(57)【要約】【課題】データストレージとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを内蔵する画像表示装置における、データ再生の信頼性を向上させる。【解決手段】写真立て型表示装置に内蔵のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データの読み出し回数をカウントする。この読み出し回数が、予め設定した読み出し回数対応閾値を越えるとダイアログ画像を表示する。ダイアログ画像に対してリフレッシュの実行を指示する操作が行われ太ことに応じて、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象とするリフレッシュを実行する。【選択図】図５
2010145890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、
上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データを読み出して画像として表示させるための制御を実行する表示制御手段と、
上記表示制御手段の表示制御により上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから画像データが読み出されるのに応じて、その読み出し回数が示される読み出し回数情報を更新する読み出し回数情報管理手段と、
上記読み出し回数情報にて示される上記読み出し回数が読み出し回数対応閾値より大きい場合に、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象としてデータを書き戻すリフレッシュを実行すべきときであると判定するリフレッシュ判定手段と、
リフレッシュ判定手段によりリフレッシュを実行すべきときであるとの判定結果が得られたことに基づいて上記リフレッシュを実行するリフレッシュ実行手段と、
を備える画像表示装置。
【請求項２】
上記リフレッシュ判定手段によりリフレッシュを実行すべきときであると判定されたことに応じて、リフレッシュを実行させるか否かをユーザが指示する操作に用いる画像である、リフレッシュ実行可否操作画像を表示させる操作画像表示制御手段をさらに備え、
上記リフレッシュ実行手段は、上記リフレッシュ実行可否操作画像に対する操作として、リフレッシュを実行させることが指示されたことに応じて、上記リフレッシュを実行する、
請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記リフレッシュ判定手段は、上記リフレッシュ実行可否操作画像に対する操作として、リフレッシュを実行させないことが指示されてから一定時間を経過すると、リフレッシュを実行すべきときであると判定する、
請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記操作画像表示制御手段は、リフレッシュを実行中のときには、リフレッシュが実行中であることをユーザに通知するためのリフレッシュ実行通知画像を表示させる、
請求項２又は請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記操作画像表示制御手段は、リフレッシュが完了したことに応じて、リフレッシュが完了したことをユーザに通知するためのリフレッシュ完了通知画像を一定時間により表示させる、
請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記読み出し回数情報は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データごとの読み出し回数を示しているものとされ、
上記リフレッシュ判定手段は、上記読み出し回数情報にて示される画像データごとの読み出し回数における最大値が回数対応閾値より大きい場合に、上記リフレッシュを実行すべきときであると判定する、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
上記リフレッシュが最後に実行された年月日である最終リフレッシュ年月日情報を上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶させる最終リフレッシュ年月日情報管理手段をさらに備え、
上記リフレッシュ制御手段は、上記最終リフレッシュ年月日情報が示す年月日から現在の年月日までの期間に対応する値が、期間対応閾値より大きい場合に、上記リフレッシュを実行する、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
読み出し回数情報管理手段は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリからの画像データの読み出しに応じた読み出し回数情報の更新について、主記憶部上にて保持させている読み出し回数情報を対象にして実行するとともに、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリからの画像データの読み出し回数の累積値が一定値に至るごとに、主記憶部にて保持している読み出し回数情報により、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている読み出し回数情報の更新を行う、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項９】
上記リフレッシュ実行手段は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対するデータの書き戻しのための対の読み出し命令・書き込み命令を、書き戻しセクタアドレスの指定とともに第１のセクタ数単位ごとに実行するとともに、１回の対の読み出し命令・書き込み命令を実行するごとに、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリ部において、上記対の読み出し命令・書き込み命令に応じて実行される、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対するデータの読み出し・書き込みの単位である第２のセクタ数単位に基づいて、上記書き戻しセクタアドレスを更新する、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１０】
上記リフレッシュ実行手段は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける全領域を対象としてリフレッシュを実行する、
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１１】
上記リフレッシュ実行手段は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける、画像データと、この画像データをファイル単位で管理するためのファイルシステム情報が記憶される領域を対象としてリフレッシュを実行する、
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１２】
上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されているファイルシステム情報を主記憶部に保持させ、この主記憶部に保持されているファイルシステム情報を利用して、同じＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶される画像データをファイル単位で管理するようにされたうえで、
上記リフレッシュ実行手段は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける、画像データが記憶される領域を対象としてリフレッシュを実行する、
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１３】
画像表示装置に内蔵のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データを読み出して画像として表示させるための制御を実行する表示制御手順と、
上記表示制御手順が実行する表示制御により上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから画像データが読み出されるのに応じて、その画像データの読み出し回数が示される読み出し回数情報を更新する読み出し回数情報管理手順と、
上記読み出し回数情報にて示される上記読み出し回数が読み出し回数対応閾値より大きい場合に、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象としてデータを書き戻すリフレッシュを実行すべきときであると判定するリフレッシュ判定手順と、
リフレッシュ判定手順によりリフレッシュを実行すべきときであるとの判定結果が得られたことに基づいて上記リフレッシュを実行するリフレッシュ実行手順と、
を実行する画像表示方法。
【請求項１４】
画像表示装置に内蔵のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データを読み出して画像として表示させるための制御を実行する表示制御手順と、
上記表示制御手順が実行する表示制御により上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから画像データが読み出されるのに応じて、その読み出し回数が示される読み出し回数情報を更新する読み出し回数情報管理手順と、
上記読み出し回数情報にて示される上記読み出し回数が読み出し回数対応閾値より大きい場合に、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象としてデータを書き戻すリフレッシュを実行すべきときであると判定するリフレッシュ判定手順と、
リフレッシュ判定手順によりリフレッシュを実行すべきときであるとの判定結果が得られたことに基づいて上記リフレッシュを実行するリフレッシュ実行手順と、
を画像表示装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリデバイスに記憶された画像データを画像として表示する画像表示装置とその方法、また、上記画像表示装置が実行するプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１にあるように、フォトスタンドとしてＬＣＤディスプレイを用い、このＬＣＤディスプレイに対して記録媒体に記録されている画像を表示させるものが知られている。
これにより、例えばデジタルスチルカメラにより撮影した画像を表示して鑑賞するのに、デジタルスチルカメラをモニタ装置に接続したり、撮影した画像をパーソナルコンピュータに渡すような面倒な作業をすることなく、銀塩写真をフォトスタンドに入れるのと同様に、気軽に画像を鑑賞することができる。また、例えば複数の画像をスライドショーのようにして表示させるなど、電子画像の特徴を活かした表示も可能になる。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２９３１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明は、上記フォトスタンドにも代表される画像表示装置について、これまでよりも高い信頼性が得られるようにすることを、その課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本願発明は上記した課題を考慮して、画像表示装置として次のように構成する。
つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データを読み出して画像として表示させるための制御を実行する表示制御手段と、上記表示制御手段の表示制御により上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから画像データが読み出されるのに応じて、その画像データの読み出し回数が示される読み出し回数情報を更新する読み出し回数情報管理手段と、上記読み出し回数情報にて示される上記読み出し回数が読み出し回数対応閾値より大きい場合に、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象としてデータを書き戻すリフレッシュを実行すべきときであると判定するリフレッシュ判定手段と、リフレッシュ判定手段によりリフレッシュを実行すべきときであるとの判定結果が得られたことに基づいて上記リフレッシュを実行するリフレッシュ実行手段とを備えることとした。
【０００６】
上記構成では、画像表示装置は、表示対象の画像データを記憶するストレージデバイスとして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを内蔵する。そのうえで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データの読み出し回数が予め設定した閾値（読み出し回数対応閾値）を越えたことに基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象とするリフレッシュを実行する。ここでのリフレッシュとはデータの書き戻しのことであり、既にＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域に書き込まれているデータを一度読み出し、この読み出したデータを再度、同じＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域に書き込むことをいう。
このようにして、画像データの読み出し回数に基づいて上記リフレッシュを実行することで、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対してホストとなるＣＰＵ側で、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから読み出されるデータのエラー状況を認識できないような仕様であっても、リード・ディスターブなどの不良対策を万全なものとすることが可能になる。
【発明の効果】
【０００７】
このようにして、本発明は、画像表示装置においてストレージデバイスとして内蔵されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリについての不良対策を万全に行えることが可能になるものであり、これによって、画像表示装置の信頼性を向上させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本願発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）について、下記の順により説明する。
＜１．写真立て型表示装置の外観例＞
＜２．写真立て型表示装置の構成例＞
＜３．メモリリフレッシュ動作＞
［３−１．本実施形態に至る具体的理由］
［３−２．メモリリフレッシュ実行条件］
［３−３．メモリリフレッシュに対応したダイアログ画像例］
［３−４．アルゴリズム例］
【０００９】
＜１．写真立て型表示装置の外観例＞
本実施形態としては、写真立て（フォトスタンド、フォトフレーム）型の画像表示装置（写真立て型表示装置）に本願発明を適用した例を挙げる。この写真立て型表示装置は、デジタルスチルカメラなどにより撮影された画像データを外部から取り込んで、内蔵メモリ（フラッシュメモリ）に記憶させることができる。そして、この内蔵メモリに記憶されている画像データを、表示画面部に表示させることができる。
【００１０】
図１は、本実施形態としての写真立て型表示装置１の外観例を示している。
この図に示される写真立て型表示装置１は、所定寸法の幅、高さ、奥行きによる、正面が長方形となる外形形状を有している。
この場合の写真立て型表示装置１は、例えば幅が２０cm〜２５ｃｍ前後、高さが１５ｃｍ前後の外形サイズであり、卓上などに置いておくのに適するものとなっている。
【００１１】
本体部２の正面部には、画像が表示される表示画面部３が設けられている。
上記表示画面部３は、写真立て型表示装置１に採用されたディスプレイデバイスにおける画像パネル部分となる。
【００１２】
また、スタンド４は、写真立て型表示装置１の本体部２を、実際の写真立てのようにして立てられた状態に保つために、本体部２の背面側に取り付けられる部品である。
【００１３】
＜２．写真立て型表示装置の構成例＞
図２は、写真立て型表示装置１の内部構成例を示している。
この図に示すように、本実施形態の写真立て型表示装置１は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)１１、ディスプレイデバイス１２、メモリ部１３、ＳＤＲＡＭ１４、時計部１５、操作部１６、及びメモリカードインターフェース１７を備えて成るものとしている。
【００１４】
ＣＰＵ１１は、メモリ部１３において実装されるＮＡＮＤフラッシュメモリ（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）１３ａに記憶されているプログラムを読み出して例えばＳＤＲＡＭ１４に展開したうえで、この読み出したプログラムを実行する。これにより、写真立て型表示装置１としての必要な動作が適宜得られる。
ここでのＳＤＲＡＭ１４は、ＣＰＵ１１の主記憶装置（主記憶部）となるもので、補助記憶装置がメモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）となる。
ＣＰＵ１１とメモリ部１３との間の通信は、ＣＰＵ１１側において備えるメモリインターフェース２１を介して実行されるものとしている。このメモリインターフェース２１は、ＣＰＵ１１において備えられる、メモリ部１３との電気的な通信部位と、その上層の通信のためのプログラムにより実現される機能から成る。ＣＰＵ１１は、このメモリインターフェース２１を介するようにして、メモリ部１３に対するデータの書き込み、読み出しを実行する。
【００１５】
メモリ部１３は、例えば不揮発性メモリとしての１つの部品であって、写真立て型表示装置１において固定的に内蔵されている。この場合のメモリ部１３は、不揮発性の記憶素子として、内部にＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ（ＮＡＮＤフラッシュメモリ）１３ａを備えている。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとしての半導体メモリデバイスは、周知のように、ブロック単位でのデータの書き込み・読み出しであるためにランダムアクセスの速度は低いものの、消去や書き込みの速度が速く大容量化に適した仕様となっている。このために、現在では、いわゆるデータストレージといわれる、画像、音声などのための記憶媒体として広く普及している状況にある。
また、この場合のメモリ部１３は、ＥＣＣ部１３ｂも内蔵する。このＥＣＣ(Error Checking and Correcting)部１３ｂは、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａから読み出されたデータについてのエラー検出及びエラー訂正処理を実行してＣＰＵ１１（メモリインターフェース２１）に渡す。
【００１６】
ディスプレイデバイス１２は、ディスプレイパネルと、これを駆動する駆動回路部を有し、ＣＰＵ１１の画像表示制御に応じて駆動回路が表示駆動のための動作を実行することで、ディスプレイパネルに画像を表示させる。このディスプレイパネルとしての画像が表示される部位が、本体部２の前面部において表出する表示画面部３となる。
本実施形態ではディスプレイデバイス１２として液晶ディスプレイを採用するものとするが、例えば有機ＥＬディスプレイデバイスなどをはじめ、他のディスプレイデバイスが採用されてよい。
【００１７】
時計部１５は、現在時刻を計時するための部位である。ここでは、時計部１５は、現在時刻として、年月日及び時分秒を計時できるものとする。ＣＰＵ１１は、時計部１５において計時されている現在時刻を読み出して取得することができる。
【００１８】
この場合の操作部１６は、写真立て型表示装置１に備えられる操作子をまとめて示している。操作部１６を形成する操作子に対して操作が行われると、この操作に応じた操作信号がＣＰＵ１１に出力される。ＣＰＵ１１は、入力される操作信号に応答して、適宜、必要な制御・処理を実行する。
また、写真立て型表示装置１に対する操作をリモートコントローラにより行えるようにされている場合には、この操作部１６には、写真立て型表示装置１とは別体のリモートコントローラと、写真立て型表示装置１側に設けられて、リモートコントローラから送信されたコマンド信号を受信復調して、操作信号としてＣＰＵ１１に渡す受信部も含まれることになる。
【００１９】
メモリインターフェース１７は、外部記憶装置であるメモリカード３０が装填される部位を備え、ＣＰＵ１１の制御に応じて、装填されたメモリカード３０に対するデータのアクセスとして、少なくともデータの読み出しが可能なように構成される部位である。メモリカード３０から読み出したデータは、ＣＰＵ１１に転送される。
【００２０】
電源部１８は、例えば商用交流電源、若しくはＡＣアダプタにより商用交流電源を直流化した電源、若しくはバッテリなどから供給される電力を入力して、これまでに説明した写真立て型表示装置１内の各部位に対応するハードウェア、回路などに対して、しかるべき電圧値の電源を供給する部位である。
【００２１】
上記構成による写真立て型表示装置１の基本的な利用態様例と、これに応じた写真立て型表示装置１の表示動作について説明する。
ユーザは、例えばデジタルスチルカメラなどで撮影した画像データが保存されているメモリカード３０を、写真立て型表示装置１に対して装填し、画像表示のための操作を行う。
この操作に応じては、ＣＰＵ１１は、メモリインターフェース１７を介して、メモリカード３０に記憶されている画像データを読み出し、ディスプレイデバイス１２にて画像として表示させるための制御を実行する。
これにより、写真立て型表示装置１の表示画面部３において、ユーザが装填したメモリカード３０に保存されている画像データの画像が表示されることになる。
【００２２】
また、メモリカード３０から読み出した画像データをメモリ部１３に取り込むようにして保存し、このメモリ部１３に保存された画像データを表示させることも可能とされている。
この場合には、先ず、ユーザは、写真立て型表示装置１に対してメモリカード３０を装填して、ここに記憶されている画像データを、メモリカード３０に対して転送して記憶させるための操作を実行する。このときには、例えばメモリカード３０に記憶されている画像データのうちから、メモリカード３０に記憶させる画像データを選択する操作が行えるようにされている。
この操作に応じて、ＣＰＵ１１は、メモリカード３０から選択された画像データを順次読み出し、メモリインターフェース１７を介してメモリ部１３に対して書き込み命令を実行するとともに、データを転送する。この命令に応じて、メモリ部１３は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに画像データを書き込んで、ファイル単位で管理されるようにして保存させる。なお、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおいてファイル単位で管理される画像データは、静止画像データとされ、ここではＪＰＥＧ（Joint Photographic Expert Group）形式による画像ファイルとして管理されるものとする。また、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａは、ファイルシステムとして、あくまでも一例であるがＦＡＴを採用しているものとする。
【００２３】
この後、ユーザにより、メモリ部１３に記憶されている画像を表示させるための操作が行われたことに応じては、ＣＰＵ１１は、メモリ部１３に記憶されている画像データファイルのうちから必要な画像データファイルを読み出す。ＣＰＵ１１は、これをディスプレイデバイス１２により画像として再生表示するための制御を実行する。
【００２４】
なお、本実施形態の写真立て型表示装置１は、次のような態様による画像データの再生表示が可能とされている。
先ず、メモリ部１３若しくはメモリカード３０に記憶されている画像データのうちから選択した１つの画像データのみを継続して表示させる、１枚表示を行うことができる。
また、メモリ部１３若しくはメモリカード３０に記憶されている画像データのうちから選択した複数の画像を、一定時間ごとに変更させていくようにして順次表示していく、スライドショーといわれる表示を行うことができる。また、このスライドショー表示においては、一定時間ごとに１枚ずつ表示させていくことも可能であるし、一定時間ごとに複数枚ずつを表示させていくことも可能である。
さらに、本実施形態の写真立て型表示装置１は、現在時刻を示す時計、またカレンダーなどを表示することも可能とされているが、これらの時計、カレンダーなどとともに、メモリ部１３若しくはメモリカード３０に記憶されている画像データを同時に再生表示することも可能である。
また、メモリ部１３若しくはメモリカード３０に記憶されている画像データのサムネイル画像を一覧して表示させることも可能とされている。
【００２５】
なお、例えば図２に示した構成において、ＵＳＢなどをはじめとしたデータインターフェースを備え、このようなデータインターフェースを介して画像データを読み込めるようにしてもよい。このような構成の変更、追加は適宜おこなわれてよく、写真立て型表示装置１の内部構成としては、図２に示した構成に限定されるものではない。
【００２６】
また、図３に、メモリ部１３におけるＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのデータ構造例を示す。
先ず、図３（ａ）には、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａとしての全記憶領域についてのデータ構造が示されている。ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの記憶領域は、セクタ（セクタアドレス=0x0000）から終端セクタ(END)にかけて、それぞれ論理的に連続する所定セクタ数によるブートローダ(Boot Loader)領域、プログラム(Program)領域、リソース(Resource Data)領域、及びユーザ領域(User Area)から成るものとしている。
ブートローダ領域には、ブートローダとしてのデータが格納され、プログラム領域には、ＣＰＵ１１が実行するプログラムのデータが格納される。また、リソース領域には、ＣＰＵ１１がプログラム実行に応じて利用する各種のリソースデータが記憶される。本実施形態に対応しては、リソース領域において、後述するようにしてＵＩデータのほか、表示回数情報、最終リフレッシュ年月日などのリフレッシュ制御に利用する情報（リフレッシュ制御関連情報）が記憶される。
【００２７】
ユーザ領域は、ユーザデータとこれに関連したデータが格納される領域であり、その構造は、図３（ｂ）に示すものとなっている。この図３（ｂ）に示されるように、ユーザエリアは、ＭＢＲ(Master Boot Recorder)，ＰＢＲ(Partition Boot Recorder)，ＦＡＴ(File Allocation Table)１，ＦＡＴ２，ルート・ディレクトリ・エントリ(Root Directory Entry)、ユーザデータ(User Data)領域を有する。
画像データは、ユーザデータ領域に書き込まれて記憶されたうえで、ＦＡＴのファイルシステムフォーマットに従って、ＦＡＴ(File Allocation Table)１（ＦＡＴ２）、及びルート・ディレクトリ・エントリにより、ファイル単位で管理される。
【００２８】
＜３．メモリリフレッシュ動作＞
［３−１．本実施形態に至る具体的理由］
本実施形態の写真立て型表示装置１は、上記図２に示す内部構成を採るものとしている。しかし、例えば図１０に示す内部構成も採り得る。なお、図１０において図２と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
図１０においては、図２のメモリ部１３に代えて、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａが設けられる。このＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａは、メモリ部１３におけるＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに相当するもので、Pure NAND（ピュアNAND）などともいわれる。このピュアNANDは、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリデバイスとして最も単純な構成を採るもので、従ってメモリ部１３のようなＥＣＣ機能は与えられてはいない。
【００２９】
このようにしてＣＰＵ１１の外部に対してピュアNANDとしてのＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａが設けられる場合には、ＣＰＵ１１側においては、プログラムにより、メモリコントローラ２１Ａを備える。
このメモリコントローラ２１Ａは、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａに対するアクセスを制御する機能を有するもので、図示するようにしてＥＣＣ部２２としての機能を有する。
【００３０】
つまり、図１０の場合においては、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａからデータを読み出す際には、ＣＰＵ１１のメモリコントローラ２１ＡがＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａに対して読み出しアドレスを指定してデータの読み出し（リード：Read）命令を実行する。これに応じて、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａは、指定されたアドレスからのデータの読み出しを実行してメモリコントローラ２１Ａに渡す。
メモリコントローラ２１Ａは、受け取った読み出しデータについて、ＥＣＣ部２２によりエラー検出、エラー訂正処理を実行したうえで、目的の処理を実行する。例えば読み出しデータが画像データであり、これをディスプレイデバイス１２により表示させるのであれば、そのための処理を実行する。
【００３１】
現在、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、プロセスの微細化、多値化が促進されている状況にあるが、よく知られているように、デバイスとしての性能自体に関しては、この微細化、多値化の進行に伴っては逆に低下していく傾向にある。
このような性能の低下に対応して読み出しデータの信頼性を維持するためには、ＥＣＣの機能を強化する必要がある。このために、ＥＣＣの処理に必要なビット数は増加する傾向にある。このような状況のもとでは、図１０に示した構成では、ＣＰＵ１１のメモリコントローラ２１Ａが備えるＥＣＣ補正機能ではビット数が不足し、信頼性を得るのに充分とされるエラー訂正結果を得ることが難しくなってくる。すると、メモリコントローラ２１Ａに対応する機能を強化すべきことになるが、そのためのプログラムのバージョンアップに即座に対応することも現実には難しい。また、バージョンアップができたとしても、そのためのプログラムが重くなり、ＣＰＵ１１の処理が複雑で重くなってしまう。
【００３２】
このために、現在においては、ＥＣＣ機能を予め備えたＮＡＮＤフラッシュメモリ、即ち、図２に示したメモリ部１３に相当するメモリデバイスを使用する事例が多くなってきている。本実施形態としても、これに倣い、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａではなく、メモリ部１３を実装する構成としているものである。
【００３３】
図２の構成の場合には、先にも述べたように、メモリ部１３に対してデータの読み出しを要求すれば、ＥＣＣ部１３ｂによるエラー訂正済みのデータが、読み出しデータとしてＣＰＵ１１に転送されてくる。従って、ＣＰＵ１１としては、改めてＥＣＣの処理を実行することなく、そのまま読み出しデータを目的の処理に利用できる。
【００３４】
ところで、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、不良モードとして、書き換え・消去回数による不良モード、Read Disturb（リード・ディスターブ）といわれる読み出し回数に起因する不良モード、Data Retention（データ・リテンション）といわれる、時間経過による保持電荷量の変動に起因する不良モードのあることが知られている。
【００３５】
ＮＡＮＤフラッシュメモリは、書き換え・消去を繰り返していくと、１と０の読み出し電圧差が徐々に小さくなってき、これが許容範囲よりも小さくなると、データの誤りが発生する。これが書き換え・消去回数による不良モードである。
また、Read Disturbは、メモリセルの読み出し時において各ノードに印加される電圧によって蓄積電荷が変動する現象をいう。同じメモリセルに対する読み出しが繰り返された結果、そのメモリセルにおける蓄積電荷の変化の程度が許容範囲を超えると、データ誤りが発生することになる。
Data Retentionは、メモリセルの蓄積電荷が何らかの原因により時間経過に応じて増加あるいは減少するようにして変化することをいい、例えば、データが書き込まれてから或る期間を経過したことで、そのメモリセルにおける蓄積電荷の変化の程度が許容範囲を超えれば、データ誤りが発生することになる。
【００３６】
例えば上記した各不良モードについては、ＮＡＮＤフラッシュメモリとしてのデバイスごとに、スペック（仕様）として、例えばメーカ側にて、不良を発生しないことが保証される上限の回数、期間などの許容値が定められているのが通常である。
例えば、定められたスペックを超えて使用すると、一定率以上のデータ誤りが発生する可能性がでてくるものとして認識されている、換言すれば、ＮＡＮＤフラッシュメモリについては、示されたスペックを超えるような使用は避けることが求められる。
【００３７】
上記不良モードに対応する許容値は、デバイスごとに依存してまちまちではあるが、一般的に、書き換え・消去回数に関しては、SLC（Single Level Cell）の場合には数万〜十数万回、MLC（Multi Level Cell）の場合には数千回程度の範囲で定められる。
また、Read Disturbについては、SLC、MLCともに、数万回から十数万回程度の範囲で定められることが一般的である。
また、Data Retentionに対応する許容値として期間については、SLC、MLCともに、数年から十数年程度として定められることが一般的である。
【００３８】
ただし、周知のことであるが、Read DisturbとData Retentionについては、メモリセルに対して物理的にデータの書き込みを改めて行えば、その許容値はリセットされる。
つまり、例えばスペックとして定められているRead Disturbの許容回数が１万回であるとして、或るメモリセルに対して、９０００回のデータ読み出しを実行したとする。このとき、許容される残りの読み出し回数は１０００回である。しかし、この段階で、同じメモリセルに対して改めてデータの書き込みを行ったとすると、許容される残りの読み出し回数は１００００回に戻る。
同様に、Data Retentionに対応の許容値としての期間が１０年であるとして、或るメモリセルに対してデータが書き込まれてから、そのデータが５年間保持されていたとする。このとき、保持されているデータの信頼性が保証される残りの年数は５年であるが、この段階にて、改めてそのメモリセルにデータが書き込まれたとすると、残り年数は１０年に戻る。
【００３９】
ここで、本実施形態の写真立て型表示装置１としては、その使用の態様から、上記の不良モードについて、特に、Read Disturbによる不良について留意する必要がある。
写真立て型表示装置１の利用の態様として最も考えられるものの１つとしては、内蔵メモリに記憶させた複数の画像データをスライドショーにより順次表示させる動作を定常的に循環させて繰り返すというものである。このような使用の態様では、写真立て型表示装置１は、ほぼ一日中にわたって一定時間ごとに画像表示を繰り返す、つまり、内蔵メモリからの画像データの読み出しを繰り返すことになる。
【００４０】
ここで、仮に、スライドショー表示として、１枚ずつを７秒ごとに表示させていくという動作を、１年（３６５日）間にわたって続けて実行させたとする。この場合には、4,505,142回の画像表示、つまり、内蔵メモリに対する画像データの読み出しが繰り返されることになる。これに対して、Read Disturbとして許容されるスペックは、例えば上記もしたように数万〜十数万回である。
これは、スライドショー表示を日常的に実行させるようにして写真立て型表示装置１を使用した場合には、スペックとして規定されるRead Disturbの許容回数を超える可能性が現実に起こり得ることを意味している。
従って、写真立て型表示装置１としては、先ず、Data Retentionによる不良が発生しないようにして構成することが求められる。
【００４１】
ここで、写真立て型表示装置１が図１０に示すようにして構成される場合には、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ＡについてRead Disturbによる不良が発生した状態を、次のようにして推定できる。
つまり、図１０による構成では、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａから読み出したデータについてのエラー検出を、ＣＰＵ１１側のＥＣＣ部２２にて実行する。このために、ＣＰＵ１１は、ＥＣＣ部２２の処理により得られるエラーレートに基づいて、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３Ａについて、Read Disturbに対応した状態を推定することができる。つまり、検出されるエラーレートが一定未満であれば、Read Disturbによる不良は発生していないと推定でき、一定以上であれば、不良が発生していると推定できる。不良の発生が推定できれば、その後は、例えばメモリセルに対するデータ書き換えをするなどして、Read Disturbに対応する許容読み出し回数をリセットするなどして対策を行える。
【００４２】
しかし、写真立て型表示装置１として図２に示す構成を採ることとした場合には、先にも述べたようにして、メモリ部１３からは読み出しデータとして、エラー訂正済みのデータがＣＰＵ１１に対して渡される。この場合、ＣＰＵ１１では、エラー検出などの評価は行わないことから、上記のようにしてメモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）のRead Disturbに対応する状態を推定できない、ということになる。
このことからすると、本実施形態の写真立て型表示装置１としては、図２に示す構成を採るうえで、適切にRead Disturbによる不良対策が行われるようにする必要性があることになる。以降、このための構成について述べていく。
【００４３】
［３−２．メモリリフレッシュ実行条件］
本実施形態としては、Read Disturbの対策にあたり、先ず、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの記憶領域に書き込まれているデータを一旦読み出し、この読み出したデータを、例えば論理的には同じセクタに再度書き込むという、データの書き戻しを行うようにする。このようなデータの書き戻し処理については、以降、リフレッシュともいうことにする。
そして、このＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに対するリフレッシュの実行開始トリガ（条件）については、概略、下記のようにして設定することとした。
【００４４】
先ず、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）に記録されている画像データファイルごとに、その再生回数をカウント（積算）する。また、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）のスペックとして示されるRead Disturbの許容回数に基づいて、表示（再生）回数に対する閾値（Read Disturb対応閾値：読み出し回数対応閾値）を決定する。このRead Disturb対応閾値の設定手法についての具体例について後述するが、例えばRead Disturbの許容回数よりも小さな値を選ぶようにする。
そして、或る段階にて少なくとも１つの画像データファイルについての、再生回数の値が上記Read Disturb対応閾値を超えたとの条件が満たされれば、上記のリフレッシュを実行すべきときに至ったと判定するように構成する。なお、この判定結果に基づいてリフレッシュが実行され、これが完了したとすると、全ての画像データファイルについての再生回数についての値は初期値（０）にリセットされる。
【００４５】
このようにしてリフレッシュを行うこととすれば、リフレッシュ対象となる記憶領域については、或る回数にまでデータの読み出しが行われたとしても、Read Disturbの許容回数を超えるまえに必ずリフレッシュが行われることになる。この結果、定常的に、Read Disturbの許容回数を超えて読み出しが実行されたメモリセルの発生は抑えられる。
【００４６】
次に、写真立て型表示装置１の利用態様からすれば、Data Retentionについても相応に留意しておくべき必要がある。
例えば、ユーザが、一旦、或るまとまった枚数分の画像データファイルをメモリ部１３に保存させたとする。すると以降においては、相当長期間にわたって、これらの保存された画像データファイルのみを、写真立て型表示装置１により表示させるようにして使用する可能性が高い。このようにして、ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶させた画像データを写真立てでの表示に利用することを前提にすると、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）に対するデータの書き換えが長い期間にわたって行われなくなる可能性はかなり高くなる。このことは、写真立て型表示装置１では、Data Retentionの不良が発生する可能性も相応に高いことを意味する。
【００４７】
そこで、本実施形態としては、Data Retention対策としてのリフレッシュの条件についても下記のようにして設定しておくこととする。
つまり、画像データごとに、最初にＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに書き込まれた年月日の情報、若しくはリフレッシュが行われたことのある場合は、最後のリフレッシュの年月日（ここでは、最初に書き込まれた年月日も含め、「最終リフレッシュ年月日」という）の情報を保持しておく。また、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）のスペックとして示されるData Retentionの許容値としての期間に基づいた閾値（Data Retention対応閾値：期間対応閾値）を決定する。このData Retention閾値も、Data Retentionの許容値として定められた期間よりも短い値が選ばれる、
【００４８】
例えば、最初のデータ書き込み若しくは最後のリフレッシュのときから現在まで期間（ここではデータ保持期間ともいう）は、最終リフレッシュ年月日から現在の年月日までとして求められる。そこで、Data Retention対策としては、上記のデータ保持期間が、上記のData Retention閾値を超えているとの条件を満たした場合に、リフレッシュを実行してよいときであるとの判定が得られるようにする。
この判定結果に従ってのリフレッシュが実行されることで、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおいて、Data Retentionの許容期間を超えてデータを保持しているメモリセルは、定常的に無いようにできる。
【００４９】
［３−３．メモリリフレッシュに対応したダイアログ画像例］
また、本実施形態においては、上記の条件に従ってリフレッシュを実行する際には、図４に示すようにして、表示画面部３に対して、ＧＵＩ(Graphical User Interface)としてのダイアログ画像を表示する。
【００５０】
図４（ａ）は、例えばスライドショー表示により、メモリ部１３に記憶されている画像データファイルの画像を表示させている状態を示している。
この状態において、例えば、上記のRead Disturb、若しくはData Retentionに対応したリフレッシュ実行の条件を満たしたとする。これに応じて、ＣＰＵ１１は、リフレッシュモードを起動させる。そして、リフレッシュモードの起動にあたっては、先ず、表示画面部３について、これまでのスライドショー表示から、図４（ｂ）に示す、リフレッシュモードに関するダイアログが提示されるＧＵＩ画像であるリフレッシュモードダイアログの表示に移行させる。
この場合のリフレッシュモードダイアログ（リフレッシュ実行可否操作画像）としては、同じ図４（ａ）に示すように、ユーザへのメッセージとして、
『「ＯＫ」を選択するか、または３０秒後に自動でリフレッシュがはじまります。
リフレッシュには５分ほどかかります。リフレッシュ中は、電源を切らないでください。』
という文字が表示されている。
そして、このメッセージ表示の下側において、ＯＫボタンＢｔ１、キャンセルボタンＢｔ２が配置表示されている。
【００５１】
このリフレッシュモードダイアログが表示された段階では、未だ、リフレッシュは実行されずに、ＯＫボタンＢｔ１とキャンセルボタンＢｔ２のいずれかに対する操作が行われるのを待機している状態にある。
一旦リフレッシュが実行されると、リフレッシュが完了するまで画像データファイルの画像表示は行われない。例えばリフレッシュモードダイアログが表示されたとき、ユーザ、「いまこのときは、リフレッシュを行わずに画像の鑑賞を続けたい」と思ったのであれば、キャンセルボタンＢｔ２に対する操作を行う。この操作に応じては、図４（ｂ）のリフレッシュモードダイアログの表示から、再度、図４（ａ）のスライドショー表示に戻るようにする。
ただし、キャンセルボタンに対する操作が行われた場合において、以降のスライドショー表示を時間的な制限を与えることなく続けさせることは、Read Disturb、若しくはData Retentionによる不良を発生させる可能性につながるために好ましくない。そこで、キャンセルボタンに対する操作が行われてスライドショー表示に戻った場合には、スライドショーの表示再開から一定時間（ここでは一時間とする）が経過したとすると、再びリフレッシュモードが起動されて、図４（ｂ）のリフレッシュモードダイアログの表示に遷移するようにされている。
【００５２】
これに対して、図４（ｂ）のリフレッシュモードダイアログが表示されているときに、ＯＫボタンＢｔ１に対する操作が行われたとすると、ＣＰＵ１１は、リフレッシュを実行させるとともに、表示画面部３において図４（ｃ）に示すリフレッシュ実行ダイアログの画像（リフレッシュ実行通知画像）を表示させる。この場合のリフレッシュ実行ダイアログにおいては、リフレッシュを実行中であるから電源をオフにしたり遮断したりしないようにユーザに注意を促す旨のメッセージが表示される。また、これととともに、リフレッシュ動作の進捗状況を示す、いわゆるプログレスバーの表示が行われている。
【００５３】
また、図４（ｂ）のリフレッシュモードダイアログの表示が開始されてから、ＯＫボタンＢｔ１とキャンセルボタンＢｔ２の何れに対する操作も行われることなく、一定時間（ここでは３０秒とする）が経過したときにも、自動的に、リフレッシュの動作を開始させ、図４（ｃ）のリフレッシュ実行ダイアログを表示させる。
写真立て型表示装置１の場合、ユーザは、必ずしも、表示される画像を積極的に鑑賞しているとは限らず、その場に居ないような可能性も多分に考えられる。このような場合を考慮すると、あくまでもユーザがボタン操作を行うまで、図４（ｂ）の表示のままで停止させた状態としておくことは好ましくないといえる。そこで、この場合には、一定時間が経過してしまったらリフレッシュを自動的に実行させることとしたものである。
【００５４】
そして、リフレッシュが完了すると、表示画面部３においては、図４（ｃ）から図４（ｄ）に示すリフレッシュの終了をユーザに知らせる、リフレッシュ終了ダイアログ（リフレッシュ完了通知画像）を、一定時間（ここでは３秒とする）表示させる。そして、この表示期間が経過すると、図４（ａ）のスライドショー表示に戻るようにする。
【００５５】
［３−４．アルゴリズム例］
続いては、これまでに説明した本実施形態としてのリフレッシュの動作を実現するためアルゴリズムについて説明していくこととする。
図５のフローチャートは、リフレッシュの動作に関してＣＰＵ１１が実行する処理手順例を示している。また、図５に示す処理は、メモリ部１３に記憶されている１つの画像データファイルを再生するごとに実行される処理となる。
【００５６】
ここでは、先ず、ステップＳ１０１により、今回表示させるべき画像データファイルをメモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）から読み出して、ディスプレイデバイス１２により画像として再生表示させるための処理を実行する。
【００５７】
次のステップＳ１０２においては、今回の上記ステップＳ１０１による画像データファイルの再生表示を開始させたことに応じて、この画像データファイルに対応する表示回数を更新する。
この表示回数のデータは、本実施形態においては、表示回数情報として、ＣＰＵ１１が作成し、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおけるリソース領域内の所定位置に書き込まれて記憶されているものとする。
【００５８】
ここで、表示回数情報の構造例を図６に示す。
この図に示すようにして、表示回数情報は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに記憶されている画像データファイルごとに対応するファイルＩＤに対して、それぞれ、ディスプレイデバイス１２において画像として再生表示された回数(表示回数)を示す値を対応付けた構造を有する。
【００５９】
ステップＳ１０２においては、表示回数情報の更新処理として、今回のステップＳ１０１により再生表示させた画像データファイルを示す画像ＩＤに対応付けられている表示回数の値をインクリメントするようにして更新する。
【００６０】
ここで、本実施形態では、写真立て型表示装置１の電源がオンとされて、ＣＰＵ１１がメモリ部１３に記憶されるブートプログラムを実行して起動すると、この際に、表示回数情報もメモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）から読み出してＳＤＲＡＭ１４に展開、保持させることとしている。
そのうえで、上記ステップＳ１０２による表示回数情報更新のための書き換えを実行するときには、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに記憶される表示回数情報ではなく、ＳＤＲＡＭ１４にて保持されている表示回数情報に対する書き換えを行うようにする。
なお、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに記憶される表示回数情報の内容の更新は、原則として、写真立て型表示装置１の電源がオフとされるときの終了処理として行うものとする。
【００６１】
仮に、表示回数情報に対するアクセスが必要な場合には、その都度、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの表示回数情報にアクセスするようにアルゴリズムを組んだとする。
すると、表示回数情報には、表示回数の情報が格納されているのであるが、この表示回数については、１つの画像データファイルが再生表示されるごとに、その画像データファイルに対応する回数情報を書き換えていく必要がある。すると、実際の書き換え・消去回数が、相当に短期間のうちに、定められた許容回数を越えてしまう。即ちメモリの寿命が非常に短くなってしまう。
そこで、上記のようにして、表示回数情報に対する読み出し・書き込み処理として、ＳＤＲＡＭ１４に展開されている表示回数情報にアクセスすることとすれば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおける表示回数情報の書き換えは必要最小限になって、ＮＡＮＤフラッシュメモリについて、通常の使用では支障がないだけの長寿命を確保できる。
また、データの書き換え若しくは読み出しのための表示回数情報へのアクセスは、以降説明する、ステップＳ１０５、Ｓ１１６などにおいても実行される。本実施形態では、これらの処理の際にも、ＳＤＲＡＭ１４上の表示回数情報にアクセスする。これによっても、書き換え・消去回数、及びRead Disturbについての不良対策が行われているといえる。
【００６２】
次にＣＰＵ１１は、ステップＳ１０３により、キャンセル状態待機タイマが起動中であるか否かについて判別している。なお、後述の説明から理解されるように、キャンセル状態待機タイマが起動中の状態とは、図４（ｂ）のリフレッシュモードダイアログにおけるキャンセルボタンＢｔ２が操作されたことに応じて、再度、図４（ａ）に対応する画像データファイルの再生表示を実行しながら、リフレッシュモードが再び起動するまでの一定時間が経過するのを待機している状態である。このキャンセル状態待機タイマにて設定されるタイマ時間が、即ち、上記の一定時間となるものであり、図４では具体的に一時間としている。
【００６３】
ステップＳ１０３において、キャンセル状態待機タイマが起動中であるとして、肯定の判別結果が得られた場合には、ステップＳ１０７に進んで、キャンセル状態待機タイマのタイマ時間が経過したか否かについて判別する。ステップＳ１０７においてタイマ時間が経過していないとして否定の判別結果が得られたのであれば、例えば一旦この図に示す処理を抜けて、ステップＳ１０１に戻ることになる。これに対して、ステップＳ１０７においてタイマ時間が経過しているとして肯定の判別結果が得られたのであれば、ステップＳ１０８によりキャンセル状態待機タイマを停止させてステップＳ１０９に進む。
【００６４】
また、ステップＳ１０３においてキャンセル状態待機タイマが起動中ではないとして否定の判別結果が得られたのであれば、ステップＳ１０４に進む。
ステップＳ１０４は、Data Retentionに対応したリフレッシュの条件を満たしているか否かについての判別処理となる。このための処理として、ＣＰＵ１１は、先ず、現在保持されている最終リフレッシュ年月日を取得する。最終リフレッシュ年月日は、本来は、表示回数情報と同様にして、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのリソース領域に記憶保持されているもので、過去において最後にリフレッシュ処理が実行された年月日を示す。そして、この最終リフレッシュ年月日のデータは、表示回数情報と同様にして、写真立て型表示装置１の電源がオンとされているときには、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａから読み出されてＳＤＲＡＭ１４にて展開・保持されている。また、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ上の最終リフレッシュ年月日の更新も、原則として電源オフ時に対応した終了処理時に実行される。
ここでは、ＣＰＵ１１は、ＳＤＲＡＭ１４にて保持されている最終リフレッシュ年月日を読み出して取得する。また、ＣＰＵ１１は、時計部１５から現在の年月日を取得する。そして、ＣＰＵ１１は、時計部１５から取得した現在の年月日が、最終リフレッシュ年月日に一年を加算して求められる年月日よりも後の日付となっているか否かについて判別する。
なお、ここでの最終リフレッシュ年月日に加算するものとして設定している一年が、先に述べたData Retention対応閾値と同義のものとなる。つまり、ここでは、一具体例として、先のData Retention対応閾値について一年（３６５日）として設定している。
【００６５】
上記ステップＳ１０４において肯定の判別結果が得られた場合には、先に述べた、最終リフレッシュ年月日から現在の年月日までの日数、即ちデータ保持期間がData Retention対応閾値を超えている、という、Data Retentionに対応したリフレッシュ実行のトリガ条件を満たしていることになる。そこで、この場合には、ステップＳ１０９の処理に移行する。ステップＳ１０９の処理への移行が、即ち、リフレッシュモードの起動に相当する。
【００６６】
また、図５の処理過程においては、ステップＳ１０９に移行することが、リフレッシュを実行すべきときとの判定が得られたことに相当するものである。ステップＳ１０９に移行する場合とは、ステップＳ１０４にて肯定の判別結果が得られた場合のほか、ステップＳ１０７にて肯定の判別結果が得られた場合、また、後述するステップＳ１０６にて肯定の判別結果が得られた場合となる。これらの場合が、即ち、リフレッシュを実行すべきときとの判定結果を得たことに相当する。
【００６７】
これに対して、ステップＳ１０４において否定の判別結果が得られたのであれば、ステップＳ１０５，Ｓ１０６により、Read Disturbに対応したリフレッシュの条件を満たしているか否かについての判別処理を実行する。
ステップＳ１０５においては、ＳＤＲＡＭ１４にて保持される表示回数情報における全ファイルＩＤごとの表示回数のうちから、最大値（表示回数最大値Dmax）を取得する。
また、ここでは、Read Disturbに対応して設定したRead Disturb対応閾値の具体例として、10000を設定したものとする。なお、Read Disturb対応閾値の設定の仕方の例については後述する。そして、ステップＳ１０６により、表示回数最大値Dmaxが、このRead Disturb対応閾値である10000を越えているか否かについて判別する。
ステップＳ１０６において肯定の判別結果が得られた場合には、Read Disturbに対応したリフレッシュ実行のトリガ条件を満たしていることになるので、ステップＳ１０９に移行する。これに対してステップＳ１０６において否定の判別結果が得られた場合には、今回の画像表示結果に応じては、リフレッシュの実行条件は何れも満たされなかったことになる。そこで、この場合には、一旦この図に示す処理を抜けて、ステップＳ１０１に戻る。
【００６８】
ステップＳ１０９においては、先ず、図４（ｂ）に示したリフレッシュモードダイアログをディスプレイデバイス１２にて表示させるための表示制御処理を実行する。
ここで、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのリソース領域には、フォントのデータやボタン画像などをはじめとしたデザイン画像データなど、写真立て型表示装置１にて表示するユーザインターフェース画像に利用するデータ（ＵＩデータ）が記憶されている。
ステップＳ１０９においてリフレッシュモードダイアログの画像を生成するのにあたっては、上記のＵＩデータから必要なデータを読み出して利用する。
【００６９】
次のステップＳ１１０においては、リフレッシュモードダイアログを表示させている状態の下で、このリフレッシュモードダイアログにおけるＯＫボタンＢｔ１，若しくはキャンセルボタンＢｔ２に対する操作が行われたか否かについて判別する。また、ＯＫボタンＢｔ１とキャンセルボタンＢｔ２の何れに対する操作も行われない場合には、ステップＳ１１１によりリフレッシュ待機時間が経過するのを待機する。リフレッシュ待機時間は、図４においては具体的には３０秒としている。
【００７０】
ここで、ステップＳ１１０にてＯＫボタンＢｔ１に対する操作が行われたことが判別された場合には、ステップＳ１１２に進む。これに対して、キャンセルボタンＢｔ２が操作された場合には、ステップＳ１１９により、キャンセル状態待機タイマによるカウントをスタートさせたうえで、ステップＳ１１８に進み、これまでのダイアログの表示を終了させる。そして、この図に示す処理を一旦抜けて、ステップＳ１０１に戻る。これにより、キャンセルボタンＢｔ２の操作に応じて図４（ｂ）から図４（ａ）に戻るという動作が得られる。
【００７１】
また、ＯＫボタンＢｔ１とキャンセルボタンＢｔ２の何れに対する操作も行われることなく、ステップＳ１１１にてリフレッシュ待機時間を経過したとして肯定の判別結果が得られた場合には、ステップＳ１１２に進む。
【００７２】
ステップＳ１１２に進む場合としては、リフレッシュモードダイアログが表示された状態の下で、ＯＫボタンＢｔ１が操作された場合、若しくはＯＫボタンＢｔ１とキャンセルボタンＢｔ２との何れのボタンに対する操作も行われることなく、例えば３０秒のリフレッシュ待機時間を経過した場合となる。
そして、ステップＳ１１２においては、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａをリフレッシュする処理の実行を開始する。
【００７３】
なお、ここでのリフレッシュの処理としてのデータの書き込みのし直し（書き戻し）については、あくまでも一例であるが、図３（ａ）に示される先頭セクタ(0x0000)から終端セクタ（END）までの全セクタ領域を対象として、これまで書き込まれていたデータを再び書き込み直すものとする。
なお、ステップＳ１１２から開始される全セクタ領域を対象としたリフレッシュの処理手順例については、図７のフローチャートにより後述する。また、全セクタ領域を対象としてリフレッシュ処理を実行することの理由についても後述する。
【００７４】
そして、ＣＰＵ１１は、上記ステップＳ１１２によりリフレッシュを開始させるとともに、ステップＳ１１３により、これまでのリフレッシュモードダイアログに代えて、図４（ｃ）に示したリフレッシュ実行ダイアログを表示させるための制御を実行する。
そのうえで、ステップＳ１１４により、リフレッシュの処理が完了するのを待機する。
なお、リフレッシュ実行ダイアログにおいては、図４（ｃ）により説明したように、リフレッシュの処理の経過に応じてその進捗状況を示すプログレスバーの表示が行われるが、ＣＰＵ１１は、ステップＳ１１３として、リフレッシュ実行ダイアログの表示を開始させて以降、このプログレスバー表示のための制御も行っている。
【００７５】
そして、リフレッシュ処理を完了したとされると、ＣＰＵ１１は、ステップＳ１１５により、これまでのリフレッシュ実行ダイアログに代えて、図４（ｄ）に例示したリフレッシュ終了ダイアログを表示させるための制御を実行する。
【００７６】
また、ＣＰＵ１１は、リフレッシュ処理の完了に応じて、ステップＳ１１６により、ＳＤＲＡＭ１４における表示回数情報においてこれまで格納されていた、画像データファイルごとの表示回数の値を０にリセットする。
また、上記ステップＳ１１６とともに、ステップＳ１１７により、ＳＤＲＡＭ１４上の最終リフレッシュ年月日について、時計部１５から読み出した現在の年月日が示されるようにして書き換えて更新する。
なお、ステップＳ１１２により開始されたリフレッシュとしての書き戻し処理の過程において、リソース領域の最終リフレッシュ年月日については、単に書き戻しを行うのではなく、ステップＳ１１６と同じく時計部１５から読み出した現在の年月日で、最終リフレッシュ年月日を更新したうえで書き込みをおこなうようにしてもよい。
【００７７】
次に、ＣＰＵ１１は、先のステップＳ１１５によりリフレッシュ終了ダイアログの表示を開始させてから、リフレッシュ終了ダイアログの表示期間（例えば３秒）としての一定時間を経過したタイミングで、ステップＳ１１８としての処理によって、これまでのダイアログ表示を終了させる。このダイアログ表示の終了に代えては、例えば今回のリフレッシュモードに移行するまで実行していた画像データファイルの表示に戻るようにする。一具体例として、今回のリフレッシュモードの移行前にはスライドショー表示を行っていたとするのであれば、例えば、リフレッシュモードに移行するときに最後に表示させていた画像データファイルの次の画像データファイルから、スライドショー表示を再開させるようにする。
【００７８】
図７のフローチャートは、図５のステップＳ１１２により開始される、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのリフレッシュ（書き戻し）のための処理手順例を示している。
この図７のフローチャートは、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの全セクタ領域を対象としてリフレッシュとしてのデータの書き戻しを行うこととした場合の処理手順例が示される。
【００７９】
また、この図に示す処理を実行するのにあたっては、書き戻しセクタカウントＳＣ（第１のセクタ数単位）、書き戻しセクタアドレスＳＡ（第２のセクタ数単位）を定義する。書き戻しセクタカウントＳＣは、リフレッシュ実行時においてＣＰＵ１１が、メモリ部１３に対するデータの読み出し(read)／書き込み（write）の命令を行うのにあたり、１回の読み出し命令／書き込み命令に応じて指定するとされる、読み出しセクタ数／書き込みセクタ数である。書き戻しセクタアドレスＳＡは、ＣＰＵ１１からの、対となる１回の読み出し命令／書き込み命令に応答して、メモリ部１３内部にてＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに対して実際に書き込み／読み出しを実行するセクタ数である。
この書き戻しセクタカウントＳＣと書き戻しセクタアドレスＳＡとの対応関係をどのようにして決めるのかは、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのプロセス、容量、さらにはメーカなどに依存して異なってくるのであるが、図８にその一例を示しておく。
【００８０】
図８（ａ）（ｂ）においては、それぞれ、メモリ部１３として例えばプロセス、容量などの仕様が異なる２種類のメモリデバイスについての書き戻しセクタカウントＳＣと書き戻しセクタアドレスＳＡの関係例を示している。
例えば図８（ａ）に示されるメモリデバイスでは、書き戻しセクタカウントＳＣ＝１，書き戻しセクタアドレスＳＡ＝１とされている。
また、図８（ｂ）に示されるメモリデバイスでは、書き戻しセクタカウントＳＣ＝４，書き戻しセクタアドレスＳＡ＝４とされている。
【００８１】
フラッシュメモリデバイスの容量との関係では、書き戻しセクタカウントＳＣ、書き戻しセクタアドレスＳＡは、容量が大きくなるのに応じて、その値も大きくなる傾向にある。
図８の例では、書き戻しセクタカウントＳＣと書き戻しセクタアドレスＳＡは同じ値であるが、これらの値は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのプロセス、容量、さらにはメーカなどによって、書き戻し処理が確実に、効率よく実施される最適な値を選択するため、異なっていてもよい。この場合には、例えば書き戻しセクタカウントＳＣに対して、書き戻しセクタアドレスＳＡが大きくなるような関係とされたうえで、ＳＡ／ＳＣの値が大きくなるほど効率が良くなる。ＳＡ／ＳＣの値が大きくなるほど、一度の読み出し命令・書き込み命令に応じて実際にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３ａに対して読み出し・書き込みが行われるセクタ数が増えるからである。
【００８２】
説明を図７に戻す。
先ず、ＣＰＵ１１は、ステップＳ２０１により、セクタアドレスを指示する変数Ｎについて初期値として０を設定し、ステップＳ２０２以降の手順を実行する。
ステップＳ２０２においては、現在のセクタアドレスＮを読み出し開始アドレスとして、書き戻しセクタカウントＳＣで表されるセクタ数分の読み出し命令を実行する。次に、ステップＳ２０３により、同じセクタアドレスＮを書き込み開始アドレスとして、上記ステップＳ２０２により読み出した書き戻しセクタカウントＳＣで表されるセクタ数分によるデータの書き込み命令を実行する。
つまり、ＣＰＵ１１としては、ステップＳ２０２，Ｓ２０３により、セクタアドレスＮにより指定されるセクタを読み出し／書き込み開始位置として、書き戻しセクタカウントＳＣで表される連続セクタ数分のデータについての書き戻しの処理を実行する。
そして、ＣＰＵ１１が上記ステップＳ２０２、Ｓ２０３の処理を実行することによっては、実際のメモリ部１３においては、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのセクタアドレスＮを読み出し／書き込み開始位置として、書き戻しセクタアドレスＳＡで表される連続セクタ数分のデータの書き戻しを実行している。
例として、図８（ｂ）との対応であれば、ステップＳ２０２，Ｓ２０３によっては、ＣＰＵ１１は、セクタアドレスＮを開始位置として、書き戻しセクタカウントＳＣ＝４セクタ分のデータの書き戻しを実行（命令）するのであるが、これに応答して、メモリ部１３側では、同じセクタアドレスＮを開始位置としたうえで、書き戻しセクタアドレスＳＡが示す４セクタ分のデータの書き戻しを実行する。
【００８３】
このようなメモリ部１３側での読み出し／書き込み処理に対応させて、ＣＰＵ１１は、ステップＳ２０４により、セクタアドレスＮについて、書き戻しセクタアドレスＳＡとしての数値を加算して更新する。これにより、セクタアドレスＮは、実際において書き戻しが完了した最終セクタの次アドレスを示すことができる。
【００８４】
次のステップＳ２０５においては、現在の変数Ｎについて、N > SEC_COUNT-1  が成立するか否かについて判別する。
ここで、SEC_COUNTは、メモリ部１３から通知されるＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの終端セクタ(END)の番号+1を示す値である。つまり、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの総セクタ数としての値となる。従って、ステップＳ２０５において、N > SEC_COUNT-1が成立するとして肯定の判別結果が得られた場合には、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ上では、終端セクタまでの書き戻しが完了していることになる。これに対して、N > SEC_COUNT-1が成立しないとして否定の判別結果が得られた場合には、書き戻しが未だ行われていないセクタが残っていることになる。
そこで、ステップＳ２０５にて否定の判別結果が得られた場合には、ステップＳ２０２に戻り、さらに続きのセクタに対して書き戻しを実行することになる。そして、ステップＳ２０５からステップＳ２０２に戻る手順を繰り返した結果、或る段階にてステップＳ２０５にて肯定の判別結果が得られると、リフレッシュの処理を完了する。
【００８５】
なお、補足として述べておくと、図４（ｃ）に示されるリフレッシュ実行ダイアログでのプログレスバーの表示に際しては、ステップＳ２０４にて求められるセクタアドレスＮとしての値と、SEC_COUNTとしての終端セクタ番号とを用いて、書き戻しの進捗に応じて変化するバーの長さを決定することができる。
【００８６】
ところで、上記図５のアルゴリズムによると、先ず、Read Disturb対応閾値については10000としている。これは、次のような根拠による。
Read Disturbのスペックとして定められる許容回数は、先にも述べたように、ＳＬＣ，ＭＬＣでともに数万回から数十万回とされるのが一般的であるが、スペックとして扱われる値は、書き換え・消去を許容範囲内の或る一定以下の回数までしか実行していない条件でのものとされる。書き換え・消去が多くなるのに応じて、Read Disturbの許容回数は減少していくことが知られている。
そして、本実施形態のフラッシュメモリデバイスであるメモリ部１３については、その内部のＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのスペックとして、許容回数まで書き換え・消去を行ってしまった場合のRead Disturbについての許容回数は、１万回にまで減少するものと定められていたものである。
そこで、本実施形態としては、許容回数まで書き換え・消去が行われた条件で定められたRead Disturbの許容回数である１万回を、Read Disturb対応閾値として設定しているものである。つまり、書き換え・消去を考慮に含めたときの最悪条件を想定して、Read Disturb対応閾値を設定している。このようなRead Disturb対応閾値の設定であれば、これまでの書き換え・消去回数にかかわらず、Read Disturbによる不良が発生する前に、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのリフレッシュを行うことができる。また、この程度の表示回数であれば、必要以上の頻度で書き換え・消去を行うことにもならず、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの寿命も充分に維持できる。
【００８７】
また、図５のステップＳ１０４にて説明したように、Data Retention対応閾値としては、１年（３６５日）に対応した値を設定している。
例えば、Data Retentionの期間も例えば書き換え・消去回数が進むのに応じて低減していくもので、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａは、例えば、書き換え・消去回数が許容回数まで行われた場合において得られるとした、Data Retentionの許容期間がほぼ一年であるとされている。図５におけるData Retention対応閾値は、例えばこのことに基づいて設定されている。
【００８８】
なお、上記した各閾値の設定手法はあくまでも一例である。例えば実際に採用するメモリ部１３の書き換え・消去回数、Read Disturb、Data Retentionに対応する各許容値などのスペックに基づき、適切な閾値が設定されればよい。この際においては、例えば、実質的な不良が抑えられるタイミングでリフレッシュが実行されるようにする一方で、必要以上にメモリの寿命を短縮するような高い頻度でのリフレッシュ（書き換え・消去）は実行されないようにすることを考慮する。
そして、このようにして適切にRead Disturb対応閾値及びData Retention対応閾値を設定することで、ＣＰＵ１１側において、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３ａから読み出されたデータについてのエラー状況を認識できなくとも、適切なタイミングで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３ａのリフレッシュが行える。これにより、メモリ部１３から読み出されるデータについては、常に高い信頼性が得られるものであり、ひいては、画像表示装置としても高い信頼性が獲得できる。
【００８９】
また、ここまでの説明では、図７により述べたように、リフレッシュに際しては、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの全セクタ領域を対象としてデータの書き戻しを実行している。
図３（ａ）に示したように、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの全セクタ領域は、ブートローダ(Boot Loader)領域、プログラム(Program)領域、リソース(Resource Data)領域、及びユーザ領域(User Area)から成る。これらの領域のうち、最も高い頻度でデータの読み出しによるアクセスが実行されるのは、ユーザ領域となる。ユーザ領域には、図３（ｂ）に示すように、画像データファイルと、ファイルシステムのためのＦＡＴ（１，２）、ルート・ディレクトリ・エントリが記憶されているからである。画像データファイルは、例えばスライドショー表示において表示すべき画像が切り換わる都度、読み出しが行われる。また、画像データファイルを読み出すごとに、画像データファイルの書き込みセクタを認識するためにＦＡＴ（１，２）、ルート・ディレクトリ・エントリに対する読み出しも行われる。
しかし、ユーザ領域に比較すれば読み出しの頻度は少なくなるものの、例えば起動時などに応じて、ブートローダ領域、プログラム領域、リソース領域に記憶されるデータに対する読み出しは確実に行われるものであり、読み出しが行われる都度、Read Disturbへの耐性は低くなっていくことに違いはない。
また、ブートローダ領域、プログラム領域、また、リソース領域において初期設定情報などが記憶されるような領域について書き換えが行われる可能性、頻度は非常に低い。従って、これらの領域についてのData Retentionに対応する許容期間は、時間経過に応じて確実に消費されていく。
そこでＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに対するリフレッシュとして全セクタ領域を対象とすれば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおける全ての領域についてのRead Disturbに対応する許容回数、及びData Retentionに対応する許容期間を復帰させることができる。つまり、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの全セクタ領域を対象とするというのは、最も万全なリフレッシュ対象領域の設定の仕方であるといえる。
【００９０】
また、本実施形態においては、リフレッシュの対象を、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの一部領域とすることも考えられる。例えば、１つには、ユーザ領域(User Area)のみをリフレッシュの対象とすることである。
上記したように、ブートローダ領域、プログラム領域、リソース領域に対して読み出しが行われる頻度は、ユーザ領域に比較して非常に低い。従って、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのスペックと、写真立て型表示装置１に実装したうえでの通常の使用との兼ね合いでは、ブートローダ領域、プログラム領域、リソース領域については、寿命についての問題が顕在化しない場合もある。そこで、このような場合には、ユーザ領域のみを対象としてリフレッシュが実行されるようにアルゴリズムを構成すればよい。この場合には、例えば図７の処理として、ステップＳ２０１において、セクタアドレスＮの初期値として、ユーザ領域の先頭のセクタアドレスを指定すればよい。
このようにして、リフレッシュの対象をＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａの一部セクタ領域に限定すれば、その分、リフレッシュに要する時間を短縮できる。リフレッシュに要する時間は、リフレッシュ対象となる領域のサイズが大きくなるのに応じて長くなる。
【００９１】
また、ファイルシステムの情報としてユーザ領域に記憶されるＦＡＴ（１，２）及びルート・ディレクトリ・エントリについては、リフレッシュ制御情報と同様に、例えば電源起動時にメモリ部１３から読み出してＳＤＲＡＭ１４に展開して保持させることもできる。この場合においてＣＰＵ１１が、画像データファイルの読み出しなどのためにファイルシステム情報にアクセスする必要のあるときには、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａではなく、ＳＤＲＡＭ１４のファイルシステム情報にアクセスするようにする。
このようなファイルシステム情報へのアクセス処理とすれば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのファイルシステムの情報に対する読み出し、書き込みも、原則は電源起動時と電源オフ時のみとなる。従って、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにおいて高い頻度でのアクセスが行われるのは、画像データファイルが記憶されるユーザデータ(User Data)領域のみとなる。
そこで、このような場合には、リフレッシュの対象として、さらにユーザデータ領域のみにまで限定することも可能になる。
【００９２】
ところで、先にも述べたように、表示回数情報は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａのリソース領域において保存されるデータである。しかし、電源がオンの状態の下では、ＳＤＲＡＭ上に展開されており、画像データファイルの表示などに応じたデータの更新は、ＳＤＲＡＭ上に展開された表示回数情報を対象に行われる。そして、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに対する更新内容反映のための書き換え処理は、電源がオンからオフに切り換えられるのに応じた終了処理の１つとして実行する。
この点については、データ更新の機会はリフレッシュ実行時のみではあるものの、最終リフレッシュ年月日の情報も同様である。
なお、表示回数情報と最終リフレッシュ年月日とについては、リフレッシュのための制御に用いられる情報であることから、「リフレッシュ制御情報」ともいうことにする。
【００９３】
しかし、現実的なこととして、電源オフに応じた操作やトリガなどに応じてではなく、例えばいきなりＡＣアダプタを取ってしまったり、バッテリを抜いてしまったりするなどして、写真立て型表示装置１の電源を遮断してしまう可能性のあることは避けられない。
ここで、例えば写真立て型表示装置１が例えばスライドショー表示などに応じて、図５に示した処理を実行中であるとして、このときに電源が遮断されてしまったとする。
すると、最後に電源がオンとされてから今回電源が遮断されるまでの間にＳＤＲＡＭ１４上にて更新されたリフレッシュ制御情報の内容は消失してしまうことになる。この場合、次回の電源オンに応じてＣＰＵ１１が起動した際には、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）に記憶されているリフレッシュ制御情報を読み出してＳＤＲＡＭ１４に展開することになってしまう。このときにＳＤＲＡＭ１４にて展開されるリフレッシュ制御情報は、上記最後に電源がオンとされたときの状況に対応したものであり、その後における実際の画像データファイルの表示回数などは全く反映されていない。つまり、リフレッシュ制御情報の内容と、実際に行われたリフレッシュ制御情報の内容との間に、著しい不整合が生じることになる。
このような大きな不整合が生じている状態で以降の画像表示などの動作を継続すると、現実には、Read Disturbの許容回数を越えて画像データファイルの読み出しが実行されたのにも関わらずリフレッシュが実行されなくなる場合が生じる。この結果、再生エラーが発生する可能性も高くなる。
【００９４】
そこで、本実施形態では、例えば写真立て型表示装置１の電源がオンとなっている状態においては、累積された画像の表示回数（累積表示回数）が一定値に至るごとに、そのときにＳＤＲＡＭ１４上に展開・保持されているリフレッシュ制御情報（表示回数情報、最終リフレッシュ年月日）をメモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）に書き込むようにする。つまり、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにて記憶されるリフレッシュ制御情報について、累計表示回数に応じた逐次更新を行うようにする。
なお、累積表示回数は、表示画面部３に表示される画像の切り替わった回数に相当する。これは、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに対してアクセスが行われて画像データファイルの読み出しが行われた延べ回数を示す。
【００９５】
上記のリフレッシュ制御情報の逐次更新を行った場合であっても、電源が遮断されたとすれば、次に電源がオンとされて起動したときにおいて、メモリ部１３記憶されている表示回数情報が、これまでの実際の画像表示結果と整合しているとは限らない。
しかし、上記逐次更新を実行しない場合と比較すれば、その不整合の程度、度合いは、遙かに小さいものとなっている可能性は高い。また、最終リフレッシュ年月日については、前回の電源オン時においてリフレッシュが行われていなければ、正しい内容となっている。これにより、リフレッシュに関する制御としても、実際により近い画像表示結果に基づいたものとなって、例えば上記したような再生エラー発生の可能性をほぼ回避できる。
【００９６】
図９のフローチャートは、上記した累計画像表示回数に応じたリフレッシュ制御情報の逐次更新のためにＣＰＵ１１が実行するものとされる処理手順例を示している。
先ず、ステップＳ３０１においては、ディスプレイパネル１２において新たに表示させる画像に対応する画像データファイルの再生を開始させるための処理を実行している。これは、図５のステップＳ１０１と共通の処理となる。つまりここでは、ＣＰＵ１１は、ステップＳ１０１（ステップＳ３０１）により画像データファイルの再生を開始させる処理を実行したことに応じて、図５のステップＳ１０２以降の処理と併行して、図９のステップＳ３０２以降の処理も実行するものとしている。また、ここでの図示は省略するが、図５の手順に図９として示す手順を含めるようにしたアルゴリズムとすることも可能である。
【００９７】
ステップＳ３０２においては、今回の上記ステップＳ３０１により新たに１回分の画像が表示されることに応じて、累計表示回数を示す変数ＭをインクリメントしてステップＳ３０３に進む。
【００９８】
この図９の例では、累積表示回数が5000回に至るごとにＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ上のリフレッシュ制御情報を更新することとしている。これに対応して、ステップＳ３０３においては、現在の変数Ｍが5000より大きいか否かについて判別する。つまり、前回のＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ上のリフレッシュ制御情報の更新から、累積の画像表示回数が５０００回を越えたか否かについて判別する。
ステップＳ３０３において否定の判別結果が得られた場合には、この図に示す処理を抜けて、次の画像を表示すべきタイミングに応じて、ステップＳ３０１に戻る。これに対して肯定の判別結果が得られたのであれば、ステップＳ３０４，Ｓ３０５の手順を実行する。
【００９９】
ステップＳ３０４においては、現在においてＳＤＲＡＭ１４にて保持されているリフレッシュ制御情報（表示回数情報、最終リフレッシュ年月日）により、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａにて記憶されているリフレッシュ制御情報を書き換える処理を実行する。これにより、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａに記憶されるリフレッシュ制御情報の更新が行われたことになる。
ステップＳ３０５においては、変数Ｍについて０に初期化したうえで、この図に示す処理を抜け、次の画像表示のタイミングでステップＳ３０１に戻る。
【０１００】
なお、これまでに説明したアルゴリズムは、ＣＰＵにプログラムを実行させることで実現できる。
このようなプログラムは、例えばＲＯＭなどに対して製造時などに書き込んで記憶させるほか、リムーバブルの記憶媒体に記憶させておいたうえで、この記憶媒体からインストール(アップデートも含む)させるようにしてＮＡＮＤフラッシュメモリなどに記憶させることが考えられる。また、ＵＳＢやＩＥＥＥ１３９４などのデータインターフェース経由により、他のホストとなる機器からの制御によってプログラムのインストールを行えるようにすることも考えられる。さらに、ネットワーク上のサーバなどにおける記憶装置に記憶させておいたうえで、デジタルスチルカメラ１にネットワーク機能を持たせることとし、サーバからダウンロードして取得できるように構成することも考えられる。
【０１０１】
また、先に説明したリフレッシュの制御にあっては、メモリ部１３（ＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａ）に記憶されている画像データファイルごとに表示回数の情報を与えて、最も表示回数としての数値が大きなものが閾値を越えた場合にリフレッシュを実行するというアルゴリズムにしている。
しかし、例えば、本願発明においては、表示回数、即ちＮＡＮＤフラッシュメモリ１３ａから読み出した回数に基づく限り、他のアルゴリズムの構成が採られてよい。例えば、累計表示回数に基づいてリフレッシュを実行させるというアルゴリズムの構成があってもよい。
【０１０２】
また、これまでの説明では、画像表示装置を写真立て型表示装置としているが、本願発明は、他の画像表示が可能な装置であって、表示すべき画像のデータが記憶可能なＮＡＮＤ型のフラッシュメモリを内蔵するものであれば、全般に適用が可能である。また、上記実施形態では、再生表示の対象となる画像データは静止画形式に対応するものであるとしたが、本願発明は動画形式の画像データを再生対象とした場合にも適用できる。
さらに、画像表示装置から拡大して、内蔵のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに、例えばオーディオコンテンツなどとしての音声信号データを記憶させてこれを再生することのできる音声再生装置にも本願の概念を適用できる。
また、本願の技術思想は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外であっても、例えば、書き換え・消去回数であるとか、Read Disturb、Data Retentionに相当する不良モードが定められるような半導体メモリ素子を対象とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本実施形態の写真立て型表示装置の外観例を示す斜視図である。
【図２】実施形態の写真立て型表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図３】実施形態の写真立て型表示装置に内蔵されるＮＡＮＤフラッシュメモリのデータ構造例を示す図である。
【図４】ＮＡＮＤフラッシュメモリのリフレッシュ時において表示されるダイアログ画像の態様例を示す図である。
【図５】ＮＡＮＤフラッシュメモリのリフレッシュのためにＣＰＵが実行する処理手順例を示すフローチャートである。
【図６】再生回数情報の構造例を示す図である。
【図７】リフレッシュとしての書き戻しのためにＣＰＵが実行する読み出し・書き込み制御の処理手順例を示すフローチャートである。
【図８】書き戻しセクタカウントと書き戻しセクタアドレスの具体例を示す図である。
【図９】ＮＡＮＤフラッシュメモリのリフレッシュ制御情報更新のための処理手順例を示すフローチャートである。
【図１０】本実施形態の写真立て型表示装置が採り得る他の構造例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１  写真立て型表示装置、２  本体部、３  表示画面部、４  スタンド、１１  ＣＰＵ、１２  ディスプレイデバイス、１３  メモリ部、１３ａ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ、１３ｂ  ＥＣＣ部、１４  ＳＤＲＡＭ、１５  時計部、１６  操作部、１７  メモリカードインターフェース、１８  電源部、３０  メモリカード、Ｂｔ１  ＯＫボタン、Ｂｔ２  キャンセルボタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010145890.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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