(57)【要約】【課題】高周波領域まで良好な特性を有し、設計が容易な分布定数型ステップ可変減衰器を提供する。【解決手段】並列に並んだ複数の減衰器が配置された誘電体基板と、前記複数の減衰器のうち一つを選択的に外部回路に接続するための選択機構と、を備え、前記複数の減衰器はそれぞれ、入力信号電極００３と出力信号電極００４との所定距離を結び、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１膜抵抗部と、第１膜抵抗部の該所定距離方向の辺と該辺に並行するアースパターン００５との間に、該辺とアースパターン００５に電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２膜抵抗部００２と、を誘電体基板の上に備えた構成であって、各減衰器の第１膜抵抗部００１及び第２膜抵抗部００２の入力信号電極００３と出力信号電極００４とを結ぶ方向の長さがそれぞれ異なった構成にされている。【選択図】図４
2010232846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極との間に接続されてなる第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１膜抵抗膜に並行するように所定間隔をあけて配置されたアースパターンと、前記アースパターンと前記第１抵抗膜との間に配置されこれらを電気的に接続するものであって、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、を含む単位減衰器が複数、各前記単位減衰器における前記第１抵抗膜及び前記第２抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の長さを順次異ならせて並置された誘電体基板と、
前記複数の単位減衰器のうちいずれか一つを選択的に外部回路へ接続するための選択機構と、
を備えることを特徴とする多連分布定数型選択式減衰器。
【請求項２】
外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、
外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、
前記選択機構は、
一端が前記第１固定接点に接し他端が選択的に前記いずれか一つの単位減衰器の入力信号電極と接するように移動する第１可動接点と、一端が前記第２固定接点に接し他端が選択的に前記いずれか一つの単位減衰器の出力信号電極と接するように移動する第２可動接点と、を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器。
【請求項３】
外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、
外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、
前記選択機構は、
前記誘電体基板を入力信号電極と出力信号電極を結ぶ方向と直交する方向に移動させることにより、前記いずれか一つの単位減衰器の前記入力信号電極を前記第１固定接点に接続し、該単位減衰器の前記出力信号電極を前記第２固定接点に接続する、
ことを特徴とする請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器。
【請求項４】
外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、
外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、
基板部材が円環状に形成されており、かつ複数の単位減衰器は該円環状に沿って形成されており、
前記選択機構は、
前記誘電体基板を前記円環の円周方向に回転させることにより、前記いずれか一つの単位減衰器の前記入力信号電極を前記第１固定接点に接続し、該単位減衰器の前記出力信号電極を前記第２固定接点に接続する、
ことを特徴とする請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号を減衰させる減衰器を複数並べた多連減衰器に関する。さらに詳しくは、高周波特性を改善できる分布定数型の減衰器に関する。さらには、多連減衰器を用いて減衰量を段階的に変えることが可能な多連分布定数型選択式減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器において信号を減衰させるために減衰器（アッテネータ：Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）が使用されている。例えば、大きい信号を感度の高い測定器に直接接続した場合、測定器が飽和してしまう。そこで、減衰器を使って信号をある程度減衰させてから測定器に入力することにより、測定器の飽和を回避することが可能となる。また、発振器からレベルの小さな出力を得ようとする場合にも、発振器からある程度大きな信号を出力させ、その信号を減衰器で減衰させることで必要なレベルの信号を得ることが行われている。
【０００３】
そして、減衰器としては、Ｔ型、π型、又はブリッジＴ型の集中定数型の減衰器がある。また、減衰器を複数並べて使用する場合があり、このような形態のものを多連減衰器という。
【０００４】
さらに、減衰器には減衰量を必要に合わせて変化させることが可能な可変減衰器が提案されている。これら可変減衰器にはステップ型可変減衰器と連続可変減衰器がある。
【０００５】
ステップ可変減衰器として、複数のＴ型やπ型の集中定数型減衰器を用いた単位減衰器（以下では、「減衰部」という。）を並列に配列し前述の多連減衰器を構成したうえで、各アッテネータへの接続を随時切り替える減衰器（例えば、特許文献１参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実公昭５６−３８４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載されているような従来の多連可変減衰器では、個々の減衰部を構成する抵抗の値が異なるため、一枚の基板上に厚膜プロセスや薄膜プロセスで一度に多数の減衰部を形成するのは困難であった。
【０００８】
また、従来技術では感温型の多連分布定数型選択式減衰器を設計することは、各減衰部の抵抗の値が異なるため、さらに抵抗の温度係数が入ることで設計が複雑になってしまっていた。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、高周波領域まで良好な整合特性を有し、設計及び製造が容易な多連分布定数型選択式減衰器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器は、所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極との間に接続されてなる第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜に並行するように所定間隔をあけて配置されたアースパターンと、前記アースパターンと前記第１抵抗膜との間に配置されこれらを電気的に接続するものであって、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、を含む単位減衰器が複数、各前記単位減衰器における第１抵抗膜及び第２抵抗膜の入力信号電極と出力信号電極とを結ぶ方向の長さが順次異なるように並置された誘電体基板と、前記複数の単位減衰器のうちいずれか一つを選択的に外部回路へ接続するための選択機構と、を備えることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器であって、外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、前記選択機構は、一端が前記第１固定接点に接し他端が選択的に前記いずれか一つの単位減衰器の入力信号電極と接するように移動する第１可動接点と、一端が前記第２固定接点に接し他端が選択的に前記いずれか一つの単位減衰器の出力信号電極と接するように移動する第２可動接点と、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器であって、外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、前記選択機構は、前記誘電体基板が入力信号電極と出力信号電極を結ぶ方向と直交する方向に移動させることにより、前記いずれか一つの単位減衰器の前記入力信号電極を前記第１固定接点に接続し、該単位減衰器の前記出力信号電極を前記第２固定接点に接続する、ことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の多連分布定数型選択式減衰器であって、外部の信号ラインに接続されている第１固定接点と、外部の信号ラインに接続されている第２固定接点と、をさらに備え、基板部材が円環状に形成されており、かつ複数の単位減衰器は該円環状に沿って形成されており、前記選択機構は、前記誘電体基板を前記円環の円周方向に回転させることにより、前記いずれか一つの単位減衰器の前記入力信号電極を前記第１固定接点に接続し、該単位減衰器の前記出力信号電極を前記第２固定接点に接続する、ことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る多連分布定数型選択式減衰器によると、簡単な抵抗値を求める式を使用して、分布定数型の多連減衰器を作成することができる。これにより、抵抗体の設計を容易にすることができるとともに、ＤＣから高周波領域まで良好な周波数特性及び特性インピーダンスを得ることが可能となる。
【００１５】
本発明に係る多連分布定数型選択式減衰器によると、同一の抵抗部材を使用して減衰量の異ならせる減衰器を作製できるため、少ない部材で製造することができ、部材の管理も楽になる。
【００１６】
同一基板上に同一材料で特性の異なる減衰部を作製できるため、１回の成膜プロセスで特性の異なる減衰部が作成でき減衰器作製における設計及び製造が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（Ａ）第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器を表面側から見た斜視図、（Ｂ）第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器を裏面側から見た斜視図
【図２】（Ａ）は第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の分解斜視図、（Ｂ）スライダと基板部材とを組み合わせて裏面側から見た斜視図
【図３】（Ａ）第１の実施形態に係る基板部材を表面側から見た斜視図、（Ｂ）第１の実施形態に係る基板部材を裏面側から見た斜視図
【図４】第１の実施形態及び第３の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図
【図５】実施例１及び実施例３に係る分布定数型ステップ可変減衰器の減衰部を模式的に表した図
【図６】実施例１に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各周波数における減衰量の値を表したグラフ
【図７】実施例１に係るステップ可変減衰器の各周波数におけるＶＳＷＲの値を表したグラフ
【図８】第２の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各減衰部の構成を示す模式図
【図９】実施例２に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各減衰部の各周波数における減衰量の値を表したグラフ
【図１０】実施例２に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各減衰部の各周波数におけるＶＳＷＲの値を表したグラフ
【図１１】実施例３に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各減衰部の各温度における減衰量の値を表したグラフ
【図１２】第４の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図
【図１３】実施例４に係るステップ可変減衰器の各減衰部の減衰量温度特性を表すグラフ
【図１４】実施例５に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を表す模式図
【図１５】第５の実施形態及び実施例６に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図
【図１６】実施例６に係るステップ可変減衰器の各減衰部における温度変化に対応した減衰量（ｄＢ）を表すグラフ
【図１７】実施例７に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を表す模式図
【図１８】（Ａ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の表面側からの斜視図、（Ｂ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の裏面側からの斜視図
【図１９】（Ａ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の分解斜視図、（Ｂ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器のロータと基板部材とを組み合わせた部材の裏面側からの斜視図
【図２０】（Ａ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材（減衰部）の表面側の構成を表す模式図、（Ｂ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材の裏面側の構成を示す模式図
【図２１】（Ａ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器における各減衰部の減衰量の周波数特性のシミュレーション結果のグラフ、（Ｂ）第６の実施形態に係るステップ可変減衰器の各減衰部における周波数ごとのＶＳＷＲの値のシミュレーション結果のグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る多連分布定数型選択式減衰器について説明する。ここで、以下の実施形態では分布定数型ステップ可変減衰器を例に説明する。ただし、これはステップ可変である必要はなく、並置した複数の減衰器のうち任意の減衰器を選択することができる機構を有する多連分布定数型選択式減衰器であれば他の構成でもよい。
【００１９】
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。図１（Ａ）は本実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器（以下では、単に「ステップ可変減衰器」という。また、減衰器は「アッテネータ」とも呼ばれる。）を表面側から見た斜視図である。図１（Ｂ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器を裏面側から見た斜視図である。さらに、図２（Ａ）は図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されているステップ可変減衰器の分解斜視図である。また、図２（Ｂ）はスライダ２と基板部材１００とを組み合わせて裏面側から見た斜視図である。また、図３（Ａ）は本実施形態に係る基板部材１００を表面側から見た斜視図である。また、図３（Ｂ）は本実施形態に係る基板部材１００を裏面側から見た斜視図である。また、図４は第１の実施形態及び第３の実施形態に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成の模式図である。
【００２０】
本実施形態に係るステップ可変減衰器は、図２（Ａ）に示すように、カバー１、スライダ２、基板部材１００、ベース部材３、及びグランドばね７で構成されている。
【００２１】
本実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材１００は図４に示すように、第１抵抗膜００４ａ、第１抵抗膜００４ｂ、及び第１抵抗膜００４ｃ（濃いドットで示された部材）、第２抵抗膜００５ａ、第２抵抗膜００５ｂ、及び第２抵抗膜００５ｃ（斜め線で示された部材）、入力信号電極００９（紙面に向かって下側の縦縞で示された部材）、出力信号電極０１０（紙面に向かって上側の縦縞で示された部材）、並びにアースパターン０１１（横縞で示された部分）を有する減衰器を誘電体基板００２の上に３つ並べて配置した構成である。第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａで構成される減衰部（単位減衰器）を以下では「第１減衰部００３ａ」というまた、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂで構成される減衰部を以下では「第１減衰部００３ｂ」という。また、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃで構成される減衰部を以下では「第１減衰部００３ｃ」という。また、以下では、第１抵抗膜００４ａ、第１抵抗膜００４ｂ、及び第１抵抗膜００４ｃを区別しない時には単に「第１抵抗膜００４」、第２抵抗膜００５ａ、第２抵抗膜００５ｂ、及び第２抵抗膜００５ｃを区別しない時には単に「第２抵抗膜００５」という。
【００２２】
図３（Ａ）に示すように、基板部材１００は、誘電体基板００２の上に第１抵抗膜００４、第２抵抗膜００５、入力信号電極００９、出力信号電極０１０が設けられている。そして、基板部材１００の長手方向の辺の付近向かい合った位置にクリック穴０１６が開けられている。このクリック穴０１６は４組設けられている。ここで、本実施形態では後述するように基板部材１００に３つの減衰部が並列に並べられている。そして、クリック穴０１６とクリックばね９とが嵌合することで、基板部材１００上に配置されたいずれかの減衰部の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０が固定接点８と接する位置に一時的に固定される。基板部材１００はベース部材３の凹部側に配置される。
【００２３】
基板部材１００は本実施形態に係るステップ可変減衰器の構成部材として用いられる場合には、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように減衰部側が下方向（後述するベース部材３の方向）に向かう。そして、第１減衰部００３ａ、第１減衰部００３ｂ、及び第１減衰部００３ｃは同様の構成であり、それぞれの出力信号電極０１０の長手方向の長さが異なる減衰器である。また、基板部材１００上に配置された減衰部の詳細は後で詳細に説明する。
【００２４】
ベース部材３は一方の面に凹部を有する直方体である。そして、該凹部は後述する基板部材１００を収めたスライダ２を収納する大きさを有している。該凹部の短手方向の長さはスライダ２が短手方向には動かずに長手方向にスライドできる長さを有している。該凹部の長手方向の長さは、基板部材１００上の並列に並べられた減衰部の両端の減衰部が後述する固定接点８に接触できる場所まで基板部材１００を収めたスライダ２がスライド移動できる長さを有している。ベース部材３は、凹部の長手方向の中央部に固定接点８を有している。固定接点８は２枚の板状の導電体板で、一方の導電体板はベース部材３の短手方向の一方の端部付近から基板部材１００に配置された入力信号電極００９に接する長さを有している、他方の導電体板はベース部材３の短手方向の他方の端部付近から基板部材１００に配置された出力信号電極０１０に接する長さを有している。図１（Ｂ）で示すように、ベース部材３の基板部材１００と反対側の面に入力電極５及び出力電極６を有している。固定接点８の入力信号電極００９と接する側の導電体板は入力電極５と接続されており、固定接点８の出力信号電極０１０と接する側の導電体板は出力電極６と接続されている。また、ベース部材３は、図１（Ｂ）に示すように基板部材１００と反対側の面にベースグランド４が配置されている。ベースグランド４は導電体で構成されておりベース部材に流れた電気をグランドに流す。さらに、ベース部材３は凹部の長手方向の辺に等間隔でクリックばね９が６組配置されている。このクリックばね９は基板部材１００方向へ突出しており、後述する基板部材１００のクリック穴０１６と嵌合し基板部材１００の長手方向への移動を一時的に固定する。クリックばね９による基板部材１００の固定位置は３箇所である。
【００２５】
スライダ２は、直方体に突起部が付いた形状である。スライダ２は、基板部材１００のベース部材３とは反対側の面に配置される。そして、スライダ２の直方体部分の基板部材１００の側の面には基板部材１００をはめ込む凹部が形成されている。基板部材１００はこの凹部にはめ込まれる。図２（Ｂ）に示すように基板部材１００は減衰部が配置された面がベース部材３の方向に向くようにスライダ２にはめ込まれる。また、スライダ２の基板部材１００と逆側の面には操作者が手動でスライドさせられるように突起部が付いている。さらに、スライダ２は基板部材１００側の面へ向けて突起部が付いた側の面からの凹部を、突起部を挟んで対象の位置に２つ有している。この凹部は後述するグランドばね７を収納できる大きさを有している。
【００２６】
グランドばね７は板状ばねである。グランドばね７は、スライダ２の２つの凹部に配置される。グランドばね７は、基板部材１００をスライダ２側から押圧する。グランドばね７は基板部材１００のベースグランド４とカバー１のステップ可変減衰器裏面のグランドとを電気的に接続している。
【００２７】
この、スライダ２及びグランドばね７を組み合わせたものが本発明における「選択機構」にあたる。
【００２８】
カバー１は、直方体の中を空洞にし、さらに一つの面を取り払った形状をしている。そして、カバー１は、取り払った面と対向する位置にある面に長方形状の貫通孔を有している。該貫通孔は直方体の長手方向に長い四角形の形状を有している。この貫通孔は前述のスライダ２の突起部が貫通できさらに長手方向に移動できる大きさを有している。そして、カバー１の空洞の高さ方向の長さは、基板部材１００を収めたスライダ２及びベース部材３が収納可能な長さを有している。さらに、カバー１の貫通孔の脇には減衰量Α（ｄＢ）が記載されている。このメモリは基板部材１００に配置されている各減衰部の減衰量を表している。
【００２９】
カバー１は、貫通孔にスライダ２の突起部を貫通させた状態で、グランドばね７及び基板部材１００を収納したスライダ２並びにベース部材３を覆う。そして、カバー１の取り払った面の部分に該面と一致するようにベース部材３が固定される。このとき、ベース部材３の長手方向（すなわち、固定接点８が配置されている方向と直交する方向）がカバー１の長手方向（すなわち、スライダ２の突起部が移動可能な方向）に一致するように配置される。
【００３０】
カバー１はスライダ２の貫通孔に収まっているグランドばね７を介して、スライダ２の凹部に収納されている基板部材１００をベース部材３方向に押圧する。ベース部材３はグランドばね７からの押圧を受けて、ベース部材３に押し付けられる。
【００３１】
そして、上述の構成のステップ可変減衰器において、操作者はスライダ２の突起部を狭持しカバー１の貫通孔の長手方向（すなわち、カバー１の長手方向）に沿って該突起部をスライド移動させる。これにより、スライダ２は、カバー１の長手方向に沿ってスライド移動する。このときカバー１からの押圧力をグランドばね７を介して受けている基板部材１００は、ベース部材３に押し付けられながらスライダ２が移動した方向（すなわち、カバー１の長手方向）に沿って移動する。そして、基板部材１００のクリック穴０１６とベース部材３のクリックばね９が次に嵌合する位置まで、基板部材１００を保持したスライダ２が移動する。クリック穴０１６とクリックばね９が嵌合した位置で、クリック穴０１６とクリックばね９の摩擦により一時的に固定される。そして、クリック穴０１６とクリックばね９が嵌合した位置で、基板部材１００の上の何れかの減衰部の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０が固定接点８と接触する。
【００３２】
《減衰部の構成》
基板部材１００の上に配置された減衰部の構成を詳細に説明する。
【００３３】
本実施形態に係る減衰部は、当出願人が先に出願した特願２００７−４２６５２号公報の技術による分布定数型アッテネータ（等価的にはπ型のアッテネータ）を用いたものである。
【００３４】
誘電体基板００２は、比誘電率εｒを有する。このような誘電体基板００２は、例えばアルミナ、窒化アルミ、テフロン（登録商標）などの材質で構成される。
【００３５】
入力信号電極００９は、幅方向（図４における横方向）の長さｗＳ（ｍｍ）、及び長手方向（図４における縦方向）の長さＬ４を有する。また、入力信号電極００９は、良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。入力信号電極００９は、金、銀、銅、錫などの厚膜又は薄膜で構成されている。この入力信号電極００９は、図４に示すように３つ配置されているが、その幅方向の長さ及び長手方向の長さはいずれも等しく構成されている。
【００３６】
出力信号電極０１０は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、及び長手方向の長さＬ５を有する。また、出力信号電極０１０は、良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。出力信号電極０１０は、金、銀、銅、錫などの厚膜又は薄膜で構成されている。この出力信号電極０１０は、図４に示すように３つ配置されているが、その幅方向の長さ及び長手方向の長さはいずれも等しく構成されている。
【００３７】
第１抵抗膜００４ａは、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）である。第１抵抗膜００４ｂは、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ２（ｍｍ）をである。第１抵抗膜００４ｃは、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ３（ｍｍ）である。また、第１抵抗膜００４ａ、第１抵抗膜００４ｂ、及び第１抵抗膜００４ｃはいずれも、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第１抵抗膜００４は自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第１抵抗膜００４は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【００３８】
第２抵抗膜００５ａは、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）である。第２抵抗膜００５ｂは、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ２（ｍｍ）である。第２抵抗膜００５ｃは、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ３（ｍｍ）である。また、また、第２抵抗膜００５ａ、第２抵抗膜００５ｂ、及び第２抵抗膜００５ｃはいずれも、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が各第１抵抗膜００４の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４の幅方向の両辺（図４における左右）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第２抵抗膜００５は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【００３９】
アースパターン０１１は、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を有する。そして、アースパターン０１１は良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。さらに、アースパターン０１１は各第２抵抗膜００５の間、並びに第２抵抗膜００５ａ及び第２抵抗膜００５ｃの外側に配置される。そして、アースパターン０１１は、自己の幅方向の辺と第２抵抗膜００５の幅方向の一端の辺（第１抵抗膜００４に接していない辺）とが接した状態で誘電体基板００２の上に形成される。本実施形態では、幅方向のいずれのアースパターン０１１も幅方向の長さをｗｇ（ｍｍ）としている。そして、アースパターン０１１は誘電体基板００２の裏面のアースパターンと、スルーホール０１７で電気的に結合している。
【００４０】
また、各減衰器本体の幅方向の長さを、Ｗ０（ｍｍ）＝ＷＳ＋２Ｗｐ＋Ｗｇとする。
【００４１】
第１抵抗膜００４、第２抵抗膜００５、及びアースパターン０１１には、それぞれ、ガラス、樹脂などの保護膜を設けてもよい。
【００４２】
《所望の特性インピーダンス及び減衰量を有する減衰器》
以下で、所望の特性インピーダンスＺ０（Ω）及び減衰量Α（ｄＢ）を構成するための各構成要素を説明する。ここでは、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａで構成される減衰部を例に説明する。
【００４３】
まず、誘電体基板００２の材質（比誘電率εｒ）を決定する。次に、減衰しようとする回路もしくは信号ラインの特性インピーダンスＺ０をステップ可変減衰器の特性インピーダンスＺ０として決定する。また、減衰量Αを決定する。ここで、マイクロストリップラインにおける特性インピーダンスＺ０を求める場合、及び、図４に示す各減衰部における特性インピーダンスＺ０を考える場合には、無限遠の理想的な誘電体基板００２を使用するため誘電体基板００２の幅方向の長さ及び長手方向の長さは特には必要としない。
【００４４】
次に、決定した誘電体基板００２の材質及びサイズ、並びに必要とする特性インピーダンスＺ０を基にマイクロストリップラインの幅ｗｓを算出し、これを第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＳとする。以下その方法を説明する。
【００４５】
マイクロストリップラインの幅方向の長さｗｓは、
〈式１〉
ｗｓ／ｔ≦１のとき
Ｚ０＝（６０／εeff１／２）・ｌｎ（８ｔ／ｗｓ＋ｗｓ／４ｔ）
εeff＝（εｒ＋１）／２＋｛（εｒ−１）／２｝［｛１／（１＋１２ｔ／ｗｓ）＋０．０４（１−ｗｓ／ｔ）２｝］
〈式２〉
ｗｓ／ｔ≧１のとき
Ｚ０＝（１２０π／εeff１／２）／｛ｗｓ／ｔ＋１．３９３＋（２／３）ｌｎ（ｗｓ／ｔ＋１．４４４）｝
εeff＝（εｒ＋１）／２＋｛（εｒ−１）／２｝｛１／（１＋１２ｔ／ｗｓ）｝
という関係を有するので、ｗｓを求めることができる。
【００４６】
このマイクロストリップラインの幅方向の長さｗｓが本発明における第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さである。
【００４７】
決定した誘電体基板００２の材質及びサイズ、必要とする特性インピーダンスＺ０、求めた第１抵抗膜００４ａの幅方向の長さｗＳ、並びに決定した減衰量Α（Nepers）を基に、第１抵抗膜００４ａの長手方向の長さＬ１、第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＰ、第１抵抗膜００４ａの第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、並びに第２抵抗膜００５ａの第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の以下の関係式からそれぞれの値を求める。
【００４８】
図４に示すステップ可変減衰器において、まず、高周波成分による影響であるインダクタンス及びキャパシタンスを除いた、直流的特性インピーダンスＺＤＣを用いて関係式を作成する。ここで、値としてはＺＤＣ＝Ｚ０である。要するに、以下での関係式の計算は直流で行う意味である。
【００４９】
そこで、図４に示すステップ可変減衰器の第１減衰部００３ａにおいて、第１抵抗膜００４ａの入力信号電極００９と出力信号電極０１０の間に分布する抵抗値をＲ（Ω）とし、第２抵抗膜００５ａの入力信号電極００９及び出力信号電極０１０とアースパターン０１１との間に分布するコンダクタンスをＧ（Ｓ）とすると、伝送線路理論から、直流的特性インピーダンスＺＤＣと減衰量αは以下の式で表わされる。ここで、Ｒ及び２つのＧは、上記減衰器を等価的にπ型減衰器としたときの成分である。
〈式３−１〉直流的特性インピーダンス  ＺＤＣ＝（Ｒ／Ｇ）１／２（Ω）
〈式３−２〉減衰量  Α＝（ＲＧ）１／２（Nepers）＝８．６８６（ＲＧ）１／２（ｄＢ）
ここで、Ｒ＝（τ１／ｗＳ）・Ｌ１、Ｇ＝（２／τ２ｗＰ）・Ｌ１である。
【００５０】
そこで、上述のＺ０及びαの式にＲ、Ｇを代入すると、
〈式４〉
ＺＤＣ＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２
Α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２・Ｌ１
したがって、単位長さ当たりの減衰量α（ｄＢ／ｍｍ）は
α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２
である。
【００５１】
ここで、ＺＤＣ、Αは予め決定しており、さらにｗＳは求まっているので、第１抵抗膜００４ａの長手方向の長さＬ１、第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＰを決定すれば、第１抵抗膜００４ａにおける第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５ａにおける第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を以下の式で求めることができる。
〈式５〉
τ１＝（ＺＤＣ・α・ｗＳ）／（８．６８６・Ｌ１）
τ２＝１７．３７２（ＺＤＣ・Ｌ１）／（α・ｗＰ）
【００５２】
また、逆に第１抵抗膜００４ａの第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、及び第２抵抗膜００５ａの第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を決定すれば、第１抵抗膜００４ａの長手方向の長さＬ１（ｍｍ）、及び第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）を求めることができる。
【００５３】
このように求めた関係式を用いて、第１抵抗膜００４ａの第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５ａの第２シート抵抗値τ２（Ω／□）、第１抵抗膜００４ａの長手方向の長さをＬ１（ｍｍ）、及び第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＰを決定し、図１及び図２に示すステップ可変減衰器の基板部材１００を作成する。そして、作成したアッテネータにより、高周波信号を入力して減衰量とＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）を計測した場合、減衰量及びＶＳＷＲのいずれにおいても良好な結果が得られる。
【００５４】
したがって、（特性インピーダンスＺ０）＝（直流的特性インピーダンスＺＤＣ）とすることが可能である。以下は、統一して特性インピーダンスＺ０で説明する。
【００５５】
すなわち、特性インピーダンスＺ０における、第１抵抗膜００４ａの第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５ａの第２シート抵抗値τ２（Ω／□）、第１抵抗膜００４ａの長手方向の長さＬ１（ｍｍ）、並びに第２抵抗膜００５ａの幅方向の長さｗＰの関係式は以下の式で表わされる。
【００５６】
Ｚ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２
Α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２・Ｌ１
したがって、単位長さ当たりの減衰量は
α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２である。
【００５７】
減衰量Αは、Ｌ１に比例する。したがって、Ｌ１の長さを変更することにより減衰量を変更することができる。また、特性インピーダンスＺ０は第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長さＬ１には依存しない。すなわち、特性インピーダンスＺ０が一定で減衰量Αが異なる減衰部を容易に作成できる。
【００５８】
（実施例１）
本実施形態に係るステップ可変減衰器として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、その比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａで構成される第１減衰部００３ａの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α＝１０（ｄＢ）とする。また、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂで構成される第１減衰部００３ｂの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝８（ｄＢ）とする。また、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃで構成される第１減衰部００３ｃの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝６（ｄＢ）とする。図５は本実施例に係るステップ可変減衰器の減衰部を模式的に表した図である。
【００５９】
本実施例では、図５に示すように、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．６（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）、各第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝３５．５（Ω／□）、各第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝３３５（Ω／□）、第１減衰部００３ａにおける入力信号電極００９の長手方向の長さＬ４＝０．７５（ｍｍ）、入力信号電極００９の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ５＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５０（ｍｍ）としてステップ可変減衰器の第１減衰部００３ａ〜第１減衰部００３ｃを構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【００６０】
ここで、各減衰部は特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（３５．５×３３５）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝４９．７８（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となるステップ可変減衰器であるように構成した。
【００６１】
図６は上述の条件で、図５の構成のステップ可変減衰器について減衰量の周波数特性のシミュレーションを行ったものである。図６は本実施例に係るステップ可変減衰器の各周波数における減衰量の値を表したグラフである。図６のグラフは縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を入力信号の周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。図７は上述の条件で、図５の構成のステップ可変減衰器についてＶＳＷＲの周波数特性のシミュレーションを行ったものである。図７は本実施例に係るステップ可変減衰器の各周波数におけるＶＳＷＲの値を表したグラフである。また、図７のグラフは縦軸をＶＳＷＲ（ｄＢ）、横軸を入力信号の周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。
【００６２】
図６のグラフ０６１は第１減衰部００３ａの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０６２は第１減衰部００３ｂの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０６３は第１減衰部００３ｃの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０６１で示すように、第１減衰部００３ａは１０（ＧＨｚ）以下では１０（ｄＢ）の減衰量を維持している。グラフ０６２で示すように、第１減衰部００３ｂは１０（ＧＨｚ）以下では８（ｄＢ）の減衰量を維持している。グラフ０６３に示すように、第１減衰部００３ｃは１０（ＧＨｚ）以下では６（ｄＢ）の減衰量を維持している。したがって、各減衰部は１０（ＧＨｚ）までの高周波においても良好な減衰量を有していることがわかる。
【００６３】
また、図７のグラフ０７１は第１減衰部００３ａのＶＳＷＲのシミュレーションのグラフである。グラフ０７２は第１減衰部００３ｂのＶＳＷＲのシミュレーションのグラフである。グラフ０７３は第１減衰部００３ｃの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０７１に示すように、第１減衰部００３ａは１０（ＧＨｚ）以下ではＶＳＷＲがおおよそ１．１程度（少なくとも１．１５以下）の値に抑えられている。また、グラフ０７２及びグラフ０７３に示すように、第１減衰部００３ｂ及び第１減衰部００３ｃは１０（ＧＨｚ）以下ではＶＳＷＲが１．１以下の値に抑えられている。したがって、各減衰部は１０（ＧＨｚ）までの高周波においても良好なＶＳＷＲの値が得られている。したがって、本実施例に係るステップ可変減衰器を使用すれば特性インピーダンスの整合性をとることが可能となる。
【００６４】
（変形例）
以上の説明では、基板部材１００をスライドさせることで、何れか一つの減衰部の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０を固定接点８に接続させて減衰部の選択を行ったが、変形例として基板部材１００を固定的に配置して、外部の電極をスライドさせることで、何れか一つの減衰部の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０を固定接点８に接続させて減衰部の選択を行う構成も可能である。
【００６５】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器においては、減衰量及びＶＳＷＲの周波数特性はいずれも良好な値を示すので、容易に特性インピーダンスの整合性を得ることが可能である。また、本実施形態に係るステップ可変減衰器においては、上述のした直流的特性インピーダンスにおける簡単な抵抗値を求める式を使用して、高周波信号を使用する特性インピーダンスの整合性の良好な分布定数型ステップ可変減衰器を作成することができる。さらに、本実施形態に係るステップ可変減衰器では、減衰量の異なる各減衰部を同じ材料で作成することができる。そのため、抵抗膜の材料を変えることなく１回の成膜プロセスでステップ可変の基板を生成することができる。さらに、減衰器の管理、製造を容易にすることができる。
【００６６】
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。図８は本実施形態に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図である。本実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器は、第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の各減衰部の片側の第２抵抗膜００５を省いた構造を有するステップ可変減衰器である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。
【００６７】
本実施形態に係るステップ可変減衰器は図８に示すように、第２抵抗膜００５が、各第１抵抗膜００４の片側にのみ配置された構成であることが第１の実施形態と異なる。図８において図１と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。
【００６８】
本実施形態では、第２抵抗膜００５及びアースパターン０１１が、第１抵抗膜００４の片側にのみ配置されていることから、第２抵抗膜００５の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０とアースパターン０１１との間に分布するコンダクタンスＧは、Ｇ＝（１／τ２ｗＰ）・Ｌ１であり、ＺＤＣ＝｛（τ１τ２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２である。
【００６９】
（実施例２）
本実施例は、図８に示すように、第１の実施形態に係るステップ可変減衰器の片側の第２抵抗膜００５を省いた構成である。本実施形態に係るステップ可変減衰器として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、その比誘電率をεｒ＝３．７８、板厚＝０．５（ｍｍ）とする。さらに、第１減衰部００３ａの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝１０（ｄＢ）、第１減衰部００３ｂの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝８（ｄＢ）、第１減衰部００３ｃの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝６（ｄＢ）、とする。
【００７０】
本実施例では、図８に示すように、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．６（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）、各第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝３５．５（Ω／□）、各第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝１６７（Ω／□）、第１減衰部００３ａにおける入力信号電極００９の長手方向の長さＬ４＝０．７５（ｍｍ）、入力信号電極００９の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ５＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５０（ｍｍ）としてステップ可変減衰器の第１減衰部００３ａ〜第１減衰部００３ｃを構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【００７１】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（３５．５×１６７）×（０．５／１．２）｝１／２＝４９．７０（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となるステップ可変減衰器であるように構成した。
【００７２】
図９は上述の条件で、図８の構成のステップ可変減衰器について減衰量の周波数特性のシミュレーションを行ったものである。図９は本実施例に係るステップ可変減衰器の各周波数における減衰量の値を表したグラフである。図９のグラフは縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を入力信号の周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。図１０は上述の条件で、図８の構成のステップ可変減衰器についてＶＳＷＲの周波数特性のシミュレーションを行ったものである。図１０は本実施例に係るステップ可変減衰器の各周波数におけるＶＳＷＲの値を表したグラフである。また、図１０のグラフは縦軸をＶＳＷＲ（ｄＢ）、横軸を入力信号の周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。
【００７３】
図９のグラフ０９１は第１減衰部００３ａの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０９２は第１減衰部００３ｂの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０９３は第１減衰部００３ｃの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ０９１で示すように、第１減衰部００３ａは１０（ＧＨｚ）以下では１０（ｄＢ）の減衰量を維持している。グラフ０９２で示すように、第１減衰部００３ｂは１０（ＧＨｚ）以下では８（ｄＢ）の減衰量を維持している。グラフ０９３に示すように、第１減衰部００３ｃは１０（ＧＨｚ）以下では６（ｄＢ）の減衰量を維持している。したがって、各減衰部は１０（ＧＨｚ）までの高周波においても良好な減衰量を有していることがわかる。
【００７４】
また、図１０のグラフ１０１は第１減衰部００３ａのＶＳＷＲのシミュレーションのグラフである。グラフ１０２は第１減衰部００３ｂのＶＳＷＲのシミュレーションのグラフである。グラフ１０３は第１減衰部００３ｃの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１０１に示すように、第１減衰部００３ａは１０（ＧＨｚ）以下ではＶＳＷＲがおおよそ１．１程度（少なくとも１．１５以下）の値に抑えられている。また、グラフ１０２及びグラフ１０３に示すように、第１減衰部００３ｂ及び第１減衰部００３ｃは１０（ＧＨｚ）以下ではＶＳＷＲが１．１以下の値に抑えられている。したがって、各減衰部は１０（ＧＨｚ）までの高周波においても良好なＶＳＷＲの値が得られている。したがって、本実施例に係るステップ可変減衰器を使用すれば特性インピーダンスの整合性をとることが可能となる。
【００７５】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器も第１の実施形態に係るステップ可変減衰器と同様、減衰量及びＶＳＷＲの周波数特性はいずれも良好な値を示すので、容易に特性インピーダンスの整合性を得ることが可能である。また、本実施形態に係るステップ可変減衰器においては、上述した直流的特性インピーダンスにおける簡単な抵抗値を求める式を使用して、高周波信号を使用する特性インピーダンスの整合性の良好な分布定数型ステップ可変減衰器を作成することができる。さらに、本実施形態に係るステップ可変減衰器では、減衰量の異なる各減衰部を同じ材料で作成することができる。そのため、抵抗膜の材料を変えることなく１回の成膜プロセスでステップ可変の基板を生成することができる。さらに、減衰器の管理、製造を容易にすることができる。さらに、第２抵抗膜が半分になるため、製造コストを抑えることが可能となる。
【００７６】
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。本実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器は、第１の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器における第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５を温度によって抵抗値が変化する感温抵抗にしたものである。すなわち、本実施形態に係るステップ可変減衰器はステップ可変減衰器である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。本実施形態に係るステップ可変減衰器の模式図も図４で表わされる。
【００７７】
本実施形態に係るステップ可変減衰器は、第１の実施形態に係るアッテネータにおいて第１抵抗膜００４の抵抗値である第１抵抗値Ｒ１及び第２抵抗膜００５の抵抗値である第２抵抗値Ｒ２のそれぞれを、温度変化によってその抵抗値が変化するよう構成したものである。
【００７８】
ここで、第１抵抗値Ｒ１及び第２抵抗値Ｒ２は〈式３−１〉におけるＲが第１抵抗値Ｒ１であり、〈式３−１〉における１／Ｇが第２抵抗値Ｒ２／２である。
【００７９】
第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａは長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂは、長手方向の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃは、長手方向の長さＬ３（ｍｍ）を持つ。
【００８０】
各第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）を有する。また、各第１抵抗膜００４は抵抗値として第１抵抗値Ｒ１（Ω）を持つ。さらに、各第１抵抗膜００４ａは抵抗温度係数ｒ１（Ω／Ω／℃）を有する。ここで、抵抗温度係数とは１℃の温度変化に対して変化する抵抗値の比率を表わすものである。ここで、抵抗温度係数ｒ１は第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の温度係数である。
【００８１】
各第１抵抗膜００４は、自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。
【００８２】
各第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）を持つ。また、各第２抵抗膜００５は抵抗値として第２抵抗値Ｒ２（Ω）を持つ。さらに、各第２抵抗膜００５は抵抗温度係数ｒ２（Ω／Ω／℃）を有する。ここで、抵抗温度係数ｒ２は第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２の温度係数である。
【００８３】
そして、各第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が各第１抵抗膜００４の長手方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４を幅方向の両辺に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。
【００８４】
そして、基準温度をＴ０とした場合、１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）が第１抵抗膜００４の温度依存特性を表わす関数であるＦ１（Ｔ−Ｔ０）であり、１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）が第２抵抗膜００５の温度依存特性を表わす関数であるＦ２（Ｔ−Ｔ０）であり、
微分値{ΔＦ１（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝ｒ１
微分値{ΔＦ２（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝ｒ２
となる。
【００８５】
また、ここでは、温度依存特性として抵抗温度係数を用いて説明しているが、これは第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５のそれぞれのＢ定数であるＢ１、Ｂ２を用いて求めることもできる。その場合には、exp｛Ｂ１（１／Ｔ−１／Ｔ０）｝が第１抵抗膜００４の温度依存特性Ｆ１（Ｔ−Ｔ０）であり、exp｛Ｂ２（１／Ｔ−１／Ｔ０）｝が第２抵抗膜００５の温度依存特性Ｆ２（Ｔ−Ｔ０）であり、
微分値{ΔＦ１（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝Ｂ１
微分値{ΔＦ２（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝Ｂ２
となる。
【００８６】
次に、得ようとするステップ可変減衰器の減衰量温度係数に対して、設定する第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の抵抗温度係数の求める方法を説明する。ここで、減衰量温度係数とは１℃の温度変化に対して変化する減衰量の比率を表わすものである。
【００８７】
（構成）
以下で、上述した各抵抗値と特性インピーダンスＺ０及び減衰量Αなどとの関係を説明するとともに、所望の抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を構成するための、各構成要素を説明する。以下では、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａで構成される第１減衰部００３ａを例に説明する。
【００８８】
まず、得ようとする減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を決定する。
【００８９】
次に、基準温度Ｔ０（℃）のときの減衰量をΑ０（ｄＢ）、第１抵抗値Ｒ１をＲ１０（Ω）、第２抵抗値Ｒ２をＲ２０（Ω）とする。また、使用温度Ｔ（℃）のときの減衰量をΑｔ（ｄＢ）、第１抵抗値Ｒ１をＲ１（Ω）、第２抵抗値Ｒ２をＲ２（Ω）とした場合の、特性インピーダンスＺ０を一定にしたい。
【００９０】
特性インピーダンスＺ０は〈式３−１〉より、
Ｚ０＝（Ｒ１Ｒ２／２）１／２
＝［Ｒ１０Ｒ２０｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝／２］１／２
で表わされる。
【００９１】
そこで、特性インピーダンスＺ０の温度依存をなくすために抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を、
〈式６〉ｒ１＝−ｒ２
とする。
【００９２】
このように選択した場合、ｒ１、ｒ２の小さい範囲では、
｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝＝１
となる。
【００９３】
したがって〈式６〉のようにｒ１、ｒ２を選択すれば、
〈式７〉Ｚ０＝（Ｒ１０Ｒ２０／２）１／２＝（Ｒ１Ｒ２／２）１／２
を満たすといえる。
【００９４】
したがって、〈式６〉を満たすようにステップ可変減衰器を設計した場合、特性インピーダンスＺ０が温度変化に対して一定になる。
【００９５】
さらに、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を
〈式８〉
ｒ１≒ｒ
ｒ２≒−ｒ
とする。
【００９６】
また、〈式３−２〉より、
Αｔ＝（２Ｒ１／Ｒ２）１／２
＝８．６８６［２Ｒ１０｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝／Ｒ２０｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝］１／２
である。
【００９７】
これは、
〈式９〉
Αｔ＝Α０[｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝／｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝] １／２
Α０＝８．６８６（２Ｒ１０／Ｒ２０）１／２
と表わせる。
【００９８】
したがって、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉のように選択した場合、ｒ１及びｒ２が小さい範囲では、
〈式１０〉
Αｔ＝Α０｛１＋ｒ（Ｔ−Ｔ０）｝
Α０＝８．６８６（２Ｒ１０／Ｒ２０）１／２
を満たすことがわかる。
また、この場合〈式６〉も満たす。
【００９９】
一方〈式３−２〉より、Ｒ１０∝Ｌ１、１／Ｒ２０∝Ｌ１であるから
Α０∝Ｌ１であり、距離Ｌ１に比例する。
【０１００】
したがって、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉を満たすように作成した温度可変アッテネータの減衰量は、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）＝ｒの温度可変アッテネータとほぼ一致する。これにより、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉のように選択し温度可変アッテネータを作成することにより、減衰量が温度変化にほぼ比例の関係となる減衰量温度特性を有し、特性インピーダンスＺ０が一定である温度可変アッテネータを作成することができる。
【０１０１】
したがって、以上の式で表わされる値を基に、ステップ可変減衰器を作成することで、温度変化に対して減衰量がほぼ比例するステップ可変減衰器を作成することができる。
【０１０２】
（実施例３）
本実施形態に係るステップ可変減衰器として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、その比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、２５℃における第１減衰部００３ａの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α＝１０（ｄＢ）とする。また、２５℃における第１減衰部００３ｂの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝８（ｄＢ）とする。また、２５℃における第１減衰部００３ｃの減衰量Α１（ｄＢ）を、Α１＝６（ｄＢ）とする。
【０１０３】
本実施例では、図５に示すように、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．６（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）、各第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝３５．５（Ω／□）、抵抗温度係数ｒ１＝−０．００５（Ω／Ω／℃）、各第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝３３５（Ω／□）、抵抗温度係数ｒ２＝０．００５（Ω／Ω／℃）、第１減衰部００３ａにおける入力信号電極００９の長手方向の長さＬ４＝０．７５（ｍｍ）、入力信号電極００９の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ５＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５０（ｍｍ）としてステップ可変減衰器の第１減衰部００３ａ〜第１減衰部００３ｃを構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【０１０４】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（３５．５×３３５）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝４９．７８（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる感温型減衰器であるように構成した。
【０１０５】
また、各減衰部は抵抗温度係数ｒ１＝−０．００５であり、抵抗温度係数ｒ２＝＋０．００５であるので〈式８〉を満たし、減衰量温度係数Γ＝０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）である。
【０１０６】
図１１は上述の条件で、本実施例に係るステップ可変減衰器について減衰量の温度変化のシミュレーションを行ったものである。図１１は本実施例に係るステップ可変減衰器の各温度における減衰量の値を表したグラフである。図１１のグラフは縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を温度（℃）に採ったグラフである。
【０１０７】
図１１のグラフ１１１は第１減衰部００３ａの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１１２は第１減衰部００３ｂの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１１３は第１減衰部００３ｃの減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１１１、グラフ１１２、及びグラフ１１３で示すように、何れのグラフもｄＢ／ｄＢ／℃が一定である、すなわち、第１減衰部００３ａ、第１減衰部００３ｂ、及び第１減衰部００３ｃは減衰量温度係数Γが一定となっている。したがって、各減衰部は温度に比例して一定量の割合で減衰量が変化する減衰器となっている。
【０１０８】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器は温度変化によって減衰量が等しい割合で変化する、減衰量が異なる３つの減衰部を有する構成である。このため、操作者は必要とする減衰量を選択することができる。また、各感温減衰部の抵抗体は同じ材料で製造されるため、設計及び製造、並びに抵抗体の管理が容易になる。
【０１０９】
また、本実施形態に係るステップ可変減衰器においても、第２の実施形態と同様に第２抵抗膜を半分にした構成でも動作可能である。
【０１１０】
〔第４の実施形態〕
第４の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。図１２は本実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図である。本実施形態に係るステップ可変減衰器は、第１の実施形態に係るステップ可変減衰器の第１抵抗膜及び第２抵抗膜００５で構成される部分を２つの減衰部に分け、入力信号電極側が温度によって減衰量が変化する感温減衰部、出力信号電極側が減衰量温度係数が０である非感温減衰部とした構成である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。
【０１１１】
本実施形態に係るステップ可変減衰器は図１２に示すように、第１の実施形態に係るステップ可変減衰器において第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２が、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５と出力信号電極０１０との間に配置された構成であることが異なる。ここで、図１２において図４と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。
【０１１２】
本実施形態に係るステップ可変減衰器は図１２に示すように、第１抵抗膜００４（濃いドットで示された部材）、第２抵抗膜００５（左下がり斜め線で示された部材）、第３抵抗膜１２１（格子で示された部材）、第４抵抗膜１２２（右下がり斜め線で示された部材）、入力信号電極００９（紙面に向かって下側の縦縞で示された部材）、出力信号電極０１０（紙面に向かって上側の縦縞で示された部材）、及びアースパターン０１１（横縞で示された部分）が誘電体基板００２の上に配置された構成である。
【０１１３】
第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａは、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂは、長手方向の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃは、長手方向の長さＬ３（ｍｍ）を持つ。
【０１１４】
また、各第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）を持つ。また、各第１抵抗膜００４は、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、各第１抵抗膜００４は自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が各第３抵抗膜１２１と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。各第１抵抗膜００４は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１５】
各第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）を持つ。また、各第２抵抗膜００５は、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、各第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が各第１抵抗膜００４の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第２抵抗膜００５は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１６】
第３抵抗膜１２１は、第１抵抗膜００４と同じ幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ６（ｍｍ）を持つ。また、第３抵抗膜１２１は、第１抵抗膜００４と同じ第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第３抵抗膜１２１は自己の長手方向の一端の辺が第１抵抗膜００４と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。すなわち、上述の第１抵抗膜００４の長手方向の長さと第３抵抗膜１２１の長手方向の長さとを加えた距離は、入力信号電極００９から出力信号電極０１０までの距離と一致する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第３抵抗膜１２１は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１７】
第４抵抗膜１２２は、第２抵抗膜００５と同じ幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、第３抵抗膜１２１と同じ長手方向の長さＬ６（ｍｍ）を持つ。また、第４抵抗膜１２２は、第２抵抗膜００５と同じ第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第４抵抗膜１２２は、自己の幅方向の一端の辺が第３抵抗膜１２１の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第３抵抗膜１２１の幅方向の両辺に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第４抵抗膜１２２は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１８】
そして、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａにより第１減衰部００３ａが構成され、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂにより第１減衰部００３ｂが構成され、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃにより第１減衰部００３ｃが構成される。さらに、その減衰部に対応するように、第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２により第２減衰部００６ａ、第２減衰部００６ｂ、第２減衰部００６ｃが構成される。ここで、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａ、並びに第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２を例に減衰量温度係数Γ及び減衰量温度特性Ｐについて説明する。
【０１１９】
第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａが構成する第１減衰部００３ａの２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα１（ｄＢ／ｍｍ）とする。また、第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２が構成する第２減衰部００６ａの２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα２（ｄＢ／ｍｍ）とする。そして、第１減衰部００３ａの減衰量温度係数をγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）とする。さらに、第２減衰部００６ａの減衰量温度係数をγ２（ｄＢ／ｄＢ／℃）とする。本実施形態では実際には第１減衰部００３ａは非感温減衰部でありγ１＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃）であるがここでは説明の都合上まずはγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）とし、後にγ１＝０の場合を考えることとする。
【０１２０】
さらに、第１減衰部００３ａの長手方向の長さと第２減衰部００６ａの長手方向の長さとを加えた長さをＬ（ｍｍ）とする。そして、第１減衰部００３ａの長手方向の長さＬ１（ｍｍ）をＬ１＝（１−ａ）×Ｌ（ｍｍ）（ａ＜１）、第２減衰部００６ａの長手方向の長さＬ６（ｍｍ）をＬ６＝ａ×Ｌ（ｍｍ）（ａ＜１）とする。
【０１２１】
そして、Ｔ℃での本実施形態に係るステップ可変減衰器の減衰量Αｔ（ｄＢ）は、２５℃での第１減衰部００３ａの減衰量Α１＝α１×（１−ａ）×Ｌ、同じく２５℃での第２減衰部００６ａの減衰量Α２＝α２×ａ×Ｌとなる。
【０１２２】
そこで、Ｔ℃での本実施形態に係るステップ可変減衰器の減衰量Αｔ（ｄＢ）は、〈式１０〉より、次のようになる。
Αｔ＝α１×（１−ａ）×Ｌ×｛１＋γ１×（Ｔ−２５）｝＋α２×ａ×Ｌ×｛１＋γ２×（Ｔ−２５）｝
＝｛（１−ａ）α１＋ａα２｝×Ｌ＋｛（１−ａ）α１γ１＋ａα２γ２｝×Ｌ×（Ｔ−２５）｝
【０１２３】
したがって、本実施形態に係るステップ可変減衰器全体の２５℃での減衰量Α２５は、
Α２５＝｛（１−ａ）α１＋ａα２｝×Ｌ（ｄＢ）
となる。
【０１２４】
また、ステップ可変減衰器全体の減衰量温度係数Γは
Γ＝[｛（１−ａ）α１γ１＋ａα２γ２｝×Ｌ]／Α２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）
となる。
また、ステップ可変減衰器全体の減衰量温度特性Ｐは
Ｐ＝｛（１−ａ）α１γ１＋ａα２γ２｝×Ｌ（ｄＢ／℃）
となる。
【０１２５】
ここで、α１＝α２＝α０とし、γ１＝０（この場合、第１減衰部００３ａは非感温減衰部であり本実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材１００の構成がこれである。ここでは、第１減衰部００３ａを「非感温減衰部」、第２減衰部００６ａを「感温減衰部」という。）とすると、
Α２５＝α０×Ｌ（ｄＢ）
Γ＝ａ×α０×γ２×Ｌ／Α２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）＝ａγ２（ｄＢ／ｄＢ／℃）
Ｐ＝ａ×α０×γ２×Ｌ（ｄＢ／℃）
となる。
【０１２６】
これは、Γ＝α０γ２Ｌ６と表せ、α０Ｌ６＝第２減衰部００６ａの減衰量Α２、γ２はその減衰量温度係数である。したがって、２つの減衰部を感温減衰部と非感温減衰部とした場合、感温減衰部の長手方向の長さと非感温減衰部の長手方向の長さとを加えた長さＬで本実施形態に係るステップ可変減衰器の２５℃での減衰量が決定する。すなわち、２５℃の減衰量が減衰器の長さＬ５に比例する。また、減衰量温度係数Γは長手方向の長さ（Ｌ６＝ａ×Ｌ）により決まる。
【０１２７】
また、α１＝α２＝α０とし、γ１＝−γ２とすると、
Α２５＝α０×Ｌ（ｄＢ）
Γ＝（２ａ−１）×α０×γ２×Ｌ／Α２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）
Ｐ＝（２ａ−１）×α０×γ２×Ｌ（ｄＢ／℃）
となる。
【０１２８】
そこで、第１減衰部００３ａの長手方向の長さと第２減衰部００６ａの長手方向の長さとを加えた長さＬで本実施形態に係るステップ可変減衰器の２５℃での減衰量が決定する。また、第１減衰部００３ａの長手方向の長さＬ１から第２減衰部００６ａの長手方向の長さＬ６引いた値Ｌ１−Ｌ６＝（１−ａ）×Ｌ−ａＬ＝（１−２ａ）Ｌにより減衰量温度係数Γが決まる。この場合は、Γの値は−γ１＜γ＜γ１で変化できる。これにより、減衰量温度係数として正の値も負の値も採ることが可能な減衰部を容易に設計することができる。
【０１２９】
（実施例４）
本実施例に係るステップ可変減衰器の基板部材１００として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、比誘電率をεｒ＝３．７８とする。第１減衰部００３ａの減衰量Α１及び第２減衰部００６ａの減衰量Α２を加えた全体の減衰量Α２５（ｄＢ）を、Α２５＝１０（ｄＢ）とする。同様に、第１減衰部００３ｂの減衰量及び第２減衰部００６ｂの減衰量を加えた全体の減衰量をΑ２５＝８（ｄＢ）、第１減衰部００３ｃの減衰量及び第２減衰部００６ｃの減衰量を加えた全体の減衰量をΑ２５＝６（ｄＢ）とする。ここで、各減衰部における単位当たりの減衰量はα１＝α２＝α０＝１０÷２＝５（ｄＢ／ｍｍ）である。
【０１３０】
本実施例に係る第１減衰部００３ａは、図１２に示すように、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１＝１．６（ｍｍ）、第１減衰部００３ｂは、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）、第１減衰部００３ｃは、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ３＝０．４（ｍｍ）、第１減衰部００３ａ、第１減衰部００３ｂ、及び第１減衰部００３ｃの減衰量温度特性ｐ１＝０（ｄＢ／℃）（減衰量温度係数γ１＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃））
、第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２の長手方向の長さＬ６＝０．４（ｍｍ）、第２減衰部００６ａ、第２減衰部００６ｂ、及び第２減衰部００６ｃの減衰量温度特性ｐ２＝−０．０１（ｄＢ／℃）（減衰量温度係数γ２＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃））、各第１抵抗膜００４及び各第３抵抗膜１２１の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝３５．５（Ω／□）、各第２抵抗膜００５及び各第４抵抗膜１２２の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝３３５（Ω／□）、各入力信号電極００９の長手方向の長さと各第１抵抗膜００４の長手方向の長さを加えた長さはＬ１＋Ｌ４＝２．３５（ｍｍ）、入力信号電極００９の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ５＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ１＝１．６（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として各減衰部を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【０１３１】
ここで、各減衰部は、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（３５．５×３５５）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝４９．７８（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となるように構成した。
【０１３２】
そして、図１３は、本実施例に係るステップ可変減衰器について各減衰部におけるシミュレーションを行ったものである。図１３は本実施例に係るステップ可変減衰器の各減衰部のそれぞれの減衰量温度特性Ｐを表すグラフである。図１３のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を温度（℃）に採ったグラフである。
【０１３３】
そして、グラフ１３１は第１減衰部００３ａ及び第２減衰部００６ａを加えた全体の減衰量温度特性Ｐを表すグラフ、グラフ１３２は第１減衰部００３ｂ及び第２減衰部００６ｂを加えた全体の減衰量温度特性Ｐを表すグラフ、グラフ１３３は第１減衰部００３ｃ及び第２減衰部００６ｃを加えた全体の減衰量温度特性Ｐを表すグラフである。
【０１３４】
そして、グラフ１３１より、２５℃における第１減衰部００３ａ及び第２減衰部００６ａを加えた全体の減衰量は１０（ｄＢ）、グラフ１３２より、２５℃における第１減衰部００３ｂ及び第２減衰部００６ｂを加えた全体の減衰量は８（ｄＢ）、グラフ１３３より、２５℃における第１減衰部００３ｃ及び第２減衰部００６ｃを加えた全体の減衰量は６（ｄＢ）である。また、グラフ１３１、グラフ１３２、グラフ１３３いずれにおいてもおおよそ傾きは一定となっている。これは上述したように第１減衰部００３ａ、第１減衰部００３ｂ、及び第１減衰部００３ｃの長さに依存せずに、減衰量温度特性Ｐ＝−０．０１（ｄＢ／℃）が一定であることと一致する。
【０１３５】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器は、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）が一定で、減衰量（ｄＢ）を異ならせた複数の減衰部を有する構成である。そして、各減衰部は、構成する抵抗体などの材料が同一のものを使用するため、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１３６】
（実施例５）
本実施例に係るステップ可変減衰器は実施例４に係るステップ可変減衰器において、各第１抵抗膜００４と第３抵抗膜１２１との間に導体０１５を加えた構成である。図１４は本実施例に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を表す模式図である。
【０１３７】
図１４に示すように、導体０１５は長手方向の長さＬｄ＝０．４（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）である。また、アースパターン０１１の長手方向の長さはＬ１＋Ｌ６＋Ｌｄ＝２．４（ｍｍ）である。また、本実施例に係るそれ以外の各部材のサイズは実施例４の各部材のサイズと同一である。
【０１３８】
本実施例に係るステップ可変減衰器においても、減衰量温度特性のシミュレーション結果として実施例４とほぼ同様の結果が得られた。すなわち、本実施例に係るステップ可変減衰器は、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）が一定で、減衰量（ｄＢ）を異ならせた複数の減衰部を有する構成である。そして、各減衰部は、構成する抵抗体などの材料が同一のものを使用するため、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１３９】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器は、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）が一定で、減衰量（ｄＢ）を異ならせた複数の減衰部を有する構成である。そして、各減衰部は、構成する抵抗体などの材料が同一のものを使用するため、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１４０】
また、本実施形態に係るステップ可変減衰器においても（実施例４及び実施例５においても）、第２の実施形態と同様に第２抵抗膜を半分にした構成でも動作可能である。この場合にも各減衰部に同一の部材を使用して長さを異ならせるだけで、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）が一定で、減衰量（ｄＢ）を異ならせた複数の減衰部を有する構成にできる。
【０１４１】
〔第５の実施形態〕
第５の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。図１５は本実施形態及び実施例６に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を示す模式図である。ここで、長手方向の長さの違いはあるが各部材の配置としては第４の実施形態と同様であるため、本実施形態における各部材の符号は第４の実施形態で使用した符号を使用する。図１５において図１２と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。本実施形態における、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第４の実施形態と同じに扱える。
【０１４２】
本実施形態では、各減衰部の長手方向の長さ（第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜１２１を加えた長手方向の長さ）は常に一定でありＬ１＋Ｌ６＝２．０（ｍｍ）を有する。そして、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１（ｍｍ）であり、対応する第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２の長手方向の長さは２−Ｌ１＝０．４（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）であり、対応する第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２の長手方向の長さは２−Ｌ２＝０．８（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ３＝０．４（ｍｍ）であり、対応する第３抵抗膜１２１及び第４抵抗膜１２２の長手方向の長さは２−Ｌ３＝１．６（ｍｍ）である。
【０１４３】
（実施例６）
本実施例に係るステップ可変減衰器の基板部材１００として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、２５℃における第１減衰部００３ａ及び第２減衰部００６ａを加えた全体の減衰量Α２５（ｄＢ）を、Α２５＝１０（ｄＢ）とする。同様に、２５℃における第１減衰部００３ｂ及び第２減衰部００６ｂを加えた全体の減衰量Α２５及び第１減衰部００３ｃ及び第２減衰部００６ｃを加えた全体の減衰量Α２５も１０（ｄＢ）とする。そして、単位当たりの減衰量α０＝１０÷２＝５（ｄＢ／ｍｍ）である。
【０１４４】
本実施例に係る基板部材１００は、図１５に示すように、第１抵抗膜００４ａ及び第２抵抗膜００５ａの長手方向の長さＬ１＝２．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｂ及び第２抵抗膜００５ｂの長手方向の長さＬ２＝１．２（ｍｍ）、第１抵抗膜００４ｃ及び第２抵抗膜００５ｃの長手方向の長さＬ３＝０．４（ｍｍ）である。第１減衰部００３ａ、第１減衰部００３ｂ、及び第１減衰部００３ｃの減衰量温度係数γ１＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃）、第２減衰部００６ａ、第２減衰部００６ｂ、及び第２減衰部００６ｃの減衰量温度係数γ２＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）、各第１抵抗膜００４及び各第３抵抗膜１２１の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝３５．５（Ω／□）、各第２抵抗膜００５及び各第４抵抗膜１２２の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝３５５（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ２＝０．７５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さ２．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）としてステップ可変減衰器を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【０１４５】
ここで、各減衰部の特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（３５．５×３５５）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝４９．７８（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となるように構成した。
【０１４６】
図１６は、本実施例に係るステップ可変減衰器について各減衰部におけるシミュレーションを行ったものである。図１６は本実施例に係るステップ可変減衰器の各減衰部における温度変化に対応した減衰量（ｄＢ）を表すグラフである。図１６のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を温度（℃）に採ったグラフである。図１６のグラフ１６１は第１減衰部００３ａ及び第２減衰部００６ａを加えた全体の減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１６２は第１減衰部００３ｂ及び第２減衰部００６ｂを加えた全体の減衰量のシミュレーションのグラフである。グラフ１６３は第１減衰部００３ｃ及び第２減衰部００６ｃを加えた全体の減衰量のシミュレーションのグラフである。
【０１４７】
図１６のグラフを参照すると、第１減衰部００３ａ及び第２減衰部００６ａを加えた全体は、減衰量温度係数Γ＝−０．００１（ｄＢ／ｄＢ／℃）（これは、Γ＝ａ×α０×γ１×Ｌ／Α２５＝０．２×５×０．００５×２／１０＝−０．００１に一致する。）、減衰量温度特性Ｐ＝−０．０１（ｄＢ／℃）となる。また、第１減衰部００３ｂ及び第２減衰部００６ｂを加えた全体は、減衰量温度係数Γ＝−０．００２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）（これは、Γ＝０．５×５×０．００５×２／１０＝−０．００２５に一致する。）、減衰量温度特性Ｐ＝−０．０２５（ｄＢ／℃）となる。さらに、第１減衰部００３ｃ及び第２減衰部００６ｃを加えた全体は、減衰量温度係数Γ＝−０．００４（ｄＢ／ｄＢ／℃）（これは、Γ＝０．８×５×０．００５×２／１０＝−０．００４に一致する。）、減衰量温度特性Ｐ＝−０．０４（ｄＢ／℃）となる。
【０１４８】
したがって、本実施形態に係るステップ可変減衰器は、２５℃での減衰量は一定で、減衰量温度係数が異なる複数の減衰部を有する構成となる。そして、各減衰部は同一の材料で構成されている。これにより、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１４９】
（実施例７）
本実施例に係るステップ可変減衰器は実施例６に係るステップ可変減衰器において、各第１抵抗膜００４と第３抵抗膜１２１との間に導体０１５を加えた構成である。図１７は本実施例に係るステップ可変減衰器の減衰部の構成を表す模式図である。
【０１５０】
図１７に示すように、導体０１５は長手方向の長さＬｄ＝０．４（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）である。また、アースパターン０１１の長手方向の長さはＬ１＋Ｌ６＋Ｌｄ＝２．４（ｍｍ）である。また、本実施例に係るそれ以外の各部材のサイズは実施例４の各部材のサイズと同一である。
【０１５１】
本実施例に係るステップ可変減衰器においても、減衰量温度特性のシミュレーション結果として実施例６とほぼ同様の結果が得られた。すなわち、本実施例に係るステップ可変減衰器は、２５℃における減衰量Α（ｄＢ）が一定で、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を異ならせた複数の減衰部を有する構成である。そして、各減衰部は、構成する抵抗体などの材料が同一のものを使用するため、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１５２】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器は、減衰量Α（ｄＢ）が一定で、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を異ならせた複数の減衰部を有する構成である。そして、各減衰部は、構成する抵抗体などの材料が同一のものを使用するため、一回の成膜プロセスで各減衰部を同時に生成でき、設計、製造、及び管理が容易となる。
【０１５３】
また、本実施形態に係るステップ可変減衰器においても（実施例６及び実施例７においても）、第２の実施形態と同様に第２抵抗膜を半分にした構成でも動作可能である。この場合にも各減衰部に同一の部材を使用して長さを異ならせるだけで、減衰量（ｄＢ）が一定で、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を異ならせた複数の減衰部を有する構成にできる。
【０１５４】
〔第６の実施形態〕
第６の実施形態に係る分布定数型ステップ可変減衰器について説明する。図１８（Ａ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器の表面側からの斜視図である。図１８（Ｂ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器の裏面側からの斜視図である。さらに、図１９（Ａ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器の分解斜視図であり、図１９（Ｂ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器のロータと基板部材とを組み合わせた部材の裏面側からの斜視図である。また、図２０（Ａ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材（減衰部）の表面側の構成を表す模式図である。図２０（Ｂ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材の裏面側の構成を示す模式図である。本実施形態に係るステップ可変減衰器は第１〜５の実施形態に係るステップ可変減衰器の基板部材１００を図１９（Ｂ）及び図２０のように円環状に配置した構成である。そして、本実施形態に係るステップ可変減衰器は上述した各実施形態に係るステップ可変減衰器を変形したものに、全体を覆うためのカバー１、グランドばね７、ロータ２００、及びベース部材３を付加した構成である。この構成は、第１の実施形態に係るステップ可変減衰器のスライド方向を横への移動ではなく、円環状に移動するようにしたものである。
【０１５５】
まず、本実施形態に係る基板部材１００から説明する。図２０に示すように、誘電体基板００２の上に第１抵抗膜００４、第２抵抗膜００５、入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１で構成される複数の減衰部を円環状に配置する。本実施形態では減衰量が１（ｄＢ）、２（ｄＢ）、３（ｄＢ）、４（ｄＢ）、５（ｄＢ）を有する５つの減衰部と１つの導電体（減衰量０（ｄＢ））が配置されている。図２０に示すように第１抵抗膜００４の円環の半径と直交する方向の長さが０．５（ｍｍ）となる。そして、誘電体基板００２上の入力信号電極００９の両脇に半径と直交する方向の長さ０．５（ｍｍ）の第２抵抗膜００５を配置する。そして、各第２抵抗膜００５に接するようにアースパターン０１１を配置する。この基板部材１００の裏面は図２０（Ｂ）に示すように、円周付近にクリック穴０１６を配置し、裏面のほぼ全面にアースパターンを配置し、さらに、裏面のアースパターンと表面のアースパターン０１１を接続するスルーホール０１７を配置している。
【０１５６】
ロータ２００は、おおよそ円柱に円柱状の突起部が付いた形状である。ロータ２００は、基板部材１００側に基板部材１００を収めるための凹部を有している。そして、ロータ２００は基板部材１００のベース部材３とは逆側の面に配置される。そして、ロータ２００の基板部材１００の反対側の面には操作者が手動でつかめるように突起部が付いている。さらに、ロータ２００の基板部材１００と接する面の反対側の面グランドばね７を収納するための凹部を有している。さらに、ロータ２００の突起部には後述するカバー１上の目盛りを指し示す指標が設けられている。このロータ２００とグランドばね７とを組み合わせたものが本発明における「選択機構」にあたる。
【０１５７】
カバー１は、ロータ２００、グランドばね７、基板部材１００、及びおよびベース部材３を収める凹部を有する。また、カバー１の該凹部とは反対側の面にはロータ２００の突起部が貫通するための貫通孔があいている。さらに、カバー１の貫通孔の脇には減衰量Α（ｄＢ）のメモリが突起部の回転に合わせて円環状にふられている。
【０１５８】
カバー１は、貫通孔にロータ２００の突起部を貫通させた状態で、ロータ２００、グランドばね７、基板部材１００、及びベース部材３を覆う。そして、カバー１の底面部分にベース部材３が固定される。このとき貫通孔の中心点と基板部材１００の中心点（第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０が形成する円環の中心点）が一致するように配置される。
【０１５９】
カバー１はグランドばね７を介してロータ２００を基板部材１００方向に押圧する。ロータ２００は基板部材１００をベース部材３の方向に押圧する。基板部材１００はベース部材３に押圧され固定接点８と入力信号電極００９及び出力信号電極０１０が接触する。
【０１６０】
そして、上述の構成のステップ可変減衰器において、操作者はロータ２００の突起部を狭持し該突起部を回転させる。これにより、ロータ２００は、基板部材の中央部を中心に回転する。このときグランドばね７からの押圧力をロータ２００介して受けている基板部材１００は、摩擦力を受けてロータ２００か回転する方向に沿って移動する。
【０１６１】
この基板部材１００の回転により、基板部材１００上の何れかの減衰部が固定接点８と接触する。そして、ロータ２００の突起部の指標が指し示す減衰量に一致する減衰量Α（ｄＢ）を有する減衰部と固定接点８が接触するように構成されている。
【０１６２】
図２１（Ａ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器における各減衰部の減衰量の周波数特性のシミュレーション結果のグラフである。図２１（Ａ）のグラフは縦軸に減衰量（ｄＢ）、横軸に周波数（ＧＨｚ）採っている。図２１（Ｂ）は本実施形態に係るステップ可変減衰器における周波数ごとの各減衰部のＶＳＷＲの値のシミュレーション結果のグラフである。図２１（Ｂ）は縦軸にＶＳＷＲの値、横軸に周波数（ＧＨｚ）を採っている。
【０１６３】
図２１（Ａ）における、グラフ２１１は５（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２１２は４（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２１３は３（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２１４は２（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２１５は１（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２１６は０（ｄＢ）の減衰量を有する導電体のグラフである。図２１（Ａ）で示されるように、１０（ＧＨｚ）以下の高周波領域においても各減衰部ともに良好な減衰量の値を維持している。
【０１６４】
図２１（Ｂ）における、グラフ２２１は５（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２２２は４（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２２３は３（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２２４は２（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２２５は１（ｄＢ）の減衰量を有する減衰部のグラフである。グラフ２２６は０（ｄＢ）の減衰量を有する導電体のグラフである。図２１（Ｂ）で示されるように、１０（ＧＨｚ）以下の高周波領域においても各減衰部ともにＶＳＷＲの値が１．０５以下に抑えられており良好な値を維持している。
【０１６５】
したがって、本実施形態に係るステップ可変減衰器では、１０（ＧＨｚ）以下の高周波領域において各減衰部ともに減衰量及びＶＳＷＲが良好な値を示すため、１０（ＧＨｚ）以下の高周波領域において特性インピーダンスの整合性を容易にとることが可能となる。
【０１６６】
以上では、基板部材１００が第１の実施形態に係る実施例１の基板部材１００を変形した場合で説明したが、これは他の実施形態に係るステップ可変減衰器でも同様である。
【０１６７】
以上で説明したように、本実施形態に係るステップ可変減衰器ではロータ２００の突起部を回転させることで各実施形態に係るステップ可変減衰器が有する複数の減衰部のうちいずれか一つを選択できる構成である。これにより、操作者は容易に変化量を変化させることが可能である。また、何れの減衰部も同一の材料で構成されているため、設計、製造、及び管理が容易である。
【０１６８】
また、以上の説明では各減衰部の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０を選択的に固定接点８に接続させる構成のステップ可変減衰器の中の減衰部として説明を行ったが、何れの実施形態における基板部材１００も、その基板部材１００だけを取り出し入力信号電極００９及び出力信号電極０１０を裏面まで配置することで、多連分布定数型減衰器として使用してもよい。
【０１６９】
さらに以上で説明した多連分布定数型選択式減衰器の例として以下の形態がある。
【０１７０】
選択機構は、誘電体基板を第１固定接点及び前記第２固定接点を有するベース部材に押圧する弾性部材を有することを特徴とする。
【０１７１】
選択機構は、誘電体基板と反対側の面に突起部を有し、選択機構及び誘電体基板を収納するとともに、突起部に加えられる力に応じて選択機構及び誘電体基板をスライド可能に保持するカバー部材をさらに備えた、ことを特徴とする。
【０１７２】
基板部材が円環状に形成されており、かつ複数の単位減衰器は該円環状に沿って形成されており、カバー部材は選択部材及び誘電体基板を回転可能に保持することを特徴とする。
【０１７３】
所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極との間に接続されてなる第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜に並行するように所定間隔をあけて配置されたアースパターンと、前記アースパターンと前記第１抵抗膜との間に配置されこれらを電気的に接続するものであって、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、を含む単位減衰器が誘電体基板上に複数、各前記単位減衰器における第１抵抗膜及び第２抵抗膜の入力信号電極と出力信号電極とを結ぶ方向の長さが順次異なるように並置されている、ことを特徴とする。
【０１７４】
複数の単位減衰器はそれぞれ、第２抵抗膜が２つあり、第１抵抗膜の所定距離方向の相対する２つの辺のそれぞれに接して設けられていることを特徴とするものである。
【０１７５】
複数の単位減衰器はそれぞれ、第１シート抵抗値τ１又は第２シート抵抗値τ２のいずれか一方、もしくは双方が、温度依存を有するように、第１抵抗膜又は第２抵抗膜のいずれか一方、もしくは双方が構成されることを特徴とするものである。
【０１７６】
複数の単位減衰器はそれぞれ、第１シート抵抗値τ１の温度依存特性と第２シート抵抗値τ２の温度依存特性とは、基準温度Ｔ０に対する温度変化（Ｔ−Ｔ０）によって基準温度時のそれぞれの基準抵抗値に対して抵抗値が増減するときの増減方向が互いに逆で、基準抵抗値に対する抵抗値の増減量の絶対値がほぼ同じになるように、第１抵抗膜及び第２抵抗膜が構成されることを特徴とする。
【０１７７】
裏面がアースの表面上に所定距離Ｌだけ離れて設けられた入力信号電極及び出力信号電極と、特性インピーダンスＺ０で形成されるときのストリップラインの信号ラインの幅と同じ幅Ｗｓで、かつ前記入力信号電極と前記出力信号電極との間に、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜の幅Ｗｓを形成する２つの辺と該辺に所定幅Ｗｐで並行するアースパターンとの間に、該それぞれの辺と該アースパターンとに電気的に接して設けられ、かつ第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する２つの第２抵抗膜と、を含む単位減衰器が誘電体基板上に複数、各前記単位減衰器の第１抵抗膜及び第２抵抗膜の入力信号電極と出力信号電極とを結ぶ方向の長さがそれぞれ異なるように並置されており、
特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１／Ｗｓ）×（τ２×Ｗｐ）／２｝１／２（Ω）
減衰量ΑＴ＝Ｌ×｛２τ１／（τ２×Ｗｓ×Ｗｐ）｝１／２（Nepers）
で表わされる構成である、ことを特徴とする。
【０１７８】
複数の単位減衰器はそれぞれ、第１抵抗膜の抵抗値である第１抵抗値Ｒ１（Ｒ１＝（τ１／ｗＳ）・Ｌ）、前記第１抵抗膜に関する温度依存特性Ｆ１（Ｔ−Ｔ０）、第２抵抗膜の抵抗値である第２抵抗値Ｒ２（Ｒ２＝（τ２ｗＰ／２）／Ｌ）、及び第２抵抗膜に関する温度依存特性Ｆ２（Ｔ−Ｔ０）によって、
Ｒ１＝Ｒ１０×Ｆ１（Ｔ−Ｔ０）
Ｒ２＝Ｒ２０×Ｆ２（Ｔ−Ｔ０）
微分値｛ΔＦ１（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ｝≒微分値｛−ΔＦ２（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ｝
ただし、Ｔ０：基準温度、Ｔ：使用温度
Ｒ１０、Ｒ２０は、Ｔ＝Ｔ０のときのＲ１、Ｒ２の値（基準抵抗値）
つまり、Ｔ＝Ｔ０のときは、Ｆ１（Ｔ−Ｔ０）＝Ｆ２（Ｔ−Ｔ０）＝１
として表わされ、前記第１抵抗値Ｒ１及び前記第２抵抗値Ｒ２の２つの温度依存係数が所定範囲に亘って絶対値が同じで極性が異なるように、前記第１抵抗膜及び前記第２抵抗膜が構成されることにより、前記減衰量ΑＴを温度（Ｔ−Ｔ０）の変化にほぼ比例させ、かつ特性インピーダンスの温度依存の影響を軽減できる構成にしたことを特徴とする。
【符号の説明】
【０１７９】
１  カバー
２  スライダ
３  ベース部材
４  ベースグランド
５  入力電極
６  出力電極
７  グランドばね
８  固定接点
９  クリックばね
００２  誘電体基板
００３ａ、００３ｂ、００３ｃ  第１減衰部
００４ａ、００４ｂ、００４ｃ  第１抵抗膜（主抵抗体）
００５ａ、００５ｂ、００５ｃ  第２抵抗膜（副抵抗体）
００６ａ、００６ｂ、００６ｃ  第２減衰部
００９  入力信号電極
０１０  出力信号電極
０１１  アースパターン
０１５  導体
０１６  クリック穴
０１７  スルーホール
１００  基板部材
１２１  第３抵抗膜（主抵抗体）
１２２  第４抵抗膜（副抵抗体）
Α  減衰部の減衰量
α  単位長さ当たりの減衰量
τ  シート抵抗値
Ｒ  抵抗値
ｒ  抵抗温度係数
Γ  減衰器全体の減衰量の温度係数
γ  各減衰部の減衰量の温度係数
Ｐ  減衰量の温度特性
ｐ  各減衰部の減衰量の温度特性
ｔ  厚さ
Ｌ  長手方向の長さ
ｗ  幅方向の長さ
ａ  第１減衰部の長手方向の長さの割合
σ  電気伝導度
【図１】
2010232846.tif 000003
【図２】
2010232846.tif 000004
【図３】
2010232846.tif 000005
【図４】
2010232846.tif 000006
【図６】
2010232846.tif 000007
【図７】
2010232846.tif 000008
【図９】
2010232846.tif 000009
【図１０】
2010232846.tif 000010
【図１１】
2010232846.tif 000011
【図１３】
2010232846.tif 000012
【図１６】
2010232846.tif 000013
【図１７】
2010232846.tif 000014
【図１８】
2010232846.tif 000015
【図１９】
2010232846.tif 000016
【図２１】
2010232846.tif 000017
【図５】
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【図８】
2010232846.tif 000019
【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図２０】
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