(57)【要約】【課題】ウェハ面内・長手方向の厚さばらつきが少ない高品位なＧａＡｓ結晶半導体ウェハを提供する。【解決手段】単結晶インゴット１１を、複数の溝付きローラに巻き付けられて走行されるワイヤに押し付けて、単結晶インゴット１１をそのワイヤでスライスしてＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷを製造する方法において、単結晶インゴット１１の切断位置を境に一対の内側溝付きローラ１２，１２を配置すると共にその内側溝付きローラ１２，１２の外側に一対の外側溝付きローラ１３，１３を配置し、内側及び外側溝付きローラ１２，１３の溝１８，１９同士を溝ピッチの１／２オフセットさせて配置し、その内側及び外側溝付きローラ１２，１３に巻き付けられた内側及び外側ワイヤ１５，１７を互いに逆方向に走行させ、その内側及び外側ワイヤ１５，１７で単結晶インゴット１１をスライスする方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶インゴットを、複数の溝付きローラに巻き付けられて走行されるワイヤに押し付けて、前記単結晶インゴットをそのワイヤでスライスしてＧａＡｓ結晶半導体ウェハを製造する方法において、
前記単結晶インゴットの切断位置を境に一対の内側溝付きローラを配置すると共にその内側溝付きローラの外側に一対の外側溝付きローラを配置し、内側及び外側溝付きローラの溝同士を溝ピッチの１／２オフセットさせて配置し、その内側及び外側溝付きローラに巻き付けられた内側及び外側ワイヤを互いに逆方向に走行させ、その内側及び外側ワイヤで単結晶インゴットをスライスすることを特徴とするＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】
前記内側及び外側ワイヤを同じ速度で互いに逆方向に走行させる請求項１に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【請求項３】
前記外側ワイヤが内側溝付きローラを横断して走行する際に、内側溝付きローラと接しないように、外側溝付きローラが内側溝付きローラより僅かに低い位置に配置されるか、あるいは内側溝付きローラに前記外側ワイヤを素通りさせるスルー溝が形成される請求項１又は２に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【請求項４】
前記一対の内側溝付きローラと三角形状を形成するように、前記単結晶インゴットの切断位置の上方に内側トップローラが配置され、その３本のローラに螺旋状に前記内側ワイヤが巻き付けられた請求項１〜３のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【請求項５】
前記一対の外側溝付きローラと三角形状を形成するように、前記内側トップローラの上方に外側トップローラが配置され、その３本のローラに螺旋状に前記外側ワイヤが巻き付けられた請求項４に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
前記内側及び外側ワイヤは、前記単結晶インゴットの切断力が同じとなるように、そのテンションが制御される請求項１〜５のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧａＡｓの単結晶インゴットをワイヤソーを用いてスライスしてＧａＡｓ結晶半導体ウェハを製造するＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＡｓ結晶の半導体ウェハ（ＧａＡｓ結晶半導体ウェハ）は、結晶成長によりＧａＡｓの単結晶インゴットを製作し、これを内周刃スライス・ワイヤソースライスなどの方法でスライスし、面取り作業・研磨作業を行って円盤状の鏡面ウェハに加工される。
【０００３】
半導体ウェハは、その結晶のもつ特性から、一定方向に割れやすい特性があり、加工工程の取り扱いや、加工装置での吸着などの搬送作業での割れ・欠けが発生してウェハ機能が保てずに廃棄しなければならない場合が発生する。特に、技術の進歩と原価低減により、ウェハの厚さを薄くする傾向にあり、ウェハの機械強度が低下することが原因で減少することはない。
【０００４】
また、これらのウェハを使用して製作される製品は、特性向上のため、外観的な破損は勿論のこと、研磨作業での鏡面化後の表面形状、例えばそり形状や表面の微細な凹凸などについても制限を設けることが多く、その規格値も様々になっている。共通しているのは、平滑であるほどよい傾向であることが共通の認識となっている。
【０００５】
これらの性能を維持するためには、加工する過程で原因となるものを発生させないような加工方法を確立させる必要がある。特に、初期作業の単結晶インゴットをスライスする作業において、切断時のそり形状やウェハ表面に発生した凹凸が、ウェハ研磨で表面を磨いた後でも、形状と凹凸の起伏が反映されて、完成したウェハ表面の形状に大きな影響を与えている。
【０００６】
さらに、スライス作業の技術の向上と生産性の向上の観点から、スライスの対象となる単結晶インゴットの大きさが大口径・長尺となる傾向が進み、ウェハの厚さの均一性を長手方向とウェハ面内で同時に満足することは技術的に難しくなってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１５５７１７号公報
【特許文献２】特開平１０−２９６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図４（ａ）、（ｂ）に示すワイヤソー４０を用いて単結晶インゴット４１を切断する際には、１本のワイヤ４２を３本のローラ４３，４３，４３に螺旋状に巻き付け、ローラ４３を正逆方向に駆動（回転）させてワイヤ４２を正逆方向に走行させ、これに添え台４４に接着固定された単結晶インゴット４１を押し付けることにより、ワイヤ４２で、のこぎりのようにして単結晶インゴット４１を切断する。実際は、ワイヤ４２が同じ位置で駆動すると、ワイヤ４２の摩耗によりワイヤ切れが生じてしまうので、ローラ４３の駆動を、例えば５０ｃｍ進んで３０ｃｍ戻るといった動作で、ワイヤ４２を少しずつ先へ送り出して新しいワイヤ４２を少しずつ送り込むようにしている。
【０００９】
１本のワイヤ４２を３本のローラ４３，４３，４３に螺旋状に巻き付けるため、最初に巻き付けられた位置（ＩＮ側）から３本のローラ４３，４３，４３の終端（ＯＵＴ側）へ抜け出したワイヤ４２では、切断作業での摩耗でワイヤ４２が徐々に細くなり、ワイヤ４２の径の差で均一の切断代ではなくなってしまい、これが原因で厚さばらつきが増えてしまう。
【００１０】
これは、単結晶インゴット４１の長尺化が進むことで顕著に現れ、長尺になるほどワイヤ４２の巻き数が増えて、ワイヤ４２が切断作業で単結晶インゴット４１に触れている時間が長くなるので、ワイヤ４２の摩耗量も多くなり、ワイヤ４２が細くなりやすく、ワイヤ４２の径の変化により、ウェハの厚さが徐々に変化する。そのため、単結晶インゴット４１の長手方向とウェハ面内においても切断したタイミングによってワイヤ４２の摩耗程度と切断時の接触面積の違いによりウェハに厚さばらつきを生じさせる。
【００１１】
また、ワイヤ４２の摩耗量の増加は、ワイヤ４２のブレを大きくする原因になり、ウェハ面内の厚さばらつきを増やし、作業途中でワイヤ４２が切れる確率を増大させ、スライス作業にとって不利益な要因が増えていく。
【００１２】
同様に単結晶インゴット径の増大もスライス作業にかかる時間を増加させ、１ストロークのスライス動作、つまり、のこぎりのような１回の往復動作の中で、ワイヤ４２が単結晶インゴット４１に触れる時間が増えてワイヤ４２の摩耗量を増やしている。
【００１３】
さらに、技術の進歩によりウェハの薄肉化が進み、同じ長さの単結晶インゴット４１からより多くのウェハを採取すべく、３本のローラ４３，４３，４３に短ピッチの溝を刻み、巻き数を多く取るようになると、ワイヤ４２の接触回数が増えて、ワイヤ４２の摩耗量も従来より増加するようになった。
【００１４】
これらの要因と、ワイヤ４２の摩耗によって単結晶インゴット４１に接触する条件が単結晶インゴット４１の長手方向で変化してウェハの切断条件が変化し、厚さばらつきを増やす要因になっている。
【００１５】
また、従来は１本のワイヤ４２で切断していたので、単結晶インゴット４１に対して同じ方向の力が加わり、隣接したワイヤ４２と同じ方向にすべてのワイヤ４２が引きずられていたため、単結晶インゴット４１が動かないように添え台４４に強力に固定しなければならず、接着剤などで固定していた。
【００１６】
そのため、切断後の剥離作業で添え台４４から単結晶インゴット４１を剥がすときに接着剤が剥がれにくく、接着剤が原因でのウェハの破損なども少なくなかった。
【００１７】
さらに、接着不足で単結晶インゴット４１の位置がずれてウェハ表面にスライス痕が残るなどの不良が発生してウェハ厚さが変動する原因になっている。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、ワイヤソーでのワイヤ摩耗に起因するウェハ面内・長手方向の厚さばらつきを減少でき、また、単結晶インゴットがワイヤに引きずられることによるウェハの破損やウェハ厚さばらつきを減少できるＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、単結晶インゴットを、複数の溝付きローラに巻き付けられて走行されるワイヤに押し付けて、前記単結晶インゴットをそのワイヤでスライスしてＧａＡｓ結晶半導体ウェハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの切断位置を境に一対の内側溝付きローラを配置すると共にその内側溝付きローラの外側に一対の外側溝付きローラを配置し、内側及び外側溝付きローラの溝同士を溝ピッチの１／２オフセットさせて配置し、その内側及び外側溝付きローラに巻き付けられた内側及び外側ワイヤを互いに逆方向に走行させ、その内側及び外側ワイヤで単結晶インゴットをスライスするＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【００２０】
請求項２の発明は、前記内側及び外側ワイヤを同じ速度で互いに逆方向に走行させる請求項１に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【００２１】
請求項３の発明は、前記外側ワイヤが内側溝付きローラを横断して走行する際に、内側溝付きローラと接しないように、外側溝付きローラが内側溝付きローラより僅かに低い位置に配置されるか、あるいは内側溝付きローラに前記外側ワイヤを素通りさせるスルー溝が形成される請求項１又は２に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【００２２】
請求項４の発明は、前記一対の内側溝付きローラと三角形状を形成するように、前記単結晶インゴットの切断位置の上方に内側トップローラが配置され、その３本のローラに螺旋状に前記内側ワイヤが巻き付けられた請求項１〜３のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【００２３】
請求項５の発明は、前記一対の外側溝付きローラと三角形状を形成するように、前記内側トップローラの上方に外側トップローラが配置され、その３本のローラに螺旋状に前記外側ワイヤが巻き付けられた請求項４に記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【００２４】
請求項６の発明は、前記内側及び外側ワイヤは、前記単結晶インゴットの切断力が同じとなるように、そのテンションが制御される請求項１〜５のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ウェハ面内・長手方向の厚さばらつきが少ない高品位なＧａＡｓ結晶半導体ウェハが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に用いるワイヤソーの一例を示す概略図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明により製造されたＧａＡｓ結晶半導体ウェハのうち３枚を抜き取って厚さ変動を測定した結果を示すグラフである。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、従来の方法により製造されたＧａＡｓ結晶半導体ウェハのうち３枚を抜き取って厚さ変動を測定した結果を示すグラフである。
【図４】従来のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に用いるワイヤソーの概略図である。
【図５】ＧａＡｓ結晶半導体ウェハの表面の凹凸測定位置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２８】
先ず、本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に用いるワイヤソーを説明する。
【００２９】
図１は、本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に用いるワイヤソーの一例を示す概略図である。
【００３０】
図１に示すように、ワイヤソー１０は、ＧａＡｓからなる単結晶インゴット１１の上方に、その切断位置を境に配置された一対の内側溝付きローラ１２，１２と、その内側溝付きローラ１２，１２の外側に配置された一対の外側溝付きローラ１３，１３と、一対の内側溝付きローラ１２，１２と三角形状を形成するように、単結晶インゴット１１の切断位置の上方に配置された内側トップローラ１４と、一対の内側溝付きローラ１２，１２及び内側トップローラ１４に螺旋状に巻き付けられた内側ワイヤ１５と、一対の外側溝付きローラ１３，１３と三角形状を形成するように、内側トップローラ１４の上方に配置された外側トップローラ１６と、一対の外側溝付きローラ１３，１３及び外側トップローラ１６に螺旋状に巻き付けられた外側ワイヤ１７とを備える。
【００３１】
すなわち、ワイヤソー１０は、内側溝付きローラ１２，１２、内側トップローラ１４で構成された内側ワイヤソーＩと、外側溝付きローラ１３，１３、外側トップローラ１６で構成された外側ワイヤソーＯの２系統のワイヤソーを有している。
【００３２】
内側及び外側溝付きローラ１２，１３と内側及び外側トップローラ１４，１６の各外周面には、軸方向に所定間隔（溝ピッチ）を隔ててそれぞれ溝１８，１９，２０，２１（図示実線）が複数形成されており、内側及び外側溝付きローラ１２，１３は、その溝１８，１９同士を溝ピッチの１／２オフセットさせて配置されている。これらの溝１８，１９，２０，２１は、内側及び外側ワイヤ１５，１７がそれぞれ同間隔で走行されるようにガイドするためのものである。
【００３３】
また、外側ワイヤ１７が内側溝付きローラ１２を横断して走行する際に、内側溝付きローラ１２と接しないように、外側溝付きローラ１３が内側溝付きローラ１２より僅かに低い位置に配置されるか、あるいは内側溝付きローラ１２に外側ワイヤ１７を素通りさせるスルー溝２２（図示破線）が形成される。
【００３４】
すなわち、スルー溝２２が形成される場合には、内側溝付きローラ１２には、溝１８とスルー溝２２が溝ピッチの１／２の間隔で交互に刻まれる。
【００３５】
内側溝付きローラ１２，１２、内側トップローラ１４の少なくとも１本（図１では内側トップローラ１４）には、内側溝付きローラ１２，１２、内側トップローラ１４を正逆方向に回転させて内側ワイヤ１５を正逆双方向に走行させる駆動モータ２３が取り付けられる。
【００３６】
同様に、外側溝付きローラ１３，１３、外側トップローラ１６の少なくとも１本（図１では外側トップローラ１６）には、外側溝付きローラ１３，１３、外側トップローラ１６を正逆方向に回転させて外側ワイヤ１７を正逆双方向に走行させる駆動モータ２４が取り付けられる。
【００３７】
また、ワイヤソー１０は、内側ワイヤ１５を巻き取り、あるいは繰り出して内側ワイヤ１５の正逆双方向への移動を可能とするための一対のワイヤリール２５，２５と、外側ワイヤ１７を巻き取り、あるいは繰り出して外側ワイヤ１７の正逆双方向への移動を可能とするための一対のワイヤリール２６，２６とを備える。
【００３８】
これらワイヤリール２５，２５，２６，２６は、駆動モータ２３，２４の正逆回転の切り替えによる内側及び外側ワイヤ１５，１７の正逆双方向への移動に対応してそれぞれ内側及び外側ワイヤ１５，１７の繰り出しと巻き取りとを切り替えるように構成されている。この切り替えは、ワイヤリール２５に取り付けられた駆動モータ２７、ワイヤリール２６に取り付けられた駆動モータ２８によりそれぞれ行う。
【００３９】
これら駆動モータ２７，２８と上述の駆動モータ２３，２４により、内側及び外側ワイヤ１５，１７は同じ速度で互いに逆方向に走行されるよう制御される。すなわち、隣り合うワイヤ同士がそれぞれ逆方向に走行されるようになっている。例えば図１に示すように、内側ワイヤソーＩでは、内側ワイヤ１５をＩin側からＩout側へ（図示矢印向きに）繰り出し、外側ワイヤソーＯでは、内側ワイヤ１５をＯin側からＯout側へ（図示白抜き矢印向きに）繰り出すようにして内側及び外側ワイヤ１５，１７を互いに逆方向に走行させる。
【００４０】
また、これらワイヤリール２５，２５，２６，２６は、内側及び外側ワイヤ１５，１７の張力を一定に保持するテンショナとしても機能する。これにより、内側及び外側ワイヤ１５，１７は、単結晶インゴット１１の切断力が同じとなるように、そのテンションが制御される。このテンションの制御は、他にも例えば、内側及び外側溝付きローラ１２，１３や内側及び外側トップローラ１４，１６の配置位置を調整して行うことができる。
【００４１】
そして、ワイヤソー１０の下方には、スライス対象としてのＧａＡｓの単結晶インゴット１１が添え台２９上に接着固定されて配置されている。この添え台２９の下部には、図示していないが、単結晶インゴット１１を内側及び外側ワイヤ１５，１７に押し付けるためのアクチュエータが設けられており、このアクチュエータで添え台２９を介して単結晶インゴット１１を上昇させて内側及び外側ワイヤ１５，１７に単結晶インゴット１１を押し付けるようになっている。
【００４２】
また、内側溝付きローラ１２，１２、内側トップローラ１４で形成された三角形状の中心部には、図示していないが、単結晶インゴット１１の切断位置の内側及び外側ワイヤ１５，１７に研磨材を含むスラリーを噴射・供給するためのノズルが設けられる。
【００４３】
このワイヤソー１０を用いた本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法を説明する。
【００４４】
内側溝付きローラ１２，１２、内側トップローラ１４に内側ワイヤ１５を巻き付けると共に、外側溝付きローラ１３，１３、外側トップローラ１６に外側ワイヤ１７を巻き付け、内側及び外側ワイヤ１５，１７にスラリーを供給し、内側及び外側溝付きローラ１２，１３、内側及び外側トップローラ１４，１６の回転力でのこぎりのようにして単結晶インゴット１１を内側及び外側ワイヤ１５，１７に押し付けながら切断する。
【００４５】
単結晶インゴット１１は、添え台２９に接着剤によって切断中に剥がれないように接着されており、単結晶インゴット１１の切断は、接着面とは反対側の方向（図示上方）から切断を開始し、単結晶インゴット１１を完全に切断した後、添え台２９の途中まで、添え台２９を完全に切断しない位置まで切断する。これは、添え台２９を完全に切断してしまうと切断動作のため左右に動いている内側及び外側ワイヤ１５，１７にＧａＡｓ結晶半導体ウェハが飛ばされて、ＧａＡｓ結晶半導体ウェハが破損するおそれがあるためである。
【００４６】
以上より、添え台２９に固定された複数のＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷが得られる。
【００４７】
次に、ワイヤソー１０を用いた本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法の作用を説明する。
【００４８】
本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法では、単結晶インゴット１１を切断する際に、内側及び外側ワイヤ１５，１７がそれぞれ同じ速度で互いに逆方向に走行されているため、単結晶インゴット１１にかかる力が打ち消され、従来のように単結晶インゴット１１がワイヤの走行方向へ引きずられることなく、固定箇所からのズレなどが発生しにくいので、ＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷの厚さの変動を抑えられる。
【００４９】
また、単結晶インゴット１１にかかる力が打ち消されるため、単結晶インゴット１１を添え台２９に従来ほど強力に接着する必要がなくなり、切断後に添え台２９からＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷを取り外す際に、接着剤が原因で生じるウェハの破損を防ぐことができる。
【００５０】
さらに、本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法では、内側及び外側溝付きローラ１２，１３の溝１８，１９同士を溝ピッチの１／２オフセットさせて配置し、内側及び外側ワイヤ１５，１７がそれぞれ交互に単結晶インゴット１１に対して接触するようにしているので、従来のワイヤソー４０を用いて切断する場合に比べ、個々のローラの溝ピッチを２倍取ることがことができる。
【００５１】
この効果により、ローラに刻む溝の数を１／２にすることができるので、ワイヤーとローラの接触面積も１／２になり、各ワイヤーの摩耗を半減でき、ワイヤの径の変化による単結晶インゴット１１の長手方向及びウェハ面内の厚さばらつきを低減でき、高品位なＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷが得られる。
【００５２】
薄肉のＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷを製造するときは、従来まではその目標の厚さに合わせて溝ピッチを刻む必要があるので、例えば切断厚さが３００μｍであれば、３００μｍの溝ピッチで溝が必要なため、ローラについても緻密な加工が必要であったが、２系統のワイヤソーＩ，Ｏを用いた本発明では、２倍の溝ピッチで溝を刻むことがきるのでローラの加工限界で制限されていた溝ピッチについて、従来の限界溝ピッチのまま２系統のローラの位置を調整することによって加工限界である溝ピッチの１／２まで厚さを薄く切断できる。
【００５３】
ローラの加工限界に近い溝ピッチで非常に薄いＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷを製造する際には、上述したスルー溝２２は形成せず（加工限界により形成できない）、外側溝付きローラ１３を内側溝付きローラ１２より僅かに低い位置に配置すると良い。この場合、内側ワイヤ１５が単結晶インゴット１１に接触する位置と外側ワイヤ１７が単結晶インゴット１１に接触する位置との間に段差が生じるが、この段差は非常に僅か（ワイヤ径程度）なためウェハの厚さにほとんど影響を及ぼすことはない。
【実施例】
【００５４】
図４（ａ）、（ｂ）に示したように、従来のワイヤソー４０は、３本のローラ４３，４３，４３にワイヤ４２を巻き付け、ローラ４３の回転力でのこぎりのようにしてＧａＡｓの単結晶インゴット４１をワイヤ４２の中に通しながら切断する。実際の駆動は、図４（ａ）、（ｂ）の動作が順に繰り返され、のこぎりで切断するような動作が単結晶インゴット４１に伝わる。
【００５５】
ワイヤ４２は１本を螺旋状に巻き付けＩＮ側から順に単結晶インゴット４１に接触し、ＯＵＴ側に抜けていく間に、単結晶インゴット４１やローラ４３に接触し、少しずつ摩耗し細くなっていく。
【００５６】
そのため、ワイヤ４２の径の変化が単結晶インゴット４１に伝わり、長手方向とウェハ面内で切断条件が変わり、ウェハの厚さばらつきにつながる。
【００５７】
図１に示したように、本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法に用いるワイヤソー１０は、３本のローラを２系統用い、それぞれの系統が互い違いに単結晶インゴット１１を切断するように配置し、それぞれの駆動を制御して正逆回転がそれぞれ互いに逆方向になるように駆動される。
【００５８】
単結晶インゴット１１の長さが同じなら、それぞれの系統の溝ピッチを２倍にして、ワイヤの巻き数を半分にできるので、ワイヤの摩耗も半減でき、ウェハの厚さばらつきを軽減できる。
【００５９】
実際に、図４（ａ）、（ｂ）に示した１系統のワイヤソー４０を用いた従来の方法で製造したＧａＡｓ結晶半導体ウェハ５０と、２系統のワイヤソーＩ，Ｏを有するワイヤソー１０を用いた本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法で製造したＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷの表面の凹凸をそれぞれ測定して表面形状を比較した。
【００６０】
この測定は、図５に示すように、それぞれのＧａＡｓ結晶半導体ウェハ５０，Ｗにおいて、切断初めの位置から単結晶インゴットと添え台の硬度の違いによりワイヤにぶれが生じ表面に凹凸形状を形成してしまう位置５１（図示矢印の位置）までの表面の凹凸を測定することにより行った。その結果を図２、３に示す。
【００６１】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明により製造した複数のＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷから抜き取った３枚の表面の凹凸の測定結果を示す図であり、図３（ａ）〜（ｃ）は、従来方法により製造した複数のＧａＡｓ結晶半導体ウェハ５０から抜き取った３枚の表面の凹凸の測定結果を示す図である。
【００６２】
図２（ａ）〜（ｃ）と図３（ａ）〜（ｃ）とを比較すると、本発明により製造されたＧａＡｓ結晶半導体ウェハＷでは、従来の方法で製造されたＧａＡｓ結晶半導体ウェハ５０に比べて切断始めと切断終わりの厚さ変動が滑らかになり、特に切断終わりにおいては、変動が減っているのが分かる。
【００６３】
以上より、本発明のＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法によれば、ウェハ面内・長手方向の厚さばらつきが少ない高品位なＧａＡｓ結晶半導体ウェハが得られることが分かる。
【符号の説明】
【００６４】
１１  単結晶インゴット
１２  内側溝付きローラ
１３  外側溝付きローラ
１５  内側ワイヤ
１７  外側ワイヤ
１８，１９  溝
Ｗ  ＧａＡｓ結晶半導体ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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