(57)【要約】【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む【選択図】図１
2010145260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、
前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、
前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、
前記連結部に接合された前記ウエハからエッチングにより前記異質領域を除去する、
ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項２】
前記ウエハは感光性ガラスからなり、
露光によって前記対象領域を結晶化することによって前記異質領域を形成する、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項３】
前記ウエハを前記連結部に接合する前に前記ウエハの上面側から前記異質領域の表層を除去し、
前記ウエハを前記連結部に接合した後に前記ウエハの底面側から前記異質領域の残部を除去する、
請求項２に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項４】
レンズによって集光したレーザ光を照射することによって前記対象領域を結晶化する、
請求項２または３に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項５】
前記連結部の底面と前記支持部の底面とに樹脂層を介して前記ウエハを接着し、
前記支持部のパターンと前記錘部のパターンとは一部が重なり合い、前記支持部の底面に接合された前記樹脂層が前記錘部と前記支持部との緩衝層となる、
請求項２から４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項６】
前記連結部の底面と前記支持部の底面とに前記ウエハを直接接合する、
請求項２から４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項７】
支持部と、
一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、
前記可撓部の他端に結合している連結部と、
結晶化ガラスからなり前記連結部の底面に接合された錘部と、
前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出部と、
を備えるＭＥＭＳセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）センサの製造方法およびＭＥＭＳセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、錘部に結合している可撓部の変形を電気信号に変換する、加速度センサ、振動ジャイロスコープなどのＭＥＭＳセンサが知られている（例えば特許文献１、２参照）。このようなＭＥＭＳセンサにおいては、錘部の側面は錘部となるシリコンウエハやガラスウエハのダイシングによって形成される。
【特許文献１】特開平８−５４４１３号公報
【特許文献２】特許第２８９２７８８号公報
【特許文献３】特開平６−３２４０７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、錘部となるウエハをダイシングする工程ではウエハとダイサーの回転刃との摩擦力によってウエハが損傷したり先に形成された薄い可撓部が損傷したりしやすい。
【０００４】
本発明はこの問題を解決するために創作されたものであって、錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法は、支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む。
【０００６】
本発明によると、ウエハからエッチングにより異質領域を除去することによって錘部をウエハ内でリリースできるため、錘部となるウエハが破損しにくい。なお、本明細書では、錘部に対する可撓部の位置関係を上として「上」と「底」の用語を用いる。
【０００７】
（２）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法において、前記ウエハは感光性ガラスからなり、露光によって前記対象領域を結晶化することによって前記異質領域を形成してもよい。
本発明によると、異質領域となる犠牲膜を形成する必要がないため、製造工程を簡素化することができる。
【０００８】
（３）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法において、前記ウエハを前記連結部に接合する前に前記ウエハの上面側から前記異質領域の表層を除去し、前記ウエハを前記連結部に接合した後に前記ウエハの底面側から前記異質領域の残部を除去してもよい。
本発明によると、ウエハを連結部に接合した後に異質領域を除去するために実施するエッチングの時間を短縮できるため、エッチングによって積層構造体に与えられるダメージを低減することができる。
【０００９】
（４）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法において、レンズによって集光したレーザ光を照射することによって前記対象領域を結晶化してもよい。
本発明によると、露光する対象領域を自由に制御できるため、錘部の形状を自由に設計することができる。
【００１０】
（５）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法において、前記連結部の底面と前記支持部の底面とに樹脂層を介して前記ウエハを接着し、前記支持部のパターンと前記錘部のパターンとは一部が重なり合い、前記支持部の底面に接合された前記樹脂層が前記錘部と前記支持部との緩衝層となってもよい。
本発明によると、連結部と錘部との接着に用いる樹脂層を錘部と支持部との緩衝層として形成するため、対衝撃性能が高いＭＥＭＳセンサを簡素な構造で実現することができる。なお、本明細書において「パターン」とは連結部の底面に対して垂直な方向から見た形状をいうものとする。
【００１１】
（６）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサの製造方法において、前記連結部の底面と前記支持部の底面とに前記ウエハを直接接合してもよい。
本発明によると、連結部と錘部とを強固に接合することができる。
【００１２】
（７）上記目的を達成するためのＭＥＭＳセンサは、支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、結晶化ガラスからなり前記連結部の底面に接合された錘部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出部と、を備える。
本発明によると、連結部に接合される錘部が結晶化ガラスからなるため、錘部となるウエハが製造工程において破損しにくい。
【００１３】
尚、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
１．第一実施形態
（構成）
本発明のＭＥＭＳセンサの第一実施形態であるモーションセンサを図１Ａ、図１Ｂおよび図２に示す。図１Ａはモーションセンサ１のセンサダイ１Ａを示す断面図であって図１Ｂに示すＡＡ線の断面図である。図１Ｂはセンサダイ１Ａの上面図である。図２はモーションセンサ１を示す断面図である。図１Ａおよび図２において、センサダイ１Ａを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ１Ａを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。
【００１５】
モーションセンサ１は互いに直交する３軸の加速度成分と角速度成分とを検出するためのＭＥＭＳセンサである。モーションセンサ１は、図２に示すパッケージ１Ｂと、パッケージ１Ｂに収容されたセンサダイ１Ａとを備える。
【００１６】
センサダイ１Ａは、図１Ａに示すように、ベース層８０と、厚層としての厚いシリコン層１１と、エッチングストッパ層１２と、薄層としての薄いシリコン層１３と、第一絶縁層２０と、電極層３１、３３と、圧電層３２と、第二絶縁層４０と、表面配線層５０とからなる積層構造体である。ベース層８０は、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とを混合したパイレックス（登録商標）等のガラスまたは結晶化ガラスからなる。ベース層８０の厚さは３００μｍである。厚いシリコン層１１と薄いシリコン層１３はいずれも単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる。厚いシリコン層１１の厚さは６２５μｍである。薄いシリコン層１３の厚さは１０μｍである。エッチングストッパ層１２および第一絶縁層２０はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる。エッチングストッパ層１２の厚さは１μｍである。第一絶縁層２０の厚さは０．５μｍである。電極層３１、３３は、白金（Ｐｔ）からなる。電極層３１、３３の厚さは０．１μｍである。圧電層３２はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。圧電層３２の厚さは３μｍである。第二絶縁層４０は感光性ポリイミドからなる。第二絶縁層４０の厚さは１０μｍである。表面配線層５０はアルミニウム（Ａｌ）からなる。表面配線層５０の厚さは０．５μｍである。
【００１７】
モーションセンサ１のセンサダイ１Ａは、枠形の支持部Ｓと、支持部Ｓの内側に十文字形に配置された４つの梁Ｆと、４つの梁Ｆのそれぞれに結合している柱形の連結部Ｃと、連結部Ｃと結合している錘部Ｍと、４つの梁Ｆのそれぞれに設けられた検出手段としてのピエゾ抵抗素子１３１・検出用圧電素子３０ｂと、４つの梁Ｆのそれぞれに設けられ４つの梁Ｆを撓ませることによって錘部Ｍを駆動する駆動用圧電素子３０ａとを備える。
【００１８】
支持部Ｓは図１Ｂに示すように矩形枠の形態を有する。支持部Ｓは厚いシリコン層１１、エッチングストッパ層１２、薄いシリコン層１３、第一絶縁層２０および第二絶縁層４０を含む。支持部Ｓは厚いシリコン層１１を含み、ベース層８０を介してパッケージ１Ｂに固定されるため、モーションセンサ１に固定された座標系において不動の実質的な剛体として振る舞う。支持部Ｓの底面にはベース層８０の矩形枠形の部分が結合している。ベース層８０の支持部Ｓに結合している部分の底面はパッケージ１Ｂの底面に接着層９２を介して接合される。
【００１９】
可撓部としての４つの梁Ｆのそれぞれは片持ち梁の形態を有する。梁Ｆは薄いシリコン層１３と第一絶縁層２０と第二絶縁層４０とを含む。梁Ｆは厚いシリコン層１１を含まないため、可撓性を有する膜として振る舞う。４つの梁Ｆのそれぞれの一端は支持部Ｓの内側の４辺に結合している。支持部Ｓは不動の剛体として振る舞うため、モーションセンサ１に固定された座標系において梁Ｆの一端は固定端となる。４つの梁Ｆは支持部Ｓの内側の４辺から支持部Ｓの内側の空間の中央に向かって突出している。４つの梁Ｆのそれぞれの突端は連結部Ｃに結合している。錘部Ｍは連結部Ｃにのみ結合し、図２に示すようにパッケージ１Ｂの底面９０ａから浮いているため、連結部Ｃに結合している梁Ｆの突端はモーションセンサ１に固定された座標系において自由端として振る舞う。４つの梁Ｆは錘部Ｍの運動にともなってそれぞれ変形する。
【００２０】
錘部Ｍは、梁Ｆの厚さ方向から見て外周が矩形である板の形態を有する。錘部Ｍはベース層８０からなる。錘部Ｍはベース層８０を含むため実質的に剛体として振る舞う。錘部Ｍのパターン（連結部Ｃの底面に垂直な方向から見た形状であり、梁Ｆの厚さ方向から見た形状でもある。）と支持部Ｓの厚いシリコン層１１のパターンとは一部が重なっている。具体的には、支持部Ｓの厚いシリコン層１１の矩形の内周は錘部Ｍの矩形の外周よりも内側に位置し、錘部Ｍの外周近傍は支持部Ｓの厚いシリコン層１１の底面と梁Ｆの厚さ方向において対向している。錘部Ｍの上面と支持部Ｓの厚いシリコン層１１の底面との間には空隙Ｇが形成されている。空隙Ｇの高さに応じて錘部Ｍの運動範囲が規制される。すなわち支持部Ｓの厚いシリコン層１１が錘部Ｍのストッパとして機能するため、空隙Ｇの高さに応じて梁Ｆの変形範囲が規制される。この空隙Ｇは錘部Ｍの上面の外周部に形成された環状凹部８０ａによって形成されている。
【００２１】
連結部Ｃは厚いシリコン層１１の四角柱形の部分と、エッチングストッパ層１２の四角柱形の部分と、薄いシリコン層１３と第一絶縁層２０と第二絶縁層４０の４つの梁Ｆに囲まれた四角柱形の部分とで構成されている。連結部Ｃは厚いシリコン層１３を含むため実質的に剛体として振る舞う。４つの梁Ｆに結合している連結部Ｃの底面は錘部Ｍの上面に結合している。すなわち連結部Ｃは錘部Ｍと４つの梁Ｆとを連結している。連結部Ｃの形状と寸法は、連結部Ｃが錘部Ｍと梁Ｆとを連結し、錘部Ｍと一体に運動する実質的な剛体として振る舞うように設定すればよいが、梁Ｆと錘部Ｍとに熱膨張係数の差がある場合には、梁Ｆと錘部Ｍとの熱膨張係数の差によって発生する応力が薄い梁Ｆに伝達しないように連結部Ｃを構成する厚いシリコン層１１の厚さは厚い方が好ましい。このため、本実施形態では厚いシリコン層１１をバルク材料である単結晶シリコンウエハから構成している。
【００２２】
ピエゾ抵抗素子１３１は錘部Ｍの運動に伴う梁Ｆの変形を検出するための検出手段である。ピエゾ抵抗素子１３１は梁Ｆと支持部Ｓとの境界近傍に形成されている。ピエゾ抵抗素子１３１は薄いシリコン層１３に形成された高抵抗部１３１ａと低抵抗部１３１ｂとで構成されている。高抵抗部１３１ａにはボロン（Ｂ）イオンが２×１０１８／ｃｍ３の濃度で拡散している。低抵抗部１３１ｂには、ボロンイオンが２×１０２０／ｃｍ３の濃度で拡散している。高抵抗部１３１ａに比べて比抵抗が小さい低抵抗部１３１ｂは高抵抗部１３１ａと表面配線層５０との接続抵抗を低減する。ピエゾ抵抗素子１３１は第一絶縁層２０に形成されたコンタクトホールを介して電極層３１に接続している。電極層３１は第二絶縁層４０に形成されたコンタクトホールを介して表面配線層５０に接続している。ピエゾ抵抗素子１３１は長手方向に直線的に並ぶ２つの梁Ｆに形成された４つを１組とする合計３組のホイーストンブリッジを構成するように結線される。互いに直交する３軸の加速度成分のそれぞれに対応する信号を各ホイーストンブリッジから得ることができる。
【００２３】
駆動用圧電素子３０ａおよび検出用圧電素子３０ｂはいずれも電極層３１，３３と圧電層３２とからなる。駆動用圧電素子３０ａおよび検出用圧電素子３０ｂの下部電極を構成する電極層３１はセンサダイ１Ａの周辺部に形成されたコンタクトホールを介して表面配線層５０に接続している。駆動用圧電素子３０ａおよび検出用圧電素子３０ｂの上部電極を構成する電極層３３は駆動用圧電素子３０ａおよび検出用圧電素子３０ｂの真上に形成されたコンタクトホールを介して表面配線層５０に接続している。
【００２４】
駆動用圧電素子３０ａは梁Ｆと支持部Ｓとの境界近傍に形成されている。駆動用圧電素子３０ａは錘部Ｍを振動させるための駆動手段である。駆動用圧電素子３０ａには錘部Ｍを周回運動させる正弦波信号が印加される。
【００２５】
検出用圧電素子３０ｂは梁Ｆと連結部Ｃとの境界近傍に形成されている。検出用圧電素子３０ｂは錘部Ｍの運動に伴う梁Ｆの変形を検出するための検出手段である。実質的に剛体として振る舞う錘部Ｍと可撓性を有する梁Ｆとの境界には、梁Ｆの変形に伴う応力と歪みが集中する。このため、検出用圧電素子３０ｂを錘部Ｍと梁Ｆとの境界上に設けることにより、効率よく可撓部Ｆの変形にともなう歪みを検出することができる。検出用圧電素子３０ｂからは同期検波などによって３軸の角速度成分に対応する信号を得ることができる。
【００２６】
なお、駆動用圧電素子３０ａを連結部Ｃと４つの梁Ｆとのそれぞれの境界上に設けてもよい。また検出用圧電素子３０ｂを支持部Ｓと４つの梁Ｆとのそれぞれの境界上に設けてもよい。いずれにしても、梁Ｆとそれに結合している実質的な剛体との境界（振動端）近傍に駆動用圧電素子３０ａと検出用圧電素子３０ｂとを設けることが望ましい。
【００２７】
図２に示すパッケージ１Ｂは、無蓋箱型のベース９０とベース９０の内部空間を閉塞するカバー９４とを備える。ベース９０とカバー９４とは接着層９３を介して接合されている。ベース９０には複数の貫通電極９１が設けられている。ワイヤ９５は一端がセンサダイ１Ａの表面配線層５０に接合され他端がパッケージ１Ｂの貫通電極９１に接合される。センサダイ１Ａのベース層８０の支持部Ｓに結合している矩形枠の部分はベース９０の内側の底面９０ａに接着層９２によって接着されている。底面９０ａに形成する凹部の深さや接着層９２の厚さによってセンサダイ１Ａの錘部Ｍとベース９０の内側の底面９０ａとの間の空隙の高さが設定されている。なお、パッケージ１Ｂの内部にセンサダイ１Ａと接続されるＬＳＩダイを収容してもよい。
【００２８】
（製造方法）
以下、図３から図１９に基づいてモーションセンサ１の製造方法の一例を説明する。図３から図１９の断面図は図９Ｂおよび図１１を除いて全て図１Ｂに示すＡＡ線に対応する断面図である。図９Ｂおよび図１１は図９Ｃに示すＢＢ線に対応する断面図である。
【００２９】
はじめに図３に示すように、フォトレジストからなる保護膜Ｒ１を用いてＳＯＩウエハ１０の薄い方の薄いシリコン層１３に不純物を導入することにより高抵抗部１３１ａを形成する。不純物として、例えば２×１０１８／ｃｍ３の濃度でボロン（Ｂ）イオンを注入する。イオン注入後はアニールによる活性化が行われる。ＳＯＩウエハ１０は、厚いシリコン層１１、エッチングストッパ層１２および薄いシリコン層１３を含む。ＳＯＩウエハ１０の厚いシリコン層１１は厚さ６２５μｍの単結晶シリコンからなる。エッチングストッパ層１２は厚さ１μｍの二酸化シリコンからなる。薄いシリコン層は厚さ１０μｍの単結晶シリコンからなる。
【００３０】
次に図４に示すように薄いシリコン層１３の表面に第一絶縁層２０を形成する。第一絶縁層２０として、例えば熱酸化またはＣＶＤにより厚さ０．５μｍの二酸化シリコンの膜を形成する。
【００３１】
次に図５に示すようにフォトレジストからなる保護膜Ｒ２を用いて第一絶縁層２０にコンタクトホール２０ｈを形成し、高抵抗部１３１ａを露出させる。コンタクトホール２０ｈは、例えばＣＦ４＋Ｈ２またはＣＨＦ３ガスを用いた反応性イオンエッチングによって第一絶縁層２０を異方的にエッチングすることによって形成する。フッ酸（ＨＦ）または緩衝フッ酸（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングによってコンタクトホール２０ｈを形成してもよい。
【００３２】
続いてコンタクトホール２０ｈから露出している高抵抗部１３１ａに不純物を導入することにより低抵抗部１３１ｂを形成する。不純物として、例えば２×１０２０／ｃｍ３の濃度でボロンイオンを注入する。イオン注入後はアニールによる活性化が行われる。
【００３３】
次に図６に示すように、第一絶縁層２０の表面上に電極層３１、圧電層３２、電極層３３をこの順に積層する。電極層３１、３３としては、スパッタリング等によって白金からなる膜を形成する。第一絶縁層２０と電極層３１の密着層として厚さ３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）を成膜してもよい。また電極層３１の材料にはイリジウム（Ｉｒ）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）を用いても良い。電極層３３の材料にはイリジウム、酸化イリジウム、金（Ａｕ）などを用いても良い。圧電層３２としては、スパッタリング、ゾルゲル法等によってＰＺＴからなる膜を形成する。電極層３３と圧電層３２の密着層として厚さ３０ｎｍのチタンを成膜しても良い。
【００３４】
次に図７に示すように、電極層３３と圧電層３２とをフォトレジストからなる保護膜Ｒ３を用いてエッチングすることにより、電極層３３と圧電層３２とを所定形状にパターニングする。具体的には、白金からなる電極層３３はアルゴン（Ａｒ）イオンを用いたイオンミリングによってパターニングする。ＰＺＴからなる圧電層３２は塩素（Ｃｌ２）をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによってパターニングする。
【００３５】
次に図８に示すように、電極層３１をフォトレジストからなる保護膜Ｒ４を用いてエッチングすることにより、電極層３１を所定形状にパターニングする。その結果、駆動用圧電素子３０ａと検出用圧電素子３０ｂとが形成される。このとき同時にピエゾ抵抗素子１３１の配線と駆動用圧電素子３０ａおよび検出用圧電素子３０ｂの下部電極の配線とが形成される。具体的には、白金からなる電極層３１はアルゴン（Ａｒ）イオンを用いたイオンミリングによってパターニングする。反応性イオンエッチングにより電極層３１をパターニングしても良い。
【００３６】
次に図９Ａ、図９Ｂおよび図９Ｃに示すように絶縁層２０、電極層３１および電極層３３の表面に第二絶縁層４０を形成する。具体的には感光性ポリイミドを塗布し、露光と現像とによってコンタクトホール４０ｈと開口部４０ｅとを形成することによって所定パターンの第二絶縁層４０を形成する。なお、第二絶縁層４０の材料としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ等の無機材料を用いても良い。
【００３７】
次に図１０に示すように第二絶縁層４０の表面に表面配線層５０を形成し、表面配線層５０をエッチングすることによって所定パターンの配線を構成する表面配線層５０を形成する。その結果、圧電素子の上部電極の配線とボンディングパッドとが表面配線層５０によって構成される。表面配線層５０として、例えばスパッタリングによって０．３μｍの厚さのアルミニウム（Ａｌ）の膜を形成する。表面配線層５０として銅やアルミシリコン（ＡｌＳｉ）の膜を形成してもよい。表面配線層５０のパターンは、例えば塩素（Ｃｌ２）ガスを用いた反応性イオンエッチングにより形成する。
【００３８】
次に図１１に示すように第二絶縁層４０を保護膜として用いて第一絶縁層２０および薄いシリコン層１３を所定形状にパターニングする。その結果、４つの梁Ｆのパターンが形成される。第一絶縁層２０はＣＨＦ３またはＣＦ４＋Ｈ２をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによってパターニングする。薄いシリコン層１３はＣＦ４＋Ｏ２をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによってパターニングする。テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いたウエットエッチングによって梁Ｆのパターンを形成してもよい。
【００３９】
次に上述の工程によって形成された積層構造体Ｗの表面配線層５０が形成されている面を図１２に示すように犠牲基板７１に接着する。接着層Ｂとして、例えばワックス、フォトレジスト、両面粘着シート等を用いる。
【００４０】
次に図１３に示すようにフォトレジストからなる保護膜Ｒ５を用いて厚いシリコン層１１をエッチングすることによって厚いシリコン層１１に環状の通孔１１ｈを形成することによって連結部Ｃの厚いシリコン層１１からなる部分を形成する。具体的には例えば、ＳＦ６プラズマガスを用いたパッシベーションとＣ４Ｆ８プラズマガスを用いたエッチングのステップを短い時間間隔で交互に繰り返すＤｅｅｐ−ＲＩＥ（いわゆるボッシュプロセス）によって厚いシリコン層１１をパターニングする。なお、厚いシリコン層１１のパターニングを最初に実施しても良いし、薄いシリコン層１１の表面側を処理する工程の間に実施しても良い。
【００４１】
次に、環状の通孔１１ｈから露出しているエッチングストッパ層１２を図１３に示すように等方性エッチングする。以上の工程を実施することによって、支持部Ｓと、一端が支持部Ｓと結合した可撓部としての梁Ｆと、梁Ｆの他端に結合している連結部Ｃと、梁Ｆの変形を検出する検出部としてのピエゾ抵抗素子１３１と検出用圧電素子３０ｂとを備える積層構造体Ｗが完成する。
【００４２】
次に錘部Ｍを構成するベース層８０となるウエハの加工について説明する。
まず図１４に示すようにフォトレジストからなる保護膜Ｒ６を用いてベース層８０となるウエハ８０の上面（主面の一方）に環状凹部８０ａを形成する。環状凹部８０ａは錘部Ｍと支持部Ｓとの空隙Ｇを確保する。ウエハ８０にはガラスウエハなどの透明なバルク材料を用いることが好ましい。具体的には例えば厚さ５００μｍのパイレックス（登録商標）ガラスをウエハ８０として用いる。そしてＣＨＦ３＋Ｏ２をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによって深さ１０μｍの環状凹部８０ａを形成する。なお、ウエハ８０に結晶化ガラスを用いても良い。ウエハ８０に結晶化ガラスを用いることにより、後述する積層構造体Ｗとウエハ８０との接合工程やダイシング工程においてウエハ８０が損傷しにくくなる。また、フォトリソグラフィによる保護膜Ｒ６の形成とエッチングとの組み合わせにより環状凹部８０ａを形成する代わりに、ナノインプリントやレーザ加工やサンドブラスト等の機械加工によって環状凹部８０ａを形成しても良い。
【００４３】
次にフォトレジストからなる保護膜Ｒ７を用いてウエハ８０の上面に環状溝８０ｂを形成する。環状溝８０ｂの深さは錘部Ｍの厚さを基準とし、錘部Ｍの厚さと一致させるか、錘部Ｍの厚さより僅かに深く設定する。ここでは環状溝８０ｂの深さは錘部Ｍの厚さに等しい３００μｍとする。環状溝８０ｂを形成することによって錘部Ｍの側面を確定させる。すなわち環状溝８０ｂを錘部Ｍとなる領域に外接させることにより、環状溝８０ｂの内側の側面は錘部Ｍの側面となる。このとき環状凹部８０ａが錘部Ｍの上面の外周にまで達するように環状溝８０ｂは環状凹部８０ａと連続した領域もしくは環状凹部８０ａの内部に形成する。環状溝８０ｂはＣＨＦ３をエッチングガスとして用いる反応性イオンエッチングによって形成される。
【００４４】
なお、２つの保護膜Ｒ６、Ｒ７を用いて環状凹部８０ａと環状溝８０ｂとを形成する代わりに、ハーフトーンマスクやレーザーを用いて形成される１つの立体パターンを有する保護膜とともにウエハ８０を異方的にエッチングすることによって環状凹部８０ａと環状溝８０ｂとを一工程で形成しても良い。
【００４５】
次に図１６に示すようにウエハ８０の上面に犠牲膜６０を形成することによって環状凹部８０ａおよび環状溝８０ｂを埋める。その結果、残部とは異質の犠牲膜６０からなる異質領域がウエハ８０に形成される。犠牲膜６０としては、密着層としての厚さ０．３μｍの窒化チタン（ＴｉＮｘ）膜をウエハ８０の上面にＣＶＤ法によって形成した後に厚さ１０μｍの銅（Ｃｕ）膜を電界めっき法によって形成する。犠牲膜６０のウエハ８０との界面はウエハ８０の底面をＣＭＰやエッチングによって後退させるときに終点制御のためのストッパとなる。したがって犠牲膜６０を複層構造とする場合、ウエハ８０と接する層にはウエハ８０のポリシングまたはエッチングに対するストッパとして機能する材料を用い、ウエハ８０と接しない層にはウエハ８０と同一の材料を用いることもできる。このように犠牲膜６０を複層構造とすることによって応力やスループットの観点から犠牲膜６０の材質を最適化することができる。また単層の犠牲膜６０として、多結晶シリコンや窒化シリコン等の無機膜をＣＶＤ法によって形成しても良いし、ポリイミド・フォトレジスト等の有機膜をスピンコーティング等によって形成しても良い。また犠牲膜６０のウエハ８０と接する下層を窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）膜によって構成し、犠牲膜６０のウエハ８０と接しない上層をポリイミド膜によって構成しても良い。
【００４６】
次に図１７に示すように、ウエハ８０の上面が露出するまで犠牲膜６０の表層を除去する。犠牲膜６０が窒化チタンの下層と銅の上層との二層構造である場合、窒化チタン膜をポリシングストッパとして銅膜のＣＭＰの終点を制御し、さらに窒化チタン膜を所定時間だけ除去することによってウエハ８０の上面を露出させる。犠牲膜６０が窒化シリコンの下層と多結晶シリコンの上層との二層構造である場合、ＣＦ４をエッチングガスとする反応性イオンエッチングにより多結晶シリコン膜の表層を除去して窒化シリコン膜を露出させる。多結晶シリコン膜のエッチングの終点は、プラズマの発光スペクトルを観察することによって制御することが好ましい。また多結晶シリコン膜の表層をＣＭＰによって除去し、窒化シリコン膜をポリシングストッパとして用いても良い。ウエハ８０に接している窒化シリコン膜はＣＦ４＋Ｈ２またはＣＨＦ３をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングにより除去し、ウエハ８０の上面を露出させる。窒化シリコン膜のエッチングの終点もプラズマの発光スペクトルを観察することによって制御することが好ましい。
【００４７】
次に図３から図１３に対応する工程を実施することによって形成された積層構造体Ｗを図１８に示すようにウエハ８０の上面に接合する。このとき、犠牲膜６０で埋められた環状溝８０ｂの内側領域が連結部Ｃの底面に接合されるように積層構造体Ｗとウエハ８０とを位置合わせする。ウエハ８０には錘部Ｍの厚さに等しい深さの環状溝８０ｂが深く形成されているものの、環状溝８０ｂおよび環状凹部８０ａが犠牲膜６０によって埋められているため、積層構造体Ｗとウエハ８０とを接合するのに必要な荷重がウエハ８０に加わったとしてもウエハ８０が損傷しにくい。連結部Ｃの底面を構成している厚いシリコン層１１とウエハ８０とは陽極接合によって直接接合する。陽極接合の条件は、例えば温度は２５０℃、厚いシリコン層１１とウエハ８０とに印加する電圧は８００Ｖとする。
【００４８】
次に図１９に示すように少なくとも犠牲膜６０が露出するまでウエハ８０の底面を後退させることによって錘部Ｍの厚さを調整する。犠牲膜６０のウエハ８０と接する下層が窒化チタン膜からなる場合、ＣＨＦ３＋Ｏ２をエッチングガスとする反応性イオンエッチングによりウエハ８０の底面を後退させ、窒化チタン膜からなる犠牲膜６０の下層をエッチングストッパとして終点を制御する。その結果、ウエハ８０の厚さが錘部Ｍの設計厚さに調整される。反応性イオンエッチングの代わりにＣＭＰによってウエハ８０の底面を後退させてもよい。なお、本工程において、犠牲膜６０の下層が露出してから所定時間経過した時点にＣＭＰの終点を設定して犠牲膜６０の上層をウエハ８０の底面に露出させても良い。本工程では、ウエハ８０の底面を後退させる終点を犠牲膜６０の露出時に制御できる。犠牲膜６０は異方性エッチングにより形成された環状溝８０ｂの深さまでウエハ８０に埋め込まれている。ウエハ８０の異方性エッチングでは環状溝８０ｂの深さを正確に制御できる。したがって、本工程において設定されるウエハ８０の底面を後退させる終点は、ウエハ８０の上面から正確な深さに制御される。その結果、ウエハ８０からなる錘部Ｍの厚さが設計値に正確に調整される。また本工程では、犠牲膜６０によって環状凹部８０ａおよび環状溝８０ｂが埋められた状態でウエハ８０の底面を加工するため、ウエハ８０が損傷しにくい。
【００４９】
次にウエハ８０の底面に露出した異質領域である犠牲膜６０を除去することによって錘部Ｍをウエハ８０内においてリリースする。例えばＣＦ４＋Ｏ２＋Ｈ２＋ＮＨ３をエッチングガスとする反応性イオンエッチングにより、犠牲膜６０の下層を構成する窒化チタン膜を除去し、犠牲膜６０の銅膜からなる上層を露出させる。続いて銅膜からなる犠牲膜６０の上層を等方性エッチングによって除去する。さらにウエハ８０の環状凹部８０ａの表面に残存している犠牲膜６０の窒化チタン膜からなる下層をＳＣ１溶液（ＤＩ：Ｈ２Ｏ２：ＮＨ４ＯＨ）をエッチャントとして除去する。なお、ウエハ８０の環状凹部８０ａの表面に残存している犠牲膜６０の下層は除去せずに残存させておいても良い。本工程では、錘部Ｍをウエハ８０内においてリリースするにあたってダイシング等による物理的な力がウエハ８０に加える必要がないため、ウエハ８０や積層構造体Ｗが損傷しにくい。
【００５０】
その後、ダイシング、パッケージング等の後工程を実施すると図１および図２に示すモーションセンサ１が完成する。
【００５１】
以上説明したモーションセンサ１の製造方法によると、錘部Ｍの厚さを正確に調整することができるため、特性のばらつきが小さいモーションセンサ１を製造することができる。またウエハ８０の上面側からの加工だけで錘部Ｍの側面を確定できるため、錘部Ｍの寸法精度を高めることができる。
【００５２】
２．第二実施形態
（構成）
図２０は本発明の第二実施形態によるモーションセンサのセンサダイ２Ａを示す断面図である。図２０において、センサダイ２Ａを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ２Ａを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。
【００５３】
連結部Ｃの底面と錘部Ｍの上面とは図２０に示すように樹脂層７５による接着によって接合されていても良い。この場合、支持部Ｓの底面とベース層８０の上面との間にも挿入される樹脂層７５は支持部Ｓと錘部Ｍとが対向する領域において錘部Ｍと支持部Ｓとの緩衝層としても用いることが好ましい。これにより構造を複雑化することなしにモーションセンサの耐衝撃性能を向上させることができる。
【００５４】
（製造方法）
図２１はセンサダイ２Ａを製造する方法を示す断面図であって、図１Ｂ示すＡＡ線断面に対応している。
第一実施形態において説明した図１７に対応する工程までを実施した後、積層構造体Ｗと錘部Ｍとなるウエハ８０とを接合する工程において、図２１に示すように樹脂層７５を積層構造体Ｗの厚いシリコン層１１の底面に接合し、続いてウエハ８０の上面を樹脂層７５に接合すればよい。厚いシリコン層１１に接合する樹脂層７５のパターンは、厚いシリコン層１１の底面のパターンと一致させる。すると、厚いシリコン層１１の底面のパターンと錘部Ｍの上面のパターンとが重なっているため、樹脂層７５が緩衝層となる。樹脂層７５としてはポリイミドなどの熱可塑性樹脂接着剤を用いる。このとき厚いシリコン層１１のパターニングに用いたフォトレジストからなる保護膜を除去せずに樹脂層７５として用いても良い。ウエハ８０を樹脂層７５に接合するときには、例えば２００℃に加熱し、６インチウエハあたり２ｔの荷重を印加して熱圧着する。その後、第一実施形態と同様に犠牲膜６０を除去すると、センサダイ２Ａが完成する。なお、図２１に示すように、積層構造体Ｗに接合する前にウエハ８０の底面を後退させて錘部Ｍの厚さを調整しても良い。
【００５５】
本実施形態によると、陽極接合では必要な電圧の印加が不要であるため、積層構造体Ｗと錘部Ｍとなるウエハ８０とを接合する工程での電圧印加による絶縁破壊を防止することができる。また陽極接合に比べて低温条件下において積層構造体Ｗと錘部Ｍとなるウエハ８０とを接合することができるため、接合時の熱膨張による応力を低減することができる。また接合面の凹凸や塵埃の付着による接合不良が陽極接合に比べて発生しにくい。
【００５６】
３．第三実施形態
図２２から図２５はモーションセンサ１のセンサダイ１Ａを製造する第三実施形態を示す断面図である。図２２から図２５は図１Ｂに示すＡＡ線断面に対応している。
本実施形態では錘部Ｍとなるウエハ８０は感光性ガラスとする。そして錘部Ｍの厚さと等しい厚さのウエハ８０を用いる。感光性ガラスとはある種の金属を含み、紫外線等の光の照射により露光された部分が加熱により結晶化するガラスである。例えば金、銀、パラジウムなどの核成形剤を０．０１〜０．５％、光増感剤として微量の酸化セシウム（ＣｅＯ２）を含有した厚さ３００μｍのリチウム・ケイ酸塩ガラス板をウエハ８０として用いる。
【００５７】
まず図２２に示すようにウエハ８０の上面にフォトレジストからなる保護膜Ｒ６を用いて環状凹部８０ａをエッチングにより形成する。例えばＣＨＦ３＋Ｏ２をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングにより深さ１０μｍの環状凹部８０ａが形成される。ウエハ８０上に保護膜Ｒ６を成膜する前に犠牲膜（遮光膜）としてクロム（Ｃｒ）を１００ｎｍ成膜し、保護膜Ｒ６をマスクに用いて犠牲膜（遮光膜）をエッチングした後、保護膜Ｒ６、犠牲膜（遮光膜）の少なくとも一方を用いて環状凹部８０ａを形成しても良い。この場合、犠牲膜（遮光膜）は保護膜Ｒ６とともに除去する。
【００５８】
次に図２３に示すように透光領域と遮光領域とを有するフォトマスク８１を介してウエハ８０に紫外線を照射し、第一実施形態で説明した環状溝８０ｂに対応する形状を有する対象領域に潜像である露光領域８０ｄを形成する。すなわち露光領域８０ｄは錘部Ｍとなる領域に外接する対象領域に形成する。
【００５９】
次にウエハ８０をガラス転移温度以上の高温で熱処理し露光領域８０ｄを結晶化させることによって、図２４に示すように残部とは異質の異質領域である微結晶領域８０ｅを形成する。例えば８５０℃で２時間ウエハ８０を加熱することにより潜像である露光領域８０ｄが微結晶領域８０ｅとして顕在化する。
【００６０】
次に微結晶領域８０ｅが形成されたウエハ８０を第一実施形態と同様に積層構造体Ｗに接合する。このとき、第一実施形態と同様にウエハ８０に深い溝が形成されていないため、ウエハ８０が破損しにくい。環状凹部８０ａによって応力が集中する領域が結晶化ガラスからなるため、ウエハ８０がさらに破損しにくい。
次に積層構造体Ｗに接合されたウエハ８０から微結晶領域８０ｅを選択的に除去し、錘部Ｍをウエハ８０内においてリリースするとセンサダイ１Ａが完成する。具体的には例えば、積層構造体Ｗの表面配線層５０が形成されている面を図示しない保護膜によって覆った後に、緩衝フッ酸を用いて微結晶領域８０ｅを除去する。積層構造体Ｗの表面を覆う保護膜としてはフォトレジストや加熱により発泡する粘着テープを用いることができる。
【００６１】
本実施形態によると、ウエハ８０内において錘部Ｍをリリースするために必要な異質領域となる犠牲膜を形成する必要がないため、製造工程を簡素化することができる。またウエハ８０の上面側からの加工だけで錘部Ｍの側面を確定できるため、錘部Ｍの寸法精度を高めることができる。またウエハ８０内において錘部Ｗをリリースする工程において、ダイサーとの摩擦力がウエハ８０に加わらないため、ウエハ８０や積層構造体Ｗが損傷することがない。
【００６２】
４．第四実施形態
図２６および図２７はモーションセンサ１のセンサダイ１Ａを製造する第四実施形態を示す断面図であって、図１Ｂに示すＡＡ線断面に対応している。
第三実施形態において説明した図２４に対応する工程を実施した後、図２６に示すようにウエハ８０の底面にフォトレジストからなる補強板７６を形成する。
【００６３】
次に、積層構造体Ｗにウエハ８０を接合する前に、微結晶領域８０ｅの表層（ウエハの上面に近い層）をエッチングにより選択的に除去する。これにより、図２７に示すように積層構造体Ｗにウエハ８０を接合した後に微結晶領域８０ｅを除去するのに要する時間を短縮することができる。その結果、微結晶領域８０ｅを選択的に除去するために用いるエッチャントによって積層構造体Ｗが受けるダメージを低減することができる。また微結晶領域８０ｅの表層を除去することによってウエハ８０の強度は第三実施形態に比べれば低下するものの、ウエハ８０の薄肉部が結晶化ガラスからなる微結晶領域８０ｅによって構成されているために十分な強度を有する。そしてウエハ８０の強度を確保できないほどに微結晶領域８０ｅの残厚を薄くすることによってウエハ８０と積層構造体Ｗの接合後のエッチング時間を短縮するとしても、補強板７６を接合した状態でウエハ８０と積層構造体Ｗとの接合を実施すればウエハ８０が損傷しにくくなる。
【００６４】
５．第五実施形態
図２８および図２９はモーションセンサ１のセンサダイ１Ａを製造する第五実施形態を示す断面図であって、図１Ｂに示すＡＡ線断面に対応している。
ウエハ８０の露光領域８０ｄはフォトマスクを用いずに図２８に示すようにレーザ光をレンズＬによって集光して形成しても良い。例えばフェムト秒レーザをレンズＬによって集光し、集光点を移動させることによって環状凹部８０ａと環状溝８０ｂとに対応する露光領域８０ｄを形成する。１点に集光したレーザ光によって露光するため、自由な形状の露光領域８０ｄを形成することができる。
【００６５】
次にウエハ８０を第四実施形態と同様に熱処理することによって図２９に示すように露光領域８０ｄを微結晶領域８０ｅとして顕在化させる。
本実施形態によると、ウエハ８０に凹部や溝が全く形成されていない状態でウエハ８０と積層構造体Ｗとを接合できるため、ウエハ８０がさらに損傷しにくくなる。
【００６６】
５．第六実施形態
図３０Ａは図３０Ｂに示すＡＡ線断面を示している。レーザ光を集光することによって感光性ガラスからなるウエハに露光領域を形成する場合、錘部Ｍの設計自由度は高い。例えば図３０に示すように支持部Ｓの内側空間の大部分を埋めるような形状の錘部Ｍを形成することも可能である。図３０に示す錘部Ｍは連結部Ｃの底面よりも梁Ｆの側の空間に突出する４つの凸部を有する形態である。このように支持部Ｓの内側空間に占める錘部Ｍの割合を高めることにより、モーションセンサの感度を高めることができる。
【００６７】
図３１から図３４は図３０に示すセンサダイ５Ａを製造する方法を示す断面図であって、図３０Ｂに示すＡＡ線断面に対応する。
図３１に示すようにレーザ光をレンズＬによって集光することによってウエハ８０に３次元形状の露光領域８０ｄを形成する。露光領域８０ｄのパターンはセンサダイ５Ａの厚いシリコン層１１のパターンが内側に収まる形態とする。
【００６８】
次に図３２に示すように熱処理をウエハ８０に施すことによって露光領域８０ｄを微結晶領域８０ｅに顕在化させる。
次に図３３に示すように補強板７６をウエハ８０の底面に形成した状態で緩衝フッ酸を用いて微結晶領域８０ｅの表層を選択的に除去する。本実施形態では微結晶領域８０ｅが厚くなるため、積層構造体Ｗにウエハ８０を接合する前の段階で微結晶領域８０ｅを大部分除去しておくことが大変有効である。
【００６９】
次に図３４に示すように積層構造体Ｗにウエハ８０を接合し、その後に補強板７６を除去した上で微結晶領域８０ｅの残部を選択的に除去すればよい。
なお、積層構造体Ｗにウエハ８０を直接接合する代わりに、図３５に示すように樹脂層７５を介して積層構造体Ｗとウエハ８０とを接合しても良い。この場合、第二実施形態と同様に、図３６に示すように錘部Ｍのストッパとして機能する支持部Ｓと錘部Ｍとの緩衝層として樹脂層７５を機能させることができる。
【００７０】
６．他の実施形態
本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、厚いシリコン層１１およびエッチングストッパ層１２を省略し、連結部Ｃの底面を薄いシリコン層１３の底面によって構成し、薄いシリコン層１３とウエハ８０とを接合しても良い。この場合、応力を緩和するために樹脂層７５を介して薄いシリコン層１３とウエハ８０とを接合することが好ましい。また本発明はモーションセンサの他、加速度センサ、振動ジャイロスコープ、姿勢センサ等の他のＭＥＭＳセンサに適用することもできる。
【００７１】
また例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。また例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１Ａは本発明の第一実施形態にかかる断面図。図１Ｂは本発明の第一実施形態にかかる上面図。
【図２】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図３】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図４】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図５】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図６】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図７】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図８】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは本発明の第一実施形態にかかる断面図。図９Ｃは本発明の第一実施形態にかかる上面図。
【図１０】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１１】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１２】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１３】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１４】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１５】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１６】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１７】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１８】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１９】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図２０】本発明の第二実施形態にかかる断面図。
【図２１】本発明の第二実施形態にかかる断面図。
【図２２】本発明の第三実施形態にかかる断面図。
【図２３】本発明の第三実施形態にかかる断面図。
【図２４】本発明の第三実施形態にかかる断面図。
【図２５】本発明の第三実施形態にかかる断面図。
【図２６】本発明の第四実施形態にかかる断面図。
【図２７】本発明の第四実施形態にかかる断面図。
【図２８】本発明の第五実施形態にかかる断面図。
【図２９】本発明の第五実施形態にかかる断面図。
【図３０】図３０Ａは本発明の第六実施形態にかかる断面図。図３０Ｂは本発明の第六実施形態にかかる上面図。
【図３１】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【図３２】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【図３３】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【図３４】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【図３５】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【図３６】本発明の第六実施形態にかかる断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１：モーションセンサ、１Ａ：センサダイ、１Ｂ：パッケージ、２Ａ：センサダイ、５Ａ：センサダイ、１０：ＳＯＩウエハ、１１：シリコン層、１１ｈ：通孔、１２：エッチングストッパ層、１３：シリコン層、２０：第一絶縁層、３０ａ：駆動用圧電素子、３０ｂ：検出用圧電素子、３１：電極層、３２：圧電層、３３：電極層、４０：第二絶縁層、４０ｅ：開口部、４０ｈ：コンタクトホール、５０：表面配線層、６０：犠牲膜、７１：犠牲基板、７５：樹脂層、７６：補強板、８０：ベース層、８０：ウエハ、８０ａ：環状凹部、８０ｂ：環状溝、８０ｄ：露光領域、８０ｅ：微結晶領域、８１：フォトマスク、９０：ベース、９０ａ：底面、９１：貫通電極、９２：接着層、９３：接着層、９４：カバー、９５：ワイヤ、１３１：ピエゾ抵抗素子、１３１ａ：高抵抗部、１３１ｂ：低抵抗部、Ｂ：接着層、Ｃ：連結部、Ｆ：可撓部、Ｆ：梁、Ｇ：空隙、Ｌ：レンズ、Ｍ：錘部、Ｒ１：保護膜、Ｒ２：保護膜、Ｒ３：保護膜、Ｒ４：保護膜、Ｒ５：保護膜、Ｒ６：保護膜、Ｒ７：保護膜、Ｓ：支持部、Ｗ：積層構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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