(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、耐湿性を向上させ、長期に渡って表示画像の高品位化を図る。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極（７１）と、画素電極と容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜（７２）とを備える。【選択図】図６
2010164670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
画素電極と、
前記画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極と、
前記画素電極と前記容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記誘電体膜は、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンのいずれか一方からなる単層膜であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記誘電体膜は、前記基板上で平面的に見てベタ状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料から形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。ここで、アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで画素スイッチング用のＴＦＴの動作を制御すると共に、該ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。このような電気光学装置では、表示画像の高コントラスト化等を目的として、画素スイッチング用のＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が電気的に接続されることがある。例えば特許文献１には、蓄積容量を、容量絶縁膜を介して対向する一対の透明電極から構成することで、透過率を確保する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１４８６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、大気中に含まれる水分や、液晶層に含まれる水分が、基板上に形成された積層構造に侵入し、走査線、データ線等の各種配線や、画素スイッチング用のＴＦＴ等の素子の腐食を促進させてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。特に、液晶装置を長期間に渡って使用する場合、経時的に徐々に水分がパネル内部に侵入し、液晶装置の表示性能が低下してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、耐湿性を向上させることができ、長期に渡って高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極と、前記画素電極と前記容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜とを備える。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に、例えば走査線及びデータ線の交差に対応する画素毎に、画素電極が配置されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧を印加する。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域或いは画素アレイ領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。
【０００８】
本発明では、画素電極の下層側に、容量電極が画素電極に対向するように設けられ、基板上の積層構造における画素電極と容量電極との間には、誘電体膜が介在している。即ち、各画素では、容量電極、誘電体膜及び画素電極によって、蓄積容量が形成される。該蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性を向上させることができ、表示画像の高コントラスト化が可能となる。
【０００９】
本発明では特に、誘電体膜は、窒化シリコン（ＳｉＮ）及び窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）の少なくとも一方を含んでなる。よって、基板上の積層構造における誘電体膜より下層側に、該誘電体膜より上層側から水分や湿気が侵入することを防止できる。即ち、誘電体膜は、当該誘電体膜より下層側に形成された配線や素子等にとって、水分や湿気を防ぐための膜、即ちパッシベーション膜として機能することができる。
【００１０】
つまり、本発明では特に、誘電体膜は、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなるので、画素電極における電位保持特性を向上させるための蓄積容量の容量絶縁膜として機能すると共に、水分や湿気を防ぐためのパッシベーション膜として機能することができる。よって、パッシベーション膜として誘電体膜とは異なる新たな膜を積層する必要がない。従って、基板上の積層構造の複雑化を招かずに、耐湿性或いは耐水性を高めることができる。
【００１１】
以上の結果、基板上における積層構造の単純化を図りつつ、誘電体膜の存在によって、耐湿性を向上させることができ、長期に渡って高品位の画像表示が可能となる。更に、電気光学装置の信頼性も向上する。加えて、基板上における積層構造の単純化は、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上にもつながる。
【００１２】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、耐湿性を向上させることができ、長期に渡って高品位な画像表示が可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記誘電体膜は、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンのいずれか一方からなる単層膜である。
【００１４】
この態様によれば、誘電体膜は、窒化シリコンの単層膜、又は窒化酸化シリコンの単層膜として形成される。よって、基板上における積層構造をより単純化することが可能である。従って、製造プロセスにおける工程数をより確実に削減することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記誘電体膜は、前記基板上で平面的に見てベタ状に形成されている。
【００１６】
この態様によれば、誘電体膜は基板上で平面的に見たときに、基板上のできるだけ広い範囲に渡って形成されるように、ベタ状に形成される。仮に誘電体膜が形成されている範囲が狭い場合、誘電体が形成されていない隙間から容易に水分が侵入しやすくなってしまう。従って、従って、誘電体膜の下層側に水分が侵入することを極力防ぐべく、誘電体膜は広範囲に渡って形成することが好ましい。
【００１７】
また、この種の電気光学装置では、画素電極は画素毎に配置されるので、画素電極の下層側に誘電体膜を介して容量電極を配置することで形成される蓄積容量もまた、画素毎に形成されることとなる。即ち、蓄積容量は基板上に複数形成されることになる。この場合、誘電体膜は、基板上に極力広く形成すべく、各蓄積容量に共通するように同一膜でベタ状に形成されることが好ましい。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料から形成される。
【００１９】
この態様によれば、画素電極及び容量電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で形成されていることから、画素毎の開口領域（即ち、例えば、各画素において表示に寄与する光が出射される領域）を小さくしなくて済む。
【００２０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２１】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ´断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の基板上における容量電極及び容量絶縁膜の位置関係を周辺配線と共に透過的に示した模式図である。
【図８】本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２５】
＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２６】
図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００２７】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０は例えば例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００２９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００３２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００３３】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００３６】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００３７】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶容量が形成される。
【００３８】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４１】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００４２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に、蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、所定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００４４】
次に、図４から図６を参照して、画像表示領域１０ａにおける具体的な積層構造について詳しく説明する。
【００４５】
図４は、本実施形態に係る液晶装置の走査線、データ線、画素スイッチング用のＴＦＴ、及び中継層の位置関係を透過的に示した模式図である。図５及び図６は夫々、図４におけるＡ−Ａ´線断面図及びＢ−Ｂ´線断面図である。また、図４から図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、図４に示すように、走査線１１及びデータ線６が、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６と走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０が形成されている。
【００４７】
走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て半導体層３０aを含むように、半導体層３０ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００４８】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂを有している。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３を含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１との間、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３と間にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４９】
ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層３０ａの上層側に形成されている。ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３４（図４参照）を介して電気的に接続されている。
【００５０】
ＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１は、第１層間絶縁膜１４上に形成されたデータ線６と、コンタクトホール３１を介して電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、データ線６と同層に形成された中継層７に、コンタクトホール３２を介して電気的に接続されている。中継層７は更に、コンタクトホール３３を介して、後述する画素電極９に電気的に接続されている。即ち、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３と画素電極９とは、中継層７によって電気的に中継接続されている。
【００５１】
データ線６及び中継層７の上層側には、第２層間絶縁膜１５を介して蓄積容量７０が形成されている。上述したように蓄積容量７０を液晶容量に並列に電気的に接続することで、画素電極９の電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができる。
【００５２】
データ線６及び中継層７の上層側には、第２層間絶縁膜１５を介して容量電極７１が形成されている。容量電極７１は、液晶容量に電気的に並列に接続された蓄積容量７０の片方の電極として機能し、容量配線３００に電気的に接続されることによって、固定電位に保持されている。
【００５３】
容量電極７１上には、本発明に係る「誘電体膜」の一例としての容量絶縁膜７２が形成されている。容量絶縁膜７２は、窒化シリコンの単層膜（即ち、ＳｉＮ膜の単層）から形成されている。容量絶縁膜７２は、容量電極７１上を覆うようにベタ状に形成されている。尚、窒化シリコンは透明な誘電性材料であるため、容量絶縁膜７２を、開口領域を含む画像表示領域１０ａに広く形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。
【００５４】
ここで、容量絶縁膜７２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造のうち、上層側（即ち、図２を参照して上述した液晶層５０に近い領域）に、ＳｉＮ膜から形成されている。よって、液晶層５０側からＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造に向かって侵入しようとする水分に対して、容量絶縁膜７２より下層側に形成されている容量電極７１、データ線６、走査線１１及びＴＦＴ３０等の種々の配線や素子等を効果的に保護することができる。具体的に言えば、図５及び図６において矢印で示すように侵入しようとする水分に対して、容量絶縁膜７２がパッシベーション膜として機能でき、下層側の配線や素子等を保護することができる。
【００５５】
即ち、本実施形態では特に、容量絶縁膜７２は、ＳｉＮ膜の単層からなるので、蓄積容量７０の容量絶縁膜として機能すると共に、水分や湿気を防ぐためのパッシベーション膜として機能することができる。よって、パッシベーション膜として容量絶縁膜７２とは異なる新たな膜を積層する必要がない。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の複雑化を招かずに、耐湿性を高めることができる。尚、容量絶縁膜７２は、窒化酸化シリコンの単層膜（即ち、ＳｉＯＮ膜の単層）から形成されてもよい。この場合にも、容量絶縁膜７２を、蓄積容量７０の容量絶縁膜、及びパッシベーション膜として機能させることができる。
【００５６】
更に、本実施形態では特に、容量絶縁膜７２は、ＳｉＮ膜の単層から形成されるので、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造を確実に単純化することが可能であり、製造プロセスにおける工程数を確実に削減することができる。
【００５７】
ここで、図７を参照して、容量電極７１及び容量絶縁膜７２の平面構造について説明する。図７（ａ）及び（ｂ）は夫々、容量電極７１及び容量絶縁膜７２の平面構造を示す平面図である。
【００５８】
データ線６及び走査線１１は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在して設けられており、画像表示領域１０ａを各画素に区分けしている。
【００５９】
容量電極７１は、図７（ａ）に示すように、その大部分が画像表示領域１０ａ全体に渡ってベタ状に形成されている。このように容量電極７１の面積を広く形成することにより、蓄積容量７０の容量値を大きく形成することができるので、画像信号のリークを効果的に抑制し、高品位な画像表示を実現することができる。
【００６０】
尚、容量電極７１には、画素電極９及び中継層７間を電気的に中継接続するためのコンタクトホール３３を形成するために開口部１が画素毎に設けられているが、画像表示領域１０ａに比べて、開口部１の占める面積は非常に小さいので、蓄積容量７０の容量値を大きく形成するための妨げにはならない。
【００６１】
一方、容量絶縁膜７２もまた、図７（ｂ）に示すように、画像表示領域１０ａ全体に渡ってベタ状に形成されている。このように容量絶縁膜７２は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画像表示領域１０ａの大部分に渡って広く形成されているので、液晶層５０側から水分が容量絶縁膜７２より下層側に侵入することを、極めて効果的に防ぐことができる。即ち、容量絶縁膜７２は、容量絶縁膜７２より下層側に形成された配線や素子等を水分から効果的に保護するために画像表示領域１０ａのできるだけ広い範囲に形成されていることが好ましい。
【００６２】
尚、容量絶縁膜７２には、画素電極９及び中継層７間を電気的に中継接続するためのコンタクトホール３３が形成される。即ち、容量絶縁膜７２は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てコンタクトホール３３に重なる領域が部分的に開孔されている。そのため、液晶層５０側から侵入した水分が、コンタクトホール３３が形成されている領域を透過することによって下層側に到達し得るが、画像表示領域１０ａ全体の大きさに比べて、コンタクトホール３３が形成されている面積は非常に小さいので、侵入し得る水分の量は微量であり、殆ど問題にならない。
【００６３】
再び図４から図６に戻って、容量絶縁膜７２上には画素電極９が形成されている。図４に示すように、画素電極９は、データ線６及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされた画素毎に、島状に形成されている。尚、図４では、画素電極９の輪郭を点線ライン９´で図示している。
【００６４】
本実施形態では特に、画素電極９は、液晶層５０を構成する液晶分子の配向状態を電圧制御するという本来の機能に加えて、蓄積容量７０の片方の電極としての機能も有する。即ち、画素電極９を、容量電極７１に対向する容量電極として利用することで、容量絶縁膜７２上に画素電極９とは別個に、画素電極９とは異なる層に、容量電極７１に対向する容量電極を設ける場合に比べて、積層構造をシンプルにすることができる。従って、画素サイズを高精細化することが容易になるというメリットを得ることができる。
【００６５】
画素電極９上には、液晶層５０（図２参照）に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための配向膜１６が形成されている。
【００６６】
以上のように、本実施形態に係る液晶装置は、蓄積容量７０が設けられることによって高品位な画像表示が可能である。特に、蓄積容量を構成する容量絶縁膜を、耐湿性を有する材料から形成することによって、容量絶縁膜より下層側に形成された配線及び素子等が水分の侵入によって腐食することを防止することができる。特に、容量絶縁膜を画像表示領域の広い範囲に渡って形成することにより、効果的に水分の侵入を防止することができる。その結果、長期に渡って高品位な画像表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【００６７】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００６８】
図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００６９】
図８に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７０】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７２】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７３】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７４】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７６】
１  開口部、  ２  第２開口部、  ６  データ線、  ７  中継層、  ９  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  １１  走査線、  １２  下地絶縁膜、  ３０  ＴＦＴ、  ３０ａ  半導体層、  ３３  コンタクトホール、  ５０  液晶、  ７０  蓄積容量、  ７１  容量電極、  ７２  容量絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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