(57)【要約】【課題】高密度のワイヤーボンディングパッドの実現が可能なプリント基板及び半導体装置の構造とその製造方法を提供する。【解決手段】電気絶縁物質からなる絶縁層１１０と、絶縁層１１０の一面に埋め込まれ、バンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３を含む第１回路層１３０と、絶縁層１１０の他面に形成された第２回路層１５０と、絶縁層１１０を貫通するワイヤー連結用スロット９００とを含んでなるものである。【選択図】図４
2010287870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁物質からなる絶縁層と、
前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、
前記絶縁層の他面に形成された第２回路層と、
前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットと、
を含んでなることを特徴とする、プリント基板。
【請求項２】
前記絶縁層に設けられたスロットと対応する位置に形成されたスロット延長部を有し、前記絶縁層の第２回路層が形成された面に付着した補助基板をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記絶縁層の前記第１回路層が埋め込まれた面に形成された半田レジスト層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記半田レジスト層は、前記スロット、前記バンプパッド及び前記ワイヤーボンディングパッドを露出させる開口部を有することを特徴とする、請求項３に記載のプリント基板。
【請求項６】
電気絶縁物質からなる絶縁層と、前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、前記絶縁層の他面に埋め込まれた第２回路層と、前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットとを含むプリント基板、及び
前記プリント基板の前記補助基板の一面に付着した半導体チップを含むことを特徴とする、半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
電気絶縁物質からなる絶縁層と、前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、前記絶縁層の他面に埋め込まれた第２回路層と、前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットと、前記絶縁層に設けられたスロットと対応する位置に形成されたスロット延長部を有し、前記絶縁層の第２回路層が形成された面に付着した補助基板とを含むプリント基板、及び
前記補助基板に付着した半導体チップを含んでなることを特徴とする、半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことを特徴とする、 請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、前記半導体チップの外部接続端子が前記スロットを介して露出するように配置されたことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記スロット及び前記スロット延長部を通過するように配置され、前記半導体チップの前記外部接続端子と前記ワイヤーボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤーをさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
（Ａ）絶縁層を提供し、前記絶縁層の一面に埋め込まれたバンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層、及び前記絶縁層の他面に埋め込まれた第２回路層を形成する段階と、
（Ｂ）前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットを形成する段階とを含むことを特徴とする、プリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ａ）段階の後、前記絶縁層の前記第２回路層が形成された面に補助基板を付着させる段階をさらに含み、
前記（Ｂ）段階は前記補助基板を含んで前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットを形成する段階であることを特徴とする、請求項１２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
（Ａ）キャリアに付着した形態で補助基板を提供する段階と、
（Ｂ）前記補助基板の上部に、絶縁層の両面に埋め込まれた回路層を含む回路基板を付着させる段階と、
（Ｃ）前記回路基板の一面に半田レジスト層を形成する段階と、
（Ｄ）前記補助基板と前記キャリアとを互いに分離する段階と、
（Ｅ）前記回路基板および前記補助基板を貫通するスロットを形成する段階と、
を含んでなることを特徴とする、プリント基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｂ）段階の後、
前記絶縁層の両面に埋め込まれた回路層同士を電気的に接続するビアを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板及びそれを含んだ半導体装置、並びにプリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達に伴って各種電子機器へのメモリチップ搭載パッケージの使用量が増加しており、そのパッケージを製造して供給している会社も増えている。このような市場状況により、メモリチップを搭載したパッケージの価格競争が激しくなり、その結果、パッケージの製造コストが益々低くなっており、製造コストのダウンが可能な方法に関する様々な代案も出ている実情である。
【０００３】
このようなメモリパッケージの大部分は、ワイヤーボンディングを用いてメモリチップを基板と連結して一つのパッケージを作る方向に実現されている。こうして得られた基板をＢＯＣ（Ｂｏａｒｄ−ｏｎ−ｃｈｉｐ）と呼んでいる。
【０００４】
図１は従来のＢＯＣ基板の断面図である。図１に示すように、ＢＯＣはメモリチップ５０の特性のために特別に開発された基板であって、メモリチップ５０の端子がセンターに位置しており、信号処理速度の増加のために端子から直ちに基板１０に連結し、半田ボール７０もワイヤーボンディングパッド１５が形成された面に設置される構造で出来ている。すなわち、メモリチップ５０は接着剤３０を用いて基板１０の下方に付着させ、端子から直ちに基板１０のボンディングパッド１５に連結するために、端子が位置している部分にスロットを穿設し、このスロットを介してワイヤー６０をボンディングする構造である。
【０００５】
したがって、従来では、ＢＯＣ基板の金属層１３は単純に１層のみが必要とされることにより、ＢＯＣ基板はその製造コストが低いため、メモリパッケージの価格競争において優位を占めることができる。
【０００６】
ところが、半導体を製造する技術が非常に速く発展するにつれて、メモリパッケージの容量も増加してきた。
【０００７】
このような技術の発展により、ＢＯＣ用基板は、ＩＣのＩＯカウントの増加に対応するためにワイヤーボンディングパッドピッチ（Ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ  ｐｉｔｃｈ）もさらに微細化されることが要求されている。
【０００８】
従来では、ＢＯＣの回路を製作する方式として、銅をエッチングする方法が使用された。ところが、この場合、ワイヤーボンディングパッドピッチが８０μｍ以下に要求されると、ワイヤーボンディングを行うためのパッドの上端部幅（ｔｏｐ  ｗｉｄｔｈ）を確保することが不可能であるという問題点があった。
【０００９】
図２は絶縁層に形成されたワイヤーボンディングパッド部を拡大して示す概略断面図である。図２に示すように、パッドとパッドとの距離（Ｄ）が２０μｍ以上確保されなければならないから、ピッチ（Ｗ１＋Ｄ）が８０μｍになるためには、回路の下端部幅（Ｗ１）が６０μｍにならなければならず、回路の下端部幅（Ｗ１）が６０μｍになると、回路の上端部幅（Ｗ２）が３５μｍ程度に減少する。ところが、回路の上端部幅（Ｗ２）が３５μの場合、ワイヤーボンディングが不可なので、ピッチ（Ｗ１＋Ｄ）を８０μｍにすることができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するために創案されたもので、その目的とするところは、高密度のワイヤーボンディングパッドの実現が可能なプリント基板及び半導体装置の構造、並びにプリント基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
即ち、本発明によれば、電気絶縁物質からなる絶縁層と、前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、前記絶縁層の他面に形成された第２回路層と、前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットとを含んでなることを特徴とするプリント基板が提供される。
【００１２】
本発明の好適な一特徴としては、前記絶縁層に設けられたスロットと対応する位置に形成されたスロット延長部を有し、前記絶縁層の第２回路層が形成された面に付着した補助基板をさらに含むことにある。
【００１３】
本発明の好適な他の特徴としては、前記絶縁層の前記第１回路層が埋め込まれた面に形成された半田レジスト層をさらに含むことにある。
【００１４】
本発明の好適な別の特徴としては、前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことにある。
【００１５】
本発明の好適な別の特徴としては、前記半田レジスト層が、前記スロット、前記バンプパッド及び前記ワイヤーボンディングパッドを露出させる開口部を有することにある。
【００１６】
次に、本発明によれば、電気絶縁物質からなる絶縁層と、前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、前記絶縁層の他面に埋め込まれた第２回路層と、前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットとを含むプリント基板、及び前記プリント基板の補助基板の一面に付着した半導体チップを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１７】
本発明の好適な一特徴としては、前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことにある。
【００１８】
また、本発明によれば、電気絶縁物質からなる絶縁層と、前記絶縁層の一面に埋め込まれ、バンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層と、前記絶縁層の他面に形成された第２回路層と、前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットと、前記絶縁層に設けられたスロットと対応する位置に形成されたスロット延長部を有し、前記絶縁層の第２回路層が形成された面に付着した補助基板とを含むプリント基板、及び前記補助基板に付着した半導体チップを含んでなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１９】
本発明の好適な一特徴としては、前記絶縁層と前記補助基板との間に介在した接着層をさらに含むことにある。
【００２０】
本発明の好適な他の特徴としては、前記半導体チップが、前記半導体チップの外部接続端子が前記スロットを介して露出するように配置されたことにある。
【００２１】
そして、本発明によれば、本発明に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）絶縁層を提供し、前記絶縁層の一面に埋め込まれたバンプパッド及びワイヤーボンディングパッドを含む第１回路層、及び前記絶縁層の他面に埋め込まれた第２回路層を形成する段階と、（Ｂ）前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットを形成する段階とを含むことを特徴とするプリント基板の製造方法が提供される。
【００２２】
本発明の好適な一特徴としては、前記（Ａ）段階の後、前記絶縁層の前記第２回路層が形成された面に補助基板を付着させる段階をさらに含み、前記（Ｂ）段階は前記補助基板を含んで前記絶縁層を貫通するワイヤー連結用スロットを形成する段階であることにある。
【００２３】
更に、本発明によれば、（Ａ）キャリアに付着した形態で補助基板を提供する段階と、（Ｂ）前記補助基板の上部に、絶縁層の両面に埋め込まれた回路層を含む回路基板を付着させる段階と、（Ｃ）前記回路基板の一面に半田レジスト層を形成する段階と、（Ｄ）前記補助基板と前記キャリアを互いに分離する段階と、（Ｅ）前記回路基板と前記補助基板を貫通するスロットを形成する段階とを含むことを特徴とするプリント基板の製造方法が提供される。
【００２４】
本発明の好適な一特徴としては、前記（Ｂ）段階の後、前記絶縁層の両面に埋め込まれた回路層同士を電気的に接続するビアを形成する段階をさらに含むことにある。 
【００２５】
本発明の特徴及び利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
【００２６】
これに先立ち、本明細書及び請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的かつ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係るプリント基板は、回路層が絶縁層の内部に埋め込まれた形態なので、ワイヤーボンディングパッドを高密度で実現することができるという利点を持つ。
【００２８】
また、本実施例に係るプリント基板は、第１回路層と第２回路層の少なくとも２層の回路層を含むため、単層の回路層からなるプリント基板に比べて高密度の回路実現が可能である。
【００２９】
更に、本発明によれば、プリント基板に剛性を与える補助基板をさらに含むことができるため、高密度の回路実現が可能な薄い絶縁層に回路層を形成した場合でも剛性が補完できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来のＢＯＣ基板の断面図である。
【図２】図１に示した基板の絶縁層に形成されたワイヤーボンディングパッド部を拡大して示す概略断面図である。
【図３】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の平面図である。
【図４】図３に示したプリント基板を横方向に切断して示す断面図である。
【図５】本発明の好適な実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図６】図４に示した基板の絶縁層に形成されたワイヤーボンディングパッド部を拡大して示す概略断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（１）を示す図である。
【図８】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（２）を示す図である。
【図９】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（３）を示す図である。
【図１０】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（４）を示す図である。
【図１１】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（５）を示す図である。
【図１２】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（６）を示す図である。
【図１３】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（７）を示す図である。
【図１４】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（８）を示す図である。
【図１５】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（９）を示す図である。
【図１６】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（１０）を示す図である。
【図１７】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（１１）を示す図である。
【図１８】本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法の工程（１２）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明に係るプリント基板及びそれを含んだ半導体装置、並びにプリント基板の製造方法の好適な実施例について詳細に説明する。添付図面において、同一または対応の構成要素については、同一の符号を付し、重複説明を省略する。本明細書において、上部や下部などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、これらの用語は構成要素を限定するものではない。
【００３２】
図３は本発明の好適な実施例に係るプリント基板の平面図、図４は図３に示したプリント基板を横方向に切断して示す断面図、図５は本発明の好適な実施例に係る半導体装置の断面図である。
【００３３】
図３及び図４に示すように、本実施例に係るプリント基板は、電気絶縁物質からなる絶縁層１１０、絶縁層１１０の両面にそれぞれ埋め込まれた第１回路層１３０および第２回路層１５０、並びに絶縁層１１０を貫通するワイヤー連結用スロット９００を含んでなるものである。
【００３４】
絶縁層１１０は、プリント基板の製造に一般に用いられる電気絶縁素材からなり、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、またはプリプレグが使用できる。
【００３５】
回路層１３０、１５０は、電気信号を伝送する金属パターンであって、例えば金、銀、銅、ニッケルなどの電気伝導性に優れる金属からなる。本実施例における回路層１３０、１５０は絶縁層１１０の両面に埋め込まれている。
【００３６】
ここで、回路層１３０、１５０が埋め込まれているというのは、回路層が絶縁層１１０に一面のみが露出するように埋め込まれたという意味で使用される。この際、第２回路層１５０は絶縁層に埋め込まれていなくてもよい。
【００３７】
本実施例の回路層１３０、１５０は、絶縁層１１０の一面に埋め込まれ、バンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３を含む第１回路層１３０と、絶縁層１１０の他面に埋め込まれた第２回路層１５０に区分されて説明できる。
【００３８】
すなわち、外部基板との電気的な接続のためのバンプ（半田ボール）が形成されるバンプパッド１３１と、プリント基板に実装される半導体チップ１０００とのワイヤーボンディングのためのワイヤーボンディングパッド１３３とが全て第１回路層１３０に形成される。
【００３９】
ワイヤーボンディングパッド１３３を、図３に示すように、スロット９００の周辺に形成すると、ワイヤー１２００の長さを減らすことができるという利点がある。第２回路層１５０は、半導体チップ１０００の実装方向に形成されるので、バンプパッド１３１またはワイヤーボンディングパッド１３３が形成されないことが一般的である。
【００４０】
スロット９００は、プリント基板に実装された半導体チップ１０００とプリント基板とを電気的に接続するために絶縁層１１０を貫通するように設けられたワイヤー連結用貫通孔である。スロット９００は、プリント基板の中心部に位置することが好ましく、幅に比べて長い長さを有するバー（ｂａｒ）形状であることが好ましい。
【００４１】
本実施例に係るプリント基板は、絶縁層１１０の一面に付着した補助基板５００をさらに含むことができる。補助基板５００は、プリント基板に剛性を与えるために付着する補助部材である。したがって、プリント基板自体の剛性が十分な場合、補助基板５００を使用する必要がない。
【００４２】
補助基板５００の材質は、特に限定されず、プリント基板に剛性を与えることが可能な素材からなる。補助基板５００は、上述した絶縁層１１０と同様に高分子樹脂からなってもよく、ガラスやプラスチックなどの素材からなってもよい。好ましくは、補助基板５００として、ガラス繊維などの補強基材を含有したエポキシプリプレグが使用できる。
【００４３】
このような補助基板５００は、絶縁層１１０に設けられたスロット９００と対応する位置に形成されたスロット９００延長部を有し、絶縁層１１０の第２回路層１５０が形成された面に付着する。補助基板５００がプリント基板に付着するために、絶縁層１１０と補助基板５００との間に別途の接着層３００が介在できる。スロット９００延長部は、スロット９００と同様に半導体チップ１０００とプリント基板とを連結するワイヤー１２００の連結通路を提供する。
【００４４】
また、本実施例におけるプリント基板は、絶縁層１１０の第１回路層１３０が埋め込まれた面に形成された半田レジスト層７００をさらに含むことができる。半田レジスト層７００は、外部に露出した回路層を腐食、汚染などから保護する役割を行う。このような半田レジスト層７００には、スロット９００、バンプパッド１３１及びワイヤーボディングパッド１３３を露出させる開口部が形成されている。この際、半田レジスト層７００から露出したバンプパッド１３１またはボンディングパッド１３３の上部には、ニッケル８３０／金８１０などからなる表面保護層８００を形成することが好ましい。
【００４５】
上述したようなプリント基板は、回路層が絶縁層１１０の内部に埋め込まれた形態なので、回路パターンを高密度で実現することができるという利点を持つ。すなわち、図６に示すように、本実施例の回路層１３０、１５０は、上部及び下部の幅が一定なので、ワイヤーボンディングパッド１３３が一定の幅（Ｗ）以上であることが要求される場合でも、上部幅の減少分を勘案せずに回路パターンを設計することができる。これにより、実質的に回路パターンと回路パターン間のピッチ（Ｗ＋Ｐ）が実質的に減少するという効果があり、高密度の回路パターンが実現可能である。
【００４６】
また、本実施例に係るプリント基板は、第１回路層１３０と第２回路層１５０の少なくとも２層の回路層を含むため、単層の回路層からなるプリント基板に比べて高密度の回路実現が可能である。
【００４７】
更に、プリント基板に剛性を与える補助基板５００をさらに含むことができるため、高密度の回路実現が可能な薄い絶縁層１１０に回路層を形成した場合でも剛性が補完できる。
【００４８】
図５は図４に示したプリント基板に半導体チップ１０００を搭載した半導体装置の断面図である。
【００４９】
半導体チップ１０００は、集積回路（図示せず）が内在されたシリコン素材のチップ本体の一面に、集積回路と電気的に接続される外部接続端子１１００が形成された構成である。半導体チップ１０００は、電子回路または論理回路を含むメモリチップまたは論理チップが使用できる。図５に示すように、半導体チップ１０００はプリント基板の補助基板５００の一面に付着する。
【００５０】
この際、半導体チップ１０００は、その外部接続端子１１００がスロット９００を介して露出するように配置される。半導体チップ１０００の外部接続端子１１００は、ワイヤー１２００によって、第１回路層１３０に形成されたワイヤーボンディングパッド１３３と連結される。すなわち、ワイヤー１２００は、絶縁層１１０に形成されたスロット９００及び補助基板５００のスロット延長部を通過するように配置され、半導体チップ１０００の外部接続端子１１００とワイヤーボンディングパッド１３３とを電気的に接続する。この際、ワイヤー１２００はカプセル化（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）層１３００によって保護される。
【００５１】
一方、図示してはいないが、補助基板５００がない場合には、プリント基板の第２回路層１５０が形成された面に半導体チップ１０００が直接付着することを容易に理解することができる。
【００５２】
図７〜図１８は本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。以下、これらの図を参照して本実施例に係るプリント基板の製造方法を詳細に説明する。
【００５３】
まず、絶縁層１１０を提供し、絶縁層１１０の一面に埋め込まれたバンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３を含む第１回路層１３０、及び前記絶縁層１１０の他面に埋め込まれた第２回路層１５０を形成する。
【００５４】
図７に示すように、キャリアの両面に形成された熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ；ＣＴＥ）の小さい金属キャリア２３０上に第１回路層１３０及び第２回路層１５０を形成する。金属キャリア２３０と回路層１３０、１５０との間には金属層２１０が介在しており、金属キャリア２３０が第１キャリアの両面に付着している形態で第１回路層１３０及び第２回路層１５０を形成することができる。この際、金属キャリア２３０は、ＳＵＳ３０４、ＩｎｖｅｒまたはＫｏｖｅｒなどの気温変化または工程間の温度に応じて基板が伸びたり撓んだりして変形することを防止するために、温度拡張係数の小さい金属が使用される。
【００５５】
金属層２１０は、無電解メッキ工程によって形成される無電解銅メッキ層と同様に、後工程でフラッシュエッチング（Ｆｌａｓｈ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって除去可能なものであり、銅箔のように導電性箔を金属キャリア２３０上に積層して形成してもよい。第１回路層１３０及び第２回路層１５０は、メッキレジストを用いた電解メッキ工程によって形成することができる。
【００５６】
その後、図８に示すように、第１回路層１３０及び第２回路層１５０が形成されると、金属キャリア２３０を第１キャリアから分離する。
【００５７】
次いで、図９に示すように、絶縁層１１０を提供し、第１回路層１３０及び第２回路層１５０が絶縁層１１０を向うように配列した後、プレスで加熱及び加圧し、図１０に示すように、第１回路層１３０及び第２回路層１５０を絶縁層１１０に挿入する。
【００５８】
その次、図１１に示すように、金属キャリア２３０を除去する。金属層２１０と金属キャリア２３０は選択的にエッチング可能な異種金属を使用する。よって、エッチング工程で金属キャリア２３０を除去することができる。
【００５９】
その後、図１２に示すように、フラッシュエッチングを行って金属層２１０を除去する。金属層１１０の両面に埋め込まれた回路層を含む回路基板が提供される。本段階の後、大１回路層１３０と第２回路層１５０とを電気的に接続するビア１４５を形成し、絶縁層１１０にスロット９００を形成することにより、本発明の一実施例に係るプリント基板を製造することができる。以下、補助基板５００を用いた実施例について述べる。
【００６０】
図１３に示すように、絶縁層１１０の第２回路層１５０が形成された面に補助基板５００を付着させる。補助基板５００は、図示の如く、第２キャリアに付着した形態で提供できる。ここでは、第２キャリアを用いて２つのプリント基板を同時に製造することを例示的に示す。補助基板５００と絶縁層１１０との間に接着層３００を介在させ、補助基板５００の上部に、絶縁層１１０の両面に埋め込まれた回路層を含む回路基板を付着させる。
【００６１】
図１４に示すように、第１回路層１３０と第２回路層１５０とを電気的に接続するためのビアホール１４１を形成する。たとえば、ＣＯ２レーザードリルを用いてビアホール１４１を形成することができる。
【００６２】
その後、図１５に示すように、メッキ工程を行ってビアホール１４１の内部を充填することにより、 ビア１４５を形成する。この際、ビアホール１４１の第１回路層１３０の上部にもメッキ層が形成できる。
【００６３】
その次、図１６に示すように、第１回路層１３０が露出するまでエッチングを行い、絶縁層１１０の上部に形成されたメッキ層を除去する。その結果、前記絶縁層１１０の両面に埋め込まれた回路層同士を電気的に接続するビア１４５が完成される。
【００６４】
次いで、図１７に示すように、回路基板の一面に半田レジスト層７００を形成する。半田レジスト層７００の形成後、半田レジスト層７００から露出したバンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３の露出面に、ニッケル８３０及び金８１０からなる表面保護層８００をさらに形成することができる。
【００６５】
その後、図１８に示すように、補助基板５００と第２キャリアとを互いに分離し、回路基板および補助基板５００を貫通するワイヤー連結用スロット９００を形成する。スロット９００はＣＮＣドリル、レーザードリル及び打抜き機などを用いて形成することができる。
【００６６】
一方、本発明は記載されて実施例に限定されないことは言うまでもない。本発明の思想及び範囲から逸脱することなく様々に修正及び変形を加え得ることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には自明である。よって、それらの変形例または修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと理解すべきであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明に係るプリント基板及びそれを含んだ半導体装置、並びにプリント基板の製造方法は、高密度のワイヤーボンディングパッドの実現が可能なプリント基板及び半導体装置の構造、並びにプリント基板の製造方法に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１１０    絶縁層
１３０    第１回路層
１３１    バンプパッド
１３３    ワイヤーボンディングパッド
１４５    ビア
１５０    第２回路層
２１０    金属層
２３０    金属キャリア
３００    接着層
５００    補助基板
７００    半田レジスト層
８００    表面保護層
９００    スロット
１０００    半導体チップ
１１００    外部接続端子
１２００    ワイヤー
１３００    カプセル化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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