(57)【要約】【課題】磁気ヘッドを高精度で製造する。【解決手段】磁気ヘッド製造方法において、主磁極２２３の形成面上に、磁性材料からなり、主磁極２２３の元となる突条２４４を形成し（ステップＳ１１からステップＳ１３）、上記の磁性材料よりもミリングレートが高い非磁性材料からなり、突条２４４のよりも低い中間層２４５を形成し（ステップＳ１４）、上記の磁性材料よりもミリングレートが低い非磁性材料からなる非磁性層２４６を形成し（ステップＳ１５）、中間層２４５と非磁性層２４６とを突条２４４の両側面に沿った部分を残して除去することで、突条２４４の底部側を除く上面側の部分をイオンミリングから保護する主磁極幅保護体２２９を形成し（ステップＳ１６からステップＳ１９）、その後、突条２４４に対し、イオンミリングを斜め方向に施して主磁極２２３を得る（ステップＳ２０）。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に磁極で磁界を印加して磁気的に情報を記録する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法であって、
前記磁極を形成する形成面上に磁性材料で、前記磁極の元となる突条を形成する突条形成過程と、
所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成する保護体形成過程であって、
前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成する中間層形成過程と、
前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成する非磁性形成過程と、
前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで前記保護体を形成する除去過程とを有する保護体形成過程と、
前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで前記磁極を形成する切削過程とを有することを特徴とする磁気ヘッド製造方法。
【請求項２】
前記突条形成過程が、前記突条を、該突条の上面の幅が所定幅となるように形成する過程であり、
前記保護体形成過程が、前記保護体を、前記突条の上面の両横に添えて形成する過程であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド製造方法。
【請求項３】
前記除去過程が、
前記中間層および前記非磁性層を除去するための所定の層除去処理について該中間層の耐性および該非磁性層の耐性の双方よりも更に高い耐性を有する第３の非磁性材料で、前記突条に沿って該突条の上方を延びる該突条の幅よりも広い幅のマスクを形成するマスク形成過程と、
前記中間層および前記非磁性層の、前記マスクの幅からはみ出した部分を前記層除去処理で除去する層除去過程とを有する過程であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ヘッド製造方法。
【請求項４】
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
前記コイルで発生された磁界を磁気記録媒体に導いて該磁気記録媒体に該磁界を印加する磁極とを備え、
前記磁極が、
前記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、該磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成して、前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成し、前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
情報が磁気的に記録される磁記録媒体；および、
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
前記コイルで発生された磁界を前記磁気記録媒体に導いて該磁気記録媒体に該磁界を印加する磁極とを備え、
前記磁極が、
前記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、該磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成して、前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成し、前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁気記録媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法と、そのような磁気ヘッド製造方法で製造される磁気ヘッドと、そのような磁気ヘッドによって磁気記録媒体に情報を記録する情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する情報記憶装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは記録容量が大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を持ち、ディスク状の磁気記録媒体である磁気ディスク、およびこの磁気ディスクに情報を記録する磁気ヘッドを備えている。
【０００３】
一般に、磁気ヘッドは、磁気ディスクの表面に磁界を印加することで、その磁気ディスク中の磁化を、その印加した磁界に応じた向きに向かせることで情報を記録するものであり、所定のコイルに電流が流されることで生成された磁界を、磁気ディスクに向かって印加する主磁極を備えている。このとき、磁力線が、その主磁極における磁気ディスク側の端面から発することから、磁界は、磁気ディスクに対して、その端面の形状の範囲に印加され、情報が、その範囲内の磁化の向きによって記録されることとなる。
【０００４】
また、ＨＤＤでは、情報の記録は、所定の回転軸を中心として回転状態にある磁気ディスクに対して行なわれる。一方、磁気ヘッドは、所定の回動中心の周りに回動自在なアームの先端に取り付けられており、このアームの回動によって、磁気ディスクにおける所望の位置の上に運ばれる。そして、その運ばれた位置で、磁気ヘッドの主磁極が、記録対象の情報に応じて適宜に極性を変えながら磁界を印加することで、その主磁極の直下を通過する磁気ディスクに、その磁気ディスクの回転方向と逆向きに順次に情報が記録されて行く。その結果、上記の回転軸の周りを例えば同心円状に周回するように情報が記録され、磁気ディスクには、そのような情報が記録された磁区の配列である複数本のトラックが形成されることとなる。
【０００５】
このとき、通常、アームがトラックの接線に対して傾いていることから、磁気ヘッドにおける主磁極も、そのトラックの接線に対して傾くこととなる。磁気ディスクの回転によって、磁気ヘッドは、その磁気ディスクに対して、見かけ上、上記の回転方向とは逆向きの進行方向に進行する。このとき、上記のような主磁極の傾きの結果、その主磁極における、上記の進行方向の前方側が、情報の記録対象ではない隣のトラックに近付きがちとなる。主磁極が、このような隣のトラックに近付いてしまうと、その隣のトラックへの情報の上書き等といった書込みエラーが発生する恐れが生じてしまう。そこで、ＨＤＤに搭載されている磁気ヘッドの多くでは、このような主磁極の傾きに起因した書込みエラーの発生を回避するために、主磁極における上記の進行方向の前方側の幅が、その進行方向の後方側の幅よりも狭くなっている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。主磁極のこのような形状により、主磁極における上記の進行方向の前方側の、隣のトラックへの接近が回避され、上記のような書込みエラーの発生が回避されることとなる。
【０００６】
このような形状の主磁極を備えた磁気ヘッドを製造するための磁気ヘッド製造方法として、例えば、次のような方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。まず、主磁極を構成する磁性材料で形成された磁性膜にエッチング等の加工を施して、主磁極における上記の進行方向の後方側の部分が形成される。次いで、上記の磁性材料よりもエッチング等に対する耐性が高い材料で上記の形成された部分を覆うことで、エッチング等の加工からその部分を保護する保護体が形成される。そして、その保護体の形成後に、エッチング等の加工が再度実行されて主磁極の残りの部分が形成される。このような一連の処理によれば、上記の進行方向の後方側が上記の保護体で保護された状態で、前方側の形状が加工されることとなるので、後方側の幅を変えずに前方側の幅を狭くして、上記のような望ましい形状の主磁極を得ることができる。
【０００７】
このような形状の磁極を備えた磁気ヘッドで情報が記録された磁気ディスクにおけるトラックの幅は、磁極における進行方向の後方側の幅によって決まることとなる。
【特許文献１】特開２００６−３０２４２１号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４０２０号公報
【特許文献３】特開２００７−２５７７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記のように主磁極における上記の進行方向の後方側の部分を保護体で覆って、その後方側の部分よりも幅の狭い前方側の部分を形成するという技術では、保護体がある程度の厚みを有することから、前方側の部分を形成する際に、後方側の部分よりも保護体の厚み分だけ広範囲の部分が加工されずに残ってしまい、主磁極における進行方向の後方側の部分に不要な突起ができてしまう可能性がある。
【０００９】
ここで、この後方側の部分にこのような突起ができていると、上記のトラック幅が広くなってしまい、記録特性が劣化してしまう恐れが大きい。このため、上記のような磁気ヘッドを、高精度で製造することができる磁気ヘッド製造方法が望まれている。
【００１０】
本件は、上記事情に鑑み、磁気ヘッドを高精度で製造することができる磁気ヘッド製造方法と、そのような磁気ヘッド製造方法で製造される磁気ヘッドと、そのような磁気ヘッドによって磁気記録媒体に情報を記録する情報記憶装置とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成する磁気ヘッド製造方法の基本形態は、
磁気記録媒体に磁極で磁界を印加して磁気的に情報を記録する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法であって、
上記磁極を形成する形成面上に磁性材料で、上記磁極の元となる突条を形成する突条形成過程と、
所定の切削処理について上記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、上記突条の両側面に、その突条の底部側の箇所は避けて形成する保護体形成過程であって、
上記形成面上に、上記切削処理について上記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、上記箇所の高さと同じ厚さで形成する中間層形成過程と、
上記中間層上に重ねて、上記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成する非磁性形成過程と、
上記中間層および上記非磁性層の、上記突条の両側面に沿った部分を残して、その中間層およびその非磁性層の他の部分を除去することで上記保護体を形成する除去過程とを有する保護体形成過程と、
上記突条の上記箇所を上記切削処理で、その箇所の幅が上記保護体が形成された部分でのその突条の幅よりも狭くなるように、その箇所に残っている上記中間層ごと切削することで上記磁極を形成する切削過程とを有することを特徴とする。
【００１２】
この磁気ヘッド製造方法の基本形態によれば、上記磁極における上記形成面側の幅が反対側の幅よりも狭くなっている磁気ヘッドを製造することができる。このため、上記磁極における形成面とは反対側を、この基本形態で製造される磁気ヘッドを磁気ディスク等の磁気記録媒体に対して相対的に進行させるときの進行方向の後方側とするという運用により、この基本形態で製造される磁気ヘッドを、磁極における進行方向の前方側の幅が、その進行方向の後方側の幅よりも狭くなっている上述の望ましい磁気ヘッドとして利用することができる。このとき、この磁気ヘッド製造方法の基本形態では、まず、上記突条形成過程によって上記突条が形成され、その形成された突条に対する切削処理によって上記磁極が形作られる。そして、上記切削過程において、上記突条に対する切削処理が、形成面側とは反対側の部分が上記保護体によって切削処理から保護された状態で行われる。このため、この磁気ヘッド製造方法の基本形態によれば、上記磁極を形作る切削処理において、上述したような意図せぬ突起の形成等により、上記突条の幅を超えた幅を有する磁極が出来てしまうこと等が確実に回避され、最終的に得られる磁極において、情報記録時のトラックの幅を規定する重要な寸法である、上記形成面とは反対側の幅を、確実に、上記突条形成過程で得られる突条の幅とすることができる。さらに、この磁気ヘッド製造方法の基本形態では、上記非磁性層、延いては上記保護体の、上記突条に対する相対位置が、上記中間層の厚みによって決まる。例えばスパッタ法等で上記中間層を形成するといった運用では、この中間層の厚みを高精度で制御することができることから、この磁気ヘッド製造方法の基本形態によれば、上記突条に対する上記保護体の位置合せを高精度で行って、上記突条における上記箇所よりも高い部分を確実に保護する保護体を得ることができる。このように、この磁気ヘッド製造方法の基本形態によれば、磁気ヘッドを高精度で製造することができる。
【００１３】
また、上記目的を達成する磁気ヘッドの基本形態は、
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
上記コイルで発生された磁界を磁気記録媒体に導いてその磁気記録媒体にその磁界を印加する磁極とを備え、
上記磁極が、
上記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、その磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について上記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、上記形成面上に、上記切削処理について上記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、上記箇所の高さと同じ厚さで形成して、上記中間層上に重ねて、上記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、上記中間層および上記非磁性層の、上記突条の両側面に沿った部分を残して、その中間層およびその非磁性層の他の部分を除去することで、上記突条の両側面に、その突条の底部側の箇所は避けて形成し、上記突条の上記箇所を上記切削処理で、その箇所の幅が上記保護体が形成された部分でのその突条の幅よりも狭くなるように、その箇所に残っている上記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする。
【００１４】
この磁気ヘッドの基本形態は、高精度で製造することができる上述の磁気ヘッド製造方法の基本形態で製造された磁気ヘッドであることから寸法精度等が高く、この磁気ヘッドの基本形態によれば、トラック幅の意図せぬ増大等が回避された良好な記録特性での情報記録を行うことが出来る。
【００１５】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、
情報が磁気的に記録される磁記録媒体；および、
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
上記コイルで発生された磁界を上記磁気記録媒体に導いてその磁気記録媒体にその磁界を印加する磁極とを備え、
上記磁極が、
上記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、その磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について上記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、上記形成面上に、上記切削処理について上記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、上記箇所の高さと同じ厚さで形成して、上記中間層上に重ねて、上記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、上記中間層および上記非磁性層の、上記突条の両側面に沿った部分を残して、その中間層およびその非磁性層の他の部分を除去することで、上記突条の両側面に、その突条の底部側の箇所は避けて形成し、上記突条の上記箇所を上記切削処理で、その箇所の幅が上記保護体が形成された部分でのその突条の幅よりも狭くなるように、その箇所に残っている上記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする。
【００１６】
この情報記憶装置の基本形態によれば、寸法精度の高い上述の磁気ヘッド基本形態が搭載されていることから、上記磁気記録媒体に対し、良好な記録特性での情報記録を行うことが出来る。
【発明の効果】
【００１７】
以上、説明したように、本件によれば、磁気ヘッドを高精度で製造することができる磁気ヘッド製造方法と、そのような磁気ヘッド製造方法で製造される磁気ヘッドと、そのような磁気ヘッドによって磁気記録媒体に情報を記録する情報記憶装置とを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、上記に基本形態について説明した磁気ヘッド製造方法、磁気ヘッド、および情報記憶装置の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００２０】
この図１に示すＨＤＤ１００には、まず、筐体１０１と、その筐体１０１に収納され、図示しないディスクコントロールモータによって、回転軸１０２を中心に矢印Ａ方向に回転駆動される磁気ディスク１０３とが備えられている。また、このＨＤＤ１００には、磁気ディスク１０３に対して情報の記録や再生を行なう磁気ヘッド２００が形成されたスライダ１０４を先端に備え、回動軸１０５を中心に回動するキャリッジアーム１０６と、そのキャリッジアーム１０６を回動させて、磁気ヘッド２００を磁気ディスク１０３の半径方向に移動させるボイスコイルモータ１０７が備えられている。ここで、磁気ヘッド２００が、上述の基本形態における磁気ヘッドの一例に相当する。
【００２１】
このＨＤＤ１００では、磁気ディスク１０３への情報の記録、あるいは磁気ディスク１０３からの情報の再生に当たっては、磁気ディスク１０３が回転駆動されている状態においてボイスコイルモータ１０７によってキャリッジアーム１０６が回動される。この回動により、そのキャリッジアーム１０６の先端の磁気ヘッド２００が、磁気ディスク１０３の表面に沿ってその磁気ディスク１０３の半径方向に移動される。これにより、磁気ヘッド２００の、磁気ディスク１０３に対する位置決めが行われる。
【００２２】
情報の記録の際には、そのように位置決めされた磁気ヘッド２００によって、磁気ディスク１０３の回転に伴って順次に情報が記録されて、回転軸１０２の周りを周回するトラック１０８が形成される。また、情報の再生の際には、キャリッジアーム１０６の回動によって、磁気ヘッド２００の、所望のトラック１０８に対する位置決めが行われる。そして、そのように位置決めされた磁気ヘッド２００によって、磁気ディスク１０３の回転に伴って所望のトラックから順次に情報が再生される。
【００２３】
図２は、図１に示す磁気ヘッドの、キャリッジアームの長手方向に沿う断面を示す図である。
【００２４】
この図２には、磁気ディスク１０３の断面も示されている。
【００２５】
本実施形態では、磁気ディスク１０３は、非磁性材料からなるディスク基板１０３ａの上に、磁性材料からなり情報の記録時に磁気ヘッド２００から印加される磁界に係る磁力線Ｈの通り道として働く裏打ち層１０３ｂと、非磁性材料の層である中間層１０３ｃと、磁性材料からなり情報が記録される記録層１０３ｄとが積層された層構造を有している。
【００２６】
また、本実施形態のＨＤＤ１００では、磁気ディスク１０３の表裏面に垂直な方向を向いた磁化によって情報が記録される垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録方式では、情報の最小単位が記録される各磁区１０３ｄ＿１中の磁化は、この図２に示すように、図中の上下何れかの向きを向いている。
【００２７】
磁気ディスク１０３に対して情報の記録や再生を行う磁気ヘッド２００は、図１にも示すスライダ１０４の先端に、このスライダ１０４側から、再生を行う再生ヘッド２１０と、記録ヘッド２２０とが積層されて形成されている。
【００２８】
再生ヘッド２１０は、各磁区１０３ｄ＿１中の磁化の向きを、その磁化が発している磁界の極性を検知することで読取って情報を再生するものである。そして、この再生ヘッド２１０は、磁界に曝されると電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子２１１と、磁性材料からなり磁気抵抗効果素子２１１を不要な磁界から保護する役目も兼ね、上記の抵抗変化を検知するための２つの電極２１２とを備えている。
【００２９】
記録ヘッド２２０は、電流の供給を受けて情報の最小単位に応じた極性の磁界を発生するコイル２２１と、コイル２２１を貫通してコイル２２１が発した磁界に係る磁力線Ｈを通過させる磁心部２２２と、磁心部２２２を通過した磁力線Ｈを磁気ディスク１０３の直上に導いて端面から放射することで、磁気ディスク１０３に対してその端面の形状に磁界を印加する主磁極２２３と、主磁極を出て磁気ディスク１０３中を通過して戻ってくる磁力線Ｈを上記の磁心部２２２へと導く補助磁極２２４とを備えている。本実施形態では、磁心部２２２、主磁極２２３、および補助磁極２２４は、いずれも磁性材料であるＦｅＣｏ合金で形成されている。ここで、上記のコイル２２１が、上述の基本形態におけるコイルの一例に相当し、主磁極２２３が、その基本形態における磁極の一例に相当する。
【００３０】
また、この記録ヘッド２２０は、この磁気ヘッド２００の製造時に主磁極２２３を後述する形状に成形するために使われる、各々非磁性材料であるＡｌ２Ｏ３からなる後述の第１ハードマスク２２５および第２ハードマスク２２６とを備えており、さらに、磁性材料からなり主磁極２２３を不要な磁界から保護する磁気シールド２２７と、非磁性材料からなりこの磁気シールド２２７と主磁極２２３とを磁気的に分離する非磁性ギャップ２２８とを備えている。
【００３１】
また、この磁気ヘッド２００では、上記の再生ヘッド２１０と記録ヘッド２２０との間や、各ヘッドにおける隙間等が、非磁性材料であるＡｌ２Ｏ３からなる非磁性充填層２０１で埋められている。
【００３２】
情報の再生や記録の際には、磁気ヘッド２００は、矢印Ａが示す回転方向に回転する磁気ディスク１０３に対し、相対的には、矢印Ｂが示す進行方向に進行することとなる。情報の再生時には、この磁気ヘッド２００における再生ヘッド２１０の直下を通過する磁区１０３ｄ＿１中の磁化が発する磁界が、磁気抵抗効果素子２１１の抵抗変化として検知される。そして、この再生ヘッド２１０での検知結果が、不図示の制御回路に伝えられ、その検知結果から、磁気ディスク１０３に記録されていた情報が抽出される。
【００３３】
また、情報の記録時には、この磁気ヘッド２００における記録ヘッド２２０が備えるコイル２２１に対し、不図示の制御回路から、記録対象の情報に対応した極性の電流が供給される。その結果、記録ヘッド２２０が備える磁心部２２２の内部にその電流に応じた極性の磁界が発生する。その磁界に係る磁力線Ｈは、上述したように主磁極２２３によって、磁気ディスク１０３の直上まで導かれ、主磁極２２３の端面から磁気ディスク１０３に向けて放射される。これにより、磁心部２２２の内部に発生した磁界が、磁気ディスク１０３に印加される。また、磁力線Ｈは、主磁極２２３の端面から満遍なく放射される。その結果、この磁界は、磁気ディスク１０３上の、主磁極２２３の端面の形状の範囲に印加されることとなる。そして、記録層１０３ｄにおける、その磁界が印加された部分の磁化が、その磁界の極性に応じた向きを向くことにより、その磁界が印加された部分に情報が記録される。ここで、本実施形態では、不図示の制御回路から供給される電流には、個々の極性が情報の最小単位に対応する一連の極性変化が重畳されており、さらに、その極性変化が、磁気ディスク１０３の回転、即ち、磁気ヘッド２００の進行に同期している。その結果、磁気ディスク１０３には、磁気ヘッド２００の進行につれて、各々に最小単位の情報が記録された複数の磁区１０３ｄ＿１が配列されてトラックが形成されることとなる。また、図１のキャリッジアーム１０６の回動によって、磁気ヘッド２００は、磁気ディスク１０３上の、互いに回転軸１０２からの距離が異なる複数の位置に運ばれ、その運ばれた先で磁気ヘッド２００によって、上記のようなトラックの形成が行なわれる。その結果、磁気ディスク１０３には、回転軸の周りを同心円状に周回する複数本のトラックが形成される。
【００３４】
このとき、図１に示すように、キャリッジアーム１０６がトラックの接線に対して傾いていることから、図２に示す主磁極２２３も、そのトラックの接線に対して傾くこととなる。ここで、本実施形態では、磁気ヘッド２００の進行方向（図２の矢印Ｂの方向）の後方側に相当する主磁極２２３の先端側が、所望のトラックをなぞるように、磁気ヘッド２００の、磁気ディスク１０３に対する位置決めが行われる。仮に、主磁極２２３の端面の形状が単純な長方形であったとすると、上記のような主磁極２２３の傾きの結果、その主磁極２２３における、上記の進行方向の前方側が隣のトラックに近付きがちとなる。主磁極２２３が、このような隣のトラックに近付いてしまうと、その隣のトラックへの情報の上書き等といった書込みエラーが発生する恐れが生じてしまう。
【００３５】
そこで、本実施形態の磁気ヘッド２００では、このような主磁極２２３の傾きに起因した書込みエラーの発生を回避するために、主磁極２２３における上記の進行方向の前方側の幅が、その進行方向の後方側の幅よりも狭くなっている。
【００３６】
図３は、図２に示す主磁極の端面を示す図である。
【００３７】
この図３には、図２にも示す主磁極２２３の端面が、第１ハードマスク２２５、第２ハードマスク２２６、磁気シールド２２７、および非磁性ギャップ２２８それぞれの端面とともに示されている。また、この図３には、図２の断面では、隠れていて示されていなかった主磁極幅保護体２２９とＡｕ膜２３０とが示されている。主磁極幅保護体２２９は、主磁極２２３における、矢印Ｂが示す進行方向の後方側でこの主磁極２２３を、Ａｕ膜２３０を介して挟むように、非磁性材料である、Ａｌを含有するセラミックス材料で形成されたものである。そして、主磁極幅保護体２２９は、第１及び第２ハードマスク２２５，２２６と同様に、この磁気ヘッド２００の製造時に主磁極２２３を、矢印Ｂが示す進行方向の前方側の幅Ｗ１が後方側の幅Ｗ２よりも狭くなった形状に成形するために使われ、Ａｕ膜２３０は、主磁極幅保護体２２９を形成する際に使われる後述の中間層の残滓である。この主磁極２２３の成形については後で詳細に説明する。
【００３８】
本実施形態では、主磁極２２３におけるこのような形状により、主磁極２２３における上記の進行方向の前方側の、隣のトラックへの接近が回避され、上記のような書込みエラーの発生が回避されることとなる。
【００３９】
次に、この図３に示す形状の主磁極２２３を備えた図２の磁気ヘッド２００を製造する磁気ヘッド製造方法について説明する。本実施形態におけるこの磁気ヘッド製造方法は、上述の基本形態における磁気ヘッド製造方法の一例に相当する。
【００４０】
尚、本実施形態では、磁気ヘッド製造方法のうち、主磁極２２３の形成に係る処理以外の処理は公知の処理であるので説明を割愛し、以下では、主磁極２２３の形成に係る処理に注目した説明を行う。
【００４１】
図４は、磁気ヘッド製造方法のうちの主磁極の形成に係る処理の流れを模式的に示す図である。
【００４２】
この図４には、図２に示すスライダ１０４上に、記録ヘッド２２０の主磁極２２３よりもスライダ１０４側の各要素が形成された後、主磁極２２３が形成されるまでの処理の流れが示されている。
【００４３】
図４に示す処理では、まず、図２に示すコイル２２１と主磁極２２３との間を埋めるＡｌ２Ｏ３からなる非磁性充填層２０１の上に、磁性材料であるＦｅＣｏ合金からなる厚みが「２００ｎｍ」の磁性膜２４１と、Ａｌ２Ｏ３からなり厚みが「５００ｎｍ」で、図３の第１ハードマスク２２５の元となる第１ハードマスク用膜２４２とが、この順番でスパッタ法により形成され、さらに、第１ハードマスク用膜２４２の上に、この第１ハードマスク用膜２４２を、図３の矢印Ｂが示す進行方向の後方側の幅Ｗ２と、図２の主磁極２２３の長さに等しい長さを有する範囲だけ覆うフォトレジストのパターン（レジストパターン）２４３がフォトリソグラフィによって形成される（ステップＳ１１）。次に、ＣＦ４ガスを使った反応性イオンエッチングにより、レジストパターン２４３で覆われていない部分の第１ハードマスク用膜２４２が除去されて、図２や図３にも示す第１ハードマスク２２５が形成される（ステップＳ１２）。
【００４４】
ここで、本実施形態では、図２に示すコイル２２１と主磁極２２３との間を埋めるＡｌ２Ｏ３からなる非磁性充填層２０１の表面であって、上記の磁性膜２４１が形成される面が、上述の基本形態における形成面の一例に相当する。
【００４５】
第１ハードマスク２２５が形成されると、Ａｒガスを使ったイオンミリングが実行される（ステップＳ１３）。このステップＳ１３のイオンミリングは、磁性膜２４１の表面に垂直な軸に対するイオンの入射角が４５度となるように行われる。第１ハードマスク２２５を形成するＡｌ２Ｏ３は、磁性膜２４１を形成するＦｅＣｏ合金よりも、上記のイオンミリングにおけるミリングレートが低いために、第１ハードマスク２２５は、磁性膜２４１のうち第１ハードマスク２２５が覆っている部分をイオンミリングから保護する役割を果たす。また、入射角が４５度のイオンミリングでは、対象物が垂直に削られていくこととなる。その結果、ステップＳ１３では、磁性膜２４１が、第１ハードマスク２２５で覆われている部分を除いて垂直に削られる。これにより、図３の矢印Ｂが示す進行方向の後方側の幅Ｗ２と等しい幅の長方形状の断面を有する突条２４４が形成される。
【００４６】
以上に説明したステップＳ１１からステップＳ１３までの一連の処理が、上述の基本形態における突条形成過程の一例に相当し、上記の突条２４４が、その基本形態における突条の一例に相当する。
【００４７】
次に、非磁性充填層２０１上に、後述の非磁性材料からなる厚みが「１８０ｎｍ」の中間層２４５がスパッタ法により形成される（ステップＳ１４）。ここで、突条２４４の元となった上記の磁性膜２４１の厚みが「２００ｎｍ」であったことから、非磁性充填層２０１上の中間層２４５は、突条２４４の高さよりも、若干低い高さに達する膜となっている。ステップＳ１４では、この中間層２４５を形成する非磁性材料として、突条２４４を形成するＦｅＣｏ合金よりもＡｒガスを使ったイオンミリングに対するミリングレートが高い、Ａｕが使われる。
【００４８】
尚、本実施形態では、ステップＳ１４で中間層２４５を形成するスパッタ法として、非磁性材料を、非磁性充填層２０１上に垂直に堆積させる指向性のスパッタ法が採用されている。その結果、ステップＳ１４の処理では、中間層２４５が第１ハードマスク２２５の上面にも形成される。また、突条２４４の側面で、中間層２４５の高さよりも高い部分や第１ハードマスク２２５の側面には、Ａｕが薄く付着することとなる。これらの側面に付着したＡｕからなる膜が、図３に示すＡｕ膜２３０となる。
【００４９】
ステップＳ１４の処理は、上述の基本形態における中間層形成過程の一例に相当し、上記の中間層２４５が、その基本形態における中間層の一例に相当し、その中間層２４５を形成するＡｕが、その基本形態における第２の非磁性材料の一例に相当する。
【００５０】
続いて、上記の中間層２４５上に、以下の非磁性材料からなる厚みが「５００ｎｍ」の非磁性層２４６が、スパッタ法で形成される（ステップＳ１５）。ステップＳ１５では、非磁性層２４６を形成する非磁性材料として、突条２４４を形成するＦｅＣｏ合金よりもＡｒガスを使ったイオンミリングに対するミリングレートが低い、Ａｌを含有するセラミックス材料が使われる。
【００５１】
このステップＳ１５の処理が、上述の基本形態における非磁性層形成過程の一例に相当し、上記の非磁性層２４６が、その基本形態における非磁性層の一例に相当し、その非磁性層２４６を形成するＡｌを含有するセラミックス材料が、その基本形態における第１の非磁性材料の一例に相当する。
【００５２】
非磁性層２４６が形成されると、次に、化学研磨処理（ＣＭＰ）が施されて、非磁性層２４６や突条２４４の上面に載った中間層２４５が、第１ハードマスク２２５が露出するまで研磨される。（ステップＳ１６）。その結果、中間層２４５と第１ハードマスク２２５とからなる平滑面が形成される。
【００５３】
そして、上記のように平滑面の上に、以下の非磁性材料からなり、厚みが「５００ｎｍ」で、図３に示す第２ハードマスク２２６の元となる第２ハードマスク用膜２４７が形成される（ステップＳ１７）。ステップＳ１７では、第２ハードマスク用膜２４７を形成する非磁性材料として、中間層２４５を形成するＡｕと、非磁性層２４６を形成するセラミックス材料との両方よりも、Ａｒガスを使ったイオンミリングに対するミリングレートが低いＡｌ２Ｏ３が使われる。
【００５４】
次に、第２ハードマスク用膜２４７上の、突条２４４上の部分を含む、突条２４４の幅よりも広い所定範囲に、フォトレジストのパターンがフォトリソグラフィによって形成され、続いて、ＣＦ４ガスを使った反応性イオンエッチングにより、そのフォトレジストのパターンで覆われていない部分の第２ハードマスク用膜２４７が除去されて、図２や図３にも示す第２ハードマスク２２６が形成される（ステップＳ１８）。
【００５５】
そして、Ａｒガスを使ったイオンミリングが、非磁性層２４６の表面に垂直な軸に対するイオンの入射角が４５度となるように実行されて、上記の中間層２４５と非磁性層２４６とのうち、第２ハードマスク２２６から外れた部分が垂直に除去される（ステップＳ１９）。これにより、突条２４４を形成するＦｅＣｏ合金よりもミリングレートが低いＡｌ２Ｏ３からなり、突条２４４を中間層２４５で覆われた底部側の箇所を避けてイオンミリングから保護する、図３にも示す主磁極幅保護体２２９が形成される。また、ステップＳ１９では、主磁極幅保護体２２９よりも低い部分に、主磁極幅保護体２２９の厚みと同じ厚みでＡｕの膜２４５’が残り、突条２４４および第１ハードマスク２２５と主磁極幅保護体２２９との間にも、この図４では細かすぎて図示が省略されているが、上述のステップＳ１４で薄く付着したＡｕの膜が残る。突条２４４および第１ハードマスク２２５と主磁極幅保護体２２９との間に残ったＡｕの膜は、図３に示すＡｕ膜２３０となる。一方、主磁極幅保護体２２９よりも低い部分に残ったＡｕの膜２４５’は、後述するように除去されることとなる。また、このステップＳ１９では、第２ハードマスク２２６もイオンミリングにより削られて若干薄くなる。このステップＳ１９の処理が、上述の基本形態における除去過程の一例に相当し、上記の主磁極幅保護体２２９が、その基本形態における保護体の一例に相当する。また、本実施形態では、ステップＳ１４からステップＳ１９までの一連の処理が、上述の基本形態における保護体形成過程の一例に相当する。
【００５６】
ここで、この基本形態に対し、
「上記突条形成過程が、上記突条を、その突条の上面の幅が所定幅となるように形成する過程であり、
上記保護体形成過程が、上記保護体を、上記突条の上面の両横に添えて形成する過程である」という応用形態は好適である。
【００５７】
この好適な応用形態によれば、上記突条の上面の幅を、イオンミリング等の切削処理から確実に保護することができる。
【００５８】
上記のステップＳ１１からステップＳ１３までの一連の処理は、この応用形態における突条形成過程の一例にも相当し、ステップＳ１４からステップＳ１９までの一連の処理は、この応用形態における保護体形成過程の一例にも相当する。
【００５９】
また、上述の基本形態や応用形態に対し、
「上記除去過程が、
上記中間層および上記非磁性層を除去するための所定の層除去処理についてその中間層の耐性およびその非磁性層の耐性の双方よりも更に高い耐性を有する第３の非磁性材料で、上記突条に沿ってその突条の上方を延びるその突条の幅よりも広い幅のマスクを形成するマスク形成過程と、
上記中間層および上記非磁性層の、上記マスクの幅からはみ出した部分を上記層除去処理で除去する層除去過程とを有する過程である」という応用形態は好適である。
【００６０】
この好適な応用形態によれば、上記突条に対して、イオンミリング等の切削処理の効果が十分に及ぶまで、余分な中間層と非磁性層とを除去する処理を、上記マスクを用いることで高精度で行うことができる。
【００６１】
本実施形態における上述のステップＳ１６からステップＳ１９までの一連の処理は、この応用形態における除去過程の一例にも相当し、上述のステップＳ１６からステップＳ１８までの一連の処理は、この応用形態におけるマスク形成過程の一例に相当し、ステップＳ１９の処理は、この応用形態における層除去過程の一例に相当する。さらに、第２ハードマスク２２６は、この応用形態におけるマスクの一例に相当し、ステップＳ１９で実行されるイオンミリングが、この応用形態における層除去処理の一例に相当する。
【００６２】
以上に説明したステップＳ１９までの処理で、長方形状の断面を有する突条２４４と、その突条２４４における非磁性充填層２０１側とは反対側を保護する主磁極幅保護体２２９とが形成されると、次に、Ａｒガスを使ったイオンミリングが、上記のイオン入射角が７５度で行なわれる（ステップＳ２０）。このとき、突条２４４の、非磁性充填層２０１側とは反対側の幅は、上記の主磁極幅保護体２２９の保護によって一定に保たれる。また、入射角が上記の４５度よりも大きい７５度のイオンミリングでは、対象物が斜めに削られていくこととなる。その結果、ステップＳ２０では、非磁性充填層２０１側とは反対側の幅が一定に保たれたままで、突条２４４の側面が、この側面に付着しているＡｕの膜２４５’とともに斜めに削られて、図３の矢印Ｂが示す進行方向の前方側の幅Ｗ１が後方側の幅Ｗ２よりも狭くなった形状を有する、図２や図３にも示す主磁極２２３が形成される。また、Ａｕは、上記のミリングレートが、突条２４４を形成するＦｅＣｏ合金よりも高いことから、このステップＳ２０の処理では、突条２４４の側面に付着しているＡｕの膜２４５’は突条２４４に先立っていち早く削られて完全に除去されることとなる。
【００６３】
上記のステップＳ２０の処理が、上述の基本形態における切削過程の一例に相当する。
【００６４】
ここで、この基本形態や上述の応用形態に対し、
「上記切削処理がイオンミリングであり、
上記中間層形成過程が、上記第２の非磁性材料として、上記磁性材料よりもミリングレートが高い非磁性材料を用いる過程であり、
上記非磁性層形成過程が、上記第１の非磁性材料として、上記磁性材料よりもミリングレートが低い非磁性材料を用いる過程である」という応用形態は好適である。
【００６５】
この好適な応用形態によれば、上記切削処理として、切削性が良好であり、さらに、耐性のある材料が見つけやすいイオンミリングを行なうことで、上記主磁極を容易に得ることができる。また、上記非磁性層延いては上記保護体を形成する第１の非磁性材料が、上記磁性材料よりもミリングレートが低く、上記中間層を形成する第２の非磁性材料が、上記磁性材料よりもミリングレートが高いことから、上記保護体が、上記突条をイオンミリングから良好に保護し、上記中間層の残滓等がイオンミリングによって良好に除去されることとなる。
【００６６】
上記のステップＳ２０の処理は、この応用形態における切削過程の一例にも相当し、上記のステップＳ１４の処理は、この応用形態における中間層形成過程の一例にも相当し、上記のステップＳ１５の処理は、この応用形態における非磁性層形成過程の一例にも相当する。
【００６７】
また、上述の基本形態や応用形態に対し、
「上記中間層形成過程が、上記第２の非磁性材料として、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、およびＴｉのうちから選択された１種以上の金属を含有する材料を用いて上記中間層を形成する過程である」という応用形態も好適である。
【００６８】
この好適な応用形態によれば、上記の金属を含有する材料が、いずれも、イオンミリング等の除去処理に対する耐性が低いことから、後で不要な部分を除去しやすい良好な中間層を形成することができる。
【００６９】
本実施形態では、上述のステップＳ１４の処理において、中間層２４５がＡｕによって形成されており、このステップＳ１４の処理が、上記の応用形態における中間層形成過程の一例にも相当している。
【００７０】
また、上述の基本形態や応用形態に対し、
「上記非磁性層形成過程が、上記第１の非磁性材料として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃ、Ｍｏ、Ｃｅ、およびＨｆのうちから選択された１種以上の物質を含有するセラミックス材料を用いて上記非磁性層を形成する過程である」という応用形態も好適である。
【００７１】
この好適な応用形態によれば、上記のセラミックス材料が、いずれも、イオンミリング等の除去処理に対して高い耐性を有していることから、良好な保護体を形成するための非磁性層を得ることができる。
【００７２】
本実施形態では、上述のステップＳ１５の処理において、非磁性層２４６がＡｌを含有するセラミックス材料によって形成されており、このステップＳ１５の処理が、上記の応用形態における非磁性層形成過程の一例にも相当している。
【００７３】
本実施形態では、このように主磁極２２３が形成されると、その主磁極２２３の周囲にＡｌ２Ｏ３からなる非磁性充填層２０１が足され、さらに不図示の電極等が形成されて磁気ヘッド２００が完成する。
【００７４】
以上に説明した、磁気ヘッド製造方法によれば、まず、主磁極２２３の最大幅である進行方向の後方側の幅Ｗ２と等しい幅の長方形状の断面を有する突条２４４が形成され、その形成された突条２４４に対するイオンミリングによって主磁極２２３が形作られる。このため、この磁気ヘッド製造方法によれば、イオンミリングの際に、削り残し等によって意図せぬ突起等が形成され、所望の幅を超えた幅を有する主磁極２２３が出来てしまうこと等が確実に回避されることとなる。さらに、この磁気ヘッド製造方法では、イオンミリングが、非磁性充填層２０１側とは反対側の部分が主磁極幅保護体２２９によってイオンミリングから保護された状態で行われる。このため、この磁気ヘッド製造方法によれば、最終的に得られる主磁極２２３において、情報記録時のトラックの幅を規定する重要な寸法である上記の進行方向の後方側の幅Ｗ２を、確実に、突条２４４の幅のままに維持することができる。
【００７５】
また、本実施形態では、上記の非磁性層２４６、延いては主磁極幅保護体２２９の、上記の突条２４４に対する相対位置が、スパッタ法で形成される中間層２４５の厚みによって決まる。一般にスパッタ法では、形成する膜の厚みを高精度で制御することができることから、本実施形態によれば、突条２４４に対する主磁極幅保護体２２９の位置合せを高精度で行って、突条２４４における所望の位置を確実に保護する主磁極幅保護体２２９を得ることができる。
【００７６】
以上に説明したことから、本実施形態の磁気ヘッド製造方法によれば、磁気ヘッド２００のうちの重要な要素である主磁極２２３を高精度で製造することができる。
【００７７】
また、この磁気ヘッド製造方法で製造された磁気ヘッド２００は上記のように寸法精度等が高いことから、この磁気ヘッド２００によれば、トラック幅の意図せぬ増大等が回避された良好な記録特性での情報記録を行うことが出来る。
【００７８】
さらに、その磁気ヘッド２００が搭載されたＨＤＤ１００によれば、上記のように寸法精度等が高い磁気ヘッド２００によって磁気ディスク１０３に良好な記録特性での情報記録を行うことが出来る。
【００７９】
尚、上記では、上述の基本形態や応用形態における中間層の一例として、Ａｕからなる中間層２４５を例示したが、基本形態や応用形態における中間層はこれに限るものではなく、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、およびＴｉのうちから選択された１種以上の金属を含有する材料からなるものであれば良い。
【００８０】
また、上記では、上述の基本形態や応用形態における非磁性層の一例として、Ａｌを含有するセラミックス材料からなる非磁性層２４６を示したが、基本形態や応用形態における非磁性層はこれに限るものではなく、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃ、Ｍｏ、Ｃｅ、およびＨｆのうちから選択された１種以上の物質を含有するセラミックス材料からなるものであれば良い。
【００８１】
また、上記では、上記に基本形態について説明した磁気ヘッド製造方法、磁気ヘッド、および情報記憶装置の具体的な実施形態として、磁性膜２４１の厚みが「２００ｎｍ」、第１ハードマスク用膜２４２の厚みが「５００ｎｍ」、中間層２４５の厚みが「１８０ｎｍ」、非磁性層２４６の厚みが「５００ｎｍ」、そして、第２ハードマスク用膜２４７の厚みが「５００ｎｍ」となっている形態を例示したが、磁気ヘッド製造方法、磁気ヘッド、および情報記憶装置はこのような形態に限るものではなく、各部の厚みが上記の値以外となる形態であっても良い。
【００８２】
また、上記では、上記に基本形態について説明した磁気ヘッド製造方法、磁気ヘッド、および情報記憶装置の具体的な実施形態として、突条２４４や主磁極幅保護体２２８を形成する際に実行される、対象物を垂直に削りとるイオンミリングにおけるイオン入射角が４５度で、主磁極２２３を形作る際に実行される、対象物を斜めに削りとるイオンミリングにおけるイオン入射角が７５度である形態を例示したが、磁気ヘッド製造方法、磁気ヘッド、および情報記憶装置はこのような形態に限るものではなく、各イオンミリングにおけるイオン入射角が上記の角度以外となる形態であっても良い。
【００８３】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００８４】
（付記１）
磁気記録媒体に磁極で磁界を印加して磁気的に情報を記録する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法であって、
前記磁極を形成する形成面上に磁性材料で、前記磁極の元となる突条を形成する突条形成過程と、
所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成する保護体形成過程であって、
前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成する中間層形成過程と、
前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成する非磁性形成過程と、
前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで前記保護体を形成する除去過程とを有する保護体形成過程と、
前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで前記磁極を形成する切削過程とを有することを特徴とする磁気ヘッド製造方法。
【００８５】
（付記２）
前記突条形成過程が、前記突条を、該突条の上面の幅が所定幅となるように形成する過程であり、
前記保護体形成過程が、前記保護体を、前記突条の上面の両横に添えて形成する過程であることを特徴とする付記１記載の磁気ヘッド製造方法。
【００８６】
（付記３）
前記除去過程が、
前記中間層および前記非磁性層を除去するための所定の層除去処理について該中間層の耐性および該非磁性層の耐性の双方よりも更に高い耐性を有する第３の非磁性材料で、前記突条に沿って該突条の上方を延びる該突条の幅よりも広い幅のマスクを形成するマスク形成過程と、
前記中間層および前記非磁性層の、前記マスクの幅からはみ出した部分を前記層除去処理で除去する層除去過程とを有する過程であることを特徴とする付記１又は２記載の磁気ヘッド製造方法。
【００８７】
（付記４）
前記切削処理がイオンミリングであり、
前記中間層形成過程が、前記第２の非磁性材料として、前記磁性材料よりもミリングレートが高い非磁性材料を用いる過程であり、
前記非磁性層形成過程が、前記第１の非磁性材料として、前記磁性材料よりもミリングレートが低い非磁性材料を用いる過程であることを特徴とする付記１から３のうちいずれか１項記載の磁気ヘッド製造方法。
【００８８】
（付記５）
前記中間層形成過程が、前記第２の非磁性材料として、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、およびＴｉのうちから選択された１種以上の金属を含有する材料を用いて前記中間層を形成する過程であることを特徴とする付記１から３のうちいずれか１項記載の磁気ヘッド製造方法。
【００８９】
（付記６）
前記非磁性層形成過程が、前記第１の非磁性材料として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃ、Ｍｏ、Ｃｅ、およびＨｆのうちから選択された１種以上の物質を含有するセラミックス材料を用いて前記非磁性層を形成する過程であることを特徴とする付記１から４のうちいずれか１項記載の磁気ヘッド製造方法。
【００９０】
（付記７）
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
前記コイルで発生された磁界を磁気記録媒体に導いて該磁気記録媒体に該磁界を印加する磁極とを備え、
前記磁極が、
前記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、該磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成して、前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成し、前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする磁気ヘッド。
【００９１】
（付記８）
情報が磁気的に記録される磁記録媒体；および、
電流が流されて磁界を発生するコイルと、
前記コイルで発生された磁界を前記磁気記録媒体に導いて該磁気記録媒体に該磁界を印加する磁極とを備え、
前記磁極が、
前記磁極が形成される形成面上に磁性材料で、該磁極の元となる突条を形成し、所定の切削処理について前記磁性材料の切削性よりも低い切削性を有する第１の非磁性材料からなる保護体を、前記形成面上に、前記切削処理について前記磁性材料の切削性よりも高い切削性を有する第２の非磁性材料からなる中間層を、前記箇所の高さと同じ厚さで形成して、前記中間層上に重ねて、前記第１の非磁性材料からなる非磁性層を形成して、前記中間層および前記非磁性層の、前記突条の両側面に沿った部分を残して、該中間層および該非磁性層の他の部分を除去することで、前記突条の両側面に、該突条の底部側の箇所は避けて形成し、前記突条の前記箇所を前記切削処理で、該箇所の幅が前記保護体が形成された部分での該突条の幅よりも狭くなるように、該箇所に残っている前記中間層ごと切削することで形成されたものであることを特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図２】図１に示す磁気ヘッドの、キャリッジアームの長手方向に沿う断面を示す図である。
【図３】図２に示す主磁極の端面を示す図である。
【図４】磁気ヘッド製造方法のうちの主磁極の形成に係る処理の流れを模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
１００    ＨＤＤ
１０１    筐体
１０２    回転軸
１０３    磁気ディスク
１０３ａ    ディスク基板
１０３ｂ    裏打ち層
１０３ｃ    中間層
１０３ｄ    記録層
１０３ｄ＿１    磁区
１０４    スライダ
１０５    回動軸
１０６    キャリッジアーム
１０７    ボイスコイルモータ
１０８    トラック
２００    磁気ヘッド
２０１    非磁性充填層
２１０    再生ヘッド
２１１    磁気抵抗効果素子
２１２    電極
２２０    記録ヘッド
２２１    コイル
２２２    磁心部
２２３    主磁極
２２４    補助磁極
２２５    第１ハードマスク
２２６    第２ハードマスク
２２７    磁気シールド
２２８    非磁性ギャップ
２２９    主磁極幅保護体
２３０    Ａｕ膜
２４１    磁性膜
２４２    第１ハードマスク用膜
２４３    レジストパターン
２４４    突条
２４５    中間層
２４５’    Ａｕの膜
２４６    非磁性層
２４７    第２ハードマスク用膜
【図１】
2010009692.tif 000003
【図２】
2010009692.tif 000004
【図３】
2010009692.tif 000005
【図４】
2010009692.tif 000006