(57)【要約】【課題】記録層が変質することなく、超解像層として用いる相変化層を結晶化することができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかる光学的情報記録媒体は、第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより、情報が記録される記録層１３を備える。また、レーザ光の光源と記録層１３との間に形成され、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層１７を備える。さらに、記録層１３と相変化層１７との間には、第１のレーザ光に対する透過率が第２のレーザ光に対する透過率よりも高い、中間層１５を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより情報が記録される記録層と、
レーザ光の光源と前記記録層との間に形成され、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層と、
前記記録層と前記相変化層との間に形成され、前記第１のレーザ光に対する透過率が前記第２のレーザ光に対する透過率よりも高い中間層とを少なくとも備える光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記中間層はＡｇを含む合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記Ａｇ合金はＡｇＰｄＣｕであることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記中間層の厚さは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記中間層の厚さは実質的に１０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項６】
前記中間層は、それぞれ組成の異なる第１の誘電体層と第２の誘電体層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項７】
前記第１の誘電体層はＺｎＳ−ＳｉＯ２からなり、前記第２の誘電体層はＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項８】
前記第１のレーザ光の波長をλ１、前記第２のレーザ光の波長をλ２として、
３８０ｎｍ≦λ１≦４３０ｎｍ及び６８０ｎｍ≦λ２≦９００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項９】
λ１は実質的に４０５ｎｍであり、λ２は実質的に８１０ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１０】
前記第１の誘電体層における前記第２のレーザ光に対する屈折率をｎ１、前記第２の誘電体層における前記第２のレーザ光に対する屈折率をｎ２として、
前記第１の誘電体層の厚さはλ２／４ｎ１であり、前記第２の誘電体層の厚さはλ２／４ｎ２であることを特徴とする請求項８または９に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１１】
前記第２の波長のレーザ光を照射して相変化層を結晶化した後に、前記第１のレーザ光を記録層に照射して情報の記録及び再生を行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１２】
第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより情報が記録される記録層を形成する工程と、
第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層を、レーザ光の光源と前記記録層との間に形成する工程と、
前記第１のレーザ光に対する透過率が前記第２のレーザ光に対する透過率よりも高い中間層を、前記記録層と前記相変化層との間に形成する工程とを少なくとも備える光学的情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学的情報記録媒体に関し、特に追記型の超解像光学的情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光照射により情報の再生を行う光学的情報記録媒体の１例として、光ディスクが知られている。光ディスクはその機能によって、記録された情報の再生だけを行う再生専用型（ＲＯＭ：Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、１回だけ記録可能な追記型、データの書き換えが可能な書き換え型とに区分される。このうちＲＯＭは、射出成型という技術を用いることで、廉価にかつ高速に大量複製ができることから、画像あるいはパッケージソフト等の配布媒体として広く普及している。ＲＯＭの普及に牽引される形で、追記型及び書き換え型の市場も拡大してきた。今後、画像の高品質化がさらに進展することを考慮すると、光ディスクにはさらなる大容量化が望まれる。
【０００３】
光ディスクの容量は、情報の再生に用いられるレーザ光のビーム径に依存している。ビーム径が小さいほど、より高密度な情報を誤り無く再生することが可能となる。レーザダイオードから出射した光は、対物レンズを通じて集束するが、回折の影響により一点には集束されず、有限の大きさを有する集光スポットが形成される。一般にこれを回折限界と呼んでおり、レーザ光の波長がλ、対物レンズの開口数がＮＡである場合、λ／(４ＮＡ) が再生分解能の限界となる。
【０００４】
例えば、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の場合には、１５６ｎｍ以下の長さのピットを正確に読みとることはできない。１５６ｎｍ以下の長さのピットを正確に読みとるには、レーザ光の波長を４０５ｎｍより短くするか、対物レンズの開口数を０．６５より大きくする必要がある。しかし、現在のレーザ技術では、短波長のレーザを提供するのには限界がある。また、４０５ｎｍより短い波長の光に対しては、光ディスクに一般的に用いられているポリカーボネート基板が透明ではなくなってしまう。さらに、開口数を大きくしようにも、高ＮＡの対物レンズは製造コストが高いといった問題がある。さらに、対物レンズの開口数が大きくなるほど、ピックアップと光ディスク間の距離が小さくなるため、光ヘッドと光ディスクが衝突して光ディスク表面が損傷し、データ損失が生じる恐れが大きくなる。
【０００５】
この問題に対する対策として、特許文献１に開示されているような、回折限界を超えて再生分解能を向上させる媒体超解像技術が知られている。媒体超解像においては、温度あるいは光強度により、光学特性が非線形に変化する超解像層を利用した媒体が用いられる。
【０００６】
図６は、相変化層を超解像層として用いた場合の、一般的な光ディスクの上面図である。図６では、超解像光ディスクの透明基板に予め形成された、記録マークであるピット６０の列を拡大して表している。この光ディスク上に、対物レンズを通過したレーザ光が照射されて、集光スポット６１が形成される。また、照射されたレーザ光は相変化層に吸収され、相変化層の温度が上昇する。温度が上昇した領域のうち、特に相変化層の融点を超えた溶融領域では、相変化層が固相状態から液相状態に変化することで反射率が上昇し、記録マークを再生する開口６２として機能することになる。この結果、再生に寄与する開口６２の大きさを、回折限界で決まる集光スポット６１のサイズよりも小さくできる。よって、回折限界以下の微小な記録マークの情報を、超解像再生信号として読み取ることができる。
【０００７】
また、こうした相変化層はＲＯＭのみではなく、特許文献２に記載されている追記型の光ディスクのような光学的情報記録媒体においても超解像層として利用することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−８９５１１号公報
【特許文献２】特開２００４−２２０６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の超解像機能を有する相変化層を、追記型の光学的情報記録媒体に適用する場合の動作について説明する。図７及び８は、相変化層を超解像層として用いた場合の、追記型の光学的情報記録媒体の記録マーク位置を示す記録層の断面図（ａ）と、相変化層の上面図（ｂ）である。
【００１０】
情報の記録の際には、図７（ａ）に示す記録層７４へ記録光が照射されて記録マーク７５が形成される。また、図７（ｂ）に示すように、成膜直後の相変化層７０は一般に非晶質状態であるため、記録開始前においては、相変化層７０は非晶質状態である。記録光が照射される、記録マーク７５が形成される部分の相変化層７０の一部には、融点以上に昇温して溶融し、その後結晶化する結晶領域７１が形成される。また、結晶領域７１の周辺領域では、相変化層７０は溶融しないものの、結晶化温度以上にまで昇温するため結晶化する結晶領域７２が形成される。相変化層７０で結晶化されない部分はそのまま非晶質状態で残り、非晶質領域７３となる。
【００１１】
超解像再生を行う場合は、図８（ｂ）に示すように、トラック中心部では、記録の際に形成された結晶領域７１より狭い範囲の溶融部８１において、相変化層７０が溶融後結晶化する。これは、記録パワに比べて再生パワの方が低いためである。この結果、再生ビームが形成する集光スポット８２内には、Ｒ１（非晶質）、Ｒ２（溶融）、Ｒ３（溶融後結晶）、Ｒ４（溶融せずに結晶）の４種類の反射率を有する領域が混在することとなる。より微小な記録マークの再生を可能とするには、マスク（溶融部）とマスク外の反射率コントラストを大きくする必要がある。ところが、追記型の光ディスクは、記録感度や再生光耐性等、設計上の制約が多く、各膜の膜厚を自由には変化させられないので、例えば、Ｒ２を、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれに対しても大きくすることは難しい。また、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４の反射率をほぼ等しくしておかないと、その反射率の差が不要なノイズとなって信号に混入するため、再生信号のＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ）を低下させてしまう。
【００１２】
この問題を解決するには、記録層７４への記録開始に先立って、図９のように相変化層７０を広範囲にわたって結晶化して、結晶領域９１を形成する初期化を行うことが考えられる。相変化層の結晶化（初期化）は、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ  −  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＤＶＤ−ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ  −  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）などに適用される初期化装置を用いて行うことができる。相変化層は初期化条件に依存して様々な結晶状態を取りうるが、超解像再生の際に、集光スポット中心で生じる溶融結晶状態と同一となるよう、相変化層が溶融する程度の高パワのレーザ光を照射して初期化を行うことが好ましい。
【００１３】
しかしながら、上述のような追記型の光ディスクにおいては、初期化の際に記録層もレーザ光を吸収して変質してしまう。この結果、初期化後は、記録層が記録済み状態となってしまい、本来記録すべきデータを記録できなくなるという問題が生じる。
【００１４】
本発明は、記録層が変質することなく、超解像層として用いる相変化層を結晶化することができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一態様の光学的情報記録媒体は、第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより情報が記録される記録層と、レーザ光の光源と前記記録層との間に形成され、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層と、前記記録層と前記相変化層との間に形成され、前記第１のレーザ光に対する透過率が前記第２のレーザ光に対する透過率よりも高い中間層とを少なくとも備えるものである。
【００１６】
本発明の一態様の光学的情報記録媒体の製造方法は、第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより情報が記録される記録層を形成する工程と、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層を、レーザ光の光源と前記記録層との間に形成する工程と、前記第１のレーザ光に対する透過率が前記第２のレーザ光に対する透過率よりも高い中間層を、前記記録層と前記相変化層との間に形成する工程とを少なくとも備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、記録層が変質することなく、超解像層として用いる相変化層を結晶化することができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１にかかる光学的情報記録媒体の断面図である。
【図２】実施の形態２にかかる光学的情報記録媒体の断面図である。
【図３】実施例２にかかる光学的情報記録媒体の断面図である。
【図４】実施例３にかかる光学的情報記録媒体の断面図である。
【図５】比較例３にかかる光学的情報記録媒体の断面図である。
【図６】光学的情報記録媒体の上面図である。
【図７】光学的情報記録媒体の記録層の断面図（ａ）、相変化層の上面図（ｂ）である。
【図８】光学的情報記録媒体の記録層の断面図（ａ）、相変化層の上面図（ｂ）である。
【図９】光学的情報記録媒体の記録層の断面図（ａ）、相変化層の上面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態１
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
図１は、実施の形態１にかかる光学的情報記録媒体の構成を模式的に示す断面図である。この光学的情報記録媒体は、図１に示すように、基板１０側から順に、Ａｇ合金からなる反射層１１、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、Ａｇ合金からなる中間層１５、誘電体層１６、相変化層１７、誘電体層１８、光透過層１９が積層されている。
【００２１】
この光学的情報記録媒体において、相変化層１７の結晶化（初期化）を行うために、初期化光として、例えば波長８１０ｎｍのレーザ光を照射すると、相変化層１７は光吸収により温度が上昇して溶融し、その後冷却されて結晶化する。
【００２２】
また、中間層１５に用いられているＡｇ合金は、例えば、赤色光（波長にしておよそ６５０〜８１０ｎｍの範囲）に対する透過率が低い。従って、相変化層１７を透過した初期化光は、中間層１５で阻止され、記録層１３にはほとんど到達しない。よって、記録層１３が初期化光を吸収して変質することを防止できる。  
【００２３】
また、相変化層１７は初期化光を吸収して発熱する。そして、その熱が拡散し、他の層の温度を上昇させる。しかし、Ａｇ合金の熱拡散率は十分に高いので、ヒートシンクとして機能する。よって、記録層１３の温度上昇を十分に低く抑えることができる。従って、熱拡散による温度上昇に起因する記録層１３の変質も併せて防ぐことができる。
【００２４】
また、Ａｇ合金は、情報の記録・再生に用いられる、例えば波長４０５ｎｍ前後の記録再生光に対しては透過率が高い。よって、記録再生光は、中間層１５を透過して記録層１３に到達するので、中間層１５が記録及び再生の障害となることはない。
【００２５】
従って、本構成によれば、記録層１３が変質することなく、相変化層１７の初期化を行うことができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体を実現することができる。
【００２６】
実施例１
実施例１では、実施の形態１にかかる光学的情報記録媒体において、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネートからなる基板１０側から順に、厚さ１００ｎｍのＡｇＰｄＣｕからなる反射層１１、厚さ２０ｎｍのＳｉＮからなる誘電体層１２、厚さ１０ｎｍのＣｏ３Ｏ４からなる記録層１３、厚さ３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層１４、厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕからなる中間層１５、厚さ７０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層１６、厚さ１０ｎｍのＳｂ８０Ｔｅ２０からなる相変化層１７、厚さ３５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層１８をスパッタリングにより積層し、さらにその上に、厚さ０．１ｍｍの紫外線硬化樹脂からなる光透過層１９を積層した。
【００２７】
また、基板１０には、ピッチ０．３２μｍ、深さ２０ｎｍのトラッキング用案内溝を形成した。（不図示）。
【００２８】
本実施例では、初期化光には波長８１０ｎｍのレーザ光を、記録再生光には波長４０５ｎｍのレーザ光を用いた。
【００２９】
本実施例の中間層１５である、厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ膜における光の透過率を測定したところ、初期化光に対しては約２０％であったのに比べ、記録再生光に対しては約６０％とより高い透過率を実現することができた。
【００３０】
また、本実施例の記録層１３における初期化光の吸収率は１．１％（設計値）と、記録層１３の変質を防ぐのに十分な程度に低い値であった。
【００３１】
この光学的情報記録媒体において、ＮＡ＝０．５５の光ヘッドを有する初期化装置を用い、初期化光を照射して相変化層１７の結晶化を行った。具体的には、初期化時間短縮のために、初期化装置に搭載されているレーザ光の集光スポット径は約１００μｍとした。また、線速７．５ｍ／ｓ、照射レーザパワ８００ｍＷの条件において、集光スポットをディスク１回転あたり５０μｍずつ半径方向に移動させて初期化を行った。
【００３２】
初期化後にＮＡ＝０．８５の光ヘッドを用いて記録再生光を照射し、線速４．９２ｍ／ｓ、記録クロック周波数１３２ＭＨｚの条件で（１−７）変調されたランダムデータの記録再生を行ったところ、記録パワ１５ｍＷ、再生パワ２．７〜３．３ｍＷの範囲において、１０−５以下の良好な誤り率が得られた。
【００３３】
従って、実施例１では、記録層１３が変質して記録済み状態になることなく、相変化層１７の結晶化を行うことができた。
【００３４】
なお、例えば、中間層を有しない構成の光学的情報記録媒体において、誘電体層や相変化層の材料選択や層の厚さを最適化することで、初期化光に対する記録層の吸収率を本実施例と同程度にできる可能性はある。しかし、この制約を課した上で、記録再生光による良好な記録再生特性を確保するのは困難である。
【００３５】
一方、本実施例で用いたような中間層を設ければ、記録層における初期化光の吸収率は必然的に小さくなる。よって、記録再生光を用いた記録再生特性のみに着目して各層の厚みを最適化すれば良く、簡易に追記型の超解像光学的情報記録媒体を得ることができる。
【００３６】
比較例１
実施例１と同様の構成の光学的情報記録媒体を用いて、相変化層１７を初期化せずに、情報の記録及び再生を行った。記録の際の線速および記録クロック周波数は実施例１と同様とした。本比較例では、相変化層１７の初期化を行わなかったため、記録開始の際の相変化層１７は非晶質状態であり、記録パワは１４ｍＷと実施例１よりやや低かった。また、再生パワを様々に変化させたが、１０−３以下の誤り率を得ることはできなかった。これは、記録再生光の集光スポット内に非晶質領域や結晶領域が混在し、Ｓ／Ｎが低くなってしまったことが原因と考えられる。
【００３７】
よって、相変化層１７の初期化を行うことにより、誤り率を低減し、かつ再生の際のＳ／Ｎを向上させることができることを確認できた。
【００３８】
実施の形態２
図２は、実施の形態２にかかる光学的情報記録媒体の構成を模式的に示す断面図である。この光学的情報記録媒体は、図２に示すように、基板２０側から順に、Ａｇ合金からなる反射層２１、誘電体層２２、記録層２３、屈折率の異なる２種類の誘電体層が繰り返して形成されている中間層２５、相変化層２７、誘電体層２８、光透過層２９が積層されている。
【００３９】
中間層２５の光の透過率は、中間層２５の設計を最適化することで、記録再生光に対しては高く、初期化光に対しては低くすることができる。中間層２５は上述のように、屈折率の異なる２種類の誘電体層が繰り返し形成されている。ここで、一方の誘電体層の屈折率をｎ１、もう一方の誘電体層の屈折率をｎ２とし、ｎ１＞ｎ２とする。初期化光の波長をλとして、中間層２５の初期化光に対する透過率を小さくするには、それぞれの誘電体層の厚みを、λ／４ｎ１及びλ／４ｎ２とすれば、中間層２５は初期化光に対する高反射条件を満たし、初期化光が透過することを阻止できる。
【００４０】
従って、本構成によれば、記録層２３が変質することなく、相変化層２７の初期化を行うことができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体を実現することができる。
【００４１】
実施例２
実施例２では、実施の形態２にかかる光学的情報記録媒体において、中間層を３層の誘電体層で構成した。図３は、実施例２にかかる光学的情報記録媒体の構成を模式的に示す断面図である。実施例２では、図３に示すように、中間層２５１を、誘電体層２５１ａ、誘電体層２５１ｂ、誘電体層２５１ｃで構成した。その他の構成は図２と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
具体的には、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネートからなる基板２０に、基板２０側から順に、厚さ１００ｎｍのＡｇＰｄＣｕからなる反射層２１、厚さ２０ｎｍのＳｉＮからなる誘電体層２２、厚さ１０ｎｍのＣｏ３Ｏ４からなる記録層２３、３層の誘電体層２５１ａ〜ｃで構成された中間層２５１、厚さ１０ｎｍのＳｂ８０Ｔｅ２０からなる相変化層２７、厚さ５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層２８をスパッタリングにより積層し、さらにその上に、厚さ０．１ｍｍの紫外線硬化樹脂からなる光透過層２９を積層した。
【００４３】
中間層２５１は、厚さ１３５ｎｍのＳｉＯ２からなる誘電体層２５１ｂと、それを挟みこむ厚さ９０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層２５１ａ及びｃを積層して構成した。
【００４４】
また、基板２０には、ピッチ０．３２μｍ、深さ２０ｎｍのトラッキング用案内溝を形成した（不図示）。
【００４５】
本実施例では、初期化光には波長８１０ｎｍのレーザ光を、記録再生光には波長４０５ｎｍのレーザ光を用いた。
【００４６】
上述の中間層２５１の光の透過率を測定したところ、初期化光に対しては約４０％であったのに比べ、記録再生光に対しては約８５％と高い値とすることができた。
【００４７】
また、記録層２３における、初期化光に対する吸収率は１．５％（設計値）と、記録層２３の変質を防止するのに十分に低い値であった。
【００４８】
本実施例にかかる光学的情報記録媒体について、ＮＡ＝０．５５の光ヘッドを有する初期化装置を用い、初期化光を照射して相変化層２７の結晶化を行った。具体的には、線速７．５ｍ／ｓ、照射レーザパワ７００ｍＷの条件において、集光スポットをディスク１回転あたり５０μｍずつ半径方向に移動させて初期化を行った。
【００４９】
初期化後にＮＡ＝０．８５の光ヘッドを用いて記録再生光を照射し、線速４．９２ｍ／ｓ、記録クロック周波数１３２ＭＨｚの条件で（１−７）変調されたランダムデータの記録再生を行ったところ、記録パワ１３ｍＷ、再生パワ２．３〜２．８ｍＷの範囲において、１０−５以下の良好な誤り率が得られた。
【００５０】
従って、実施例２では、記録層２３が変質して記録済み状態になることなく、相変化層２７の結晶化を行うことができた。
【００５１】
実施例３
なお、中間層の誘電体層の層数を増やすことで、初期化光に対する透過率をさらに低下させることが可能である。図４は実施例３にかかる光学的情報記録媒体の構成を模式的に示す断面図である。実施例３では、図４に示すように、中間層２５２を、５層の誘電体層２５２ａ〜ｅにより構成した。その他の構成は図２と同様であるので、説明を省略する。
【００５２】
具体的には、中間層２５２は、厚さ９０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層２５２ａ、ｃ及びｅと、厚さ１３５ｎｍのＳｉＯ２からなる誘電体層２５２ｂ及びｄを交互に積層して構成した。その他の、反射層２１、誘電体層２２、記録層２３、相変化層２７、誘電体層２８、光透過層２９の層厚及び組成については実施例２同様であるので、説明を省略する。
【００５３】
なお、本実施例では、初期化光には波長８１０ｎｍのレーザ光を、記録再生光には波長４０５ｎｍのレーザ光を用いた。
【００５４】
本実施例の中間層２５２の透過率を測定したところ、初期化光に対しては約２０％となり、実施例１におけるＡｇＰｄＣｕの単層膜と同等の値とすることができた。すなわち、実施例３の中間層２５２を用いても、実施例１と同様の作用効果を得ることができた。
【００５５】
比較例２
実施例２と同様の構成の光学的情報記録媒体を用いて、相変化層２７の初期化をすることなく、情報の記録及び再生を行った。記録の際の線速および記録クロック周波数は実施例２と同様とした。本比較例では、相変化層２７の初期化を行わなかったため、記録開始の際の相変化層２７は非晶質状態であり、記録パワは１２．５ｍＷと実施例１よりやや低かった。再生パワを様々に変化させたが、１０−３以下の誤り率を得ることはできなかった。これは、比較例１の場合と同様に、記録再生光の集光スポット内に、非晶質領域や結晶領域が混在し、Ｓ／Ｎが低くなってしまったことが原因と考えられる。
【００５６】
よって、相変化層２７の初期化を行うことにより、誤り率を低減し、かつ再生の際のＳ／Ｎを向上させることができることを確認できた。
【００５７】
比較例３
また、比較例３として、上述の中間層を設けない光学的情報記録媒体において、相変化層の初期化と情報の記録及び再生を行った。図５は、比較例３にかかる光学的情報記録媒体の構成を模式的に示す断面図である。この光学的情報記録媒体は、図５に示すように、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネートからなる基板５０に、基板５０側から順に、厚さ１００ｎｍのＡｇＰｄＣｕからなる反射層５１、厚さ３０ｎｍのＳｉＮからなる誘電体層５２、厚さ１０ｎｍのＣｏ３Ｏ４からなる記録層５３、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層５４、厚さ１０ｎｍのＳｂ８０Ｔｅ２０からなる相変化層５７、厚さ５５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体層５８をスパッタリングにより積層し、さらにその上に、厚さ０．１ｍｍの紫外線硬化樹脂からなる光透過層５９を積層した。
【００５８】
また、基板５０には、ピッチ０．３２μｍ、深さ２０ｎｍのトラッキング用案内溝を形成した（不図示）。
【００５９】
本比較例では、初期化光には波長８１０ｎｍのレーザ光を、記録再生光には波長４０５ｎｍのレーザ光を用いた。
【００６０】
また、各層の厚さは、記録再生光のレーザ光を記録層５３に照射して情報の記録及び再生を行うに際し、記録前後での反射率変化が大きくなるように設定した。本比較例の光学的情報記録媒体では、初期化光に対する記録層５３の吸収率は８％（設計値）であった。
【００６１】
実施例１と同様の初期化装置を用いて、線速７．５ｍ／ｓ、照射レーザパワ８００ｍＷで、集光スポットをディスク１回転あたり５０μｍずつ半径方向に移動させて相変化層５７の初期化を行った。
【００６２】
初期化後にＮＡ＝０．８５の光ヘッドを用いて記録再生光を照射し、線速４．９２ｍ／ｓ、記録クロック周波数１３２ＭＨｚの条件で（１−７）変調されたランダムデータの記録及び再生を行ったものの、記録層５３が初期化の際に変質してしまい、記録そのものを行うことができなかった。
【００６３】
すなわち、追記型の超解像光学的情報記録媒体において、本発明にかかる中間層を設けることにより、中間層を設けない場合には不可能であった、相変化層の結晶化後に情報の記録再生が可能になったことを確認できた。
【００６４】
その他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、使用するレーザ光についても、入手が可能な他の波長のレーザ光源を使用できる。例えば、記録再生光には、３８０〜４３０ｎｍの波長範囲のレーザ光を用いることができる。また、初期化光には、６８０〜９００ｎｍの波長範囲のレーザ光を用いることができる。
【００６５】
中間層はＡｇＰｄＣｕに限らず、ＡｇＢｉ、ＡｇＰｄＴｉなどの他のＡｇ合金を用いることができる。
【００６６】
また、上述の波長範囲の記録再生光及び初期化光を用いる場合には、Ａｇ合金からなる中間層の厚みは、記録再生光及び初期化光の透過率のバランスをとるために、５〜１５ｎｍの範囲とすることが望ましい。
【００６７】
また、中間層はＡｇ合金に限らず、Ａｌ合金、Ｎｉ合金等の他の一般的な金属材料を用いることができる。
【００６８】
誘電体層の組成は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＳｉＯ２を入れ換えてもよい。
【００６９】
また、誘電体層の組成は、ＺｎＳ-ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＮに限られず、例えば、Ｔａ２Ｏｘ等の他の誘電体を用いることができる。さらに、相変化層の組成もＳｂ８０Ｔｅ２０に限らず、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等を用いることができる。
【符号の説明】
【００７０】
１０  基板    １１  反射層    １２  誘電体層    １３  記録層
１４  誘電体層    １５  中間層    １６  誘電体層    １７  相変化層
１８  誘電体層    １９  光透過層
２０  基板    ２１  反射層    ２２  誘電体層    ２３  記録層
２５  中間層    ２７  相変化層    ２８  誘電体層    ２９  光透過層
５０  基板    ５１  反射層    ５２  誘電体層    ５３  記録層
５４  誘電体層    ５７  相変化層    ５８  誘電体層
５９  光透過層
６０  ピット    ６１  集光スポット    ６２  開口
７０  相変化層    ７１  結晶領域    ７２  結晶領域    ７３  非晶質領域
７４  記録層    ７５  記録マーク
８１  溶融部    ８２  集光スポット
９１  結晶領域
２５１    中間層
２５１ａ  誘電体層    ２５１ｂ  誘電体層    ２５１ｃ  誘電体層
２５２  中間層
２５２ａ  誘電体層    ２５２ｂ  誘電体層    ２５２ｃ  誘電体層
２５２ｄ  誘電体層    ２５２ｅ  誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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