(57)【要約】【課題】半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定することが可能な、いわゆる電気特性測定用配線基板において、その抵抗値を、前記配線基板を破損させることなく、正確に測定する。【解決手段】厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置された接続パッドと、前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、前記ビアパッドと前記接続パッドとの間に前記配線と電気的に接続するように前記配線の幅よりも大きな、抵抗値を測定するための測定用パッドとを具えるようにして配線基板を構成する。【選択図】図４
2010043898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置された接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具える配線基板において、
前記ビアパッドと前記接続パッドとの間に前記配線と電気的に接続するように前記配線の幅よりも大きな幅で、抵抗値を測定するための測定用パッドを具えることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記ビアパッドと前記接続パッドとの間には、２以上の測定用パッドが設けられることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記測定用パッド間の距離が、前記測定用パッドと前記ビアパッドとの距離及び前記測定用パッドと前記接続パッドとの距離よりも大きいことを特徴とする、請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記測定用パッドと前記ビアパッドとの間に、前記測定用パッドと接触するようにして配置された抵抗体を具えることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記２以上の測定用パッド間に、これら測定用パッドと接触するようにして配置された抵抗体を具えることを特徴とする、請求項２又は３に記載の配線基板。
【請求項６】
前記測定用パッドは、５角形以上の多角体であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の配線基板。
【請求項７】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置される接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具えることを特徴とする、配線基板であって、
前記接続パッドと抵抗値測定用パッドとが一体化されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
前記接続パッドにおいて、前記測定用領域の、前記配線と電気的に接触する側が、前記ビアパッドに向けてテーパ状に狭小化されてなることを特徴とする、請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一に記載の配線基板と、
前記配線基板の前記接続パッドと電気的に接続されてなるプローブピンと、
を具えることを特徴とする、ＩＣ電気特性検査用配線基板。
【請求項１０】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにしてビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置するようにして接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとの間において、前記配線と電気的に接触するようにして配置され、前記配線の幅よりも大きな、抵抗値を測定するための測定用パッドを形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項１１】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにしてビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置するようにして、測定用領域が画定されてなる接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、ＩＣ電気特性検査用配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン等の半導体ウエハに形成した半導体チップや集積回路の検査用にはテスタが用いられてきた。このような回路検査においては、前記テスタに接続されたプローブカードなどの電気特性測定用配線基板のプロ―ブを、前記半導体チップや前記集積回路と接続することにより行われる（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００６−９８１４６号
【０００３】
一方、近年においては、半導体ウエハ上に形成された半導体素子毎ではなく、それら複数の半導体素子に対して同時にそれらの電気特性を測定することが望まれている。しかしながら、前記半導体ウエハは、最大で数十ｃｍの大きさにも達するため、このような半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定するに際しては、電気特性測定用配線基板の大きさも数十ｃｍの大きさまで拡大しなければならない。
【０００４】
一方、上述のようにして複数の半導体素子の電気特性を、電気特性測定用配線基板を用いて同時に測定するに際しては、電気特性を予め設定していた範囲（電圧及び電流のレンジ）に収まるようにする必要がある。そのため、前記測定用配線基板の抵抗値、特に実際に測定に供する配線の抵抗値を所定の値となるように設定しなければならない。
【０００５】
上述のような測定用配線基板における配線の抵抗を測定するに際しては、測定プローブを前記測定用配線基板の前記配線に直接接触させて測定したり、前記配線と連続した接続パッドやビアパッドに接触したりして行う。
【０００６】
しかしながら、上記測定プローブを接続パッドやビアパッドに接触させてしまうと、その際の圧力によって前記接続パッドや前記ビアパッドが変形したり、窪みができたりして、上記測定用配線基板が不良品化してしまう場合がある。
【０００７】
例えば、前記接続パッドが変形してしまうと、プローブピンの接続精度が劣化してしまい、前記測定用配線基板と半導体ウエハとの電気的接触が不完全となり、前記半導体ウエハの電気的特性を高精度に測定できなくなってしまう場合がある。また、前記ビアパッドが変形してしまうと、上述した配線を含む前記測定用配線基板における全体の配線抵抗が変化して、同様に前記半導体ウエハの電気的特性を高精度に測定できなくなってしまうばかりか、断線によって前記測定用配線基板の機能不全を引き起こしてしまう場合がある。
【０００８】
また、上記測定プローブを配線に直接接触させて抵抗値の測定を行う場合は、前記抵抗値が前記測定プローブの、前記配線に対する接触状態に大きく影響されるようになる。例えば、前記配線の幅が小さくなった場合においては、前記測定プローブとの接触状態を良好に保つことが困難となることから、目的とする前記抵抗値を測定することが困難になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定することが可能な、いわゆる電気特性測定用配線基板において、その抵抗値を、前記配線基板を破損させることなく、正確に測定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置された接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具える配線基板において、
前記ビアパッドと前記接続パッドとの間に前記配線と電気的に接続するように前記配線の幅よりも大きな幅で、抵抗値を測定するための測定用パッド
を具えることを特徴とする、配線基板（第１の配線基板）に関する。
【００１１】
また、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにしてビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置するようにして接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとの間において、前記配線と電気的に接触するようにして配置され、前記配線の幅よりも大きな、抵抗値を測定するための測定用パッドを形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法（第１の製造方法）に関する。
【００１２】
上記第１の配線基板及び第１の製造方法においては、従来の（測定用）配線基板を構成するビアパッド、接続パッド及び配線に加えて、別途、前記配線幅よりも大きな幅を有する抵抗値測定用のパッドを設けている。前記ビアパッドは、上記絶縁基板の両主面上に形成された配線あるいは配線と外部端子とを電気的に接続するものであって、その変形は、前記配線基板の全体の配線抵抗に大きな変化を与えてしまうばかりでなく、断線等を引き起こしてしまう場合がある。また、前記接続パッドはプローブピンを取り付けることにより、直接半導体ウエハの電気的特性評価に供するものであって、その変形は、前記特性評価に大きな変化を与えてしまう。
【００１３】
このように、上記ビアパッド及び接続パッドは、上記測定用の配線基板にとって極めて重要な構成要素であって、その変形は極力避けなければならない。
【００１４】
一方、上記抵抗値測定用のパッドは、上記配線基板において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。したがって、多少変形しても、配線基板全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、前記抵抗値測定用パッドに対して測定プローブを接触させて前記配線基板の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッドの変形や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、前記配線基板の前記配線抵抗を測定することができる。
【００１５】
本発明の一態様においては、前記測定用パッドと前記ビアパッドとの間に、前記測定用パッドと接触するようにして配置された抵抗体を具えることができる。
【００１６】
半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を、電気特性測定用配線基板
を用いて同時に測定するに際しては、電気特性を予め設定していた範囲（電圧及び電流のレンジ）に収まるようにする必要がある。そのため、前記測定用配線基板の抵抗値、特に実際に測定に供する配線の抵抗値を所定の値となるように設定しなければならない。そのために、前記配線の途中に抵抗体を介在させて、前記配線基板の配線抵抗が所望の値となるようにする場合がある。
【００１７】
このような場合において、本態様では、抵抗体と接触するようにして測定用パッドを設けているので、前記測定用パッドを介して前記抵抗体の抵抗値、しいては配線基板全体の配線抵抗を、ビアパッドの変形や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、実施することができる。
【００１８】
また、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置される接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具えることを特徴とする、配線基板であって、
前記接続パッドと抵抗値測定用パッドとが一体化されている、
ことを特徴とする配線基板（第２の配線基板）に関する。
【００１９】
さらに、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにしてビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置するようにして、測定用領域が画定されてなる接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法（第２の製造方法）に関する。
【００２０】
上記第２の配線基板及び第２の製造方法においては、接続パッドの一部を抵抗値測定用パッドとして用い、いわば接続パッドと抵抗値測定用パッドとを一体化させている。この抵抗値測定用パッドも、上記配線基板において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。
【００２１】
したがって、多少変形しても、配線基板全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、前記抵抗値測定用パッドに対して測定プローブを接触させて前記配線基板の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッドの破損や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、前記配線基板の前記配線抵抗を測定することができる。
【００２２】
また、前記抵抗値測定用パッドと前記ビアパッドとに測定プローブを接触させて配線抵抗を測定するので、前記ビアパッドと前記接続パッドとの間の配線全体の抵抗値をほぼ正確に測定することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定することが可能な、いわゆる電気特性測定用配線基板において、その抵抗値を、前記配線基板を破損させることなく、正確に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における配線基板の概略構成を示す平面図であり、図２及び３は、図１に示す配線基板の領域Ａの部分を拡大して示す断面図及び側面図である。また、図４〜６は、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。なお、図１〜６においては、本態様の特徴を明確にすべく、実際の構成とは異なる場合がある。また、特に図４〜６においては、本態様の特徴を明確にすべく、構成を簡略化して描いている。
【００２６】
図１〜３に示すように、本態様の配線基板１０は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の主面１１Ａ上に形成されたビアパッド１２と、このビアパッド１２と離隔して配置された接続パッド１３と、ビアパッド１２及び接続パッド１３間を接続する配線１４とを具えている。絶縁基板１１には貫通孔１１Ｂが形成され、ビアパッド１２は貫通孔１１Ｂの開口部を覆うようにして形成されている。また、ビアパッド１２と接続パッド１３との間には、配線１４と電気的に接触するようにして抵抗値を測定するための測定用パッド１５が形成されている。
【００２７】
なお、貫通孔１１Ｂ内には図示しない層間接続体が形成されており、主面１１Ａと相対向する側の主面に形成された図示しない外部端子と電気的に接続されている。
【００２８】
測定用パッド１５は本態様の特徴的構成要素であり、以下において詳述する。
【００２９】
なお、ビアパッド１２の大きさと比較して接続パッド１３の大きさは小さいので、接続パッド１３は集積化して配置されている。
【００３０】
絶縁基板１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス、ガラスセラミックス等の各種セラミックスから構成することができる。セラミック基板を用いると、絶縁基板１１に対して高い剛性を付与することができるので、後に半導体ウエハ（上に形成された複数の半導体素子）の電気特性を測定する際に、上記接続パッド１３上に形成したプローブピンが絶縁基板１１に沈み込んで接続不良となるのを防止することができる。また、セラミック基板とすることで、量産が容易となる。
【００３１】
但し、絶縁基板１１は、上述したセラミック基板の他、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂よりなる基板、ガラスエポキシ樹脂よりなる基板、ポリイミド等の樹脂よりなる基板などでもよい。
【００３２】
なお、絶縁基板１１の厚さは特に限定されるものではないが、０．１ｍｍ〜１０．０ｍｍ程度である。
【００３３】
ビアパッド１２、接続パッド１３、配線１４及び測定用パッド１５は、薄膜形成法、印刷ペーストによるメタライズ法、金属箔をエッチングしてパターン化する方法、パターン状の金属箔を転写する方法、またはメッキ法等によって形成することができる。通常、ビアパッド１２から測定用パッド１５は同一の工程において形成する。
【００３４】
メッキ法の場合、例えばスパッタリング法等で、絶縁基板１１の主面１１Ａに、厚さ０．１μｍ程度のＴｉ／Ｃｕ膜を形成した後、レジストを形成し、Ｃｕ／Ｎｉ膜を電解メッキで形成した後、レジスト剥離及びメッキ膜の積層体を厚さ方向にエッチングしてリッジ形状とした後、得られたリッジ形状の積層体に対してＮｉ／Ａｕ膜を電解メッキ（オーバーメッキ）して形成することができる。
【００３５】
なお、ビアパッド１２、接続パッド１３、配線１４及び測定用パッド１５の大きさ及び線幅は、上記レジストのパターン幅を制御することによって実施する。
【００３６】
次に、測定用パッド１５について説明する。図４は、測定用パッド１５の一配置例を示す構成図である。図４に示す例では、ビアパッド１２及び接続パッド１３間において１つの測定用パッド１５が形成されている場合を示している。この測定用パッド１５は、配線１４の抵抗を測定するために設けられているものである。また、測定を容易にすべく、図から明らかなように、その径（幅）は配線１４の線幅よりも大きくなるようにしている。なお、測定用パッド１５の幅とは、測定用パッド１５の、配線１４の幅方向と略平行な導体部分の幅を意味する。
【００３７】
ビアパッド１２と測定用パッド１５との間で配線１４の抵抗を測定する場合は、測定用パッド１５をできるだけ接続パッド１３に近接させて配置することにより、配線１４の抵抗をより長い距離に亘って測定することができ、配線１４自体の抵抗に近接した抵抗値を得ることができる。また、接続パッド１３と測定用パッド１５との間で配線１４の抵抗を測定する場合は、測定用パッド１５をできるだけビアパッド１２に近接させて配置することにより、配線１４の抵抗をより長い距離に亘って測定することができ、配線１４自体の抵抗に近接した抵抗値を得ることができる。
【００３８】
なお、接続パッド１３は、ビアパッド１２と比較して一般的には狭小化されているため、図４に示すように、単一の測定用パッド１５が設けられている場合は、ビアパッド１２と測定用パッド１５との間で配線１４の抵抗を測定する。
【００３９】
ビアパッド１２は、絶縁基板１１の両主面上に形成された配線や外部端子等を電気的に接続するものであって、その変形は、配線基板１０の全体の配線抵抗に大きな変化を与えてしまうばかりでなく、断線等を引き起こしてしまう場合がある。また、接続パッド１３はプローブピンを取り付けることにより、直接半導体ウエハの電気的特性評価に供するものであって、その変形は、前記特性評価に大きな変化を与えてしまう。
【００４０】
このように、ビアパッド１２及び接続パッド１３は、上記測定用の配線基板１０にとって極めて重要な構成要素であって、その変形は極力避けなければならない。
【００４１】
一方、測定用のパッド１５は、配線基板１０において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。したがって、多少変形しても、配線基板１０全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、測定用パッド１５に対して測定プローブを接触させて配線基板１０の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッド１２の変形や接続パッド１３の変形に伴う問題を生ぜしめることなく、配線基板１０の配線抵抗を測定することができる。
【００４２】
但し、図４に示すような態様では、測定用パッド１５が１つしか設けられておらず、実際の配線１４の抵抗の測定に際しては、ビアパッド１２等をも用いなければならない。したがって、好ましくは、図５に示すように、ビアパッド１２と接続パッド１３との間に２つの測定用パッド１５を設ける。この場合は、配線１４の抵抗を測定するに際し、２つの測定用パッド１５に測定プローブを接触させて行う。
【００４３】
したがって、一方の測定用パッド１５を出来るだけビアパッド１２に近接させ、他方の測定用パッド１５を出来るだけ接続パッド１３に近接させることによって、配線１４の抵抗をより長い距離に亘って測定することができ、配線１４自体の抵抗に近接した抵抗値を得ることができる。
【００４４】
なお、必ずしも上記要件を満足しない場合においても、配線１４の抵抗をより正確に測定するためには、２つの測定用パッド１５間の距離Ａが、左方に位置する測定用パッド１５とビアパッド１２との距離Ｂ、及び右方に位置する測定用パッド１５と接続パッド１３との距離Ｃよりも大きくなるようにすることが好ましい。
【００４５】
なお、図５では、測定用パッド１５の数を２としたが、必要に応じて３以上とすることができる。
【００４６】
また、図４及び図５では、測定用パッド１５の形状を円形としたが、図６に示すように８角形とすることもできる。このような測定用パッド１５を図６に示すような多角形状とすることにより、高周波特性に優れるようになる。すなわち、測定用パッド１５が円形であると、高周波が測定用パッド１５に入射する際に反射波が生成されてしまい、それによって、配線基板１０全体のインピーダンス、すなわち抵抗値が当初設定値からずれてしまう場合がある。
【００４７】
したがって、半導体ウエハの電気特性を、配線基板１０を用いて測定する場合に、使用する周波数によってその電気特性が変化してしまうという問題が生じてしまう場合がある。しかしながら、測定用パッド１５の形状を多角形状とすることによって、このような問題を回避できるようになる。
【００４８】
また、測定用パッド１５を多角形状とすることにより、円形状を呈するビアパッド１２及び／又は接続パッド１３との識別も容易になる。
【００４９】
なお、本例における多角形状とは、５角形以上のものを意味する。
【００５０】
（第２の実施形態）
図７及び８は、第２の実施形態における配線基板の概略構成図であり、第１の実施形態における図４〜６に対応させて、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。なお、図７及び８は、本態様の特徴を明確にすべく、構成を簡略化して描いている。
【００５１】
図７に示す例では、ビアパッド１２及び接続パッド１３間において抵抗体１７が設けられているとともに、この抵抗体１７と接触するようにして１つの測定用パッド１５が形成されている。本態様では、配線１４に対して抵抗体１７を接続し、抵抗体１７を含む配線１４の抵抗値、しいては配線基板１０の抵抗値が所望の値となるようにし、配線基板１０で半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を測定した際に、電気特性が予め設定していた範囲（電圧及び電流のレンジ）に収まるようにしている。
【００５２】
したがって、図７に示す例では、測定パッド１５とビアパッド１２とに測定プローブを接触させることにより、抵抗体１７を含む配線１４の抵抗を測定する。この際、配線１４の抵抗値は抵抗体１７の抵抗値に比較して十分に小さいので、上述した測定によって抵抗体１７の抵抗値を実質的に測定することができるようになる。
【００５３】
また、抵抗体１７は、配線基板１０の配線を構成するので、抵抗体１７の抵抗値測定は、実質的に配線基板１０の配線抵抗を測定することになる。
【００５４】
図８に示す例では、ビアパッド１２及び接続パッド１３間において抵抗体１７が設けられているとともに、この抵抗体１７の両側面と接触するようにして２つの測定用パッド１５が形成されている。したがって、図８に示す例では、２つの測定パッド１５に測定プローブを接触させることにより、抵抗体１７の抵抗値を直接測定することができる。なお、上述したように、抵抗体１７は、配線基板１０の配線を構成するので、抵抗体１７の抵抗値測定は、実質的に配線基板１０の配線抵抗を測定することになる。
【００５５】
なお、絶縁基板１１やその他、ビアパッド１２等に要求される特性は、上記第１の実施形態と同様である。
【００５６】
（第３の実施形態）
図９及び１０は、第３の実施形態における配線基板の概略構成図であり、第１の実施形態における図４〜６に対応させて、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。なお、図９及び１０は、本態様の特徴を明確にすべく、構成を簡略化して描いている。
【００５７】
図９に示す例では、ビアパッド１２及び接続パッド１３間が配線１４によって電気的に接続されてなるとともに、接続パッド１３に対して抵抗値測定用パッド１５が一体的に形成されている。抵抗値測定用パッド１５は、配線基板１０において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。
【００５８】
したがって、多少変形しても、配線基板１０全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、抵抗値測定用パッド１５に対して測定プローブを接触させて前記配線基板の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッドの破損や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、配線基板１０の前記配線抵抗を測定することができる。
【００５９】
また、抵抗値測定用パッド１５とビアパッド１２とに測定プローブを接触させて測定を行うことにより、ビアパッド１２と接続パッド１３との間の配線１４全体の抵抗値をほぼ正確に測定することができる。
【００６０】
図１０に示す例では、接続パッド１３と一体化された抵抗値測定用パッド１５の、配線１４と接触する側が、ビアパッド１２に向けてテーパ状に狭小化されている。この場合においても、配線基板１０は、高周波特性に優れるようになる。すなわち、測定用パッド１５がビアパッド１２に向けてテーパ状に狭小化されていると、高周波が測定用パッド１５に入射した際に反射波の生成が抑制されるようになる。したがって、配線基板１０全体のインピーダンス、すなわち抵抗値が当初設定値からずれてしまうようなことがない。
【００６１】
なお、絶縁基板１１やその他、ビアパッド１２等に要求される特性は、上記第１の実施形態と同様である。
【００６２】
（第４の実施形態）
第１の実施形態から第３の実施形態で説明した配線基板１０を、実際の電気特性測定用配線基板（ＩＣ電気特性検査用配線基板）として使用するためには、接続パッド１３においてプローブピンを上方に向けて延在するようにして形成する。例えば、図２に対応させた拡大断面図である図１１に示すように、接続パッド１３上に上方に延在したプローブピン１８を形成する。そして、プローブピン１８を測定すべき半導体ウエハ上の半導体素子に接触させ、所定の電圧電流を負荷することによって、前記半導体素子の電気特性を評価する。
【００６３】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施形態における配線基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す配線基板の領域Ａの部分を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示す配線基板の領域Ａの部分を拡大して示す側面図である。
【図４】図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。
【図５】同じく、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。
【図６】同じく、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。
【図７】第２の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図８】同じく、第２の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図９】第３の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図１０】同じく、第３の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図１１】第４の実施形態における配線基板の概略断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１１  絶縁基板
１２  ビアパッド
１３  接続パッド
１４  配線
１５  （抵抗値）測定用パッド
１７  抵抗体
１８  プローブピン
【図１】
2010043898.tif 000003
【図２】
2010043898.tif 000004
【図３】
2010043898.tif 000005
【図４】
2010043898.tif 000006
【図５】
2010043898.tif 000007
【図６】
2010043898.tif 000008
【図７】
2010043898.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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