(57)【要約】【課題】１つの方向の直線偏光光で照明し、照明光学系、投影光学系の瞳面より上流の要因のみならず、投影光学系の瞳面の下流の要因で発生する経時的な偏光状態の劣化を補正し、高コントラストな露光を行う露光装置を提供する。【解決手段】  １つの方向の直線偏光光で原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、を有する露光装置において、前記投影光学系よりも前記基板側に設けられ、前記投影光学系を通過した光の偏光状態を計測する偏光計測手段と、前記投影光学系の瞳面に設けられ、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて前記基板に入射する光の偏光状態を調整する偏光調整機構と、を有する構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの方向の直線偏光光で原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、を有する露光装置において、
前記投影光学系よりも前記基板側に設けられ、前記投影光学系を通過した光の偏光状態を計測する偏光計測手段と、
前記投影光学系の瞳面に設けられ、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて前記基板に入射する光の偏光状態を調整する偏光調整機構と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記偏光調整機構は、１/４λ板と、１/２λ板と、を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記偏光調整機構は、ソレイユーバビネの補償器と、１/２λ板と、を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記偏光調整機構は、ベレークの補償器と、１/２λ板と、を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
１つの方向の直線偏光光で原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、を有する露光装置において、
前記投影光学系と前記基板の間に設けられ、前記投影光学系を通過した光の偏光状態を調整する偏光調整機構を有することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記投影光学系よりも前記基板側に設けられ、前記投影光学系を通過した光の偏光状態を計測する偏光計測手段を有することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記偏光調整機構は、所定の偏光成分のみを通過させる特性を持つ膜が形成された光学素子であることを特徴とする請求項５または６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記偏光調整機構は、回転可能に構成され、通過させる偏光方向を選択可能であることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、半導体素子の微細化への要求に伴い、露光波長の半分以下の大きさのパターンを高解像で露光する露光装置が開発されている。このような高解像化は、一般に、露光光の短波長化及び投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくすることで達成される。投影光学系のＮＡを大きくすることは、像面からの垂線と入射光の進行方向との成す角が大きくなることを意味し、高ＮＡの結像と呼ばれる。
【０００３】
高ＮＡの結像では、露光光の偏光が課題となる。例えば、ラインとスペースが繰り返される、所謂、ライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）パターンを露光する場合がある。Ｌ＆Ｓパターンは、平面波の２光束の干渉によって形成され、２光束の入射方向ベクトルを含む面を入射平面とし、例えば、入射平面に垂直な偏光をＳ偏光、入射平面に平行な偏光をＰ偏光とする。２光束の入射方向ベクトルの互いに成す角が９０度の場合、Ｓ偏光は干渉するためＬ＆Ｓパターンに応じた光強度分布が像面上に形成される。しかし、Ｐ偏光は干渉の効果が打ち消され干渉しないため光強度分布は一定となり、Ｌ＆Ｓパターンに応じた光強度分布が像面上に形成されない。Ｓ偏光とＰ偏光が混在していると、Ｓ偏光だけのときよりもコントラストが低い光強度分布が像面上に形成され、Ｐ偏光の割合が大きくなると像面上の光強度分布のコントラストが低下してしまう。
【０００４】
このため、露光光の偏光を制御する必要があり、この露光光の偏光制御は、照明光学系の瞳面、或いは、投影光学系の瞳面で行われることが多い。例えば、照明光学系の瞳面で偏光制御された露光光は、照明光学系の瞳面より下流の光学系を介してレチクルに照射され、更に、投影光学系によってウエハ面上に導かれる。偏光制御された露光光は、コントラストの高い光強度分布をウエハ面上に形成し、より微細なパターンを露光することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１４２３３８号公報
【特許文献２】国際公開公報ＷＯ２００５／０３１４６７
【特許文献３】特開２００７−４８８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、露光装置の光学系には偏光状態を劣化させる要因が種々存在する。即ち、照明光学系や投影光学系に多く用いられている石英、蛍石などの硝材が有する残存複屈折率、メカ的抑えによって発生する応力複屈折率、ミラーや反射防止膜等の光学コーテイングが有する位相特性と反射特性等々の要因が存在する。これらの要因により、レーザー光源から発した光が理想に近い直線偏光光であっても、光がウエハ面に到達する時には偏光状態が劣化してしまう。
【０００７】
更に、反射防止膜の不純物付着、コンパクションなどにより発生する経時的な偏光状態の劣化が近年問題となっている。特に、ウエハ面の近傍のレンズは受ける照度が大きいため、不純物付着、コンパクションが発生し易い。また、超高ＮＡの露光を可能にする液浸露光装置では、投影光学系の最終レンズが液体に浸っている構成であるため、レジスト成分が液体を媒介にして最終レンズに付着する。このように投影光学系の瞳面より下流で多く発生する不純物付着、コンパクションは、経時的な偏光状態の劣化を発生させる原因となる。
【０００８】
また、照明光学系、投影光学系の瞳面より上流の要因のみならず、投影光学系の瞳面より下流においては、応力複屈折率、ミラーや反射防止膜等の光学コーテイングが有する位相特性と反射特性等の要因により、偏光状態の劣化、偏光状態の劣化の像高差が発生する。
【０００９】
偏光状態の劣化を補正する方法として提案された特許文献１の従来例では、投影光学系の瞳面、或いは、照明光学系内部の瞳面の共役面などの位置に特定偏光だけを通す瞳フィルターを配置する。しかし、瞳面より下流の要因による偏光状態の劣化、反射防止膜の不純物付着、コンパクションなどにより発生する経時的な偏光状態の劣化に対しては、対応できなかった。
【００１０】
また、現在、超高ＮＡ露光を可能とする高屈折硝材（ＢａＬｉＦ、ＬｕＡＧ）を用いた露光装置が提案されている。高屈折率材を用いた露光装置では、高屈折硝材をウエハ面の近傍に配置するが、高屈折部材は真性屈折率が大きいため、偏光状態の劣化が大きく発生する懸念がある。瞳フィルターを用いた特許文献１の従来例では、これらの投影光学系の瞳面の下流で発生する偏光状態の劣化を補正することは困難であった。
【００１１】
特許文献２により投影光学系の瞳面、或いは、照明系内部の瞳面の共役面などの位置に位相分布を有する複屈折部材である位相板を配置する従来例が提案され、ウエハ面全域において位相差を良好に抑えられるとしている。しかし、投影光学系の瞳面の下流の偏光状態の劣化分を予想して、投影光学系の瞳面の位置の複屈折部材である位相板で偏光状態の劣化分をキャンセルするように位相分布を形成したとしても、偏光状態の劣化の像高差までは補正できなかった。また、瞳面の位置に配置する位相板、偏光補償板は精密に作製する必要があり、時間とコストがかかるため、経時的な偏光状態の劣化に対しては、即座に対応しきれなかった。
【００１２】
特許文献３により、光源から射出された照明光により被照射面を照明する照明光学装置において、所定の応力を付与することにより照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材を備える従来例が提案されている。この補正部材は、光源から被照射面までの光路中の照明瞳面が形成される位置またはその近傍に配置される照明光学装置が提案されている。しかし、偏光状態の劣化の像高差までは補正できなかった。
このように、投影光学系の瞳面より下流の要因で多く発生する経時的な偏光状態の劣化、投影光学系の瞳面より下流の要因で発生する偏光状態の劣化、偏光状態の劣化の像高差が無視できない状況でありながら、補正できなかった。
【００１３】
偏光照明で用いられる照明モードとして、複数方向のＬ＆Ｓパターンを同時に露光するための輪帯照明、クロスポール照明がある。それぞれ、偏光方向はタンジェンシャル方向、ＸＹ偏光を用いる構成であるが、複数の方向の直線偏光光を用いるため、高いコントラストの効果は低くなる。１つの方向のＬ＆Ｓパターンを露光するためのダイポール照明などでは、１つの方向の直線偏光光で照明するため、高いコントラストの効果は大きい。このため、偏光照明は、１つの方向の直線偏光光で照明する露光の需要が高くなっている。
そこで、本発明は、１つの方向の直線偏光光で照明し、照明光学系、投影光学系の瞳面より上流の要因のみならず、投影光学系の瞳面の下流の要因で発生する経時的な偏光状態の劣化を補正し、高コントラストな露光を行う露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための本発明の一側面としての露光装置は、１つの方向の直線偏光光で原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、を有する露光装置において、前記投影光学系よりも前記基板側に設けられ、前記投影光学系を通過した光の偏光状態を計測する偏光計測手段と、前記投影光学系の瞳面に設けられ、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて前記基板に入射する光の偏光状態を調整する偏光調整機構と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、１つの方向の直線偏光光で照明し、照明光学系、投影光学系の瞳面より上流の要因のみならず、投影光学系の瞳面の下流の要因で発生する経時的な偏光状態の劣化を補正し、高コントラストな露光を行う。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態１の露光装置の全体構成図である。
【図２】本発明の実施形態１の露光装置における偏光調整機構の構成図である。
【図３】図２の本発明の実施形態１における偏光度調整方法の説明図である。
【図４】本発明の実施形態１の露光装置における偏光調整機構の変形例の構成図である。
【図５】図４の本発明の実施形態１における偏光度調整方法の説明図である。
【図６】本発明の実施形態１の露光装置における偏光調整機構のさらに他の変形例の構成図である。
【図７】図６の本発明の実施形態１における偏光度調整方法の説明図である。
【図８】本発明の実施形態２の露光装置の全体構成図である。
【図９】本発明の実施形態２の露光装置における偏光度調整機構の構成図である。
【図１０】図９の本発明の実施形態２における偏光ビームスプリッタ膜の光学特性の説明図である。
【図１１】本発明の実施形態３の露光装置の全体構成図である。
【図１２】本発明の実施形態１の露光装置おいて偏光度測定から調整を行うフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の実施形態１の露光装置の全体構成を示す。実施形態１の露光装置は、レーザー光源１（光源）から照射された光１ａを所定の１つの方向の直線偏光光に制御する偏光切替板２０（偏光子）を有する。ビーム整形部２からコリメーター系１３を有する照明光学系６０は、１つの方向の直線偏光光の光１ａによりレチクル１４（原版）を照明する。投影光学系１５は、レチクル１４のパターンをウエハ１９（基板）に投影する。
偏光度センサー３０（偏光計測手段）は、投影光学系１５よりもウエハ１９側に設けられている。具体的には、偏光度センサー３０は、不図示のウエハステージ上であってウエハ１９の表面と同じ高さの面１９ａ上に設けられ、光１ａの偏光状態（偏光度）を計測する。偏光調整機構６は、投影光学系１５の瞳面１７の位置に設けられ、偏光度センサー３０の計測結果に基づいて光１ａの偏光状態を調整する。
【００１８】
レーザー光源１から照射された光１ａは、略直線偏光で出射され、ビーム整形部２により光１ａの径を拡大あるいは縮小され、あるいは断面分布を均一化されるなどの加工をされ、引き回される。折曲ミラー３の直前の上流に偏光切替板２０は配置される。偏光切替板２０は、λ/２板で構成され、所定の１つの方向の直線偏光光になるように、λ/２板の結晶軸方向を切り替える。
【００１９】
更に、光１ａは、折曲ミラー３で進路を変更され、有効光源形成手段４に入射される。有効光源形成手段４は、プリズムまたはＣＧＨ（計算機ホログラム）を含む。有効光源形成手段４は、第一コンデンサー５と共にインテグレーター７の入射面上に所定の有効光源形状を作成する機能を有し、半導体製造時の露光工程が替わる毎に照明分布を切り替えることができる。
【００２０】
インテグレーター７の射出口には開口を有する絞り５０が設けられ、光１ａを規制する。絞り５０を通過した光１ａは第二コンデンサー８により、マスキングブレード９上に集光される。マスキングブレード９を通過した光１ａは第一結像系１０と第一結像系１０の瞳面５１、第二結像系１１、更に、折曲ミラー１２とコリメーター系１３を進行し、レチクル１４の下面の回路パターニング面上に集光する。投影光学系１５の内部は、投影レンズ群１６（前玉）、瞳面１７と投影レンズ群１８（後玉）に群分けされる。
【００２１】
レチクル１４を通過した光１ａ、或いは、レチクル１４のパターンにより回折した光１ａは、投影レンズ群１６、瞳面１７、投影レンズ群１８を通過し、その屈折作用により最終的に感光性レジストを塗布したウエハ１９の面上に結像する。近年最も一般的な露光方式は走査型投影露光装置であり、露光時にはレチクル１４とウエハ１９とが同期して走査され、照明光学系６０の内部のマスキングブレード９は、レチクル１４の面上の照射範囲を規定する。
【００２２】
実施形態１の露光装置の特徴的部分は、投影光学系１５の瞳面１７および瞳面１７の近傍に偏光度調整手段６（偏光計測手段）を配置し、さらに、ウエハ１９と同じ高さの面１９ａに偏光度センサー３０を設ける点である。偏光度センサー３０は、回転可能な位相板と検光子とを組み合わせ、位相板の複数の回転位置での通過光を光電センサー（フォトピンセンサーやＣＣＤセンサー）で受光、演算して偏光度を求める。偏光度センサー３０の出力Ｓ１はコントローラー３１に入力され、演算の結果、許容値以上の偏光度の劣化が検知された場合には、この偏光度の劣化を調整するための指令信号Ｓ２が偏光度調整手段６に送られる。また、照明モードを切替える場合には、コントローラー３１がこのための指令信号Ｓ３を有効光源形成手段４および偏光切替板２０に送る。この結果、新しい照明モード下での偏光度計測および偏光度調整が実施形態１の露光装置において自動的に行われる。
【００２３】
偏光調整機構６は、図２に示されるようにレチクル１４側から１/４λ板６ａと、１/２λ板６ｂとを有し、１/４λ板６ａと、１/２λ板６ｂは、互い独立に回転する回転機構６ｃ，６ｄを有する。１/４λ板６ａと、１/２λ板６ｂは、例えば、広い入射角に対応できる色消し位相板（特開平５−３３３２１１号公報）が用いられる。偏光調整機構６は、露光毎に偏光度センサー３０により計測された偏光度に基づき、露光毎に１/４λ板６ａと、１/２λ板６ｂの結晶軸方向を調整し、所定の偏光状態からずれて入射される光１ａを所定の偏光状態に調整する。
【００２４】
図３において、偏光度調整手段６である１/４λ板６ａと１/２λ板６ｂへの入射光１ａが、所定偏光状態がＹ偏光であるのに対して、様々な偏光状態の劣化要因により主軸がＹ軸に対してθだけ傾いた楕円偏光になっていた場合を示す。回転機構６ｃは、まず、λ/４板６ａの主軸を楕円の主軸と一致させる（λ/４板６ａの主軸をＹ軸に対してθ傾かせる）。これによりλ/４板６ａを通過後の光１ａの位相差は０（またはπ）になりＹ軸に対してθ傾いた直線偏光になる。更にλ/２板６ｂの主軸をＹ軸に対してθ／２とすることで、完全なＹ偏光となる。
【００２５】
図１の実施形態１では、偏光度センサー３０でウエハ１９面での偏光状態を計測し、楕円偏光の主軸の位置を特定し、λ/４板６ａとλ/２板６ｂの所定の主軸の位置を所定の位置に自動で合わせる。また、偏光調整を行わない場合には、偏光調整機構６を外し、光路長が等しい光学素子を挿入し、交換できる。
【００２６】
図１２は、図１の実施態様１において行われる偏光度調整のフローを示している。即ち、照明モードが設定されると（ステップ１０１）、偏光度センサー３０によりウエハ１９面上の各点で偏光度の計測が行われる（ステップ１０２）。この測定量を予め設定されている偏光度許容値と比較し（ステップ１０３）、補正値とそれに基づく駆動量とを演算する（ステップ１０４）。偏光度調整手段６により偏光度を調整後（ステップ１０５）、偏光度を再度測定し（ステップ１０２）、同様なループを経て許容値に入れば終了する（ステップ１０６）。
【００２７】
偏光調整機構６は、１/４λ板６ａの代わりにソレイユーバビネの補償器６ｅを用いてもよく、ソレイユーバビネの補償器６ｅと、１/２λ板６ｂと、を有する。ソレイユーバビネの補償器６ｅは、図４に示されるように、水晶の楔Ａ，Ａ’と水晶の平行平板Ｂで構成される。楔Ａ，Ａ’の光学軸はＸＹ平面上にあり、水晶Ｂの光学軸はＸＹ平面に対して垂直である。楔Ａ，Ａ’の位置をスライドさせることで位相差を発生させ、所定の位相差に調整する。偏光度センサー３０により計測された偏光度に基づき、ソレイユーバビネの補償器６ｅの楔Ａ，Ａ’のずらし位置を所定位置に設定し、１/２λ板６ｂの結晶軸方向と、を設定し、劣化した偏光状態を補正する。
【００２８】
図５においては、偏光度調整手段６への入射光が、所定偏光状態がＹ偏光であるのに対して、様々な偏光状態の劣化要因により主軸がＹ軸に対してθだけ傾いた楕円偏光になっていた場合が示される。ソレイユーバビネの補償器６ｅの楔Ａ，Ａ’のずらし位置を所定位置に設定し、位相差を０としＹ軸に対してθ傾いた直線偏光とする。さらに、ソレイユーバビネの補償器６ｅの後にλ/２板６ｂの主軸をＹ軸に対してθ／２とｓｉ、完全なＹ偏光となる。実施形態１では、偏光度センサー３０でウエハ１９面での偏光状態を計測し、ソレイユーバビネの補償器６ｅの楔Ａ，Ａ’のずらし位置、λ/２板６ｂの主軸位置を所定位置に自動で設定する。また、偏光調整を行わない場合には、偏光調整機構６を外し、光路長が等しい光学素子を挿入し、交換できる。
【００２９】
また、偏光調整機構６は、１/４λ板６ａの代わりにベレークの補償器６ｆを用いてもよく、ベレークの補償器６ｆと、λ/２板６ｂとを有する。ベレークの補償器６ｆは、図６に示されるように一軸結晶で作られた平面板で構成され、その光学軸は平面板の表面に直行する。この平面板を傾けることで、常光と異常光の間で位相差が発生する。ここで発生する位相差を利用して劣化した偏光状態を補正する。偏光度センサー３０により計測された偏光度に基づき、ベレークの補償器６ｆの傾き角と、１/２λ板６ｂの結晶軸方向を設定する。
このため、実施態様１によれば、経時的な偏光状態の劣化が発生しても、偏光度センサー３０により計測された偏光度に基づき、偏光状態の調整が可能なため、高コントラストな露光が可能になる。
【００３０】
図７において、偏光度調整手段６への入射光が、所定偏光状態がＹ偏光であるのに対して、様々な偏光状態の劣化要因により主軸がＹ軸に対してθだけ傾いた楕円偏光になっていた場合を示す。ベレークの補償器６ｆの傾き角を所定位置に設定し、位相差を０としＹ軸に対してθ傾いた直線偏光とする。さらに、ベレークの補償器６ｆの後にλ／２板６ｂの主軸をＹ軸に対してθ／２とし、完全なＹ偏光となる。実施形態１では、偏光度センサー３０でウエハ１９面での偏光状態を計測し、ベレークの補償器６ｆの傾き角、λ／２板６ｂの主軸位置を所定位置に自動適に設定する。また、偏光調整を行わない場合には、偏光調整機構６を外し、光路長が等しい光学素子を挿入し、交換できる。
【００３１】
実施態様１によれば、経時的な偏光状態の劣化が、投影光学系の瞳面の上流のみならず、投影光学系の瞳面の下流で発生した場合、偏光計測手段により、ウエハ１９面に到達する偏光度である偏光状態の劣化の量を計測する。これにより、即座に偏光調整機構６で所定偏光状態に補正をできる。
以上説明したように、本発明の実施形態１によれば、１つの方向の直線偏光光で照明し、照明光学系、投影光学系の瞳面より上流の要因のみならず、投影光学系の瞳面の下流の要因で発生する経時的な偏光状態の劣化を補正し、高コントラストな露光を行う。実施態様１は、ダイポール照明などの１つの方向の直線偏光光の場合において適用される。
【００３２】
次に、図８を参照して、本発明の実施形態２の露光装置を説明する。実施形態２と実施形態１と構成は共通する。しかし、偏光調整機構６を投影光学系１５の瞳面１７あるいは瞳面１７の近傍ではなく、ウエハ１９と同じ高さの面１９ａもしくは面１９ａの近傍に配置した点および偏光度測定用センサー３０を有しない点が異なる。
【００３３】
偏光調整機構６は、図９に示されるような所定の偏光成分のみを通過させる特性を持つ膜が形成された光学素子である偏光切り出し板から構成され、入射角度範囲内で１つの方向の偏光のみを通過させる偏光ビームスプリッタ６ｇを用いる。このため、偏光状態の劣化の像高差、経時的な偏光状態の劣化が発生しても、ウエハ１９面直上もしくは近傍で所定偏光のみを通すため、より高コントラスト露光が可能になる。また、偏光度の計測を必要とせずに偏光状態の劣化、偏光状態の劣化の像高差を低減させる。
【００３４】
図９に示されるように偏光度調整手段６の偏光ビームスプリッタ６ｇは平行平板であり、両面もしくはどちらか一方に、一方向（Ｐ偏光）の偏光しか通さない偏光ビームスプリッタ膜を塗布している。この偏光ビームスプリッタ膜は入射角度が広い範囲でＳ，Ｐ偏光分離の特性が良好であることが好適である。この偏光ビームスプリッタ膜は、１５７ｎｍ（Ｆ２レーザ）を入射光とする場合に、ブリュースター角±３度の入射角で使用でき、屈折率１．５５の基板（ＣａＦ２）を用い、高屈折率材として屈折率１．７５のＧｄＦ３を用い、低屈折率材として屈折率１．４１のＡｌＦ３を用いた。基板側の第１の積層膜群において、ＧｄＦ３（光学的膜厚Ｈ＝１．３０×λ／４）とＡｌＦ３（光学的膜厚Ｌ＝１．３３×λ／４）との交互積層を１０回繰り返した。また、第２の積層膜群において、ＧｄＦ３（光学的膜厚Ｈ＝０．９６×λ／４）とＡｌＦ３（光学的膜厚Ｌ＝０．９８×λ／４）との交互積層を１０回繰り返した。さらに、最終層の調整層として、第２の積層膜群側から順に、ＧｄＦ３（光学的膜厚Ｈ＝１．３０×λ／４）、ＡｌＦ３（光学的膜厚Ｌ＝１．２０×λ／４）及びＧｄＦ３（光学的膜厚Ｈ＝１．２７×λ／４）の３層を設けた。
【００３５】
図１０は、偏光ビームスプリッタ６ｇの偏光ビームスプリッタ膜の偏光特性例である通過率と入射角との関係のシミュレーション結果を示す。１５７ｎｍの波長領域において、ブリュースター角に等しい入射角５８度を中心として±３度の角度で、Ｔｐが９０％以上、Ｔｓが１０％以下の良好な特性が得られている。この偏光ビームスプリッタ膜によれば、２００ｎｍ以下の真空紫外領域において、製造誤差に鈍感で、ブリュースター角±３度の入射角で使用できる。
【００３６】
図９に示すように上記偏光ビームスプリッタ膜を備えている偏光度調整手段６は回転する回転機構６ｈを有し、回転可能に構成され、通過させる偏光方向を選択可能である。所定の偏光状態が偏光ビームスプリッタ膜にとってＰ偏光となるように、回転角を調整する。このため、所定の偏光成分のみを通過させることができる。また、偏光調整を行わない場合には、偏光調整機構６を外し、光路長が等しい光学素子を挿入し、交換できる。
【００３７】
実施態様２によれば、ウエハ１９と同じ高さの面１９ａ、もしくはウエハ１９の面近傍に配置した偏光調整機構６により、前述の経時的な偏光エラーのみならず、投影光学系の瞳面より下流の要因による偏光状態の劣化、偏光状態の劣化の像高差を低減できる。その結果、ウエハ１９の面上に焼き付けられるパターンのコントラストを改善することができる。また、複数の露光装置間で像コントラストに差がある場合には、装置間差を合わせられるメリットがある。このことは、同一レチクルを複数装置間で同じ露光条件で露光して半導体チップを製作することが可能となるので、半導体製造工程の大幅な工程改善とコストダウンとなる。実施態様２は、ダイポール照明などの１つの方向の直線偏光光の場合において適用される。
また、偏光度センサーによる計測を必ずしも必要とせずに、ウエハ１９の面での偏光状態の劣化を改善することができる。
【００３８】
次に、図１１を参照して、本発明の実施形態３を説明する。
実施形態３と実施形態２とは構成は共通するが、偏光度測定用センサー３０を有する点が異なる。
実施形態３は、図２、図３に示される偏光度調整手段６を有するが、偏光度調整手段６は実施態様１と同じ構成である。
【００３９】
次に、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。
半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、その工程で露光されたウエハを現像する工程とを含み得る。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含み得る。
【符号の説明】
【００４０】
６  偏光調整機構          １４  レチクル
１５  投影光学系            １７  瞳面          
１９  ウエハ                ２０  偏光切替板
３０  偏光度センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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