(57)【要約】【課題】マイクロレンズ基板としての特性である、高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性に優れるとともに、効率よく製造することができるマイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、および液晶パネル用対向基板の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶滴下工法によって製造される液晶パネルであって、レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と前記凹部に樹脂組成物が充填されてなる凸レンズ基板とを有するマイクロレンズ基板を備え、前記樹脂組成物は、下記式（１）および（２）で示される化合物が縮重合されてなることを特徴とする液晶パネル。    Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）    ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）【選択図】図４
2010286774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶滴下工法によって製造される液晶パネルであって、
レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と前記凹部に樹脂組成物が充填されてなる凸レンズ基板とを有するマイクロレンズ基板を備え、
前記樹脂組成物は、下記式（１）および（２）で示される化合物が縮重合されてなることを特徴とする液晶パネル。
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
（式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。）
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
（式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。）
【請求項２】
請求項１に記載の液晶パネルにおいて、
上記式（１）中、Ａｒはフェニル基であることを特徴とする液晶パネル。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶パネルにおいて、
上記式（２）中、Ｒはスチリル基を有する有機基であることを特徴とする液晶パネル。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶パネルにおいて、
前記樹脂組成物は、下記式（３）で示される化合物がさらに縮重合されることを特徴とする液晶パネル。
Ｒ１Ｓｉ（ＯＲ’）３        …（３）
（式（３）中、Ｒ’基はメチル基またはエチル基である。Ｒ１基は、ＣＦ３−（ＣＦ２）ｎ−Ｃ２Ｈ４−、Ｒ２ＨＮ−（ＣＨ２）３−、Ｃ２Ｈ４−ＮＨＲ２、Ｃ２Ｈ４−ＮＦＲ２、Ｈ２Ｎ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−Ｃ２Ｈ４−、置換または無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、トリル基、ナフチル基である。ｎは０から７の整数、Ｒ２はＨ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。）
【請求項５】
第１の基板と第２の基板のうち少なくともいずれか一方に液晶を滴下する液晶滴下工程と、
真空雰囲気内において前記第１基板と前記第２基板とをシール材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、
大気解放後に所定の大きさの液晶パネルに切断する切断工程と、を備え、
前記第１の基板および前記第２の基板のうちいずれか一方は、レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と下記式（１）および（２）で示される化合物を縮重合してなる樹脂組成物からなる凸レンズ基板とを有するマイクロレンズ基板を有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
（式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。）
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
（式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。）
【請求項６】
レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と、
前記凹部に下記式（１）および（２）で示される化合物が縮重合されてなる樹脂組成物が充填されてなる凸レンズ基板と、を備えることを特徴とするマイクロレンズ基板。
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
（式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。）
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
（式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。）
【請求項７】
請求項６に記載のマイクロレンズ基板を備えたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル、その製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、各画素を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および画素電極を有する液晶駆動基板（ＴＦＴ基板）と、ブラックマトリクスや共通電極等が設けられた液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。
このような構成の液晶パネルでは、ブラックマトリクスにより光の透過率が低下することを防止するために、各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズが設けられたマイクロレンズ基板に、ブラックマトリクスや共通電極等が設けられている。
このようなマイクロレンズ基板として、例えば、複数のマイクロレンズ形成用凹部を有する凹部付き基板に、未硬化の光硬化性樹脂を供給し、平滑な透明基板（カバーガラス）を接合し、押圧・密着させた後、光硬化性樹脂を硬化させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
液晶パネルは、サイズが小さくなると、これに比例して画素サイズが微細化するため、マイクロレンズの配列ピッチも小さくなる。これに伴い、カバーガラスを薄くする必要が生じる。従来、カバーガラスは研磨や研削により薄型に加工することができたが、薄くなるほど加工に限界があり、設計上必要な均一性および平坦性を確保することが困難になる。なお、カバーガラスの平面精度や平坦性が悪化すると、液晶表示素子に組み込む際に機械的なストレスが生じるおそれがある。また、液晶パネルの高精細化に伴い、例えば、カバーガラスを３０μｍ以下に薄くしようとすると、マイクロレンズを構成する光学樹脂の硬化収縮もしくは熱膨張率の差によるストレスでカバーガラスのうねりや反りが起こるおそれがある。
【０００４】
したがって、カバーガラスを使用しないマイクロレンズ基板が提案されている（例えば、特許文献２および３参照）。
特許文献２では、屈折率の異なる２種類の樹脂を用い、1種類の材料でマイクロレンズ面を形成し、もう１種類の材料でマイクロレンズを埋めて平坦面を得ている。また、特許文献３では、レンズ形状の凹状曲面を埋め込む状態で無機材料膜を形成し、この無機材料膜の表面を平坦化した構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−９２３６５号公報
【特許文献２】特開２００４−１２９４１号公報
【特許文献３】特開２００４−２５８０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般的に、樹脂の界面では後工程における熱プロセスでの界面剥離や光劣化による表示不良が発生するという問題があり、特許文献２でも同様の問題が発生する。
また、特許文献３では、無機材料膜をスパッタ法やＣＶＤ法で形成するが、レンズ深さが５〜３０μｍである場合、このレンズを埋める成膜時間のみで３０〜１００分以上かかってしまうため、特にレンズが深い場合は量産に不向きである。
そこで、マイクロレンズ基板としての特性である、高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性、および密着性を有するとともに、成膜時の平坦精度が高いマイクロレンズ基板が求められている。
【０００７】
本発明の目的は、マイクロレンズ基板としての特性である、高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性および密着性に優れるとともに、効率よく製造することができる液晶パネル、その製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶パネルは、液晶滴下工法によって製造される液晶パネルであって、レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と前記凹部に樹脂組成物が充填されてなる凸レンズ基板とを有するマイクロレンズ基板を備え、前記樹脂組成物は、下記式（１）および（２）で示される化合物が縮重合されてなることを特徴とする。
【０００９】
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
【００１０】
式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。
【００１１】
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
【００１２】
式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。
【００１３】
液晶滴下工法は、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）工法とも呼ばれ、２枚の基板を貼り合わせる前に基板上に液晶を滴下するため、大幅な設備と時間の短縮を実現することができる。
この発明は、マイクロレンズ基板を備えた液晶パネルであり、凹部基板に形成されたレンズ形状の複数の凹部に樹脂組成物が充填されて凸レンズ基板を形成している。これにより複数のマイクロレンズが形成される。本発明では、凸レンズ基板を形成する樹脂組成物として、上記式（１）および（２）に示す化合物が縮重合されたものが使用されている。
上記式（１）において、特に、Ａｒが置換または無置換の芳香族基、例えば、フェニル基、トリル基、スチリル基、ナフチル基であることが好ましい。
【００１４】
このような樹脂組成物を用いることにより、マイクロレンズ基板としての特性である、高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性、および密着性を十分に発揮することができる。
また、このような樹脂組成物は光反応により硬化させることができるため、取り扱いが容易で、製造に要する時間を短縮することができる。また、1液での安定性が良く、2液混合タイプの多いシリコーン系や従来の有機-無機ハイブリッド系と比較して、扱いやすく、寿命が長い。
【００１５】
さらに、このような樹脂組成物で形成された凸レンズ基板は平坦精度に優れているため、液晶パネルに組み込む際に機械的なストレス等も発生せず、高品質な製品を提供することができる。このように、カバーガラスを用いずとも、樹脂組成物１層で凸レンズ基板を形成するだけでマイクロレンズ基板として十分な特性を発揮できる。また、樹脂組成物１層を形成するだけの単純構造であるため製造が容易であり、製造工程における手間や製造コストを削減することができる。
そして、このような樹脂組成物は溶剤に可溶であるため成形精度を確保しやすいため、ＯＤＦ工法で液晶パネルを製造した場合の歩留まりが高く、製造コストを大幅に低減することができる。
また、このような樹脂組成物は、ディスペンサー等で凹部基板の表面に塗布した後、押圧部材等で押圧するだけで樹脂層を簡単に形成することができる。
【００１６】
本発明の液晶パネルにおいて、上記式（１）中、Ａｒはフェニル基であることが好ましい。
また、本発明の液晶パネルにおいて、上記式（２）中、Ｒはスチリル基を有する有機基であることが好ましい。
このような樹脂組成物を用いることにより、マイクロレンズ基板としての特性である、高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性、および密着性をより発揮することができる。
【００１７】
本発明の液晶パネルにおいて、前記樹脂組成物は、下記式（３）で示される化合物がさらに縮重合されることが好ましい。
【００１８】
Ｒ１Ｓｉ（ＯＲ’）３        …（３）
【００１９】
式（３）中、Ｒ’基はメチル基またはエチル基である。Ｒ１基は、ＣＦ３−（ＣＦ２）ｎ−Ｃ２Ｈ４−、Ｒ２ＨＮ−（ＣＨ２）３−、Ｃ２Ｈ４−ＮＨＲ２、Ｃ２Ｈ４−ＮＦＲ２、Ｈ２Ｎ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−Ｃ２Ｈ４−、置換または無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、トリル基、ナフチル基である。ｎは０から７の整数、Ｒ２はＨ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。
【００２０】
この発明では、上記式（１）および（２）に示す化合物のほかに、上記式（３）に示す化合物を縮重合させても、前述と同様の作用効果を奏することができる。
また、このような樹脂組成物を用いた液晶パネルでは、より優れた画質で画像を表示させることができる。
【００２１】
本発明の液晶パネルの製造方法は、第１の基板と第２の基板のうち少なくともいずれか一方に液晶を滴下する液晶滴下工程と、真空雰囲気内において前記第１基板と前記第２基板とをシール材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、大気解放後に所定の大きさの液晶パネルに切断する切断工程と、を備え、前記第１の基板および前記第２の基板のうちいずれか一方は、レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と下記式（１）および（２）で示される化合物を縮重合してなる樹脂組成物からなる凸レンズ基板とを有するマイクロレンズ基板を有することを特徴とする。
【００２２】
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
【００２３】
式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。
【００２４】
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
【００２５】
式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。
【００２６】
本発明は、上記式（１）および（２）に示す化合物を縮重合させた樹脂組成物をマイクロレンズ基板に用い、このマイクロレンズ基板を有する液晶パネルを液晶滴下（ＯＤＦ）工法により製造する。
このような樹脂組成物を凸レンズ基板に用いると、マイクロレンズとしての機能を十分に発揮することができる。また、このような樹脂組成物を用いたＯＤＦ工法では、歩留まりが高く、製造コストを大幅に削減することができる。
したがって、十分なレンズ機能を備えた製品を提供できるとともに、設備コストおよび時間コストにおいて有利なＯＤＦ工法で、さらなる製造コストの削減を図ることができる。
【００２７】
本発明のマイクロレンズ基板は、レンズ形状の複数の凹部が形成された凹部基板と、前記凹部に下記式（１）および（２）で示される化合物が縮重合されてなる樹脂組成物が充填されてなる凸レンズ基板と、を備えることを特徴とする。
【００２８】
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
【００２９】
式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。
【００３０】
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
【００３１】
式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。
【００３２】
本発明の液晶パネル用対向基板は、前述のマイクロレンズ基板を備えたことを特徴とする。
【００３３】
これらの発明によれば、マイクロレンズ基板の凸レンズ基板に上記式（１）および（２）に示す化合物を縮重合して得られる樹脂組成物を用いるので、マイクロレンズとしての特性（高透過率、高屈折率、高耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性および密着性）を十分に発揮させることができる。また、これらの発明を用いてＯＤＦ工法により液晶パネルを製造すれば、歩留まりに優れ、製造コストを大幅に削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態にかかるマイクロレンズ基板を備えた液晶パネル用対向基板を示す模式的な断面図。
【図２】前記実施形態におけるマイクロレンズ基板の製造方法を示す説明図。
【図３】前記実施形態におけるマイクロレンズ基板および液晶パネル用対向基板の製造方法を示す説明図。
【図４】前記実施形態におけるマイクロレンズ基板を備えた液晶パネルを示す断面図。
【図５】前記実施形態における液晶パネルの製造工程を示すフローチャート。
【図６】前記実施形態の液晶パネルの製造工程におけるシールが形成された片側基板の平面図。
【図７】前記実施形態の液晶パネルの製造工程におけるセル・ギャップ均一化の後の基板に垂直な断面におけるパネル断面図。
【図８】前記実施形態の液晶パネルの製造工程における切断後の基板に垂直な断面におけるパネル断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ただし、本発明はこの実施形態によって何等限定されるものではない。
（１．マイクロレンズ基板および液晶パネル用対向基板の構成）
図１には、液晶パネル用対向基板１００が示されている。この液晶パネル用対向基板１００は、マイクロレンズ基板１０と、ブラックマトリクス２０と、透明導電膜３０と、を備えている。
【００３６】
マイクロレンズ基板１０は、凹部基板１１と、凸レンズ基板１２と、無機層１３と、が積層されてなる。
凹部基板１１は、その表面に湾曲凹状の複数の凹部１１１が形成されている。
凹部１１１は、平面視したときの直径が１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。凹部１１１の直径が上記範囲内であれば、マイクロレンズ基板１０を備えた液晶パネルにより投影される画像の解像度を十分に優れたものとすることができる。また、後述のように、凸レンズ基板１２のマイクロレンズ１２１を、凹部基板１１の凹部１１１において隙間なく形成することができ、凹部基板１１と凸レンズ基板１２との密着性を優れたものとすることができる。
【００３７】
また、凹部１１１の平均曲率半径は、２．５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。平均曲率半径を上記範囲内とすることにより、優れた光学特性を発揮することができる。
また、凹部１１１の深さは、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。凹部１１１の深さが上記範囲内であることにより、マイクロレンズ基板１０の光学特性を特に優れたものとすることができる。また、凹部基板１１と凸レンズ基板１２との密着性を優れたものとすることができる。
【００３８】
凹部基板１１は石英ガラスで構成され、この石英ガラスにおける波長５５０ｎｍの光の屈折率は１．４６である。なお、凹部基板１１の屈折率は１．４０以上１．５５以下であることが好ましく、より好ましくは１．４６以上１．５０以下である。屈折率が１．４０以上１．５５以下であることにより、優れた光学特性を発揮することができる。
【００３９】
なお、凹部基板１１として使用される材料は石英ガラスに限られず、上記屈折率を満たすガラス材料で構成されればよい。このようなガラス材料として、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。石英ガラスは、機械的強度および耐熱性が高く、また、線膨張係数が非常に低いため、熱による形状の変化が少ない。また、短波長領域の透過率も高く光エネルギーによる劣化もほとんどないため、凹部基板１１として好適である。
【００４０】
凸レンズ基板１２は、凹部基板１１の凹部１１１が形成された側の面に積層され、凹部１１１内に充填され、凹部１１１に対応する形状の凸レンズとしての複数のマイクロレンズ１２１を有している。なお、凹部基板１１と凸レンズ基板１２とは密着している。
マイクロレンズ１２１は、凹部基板１１の凹部１１１と凸部と凹部との関係である以外は、同様の形状となっている。すなわち、マイクロレンズ１２１は、平面視したときの直径が５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。また、マイクロレンズ１２１の平均曲率半径は、２．５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。さらに、マイクロレンズ１２１の高さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。マイクロレンズ１２１をこのような範囲で形成することにより、前述の凹部１１１の形成により得られる効果と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
また、凸レンズ基板１２は、凹部基板１１との屈折率差があるほど、マイクロレンズの界面での光の動きが大きくなり、レンズの設計の自由度が上がる。したがって、凹部基板１１を構成する石英ガラスについて波長５５０ｎｍの光の屈折率と、凸レンズ基板１２の構成材料について波長５５０ｎｍの光の屈折率との差の絶対値は、０．０１以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。これにより、マイクロレンズ１２１の光学特性を優れたものにすることができる。
【００４２】
このような凸レンズ基板１２を構成する材料としては、例えば、特許文献ＵＳ６，９８４，４８３号、ＵＳ６，９８４，７４７号、ＵＳ７，３４８，３９３号に記載されている化合物等を用いることができる。具体的には、下記式（１）に示す化合物と下記式（２）に示す化合物との縮合により得られる縮合物が用いられる。
【００４３】
Ａｒ２Ｓｉ（ＯＨ）２      …（１）
【００４４】
式（１）中、Ａｒは、炭素数６〜２０で、少なくとも１つの芳香族基を有する基である。特に、Ａｒが置換または無置換の芳香族基、例えば、フェニル基、トリル基、スチリル基、ナフチル基であることが好ましい。
式（１）で表される化合物として、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【００４５】
【化１】
2010286774.tif 000003
【００４６】
ＲＳｉ（ＯＲ’）３        …（２）
【００４７】
式（２）中、Ｒは、炭素数２〜１５で、少なくとも１つのエポキシ基および少なくとも１つの炭素−炭素二重結合のうち少なくともいずれか一方を有する有機基である。Ｒ’は、メチル基またはエチル基である。
式（２）で表される化合物として、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【００４８】
【化２】
2010286774.tif 000004
【００４９】
【化３】
2010286774.tif 000005
【００５０】
式（１）および式（２）に示す化合物は、市販のものを使用してもよいし、例えば、「"Chemie und Technologie der Silicone" (Walter Noll, Verlag Chemie, Weinheim/Bergstra[beta]e, 1986)」に記載されている方法で製造してもよい。
【００５１】
上記式（１）および（２）で示される化合物をモル比率１：１で混合してゾルゲル法により重縮合物を得る。ゾルゲル法は、２０℃以上１００℃以下、好ましくは５０℃以上１００℃以下の温度範囲で実施される。また、混合させる成分のうち、最も低い沸点を有する成分の沸点で実施してもよい。縮重合後は、加熱や減圧などの一般的な方法により液化される。
なお、ゾルゲル法における縮重合を促進するために、ルイス塩基やブレンステッド塩基が用いられてもよい。例えば、Ｎ−メチルイミダゾールやベンジルジメチルアミンなどのアミン化合物、トリエチルアミン、アンモニウムフルオライド、アルカリ土類金属水酸化物が挙げられる。
【００５２】
また、上記式（２）に示す化合物を、９０モル％以下の範囲で下記式（３）に示す化合物で代用してもよい。この場合の配合比は、モル比率で（１）：（２）：（３）＝１：（１−Ｘ１）：Ｘ１となる。ここで、０＜Ｘ１≦０．９以下である。
【００５３】
Ｒ１Ｓｉ（ＯＲ’）３        …（３）
【００５４】
式（３）中、Ｒ’基はメチル基またはエチル基である。Ｒ１基は、ＣＦ３−（ＣＦ２）ｎ−Ｃ２Ｈ４−、Ｒ２ＨＮ−（ＣＨ２）３−、Ｃ２Ｈ４−ＮＨＲ２、Ｃ２Ｈ４−ＮＦＲ２、Ｈ２Ｎ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−Ｃ２Ｈ４−、置換または無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、トリル基、ナフチル基である。ｎは０から７の整数、Ｒ２はＨ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。
式（３）で表される化合物として、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【００５５】
【化４】
2010286774.tif 000006
【００５６】
無機層１３は、凸レンズ基板１２の表面に積層され、凸レンズ基板１２を構成する材料からの脱ガスや、イオン成分の溶出を防止する。無機層１３の屈折率は、１．４５以上２．０以下であることが好ましい。これにより、優れた光学特性を発揮することができる。
このような無機層１３を構成する材料としては、例えば、透明な二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が挙げられる。これ以外にも、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＳｉＨ４（モノシラン）、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系無機化合物は、バリア性に優れ、樹脂との密着性が高く、ブラックマトリクス２０を構成する金属膜との密着性も高いため、無機層１３として好適である。
また、無機層１３の厚みは、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。無機層１３の厚みが０．１μｍ未満であると、凸レンズ基板１２を形成する樹脂組成物と無機層１３を構成する材料とに線膨張差が生じ、クラックが発生するおそれがある。一方、無機層１３の厚みが５μｍを超えると、マイクロレンズ基板としての光学特性に影響を及ぼす可能性がある。
なお、このマイクロレンズ基板１０を液晶パネルに用いた場合には、液晶パネルの液晶層中の成分が凸レンズ基板１２中に移行することを防止する。
【００５７】
ブラックマトリクス２０は、遮光機能を有する層であり、上述のマイクロレンズ１２１の位置に対応するように設けられる。具体的には、マイクロレンズ１２１の光軸Ｑが開口部２１を通るようにブラックマトリクス２０が配置される。すなわち、図４に示すように、液晶パネル用対向基板１００では、ブラックマトリクス２０に対向する面から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ１２１で集光され、開口部２１を通過する。
【００５８】
このようなブラックマトリクス２０は、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜、カーボンやチタン等を分散した樹脂層などで構成される。これらの材料で構成されたブラックマトリクス２０は、マイクロレンズ基板１０との密着性に優れる。なお、ブラックマトリクス２０は、これらの材料の中でも特に、Ｃｒ膜またはＡｌ合金膜で構成されていることが好ましい。ブラックマトリクス２０としてＣｒ膜を使用すると、遮光性を向上させることができる。
また、ブラックマトリクス２０の厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。ブラックマトリクス２０の厚みが上記範囲内であることにより、液晶パネル用対向基板１００の平坦性を十分に高いものとすることができるとともに、遮光性に優れる。
【００５９】
透明導電膜３０は、透明性を有する電極であり、ブラックマトリクス２０を覆うように積層される。透明導電膜３０としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が用いられ、その屈折率は２．０である。なお、透明導電膜３０に用いられる材料はＩＴＯに限られず、例えば、酸化インジウム（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いてもよい。
また、透明導電膜３０の厚みは、特に限定されないが、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。透明導電膜３０の厚みを上記範囲内とすることにより、電極として好適に機能する。
【００６０】
（２．マイクロレンズ基板および液晶パネル用対向基板の製造方法）
［２−１．凹部基板１１の製造］
まず、マイクロレンズ基板１０を構成する凹部基板１１の製造方法の一例を説明する。なお、凹部基板１１の製造方法はこれに限定されるものではない。
厚さが均一である平板状の石英ガラスからなるガラス基板を用意し、このガラス基板の表面にマスク形成用膜を形成する。マスク形成用膜は、後述の初期孔を形成することができるとともに、エッチングに対する耐性を有するものが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属やこれらから選択される２種以上を含む合金、前記金属の酸化物（金属酸化物）、シリコン、樹脂等が挙げられる。また、マスク形成用膜を、Ｃｒ／Ａｕや酸化Ｃｒ／Ｃｒのように異なる材料からなる複数の層の積層構造としてもよい。
マスク形成用膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法等により、好適に形成することができる。
【００６１】
次に、レーザー光の照射により、マスク形成用膜にエッチングするための初期孔を形成する。これにより、所定の開口パターンを有するマスクが得られる。レーザー光の照射により初期孔を形成すると、形成される初期孔の大きさや、隣接する初期孔同士の間隔等を容易かつ精確に制御することができる。これにより、マスクの全面に亘って偏りなく初期孔が形成される。
【００６２】
次に、このマスクを用いてガラス基板にエッチングを施し、ガラス基板上に多数の凹部１１１を形成する。エッチングの方法は、特に限定されず、ウェットエッチング、ドライエッチング等が用いられる。
そして、マスクを除去するために、例えば、エッチングを行う。
以上により、複数の凹部１１１を有する凹部基板１１が得られる
【００６３】
［２−２．マイクロレンズ基板１０の製造］
得られた凹部基板１１に凸レンズ基板１２を積層する前に、凹部基板１１に対して前処理を施す。この前処理により、凹部基板１１と凸レンズ基板１２を構成する樹脂材料との密着性を向上させることができる。
例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシランおよび３−メタクリロキシプロピルメチルトリエトキシシランのうち少なくともいずれか一方を、エタノールと水と酢酸との混合液に対して０．５％に希釈した溶液を、スピンコート法により凹部基板１１に塗布する。塗布後、エタノールで洗浄し、スピン乾燥させる。
なお、溶液に使用する材料としては、上記のものに限られず、凹部基板１１を構成する分子中の反応基に応じたシランカップリング剤を選定すればよい。また、塗布方法はスピンコート法に限られず、ディッピング法、気相成膜法等を用いてもよい。
【００６４】
前処理終了後、凹部基板１１に凸レンズ基板１２を積層する。
まず、図２（Ａ）に示すように、凹部基板１１の凹部１１１が形成された側の面に、凸レンズ基板１２形成用の樹脂組成物１２２を、ディスペンサーを用いて滴下する。樹脂組成物１２２は流動性を有し、室温（２０℃）での粘度は、特に限定されないが、１０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。樹脂組成物１２２の粘度が上記範囲内の値であると、厚みの比較的大きい凸レンズ基板１２であっても容易かつ確実に形成することができ、光学特性、信頼性に優れたマイクロレンズ基板１０を容易かつ確実に製造することができる。また、凹部基板１１と凸レンズ基板１２との間に、気泡等が侵入することを効果的に防止することができ、凹部基板１１と凸レンズ基板１２との密着性を特に優れたものとすることができる。
また、樹脂組成物１２２の滴下量は、凹部基板１１のサイズおよび凸レンズ基板１２の厚みに応じて適宜調整すればよい。
【００６５】
樹脂組成物１２２を凹部基板１１に塗布した後、バーコーターやスクリーン印刷を用いて、凹部基板１１上の樹脂組成物１２２を伸ばしてもよい。また、このとき、樹脂組成物１２２の外周部にはギャップ剤を塗布する。ギャップ剤は、樹脂やシリカ製の球状のものであり、樹脂組成物１２２を押圧部材８０で成形する際に、樹脂組成物１２２と押圧部材８０との間隙（ギャップ）を保つために塗布されるものである。
【００６６】
次に、凹部基板１１上の樹脂組成物１２２に対して脱気処理を施す（脱気工程）。脱気処理の方法は、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物１２２が滴下（塗布）された凹部基板１１を減圧雰囲気下に置く方法等が挙げられる。この場合、樹脂組成物１２２が滴下（塗布）された凹部基板１１の置かれる雰囲気の圧力は、１０００Ｐａ以下であることが好ましく、５０Ｐａ以下であることがより好ましい。これによれば、凹部基板１１の表面と樹脂組成物１２２との間に、雰囲気（空気）が残存するのを効果的に防止することができる。また、凸レンズ基板１２中に気泡等が残存するのをより確実に防止することができる。
【００６７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、凹部基板１１上の樹脂組成物１２２を、石英からなる平板状の押圧部材８０で押圧しながら、紫外線照射を行う。
押圧部材８０は、樹脂組成物１２２を押圧する側の面が平坦な部材である。また、押圧部材８０は、樹脂組成物１２２を押圧する側の面に、離型処理が施されたものであってもよい。離型処理としては、例えば、メタキシレンヘキサフォロライドを主成分としたフッ素系化合物溶液を用いた被膜の形成、ヘキサメチルジシラザン（［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＨ）等のシリル化剤による表面処理、フッ素系ガスによる表面処理等が挙げられる。これによれば、後述する工程において、押圧部材８０を効率よく凸レンズ基板１２の表面から取り除くことができる。
【００６８】
紫外線照射は、高圧水銀ランプを用いて行われ、波長３６５ｎｍ、紫外線照射量１０００ｍＪ／ｃｍ２とすることにより樹脂組成物１２２を硬化させることができる。照射量１０００ｍＪ／ｃｍ２とするには、１００ｍＷの高圧水銀ランプで１０秒間照射すればよい。
なお、紫外線照射を行う際、凹部基板１１と同じ形状のマスクを用いることにより、マスクされている部分の硬化を抑制してもよい。紫外線照射後、硬化が不十分な部分を溶剤（エタノール、アセトン、ＭＩＢＫ、ＰＧＭＥＡ、ＭＥＫ等）で洗浄することにより、所望の形状に成形することができる。
そして、押圧部材８０を剥離し、２００℃の乾燥炉でアニール処理を１時間行う。このようにして、図２（Ｃ）に示すように、凹部基板１１上に凸レンズ基板１２が形成される。
【００６９】
次に、図３（Ａ）に示すように、凸レンズ基板１２上にＳｉＯ２からなる無機層１３を形成する。
具体的には、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の気相成膜法等により形成することができる。気相成膜法によれば、緻密かつ密着性の高い無機層１３を形成することができる。スパッタリング法によれば、無機層１３の厚みムラ、ばらつきを非常に小さくでき、また、密着力を非常に高くすることができる。さらに、組成調整、応力調整を容易に行うことができる。
以上より、凹部基板１１と凸レンズ基板１２と無機層１３とで構成されるマイクロレンズ基板１０が得られる。
【００７０】
［２−３．液晶パネル用対向基板１００の製造］
次に、マイクロレンズ基板１０を用いた液晶パネル用対向基板１００の製造方法について説明する。
図３（Ｂ）に示すように、マイクロレンズ基板１０の無機層１３上に、開口部２１を有するブラックマトリクス２０を形成する。このとき、ブラックマトリクス２０は、凹部１１１の位置に対応するように配置される。具体的には、凹部１１１の中心を通る光軸が開口部２１を通るような開口パターンを形成する。
【００７１】
まず、無機層１３上にスパッタリング等の気相成膜法によりブラックマトリクス２０となる薄膜を成膜する。次に、かかるブラックマトリクス２０となる薄膜上にレジスト膜を形成する。次に、ブラックマトリクス２０の開口部２１がマイクロレンズ１２１に対応する位置に来るように、レジスト膜を露光して、かかるレジスト膜に開口部２１のパターンを形成する。次に、ウェットエッチングを行い、薄膜のうちの開口部２１となる部分のみを除去する。次に、レジスト膜を除去する。なお、ウェットエッチングを行う際の剥離液としては、例えば、ブラックマトリクス２０となる薄膜がＡｌ合金等で構成されているときは、リン酸系エッチング液を用いることができる。
なお、開口部２１が形成されたブラックマトリクス２０は、塩素系ガス等を用いたドライエッチングによっても好適に形成することができる。
【００７２】
次に、無機層１３上に、ブラックマトリクス２０を覆うように共通電極である透明導電膜３０を形成する（図３（Ｃ）参照）。この透明導電膜３０は、例えば、スパッタリング等の気相成膜法により形成することができる。
以上より、図１に示す液晶パネル用対向基板１００を得ることができる。
【００７３】
（３．液晶パネル）
［３−１．液晶パネルの構成］
次に、マイクロレンズ基板１０を含む液晶パネル用対向基板１００を用いた液晶パネルを、図４に基づいて説明する。
図４に示すように、液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）２００は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）４０と、ＴＦＴ基板４０に接合された液晶パネル用対向基板１００と、ＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００との空隙に封入された液晶よりなる液晶層５０とを有している。
【００７４】
ＴＦＴ基板４０は、液晶層５０の液晶を駆動するための基板であり、ガラス基板４１と、ガラス基板４１上に設けられた多数の画素電極４２と、画素電極４２の近傍に設けられ、各画素電極４２に対応する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４３とを有している。
この液晶パネル２００では、液晶パネル用対向基板１００の透明導電膜（共通電極）３０と、ＴＦＴ基板４０の画素電極４２とが対向するように、ＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００とが、一定距離離間して接合されている。
【００７５】
ガラス基板４１は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。これにより、反り、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたものとすることができる。
画素電極４２は、透明導電膜（共通電極）３０との間で充放電を行うことにより、液晶層５０の液晶を駆動する。この画素電極４２は、例えば、前述した透明導電膜３０と同様の材料で構成されている。
【００７６】
薄膜トランジスタ４３は、近傍の対応する画素電極４２に接続されている。また、薄膜トランジスタ４３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極４２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極４２の充放電が制御される。なお、ＴＦＴ基板４０には、例えば、その内表面側（液晶層５０の対向する面側）に、配向膜が設けられている。
【００７７】
液晶層５０は液晶分子を含有しており、画素電極４２の充放電に対応して、かかる液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。
この液晶パネル２００では、通常、１個の凹部１１１と、凹部１１１の光軸Ｑに対応したブラックマトリクス２０の１個の開口部２１と、１個の画素電極４２と、かかる画素電極４２に接続された１個の薄膜トランジスタ４３とが、１画素に対応している。
【００７８】
凹部基板１１側から入射した入射光Ｌは、凹部基板１１の凹部１１１を通過する際に集光されつつ、凸レンズ基板１２、無機層１３、ブラックマトリクス２０の開口部２１、透明導電膜３０、液晶層５０、画素電極４２、ガラス基板４１を透過する。このとき、凹部基板１１の入射側には通常偏光板が配置されており、入射光Ｌが液晶層５０を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層５０の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル２００を透過した入射光Ｌを、偏光板（図示せず）に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
なお、偏光板は、例えば、ベース基板と、かかるベース基板に積層された偏光基材とで構成され、かかる偏光基材は、例えば、偏光素子（ヨウ素錯体、二色性染料等）を添加した樹脂よりなる。
【００７９】
［３−２．液晶パネルの製造］
液晶パネル２００を、液晶滴下（ＯＤＦ、Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）工法により製造する方法を図５〜図８に基づいて説明する。本実施形態では、ＴＦＴ基板４０および液晶パネル用対向基板１００で、液晶パネル２００が形成される領域を液晶パネル形成領域と称する。
ＯＤＦ工法による製造工程は、図５に示すように、ラビング工程（Ｓ１）、シール形成工程（Ｓ２）、液晶滴下・貼り合わせ工程（Ｓ３）、第２シール材硬化工程（仮接着工程：Ｓ４）、セル・ギャップ均一化工程（Ｓ５）、第１シール材硬化工程（本接着工程：Ｓ６）、液晶パネル切断工程（Ｓ７）を備えている。
【００８０】
［ラビング工程（Ｓ１）］
まず、ＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００とに配向処理（例えば、ポリイミドからなる配向膜の被覆処理）を施し、配向するための溝をつくるラビング工程（Ｓ１）が実施される。ＴＦＴ基板４０および液晶パネル用対向基板１００は大判のガラス基板で構成されている。
【００８１】
〔シール形成工程（Ｓ２）〕
ラビング工程（Ｓ１）の後、シール形成工程（Ｓ２）を実施し、図６に示すように、液晶パネルを構成するＴＦＴ基板４０上に第１シール材６１及び第２シール材６２を描画または印刷する。なお、液晶パネル用対向基板１００上に第１シール材６１および第２シール材６２を描画または印刷することにしてもよい。また、第１シール材６１をＴＦＴ基板４０に描画または印刷し、第２シール材６２を液晶パネル用対向基板１００上に描画または印刷しても良い。シール材を描画して形成する場合は、ディスペンサーやインクジェット装置を使用することができる。また、シール材を印刷して形成する場合は、スクリーン印刷で印刷することができる。
【００８２】
図６に示すように、ＴＦＴ基板４０には、第１シール材６１及び第２シール材６２が枠状に印刷される。第１シール材６１は、液晶パネル形成領域の周縁部に沿って枠状に描画または印刷される。第２シール材６２は、第１シール材６１の周縁部に沿って枠状に描画または印刷される。第１シール材６１には、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いることができ、第２シール材６２には、例えば、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を用いることができる。
【００８３】
〔液晶滴下・貼り合わせ工程（Ｓ３）〕
シール形成工程（Ｓ２）の後、液晶滴下・貼り合わせ工程（Ｓ３）が施される。ＯＤＦ工法では、両基板を貼り合わせる前に下基板に液晶を滴下する液晶滴下・貼り合わせ工程を採用する。以下にその一例につき説明する。
【００８４】
液晶滴下・貼り合わせ工程で使用される組立装置（不図示）は、上下動可能な上定盤と水平移動可能な下定盤とを備える加圧機構と、上定盤と下定盤との間に挟まれる液晶パネルを取り囲む雰囲気を真空に排気することができる真空排気機構とを組み合わせて構成される。下定盤は上定盤より面積が大きく、上定盤と重ねた場合に下定盤の周縁部が上定盤からはみ出す態様となっている。真空排気機構には、上面と周壁とを有する上蓋部が設けられている。かかる上蓋部はその内部に上定盤を内装し、上下動可能であって、降下することによりその周壁の端面を下定盤の周縁部に押圧、密着させ、大判パネル母材１を密閉することができる。また、上蓋部の周壁には真空排気するための管路が設けられている。上定盤は上蓋部とともに上下動することも可能であるが、独立に上下動可能であって、大判パネル母材１への加圧量を微調整することができる。
【００８５】
液晶滴下・貼り合わせ工程では、まず、上基板となる液晶パネル用対向基板１００をこの組立装置の上定盤に吸着する。次に、図６に示す下基板となるＴＦＴ基板４０を組立装置の下定盤に吸着する。次に、下定盤に固定されたＴＦＴ基板４０上の第１シール材６１に囲まれる領域に液晶６３を滴下する。液晶滴下終了後、下定盤を上定盤の下までスライドさせ位置合わせし、上定盤を降下させてＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００を重合させるとともに、上蓋部を降下させ、上蓋部の周壁の端面を下定盤の周縁部に押圧、密着させて大判パネル母材１を形成する。次に、上定盤と下定盤との間に挟まれる大判パネル母材１を取り囲む雰囲気を真空に排気する。その後、上定盤の押圧力を高め、大判パネル母材１を圧縮し、ＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００との間の間隙を所望の値に微調整する。以上により、ＴＦＴ基板４０と液晶パネル用対向基板１００とが貼り合わされる。その後、加圧機構による加圧を解除し、下定盤をスライドさせ、除電後、大判パネル母材１を取り出し、シール硬化工程へ送り出す。なお、液晶滴下は、真空雰囲気中で行うことにしてもよい。
【００８６】
〔第２シール材硬化工程（仮接着工程：Ｓ４）〕
液晶滴下・貼り合わせ工程（Ｓ３）の後、第２シール材硬化工程（Ｓ４）を実施する。第２シール材６２に紫外線を照射することによりこれを硬化させる。第２シール材６２の硬化は、上述の液晶滴下・貼り合わせ工程（Ｓ３）において大判パネル母材１を取り囲む雰囲気を大気圧に解放した直後に行う。第２シール材６２の硬化までは、液晶滴下・貼り合わせ工程で使用される組立装置から大判パネル母材１を取り出し、これを紫外線照射装置へ搬送し、さらに紫外線を照射するという手順により実行する。なお、液晶滴下貼り合わせ工程で使用される組立装置に紫外線照射装置を組み込み、液晶表示パネルを貼り合わせた後、大気圧解放前に、真空雰囲気内で第２シール材６２に紫外線を照射することにしてもよい。これにより、第２シール材６２内側（真空領域６４）の真空度をさらに高レベルに確保することができる。
【００８７】
〔セル・ギャップ均一化工程（Ｓ５）〕
貼り合わされた両基板間の間隙（セル・ギャップ）の均一化は、大判パネル母材１内部の圧力と大気圧との差圧に起因して、基板表面が大気に押圧されることにより進行する。すなわち、ＴＦＴ基板４０および液晶パネル用対向基板１００が大気に押圧されて変形・変動するとともに、液晶パネル内の液晶６３や、スペーサが用いられている場合はスペーサが両基板に狭圧されて変形することによって、次第に、セル・ギャップが均一化されていく（図７参照）。ここで、本実施形態では、各液晶パネル２００の周囲の真空領域６４の面積を略均一にしているので、大気開放した後に各液晶パネル２００毎に加わる大気圧を略均一とすることが可能となり、また、大判パネル母材１全体に大気圧が平均的に加圧されることになり、中央部と外周部とで大気圧の加圧状態を同一とすることができる。これにより、大判パネル母材１の中央部と外周部の液晶パネル２００のセル・ギャップを均一化でき、各液晶パネル２００のセル・ギャップを均一化することが可能となり、各液晶パネル間でのセル・ギャップのバラツキを防止することができる。
【００８８】
また、このセル・ギャップ均一化工程においては、第１シール材６１が未硬化であるので、第１シール材６１も両基板に狭圧されて両基板の変形・変動にしたがって、十分に変形し、第１シール材近傍の領域においても、表示部中央とほぼ同程度に、セル・ギャップが均一化されていき、個々の液晶パネル２００内のセル・ギャップを均一化することができる。なお、セル・ギャップが均一化されていく過程で、第１シール材６１内の液晶層と大気との差圧が減少した後においても、第１シール材６１と第２シール材６２の間の真空領域６４が、大気圧との差圧を維持するので、セル・ギャップ均一化を高レベルに進行させることができる。このセル・ギャップ均一化工程は、大判パネル母材１が大気圧下に放置された後、大気と大判パネル母材１との力が平衡するまで行われることとなる。
【００８９】
〔第１シール材硬化工程（本接着工程：Ｓ６）〕
第２シール材６２の硬化後、大判パネル母材１を焼成し、第１シール材６１を硬化させる。第１シール材６１は、セル・ギャップ均一化工程中は未硬化のままで、セル・ギャップ均一化が図られた直後に硬化を完了するのが望ましい。
【００９０】
〔液晶パネル切断工程（Ｓ７）〕
第１シール材硬化工程（Ｓ６）の後、液晶パネル切断工程（Ｓ７）が実施される。第１シール材６１の外周に所定間隔で沿うような切断ラインにより大判パネル母材１を切断し単一の液晶パネル２００毎に分離する。これにより図８に示すような単一の液晶パネル２００が切り出され、６枚の液晶パネル２００が製造される。切断ラインは、第１シール材６１の外側に付設される駆動回路等の必要なモジュールを内包するように設定される。
【００９１】
（４．本実施形態の作用効果）
以上、説明した本実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
上記実施形態では、一般式（１）および（２）で表される化合物を縮重合させた樹脂組成物１２２を、マイクロレンズ基板１０の凸レンズ基板１２の形成材料として用いた。このようなマイクロレンズ基板１０は、高透過率、高屈折率、耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性に優れているため、このマイクロレンズ基板１０を用いて製造される液晶パネル用対向基板１００および液晶パネル２００も同様に、高透過率、高屈折率、耐熱性、耐薬品性、耐光性、耐クラック性に優れる。
【００９２】
また、一般式（１）および（２）で表される化合物を混合させた樹脂組成物１２２は、紫外線照射により硬化させることができるため、短時間で硬化させることができ、取り扱いが容易で効率性に優れている。
さらに、一般式（１）および（２）で表される化合物を混合させた樹脂組成物１２２は、安定性が高いため耐久性に優れ、製品とした場合の寿命が長い。
【００９３】
そして、上記実施形態では、ＯＤＦ工法により液晶パネル２００を製造する。ＯＤＦ工法によれば、従来のチップ組立方式に比べて液晶の使用量が少ないので材料コストを低減することができるとともに、液晶の封止を行う必要がないため、製造にかかる経費（時間、材料）を削減することができる。すなわち、生産性および効率性に優れている。
【００９４】
さらに、上記実施形態では、一般式（１）および（２）で表される化合物を混合させた樹脂組成物１２２を用いてマイクロレンズ基板１０（液晶パネル用対抗基板１００）を作成し、さらにＯＤＦ工法で液晶パネルを製造する。これによれば、歩留まりを向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００９５】
（５．変形例）
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、液晶パネル２００の液晶駆動基板としてＴＦＴ基板４０を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【００９６】
さらに、上記実施形態で得られた液晶パネル２００には、必要に応じて、液晶パネル２００の入射側や出射側に偏光板を貼り付けてもよい。
【実施例】
【００９７】
次に、本発明の実施例について説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００９８】
まず、厚さ２ｍｍの石英ガラス基板（屈折率：１．４６）に対し、スパッタリング法により厚さ０．０３μｍのクロム（Ｃｒ）膜を形成した。
次に、このＣｒ膜に対し、ステッパー（縮小投影型露光装置）を用いてレジストを塗布し、所定のパターンを有するマスクを形成した。そして、マスクが形成された石英ガラス基板にウェットエッチングを施し、石英ガラス基板上に多数の凹部を形成した（凹部基板製造工程）。
【００９９】
次に、凹部基板に対して、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルトリエトキシシランを、エタノール、水、酢酸の混合液に対しそれぞれ０．５％程度に希釈した溶液をスピンコートし、その後、エタノールで洗浄し、スピン乾燥させた（前処理工程）。
【０１００】
以下の表１に示す実施例１〜３の化合物に、重合開始剤として「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９」（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）を混合させて樹脂組成物を得た。
ここで用いた化合物Ａは前述の式（１１）で示されるジフェニルシランジオール（ＤＰＤ）であり、化合物Ｂは前述の式（２１）で示される３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランであり、化合物Ｃは前述の式（３１）で示されるフェニルトリメトキシシランであり、化合物Ｄは前述の式（２２）で示されるスチリルメチルジエトキシシランである。なお、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９」の化学式を以下に示す。
【０１０１】
【化５】
2010286774.tif 000007
【０１０２】
また、以下の表１に示す比較例１では、例えば特開２００８−２０２００８号公報に示すエポキシ−シリカ樹脂、比較例２ではアクリル−シリカ樹脂、比較例３では、例えば特開平９−２０８８０５号公報に示すエポキシ樹脂を樹脂組成物として用いた。
【０１０３】
次に、凹部基板をホットプレートに載せ、凹部基板上に各樹脂組成物を塗布した。塗布方法は以下の通りである。
［実施例１］
室温（２０℃以上２５℃以下）で、ディスペンサーにより所定量の樹脂組成物を凹部基板の中心に塗布した。
【０１０４】
［実施例２］
ホットプレートを６０℃に温め、ディスペンサーにより所定量の樹脂組成物を凹部基板の中心に塗布した。６０℃に加温することにより、加温前には数Ｐａ・ｓだった粘度が、１０−１Ｐａ・ｓ程度にまで低粘度化した。
［実施例３］
ホットプレートを６０℃以上８０℃以下に温め、ディスペンサーにより所定量の樹脂組成物を凹部基板の中心に塗布した。６０℃以上８０℃以下に加温することにより、加温前には数十Ｐａ・ｓだった粘度が、１０−１Ｐａ・ｓ程度にまで低粘度化した。
【０１０５】
［比較例１〜３］
室温（２０℃以上２５℃以下）で、ディスペンサーにより所定量の樹脂組成物を凹部基板の中心に塗布した。
【０１０６】
樹脂組成物の塗布後、必要に応じて、バーコーターやスクリーン印刷を用いて、凹部基板上の樹脂組成物を伸ばし、樹脂組成物の外周部にギャップ剤を描画した。
次に、ホットプレートに凹部基板を載せた状態で、真空引きを行う。このときの真空度は１０００Ｐａ以下であることが好ましい。真空度が１０００Ｐａを超えると、気泡が発生するおそれがある。
真空引き終了後、石英ガラス製の押圧部材を平行に押し付け、樹脂組成物の厚みが２５μｍとなるように整えた。
【０１０７】
次に、厚みを整えた樹脂組成物に対して、硬化処理を行った。硬化方法は以下の通りである。
［実施例１〜３］
１００ｍＷの高圧水銀ランプ（波長３６５ｎｍ）を、凹部基板上の樹脂組成物に対して１０秒間照射することにより、紫外線照射量１０００ｍＪとして樹脂組成物を硬化させた。紫外線照射する際は、凹部基板サイズのマスクにより、凹部基板からはみ出している樹脂組成物の硬化を抑制し、エタノールで洗浄してはみ出した樹脂組成物を除去した。
硬化後、押圧部材を凹部基板から剥離し、２００℃の乾燥炉で１時間アニール処理を行った。
【０１０８】
［比較例１、２］
樹脂組成物を塗布した凹部基板を１００℃の乾燥炉に１時間入れ、樹脂組成物を硬化させた。凹部基板からはみ出した樹脂組成物は、まず硬化前に拭き取り、硬化後に硫酸洗浄を行って除去したが、凹部基板の端面における拭き取り残りと、凹部基板への硫酸の浸み込みにより数ｎｍの凹凸が発生した。
硬化後、押圧部材を凹部基板から剥離した。
【０１０９】
［比較例３］
１００ｍＷの高圧水銀ランプ（波長３６５ｎｍ）を、凹部基板上の樹脂組成物に対して１０秒間照射することにより、紫外線照射量１０００ｍＪとして樹脂組成物を硬化させた。エポキシ樹脂は溶剤に不溶のため、凹部基板からはみ出した樹脂組成物は、硬化後の硫酸洗浄により除去したが、凹部基板への硫酸の浸み込みにより数ｎｍの凹凸が発生した。
硬化後、押圧部材を凹部基板から剥離し、１５０℃の乾燥炉で３０分間アニール処理を行った。
以上のようにして、凹部基板上に凸レンズ基板を形成した。
【０１１０】
次に、凸レンズ基板の表面に、ＳｉＯ２からなる無機層を形成した。無機層の形成方法は以下の通りである。
［実施例１〜３］
Ｓｉ源にモノシラン（ＳｉＨ４）を用い、２００℃のＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなる無機層を２μｍの厚みに形成した。膜形成時間は、１０分であった。
【０１１１】
［比較例１、２］
Ｓｉ源にモノシラン（ＳｉＨ４）を用い、２００℃のＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなる無機層を２μｍの厚みに形成した。膜形成時間は、１０分であった。
【０１１２】
［比較例３］
Ｓｉ源にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用い、７５℃のＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなる無機層を５μｍの厚みに形成した。膜形成時間は、６０分であった。
以上の工程により、凹部基板、凸レンズ基板および無機層からなるマイクロレンズ基板を製造した。
【０１１３】
次に、スパッタリングにより、厚さ０．０５μｍのＣｒ膜および厚さ０．１μｍのＴｉＮ膜を無機層上に成膜し、レジスト塗布後、ステッパーを用いて所定のパターンを形成し、ドライエッチングによりブラックマトリクスを成形した。
次に、２００℃のスパッタリングにより、凹部基板のブラックマトリクスおよび無機層上に厚さ０．１４μｍのＩＴＯ膜を成膜した。
以上の工程により、液晶パネル用対向基板を製造した。各実施例および各比較例の液晶パネル用対向基板を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
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【０１１５】
表１に示されるように、実施例１から実施例３の液晶パネル用対向基板は、基板端精度が高く、平坦性に優れている。
【０１１６】
次に、各実施例および各比較例で製造した液晶パネル用対向基板を用いて液晶パネルを製造した。液晶パネルの製造は、前述の実施形態に記載したＯＤＦ工法のほか、参考例としてチップ工法による製造も行った。
チップ工法は、まず、得られた液晶パネル用対向基板１００を、ダイシングにより所定のチップサイズに切断する。
次に、ＴＦＴ基板４０にシール材を描画または印刷し、チップサイズの液晶パネル用対向基板１００を貼り合わせる。シール材を描画する方法としては、ディスペンサーやインクジェット装置を用いることができる。また、シール材を印刷する方法としては、スクリーン印刷を利用することができる。
次に、シール材で囲まれる液晶パネル用対向基板１００とＴＦＴ基板４０との間隙内に液晶を注入し封止する。
次に、スクライブブレイクにより所定のパネルサイズに分割し、液晶パネル２００を得ることができる。
【０１１７】
各組立方式により得られた液晶パネルについて、歩留まり、初期の明るさとムラ、および耐光性試験後の明るさとムラの評価を行った。評価結果を表２に示す。
なお、耐光性試験は、ランプ（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製、製品名「Ｔｏｐ  ２４１  Ｊ７」）の光を液晶パネルに５０００時間照射することにより行った。
各評価の指標は以下の通りである。
【０１１８】
［歩留まりの評価］
Ａ：歩留まり８０％以上
Ｂ：歩留まり７０％以上８０％未満
Ｃ：歩留まり７０％未満
【０１１９】
［明るさの評価］
得られた液晶パネルを評価機に組み込み投影し、照度を測定した。
Ａ：照度  １２００ルーメン以上
Ｂ：照度  １０００ルーメン以上１２００ルーメン未満
Ｃ：照度  １０００ルーメン未満
【０１２０】
［ムラの評価］
得られた液晶パネルを投影した画像を目視で観察し、以下のように評価した。
Ａ：画像にムラがない。
Ｂ：画像にスジムラおよび濃度ムラが見られるが、実用上問題ない程度である。
Ｃ：画像にスジムラおよび濃度ムラがある。
【０１２１】
【表２】
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【０１２２】
表２に示されるように、実施例１〜３では、耐光性試験の前後で、明るさおよびムラに変化がなく、耐久性に優れた液晶パネルを得ることができた。また、ＯＤＦ工法で液晶パネルを作成した場合の歩留まりが良好であり、生産性および効率性が高い。
一方、比較例１、２では、耐光性試験の前後で、明るさおよびムラに変化はなかったものの、ＯＤＦ工法で作成した場合の歩留まりが低い。また、比較例３では、耐光性試験後の明るさおよびムラの評価が低下し、ＯＤＦ工法で作成した場合の歩留まりも低かった。
【符号の説明】
【０１２３】
１０…マイクロレンズ基板、１１…凹部基板、１１１…凹部、１２…凸レンズ基板、１２１…マイクロレンズ、１２２…樹脂組成物、１３…無機層、２０…ブラックマトリクス、３０…透明導電膜、４０…ＴＦＴ基板、５０…液晶層、８０…押圧部材、１００…液晶パネル用対向基板、２００…液晶パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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