(57)【要約】【課題】本発明は、配線基板の信頼性を向上させる要求に応える樹脂基板の製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明の一実施形態にかかる樹脂基板５の製造方法は、不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有する樹脂シート１０ｘを、前記樹脂の重合開始温度未満に加熱し、前記樹脂を軟化させる工程と、前記樹脂が軟化した樹脂シート１０ｘに第１圧力を印加し、前記繊維間の気泡を前記樹脂シート１０ｘ外に放出させる工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2010232514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有する樹脂シートを、前記樹脂の重合開始温度未満に加熱し、前記樹脂を軟化させる工程と、
前記樹脂が軟化した樹脂シートに第１圧力を印加し、前記繊維間の気泡を前記樹脂シート外に放出させる工程と、
を備えたことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂基板製造方法において、
前記樹脂を軟化させる工程と、前記繊維間の気泡を前記樹脂シート外に放出させる工程と、を同時に行うことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の樹脂基板の製造方法において、
前記気泡を放出させた樹脂シートを、前記樹脂の重合開始温度以上に加熱し、前記樹脂の分子を重合させる工程を更に備えたことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項４】
不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有する複数の樹脂シートを積層し、積層体を形成する工程と、
前記積層体を、前記樹脂の重合開始温度未満に加熱し、前記樹脂を軟化させる工程と、
前記樹脂が軟化した積層体に第１圧力を印加し、前記繊維間の気泡を前記積層体外に放出させる工程と、
を備えたことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の樹脂基板の製造方法において、
前記樹脂を軟化させる工程と、前記繊維間の気泡を前記積層体外に放出させる工程と、を同時に行うことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の樹脂基板の製造方法において、
前記気泡を放出させた積層体を、前記樹脂の重合開始温度以上に加熱し、前記樹脂の分子を重合させる工程を更に備えたことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の樹脂基板の製造方法において、
前記樹脂の分子を重合させる工程は、
前記積層体に、前記第１圧力よりも小さい第２圧力を印加しつつ、前記積層体を、前記樹脂の重合開始温度以上に加熱する工程と、
前記積層体に、前記第２圧力よりも大きい第３圧力を印加しつつ、前記積層体を、前記樹脂の重合開始温度以上に加熱する工程と、
を有することを特徴とする樹脂基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４に記載の樹脂基板の製造方法により得られた樹脂基板上に導電層を形成する工程を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板上に電子部品を搭載し、該電子部品を前記導電層と電気的に接続させる工程を備えたことを特徴とする実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に含まれる樹脂基板の製造方法に関するものである。かかる配線基板は、電子機器（例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板に、半導体素子又はコンデンサ等の電子部品を実装することにより、実装構造体が作製されている。配線基板は、その機械的強度を高めるため、樹脂基板を有することが知られている。
【０００３】
樹脂基板の製造方法は、特許文献１に、樹脂を塗布する工程と、前記樹脂に熱処理をする工程と、前記樹脂に熱プレスをする工程と、を備えた製造方法が記載されている。
【０００４】
ところで、樹脂基板の強度を高めるため、前記樹脂を塗布する工程において、樹脂を繊維に含浸させることがある。この場合、含浸の際に繊維間に気泡が形成され、樹脂基板に気泡が残存しやすい。かかる気泡が樹脂基板に残存すると、配線基板に応力が加わった際、気泡を起点としてクラックが生じやすくなり、配線基板の信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３４０９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、配線基板の信頼性を向上させる要求に応える樹脂基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる樹脂基板の製造方法は、樹脂シートを加熱する工程と、前記樹脂シートに第１圧力を印加する工程と、を備える。前記樹脂シートを加熱する工程は、前記樹脂シートが不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有し、前記樹脂シートを前記樹脂の重合開始温度未満に加熱することにより、前記樹脂を軟化させる。前記樹脂シートに第１圧力を印加する工程は、前記樹脂が軟化した樹脂シートに第１圧力を印加することにより、前記繊維間の気泡を前記樹脂シート外に放出させる。
【０００８】
また、本発明の一形態にかかる樹脂基板の製造方法は、積層体を形成する工程と、前記積層体を加熱する工程と、前記積層体に第１圧力を印加する工程と、を備える。前記積層体を形成する工程は、不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有する複数の樹脂シートを積層することにより、積層体を形成する。前記積層体を加熱する工程は、前記積層体を前記樹脂の重合開始温度未満に加熱することにより、前記樹脂を軟化させる。前記積層体に第１圧力を印加する工程は、前記樹脂が軟化した積層体に第１圧力を印加することにより、前記繊維間の気泡を前記積層体外に放出させる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる樹脂基板の製造方法によれば、樹脂基板に残存する気泡を低減できる。その結果、信頼性に優れた配線基板及び実装構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図２ａ、図２ｂ及び図２ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図３】図３ａ、図３ｂ及び図３ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図４】図４ａ、図４ｂ及び図４ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５ａ、図５ｂ及び図５ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図６】図６ａ及び図６ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態に係る樹脂基板の製造方法を、該樹脂基板の製造方法を用いた実装構造体の製造方法を例に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１に示した実装構造体１は、本実施形態に係る実装構造体の製造方法を用いて作製されたものである。
【００１３】
実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１５】
配線基板３は、樹脂基板５及び一対の配線層６を含んでいる。
【００１６】
樹脂基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。この樹脂基板５は、絶縁基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１７】
絶縁基体７は、樹脂基板５の主要部をなすものである。この絶縁基体７は、複数の樹脂層１０が積層されてなる。樹脂層１０は、樹脂部１１と、該樹脂部１１に被覆された基材１２と、を含む。
【００１８】
樹脂部１１は、樹脂層１０の主要部をなすものであり、樹脂を含む。樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。なかでもポリイミド樹脂を使用することが望ましい。ポリイミド樹脂は、熱膨張率が０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下と小さいため、このような低熱膨張樹脂を使用すれば、樹脂基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、ポリイミド樹脂は、熱硬化性又は熱可塑性のものを使用することができる。また、熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００１９】
基材１２は、樹脂層１０の強度を高めるためのものである。基材１２としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維又は炭素繊維等の複数の繊維が縦横に織り込んでなる織布を使用することができる。ガラス繊維としては、Ｅガラス又はＳガラス等により形成されたものを使用することができる。また、樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又は全芳香族ポリエステル樹脂等により形成されたものを使用することができる。また、炭素繊維としては、ＰＡＮ系炭素繊維又はピッチ系炭素繊維等を使用することができる。
【００２０】
スルーホールＴは、スルーホール導体８が形成される部分であり、樹脂基板５を厚み方向（Ｚ方向）に貫通している。スルーホールＴは、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されている。
【００２１】
スルーホール導体８は、樹脂基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホールＴの内面に沿って形成されている。このスルーホール導体８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料から成る。
【００２２】
絶縁体９は、スルーホール導体８によって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。これにより、絶縁体９の直上直下に後述するビア導体１５を形成することができるため、配線基板３の小型化を実現することができる。絶縁体９のための樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。
【００２３】
配線層６は、樹脂基板５の両面に形成されたものであり、絶縁層１３、導電層１４、ビア孔Ｖ及びビア導体１５を含んでいる。導電層１４及びビア導体１５は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。
【００２４】
絶縁層１３は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層１３は、例えば第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとを有する。
【００２５】
第１絶縁層１３ａは、第２絶縁層１３ｂと樹脂基板５との間に介され、第２絶縁層１３ｂと樹脂基板５とを接着するためのものである。この第１絶縁層１３ａとしては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から形成されたものを使用することができる。なお、第１絶縁層１３ａの熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２６】
第２絶縁層１３ｂは、基材を備えておらず、低熱膨張の樹脂を含むことにより、配線基板２と電子部品３との熱膨脹率の差を低減するものである。この第２絶縁層１３ｂとしては、例えば液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール樹脂、又はポリイミドベンゾオキサゾール樹脂等の低熱膨張の樹脂から形成されたものを使用することが望ましい。なお、第２絶縁層１３ｂの熱膨張率は、例えば−１０ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２７】
絶縁層１３は、フィラーを含有していても構わない。フィラーを形成するための材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。
【００２８】
導電層１４は、後述するビア導体１５とともに配線部を構成するものであり、厚み方向に互いに分離されている。この導電層１４は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００２９】
ビア孔Ｖは、ビア導体１５が形成される部分であり、絶縁層１３を厚み方向（Ｚ方向）に貫通している。このビア孔Ｖは、例えば樹脂基板５に向って幅狭なテーパー状に形成されており、ビア孔Ｖの平面方向（ＸＹ平面方向）への断面は、例えば直径が０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の円形に形成されている。
【００３０】
ビア導体１５は、厚み方向に離間した導電層１４同士を相互に接続するものであり、ビア孔Ｖ内に形成されている。このビア導体１５は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により柱状に形成されている。
【００３１】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図２から図６に基づいて説明する。
【００３２】
（１）図２ａに示すように、不完全重合樹脂部１１ｘを基材１２に含浸させることにより、樹脂シート１０ｘを準備する。
【００３３】
不完全重合樹脂部１１ｘは、不完全重合の分子を含む不完全重合樹脂が溶剤に溶解されたものである。
【００３４】
不完全重合樹脂は、不完全重合の分子を含み重合度の低いものが使用され、重合が進むことにより上述の樹脂部１１に含まれる樹脂となる。具体的には、例えば樹脂部１１に熱硬化性ポリイミド樹脂を用いる場合、不完全重合樹脂として、無水ピロメリト酸若しくはカルボン酸と、アニリン若しくはジアミンと、の混合物を用いることができる。また、樹脂部１１に熱可塑性ポリイミド樹脂を用いる場合、不完全重合樹脂として、無水ピロメリト酸と、4,4’-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニルと、の混合物を用いることができる。なお、重合度は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずる。
【００３５】
溶剤は、不完全重合樹脂を溶解するものが使用され、例えばジメチルアセトアミド等を使用することができる。
【００３６】
基材１２は、上述の基材１２と同様のものが使用される。なお、基材１２は複数の繊維を有するため、不完全重合樹脂部１１ｘを基材１２に含浸させる際に、基材１２の繊維間に気泡が残存することがある。例えば、基材１２が織布である場合、繊維が交差する箇所に気泡が残存しやすい。かかる気泡は、例えば走査電子顕微鏡を用いて樹脂基板５の断面を観察することにより、確認することができる。
【００３７】
なお、不完全重合樹脂部１１ｘを基材１２に含浸させる際、不完全重合樹脂部１１ｘの粘度が高く、例えば２ｍＰａ・ｓ以上５００ｍＰａ・ｓ以下に設定されていると、気泡が残存しやすい。かかる粘度の測定方法は、ＩＳＯ３２１９：１９９３に準ずる。
【００３８】
（２）図２ｂに示すように、複数の樹脂シート１０ｘを積層し、積層体７ｘを形成する。
【００３９】
（３）積層体７ｘを、不完全重合樹脂の重合開始温度未満に加熱し、不完全重合樹脂を軟化させる。その結果、不完全重合樹脂部１１ｘの粘度を低下させることができる。なお、重合開始温度は、上述の粘度の測定方法により、試料を加熱しながら粘度の変化を測定し、粘度が上昇に転ずる温度である。
【００４０】
（４）図２ｃに示すように、不完全重合樹脂が軟化した積層体７ｘに第１圧力を印加し、基材１２の繊維間の気泡を積層体７ｘ外に放出させる。
【００４１】
具体的には、（３）の工程における温度を維持しつつ、積層体７ｘの上面及び下面に押圧部材１６を当接し、押圧部材１６により積層体７ｘに第１圧力を印加する。これにより、不完全重合樹脂部１１ｘの粘度が低下してその流動性が増加しているため、不完全重合樹脂部１１ｘを流動させて基材１２の繊維間に侵入させることができる。その結果、（１）の工程にて基材１２の繊維間に残存した気泡を積層体７ｘ外に放出させることにより、積層体７ｘに残存した気泡を低減できる。
【００４２】
また、不完全重合樹脂部１１ｘの粘度を低下させて、積層体７ｘに第１圧力を印加しているため、隣接する樹脂シート１０ｘ同士を密着させることができる。その結果、後述する（７）の工程にて、樹脂層１０同士の接着強度を高めることができる。
【００４３】
なお、第１圧力は、気泡を積層体７ｘ外に効率良く放出させる観点から、０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に設定されていることが望ましい。また、本工程における不完全重合樹脂部１１ｘの粘度は、同様の観点から、例えば１００Ｐａ・ｓ以上５０００Ｐａ・ｓ以下に設定されていることが望ましい。また、また、本工程における気圧は、同様の観点から、０．２気圧以下に設定されていることが望ましい。かかる気圧は、ダイヤフラム真空計又はピラニー真空計などにより測定することができる。
【００４４】
（５）図３ａに示すように、第1圧力よりも小さい第２圧力を印加しつつ、積層体７ｘを、不完全重合樹脂の重合開始温度以上に加熱する。これにより、第1圧力よりも小さい第２圧力を印加しつつ、不完全重合樹脂に含まれる分子を重合させることにより、かかる重合反応の際に生じる気体を積層体７ｘ外に効率良く放出させることができる。その結果、かかる気体により積層体７ｘに生じる気泡を低減できる。
【００４５】
なお、第２圧力は、かかる気体を積層体７ｘ外に放出させる観点から、０．０５ＭＰａ以下に設定されていることが望ましい。特に、第２圧力を印加せず、積層体７ｘに押圧部材１６を当接させないことが望ましい。これにより、積層体７ｘに印加される圧力を低減するとともに、積層体７ｘの少なくとも一主面を露出させることができるため、気体を積層体７ｘ外に効率良く放出させることができる。
【００４６】
また、本工程における気圧は、大気圧でも構わないが、かかる気体を積層体７ｘ外に放出させる観点から、０．８気圧以下に設定されていることが望ましい。また、不完全樹脂として変質が生じやすい樹脂を用いる場合、かかる気圧は、０．２気圧以下に設定されていることが望ましい。また、本工程は、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中で行っても構わない。
【００４７】
また、本工程にて、不完全重合樹脂は完全に重合させないことが望ましい。後述する（７）の工程にて、不完全重合樹脂に重合反応をさせるためである。また、本工程にて重合反応が進んだ不完全重合樹脂部１１ｘの粘度は、５,０００Ｐａ・ｓ以上５０,０００Ｐａ・ｓ以下に設定されている。
【００４８】
（６）図３ｂに示すように、積層体７ｘの両面に銅はく１４ｘを積層する。
【００４９】
（７）図３ｃに示すように、第２圧力よりも大きい第３圧力を印加しつつ、積層体７ｘを、不完全重合樹脂の重合開始温度以上に加熱する。これにより、第２圧力よりも大きい第３圧力を印加しつつ、不完全重合樹脂に含まれる分子を重合させることにより、隣接する樹脂シート１０ｘそれぞれの不完全重合樹脂同士の重合反応を効率良く進めることができる。その結果、隣接する樹脂シート１０ｘ同士の接着強度を高めることができる。
【００５０】
また、かかる加熱によって不完全重合樹脂部１１ｘの流動性を高めつつ、積層体７ｘ及び銅はく１４ｘを加圧しているため、積層体７ｘと銅はく１４ｘとの接着強度を高めることができる。
【００５１】
このように不完全重合樹脂の重合反応を進めることによって、樹脂シート１０ｘが樹脂層１０に、積層体７ｘが絶縁基体７になり、図４ａに示すように、絶縁基体７と銅はく１４ｘとを有する樹脂基板５を作製することができる。
【００５２】
なお、本工程は、両面に銅はく１４ｘを積層した積層体７ｘに、第２圧力よりも大きい第３圧力を印加しているため、重合反応の際に生じる気体は積層体７ｘ外に放出されにくいが、（５）の工程にて、重合反応の際に生じる気体を積層体７ｘ外に放出させているため、本工程における気体の発生を低減し、積層体７ｘに生じる気泡を低減することができる。
【００５３】
また、本工程における温度は、（５）の工程における温度より高いことが望ましい。その結果、（５）の工程では、重合速度を低下させることにより、重合反応時の気体がボイドになる可能性を低減しつつ気体を放出させることができ、本工程では、重合速度を増加させることにより、隣接する樹脂シート１０ｘ同士の接着強度を効率良く高めることができる。
【００５４】
また、第３圧力は、樹脂層１０同士の接着強度の観点から、０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に設定されていることが望ましい。また、本工程における気圧は、重合反応時に生じる気体を積層体７ｘ外に放出させる観点から、０．２気圧以下に設定されていることが望ましい。また、本工程において重合反応が進んだ不完全重合樹脂部１１ｘの粘度は、樹脂基板５の強度の観点から、上述した粘度の測定方法では測定できない程度に高く設定されていることが望ましい。
【００５５】
（８）図４ｂに示すように、樹脂基板５に、厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。スルーホールＴは、例えばドリル加工やレーザー加工等により形成することができる。また、スルーホールＴの幅は、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００５６】
なお、（４）の工程にて隣接する樹脂シート１０ｘ同士を密着させることにより、（７）の工程にて樹脂層１０同士の接着強度が高められている。したがって、本工程にてスルーホールＴを形成する際、スルーホールＴの内壁面に露出する樹脂層１０間の剥離を低減し、かかる剥離により生じる隙間を低減できる。
【００５７】
（９）図４ｃに示すように、スルーホールＴの内壁面に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。かかる導電材料の被着は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により行われる。
【００５８】
なお、（４）の工程にて隣接する樹脂シート１０ｘ同士を密着させることにより、（８）の工程にてスルーホールＴの内壁面に露出する樹脂層１０間の隙間が低減されている。したがって、本工程にてスルーホールＴの内壁面に導電材料を被着させる際、かかる隙間への導電材料の侵入を低減し、隣接するスルーホール導体８同士の電気的短絡を低減できる。
【００５９】
（１０）図５ａに示すように、円筒状のスルーホール導体１１の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。
【００６０】
（１１）図５ｂに示すように、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。かかる導電材料は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。
【００６１】
（１２）図５ｃに示すように、銅はく１４ｘをパターニングし、導電層１４を形成する。銅はく１４ｘのパターニングは、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。
【００６２】
（１３）図６ａに示すように、樹脂基板５の両面に配線部６を形成する。具体的には、例えば以下のようにして配線部６を形成することができる。
【００６３】
まず、導電層１４上に、第１絶縁層１３ａを介して第２絶縁層１３ｂを貼り合わせることにより、樹脂基板５の両面に絶縁層１３を形成する。貼り合わせは、例えば加熱プレス機を用いて加熱加圧することにより行われる。
【００６４】
次に、絶縁層１３にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１４の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いる。なお、ビア孔Ｖは、レーザー光の出力を調整することによって、樹脂基板５に向かって開口幅が狭くなるように形成することができる。
【００６５】
次に、ビア孔Ｖにビア導体１３を形成し、絶縁層１３の上面に導電層１４を形成することにより、配線部６を形成することができる。ビア導体１３及び導電層１４は、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。
【００６６】
以上のようにして、樹脂基板５の両面に配線部６を形成することにより、配線基板３を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、多層配線の配線基板３も作製できる。
【００６７】
（１４）図６ｂに示すように、配線基板３に電子部品２を、バンプ４を介してフリップチップ実装することにより、実装構造体１を作製できる。
【００６８】
上述した実施形態に係る実装構造体１の製造方法によれば、（４）の工程にて、不完全重合樹脂が軟化した積層体７ｘに第１圧力を印加し、基材１２の繊維間の気泡を積層体７ｘ外に放出させたことから、樹脂基板５に残存する気泡を低減できる。
【００６９】
また、（５）及び（７）の工程にて、積層体７ｘを、不完全重合樹脂の重合開始温度以上に加熱し、前記樹脂の分子を重合させているため、かかる重合反応により不完全重合樹脂部１１ｘの粘度が上昇するが、（５）及び（７）の工程の前に（４）の工程を行っていることから、（４）の工程にて気泡を積層体７ｘ外に効率良く放出させることができる。
【００７０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００７１】
例えば、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程にて複数の樹脂シート１０ｘを積層し、積層体７ｘを形成する製造方法を例に説明したが、積層体７ｘを形成せず１つの樹脂シート１０ｘのみを使用しても構わないし、（４）又は（５）の工程の後、複数の樹脂シート１０ｘを積層し、積層体７ｘを形成しても構わない。
【００７２】
また、上述した本発明の実施形態は、（３）の工程の後、（４）の工程を行う製造方法を例に説明したが、（３）の工程と（４）の工程とは、同時に行っても構わない。
【００７３】
また、上述した本発明の実施形態は、（６）及び（７）の工程にて絶縁基体７と銅はく１４ｘとを有する樹脂基板５を作製する製造方法を例に説明したが、（６）及び（７）にて銅はく１４ｘを有さない樹脂基板５を作製しても構わない。
【００７４】
また、上述した本発明の実施形態は、基材１２として繊維が縦横に織り込まれた織布を使用した構成を例に説明したが、基材１２として繊維を一方向に配列されたものを使用しても構わない。
【００７５】
また、上述した本発明の実施形態は、樹脂基板５の上面及び下面に形成される絶縁層１３が１層である構成を例に説明したが、絶縁層１３は複数層であっても構わない。
【００７６】
また、上述した本発明の実施形態は、電子部品４を配線基板２の上面にフリップチップ実装した構成に関して説明したが、電子部品４を配線基板２の上面にワイヤボンディング実装しても構わない。
【符号の説明】
【００７７】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        樹脂基板
６        配線層
７        絶縁基体
７ｘ      積層体
８        スルーホール導体       
９        絶縁体
１０      樹脂層
１０ｘ    樹脂シート
１１      樹脂部
１１ｘ    不完全重合樹脂部
１２      基材
１３      絶縁層
１３ａ    第１絶縁層
１３ｂ    第２絶縁層
１４      導電層
１４ｘ    銅はく
１５      ビア導体
１６      押圧部材
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
【図１】
2010232514.tif 000003
【図２】
2010232514.tif 000004
【図３】
2010232514.tif 000005
【図４】
2010232514.tif 000006
【図５】
2010232514.tif 000007
【図６】
2010232514.tif 000008