(57)【要約】【課題】耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させること。【解決手段】配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の上に形成された導体パターン２とを含んでいる。導体パターン２は、導体層２３と耐薬品性層２１とを含んでいる。耐薬品性層２１は、絶縁層１の上に形成されており、導体パターン２の形成領域において縁部分に部分的に設けられている。プローブカード用基板は、絶縁層１と、絶縁層１の上に形成された導体パターン２とを含んでいる。耐薬品性層２１は、絶縁層１の上に形成されており、導体パターン２の形成領域において縁部分に部分的に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
導体層と耐薬品性層とを含んでおり、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えており、
前記耐薬品性層が、前記絶縁層の上に形成されており、前記導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記導体パターンが、前記導体層と前記絶縁層との間に設けられた介在層をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記介在層が、前記耐薬品性層の形成領域の内側の領域と前記耐薬品性層の上面の少なくとも一部の領域とに形成されていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記介在層が、前記絶縁層に接していることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
前記導体パターンが、前記耐薬品性層と前記導体層とを覆っている被覆層をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
絶縁層と、
導体層と耐薬品性層とを含んでおり、前記絶縁層の上に形成されているとともに、接触子に電気的に接続される導体パターンとを備えており、
前記耐薬品性層が、前記絶縁層の上に形成されており、前記導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられていることを特徴とするプローブカード用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプローブカードに用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、絶縁層の表面に形成された導体パターンを有している。例示的な導体パターンは、例えば、実質的に銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなる導体層を含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、例えば半導体ウエハに接触する接触子を形成するための薬品処理が施されることがある。この薬品処理の際に、配線基板の表面に形成された導体パターンが劣化する可能性がある。一方で、配線基板は、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して改善される必要がある。このように、配線基板は、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層と、絶縁層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、導体層と耐薬品性層とを含んでいる。耐薬品性層は、絶縁層の上に形成されており、導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられている。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層と、絶縁層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、導体層と耐薬品性層とを含んでおり、接触子に電気的に接続される。耐薬品性層は、絶縁層の上に形成されており、導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられている耐薬品性層を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、導体パターンの形成領域において縁部分に部分的に設けられている耐薬品性層を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一つの実施形態における配線基板を示している。
【図２】導体パターン２の形成領域を示している。
【図３】図１に示された配線基板の例示的な製造方法を示している。
【図４】耐薬品性層２１の例示的な形成方法を示している。
【図５】図４に示された耐薬品性層２１の例示的な形成方法を模式的に示している。
【図６】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１に示されているように、本発明の一つの実施形態における配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の上面に形成された複数の導体パターン２とを含んでいる。配線基板の例示的な用途は、プローブカード用基板である。配線基板は、複数の導体パターン２に電気的に接続された複数の接触子３を含んでいる。
【００１２】
例示的な絶縁層１は、実質的にセラミックスからなる。他の例示的な絶縁層１は、実質的に樹脂からなる。
【００１３】
導体パターン２は、絶縁層１の上に形成された耐薬品性層２１と、絶縁層１の上に形成された介在層２２と、介在層２２の上に形成された導体層２３とを含んでいる。導体パターン２は、導体層２３の上に形成された第１被覆層２４と、第１被覆層２４の上に形成された第２被覆層２５とをさらに含んでいる。
【００１４】
耐薬品性層２１は、図２に示されているように、導体パターン２の形成領域において縁部分２８に部分的に設けられている。図２において、縁部分２８とは、実線と破線とによって囲まれている領域のことをいう。本実施形態における配線基板は、耐薬品性層２１が導体パターンの形成領域において縁部分２８に部分的に設けられていることにより、導体パターン２の絶縁層１に対する密着強度に関して改善されている。さらに詳細には、耐薬品性層２１が導体パターンの形成領域において縁部分２８に部分的に設けられていることにより、例えば介在層２２が絶縁層１に直接接することができる。従って、導体パターン２は、絶縁層１に対する密着強度に関して改善されている。
【００１５】
層２１の“耐薬品性”とは、例えば接触子３を形成する際に用いられる薬品に関して、導体層２３に比べて化学的な反応が起こりにくいことをいう。例示的な薬品は、強アルカリ性水溶液である。強アルカリ性水溶液の例は、水酸化ナトリウム水溶液である。他の例示的な薬品は、強酸溶液である。強酸溶液の例は、硝酸溶液または塩酸である。他の例示的な薬品は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液、アンモニア過水またはテトラ‐メチル‐アンモニウム‐ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液である。
【００１６】
例示的な耐薬品性層２１は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。他の例示的な耐薬品性層２１は、実質的に窒化チタン（ＴｉＮ）からなる。プローブカード用基板は、耐薬品性層２１を含んでいることにより、薬品による導体層２３の劣化に関して低減されている。
【００１７】
介在層２２は、耐薬品性層２１が形成されている縁部分２８の内側領域２９において絶縁層１に接している。“介在”とは、絶縁層１と導体層２３との間に設けられていることをいう。介在層２２は、導体パターン２の絶縁層１に対する密着強度を向上させることを目的に設けられている。介在層２２は、耐薬品性層２１の上面の一部分と内側側面とに接しており、耐薬品性層２１を部分的に覆っている。介在層２２が耐薬品性層２１の上面の一部分に接していることにより、導体パターン２の絶縁層１に対する密着強度が向上されている。例示的な介在層２２は、実質的にチタン（Ｔｉ）からなる。他の例示的な介在層２２は、実質的にクロム（Ｃｒ）からなる。他の例示的な介在層２２は、実質的にタングステン（Ｗ）からなる。
【００１８】
導体層２３の端部は、耐薬品性層２１の上方に位置している。例示的な導体層２３は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。他の例示的な導体層２３は、実質的に銀（Ａｇ）からなる。
【００１９】
第１被覆層２４は、導体層２３の上面と側面とに接しており、導体層２３を覆っている。第１被覆層２４の端部は、耐薬品性層２１の上面と介在層２２の側面とに接している。例示的な第１被覆層２４は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。
【００２０】
第２被覆層２５は、第１被覆層２４の上面と側面とに接しており、第１被覆層２４を覆っている。第２被覆層２５の端部は、耐薬品性層２１の上面に接している。例示的な第２被覆層２５は、実質的に金（Ａｕ）からなる。
【００２１】
本実施形態における配線基板は、導体パターン２の形成領域において縁部分２８に部分的に設けられた耐薬品性層２１を含んでいることにより、耐薬品性に関して改善されつつ、絶縁層に対する導体パターン２の密着強度に関して向上されている。
【００２２】
以下、図１に示された配線基板の例示的な製造方法について説明する。配線基板の製造方法は、導体パターン２を形成する工程を含んでいる。導体パターン２を形成する工程は、図３に示されているように、工程３０２から工程３１０までを含んでいる。
【００２３】
工程３０２は、絶縁層１の上に耐薬品性層２１を形成することである。耐薬品性層２の例示的な形成方法は、図４に示されているように、工程４０２および工程４０４を含んでいる。工程４０２は、下地層２１１を形成することである。図５に示されているように、下地層２１１は、絶縁層１の表面に形成される。下地層２１１の例示的な形成方法は、無電解メッキである。下地層２１１の他の例示的な形成方法は、スパッタリングである。工程４０４は、上層２１２を形成することである。上層２１２は、下地層２１１の上に形成される。上層２１２の例示的な形成方法は、電解メッキである。
【００２４】
再び図３を参照して、工程３０４は、絶縁層１の上と耐薬品性層２１の一部の領域の上に、介在層２２を形成することである。介在層２２の例示的な形成方法は、スパッタリングである。介在層２２の他の例示的な形成方法は、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）である。
【００２５】
工程３０６は、介在層２２の上に導体層２３を形成することである。導体層２３の例示的な形成方法は、電解メッキ、スパッタリングまたは印刷である。
【００２６】
工程３０８は、導体層２３の上に第１被覆層２４を形成することである。第１被覆層２４の例示的な形成方法は、電解メッキである。第１被覆層２４の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２７】
工程３１０は、第１被覆層２４の上に第２被覆層２５を形成することである。第２被覆層２５の例示的な形成方法は、電解メッキである。第２被覆層２５の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２８】
本実施形態における配線基板において、導体パターン２の形成領域が耐薬品性層２１によって規定されることにより、配線基板は、配線の微細化に関して改善されている。さらに詳細には、耐薬品性層２１は上述のように設計値に対して比較的寸法誤差の小さな方法によって形成されることによって、配線基板は、導体パターン２の幅の誤差に関して低減されている。従って、配線基板は、配線の微細化に関して改善されている。
【００２９】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図４に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる構成は、導体パターン２の構造である。その他の構成は、図１に示された配線基板の構成と同様である。
【００３０】
耐薬品性層２１の上面の一部分および外側側面は、第２被覆層２５によって覆われている。第２被覆層２５の端部は、絶縁層１の上面に接している。例示的な第２被覆層２５は、イオン化傾向に関して比較的低い材料を含んでいる。例示的な第２被覆層２５は、実質的に金（Ａｕ）からなる。
【００３１】
本実施形態における配線基板は、イオン化傾向に関して比較的低い第２被覆層２５が耐薬品性層２１および導体層２３を覆っていることによって、耐環境性に関してさらに改善されている。
【符号の説明】
【００３２】
１  絶縁層
２  導体パターン
２１  耐薬品性層
２２  介在層
２３  導体層
２４  第１被覆層
２５  第２被覆層
３  接触子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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