(57)【要約】【課題】配線基板の厚みを増すことなく、高密度実装が可能な半導体装置及び配線基板を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、配線基板２０と、配線基板２０上に実装された電子部品３０とを備える。配線基板２０は、配線パターン２１と、絶縁層２２と、補助パッド２３とを有する。配線パターン２１は、配線２４とこの配線２４の幅よりも大きな径を有する実装パッド２５とを含む。絶縁層２２は、配線パターン２１の表面を覆う。補助パッド２３は、実装パッド２５よりも大きな径を有し、実装パッド２５に対応して絶縁層２２上に配設される。電子部品３０は、補助パッド２３、又は、補助パッド２３及び実装パッド２５に導電部材４０を介して接続された電極３１を有する。【選択図】図１
2010232616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有する配線基板と、
前記補助パッド、又は、前記補助パッド及び実装パッドに導電部材を介して接続された電極を有し、前記配線基板上に実装された電子部品と、を備える半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁層が前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し、前記補助パッドが前記第１の開口の上部に形成された第２の開口を有し、前記第１及び第２の開口内に形成された前記導電部材を介して前記電極と前記実装パッドとが接続される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層が、前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し、
前記補助パッドが、前記第１の開口を介して前記実装パッドに接続されており、且つ、前記導電部材を介して前記電極に接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記補助パッドが、前記導電部材を構成する半田に濡れ性を有する、請求項１〜３の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層が、ソルダーレジストで形成される、請求項１〜４の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線が、前記補助パッドの部分の直下に延在している、請求項１〜５の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有し、
前記補助パッドが、前記第１の開口を介して前記実装パッドに接続されている配線基板。
【請求項８】
配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有し、
前記補助パッドが、前記第１の開口の上部に第２の開口を有する配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び配線基板に関し、更に詳しくは、電子部品が導電部材を介して配線基板に実装される構造を有する半導体装置及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やノートＰＣ等に代表される電子機器では、小型化、薄型化、及び高機能化が進められている。このため、電子部品を組み合わせたモジュール部品には、更なる高密度実装が求められており、例えば、電子部品ではピン数の増加や電極間の狭ピッチ化が進んでいる。
【０００３】
高密度実装に好適に用いられている電子部品としては、例えば、ケース下面に電極が格子状に配列されたＢＧＡ（ball grid array）やＣＳＰ（chip size package）等を有するものが知られている。これらの電子部品は、例えば、ケースの側面に配置されたリードフレームを電極とするＱＦＰ（quad flat package）やＳＯＰ（small outline package）を有する電子部品に比べて、配線基板に実装する際の実装面積が小さくて済む。
【０００４】
特許文献１〜３には、このような高密度実装に好適な電子部品を、半田等の導電部材を介して実装する各種配線基板が記載されている。
【０００５】
特許文献１には、下面に複数の電極が形成された電子部品と、この電子部品が実装される配線基板とを有する半導体装置が記載されている。配線基板は、表層面（基板表面）に配線が形成されたコア基板と、コア基板の上下両面に交互に積層された絶縁層及び導体回路層を含むビルドアップ層と、電子部品の複数の電極にそれぞれ接触する半田バンプ部（導電部材）とを有する。半田バンプ部の周囲には、バリア層が配置されている。バリア層は、絶縁層上に形成された応力緩和層の開口内に形成され、また、下面が上記導体回路層に接触している。
【０００６】
特許文献２には、表層面に形成された実装用パッドと、実装用パッドに対応して形成される開口を有し実装用パッドの表面を覆う絶縁層と、実装用パッド及び絶縁層上に設けられた第１及び第２の下地用金属層と、第２の下地用金属層上に形成されたバンプとを有する配線基板が記載されている。
【０００７】
特許文献３には、表層面に形成された配線及び実装用パッドと、実装用パッドに対応して形成される開口を有し配線及び実装用パッドを覆う絶縁層と、開口内に形成された導電部材を介して実装用パッドと接続される補助パッドとを有する配線基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−０６６５９７号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８２９５号公報
【特許文献３】特開２００７−１８４３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記電子部品でのピン数の増加や電極間の狭ピッチ化に伴い、配線基板上の隣り合う実装用パッドの間隔（ピッチ）は狭くなってきている。このため、配線基板の表層面に実装用パッドと干渉することなく、配線を引き回すことが困難となっている。
【００１０】
そこで、特許文献１では、コア基板の配線とビルドアップ層の導体回路層とをビアを介して電気的に接続し、高密度実装を図っている。しかし、この配線基板では、配線基板の内層で配線を引き回しているために層数が増え、更に、絶縁層上に応力緩和層が形成されているので、厚みが更に増すことになる。このため、配線基板と電子部品とを備えた半導体装置も厚くなってしまう。
【００１１】
特許文献２では、腐食によるバンプの剥離を防止するために、第１及び第２の下地用金属層を実装用パッド及び絶縁層上に形成しているが、金属層を多層にしているので、配線基板が厚くなってしまう。
【００１２】
さらに、特許文献３では、配線基板の表層面で配線を引き回すためには、実装用パッド間のピッチが狭くなるに伴い、配線の幅を小さくする必要があり、歩留まりの低下やコストの増加という問題が生じる。また、導電部材と補助パッドとは別々の部材と考えられ、更に、補助パッドが導電部材の上に形成されているので、製造プロセスが増えてしまう。
【００１３】
本発明は、配線基板の厚みを増すことなく、高密度実装が可能な半導体装置及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有する配線基板と、
前記補助パッド、又は、前記補助パッド及び実装パッドに導電部材を介して接続された電極を有し、前記配線基板上に実装された電子部品と、を備える半導体装置を提供する。
【００１５】
また、本発明は、配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有し、
前記補助パッドが、前記第１の開口を介して前記実装パッドに接続されている配線基板を提供する。
【００１６】
さらに、本発明は、配線と該配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む配線パターンと、前記実装パッドに対応して形成される第１の開口を有し前記配線パターンの表面を覆う絶縁層と、前記実装パッドよりも大きな径を有し前記実装パッドに対応して前記絶縁層上に配設される補助パッドとを有し、
前記補助パッドが、前記第１の開口の上部に第２の開口を有する配線基板を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置及び配線基板では、配線基板の厚みを増すことなく、高密度実装が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の変形例の構成を示す断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、比較例である半導体装置の構成を示す断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図５】図４（ａ）に示す半導体装置の変形例の構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の半導体装置は、最小基本構成として、配線基板と、配線基板上に実装された電子部品とを備える。配線基板は、配線パターンと、絶縁層と、補助パッドとを有する。配線パターンは、配線とこの配線の幅よりも大きな径を有する実装パッドとを含む。絶縁層は、配線パターンの表面を覆う。補助パッドは、実装パッドよりも大きな径を有し、実装パッドに対応して絶縁層上に配設される。電子部品は、補助パッド、又は、補助パッド及び実装パッドに導電部材を介して接続された電極を有する。
【００２０】
上記半導体装置では、実装パッドよりも大きな径を有する補助パッドを絶縁層上に配設したので、配線基板上に電子部品が実装される際に、導電部材が補助パッド、又は、補助パッド及び実装パッドに接続される。このため、配線基板の表層面に形成された実装パッドの径を小さくできるので、表層面で隣り合う実装パッドの間隔が大きくなる。その結果、配線基板の層数を増やして配線基板の内層で配線を引き回す必要がなく、配線基板の表層面で配線を引き回すことができる。従って、配線基板の厚みを増すことなく、高密度実装が可能となる。また、配線基板の層数が小さくなるので、配線基板を含めた半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００２１】
以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施の形態について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０は、配線基板２０と電子部品３０とを備え、電子部品３０が導電部材４０を介して配線基板２０上に実装された構造を有する。配線基板２０は、配線パターン２１と、絶縁層（絶縁部材）２２と、補助パッド２３とを有する。配線パターン２１は、配線２４と、この配線２４の幅よりも大きな径を有する実装用パッド２５とを含む。
【００２２】
絶縁層２２は、実装用パッド２５に対応して形成される第１の開口２６を有し、配線パターン２１の表面を覆う。絶縁層２２は、例えば、ソルダーレジストで形成されている。絶縁層２２をソルダーレジストで形成することで、配線２４及び実装用パッド２５を含む配線パターン２１を形成するために必要なソルダーレジストを、そのまま流用することができるので、製造プロセスを簡素化できる。なお、絶縁層２２は、ソルダーレジストに限定されるものではない。
【００２３】
補助パッド２３は、実装用パッド２５よりも大きな径を有し、実装用パッド２５に対応して絶縁層２２上に配設されると共に、絶縁層２２の第１の開口２６を介して実装用パッド２５に直接接続されている。補助パッド２３の材質としては、導電性ペースト、導電性樹脂、導電性接着剤、Ｃｕ等の金属が挙げられるが、導電部材４０に濡れ性を有するのであれば、適宜の材質を用いることができる。補助パッド２３の材質を、導電性ペースト、導電性接着剤で構成すると、印刷工法、ディスペンス塗布等の既存の工法を用いて、絶縁層２２上及び第１の開口２６内に塗布することで、補助パッド２３を形成できる。
【００２４】
また、補助パッド２３が、導電部材４０に濡れ性を有する構成とすれば、導電部材４０が補助パッド２３から絶縁層２２上に流出することを回避できる。なお、補助パッド２３の材質が、導電部材４０に濡れ性を有していない場合には、導電部材４０に濡れ性を得るように、補助パッド２３の表面にＡｕめっき等の処理を施してもよい。
【００２５】
電子部品３０は、ＢＧＡやＣＳＰ等であり、下面に複数配置された電極３１を有する。電極３１は、導電部材４０を介して補助パッド２３に電気的に接続されている。導電部材４０は、例えば半田や導電性樹脂で形成されている。ここでの導電部材４０は、電極３１に予め接合された半田ボールである。半田材料としては、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系等が挙げられるが、これに限定されない。なお、図１は、実装用パッド２５のセンターを含む断面を示しており、上記補助パッド２３及び実装用パッド２５の位置は、図示のように、電極３１の位置に対応している。
【００２６】
次に、半導体装置の製造方法について説明する。まず、配線基板２０上に、配線２４及び実装用パッド２５を含む配線パターン２１を形成し、その後に、配線２４及び実装用パッド２５を覆うように絶縁層２２を形成する。次に、露光・現像を行い、実装用パッド２５上の絶縁層２２に第１の開口２６を形成する。
【００２７】
続いて、第１の開口２６、及び第１の開口２６の周囲の絶縁層２２上に、補助パッド２３を印刷工法で形成する。次いで、電子部品３０の電極３１に接合されている導電部材４０と、実装用パッド２５のセンターとを一致させた状態で、配線基板２０上に電子部品３０を搭載する。その後、リフロー工法等で熱を加えて導電部材４０を溶融させて、配線基板２０上に電子部品３０が実装される。
【００２８】
以上の工程を経て、図１に示す半導体装置１０を製造できる。なお、本実施形態では、導電部材４０を半田ボールとし、絶縁層２２をソルダーレジストで形成し、更に、導電部材４０の周辺にはアンダーフィルを充填していない構造を有している。しかし、配線基板２０上の実装用パッド２５に導電部材４０を介して電子部品３０を実装している構造であれば、特に限定されない。
【００２９】
次に、配線基板２０での配線２４の引き回しについて説明する。半導体装置１０は、上記したように、電子部品３０の電極３１と配線基板２０上の実装用パッド２５が導電部材４０を介して実装された構造を有している。この構造では、実装用パッド２５から、他の電子部品３０等との電気的接続を得るために、配線基板２０の実装用パッド２５と干渉せず、配線２４を引き回す必要がある。
【００３０】
そこで、本実施形態では、実装用パッド２５よりも大きな径を有し、実装用パッド２５に第１の開口２６を介して接続された補助パッド２３を、絶縁層２２上に配設した。このため、配線基板２０上に電子部品３０が実装された状態で、導電部材４０が補助パッド２３を介して実装用パッド２５に電気的に接続される。つまり、導電部材４０は、補助パッド２３に直接接続され、且つ、実装用パッド２５に間接的に接続される。このため、配線基板２０の表層面に形成された実装用パッド２５の径を小さくできる。
【００３１】
実装用パッド２５の径を小さくすることで、表層面で隣り合う実装用パッド２５の間隔が大きくなり、その結果、配線基板２０の表層面に形成された配線２４を、配線基板２０の表層面で引き回すことができる。従って、本実施形態では、配線基板２０の厚みを増すことなく、高密度実装が可能となる。また、配線基板２０の層数が少なくて済むので、配線基板２０を含めた半導体装置１０の薄型化を図ることもできる。
【００３２】
次に、図２及び図３を参照して、電極のピッチが０．３ｍｍのＣＳＰである電子部品を配線基板上に実装した場合での、配線基板での配線の引き回しについて説明する。図２は、図１に示す半導体装置１０の変形例の構成を示す断面図である。図３（ａ）及び（ｂ）は、比較例である半導体装置の構成を示す断面図である。まず、図３を参照して比較例について説明する。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、ピッチ０．３ｍｍのＣＳＰである電子部品１３０では、電極１３１の径が約２００μｍ（図中、Ａ’）となる。半導体装置１００は、第１の開口１１５を有する絶縁層１１４が、配線基板１１０の表層面に形成された実装用パッド１１２を覆っており、電子部品１３０の電極１３１が導電部材１２０を介して実装用パッド１１２に電気的に接続されている。
【００３４】
半導体装置１００では、図示のように、配線基板１１０上の実装用パッド１１２の径も、電極１３１の径と同じ約２００μｍ（図中、Ａ’）である。このため、実装用パッド１１２が存在しない箇所、即ち、隣り合う実装用パッド１１２の間隔（図中、Ｂ’）は、約１００μｍとなる。このような狭い間隔では、配線基板１１０の表層面で、実装用パッド１１２と干渉せずに、配線１１１を引き回すことは困難となる。
【００３５】
そのために、半導体装置１００では、配線１１１が、ビア１１３を介して実装用パッド１１２と電気的に接続され、配線基板１１０の内層で引き回された構造となる。この構造では、配線１１１が増える毎に配線基板１１０の層数が増加し、配線基板１１０自体が厚くなってしまう。
【００３６】
従って、比較例の半導体装置１００では、高密度実装を図る際に、配線基板１１０が厚くなり、半導体装置１００自体も厚みが増してしまう。
【００３７】
続いて、図３（ｂ）に示す比較例である半導体１００Ａは、実装用パッド１１２Ａの径を小さくすることで、隣り合う実装用パッド１１２Ａの間隔が狭くならない構造を採用したものである。半導体装置１００Ａでは、配線基板１１０Ａの表層面に配線１１１Ａと径の小さな実装用パッド１１２Ａとを含む配線パターンが形成されている。また、第１の開口１１５Ａを有する絶縁層１１４Ａが、配線１１１Ａ及び実装用パッド１１２Ａを覆っている。
【００３８】
ところが、半導体装置１００Ａでは、半田ボールである導電部材１２０Ａを介して配線基板１１０Ａ上に電子部品１３０を実装すると、実装用パッド１１２Ａの径が小さいために、実装用パッド１１２Ａに対して半田ボールが大き過ぎることになる。その結果、半導体装置１００Ａでは、半田ボールの溶融時に、図示のように、隣り合う半田ボールとショートし、更に、実装用パッド１１２Ａと導電部材１２０Ａとの接続強度が小さくなるので、信頼性が低下してしまう。
【００３９】
これに対して、図２に示す本実施形態の半導体装置１０Ａでは、導電部材４０Ａが補助パッド２３Ａを介して実装用パッド２５に接続されている。即ち、導電部材４０Ａが補助パッド２３Ａに直接接続され、且つ、実装用パッド２５に間接的に接続されている。従って、電子部品３０の電極３１の径が上記同様に約２００μｍであっても、補助パッド２３Ａの外周径を約２００μｍとすることで、実装用パッド２５の径を、例えば約１００μｍ（図中、Ａ）程度に小さくできる。
【００４０】
実装用パッド２５の径を小さくしたので、隣り合う実装用パッド２５の間隔は、ソルダーレジストで形成された絶縁層２２Ａを介した補助パッド２３Ａの直下も含めて、約２００μｍ（図中、Ｂ）となる。つまり、配線基板２０Ａでは、隣り合う実装用パッド２５の間に、配線を引き回すための十分な間隔を確保できるので、表層面で配線を引き回すことが可能となり、配線基板２０Ａの層数を増やすことなく、高密度実装を図ることができる。このため、半導体装置１０Ａでは、薄型化が可能となる。
【００４１】
一例として、配線の幅とスペース（Ｌ／ｓ）を、４０μｍ／４０μｍとすれば、隣り合う実装用パッド２５の間で、且つ、絶縁層２２Ａ上に形成された補助パッド２３Ａの直下に、図示のように、複数（ここでは、２本）の配線２４ａ，２４ｂを引き回すことができる。つまり、配線基板２０Ａの表層面には、実装用パッド２５と配線２４ａ，２４ｂとを含む配線パターン２１Ａが形成されている。
【００４２】
このように、本実施形態の半導体装置１０Ａでは、絶縁層２２Ａ上に導電部材４０Ａと接続された補助パッド２３Ａを設けることで、補助パッド２３Ａの直下等、配線基板２０Ａの表層面に配線を引き回せる箇所が増える。そのため、配線基板２０Ａの層数を増やすことなく、高密度実装が可能となり、また、薄型化も図ることができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、電子部品３０の電極３１のピッチを０．３ｍｍとしたが、これに限定されず、他のピッチサイズであっても上記同様の効果を得ることができる。さらに、電子部品３０の大きさ、形状についても、同様の効果が得られるので、特に限定されない。
【００４４】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図４（ａ）に示す半導体装置１０Ｂは、補助パッド２３Ｂが第２の開口２７を有している点で、図１に示した上記半導体装置１０と異なる。
【００４５】
半導体装置１０Ｂでは、補助パッド２３Ｂが第２の開口２７を有していることで、電極３１が、第１の開口２６及び第２の開口２７内に形成された導電部材４０Ｂを介して、配線基板２０Ｂの表層面の実装用パッド２５に接続されている。このため、導電部材４０Ｂが、補助パッド２３Ｂだけでなく、実装用パッド２５とも直接接続されるので、電気的信頼性が向上する。
【００４６】
さらに、半導体装置１０Ｂでは、導電部材４０Ｂが、補助パッド２３Ｂの第２の開口２７、及び絶縁層２２の第１の開口２６内に形成され、且つ、補助パッド２３Ｂが絶縁層２２の第１の開口２６の周りに形成されている。このため、導電部材４０Ｂが絶縁層２２上を流れて、隣り合う実装用パッド２５とショートすることを防止できる。さらに、補助パッド２３Ｂは、第２の開口２７が形成されているので、上記半導体装置１０の補助パッド２３に比べて面積が小さく、材料の使用量が少なくて済み、低コスト化を図ることができる。
【００４７】
図４（ｂ）に示す半導体装置１０Ｃは、補助パッド２３Ｃを形成する材質が、例えば、絶縁層２２の第１の開口２６及び補助パッド２３Ｃの第２の開口２７の壁面２８に塗布されている点で、図４（ａ）に示す半導体装置１０Ｂと異なる。この構造は、一例として、印刷工程やディスペンス工程で補助パッド２３Ｃを形成する際に、位置ずれが生じ、塗布箇所が多少ずれた場合に得られる。
【００４８】
このような半導体装置１０Ｃにおいても、電子部品３０の電極３１と配線基板２０Ｃ上の実装用パッド２５が導電部材４０Ｃを介して実装された構造を有しているので、半導体装置１０Ｂと同様の効果を得ることができる。
【００４９】
図５は、図４（ａ）に示す半導体装置１０Ｂの変形例の構成を示す断面図である。半導体装置１０Ｄは、隣り合う実装用パッド２５の間で、且つ、絶縁層２２Ａ上に形成された補助パッド２３Ｄの直下に、図示のように、複数（ここでは、２本）の配線２４ａ，２４ｂを配線基板２０Ｄの表層面で引き回している点で、上記半導体装置１０Ｂと異なる。また、図５に示す配線２４ａ，２４ｂは、図４（ａ）に示した配線２４と比べて、幅を小さくしている。なお、半導体装置１０Ｄにおいても、電子部品３０の電極３１と配線基板２０Ｄ上の実装用パッド２５が導電部材４０Ｄを介して実装された構造を有している。
【００５０】
このため、半導体装置１０Ｄでは、隣り合う実装用パッド２５の間で、複数の配線２４ａ，２４ｂを十分に引き回すことができる。従って、配線基板２０Ｄの層数を増やさずに、更なる高密度実装が可能となる。
【００５１】
なお、上記した各実装用パッド及び補助パッドの平面形状は、正方形、長方形その他、種々の形状を採用できる。
【００５２】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の半導体装置及び配線基板は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１０，１０Ａ〜１０Ｄ：半導体装置
２０，２０Ａ〜２０Ｄ：配線基板
２１，２１Ａ：配線パターン
２２，２２Ａ：絶縁層
２３，２３Ａ〜２３Ｄ：補助パッド
２４，２４ａ，２４ｂ：配線
２５：実装用パッド
２６：第１の開口
２７：第２の開口
２８：壁面
３０：電子部品
３１：電極
４０，４０Ａ〜４０Ｄ：導電部材
【図１】
2010232616.tif 000003
【図２】
2010232616.tif 000004
【図３】
2010232616.tif 000005
【図４】
2010232616.tif 000006
【図５】
2010232616.tif 000007