(57)【要約】【課題】ウエットエッチングを採用した場合でも、未エッチング部分を発生させずに微細なパターンを形成することができる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置の素子基板上に、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを形成するにあたって、透光性導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ウエットエッチングを行なう。レジストマスク９６において、マスク開口部９６ｂを挟むマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆは斜め上向きのテーパ面になっている。【選択図】図５
2010109130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
マスク開口部を挟んで対向する側面部が斜め上向きのテーパ面になっているエッチングマスクを前記薄膜の上面に形成するエッチングマスク形成工程と、
前記マスク開口部から前記薄膜にウエットエッチングを行うエッチング工程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングマスクの厚さは０．７μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項３】
前記テーパ面は、前記基板の基板面に対して６０°以下の角度をなしていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングマスクにおいて前記マスク開口部の底部における幅寸法は、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程によって前記薄膜に形成された開口パターンの開口幅は、２．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングマスク形成工程は、ポジ型のフォトレジストを前記薄膜の上面に塗布するレジスト塗布工程と、前記フォトレジストにおいて前記マスク開口部を形成すべき領域を露光する露光工程と、露光後の前記フォトレジストを現像する現像工程と、を有していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジストには染料が配合されていることを特徴とする請求項６に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングマスクは、並列する複数本の線状マスク部を備え、
前記マスク開口部は、当該複数本の線状マスク部の各間にスリット状に形成されており、
前記線状マスク部の側面部が前記テーパ面になっていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜は、ＩＴＯ膜あるいはＩＺＯ膜であることを特徴とする請求項１乃至８何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法で製造されたことを特徴とする電気的固体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気的固体装置を備えた電気光学装置であって、
前記電気的固体装置は、前記基板上に画素電極を有する電気光学装置用の素子基板であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
前記素子基板上には、前記画素電極との間で液晶に対する横電界を形成する共通電極が形成され、
前記画素電極および前記共通電極のうちの一方は、前記エッチング工程により、スリット状の開口パターンが形成された前記薄膜によって構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に薄膜パターンが形成された電気的固体装置の製造方法、該方法により製造された電気的固体装置、および該電気光学装置を素子基板として用いた電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や各種回路基板などの電気的固体装置では、基板上に少なくとも薄膜パターンが形成されている。例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶装置などに用いられる素子基板は、スリット状の開口パターンが透光性の画素電極に形成された電気固体装置として構成されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
かかる素子基板において、画素電極を形成するには、フォトリソグラフィ技術を用いて、薄膜としてのＩＴＯ膜の上面にレジストマスクを形成し、この状態でＩＴＯ膜に対してエッチングを行なう。かかるレジストマスクは、感光性レジストを塗布した後、露光、現像することにより形成される。
【特許文献１】特開２００８−０７６８００号公報
【特許文献２】特開２００８−１１６４８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような素子基板において、画素電極のスリット状の開口パターンの幅寸法を狭くすることが望まれており、かかる要求に対応するには、レジストマスクのマスク開口部の幅寸法を狭くすればよい。
【０００５】
しかしながら、レジストマスクのマスク開口部の幅寸法を狭くしようにも、レジストマスクを形成する際に用いる露光機の解像度では、レジストマスクのマスク開口部の幅寸法を２．０μｍとするのが限界である。また、レジストマスクを形成した後、ウエットエッチングを行なうと、両側で０．５μｍ程度のサイドエッチングが発生する。このため、画素電極のスリットの開口パターンについては、幅寸法を３．０μｍ以下まで狭くすることができないという問題点がある。また、ウエットエッチングの場合、レジストマスクのマスク開口部の幅寸法が２．０μｍまで狭くすると、レジストマスクのマスク開口部の内部にエッチング液が進入せず、未エッチング部分が発生するという問題点もある。また、マスク開口部の幅寸法が狭いと、マスク開口部の内部と外部との間でのエッチング液の流出入や、薄膜からの溶解成分のマスク開口部の外部への流出が起こりにくくなるという点でも、未エッチング部分が発生しやすい。
【０００６】
なお、ウエットエッチングに代えてドライエッチングを行なえば、サイドエッチングの進行を抑えることができるが、ドライエッチングは、ウエットエッチングに比較してエッチング選択比が低いため、開口パターンの底部では下地までエッチングされてしまう。特に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる下地の上でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜をドライエッチングすると、下地までエッチングされやすいという問題点がある。
【０００７】
それ故、ウエットエッチングで微細パターンを形成することが望まれている。かかる要求は、スリット状の開口パターンを備えた画素電極を形成する場合に限らず、また、液晶装置の分野に限らず、薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する工程を有する電気的固体装置共通の課題である。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、ウエットエッチングを採用した場合でも、未エッチング部分を発生させずに微細なパターンを形成することができる電気的固体装置の製造方法、該方法により製造された電気的固体装置、および該電気光学装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の課題は、アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気的固体装置の製造方法は、基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスク開口部を挟んで対向する側面部が斜め上向きのテーパ面になっているエッチングマスクを前記薄膜の上面に形成するエッチングマスク形成工程と、前記マスク開口部から前記薄膜にウエットエッチングを行うエッチング工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて薄膜をエッチングして、開口パターンを備えた薄膜パターンを形成するにあたって、マスク開口部を挟んで対向する側面部が斜め上向きのテーパ面になっているエッチングマスクを用いる。かかるエッチングマスクは、側面部がテーパ面になっているので、マスク開口部の上端開口は開口幅が広くても、マスク開口部の底部で薄膜が露出している部分の幅寸法が狭い。従って、ウエットエッチングを採用した際のサイドエッチングを考慮しても、エッチング後、薄膜に形成される開口パターンの幅寸法が狭い。また、レジストマスクにおいて、マスク開口部を挟んで対向する側面部が斜め上向きのテーパ面になっているため、マスク開口部の幅寸法が狭くても、マスク開口部の内部にエッチング液がスムーズに進入するので、未エッチング部分が発生しない。また、マスク開口部の内部と外部との間でのエッチング液の流出入や、薄膜からの溶解成分のマスク開口部の外部への流出がスムーズに起こるので、未エッチング部分が発生しない。
【００１２】
本発明において、前記エッチングマスクの厚さは０．７μｍ以下であることが好ましい。エッチングマスクの厚さを０．７μｍ以下まで薄くすると、マスク開口部のアスペクト比を小さくすることができる。従って、マスク開口部へのエッチング液の進入、マスク開口部の内部と外部との間でのエッチング液の流出入、薄膜からの溶解成分のマスク開口部の外部への流出が起こりやすいので、未エッチング部分が発生しない。
【００１３】
本発明において、前記テーパ面は、前記基板の基板面に対して６０°以下の角度をなしていることが好ましい。前記テーパ面が前記基板の基板面に対して６０°以下の角度をなしている場合には、マスク開口部へのエッチング液の進入、マスク開口部の内部と外部との間でのエッチング液の流出入、薄膜からの溶解成分のマスク開口部の外部への流出が起こりやすいので、未エッチング部分が発生しない。また、テーパ面が基板面に対して６０°以下の角度をなしている場合には、マスク開口部の上端開口の開口幅が広くても、マスク開口部の底部で薄膜が露出している部分の幅寸法を十分、狭くすることができるので、薄膜を微細にエッチングすることができる。
【００１４】
本発明において、前記エッチングマスクにおいて前記マスク開口部の底部における幅寸法は、１．５μｍ以下であることが好ましい。また、本発明において、前記エッチング工程によって前記薄膜に形成された開口パターンの開口幅は、２．５μｍ以下であることが好ましい。マスク開口部の底部で薄膜が露出している部分の幅寸法が１．５μｍ以下というエッチングマスクの構成は、従来のフォトリソグラフィ技術で形成したエッチングマスクでは達成できなかったレベルであり、産業上の利用価値が大である。また、かかる構成のエッチングマスクを用いると、ウエットエッチング時のサイドエッチングを考慮しても、薄膜に形成される開口部の幅寸法は２．５μｍ以下である。かかる構成は、従来のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術では達成できなかったレベルであり、産業上の利用価値が大である。
【００１５】
本発明において、前記エッチングマスク形成工程は、ポジ型のフォトレジストを前記薄膜の上面に塗布するレジスト塗布工程と、前記フォトレジストにおいて前記マスク開口部を形成すべき領域を露光する露光工程と、露光後の前記フォトレジストを現像する現像工程と、を有していることが好ましい。このように構成すると、フォトレジストの深さ方向における露光量分布において、深くなるほど露光量が減衰している形態になるので、現像後、側面部が斜め上向きのテーパ面になったレジストマスク（エッチングマスク）を得ることができる。
【００１６】
本発明において、前記フォトレジストには染料が配合されていることが好ましい。このように構成すると、染料による光の吸収によってフォトレジストの感度が調整することができる。また、染料を配合するだけで感度を調整できるので、フォトレジストの材料自体の開発期間を大幅に減少させることができる。
【００１７】
本発明において、前記エッチングマスクは、例えば、並列する複数本の線状マスク部を備え、前記マスク開口部は、当該複数本の線状マスク部の各間にスリット状に形成されている構成を採用でき、この場合、前記線状マスク部の側面部が前記テーパ面になっている形態となる。
【００１８】
本発明は、前記薄膜がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜あるいはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜である場合に適用すると効果的である。シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる下地の上でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜をドライエッチングすると、下地までエッチングされやすいという問題点があるが、本発明によれば、ウエットエッチングでも微細なエッチングを行なうことができるので、かかる問題点を有するドライエッチングを採用する必要がない。
【００１９】
本発明は、半導体装置や回路基板など各種の電気固体装置に適用できる。例えば、本発明の方法で製造された電気的固体装置については、電気光学装置において、前記基板上に画素電極を有する電気光学装置用の素子基板として構成することができる。この場合、例えば、前記素子基板上には、前記画素電極との間で液晶に対する横電界を形成する共通電極が形成され、前記画素電極および前記共通電極のうちの少なくとも一方は、前記エッチング工程により、スリット状の開口パターンが形成された前記薄膜によって構成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、ＦＦＳ方式の液晶装置において、画素電極あるいは共通電極にスリット状の開口パターンを狭い幅寸法で形成することができるので、表示性能を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態として、本発明に係る電気的固体装置の製造方法を、代表的な電気光学装置である液晶装置の素子基板の製造方法に適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、カラーフィルタや配向膜などの図示は省略してある。また、電界効果型トランジスタでは、印加する電圧の極性によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、電気的固体装置としての素子基板１０（半導体装置）と対向基板２０とはシール材１０７によって所定の隙間を介して貼り合わされている。対向基板２０は、シール材１０７とほぼ同じ輪郭を備えており、素子基板１０と対向基板２０との間において、シール材１０７で区画された領域内にホモジニアス配向された液晶５０が保持されている。液晶５０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物であり、広い温度範囲においてネマチック相を示す。
【００２２】
素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、実装端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、さらに、額縁１０８の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００２３】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極７ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極７ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。
【００２４】
本形態の電気光学装置１００は、液晶５０をＦＦＳ方式で駆動する。このため、素子基板１０の上には、画素電極７ａに加えて共通電極（図示せず）も形成されており、対向基板２０には、対向電極が形成されていない。かかる構造を採用した場合、対向基板２０の側からは静電気が侵入しやすいので、対向基板２０において素子基板１０側とは反対側の面にＩＴＯ膜などからなるシールド層が形成される場合もある。
【００２５】
本形態の電気光学装置１００においては、対向基板２０が表示光の出射側に位置するように配置されており、素子基板１０に対して対向基板２０と反対側にはバックライト装置（図示せず）が配置される。また、対向基板２０側および素子基板１０側の各々に偏光板などの光学部材が配置される。なお、電気光学装置１００は反射型あるいは半透過反射型として構成される場合があり、半透過反射型の場合、対向基板２０において素子基板１０と対向する面には、反射表示領域に位相差層が形成される場合もある。
【００２６】
（電気光学装置１００の詳細な構成）
図２を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａの電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２７】
図２に示すように、電気光学装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａ、および画素電極７ａを制御するための電界効果型トランジスタ３０（画素トランジスタ）が形成されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線５ａが電界効果型トランジスタ３０のソースに電気的に接続されている。電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａに走査信号を線順次で印加する。画素電極７ａは、電界効果型トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線５ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７ａを介して、図１（ｂ）に示す液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板１０に形成された画素電極７ａと共通電極９ａとの間で一定期間保持される。ここで、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には保持容量６０が形成されており、画素電極７ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。
【００２８】
図２では、共通電極９ａが走査線駆動回路１０４から延びた配線のように示してあるが、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面に形成されており、所定の電位に保持される。また、共通電極９ａは、複数の画素１００ａに跨って、あるいは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もあるが、いずれの場合も共通の電位が印加される。
【００２９】
（各画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ１−Ａ１′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図に相当する。また、図３（ｂ）では、画素電極７ａは太くて長い点線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは二点鎖線で示し、半導体層は細くて短い点線で示してある。
【００３０】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、透光性の画素電極７ａ（太くて長い点線で囲まれた領域）が各画素１００ａ毎に形成され、隣接する画素電極７ａの間に沿ってデータ線５ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（二点鎖線で示す領域）が延在している。また、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面には透光性の共通電極９ａが形成されている。画素電極７ａおよび共通電極９ａはいずれもＩＴＯ膜からなる。
【００３１】
本形態では、共通電極９ａが下側電極として形成され、画素電極７ａが上側電極として形成されている。このため、上側の画素電極７ａには、フリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成され、スリット７ｂで挟まれた領域に線状電極部７ｅが形成されている。本形態において、スリット７ｂおよび線状電極部７ｅは、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。また、スリット７ｂは、いずれにおいても開放端を有しない閉じた形状になっている。
【００３２】
ここで、スリット７ｂの幅寸法Ｌｔは狭い方がフリンジ電界を効率よく生成することができ、品位の高い画像を表示することができる。そこで、本形態では、図４および図５を参照して説明する方法を採用することにより、スリット７ｂの幅寸法Ｌｔを２．５μｍ以下にまで狭めてある。
【００３３】
図３（ａ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板２０ｂからなる。本形態では、透光性基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに対応する位置にトップゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。
【００３４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、電界効果型トランジスタ３０において、能動層を構成する半導体層１ａは、走査線３ａに対して２箇所で交差するように屈曲した平面形状を備えており、電界効果型トランジスタ３０は、走査線３ａの２箇所をゲート電極として利用したツインゲート構造を備えている。電界効果型トランジスタ３０は、２つのチャネル領域１ｂの両側にソース領域およびドレイン領域を備えている。また、電界効果型トランジスタ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えており、ソース領域およびドレイン領域は各々、低濃度ソース領域１ｃおよび低濃度ドレイン領域１ｄと、高濃度ソース１ｅおよび高濃度ドレイン領域１ｆとを備えている。本形態において、半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。半導体層１ａの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁層２が形成され、ゲート絶縁層２の上層に走査線３ａが形成されている。
【００３５】
ゲート電極（走査線３ａ）の上層側にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。層間絶縁膜４の表面にはデータ線５ａが形成され、このデータ線５ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ａを介して最もデータ線５ａ側に位置するソース領域に電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極５ｂが形成されており、ドレイン電極５ｂは、データ線５ａと同時形成された導電膜である。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの上層側には、層間絶縁膜６が形成されている。本形態において、層間絶縁膜６は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
【００３６】
層間絶縁膜６の表面にはＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａにおいてドレイン電極５ｂと重なり部分には切り欠き９ｃが形成されている。共通電極９ａの表面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる絶縁膜８（誘電体膜）が形成されている。絶縁膜８の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが島状に形成されている。層間絶縁膜６にはコンタクトホール６ａが形成されているとともに、絶縁膜８にはコンタクトホール６ａの内側にコンタクトホール８ａが形成されている。このため、画素電極７ａは、コンタクトホール６ａ、８ａの底部でドレイン電極５ｂに電気的に接続し、このドレイン電極５ｂは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁層２に形成されたコンタクトホール４ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｆに電気的に接続している。
【００３７】
図示を省略するが、素子基板１０および対向基板２０には配向膜が形成されており、対向基板２０側の配向膜に対しては走査線３ａと平行にラビング処理が施され、素子基板１０側の配向膜に対しては、対向基板２０の配向膜に対するラビング方向と逆向きのラビング処理が施されている。このため、液晶５０をホモジニアス配向することができる。ここで、素子基板１０の画素電極７ａに形成されたスリット７ｂは、互いに平行に形成されているが、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。このため、配向膜に対しては、スリット７ｂが延びている方向に５度の角度をもってラビング処理が施されていることになる。また、偏光板は、互いの偏光軸が直交するように配置されており、対向基板２０側の偏光板の偏光軸は、配向膜に対するラビング方向と直交し、素子基板１０側の偏光板の偏光軸は、配向膜に対するラビング方向と平行である。
【００３８】
このように構成した電気光学装置１００では、共通電極９ａと画素電極７ａとの間には絶縁膜８が介在し、上側の画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成されている。このため、上側の画素電極９ａと下側の共通電極９ａとの間に形成したフリンジ電界で液晶５０を駆動することができる。また、上側の画素電極７ａと下側の共通電極９ａとが絶縁膜８を介して対向する部分に形成される容量成分を保持容量６０として利用することができる。
【００３９】
（素子基板１０の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図であり、図３（ａ）に相当する位置を示してある。
【００４０】
本発明を適用した素子基板１０の製造工程では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板からなる透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成した後、薄膜トランジタ形成工程を行う。具体的には、まず、ポリシリコン膜からなる半導体層１ａを島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、透光性基板１０ｂの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体層をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体層１ａを形成する。次に、ＣＶＤ法などを用いて、半導体層１ａの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁層２を形成する。次に、透光性基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、走査線３ａ（ゲート電極）を形成する。次に、半導体層１ａに不純物を導入して、ソース領域１ｃやドレイン領域１ｄなどを形成する。
【００４１】
次に、第１層間絶縁膜形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜４にコンタクトホール４ａ、４ｂを形成する。次に、データ線形成工程では、透光性基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、あるいはそれらの積層膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、データ線５ａおよびドレイン電極５ｂを形成する。次に、第２層間絶縁膜形成工程では、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。
【００４２】
次に、共通電極形成工程では、透光性基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透光性導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて透光性導電膜９をパターニングし、図４（ａ）に示すように、共通電極９ａを形成する。その際、共通電極９ａに切り欠き９ｃを形成する。
【００４３】
次に、絶縁膜形成工程では、図４（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、それらの積層膜からなる絶縁膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、絶縁膜８にコンタクトホール８ａを形成する。
【００４４】
次に、画素電極形成工程では、まず、図４（ｃ）に示す薄膜形成工程において、透光性基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透光性導電膜７（薄膜）を形成する。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すエッチングマスク形成工程においてに、フォトリソグラフィ技術を用いて透光性導電膜７の上面にレジストマスク９６（エッチングマスク）を形成する。ここで、レジストマスク９６は、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明したスリット７ｂと略重なる領域にマスク開口部９６ｂを備え、線状電極部７ｅと略重なる領域にマスク線状部９６ｅを備えている。
【００４６】
次に、エッチング工程において、透光性導電膜７の上面にレジストマスク９６を形成した状態で透光性導電膜７に対して、王水などを用いてウエットエッチングを行なうと、図３（ｂ）に示す画素電極７ａが形成され、かかる画素電極７ａは、スリット７ｂおよび線状電極部７ｅを備えている。しかる後に、レジストマスク９６を除去する。
【００４７】
（画素電極形成工程の詳細説明）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造工程のうち、画素電極形成工程を示す説明図である。
【００４８】
図１〜図３を参照して説明した電気光学装置１００において、透光性導電膜７をウエットエッチングによりパターニングした際、スリット７ｂの内部で透光性導電膜７の一部がエッチングされずに残っていることは好ましくない。また、画素電極７ａに形成されたスリット７ｂの幅寸法Ｌｔは狭い方がフリンジ電界を効率よく生成することができ、品位の高い画像を表示することができる。但し、画素電極７ａに形成されたスリット７ｂの幅寸法Ｌｔを狭くするには、図４（ｄ）に示すマスク開口部９６ｂの幅寸法を狭めればよいが、レジストマスク９６を形成する際の露光機の解像度には限界がある。また、マスク開口部９６ｂの幅寸法が狭い場合にウエットエッチングを行なうと、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入、マスク開口部９６ｂの内部と外部との間でのエッチング液の流出入、透光性導電膜７からの溶解成分のマスク開口部９６ｂの外部への流出がスムーズに起こらず、スリット７ｂの内部で透光性導電膜７の一部がエッチングされずに残りやすい。特に、本形態のように、スリット７ｂが閉じた形状の場合、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入などがスムーズに起こらないため、スリット７ｂの内部に未エッチング部分が発生しやすい。
【００４９】
そこで、本形態では、以下に詳述する方法を採用して、レジストマスク９６を形成するための露光機の解像度が２μｍ以上であっても、マスク開口部９６ｂの幅寸法が実質的に１．５μｍ以下のレジストマスク９６を形成することにより、画素電極７ａのスリット７ｂの幅寸法Ｌｔを１．５μｍ以下にまで狭める。また、マスク開口部９６ｂの幅寸法やスリット７ｂの幅寸法Ｌｔを狭めた場合でも、スリット７ｂの内部で透光性導電膜７の一部がエッチングされずに残ることを防止する。
【００５０】
まず、本形態では、図４（ｄ）に示すように、マスク開口部９６ｂを挟んで対向するマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているレジストマスク９６を形成し、かかるレジストマスク９６を用いて、透光性導電膜７に対してウエットエッチングを行なう。従って、ウエットエッチングの際、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入、マスク開口部９６ｂの内部と外部との間でのエッチング液の流出入、透光性導電膜７からの溶解成分のマスク開口部９６ｂの外部への流出がスムーズである。それ故、スリット７ｂの内部で透光性導電膜７の一部がエッチングされずに残ることがない。
【００５１】
かかるレジストマスク９６を形成するにあたっては、本形態では、図５（ａ）に示すレジスト塗布工程において、透光性導電膜７の上面に、ｉ線（波長３６５ｎｍ）対応のポジ型のフォトレジスト９６０を塗布する。本形態では、フォトレジスト９６０として感度が１００ｍｊ／ｃｍ2以下、好ましくは６０ｍｊ／ｃｍ2以下のフォトレジスト９６０を用いる。次に、露光工程では、露光マスク（図示せず）を介して、フォトレジスト９６０においてマスク開口部９６ｂを形成すべき領域を、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の光で露光する。図５（ａ）には、フォトレジスト９６０の露光部分９６０ｂについては右下がりの点線で示してある。次に、現像工程において、露光部分９６０ｂを除去すると、図４（ｄ）および図５（ｂ）に示すレジストマスク９６が得られる。
【００５２】
このようなレジストマスク形成工程において、図５（ａ）に示す露光の際、フォトレジスト９６０の深さ方向における露光量分布においては、深くなるほど露光量が減衰することになる。特に、露光部分９６０ｂの端部では、露光量が少ないため、露光部分９６０ｂと非露光部分９６０ｅとの間には斜め上向きの境界面９６０ｆが形成されているものと見なすことができる。従って、現像工程において、露光部分９６０ｂを除去すると、図４（ｄ）および図５（ｂ）に示すように、マスク開口部９６ｂを挟んで対向するマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているレジストマスク９６を形成することができる。
【００５３】
このような構成のレジストマスク９６では、露光工程で用いた露光機の解像度によって、マスク開口部９６ｂの上部開口の開口幅Ｌｃが規定され、その限界は２．０μｍである。但し、本形態のレジストマスク９６では、側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているため、マスク開口部９６ｂの底部では、側面部９６ｆの下端部が寸法Ｌｆだけ張り出している。このため、マスク開口部９６ｂの底部の幅寸法Ｌｂ（マスク開口部９６ｂの底部で露出する透光性導電膜７の幅寸法）は、下式
Ｌｂ＝Ｌｃ−２×Ｌｆ
で表され、マスク開口部９６ｂの上部開口の幅寸法Ｌｃよりも、２×Ｌｆ分だけ狭い。
【００５４】
従って、露光機の解像度が２μｍであっても、マスク開口部９６ｂの底部の幅寸法Ｌｂが１．５μｍ以下のレジストマスク９６を形成することができ、かかるレジストマスク９６は、マスク開口部の幅寸法が１．５μｍ以下のレジストマスクと同等に機能する。このため、図５（ｃ）に示すように、透光性導電膜７をウエットエッチングした際、０．５μｍ程度のサイドエッチングＬｓが発生した場合でも、図５（ｄ）に示すように、スリット７ｂの幅寸法Ｌｔが２．５μｍ以下の画素電極７ａを形成することができる。好ましくは、マスク開口部９６ｂの底部の幅寸法Ｌｂが１．０μｍ以下のレジストマスク９６を形成し、スリット７ｂの幅寸法Ｌｔが２．０μｍ以下の画素電極７ａを形成する。
【００５５】
ここで、マスク開口部９６ｂの底部において、側面部９６ｆの下端部が張り出す寸法Ｌｆは、レジストマスク９６の厚さｄと、側面部９６ｆ（テーパ面）が基板面に対して成す角度Θとによって、下式
Ｌｆ＝ｄ／ｔａｎΘ
で求まる。
【００５６】
従って、レジストマスク９６の厚さｄが大であるほど、側面部９６ｆの下端部が張り出す寸法Ｌｆを大きくすることができ、マスク開口部９６ｂの底部の幅寸法Ｌｂを小さくすることができる。また、側面部９６ｆ（テーパ面）が基板面に対して成す角度Θが小さいほど、側面部９６ｆの下端部が張り出す寸法Ｌｆを大きくすることができ、マスク開口部９６ｂの底部の幅寸法Ｌｂを小さくすることができる。
【００５７】
但し、レジストマスク９６の厚さｄを大にすると、ウエットエッチングの際、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入、マスク開口部９６ｂの内部と外部との間でのエッチング液の流出入、透光性導電膜７からの溶解成分のマスク開口部９６ｂの外部への流出がスムーズに進まないことになる。従って、レジストマスク９６の厚さｄについては、０．７μｍ以下にして、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入などがスムーズに進むようにすることが好ましい。レジストマスク９６の厚さｄについての下限は、フォトレジスト９６０を均一に塗布できる限界などを考慮すると０．２μｍ程度である。
【００５８】
また、側面部９６ｆが基板面に対して成す角度Θについては小さいほど、側面部９６ｆの下端部が張り出す寸法Ｌｆを大きくすることができるとともに、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入などがスムーズに進むようになる。従って、側面部９６ｆが基板面に対して成す角度Θについては、好ましくは６０°以下、より好ましくは５０°以下にすることが好ましい。
【００５９】
なお、上記の方法により、側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているレジストマスク９６を形成するにあたっては、露光時に照射される光を吸収する染料が配合されたフォトレジスト９６０を用いてもよい。かかる染料を配合すれば、フォトレジスト９６０の感度を調整することができるうえ、染料を配合するだけで感度を調整できるので、フォトレジストの材料自体の開発期間を大幅に減少させることができる。それ故、側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面のマスク線状部９６ｅを、多大なコストをかけることなく確実に形成でき、マスク線状部９６ｅおよびマスク開口部９６ｂの微細パターン化を実現することができる。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、フリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成された画素電極７ａを形成するにあたって、マスク開口部９６ｂを挟んで対向するマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているレジストマスク９６を用いる。かかるレジストマスク９６は、レジストマスク９６を形成する際に用いた露光機の解像度の影響でマスク開口部９６ｂの上端開口の開口幅Ｌｃが広くても、側面部９６ｆがテーパ面になっているので、マスク開口部９６ｂの底部で透光性導電膜７が露出している部分の幅寸法Ｌｂが狭い。従って、ウエットエッチングを採用した際のサイドエッチングＬｓを考慮しても、スリット７ｂ（開口パターン）の幅寸法Ｌｔが２．５μｍ以下、さらには２．０μｍ以下の画素電極７ａを形成することができる。
【００６１】
また、レジストマスク９６において、マスク開口部９６ｂを挟んで対向する側面部９６ｆが斜め上向きのテーパ面になっているため、マスク開口部９６ｂの幅寸法が狭くても、マスク開口部９６ｂの内部へのエッチング液の進入などがスムーズである。従って、スリット７ｂの内側に、透光性導電膜７の一部がエッチングされずに残るという不具合が発生しない。それ故、本形態によれば、ウエットエッチングでも、スリット７ｂの内側に未エッチング部分を発生させずに、スリット７ｂ（開口パターン）の幅寸法Ｌｔが２．５μｍ以下、さらには２．０μｍ以下の画素電極７ａを形成することができる。また、ウエットエッチングであれば、ドライエッチングに比較してエッチング選択性が高いので、下地である絶縁膜８を損傷しない。
【００６２】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図６（ａ）は、図６（ｂ）のＡ４−Ａ４′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、図１〜図５を参照して説明した構成と同様であるため、対応関係が分りやすいように、可能な限り、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００６３】
上記実施の形態では、画素トランジスタとして、トップゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が用いたが、図６（ａ）、（ｂ）を参照して以下に説明するように、画素トランジスタとして、ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が用いた電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。
【００６４】
図６（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置１００において、素子基板１０上には、ＩＴＯ膜からなる透光性の画素電極７ａが各画素１００ａ毎に形成されている。画素電極７ａの縦横の境界領域に沿っては、電界効果型トランジスタ３０に電気的に接続されたデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されている。また、走査線３ａと並列するように共通配線３ｃが形成されており、共通配線３ｃは、走査線３ａと同時形成された配線層である。共通配線３ｃの下層側には、ＩＴＯ膜からなる透光性の共通電極９ａが走査線３ａおよび共通配線３ｃの延在方向と同一方向に帯状に延びており、共通配線３ｃと共通電極９ａの端部とは電気的に接続されている。従って、共通電極９ａは複数の画素１００ａに跨るように形成されている。但し、共通電極９ａは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もある。いずれの場合も、共通電極９ａは、共通配線３ｃに電気的に接続され、画素１００ａ毎に共通の電位が印加される。
【００６５】
本形態において、電界効果型トランジスタ３０はボトムゲート構造を有しており、電界効果型トランジスタ３０では、走査線３ａの一部からなるゲート電極、ゲート絶縁層２、電界効果型トランジスタ３０の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体層１ａ、およびコンタクト層（図示せず）がこの順に積層されている。半導体層１ａのうち、ソース側の端部には、コンタクト層を介してデータ線５ａが重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層を介してドレイン電極５ｂが重なっている。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂは同時形成された導電膜からなる。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの表面側にはシリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜１１が形成されている。絶縁保護膜１１の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが形成されている。
【００６６】
画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成されており、スリット７ｂの間には線状電極部７ｅが形成されている。絶縁保護膜１１においてドレイン電極５ｂと重なる領域にはコンタクトホール１１ａが形成されており、画素電極７ａは、コンタクトホール１１ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続されている。
【００６７】
素子基板１０において、ゲート絶縁層２の下層側には共通配線３ｃが形成されている。また、共通配線３ｃの下層には、ＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａの端部は共通配線３ｃに電気的に接続されている。共通電極９ａの表面には、ゲート絶縁層２および絶縁保護膜１１が形成されている。従って、共通電極９ａと画素電極７ａとの間には、ゲート絶縁層２および絶縁保護膜１１からなる絶縁膜１８が介在している。このように構成した電気光学装置１００でも、上側の画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成され、スリット７ｂで挟まれた部分が線状電極部７ｅになっている。このため、上側の画素電極９ａと下側の共通電極９ａとの間に形成したフリンジ電界で液晶５０を駆動することができる。また、上側の画素電極７ａと下側の共通電極９ａとが絶縁膜１８を介して対向する部分に形成される容量成分を保持容量６０として利用することができる。
【００６８】
このように構成した電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、ウエットエッチングにより、スリット７ｂを備えた画素電極７ａを形成する際、図５を参照して説明した方法を採用すればよい。
【００６９】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、画素電極７ａをＩＴＯ膜によって形成した例であるが、画素電極７ａをＩＺＯ膜によって形成する場合に本発明を適用してもよい。
【００７０】
上記実施の形態１、２では、画素電極７ａに形成されたスリット７ｂが走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びているが、これに限らず、走査線３ａと平行、もしくはデータ線５ａと平行な方向に延びていてもよい。また、スリット７ｂが長さ方向の途中で屈曲している構成を採用してもよい。
【００７１】
上記実施の形態１、２では、共通電極９ａが下層側に形成され、画素電極７ａが上層側に形成されているので、スリットを画素電極７ａに形成したが、共通電極９ａが上層側に形成され、画素電極７ａが下層側に形成されている構成を採用してもよい。この場合、上層側の共通電極９ａにスリットを形成した構成を採用することになる。
【００７２】
また、上記実施の形態１、２では、ＦＦＳ方式を採用した電気光学装置１００に本発明を適用したが、ＩＰＳ(In Plane Switching)方式の液晶装置など、横電界により液晶を駆動する他のタイプの液晶装置（電気光学装置）の画素電極を形成する際に本発明を適用してもよい。さらに、横電界方式の液晶装置（電気光学装置）に限らず、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、あるいはＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）方式の液晶装置（電気光学装置）において、ウエットエッチングにより、幅の狭い開口パターンを備えた薄膜パターンを形成する際に本発明を適用してもよい。
【００７３】
また、上記形態は、半導体層としてポリシコン膜やアモルファスシリコン膜を用いた例であったが、半導体層として単結晶シリコン層を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態１、２では、電気光学装置１００が液晶装置である場合を例に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置に用いる素子基板も、液晶装置に用いた素子基板と同様、配線や電界効果型トランジスタが形成された電気的固体装置として構成される。従って、有機エレクトロルミネッセンス装置などに用いる素子基板に本発明を適用してもよい。
【００７５】
さらに、基板上に配線などの薄膜パターンが形成された装置（電気的固体装置）であれば、電気光学装置の素子基板以外の装置に本発明を適用してもよい。
【００７６】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図７（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図７（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００７７】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図４に示す画素電極形成工程の説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００７９】
１ａ・・半導体層、３ａ・・走査線、５ａ・・データ線、７・・透光性導電膜（薄膜）、７ａ・・画素電極（薄膜パターン）、７ｂ・・画素電極のスリット（開口パターン）、７ｅ・・線状電極部、９ａ・・共通電極、１０・・素子基板（電気的固体装置）、２０・・対向基板、３０・・電界効果型トランジスタ、９６・・レジストマスク（エッチングマスク）、９６ｂ・・マスク開口部、９６ｅ・・マスク線状部、９６ｆ・・マスク線状部の側面、１００・・電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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