(57)【要約】【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去し、検査を行うことができる、半導体テストシステムを提供する。【解決手段】複数のプローブを搭載したプローブカードと、半導体を積載するステージと、上記プローブカードと上記ステージとの距離を調節する移動機構と、上記プローブに接続された放電用電源と、上記半導体と上記プローブに接続された測定用電源と、テスターを備え、測定対象となる上記半導体上に設けられた電極パッドと上記プローブが所定の距離で離れた状態で、上記放電用電源によって上記プローブの先端にアーク放電を生じさせ、上記電極パッドの表面を清浄化した後、上記アーク放電が生じた状態で、上記測定用電源によって上記半導体の電極パッドと上記プローブにパルス電圧を印加し、上記テスターによって上記放電用電源による出力波形と上記測定用電源による出力波形との重畳波形を測定し、入力波形に対する上記出力波形の変化をチェックして上記半導体の検査を行う。【選択図】  図３
2010043922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプローブを搭載したプローブカードと、半導体を積載するステージと、上記プローブカードと上記ステージとの距離を調節する移動機構と、上記プローブに接続された放電用電源と、上記半導体と上記プローブに接続された測定用電源と、テスターを備え、測定対象となる上記半導体上に設けられた電極パッドと上記プローブが所定の距離で離れた状態で、上記放電用電源によって上記プローブの先端にアーク放電を生じさせ、上記電極パッドの表面を清浄化した後、上記アーク放電が生じた状態で、上記測定用電源によって上記半導体の電極パッドと上記プローブにパルス電圧を印加し、上記テスターによって上記放電用電源による出力波形と上記測定用電源による出力波形との重畳波形を測定し、入力波形に対する上記出力波形の変化をチェックして上記半導体の検査を行うことを特徴とする半導体テストシステム。
【請求項２】
上記プローブを＋電極、検査対象となる半導体の電極パッドを−電極として上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって、上記プローブの先端と上記電極パッドの間にアーク放電を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の半導体テストシステム。
【請求項３】
１個の電極パッドに対して、＋電極のプローブと−電極のプローブの２本のプローブを一組で配置して上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって上記＋電極のプローブと上記−電極のプローブの間にアーク放電を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の半導体テストシステム。
【請求項４】
上記プローブが、中央の針部と上記針部を取り囲むシールド部からなる同軸形状のプローブであって、上記針部を＋電極、上記シールド部を−電極として上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって上記針部の先端と上記シールド部の先端との間にアーク放電を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の半導体テストシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触することなく検査対象となる半導体の電極パッド表面の酸化被膜を除去し、検査を行うことができる半導体テストシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップなどの半導体の電気的諸特性の測定は、半導体テストシステムのプローブカードに搭載されたプローブを検査対象となる電極パッドに接触させて行われる。測定の際、電極パッドとプローブとの電気的接続を確保するために、上記電極パッド表面の酸化被膜を除去し、その後、プローブを検査対象となる電極パッドに接触させて検査を行う。
【０００３】
従来はプローブカードに所定の荷重を加え、オーバードライブによりプローブの先端で電極パッド表面の酸化被膜を機械的に削り取り、電極パッドの導電部分を露出させることが行われている（特許文献１参照）。
【０００４】
このような従来の半導体テストシステムでは、検査前の酸化被膜の除去の際と、検査の際には、かならず、プローブは測定対象の電極パッドと接触する必要がある。
【特許文献１】特開２００２−３２８１３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、プローブが電極パッドと接触することには、様々な問題点を抱えている。例えば、プローブの先端の磨耗の問題、また、多ピン化が進むにつれて所定の接触圧を得るのが難しくなるという問題、さらには、プローブが所定の圧力で電極パッドに接触することによって、電極パッドが損傷するといった様々な問題がある。
【０００６】
このようなことから、非接触の半導体システムが求められているが、実用に至る装置は未だに出てきていない。また、単に半導体の測定の際に非接触で行うだけでなく、接触圧が大きい電極パッド表面の酸化被膜の除去も非接触で行われなければ、十分な効果を得ることができないので、実現が難しかった。
【０００７】
そこで、本発明はこのような従来の課題を解決するために、検査対象の半導体の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去し、非接触で検査を行うことができる、半導体テストシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体テストシステムは、複数のプローブを搭載したプローブカードと、半導体を積載するステージと、上記プローブカードと上記ステージとの距離を調節する移動機構と、上記プローブに接続された放電用電源と、上記半導体と上記プローブに接続された測定用電源と、テスターを備え、測定対象となる上記半導体上に設けられた電極パッドと上記プローブが所定の距離で離れた状態で、上記放電用電源によって上記プローブの先端にアーク放電を生じさせ、上記電極パッドの表面を清浄化した後、上記アーク放電が生じた状態で、上記測定用電源によって上記半導体の電極パッドと上記プローブにパルス電圧を印加し、上記テスターによって上記放電用電源による出力波形と上記測定用電源による出力波形との重畳波形を測定し、入力波形に対する上記出力波形の変化をチェックして上記半導体の検査を行うことを特徴とする。
【０００９】
そのために、上記プローブを＋電極、検査対象となる半導体の電極パッドを−電極として上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって、上記プローブの先端と上記電極パッドの間にアーク放電を生じさせる。
【００１０】
あるいは、１個の電極パッドに対して、＋電極のプローブと−電極のプローブの２本のプローブを一組で配置して上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって上記＋電極のプローブと上記−電極のプローブの間にアーク放電を生じさせる。
【００１１】
または、上記プローブが、中央の針部と上記針部を取り囲むシールド部からなる同軸形状のプローブであって、上記針部を＋電極、上記シールド部を−電極として上記放電用電源に接続し、上記放電用電源によって上記針部の先端と上記シールド部の先端との間にアーク放電を生じさせることもできる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体テストシステムは、複数のプローブを搭載したプローブカードと、半導体を積載するステージと、上記プローブカードと上記ステージとの距離を調節する移動機構と、上記プローブに接続された放電用電源と、上記半導体と上記プローブに接続された測定用電源と、テスターを備え、測定対象となる上記半導体上に設けられた電極パッドと上記プローブが所定の距離で離れた状態で、上記放電用電源によって上記プローブの先端にアーク放電を生じさせ、上記電極パッドの表面を清浄化した後、上記アーク放電が生じた状態で、上記測定用電源によって上記半導体の電極パッドと上記プローブにパルス電圧を印加し、上記テスターによって上記放電用電源による出力波形と上記測定用電源による出力波形との重畳波形を測定し、入力波形に対する上記出力波形の変化をチェックして上記半導体の検査を行うことによって、検査対象となる半導体の電極パッドに接触することなく、電極パッド表面の酸化被膜を除去し、プローブは検査対象の電極パッドに接触することなく検査することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の半導体テストシステムについて図を用いて以下に詳細に説明する。図１に示すのが本発明の半導体システム１の概略構成図である。
【００１４】
本発明の半導体テストシステム１は、図１に示すように、複数のプローブ２を搭載したプローブカード３と、半導体ウエハ１０を積載するステージ４と、上記プローブカード３と上記ステージ４との距離を調節する移動機構５と、上記プローブ２に接続された放電用電源６と、不活性ガス噴射手段１３と、上記半導体ウエハ１０と上記プローブ２に接続された測定用電源７と、テスター８を備える。
【００１５】
上記プローブカード３は、上記プローブ２を保持するガイド基板１４と、メイン基板１５と、補強板１６を備えた垂直型プローブカードである。一例として、垂直型プローブカードを用いて説明するが、特にこれに限定するものではなく、その他のカンチレバー型プローブカードを用いることも可能である。
【００１６】
上記放電用電源６は、上記プローブ２の先端にマイクロアーク放電を生じさせるために上記プローブ２に電気を流すために用いる電源であり、上記不活性ガス噴射手段１３は、アーク放電を生じさせる時に上記プローブ２の先端付近にＡｒ、Ｈｅといった不活性ガスを噴射するためのものである。
【００１７】
上記不活性ガスは、上記プローブ２の先端付近に噴射することが好ましいが、上記半導体システム１の内部を、Ａｒ等の不活性ガスで希釈した空気で置換してもよい。マイクロアーク放電はＡｒ濃度がゼロの場合でも生じるので、上記プローブ２と検査対象となる電極パッド１１の距離に応じてその濃度を適宜選択する。また、マイクロアーク放電が生じにくい場合には、上記半導体テストシステム１の内部を負圧にするとよい。
【００１８】
上記測定用電源７は、上記電極パッド１１が設けられた上記半導体ウエハ１０の検査を行うために、上記電極パッド１１と、上記電極パッド１１を検査する上記プローブ２にパルス電圧を印加する。上記放電用電源６および上記測定用電源７によって流される電流は直流および交流のどちらでもよい。
【００１９】
上記テスター８は、上記放電用電源６による出力波形と上記測定用電源７による出力波形とを重ね合わせた重畳波形を測定し、入力波形に対する上記出力波形の変化を通して半導体の検査を行う。上記入力波形に対する上記出力波形の変化が所定の変化であれば、上記電極パッド１１は正常であると判断し、上記入力波形に対する上記出力波形の変化に異常があれば、上記電極パッド１１には不具合があると判断する。
【００２０】
上記テスター８による出力波形のチェックについて詳しく説明する。図２（ａ）に示すのが、上記放電用電源６によって放電が生じている時の電圧の出力波形を表したものである。これを見てわかるように、放電時の電圧は一定となっている。図２（ｂ）に示すのが、上記測定用電源７によって、パルス電圧を印加するか、またはパルス電流を上記電極パッド１１と上記プローブ２に流した時の電圧の出力波形をグラフにしたものであり、図２（ｃ）に示すのが上記測定用電源７による入力波形である。上記測定用電源７によって流されるパルス電流は基本信号が数ｎｓ、電流値が数１０ｍＡ、電圧値のピークが数Ｖとなっている。図２（ｃ）の入力波形に対して、図２（ｂ）の出力波形が変化するのは、上記電極パッド１１に通じる内蔵半導体チップ回路の特性に応じているためである。
【００２１】
実際に、上記電極パッド１１の測定を行う時には、上記放電用電源６および上記測定用電源７によって電流が流れており、得られる出力波形は、図２（ａ）の放電用電源６による出力波形と、図２（ｂ）の測定用電源による出力波形を重ね合わせた重畳波形であり、これが図２（ｄ）に示すような出力波形となる。
【００２２】
上述のように、出力波形は入力波形に対して変化する。図２（ｄ）の波形を見るとわかるように、上記重畳波形も、入力波形に対して変化しており、この変化は上記電極パッド１１に通じる内蔵半導体チップ回路の特性によるものであって、上記電極パッド１１に通じる内蔵半導体チップ回路の種類によって変化するが、同じ内蔵半導体チップ回路に通じる電極パッド１１であれば、出力波形は同じになる。上記テスター８は、上記内蔵半導体チップ回路が正常な場合の入力波形と出力波形の関係を記憶している。
【００２３】
そこで、上記放電用電源６によって放電が生じている状態で、検査対象となる上記電極パッド１１と上記プローブ２に上記測定用電源７によってパルス電流を流し、テスター８によって、上記放電用電源６および上記測定用電源７によって得られる出力波形の重畳波形を測定し、所定の出力波形であるかどうかをチェックし、出力波形が正常であれば、上記電極パッド１１の信号には問題はないと判断し、出力波形に異常があると判断したら、上記電極パッド１１の信号には問題があると判断する。このように、上記電極パッド１１から発せられる信号を通して半導体の検査を行う。
【００２４】
本発明の半導体テストシステムを用いた検査方法について図３に示す第１の実施形態を用いて説明する。第１の実施形態のプローブカード１は、上記放電用電源６および上記測定用電源７が直列に配置され、上記プローブ２と上記半導体ウエハ１０に放電用の電気およびパルス電流を流す構造を用いている。
【００２５】
まずは、半導体ウエハ１０上に設けられたＡｌの電極パッド１１の表面に付着しているＡｌ２Ｏ３の酸化被膜１２を除去し清浄化を行う。そのために、上記電極パッド１１の表面と、半導体テストシステム１のプローブカード３に設けられたプローブ２の先端との間にアーク放電を生じさせる。アーク放電は−電極から＋電極へと電子が移動するときに生じる現象であり、上記プローブ２を＋電極、上記電極パッド１１を−電極とする。
【００２６】
そして、上記プローブ２の先端を上記電極パッド１１に所定の間隔まで接近させ、上記不活性ガス発射手段７により不活性化ガスを上記電極パッド１１と上記プローブ２の間に噴射し、上記プローブ２に接続した放電用電源６によって所定値の電流を流すと、図３（ａ）に示すように、アーク放電９が発生する。
【００２７】
上記アーク放電９によって、上記電極パッド１１の表面から上記プローブ２の先端に電子が移動するが、この時、上記電極パッド１１の材質Ａｌと上記酸化被膜１２の材質Ａｌ２Ｏ３の仕事関数を比較すると、Ａｌ２Ｏ３の方が仕事関数が小さいことから、酸化被膜１２の方が上記電極パッド１１よりも電子を放出しやすいので、上記電極パッド１１の電子ではなく、上記酸化被膜１２の電子が上記プローブ２の先端へと移動して上記アーク放電９が発生する。
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、このようなアーク放電９が発生することにより、上記酸化被膜１２は電子が放出されて上記電極パッド１１の表面から除去されていく。上記酸化被膜１２のほかにもゴミ・汚れ等も除去されるため、上記電極パッド１１の表面は清浄化される。上記プローブ２が接触する範囲の上記酸化被膜１２が除去されたら、続いて、上記電極パッド１１の測定を行う。
【００２９】
上記電極パッド１１の測定を行うために、図３（ｃ）に示すように、アーク放電９を生じさせた状態で、上記電極パッド１１と上記プローブ２に上記測定用電源７を用いてパルス電流を流す。この時、上記プローブ２は上記電極パッド１１に対して非接触の状態である。そして、上記テスター８によって上記放電用電源６および上記測定用電源７によって得られる出力波形の重畳波形を測定し、所定の出力波形であるかどうかをチェックし、上記電極パッド１１の検査を行う。
【００３０】
図１に示す半導体テストシステム１は、上記プローブ２と上記電極パッド１１の距離をステージ４側に設けられた移動機構５で調整する構造であるが、上記ステージ４の位置を固定し、上記プローブカード３を移動させるように、上記移動機構５を設置しても良い。
【００３１】
本発明は、このようにして、従来のように上記プローブ２によって機械的に酸化被膜１２を削ることなく、全く上記電極パッド１１に触れずに酸化被膜１２を除去し、さらに検査の際も上記プローブ２は上記電極パッド１１に接触することなく上記半導体ウエハ１０の検査を行うことが可能となる。
【００３２】
従って、上記プローブ２は上記電極パッド１１に一切接触することがないので、プローブカード３に対して荷重を加える必要もなく、プローブ２およびプローブカード３の寿命が長くなる。さらに、上記電極パッド１１を傷付けることもなくなる。
【００３３】
次に、第２の実施形態として、図４に示すような、１個の電極パッド１１に対して、＋電極のプローブ１７と−電極のプローブ１８の２本のプローブを一組でプローブカード３に配置し、放電用電源６に＋電極のプローブ１７と−電極のプローブ１８を接続し、測定用電源７に上記電極パッド１１と上記プローブ１７を接続した半導体テストシステム１’を用いて説明する。
【００３４】
本実施形態の半導体テストシステム１’は、プローブ１７，１８以外の構成は、図１に示す半導体テストシステム１と同じであり、上記プローブ１７、１８を搭載したプローブカード３と、ステージ４と、移動機構５と、上記プローブ２に接続された放電用電源６と、不活性ガス噴射手段１３と、上記半導体ウエハ１０と上記プローブ１７に接続された測定用電源７と、テスター８を備える。さらに本実施形態では、上述のように、２本のプローブ１７，１８を一組として用いる。これは、２本のプローブ１７，１８の先端の間でアーク放電を生じさせるためである。
【００３５】
この２本のプローブ１７，１８の先端の間隔は、数μｍから４０μｍとしており、本実施形態では、２本のプローブ１７，１８の先端の間隔は２０μｍとする。検査対象となる電極パッド１１は、Ａｌの電極パッド１１とし、表面に付着しているのがＡｌ２Ｏ３の酸化被膜１２とする。
【００３６】
本実施形態の半導体テストシステム１’において、単に、上記放電用電源６を用いて、上記プローブ１７と上記プローブ１８の先端の間で放電を生じさせても、上記酸化被膜１２を除去することはできない。そこで上記プローブ１７と上記プローブ１８の先端を上記電極パッド１１に接近させ、上記プローブ１７と上記プローブ１８の先端の間隔よりも、上記プローブ１７，１８の先端と上記電極パッド１１の表面との間隔を近づける必要がある。
【００３７】
例えば、上記プローブ１７，１８の先端を上記電極パッド１１の表面から１０μｍまで近づける。そして、上記不活性ガス噴射手段１３によって不活性ガスを上記プローブ１７，１８の先端と上記電極パッド１１との間に噴射し、上記放電用電源６によって、例えば、１０−２Ａの電流を上記プローブ１７と上記プローブ１８に通すと、上記プローブ１７の先端と上記プローブ１８の先端との間に生じるアーク放電９’は、図４（ａ）（プローブカード３を省略した図）に示すように、上記電極パッド１１の表面を通過して発生する。
【００３８】
このように、本実施形態では２本のプローブ１７，１８の先端の間隔よりも、上記プローブ１７，１８と上記電極パッド１１との間隔の方が小さくなるまで、上記プローブ１７，１８の先端を上記電極パッド１１の表面に接近させてアーク放電９’を生じさせ、上記アーク放電９’が上記電極パッド１１の表面を通過することによって、上記酸化被膜１２の電子が放出され、図４（ｂ）に示すように、上記電極パッド１１表面の上記酸化被膜１２が除去される。続いて、上記電極パッド１１の測定を行う。
【００３９】
所定の範囲の上記酸化被膜１２を除去したら、図４（ｃ）に示すように、アーク放電９’を生じさせた状態で、上記電極パッド１１と上記プローブ１７に上記測定用電源７を用いてパルス電流を流す。この時、上記プローブ１７は上記電極パッド１１に対して非接触の状態である。そして、上記テスター８によって上記放電用電源６および上記測定用電源７によって得られる出力波形の重畳波形を測定し、所定の出力波形であるかどうかをチェックし、上記電極パッド１１の測定を行い上記半導体ウエハ１０の検査を行う。
【００４０】
このように、本実施形態では、２本のプローブ１７，１８を用いることによって、２本のプローブ１７，１８の間隔を調整して、容易に酸化被膜１２を除去する範囲を調節することが可能となり、さらに、２本のプローブ１７，１８から１本のプローブ１７を用いて、非接触状態で上記半導体ウエハ１０の検査を行うことが可能となる。
【００４１】
次に、第３の実施形態として、図５の断面図（プローブカード３を省略した概略断面図）に示すような、同軸形状のプローブ１９を用いた半導体テストシステム１’’について説明する。
【００４２】
本実施形態の半導体テストシステム１’’は、同軸形状のプローブ１９以外の構成は、上述の他の実施形態と同様であって、上記プローブ１９を搭載したプローブカード３と、ステージ４と、移動機構５と、上記プローブ１９に接続された放電用電源６と、不活性ガス噴射手段１３と、上記半導体ウエハ１０と上記プローブ１９に接続された測定用電源７と、テスター８を備える。
【００４３】
ここでは、同軸形状のプローブ１９を中心に詳しく説明する。上記プローブ１９は、中央の針部２０と上記針部２０を取り囲むシールド部２１からなる同軸形状であり、上記針部２０の先端は上記シールド部２１から突出した状態としている。そして、上記針部２０を＋電極、上記シールド部２１を−電極として上記放電用電源６に接続し、上記放電用電源６によって上記針部２０の先端と上記シールド部２１の先端との間にアーク放電を生じさせる。上記測定用電源７は、上記プローブ１９の針部２０と上記電極パッド１１に接続され、上記プローブ１９の針部２０と上記電極パッド１１にパルス電流を流す。
【００４４】
上記プローブ１９は、上記シールド部２１の直径を１０μｍとし、上記針部２０の直径を３μｍとしている。これにより、上記針部２０の先端と、上記シールド部２１の先端との間隔は、５μｍとなる。検査対象となる電極パッド１１は、Ａｌの電極パッド１１とし、表面に付着しているのがＡｌ２Ｏ３の酸化被膜１２とする。
【００４５】
本実施形態の半導体テストシステム１’’において、アーク放電を用いて上記酸化被膜１２を除去するためには、上記針部２０の先端と、上記シールド部２１の先端との間隔よりも、上記針部２０の先端を上記電極パッド１１の表面に近づける必要がある。
【００４６】
例えば、上記針部２０の先端を上記電極パッド１１の表面から２μｍまで近づける。そして、上記不活性ガス噴射手段１３によって不活性ガスを上記プローブ１９の先端と上記電極パッド１１との間に噴射する。本実施形態では上記プローブ１５が同軸形状であるので、上記シールド部２１の内側、つまり上記シールド部２１と上記針部２０の間の空間に不活性ガスを噴射する。
【００４７】
このように、上記シールド部２１の内側に不活性ガスを噴射し、上記放電用電源６によって、例えば、１０−２Ａの電流を上記針部２０とシールド部２１に通すと、上記針部２０の先端と上記シールド部２１の先端との間に生じるアーク放電９’’は、図５（ａ）に示すように、上記電極パッド１１の表面を通過して発生する。
【００４８】
上記不活性ガスは、上記シールド部２１の内部に噴射されることから、上記プローブ１５の先端は、他の実施形態に較べて、より効果的に上記不活性ガスに囲まれた状態となり、上記アーク放電９’’が効果的に行われる。そして、上記アーク放電９’’は、上記針部２０を中心として上記シールド部２１に向って放射状に生じて、図５（ｂ）に示すように、上記電極パッド１１の表面の酸化被膜１２を除去する。続いて、上記電極パッド１１の測定を行う。
【００４９】
所定の範囲の上記酸化被膜１２を除去したら、図５（ｃ）に示すように、アーク放電９’’を生じさせた状態で、上記電極パッド１１と上記プローブ１９の針部２０に上記測定用電源７を用いてパルス電流を流す。この時、上記プローブ１９の針部２０は上記電極パッド１１に対して非接触の状態である。そして、上記テスター８によって上記放電用電源６および上記測定用電源７によって得られる出力波形の重畳波形を測定し、所定の出力波形であるかどうかをチェックし、上記電極パッド１１の測定を行い上記半導体ウエハ１０の検査を行う。
【００５０】
このように、本実施形態では、同軸形状のプローブ１９を用いることにより、不活性ガスを適切に噴射することが可能となり、より効果的にアーク放電を生じさせて確実に酸化被膜１２を除去し、非接触状態で検査を行うことが可能となる。
【００５１】
ここまで垂直型のプローブを用いて説明したが、カンチレバー形状のプローブを用いることも可能であり、また、半導体テストシステムの構成についても、プローブ、放電用電源以外の構成については、特に限定するものではなく、様々な形態を用いることが可能である。
【００５２】
このように、本発明では、検査対象となる電極パッドの表面に接触することなく、効果的に酸化被膜を除去し、さらに検査を行うことが可能であり、これによって、プローブカードに対して荷重を加える必要がなくなる。また、上記電極パッドに待ったく接触することなく、全ての作業を行うので、上記電極パッドを傷付けることもなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の半導体テストシステムの概略断面図。
【図２】電圧の波形を表したものであり、（ａ）が放電用電源による出力波形、（ｂ）が測定用電源による出力波形、（ｃ）が測定用電源による入力波形、（ｄ）が放電用電源と測定用電源による出力波形を重ね合わせた重畳波形である。
【図３】第１の実施形態の半導体テストシステムを用いてアーク放電を用いて酸化被膜を除去する方法を示す図であり、（ａ）が、アーク放電が発生している状態、（ｂ）が酸化被膜が除去された状態、（ｃ）が検査を行っている状態を示す。
【図４】第２の実施形態の半導体テストシステムを用いてアーク放電を用いて酸化被膜を除去する方法を示す図であり、（ａ）が、アーク放電が発生している状態、（ｂ）が酸化被膜が除去された状態、（ｃ）が検査を行っている状態を示す。
【図５】第３の実施形態の半導体テストシステムを用いてアーク放電を用いて酸化被膜を除去する方法を示す概略断面図であり、（ａ）が、アーク放電が発生している状態、（ｂ）が酸化被膜が除去された状態、（ｃ）が検査を行っている状態を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１，１’，１’’  半導体テストシステム
２    プローブ
３    プローブカード
４    ステージ
５    移動機構
６    放電用電源
７    測定用電源
８    テスター
９，９’，９’’  アーク放電
１０    半導体ウエハ
１１  電極パッド
１２  酸化被膜
１３  不活性ガス噴射手段
１４  ガイド基板
１５  メイン基板
１６  補強板
１７  プローブ
１８  プローブ
１９  プローブ
２０  針部
２１  シールド部
１７  テスター
【図１】
2010043922.tif 000003
【図２】
2010043922.tif 000004
【図３】
2010043922.tif 000005
【図４】
2010043922.tif 000006
【図５】
2010043922.tif 000007