(57)【要約】【課題】液滴吐出法によってカラーフィルタ層を形成した後に、回路層と画素電極とを接触させるコンタクトホールを設ける工程を省略することができ、製造コストを削減することができる液晶装置を提供する。【解決手段】アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板１０）は、基板本体１０Ａと、基板本体１０Ａの上に設けられた回路層Ｓと、回路層Ｓの上に設けられたカラーフィルタ層１３と、カラーフィルタ層１３の上に画素の各々に対応して設けられた画素電極９と、を備え、画素９の各々は、回路層Ｓの上にカラーフィルタ層１３及び画素電極９が形成された第１領域Ｒ１と、回路層Ｓの上に画素電極９のみが形成された第２領域Ｒ２とを有し、回路層Ｓの上に第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２を区画する隔壁（島状隔壁４２）が設けられていることを特徴とする。【選択図】図５
2010145677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置されたアレイ基板と対向基板との間に液晶が挟持され、マトリクス状に配列された複数の画素を備えた液晶装置であって、
前記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体の上に設けられた回路層と、該回路層の上に設けられたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上に前記画素の各々に対応して設けられた画素電極と、を備え、
前記画素の各々は、前記回路層の上に前記カラーフィルタ層及び前記画素電極が形成された第１領域と、前記回路層の上に前記画素電極のみが形成された第２領域とを有し、
前記回路層の上に前記第１領域と前記第２領域を区画する隔壁が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記回路層は前記画素の各々に対応して設けられた薄膜トランジスタを備え、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極は前記第２領域において前記画素電極に接続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記隔壁は前記画素の境界に設けられた境界隔壁を有し、
前記ドレイン電極は、前記境界隔壁と平面視で重なるように設けられていることを特徴とする請求項２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記回路層は、前記第２領域を含む前記基板本体の上に形成された容量線と、該容量線の上に形成された絶縁層とを備え、
前記第２領域において、前記画素電極は前記容量線と前記絶縁層を介して対向し、前記容量線とともに保持容量を形成していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記保持容量が形成された前記第２領域は、前記容量線の延在方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
前記隔壁は前記容量線と重なるように前記容量線に沿って複数の画素に亘って設けられた線状隔壁を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記隔壁は、前記第２領域の周囲に島状に設けられた島状隔壁を有することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記隔壁の少なくとも一部は遮光材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
対向して配置されたアレイ基板と対向基板との間に液晶が挟持され、マトリクス状に配列された複数の画素を備えた液晶装置の製造方法であって、
前記アレイ基板を製造する工程は、
基板本体の上に回路層を形成する回路層形成工程と、
前記回路層の上に、カラーフィルタ層及び画素電極が形成される第１領域と、前記画素電極のみが形成される第２領域とを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁によって区画された前記第１領域に液滴吐出法により前記カラーフィルタ層の材料液を吐出して前記カラーフィルタ層を形成するカラーフィルタ層形成工程と、
前記画素の各々の前記第１領域及び前記第２領域に、前記画素電極を形成する画素電極形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記回路層形成工程は、前記画素の各々に薄膜トランジスタを形成し、前記第２領域に前記薄膜トランジスタのドレイン電極を形成する素子形成工程を有し、
前記画素電極形成工程において、前記第２領域に形成された前記ドレイン電極と前記画素電極とを電気的に接続させることを特徴とする請求項９記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記回路層形成工程は、前記第２領域を含む前記基板本体の上に容量線を形成する容量線形成工程と、前記容量線の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、
前記画素電極形成工程において、前記画素電極を前記第２領域の前記容量線に前記絶縁層を介して対向させて形成し、前記画素電極と前記容量線とにより保持容量を形成することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶装置と液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）等のスイッチング素子が設けられたＴＦＴアレイ基板上に、カラーフィルタを備えた液晶装置が知られている。このような液晶装置として、ＴＦＴアレイ基板上にスピンコーターによってカラーフィルタ層の材料液を塗布し、その後フォトリソグラフィ法によってカラーフィルタ層のパターンを形成する工程を、カラーフィルタ層の各色の着色層毎に繰り返すものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、カラーフィルタ層を構成する青色の着色層をフォトリソグラフィ法により形成した後、その青色の着色層の間に赤色の着色層と緑色の着色層をインクジェット法で形成したものが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５７８２８号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板上のカラーフィルタ層の下層に設けられた電極や配線等を含む回路層と、カラーフィルタ層の上層に設けられた電極や配線とを接触させるためには、例えばフォトリソグラフィ法によりカラーフィルタ層にコンタクトホールを設ける必要がある。特に、カラーフィルタ層の形成をインクジェット法によって行う場合には、カラーフィルタ層を形成した後にフォトリソグラフィ法によりコンタクトホールを設けると、製造工程が複雑になり製造コストが増加するという課題がある。
【０００４】
また、特許文献１に記載されている液晶装置は、画素の境界で隣接する着色層同士が重なり合う構成となる。そのため、カラーフィルタ層の表面の凹凸が大きくなり、液晶分子に配向不良が発生しやすい。また、容量線を有する垂直配向型や水平配向型の液晶装置には対応していない。
また、特許文献２に記載されている液晶装置は、各色の着色層を同一面積、同一寸法で形成することができない。そのため、液晶装置の設計が複雑になり製造コストが増加する。また、特許文献１と同様に容量線を有する垂直配向型や水平配向型の液晶装置には対応していない。
【０００５】
そこで、この発明は、液滴吐出法によってカラーフィルタ層を形成した後に、回路層と画素電極とを接触させるコンタクトホールを設ける工程を省略することができ、製造コストを削減することができる液晶装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置は、対向して配置されたアレイ基板と対向基板との間に液晶が挟持され、マトリクス状に配列された複数の画素を備えた液晶装置であって、前記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体の上に設けられた回路層と、該回路層の上に設けられたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上に前記画素の各々に対応して設けられた画素電極と、を備え、前記画素の各々は、前記回路層の上に前記カラーフィルタ層及び前記画素電極が形成された第１領域と、前記回路層の上に前記画素電極のみが形成された第２領域とを有し、前記回路層の上に前記第１領域と前記第２領域を区画する隔壁が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
このように構成することで、アレイ基板を製造する際には、まず基板本体の上に回路層を形成し、次いで回路層の上に隔壁を形成する。そして、隔壁によって区画された第１領域に、液滴吐出法によってカラーフィルタ層の材料液の液滴を吐出してカラーフィルタ層を形成する。このとき、隔壁によって第１領域に吐出されたカラーフィルタ層の材料液が第２領域に流入することを防止できる。そのため、カラーフィルタ層を第１領域のみに形成することができる。その後、第１領域と第２領域の双方に画素電極を形成する。これにより、第１領域のカラーフィルタ層の上に画素電極を形成するとともに、第２領域において回路層と画素電極とを接触させることができる。
したがって、本発明の液晶装置によれば、液滴吐出法によってカラーフィルタ層を形成した後に、回路層と画素電極とを接触させるコンタクトホールを設ける工程を省略することができる。これにより、液晶装置の製造工程を簡略化し、製造コストを削減することができる。
【０００８】
また、本発明の液晶装置は、前記回路層は前記画素の各々に対応して設けられた薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタのドレイン電極は前記第２領域において前記画素電極に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
このように構成することで、カラーフィルタ層の上に形成された画素電極をカラーフィルタ層の下に形成されたドレイン電極に接続することができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置は、前記隔壁は前記画素の境界に設けられた境界隔壁を有し、前記ドレイン電極は、前記境界隔壁と平面視で重なるように設けられていることを特徴とする。
【００１１】
このように構成することで、ドレイン電極を画素の境界に形成することができ、画素の開口率を増加させることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置は、前記回路層は、前記第２領域を含む前記基板本体の上に形成された容量線と、該容量線の上に形成された絶縁層とを備え、前記第２領域において、前記画素電極は前記容量線と前記絶縁層を介して対向し、前記容量線とともに保持容量を形成していることを特徴とする。
【００１３】
このように構成することで、カラーフィルタ層の上に形成された画素電極と、カラーフィルタ層の下に形成された容量線とを、絶縁層を介して対向させることができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置は、前記保持容量が形成された前記第２領域は、前記容量線の延在方向に延びるように形成されていることを特徴とする。
【００１５】
このように構成することで、画素電極と容量線とが絶縁層を介して対向する面積を増大させ、保持容量の容量を増加させることができる。
【００１６】
また、本発明の液晶装置は、前記隔壁は前記容量線と重なるように前記容量線に沿って複数の画素に亘って設けられた線状隔壁を有することを特徴とする。
【００１７】
このように構成することで、容量線上にカラーフィルタ層が形成されない第２領域を形成し、容量線と画素電極とを絶縁層を介して対向させることができる。
【００１８】
また、本発明の液晶装置は、前記隔壁は、前記第２領域の周囲に島状に設けられた島状隔壁を有することを特徴とする。
【００１９】
このように構成することで、第２領域にカラーフィルタ層が形成されず、画素電極と回路層とを容易に接触させることができる。
【００２０】
また、本発明の液晶装置は、前記隔壁の少なくとも一部は遮光材料により形成されていることを特徴とする。
【００２１】
このように構成することで、隔壁を遮光層として用いることができる。
【００２２】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、対向して配置されたアレイ基板と対向基板との間に液晶が挟持され、マトリクス状に配列された複数の画素を備えた液晶装置の製造方法であって、前記アレイ基板を製造する工程は、基板本体の上に回路層を形成する回路層形成工程と、前記回路層の上に、カラーフィルタ層及び画素電極が形成される第１領域と、前記画素電極のみが形成される第２領域とを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁によって区画された前記第１領域に液滴吐出法により前記カラーフィルタ層の材料液を吐出して前記カラーフィルタ層を形成するカラーフィルタ層形成工程と、前記画素の各々の前記第１領域及び前記第２領域に、前記画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
このように製造することで、アレイ基板を製造する際には、まず基板本体の上に回路層が形成される。次いで、回路層の上に隔壁が形成される。そして、隔壁によって区画された第１領域に、液滴吐出法によってカラーフィルタ層の材料液の液滴が吐出されてカラーフィルタ層が形成される。このとき、隔壁によって第１領域に吐出されたカラーフィルタ層の材料液が第２領域に流入することが防止される。そのため、カラーフィルタ層を第１領域のみに形成することができる。その後、第１領域と第２領域の双方に画素電極が形成される。これにより、第１領域のカラーフィルタ層の上に画素電極が形成されるともに、第２領域において回路層と画素電極とを接触させることができる。
したがって、本発明の液晶装置の製造方法によれば、液滴吐出法によってカラーフィルタ層を形成した後に、回路層と画素電極とを接触させるコンタクトホールを設ける工程を省略することができる。これにより、液晶装置の製造工程を簡略化し、製造コストを削減することができる。
【００２４】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記回路層形成工程は、前記画素の各々に薄膜トランジスタを形成し、前記第２領域に前記薄膜トランジスタのドレイン電極を形成する素子形成工程を有し、前記画素電極形成工程において、前記第２領域に形成された前記ドレイン電極と前記画素電極とを電気的に接続させることを特徴とする。
【００２５】
このように製造することで、カラーフィルタ層形成工程の後、カラーフィルタ層にコンタクトホールを形成することなく画素電極とドレイン電極とを接触させ、電気的に接続することができる。
【００２６】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記回路層形成工程は、前記第２領域を含む前記基板本体の上に容量線を形成する容量線形成工程と、前記容量線の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、前記画素電極形成工程において、前記画素電極を前記第２領域の前記容量線に前記絶縁層を介して対向させて形成し、前記画素電極と前記容量線とにより保持容量を形成することを特徴とする。
【００２７】
このように製造することで、カラーフィルタ層形成工程の後、カラーフィルタ層にコンタクトホールを形成することなく画素電極と容量線とを絶縁層を介して対向させ、保持容量を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図２は液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２９】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、シール材５２によって区画された領域内には液晶５０が封入されている。シール材５２には、製造時においてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶５０を注入するための液晶注入口５５が形成されている。液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。対向基板２０の内面側には対向電極２４及び配向膜２３が形成され、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側には画素電極９が形成されている。
【００３０】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り（図示略）が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成され、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域Ｖの両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部材２０６が配設されている。
【００３１】
なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここではこれらの図示を省略する。液晶５０の種類としては、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡＮ（Vertical Alignment Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモード等がある。
また、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素毎に例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を有するカラーフィルタ層が形成されているが、ここでは図示を省略する。
【００３２】
このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域Ｖにおいては、図２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用の半導体素子、ここではＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０が形成されている。ＴＦＴ３０のソースには、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａが電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００３３】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、各画素の画素電極９に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１（ｂ）に示す対向基板２０の対向電極２４との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２４との間に形成される液晶容量と並列に保持容量６０が付加されている。保持容量６０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３４】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板１０の画素の走査線３ａの近傍を拡大した平面図である。ここで、図３（ａ）では、カラーフィルタ層１３、配向膜１４及び画素電極９を省略して表している。また、図３（ｂ）では、さらに境界隔壁４１及び島状隔壁４２を省略して表している。
図４は図３（ａ）及び図３（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図であり、図５は図３（ａ）及び図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う矢視断面図である。
【００３５】
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板１０の画素の容量線３ｂの近傍を拡大した平面図である。ここで、図６（ａ）では、カラーフィルタ層１３、配向膜１４及び画素電極９を省略して表している。また、図３（ｂ）では、さらに境界隔壁４１及び島状隔壁４３を省略して表している。
図７は図６（ａ）及び図６（ｂ）のＣ−Ｃ’線に沿う矢視断面図である。
【００３６】
図４、図５、及び図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラス等の透明な材料により形成された基板本体１０Ａを備えている。基板本体１０Ａの上には、回路層Ｓが形成されている。
回路層Ｓは、図３に示す走査線３ａ、データ線６ａ、及び図６に示す容量線３ｂ等の配線や、図３及び図４に示すＴＦＴ３０、絶縁層１２等により形成されている。
【００３７】
走査線３ａ、データ線６ａ、及び容量線３ｂは、例えばＡｌ／Ｍｏの積層構造やＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮの積層構造等、複数の金属膜を積層させることにより形成されている。
ＴＦＴ３０は、図３及び図４に示すように、データ線６ａの一部と、ゲート絶縁膜１１と、チャネル層３１と、ｎ型半導体層３２と、ドレイン電極３３と、ソース電極３４とにより構成されている。
【００３８】
ゲート絶縁膜１１は、例えばＳｉＮＸ等の透明な絶縁材料により形成され、画像表示領域Ｖの略全面に形成されている。
チャネル層３１は、ゲート絶縁膜１１の上に例えばアモルファスシリコン等により形成され、図３（ｂ）に示すようにデータ線６ａの一部と平面視で重なるように略矩形の島状の形状に形成されている。データ線６のチャネル層３１に対向する部分がゲート電極として機能するようになっている。
【００３９】
ｎ型半導体層３２は、例えばシリコンにリンやヒ素等を添加することにより形成され、図３（ｂ）に示すように、ドレイン電極３３及びソース電極３４の下にドレイン電極３３及びソース電極３４と略同一の形状に形成されている。
【００４０】
ドレイン電極３３及びソース電極３４は、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層構造やＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮの積層構造等、複数の金属膜を積層させることにより形成されている。図３に示すように、ドレイン電極３３の一方の端部は画素の透過領域に引き出され、末端に略矩形の端子部３３ａが設けられている。ドレイン電極３３の他方の端部はチャネル層３１と平面視で重なるように形成され、略Ｕ字型に分岐した末端の間にソース電極３４を挟むように形成されている。
【００４１】
ソース電極３４は、データ線６ａから略垂直に分岐するように形成されている。
絶縁層１２は、例えばＳｉＮＸ等の透明な絶縁材料により形成され、ＴＦＴ３０を覆い画像表示領域Ｖの略全面に形成されている。
【００４２】
回路層Ｓの上には、図３及び図６に示すように、各々の画素を区画するように境界隔壁４１が形成されている。境界隔壁４１は、画素の境界に略格子状に形成されている。境界隔壁４１は例えば遮光性を有する樹脂材料等により形成され、各々の画素を区画する遮光層であるブラックマトリクスとしての機能を有している。
【００４３】
図３に示すように、ドレイン電極３３の端子部３３ａの上には、略矩形の島状の形状に形成された第１の島状隔壁４２が設けられている。第１の島状隔壁４２の中央部には平面視で略円形の開口部４２ａが設けられている。図５に示すように、開口部４２ａの形成領域では絶縁層１２が開口され、開口部４２ａの底部に端子部３３ａが露出している。島状隔壁４２は透光性を有する材料により形成してもよいが、境界隔壁４１と同様に遮光性を有する材料により形成することが望ましい。
【００４４】
図６に示すように、容量線３ｂの上には平面視で略楕円環状の島状の形状に形成された第２の島状隔壁４３が設けられている。第２の島状隔壁４３には第１の島状隔壁４２と同様の開口部４３ａが形成されている。図７に示すように、開口部４３ａの底部には絶縁層１２が露出されている。島状隔壁４３は透光性を有する材料により形成してもよいが、境界隔壁４１と同様に遮光性を有する材料により形成することが望ましい。
【００４５】
回路層Ｓの上の境界隔壁４１によって区画された各画素の第１領域Ｒ１には、カラーフィルタ層１３を構成する赤色着色層１３Ｒ、緑色着色層１３Ｇ、及び青色着色層１３Ｂがそれぞれ形成されている。一方、回路層Ｓの上の島状隔壁４２，４３によって区画された各画素の第２領域Ｒ２には、カラーフィルタ層１３が形成されていない。
カラーフィルタ層１３の上には、各々の画素に対応して画素電極９が形成されている。画素電極９は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料により形成されている。
【００４６】
図５に示すように、画素電極９は、第１領域Ｒ１に形成されたカラーフィルタ層１３の上に形成されるとともに、島状隔壁４２の開口部４２ａの内側の第２領域Ｒ２まで連続的に形成されている。画素電極９は、島状隔壁４２の開口部４２ａの底部に露出されたドレイン電極３３の端子部３３ａに接触することで、第２領域Ｒ２においてドレイン電極３３と電気的に接続されている。
【００４７】
図６に示すように、容量線３ｂは各々の画素の略中央を横断するように複数の画素に亘って形成されている。すなわち、容量線３ｂは、図７に示す島状隔壁４３の開口部４３ａの内側の第２領域Ｒ２だけでなく、境界隔壁４１によって区画された第１領域Ｒ１にも形成されている。容量線３ｂの上には、図７に示すようにゲート絶縁膜１１及び絶縁層１２を介して第２の島状隔壁４３が形成されている。
【００４８】
第２の島状隔壁４３の開口部４３ａは、図６に示すように容量線３ｂの延在方向に延びるように形成されている。これにより、島状隔壁４３の開口部４３ａの内側の第２領域Ｒ２が容量線３ｂの延在方向に延びる形状となっている。
また、開口部４３ａの内側の第２領域Ｒ２に画素電極９が形成され、ゲート絶縁膜１１及び絶縁層１２を介して画素電極９と容量線３ｂとが対向している。これら画素電極９、ゲート絶縁膜１１、絶縁層１２及び容量線３ｂにより、保持容量６０が形成されている。
【００４９】
このように、画素の各々は、回路層Ｓの上に第１領域Ｒ１を区画する境界隔壁４１と第２領域Ｒ２を区画する島状隔壁４２，４３を備えている。そして、回路層Ｓの上にカラーフィルタ層１３及び画素電極９が形成された第１領域Ｒ１と、回路層Ｓの上に画素電極９のみが形成された第２領域とが設けられている。
また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２には、画素電極９を覆うように、液晶装置１００の画像表示領域Ｖの略全面に亘って配向膜１４が形成されている。
【００５０】
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について説明しながら、液晶装置１００の作用について説明する。
以下では、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程を中心に説明し、その他の工程については説明を省略する。ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程以外の工程については、従来の液晶装置と同様の製造方法を用いることができる。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０を製造する際には、まず基板本体１０Ａの上に回路層Ｓを形成する（回路層形成工程）。
回路層Ｓを形成するには、まず基板本体１０Ａの上に、例えばスパッタリング法や化学気相成長法等により、Ａｌ／ＭｏやＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ等、複数の金属膜を積層させる。次いで、形成した金属層をフォトリソグラフィ法、エッチング法等によりパターニングして走査線３ａ、データ線６ａ、及び容量線３ｂ等の配線を形成する（容量線形成工程）。ここで、容量線３ｂは、後の工程で形成される第２領域Ｒ２を通過するように形成する。次いで、形成した配線を覆うように、例えばスパッタリング法や化学気相成長法等によりゲート絶縁膜１１を形成する。
【００５２】
次いで、ゲート絶縁膜１１の上に、ＴＦＴ３０を形成する（素子形成工程）。
まず、ゲート絶縁膜１１の上にチャネル層３１、ｎ型半導体層３２の材料を積層させ、さらにドレイン電極３３及びソース電極３４を構成する金属膜を積層させる。次いで、チャネル層３１をアモルファス化させ、ｎ型半導体層３２の所定の領域に不純物を添加する。次いで、フォトリソグラフィ法、エッチング法等によりこれらをパターニングし、チャネル層３１、ｎ型半導体層３２、ドレイン電極３３及びソース電極３４を形成する。ここで、ドレイン電極の端子部３３ａは、後の工程で形成される第２領域Ｒ２に対応して形成する。以上により、ゲート絶縁膜１１の上に、ＴＦＴ３０が形成される。
【００５３】
次いで、ＴＦＴ３０及び容量線３ｂを覆うように、例えばスパッタリング法や化学気相成長法等により絶縁層１２を形成する（絶縁層形成工程）。
以上の工程により、基板本体１０Ａの上に回路層Ｓが形成される。
【００５４】
次に、回路層Ｓの上に境界隔壁４１及び島状隔壁４２，４３を形成する（隔壁形成工程）。
まず、回路層Ｓの上に、例えばインクジェット法（液滴吐出法）により境界隔壁４１及び島状隔壁４２，４３の材料液を吐出して硬化させ、隔壁材料層を形成する。次いで、形成した隔壁材料層を、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング法等によりパターニングして、境界隔壁４１及び島状隔壁４２，４３を形成する。このとき、ドレイン電極３３の端子部３３ａの上に形成された島状隔壁４２の開口部４２ａの底部の絶縁層１２を開口させ、開口部４２ａの底部に端子部３３ａを露出させておく。
以上により、回路層Ｓの上に、カラーフィルタ層１３及び画素電極９が形成される第１領域Ｒ１と、画素電極９のみが形成される第２領域Ｒ２とを区画する境界隔壁４１及び島状隔壁４２，４３が形成される。
【００５５】
次に、カラーフィルタ層１３をインクジェット法により形成する（カラーフィルタ層形成工程）。
カラーフィルタ層１３を形成する際には、境界隔壁４１及び島状隔壁４２によって区画された第１領域Ｒ１にインクジェット法によりカラーフィルタ層１３を構成する赤色着色層１３Ｒ、緑色着色層１３Ｇ、青色着色層１３Ｂの材料液を吐出して硬化させる。これにより、回路層Ｓの上の第１領域Ｒ１に赤色着色層１３Ｒ、緑色着色層１３Ｇ、青色着色層１３Ｂを備えたカラーフィルタ層１３が形成される。
【００５６】
次に、カラーフィルタ層１３の上に画素電極９を形成する（画素電極形成工程）。
まず、液晶装置１００の画像表示領域Ｖの略全面に、例えばスパッタリング法や化学気相成長法等により、透明導電材料層を形成する。このとき、透明導電材料層は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の双方に連続的に形成される。ここで、島状隔壁４２の開口部４２ａの内側では、底部に露出されたドレイン電極３３の端子部３３ａの上に透明導電材料層が形成される。また、島状隔壁４３の開口部４３ａの内側では、底部に露出された絶縁層１２の上に透明導電材料層が形成される。次いで、透明導電材料層を例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法等によりパターニングして画素電極９を形成する。
【００５７】
そして、画素電極９を覆うように、液晶装置１００の画像表示領域Ｖの略全面に配向膜１４を形成する。以上の工程により、ＴＦＴアレイ基板１０が形成される。
【００５８】
このように製造することで、境界隔壁４１によって区画された各々の画素の第１領域Ｒ１に吐出されたカラーフィルタ層１３の材料液が第２領域Ｒ２に流入することを、島状隔壁４２，４３により防止できる。そのため、カラーフィルタ層１３を第１領域Ｒ１のみに形成することができる。
【００５９】
そして、カラーフィルタ層１３を形成した後、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の双方に画素電極９を形成することで、カラーフィルタ層１３の上に画素電極９を形成することができる。同時に、島状隔壁４２の開口部４２ａの内側の第２領域Ｒ２においてドレイン電極３３の端子部３３ａと画素電極９とを接触させ、画素電極９とドレイン電極３３とを電気的に接続することができる。
【００６０】
さらに、島状隔壁４３の開口部４３ａの内側の第２領域Ｒ２において、画素電極９と容量線３ｂとをゲート絶縁膜１１及び絶縁層１２を介して対向させ、保持容量６０を形成することができる。
また、島状隔壁４３の開口部４３ａは、容量線３ｂの延在方向に延びるように形成されているので、画素電極９と容量線３ｂとがゲート絶縁膜１１及び絶縁層１２を介して対向する面積を増大させ、保持容量６０の容量を増加させることができる。
また、境界隔壁４１が遮光性を有する遮光材料により形成されているので、境界隔壁４１をブラックマトリクス等の遮光層として用いることができる。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００及びその製造方法によれば、インクジェット法によってカラーフィルタ層１３を形成した後に、回路層Ｓと画素電極９とを接触させるコンタクトホールを設ける工程を省略することができる。これにより、液晶装置１００の製造工程を従来よりも簡略化し、製造コストを削減することができる。
【００６２】
次に、上述の実施形態の液晶装置１００の第１の変形例について、図１及び図２、図４〜図７を援用し、図８を用いて説明する。
本変形例の液晶装置１０１では、ドレイン電極３３が走査線３ａと平面視で重なるように画素の境界に設けられている点で上述の実施形態の液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の実施形態と同様であるので、同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
【００６３】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、上述の実施形態で説明した図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する本変形例の液晶装置１０１の拡大平面図である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ドレイン電極３３の一方の端部は、走査線３ａの延在方向に沿って延びるように形成されている。また、ドレイン電極３３は、端子部３３ａを含む全体が平面視で走査線３ａ及び境界隔壁４１と重なるように画素の境界に形成されている。
【００６４】
境界隔壁４１には、ドレイン電極３３の端子部３３ａと平面視で重なる開口部４１ａが形成されている。開口部４１ａの内側は、図５に示す島状隔壁４２の開口部４２ａと同様に第２領域Ｒ２となっている。そして、開口部４１ａの底部には端子部３３ａが露出され、画素電極９とドレイン電極３３とが電気的に接続されている。
【００６５】
本変形例の液晶装置１０１によれば、上述の実施形態の液晶装置１００と同様の効果が得られるだけでなく、ドレイン電極３３を画素の境界に形成することができ、画素の開口率を増加させることができる。
【００６６】
次に、上述の実施形態の液晶装置１００の第２の変形例について、図１及び図２、図４〜図７を援用し、図９を用いて説明する。
本変形例の液晶装置１０２では、走査線３ａのドレイン電極３３と平面視で重なる部分に切り欠き部Ｎ１が設けられている点で上述の第１の変形例の液晶装置１０１と異なっている。その他の点は上述の第１の変形例と同様であるので、同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
【００６７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、上述の実施形態で説明した図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する本変形例の液晶装置１０２の拡大平面図である。
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、走査線３ａには切り欠き部Ｎ１が形成され、走査線３ａとドレイン電極３３とが平面視で重なる領域が最小限にされている。
【００６８】
本変形例の液晶装置１０２によれば、上述の実施形態の液晶装置１００及び第１の変形例の液晶装置１０１と同様の効果が得られるだけでなく、走査線３ａがドレイン電極３３に及ぼす影響を最小限に留めることができる。
【００６９】
次に、上述の実施形態の液晶装置１００の第３の変形例について、図１及び図２、図４〜図７を援用し、図１０を用いて説明する。
本変形例の液晶装置１０３では、ドレイン電極３３が走査線３ａと重ならないように画素の透過領域に形成され、走査線３ａに切り欠き部Ｎ２が設けられて端子部３３ａと走査線３ａとが重ならないように設けられている点で上述の第２の変形例の液晶装置１０２と異なっている。その他の点は上述の第２の変形例と同様であるので、同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
【００７０】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、上述の実施形態で説明した図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する本変形例の液晶装置１０３の拡大平面図である。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、ドレイン電極３３は、走査線３ａと平面視で重ならないように画素の透過領域に引き出され、さらに走査線３ａ側に屈曲されて、端子部３３ａが形成されている。端子部３３ａは、境界隔壁４１と重なるように画素の境界に設けられている。走査線３ａには、端子部３３ａとの重なりを回避する切り欠き部Ｎ２が形成されている。
【００７１】
本変形例の液晶装置１０３によれば、上述の実施形態の液晶装置１００及び第２の変形例の液晶装置１０１と同様の効果が得られるだけでなく、走査線３ａの切り欠き部Ｎ２を第２の変形例の切り欠き部Ｎ１よりも小さくすることができる。
【００７２】
次に、上述の実施形態の液晶装置１００の第４の変形例について、図１〜図５及び図７を援用し、図１１を用いて説明する。
本変形例の液晶装置１０４では、容量線３ｂと重なるように容量線３ｂに沿って複数の画素に亘って設けられた線状隔壁４４が設けられている点で上述の実施形態の液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の実施形態と同様であるので、同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
【００７３】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、上述の実施形態で説明した図６（ａ）及び図６（ｂ）に相当する本変形例の液晶装置１０３の拡大平面図である。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、容量線３ｂの延在方向に沿って、平面視で容量線３ｂと重なるように線状隔壁４４が形成されている。
【００７４】
線状隔壁４４には、容量線３ｂの延在方向に沿って延びる略楕円形の開口部４４ａが形成されている。開口部４４ａは、図７に示す液晶装置１００の開口部４３ａと同様に、開口部４４ａの内側が第２領域Ｒ２となっている。開口部４４ａの底部には、液晶装置１００の開口部４３ａと同様に絶縁層１２が露出され、画素電極９と容量線３ｂとがゲート絶縁膜１１及び絶縁層１２を介して対向し、保持容量６０が形成されている。
【００７５】
本変形例の液晶装置１０４によれば、線状隔壁４４を設けることで上述の実施形態の液晶装置１００と同様の効果が得られるだけでなく、島状隔壁４３のパターンよりもパターンを簡略化して製造工程を簡略化することができる。
【００７６】
尚、この発明は上述した実施形態や変形例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。島状隔壁や線状隔壁は光透過性を有する材料により形成してもよい。また、対向基板にブラックマトリクスを設ける場合は、境界隔壁の材料は、遮光材料でなくてもよい。また、スイッチング素子はＴＦＴに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の拡大平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ’線に沿う矢視断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の拡大平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ’線に沿う矢視断面図である。
【図８】本発明の実施形態の第１の変形例に係る図３に相当する拡大平面図である。
【図９】本発明の実施形態の第２の変形例に係る図３に相当する拡大平面図である。
【図１０】本発明の実施形態の第３の変形例に係る図３に相当する拡大平面図である。
【図１１】本発明の実施形態の第４の変形例に係る図６に相当する拡大平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
３ｂ  容量線、９  画素電極、１０  ＴＦＴアレイ基板（アレイ基板）、１０Ａ  基板本体、１２  絶縁層、１３  カラーフィルタ層、２０  対向基板、３０  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３３  ドレイン電極、３３ａ  端子部（ドレイン電極）、４１  境界隔壁（隔壁）、４２  島状隔壁（隔壁）、４３  島状隔壁（隔壁）、４４  線状隔壁（隔壁）、５０  液晶、６０  保持容量、１００，１０１，１０２，１０３，１０４  液晶装置、Ｒ１  第１領域、Ｒ２  第２領域、Ｓ  回路層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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