処理温度を選択すると析出物が粗大化して軟化するため、強度と導電率の両方を高い水準で満足することが難しい。
【０００５】
本発明は、強化元素としてＰを含有する銅合金において、より高い強度及び導電率、具体的にはＨｖ≧１７０、引張強度≧５５０ＭＰａ及び７０％ＩＡＣＳ以上を有し、例えばＱＦＰ、ＱＦＮ等の半導体リードフレーム等に適する電子部品用銅合金板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品用銅合金板は、Ｃｏ：０．１〜０．５質量％、Ｐ：０．０３〜０．２質量％、Ｍｇ：０．０１超〜０．１５質量％を含み、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、Ｃｏ，Ｍｇ，Ｐの含有量が下記式(１)、(２)を満たし、Ｃｏ−Ｐ金属間化合物の平均粒径が５〜５０ｎｍ、かつＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の平均粒径が５〜１００ｎｍであることを特徴とする。
１≦（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦５・・・（１）
１≦［Ｃｏ］／［Ｍｇ］≦３５・・・（２）
ただし、（１），（２）式において、［Ｃｏ］，［Ｍｇ］，［Ｐ］は各元素の質量％を意味する。
上記銅合金は、必要に応じてさらにＳｎ：０．０１〜０．３質量％とＺｎ：０．０１〜１質量％のいずれか１種又は２種、又は／及びＣｒ，Ｍｎ，Ｚｒのうち１種又は２種以上を合計で０．０００５〜０．１質量％以下含有することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る銅合金は、軟化開始温度が比較的高く、最終冷延前に時効処理して強度と導電率を調整する際、導電率を向上させるため比較的高い時効処理温度又は比較的長い時効処理時間を選択しても、軟化を防止できるため、強度と導電率の両方を高い水準（Ｈｖ≧１７０、引張強度≧５５０ＭＰａ及び７０％ＩＡＣＳ以上）で満足し、例えばＱＦＰ、ＱＦＮ等の半導体リードフレーム等に適する電子部品用銅合金板を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
はじめに本発明に係る銅合金板の組成について説明する。
本発明に係る銅合金は、Ｃｏ：０．１〜０．５質量％、Ｐ：０．０３〜０．２質量％、Ｍｇ：０．０１超〜０．１５質量％を必須成分として含む。
ＣｏはＰとの金属間化合物を析出することで銅合金の強度を向上させる。しかし、Ｃｏ含有量が０．１質量％未満であると析出物の数が不足して強度がでない。一方、Ｃｏ含有量が０．５質量％を超えると、粗大な晶出物が出て熱間圧延時の割れの原因、薄板での曲げ加工性低下、Ａｇめっきの析出以上、打抜きプレスの金型摩耗などの問題が生じやすく、また固溶分のＣｏにより導電率が低下する。従って、Ｃｏ含有量は０．１〜０．５質量％とする。望ましくは０．１２〜０．４８質量％である。
【０００９】
ＰはＣｏとの金属間化合物を析出することで銅合金の強度を向上させ、Ｃｏ及びＭｇとの金属間化合物を析出することで銅合金の耐熱性を向上させる。しかし、Ｐ含有量が０．０３質量％未満であると析出物の数が不足して強度及び耐熱性が向上しない。一方、Ｐ含有量が０．２質量を超えると熱間加工性が低下する。従って、Ｐ含有量は０．０３〜０．２質量％とする。望ましくは０．０５〜０．１８質量％である。
【００１０】
ＭｇはＣｏと共にＰ化物（金属間化合物）を析出することで、銅合金の強度と耐熱性を向上させる。すなわち、このＰ化物が析出することにより、銅合金の軟化開始温度が高温側にずれ、最終冷延前に時効処理して強度と導電率を調整する際、導電率を向上させるため比較的高い時効処理温度を選択しても、銅合金板の軟化を防止できるようになる。また、時効処理後の導電率が高いため、最終冷延の加工率を高めたり、他の添加元素を添加して高強度化を図る（いずれも導電率を低下させる作用がある）余地が大きい。しかし、０．０１質量％以下であると耐熱性を向上させる（軟化開始温度を高温側にずらす）効果が十分でなく、０．２質量％を超えると固溶Ｍｇが増加し、導電率が低下する。従って、Ｍｇ含有量は０．０１超〜０．２質量％とする。望ましくは０．０１５〜０．１８質量％である。
【００１１】
本発明に係る銅合金は、上記範囲のＣｏ，Ｍｇ，Ｐ含有量において、その含有量比が前記（１），（２）式を満たす。
（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］が１未満であると固溶Ｐが増加し、導電率が低下し、酸化膜密着性及びはんだ密着性も低下する。この値が５を超えると固溶Ｃｏ，Ｍｇの１種又は２種が増加し、強度と導電率が低下する。従って、（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］は、前記（１）式のとおり１〜５の範囲とする。望ましくは１．１〜４．９の範囲である。
【００１２】
一方、［Ｃｏ］／［Ｍｇ］が１未満の場合、Ｍｇが過剰で固溶Ｍｇが増加して導電率が低下し、３５を超える場合、Ｍｇが過少でＣｏ−Ｍｇ−Ｐ金属間化合物の析出が減少し、銅合金の軟化開始温度が向上しない。銅合金の軟化開始温度が低いと、銅合金板において高い強度と導電率を両立させることができない。すなわち、時効処理で導電率を向上させようとすると銅合金板が軟化し、続いて冷間圧延しても強度が十分向上せず、時効処理で強度を向上させようとすると低い温度を選択せざるを得ず、導電率が向上しない。従って、［Ｃｏ］／［Ｍｇ］は１〜３５の範囲とする。望ましくは１．１〜３０の範囲である。
【００１３】
本発明に係る銅合金は、必要に応じてさらにＳｎ：０．０１〜０．３質量％とＺｎ：０．０１〜１質量％のいずれか１種又は２種、又は／及びＣｒ，Ｍｎ，Ｚｒのうち１種又は２種以上を合計で０．０００５〜０．１質量％以下含有する。
Ｓｎは銅合金中に固溶することで、銅合金の強度を向上させる作用があり、必要に応じて添加する。しかし、Ｓｎ含有量が０．０１質量％未満であると固溶Ｓｎが少ないため添加の効果が少なく、０．３質量％を超えると固溶Ｓｎが増加し、導電率が低下する。従って、銅合金がＳｎを含む場合、その含有量は０．０１〜０．３質量％とする。望ましくは０．０１５〜０．２５質量％の範囲である。
【００１４】
Ｚｎは、リードフレーム等に要求されるはんだ耐熱剥離性及び酸化膜密着性を改善する作用を有する。しかし、Ｚｎ含有量が０．０１質量％以下ではこれらの改善効果が小さく、逆に１質量％を超えると固溶Ｚｎの増加により導電率が低下する。従って、銅合金がＺｎを含む場合、その含有量は０．０１〜１質量％とする。望ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲である。
【００１５】
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒは、鋳塊の粒界を強化する作用を有し、銅合金の熱間加工性を改善する。しかし、これらの元素の１種又は２種以上が０．０００５質量％未満では添加効果が少なく、０．１質量％を超えると鋳造時に酸化物が形成されやすくなり，鋳塊の健全性に悪影響を及ぼす。従って、銅合金がＣｒ，Ｍｎ，Ｚｒの１種又は２種以上を含む場合、その含有量は合計で０．０００５〜０．１％とする。望ましくは０．０００７〜０．０８質量％の範囲である。
【００１６】
本発明に係る銅合金板において、Ｃｏ−Ｐ金属間化合物の平均粒径は５０ｎｍ以下、かつＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の平均粒径は１００ｎｍ以下とされる。
ＣｏとＰを含む析出物は母材中に微細に析出して銅合金の強度及び導電率を向上させる。しかし、平均粒径が５０ｎｍを超えると、すでに過時効の状態であり、導電率は維持されるが強度の向上に寄与しないものとなり、結果的に銅合金板の強度は低下する。一方、粒径が５ｎｍ未満では耐熱性が得られない。従って、ＣｏとＰを含む析出物の平均粒径は５〜５０ｎｍの範囲とする。望ましくは５〜４０ｎｍの範囲である。   
また、Ｃｏ−Ｍｇ−Ｐ金属間化合物は母在中に微細に析出して銅合金の耐熱性を向上させ、より高温域での時効処理が可能となる。しかし、平均粒径が１００ｎｍを超えると、すでに過時効の状態であり、導電率は維持されるが銅合金は耐熱性を保てず軟化しており、結果的に強度と導電率を同時に満足する銅合金板を製造することができない。一方、粒径が５ｎｍ未満では耐熱性が得られない。従って、ＣｏとＰとＭｇを含む析出物の平均粒径は５〜１００ｎｍの範囲とする。望ましくは１０〜８０ｎｍの範囲である。
【００１７】
本発明に係る銅合金板において、従来Ｐと共に添加されていたＦｅは、不純物として含まれる場合でも、軟化開始温度の向上を妨げる作用があるため、０．１質量％未満、望ましくは０．０１質量％未満に制限することが望ましい。
その他、本発明に係る銅合金にＭｇを添加することに伴い、溶解、熱延及び熱処理の過程でＭｇ−Ｐ，Ｍｇ−Ｏ，Ｍｇ−Ｐ−Ｏなどの化合物が生成し、これが銅合金板の母材中に存在することがある。しかし、これらの化合物のサイズは０．１〜５μｍ程度で、強度／導電率特性に寄与せず、逆に曲げ加工性、スタンピング性及びエッチング加工性を低下させることから、極力少なくすることが望ましい。これは下記製造方法によって達成される。
【００１８】
本発明に係る銅合金板は、銅合金を溶解して鋳造し、鋳塊を均質化処理し、熱間圧延及び冷間圧延した後、時効処理と冷間圧延を１回以上行い、必要に応じてさらに低温焼鈍を行って製造することができる。
溶解鋳造は、Ｍｇを酸化させないように、木炭やフラックスで表面を被覆し、又はカバリングして非酸化性雰囲気下で行うことが望ましい。均質化処理及び熱間圧延開始温度は銅合金がＭｇ，Ｐを含むため８５０〜９５０℃とし、Ｍｇ−Ｐ，Ｍｇ−Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐなどの化合物を析出させないように、熱間圧延終了温度は６５０℃以上、望ましくは７００℃以上とし、熱間圧延後急冷する。
【００１９】
時効処理はＣｏ−Ｐ金属間化合物及びＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物を析出させ、強度及び導電率を向上させるもので、３５０〜６００℃×５ｍｉｎ〜１０ｈｒの範囲内で、７０％ＩＡＣＳ以上の導電率が得られ、かつＣｏ−Ｐ金属間化合物とＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の平均粒径がそれぞれ５０ｎｍ，１００ｎｍを超えない条件を選択して行うとよい。上記範囲内において、処理温度が高く時間が長いほど導電率が向上し、かつ金属間化合物の平均粒径が増加する。時効処理を複数回行う場合は上記範囲内で異なる条件を選択することができる。なお、時効処理により銅合金の導電率は１０％ＩＡＣＳ程度向上する。
時効処理後の冷間圧延の加工率は、目標とする強度及び導電率に応じて適宜選択すればよく、最終冷間圧延はおおよそ２０〜８０％の範囲内で選択すればよい。
最終圧延後の低温焼鈍は、３００〜４００℃×５ｓｅｃ〜６０ｍｉｎの範囲内で行えばよい。
【実施例】
【００２０】
（実施例１）
Ｃｕ−０．３８Ｃｏ−０．１Ｐ、Ｃｕ−０．５Ｃｏ−０．１３Ｐ、Ｃｕ−０．５７Ｃｏ−０．１５Ｐ、Ｃｕ−０．３１Ｃｏ−０．１Ｐ−０．０５Ｍｇの各銅合金板（数値はいずれも質量％を表す）について、８２５℃×３０ｓｅｃの再結晶を伴う溶体化処理を行い、続いて４０％の冷間圧延を行い、４２５℃、４５０℃、４７５℃、５００℃の各温度において２時間の加熱処理（時効処理）を行った後、各銅合金板のビッカース硬さ（ＭＨｖ）と導電率（％ＩＡＣＳ）を測定した（板厚０．３ｍｍ）。ビッカース硬さと導電率の測定方法は後述する実施例２と同様に行った。その結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
2010229517.tif 000002
【００２２】
時効処理温度４２５℃では、上記４合金のビッカース硬さの差はごくわずかであったが、Ｍｇを含まない３合金のビッカース硬さは、時効処理温度４５０℃で低下し始め、４７５℃以上で急低下し、これに対しＭｇを含む合金のビッカース硬さは時効処理温度が５００℃までほとんど変化がなかった。一方、上記４合金の導電率は、時効処理温度が上昇するにつれて同じように向上した。
Ｍｇを含まない３合金の時効処理温度４２５℃でのビッカース硬さと、Ｍｇを含む合金の時効処理温度５００℃でのビッカース硬さはほぼ同等であり、導電率は後者が１０％ＩＡＣＳ程度高かった。また、Ｍｇを含まない３合金の時効処理温度４５０℃での導電率と、Ｍｇを含む合金の時効処理温度５００℃での導電率を比較しても、後者が５％ＩＡＣＳ程度高かった。
このように、Ｃｕ−Ｃｏ−Ｐ系合金にＭｇを添加することにより、銅合金の強度を低下させることなく、高い導電率を得ることができることが理解される。
【００２３】
（実施例２）
表２，３に示すＮｏ．１〜２１の組成の銅合金を、小型電気炉で大気中にて木炭被覆下で溶解し、厚さ５０ｍｍ、幅８０ｍｍ、長さ２００ｍｍの鋳塊を溶製した。この鋳塊の表裏面を各２ｍｍ面削した後、表４に示す条件で均質化処理を行い、その温度で熱間圧延を開始し、厚さ２０ｍｍｔの板材とした後、７００℃以上の温度から急冷し、さらに板材の表裏面をそれぞれ約２ｍｍ面削した。なお、Ｎｏ．１２は熱間圧延割れを生じたため、それ以降の工程を取りやめた。
【００２４】
【表２】
2010229517.tif 000003
【００２５】
【表３】
2010229517.tif 000004
【００２６】
これらの板材について、冷間圧延を行った後、時効処理と冷間圧延を１回以上繰り返し、板厚を０．１５ｍｍｔとした。時効処理条件は３５０〜６００℃×１〜５ｈｒの範囲内とし、冷間圧延はＮｏ．１〜１１，１３〜２１の全てで同じ加工率で行った。なお、最終の時効処理条件は表４に示す条件で行い、時効処理と冷間圧延を繰り返す場合は最終時効処理以外の時効処理はいずれも最終時効処理より高温で行った。また最終冷間圧延の加工率は５０％とした。
【００２７】
【表４】
2010229517.tif 000005
【００２８】
Ｎｏ．１〜１１，１３〜２１について、最終時効処理後の板材から試料を採取して、析出物の種類とサイズ（平均粒径）を測定し、最終冷間圧延後の板材から試料を採取して、引張強さ、ビッカース硬さ（Ｈｖ）及び導電率、酸化膜密着性及びはんだ密着性の各特性の測定試験に供した。測定結果を同じく表１，２に示す。なお、各試験の手順等は下記のとおりである。
【００２９】
＜析出物の種類とサイズ＞
最終時効処理後の板材から観察サンプルを採取し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて１０〜２０万倍で３視野観察し、ＴＥＭのエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により析出物の含有元素を同定し、析出物Ａ（Ｃｏ−Ｐ金属間化合物粒子）と析出物Ｂ（Ｃｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物粒子）について、長径５ｎｍ以上のものをカウントし、各々の平均粒径を求めた。最終時効処理後の銅合金板の析出物の種類とサイズは、最終冷間圧延によって実質的に変化しない。
【００３０】
＜引張強さ＞
各板材から長手方向が圧延方向になるようにＪＩＳ５号試験片を採取し、引張試験を行って引張強度を測定した。引張強度は５５０ＭＰａ以上を合格と評価した。
＜硬さ測定＞
ＪＩＳＺ２２４４の規定に基づき、荷重４．９Ｎにてビッカース硬さ試験を行って測定した。ビッカース硬さはＭＨｖ１７０以上を合格と評価した。
＜導電率測定＞
導電率はＪＩＳＨ０５０５に基づいて測定した。なお、導電率は７０％ＩＡＣＳ以上を合格と評価した。
【００３１】
＜酸化膜剥離試験＞
表面清浄化した各試験片を用い、大気中にて３５０℃×５ｍｉｎのホットプレート加熱を施した。その後、酸化膜を生成させた試験片に市販の粘着テープを貼り、一気にテープを試験片から剥がした。剥がしたテープを目視にて観察し、酸化物の存在の有無で酸化膜剥離性を評価した。酸化膜の剥離が認められないものを合格（○）、認められるものを不合格（×）と評価した。
【００３２】
＜はんだ剥離試験＞
はんだ付けは，市販のＳｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕはんだを，２６０℃に保持し溶融させ、表面清浄化した１０ｍｍ幅×３５ｍｍ長さの各試験片を浸漬速度２５ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬深さ１２ｍｍ、浸漬時間５ｓｅｃにて溶融はんだ中に浸漬させた。はんだ付け装置として、ソルダーチェッカー（ＳＡＴ５１００型）を用いた。フラックスには活性フラックスを使用した。はんだ付けした試験片に対し、１７５℃で７２ｈｒまでの加熱試験を大気中で行った。さらに、これら加熱試験片に対し、曲げ戻し試験を常温にて行った。曲げ戻し部に市販の粘着テープを貼り、一気にテープを試験片から剥がした。剥がしたテープを目視にて観察し、はんだの剥離が認められないものを合格（○）、認められるものを不合格（×）と評価した。
【００３３】
表１，２に示すように、本発明に規定する組成及び組成比率を有し、析出物の種類及びサイズも本発明の規定範囲内のＮｏ．１，１３〜１８は、強度（引張強さ、ビッカース硬さ）及び導電率が高く、酸化膜及びはんだの密着性も良好であった。
【００３４】
一方、析出物サイズが規定範囲外のＮｏ．２、（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］が大きいＮｏ．６、Ｍｇ含有量が少なく［Ｃｏ］／［Ｍｇ］が大きいＮｏ．７、Ｃｏ含有量が少ないＮｏ．９、Ｍｇ及びＰ含有量が少ないＮｏ．１１は、いずれも強度（引張強さ、ビッカース硬さ）が低い。Ｎｏ．６は、固溶ＣｏとＭｇの量が多く、導電率は７０％を下回る。Ｎｏ．７は、最終の時効処理を除きＮｏ．１と同条件で加工熱処理を行ったが、Ｍｇ含有量が少なくＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物が析出しないため、耐熱性が十分でなく、時効処理後の強度が低下し、その後の圧延によっても強度が上昇しなかったものである。Ｎｏ．９はＣｏが、Ｎｏ．１１はＭｇ及びＰの含有量が少ないため、Ｃｏ−Ｐ金属間化合物及びＣｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の析出量が少なく、強度が上昇しなかったものである。
【００３５】
また、（［Ｃｏ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］が小さいＮｏ．３、Ｍｇ含有量が少なく［Ｃｏ］／［Ｍｇ］が大きいＮｏ．４、［Ｃｏ］／［Ｍｇ］が小さいＮｏ．５、Ｍｇ含有量が多いＮｏ．８、Ｃｏ含有量が多いＮｏ．１０、Ｆｅ，Ｓｎ，Ｚｎ含有量が多いＮｏ．１９〜２１は、いずれも導電率が低い。なお、Ｎｏ．３は、固溶Ｐの量が多く、導電率が上昇していない。Ｎｏ．４は、Ｃｏ−Ｐ−Ｍｇ金属間化合物の析出量が少ないため、軟化による強度低下を避けるため低温で時効処理し、そのため強度は得られたが導電率が上昇していない。Ｎｏ．５はＭｇの固溶量が多く、導電率が上昇していない。Ｎｏ．１９はＦｅ含有量が多く、軟化による強度低下を避けるため低温で時効処理し、そのため導電率が上昇しなかった。