(57)【要約】【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。【選択図】図１
2010199107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を静電的に吸着するための第１電極と、前記基板にバイアスを印加するための第２電極と、前記基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板と、
前記静電吸着板の下面に溶着され、前記静電吸着板と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジと、
前記フランジの下面に対面する面にシール部材を有し、前記シール部材を介して、前記フランジを取り付ける支持台とを有し、
前記第２電極に供給するバイアスパワーを変更するときには、前記基板の温度が一定となるように、前記ヒータに供給するヒータパワーを変更するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジを、当該フランジの下面の温度が２００℃以下となる温度勾配を形成する高さとしたことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジの外周面を、フッ素系ガスのプラズマに対して、プラズマ耐性が高い被覆材で被覆したことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジの外周側の前記支持台の上面に、前記フランジの外周面及び前記静電吸着板の下面との隙間が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となるように、リング状部材を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記第１電極に接続する第１接続端子、前記第２電極に接続する第２接続端子及び前記ヒータに接続する第３接続端子を、前記フランジの内周側に配置して、前記第１電極、前記第２電極及び前記ヒータと各々接続することにより、前記第１接続端子、前記第２接続端子及び前記第３接続端子を前記フランジの内周側の大気側に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記支持台に流路を設け、当該流路に前記支持台を冷却する冷媒を流すようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置の基板支持台。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置において、基板を支持する基板支持台に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置、例えば、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置、プラズマエッチング装置において、Ｓｉ（シリコン）等の半導体からなる基板は、基板支持台に支持されている。この基板支持台には、基板を静電的に吸着保持するセラミックス製（例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等）の静電チャックが設けられている。そして、この静電チャックには、静電チャック用電極に加えて、基板にバイアスを印加するためのバイアス用電極も設けられており、基板吸着保持の機能だけでなく、バイアス印加の機能も備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公平７−５１７５４号公報
【特許文献２】特開２００７−２１７７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置には、例えば、プラズマＣＶＤ装置を用いて、半導体装置用絶縁膜が成膜される。この半導体装置用絶縁膜には、半導体装置の信頼性を確保するために、高い耐水性、耐熱性が求められており、半導体装置用絶縁膜の耐水性、耐熱性を改善するためには、成膜中の基板温度を高くすることが有効である。
【０００５】
従来は、基板温度を高くするため、図４（ａ）に示すように、支持台５０に取り付けた静電チャック５１の表面に多数のディンプル５６を設けた基板支持台を用いていた。このように、静電チャック５１の表面に多数のディンプル５６を設けることにより、基板Ｗから静電チャック５１への熱伝達を減少させて、基板温度を高くしていた。なお、図中の符号５２は、静電チャック５１に内蔵したバイアス／静電チャック共用電極（図示省略）に接続する接続端子であり、この接続端子５２を、支持台５０の中央部を貫通する開口部５３に設けたＯリング溝５４及びＯリング５５によりシールすることにより、真空チャンバ内の真空を保っている。
【０００６】
ところが、上記構成の基板支持台において、基板Ｗの温度は、外部からの入熱に大きな影響を受け、例えば、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更すると、基板Ｗの温度も変わってしまう問題があった。具体的には、真空チャンバ内にプラズマＰを生成し、静電吸着された基板Ｗにバイアス印加を行うと、図４（ｂ）のタイムチャートに示すように、成膜中の時間ｔ１、ｔ２の前後で、印加するバイアスパワーに影響を受けて、バイアスパワーが大きくなると基板Ｗの温度が高くなってしまい、バイアスパワーが小さくなると基板Ｗの温度が低くなってしまい、基板Ｗを所望の一定温度に安定して制御することが難しかった。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する第１の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
基板を静電的に吸着するための第１電極と、前記基板にバイアスを印加するための第２電極と、前記基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板と、
前記静電吸着板の下面に溶着され、前記静電吸着板と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジと、
前記フランジの下面に対面する面にシール部材を有し、前記シール部材を介して、前記フランジを取り付ける支持台とを有し、
前記第２電極に供給するバイアスパワーを変更するときには、前記基板の温度が一定となるように、前記ヒータに供給するヒータパワーを変更することを特徴とする。
例えば、バイアスパワーを増やすときには、ヒータパワーを減らし、バイアスパワーを減らすときには、ヒータパワーを増やして、基板温度を一定とすればよい。
【０００９】
上記課題を解決する第２の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
上記第１の発明に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジを、当該フランジの下面の温度が２００℃以下となる温度勾配を形成する高さとしたことを特徴とする。
【００１０】
上記課題を解決する第３の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
上記第１、第２の発明に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジの外周面を、フッ素系ガスのプラズマに対して、プラズマ耐性が高い被覆材で被覆したことを特徴とする。
【００１１】
上記課題を解決する第４の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
上記第１〜第３のいずれか１つの発明に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記フランジの外周側の前記支持台の上面に、前記フランジの外周面及び前記静電吸着板の下面との隙間が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となるように、リング状部材を設けたことを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決する第５の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
上記第１〜第４のいずれか１つの発明に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記第１電極に接続する第１接続端子、前記第２電極に接続する第２接続端子及び前記ヒータに接続する第３接続端子を、前記フランジの内周側に配置して、前記第１電極、前記第２電極及び前記ヒータと各々接続することにより、前記第１接続端子、前記第２接続端子及び前記第３接続端子を前記フランジの内周側の大気側に配置したことを特徴とする。
【００１３】
上記課題を解決する第６の発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台は、
上記第１〜第５のいずれか１つの発明に記載のプラズマ処理装置の基板支持台において、
前記支持台に流路を設け、当該流路に前記支持台を冷却する冷媒を流すようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
第１、第２の発明によれば、静電吸着板の下面に筒状のフランジを溶着し、当該フランジを介して、静電吸着板を支持台に取り付けると共に、バイアスパワーを変更するときには、基板の温度が一定となるように、ヒータパワーを変更するので、基板を比較的高い温度（例えば、３００℃〜４００℃）で安定して制御することができる。その結果、例えば、プラズマＣＶＤ装置であれば、膜質の良い薄膜を成膜可能となる。そして、基板が比較的高い温度であっても、フランジ下面にあるシール部材周辺の温度は低いので、シール部材として、Ｏリングが使用可能であり、そのメンテナンス性が向上する。
【００１５】
第３の発明によれば、フランジ外周面をプラズマ耐性の高い材料で被覆したので、フランジ自体の腐食を抑制することができる。
【００１６】
第４の発明によれば、フランジ外周側の支持台上面に、フランジ外周面及び静電吸着板下面との隙間が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となるリング状部材を設けたので、静電吸着板下面での放電を防止することができる。
【００１７】
第５の発明によれば、フランジ内周側、つまり、大気側において、第１電極、第２電極及びヒータと、第１接続端子、第２接続端子及び第３接続端子とを各々接続したので、第１接続端子、第２接続端子及び第３接続端子における放電を防止することができる。
【００１８】
第６の発明によれば、支持台に流路を設け、支持台を冷却する冷媒を流すようにしたので、シール部材の温度をより低くして、シール部材の寿命を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の一例を示す縦断面図であり、（ｂ）は、その基板支持台における制御の一例を説明するタイムチャートである。
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の他の一例を示す縦断面図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の他の一例を示す縦断面図である。
【図４】（ａ）は、従来のプラズマ処理装置の基板支持台の縦断面図であり、（ｂ）は、その問題点を説明するタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
【００２１】
（実施例１）
図１（ａ）は、本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の一例を示す縦断面図であり、又、図１（ｂ）は、その基板支持台における制御の一例を説明するタイムチャートである。なお、本実施例の基板支持台は、プラズマ処理装置（例えば、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等）の真空チャンバ内に配置されるものであるが、ここでは、真空チャンバやプラズマ発生機構等の基板支持台以外の構成は省略して図示している。
【００２２】
本実施例の基板支持台は、真空チャンバ（真空室）の内部に配置された金属製（例えば、アルミニウム等）の支持台１０と、支持台１０の上面に取り付けられる静電チャック１４（静電吸着板）とを有している。この静電チャック１４の下部には、円筒状のフランジ１３が設けられており、このフランジ１３下部がＬ字断面状に形成されて、その下面が支持台１０の上面に配置される。そして、フランジ１３下面に対面する支持台１０上面の位置にＯリング溝１１を設け、そのＯリング溝１１にＯリング１２（シール部材）を配置している。つまり、支持台１０と静電チャック１４の間に、Ｏリング溝１１、Ｏリング１２及びフランジ１３が介在し、Ｏリング溝１１、Ｏリング１２及びフランジ１３を介して、静電チャック１４が支持台１０の上面に取り付けられている。
【００２３】
静電チャック１４は、Ｓｉ（シリコン）等の半導体からなる基板Ｗを静電的に吸着保持するセラミックス（例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等）から形成されて、その内部に静電チャック用電極（第１電極；図示省略）を有するものであり、加えて、基板にバイアスを印加するためのバイアス用電極（第２電極；図示省略）や基板の温度を制御するためのヒータ（図示省略）等も内部に有するものである。つまり、静電チャック１４は、基板吸着保持の機能だけでなく、バイアス印加、温度制御の機能も備えている。なお、静電チャック用電極とバイアス用電極は、１つの電極を共用することが可能であり、本実施例では、１つの電極を共用している。
【００２４】
又、静電チャック１４は、基板Ｗとの熱伝達を向上させるため、その表面全面を、平坦、且つ、表面粗さＲａ０．８以下としている。
【００２５】
フランジ１３は、静電チャック１４の下面にロウ付け等により溶着されて、静電チャック１４とフランジ１３とは一体となっている。つまり、フランジ１３と静電チャック１４との間に隙間は存在せず、基板支持台におけるシールは、フランジ１３下面と支持台１０上面のＯリング１２により行われており、Ｏリング１２の外周側を真空チャンバ側として密閉すると共に、Ｏリング１２の内周側を大気側としている。なお、図示していないが、静電チャック１４及びフランジ１３は、Ｏリング１２近傍のボルトにて、フランジ１３下部を支持台１０に取り付けることにより、固定している。
【００２６】
このフランジ１３には、熱応力を考慮して、セラミクス性の静電チャック１４と熱特性が近いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金であるコバール（登録商標）が用いられている。なお、セラミクス性の静電チャック１４と熱特性が近い合金であれば、他の合金、例えば、４２アロイ、ＮＳＬ等を用いてもよい。
【００２７】
又、このフランジ１３は、支持台１０へ固定される下部を除き、薄い肉厚（例えば、０．５ｍｍ厚）で形成されると共に、静電チャック１４と支持台１０との間に所定の距離を設けるように形成されている。フランジ１３の肉厚を薄くすることにより、フランジ１３自体が熱伝達の抵抗となる。又、静電チャック１４と支持台１０との間に距離を置くことにより、フランジ１３自体に温度勾配を形成しており、シール面（Ｏリング１２と接する面）を、基板Ｗ及び静電チャック１４から離れた位置としている。
【００２８】
又、フランジ１３の内径はできるだけ小さい方がよい。これは、フランジ１３の内周側は大気側となっているが、真空チャンバ内部が真空になると、静電チャック１３が大気圧に面する部分には大気圧からの力が働き、内径が大きいと、それだけ大きな力がかかるからである。従って、フランジ１３の内径を小さくし、静電チャック１３が大気圧に面する部分の面積を小さくして、大気圧が静電チャック１３を押し上げる力を小さくしている。
【００２９】
基板Ｗ及び静電チャック１４側からの熱伝達は、殆どフランジ１３を介して行われることになるが、フランジ１３を上記構造とすることにより、基板Ｗ及び静電チャック１４側から支持台１０側への熱伝達を抑制すると共に、温度勾配を形成するようにしている。そして、上述したように、シール面をフランジ１３下面とすることにより、基板Ｗ及び静電チャック１４側が高温であっても、シール面をＯリング１２の耐熱温度以下にすることができる。その結果、基板Ｗを所望の高温にすることが可能となり、又、メタルシールのようなシール部材を用いることは不要となり、シール部材として、メンテナンス性の良いフッ素樹脂系のＯリングを使用することができる。
【００３０】
従って、フランジ１３は、フランジ１３下面の温度がＯリング１２の耐熱温度以下となる温度勾配を形成する高さに決定される。例えば、基板Ｗの温度を４００℃で温度制御する場合には、フランジ１３の高さを２５ｍｍ以上とすれば、フランジ１３下面の温度をＯリング１２の耐熱温度である２００℃以下とすることができる。このように、基板Ｗの制御温度に応じて、フランジ１３の高さを決定する。
【００３１】
又、支持台１０の中央部には、支持台１０を貫通する開口部１７が設けられている。この開口部１７は、Ｏリング１２の内周側であり、又、フランジ１３の中空部分と連通している。そして、バイアス／静電チャック共用電極に接続するための共用接続端子１９（第１及び第２接続端子）及びヒータに接続するためのヒータ接続端子２０（第３接続端子）が、静電チャック１４の下面から、フランジ１３の中空部分、開口部１７を通って、引き出されている。つまり、共用接続端子１９及びヒータ接続端子２０を、Ｏリング１２の内周側の大気側に、換言すれば、真空側とならないように、配置している。その結果、共用接続端子１９及びヒータ接続端子２０に、高電力、高電圧を印加しても、周囲が大気であるので、放電の発生を防止することができる。
【００３２】
例えば、共用接続端子１９にＤＣ電圧を供給して、基板Ｗを静電チャック１４に静電吸着させると共に、同じく、接続端子１９に高周波電力を供給して、基板Ｗにバイアスを印加するが、共用接続端子１９の周囲が大気であるので、高電力、高電圧を印加しても放電の発生を防止することができる。なお、電極をバイアス用と静電チャック用に共用しない場合には、バイアス用接続端子、静電チャック用接続端子を共にＯリング１２の内周側に配置すればよい。又、高い電力供給のため共用接続端子１９を複数用いる場合にも、これらをＯリング１２の内周側に配置すればよい。
【００３３】
一方、基板Ｗの温度を検出する基板温度センサ端子２１、静電チャック１４の温度を検出するチャック温度センサ端子１８は、対象物の温度が検出でき、シール性が保てるのであれば、どこに配置してもよい。本実施例では、一例として、基板温度センサ端子２１は、静電チャック１４の下面から、開口部１７を通って、引き出されており、チャック温度センサ端子１８は、静電チャック１４の下面から、支持台１０自体を貫通して、引き出されている。なお、基板温度センサ、チャック温度センサとしては、熱電対や放射温度計等が使用されるが、熱電対の場合には、それ自体が接続端子となり、放射温度計の場合には、対象物からの赤外線を伝搬する光ファイバが接続端子となる。
【００３４】
又、支持台１０には、冷却用の冷媒１６を流す流路１５が形成されており、支持台１０の流路１５に流れる冷媒１６の温度、流量を制御して、支持台１０自体を所望の温度に冷却するようにしている。このように支持台１０を冷却することにより、Ｏリング１２自体の温度をより低くすることができ、Ｏリング１２の寿命を長くして、メンテナンス性を向上させることもできる。又、耐熱性の低い、安価なＯリングも使用可能となる。
【００３５】
そして、本実施例では、上記構造の基板支持台において、静電チャック１４のバイアスパワーの制御タイミングに合わせて、静電チャック１４のヒータパワーを制御装置（図示省略）により制御することにより、基板Ｗの温度を高温で安定化させている。
【００３６】
具体的には、プロセス中、真空チャンバ内にプラズマＰを生成し、静電チャック１４に静電吸着させた基板Ｗにバイアスを印加するとき、図１（ｂ）のタイムチャートに示すように、バイアスパワー（図中の一点鎖線）を大きくする時間ｔ１に合わせて、ヒータパワー（図中の太点線）を小さくし、そして、バイアスパワーを小さくする時間ｔ２に合わせて、ヒータパワーを大きくする制御を行っている。このような制御を行うことにより、基板Ｗにおける熱収支が一定になるようにして、プロセス時における基板Ｗの温度を一定にしている。このとき、基板温度センサで検出した基板Ｗの温度が一定となるように、バイアスパワーの変更に合わせて、ヒータパワーを変更すればよい。
【００３７】
従って、上記構造の基板支持台を用い、上記制御を行うことにより、基板Ｗを高温にすると共に、その温度を安定化させることができる。その結果、例えば、プラズマＣＶＤ装置であれば、膜質の良い薄膜を成膜可能となる。
【００３８】
（実施例２）
図２は、本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の他の一例を示す縦断面図である。なお、本実施例の基板支持台も、プラズマ処理装置の真空チャンバ内に配置されるものであるが、ここでも、真空チャンバやプラズマ発生機構等の基板支持台以外の構成は省略して図示している。又、実施例１に示した基板支持台の構成と同等のものについては、同じ符号を用い、又、チャック温度検出センサ端子１８、共用接続端子１９、ヒータ接続端子２０及び基板温度検出センサ端子２１の図示は省略し、重複する説明も省略する。
【００３９】
図２に示すように、本実施例では、静電チャック１４の下部に設けたコバール合金製のフランジ１３の外周面及びロウ付け部分、つまり、真空側表面をプラズマ耐性の高い材料からなる被覆材２２によりコーティングしている。プラズマ耐性の高い材料としては、例えば、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等があり、Ｙ2Ｏ3であれば、フランジ１３の外周面にＹ2Ｏ3を溶射して、コーティングを行えばよい。
【００４０】
コバール合金は、鉄（Ｆｅ）系合金であり、プラズマＣＶＤ装置で使用するクリーニングガスであるフッ素系ガス（例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）等）のプラズマに対し耐食性が低いが、コバール合金製のフランジ１３の表面をプラズマ耐性の高い材料でコーティングすることにより、コバールの腐食が抑制されて、Ｆｅによる汚染を防止することができる。
【００４１】
従って、上記構造の基板支持台を用い、実施例１の図１（ｂ）に示すような制御を行うことにより、基板Ｗを高温にすると共に、その温度を安定化させることができる。
【００４２】
（実施例３）
図３は、本発明に係るプラズマ処理装置の基板支持台の実施形態の他の一例を示す縦断面図である。なお、本実施例の基板支持台も、プラズマ処理装置の真空チャンバ内に配置されるものであるが、ここでも、真空チャンバやプラズマ発生機構等の基板支持台以外の構成は省略して図示している。又、実施例１に示した基板支持台の構成と同等のものについては、同じ符号を用い、又、チャック温度検出センサ端子１８、共用接続端子１９、ヒータ接続端子２０及び基板温度検出センサ端子２１の図示は省略し、重複する説明も省略する。
【００４３】
図３に示すように、本実施例では、フランジ１３の外周側の支持台１０の上面に、支持台１０と同等の金属材料（例えば、アルミニウム）からなるリング形状のリング状部材２３を設けている。そして、静電チャック１４下面及びフランジ１３外周面とリング状部材２３表面との間の隙間は、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下としている。これは、隙間を２．０ｍｍ以下とすることで、静電チャック１４下面での放電を防止している。又、製作精度の関係から、隙間の下限は０．５ｍｍ以上とし、静電チャック１４及びフランジ１３とリング状部材２３との接触を防止し、静電チャック１４及びフランジ１３からリング状部材２３側への直接的な熱伝達を防止している。なお、リング状部材２３の外径は、静電チャック１４と同等か、それ以上であればよい。
【００４４】
一方、静電チャック１４及びフランジ１３からリング状部材２３側への間接的な熱伝達、つまり、熱放射は避けられない。そこで、リング状部材２３自体の冷却のため、リング状部材２３と支持台１０との間にカーボンシートを介在させて、リング状部材２３と支持台１０との間の熱伝達率を向上させるようにしてもよいし、リング状部材２３自体を支持台１０と一体に形成してもよい。更には、リング状部材２３の表面をアルマイト処理することにより、放射率を増やし（例えば、放射率を０．７以上）、放射伝熱効率を向上させて、特に、高温となる静電チャック１４下面からの熱放射については、積極的に吸収するようにしてもよい。
【００４５】
従って、上記構造の基板支持台を用い、実施例１の図１（ｂ）に示すような制御を行うことにより、基板Ｗを高温にすると共に、その温度を安定化させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパ層、パッシベーション膜、ハードマスク、ＣＡＰ膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜を製造するプラズマ処理装置に適用可能なものであり、特に、高温処理が必要な場合に好適である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  支持台
１１  Ｏリング溝
１２  Ｏリング
１３  フランジ
１４  静電チャック
１７  開口部
１８  チャック温度検出センサ端子
１９  共用接続端子
２０  ヒータ接続端子
２１  基板温度検出センサ端子
【図１】
2010199107.tif 000003
【図２】
2010199107.tif 000004
【図３】
2010199107.tif 000005
【図４】
2010199107.tif 000006