(57)【要約】【課題】発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることを目的とする。【解決手段】リードフレーム２上に表面平滑剤を含まない下地めっき被膜３と、その表面に低シアン銀めっき液を用いて形成した銀めっき被膜４を形成することにより、光沢を持たせながら銀が析出しやすくなり、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。【選択図】図１
2010199166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を搭載する光半導体装置用リードフレームであって、
前記光半導体素子の搭載領域を備えるリードフレームと、
前記リードフレームの表面に形成される金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜と、
前記下地めっき被膜上に形成されて表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜と、
前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲に形成されるリフレクターと
を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
前記銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
前記銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
前記銀めっき被膜が、結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜上に、表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜が積層される積層膜であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
前記第一銀めっき被膜および前記第二銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項７】
前記下地めっき被膜が表面平滑剤非含有皮膜であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
前記銀めっき被膜が低シアン銀めっき液を用いて形成されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項９】
前記第二銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする請求項５〜請求項８のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項１０】
前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする請求項５〜請求項９のいずれかに記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項１１】
光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、
リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、
前記下地めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１２】
前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする請求項１１記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１３】
光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、
リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、
前記下地めっき被膜上に表面に結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜を低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記第一銀めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記第一銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１４】
前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする請求項１３記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子を搭載し、樹脂封止される光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置用リードフレームとしては、その上に充填される封止樹脂との密着性を向上させるために、表面を粗面化めっきしている。
以下、図３を用いて従来の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
【０００３】
図３は、従来の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図である。
図３において、光半導体装置１は、銅または銅合金若しくは銅または銅合金が最表面となる非銅系合金からなる金属材料を用いたリードフレーム２上に粗面ニッケルめっき９ａおよび９ｂが形成され、リードフレーム２の発光素子５と金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに対し選択的に銀めっき皮膜４が形成され、発光素子５実装後、封止樹脂８が充填される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、光半導体素子１の発光効率を向上させるために、粗面ニッケルめっき９ｂに表面平滑剤を添加したり、リードフレーム２表面を表面平滑剤が添加された銀めっきしたりする場合がある。この場合も、リードフレーム２の金属材料が銀めっきに拡散することを防止するために、リードフレーム２上に表面に凹凸が形成された下地めっきを施し、その上に薄い銀めっきを施す構成であった。銀めっき皮膜は、シアン化銀カリウム、シアン化カリウムおよび表面平滑剤や光沢剤などの添加剤を含有しためっき液で形成される。めっき液中では、銀イオンとシアン化物イオンが錯形成して銀を析出しにくくし、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤により銀が析出する箇所を制限することで表面凹凸が小さく光沢のある銀めっき皮膜を形成していた。
【特許文献１】特開２００６−６６５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来の構成では、粗面ニッケルめっき９ａおよび９ｂは表面粗さが大きくめっき皮膜の内部応力が大きいため、結晶格子の歪みや欠陥などが生じやすく、封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴により表面粗さが低減し、樹脂密着性が低下する課題を有している。
【０００６】
一般的に、金属は結晶格子の歪みや欠陥などによる内部応力を解消するため再結晶温度で結晶粒子に変化が生じる特性を持つ。ニッケルは再結晶温度が高く再結晶が生じにくい金属であるが、内部応力が大きいため再結晶が生じやすい環境を生じさせている。また、リードフレーム２に使用される金属は再結晶温度が低く、封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴によりリードフレーム２金属の結晶粒子が変動する。それに伴ってリードフレーム２上の粗面化めっきは変動し表面粗さが低下する。
【０００７】
また、銀めっきを施した場合には、銀はニッケルよりも再結晶温度が低く、再結晶が生じやすくなるため樹脂密着性を確保できない。
本発明の光半導体装置用リードフレームは、前記従来の課題を解決するもので、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の光半導体装置用リードフレームは、光半導体素子を搭載する光半導体装置用リードフレームであって、前記光半導体素子の搭載領域を備えるリードフレームと、前記リードフレームの表面に形成される金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜と、前記下地めっき被膜上に形成されて表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜と、前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲に形成されるリフレクターとを備えることを特徴とする。
【０００９】
また、前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする。
また、前記銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする。
【００１０】
また、前記銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記銀めっき被膜が、結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜上に、表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜が積層される積層膜であることを特徴とする。
【００１１】
また、前記第一銀めっき被膜および前記第二銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記下地めっき被膜が表面平滑剤非含有皮膜であることを特徴とする。
【００１２】
また、前記銀めっき被膜が低シアン銀めっき液を用いて形成されることを特徴とする。
また、前記第二銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする。
また、前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、前記下地めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする。
また、光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、前記下地めっき被膜上に表面に結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜を低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記第一銀めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記第一銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
また、前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする。
以上により、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、リードフレーム上に表面平滑剤を含まない下地めっき被膜と、その表面に低シアン銀めっき液を用いて形成した銀めっき被膜を形成することにより、光沢を持たせながら銀が析出しやすくなり、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）において、本発明の光半導体装置用リードフレームは、リードフレーム２上に下地めっき皮膜３が形成され、下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４が形成され、銀めっき皮膜４の外郭を囲繞した樹脂成形体からなるリフレクター７が形成される。光半導体装置１は、光半導体装置用リードフレームに発光素子５実装後、封止樹脂８が充填される構成である。
【００１９】
以下詳細に説明する。
光半導体装置１に用いるリードフレーム２は、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料を従来から用いられているプレス法またはエッチング法により形成される。リードフレーム２上には下地めっき皮膜３として０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜、もしくは０．０１μｍ〜０．５μｍの銅ストライクめっき皮膜や０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜が形成される。
【００２０】
このような下地めっき皮膜３は、銅及び銅合金若しくは鉄及び鉄合金と下地めっき皮膜３との密着性を確保でき、特に鉄及び鉄合金は酸化されやすい卑な金属であるため、鉄及び鉄合金よりも酸化されにくい金属めっき皮膜を形成することによって腐食性を緩和することができる。加えて、その表面に形成される銀めっき被膜４中へリードフレーム２の銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金に含まれる元素を熱拡散しにくい状態にして銀めっき皮膜４の層間剥離や銀めっき皮膜４上の変色を防止することができる。
【００２１】
ちなみに、前記０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜は銀めっき置換防止皮膜に置き換えることができる。これによれば、下地めっき前後の処理液の種類を問わず下地めっき処理を行うことができ前記効能を得ることができる。
【００２２】
下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４として、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜３．０μｍの半光沢銀めっき皮膜が形成される。銀めっき皮膜４は少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
【００２３】
低シアン銀めっき液を用いて銀めっき被膜４を形成することにより、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ銀めっき皮膜４自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜４を形成することができる。また、下地めっき皮膜３として表面平滑剤を含有しないめっき液を使用することにより、表面の凹凸の形成が抑制されることなく、材料凹凸を引き継ぎながら、凹部に表面平滑剤が吸着せず、凹部、凸部ともに均等に結晶析出が生じ、凹部を残したまま凸部が結晶成長するため、結晶が大きくなり、表面凹凸が形成される。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液で銀めっきを行うことにより、シアン化物イオンの発生が少なくなり、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させ、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継いで表面凹凸の大きな銀めっき皮膜４を形成することができる。
【００２４】
また、銀が析出しやすい環境になることにより内部応力などの結晶歪が解消されるので安定な結晶構造を持ち、成形時や実装時の加熱によっても表面凹凸が維持される。その際セレン系光沢剤を添加しておくことにより、銀めっき皮膜４は半光沢銀めっきとなる。
【００２５】
従来銀めっき皮膜は、先に述べたようにシアン化物イオンにより銀イオンの移動を抑制し、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤によって銀イオンが電子受給し銀が析出する箇所を制限しながら形成されることによって、銀めっき皮膜の結晶配列は金属銀やスパッタ法で形成される銀よりも歪を持つようになる。そこで、低シアン銀めっき液を使用することで銀イオンの移動抑制を低減させ、従来の銀めっき皮膜よりも結晶配列の歪を少なくすることができる。従って、成形時における金型や樹脂による加熱または実装時のリフロー等による熱履歴や銀の時間経過による再結晶を生じにくくするため、結晶は移動することはなく、結果として材料金属の再結晶に影響を受けにくくでき、銀めっき表面凹凸を維持することができる。その際セレン系光沢剤の作用で銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。
【００２６】
銀めっき皮膜４に替えて、以下のような構成にすることもできる。
図１（ｂ）に示すように、まず、下地めっき皮膜３上には第一銀めっき皮膜４ａとして、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜１．０μｍの無光沢または半光沢銀めっき皮膜が形成される。第一めっき皮膜４ａは少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
【００２７】
さらに、第一銀めっき皮膜上の発光素子５の実装部２ａおよび金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに、第二銀めっき皮膜４ｂとして、低シアン銀めっき液を用いて０．５μｍ〜２．０μｍの部分銀めっき皮膜が形成される。
【００２８】
第一銀めっき皮膜４ａによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ第一銀めっき皮膜４ａ自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７と最も接触する面に結晶凹凸の大きな銀めっきを接触することができるので更にリフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜を形成することができる。また、めっき皮膜はめっきが形成されるに従いめっき金属の結晶構造に近づいていくが、１．０μｍ以下の銀めっき皮膜では下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継ぐため第一銀めっき皮膜の表面凹凸を持たせることができる。
【００２９】
また、シアン化物イオンを減少させることにより意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させ、表面凹凸が大きく半光沢のある第二銀めっき皮膜４ｂを形成することができる。第二銀めっき皮膜４ｂに光沢を持たせる理由は、ＬＥＤチップが発光する際に拡散する光を、めっき面で効率よく反射させて、リフレクターにより指向性を持たせ光の拡散や乱反射を防止して発光効率の低下を防止するためである。実装部２ａ・ワイヤーボンディング部２ｂともにめっきに凹凸をもたせる理由は、実装部はＡｇペースト等の有機物を含む物質でＬＥＤチップが搭載されるため、ペースト剤が流れる経路を長くしブリードアウトしにくくすることにより、ブリードアウト防止のためである。ワイヤーボンディング部２ｂは結晶凹凸によってワイヤーボンドとの摩擦抵抗を増加させることによってワイヤーボンディング性を良好にさせるためである。
【００３０】
また、銀が析出しやすい環境になることにより結晶構造自体は安定するため成形時や実装時の加熱によっても表面凹凸が維持される。その際、第二銀めっき皮膜４ｂにセレン系光沢剤を添加しておくことにより銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。
【００３１】
従来銀めっき皮膜は、先に述べたようにシアン化物イオンにより銀イオンの移動を抑制し、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤によって銀イオンが電子受給して銀が析出する箇所を制限しながら形成されることによって、銀めっき皮膜の結晶配列は金属銀やスパッタ法で形成される銀よりも歪を持つようになる。そこで、低シアン銀めっき液を使用することで銀イオンの移動抑制を低減させ、従来の銀めっき皮膜よりも結晶配列の歪を少なくすることができる。従って、成形時における金型や樹脂による加熱または実装時のリフロー等による熱履歴や銀の時間経過による再結晶を生じにくくするため、結晶は移動することはなく、結果として材料金属の再結晶の影響を受けにくくなり、銀めっきの表面凹凸を維持することができる。その際セレン系光沢剤の作用で銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。
【００３２】
以上のように、表面凹凸のある半光沢銀めっきを形成させることによりリフレクターを構成する熱可塑性樹脂とリードフレームの密着性を向上させ、かつ高い発光効率を得ることができる。
（実施の形態２）
図２は、本発明の光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【００３３】
図２（ａ）〜図（ｅ）において、図１と同じ構成は説明を省略する。
図２に示すように、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料をプレス法またはエッチング法によりリードフレーム２を形成し、リードフレーム２上に表面平滑剤を含まない下地めっき皮膜３を形成する。
【００３４】
下地めっき皮膜３を形成する前にリードフレーム２には、脱脂、洗浄、酸洗等の前処理が施す。なお、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料の封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴における金属材料の再結晶を抑制するために、プレス法であれば金属材料表面の加工変質層を取り去る工程、例えば化学研磨や電解研磨などを施すとなお良い。
【００３５】
次に、下地めっき皮膜３として０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜、もしくは０．０１μｍ〜０．５μｍの銅ストライクめっき皮膜や０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜が形成されている。
【００３６】
これによって、下地めっき皮膜３によれば、銅及び銅合金若しくは鉄及び鉄合金とめっき皮膜３の密着性を確保でき、特に鉄及び鉄合金は酸化されやすい卑な金属であるため、鉄及び鉄合金よりも酸化されにくい金属めっき皮膜を形成することによって腐食性を緩和することができる。加えて、その上に形成される銀めっき被膜４中へリードフレーム２の銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金に含まれる元素を熱拡散しにくい状態にして銀めっき皮膜４の層間剥離や銀めっき皮膜上の変色を防止することができる。
【００３７】
ちなみに、前記０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜は銀めっき置換防止皮膜に置き換えることができる。これによれば、下地めっき前後の処理液の種類を問わず下地めっき処理を行うことができ前記効能を得ることができる（図２（ａ））。
【００３８】
次に、下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４として、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜３．０μｍの半光沢銀めっき皮膜を形成する。この時、銀めっき被膜４に光沢を持たせるために、セレン系光沢剤を添加しておく。また、銀めっき皮膜４は少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
【００３９】
このとき、リードフレーム２全面又は少なくともリフレクター設置部にリール・トゥ・リール方式もしくはバレルめっき方式を採用して銀めっき被膜４を形成すると良い。なお、このときめっき不要部をシリコーンラバー等で形成されたメカニカルマスクで囲い、めっき部へめっき液を吹き上げるスパージャ方式を採用するとなお良い。また、めっき不要部にマスキングテープを施すテーピング方式、若しくはレジストを塗布する露光方式を採用しても良い。
【００４０】
これによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ銀めっき皮膜４自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜４を形成することができる。下地めっき皮膜３は表面平滑剤を含有しないめっき液を使用しているため、材料凹凸を引き継ぎながら、大きな結晶が形成されて表面凹凸を持つ。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させて表面凹凸が大きな半光沢のある銀めっき皮膜を形成することができる（図２（ｂ））。
【００４１】
銀めっき皮膜４に替えて、以下のような構成にすることもできる。
下地めっき皮膜３上に第一銀めっき皮膜４ａとして、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜１．０μｍの無光沢または半光沢銀めっき皮膜を形成する。第一めっき皮膜４ａは少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
【００４２】
このとき、リードフレーム２全面又は少なくともリフレクター設置部にリール・トゥ・リール方式もしくはバレルめっき方式を採用して第一銀めっき皮膜４ａを形成すると良い。
【００４３】
これによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ第一銀めっき皮膜４ａ自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７と最も接触する面に結晶凹凸の大きな銀めっきを接触させることができるので、更にリフレクター７とのアンカー効果を狙える第一銀めっき皮膜４ａを形成することができる。また、めっき皮膜はめっきが形成されるに従いめっき金属の結晶構造に近づいていくが、１．０μｍ以下の銀めっき皮膜では下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継ぐため第一銀めっき皮膜４ａの表面凹凸を持たせることができる。
【００４４】
さらに、下地めっき皮膜３は表面平滑剤を含有しないめっき液を使用しているため材料凹凸を引き継ぎながら、かつ結晶が大きいため表面凹凸を持つ。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことができ、表面凹凸が大きい第一銀めっき皮膜４ａを形成することができる。
【００４５】
次に、第一銀めっき皮膜４ａ上の発光素子５の実装部２ａおよび金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに、低シアン銀めっき液で表面平滑剤を含む第二めっき皮膜４ｂを形成する。
【００４６】
このとき、めっき不要部をシリコーンラバー等で形成されたメカニカルマスクで囲い、めっき部へめっき液を吹き上げるスパージャ方式を採用すると良い。また、めっき不要部にマスキングテープを施してめっきを行うテーピング方式、若しくはめっき不要部にレジストを塗布してめっきを行う露光方式を採用しても良い。
【００４７】
このように、低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことができ、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させて表面凹凸が大きく半光沢のある第二銀めっき皮膜４ｂを形成することができる（図２（ｅ）参照）。
【００４８】
なお、銀めっき皮膜形成後はめっきの洗浄を目的とした後処理、例えばクエン酸水溶液を用いた電解洗浄を行うとなおよい。
これによって、銀めっき皮膜４とリフレクター７接触界面の不純物を除去することができ、銀めっき皮膜４または第二銀めっき皮膜４ｂとリフレクター７樹脂とのアンカー効果がより強固になり樹脂密着性を得ることができる。
【００４９】
次に、銀めっき皮膜４が形成された領域に液晶ポリマー、ポリフタルアミドなどからなる熱可塑性樹脂で形成したリフレクター７を形成して本発明の光半導体装置用リードフレームが完成する（図２（ｃ））。
【００５０】
最後に発光素子５を実装して金属細線６によりワイヤーボンディングをした後、封止樹脂４を充填して光半導体装置が完成する（図２（ｄ），図２（ｅ））。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
半発明の光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法は、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができ、光半導体素子を搭載し、樹脂封止される光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図
【図２】本発明の光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置の製造方法を説明する工程断面図
【図３】従来の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図
【符号の説明】
【００５３】
１    光半導体装置
２    リードフレーム
２ａ    実装部
２ｂ    ワイヤーボンディング部
３    下地めっき皮膜
４    銀めっき皮膜
４ａ    第一銀めっき皮膜
４ｂ    第二銀めっき皮膜
５    発光素子
６    金属細線
７    リフレクター
８    封止樹脂
９ａ    粗面ニッケルめっき
９ｂ    粗面ニッケルめっき
【図１】
2010199166.tif 000003
【図２】
2010199166.tif 000004
【図３】
2010199166.tif 000005