(57)【要約】【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供すること。【解決手段】シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に炭化珪素膜を形成する半導体基板の製造方法であって、
シリコン基板の上面にシリコンを構成元素とした多孔質シリコン層を形成する工程と、
水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、前記多孔質シリコン層の表面を結晶化及び炭化して前記炭化珪素膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記炭化珪素膜を形成する工程では、前記多孔質シリコン層における前記炭化珪素膜の下面の領域を多孔質炭化珪素層とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記炭化珪素膜を形成する工程は、６００℃以上１２００℃以下の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記炭化珪素膜を形成する工程は、６００℃以下の温度とする工程と、前記水素ガス及び前記炭化水素系ガスの混合ガスまたは前記炭化水素系ガスを供給しながら８００℃以上１２００℃以下の温度まで昇温する工程と、を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記昇温する工程の昇温速度は、１℃／分以上５０℃／分以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
シリコン基板上に炭化珪素膜が形成された半導体基板であって、
前記シリコン基板上に形成され、該シリコン基板の上面に設けられてシリコンを構成元素とする多孔質シリコン層を有する多孔質層と、
前記多孔質層上に形成されて結晶化した炭化珪素膜と、
を備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項７】
前記多孔質層が、前記多孔質シリコン層上に形成された多孔質炭化珪素層を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
【請求項８】
前記多孔質層の多孔度が、１０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記多孔質層の層厚が、０．２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項１０】
前記炭化珪素膜の層厚が、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば立方晶の炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）膜を有する半導体基板の製造方法及び半導体基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイスに用いられるワイドバンドギャップの半導体として、例えば炭化珪素が知られている。炭化珪素には、六方晶（４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣなど）、立方晶（３Ｃ−ＳｉＣ）といった結晶形態が存在する。ここで、立方晶の炭化珪素は、次世代低損失のパワーデバイスに用いられる半導体材料として期待されている。
しかし、六方晶の炭化珪素は、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板、６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板が開発されており、半導体装置の開発に使用されている。しかし、立方晶の炭化珪素基板は、高コストでウエハの大口径化が難しいという問題がある。そのため、安価なシリコン単結晶基板の上に３Ｃ−ＳｉＣをエピタキシャル成長させることが検討されている。
【０００３】
ところが、Ｓｉの格子定数が０．５４３ｎｍ、３Ｃ−ＳｉＣの格子定数が０．４３６ｎｍであり、両者の格子定数は、２０％程度異なる。そのため、シリコン基板上に形成される３Ｃ−ＳｉＣに結晶欠陥が発生してしまう。
そこで、Ｓｉの格子定数と３Ｃ−ＳｉＣの格子定数との間の格子定数を有するリン化ホウ素（ＢＦ）で構成されるバッファ層や二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を主成分とするバッファ層をシリコン基板上に形成し、そのバッファ層上に３Ｃ−ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長する方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。この方法では、バッファ層を設けることでシリコン基板と３Ｃ−ＳｉＣとの間の格子定数の差を緩和し、結晶欠陥を抑制する。
【０００４】
また、シリコン基板の表面に多孔質領域を形成した後、この領域の表面に水素アニール処理を施して非常に薄いシリコン結晶層を形成し、このシリコン結晶層上に格子定数の異なる例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）のような単結晶半導体膜をエピタキシャル成長させる方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、機械的強度が低い多孔質領域にシリコン結晶層の結晶欠陥が集中するため、シリコン結晶層上に形成された単結晶半導体膜に発生する結晶欠陥を軽減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−８１６９５号公報
【特許文献２】特開平８−１０９０９９号公報
【特許文献３】特開平１０−３２１５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の製造方法においても、以下の課題が残されている。すなわち、前者の方法では、中間の格子定数を有するバッファ層を用いても、各材料の格子定数の差によって発生する結晶欠陥を完全には抑制できないという問題がある。また、後者の方法では、シリコン結晶層上に格子定数の異なる単結晶半導体膜を形成しており、シリコン結晶層に格子欠陥が発生し、その欠陥がシリコン結晶層上に積層される単結晶半導体膜に伝播してしまうため、結晶欠陥を完全には抑制できないという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされてもので、良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる半導体基板の製造方法は、シリコン基板上に炭化珪素膜を形成する半導体基板の製造方法であって、シリコン基板の上面にシリコンを構成元素とした多孔質シリコン層を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、前記多孔質シリコン層の表面を結晶化及び炭化して前記炭化珪素膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる半導体基板は、シリコン基板上に炭化珪素膜が形成された半導体基板であって、前記シリコン基板上に形成され、該シリコン基板の上面に設けられてシリコンを構成元素とする多孔質シリコン層を有する多孔質層と、前記多孔質層上に形成されて結晶化した炭化珪素膜と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
この発明では、多孔質シリコン層の表面を結晶化及び炭化させて立方晶の炭化珪素膜を形成するため、結晶欠陥を抑制した立方晶の炭化珪素膜を良好に形成できる。すなわち、多孔質シリコン層に炭化処理を施して多孔質シリコン層の表面を結晶化して炭化珪素膜とすると、多孔質である層がバッファ層として機能し、シリコン基板と結晶化した炭化珪素膜との間の格子定数の差異によって発生する応力が多孔質である層の微小孔によって吸収される。そのため、結晶欠陥をより抑制した立方晶の炭化珪素膜が形成される。
また、多孔質シリコン層の表面を結晶化して格子欠陥を抑制した炭化珪素膜を形成しているため、この炭化珪素膜上に立方晶の炭化珪素からなる層をエピタキシャル成長させると、両者が格子定数差のない同一材料である炭化珪素で構成されていることから、エピタキシャル成長した層に格子欠陥が発生することを防止できる。したがって、結晶欠陥を抑制した立方晶の炭化珪素からなるエピタキシャル層が良好に形成される。
【００１１】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記炭化珪素膜を形成する工程では、前記多孔質シリコン層における前記炭化珪素膜の下面の領域を多孔質炭化珪素層とすることが好ましい。
また、本発明の半導体基板は、前記多孔質層が、前記多孔質シリコン層上に形成された多孔質炭化珪素層を有することが好ましい。
この発明では、炭化珪素膜と同一材料で構成される多孔質炭化珪素層により、多孔質シリコン層の下方から炭化珪素膜に至る材料の変化に起因するストレスが炭化珪素膜に発生しにくくなる。そのため、炭化珪素膜や炭化珪素膜上に形成される立方晶の炭化珪素からなる層の結晶欠陥をより確実に抑制できる。
【００１２】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記炭化珪素膜を形成する工程は、６００℃以上１２００℃以下の雰囲気下で行うことが好ましい。
この発明では、６００℃以上の温度とすることで多孔質シリコン層の表面をマイグレーションさせながら炭化して炭化珪素膜として再結晶化すると共に、１２００℃以下の温度とすることでシリコン基板が溶融することを防止する。
【００１３】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記炭化珪素膜を形成する工程は、６００℃以下の温度とする工程と、前記水素ガス及び前記炭化水素系ガスの混合ガスまたは前記炭化水素系ガスを供給しながら８００℃以上１２００℃以下の温度まで昇温する工程と、を有することが好ましい。
この発明では、８００℃以上１２００℃以下の高温で処理するのではなく６００℃以下の低温から８００℃以上１２００℃以下の高温まで加熱させながら処理することで、マイグレーションによって形成されたシリコン膜の表面のみならず内部まで十分に炭化された炭化珪素膜を形成することができる。
【００１４】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記昇温する工程の昇温速度は、１℃／分以上５０℃／分以下であることが好ましい。
この発明では、昇温速度を１℃／分以上とすることで炭化珪素膜を形成する工程の時間短縮が図れると共に、５０℃／分以下とすることで、マイグレーションによって形成されたシリコン膜の内部まで十分に炭化できる。
【００１５】
また、本発明の半導体基板は、前記多孔質層の多孔度が、１０％以上５０％以下であることが好ましい。
この発明では、多孔度を１０％以上とすることで多孔質層において格子欠陥を十分に吸収できると共に、５０％以下とすることで多孔質層における機械的強度を確保できる。
なお、本願において、「多孔度」とは、多孔質層全体積に占める微小孔の全体積の割合、すなわち、多孔度（％）＝（（最密構造のシリコン基板の密度−多孔質層の密度）／最密構造のシリコン基板の密度）×１００、を示している。
【００１６】
また、本発明の半導体基板は、前記多孔質層の層厚が、０．２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
この発明では、多孔質層の層厚を０．２μｍ以上とすることで多孔質層において格子欠陥を十分に吸収できると共に、２０μｍ以下とすることで多孔質層における機械的強度を確保できる。
【００１７】
また、本発明の半導体基板は、前記炭化珪素膜の層厚が、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
この発明では、炭化珪素膜の層厚を１ｎｍ以上とすることで炭化珪素膜上に炭化珪素で構成される層をエピタキシャル成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体基板を示す概略断面図である。
【図２】図１の半導体基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第２の実施形態における半導体基板を示す概略断面図である。
【図４】図３の半導体基板の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
以下、本発明における半導体基板の製造方法及び半導体基板の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
【００２０】
本実施形態における半導体基板１は、図１に示すように、シリコン基板１１と、シリコン基板１１の上面に形成された多孔質シリコン層（多孔質層）１２と、多孔質シリコン層１２上に形成された炭化珪素膜１３と、炭化珪素膜１３上に形成されたエピタキシャル層１４と、を備える。
シリコン基板１１は、例えばＣＺ法（チョクラルスキー法）により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをスライス、研磨して形成されている。
多孔質シリコン層１２は、シリコン基板１１の表面を処理することによって形成された多孔質の層である。そして、多孔質シリコン層１２は、層厚が０．２μｍ以上２０μｍ以下であり、多孔度が１０％以上５０％以下となっている。
なお、「多孔度」とは、多孔質シリコン層１２の全体積に占める微小孔の全体積の割合を示している。すなわち、多孔度（％）＝（（（最密構造のシリコン基板１１の密度−多孔質層の密度）／最密構造のシリコン基板１１の密度）×１００となっている。
【００２１】
ここで、多孔度の測定法としては、例えば重量法と分光エリプソメトリーとが挙げられる。
重量法は、一定体積の多孔質シリコン層１２を測定してそこから密度を算出する方法であり、多孔質シリコン層１２の密度と最密構造のシリコン基板１１の密度との差を最密構造のシリコン基板１１の密度で除算することで、多孔度を算出する方法である。
一方、分光エリプソメトリーは、可視光を斜めから試料に照射し、反射してくる光の偏光を測定し解析を行う方法であり、シリコンの屈折率と空孔の屈折率とを混合させたモデルを仮定してその比率から多孔度を求める方法であるが、上述した重量法よりも精度が低い。
【００２２】
炭化珪素膜１３は、多孔質シリコン層１２の表面におけるマイグレーションによって形成されており、層厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている。
エピタキシャル層１４は、立方晶の炭化珪素で形成されており、エピタキシャル成長によって炭化珪素膜１３上に形成されている。
【００２３】
次に、以上のような構成からなる半導体基板１の製造方法について説明する。
まず、シリコン基板１１の上面に多孔質シリコン層１２を形成する。ここでは、シリコン基板１１の上面領域を陽極酸化することで、多孔質シリコン層１２を形成する。具体的には、フッ酸（ＨＦ）：水（Ｈ２Ｏ）：エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）＝１：１：１の混合溶液を用いてシリコン基板１１の表面を陽極酸化し、シリコン基板１１の表面に多孔質領域を形成する。そして、硫酸と過酸化水素水との混合溶液を用いて、形成された多孔質領域の表面に非常に薄い酸化膜を形成することで、シリコン基板１１上に多孔質シリコン層１２が形成される（図２（ａ）及び図２（ｂ））。なお、上記酸化膜は、形成された多孔質層を３００℃程度の低温で酸素雰囲気中にさらすことによって形成されてもよい。これにより、層厚が０．２μｍ以上２０μｍ以下、多孔度が１０％以上５０％以下の多孔質シリコン層１２を形成する。
【００２４】
続いて、多孔質シリコン層１２に炭化珪素膜１３を形成する。ここでは、多孔質シリコン層１２が形成されたシリコン基板１１にアニール処理を施し、さらに炭化処理を施すことによって炭化珪素膜１３を形成する（図２（ｃ））。
具体的には、多孔質シリコン層１２が形成されたシリコン基板１１を水素ガス雰囲気中で例えば１１５０℃で加熱し、多孔質シリコン層１２を構成するシリコン原子の表面マイグレーションを発生させる。これにより、多孔質シリコン層１２の上面近傍の孔部が埋められて膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のシリコン膜が形成される。
【００２５】
そして、いったん６００℃まで冷却した後、例えばプロパン（Ｃ３Ｈ８）などの炭化水素系ガスと水素ガスとの混合ガスを供給し、２５℃／分の昇温速度で１０００℃まで加熱し、さらに１０００℃で１０分間保持することで多孔質シリコン層１２の上面に炭化処理を施す。ここで、６００℃から１０００℃まで２５℃／分の昇温速度で昇温させながら処理している。これは、いったん６００℃まで冷却させずに１０００℃で加熱しながら炭化処理を行うと、多孔質シリコン層１２の表面に形成されたシリコン膜の表面のみが炭化され、シリコン膜の内部まで十分に炭化されない場合があるためである。これにより、内部まで十分に炭化された炭化珪素膜１３が形成される。なお、昇温速度は、１℃／分以上５０℃／分以下であれば、２５℃／分に限られない。
これにより、多孔質シリコン層１２の表面に形成されたシリコン膜が炭化されて炭化珪素膜１３となる。このとき、多孔質シリコン層１２がシリコン基板１１の格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数の差に起因する結晶欠陥密度の低い炭化珪素膜１３が形成される。
【００２６】
その後、炭化珪素膜１３上にエピタキシャル層１４を形成する。ここでは、例えば超高真空環境下でＣＶＤ法を用いて炭化珪素膜１３上にエピタキシャル層１４をエピタキシャル成長する。
このとき、供給される原料ガスとしては、例えばモノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）やジメチルシラン（（ＣＨ３）２ＳｉＨ２）、トリメチルシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＨ）、ヘキサメチルジシラン（(ＣＨ３)６Ｓｉ２）、テトラエチルシラン（(Ｃ２Ｈ５)４Ｓｉ）などのＳｉ−Ｃ原料ガスが挙げられる。なお、供給される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）やジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）などのＳｉ原料ガスと、メタン（ＣＨ４）やアセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ノルマルブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、イソブタン（ｉ−Ｃ４Ｈ１０）、ネオペンタン（ｎｅｏ−Ｃ５Ｈ１２）などのＣ原料ガスとの混合ガスであってもよく、上記Ｓｉ−Ｃ原料ガスとＳｉ原料ガスとの混合ガスや上記Ｓｉ−Ｃ原料ガスとＣ原料ガスとの混合ガス、上記Ｓｉ−Ｃ原料ガスとＳｉ原料ガスとＣ原料ガスとの混合ガスであってもよい。なお、ここで挙げられていない他の原料ガスを用いてもよい。また、超高真空環境下でなく、従来と同様の方法で炭化珪素膜１３上にエピタキシャル層１４を形成してもよい。
【００２７】
ここで、炭化珪素膜１３及びエピタキシャル層１４が共に格子定数差のない同一材料で構成されているため、エピタキシャル層１４は、格子欠陥なく形成される。
以上のようにして、図１に示すような半導体基板１を製造する。
【００２８】
以上のように、本実施形態にかかる半導体基板１の製造方法及び半導体基板１では、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化させてシリコン膜を形成すると共にこれを炭化させことで、結晶欠陥を抑制した立方晶の炭化珪素膜１３を形成できる。そして、炭化珪素膜１３上に同一材料である炭化珪素で構成されるエピタキシャル層１４を良好に成長させることができる。
また、本実施形態にかかる半導体基板１の製造方法では、炭化珪素膜１３を形成する工程において１０００℃まで昇温させながら処理することで、多孔質シリコン層１２の表面に形成されるシリコン膜を炭化して十分な厚さの炭化珪素膜１３を形成すると共に、シリコン基板１１が溶融することを防止できる。このとき、６００℃から１０００℃まで２５℃／分の昇温速度で加熱させながら処理しているので、マイグレーションによって形成されたシリコン膜を内部まで十分に炭化できる。なお、６００℃まで冷却した後の昇温温度は、８００℃以上１２００℃以内であれば、１０００℃に限られない。
【００２９】
また、本実施形態における半導体基板１では、多孔質シリコン層１２の多孔度を１０％以上５０％以下、多孔質シリコン層１２の層厚を０．２μｍ以上２０μｍ以下とすることで、格子欠陥を十分に吸収できると共に半導体基板１の機械的強度を維持できる。
そして、炭化珪素膜１３の膜厚を１ｎｍ以上とすることで炭化珪素膜１３上にエピタキシャル層１４を成長させることができる。
【００３０】
［第２の実施形態］
次に、本発明における半導体基板の製造方法及び半導体基板の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と多孔質層の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３１】
本実施形態にかかる半導体基板２０は、図３に示すように、多孔質層２１が多孔質シリコン層２１Ａと多孔質炭化珪素層２１Ｂとを有する。
ここで、多孔質層２１は、上述のように炭化珪素膜１３となるシリコン膜側から順にシリコン基板１１側に向けて炭化されるため、炭化珪素膜１３側に向かうにしたがって炭化される度合いが高くなっている。そのため、多孔質シリコン層２１Ａと多孔質炭化珪素層２１Ｂとの間の界面は、明確には形成されていない。
【００３２】
次に、以上のような構成の半導体基板２０の製造方法について説明する。
まず、第１の実施形態と同様に、シリコン基板１１に多孔質シリコン層１２を形成し（図４（ａ）、図４（ｂ））、多孔質シリコン層１２にアニール処理及び炭化処理を施す。ここでは、第１の実施形態における製造方法よりも炭化処理時間を長くしたり昇温速度を遅くしたり、ガスの供給量を調節したりすることにより、シリコン基板１１から炭化珪素膜１３に向けて炭化される度合いが高くなる多孔質シリコン層２１Ａが形成される（図４（ｃ））。これにより、多孔質シリコン層２１Ａ及び多孔質炭化珪素層２１Ｂが形成される。
その後、第１の実施形態と同様に、炭化珪素膜１３上にエピタキシャル層１４を形成する。
以上のようにして、図３に示すような半導体基板２０を製造する。
【００３３】
以上のように、本実施形態にかかる半導体基板２０の製造方法及び半導体基板２０によれば、多孔質層２１によって炭化珪素膜１３に至る材料の変化に起因するストレスが炭化珪素膜１３に発生しにくくなり、エピタキシャル層１４の結晶欠陥をより確実に抑制できる。
【００３４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、炭化珪素膜を形成する工程における昇温速度は、１℃／分以上５０℃／分に限られない。
また、炭化珪素膜を形成する工程において、いったん６００℃まで冷却した後に１０００℃まで昇温しているが、マイグレーションによって形成されるシリコン膜の内部まで炭化できれば、６００℃まで下げずに６００℃以上１２００℃以下の一定温度で炭化処理を行ってもよい。
そして、炭化珪素膜を形成する工程における処理温度は、炭化処理時間を十分に確保できれば６００℃未満であってもよく、シリコン基板の溶融を防止できれば１２００℃を超えてもよい。
【００３５】
また、多孔質層の多孔度は、炭化珪素膜上に形成されるエピタキシャル層の結晶欠陥が抑制できれば、１０％未満であってもよく、半導体基板の機械的強度を保つことができれば、５０％を越えてもよい。
そして、多孔質層の層厚は、炭化珪素膜上に形成されるエピタキシャル層の結晶欠陥が抑制できれば、０．２μｍ未満であってもよく、半導体基板の機械的強度を保つことができれば、２０μｍを越えてもよい。
さらに、炭化珪素膜の膜厚は、１ｎｍ以下に限らず、１ｎｍを越えてもよい。
また、炭化珪素膜上にエピタキシャル層が形成されているが、エピタキシャル層が形成されていなくてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１，２０  半導体基板、１１  シリコン基板、１２  多孔質シリコン層（多孔質層）、１３  炭化珪素膜、２１  多孔質層、２１Ａ  多孔質シリコン層、２１Ｂ  多孔質炭化珪素層
【図１】
2010232380.tif 000003
【図２】
2010232380.tif 000004
【図３】
2010232380.tif 000005
【図４】
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