(57)【要約】【課題】タクトタイムを短縮することで設備稼働率を高め、また設備投資額をも抑制させることにより、より低いコストで電子写真感光体を安定した品質で製造でき、かつ、冷却工程において膜ハガレの発生がない電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】導電性を有する円筒状基体の表面に、ケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を少なくとも有する電子写真感光体の製造方法であって、基体保持部材によって保持されかつ加熱された円筒状基体の表面に、処理容器の中において、ケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を少なくとも堆積させる成膜工程と、成膜工程の後に電子写真感光体を大気中に取り出す排出工程と、排出工程の後に電子写真感光体を、冷却ガスにより電子写真感光体の外面から冷却する外面冷却工程と、外面冷却工程の後に電子写真感光体を、冷却ガスにより電子写真感光体の内面から冷却する内面冷却工程を有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する円筒状基体の表面に、ケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を少なくとも有する電子写真感光体の製造方法であって、
基体保持部材によって保持されかつ加熱された前記円筒状基体の表面に、処理容器の中において、ケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後に前記電子写真感光体を大気中に取り出す排出工程と、
前記排出工程の後に前記電子写真感光体を、冷却ガスにより前記電子写真感光体の外面から、冷却する外面冷却工程と、
前記外面冷却工程の後に前記電子写真感光体を、冷却ガスにより前記電子写真感光体の内面から、冷却する内面冷却工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程終了時の電子写真感光体の温度が２００℃以上であり、前記外面冷却工程を前記電子写真感光体の温度が５０℃以上１５０℃以下の範囲になるまで行い、
次いで、前記内面冷却工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記外面冷却工程および前記内面冷却工程のいずれか一方または双方が、周囲が囲われた空間の中で行われることを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記外面冷却工程および前記内面冷却工程のいずれか一方または双方が、前記冷却ガスを吸引しながら行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記内面冷却工程を、前記電子写真感光体を前記基体保持部材から外した状態で、前記電子写真感光体の内面に冷却ガスを吹き付けることにより行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記冷却ガスが、窒素ガスもしくは空気であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも記す）電子写真感光体の製造方法に関し、特に、電子写真感光体の冷却工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体、半導体デバイス、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイスを形成するための方法として、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法が知られている。これらの方法は、高周波電力により生成されるプラズマを用いた成膜方法である。そして、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた成膜方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基体の上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、ａ−Ｓｉ薄膜の形成が容易であることが知られており、その製造装置も各種提案されている。
【０００４】
また、加熱された基体の上にａ−Ｓｉ薄膜を形成した場合は、ａ−Ｓｉ薄膜形成後の製品を冷却しなければならないが、冷却する際にａ−Ｓｉ薄膜が剥離してしまう、膜ハガレという現象が起きる場合がある。このため、時間をかけ徐々に冷却させる方法が一般に取られている。このようなａ−Ｓｉ薄膜形成後の製品の冷却に関する方法や装置に関する各種提案もされている。
【０００５】
減圧可能な投入室、加熱室、反応室、および冷却室を備えた製造装置において、加熱室や冷却室を常に一定の温度状態に保ち、基体の加熱、冷却を効率よく行うことで、設備稼働率を高める光電変換部材の製造装置が開示されている（特許文献１）。
【０００６】
また、成膜終了後に、反応容器の中に冷却ガスを１００〜１００，０００Ｐａの圧力で充填し、成膜処理が終了した基体の冷却処理を行うことで設備稼働率を高めるプラズマ処理方法及び装置が開示されている（特許文献２）。
【特許文献１】特開昭６０−０１０６８１
【特許文献２】特開２００２−０８０９７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したようなプラズマ処理方法または装置を用いることにより、膜ハガレを起こさずにタクトタイムの短縮が可能にはなる。しかしながら、さらなる設備投資額の抑制や設備稼働率の向上により、より低いコストで製品を製造するためには、まだまだ改善すべき余地がある。
例えば、減圧可能な容器を用いて電子写真感光体の冷却工程を行う場合には、減圧環境に耐えられるだけの強度を持った容器にする必要があり、また、減圧にするためのポンプや配管の如きガス排気設備も備えなければならず、設備投資額が高額になってしまう。
このため、前述した製造装置によりタクトタイムの改善はなされるものの、電子写真感光体の冷却工程を減圧可能な容器の中で行うため、設備投資額は高額である。故に、さらなるコストダウンを実現するためには、必要とされる減圧可能な容器の数を極力少なくすることが望まれる。
【０００８】
また、反応容器の中で電子写真感光体の冷却工程を行う場合には、冷却工程が終了するまでの間はその反応容器の中では成膜処理を行うことができず、タクトタイムが長くなってしまう。このため、前述したプラズマ処理方法によりタクトタイムの改善はなされるものの、さらなるタクトタイムの短縮を実現するためには、冷却工程を反応容器外で行うことが望まれる。
つまり、反応容器の如き減圧可能な容器を用いることなく実施可能で、かつ膜ハガレの発生しない冷却方法が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明は、上記課題を解決し、タクトタイムを短縮することで設備稼働率を高め、また設備投資額をも抑制させることにより、より低いコストで電子写真感光体を安定した品質で製造することできる電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。また、冷却工程において膜ハガレの発生がない電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の電子写真感光体の製造方法は、次のような構成から成る。すなわち、導電性を有する円筒状基体の表面に、ケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を少なくとも有する電子写真感光体の製造方法であって、基体保持部材によって保持されかつ加熱された円筒状基体の表面に、処理容器の中においてケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を少なくとも堆積させる成膜工程と、成膜工程の後に電子写真感光体を大気中に取り出す排出工程と、排出工程の後に電子写真感光体を、冷却ガスにより電子写真感光体の外面から冷却する外面冷却工程と、外面冷却工程の後に電子写真感光体を、冷却ガスにより電子写真感光体の内面から冷却する内面冷却工程を有することを特徴とする。
また、外面冷却工程を電子写真感光体の温度が５０℃以上１５０℃以下の範囲になるまで行い、次いで、内面冷却工程を行うことが好ましい。
また、外面冷却工程および内面冷却工程のいずれか一方または双方が、周囲が囲われた空間の中で行われることが好ましい。
また、外面冷却工程および内面冷却工程のいずれか一方または双方が、冷却ガスを吸引しながら行われることが好ましい。
また、内面冷却工程を、電子写真感光体を基体保持部材から外した状態で、電子写真感光体の内面に冷却ガスを吹き付けることにより行うことが好ましい。
また、冷却ガスが、窒素ガスもしくは空気であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子写真感光体の製造方法によれば、減圧可能な容器以外においても膜ハガレを発生させずに、ａ−Ｓｉ薄膜を形成した後の製品を冷却することができる。このため、これまで必要であった冷却用の減圧可能な容器が不要となり、設備投資額を抑制することができる。また、反応容器の中で冷却する必要がないため、製造設備のタクトタイムを短縮でき、設備稼働率を高めることができる。
また、本発明の電子写真感光体の製造方法における外面冷却工程では、冷却前の温度が２００℃以上ある電子写真感光体が、５０℃以上１５０℃以下の温度範囲になるまで冷却を行うことが好ましい。このようにすることで、冷却ガスコストの抑制や作業性の向上を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の電子写真感光体の製造方法における冷却工程では、冷却工程を行う場所を囲っても良い。囲われた場所で冷却工程を行うことで、電子写真感光体や支持部材に付着した副生成物やダストが飛散するのを防止することができる。
また、電子写真感光体に吹き付けられた後の冷却ガスを吸引しながら、冷却工程を行っても良い。このようにすることで、電子写真感光体や支持部材に付着した副生成物やダストが飛散するのをさらに防止することができる。
【００１２】
また、本発明の電子写真感光体の製造方法における内面冷却工程では、電子写真感光体を基体保持部材から外し、電子写真感光体の内面に冷却ガスを吹き付けることにより行うことが好ましい。このようにすることで、冷却効率が向上し、タクトタイムをさらに短縮することができる。
また、本発明の電子写真感光体の製造方法における冷却ガスは、窒素ガスもしくは空気（約８割が窒素、約２割が酸素）であることが好ましい。これらを用いることで、冷却ガスのコストをさらに抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる製造装置の一例を表す模式図、図２は、本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる冷却ステージの一例を表す模式図である。
【００１４】
図１において、クリーンルームの如き清浄な雰囲気中で、金属を母体とした基体保持部材１５２に導電性を有する円筒状基体１５１を装着し、基体保持部材１５２に保持された状態の円筒状基体１５１を投入ステージ１０１に設置する。
加熱用処理容器１０２は、円筒状基体１５１を所定の温度に加熱、保持する。成膜用処理容器１０３は、ａ−Ｓｉ薄膜を円筒状基体１５１の上に形成する。ａ−Ｓｉ薄膜形成後の電子写真感光体は冷却ステージ１０４に設置され、冷却される。各処理容器にはゲート弁１１１、１１２が設けられている。
【００１５】
第１搬送容器１０５ａは、投入ステージ１０１から加熱用処理容器１０２までと、加熱用処理容器１０２から成膜用処理容器１０３までの円筒状基体１５１の移動を担当する。第２搬送容器１０５ｂは、成膜用処理容器１０３から冷却ステージ１０４までの移動を担当する。
排気装置１３１は、加熱用処理容器１０２を減圧し、排気装置１３２は、成膜用処理容器１０３を減圧する。
排気装置１４１は、第１搬送容器１０５ａが加熱用処理容器１０２に接続されたとき、搬送容器ゲート弁１２１とゲート弁１１１の空間を減圧する。排気装置１４２は、第１搬送容器１０５ａまたは第２搬送容器１０５ｂが成膜用処理容器１０３に接続されたとき、搬送容器ゲート弁１２１または１２２と、ゲート弁１１２の空間を減圧する。
【００１６】
次に、図１の冷却ステージ１０４をより詳細に説明する。
図２に冷却ステージの一例を示す。冷却ステージ２０１は、電子写真感光体の外面から冷却を行う外面冷却エリア２０２と、電子写真感光体の内面から冷却を行う内面冷却エリア２０３からなる。
外面冷却エリア２０２には、基体保持部材２０５を設置する受け台２０４と、冷却ガスが吹き出される冷却ガス吹き出し口２０６が設けられた冷却ガス吹き出し板２０７が設けられている。
冷却ガス吹き出し板２０７は、冷却ガスを電子写真感光体の外面に吹き付けることのできる形状であれば特に制限はなく、図２に示すように板状でも良いし、ガス管（図示せず）のような管状でもよい。
また、冷却ガス吹き出し口２０６は、冷却ガスを電子写真感光体の外面に吹き付けることのできる形状であれば特に制限はなく、図２に示すように穴状でも良いし、スリット形状（図示せず）でもよい。
【００１７】
内面冷却エリア２０３には、電子写真感光体２１０を設置する受け台２０４と、冷却ガスが吹き出される冷却ガス吹き出し口２０８が設けられた冷却ガス吹き出し管２０９が設けられている。
冷却ガス吹き出し管２０９は、電子写真感光体２１０が装着された基体保持部材２０５、もしくは電子写真感光体２１０の内面に冷却ガスを吹き付けることのできる形状であれば特に制限はなく、図２に示すように管状でも良いし、板状（図示せず）でもよい。
冷却ガス吹き出し口２０８は、電子写真感光体２１０が装着された基体保持部材２０５、もしくは電子写真感光体２１０の内面に冷却ガスを吹き付けることのできる形状であれば特に制限はなく、図２に示すように穴状でも良いし、スリット形状（図示せず）でもよい。
【００１８】
本発明の電子写真感光体の製造方法は、まず、円筒状基体１５１が、クリーンルームの中で、基体保持部材１５２に装着され、投入ステージ１０１に設置され、第１搬送容器１０５ａに収容される。そして、第１搬送容器１０５ａの搬送容器ゲート弁１２１を閉じる。次いで第１搬送容器１０５ａを加熱用処理容器１０２の上に移動させ、搬送容器ゲート弁１２１とゲート弁１１１の空間を排気装置１４１により減圧にする。
次いで搬送容器ゲート弁１２１を開き、第１搬送容器１０５ａの中を排気装置１４１により減圧にする。次いで、ゲート弁１１１を開き、第１搬送容器１０５ａの中に設けられた上下移動機構（図示せず）により、円筒状基体１５１を加熱用処理容器１０２に設置し、所定の温度に円筒状基体１５１を加熱する。
【００１９】
円筒状基体１５１の加熱処理が終了したら、搬送容器ゲート弁１２１、ゲート弁１１１を開き、第１搬送容器１０５ａの中に加熱された円筒状基体１５１を収容する。次いで、成膜用処理容器１０３の上に第１搬送容器１０５ａを移動させ、搬送容器ゲート弁１２１とゲート弁１１２の空間を排気装置１４２により減圧にする。次いで搬送容器ゲート弁１２１とゲート弁１１２を開き、第１搬送容器１０５ａから成膜用処理容器１０３の中へ円筒状基体１５１を移動させる。
その後、成膜用処理容器１０３の中で、円筒状基体１５１の上にａ−Ｓｉ薄膜を形成し、電子写真感光体とする成膜工程を行う。成膜工程終了後の電子写真感光体の温度は２００℃以上であることが、電子写真感光体の特性上好ましい。これは、成膜中の円筒状基体の表面での表面反応を促進させ、充分に構造緩和をさせるためである。
【００２０】
成膜工程終了後は、第２搬送容器１０５ｂを成膜用処理容器１０３の上に移動させ、搬送容器ゲート弁１２２とゲート弁１１２の空間を排気装置１４２により減圧にする。次いで搬送容器ゲート弁１２２とゲート弁１１２を開き、成膜用処理容器１０３から第２搬送容器１０５ｂへ電子写真感光体を移動させる。次いで、搬送容器ゲート弁１２２を閉め、窒素（Ｎ２）ガスにて第２搬送容器１０５ｂの中をベントする。
そして、冷却ステージ１０４の上に第２搬送容器１０５ｂを移動させ、搬送容器ゲート弁１２２を開け、第２搬送容器１０５ｂから冷却ステージ１０４へ電子写真感光体を大気中に取り出す（排出する）排出工程を行う。
【００２１】
次いで、冷却ステージ２０１の上で冷却工程を行う。本発明における冷却工程は、まず外面冷却工程を行い、次いで内面冷却工程を行う。このような手法とすることで、減圧可能な容器以外においても膜ハガレを発生させずに、電子写真感光体を冷却することができる。
膜ハガレは、冷却の過程で膜の持つ熱応力のバランスが崩れてしまうことが原因で発生すると考えられる。本発明の冷却方法では、外面から冷却を行い、次いで内面から冷却を行うことで、膜の持つ熱応力のバランスを保ったまま冷却することができ、膜ハガレの発生を抑制できているのではないかと推察される。
【００２２】
外面冷却工程では、冷却ガス吹き出し口２０６から吹き出される冷却ガスを、電子写真感光体２１０の外面に吹き付けることで電子写真感光体２１０を冷却する。この際、電子写真感光体２１０を基体保持部材２０５から外して行っても良いが、成膜終了後の電子写真感光体２１０や基体保持部材２０５は高温であるため、作業性を考慮すると、基体保持部材２０５に装着された状態で行うことが好ましい。
また外面冷却工程は、冷却前の温度が２００℃以上ある電子写真感光体が、５０℃以上１５０℃以下の温度範囲になるまで冷却を行うことが作業性や成膜副生成物及びダストの飛散防止という点でより好ましい。また、電子写真感光体の冷却速度は、５℃／ｍｉｎ以上３０℃／ｍｉｎ以下の範囲であることが、膜ハガレ抑制やタクトタイムの短縮という点でより好ましい。
【００２３】
内面冷却工程では、冷却ガス吹き出し口２０８から吹き出される冷却ガスを、電子写真感光体２１０が装着された基体保持部材２０５、もしくは電子写真感光体２１０の内面に吹き付けることで電子写真感光体２１０を冷却する。
この際、電子写真感光体２１０を基体保持部材２０５に装着したまま行っても良いが、冷却効率を考慮すると、基体保持部材２０５から外した状態で行うことがより好ましい。これは、外面冷却工程終了後の電子写真感光体２１０が５０℃以上１５０℃以下の温度範囲にあるため、ある程度の作業安全性も確保されているためである。
また内面冷却工程は、電子写真感光体が１０℃以上５０℃未満の温度範囲になるまで冷却を行うことが膜ハガレを抑制する上で好ましい。また、電子写真感光体の冷却速度は、５℃／ｍｉｎ以上３０℃／ｍｉｎ以下の範囲であることが、膜ハガレ抑制やタクトタイムの短縮という点でより好ましい。
【００２４】
また外面冷却工程および内面冷却工程のいずれか一方または双方は、周囲が囲われた空間の中で行われることが好ましい。例えば、図３に示すように周囲が仕切り板３１１で囲われた冷却ステージ３０１の上で行うことが好ましい。ただし、図３においては、内部が見えるように、手前の仕切り板を透明なものとして図示する。
冷却ステージ３０１の周囲を仕切り板３１１で囲むことは、電子写真感光体や基体保持部材に付着した成膜副生成物や、冷却ステージの上のダストが、冷却ガスによって巻き上げられ、周囲に飛散することを防ぐ上で好ましい。周囲を囲う仕切り板の部材に特に制限はないが、アルミやＳＵＳ(Stainless Used Steel)といった金属は、部材からの発塵が比較的少ないため好ましい。また、仕切り板の一部またはすべてをロールカーテンのような開閉自在なものとしてもよい。
冷却ガス吹き出し板３０７にはスリット形状の冷却ガス吹き出し口３０６が設けられている。冷却ガス吹き出し管３０９にもスリット形状の冷却ガス吹き出し口３０８が設けられている。
【００２５】
また外面冷却工程および内面冷却工程のいずれか一方または双方は、冷却ガスを吸引しながら行うことが好ましい。例えば、図４に示すように、電子写真感光体に吹き付けられた後の冷却ガスを、図示しない冷却ガス吸引装置によって、冷却ガス吸引口４１２から吸引しながら行っても良い。図４においても、内部が見えるように、手前の仕切り板を透明なものとして図示する。
冷却ステージ４０１の周囲を仕切り板４１１で囲み、かつ電子写真感光体に吹き付けられた後の冷却ガスを冷却ガス吸引口４１２から吸引することは、電子写真感光体や基体保持部材に付着した成膜副生成物や、冷却ステージの上のダストが、冷却ガスによって巻き上げられ、周囲に飛散することを防ぐ上でより好ましい。冷却ガス吸引口４１２は、冷却ガスを吸引できる形状であれば特に指定はなく、図４に示すようにスリット状でも良いし、穴形状（図示せず）でもよい。
また、冷却ガスに使用されるガスは、安全上問題のないガスであれば特に制限はないが、窒素ガスや空気であることが、取り扱い上やコストの面で好ましい。また冷却ガスの温度は、外面冷却工程に使用される冷却ガスが、５０℃以上１５０℃以下、内面冷却工程に使用される冷却ガスが、１０℃以上５０℃未満の温度範囲であることが、過冷却防止やタクトタイムの短縮という点で好ましい。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例、比較例を挙げながら本発明を詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２７】
（実施例１）
図１に示す電子写真感光体の製造装置と図２に示す冷却ステージを用いて、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍのアルミ製の円筒状基体に少なくともケイ素を含む非晶質材料で形成された光導電層を有する電子写真感光体を、表１に示した条件で作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について以下の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
《設備投資額》
電子写真感光体の製造装置を構成するために必要な設備投資額を実施例１での設備投資額をリファレンス１００％とした場合の相対評価でランク付けをおこなった。
Ａ：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満であり、リファレンスと同等レベル
Ｂ：リファレンスに比べて１１０％以上１５０％未満のレベル
【００３０】
《タクトタイム》
基体保持部材に円筒状基体を装着し、投入ステージ設置してから、電子写真感光体を検査工程へ送るまでを１サイクルとし、５サイクル終了するまでに要した時間から算出した１サイクルの平均所要時間をタクトタイムとした。そして、実施例１での平均所要時間をリファレンス１００％とした場合の相対評価でランク付けをおこなった。
ＡＡ：リファレンスに比べて８０％以上９０％未満のレベル
Ａ：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満であり、リファレンスと同等レベル
Ｂ：リファレンスに比べて１１０％以上１５０％未満のレベル
Ｃ：リファレンスに比べて１５０％以上１９０％未満のレベル
【００３１】
《膜ハガレ評価》
作成した電子写真感光体が膜ハガレを起こしているかを膜ハガレ評価として、以下のような基準でランク付けをおこなった。
Ａ：膜ハガレの発生なし 
Ｂ：電子写真感光体の端部で軽微な膜ハガレが発生
【００３２】
《冷却ガスコスト》
電子写真感光体を冷却するために使用した冷却ガスのコストを冷却ガスコストとし、実施例１での冷却ガスコストをリファレンス１００％とした場合の相対評価でランク付けをおこなった。
ＡＡＡ：リファレンスに比べて７０％未満のレベル
ＡＡ：リファレンスに比べて７０％以上９０％未満のレベル
Ａ：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満あり、リファレンスと同等レベル
【００３３】
《総合評価》
設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコストの項目で得られた結果を、ＡＡＡランクが４点、ＡＡランクを３点、Ａランクを２点、Ｂランクを１点、Ｃランクを０点として合計した得点をもとに、以下のように総合的にランク付けをおこなった。
ＡＡ：１０点以上のもの
Ａ：８点以上９点以下のもの
Ｂ：６点以上７点以下のもの
【００３４】
（実施例２）
実施例１の手順において、電子写真感光体を基体保持部材から外して内面冷却工程を行った点と、冷却ガスとして空気を用いた点を変更し、表２に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００３５】
【表２】
2010145478.tif 000004
【００３６】
（実施例３）
実施例２の手順において、冷却ステージとして図３に示す冷却ステージを用いた点を変更し、表３に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００３７】
【表３】
2010145478.tif 000005
【００３８】
（実施例４）
実施例２の手順において、冷却ステージとして図４に示す冷却ステージを用いた点と、冷却ガスとして窒素ガスを用いた点を変更し、表４に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００３９】
【表４】
2010145478.tif 000006
【００４０】
（比較例１）
実施例１の手順において、電子写真感光体の製造装置として図５に示す従来の製造装置を用い、電子写真感光体の冷却を冷却用処理容器の中で行った点を変更し、表５に示す条件で電子写真感光体を作製した。
図５に示す従来の製造装置の冷却用処理容器５０４は、電子写真感光体を内面から冷却する機能を有しない。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００４１】
【表５】
2010145478.tif 000007
【００４２】
（比較例２）
実施例１の手順において、電子写真感光体の冷却を成膜用処理容器の中で行った点を変更し、表６に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００４３】
【表６】
2010145478.tif 000008
【００４４】
（比較例３）
実施例１の手順において、電子写真感光体の冷却を冷却ステージの上に放置することで行った点を変更し、表７に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００４５】
【表７】
2010145478.tif 000009
【００４６】
（比較例４）
実施例１の手順において、電子写真感光体の冷却を内面冷却工程、外面冷却工程の順に行った点を変更し、表８に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００４７】
【表８】
2010145478.tif 000010
【００４８】
（比較例５）
実施例１の手順において、電子写真感光体の冷却を外面冷却工程と内面冷却工程を同時に行った点を変更し、表９に示す条件で電子写真感光体を作製した。
そして、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目について実施例１と同様の手法で検証を行った。その結果を表１０に示す。
【００４９】
【表９】
2010145478.tif 000011
【００５０】
【表１０】
2010145478.tif 000012
【００５１】
表１０より、冷却用の処理容器を用いない本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例１では、従来の冷却用の処理容器を用いた比較例１と比較して、設備投資額の抑制が可能となった。
また、成膜処理容器の中で冷却工程を行わない本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例１では、成膜処理容器の中で冷却工程を行う比較例２と比較して、タクトタイムの短縮が可能となった。
また、冷却ガスによる外面冷却工程及び内面冷却工程を行う、本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例１では、比較例３と比較して、タクトタイムの短縮と膜ハガレの抑制が可能となった。
また、外面冷却工程を行い、次いで内面冷却工程を行う本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例１では、比較例４と比較して、タクトタイムの短縮と膜ハガレの抑制が可能となった。
また、外面冷却工程を行い、次いで内面冷却工程を行う本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例１では、比較例５と比較して、膜ハガレの抑制が可能となった。
また、冷却ガスに窒素ガスを用いることで冷却ガスのコストを抑制することができ、冷却ガスに空気を用いることで、さらなる冷却ガスのコストを抑制することが可能となった。
また、基体保持部材から電子写真感光体を外して内面冷却工程を行う実施例２、３，４では、実施例１と比較して、さらなるタクトタイムの短縮が可能となった。
そして、本発明の電子写真感光体の製造方法を用いた実施例は、比較例と比較して、総合的に優れていることが確認された。
【００５２】
次に、実施例１から実施例４について、成膜副生成物及びダスト飛散面積の項目について以下の手法で検証を行った。その結果を表１１に示す。
《成膜副生成物及びダスト飛散面積》
冷却工程において、電子写真感光体や基体保持部材に付着した成膜副生成物や、冷却ステージの上のダストが冷却ガスによって飛散した面積を成膜副生成物及びダスト飛散面積とした。そして、実施例１での冷却ガスコストをリファレンス１００％とした場合の相対評価でランク付けをおこなった。飛散面積は、冷却ステージ周辺の床に粘着シートを設置し、成膜副生成物及びダストが付着した面積を測定した。
ＡＡＡ：リファレンスに比べて３０％未満のレベル
ＡＡ：リファレンスに比べて３０％以上９０％未満のレベル
Ａ：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満あり、リファレンスと同等レベル
Ｂ：リファレンスに比べて１１０％以上１７０％未満のレベル
【００５３】
【表１１】
2010145478.tif 000013
【００５４】
表１１より、周囲が囲まれた冷却ステージを用いて冷却工程を行う実施例３では、実施例１、２と比較して、成膜副生成物及びダストの飛散が抑制される結果となった。
また、冷却ガスを吸引しながら冷却工程を行う実施例４では、実施例３と比較して、成膜副生成物及びダストの飛散がさらに抑制される結果となった。
【００５５】
（実施例５）
実施例１の手順において、外面冷却工程終了時の電子写真感光体の温度が、表１２に示す温度とする点を変更した電子写真感光体を、実施例５−１〜５−６として作製した。
そして、成膜副生成物及びダスト飛散面積の項目については実施例１から実施例４を検証した手法と同様の手法で検証を行い、作業性の項目について以下の手法で検証を行った。その結果をあわせて表１３に示す。
【００５６】
《作業性》
冷却工程において、基体保持部材から電子写真感光体を外す際の作業性を以下のような基準でランク付けをおこなった。
Ａ：耐熱保護具を着用した上で一人作業可能
Ｂ：耐熱保護具を着用した上で二人作業必須
【００５７】
【表１２】
2010145478.tif 000014
【００５８】
【表１３】
2010145478.tif 000015
【００５９】
表１３より、外面冷却工程終了時の電子写真感光体の温度が１５０℃以下の温度に達してから内面冷却工程を行う実施例５−１から実施例５−５では、作業性が良好である結果となった。また、外面冷却工程終了時の電子写真感光体の温度が５０℃以上の温度で内面冷却工程を行う実施例５−２から５−６では、成膜副生成物及びダストの飛散を抑制できる結果となった。
尚、設備投資額、タクトタイム、膜ハガレ評価、冷却ガスコスト、総合評価の各項目については実施例１と同等であった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる製造装置の一例を表す模式図である。
【図２】本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる冷却ステージの一例を表す模式図である。
【図３】本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる冷却ステージの一例を表す模式図である。
【図４】本発明による電子写真感光体の製造方法に用いられる冷却ステージの一例を表す模式図である。
【図５】従来の電子写真感光体の製造方法に用いられる製造装置の一例を表す模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０１                  投入ステージ
１０２                  加熱用処理容器
１０３                  成膜用処理容器
１０４                  冷却ステージ
１０５ａ                第１搬送容器
１０５ｂ                第２搬送容器
１１１、１１２                 ゲート弁
１２１、１２２          搬送容器ゲート弁
１３１、１３２                 排気装置
１４１、１４２                 排気装置
１５１                  円筒状基体
１５２                  基体保持部材
２０１、３０１、４０１  冷却ステージ
２０２                  外面冷却エリア
２０３                  内面冷却エリア
２０４                  受け台
２０５                  基体保持部材
２０６、３０６          冷却ガス吹き出し口
２０７、３０７          冷却ガス吹き出し板
２０８、３０８          冷却ガス吹き出し口
２０９、３０９          冷却ガス吹き出し管
２１０                  電子写真感光体
３１１                  仕切り板
４１２                  冷却ガス吸引口
５０４                  冷却用処理容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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