(57)【要約】【課題】スクライブラインに大きな島状パターンが形成されることを抑制できるレチクルを提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るレチクル８は、基板上に形成され、製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２と、前記基板上に形成され、前記四角形の領域１１２に接して配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブライン１１３と、前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の２辺それぞれに平行に配置された第２及び第３のスクライブライン１，２と、前記基板上に形成され、前記四角形の領域１１２及び前記第１及び第２及び第３のスクライブライン１１３，１，２を囲むように配置された遮光体１４と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１
2010164729.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、製品チップパターンが形成された四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域に接して配置され、前記四角形の隣接する２
辺の周囲に配置された第１のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の２辺それぞれに平行に配置さ
れた第２及び第３のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域及び前記第１及び第２及び第３のスクライブ
ラインを囲むように配置された遮光体と、
を具備することを特徴とするレチクル。
【請求項２】
請求項１に記載のレチクルを用いて、ウエハー基板上に形成されたレジスト膜を露光す
る工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記四角形の領域及び前記第１のスクライブラインからなる四角形状領域を開口し、且
つ前記第２及び第３のスクライブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト
膜を複数回露光することにより、前記四角形状領域をマトリックス状に且つ互いに接する
ように前記レジスト膜に転写する工程と、
前記第２のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域及び前記第３のスクライ
ブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより
、前記工程で転写された前記四角形状領域における前記第１のスクライブラインが形成さ
れていない１辺に接する前記第２のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工程と
、
前記第３のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域及び前記第２のスクライ
ブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより
、前記工程で転写された前記四角形状領域における前記第１のスクライブラインが形成さ
れていない他の１辺に接する前記第３のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工
程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ウエハー基板上に転写された転写パターンを有する半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに接するように配置された四角形状領
域であって、製品チップパターンが転写された四角形の領域と、前記四角形の領域に接し
て配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブラインとか
らなる四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置された第２のスクライブラインと、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない他の１辺に接して配置された第３のスクライブラインと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成され、製品チップパターンが形成された四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域に接して配置され、前記四角形の隣接する２
辺の周囲に配置された第１のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の１辺に平行に且つ前記四角形
の領域と離れて配置された第２のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域及び前記第２のスクライブラインを囲むよう
に配置された遮光体と、
を具備することを特徴とするレチクル。
【請求項５】
請求項４に記載のレチクルを用いて、ウエハー基板上に形成されたレジスト膜を露光す
る工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記四角形の領域及び前記第１のスクライブラインからなる四角形状領域を開口し、且
つ前記第２のスクライブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数
回露光することにより、前記四角形状領域をマトリックス状に且つ互いに接するように前
記レジスト膜に転写するとともに、前記転写された前記四角形状領域における前記第１の
スクライブラインが配置されていない１辺に接するダミーとしての前記四角形状領域を前
記レジスト膜に転写する工程と、
前記第２のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域を遮光したレチクルをマ
スクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより、前記工程で転写された前記四角
形状領域における前記第１のスクライブラインが配置されていない１辺に接する前記第２
のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ウエハー基板上に転写された転写パターンを有する半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに接するように配置された四角形状領
域であって、製品チップパターンが転写された四角形の領域と、前記四角形の領域に接し
て配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブラインとか
らなる四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置されたダミーとしての前記四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置された第２のスクライブラインと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成され、製品チップパターンが形成された複数個の四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域の相互間に配置された第１のスクライブライ
ンと、
前記第１のスクライブラインに配置されたモニター類のパターンと、
前記基板上に形成され、前記複数個の四角形の領域に接して配置され、前記複数個の四
角形の領域の外側を囲むように配置された第２のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記第２のスクライブラインを囲むように配置された遮光体と
、
を具備し、
前記第２のスクライブラインにはモニター類のパターンが形成されていないことを特徴
とするレチクル。
【請求項８】
請求項７に記載のレチクルを用いて、ウエハー基板上に形成されたレジスト膜を露光す
る工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記レチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより、前記複数個
の四角形の領域、前記第１及び第２のスクライブラインからなる四角形状領域をマトリッ
クス状に且つ前記第２のスクライブラインが互いに重なり合うように前記レジスト膜に転
写する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ウエハー基板上に転写された転写パターンを有する半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに重なり合うように配置された四角形
状領域であって、製品チップパターンが形成された複数個の四角形の領域と、前記四角形
の領域の相互間に配置された第１のスクライブラインと、前記複数個の四角形の領域に接
して配置され、前記複数個の四角形の領域の外側を囲むように配置された第２のスクライ
ブラインとからなる四角形状領域を有し、
前記第２のスクライブラインは互いに重なり合うように配置されていることを特徴とす
る半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル、半導体装置及びその製造方法等に関し、特にスクライブラインに
大きな島状パターンが形成されることを抑制できるレチクル、半導体装置及びその製造方
法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、縮小投影露光装置（ステッパー）の構成を模式的に示す概略図である。
水銀ランプ１０１から発した照明光は、楕円鏡１０２で反射され、照明光学系へ向かい
、シャッター１０３の開閉により、露光時間が制限される。干渉フィルター１０４によっ
て、必要な波長の照明光のみが選択される。フライアイレンズ１０５により、照明光の強
度が均一化される。レチクルブラインド１０６によって、レチクル１０８上のパターンが
開口、又は遮光される。コンデンサレンズ１０７により、照明光がレチクル１０８上に照
射される。また、レチクルブラインド像が、レチクル１０８上に結像される。レチクル１
０８上のパターンは、縮小投影レンズ１０９を介して、ステージ１１１上に保持されたウ
エハー基板１１０上へ縮小投影される。
【０００３】
図６（ａ），（ｂ）は、従来のレチクルを用いて、縮小投影露光装置（ステッパー）に
より、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図である
。
【０００４】
図６（ａ）に示すように、レチクル１０８上には製品チップパターンが形成された四角
形の領域１１２が配置され、その四角形の領域１１２に接して、下側、及び、右側に第１
のスクライブライン１１３が配置されている。更に、その周囲に遮光帯１１４が配置され
ており、上、下、左、右のレチクルブラインド１１５〜１１８それぞれの端面は、この遮
光帯１１４上に位置決めされ、第１のスクライブライン１１３を含む四角形の領域１１２
のみを開口し、その周囲を遮光する。
【０００５】
図６（ｂ）は、図６（ａ）のレチクル１０８を用いて、ウエハー基板１１０上に第１の
スクライブライン１１３ａを含む製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２を
繰り返し配列した状態を示す図である。レチクル１０８上において、第１のスクライブラ
イン１１３が四角形の領域１１２の下側、及び、右側のみに配置されているため、図６（
ｂ）に示すウエハー基板１１０において、最も上に配列された四角形の領域１１２の上側
及び最も左に配列された四角形の領域１１２の左側にはスクライブラインが形成されない
領域１１９が発生する。
【０００６】
最も上に配列された四角形の領域１１２の上側のスクライブラインが形成されない領域
１１９の近傍のウエハー基板１１０にはウエハー印字領域１２０が配置されており、この
ウエハー印字領域１２０にはウエハーを識別する文字等が印字されている。
【０００７】
図７（ａ），（ｂ）は、図６の場合と同様に、従来のレチクルを用いて、縮小投影露光
装置（ステッパー）により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方
法を説明する図である。
【０００８】
図７（ａ）に示すように、レチクル１０８上には製品チップパターンが形成された四角
形の領域１１２が配置され、その周囲に四角形の領域１１２と接してスクライブライン１
１３ｂが全周に配置されている。また、レチクルブラインドは図示されていないが、図６
（ａ）の場合と同様に、スクライブライン１１３ｂの外周に配置された遮光帯１１４上に
位置決めされ、スクライブライン１１３ｂを含む四角形の領域１１２のみを開口し、その
周囲を遮光する。
【０００９】
このレチクル１０８を用いて、ウエハー基板１１０上にスクライブライン１１３ｃを含
む四角形の領域１１２を繰り返し配列する場合、上下、及び、左右のスクライブライン１
１３ｂは、同じ位置に重なりあって転写される。図７（ａ）に示すように、下側、及び、
右側のスクライブライン１１３ｂ上にアライメントマークＸ、Ｙのパターンを配置する場
合、反対側に位置する上側、及び、左側のスクライブライン１１３ｂがパターン形成され
ていない状態（以下、「白抜き」という。）であると、上下、及び、左右のスクライブラ
イン１１３ｂが重なり合った際に、アライメントマーク部が二重露光となり、アライメン
トマークＸ、Ｙが消滅してしまう。これを避けるために、上側、及び、左側のスクライブ
ライン１１３ｂには、下側、及び、右側のスクライブライン１１３ｂ上に配置されたアラ
イメントマークと対応する位置に遮光帯パターン１２１を形成する必要がある。
【００１０】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のレチクルを用いて、ウエハー基板１１０上にスクライブラ
イン１１３ｃを含む製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２を繰り返し配列
した状態を示す図である。上下、及び、左右のスクライブライン１１３ｂが重なり合って
形成されるスクライブライン１１３ｃ上にはアライメントマークＸ、Ｙが形成されるが、
図６（ｂ）で示したスクライブラインが形成されない領域１１９に相当する領域は、上下
、及び、左右のスクライブラインの重なり合いがなく、上下、及び、左右のみのスクライ
ブラインの転写となるため、アライメントマークが形成される部分に遮光帯パターン１２
１が大きな島状のパターンとなって形成される。
【００１１】
図８は、図６、図７の場合と同様に、従来のレチクルを用いて、縮小投影露光装置（ス
テッパー）により、ウエハー基板上に製品チップを繰り返し配列する方法を説明する図で
ある。
【００１２】
図８（ａ）に示すように、レチクル１０８上には製品チップパターンが形成された四角
形の領域１１２が配置され、その周囲に四角形の領域１１２と接してスクライブライン１
１３ｂが全周に配置されている。また、レチクルブラインドは図示されていないが、図６
（ａ）の場合と同様に、スクライブライン１１３ｂの外周に配置された遮光帯１１４上に
位置決めされ、スクライブライン１１３ｂを含む四角形の領域１１２のみを開口し、その
周囲を遮光する。
【００１３】
このレチクル１０８を用いて、ウエハー基板１１０上にスクライブライン１１３ａを含
む四角形の領域１１２を繰り返し配列する場合、図７の場合とは異なり、上下、及び、左
右のスクライブラインは、同じ位置に重なり合って転写されることはない。従って、図７
（ａ）に示すように、上側、及び、左側のスクライブライン１１３ｂには、下側、及び、
右側のスクライブライン１１３ｂ上に配置されたアライメントマークＸ、Ｙと対応する位
置に遮光帯パターンを形成する必要がない。
【００１４】
図８（ｂ）は、図８（ａ）のレチクル１０８を用いて、ウエハー基板１１０上にスクラ
イブライン１１３ａを含む製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２を繰り返
し配列した状態を示す図である。上下、及び、左右のスクライブライン１１３ｂが重なり
合って形成されないため、図６（ｂ）で示したスクライブラインが形成されない領域１１
９に相当する領域には、白抜きのスクライブラインが形成される。また、製品チップ間の
境界に位置するスクライブライン１１３ａには、アライメントマークＸ、Ｙが形成され、
そのスクライブライン幅は、アライメントマーク幅の２倍程度に太くなる。
なお、上述した技術と関連する技術が例えば特許文献１に記載されている。
【００１５】
ところで、ウエハー基板１１０上に形成された製品チップは、最終的にはスクライブラ
イン１１３ａ，１１３ｃに沿って切断され、一つ一つの製品チップに分けられるが、製品
チップを切断する際に、スクライブライン１１３ａ，１１３ｃが白抜きであることが望ま
しい。スクライブライン１１３ａ，１１３ｃ上に配置されたアライメントマークなどのモ
ニター類は小さな島状パターンの集合体であるため、あまり問題にはならないが、大きな
島状のパターンが存在すると切断時の障害となる。特に、アルミなどの金属膜からなる大
きな島状パターンが存在すると、切断に使用する回転刃の磨耗によって刃寿命が短くなる
ばかりでなく、切断の際に金属膜がバリとなって製品チップの動作異常を招くことがある
。
【００１６】
図６に示す従来技術の場合、図６（ｂ）の領域１１９に沿ってスクライブラインが形成
されないため、この全領域にわたって金属膜が島状パターンとなって存在することになり
、回転刃の寿命、及び、製品チップの動作異常の観点から大きな支障となる。この対策と
して、図６（ｂ）のスクライブラインが形成されない領域１１９に沿ってダミーの製品チ
ップパターンを露光し、強制的にスクライブラインを形成する方法が考えられるが、ウエ
ハー印字領域１２０に重ねてダミーの製品チップパターンを露光する必要があり、ウエハ
ー印字を識別できないという新たな問題が発生する。
【００１７】
図７に示す従来技術の場合、図６（ｂ）のスクライブラインが形成されない領域１１９
にもスクライブラインが形成される。しかし、図７（ａ）のレチクル１０８にはアライメ
ントマークＸ、Ｙのモニター類と二重露光を避けるために配置された遮光帯パターン１２
１があるため、図７（ｂ）のウエハー基板１１０における前記領域１１９に形成されるス
クライブラインに金属膜が大きな島状パターン１２１となって存在することになる。図６
の従来技術に比べれば、島状パターンの占有面積が大分小さくなるが、完全な改善策には
ならない。また、アライメントマークＸ、Ｙなどのモニター類と二重露光を避けるために
遮光帯パターン１２１を配置する必要があるため、設計段階において、スクライブライン
上にモニター類を配置する際のＣＡＤ作業が複雑になる。
【００１８】
図８に示す従来技術の場合、図６（ｂ）のスクライブラインが形成されない領域１１９
にもスクライブラインが形成され、図７の従来技術のように、遮光帯パターン１２１のよ
うな大きな島状パターンも存在しない。しかし、製品チップ間の境界に位置するスクライ
ブライン１１３ａの幅が、アライメントマークＸ、Ｙなどのモニター幅の２倍程度に太く
なるため、スクライブライン１１３ａの占有率が増え、ウエハー基板１１０上に配列でき
る製品チップの数が減ってしまう。特に、製品チップのサイズが小さいほどスクライブラ
イン１１３ａの占有率が増えるため、非常に深刻な問題となる。
【００１９】
【特許文献１】特開２００２−２３３４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は上述したことを考慮してなされたものであり、本発明に係る態様は、スクライ
ブラインに大きな島状パターンが形成されることを抑制できるレチクル、半導体装置及び
その製造方法等である。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係るレチクルは、基板上に形成され、製品
チップパターンが形成された四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域に接して配置され、前記四角形の隣接する２
辺の周囲に配置された第１のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の２辺それぞれに平行に配置さ
れた第２及び第３のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域及び前記第１及び第２及び第３のスクライブ
ラインを囲むように配置された遮光体と、
を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、上述したレチクルを用いて、ウエハー
基板上に形成されたレジスト膜を露光する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記四角形の領域及び前記第１のスクライブラインからなる四角形状領域を開口し、且
つ前記第２及び第３のスクライブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト
膜を複数回露光することにより、前記四角形状領域をマトリックス状に且つ互いに接する
ように前記レジスト膜に転写する工程と、
前記第２のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域及び前記第３のスクライ
ブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより
、前記工程で転写された前記四角形状領域における前記第１のスクライブラインが形成さ
れていない１辺に接する前記第２のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工程と
、
前記第３のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域及び前記第２のスクライ
ブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより
、前記工程で転写された前記四角形状領域における前記第１のスクライブラインが形成さ
れていない他の１辺に接する前記第３のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工
程と、
を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ウエハー基板上に転写された転写パターンを有す
る半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに接するように配置された四角形状領
域であって、製品チップパターンが転写された四角形の領域と、前記四角形の領域に接し
て配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブラインとか
らなる四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置された第２のスクライブラインと、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない他の１辺に接して配置された第３のスクライブラインと、
を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明の一態様に係るレチクルは、基板上に形成され、製品チップパターンが形成され
た四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域に接して配置され、前記四角形の隣接する２
辺の周囲に配置された第１のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の１辺に平行に且つ前記四角形
の領域と離れて配置された第２のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域及び前記第２のスクライブラインを囲むよう
に配置された遮光体と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、上記のレチクルを用いて、ウエハー基
板上に形成されたレジスト膜を露光する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記四角形の領域及び前記第１のスクライブラインからなる四角形状領域を開口し、且
つ前記第２のスクライブラインを遮光したレチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数
回露光することにより、前記四角形状領域をマトリックス状に且つ互いに接するように前
記レジスト膜に転写するとともに、前記転写された前記四角形状領域における前記第１の
スクライブラインが配置されていない１辺に接するダミーとしての前記四角形状領域を前
記レジスト膜に転写する工程と、
前記第２のスクライブラインを開口し、且つ前記四角形状領域を遮光したレチクルをマ
スクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより、前記工程で転写された前記四角
形状領域における前記第１のスクライブラインが配置されていない１辺に接する前記第２
のスクライブラインを前記レジスト膜に転写する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２６】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ウエハー基板上に転写された転写パターンを有す
る半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに接するように配置された四角形状領
域であって、製品チップパターンが転写された四角形の領域と、前記四角形の領域に接し
て配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブラインとか
らなる四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置されたダミーとしての前記四角形状領域と、
前記ウエハー基板上に形成され、前記四角形状領域における前記第１のスクライブライ
ンが配置されていない１辺に接して配置された第２のスクライブラインと、
を具備することを特徴とする。
【００２７】
本発明の一態様に係るレチクルは、基板上に形成され、製品チップパターンが形成され
た複数個の四角形の領域と、
前記基板上に形成され、前記四角形の領域の相互間に配置された第１のスクライブライ
ンと、
前記第１のスクライブラインに配置されたモニター類のパターンと、
前記基板上に形成され、前記複数個の四角形の領域に接して配置され、前記複数個の四
角形の領域の外側を囲むように配置された第２のスクライブラインと、
前記基板上に形成され、前記第２のスクライブラインを囲むように配置された遮光体と
、
を具備し、
前記第２のスクライブラインにはモニター類のパターンが形成されていないことを特徴
とする。
【００２８】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、上記のレチクルを用いて、ウエハー基
板上に形成されたレジスト膜を露光する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記レチクルをマスクとして前記レジスト膜を複数回露光することにより、前記複数個
の四角形の領域、前記第１及び第２のスクライブラインからなる四角形状領域をマトリッ
クス状に且つ前記第２のスクライブラインが互いに重なり合うように前記レジスト膜に転
写する工程を具備することを特徴とする。
【００２９】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ウエハー基板上に転写された転写パターンを有す
る半導体装置において、
前記ウエハー基板上にマトリックス状に且つ互いに重なり合うように配置された四角形
状領域であって、製品チップパターンが形成された複数個の四角形の領域と、前記四角形
の領域の相互間に配置された第１のスクライブラインと、前記複数個の四角形の領域に接
して配置され、前記複数個の四角形の領域の外側を囲むように配置された第２のスクライ
ブラインとからなる四角形状領域を有し、
前記第２のスクライブラインは互いに重なり合うように配置されていることを特徴とす
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）,（ｂ）及び図２（ｃ）,（ｄ）は、本発明の第１の実施形態によるレチクル
を用いて、縮小投影露光装置（ステッパー）により、ウエハー基板上に製品チップパター
ンを繰り返し配列する方法を説明する図である。
【００３１】
図１（ａ）,（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、レチクル８は露光光を透過する基板
を有している。この基板上には製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２が配
置され、その四角形の領域１１２に接して、下側、及び、右側に第１のスクライブライン
１１３が配置されている。また、四角形の領域１１２から離れて、遮光帯１４を介して、
上側、及び、左側には第２及び第３のスクライブライン１，２が配置され、更に、これら
の周囲を遮光帯１４が囲っている。第１及び第２及び第３のスクライブライン１１３，１
，２は、白抜きであっても良いが、アライメントマークなどのモニター類のパターンが形
成されていても良い。
【００３２】
図２（ｄ）は、図１（ａ）,（ｂ）及び図２（ｃ）に示されるレチクル８を用いて、ウ
エハー基板１１０上にスクライブライン１１３ａを含む製品チップパターンが形成された
四角形の領域１１２を繰り返し配列した状態を示す図である。
【００３３】
まず、図２（ｄ）において、製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２と、
それに接する下側、及び、右側の第１のスクライブライン１１３ａは、レチクルブライン
ド１１５〜１１８を図１（ａ）に示すように設定して露光、配列される。
【００３４】
詳細には、図１（ａ）に示すように、上、下、左、右のレチクルブラインド１１５〜１
１８は、四角形の領域１１２と、それに接する下側、及び、右側の第１のスクライブライ
ン１１３を囲む遮光帯１４上に位置決めされ、第１のスクライブライン１１３を含む四角
形の領域１１２のみを開口し、第２及び第３のスクライブライン１，２を含む周辺は完全
に遮光される。そして、レチクルブラインド１１５〜１１８が設定された後、ウエハー基
板１１０上の指定された位置へ順次移動して、四角形の領域１１２と、それに接する第１
のスクライブライン１１３ａが露光、配列される。なお、露光されるウエハー基板１１０
の表面にはレジスト膜（図示せず）が形成されている。
【００３５】
次に、図２（ｄ）において、最も上に配列された四角形の領域１１２の上側に位置する
第２のスクライブライン１Ａは、レチクルブラインド１１５〜１１８を図１（ｂ）のよう
に設定して露光、配置される。
【００３６】
詳細には、図１（ｂ）に示すように、上下左右のレチクルブラインド１１５〜１１８は
、第２のスクライブライン１Ａを囲む遮光帯１４上に位置決めされ、第２のスクライブラ
イン１Ａのみを開口し、四角形の領域１１２と、それに接する第１のスクライブライン１
１３、及び、第３のスクライブライン２を含む他の領域は完全に遮光される。そして、レ
チクルブラインド１１５〜１１８が設定された後、ウエハー基板１１０上の指定された位
置へ順次移動して、第２のスクライブライン１Ａが露光、配置される。
【００３７】
最後に、図２（ｄ）において、最も左に配列された四角形の領域１１２の左側に位置す
る第３のスクライブライン２Ｂは、レチクルブラインド１１５〜１１８を図２（ｃ）のよ
うに設定して露光、配置される。詳細には、図２（ｃ）に示すように、上下左右のレチク
ルブラインド１１５〜１１８は、第３のスクライブライン２Ｂを囲む遮光帯１４上に位置
決めされ、第３のスクライブライン２Ｂのみを開口し、四角形の領域１１２と、それに接
する第１のスクライブライン１１３、及び、第２のスクライブライン１を含む他の領域は
完全に遮光される。そして、レチクルブラインド１１５〜１１８が設定された後、ウエハ
ー基板１１０上の指定された位置へ順次移動して、第３のスクライブライン２Ｂが露光、
配置される。
【００３８】
以上の露光、配列の手順によって、図６（ｂ）で示したスクライブラインが形成されな
い領域１１９には、第２及び第３のスクライブライン１Ａ，２Ｂが形成される。そして、
レジスト膜を現像することにより、ウエハー基板１１０上にはレジストパターンが形成さ
れる。次いで、このレジストパターンをマスクとして被エッチング膜（例えばＡｌ合金膜
などの導電膜又は絶縁膜）をエッチングすることにより、レチクルのパターンが被エッチ
ング膜に転写され、ウエハー基板１１０上には転写パターンが形成される。
【００３９】
上記第１の実施形態によれば、ウエハー基板１１０上の製品チップがスクライブライン
に沿って切断され、一つ一つの製品チップに分けられる際に、予めウエハー基板１１０上
の最外周に配置されるスクライブラインを白抜きとするか又は大きな島状パターンの存在
しないものとすることによって、Ａｌ合金膜などの金属膜からなる大きな島状パターンが
排除され、製品チップをスクライブラインに沿ってスムーズに切断することができる。こ
のため、切断に使用する回転刃の寿命を損なうことがなくなり、また、切断時の金属バリ
によって製品チップの動作異常を引き起こすことを防止できる。
【００４０】
また、本実施形態では、従来技術のようにスクライブライン上のアライメントマークな
どのモニター類が二重露光によって消滅することがないため、従来技術のようにこれを回
避するための遮光体を配置する必要がない。このため、設計段階において、スクライブラ
イン上にモニター類を配置する際のＣＡＤ作業が容易になる。
【００４１】
また、本実施形態では、製品チップ間の境界に位置するスクライブラインの幅が、アラ
イメントマークなどのモニター幅の２倍程度に太くなることがないため、ウエハー基板上
のスクライブラインの占有率が増えることがなく、配列できる製品チップの数は減らない
。
【００４２】
なお、図２（ｄ）に示すように、第２及び第３のスクライブライン１Ａ，２Ｂが、自ら
、及び、互いに重なり合う部分は二重露光となる構造であるが、図１（ａ），（ｂ）及び
図２（ｃ）に示す第２及び第３のスクライブライン１，２の長さを調節して重なり合いを
回避してもよい。この他に、第２及び第３のスクライブライン１，２の重なり合う部分の
片方を遮光帯として二重露光を回避する方法や、露光、配置する位置をずらして重なり合
いを回避する方法などが考えられる。何れにしても、スクライブライン上に大きな島状の
パターンが形成されなければよく、重なり合う部分にモニター類を配置しなければ、二重
露光となる構造でも問題はない。
【００４３】
また、アライメントマークなどのモニター類は、図１（ａ），（ｂ）及び図２（ｃ）に
おいて、四角形の領域１１２に接する下側、及び、右側の第１のスクライブライン１１３
上に配置し、第２及び第３のスクライブライン１，２は白抜きの構造とするのが望ましい
が、ウエハー基板１１０のスクライブラインを切断する際に支障とならないモニター類の
パターンを第２及び第３のスクライブライン１，２に配置してもよい。また、第２及び第
３のスクライブライン１，２の露光、配置は、半導体装置製造のすべての露光工程で実施
されるべきであるが、アルミなどの金属膜からなるパターンを形成する工程のみで実施し
てもよい。
【００４４】
図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露
光装置（ステッパー）により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する
方法を説明する図である。
【００４５】
図３（ａ）,（ｂ）に示すように、レチクル８は露光光を透過する基板を有している。
この基板上には製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２が配置され、その四
角形の領域１１２に接して、下側、及び、右側に第１のスクライブライン１１３が配置さ
れている。また、四角形の領域１１２から離れて、遮光帯１４を介して、上側には第２の
スクライブライン１が配置され、更に、これらの周囲を遮光帯１４が囲っている。第１及
び第２のスクライブライン１１３，１は、白抜きであっても良いが、アライメントマーク
などのモニター類のパターンが形成されていても良い。
【００４６】
図３（ｃ）は、図３（ａ）,（ｂ）に示されるレチクル８を用いて、ウエハー基板１１
０上にスクライブライン１１３ａを含む製品チップパターンが形成された四角形の領域１
１２を繰り返し配列した状態を示す図である。
【００４７】
まず、図３（ｃ）において、製品チップパターンが形成された四角形の領域１１２と、
それに接する下側、及び、右側の第１のスクライブライン１１３ａは、レチクルブライン
ド１１５〜１１８を図３（ａ）のように設定して露光、配列される。
【００４８】
詳細には、図３（ａ）に示すように、上、下、左、右のレチクルブラインド１１５〜１
１８は、四角形の領域１１２と、それに接する下側、及び、右側の第１のスクライブライ
ン１１３を囲む遮光帯１４上に位置決めされ、第１のスクライブライン１１３を含む四角
形の領域１１２のみを開口し、第１のスクライブライン１を含む周辺は完全に遮光される
。そして、レチクルブラインド１１５〜１１８が設定された後、ウエハー基板１１０上の
指定された位置へ順次移動して、四角形の領域１１２と、それに接する第１のスクライブ
ライン１１３ａが露光、配列される。この時、図６（ｂ）のスクライブラインが形成され
ない領域１１９に沿ってダミーとしての四角形の領域１１２ａも同時に露光、配列される
が、ウエハー印字部１２０と重なる領域には配置しない。なお、露光されるウエハー基板
１１０の表面にはレジスト膜（図示せず）が形成されている。
【００４９】
次に、図３（ｃ）において、最も上に配列された四角形の領域１１２の上側に位置し且
つウエハー印字１２０と重なるためにダミーとしての四角形の領域１１２ａを配列できな
い領域に位置する第２のスクライブライン１Ａは、レチクルブラインド１１５〜１１８を
図３（ｂ）のように設定して露光、配置される。
【００５０】
詳細には、図３（ｂ）に示すように、上、下、左、右のレチクルブラインド１１５〜１
１８は、第２のスクライブライン１を囲む遮光帯１４上に位置決めされ、第２のスクライ
ブライン１のみを開口し、四角形の領域１１２と、それに接する第１のスクライブライン
１１３を含む他の領域は完全に遮光される。そして、レチクルブラインド１１５〜１１８
が設定された後、ウエハー基板１１０上の指定された位置へ順次移動して、第２のスクラ
イブライン１が露光、配置される。
【００５１】
以上の露光、配列の手順によって、図６（ｂ）で示したスクライブラインが形成されな
い領域１１９には、第１及び第２のスクライブライン１１３ａ，１Ａが形成される。そし
て、レジスト膜を現像することにより、ウエハー基板１１０上にはレジストパターンが形
成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして被エッチング膜（例えばＡｌ合
金膜などの導電膜又は絶縁膜）をエッチングすることにより、レチクルのパターンが被エ
ッチング膜に転写され、ウエハー基板１１０上には転写パターンが形成される。
【００５２】
上記第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
また、ウエハー印字部に重ねてダミーの製品チップを配列して強制的にスクライブライ
ンを形成する必要がないため、ウエハー印字部の視認性を損なうことがない。
【００５４】
また、本実施形態では、図６（ｂ）に示されるスクライブラインが形成されない領域１
１９において、ウエハー印字部以外の領域は、ダミーの製品チップを配列することによっ
てスクライブラインを形成し、ウエハー印字部の領域のみをレチクルブラインドの設定を
変えてスクライブラインを形成している。このため、前記領域１１９のすべての領域につ
いてレチクルブラインドの設定を変更してスクライブラインを形成する第１の実施形態に
比べて、レチクルブラインドの変更回数を１回削減できる。
【００５５】
なお、図３（ｃ）に示すように、第２のスクライブライン１Ａが、自ら、及び、他のス
クライブライン１１３ａと重なり合う部分は二重露光となる構造であるが、第２のスクラ
イブライン１Ａの長さを調節して重なり合いを回避してもよい。この他に、第２のスクラ
イブライン１の重なり合う部分の片方を遮光帯として二重露光を回避する方法や、露光、
配置する位置をずらして重なり合いを回避する方法などが考えられる。何れにしても、ス
クライブライン上に大きな島状のパターンが形成されなければ良く、重なり合う部分にモ
ニター類を配置しなければ、二重露光となる構造でも問題はない。
【００５６】
また、アライメントマークなどのモニター類は、図３（ａ），（ｂ）において、四角形
の領域１１２に接する下側、及び、右側の第１のスクライブライン１１３上に配置し、第
２のスクライブライン１は白抜きの構造となるのが望ましいが、ウエハー基板１１０のス
クライブラインを切断する際に支障とならないモニター類のパターンを第２のスクライブ
ライン１に配置してもよい。また、第２のスクライブライン１の露光、配置は、半導体装
置製造のすべての露光工程で実施されるべきであるが、アルミなどの金属膜からなるパタ
ーンを形成する工程のみで実施してもよい。
【００５７】
図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露
光装置（ステッパー）により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する
方法を説明する図である。
【００５８】
図４（ａ）に示すように、レチクル８は露光光を透過する基板を有している。この基板
上には製品チップパターンが形成された四角形の領域１２が４領域配置され、各四角形の
領域１２間の境界に第１のスクライブラインが十字に配置されている。また、前記４領域
の周囲には、これと接して第２のスクライブライン１３が全周に配置されており、更に、
その周囲は遮光帯１４で囲まれている。
【００５９】
レチクルブラインドは図示されていないが、前記４領域の外周に配置された遮光帯１４
上に位置決めされ、第２のスクライブライン１３を含む前記４領域のみを開口し、その周
囲を遮光する。このレチクル８を用いて、ウエハー基板１１０上に第２のスクライブライ
ン１３を含む前記４領域を繰り返し配列する場合、前記４領域の外周に配置された上下、
及び、左右の第２のスクライブライン１３ａは、同じ位置に重なり合って転写される。
【００６０】
図４（ａ）において、アライメントマークＸ、Ｙなどのモニター類は、各四角形の領域
１２間の境界にある第１のスクライブライン上に配置し、前記４領域の外周にある上下、
及び、左右の第２のスクライブライン１３上には、アライメントマークなどのモニター類
を一切配置せず、完全な白抜きの構造とする。
【００６１】
図４（ｂ）は、図４（ａ）のレチクル８を用いて、ウエハー基板１１０上にスクライブ
ライン１３ａを含む製品チップパターンを繰り返し配列した状態を示す図である。
【００６２】
各四角形の領域１２間の境界にある第１のスクライブライン上には、アライメントマー
クＸ、Ｙなどのモニター類が配置され、４個の四角形の領域１２の外周にある上下、及び
、左右の第２のスクライブライン１３が重なり合って形成されるスクライブライン１３ａ
上にはモニター類が一切なく、白抜きの構造となる。また、図６（ｂ）で示したスクライ
ブラインが形成されない領域１１９は、上下、及び、左右のスクライブラインの重なり合
いがないが、モニター類のない白抜き構造のスクライブラインが形成される。
【００６３】
本実施形態では、製品チップが４チップの構成について説明したが、レチクル８上に２
チップ以上の製品チップが配置されていればよい。製品チップ間の境界、及び、外周にス
クライブラインを配置し、製品チップ間の境界にあるスクライブライン上のみにアライメ
ントマークなどのモニター類を配置し、製品チップの外周にあるスクライブライン上には
モニター類を一切配置せず、白抜きの構造にすればよい。製品チップの外周にある第２の
スクライブライン１３は、上下、及び、左右が重なり合って二重露光となるが、モニター
類がない白抜き構造であるため、何ら問題はない。
【００６４】
上記第３の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
また、本実施形態では、レチクル上に製品チップを複数個配列し、製品チップ間の境界
にある第１のスクライブライン上のみにアライメントマークなどのモニター類を配置し、
製品チップの外周にある第２のスクライブライン１３上にはモニター類を一切配置せず、
白抜きの構造としている。このため、図６（ｂ）に示すスクライブラインが形成されない
領域１１９にスクライブラインを形成する際にも、第１及び第２の実施形態のようにレチ
クルブラインドの設定を変更する必要がない。
【００６６】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない
範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（ａ）,（ｂ）は第１の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図２】（ｃ）,（ｄ）は第１の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図４】（ａ），（ｂ）は第３の実施形態によるレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図５】縮小投影露光装置の構成を模式的に示す概略図。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来のレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図７】（ａ），（ｂ）は従来のレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップパターンを繰り返し配列する方法を説明する図。
【図８】（ａ），（ｂ）は従来のレチクルを用いて、縮小投影露光装置により、ウエハー基板上に製品チップを繰り返し配列する方法を説明する図。
【符号の説明】
【００６８】
１，１Ａ，１３，１３ａ…第２のスクライブライン、２，２Ｂ…第３のスクライブライ
ン、８…レチクル、１４…遮光体、１１０…ウエハー基板、１２，１１２…製品チップパ
ターンが形成された四角形の領域、１１２ａ…ダミーとしての四角形の領域、１１３，１
１３ａ…第１のスクライブライン、１１５〜１１８…上下左右のレチクルブラインド、１
２０…ウエハー印字部、Ｘ，Ｙ…アライメントマーク
【図１】
2010164729.tif 000003
【図２】
2010164729.tif 000004
【図３】
2010164729.tif 000005
【図４】
2010164729.tif 000006
【図５】
2010164729.tif 000007
【図６】
2010164729.tif 000008
【図７】
2010164729.tif 000009
【図８】
2010164729.tif 000010