(57)【要約】【課題】ＩＣチップが基板に対して立てた状態で実装されており、はんだの表面張力でＩＣチップが横方向に引っ張られることなく、立てて実装された状態が保たれるとともに、低背化が容易に達成できる半導体パッケージを提供する。【解決手段】本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）は、絶縁性基板１１とその一面に配された配線部１２からなるプリント配線板１０と、絶縁性基板の一面側に実装され、集積回路２２及び再配線部２４を主面に有するＩＣチップ２０と、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、前記絶縁性基板は、その一面に開口するキャビティ１３を有し、前記ＩＣチップは、少なくとも一部が前記キャビティに内在され、前記集積回路が配された主面が前記キャビティの内側面に沿って配されており、前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とがはんだ１４を介して電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板とその一面に配された配線部からなるプリント配線板と、
前記絶縁性基板の一面側に実装され、集積回路及び再配線部を主面に有するＩＣチップと、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、
前記絶縁性基板は、その一面に開口するキャビティを有し、
前記ＩＣチップは、少なくとも一部が前記キャビティに内在され、前記集積回路が配された主面が前記キャビティの内側面に沿って配されており、
前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とがはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記ＩＣチップは、体積の半分以上が前記キャビティに内在されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記キャビティは、前記絶縁性基板の一面から他面に向けて垂直方向に貫通していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
絶縁性基板とその一面に配された配線部からなるプリント配線板と、
前記絶縁性基板の一面側に実装され、集積回路及び再配線部を主面に有するＩＣチップと、を少なくとも備え、
前記絶縁性基板は、その一面に開口するキャビティを有し、
前記ＩＣチップは、少なくとも一部が前記キャビティに内在され、前記集積回路が配された主面が前記キャビティの内側面に沿って配されており、
前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とがはんだを介して電気的に接続されている半導体パッケージの製造方法であって、
前記絶縁性基板の一面側に、レーザ加工法又はドリル加工法を用いて前記キャビティを形成する工程Ａと、
前記プリント配線板を構成する前記配線部の少なくとも一部に、はんだを設ける工程Ｂと、
前記ＩＣチップを、その少なくとも一部を前記キャビティに内在させ、前記集積回路が配された主面を前記キャビティの内側面に沿って配する工程Ｃと、
前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とを前記はんだを溶融させて、前記再配線部と前記配線部とを接続する工程Ｄと、を少なくとも順に備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｃにおいて、前記ＩＣチップの体積の２分の１以上を、前記キャビティに内在させることを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記ＩＣチップとして、
前記集積回路が複数個配された半導体基板上に、絶縁樹脂層、前記集積回路と個別に接続される再配線部を順に形成し、
前記再配線部の各々の、その少なくとも一部にはんだバンプを形成し、
ダイシングを行い、前記半導体基板を個片化したものを用いることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記ＩＣチップの少なくとも一部を前記キャビティに内在させた場合に、キャビティから突出した部位において、前記絶縁性基板の一面に沿うように、前記はんだバンプを形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化が促進されており、これに伴って半導体パッケージの小型化が注目されている。
ＩＣチップを回路基板に実装する際に、実装に必要な表面積を減少させ、高密度実装を実現するために、図８（ａ）に示すように、ＩＣチップ１００を回路基板１１０に対して垂直に立てて実装することが提案されている（例えば、特許文献１参照））。
【０００３】
しかしながら、ＩＣチップ１００を回路基板１１０に対して垂直に立てて実装した場合、図８（ｂ）に示すように、はんだ１１１の表面張力でＩＣが横方向に引っ張られて倒れてしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１７００９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、ＩＣチップが基板に対して立てた状態で実装されている半導体パッケージにおいて、はんだの表面張力でＩＣチップが横方向に引っ張られることなく、立てて実装された状態が保たれるとともに、低背化が容易に達成できる半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、はんだの表面張力でＩＣチップが横方向に引っ張られることなく、ＩＣチップを基板に対して立てた状態で実装して、その状態を保つことができるとともに、低背化が容易に達成できる半導体パッケージを、簡便な方法で製造することが可能な、半導体パッケージの製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の半導体パッケージは、絶縁性基板とその一面に配された配線部からなるプリント配線板と、前記絶縁性基板の一面側に実装され、集積回路及び再配線部を主面に有するＩＣチップと、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、前記絶縁性基板は、その一面に開口するキャビティを有し、前記ＩＣチップは、少なくとも一部が前記キャビティに内在され、前記集積回路が配された主面が前記キャビティの内側面に沿って配されており、前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とがはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の請求項１において、前記ＩＣチップは、体積の半分以上が前記キャビティに内在されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体パッケージは、請求項１又は２において、前記キャビティは、前記絶縁性基板の一面から他面に向けて垂直方向に貫通していることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法は、絶縁性基板とその一面に配された配線部からなるプリント配線板と、前記絶縁性基板の一面側に実装され、集積回路及び再配線部を主面に有するＩＣチップと、を少なくとも備え、前記絶縁性基板は、その一面に開口するキャビティを有し、前記ＩＣチップは、少なくとも一部が前記キャビティに内在され、前記集積回路が配された主面が前記キャビティの内側面に沿って配されており、前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とがはんだを介して電気的に接続されている半導体パッケージの製造方法であって、前記絶縁性基板の一面側に、レーザ加工法又はドリル加工法を用いて前記キャビティを形成する工程Ａと、前記プリント配線板を構成する前記配線部の少なくとも一部に、はんだを設ける工程Ｂと、前記ＩＣチップを、その少なくとも一部を前記キャビティに内在させ、前記集積回路が配された主面を前記キャビティの内側面に沿って配する工程Ｃと、前記ＩＣチップの前記再配線部と、前記プリント配線板の前記配線部とを前記はんだを溶融させて、前記再配線部と前記配線部とを接続する工程Ｄと、を少な  本発明の請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法は、請求項４において、前記工程Ｃにおいて、前記ＩＣチップの体積の２分の１以上を、前記キャビティに内在させることを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法は、請求項４又は５において、  前記ＩＣチップとして、前記集積回路が複数個配された半導体基板上に、絶縁樹脂層、前記集積回路と個別に接続される再配線部を順に形成し、前記再配線部の各々は、その少なくとも一部にはんだバンプを形成し、ダイシングを行い、前記半導体基板を個片化したものを用いることを特徴とする。
本発明の請求項７に記載の半導体パッケージの製造方法は、請求項６において、前記ＩＣチップの少なくとも一部を前記キャビティに内在させた場合に、キャビティから突出した部位において、前記絶縁性基板の一面に沿うように、前記はんだバンプを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、ＩＣチップが基板に対して立てた状態で実装されている半導体パッケージにおいて、ＩＣチップの少なくとも一部が、絶縁性基板の一面に開口するキャビティに内在されているので、はんだの表面張力でＩＣチップが横方向に引っ張られても影響が出ないことから、立てて実装された状態を保つことができる。また、本発明では、ＩＣチップの少なくとも一部を前記キャビティに内在されているので低背化が容易に達成できる半導体パッケージを提供することができる。
【０００８】
また、本発明では、ＩＣチップの少なくとも一部を、絶縁性基板の一面に開口するキャビティに内在させているので、はんだの表面張力でＩＣチップが横方向に引っ張られることなく、ＩＣチップを基板に対して立てた状態で実装して、その状態を保つことができる。また、低背化を容易に達成できる半導体パッケージを、簡便な方法で製造することが可能な、半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の半導体パッケージの一構成例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明に半導体パッケージが備えるＩＣチップの一構成例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの他の一構成例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す模式断面図である。
【図５】ＩＣチップの製造方法を工程順に示す模式断面図である。
【図６】ＩＣチップにおいてはんだバンプの配置を模式的に示す平面図である。
【図７】本発明の半導体パッケージの他の一構成例を模式的に示す断面図である。
【図８】従来の半導体パッケージの一構成例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る半導体パッケージおよびその製造方法を図面に基づいて説明する。
【００１１】
図１は、本発明の半導体パッケージの一構成例を模式的に示す断面図である。
本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）は、絶縁性基板１１とその一面１１ａに配された配線部１２からなるプリント配線板１０と、前記絶縁性基板１１の一面１１ａ側に実装され、集積回路２２及び再配線部２４を主面に有するＩＣチップ２０と、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、前記絶縁性基板１１は、その一面１１ａに開口するキャビティ１３を有し、前記ＩＣチップ２０は、少なくとも一部が前記キャビティ１３に内在され、前記集積回路２２が配された主面が前記キャビティ１３の内側面１３ａに沿って配されており、前記ＩＣチップ２０の前記再配線部２４と、前記プリント配線板１０の前記配線部１２とがはんだ１４を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、ＩＣチップ２０がプリント配線板１０に対して立てた状態で実装されている半導体パッケージにおいて、ＩＣチップ２０の少なくとも一部が、絶縁性基板１１の一面に開口するキャビティ１３に内在されているので、はんだの表面張力でＩＣチップ２０が横方向に引っ張られることなく、立てて実装された状態を保つことができる。また、本発明では、ＩＣチップ２０の少なくとも一部が前記キャビティ１３に内在されているので、パッケージの低背化が容易に達成できる。
【００１３】
絶縁性基板１１の構成材料としては、特に限定されるものではないが、可撓性を有するフレキシブル基板である場合、例えばポリイミド樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、液晶ポリマーなどを用いることができる。また、例えばガラスエポキシ樹脂などのプリプレグでなるリジッド基板であってもよい。
【００１４】
配線部１２は電気導電性に優れ、耐熱性の高い材料からなる。このような材料としては、例えば銅や銀、ニッケルなどが挙げられる。あるいはこれらを主成分とした合金、あるいはこれらの積層構造でもかまわない。その中でも、電気抵抗率が低く、比較的安価な銅が好ましい。
このような配線部１２は、絶縁性基板１１の上に例えばスパッタリング法により形成した図示しない極薄いシード層（例えばクロム、ニッケルなどでなる）を基層として銅を成長させて（例えばセミアディティブ法やめっき法により）形成される。
【００１５】
はんだ１４は、前記ＩＣチップ２０の前記再配線部２４と、前記プリント配線板１０の前記配線部１２とを電気的に接続する役割を持つ。
はんだ１４には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだや、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだを用いることができる。その他にも、Ｐｂ、ｌｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔのいずれかを少なくとも一つ含む材料を用いることができる。
【００１６】
ＩＣチップ２０は、図２に示すように、半導体基板２１と、その一主面２１ａに配された集積回路２２、一主面２１ａ上に順に配された第一絶縁樹脂層２３、再配線部２４、及び第二絶縁樹脂層２５を有する。
半導体基板２１は、例えばシリコンやガリウム砥素等からなり、少なくとも表層が絶縁部（図示せず）をなす。
第一絶縁樹脂層２３は、半導体基板２１の一主面２１ａに上に配され、前記集積回路２２の電極部の少なくとも一部を露出する開口部２３ａを有する。
第一絶縁樹脂層２３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ＡＢＳ樹脂等などからなる。
【００１７】
再配線部２４は、第一絶縁樹脂層２３上に配され、開口部２３ａを通じて集積回路２２の電極部と電気的に接続されている。
再配線部２４は、電気導電性に優れ、耐熱性の高い材料からなる。このような材料としては、例えば銅や銀、ニッケルなどが挙げられる。あるいはこれらを主成分とした合金、あるいはこれらの積層構造でもかまわない。その中でも、電気抵抗率が低く、比較的安価な銅が好ましい。
【００１８】
第二絶縁樹脂層２５は、再配線部２４を覆うように配され再配線部２４を露出する開口部２５ａを有する。
第二絶縁樹脂層２５は、例えば、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ＡＢＳ樹脂などからなる。
前記開口部２５ａから露出した前記再配線層２４上には、はんだバンプ２６が配されている。
【００１９】
そして、本発明において、ＩＣチップ２０は、少なくとも一部が前記キャビティ１３に内在され、前記集積回路２２が配された主面（一主面２１ａ）が前記キャビティ１３の内側面１３ａに沿って配されている。これにより、はんだの表面張力でＩＣチップ２０が横方向に引っ張られることなく、プリント配線板１０に対して立てて実装された状態を保つことができる。
なお、図１では、キャビティ１３の内側面１３ａが絶縁性基板１１の一面に対して略垂直に形成されている場合（すなわち、ＩＣチップ２０がプリント配線板１０に対して略垂直に実装された場合）を例に挙げているが、本発明はこれに限定されず、例えば図３に示すように、キャビティ１３の内側面１３ａが、絶縁性基板１１の一面に対して斜めに形成されて（すなわち、ＩＣチップ２０がプリント配線板１０に対して斜めに実装されて）いてもよい。
このとき、ＩＣチップ２０は、体積の半分以上が前記キャビティ１３に内在されていることが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の更なる低背化が容易に達成できる。
【００２０】
次に、上述したような半導体パッケージ１Ａ（１）の製造方法について説明する。図４は、本発明の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す図である。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、前記絶縁性基板１１の一面側に、レーザ加工法又はドリル加工法を用いて前記キャビティ１３を形成する工程Ａと、前記プリント配線板１０を構成する前記配線部１２の少なくとも一部に、はんだ１４を設ける工程Ｂと、前記ＩＣチップ２０を、その少なくとも一部を前記キャビティ１３に内在させ、前記集積回路２２が配された主面を前記キャビティ１３の内側面１３ａに沿って配する工程Ｃと、前記ＩＣチップ２０の前記再配線部２４と、前記プリント配線板１０の前記配線部１２とを前記はんだ１４を溶融させて、前記再配線部２４と前記配線部１２とを接続する工程Ｄと、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。
【００２１】
本発明では、ＩＣチップ２０の少なくとも一部を、絶縁性基板１１の一面に開口するキャビティ１３に内在させているので、はんだ１４の表面張力でＩＣチップ２０が横方向に引っ張られることなく、ＩＣチップ２０を基板に対して立てた状態で実装して、その状態を保つことができる。また、低背化を容易に達成できる半導体パッケージを、簡便な方法で製造することが可能である。
以下、工程順に説明する。
【００２２】
（１）、絶縁性基板１１の一面１１ａ側に、レーザ加工法又はドリル加工法を用いて前記キャビティ１３を形成する（工程Ａ）。
）図４（ａ）に示すように、絶縁性基板１１とその一面１１ａに配された配線部１２からなるプリント配線板１０を用意する。そして、図４（ｂ）に示すように、このプリント配線板１０を構成する絶縁性基板１１に対して、ＩＣチップ２０を実装するためのキャビティ１３を、ざぐり加工によって形成する。
【００２３】
ざぐり加工にはドリル加工、レーザ加工などの機械的加工法を用いることができる。また、このとき形成するキャビティ１３は、後述のＩＣチップ２０を絶縁性基板１１に対して立てて実装した時の、高さ方向の少なくとも半分以上の深さを有することが好ましい。
なお、図４（ｂ）に示す例では、内側面１３ａが、絶縁性基板１１の一面１１ａに対して略垂直となるようにキャビティ１３を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
（２）前記プリント配線板１０を構成する前記配線部１２の少なくとも一部に、はんだ１４を設ける（工程Ｂ）。
図４（ｃ）に示すように、プリント配線板１０の、前記配線部１２の少なくとも一部、すなわちＩＣチップ２０を実装するためのランド上にはんだペースト１４を印刷する。
【００２５】
（３）図４（ｄ）に示すように、ＩＣチップ２０を、その少なくとも一部を前記キャビティ１３に内在させ、前記集積回路２２が配された一主面２１ａを前記キャビティ１３の内側面１３ａに沿って配する（工程Ｃ）。
ここで、本発明において用いられるＩＣチップ２０の製造方法について説明する。図５は、ＩＣチップ２０の製造方法を工程順に示す図である。
ＩＣチップ２０は、前記集積回路２２が複数個配された半導体基板２１の一主面２１a上に、第一絶縁樹脂層２３、前記集積回路２２と個別に接続される再配線部２４、第二絶縁樹脂層２５を順に形成し、前記再配線部２４の各々は、その少なくとも一部にはんだバンプ２６を形成し、ダイシングを行い、前記半導体基板２１を個片化することにより作製されたものを用いる。
【００２６】
まず、前記集積回路２２（ＩＣ）が複数個配された半導体基板２１上に、第一絶縁樹脂層２３、前記集積回路２２と個別に接続される再配線部２４を順に形成する。
半導体基板２１は、図５（ａ）に示すように、前記集積回路２２が複数個配されているとともに、表面に酸化珪素や窒化珪素などからなる無機絶縁層（図示せず）が配されている。
そして、図５（ｂ）に示すように、半導体基板２１の表面に、液状の感光性ポリイミド前駆体をスピンコートし、フオトリングラフィーによって開口２３ａを形成した後に、焼成することにより第一絶縁樹脂層２３を形成する。
【００２７】
次に、図５（ｃ）に示すように、セミアディティブ法を用いて、集積回路２２の電極上および前記第一絶縁樹脂層２３上に、前記集積回路２２と個別に接続される再配線部２４を形成する。
次に、図５（ｄ）に示すように、第一絶縁樹脂層２３及び再配線部２４上に、液状の感光性ポリイミド前駆体をスピンコートし、フォトリングラフィーによって開口部２５ａを形成した後に、焼成して第二絶縁樹脂層２５を形成する。
【００２８】
次に、図５（ｅ）に示すように、前記再配線部２４の各々の、その少なくとも一部にはんだバンプ２６を形成する。
第二絶縁樹脂層２５の開口部２５ａから露出した再配線部２４上に、はんだボール搭載法、電解はんだめっき法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等によりはんだボールを形成する。その後、リフロー炉を用いてはんだボールを溶融させ、再配線部２４上に、はんだバンプ２６を形成する。
最後に、図５（ｆ）に示すように、ダイシングを行い、前記半導体基板２１を個片化する。
プロービングにより検査を行った後、必要に応じて半導体基板２１を薄型化するとともに、ダイシングによって半導体基板２１を個片化する。
これにより図２に示すようなＩＣチップ２０が作製される。
【００２９】
なお、第一絶縁樹脂層２３及び第二絶縁樹脂層２５には、上述した樹脂以外に、他の樹脂として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などを用いることができる。また、全ての工程において、感光性樹脂は必ずしもスピンコートによって塗布される必要はなく、カーテンコートやスクリーン印刷、スプレーコートなどを用いても良い。さらに、感光性樹脂は液状に限定されることはなく、フィルム状の樹脂をウエハにラミネートしても良い。
【００３０】
このようにして作製されたＩＣチップ２０の回路には、通常の導電用回路の他、インダクタ、キャパシタ、抵抗などの機能を付与させることも可能である。このようなＩＣチップと同サイズの半導体パッケージを、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼ぶことがあるが、従来のＷＬＰでは、図６（ａ）に示すように、はんだバンプ１０１がＩＣチップ１００上に線対称、あるいは点対称に形成される。
【００３１】
しかしながら、本発明で使用するＩＣチップ２０では、図６（ｂ）に示すように、絶縁性基板１１のキャビティ１３にその一部を内在させた場合に、該キャビティ１３から突出した部位において、前記絶縁性基板１１の一面１１ａに沿うように、前記はんだバンプ２６が形成されることが好ましい。これにより、ＩＣチップ２０のはんだバンプ２６と、プリント配線板１０上に印刷されたはんだ１４との位置決めおよび実装を容易に行うことができる。
【００３２】
そして、以上のようにして形成されたＩＣチップ２０を、図４（ｄ）に示すように、ＩＣチップ２０を半導体チップ用マウンタでプリント配線板１０と位置合わせし、ＩＣチップ２０の少なくとも一部をキャビティ１３に内在させる。このとき、ＩＣチップ２０の、体積の半分以上を前記キャビティ１３に内在させる。これにより半導体パッケージ１の低背化が容易に達成できる。
このとき、ＩＣチップ２０のはんだバンプ２６と、プリント配線板１０上に印刷されたはんだペースト１３とが接触するように位置決め実装されることが好ましい。
【００３３】
（５）図４（ｅ）に示すように、前記ＩＣチップ２０の前記再配線部２４と、前記プリント配線板１０の前記配線部１２とを前記はんだを溶融させて、前記再配線部２４と前記配線部１２とを接続する（工程Ｄ）。
最後に、リフローすることにより、前記プリント配線板１０側のはんだ１４と、ＩＣチップ２０側のはんだバンプ２６とを溶融、一体化することにより、ＩＣチップ２０の前記再配線部２４と、前記プリント配線板１０の前記配線部１２とを接続する。
これにより、図１に示すような半導体パッケージ１Ａ（１）が得られる。
【００３４】
このようにして作製された半導体パッケージ１Ａ（１）は、ＩＣチップ２０の少なくとも一部が、絶縁性基板１１の一面１１ａに開口するキャビティ１３に内在されているので、はんだの表面張力でＩＣチップ２０が横方向に引っ張られても影響が出ないことから、立てて実装された状態を保つことができる。また、ＩＣチップ２０の少なくとも一部を前記キャビティ１３に内在されているので低背化を容易に達成できるものとなる。
【００３５】
なお、上述した実施の形態において、図１に示す例では、キャビティ１３が、絶縁性基板１１を貫通せず凹部をなしている場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図７に示す半導体パッケージ１Ｃ（１）のように、キャビティ１３が、プリント配線板１０を構成する絶縁性基板１１の一面１１ａから他面１１ｂに向けて垂直方向に貫通している構造としてもよい。これにより、半導体パッケージ１の更なる低背化を実現することができる。
また、上述した実施の形態では、ＩＣチップ２０とキャビティ１３の内側面１３ａとの間に隙間を有している場合を例に挙げて説明してたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣチップ２０とキャビティ１３の内側面１３ａとの間に隙間がなく、密着して配されていてもよい。
【００３６】
以上、本発明の半導体パッケージ及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれらの例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法について広く適用可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１Ａ，１B，１Ｃ  （１）  半導体パッケージ、１０  プリント配線板、１１  絶縁性基板、１２  配線部、１３  キャビティ、１４  はんだ、２０  ＩＣチップ、２１  半導体基板、２２  集積回路、２３  第一絶縁樹脂層、２４  再配線部、２５  第二絶縁樹脂層、２６  はんだバンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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