(57)【要約】      （修正有）【課題】スルーホールを介することなく画素電極とスイッチングトランジスタの電極との接続を可能とした液晶表示装置を提供する。【解決手段】スイッチング素子及び着色層を備える第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、これら第１及び第２の基板間に介在する液晶層とを具備する液晶表示装置において、前記第１の基板には、複数本のゲート線と、これらゲート線と互いに交差する複数本のデータ線とが形成され、隣接する２本のゲート線と、隣接する２本のデータ線により囲まれた画素領域内には、前記スイッチング素子と前記スイッチング素子の電極と電気的に接続された第１の電極が形成され、この第１の電極上に前記着色層が形成され、前記着色層上に第２の電極が形成され、前記第１の電極と第２の電極との間に印加された電圧により発生した電界により、前記液晶層の液晶分子をスイッチング駆動する。【選択図】図２
2010211136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子及び着色層を備える第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、これら第１及び第２の基板間に介在する液晶層とを具備する液晶表示装置において、
前記第１の基板には、複数本のゲート線と、これらゲート線と互いに交差する複数本のデータ線とが形成され、隣接する２本のゲート線と、隣接する２本のデータ線により囲まれた画素領域内に前記スイッチング素子が形成され、
前記第１の基板上の前記画素領域には、第１の電極が形成され、この第１の電極上に前記着色層が形成され、前記着色層上に第２の電極が形成され、
前記第１の電極は、前記スイッチング素子の電極と接する、若しくは重なる、若しくは一体に形成されて電気的に接続され、
前記第１の電極と第２の電極との間に印加された電圧により発生した電界により、前記液晶層の液晶分子をスイッチング駆動することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極と、前記スイッチング素子の電極とが一括して形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極と前記着色層との間に層間絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記層間絶縁層は、前記データ線及び前記スイッチング素子をも被覆することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の電極は、複数の画素領域にまたがる基部と、この基部から分岐する複数本の分岐部とからなる櫛歯状電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極は、平板状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の電極は、基部と、この基部から分岐する複数本の分岐部とからなる櫛歯状電極であり、前記複数本の分岐部は、前記第２の電極の櫛歯状電極の複数本の分岐部と平行であり、かつ入れ子状であることを特徴とする請求項１〜５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の電極の分岐部と、前記第２の電極の分岐部は、重なりあっていないことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
対向する一対の基板間に液晶を挟持し、電界を印加して液晶を駆動し、画像表示を行うカラー液晶表示装置は、コンピュータ端末表示装置、テレビ画像表示装置を中心に急速に普及が進んでいる。従来より、カラー表示を行うためのカラーフィルタ及び共通電極を形成したカラーフィルタ基板と、液晶駆動用の画素電極を形成したアレイ基板とで液晶を挟持した液晶表示装置が知られている。しかし、近年、液晶表示装置に対し、高画質化、広視野角化、高速応答性の要求が高まり、上述した構成の表示装置の他に様々な新しい方式の液晶表示装置が出現してきている。この中でも、従来、カラーフィルタ基板に形成されていた対向電極を、画素電極とともに同じアレイ基板に形成し、画素電極と共通電極との間に横方向に電界を形成する横方向電界方式のＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置は、視野角、コントラスト比などの表示品位に優れているため、広く普及が期待されている方式の液晶表示装置である。
【０００３】
ところが、横方向電界方式のＩＰＳモードの液晶表示装置は、広視野角で高コントラストであるという長所があるものの、画素電極及び対向電極（共通電極）が不透明な金属を用いる信号線と同じ金属材料で形成されるため、開口率及び透過率が低く、また、表示画面を観察する角度によっては色変化を生じるという問題がある。
【０００４】
このような横方向電界方式の液晶表示装置の問題点を解決するため、斜め電界方式のＩＰＳモードの液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。この液晶表示装置では、隣接する２本のゲート線により挟まれた領域に透明導電膜からなる共通電極が形成され、その上に絶縁膜を介して櫛歯状に画素電極が設けられ、共通電極と画素電極との間に斜め方向に電界が形成される。発生する電界は、画素電極の両側で弧を描くように斜め方向に共通電極に向うため、櫛歯間のスリット部上に存在する液晶だけでなく、画素電極上に存在する液晶も駆動されることになる。そのため、この液晶表示装置は、横方向電界方式のＩＰＳモードの液晶表示装置よりも広視野角が得られ、かつ高コントラストになり、また高透過率であるため明るい表示が得られるという特徴を有する。
【０００５】
以上の方式の液晶表示装置では、アレイ基板とカラーフィルタ基板にマトリクス状に単位画素が配列され、それぞれの単位画素はズレないように正確に形成する必要がある。アレイ基板の単位画素とカラーフィルタ基板の単位画素（カラーフィルタ）がズレて形成されると、バックライトからの光が漏れる光漏れ現象が生じてしまう。また、各基板上で単位画素が正確に形成されていても、両基板を対向させる際に両基板間でズレが生じると、対向する単位画素同士がズレて、光漏れ現象が発生する。
【０００６】
この現象を防止する技術として、カラーフィルタ層をアレイ基板側に形成するカラーフィルタオンアレイ（Color filter On Array : COA）と呼ばれる構造の液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
ここで、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルについて、図６及び７を参照して説明する。図６は、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図、図７は、図６のVII−VII’線に沿って切断した断面図である。
【０００８】
図６及び７に示すように、液晶表示パネルは、液晶を駆動するためのスイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス状に形成されたカラーフィルター付きアレイ基板３１と、上部基板３２とを対向して配置し、その間に液晶層３３を挟む構造を有している。
【０００９】
アレイ基板３１には、ガラス等からなる透明基板４１上に、スイッチング素子に信号を伝達するための信号線として複数本のゲート線４２と、これに例えば、垂直に交差する複数本のデータ線４３が形成され、隣接する２本のゲート線４２と隣接する２本のデータ線４３とにより囲まれる領域を単位画素領域としている。なお、この単位画素領域は、通常、略矩形状である。
【００１０】
また、ゲート線４２とデータ線４３の交差部の近傍で、各単位画素領域内に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタＴが形成されている。
【００１１】
各画素領域内には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化亜鉛等からなる導電性透明薄膜である共通電極４４が、ゲート線４２と接することなく、かつ薄膜トランジスタＴと重ならないようにＴＦＴ領域に切り欠き部を設け、透明基板４１上に形成されている。
【００１２】
また、配線間で短絡が生じないように、ゲート線４２上にゲート絶縁膜４５が形成され、また共通電極とデータ電極がショートしないように、共通電極とオーバーラップするデータ配線の下にも絶縁層を形成している。ゲート線４２上のゲート絶縁膜４５とデータ線４３から分岐した延長部との間に半導体層４６が配置され、半導体層４６上のデータ線部分が薄膜トランジスタのソース電極４７を構成し、半導体層４６の下のゲート線から分岐した延長部分がゲート電極４８を構成している。また、半導体層４６の一部と重なるようにドレイン電極４９が形成されている。
【００１３】
ソース電極４７、ドレイン電極４９、データ線４３、共通電極４４及び薄膜トランジスタＴの表面には、例えば、窒化珪素からなる層間絶縁層５０が形成されている。一方、ゲート線４２、データ線４３、及び薄膜トランジスタ形成領域の上部には、アレイ基板３１の下方から進行する光のうち不要な光を遮断するためのブラックマトリックス（ＢＭ）層が形成されている。また、液晶表示パネルのカラー表示を行うために、層間絶縁層上の画素領域には、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑）、Ｂ（青色）からなる着色層５１（ＲＧＢ層）が形成されている。
【００１４】
また、アレイ基板３１の上面の平坦性を確保するため、及び液晶への汚染防止のために、ＢＭ層及びＲＧＢ層上にオーバーコート層（ＯＣ層）５２が形成されている。そして、このオーバーコート層５２上に、例えば櫛歯状の透明な金属導電膜からなる画素電極５３が形成されている。
【００１５】
画素電極５３は、単位画素ごとに、液晶に電界を印加するために形成されるが、薄膜トランジスタＴのドレイン電極４９と電気的に接続される必要がある。しかし、画素電極５３は、着色層５１及びオーバーコート層５２上に形成されているため、ドレイン電極４９との接続のために、ＢＭ層又は、着色層５１及びオーバーコート層５２にスルーホール５４（貫通孔）を設け、このスルーホール５４を介して画素電極５３とドレイン電極４９とを接続している。
【００１６】
以上のように、斜め電界方式ＩＰＳモードの液晶表示装置をＣＯＡ構造とした場合、オーバーコート層５２上に形成された画素電極５３を薄膜トランジスタＴのドレイン電極４９と電気的に接続するために、オーバーコート層５２、着色層５１、及びＢＭ層にスルーホールを設ける必要がある。
【００１７】
スルーホールを形成する手法としては、感光性樹脂を材料として用い、基板上に感光性樹脂を塗布した後、所定のパターンを有するパターン露光用フォトマスクを介して感光性樹脂に露光を行い、しかる後、感光性樹脂を所定の現像液で現像し、必要により現像後に残存した感光性樹脂に硬化処理を行い、所望するパターンを得るフォトリソグラフィ法によりＲＧＢ層、ＯＣ層、もしくはＢＭ層を形成する際にスルーホールを同時に形成する方法が挙げられる。
【００１８】
また、孔を有しないＲＧＢ層、ＯＣ層、およびＢＭ層を形成した後に、レーザーなどで所定の部位にスルーホールを形成する手法や、孔を有しないＲＧＢ層、ＯＣ層、およびＢＭ層の上にフォトリソグラフィ法によりスルーホール形成部位を開口部とした保護層を形成し、しかる後にドライエッチングを行い、保護層から露出した部位にスルーホールを形成する手法も挙げられる。
【００１９】
しかし、フォトリソグラフィ法によりスルーホールを形成する場合、感光性樹脂としてフォトリソグラフィ法の適用が可能で、微細なスルーホールを形成できるだけの解像度を有し、かつ必要とされる電気特性を有する材料を選択する必要があり、材料の選択性が低下する。また、ドライエッチング装置等の設備が必要になる。更に、フォトリソ方式を用いないでスルーホールを形成する場合は、レーザー等の穴あけ設備及び工程が必要となるという問題がある。
【００２０】
更に、ＯＣ層およびＲＧＢ層またはＢＭ層にスルーホールを形成する場合、形成位置がズレると電気的接続不良が生じ、さらにはＲＧＢ層またはＢＭ層が液晶層と接触し、液晶を汚染する恐れがある。そのため、位置ズレによる電気的接続不良を防止し、またＲＧＢ層またはＢＭ層を液晶層に接触しないようにするために、各スルーホールの大きさ、位置の難しい制御が必要になり、ＣＯＡ構造を有するアレイ素子の製造が繁雑になり、製造コストが上がる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２００２−９０７８１
【特許文献２】特開２００８−７６９７８
【特許文献３】特開平４−２５３０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明は、以上のような事情の下になされ、スルーホールを介することなく画素電極とスイッチングトランジスタの電極との接続を可能とした液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の一態様は、スイッチング素子及び着色層を備える第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、これら第１及び第２の基板間に介在する液晶層とを具備する液晶表示装置において、前記第１の基板には、複数本のゲート線と、これらゲート線と互いに交差する複数本のデータ線とが形成され、隣接する２本のゲート線と、隣接する２本のデータ線により囲まれた画素領域内に前記スイッチング素子が形成され、前記第１の基板上の前記画素領域には、第１の電極が形成され、この第１の電極上に前記着色層が形成され、前記着色層上に第２の電極が形成され、前記第１の電極は、前記スイッチング素子の電極と電気的に接続され、前記第１の電極と第２の電極との間に印加された電圧により発生した電界により、前記液晶層の液晶分子をスイッチング駆動することを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００２４】
かかる液晶表示装置において、前記第１の電極と前記スイッチング素子の電極とを一括して形成することが出来る。
【００２５】
前記第１の電極と前記着色層との間に層間絶縁層を形成することが出来る。この場合、層間絶縁層は、前記ゲート線及び前記スイッチング素子を被覆するものであってもよい。
【００２６】
前記第２の電極を、複数本の線状部と、これら線状部が接続された基部とからなる櫛歯状電極とすることが出来る。
【００２７】
前記第１の電極を、平板状とすることが出来る。或いは、前記第１の電極を、複数本の線状部と、これら線状部が接続された基部とからなる櫛歯状電極とし、前記複数本の線状部を、前記第２の電極の櫛歯状電極の複数本の線状部と平行とし、かつ入れ子状とすることが出来る。この場合、前記第１の電極の線状部と、前記第２電極の線状部を、重なりあっていないものとすることが出来る。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、画素電極を着色層又はＢＭ層の下に形成しているため、スルーホールを介することなく画素電極とスイッチングトランジスタの電極との接続を可能とした液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルを示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線で切断した断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルを示す平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルを示す平面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルを示す平面図である。
【図６】従来の斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII’線で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の種々の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
実施形態１
図１は、本発明の第１の実施形態に係る、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図、図２は、II―II’線に沿って切断した断面図である。
【００３２】
図１及び２に示すように、液晶表示パネルは、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス状に形成されたカラーフィルター付きアレイ基板１と、上部基板２とを対向して配置し、その間に液晶層３を挟む構造を有している。
【００３３】
アレイ基板１は、ガラス等からなる透明基板１１上に、複数本のゲート線１２と、これに垂直に交差する複数本のデータ線１３を形成したものであり、隣接する２本のゲート線１２と隣接する２本のデータ線１３とにより囲まれる領域を単位画素領域としている。即ち、ゲート線１２がＭ本、データ線１３がＮ本のアレイ基板の場合、（Ｍ−１）×（Ｎ−１）個の単位画素を有することになる。なお、この単位画素領域は、通常、略矩形状である。
【００３４】
また、ゲート線１２とデータ線１３の交差部の近傍で、各単位画素領域内に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタＴが形成されている。
【００３５】
各画素領域内には、液晶に電界を印加するための透明な金属導電膜からなる画素電極１４が、ゲート線１２とデータ線１３に接することなく、かつ薄膜トランジスタＴと重ならないように薄膜トランジスタ領域に切り欠き部を設けて、透明基板１１上に形成されている。
【００３６】
また、配線間で短絡が生じないように、ゲート線１２上にゲート絶縁膜１５が形成されている。ゲート線１２上のゲート絶縁膜１５とデータ線１３より分岐した延長部との間に半導体層１６が配置され、半導体層１６上のデータ線１３の部分が薄膜トランジスタのソース電極１７を構成し、半導体層１６の下のゲート線１２より分岐した延長部分がゲート電極１８を構成している。また、半導体層１６の一部と重なるように画素電極１４から延在させた画素電極の部分がドレイン電極１９を構成している。
【００３７】
ソース電極１７、ドレイン電極１９、データ線１３、画素電極１４、及び薄膜トランジスタＴの表面には、例えば、窒化珪素からなる層間絶縁層２０が形成されている。一方、ゲート線１２、データ線１３、及び薄膜トランジスタ形成領域の上部には、アレイ基板１の下方から進行する光のうち不要な光を遮断するためのブラックマトリックス（ＢＭ）層が形成されている。また、液晶表示パネルのカラー表示を行うために、層間絶縁層上の画素領域には、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑）、Ｂ（青色）からなる着色層２１（ＲＧＢ層）が形成されている。
【００３８】
また、アレイ基板１の上面の平坦性を確保するため、及び液晶への汚染防止のために、ＢＭ層及びＲＧＢ層上にオーバーコート層２２が形成されている。そして、このオーバーコート層２２上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化亜鉛等の透明金属酸化物からなる導電性薄膜である透明共通電極２３が形成されている。
【００３９】
透明共通電極２３は、各単位画素を横断するようゲート線１２に沿って略平行にその近傍に形成された線状の基部Ａと、単位画素内において画素電極と平面視で重なるように基部Ａから分岐した複数本の分岐部Ｂとから構成される。この分岐部Ｂが、画素電極１４に対する対向電極（共通電極２３）としての役割を有する。なお、図示しないが、透明共通電極２３の表面は、ポリイミド等からなる配向膜により被覆されている。
【００４０】
以上のように構成されるアレイ基板１に所定の間隔をあけて対向させた、透明基板からなる上部基板２が配置されている。上部基板２のアレイ基板１とは反対側の面には、裏面ＩＴＯ膜２４が形成され、更にその上には偏光板２５が配置されている。なお、アレイ基板１の裏面にも、偏光板２６が配置されている。
【００４１】
アレイ基板１と上部基板２との間には、液晶層３が挟持されている。また、図示しないが、上部基板２の液晶層３と接する面及び下部基板１の液晶層３と接する面に、液晶の初期配向のための配向膜が形成されることもある。
【００４２】
なお、画素電極１４と共通電極２３との間隔は、上下基板の間隔より狭くするのが望ましい。これにより、画素電極１４と共通電極２３の上部に斜め電界（フリンジフィールド）が形成されるようにし、電極等の上部に存在する液晶分子が全て動作するようになる。
【００４３】
以上説明した図１及び２に示す液晶表示パネルでは、画素電極１４は、透明基板１１上であって、着色層２１の下に形成されている。そのため、薄膜トランジスタＴのドレイン電極１９と同一のレベルで接続することが出来る。従って、ドレイン電極１９と同時に一括して形成することが可能である。なお、両電極を一括して形成しない場合においては、画素電極とドレイン電極とは各々の端部が接する、若しくは直接に重なり部（オーバーラップ部）を持つように形成するものである。
【００４４】
これに対し、図６及び図７に示す従来の斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルでは、画素電極は着色層を覆うオーバーコート層上に形成されているため、薄膜トランジスタＴのドレイン電極との接続は、オーバーコート層及び着色層又はＢＭ層にフォトリソグラフィー法によりスルーホールを設け、このスルーホールを介して行う必要がある。
【００４５】
本実施形態に係る液晶表示パネルでは、このようなスルーホールを設ける必要がない。そのため、オーバーコート層及び着色層又はＢＭ層にフォトリソグラフィー法を用いてスルーホールを形成する必要がない分、オーバーコート層及び着色層又はＢＭ層の構成材料の選択範囲を広げることが出来る。例えば、オーバーコート層として、光硬化性樹脂に限らず、熱硬化性樹脂を用いることが出来る。また、着色層及びＢＭ層の構成材料は、解像度を高くする必要がない。
【００４６】
従来、フォトリソグラフィー法でスルーホールを形成していた場合は、解像性に優れた材料を使用せざるを得ず、比誘電率、誘電率などの、他に必要とされる諸特性を犠牲にせざるを得なかった。しかし、フォトリソグラフィー法を用いてスルーホールを形成しない場合、材料が高解像性を必要としない分、比誘電率、誘電率などの必要とされる特性を有する材料を使用することが可能になる。
【００４７】
このように、フォトリソグラフィー法によりスルーホールを設ける必要がないため、材料選択の余地が拡がり、表示特性を向上させることが可能となる。また、スルーホールの形成位置がズレた場合、電極間に電気的断線が生じることもあり、表示不良の原因となるが、本発明ではスルーホールを形成しないため、この問題もなくなり、製造歩留まりが上がり、これらにより、製造コストの低減を図ることが出来る。
【００４８】
また、スルーホールをフォトリソグラフィー法によらずにレーザーにより形成していた従来例に対しても、レーザー加工のための装置や工程が不要となるため、製造コストの低減を図ることが出来る。
【００４９】
なお、ＯＣ層の材料に熱硬化型の材料を使用した場合、ＯＣ層形成時にフォトリソグラフィー法を用いるための設備は不要となる。
【００５０】
更に、位置ズレによる電気的接続不良を防止する、または液晶と着色層及びＢＭ層の接触による液晶の汚染を避けるために、スルーホールの大きさや位置の制御を正確に行う必要もなくなる。
【００５１】
前述したように、ＣＯＡ構造とすることで、カラーフィルタ基板とアレイ基板とを対向させる際の位置合わせが不要になる分、基板同士を対向させる際のマージンを少なくでき、ＢＭ層に形成するパターンのパターンは場を狭くすることが可能になる。そのため、着色層の領域を広くした、所謂、開口率を高くした表示装置とすることが可能になる。
【００５２】
それに加えて、本発明の表示装置では、更なる開口率の向上が可能となる。
【００５３】
すなわち、図７に示すように、従来の表示装置では、ＢＭ層にスルーホールを設けていたため、ＢＭ層のスルーホール形成領域には着色層を形成できなかった。しかし、本発明の表示装置では、スルーホールの形成が不要であるため、従来スルーホールを形成していたＢＭ層領域を不要とすることが出来る。その分、ＢＭ層の領域を小さくし、着色画素の領域を大きく出来、開口率を上げることが可能になる。
【００５４】
なお、本実施形態に係る液晶表示パネルでは、画素電極が、オーバーコート層及び着色層又はＢＭ層の下に形成されるため、画素電極の形成を、薄膜トランジスタの形成の際に、ソース及びドレイン電極の形成と同時に一括して行うことが出来る。そして、その後にＢＭ層、着色層、及びオーバーコート層が形成される。そのため、製造プロセスの工程数が低減され、製造プロセスの簡素化を図ることが出来る。
【００５５】
実施形態２
図３は、本発明の第２の実施形態に係る、斜め電界方式のＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図である。
【００５６】
図３に示す液晶表示パネルは、図１及び２に示す液晶表示パネルとは、最下層の画素電極の形状が相違するのみで、他の構成は同一である。即ち、図１及び２に示す液晶表示パネルの画素電極１４が平板状であるのに対し、図３に示す液晶表示パネルの画素電極２７は、上方に設けられた櫛歯状の共通電極２３に対し、入れ子状の櫛歯状となっている。画素電極２７は、ドレイン電極からゲート電極と平行に延長させた基部Ａ’と、この基部Ａ’から垂直方向に分岐させた複数本の分岐部Ｂ’とからなり、共通電極２３の分岐部Ｂと画素電極２７の分岐部Ｂ’は、相互に平行に、かつ平面視で重なりあわないようにされている。
【００５７】
本実施形態においても、ドレイン電極と画素電極は一括して形成しても構わず、また、一括して形成しない場合においては、ドレイン電極と画素電極は、各々の端部が接する、若しくは直接に重なり合うように（オーバーラップするように）形成している。
【００５８】
本実施形態に係る図３に示す液晶表示パネルは、スルーホールを介することなく、薄膜トランジスタＴのドレイン電極と画素電極２７との電気的接続がなされているため、図１及び２に示す液晶表示パネルと同様の効果を奏する。
【００５９】
実施形態３
図４は、本発明の第３の実施形態に係る、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図である。
【００６０】
図４に示す液晶表示パネルは、図１及び２に示す液晶表示パネルとは、共通電極の形状が相違するのみで、他の構成は同一である。即ち、図１及び２に示す液晶表示パネルの共通電極２３が櫛歯状であるのに対し、図４に示す液晶表示パネルの共通電極２８は、格子状であり、画素領域を横断するようゲート線に沿って略平行にその近傍に形成した基部Ｃと、この基部Ｃから垂直方向に相互に平行に分岐した2本の分岐部Ｄと、これら２本の分岐部Ｄを架橋する複数本の相互に平行な架橋部Ｅとからなる。
【００６１】
本実施形態に係る図４に示す液晶表示パネルは、スルーホールを介することなく、薄膜トランジスタＴのドレイン電極と画素電極１４との電気的接続がなされているため、図１及び２に示す液晶表示パネルと同様の効果を奏する。
【００６２】
なお、図４に示す液晶表示パネルでは、架橋部Ｅはゲート線１２に平行になるような格子状であるが、データ線１３に平行になるような格子状とすることも可能である。
【００６３】
実施形態４
図５は、本発明の第４の実施形態に係る、斜め電界方式ＩＰＳモードのＣＯＡ構造液晶表示パネルを示す平面図である。
【００６４】
図５に示す液晶表示パネルは、図１及び２に示す液晶表示パネルとは、共通電極の形状が相違するのみで、他の構成は同一である。即ち、図１及び２に示す液晶表示パネルの共通電極２３が櫛歯状であるのに対し、図５に示す液晶表示パネルの共通電極２９は、画素領域を横断するようデータ線１３に沿って平行にその近傍に配置された基部Ｆと、この基部Ｆから所定の角度で分岐した複数本の分岐部Ｇ，Ｇ’とからなる。
【００６５】
分岐部Ｇと分岐部Ｇ’は、画素領域の内側に向うように傾斜して延びる、平行な４本の直線部からなり、これにより液晶の配向状態の異なる２つのドメイン領域が形成され、即ち、デュアルドメイン化されている。
【００６６】
本実施形態に係る図５に示す液晶表示パネルは、スルーホールを介することなく、薄膜トランジスタＴのドレイン電極と画素電極１４との電気的接続がなされているため、図１及び２に示す液晶表示パネルと同様の効果を奏するとともに、デュアルドメイン化されているため、広い視野角の表示が可能であるという効果も奏する。
【００６７】
なお、本発明において、画素電極及び共通電極の形状は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨から外れない範囲で、斜め電界（フリンジフィールド）を発生させることが出来るものであれば、適宜形状を変更しても構わないことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６８】
１，３１…カラーフィルター付きアレイ基板
２，３２…上部基板
３，３３…液晶層
１１，４１…透明基板
１２，４２…ゲート線
１３，４３…データ線
１４，２７，５３…画素電極
１５，４５…ゲート絶縁膜
１６，４６…半導体層
１７，４７…ソース電極
１８，４８…ゲート電極
１９，４９…ドレイン電極
２０，５０…層間絶縁層
２１，５１…着色層
２２，５２…オーバーコート
２３，２８，２９，４４…共通電極
２４…裏面ＩＴＯ膜
２５，２６…偏光板
５４…スルーホール
Ａ…基部
Ｂ…分岐部
Ｔ…薄膜トランジスタ
【図１】
2010211136.tif 000003
【図２】
2010211136.tif 000004
【図３】
2010211136.tif 000005
【図４】
2010211136.tif 000006
【図５】
2010211136.tif 000007
【図６】
2010211136.tif 000008
【図７】
2010211136.tif 000009