(57)【要約】【課題】欠陥修正を簡便に行う液晶パネルの欠陥修正方法を提供する。【解決手段】本発明による液晶パネルの欠陥修正方法は、画素電極（１２４）および第１配向膜（１２６）を有するＴＦＴ基板（１２０）と、対向電極（１４２）および第２配向膜（１４４）を有する対向基板（１４０）と、ＴＦＴ基板（１２０）と対向基板（１４０）との間に設けられた液晶化合物および光重合性化合物を含有する混合物（Ｃ）とを備える液晶パネル（１００）を用意する工程と、液晶パネル（１００）の正常領域および欠陥領域を特定する工程と、液晶パネル（１００）の正常領域に紫外光を照射しないように液晶パネル（１００）の欠陥領域に紫外光を照射する工程とを包含する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、対向電極および第２配向膜を有する対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶化合物および光重合性化合物を含有する混合物とを備える液晶パネルを用意する工程と、
前記液晶パネルの正常領域および欠陥領域を特定する工程と、
前記液晶パネルの前記正常領域に紫外光を照射しないように前記液晶パネルの前記欠陥領域に紫外光を照射する工程と
を包含する、液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項２】
前記液晶パネルの欠陥領域を特定する前に、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加した状態で前記液晶パネルの全面に紫外光を照射することによって、前記第１配向膜および前記第２配向膜のそれぞれの前記混合物側に配向維持層を形成する工程をさらに包含する、請求項１に記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項３】
前記配向維持層を形成した後に、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記液晶パネルの全面に紫外光を照射する工程をさらに包含する、請求項２に記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項４】
前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記紫外光の照射を行う工程は、前記液晶パネルの欠陥領域を特定した後に行われる、請求項３に記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項５】
前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記紫外光の照射を行った後で、前記液晶パネルの欠陥領域の特定を行う、請求項３に記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項６】
前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程の前に、遮光領域および光透過領域を有するマスクを用意する工程をさらに包含し、
前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程は、前記マスクの前記遮光領域が前記液晶パネルの前記正常領域に対応し、前記マスクの前記光透過領域が前記液晶パネルの前記欠陥領域に対応するように前記液晶パネルに対して前記マスクを配置する工程を含む、請求項１から５のいずれかに記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項７】
前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程は、前記紫外光を前記液晶パネルの欠陥領域に対応するように調整する工程を含む、請求項１から５のいずれかに記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項８】
前記液晶パネルを用意する工程は、前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの少なくとも一方に光配向処理を行う工程を含む、請求項１から７のいずれかに記載の液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項９】
第１画素および第２画素を含む複数の画素が設けられた液晶パネルであって、
前記第１画素を規定する第１画素電極および前記第２画素を規定する第２画素電極を含む複数の画素電極、前記第１画素電極に対応する第１薄膜トランジスタおよび前記第２画素電極に対応する第２薄膜トランジスタを含む複数の薄膜トランジスタ、および、第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、
対向電極および第２配向膜を有する対向基板と、
前記第１配向膜および前記第２配向膜に挟まれた液晶層と、
前記第１配向膜および前記第２配向膜のそれぞれの前記液晶層側に設けられた配向維持層と
を備えており、
前記第１薄膜トランジスタの電圧−電流特性は前記第２薄膜トランジスタの電圧−電流特性と異なり、前記第１画素の電圧−透過率特性は前記第２画素の電圧−透過率特性と略等しい、液晶パネル。
【請求項１０】
前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの少なくとも一方は光配向膜である、請求項９に記載の液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶パネルおよびその欠陥修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、大型テレビジョンとしてだけでなく携帯電話の表示部等の小型の表示装置としても利用されている。従来しばしば用いられたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶パネルは比較的狭い視野角を有していたが、近年、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ―Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードおよびＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードといった広視野角の液晶パネルが作製されている。そのような広視野角のモードの中でも、ＶＡモードは高コントラスト比を実現できるため、多くの液晶パネルに採用されている。
【０００３】
ＶＡモードの一種として、１つの画素領域に複数の液晶ドメインを形成するＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが知られている。ＭＶＡモードの液晶パネルには、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板のうちの少なくとも一方の液晶層側に配向規制構造が設けられている。配向規制構造は、例えば、電極に設けられた線状のスリット（開口部）またはリブ（突起構造）である。配向規制構造により、液晶層の一方または両側から配向規制力が付与され、配向方向の異なる複数の液晶ドメイン（典型的には４つの液晶ドメイン）が形成され、視野角特性の改善が図られている。
【０００４】
また、ＶＡモードの一種として、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードも知られている。一般的なＣＰＡモードの液晶パネルでは対称性の高い形状を有する画素電極が設けられるとともに液晶ドメインの中心に対応して対向電極に突起物が設けられている。この突起物はリベットとも呼ばれる。電圧を印加すると、対向電極と対称性の高い画素電極とによって形成される斜め電界にしたがって液晶分子は放射形状に傾斜配向する。また、リベットの傾斜側面の配向規制力によって液晶分子の傾斜配向が安定化される。このように、１画素内の液晶分子が放射形状に配向することにより、視野角特性の改善が行われている。
【０００５】
一般的なＶＡモードでは電圧無印加状態において液晶分子は配向膜の主面の法線方向に配向しており、液晶層に電圧を印加すると、液晶分子は所定の方向に配向する。一方、液晶パネルの応答速度を改善するために、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（以下、「ＰＳＡ技術」という）を利用することが検討されている（例えば、特許文献１、２参照）。ＰＳＡ技術は、混合物中に少量の光重合性化合物（例えば光重合性モノマー）を混合しておき、ＴＦＴ基板と対向基板との間に混合物を付与した後、画素電極と対向電極との間に電圧を印加した状態で光重合性化合物に紫外光を照射して重合体を形成する技術である。ＰＳＡ技術を用いると、重合体が生成されるときの液晶分子の配向状態が維持（記憶）されるので、液晶分子のプレチルト方向を制御することができる。
【０００６】
特許文献１の液晶表示装置は、配向規制構造としてスリットまたはリブが設けられたＭＶＡモードである。特許文献１の液晶表示装置では、線状のスリットおよび／またはリブが設けられており、電圧の印加により、液晶分子の方位角成分がスリットまたはリブに対して直交するように液晶分子は配向する。この状態において紫外光を照射すると、重合体が形成されて液晶分子の配向状態が維持（記憶）される。その後、電圧の印加を終了しても液晶分子は配向膜の主面の法線方向からプレチルト方位に傾いている。
【０００７】
また、特許文献２の液晶表示装置は、微細なストライプ状のパターンの電極を有しており、液晶層に電圧を印加すると、液晶分子はストライプ状のパターンの長手方向に平行に配向する。これは、特許文献１の液晶表示装置において、液晶分子の方位角成分がスリットまたはリブに対して直交するのと対照的である。また、複数のスリットが設けられていることにより、配向の乱れが抑制される。この状態において、紫外光を照射して液晶分子の配向状態を維持（記憶）する。その後、電圧の印加を終了しても液晶分子は配向膜の主面の法線方向からプレチルト方位に傾いている。このようにして電圧無印加状態の液晶分子にプレチルトを付与しており、これにより、応答速度の改善が図られている。
【０００８】
また、液晶パネルの応答速度を改善する別の方法として、光配向膜を用いることが知られている（例えば、特許文献３参照）。ポリイミドを含む配向膜に紫外光を照射することにより、液晶分子のプレチルト方向を規定する光配向膜を形成することができ、これにより、応答速度の改善が図られている。このようにして作製された液晶表示装置はＶＡＴＮモードとも呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０号公報
【特許文献２】特開２００３−１４９６４７号公報
【特許文献３】特表２００８−５３８８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一般に、液晶パネルの作製後、欠陥検査が行われる。液晶パネルに欠陥が発生している場合、表示品位ひいては歩留まりが低下することもあるが、液晶パネルの欠陥を修正できれば、液晶パネルは正常に動作することになり、表示品位および歩留まりの低下を抑制できる。
【００１１】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶パネルの簡便な欠陥修正方法、および、表示品位および歩留まりの低下が抑制された液晶パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による液晶パネルの欠陥修正方法は、画素電極および第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、対向電極および第２配向膜を有する対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶化合物および光重合性化合物を含有する混合物とを備える液晶パネルを用意する工程と、前記液晶パネルの正常領域および欠陥領域を特定する工程と、前記液晶パネルの前記正常領域に紫外光を照射しないように前記液晶パネルの前記欠陥領域に紫外光を照射する工程とを包含する。
【００１３】
ある実施形態において、前記欠陥修正方法は、前記液晶パネルの欠陥領域を特定する前に、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加した状態で前記液晶パネルの全面に紫外光を照射することによって、前記第１配向膜および前記第２配向膜のそれぞれの前記混合物側に配向維持層を形成する工程をさらに包含する。
【００１４】
ある実施形態において、前記欠陥修正方法は、前記配向維持層を形成した後に、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記液晶パネルの全面に紫外光を照射する工程をさらに包含する。
【００１５】
ある実施形態において、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記紫外光の照射を行う工程は、前記液晶パネルの欠陥領域を特定した後に行われる。
【００１６】
ある実施形態において、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧を印加しない状態で前記紫外光の照射を行った後で、前記液晶パネルの欠陥領域の特定を行う。
【００１７】
ある実施形態において、前記欠陥修正方法は、前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程の前に、遮光領域および光透過領域を有するマスクを用意する工程をさらに包含し、前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程は、前記マスクの前記遮光領域が前記液晶パネルの前記正常領域に対応し、前記マスクの前記光透過領域が前記液晶パネルの前記欠陥領域に対応するように前記液晶パネルに対して前記マスクを配置する工程を含む。
【００１８】
ある実施形態において、前記欠陥領域に前記紫外光を照射する工程は、前記紫外光を前記液晶パネルの欠陥領域に対応するように調整する工程を含む。
【００１９】
ある実施形態において、前記液晶パネルを用意する工程は、前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの少なくとも一方に光配向処理を行う工程を含む。
【００２０】
本発明による液晶パネルは、第１画素および第２画素を含む複数の画素が設けられた液晶パネルであって、前記第１画素を規定する第１画素電極および前記第２画素を規定する第２画素電極を含む複数の画素電極、前記第１画素電極に対応する第１薄膜トランジスタおよび前記第２画素電極に対応する第２薄膜トランジスタを含む複数の薄膜トランジスタ、および、第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、対向電極および第２配向膜を有する対向基板と、前記第１配向膜および前記第２配向膜に挟まれた液晶層と、前記第１配向膜および前記第２配向膜のそれぞれの前記液晶層側に設けられた配向維持層とを備えており、前記第１薄膜トランジスタの電圧−電流特性は前記第２薄膜トランジスタの電圧−電流特性と異なり、前記第１画素の電圧−透過率特性は前記第２画素の電圧−透過率特性と略等しい。
【００２１】
ある実施形態において、前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの少なくとも一方は光配向膜である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、液晶パネルの欠陥修正を簡便に行うことができる。また、本発明によれば、液晶パネルの表示品位および歩留まりの低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は本発明による液晶パネルの第１実施形態の模式図であり、（ｂ）は（ａ）に示した液晶パネルにおけるＴＦＴ基板の模式的な平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した液晶パネルの製造および欠陥修正を説明するための模式図である。
【図３】（ａ）は図１に示した液晶パネルにおける異なるＴＦＴの電圧−電流特性を示すグラフであり、（ｂ）は欠陥修正前の異なる画素の電圧−透過率特性を示すグラフであり、（ｃ）は欠陥修正後の異なる画素の電圧−透過率特性を示すグラフである。
【図４】図２（ｅ）に示した欠陥修正に好適な欠陥検出修正装置の模式図である。
【図５】本発明による液晶パネルの第２実施形態の模式図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、図５に示した液晶パネルの欠陥修正を説明するための模式図である。
【図７】本発明による液晶パネルの別の実施形態の模式図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は図７に示した液晶パネルにおける配向膜の模式図であり、（ｃ）は液晶ドメインの中央の液晶分子の配向方向を示す模式図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、図７に示した液晶パネルの欠陥修正を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明による液晶パネルの実施形態を説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２５】
（実施形態１）
以下、図１を参照して、本発明による液晶パネルの第１実施形態を説明する。図１（ａ）に、本実施形態の液晶パネル１００の模式図を示す。液晶パネル１００は、画素電極１２４および配向膜１２６を有するＴＦＴ基板１２０と、対向電極１４４および配向膜１４６を有する対向基板１４０と、ＴＦＴ基板１２０と対向基板１４０との間に設けられた液晶層１６０とを備えている。
【００２６】
ＴＦＴ基板１２０の画素電極１２４および配向膜１２６は絶縁基板１２２の上に設けられており、配向膜１２６は画素電極１２４を覆っている。図１（ａ）には図示していないが、絶縁基板１２２と画素電極１２４との間には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）およびそれらに接続された配線等が設けられている。
【００２７】
また、対向基板１４０の対向電極１４４おび第２配向膜１４６は絶縁基板１４２の上に設けられており、配向膜１４６は対向電極１４４を覆っている。例えば、絶縁基板１２２、１４２は透明なガラス基板である。なお、対向基板１４０には、必要に応じてカラーフィルタ層が設けられていてもよく、カラーフィルタ層の設けられた対向基板１４０はカラーフィルタ基板とも呼ばれる。本明細書の以下の説明において、配向膜１２６、１４６をそれぞれ第１配向膜１２６、第２配向膜１４６と呼ぶことがあり、また、絶縁基板１２２、１４２をそれぞれ第１絶縁基板１２２、第２絶縁基板１４２と呼ぶことがある。
【００２８】
配向膜１２６、１４６はいずれも垂直配向膜であり、液晶層１６０は垂直配向型である。液晶層１６０は負の誘電率異方性を有するネマティック混合物（液晶分子１６２）を含有しており、電圧無印加時に液晶分子１６２は配向膜１２６および配向膜１４６の主面に対してほぼ垂直に配向する。
【００２９】
液晶パネル１００において、複数の行および複数の列に沿ったマトリクス状の画素のそれぞれは画素電極１２４によって規定される。本明細書において「画素」とは、表示において特定の階調を表現する最小の単位を指し、カラー表示においては、例えば、赤、緑および青のそれぞれの階調を表現する単位に対応し、ドットとも呼ばれる。赤画素、緑画素および青画素の組み合わせが、１つのカラー表示画素を構成する。
【００３０】
なお、図示していないが、ＴＦＴ基板１２０および対向基板１４０のそれぞれの外側に偏光板を貼り付けて、２つの偏光板が液晶層１６０を挟んで互いに対向するように配置してもよい。２つの偏光板の透過軸（偏光軸）は、互いに直交するように配置されており、一方が水平方向（行方向）、他方が垂直方向（列方向）に沿うように配置される。あるいは、偏光板を液晶パネル１００内に設けてもよい。液晶層１６０はクロスニコル配置された偏光板と組み合わされてノーマリーブラックモードの表示を行う。また、ここでは図示しないが、液晶パネル１００には、必要に応じて液晶パネル１００を駆動する駆動回路および駆動回路を制御する制御回路が実装される。また、液晶パネル１００は必要に応じてバックライトと組み合わせて用いられる。
【００３１】
図１（ｂ）に、ＴＦＴ基板１２０の模式的な平面図を示す。なお、図１（ｂ）は１つの画素に対応する構成を図示している。
【００３２】
ＴＦＴ基板１２０には、行方向（ｘ方向）に延びるゲート配線Ｇと、列方向（ｙ方向）に延びるソース配線Ｓと、隣接するゲート配線Ｇの間に配置された補助容量配線ＣＳとが設けられている。ＴＦＴ１２５は、ゲート配線Ｇに電気的に接続されたゲートと、ソース配線Ｓに電気的に接続されたソースと、画素電極１２４に電気的に接続されたドレインとを有している。
【００３３】
画素電極１２４は、十字状の幹電極１２４ｊと、幹電極１２４ｊから４つの異なる方向ｄ１〜ｄ４に延びた枝電極１２４ｋ１〜１２４ｋ４とを有している。このような画素電極の構造はフィッシュボーン構造とも呼ばれる。なお、幹電極１２４ｊはｘ方向およびｙ方向に延びている。例えば、画素電極１２４において、幹電極１２４ｊの幅は３μｍである。また、枝電極１２４ｋ１、１２４ｋ２、１２４ｋ３、１２４ｋ４の幅は３μｍであり、その間隔は３μｍである。ここで、表示画面（紙面）の水平方向（左右方向）を方位角方向の基準とし、左回りに正をとる（表示面を時計の文字盤に例えると３時方向を方位角０°として、反時計回りを正とする）と、方向ｄ１〜ｄ４は、それぞれ、１３５°、４５°、３１５°、２２５°に向いている。
【００３４】
液晶パネル１００において液晶層１６０に電圧を印加すると、液晶分子１６２は、図１（ｂ）に示すように、対応する枝電極１２４ｋ１〜１２４ｋ４の延びる方向と平行に配向する。液晶層１６０は、枝電極１２４ｋ１によって形成される液晶ドメインＡと、枝電極１２４ｋ２によって形成される液晶ドメインＢと、枝電極１２４ｋ３によって形成される液晶ドメインＣと、枝電極１２４ｋ４によって形成される液晶ドメインＤとを有している。液晶層１６０に電圧が印加されないか、または、印加電圧が比較的低い場合、液晶分子１６２は、画素電極１２４近傍を除いて、図示しない配向膜の主面に垂直に配向する。一方、液晶層１６０に所定の電圧が印加される場合、液晶分子１６２は枝電極１２４ｋ１、１２４ｋ２、１２４ｋ３、１２４ｋ４の延びている方向ｄ１〜ｄ４に沿って配向する。
【００３５】
本明細書において、液晶ドメインＡ〜Ｄの中央における液晶分子の配向方向を基準配向方向と呼び、基準配向方向のうち液晶分子の長軸に沿って背面から前面に向かう方向の方位角成分（すなわち、配向膜の主面に投影した方位角成分）を基準配向方位と呼ぶ。基準配向方位は、対応する液晶ドメインを特徴付けており、各液晶ドメインの視野角特性に支配的な影響を与える。表示画面（紙面）の水平方向（左右方向）を方位角方向の基準とし、左回りに正をとると、４つの液晶ドメインＡ〜Ｄの基準配向方位は任意の２つの方位の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方位となるように設定されている。具体的には、液晶ドメインＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの基準配向方位は、それぞれ、３１５°、２２５°、１３５°、４５°である。このように、液晶分子１６２が４つの異なる方位に配向することにより、視野角特性が改善される。
【００３６】
液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１２０の液晶層１６０側に設けられた配向維持層１３０と、対向基板１４０の液晶層１６０側に設けられた配向維持層１５０とをさらに備えている。配向維持層１３０、１５０のそれぞれは光重合性化合物の重合した重合体を含有している。ＴＦＴ基板１２０の第１配向膜１２６と対向基板１４０の第２配向膜１４６との間に、光重合性化合物および液晶化合物の混合物が挟まれた状態で混合物中の光重合性化合物を重合することによって配向維持層１３０、１５０が形成され、混合物から液晶層１６０が形成される。液晶層１６０には微量の光重合性化合物が残存していてもよい。なお、本明細書の以下の説明において、配向維持層１３０、１５０をそれぞれ第１配向維持層１３０、第２配向維持層１５０と呼ぶことがある。
【００３７】
配向維持層１３０、１５０により、液晶分子１６２は配向膜１２６、１４６の主面の法線方向からわずかに傾いた方向に維持されており、液晶分子１６２の配向方向は配向膜１２６、１４６および配向維持層１３０、１５０によって規定される。配向維持層１３０、１５０は配向膜１２６、１４６上に島状に設けられ、配向膜１２６、１４６の一部の表面が液晶層１６０と接していてもよい。液晶層１６０内に形成された電界に応じて傾斜して配向した液晶分子１６２が重合体によって固定されると、電界が無い状態でも傾斜した配向が維持される。このように、配向膜１２６、１４６上の配向維持層１３０、１５０が形成された後、配向維持層１３０、１５０は液晶分子１６２のプレチルト方向を規定する。
【００３８】
ここでは、光重合性化合物として、１個以上の環構造または縮環構造と、上記環構造または縮環構造と直接結合する２つの官能基とを有する重合可能なモノマーが用いられる。例えば、光重合性モノマーは、下記一般式（１）で表されるものから選ばれる。
Ｐ1−Ａ1−（Ｚ1−Ａ2）n−Ｐ2  （１）
【００３９】
一般式（１）において、Ｐ1及びＰ2は官能基であって、それぞれ独立に、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニロキシ又はエポキシ基であり、Ａ1及びＡ2は環構造であって、それぞれ独立に、１，４−フェニレン又はナフタレン−２，６−ジイル基を表し、Ｚ1は−ＣＯＯ−もしくは−ＯＣＯ−基又は単結合であり、ｎは０、１又は２である。
【００４０】
一般式（１）において、Ｐ1及びＰ2は好ましくはアクリレート基であり、Ｚ1は好ましくは単結合であり、ｎは好ましくは０又は１である。好ましいモノマーは、例えば、以下の式で表される化合物である。
【００４１】
【化１】
2010286817.tif 000003
【００４２】
構造式（１ａ）〜（１ｃ）において、Ｐ1及びＰ2は一般式（１）で上述したとおりであり、特に好ましいＰ1及びＰ2はアクリレート基である。また、上記の化合物のうちで非常に好ましいのは構造式（１ａ）及び構造式（１ｂ）に示す化合物であり、構造式（１ａ）の化合物が特に好ましい。
【００４３】
液晶パネル１００の作製後に行われる欠陥検査において欠陥が検出されることがある。欠陥は、例えば、配向維持層１３０、１５０を形成するために照射する紫外光のムラやＴＦＴ１２５の特性のばらつき等に起因して起き、欠陥により、表示品位および歩留まりが低下する。本実施形態では、後述するように、紫外光を照射して欠陥修正を行い、表示品位および歩留まりの低下を抑制する。
【００４４】
以下、図２を参照して、液晶パネル１００の製造方法および欠陥修正方法を説明する。
【００４５】
まず、図２（ａ）に示すように、第１絶縁基板１２２上に画素電極１２４を形成する。なお、図２（ａ）には図示していないが、第１絶縁基板１２２と画素電極１２４との間には、ＴＦＴおよびそれらに接続された配線等が設けられている。次に、画素電極１２４を覆う第１配向膜１２６を形成する。このようにしてＴＦＴ基板１２０を作製する。
【００４６】
図２（ｂ）に示すように、第２絶縁基板１４２上に対向電極１４４を形成する。次に、対向電極１４４上に第２配向膜１４６を形成する。このようにして対向基板１４０を作製する。
【００４７】
次に、液晶化合物および光重合性化合物の混合した混合物を用意する。ここでは、光重合性化合物として上述した光重合性モノマーを用いる。光重合性モノマーは液晶化合物に溶解している。例えば、混合物に対する光重合性モノマーの濃度は０．３０ｗｔ％である。
【００４８】
次に、図２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１２０、対向基板１４０および混合物を用いて液晶パネル１００を作製する。この場合、ＴＦＴ基板１２０の第１配向膜１２６と対向基板１４０第２配向膜１４６との間に混合物Ｃが挟まれている。
【００４９】
例えば、液晶パネル１００の作製は以下のように行われる。ＴＦＴ基板１２０および対向基板１４０の一方に矩形枠状にシール剤を付与し、シール剤で囲まれた領域内に混合物を滴下する。その後、ＴＦＴ基板１２０および対向基板１４０を貼り合わせ、シール剤を硬化する。なお、このように、混合物を滴下する手法は滴下法（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ：ＯＤＦ）とも呼ばれる。ＯＤＦにより、混合物の付与を均一および短時間に行うことができ、また、マザーガラス基板に対して一括処理を行うことができる。さらに、混合物の廃棄量を減らし混合物の効率的な利用を行うことができる。
【００５０】
あるいは、ＴＦＴ基板１２０および対向基板１４０の一方に、一部開口した矩形枠状に、例えば、熱硬化樹脂から形成されたシール剤を付与した後、ＴＦＴ基板１２０と対向基板１４０とを貼り合わせ、加熱処理によりシール剤を硬化させ空セルを形成する。その後、ＴＦＴ基板１２０と対向基板１４０との間に混合物を注入した後、開口部を封止するため、例えば光硬化シール剤にて硬化してもよい。
【００５１】
次に、図２（ｄ）に示すように、画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加した状態で紫外光（例えば波長３６５ｎｍのｉ線、約５．８ｍＷ／ｃｍ2）を液晶パネル
１００の全面に約３〜５分間照射する。この場合、画素電極１２４と対向電極１４４との間には、液晶パネル１００の駆動時の最高輝度に対応する電圧よりも高い電圧が印加される。電圧が印加されると、画素電極１２４と対向電極１４４との間に形成された電界に応じて液晶分子１６２は配向する。
【００５２】
なお、対向基板１４０にカラーフィルタ層が設けられている場合、画素の色に応じて液晶分子１６２に到達する波長の強度が異なるため、紫外光の照射はＴＦＴ基板１２０側から行われる。紫外光を照射すると、混合物Ｃ中の光重合性モノマーが重合して重合体が形成される。この重合体は混合物Ｃから相分離し、重合体を含む第１、第２配向維持層１３０、１５０とともに液晶層１６０が形成される。このように画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加した状態で重合体を形成することにより、配向膜１２６、１４６近傍の液晶分子１６２はこの状態で強く規制されることになり、その後、電圧が無印加になっても液晶分子１６２は配向膜１２６、１４６の主面の法線方向からの傾きを維持することになる。なお、本明細書において、このように紫外光を照射する工程を傾斜配向維持工程と呼ぶことがある。傾斜配向維持工程は、一般的に室温で行われる。
【００５３】
画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加した状態で紫外光の照射を行った後に液晶層１６０内に残存する光重合性モノマーの濃度が高い場合、電圧保持率が低下したり、液晶パネル１００の駆動時に焼き付きが発生することがある。このため、画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加することなく、例えば、ブラックライトを用いて約１．４ｍＷ／ｃｍ2の紫外光を液晶パネル１００の全面に１〜２時間程度照射して、液晶層１６０中に残存する光重合性モノマーの濃度を低減させてもよい。なお、本明細書において、このように紫外光を照射する工程を残存モノマー低減工程と呼ぶことがある。ただし、ここでは、残存モノマー低減工程において、光重合性モノマーの濃度はある程度まで低下させればよく、完全にゼロにする必要はない。
【００５４】
次に、液晶パネル１００の欠陥検査を行う。理想的には、第１、第２配向維持層１３０、１５０は均一に分散されており、全ての画素が同一階調を表示するような入力信号を入力すると、液晶パネル１００は均一な表示を行うが、実際には、液晶パネル１００の表示が均一にならないことがある。欠陥検査では、全ての画素が同一の中間階調を表示するような入力信号を液晶パネル１００に入力して、液晶パネル１００において他の画素とは異なる輝度を呈する画素を検出して、液晶パネル１００の正常領域および欠陥領域を特定する。中間階調表示により、照射量の変動に起因する階調の微妙な違いが顕著に現れる。
【００５５】
欠陥は、傾斜配向維持工程における紫外光照射のムラに起因して発生することがある。例えば、液晶パネル１００に向かう紫外光の経路上にゴミ等が存在する場合、液晶パネル１００には紫外光の照射が充分に行われない領域が存在する。または、傾斜配向維持工程において、紫外光のスポット領域が液晶パネル１００に比べて充分に小さい場合、紫外光を液晶パネル１００に対して相対的に走査させることが必要であるが、走査の際に、液晶パネル１００のある領域において紫外光の照射が均一に行われないことがある。このように傾斜配向維持工程における紫外光の照射にムラがあると、その領域には配向維持層１３０、１５０が均一に形成されないことになり、欠陥となる。
【００５６】
例えば、液晶パネル１００に紫外光の照射が充分に行われない領域が存在する場合、その領域には配向維持層１３０、１５０が充分に形成されないため、欠陥領域は正常領域よりも暗く見える。反対に、液晶パネル１００に紫外光の照射が過剰に行われた領域が存在する場合、その領域には配向維持層１３０、１５０が過剰に形成されることになるため、欠陥領域は正常領域よりも明るく見える。
【００５７】
次に、図２（ｅ）に示すように、液晶パネル１００の正常領域に紫外光を照射しないように液晶パネル１００の欠陥領域に紫外光を照射して、欠陥修正を行う。例えば、紫外光の照射は遮光領域および光透過領域を有するマスクＭを用いて行われる。マスクＭは、遮光領域が液晶パネル１００の正常領域に対応し、光透過領域が液晶パネル１００の欠陥領域に対応するように配置される。紫外光の照射により、欠陥領域に配向維持層１３０、１５０が形成される。この配向維持層１３０、１５０は、上述した傾斜配向維持工程において形成された配向維持層１３０、１５０と同様に、光重合性モノマーの重合した重合体を含んでいる。このように欠陥領域に別途形成された配向維持層１３０、１５０により、欠陥領域は正常領域と同様の輝度を呈することになり、欠陥の修正が行われる。このように、欠陥修正は、光重合性モノマーを利用して行われる。
【００５８】
例えば、欠陥領域が正常領域よりも暗い場合、画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加した状態でマスクＭの光透過領域を透過した光を欠陥領域に照射する。なお、ここでは、欠陥領域の画素のみに電圧を印加した状態で光を欠陥領域に照射するのは困難であるため、画素全体に電圧を印加する。この場合、欠陥領域の液晶分子１６２は、欠陥修正により、配向膜１２６、１４６の主面の法線方向から大きく傾斜して配向することになり、欠陥領域が明るくなる。
【００５９】
また、欠陥領域が正常領域よりも明るい場合、画素電極１２４と対向電極１４４との間に電圧を印加しない状態でマスクＭの光透過領域を透過した光を欠陥領域に照射する。この場合、欠陥領域の液晶分子１６２は、欠陥修正により、配向膜１２６、１４６の主面の法線方向に近い状態で配向することになり、欠陥領域が暗くなる。
【００６０】
以上のようにして、液晶パネル１００の欠陥修正が行われ、欠陥領域も正常領域と同様に表示を行うことができる。また、本実施形態では、液晶パネル１００の作製後に液晶パネル１００を破壊することなく欠陥修正を行うことができ、液晶パネル１００の表示品位および歩留まりの低下を抑制することができる。その後、必要に応じて液晶パネル１００に、図示しない偏光板を貼り付けて、駆動回路および制御回路を実装してもよい。
【００６１】
なお、欠陥は、例えば、ＴＦＴ１２５の特性のばらつきに起因して発生することもある。ここでは、電圧−電流特性が異なるＴＦＴ１２５をＴＦＴ１２５ａおよびＴＦＴ１２５ｂとし、ＴＦＴ１２５ａ、１２５ｂはそれぞれ画素Ｐａ、Ｐｂおよび画素電極１２４ａ、１２４ｂに対応しているとする。
【００６２】
図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ１２５ｂの電圧−電流特性はＴＦＴ１２５ａの電圧−電流特性とは異なるため、ある中間階調に対応する電圧を印加してもＴＦＴ１２５ｂを流れる電流はＴＦＴ１２５ａを流れる電流よりも低い。この場合、ＴＦＴ１２５ａ、１２５ｂに対応するソース配線およびゲート配線に印加される電圧が等しくても、画素電極１２４ａ、１２４ｂに充電される電荷量が異なるため、図３（ｂ）に示すように、画素Ｐｂの透過率は画素Ｐａの透過率よりも低くなり、画素Ｐｂは画素Ｐａよりも暗くなる。このような液晶パネル１００でも欠陥修正を行うことにより、図３（ｃ）に示すように、画素Ｐｂの透過率を画素Ｐａの透過率と略等しくし、画素Ｐｂを画素Ｐａと略同じ明るさにすることができる。
【００６３】
なお、上述したマスクＭの光透過領域は好ましくは液晶パネル１００の欠陥領域の形状に対応して設けられていることが好ましい。この場合、マスクＭにはさまざまな形状の光透過領域が設けられており、欠陥領域の形状に合わせて利用する光透過領域を変更してもよい。
【００６４】
また、上述した説明では、マスクＭを利用して欠陥修正を行ったが、本発明はこれに限定されない。
【００６５】
ここで、図４を参照して、上述した欠陥修正を行うのに好適な欠陥検出修正装置３００を説明する。この欠陥検出修正装置３００には、偏光板を貼り付ける前の液晶パネル１００または偏光板が設けられないタイプの液晶パネル１００が搭載される。
【００６６】
欠陥検出修正装置３００は、搭載テーブル３２０と、照明装置３４０と、本体部３６０とを備えている。液晶パネル１００は、搭載テーブル３２０上に搭載される。液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１２０が搭載テーブル３２０の主面と接するように配置される。搭載テーブル３２０は少なくとも本体部３６０に対して相対的に移動可能に設けられている。
【００６７】
照明装置３４０は、発光部３４２と、波長フィルタ３４４と、ガラステーブル３４６と、偏光板３４８とを有している。発光部３４２から出射された光のうち、液晶分子の配向に強い影響を持つ紫外光領域の波長の光は波長フィルタ３４４によってカットされる。ガラステーブル３４６として一般的なガラス板が用いられる。偏光板３４８は、液晶パネル１００を備える液晶表示装置を作製する際に液晶パネル１００の外側に貼り付けられるものと同じタイプのものである。
【００６８】
本体部３６０は、光源３６２と、全反射ミラー３６４と、波長選択フィルタ３６６と、スリット３６８と、パワーフィルタ３７０と、偏光板３７２と、光学ユニット３７４と、対物レンズ３７６とを有している。偏光板３７２は、液晶パネル１００を備える液晶表示装置を作製する際に液晶パネル１００の外側に貼り付けられるものと同じタイプのものである。光学ユニット３７４は落射光源３７４ａおよびカメラ３７４ｂを有しており、落射光源３７４ａから出射された光が対物レンズ３７６を通過して液晶パネル１００において反射されることにより、カメラ３７４ｂにおいて液晶パネル１００の各画素を撮像することができる。なお、本体部３６０の他の構成要素は後で説明する。
【００６９】
欠陥検出修正装置３００は以下のように動作する。まず、欠陥検出修正装置３００は正常領域および欠陥領域を特定するために、液晶パネル１００に、全ての画素が同一階調を呈する入力信号を入力する。液晶パネル１００には液晶パネル１００を備える液晶表示装置に搭載される偏光板もバックライトも設けられていないが、（偏光板３４８を含む）照明装置３４０および偏光板３７２は当該液晶表示装置に搭載される偏光板およびバックライトと同様に機能するため、当該液晶表示装置と同様の挙動を観察できる。照明装置３４０から照射されて液晶パネル１００を透過した光は偏光板３７２を通過してカメラ３７４ｂに入射する。カメラ３７４ｂに撮像された画像から、液晶パネル１００の欠陥の有無を確認することができる。
【００７０】
欠陥領域が特定された後、欠陥検出修正装置３００は欠陥の修正を行う。光源３６２は、波長３００〜３８０ｎｍの紫外光成分を含む光を出射する。光源３６２として、例えば、発光ダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）、レーザー、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、水銀ランプ、キセノンランプ等が好適に用いられる。全反射ミラー３６４は、光源３６２から出射された光を全反射する。
【００７１】
波長選択フィルタ３６６は、光源３６２から出射された光のうち、液晶分子１６２（図１（ａ）参照）に悪影響を与える波長成分をカットする。次に、スリット３６８により、スポット光のサイズおよび形状が調整される。なお、光源３６２から出射される光がさまざまな波長を含む場合、アパーチャ等を組み合わせてスリット３６８を形成して迷光をカットしてもよい。パワーフィルタ３７０により、紫外光の強度は制御される。対物レンズ３７６はスポット光のサイズを液晶パネル１００の欠陥領域に合わせて拡大または縮小する。以上のようにして、欠陥領域に対応するように調整された紫外光が液晶パネル１００の欠陥領域に照射されることにより、欠陥の修正が行われる。このように、欠陥検出修正装置３００は欠陥の検出および修正を行うために好適に用いられる。
【００７２】
なお、上述した説明では、傾斜配向維持工程および残存モノマー低減工程の後に欠陥修正を行ったが、本発明はこれに限定されない。傾斜配向維持工程の後であって、残存モノマー低減工程の前に欠陥修正を行ってもよい。この場合、残存モノマー低減工程において液晶層１６０中に残存する光重合性モノマーを実質的にゼロにしてもよい。
【００７３】
また、上述した説明では、欠陥の原因として傾斜配向維持工程における紫外光のムラやＴＦＴ１２５の特性のばらつきを説明したが、欠陥の原因はこれに限定されない。例えば、液晶パネル１００において補助容量配線ＣＳの電圧を所定の水平走査期間ごとに変化させる場合、補助容量配線ＣＳと画素電極１２４との電気容量が不均一であると、輝度が変動して、欠陥が発生することがある。あるいは、ＴＦＴ特性のばらつきや、ソース配線・ゲート配線等の寄生容量不足、ポリイミド配向膜の配向性能不足などに起因して欠陥が発生することもある。この場合も、紫外光を欠陥領域に照射して欠陥修正を行うことができる。
【００７４】
（実施形態２）
上述した説明では、傾斜配向維持工程および残存モノマー低減工程を行ったが、本発明はこれに限定されない。傾斜配向維持工程および残存モノマー低減工程を行わなくてもよい。
【００７５】
以下、図５を参照して、本実施形態の液晶パネル１００Ａを説明する。本実施形態の液晶パネル１００Ａは、第１、第２配向膜１２６、１４６の液晶層１６０側に設けられる配向維持層１３０、１５０がごくわずかである点を除いて、図１を参照して上述した実施形態１の液晶パネル１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。詳細は後述するが、液晶パネル１００Ａにおいて配向維持層１３０、１５０は欠陥検査において欠陥領域と特定された領域に設けられている。
【００７６】
以下、図６を参照して、本実施形態の液晶パネル１００Ａの欠陥修正方法を説明する。
【００７７】
まず、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１２０、対向基板１４０および液晶層（混合物）１６０を有する液晶パネル１００Ａを用意する。液晶層１６０は液晶化合物だけでなく光重合性化合物を含有しているが、液晶層１６０中の光重合性化合物の濃度は液晶パネル１００を作製する場合の混合物中の重合性化合物の濃度よりも低い。液晶パネル１００Ａは、図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して上述した液晶パネル１００と同様に作製される。
【００７８】
次に、液晶パネル１００Ａの欠陥検査を行う。全ての画素が同一の中間階調を表示するような入力信号を液晶パネル１００Ａに入力して、液晶パネル１００Ａにおいて他の画素とは異なる輝度を呈する画素を検出し、液晶パネル１００Ａの正常領域および欠陥領域を特定する。その後、図６（ｂ）に示すように、液晶パネル１００Ａの正常領域に紫外光を照射することなく液晶パネル１００Ａの欠陥領域に紫外光を照射して、欠陥修正を行う。この照射により、欠陥領域に配向維持層１３０、１５０が形成される。例えば、紫外光の照射は遮光領域および光透過領域を有するマスクＭを用いて行われてもよく、あるいは、図４を参照して上述した欠陥検出修正装置３００で行われてもよい。
【００７９】
以上のようにして、液晶パネル１００Ａの欠陥修正が行われ、欠陥領域の表示も正常領域と同様の表示を呈することができる。その後、必要に応じて液晶パネル１００Ａに、図示しない偏光板を貼り付けて、駆動回路および制御回路を実装してもよい。
【００８０】
なお、上述した説明では、液晶パネル１００、１００Ａの画素電極１２４はフィッシュボーン構造を有していたが、本発明はこれに限定されない。液晶パネル１００、１００ＡはいわゆるＭＶＡモードであってもよく、ＣＰＡモードであってもよい。あるいは、液晶パネル１００は他のモードであってもよい。
【００８１】
例えば、液晶パネルはＶＡＴＮモードであってもよい。以下、図７および図８を参照して、ＶＡＴＮモードの液晶パネル１００Ｂを説明する。図７に、液晶パネル１００Ｂの模式図を示す。液晶パネル１００Ｂは、第１、第２配向膜１２６Ｂ、１４６Ｂが光配向処理の行われた光配向膜である点、および、画素電極１２４がフィッシュボーン構造ではない（典型的には矩形状である）点を除いて、図５を参照して上述した液晶パネル１００Ａと同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。
【００８２】
図８（ａ）には、ＴＦＴ基板１２０の配向膜１２６Ｂに規定された液晶分子１６２のプレチルト方向を示しており、図８（ｂ）には、対向基板１４０の配向膜１４６Ｂに規定された液晶分子１６２のプレチルト方向を示している。図８（ｃ）には、電圧印加状態において液晶ドメインＡ〜Ｄの中央の液晶分子１６２の配向方向を示している。図８（ａ）〜図８（ｃ）のそれぞれは、観察者側から見たときの液晶分子１６２の配向方向を模式的に示しており、円柱状の液晶分子１６２の端部（ほぼ円形部分）が観察者に向かうようにチルトしていることを示している。
【００８３】
図８（ａ）に示すように、第１配向膜１２６Ｂは、配向領域ＯＲ１、ＯＲ２を有している。配向領域ＯＲ１に規定された液晶分子１６２は、第１配向膜１２６Ｂの主面の法線方向から−ｙ方向に傾いており、配向領域ＯＲ２に規定された液晶分子１６２は、第１配向膜１２６Ｂの主面の法線方向から＋ｙ方向に傾いている。また、配向領域ＯＲ１と配向領域ＯＲ２の境界線は、列方向（ｙ方向）に延びており、各画素の行方向（ｘ方向）の略中心に位置している。
【００８４】
第１配向膜１２６Ｂの配向領域ＯＲ１には、配向処理方向ＰＤ１に配向処理が行われており、配向領域ＯＲ２には、配向処理方向ＰＤ１と反平行な配向処理方向ＰＤ２に配向処理が行われている。ここでは、配向処理方向は、液晶分子１６２の長軸に沿って配向領域に向かう方向をその配向領域に投影した方位角成分と対応している。
【００８５】
また、図８（ｂ）に示すように、第２配向膜１４６Ｂは、配向領域ＯＲ３、ＯＲ４を有している。配向領域ＯＲ３に規定された液晶分子１６２は第２配向膜１４６Ｂの主面の法線方向から＋ｘ方向に傾いており、この液晶分子１６２の−ｘ方向の端部が前面側に向いている。また、配向領域ＯＲ４に規定された液晶分子１６２は第２配向膜１４６Ｂの主面の法線方向から−ｘ方向に傾いており、この液晶分子１６２の＋ｘ方向の端部が前面側に向いている。第２配向膜１４６Ｂの配向領域ＯＲ３には、配向処理方向ＰＤ３に配向処理が行われており、配向領域ＯＲ４には、配向処理方向ＰＤ３と反平行な配向処理方向ＰＤ４に配向処理が行われている。なお、ＴＦＴ基板１２０および対向基板１４０は、第１、第２配向膜１２６Ｂ、１４６Ｂの向かい合う領域の配向処理方向が互いに直交するように貼り合わせられている。
【００８６】
図８（ｃ）に示すように、画素の液晶層には４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤが形成される。液晶層１６０のうち、第１配向膜１２６Ｂの配向領域ＯＲ１と第２配向膜１４６Ｂの配向領域ＯＲ３とに挟まれる部分が液晶ドメインＡとなり、第１配向膜１２６Ｂの配向領域ＯＲ１と第２配向膜１４６Ｂの配向領域ＯＲ４とに挟まれる部分が液晶ドメインＢとなり、第１配向膜１２６Ｂの配向領域ＯＲ２と第２配向膜１４６Ｂの配向領域ＯＲ４とに挟まれる部分が液晶ドメインＣとなり、第１配向膜１２６Ｂの配向領域ＯＲ２と第２配向膜１４６Ｂの配向領域ＯＲ３とに挟まれる部分が液晶ドメインＤとなる。なお、配向処理方向ＰＤ１、ＰＤ２と配向処理方向ＰＤ３、ＰＤ４とのなす角度はほぼ９０°であり、各液晶ドメインにおけるねじれ角はほぼ９０°である。
【００８７】
液晶ドメインＡ〜Ｄの中央の液晶分子１６２の配向方向は、第１配向膜１２６Ｂによる液晶分子１６２のプレチルト方向と第２配向膜１４６Ｂによる液晶分子１６２のプレチルト方向との中間の方向となる。液晶ドメインの中央における液晶分子１６２の配向方向を示す基準配向方向のうち液晶分子１６２の長軸に沿って背面から前面に向かう方向の方位角成分（すなわち、基準配向方向を第１配向膜１２６Ｂまたは第２配向膜１４６Ｂの主面に投影した方位角成分）は基準配向方位とも呼ばれる。基準配向方位は、対応する液晶ドメインを特徴付けており、各液晶ドメインの視野角特性に支配的な影響を与える。ここで、表示画面（紙面）の水平方向（左右方向）を方位角方向の基準とし、左回りに正をとる（表示面を時計の文字盤に例えると３時方向を方位角０°として、反時計回りを正とする）と、４つの液晶ドメインＡ〜Ｄの基準配向方向は任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向となるように設定されている。具体的には、液晶ドメインＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの基準配向方位は、それぞれ、２２５°、３１５°、４５°、１３５°である。
【００８８】
以下、図９を参照して、液晶パネル１００Ｂの欠陥修正方法を説明する。
【００８９】
ＴＦＴ基板１２０を形成する。例えば、ＴＦＴ基板１２０の配向膜１２６Ｂは以下のように形成される。配向膜１２６Ｂの材料として感光性基を有する材料が用いられる。配向膜１２６Ｂの材料は、例えば、４−カルコン基、４’−カルコン基、クマリン基およびシンナモイル基からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基を有している。この材料をスピンキャスト法で塗布した後、約１８０℃で６０分間焼成することによって、配向膜１２６Ｂが形成される。その後、配向膜１２６Ｂに対して光配向処理を行う。例えば、配向膜１２６Ｂの主面側から、配向膜１２６Ｂの主面の法線方向に対して入射角４０度で波長３６５ｎｍのＰ偏光を３ｍＷ／ｃｍ2の強度で４００秒照射することで、光配向処理が行われる。
【００９０】
また、対向基板１４０を形成する。対向基板１４０の配向膜１４６Ｂには、配向膜１２６Ｂと同様に光配向処理が行われる。
【００９１】
その後、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１２０と対向基板１４０との間に液晶層（混合物）１６０が設けられた液晶パネル１００Ｂを形成する。液晶層１６０は液晶化合物だけでなく光重合性化合物を含有している。液晶パネル１００Ｂでは、電圧無印加状態において、第１配向膜１２６Ｂ近傍及び第２配向膜１４６Ｂ近傍の液晶分子１６２は、第１、第２配向膜１２６Ｂ、１４６Ｂの主面の法線方向に対して傾いている。例えば、プレチルト角は８８．５度である。
【００９２】
次に、図９（ｂ）に示すように、液晶パネル１００Ｂの欠陥検査を行う。全ての画素が同一の中間階調を表示するような入力信号を液晶パネル１００Ｂに入力して、液晶パネル１００Ｂにおいて他の画素とは異なる輝度を呈する画素を検出し、液晶パネル１００Ｂの正常領域および欠陥領域を特定する。その後、液晶パネル１００Ｂの正常領域に紫外光を照射することなく液晶パネル１００Ｂの欠陥領域に紫外光を照射して、欠陥修正を行う。この照射により、欠陥領域に配向維持層１３０、１５０が形成される。紫外光の照射は遮光領域および光透過領域を有するマスクＭを用いて行われる。なお、欠陥修正は、図４を参照して上述した欠陥検出修正装置３００を用いて行われてもよい。
【００９３】
なお、上述した液晶パネル１００Ｂでは、第１、第２配向膜１２６Ｂ、１４６Ｂに光配向処理が行われており、欠陥検査の前にＰＳＡ処理を行わなかったが、必要に応じて、欠陥検査の前にＰＳＡ処理をさらに行ってもよい。
【００９４】
また、液晶パネル１００Ｂでは、第１配向膜１２６Ｂ及び第２配向膜１４６Ｂのいずれにも光配向処理が行われたが、本発明はこれに限定されない。第１配向膜１２６Ｂ及び第２配向膜１４６Ｂの内の一方に光配向処理が行われ、他方に光配向処理が行われなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明によれば、液晶パネルの欠陥を簡便に修正することができる。また、本発明によれば、高い歩留まりで製造可能な液晶パネルを提供することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１００    液晶パネル
１２０    ＴＦＴ基板
１２２    絶縁基板
１２４    画素電極
１２６    配向膜
１３０    配向維持層
１４０    対向基板
１４２    絶縁基板
１４４    対向電極
１４４ａ  導電部
１４４ｂ  非導電部
１４６    配向膜
１５０    配向維持層
１６０    液晶層
１６２    液晶分子
【図１】
2010286817.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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