(57)【要約】【課題】レーザー加工と切削加工とを用いて半導体ウェーハを切断する加工装置において、保持テーブルの表面の発熱を抑えると共に、保持テーブル上において切削ブレードのセットアップ作業を行うことができる保持テーブルおよび加工装置を提供すること。【解決手段】少なくとも所定の波長のレーザー光線に対して透過性を有し、半導体ウェーハＷを保持するウェーハ保持面５２ａと、ウェーハ保持面５２ａと同一平面において、少なくとも導電性を有し、切削ブレード３７の刃先との接触時の通電によって切削ブレード３７の切り込み方向における基準位置が検出可能なセットアップ基準面５１ｃとが形成された。【選択図】図３
2010184331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも所定の波長のレーザー光線に対して透過性を有し、ワークを保持するワーク保持面と、
前記ワーク保持面と同一平面において、少なくとも導電性を有し、切削ブレードの刃先との接触時の通電によって前記切削ブレードの切り込み方向における基準位置が検出可能なセットアップ基準面とが形成されたことを特徴とする保持テーブル。
【請求項２】
前記ワーク保持面が形成された保持板と、
前記ワーク保持面を囲むように前記セットアップ基準面が形成され、前記セットアップ基準面と前記ワーク保持面とが同一平面となるように前記保持板が設置される設置部を有するテーブル本体とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の保持テーブル。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持テーブルと、
前記切削ブレードの刃先と前記セットアップ基準面との接触時の通電によって、前記切削ブレードの切り込み方向における基準位置を検出すると共に、前記保持テーブルに保持された前記ワークに対し、前記切削ブレードを相対移動させることにより前記ワークを切削加工する切削加工機構と、
前記保持テーブルに保持された前記ワークに対し、レーザー光線を照射するレーザー加工機構とを備えたことを特徴とする加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保持テーブルおよび加工装置に関し、特に、半導体ウェーハの切断加工時に半導体ウェーハを保持する保持テーブルおよびそれを備えた加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハを保持した状態で切断する加工装置として、切削加工とレーザー加工とを用いて半導体ウェーハを切断するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載の加工装置は、切削ブレードにより半導体ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って所定の深さの切削溝を形成し、この形成された切削溝にレーザー光線を照射することで半導体ウェーハを分割している。
【０００３】
この加工装置においては、切削加工時に切削ブレードの切削深さを精度よく制御するために切削ブレードのセットアップ作業が行われる。このセットアップ作業は、半導体ウェーハを保持する保持テーブルの上面を切り込み方向における基準位置として検出するものであり、切削ブレードの外周縁を金属製の保持テーブルに接触させ、この接触時の通電によって基準位置を電気的に検出している。
【０００４】
また、従来、レーザー加工により半導体ウェーハを切断する加工装置として、レーザー光線の照射による保持テーブルの表面での発熱を抑えたものが知れている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２に記載の加工装置は、保持テーブルをレーザー光線に対して透過性を有する石英ガラスで形成し、保持テーブルの表面でのレーザー光線の吸収を防止して、保持テーブルの表面の発熱を抑えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−９８２１６号公報
【特許文献２】特開２００６−２０５１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した特許文献１に記載の加工装置においては、保持テーブルが金属製であるため、半導体ウェーハのレーザー加工時に保持テーブルの表面が発熱してしまうという問題があった。この問題を解決するために、金属性の保持テーブルの代わりに、特許文献２に記載の石英ガラスの保持テーブルを使用することも考えられるが、石英ガラスは導電性を有さないため切削ブレードのセットアップ作業を行うことができないという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、レーザー加工と切削加工とを用いて半導体ウェーハを切断する加工装置において、保持テーブルの表面の発熱を抑えると共に、保持テーブル上において切削ブレードのセットアップ作業を行うことができる保持テーブルおよび加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の保持テーブルは、少なくとも所定の波長のレーザー光線に対して透過性を有し、ワークを保持するワーク保持面と、前記ワーク保持面と同一平面において、少なくとも導電性を有し、切削ブレードの刃先との接触時の通電によって前記切削ブレードの切り込み方向における基準位置が検出可能なセットアップ基準面とが形成されたことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、ワーク保持面においてレーザー光線を透過させると共に、セットアップ基準面において切削ブレードの切り込み方向における基準位置を電気的に検出させることができる。したがって、この保持テーブルをレーザー加工および切削加工を用いてワークを切断する加工装置に適用することで、レーザー加工時にレーザー光線の吸収を防止してワーク保持面の発熱を抑制することができ、切削加工のセットアップ作業時にはセットアップ基準面と切削ブレードの刃先と接触させることにより基準位置を検出することができる。
【００１０】
また本発明は、上記保持テーブルにおいて、前記ワーク保持面が形成された保持板と、前記ワーク保持面を囲むように前記セットアップ基準面が形成され、前記セットアップ基準面と前記ワーク保持面とが同一平面となるように前記保持板が設置される設置部を有するテーブル本体とを備えている。
【００１１】
本発明の加工装置は、上記保持テーブルと、前記切削ブレードの刃先と前記セットアップ基準面との接触時の通電によって、前記切削ブレードの切り込み方向における基準位置を検出すると共に、前記保持テーブルに保持された前記ワークに対し、前記切削ブレードを相対移動させることにより前記ワークを切削加工する切削加工機構と、前記保持テーブルに保持された前記ワークに対し、レーザー光線を照射するレーザー加工機構とを備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザー加工と切削加工とを用いて半導体ウェーハを切断する加工装置において、保持テーブルの表面の発熱を抑えると共に、保持テーブル上において切削ブレードのセットアップ作業を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、加工装置の外観斜視図である。
【図２】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、加工装置のユニット本体の外観斜視図である。
【図３】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、チャックテーブルの周辺の断面模式図である。
【図４】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、チャックテーブルの周辺の外観斜視図である。
【図５】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、加工装置のセットアップ回路の一例を示す図である。
【図６】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、加工装置の加工動作の説明図である。
【図７】本発明に係る保持テーブルの実施の形態を示す図であり、環状フレームに支持された半導体ウェーハの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。最初に、本発明の実施の形態に係るチャックテーブルについて説明する前に、加工対象となる半導体ウェーハについて簡単に説明する。図７は、環状フレームに支持された半導体ウェーハの斜視図である。
【００１５】
図７に示すように、半導体ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６３が形成されている。また、半導体ウェーハＷは、貼着テープ６４を介して環状フレーム６５に支持され、図示しないカセット内に収容された状態で加工装置１に搬入・搬出される。
【００１６】
なお、本実施の形態においては、ワークとしてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではなく、半導体ウェーハＷに貼着されるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイヤ（Al2O3）系の無機材料基板、各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。
【００１７】
次に、図１および図２を参照して本発明の実施の形態に係るチャックテーブルについて説明する。なお、以下の説明では本発明に係るチャックテーブルを切削加工およびレーザー加工を用いて半導体ウェーハを切断する加工装置に適用した場合について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る加工装置の外観斜視図である。図２は、本発明の実施の形態に係る加工装置のユニット本体の外観斜視図である。
【００１８】
図１に示すように、加工装置１は、直方体状の筐体２を有し、筐体２の内部にはユニット本体３が収容されている（図２参照）。ユニット本体３は、半導体ウェーハＷを筐体２内に取り込むチャックテーブル１３を備え、図１においてはチャックテーブル１３を外部に移動させて筐体２の前方で待機させた状態を示している。筐体２の前方には、筐体２の外部に移動したチャックテーブル１３に隣接して、半導体ウェーハＷが収納されたカセットが搬入・搬出される搬入搬出部４と、加工済みの半導体ウェーハＷを洗浄する洗浄ユニット５とが設けられている。
【００１９】
また、筐体２の前面部２ａには、搬入搬出部４とチャックテーブル１３との間の半導体ウェーハＷの受け渡しを行うプッシュプルアーム６と、チャックテーブル１３と洗浄ユニット５との間の半導体ウェーハＷの受け渡しを行うアッパーアーム７およびロアアーム８とが設けられている。また、チャックテーブル１３の上方には一対のガイドレール１６が設けられており、一対のガイドレール１６は互いに離間・接近可能に構成されている。さらに、筐体２の一側面２ｂには、加工装置１を制御するための各種加工条件を設定するためのタッチパネル式のモニター９が設けられている。
【００２０】
搬入搬出部４は、カセットを載置する載置板１１を有し、載置板１１は昇降可能に構成されている。搬入搬出部４は、カセットを載置した状態で載置板１１を昇降させることにより、高さ方向における半導体ウェーハＷの搬入・搬出位置を調整している。
【００２１】
洗浄ユニット５は、上面に円形の開口部５ａが形成され、開口部５ａの中央に切削済みの半導体ウェーハＷが保持される洗浄用テーブル１２を有している。洗浄用テーブル１２は、洗浄ユニット５の上面の開口部５ａと洗浄ユニット５の内部との間で昇降可能に構成されている。切削済みの半導体ウェーハＷは、洗浄用テーブル１２が開口部５ａに位置したときに洗浄用テーブル１２に保持され、洗浄用テーブル１２が洗浄ユニット５の内部に下降したときに洗浄される。
【００２２】
プッシュプルアーム６は、搬入搬出部４においてカセットの高さ調整が行われた状態で、搬入時にカセットから半導体ウェーハＷを引き出して一対のガイドレール１６に載置する他、搬出時に一対のガイドレール１６に載置された半導体ウェーハＷをカセットに押し込むように構成されている。一対のガイドレール１６は、半導体ウェーハＷの載置時には相互に接近して半導体ウェーハＷの外周縁部を支持してチャックテーブル１３に対して位置決めし、半導体ウェーハＷの非載置時にはチャックテーブル１３の載置面を空けるように相互に離間する。
【００２３】
アッパーアーム７は、一対のガイドレール１６に載置された半導体ウェーハＷをピックアップして、離間した一対のガイドレール１６の間から半導体ウェーハＷをチャックテーブル１３に載置する他、加工済みの半導体ウェーハＷをチャックテーブル１３からピックアップして洗浄用テーブル１２に載置する。ロアアーム８は、洗浄済みの半導体ウェーハＷを洗浄用テーブル１２からピックアップして一対のガイドレール１６に載置するよう構成されている。
【００２４】
図２に示すように、ユニット本体３は、切削ユニット１４およびレーザー光線照射ユニット１５と半導体ウェーハＷを保持したチャックテーブル１３とを相対移動させて半導体ウェーハＷを切断するように構成されている。ユニット本体３は、基台１７を有し、基台１７上にはチャックテーブル１３をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動機構１８が設けられている。また、ユニット本体３の基台１７上には、Ｘ軸方向移動機構１８を間に挟んで立設した一対の支柱部１９が設けられ、この一対の支柱部１９の上部には、チャックテーブル１３の上方において切削ユニット１４およびレーザー光線照射ユニット１５を移動させるＹ軸方向移動機構２１が設けられている。
【００２５】
Ｘ軸方向移動機構１８は、Ｘ軸方向に延在する支持台２２と、支持台２２上に配置された互いに平行な一対のガイドレール２３と、一対のガイドレール２３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル２４とを有している。また、Ｘ軸テーブル２４の上部には、チャックテーブル１３が設けられている。
【００２６】
Ｙ軸方向移動機構２１は、Ｙ軸方向に延在する支持台２５と、支持台２５の前面に配置された互いに平行な一対のガイドレール２６と、一対のガイドレール２６にスライド可能に設置されたモータ駆動の一対のＹ軸テーブル２７とを有している。また、Ｙ軸方向移動機構２１は、各Ｙ軸テーブル２７の前面のそれぞれに配置された互いに平行な一対のガイドレール２８と、各一対のガイドレール２８のそれぞれにスライド可能に配置されたモータ駆動のＺ軸テーブル２９とを有している。一方のＺ軸テーブル２９には切削ユニット１４が延設され、他方のＺ軸テーブル２９にはレーザー光線照射ユニット１５が延設されている。
【００２７】
なお、Ｘ軸テーブル２４、各Ｙ軸テーブル２７、各Ｚ軸テーブル２９の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ３１、３２が螺合されている（Ｚ軸テーブル用のボールネジは不図示）。そして、Ｘ軸テーブル２４用のボールネジ３１、Ｙ軸テーブル２７用のボールネジ３２、Ｚ軸テーブル用のボールネジの両端部には、それぞれ一対の駆動モータ３３、３４、３５が連結され、これら一対の駆動モータ３３、３４、３５によりボールネジが回転駆動される。
【００２８】
次に、図３および図４を参照してチャックテーブルの周辺について説明する。図３は、チャックテーブルの周辺の断面模式図である。図４は、チャックテーブルの周辺の外観斜視図である。
【００２９】
図３および図４に示すように、切削ユニット１４は、切削ブレード３７と、切削ブレード３７に連結されたスピンドル３８と、加工部分に切削水を噴射する複数のノズル３９とを有している。切削ユニット１４は、スピンドル３８により切削ブレード３７を高速回転させ、複数のノズル３９から加工部分に切削水を噴射して切削加工を行う。この切削加工においては、半導体ウェーハＷに所定の深さの切削溝が形成される。
【００３０】
この場合、Ｙ軸テーブル２７の移動により切削ブレード３７が半導体ウェーハＷの分割予定ラインに位置合わせされ、Ｚ軸テーブル２９の移動により半導体ウェーハＷに対する切り込み深さが調整される。また、Ｘ軸テーブル２４の移動によりチャックテーブル１３に半導体ウェーハＷを保持した状態で切削送りされる。このように、Ｘ軸テーブル２４、Ｙ軸テーブル２７、Ｚ軸テーブル２９の移動を制御することで、分割予定ラインに沿って半導体ウェーハＷに格子状の切削溝が形成される。
【００３１】
レーザー光線照射ユニット１５は、パルスレーザー光線発振部４１と、パルスレーザー光線発振部４１から発振されたレーザー光線を集光する加工ヘッド４２と、加工ヘッド４２において集光されるレーザー光線の光軸に沿って液体を供給する液体供給部４３とを有している。レーザー光線照射ユニット１５は、液体供給部４３から供給された液体をノズル４４からビーム状に噴出すると供に、加工ヘッド４２によりパルスレーザー光線発振部４１から発振されたレーザー光線を集光して液体ビームに沿って照射する。このレーザー加工においては、レーザー光線のスポット径は切削溝の溝幅よりも小さく設定されており、切削加工において形成された切削溝内にさらにレーザー加工溝を形成して半導体ウェーハＷが破断される。
【００３２】
この場合、Ｙ軸テーブル２７の移動によりノズル３９が半導体ウェーハＷの切削溝に位置合わせされ、Ｚ軸テーブル２９の移動によりレーザー光線の集光点が調整される。また、Ｘ軸テーブル２４の移動によりチャックテーブル１３に半導体ウェーハＷを保持した状態で加工送りされる。このように、Ｘ軸テーブル２４、Ｙ軸テーブル２７、Ｚ軸テーブル２９の移動を制御することで、切削溝に沿って半導体ウェーハＷが切断される。
【００３３】
チャックテーブル１３は、Ｘ軸テーブル２４の上面に固定されたＺ軸回りに回転可能なθテーブル４６と、θテーブル４６の上面に固定されたテーブル支持部４７とを有している。また、テーブル支持部４７の上部には、半導体ウェーハＷを吸着保持するウェーハ保持部４８と、環状フレーム６５を保持するフレーム保持部４９とが支持されている。テーブル支持部４７の内部には、ウェーハ保持部４８に貼着テープ６４を介して半導体ウェーハＷを吸着保持させる吸引源が設けられている。
【００３４】
ウェーハ保持部４８は、所定の厚みを有する円盤状に形成され、テーブル支持部４７に接続されたテーブル本体５１と、テーブル本体５１に取り付けられた保持板５２とから構成されている。テーブル本体５１は、ステンレス等の導電性材料で構成され、上面中央に円形の凹部５１ａが形成されている。この凹部５１ａの外周に沿って段部５１ｂが形成されており、この段部５１ｂの上面に保持板５２が載置される。また、凹部５１ａの中央には吸引源に接続される管路が形成されている。
【００３５】
保持板５２は、石英ガラス等の２００〜１３００ｎｍの波長のレーザー光線に対して透過性を有する材料で構成され、テーブル本体５１の凹部５１ａの外周と相補的な円盤状に形成されている。また、保持板５２の厚みは、テーブル本体５１の上面から段部５１ｂまでの深さに一致している。したがって、保持板５２がテーブル本体５１の段部５１ｂに載置されることで、保持板５２の上面とテーブル本体５１の上面とが面一となる。この場合、中央に位置する保持板５２の上面が半導体ウェーハＷを吸着保持するウェーハ保持面５２ａとなり、ウェーハ保持面５２ａの周囲に位置するテーブル本体５１の上面が切削ユニット１４のセットアップ作業時のセットアップ基準面５１ｃとなる。なお、切削ユニット１４のセットアップ作業については後述する。
【００３６】
ウェーハ保持面５２ａには、同心円状に配置された複数の環状溝５２ｂと、保持板５２の中心から放射方向に延びる複数の直線溝５２ｃと、複数の環状溝５２ｂと複数の直線溝５２ｃとの交点に配置された図示しない複数の吸着孔とが形成されている。この複数の吸着孔は、保持板５２を貫通して凹部５１ａを介して吸引源に接続されている。
【００３７】
そして、吸引源の吸引により複数の吸着孔を介して複数の環状溝５２ｂおよび複数の直線溝５２ｃに負圧が発生し、この負圧により半導体ウェーハＷがウェーハ保持面５２ａに引き寄せられ、複数の環状溝５２ｂおよび複数の直線溝５２ｃが封止される。このような吸着面２５に形成された溝構成により、仮置きテーブル２３を直径の異なる半導体ウェーハに対して汎用的に使用することが可能となる。なお、本実施の形態においては、保持板５２の材質を２００〜１３００ｎｍの波長のレーザー光線に対して透過性を有するとしたが、この構成に限定されるものではなく、ワークとして使用されるものに応じて適宜変更可能である。
【００３８】
このように、ウェーハ保持面５２ａをレーザー光線に対して透過性を有する材質で形成したため、レーザー光線を吸収することなく、ウェーハ保持面５２ａでの発熱を抑えることが可能となる。また、ウェーハ保持面５２ａと同一平面上に切削ユニット１４のＺ軸方向におけるセットアップ基準面５１ｃが形成されるため、ウェーハ保持面５２ａに保持された半導体ウェーハＷの切り込み深さを精度よく調整することが可能となる。
【００３９】
フレーム保持部４９は、テーブル支持部４７の四方から径方向外側に向かって平行に延びる一対の支持アーム５４と、一対の支持アーム５４に支持された４つのクランプ部５５とを有して構成されている。各クランプ部５５は、環状フレーム６５が載置される載置板部５６と、載置板部５６との間で環状フレーム６５を挟持する挟持板部５７とを有し、エアーアクチュエータ５８により挟持板部５７を駆動して環状フレーム６５の四方を挟持固定する。
【００４０】
次に、図５を参照して、本発明の実施の形態に係る加工装置のセットアップ動作について説明する。図５は、本発明の実施の形態に係る加工装置のセットアップ回路の一例を示す図である。なお、以下に示すセットアップ回路は一例であり、切削ブレードとテーブル本体との接触によりセットアップ可能な構成であればどのような回路構成でもよい。
【００４１】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、セットアップ回路は、コンパレータ６１を備えた電圧比較回路であり、コンパレータ６１の反転入力端子は基準電源Ｖrefに接続され、非反転入力端子は抵抗Ｒ1を介して入力電源Ｖinに接続されている。また、非反転入力端子と抵抗Ｒ1との接続点Ｐは、抵抗Ｒ2を介してグランドに接地されると共に、導電性材料で形成されたテーブル本体５１に接続されている。
【００４２】
また、切削ユニット１４の切削ブレード３７およびスピンドル３８は、導電性材料で形成されており、スピンドル３８は抵抗Ｒ3を介してグランドに接地されている。この場合、抵抗Ｒ2よりも抵抗Ｒ3の抵抗値が小さく設定されており、抵抗Ｒ2は非反転入力端子に現れる電圧を基準電圧よりも小さくするような抵抗値に設定され、抵抗Ｒ3は非反転入力端子に現れる電圧を基準電圧よりも大きくするような抵抗値に設定されている。
【００４３】
このように構成されたセットアップ回路は、切削ブレード３７の刃先とテーブル本体５１のセットアップ基準面５１ｃとの接触・非接触によって回路構成が切り換わるように構成されている。図５（ａ）に示すように、切削ブレード３７とテーブル本体５１との非接触時には、入力電源Ｖinから出力された入力電圧が抵抗Ｒ1と抵抗Ｒ2とで分圧され、この分圧された入力電圧がコンパレータ６１の非反転入力端子に印加される。このとき、コンパレータ６１の非反転入力側の入力電圧は、反転入力側の基準電圧よりも大きくなり、コンパレータ６１の出力端子からＨｉｇｈレベル信号が出力される。
【００４４】
また図５（ｂ）に示すように、切削ブレード３７とテーブル本体５１との接触時には、切削ブレード３７とテーブル本体５１とが導通し、入力電源Ｖinから出力された入力電圧が抵抗Ｒ1と抵抗Ｒ3とで分圧される。このとき、抵抗Ｒ3は抵抗Ｒ2よりも抵抗値が小さく設定されているため、コンパレータ６１の非反転入力端子に印加される入力電圧が低下する。そして、コンパレータ６１の非反転入力側の入力電圧は、反転入力側の基準電圧よりも小さくなり、コンパレータ６１の出力端子からＬｏｗレベル信号が出力される。
【００４５】
コンパレータ６１からの出力信号は、図示しない制御部に入力され、制御部に入力される信号に基づいてＺ軸テーブル２９が制御されて切削ブレード３７の切り込み方向における基準位置が調整される。具体的には、制御部によりＬｏｗレベル信号が入力された時点でＺ軸テーブル２９を停止し、この切削ブレード３７の位置が切り込み方向における基準位置として設定される。
【００４６】
また、切削ブレード３７のセットアップは、切削ブレード３７の刃先とテーブル本体５１のセットアップ基準面５１ｃとの接触により行われるが、接触位置が１箇所に集中しないようにセットアップ作業の度にθテーブル４６によりチャックテーブル１３をＺ軸回りに所定の角度だけ回転させている。この構成により、切削ブレード３７の刃先とテーブル本体５１のセットアップ基準面５１ｃとの接触時の傷による調整誤差が低減される。
【００４７】
次に、図６を参照して加工装置による加工動作について説明する。図６は、加工装置の加工動作の説明図である。なお、加工動作を行う前に切削ユニットのセットアップが完了しているものとして説明する。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、半導体ウェーハＷがチャックテーブル１３に載置され、クランプ部５５により環状フレーム６５が保持される。そして、半導体ウェーハＷは、貼着テープ６４を介して図示しない吸引源によりウェーハ保持面５２ａに吸着される。このとき、半導体ウェーハＷは、保持板５２のウェーハ保持面５２ａの中央に位置される。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、切削ユニット１４が駆動し、Ｘ軸テーブル２４、Ｙ軸テーブル２７、Ｚ軸テーブル２９により位置調整されて切削加工が開始される。このとき、テーブル本体５１のセットアップ基準面５１ｃを基準位置として、このセットアップ基準面５１ｃから貼着テープ６４の厚みと半導体ウェーハＷの厚みとを考慮して切り込み深さが調整される。このようにして、半導体ウェーハＷがハーフカットされ切削溝が形成される。
【００５０】
次に、図６（ｃ）に示すように、レーザー光線照射ユニット１５が駆動し、Ｘ軸テーブル２４、Ｙ軸テーブル２７、Ｚ軸テーブル２９により位置調整されて切削加工が開始される。この場合、レーザー光線照射ユニット１５は、切削ユニット１４に連動しており、切削ユニット１４によって既に切削された隣接溝に向けてレーザー光線を照射する。レーザー光線照射ユニット１５から照射されたレーザー光線は、ノズル３９から噴射された液体ビームにガイドされて切削溝に吸収され、半導体ウェーハＷをフルカットする。
【００５１】
半導体ウェーハＷをフルカットしたレーザー光線は、貼着テープ６４を透過して保持板５２のウェーハ保持面５２ａに照射される。保持板５２のウェーハ保持面５２ａは、レーザー光線に対して透過性を有するため、レーザー光線を吸収せずウェーハ保持面５２ａの発熱が抑えられる。これにより、レーザー加工時における貼着テープ６４の溶融が防止される。また、レーザー光線照射ユニット１５においては、液体ビームによりレーザー光線がガイドされるため、切削加工による切削水の飛散による外乱が遮断され、切削加工と同時にレーザー加工を行う際に有効である。
【００５２】
以上のように、本実施の形態に係るチャックテーブル１３によれば、ウェーハ保持面５２ａにおいてレーザー光線を透過させると共に、セットアップ基準面５１ｃにおいて切削ブレード３７の切り込み方向における基準位置を電気的に検出させることができる。したがって、このチャックテーブル１３をレーザー加工および切削加工を用いて半導体ウェーハＷを切断する加工装置１に適用することで、レーザー加工時にレーザー光線の吸収を防止してウェーハ保持面５２ａの発熱を抑制することができ、切削加工のセットアップ時にはセットアップ基準面５１ｃと切削ブレード３７の刃先と接触させることにより基準位置を検出することができる。
【００５３】
なお、上記した実施の形態においては、ウェーハ保持面５２ａを囲うように円環状にセットアップ基準面５１ｃを設ける構成としたが、この構成に限定されるものではない。ウェーハ保持面５２ａとセットアップ基準面５１ｃとが同一平面上にあればよく、例えば、円弧状にセットアップ基準面５１ｃを設ける構成としてもよい。
【００５４】
また、本実施の形態においては、保持板５２にウェーハ保持面５２ａを形成し、テーブル本体５１にセットアップ基準面５１ｃを形成する構成としたが、この構成に限定されるものではない。チャックテーブル１３がウェーハ保持面５２ａとセットアップ基準面５１ｃとを有する構成であればよく、例えば、レーザー光線に対する透過性と導電性とを備えた材料を用いる場合には、同一部材にウェーハ保持面５２ａとセットアップ基準面５１ｃとを形成する構成としてもよい。
【００５５】
また、本実施の形態においては、レーザー光線照射ユニット１５が液体ビームにレーザー光線をガイドさせて半導体ウェーハＷに照射する構成としたが、レーザー光線を半導体ウェーハＷに照射するものであればこの構成に限定されるものではない。
【００５６】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上説明したように、本発明は、レーザー加工と切削加工とを用いて半導体ウェーハを切断する加工装置において、保持テーブルの表面の発熱を抑えると共に、保持テーブル上において切削ブレードのセットアップ作業を行うことができるという効果を有し、特に、導体ウェーハの切断加工時に半導体ウェーハを保持する保持テーブルに有用である。
【符号の説明】
【００５８】
１  加工装置
３  ユニット本体
１３  チャックテーブル（保持テーブル）
１４  切削ユニット（切削加工機構）
１５  レーザー光線照射ユニット（レーザー加工機構）
３７  切削ブレード
３８  スピンドル
４１  パルスレーザー光線発振部
４２  加工ヘッド
４３  液体供給部
４６  θテーブル
４７  テーブル支持部
４８  ウェーハ保持部
４９  フレーム保持部
５１  テーブル本体
５１ａ  凹部
５１ｂ  段部
５１ｃ  セットアップ基準面
５２  保持板
５２ａ  ウェーハ保持面（ワーク保持面）
６１  コンパレータ
Ｗ  半導体ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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