(57)【要約】【課題】大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも高い表面平坦性を有する平板状素子付き基板を提供すること。【解決手段】少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対する段差が２μｍ以下となるように埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上の範囲内である平板状素子と、を備え、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする平板状素子付き基板。・式（１）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子と、を備え、
前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする平板状素子付き基板。
・式（１）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【請求項２】
前記基材が、前記樹脂材料のみから構成されることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板。
【請求項３】
前記樹脂材料が、環状ポリオレフィン樹脂、および、ポリカーボネート樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板。
【請求項４】
前記平板状素子が、電子素子、光学素子、および、磁気素子からなる群より選択される少なくとも１種の素子であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板。
【請求項５】
前記平板状素子が、ドライバーＩＣであることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板。
【請求項６】
表示媒体用基板として用いられることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板。
【請求項７】
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状の非表示層制御用素子と、前記基材の前記非表示層制御用素子が埋め込まれた側の面に配置された表示層制御用素子とを有し、且つ、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（２）を満たす第１の表示媒体用基板と、
該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、
前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする表示媒体。
・式（２）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（２）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【請求項８】
前記基材が前記樹脂材料のみから構成され、且つ、前記第２の表示媒体用基板が樹脂製基板であることを特徴とする請求項７に記載の表示媒体。
【請求項９】
少なくとも表面が、貯蔵弾性率および損失弾性率が下式（３）を満たす樹脂材料で構成される基材を準備する工程と、
該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程と、
前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程と、を備えることを特徴とする平板状素子付き基板の製造方法。
・式（３）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４）  Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板状素子付き基板、これを用いた表示媒体および平板状素子付き基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フレキシブルディスプレイや、電子ペーパーといった新しい表示媒体の研究、商品化が活発となっている。上記表示媒体には、可撓性を有することが必須機能として求められる。
可撓性を表示媒体に付与するためには、回路基板のフレキシブル化が必須となる。これを達成する技術として、画素制御素子や微小シリコン集積回路チップ等のトランジスタをプラスチック基板へ転写する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３等参照）。この技術では、表示媒体を動作させるトランジスタ部分のみがフレキシブル化されている、又は、可撓性を有する基板（フレキシブル基板）上に作製される。
【０００３】
また、トランジスタ部分をフレキシブル基板（有機樹脂基板）上に作製する技術としてＭＡＴ（ｍｉｃｒｏ  ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ  ｔｈｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が知られている（例えば、非特許文献１参照）。この非特許文献１には、ガラス転移温度が１６３℃の環状ポリオレフィン製基板表面に、圧力０．１〜０．６ＭＰａおよび基板温度１６０〜２１０℃の条件下で、縦横３００μｍ×３００μｍ、厚み７０μｍのＳｉチップが、段差なく埋め込めることが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２１９９６４号公報
【特許文献２】特開２００５−２８３６８８号公報
【特許文献３】特開２００３−２４８４３６号公報
【非特許文献１】Japanese Journal of Applied Physics,Vol.45,No.5B,2006,p.4413-4418
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した技術は、表示媒体の画素単位の表示を制御するトランジスタ部分のみをフレキシブル基板上に転写したり埋め込んだりするものであるため、チップのサイズが小さい。しかし、例えば、表示媒体を作製する場合、画素が設けられる基板には、画素制御用の素子の周辺にはこれを駆動する等の目的で種々の平板状素子（ドライバーＩＣ等）も配置される。
【０００５】
これらの素子の中には、ドライバーＩＣのように、縦横のサイズがミリメーターオーダーサイズで、画素制御用のトランジスタ部分と比べて大きいサイズを有するものもある。このような大型サイズの平板状素子については、従来、フレキシブルプリント基板に載せて、メインの基板外に付属させたり、あるいはメインの基板上にそのまま搭載配置されるため、基板表面には大型サイズの素子に起因する突出が存在する。このため、例えば、電子ペーパーなどのように薄さが求められる形態では、薄型化を阻害する原因となることがある。また、大型サイズの素子と他の素子との間に配線を形成する場合、例えば、スパッタリング法等の成膜法を利用した配線の形成を行う場合には、大型サイズの素子と基板表面との段差部分を跨ぐように成膜をする必要がある。しかし、段差が大きい場合これを使用中の破断を防止しうるように安定的に配線することは技術的な難易度が高い。
【０００６】
本発明は上述した事情等も考慮してなされたものであり、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性に優れる平板状素子付き基板およびこれを用いた表示媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、
請求項１に係わる発明は、
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子と、を備え、
前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする平板状素子付き基板である。
・式（１）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【０００８】
請求項２に係わる発明は、
前記基材が、前記樹脂材料のみから構成されることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
【０００９】
請求項３に係わる発明は、
前記樹脂材料が、環状ポリオレフィン樹脂、および、ポリカーボネート樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
【００１０】
請求項４に係わる発明は、
前記平板状素子が、電子素子、光学素子、および、磁気素子からなる群より選択される少なくとも１種の素子であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
【００１１】
請求項５に係わる発明は、
前記平板状素子が、ドライバーＩＣであることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
【００１２】
請求項６に係わる発明は、
表示媒体用基板として用いられることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
【００１３】
請求項７に係わる発明は、
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状の非表示層制御用素子と、前記基材の前記非表示層制御用素子が埋め込まれた側の面に配置された表示層制御用素子とを有し、且つ、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（２）を満たす第１の表示媒体用基板と、
該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、
前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする表示媒体である。
・式（２）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（２）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【００１４】
請求項８に係わる発明は、
前記基材が前記樹脂材料のみから構成され、且つ、前記第２の表示媒体用基板が樹脂製基板であることを特徴とする請求項７に記載の表示媒体である。
【００１５】
請求項９に係わる発明は、
少なくとも表面が、貯蔵弾性率および損失弾性率が下式（３）を満たす樹脂材料で構成される基材を準備する工程と、
該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程と、
前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程と、を備えることを特徴とする平板状素子付き基板の製造方法である。
・式（３）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４）  Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【発明の効果】
【００１６】
以上に説明したように請求項１に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性に優れた平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項２に記載の発明によれば、可撓性を有する平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項３に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性が高い平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項４に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性が高い平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項５に記載の発明によれば、画素制御等に利用される素子の駆動を制御する素子を備えた平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項６に記載の発明によれば、表示媒体に利用できる平板状素子付き基板を提供することができる。
【００１７】
請求項７に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性の高い平板状素子付き基板を用いた表示媒体を提供することができる。
請求項８に記載の発明によれば、可撓性を有する表示媒体を提供することができる。
請求項９に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子を基板表面に配置する場合でも、表面の平坦性に優れた平板状素子付き基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（平板状素子付き基板）
本発明の平板状素子付き基板は、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子と、を備え、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする。
・式（１）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
即ち、本発明の平板状素子付き基板は、少なくとも基材の表面を構成する樹脂として、ガラス転移温度（℃）を超え熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる温度範囲を有する樹脂を用いることを特徴とする。
【００１９】
本発明では、基材の平板状素子が埋め込まれる側の面を構成する樹脂材料が、上記式（１）を満たす。それゆえ、平板状素子を基材表面に配置した後に、式（１）を満たす温度域で熱処理しながら、平板状素子を基材表面に埋め込むように加圧して平板状素子付き基板を作製する際に、平板状素子を、基材表面に対して小さい段差で埋め込むことができる。
従って、本発明の平板状素子付き基板は、本来であれば高い突出を形成する平板状素子を有していても、平板状素子が配置された側の面において表面の平坦性を高くすることができる。
【００２０】
なお、平板状素子の端部における、平板状素子の基材表面との段差は２μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以下であることが更に好ましく、０μｍ（段差無し）が最も好ましい。
段差が２μｍを超えると、例えば、平板状素子がドライバーＩＣなどの電子素子である場合において、平板状素子と基材表面に配置された他の電子素子との間に薄膜状の配線を形成しようとしても、製造時に段差部において配線が断絶してしまうことが多くなるだけでなく、これを装置として使用する場合にも、基板の変形に伴って断線することが多くなる場合がある。また、段差が２μｍ超えると、平板状素子付き基板の実質的な厚みが増加してしまうことになる。それゆえ、電子ペーパーなどの薄さが求められる平板状の各種装置を構成する基板として、平板状素子付き基板を用いる場合には平板状装置の薄型化が困難となる場合がある。
【００２１】
また、本発明では、基材に埋め込まれる素子として、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子（以下、「大型素子」と称す場合がある）が用いられる。この平板状素子は、特許文献１〜３や非特許文献１等に例示されるような、従来、樹脂基板に埋め込まれていた平板状素子（体積に換算して、０．０５ｍｍ３未満程度；以下、「小型素子」と称す場合がある）と比べて一回り以上大きいサイズの素子である。
そこで、本発明者らは、基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度以上の温度域にて、基材表面に小型素子を埋め込む場合と同様の条件で、大型素子も埋め込めるものと考えて、種々のテストを実施したが、小型素子の場合に十分に埋め込めても大型素子の場合には埋め込みできないことを確認した。
これらの結果から、本発明者らは、大型素子を埋め込む場合には、単に基材を加熱して軟化させるだけでは不十分であると考えた。そして、種々の検討を行った結果、式（１）を満たす特性を有する樹脂材料を用い、樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度かつ、樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる（式（１）の関係を満たす）温度範囲にて加熱しながら埋め込むことで、大型素子でも基材表面に十分に埋め込めることを確認した。式（１）を満たす温度域にて埋め込んだ場合に、大型素子でも十分に埋め込める理由は、基材表面が弾性体よりも粘性体として振舞っている領域であり、弾性力が低いためと推定される。
【００２２】
また、大型素子全体が埋め込まれるように樹脂材料を高い温度で軟化させると、樹脂全体の粘度が低下し過ぎて、所定位置に配置すべき素子自体の位置が変動し、位置決め精度が悪化することも見出された。更に素子のサイズが大きいことから、この素子の埋め込み体積分の樹脂が周辺に押し出されることとなり、このため特に同時に埋め込む素子数が多い場合や、予め薄膜配線を形成しておいた場合などは、面内方向での相対的な位置ずれが発生しやすくなる。一方、低い温度で埋め込んだ場合には、平板状素子の端縁により樹脂材料を剪断する作用が生じ、平板状素子の端縁と樹脂材料の間にギャップが形成されてしまい、深さ方向にも平坦性が低下する。従って、この間を配線すると先に述べた段差に起因する断線も生じやすくなる。
そこで、平坦性を高めるのに加え、位置精度良く、素子と樹脂材料間のギャップを少なくするためには、埋め込む際の温度条件をＴ１＋２℃以上Ｔ２−２℃以下とすることが好ましく、（Ｔ１＋Ｔ２）／２℃に近いほど好ましい。更にその場合であっても、ガラス転移温度に近づける方が素子の位置ずれが小さくなる点で望ましい。
【００２３】
−基材−
次に、本発明の平板状素子付き基板を構成する各部材についてより詳細に説明する。
まず、基材としては、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材が用いられる。この場合、基材は金属や金属酸化物などの無機材料から構成される平板状部材の少なくとも片面に樹脂材料からなる層（樹脂層）を設けた態様（第１の態様）でもよく、あるいは、基材が樹脂材料のみから構成された態様（第２の態様）でもよい。
【００２４】
第１の態様の基材では、樹脂層の厚みは、平板状素子全体を埋め込む場合には、少なくとも平板状素子の厚み以上となるように設けられる。樹脂層の厚みが平板状素子の厚み未満では、平板状素子を十分に埋め込むことができなくなるためである。
第２の態様の基材では、基材全体が樹脂材料から構成されるため、平板状素子付き基板に高い可撓性を付与することができる。それゆえ、例えば、平板状素子付き基板を電子ペーパーなどのフレキシビリティが求められる表示媒体用の基板として利用できる。また、基材の表面には、予め小型素子や配線などが設けられていてもよい。
【００２５】
また、基材は透明でも不透明でもよいが、平板状素子付き基板が、透過型の表示媒体用基板として用いられる場合や、反射型の表示媒体用基板において画像表示面側の基板として用いられる場合には、透明であることが必要である。
【００２６】
−樹脂材料−
基材を構成する樹脂材料（平板状素子が埋め込まれる側の面を構成する樹脂材料）としては、式（１）を満たす樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、環状ポリオレフィン樹脂や、ポリカーボネート樹脂が利用できる。
【００２７】
−平板状素子−
本発明に用いられる平板状素子（大型素子）としては特に限定されず、公知の素子；例えば、ＩＣドライバー等の電子素子、光回路や導波路等の光学素子、ＩＣチップ等の磁気素子が利用できる。また、使用する大型素子の種類は、平板状素子付き基板の用途に応じて適宜選択できる。さらに、使用される平板状素子としては、大型素子のみに限定されず、大型素子と共に小型素子（例えば、画素制御に利用するＴＦＴ等のトランジスタ素子など）も併用することができる。
【００２８】
なお、本発明において、大型素子とは、既述したようにその体積が０．０５ｍｍ３以上であるものを意味する。体積は、０．５ｍｍ３以上であることが好ましく、１ｍｍ３以上であることがより好ましい。
素子の体積が０．０５ｍｍ３未満の場合は、素子のサイズが十分に小さくなるため、特許文献１〜３や非特許文献１に例示されるような従来の方法を利用して、平板状素子付き基板を得ることができる。
なお、大型素子の体積の上限は特に限定されないが実用上は２０００ｍｍ３以下であることが好ましい。大型素子の体積が２０００ｍｍ３を超える場合には、素子のサイズが大きすぎるために、印加する力が大きくなる。その場合、素子、もしくは基板の破損が発生しやすくなり、製造効率が低下し、実用上問題となる場合がある。
【００２９】
大型素子の形状は平板状であれば特に限定されず、素子の機能や用途に応じて適宜選択できる。ただし、体積が大きくなると熱容量も増えるため、加熱に時間がかかる。そのため、実用上の観点から、長辺の長さが、７０ｍｍ以下であることが好ましく、５０ｍｍ以下であることがより好ましい。
また、大型素子の厚みは特に限定されず、素子の機能や用途に応じて適宜選択でき、基材より薄ければよい。ただし、厚みの上限は、厚すぎると基材を加熱する時間が長くなり、実用上問題となる。そのため、５ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００３０】
−平板状素子付き基板の用途−
平板状素子付き基板の用途としては特に限定されないが、例えば、形状が平板状の装置に利用することができ、この中でも液晶表示媒体や有機ＥＬ表示媒体等の各種の表示媒体に利用可能な表示媒体用基板として用いることが好ましく、特に可撓性や薄さが要求される表示媒体（いわゆる電子ペーパー）用基板として用いることが最も好ましい。
なお、平板状素子付き基板が表示媒体用基板として用いられる場合には、大型素子としては、ＴＦＴ素子等の画素表示を制御する小型素子の駆動を制御するために少なくともドライバーＩＣを用いることが好ましい。
【００３１】
−平板状素子付き基板の製造方法−
平板状素子付き基板は、少なくとも表面が、貯蔵弾性率および損失弾性率が下式（３）を満たす樹脂材料で構成される基材を準備する工程（基材準備工程）と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程（配置工程）と、前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程（埋め込み工程）と、を少なくとも経て作製される。
・式（３）  Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ）  （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４）  Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
【００３２】
ここで、上記基材準備工程では、少なくとも樹脂層を有すると共に式（３）を満たす、前述の基材を準備する。
【００３３】
また、配置工程において大型素子を基材表面に配置する方法としては特に限定されず、公知の方法が利用できるが、例えば、大型素子のサイズに相当する穴が所定の位置に設けられたマスクを基材表面に配置した後、この穴に大型素子を配置する方法や、表面に大型素子が貼り付けられた転写部材を用いて、この転写部材を基材にラミネートすることにより、大型素子を転写部材から基材表面へと転写する方法などが利用できる。
尚、配置工程においては、基材表面に、大型素子と同時にあるいは前後して小型素子を配置したり、予め小型素子が表面に形成された基材を用いることもできる。
【００３４】
埋込み工程では、プレス機等を利用して、式（４）を満たす温度域にて基材を加熱すると共に、加圧しながら大型素子を基材表面に埋め込む。なお、基材表面に（埋め込まれていない状態の）小型素子が既に配置されている場合には、大型素子と共に小型素子も基材表面に埋め込むことができる。
ここで、加熱温度は、式（４）が満たされる温度域；すなわち、Ｔ１℃を超えＴ２℃未満であれば特に限定されない。つまり、用いる樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度かつ、樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる（式（３）の関係を満たす）温度範囲にて加熱を施す。Ｔ１℃未満またはＴ２℃を超える温度では、大型素子を、段差が小さくなるように埋め込むことができなかったり、基板の変形が生じるなどして使用が困難となる。
また、平坦性を高めるのに加え、位置精度良く、素子と樹脂材料間のギャップを少なくするためには、加熱温度条件をＴ１＋２℃以上Ｔ２−２℃以下とすることが好ましく、（Ｔ１＋Ｔ２）／２℃に近いほど好ましい。更にその場合であっても、ガラス転移温度に近づける方が素子の位置ずれが小さくなる点で望ましい。
【００３５】
また、圧力は、基材のサイズ、大型素子のサイズ・厚みや個数等に応じて適宜選択できる。３ｋｇｆ／ｃｍ２以上５０ｋｇｆ／ｃｍ２以下が好ましく、６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３０ｋｇｆ／ｃｍ２以下がより好ましい。圧力が３ｋｇｆ／ｃｍ２未満では、大型素子を段差が２μｍ以下となるように埋め込むことが困難となる場合がある。一方、圧力が５０ｋｇｆ／ｃｍ２を超えると、基材が割れたり破損する場合がある。
【００３６】
加熱加圧に要する処理時間については、基材のサイズ、大型素子のサイズ・厚みや個数等に応じて適宜選択できるが、５分以上６０分以下が好ましく、１５分以上３０分以下がより好ましい。処理時間が５分未満では大型素子を段差が２μｍ以下となるように埋め込むことが困難となる場合がある。一方、処理時間が６０分を超えると、平板状素子付き基板の製造に時間を要することになり生産性が低下する場合がある。
【００３７】
また、平板状素子付き基板の用途に応じて基材準備工程中や、埋込み工程の後、配置工程と埋込み工程との間に、必要に応じて種々の工程を実施することができる。
例えば、平板状素子付き基板を表示媒体用基板として用いる場合は、下記に説明する工程を追加して実施してもよい。
すなわち、基材準備工程中に、基材の表面（大型素子が配置される側の面）に画像表示制御を目的とした小型素子（ＴＦＴ素子等の表示層制御素子）を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相成膜法を利用して形成する工程を実施することができる。また、埋込み工程の後に、ＩＣドライバー等の大型素子同士や、大型素子と表示層制御素子との間に薄膜状配線を形成する工程を実施することができる。ここで、薄膜状配線の形成に際しては、フォトリソグラフィー法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など公知の薄膜状配線形成方法が利用できる。
【００３８】
−平板状素子付き基板の具体例−
図１は、本発明の平板状素子付き基板の一例を示す模式断面図であり、図中、１０が平板状素子付き基板、２０が樹脂製基材、３０が大型素子、４０が基材表面（大型素子３０が設けられた側の面）、５０が表示層制御素子形成可能領域を表す。
【００３９】
図１に示す平板状素子付き基板１０は、樹脂製基材２０と、この樹脂製基材２０の基材表面４０の端部側の領域に埋め込まれた大型素子３０とから構成されている。そして、大型素子３０は、基材表面４０に対して段差を形成しないように完全に埋め込まれている。
なお、平板状素子付き基板１０を表示媒体用基板として利用する場合には、基材表面４０の表示層制御素子形成可能領域５０に、複数の表示層制御素子（図中、不図示）が設けられる。ここで、大型素子３０が表示層制御素子を駆動するＩＣドライバーである場合には、表示層制御素子とＩＣドライバーとの間が薄膜状の配線で接続される。なお、この表示媒体用基板が表示媒体に組み込まれた場合には、少なくとも表示層制御素子形成可能領域５０上に、液晶層等の表示層（図中、不図示）が設けられる。なお、表示層は、表示層制御素子形成可能領域５０表面に直接接して設けられてもよいが、表示層と表示層制御素子形成可能領域５０表面との間に必要に応じて１層以上の中間層を設けることもできる。
【００４０】
−表示媒体−
本発明の表示媒体としては、本発明の平板状素子付き基板を用いたものであれば特に限定されず、液晶表示媒体や、有機ＥＬ表示媒体など、公知の表示媒体に利用できるが、以下の構成を有することが好ましい。
すなわち、本発明の表示媒体は、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状の非表示層制御用素子と、前記基材の前記非表示層制御用素子が埋め込まれた側の面に配置された表示層制御用素子とを有し、且つ、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、記述した式（１）を満たす第１の表示媒体用基板と、該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする。以下、本発明の表示媒体を構成する各部材についてより詳細に説明する。
【００４１】
−素子−
ここで、「表示層制御用素子」とは、表示層による表示状態を制御する機能を有する素子である。この表示層制御用素子の体積やサイズは、基本的には既述した小型素子に相当するものであり、例えば、個々の画素に対応するように設けられたＴＦＴ素子等が挙げられる。
また、「非表示層制御用素子」とは、表示層制御用素子とは異なる機能を有し、且つ、その体積やサイズが既述した大型素子に相当する素子を意味する。非表示層制御用素子の代表的な例としては、表示層制御用素子の駆動に用いるＩＣドライバ等の駆動素子が挙げられる。この非表示層制御用素子の配置位置は特に限定されないが、通常は、表示層制御用素子が配置された領域の周辺部分に配置される。
なお、必要に応じて、表示層制御用素子とは異なる機能を有し、且つ、その体積やサイズが既述した小型素子に相当する素子を更に用いることもできる。
【００４２】
−表示層等−
表示層としては、公知の表示媒体を構成する表示層が利用でき、例えば、液晶材料を含む液晶層、電流が流れた場合に発光する発光材料（エレクトロルミネッセンス材料）を含む発光層、正または負に帯電し且つ着色剤を含む粒子（電荷移動性粒子）を溶媒に分散させた溶液を含む電荷移動性粒子分散層、電流を流した際の酸化／還元反応により粒径が数ナノメーター〜数十ナノメーターサイズのＡｕやＡｇ等からなる金属微粒子を溶解／析出する電解液を含む電解液層などが挙げられる。
また、必要に応じて、表示層の機能をサポートする等の目的から、第１の表示媒体用基板と第２の表示媒体用基板との間には、表示層以外に各種の中間層を１層以上設けてもよい。
例えば、液晶層の片側面に光導電性材料を含む光導電性層を設けることにより、光書き込み型の表示媒体を得ることができる。また、発光層への電荷供給を容易とするために、発光層の片面又は両面に正または負の電荷を輸送する電荷輸送性材料を含む電荷輸送層を設けることができる。
【００４３】
また、第１の表示媒体用基板と第２の表示媒体用基板との間には、これら一対の基板の間隔を維持するためにスペーサーを配置したり、画素単位で区切られるように隔壁を設けたりするなど、必要に応じて種々の部材を配置することができる。
【００４４】
−第２の表示媒体用基板−
第２の表示媒体用基板は、第１の表示媒体用基板の表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置される。そして、両基板間に少なくとも表示層が配置される。また、第２の表示媒体用基板の第１の表示媒体用基板側の面には、表示媒体の構成に応じて対向電極を設けることができる。
なお、本発明の表示媒体に可撓性（フレキシビリティ）を付与したい場合には、第１の表示媒体用基板を構成する基材が樹脂材料のみから構成され、且つ、第２の表示媒体用基板として樹脂製基板を選択する。
【実施例】
【００４５】
（実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（日本ゼオン製、ゼオノア樹脂基板、厚み：１８８μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ａ−１）で表される環状ポリオレフィン樹脂の一種である。なお、構造式（Ａ−１）中、Ｒ１、Ｒ２は置換基、ｎは整数を表す。
【００４６】
【化１】
2010002733.tif 000002
【００４７】
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は１６３℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図２に示すように１７４℃を超え１８６℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は、ＳＩＩ社製のＤＭＳ６１００を用いて下記測定条件にて測定した。
＜測定条件＞
・試験方法        ：  強制振動引張法（温度掃引）
・測定温度        ：  室温〜２３０℃
・昇温速度        ：  ２  ℃／分
・加振振幅        ：  １５  ｍｍ
・加振周波数      ：  １  Ｈｚ
・チャック間距離  ：  ３０  ｍｍ
【００４８】
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ａ１〜Ａ３、比較例Ａ１、Ａ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：下記表１参照
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（樹脂基板に対して加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００４９】
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表１に示す。
【００５０】
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ａ１〜Ａ５の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ａ１〜Ａ５の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表１に示す。
【００５１】
また、「位置ずれ量の平均値」を下記の方法により測定した。
ニコンインステック社製  ＣＮＣ画像測定システム  ＮＥＸＩＶ  ＶＭＲ−１５１５ＴＺを用いて、１つの埋め込み条件に対して、４つのチップの４頂点の座標（計１６点）を、埋め込み前後で測定し、埋め込み前後の各頂点座標から移動量を算出し、平均値を求めた。結果を表１に示す。
【００５２】
更に、「ギャップの有無」を下記の方法により確認した。
Ｓｉチップの４辺それぞれについて針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、ギャップの有無を確認した。結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2010002733.tif 000003
【００５４】
（２）Ｓｉチップ体積の影響評価
Ｓｉチップとして、下記＜ａ＞〜＜ｅ＞に示す５種類を準備した。
＜ａ＞体積＝０．７２ｍｍ３（縦４ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｂ＞体積＝１．４４ｍｍ３（縦４ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｃ＞体積＝２．１６ｍｍ３（縦４ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｄ＞体積＝３．６ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｅ＞体積＝５．４ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
【００５５】
続いて、これら体積の異なる５種類のＳｉチップを用いて、下記条件にて加熱加圧処理を実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ａ４〜Ａ８の平板状素子付き基板を得た。続いて、段差の平均値と最大値を先程と同様に評価した。結果を表２に示す。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：１８３℃
・圧力        
Ｓｉチップ＜ａ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｂ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｃ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｄ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｅ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、Ｓｉチップ＜ａ＞〜＜ｅ＞における各々の圧力条件は、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算するといずれも約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当するものである。
・加熱加圧時間：３０分
【００５６】
【表２】
2010002733.tif 000004
【００５７】
（実施例Ｂ／比較例Ｂ／参考例Ｂ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（帝人化成製、パンライト、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｂ−１）で表されるポリカーボネート樹脂である。なお、構造式（Ｂ−１）中、ｎは整数を表す。
【００５８】
【化２】
2010002733.tif 000005
【００５９】
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１４０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図３に示すように１５６℃を超え１６５℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
【００６０】
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｂ１〜Ｂ３、比較例Ｂ１、Ｂ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：下記表３参照
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００６１】
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表３に示す。
【００６２】
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ｂ１〜Ｂ５の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ｂ１〜Ｂ５の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表３に示す。
【００６３】
【表３】
2010002733.tif 000006
【００６４】
（２）Ｓｉチップ体積の影響評価
Ｓｉチップとして、下記＜ａ＞〜＜ｅ＞に示す５種類を準備した。
＜ａ＞体積＝０．７２ｍｍ３（縦４ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｂ＞体積＝１．４４ｍｍ３（縦４ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｃ＞体積＝２．１６ｍｍ３（縦４ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｄ＞体積＝３．６ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｅ＞体積＝５．４ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
【００６５】
続いて、これら体積の異なる５種類のＳｉチップを用いて、下記条件にて加熱加圧処理を実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｂ４〜Ｂ８の平板状素子付き基板を得た。続いて、段差の平均値と最大値を先程と同様に評価した。結果を表４に示す。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：１６３℃
・圧力        
Ｓｉチップ＜ａ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｂ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｃ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｄ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｅ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、Ｓｉチップ＜ａ＞〜＜ｅ＞における各々の圧力条件は、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算するといずれも約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当するものである。
・加熱加圧時間：３０分
【００６６】
【表４】
2010002733.tif 000007
【００６７】
（実施例Ｃ／比較例Ｃ／参考例Ｃ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（ＪＳＲ製、アートン樹脂基板、厚み：５００μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｃ−１）で表される環状ポリオレフィン樹脂である。なお、構造式（Ｃ−１）中、ｎは整数を表す。
【００６８】
【化３】
2010002733.tif 000008
【００６９】
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１５０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図４に示すように１５７℃を超え１７７℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
【００７０】
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｃ１〜Ｃ３、比較例Ｃ１、Ｃ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：下記表５参照
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００７１】
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表５に示す。
【００７２】
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ｃ１〜Ｃ３の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ｃ１〜Ｃ３の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表５に示す。
【００７３】
【表５】
2010002733.tif 000009
【００７４】
（比較例Ｄ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（帝人製、テオネックス、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｄ−１）で表されるポリエチレンナフタレート樹脂である。なお、構造式（Ｄ−１）中、ｎは整数を表す。
【００７５】
【化４】
2010002733.tif 000010
【００７６】
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１２０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図５に示すようにガラス転移温度を超える温度域において、常に貯蔵弾性率Ｅ１＞損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
【００７７】
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより比較例Ｄ１〜Ｄ５の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：下記表６参照
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００７８】
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表６に示す。
【００７９】
【表６】
2010002733.tif 000011
【００８０】
（比較例Ｅ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（東レ製、ルミラー、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｅ−１）で表されるポリエチレンテレフタレート樹脂である。なお、構造式（Ｅ−１）中、ｎは整数を表す。
【００８１】
【化５】
2010002733.tif 000012
【００８２】
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約９５℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図６に示すようにガラス転移温度を超える温度域において、常に貯蔵弾性率Ｅ１＞損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
【００８３】
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより比較例Ｅ１〜Ｅ５の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：下記表７参照
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００８４】
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表７に示す。
【００８５】
【表７】
2010002733.tif 000013
【００８６】
（実施例Ｆ１）
基材として、「実施例Ｃ／比較例Ｃ／参考例Ｃ」で用いた樹脂基板（ＪＳＲ製、アートン樹脂基板、厚み：５００μｍ）を用いた。
【００８７】
この樹脂基板に、平板状のＦＥＴ素子（電界効果トランジスタ素子、ＩＲジャパン製、ＩＲＬＵ３７１５Ｚ、体積０．４ｍｍ３、縦２ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．２ｍｍ）を下記条件にてプレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧しながら埋め込みを行い、加熱加圧処理を終えた後は、加圧状態を維持したまま１５分かけて３５℃まで冷却し、その後、プレスを終了した。  
なお、ＦＥＴ素子の埋め込みに際しては、電極端子が設けられた側の面が基板と反対側の面となるように、基板表面にＦＥＴ素子を配置した。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度    ：１７０℃
・圧力        ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＦＥＴ素子表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
【００８８】
得られたＦＥＴ素子付き基板の段差を任意の４点について測定したときの平均値は０．２５μｍ、最大値は１μｍであった。
【００８９】
次に、図７に示されるＮＯＴ回路を形成するために、ＦＥＴ素子が埋め込まれた基板の、素子が埋め込まれた面に対して真空蒸着法を利用して薄膜状の金属配線を形成し、片面にＮＯＴ回路が形成されたＦＥＴ素子付き基板を得た。
なお、図７中、１００はＮＯＴ回路、１１０は端子１、１２０は端子２、１３０は端子３を表す。
【００９０】
次に、端子１に０．１Ｖ、０．２Ｖ、および、０．３Ｖの直流電圧を各々印加した状態で、端子３の電圧Ｖｉｎを０〜４Ｖの間で変化させたときの端子２における電圧Ｖｏｕｔを測定した。結果を図８に示す。図８から明らかなようにＮＯＴ回路として正常に作動することが確認された。
【００９１】
なお、配線の形成に際して、真空蒸着法の代わりにインクジェット法（ディマティックス社製インクジェットプリンターを使用）によりＡｇペーストからなる配線を形成した場合も、上述と同様の結果を得ることができた。  
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の平板状素子付き基板の一例を示す模式断面図である。
【図２】環状ポリオレフィン樹脂製基板（日本ゼオン製、ゼオノア樹脂基板）の温度に対する貯蔵弾性率Ｅ１および損失弾性率Ｅ２の変化を示すグラフである。
【図３】ポリカーボネート樹脂製基板（帝人化成製、パンライト）の温度に対する貯蔵弾性率Ｅ１および損失弾性率Ｅ２の変化を示すグラフである。
【図４】環状ポリオレフィン樹脂製基板（ＪＳＲ製、アートン樹脂基板）の温度に対する貯蔵弾性率Ｅ１および損失弾性率Ｅ２の変化を示すグラフである。
【図５】ポリエチレンナフタレート樹脂製基板（帝人製、テオネックス）の温度に対する貯蔵弾性率Ｅ１および損失弾性率Ｅ２の変化を示すグラフである。
【図６】ポリエチレンテレフタレート樹脂製基板（東レ製、ルミラー）の温度に対する貯蔵弾性率Ｅ１および損失弾性率Ｅ２の変化を示すグラフである。
【図７】ＮＯＴ回路の回路構成を示す模式図である。
【図８】図７に示すＮＯＴ回路の端子１に０．１Ｖ、０．２Ｖ、および、０．３Ｖの直流電圧を各々印加した状態で、端子３の電圧Ｖｉｎを０〜４Ｖの間で変化させたときの端子２における電圧Ｖｏｕｔの変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９３】
１０  平板状素子付き基板
２０  樹脂製基材
３０  大型素子
４０  基材表面
５０  表示層制御素子形成可能領域
１００  ＮＯＴ回路
１１０  端子１
１２０  端子２
１３０  端子３
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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