(57)【要約】【課題】本発明は電子回路の動作を確認する電子回路解析装置に関し、特にＩＢＩＳモデルを使用して回路解析を行う際、上記波形情報の測定精度が低い場合でも、誤った回路解析を行うことを防止する電子回路解析装置を提供するものである。【解決手段】負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置であって、上記波形情報から出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する手段と、上記切替手段の状態変化の際に流れる電流値が、上記切替手段の定常状態の電流値に対して許容できる許容電流値を設定する許容電流値設定手段と、上記設定された許容電流値と、電圧/電流特性と、負荷抵抗の値から、設定された前記許容電流値を越えない上記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出し、上記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形情報上の部分を強調表示する表示手段を有する構成である。【選択図】図１
2010009475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部の前記状態変化の際に流れる電力値が、前記切替手段の定常状態の電力値に対して許容できる許容電力値を設定する許容電力値設定部と、
該設定された許容電力値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された前記許容電力値を越えない前記切替部のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出部と、
前記切替部のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形情報上の部分を強調表示する表示部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
【請求項２】
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化の際に発生する出力電圧値が、前記切替部の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定部と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析部と、
該解析結果において、前記電圧値が前記許容電圧値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替部のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
【請求項３】
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部のスイッチィング特性の微分係数を算出する算出部と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
【請求項４】
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する算出部と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
【請求項５】
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の２倍の周期を持つ周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する確認部と、
前記算出した時間の１/２以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路の動作を確認する電子回路解析装置、電子回路解析方法、及び電子回路解析プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、ディジタルＬＳＩ（large scale integration）や、マルチチップモジュール等の回路素子の駆動電圧が低電圧化し、動作周波数についても高速化が図られている。かかる状況において、プリント回路基板（printed circuit board）の設計における素子の動作タイミングやノイズマージンは減少し、電子機器の設計が難しくなってきている。特に、動作タイミングについては、数ピコセコンド（ps）オーダでの解析精度が求められている。
【０００３】
一方、製品の開発期間は短くなっており、製品の製造前段階における迅速、かつ高精度な解析技術が要求されている。このため、高い解析精度を維持しつつ、解析時間の短い解析方法の確立が要望される。
【０００４】
かかる状況において、従来プリント回路基板設計における電子回路のシミュレーションで使用するＬＳＩ素子モデルとして、その利便性から素子の特定条件での動作結果を記述した動作モデルであるＩＢＩＳモデル（Input/Output Buffer Information Specification Model）の提供が行われている。
【０００５】
このＩＢＩＳモデルは半導体テクノロジィーの進歩と共に拡張され、今日ドライバ素子の立ち上がり、立ち下がりの過渡特性を表現する２つの方法が提供されている。一つは図１８（ａ）に示す負荷回路と、その負荷への時間に対する電圧変化を同図（ｂ）に示すモデル（ＲＡＭＰモデル）であり、このＲＡＭＰモデルはＴｒ／Ｔｆ時間のみを再現し、例えば立ち上がりでは電圧振幅２０％から８０％に変化する時間を記述し、立ち下がりでは電圧振幅８０％から２０％に変化する時間を記述する。
【０００６】
一方、もう一つの方法は、ある負荷条件下で波形を測定した特性を表現したモデル（Waveformモデル）である。図１９はこのモデルの負荷回路を示し、図２０はこの回路を使用した際の電圧変化を示す。この図２０に示す特性は、スイッチィング素子の立ち上がり時の特性であり、開始から終了までの電圧変化が各時刻に対応して交点情報として記述されている。尚、スイッチィング素子の立ち下がり時の電圧変化についても、同様に記述されている。
【０００７】
図２１は、上記Waveformモデルを使用して対象回路の解析処理を行う解析方法を示す。例えば、記憶装置３０に登録された解析対象回路情報はＩＢＩＳ使用条件の情報と共に、解析対象情報読み込み部３１によって読み取られ、回路情報読み込み部３２を介して解析モデル生成部３３に送られる。一方、WaveformモデルであるＩＢＩＳファイル３４は、ＩＢＩＳモデル読み込み部３５によって読み込まれ、解析モデル生成部３３に送られる。
【０００８】
解析モデル生成部３３では、解析対象回路に対してＩＢＩＳモデルを適用し、解析モデル３６を生成し、回路シミュレータ３７によって回路解析を行い、解析結果３８を得る。
特許文献１は上記ＩＢＩＳモデルの作成方法の発明であり、ユーザに対して短時間でＩＢＩＳモデルを提供するため、ユーザに提供する予定の全ての回路についてＩＢＩＳモデルを準備し、予めシミュレーションを行っておくことによって、ＩＢＩＳモデルを迅速に提供し、例えば半導体装置の開発時間を短縮するものである。
【０００９】
また、特許文献２は、素子モデルのチェック及び不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行ため、素子モデルの記述規定と記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて素子モデルの記述規定チェックを行い、逸脱する場合には上記修正案に従って素子モデルを修正し、不具合箇所の修正を迅速に行い、ユーザに提供する発明である。
【特許文献１】特開２００６−３２３４７０号公報
【特許文献２】特開２００２−２４５１１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のWaveformモデルによって行う回路シミュレーションにおいても、より高精度な解析結果を得るためには、以下の条件が求められる。すなわち、ａ．測定時の終端回路の終端電圧と終端抵抗値が適切であること、ｂ．測定プロット間隔が適切であること、ｃ．複数の波形間で測定条件が異なり、ある程度波形に差があること、ｄ．異なる波形間で波形測定の時間軸の絶対時間が同一であることである。
【００１１】
多くのＩＢＩＳモデルは、ＳＰＩＣＥ（Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis)モデルからの変換プログラムによる自動変換で作成されており、自動変換されたモデルでは上記ａ．〜ｃ．の条件が適切でない場合が多い。一方、実測から作成されたＩＢＩＳモデルでは、時間軸を厳密に合わせること（上記ｄ．の条件）が難しいため、時間と電圧の両方に測定誤差を含む問題がある。
【００１２】
このため、上記条件に合わないＩＢＩＳモデルを使用して解析処理を行った場合、トランジスタのスイッチング特性の誤差が大きくなり、解析の結果得られる波形の振幅が異常となり、また本来無いはずのリンギングや段差が発生する。例えば、図２２（ａ）はリンギングの例であり、波形の立ち上がり部分に、波動波形が生じている。また、同図（ｂ）は波形の立ち下がりに段差が生じた例である。
【００１３】
そこで、本発明はＩＢＩＳモデルの電圧/電流特性から切替手段（トランジスタ）のスイッチィング特性を算出し、算出された切替手段（トランジスタ）内部のスイッチィング特性が正しいかのチェックと精度に関する情報の算出を行う電子回路解析装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題は本発明によれば、負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、上記波形情報から上記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する手段と、上記切替手段の状態変化の際に流れる電流値が、上記切替手段の定常状態の電流値に対して許容できる許容電流値を設定する許容電流値設定手段と、設定された許容電流値と、上記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を越えない上記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、上記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった上記波形情報と同一時間軸上で表示し、上記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形情報上の部分を強調表示する表示手段とを有する電子回路解析装置を提供することによって達成できる。
【００１５】
このように構成することにより、ＩＢＩＳモデルを使用して回路解析を行う際、上記波形情報の測定精度が低い場合でも、誤った回路解析を行うことを防止できる。
また、上記スイッチィング特性の異常は、上記切替手段の状態変化の際に出力される電圧値が、上記切替手段の定常状態の電圧値に対して許容できる電圧値を設定することによ
っても判断することができ、スイッチィング特性の異常を判断して異常部分を強調表示することによって、ＩＢＩＳモデルを使用して回路解析を行う際、誤った回路解析を行うことを防止できる。
【００１６】
また、波形情報に対して微分係数を計算することによって、スイッチィング特性のチェックを行ない、負荷抵抗をスイープすることによって過渡特性時の電圧精度保障範囲の設定を行い、解析周波数の上限値をチェックして、適切な解析周波数を使用して回路解析を行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＩＢＩＳモデルに異常がある場合表示が行われ、ＩＢＩＳモデルを使用して回路解析を行う際、解析者はこの表示を確認し、誤った回路解析を行うことを回避できる。また、適切な負荷抵抗を使用し、電圧精度保障範囲内で回路解析を行い、また適切な解析周波数を使用して回路解析を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
図１は、本実施形態の電子回路解析装置の構成例を示す図である。
【００１９】
同図において、本例の電子回路解析装置は従来例（前述の図２１）に対して、トランジスタのスイッチング特性算出部、スイッチング特性記憶部、スイッチング特性チェック部、及びそのチェック結果記憶部、異常個所の表示部等の構成が追加されている。すなわち、記憶装置１に登録された解析対象回路情報は、前述と同様ＩＢＩＳ使用条件の情報と共に、解析対象情報読み込み部２によって読み取られ、回路情報読み込み部３を介して解析モデル生成部４に送信される。一方、WaveformモデルであるＩＢＩＳファイル５は、解析対象情報読み込み部２を介してＩＢＩＳモデル読み込み部６によって読み込まれ、解析モデル生成部４に送信される。
【００２０】
また、ＩＢＩＳモデル読み込み部６によって読み込まれたＩＢＩＳファイル５は、トランジスタのスイッチィング特性算出部７によって、スイッチィング特性（後述する(KPU(T))、(KPD(T))）が算出される。さらに、スイッチィング特性算出部７によって算出されたスイッチィング特性の情報は、スイッチィング特性記憶部８に記憶される。
【００２１】
スイッチィング特性記憶部８に記憶されたスイッチィング特性の情報は、更にスイッチィング特性チェック部９に送信される。スイッチィング特性チェック部９では、後述する方法によってスイッチィング特性の情報をチェックし、そのチェック結果をトランジスタのスイッチィング特性チェック結果記憶部１０に記憶する。このチェック結果は、前述の解析モデル生成部４に送信されると共に、トランジスタの特性＆異常個所表示部１１に送信される。
【００２２】
解析モデル生成部４では、トランジスタのスイッチィング特性のチェック結果を確認し、チェック結果に問題がなければ、解析モデル１２を生成し、回路シミュレータ１３によって対象回路の解析処理を行い、解析結果１４を出力する。
【００２３】
一方、スイッチィング特性チェック部９によって、トランジスタのスイッチィング特性に異常が検出された場合には、トランジスタの特性＆異常個所表示部１１に対応する表示が行われ、誤った解析結果を出力する可能性のある解析処理が行われることが回避される。
【００２４】
図２は上記構成の電子回路解析装置において、特に本発明の特徴的な処理を説明する図である。先ず、前述のＩＢＩＳファイルの読み込み処理を行い（ステップ（以下、Ｓで示す）１）、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を計算する（Ｓ２）。
【００２５】
次に、制限値Klimit_min、Klimit_maxの設定方法別処理を判断する（Ｓ３）。この制限値Klimit_min、Klimit_maxは、後述するように電流値、電圧値等で設定する。例えば、許容電流値から制限値を求める場合には、処理（Ｓ４）によって上記制限値Klimit_min、Klimit_maxを計算する。また、許容電圧値から制限値を求める場合には、処理（Ｓ５）によって計算を行う。さらに、直接設定する場合には、処理（Ｓ６）によって設定値を読み込む。
【００２６】
次に、前述のスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が、上記設定に基づいて決定された制限値の間（Klimit_min〜Klimit_max）にあるかチェックを行い（Ｓ７）、チェック結果を得る（Ｓ８）。
【００２７】
次に、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を、後述する微分係数を計算してチェックを行い、チェック結果を得る（Ｓ１０）。また、後述する負荷特性スイープによるＯＳ（オーバーシュート）／ＵＳ（アンダーシュート）電圧精度保障範囲を判定し（Ｓ１１）、ＯＳ／ＵＳ電圧精度保障範囲を設定する（Ｓ１２）。さらに、後述する解析周波数の上限チェックを行い（Ｓ１３）、解析周波数の上限値を設定する（Ｓ１４）。尚、上記それぞれの処理については、後述する実施形態において説明する。
【００２８】
先ず、本実施形態１の説明では、上記許容電流値から制限値Klimit_min、Klimit_maxを求め（Ｓ４）、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))をチェックする例について説明する。尚、許容電圧値から制限値を求め（Ｓ５）、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))をチェックする例については、実施形態２において説明する。
【００２９】
図３は本例のＩＢＩＳモデルを説明する図であり、同図（ａ）は出力回路（ＬＳＩ）と出力ピンの概略構成を示し、同図（ｂ）はその等価回路を示す。尚、同図（ｂ）に示す等価回路は、プルアップ側トランジスタＴｒＵとプルダウン側トランジスタＴｒＤ、パワークランプＤ１、グランドクランプＤ２、容量Ｃ、及びインダクタンス素子Ｌpkg、容量素子Ｃpkg、抵抗素子Ｒpkgで構成されている。
【００３０】
図４は、更にトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を説明する回路である。(KPU(T))はプルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示し、(KPD(T))はプルダウン側のトランジスタのスイッチィング特性を示す。また、プルアップ側及びプルダウン側のトランジスタ素子のそれぞれのオン、オフは以下のように示す。すなわち、プルアップ側のトランジスタのオン時のスイッチィング特性は(KPU_ON(T))で示し、オフ時のスイッチィング特性は(KPU_OFF(T))で示し、プルダウン側のトランジスタのオン時のスイッチィング特性は(KPD_ON(T))で示し、オフ時のスイッチィング特性は(KPD_OFF(T))で示す。
【００３１】
また、図５はＩＢＩＳモデルとして提供されるWaveform波形を示し、定常波形（Typ）、最大波形（Max）、最小波形（Min）の３つの波形で提供される。解析者はこの情報に基づいて、トランジスタの立ち上がり、及び立ち下がり特性を算出し、スイッチィング特性のチェックを行う。
【００３２】
前述のように、本例は制限値Klimit_min、Klimit_maxを許容電流値を基準に設定するものであり、トランジスタのスイッチィング特性の異常を上記制限値（閾値）を越えるか否
かによって判定する。
【００３３】
図６は、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示すものであり、スイッチィング時の上限及び下限の閾値を設定し、この閾値内にトランジスタのスイッチィング特性が収まるか否かの判定を行う。すなわち、同図に示すように閾値として上限値Klimit_max、及び下限値Klimit_minを設定し、例えばトランジスタがオンする際（オフ→オン）、上記上限値Klimit_maxを越えないかチェックし、トランジスタがオフする際（オン→オフ）、上記下限値Klimit_minを越えないかチェックする。
【００３４】
図７は、本例を具体的に説明する図であり、許容電流値を指定してKlimit_max、及びKlimit_minの値を決定するものである。同図において、特性（曲線）αはプルアップ側のトランジスタがオンの場合の定常状態での電圧−電流特性（以下、Ｖ−Ｉ特性で示す）である。また、特性（直線）βは終端回路の負荷直線である。
【００３５】
ここで、過渡特性における電流の許容値を設定するための変数を定義する。例えば、上記定常状態におけるＶ−Ｉ特性αと負荷直線βの交点であるＨの出力電流をＩ（Ｈ）とし、この出力電流Ｉ（Ｈ）に対してどれだけの電流量を流してもよいかの許容マージンを同図に示すImargin low とする。同様に、定常状態におけるＬの出力電流Ｉ（Ｌ）に対してどれだけの電流量を流してもよいかの許容マージンをImargin high とする。
【００３６】
次に、上記マージンを加えた電流値となる負荷直線β上の点を算出し、Ｂ点、ｂ点を求める。すなわち、上記定常状態Ｈに対してマージン（Imargin low）を加えた電流値下限のラインＬ１と、負荷直線βとの交点Ｂを求める。  次に、上記Ｂ点と同じ電圧となる定常状態のＶ−Ｉ特性α上の点をＡ点求める。そしてＢ点を通るＶ−Ｉ特性α１をPU_VI(Vout)×(B/A)により計算する。同様に、上記定常状態Ｌに対してマージン（Imargin high）を加えた電流値上限のラインＬ２と、負荷直線βとの交点ｂを求める。  次に、上記ｂ点と同じ電圧となる定常状態のＶ−Ｉ特性α上の点をａ点求める。そしてｂ点を通るＶ−Ｉ特性α２をPU_VI(Vout)×(b/a)により計算する。
【００３７】
ここで、定常状態におけるＶ−Ｉ特性αのＡ点はトランジスタがオンした際の過渡特性のマージンを越えないぎりぎりの電流値であり、ａ点はトランジスタがオフした際の過渡特性のマージンを越えないぎりぎりの電流値である。
【００３８】
したがって、Klimit_max＝（Ｂ点での電流値／Ａ点での電流値）とし、Klimit_min＝（ｂ点での電流値／ａ点での電流値）とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。
【００３９】
尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に処理することができる。
図８は上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が上記しきい値を越えて異常であると判断した場合の表示方法を示す図である。この場合、スイッチィング特性(KPU(T))に対して、異常個所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPU(T))の異常個所を表示することができる。尚、同図ではプルアップ側について説明したが、プルダウン側でも同様に異常箇所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPD(T))の異常個所を表示することができる。
【００４０】
また、図９は出力電圧の波形に異常個所が存在する時刻に色を付加する表示である。このように構成することによっても、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常個所が
分かる。
【００４１】
以上のように、解析者はＩＢＩＳモデルを使用して解析を行う場合、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、上記図８及び図９に示すように、表示部に異常が表示され、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))に異常があり、当該ＩＢＩＳモデルを使用することが不適切であることを容易に知ることができる。
【００４２】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。
本例においても、前述の図６に示すように閾値として上限値Klimit_max、及び下限値Klimit_minを設定し、トランジスタがオンする際（オフ→オン）、上記下限値Klimit_min〜上記上限値 Klimit_maxの間にあるかのチェックを行う。同様にトランジスタがオフする際（オン→オフ）、上記下限値Klimit_min〜上記上限値Klimit_maxの間にあるかのチェックを行うものであり、本例では許容電圧値を指定してKlimit_max、Klimit_minの基準とするものである。
【００４３】
図１０は、本例を説明する図であり、前述と同様、特性（曲線）αはプルアップ側のトランジスタの定常状態を示すＶ−Ｉ特性であり、特性（直線）βは終端回路の負荷直線である。
【００４４】
本例では、前述の電流に代えて、過渡特性における許容電圧を設定するための変数を定義する。すなわち、定常状態におけるＶ−Ｉ特性αと負荷直線βの交点であるＨの出力電圧をＶout（Ｈ）とし、この出力電圧Ｖout（Ｈ）に対してどれだけの割合でマージンを許容するかを設定する。例えば、本例では許容するマージンをＶout（Ｈ）×Vmargin highとする。同様に、定常状態におけるＬの出力電圧をＶout（Ｌ）とし、本例ではこの出力電圧Ｖout（Ｌ）に対してＶout（Ｌ）×Vmargin lowのマージンを許容する。
【００４５】
次に、上記マージンを加えた電圧値となる負荷直線β上の点を算出し、Ｂ点、ｂ点を求める。本例では、上記定常状態Ｈに対してマージン（Ｖout（Ｈ）×Vmargin high）を加えた許容電圧のラインはＬ３である。次に、上記Ｂ点と同じ電圧となる定常状態のＶ−Ｉ特性α上の点を求める。すなわち、上記Ｂ点と同じ電圧のＡ点と、ｂ点と同じ電圧のａ点を求める。ラインＬ３と負荷直線βとの交点Ｂを求める。そしてＢ点を通るＶ−Ｉ特性α３をPU_VI(Vout)×(B/A)により計算する。同様に、ｂ点についても、上記定常状態Ｌに対してマージン（Ｖout（Ｌ）×Vmargin low）を加えた許容電圧のラインはＬ４であり、ラインＬ４と負荷直線βとの交点ｂを求める。そしてｂ点を通るＶ−Ｉ特性α４をPU_VI(Vout)×(b/a)により計算する。
【００４６】
ここで、定常状態におけるＶ−Ｉ特性αのＡ点はトランジスタがオンした際の過渡特性のマージン（Ｖout（Ｈ）×Vmargin high ）を越えないぎりぎりの値であり、ａ点はトランジスタがオフした際の過渡特性のマージン（Ｖout（Ｌ）×Vmargin low）を越えないぎりぎりの値である。
【００４７】
したがって、本例においても、Klimit_max＝（Ｂ点での電流値／Ａ点での電流値）とし、Klimit_min＝（ｂ点での電流値／ａ点での電流値）とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。
【００４８】
尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のト
ランジスタについても同様に処理することができる。
また、上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が異常であると判断した場合には、前述と同様、図８に示すように異常個所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常個所を表示することができる。また、図９に示すように、波形の異常個所を表示するようにしてもよい。
【００４９】
以上のように、本例においても、解析者はＩＢＩＳモデルを使用して解析を行った場合、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、上記図８及び図９に示すように、ディスプレイに異常が表示され、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))に異常があり、当該ＩＢＩＳモデルを使用することが適切でないことを容易に知ることができる。
【００５０】
尚、図１１はプルアップ側のトランジスタの特性が定電流特性に近い特性を有する場合の例であり、前述と同様の処理を行ってスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常を知ることができる。すなわち、定常状態におけるＶ−Ｉ特性αと負荷直線βの交点である前述のＨの出力電圧をＶout（Ｈ）とし、この出力電圧Ｖout（Ｈ）に対して許容するマージンをＶout（Ｈ）×Vmargin highとする。同様に、定常状態におけるＬの出力電圧をＶout（Ｌ）とし、本例ではこの出力電圧Ｖout（Ｌ）に対してＶout（Ｌ）×Vmargin lowのマージンを許容する。
【００５１】
次に、上記マージンを加えた電圧値となる負荷直線β上の点を算出し、Ｂ点、ｂ点を求める。本例では、上記定常状態Ｈに対してマージン（Ｖout（Ｈ）×Vmargin high）を加えた許容電圧のラインはＬ５であり、対応するＶ−Ｉ特性α５と負荷直線βとの交点Ｂを求める。同様に、ｂ点についても、上記定常状態Ｌに対してマージン（Ｖout（Ｌ）×Vmargin low）を加えた許容電圧のラインはＬ６であり、対応するＶ−Ｉ特性α６を計算し、このＶ−Ｉ特性α６と負荷直線βとの交点ｂを求める。
【００５２】
次に、前述と同様、上記Ｂ点ど同じ電圧となる定常状態のＶ−Ｉ特性α上の点であるＡ点とａ点を求める。そして、前述と同様、Klimit_max＝（Ａ点での電流値／Ｂ点での電流値）とし、Klimit_min＝（ａ点での電流値／ｂ点での電流値）とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。
【００５３】
尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に実施することができる。
また、上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が異常であると判断した場合には、前述と同様、図８又は図９に示すように異常個所に色等を付加し、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が異常であることを表示するように構成する。
【００５４】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について説明する。
本例は負荷抵抗をスイープすることによって、電圧精度を保障する負荷抵抗の範囲の判定を行うものである。以下、具体的に説明する。
【００５５】
スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))は、測定時の負荷抵抗によって、その値に含まれる誤差の量が変わる。例えば、大きな負荷抵抗が接続された状態でＩＢＩＳモデルの過渡特性が測定された場合、負荷抵抗に流れる電流量は小さくなる。この場合、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))は定常状態のＶ−Ｉ特性と過渡状態のＶ−Ｉ特性比で定義されるため、負荷抵抗に流れる抵抗値が小さくなると、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD
(T))の値は電流値が少し変動しただけで大きく変化し、誤差が大きくなる。一方、負荷抵抗がドライバ素子の出力抵抗に比べて極端に小さい場合、電圧を少し変化させるために大きな電流差が必要になり、誤差が大きくなる。したがって、ドライバ素子の出力抵抗値と負荷抵抗の値が大きく違うことがない範囲で測定することが精度よいスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の測定条件である。
【００５６】
しかし、現実に提供されるＩＢＩＳモデルは、様々な条件で作成されたものであり、ＩＢＩＳモデルの過渡特性の測定条件とは大きく異なる負荷条件で解析を行った場合、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の誤差により解析精度に大きな影響がでる。
【００５７】
特に、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が大きな値になると、現実には起こり得ないような異常に大きな電圧となる。そこで、本例ではＩＢＩＳモデルから求めたスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を用いて、負荷抵抗を変化させた時に発生するＯＳ（オーバーシュート）電圧、ＵＳ（アンダーシュート）電圧を求め、接続する負荷によって振幅に対してＯＳ電圧、ＵＳ電圧が大きすぎることがないかのチェックを行う。
【００５８】
以下に、０Ｖ終端で負荷抵抗を変化させた時のプルアップ側のトランジスタが出力する振幅例を示す。図１２は本実施形態を説明する図である。上記のように、本例では負荷抵抗をスイープし、スイッチィング特性(KPU(T))から負荷変更時のＶoutのＯＳ電圧を算出する。
【００５９】
同図において、αは定常状態のプルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示す。また、βは負荷直線（負荷抵抗）を示し、本例では負荷抵抗をスイープするため、β１、β２、β３、β４の４本の負荷直線を例示している。ここで、一点鎖線両矢印で示すＶampは、定常状態において負荷抵抗を変化させた時の出力（振幅）を示す。例えば、負荷直線がβ１の時振幅はＶamp１であり、負荷直線がβ２の時振幅はＶamp２であり、負荷直線がβ３の時振幅はＶamp３であり、負荷直線がβ４の時振幅はＶamp４である。
【００６０】
次に、ＯＳ電圧が振幅に対して大きくなりすぎないための負荷抵抗の保障範囲を設定するため、前述の実施形態において取得したスイッチィング特性の最大値ＫＭＡＸとして、Ｖ−Ｉ特性α１を使用し、負荷抵抗を変化させた時の最大値ＫＭＡＸを満たす定常電圧からのＯＳ電圧をＶＯＳmarginとして取得する。具体的には、同図に示す実線両矢印ＶＯＳmargin１〜４が対応し、振幅に対するマージンの割合（ＶＯＳmargin／Ｖamp）を計算し、この値が一定値の範囲に収まっているかチェックする。上記マージン割合（ＶＯＳmargin／Ｖamp）が一定値の範囲に収まっていれば、ＩＢＩＳモデルの解析が可能であることが分かる。
【００６１】
以上のように、本例によれば負荷抵抗をスイープすることによって、上記マージン割合（ＶＯＳmargin／Ｖamp）を計算し、予め設定した一定値の範囲に収まっていれば、負荷条件に関係なくＩＢＩＳモデルを使用することができる。一部の負荷条件で範囲内に収まっていなければ、解析実行時にドライバ素子の動作状態から接続されている負荷を算出し、算出された負荷が、前に求めたスイープで求めた精度のでる範囲内に収まっているかをチェックすることで精度の出る解析かを判定することができる。
【００６２】
図１３は上記負荷抵抗を変化させる場合において、負荷抵抗の設定方法を説明するものである。本例では、トランジスタ素子の最大許容電流をＩmaxとし、この最大許容電流Ｉmaxを任意の数値で分割する。本例では４分割する例を示す。
【００６３】
この場合、４分割した電流値と最大値ＫＭＡＸ×ＰＵ_ＶＩ（Ｖout）の特性の交点を求める。例えば、上記例ではβ１との交点がＲ１であり、β２との交点がＲ２であり、β３
との交点がＲ３であり、β４との交点がＲ４である。尚、分割数は上記４に限るものではない。
【００６４】
また、図１４は負荷抵抗スイープによるＵＳ電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。本例においても、負荷抵抗をスイープするため、β１、β２、β３、β４の４本の負荷直線を例示し、一点鎖線両矢印で示すＶampは、定常状態において負荷抵抗を変化させた時の出力（振幅）を示す。例えば、負荷直線がβ１の時振幅はＶamp１であり、負荷直線がβ２の時振幅はＶamp２であり、負荷直線がβ３の時振幅はＶamp３であり、負荷直線がβ４の時振幅はＶamp４である。また、スイッチィング特性が異常値にならない保障範囲を設定するため、前述の実施形態において取得したスイッチィング特性の最小値ＫＭＩＮを使用し、負荷抵抗を変化させた時の最小値ＫＭＩＮを満たす定常電圧からのＵＳ電圧をＶＵＳmarginとして取得する。具体的には、同図に示す実線両矢印ＶＵＳmargin１〜４が対応し、振幅に対するマージンの割合（ＶＵＳmargin／Ｖamp）を計算し、この値が一定値の範囲に収まっているかチェックし、上記マージン割合（ＶＵＳmargin／Ｖamp）が一定値の範囲に収まっていれば、ＩＢＩＳモデルの解析が可能であると判断する。
【００６５】
以上のように、本例によっても、負荷抵抗をスイープすることによって、上記マージン割合（ＶＵＳmargin／Ｖamp）を計算し、予め設定した一定値の範囲に収まっていれば、負荷条件に関係なくＩＢＩＳモデルを使用することができると判断する。
【００６６】
（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４について説明する。
本例はトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか否かの判断を波形の微分値から判断する構成である。以下、具体的に説明する。
【００６７】
図１５は本例の処理を説明する図であり、同図（ａ）はスイッチィング特性(KPU(T))が正常な場合であり、同図（ｂ）、及び同図（ｃ）はスイッチィング特性(KPU(T))が異常な場合を示す。すなわち、同図に示すように、立ち上がり波形を微分することによって、正常であれば微分係数が増加→減少と１回だけ変化する。しかし、異常である場合、同図（ｂ）に示すように、微分係数が増加→減少→増加→減少となる。また、同図（ｃ）に示すように、微分係数が増加→減少→・・を何度も繰り返す。
【００６８】
したがって、過渡特性時の立ち上がり波形の微分係数を求めることによって、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか、異常であるか判断するものである。以上のように、本例によれば過渡特性時の立ち上がり波形の微分係数を求めることによって、スイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか、異常であるか判断することができ、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、スイッチィング特性(KPU(T))の異常を容易に知ることができる。
【００６９】
尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタの立ち上がりについて説明したが、立ち下がりについても同様にスイッチィング特性(KPU(T))の異常を知ることができる。また、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に処理することができる。
【００７０】
（実施形態５）
次に、本発明の実施形態５について説明する。
本例は電圧の許容誤差を指定して解析周波数の上限をチェックする構成である。以下、具体的に説明する。
【００７１】
ＩＢＩＳモデルはその動作をビヘイビアとして表現するため、解析周波数によって精度
が変わる。例えば、解析周波数が上がり、トランジスタのスイッチィング状態が定常状態に安定する前に次のパルスが入力する場合、ＩＢＩＳモデルに定義されたＶ−Ｉ特性とトランジスタのスイッチィング特性から計算される推測されたＶ−Ｉ特性を起点に次のスイッチィング動作に移ることになる。このように、推測された特性を起点にスイッチィングが行われると、スイッチィング時の起点となるＶ−Ｉ特性情報が正確ではないため、以後の解析結果波形の精度が低下する。
【００７２】
そこで、本例ではスイッチィング処理が完了する前の状態を電圧軸でどこまで許容するかの電圧許容誤差を与えることで、その誤差を満たす解析周波数の上限を求めるものである。
【００７３】
図１６は本例を説明する図であり、前述と同様αはプルアップ側のトランジスタがオンの場合の定常状態でのＶ−Ｉ特性であり、特性（直線）βは終端回路の負荷直線である。本例においては、許容誤差を満たすためのスイッチィング特性(KPU(T))の値の範囲を、例えばKpusw_min〜Kpusw_maxとし、以下の計算によって求める。すなわち、Kpusw_max＝Ａでの電流値／Ｂ点での電流値とし、Kpusw_min＝ａ点での電流値／ｂ点での電流値とし、上記波形の立ち上がりにおいて、Kpusw_min〜Kpusw_maxの範囲内において、次のスイッチィング動作を可能とするものであります。
【００７４】
尚、同図に示すＨ点、Ｌ点、Ｂ点、ｂ点、Ａ点、ａ点の意味、及び算出方法等は前述の実施形態１及び２と同様である。また、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に実施することができる。
図１７は、スイッチィング時間SW_TIMEを示す図である。同図（ａ）はプルアップ側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングであり、同図（ｂ）はプルダウン側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングである。また、同図（ｃ）はプルアップ側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングであり、同図（ｄ）はプルダウン側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングである。
【００７５】
本例においては、上記４パターンに対して誤動作を起こすことなく処理が可能な解析周波数として、例えば上限を１／（２×SW_TIME）とし、解析実行時に解析周波数が求めた上限の周波数を越えないかチェックする。このことによって、次のスイッチィング動作に入る前に前のスイッチィング動作が完了していないことがないように制御する。
【００７６】
（付記１）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電力値が、前記切替手段の定常状態の電力値に対して許容できる電力値を設定する電力値設定手段と、
該設定された許容電力値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電力値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する表示手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記２）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析
を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電流値を設定する電流値設定手段と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析手段と、
該解析結果において、前記電流値が前記許容電流値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替手段のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記３）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定手段と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する表示手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記４）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化の際に発生する出力電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定手段と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析手段と、
該解析結果において、前記電圧値が前記許容電圧値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替手段のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記５）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性の微分係数を算出する算出手段と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記６）
前記判断手段は、前記計数結果が２以上であるとき、前記スイッチィング特性が異常であると判断することを特徴とする付記５に記載の電子回路解析装置。
（付記７）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の２倍の周期を持つ周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する確認手段と、
前記算出した時間の１/２以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記８）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていないことを確認する確認手段と、
前記算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていない場合、解析精度保障範囲にあると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記９）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する算出手段と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
（付記１０）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる許容電流値を設定する処理と、
該設定された許容電流値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１１）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形特性を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する処理と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１２）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性の微分係数を算出する処理と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１３）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の２倍の周期を持つ周波数以下の周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する処理と、
前記算出した時間の２倍の周期を持つ周波数以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１４）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていないことを確認する処理と、
前記算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていない場合、解析精度保障範囲にあると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１５）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する処理と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
（付記１６）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置に使用されるプログラムであって、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる許容電流値を設定する処理と、
該設定された許容電流値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を前記電子回路解析装置に実行させるプログラム。
（付記１７）
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形特性を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置に使用されるプログラムであって、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する処理と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を前記電子回路解析装置に実行させるプログラム。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本実施形態の電子回路解析装置の処理を説明する図である。
【図２】電子回路解析装置において、特に本発明の特徴的な処理を説明する図である。
【図３】ＩＢＩＳモデルを説明する図であり、（ａ）は出力回路（ＬＳＩ）と出力ピンの概略構成を示し、（ｂ）はその等価回路を示す図である。
【図４】Waveformモデルを再現する等価回路図である。
【図５】Waveform波形を示し、定常波形（Typ）、最大波形（Max）、最小波形（Min）の３つの波形を説明する図である。
【図６】プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性の上限及び下限の閾値を説明する図である。
【図７】実施形態１を具体的に説明する図である。
【図８】トランジスタのスイッチィング特性が上記しきい値を越えて異常であると判断した場合の表示方法を示す図である。
【図９】出力電圧の波形に異常個所が存在する時刻に色を付加する表示例を示す図である。
【図１０】実施形態２を説明する図である。
【図１１】プルアップ側のトランジスタの特性が定電流特性に近い特性を有する場合の例を説明する図である。
【図１２】実施形態３を説明する図であり、負荷抵抗スイープによるＯＳ電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。
【図１３】負荷抵抗を変化させる場合において、負荷抵抗の設定方法を説明する図である。
【図１４】実施形態３を説明する図であり、負荷抵抗スイープによるＵＳ電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。
【図１５】実施形態４の処理を説明する図であり、（ａ）はスイッチィング特性(KPU(T))が正常な場合を示す図であり、（ｂ）、及び（ｃ）はスイッチィング特性(KPU(T))が異常な場合を示す図である。
【図１６】実施形態５の処理を説明する図である。
【図１７】（ａ）はプルアップ側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、（ｂ）はプルダウン側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、（ｃ）はプルアップ側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、（ｄ）はプルダウン側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングを示す図である。
【図１８】（ａ）はＩＢＩＳモデルの回路図を示し、（ｂ）その時間に対する電圧変化を示す図である。
【図１９】ＩＢＩＳモデルの負荷回路を示す図である。
【図２０】図２０の回路を使用した際の電圧変化を示す図である。
【図２１】Waveformモデルを使用して対象回路の解析処理を行う解析方法を示す図である。
【図２２】（ａ）はトランジスタのスイッチング特性に生じるリンギングの例であり、ＫＰＵ（Ｔ）の立ち上がり部分に、波動波形が生じた例を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のリンギングのあるトランジスタのスイッチング特性の結果、負荷条件によっては立下り波形に本来無いはずの段差が生じる例を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１      記憶装置
２      解析対象情報読み込み部
３      回路情報読み込み部
４      解析モデル生成部
５      ＩＢＩＳファイル
６      ＩＢＩＳモデル読み込み部
７      トランジスタのスイッチィング特性算出部
８      トランジスタのスイッチィング特性記憶部
９      トランジスタのスイッチィング特性チェック部
１０      トランジスタのスイッチィング特性チェック結果記憶部
１１      トランジスタの特性＆異常個所表示部
１２      解析モデル生成
１３      回路シミュレータ
１４      解析結果
【図３】
2010009475.tif 000003
【図４】
2010009475.tif 000004
【図６】
2010009475.tif 000005
【図１８】
2010009475.tif 000006
【図１９】
2010009475.tif 000007
【図１】
2010009475.tif 000008
【図２】
2010009475.tif 000009
【図５】
2010009475.tif 000010
【図７】
2010009475.tif 000011
【図８】
2010009475.tif 000012
【図９】
2010009475.tif 000013
【図１０】
2010009475.tif 000014
【図１１】
2010009475.tif 000015
【図１２】
2010009475.tif 000016
【図１３】
2010009475.tif 000017
【図１４】
2010009475.tif 000018
【図１５】
2010009475.tif 000019
【図１６】
2010009475.tif 000020
【図１７】
2010009475.tif 000021
【図２０】
2010009475.tif 000022
【図２１】
2010009475.tif 000023
【図２２】
2010009475.tif 000024