(57)【要約】      （修正有）【課題】正確に所望の値のギャップを有し、駆動領域の駆動時に基板に駆動力が加わっても、ギャップの変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造を提供する。【解決手段】駆動領域２１を有する駆動基板２０と、電極パッド３１を有し駆動基板が積層する電極基板３０と、駆動領域と電極パッドとの間の距離を所望に保持するための高さを有する距離調整部６０と、駆動基板と電極基板との間に形成される干渉回避部７０とを具備する。距離調整部６０は、バンプ６０ｃと、バンプに成膜され、接合面を有する接合膜６０ａとを有している。全ての接合膜の接合面を合計した面積は接合面が接合する駆動基板と電極基板とのいずれかの投影面積よりも小さく、少なくとも１つのバンプは駆動領域の外周縁の近傍に配設され且つ接合面が電極パッドに非干渉となるように、または電極パッドの外周縁の近傍に配設され且つ接合面が駆動領域に非干渉となるように配設される。【選択図】図２
2010228029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動領域と、前記駆動領域を保持するフレームとを有する駆動基板と、
前記駆動領域を駆動させる駆動電圧を印加可能な電極パッドを前記駆動領域に対向するように有し、前記駆動基板が積層する電極基板と、
前記駆動基板と前記電極基板との間に介在し、前記駆動領域と前記電極パッドとの間の距離を所望に保持するための高さを有する距離調整部と、
前記駆動領域が駆動する際に、前記距離調整部が前記駆動領域に干渉しないように、前記駆動基板と前記電極基板との間に形成される干渉回避部と、
を具備し、
前記距離調整部は、
前記駆動基板と前記電極基板との少なくとも一方にて複数に分散して配設されるバンプと、
前記バンプにそれぞれ成膜され、前記駆動基板と前記電極基板との他方と接合する接合面を有し、前記距離調整部の表面の膜である接合膜と、
を有し、
全ての前記接合膜の前記接合面を合計した面積は、前記接合面が接合する前記駆動基板と前記電極基板との他方の投影面積よりも小さく、
少なくとも１つの前記バンプは、前記駆動領域の外周縁の近傍に配設され且つ前記接合面が前記電極パッドに非干渉となるように、または前記電極パッドの外周縁の近傍に配設され且つ前記接合面が前記駆動領域に非干渉となるように、配設されていることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項２】
前記バンプは、前記距離を所望に保持するための高さを有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項３】
前記バンプは、前記駆動領域の中心点を基準として平面方向に回転対称、または所望の中心線を基準にして平面方向に線対称に配設されることを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項４】
前記距離調整部は、前記バンプと共に前記距離を所望に保持するための厚みを有するスペーサ部材をさらに有し、
前記バンプは、前記駆動基板と前記電極基板と前記スペーサ部材との少なくとも１つに配設されることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項５】
前記バンプは、前記駆動基板と前記電極基板との積層方向の周方向において、前記駆動領域の中心点を中心に、互いに所望な等角離れて配設されていることを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項６】
前記バンプは、前記駆動領域の平面方向において、前記駆動領域に近いほど互いの間隔が密となり、前記駆動領域から離れるほど互いの間隔が疎となるように配設されていることを特徴とする請求項５に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項７】
前記バンプは、前記駆動領域に近いほど前記駆動基板と前記電極基板との積層方向の周方向における互いの間隔が密となり、前記駆動領域から離れるほど前記駆動基板と前記電極基板との積層方向の周方向における互いの間隔が疎となることを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項８】
前記距離調整部は、所望する幅を有し、前記フレームを保持し、前記フレームと接合し、前記駆動領域の外径と略同一の内径とを有する中空のリング形状の枠をさらに有し、
前記バンプは、前記接合枠の外周縁と前記フレームの外周縁との間と、前記接合枠の外周縁と前記電極パッドの外周縁との間との少なくとも一方に配設され、前記接合枠と同じ高さを有して複数配設されていることを特徴とする請求項７に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項９】
前記バンプと前記接合枠とは、前記駆動基板、前記電極基板、または前記スペーサ部材の表面を除去する加工によって作製され、作製された前記駆動基板、前記電極基板、または前記スペーサ部材と一体であることを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項１０】
前記バンプと前記スペーサ部材と前記接合枠とは、Ｓｉ基板またはホウ珪酸ガラスであり、
前記接合膜は、金であることを特徴とする請求項９に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【請求項１１】
前記駆動基板と前記電極基板と前記スペーサ部材とは、前記接合面と接合する駆動基板側接合膜、電極基板側接合膜、スペーサ部材側接合膜をそれぞれ有し、
前記駆動基板側接合膜と前記電極基板側接合膜と前記スペーサ部材側接合膜とは、金であることを特徴とする請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイスの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的な機能を有し駆動可能な駆動領域が設けられた駆動基板と、電極基板とを、例えば表面活性化接合といった固相拡散接合を用いて接合する際に、駆動基板と電極基板との間隔を所望に保持するＭＥＭＳデバイスの実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信装置や顕微鏡などの光学製品に搭載されるチップもしくは基板に、例えばレンズやミラー等の光学的機能を付加することにより、使用する部品点数の削減や製品の小型化、もしくは高機能化を目論んだ開発が盛んに行われている。これらＭｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ（以下、ＭＥＭＳ）デバイスが電子機器に実装（接合）される際に用いられる接合技術には、例えば表面活性化接合（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、以下ＳＡＢ）がある。
【０００３】
ＳＡＢは、例えば被着体の接合面に付着した表面酸化物や有機物といった接合阻害物をプラズマ洗浄によって除去し、接合面を活性化させた後に接合面同士を密着させることで、原子間力結合による固相拡散接合によって被着体を接合する。
【０００４】
例えば特許文献１には、ＳＡＢを用いて被着体を接合する技術が開示されている。  
特許文献１において、ウエハ２０８ａ，２０８ｂは、ビーム照射装置２１１ａ，２１１ｂによって不活性ガスイオンビームもしくは不活性ガス高速原子ビームを照射される。これによりウエハ２０８ａ，２０８ｂの接合面に付着している接合阻害物が除去される。接合阻害物とは、表面酸化膜や有機物や水分などである。
【０００５】
その後、ウエハ２０８ａ，２０８ｂは、内部圧力が略０．１３３Ｐａ以上の真空度に保たれた真空チャンバ２０２内において互いに当接し、ウエハ２０８ａ，２０８ｂのＳｉ原子間力結合により強固に接合する。
【０００６】
またウエハ２０８ａ，２０８ｂは荷重による押し付けや加熱処理を必要としないために、接合時の損傷が減少する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第２７９１４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般的に、例えばロウ材や接着剤のように液相の接合材を被着体の接合部に充填した後に硬化させる技術とは異なり、ＳＡＢを可能にするためには、接合面同士が互いに原子間力結合可能な状態にまで接近（密着）する必要がある。接合面の接合面積が広いと、接合面同士の密着が難しくなるため、ＳＡＢも困難になる。
【０００９】
上述した特許文献１に開示される接合方法のように、ウエハ２０８ａ，２０８ｂの全面が接合する場合、結果的に意図しない接合できない領域（以下、非接合部）が発生してしまう可能性が高くなる。この非接合部は、ウエハ２０８ａとウエハ２０８ｂとの間に存在する意図しない隙間であり、ウエハ２０８ａとウエハ２０８ｂとの距離（間隔）を正確に所望の値となるように保持することが困難となる要因となる。
【００１０】
そのため、静電駆動方式の場合、デバイスの駆動力に２乗で影響を与える駆動領域と、駆動領域を駆動するための駆動電圧を印加する電極との間の距離（以下、ギャップ）は所望の値となるように制御できない。よって所望の特性で駆動するデバイスに不具合が発生する可能性が生じる。
【００１１】
また隙間は、デバイスを駆動する際に発生する外力がウエハを変形させる要因になりえる。しかし、非接合部は、意図しない不規則な部位に発生すると考えられる。そのため例えば非接合部が駆動領域の近傍に発生した場合、駆動力が基板を変形させようとするモーメントが大きくなるため、デバイス駆動時の基板の変形量も大きくなってしまう。
【００１２】
また非接合部の発生部位が駆動領域（ミラー）に近ければ近いほど、ギャップに対する影響は大きくなる。そのため不用意に意図しない非接合部が発生するＭＥＭＳデバイスの実装構造は、駆動時のＭＥＭＳデバイスの駆動特性に悪影響を与えてしまう。
【００１３】
本発明は、これらの事情に鑑みてなされたものであり、実装時に正確に所望の値のギャップを有し、駆動領域の駆動時に基板に駆動力が加わっても、ギャップの変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は目的を達成するために、駆動領域と、前記駆動領域を保持するフレームとを有する駆動基板と、前記駆動領域を駆動させる駆動電圧を印加可能な電極パッドを前記駆動領域に対向するように有し、前記駆動基板が積層する電極基板と、前記駆動基板と前記電極基板との間に介在し、前記駆動領域と前記電極パッドとの間の距離を所望に保持するための高さを有する距離調整部と、前記駆動領域が駆動する際に、前記距離調整部が前記駆動領域に干渉しないように、前記駆動基板と前記電極基板との間に形成される干渉回避部と、を具備し、前記距離調整部は、前記駆動基板と前記電極基板との少なくとも一方にて複数に分散して配設されるバンプと、前記バンプにそれぞれ成膜され、前記駆動基板と前記電極基板との他方と接合する接合面を有し、前記距離調整部の表面の膜である接合膜と、を有し、全ての前記接合膜の前記接合面を合計した面積は、前記接合面が接合する前記駆動基板と前記電極基板との他方の投影面積よりも小さく、少なくとも１つの前記バンプは、前記駆動領域の外周縁の近傍に配設され且つ前記接合面が前記電極パッドに非干渉となるように、または前記電極パッドの外周縁の近傍に配設され且つ前記接合面が前記駆動領域に非干渉となるように配設されていることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの実装構造を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、実装時に正確に所望の値のギャップを有し、駆動領域の駆動時に基板に駆動力が加わっても、ギャップの変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態のＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合後の断面図である。
【図３】図３は、図２に示す距離調整部近傍の拡大断面図である。
【図４】図４は、ＭＥＭＳデバイスの実装構造における接合面を合計した面積とフレームの投影面積との関係を示す平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、距離調整部の変形例である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、駆動基板に配設されている距離調整部を備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ｂに示す距離調整部近傍の拡大断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ｂに示す距離調整部の変形例である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、駆動基板と電極基板とに配設されている距離調整部を備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態のＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図６のＢ−Ｂ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合後の断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示すスペーサ部材の表面側の距離調整部近傍の拡大断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ａに示すスペーサ部材の裏面側の距離調整部近傍の拡大断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、図７Ａに示すスペーサ部材の表面側の距離調整部の変形例である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図７Ａに示すスペーサ部材の裏面側の距離調整部の変形例である。
【図９Ａ】図９Ａは、スペーサ部材の表面に配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、駆動基板の裏面とスペーサ部材の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、スペーサ部材の表面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、駆動基板の裏面とスペーサ部材の表面とスペーサ部材の裏面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、スペーサ部材の表面とスペーサ部材の裏面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、駆動基板の裏面とスペーサ部材の表面とスペーサ部材の裏面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、スペーサ部材の裏面に配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｈ】図９Ｈは、駆動基板の裏面とスペーサ部材の裏面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｉ】図９Ｉは、スペーサ部材の裏面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｊ】図９Ｊは、駆動基板の裏面とスペーサ部材の裏面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｋ】図９Ｋは、駆動基板の裏面に配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｌ】図９Ｌは、駆動基板の裏面と電極基板の表面とに配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図９Ｍ】図９Ｍは、電極基板の表面に配設されているバンプを備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の第２の実施形態のＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０ＡのＣ−Ｃ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合後の断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本発明の第３の実施形態のＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１ＡのＤ−Ｄ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合後の断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、ＭＥＭＳデバイスの実装構造の変形例を示す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本発明の第４の実施形態のＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２ＡのＥ−Ｅ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合後の断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、接合凸部を有するＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３ＡのＦ−Ｆ線におけるＭＥＭＳデバイスの実装構造の分解図であり、ＭＥＭＳデバイスの実装構造の接合前の断面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、図１３Ｂに示す接合凸部近傍の接合前の拡大断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、駆動基板に配設されている接合凸部を備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示す接合凸部近傍の拡大断面図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、駆動基板と電極基板とに配設されている接合凸部を備えるＭＥＭＳデバイスの実装構造の平面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、接合凸部がスペーサ部材と一体となって配設されているＭＥＭＳデバイスの実装構造の分解図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示す接合凸部近傍の拡大断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、接合凸部がスペーサ部材と別体となって配設されているＭＥＭＳデバイスの実装構造の分解図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、接合膜と下地部材とのみを有している接合凸部の拡大断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、駆動基板に配設される図１６Ｂに示す接合凸部の拡大断面図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、電極基板に配設される図１６Ｂに示す接合凸部の拡大断面図である。
【図１７】図１７は、接合膜とバンプとの間に下地部材が配設されている距離調整部の拡大断面図である。
【図１８】図１８は、従来の実装構造の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。  
図１乃至図４と図５Ａ乃至図５Ｅとを参照して第１の実施形態について説明する。なおなお図５Ｂと図５Ｅとでは距離調整部６０の図示を簡略化し、距離調整部６０の詳細については例えば図３と図５Ａと図５Ｃと図５Ｄとに示している。
【００１８】
図１と図２とに示すようＭＥＭＳデバイスの実装構造１は、駆動基板２０と、駆動基板２０が積層する電極基板３０と、駆動基板２０と電極基板３０との間に介在し、駆動基板２０の後述する駆動領域２１と電極基板３０の後述する電極パッド３１との間の距離を所望に保持するための高さを有する距離調整部６０と、駆動領域２１が駆動する際に、距離調整部６０が駆動領域２１に干渉しないように、駆動基板２０と電極基板３０との間に形成される干渉回避部７０とを有している。このようなＭＥＭＳデバイスの実装構造１は、半導体装置における例えばＭｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ（以下、ＭＥＭＳ）デバイスである。
【００１９】
駆動基板２０と電極基板３０とは、厚み方向に並べられ積層して、互いに接合する。駆動基板２０と電極基板３０とは、接合後において、駆動基板２０と電極基板３０との間（より詳細には、駆動領域２１と電極パッド３１との間）に、距離調整部６０によって所望の距離（以下、ギャップ２）を形成可能に、互いに接合する。駆動基板２０と電極基板３０とにおいて、互いに向かい合う面である駆動基板２０の裏面２０ａと電極基板３０の表面３０ａとは、平面である。また裏面２０ａと表面３０ａとは、干渉回避部７０に対向する。
【００２０】
駆動基板２０は、略平面であり、例えば矩形形状を有している。この駆動基板２０は、例えば光学的な機能を有するミラーである駆動領域２１と、駆動領域２１を保持するフレーム２２と、電極基板３０（干渉回避部７０）に対向する裏面２０ａに成膜された接合膜２３とを有している。
【００２１】
駆動領域２１は、後述する静電引力によって駆動する（変形する、または偏向する）。フレーム２２は、エッチング加工が施されていない例えばＳｉ製の基板である。駆動領域２１は、フレーム２２の中央部が円形形状にエッチング加工を施されたフレーム２２の薄膜部である。つまり駆動領域２１は、フレーム２２の一部であり、Ｓｉ製である。駆動領域２１は、駆動基板２０の中央に配設されていることとなる。
【００２２】
接合膜２３は、後述する接合面６０ｄと接合する駆動基板側接合膜である。接合膜２３は、例えば金である。なお裏面２０ａと駆動基板２０の表面２０ｂとは、フレーム２２の裏面と表面とでもある。つまり接合膜２３は、フレーム２２の裏面に成膜された膜である。また接合膜２３と裏面２０ａとの間において、接合膜２３の下層には、接合膜２３と裏面２０ａとの密着強度を高めることが可能な密着層としてのＣｒ膜やＴｉ膜が成膜されていてもよい。
【００２３】
電極基板３０は、略平面であり、例えば矩形形状を有している。電極基板３０は、駆動基板２０と線膨張係数を揃えることが信頼性の観点から好適である。そのため電極基板３０は、駆動基板２０と同じ材料であるＳｉや、駆動基板２０と比較的線膨張係数が近いホウ珪酸ガラス等が好適である。電極基板３０は、駆動領域２１を駆動させる駆動電圧を印加可能な電極パッド３１を駆動領域２１に対向するように有している。
【００２４】
電極パッド３１は、駆動電圧を印加されることによって、静電引力を発生し、この静電引力によって駆動領域２１を駆動させる（所望の形状に変形させる、または所望の角度に偏向させる）。電極パッド３１は、駆動領域２１に対向しているため、電極基板３０の中央に配設されていることとなる。
【００２５】
距離調整部６０は、本実施形態では電極パッド３１の外周縁３１ａと電極基板３０の外周縁３０ｂとの間にて電極基板３０に配設されている。距離調整部６０は、電極パッド３１に重ならないように、及び電極パッド３１の平面方向の中心線を基準に線対称に配設されている。
【００２６】
距離調整部６０は、駆動基板２０と電極基板３０との間に介在するスペーサ部材である。駆動基板２０と電極基板３０とが実装した後、この距離調整部６０は、上述したようにギャップ２を所望に保持するための高さを有している。距離調整部６０の高さは、所望のギャップ２と同一である。つまり本実施形態では、距離調整部６０（より詳細には後述するバンプ６０ｃ）の高さは、ギャップ２となる。
【００２７】
図３に示すように距離調整部６０は、電極基板３０に複数に分散して配設されているバンプ６０ｃと、バンプ６０ｃにそれぞれ成膜され、距離調整部６０の表面の膜である接合膜６０ａとを有している。
【００２８】
接合膜６０ａは、接合膜２３と当接する接合面６０ｄを有している。この接合面６０ｄは、駆動基板２０が距離調整部６０と接合する面であり、接合膜６０ａの頂点を含む面である。図４に示すように全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１は、接合面６０ｄが接合するフレーム２２の投影面積Ｓ２よりも小さい。接合膜６０ａは、接合面６０ｄにおいて、接合膜２３と均等に当接し、接合膜２３と固相拡散接合する。この固相拡散接合は、例えば表面活性化接合（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、以下ＳＡＢ）である。接合膜６０ａは、例えば金である。
【００２９】
また図３に示すようにバンプ６０ｃは、電極基板３０に形成されている。  
このバンプ６０ｃは、例えば予め所望の厚みに研磨加工された電極基板３０の表面３０ａの一部を除去する加工によって作製される電極基板３０における凸部である。このとき各バンプ６０ｃの高さは、均一となる。電極基板３０の一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。  
このように本実施形態において各バンプ６０ｃは、電極基板３０の表面３０ａの一部を除去する加工によって作製され、作製された電極基板３０と一体であり、電極基板３０と同一の部材によって形成され、それぞれが均一の高さを有するように電極基板３０に形成される。
【００３０】
バンプ６０ｃは、駆動基板２０と、バンプ６０ｃが形成されている電極基板３０とを接合する。これにより、距離調整部６０は駆動領域２１と電極パッド３１との距離をギャップ２に保持する。つまりバンプ６０ｃは、ギャップ２を所望に保持するための高さを有している。
【００３１】
また少なくとも１つのバンプ６０ｃは、電極パッド３１の外周縁３１ａの近傍に配設され、且つ接合面６０ｄが駆動領域２１に非干渉となるように電極基板３０に配設されている。
【００３２】
バンプ６０ｃは、駆動領域２１の外周縁２１ａと駆動基板２０の外周縁２０ｃとの間に配設され、駆動領域２１の中心点２１ｂを基準として平面方向に回転対称、または所望の中心線を基準にして平面方向に線対称に配設されている。
【００３３】
接合膜６０ａとバンプ６０ｃとの間において、接合膜６０ａの下層には、接合膜６０ａとバンプ６０ｃとの密着強度を高めることが可能な密着層としてのＣｒ膜やＴｉ膜が成膜されていてもよい。
【００３４】
なお図５Ａに示すようにバンプ６０ｃは、例えば電極基板３０と別体であってもよい。この場合、電極基板３０には、スタッドバンプが形成され、レベリング加工が施される。これにより各バンプ６０ｃは、電極基板３０と別体であっても、それぞれが均一の高さを有し、ギャップ２を所望に保持する高さを有するように、電極基板３０に形成される。
【００３５】
また距離調整部６０は、電極基板３０に配設されているが、これに限定する必要はない。距離調整部６０は、駆動基板２０と電極基板３０との間に介在していれば、図５Ｂと図５Ｃとに示すように駆動基板２０に配設されていてもよい。
【００３６】
この場合、バンプ６０ｃは、フレーム２２（詳細には裏面２０ａ）に複数に分散して形成されている。また接合面６０ｄは、電極基板３０と接合する。
【００３７】
バンプ６０ｃは、フレーム２２の裏面２０ａの一部を除去する加工によって作製されるフレーム２２における凸部である。つまりバンプ６０ｃは、フレーム２２と一体であり、フレーム２２と同一の部材によって形成されている。フレーム２２の一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。
【００３８】
つまりこの場合、各バンプ６０ｃは、駆動基板２０の裏面２０ａの一部を除去する加工によって作製され、作製された駆動基板２０と一体であり、駆動基板２０と同一の部材によって形成され、それぞれが均一の高さを有するように駆動基板２０に形成される。
【００３９】
バンプ６０ｃは、バンプ６０ｃが形成されている駆動基板２０と、電極基板３０とを接合する。これにより、距離調整部６０は駆動領域２１と電極パッド３１との距離をギャップ２に保持する。つまりバンプ６０ｃは、ギャップ２を所望に保持するための高さを有している。
【００４０】
また少なくとも１つのバンプ６０ｃは、駆動領域２１の外周縁２１ａの近傍に配設され、且つ接合面６０ｄが電極パッド３１に非干渉となるように駆動基板２０に配設されている。
【００４１】
またバンプ６０ｃは、外周縁３１ａと電極基板３０の外周縁３０ｂとの間に配設され、中心点２１ｂを基準として平面方向に回転対称、または所望の中心線を基準にして平面方向に線対称に配設されている。
【００４２】
また全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１は、接合面６０ｄが接合する電極基板３０の投影面積よりも小さい。
【００４３】
この場合、表面３０ａには、接合膜２３と同様に金であり、接合面６０ｄと当接する電極基板側接合膜である接合膜３２が成膜されている。
【００４４】
また図５Ｄに示すようにバンプ６０ｃは、例えばフレーム２２と別体であってもよい。この場合、フレーム２２には、スタッドバンプが形成され、レベリング加工が施される。これにより各バンプ６０ｃは、フレーム２２と別体であっても、それぞれが均一の高さを有し、ギャップ２を所望に保持する高さを有するように、駆動基板２０に形成される。
【００４５】
また距離調整部６０は、図２と図５Ａと図５Ｅとに示し、上記を組み合わせて、駆動基板２０（フレーム２２）と電極基板３０との少なくとも一方に配設されていてもよい。この場合、バンプ６０ｃは、例えば駆動基板２０と電極基板３０と（詳細には裏面２０ａと表面３０ａと）の少なくとも一方に複数に分散して配設されている。また接合膜６０ａは、駆動基板２０と電極基板３０との他方と接合する。
【００４６】
また本実施形態において、駆動基板２０（詳細にはフレーム２２）と電極基板３０とは、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。バンプ６０ｃは、電極基板３０と駆動基板２０と同一の部材によって形成されている。よってバンプ６０ｃは、駆動基板２０と電極基板３０と同様に、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。
【００４７】
干渉回避部７０は、駆動基板２０と電極基板３０との間、より詳細には駆動領域２１と電極パッド３１との間に形成される。干渉回避部７０は、駆動基板２０と電極基板３０との干渉を回避するための空間部である。
【００４８】
なお駆動基板２０と電極基板３０とには、互いの相対位置を認識可能とする図示しないアライメントマークが配設されている。アライメントマークは、図示しない位置決め装置によって駆動基板２０と電極基板３０との位置合せをする際の駆動基板２０と電極基板３０との相対位置を調整する指標となる。
【００４９】
次に図１乃至図４を参照して本実施形態の作用について説明する。  
（Ｓｔｅｐ１）  
接合膜２３と接合膜６０ａとは、例えばＡｒプラズマによって洗浄される。これにより接合膜２３と接合膜６０ａとに付着している図示しない接合阻害物がプラズマによって除去される。接合阻害物とは、例えば表面酸化物や有機物や水等である。
【００５０】
（Ｓｔｅｐ２）  
駆動基板２０と電極基板３０とは、図示しない実装装置によって所望な位置に位置決めされる。より詳細には、駆動基板２０と電極基板３０とは、アライメントマークによって中心点２１ｂと電極パッド３１の図示しない中心点とが同軸上に位置するように位置決めされる。  
また駆動基板２０と電極基板３０とは、図示しない接合ヘッドによって加熱される。これにより駆動基板２０を通じて接合膜２３は加熱され、電極基板３０を通じて距離調整部６０も加熱される。なお距離調整部６０が加熱されることで、接合膜６０ａとバンプ６０ｃも加熱される。このとき接合膜２３と接合膜６０ａ（接合面６０ｄ）とにおいて、互いの接合面は固相拡散接合される。
【００５１】
（Ｓｔｅｐ３）  
距離調整部６０（バンプ６０ｃ）の高さは、ギャップ２と同一である。よって駆動基板２０と電極基板３０との接合後において、駆動基板２０と電極基板３０とは、駆動基板２０と電極基板３０との間に、ギャップ２を形成した状態で接合する。このときギャップ２は、均一となり、距離調整部６０によって所望の値を維持し保持することとなる。したがって、駆動領域２１の駆動力は、所望の値を維持する。
【００５２】
（Ｓｔｅｐ４）  
Ｓｔｅｐ２において、実装時の接合応力（σ）＝実装荷重（Ｆ）／全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１となる。  
上述したように全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１は、フレーム２２の投影面積Ｓ２よりも小さい。そのため、フレーム２２の裏面２０ａの所望な箇所と接合することは、フレーム２２の裏面２０ａ全てと接合するよりも、大きな接合応力（σ）を得られる。  
従って、接合膜２３と接合膜６０ａとは、より密着し、原子間力によって接合しやすくなる。これにより所望する接合面である接合面６０ｄはＳＡＢによって確実にフレーム２２の裏面２０ａと確実に接合し、駆動基板２０とバンプ６０ｃとの間に意図しない隙間（非接合部）が発生することが防止される。
【００５３】
（Ｓｔｅｐ５）  
また上述したようにＳ１は、Ｓ２よりも小さい。そのため、接合膜６０ａがフレーム２２の裏面２０ａの所望な箇所と接合することは、接合膜６０ａがフレーム２２の裏面２０ａ全てと接合することよりも、接合を阻害する異物（図示しない基板の欠けなどのゴミ）が接合膜２３と接合膜６０ａとの間に挟まり、接合膜２３と接合膜６０ａとの密着を妨げてしまう不具合が発生する確率を低減することとなる。
【００５４】
よって駆動基板２０とバンプ６０ｃとの間に意図しない隙間（非接合部）が発生することが防止される。
【００５５】
なおこの点は、図５Ａ乃至図５Ｅに示す状態でも同様である。
【００５６】
このように本実施形態では、駆動基板２０とバンプ６０ｃとの間と、電極基板３０とバンプ６０ｃとの間とに、意図しない隙間が発生することを防止することができる。この隙間は、駆動領域２１が駆動する際に、ギャップ２の変動要因となるため、隙間の発生を防止することで、ギャップ２の変動を低減することができる。
【００５７】
これにより本実施形態では、実装時に正確に所望の値のギャップ２を有し、駆動領域２１の駆動時に駆動基板２０に駆動力が加わっても、ギャップ２の変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【００５８】
また本実施形態では、ＳＡＢのような固相拡散接合において、接合可能な限られた接合可能面積を配設し、低荷重で実装しても非接合部（隙間）が駆動領域２１近傍に発生しにくく、所望の接合部を確実に接合することができる。
【００５９】
また本実施形態では、距離調整部６０（バンプ６０ｃ）はギャップ２を所望に保持するための高さを有している。そのため本実施形態では、駆動基板２０と電極基板３０とが接合する際に、ギャップ２を所望な値となるように均一に保持した状態で、接合の確実性を向上することができる。これにより本実施形態では、所望の駆動特性を発揮することができるＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【００６０】
また本実施形態では、駆動基板２０と電極基板３０とにおける所望の部位がＳＡＢを用いて距離調整部６０によって確実に接合するため、接合膜２３と距離調整部６０との間と電極基板３０と距離調整部６０との間とに意図しない非接合部である隙間の発生を防止することができる。
【００６１】
また本実施形態では、例えば予め所望の厚みに研磨加工された電極基板３０の表面３０ａの一部または駆動基板２０の裏面の２０ａ一部を除去する加工によってバンプ６０ｃを電極基板３０と一体または駆動基板２０と一体に作製することができる。これにより本実施形態では、バンプ６０ｃをそれぞれ電極基板３０の一部または駆動基板２０の一部に配設するよりも容易に作製することができ、均一な高さを有するバンプ６０ｃを作製することができる。またこれにより本実施形態では、バンプ６０ｃの高さのばらつきによる隙間の発生を防止することができる。
【００６２】
なお本実施形態では、接合膜２３と接合膜６０ａとの接合方法は、固相拡散接合であればよく、例えばＡｕ−Ａｕ熱圧着接合であってもよい。また接合膜２３と接合膜６０ａとの接合方法は、ＳＡＢに限定する必要はない。
【００６３】
また本実施形態では、Ｓ１をＳ２よりも小さくすることで、駆動基板２０とバンプ６０ｃとの間に意図しない隙間（非接合部）が発生することを防止することができ、ギャップ２の変動を低減することができる。また本実施形態では、Ｓ１をＳ２よりも小さくすることで、駆動基板２０と電極基板３０とを所望の部位にて確実に接合することができる。
【００６４】
また本実施形態では、バンプ６０ｃを駆動領域２１の中心点２１ｂを基準として平面方向に回転対称、または所望の中心線を基準にして平面方向に線対称に配設することで、駆動基板２０と電極基板３０とを強固に接合することができる。
【００６５】
また本実施形態では、バンプ６０ｃを電極基板３０と一体とし、電極基板３０の表面３０ａの一部を除去する加工によって全てのバンプ６０ｃを作製することで、バンプ６０ｃを電極基板３０にそれぞれ配設する加工の手間を省くことができる。なおこの点は、バンプ６０ｃを駆動基板２０と一体としても同様の効果が得られる。
【００６６】
またこれにより本実施形態では、距離調整部６０の高さにばらつきが生じることを防止することができ、均一な高さを有するバンプ６０ｃを作製することができる。これにより電極基板３０と駆動基板２０との間であればどこでもギャップ２を所望に保持することができる。また本実施形態では、駆動領域２１と電極パッド３１との距離を常にギャップ２とすることができるために、所望の光学特性を有するＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【００６７】
次に図６と図７Ａ乃至図７Ｃと図８Ａと図８Ｂと図９Ａ乃至図９Ｍとを参照して第２の実施形態について説明する。前述した第１の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。なお図示の簡略化のため、例えば図７Ａにて接合膜６０ａを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。
【００６８】
本実施形態の距離調整部６０は、図７Ａ乃至図７Ｃに示すように、ギャップ２を所望に保持するための厚みを有するスペーサ部材６１ａと、裏面２０ａに対向するスペーサ部材６１ａの表面６２ｂにスペーサ部材６１ａと一体となって形成されているバンプ６１ｂと、表面３０ａに対向するスペーサ部材６１ａの裏面６２ｃにスペーサ部材６１ａと一体となって形成されているバンプ６１ｃと、バンプ６１ｂ，６１ｃを覆う表面の膜である接合膜６０ａとを有している。
【００６９】
本実施形態では、距離調整部６０の高さ（スペーサ部材６１ａの厚みとバンプ６１ｂ，６１ｃの高さとの和）は、ギャップ２となる。このようにスペーサ部材６１ａは、バンプ６１ｂ，６１ｃと共にギャップ２を所望に保持するための厚みを有している。
【００７０】
スペーサ部材６１ａは、略平面であり、例えば矩形形状を有している。スペーサ部材６１ａは、駆動基板２０と同じ面積を有している。スペーサ部材６１ａは、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。
【００７１】
スペーサ部材６１ａには、駆動領域２１と電極パッド３１とに対向するように形成されている貫通孔である干渉回避部７０が配設されている。干渉回避部７０の形状は、電極パッド３１と駆動領域２１との形状と同一である。また干渉回避部７０は、実装後に駆動（変形または偏向）する駆動領域２１の形状を妨げない形状を有しており、スペーサ部材６１ａの厚み方向においてスペーサ部材６１ａを貫通している。
【００７２】
また駆動基板２０とスペーサ部材６１ａと電極基板３０とが積層する際、駆動領域２１と干渉回避部７０と電極パッド３１とは、ＭＥＭＳデバイスの実装構造１の厚み方向において、同一直線状に位置することとなる。
【００７３】
バンプ６１ｂ，６１ｃは、バンプ６０ｃと略同様である。本実施形態のバンプ６１ｂ，６１ｃは、駆動基板２０と、バンプ６１ｂ，６１ｃが配設されているスペーサ部材６１ａと、電極基板３０とをＳＡＢによって接合させるために用いられる。
【００７４】
図７Ｂと図７Ｃとに示すように、バンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａに形成されている。より詳細には、バンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａの一部（より詳細には表面６２ｂと裏面６２ｃとの一部）を除去する加工によって作製されるスペーサ部材６１ａにおける凸部である。このとき各バンプ６１ｂ，６１ｃの高さは、均一となる。スペーサ部材６１ａの一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。  
このように本実施形態において各バンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａの一部を除去する加工によって作製され、作製されたスペーサ部材６１ａと一体であり、スペーサ部材６１ａと同一の部材によって形成され、それぞれが均一の高さを有するようにスペーサ部材６１ａに形成される。
【００７５】
バンプ６１ｂ，６１ｃは、上述したようにスペーサ部材６１ａの一部を除去する加工によって作製されるスペーサ部材６１ａにおける凸部であり、スペーサ部材６１ａと一体であり、スペーサ部材６１ａと同一の部材によって形成されている。よってバンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａと同様に、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。
【００７６】
また少なくとも１つのバンプ６１ｂは、外周縁２１ａ（干渉回避部７０の外周縁７１ａ）の近傍に配設され、且つ接合面６０ｄが駆動領域２１に非干渉となるように表面６２ｂに配設されている。
【００７７】
また少なくとも１つのバンプ６１ｃは、外周縁３１ａ（干渉回避部７０の外周縁７１ａ）の近傍に配設され、且つ接合面６０ｄが電極パッド３１に非干渉となるように裏面６２ｃに配設されている。
【００７８】
バンプ６１ｂ，６１ｃは、中心点２１ｂを基準として平面方向に回転対称、または所望の中心線を基準にして平面方向に線対称に配設されている。
【００７９】
つまりバンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａの内周縁である外周縁７１ａと、スペーサ部材６１ａの外周縁６３との間にて、電極パッド３１と駆動領域２１とに重ならないようにスペーサ部材６１ａに配設されている。
【００８０】
なおバンプ６１ｂにおいて、全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１は、接合面６０ｄが接合するフレーム２２の投影面積Ｓ２よりも小さい。またバンプ６１ｃにおいて、全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄを合計した面積Ｓ１は、接合面６０ｄが接合する電極基板３０の投影面積よりも小さい。  
なお駆動基板２０とスペーサ部材６１ａとには、互いの相対位置を認識可能とする図示しないアライメントマークが配設されている。
【００８１】
また図８Ａと図８Ｂとに示すようにバンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａとは別体であってもよい。この場合、スペーサ部材６１ａには、スタッドバンプが形成され、レベリング加工が施される。これによりバンプ６１ｂ，６１ｃは、スペーサ部材６１ａと別体であっても、それぞれが均一の高さを有するようにスペーサ部材６１ａに形成される。
【００８２】
なお図９Ａ乃至図９Ｍに示すようにバンプ６１ｂは、表面６２ｂと裏面２０ａとの少なくとも一方に配設され、バンプ６１ｃは、裏面６２ｃと表面３０ａとの少なくとも一方に配設されていればよい。この場合、スペーサ部材６１ａは、表面６２ｂと裏面６２ｃとに接合膜２３と同様に金であり、スペーサ部材側接合膜である接合膜６５を有している。
【００８３】
バンプ６１ｂが裏面２０ａに配設されている場合、バンプ６１ｂは第１の実施形態におけるバンプ６０ｃと略同様である（例えば図５Ｂ乃至図５Ｅ参照）。  
バンプ６１ｃが表面３０ａに配設されている場合、バンプ６１ｃは第１の実施形態におけるバンプ６０ｃと略同様である（例えば図１乃至図４と図５Ａと参照）。  
次に図６と図７Ａ乃至図７Ｂとを参照して本実施形態の作用について説明する。  
（Ｓｔｅｐ１１）  
バンプ６１ｃを覆う接合膜６０ａと、接合膜３２とは、例えばＡｒプラズマによって洗浄される。これにより接合膜６０ａと接合膜３２とに付着している図示しない接合阻害物がプラズマによって除去される。
【００８４】
（Ｓｔｅｐ１２）  
スペーサ部材６１ａと電極基板３０とは、図示しない実装装置によって所望な位置に位置決めされる。より詳細には、スペーサ部材６１ａと電極基板３０とは、アライメントマークによって干渉回避部７０の中心（後述する中心点７１）と電極パッド３１の中心とが同軸上に位置するように位置決めされる。  
またスペーサ部材６１ａと電極基板３０とは、図示しない接合ヘッドによって加熱される。これによりスペーサ部材６１ａを通じてバンプ６１ｃと接合膜６０ａとは加熱され、電極基板３０を通じて接合膜３２も加熱される。このとき接合膜３２と接合膜６０ａ（接合面６０ｄ）とにおいて、互いの接合面はＳＡＢによって接合し、距離調整部６０と電極基板３０とは互いに接合する。  
（Ｓｔｅｐ１３）  
バンプ６１ｂを覆う接合膜６０ａと、接合膜２３とは、例えばＡｒプラズマによって洗浄される。これにより接合膜６０ａと接合膜２３とに付着している図示しない接合阻害物がプラズマによって除去される。
【００８５】
（Ｓｔｅｐ１４）  
スペーサ部材６１ａと駆動基板２０とは、図示しない実装装置によって所望な位置に位置決めされる。より詳細には、スペーサ部材６１ａと駆動基板２０とは、アライメントマークによって干渉回避部７０の中心と中心点２１ｂとが同軸上に位置するように位置決めされる。  
またスペーサ部材６１ａと駆動基板２０とは、図示しない接合ヘッドによって加熱される。これによりスペーサ部材６１ａを通じてバンプ６１ｂと接合膜６０ａとは加熱され、駆動基板２０を通じて接合膜２３も加熱される。このとき接合膜２３と接合膜６０ａ（接合面６０ｄ）とにおいて、互いの接合面はＳＡＢによって接合し、距離調整部６０と駆動基板２０とは互いに接合する。  
（Ｓｔｅｐ１５）  
距離調整部６０はギャップ２であるために、駆動領域２１と電極パッド３１との距離がギャップ２に保持される。
【００８６】
このように本実施形態では、ギャップ２は、スペーサ部材６１ａの厚みとバンプ６１ｂ，６１ｃの高さとの和によって決定される。よって本実施形態では、第１の実施形態と比べて、より広いギャップ２を有するＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。さらに本実施形態では、駆動領域２１の駆動量（変形量または偏向量）の大きなＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。よって本実施形態では、ＭＥＭＳデバイスの実装構造１の設計の自由度を広げることができる。
【００８７】
また本実施形態では、上述した第１の実施形態と同様の効果も得ることができる。
【００８８】
次に図１０Ａと図１０Ｂとを参照して第３の実施形態について説明する。前述した第１，２の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。なお図示の簡略化のため、例えば図１０Ｂにて接合膜６０ａを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。  
本実施形態におけるバンプ６１ｂは、駆動基板２０と電極基板３０との積層方向の周方向（スペーサ部材６１ａ（表面６２ｂ）の平面方向の周方向）において、中心点２１ｂ（干渉回避部７０の中心点７１）を中心に、互いに所望な等角離れて配設されている。言い換えると、バンプ６１ｂは、表面６２ｂの平面方向において、中心点７１を中心に、均等角互いに離れて配設されている。つまりバンプ６１ｂは、放射状に配設されている。
【００８９】
なおバンプ６１ｃも、バンプ６１ｂと同様に裏面６２ｃの平面方向において、中心点７１を中心に、均等角互いに離れて配設されていてもよい。この場合、バンプ６１ｃも、放射状に配設されている。
【００９０】
次に本実施形態の作用について説明する。  
（Ｓｔｅｐ２１）  
Ｓｔｅｐ１１からＳｔｅｐ１５までの動作が行われる。
【００９１】
（Ｓｔｅｐ２２）  
中心点２１ｂと中心点７１とが同軸上に位置するように、電極基板３０と距離調整部６０とが実装されている。そのためバンプ６１ｂは、中心点２１ｂ（中心点７１）を基準にして点対称に配置される。  
そのためＭＥＭＳデバイスの実装構造１が駆動する際に、駆動領域２１には均等に駆動力が加わるために、駆動領域の駆動時における歪は、第２の実施形態よりも低減する。
【００９２】
このように本実施形態では、第１の実施形態と第２の実施形態と比較して、より優れた光学特性を有するＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【００９３】
なおバンプ６１ｂ，６１ｃは、中心点７１に限定する必要はなく、所望の中心線を基準に線対称に、配設されていてもよい。
【００９４】
次に図１１Ａと図１１Ｂとを参照して第４の実施形態について説明する。前述した第１，２，３の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。なお図示の簡略化のため、例えば図１１Ｂにて接合膜６０ａを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。  
バンプ６１ｂは、駆動領域２１の平面方向（干渉回避部７０の径方向）において、干渉回避部７０（駆動領域２１）に近いほど互いの間隔が狭まって配設されている。言い換えると、バンプ６１ｂ同士の間隔は、干渉回避部７０の外周縁７１ａからスペーサ部材６１ａの外周縁６３に向かって、広がっている。つまりバンプ６１ｂは、干渉回避部７０の径方向において、干渉回避部７０（駆動領域２１）に近いほど互いの間隔が密となり、干渉回避部７０（駆動領域２１）から離れるほど互いの間隔が疎となるように配設されている。
【００９５】
この点は、バンプ６１ｃについても同様である。
【００９６】
次に本実施形態の作用について説明する。  
（Ｓｔｅｐ３１）  
Ｓｔｅｐ１１からＳｔｅｐ１５までの動作が行われる。
【００９７】
（Ｓｔｅｐ３２）  
中心点２１ｂと中心点７１とが同軸上に位置するように、電極基板３０と距離調整部６０とが実装されている。そのためバンプ６１ｂは、中心点２１ｂ（中心点７１）に近いほど密になるように配設されている。  
電極パッド３１に駆動電圧を印加し、駆動領域２１が駆動すると、フレーム２２に対してモーメント荷重が発生する。しかしながらモーメント荷重の作用点（駆動領域２１）に近い領域ほど、バンプ６１ｂが配設されている。よってフレーム２２の曲げ変形は、第１乃至第３の実施形態よりも低減する。
【００９８】
このように本実施形態では、第１乃至第３の実施形態と比較して、駆動領域２１が駆動してもギャップ２の変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【００９９】
なお図１１Ｃに示すように、バンプ６１ｂは、駆動領域２１に近いほど駆動基板２０と電極基板３０との積層方向の周方向における互いの間隔が密となり、駆動領域２１から離れるほど駆動基板２０と電極基板３０との積層方向の周方向における互いの間隔が疎となっていてもよい。
【０１００】
次に図１２Ａと図１２Ｂとを参照して第５の実施形態について説明する。前述した第１乃至４の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。なお図示の簡略化のため、例えば図１２Ｂにて接合膜６０ａを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。  
距離調整部６０は、リング形状の接合枠６７をさらに有している。接合枠６７は、所望する幅を有し、フレーム２２を保持し、フレーム２２と接合し、駆動領域２１の外径と干渉回避部７０の径と略同一の内径を有し、バンプ６１ｂと同じ高さ有している。
【０１０１】
なお接合枠６７の内形は、駆動領域２１の外形と相似な形状を有していればよい。そのため駆動領域２１の外形が例えば矩形形状であれば、接合枠６７の内形も矩形形状となる。
【０１０２】
接合枠６７は、積層方向において接合枠６７の内径が干渉回避部７０と同一直線状に配設されていればよく、表面６２ｂまたはフレーム２２に配設される。
【０１０３】
また第１の実施形態では、接合枠６７は、表面３０ａに配設されてもよい。
【０１０４】
このとき接合枠６７は、バンプ６０ｃ，６１ｂ，６１ｃと同様に駆動基板２０、電極基板３０、またはスペーサ部材６１ａの表面２０ａ，３０ａ，６２ｂを除去する加工によって作製され、作製された駆動基板２０、電極基板３０、またはスペーサ部材６１ａと一体である。そのため接合枠６７は、Ｓｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。接合枠６７の接合面には、接合膜２３と同様の接合膜が配設されていてもよい。
【０１０５】
またこのときバンプ６０ｃ，６１ｂ，６１ｃは、接合枠６７の外周縁６７ａとフレーム２２の外周縁２０ｃとの間と、接合枠６７の外周縁６７ａと電極基板３０の外周縁３０ｂとの間との少なくとも一方に配設され、接合枠６７と同じ高さを有して複数配設されている。
【０１０６】
次に本実施形態の作用について説明する。  
（Ｓｔｅｐ４１）  
Ｓｔｅｐ１１からＳｔｅｐ１５までの動作が行われる。
【０１０７】
（Ｓｔｅｐ４２）  
中心点２１ｂと中心点７１とが同軸上に位置するように、電極基板３０と距離調整部６０とが実装されている。そのため接合枠６７は、駆動領域２１の外周を連続して保持する。  
電極パッド３１に駆動電圧を印加し、駆動領域２１が駆動すると、外力がフレーム２２に加わる。しかしながら接合枠６７は駆動領域２１の外周を連続して保持しているため、外力によるフレーム２２の曲げ変形は、第１乃至第４の実施形態よりも低減する。
【０１０８】
このように本実施形態では、第１乃至第４の実施形態と比較して、駆動領域２１が駆動してもギャップ２の変動が少ないＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【０１０９】
なお上述した各実施形態において、図１３Ａと図１３Ｂとに示すように距離調整部６０は、駆動基板２０と電極基板３０との間に介在し、駆動基板２０と電極基板３０とに当接し、駆動領域２１と電極パッド３１との間の距離を所望に保持するための高さを有する複数の接合凸部４０をさらに有していてもよい。
【０１１０】
接合凸部４０は、それぞれ高さが同一であり、例えば電極基板３０に配設され且つ電極パッド３１の外周縁３１ａと電極基板３０の外周縁３０ｂとの間に配設されている。つまり接合凸部４０は、電極パッド３１に重ならないように、電極基板３０の所望の位置に配設されている。
【０１１１】
接合凸部４０は、駆動基板２０と電極基板３０との間に介在するスペーサ部材である。駆動基板２０と電極基板３０とが実装した後、この接合凸部４０は、ギャップ２を所望に保持するための高さを有している。接合凸部４０の高さは、所望のギャップ２と同一である。
【０１１２】
また図１３Ｃに示すように、接合凸部４０は、接合凸部４０の表面の膜である接合膜４０ａと、接合膜４０ａの下に形成されている下地部材４０ｂと、下地部材４０ｂの下に形成されているバンプ４０ｃとを有している。
【０１１３】
接合膜４０ａは、接合膜２３と当接する接合面４０ｄを有している。この接合面４０ｄは、接合面６０ｄと同様に、駆動基板２０が接合凸部４０と接合する面であり、接合膜４０ａの頂点を含む面である。全ての接合膜４０ａの接合面４０ｄと全ての接合膜６０ａの接合面６０ｄとを合計した面積は、フレーム２２の投影面積よりも小さい面積である。接合膜４０ａは、接合面４０ｄにおいて、接合膜２３と均等に当接し、接合膜２３と固相接合する。この固相接合は、例えば表面活性化接合（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、以下ＳＡＢ）である。
【０１１４】
接合膜４０ａの下層には、密着層としてのＣｒ膜やＴｉ膜が成膜されていてもよい。接合膜４０ａは、例えば金である。
【０１１５】
下地部材４０ｂは、接合膜４０ａの材料よりも柔軟な材料で形成されている。なお柔軟な、とは、下地部材４０ｂのヤング率が接合膜４０ａのヤング率よりも小さいことを示す。接合膜４０ａが例えば金である場合、下地部材４０ｂには、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金が好適である。この場合、例えば金である接合膜４０ａのヤング率は例えば略７８Ｍｐａであり、例えばアルミニウムである下地部材４０ｂのヤング率は例えば略７０Ｍｐａである。これにより、下地部材４０ｂは、接合膜４０ａよりも柔軟な構造となる。
【０１１６】
また下地部材４０ｂは、接合膜４０ａよりも厚みを有しており、またバンプ４０ｃに成膜されている厚膜である。本実施形態において、接合膜４０ａは厚みが例えば０．２μｍとなるように、また下地部材４０ｂは厚みが例えば２μｍとなるように、接合膜４０ａと下地部材４０ｂとはスパッタリングによって成膜されている。
【０１１７】
バンプ４０ｃは、電極基板３０に形成されている。より詳細には、バンプ４０ｃは、電極基板３０の一部を除去する加工によって作製される電極基板３０における凸部である。つまり本実施形態においてバンプ４０ｃは、電極基板３０と一体であり、電極基板３０と同一の部材によって形成されている。電極基板３０の一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。
【０１１８】
接合凸部４０はギャップ２を所望に保持するための高さを有し、下地部材４０ｂは接合膜４０ａよりも柔軟で且つ厚いため変形しやすい。そのため本実施形態では、駆動基板２０と電極基板３０とが接合する際に、下地部材４０ｂを変形させることで、駆動基板２０の実装による変形を抑制し、ギャップ２の変動を抑制でき、ギャップ２を所望な値となるように均一に保持した状態で、接合の確実性を向上することができる。これにより本実施形態では、所望の駆動特性を発揮することができるＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【０１１９】
つまり本実施形態では、駆動基板２０と電極基板３０との密着性を向上させ、ギャップ２の変動を抑えることができるＭＥＭＳデバイスの実装構造１を提供することができる。
【０１２０】
また本実施形態では、駆動基板２０と電極基板３０とにおける所望の部位がＳＡＢを用いて接合凸部４０によって確実に接合するため、接合膜２３と接合凸部４０との間に意図しない非接合部である隙間の発生を防止することができる。
【０１２１】
なお接合凸部４０は、電極基板３０に配設されているが、これに限定する必要はない。図１４Ａと図１４Ｂとに示すように、接合凸部４０は、例えばフレーム２２（詳細には裏面２０ａ）に配設されていてもよい。この場合、バンプ４０ｃは、フレーム２２（詳細には裏面２０ａ）に形成されている。より詳細には、バンプ４０ｃは、フレーム２２の一部を除去する加工によって作製されるフレーム２２における凸部である。つまりバンプ４０ｃは、フレーム２２と一体であり、フレーム２２と同一の部材によって形成されている。フレーム２２の一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。
【０１２２】
また図１３Ａと図１４Ａと図１４Ｃとに示すように接合凸部４０は、フレーム２２と電極基板３０との少なくとも一方に配設されていてもよい。
【０１２３】
この場合、接合凸部４０は、電極パッド３１の外周縁３１ａと電極基板３０の外周縁３０ｂとの間にて電極パッド３１の平面方向の中心線を基準に線対称に配設されている、または駆動領域２１の外周縁２１ａと駆動基板２０（フレーム２２）の外周縁２０ｃとの間にて駆動領域２１の平面方向の中心線を基準に線対称に配設されている。
【０１２４】
また本実施形態において、駆動基板２０（詳細にはフレーム２２）と電極基板３０とは、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。バンプ４０ｃは、上述したように電極基板３０の一部を除去する加工によって作製される電極基板３０における凸部であり、電極基板３０と一体であり、電極基板３０と同一の部材によって形成されている。またバンプ４０ｃは、上述したようにフレーム２２の一部を除去する加工によって作製されるフレーム２２における凸部であり、フレーム２２と一体であり、フレーム２２と同一の部材によって形成されている。よってバンプ４０ｃは、駆動基板２０と電極基板３０と同様に、例えばＳｉ基板またはホウ珪酸ガラスである。
【０１２５】
もちろん図１５Ａと図１５Ｂとに示すように接合凸部４０は、バンプ６１ｂ，６１ｃと同様にスペーサ部材６１ａに配設されていてもよい。なお図９Ａ乃至図９Ｍに示すバンプ６１ｂ，６１ｃと同様に、接合凸部４０は、表面６２ｂと裏面２０ａと裏面６２ｃと表面３０ａとの少なくとも一方に配設されていても良い。
【０１２６】
また図１６Ａと図１６Ｂと図１６Ｃとに示すように、接合凸部４０は、接合凸部４０の表面の膜である接合膜４０ａと、接合膜４０ａの下に成膜されている下地部材４０ｂとのみを有していてもよい。
【０１２７】
この下地部材４０ｂは、スペーサ部材５０（表面５１ａ）に成膜された薄い金属膜であり、スペーサ部材６１ａとは別体である。この下地部材４０ｂは、スペーサ部材６１ａ上にスパッタやメッキ工法によって成膜された薄い金属膜の一部を除去する加工によって作製される。この薄い金属膜の一部を除去する加工は、ブラストとエッチングとレーザ加工とのいずれかである。
【０１２８】
なおこの点は、図１６Ｄと図１６Ｅとに示すように、接合凸部４０は、駆動基板２０、または電極基板３０に配設されていても同様である。
【０１２９】
また下地部材４０ｂが、図１７に示すように接合膜６０ａとバンプ６０ｃとの間に配設されてもよい。もちろん下地部材４０ｂは、接合膜６０ａとバンプ６１ｂとの間、または接合膜６０ａとバンプ６１ｃとの間に配設されていてもよい。この場合、下地部材４０ｂは、接合膜６０ａの材料よりも柔軟な材料で形成されている。なお柔軟な、とは、下地部材４０ｂのヤング率が接合膜６０ａのヤング率よりも小さいことを示す。この点については、上記と同様である。
【０１３０】
本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。
【符号の説明】
【０１３１】
１…実装構造、２…ギャップ、２０…駆動基板、２０ａ…裏面、２０ｂ…表面、２０ｃ…外周縁、２１…駆動領域、２１ａ…外周縁、２１ｂ…中心点、２２…フレーム、２３…接合膜、３０…電極基板、３０ａ…表面、３０ｂ…外周縁、３１…電極パッド、３１ａ…外周縁、３２…接合膜、６０…距離調整部、６０ｄ…接合面、６０ｃ…バンプ、６０ａ…接合膜、６１ａ…スペーサ部材、６１ｂ，６１ｃ…バンプ、６２ｂ…表面、６２ｃ…裏面、６３…外周縁、６５…接合膜、６７…接合枠、６７ａ…外周縁、７０…干渉回避部、７１ａ…外周縁、７１…中心点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図９Ｉ】
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【図９Ｊ】
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【図９Ｋ】
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【図９Ｌ】
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【図９Ｍ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１７】
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【図１８】
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