(57)【要約】【課題】高周波領域まで良好な特性を有し、設計が容易な連続可変減衰器を提供する。【解決手段】入力信号電極００９と出力信号電極０１０との間の所定距離を結び、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜００４、第１抵抗膜００４の所定距離方向の辺と該辺に並行するアースパターン０１１との間に、該辺とアースパターン０１１に電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜００５と、入力信号電極００９と出力信号電極０１０とを結ぶ方向にスライド可能に配置され、第１抵抗膜００４の出力信号電極０１０と接する辺からの一部と出力信号電極０１０の第１抵抗膜００４と接する辺からの一部とを覆う平板状の導電性の可動導体１００と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2010232854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１の電極と、
該第１の電極と所定距離だけ離れて配置された第２の電極と、
該第１の電極と該第２の電極との間に配置され、前記所定距離に亘って減衰量が一様に分布する分布定数型の平板状の減衰部と、
平板状の導電体であって、少なくとも一端側の一部が第１の電極に常に接し、少なくとも他端側の一部が前記所定距離内で前記減衰部の一部と接触しつつスライド可能に配置されたスライド部材と、
を備えたことを特徴とする分布定数型連続可変減衰器。
【請求項２】
所定距離を離れた入力信号電極と出力信号電極とを結び、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、
前記第１抵抗膜の前記所定距離方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、
平板状の導電体であって、一端側の少なくとも一部が前記入力信号電極又は前記出力信号電極のいずれか一方の電極に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第１抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、
を備えたことを特徴とする分布定数型連続可変減衰器。
【請求項３】
前記第２抵抗膜は、２つあり、前記第１抵抗膜の前記所定距離方向の相対する２つの辺のそれぞれに接して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の分布定数型連続可変減衰器。
【請求項４】
前記スライド部材は、前記可動導体を前記第１抵抗膜及び前記出力信号電極へ押し付ける弾性部材を有することを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の分布定数型連続可変減衰器。
【請求項５】
前記可動導体、前記第１抵抗膜、前記出力信号電極は前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が等しいことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一つに記載の分布定数型連続可変減衰器。
【請求項６】
前記スライド部材は、前記弾性部材を保持し前記可動導体に押圧させ、前記弾性部材を保持する面の反対側の面に突起部を有し、
前記スライド部材、並びに前記入力信号電極、前記出力信号電極、前記第１抵抗膜、及び前記第２抵抗膜が配置された基板部材を収納するとともに、前記突起部に加えられる力に応じて前記可動導体をスライド可能に保持するカバー部材をさらに備えた、
ことを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一つに記載の分布定数型連続可変減衰器。
【請求項７】
前記基板部材が円環状に形成されており、かつ前記スライド部材、前記入力信号電極、前記出力信号電極、前記第１抵抗膜、及び前記第２抵抗膜は該円環状に沿って形成されており、前記カバー部材は前記可動導体が回転可能に保持することを特徴とする請求項６に記載の分布定数型連続可変減衰器。
【請求項８】
所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極と、
前記入力信号電極に接し、前記所定距離より短い所定長を有し、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、
前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、
前記出力信号電極と接し、前記所定距離のうちの残りの長さを有し、前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅と同じ長さを有し、前記第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第３抵抗膜と、
前記第３抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第４抵抗膜と、
導電性の平板状の形状を有し、一端側の少なくとも一部が前記出力信号電極に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第３抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、を備え、
第１抵抗膜及び第２抵抗膜で構成される第１減衰部における減衰量の温度係数がγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）であり、第３抵抗膜及び第４抵抗膜で構成される第２減衰部は減衰量の温度変化が無い、
ことを特徴とする分布定数型連続可変減衰器。
【請求項９】
所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極と、
前記入力信号電極に接し、前記所定距離より短い所定長を有し、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、
前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、
前記出力信号電極と接し、前記所定距離のうちの残りの長さを有し、前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅と同じ長さを有し、前記第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第３抵抗膜と、
前記第３抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第４抵抗膜と、
導電性の平板状の形状を有し、一端側の少なくとも一部が前記第１抵抗膜に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第３抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、を備え、
第１抵抗膜及び第２抵抗膜で構成される第１減衰部における減衰量の温度係数がγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）であり、第３抵抗膜及び第４抵抗膜で構成される第２減衰部における減衰量の温度係数がγ２（ｄＢ／ｄＢ／℃）である、
ことを特徴とする分布定数型連続可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号を減衰させる減衰器に関する。詳しくは、高周波特性を改善できる分布定数型の減衰器に係り、減衰量を可変できる連続可変減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器において信号を減衰させるために減衰器（減衰器：Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）が使用されている。例えば、大きい信号を感度の高い測定器に直接接続した場合、測定器が飽和してしまう。そこで、減衰器を使って信号をある程度減衰させてから測定器に入力することにより、測定器の飽和を回避することが可能となる。また、発振器からレベルの小さな出力を得ようとする場合にも、発振器からある程度大きな信号を出力させ、その信号を減衰器で減衰させることで必要なレベルの信号を得ることが行われている。
【０００３】
そして、減衰器としては、Ｔ型、π型、又はブリッジＴ型の集中定数型の減衰器がある。
【０００４】
さらに、減衰器には減衰量を必要に合わせて変化させることが可能な可変減衰器が提案されている。これら可変減衰器にはステップ型可変減衰器と連続可変減衰器がある。
【０００５】
ステップ型可変減衰器には、同じ減衰量を有する減衰器を直列に並べて複数の減衰器を使用することにより減衰量を変化させるものや、異なる減衰量を有する減衰器を並列に並べていずれかの減衰器を使用することで減衰量を変化させるものがある。しかし、このようなステップ型可変減衰器では減衰量を不連続（例えば、１（ｄＢ）毎）にしか調整できない。
【０００６】
そこで従来、集中定数型減衰器を用いた連続可変減衰器（例えば、特許文献１参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実公昭５４−４３６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載されている集中定数型連続可変減衰器は、特性インピーダンスを一定に維持したまま減衰量を変化させようとした場合、抵抗体の形状が複雑になってしまう。
【０００９】
また、連続可変にするためにスライダなどを使用した場合、ｄＢ表示の減衰量を該スライダの移動量に比例させるためには、さらに抵抗体の形状が複雑となり、設計及び製造が困難となる。そして、抵抗体の構造が複雑になるに従い、減衰器自体の構造も複雑になってしまい高周波での特性インピーダンスの整合性を良好に保つことが困難である。
【００１０】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、高周波領域まで良好な整合特性を有し、設計が容易な分布定数型連続可変減衰器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の分布定数型連続可変減衰器は、基板上に、第１の電極と、該第１の電極と所定距離だけ離れて配置された第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に配置され、前記所定距離に亘って減衰量が一様に分布する分布定数型の平板状の減衰部と、平板状の導電体であって、少なくとも一端側の一部が第１の電極に常に接し、少なくとも他端側の一部が前記所定距離内で前記減衰部の一部と接触しつつスライド可能に配置されたスライド部材と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項２に記載の分布定数型連続可変減衰器は、所定距離を離れた入力信号電極と出力信号電極とを結び、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜の前記所定距離方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、平板状の導電体であって、一端側の少なくとも一部が前記入力信号電極又は前記出力信号電極のいずれか一方の電極に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第１抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の分布定数型連続可変減衰器であって、前記第２抵抗膜は、２つあり、前記第１抵抗膜の前記所定距離方向の相対する２つの辺のそれぞれに接して設けられていることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は請求項３に記載の分布定数型連続可変減衰器であって、前記スライド部材は、前記可動導体を前記第１抵抗膜及び前記出力信号電極へ押し付ける弾性部材を有することを特徴とするものである。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項２乃至請求項４のいずれか一つに記載の分布定数型連続可変減衰器であって、前記可動導体、前記第１抵抗膜、前記出力信号電極は前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が等しいことを特徴とするものである。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項２乃至請求項５のいずれか一つに記載の分布定数型連続可変減衰器であって、前記スライド部材は、前記弾性部材を保持し前記可動導体に押圧させ、前記弾性部材を保持する面の反対側の面に突起部を有し、前記スライド部材、並びに前記入力信号電極、前記出力信号電極、前記第１抵抗膜、及び前記第２抵抗膜が配置された基板部材を収納するとともに、前記突起部に加えられる力に応じて前記可動導体をスライド可能に保持するカバー部材をさらに備えた、ことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の分布定数型連続可変減衰器であって、前記基板部材が円環状に形成されており、かつ前記スライド部材、前記入力信号電極、前記出力信号電極、前記第１抵抗膜、及び前記第２抵抗膜は該円環状に沿って形成されており、前記カバー部材は前記可動導体が回転可能に保持することを特徴とするものである。
【００１８】
請求項８に記載の分布定数型連続可変減衰器は、所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極と、前記入力信号電極に接し、前記所定距離より短い所定長を有し、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、前記出力信号電極と接し、前記所定距離のうちの残りの長さを有し、前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅と同じ長さを有し、前記第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第３抵抗膜と、前記第３抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第４抵抗膜と、導電性の平板状の形状を有し、一端側の少なくとも一部が前記出力信号電極に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第３抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、を備え、第１抵抗膜及び第２抵抗膜で構成される第１減衰部における減衰量の温度係数がγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）であり、第３抵抗膜及び第４抵抗膜で構成される第２減衰部は減衰量の温度変化が無い、ことを特徴とするものである。
【００１９】
請求項９に記載の分布定数型連続可変減衰器は、所定距離離れて配置された入力信号電極と出力信号電極と、前記入力信号電極に接し、前記所定距離より短い所定長を有し、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第２抵抗膜と、前記出力信号電極と接し、前記所定距離のうちの残りの長さを有し、前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅が前記第１抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向と直交する方向の幅と同じ長さを有し、前記第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の抵抗が分布する第３抵抗膜と、前記第３抵抗膜の前記入力信号電極と前記出力信号電極とを結ぶ方向の辺と該辺に並行するアースパターンとの間に、該辺とアースパターンに電気的に接続され、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の抵抗が分布する第４抵抗膜と、導電性の平板状の形状を有し、一端側の少なくとも一部が前記第１抵抗膜に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第３抵抗膜と接触しつつスライド可能に配置される可動導体を含むスライド部材と、を備え、第１抵抗膜及び第２抵抗膜で構成される第１減衰部における減衰量の温度係数がγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）であり、第３抵抗膜及び第４抵抗膜で構成される第２減衰部における減衰量の温度係数がγ２（ｄＢ／ｄＢ／℃）である、ことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る分布定数型連続可変減衰器によると、特性インピーダンスを維持した状態で距離に比例した減衰量を作成することができ、その距離を可変にした構成である。このため、可動導体の接点位置によって抵抗体の長さを変更でき、抵抗体の長さに比例する減衰量を調整することができる。このため、操作者はスライドさせた可動導体の位置で減衰量を簡単に把握でき、減衰量の調整が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（Ａ）第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器を表面側から見た斜視図、（Ｂ）第１の実施形態に係る連続可変減衰器を裏面側から見た斜視図、（Ｃ）第１の実施形態に係る連続可変減衰器の可動導体を取り除いた部分（基板部材）を表面側から見た斜視図
【図２】第１及び第３の実施形態に係る基板部材の構成を模式的に表わした平面図
【図３】第１及び第３の実施形態における連続可変減衰器の構成を模式的に表わした平面図
【図４】実施例１に係る分布定数型連続可変減衰器の構成を示す模式図
【図５】（Ａ）実施例１の分布定数型連続可変減衰器において可動導体の位置をＬｘ＝４．０（ｍｍ）とした状態の図、（Ｂ）実施例１の分布定数型連続可変減衰器において可動導体の位置をＬｘ＝２．５（ｍｍ）とした状態の図、（Ｃ）実施例１の分布定数型連続可変減衰器において可動導体の位置をＬｘ＝１．３（ｍｍ）とした状態の図、（Ｄ）実施例１の分布定数型連続可変減衰器において可動導体の位置をＬｘ＝０．７（ｍｍ）とした状態の図
【図６】実施例１に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量の周波数特性を表す図
【図７】実施例１に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量を表すグラフ
【図８】実施例１に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれのＶＳＷＲを表すグラフ
【図９】第２の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器の構成を示す模式図
【図１０】実施例３に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量の温度特性を表すグラフ
【図１１】第４の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器の構成を示す模式図
【図１２】実施例４に係る連続可変減衰器の構成を示す模式図
【図１３】実施例４に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量の温度特性を表すグラフ
【図１４】第５の実施形態及び実施例５に係る分布定数型連続可変減衰器の構成を示す模式図
【図１５】（Ａ）実施例５に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量温度係数（ｄＢ／ｄＢ／℃）を表すグラフ、（Ｂ）実施例５に係る連続可変減衰器において可動導体を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量温度特性（ｄＢ／℃）を表すグラフ
【図１６】（Ａ）第６の実施形態に係る連続可変減衰器の斜視図、（Ｂ）第６の実施形態に係る連続可変減衰器を分解した分解斜視図
【図１７】（Ａ）第７の実施形態に係る連続可変減衰器の斜視図、（Ｂ）第７の実施形態に係る連続可変減衰器を分解した分解斜視図
【図１８】（Ａ）第７の実施形態に係る基板部材の表面側から見た斜視図、（Ｂ）第７の実施形態に係る基板部材の裏面側から見た斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器について説明する。図１（Ａ）は本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１（以下では、単に「連続可変減衰器００１」という。また、減衰器は「減衰器」とも呼ばれる。）を表面側から見た斜視図である。図１（Ｂ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１を裏面側から見た斜視図である。図１（Ｃ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１の可動導体１００を取り除いた部分（以下では「基板部材１０１」という。）を表面側から見た斜視図である。図２は基板部材１０１を模式的に表わした平面図である。図３は本実施形態における連続可変減衰器００１の平面図である。
【００２３】
本実施形態に係る連続可変減衰器００１は、当出願人が先に出願した特願２００７−４２６５２号の技術による分布定数型減衰器（等価的にはπ型の減衰器）を用いたものである。
【００２４】
本発明に係る連続可変減衰器００１の基板部材１０１は図２（図１（Ｃ）の拡大図相当）に示すように、第１抵抗膜００４（濃いドットで示された部材）、第２抵抗膜００５（斜め線で示された部材）、入力信号電極００９（紙面に向かって左側の横縞で示された部材）、出力信号電極０１０（紙面に向かって右側の横縞で示された部材）、及びアースパターン０１１（縦縞で示された部分）が誘電体基板００２上に配置された構成である。
【００２５】
さらに、本発明に係る連続可変減衰器００１は図３（図１（Ａ）の拡大図相当）に示すように、図２に示す基板部材１０１上に可動導体１００（白地で示された部材）が配置された構成である。
【００２６】
誘電体基板００２は、幅方向（図２における縦方向）の長さｗ０（ｍｍ）、長手方向（図２における横方向）の長さＬ０（ｍｍ）を有する。ここで、後述する長さを利用するとｗ０＝ｗｓ＋２ｗＰ＋２ｗｇ、Ｌ０＝Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ４となる。また、誘電体基板００２は、比誘電率εｒを有する。このような誘電体基板００２は、例えばアルミナ、窒化アルミ、テフロン（登録商標）などの材質で構成される。
【００２７】
入力信号電極００９は、幅方向の長さｗｓ（ｍｍ）、及び長手方向の長さＬ３を有する。また、入力信号電極００９は、良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。入力信号電極００９は、金、銀、銅、錫などの厚膜又は薄膜で構成されている。
【００２８】
出力信号電極０１０は、幅方向の長さｗｓ（ｍｍ）、及び長手方向の長さＬ４を有する。また、出力信号電極０１０は、良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。出力信号電極０１０は、金、銀、銅、錫などの厚膜又は薄膜で構成されている。ここで、Ｌ４がＬ３に比べて長くなっているが、これは出力信号電極０１０を覆うように可動導体１００が配置されるためである。本実施形態では、可動導体１００が第１抵抗膜００４に乗らない状態を得るため、Ｌ４の長さは可動導体１００の長手方向の長さよりも長くしている。
【００２９】
第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗｓ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第１抵抗膜００４は、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第１抵抗膜００４は自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第１抵抗膜００４は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【００３０】
第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第２抵抗膜００５は、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が第１抵抗膜００４の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４の幅方向の両辺（図２における上下）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第２抵抗膜００５は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【００３１】
そして、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５により第１減衰部００３が形成されている。
【００３２】
アースパターン０１１は、長手方向の長さＬ０（ｍｍ）を有する。ただし、アースパターン０１１の長手方向の長さは他の長さでもよく、例えばＬ１（ｍｍ）などでもよい。そして、アースパターン０１１は良好な電気伝導度σ（Ｓ／ｍ）を有する。さらに、アースパターン０１１は上下から第２抵抗膜００５を挟み、自己の幅方向の一端の辺と第２抵抗膜００５の幅方向の一端の辺（第１抵抗膜００４に接していない辺）と接し、幅方向に第２抵抗膜００５を挟むように（図２における上下）２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。本実施形態では、幅方向のいずれのアースパターン０１１も幅方向の長さをｗｇ（ｍｍ）としている。そして、アースパターン０１１は誘電体基板００２の裏面アース０１４（図１（Ｂ）参照）と、スルーホール又は誘電体基板００２の側面に配置された側面アース０１２で電気的に結合している。ただし、放熱効率を考えた場合、側面アース０１２で電気的に結合した方が好ましい。
【００３３】
上記の構成からして、減衰量Α＝α・Ｌ１で表わされる。αは後述するように単位当たりの減衰量である。
【００３４】
可動導体１００は、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を有し、第１抵抗膜００４と出力信号電極０１０との間を往復移動可能に配置されている。ただし、可動導体１００の長手方向の長さはＬ１（ｍｍ）より短ければ他の長さでもよい。
【００３５】
そして、可動導体１００は、第１抵抗膜００４の一部と出力信号電極０１０の一部とに接触して覆うことで短絡させる。可動導体１００は、図３に示すように、入力信号電極００９が第１抵抗膜００４と接している辺から可動導体１００の第１抵抗膜００４側の辺までの長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）（≦Ｌ１（ｍｍ））となるように配置されているものとする。すなわち、第１抵抗膜００４の長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）の部分が露出しているという状態で可動導体１００が配置されているものとする。以下ではこのＬｘ（ｍｍ）を表す距離を「可動導体１００の位置」という。この場合、可動導体１００と第１抵抗膜００４が重なっている部分（（Ｌ１−Ｌｘ）では、信号は第１抵抗膜００４を通らずに可動導体１００を通って出力信号電極０１０に流れる。すなわち、可動導体１００により距離Ｌ１−Ｌｘ分が短絡される。したがって、この場合、第１抵抗膜００４の抵抗としての実質的な長手方向の長さはＬｘ（ｍｍ）となる。つまり、入力信号電極００９と出力信号電極０１０との間における減衰量はΑ＝αＬｘ≦αＬ１となる。
【００３６】
ここで、可動導体１００の長さがＬ１（ｍｍ）より短ければその可動導体１００の長さまでしか減衰量を減らすことができない。また、可動導体１００の長手方向の長さをＬ１（ｍｍ）より長くした場合、可動導体１００が第１抵抗膜００４を完全に覆ってしまうと、入力信号電極００９と出力信号電極０１０を短絡してしまい、その状態では減衰量の変化といったことは起こらなくなってしまうため意味がない。そこで、本実施形態では極限まで減衰率を減らすことができかつ短絡を回避するために可動導体１００の長手方向の長さを第１抵抗膜００４の長手方向の長さと同じ長さ（Ｌ１（ｍｍ））にしている。そして、可動導体１００は、銅などの導電体を材料とする。
【００３７】
（構成）
《所望の特性インピーダンス及び減衰量を有する減衰器》
以下で、図２の距離Ｌ１（ｍｍ）の間で所望の特性インピーダンスＺ０（Ω）及び減衰量Α＝αＬ１（ｄＢ）を構成するための各構成要素を説明する。
【００３８】
まず、誘電体基板００２の材質（比誘電率εｒ）及びそのサイズ（厚さｔ（ｍｍ）、幅方向の長さｗ０（ｍｍ）、長手方向の長さＬ０（ｍｍ））を決定する。次に、減衰しようとする回路もしくは信号ラインの特定インピーダンスを連続可変減衰器の特性インピーダンスＺ０として決定する。また、減衰量Αを決定する。ここで、説明の都合上、誘電体基板００２のサイズとして、幅方向の長さｗ０（ｍｍ）、長手方向の長さＬ０（ｍｍ）を決定したが、実際にはマイクロストリップラインにおける特性インピーダンスＺ０を求める場合、及び、図１に示す連続可変減衰器における特性インピーダンスＺ０を考える場合には、無限遠の理想的な誘電体基板００２を使用するため誘電体基板００２の幅方向の長さ及び長手方向の長さは特には必要としない。
【００３９】
次に、決定した誘電体基板００２の材質及びサイズ、並びに必要とする特性インピーダンスＺ０を基にマイクロストリップラインの幅ｗＳを算出し、これを第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の幅方向の長さとする。以下その方法を説明する。
【００４０】
マイクロストリップラインの幅方向の長さｗＳは、
〈式１〉
ｗｓ／ｔ≦１のとき
Ｚ０＝（６０／εeff１／２）・ｌｎ（８ｔ／ｗＳ＋ｗＳ／４ｔ）
εeff＝（εｒ＋１）／２＋｛（εｒ−１）／２｝［｛１／（１＋１２ｔ／ｗＳ）＋０．０４（１−ｗＳ／ｔ）２｝］
〈式２〉
ｗｓ／ｔ≧１のとき
Ｚ０＝（１２０π／εeff１／２）／｛ｗＳ／ｔ＋１．３９３＋（２／３）ｌｎ（ｗＳ／ｔ＋１．４４４）｝
εeff＝（εｒ＋１）／２＋｛（εｒ−１）／２｝｛１／（１＋１２ｔ／ｗＳ）｝
という関係を有するので、ｗｓを求めることができる。
【００４１】
このマイクロストリップラインの幅方向の長さｗＳを本発明における第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＳとする。これは、出力信号電極０１０が形成されている距離Ｌ４の部分でも、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５そのものは形成されないが第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ、第１抵抗膜００４とアースパターン０１１との間隔（第２抵抗膜００５の幅方向の長さ）ｗＰは同じにされている。これは出力信号電極０１０の部分を特性インピーダンスＺ０に維持するためである。
【００４２】
決定した誘電体基板００２の材質及びサイズ、必要とする特性インピーダンスＺ０、求めた第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ、並びに決定した減衰量Α（Nepers）を基に、第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１、第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ、第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、並びに第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２（Ω／□）の以下の関係式からそれぞれの値を求める。
【００４３】
図１に示す連続可変減衰器００１において、まず、高周波成分による影響であるインダクタンス及びキャパシタンスを除いた、直流的特性インピーダンスＺＤＣを用いて関係式を作成する。ここで、値としてはＺＤＣ＝Ｚ０である。要するに、以下での関係式の計算は直流で行う意味である。
【００４４】
そこで、図２に示す連続可変減衰器００１において、第１抵抗膜００４の入力信号電極００９と出力信号電極０１０の間に分布する抵抗値をＲ（Ω）とし、第２抵抗膜００５の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０とアースパターン０１１との間に分布するコンダクタンスをＧ（Ｓ）とすると、伝送線路理論から、直流的特性インピーダンスＺＤＣと減衰量Αは以下の式で表わされる。ここで、Ｒ及び２つのＧは、上記減衰器を等価的にπ型減衰器としたときの成分である。
〈式３−１〉直流的特性インピーダンス  ＺＤＣ＝（Ｒ／Ｇ）１／２（Ω）
〈式３−２〉減衰量  Α＝（ＲＧ）１／２（Nepers）＝８．６８６（ＲＧ）１／２（ｄＢ）
ここで、Ｒ＝（τ１／ｗＳ）・Ｌ１、Ｇ＝（２／τ２ｗＰ）・Ｌ１である。
【００４５】
そこで、上述のＺ０及びΑの式にＲ、Ｇを代入すると、
〈式４〉
ＺＤＣ＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２
Α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２・Ｌ１
したがって、単位長さ当たりの減衰量α（ｄＢ／ｍｍ）は
α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２
である。
言い換えれば、減衰量Α＝α・Ｌ１で表わされる。
【００４６】
ここで、ＺＤＣ、Αは予め決定しており、さらにｗＳは求まっているので、第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１、第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰを決定すれば、第１抵抗膜００４における第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５における第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を以下の式で求めることができる。
〈式５〉
τ１＝（ＺＤＣ・α・ｗＳ）／（８．６８６・Ｌ１）
τ２＝１７．３７２（ＺＤＣ・Ｌ１）／（α・ｗＰ）
【００４７】
また、逆に第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、及び第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を決定すれば、第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１（ｍｍ）、及び第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗｐ（ｍｍ）を求めることができる。
【００４８】
このように求めた関係式を用いて、第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２（Ω／□）、第１抵抗膜００４の長手方向の長さをＬ１（ｍｍ）、及び第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗｐを決定し、図１及び図２に示す連続可変減衰器の基板部材１０１を作成する。そして、作成した減衰器により、高周波信号を入力して減衰量とＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）を計測した場合、減衰量及びＶＳＷＲのいずれにおいても良好な結果が得られる。
【００４９】
したがって、（特性インピーダンスＺ０）＝（直流的特性インピーダンスＺＤＣ）とすることが可能である。以下は、統一して特性インピーダンスＺ０で説明する。
【００５０】
すなわち、特性インピーダンスＺ０における、第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）、第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２（Ω／□）、第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１（ｍｍ）、並びに第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰの関係式は以下の式で表わされる。
【００５１】
Ｚ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２
Α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗ２Ｐ）｝１／２・Ｌ１
したがって、単位長さ当たりの減衰量は
α＝８．６８６｛２・（τ１／τ２）・（１／ｗＳｗＰ）｝１／２である。
【００５２】
上述の式は、特性インピーダンスＺ０を表す式には第１抵抗膜００４の長手方向のＬ１が含まれていない。すなわち、前述のように図３に示すように可動導体１００がＬｘ（ｍｍ）の位置に配置され第１抵抗膜００４の実質的な長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）となった場合でも特性インピーダンスＺ０は変わらない。これに対し、減衰量Αは第１抵抗膜００４の長手方向の長さに比例する。そのため、第１抵抗膜００４の実質的な長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）となった場合には、減衰量が減ることになる。
【００５３】
ここで、本実施形態では、可動導体１００を第１抵抗膜００４及び出力信号電極０１０の上に配置して、第１抵抗膜００４の途中から出力信号電極０１０までを短絡したが、これは入力信号電極００９の長手方向の長さを長くして、可動導体１００を第１抵抗膜００４及び入力信号電極００９の上に配置して、入力信号電極００９から第１抵抗膜００４の途中までを短絡してもよい。
【００５４】
（実施例１）
第１の実施形態に係る連続可変減衰器００１として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、その比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、可動導体１００を第１抵抗膜００４に重ねない状態での減衰量Α（ｄＢ）を、Α＝１０（ｄＢ）とする。図４は本実施例に係る連続可変減衰器の基板部材１０１の模式図である。すなわち、図４では可動導体１００は不図示である。
【００５５】
本実施例では、図４に示すように、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の長手方向の長さＬ１＝４．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝１７．３（Ω／□）、第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝６９４（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ４＝４．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ０＝Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ４＝９．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として連続可変減衰器の基板部材１０１を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【００５６】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（１７．３×６９４）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝５０．０１（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる連続可変減衰器であるように構成した。
【００５７】
さらに、可動導体１００は、長手方向の長さは第１抵抗膜００４と同じＬ１＝４．０（ｍｍ）、幅方向の長さは第１抵抗膜００４と同じｗＳ＝１．２（ｍｍ）として構成する。この可動導体１００の材質も銅（Ｃｕ）である。
【００５８】
そして、本実施例では、図５（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、図４で示す基板部材１０１の上で可動導体１００の位置（第１抵抗膜００４が露出する部分の長手方向の長さ）Ｌｘ（ｍｍ）（≦Ｌ１（ｍｍ））がそれぞれ、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）、Ｌｘ＝０．７（ｍｍ）となるように可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を異なるように配置し、各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量及びＶＳＷＲのシミュレーションを行った。本実施例での図６、図７、及び図８は、本実施例に係る連続可変減衰器について図５で示す各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）におけるシミュレーションを行ったものである。図６は本実施例に係る連続可変減衰器００１において可動導体１００を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量の周波数特性を表す図である。図６のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。図７は本実施例に係る連続可変減衰器００１において可動導体１００を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量を表すグラフである。図７のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）に採ったグラフである。図８は本実施例に係る連続可変減衰器００１において可動導体１００を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれのＶＳＷＲを表すグラフである。図８のグラフは、縦軸をＶＳＷＲ、横軸を周波数（ＧＨｚ）に採ったグラフである。
【００５９】
図６のグラフを参照して可動導体１００の各位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量について説明する。グラフ５０１はＬｘ＝４．０（ｍｍ）の減衰量１０（ｄＢ）の周波数特性を表す。グラフ５０２はＬｘ＝２．５（ｍｍ）の減衰量８（ｄＢ）の周波数特性を表す。グラフ５０３はＬｘ＝１．３（ｍｍ）の減衰量６（ｄＢ）の周波数特性を表す。グラフ５０４はＬｘ＝０．７（ｍｍ）の減衰量５（ｄＢ）の周波数特性を表す。そして、それぞれの減衰量の周波数特性はほぼ一定に保たれている。すなわち、図６で表わされているように、可動導体１００の各位置Ｌｘ（ｍｍ）において減衰量は良好な値が得られているといえる。
【００６０】
次に図７のグラフを参照して可動導体１００の位置と減衰量の関係について説明する。上述したように、可動導体１００の位置が０．７（ｍｍ）では５（ｄＢ）、可動導体１００の位置が１．３（ｍｍ）では６（ｄＢ）、可動導体１００の位置が２．５（ｍｍ）では８（ｄＢ）、可動導体１００の位置が４．０（ｍｍ）では１０（ｄＢ）、である。そして、図７に示すように、この各可動導体１００の位置における減衰量はほぼ一次関数として表わされる。したがって、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）と減衰量ΑはＬｘが増加するに従いΑが増加するという正比例の関係が認められる。したがって、可動導体１００の位置Ｌｘを調整することもよって容易に減衰量Αを決定することができる。
【００６１】
次に図８のグラフを参照して可動導体１００のそれぞれの位置ＬｘにおけるＶＳＷＲについて説明する。グラフ７０１はＬｘ＝４．０（ｍｍ）のＶＳＷＲの周波数特性を表す。グラフ７０２はＬｘ＝２．５（ｍｍ）のＶＳＷＲの周波数特性を表す。グラフ７０３はＬｘ＝１．３（ｍｍ）のＶＳＷＲの周波数特性を表す。グラフ７０４はＬｘ＝０．７（ｍｍ）のＶＳＷＲの周波数特性を表す。いずれの場合にも１０（ＧＨｚ）以下では、ＶＳＷＲは１．６以下に抑えられている。したがって、可動導体１００の位置がいずれの場合にも良好な値が得られている。
【００６２】
以上で説明したように、本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１においては、減衰量及びＶＳＷＲの周波数特性はいずれも良好な値を示すので、容易に特性インピーダンスの整合を採ることが可能である。また、本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１においては、上述のした直流的特性インピーダンスにおける簡単な抵抗値を求める式を使用して、高周波信号を使用する特性インピーダンスの整合性の良好な分布定数型連続可変減衰器００１を作成することができる。さらに、本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１では、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）が変わることで、減衰量Α（ｄＢ）がほぼ比例して変化する。そして、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）と減衰量Α（ｄＢ）との関係は一次関数の関係にある。さらに、可動導体１００は、第１抵抗膜００４の上の位置Ｌｘ（ｍｍ）を連続的に変えながら移動（スライド）することができる。そこで、可動導体１００が連続的に位置Ｌｘ（ｍｍ）を変化させることで、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）に比例する値を採りながら減衰量Α（ｄＢ）は連続的に変化していく。したがって、操作者は、可動導体１００をスライド移動させることで連続的に減衰量Α（ｄＢ）を連続的に変化させて、減衰器の減衰量Α（ｄＢ）を所望の減衰量Α（ｄＢ）に容易に調整することが可能となる。
【００６３】
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１について説明する。図９は本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１の構成を示す模式図である。本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１は、第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器の片側の第２抵抗膜００５及びアースパターン０１１を省いた構造を有する分布定数型連続可変減衰器００１である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は第１の実施形態と同じに扱える。具体的には可動導体１００の位置に比例して減衰量Αが変化すること、及び各種特性（インピーダンス、減衰量の周波数特性など）は第１の実施形態と同じに扱える。
【００６４】
本実施形態に係る連続可変減衰器は図９に示すように、第２抵抗膜００５及びアースパターン０１１が、第１抵抗膜００４の片側にのみ配置された構成であることが第１の実施形態と異なる。図９において図１と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。
【００６５】
本実施形態では、第２抵抗膜００５及びアースパターン０１１が、第１抵抗膜００４の片側にのみ配置されていることから、第２抵抗膜００５の入力信号電極００９及び出力信号電極０１０とアースパターン０１１との間に分布するコンダクタンスＧは、Ｇ＝（１／τ２ｗＰ）・Ｌ１であり、ＺＤＣ＝｛（τ１τ２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２である。
【００６６】
（実施例２）
本実施例は、図９に示すように、第１の実施形態に係る連続可変減衰器００１の片側の第２抵抗膜００５及びアースパターン０１１を省いた構成である。第２の実施形態に係る連続可変減衰器００１として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、その比誘電率をεｒ＝３．７８、板厚＝０．５（ｍｍ）とする。さらに、減衰量Α（ｄＢ）を、Α＝１０（ｄＢ）とする。
【００６７】
本実施例では、図９に示すように、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の長手方向の長さＬ１＝４．０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝１７．３（Ω／□）、第２抵抗膜００５の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝３４７（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．６（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ４＝４．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ０＝Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ４＝９．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として連続可変減衰器を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【００６８】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（１７．３×３４７）×（０．５／１．２）｝１／２＝５０．０１（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる連続可変減衰器００１であるように構成した。
【００６９】
本実施例における可動導体１００の各位置Ｌｘ（ｍｍ）（≦Ｌ１（ｍｍ））を、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）、Ｌｘ＝０．７（ｍｍ）とした時における減衰量Α（ｄＢ）のシミュレーション結果も、実施例１とほぼ同様の値が得られる。そこで、前述の可動導体１００の各位置Ｌｘ（ｍｍ）と減衰量Α（ｄＢ）との関係は実施例１と同様に一次関数の比例関係である。また、ＶＳＷＲの各周波数の値も実施例１とほぼ同じ値が得られた。
【００７０】
したがって、本実施形態における連続可変減衰器においても、減衰量及びＶＳＷＲの周波数特性はいずれも良好な値を示すので、容易に特性インピーダンスの整合を採ることが可能である。そして、操作者は、可動導体１００をスライド移動させることで連続的に減衰量Α（ｄＢ）を連続的に変化させて、減衰器の減衰量Α（ｄＢ）を所望の減衰量Α（ｄＢ）に容易に調整することが可能となる。
【００７１】
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１について説明する。本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１は、第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１における第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５を温度によって抵抗値が変化する感温抵抗にしたものである。すなわち、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は連続可変感温減衰器である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。本実施形態に係る連続可変減衰器００１の模式図も図２で表わされる。
【００７２】
本実施形態に係る連続可変減衰器００１は、第１の実施形態に係る減衰器において第１抵抗膜００４の抵抗値である第１抵抗値Ｒ１及び第２抵抗膜００５の抵抗値である第２抵抗値Ｒ２のそれぞれを、温度変化によってその抵抗値が変化するよう構成したものである。
【００７３】
ここで、第１抵抗値Ｒ１及び第２抵抗値Ｒ２は上記〈式３−１〉におけるＲが第１抵抗値Ｒ１であり、〈式３−１〉における１／Ｇが第２抵抗値Ｒ２／２である。
【００７４】
第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第１抵抗膜００４は抵抗値として第１抵抗値Ｒ１（Ω）を持つ。さらに、第１抵抗膜００４は抵抗温度係数ｒ１（Ω／Ω／℃）を有する。ここで、抵抗温度係数とは１℃の温度変化に対して変化する抵抗値の比率を表わすものである。ここで、抵抗温度係数ｒ１は第１抵抗膜００４の第１シート抵抗値τ１（Ω／□）の温度係数である。
【００７５】
第１抵抗膜００４は、自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。
【００７６】
第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第２抵抗膜００５は抵抗値として第２抵抗値Ｒ２（Ω）を持つ。さらに、第２抵抗膜００５は抵抗温度係数ｒ２（Ω／Ω／℃）を有する。ここで、抵抗温度係数ｒ２は第２抵抗膜００５の第２シート抵抗値τ２の温度係数である。
【００７７】
そして、第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が第１抵抗膜００４の長手方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４を幅方向の両辺に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。
【００７８】
そして、基準温度をＴ０とした場合、１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）が第１抵抗膜００４の温度依存特性を表わす関数であるＦ１（Ｔ−Ｔ０）であり、１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）が第２抵抗膜００５の温度依存特性を表わす関数であるＦ２（Ｔ−Ｔ０）であり、
微分値{ΔＦ１（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝ｒ１
微分値{ΔＦ２（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝ｒ２
となる。
【００７９】
また、ここでは、温度依存特性として抵抗温度係数を用いて説明しているが、これは第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５のそれぞれのＢ定数であるＢ１、Ｂ２を用いて求めることもできる。その場合には、exp｛Ｂ１（１／Ｔ−１／Ｔ０）｝が第１抵抗膜００４の温度依存特性Ｆ１（Ｔ−Ｔ０）であり、exp｛Ｂ２（１／Ｔ−１／Ｔ０）｝が第２抵抗膜００５の温度依存特性Ｆ２（Ｔ−Ｔ０）であり、
微分値{ΔＦ１（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝Ｂ１
微分値{ΔＦ２（Ｔ−Ｔ０）／ΔＴ}＝Ｂ２
となる。
【００８０】
次に、得ようとする連続可変減衰器の減衰量温度係数に対して、設定する第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の抵抗温度係数の求める方法を説明する。ここで、減衰量温度係数とは１℃の温度変化に対して変化する減衰量の比率を表わすものである。
【００８１】
（構成）
以下で、上述した各抵抗値と高周波特性インピーダンス及び減衰量などとの関係を説明するとともに、所望の抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を構成するための、各構成要素を説明する。
【００８２】
まず、得ようとする温度可変減衰器の減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を決定する。
【００８３】
次に、基準温度Ｔ０（℃）のときの減衰量をΑ０（ｄＢ）、第１抵抗値Ｒ１をＲ１０（Ω）、第２抵抗値Ｒ２をＲ２０（Ω）とする。また、使用温度Ｔ（℃）のときの減衰量をΑｔ（ｄＢ）、第１抵抗値Ｒ１をＲ１（Ω）、第２抵抗値Ｒ２をＲ２（Ω）とした場合の、特性インピーダンスＺ０を一定にしたい。
【００８４】
特性インピーダンスＺ０は〈式３−１〉より、
Ｚ０＝（Ｒ１Ｒ２／２）１／２
＝［Ｒ１０Ｒ２０｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝／２］１／２
で表わされる。
【００８５】
そこで、特性インピーダンスＺ０の温度依存をなくすために抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を、
〈式６〉ｒ１＝−ｒ２
とする。
【００８６】
このように選択した場合、ｒ１、ｒ２の小さい範囲では、
｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝＝１
となる。
【００８７】
したがって〈式６〉のようにｒ１、ｒ２を選択すれば、
〈式７〉Ｚ０＝（Ｒ１０Ｒ２０／２）１／２＝（Ｒ１Ｒ２／２）１／２
を満たすといえる。
【００８８】
したがって、〈式６〉を満たすように連続可変減衰器を設計した場合、特性インピーダンスＺ０が温度変化に対して一定になる。
【００８９】
さらに、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を
〈式８〉
ｒ１≒ｒ
ｒ２≒−ｒ
とする。
【００９０】
また、〈式３−２〉より、
Αｔ＝（２Ｒ１／Ｒ２）１／２
＝８．６８６［２Ｒ１０｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝／Ｒ２０｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝］１／２
である。
【００９１】
これは、
〈式９〉
Αｔ＝Α０[｛１＋ｒ１（Ｔ−Ｔ０）｝／｛１＋ｒ２（Ｔ−Ｔ０）｝] １／２
Α０＝８．６８６（２Ｒ１０／Ｒ２０）１／２
と表わせる。
【００９２】
したがって、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉のように選択した場合、ｒ１及びｒ２が小さい範囲では、
〈式１０〉
Αｔ＝Α０｛１＋ｒ（Ｔ−Ｔ０）｝
Α０＝８．６８６（２Ｒ１０／Ｒ２０）１／２
を満たすことがわかる。
また、この場合〈式６〉も満たす。
【００９３】
一方、
Ｒ１０∝Ｌ１、１／Ｒ２０∝Ｌ１、であるから、
上記式〈式３−２〉より、
Α０∝Ｌ１であり、距離に比例する。
【００９４】
したがって、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉を満たすように作成した温度可変減衰器の減衰量は、減衰量温度係数Γ＝ｒ（ｄＢ／ｄＢ／℃）の温度可変減衰器とほぼ一致する。これにより、抵抗温度係数ｒ１及び抵抗温度係数ｒ２を〈式８〉のように選択し温度可変減衰器を作成することにより、減衰量が温度変化にほぼ比例の関係となる温度特性を有し、特性インピーダンスＺ０が一定である温度可変減衰器を作成することができる。
【００９５】
したがって、以上の式で表わされる値を基に、可動導体１００により実質的な距離をＬｘ（＜Ｌ１）とすることで、連続可変減衰器００１を作成することができる。これにより、温度変化に対して減衰量がほぼ比例する連続可変減衰器００１を作成することができる。
【００９６】
（実施例３）
第３の実施形態に係る連続可変減衰器００１として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、その比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、減衰量Α（ｄＢ）を、Α＝１０（ｄＢ）とする。
【００９７】
本実施例の基板部材１０１の模式図は図４と同様である。すなわち、第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１＝４．０（ｍｍ）、抵抗温度係数ｒ１＝−０．００５（Ω／Ω／℃）、第１シート抵抗値τ１＝１７．３（Ω／□）、第２抵抗膜００５の長手方向の長さＬ１＝４．０（ｍｍ）、抵抗温度係数ｒ２＝０．００５（Ω／Ω／℃）、第２シート抵抗値τ２＝６９４（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ４＝４．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ０＝Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ４＝９．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として連続可変減衰器を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【００９８】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（１７．３×６９４）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝５０．０１（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる連続可変減衰器００１であるように構成した。
【００９９】
また、抵抗温度係数ｒ１＝−０．００５であり、抵抗温度係数ｒ２＝＋０．００５であるので〈式８〉を満たし、減衰量温度係数Γ＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）の連続可変減衰器００１である。
【０１００】
そして、本実施例では、実施例１と同様に図５（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、図４で示す基板部材１０１の上で可動導体１００の位置（第１抵抗膜００４が露出する部分の長手方向の長さ）Ｌｘ（ｍｍ）（≦Ｌ１（ｍｍ））がそれぞれ、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）、Ｌｘ＝０．７（ｍｍ）となるように、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を異なるように配置し、各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量及びＶＳＷＲのシミュレーションを行った。図１０は、本実施例に係る連続可変減衰器について図５で示す各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）におけるシミュレーションを行ったものである。図１０は本実施例に係る連続可変減衰器００１において可動導体１００を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量温度特性を表すグラフである。図１０のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を温度（℃）に採ったグラフである。
【０１０１】
そして、グラフ１１１はＬｘ＝４．０（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフ、グラフ１１２はＬｘ＝２．５（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフ、グラフ１１３はＬｘ＝１．３（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフである。
【０１０２】
そして、それぞれの２５℃における減衰量は、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）とした時には１０（ｄＢ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）とした時には８（ｄＢ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）とした時には６（ｄＢ）である。また、グラフ１１１、グラフ１１２、グラフ１１３いずれにおいてもおおよそ傾きは一定となっている。これは上述したように第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の長手方向の長さによらず（すなわち、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）によらず）減衰量温度係数Γ＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）で一定であることと一致する。
【０１０３】
以上で説明したように、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）が一定で、可動導体１００をスライド移動することにより連続的に基準となる温度（実施例３では２５℃）における減衰量（ｄＢ）を変化させることができる連続可変感温減衰器となる。したがって、所望の減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を有する連続可変減衰器００１を容易に設計することができる。そして、操作者は該連続可変減衰器００１を使用して基準となる温度での所望する減衰量に容易に調整することが可能である。
【０１０４】
〔第４の実施形態〕
第４の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１について説明する。図１１は本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１の構成を示す模式図である。本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１は、第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１の第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５で構成される部分を２つの減衰部に分け、入力信号電極００９側が温度によって減衰量が変化する感温減衰部、出力信号電極０１０側が温度係数が０である非感温減衰部とした構成である。さらに、本実施形態は可動導体１００を出力信号電極０１０側の減衰部の一部と出力信号電極０１０の一部を覆うように（すなわち、可動導体１００の一端側の少なくとも一部が前記入力信号電極００９又は前記出力信号電極０１０のいずれか一方の電極に接触した状態で、他端側の少なくとも一部が前記第１抵抗膜００４と接触しつつスライド可能に）配置した、すなわち可動導体１００を入力信号電極００９側の減衰部には重ならないように配置した構成である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。
【０１０５】
本実施形態に係る連続可変減衰器００１は図１１に示すように、第１の実施形態に係る連続可変減衰器００１において第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２で構成される第２減衰部０２０が、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５で構成される第１減衰部００３と出力信号電極０１０との間に配置された構成であることが異なる。ここで、図１１において図１と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。
【０１０６】
本実施形態に係る連続可変減衰器００１は図１１に示すように、第１抵抗膜００４（濃いドットで示された部材）、第２抵抗膜００５（左下がり斜め線で示された部材）、第３抵抗膜０２１（格子で示された部材）、第４抵抗膜０２２（右下がり斜め線で示された部材）、入力信号電極００９（向かって左側の横縞で示された部材）、出力信号電極０１０（紙面に向かって右側の横縞で示された部材）、及びアースパターン０１１（縦縞で示された部分）が誘電体基板００２の上に配置された構成である。
【０１０７】
第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向（図１における横方向）の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第１抵抗膜００４は、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第１抵抗膜００４は自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が第３抵抗膜０２１と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第１抵抗膜００４は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１０８】
第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、第１抵抗膜００４と同じ長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第２抵抗膜００５は、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が第１抵抗膜００４の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４の幅方向の両辺（図１１における上下）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第２抵抗膜００５は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１０９】
第３抵抗膜０２１は、第１抵抗膜００４と同じ幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向（図１１における横方向）の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。また、第３抵抗膜０２１は、第１抵抗膜００４と同じ第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第３抵抗膜０２１は自己の長手方向の一端の辺が第１抵抗膜００４と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。すなわち、上述の第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１（ｍｍ）と第３抵抗膜０２１の長手方向の長さＬ２（ｍｍ）とを加えた距離は、入力信号電極００９から出力信号電極０１０までの距離と一致する（Ｌ５＝Ｌ１＋Ｌ２）。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第３抵抗膜０２１は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１０】
第４抵抗膜０２２は、第２抵抗膜００５と同じ幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、第３抵抗膜０２１と同じ長手方向の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。また、第４抵抗膜０２２は、第２抵抗膜００５と同じ第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第４抵抗膜０２２は、自己の幅方向の一端の辺が第３抵抗膜０２１の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第３抵抗膜０２１の幅方向の両辺（図１における上下）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第４抵抗膜０２２は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１１１】
さらに、図１１で長さＬ１の間は第１減衰部００３を構成し、長さＬ２の間は第２減衰部０２０を構成し、入出力間にそれらが直列に配置されている。すなわち、第１減衰部００３は第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５で構成され、第２減衰部０２０は第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２で構成される。
【０１１２】
第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５が構成する第１減衰部００３の２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα１（ｄＢ／ｍｍ）とする。また、第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２が構成する第２減衰部０２０の２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα２（ｄＢ／ｍｍ）とする。そして、第１減衰部００３の減衰量温度係数をγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）とする。さらに、本実施形態では第２減衰部０２０は非感温減衰部であるので、第２減衰部０２０の減衰量温度係数をγ２＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃）を有する。
【０１１３】
この場合の減衰器全体のＴ℃における減衰量Αｔ及び２５℃における減衰量Α２５は、
Α２５＝Ｌ１×α１＋Ｌ２×α２（ｄＢ）
Αｔ＝Ｌ１×α１×｛１＋γ１（Ｔ−２５）｝＋Ｌ２×α２
＝Α２５＋Ｌ１×α１×γ１×（Ｔ−２５）
＝Α２５×［１＋｛（Ｌ１×α１×γ１）／Α２５×（Ｔ−２５）｝］（ｄＢ）
である。
【０１１４】
したがって、減衰量温度係数Γは、
Γ＝Ｌ１×α１×γ１／Α２５
＝（Ｌ１×α１×γ１）／（Ｌ１×α１＋Ｌ２×α２）（ｄＢ／ｄＢ／℃）
となる。
【０１１５】
また、減衰量温度特性Ｐは、
Ｐ＝Ｌ１×α１×γ１（ｄＢ／℃）
となる。
【０１１６】
可動導体１００は、長手方向の長さＬ２（ｍｍ）を有する。ただし、可動導体１００の長手方向の長さはＬ２（ｍｍ）より短ければ他の長さでもよい。ただし、可動導体１００の長さがＬ２（ｍｍ）より短ければその可動導体１００の長さまでしか減衰率を減らすことができない。そこで、本実施形態では極限まで減衰率を減らすことができるようにするために可動導体１００の長手方向の長さを第３抵抗膜０２１の長手方向の長さと同じ長さ（Ｌ２（ｍｍ））にしている。そして、可動導体１００は、銅などの導電体を材料とする。
【０１１７】
そして、可動導体１００は、第３抵抗膜０２１の一部と出力信号電極０１０の一部を覆うように、すなわち入力信号電極００９の第１抵抗膜００４と接している辺から可動導体１００の第３抵抗膜０２１側の辺までの長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）（Ｌ１≦Ｌｘ≦Ｌ５（ｍｍ））となるように配置される。この場合、可動導体１００と第３抵抗膜０２１が重なっている部分では、信号は第３抵抗膜０２１を通らずに可動導体１００を通って出力信号電極０１０に流れる、すなわち可動導体１００の間を短絡させている。したがって、この場合、第３抵抗膜０２１の抵抗としての実質的な長手方向の長さはＬｘ−Ｌ１（ｍｍ）となる。
【０１１８】
このように、可動導体１００により第３抵抗膜０２１の実質的な長さが変更された場合、前述の式における長さＬ５が変化することになる。とすると、前述した式よりＬ２が変化した場合、減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）は変化する。
【０１１９】
これに対し、可動導体１００の位置が変化しても、Ｌ１、α１、及びγ１は一定である。したがって、前述の式に基づき減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）は一定となる。
【０１２０】
この場合、減衰量Α（ｄＢ）は前述の式よりＬ２の長さに比例する。
【０１２１】
したがって、本実施形態に係る連続可変減衰器では、可動導体１００を動かすことで、減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）は一定のままで可動導体１００の位置Ｌｘに比例して減衰量Α（ｄＢ）を変化させることができる。
【０１２２】
（実施例４）
本実施例に係る連続可変減衰器００１の基板部材１０１として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、２５℃における可動導体１００を第３抵抗膜０２１に乗せない場合（Ｌｘ＝４．０（ｍｍ））の減衰器全体の減衰量Α２５（ｄＢ）（第１減衰部００３の減衰量Α１及び第２減衰部０２０の減衰量Α２を加えたもの）を、Α２５＝１０（ｄＢ）とする。すなわち単位長さ当たりの減衰量α１＝α２＝α０＝１０÷４＝２．５（ｄＢ／ｍｍ）である。この単位当たりの減衰量α０は可動導体１００をいずれの位置に配置しても変わらない。図１２は本実施例に係る連続可変減衰器００１の構成を示す模式図である。
【０１２３】
本実施例に係る基板部材１０１は、図１２に示すように、第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５の長手方向の長さＬ１＝０．８０（ｍｍ）、第１抵抗膜００４の抵抗温度係数ｒ１＝−０．００５（Ω／Ω／℃）、第２抵抗膜００５の抵抗温度係数ｒ２＝０．００５（Ω／Ω／℃）、したがって、第１減衰部００３の減衰量温度係数γ１＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）、第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２の長手方向の長さＬ２＝３．２（ｍｍ）、第２減衰部０２０の減衰量温度係数γ２＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃））、第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝１７．３（Ω／□）、第２抵抗膜００５及び第４抵抗膜０２２の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝６９４（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ４＝４．５０（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さＬ０＝Ｌ３＋Ｌ４＋Ｌ５＝９．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として連続可変減衰器００１を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【０１２４】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（１７．３×６９４）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝５０．０１（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる連続可変減衰器００１であるように構成した。
【０１２５】
また、減衰量温度特性Ｐ＝Ｌ１×α１×γ１＝０．８×２．５×−０．００５＝−０．０１（ｄＢ／℃）である。この様に、可動導体１００の位置にかかわらず減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）はその値が一定となる。
【０１２６】
そして、本実施例では、図１２で示す基板部材１０１の上で可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）（≦Ｌ１（ｍｍ））がそれぞれ、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）、Ｌｘ＝０．７（ｍｍ）となるように、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を異なるように配置し、各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量のシミュレーションを行った。図１３は、本実施例に係る連続可変減衰器００１について各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）におけるシミュレーションを行ったものである。図１３は本実施例に係る連続可変減衰器００１において可動導体１００を異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）に配置した場合のそれぞれの減衰量温度特性Ｐを表すグラフである。図１３のグラフは、縦軸を減衰量（ｄＢ）、横軸を温度（℃）に採ったグラフである。
【０１２７】
そして、グラフ１３１はＬｘ＝４．０（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフ、グラフ１３２はＬｘ＝２．５（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフ、グラフ１３３はＬｘ＝１．３（ｍｍ）とした時の温度特性を表すグラフである。
【０１２８】
そして、それぞれの２５℃における減衰量は、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）とした時には１０（ｄＢ）、Ｌｘ＝２．５（ｍｍ）とした時には８（ｄＢ）、Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）とした時には６（ｄＢ）である。また、グラフ１３１、グラフ１３２、グラフ１３３いずれにおいてもおおよそ傾きは一定となっている。これは上述したように可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）によらず減衰量温度特性Ｐ＝−０．０１（ｄＢ／℃）で一定であることと一致する。
【０１２９】
以上で説明したように、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は、減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）が一定で、可動導体１００の位置をスライド移動することにより連続的に基準となる温度（実施例４では２５℃）における減衰量（ｄＢ）を変化させることができる連続可変減衰器となる。本実施形態に係る連続可変減衰器００１では減衰量温度特性Ｐは第１減衰部００３の長さで決まるため所望の減衰量温度特性Ｐ＝ｒ（ｄＢ／℃）を有する連続可変減衰器００１を容易に設計することができる。そして、操作者は可動導体１００を使用して該連続可変減衰器００１を所望する減衰量に容易に調整することが可能である。
【０１３０】
〔第５の実施形態〕
第５の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１について説明する。図１４は本実施形態及び実施例５に係る分布定数型連続可変減衰器００１の構成を示す模式図である。本実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１は、第１の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１の第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５で構成される部分を減衰量温度係数が異なる２つの減衰部に分けた構成である。さらに、本実施形態は可動導体１００を一方の減衰部の一部と他方の減衰部の一部を覆うように配置した、すなわち可動導体１００を出力信号電極０１０には重ならないように配置した構成である。しかしながら、各要素の寸法、構造、及び性能特性は、第１の実施形態と同じに扱える。ここで、各辺の長さ、及び第２減衰部０２０が非感温減衰部と感温減衰部との違いはあるが各部材の配置としては第４の実施形態と同様であるため、本実施形態における各部材の符号は第４の実施形態で使用した符号を使用する。図１４において図１１と同様の符号が付された部材は、特に説明のない限り同じ機能・性能を有する部材を表している。
【０１３１】
本実施形態では、第１抵抗膜００４、第２抵抗膜００５、第３抵抗膜０２１、及び第４抵抗膜０２２はいずれも同じ長手方向の長さを有する。さらに、入力信号電極００９及び出力信号電極０１０は同じ長手方向の長さを有する。
【０１３２】
第１抵抗膜００４は、幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向（図１における横方向）の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第１抵抗膜００４は、第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第１抵抗膜００４は自己の長手方向の一端の辺が入力信号電極００９と、他端の辺が第３抵抗膜０２１と接する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第１抵抗膜００４は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１３３】
第２抵抗膜００５は、幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、第１抵抗膜００４と同じ長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を持つ。また、第２抵抗膜００５は、第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第２抵抗膜００５は、自己の幅方向の一端の辺が第１抵抗膜００４の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第１抵抗膜００４の幅方向の両辺（図１１における上下）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第２抵抗膜００５は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１３４】
第３抵抗膜０２１は、第１抵抗膜００４と同じ幅方向の長さｗＳ（ｍｍ）、長手方向（図１１における横方向）の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。（本実施形態では、実際にはＬ１＝Ｌ２であるが、説明の都合上ここでは異なる符号で表記する。そして、後にＬ１＝Ｌ２として置き換える。）また、第３抵抗膜０２１は、第１抵抗膜００４と同じ第１シート抵抗値τ１（Ω／□）を持つ。そして、第３抵抗膜０２１は自己の長手方向の一端の辺が第１抵抗膜００４と、他端の辺が出力信号電極０１０と接する。すなわち、上述の第１抵抗膜００４の長手方向の長さＬ１（ｍｍ）と第３抵抗膜０２１の長手方向の長さＬ２（ｍｍ）とを加えた距離は、入力信号電極００９から出力信号電極０１０までの距離と一致する。そして、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第３抵抗膜０２１は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１３５】
第４抵抗膜０２２は、第２抵抗膜００５と同じ幅方向の長さｗＰ（ｍｍ）、第３抵抗膜０２１と同じ長手方向の長さＬ２（ｍｍ）を持つ。また、第４抵抗膜０２２は、第２抵抗膜００５と同じ第２シート抵抗値τ２（Ω／□）を持つ。そして、第４抵抗膜０２２は、自己の幅方向の一端の辺が第３抵抗膜０２１の幅方向の一端の辺と接し、かつ他端の辺がアースパターン０１１に接するように、第３抵抗膜０２１の幅方向の両辺（図１における上下）に２つ配置され、その状態で誘電体基板００２の上に形成される。第４抵抗膜０２２は、例えば、ニクロム、窒化タンタル、酸化ルテニウムなどの厚膜又は薄膜で構成されている。
【０１３６】
さらに、図１４で長さ第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５は第１減衰部００３を構成し、第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２は第２減衰部０２０を構成し、入出力間にそれらが直列に配置されている。
【０１３７】
ここで、本実施形態ではＬ１（ｍｍ）＝Ｌ２（ｍｍ）として構成している。したがって、以下では第３抵抗膜０２１の長さもＬ１（ｍｍ）とする。
【０１３８】
また、可動導体１００は、第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１と同じ長手方向の長さＬ１（ｍｍ）を有する。ただし、可動導体１００の長手方向の長さは各減衰部の長手方向の長さより短ければ他の長さでもよい。ただし、可動導体１００の長さがＬ１（ｍｍ）より短ければその可動導体１００の長さまでしか一方の減衰部の影響を減らすことができない。そこで、本実施形態ではなるべく双方の減衰部の影響を減らすことができるようにするために可動導体１００の長手方向の長さを第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１の長手方向の長さと同じ長さにしている。そして、可動導体１００は、銅などの導電体を材料とする。
【０１３９】
そして、可動導体１００は、第１抵抗膜００４の一部と第３抵抗膜０２１の一部を覆うように、すなわち入力信号電極００９が第１抵抗膜００４と接している辺から可動導体１００の入力信号電極００９側の辺までの長手方向の長さがＬｘ（ｍｍ）となるように配置される。この場合、可動導体１００と第１抵抗膜００４又は第３抵抗膜０２１が重なっている部分では、信号は第１抵抗膜００４や第３抵抗膜０２１を通らずに可動導体１００を通る。したがって、この場合、第１抵抗膜００４の抵抗体としての実質的な長手方向の長さはＬｘであり、第３抵抗膜０２１の抵抗としての実質的な長手方向の長さは第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１の長手方向の長さを加えた長さからＬｘ及び可動導体１００の長手方向の長さを引いた長さ（２Ｌ１−Ｌｘ−Ｌ６）となる。
【０１４０】
したがって、第１減衰部及び第２減衰部の双方を加えた実質的な長さはＬ０１＝２Ｌ１＋Ｌ６（ｍｍ）の一定の長さを有する。また、以下では第1減衰部の実質的な長さをＬＹ、第２減衰部の実質的な長さをＬＺとする。すなわち、Ｌ０１＝ＬＹ＋ＬＺである。そして、可動導体１００が移動すると、第１減衰部００３及び第２減衰部０２０は双方を加えた実質的な全体の長さＬ０１は変わらずに、全体に対する各減衰部の長さの割合が変化することとなる。
【０１４１】
第１抵抗膜００４及び第２抵抗膜００５が構成する第１減衰部００３の２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα１（ｄＢ／ｍｍ）とする。また、第３抵抗膜０２１及び第４抵抗膜０２２が構成する第２減衰部０２０の２５℃での単位長さ当たりの減衰量をα２（ｄＢ／ｍｍ）とする。そして、第１減衰部００３の減衰量温度係数をγ１（ｄＢ／ｄＢ／℃）とする。さらに、第２減衰部０２０の減衰量温度係数をγ２（ｄＢ／ｄＢ／℃）とする。
【０１４２】
さらに、第１減衰部００３の長手方向の実質的な長さと第２減衰部０２０の長手方向の実施的な長さとを加えた長さは前述のようにＬ０１（ｍｍ）である。そして、第１減衰部００３の長手方向の実質的な長さＬＹ＝ａ×Ｌ０１（ｍｍ）（ａ＜１）、第２減衰部０２０の長手方向の実質的な長さをＬＺ＝（１−ａ）×Ｌ０１（ｍｍ）（ａ＜１）とする。
【０１４３】
そして、Ｔ℃での本実施形態に係る感温減衰器の減衰量Αｔ（ｄＢ）は、２５℃での第１減衰部００３の減衰量Α１＝α１×ａ×Ｌｘ、同じく２５℃での第２減衰部０２０の減衰量Α２＝α２×（１−ａ）×Ｌｙとなる。
【０１４４】
そこで、Ｔ℃での本実施形態に係る感温減衰器の減衰量Αｔ（ｄＢ）は、〈式１０〉より、次のようになる。
Αｔ＝α１×ａ×Ｌ０１×｛１＋γ１×（Ｔ−２５）｝＋α２×（１−ａ）×Ｌ０１×｛１＋γ２×（Ｔ−２５）｝
＝｛ａα１＋（１−ａ）α２｝×Ｌ０１＋｛ａα１γ１＋（１−ａ）α２γ２｝×Ｌ０１×（Ｔ−２５）｝
【０１４５】
したがって、本実施形態に係る感温減衰器全体の２５℃での減衰量Α２５は、
Α２５＝｛ａα１＋（１−ａ）α２｝×Ｌ０１（ｄＢ）
となる。
【０１４６】
また、感温減衰器全体の減衰量温度係数Γは
Γ＝[｛ａα１γ１＋（１−ａ）α２γ２｝×Ｌ０１]／Α２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）
となる。
また、感温減衰器全体の減衰量温度特性Ｐは
Ｐ＝｛ａα１γ１＋（１−ａ）α２γ２｝×Ｌ０１（ｄＢ／℃）
となる。
【０１４７】
ここで、α１＝α２＝α０とし、γ２＝−γ１とすると、
Α２５＝α０×Ｌ０１（ｄＢ）
Γ＝（２ａ−１）×α０×γ１×Ｌ０１／Α２５（ｄＢ／ｄＢ／℃）＝（２ａ−１）×γ１
Ｐ＝（２ａ−１）×α０×γ１×Ｌ０１（ｄＢ／℃）
となる。
【０１４８】
そして、第1減衰部００３の長手方向の実質的な長さＬＹと第２減衰部の長手方向の実質的な長さＬＺとを加えた長さＬ０１（ｍｍ）で本実施形態に係る連続可変減衰器００１の２５℃での減衰量Α２５が決定する。よって、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）が変化しても２５℃での連続可変減衰器００１全体の減衰量Α２５は固定値をとる。しがたって、両減衰部の長手方向の実質的な長さを加えた長さを調整することで容易に２５℃における減衰器全体の所望の減衰量Α２５を得ることができる。また、第１減衰部００３の長手方向の実質的な長さＬＹから第２減衰部０２０の長手方向の実質的な長さＬＺを引いた値ＬＹ−ＬＺ＝ａ×Ｌ０１−（ａ−１）Ｌ０１＝（２ａ−１）Ｌ０１により減衰量温度係数Γが決まる。この場合は、Γの値は−γ１＜γ＜γ１で変化できる。これにより、減衰量温度係数Γとして正の値も負の値も採ることが可能な連続可変減衰器を容易に設計することができる。そして、操作者は可動導体１００の位置を調整することで、容易に所望の減衰量温度係数Γに調整することができる。
【０１４９】
（実施例５）
本実施例に係る連続可変減衰器００１の基板部材１０１として、特性インピーダンスＺ０＝５０（Ω）、誘電体基板００２の材質を石英とし、板厚＝０．５（ｍｍ）、比誘電率をεｒ＝３．７８とする。さらに、２５℃における減衰器全体の減衰量Α２５（ｄＢ）（第１減衰部００３の減衰量Α１及び第２減衰部０２０の減衰量Α２を加えたもの）を、Α２５＝１０（ｄＢ）とする。そして、実質的に減衰器として働く部分は、第１減衰部００３及び第２減衰部０２０の長手方向の長さを加えた距離Ｌ１＋Ｌ２＝８（ｍｍ）から可動導体１００の長さＬ６＝４．０（ｍｍ）を引いた部分であるので、減衰器全体の実質的な長さはＬ０１＝４．０（ｍｍ）である。したがって、単位当たりの減衰量α０＝１０÷４＝２．５（ｄＢ／ｍｍ）である。この単位当たりの減衰量α０は可動導体１００をいずれの位置に配置しても変わらない。
【０１５０】
本実施例に係る基板部材１０１は、図１４に示すように、第１抵抗膜００４、第２抵抗膜００５、第３抵抗膜０２１、及び第４抵抗膜０２２の長手方向の長さ４．０（ｍｍ）、第１減衰部００３の減衰量温度係数γ１＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）、第２減衰部０２０の減衰量温度係数γ２＝＋０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）、第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１の幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、第１シート抵抗値τ１＝１７．３（Ω／□）、第２抵抗膜００５及び第４抵抗膜０２２の幅方向の長さｗＰ＝０．５（ｍｍ）、第２シート抵抗値τ２＝６９４（Ω／□）、入力信号電極００９の長手方向の長さＬ３＝０．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、出力信号電極０１０の長手方向の長さＬ４＝０．５（ｍｍ）、幅方向の長さｗＳ＝１．２（ｍｍ）、アースパターン０１１の長手方向の長さ９．０（ｍｍ）、幅方向の長さｗｇ＝０．５（ｍｍ）として連続可変減衰器００１を構成する。また、本実施例における入力信号電極００９、出力信号電極０１０、及びアースパターン０１１の材質は銅（Ｃｕ）である。
【０１５１】
ここで、特性インピーダンスＺ０＝｛（τ１τ２／２）・（ｗＰ／ｗＳ）｝１／２＝｛（１７．３×６９４）／２×（０．５／１．２）｝１／２＝５０．０１（Ω）であり、おおよそ５０（Ω）となる連続可変減衰器００１であるように構成した。
【０１５２】
そして、本実施例では、図１４で示す基板部材１０１の上で可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）（≦４．０（ｍｍ））がそれぞれ、Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝２．０（ｍｍ）、Ｌｘ＝０．０（ｍｍ）となるように、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を異なるように配置し、各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）と減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）のシミュレーションを行った。図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、本実施例に係る連続可変減衰器００１について各可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）におけるシミュレーションを行ったものである。図１５（Ａ）は本実施例に係る連続可変減衰器００１の可動導体１００の異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を表すグラフである。図１５（Ｂ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１の可動導体１００の異なる位置Ｌｘ（ｍｍ）における減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）を表すグラフである。図１５（Ａ）のグラフは、縦軸を減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）、横軸を可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）に採ったグラフである。図１５（Ｂ）のグラフは、縦軸を減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）、横軸を可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）に採ったグラフである。
【０１５３】
図１５（Ａ）のグラフを参照すると、可動導体１００の位置Ｌｘ＝０．０（ｍｍ）の場合には減衰量温度係数Γ＝０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）となる。これは、可動導体１００が第１抵抗膜００４を覆ってしまうため、入力信号電極００９と第３抵抗膜０２１が短絡した状態になり、第２減衰部０２０の温度係数γ２がそのまま、減衰器全体の減衰量Γになっていることを表す。また、可動導体１００の位置Ｌｘ＝４．０（ｍｍ）の場合には減衰量温度係数Γ＝−０．００５（ｄＢ／ｄＢ／℃）となる。これは、可動導体１００が第３抵抗膜０２１を覆ってしまうため、第１抵抗膜００４と出力信号電極０１０が短絡した状態になり、第１減衰部００３の温度係数γ１がそのまま、減衰器全体の減衰量Γになっていることを表す。さらに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝２．０（ｍｍ）の場合には減衰量温度係数Γ＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃）となる。これは、上述したようにΓ＝（２ａ−１）×γ１＝（２×０．５−１）×−０．００５＝０（ｄＢ／ｄＢ／℃）となることを表す。
【０１５４】
さらに、可動導体１００の各位置Ｌｘ（ｍｍ）において、減衰量温度係数Γ＝（２ａ−１）×−０．００５＝−０．００５（２ａ−１）（ｄＢ／ｄＢ／℃）である。そして、ａは第１抵抗膜００４及び第３抵抗膜０２１の実質的な長手方向の長さを加えたものと第１抵抗膜００４の長手方向の長さの比である。すると、ａ＝Ｌｘ／Ｌ６＝Ｌｘ／４であり、減衰量温度係数Γ＝−０．００５（２×Ｌｘ／４−１）＝−０．００５（Ｌｘ／２−１）（ｄＢ／ｄＢ／℃）である。同様に、減衰量温度特性Ｐ＝−０．００５（Ｌｘ／４−１）×２．５×４．０＝−０．０５（２×Ｌｘ／４−１）（ｄＢ／℃）である。したがって、減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）及び減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）は可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）と一次関数の関係にある、すなわち比例関係にある。したがって、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を連続的に変えることで減衰量温度特性Ｐ（及び減衰量温度係数Γ）を連続的に変えることができる。そして、可動導体１００の位置Ｌｘ（ｍｍ）を基準にすることで減衰量温度特性Ｐ及び減衰量温度係数Γを調整することが可能である。
【０１５５】
以上で説明したように、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は、減衰量Α（ｄＢ）が一定で、可動導体１００の位置をスライド移動することにより連続的に減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）及び減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）を変化させることができる連続可変感温減衰器となる。そして、操作者は可動導体１００を使用して該連続可変減衰器００１を所望する減衰量温度特性Ｐ（ｄＢ／℃）又は減衰量温度係数Γ（ｄＢ／ｄＢ／℃）に容易に調整することが可能である。
【０１５６】
〔第６の実施形態〕
第６の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器に００１ついて説明する。図１６（Ａ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１の斜視図である。図１６（Ｂ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１を分解した分解斜視図である。本実施形態に係る連続可変減衰器００１は上記の第１〜５の実施形態に係る連続可変減衰器００１に、可動導体１００をスライド移動させるためのスライダ、全体を覆うためのカバー、及び可動導体１００を基板部材１０１に押圧するためのゴム板を付加した構成である。
【０１５７】
図１６に示す、基板部材１０１が第１〜第５の実施形態のいずれか一つに係る基板部材１０１にあたる。そして、可動導体１００が第１〜第５の実施形態における可動導体１００にあたるものである。すなわち、基板部材１０１及び可動導体１００によって、第１〜第５の実施形態のいずれか一つの連続可変減衰器００１が構成されている。以下では、基板部材１０１が第１の実施形態における実施例１の構成である場合について説明する。
【０１５８】
ゴム板１６３は長方形である。ゴム板１６３はその摩擦により可動導体１００を固定するのに十分な大きさを有する。そして、ゴム板１６３は可動導体１００の基板部材１０１とは逆側の面に配置される。
【０１５９】
スライダ１６２は、おおよそ直方体に突起部が付いた形状である。スライダ１６２は、ゴム板１６３の可動導体１００とは逆側の面に配置される。そして、スライダ１６２の直方体部分のゴム板１６３の側の面はおおよそ平らな面で構成され、ゴム板１６３と逆側の面には操作者が手動でスライドさせられるように突起部が付いている。さらに、スライダ１６２のゴム板１６３の側の面にはゴム板１６３が面方向にずれないように浅い溝が掘られている。ゴム板１６３はスライダ１６２のゴム板１６３の側の面の浅い溝にはめ込まれる。
【０１６０】
カバー１６１は、直方体の中を空洞にし、さらにひとつの面を取り払った形状をしている。そして、カバー１６１は、取り払った面と対向する位置にある面に長方形状の貫通孔を有している。該貫通孔は直方体の長手方向に長い四角形の形状を有している。この貫通孔は前述のスライダ１６２の突起部が貫通できさらに長手方向に移動できる大きさを有している。さらに、該貫通孔の長手方向のサイズは、該貫通孔の一端に突起部が位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝４（ｍｍ）、他端に突起部が位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）に位置するように構成されている。そして、カバー１６１の空洞の高さ方向の長さは、スライダ１６２、押圧されてない状態でのゴム板１６３、可動導体１００、及び基板部材１０１を加えた厚みよりも若干短く構成されている。さらに、カバー１６１の貫通孔の脇には減衰量Α（ｄＢ）の目盛がふられている。この目盛りは、前述の貫通孔の一端に１０（ｄＢ）の目盛がふられており、貫通孔の他端に６（ｄＢ）の目盛が降られており、その真ん中に８（ｄＢ）の目盛がふられている。
【０１６１】
カバー１６１は、貫通孔にスライダ１６２の突起部を貫通させた状態で、スライダ１６２、ゴム板１６３、可動導体１００、及び基板部材１０１を覆う。そして、カバー１６１の取り払った面の部分に該面と一致するように基板部材１０１が固定される。このとき、基板部材１０１の長手方向（すなわち、入力信号電極００９から出力信号電極０１０に向かう方向）がカバー１６１の長手方向（すなわち、スライダ１６２の突起部が移動可能な方向）に一致するように配置される。
【０１６２】
カバー１６１はスライダ１６２を基板部材１０１の方向に押圧する。スライダ１６２はゴム板１６３を基板部材１０１の方向に押圧する。ゴム板１６３はスライダ１６２と可動導体１００に挟まれて圧縮される。そして、ゴム板１６３は自己の弾性力で可動導体１００を基板部材１０１の方向に押圧する。可動導体１００は、ゴム板１６３からの押圧力を受けて基板部材１０１に押圧される。
【０１６３】
そして、上述の構成の連続可変減衰器において、操作者はスライダ１６２の突起部を狭持しカバー１６１の貫通孔の長手方向（すなわち、カバー１６１の長手方向）に沿って該突起部をスライド移動させる。これにより、スライダ１６２は、カバー１６１の長手方向に沿ってスライド移動する。このときスライダ１６２からの押圧力をゴム板１６３を介して受けている可動導体１００は、ゴム板１６３からの摩擦力を受けてスライダ１６２か移動した方向（すなわち、カバー１６１の長手方向）に沿って移動する。基板部材１０１は、カバー１６１の面に固定されているためスライダ１６２が移動しても移動しない。したがって、可動導体１００は固定された基板部材１０１の上を長手方向（すなわち、入力信号電極００９から出力信号電極０１０に向かう方向又はその逆方向）に沿って移動する。
【０１６４】
この可動導体１００の基板部材１０１上における移動により、実施例１における連続可変減衰器００１の減衰量の変化等の動作が実行される。そして、該貫通孔の一方の端に突起部が位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝４（ｍｍ）、他端に突起部が位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）に位置するように構成されているので、突起部が貫通孔の一端に位置した時に、連続可変減衰器００１の減衰量Α＝１０（ｄＢ）となり、突起部が貫通孔の他端に位置した時に、連続可変減衰器００１の減衰量Α＝６（ｄＢ）となる。すなわち、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は６（ｄＢ）〜１０（ｄＢ）の間で減衰量Αを連続的に変化させることが可能である。そして、第１実施形態係る連続可変減衰器００１の減衰量は、可動導体１００の位置に比例して推移していくため、６（ｄＢ）の目盛と１０（ｄＢ）の目盛との間における突起部の位置で現在の減衰量を把握することができる。
【０１６５】
以上では、基板部材１０１が第１の実施形態に係る実施例１の場合で説明したが、これは他の実施形態に係る連続可変減衰器００１でも同様である。ただし、他の実施形態に係る連続可変減衰器００１では可動導体１００の位置にしたがって変化する変化量が異なる場合があるため、その場合には目盛の単位をその変化量に合わせる必要がある。また、本実施形態では、連続可変減衰器００１の減衰量Αを６（ｄＢ）までしか使用しなかったが、これはさらに低くしてもよく、０（ｄＢ）より大きな値であればいずれの値をとることも可能である。
【０１６６】
以上で説明したように、本実施形態に係る連続可変減衰器００１ではスライダ１６２の突起部をスライド移動させることで各実施形態に係る連続可変減衰器００１における可動導体１００の位置に対応する変化量を変化させることができる構成である。これにより、操作者は容易に変化量を変化させることが可能である。また、該変化量は可動導体１００の位置に比例するため、操作者は貫通孔の脇にふられた目盛の値を参照して容易に所望の値の変化量に調整することが可能となる。
【０１６７】
〔第７の実施形態〕
第７の実施形態に係る分布定数型連続可変減衰器００１について説明する。図１７（Ａ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１の斜視図である。図１７（Ｂ）は本実施形態に係る連続可変減衰器００１を分解した分解斜視図である。さらに、図１８（Ａ）は本実施形態に係る基板部材１０１の表面側から見た斜視図であり、図１８（Ｂ）は本実施形態に係る基板部材１０１の裏面側から見た斜視図である。本実施形態に係る連続可変減衰器００１は上記の第１〜５の実施形態に係る連続可変減衰器００１を図１８のように一か所に切れ目を有する円環状に配置した構成である。そして、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は上述した各実施形態に係る連続可変減衰器００１を変形したものに、全体を覆うためのカバー１７１、可動導体１００をスライド移動させるためのロータ１７２、及び可動導体１００を基板部材１０１に押圧するためのゴム板１７３を付加した構成である。この構成は、第６の実施形態に係る連続可変減衰器００１のスライド方向を横への移動ではなく、円環状に移動するようにしたものである。以下の説明では、基板部材１０１が第１の実施形態に係る第１実施例における実施例１の基板部材１０１を変形した場合で説明する。
【０１６８】
まず、本実施形態に係る基板部材１０１から説明する。図１８（Ａ）に示すように、誘電体基板００２の上に実施例１において帯状であった第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０を、入力信号電極００９と出力信号電極０１０の間に隙間があいた（切れ目を有する）円環状に配置する。そしてこの円環状の帯の中央を通る線の長さが実施例１の第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０の長手方向の長さと一致するように構成する。この円環の半径方向の厚みが１．２（ｍｍ９となる。そして、誘電体基板００２上の入力信号電極００９の両脇に半径方向の厚み０．５（ｍｍ）の第２抵抗膜００５を配置する。そして、第２抵抗膜００５に接し出力信号電極０１０からの半径方向の距離が０．５である円となるようにアースパターン０１１を配置する。
【０１６９】
このように、各実施形態の帯状の第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０を円環状に配置した場合でも、減衰量及びＶＳＲの値はともに良好な値を示すので、特性インピーダンスの整合性を良好に維持できる。また、可動導体１００の位置に従って変化する変化量も可動導体１００の位置とほぼ比例関係になる。
【０１７０】
次に、可動導体１００は、第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０の円環状の帯の形状と一致するように扇形に構成される。この可動導体１００の長さも帯状の中央を透る線の長さが実施例１における長手方向の長さと一致するように構成する。
【０１７１】
ゴム板１７３は扇型である。ゴム板１７３はその摩擦により可動導体１００を固定するのに十分な大きさを有する。そして、ゴム板１７３は可動導体１００の基板部材１０１とは逆側の面に配置される。
【０１７２】
ロータ１７２は、おおよそ円柱に円柱状の突起部が付いた形状である。ロータ１７２は、ゴム板１７３の可動導体１００とは逆側の面に配置される。そして、ロータ１７２の円柱部分のゴム板１７３側の面はおおよそ平らな面で構成され、ゴム板１６３の反対側の面には操作者が手動でつかめるように突起部が付いている。さらに、ロータ１７２のゴム板１７３と接する側の面にはゴム板１７３が面方向にずれないように浅い溝が掘られている。ゴム板１７３はロータ１７２の浅い溝にはめ込まれる。ロータ１７２の突起部には後述するカバー１７１上の目盛りを指し示す指標が設けられている。
【０１７３】
カバー１７１は、立法体の中を空洞にし、さらにひとつの面を取り払った形状をしている。そして、カバー１７１は、取り払った面と対向する位置にある面に貫通孔を有している。該貫通孔は前述のロータ１７２の突起部が貫通できさらに回転可能な大きさを有している。そして、カバー１７１の空洞の高さ方向の長さは、ロータ１７２、押圧されてない状態でのゴム板１７３、可動導体１００、及び基板部材１０１を加えた厚みよりも若干短く構成されている。さらに、カバー１７１の貫通孔の脇には減衰量Α（ｄＢ）の目盛が突起部の回転に合わせて円環状にふられている。この目盛りは、右側の端に１０（ｄＢ）の目盛がふられており、左側の端に６（ｄＢ）の目盛が降られており、その真ん中に８（ｄＢ）の目盛がふられている。
【０１７４】
カバー１７１は、貫通孔にロータ１７２の突起部を貫通させた状態で、ロータ１７２、ゴム板１７３、可動導体１００、及び基板部材１０１を覆う。そして、カバー１７１の取り払った面の部分に該面と一致するように基板部材１０１が固定される。このとき貫通孔の中心点と基板の中心点（第１抵抗膜００４、入力信号電極００９、及び出力信号電極０１０が形成する円環の中心点）が一致するように配置される。
【０１７５】
カバー１７１はロータ１７２を基板部材１０１の方向に押圧する。ロータ１７２はゴム板１７３を基板部材１０１の方向に押圧する。ゴム板１７３はロータ１７２と可動導体１００に挟まれて圧縮される。そして、ゴム板１７３は自己の弾性力で可動導体１００を基板部材１０１の方向に押圧する。可動導体１００は、ゴム板１７３からの押圧力を受けて基板部材１０１に押圧される。
【０１７６】
そして、上述の構成の連続可変減衰器００１において、操作者はロータ１７２の突起部を狭持し該突起部を回転させる。これにより、ロータ１７２は、基板部材１０１の中央部を中心に回転する。このときロータ１７２からの押圧力をゴム板１７３を介して受けている可動導体１００は、ゴム板１７３からの摩擦力を受けてロータ１７２か回転した方向に沿って移動する。基板部材１０１は、カバー１７１の面に固定されているためロータ１７２が回転しても移動しない。したがって、可動導体１００は固定された基板部材１０１の上を入力信号電極００９から出力信号電極０１０に向かう方向又はその逆方向に沿って移動する。
【０１７７】
この可動導体１００の基板部材１０１上の移動により、実施例１における連続可変減衰器００１の減衰量Αの変化等の動作が実行される。そして、ロータ１７２の突起部の指標が１０（ｄＢ）を指し示す場所に位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝４（ｍｍ）となり、ロータ１７２の突起部の指標が６（ｄＢ）を指し示す場所に位置したときに、可動導体１００の位置Ｌｘ＝１．３（ｍｍ）に位置するように構成されている。したがって、ロータ１７２の突起部の指標が１０（ｄＢ）を指し示す場所に位置したときに、連続可変減衰器００１の減衰量Α＝１０（ｄＢ）となり、ロータ１７２の突起部の指標が６（ｄＢ）を指し示す場所に位置したときに、連続可変減衰器００１の減衰量Α＝６（ｄＢ）となる。すなわち、本実施形態に係る連続可変減衰器００１は６（ｄＢ）〜１０（ｄＢ）の間で減衰量Αを連続的に変化させることが可能である。そして、第１実施形態係る連続可変減衰器００１の減衰量Αは、可動導体１００の位置に比例して推移していくため、６（ｄＢ）の目盛と１０（ｄＢ）の目盛との間における突起部の位置で現在の減衰量Αを把握することができる。
【０１７８】
以上では、基板部材１０１が第１の実施形態に係る実施例１の基板部材１０１を変形した場合で説明したが、これは他の実施形態に係る連続可変減衰器００１でも同様である。ただし、他の実施形態に係る連続可変減衰器００１では可動導体１００の位置にしたがって変化する変化量が異なる場合があるため、その場合には目盛の単位をその変化量に合わせる必要がある。また、本実施形態では、連続可変減衰器００１の減衰量Αを６（ｄＢ）までしか使用しなかったが、これはさらに低くしてもよく、０（ｄＢ）より大きな値であればいずれの値をとることも可能である。
【０１７９】
以上で説明したように、本実施形態に係る連続可変減衰器００１ではロータ１７２の突起部を回転させることで各実施形態に係る連続可変減衰器００１における可動導体１００の位置に対応する変化量を変化させることができる構成である。これにより、操作者は容易に変化量を変化させることが可能である。また、該変化量は可動導体１００の位置に比例するため、操作者は貫通孔の脇にふられた目盛の値を参照して容易に所望の値の変化量に調整することが可能となる。
【符号の説明】
【０１８０】
００１  分布定数型連続可変減衰器（連続可変減衰器）
００２  誘電体基板
００３  第１減衰部
００４  第１抵抗膜
００５  第２抵抗膜
００９  入力信号電極
０１０  出力信号電極
０１１  アースパターン
０１２  側面アース
０１４  裏面アース
１００  可動導体
１０１  基板部材
０２０  第２減衰部
０２１  第３抵抗膜
０２２  第４抵抗膜
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１８】
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