(57)【要約】【課題】リセット動作の時間を短縮して高速表示性を実現するとともに、長寿命化を実現する。【解決手段】画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと、データ線１６とをソース用トランジスタ１１ｅを介して接続し、駆動用トランジスタ１１ｂを用いることなく、選択用トランジスタ１１ｄとソース用トランジスタ１１ｅとをオンして容量素子１１ｃおよび発光素子の寄生容量５１のリセット動作を行うことによってリセット時間を短縮する。【選択図】図２
2010286502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、
前記駆動用トランジスタのソース端子と前記選択用トランジスタが接続された信号線との間にソース用トランジスタが接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記容量素子および前記発光素子の寄生容量のリセット動作を行うために前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンした状態で前記信号線に第１の電圧信号を出力し、前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うために前記選択用トランジスタをオンにし前記ソース用トランジスタをオフした状態で前記信号線に前記第１の電圧信号とは異なる第２の電圧信号を出力し、さらに前記発光素子の発光動作を行うために表示データに応じた駆動電圧信号を出力する駆動制御部を備えたことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記駆動制御部が、前記リセット動作の期間と前記閾値電圧検出動作の期間において前記信号線に対し前記第２の電圧信号を出力する第１の電圧出力部と、前記リセット期間においてのみ前記信号線に対し、前記第２の電圧信号に加算されて前記第１の電圧信号の大きさとなるような第３の電圧信号を出力する第２の電圧出力部とを備えたことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動用トランジスタが、閾値電圧Ｖｔｈが負電圧の薄膜トランジスタであり、
前記容量素子および前記発光素子の寄生容量のリセット動作を行うために前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンした状態で前記信号線に所定の電圧信号を出力し、該所定の電圧信号を前記信号線に出力した状態で前記選択用トランジスタをオンにし前記ソース用トランジスタをオフすることによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行い、さらに前記発光素子の発光動作を行うために表示データに応じた駆動電圧信号を出力する駆動制御部を備えたことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動用トランジスタが、閾値電圧Ｖｔｈが負電圧の薄膜トランジスタであり、
前記駆動制御部が、前記リセット動作の期間および前記閾値電圧検出動作の開始時において前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧が略０となるような前記電圧信号を出力するものであることを特徴とする請求項２から４いずれか１項記載の表示装置。
【請求項６】
前記ソース用トランジスタが、前記選択用トランジスタを介して前記信号線に接続されていることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動用トランジスタが、ＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
そして、特許文献１に記載の表示装置においては、有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタとしてＰ型ＴＦＴ（thin film transistor）を用いているため有機ＥＬ発光素子のＶｆ（発光時順方向電圧降下）に影響されずに駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをプログラムすることが可能である。
【０００５】
しかしながら、駆動用トランジスタとしてアモルファスシリコンＴＦＴまたは無機酸化膜ＴＦＴを用いる場合にはＴＦＴがＮ型となるため、環境温度や経時で変動する有機ＥＬ発光素子のＶｆを予測し、その予測したＶｆを考慮して駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをプログラムする必要があるが、その予測したＶｆと実際のＶｆとの間で大きな誤差が生じる場合があり、表示画像に影響を及ぼす問題がある。
【０００６】
そこで、たとえば、特許文献２においては、駆動用トランジスタのソース端子にスイッチ素子を設け、駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧をプログラムする際に駆動用トランジスタのソース電位を固定した状態でゲート電圧を設定する方法が提案されている。
【０００７】
一方、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。
【０００８】
しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。
【０００９】
したがって、特許文献２に記載の画素回路においても、上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性により、表示画像の輝度ムラが発生し、画質の面で問題がある。
【００１０】
そこで、たとえば特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電し、駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正する方法が提案されている。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を印加し、駆動用トランジスタの駆動電流Ｉｄで有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することで駆動用トランジスタのソース電位をＶｇ（ゲート電圧）−Ｖｔｈ（閾値電圧）に固定した後、ゲート端子への印加電圧を駆動電圧Ｖｏｄだけステップアップすることで閾値電圧を補正した電圧プログラムが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３１５４号公報
【特許文献３】特開２００３−２７１０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここで、図２３に、特許文献３に記載の画素回路の構成を示す。特許文献３に記載の画素回路は、発光部７とその寄生容量８とからなる発光素子と、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ６と、駆動用トランジスタ６のゲート端子とソース端子との間に接続される容量素子５と、駆動用トランジスタ６のゲート端子に接続される選択用トランジスタ４とを備えている。
【００１３】
そして、特許文献３に記載の画素回路においては、最初に容量素子５と寄生容量８の電荷を放電させてリセットする必要があるが、このとき駆動用トランジスタ６が利用される。そして、一般的に選択用トランジスタ４はＷ/Ｌ比を大きく設定し、小さなゲート−ソース間電圧Ｖｇｓでも確実にオンするように構成されているのに対し、駆動用トランジスタ６は、プログラムするゲート−ソース間電圧Ｖｇｓで発光素子の駆動電流を設定するため、Ｗ/Ｌ比を小さくしＶｇｓの変化に対し、駆動電流Ｉｄの変化が小さくなるように構成されている。
【００１４】
したがって、駆動用トランジスタをスイッチ動作させるとオン抵抗を十分小さくすることが困難であり、その分放電に時間がかかり、リセット時間が長くなってしまう。
【００１５】
そこで、特許文献３においては、リセット時間の短縮のための専用のソース接続スイッチ９をさらに設けた画素回路が提案されている（図２４参照）。
【００１６】
しかしながら、図２４に示されているような３つのトランジスタを用いた構成では、バス配線２が必要となる。図２４に示す回路図上では、発光素子のアノード端子とカソード端子とをソース接続スイッチ９で接続すればよいように見えるが、実際の基板上では、ソース接続スイッチ９の上に平滑層、発光素子のアノード端子、発光層、カソード端子の順に積層されるため、ソース接続スイッチ９とカソード端子とを接続するには、最上層から最下層へのコンタクトホールが必要となり、製膜時のマスクの枚数が増加したり、歩留りが低下したりしてコストアップの問題が生じる。
【００１７】
したがって、低コストで確実に発光素子のカソード端子とソース接続スイッチ９とを接続するためにはカソード端子が設けられた層においてバス配線２を引く必要がある。
【００１８】
そして、このバス配線２の増加によって発光素子の発光領域が減少し、開効率の低下を招くことになる。開効率が低下すると表示装置としての輝度低下となるため、各発光素子の発光面輝度を上昇させることになり、結果的に、表示装置としての寿命が短くなるという問題が生じる。
【００１９】
本発明は、上記の事情に鑑み、リセット動作の時間を短縮して高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、駆動用トランジスタのソース端子と選択用トランジスタが接続された信号線との間にソース用トランジスタが接続されていることを特徴とする。
【００２１】
また、上記本発明の表示装置においては、容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行うために選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンした状態で信号線に第１の電圧信号を出力し、駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うために選択用トランジスタをオンにしソース用トランジスタをオフした状態で信号線に第１の電圧信号とは異なる第２の電圧信号を出力し、さらに発光素子の発光動作を行うために表示データに応じた駆動電圧信号を出力する駆動制御部を設けることができる。
【００２２】
また、駆動制御部を、リセット動作の期間と閾値電圧検出動作の期間において信号線に対し第２の電圧信号を出力する第１の電圧出力部と、リセット期間においてのみ信号線に対し、第２の電圧信号に加算されて第１の電圧信号の大きさとなるような第３の電圧信号を出力する第２の電圧出力部とを備えたものとすることができる。
【００２３】
また、駆動用トランジスタとして、閾値電圧Ｖｔｈが負電圧の薄膜トランジスタを用い、容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行うために選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンした状態で信号線に所定の電圧信号を出力し、所定の電圧信号を信号線に出力した状態で選択用トランジスタをオンにしソース用トランジスタをオフすることによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行い、さらに発光素子の発光動作を行うために表示データに応じた駆動電圧信号を出力する駆動制御部を設けることができる。
【００２４】
また、駆動用トランジスタとして、閾値電圧Ｖｔｈが負電圧の薄膜トランジスタを用い、駆動制御部を、リセット動作の期間および閾値電圧検出動作の開始時において駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧が略０となるような電圧信号を出力するものとすることができる。
【００２５】
また、ソース用トランジスタを、選択用トランジスタを介して信号線に接続することができる。
【００２６】
また、駆動用トランジスタとして、ＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタを用いることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の表示装置によれば、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、駆動用トランジスタのソース端子と選択用トランジスタが接続された信号線との間にソース用トランジスタが接続し、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンすることによって容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行うようにしたので、特許文献３に記載の画素回路のようにリセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。
【００２８】
特に、走査線が多い高精細な表示装置や表示データ更新周波数の高い倍速表示装置などのように１ラインに割り当てられるプログラム期間が短い用途において顕著な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の表示装置の第１から第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図２】本発明の表示装置の第１および第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図
【図３】本発明の表示装置の第１および第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート
【図４】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図５】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット解除の作用を説明するための図
【図６】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図７】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図８】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図
【図９】従来の画素回路の配線パターンを示す図
【図１０】本発明の第１の実施形態の画素回路の配線パターンの一例を示す図
【図１１】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の変形例の概略構成図
【図１２】本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート
【図１３】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図１４】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図１５】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図１６】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図
【図１７】本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図
【図１８】本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図１９】本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図２０】本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図２１】本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図
【図２２】無機酸化膜薄膜トランジスタの特性の一例を示す図
【図２３】従来の画素回路の構成を示す図
【図２４】従来の画素回路の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。
【００３１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１の駆動用トランジスタのゲート端子に表示データに基づく駆動電圧を供給するゲート駆動回路１２と、各画素回路１１にゲートスキャン信号およびソーススキャン信号を出力する走査駆動回路１３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をゲート駆動回路１２に出力する制御部１７とを備えている。
【００３２】
そして、アクティブマトリクス基板１０は、走査駆動回路１３から出力されたゲートスキャン信号を各画素回路行に供給する多数のゲート走査線１４と、走査駆動回路１３から出力されたソーススキャン信号を各画素回路行に供給する多数のソース走査線１５と、ゲート駆動回路１２から出力された駆動電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１６とを備えている。
【００３３】
そして、データ線１６とゲート走査線１４およびソース走査線１５とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。
【００３４】
各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された選択用トランジスタ１１ｄとを備えている。そして、さらに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとデータ線１６との間にソース用トランジスタ１１ｅが接続されている。
【００３５】
有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。
【００３６】
駆動用トランジスタ１１ｂ、選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。
【００３７】
走査駆動回路１３は、制御部１７から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄをオンオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧを各ゲート走査線１４に順次出力するとともに、各ソース走査線１５に、後述するリセット動作に応じてソース用トランジスタ１１ｅをオンオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳを供給するものである。
【００３８】
ゲート駆動回路１２は、上述したように表示データに基づく駆動電圧を出力するとともに、後述するリセット動作期間において所定電圧ＶＡを出力し、後述する閾値電圧検出期間において所定電圧ＶＡよりも高い所定電圧ＶＢを出力するものである。
【００３９】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図３に示すタイミングチャートおよび図４から図７を参照しながら説明する。なお、図３には、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１３から出力されたソーススキャン信号ＳｃａnＳの電圧波形と、ゲート駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。
【００４０】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１４に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。
【００４１】
まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図３の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図４参照）。
【００４２】
具体的には、図３に示すように、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図４に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じて選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、データ線１６とが接続される。
【００４３】
そして、このときゲート駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＡが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇおよびソース端子Ｓに供給される。なお、本実施形態においては、固定電圧ＶＡ＝０ｖとする。
【００４４】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＡ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＡとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。なお、このとき駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈ＞０の場合には、駆動用トランジスタ１１ｂはオフ状態になり、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈ＜０の場合には、Ｖｇｓ＝０ｖに対応した駆動電流ＩｄがＶｄｄからデータ線１６へ流れる状態にある。
【００４５】
そして、次に、リセット動作の解除が行われる（図３の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図５参照）。
【００４６】
具体的には、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図５に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、データ線１６とが遮断される。なお、このとき駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈ＞０の場合、駆動用トランジスタ１１ｂに流れる駆動電流Ｉｄ≒０であり、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧ＶｓはＶＡに保持されている。
【００４７】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行について、閾値電圧検出動作が行われる（図３の時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図６参照）。
【００４８】
具体的には、ゲート駆動回路１２から各データ線１６に対し、上述した所定電圧ＶＡよりも高い所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給される。
【００４９】
そして、このとき駆動用トランジスタ１１ｂと有機ＥＬ発光素子１１ａに電流が流れていない状態であれば、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓは開放状態であるため、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは、下式に示すような容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となって上昇する。
【００５０】
Ｖｓ＝ＶＡ＋（ＶＢ−ＶＡ）×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
ここで、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＡ
とみなせるため、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧は、
Ｖｇｓ≒ＶＢ−ＶＡとなる。
【００５１】
そして、ＶＡとＶＢの電位差が、
ＶＡ−ＶＢ＞Ｖｔｈ
であれば、駆動用トランジスタ１１ｂにはＶｇｓに対応した駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。
【００５２】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇには所定の固定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。
【００５３】
なお、このとき、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。
【００５４】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図３における時刻ｔ４〜時刻ｔ５、図７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００５５】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【００５６】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図３における時刻ｔ５以降、図８参照）。
【００５７】
具体的には、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）が出力され、図８に示すように、ゲートスキャン信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。
【００５８】
そして、図８に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。
【００５９】
上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとデータ線１６とをソース用トランジスタ１１ｅを介して接続し、選択用トランジスタ１１ｄとソース用トランジスタ１１ｅとをオンすることによって容量素子１１ｃおよび寄生容量５１のリセット動作を行うようにしたので、リセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。
【００６０】
図９は、従来のバス配線を設けた場合の画素回路の配線パターンであり、図１０は、上記実施形態の画素回路の配線パターンである。なお、図９に示す符号は、図２４に示す画素回路の符号に対応しており、１が電源線、３がデータ線、２０がゲート走査線、２１がソース走査線、２がバス配線、７が発光素子である。また、図１０に示す符号は、図２に示す画素回路の符号に対応しており、１６がデータ線、１４がゲート走査線、１５がソース走査線、５０が発光素子である。図９および図１０から、本実施形態の画素回路の配線パターンの方が従来の画素回路に比べてバス配線のパターンがない分、発光素子の面積を大きくすることができることがわかる。
【００６１】
また、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、上述したように、リセット動作期間、閾値電圧検出期間およびプログラム期間でそれぞれ異なるゲート電圧を切り替えて設定する必要がある。
【００６２】
ゲート駆動回路１２として、３種類のゲート電圧を出力可能なものを使用する場合には問題はないが、たとえば、２種類のゲート電圧しか出力できないものを使用する場合には、たとえば、図１１に示すように、表示データ信号を出力する制御部１７と各データ線１６とを接続するＴＦＴスイッチ１８をアクティブマトリクス基板１０外に設け、リセット動作期間と閾値電圧検出期間とにおいてゲート駆動回路１２からデータ線１６に固定電圧ＶＢを出力させ、リセット動作期間のみ制御部１７からＴＦＴスイッチ１８を介してデータ線１６にデータ信号を出力することによって、データ線１６の電位がＶＡになるようにしてもよい。
【００６３】
上記のように制御することによって、２種類のゲート電圧しか出力できないゲート駆動回路を使用することができ、たとえば、従来の液晶表示装置用のゲート駆動回路を使用することができ、大幅なコストダウンを図ることができる。
【００６４】
次に、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６５】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂ、選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅのうちの、少なくとも駆動用トランジスタ１１ｂを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成するようにしたものである。ここで、オフ動作する閾値電圧とはドレイン電流ＩＤが急激に増加し始めるゲート−ソース間電圧のこといい、オフ動作する閾値電圧が負電圧であるとは、たとえば、図２２に示すようなＶＧＳ−ＩＤ特性を有することをいう。なお、図２２のＶＧＳ−ＩＤ特性における閾値電圧はＶＴＨである。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＺｎＯなどがある。ＩＧＺＯの薄膜トランジスタは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの組成比によって閾値電圧を設定可能であり、より簡単に負電圧の閾値電圧を設定することができるので好ましい。
【００６６】
上記のように駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いることによって、リセット動作期間および閾値電圧検出開始時にＶｇｓ＝０を設定することが可能であり、ＶＡ＝ＶＢとして構成および駆動制御を簡略化することができる。
【００６７】
なお、その他の画素回路の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００６８】
次に、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図１２に示すタイミングチャートおよび図１３から図１６を参照しながら説明する。なお、図１２には、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１３から出力されたソーススキャン信号ＳｃａnＳの電圧波形と、ゲート駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。
【００６９】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、第１の実施形態と同様に、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１４に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。
【００７０】
まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図１２の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図１３参照）。
【００７１】
具体的には、図１２に示すように、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図１３に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じて選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、データ線１６とが接続される。
【００７２】
そして、このときゲート駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇおよびソース端子Ｓに供給される。
【００７３】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。
【００７４】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行について、閾値電圧検出動作が行われる（図１２の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図１４参照）。
【００７５】
具体的には、図１２に示すように、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図１４に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。
【００７６】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧はリセット動作によってＶｇｓ＝０Ｖとなっており、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧は負電圧であるため、駆動用トランジスタ１１ｂから有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。
【００７７】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇには所定の固定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。
【００７８】
なお、このとき、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。
【００７９】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図１２における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図１５参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００８０】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【００８１】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図１２における時刻ｔ４以降、図１６参照）。
【００８２】
具体的には、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）が出力され、図１６に示すように、ゲートスキャン信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。
【００８３】
そして、図１６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。
【００８４】
上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１の実施形態と同様に、リセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。また、閾値電圧が負電圧の駆動用トランジスタを用いるようにしたので、駆動用トランジスタのゲート電圧の２値制御が可能になり構成および駆動制御を簡略化することができる。
【００８５】
次に、本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と画素回路の構成が異なり、その他の構成は第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置とほぼ同様である。
【００８６】
第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素回路２１は、図１７に示すように、有機ＥＬ発光素子２１ａと、有機ＥＬ発光素子２１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子２１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ２１ｂと、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子２１ｃと、容量素子２１ｃの一端および駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された選択用トランジスタ２１ｄとを備えている。そして、さらに、駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子Ｓと選択用トランジスタ２１ｄの一端（データ線１６側とは反対側）との間にソース用トランジスタ２１ｅが接続されている。
【００８７】
有機ＥＬ発光素子２１ａ、駆動用トランジスタ２１ｂ、選択用トランジスタ２１ｄおよびソース用トランジスタ２１ｅの詳細については、上記第２の実施形態と同様である。
【００８８】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図１８から図２１を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を示すタイミングチャートについては、図１２に示す第１の実施形態のタイミングチャートと同様である。
【００８９】
まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図１２の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図１８参照）。
【００９０】
具体的には、図１８に示すように、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ２１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ２１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図１８に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じて選択用トランジスタ２１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ２１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子Ｓと選択用トランジスタ２１ｄの一端とが接続される。すなわち、ソース用トランジスタ２１ｅおよび選択用トランジスタ２１ｄを介して駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子Ｓとデータ線１６とが接続される。
【００９１】
そして、このときゲート駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路２１の駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇおよびソース端子Ｓに供給される。
【００９２】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢとなり、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖに設定され、容量素子２１ｃおよび寄生容量６１がリセットされる。
【００９３】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行について、閾値電圧検出動作が行われる（図１２の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図１９参照）。
【００９４】
具体的には、図１２に示すように、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ２１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図１９に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ２１ｅがオフされる。
【００９５】
そして、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート−ソース間電圧はリセット動作によりＶｇｓ＝０Ｖとなっており、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧は負電圧であるため、駆動用トランジスタ２１ｂから有機ＥＬ発光素子２１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子２１ａの寄生容量６１が充電され、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。
【００９６】
そして、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇには所定の固定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき容量素子２１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。
【００９７】
なお、このときのＶＢの条件については、上記第２の実施形態と同様である。
【００９８】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図１２における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図２０参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００９９】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子２１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ２１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子２１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量６１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子２１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【０１００】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図１２における時刻ｔ４以降、図２１参照）。
【０１０１】
具体的には、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ２１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力され、図２１に示すように、ゲートスキャン信号に応じて選択用トランジスタ２１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。
【０１０２】
そして、図２１に示すように、駆動用トランジスタ２１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子２１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子２１ａの発光部６０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に選択用トランジスタ２１ｄをオフする必要がある。
【０１０３】
上記第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、上記第２の実施形態と同様に、リセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。
【０１０４】
なお、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置で用いた画素回路２１を第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置で用いるようにしてもよい。その場合、有機ＥＬ表示装置の動作を示すタイミングチャートについては、図３に示す第１の実施形態のタイミングチャートと同様である。
【０１０５】
また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。
【０１０６】
また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。
【符号の説明】
【０１０７】
１０   アクティブマトリクス基板
１１   画素回路
１１ａ 発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ 選択用トランジスタ
１１ｅ ソース用トランジスタ
１２   ゲート駆動回路
１３   走査駆動回路
１４   ゲート走査線
１５   ソース走査線
１７   制御部
５０   発光部
５１   寄生容量
【図１】
2010286502.tif 000003
【図２】
2010286502.tif 000004
【図３】
2010286502.tif 000005
【図９】
2010286502.tif 000006
【図１０】
2010286502.tif 000007
【図１１】
2010286502.tif 000008
【図１２】
2010286502.tif 000009
【図１７】
2010286502.tif 000010
【図２２】
2010286502.tif 000011
【図２３】
2010286502.tif 000012
【図２４】
2010286502.tif 000013
【図４】
2010286502.tif 000014
【図５】
2010286502.tif 000015
【図６】
2010286502.tif 000016
【図７】
2010286502.tif 000017
【図８】
2010286502.tif 000018
【図１３】
2010286502.tif 000019
【図１４】
2010286502.tif 000020
【図１５】
2010286502.tif 000021
【図１６】
2010286502.tif 000022
【図１８】
2010286502.tif 000023
【図１９】
2010286502.tif 000024
【図２０】
2010286502.tif 000025
【図２１】
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