(57)【要約】【課題】半導体装置製造工程においてダイアタッチ層付半導体素子を加熱された基板に搭載する場合のような高温環境下においても、半導体素子をダイシングダイアタッチフィルムの粘着層から安定してピックアップすることを可能とし、半導体装置の製造における生産性を安定させることができるダイシングダイアタッチフィルムを提供する。【解決手段】ダイアタッチ層、少なくとも１以上の粘着層、および基材層がこの順に積層されたダイシングダイアタッチフィルムであって、  前記ダイアタッチ層と粘着層との層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）を剥離強度Ａとし、その他の層間の層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）のうち最小のものを剥離強度Ｂとした場合、８０℃における剥離強度ＡとＢとが下記条件式１を満たすダイシングダイアタッチフィルム。[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]【選択図】  図１
2010232422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアタッチ層、少なくとも１以上の粘着層、および基材層がこの順に積層されたダイシングダイアタッチフィルムであって、
前記ダイアタッチ層と粘着層との層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）を剥離強度Ａとし、
その他の層間の層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）のうち最小のものを剥離強度Ｂとした場合、
８０℃における剥離強度ＡとＢとが下記条件式１を満たすダイシングダイアタッチフィルム。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【請求項２】
２３℃における前記剥離強度ＡとＢとが、下記条件式１を満たす請求項１記載のダイシングダイアタッチフィルム。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【請求項３】
４０℃における前記剥離強度ＡとＢとが、下記条件式１を満たす請求項１または２記載のダイシングダイアタッチフィルム。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【請求項４】
前記剥離強度Ａが、８０℃において８ｃＮ／２５ｍｍ以上５０ｃＮ／２５ｍｍ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングダイアタッチフィルム。
【請求項５】
前記少なくとも１層以上の粘着層が、前記ダイアタッチ層と接する第１の粘着層と、前記基材層と接する第２の粘着層とを含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイシングダイアタッチフィルム。
【請求項６】
前記第１の粘着層と第２の粘着層が直接積層されたものである請求項５記載のダイシングダイアタッチフィルム。
【請求項７】
前記少なくとも１層以上の粘着層が、粘着剤、エネルギー線硬化性樹脂およびエネルギー線硬化開始剤とを含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイシングダイアタッチフィルム。
【請求項８】
前記第２の粘着層の外周部が前記第１の粘着層の外周部より広く構成されている請求項５または６に記載のダイシングダイアタッチフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造等に用いられるダイシングダイアタッチフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して、半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハに粘着フィルムを貼付し、半導体ウエハの周囲をウエハリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハを個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、粘着フィルムをエキスパンディングし、個片化した半導体素子のピックアップを行う。次いで、この半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、ダイボンディング工程において、例えば液状エポキシ接着剤等の液状ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造される。
【０００３】
また近年は高密度化、高集積化に向け、多段に半導体素子を重ねるための薄型化が進められている。しかしながら半導体素子の薄型化が進むと、樹脂ペーストを用いてダイボンディングを行う場合、半導体素子からの樹脂ペーストはみ出しや、樹脂ペースト硬化後の半導体素子の反りにより、パッケージに組込み時の信頼性が低下するという問題が生じる。また、樹脂ペーストの塗布工程は繁雑であり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
【０００４】
このような要求に対し、液状ダイアタッチ材に代わりフィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案されている。更に工程を簡略化するために半導体ウエハにフィルム状ダイアタッチ材をラミネートしたフィルム状ダイアタッチ材付きウエハを、従来のウエハ同様にダイシング工程、エキスパンディング工程、ピックアップを行なうことができるダイシングダイアタッチフィルムが提案されており（例えば特許文献１及び２）、さらに好適に半導体素子をピックアップするために２５℃でのダイアタッチ層と粘着層との剥離強度が規定されたダイシングダイアタッチフィルムが提案されている（例えば特許文献３）。
【０００５】
ダイシングダイアタッチフィルムを用いる場合、半導体装置の製造工程においてダイシング工程により個片化されたダイアタッチ層付半導体素子は、コレットと呼ばれる治具によりピックアップされ基板上に搭載される。ここで基板とダイアタッチ層付き半導体素子を接着するためにはダイアタッチ層を加熱する必要があり、基板は１００℃〜１５０℃程度の熱板上で加熱されている。そのため前記コレットは半導体素子を基板上に搭載する際、基板を介して熱板により加熱されることとなり、前記コレットの温度は８０℃程度まで上昇することとなる。これによりコレットに接触するダイシングダイアタッチフィルムでは熱により各粘着層の剥離強度へ影響が生じ、半導体素子のピックアップ性が不安定なものとなる場合がある。これに対し市場からは半導体製造工程において、より安定した半導体素子のピックアップ性を有するダイシングダイアタッチフィルムが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１５８２７６号公報
【特許文献２】特開２００５−３０３２７５号公報
【特許文献３】特開２００８−１５３２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体装置製造工程においてダイアタッチ層付半導体素子を加熱された基板に搭載する場合のような高温環境下においてもダイアタッチ層付半導体素子をダイシングダイアタッチフィルムから安定してピックアップすることを可能とし、半導体装置の製造における生産性を安定させることができるダイシングダイアタッチフィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムはダイアタッチ層、少なくとも１以上の粘着層および基材層がこの順に積層されたダイシングダイアタッチフィルムであって、  前記ダイアタッチ層と粘着層との層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）を剥離強度Ａとし、その他の層間の層間剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）のうち最小のものを剥離強度Ｂとした場合、８０℃における剥離強度ＡとＢとが下記条件式１を満たすものである。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【０００９】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、更に２３℃おける前記剥離強度ＡとＢとが、下記条件式１を満たすものとすることができる。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【００１０】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、更に４０℃における前記剥離強度Ａと剥離強度Ｂとが下記条件式１を満たすものとすることができる。
[条件式１  Ｂ／Ａ≧１．５]
【００１１】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記剥離強度Ａが、８０℃において８ｃＮ／２５ｍｍ以上５０ｃＮ／２５ｍｍ以下であるものとすることができる。
【００１２】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記少なくとも１層以上の粘着層が、前記ダイアタッチ層と接する第１の粘着層と、前記基材層と接する第２の粘着層とを含むものとすることができる。
【００１３】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記第１の粘着層と第２の粘着層が直接積層されたものであるとすることができる。
【００１４】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記少なくとも１層以上の粘着層が、粘着剤、エネルギー線硬化性樹脂およびエネルギー線硬化開始剤とを含むものとすることができる。
【００１５】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記第２の粘着層の外周部が前記第１の粘着層の外周部より広く構成されているものとすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、半導体装置製造工程においてダイアタッチ層付半導体素子を１００〜１５０℃程度に加熱された基板に搭載するような高温環境下においても半導体素子をダイシングダイアタッチフィルムの粘着層から安定してピックアップすることを可能とし、半導体装置の製造における生産性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの一例を示す断面図である。
【図３】本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの一例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの製造工程の一例を示す模式図である。
【図５】半導体素子の製造における半導体素子ピックアップ工程の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムについて図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
（ダイシングダイアタッチフィルムの層構成）
図１に示すように本発明に係るダイシングダイアタッチフィルム１０は、ダイアタッチ層１、粘着層２、基材層３がこの順に積層されている。粘着層２は、図２または３に示すように複数の粘着層群からなるものとしても良い。
【００２０】
（層間剥離強度の関係）
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、前記ダイアタッチ層１とダイアタッチ層１と接する粘着層２（または粘着層２１）との層間剥離強度Ａと、その他層間の層間剥離強度のうち最小のものである剥離強度Ｂとが、８０℃の温度において下記条件式１を満たす。ここでその他層間とは、例えば、図１においては粘着層２と基材層３との層間となり、図２および３においては粘着層２１と粘着層２２との層間、または粘着層２２と基材層３との層間となる。
［条件式１：Ｂ／Ａ≧１．５］
【００２１】
前記剥離強度の関係が８０℃において条件式１を満たす場合は、即ち前記剥離強度Ｂが剥離強度Ａの１．５倍以上となる場合はダイアタッチ層付き半導体素子をピックアップする際にダイアタッチ層１と粘着層２（または粘着層２１）との間で剥離が起こり、半導体素子は基板に搭載することが可能となる。
【００２２】
より安定したピックアップ性を得るためには、前記前記層間剥離強度ＡとＢとが２３℃においても前記条件式１を満たし、更に４０℃においても前記条件式１を満たすことが好ましい。
【００２３】
（層間剥離強度の測定方法）
前記各層間剥離強度はダイシングダイアタッチフィルムを恒温槽中で、ＪＩＳＺ０２３７に基づく１８０°剥離試験を剥離試験機（例えばオリエンテック製Ｒ１Ａ−１Ｔ）により行なうことで測定することができる。具体的な測定例として粘着層が２層である場合には、まずダイアタッチ層１と粘着層２１とを８０℃で貼り付け、その後粘着層２２と基材層３が一体となっているダイシングテープとを２３℃で貼り付け評価用サンプルを作製する。次にダイアタッチ層１の側を両面テープでＳＵＳ製の板に固定し、剥離試験機の一方チャックにはさみダイアタッチ層１と粘着層２１とを剥離する。剥離したダイアタッチ層は、他方チャックにはさみ固定する。チャック間に固定されたダイシングダイアタッチフィルムを引張ることによりダイアタッチ層１と粘着層２１間の層間強度を測定する。他の層間、例えば粘着層２２と基材層３や、粘着層が複数層からなる場合においても、（例えば第１の粘着層２１と第２の粘着層２２との層間を測定する場合であっても）上記と同様に測定することがでる。
【００２４】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのようにダイアタッチ層１と粘着層２（または粘着層２１）の剥離強度Ａを他の層間の層間剥離強度より小さいものとする方法としては、ダイアタッチ層１と接する粘着層２（または粘着層２１）にエネルギー線硬化性樹脂等を配合した上でエネルギー線硬化を行うことにより粘着力を低下させる方法、ダイアタッチ層と接しない粘着層（例えば粘着層２２）にエネルギー線硬化性樹脂を含めず高い粘着性を付与する方法、基材層の表面粗度を高め粘着層２（または粘着層２２）との接着性を高める等の方法が挙げられる。より具体的な例として、例えば図２または３のようにダイアタッチ層１、第１の粘着層２１、第２の粘着層２２および基材層３と言う層構成を有するダイアタッチフィルムの場合は、第１の粘着層２１を粘着剤、紫外線硬化剤、光開始剤、架橋剤を配合したものとして粘着力を低下させ、第２の粘着層２２を粘着剤と架橋剤を配合したものとし粘着性を高め、基材層についてはコロナ処理を行った樹脂フィルムを用いることにより本願発明により規定される層間剥離強度を実現することができる。
【００２５】
（粘着層）
上記のように本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１と接する粘着層２（または粘着層２１）は、粘着剤、エネルギー線硬化性樹脂およびエネルギー線硬化開始剤とを含むものとすることが好ましい。前記粘着剤としては、従来より粘着フィルム用途に用いられてきたアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤をベース樹脂として用いることができるが、耐水性や耐候性改善の観点からはアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。
【００２６】
前記アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルとそれらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合しても良い。これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルから選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００２７】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１に接する粘着層２（または粘着層２１）には、粘着性（接着性）を制御するためにアクリレートモノマー、官能基含有のモノマー等を添加することが好ましい。前記アクリル系モノマーとしては、例えばアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、エチルアクリレート、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート等が挙げられる。これらの中でもエチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび２−エチルヘキシルアクリレートの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、良好な粘着性に加えて、凝集力の制御が可能となる。さらに、他成分との相溶性を調整することが可能となる。
【００２８】
また、前記官能基含有モノマーとしては、例えばメタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げられ、特に粘着性の制御を容易なものとするためにはアクリル酸およびヒドロキシアクリレートを用いることが好ましい。
【００２９】
上記のように本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１と接する粘着層２（または２１）には少なくとも１種以上のエネルギー線硬性樹脂を含めることが好ましい。これにより、エネルギー線照射後の粘着力を低下させることができる。なお、ダイアタッチフィルム被着後、ダイアタッチ層１と粘着層に含まれるエネルギー線硬化性樹脂との経時的な反応を防ぎ、安定してダイアタッチ層付き半導体素子の安定したピックアップ性を得るためには、ダイアタッチ層１と粘着層とを積層する前に粘着層がエネルギー線硬化されることが好ましい。
【００３０】
前記エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が広く用いられる。
【００３１】
前記エネルギー線硬化性樹脂として、具体的にはトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等を挙げることができる。これらの中でもダイアタッチ層付き半導体素子の安定したピックアップ性を得るという観点からは、ウレタンアクリレートが好ましい。
【００３２】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１と接する粘着層２（または２１）に含まれるエネルギー線硬化性樹脂の重量平均分子量は、４００以上３０，０００以下が好ましく、５００以上、１２，０００以下が特に好ましい。重量平均分子量を前記下限値以上とすることにより半導体素子ピックアップ時に第１の粘着層の割れを抑え、糊残りを防ぐことができる。また、前記上限以下とすることにより取り扱いが容易なものとなる。
【００３３】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１と接する粘着層２（または２１）に含まれるエネルギー線硬化性樹脂の量は、特に限定されないが、粘着剤１００重量部に対して３０重量部以上１３０重量部以下が好ましく、更に好ましくは５０重量部以上８０重量部以下であり、特に５５重量部以上７５重量部以下であることが好ましい。前記下限値以上とすることにより、放射線硬化後のダイアタッチ層付き半導体素子のピックアップ性が安定する。また前記上限値以下とすることによりダイシング時に安定してチップを保持することができる。
【００３４】
また、本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムは、ダイアタッチ層１と粘着層との剥離強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）が、８０℃において８ｃＮ／２５ｍｍ以上５０ｃＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。また２３℃および４０℃において前記範囲にあることが好ましい。前記下限値以上とすることによりダイシング時の半導体素子の飛び散りやピックアップ時のチップがばらけることを抑えることができる、また前記上限値以下とすることにより半導体素子を安定してピックアップすることができる。
【００３５】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１と接する粘着層２（または２１）には、更にエネルギー線硬化開始剤を含むことが好ましく、エネルギー線硬化開始剤としては例えば２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
【００３６】
前記エネルギー線硬化開始剤の含有量は、粘着層の粘着剤１００重量部に対して１重量部以上１０重量部以下が好ましく、更に好ましくは３重量部以上７重量部以下である。前記下限値以上とすることによりダイアタッチ層付き半導体素子のピックアップ性が安定する。また前記上限値以下とすることにより未架橋成分の粘着層表面へのブリードを抑えることができる。
【００３７】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層をエネルギー線硬化する際に用いられるエネルギー線としては、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）などが挙げられる。
反応に用いられるエネルギー量はエネルギー線硬化樹脂が硬化する量であれば、特に限定はないが、紫外線の場合、積算光量であらわすと５０ｍＪ／ｃｍ２以上８００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましい。前記範囲とすることにより硬化反応が安定する。
【００３８】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層には架橋剤を含むことが好ましく、具体的にはエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもベース樹脂に含まれる官能基と反応し、高分子量体を得るという観点からは
イソシアネート系架橋剤が好ましい。
【００３９】
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、前記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【００４０】
前記多価イソシアネートの具体例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、特にイソシアネート自体の凝集と架橋のバランスを向上することができる。
【００４１】
前記架橋剤の含有量は、特に限定されないが、前記粘着剤１００重量部に対して１重量部以上１０重量部以下が好ましく、特に３重量部以上７重量部以下が好ましい。前記範囲とすることにより架橋剤をベース樹脂とのみ反応させることができ、安定した高分子量体を得ることができる。
【００４２】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層は、性能を改善するために帯電防止剤、粘着付与剤等の添加剤を含むものとすることができる。
【００４３】
前記帯電防止剤としては、例えばアニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤、また温度依存しない帯電防止剤はカーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の無機系粉体が挙げられる。また、帯電防止剤の含有量は、特に限定されないが、前記ベース樹脂１００重量部に対して１０重量部以上５０重量部以下が好ましく、特に２０重量部以上３０重量部以下が好ましい。前記範囲とすることにより粘着特性と帯電防止性能とのバランスに優れ、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、チップの信頼性を向上することができる。
【００４４】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層には、凝集力を高め粘着力を向上させるために、粘着付与剤を含めることが好ましい。粘着付与剤としては、例えばロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられる。
【００４５】
また、前記粘着付与剤の含有量は、特に限定されないが、前記ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上３０重量部以下が好ましく、特に１０重量部以上２０重量部以下が好ましい。前記範囲とすることにより特にピックアップ性に悪影響を及ぼさない程度にタック性を向上することができる。
【００４６】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層の厚さは、特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下である。前記下限値以上とすることにより安定した接着性を得ることができ、前記上限値以下とすることによりダイシング性と半導体素子のピックアップ性を好適なものとすることができる。
【００４７】
（複数の粘着層を含む場合）
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの粘着層は、一の層からなるものであっても良いが、ダイアタッチ層または基材層との密着性を適宜制御するために図２に示すように粘着層を２層以上の層群とすることができる。この場合においては、ダイアタッチ層１と接する第１の粘着層と基材層と接する第２の粘着層と含むことが好ましく、更には図３に示すように第２の粘着層２２の外周部が第１の粘着層２１の外周部より広く構成されていることが好ましい。これによりダイアタッチ層１とウエハリングとをそれぞれダイアタッチフィルムの別の粘着層により固定されることとなり、各々密着性を制御することができ、ダイアタッチ層付きウエハが貼着される部分ではウエハを粘着層からの容易なピックアップが可能となり、ウエハリングが貼着される部分では、ウエハリングと粘着層との密着性に優れたものとなる。
【００４８】
粘着層が複数の粘着層群からなる場合、ダイアタッチ層１と接しない粘着層には前述した各原料を用いることができるが、前述の通り高い粘着力を維持するためには、エネルギー線硬化性樹脂およびエネルギー線硬化開始剤とを含まないものとすることが好ましい。また、好ましい原料および好ましい配合量についても前記に従うものとすることができる。
【００４９】
（ダイアタッチ層）
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１は、例えば熱硬化性樹脂、硬化剤等を含むことにより接着性と硬化後の耐熱性に優れる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００５０】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、ダイアタッチ層１の全重量に対して３０重量％以上６０重量％以下が好ましく、特に４０重量％以上５０重量％以下であることが好ましい。前記下限値以上とすることにより硬化後のダイアタッチ層の弾性率を向上させることができ、前記上限値以下とすることによりフィルム形成能を向上させることができる。さらに、含有量が前記範囲内であると、基板と半導体素子との初期埋め込み性（基板の凹凸に対する初期の埋め込み性）をより向上できる。
【００５１】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１は、さらに硬化剤（前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。  前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００５２】
前記硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、ダイアタッチ層全重量に対して１５重量％以上４０重量％以下であることが好ましく、特に２０重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。前記下限値以上とすることにより耐熱性が安定し、前記上限値以下とすることにより保存性安定する。また、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（たとえばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。前記下限値以上とすることにより保存性が安定し、前記上限値以下とすることにより耐熱性が安定する。
【００５３】
ダイアタッチ層１は、さらに硬化触媒を含むことにより硬化性を向上することができる。前記硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。前記イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−ウンデシルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−エチル−４'メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾール  イソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
【００５４】
前記硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上３０重量部以下が好ましく、特に０．５重量部以上１０重量部以下が好ましい。前記下限値以上とすることにより充分に硬化させることができ、前記上限値以下とすることにより保存性が安定する。
【００５５】
前記硬化触媒の平均粒子径は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、特に１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。前記範囲内とすることにより、特に硬化触媒の反応性に優れる。
【００５６】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層１は、さらに熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、ダイアタッチ層のフィルム形成能を向上することができる。前記熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いためダイアタッチ層の初期密着性をより向上することができる。
【００５７】
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００５８】
前記官能基を持つ化合物の含有量は、前記アクリル系樹脂全体の０．５重量％以上４０重量％以下であることが好ましく、特に５重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５９】
前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、−２５℃以上１２０℃で以下あることが好ましく、−２０℃以上６０℃以下であることがより好ましく、特に−１０℃以上５０℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が前記下限値以上であるとダイアタッチ層の粘着力を好適なものとし安定した作業性を得ることができる、また前記上限値以下とすることにより低温接着性が向上する。
【００６０】
前記熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、１０万以上が好ましく、特に１５万以上１００万以下が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特にダイアタッチ層の製膜性を向上することができる。
【００６１】
前記熱可塑性樹脂の含有量は、ダイアタッチ層１の全重量に対して１０重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、特に１５重量％以上２５重量％以下であることが好ましい。含有量が前記下限値以上とすることによりフィルム形成能を向上することができ、前記上限値を超えると初期密着性を向上することができる。
【００６２】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムのダイアタッチ層はさらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。  前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でも耐熱性を向上させると言う観点からはシラン系カップリング剤が好ましい。
【００６３】
前記シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００６４】
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上１０重量部以下であることが好ましく、特に０．５重量部以上１０重量部以下であることが好ましい。含有量が前記下限値以上とすることにより密着性を維持することができ、また前記上限値以下とすることによりアウトガスやボイドの発生を低減することができる。
【００６５】
本発明に係るダイアタッチダイシングフィルムのダイアタッチ層１は、上記の各原料を混合した後、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥してダイアタッチ層を得ることができる。ダイアタッチ層の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、特に５μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００６６】
（基材層）
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの基材層３には、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエチレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂およびこれらの混合物を用いることができる。これらの中でもエキスパンド性改善というの観点からはポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンから選ばれる１種以上が好ましく、特にオレフィン系共重合体とスチレン系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性エラストマーとの混合物が好ましい。
【００６７】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの基材層３の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、特に８０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。基材の厚さが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内であると、特に作業性に優れる。
【００６８】
本発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの基材層３には、粘着層との密着性を向上させるために、基材の表面をコロナ処理、アンカーコート等で表面処理することが好ましい。
【００６９】
（ダイシングダイアタッチフィルムの製造方法）
次に、ダイシングダイアタッチフィルム１の製造方法について、図２（または３）に示される２の粘着層を含む場合を例として簡単に説明する。あらかじめダイアタッチ層１並びに図４（ａ）に示す第１の粘着層２１および、基材３に第２の粘着層２２を貼着した積層フィルム３０を準備し、図４（ｂ）に示すように第１の粘着層２１を積層フィルム３０の第２の粘着層２２の面の側に貼着する。更に第１の粘着層２１上にダイアタッチ層１を貼り付けることによりダイシングダイアタッチフィルムを得る。上記各層の貼着は、樹脂ワニスを塗布する方法、フィルムをラミネートする方法等により実施することができる。
【００７０】
（ダイシングダイアタッチフィルムの使用方法）
本願発明に係るダイシングダイアタッチフィルムの使用方法は以下の通りである。図５（ａ）に示すようにダイシングダイアタッチフィルム１０のダイアタッチ層１の面の側に半導体ウエハ４０の裏面を貼り付けた後、図５（ｂ）に示すようにウエハをダイシングダイアタッチフィルム１に貼り付けられた状態でダイシングソーにより所定のサイズにダイシング（個片化）する。個片化された半導体ウエハ（半導体チップ）を容易にピックアップできるように図５（ｃ）に示すようにダイシングダイアタッチフィルムを面方向にエキスパンドし半導体チップ間の距離を設ける。そして次に図５（ｄ）に示すようにダイシングフィルムの粘着層と半導体素子用接着フィルムの間で剥離し、半導体接着フィルムが接合した半導体素子を基板に圧着し、更にダイボンディングした後硬化させ、樹脂で封止することにより半導体装置を得る。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
（第１の粘着層の形成）
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ１）１００重量部と、エネルギー線（紫外線）硬化性樹脂として分子量が３４００の２官能ウレタンアクリレート（Ｃ１：日本化薬  カヤラッドＵＸ８１０１）５０重量部と、エネルギー線（紫外線）硬化開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（Ｄ１：イルガキュア１８４  チバスペシャリティケミカルズ  ）５重量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（Ｅ１：コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン社製）３重量部とからなる粘着剤組成物を、剥離処理がなされている厚さ３８μｍのポリエステルフィルム上に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥した。その後、剥離処理がなされている厚さ３８μｍのポリエステルフィルムをラミネートした。その後紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し第１粘着剤層を形成するフィルムを得た。
【００７２】
（第２の粘着層の形成）
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体（Ｂ１）１００重量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（Ｅ１：コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン社製）３重量部とからなる粘着剤組成物を、剥離処理がなされている厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、第２の粘着層を形成するフィルムを得た。その後、基材層としてコロナ処理されている１００μｍのポリエチレンシートをコロナ処理面が粘着剤面と貼り合わせ出来るようにラミネートした。
【００７３】
（ダイアタッチ層の形成）
アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）１９．９２重量％と、エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）１９．３２重量％と、ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２９．０８重量％と、液状フェノール化合物（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ＯＨ基、明和化成（株）製）２１．９１重量％と、固形フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）９．３６重量％と、イミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、四国化成工業（株）製）０．１５重量％と、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）０．２６重量％と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４９％の樹脂ワニスを得た。コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、ポリエステルフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム（株）社製、品番ＭＲＸ５０、厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍのダイアタッチ層を形成するフィルムを得た。
【００７４】
（ダイシングダイアタッチフィルムの製造）
第１の粘着層を形成するフィルムからポリエステルフィルムを剥離する。ダイアタッチ層をポリエステルフィルムから剥離し、第１の粘着層とポリエステルフィルムとを８０℃で貼り付けた。第１の粘着層と、基材層と第２の粘着層とが接するように貼り付けた。
その後、不要な粘着剤、接着剤を除去するため、金型を用いて基材から接着剤層の界面まで切り込みを入れ、不要な接着剤を剥離・除去してダイシングダイアタッチフィルムを得た。
【００７５】
（半導体装置の製造）
５インチ２００μｍウエハーの裏面にこの半導体用フィルムを８０℃で貼り付けし、ダイアタッチフィルムがついた半導体用ウエハを得た。
その後、この半導体用ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）した。
【００７６】
（実施例２）
第１粘着層のＤ１を１重量部、Ｅ１を０．１重量部に変更した以外は、実施例１と同様にした。
【００７７】
（実施例３）
第１粘着層のＣ１を１３０重量部、Ｄを１０重量部、Ｅを５重量部に変更した以外は、実施例１と同様にした。
【００７８】
（比較例１）
第１粘着層のＣ１を０重量部に変更した以外は、実施例１と同様にした。
【００７９】
（比較例２）
第１粘着層のＤ１を０重量部に変更した以外は、実施例１と同様にした。
【００８０】
（比較例３）
放射線照射を実施しないこと以外は、実施例１と同様にした。
【００８１】
（比較例４）
第１粘着層のＣ１を２０重量部にしたこと以外は、実施例１と同様にした。
【００８２】
各実施例および比較例で得られた半導体用フィルムおよび半導体装置について、次の評価を行った。得られた結果を表１及び２に示す。
【００８３】
（層間剥離強度）
得られたダイシングダイアタッチフィルムについて、２３、４０℃、８０℃の恒温槽中で、ダイアタッチ層と粘着層との層間剥離強度（剥離強度Ａ）を測定した。
またその他層間の剥離強度を測定し、その中で最小のものを剥離強度Ｂとした。
測定条件：ＪＩＳＺ０２３７準拠  、１８０°剥離試験
測定装置：引張試験機  オリエンテック製Ｒ１Ａ−１Ｔ
【００８４】
（ピックアップ性）
裏面を研磨処理して厚さ０．２０ｍｍとした半導体用ウエハー（直径８インチ）に、各実施例および比較例で得られた半導体用フィルムの接着層を４０℃で圧着した後、１０ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシングした。そして、ボンダー（ＡＳＭ社製ＡＤ８９８）に搭載し、６ｍｍ引き伸ばしを行った。その後、ニードルによる突き上げ方式で半導体素子をピックアップし、熱板温度１３０℃で１ｓｅｃ接着させ、半導体素子を基板と密着させた。その後、次へのピックアップへと進行した。その際のコレット温度は実測で４５−６０℃であった。ピックアップ時が可能な半導体素子の割合で評価した。各符号は、以下の通りである。
○：半導体素子ピックアップの際ダイアタッチ層と第１の粘着層の界面において剥離が生じ、半導体素子のピックアップ、基板への搭載という一連の作業を安定して行うことができた。
×：半導体素子ピックアップの際ダイアタッチ層と第１の粘着層の界面での剥離が生じず、安定して半導体素子を基板に搭載することができなかった。
【００８５】
実施例１〜３は剥離強度ＡとＢとが所定の条件式を満たすものであり、半導体素子ピックアップの際ダイアタッチ層と第１の粘着層との界面での剥離が生じ安定した作業性を得ることができた。一方、比較例は条件式満たすものではなく半導体素子のピックアップ、基板への搭載という一連の作業を安定して行うことができなかった。
【００８６】
【表１】
2010232422.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明により得られるダイシングダイアタッチフィルムは半導体素子のピックアップ作業性に優れるため、半導体装置の製造に用いることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・ダイアタッチ層
２・・・粘着層
３・・・基材層
１０・・ダイシングダイアタッチフィルム
２１・・第１の粘着層
２２・・第２の粘着層
３０・・基材層に第２の粘着層を貼着してなる積層フィルム
４０・・半導体ウエハ
【図１】
2010232422.tif 000004
【図２】
2010232422.tif 000005
【図３】
2010232422.tif 000006
【図４】
2010232422.tif 000007
【図５】
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