(57)【要約】【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。【選択図】図３
2010009070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１方向に延在するデータ線と、
前記データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記基板と前記トランジスタの半導体層との間に設けられた下側遮光膜と、
前記トランジスタの半導体層と前記画素電極との間に設けられた上側遮光膜と、
前記トランジスタと前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールと、を備え、
前記下側遮光膜は、前記第１方向と交差する第２方向に延在する延在部及び該延在部から前記第１方向に突出する第１突出部を有し、
前記上側遮光膜は、前記第１方向に延在する延在部及び該延在部から前記第２方向に突出する第２突出部を有し、
前記下側遮光膜の前記延在部と前記上側遮光膜の前記延在部とが交差する領域に、前記トランジスタの少なくともチャネル領域が配置されてなり、
前記コンタクトホールが、一の前記上側遮光膜の前記第２突出部と、前記一の前記上側遮光膜と隣り合う他の前記上側遮光膜の前記第２突出部のうちの前記一の前記上側遮光膜の前記第２突出部と対向する側の前記第２突出部との間に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記トランジスタ及び前記画素電極双方に電気的に接続される中継層を更に備えてなり、
前記上側遮光膜は前記第２突出部の端部に切り欠き部を有しており、
前記中継層は前記上側遮光膜と同一膜からなるとともに前記切り欠き部に対応するように島状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２突出部同士の間隙の位置が、隣り合う前記チャネル領域間の略中央に対応するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記トランジスタと前記画素電極双方に電気的に接続された画素電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極に対向配置された共通電位側容量電極とを含む蓄積容量を更に備えてなり、
前記画素電位側容量電極の少なくとも一部及び前記共通電位側容量電極の少なくとも一部は、平面的にみて前記第２突出部同士の間隙を埋めるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記上側遮光膜は積層構造を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記中継層は、前記コンタクトホールと接続される層に窒化チタンからなる層を含むことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記下側遮光膜は、前記トランジスタのチャネル領域にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と第２コンタクトホールを介して電気的に接続されて走査線として機能すると共に、前記第２コンタクトホールは、平面的に見て前記チャネル領域を側方から覆うようにして配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記下側遮光膜は、前記第１突出部の端部に切り欠き部を有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）を備えた装置等の電気光学装置の技術分野に関する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
かかる電気光学装置では、上記に加えて、前記基板に対向配置される対向基板を備えるとともに、該対向基板上に、画素電極に対向する対向電極等を備え、更には、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層等を備えることで、画像表示が行われる。すなわち、液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が行われることになるのである。
【０００４】
このような電気光学装置では、前述の薄膜トランジスタ、走査線、データ線及び画素電極等々の各種の構成要素が、基板上に積層構造をなして構築されている。あるいは、場合に応じて、薄膜トランジスタの半導体層に対して光が入射することを防止するため、ストライプ状、あるいは格子状の遮光膜が、前記の積層構造の一部をないして構築されることもある。このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に記載されているものを挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１３１７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来における電気光学装置には次のような問題点がある。すなわち、前述のように基板の上には、薄膜トランジスタ、走査線、データ線、画素電極、あるいは遮光膜等々の各種の要素が形成されるが、これらにおいて特に、一定の長さや、あるいは一定の面積を有する配線及び回路素子を成膜するにあたっては、その内部に発生する応力に配慮する必要がある。この応力について何ら気を払わないと、成膜時に内部に残留した応力が後に開放されることによって、配線の断線をもたらしたり、あるいは回路素子の動作不良を生じさせたりするおそれがあるからである。また、応力が開放されるに至らなくても、当該応力は所定の力を前記基板、あるいは積層構造に与えつづけることになると考えられるから、薄膜トランジスタの特性に影響を及ぼす可能性があるし、また基板に反りを生じさせたりするおそれがある。以上のような現象が生じると、電気光学装置全体の動作に悪い影響を与える可能性がある。
【０００７】
ちなみに、このような問題の発生の有無及び発生するとしてその影響の程度は、当該配線あるいは当該回路素子が如何なる材料により構成されるかに大きく依存するが、この観点からすると、前記の遮光膜において当該問題が最も生じやすいと考えられる。というのも、遮光膜では、その名の通り遮光性能が求められるため、例えばタングステンシリサイド等の比較的光吸収性に優れた材料が選択されることがある。しかしながら、同材料は一般に成膜すると比較的大きな内部応力を発生させる材料であることも多いのである。
【０００８】
また、かかる問題は、当該配線あるいは当該回路素子が如何なる形状にパターニングされるかにも大きく依存する。例えば、基板全面にベタで成膜を行う場合、当該膜中の内部応力は逃げ場を失うことから最も深刻な影響が出てくるおそれが大きい。また、このようなベタによる成膜でなくても、一般に、基板全面にわたって成膜を行う必要のある要素は、応力の逃げ場がないという同じ理由から、当該問題について特に配慮する必要がある。そして、この点からも遮光膜は不利である点が否めない。というのも、遮光膜は画素（光透過領域）がマトリクス状に配列されることに対応して、これを除く部分、即ち典型的には基板全面にわたって格子状に形成されることがあるからである。
【０００９】
以上により結局、遮光膜については特に、前記の内部応力の問題が発生しやすいということがいえるのである。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供することを課題とする。また、本発明は、かかる電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極を含む走査線と、該走査線に交差して延びるデータ線と、前記走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、前記ドレイン領域及び前記画素電極双方に電気的に接続された画素電位側容量電極、該画素電位側容量電極に対向配置された共通電位側容量電極、及びこれら両電極に挟持された誘電体膜を含む蓄積容量とを備えており、前記上側遮光膜は前記共通電位側容量電極に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに前記走査線又は前記データ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる。
【００１２】
本発明の第１電気光学装置によれば、その動作時には、薄膜トランジスタのソース領域に、データ線を介して画像信号が供給され、薄膜トランジスタのゲート電極に、走査線を介して走査信号が供給される。すると、薄膜トランジスタのドレイン領域に接続された画素電極を、薄膜トランジスタによりスイッチング制御することによって、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。例えば、このような基板に対向する位置には、液晶等の電気光学物質を介して、画素電極に対向配置された対向電極が設けられて、これと画素電極との間で電圧印加が行われる。また、横電界駆動方式の場合には、このような対向電極は不要であり、相隣接する画素電極間で電圧印加が行われる。若しくは、例えばこのような画素電極の各々により、有機又は無機ＥＬ（Electro-Luminescence）発光層への電流供給が行われるように構成することも可能である。また、本発明では画素電極に接続された蓄積容量によって、画素電極における電荷保持特性を高められる。
【００１３】
また、薄膜トランジスタを構成する半導体層、特にそのチャネル領域やその隣接領域は、上側遮光膜によって、その上側から覆われているので、基板面に対して上方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。なお、このような上側遮光膜は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。又は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等の他の金属を含んでもよい。若しくは、上側遮光膜は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００１４】
そして、本発明では特に、上側遮光膜が共通電位側容量電極に共通電位を供給する容量配線としての機能を有していることから、例えば上側遮光膜が単に遮光するだけの機能を有し、容量配線は単に共通電位側容量電極への共通電位を供給するだけの機能を有するなどという場合に比べて、基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。
【００１５】
加えて、本発明では更に、このような上側遮光膜は走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる。すなわち、上側遮光膜は、典型的な例でいえば、走査線に沿って断続的に配置されている場合にはデータ線に沿ったストライプ状の部分からなるか（即ち、前記島状部はデータ線に沿った方向では連続的となる。）、又はデータ線に沿って断続的に配置されている場合には走査線に沿ったストライプ状の部分からなる（即ち、前記島状部は走査線に沿った方向では連続的となる。）ことになる。いずれにせよ、このような構造を有することにより、上側遮光膜は基板全面にわたった連続的なパターンを有することはないことになる。したがって、当該上側遮光膜に内部応力が発生したとしても、それは前記の島状部間において有効に開放され得る、言い換えると前記内部応力の有効な逃げ場を予め設け得るのである。
【００１６】
以上のように、本発明によれば、遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することができ、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供することができる。特に、よりよい遮光機能を実現すべく上側遮光膜には前述のような内部応力が比較的大きくなり得る材料が用いられる可能性があるから、前記の効果はより効果的に享受され得る。なお、本発明によっても、島状部間の距離を適当な範囲内に収めれば、遮光膜としての機能が減殺されるということはない。むしろ、かかる島状部間の存在により、光透過領域が増大する可能性があること（言い換えると、開口率が当該上側遮光膜によって規定されるとは限らないということ。また、規定されたとしても、その場合における開口率は島状部間を含んで考慮されるということ。）により、画像の明るさを増大させるという好ましい効果を引き出せる可能性もないわけではない。
【００１７】
なお、本発明にいう「前記走査線又は前記データ線」にいう「又は」とは、択一関係を表す用語として解釈されるのが好ましい。つまり、島状部間が存在するのは、走査線及びデータ線のいずれか一方についてのみであるのが好ましい。というのも、本発明において、上側遮光膜は、前述のように共通電位側容量電極に共通電位を供給する中継層としての機能をも担っており、これをよりよく実現するためには、いずれか一方の方向については連続的なパターニングが行われることが有利だからである（このようにしておけば、当該連続的なパターンの端部の数だけ、例えばコンタクトホール等の共通電位供給部を用意すればよい。）。
【００１８】
本発明の第１電気光学装置の一態様では、前記ドレイン領域及び前記画素電極双方に電気的に接続され両者間の通電の中継をする画素電位中継層を更に備えてなり、前記上側遮光膜は前記島状部間の位置に対応するように切り欠き部を有しており、前記画素電位中継層は前記上側遮光膜と同一膜からなるとともに前記切り欠き部に対応するように島状に配置されている。
【００１９】
この態様によれば、画素電位中継層が備えられていることから、基板上の積層構造の好適化を図り、あるいは製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。具体的には、本発明に係る電気光学装置において、画素電位が供給されるドレイン領域あるいは画素電極と、共通電位が供給される容量配線たる上側遮光膜との間に、電気的に導通可能な状態をつくりだすわけにはいかないが、本態様に係る画素電位側中継層を用いれば、ドレイン領域から画素電極への画素電位の伝達を好適に実現することが可能になるのに加えて、容量配線たる上側遮光膜から共通電位側容量電極への共通電位の伝達を好適に実現することが可能になるのである。また、この画素電位中継層は、上側遮光膜に設けられた切り欠き部に対応するように配置されているから、両者の平面的な配置も無理なく実現することができる。以上により結局、本態様によれば、平面的なレイアウトを含めた積層構造全体の好適化等を図ることができるのである。
【００２０】
また、画素電位中継層は、島状部間の位置に対応するように設けられた切り欠き部に対応するように配置されていることから、当該島状部間あるいは当該切り欠き部の大きさを仮に相当程度大きめにとったとしても、その埋め合わせを画素電位中継層で行うことができ、光透過領域を必要以上に大きくすることがない。つまり、上側遮光膜の遮光膜としての機能を必要以上に大きく減殺することがないのである。
【００２１】
なお、「同一膜からなる」というのは、本態様において、画素電位中継層と容量配線たる上側遮光膜とが、当該電気光学装置の製造段階において同一の機会に成膜され、且つ、パターニングされることで形成されるということを意味している。
【００２２】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記画素電極は四辺形を含み、前記島状部は、該島状部間の位置が前記四辺形の一辺の中央に対応するように配置されている。
【００２３】
この態様によれば、基板上における島状部の配置をバランスよく実現することができる。より具体的には例えば、島状部の形状をどれも均一にすることなどが容易になる。したがって、内部応力に係る問題の抑制はよりよく達成することができる。なお、「中央」とは厳密な幾何学的意味における中央を当然含むほか、若干の遊びを含む概念である。すなわち、本発明にいう「中央」とは、「略中央」と言い換えられうる。また、「画素電極は四辺形を含」むというのも、厳密な幾何学的意味における四角形を当然含むほか、若干の遊びを含む。
【００２４】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記島状部は、該島状部間の位置が、相隣接する前記チャネル領域間の略中央に対応するように配置されている。
【００２５】
この態様によれば、基板上における島状部の配置をバランスよく実現することができる。また、最も光の進入が生じやすいと考えられる島状部間の位置がチャネル領域間の略中央に対応するように配置されていることから、当該チャネル領域に対して光が最も侵入しにくい。つまり、チャネル領域に光リーク電流が流れることを効果的に防止し得る。
【００２６】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極の少なくとも一部及び前記共通電位側容量電極の少なくとも一部は、平面的にみて前記島状部間を埋めるように配置されていてもよい。
【００２７】
この態様によれば、蓄積容量を構成する画素電位側容量電極、あるいは共通電位側容量電極が島状部間を埋めるように配置されていることから、当該島状部間の大きさを仮に相当程度大きめにとったとしても、その埋め合わせを画素電位側容量電極、あるいは共通電位側容量電極で行うことができ、光透過領域を必要以上に大きくすることがない。
【００２８】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜は積層構造を有していてもよい。
【００２９】
この態様によれば、上側遮光膜を、例えば下層を電気抵抗値の比較的低い材料からなる層で構成し、上層を遮光性能が比較的高い材料（例えば、光吸収性能に比較的優れた材料）からなる層で構成するなどとすることができる。これにより、上側遮光膜が遮光膜としての機能に加えて前記容量配線としての機能も果たさなければならないという要求をよりよく満たすことができる。より一般的にいえば、上側遮光膜を積層構造とすることで、容量配線たる上側遮光膜を、より高機能化することができる。
【００３０】
この態様では特に、前記上側遮光膜と同一膜からなる前記画素電位中継層は前記画素電極と第１コンタクトホールを介して相互に接続されており、前記画素電位中継層は、前記第１コンタクトホールと接続される層に窒化チタンからなる層を含むように構成してもよい。
【００３１】
このような構成によれば、画素電極が例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなるという場合、該画素電極と第１コンタクトホールを介して接続される画素電位中継層との間に、いわゆる電蝕を生じさせるおそれを低減することができる。すなわち、上側遮光膜の容量配線としての機能のみを重視すれば、これを構成する材料として、前記のように電気抵抗値の比較的低い材料、例えばアルミニウムを選択するのが好ましいが、そうすると、アルミニウムとＩＴＯとの間で前記の電蝕を生じさせるおそれがある。そして、悪い条件が更に重なるなどすれば、上側遮光膜における通電が不可能になる事態が引き起こされる場合もないわけではない。
【００３２】
しかるに、本態様では、窒化チタンからなる層が第１コンタクトホールに接続される層を構成するので、前記のような不具合を被るおそれが殆どないのである。しかも、本構成では、上側遮光膜は積層構造であることが前提とされているので、前記の効果を享受しつつも、例えば前記窒化チタンからなる層の下層としてアルミニウムからなる層を設ければ、高い電気伝導度の実現も果たすことができる。
【００３３】
さらに、前記窒化チタンは、一般に比較的優れた光吸収性能を発揮し得るから、上側遮光膜の遮光膜としての機能を向上させることができる。加えて、窒化チタンの内部応力は比較的大きいことから、逆に、前述の島状部間の存在により内部応力の開放が行われその悪影響を受けずに済むという本発明の効果を、よりよいかたちで効果的に享受できるということもできる。
【００３４】
このように、本構成によれば、上側遮光膜を積層構造とする最も好ましい態様の一つを実現することができる。
【００３５】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記半導体層の下層側に積層されており且
つ当該半導体層を下側から覆う下側遮光膜を更に備えてなる。
【００３６】
この態様によれば、薄膜トランジスタを構成する半導体層、特にそのチャネル領域やその隣接領域は、下側遮光膜によって、その下側から覆われているので、基板面に対して下方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。なお、この下側遮光膜を構成する材料は、前記の上側遮光膜を構成する材料と同じとしてよい。下側遮光膜を積層構造を有するものとしてもよい。
【００３７】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記半導体層の下層側に積層されており且つ当該半導体層を下側から覆う下側遮光膜を更に備えてなり、前記下側遮光膜は、前記上側遮光膜の前記島状部に平面位置的に対応する島状部からなるとともに、当該下側遮光膜の当該島状部のそれぞれの輪郭は平面的に見てそれに対応する前記上側遮光膜の前記島状部のそれぞれの輪郭を超えないようにされている。
【００３８】
この態様によれば、まず、薄膜トランジスタを構成する半導体層、特にそのチャネル領域やその隣接領域は、下側遮光膜によって、その下側から覆われているので、基板面に対して下方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。なお、この下側遮光膜を構成する材料は、前記の上側遮光膜を構成する材料と同じとしてよい。下側遮光膜を積層構造を有するものとしてもよい。
【００３９】
また、本態様では特に、下側遮光膜は島状部からなり、その島状部のそれぞれは、前記上側遮光膜の島状部のそれぞれに対応し且つ前者の輪郭は後者の輪郭を超えないようにされている。これを概略的にいえば、上側遮光膜の面積が下側遮光膜の面積よりも大きいということができる。したがって、このようであって、且つ、本発明に係る電気光学装置において光源から発せられた光を基板の上方から入射させるという形態をとれば、半導体層に対する光の入射をよりよく阻止することができる。
【００４０】
というのも、仮に前記とは逆のケース、即ち上側遮光膜の面積が下側遮光膜の面積よりも小さいケースを考えると、下側遮光膜は平面的にみて上側遮光膜からいわばはみ出している部分を含むことになるから、前述したような基板の上方からの入射光は、当該はみ出している部分で反射した後、上側遮光膜等の下側で反射し、また再び下側遮光膜等の上側で反射する、などというように、いわゆる迷光を生じさせるおそれがあるのである。かかる迷光が発生すると、画像を構成する光に混入してその品質を貶めたり、あるいは当該迷光が最終的には半導体層に入射する可能性を高める結果となる。
【００４１】
これに対して、本態様では、上側遮光膜の面積が下側遮光膜の面積よりも小さいから、前記のような不具合を被る可能性が低減されているのである。つまり、入射光の多くがより面積の大きい上側遮光膜によって反射又は吸収されることで、前記迷光の発生の可能性が低められているのである。
【００４２】
この態様では、前記上側遮光膜は、前記データ線の延びる方向に沿って断続的に配置されており、前記下側遮光膜は、前記走査線として機能するように構成してもよい。
【００４３】
この態様によれば、上側遮光膜はデータ線の延びる方向に断続的に配置されている。つまり、前述のように当該上側遮光膜は、典型的には、走査線に沿ったストライプ状の部分からなる。そうすると、この場合、下側遮光膜もまた、走査線に沿ったストライプ状の部分からなりながら、前記の島状部（この場合、当該島状部は前記「ストライプ状の部分」に一致する。）の輪郭に係る条件を殆ど完全に満たすことができる。そして、本態様では、このようなことを背景として、下側遮光膜が走査線として機能するようになっているのである。
【００４４】
したがって、まず、本構成によれば、下側遮光膜及び走査線というように個別の機能しか担わない要素を個別に作りこむなどという場合に比べて、基板上の積層構造及び製造プロセスの複雑化を回避することができる。しかも、本構成では、かかる作用効果を得ながらも、下側遮光膜による遮光効果、及び、前記の迷光に係る効果を得ることができるのである。
【００４５】
この構成では更に、前記下側遮光膜は前記ゲート電極と第２コンタクトホールを介して電気的に接続されること、前記走査線として機能するとともに当該ゲート電極は当該走査線に含まれ、前記第２コンタクトホールは、平面的に見て前記チャネル領域を側方から覆うようにして配置されているように構成してもよい。
【００４６】
このような構成によれば、第２コンタクトホールがチャネル領域を側方から覆うようにして配置されていることにより、例えば走査線としての下側遮光膜、層間絶縁膜、半導体層及び第２コンタクトホール開孔という手順を経た後ゲート電極の成膜を実施する際、当該ゲート電極を構成する材料が第２コンタクトホールに埋まるように該成膜を行えば、チャネル領域の方向に沿って、当該材料によるいわば側壁が形成されるが如き構造を作り出すことができる。これによると、当該側壁により、チャネル領域の延在する方向に交差する方向に沿って進行する入射光が当該チャネル領域に進入することを遮ることができる。つまり、本構成によれば、チャネル領域の遮光性をより高めることができるのである。
【００４７】
なお、本構成の上述のような効果に鑑み、より好ましくは、本構成に係る第２コンタクトホールは、チャネル領域を挟んで両側に配置されるような態様とするとよい。これによれば、当該チャネル領域に入射する光の進行を、チャネル領域を挟んだ両側で遮ることができるからである。
【００４８】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記半導体層の下層側に積層されており且つ当該半導体層を下側から覆い、前記走査線又は前記データ線の延びる方向に沿って断続的に配置された第２の島状部からなる下側遮光膜を更に備えてなり、前記下側遮光膜の第２の島状部間の位置に対応するように形成された第２の切り欠き部は、前記上側遮光膜の切り欠き部とは平面的に異なる位置に配置されている。
【００４９】
この態様によれば、下側遮光膜及び上側遮光膜の切り欠き部が相互に平面的に異なる位置に配置されていることから、マトリクス状（格子状）の遮光エリアから、出光側に光が漏れることが殆どない。
【００５０】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記半導体層の下層側に積層されており且つ当該半導体層を下側から覆い、前記走査線又は前記データ線の延びる方向に沿って断続的に配置された第２の島状部からなる下側遮光膜を更に備えてなり、前記下側遮光膜の第２の島状部間の位置は、前記上側遮光膜の島状部間の位置とは平面的に異なる位置に配置されている。
【００５１】
この態様によれば、下側遮光膜及び上側遮光膜の島状部間が相互に平面的に異なる位置に配置されていることから、マトリクス状（格子状）の遮光エリアから、出光側に光が漏れることが殆どない。
【００５２】
本発明の第２電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、前記ゲート電極に電気的につながった走査線と、該走査線に交差して延びるデータ線と、前記走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極とを備えており、前記上側遮光膜は前記走査線又は前記データ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる。
【００５３】
本発明の第２電気光学装置によれば、前述の第１の電気光学装置と略同様な効果が得られる。なお、この第２電気光学装置については、前述の第１電気光学装置を基礎とする各種の態様を、性質上違背しない限り、同様に適用することが可能である。例えば、画素電位中継層を設けることが可能であるし、島状部間の位置を適当に定めること（画素電極の一辺の中央、あるいは相隣接するチャネル領域間の中央に定めること）等が可能である。
【００５４】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の第1又は第２電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００５５】
本発明の電子機器によれば、遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】本発明の第１実施形態に係り、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図４における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図３】本発明の第１実施形態に係り、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図４における符号７０（蓄積容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。ただし、図２の下層の部分に属する半導体層は特別に示されている。
【図４】図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】図３から積層構造の第５層の構成（即ち、容量配線及び第３中継電極）のみを抜き出して描いた平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係り、図２と同趣旨の図であって、容量配線等の形成態様が異なるものである。
【図７】本発明の第２実施形態に係り、図３と同趣旨の図であって、容量配線等の形成態様が異なるものである。
【図８】本発明の第２実施形態に係り、図５と同趣旨の図であって、容量配線等の形成態様が異なるものである。ただし、図５とは異なり、容量配線に加えて走査線が併せて示されている。
【図９】本発明の第２実施形態に係り、図８と同趣旨の図であって、走査線の形成態様が異なるものである。
【図１０】本発明の第３実施形態に係り、図８あるいは図９と同趣旨の図であって、走査線の形成態様が異なるもの（特に切り欠き部１１Ｄに関する）である。
【図１１】図１０と同趣旨の図であって、走査線の形成態様が異なるもの（特にスリット１１Ｓに関する）である。
【図１２】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図１３】図１２のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
〔第１実施形態〕
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５９】
〔画素部における構成〕
以下では、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２及び図３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図２及び図３はそれぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図２）と上層部分（図３）とを分かって図示している（但し、図３においては前記下層部分に属する半導体層が特別に示されている。）。また、図４は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６０】
なお、以下では、まず、第１実施形態に係る電気光学装置の基本的構成について予め説明した後、第１実施形態において特徴的な構成等については、後に改めて（容量配線の構成）なる項目を立てて詳述することとする。
【００６１】
（画素部の回路構成）
図１において、第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６２】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、共通電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００６５】
〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００６６】
まず、図３において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａ（図２参照）が設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００６７】
次に、電気光学装置は、図２及び図３のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００６８】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６９】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材５２（図１２及び図１３参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００７０】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図２に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図３に図示されている。
【００７１】
（積層構造・第１層の構成−走査線等−）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図２のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図２のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図２のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００７２】
ちなみに、第１実施形態に係る走査線１１ａは、前述のような材料、即ち光吸収性に比較的優れた材料からなり得るが、そのような場合は特に、該走査線１１ａは半導体層１ａの下側にあって遮光膜の機能を極めて有効に果たし得る（但し、如何なる材料からなるとしても、当該走査線１１ａは、半導体層１ａを下側から覆うように形成されていることから、多かれ少なかれ遮光機能を期待することはできる。）。この場合、例えば図４に示す戻り光、具体的には例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合（図１４参照）に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などが、半導体層１ａに下側から入射することを未然に防止することができる。
【００７３】
（積層構造・第２層の構成−ＴＦＴ等−）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７４】
また、第１実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００７５】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００７６】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成−下地絶縁膜−）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００７７】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂ（前記の「下側に凹状に形成された部分」）が延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００７８】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７９】
（積層構造・第３層の構成−蓄積容量等−）
前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、共通電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第１実施形態に係る蓄積容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００８０】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている（図４参照）。
【００８１】
容量電極３００は、蓄積容量７０の共通電位側容量電極として機能する。第１実施形態において、容量電極３００を共通電位とするためには、共通電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００８２】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。第１実施形態において、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００８３】
なお、第１実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００８４】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成−第１層間絶縁膜−）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８５】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
【００８６】
（積層構造・第４層の構成−データ線等−）
前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図４における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図４における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図４における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００８７】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図３に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図３中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００８８】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する（図４参照）。
【００８９】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成−第２層間絶縁膜−）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００９０】
（積層構造・第５層の構成−容量配線等−）
前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００及び第３中継電極４０２が形成されている。これら容量配線４００及び第３中継電極４０２については、後の（容量配線の構成）において詳細に説明することとする。
【００９１】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成−第３層間絶縁膜−）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００９２】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成−画素電極等−）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００９３】
（容量配線の構成）
以上述べたような構成を備える電気光学装置において、第１実施形態においては特に、積層構造の第５層として設けられる容量配線４００に関して特徴がある。以下では、前述までに参照した各図及び図５を参照して、これについて詳述する。ここに図５は、図３から積層構造の第５層の構成（即ち、容量配線４００及び第３中継電極４０２）のみを抜き出して描いた平面図である。
【００９４】
容量配線４００は、平面的にみると、図３及び図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように“概ね”格子状に形成されている（但し、“概ね”については、後のスリット４００Ｓの説明参照。）。この容量配線４００は、図４に示すように、その下層にアルミニウムからなる層（以下、単に「アルミニウム層」という。）４００ｂ、その上層に窒化チタンからなる層（以下、単に「窒化チタン層」という。）４００ａの二層構造を有している。また、容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、共通電位とされている。そして、この容量配線４００は、コンタクトホール８０３、容量配線用中継層６a１及びコンタクトホール８０１を介して、蓄積容量７０を構成する容量電極３００に電気的に接続されており、該容量電極３００はこれによって共通電位とされている。
【００９５】
図３及び図５中ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部から張り出すようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００９６】
また、容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分は、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分は、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部４００Ｄ（図５参照）を有している。そして第１実施形態においては特に、このＸ方向に延在する部分について、スリット４００Ｓが設けられている。したがって、前述において容量配線４００は“概ね”格子状に形成されている旨述べたが、より正確には、図中Ｙ方向に沿ったストライプ状に形成されているということになる。言い換えると、当該容量配線４００は、走査線１１ａの延びる方向に沿って断続的に配置された島状部、あるいはストライプ状という用語を用いればデータ線６ａの方向に延びる「ストライプ状部」からなるのである。
【００９７】
加えて、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、前記の容量配線４００の切り欠き部４００Ｄの形成位置に対応するように配置されている。これら第３中継電極４０２及び容量配線４００間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。第３中継電極４０２は、コンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、第３中継電極４０２は、容量配線４００と同一膜からなるから、該容量配線４００と同様に下層にアルミニウム層４０２ｂ、上層に窒化チタン層４０２ａの二層構造を有している。
【００９８】
第１実施形態に係る電気光学装置は、このような容量配線４００を備えることにより、以下のような作用効果を得ることができる。すなわち、まず、第１実施形態に係る容量配線４００は、上述のように下層にアルミニウム層４００ｂ及び上層に窒化チタン層４００ａからなる積層構造を有するから、アルミニウム層４００ｂの存在によって比較的高い電気伝導度を達成することができるので、容量電極３００への共通電位の供給を滞りなく行うことができるのと同時に、窒化チタン層４００ａの存在によって比較的優れた光吸収性能が発揮されることになるので、遮光膜としての機能を如何なく享受することができる。特に、この遮光性能に優れているという点は、前述の三角形状の部分による遮光効果をより実効的にするという意味でも有意義である。
【００９９】
また、第１実施形態に係る容量配線４００は、スリット４００Ｓを有すること、言い換えるとデータ線６ａの方向に延びるストライプ状部からなるから、当該容量配線４００に内部応力が発生したとしても、それは前記のストライプ状部間において有効に開放され得る、言い換えると前記内部応力の有効な逃げ場を予め設け得るのである。したがって、第１実施形態によれば、容量配線４００の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することができ、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供することができる。特に、第１実施形態の容量配線４００は、上述のように内部応力が比較的大きくなり得る窒化チタン層４００ａを含むことから、前述の応力開放に係る効果はより効果的に享受され得る。また、スリット４００Ｓの存在位置は、図３又は図５中画素電極９ａのＸ方向に沿った一辺の略中央とされているから、各容量配線４００の形状をほぼ均一にすることができ、またその基板上におけるレイアウトもほぼ均一にすることができる。これは、各容量配線４００中で発生する内部応力の均一化が図られることを意味し、その開放の均一化も図られることを意味するから、内部応力にかかる問題の抑制はよりよく達成することができる。
【０１００】
その他、第１実施形態においては、蓄積容量７０を構成する容量電極３００、あるいは中継電極７１が、前記の切り欠き部４００Ｄ、あるいはスリット４００Ｓを埋めるように配置されているから（図２及び図３参照）、光透過領域を必要以上に大きくならない、第３中継電極４０２の上層に窒化チタン層４０２ａが存在することによりコンタクトホール８９を介して接続されたＩＴＯ等からなる画素電極９ａとの間で電蝕が生じない、などといった各種の効果が奏される。
【０１０１】
〔第２実施形態〕
以下では、本発明の第２の実施形態について、図６乃至図９を参照しながら説明する。ここに図６乃至図８はそれぞれ、図２、図３及び図５と同趣旨の図であって、容量配線等の形成態様が異なるものである。ただし、図８は容量配線に加えて走査線も併せて示されている。また、図９は、図８と同趣旨の図であって、走査線の形成態様が異なるものである。なお、第２実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に第２実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１０２】
図６乃至図８において、容量配線４０１は、前述の第１実施形態と同様、概ね格子状に形成されていること等について変わりはないが、スリット４０１Ｓが該容量配線４０１のＹ方向に延在する部分について設けられている点で異なっている。言い換えると、当該容量配線４００は、データ線６ａの延びる方向に沿って断続的に配置された島状部、あるいはストライプ状という用語を用いれば走査線１１ａの方向に延びる「ストライプ状部」からなる。なお、容量配線４０１に切り欠き部４０１Ｄが形成されていること、該切り欠き部４０１Ｄに対応する位置に第３中継電極４０２が形成されていること等は、前述の第１実施形態と同様である。
【０１０３】
また、第２実施形態では、走査線１１ｂが、第１実施形態に比べて若干狭めに形成されており、全体として、容量配線４０１の形成領域の範囲内に収まるように形成されている。ただし、図８においては、切り欠き部４０１Ｄの部分で走査線１１ｂは、いわばはみ出している状態にある。
【０１０４】
このような第２実施形態に係る電気光学装置によっても、前述の第１実施形態と略同様の作用効果が得られることは明白である。すなわち、容量配線４０１は、スリット４０１Ｓを有すること、言い換えると走査線１１ｂの方向に延びるストライプ状部からなるから、当該容量配線４０１の内部に発生する応力の有効な逃げ場を予め設け得ることにより、該応力を原因とする不具合の発生を極力防止することができる。
【０１０５】
また、第２実施形態においては特に、走査線１１ｂが、容量配線４０１の形成領域の範囲内に収まるように形成されていることから、入射光（図４参照）が電気光学装置内部でむやみに反射することによっていわゆる迷光を発生させるようなことが殆どない。つまり、入射光は、下層側に配置された走査線１１ｂの縁部分等で反射することがなく、またそれゆえその反射光が例えば容量配線４００の下側で反射するなどといった多重反射の発生のおそれが低減されることにより、迷光の発生を抑制することができるのである。
【０１０６】
なお、図６乃至図８においては、走査線１１ｂが切り欠き部４０１Ｄの部分において、はみ出している状態にあるが、本発明にいう「超えないように」（特に「ように」の部分）とは、このような形態も含む。図８から明らかなように、走査線１１ｂの大部分は容量配線４０１の形成領域の範囲内に形成されているのであり、該走査線１１ｂのうちの僅か一部が前記のようにはみ出しているからといって、それにより「超えないように」の文言の範囲を超えるとは考えないのである。したがって、前述の第１実施形態のように、容量配線４００が走査線１１ａの延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる場合であって、走査線１１ａは必然的にはみ出す部分を含まざるを得ない（スリット４００Ｓの部分で走査線１１ａははみ出さざるを得ない。）場合であっても、該容量配線４００の形成領域の範囲内に収まるように、即ち「超えないように」走査線１１ａを形成することは可能である。
【０１０７】
もちろん「超えない」というのを完全に満たすような走査線及び容量配線の配置関係を実現することもできる。図９に示す形態では、走査線１１ｃが容量配線４０１の形成領域の範囲内に完全に収まっており、「超えない」が完全に満たされる一例が示されている。この場合、前記の作用効果がより効果的に享受されうることは言うまでもない。
【０１０８】
ちなみに、第２実施形態では、走査線１１ｂ又は１１ｃはゲート電極３ａとコンタクトホール１２ｃｖを介して接続されているとともに、該ゲート電極３ａは該コンタクトホール１２ｃｖの内部を埋めるように形成されていることで、側壁部３ｂ（図６参照）が形成されるようになっている。したがって、第２実施形態では、チャネル領域１ａ’の延在する方向に交差する方向に沿って進行する入射光が当該チャネル領域１ａ’に進入することを遮ることができる。つまり、チャネル領域１ａ’の遮光性をより高めることができるのである。もっとも、前述の第１実施形態においても側壁部３ｂが形成されているので、これと同じ作用効果が得られることについては既に述べている。
【０１０９】
〔第３実施形態〕
以下では、本発明の第３の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。ここに図１０は、図８あるいは図９と同趣旨の図であって、走査線の形成態様が異なるものである。なお、第３実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に第３実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１１０】
図１０において、走査線１１ｄは切り欠き部１１Ｄを有している。この切り欠き部１１Ｄが設けられていることにより、該切り欠き部１１Ｄに対応するように、例えば、走査線１１ｄと同一膜からなる所定の配線、あるいは回路素子等を作りこむことができる。そして、第３実施形態では、この切り欠き部１１Ｄは、容量配線４０１の切り欠き部４０１Ｄとは平面的に見て異なる位置に形成されている。
【０１１１】
このような第３実施形態に係る電気光学装置によっても、前述の第１実施形態と略同様の作用効果が得られることは変わりはないが、第３実施形態では特に、下側遮光膜たる走査線１１Ｄ及び上側遮光膜たる容量配線４０１の切り欠き部４０１Ｄが相互に平面的にみて異なる位置に配置されていることから、マトリクス状（格子状）の遮光エリアから、出光側に光が漏れることが殆どない。つまり、より高品質の画像を表示することができる。
【０１１２】
なお、図１０に類似する図１１のような形態も本発明の範囲内であるが、この場合、走査線１１ｅのスリット１１Ｓが、容量配線４０１のスリット４０１Ｓと平面的にみて異なる位置に配置されている。これによっても、前述の第３実施形態にかかる作用効果が略同様に得られる。
【０１１３】
〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１２及び図１３を参照して説明する。ここに、図１２は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１３は、図１２のＨ−Ｈ'断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【０１１４】
図１２及び図１３において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１１５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【０１１６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１１７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１１８】
図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１１９】
なお、図１２及び図１３に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１２０】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２１】
図１４において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した電気光学装置（図１乃至図５参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１２３】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、６ａ…データ線、６ａ１…容量配線用中継層、６ａ２…第２中継電極、３０…ＴＦＴ、１ａ…半導体層、９ａ…画素電極、７０…蓄積容量、７１９…中継電極、４００、４０１…容量配線、４０２…第３中継電極、４００Ｓ、４０１Ｓ…スリット、４００Ｄ、４０１Ｄ…切り欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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