(57)【要約】【課題】絶縁層のコンタクトホールに起因した光量のムラを抑制する。【解決手段】駆動トランジスタＴdrを覆う第２絶縁層４２の表面には第１電極６１が形成される。第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４に接触する。第１電極６１とこれに対向する第２電極６２との間には発光層６６が形成される。発光層６６からの放射光の出射側には補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む。【選択図】図３
2010164983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極を挟んで前記基板とは反対側に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、
前記絶縁層に対して前記発光層による放射光の出射側に配置され、前記基板に垂直な方向からみて前記コンタクトホールと重なり合う部分を含む遮光体と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、前記コンタクトホールを介して前記絶縁層から露出した部分が前記第１電極に接触する電極を含み、
前記遮光体は、前記スイッチング素子の前記電極よりも光反射率が低い材料によって形成される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記遮光体は、前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に接続される補助配線である
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記補助配線は、前記基板に垂直な方向からみて、前記コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域と重なり合う
請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記補助配線は、前記基板に垂直な方向からみて、前記コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の一部と重なり合い、
前記コンタクトホールの内周縁に包囲された領域のうち前記補助配線と重なり合わない領域に重なり合う部分を含む遮光層をさらに具備する
請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に接続される補助配線を具備し、
前記遮光体は、前記基板に垂直な方向からみて前記補助配線と重なり合う
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１電極と前記第２電極と前記発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向に配列した複数の素子群が前記第１方向と交差する第２方向に並列され、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群との間隙にて前記第１方向に延在し、前記第２の素子群に対して前記第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群と前記第２の素子群との間隙には形成されない
請求項３から請求項６の何れかに記載の発光装置。
【請求項８】
絶縁材料によって形成されて前記コンタクトホールの内側の空間に入り込む絶縁部を具備し、
前記発光層は、前記コンタクトホールの内側の空間には入り込まない
請求項１から請求項７の何れかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮光体は所定の方向に延在し、
前記コンタクトホールは、前記基板に垂直な方向からみて前記所定の方向を長手とする形状に形成される
請求項１から請求項８の何れかに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１電極は、前記発光層からの出射光を透過し、
前記スイッチング素子は、前記コンタクトホールを介して前記絶縁層から露出した部分が前記第１電極に接触する電極を含み、
前記遮光体は、前記スイッチング素子の前記電極よりも光反射率が低い材料によって前記スイッチング素子の前記電極と前記基板との間に形成されて当該電極に対向する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記遮光体は、前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されるとともに前記絶縁層のコンタクトホールを介して前記第２電極に電気的に接続される補助配線である
請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記スイッチング素子は複数の電極を含み、
前記遮光体は、前記複数の電極の何れかと同一の材料によって形成される
請求項１０または請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescent）材料など各種の発光材料によって形成された発光層を有する発光装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層による発光を制御するためにスイッチング素子（典型的にはトランジスタ）を利用したアクティブマトリクス方式の発光装置が従来から提案されている。この種の発光装置は、基板の面上に形成されたスイッチング素子と、このスイッチング素子を覆う絶縁層と、絶縁層の面上に形成された第１電極および第２電極と、両電極の間に介挿された発光層とを含む。第１電極は、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して、スイッチング素子の電極（ドレイン電極またはソース電極）に電気的に接続される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この構成においては、太陽光や照明光などの外光が絶縁層のコンタクトホールを通過してスイッチング素子の電極に到達し、その表面における反射光（以下「不要反射光」という）が観察側に出射する場合がある。この不要反射光は、発光層からの出射光とは特性（例えば光量や分光特性）が相違するから、発光装置の面内における光量（輝度）のバラツキの原因となる。
【０００５】
また、例えば、絶縁層の表面上だけでなくコンタクトホールの内側にも入り込むように発光層が形成された構成においては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分からも光（以下「不要放射光」という）が出射する。しかしながら、発光層のうち絶縁層の表面上に位置する部分とコンタクトホールの内側に入り込んだ部分とでは膜厚が相違するから、前者の部分からの出射光と後者の部分から出射する不要放射光とは光量や分光特性が相違する。したがって、この構成における不要放射光も発光装置の面内における光量のバラツキ（ムラ）の原因となり得る。
【０００６】
以上に説明したように、スイッチング素子と第１電極とが絶縁層のコンタクトホールを介して導通する構成においては、コンタクトホールの底面に位置する電極での不要反射光やコンタクトホールの内側に入り込んだ発光層からの不要放射光に起因して光量にムラが発生する（発光の均一性が損なわれる）という問題があった。このような事情を背景として、本発明は、絶縁層のコンタクトホールに起因した光量のムラを抑制するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成されたスイッチング素子（例えば図２の駆動トランジスタＴdr）と、スイッチング素子を覆う絶縁層（例えば図３の第２絶縁層４２）と、絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホール（例えば図２や図３のコンタクトホールＣＨ）を介してスイッチング素子に電気的に接続される第１電極と、第１電極を挟んで基板とは反対側に形成された第２電極と、第１電極と第２電極との間に介在する発光層と、絶縁層に対して発光層による放射光の出射側に配置され、基板に垂直な方向からみてコンタクトホールと重なり合う部分を含む遮光体（例えば各実施形態における補助配線７０や遮光層８１）とを具備する。
【０００８】
この構成によれば、コンタクトホールと重なり合う遮光体が絶縁層の観察側（発光層による放射光の出射側）に配置される。したがって、太陽光や照明光などの外光は遮光体によって遮断されるからコンタクトホールやスイッチング素子（特にその電極）には到達しない。また、仮に外光がコンタクトホールを通過してスイッチング素子に到達した場合であっても、その表面における不要反射光は遮光体によって遮断される。さらに、発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成（例えば図９から図１３の構成）において、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分からの不要放射光は遮光体によって遮断される。以上のように本発明によれば不要反射光や不要放射光が遮光体によって遮断されるから、コンタクトホールに起因した光量のムラを抑制することができる。
【０００９】
なお、本発明における「絶縁層に対して発光層による放射光の出射側」とは、発光層からの放射光の出射が本来的に予定された側という意味である。例えば、第１電極が光透過性を有するボトムエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板側が「発光層による放射光の出射側」に相当する。また、第２電極が光透過性を有するトップエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板とは反対側が「発光層による放射光の出射側」に相当する。また、例えば発光装置の用途に着目すると、例えば発光装置が表示装置として利用される場合には、絶縁層に対して観察側（すなわち発光装置による表示画像を視認する観察者が位置する側）が「発光層による放射光の出射側」に相当し、感光体ドラムなどの感光体を露光する露光装置（露光ヘッド）として発光装置が利用される場合には、絶縁層に対して感光体側が「発光層による放射光の出射側」に相当する。
【００１０】
ところで、遮光体の光反射率がスイッチング素子の電極よりも高い場合、コンタクトホールに起因した発光の不均一性は確かに解消されるものの、今度は遮光体における外光の反射光が発光の均一性に影響を与える可能性もある。そこで、本発明の好適な態様において、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１電極に接触する電極（例えば図２や図３のドレイン電極３４）を含み、遮光体は、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって形成される。この構成によれば、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって遮光体が形成されるから、コンタクトホールにおける反射光の影響と遮光体における反射光の影響とを双方とも解消して発光の均一性を増進することができる。
【００１１】
第２電極の抵抗値が高い場合には第２電極における電圧降下に起因して発光層における発光の均一性が損なわれる可能性がある。第２電極がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など高抵抗の材料によって形成された構成（トップエミッション型）や、第２電極が広範囲にわたって連続に分布する構成においては、第２電極における電圧降下が特に顕著となるから、発光の不均一性はいっそう深刻である。そこで、本発明の好適な態様において、第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に接続される補助配線が遮光体として利用される。この構成によれば、第２電極に導通する補助配線によって電圧降下が抑制されるから、この電圧降下に起因した発光の不均一性は抑制される。なお、この態様の具体例は第１実施形態（図２・図３）、第２実施形態（図５・図６）、第４実施形態（図９）、第５実施形態（図１０）、第８実施形態（図１４・図１５）として後述される。
【００１２】
なお、以上においては補助配線が遮光体として兼用される構成を例示したが、本発明においては、遮光体とは別個に補助配線が形成された構成も採用される。この後者の構成において、良好な光透過性を有する材料によって補助配線が形成されるならば特段の問題は発生しない。しかしながら、第２電極よりも抵抗率が低いという条件を満たすためには、補助配線の材料として遮光性の導電材料を採択せざるを得ない場合が多い。そして、遮光体とは別個に遮光性の補助配線が形成された構成においては、補助配線が形成されない構成と比較すると、補助配線のぶんだけ開口率（画素が分布する領域のうち実際に光が出射する領域の占める割合）が低下するという問題がある。これに対し、以上に例示したように補助配線が遮光体として兼用される態様によれば、補助配線が遮光体から独立して形成された構成と比較して開口率が向上するという利点がある。また、開口率が増加するということは、所期の光量を発光装置から出射するために発光層に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層（特に有機ＥＬ材料）は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が進行するから、発光層に供給される電気エネルギを低減できる本態様によれば、補助配線によって開口率が制約される構成と比較して、発光層の寿命（発光量や発光効率などの特性値が所定値に低下するまでの時間長）を長期化することができるという利点がある。
【００１３】
補助配線が遮光体として利用される態様において、より望ましくは、この補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域（開口領域）の全域と重なり合う。この態様によれば、コンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち遮光体によって遮断される割合を増大させることができる。この態様の具体例は第１実施形態（図２・図３）および第４実施形態（図９）として後述される。なお、マスクを利用した蒸着などの成膜技術によって遮光体（補助配線）が形成される場合には、たとえコンタクトホールの開口領域の全域と重なり合うように遮光体を形成しようとしても、製造上のバラツキ（マスクのズレ）に起因して遮光体の位置に誤差が生じる場合がある。このように誤差を原因として開口領域の一部が遮光体と重なり合わない構成であっても、設計上において遮光体が開口領域の全域と重なり合う以上は、本態様の「コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域と重なり合う」という要件を充足すると言える。
もっとも、補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の一部（例えば図６や図１０における領域Ａ1）のみと重なり合う構成としてもよい。この構成において、より望ましくは、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域のうち補助配線と重なり合わない領域（例えば図６や図１０における領域Ａ2）に重なり合う部分を含む遮光層がさらに配置される。この構成によれば、補助配線によって遮断されない不要反射光や不要放射光が遮光層によって遮断される。したがって、コンタクトホールの全域と重なるように補助配線が形成された態様と同様に、コンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち遮光体によって遮断される割合を増大させることができる。なお、この態様の具体例は、例えば第２実施形態（図５・図６）および第５実施形態（図１０）として後述される。
【００１４】
以上においては補助配線が遮光体として兼用される構成を例示したが、遮光体とは別個に補助配線が配置された構成も採用される。この態様のもとで補助配線が光反射性を有するならば、補助配線の表面における反射光（外光）によって発光の均一性が損なわれる可能性がある。そこで、より好適な態様において、遮光体は、基板に垂直な方向からみて補助配線と重なり合う。この態様によれば、コンタクトホールにおける不要反射光や不要放射光はもちろん補助配線の表面における反射光も遮光体によって遮断されるから、発光の均一性を維持することが可能である。換言すると、補助配線の材料として光反射性の導電材料を採択した場合であっても発光の不均一性が阻害されないのであるから、補助配線の材料の選択の余地を拡大することができるという利点がある。なお、この態様の具体例は、例えば第３実施形態（図７・図８）、第６実施形態（図１１）および第７実施形態（図１２・図１３）として後述される。
【００１５】
なお、以上の各態様における補助配線の具体的な形態は任意である。第１電極と第２電極と発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向（例えば図１６のＸ方向）に配列した複数の素子群（例えば各行に属する複数の発光素子の集合）が第１方向と交差する第２方向に並列された態様において、補助配線は、例えば、複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群（例えば図１６の第ｉ行）と第２の素子群（例えば図１６の第（i＋1）行）との間隙（例えば図１６の間隙Ｓ1）にて第１方向に延在する形状に形成され、第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群（例えば図１６の第（i＋2）行）と第２の素子群との間隙（例えば図１６の間隙Ｓ2）には形成されない。この態様においては、第２の素子群と第３の素子群との間隙に補助配線が形成されないから、総ての素子群の間隙に補助配線が形成された構成と比較して、補助配線が形成される領域や補助配線と発光素子との間隙に確保される領域（マージン領域）の面積を削減することが可能である。したがって、開口率の向上と補助配線の低抵抗化との両立が容易となる。例えば、補助配線の線幅を削減することなく開口率を向上させ、あるいは開口率（発光素子の面積）を低下させることなく補助配線の線幅を拡大（低抵抗化）することができる。
【００１６】
以上のように２以上の素子群を単位として１本の補助配線が配置される構成において、補助配線の形成にはマスクを利用した蒸着が好適に採用される。すなわち、発光装置を製造する方法のうち補助配線を形成する工程は、所定の形状のマスクを用意する過程と、第２電極よりも抵抗率が低い材料をマスクを介して蒸着することで補助配線を形成する過程とを含む。前者の過程にて用意されるマスクは、複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群との間隙に対向する領域（例えば図１８の領域ＲＡ）が開口し、第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群と第２の素子群との間隙に対向する領域（例えば領域ＲＢ2）を遮蔽する。以上の方法に使用されるマスクは、第２の素子群と第３の素子群との間隙に対向する領域が遮蔽されているから、総ての素子群の間隙に対向する領域が開口するマスクと比較して機械的な強度が高い。したがって、マスクの変形に起因した補助配線の誤差やマスクの破損が抑制される。
【００１７】
本発明の好適な態様において、絶縁材料によって形成されてコンタクトホールの内側の空間に入り込む絶縁部が設けられ、発光層は、コンタクトホールの内側の空間には入り込まない。この構成によれば、コンタクトホールの内側に発光層が存在しないから、この部分から出射する不要放射光に起因して発光の均一性が損なわれることはない。なお、この態様の具体例は、例えば、第１実施形態（図２・図３）、第２実施形態（図５・図６）および第３実施形態（図７・図８）として後述される。なお、発光層は、絶縁部を挟んで分断されるように分布してもよいし、絶縁部を覆うように連続に分布してもよい（例えば図２０参照）。
【００１８】
本発明の他の態様において、遮光体は所定の方向に延在し、コンタクトホールは、基板に垂直な方向からみて所定の方向を長手とする形状に形成される。この態様によれば、コンタクトホールの面積が充分に確保されるから、第１電極とスイッチング素子との接触部分での抵抗を低減し、あるいは両者の導通の確実性を増進することができる。
【００１９】
本発明の発光装置は、トップエミッション型およびボトムエミッション型の何れにも適用される。トップエミッション型の発光装置においては、第２電極が発光層からの出射光を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置においては、第１電極が発光層からの出射光を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置の好適な態様において、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１電極に接触する電極を含み、遮光体は、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によってスイッチング素子の電極と基板との間に形成されて当該電極に対向する。この態様によっても、スイッチング素子の電極における反射光が遮光体によって遮断されるから、発光の均一性を維持することができる。なお、ボトムエミッション型の発光装置の具体例は第８実施形態（図１４・図１５）として後述される。
【００２０】
なお、以上に例示したボトムエミッション型の発光装置において、補助配線が遮光体として兼用される構成も採用される。この構成において、補助配線は、絶縁層のコンタクトホール（例えば図１４のコンタクトホールＣＨ5）を介して第２電極に電気的に接続される。また、遮光体は、スイッチング素子を構成する要素（例えば図１４のゲート電極２４２）と同一の材料によって形成されることが望ましい。この態様によれば、単一の導電膜のパターニングによってスイッチング素子の電極と遮光体とをひとつの工程で一括的に形成することができるから、遮光体がスイッチング素子とは別個の工程で形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【００２１】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】ひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】補助配線の形態を例示する平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図８】図７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第７実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１３】図１２におけるXIII−XIII線からみた断面図である。
【図１４】本発明の第８実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１５】図１４におけるXV−XV線からみた断面図である。
【図１６】本発明の第９実施形態における画素の配列を示す平面図である。
【図１７】図１６におけるXVII−XVII線からみた断面図である。
【図１８】補助配線を形成する工程について説明するための断面図である。
【図１９】第９実施形態の別の態様に係る画素の配列を示す平面図である。
【図２０】各実施形態の変形例に係る画素の構成を示す断面図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２３】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である。この発光装置Ｄは、各種の電子機器に搭載されて画像を表示する表示装置であり、図１に示すように、Ｘ方向に延在する複数の選択線１１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在する複数の信号線１３とを有する。選択線１１と信号線１３との各交差には画素Ｐが配置される。したがって、これらの画素Ｐは所定の領域（以下「発光領域」という）内にてＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２４】
ひとつの画素Ｐは、電流の供給によって発光する発光素子Ｅと、この発光素子Ｅに供給される電流を制御するための駆動トランジスタＴdrおよび選択トランジスタＴslとを含む。発光素子Ｅは、有機ＥＬ材料からなる発光層６６を第１電極６１と第２電極６２との間に介在させた素子である。発光層６６は、第１電極６１から第２電極６２に流れる電流に応じた輝度（光量）で発光する。
【００２５】
駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御するためのスイッチング素子であり、ソース電極が電源線１５に接続される。電源線１５には高位側の電源電位Ｖddが供給される。駆動トランジスタＴdrのゲート電極とソース電極との間には、駆動トランジスタＴdrのゲート電極の電位を保持するための容量素子Ｃが介挿される。また、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極は発光素子Ｅの第１電極６１に接続される。発光素子Ｅの第２電極６２には補助配線７０を介して低位側の電源電位Ｇndが供給される。なお、補助配線７０の作用やその具体的な形態については後述する。
【００２６】
一方、選択トランジスタＴslは、駆動トランジスタＴdrのゲート電極と信号線１３との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。この選択トランジスタＴslのゲート電極は選択線１１に接続される。なお、本実施形態においては駆動トランジスタＴdrがｐチャネル型で選択トランジスタＴslがｎチャネル型である構成を例示するが、各々の導電型は任意に変更され得る。
【００２７】
選択線１１に供給される選択信号がアクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴslがオン状態に変化すると、画素Ｐに指定された階調に応じたデータ電位Ｖdataが信号線１３から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲート電極に供給される。このときに容量素子Ｃにはデータ電位Ｖdataに応じた電荷が蓄積されるから、選択線１１が非アクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動トランジスタＴdrのゲート電極はデータ電位Ｖdataに維持される。発光素子Ｅには、駆動トランジスタＴdrのゲート電極の電位に応じた電流（すなわちデータ電位Ｖdataに応じた電流）が供給される。この電流の供給によって発光素子Ｅはデータ電位Ｖdataに応じた輝度（光量）で発光する。
【００２８】
次に、図２は、ひとつの画素Ｐの具体的な構成を示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III線からみた断面図である。なお、図２は平面図であるが、各要素の把握を容易化するために、図３と共通する各要素については図３と同じ態様のハッチングが施されている。以下の各実施形態に係る平面図（図５、図７、図１２、図１４）においても同様である。また、図２においては、図１の発光層６６や第２電極６２の図示が便宜的に省略されている。
【００２９】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅといった図１の各要素は基板１０の表面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁性材料を略長方形状に成形した板状の部材である。なお、基板１０を被覆する絶縁性の膜体（例えば酸化珪素や窒化珪素などの膜体）を下地として各画素Ｐの要素を形成してもよい。以下では、基板１０からみて駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅが形成された側（すなわち図３における上方）を「観察側」と表記する。すなわち、「観察側」とは、発光装置Ｄによって表示された画像を視認する観察者の側である。
【００３０】
図２および図３に示すように、駆動トランジスタＴdrは、基板１０の面上に形成された半導体層３１と、基板１０の全面に形成されて半導体層３１を覆うゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層３１に対向するゲート電極２４２と、ソース電極３３およびドレイン電極３４とを含む。半導体層３１は、シリコンなどの半導体材料によって略矩形に形成された膜体である。
【００３１】
図２に示すように、ゲート絶縁層４０の面上には中間導電体２４が形成される。この中間導電体２４のうちＸ方向に延在して半導体層３１に重なり合う部分がゲート電極２４２である。図３に示すように、半導体層３１は、ゲート絶縁層４０を挟んでゲート電極２４２に対向するチャネル領域３１cと、このチャネル領域３１cを挟むソース領域３１sおよびドレイン領域３１dとを含む。
【００３２】
図３に示すように、半導体層３１やゲート電極２４２（中間導電体２４）が形成された基板１０の表面はその全域にわたって第１絶縁層４１に覆われる。ソース電極３３やドレイン電極３４は第１絶縁層４１の面上に形成される。ソース電極３３は、図２に示すように、Ｘ方向に延在する電源線１５の部分であり、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホールＣＨ1aを介して半導体層３１のソース領域３１sに導通する。
【００３３】
ドレイン電極３４は、第１部分３４１と第２部分３４２とが連続する形状に成形される。第１部分３４１は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホールＣＨ1bを介して半導体層３１のドレイン領域３１dに導通する。第２部分３４２は、図２に示すようにＸ方向に延在する部分である。
【００３４】
図２に示すように、中間導電体２４は、電源線１５に重なり合う電極部２４４とゲート電極２４２からＹ方向に延在して電源線１５と交差する配線部２４６とを含む。電極部２４４と電源線１５とが第１絶縁層４１を挟んで対向することによって図１の容量素子Ｃが構成される。
【００３５】
一方、選択トランジスタＴslは、図２に示すように、基板１０の面上に形成された半導体層５１と、ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層５１のチャネル領域に対向するゲート電極１１２と、ゲート電極１１２を覆う第１絶縁層４１の面上に形成されたドレイン電極５３およびソース電極５４とを含む。ゲート電極１１２は、Ｘ方向に延在する選択線１１からＹ方向に分岐して半導体層５１に重なる部分である。選択線１１と中間導電体２４とは共通の導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。同様に、ドレイン電極５３およびソース電極５４と、駆動トランジスタＴdrのソース電極３３（電源線１５）およびドレイン電極３４とは、単一の導電膜のパターニングによって同じ工程で形成される。
【００３６】
ドレイン電極５３は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホールＣＨ2bを介して半導体層５１のドレイン領域に導通する。同様に、ソース電極５４は、コンタクトホールＣＨ2aを介して半導体層５１のソース領域に導通する。また、ソース電極５４は、第１絶縁層４１を貫通するコンタクトホールＣＨ3を介して中間導電体２４の配線部２４６に導通する。これによって選択トランジスタＴslのソース電極５４と駆動トランジスタＴdrのゲート電極２４２とが電気的に接続される。
【００３７】
図２に示すように、図１の信号線１３は、電源線１５の下層にてＹ方向に延在して電源線１５と交差する交差部１３１と、各電源線１５の間隙にてＹ方向に延在する配線部１３２とを含む。交差部１３１は、選択線１１や中間導電体２４と共通の導電膜から形成される。配線部１３２は、トランジスタＴdrのソース電極３３やドレイン電極３４と共通の導電膜から形成される。配線部１３２の端部１３ａは第１絶縁層４１のコンタクトホールＣＨ4aを介して交差部１３１に導通する。同様に、配線部１３２の端部１３ｂは第１絶縁層４１のコンタクトホールＣＨ4bを介して交差部１３１に導通する。以上のように各交差部１３１と各配線部１３２との電気的な接続によって信号線１３が構成される。選択トランジスタＴslのドレイン電極５３は、配線部１３２のうち半導体層５１と重なり合う部分である。
【００３８】
図３に示すように、電源線１５やドレイン電極３４が形成された第１絶縁層４１の表面はその全域にわたって第２絶縁層４２に覆われる。第１絶縁層４１や第２絶縁層４２は、例えば酸化珪素や窒化珪素といった絶縁材料によって形成される。図２および図３に示すように、第２絶縁層４２のうち基板１０に垂直な方向からみてドレイン電極３４の第２部分３４２と重なり合う部分には、第２絶縁層４２を厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨが形成される。したがって、第２部分３４２はコンタクトホールＣＨを介して第２絶縁層４２から露出する。図２のように基板１０に垂直な方向からみると、コンタクトホールＣＨは、Ｘ方向を長手とする略長方形である。
【００３９】
第２絶縁層４２の面上（コンタクトホールＣＨ以外の表面）には略長方形の反射層４４が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。反射層４４は、アルミニウムや銀などの合金またはこれらを主成分とする合金など光反射性を有する材料によって形成された膜体であり、発光層６６から基板１０側への出射光を観察側（図３の上方）に反射する。さらに、第２絶縁層４２の表面上には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極６１（図１参照）が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。第１電極６１は、反射層４４を被覆する略長方形の電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など光透過性の導電材料によって形成される。図２および図３に示すように、第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨに入り込んで駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４（第２部分３４２）に接触する。この接触によって第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとが電気的に接続される。
【００４０】
第１電極６１は、スパッタリングや真空蒸着といった各種の成膜技術によって、コンタクトホールＣＨの外形の寸法に対して充分に薄い膜厚に形成される。したがって、図３に示すように、第１電極６１には、第２絶縁層４２の膜厚とコンタクトホールＣＨの外形とを反映した凹部（窪み）６１１が形成される。すなわち、第１電極６１のうちドレイン電極３４に接触する部分が凹部６１１の底面部に相当し、第１電極６１のうちコンタクトホールＣＨの内周面を被覆する部分が凹部６１１の側面部に相当する。
【００４１】
図３に示すように、凹部６１１の内側（すなわちコンタクトホールＣＨの内側の空間）には絶縁部６４が形成される。この絶縁部６４は、絶縁材料（例えばポリイミドなどの樹脂材料）によって形成される。図３に示すように、絶縁部６４は、凹部６１１を埋めるようにコンタクトホールＣＨの内側に入り込んで凹部６１１の底面および内周面に接触するとともに、その上面は第１電極６１の表面から突出する。なお、絶縁部６４には、凹部６１１の段差を平坦化するという作用もある。この作用を有効に発揮するという観点からすると、絶縁部６４の材料には樹脂材料が特に好適である。樹脂材料を採用した場合には、第１に、液状の樹脂材料の塗布という低廉な方法によって絶縁部６４の表面を容易に平坦化することができ、第２に、凹部６１１の平坦化に充分な膜厚の絶縁部６４をクラックの発生なしに形成することができ、第３に、樹脂材料の硬化させるときの熱処理で樹脂材料が溶融することによっても絶縁部６４の表面を平坦化できるからである。
【００４２】
図１の発光層６６は、第１電極６１の表面を被覆するように画素Ｐごとに形成される。図３に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された領域には分布しない（つまり発光層６６は絶縁部６４によって仕切られる）。したがって、発光層６６はコンタクトホールＣＨの内側の空間（凹部６１１）には入り込まない。なお、発光層６６は高分子材料および低分子材料の何れによって形成されてもよい。また、発光層６６による発光を促進ないし効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層６６に積層された構成も採用される。
【００４３】
図３に示すように、図１の第２電極６２は、絶縁部６４と発光層６６とを覆う電極であり、基板１０の全域を被覆するように形成されて複数の画素Ｐにわたって連続に分布する。本実施形態の第２電極６２は、ＩＴＯやＩＺＯなど光透過性の導電材料によって形成される。したがって、発光層６６から基板１０とは反対側に出射した光と、発光層６６から基板１０側に出射して反射層４４の表面で反射した光とは、第２電極６２を透過して観察側に出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄは、発光素子Ｅによる放射光が基板１０とは反対側に出射するトップエミッション型である。なお、絶縁部６４が形成された領域（コンタクトホールＣＨ）には発光層６６が形成されないから（さらには第１電極６１と第２電極６２とが絶縁部６４によって絶縁されるから）、この部分は発光に寄与しない領域（いわゆるデッドスペース）となる。
【００４４】
光透過性を有する導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成された第２電極６２は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがって、各発光素子Ｅに供給される電位が第２電極６２の面内における位置に応じて相違し、この結果として発光領域における光量のムラ（輝度や階調のムラ）が発生する場合がある。
【００４５】
この光量のバラツキを解消するために、本実施形態においては、第２電極６２の導電性を補助するための補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成される。本実施形態の補助配線７０は、第２電極６２の表面に接触するように形成されて第２電極６２と電気的に導通する。この構成によれば、電流の大部分は低抵抗の補助配線７０を流れるから、第２電極６２における電圧降下は抑制される。したがって、各発光素子Ｅに供給される電位が均一化され、この結果として電圧降下に起因した光量のムラを有効に抑制することができる。本実施形態の補助配線７０は遮光性の導電材料によって形成される。より好適には、ドレイン電極３４よりも光反射率が低い材料によって補助配線７０が形成される。
【００４６】
図４は、本実施形態における補助配線７０の具体的な形態を例示する平面図である。同図においては各第１電極６１の外形が破線で併記されている。図４に示すように、補助配線７０は、画素Ｐの各行に対応してＸ方向に延在する複数の第１部分７１と、画素Ｐの各列に対応してＹ方向に延在する複数の第２部分７２とが交差した格子状に成形される。もっとも、補助配線７０の形状は図４の例示に限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複数の第１部分７１のみを含む形状としてもよい。
【００４７】
補助配線７０の第１部分７１は、図２に示すように基板１０に垂直な方向からみると、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う。さらに詳述すると、本実施形態の第１部分７１は、Ｘ方向に延在するコンタクトホールＣＨの幅（Ｙ方向の寸法）と略同一の幅またはこれよりも幅広に形成される。したがって、図２および図３に示すように、第１部分７１は、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの内周縁が包囲する領域（以下「開口領域」という）の全域と重なり合う。
【００４８】
ところで、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４の材料として採択され得る導電材料の多くは光反射性を有する。したがって、補助配線７０が形成されない従来の構成においては、太陽光や照明光などの外光が観察側からドレイン電極３４の表面に到達し、その表面における反射光（不要反射光）が観察側に出射する場合がある。そして、この不要反射光の特性と発光層６６からの出射光の特性との相違に起因して、発光領域の面内における光量の均一性が損なわれるという問題がある。これに対し、本実施形態においては、遮光性の補助配線７０がコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように形成される。したがって、観察側からドレイン電極３４に向かう外光は補助配線７０の観察側の表面にて遮断される。また、仮に外光がドレイン電極３４に到達したとしても、その表面における不要反射光は補助配線７０の基板１０側の表面にて遮断される。以上のように、本実施形態によれば不要反射光の観察側への出射が防止されるから、発光領域の面内における光量（輝度または階調）を均一化することができる。
【００４９】
なお、本実施形態においては補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う構成を例示したが、以上の効果を実現するための構成としては、例えば、補助配線７０とは別個の遮光性の物体（以下「遮光体」という）がコンタクトホールＣＨと重なり合うように形成された構成も考えられる。この構成において、補助配線７０はコンタクトホールＣＨと重なり合わないように形成される（例えば図８や図１１を参照）。しかしながら、この構成においては、コンタクトホールＣＨおよび補助配線７０の双方の領域が発光に寄与しない領域（いわゆるデッドスペース）となるから、発光装置Ｄの開口率（画素Ｐが分布する発光領域のうち実際に光が出射する領域の占める比率）が制約されるという問題がある。これに対し、本実施形態においては、補助配線７０がコンタクトホールＣＨの遮光体として兼用されるから、以上の構成と比較して開口率を増加させることができる。なお、本実施形態において開口率を増加させ得るということは、所期の光量を発光装置Ｄから放射するために発光層６６に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層６６は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が促進されるから、本実施形態によれば、開口率の増加によって発光層６６の寿命が長期化されると言うこともできる。
【００５０】
また、駆動トランジスタＴdrと第１電極６１とを確実に導通させるためには、コンタクトホールＣＨの面積（すなわち第１電極６１とドレイン電極３４とが接触する面積）が充分に確保されることが望ましい。しかしながら、補助配線７０とコンタクトホールＣＨとが重なり合わない構成のもとでコンタクトホールＣＨの面積を拡大すると、その拡大分だけ開口率が低下するという問題がある。これに対し、本実施形態においては、コンタクトホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形成されるから、補助配線７０によって被覆される領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しない。したがって、本実施形態によれば、図２に示すようにＸ方向に長尺の形状とすることでコンタクトホールＣＨの面積を充分に確保することができ、この結果として駆動トランジスタＴdrと第１電極６１との接触部分での抵抗を低減することができる。
【００５１】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に示す各形態の発光装置Ｄのうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。
【００５２】
図５は、本実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図６は、図５におけるVI−VI線からみた断面図である。第１実施形態においては、コンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、図５および図６に示すように、コンタクトホールＣＨの開口領域のうち領域Ａ1のみと重なり合うように補助配線７０（第１部分７１）が形成される。図６の領域Ａ2は、開口領域のうち補助配線７０と重なり合わない領域である。
【００５３】
図６に示すように、本実施形態における発光装置Ｄは基板８０を具備する。この基板８０は、発光素子Ｅに対する外気や水分の付着を防止するための光透過性の板材であり、基板１０のうち発光素子Ｅが配置された表面と対向するように配置される。基板８０における基板１０との対向面には遮光層８１が形成される。この遮光層８１は、黒色に着色された樹脂やクロムなどの金属といった遮光性の材料によって形成された膜体である。図５および図６に示すように、遮光層８１は、基板１０と垂直な方向からみて開口領域のうち領域Ａ2と重なり合う部分を含む。本実施形態の遮光層８１は、図４に例示した補助配線７０と同様に各画素Ｐに対応した格子状に形成され、コンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように寸法および形状が選定されている。したがって、遮光層８１は補助配線７０の全域と重なり合う。さらに、本実施形態の遮光層８１は、ドレイン電極３４や補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成される。
【００５４】
この構成によれば、ドレイン電極３４の表面で反射して領域Ａ2内を進行する不要反射光が遮光層８１によって遮断される。したがって、補助配線７０が領域Ａ1のみを被覆するとは言っても、第１実施形態と同様の作用および効果は確かに奏される。
【００５５】
さらに、本実施形態においては、補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成された遮光層８１が補助配線７０と重なり合う。この構成においては、観察側から補助配線７０に向かう外光は遮光層８１によって遮断される。また、外光が補助配線７０に到達したとしても、その表面における反射光は遮光層８１によって遮断される。したがって、光反射率が高い材料によって補助配線７０が形成された場合であっても、この補助配線７０の反射光に起因した発光領域内の光量のムラは抑制される。つまり、本実施形態によれば、ドレイン電極３４および補助配線７０の双方からの反射光（不要反射光）が観察側に出射するのを防止できる。
【００５６】
＜Ｃ：第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図８は、図７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。第１実施形態および第２実施形態においては、基板１０に垂直な方向からみて補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う構成を例示した。これに対し、図７および図８に示すように、本実施形態の補助配線７０は開口領域とは重なり合わない。
【００５７】
図８に示すように、本実施形態の絶縁部６４は、コンタクトホールＣＨに入り込む部分からＹ方向の負側に連続して分布し、その画素Ｐに対してＹ方向の負側に隣接する他の画素Ｐの第１電極６１の周縁と重なり合う。絶縁部６４のうちコンタクトホールＣＨに重なり合わない部分６４１（コンタクトホールＣＨからみてＹ方向の負側の部分）は、第２絶縁層４２の表面に分布するから、絶縁部６４のうちコンタクトホールＣＨに重なり合う部分と比較して平坦である。図７および図８に示すように、補助配線７０は、この部分６４１の表面（平坦面）上に形成される。また、第２電極６２は補助配線７０を被覆するように形成される。
【００５８】
本実施形態においては、第２実施形態と同様に、基板８０の表面に遮光層８１が形成される。この遮光層８１は、ドレイン電極３４や補助配線７０よりも光反射率が低い遮光性の材料によって形成される。図７および図８に示すように、基板１０に垂直な方向からみると、遮光層８１は、コンタクトホールＣＨおよび補助配線７０の双方に重なり合う。したがって、本実施形態においても第１実施形態や第２実施形態と同様の作用および効果が奏される。
【００５９】
ところで、コンタクトホールＣＨと重なり合うように形成された各要素（絶縁部６４や第２電極６２）の表面には、このコンタクトホールＣＨの形状（凹部）を反映した段差が現れる場合がある。したがって、これらの要素の面上に補助配線７０が形成された構成においては、その表面の段差によって補助配線７０が断線または剥離する可能性がある。これに対し、本実施形態においては、絶縁部６４のうちコンタクトホールＣＨから外れた平坦な部分６４１の面上に補助配線７０が形成される。したがって、補助配線７０の断線や剥離を有効に防止することができる。
【００６０】
＜Ｄ：第４実施形態＞
図９は、本発明の第４実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態に係る画素Ｐの平面的な構造は図２と同様である。すなわち、図９は、図２におけるIII−III線からみた断面図に相当する。
【００６１】
図９に示すように、本実施形態の発光装置Ｄにおいては、コンタクトホールＣＨを埋める絶縁部６４が形成されない。そして、発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分布するように基板１０の全域に形成される。なお、第１電極６１は画素Ｐごとに相互に離間して形成される。したがって、発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続するとは言っても、発光層６６の光量は以上の各実施形態と同様に画素Ｐごとに個別に制御される。
【００６２】
なお、第１実施形態から第３実施形態のように画素Ｐごとに発光層６６が区分された構成においては、各発光層６６の材料を適宜に選定することによって各画素Ｐによる発光色を相違させることが可能である。しかしながら、本実施形態のように発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続する構成においては、発光層６６の本来的な発光色を画素Ｐごとに相違させることができない。したがって、本実施形態の構成のもとで複数色からなる画像の表示を実現するためには、例えば各画素Ｐに対応するカラーフィルタを基板８０（図９においては図示略）の表面に形成することが望ましい。
【００６３】
図９に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は、第１電極６１の凹部６１１の内側（コンタクトホールＣＨの内側の空間）に入り込み、この凹部６１１の内周面と底面とに接触する。発光層６６はコンタクトホールＣＨの外形の寸法と比較して充分に薄い膜厚に形成されるから、発光層６６の表面には第１電極６１の凹部６１１の段差を反映した凹部（窪み）が現れる。
【００６４】
第２電極６２の表面には、第１実施形態と同様に、基板１０と垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０（より詳細には第１部分７１）が形成される。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が奏される。さらに、本実施形態においては、各画素Ｐの発光層６６をひとつの工程で一括的に形成することができ、しかも第１実施形態から第３実施形態のような絶縁部６４を形成する必要もないから、以上の各形態と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現される。
【００６５】
ところで、図９に示すように、発光層６６のうち第１電極６１の凹部６１１の内周面を被覆する部分６６１は、それ以外の部分と同様に第１電極６１と第２電極６２との間に介在する。したがって、各発光素子Ｅの駆動に際しては部分６６１からも光（不要放射光）が出射する。しかしながら、この不要放射光の特性（光量や分光特性）はそれ以外の部分からの出射光の特性とは相違するから、不要放射光を観察側に出射させた場合には発光装置Ｄの発光の均一性が損なわれる。また、発光層６６のうち部分６６１以外の部分からの出射光と部分６６１からの不要放射光とが相互に干渉し合い、この結果として観察側への出射光が特定の色味を呈する可能性もある。本実施形態においては、コンタクトホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形成されるから、凹部６１１から観察側に向かう不要放射光が補助配線７０によって遮断される。以上のように、本実施形態によれば、不要放射光および不要反射光の双方を遮断して発光領域における光量を均一化することができる。
【００６６】
＜Ｅ：第５実施形態＞
図１０は、本発明の第５実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態に係る画素Ｐの平面的な構造は図５と同様である。第４実施形態（図９）と同様に、本実施形態における発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分布するとともにコンタクトホールＣＨの内側の空間に入り込む。また、第２実施形態（図５・図６）と同様に、補助配線７０は開口領域の領域Ａ1のみと重なり合うように形成され、基板８０の表面には開口領域の全域（領域Ａ1および領域Ａ2）と重なり合う遮光層８１が形成される。したがって、本実施形態によれば、第２実施形態および第４実施形態と同様の作用および効果が奏される。
【００６７】
なお、以上に説明したように、補助配線７０からみて観察側に遮光層８１が形成された構成によれば、補助配線７０の表面で反射する外光の影響を低減することができる。もっとも、第４実施形態や第５実施形態のように発光層６６がコンタクトホールＣＨに入り込む構成においては、例えば部分６６１からの不要放射光が、補助配線７０の裏面（基板１０側の表面）とドレイン電極３４２や反射層４４との間で反射を繰返したうえで最終的には観察側に出射する可能性がある。この不要放射光の出射を防止するという観点からすると、補助配線７０と発光層６６との間（例えば図９や図１０の補助配線７０と第２電極６２との間）に、補助配線７０よりも光反射率の低い遮光体（換言すると補助配線７０よりも光吸収率が高い遮光体）を配置した構成が好適に採用される。この構成によれば、発光層６６の部分６６１から出射した不要放射光は補助配線７０の裏面に到達しないから、補助配線７０における不要放射光の反射に起因した発光のムラを確実に防止することができる。
【００６８】
＜Ｆ：第６実施形態＞
図１１は、本発明の第６実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態に係る画素Ｐの平面的な構造は図７と同様である。第４実施形態（図９）と同様に、本実施形態における発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分布するとともにコンタクトホールＣＨの内側の空間に入り込む。また、第３実施形態（図７・図８）と同様に、補助配線７０は、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨとは重なり合わない部分の表面（平坦面）に形成され、基板８０の表面にはコンタクトホールＣＨおよび補助配線７０の双方と重なり合うように遮光層８１が形成される。したがって、本実施形態によれば、第３実施形態および第４実施形態と同様の作用および効果が奏される。
【００６９】
＜Ｇ：第７実施形態＞
図１２は、本発明の第７実施形態に係る画素Ｐの構成を示す平面図であり、図１３は、図１２におけるXIII−XIII線からみた断面図である。図１２および図１３に示すように、基板１０上の要素の構成は第６実施形態（図１１）と同様である。一方、本実施形態の遮光層８１は、開口領域の一部である領域Ａ3と補助配線７０とを被覆するように形成され、開口領域のうち領域Ａ3以外の領域Ａ4は被覆しない。
【００７０】
図１３に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨに重なり合う部分（特に凹部６１１の底面を被覆する部分）からの放射光の一部は、図１３に矢印Ｌで示されるように領域Ａ4を通過して観察側に出射する。したがって、本実施形態によれば、第６実施形態の構成と比較して、領域Ａ4の分だけ開口率を増加させることができる。
【００７１】
＜Ｈ：第８実施形態＞
図１４は、本発明の第８実施形態に係る画素Ｐの構成を示す平面図であり、図１５は、図１４におけるXV−XV線からみた断面図である。以上の各形態においてはトップエミッション型の発光装置Ｄを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄはボトムエミッション型である。すなわち、図１５に示すように、以上の各形態にて説明した反射層４４は形成されず、その代わりに第２電極６２が光反射性の導電材料によって形成される。したがって、発光層６６から基板１０側に出射した光と発光層６６から基板１０とは反対側に出射して第２電極６２の表面で反射した光とは、第１電極６１や基板１０を透過して図１５の下方に出射する。
【００７２】
本実施形態においても、第１実施形態や第２実施形態と同様に、ドレイン電極３４よる反射光の出射を防止する遮光体として補助配線７０が利用される。ただし、本実施形態においては発光層６６からみて基板１０側（図１５の下方）が観察側となるから、図１５に示すように、補助配線７０はドレイン電極３４と基板１０との間に形成される。本実施形態の補助配線７０は、基板１０の全域にわたって形成された単一の導電膜のパターニングによって、ゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１３１）と同一の工程にて形成される。したがって、補助配線７０はゲート電極２４２と同一の材料によって形成される。
【００７３】
図１４のように基板１０に垂直な方向からみると、補助配線７０はドレイン電極３４（より詳細にはコンタクトホールＣＨの開口領域）と重なり合う。第２電極６２は、図１４に示すように、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とを貫通するコンタクトホールＣＨ5を介して補助配線７０に電気的に接続される。この構成によっても第１実施形態や第２実施形態と同様の作用および効果が奏される。例えば、本実施形態においては、観察側（図１５の下方）からドレイン電極３４に向かう外光やドレイン電極３４の表面で反射して観察側に向かう不要反射光が補助配線７０によって遮断されるから、発光領域の面内における光量を均一化することが可能となる。
【００７４】
また、本実施形態の補助配線７０はゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１３１）と同一の工程にて形成される。この構成によれば、補助配線７０の形成のみに利用される導電膜の形成やそのパターニングが不要となるから、以上の各形態のように補助配線７０が他の要素とは別個の工程にて形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現される。また、本実施形態においては、発光層６６や絶縁部６４といった有機材料の面上に補助配線７０を形成する必要がなく、さらにはゲート電極２４２と共通の低抵抗な導電性材料によって補助配線７０が形成される。したがって、発光層６６や絶縁部６４の面上に補助配線７０が形成された構成と比較して補助配線７０の低抵抗化が容易であるという利点もある。
【００７５】
なお、以上においてはボトムエミッション型の発光装置Ｄを例示したが、本実施形態はトップエミッション型にも適用される。このトップエミッション型の発光装置Ｄにおいては、第１電極６１と基板１０との間に反射層４４が介挿され、第２電極６２は光透過性の材料から形成される。この構成のもとでは、第１実施形態と同様に、補助配線７０と重なり合う領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しないから、コンタクトホールＣＨの面積を充分に確保して駆動トランジスタＴdrと第１電極６１との接触部分での抵抗を低減することができる。さらに、補助配線７０が図１４や図１５のように第１電極６１の下層に形成されたトップエミッション型の発光装置Ｄにおいては、例えば補助配線７０が遮光性の材料によって形成された場合であっても、発光層６６からの放射光が補助配線７０によって遮断されることはない。したがって、開口率を向上することができるという利点がある。
【００７６】
＜Ｉ：第９実施形態＞
以上の各形態においては、画素Ｐの各行および各列に対応した格子状の補助配線７０（図４）を例示したが、補助配線７０の具体的な形態は適宜に変更される。本実施形態においては、複数行や複数列に１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００７７】
図１６は、発光領域内に多数の発光素子Ｅが配列する様子を示す平面図であり、図１７は、図１６におけるXVII−XVII線からみた断面図である。なお、図１６や図１７においては、選択トランジスタＴslや容量素子Ｃといった各要素の図示が適宜に省略されている。
【００７８】
以上の各形態と同様に、第２絶縁層４２の面上には、Ｙ方向を長辺とする略長方形状の第１電極６１がＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に形成される。第１電極６１は、第２電極６２よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。この構成においては以上の各形態に係る反射層４４が省略される。
【００７９】
第１電極６１が形成された第２絶縁層４２の表面には絶縁部６４が形成される。図１６および図１７に示すように、絶縁部６４のうち第１電極６１と重なり合う各領域には開口部６４１（絶縁部６４を厚さ方向に貫通する孔）が形成される。図１６に示すように、基板１０に垂直な方向からみると開口部６４１の内周縁はその全周にわたって第１電極６１の周縁（輪郭線）よりも内側に位置する。なお、以上のように第１電極６１の周縁は実際には絶縁部６４に覆われるが、図１６においては第１電極６１の外形が便宜的に実線で図示されている。
【００８０】
図１７に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された第２絶縁層４２の全面を被覆するように複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成される。すなわち、発光層６６は、開口部６４１の内側に入り込んで第１電極６１に対向する部分（すなわち実際に発光する部分）と絶縁部６４の面上に位置する部分とを含む。
【００８１】
図１７に示すように、第２電極６２は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて発光層６６と絶縁部６４とを覆う導電膜である。すなわち、第２電極６２は、開口部６４１の内側にて発光層６６を挟んで第１電極６１に対向する部分と絶縁部６４の面上に位置する部分とを含む。図１６および図１７に示すように、第１電極６１と第２電極６２と発光層６６との積層のうち基板１０に垂直な方向からみて開口部６４１の内周縁の内側に位置する部分（すなわち第１電極６１から第２電極６２に電流が流れる領域）が発光素子Ｅである。発光層６６のうち絶縁部６４と重なり合う領域は、第１電極６１と第２電極６２との間に介在する絶縁部６４によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、絶縁部６４は、各発光素子Ｅの輪郭を画定する手段として機能する。
【００８２】
図１６および図１７に示すように、絶縁部６４（発光層６６）と第２電極６２との間にはＸ方向に延在する複数の補助配線７０が形成される。本実施形態における補助配線７０の具体的な態様は以下の通りである。なお、図１６には、第ｉ行から第（i＋3）行までの各行に属する３列分の発光素子Ｅが図示されている。第ｉ行および第（i＋2）行は偶数行であり、第（i＋1）行および第（i＋3）行は奇数行である。
【００８３】
図１６に示すように、補助配線７０は、偶数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ1（例えば第ｉ行と第（i＋1）行との間隙Ｓ1や第（i＋2）行と第（i＋3）行との間隙Ｓ1）に形成される。一方、奇数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣接する偶数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。すなわち、奇数行とそのＹ方向の正側に隣接する偶数行の２行を単位として発光領域を区分すると、Ｙ方向に隣接する各単位の間隙Ｓ1には補助配線７０が形成され、ひとつの単位に属する各行の間隙Ｓ2には補助配線７０が存在しない。以上のように本実施形態においては、複数行（２行）ごとに１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００８４】
各発光素子Ｅの第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとを導通させるコンタクトホールＣＨは、当該発光素子Ｅからみて補助配線７０側に形成される。したがって、発光素子Ｅとこれに対応したコンタクトホールＣＨとのＹ方向の配置は奇数行と偶数行とで反対となる。すなわち、偶数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の正側にコンタクトホールＣＨが位置するのに対し、奇数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の負側にコンタクトホールＣＨが位置する。
【００８５】
補助配線７０は、図１６や図１７に示すように絶縁部６４の略全幅にわたって形成されて各発光素子Ｅの間隙Ｓ1を被覆し、第１実施形態や第２実施形態と同様にコンタクトホールＣＨと重なり合う。すなわち、補助配線７０は、偶数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨとそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨとに重なり合う。換言すると、補助配線７０のうち幅方向におけるひとつの周縁（図１６の上方の縁辺）は偶数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨとの間隙に位置し、他方の周縁は奇数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨとの間隙に位置する。
【００８６】
補助配線７０が形成される位置には製造技術上の理由から誤差が発生する場合がある。例えば、マスクを介した蒸着（詳細は後述する）によって補助配線７０を形成する場合には、マスクの寸法の誤差や基板１０とマスクとの位置合わせの誤差に起因して補助配線７０が所期の位置（設計上の位置）とは相違する位置に形成される場合がある。補助配線７０の位置に誤差がある場合でも補助配線７０と発光素子Ｅとが基板１０に垂直な方向からみて重複しない（すなわち開口率が低下しない）ように、補助配線７０の設計上の位置とその幅方向の両側に隣接する発光素子Ｅとの各間隙にはスペース（以下「マージン領域」という）が確保される。
【００８７】
以上に説明したように、本実施形態においては２行ごとに１本の補助配線７０が形成されるから、第１実施形態のように全行および全列の間隙に補助配線７０が形成された構成（例えば図４の構成である。以下「対比構成」という）と比較して、発光領域のうち補助配線７０が形成される領域やマージン領域の総面積が削減される。したがって、本実施形態によれば、開口率の維持と補助配線７０の低抵抗化との両立が容易化されるという利点がある。すなわち、例えば開口率を対比構成と同等に維持するとすれば、補助配線７０の本数や各々に対応するマージン領域の面積が削減された分だけ各補助配線７０の線幅が対比構成よりも広く確保されるから、各補助配線７０の抵抗を低減することが可能となる。さらに、本実施形態においては偶数行の各発光素子Ｅの配列とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子Ｅの配列との間隙に両行に対応した多数のコンタクトホールＣＨが集中的に配列するから、補助配線７０の線幅を増大させることによって補助配線７０と各コンタクトホールＣＨとを容易に重ね合わせることができる。一方、各補助配線７０の線幅を対比構成と同等に維持するとすれば、発光領域の全体に占める補助配線７０やマージン領域の面積が削減される分だけ、各発光素子Ｅの面積を広く確保して対比構成よりも開口率を増加させることができる。さらに、発光領域から所期の光量を出射させるために各発光素子Ｅに供給すべき電気エネルギ（電流）は開口率の増加によって低減されるから、電気エネルギの供給に起因した劣化を抑制して発光素子Ｅが長寿命化されるという利点もある。
【００８８】
次に、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法のうち補助配線７０を形成する工程について説明する。本実施形態の補助配線７０はマスクを利用した蒸着（真空蒸着）によって形成される。なお、補助配線７０以外の要素の形成には公知である各種の技術が採用される。
【００８９】
図１８は、補助配線７０を形成する工程を説明するための断面図（図１７に対応する断面図）である。図１８に示すように、補助配線７０の形成に先立って蒸着用のマスク７５が用意される。マスク７５は、領域ＲＡが開口するとともにそれ以外の領域ＲＢを遮蔽する形状に形成される。領域ＲＡは、補助配線７０が形成される領域と対向するようにＸ方向に沿って延在するスリット状の領域である。すなわち、領域ＲＡは、偶数行（第ｉ行や第（i＋2）行）とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行（第（i＋1）行や第（i＋3）行）との間隙Ｓ1に対向する領域（より厳密には間隙Ｓ1からマージン領域を除外した領域）である。一方、領域ＲＢは領域ＲＢ1と領域ＲＢ2とを含む。領域ＲＢ1は各発光素子Ｅに対向する領域である。領域ＲＢ2は、奇数行（第（i＋1）行）とそのＹ方向の正側の偶数行（第（i＋2）行）との間隙Ｓ2に対向する領域である。
【００９０】
以上のマスク７５を利用した蒸着によって補助配線７０が形成される。すなわち、図１８に示すように、発光層６６が形成された段階（第２電極６２の形成前）の発光装置Ｄが真空中に配置され、発光層６６と対向するようにマスク７５が配置される。そして、第２電極６２よりも抵抗率が低い材料の蒸気Ｖを選択的に発光層６６の表面に付着・堆積させることで補助配線７０が図１６の形状に形成される。
【００９１】
本実施形態の発光装置Ｄにおいては発光素子Ｅの２行ごとに１本の補助配線７０が形成されるから、図１８に示すように、マスク７５の領域ＲＢ2は開口させる必要がない。すなわち、対比構成のように全行の間隙に補助配線７０を形成する場合（マスク７５の領域ＲＢ2も領域ＲＡと同等の幅寸法にわたって開口する場合）と比較して、マスク７５の機械的な強度を維持することができる。したがって、マスク７５の変形（例えば自重による撓み）に起因した補助配線７０の誤差やマスク７５の破損を有効に防止することができる。また、補助配線７０の誤差が低減されるから、補助配線７０をコンタクトホールＣＨに高精度かつ容易に重ね合わせることが可能となる。
【００９２】
なお、図１６においては補助配線７０が発光素子Ｅの短辺（Ｘ方向）に沿って延在する構成を例示したが、図１９に示すように、補助配線７０が発光素子Ｅの長辺（Ｙ方向）に沿って延在する構成も採用される。なお、図１９においては、第ｊ列から第（j＋3）列までの各列に属する３行分の発光素子Ｅが図示されている。第ｊ列および第（j＋2）列は偶数列であり、第（j＋1）列および第（j＋3）列は奇数列である。
【００９３】
図１９に示すように、本実施形態においては複数列（２列）ごとに１本の補助配線７０が形成される。すなわち、第ｊ列と第（j＋1）列との間隙Ｓ1および第（j＋2）列と第（j＋3）列との間隙Ｓ1にはＹ方向に延在する補助配線７０が形成される一方、第（j＋1）列と第（j＋2）列との間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。また、各補助配線７０はその幅方向の両側に位置する発光素子ＥのコンタクトホールＣＨと重なり合う。図１９の構成によっても図１６の構成と同様の作用および効果が奏される。
【００９４】
各発光素子Ｅを経由した電流が補助配線７０に流れ込むまでの区間の抵抗値（以下「陰極側抵抗」という）は、補助配線７０が延在する方向に沿った発光素子Ｅの寸法Ｗ（図１６および図１９参照）に反比例する。図１９の構成においては発光素子Ｅの長辺に沿って補助配線７０が延在するから、発光素子Ｅの短辺に沿って補助配線７０が延在する図１６の構成と比較して寸法Ｗを拡大することができる。したがって、図１９の構成によれば図１６の構成と比較して陰極側抵抗が低減される。これによって第２電極６２における電圧降下が抑制されるから、陰極側抵抗が高い場合と比較して、発光素子Ｅの駆動に必要な電源電位Ｖddを低下させることが可能となる。
【００９５】
＜Ｊ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００９６】
（１）以上の各形態においては基板８０に遮光層８１が形成された構成を例示したが、この遮光層８１が形成される位置は適宜に変更される。例えば、第２電極６２の表面上に遮光層８１が形成された構成も採用される。また、第２電極６２の表面に補助配線７０が形成された構成（例えば第１、第２、第４、第５実施形態）においては補助配線７０の表面上に遮光層８１が形成されてもよい。
【００９７】
（２）第２実施形態（図５・図６）や第５実施形態（図１０）においては、コンタクトホールＣＨの開口領域のうち補助配線７０によって被覆されない領域Ａ2に遮光層８１が重なり合う構成を例示したが、この構成における遮光層８１は適宜に省略され得る。遮光層８１が形成されない構成においては領域Ａ2から不要反射光（第５実施形態においてはさらに不要放射光）が観察側に出射するが、領域Ａ1における不要反射光や不要放射光は補助配線７０によって遮光されるから、如何なる遮光体もコンタクトホールＣＨと重なり合わない従来の構成と比較すれば、発光領域における光量のムラが抑制されるという所期の効果は確かに奏される。
【００９８】
また、第１実施形態（図２・図３）や第４実施形態（図９）のようにコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成であっても、不要反射光や不要放射光をさらに確実に防止するために、コンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む遮光層８１が配置されてもよい。さらに、コンタクトホールＣＨの少なくとも一部と重なり合うように遮光層８１が形成された構成（例えば第２、第３、第５、第６、第７実施形態）において、第２電極６２における電圧降下が問題とならないのであれば、補助配線７０は適宜に省略される。
【００９９】
以上のように、本発明においては、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨと重なり合うように遮光性の物体（遮光体）が配置された構成であれば足り、この遮光体の具体的な形態（補助配線７０であるか遮光層８１であるか）や材料（例えば導電性であるか絶縁性であるか）の如何は不問である。もっとも、コンタクトホールＣＨに起因した光量のムラを確実に防止するという観点からすると、コンタクトホールＣＨよりも広い範囲にわたって遮光体を配置した構成が好適である。
【０１００】
（３）第１実施形態から第３実施形態においては、絶縁部６４と発光層６６とが重なり合わない構成を例示したが、図２０に示すように、発光層６６が絶縁部６４を覆う構成も採用される。この構成によれば、絶縁部６４によってコンタクトホールＣＨが埋められた平坦面の面上に発光層６６や第２電極６２が形成されるから、コンタクトホールＣＨの段差に起因した発光層６６や第２電極６２の欠損や断線を防止することができる。また、第１実施形態から第３実施形態と同様に発光層６６は凹部６１１の内側に入り込まないから、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は絶縁部６４を挟んで第１電極６１から離間する（すなわち電流が流れない）。したがって、図２０の構成によれば、図９から図１３の構成のもとで問題となる不要放射光の発生を回避することができる。
【０１０１】
（４）第８実施形態においてはドレイン電極３４による不要反射光の遮断のために補助配線７０が利用される構成を例示したが、補助配線７０以外の要素によって不要反射光を遮断してもよい。例えば、ドレイン電極３４と基板１０との間に補助配線７０とは別個の遮光性の膜体が形成された構成としてもよい。この構成における補助配線７０は、例えば第１実施形態と同様に第２電極６２の面上に形成され得る。
【０１０２】
（５）以上の各形態の構成は適宜に組み合わされる。例えば、第３実施形態（図７・図８）において、第７実施形態（図１２・図１３）と同様に、コンタクトホールＣＨの開口領域のうち領域Ａ4と重なり合わないように遮光層８１を形成した構成としてもよい。
【０１０３】
（６）以上の各形態においては発光層６６が有機ＥＬ材料によって形成される場合を例示したが、発光層６６の材料は適宜に変更される。例えば無機ＥＬ材料によって発光層を形成することもできる。本発明における発光層は、電気エネルギの付与によって発光する発光材料によって形成されていれば足りる。
【０１０４】
＜Ｋ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図２１は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｄは発光素子Ｅに有機ＥＬ材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【０１０５】
図２２に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【０１０６】
図２３に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。
【０１０７】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図２１から図２３に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【符号の説明】
【０１０８】
Ｄ……発光装置、Ｐ……画素、Ｅ……発光素子、１０……基板、１１……選択線、１３……信号線、１５……電源線、７０……補助配線、４０……ゲート絶縁層、４１……第１絶縁層、４２……第２絶縁層、４４……反射層、６１……第１電極、６２……第２電極、６６……発光層、６４……絶縁部、６４１……開口部、８０……基板、８１……遮光層。
【図１】
2010164983.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の一方の面に対向するように設けられた第２基板と、
第１基板の前記一方の面上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極より上層側に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
前記第２基板に設けられ、前記第２基板側から前記第１基板を見たときに前記コンタクトホールと重なり合う部分を含む遮光体と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、前記コンタクトホールを介して前記絶縁層から露出した部分
が前記第１電極に接触する電極を含み、
前記遮光体は、前記スイッチング素子の前記電極よりも光反射率が低い材料によって形
成される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に
接続される補助配線を具備し、
前記遮光体は、前記基板に垂直な方向からみて前記補助配線と重なり合う
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記第２電極と前記発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向に
配列した複数の素子群が前記第１方向と交差する第２方向に並列され、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群
との間隙にて前記第１方向に延在し、前記第２の素子群に対して前記第１の素子群とは反
対側に隣接する第３の素子群と前記第２の素子群との間隙には形成されない
請求項１から請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記遮光体は所定の方向に延在し、
前記コンタクトホールは、前記基板に垂直な方向からみて前記所定の方向を長手とする
形状に形成される
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。