(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤの表面に界面活性剤や油脂などの有機物を被覆することなく、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持しうるボンディングワイヤを提供する。【解決手段】硼素の添加量を所定範囲内に収めた金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、このインゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、酸化雰囲気中での熱処理を施すことによって、表面に硼素酸化物皮膜が形成されているボンディングワイヤを得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金合金からなる半導体デバイス用ボンディングワイヤにおいて、表面に硼素酸化物皮膜が形成されていることを特徴とする、半導体デバイス用ボンディングワイヤ。
【請求項２】
最表面から深さ４ｎｍまでの領域における硼素の平均濃度が１８原子％以上４６原子％以下の範囲内にあること特徴とする、請求項１に記載の半導体デバイス用ボンディングワイヤ。
【請求項３】
前記金合金が、１２５質量ｐｐｍ以上７７５質量ｐｐｍ以下の硼素を含み、最表面から深さ４ｎｍまでの領域に硼素が析出し、該領域において硼素が酸化物の形態で存在していることを特徴とする、請求項１に記載の半導体デバイス用ボンディングワイヤ。
【請求項４】
硼素の添加量が１００質量ｐｐｍ以上である金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、該インゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、酸化雰囲気中で熱処理を施すことを特徴とする、半導体デバイス用ボンディングワイヤの製造方法。
【請求項５】
前記硼素の添加量を１２５質量ｐｐｍ以上７７５質量ｐｐｍ以下とする、請求項４に記載の半導体デバイス用ボンディングワイヤの製造方法。
【請求項６】
前記熱処理における昇温をステップ状に行うことを特徴とする、請求項４または５に記載の半導体デバイス用ボンディングワイヤの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスのチップ側の電極と外部リードとを接続するために使用する、金合金（Ａｕ基合金）製のボンディングワイヤおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金合金製のボンディングワイヤは、金合金（Ａｕ基合金）を溶解鋳造してインゴットを得た後、このインゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、熱処理を施して製造される。このようにして製造されたボンディングワイヤは、スプールにクロス多層巻きにされた状態で製品として出荷される。
【０００３】
半導体デバイスの組み立て工程において、ボンディングワイヤはスプールに巻かれた状態で、ワイヤボンダにセットされる。このワイヤボンダは、スプールに巻かれたボンディングワイヤを徐々に巻きほぐしながら、この巻きほぐしたボンディングワイヤにより、半導体デバイスのチップ側の電極と外部リードとを接続する作業（ボンディング作業）を行う。
【０００４】
ところで、金属表面の表面エネルギーが大きいことから、清浄な金属表面同士が接触すると、付着して結合（凝着）を起こしやすい。このため、スプールに巻かれたボンディングワイヤは、その保管期間が長くなると、互いに接触した表面同士が付着して、巻きほぐしにくくなる傾向がある。巻きほぐし時の離脱性が悪化すると、ボンディング作業時に、折れ曲がりや、著しい場合には断線といった不具合を生じることがある。
【０００５】
特に、近年、スプールに対するボンディングワイヤの巻き付け量は、１，０００〜１０，０００ｍとなるなど、長尺化が進んでいる。かかる長尺化により、ボンディングワイヤを巻き付けたスプールを新しいものに交換するまでの期間が長くなり、ボンディング作業の能率化が図られる一方、交換品の保管期間が長くなり、上述したような不具合が、さらに発生しやすくなっている。
【０００６】
これに対しては、ボンディングワイヤの製造工程で、ボンディングワイヤの表面に界面活性剤や油脂などの有機物を被覆することに加えて、熱処理後にさらに有機物を被覆することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。熱処理後に有機物を適切に被覆することにより、スプールに巻き付けたボンディングワイヤの保管期間が長くなった場合でも、有機物の存在に基づき、互いに接触したボンディングワイヤの表面同士が付着しにくくなり、巻きほぐし時の円滑な離脱性が確保される。
【０００７】
しかしながら、熱処理後の有機物の被覆は、例えば、有機物の濃度が低い場合や、均一に有機物の皮膜が形成されない場合など、適切な管理がなされなかった場合には、ボンディングワイヤの表面に金属面が露出して、ボンディングワイヤ同士の微弱な結合が生じて、巻きほぐし時の離脱性を悪化させることとなる。このように、有機物の被覆については、ボンディングワイヤの表面に適正な厚さの有機物皮膜を均一に形成すための工程管理にコストが嵩むといった問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３１６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、ボンディングワイヤの表面に界面活性剤や油脂などの有機物を被覆することなく、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持しうるボンディングワイヤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、金合金からなる半導体デバイス用ボンディングワイヤに係る。
【００１１】
特に、本発明の半導体デバイス用ボンディングワイヤは、表面に硼素酸化物皮膜が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
最表面から深さ４ｎｍまでの領域における硼素の平均濃度が１８原子％以上４６原子％以下の範囲内にあることが好ましい。
【００１３】
もしくは、前記金合金が、１２５質量ｐｐｍ以上７７５質量ｐｐｍ以下の硼素を含み、最表面から深さ４ｎｍまでの領域に硼素が析出し、該領域において硼素が酸化物の形態で存在していることが好ましい。
【００１４】
一方、本発明の半導体デバイス用ボンディングワイヤの製造方法は、上記の本発明の半導体デバイス用ボンディングワイヤを製造するための方法であって、硼素の添加量が１００質量ｐｐｍ以上である金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、該インゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、酸化雰囲気中で熱処理を施すことを特徴とする。
【００１５】
前記硼素の添加量を１２５質量ｐｐｍ以上７７５質量ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００１６】
また、前記熱処理における昇温をステップ状に行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、スプールに巻き付けたボンディングワイヤの保管期間が長くなった場合でも、互いに接触したボンディングワイヤの表面同士が付着しにくくなる。この結果、その後に行うボンディング作業時に、スプールからボンディングワイヤを円滑に巻きほぐすことができ、このボンディングワイヤの折れ曲がりや断線といった不具合を発生しにくくできる。
【００１８】
また、本発明の場合には、金合金中の硼素の添加量と熱処理条件とを規制することによって、ボンディングワイヤの表面に、適正な厚さを有する硼素酸化物皮膜を、均一に形成できる。言い換えれば、適切な処理が要求される有機物の被覆処理を省略でき、かつ、所望とする硼素酸化物皮膜を形成するための工程管理を容易に行うことができる。したがって、その分だけ製造コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】スプールに巻き付けたボンディングワイヤの巻きほぐしの円滑性の評価装置を簡略化して示す断面図である。
【図２】実施例１に関する表面の元素分析結果を示すグラフである。
【図３】実施例４に関する表面の元素分析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明者は、鋭意研究の末、スプールに巻き付けたボンディングワイヤの巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持できる技術として、熱処理後の界面活性剤や油脂などの有機物による被覆に代わり、ボンディングワイヤの表面に硼素酸化物皮膜を形成することが有効であるとの知見を得た。
【００２１】
すなわち、前述のように、金属表面の表面エネルギーが大きいことから、清浄な金属表面同士が接触すると、付着して結合（凝着）を起こしやすい。金合金（Ａｕ基合金）製のボンディングワイヤに関しても、金（Ａｕ）自体は、酸素に対して不活性な金属であるため、酸化することはない。製造工程において金合金製のボンディングワイヤの表面に有機物が被覆された場合でも、熱処理後は、表面の有機物のみが分解して、金属表面が露出する。このため、特許文献１に開示されているように、従来、熱処理後であってスプールへの巻取り前に、有機物による被覆を行っている。
【００２２】
ただし、有機物の被覆の場合、有機物被覆材の濃度が低かったり、均一な被覆がなされなかったりした場合に、ボンディングワイヤの表面に金属表面が露出してしまう場合がある。この状態でスプールに巻かれたボンディングワイヤを長期間にわたり保管すると、金属表面が露出した部分同士に微弱な結合が生じて、巻きほぐし時の離脱性に影響を与えることとなる。
【００２３】
これに対して、本発明者は、ボンディングワイヤの表面エネルギーを低下させる手段として、硼素が有効であるとの知見を得て、本発明を完成したものである。
【００２４】
本発明では、金合金の溶解鋳造時において、ボンディングワイヤへの各種の要求特性を制御するために添加される元素とは別に、硼素を添加し、所定の熱処理を施すことにより、ボンディングワイヤの表面に硼素を析出させ、かつ、表面において硼素を酸化物の形態で存在させることにより、硼素酸化物皮膜を形成する点に特徴がある。
【００２５】
硼素は熱処理によりボンディングワイヤ内部から拡散して表面にブリード（滲出）しやすい性質を有する。表面にブリードして析出した硼素を酸化させて、硼素酸化物とすることにより、この硼素酸化物がボンディングワイヤの表面エネルギーを低下させることにより、ボンディングワイヤ同士の接触点における結合が防止される。
【００２６】
なお、本発明は、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、珪素（Ｓｉ）、マンガン（Ｍｎ）、セレン（Ｓｅ）など、金合金製のボンディングワイヤに添加しうる公知の元素を必要に応じて所定量だけ添加することは許容され、これらの金合金（Ａｕ基合金）に好適に適用されるものである。
【００２７】
本発明は、硼素酸化物皮膜を形成しうる硼素の金合金への添加量と、硼素をボンディングワイヤの表面にブリードさせ、かつ、表面で硼素を酸化させうる熱処理条件を規制するのみで、適切な管理が要求される有機物の被覆工程を必要とすることなく、表面の硼素酸化物皮膜により、表面エネルギーの小さい金合金製のボンディングワイヤを提供することができる。
【００２８】
本発明では、最表面から深さ４ｎｍまでの領域における硼素の平均濃度を１８原子％以上４６原子％以下の範囲内、より好ましくは２０原子％以上４５原子％以下とすることが好ましい。
【００２９】
ボンディングワイヤの表面に形成する硼素酸化物皮膜中の硼素平均濃度を１８原子％以上とすることにより、スプールに巻き付けたボンディングワイヤの巻きほぐしの円滑性を良好に保持できる期間を、比較的長く（例えば、１年より長く）することができる。
【００３０】
一方、上記領域における硼素平均濃度を４６原子％以下にすれば、ボンディング作業時に、キャピラリ（電極と外部リードと接続するための治具）の先端部に付着する硼素酸化物の量を実用に供するレベルに抑えて、このキャピラリの早期汚損を回避できる。
【００３１】
なお、上述の硼素の平均濃度の規制を、最表面から深さ４ｎｍまでの領域とするのは、表面分析の代表的手法であるオージェ分析による深さ分解能を考慮したものである。なお、かかる表面の元素分析は、公知のオージェ電子分光分析装置を用いて測定することが可能であり、この領域においては、一般的なオージェ電子分光分析装置の検出限界は０．ｎ原子％である（原子％で小数点以下１桁まで求めることができる）。かかる分析対象の表面深さは、ボンディングワイヤの導通特性および巻きほぐれ性を予測するためには十分な深さである。
【００３２】
このような表面に硼素酸化物皮膜が形成されている半導体デバイス用ボンディングワイヤは、所定量の硼素を添加した金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、該インゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施した後、酸化雰囲気中で熱処理を施すことにより製造することが可能である。
【００３３】
熱処理により、硼素はボンディングワイヤの内部からブリードにより表面に拡散して析出する。さらに、表面の硼素は酸化雰囲気中の熱処理により酸化されて、表面において硼素酸化物（ＢＯx：ただし、ｘ≦１）の形態で存在する。これにより、ボンディングワイヤの表面には硼素酸化物皮膜が形成されることになる。
【００３４】
金合金に対する硼素の添加量を少なくとも１０質量ｐｐｍ以上とすれば、酸化雰囲気中での熱処理によって、ボンディングワイヤの表面に硼素酸化物皮膜が形成されるものと考えられる。１００質量ｐｐｍ以上とすることにより、所定期間（少なくとも３ヶ月以上）にわたって、ボンディングワイヤ同士の結合を防止することができる。さらに、硼素の添加量を１２５質量ｐｐｍ以上とすることにより、最表面から深さ４ｎｍまでの領域における硼素の平均濃度を１８原子％以上とすることが十分に可能となり、１５０質量ｐｐｍ以上とすることにより、硼素の平均濃度を２０原子％以上とすることが可能となる。また、最表面からの深さ４ｎｍまでの領域における硼素の平均濃度を４６原子％以下とするため、硼素の添加量を７７５質量ｐｐｍ以下とし、さらに好ましくは、硼素の平均濃度を４５原子％以下とするために、硼素の添加量を７５０質量ｐｐｍ以下とする。
【００３５】
本発明において、酸化雰囲気とは、大気雰囲気を含み、好ましくは酸素を３０体積％以上含むガス雰囲気をいう。
【００３６】
本発明の熱処理条件としては、酸化雰囲気で行うことを除き、温度、時間などについては特段の制限はない。ボンディングワイヤの融点の８割程度を熱処理温度の上限の目安として、設備性能に基づいて熱処理温度は任意に設定される。
【００３７】
また、熱処理時間は、表面にブリードにより析出した微量の硼素を酸化させうるだけの時間でよく、これも任意であるが、合計で５秒〜１０秒程度の熱処理を行えば十分である。
【００３８】
ただし、効率性の観点から、熱処理温度をステップ状に昇温させることで、熱衝撃でダイナミックな熱応力が発生し、硼素がブリードによる拡散を開始するための活性化エネルギーを下げ、高温熱拡散と相まって拡散量を高めることができる。具体的には、例えば、上限温度まで１００〜１３０℃ごとに３〜４ステップで昇温させ、それぞれの温度において２秒〜４秒程度の熱処理を行うことが好ましい。
【００３９】
本発明は、金合金製の半導体デバイス用ボンディングワイヤであれば、その線径やスプールへの巻き付け量の如何にかかわらず、好ましく適用できる。特に、スプールへの巻き付け量が多いもの、すなわち、このスプールに巻き付けてからの保管期間が長くなると考えられるものに対して適用すれば、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持できるといった効果の恩恵を受けやすくなる。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
純度が９９．９９９質量％以上の金（Ａｕ）を溶解し、これにカルシウム（Ｃａ）を２１質量ｐｐｍ、硼素（Ｂ）を１５０質量ｐｐｍ、それぞれ添加したものを鋳造してインゴットを得た後、このインゴットに圧延加工および伸線加工を施して線径２０μｍまで伸線し、さらに大気中（酸化雰囲気中）で５００℃×４秒、６００℃×２秒、７２５℃×２秒、８５０℃×２秒の４ステップで熱処理を施すことにより、表面に硼素酸化物皮膜が形成されたボンディングワイヤを完成させた。
【００４１】
＜分析・評価＞
得られたボンディングワイヤの表面の元素分析を行うとともに、このボンディングワイヤに対する、スプールからの巻きほぐしの円滑性と、電気抵抗特性と、キャピラリ先端部への付着性について評価を行った。
【００４２】
［オージェ分析］
このうち、ボンディングワイヤの表面の元素分析は、オージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）（アルバック・ファイ株式会社製、ＰＨＩ７００）を用いた測定により行った。測定条件は、一次電子の加速電圧：１０ｋｅＶ、電流値：１０ｎＡとした。
【００４３】
［スプールからの巻きほぐしの円滑性］
ボンディングワイヤのスプールからの巻きほぐしの円滑性の評価には、図１に示すような評価装置を使用した。この評価装置は、ボンディングワイヤ（１）をクロス多層巻きにしたスプール（２）の直下に、電極（３）を設置したものである。ボンディングワイヤ（１）は、巻きほぐしの円滑性（離脱性）が良好であれば、鎖線で示すように巻きほぐされるが、巻きほぐしの円滑性が不良であれば、実線で示すように、スプール（２）の回転に引っ張られて電極（３）に接触することになる。
【００４４】
この装置を用い、スプール（２）をボンディングワイヤ（１）の巻きほぐし方向に一定速度で回転させ、ボンディングワイヤ（１）がすべて巻きほぐされるまでの間に、ボンディングワイヤ（１）が電極（３）に何回接触したかを計測した。なお、計測には、２，０００ｍの長さのボンディングワイヤ（１）がクロス多層巻きにされたスプール（２）を用い、初期（製造直後）、３ヶ月の保管後、および１年間の保管後にそれぞれ測定を行った。半導体デバイスの組立工程で実用になるワイヤの判断基準として保管期間毎の許容接触回数は初期と３ヶ月後ではゼロ、また１年間の保管後では３回までを合格として判定した。
【００４５】
［電気抵抗特性］
ボンディングワイヤの電気抵抗特性は、ボンディング後の状態で調べた。すなわち、ボンディングワイヤの表面における硼素酸化物の深さ方向の存在幅は、数ｎｍ（原子層にして数十層）であるのに対し、ワイヤボンディング後においては、ボンディング作業時の再溶解（ボールボンディング時）やスクラブ（ウェッジボンディング時）により、ボンディングワイヤの表面にミクロンオーダーの機械的変化が加えられ、新生面が出現する。このため、ボンディング前の表面状態で電気抵抗特性を評価しても、ボンディング後の電気抵抗特性を正確に評価できるとはいえないことから、評価はボンディング後の状態で行うこととした。
【００４６】
具体的には、接合信頼性の観点から、得られたボンディングワイヤを用いて、Ｓｉ基板上のＡｌ電極パッドとリードフレームのＡｇめっき面とを５００本のボンディング接続を行い、その後、樹脂封止して、２００℃で２０００時間保持した試料を用意し、この試料の電気抵抗を４端子法で測定した。接触抵抗を含めた抵抗値が１Ω以上の箇所は不良と判定して、接合不良の有無を評価した（５００本中の何本が不良であるかを調べた）。
【００４７】
［キャピラリ先端部への付着性］
キャピラリ先端部へのボンディングワイヤの付着性について次のように調べた。すなわち、ワイヤボンダ（株式会社新川製、ＵＴＣ−３００型）を用いて、ボンディング作業を行い、５万回ボンディング後のキャピラリ（キャピラリ内径３０ｕｍ）先端部への硼素酸化物付着量を、５００倍の金属顕微鏡で調べた。その結果、表面が清浄または付着物の量や大きさが通常の操業に問題を生じない程度に収まっている場合を合格（○）とし、操業に問題を生じさせず合格であるがメンテナンス時にキャピラリのクリーニング性が低下する程度の付着量にあっては（△）とし、付着物の量や大きさが操業に問題を生じる程度に顕著である場合を不合格（×）とした。
【００４８】
実施例１により得られたボンディングワイヤについて、上記の分析および評価を行った。
【００４９】
実施例１のボンディングワイヤの表面の元素分析の結果を、図２に示す。実施例１のボンディングワイヤにおいては、内部からブリードにより拡散した硼素は、ボンディングワイヤの最表面から４ｎｍ程度までの領域に析出し、該領域における平均密度は２０原子％であった。また、オージェスペクトルの化学シフト解析より、当該領域における硼素は酸化物の形態（ＢＯx：ただし、ｘ≦１）で存在していることが確認された。一方、最表面には、金が存在していないことが確認された。なお、カルシウムの表面濃度は検出限界以下であった。
【００５０】
また、巻きほぐしの円滑性に関しては、製造直後にスプールに巻き付けてから０ヶ月後（初期）、３ヵ月後、１年後の合計３回の検査で、それぞれボンディングワイヤの電極への接触が発生せず、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持できることが確認された。
【００５１】
さらに、電気抵抗特性、および、キャピラリ先端部への硼素酸化物の付着性に関しても、それぞれ実用に供するレベルであることが確認された。
【００５２】
オージェ分析によるボンディングワイヤ表面における硼素の平均濃度、および、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【表１】
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【００５３】
（実施例２）
インゴットを得るための溶解鋳造時に添加する硼素の量を２３８質量ｐｐｍに変更した点以外は、実施例１と同様の条件で、ボンディングワイヤを製造した。
【００５４】
得られたボンディングワイヤについて、実施例１と同様の方法により、分析および評価を行った。
【００５５】
実施例２のボンディングワイヤ表面の硼素平均濃度は２４原子％であった。なお、カルシウムの表面濃度は検出限界以下であった。また、巻きほぐしの円滑性、電気抵抗特性、および、キャピラリ先端部への硼素酸化物の付着性について、いずれも良好であった。
【００５６】
オージェ分析によるボンディングワイヤ表面における硼素の平均濃度、および、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【００５７】
（実施例３）
インゴットを得るための溶解鋳造時に添加する硼素の量を７５０質量ｐｐｍに変更した点以外は、実施例１と同様の条件で、ボンディングワイヤを製造した。
【００５８】
得られたボンディングワイヤについて、実施例１と同様の方法により、分析および評価を行った。
【００５９】
実施例３のボンディングワイヤ表面の硼素平均濃度は４５原子％であった。なお、カルシウムの表面濃度は検出限界以下であった。また、巻きほぐしの円滑性、電気抵抗特性、および、キャピラリ先端部への硼素酸化物の付着性について、いずれも良好であった。
【００６０】
オージェ分析によるボンディングワイヤ表面における硼素の平均濃度、および、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【００６１】
（実施例４）
インゴットを得るための溶解鋳造時に添加する硼素の量を１００質量ｐｐｍに変更した点以外は、実施例１と同様の条件で、ボンディングワイヤを製造した。
【００６２】
得られたボンディングワイヤについて、実施例１と同様の方法により、分析および評価を行った。
【００６３】
実施例４のボンディングワイヤの表面の元素分析の結果を、図３に示す。実施例４のボンディングワイヤにおいては、内部からブリードにより拡散した硼素は、ボンディングワイヤの最表面から４ｎｍ程度までの領域に析出し、該領域における平均密度は１６原子％であった。また、オージェスペクトルの化学シフト解析より、当該領域における硼素は酸化物の形態（ＢＯx：ただし、ｘ≦１）で存在していることが確認された。ただし、最表面のすべてが硼素酸化物皮膜により覆われていなく、最表面の一部に金が存在することが確認された。なお、カルシウムの表面濃度は検出限界以下であった。
【００６４】
実施例４のボンディングワイヤは、電気抵抗特性およびキャピラリ先端部への硼素酸化物の付着性については、いずれも良好であった。しかしながら、巻きほぐしの円滑性に関しては、製造直後にスプールに巻き付けてから０ヶ月後（初期）および３ヵ月後については良好であったものの、１年後の検査において、ボンディングワイヤの電極への接触が２回発生した。この接触発生回数は、１年間の保管後では３回までを合格とする上記評価基準に適合するものである。
【００６５】
オージェ分析によるボンディングワイヤ表面における硼素の平均濃度、および、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【００６６】
（実施例５）
インゴットを得るための溶解鋳造時に添加する硼素の量を８００質量ｐｐｍに変更した点以外は、実施例１と同様の条件で、ボンディングワイヤを製造した。
【００６７】
得られたボンディングワイヤについて、実施例１と同様の方法により、分析および評価を行った。
【００６８】
実施例５のボンディングワイヤ表面の硼素平均濃度は４７原子％であった。なお、カルシウムの表面濃度は検出限界以下であった。
【００６９】
実施例５のボンディングワイヤは、巻きほぐしの円滑性、および、電気抵抗特性については良好であった。キャピラリ先端部への硼素酸化物の付着性については、操業に問題を生じさせず合格であるが、メンテナンス時にキャピラリのクリーニング性が低下する程度の付着量であることが確認された。
【００７０】
オージェ分析によるボンディングワイヤ表面における硼素の平均濃度、および、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【００７１】
（比較例）
インゴットを得るための溶解鋳造時に、カルシウム（Ｃａ）を２１質量ｐｐｍのみ添加し、硼素（Ｂ）を添加しなかった点、ならびに、熱処理を５００℃×１０秒の１ステップとした点以外は、実施例１と同様の条件で、ボンディングワイヤを製造した。
【００７２】
得られたボンディングワイヤについて、実施例１と同様の方法により、評価のみを行った。
【００７３】
比較例のボンディングワイヤは、電気抵抗特性およびキャピラリ先端部へのボンディングワイヤの付着性については良好であったが、巻きほぐしの円滑性に関して、製造直後にスプールに巻き付けてから０ヶ月後、３ヵ月後、１年後の合計３回の検査のうち、０ヵ月後の検査で１回、３ヵ月後の検査で１７回、１年後の検査で７８回、それぞれボンディングワイヤの電極への接触が発生した。
【００７４】
従って、この比較例のボンディングワイヤは、表面に有機物を被覆した場合でも、何らかの事情により金属表面が露出した場合には、ボンディングワイヤ同士が結合する可能性が高く、この場合も含めて、実用に供することができないと評価される。
【００７５】
比較例１について、それぞれの評価結果について、表１に示す。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明により、ボンディングワイヤの表面への有機物の被覆工程を省略することができ、それにも拘わらず、長期間の保管後においても、ボンディング時の良好なスプールからの離脱性を発揮し、かつ、ボンディング時におけるキャピラリへの付着の問題もなく、ボンディング後の電気抵抗特性に影響を与えることもない、金合金製の半導体デバイス用ボンディングワイヤが提供される。
【００７７】
したがって、本発明は、金合金製のボンディングワイヤの製造分野のみならず、半導体デバイスの製造分野についても、効率性の高いボンディングワイヤを提供しうる点で大きな貢献を提供するものといえる。
【符号の説明】
【００７８】
１  ボンディングワイヤ
２  スプール
３  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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