(57)【要約】【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、
前記ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記ボンド基板と前記ベース基板を貼り合わせると共に、前記ボンド基板と前記ベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、
熱処理を施すことにより、前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層にレーザー光の照射処理を行うＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記貼り合わない領域を、凹部または凸部の配置により形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記貼り合わない領域を、貼り合わせ時の押しつけ圧力を２０Ｎ／ｃｍ２以上とすることにより形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記貼り合わない領域の面積を、１．０ｍｍ２以上とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記貼り合わない領域を、前記ボンド基板の角部に形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記ボンド基板と前記ベース基板との貼り合わせを、前記ボンド基板の角部から開始させるＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記熱処理の温度を５００℃以下とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の作製方法を用いて前記半導体層の欠損の数密度を１．０個／ｃｍ２以下としたＳＯＩ基板。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の作製方法を用いて前記半導体層表面のＰ−Ｖを１２０ｎｍ以下としたＳＯＩ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の作製方法、ＳＯＩ基板、および該基板を用いた半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、バルク状のシリコンウエハに代えて、絶縁表面に薄い単結晶半導体層を備えたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることが検討されている。ＳＯＩ基板を用いることで、トランジスタのドレインと基板により形成される寄生容量を小さくすることができるため、ＳＯＩ基板は半導体集積回路の性能を向上させるものとして大いに注目されている。
【０００３】
ＳＯＩ基板を製造する方法の１つとして、スマートカット（登録商標）法が知られている（例えば、特許文献１参照）。スマートカット法によるＳＯＩ基板の作製方法の概要を以下に説明する。まず、シリコンウエハにイオン注入法を用いて水素イオンを注入し、表面から所定の深さに微小気泡層を形成する。次に、酸化シリコン膜を介して、水素イオンを注入したシリコンウエハを別のシリコンウエハに接合させる。その後、熱処理を行うことにより、水素イオンが注入されたシリコンウエハの一部が微小気泡層を境に薄膜状に分離し、接合させた別のシリコンウエハ上に単結晶シリコン膜が形成される。
【０００４】
さらに、スマートカット法を用いて単結晶シリコン層をガラスからなるベース基板上に形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。ガラス基板はシリコンウエハよりも大面積化が容易であり、且つ、安価であるため、主に、液晶表示装置等の製造の際に用いられる。このガラス基板をベース基板として用いることにより、大面積で安価なＳＯＩ基板を作製することが可能となるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０５−２１１１２８号公報
【特許文献２】特開２００５−２５２２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記スマートカット法などを用いて、ガラス基板上に単結晶シリコン層を形成する場合には、シリコンウエハ同士を貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する場合と比較して、シリコン層の表面の荒れが大きくなる傾向にある。このような表面の荒れは、後の工程において様々な不良を誘発し、結果として半導体素子や半導体装置の歩留まり低下の要因となる。
【０００７】
上記問題に鑑み、開示する発明の一態様では、ガラス基板などのベース基板とボンド基板である単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを高めることを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示する発明の一態様では、ボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際、ボンド基板とベース基板との界面の一部（特に周縁部）に意図的に貼り合わせがなされない領域を形成する。より詳細には以下の通りである。
【０００９】
開示する発明の一態様は、ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法である。
【００１０】
上記において、半導体層にレーザー光の照射処理を行うことが望ましい。また、貼り合わない領域は、凹部または凸部あるいは両者を、ボンド基板またはベース基板の表面に設けることで形成することができる。また、貼り合わせ時の押しつけ圧力を２０Ｎ／ｃｍ２以上とすることにより、貼り合わない領域を形成することができる。
【００１１】
上記貼り合わない領域の面積は、１．０ｍｍ２以上とすることが望ましい。また、上記貼り合わない領域は、ボンド基板の角部に形成することが望ましい。また、上記ボンド基板とベース基板との貼り合わせを、ボンド基板の角部から開始させることが望ましい。また、上記熱処理の温度を５００℃以下とすることが望ましい。
【００１２】
上述の方法により、例えば、欠損（特に、直径が１μｍ以上の欠損をいう）の数密度を５．０個／ｃｍ２以下、好ましくは１．０個／ｃｍ２以下としたＳＯＩ基板を提供することができる。また、上述の方法により、半導体層表面のＰ−Ｖを１２０ｎｍ以下としたＳＯＩ基板を提供することができる。また、上述のＳＯＩ基板を用いて半導体装置を作製し、提供することができる。
【００１３】
一般に、ＳＯＩ基板は絶縁表面上にシリコン半導体層が設けられた構成の半導体基板をいうが、本明細書等においては、絶縁表面上に半導体層が設けられた構成の半導体基板を含む概念として用いる。つまり、ＳＯＩ基板に用いられる半導体層は、シリコン半導体層に限定されない。また、本明細書等において、半導体基板は、半導体材料のみからなる基板を示すに留まらず、半導体材料を含む基板全般を指すものとする。つまり、ＳＯＩ基板も広く半導体基板に含まれる。
【００１４】
なお、本明細書等において単結晶とは、ある結晶軸に注目した場合、その結晶軸の方向が試料のどの部分においても同様の方向を向いているものをいう。つまり、結晶欠陥やダングリグボンドを含んでいても、上記のように結晶軸の方向が揃っているものは単結晶として扱う。
【００１５】
また、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。例えば、表示装置や、集積回路は半導体装置に含まれる。また、本明細書等において表示装置とは、発光表示装置や液晶表示装置、電気泳動素子などを用いた表示装置を含む。発光表示装置は発光素子を含み、液晶表示装置は液晶素子を含む。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等がある。
【発明の効果】
【００１６】
開示する発明の一態様では、貼り合わせに係る界面の一部（周縁部）に意図的に貼り合わせが起こらない領域を形成している。これにより、半導体層の表面の荒れを抑制したＳＯＩ基板を提供することができる。または、これを用いた半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図２】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図３】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す平面図である。
【図４】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図５】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図６】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す平面図である。
【図７】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図８】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図９】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す平面図である。
【図１０】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図１１】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す断面図である。
【図１２】ＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法の一例を示す平面図である。
【図１３】トランジスタの作製方法の一例を示す断面図である。
【図１４】トランジスタの作製方法の一例を示す断面図である。
【図１５】トランジスタの平面図および断面図である。
【図１６】シリコン層の表面の様子を示す図である。
【図１７】シリコン層の表面の様子を示す図である。
【図１８】シリコン層の表面の様子を示す図である。
【図１９】ガラス基板表面の様子の一例を示す図である。
【図２０】貼り合わない領域の直径と、欠損の数との関係を示す図である。
【図２１】表面のラフネスの比較結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ＳＯＩ基板の作製方法の一例に関して図面を参照して説明する。具体的には、ベース基板上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ基板を作製する場合について説明する。
【００２０】
まず、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを準備する（図１（Ａ）、図１（Ｂ）参照）。
【００２１】
ベース基板１００としては、絶縁体でなる基板を用いることができる。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイア基板が挙げられる。なお、上記ガラス基板において、酸化バリウムを酸化ホウ素より多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、ガラス基板に耐熱性を求める場合には、酸化ホウ素より酸化バリウムを多く含むガラス基板を用いると良い。なお、本実施の形態では、ベース基板１００としてガラス基板を用いる場合について説明する。ベース基板１００として大面積化が可能で安価なガラス基板を用いることにより、低コスト化を図ることができる。
【００２２】
また、ベース基板１００として単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板などの半導体基板を用いても良い。ベース基板１００として半導体基板を用いる場合には、ガラス基板などを用いる場合と比較して熱処理の温度条件が緩和するため、良質なＳＯＩ基板を得ることが容易になる。ここで、半導体基板としては、太陽電池級シリコン（ＳＯＧ−Ｓｉ：Ｓｏｌａｒ  Ｇｒａｄｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などを用いても良い。また、多結晶半導体基板を用いても良い。太陽電池級シリコンや、多結晶半導体基板などを用いる場合には、単結晶シリコン基板などを用いる場合と比較して、製造コストを抑制することができる。
【００２３】
なお、開示する発明の一態様は、貼り合わせに係る基板の材質等の相違に起因して生じる半導体層の表面荒れを抑制するものであるから、貼り合わせに係る基板の材質等が異なる場合に効果的であるが、同じ材質等を用いた基板を貼り合わせる場合であっても、表面荒れを抑制するという点においては十分な効果を得ることができる。
【００２４】
上記ベース基板１００に関しては、その表面をあらかじめ洗浄しておくことが好ましい。具体的には、ベース基板１００に対して、塩酸過酸化水素水混合溶液（ＨＰＭ）、硫酸過酸化水素水混合溶液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合溶液（ＡＰＭ）、希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いて超音波洗浄を行う。このような洗浄処理を行うことによって、ベース基板１００表面の平坦性向上や、ベース基板１００表面に残存する研磨粒子の除去などが実現される。
【００２５】
単結晶半導体基板１１０としては、例えば、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導体基板を用いることができる。また、ガリウムヒ素やインジウムリン等の化合物半導体基板を用いることもできる。市販のシリコン基板としては、直径５インチ（１２５ｍｍ）、直径６インチ（１５０ｍｍ）、直径８インチ（２００ｍｍ）、直径１２インチ（３００ｍｍ）、直径１６インチ（４００ｍｍ）サイズの円形のものが代表的である。なお、単結晶半導体基板１１０の形状は円形に限られず、例えば、矩形等に加工して用いることも可能である。また、単結晶半導体基板１１０は、ＣＺ法やＦＺ（フローティングゾーン）法を用いて作製することができる。
【００２６】
汚染物除去の観点からは、硫酸過酸化水素水混合溶液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合溶液（ＡＰＭ）、塩酸過酸化水素水混合溶液（ＨＰＭ）、希フッ酸（ＤＨＦ）などを用いて単結晶半導体基板１１０の表面を洗浄しておくことが好ましい。また、希フッ酸とオゾン水を交互に吐出して洗浄してもよい。
【００２７】
次に、単結晶半導体基板１１０の表面から所定の深さに脆化領域１１２を形成し、その後、絶縁層１１４を介してベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを貼り合わせる（図１（Ｃ）、図１（Ｄ）参照）。
【００２８】
本実施の形態においては、絶縁層１１４表面の単結晶半導体基板１１０の周縁部に対応する領域に、凹部１４０を形成し、意図的にベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とが貼り合わない領域を形成する（図１（Ｃ）参照）。凹部１４０の形成により、単結晶半導体基板１１０を露出しても構わない。このように、貼り合わない領域を形成することにより、分離のきっかけを与えることができるため、形成される単結晶半導体層の表面荒れを抑制できる。なお、上記貼り合わない領域の形成は、膜の応力の緩和にも寄与するものと考察される。
【００２９】
なお、本実施の形態においては、絶縁層１１４に凹部１４０を形成する構成としているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。凹部に代えて、凸部を形成しても良い。もちろん、凹部と凸部を組み合わせた凹凸部を形成しても良い。
【００３０】
凹部の作製方法としては、絶縁層１１４を形成した後のパターニングや、レーザー光の照射などによるマーキング、ガラスペンを用いたマーキングなどがある。また、凸部の形成方法としては、絶縁層１１４を形成した後のパターニングや、レーザー光の照射などによるマーキング、ガラスペンを用いたマーキング、適切な大きさの粒子を絶縁層１１４の表面に付着させる方法などがある。なお、基板（または半導体装置）に識別符号を付与する場合など、レーザーマーカーを用いて印字を行う場合があるが、これを利用して凹部や凸部などを形成する場合には、製造コストの増加なく上記貼り合わない領域を形成することが可能であるため、好適である。
【００３１】
また、貼り合わない領域を形成することができるのであれば、凹部や凸部などを形成することに限られない。例えば、貼り合わせ時の圧力（ベース基板と単結晶半導体基板に与える圧力）を調節することでベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とが貼り合わない領域を形成することができる。この場合、貼り合わせ時の圧力を２０Ｎ／ｃｍ２以上とすることが望ましい。貼り合わせ時の圧力を２０Ｎ／ｃｍ２以上とすることで、貼り合わない領域を好適に形成することができる。
【００３２】
なお、上記貼り合わない領域の面積は、１．０ｍｍ２以上とすることが望ましい。これにより、形成される半導体層の表面の荒れを効果的に抑制することができる。また、貼り合わない領域の面積を２５ｍｍ２以上とすることで、これを一層効果的なものとすることができる。
【００３３】
なお、本実施の形態では、単結晶半導体基板の周縁部に対応する領域に貼り合わない領域を形成しているが、開示する発明はこれに限定されない。貼り合わない領域を単結晶半導体基板の周縁部に対応する領域に設ける場合には、例えば、単結晶半導体基板の角部に設けると良い。このように、貼り合わない領域を角部に設け、貼り合わせを該角部から進行させることにより、半導体層の表面荒れ抑制の効果をさらに高めることができる。
【００３４】
単結晶半導体基板１１０の表面から所定の深さに形成される脆化領域１１２は、加速による運動エネルギーを有する水素等のイオンを単結晶半導体基板１１０に照射することにより形成することができる。
【００３５】
脆化領域１１２が形成される領域の深さは、イオンの運動エネルギー、質量と電荷、イオンの入射角などによって調節することができる。また、脆化領域１１２は、イオンの平均侵入深さとほぼ同じ深さの領域に形成される。このため、イオンを添加する深さで、単結晶半導体基板１１０から分離される単結晶半導体層の厚さを調節することができる。例えば、単結晶半導体層の厚さが、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように平均侵入深さを調節すれば良い。
【００３６】
上記イオンの照射処理は、イオンドーピング装置やイオン注入装置を用いて行うことができる。イオンドーピング装置の代表例としては、プロセスガスをプラズマ励起して生成された全てのイオン種を被処理体に照射する非質量分離型の装置がある。当該装置では、プラズマ中のイオン種を質量分離しないで被処理体に照射することになる。これに対して、イオン注入装置は質量分離型の装置である。イオン注入装置では、プラズマ中のイオン種を質量分離し、ある特定の質量のイオン種を被処理体に照射する。
【００３７】
本実施の形態では、イオンドーピング装置を用いて、水素を単結晶半導体基板１１０に添加する例について説明する。ソースガスとしては水素を含むガスを用いる。照射するイオンについては、Ｈ３＋の比率が高まるようにすると良い。具体的には、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋の割合が５０％以上（より好ましくは８０％以上）となるようにする。Ｈ３＋の割合を高めることで、イオン照射の効率を向上させることができる。
【００３８】
なお、添加するイオンは水素に限定されない。ヘリウムなどのイオンを添加しても良い。また、添加するイオンは一種類に限定されず、複数種類のイオンを添加しても良い。例えば、イオンドーピング装置を用いて水素とヘリウムとを同時に照射する場合には、水素とヘリウムを別々の工程で照射する場合と比較して工程数を低減することができると共に、後の単結晶半導体層の表面荒れをより一層おさえることが可能である。
【００３９】
また、絶縁層１１４は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を単層で、または積層させて形成することができる。これらの膜は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いて形成することができる。
【００４０】
なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量（原子数）が多いものを示し、例えば、酸化窒化シリコンとは、酸素が５０原子％以上７０原子％以下、窒素が０．５原子％以上１５原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以下の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化物とは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量（原子数）が多いものを示し、例えば、窒化酸化シリコンとは、酸素が５原子％以上３０原子％以下、窒素が２０原子％以上５５原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が１０原子％以上３０原子％以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）や、水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合のものである。また、構成元素の含有比率の合計は、１００原子％を超えない。
【００４１】
貼り合わせは、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを、絶縁層１１４を介して接着させた後、ベース基板１００または単結晶半導体基板１１０の一箇所に１Ｎ／ｃｍ２以上５００Ｎ／ｃｍ２以下の圧力を加えることにより行われる（図１（Ｄ）参照）。圧力を加えると、その部分からベース基板１００と絶縁層１１４とが接合しはじめ、自発的に接合が形成されて全面におよぶ。この接合工程には、ファンデルワールス力や水素結合が作用しており、常温で行うことができる。
【００４２】
なお、貼り合わせは、上記貼り合わない領域から進行させることが望ましい。もちろん、当該領域以外から貼り合わせを進行させる場合であっても一定の効果を得ることができるが、当該領域から貼り合わせを進行させる場合には、より効果的に表面荒れを抑制することが可能である。
【００４３】
なお、単結晶半導体基板１１０とベース基板１００とを貼り合わせる前に、貼り合わせに係る表面に表面処理を行うことが好ましい。表面処理を行うことで、単結晶半導体基板１１０とベース基板１００の接合界面での接合強度を向上させることができる。
【００４４】
表面処理としては、ウェット処理、ドライ処理、またはウェット処理およびドライ処理の組み合わせが挙げられる。異なるウェット処理、または異なるドライ処理を組み合わせて行っても良い。
【００４５】
ウェット処理としては、オゾン水を用いたオゾン処理（オゾン水洗浄）、メガソニック洗浄、または２流体洗浄（純水や水素添加水等の機能水を窒素等のキャリアガスとともに吹き付ける方法）などが挙げられる。ドライ処理としては、紫外線処理、オゾン処理、プラズマ処理、バイアス印加プラズマ処理、またはラジカル処理などが挙げられる。被処理体（単結晶半導体基板、単結晶半導体基板上に形成された絶縁層、支持基板または支持基板上に形成された絶縁層）に対し、上記のような表面処理を行うことで、被処理体表面の親水性および清浄性を高める効果を奏する。その結果、基板同士の接合強度を向上させることができる。
【００４６】
ウェット処理は、被処理体表面に付着するマクロなゴミなどの除去に効果的である。ドライ処理は、被処理体表面に付着する有機物などミクロなゴミの除去または分解に効果的である。ここで、被処理体に対して、紫外線処理などのドライ処理を行った後、洗浄などのウェット処理を行う場合には、被処理体表面を清浄化および親水化し、さらに被処理体表面のウォーターマークの発生を抑制できるため好ましい。
【００４７】
また、ドライ処理として、オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素を用いた表面処理を行うことが好ましい。オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素により、被処理体表面に付着する有機物を効果的に除去または分解することができる。また、オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素に、紫外線のうち２００ｎｍ未満の波長を含む光による処理を組み合わせることで、被処理体表面に付着する有機物をさらに効果的に除去することができる。以下、具体的に説明する。
【００４８】
例えば、酸素を含む雰囲気下で紫外線を照射することにより、被処理体の表面処理を行う。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち２００ｎｍ未満の波長を含む光と２００ｎｍ以上の波長を含む光を照射することにより、オゾンを生成させるとともに一重項酸素を生成させることができる。また、紫外線のうち１８０ｎｍ未満の波長を含む光を照射することにより、オゾンを生成させるとともに一重項酸素を生成させることもできる。
【００４９】
酸素を含む雰囲気下で、２００ｎｍ未満の波長を含む光および２００ｎｍ以上の波長を含む光を照射することにより起きる反応例を示す。
Ｏ２＋ｈν（λ１ｎｍ）→Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ（３Ｐ）      ・・・      （１）
Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ２→Ｏ３                              ・・・      （２）
Ｏ３＋ｈν（λ２ｎｍ）→Ｏ（１Ｄ）＋Ｏ２            ・・・      （３）
【００５０】
上記反応式（１）において、酸素（Ｏ２）を含む雰囲気下で２００ｎｍ未満の波長（λ１ｎｍ）を含む光（ｈν）を照射することにより基底状態の酸素原子（Ｏ（３Ｐ））が生成する。次に、反応式（２）において、基底状態の酸素原子（Ｏ（３Ｐ））と酸素（Ｏ２）とが反応してオゾン（Ｏ３）が生成する。そして、反応式（３）において、生成されたオゾン（Ｏ３）を含む雰囲気下で２００ｎｍ以上の波長（λ２ｎｍ）を含む光が照射されることにより、励起状態の一重項酸素Ｏ（１Ｄ）が生成される。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち２００ｎｍ未満の波長を含む光を照射することによりオゾンを生成させるとともに、２００ｎｍ以上の波長を含む光を照射することによりオゾンを分解して一重項酸素を生成する。上記のような表面処理は、例えば、酸素を含む雰囲気下での低圧水銀ランプの照射（λ１＝１８５ｎｍ、λ２＝２５４ｎｍ）により行うことができる。
【００５１】
また、酸素を含む雰囲気下で、１８０ｎｍ未満の波長を含む光を照射して起きる反応例を示す。
Ｏ２＋ｈν（λ３ｎｍ）→Ｏ（１Ｄ）＋Ｏ（３Ｐ）      ・・・      （４）
Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ２→Ｏ３                              ・・・      （５）
Ｏ３＋ｈν（λ３ｎｍ）→Ｏ（１Ｄ）＋Ｏ２            ・・・      （６）
【００５２】
上記反応式（４）において、酸素（Ｏ２）を含む雰囲気下で１８０ｎｍ未満の波長（λ３ｎｍ）を含む光を照射することにより、励起状態の一重項酸素Ｏ（１Ｄ）と基底状態の酸素原子（Ｏ（３Ｐ））が生成する。次に、反応式（５）において、基底状態の酸素原子（Ｏ（３Ｐ））と酸素（Ｏ２）とが反応してオゾン（Ｏ３）が生成する。反応式（６）において、生成されたオゾン（Ｏ３）を含む雰囲気下で１８０ｎｍ未満の波長（λ３ｎｍ）を含む光が照射されることにより、励起状態の一重項酸素と酸素が生成される。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち１８０ｎｍ未満の波長を含む光を照射することによりオゾンを生成させるとともにオゾンまたは酸素を分解して一重項酸素を生成する。上記のような表面処理は、例えば、酸素を含む雰囲気下でのＸｅエキシマＵＶランプの照射により行うことができる。
【００５３】
２００ｎｍ未満の波長を含む光により被処理体表面に付着する有機物などの化学結合を切断し、オゾンまたは一重項酸素により被処理体表面に付着する有機物や化学結合を切断した有機物などを酸化分解して除去することができる。上記のような表面処理を行うことで、被処理体表面の親水性および清浄性をより高めることができ、接合を良好に行うことができる。
【００５４】
なお、貼り合わせの後には、接合強度を増加させるための熱処理を行っても良い。この熱処理の温度は、脆化領域１１２における分離が生じない温度（例えば、室温以上４００℃未満）とする。また、この温度範囲で加熱しながら、ベース基板１００と絶縁層１１４とを接合させてもよい。上記熱処理には、拡散炉、抵抗加熱炉などの加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置などを用いることができる。なお、上記温度条件はあくまで一例に過ぎず、開示する発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
【００５５】
次に、例えば、４００℃以上の温度で熱処理を行って単結晶半導体基板１１０を脆化領域１１２にて分離することにより、ベース基板１００上に、絶縁層１１４を介して単結晶半導体層１１６を設ける（図１（Ｅ）、図１（Ｆ）参照）。
【００５６】
熱処理を行うことで、脆化領域１１２に形成されている微小な孔には添加された元素が分子として析出し、当該分子の熱運動によって微小な孔内部の圧力が上昇する。圧力の上昇により、脆化領域１１２には亀裂が生じるため、脆化領域１１２に沿って単結晶半導体基板１１０が分離する。絶縁層１１４はベース基板１００に接合しているため、ベース基板１００上には単結晶半導体基板１１０から分離された単結晶半導体層１１６および絶縁層１１４が残存する。なお、凹部１４０においては貼り合わせが行われないため、ベース基板１００の凹部１４０に対応する領域には単結晶半導体層１１６は形成されない。このような領域が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できる。
【００５７】
なお、上記分離の際の熱処理温度は、できる限り低いものであることが望ましい。分離の際の温度が低いほど、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できるためである。具体的には、例えば、上記分離の際の熱処理温度は、３００℃以上６００℃以下、好ましくは４００℃以上５００℃以下とすると効果的である。なお、発明者は、上記貼り合わない領域を形成することによって、分離が生じる基板温度が低くなることを見いだした。すなわち、分離に要求される温度を低く抑えることができることを見いだした。例えば、貼り合わない領域を形成しない場合には、分離に際して５００℃以上の温度が必要となる場合であっても、貼り合わない領域を形成することにより、５００℃以下の温度で分離が可能である。なお、上記温度条件はあくまで一例に過ぎず、開示する発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
【００５８】
また、貼り合わない領域を形成することによって、分離が生じる温度（分離温度）のばらつきが小さくなることを見いだした。例えば、貼り合わない領域を形成した試料を４サンプル作製して分離を行ったところ、分離温度が概ね±１℃の範囲内に収まることが確認された。このように、貼り合わせない領域を作製することによって、分離プロセスのばらつきを抑制することも可能である。
【００５９】
次に、単結晶半導体層１１６の表面にレーザー光１３２を照射することによって、表面の平坦性が向上し、かつ欠陥が低減された単結晶半導体層１１８を形成する（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）参照）。なお、図２（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。
【００６０】
なお、レーザー光１３２の照射によって、単結晶半導体層１１６を部分溶融させることが好ましい。完全溶融させた場合には、液相となった後の無秩序な核発生により微結晶化し、結晶性が低下するためである。一方、部分溶融では、溶融されていない固相部分に基づいて結晶が成長するため、単結晶半導体層１１６を完全に溶融させる場合と比較して結晶品位を向上させることができる。また、絶縁層１１４からの酸素や窒素等の取り込みを抑制することができる。なお、上記において部分溶融とは、レーザー光の照射により単結晶半導体層１１６が溶融される深さを、絶縁層１１４側界面の深さより浅くする（つまり、単結晶半導体層１１６の厚さより浅くする）ことを言う。すなわち、単結晶半導体層１１６の上層は溶融して液相となるが、下層は溶融せずに固相のままである状態をいう。また、完全溶融とは、単結晶半導体層１１６が絶縁層１１４との界面まで溶融され、液体状態になることをいう。
【００６１】
上記レーザー光の照射には、パルス発振レーザーを用いることが好ましい。これは、高エネルギーを得ることができ、部分溶融状態を作り出すことが容易となるためである。発振周波数は、１Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下とすることが好ましいがこれに限定して解釈されない。上述のパルス発振レーザーとしては、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマ（ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ）レーザー、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＧｄＶＯ４レーザー、Ｙ２Ｏ３レーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸気レーザー、金蒸気レーザー等がある。なお、部分溶融させることが可能であれば、連続発振レーザーを使用しても良い。連続発振レーザーとしては、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＧｄＶＯ４レーザー、Ｙ２Ｏ３レーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、ヘリウムカドミウムレーザー等がある。
【００６２】
レーザー光１３２の波長としては、単結晶半導体層１１６に吸収される波長を選択する必要がある。その波長は、レーザー光の表皮深さ（ｓｋｉｎ  ｄｅｐｔｈ）などを考慮して決定すればよい。例えば、波長は、２５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲とすることができる。また、レーザー光１３２のエネルギー密度は、レーザー光１３２の波長、レーザー光の表皮深さ、単結晶半導体層１１６の膜厚などを考慮して決定することができる。レーザー光１３２のエネルギー密度は、例えば、３００ｍＪ／ｃｍ２以上８００ｍＪ／ｃｍ２以下の範囲とすればよい。なお、当該エネルギー密度の範囲は、パルス発振レーザーとしてＸｅＣｌエキシマレーザー（波長：３０８ｎｍ）を用いた場合の一例である。
【００６３】
レーザー光１３２の照射は、大気雰囲気のような酸素を含む雰囲気、または窒素雰囲気やアルゴン雰囲気のような不活性雰囲気で行うことができる。不活性雰囲気中でレーザー光１３２を照射するには、気密性のあるチャンバー内でレーザー光１３２を照射し、このチャンバー内の雰囲気を制御すればよい。チャンバーを用いない場合は、レーザー光１３２の被照射面に窒素ガスなどの不活性ガスを吹き付けることで、不活性雰囲気を形成することもできる。
【００６４】
なお、上記レーザー光１３２の照射は、窒素などの不活性雰囲気で行うほうが、大気雰囲気で行うよりも単結晶半導体層１１８の平坦性を向上させる効果は高い。また、大気雰囲気よりも不活性雰囲気のほうがクラックやリッジの発生を抑える効果が高く、レーザー光１３２の使用可能なエネルギー密度の範囲が広くなる。なお、レーザー光１３２の照射は、減圧雰囲気で行ってもよい。減圧雰囲気でレーザー光１３２を照射する場合には、不活性雰囲気における照射と同等の効果を得ることができる。
【００６５】
なお、本実施の形態においては、単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理の直後に、レーザー光１３２の照射処理を行っているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理後にエッチング処理を施して、単結晶半導体層１１６表面の欠陥が多い領域を除去してからレーザー光１３２の照射処理を行っても良いし、エッチング処理などによって単結晶半導体層１１６表面の平坦性を向上させてからレーザー光１３２の照射処理を行っても良い。なお、上記エッチング処理としては、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれを用いても良い。
【００６６】
また、本実施の形態においては示していないが、上述のようにレーザー光１３２を照射した後には、単結晶半導体層１１８の膜厚を小さくする薄膜化工程を行っても良い。単結晶半導体層１１８の薄膜化には、ドライエッチングまたはウエットエッチングの一方、または双方を組み合わせて用いればよい。
【００６７】
以上の工程により、表面の荒れが低減された半導体層を有するＳＯＩ基板を得ることができる（図２（Ｂ）、図３（Ａ）参照）。
【００６８】
本実施の形態においては、単結晶半導体層１１６の表面にレーザー光１３２を照射することによって、表面の平坦性が向上し、かつ欠陥が低減された単結晶半導体層１１８を得ている。一方で、本技術を適用しない場合には、レーザー光１３２照射前の単結晶半導体層１１６の表面が荒れているため、レーザー光１３２を照射することで単結晶半導体層１１８の膜質が悪化する傾向にある。例えば、単結晶半導体層１１６に微細な欠損（部分的な膜の欠けなど）が存在する場合には、レーザー光１３２の照射によって、この欠損が大型化してしまう傾向にある。これは、レーザー光１３２の照射によって、上記の微細な欠損の周辺領域（単結晶半導体層１１６が薄くなっている領域）の半導体が溶融し、表面張力などによって移動してしまうことに起因するものと考察される。
【００６９】
このように、単結晶半導体層１１６の表面が荒れている場合には、それに起因する不良が生じる傾向にあるから、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制することは重要である。特に、レーザー光１３２の照射を用いる場合には、本実施の形態において示した貼り合わない領域を形成する方法は極めて有効な解決手段となる。
【００７０】
なお、上記工程の後には、ＳＯＩ基板の単結晶半導体層１１８をパターニングして島状の半導体層１２０を形成しても良い。当該パターニングの際には、上記の周縁部に対応する領域（凹部１４０が形成された領域の近傍）の単結晶半導体層１１８を除去する（図２（Ｃ）、図３（Ｂ）参照）。なお、図２（Ｃ）は、図３（Ｂ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。ここで、単結晶半導体層１１８の周縁部に対応する領域を除去するのは、当該領域では、貼り合わせ強度の不足により、ピーリングが発生する可能性が高まるためである。なお、貼り合わせ強度の不足は、単結晶半導体基板表面の端部がその表面研磨処理に起因して曲率を有する表面形状（エッジロールオフと呼ぶ）となっていることにより生じるものである。なお、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層１１８の除去が必須でないことは言うまでもない。
【００７１】
なお、本実施の形態では、単結晶半導体層の角部の一カ所に凹部を配置する構成を示したが（図３（Ａ）等参照）、開示する発明の一態様はこれに限定されない。貼り合わない領域の数や、配置などは適宜設定すればよい。なお、後の半導体装置の歩留まり向上を考慮すれば、後に除去される領域に上記の貼り合わない領域を形成しておくことが望ましいと言える（図３（Ｂ）参照）。
【００７２】
本実施の形態で示した構成は、他の実施の形態で示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００７３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ＳＯＩ基板の作製方法の別の一例に関して図面を参照して説明する。
【００７４】
まず、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを準備する（図４（Ａ）、図４（Ｃ）参照）。ベース基板１００および単結晶半導体基板１１０の詳細に関しては、先の実施の形態を参酌することができるため、ここでは省略する。
【００７５】
ベース基板１００表面の単結晶半導体基板１１０の周縁部に対応する領域には、凹部１４２を形成する（図４（Ｂ）参照）。ここでは、ベース基板１００表面に凹部１４２を形成する構成としているが、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とが貼り合わない領域を形成できるのであれば、凹部を設けることに限定されない。凹部に代えて、凸部や凹凸部を形成しても良い。貼り合わない領域の形成方法については、先の実施の形態を参酌できる。
【００７６】
単結晶半導体基板１１０には、その表面から所定の深さに脆化領域１１２を形成し、絶縁層１１４を介してベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを貼り合わせる（図４（Ｄ）、図４（Ｅ）参照）。
【００７７】
脆化領域１１２は、加速による運動エネルギーを有する水素等のイオンを単結晶半導体基板１１０に照射することにより形成することができる。詳細については先の実施の形態を参酌すればよい。
【００７８】
貼り合わせは、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを、絶縁層１１４を介して接着させた後、ベース基板１００または単結晶半導体基板１１０の一箇所に１Ｎ／ｃｍ２以上５００Ｎ／ｃｍ２以下の圧力を加えることにより行われる。圧力を加えると、その部分からベース基板１００と絶縁層１１４とが接合しはじめ、自発的に接合が形成されて全面におよぶ。この接合工程には、ファンデルワールス力や水素結合が作用しており、常温で行うことができる。
【００７９】
なお、単結晶半導体基板１１０とベース基板１００とを貼り合わせる前に、貼り合わせに係る表面に表面処理を行うことが好ましい。表面処理を行うことで、単結晶半導体基板１１０とベース基板１００の接合界面での接合強度を向上させることができる。表面処理の詳細については先の実施の形態を参酌できる。
【００８０】
なお、貼り合わせの後には、接合強度を増加させるための熱処理を行っても良い。この熱処理の温度は、脆化領域１１２における分離が生じない温度（例えば、室温以上４００℃未満）とする。また、この温度範囲で加熱しながら、ベース基板１００と絶縁層１１４とを接合させてもよい。上記熱処理には、拡散炉、抵抗加熱炉などの加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置などを用いることができる。
【００８１】
次に、例えば、４００℃以上の温度で熱処理を行って単結晶半導体基板１１０を脆化領域１１２にて分離することにより、ベース基板１００上に、絶縁層１１４を介して単結晶半導体層１１６を設ける（図４（Ｆ）、図４（Ｇ）参照）。
【００８２】
熱処理を行うことで、脆化領域１１２に形成されている微小な孔には添加された元素が分子として析出し、当該分子の熱運動によって微小な孔内部の圧力が上昇する。圧力の上昇により、脆化領域１１２には亀裂が生じるため、脆化領域１１２に沿って単結晶半導体基板１１０が分離する。絶縁層１１４はベース基板１００に接合しているため、ベース基板１００上には単結晶半導体基板１１０から分離された単結晶半導体層１１６および絶縁層１１４が残存する。なお、凹部１４０においては貼り合わせが行われないため、ベース基板１００の凹部１４０に対応する領域には単結晶半導体層１１６は形成されない。このような領域が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できる。
【００８３】
次に、単結晶半導体層１１６の表面にレーザー光１３２を照射することによって、表面の平坦性が向上し、かつ欠陥が低減された単結晶半導体層１１８を形成する（図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６（Ａ）参照）。なお、図５（Ｂ）は、図６（Ａ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。レーザー光１３２の照射の詳細については先の実施の形態を参酌できる。
【００８４】
なお、本実施の形態においては、単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理の直後に、レーザー光１３２の照射処理を行っているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理後にエッチング処理を施して、単結晶半導体層１１６表面の欠陥が多い領域を除去してからレーザー光１３２の照射処理を行っても良いし、エッチング処理などによって単結晶半導体層１１６表面の平坦性を向上させてからレーザー光１３２の照射処理を行っても良い。なお、上記エッチング処理としては、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれを用いても良い。
【００８５】
また、本実施の形態においては示していないが、上述のようにレーザー光１３２を照射した後には、単結晶半導体層１１８の膜厚を小さくする薄膜化工程を行っても良い。単結晶半導体層１１８の薄膜化には、ドライエッチングまたはウエットエッチングの一方、または双方を組み合わせて用いればよい。
【００８６】
以上の工程により、表面の荒れが低減された半導体層を有するＳＯＩ基板を得ることができる（図５（Ｂ）、図６（Ａ）参照）。
【００８７】
なお、上記工程の後には、ＳＯＩ基板の単結晶半導体層１１８をパターニングして島状の半導体層１２０を形成しても良い。当該パターニングの際には、上記の周縁部に対応する領域（凹部１４０が形成された領域の近傍）の単結晶半導体層１１８を除去する（図５（Ｃ）、図６（Ｂ）参照）。なお、図５（Ｃ）は、図６（Ｂ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。ここで、単結晶半導体層１１８の周縁部に対応する領域を除去するのは、当該領域では、貼り合わせ強度の不足により、ピーリングが発生する可能性が高まるためである。なお、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層１１８の除去が必須でないことは言うまでもない。
【００８８】
なお、本実施の形態では、単結晶半導体層の角部の一カ所に凹部を配置する構成を示したが（図６（Ａ）等参照）、開示する発明の一態様はこれに限定されない。貼り合わない領域の数や、配置などは適宜設定すればよい。なお、後の半導体装置の歩留まり向上を考慮すれば、後に除去される領域に上記の貼り合わない領域を形成しておくことが望ましいと言える（図６（Ｂ）参照）。
【００８９】
本実施の形態で示した構成は、他の実施の形態で示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００９０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、ＳＯＩ基板の作製方法の別の一例に関して図面を参照して説明する。
【００９１】
まず、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを準備する（図７（Ａ）、図７（Ｃ）参照）。ベース基板１００および単結晶半導体基板１１０の詳細に関しては、先の実施の形態を参酌することができるため、ここでは省略する。
【００９２】
ベース基板１００の表面には窒素含有層１０２（例えば、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）や窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の窒素を含有する絶縁膜を含む層）を形成する（図７（Ｂ）参照）。
【００９３】
本実施の形態において形成される窒素含有層１０２は、後に単結晶半導体層を貼り合わせるための層（接合層）となる。また、窒素含有層１０２は、ベース基板に含まれるナトリウム（Ｎａ）等の不純物が単結晶半導体層に拡散することを防ぐためのバリア層としても機能する。
【００９４】
上述のように、本実施の形態においては窒素含有層１０２を接合層として用いるため、その表面が所定の平坦性を有するように窒素含有層１０２を形成することが好ましい。具体的には、表面の平均面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６０ｎｍ以下、より好ましくは、平均面粗さが０．３５ｎｍ以下、自乗平均粗さが０．４５ｎｍ以下となるように窒素含有層１０２を形成する。膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲とする。このように、表面の平坦性を高めておくことで、単結晶半導体層の接合不良を防止することができる。
【００９５】
単結晶半導体基板１１０の表面には酸化膜１１５を形成する（図７（Ｄ）参照）。なお、汚染物除去の観点から、酸化膜１１５の形成前に、硫酸過酸化水素水混合溶液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合溶液（ＡＰＭ）、塩酸過酸化水素水混合溶液（ＨＰＭ）、希フッ酸（ＤＨＦ）などを用いて単結晶半導体基板１１０の表面を洗浄しておくことが好ましい。希フッ酸とオゾン水を交互に吐出して洗浄してもよい。
【００９６】
酸化膜１１５は、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を単層で、または積層させて形成することができる。上記酸化膜１１５の作製方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などがある。また、ＣＶＤ法を用いて酸化膜１１５を形成する場合、テトラエトキシシラン（略称；ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）等の有機シランを用いて酸化シリコン膜を形成することが好ましい。
【００９７】
本実施の形態では、単結晶半導体基板１１０に熱酸化処理を行うことにより酸化膜１１５（ここでは、ＳｉＯｘ膜）を形成する。熱酸化処理は、酸化性雰囲気中にハロゲンを添加して行うことが好ましい。
【００９８】
例えば、塩酸が添加された酸化性雰囲気中で単結晶半導体基板１１０に熱酸化処理を行うことにより、塩素酸化された酸化膜１１５を形成することができる。この場合、酸化膜１１５は、塩素原子を含有する膜となる。
【００９９】
酸化膜１１５中に含有された塩素原子は、酸化膜１１５に歪みを形成する。その結果、酸化膜１１５中における水の拡散速度が増大する。つまり、酸化膜１１５表面に水が接触した場合、水を酸化膜１１５中に素早く吸収させ、拡散させることができるため、水の存在による貼り合わせ不良を低減することができる。
【０１００】
また、酸化膜１１５に塩素原子を含有させることによって、外因性の不純物である重金属（例えば、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ等）を捕集して単結晶半導体基板１１０が汚染されることを防止できる。また、ベース基板と貼り合わせた後に、ベース基板からのＮａ等の不純物を固定して、単結晶半導体基板１１０が汚染されることを防止できる。
【０１０１】
なお、酸化膜１１５に含有させるハロゲン原子は塩素原子に限られない。酸化膜１１５にはフッ素原子を含有させてもよい。単結晶半導体基板１１０表面をフッ素酸化する方法としては、ＨＦ溶液に浸漬させた後に酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行う方法や、ＮＦ３を酸化性雰囲気に添加して熱酸化処理を行う方法などがある。
【０１０２】
次に、電界で加速されたイオンを単結晶半導体基板１１０に照射することで、単結晶半導体基板１１０の所定の深さに結晶構造が損傷した脆化領域１１２を形成する（図７（Ｄ）参照）。詳細については先の実施の形態を参酌すればよい。なお、イオンドーピング装置を用いて脆化領域１１２を形成する場合には、重金属も同時に添加されるおそれがあるが、ハロゲン原子を含有する酸化膜１１５を介してイオンの照射を行うことによって、これら重金属による単結晶半導体基板１１０の汚染を防ぐことができる。
【０１０３】
次に、酸化膜１１５表面の単結晶半導体基板１１０の周縁部に対応する領域に、凹部１４０を形成し、意図的にベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とが貼り合わない領域を形成する（図７（Ｅ）参照）。凹部１４０の形成により、単結晶半導体基板１１０を露出しても構わない。このような領域が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層の表面荒れを抑制できる。
【０１０４】
なお、本実施の形態においては、酸化膜１１５に凹部１４０を形成することで貼り合わない領域を形成しているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。凹部に代えて、凸部や凹凸部を形成しても良い。貼り合わない領域の形成方法については、先の実施の形態を参酌できる。
【０１０５】
次に、ベース基板１００の表面と単結晶半導体基板１１０の表面とを対向させ、窒素含有層１０２の表面と酸化膜１１５の表面とを接合させる（図７（Ｆ）参照）。
【０１０６】
ここでは、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０を窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを介して接着させた後、ベース基板１００または単結晶半導体基板１１０の一箇所に１Ｎ／ｃｍ２以上５００Ｎ／ｃｍ２以下の圧力を加える。すると、圧力を加えた部分から窒素含有層１０２と酸化膜１１５とが接合しはじめ、自発的に接合が形成されて全面におよぶ。この接合工程には、ファンデルワールス力や水素結合が作用しており、常温で行うことができる。
【０１０７】
なお、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０との貼り合わせを行う前に、単結晶半導体基板１１０上に形成された酸化膜１１５と、ベース基板１００上に形成された窒素含有層１０２の表面処理を行うことが好ましい。表面処理の詳細についても先の実施の形態を参酌できる。
【０１０８】
また、窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを接合させた後には、接合強度を増加させるための熱処理を行うことが好ましい。この熱処理の温度は、脆化領域１１２における分離が生じない温度（例えば、室温以上４００℃未満）とする。また、この温度範囲で加熱しながら、窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを接合させてもよい。上記熱処理には、拡散炉、抵抗加熱炉などの加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置などを用いることができる。
【０１０９】
次に、熱処理を行って単結晶半導体基板１１０を脆化領域１１２にて分離することにより、ベース基板１００上に、窒素含有層１０２および酸化膜１１５を介して単結晶半導体層１１６を形成する（図７（Ｇ）、図８（Ａ）参照）。熱処理の詳細については、先の実施の形態を参酌することができる。ここで、凹部１４０においては貼り合わせが行われないため、ベース基板１００の凹部１４０に対応する領域には単結晶半導体層１１６は形成されない。このような領域が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できる。
【０１１０】
次に、単結晶半導体層１１６の表面にレーザー光１３２を照射することによって、表面の平坦性が向上し、かつ欠陥が低減された単結晶半導体層１１８を形成する（図８（Ｂ）、図８（Ｃ）、図９（Ａ）参照）。なお、図８（Ｃ）は、図９（Ａ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。詳細については先の実施の形態を参酌できる。
【０１１１】
なお、本実施の形態においては、単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理の直後に、レーザー光１３２の照射処理を行っているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理後にエッチング処理を施して、単結晶半導体層１１６表面の欠陥が多い領域を除去してからレーザー光１３２の照射処理を行っても良いし、エッチング処理などによって単結晶半導体層１１６表面の平坦性を向上させてからレーザー光１３２の照射処理を行っても良い。なお、上記エッチング処理としては、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれを用いても良い。
【０１１２】
本実施の形態においては示していないが、上述のようにレーザー光１３２を照射した後には、単結晶半導体層１１８の膜厚を小さくする薄膜化工程を行っても良い。単結晶半導体層１１８の薄膜化には、ドライエッチングまたはウエットエッチングの一方、または双方を組み合わせて用いればよい。
【０１１３】
以上の工程により、表面の荒れが低減された半導体層を有するＳＯＩ基板を得ることができる（図８（Ｃ）、図９（Ａ）参照）。
【０１１４】
なお、上記工程の後には、ＳＯＩ基板の単結晶半導体層１１８をパターニングして島状の半導体層１２０を形成しても良い。当該パターニングの際には、上記の周縁部に対応する領域（凹部１４０が形成された領域の近傍）の単結晶半導体層１１８を除去する（図８（Ｄ）、図９（Ｂ）参照）。なお、図８（Ｄ）は、図９（Ｂ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。ここで、単結晶半導体層１１８の周縁部に対応する領域を除去するのは、当該領域では、貼り合わせ強度の不足により、ピーリングが発生する可能性が高まるためである。なお、貼り合わせ強度の不足は、単結晶半導体基板表面の端部がその表面研磨処理に起因して曲率を有する表面形状（エッジロールオフと呼ぶ）となっていることにより生じるものである。なお、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層１１８の除去が必須でないことは言うまでもない。
【０１１５】
なお、本実施の形態では、単結晶半導体層の角部の一カ所に凹部を配置する構成を示したが（図９（Ａ）等参照）、開示する発明の一態様はこれに限定されない。貼り合わない領域の数や、配置などは適宜設定すればよい。なお、後の半導体装置の歩留まり向上を考慮すれば、後に除去される領域に上記の貼り合わない領域を形成しておくことが望ましいと言える（図９（Ｂ）参照）。
【０１１６】
本実施の形態で示した構成は、他の実施の形態で示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、ＳＯＩ基板の作製方法の別の一例に関して図面を参照して説明する。
【０１１８】
まず、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とを準備する（図１０（Ａ）、図１０（Ｄ）参照）。ベース基板１００および単結晶半導体基板１１０の詳細に関しては、先の実施の形態を参酌することができる。
【０１１９】
ベース基板１００表面の単結晶半導体基板１１０の周縁部に対応する領域には、凹部１４２を形成する（図１０（Ｂ）参照）。ここでは、ベース基板１００表面に凹部１４２を形成する構成としているが、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０とが貼り合わない領域を形成できるのであれば、凹部を設けることに限定されない。凹部に代えて、凸部や凹凸部を形成しても良い。貼り合わない領域の形成方法については、先の実施の形態を参酌できる。
【０１２０】
その後、ベース基板１００の表面には窒素含有層１０２（例えば、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）や窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の窒素を含有する絶縁膜を含む層）を形成する（図１０（Ｃ）参照）。ベース基板１００には凹部１４２が形成されているため、窒素含有層１０２には凹部１４４が形成されることになる。凹部１４４が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できる。
【０１２１】
なお、本実施の形態において形成される窒素含有層１０２は、後に単結晶半導体層を貼り合わせるための層（接合層）となる。また、窒素含有層１０２は、ベース基板に含まれるナトリウム（Ｎａ）等の不純物が単結晶半導体層に拡散することを防ぐためのバリア層としても機能する。窒素含有層１０２の詳細については、先の実施の形態を参酌すればよい。
【０１２２】
単結晶半導体基板１１０の表面には、酸化膜１１５を形成する（図１０（Ｅ）参照）。酸化膜１１５の詳細についても、先の実施の形態を参酌できる。
【０１２３】
次に、電界で加速されたイオンを単結晶半導体基板１１０に照射することで、単結晶半導体基板１１０の所定の深さに結晶構造が損傷した脆化領域１１２を形成する（図１０（Ｆ）参照）。詳細については先の実施の形態を参酌すればよい。なお、イオンドーピング装置を用いて脆化領域１１２を形成する場合には、重金属も同時に添加されるおそれがあるが、ハロゲン原子を含有する酸化膜１１５を介してイオンの照射を行うことによって、これら重金属による単結晶半導体基板１１０の汚染を防ぐことができる。
【０１２４】
次に、ベース基板１００の表面と単結晶半導体基板１１０の表面とを対向させ、窒素含有層１０２の表面と酸化膜１１５の表面とを接合させる（図１０（Ｇ）参照）。
【０１２５】
ここでは、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０を窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを介して接着させた後、ベース基板１００または単結晶半導体基板１１０の一箇所に１Ｎ／ｃｍ２以上５００Ｎ／ｃｍ２以下の圧力を加える。すると、圧力を加えた部分から窒素含有層１０２と酸化膜１１５とが接合しはじめ、自発的に接合が形成されて全面におよぶ。この接合工程には、ファンデルワールス力や水素結合が作用しており、常温で行うことができる。
【０１２６】
なお、ベース基板１００と単結晶半導体基板１１０との貼り合わせを行う前に、単結晶半導体基板１１０上に形成された酸化膜１１５と、ベース基板１００上に形成された窒素含有層１０２の表面処理を行うことが好ましい。表面処理の詳細についても先の実施の形態を参酌できる。
【０１２７】
また、窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを接合させた後には、接合強度を増加させるための熱処理を行うことが好ましい。この熱処理の温度は、脆化領域１１２における分離が生じない温度（例えば、室温以上４００℃未満）とする。また、この温度範囲で加熱しながら、窒素含有層１０２と酸化膜１１５とを接合させてもよい。上記熱処理には、拡散炉、抵抗加熱炉などの加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置などを用いることができる。
【０１２８】
次に、熱処理を行って単結晶半導体基板１１０を脆化領域１１２にて分離することにより、ベース基板１００上に、窒素含有層１０２および酸化膜１１５を介して単結晶半導体層１１６を形成する（図１０（Ｈ）、図１１（Ａ）参照）。熱処理の詳細については、先の実施の形態を参酌することができる。ここで、凹部１４４においては貼り合わせが行われないため、ベース基板１００の凹部１４４に対応する領域には単結晶半導体層１１６は形成されない。このような領域が分離の際のきっかけとなり、単結晶半導体層１１６の表面荒れを抑制できる。
【０１２９】
次に、単結晶半導体層１１６の表面にレーザー光１３２を照射することによって、表面の平坦性が向上し、かつ欠陥が低減された単結晶半導体層１１８を形成する（図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）、図１２（Ａ）参照）。なお、図１１（Ｃ）は、図１２（Ａ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。詳細については先の実施の形態を参酌できる。
【０１３０】
なお、本実施の形態においては、単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理の直後に、レーザー光１３２の照射処理を行っているが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。単結晶半導体層１１６の分離に係る熱処理後にエッチング処理を施して、単結晶半導体層１１６表面の欠陥が多い領域を除去してからレーザー光１３２の照射処理を行っても良いし、エッチング処理などによって単結晶半導体層１１６表面の平坦性を向上させてからレーザー光１３２の照射処理を行っても良い。なお、上記エッチング処理としては、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれを用いても良い。
【０１３１】
本実施の形態においては示していないが、上述のようにレーザー光１３２を照射した後には、単結晶半導体層１１８の膜厚を小さくする薄膜化工程を行っても良い。単結晶半導体層１１８の薄膜化には、ドライエッチングまたはウエットエッチングの一方、または双方を組み合わせて用いればよい。
【０１３２】
以上の工程により、表面の荒れが低減された半導体層を有するＳＯＩ基板を得ることができる（図１１（Ｃ）、図１２（Ａ）参照）。
【０１３３】
なお、上記工程の後には、ＳＯＩ基板の単結晶半導体層１１８をパターニングして島状の半導体層１２０を形成しても良い。当該パターニングの際には、上記の周縁部に対応する領域（凹部１４４が形成された領域の近傍）の単結晶半導体層１１８を除去する（図１１（Ｄ）、図１２（Ｂ）参照）。なお、図１１（Ｄ）は、図１２（Ｂ）のＡ−Ｂにおける断面に対応している。ここで、単結晶半導体層１１８の周縁部に対応する領域を除去するのは、当該領域では、貼り合わせ強度の不足により、ピーリングが発生する可能性が高まるためである。なお、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層１１８の除去が必須でないことは言うまでもない。
【０１３４】
なお、本実施の形態では、単結晶半導体層の角部の一カ所に凹部を配置する構成を示したが（図１２（Ａ）等参照）、開示する発明の一態様はこれに限定されない。貼り合わない領域の数や、配置などは適宜設定すればよい。なお、後の半導体装置の歩留まり向上を考慮すれば、後に除去される領域に上記の貼り合わない領域を形成しておくことが望ましいと言える（図１２（Ｂ）参照）。
【０１３５】
本実施の形態で示した構成は、他の実施の形態で示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１３乃至図１５を参照して、上記実施の形態における半導体装置の作製方法の詳細について説明する。ここでは、半導体装置の一例として複数のトランジスタからなる半導体装置の作製方法について説明する。以下において示すトランジスタを組み合わせて用いることで、様々な半導体装置を形成することができる。
【０１３７】
図１３（Ａ）は、実施の形態１などに示す方法で作製した半導体基板の一部を示す断面図である（例えば、図２（Ｂ）等参照）。なお、本実施の形態においては、実施の形態１において作製した半導体基板を用いて半導体装置を作製する場合について説明するが、他の実施の形態において作製した半導体基板を用いても良いことは言うまでもない。
【０１３８】
半導体層７００（図２（Ｂ）における単結晶半導体層１１８に対応）には、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するために、硼素、アルミニウム、ガリウムなどのｐ型不純物や、リン、砒素などのｎ型不純物を添加しても良い。不純物を添加する領域、および添加する不純物の種類は、適宜変更することができる。例えば、ｎチャネル型ＴＦＴの形成領域にｐ型不純物を添加し、ｐチャネル型ＴＦＴの形成領域にｎ型不純物を添加する。上述の不純物を添加する際には、ドーズ量が１×１０１５／ｃｍ２以上１×１０１７／ｃｍ２以下となるように行えばよい。
【０１３９】
その後、半導体層７００を島状に分離して、半導体層７０２、および半導体層７０４を形成する（図１３（Ｂ）参照）。なお、この際に、周縁部に対応する領域（貼り合わない領域の近傍）の単結晶半導体層１１８は除去されることが望ましい（例えば、図２（Ｃ）等参照）。
【０１４０】
次に、半導体層７０２と半導体層７０４を覆うように、ゲート絶縁膜７０６を形成する（図１３（Ｃ）参照）。ここでは、プラズマＣＶＤ法を用いて、酸化シリコン膜を単層で形成することとする。酸化シリコン以外にも、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル等を含む膜を、単層構造または積層構造で形成することによりゲート絶縁膜７０６としても良い。
【０１４１】
プラズマＣＶＤ法以外の作製方法としては、スパッタリング法や、高密度プラズマ処理による酸化または窒化による方法が挙げられる。高密度プラズマ処理は、例えば、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスと、酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などガスの混合ガスを用いて行う。この場合、プラズマの励起をマイクロ波の導入により行うことで、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度のプラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体層の表面を酸化または窒化することにより、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、望ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の絶縁膜を半導体層に接するように形成する。
【０１４２】
上述した高密度プラズマ処理による半導体層の酸化または窒化は固相反応であるため、ゲート絶縁膜７０６と半導体層７０２、半導体層７０４との界面準位密度をきわめて低くすることができる。また、高密度プラズマ処理により半導体層７０２、半導体層７０４を直接酸化または窒化することで、形成される絶縁膜の厚さのばらつきを抑えることが出来る。また、半導体層が単結晶であるため、高密度プラズマ処理を用いて半導体層の表面を固相反応で酸化させる場合であっても、均一性が良く、界面準位密度の低いゲート絶縁膜を形成することができる。このように、高密度プラズマ処理により形成された絶縁膜をトランジスタのゲート絶縁膜の一部または全部に用いることで、特性のばらつきを抑制することができる。
【０１４３】
または、半導体層７０２と半導体層７０４を熱酸化させることで、ゲート絶縁膜７０６を形成するようにしても良い。このように、熱酸化を用いる場合には、ある程度の耐熱性を有するガラス基板を用いることが必要である。
【０１４４】
なお、水素を含むゲート絶縁膜７０６を形成し、その後、３５０℃以上４５０℃以下の温度による加熱処理を行うことで、ゲート絶縁膜７０６中に含まれる水素を半導体層７０２および半導体層７０４中に拡散させるようにしても良い。この場合、ゲート絶縁膜７０６として、プラズマＣＶＤ法を用いた窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを用いるとことができる。なお、プロセス温度は３５０℃以下とすると良い。このように、半導体層７０２および半導体層７０４に水素を供給することで、半導体層７０２中、半導体層７０４中、ゲート絶縁膜７０６と半導体層７０２の界面、およびゲート絶縁膜７０６と半導体層７０４の界面における欠陥を効果的に低減することができる。
【０１４５】
次に、ゲート絶縁膜７０６上に導電膜を形成した後、該導電膜を所定の形状に加工（パターニング）することで、半導体層７０２の上方に電極７０８を、半導体層７０４の上方に電極７１０を形成する（図１３（Ｄ）参照）。導電膜の形成にはＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることができる。導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等の材料を用いて形成することができる。また、上記金属を主成分とする合金材料を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。または、半導体に導電性を付与する不純物元素をドーピングした多結晶シリコンなど、半導体材料を用いて形成しても良い。
【０１４６】
本実施の形態では電極７０８および電極７１０を単層の導電膜で形成しているが、開示する発明の一態様に係る半導体装置は該構成に限定されない。電極７０８および電極７１０は積層された複数の導電膜で形成されていても良い。２層構造とする場合には、例えば、モリブデン膜、チタン膜、窒化チタン膜等を下層に用い、上層にはアルミニウム膜などを用いればよい。３層構造の場合には、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造や、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜の積層構造などを採用するとよい。
【０１４７】
なお、電極７０８および電極７１０を形成する際に用いるマスクは、酸化シリコンや窒化酸化シリコン等の材料を用いて形成してもよい。この場合、酸化シリコン膜や窒化酸化シリコン膜等をパターニングしてマスクを形成する工程が加わるが、これらの材料を用いたマスクでは、レジスト材料を用いたマスクと比較してエッチング時における膜減りが少ないため、より正確な形状の電極７０８および電極７１０を形成することができる。また、マスクを用いずに、液滴吐出法を用いて選択的に電極７０８および電極７１０を形成しても良い。ここで、液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を吐出または噴出することで所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。
【０１４８】
また、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節し、所望のテーパー形状を有するように電極７０８および電極７１０を形成することもできる。また、テーパー形状は、マスクの形状によって制御することもできる。なお、エッチング用ガスとしては、塩素、塩化硼素、塩化珪素、四塩化炭素などの塩素系ガス、四弗化炭素、弗化硫黄、弗化窒素などのフッ素系ガス、または酸素などを適宜用いることができる。
【０１４９】
次に、電極７０８および電極７１０をマスクとして、一導電型を付与する不純物元素を半導体層７０２、半導体層７０４に添加する（図１４（Ａ）参照）。本実施の形態では、半導体層７０２にｎ型を付与する不純物元素（例えばリンまたはヒ素）を、半導体層７０４にｐ型を付与する不純物元素（例えばボロン）を添加する。なお、ｎ型を付与する不純物元素を半導体層７０２に添加する際には、ｐ型の不純物が添加される半導体層７０４はマスク等で覆い、ｎ型を付与する不純物元素の添加が半導体層７０２に選択的に行われるようにする。また、ｐ型を付与する不純物元素を半導体層７０４に添加する際には、ｎ型の不純物が添加される半導体層７０２はマスク等で覆い、ｐ型を付与する不純物元素の添加が半導体層７０４に選択的に行われるようにする。または、半導体層７０２および半導体層７０４に、ｐ型を付与する不純物元素またはｎ型を付与する不純物元素の一方を添加した後、一方の半導体層のみに、より高い濃度でｐ型を付与する不純物元素またはｎ型を付与する不純物元素の他方を添加するようにしても良い。上記不純物の添加により、半導体層７０２に不純物領域７１２、半導体層７０４に不純物領域７１４が形成される。
【０１５０】
次に、電極７０８の側面にサイドウォール７１６を、電極７１０の側面にサイドウォール７１８を形成する（図１４（Ｂ）参照）。サイドウォール７１６およびサイドウォール７１８は、例えば、ゲート絶縁膜７０６、電極７０８および電極７１０を覆うように新たに絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより該絶縁膜を部分的にエッチングすることで形成することができる。なお、上記の異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜７０６を部分的にエッチングしても良い。サイドウォール７１６およびサイドウォール７１８を形成するための絶縁膜としては、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、有機材料などを含む膜を、単層構造または積層構造で形成すれば良い。本実施の形態では、膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。また、エッチングガスとしては、ＣＨＦ３とヘリウムの混合ガスを用いることができる。なお、サイドウォール７１６およびサイドウォール７１８を形成する工程は、これらに限定されるものではない。
【０１５１】
次に、ゲート絶縁膜７０６、電極７０８および電極７１０、サイドウォール７１６およびサイドウォール７１８をマスクとして、半導体層７０２、半導体層７０４に一導電型を付与する不純物元素を添加する（図１４（Ｃ）参照）。なお、半導体層７０２、半導体層７０４には、それぞれ先の工程で添加した不純物元素と同じ導電型の不純物元素をより高い濃度で添加する。ここで、ｎ型を付与する不純物元素を半導体層７０２に添加する際には、ｐ型の不純物が添加される半導体層７０４はマスク等で覆い、ｎ型を付与する不純物元素の添加が半導体層７０２に選択的に行われるようにする。また、ｐ型を付与する不純物元素を半導体層７０４に添加する際には、ｎ型の不純物が添加される半導体層７０２はマスク等で覆い、ｐ型を付与する不純物元素の添加が半導体層７０４に選択的に行われるようにする。
【０１５２】
上記不純物元素の添加により、半導体層７０２に、一対の高濃度不純物領域７２０と、一対の低濃度不純物領域７２２と、チャネル形成領域７２４とが形成される。また、上記不純物元素の添加により、半導体層７０４に、一対の高濃度不純物領域７２６と、一対の低濃度不純物領域７２８と、チャネル形成領域７３０とが形成される。高濃度不純物領域７２０、高濃度不純物領域７２６はソースまたはドレインとして機能し、低濃度不純物領域７２２、低濃度不純物領域７２８はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域として機能する。
【０１５３】
なお、半導体層７０２上に形成されたサイドウォール７１６と、半導体層７０４上に形成されたサイドウォール７１８は、キャリアが移動する方向（いわゆるチャネル長に平行な方向）の長さが同じになるように形成しても良いが、異なるように形成しても良い。例えば、ｐチャネル型トランジスタとなる半導体層７０４上のサイドウォール７１８は、ｎチャネル型トランジスタとなる半導体層７０２上のサイドウォール７１６よりも、キャリアが移動する方向の長さが長くなるように形成すると良い。ｐチャネル型トランジスタにおいて、サイドウォール７１８の長さをより長くすることで、ボロンの拡散による短チャネル化を抑制することができるため、ソースおよびドレインに高濃度のボロンを添加することが可能となる。これにより、ソースおよびドレインを十分に低抵抗化することができる。
【０１５４】
ソースおよびドレインをさらに低抵抗化するために、半導体層７０２および半導体層７０４の一部をシリサイド化したシリサイド領域を形成しても良い。シリサイド化は、半導体層に金属を接触させ、加熱処理（例えば、ＧＲＴＡ法、ＬＲＴＡ法等）により、半導体層中の珪素と金属とを反応させて行う。シリサイド領域としては、コバルトシリサイドやニッケルシリサイドなどを形成すれば良い。半導体層７０２や半導体層７０４が薄い場合には、半導体層７０２、半導体層７０４の底部までシリサイド反応を進めても良い。シリサイド化に用いることができる金属材料としては、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ネオジム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）等が挙げられる。また、レーザー光の照射などによってもシリサイド領域を形成することができる。
【０１５５】
上述の工程により、ｎチャネル型トランジスタ７３２およびｐチャネル型トランジスタ７３４が形成される。なお、図１４（Ｃ）に示す段階では、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜は形成されていないが、これらのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を含めてトランジスタと呼ぶこともある。
【０１５６】
次に、ｎチャネル型トランジスタ７３２、ｐチャネル型トランジスタ７３４を覆うように絶縁膜７３６を形成する（図１４（Ｄ）参照）。絶縁膜７３６は必ずしも設けなくとも良いが、絶縁膜７３６を形成する場合には、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がｎチャネル型トランジスタ７３２、ｐチャネル型トランジスタ７３４に侵入することを防止できる。具体的には、絶縁膜７３６を、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどの材料を用いて形成するのが望ましい。本実施の形態では、膜厚６００ｎｍ程度の窒化酸化シリコン膜を、絶縁膜７３６として用いる。この場合、上述の水素化の工程は、該窒化酸化シリコン膜形成後に行っても良い。なお、本実施の形態においては、絶縁膜７３６を単層構造としているが、積層構造としても良いことはいうまでもない。例えば、２層構造とする場合には、酸化窒化シリコン膜と窒化酸化シリコン膜との積層構造とすることができる。
【０１５７】
次に、ｎチャネル型トランジスタ７３２、ｐチャネル型トランジスタ７３４を覆うように、絶縁膜７３６上に絶縁膜７３８を形成する。絶縁膜７３８は、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いて形成するとよい。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ等を用いることもできる。ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、芳香族炭化水素から選ばれる一を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜７３８を形成しても良い。
【０１５８】
絶縁膜７３８の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコート法、カーテンコート法、ナイフコート法等を用いることができる。
【０１５９】
次に、半導体層７０２と半導体層７０４の一部が露出するように絶縁膜７３６および絶縁膜７３８にコンタクトホールを形成する。そして、該コンタクトホールを介して半導体層７０２に接する導電膜７４０および導電膜７４２と、半導体層７０４に接する導電膜７４４および導電膜７４６を形成する（図１５（Ａ）参照）。導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６は、トランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する。なお、本実施の形態においては、コンタクトホール開口時のエッチングに用いるガスとしてＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。
【０１６０】
導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）等を用いることができる。また、上記材料を主成分とする合金を用いても良いし、上記材料を含む化合物を用いても良い。また、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
【０１６１】
アルミニウムを主成分とする合金の例としては、アルミニウムを主成分として、ニッケルを含むものを挙げることができる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方を含むものを挙げることができる。アルミニウムやアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）は抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６を形成する材料として適している。特に、アルミニウムシリコンは、パターニングの際のレジストベークによるヒロックの発生を抑制することができるため好ましい。また、珪素の代わりに、アルミニウムに０．５％程度のＣｕを混入させた材料を用いても良い。
【０１６２】
導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６を積層構造とする場合には、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造などを採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデンまたはモリブデンの窒化物などを用いて形成された膜である。バリア膜の間にアルミニウムシリコン膜を挟むように導電膜を形成すると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を十分に防ぐことができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリア膜を形成すると、半導体層７０２と半導体層７０４上に薄い酸化膜が形成されていたとしても、バリア膜に含まれるチタンが該酸化膜を還元し、導電膜７４０および導電膜７４２と半導体層７０２とのコンタクト、導電膜７４４および導電膜７４６と半導体層７０４とのコンタクトを良好なものとすることができる。また、バリア膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６を、下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンのように、５層構造またはそれ以上の積層構造とすることもできる。
【０１６３】
また、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６として、ＷＦ６ガスとＳｉＨ４ガスから化学気相成長法で形成したタングステンシリサイドを用いても良い。また、ＷＦ６を水素還元して形成したタングステンを、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６として用いても良い。
【０１６４】
なお、導電膜７４０および導電膜７４２はｎチャネル型トランジスタ７３２の高濃度不純物領域７２０に接続されている。導電膜７４４および導電膜７４６はｐチャネル型トランジスタ７３４の高濃度不純物領域７２６に接続されている。
【０１６５】
図１５（Ｂ）に、図１５（Ａ）に示したｎチャネル型トランジスタ７３２およびｐチャネル型トランジスタ７３４の平面図を示す。ここで、図１５（Ｂ）のＡ−Ｂにおける断面が図１５（Ａ）に対応している。ただし、図１５（Ｂ）においては、簡単のため、絶縁膜７３６、絶縁膜７３８、導電膜７４０、導電膜７４２、導電膜７４４、導電膜７４６等を省略している。
【０１６６】
なお、本実施の形態においては、ｎチャネル型トランジスタ７３２とｐチャネル型トランジスタ７３４が、それぞれゲート電極として機能する電極を１つずつ有する場合（電極７０８、電極７１０を有する場合）を例示しているが、開示する発明の一態様は該構成に限定されない。トランジスタは、ゲート電極として機能する電極を複数有し、なおかつ該複数の電極が電気的に接続されているマルチゲート構造を有していても良い。
【０１６７】
本実施の形態では、表面の荒れを抑制した半導体層を有するＳＯＩ基板を用いているため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。なお、本実施の形態で示した構成は、他の実施の形態で示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例】
【０１６８】
本実施例では、上記実施の形態において説明した方法の効果を確認した。以下、図面を参照してその結果について説明する。
【０１６９】
試料としては、ガラス基板上に単結晶シリコン基板から分離したシリコン層を設けたもの（レーザー光照射前）を用意した。具体的には、貼り合わない領域を形成しない試料（試料Ａ）、ガラスペンによってガラス基板に傷（凹凸部）を付けて貼り合わない領域を形成した試料（試料Ｂ）、レーザー照射によってガラス基板に傷（凹凸部）を付けて貼り合わない領域を形成した試料（試料Ｃ）の３種類を用意した。試料の作製方法の詳細は、実施の形態２等と同様であるため、省略する。なお、試料Ａは、実施の形態２等において、凹凸部を形成しないことによって作製された。
【０１７０】
図１６、図１７、図１８には、単結晶シリコン基板を分離してガラス基板上にシリコン層を形成した直後のシリコン層の表面の様子を示す。図１６は試料Ａの様子を、図１７は試料Ｂの様子を、図１８は試料Ｃの様子をそれぞれ示している。なお、図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）、図１８（Ｂ）はそれぞれ、図１６（Ａ）、図１７（Ａ）、図１８（Ａ）の部分拡大写真（顕微鏡写真）である。また、図１９には、レーザー照射によってガラス基板に傷を付けた場合のガラス基板表面の様子の一例を示す。なお、図１９において、傷の大きさは直径約８００μｍ（０．８ｍｍ）である。
【０１７１】
試料Ｂ、試料Ｃにおいては、図中右下部分（角部：図中、破線の円で囲まれた部位）に、貼り合わない領域を形成した（図１７（Ａ）、図１８（Ａ）参照）。また、ガラス基板と単結晶シリコン基板の貼り合わせは、当該部分（角部）から進行させた。なお、当該部分（角部）以外から貼り合わせを進行させる場合であっても一定の効果を得ることができるが、当該部分（角部）から貼り合わせを進行させる場合が最も効果的であった。
【０１７２】
図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）、図１８（Ｂ）から、貼り合わない領域を形成した試料（試料Ｂ、試料Ｃ）では、貼り合わない領域を形成しない試料（試料Ａ）と比較してシリコン層の表面荒れが抑制されていることが分かる。
【０１７３】
次に、貼り合わない領域の直径と、シリコン層中の欠損の数（検出数）との関係を図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示す。ここで、検出数は、パターン検査機によって検出した直径が１μｍ以上の大きさの欠損の数をいう。なお、上記パターン検査機は光学顕微鏡と画像解析を応用した装置である。
【０１７４】
図２０から、貼り合わない領域の直径が大きくなるほど、欠損の検出数が低減されていることが分かる。例えば、欠損の数密度を５．０個／ｃｍ２以下とすることが可能であり、条件次第では、１．０個／ｃｍ２以下とすることも可能である。また、貼り合わない領域を形成しない場合（貼り合わない領域の直径が０ｍｍの場合）と比較すると、貼り合わない領域が極めて小さい場合（例えば、貼り合わない領域の直径が１ｍｍの場合）であっても、検出数は著しく低減している。このことから、貼り合わない領域を形成することは、シリコン層の欠損を抑制するために極めて有効であることが分かる。なお、上記貼り合わない領域の大きさは、貼り合わせ表面に形成する凹凸部の大きさなどに依存する。
【０１７５】
図２１に、貼り合わない領域を形成しない試料の表面のラフネスと、貼り合わない領域を形成した試料の表面のラフネスと、を比較した結果を示す（観察面積１０×１０ｍｍ２）。図２１（Ａ）は、算術平均粗さ（Ｒａ）を示し、図２１（Ｂ）は、最大高低差（Ｐ−Ｖ）を示す。
【０１７６】
図２１（Ａ）より、貼り合わない領域を形成しない試料ではＲａが８．０ｎｍより大きいのに対して、貼り合わない領域を形成した試料ではＲａが８．０ｎｍ以下になっていることが分かる。また、図２１（Ｂ）より、貼り合わない領域を形成しない試料ではＰ−Ｖが１２０ｎｍより大きいのに対して、貼り合わない領域を形成した試料ではＰ−Ｖが１２０ｎｍ以下になっていることが分かる。
【０１７７】
以上、本実施例により、開示する発明の一態様の有効性が確認された。なお、開示する発明の一態様では、半導体層の欠損数を十分に抑制し、また、各欠損を小型化することができるため、後にレーザー光を照射する場合であっても、欠損数の増加や、欠損の大型化を抑制することが可能である。このように、開示する発明の一態様は、レーザー光の照射と組み合わせて用いる場合には一層効果的である。
【符号の説明】
【０１７８】
１００    ベース基板
１０２    窒素含有層
１１０    単結晶半導体基板
１１２    脆化領域
１１４    絶縁層
１１５    酸化膜
１１６    単結晶半導体層
１１８    単結晶半導体層
１２０    半導体層
１３２    レーザー光
１４０    凹部
１４２    凹部
１４４    凹部
７００    半導体層
７０２    半導体層
７０４    半導体層
７０６    ゲート絶縁膜
７０８    電極
７１０    電極
７１２    不純物領域
７１４    不純物領域
７１６    サイドウォール
７１８    サイドウォール
７２０    高濃度不純物領域
７２２    低濃度不純物領域
７２４    チャネル形成領域
７２６    高濃度不純物領域
７２８    低濃度不純物領域
７３０    チャネル形成領域
７３２    ｎチャネル型トランジスタ
７３４    ｐチャネル型トランジスタ
７３６    絶縁膜
７３８    絶縁膜
７４０    導電膜
７４２    導電膜
７４４    導電膜
７４６    導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図２０】
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【図２１】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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