(57)【要約】【課題】同一場所に対してＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷を同時に行って正確な探傷を実現する。【解決手段】検査用プローブ１０の励磁コイル１０２，１０３をＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の励磁出力端子１１１に接続し、検出コイル１０１を検出入力端子１１２に接続したＲＦ−ＥＣＴ探傷系と、前記検出コイルをＥＣＴ信号処理系１２の検出入力端子１２２に接続すると共に抵抗器１３，１４を介して励磁出力端子１２１に接続したＥＣＴ探傷系を構成する。【選択図】図５
2010127665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査用プローブの励磁コイルをＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子に接続し、検出コイルを検出入力端子に接続したＲＦ−ＥＣＴ探傷系と、検査用プローブの励磁／検出コイルをＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子と検出入力端子に接続したＥＣＴ探傷系を備えた渦電流探傷システムにおいて、
前記ＥＣＴ探傷系は、前記励磁／検出コイルとして前記ＲＦ−ＥＣＴ探傷系における前記検出コイルを兼用して該検出コイルを前記検出入力端子に接続すると共に抵抗器を介して前記励磁出力端子に接続したことを特徴とする渦電流探傷システム。
【請求項２】
請求項１において、前記抵抗器の抵抗値は、前記ＥＣＴ探傷系における励磁出力端子間の内部抵抗の値よりも大きく設定したことを特徴とする渦電流探傷システム。
【請求項３】
請求項１または２において、前記検出コイルは、複数のコイルを軸心を中心にして環状に２列に配置して２列のコイル（群）を形成した構成であることを特徴とする渦電流探傷システム。
【請求項４】
請求項３において、前記ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子とＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子を前記検出コイルにおける複数のコイルに選択的に接続する分配器を備えたことを特徴とする渦電流探傷システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流探傷システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
強磁性体の蒸気発生器伝熱管の欠陥検査には、間接磁場を利用した渦電流探傷試験（Remote Field-Eddy Current Testing：ＲＦ−ＥＣＴ）が用いられる。
【０００３】
ＲＦ−ＥＣＴの特徴は、伝熱管等の強磁性体製の管の内面および外面を同時に探傷することができる反面、取得した検出信号からでは内面の欠陥（傷）か外面の欠陥（傷）かを識別することができない。そのため、ＲＦ−ＥＣＴを強磁性体の管の探傷（検査）に適用する場合には、表皮効果の影響で外面の探傷ができない、つまり内面の傷のみを探傷（検査）することができる直接磁場を用いた渦電流探傷試験（Eddy Current Testing：ＥＣＴ）と併用し、ＲＦ−ＥＣＴの検査結果とＥＣＴの検査結果を参照して論理判断することにより内面の傷か外面の傷かの識別を行うようにしている。外面には管を支持するサポートなどの構造物等が存在するが、内面か外面かを識別することができれば検出信号から分離させることができる。
【０００４】
図１は、渦電流探傷における間接磁場と直接磁場の概要を示している。強磁性体製の管１の中に励磁コイル２を挿入して交流電流を供給することにより発生する磁束（電磁エネルギー）は、励磁コイル２のごく近くで管１の内面領域に流れる磁束３の流路（直接磁場）と管１を貫通して該管１の外側に沿って流れた後に励磁コイル１から遠く離れた位置で該管１内に流れ込む磁束４の流路（間接磁場）を形成する。
【０００５】
ＥＣＴは、磁束３により管１内に発生する渦電流の流れが傷により乱されることを励磁コイル２を兼用する検出コイルにより検出する探傷法であり、ＲＦ−ＥＣＴは、磁束４により管１内に発生する渦電流の流れが傷５により乱されることを検出コイル６により検出する探傷法である。
【０００６】
ＥＣＴは、管１の内面の検査に特化している一方で、ＲＦ−ＥＣＴよりも内面の欠陥検出性能が高いという特徴を持っている。
【０００７】
このような背景から強磁性体製の管を探傷するための検査用プローブは、ＲＦ−ＥＣＴ用とＥＣＴ用を同軸上に軸方向に並べて配置するように構成する。
【０００８】
図２は、ＲＦ−ＥＣＴ用とＥＣＴ用を同軸上に軸方向に並べて配置した検査用プローブの縦断側面図である。
【０００９】
ＲＦ−ＥＣＴ用の検査用プローブ８は、２つのコイル８１１，８１２を軸方向に近接して並設して構成した検出コイル８１と、この検出コイル８１から離れた位置に設置される２つの励磁コイル８２，８３を備える構成である。
【００１０】
ＥＣＴ用の検査用プローブ９は、２つのコイル９１１，９１２を軸方向に近接して並設した励磁／検出コイル９１を備える構成である。
【００１１】
このようにＲＦ−ＥＣＴ用とＥＣＴ用の検査用プローブ８，９を同軸上に軸方向に並べて配置すると、それぞれの検出場所（検出コイル８１と励磁／検出コイル９１の位置）が２つの検査用プローブ８，９の配置間隔（距離）だけ軸方向に離れてしまうために、同一場所を同時に探傷することができない欠点がある。そのため、欠陥評価を行う場合には、信号処理によって探傷波形の軸方向のズレ量を擬似的に補正することになるが、検出コイル８１と励磁／検出コイル９１の通過時の動きや速度が微妙に異なり、同一場所を同一条件で探傷することは極めて困難である。
【００１２】
また、ＥＣＴにおいては、近年、励磁／検出コイル９１のコイル９１１，９１２をマルチコイル化して非磁性体の伝熱管の欠陥検出性能を向上させる検査用プローブが開発されて、その高い検出性能が評価され、広く利用されている。このように励磁／検出コイルをマルチコイル化した検査用プローブは有効であるが、強磁性体の伝熱管では、表皮効果の影響で外面を検査することができないことから、前述したように、同軸上にＲＦ−ＥＣＴ用の検査用プローブと軸方向に並べて設けて使用することになることから、同様の問題を持つことになる。
【００１３】
図３は、ＥＣＴにおける励磁／検出コイル９１のマルチコイルタイプ(ａ)をボビンコイルタイプ（ｂ）と対比させて示す縦断正面図と縦断側面図である。
【００１４】
マルチコイルタイプの励磁／検出コイル９１は、（ａ）に示すように、複数のコイル９１１ａ（９１２ａ），９１１ｂ（９１２ｂ），９１１ｃ（９１２ｃ）…９１１ｎ（９１２ｎ）を軸心を中心にして環状に２列に配置して２列のコイル（群）９１１，９１２を形成する構成であり、ボビンコイルタイプの励磁／検出コイル９１は、２つコイル９１１，９１２を軸方向に並置して形成する構成である。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−２９４３４１号公報
【特許文献２】特開２０００−６５８０１号公報
【特許文献３】特開平１０−１９７４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の１つの目的は、欠陥検出性能の向上を図ることができる新しい渦電流探傷システムを実現することにある。具体的には、同一場所に対してＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷を同時に行って正確な探傷を実現することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、欠陥検出性能の向上を図ることができる新しい渦電流探傷システムを比較的簡易な構成で実現することにある。具体的には、同一場所に対して同時に行うＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷は、ＲＦ−ＥＣＴ探傷系において使用する１つの検出コイルをＥＣＴ探傷系における励磁／検出コイルとして兼用して行うことができるようにすることにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、管の周方向の欠陥検出分解能を向上させることができる新しい渦電流探傷システムを実現することにある。具体的には、マルチコイル化した検出コイル（励磁／検出コイル）を使用して実現することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、マルチコイル化した検出コイル（励磁／検出コイル）を使用した渦電流探傷システムを比較的簡易な構成で実現することにある。具体的には、信号処理系がマルチコイル数に相当するチャンネル数に増加しないで済むようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の渦電流探傷システムは、同一場所に対してＲＦ−ＥＣＴとＥＣＴを同時に行って探傷する渦電流探傷システムであり、ＲＦ−ＥＣＴ用の検査用プローブにおける検出コイルをＥＣＴ用の検査用プローブにおける励磁／検出コイルとして使用（兼用）するように構成することによって実現するものである。
【００２１】
また、本発明のＲＦ−ＥＣＴ用の検査用プローブにおける検出コイルは、マルチコイル型に構成することにより、欠陥検出性能（周方向の分解能）の向上を実現するものである。
【００２２】
具体的には、検査用プローブの励磁コイルをＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子に接続し、検出コイルを検出入力端子に接続したＲＦ−ＥＣＴ探傷系と、検査用プローブの励磁／検出コイルをＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子と検出入力端子に接続したＥＣＴ探傷系を備えた渦電流探傷システムにおいて、
前記ＥＣＴ探傷系は、前記励磁／検出コイルを前記ＲＦ−ＥＣＴ探傷系における前記検出コイルを兼用して該検出コイルを前記検出端子に接続すると共に抵抗器を介して前記励磁出力端子に接続することを特徴とする。
【００２３】
そして、前記抵抗器の抵抗値は、前記ＥＣＴ探傷系における励磁出力端子間の内部抵抗の値よりも大きく設定したことを特徴とする。
【００２４】
また、前記検出コイルは、複数のコイルを軸心を中心にして環状に２列に配置して２列のコイル（群）を形成した構成であることを特徴とする。
【００２５】
そして、前記ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子とＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子を前記検出コイルにおける複数のコイルに選択的に接続して検出信号を順次に入力させる分配器を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、同一場所に対してＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷を同時に行って正確な探傷を実現するように構成したことにより、欠陥検出性能の向上を図ることができる。
【００２７】
また、本発明は、同一場所に対して同時に行うＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷は、ＲＦ−ＥＣＴ探傷系において使用する１つの検出コイルをＥＣＴ探傷系における励磁／検出コイルとして兼用して行うように構成したことにより、欠陥検出性能の向上を比較的簡易な構成で実現することができる。
【００２８】
また、本発明は、同一場所に対して同時に行うＲＦ−ＥＣＴ探傷とＥＣＴ探傷において兼用する１つの検出コイル（励磁／検出コイル）をマルチコイルタイプに構成することにより、管の周方向の欠陥検出分解能を向上させることができる。
【００２９】
そして、本発明は、マルチコイル化した検出コイル（励磁／検出コイル）からの検出信号を分配器によって選択的に順次に検出入力端子に入力するように構成したことにより信号処理系を比較的簡易な構成で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明は、検査用プローブの励磁コイルをＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子に接続し、検出コイルを検出入力端子に接続したＲＦ−ＥＣＴ探傷系と、検査用プローブの励磁／検出コイルをＥＣＴ信号処理系の励磁出力端子と検出入力端子に接続したＥＣＴ探傷系を備えた渦電流探傷システムにおいて、
前記ＥＣＴ探傷系は、前記励磁／検出コイルを前記ＲＦ−ＥＣＴ探傷系における前記検出コイルを兼用して前記検出端子に接続すると共に抵抗器を介して前記励磁出力端子に接続し、
前記抵抗器の抵抗値は、前記ＥＣＴ探傷系における励磁出力端子間の内部抵抗の値よりも大きく設定し、
前記検出コイルは、複数のコイルを軸心を中心にして環状に２列に配置して２列のコイル（群）を形成した構成とし、
前記ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子とＥＣＴ信号処理系の１チャンネルの検出入力端子を前記検出コイルにおける複数のコイルに選択的に接続する分配器を設けた構成とする。
【実施例１】
【００３１】
この実施例における渦電流探傷システムは、検査用プローブにおける検出コイルを兼用し、同一場所に対してＲＦ−ＥＣＴとＥＣＴを同時に行って探傷するシステムである。
【００３２】
さらに、前記検出コイル（励磁／検出コイル）をマルチコイルタイプに構成し、周方向の分解能を向上させ、強磁性体製の管の内面および外面の探傷を高性能で行うことができる渦電流探傷システムを実現するものである。
【００３３】
この渦電流探傷システムは、従来の渦電流探傷システムを軽微に変更するという単純な手法で実現するものであり、具体的には、従来のＲＦ−ＥＣＴ用の検査用プローブにおける検出コイルとして使用する２つのコイルをＥＣＴ用の検査用プローブにおける励磁／検出コイルとしても機能させるものである。
【００３４】
図４は、マルチコイルタイプのＲＦ−ＥＣＴ及びＥＣＴ用の検査用プローブの縦断側面図である。
【００３５】
図４において、検査用プローブ１０は、マルチコイルタイプの２列のコイル群１０１１，１０１２を軸方向に近接して配置した励磁／検出コイル１０１と、この励磁／検出コイル１０１に対して軸方向両側の所定距離離れた位置に設置した２つの励磁コイル１０２，１０３を備える。励磁／検出コイル１０１の２列のコイル群１０１１，１０１２は、ＲＦ−ＥＣＴにおける検出コイルとＥＣＴにおける励磁／検出コイルとして機能させる。
【００３６】
図５は、ボビンコイルタイプの検査用プローブを使用した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。ボビンコイルタイプの検査用プローブは、前述したマルチコイルタイプのＲＦ−ＥＣＴ及びＥＣＴ用の検査用プローブにおける励磁／検出コイル１０１をボビンコイルタイプに変更した構成（図３（ｂ）参照）である。
【００３７】
図５において、検査用プローブ１０は、励磁コイル１０２，１０３をシールド線の芯線１５ａとシールド１５ｂを介してＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の励磁出力端子１１１に接続し、ボビンタイプの励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２は、シールド線の芯線１６ａとシールド１６ｂ及び芯線１７ａとシールド１７ｂを介してＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の検出入力端子１１２に接続すると共に、シールド線の芯線１８ａと抵抗器１３の直列回路とシールド１８ｂ及び芯線１９ａと抵抗器１４の直列回路とシールド１９ｂを介してＥＣＴ信号処理系１２の励磁出力端子１２１に接続し、シールド線の芯線２０ａとシールド２０ｂ及び芯線２１ａとシールド２１ｂを介してＥＣＴ信号処理系１２の検出入力端子１２２に接続する。
【００３８】
ＥＣＴ信号処理系１２の励磁出力端子１２１から励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２までの励磁電流供給系に直列接続した抵抗器１３，１４は、同一抵抗値の抵抗器とすることにより、これらのコイル１０１１，１０１２に誘起した検出信号が検出信号処理系に有効に入力することを可能にする。接続する抵抗器１３，１４の抵抗値は、ＥＣＴ信号処理系１２における励磁電流供給系（励磁出力端子１２１）の内部の保護用抵抗や励磁／検出コイル１０１のインピーダンス等の関係を考慮して検出信号入力系に検出信号が有効に流入するように選定する。
【００３９】
この抵抗器１３，１４は、その値を変えることにより、内面または外面の探傷に特化させることが可能となる。抵抗値を小さくすると内面（ＥＣＴ探傷）の検出性能が高くなり、大きくすると外面（ＲＦ−ＥＣＴ探傷）の検出性が高くなる。
【００４０】
ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１は、数百Hz程度の励磁電流を励磁出力端子１１１から出力して励磁コイル１０２，１０３に供給し、この励磁コイル１０２，１０３により生成された間接磁場（管１の傷により乱された渦電流による磁場）により励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２に誘起する検出信号を検出入力端子１１２から入力し、位相検波等の処理を行った後に欠陥（傷）の有無を判定する探傷を行う。
【００４１】
ＥＣＴ信号処理系１２は、数十kHz〜数百kHz程度の励磁電流を励磁出力端子１２１から出力して抵抗器１３，１４を介して励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２に供給し、このコイル１０１１，１０１２により生成された直接磁場（管１の傷により乱された渦電流による磁場）によりコイル１０１１，１０１２に誘起する検出信号を検出入力端子１２２から入力し、位相検波等の処理を行って欠陥（傷）の有無を判定する探傷を行うように機能する。すなわち、磁場の乱れによる信号に基づいて傷の有無を判定（探傷）する。
【００４２】
図６は、前記探傷における励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【００４３】
探傷に当たっては、検査用プローブ１０を探傷対象の管１内に挿入する。
【００４４】
そして、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１は、数百Hz程度の励磁電流を励磁出力端子１１１から出力して励磁コイル１０２，１０３に供給して該励磁コイル１０２，１０３により交流の間接磁場（ＲＦ−ＥＣＴ励磁磁束）を生成させる。この間接磁場による電磁誘導作用より管１内に発生する渦電流は表皮効果によって該管１の表面に流れ、管１の表面に形成された傷により乱される。そしてこの乱れを含む渦電流により発生する磁束により励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２に誘起する電圧によって生成されるＲＦ−ＥＣＴ検出信号（電流）を検出入力端子１１２から入力し、この検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００４５】
また、ＥＣＴ信号処理系１２は、数十kHz〜数百kHz程度のＥＣＴ励磁電流を励磁出力端子１２１から出力して抵抗器１３，１４を介して励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２に供給して該コイル１０１１，１０１２により交流の直接磁場を生成する。この直接磁場による電磁誘導作用によって管１内に発生する渦電流は該管１の内面に形成された傷により乱される。そして、この乱れを含む渦電流により発生する磁束によりコイル１０１１，１０１２に誘起する電圧によって生成されるＥＣＴ検出信号（電流）を検出入力端子１２２から入力し、この検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００４６】
管１に傷等が存在しない場合は、この渦電流に乱れはないが、傷等が存在すると渦電流が乱れる。
【００４７】
ＥＣＴ励磁電流供給系に抵抗器１３，１４が存在しない場合には、励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１，１０１２に誘起した電圧による検出信号がＥＣＴ信号処理系１２の内部抵抗の小さい励磁出力端子１２１に流れ込んで各信号処理系１１，１２における検出入力端子１１２，１２２（端子間内部抵抗１１２ａ，１１２ｂ，１２２ａ，１２２ｂ）に流れ込まなくなるために正常な探傷機能を喪失することになることから、この抵抗器１３，１４の存在は重要である。
【００４８】
抵抗器１３，１４の抵抗値をＥＣＴ信号処理系１２の励磁出力端子１２１間の内部抵抗より大きく設定することにより、各信号処理系１１，１２の検出入力端子１１２，１２２への検出信号の流入を正常化することができる。抵抗値の大きさが小さい場合は、ＥＣＴ励磁電流が流れ易くなるためにＥＣＴ探傷による内面の検出性が向上する。抵抗値の大きさを大きくすると、ＥＣＴ励磁電流が抑制されるため、ＲＦ−ＥＣＴ探傷系にとってはＥＣＴ探傷系の影響を抑えることができ、外面の検出性が向上することになる。
【００４９】
図７は、この実施例における渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【００５０】
検査用プローブ１０は、検出信号取得部２２に前述したＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２を内蔵する。励磁信号発振器２２０１、位相器２２０２、ブリッジ回路２２０３、増幅回路２２０４、位相検波回路２２０５、フィルタ２２０６、Ｘ，Ｙ処理回路２２０７は、従来システムと同様なＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の処理回路であり、励磁信号発振器２２０８、位相器２２０９、ブリッジ回路２２１０、増幅回路２２１１、位相検波回路２２１２、フィルタ２２１３、Ｘ，Ｙ処理回路２２１４は、従来システムと同様なＥＣＴ信号処理系１２の処理回路である。
【００５１】
ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１では、励磁信号発振器２２０１の発振出力をＲＦ−ＥＣＴ励磁コイル１０２，１０３と位相器２２０２に分配する。ＲＦ−ＥＣＴ励磁コイル１０２，１０３側に分配された励磁信号は、ＲＦ−ＥＣＴ励磁コイル１０２，１０３に励磁電流を流して間接磁場を発生させる。
【００５２】
位相器２２０２は、入力した励磁信号をシフトして位相検波用の基準信号を生成する。
【００５３】
ブリッジ回路２２０３は、励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１，１０１２と可変抵抗器で構成し、可変抵抗器を変化させることで探傷対象管（試験体）１の健全部でバランスが取れるように調整しておくことにより、管１に傷が存在する場所ではブリッジのバランスが崩れ、コイル１０１１，１０１２のインピーダンス変化に応じた電圧（検出信号）が得られるように構成する。この検出信号（電圧）は非常に小さいことから、増幅回路２２０４により増幅する。
【００５４】
位相検波回路２２０５は、位相器２２０２の出力信号と増幅回路２２０４の出力信号の位相を比較して検出信号として出力し、フィルタ２２０６でＲＦ−ＥＣＴ励磁磁束に基づく検出信号成分のみを抽出し、Ｘ，Ｙ回路２２０７により検出信号の位相のずれを処理して、Ｘ，Ｙ信号として出力する。
【００５５】
ＥＣＴ信号処理系１２では、励磁信号発振器２２０８の発振出力を励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１，１０１２と位相器２２０９に分配する。
【００５６】
コイル１０１１，１０１２側に分配された励磁信号は該コイル１０１１，１０１２に励磁電流を流して直接磁場を発生させる。
【００５７】
位相器２２０８は、入力した励磁信号をシフトして位相検波用の基準信号を生成する。
【００５８】
ブリッジ回路２２１０は、励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１，１０１２と可変抵抗器で構成し、可変抵抗器を変化させることで探傷対象管（試験体）１の健全部でバランスが取れるように調整しておくことにより、管１に傷が存在する場所ではブリッジのバランスが崩れ、コイル１０１１，１０１２のインピーダンス変化に応じた電圧（検出信号）が得られるように構成する。この検出信号（電圧）は非常に小さいことから、増幅回路２２１１により増幅する。
【００５９】
位相検波回路２２１２は、位相器２２０９の出力信号と増幅回路２２１１の出力信号の位相を比較して検出信号として出力し、フィルタ２２１３でＥＣＴ励磁磁束に基づく検出信号成分のみを抽出し、Ｘ，Ｙ回路２２１４により検出信号の位相のずれを処理して、Ｘ，Ｙ信号として出力する。
【００６０】
記録部２３は、従来システムと同様に、検出信号取得部２２から出力されるＲＦ−ＥＣＴ信号処理系とＥＣＴ信号処理系のＸ，Ｙ信号を記憶して保持する処理を行う。
【００６１】
評価部２４は、記録部２３に記憶されたＥＣＴ信号処理系とＥＣＴ信号処理系のＸ，Ｙ信号を読み出して平滑化処理部２４０１により平滑化し、評価処理部２４０２により評価する処理を行う。この評価部２４は、従来システムにおける評価部における位置ずれ補正処理部を省略した構成である。
【００６２】
そして、判定処理部２５は、従来システムと同様に、評価結果を論理判断して管１における表面の傷か内面の傷かを判定（ＲＦ−ＥＣＴ探傷系とＥＣＴ探傷系の両方に傷が検出されたときには内面の傷であり、ＥＣＴ探傷系のみに傷が検出されたときには外面の傷である。）する。
【００６３】
このような渦電流探傷システムによれば、ＲＦ−ＥＣＴ探傷系とＥＣＴ探傷系は、１つの励磁／検出コイル１０１によって同一場所の探傷検査を行うことから、位置ずれの補正処理は不要であり、同一場所の正確な探傷を実現することができる。
【００６４】
図８は、検出信号の波形を示している。検出信号取得部２２から出力されるＸ，Ｙ（Ｘに対して９０°位相遅れ）信号は、検査用プローブ１０を搬送するときのノイズ等をＸに、Ｙにノイズが少なくして傷信号を識別し易くするために、Ｘ，Ｙの位相を調整している。
【００６５】
図８において、左側が従来法で右側がこの実施例法であり、上側がＲＦ−ＥＣＴ探傷、下側がＥＣＴ探傷の結果である。従来法では、検出コイル間距離が３００mm程度離れているため、距離の補正処理を行い、擬似的に合わせることが必要であるが、実施例法では、同一の検出コイル（励磁／検出コイル１０１）を兼用することで、ＲＦ−ＥＣＴ探傷系とＥＣＴ探傷系で時間のずれが発生しないことから補正処理は不要である。
【００６６】
図９は、ＥＣＴ励磁電流供給系に直列接続する抵抗器１３，１４の抵抗値の大きさと検出特性の関係を示している。
【００６７】
この抵抗器１３，１４の抵抗値を変えると、傷（欠陥）の検出性を内面または外面に特化（変化）させることができる。抵抗値の変化は、それぞれのコイル１０１１，１０１２に流れる電流値を制御することになる。
【００６８】
図８に示した検出結果は、ＥＣＴ探傷系とＲＦ−ＥＣＴ探傷系の特性が交差した（バランスの良い）抵抗値で探傷したものである。
【００６９】
図１０は、マルチコイルタイプの検査用プローブとボビンコイルタイプの検査用プローブを使用した探傷における探傷比較結果（Ｙ信号）を示している。検査用プローブをマルチコイル化すると、外面周方向局所ノッチ（幅０．３mm、長さ１０mm、管肉厚に対する深さ２０％）の検出を可能にすることができる。
【実施例２】
【００７０】
図１１は、マルチコイルタイプの検査用プローブ１０を使用した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。このマルチコイルタイプの検査用プローブ１０を使用した渦電流探傷システムは、管の周方向の欠陥検出分解能を向上させることができる。
【００７１】
ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１は、前述した実施例と同様に励磁コイル１０２，１０３に励磁電流を供給する構成であるが、検出信号を入力する検出信号入力端子１１２は、励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１ａ〜ｎ，１０１２ａ〜ｎに対応するｎチャンネルの入力端子を備え、内部には相応するチャンネル数の信号処理系を備える。
【００７２】
ＥＣＴ信号処理系１２は、抵抗器１３，１４を介して励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１ａ〜ｎ，１０１２ａ〜ｎに並列に励磁電流を供給し、検出信号を入力する検出信号入力端子１２２は、励磁／検出コイル１０１におけるコイル１０１１ａ〜ｎ，１０１２ａ〜ｎに対応するｎチャンネルの入力端子を備え、内部には相応するチャンネル数の信号処理系を備える。
【００７３】
そして、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２は、前述した実施例と同様にして信号処理を実行し、検出結果を記録部２３，評価部２４，判定処理部２５により処理する探傷を実行する。
【００７４】
図１２は、この実施例における探傷時の励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【００７５】
探傷に当たっては、前述した実施例と同様に、検査用プローブ１０を探傷対象の管１内に挿入する。
【００７６】
そして、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１は、数百Hz程度の励磁電流を励磁出力端子１１１から出力して励磁コイル１０２，１０３に供給して該励磁コイル１０２，１０３により交流の間接磁場（ＲＦ−ＥＣＴ励磁磁束）を生成させる。この間接磁場による電磁誘導作用より管１内に発生する渦電流は表皮効果によって該管１の表面に流れ、管１の表面に形成された傷により乱される。そしてこの乱れを含む渦電流により発生する磁束により励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに誘起する電圧によって生成されるＲＦ−ＥＣＴ検出信号（電流）を検出入力端子１１２から入力し、このｎチャンネルの検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００７７】
また、ＥＣＴ信号処理系１２は、数十kHz〜数百kHz程度のＥＣＴ励磁電流を励磁出力端子１２１から出力して抵抗器１３，１４を介して励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに供給して該コイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎにより交流の直接磁場を生成する。この直接磁場による電磁誘導作用によって管１内に発生する渦電流は該管１の内面に形成された傷により乱される。そして、この乱れを含む渦電流により発生する磁束によりコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに誘起する電圧によって生成されるＥＣＴ検出信号（電流）を検出入力端子１２２から入力し、このｎチャンネルの検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００７８】
管１に傷等が存在しない場合は、この渦電流に乱れはないが、傷等が存在すると渦電流が乱れる。
【００７９】
ＥＣＴ励磁電流供給系に接続した抵抗器１３，１４の機能については、前述した実施例と同様であるので、重複する説明を省略する。
【実施例３】
【００８０】
図１３は、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系とＲＦ−ＥＣＴ信号処理系の構成を簡易化した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【００８１】
この渦電流探傷システムは、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の１チャンネルの検出入力端子１１２とＥＣＴ信号処理系１２の１チャンネルの検出入力端子１２２を分配器によってマルチコイルタイプの検査用プローブ１０の励磁／検出コイル１０１におけるｎチャンネルのコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに選択的に入力接続する形態に構成する。
【００８２】
分配器２６は、ｎチャンネルの入力端子２６１をマルチコイルタイプの検査用プローブ１０の励磁／検出コイル１０１におけるｎチャンネルのコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに接続し、１チャンネルの出力端子２６２をＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１における１チャンネルの検出入力端子１１２とＥＣＴ信号処理系１２の１チャンネルの検出入力端子１２２に接続する。
【００８３】
そして、この分配器２６は、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１の１チャンネルの検出入力端子１１２とＥＣＴ信号処理系１２の１チャンネルの検出入力端子１２２を検査用プローブ１０の励磁／検出コイル１０１におけるｎチャンネルのコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに選択的に順次に接続してｎチャンネルのコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに誘起した検出信号をＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２の１チャンネルの検出入力端子１１２，１２２に順次に入力することにより、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２により順次に検出処理させる。
【００８４】
この実施例における渦電流探傷システムは、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２における検出処理系のチャンネル数を減じて該ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１とＥＣＴ信号処理系１２の構成を簡易化することができる。
【００８５】
図１４は、この実施例における探傷時の励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【００８６】
探傷に当たっては、前述した実施例と同様に、検査用プローブ１０を探傷対象の管１内に挿入する。
【００８７】
そして、ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系１１は、数百Hz程度の励磁電流を励磁出力端子１１１から出力して励磁コイル１０２，１０３に供給して該励磁コイル１０２，１０３により交流の間接磁場（ＲＦ−ＥＣＴ励磁磁束）を生成させる。この間接磁場による電磁誘導作用より管１内に発生する渦電流は表皮効果によって該管１の表面に流れ、管１の表面に形成された傷により乱される。そしてこの乱れを含む渦電流により発生する磁束により励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに誘起する電圧によって生成されるＲＦ−ＥＣＴ検出信号（電流）を分配器２６を介して選択的に順次に検出入力端子１１２から入力し、このｎチャンネルの検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００８８】
また、ＥＣＴ信号処理系１２は、数十kHz〜数百kHz程度のＥＣＴ励磁電流を励磁出力端子１２１から出力して抵抗器１３，１４を介して励磁／検出コイル１０１のコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに供給して該コイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎにより交流の直接磁場を生成する。この直接磁場による電磁誘導作用によって管１内に発生する渦電流は該管１の内面に形成された傷により乱される。そして、この乱れを含む渦電流により発生する磁束によりコイル１０１１１〜１０１１ｎ，１０１２１〜１０１２ｎに誘起する電圧によって生成されるＥＣＴ検出信号（電流）を分配器２６を介して選択的に順次に検出入力端子１２２から入力し、このｎチャンネルの検出信号の乱れ（傷による渦電流の乱れ）の量を判定する。
【００８９】
ＥＣＴ励磁電流供給系に接続した抵抗器１３，１４の機能については、前述した実施例と同様であるので、重複する説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】渦電流探傷における間接磁場と直接磁場の概要を示す模式図である。
【図２】ＲＦ−ＥＣＴ用とＥＣＴ用を同軸上に軸方向に並べて配置した検査用プローブの縦断側面図である。
【図３】ＥＣＴにおける励磁／検出コイルのマルチコイルタイプ(ａ)をボビンコイルタイプ（ｂ）と対比させて示す縦断正面図と縦断側面図である。
【図４】マルチコイルタイプのＲＦ−ＥＣＴ及びＥＣＴ用の検査用プローブの縦断側面図である。
【図５】ボビンコイルタイプの検査用プローブを使用した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【図６】探傷における励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【図７】渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【図８】検出信号の波形図である。
【図９】ＥＣＴ励磁電流供給系に直列接続する抵抗器の抵抗値の大きさと検出特性の関係を示している。
【図１０】マルチコイルタイプの検査用プローブとボビンコイルタイプの検査用プローブを使用した探傷における探傷比較結果（Ｙ信号）を示している。
【図１１】マルチコイルタイプの検査用プローブを使用した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【図１２】探傷における励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【図１３】ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系とＥＣＴ信号処理系の構成を簡易化した渦電流探傷システムの機能ブロック図である。
【図１４】探傷における励磁電流（励磁磁束）及び検出信号の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００９１】
１…強磁性体製の管、１０…検査用プローブ、１０１…励磁／検出プローブ、１０１１，１０１２…コイル、１０２，１０３…励磁コイル、１１…ＲＦ−ＥＣＴ信号処理系、１１１…励磁出力端子、１１２…検出入力端子、１２…ＥＣＴ信号処理系、１２１…励磁出力端子、１２２…検出入力端子、１３，１４…抵抗器、２２…検出信号取得部、２２０１…励磁信号発振器、２２０２…位相器、２２０３…ブリッジ回路、２２０４…増幅回路、２２０５…位相検波回路、２２０６…フィルタ、２２０７…Ｘ，Ｙ処理回路、２２０８…励磁信号発振器、２２０９…位相器、２２１０…ブリッジ回路、２２１１…増幅回路、２２１２…位相検波回路、２２１３…フィルタ、２２１４…Ｘ，Ｙ処理回路、２３…記録部、２４…評価部、２５…判定処理部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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