(57)【要約】  【課題】  広い２つの通過帯域を有するとともに、２つの通過帯域の間に減衰極が形成されたバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。  【解決手段】  積層体の層間に配置された、第１の通過帯域を形成する第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと、第２の通過帯域を形成する第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35と、第１および第５の共振電極30ａ，31ａに対向して結合する第１の入出力結合電極40ａと、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃに対向して結合する第２の入出力結合電極40ｂとを備え、第１乃至第７の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄ，31ａ，31ｂ，31ｃは１／４波長共振器であり、第８の共振電極35は１／２波長共振器であるバンドパスフィルタとする。【選択図】  図２
2010199950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
該積層体の上面および下面の少なくとも一方に配置された接地電極と、
前記積層体の第１の層間に一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに順次配置された、それぞれ前記一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する帯状の第１乃至第４の共振電極と、
前記積層体の前記第１の層間とは異なる第２の層間に横並びに順次配置された、それぞれ一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する帯状の第５乃至第７の共振電極と、
前記第２の層間を間に挟んで前記第１の層間と反対側に位置する層間に配置された、前記第６の共振電極に平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第１部分および前記第７の共振電極に平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第２部分ならびに前記第１および第２部分の一方端同士を接続する接続部からなり、１／２波長共振器として機能する第８の共振電極と、
前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記第１および第５の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する第１の入出力結合電極と、
前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記第４および第７の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する第２の入出力結合電極とを備え、
前記第１の共振電極の前記一方端と前記第５の共振電極の前記一方端とが同じ側に位置しており、前記第４の共振電極の前記一方端と前記第７の共振電極の前記一方端とが同じ側に位置しており、前記第５の共振電極の前記一方端と前記第６の共振電極の他方端とが同じ側に位置しており、前記第６の共振電極の前記一方端と前記第１部分の他方端とが同じ側に位置しており、前記第７の共振電極の前記一方端と前記第２部分の他方端とが同じ側に位置しており、
前記第１の入出力結合電極は電気信号が入力または出力される第１の入出力点を備えており、該第１の入出力点は、前記第１の入出力結合電極の長さ方向において、前記第１および第５の共振電極との対向部の中央よりも前記第１および第５の共振電極の前記一方端から遠い側に位置しており、
前記第２の入出力結合電極は電気信号が入力または出力される第２の入出力点を備えており、該第２の入出力点は、前記第２の入出力結合電極の長さ方向において、前記第４および第７の共振電極との対向部の中央よりも前記第４および第７の共振電極の前記一方端から遠い側に位置しており、
通過特性において、前記第１乃至第４の共振電極によって形成される第１の通過帯域と、前記第５乃至第８の共振電極によって形成される第２の通過帯域とを有することを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載のバンドパスフィルタを備えることを特徴とする無線通信モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とする無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器に関するものであり、特に、２つの通過帯域を有するバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、新しい通信手段としてＵＷＢが着目されている。ＵＷＢは10ｍ程度の短い距離において広い周波数帯域を使用して大容量のデータ転送を実現するものであり、例えば米国ＦＣＣ（Federal Communication Commission）の規定によると3.1〜10.6ＧＨｚの周波数帯域を使用する計画となっている。このようにＵＷＢの特徴は非常に広い周波数帯域を用いることである。
【０００３】
このようなＵＷＢに使用可能な超広帯域のフィルタに関する研究は近年盛んに行なわれており、例えば、方向性結合器の原理を応用したバンドパスフィルタによって、通過帯域幅が比帯域（帯域幅／中心周波数）で100％を超える広帯域な特性が得られたとの報告がある（例えば、非特許文献１を参照。）。
【０００４】
一方、従来よく使用されるフィルタとして、複数の１／４波長ストリップライン共振器を併設して相互に結合させて構成したバンドパスフィルタが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2004−180032号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】「マイクロストリップ−ＣＰＷブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ」2005年３月電子情報通信学会総合大会講演論文集  C-2-114 p.147
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、非特許文献１および特許文献１にて提案されたバンドパスフィルタはそれぞれ問題点を有しており、ＵＷＢ用のバンドパスフィルタには適さないものであった。
【０００８】
例えば、非特許文献１にて提案されたバンドパスフィルタは通過帯域幅が広すぎるという問題があった。すなわち、ＵＷＢは基本的には3.1ＧＨｚ〜10.6ＧＨｚの周波数帯域を使用するが、国際電気通信連合無線通信部門では、ＩＥＥＥ802.11.aで使用する5.3ＧＨｚを避ける形で3.1〜4.7ＧＨｚ程度の帯域を使用するLow Band（ローバンド）と６ＧＨｚ〜10.6ＧＨｚ程度の帯域を使用するHigh Band（ハイバンド）とに分割した企画が立案されている。よって、ＵＷＢのLow BandおよびHigh Bandに使用されるフィルタには、それぞれ比帯域で40％〜50％程度の通過帯域幅と5.3ＧＨｚにおける減衰が同時に要求されるため、通過帯域幅が比帯域で100％を超えるような特性を有する非特許文献１にて提案されたバンドパスフィルタは通過帯域幅が広すぎて使えないものであった。
【０００９】
また、従来の１／４波長共振器を使用したバンドパスフィルタの通過帯域幅は狭すぎ、広帯域化を図った特許文献１に記載のバンドパスフィルタの通過帯域幅であっても比帯域で10％にも満たないものであった。よって、比帯域で40％〜50％に相当する広い通過帯域幅を要求されるＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして使えるものではなかった。
【００１０】
本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ＵＷＢのLow Band用フィルタおよびHigh Band用フィルタを１つのフィルタでまかなうことが可能な、広い２つの通過帯域を有するとともに、２つの通過帯域の間に減衰極が形成されたバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のバンドパスフィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、該積層体の上面および下面の少なくとも一方に配置された接地電極と、前記積層体の第１の層間に一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに順次配置された、それぞれ前記一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する帯状の第１乃至第４の共振電極と、前記積層体の前記第１の層間とは異なる第２の層間に横並びに順次配置された、それぞれ一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する帯状の第５乃至第７の共振電極と、前記第２の層間を間に挟んで前記第１の層間と反対側に位置する層間に配置された、前記第６の共振電極に平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第１部分および前記第７の共振電極に平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第２部分ならびに前記第１および第２部分の一方端同士を接続する接続部からなり、１／２波長共振器として機能する第８の共振電極と、前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記第１および第５の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する第１の入出力結合電極と、前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記第４および第７の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する第２の入出力結合電極とを備え、前記第１の共振電極の前記一方端と前記第５の共振電極の前記一方端とが同じ側に位置しており、前記第４の共振電極の前記一方端と前記第７の共振電極の前記一方端とが同じ側に位置しており、前記第５の共振電極の前記一方端と前記第６の共振電極の他方端とが同じ側に位置しており、前記第６の共振電極の前記一方端と前記第１部分の他方端とが同じ側に位置しており、前記第７の共振電極の前記一方端と前記第２部分の他方端とが同じ側に位置しており、前記第１の入出力結合電極は電気信号が入力または出力される第１の入出力点を備えており、該第１の入出力点は、前記第１の入出力結合電極の長さ方向において、前記第１および第５の共振電極との対向部の中央よりも前記第１および第５の共振電極の前記一方端から遠い側に位置しており、前記第２の入出力結合電極は電気信号が入力または出力される第２の入出力点を備えており、該第２の入出力点は、前記第２の入出力結合電極の長さ方向において、前記第４および第７の共振電極との対向部の中央よりも前記第４および第７の共振電極の前記一方端から遠い側に位置しており、通過特性において、前記第１乃至第４の共振電極によって形成される第１の通過帯域と、前記第５乃至第８の共振電極によって形成される第２の通過帯域とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の無線通信モジュールは、上記本発明のバンドパスフィルタを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の無線通信機器は、上記本発明のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のバンドパスフィルタによれば、第１乃至第４の共振電極は、一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに順次配置されて相互にインターデジタル型に電磁界結合するとともに、第５乃至第８の共振電極は、隣り合う共振電極の開放端同士が互い違いになるように配置されて相互にインターデジタル型に電磁界結合する。よって、第１乃至第４の共振電極間の電磁界結合および第５乃至第８の共振電極間の電磁界結合を強くすることができるので、第１乃至第４の共振電極によって形成される通過帯域および第５乃至第８の共振電極によって形成される通過帯域を広くすることができる。
【００１５】
また、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極は、第１および第５の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向するとともに、電気信号が入力または出力される第１の入出力点が、第１の入出力結合電極の長さ方向において、第１および第５の共振電極との対向部の中央よりも第１および第５の共振電極の一方端から遠い側に位置している。これにより、第１の入出力結合電極は、第１および第５の共振電極とブロードサイドでインターデジタル型に電磁界結合するので、第１および第５の共振電極と強く電磁界結合する。
【００１６】
さらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、第２の入出力結合電極は、第４および第７の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域と対向するとともに、電気信号が入力または出力される第２の入出力点が、第２の入出力結合電極の長さ方向において、第４および第７の共振電極との対向部の中央よりも第４および第７の共振電極の一方端から遠い側に位置している。これにより、第２の入出力結合電極は、第４および第７の共振電極とブロードサイドでインターデジタル型に電磁界結合するので、第４および第７の共振電極と強く電磁界結合する。
【００１７】
よって、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極が第１および第５の共振電極と強く電磁界結合するとともに、第２の入出力結合電極が第４および第７の共振電極と強く電磁界結合するので、２つの広い通過帯域の全体に渡って平坦で低損失な優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００１８】
またさらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極と第２の入出力結合電極との間に、第１の通過帯域を形成する第１乃至第４の共振電極と第２の通過帯域を形成する第５乃至第８の共振電極とが電気的に並列に接続されている。また、第１乃至第４の共振電極において、隣り合う共振電極同士はインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしており、第５乃至第８の共振電極において、隣り合う共振電極同士はインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしている。さらに、第１の入出力結合電極は第１および第５の共振電極とインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしており、第２の入出力結合電極は第４および第７の共振電極とインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしている。そして、第１乃至第７の共振電極は１／４波長共振器からなり第８の共振器は１／２波長共振器からなる。よって、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の通過帯域と第２の通過帯域との間に位置する周波数領域において、第１乃至第４の共振電極を介して伝達される電気信号と第５乃至第８の共振電極を介して伝達される電気信号とを打ち消し合わせて減衰極を形成することができるので、第１の通過帯域と第２の通過帯域との間に位置する周波数領域における減衰量が確保された良好な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００１９】
本発明の無線通信モジュールおよび本発明の無線通信機器によれば、２つの広い通過帯域の全域に渡って通過する信号の損失が小さく、かつ２つの通過帯域の間に形成された減衰極によって減衰量が充分に確保された本発明のバンドパスフィルタを通信信号の濾波に用いることにより、バンドパスフィルタを通過する通信信号の減衰が少なくなるとともにノイズも減少する。このため、受信感度が向上するとともに通信信号の増幅度を小さくできるため増幅回路における消費電力が少なくなる。さらに、本発明のバンドパスフィルタで２つの通信帯域の信号を濾波することができる。よって、小型で受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュールおよび無線通信機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。
【図２】図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。
【図３】図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図４】図１のＱ−Ｑ’線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態の第４の例の無線通信モジュールおよび無線通信機器を模式的に示すブロック図である。
【図８】第１の比較例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図９】第２の比較例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１２】第１の比較例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】第２の比較例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明のバンドパスフィルタを添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態の第１の例）
図１は、本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。図２は、図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図３は、図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。図４は、図１のＱ−Ｑ’線断面図である。
【００２２】
本例のバンドパスフィルタは、図１〜図４に示すように、積層体10と、第１の接地電極21と、第２の接地電極22と、第１の環状接地電極23と、第２の環状接地電極24と、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35と、第１の入出力結合電極40ａと、第２の入出力結合電極40ｂと、第１の入出力端子電極60ａと、第２の入出力端子電極60ｂとを備える。積層体10は、複数の誘電体層11が積層されてなる。第１の接地電極21は、積層体10の下面に配置されている。第２の接地電極22は、積層体10の上面に配置されている。帯状の第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄは、積層体10の第１の層間に、一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに順次配置されており、それぞれ一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する。第１の環状接地電極23は、積層体10の第１の層間に、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの周囲を囲むように配置されており、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの一方端が接続されている。帯状の第５乃至第７の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、積層体10の第２の層間に横並びに順次配置されており、それぞれ一方端が接地されて１／４波長共振器として機能する。第２の環状接地電極24は、積層体10の第２の層間に、第５乃至第７の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの周囲を囲むように配置されており、第５乃至第７の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの一方端が接続されている。第８の共振電極は、積層体10の第２の層間を間に挟んで第１の層間と反対側に位置する第３の層間に配置されており、第６の共振電極31ｂに平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第１部分35ａと、第７の共振電極31ｃに平行に近接配置されて電磁界結合する帯状の第２部分35ｂと、第１および第２部分35ａ，35ｂの一方端同士を接続する接続部71ｃとからなり、１／２波長共振器として機能する。第１の入出力結合電極40ａは、積層体10の第１の層間と第２の層間との間に位置する第３の層間に配置されており、第１および第５の共振電極30ａ，31ａの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第２の入出力結合電極40ｂは、積層体10の第３の層間に配置されており、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第１の入出力端子電極60ａは、積層体10の上面に第２の接地電極22と間を開けて配置されており、誘電体層11を貫通する貫通導体50によって、第１の入出力結合電極40ａの第１の入出力点45ａに接続されている。第２の入出力端子電極60ｂは、積層体10の上面に第２の接地電極22と間を開けて配置されており、誘電体層11を貫通する貫通導体50によって、第２の入出力結合電極40ｂに接続されている。
【００２３】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタは、例えば、第１の入出力端子電極60ａおよび貫通導体50を介して第１の入出力結合電極40ａの第１の入出力点45ａに外部回路からの電気信号が入力されると、第１の入出力結合電極40ａと電磁界結合する第１の共振電極30ａが励振されることによって、相互に電磁界結合する第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄが共振し、第４の共振電極30ｄと電磁界結合する第２の入出力結合電極40ｂの第２の入出力点45ｂから貫通導体50および第２の入出力端子電極60ｂを介して外部回路に電気信号が出力される。このとき、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄが共振する周波数を含む第１周波数帯域の信号が選択的に通過するため、これによって、第１の通過帯域が形成される。
【００２４】
また、第１の入出力端子電極60ａおよび貫通導体50を介して第１の入出力結合電極40ａの第１の入出力点45ａに外部回路からの電気信号が入力されると、第１の入出力結合電極40ａと電磁界結合する第５の共振電極31ａが励振されることによって、相互に電磁界結合する第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35が共振し、第７の共振電極31ｃと電磁界結合する第２の入出力結合電極40ｂの第２の入出力点45ｂから貫通導体50および第２の入出力端子電極60ｂを介して外部回路に電気信号が出力される。このとき、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35が共振する周波数を含む第２周波数帯域の信号が選択的に通過するため、これによって、第２の通過帯域が形成される。
【００２５】
このようにして、本例のバンドパスフィルタは、周波数の異なる２つの通過帯域を有するバンドパスフィルタとして機能する。
【００２６】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄは、一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに順次配置されて相互にインターデジタル型に電磁界結合することから、相互の電磁界結合を強くすることができるので、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄによって形成される通過帯域を広くすることができる。
【００２７】
また、本例のバンドパスフィルタによれば、第５の共振電極31ａの一方端と第６の共振電極31ｂの他方端とが同じ側に位置しており、第６の共振電極31ｂの一方端と第１部分35ａの他方端とが同じ側に位置しており、第７の共振電極31ｃの一方端と第２部分35ｂの他方端とが同じ側に位置していることから、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35は、隣り合う共振電極の開放端同士が互い違いになるように配置されて相互にインターデジタル型に電磁界結合する。よって、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35間の電磁界結合を強くすることができるので、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35によって形成される通過帯域を広くすることができる。
【００２８】
さらに、本例のバンドパスフィルタによれば、第１の共振電極30ａの一方端と第５の共振電極の一方端とが同じ側に位置するように配置されており、第１の入出力結合電極40ａは、第１および第５の共振電極30ａ，31ａの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向するように配置されている。そして、第１の入出力点45ａは、第１の入出力結合電極40ａの長さ方向において、第１および第５の共振電極30ａ，31ａとの対向部の中央よりも第１および第５の共振電極30ａ，31ａの一方端から遠い側に位置している。これにより、第１の入出力結合電極40ａは、第１および第５の共振電極30ａ，31ａとブロードサイドでインターデジタル型に電磁界結合するので、第１および第５の共振電極30ａ，31ａと強く電磁界結合する。
【００２９】
またさらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、第４の共振電極30ｄの一方端と第７の共振電極の一方端とが同じ側に位置するように配置されており、第２の入出力結合電極40ｂは、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向するように配置されている。そして、第２の入出力点45ｂは、第２の入出力結合電極40ｂの長さ方向において、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃとの対向部の中央よりも第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃの一方端から遠い側に位置している。これにより、第２の入出力結合電極40ｂは、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃとブロードサイドでインターデジタル型に電磁界結合するので、第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃと強く電磁界結合する。
【００３０】
よって、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａが第１および第５の共振電極30ａ，31ａと強く電磁界結合するとともに、第２の入出力結合電極40ｂが第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃと強く電磁界結合するので、２つの広い通過帯域の全体に渡って平坦で低損失な優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００３１】
またさらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの間に、第１の通過帯域を形成する第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと第２の通過帯域を形成する第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35とが電気的に並列に接続されている。また、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄにおいて、隣り合う共振電極同士はインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしており、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35において、隣り合う共振電極同士はインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしている。さらに、第１の入出力結合電極40ａは第１および第５の共振電極30ａ，31ａとインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしており、第２の入出力結合電極40ｂは第４および第７の共振電極30ｄ，31ｃとインターデジタル型の電磁界結合によって主に容量性の結合をしている。そして、第１乃至第７の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄ，31ａ，31ｂ，31ｃは１／４波長共振器からなり、第８の共振電極35は１／２波長共振器からなる。よって、本例のバンドパスフィルタによれば、第１の通過帯域と第２の通過帯域との間に位置する周波数領域において、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄを介して伝達される電気信号と第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35を介して伝達される電気信号とを打ち消し合わせて減衰極を形成することができるので、第１の通過帯域と第２の通過帯域との間に位置する周波数領域における減衰量が確保された良好な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００３２】
本例のバンドパスフィルタにおいて、誘電体層11の材質としては、例えばエポキシ樹脂等の樹脂や例えば誘電体セラミックス等のセラミックスを用いることができる。例えば、ＢａＴｉＯ３，Ｐｂ４Ｆｅ２Ｎｂ２Ｏ１２，ＴｉＯ２等の誘電体セラミック材料と、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ等のガラス材料とからなり、800〜1200℃程度の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられる。また、誘電体層11の厚みとしては、例えば0.01〜0.1ｍｍ程度に設定される。
【００３３】
前述した各種の電極および貫通導体の材質としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ等のＡｇ合金を主成分とする導電材料やＣｕ系，Ｗ系，Ｍｏ系，Ｐｄ系導電材料等が好適に用いられる。各種の電極の厚みは、例えば0.001〜0.2ｍｍに設定される。
【００３４】
本例のバンドパスフィルタは、例えば次のようにして作製することができる。まず、セラミック原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して泥漿を作製するとともに、ドクターブレード法によってセラミックグリーンシートを形成する。次に、得られたセラミックグリーンシートにパンチングマシーン等を用いて貫通導体を形成するための貫通孔を形成し、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕ等の導体を含む導体ペーストを充填するとともにセラミックグリーンシートの表面に印刷法を用いて前述したのと同様の導体ペーストを塗布して導体ペースト付きセラミックグリーンシートを作製する。次に、これらの導体ペースト付きセラミックグリーンシートを積層し、ホットプレス装置を用いて圧着し、800℃〜1050℃程度のピーク温度で焼成することにより作製される。
（実施の形態の第２の例）
図５は、本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。なお、本例においては前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００３５】
本例のバンドパスフィルタにおいては、図５に示すように、第１の入出力結合電極40ａは、帯状の第１の下側電極41ａと、帯状の第１の上側電極42ａと、第１の接続導体43ａと、第１の接続補助導体44ａとで構成されている。第１の下側電極41ａは、積層体10の第１の層間と第２の層間との間に位置する層間Ａに配置されて、第１の共振電極30ａの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第１の上側電極42ａは、積層体10の層間Ａと第２の層間との間に位置する層間Ｂに配置されて、第５の共振電極31ａの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第１の接続導体43ａは、第１の下側電極41ａおよび第１の上側電極42ａの一方端側同士を接続する。第１の接続補助導体44ａは、第１の下側電極41ａおよび第１の上側電極42ａの他方端側同士を接続する。そして、第１の入出力点45ａは、第１の下側電極41ａの一方端側の端部に位置する。
【００３６】
また、本例のバンドパスフィルタにおいては、第２の入出力結合電極40ｂは、帯状の第２の下側電極41ｂと、帯状の第２の上側電極42ｂと、第２の接続導体43ｂと、第２の接続補助導体44ｂとで構成されている。第２の下側電極41ｂは、積層体の層間Ａに配置されて、第４の共振電極30ｄの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第２の上側電極42ｂは、積層体10の層間Ｂに配置されて、第７の共振電極31ｃの長さ方向の半分以上に渡る領域と対向して電磁界結合する。第２の接続導体43ｂは、
第２の下側電極41ｂおよび第２の上側電極42ｂの一方端側同士を接続する。第２の接続補助導体44ｂは、第２の下側電極41ｂおよび第２の上側電極42ｂの他方端側同士を接続する。そして、第２の入出力点45ｂは、第２の下側電極41ｂの一方端側の端部に位置する。
【００３７】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第１の共振電極30ａおよび第４の共振電極30ｄとの間隔を維持したままで、第１の共振電極30ａと第５の共振電極31ａとの間隔を広げることができる。これにより、第１の共振電極30ａと第５の共振電極31ａとの直接的な電磁界結合を弱めることができるので、第１の入出力結合電極40ａと第１の共振電極30ａおよび第４の共振電極30ｄとの電磁界結合をさらに強くすることができる。
【００３８】
同様に、本例のバンドパスフィルタによれば、第２の入出力結合電極40ｂと第４の共振電極30ｄおよび第７の共振電極31ｃとの間隔を維持したままで、第４の共振電極30ｄと第７の共振電極31ｃとの間隔を広げることができる。これにより、第４の共振電極30ｄと第７の共振電極31ｃとの直接的な電磁界結合を弱めることができるので、第２の入出力結合電極40ｂと第４の共振電極30ｄおよび第７の共振電極31ｃとの電磁界結合をさらに強くすることができる。
【００３９】
このため、本例のバンドパスフィルタによれば、２つの広い通過帯域の全体に渡って、より平坦でより低損失な、優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４０】
また、本例のバンドパスフィルタは、共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄを備えている。共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄは、積層体10の層間Ａおよび層間Ｃに、第１の環状接地電極23と対向するように配置されており、それぞれ、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの他方端部に貫通導体50を介して接続されている。
【００４１】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄと第１の環状接地電極23との間に生じる静電容量により、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの長さを短縮することができるので、より小型のバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４２】
さらに、本例のバンドパスフィルタは、第１の結合補助電極46ａおよび第２の結合補助電極46ｂを備えている。第１の結合補助電極46ａは、積層体10の層間Ｂに、共振補助電極32ａと対向するように配置されている。また、第１の結合補助電極46ａは、一方端部が貫通導体50を介して第１の下側電極41ａの一方端部の第１の入出力点45ａに接続されるとともに、他方端部が他の貫通導体50を介して第１の入出力端子電極60ａに接続されている。第２の結合補助電極46ｂは、積層体10の層間Ｂに、共振補助電極32ｄと対向するように配置されいる。また、第２の結合補助電極46ｂは、一方端部が貫通導体50を介して第２の下側電極41ｂの一方端部の第２の入出力点45ｂに接続されるとともに、他方端部が他の貫通導体50を介して第２の入出力端子電極60ｂに接続されている。
【００４３】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１の共振電極30ａおよび共振補助電極32ａの接合体と、第１の入出力結合電極40ａおよび第１の結合補助電極46ａの接合体とが、全体的にブロードサイドでインターデジタル型に強く電磁界結合する。また、第２の共振電極30ｂおよび共振補助電極32ｄの接合体と、第２の入出力結合電極40ｂおよび第２の結合補助電極46ｂの接合体とが、全体的にブロードサイドでインターデジタル型に強く電磁界結合する。これにより、２つの広い通過帯域の全体に渡って、さらに平坦で、さらに低損失な、優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
（実施の形態の第３の例）
図６は、本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。なお、本例においては前述した第２の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００４４】
本例のバンドパスフィルタは、図６に示すように、積層体10の層間Ｄに配置された第１の共振器結合電極71と、積層体10の層間Ｅに配置された第２の共振器結合電極72とを備えている。
【００４５】
第１の共振器結合電極71は、結合部71ａと、結合部71ｂと、結合部71ａおよび結合部71ｂの一方端同士を接続する接続部71ｃとで構成されている。結合部71ａは第１の共振電極30ａの一方端側と対向するように配置されており、結合部71ａの他方端部は貫通導体50を介して第１の環状接地電極23に接続されている。結合部71ｂは第４の共振電極30ｄの一方端側と対向するように配置されており、結合部71ｂの他方端部は他の貫通導体50を介して第１の環状接地電極23に接続されている。
【００４６】
第２の共振器結合電極72は、結合部72ａと、結合部72ｂと、結合部72ａおよび結合部72ｂの一方端同士を接続する接続部72ｃとで構成されている。結合部72ａは第５の共振電極31ａの一方端側と対向するように配置されており、結合部72ｂは第７の共振電極31ｃの一方端側と対向するように配置されている。
【００４７】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの間において、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの隣り合う共振器同士の電磁界結合を介して伝達される電気信号と、第１の共振器結合電極71を介して伝達される電気信号とが互いの位相差によって打ち消し合って生じる減衰極を、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄで構成される第１の通過帯域の両側近傍に形成することができる。
【００４８】
また、本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの間において、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35の隣り合う共振器同士の電磁界結合を介して伝達される電気信号と、第２の共振器結合電極72を介して伝達される電気信号とが互いの位相差によって打ち消し合って生じる減衰極を、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35で構成される第２の通過帯域の両側近傍に形成することができる。
【００４９】
さらに、本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの間において、第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの隣り合う共振器同士の電磁界結合を介して伝達される電気信号および第１の共振器結合電極71を介して伝達される電気信号が合成された電気信号と、第５乃至第８の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，35の隣り合う共振器同士の電磁界結合を介して伝達される電気信号および第２の共振器結合電極72を介して伝達される電気信号が合成された電気信号とが互いの位相差によって打ち消し合う。この現象が、第１の通過帯域の高周波側近傍に生じる減衰極と、第２の通過帯域の低周波側近傍に生じる減衰極との間に位置する周波数領域で発生するので、この周波数領域に減衰極を形成することができる。
【００５０】
このようにして、本例のバンドパスフィルタによれば、２つの通過帯域の間に位置する周波数領域に３つの減衰極が生じるので、２つの通過帯域の間の周波数領域における減衰量が充分に確保された優れた通過特性を備えるバンドパスフィルタを得ることができる。
【００５１】
（実施の形態の第４の例）
図７は本発明の実施の形態の第４の例の無線通信モジュール80および無線通信機器85を模式的に示すブロック図である。
【００５２】
本例の無線通信モジュール80は、例えば、ベースバンド信号が処理されるベースバンド部81と、ベースバンド部81に接続されベースバンド信号の変調後および復調前のＲＦ信号が処理されるＲＦ部82とを備えている。ＲＦ部82には前述した本発明のバンドパスフィルタ821が含まれており、ベースバンド信号が変調されてなるＲＦ信号または受信したＲＦ信号における通信帯域以外の信号をバンドパスフィルタ821によって減衰させている。
【００５３】
具体的な構成としては、ベースバンド部81にはベースバンドＩＣ  811が配置され、ＲＦ部82にはバンドパスフィルタ821とベースバンド部81との間にＲＦ  ＩＣ  822が配置されている。なお、これらの回路間には別の回路が介在していてもよい。そして、無線通信モジュール80のバンドパスフィルタ821にアンテナ84を接続することによってＲＦ信号の送受信がなされる本例の無線通信機器85が構成される。
【００５４】
このような構成を有する本例の無線通信モジュール80および無線通信機器85によれば、２つの広い通過帯域の全域に渡って低損失であるとともに、２つの通過帯域の間に減衰極が形成されて減衰量が充分に確保された本発明のバンドパスフィルタ821を用いて、２つの通信帯域の信号の濾波を行なうことができる。これにより、通信信号の減衰を少なくするとともに、ノイズを少なくすることができるため、受信感度が向上するとともに、通信信号の増幅度を小さくすることができるので、増幅回路における消費電力が少なくなる。さらに、２つの通信帯域の濾波を１つのフィルタによって行うことができるので、回路構成を簡略化できるとともに部品点数を削減することができる。よって、小型で受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュール80および無線通信機器85を得ることができる。
【００５５】
（変形例）
本発明は前述した実施の形態の第１〜第４の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。
【００５６】
例えば、前述した実施の形態の第１〜第３の例においては、第１の入出力端子電極60ａおよび第２の入出力端子電極60ｂを備えた例を示した。しかしながら、モジュール基板の中の一領域にバンドパスフィルタが形成される場合等では、第１の入出力端子電極60ａおよび第２の入出力端子電極60ｂは必ずしも必要ではなく、例えば、モジュール基板内の外部回路からの配線導体が、第１の入出力結合電極40ａおよび第２の入出力結合電極40ｂに直接接続するようにしても構わない。この場合には、第１の入出力結合電極40ａおよび第２の入出力結合電極40ｂと配線導体との接続点が、第１の入出力点45ａおよび第２の入出力点45ｂとなる。
【００５７】
また、前述した実施の形態の第１〜第３の例においては、積層体10の下面に第１の接地電極21を配置し、積層体10の上面に第２の接地電極22を配置した例を示したが、例えば、第１の接地電極21の下にさらに誘電体層を配置しても構わないし、第２の接地電極22の上にさらに誘電体層を配置しても構わない。また、第１の接地電極21および第２の接地電極22の一方のみを備えるようにしても構わない。
【００５８】
またさらに、前述した実施の形態の第１〜第３の例においては、バンドパスフィルタが１つの積層体10の中に構成された例を示したが、厚み方向に積層された複数の積層体にまたがってバンドパスフィルタが構成されるようにしてもかまわない。
【００５９】
さらにまた、前述した実施の形態の第１〜第３の例においては、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとが積層体10の同じ層間に配置され、第８の共振電極35の第１部分35ａと第２部分35ｂとが積層体10の同じ層間に配置された例を示した。しかしながら、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとは、積層体10の第１の層間と第２の層間との間であれば、異なる層間に配置されるようにしても構わない。同様に、第８の共振電極35の第１部分35ａと第２部分35ｂとが、積層体10の異なる層間に配置されるようにしても構わない。
【００６０】
またさらに、ＵＷＢに用いられるバンドパスフィルタを例示してこれまで説明を行なってきたが、他の用途においても本発明のバンドパスフィルタが有効であることは言うまでもない。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明のバンドパスフィルタの具体例について説明する。
【００６２】
図５に示した本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタと、図６に示した本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタと、図８に示した第１の比較例のバンドパスフィルタと、図９に示した第２の比較例のバンドパスフィルタとの電気特性を有限要素法を用いたシミュレーションによって算出した。第１の比較例のバンドパスフィルタは、図８に示すように、図５に示した構造における第８の共振電極35を、積層体10の第２の層間の第６の共振電極31ｂおよび第７の共振電極31ｃの間に配置された１／４波長共振器31ｄに置き換えた構造とした。第２の比較例のバンドパスフィルタは、図９に示すように、図６に示した構造における第８の共振電極35を、積層体10の第２の層間の第６の共振電極31ｂおよび第７の共振電極31ｃの間に配置された１／４波長共振器31ｄに置き換えるとともに、第２の共振器結合電極72の両端を貫通導体50を介して第２の環状接地電極24に接続した構造とした。
【００６３】
図６に示した実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタのシミュレーションにおいて、複数の第１乃至第４の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄは幅が0.15ｍｍで長さが3.5ｍｍの矩形状とし、第１の共振電極30ａと第２の共振電極30ｂとの間隔および第３の共振電極30ｃと第４の共振電極30ｄとの間隔はそれぞれ0.19ｍｍとし、第２の共振電極30ｂと第３の共振電極30ｃとの間隔は0.185ｍｍとした。複数の第５乃至第７の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは幅が0.18ｍｍで長さが2.54ｍｍの矩形状とし、第５の共振電極31ａと第６の共振電極31ｂとの間隔は0.145ｍｍとした。第８の共振電極35については、第１部分35ａは幅0.21ｍｍで長さ2.99ｍｍとし、第２部分35ｂは幅0.15ｍｍで長さ3.19ｍｍとし、接続部35ｃは幅0.257ｍｍで長さ0.25ｍｍとした。共振補助電極32ａ，32ｄは、それぞれ幅が0.42ｍｍで長さが0.53ｍｍの矩形と幅が0.2ｍｍで長さが0.5ｍｍの矩形とを接合した形状とした。共振補助電極32ｂ，32ｃは、それぞれ幅が0.4ｍｍで長さが0.52ｍｍの矩形と幅が0.2ｍｍで長さが0.5ｍｍの矩形とを接合した形状とした。第１の下側電極41ａおよび第２の下側電極41ｂは、幅が0.15ｍｍで長さが3.5ｍｍの矩形状とし、第１の上側電極42ａおよび第２の上側電極42ｂは、幅が0.15ｍｍで長さが3.1ｍｍの矩形状とした。第１の接続導体43ａおよび第１の接続補助導体44ａは、第１の下側電極41ａおよび第１の上側電極42ａの対向領域において両端からそれぞれ0.1ｍｍの位置に配置した。第１の接続導体43ａおよび第１の接続補助導体44ａは、第２の下側電極41ｂおよび第２の上側電極42ｂの対向領域において両端からそれぞれ0.1ｍｍの位置に配置した。第１の結合補助電極46ａおよび第２の結合補助電極46ｂは幅が0.15ｍｍで長さが1.2ｍｍの矩形状とした。第１の共振器結合電極71については、結合部71ａ，71ｂはそれぞれ幅が0.1ｍｍで長さが1.975ｍｍの矩形状とし、接続部71ｃは幅が0.1ｍｍで長さが0.865ｍｍの矩形状とした。第２の共振器結合電極72については、結合部72ａ，72ｂはそれぞれ幅が0.1ｍｍで長さが0.6ｍｍの矩形状とし、接続部72ｃは幅が0.1ｍｍで長さが0.762ｍｍの矩形状とした。第１の入出力端子電極60ａおよび第２の入出力端子電極60ｂはそれぞれ一辺が0.3ｍｍの正方形とし、第２の接地電極22との間隔は0.2ｍｍとした。第１の接地電極21，第２の接地電極22，第１の環状接地電極23および第２の環状接地電極24の外形は幅が３ｍｍで長さが５ｍｍの矩形状とし、第１の環状接地電極23の開口部は幅が2.4ｍｍで長さが3.65ｍｍの矩形状とし、第２の環状接地電極24の開口部は幅が2.4ｍｍで長さが2.69ｍｍの矩形状とした。バンドパスフィルタ全体の形状は、幅が３ｍｍで長さが５ｍｍで厚みが0.975ｍｍとし、厚み方向の中央部に層間Ａおよび層間Ｂが位置するようにした。第１〜３の層間および層間Ａ〜Ｅにおいて、隣り合う層間の間隔（隣り合う層間に配置された各種電極同士の間隔）はそれぞれ0.065ｍｍとした。各種電極の厚みは0.01ｍｍとした。第１の接続導体43ａ，第１の接続補助導体44ａ，第２の接続導体43ｂ，第２の接続補助導体44ｂおよび貫通導体50の直径は0.1ｍｍとした。誘電体層11の比誘電率は9.45とした。
【００６４】
図５に示した実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタのシミュレーションにおいては、上述した形状寸法を備える図６に示した実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタから、そのまま第１の共振器結合電極71および第２の共振器結合電極72ならびにこれらに接続する貫通導体50を取り除いた構造とした。
【００６５】
第２の例のバンドパスフィルタ，第３の例のバンドパスフィルタ，第１の比較例のバンドパスフィルタおよび第２の比較例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を、それぞれ図10，図11，図12および図13に示す。それぞれのグラフは、バンドパスフィルタの通過特性（Ｓ21）および反射特性（Ｓ11）を示しており、横軸は周波数で縦軸は減衰量を示している。
【００６６】
図10に示す第２の例のバンドパスフィルタの通過特性においては、第１の通過帯域と第２の通過帯域との間に減衰極が形成されているが、図12に示す第１の比較例のバンドパスフィルタの通過特性には、その減衰極がないことがわかる。また、図11に示す第３の例のバンドパスフィルタの通過特性においては、第１の通過帯域の高周波側近傍の減衰極と第２の通過帯域の低周波側近傍の減衰極との間に、もう１つの減衰極が形成されているが、図13に示す第２の比較例のバンドパスフィルタの通過特性においては、その減衰極がないことがわかる。そして、実施の形態の第２の例および第３の例のバンドパスフィルタの通過特性では、第１および第２の比較例のバンドパスフィルタの通過特性よりも、第１の通過帯域及び第２の通過帯域の間の周波数領域における減衰量がそれぞれ増加していることがわかる。これにより、本発明の有効性が確認できた。
【符号の説明】
【００６７】
10：積層体
11：誘電体層
30ａ：第１の共振電極
30ｂ：第２の共振電極
30ｃ：第３の共振電極
30ｄ：第４の共振電極
31ａ：第５の共振電極
31ｂ：第６の共振電極
31ｃ：第７の共振電極
35：第８の共振電極
35ａ：第１部分
35ｂ：第２部分
35ｃ：接続部
40ａ：第１の入出力結合電極
40ｂ：第２の入出力結合電極
45ａ：第１の入出力点
45ｂ：第２の入出力点
80：無線通信モジュール
81：ベースバンド部
82：ＲＦ部
821：バンドパスフィルタ
84：アンテナ
85：無線通信機器
【図１】
2010199950.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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