(57)【要約】【課題】多層構造の配線部の厚さを小さくすることができ、しかも電気的特性の優れたディスク装置用フレキシャを提供する。【解決手段】導電材料からなるメタルベース５０の両側部間にスリット５２が形成されている。スリット５２は、メタルベース５０の厚さ方向に貫通し、メタルベース５０の長手方向に延びている。メタルベース５０上に絶縁層５４が形成されている。スリット５２の内側に第１の導体５５が形成されている。第１の導体５５は、スリット５２に沿ってメタルベース５０の長手方向に延びている。絶縁層５４に第２の導体５６が形成されている。第２の導体５６は、第１の導体５５に対して絶縁層５４を挟んで対向し、第１の導体５５に沿ってメタルベース５０の長手方向に延びている。メタルベース５０と第１の導体５５は、互いに共通のベース材料６０（例えばステンレス鋼板）からなる。このベース材料６０をエッチングすることによって、第１の導体５５が形成されている。【選択図】図４
2010211835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク装置用サスペンションのロードビームに設けるフレキシャであって、
導電材料からなる板状のメタルベースと、
前記メタルベースの両側部間に形成され該メタルベースの厚さ方向に貫通しかつ該メタルベースの長手方向に延びるスリットと、
電気絶縁性の材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、
前記スリットの内側に形成され、前記絶縁層の前記メタルベースと同じ側の第１の面に積層されかつ前記スリットに沿って前記メタルベースの長手方向に延びる第１の導体と、
前記絶縁層の前記メタルベースとは反対側の第２の面に積層されかつ前記第１の導体に対して前記絶縁層を挟んで対向し、前記第１の導体に沿って前記メタルベースの長手方向に延びる第２の導体と、
を具備したことを特徴とするディスク装置用フレキシャ。
【請求項２】
前記第１の導体が前記メタルベースと共通のベース材料からなり、該ベース材料をエッチングすることにより前記第１の導体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項３】
前記第１の導体が前記メタルベースとは異なる導体材料からなり、該導体材料の導電率が前記メタルベースの導電率よりも高いことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項４】
前記メタルベースが前記ロードビームに重ねて配置され、前記第１の導体の厚さを前記メタルベースの厚さよりも小さくすることにより、前記第１の導体と前記ロードビームとの間に絶縁空間が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項５】
前記メタルベースが前記ロードビームに重ねて配置され、前記ロードビームの前記第１の導体と対向する部位に凹部が形成され、該凹部によって前記第１の導体と前記ロードビームとの間に絶縁空間が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項６】
前記メタルベースが前記ロードビームに重ねて配置され、前記ロードビームの前記第１の導体と対向する部位に該ロードビームの厚さ方向に貫通する開口部が形成され、該開口部によって前記第１の導体と前記ロードビームとの間に絶縁空間が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項７】
前記第１の導体と前記絶縁層との間に前記メタルベースよりも導電率の高い金属からなる高導電層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項８】
前記第１の導体の外周面の少なくとも一部に前記メタルベースよりも導電率の高い金属からなる導電カバー層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項９】
前記第１の導体の外周面の少なくとも一部に電気絶縁材料からなる絶縁被覆が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置のためのディスク装置に使用されるディスク装置用フレキシャに関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用サスペンションが設けられている。
【０００３】
ディスク装置用サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを有している。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部にスライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらサスペンションとフレキシャなどによってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。
【０００４】
前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。例えば下記特許文献１に開示されているように、配線付フレキシャ(flexure with conductors)が知られている。配線付フレキシャは、薄いステンレス鋼板からなるメタルベースと、このメタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された銅からなる複数本の導体などを含んでいる。導体の一端はスライダの素子（例えばＭＲ素子）に接続されている。導体の他端は、アンプ等の電気回路に接続されている。
【０００５】
前記フレキシャの配線部は、アンプおよびスライダの素子とのマッチングをとる上で、また消費電力を小さくする上でも、インピーダンスを小さくすることが望まれている。またディスク装置内部の狭いスペースにフレキシャをレイアウトする上では、配線部の厚さや幅はなるべく小さい方がよい。
【０００６】
特許文献１に開示されているフレキシャは、多層構造（multi-layers type）の配線部を有している。図１７は多層構造の配線部の一例を示している。図１７に示す配線部では、メタルベース１の厚さ方向に絶縁層２が形成され、絶縁層２上に第１の導体３が形成されている。第１の導体３は、絶縁材料からなる第１のカバー層４によって覆われている。さらに第１のカバー層４上に第２の導体５が形成されている。第２の導体５は、絶縁材料からなる第２のカバー層６によって覆われている。
【０００７】
このように構成された多層構造の配線部は、配線部の幅が狭いわりには導体３，５の幅Ｗ１を大きくとることができ、配線部のインピーダンスを小さくすることができるという利点がある。しかし多層構造の配線部は、厚さＨ１が大きいという問題がある。
【０００８】
一方、図１８に示す従来のフラットタイプのフレキシャの配線部は、メタルベース１上に形成された絶縁層２に沿って、第１の導体３と第２の導体５が互いに平行に配置されている。これら導体３，５がカバー層４によって覆われている。このように構成された配線部は、厚さＨ２を小さくすることができるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１７に示す従来の多層構造の配線部は、各導体３，５が厚さ方向に配置されているため導体３，５の幅Ｗ１を比較的大きくとることができる。しかしメタルベース１と絶縁層２と第１および第２の導体３，５とカバー層４，６が配線部の厚み方向に重なるため、配線部の厚さＨ１が大きくなるという問題がある。
【００１１】
一方、図１８に示すフラットタイプの配線部は、第１および第２の導体３，５が配線部の幅方向に配置されるため、多層構造の配線部と比較して、厚さＨ２を小さくすることができる。しかし一対の導体３，５が配線部の幅Ｗ２の内側で幅方向に並ぶため、導体３，５の幅を大きくすることができない。このため配線部のインダクタンスおよびインピーダンスが大きくなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、多層構造の配線部の厚さを小さくすることができ、しかも電気的な特性が優れているディスク装置用フレキシャを提供する。
【００１３】
本発明は、ディスク装置用サスペンションのロードビームに設けるフレキシャであって、導電材料からなる板状のメタルベースと、前記メタルベースの両側部間に形成され該メタルベースの厚さ方向に貫通しかつ該メタルベースの長手方向に延びるスリットと、電気絶縁性の材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、前記スリットの内側に形成され、前記絶縁層の前記メタルベースと同じ側の第１の面に積層されかつ前記スリットに沿って前記メタルベースの長手方向に延びる第１の導体と、前記絶縁層の前記メタルベースとは反対側の第２の面に積層されかつ前記第１の導体に対して前記絶縁層を挟んで対向し前記第１の導体に沿って前記メタルベースの長手方向に延びる第２の導体とを具備している。
【００１４】
本発明の１つの形態では、前記第１の導体が前記メタルベースと共通のベース材料（例えばステンレス鋼板）からなり、このベース材料をエッチングすることにより前記メタルベースと前記スリットと第１の導体が形成されている。本発明の他の形態では、前記第１の導体が前記メタルベースとは異なる導体材料（例えば銅）からなり、該導体材料の導電率が前記メタルベースの導電率よりも高い。
【００１５】
この発明において、前記メタルベースがロードビームに重ねて配置され、前記第１の導体と前記ロードビームとの間に絶縁空間が形成されていてもよい。また前記第１の導体と前記絶縁層との間に、前記メタルベースよりも導電率の高い金属からなる高導電層が形成されていてもよい。前記第１の導体の外周面の少なくとも一部に前記メタルベースよりも導電率の高い金属からなる導電カバー層が形成されていてもよい。あるいは前記第１の導体の外周面の少なくとも一部に電気絶縁材料からなる絶縁被覆が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１の導体がメタルベースに形成されたスリットの内側に配置されるため、多層構造の配線部でありながら厚さを小さくすることができる。しかも第１の導体と第２の導体が厚み方向に重なるため、限られた配線部の幅内に、比較的幅の大きな第１および第２の導体を配置することができる。このため配線部のインダクタンスおよびインピーダンスを小さくすることができ、かつ、メタルベースに各導体に沿ってスリットが形成されているため配線部の渦電流損を減らすことが可能であるなど、電気的特性も優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】サスペンションを備えたディスク装置の一例を示す斜視図。
【図２】図１に示されたディスク装置の一部の断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るフレキシャを有するディスク装置用サスペンションの平面図。
【図４】図３中のＦ４−Ｆ４線に沿うフレキシャの一部の横断面図。
【図５】図３中のＦ５−Ｆ５線に沿うフレキシャの一部の横断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図９】本発明の第５の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１０】本発明の第６の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１１】本発明の第７の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１２】本発明の第８の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１３】本発明の第９の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１４】本発明の第１０の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１５】本発明の第１１の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１６】本発明の第１２の実施形態に係るフレキシャの一部の断面図。
【図１７】従来のフレキシャの一部を示す断面図。
【図１８】他の従来のフレキシャの一部を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の第１の実施形態に係るディスク装置用フレキシャについて、図１から図５を参照して説明する。  
図１に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１０は、ケース１１と、スピンドル１２を中心に回転するディスク１３と、ピボット軸１４を中心に旋回可能なキャリッジ１５と、キャリッジ１５を駆動するためのポジショニング用モータ１６などを有している。ケース１１は、図示しない蓋によって密閉される。
【００１９】
図２はディスク装置１０の一部を模式的に示す断面図である。図２に示されるように、キャリッジ１５にアーム１７が設けられている。アーム１７の先端部にサスペンション２０が取付けられている。サスペンション２０の先端に、磁気ヘッドを構成するスライダ２１が設けられている。ディスク１３が高速で回転すると、ディスク１３とスライダ２１との間にエアベアリングが形成される。
【００２０】
ポジショニング用モータ１６によってキャリッジ１５を旋回させると、サスペンション２０がディスク１３の径方向に移動することにより、スライダ２１がディスク１３の所望トラックまで移動する。スライダ２１のヘッド部には、例えばＭＲ素子のように電気信号と磁気信号とを変換することができる素子が設けられている。これらの素子によって、ディスク１３に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。
【００２１】
図３に本発明の１つの実施形態に係るサスペンション２０が示されている。このサスペンション２０は、ベースプレート３０と、ロードビーム３１と、薄いばね板からなるヒンジ部材３２と、配線付フレキシャ(flexure with conductors)４０などを備えている。これ以降、配線付フレキシャ４０を単にフレキシャと称する。ベースプレート３０のボス部３０ａは、キャリッジ１５のアーム１７（図１と図２に示す）に固定される。
【００２２】
図３に示されるようにフレキシャ４０はロードビーム３１に沿って配置され、ロードビーム３１と重なる部分４０ａがレーザ溶接等の固定手段によってロードビーム３１に固定されている。フレキシャ４０の先端部付近に、ジンバル部として機能するタング４１が形成されている。タング４１に前記スライダ２１が取付けられている。フレキシャ４０の後部（テール部）４０ｂはベースプレート３０の後方に延びている。
【００２３】
図４は、図３中のＦ４−Ｆ４に沿うフレキシャ４０の一部の断面を示している。このフレキシャ４０は、メタルベース５０と、メタルベース５０に沿って形成された配線部５１とを含んでいる。図４において、矢印Ａがメタルベース５０の厚さ方向である。図３中の矢印Ｂがメタルベース５０の長手方向を示し、矢印Ｃがメタルベース５０の幅方向を示している。
【００２４】
メタルベース５０の両側部５０ａ，５０ｂ（図３に示す）間にスリット５２が形成されている。スリット５２はメタルベース５０の長手方向に延びている。図４に示すようにスリット５２はメタルベース５０の厚さ方向に貫通している。
【００２５】
配線部５１は、メタルベース５０上に形成された絶縁層５４と、第１および第２の導体５５，５６と、第２の導体５５を覆うカバー層５７を含んでいる。絶縁層５４とカバー層５７は、ポリイミド等の電気絶縁材料からなる。なお第１の導体５５が絶縁性のカバー層によって被覆されていてもよい。図４に示された一対の導体５５，５６はデータ書込用であるが、このフレキシャ４０に読取用の一対の導体５８（図３に模式的に示す）が設けられていてもよい。
【００２６】
メタルベース５０は、導電性のベース材料６０（例えばＳＵＳ３０４等のばね性を有するステンレス鋼板）によって構成されている。メタルベース５０の厚さ、すなわちベース材料６０の厚さは、ロードビーム３１の厚さよりも小さい。メタルベース５０の厚さは例えば１５〜２０μｍである。ロードビーム３１の厚さは例えば３０〜６２μｍである。導体５５，５６の厚さの一例は１０μｍである。絶縁層５４の一例は１０μｍである。
【００２７】
第１の導体５５と第２の導体５６は、それぞれメタルベース５０の両側部５０ａ，５０ｂに沿って、メタルベース５０の長手方向に連続している。これら導体５５，５６の一端はスライダ２１の素子（図示せず）に接続されている。導体５５，５６の他端はディスク装置１０のアンプ（図示せず）に接続されている。
【００２８】
第１の導体５５はスリット５２の内側に配置されている。この第１の導体５５は、絶縁層５４のメタルベース５０と同じ側の面、すなわち第１の面５４ａに積層されている。そしてこの第１の導体５５は、スリット５２に沿ってメタルベース５０の長手方向に延びている。
【００２９】
第２の導体５６は、絶縁層５４のメタルベース５０とは反対側の面、すなわち第２の面５４ｂに積層されている。この第２の導体５６は、第１の導体５５に対して絶縁層５４を挟んで対向し、第１の導体５５に沿ってメタルベース５０の長手方向に延びている。第２の導体５６は、例えばめっき銅などの高導電率の金属からなり、絶縁層５４に沿って所定のパターンとなるようにエッチングによって形成されている。
【００３０】
本実施形態の場合、メタルベース５０と第１の導体５５とは、互いに共通の金属製のベース材料６０、例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼板によって構成されている。このベース材料６０をエッチングすることによって、メタルベース５０と、スリット５２と、第１の導体５５とが所定形状に成形されている。この場合、メタルベース５０の厚さと第１の導体５５の厚さが等しいため、第１の導体５５がスリット５２の外側に突き出ないようにすることができる。
【００３１】
図５は、フレキシャ４０とロードビーム３１とが重なる部分４０ａを示している。この部分４０ａは、ロードビーム３１と重なった状態でロードビーム３１に固定されている。第１の導体５５の厚さをハーフエッチングなどによってメタルベース５０の厚さよりも小さくすることにより、第１の導体５５とロードビーム３１との間に電気絶縁のための絶縁空間Ｇが形成されている。
【００３２】
以上のように構成された本実施形態のフレキシャ４０の配線部５１によれば、メタルベース５０に形成されたスリット５２の内側に第１の導体５５が収容され、第１の導体５５の厚さ方向に第２の導体５６が配置されている。このため第１の導体５５と第２の導体５６が厚さ方向に重なった多層構造の配線部５１でありながら、配線部５１の厚さＨ（図４に示す）を従来の多層構造の配線部よりも小さくすることができる。
【００３３】
しかも第１の導体５５と第２の導体５６が厚み方向に重なるため、配線部５１の幅が小さいわりには、第１および第２の導体５５，５６の幅Ｗ（図４に示す）を大きくすることができる。このため配線部５１のインダクタンスとインピーダンスを小さくすることが可能である。また各導体５５，５６に沿ってメタルベース５０にスリット５２が形成されているため、配線部５１の渦電流損を減らすことができる。渦電流損は伝送する信号が高周波数になるほど大きくなるため、配線部５１の渦電流損を減らすことができれば、高周波数帯域化が可能となり、信号をより高速で伝送することが可能となる。
【００３４】
図６は、本発明の第２の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。ロードビーム３１の第１の導体５５と対向する部位に、ハーフエッチング等によって厚さを減らした凹部７０が形成され、この凹部７０により、第１の導体５５とロードビーム３１との間に絶縁空間Ｇが形成されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様に構成されているため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００３５】
図７は、本発明の第３の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。ロードビーム３１の第１の導体５５と対向する部位に、ロードビーム３１の厚さ方向に貫通する開口部７１が形成され、この開口部７１によって第１の導体５５とロードビーム３１との間に絶縁空間が形成されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様に構成されているため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
図８は、本発明の第４の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０と共通のベース材料６０（例えばステンレス鋼板）からなる。また第１の導体５５と絶縁層５４との間に、ベース材料６０よりも導電率の高い材料（例えばめっき銅）からなる高導電層８０が形成されている。この高導電層８０によって、第１の導体５５の導電性が高められている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
図９は、本発明の第５の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０と共通のベース材料６０（例えばステンレス鋼板）からなる。また第１の導体５５の外周面に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属（例えば銅）からなる導電カバー層９０が、例えばめっきによって形成されている。この導電カバー層９０によって、第１の導体５５の導電性が高められている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
図１０は、本発明の第６の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０と共通のベース材料６０（例えばステンレス鋼板）からなる。また第１の導体５５の外周面の一部に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属（例えば銅）からなる導電カバー層９０が、例えば部分めっきによって形成されている。この導電カバー層９０によって、第１の導体５５の導電性が高められている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００３９】
図１１は、本発明の第７の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０と共通のベース材料（例えばステンレス鋼板）からなる。また第１の導体５５の両側面に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属（例えば銅）からなる導電カバー層９０が、例えば部分めっきによって形成されている。この導電カバー層９０によって、第１の導体５５の導電性が高められている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
図１２は、本発明の第８の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。前記各実施形態と同様に、絶縁層５４の第１の面５４ａに第１の導体５５が配置され、絶縁層５４の第２の面５４ｂに第２の導体５６が配置されている。この実施形態の場合には、前記メタルベース５０がエッチング等によって除去されていることにより、第１の導体５５と第２の導体５６とが絶縁層５４を挟んで表裏がほぼ対称となっている。このためフレキシャ４０の表裏を逆にして使用することができる場合がある。
【００４１】
図１３は、本発明の第９の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０を構成するベース材料６０よりも導電率の高い導体材料１００（例えば銅あるいはニッケル）によって構成されている。また絶縁層５４と第１の導体５５との間に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属からなる高導電層８０が形成されている。第１の導体５５は、例えばめっきによって高導電層８０の表面に形成されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
図１４は、本発明の第１０の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０を構成するベース材料６０よりも導電率の高い導体材料１００（例えば銅あるいはニッケル）によって構成されている。絶縁層５４と第１の導体５５との間に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属からなる高導電層８０が形成されている。また第１の導体５５の外周面に、メタルベース５０よりも導電率の高い金属からなる導電カバー層９０が、例えばめっきによって形成されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００４３】
図１５は、本発明の第１１の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。第１の導体５５は、メタルベース５０を構成するベース材料６０よりも導電率の高い導体材料１００（例えば銅あるいはニッケル）によって構成されている。第１の導体５５と絶縁層５４との間に、ベース材料６０よりも導電率の高い金属からなる高導電層８０が形成されている。また第１の導体５５の外周面に、電気絶縁材料からなる絶縁被覆１１０が形成されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
図１６は、本発明の第１２の実施形態に係るフレキシャ４０の一部の断面図である。この実施形態では、メタルベース５０に形成されたスリット５２の内側に、書込用の第１の導体５５と、読取用の第１の導体１２０が配置されている。これらの導体５５，１２０は絶縁層５４の第１の面５４ａに積層されている。絶縁層５４の第２の面５４ｂに、書込用の第２の導体５６と、読取用の第２の導体１２１が積層されている。それ以外の構成と作用効果については第１の実施形態のフレキシャ４０と同様であるため、第１の実施形態と共通の符号を付して説明を省略する。
【００４５】
なお本発明を実施するに当たり、フレキシャを構成するメタルベースをはじめとして、スリット、絶縁層、第１および第２の導体などの発明の構成要素を、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更して実施できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４６】
１０…ディスク装置
２０…サスペンション
３１…ロードビーム
４０…フレキシャ
５０…メタルベース
５２…スリット
５４…絶縁層
５５…第１の導体
５６…第２の導体
６０…ベース材料
８０…高導電層
９０…導電カバー層
１００…導体材料
１１０…絶縁被覆
【図１】
2010211835.tif 000003
【図２】
2010211835.tif 000004
【図３】
2010211835.tif 000005
【図４】
2010211835.tif 000006
【図５】
2010211835.tif 000007
【図６】
2010211835.tif 000008
【図７】
2010211835.tif 000009
【図８】
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【図９】
2010211835.tif 000011
【図１０】
2010211835.tif 000012
【図１１】
2010211835.tif 000013
【図１２】
2010211835.tif 000014
【図１３】
2010211835.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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