(57)【要約】【課題】表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した構成の液晶表示装置であって、アレイ基板ＡＲは、絶縁基板２０と、絶縁基板の上に配置されたゲート線Ｙと、ゲート線を覆うように配置された第１絶縁膜２２と、第１絶縁膜の上に配置された第１電極Ｅ１と、第１絶縁膜の上においてゲート線と交差するように配置されたソース線Ｘと、第１絶縁膜の上においてソース線から離間しゲート線と対向するように配置されたシールド電極ＳＥと、第１電極、ソース線、及び、シールド電極を覆うように配置された第２絶縁膜２４と、第２絶縁膜の上において第１電極と対向するスリットＳＬが形成された第２電極Ｅ２と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に配置されたゲート線と、
前記絶縁基板及び前記ゲート線を覆うように配置された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上において前記ゲート線と交差するように配置されたソース線と、
前記第１絶縁膜の上において前記ソース線から離間し、前記ゲート線と対向するように配置されたシールド電極と、
前記第１絶縁膜、前記第１電極、前記ソース線、及び、前記シールド電極を覆うように配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上において、前記第１電極と対向するように配置され、且つ、前記シールド電極と電気的に接続され、前記第１電極と対向するスリットが形成された第２電極と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は、前記第１電極と同一材料であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極は、前記ソース線と同一材料であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁基板の上に配置されたコモン電位のコモン配線を備え、
前記第２電極は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記コモン配線に電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、画素がマトリクス状に配置された表示エリアの全域にわたって一面に形成されたことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜の上に配置され前記第１電極に接続されたドレイン電極を含むスイッチング素子を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１電極及び前記第２電極は、光透過性を有する導電材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、窒化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置を構成する一方の基板に一対の電極を備えた構造の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。このような液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画素電極とコモン電極との間の電界によって液晶層を通過する光に対する変調率を制御し、画像を表示するものである。
【０００３】
このような液晶表示装置において、広視野角化の観点から、横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が特に注目されている。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＩＰＳ）モードや、Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）モードなどの横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極とコモン電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００４】
例えば、特許文献１によれば、窒化シリコンで構成されたＦＦＳ絶縁膜を介して画素電極と共通電極とを形成し、電極間に電圧を印加して基板面に対して主に平行な横電界を発生させて液晶分子を駆動する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００８−１１６４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような横電界方式において、異なる電位の導電層の間に絶縁膜の界面が位置している場合、この界面に電荷が蓄積しやすい。たとえば、特許文献１のような構成の場合、ゲート配線と画素電極あるいは共通電極との間に２種類の絶縁膜（層間絶縁膜及び平坦化膜）が介在しており、これらの絶縁膜の間の界面が帯電しやすい。
【０００６】
このような不所望な帯電は、焼き付きなどの表示不良の原因となる。
【０００７】
この発明の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一態様によれば、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に配置されたゲート線と、
前記絶縁基板及び前記ゲート線を覆うように配置された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上において前記ゲート線と直交するように配置されたソース線と、
前記第１絶縁膜の上において前記ソース線から離間し、前記ゲート線と対向するように配置されたシールド電極と、
前記第１絶縁膜、前記第１電極、前記ソース線、及び、前記シールド電極を覆うように配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上において、前記第１電極と対向するように配置され、且つ、前記シールド電極と電気的に接続され、前記第１電極と対向するスリットが形成された第２電極と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、一方の基板に第１電極及び第２電極を備え、これらの間に形成される横電界（基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明する。
【００１１】
図１に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示エリア（アクティブエリア）ＤＳＰを備えている。この表示エリアＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数）。
【００１２】
アレイ基板ＡＲは、表示エリアＤＳＰにおいて、各画素ＰＸに配置されたｍ×ｎ個の第１電極（画素電極）Ｅ１、各画素ＰＸの行方向Ｈに沿ってそれぞれ延出したｎ本のゲート線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各ゲート線Ｙと交差するように各画素ＰＸの列方向Ｖに沿ってそれぞれ延出したｍ本のソース線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート線Ｙとソース線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、第１電極Ｅ１と絶縁膜を介して対向するように配置された第２電極（コモン電極）Ｅ２などを備えている。
【００１３】
各ゲート線Ｙは、表示エリア外に引き出され、コントローラＣＮＴによって制御されるゲートドライバＹＤに接続されている。各ソース線Ｘは、表示エリア外に引き出され、コントローラＣＮＴによって制御されるソースドライバＸＤに接続されている。第２電極Ｅ２は、コントローラＣＮＴなどから供給されたコモン電位のコモン配線ＣＯＭに接続されている。
【００１４】
ゲートドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本のゲート線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、ソースドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本のソース線Ｘにそれぞれ映像信号（駆動信号）を供給する。各行の第１電極Ｅ１は、第２電極Ｅ２の電位に対して、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１５】
液晶表示パネルＬＰＮの構造について、以下により詳細に説明する。
【００１６】
図２及び図３に示すように、アレイ基板ＡＲは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲにおいて、ゲート線Ｙは、絶縁基板２０の上に配置されている。また、コモン配線ＣＯＭも同様に、絶縁基板２０の上に配置されている。このコモン配線ＣＯＭは、ゲート線Ｙと同様に、行方向Ｈに沿って延出している。このようなゲート線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭは、例えば同一材料を用いて同一工程で形成可能であり、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタンなどの導電材料によって形成されている。
【００１７】
このような絶縁基板２０、ゲート線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭは、第１絶縁膜であるゲート絶縁膜２２によって覆われている。このゲート絶縁膜２２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００１８】
ソース線Ｘは、ゲート絶縁膜２２の上に配置されている。このソース線Ｘは、ゲート絶縁膜２２を介してゲート線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭと略直交している。このようなソース線Ｘは、例えばチタン／アルミニウム／チタンの積層体によって形成されている。
【００１９】
第１電極Ｅ１は、ゲート絶縁膜２２の上に配置されている。つまり、この第１電極Ｅ１は、ソース線Ｘと同一層に配置されている。各ソース線Ｘは、隣接する第１電極Ｅ１の間に配置されている。すなわち、第１電極Ｅ１は、各画素においてソース線Ｘから離間するように２本のソース線Ｘの間に配置されている。
【００２０】
第１電極Ｅ１は、ソース線Ｘなどとは異なる材料によって形成され、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。また、この第１電極Ｅ１は、各画素ＰＸにおいて画素形状に対応した島状、例えば、略四角形に形成されている。
【００２１】
これらのゲート絶縁膜２２、ソース線Ｘ及び第１電極Ｅ１は、第２絶縁膜であるパッシベーション膜２４によって覆われている。このパッシベーション膜２４は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２２】
第２電極Ｅ２は、パッシベーション膜２４の上に配置されている。この第２電極Ｅ２は、パッシベーション膜２４を介して各画素ＰＸの第１電極Ｅ１と対向する。つまり、パッシベーション膜２４は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に介在する層間絶縁膜として機能する。
【００２３】
このような第２電極Ｅ２は、表示エリアＤＳＰの全体にわたって一面に配置されている。すなわち、この第２電極Ｅ２は、各画素ＰＸに対応して配置されるとともに画素間にも配置された概ねベタ状である。つまり、第２電極Ｅ２は、図３に示したようにゲート線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭに対向するとともに、図４に示したようにソース線Ｘともに対向するように配置されている。なお、図４では、アレイ基板ＡＲの主要部のみを図示している。第２電極Ｅ２は、第１電極Ｅ１と同様に、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２４】
第２電極Ｅ２には、第１電極Ｅ１と対向するスリットＳＬが形成されている。ここでは、第２電極Ｅ２のスリットＳＬは、例えば、略長方形状あるいは略長円形状に形成されている。図２に示した例では、このスリットＳＬは、その長軸Ｌが行方向Ｈ及び列方向Ｖと非平行となるように形成されている。このような複数のスリットＳＬは、列方向Ｖに並んでいるが、この形状に限らない。例えば、列方向Ｖに縦長の画素の上側半分と下側半分とでスリットＳＬの向きが異なっていても良い。
【００２５】
この第２電極Ｅ２は、コモン配線ＣＯＭに電気的に接続されている。コモン配線ＣＯＭと第２電極Ｅ２との間には、ゲート絶縁膜２２及びパッシベーション膜２４が介在している。第２電極Ｅ２は、これらのゲート絶縁膜２２及びパッシベーション膜２４を貫通するコンタクトホールＣＨを介してコモン配線ＣＯＭに電気的に接続されている。
【００２６】
スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではアモルファスシリコンによって形成され、ボトムゲート型のトランジスタを構成している。
【００２７】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、ゲート線Ｙに電気的に接続されている。このゲート電極ＷＧは、ゲート線Ｙと同一材料を用いて同一工程で形成可能であり、ここでは、絶縁基板２０の上においてゲート線Ｙと一体的に形成されている。このゲート電極ＷＧは、ゲート絶縁膜２２によって覆われている。
【００２８】
スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜２２の上においてゲート電極ＷＧと対向するように島状に配置されている。
【００２９】
スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、ゲート絶縁膜２２の上に配置されている。ソース電極ＷＳは、ソース線Ｘに電気的に接続される（あるいはソース線Ｘと一体的に形成される）とともに、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、第１電極Ｅ１に電気的に接続されるとともに、ソース電極ＷＳから離れて半導体層ＳＣにコンタクトしている。つまり、第１電極Ｅ１とスイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤとは、スルーホールを介することなく直接接続されている。
【００３０】
これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、ソース線Ｘと同一材料を用いて同一工程で形成可能である。このような半導体層ＳＣ、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、パッシベーション膜２４によって覆われている。
【００３１】
このような構成のアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００３２】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。図３に示したように、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する面）に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクスＢＭを備えている。
【００３３】
ブラックマトリクスＢＭは、絶縁基板３０上において、アレイ基板ＡＲに設けられたゲート線Ｙやソース線Ｘ、さらにはスイッチング素子Ｗなどの配線部に対向するように格子状に配置されている。このブラックマトリクスＢＭは、例えば黒色に着色された樹脂材料やクロム（Ｃｒ）などの遮光性の金属材料によって形成されている。
【００３４】
特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭによって囲まれた領域にカラーフィルタ層ＣＦを備えている。カラーフィルタ層ＣＦは、絶縁基板３０上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。
【００３５】
上述したような横電界を利用した液晶モードにおいては、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面が平坦であることが望ましく、対向基板ＣＴは、さらに、カラーフィルタ層ＣＦの表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバーコート層などを備えていることが望ましい。
【００３６】
対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜ＡＬ２によって覆われている。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えばポリイミドによって形成されている。
【００３７】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、図示しないスペーサ（例えば、樹脂材料によって一方の基板と一体的に形成された柱状スペーサ）が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。
【００３８】
液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの配向膜ＡＬ２との間に形成されたギャップに封入された液晶分子ＬＭを含む液晶組成物によって構成されている。
【００３９】
配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭの配向を規制するようにラビング処理されている。液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２による規制力によって配向されている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２のラビング方向は、第２電極Ｅ２に形成されたスリットＳＬの長軸と非平行且つ非直角である。
【００４０】
透過型の液晶表示パネルＬＰＮを備えた液晶表示装置は、さらに、液晶表示パネルＬＰＮに対してアレイ基板ＡＲ側に配置された照明ユニットすなわちバックライトユニットＢＬを備えている。このバックライトユニットＢＬは、アレイ基板ＡＲ側から液晶表示パネルＬＰＮを照明する。このようなバックライトとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００４１】
この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接触する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと接触する面と反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ２を備えている。
【００４２】
これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、それぞれ偏光板を含み、例えば、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電位差が形成されていない（つまり、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電界が形成されていない）無電界時において、液晶表示パネルＬＰＮの透過率が最低となる（つまり、黒色画面を表示する）ノーマリーブラックモードを実現している。
【００４３】
すなわち、このような液晶表示装置においては、無電界時には、液晶分子ＬＭは、その長軸Ｄが配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２のラビング方向Ｓと平行な方位を向くように配向されている。このような状態では、バックライトユニットＢＬからのバックライト光は、光学素子ＯＤ１を透過した後、液晶表示パネルＬＰＮを透過し、光学素子ＯＤ２に吸収される（黒色画面表示）。
【００４４】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電位差が形成された場合（つまり、第１電極Ｅ１にコモン電位とは異なる電位の電圧が印加された電圧印加時）には、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に横電界（フリンジ電界）が形成される。この横電界は、スリットＳＬを介してその長軸Ｌに対して直交する方位に形成される。
【００４５】
このとき、液晶分子ＬＭの配向状態は、例えば液晶分子ＬＭの長軸Ｄがラビング方向Ｓから横電界に平行な方向を向くように変化する。このように、液晶分子ＬＭの長軸Ｄの方位がラビング方向Ｓから変化すると、液晶層ＬＱを透過する光に対する変調率が変化する。このため、バックライトユニットＢＬから出射され液晶表示パネルＬＰＮを透過したバックライト光の一部は、第２光学素子ＯＤ２を透過する（白色画面表示）。つまり、液晶表示パネルＬＰＮの透過率は、電界の大きさに依存して変化する。横電界を利用した液晶モードでは、このようにして選択的にバックライト光を透過し、画像を表示する。
【００４６】
ところで、この実施の形態においては、液晶表示装置は、ゲート線Ｙと第２電極Ｅ２との間を電気的にシールドするシールド電極ＳＥを備えている。すなわち、図２及び図５に示すように、シールド電極ＳＥは、ゲート絶縁膜２２の上においてソース線Ｘから離間し、ゲート線Ｙと対向するように配置されている。なお、図５では、アレイ基板ＡＲの主要部のみを図示している。このようなシールド電極ＳＥは、パッシベーション膜２４によって覆われている。
【００４７】
第２電極Ｅ２は、パッシベーション膜２４を介してシールド電極ＳＥと対向し、パッシベーション膜２４を貫通するスルーホールＴＨを介してシールド電極ＳＥと電気的に接続されている。つまり、シールド電極ＳＥは、第２電極Ｅ２と同様に、コモン電位に設定されている。
【００４８】
このような構成によれば、異なる電位の導電層の間に絶縁膜の界面が位置しなくなる。すなわち、この実施の形態によれば、ゲート絶縁膜２２とパッシベーション膜２４とが直接重なる部分において絶縁膜の界面が形成される。このような界面では、膜質の差などに起因してチャージしやすい。
【００４９】
本実施形態では、絶縁基板２０上において同一層に配置されたゲート線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭと、パッシベーション膜２４上において同一層に配置された第２電極Ｅ２との間に、ゲート絶縁膜２２及びパッシベーション膜２４が介在する。ここで、コモン配線ＣＯＭと第２電極Ｅ２とは実質的に同電位であり、たとえこれらの間に絶縁膜の界面が介在しても、チャージアップすることはない。一方で、ゲート線Ｙと第２電極Ｅ２とは異なる電位であり、これらの間に絶縁膜の界面が存在する場合、チャージアップするおそれがある。
【００５０】
そこで、ゲート線Ｙと第２電極Ｅ２との間に位置するゲート絶縁膜２２上にシールド電極ＳＥを配置したことにより、ゲート絶縁膜２２とパッシベーション膜２４とが直接重なることがなく、チャージアップの原因となる界面が形成されない。このため、チャージアップに起因した焼き付などの不良の発生を抑制することができ、表示品位を改善することが可能となる。
【００５１】
なお、このシールド電極ＳＥは、コモン電位となることから、同一層に配置されるソース線Ｘ及び第１電極Ｅ１とは電気的に絶縁されている。つまり、シールド電極ＳＥとソース線Ｘ及び第１電極Ｅ１とは互いに離間している。
【００５２】
このようなシールド電極ＳＥは、ゲート絶縁膜２２の上に配置される他の導電層、例えば第１電極Ｅ１あるいはソース線Ｘと同一材料によって形成可能である。これによれば、シールド電極ＳＥは、第１電極Ｅ１あるいはソース線Ｘと同一工程で形成可能である。このため、シールド電極ＳＥを形成するための別個の工程を追加する必要がなく、材料の利用効率の改善、さらには、製造コストの増大を抑制できる。
【００５３】
なお、製造プロセス上の制約がある場合、シールド電極ＳＥは、ソース線Ｘと同一材料によって形成することがより望ましい。具体的には、第２電極Ｅ２とコモン配線ＣＯＭとを接続するコンタクトホールＣＨ及び第２電極Ｅ２とシールド電極ＳＥとを接続するスルーホールＴＨを同時に形成する場合、このエッチング工程においては、コンタクトホールＣＨがゲート絶縁膜２２及びパッシベーション膜２４を確実に貫通する一方で、スルーホールＴＨがパッシベーション膜２４を貫通してシールド電極ＳＥで留まるような選択比に設定される。
【００５４】
このとき、第１電極Ｅ１を形成するようなＩＴＯなどの導電材料は、スルーホールＴＨを形成するエッチングによって削られやすく、接続抵抗の上昇を招いたり、最悪の場合には除去されて導通を確保できなくなったりする場合もある。
【００５５】
一方で、ソース線Ｘを形成する金属材料は、エッチングの際の選択比によって確実に残留させる制御が容易である。したがって、導通の信頼性を確保しやすい。
【００５６】
図５に示した例では、シールド電極ＳＥは、第１電極Ｅ１あるいはソース線Ｘと同一材料によって単一の導電層として形成したが、複数の導電層を組み合わせて形成しても良い。
【００５７】
例えば、図６に示した例では、シールド電極ＳＥは、スルーホールＴＨを介して第２電極Ｅ２とコンタクトするコンタクト部ＳＥ１と、主としてゲート線Ｙと第２電極Ｅ２との間に介在するシールド部ＳＥ２とによって構成されている。なお、図６では、アレイ基板ＡＲの主要部のみを図示している。
【００５８】
コンタクト部ＳＥ１については、上述した通り、導通の信頼性を確保する上で、ソース線Ｘを形成する金属材料によって形成することが望ましい。シールド部ＳＥ２は、第１電極Ｅ１と同一材料によって形成されている。
【００５９】
このような構成であっても、先に示した例と同様の効果が得られる。
【００６０】
以上説明したように、この実施の形態によれば、良好な表示品位を実現することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００６１】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置に適用される画素の構成例を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した画素をＡ−Ａ線で切断したスイッチング素子を含む構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図２に示した画素をＢ−Ｂ線で切断したソース線を含む構造を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、図２に示した画素をＣ−Ｃ線で切断したシールド電極を含む構造を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、図２に示した画素をＣ−Ｃ線で切断したシールド電極を含む他の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＤＳＰ…表示エリア  ＰＸ…画素
Ｙ…ゲート線  Ｘ…ソース線  ＣＯＭ…コモン配線  Ｗ…スイッチング素子
Ｅ１…第１電極（画素電極）  Ｅ２…第２電極（コモン電極）  ＳＬ…スリット
２２…ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）  ２４…パッシベーション膜（第２絶縁膜）
３０…絶縁基板  ＢＭ…ブラックマトリクス  ＣＦ…カラーフィルタ層
ＳＥ…シールド電極  ＳＥ１…コンタクト部  ＳＥ２…シールド部
【図１】
2010145862.tif 000003
【図２】
2010145862.tif 000004
【図３】
2010145862.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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