(57)【要約】【課題】電極部材間の不正確な位置合わせや位置ずれ等に起因する電気的接続不良の発生を防止することができるとともに生産コストを低減することができる半導体装置の組み立て方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させた後（ステップＳＴ１）、半田の融点未満の温度で加熱し、半田バンプ２２を軟化させて両電極パッド１１，２１を仮接合させる（ステップＳＴ２）。そして、両電極パッド１１，２１が軟化した半田バンプ２２によって仮接合された基板１０と半導体チップ２０の間にフラックス等の還元作用を有する接合材料を注入したら（ステップＳＴ３）、半田の融点以上の温度で加熱し、半田バンプ２２を溶融させて両電極パッド１１，２１を接合させる（ステップＳＴ４）。【選択図】図２
2010199207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた基板側電極部材と半導体チップに設けられたチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接触させる工程と、
基板側電極部材とチップ側電極部材が間に半田を介在させた状態で接触された基板及び半導体チップを半田の融点未満の温度で加熱し、半田を軟化させて基板側電極部材とチップ側電極部材を仮接合させる工程と、
基板側電極部材とチップ側電極部材が軟化した半田によって仮接合された基板と半導体チップの間に還元作用を有する接合材料を注入する工程と、
還元作用を有する接合材料が注入された基板及び半導体チップを半田の融点以上の温度で加熱し、半田を溶融させて基板側電極部材とチップ側電極部材を接合させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の組み立て方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に設けられた基板側電極部材と半導体チップに設けられたチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接合させて成る半導体装置の組み立て方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に設けられた基板側電極部材と半導体チップに設けられたチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接合させて成る半導体装置として、上面に基板側電極パッドが設けられた基板と、下面に設けられたチップ側電極パッドに半田バンプが取り付けられた半導体チップが、基板側電極パッドと半田バンプを接合させて成る半田バンプ型のフリップチップ接合部品が知られている。この半田バンプ型のフリップチップ接合部品では、基板側電極パッドが基板側電極部材に相当し、チップ側電極パッドがチップ側電極部材に相当し、半田バンプが半田に相当する。
【０００３】
このような半田バンプ型のフリップチップ接合部品の組み立てでは、基板側電極パッド或いは半田バンプに還元作用を有する接合材料としてのフラックスを塗布し、カメラによって基板側電極パッドとチップ側電極パッド（直接的には半田バンプ）双方の画像認識を行って上下方向に一致させ、相互に位置合わせをして接触させた後、基板及び半導体チップをリフロー炉内で加熱する。これにより半田バンプが溶融し、基板側電極パッドとチップ側電極パッドは溶融した半田によって接合される。基板側電極パッドとチップ側電極パッドが溶融した半田によって接合されたら、基板及び半導体チップから成る接合体にフラックス洗浄を施してフラックスを除去し、基板と半導体チップの間に熱硬化性樹脂を注入して接合体を加熱する。これにより熱硬化性樹脂が熱硬化し、基板と半導体チップが強固に結合されて、半導体装置としての半田バンプ型のフリップチップ接合部品が生成される（特許文献１）。
【特許文献１】特開平７−７８８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のように基板側電極パッドと半田バンプ（すなわちチップ側電極パッド）の位置合わせを行う前に、基板側電極パッド或いは半田バンプにフラックスを塗布すると、フラックスが付着した基板側電極パッド或いは半田バンプについては画像認識が良好に行えない場合があり、両者の位置合わせが不正確になって電極パッド間の電気的接続不良が発生するおそれがあった。また、正確に位置合わせを行うことができたとしてもフラックスを介した接触状態は不安定であり、両電極パッドが位置ずれを起こして電気的接続不良が発生するおそれがあった。更に、基板側電極パッド或いは半田バンプに塗布したフラックスは「だれ」や「垂れ」を生じ易く、このような「だれ」や「垂れ」が生じることを防止するためには複雑な温度管理が必要となってコスト高になるという問題点があった。
【０００５】
そこで本発明は、電極部材間の不正確な位置合わせや位置ずれ等に起因する電気的接続不良の発生を防止することができるとともに生産コストを低減することができる半導体装置の組み立て方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の半導体装置の組み立て方法は、基板に設けられた基板側電極部材と半導体チップに設けられたチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接触させる工程
と、基板側電極部材とチップ側電極部材が間に半田を介在させた状態で接触された基板及び半導体チップを半田の融点未満の温度で加熱し、半田を軟化させて基板側電極部材とチップ側電極部材を仮接合させる工程と、基板側電極部材とチップ側電極部材が軟化した半田によって仮接合された基板と半導体チップの間に還元作用を有する接合材料を注入する工程と、還元作用を有する接合材料が注入された基板及び半導体チップを半田の融点以上の温度で加熱し、半田を溶融させて基板側電極部材とチップ側電極部材を接合させる工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、基板側電極部材とチップ側電極部材の位置合わせを行う段階ではフラックス等の還元作用を有する接合材料の供給がなされていないので、両電極部材の画像認識を良好に行うことができて位置合わせを正確に行うことができ、両電極部材の電気的接続不良の発生を防止することができる。また、基板側電極部材とチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接触させた後、基板及び半導体チップを半田の融点未満の温度で加熱することにより半田を軟化させて両電極部材を仮接合させるようになっているので、両電極部材は位置合わせの後に位置ずれを起こしにくく、この面からも両電極部材の電気的接続不良の発生を防止することができる。また、フラックス等の還元作用を有する接合材料の供給は両電極部材を仮接合した後の基板と半導体チップの間に注入することによって行われ、接合材料の「だれ」や「垂れ」を考慮した温度管理は不要であるので、その分生産コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置の一部断面側面図、図２は本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程の流れを示すフローチャート、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）及び図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程説明図である。
【０００９】
図１において、実施の形態１における半導体装置１は半田バンプ型のフリップチップ接合部品であり、基板１０と半導体チップ２０が接合されて成るものである。基板１０は上面に複数の電極パッド（基板側電極パッド１１）を有しており、半導体チップ２０は下面に複数の電極パッド（チップ側電極パッド２１）を有している。基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１は上下に対向するもの同士が間に半田Ｓを介在させた状態で接合されており、基板１０と半導体チップ２０はその間に注入された熱硬化性樹脂が熱硬化されて成る熱硬化体３０によって強固に結合されている。なお、上下に対向する両電極パッド（基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１）の間に介在する半田Ｓは、チップ側電極パッド２１に取り付けられていた半田バンプ２２（図３（ａ）参照）が溶融したものである。
【００１０】
このような半導体装置１の組み立て手順を図２のフローチャート及び図３〜図５の工程説明図を用いて説明する。半導体装置１を組み立てるには先ず、図３（ａ）に示すように、基板１０を基板側電極パッド１１が上方を向くように所定の位置に保持し、基板１０に対して相対移動自在に設けられた熱圧着ヘッドＨによって半導体チップ２０の上面を吸着する。そして、図示しないカメラによって基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１（直接的には半田バンプ２２）を画像認識し、その結果に基づいて、対応する基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１（半田バンプ２２）がそれぞれ上下に対向するように、熱圧着ヘッドＨを移動させて基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１の位置合わせをする。基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を位置合わせしたら熱圧着ヘッドＨを下降させ（図３（ａ）に示す矢印Ｃ１）、半田バンプ２２を基板側電極パッド１１に上方から接触させる。すなわち、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド
２１を、間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させる（図３（ｂ）。図２のステップＳＴ１）。
【００１１】
基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させたら、熱圧着ヘッドＨに内蔵されたヒータ（図示せず）により基板１０及び半導体チップ２０を半田の融点未満の温度で加熱し、半田バンプ２２を軟化させて、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１をその軟化した半田（半田バンプ２２）によって仮接合させる（図３（ｃ）。図２のステップＳＴ２）。これにより基板１０及び半導体チップ２０が仮接合された仮接合体１ａが生成される。なお、熱圧着ヘッドＨが超音波振動を印加して基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１の接合を促進させることができる構成のものであれば、上記の加熱と併せて半導体チップ２０に超音波振動を印加するようにしてもよい。
【００１２】
基板１０と半導体チップ２０が仮接合された仮接合体１ａが生成されたら、図４（ａ）に示すように、熱圧着ヘッドＨによる半導体チップ２０の吸着を解除し（図４（ａ）中に示す矢印Ｃ２）、熱圧着ヘッドＨと半導体チップ２０を分離させる。そして、仮接合体１ａの基板１０と半導体チップ２０の間に還元作用を有する接合材料としてのフラックス３２をフラックス供給シリンジ４０により注入する（図４（ｂ）。図２のステップＳＴ３）。
【００１３】
フラックス供給シリンジ４０により仮接合体１ａの基板１０と半導体チップ２０の間にフラックス３２を注入したら、リフロー炉（図示せず）内で半田（軟化した半田バンプ２２）のリフローを行う。具体的には、リフロー炉内で仮接合体１ａを半田の融点以上の温度で加熱し（図４（ｃ））、軟化した状態の半田バンプ２２を溶融させて、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を接合させる（図２のステップＳＴ４）。その後リフロー炉内で仮接合体１ａを冷却して半田を固化させれば、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１が固化した半田Ｓによって結合された基板１０と半導体チップ２０の接合体１ｂが生成される。
【００１４】
基板１０と半導体チップ２０の接合体１ｂが生成されたら、その接合体１ｂにフラックス洗浄を施して、基板１０の上面及び半導体チップ２０の下面に残っているフラックスを除去する（図５（ａ）。図２のステップＳＴ５）。
【００１５】
フラックス洗浄を行ったら、接合体１ｂの基板１０と半導体チップ２０の間に熱硬化性樹脂３０ａを樹脂供給シリンジ４１により注入する（図５（ｂ）。図２のステップＳＴ６）。そして、熱硬化性樹脂３０ａが注入された接合体１ｂをリフロー炉内で熱硬化性樹脂３０ａの熱硬化温度以上の温度で加熱し（図５（ｃ））、熱硬化性樹脂３０ａを熱硬化させる（図２のステップＳＴ７）。これにより熱硬化性樹脂３０ａは熱硬化体３０となり、接合体１ｂを構成する基板１０と半導体チップ２０は熱硬化体３０によって強固に結合されて、半導体装置１（図１）が生成される。熱硬化性樹脂３０ａが完全に熱硬化したら、リフロー炉内で半導体装置１を冷却し、一連の半導体装置１の組み立て工程を終了する。
【００１６】
（実施の形態２）
図６は本発明の実施の形態２における半導体装置の組み立て方法の工程の流れを示すフローチャート、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の形態２における半導体装置の組み立て方法の工程説明図である。図６のフローチャートでは、上述の実施の形態１と同様の内容の工程については、同じステップ番号を付している。
【００１７】
実施の形態２における半導体装置１の組み立て方法では、上記の実施の形態１における半導体装置１の組み立て方法とは異なり、還元作用を有する接合材料として、半田の酸化
膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂を用いる。すなわち、実施の形態２では、実施の形態１における仮接合体１ａの基板１０と半導体チップ２０の間にフラックス３２を注入する工程（図２のステップＳＴ３）、仮接合体１ａを半田の融点以上の温度で加熱し、軟化した状態の半田バンプ２２を溶融させて基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を接合する工程（図２のステップＳＴ４）、フラックス洗浄を行う工程（図２のステップＳＴ５）、接合体１ｂの基板１０と半導体チップ２０の間に熱硬化性樹脂３０ａを注入する工程（図２のステップＳＴ６）及び接合体１ｂを熱硬化性樹脂３０ａの熱硬化温度以上の温度で加熱し、熱硬化性樹脂３０ａを熱硬化させる工程（図２のステップＳＴ７）を行う代わりに、図７（ａ）に示す仮接合体１ａの基板１０と半導体チップ２０の間に半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂを樹脂供給シリンジ４２により注入する工程（図７（ｂ）。図６のステップＳＴ３ａ）及び半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂが注入された仮接合体１ａをリフロー炉内でその半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂの熱硬化温度以上の温度で加熱（したがって半田の融点以上の温度で加熱）し、軟化した状態の半田バンプ２２を溶融させて基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を接合させるとともに、半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂを熱硬化させる工程（図７（ｃ）。ステップＳＴ４ａ）を行う。これにより、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１が固化した半田Ｓによって結合されるとともに、基板１０と半導体チップ２０が熱硬化体３０によって強固に結合されて成る半導体装置１（図１）が生成される。
【００１８】
このような実施の形態２における半導体装置１の組み立て方法では、実施の形態１における半導体装置１の組み立て方法に比べて工程数が少なくなるので、上記実施の形態１の場合よりも生産性を向上させることができる。
【００１９】
（実施の形態３）
図８は本発明の実施の形態３における半導体装置の一部断面側面図、図９（ａ），（ｂ），（ｃ）及び図１０（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の形態３における半導体装置の組み立て方法の工程説明図である。
【００２０】
図８において、実施の形態３における半導体装置５０は、実施の形態１における半導体装置１の半導体チップ２０が複数個（ここでは３個）上下方向に重ねられて成るものである。すなわち、中段（下から２段目）の半導体チップ２０の下面に設けられたチップ側電極パッド２１は下段（１段目）の半導体チップ２０の上面に設けられたチップ側電極パッド２１ａと間に半田Ｓ（中段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１に取り付けられた半田バンプ２２が溶融したもの）を介在させて接合され、上段（下から３段目）の半導体チップ２０の下面に設けられたチップ側電極パッド２１は中段の半導体チップ２０の上面に設けられたチップ側電極パッド２１ａとの間に半田Ｓ（上段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１に取り付けられた半田バンプ２２が溶融したもの）を介在させて接合されている。そして、基板１０と下段の半導体チップ２０の間だけでなく、上下方向に隣接する半導体チップ２０同士の間（下段の半導体チップ２０と中段の半導体チップ２０の間及び中段の半導体チップ２０と上段の半導体チップ２０の間）にも熱硬化性樹脂３０ａを熱硬化させた熱硬化体３０が設けられている。
【００２１】
このような半導体装置５０の組み立てでは、実施の形態１における半導体装置１の組み立て工程における図２のステップＳＴ１及びＳＴ２の工程を３個の半導体チップ２０について繰り返す（但し、中段及び上段の半導体チップ２０については、ステップＳＴ１及びステップＳＴ２の「基板側電極パッド」を「直下の半導体チップの上面のチップ側電極パッド」と読み替える）。これにより、基板電極パッド１１と下段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１、下段の半導体チップ２０の上面のチップ側電極パッド２１ａと中段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１及び中段の半導体チップ２
０の上面のチップ側電極パッド２１ａと上段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１がそれぞれ間に介在させた半田バンプ２２を軟化させて仮接合された仮接合体５０ａが生成される（図９（ａ））。
【００２２】
仮接合体５０ａが生成されたら、基板１０と下段の半導体チップ２０の間、下段の半導体チップ２０と中段の半導体チップ２０の間及び中段の半導体チップ２０と上段の半導体チップ２０の間に還元作用を有する接合材料としてのフラックス３２をフラックス供給シリンジ４０により注入する（図９（ｂ）。図２のステップＳＴ３）。そして、実施の形態１の場合と同様に仮接合体５０ａを半田の融点以上の温度で加熱し、各段の半導体チップ２０が備える半田バンプ２２を溶融させて、基板側電極パッド１１と下段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１、下段の半導体チップ２０の上面のチップ側電極パッド２１ａと中段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１及び中段の半導体チップ２０の上面のチップ側電極パッド２１ａと上段の半導体チップ２０の下面のチップ側電極パッド２１を接合する工程（図２のステップＳＴ４。図９（ｃ））を行う。
【００２３】
これにより基板１０と３つの半導体チップ２０から成る接合体５０ｂが得られたら、その接合体５０ｂにフラックス洗浄を施し（図２のステップＳＴ５）、そのフラックス洗浄を施した接合体５０ｂ（図１０（ａ））の基板１０と下段の半導体チップ２０、下段の半導体チップ２０と中段の半導体チップ２０及び中段の半導体チップ２０と上段の半導体チップ２０の間に樹脂供給シリンジ４１により熱硬化性樹脂３０ａを注入する（図１０（ｂ）。図２のステップＳＴ６）。
【００２４】
熱硬化性樹脂３０ａの注入が終わったら、接合体５０ｂをリフロー炉内で熱硬化性樹脂３０ａの熱硬化温度以上の温度で加熱し（図１０（ｃ））、熱硬化性樹脂３０ａを熱硬化させる（図２のステップＳＴ７）。これにより熱硬化性樹脂３０ａは熱硬化体３０となり、接合体５０ｂを構成する基板１０と下段の半導体チップ２０及び上下方向に隣接する半導体チップ２０同士の間（下段の半導体チップ２０と中段の半導体チップ２０の間及び中段の半導体チップ２０と上段の半導体チップ２０の間）は熱硬化体３０によって強固に結合されて、半導体装置５０（図８）が生成される。熱硬化性樹脂３０ａが完全に熱硬化したら、リフロー炉内で半導体装置５０を冷却し、一連の半導体装置５０の組み立て工程を終了する。
【００２５】
なお、ここでは３個の半導体チップ２０が複数個（ここでは３個）上下方向に重ねられて成る半導体装置５０を実施の形態１に示した組み立て方法で組み立てる手順を示したが、実施の形態２で示した半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂを用いた組み立て方法で組み立てることも可能である。また、３個に限られず、２個又は４個以上の半導体チップ２０が上下方向に重ねられて成る半導体装置５０を組み立てることも可能である。
【００２６】
以上説明したように、実施の形態１〜３における半導体装置の組み立て方法は、基板１０に設けられた基板側電極パッド１１（基板側電極部材）と半導体チップ２０に設けられたチップ側電極パッド２１（チップ側電極部材）を間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させる工程（ステップＳＴ１）と、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１が間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触された基板１０及び半導体チップ２０を半田の融点未満の温度で加熱し、半田バンプ２２を軟化させて基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を仮接合させる工程（ステップＳＴ２）と、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１が軟化した半田バンプ２２によって仮接合された基板１０と半導体チップ２０の間に還元作用を有する接合材料（フラックス３２又は半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂３０ｂ）を注入する工程（ステップＳＴ３又はステップＳＴ３ａ）と、還元作用を有する接合材料が注入された基板１０及び半導体チップ２０（仮
接合体１ａ又は５０ａ）を半田の融点以上の温度で加熱し、半田バンプ２２を溶融させて基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を接合させる工程（ステップＳＴ４又はステップＳＴ４ａ）を含むものとなっている。
【００２７】
実施の形態１〜３における半導体装置の組み立て方法では、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１の位置合わせを行う段階ではフラックス等の還元作用を有する接合材料の供給がなされていないので、両電極パッド１１，２１の画像認識を良好に行うことができて位置合わせを正確に行うことができ、両電極パッド１１，２１の電気的接続不良の発生を防止することができる。
【００２８】
また、基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させた後、基板１０及び半導体チップ２０を半田の融点未満の温度で加熱することにより半田バンプ２２を軟化させて両電極パッド１１，２１を仮接合させるようになっているので、両電極パッド１１，２１は位置合わせの後に位置ずれを起こしにくく、半田バンプ２２が基板側電極パッド１１に確実に接触されることからオープン不良も起きにくくなるので、この面からも両電極パッド１１，２１の電気的接続不良の発生を防止することができる。
【００２９】
このように、両電極パッド１１，２１の位置合わせを正確に行うことによって電気的接続不良の発生を防止できることは、半田バンプ２２の小型化及びファインピッチ化により両電極パッド１１，２１の位置合わせが更に重要となっている昨今の半導体装置の組み立てにおいて大きな効果を発揮し、良品率を向上させることができるだけでなく、実装タクトを大幅に短縮させて生産性の向上を図ることができる。
【００３０】
また、フラックス等の還元作用を有する接合材料の供給は両電極パッド１１，２１を仮接合した後の基板１０と半導体チップ２０の間に注入することによって行われ、接合材料の「だれ」や「垂れ」を考慮した温度管理は不要であるので、その分生産コストを低減することができる。
【００３１】
これまで本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上述の実施の形態に示したものに限定されない。例えば、上述の実施の形態１及び実施の形態３ではフラックスを洗浄する工程（ステップＳＴ５）があったが、高温下で蒸発するフラックスを用いるようにすれば、その前の加熱工程（ステップＳＴ４）でフラックスが蒸発するので、ステップＳＴ５のフラックス洗浄工程は不要となる。
【００３２】
また、上述の実施の形態では、本発明の半導体装置の組み立て法によって組み立てられる半導体装置の例として、上面に基板側電極パッド１１が設けられた基板１０と、下面に設けられたチップ側電極パッド２１に半田バンプ２２が取り付けられた半導体チップ２０が、基板側電極パッド１１と半田バンプ２２を接合させて成る半田バンプ型のフリップチップ接合部品を示したが、これは例示に過ぎず、本発明は、基板に設けられた基板側電極部材と半導体チップに設けられたチップ側電極部材を間に半田を介在させた状態で接合させて成るあらゆる半導体装置の組み立てについて適用することが可能である。すなわち、半田バンプはチップ側電極パッドでなく基板側電極パッドに取り付けられていてもよいし、半田バンプの代わりに金バンプ等の他のバンプを用いてもよい。
【００３３】
なお、バンプを半田バンプ以外のものとしてこれを一方の電極パッド（例えばチップ側電極パッド）に取り付ける場合には、バンプと基板側電極パッドの間に半田（例えば半田ペースト）を塗布するようにする。このように半田バンプ以外のバンプが用いられる場合、バンプがチップ側電極パッドに取り付けられるときにはチップ側電極パッドとバンプを含む部分がチップ側電極部材に相当し、バンプが基板側電極パッドに取り付けられるとき
には基板側電極パッドとバンプを含むものが基板側電極部材に相当する。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
電極部材間の不正確な位置合わせや位置ずれ等に起因する電気的接続不良の発生を防止することができるとともに生産コストを低減することができる半導体装置の組み立て方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の一部断面側面図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程の流れを示すフローチャート
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態１における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【図６】本発明の実施の形態２における半導体装置の組み立て方法の工程の流れを示すフローチャート
【図７】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態２における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【図８】本発明の実施の形態３における半導体装置の一部断面側面図
【図９】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態３における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【図１０】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態３における半導体装置の組み立て方法の工程説明図
【符号の説明】
【００３６】
１，５０  半導体装置
１０  基板
１１  基板側電極パッド（基板側電極部材）
２０  半導体チップ
２１  チップ側電極パッド（チップ側電極部材）
２２  半田バンプ（半田）
３２  フラックス（還元作用を有する接合材料）
３０ｂ  半田の酸化膜を還元する作用をもつ熱硬化性樹脂（還元作用を有する接合材料）
【図１】
2010199207.tif 000003
【図２】
2010199207.tif 000004
【図３】
2010199207.tif 000005
【図４】
2010199207.tif 000006
【図５】
2010199207.tif 000007
【図６】
2010199207.tif 000008
【図７】
2010199207.tif 000009
【図８】
2010199207.tif 000010
【図９】
2010199207.tif 000011
【図１０】
2010199207.tif 000012