(57)【要約】【課題】静電アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共に消費電極の増大を抑制させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、上部駆動電極１４と下部駆動電極１５とを持つ静電アクチュエータ１０と、静電アクチュエータ１０の温度Ｔを検知する検知回路２１と、静電アクチュエータ１０を閉状態に維持するために用いられるホールド電圧Ｖｈｏｌｄを上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に印加すると共にホールド電圧の極性を期間Ｃ（ｋ）ごとに切り替える駆動回路２２とを備える。駆動回路２２は、期間Ｃ（ｋ）の長さを、検知回路２１の検知結果に基づいて変化させる。【選択図】図１
2010218945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接可能に形成された第１駆動電極と第２駆動電極とを持つ静電アクチュエータと、
前記静電アクチュエータの温度を検知する検知回路と、
前記静電アクチュエータを閉状態に維持するために用いられる第１電圧を前記第１駆動電極及び前記第２駆動電極の間に印加すると共に前記第１電圧の極性を第１期間ごとに切り替える駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記第１期間の長さを、前記検知回路の検知結果に基づいて変化させる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記第１期間の長さを、特定の値を避けて前記温度に基づきステップ状に変化させる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１駆動電極又は前記第２駆動電極に隣接する位置に設けられた電極を備え、
前記駆動回路は、第２期間で極性が変化する第２電圧を前記電極に印加し、
前記第２期間及び前記第２電圧は、前記第１期間及び前記第１電圧に起因して発生する信号が前記第２期間及び前記第２電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接可能に形成された第１駆動電極と第２駆動電極とを持つ静電アクチュエータと、
前記第１駆動電極又は前記第２駆動電極に隣接する位置に設けられた電極と、
前記静電アクチュエータを閉状態に維持するために用いられる第１電圧を前記第１駆動電極及び前記第２駆動電極の間に印加すると共に前記第１電圧の極性を第１期間ごとに切り替える駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、第２期間で極性が変化する第２電圧を前記電極に印加し、
前記第２期間及び前記第２電圧は、前記第１期間及び前記第１電圧に起因して発生する信号が前記第２期間及び前記第２電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１期間及び前記第１電圧に起因して発生する信号の位相は、前記第２期間及び前記第２電圧に起因して発生する信号の位相と１８０°位相差を有する
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いた静電アクチュエータを制御する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型・軽量化、低消費電力化、高機能化を実現するための技術の１つとして、ＭＥＭＳが注目されている。このＭＥＭＳは、シリコンプロセス技術により、微小な機械的要素と電子回路要素とを融合したシステムである。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ技術を用いた静電型アクチュエータの構造は、例えば特許文献１に開示されている。静電アクチュエータを閉状態（上部電極と下部電極が、絶縁膜を介して接触した状態）にするには、上部電極と下部電極との間に電位差をかけ、これら電極間の静電引力が、上部電極が固着された可動部の弾性力を上回るようにする。
【０００４】
このように閉状態の静電アクチュエータでは、上部電極と下部電極が絶縁膜を介して接した状態となり、上部電極と下部電極との間の静電容量は、開状態の場合よりも大きくなる。この際、ＦＮ（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）トンネルもしくはプール・フレンケル機構により絶縁膜に電荷が注入されトラップされ得る。この現象を、静電型アクチュエータのダイエレクトリック・チャージングという。
【０００５】
そして、ダイエレクトリック・チャージングにより絶縁膜にトラップされた電荷量がある値以上になると、上部電極と下部電極との間の電位差を０Ｖとしても、絶縁膜中の電荷に上部電極が引き寄せられ、静電アクチュエータを閉状態から開状態にできなくなる。この現象を、ダイエレクトリック・チャージングによるスティクションという。
【０００６】
こうしたスティクションを回避するため、例えば、上部電極と下部電極との極性を反転させる方法がある（非特許文献１参照）。
【０００７】
上記方法を用いた場合、極性を反転させる周期が必要以上に速く、その消費電力が増大するという問題がある。
【０００８】
また、上記方法を用いた場合に、隣接して複数のアクチュエータ、キャパシタ等の電極を配置すれば、それらに印加される信号と共に、上記極性反転に伴い、ノイズが生じるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５５７８９７６号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｇ．Ｍ．Ｒｅｂｅｉｚ、“ＲＦ  ＭＥＭＳ  Ｔｈｅｏｒｙ、Ｄｅｓｉｇｎ、ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、”Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ、２００３、ｐｐ、１９０−１９１．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、静電アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共に消費電極の増大を抑制させた半導体装置を提供するものである。
【００１２】
また、本発明は、静電アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共にノイズの発生を抑制させた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様に係る半導体装置は、静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接可能に形成された第１駆動電極と第２駆動電極とを持つ静電アクチュエータと、前記静電アクチュエータの温度を検知する検知回路と、前記静電アクチュエータを閉状態に維持するために用いられる第１電圧を前記第１駆動電極及び前記第２駆動電極の間に印加すると共に前記第１電圧の極性を第１期間ごとに切り替える駆動回路とを備え、前記駆動回路は、前記第１期間の長さを、前記検知回路の検知結果に基づいて変化させることを特徴とする。
【００１４】
本発明の一態様に係る半導体装置は、静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接可能に形成された第１駆動電極と第２駆動電極とを持つ静電アクチュエータと、前記第１駆動電極又は前記第２駆動電極に隣接する位置に設けられた電極と、前記静電アクチュエータを閉状態に維持するために用いられる第１電圧を前記第１駆動電極及び前記第２駆動電極の間に印加すると共に前記第１電圧の極性を第１期間ごとに切り替える駆動回路とを備え、前記駆動回路は、第２期間で極性が変化する第２電圧を前記電極に印加し、前記第２期間及び前記第２電圧は、前記第１期間及び前記第１電圧に起因して発生する信号が前記第２期間及び前記第２電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、静電アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共に消費電極の増大を抑制させた半導体装置を提供することができる。
【００１６】
また、この発明によれば、静電アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共にノイズの発生を抑制させた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図２】第１実施形態の開状態と閉状態を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１、Ｓｇ２を示すタイミングチャートである。
【図４】第１実施形態に係る期間Ｃ（ｋ）の温度依存性を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１、Ｓｇ２を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図７】第３実施形態に係る期間Ｃ（ｋ）の温度依存性を示す図である。
【図８】第３実施形態に係る信号Ｓｇ１、Ｓｇ２の周波数ｆ、及び周辺回路の送受信に用いられる信号の周波数Ｆの関係を示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１０】第４実施形態に係る上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ａ、及び上部駆動電極１４ａ、及び下部駆動電極１５ａに印加される信号Ｓｇ１ｂ、Ｓｇ２ｂを示すタイミングチャートである。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１２】第５実施形態に係る上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃ、上部ダミー電極４１、及び下部ダミー電極４２に印加される信号Ｓｇ１ｄ、Ｓｇ２ｄを示すタイミングチャートである。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１４】第６実施形態に係る上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃ、上部駆動電極１４ａ、及び下部駆動電極１５ａに印加される信号Ｓｇ１ｅ、Ｓｇ２ｅを示すタイミングチャートである。
【図１５】本発明の第７実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１６】本発明の第８実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１７】本発明の第９実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１８】本発明の第１０実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図１９】本発明の第１１実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図２０】本発明の第１２実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図２１】本発明の第１３実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【図２２】本発明の第１４実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［第１実施形態］
［第１実施形態に係る半導体装置の構成］
先ず、図１を参照して、第１実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す概略図である。
【００２０】
第１実施形態に係る半導体装置は、図１に示すように、静電型方式を採用する静電アクチュエータ１０と、これを制御するための制御回路２０とを有する。第１実施形態に係る半導体装置は、１つの梁を有する片もち梁の構造を有する。静電アクチュエータ１０と制御回路２０とは、ＭＥＭＳ技術により１つのシリコン基板上に形成されていてもよいし、それぞれ別のシリコン基板上に形成されるものであってもよい。
【００２１】
静電アクチュエータ１０は、図１に示すように、梁部１１、可動部１２、固定部１３、上部駆動電極１４、下部駆動電極１５、及び絶縁膜１６を備える。梁部１１は、シリコン基板に固定されている。可動部１２は、その一端を梁部１１に取り付けられ、その可撓性により梁部１１に対し可動である。固定部１３は、その一端を梁部１１に取り付けられ、梁部１１に対し固定されている。上部駆動電極１４は、可動部１２の他端に固定されている。下部駆動電極１５は、上部駆動電極１４と対向するように固定部１３の他端に固定されている。絶縁膜１６は、下部駆動電極１５の表面に形成されている。上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５は、制御回路２０により、動作のために必要な電圧の供給を受ける。
【００２２】
静電アクチュエータ１０は、図２の（Ａ）に示す閉状態（上部駆動電極１４と下部駆動電極１５が、絶縁膜１６を介して接触した状態）、及び同図の（Ｂ）に示す開状態（上部駆動電極１４と下部駆動電極１５が離れた状態）に制御される。すなわち、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５は、静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接するように形成されている。
【００２３】
制御回路２０は、検知回路２１、及び駆動回路２２を有する。検知回路２１は、静電アクチュエータ１０の温度Ｔ（以下、検知温度Ｔ）を検知する。
【００２４】
駆動回路２２は、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に信号Ｓｇ１、Ｓｇ２を入力し、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に所定電圧を印加する。駆動回路２２は、図２に示すように、静電アクチュエータ１０を開状態から閉状態にするための動作電圧Ｖａｃｔを上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に印加する。駆動回路２２は、静電アクチュエータ１０を閉状態に維持するために用いられ動作電圧Ｖａｃｔ以下のホールド電圧Ｖｈｏｌｄを上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に印加すると共にホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を期間Ｃ（ｋ）ごとに切り替える。また、駆動回路２２は、期間Ｃ（ｋ）の長さを、検知回路２１の検知結果に基づいて変化させる。
【００２５】
［第１実施形態に係る半導体装置の動作］
図３は、上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１、Ｓｇ２を示すタイミングチャートである。図３に示す初期状態において、信号Ｓｇ１、Ｓｇ２は、接地電圧Ｖｓｓとされ、静電アクチュエータ１０は開状態とされている。先ず、駆動回路２２は、時刻ｔ１１にて、信号Ｓｇ１を動作電圧Ｖａｃｔまで上げる。これにより、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に、動作電圧Ｖａｃｔが印加され、静電アクチュエータ１０は閉状態となる。次に、駆動回路２２は、時刻ｔ１２にて、信号Ｓｇ１をホールド電圧Ｖｈｏｌｄまで下げる。これにより、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄが印加され、静電アクチュエータ１０は閉状態に保持される。
【００２６】
続いて、駆動回路２２は、時刻ｔ１３以降、検知温度Ｔに基づいて設定される期間Ｃ（ｋ）（ｋ＝１，２，３，…）で、信号Ｓｇ１及び信号Ｓｇ２を接地電圧Ｖｓｓとホールド電圧Ｖｈｏｌｄとに交互に切り替える。すなわち、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性は、期間Ｃ（ｋ）ごとに変化する。奇数番目の期間Ｃ（２ｎ−１）［ｎは１以上の整数］は、信号Ｓｇ２（下部駆動電極１５）が高電圧となる期間であり、偶数番目の期間Ｃ（２ｎ）は、信号Ｓｇ１（上部駆動電極１４）が高電圧となる期間である。
【００２７】
奇数番目の期間Ｃ（２ｎ−１）の長さは、それに続く偶数番面の期間Ｃ（２ｎ）の長さと所定の比をもつように設定されている。期間Ｃ（ｋ）は、図４に示すように、駆動回路２２により検知温度Ｔに従って連続的に変化される。ここで、アクチュエータ１０が温度上昇によりダイエレクトリックチャージングの進行が早まるような構造である場合には、期間Ｃ（ｋ）は検知温度Ｔの上昇に従って短くなるように設定される（図４の直線Ｌ１参照）。一方、アクチュエータ１０が温度が温度上昇によりダイエレクトリックチャージングの進行が遅くなるような構造である場合には、、期間Ｃ（ｋ）は検知温度Ｔの上昇に従って長くなるように設定される（図４の直線Ｌ２参照）。すなわち、静電アクチュエータ１０の物理的性質によって、温度Ｔの上昇により期間Ｃ（ｋ）を長くすべき場合と、逆に短くすべき場合とがある。
【００２８】
［第１実施形態に係る半導体装置の効果］
第１実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２は、期間Ｃ（ｋ）の長さを検知温度Ｔに従って変化させ、その期間Ｃ（ｋ）ごとに上部駆動電極１４と下部駆動電極１５の間の極性を反転させる。
【００２９】
アクチュエータ１０が温度上昇によりダイエレクトリックチャージングの進行が早まるような構造である場合には、駆動回路２２は、その温度上昇に伴い期間Ｃ（ｋ）を短く設定する。これにより、第１実施形態に係る半導体装置は、温度上昇によってチャージング時間が短縮化された場合であっても、極性を反転させる前に生じるスティンクションを防止することができる。
【００３０】
逆に、アクチュエータ１０が温度上昇によりダイエレクトリックチャージングの進行が遅くなるような構造である場合には、駆動回路２２は、その温度上昇に従い期間Ｃ（ｋ）を長く設定する。これにより、第１実施形態に係る半導体装置は、温度上昇によってチャージング時間が長期化された場合に、極性の反転の頻度を低下させて、消費電力を削減させることができる。
【００３１】
すなわち、第１実施形態に係る半導体装置は、スティンクションの発生を防止してアクチュエータの正常な動作状態を保持することと、消費電極の増大の抑制とを両立させることができる。
【００３２】
［第２実施形態］
［第２実施形態に係る半導体装置の動作］
次に、図５を参照して、第２実施形態に係る半導体装置の動作について説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３３】
第２実施形態に係る静電アクチュエータ１０において、上部駆動電極１４から下部駆動電極１５に向かう方向に電圧が印加された場合のダイエレクトリックチャージングの進行度合とその逆方向に電圧が印加された場合のダイエレクトリックチャージングの進行度合との割合は、温度Ｔに伴い変化する。例えば、その割合は、温度上昇に伴い上昇し、或いは、低下する（上昇するか低下するかは、静電アクチュエータ１０の物理的性質による）。
【００３４】
第２実施形態に係る駆動回路２２は、図５に示すように、奇数番目の期間Ｃ（２ｎ−１）’に対するそれに続く偶数番目の期間Ｃ（２ｎ）’の割合を、温度上昇に伴い変化させる。例えば、温度上昇に伴い、Ｃ（２）’／Ｃ（１）’＝１、Ｃ（４）’／Ｃ（３）’＝０．８、Ｃ（６）’／Ｃ（５）’＝０．６とする。その他、第２実施形態に係る動作は、第１実施形態と同様である。
【００３５】
［第２実施形態に係る半導体装置の効果］
第２実施形態に係る半導体装置は、検知回路２１及び駆動回路２２により、第１実施形態と同様の効果を奏する。さらに、上述したようにダイエレクトリックチャージングの進行度合の割合が、温度上昇に伴い変化する場合であっても、第２実施形態に係る半導体装置は、上記構成により、アクチュエータの正常な動作状態を保持すると共に消費電極の増大を抑制させることができる。
【００３６】
［第３実施形態］
［第３実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図６を参照して、第３実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第３実施形態において、第１及び第２実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３７】
第３実施形態において、制御回路２０ａは、図６に示すように、周期テーブル２３を有する点で、第１実施形態と異なる。周期テーブル２３は、検知温度Ｔに対して、所定の期間Ｃ（ｋ）を対応づけるように構成されている。駆動回路２２は、図７に示すように、周期テーブル２３に基づき、期間Ｃ（ｋ）を、特定の値を避けて検知温度Ｔに基づきステップ状に変化させる。
【００３８】
具体的に、図８に示すように、期間Ｃ（ｋ）を設定するための信号Ｓｇ１、Ｓｇ２の周波数ｆは、制御回路２０の周辺回路の送受信に用いられる信号の周波数Ｆ（帯域ｂ）と重ならないように設定されている。また、周波数ｆは、周波数Ｆ（帯域ｂ）のＮ倍（Ｎは正の整数）、又はＮ分の１とも重ならないように設定されている。すなわち、周波数ｆは、以下の領域ＡＲを避けるように設定されている。領域ＡＲは、Ｆ−（ｂ／２）≦ＡＲ≦Ｆ＋（ｂ／２）、（Ｎ×Ｆ）−（ｂ／２）≦ＡＲ≦（Ｎ×Ｆ）＋（ｂ／２）、（Ｆ／Ｎ）−（ｂ／２）≦ＡＲ≦（Ｆ／Ｎ）＋（ｂ／２）である。
【００３９】
［第３実施形態に係る半導体装置の効果］
第３実施形態に係る半導体装置は、検知回路２１及び駆動回路２２により、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００４０】
さらに、第３実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２は、周期テーブル２３に基づき、期間Ｃ（ｋ）を、特定の値を避けて検知温度Ｔに基づきステップ状に変化させる。そして、期間Ｃ（ｋ）により、信号Ｓｇ１、Ｓｇ２の周波数ｆは、制御回路２０ａの周辺回路の送受信に用いられる信号の周波数Ｆと重ならないように設定されている。したがって、第３実施形態に係る半導体装置は、制御回路２０ａの周辺回路の送受信に用いられる信号にノイズを与えることはない。
【００４１】
［第４実施形態］
［第４実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図９を参照して、第４実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
第４実施形態に係る半導体装置は、図９に示すように、可動部１２、固定部１３の左右端に梁部１１、１１ａを有する両もち梁構造を有すると共に、２つの静電アクチュエータ（第１、第２静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂ）、それらを制御する制御回路２０ｂ、及び２つの静電アクチュエータにて制御されるキャパシタ３０を有する点で、第１実施形態と異なる。
【００４３】
第１静電アクチュエータ１０ａは、第１実施形態の静電アクチュエータ１０と同様の梁部１１、可動部１２、固定部１３、上部駆動電極１４、下部駆動電極１５、及び絶縁膜１６を有する。上部駆動電極１４は、可動部１２の左側に設けられている。下部駆動電極１５は、固定部１３の左側の、上部駆動電極１４の下に、その上部駆動電極１４と対向するように設けられている。
【００４４】
第２静電アクチュエータ１０ｂは、第１静電アクチュエータ１０ａと共に可動部１２、固定部１３を共有すると共に、梁部１１ａを有する。また、第２静電アクチュエータ１０ｂは、第１、第２駆動電極１４ａ、１５ａ、及び絶縁膜１６ａを有する。上部駆動電極１４ａは、可動部１２の右側に設けられている。すなわち、上部駆動電極１４ａは、キャパシタ３０を挟んで上部駆動電極１４と対称な位置に形成されている。下部駆動電極１５ａは、固定部１３の右側の、上部駆動電極１４ａと対向するように設けられている。すなわち、下部駆動電極１５ａは、キャパシタ３０を挟んで下部駆動電極１５と対称な位置に形成されている。上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａは、静電引力により弾性力に抗して開状態から閉状態になったときに互いに近接可能に形成されている。
【００４５】
キャパシタ３０は、上部信号電極３１、及び下部信号電極３２を有する。上部信号電極３１は、可動部１１の中央（上部駆動電極１４、１４ａの間）に設けられている。下部信号電極３２は、固定部１２の中央（下部駆動電極１５、１５ａの間）に、上部信号電極３１と対向するように設けられている。キャパシタ３０は、２つの静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂにより、上部信号電極３１、及び下部信号電極３２の間の距離を制御され、その容量を変化可能に構成されている。
【００４６】
制御回路２０ｂは、図９に示すように、第１、第２静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂを制御する駆動回路２２ｂを有する。駆動回路２２ｂは、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ａを入力し、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に、動作電圧Ｖａｃｔ、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄを印加すると共に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を検知温度Ｔに基づく期間Ｃ（ｋ）ごとに変化させる。また、駆動回路２２ｂは、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに信号Ｓｇ１ｂ、Ｓｇ２ｂを入力し、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａの間に、動作電圧Ｖａｃｔ、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄを印加すると共に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を検知温度Ｔに基づく期間Ｃ（ｋ）ごとに変化させる。この点、各静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂに対する動作は、前述の実施形態と変わるところはない。ただし、信号Ｓｇ１ｂは、信号Ｓｇ１ａに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）であり、信号Ｓｇ２ｂは、信号Ｓｇ２ａに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）である。したがって、上部駆動電極１４、下部駆動電極１５のホールド電圧Ｖｈｏｌｄに起因して発生する信号と、上部駆動電極１４ａ、下部駆動電極１５ａのホールド電圧Ｖｈｏｌｄに起因して発生する信号とは、１８０°の位相差のずれをもつので、これらの信号は相殺され、ノイズは低減される。
【００４７】
ここで、第１静電アクチュエータ１０ａに入力される信号の期間の長さ、及び電圧の大きさは、第２静電アクチュエータ１０ｂと異なっていてもよい。また、信号Ｓｇ１ｂと信号Ｓｇ１ａとの間の位相差、信号Ｓｇ２ｂと信号Ｓｇ２ａとの間の位相差は、１８０°に限られない。すなわち、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに入力される信号の期間及び電圧は、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号が上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定されていればよい。
【００４８】
［第４実施形態に係る半導体装置の動作］
図１０は、上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ａ、及び上部駆動電極１４ａ、及び下部駆動電極１５ａに印加される信号Ｓｇ１ｂ、Ｓｇ２ｂを示すタイミングチャートである。図１０に示す初期状態において、信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ａ、Ｓｇ１ｂ、Ｓｇ２ｂは、接地電圧Ｖｓｓとされ、２つの静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂは、開状態とされている。図１０に示すように、駆動回路２２ｂは、時刻ｔ２１にて、信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ｂを動作電圧Ｖａｃｔまで上げる。これにより、第１、第２駆動電極１４、１５の間、第１、第２駆動電極１４ａ、１５ａの間に、動作電圧Ｖａｃｔが印加され、２つの静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂは、開状態から閉状態となる。次に、駆動回路２２ｂは、時刻ｔ２２にて、信号Ｓｇ１ａ、Ｓｇ２ｂをホールド電圧Ｖｈｏｌｄまで下げる。これにより、第１、第２駆動電極１４、１５の間、第１、第２駆動電極１４ａ、１５ａの間に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄが設定され、２つの静電アクチュエータ１０ａ、１０ｂは、閉状態に保持される。
【００４９】
続いて、駆動回路２２ｂは、時刻ｔ２３以降、検知温度Ｔに基づく期間Ｃ（ｋ）ごとに、信号Ｓｇ１ａ及び信号Ｓｇ２ａ、信号Ｓｇ１ｂ及び信号Ｓｇ２ｂを接地電圧Ｖｓｓとホールド電圧Ｖｈｏｌｄとに交互に切り替える。ここで、奇数番目の期間Ｃ（２ｎ―１）は、信号Ｓｇ２ａ（下部駆動電極１５）及び信号Ｓｇ１ｂ（上部駆動電極１４ａ）が高電圧となる周期であり、偶数番目の期間Ｃ（２ｎ）は、信号Ｓｇ１ａ（上部駆動電極１４）及び信号Ｓｇ２ｂ（下部駆動電極１５ａ）が高電圧となる周期である。
【００５０】
［第４実施形態に係る半導体装置の効果］
第４実施形態に係る半導体装置は、検知回路２１、及び駆動回路２２ｂにより、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００５１】
ここで、第２静電アクチュエータ１０ｂを有さない比較例を考える。そして、この比較例において、第１静電アクチュエータ１０ａが閉状態にある時、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間の容量を１ｐＦとし、上部駆動電極１４と上部信号電極３１との間の容量を４ｆＦとする。この場合、比較例において、上部駆動電極１４の電圧が０Ｖから１０Ｖになると、上部信号電極３１には４０ｍＶ相当のノイズが惹起される。
【００５２】
一方、第４実施形態においては、駆動回路２２ｂは、上部駆動電極１４（第１静電アクチュエータ１０ａ）に与えた信号Ｓｇ１ａに対して逆相の信号Ｓｇ１ｂを上部駆動電極１４ａ（第２静電アクチュエータ１０ｂ）に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、上部信号電極３１に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００５３】
また、第４実施形態において、駆動回路２２ｂは、下部駆動電極１５（第１静電アクチュエータ１０ａ）に与えた信号Ｓｇ２ａに対して逆相の信号Ｓｇ２ｂを下部駆動電極１５ａ（第２静電アクチュエータ１０ｂ）に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、下部信号電極３２に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００５４】
［第５実施形態］
［第５実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１１を参照して、第５実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５５】
この第５実施形態、及びこの後の第６〜第１４実施形態の半導体装置は、静電アクチュエータにて発生するノイズを除去するための構成に特徴を有している。第５実施形態に係る半導体装置は、図１１に示すように、片もち梁の構造であり、第１静電アクチュエータ１０ａ’、及び第２静電アクチュエータ１０ｂの代わりにダミー電極４０を有する。ダミー電極４０は、第１静電アクチュエータ１０ａ’のように開状態又は閉状態に制御されるものではなく、第１静電アクチュエータ１０ａ’にて生じるノイズを除去するために用いられる。第５実施形態に係る半導体装置は、検知回路２１を省略している。即ち、第５実施形態に係る半導体装置は、駆動回路２２ｃのみで構成された制御回路２０ｃを有し、この点も温度Ｔによる期間の長さを変える代わりに、上記のノイズを除去しようとするものであり、このため第４実施形態と異なる。
【００５６】
ダミー電極４０は、上部ダミー電極４１、及び下部ダミー電極４２を有する。上部ダミー電極４１は、可動部１２の他端に設けられている。下部ダミー電極４２は、固定部１３の他端に設けられている。
【００５７】
駆動回路２２ｃは、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃを入力し、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に動作電圧Ｖａｃｔ、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄを印加すると共に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を期間Ｃａ（ｋ）ごとに切り替える。また、駆動回路２２ｃは、上部ダミー電極４１及び下部ダミー電極４２に信号Ｓｇ１ｄ、Ｓｇ２ｄを入力し、上部ダミー電極４１及び下部ダミー電極４２の間にホールド電圧Ｖｈｏｌｄを印加すると共に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を期間Ｃａ（ｋ）ごとに切り替える。信号Ｓｇ１ｄは、所定時間において信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）であり、信号Ｓｇ２ｄは、所定時間において信号Ｓｇ２ｃに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）である。
【００５８】
ここで、第１静電アクチュエータ１０ａ’に入力される信号の期間の長さ、及び電圧の大きさは、ダミー電極４０と異なっていてもよい。また、信号Ｓｇ１ｃと信号Ｓｇ１ｄとの間の位相差、信号Ｓｇ２ｃと信号Ｓｇ２ｄとの間の位相差は、１８０°に限られない。すなわち、上部ダミー電極４１及び下部ダミー電極４２に入力される信号の期間及び電圧は、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号が上部ダミー電極４１及び下部ダミー電極４２に入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定されていればよい。
【００５９】
［第５実施形態に係る半導体装置の動作］
図１２は、上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃ、上部ダミー電極４１、及び下部ダミー電極４２に印加される信号Ｓｇ１ｄ、Ｓｇ２ｄを示すタイミングチャートである。図１２に示す初期状態において、信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃ、Ｓｇ１ｄ、Ｓｇ２ｄは、接地電圧Ｖｓｓとされ、第１静電アクチュエータ１０ａ’は、開状態とされている。
【００６０】
先ず、駆動回路２２ｃは、時刻ｔ３１にて、信号Ｓｇ１ｃを動作電圧Ｖａｃｔまで上げる。これにより、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５の間に、動作電圧Ｖａｃｔが印加され、第１静電アクチュエータ１０ａ’は、閉状態とされる。次に、駆動回路２２ｃは、時刻ｔ３２にて、信号Ｓｇ１ｃをホールド電圧Ｖｈｏｌｄまで下げる。これにより、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａの間に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄが印加され、第１静電アクチュエータ１０ａ’は、閉状態に保持される。
【００６１】
続いて、駆動回路２２ｃは、時刻ｔ３３以降、期間Ｃａ（ｋ）ごとに、信号Ｓｇ１ｃ及び信号Ｓｇ２ｃを接地電圧Ｖｓｓとホールド電圧Ｖｈｏｌｄとに交互に切り替える。また、駆動回路２２ｃは、時刻ｔ３３以降、信号Ｓｇ１ｄをホールド電圧Ｖｈｏｌｄに上げた後、一定の期間Ｃａ（ｋ）ごとに、信号Ｓｇ１ｄ及び信号Ｓｇ２ｄを接地電圧Ｖｓｓとホールド電圧Ｖｈｏｌｄとに交互に切り替える。ここで、奇数番目の期間Ｃａ（２ｎ−１）は、信号Ｓｇ２ｃ（下部駆動電極１５）及び信号Ｓｇ１ｄ（上部ダミー電極４１）が高電圧となる周期であり、偶数番目の期間Ｃａ（２ｎ）は、信号Ｓｇ１ｃ（上部駆動電極１４）及び信号Ｓｇ２ｄ（下部ダミー電極４２）が高電圧となる周期である。
【００６２】
［第５実施形態に係る半導体装置の効果］
第５実施形態において、駆動回路２２ｃは、上部駆動電極１４（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号Ｓｇ１ｄを上部ダミー電極４１に与えることにより、それら信号の影響を受け消し、上部信号電極３１に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００６３】
また、第５実施形態において、駆動回路２２ｃは、下部駆動電極１５（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ２ｃに対して逆相の信号Ｓｇ２ｄを下部ダミー電極４２に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、下部信号電極３２に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００６４】
［第６実施形態］
［第６実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１３を参照して、第６実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第６実施形態において、第５実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
第６実施形態に係る半導体装置は、図１３に示すように、第５実施形態と同様の片もち梁構造を有する。ただし、第６実施形態の半導体装置は、ダミー電極４０の代わりに、第２静電アクチュエータ１０ｃを有している点で、第５実施形態と異なる。第６実施形態に係る半導体装置は、この第２静電アクチュエータ１０ｃを制御する制御回路２０ｄを有する。
【００６６】
制御回路２０ｄの駆動回路２２ｄは、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃを入力する。駆動回路２２ｄは、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに信号Ｓｇ１ｅ、Ｓｇ２ｅを入力し、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａの間に、動作電圧Ｖａｃｔ、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄを印加すると共に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄの極性を期間Ｃａ（ｋ）ごとに切り替える。信号Ｓｇ１ｅは、所定時間において信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）であり、信号Ｓｇ２ｅは、所定時間において信号Ｓｇ２ｃに対して逆相の信号（１８０°位相差の信号）である。
【００６７】
ここで、第１静電アクチュエータ１０ａ’に入力される信号の期間の長さ、及び電圧の大きさは、第２静電アクチュエータ１０ｃと異なっていてもよい。また、信号Ｓｇ１ｃと信号Ｓｇ１ｅとの間の位相差、信号Ｓｇ２ｃと信号Ｓｇ２ｅとの間の位相差は、１８０°に限られない。すなわち、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに入力される信号の期間及び電圧は、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１５に入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号が上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａに入力される信号の期間及び電圧に起因して発生する信号により減衰するように設定されていればよい。
【００６８】
［第６実施形態に係る半導体装置の動作］
図１４は、上部駆動電極１４、及び下部駆動電極１５に印加される信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃ、上部駆動電極１４ａ、及び下部駆動電極１５ａに印加される信号Ｓｇ１ｅ、Ｓｇ２ｅを示すタイミングチャートである。図１４に示す初期状態において、信号Ｓｇ１ｅ、Ｓｇ２ｅは、接地電圧Ｖｓｓとされ、２つの静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃは開状態とされている。。先ず、駆動回路２２ｄは、時刻ｔ４１にて、信号Ｓｇ２ｅを動作電圧Ｖａｃｔまで上げる。これにより、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａの間に、動作電圧Ｖａｃｔが印加され、２つの静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃは開状態から閉状態となる。次に、駆動回路２２ｄは、時刻ｔ４２にて、信号Ｓｇ１ｅをホールド電圧Ｖｈｏｌｄまで下げる。これにより、上部駆動電極１４ａ及び下部駆動電極１５ａの間に、ホールド電圧Ｖｈｏｌｄが印加され、２つの静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃは閉状態に保持される。
【００６９】
続いて、駆動回路２２ｄは、時刻ｔ４３以降、期間Ｃａ（ｋ）ごとに、信号Ｓｇ１ｅ及び信号Ｓｇ２ｅを接地電圧Ｖｓｓとホールド電圧Ｖｈｏｌｄとに交互に切り替える。
【００７０】
［第６実施形態に係る半導体装置の効果］
第６実施形態において、駆動回路２２ｄは、第４実施形態と同様に、上部駆動電極１４（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号Ｓｇ１ｅを上部駆動電極１４ａ（第２静電アクチュエータ１０ｃ）に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、上部信号電極３１に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００７１】
さらに、第６実施形態において、駆動回路２２ｄは、第４実施形態と同様に、下部駆動電極１５（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ２ｃに対して逆相の信号Ｓｇ２ｅを下部駆動電極１５ａ（第２静電アクチュエータ１０ｃ）に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、下部信号電極３２に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００７２】
［第７実施形態］
［第７実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１５を参照して、第７実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第７実施形態において、第５及び第６実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７３】
第７実施形態に係る半導体装置は、図１５に示すように、下部ダミー電極４２を省略したダミー電極４０ａを有する点で、第５実施形態と異なる。
【００７４】
［第７実施形態に係る半導体装置の効果］
第７実施形態において、駆動回路２２ｃは、上部駆動電極１４（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号Ｓｇ１ｄを上部ダミー電極４１に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、上部信号電極３１（或いは下部信号電極３２）に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００７５】
［第８実施形態］
［第８実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１６を参照して、第８実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第８実施形態において、第５〜第７実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７６】
第８実施形態に係る半導体装置は、図１６に示すように、上部ダミー電極４１を省略したダミー電極４０ｂを有する点で、第５実施形態と異なる。
【００７７】
［第８実施形態に係る半導体装置の効果］
第８実施形態において、駆動回路２２ｃは、下部駆動電極１５（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ１ｃに対して逆相の信号Ｓｇ１ｄを下部ダミー電極４２に与えることにより、それら信号の影響を打ち消し、上部信号電極３１（或いは下部信号電極３２）に与えられる信号によって生じるノイズを抑えることができる。
【００７８】
［第９実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１７を参照して、第９実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第９実施形態において、第５〜第８実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７９】
第９実施形態において、ダミー電極４０ｃが、図１７に示すように、上部駆動電極１４及び下部駆動電極１４よりも、可動部１２及び固定部１３の梁部１１に近い側に上部ダミー電極４１及び下部ダミー電極４２を設けている点で第５実施形態と異なる。
【００８０】
［第９実施形態に係る半導体装置の効果］
第９実施形態に係る半導体装置は、第５実施形態と同様の効果を奏する。
【００８１】
［第１０実施形態］
［第１０実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１８を参照して、第１０実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第１０実施形態において、第５〜第９実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８２】
第１０実施形態において、ダミー電極４０ｄは、図１８に示すように、上部駆動電極１４よりも、可動部１２の梁部１１に近い側に上部ダミー電極４１を設けている点で第７実施形態と異なる。
【００８３】
［第１０実施形態に係る半導体装置の効果］
第１０実施形態に係る半導体装置は、第７実施形態と同様の効果を奏する。
【００８４】
［第１１実施形態］
［第１１実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図１９を参照して、第１１実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第１１実施形態において、第５〜第１０実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８５】
第１１実施形態において、ダミー電極４０ｅは、図１９に示すように、下部駆動電極１５よりも、固定部１３の梁部１１に近い側に下部ダミー電極４２を設けている点で第８実施形態と異なる。
【００８６】
［第１１実施形態に係る半導体装置の効果］
第１１実施形態に係る半導体装置は、第８実施形態と同様の効果を奏する。
【００８７】
［第１２実施形態］
［第１２実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図２０を参照して、第１２実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第１２実施形態において、第５〜第１１実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８８】
第１２実施形態に係る半導体装置は、図２０に示すように、第３静電アクチュエータ１０ｄ、及び第１〜第３静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃ、１０ｄを制御する駆動回路２２ｅ（制御回路２０ｅ）を有する点で、第６実施形態と異なる。
【００８９】
第３静電アクチュエータ１０ｄは、第１、第２静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃと同様に、可動部１２に設けられた上部駆動電極１４ｂ、及び固定部１３に上部駆動電極１４ｂと対向するように設けられた下部駆動電極１５ｂを有する。
【００９０】
駆動回路２２ｅ（制御回路２０ｅ）は、第６実施形態と同様に、第１静電アクチュエータ１０ａ’に信号Ｓｇ１ｃ、Ｓｇ２ｃを入力し、第２静電アクチュエータ１０ｂに信号Ｓｇ１ｅ、Ｓｇ２ｅを入力する。さらに、駆動回路２２ｅは、第３静電アクチュエータ１０ｄに信号Ｓｇ１ｆ、Ｓｇ２ｆを入力する。信号Ｓｇ１ｆは、上部駆動電極１４ｂに入力され、信号Ｓｇ１ｃに対して逆相（１８０°位相差をもつ）の信号である。信号Ｓｇ２ｆは、下部駆動電極１５ｂに入力され、信号Ｓｇ２ｃに対して逆相（１８０°位相差をもつ）の信号である。
【００９１】
［第１２実施形態に係る半導体装置の効果］
第１２実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２ｅは、上記実施形態と同様に、第１静電アクチュエータ１０ａ’と第２静電アクチュエータ１０ｃとの間で、それらから発生する信号を打ち消すことができる。
【００９２】
［第１３実施形態］
［第１３実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図２１を参照して、第１３実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第１３実施形態において、第５〜第１２実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００９３】
第１３実施形態に係る半導体装置は、駆動回路２２ｆ（制御回路２０ｆ）が第３静電アクチュエータ１０ｄに信号Ｓｇ１ｇ、Ｓｇ２ｇを入力する点で第１２実施形態と異なる。信号Ｓｇ１ｇは、上部駆動電極１４ｂに入力され、信号Ｓｇ１ｃに対して９０°位相差をもつ。信号Ｓｇ２ｇは、下部駆動電極１５ｂに入力され、信号Ｓｇ２ｃに対して９０°位相差をもつ。
【００９４】
［第１３実施形態に係る半導体装置の効果］
第１３実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２ｆは、上記実施形態と同様に、第１静電アクチュエータ１０ａ’と第２静電アクチュエータ１０ｃとの間で、それらから発生する信号を打ち消すことができる。
【００９５】
［第１４実施形態］
［第１４実施形態に係る半導体装置の構成］
次に、図２２を参照して、第１４実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、第１４実施形態において、第５〜第１３実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００９６】
第１４実施形態に係る半導体装置は、図２２に示すように、駆動回路２２ｇ（制御回路２０ｇ）が、第２静電アクチュエータ１０ｃに信号Ｓｇ１ｈ、Ｓｇ２ｈを入力し、第３静電アクチュエータ１０ｄに信号Ｓｇ１ｉ、Ｓｇ２ｉを入力する点で第１２実施形態と異なる。信号Ｓｇ１ｈは、上部駆動電極１４ａに入力され、信号Ｓｇ１ｃに対して１２０°位相差をもつ。信号Ｓｇ２ｈは、下部駆動電極１５ａに入力され、信号Ｓｇ２ｃに対して１２０°位相差をもつ。信号Ｓｇ１ｉは、上部駆動電極１４ｂに入力され、信号Ｓｇ１ｃに対して２４０°位相差をもつ。信号Ｓｇ２ｉは、下部駆動電極１５ｂに入力され、信号Ｓｇ２ｃに対して２４０°位相差をもつ。
【００９７】
［第１４実施形態に係る半導体装置の効果］
第１４実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２ｇは、上部駆動電極１４（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ１ｃに対して、各々１２０°、２４０°位相差の信号Ｓｇ１ｈ、Ｓｇ１ｉを上部駆動電極１４ａ（第２静電アクチュエータ１０ｃ）、上部駆動電極１４ｂ（第３静電アクチュエータ１０ｄ）に与え、これら信号の影響を打ち消す。
【００９８】
また、第１４実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２ｇは、下部駆動電極１５（第１静電アクチュエータ１０ａ’）に与えた信号Ｓｇ２ｃに対して、各々１２０°、２４０°位相差の信号Ｓｇ２ｈ、Ｓｇ２ｉを下部駆動電極１５ａ（第２静電アクチュエータ１０ｃ）、下部駆動電極１５ｂ（第３静電アクチュエータ１０ｄ）に与え、これら信号の影響を打ち消す。
【００９９】
すなわち、第１４実施形態に係る半導体装置において、駆動回路２２ｇは、第１〜第３静電アクチュエータ１０ａ’、１０ｃ、１０ｄの間で、それらから発生する信号を打ち消すことができる。
【０１００】
［その他実施形態］
以上、本発明に係る半導体装置の実施形態を説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。
【０１０１】
例えば、第５〜第１４実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態のように、検知回路２１を有し、駆動回路２２により検知温度Ｔに基づき期間Ｃ（ｋ）を変化させる構成であってもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態において、ダミー電極４０に印加される信号Ｓｇ１ｄと信号Ｓｇ２ｄは、接地電圧Ｖｓｓからホールド電圧Ｖｈｏｌｄの範囲に亘って振幅する信号である。しかしながら、信号Ｓｇ１ｄと信号Ｓｇ２ｄは、その他の振幅をもつ信号であってもよい。
【０１０３】
さらに、上述したように第１４実施形態に係る半導体装置は、３つのアクチュエータを各々１２０°位相差を有する信号で制御するものである。しかしながら、本発明に係る半導体装置は、Ｎ個の静電アクチュエータを各々（３６０／Ｎ）°位相差を有する信号で制御するものであればよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…静電アクチュエータ、  １０ａ、１０ａ’…第１静電アクチュエータ、  １０ｂ、１０ｃ…第２静電アクチュエータ、  １０ｄ…第３静電アクチュエータ、  １１…梁部、  １２…可動部、  １３…固定部、  １４、１４ａ、１４ｂ…上部駆動電極、  １５、１５ａ、１５ｂ…下部駆動電極、  １６、１６ａ…絶縁膜、２０、２０ａ〜２０ｇ…制御回路、  ２１、２１ａ〜２１ｇ…駆動回路、  ２２…検知回路、  ２３…周期テーブル、  ３０…キャパシタ、  ３１…上部信号電極、  ３２…下部信号電極、  ４０、４０ａ〜４０ｅ…ダミー電極、  ４１…上部ダミー電極、  ４２…下部ダミー電極。
【図１】
2010218945.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010218945.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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