(57)【要約】【課題】基板上で適度に広がり、熱伝導性に優れたヒートシンク用接着剤を提供することを目的とする。【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）を含む半導体チップヒートシンク用の接着剤組成物。（Ａ）エポキシ樹脂                                      １００質量部（Ｂ）硬化剤                                          １〜５０質量部（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍ且つ最大粒径が７５μｍ以下の無機充填剤                                              ３０〜１，０００質量部（Ｄ）平均粒径が０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の表面がシリル化されたシリカ                                                      １〜２０質量部【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）〜（Ｄ）を含む半導体チップヒートシンク用の接着剤組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂                                      １００質量部
（Ｂ）硬化剤                                          １〜５０質量部
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍ且つ最大粒径が７５μｍ以下の無機充填剤
３０〜１，０００質量部
（Ｄ）平均粒径が０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の表面がシリル化されたシリカ
１〜２０質量部
【請求項２】
（Ｃ）無機充填剤が真球状シリカである、請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項３】
（Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及び下記エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２記載の接着剤組成物。
2010109285.tif 000013
2010109285.tif 000014
（Ｒは炭素数１〜２０の一価炭化水素基であり、ｎは１〜４の整数である）
【請求項４】
（Ａ）成分が、シリコーン変性エポキシ樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の接着剤組成物。
【請求項５】
（Ｂ）硬化剤が、下記式（１）、（２）、（３）及び（４）で表される硬化剤から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜４のいずれか１項記載の接着剤組成物。
2010109285.tif 000015
2010109285.tif 000016
（式中、Ｒ1〜Ｒ４は、互いに独立に、炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である）
【請求項６】
（Ｂ）硬化剤が、下記式（５）で表わされることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の接着剤組成物。
2010109285.tif 000017
（式中、Ｒ5及びＲ6は水素原子、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ7はメチル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ8は水素原子又は下記式（６）で示される基である。）
2010109285.tif 000018
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップのヒートシンク、例えば放熱フィン、金属板等、を基板に接着するための組成物に関し、詳細には所定の充填剤を含むことによって、基板上での広がりが良く、熱抵抗値が小さい硬化物を形成する組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や電子部品の高速作動化により、従来に比べ大量の熱が発生して半導体素子や電子部品の誤動作を招くことが問題となっている。熱を除去するため、図１に示すように、基板２上にアンダーフィル剤２を介して載置された半導体チップ３、特にＣＰＵ、に金属板等のヒートシンク１を取り付けることが行なわれている。該ヒートシンクは、通常金属製であり、半導体チップ３と密着させても微細な隙間が生じる。そのため、熱伝導性シリコーンゲル、ゴム、グリースなどの放熱材料４をその隙間に挟み込むことにより、熱伝導性を向上させている。
【０００３】
該ヒートシンクを、半導体チップ３または基板２に接着するために主としてエポキシ樹脂系の接着剤（特許文献１）、シリコーンゴム系の接着剤（特許文献２）が使用されている。しかし、これらの接着剤は基板への濡れ性が悪く団子状の硬化物が形成される傾向がある。そのため、熱伝導性が悪く、ヒートシンクの放熱性を低下してしまう問題がある。一方、濡れ性が良くとも、接着剤が基板２上で広がりすぎて、近傍の半導体素子７を汚染してしまう場合がある。
【特許文献１】特開２００６−２２２４０６号公報
【特許文献２】特開平７−２５４６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明は、基板上で適度に広がり、熱伝導性に優れたヒートシンク用接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明は、下記（Ａ）〜（Ｄ）を含む半導体チップヒートシンク用の接着剤組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂                                      １００質量部
（Ｂ）硬化剤                                          １〜５０質量部
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍ且つ最大粒径が７５μｍ以下の無機充填剤
３０〜１，０００質量部
（Ｄ）平均粒径が０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の表面がトリメチルシリル化されたシリカ                                                １〜２０質量部
【発明の効果】
【０００６】
上記本発明の接着剤は、基板上で団子状になることがなく、又、熱伝導性に優れた硬化物を与える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、成分順に説明する。
（Ａ）エポキシ樹脂
本発明に用いられる（Ａ）エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂等、及びこれらの混合物が挙げられる。これらのうち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【０００８】
下記エポキシ樹脂も好ましく使用される。
2010109285.tif 000002
2010109285.tif 000003
ここで、Ｒは炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜３の一価炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基等が挙げられる。また、ｎは１〜４の整数、特に１又は２である。なお、該エポキシ樹脂を使用する場合には、その含有量は、全エポキシ樹脂中２５〜１００重量％、より好ましくは５０〜１００重量％、更に好ましくは７５〜１００重量％である。２５重量％未満であると組成物の粘度が上昇したり、硬化物の耐熱性が低下したりする恐れがある。該エポキシ樹脂の例としては、日本化薬社製ＭＲＧＥ等が挙げられる。
【０００９】
好ましくは、（Ａ）エポキシ樹脂がシリコーン変性エポキシ樹脂を含む。該シリコーン変性エポキシ樹脂としては、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式
ＨaＲ７bＳｉＯ(4-a-b)
（但し、式中Ｒ７は置換又は非置換の一価の炭化水素基、ａは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３である。）
で示される１分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、かつ珪素原子に直接結合した水素原子（ＳｉＨ基）の数が１〜５、好ましくは２〜４、特には２個であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体からなるシリコーン変性エポキシ樹脂が好ましい。
【００１０】
上記一価炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基等や、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基を挙げることができる。
【００１１】
該シリコーン変性エポキシ樹脂としては、下記式（１１）で示される構造のものが望ましい。
2010109285.tif 000004
【００１２】
上記式中、Ｒ９は上で述べたとおりであり、Ｒ１０は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−であり、Ｒ１１は、夫々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である。ｎは４〜１９９、好ましくは１９〜１０９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。
【００１３】
該シリコーン変性エポキシ樹脂を配合する場合には、（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、ジオルガノシロキサン単位が１〜２０質量部、特に２〜１５質量部含まれるように配合することが好ましく、これにより、硬化物の応力を低下し及び基板への密着性も向上することができる。ここで、ジオルガノポリシロキサン量は、下記式で示される。
ジオルガノポリシロキサン量＝（ジオルガノポリシロキサン部分の分子量／シリコーン変性エポキシ樹脂の分子量）×シリコーン変性エポキシ樹脂の配合量
【００１４】
（Ｂ）硬化剤
エポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン系、ポリメルカプタン系、イミダゾール系、及びジシアンジアミド等を使用することができ、好ましくは、アミン硬化剤及びイミダゾール系硬化剤が使用される。なお、酸無水物系硬化剤は、揮発し易い物が多く、本用途には適さない。アミン硬化剤としては、下記一般式（１）〜（４）で表される少なくとも１種類の芳香族アミン化合物が好ましい。
【００１５】
【化１】
2010109285.tif 000005
【００１６】
【化２】
2010109285.tif 000006
式中、Ｒ1〜Ｒ４は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である。
【００１７】
上記一価炭化水素基としては、炭素数１〜６、特に１〜３のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基を挙げることができる。
【００１８】
上記芳香族アミン系硬化剤は、通常、常温で固体であり、そのまま配合すると樹脂粘度が上昇し、作業性が著しく悪くなるため、エポキシ樹脂と反応しない温度で、溶融混合することが好ましい。即ち、後述する配合量で、７０〜１５０℃の温度範囲で１〜２時間、エポキシ樹脂と溶融混合することが望ましい。混合温度が７０℃未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶しにくくなるおそれがあり、１５０℃を超える温度であるとエポキシ樹脂と反応して粘度上昇するおそれがある。また、混合時間が１時間未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶せず、粘度上昇を招くおそれがあり、２時間を超えるとエポキシ樹脂と反応し、粘度上昇するおそれがある。
【００１９】
イミダゾール系硬化剤としては、下記式（５）のイミダゾール化合物が好ましい。
2010109285.tif 000007
（式中、Ｒ5及びＲ6は水素原子、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ7はメチル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ8は水素原子又は下記式（６）で示される基である。）
2010109285.tif 000008
【００２０】
該イミダゾール系硬化剤としては、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾールなどが挙げられる。
【００２１】
好ましくは、エポキシ樹脂に対する溶解度が１質量％以下のイミダゾール系硬化剤、例えば２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、が使用される。また、融点が１７０℃以上であることが好ましく、平均粒径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下の粉体状であることが好ましい。より好ましくは平均粒径２〜５μｍかつ最大粒径が１５μｍ以下のものである。平均粒径が前記下限値より小さいと、比表面積が大きくなり、樹脂に混合した時の粘度が高くなるおそれがある。平均粒径が前記上限値を超えると、エポキシ樹脂との分散が不均一になり、信頼性の低下を引き起こす場合がある。
【００２２】
更に、この硬化剤の粒度及び比表面積は、無機質充填剤の粒度、比表面積に比べて大きいことが好ましい。小さいと、混合、混練時に粉体同士が凝集して硬化剤が不均一に分散される結果、硬化性が悪くなり、信頼性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、純度は、９０％以上、好ましくは９３％以上である。純度９０％未満では反応性にばらつきが生じ、硬化性にばらつきが生じるおそれがある。なお、本発明において、粒径はレーザー光回折法により求めることができ、平均粒径は、重量平均値（又はメディアン径ｄ５０）を意味する。
【００２３】
上記硬化剤の配合量は、（Ａ）液状エポキシ樹脂１００質量部に対して１〜５０質量部であり、アミン系硬化剤の場合には１０〜５０質量部が、イミダゾール系硬化剤の場合には１〜１０質量部が、夫々、より好ましい。配合量が前記下限値未満であると硬化性が低下し、前記上限値を超えると保存性が低下するおそれがある。
【００２４】
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍ且つ最大粒径が７５μｍ以下の無機充填剤
無機充填剤（Ｃ）としては、公知各種の無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミ、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、アルミニウムなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが、組成物の粘度が低くなるので好ましい。
【００２５】
無機充填剤は、樹脂との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシランなどのシランカップリング剤を用いることができる。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については、後述する（Ｄ）成分の処理と同様の方法を用いることができる。
【００２６】
無機充填剤は、平均粒径が２〜２０μｍであり、最大粒径が７５μｍ以下、特に５０μｍ以下のものが望ましい。平均粒径が上記下限値未満では組成物の粘度が高くなり、多量に充填できない場合がある。一方、上記上限値を超えると、硬化物中にボイドが生じるおそれがある。なお、この平均粒径（重量平均値又はメジアン径ｄ５０）、最大粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定装置等によって求めることができる。
【００２７】
（Ｃ）無機質充填剤の配合量としては、（Ａ）成分１００質量部に対して３０〜１，０００質量部、好ましくは４０〜４００、より好ましくは５０〜３００質量部である。前記下限値未満では、硬化物の膨張係数が大きく、クラックの発生を誘発し得る。上記上限値を超えると、組成物の粘度が高くなりすぎる。
【００２８】
（Ｄ）表面シリル化シリカ
本発明の組成物は、（Ｄ）成分を用いることによって、硬化物の膨張係数が小さく、弾性率が高くなる。（Ｄ）無機質充填材の平均粒径は０．００５μｍ以上、０．１μｍ未満、好ましくは０．００８μｍ〜０．０８μｍである。平均粒径が前記下限値未満であると組成物の粘度が高くなり、作業性が著しく悪くなるおそれがある。また、前記上限値を超えると、組成物が基板上の素子に接触し、もしくはヒートシンクの端部からはみ出す場合がある。なお、上記平均粒径は動的光散乱法／レーザートラップ法により測定することができる。
【００２９】
（Ｄ）成分としては、例えば、アエロジル１３０、アエロジル２００、アエロジル３００（商品名、日本アエロジル社製）等のフュームドシリカ、ニプシルＶＮ−３−ＬＰ（商品名、日本シリカ工業社製）等の湿式シリカ等が好適に用いられる。
【００３０】
（Ｄ）成分は、例えば、ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3）3ＳｉＯＣＨ3、ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＰｈＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、｛（ＣＨ3）3Ｓｉ｝2ＮＨ、ＣＨ3ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3等（なお、前記「Ｐｈ」はフェニル基を意味する）で表面処理されている。
【００３１】
該表面処理は、シリカを予め前記シリル化剤により処理しておいてもよく、また、本発明の組成物の調製時に前記シリル化剤を添加・配合するインテグラルブレンド法によっておこなうことができる。前記シリル化剤の使用量を抑制する点から、前者の方法が好ましい。
【００３２】
（Ｄ）成分の使用量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、通常、１〜２０質量部、好ましくは３〜１５質量部である。使用量が前記下限値未満では、組成物のヒートシンクの端部からのはみ出しを抑制することが困難となり、また、逆に、多すぎると粘度が高くなり過ぎるため、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、実質上液状のエポキシ樹脂組成物を得ることが困難となるおそれがある。
【００３３】
その他の成分
本発明の組成物には、硬化物の応力を低減する目的で、シリコーンゴム、シリコーンオイル、液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン等の可撓性樹脂、硬化促進剤、シランカップリング剤、カーボンブラック等の顔料、染料、酸化防止剤等を、本発明の目的を阻害しない量で、配合することができる。
【００３４】
接着剤組成物の調製法
本発明の組成物は、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分、及び、所望により上記その他の成分、を同時あるいは別々に、必要により加熱処理を加えながら攪拌、溶解、混合、分散させる。これらの操作に用いる装置は特に限定されないが、攪拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これら装置を適宜組み合わせてもよい。
【００３５】
上記調製法で得られる接着剤組成物は、２５℃において１〜５００Ｐａ・ｓ、特に１〜１５０Ｐａ・ｓの粘度を有することが好ましい。該接着剤組成物の硬化条件は、好ましくは、最初に１００〜１２０℃、０．５時間以上、次いで、１５０〜１７５℃、２時間以上、オーブンキュアを行う。１００〜１２０℃での加熱が０．５時間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。また１５０〜１７５℃での加熱が０．５時間未満では、十分な硬化物特性が得られない場合がある。
【００３６】
実施例
以下、実施例及び比較例により本発明をより詳細に説明する。
【００３７】
組成物の調製
表１に示す各質量部の各成分を、３本ロールで均一に混練りすることにより組成物（実施例１〜６、比較例１〜３）を得た。表１において、各成分は以下のとおりである。
【００３８】
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂Ａ１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ、日本化薬株式会社製）
エポキシ樹脂Ａ２：下記式で示される３官能型エポキシ樹脂（エピコート６３０Ｈ、ジャパンエポキシレジン株式会社製）
2010109285.tif 000009
【００３９】
（Ｂ）硬化剤
硬化剤Ｂ１：３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（カヤハードＡＡ、日本化薬社製）
硬化剤Ｂ２：３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（Ｃ−３００Ｓ、日本化薬社製）
硬化剤Ｂ３：平均粒径４．２μｍ、最大粒径１５μｍ以下の２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール粉末（イミダゾール２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）
【００４０】
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍ且つ最大粒径が７５μｍ以下の無機充填剤
シリカＣ：最大粒径５３μｍ以下で、平均粒径７μｍの球状シリカ（（株）龍森製、シランカップリング剤（KBM403、信越化学工業社製）で表面処理されたもの）
【００４１】
（Ｄ）表面シリル化シリカ
シリカＤ１：｛（ＣＨ3）3Ｓｉ｝2ＮＨ及びＣＨ3ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3で処理された平均粒径（ｄ５０）０．００８μｍの処理シリカ
シリカＤ２：｛（ＣＨ3）3Ｓｉ｝2ＮＨ及びＣＨ3ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3で処理された平均粒径（ｄ５０）０．０１μｍの処理シリカ
シリカＤ３：｛（ＣＨ3）3Ｓｉ｝2ＮＨ及びＣＨ3ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3で処理された平均粒径（ｄ５０）０．０８μｍの処理シリカ
比較例で使用のシリカ：｛（ＣＨ3）3Ｓｉ｝2ＮＨ、ＣＨ3ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3で処理された平均粒径（ｄ５０）０．１２μｍの処理シリカ
【００４２】
その他の成分
シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学工業株式会社製）
反応性希釈剤：フェニルグリシジルエーテル（ＰＧＥ）
2010109285.tif 000010
【００４３】
比較例４及び５
これらの比較例で用いた硬化性シリコーンゴムの以下の方法で調製した。
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２質量部を、メタノール５０質量部に溶解した溶液に、水１００質量部、次いで６０重量％酢酸水溶液２０質量部を順次混合した。この混合液に１時間超音波振動を施してシラン溶液を調製した。該溶液に、下記式で表される分子鎖両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖された直鎖状ジメチルポリシロキサン１００質量部と、
2010109285.tif 000011
（式中、ｎは、該シロキサンの２５℃における粘度が400 ｃＳｔとなるような数である）
上記シリカＣ２００質量部（比較例４）、４００質量部（比較例５）を、夫々、プラネタリーミキサーで１時間混合後、さらに３本ロールで混練した。次に、この混練物に、メチルハイドロジェンシロキサン（ケイ素原子に結合する水素原子の含有量：０．８モル／１００ｇ）５．１質量部及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液（白金含有量２重量％）０．０２質量部を加えて攪拌し組成物を得た。
【００４４】
各組成物を以下の方法で評価した。
硬化物のアスペクト比
硬化物の高さと直径の比である（ｈ／ｄ）を、組成物の形状維持性能の指標とした。
該アスペクト比の測定方法は、図１に示すようにガラス板１１（１ｍｍ厚み）に０．１ｇの組成物を置き、５分後に、事前に１２０℃に設定されたホットプレート上に、前記板を設置した。組成物を硬化後、冷却し、硬化物１２の高さ（ｈ）と直径（ｄ）を測定し、硬化物の高さと直径の比である（ｈ／ｄ）を求めた。
【００４５】
引張り弾性率
組成物を１５０℃、３時間加熱して硬化し、ＪＩＳ−Ｋ−７１６１に準じて引張り弾性率を測定した。
【００４６】
ガラス転移温度［Ｔｇ］、Ｔｇ以下の膨張係数［ＣＴＥ−１］、Ｔｇ以上の膨張係数［ＣＴＥ−２］
組成物を１５０℃、３時間加熱して硬化し、該硬化物を、常温まで冷却して、５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの試験片を切り出して、ＴＭＡ（熱機械分析装置）により５℃／分の速度で昇温した際の値を測定した。上記ガラス転移温度の測定において、２０〜５０℃の温度範囲でＣＴＥ−１を、２００〜２３０℃の温度範囲でＣＴＥ−２を求めた。
【００４７】
熱抵抗値
図２に示す装置を作成した。ＣＰＵ基板２（３８ｍｍ×３８ｍｍ×２ｍｍ）上にシリコンチップＣＰＵ３（Ｃｅｌｅｒｏｎ  ３００Ａ、１５ｍｍ×１５ｍｍ×０．７５ｍｍ）をフリップチップ接続してアンダーフィル剤５（ＳＭＣ−３７７Ｓ、信越化学社製）で封止した後、シリコンチップ３上に放熱材料（TIM 7772-4、信越化学社製）を、基板２上に各接着剤組成物約1.0gをディスペンスした後、３８ｍｍ×３８ｍｍ×２ｍｍのヒートシンク１（Ｎｉコート銅版、１Ｗ／℃）を載置し、１５０℃、３時間加熱して硬化した。図２のａ，ｂで示す箇所に熱電対を置き、チップ３を４５０ＭＨｚ／消費電力２５．６Ｗで作動させ、稼働率１００％にしたときの熱抵抗値を下記式により求めた。
放熱材熱抵抗Ｒｊａ（℃／Ｗ）＝（シリコンチップ温度−ヒートシンク温度）／２５．６
【００４８】
冷熱サイクル後の熱抵抗値
熱抵抗値を測定した後の装置を、−４５℃、１５分→１２５℃、１５分を１サイクルとして５００サイクル試験に供した後、上記と同様にして熱抵抗値を求めた。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
表１に示すように、実施例の組成物から得られる硬化物は、アスペクト比が小さく団子状になることがなく、且つ、熱伝導性が良い。なお、比較例３は、粘度が高すぎて、成型することができなかった。また、比較例４，５は、ゴムであるのでガラス転移は無い。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の接着剤は、ヒートシンクを基板に接着するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】組成物の濡れ性を説明する図である。
【図２】実施例で作成した装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１：ヒートシンク
２：基板
３：半導体チップ
４：放熱材料
５：アンダーフィル剤
６：接着剤
７：半導体素子
【図１】
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【図２】
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