(57)【要約】【課題】誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出することが可能な制御盤を提供する。【解決手段】制御盤１に設置される検出装置２０は、敷設線（入出力信号線や電源線）に電極を接触させても電気的特性が変化しないように、電気／光変換器１０や光ファイバ３０を用いて、入出力信号線や電源線に重畳するノイズを含む信号を取得し、記憶する。そして、検出装置２０は、処理装置４３から誤動作が生じたことを通知する誤動作検出信号を検出装置２０が受信したとき、記憶しておいた信号と、誤動作が起きない普通の状態における標準信号とを比較する。そのことによって、検出装置２０は、ノイズの異常を検出し、ノイズの発生箇所を特定する。そして、検出装置２０は、誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出することが可能となる。【選択図】 図１
2010127798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的な信号が伝送される信号線を複数有する制御盤に適用されるノイズ検出装置であって、
前記信号線のノイズを監視する複数のセンサを順次切り替えて、各センサからの監視信号を順次取得する入力部と、
前記制御盤に誤動作が生じていないときに取得した前記センサからの監視信号を標準データとして予め記憶する標準データの記憶部と、
前記順次取得される各センサからの監視信号を監視データとして記憶する複数の記憶領域を有する監視データの記憶部と、
前記入力部を介して順次取得した各センサからの監視データを、前記監視データの記憶部の各記憶領域にそれぞれ記憶させる制御を行う制御部とを有し、
前記制御部は、さらに、
前記制御盤の誤動作が起きたとき、前記標準データの記憶部から標準データと、前記監視データの各記憶領域から各センサの監視データとを読み出し、前記標準データと前記各センサの監視データとを比較して、所定以上の相違が生じた監視データを出力したセンサを特定し、
前記特定したセンサによって監視されている信号線と前記誤動作とを関連付ける制御を行うこと
を特徴とするノイズ検出装置。
【請求項２】
前記制御盤は、さらに電力を供給する電源線を有し、
前記入力部は、前記信号線のノイズを監視する複数のセンサと前記電源線のノイズを監視するセンサとを順次切り替えて、各センサからの監視信号を順次取得すること
を特徴とする請求項１に記載のノイズ検出装置。
【請求項３】
前記複数の領域を有する記憶部は、リングメモリによって構成され、
前記制御部は、
前記制御盤の誤動作が起きたとき、
新たに前記監視データを記憶する処理を停止し、
前記制御盤の誤動作が起きる前に記憶しておいた前記監視データを読み出すこと
を特徴とする請求項１または請求項２に記載のノイズ検出装置。
【請求項４】
前記制御盤はさらに他の制御盤と通信可能な信号線によって接続され、
前記制御部は、当該制御部を備えるノイズ検出装置が適用されている制御盤の誤動作または前記他の制御盤の誤動作が起きたとき、前記特定したセンサによって監視されている信号線と前記誤動作とを関連付ける制御を行うこと
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のノイズ検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種機器を制御するために有線で信号を入出力する制御盤において、各種機器および制御盤の誤動作と電源線や入出力信号線に重畳するノイズとの関連性を検出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発電プラントや製造プラントで用いられる制御盤は、プラントの各部に取り付けられたセンサから各部の状態を表す信号の入力を受け付けて、その信号の入力に対応するように処理して、プラントの各部の状態を制御する制御信号を出力する。また、制御盤は、処理した信号の履歴の記録や、他の制御盤等との間での信号の送受を行う。そのため、プラントで用いられる制御盤は、プラント運転上、極めて高い信頼性が要求される。
【０００３】
特に、制御盤内で用いられる実装機器は、低い電圧で動作することを要求され、小型化されるとともに、ノイズに対する高い耐性を求められてきている。そのため、製作した制御盤は、その完成時に耐ノイズ試験を実施し、誤動作が起きないことが確認されてから出荷される。しかし、使用環境に設置された制御盤が誤動作を起こす場合がある。
【０００４】
特許文献１には、電磁波によって引き起こされる誤動作を防止するため、金属筐体に入れた各装置を金属ボルトで固定し、さらにシールドを施してシールド効果を高める発明が開示されている。
また、特許文献２には、制御盤内部の配線を短くすることによって、電圧降下とノイズの影響とを低減し、誤動作を防止する発明が開示されている。
【特許文献１】特開平７−２６３８８９号公報
【特許文献２】特開２００２−２６２４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
制御盤単体での耐ノイズ性が高いにもかかわらず、使用環境に設置された制御盤が誤動作を起こす原因として、使用環境において新たに接続される入出力信号線や電源線を伝搬してくるノイズが考えられる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１におけるシールド対策は、空間を伝搬して制御盤の筺体の隙間から侵入する電磁波にともなう誤動作を防止するためには効果的であるが、入出力信号線や電源線を伝わってくるノイズには効果がない、という問題がある。
また、特許文献２における配線の短距離化は、制御盤内に発生するノイズの誘導を防止するためには効果的であるが、入出力信号線や電源線を伝わってくるノイズには効果がない、という問題がある。
【０００７】
すなわち、使用環境に設置された制御盤が誤動作を起こす原因が、入出力信号線や電源線を伝搬してくるノイズによるものなのか、ノイズ以外に原因があるのかが明確になっていない。
そこで、本発明は前記した従来技術の問題点に鑑みて、誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出する制御盤を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明における制御盤は、敷設線（入出力信号線や電源線）に新たなノイズが重畳するような影響を与えることなく、ノイズを検出する機能を有することを特徴とする。具体的には、ノイズ検出のために入出力信号線や電源線に電極を接触させても電気的特性が変化しないように、光学的素子や光ファイバを用いて入出力信号線や電源線に重畳するノイズを検出し、誤動作が生じたときのノイズの状態を、誤動作が起きない普通の状態と比較することによって、ノイズの異常を検出し、ノイズの発生箇所を特定することを可能とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出する制御盤を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、本発明を実施するための最良の形態（以降、「実施形態」と称す）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
本発明の実施形態に係る制御盤１の構成について図１を用いて説明する。図１は、制御盤の構成を示す図である。
制御盤１は、図１に示すように、ノイズの異常を検出するための電気／光変換器１０、検出装置２０、および光ファイバ３０と、制御処理を行うための電源装置４１、信号入出力装置４２、処理装置４３、および表示装置４４と、を含む。
【００１２】
制御盤１には、電源線が配線され、電源装置４１を介して制御盤１内の各装置（２０，４２〜４４）に電力が分配される。また、制御盤１では、制御機器や他の制御盤との間に入出力信号線が接続され、信号入出力装置４２を介して、処理装置４３に、各種の信号が入力され、処理後の信号が出力される。そして、入力された信号が表す数値や処理装置４３の処理結果が表示装置４４に表示される。
【００１３】
また、制御盤１には、ノイズの異常を検出するための電気／光変換器１０、検出装置２０、および光ファイバ３０が備えられている。電気／光変換器１０および検出装置２０は、個別の筐体に収納されていて、制御盤１内に設置されている。また、電気／光変換器１０と検出装置２０との間は、電気的な誘導やノイズの混入が無いように光ファイバ３０によって信号を送受信可能に接続されている。
【００１４】
電気／光変換器１０は、電気／光変換素子によって構成されていて、入出力信号線や電源線に重畳するノイズにともなう信号の変化を、光ファイバ３０を介して検出装置２０に伝達する。
検出装置２０は、電気／光変換器１０から取得した信号を記憶し、処理装置４３から伝達される誤動作を知らせる誤動作検出信号を受信したときに、記憶した信号と予め記憶してある誤動作が起きない普通の状態のときの信号とを比較して、両者に違いがあるか無いかを判定する。そして、検出装置２０は、違いがあると判定した信号が取得された線（電源線または各入出力信号線）にノイズが重畳していたことを特定する。
光ファイバ３０は、電気／光変換器１０と検出装置２０との間を接続し信号を伝達する。
なお、電気／光変換器１０および検出装置２０における処理の詳細については、後記する。
【００１５】
また、電源装置４１は、例えば、交流を直流に変換し、制御盤１内の各装置（２０，４２〜４４）に供給する。なお、電源装置４１への入力は、交流だけではなく、直流の場合もある。さらに、制御盤１内の各装置（２０，４２〜４４）が、別個に電源装置４１を備えている場合もある。
信号入出力装置４２は、プラントの各部に設置されたセンサからの信号や他の制御盤からの信号の入力を受け付ける。そして、信号入出力装置４２は、処理装置４３によって処理された結果を信号に変換して、他の制御盤や制御機器等に出力する。
【００１６】
処理装置４３は、信号入出力装置４２を介して取得した信号を用いて、予め決められた所定の処理を行って得た処理結果を、信号入出力装置４２を介して制御機器や他の制御盤に送信する。また、処理装置４３は、取得した信号や、処理結果を記録し、必要に応じて表示装置４４に表示する。
また、処理装置４３は、制御盤１内の各装置（２０，４３，４４）の制御、および各装置（２０，４３，４４）間の情報の伝達を司る。
また、処理装置４３は、信号入出力装置４２を介して取得した信号の表す値が有りえないような場合に、誤動作と判定する演算処理を行う。そして、処理装置４３は、誤動作に対応する制御を行うとともに、誤動作が起きたことを通知する誤動作検出信号を検出装置２０に送信する。
【００１７】
表示装置４４は、処理装置４３が取得した信号や処理結果を表示する。
【００１８】
次に、ノイズの異常を検出するための電気／光変換器１０および検出装置２０の構成について、図２を用いて説明する。図２は、電気／光変換器および検出装置の構成を示す図である。
なお、図２では、信号が光の場合は白抜きの矢印で表し、信号が電気の場合は実線の矢印で表している。
【００１９】
図２に示すように、電気／光変換器１０は、計測点の数分用意された公知のＥ／Ｏ変換素子１０１ａ〜１０１ｎ（１０１）で構成されている。Ｅ／Ｏ変換素子１０１は、Ｅ／Ｏ効果を有している。すなわち、Ｅ／Ｏ変換素子１０１は、入出力信号線または電源線の電圧の変化または電流によって発生する磁界の変化にともなって、屈折率を変化させる。したがって、ノイズにともなって電圧または電流（電場または磁場）が変化した場合、その屈折率の変化を検出することによって、ノイズを検出することが可能となる。
Ｅ／Ｏ変換素子１０１の例として、電場の強さに応じてポッケルス効果やカー効果を起こす素子や、磁場の強さに応じてファラデ効果を起こす素子がある。
【００２０】
検出装置２０は、制御部２００、レーザ発光部２０１、方向性結合部２０２、光切替部２０３、Ｏ／Ｅ変換部２０４、Ａ／Ｄ変換部２０５、記憶部２０６、クロック発生部２０７、標準信号記憶部２０８、比較部２０９、および表示部２１０を含む。
【００２１】
制御部２００は、検出装置２０の各部（２０３〜２０６，２０８〜２１０）の制御を司る。また、制御部２００は、処理装置４３から誤動作検出信号を受信し、ノイズの異常について判定処理を実行する。そして、制御部２００は、異常なノイズを検出した計測点（Ｅ／Ｏ変換素子１０１）を特定する。
【００２２】
レーザ発光部２０１は、干渉性の高いレーザ光を出力する。
方向性結合部２０２は、レーザ発光部２０１から出力されたレーザ光を光切替部２０３に送出するとともに、Ｅ／Ｏ変換素子１０１からの反射光をＯ／Ｅ変換部２０４に導く。なお、方向性結合部２０２は、請求項に記載の各センサからの監視信号を順次取得する入力部に相当する。
光切替部２０３は、想定しているノイズの周波数の逆数の時間より、十分に大きな時間間隔で、計測点（Ｅ／Ｏ変換素子１０１）に接続されている光ファイバ３０を切り替える。
Ｏ／Ｅ変換部２０４は、Ｅ／Ｏ変換素子１０１からの反射光を電気信号に変換する。
Ａ／Ｄ変換部２０５は、Ｏ／Ｅ変換部２０４の出力をデジタル信号に変換する。
【００２３】
記憶部２０６は、Ａ／Ｄ変換部２０５の出力のデジタル信号を記憶する。
なお、記憶部２０６は、所定の記憶容量を有するリングメモリである。図３には、リングメモリの概念図を示す。図３に示すように、リングメモリでは、最新の情報は、最も古い情報から順番に上書きして記憶される。そして、制御部２００によって、光切替器２０３が選択した計測点（Ｅ／Ｏ変換素子１０１）と、記憶部２０６に格納される記憶位置（記憶アドレス）とが関連付けられて動作するものとする。また、記憶部２０６は、制御部２００が誤動作検出信号を受信したときに、制御部２００の指示によって、記憶動作を止める。そして、記憶部２０６は、比較部２０９によって指定された記憶位置（記憶アドレス）に対応する、計測点ごとに記憶した信号を読み出すことが可能になっているものとする。
【００２４】
図２に戻って、クロック発生部２０７は、光切替部２０３、Ａ／Ｄ変換部２０５、および記憶部２０６の動作を同期させるためのクロックを生成し、出力する。
標準信号記憶装置２０８は、誤動作を起こさない普通の状態のときの各計測点での信号である標準信号を記憶している。なお、標準信号は、計測点ごとに記憶されている。
【００２５】
比較部２０９は、制御部２００が誤動作検出信号を受信したときに、制御部２００の指示に基づいて、記憶部２０６に記憶してある信号と標準信号記憶部２０８に記憶してある標準信号とを、所定の処理に基づいて比較する。
なお、所定の処理では、記憶部２０６に記憶してある信号と標準信号との、peak-to-peak値の差、実効値の差、相関係数の大きさ、振幅の差の面積、周波数特性の差の面積、および自己相関の差の面積が、それぞれの所定の値の範囲にあるか否かが判定される。
そして、比較部２０９は、単独の処理の判定結果または複数の処理の判定結果に基づいて、記憶部２０６に記憶してある信号と標準信号とに違いがある（ノイズの異常）か否かを判定する。
【００２６】
表示器２１０には、比較部２０９の判定結果に基づいて、違いがあると判定された場合、その計測点および信号波形等が表示される。
【００２７】
次に、電気／光変換器１０における信号の取得方法について、図４および図５を用いて説明する。図４の（ａ）は、Ｅ／Ｏ変換素子の設置方法の一例（電圧検知型）を示す図であり、（ｂ）は、Ｅ／Ｏ変換素子の設置方法の一例（磁場検知型）を示す図である。図５の（ａ）は、誤動作が起きない普通の状態における信号の一例を示す図であり、（ｂ）は、ノイズを含む電圧または磁場がＥ／Ｏ変換素子に印加されたときの信号の一例を示す図である。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、電圧検知型では、入出力信号線または電源線から信号を取り出せるように接点を設けて、Ｅ／Ｏ変換素子１０１の電極を、その接点に接触させる。また、拡大図に示すように、光ファイバ３０は、分岐点Ａにおいて分岐して形成されている。そして、レーザ光が光ファイバ３０に入光してくると、Ｅ／Ｏ変換素子１０１の反射点Ｂで反射した信号と、反射点Ｃで反射した信号とが合成されて、反射光として検出装置２０へ戻る。
【００２９】
例えば、図５（ａ）では、誤動作が起きない普通の状態において、分岐点Ａ−反射点Ｂ間の反射光の信号と分岐点Ａ−反射点Ｃ間の反射光の信号とが合成されて、反射光の合成信号が生成される。
図５（ｂ）では、ノイズにともなう電圧または磁場がＥ／Ｏ変換素子１０１に印加されて、Ｅ／Ｏ変換素子１０１の屈折率が変化するので、分岐点Ａ−反射点Ｂ間の反射光の信号の位相が変化する。したがって、位相の変化した分岐点Ａ−反射点Ｂ間の反射光の信号と分岐点Ａ−反射点Ｃ間の反射光の信号とが合成されて、図５（ａ）の反射光の合成信号の波形とは異なる、反射光の合成信号が生成される。
【００３０】
そして、図５（ａ）に示す誤動作が起きない普通の状態における反射光の合成信号は、予め標準信号記憶部２０８に記憶される。また、ノイズの検出中は、図５（ａ）や（ｂ）に示す反射光の合成信号が、記憶部２０６に記憶される。そして、検出装置２０では、誤動作検出信号を受信したときに、標準信号記憶部２０８に記憶されている標準信号と記憶部２０６に記憶されている信号とを比較する。そして、両者が異なると判定された場合に、ノイズが発生していたと判定し、その信号を検出した計測点すなわち線（入出力信号線または電源線）が特定される。
このようにして、ノイズの発生した線（入出力信号線または電源線）を特定できる。
なお、図５（ａ）では、分岐点Ａ−反射点Ｂ間の反射光の信号と分岐点Ａ−反射点Ｃ間の反射光の信号と位相が一致しているように表示しているが、必ずしも位相が一致していなくてもよい。
【００３１】
図４（ｂ）に戻って、磁場検知型では、Ｅ／Ｏ変換素子１０１を入出力信号線または電源線の近傍に設置する。そして、Ｅ／Ｏ変換素子１０１は、入出力信号線または電源線を流れる電流によって生成される磁界の強さに依存して屈折率を変化する。光ファイバ３０は、電圧検知型の場合（図４（ａ）に示す拡大図）と同様に形成されている。そして、レーザ光が光ファイバ３０に入光してくると、図４（ａ）の拡大図に示すように、Ｅ／Ｏ変換素子１０１の反射点Ｂで反射した信号と、反射点Ｃで反射した信号とが合成されて、反射光として検出装置２０へ戻る。
そして、前記した電圧検知型の場合と同様にして、ノイズの発生した計測点すなわち線（入出力信号線または電源線）が特定される。
【００３２】
次に、検出装置２０におけるノイズが発生した計測点を特定する処理の流れについて、図６を用いて説明する（適宜図２参照）。図６は、検出装置におけるノイズが発生した測定点を特定する処理の流れについて示す図である。
なお、図６に示す処理装置４３における処理は、ノイズが発生した計測点の特定に係る処理だけに限って示している。
【００３３】
ステップＳ５０１では、処理装置４３は、誤動作の検出処理を行って、誤動作を検出したか否かを判定する。
誤動作を検出した場合（ステップＳ５０１でＹｅｓ）、処理はステップＳ５０２へ進む。
ステップＳ５０２では、処理装置４３は、誤動作を検出したことを通知する誤動作検出信号を検出装置２０に送信する。
なお、誤動作を検出しない場合（ステップＳ５０１でＮｏ）、処理はステップＳ５０１へ戻る。
【００３４】
ステップＳ５０３では、検出装置２０は、誤動作検出信号を受信したか否かを判定する。
誤動作検出信号を受信していない場合（ステップＳ５０３でＮｏ）、処理はステップＳ５０３へ戻る。
そして、誤動作検出信号を受信した場合（ステップＳ５０３でＹｅｓ）、処理はステップＳ５０４へ進む。
【００３５】
ステップＳ５０４では、検出装置２０は、記憶部２０６への記憶動作を停止する。この理由は、記憶部２０６がリングメモリであるので、記憶動作を停止することによって、記憶しておいた信号を保存するためである。
次に、ステップＳ５０５では、検出装置２０は、誤動作があったことを表示部２１０に表示する。
ステップＳ５０６では、検出装置２０は、記憶部２０６に記憶されている信号と標準信号とを比較する。
【００３６】
ステップＳ５０７では、検出装置２０は、ノイズ発生箇所を特定する。具体的には、記憶部２０６に記憶されている信号と標準信号とが異なると判定したとき、その記憶部２０６に記憶されている信号の記憶されている記憶アドレスに基づいて、その記憶アドレスに対応する計測点すなわち線（入出力信号線または電源線）がノイズ発生箇所であると特定する。
ステップＳ５０８では、検出装置２０は、ノイズのパターン（パルス性、白色雑音性等）に基づいて、予め決められている対策を図示しない記憶部から読み出して、必要に応じて表示部２１０に表示する。
そして、処理は、ステップＳ５０３に戻る。
【００３７】
以上、第１実施形態の制御盤１（図１参照）は、光学的素子や光ファイバを用いて、敷設線（入出力信号線や電源線）に新たなノイズが重畳するような影響を与えることなく、入出力信号線や電源線に重畳するノイズを検出し、誤動作が生じたときのノイズの状態を、誤動作が起きない普通の状態と比較することによって、ノイズの異常を検出し、ノイズの発生箇所を特定することを可能とする。すなわち、誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出することが可能となる。
【００３８】
また、本発明は、第１実施形態について説明した内容に限定されるものではなく、その趣旨を変えない範囲で実施することができる。
例えば、図６のステップＳ５０５の「誤動作を表示」は、ステップＳ５０４〜Ｓ５０７の間のいずれかで行われればよい。
また、図２に示す光切替部２０３は、１つしか記載していないが、２以上備えて、１つの光切替部２０３が担当する切替先の計測点の個数を減らすようにすると、計測点当りの計測頻度を増加させることができる。そして、インパルス性の短時間しか発生しないノイズを検出する確率を向上することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
第２実施形態では、図１に示す検出装置２０および電気／光変換器１０の動作試験の処理を、第１実施形態における処理に追加したものである。なお、制御盤１および検出装置２０の構成は、第１実施形態と同様であるので、図示を省略する。また、この第２実施形態の検出装置を「検出装置２０ａ」と表記し、検出装置２０ａを構成する各部についても各部（２００ａ〜２１０ａ）と表記することとする。
【００４０】
以下、第２実施形態の検出装置２０ａの処理の流れについて、図７を用いて説明する。図７は、第２実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
図７において、第１実施形態と同じ処理の流れについては、同じ符号を付し、説明を省略する。そして、第２実施形態において、新しく追加した処理（ステップＳ６０１〜Ｓ６０４）について、以下に説明する。
【００４１】
まず、ステップＳ５０３では、検出装置２０ａは、誤動作検出信号を受信したか否かを判定する。
誤動作検出信号を受信していない場合（ステップＳ５０３でＮｏ）、処理はステップＳ６０１へ進む。
ステップＳ６０１では、検出装置２０ａは、所定時間が経過したか否かを判定する。この所定時間は、検出装置２０ａおよび電気／光変換器１０が、正常に動作しているか否かを確認する間隔である。
所定時間が経過していない場合（ステップＳ６０１でＮｏ）、処理は、ステップＳ５０３へ戻る。
なお、所定時間が経過している場合（ステップＳ６０１でＹｅｓ）、処理は、ステップＳ６０２へ進む。
【００４２】
ステップＳ６０２では、検出装置２０ａは、記憶部２０６ａへの記憶動作を停止する。
そして、ステップＳ６０３では、検出装置２０ａは、記憶部２０６ａに記憶されている信号が、標準信号記憶部２０８ａに記憶されている標準信号と異なるか否かを判定する。なお、判定における処理は、比較部２０９ａによって行われる。
標準信号と異ならないと判定された場合（ステップＳ６０３でＮｏ）、処理は、ステップＳ５０３へ戻る。
標準信号と異なると判定された場合（ステップＳ６０３でＹｅｓ）、処理は、ステップＳ６０４へ進む。
ステップＳ６０４では、検出装置２０ａは、ノイズ変化があることを表示部２１０ａに表示する。
そして、処理は、ステップＳ５０３へ戻る。
【００４３】
なお、第２実施形態におけるステップＳ６０１〜Ｓ６０４は、検出装置２０ａおよび電気／光変換器１０の動作試験に相当している。例えば、ステップＳ６０３で、記憶部２０６ａに何も信号が記録されていない場合には、各部２０１ａ〜２０５ａの何れかが故障していることが分かる。また、特定の計測点に係る信号が記録されていない場合には、その計測点に係るＥ／Ｏ変換素子１０１、光ファイバ３０、および光切替部２０３ａのいずれかに障害が起きていることが分かる。
【００４４】
また、ステップＳ６０２において、記憶部２０６ａのリングメモリを停止している間に、誤動作検出信号が送信される場合が想定されるため、記憶部２０６ａは、リングメモリを２つ備えていることが好ましい。
そして、一方のリングメモリが動作試験のために停止している間は、他方のリングメモリに計測点からの信号が記憶されるように切り替える。そして、リングメモリは、交互にステップＳ６０１〜Ｓ６０４の動作試験を実行されるようにする。
【００４５】
（第３実施形態）
第３実施形態は、他の制御盤（図１参照）で発生した誤動作が、該他の制御盤への入出力信号線に重畳したノイズによるものであることを特定することを、第１実施形態に追加したものである。
なお、制御盤１および検出装置２０の構成は、第１実施形態と同様であるので、図示を省略する。また、この第３実施形態の検出装置を「検出装置２０ｂ」と表記し、検出装置２０ｂを構成する各部についても各部（２００ｂ〜２１０ｂ）と表記することとする。
【００４６】
以下、第３実施形態の検出装置２０ｂの処理の流れについて、図８を用いて説明する。図８は、第３実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
図８において、第１実施形態と同じ処理の流れについては、同じ符号を付し、説明を省略する。なお、第３実施形態において、新しく追加した処理（ステップＳ７０１）について、以下に説明する。
【００４７】
図８に示すように、検出装置２０ｂが、その検出装置２０ｂを備える制御盤１の処理装置４３ａを含め、他の複数の処理装置４３ｂ，・・のいずれかまたは複数から送信された誤動作検出信号を受信する。
その際、ステップＳ７０１では、検出装置２０ｂの制御部２００ｂは、誤動作検出信号を受信した場合にＯＲ演算を行って、次のステップＳ５０３の処理を実行する。なお、ステップＳ５０３以降の処理（ステップＳ５０４〜Ｓ５０８）は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
なお、図８のステップＳ７０１の「ＯＲ演算」は、処理装置４３ａによって行われても、検出装置２０ｂによって行われても、どちらでも構わない。
【００４８】
以上、第３実施形態の制御盤１（図１参照）は、他の制御盤において誤動作が生じたときのノイズの状態を、誤動作が起きない普通の状態と比較することによって、ノイズの異常を検出し、ノイズの発生箇所を特定することを可能とする。すなわち、誤動作と入出力信号線や電源線に重畳するノイズとの関連性を検出することが可能となる。
【００４９】
（第４実施形態）
第４実施形態は、他の制御盤（図１参照）で発生した誤動作が、該他の制御盤への入出力信号線に重畳したノイズによるものであることを特定することを、第２実施形態に追加したものである。
なお、制御盤１および検出装置２０の構成は、第２実施形態と同様であるので、図示を省略する。また、この第４実施形態の検出装置を「検出装置２０ｃ」と表記し、検出装置２０ｃを構成する各部についても各部（２００ｃ〜２１０ｃ）と表記することとする。
【００５０】
以下、第４実施形態の検出装置２０ｃの処理の流れについて、図９を用いて説明する。図９は、第４実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
図９において、第２実施形態と同じ処理の流れについては、同じ符号を付し、説明を省略する。なお、第４実施形態において、新しく追加した処理（ステップＳ７０１）について、以下に説明する。
【００５１】
図９に示すように、検出装置２０ｃが、その検出装置２０ｃを備える制御盤１の処理装置４３ａを含め、他の複数の処理装置４３ｂ，・・のいずれかまたは複数から送信された誤動作検出信号を受信する。
その際、ステップＳ７０１では、検出装置２０ｃの制御部２００ｃは、誤動作検出信号を受信した場合にＯＲ演算を行って、次のステップＳ５０３の処理を実行する。なお、ステップＳ５０３以降の処理（ステップＳ５０４〜Ｓ５０８、ステップＳ６０１〜Ｓ６０４）は、第２実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】制御盤の構成を示す図である。
【図２】電気／光変換器および検出装置の構成を示す図である。
【図３】リングメモリの概念図である。
【図４】（ａ）は、Ｅ／Ｏ変換素子の設置方法の一例（電圧検知型）を示す図であり、（ｂ）は、Ｅ／Ｏ変換素子の設置方法の一例（磁場検知型）を示す図である。
【図５】（ａ）は、誤動作が起きない普通の状態における信号の一例を示す図であり、（ｂ）は、ノイズを含む電圧または磁場がＥ／Ｏ変換素子に印加されたときの信号の一例を示す図である。
【図６】検出装置におけるノイズが発生した測定点を特定する処理の流れについて示す図である。
【図７】第２実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
【図８】第３実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
【図９】第４実施形態の検出装置の処理の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１        制御盤
１０      電気／光変換器
２０      検出装置（ノイズ検出装置）
１０１    Ｅ／Ｏ変換素子
２００    制御部
２０１    レーザ発光部
２０２    方向性結合部
２０３    光切替部
２０４    Ｏ／Ｅ変換部
２０６    記憶部（監視データの記憶部）
２０８    標準信号記憶部（標準データの記憶部）
２０９    比較部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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