(57)【要約】【課題】フィラメント電流値を自動的に調整することが可能な電子ビーム加工装置を提供する。【解決手段】電子ビームを照射する照射手段（5,1）と、照射手段（5,1）から照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得手段（3）と、照射手段（5,1）が電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整手段（4）と、を有し、調整手段（4）は、取得手段（3）が取得した複数のバイアス電圧値を基に、バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、フィラメント電流値を調整する。【選択図】図１
2010232098.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラメント電流値を変化させて出力した電子ビームから得られる複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出した変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする電子ビーム加工装置。
【請求項２】
電子ビームを照射する照射手段と、
前記照射手段から照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得手段と、
前記照射手段が前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整手段と、を有し、
前記調整手段は、
前記取得手段が取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする電子ビーム加工装置。
【請求項３】
前記目標値を設定する設定手段を有し、
前記設定手段は、
ビーム電流値と加速電圧値との大きさに応じて予め定めた目標値を設定することを特徴とする請求項２記載の電子ビーム加工装置。
【請求項４】
加速電圧値及びビーム電流値と、目標値と、を対応付けて管理する管理手段を有し、
前記設定手段は、
加速電圧値及びビーム電流値が指定された場合に、前記管理手段を参照し、前記指定された加速電圧値及びビーム電流値に対応付けられた目標値を取得し、該取得した目標値を設定することを特徴とする請求項３記載の電子ビーム加工装置。
【請求項５】
前記目標値は、所定の範囲を持つ値であり、
前記調整手段は、
前記バイアス電圧値の変化率が所定の目標値の範囲内であるか否かを判定し、前記バイアス電圧値の変化率が所定の目標値の範囲内でない場合に、前記バイアス電圧値の変化率が所定の目標値の範囲内に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の電子ビーム加工装置。
【請求項６】
前記調整手段は、
前記バイアス電圧値の変化率と、前記目標値と、の差分値を算出し、該算出した差分値に応じた補正値を取得し、該取得した補正値を前回使用したフィラメント電流値に加算し、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする請求項２から５の何れか１項に記載の電子ビーム加工装置。
【請求項７】
前記調整手段は、
前記バイアス電圧値の変化率が所定の目標値よりも大きい場合は、前回使用したフィラメント電圧値を所定の値だけ減算し、前記フィラメント電流値を調整し、
前記バイアス電圧値の変化率が所定の目標値よりも小さい場合は、前回使用したフィラメント電圧値を所定の値だけ加算し、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする請求項２から５の何れか１項に記載の電子ビーム加工装置。
【請求項８】
電子ビーム加工装置で行う制御方法であって、
電子ビームを照射する照射工程と、
前記照射工程により照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得工程と、
前記照射工程により前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整工程と、を有し、
前記調整工程は、
前記取得工程により取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
電子ビーム加工装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、
電子ビームを照射する照射処理と、
前記照射処理により照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得処理と、
前記照射処理により前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整処理と、を、前記コンピュータに実行させ、
前記調整処理は、
前記取得処理により取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象物（ターゲット）を電子ビームで加熱したり、溶融したりすることが可能な電子ビーム加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム加工装置は、フィラメントに印可するフィラメント電流値を上昇させると、フィラメントから放出する熱電子が増加し、その熱電子の増加に伴いビーム電流値も増加する。
【０００３】
しかし、フィラメントに印可するフィラメント電流値が高すぎると、フィラメントが過熱するため、フィラメントの劣化を早め、結果的にフィラメントの寿命を縮めることになる。
【０００４】
逆に、フィラメント電流値が低すぎると、熱電子が十分に放出されず、目的とする熱電子（ビーム電流値）を得ることができなくなる。
【０００５】
このため、従来では、フィラメントの状態と、目的とする熱電子（ビーム電流値）と、を考慮して最適なフィラメント電流値をフィラメントに印可するようにしていた。
【０００６】
しかし、従来は、作業者がフィラメント電流値を繰り返し設定変更しながら最適なフィラメント電流値をフィラメントに印可しなければならなかったため、フィラメント電流値の調整に時間がかかっていた。
【０００７】
このようなことから人手操作を介さずに、フィラメント電流値を自動的に調整することが可能な方法の開発が必要視されることになる。
【０００８】
なお、本発明より先に出願された技術文献として、所定期間にビーム電流制御電圧に関連する信号をモニターしてこの制御電圧信号が所定範囲からはみ出したときはカソード加熱電力を増減する技術について開示された文献がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、バイアス電圧を増減して熱電子放出を制御する技術について開示された文献がある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６０−７９６５４号公報
【特許文献２】特開昭６３−２１７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特許文献１では、各ビーム電流値（IB）に対応したバイアス電圧値（Vc）が予めデータとしてわかっており、このバイアス電圧値（Vc）を一定にするためにフィラメント電流値（If）を制御している。
【００１２】
また、上記特許文献２には、ビーム電流値（IB）を一定に制御するために、バイアス電圧値（Vc）とフィラメント電流値（If）を制御する点が開示されている。
【００１３】
しかし、上記特許文献１、２には、バイアス電圧値の変化率に応じてフィラメント電流値を調整する点については何ら記載もその必要性についても示唆されていない。
【００１４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、フィラメント電流値を自動的に調整することが可能な電子ビーム加工装置、制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
かかる目的を達成するために、本発明は、以下の特徴を有することとする。
【００１６】
＜電子ビーム加工装置＞
本発明にかかる電子ビーム加工装置は、
フィラメント電流値を変化させて出力した電子ビームから得られる複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出した変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする。
【００１７】
本発明にかかる電子ビーム加工装置は、
電子ビームを照射する照射手段と、
前記照射手段から照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得手段と、
前記照射手段が前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整手段と、を有し、
前記調整手段は、
前記取得手段が取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする。
【００１８】
＜制御方法＞
本発明にかかる制御方法は、
電子ビーム加工装置で行う制御方法であって、
電子ビームを照射する照射工程と、
前記照射工程により照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得工程と、
前記照射工程により前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整工程と、を有し、
前記調整工程は、
前記取得工程により取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする。
【００１９】
＜プログラム＞
本発明にかかるプログラムは、
電子ビーム加工装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、
電子ビームを照射する照射処理と、
前記照射処理により照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得処理と、
前記照射処理により前記電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整処理と、を、前記コンピュータに実行させ、
前記調整処理は、
前記取得処理により取得した複数のバイアス電圧値を基に、前記バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、前記フィラメント電流値を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、フィラメント電流値を自動的に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態の電子ビーム溶接装置の構成例を示す図である。
【図２】本実施形態の電子ビーム溶接装置の処理動作例を示す第１の図である。
【図３】本実施形態の電子ビーム溶接装置の処理動作例を示す第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜電子ビーム溶接装置の概要＞
まず、図１を参照しながら、本実施形態の一実施形態である、電子ビーム溶接装置の概要について説明する。
【００２３】
本実施形態の一実施形態である、電子ビーム溶接装置は、電子ビームを照射する照射手段（高圧電源5,電子銃1に相当）と、照射手段（5,1）から照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得手段（ビーム定電流クローズドループコントローラ3に相当）と、照射手段（5,1）が電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整手段（PLC（Programmable Logic Controller）4に相当）と、を有し、調整手段（4）は、取得手段（3）が取得した複数のバイアス電圧値を基に、バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、フィラメント電流値を調整する。
【００２４】
これにより、フィラメント電流値を自動的に調整することが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態の一実施形態である、電子ビーム溶接装置について詳細に説明する。なお、以下の説明では、電子ビーム溶接装置を例として説明するが、電子ビームを用いて、対象物（ターゲット）を加熱したり、溶融したりすることが可能であれば、溶接に限定するものではない。
【００２５】
＜電子ビーム溶接装置の構成＞
まず、図１を参照しながら、本実施形態の本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置の構成例について説明する。
【００２６】
本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置は、電子銃1と、ターゲット2と、ビーム定電流クローズドループコントローラ3と、PLC（Programmable Logic Controller）4と、高圧電源5と、を有して構成する。
【００２７】
電子銃1は、公知の構成であり、高圧電源5から出力されたフィラメント電流と、バイアス電圧と、加速電圧と、を基に、電子ビームをターゲット2に照射し、ターゲット2を加熱したり、溶融したりする。
【００２８】
電子銃1は、フィラメント100と、グリッド101と、アノード102と、アライメントコイル103と、収束コイル104と、偏向コイル105と、を有して構成している。
【００２９】
フィラメント電流は、フィラメント100に印可され、バイアス電圧は、フィラメント100とグリッド101間に印可され、加速電圧は、アノード102に印可される。アライメントコイル103、収束コイル104、偏向コイル105は、ターゲット2に照射する電子ビームを調整するためのものである。
【００３０】
ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ビーム電流値を一定に保つためのビーム定電流制御を行う。ビーム定電流制御とは、バイアス電圧（フィラメント100とグリッド101間に印可する電圧）を制御し、ビーム電流値を一定にする制御のことを意味する。ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ターゲット2に照射されたビーム電流を検出し、その検出したビーム電流実測値と、PLC4からのビーム電流指令値を比較し、その差分からバイアス電圧値を計算する。そして、そのバイアス電圧値に応じたバイアス電圧指令値を高圧電源5に出力する。また、ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、バイアス電圧値をPLC4に出力する。
【００３１】
PLC4は、ビーム定電流クローズドループコントローラ3から受け付けた複数のバイアス電圧値を基に、バイアス電圧値の変化率を算出し、その算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、高圧電源5に出力するフィラメント電流値を調整する。バイアス電圧値の変化率を収束させる目標値は、電子銃1の特性に合わせて予め設定される。PLC4は、バイアス電圧値の変化率が予め設定された所定の目標値に収束するまで高圧電源5に出力するフィラメント電流値を調整することで、最適なフィラメント電流指令値を高圧電源5に自動的に設定することが可能となる。
【００３２】
＜電子ビーム溶接装置の処理動作＞
次に、図２を参照しながら、本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置の処理動作について説明する。
【００３３】
PLC4は、加速電圧値、ビーム電流値が指定されると（1；加速電圧値、ビーム電流値指定）、その指定された加速電圧値、ビーム電流値に応じたフィラメント電流値を決定し、その決定したフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力する（2；フィラメント電流指令値）。
【００３４】
フィラメント電流値の決定方法は、加速電圧値、ビーム電流値に応じたフィラメント電流値を決定することが可能であれば、あらゆる決定方法が適用可能である。例えば、フィラメント電流値と、加速電圧値及びビーム電流値と、が対応付けられたテーブルを管理する。PLC4は、加速電圧値、ビーム電流値が指定された場合に、テーブルを参照し、指定された加速電圧値及びビーム電流値に応じたフィラメント電流値を決定する。
【００３５】
また、PLC4は、指定された加速電圧値に応じた加速電圧指令値を高圧電源5に出力する（3；加速電圧指令値）。また、PLC4は、指定されたビーム電流値に応じたビーム電流指令値をビーム定電流クローズドループコントローラ3に出力する（4；ビーム電流指令値）。
【００３６】
ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ビーム電流指令値をPLC4から受け付けた場合は、その受け付けたビーム電流指令値とビーム電流実測値の差分に応じたバイアス電圧値を決定し、その決定したバイアス電圧値に応じたバイアス電圧指令値を高圧電源5に出力する（5；バイアス電圧指令値）。
【００３７】
高圧電源5は、フィラメント電流指令値と、加速電圧指令値と、バイアス電圧指令値と、を受け付けた場合は、フィラメント電流指令値に応じたフィラメント電流を電子銃1に出力する（6；フィラメント電流）。また、高圧電源5は、バイアス電圧指令値に応じたバイアス電圧を電子銃1に出力する（7；バイアス電圧）。また、高圧電源5は、加速電圧指令値に応じた加速電圧を電子銃1に出力する（8；加速電圧）。
【００３８】
電子銃1は、フィラメント電流と、バイアス電圧と、加速電圧と、を高圧電源5から受け付けた場合は、フィラメント電流と、バイアス電圧と、加速電圧と、を基に、電子ビームをターゲット2に照射する（9；電子ビーム）。
【００３９】
ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ターゲット2に照射されたビーム電流を検出する（10；ビーム電流）。次に、ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、その検出したビーム電流実測値と、PLC4からのビーム電流指令値を比較し、その差分を用いて、高圧電源5に出力するバイアス電圧値を計算する。そして、その計算したバイアス電圧値に応じたバイアス電圧指令値を高圧電源5に出力する（11；バイアス電圧指令値）。これにより、ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、高圧電源5に出力するバイアス電圧値を、ビーム電流値から計算することが可能となる。なお、高圧電源5は、バイアス電圧指令値を受け付けた場合に、バイアス電圧指令値に応じたバイアス電圧を電子銃1に出力することになる。
【００４０】
また、ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ビーム電流実測値とビーム電流指令値の差分から計算して得たバイアス電圧値をPLC4に出力する（12；バイアス電圧値）。
【００４１】
上記の1〜12の処理が繰り返し行われることで、PLC4は、ビーム定電流クローズドループコントローラ3から複数のバイアス電圧値を受け付けることになる。PLC4は、ビーム定電流クローズドループコントローラ3から受け付けた複数のバイアス電圧値を基に、そのバイアス電圧値の変化率を算出する。PLC4は、所定のフィラメント電流値の変化に対する、バイアス電圧値の変化率と予め設定された目標値とを比較し、バイアス電圧値の変化率が目標値の範囲内にあるか否かを判定する。
【００４２】
PLC4は、バイアス電圧値の変化率が目標値の範囲内にない場合は、バイアス電圧値の変化率が目標値の範囲内に収束するように、高圧電源5に出力するフィラメント電流値を設定変更する。これにより、最適なフィラメント電流値を自動的に設定することが可能となる。PLC4は、設定変更したフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力する（13；フィラメント電流指令値）。
【００４３】
高圧電源5は、設定変更後のフィラメント電流指令値、加速電圧指令値、変更後のバイアス電圧指令値を基に、フィラメント電流、加速電圧、バイアス電圧を電子銃1に出力し、電子銃1から電子ビームをターゲット2に向けて照射するように制御する。
【００４４】
＜PLC4の処理動作＞
次に、図２、図３を参照しながら、PLC4の処理動作について説明する。なお、以下の説明では、フィラメント電流の制御に特化して説明する。
【００４５】
PLC4は、フィラメント電流指令値を高圧電源5に出力し（ステップS1）、電子ビームの照射を開始する（ステップS2）。
【００４６】
具体的には、PLC4がフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力すると、高圧電源5は、フィラメント電流指令値に応じたフィラメント電流を電子銃1に出力し、電子銃1は、電子ビームをターゲット2に照射することになる。
【００４７】
ビーム定電流クローズドループコントローラ3は、ターゲット2に照射されたビーム電流値を検出し、その検出したビーム電流実測値と、PLC4からのビーム電流指令値を比較し、その差分を用いてバイアス電圧値を計算する。そして、その計算したバイアス電圧値をPLC4に出力する。
【００４８】
これにより、PLC4は、バイアス電圧値を取得することになる。この取得したバイアス電圧値をVb1とする（ステップS3）。
【００４９】
PLC4は、電子ビームの照射を一旦停止し（ステップS4）、高圧電源5に出力するフィラメント電流値を、前回使用したフィラメント電流値からａ％減少させた値に設定変更する。PLC4は、ａ％減少させたフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力し（ステップS5）、電子ビームの照射を開始する（ステップS6）。
【００５０】
これにより、PLC4は、ステップS3と同様に、バイアス電圧値を取得することになる。この取得したバイアス電圧値をVb2とする（ステップS7）。
【００５１】
PLC4は、電子ビームの照射を一旦停止し（ステップS8）、ステップS3で取得したバイアス電圧値Vb1と、ステップS7で取得したバイアス電圧値Vb2と、を基に、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）を算出する（ステップS9）。
【００５２】
PLC4は、ステップS9で算出したバイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が所定の目標値の範囲内か否かを判定し（ステップS10）、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が所定の目標値の範囲内である場合は（ステップS10/Yes）、処理を終了する。目標値は、PLC4に指定される加速電圧値及びビーム電流値に応じて変化するため、PLC4は、目標値と、加速電圧値及びビーム電流値と、が対応付けられたテーブルを管理し、PLC4は、テーブルを参照し、PLC4に指定された加速電圧値及びビーム電流値に応じた目標値をテーブルから取得し、その取得した目標値を予め設定しておくことになる。
【００５３】
PLC4は、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が所定の目標値の範囲内でない場合は（ステップS10/No）、高圧電源5に出力するフィラメント電流値を調整し、その調整したフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力し、フィードバック制御を行う（ステップS11→ステップS1）。
【００５４】
高圧電源5に出力するフィラメント電流値の調整は、以下の方法が挙げられる。
【００５５】
例えば、PLC4は、バイアス電圧値の変化率と目標値との差分値を算出し、その算出した差分値に応じた補正値を、前回高圧電源5に出力したフィラメント電流値に加算し、その加算したフィラメント電流値を高圧電源5に出力するようにする。この場合、PLC4は、差分値と、補正値（フィラメント電流値を調整するための値）と、が対応付けられたテーブルを管理し、そのテーブルを参照し、差分値に対応付けられた補正値をテーブルから取得し、その取得した補正値を、前回高圧電源5に出力したフィラメント電流値に加算するようにする。これにより、PLC4は、差分値に応じた補正値を用いてフィラメント電流値の調整を行うことが可能となる。
【００５６】
また、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が目標値の範囲より大きい場合は、前回高圧電源5に出力したフィラメント電流値から所定の補正値だけ減算し、その減算したフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力する。また、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が目標値の範囲より小さい場合は、前回高圧電源5に出力したフィラメント電流値に所定の補正値を加算し、その加算したフィラメント電流値に応じたフィラメント電流指令値を高圧電源5に出力する。これにより、所定の補正値を用いてフィラメント電流値の調整を段階的に行うことが可能となる。
【００５７】
＜本実施形態の電子ビーム溶接装置の作用・効果＞
このように、本実施形態の一実施形態である、電子ビーム溶接装置は、所定のフィラメント電流値を基に、電子ビームを照射し、その照射した電子ビームから得られるバイアス電圧値Vb1を取得する。次に、所定のフィラメント電流値からa％減少させたフィラメント電流値を基に、電子ビームを照射し、その照射した電子ビームから得られるバイアス電圧値Vb2を取得する。次に、上記取得したバイアス電圧値Vb1、Vb2の変化率（Vb2/Vb1）を算出し、その算出したバイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）が所定の目標値の範囲内に収束するように、高圧電源5に出力するフィラメント電流値を調整し、その調整したフィラメント電流値を基に、電子銃1から電子ビームを照射する。
【００５８】
これにより、本実施形態の電子ビーム溶接装置は、フィラメント電流値を自動的に調整し、電子ビームを照射することが可能となる。
【００５９】
また、本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置は、ビーム定電流制御を行いながら、バイアス電圧値の変化率が所定の目標値の範囲内に収束するようにフィラメント電流値を調整する。これにより、通常の装置使用状態（溶接状態）と同じ制御ループで動作しながら、フィラメント電流値を自動的に調整することが可能となる。具体的には、自動溶接制御モードでフィラメント電流値を自動的に最適な値に調整することが可能となる。
【００６０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
【００６１】
第１の実施形態では、２つのバイアス電圧値（Vb2、Vb1）を基に、バイアス電圧値の変化率（Vb2/Vb1）を算出することにした。データベースの作り方によっては、複数のバイアス電圧値を基に、バイアス電圧値の変化率を格納するようにデータベースを構築することも可能である。
【００６２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
【００６３】
第１の実施形態では、図２に示す1〜12の処理が繰り返し行われることで、PLC4は、ビーム定電流クローズドループコントローラ3から複数のバイアス電圧値を取得することにした。しかし、PLC4がバイアス電圧値を取得する周期を変化さるように構築することも可能である。
【００６４】
例えば、実際の溶接作業中において、一時間や半日といった長い間隔をあけて、バイアス電圧値の変化率（Vb/Vb1）の取得を行い、フィラメント電流値へとフィードバックさせる。この動作を溶接作業中に自動で行わせることで、作業者はフィラメント電流値の調整作業をするための時間を要することなく、常に、その時点において最適なフィラメント電流値を用いて溶接をすることができる。
【００６５】
このように、バイアス電圧値を取得するサンプリング周期を変化させるように構築することも可能である。
【００６６】
なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。
【００６７】
例えば、上述した本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置を構成する各装置における制御動作は、ハードウェア、または、ソフトウェア、あるいは、両者の複合構成を用いて実行することも可能である。
【００６８】
なお、ソフトウェアを用いて処理を実行する場合には、処理シーケンスを記録したプログラムを、専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ内のメモリにインストールして実行させることが可能である。あるいは、各種処理が実行可能な汎用コンピュータにプログラムをインストールして実行させることが可能である。
【００６９】
例えば、プログラムは、記録媒体としてのハードディスクやROM（Read Only Memory）に予め記録しておくことが可能である。あるいは、プログラムは、リムーバブル記録媒体に、一時的、あるいは、永続的に格納（記録）しておくことが可能である。このようなリムーバブル記録媒体は、いわゆるパッケージソフトウエアとして提供することが可能である。リムーバブル記録媒体としては、フロッピー（登録商標）ディスク、CD-ROM（Compact Disc Read Only Memory）、MO（Magneto optical）ディスク、DVD（Digital Versatile Disc）、磁気ディスク、半導体メモリなどが挙げられる。
【００７０】
なお、プログラムは、上述したようなリムーバブル記録媒体からコンピュータにインストールすることになる。また、ダウンロードサイトから、コンピュータに無線転送することになる。また、ネットワークを介して、コンピュータに有線で転送することになる。
【００７１】
また、本発明の一実施形態である、電子ビーム溶接装置は、上記実施形態で説明した処理動作に従って時系列的に実行されるのみならず、処理を実行する装置の処理能力、あるいは、必要に応じて並列的にあるいは個別に実行するように構築することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、電子ビーム溶接機等の分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１    電子銃（照射手段）
１００    フィラメント
１０１    グリッド
１０２    アノード
１０３    アライメントコイル
１０４    収束コイル
１０５    偏向コイル
２    ターゲット
３    ビーム定電流クローズドループコントローラ（取得手段）
４    PLC（調整手段、設定手段、管理手段）
５    高圧電源（照射手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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