(57)【要約】【課題】小型で消費電力の小さい磁気センサを得ること。【解決手段】磁気センサ素子１０に磁界が印加されると、磁歪材料板２が伸びるまたは磁歪定数がマイナスの時は縮むことによって圧電体平板３に歪が生じて、ＳＡＷ素子１の弾性表面波の伝播方向のくし歯４１Ａ，４１Ｂ間の間隔Ｓが変化し、ＳＡＷ素子１の共振周波数ｆが変化する。したがって、磁界の変化が周波数の変化に変換され、磁界の変化の検出が可能となる。ＳＡＷ素子１は、圧電体平板３に電極を形成することで構成され、小型で、消費電力も少なくできる。また、磁歪材料板２もＳＡＷ素子１に応じて小型にできる。したがって、小型で、消費電力の少ない磁気センサ素子１０を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体を備えたＳＡＷ素子と、
前記ＳＡＷ素子の弾性表面波の伝播方向に対して歪みを与える磁歪材料とを備えた
ことを特徴とする磁気センサ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気センサ素子において、
前記磁歪材料は、前記圧電体に接着されている
ことを特徴とする磁気センサ素子。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気センサ素子において、
前記磁歪材料は、前記圧電体と支持部材との間に配置されている
ことを特徴とする磁気センサ素子。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の磁気センサ素子と、
前記磁気センサ素子を収める容器と、
発振回路とを備えた
ことを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気センサにおいて、
前記磁歪材料の前記伝播方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部を備えた
ことを特徴とする磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、地磁気等の磁界を検出するための磁気センサ素子およびこれを用いた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサとして、フラックスゲートセンサが知られている。フラックスゲートセンサは、磁性材料のコアに励磁用コイルと検出用コイルが巻いてあり、検出感度が高く、検出できる磁界の範囲が広く、分解能も高い（例えば、特許文献１参照）。特許文献１は直流電流センサに関するものであるが、フラックスゲートセンサの基本事項が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１２８３７３号公報（３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、コアにコイルを巻くので小型化が困難である。また、コアが飽和するほどの電流で励磁する必要があるため、消費電力が大きくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
圧電体を備えたＳＡＷ素子と、前記ＳＡＷ素子の弾性表面波の伝播方向に対して歪みを与える磁歪材料とを備えたことを特徴とする磁気センサ素子。
【０００７】
この適用例によれば、磁気センサ素子に磁界が印加されると、磁歪材料が伸びるまたは磁歪定数がマイナスの時は縮むことによって圧電体に歪みが生じて、ＳＡＷ素子の弾性表面波の伝播方向の電極間距離が変化し、ＳＡＷ素子の共振周波数が変化する。したがって、磁界の変化が周波数の変化に変換され、磁界の変化の検出が可能となる。
ＳＡＷ素子は、圧電体表面に電極を形成することで構成され、小型で、消費電力も少ない。また、磁歪材料もＳＡＷ素子に応じて小型でよい。したがって、小型で、消費電力の少ない磁気センサ素子が得られる。
【０００８】
［適用例２］
上記磁気センサ素子であって、前記磁歪材料は、前記圧電体に接着されていることを特徴とする磁気センサ素子。
この適用例では、圧電体に磁歪材料が接着され、一体化しているので、より小型の磁気センサ素子が得られる。
【０００９】
［適用例３］
上記磁気センサ素子であって、前記磁歪材料は、前記圧電体と支持部材との間に配置されていることを特徴とする磁気センサ素子。
この適用例では、弾性表面波の伝播方向に対して歪みを与えるように、磁歪材料が支持部材と圧電体との間に配置されている。磁歪材料で生じた歪みは、支持部材を支えとして、圧電体に力を加え、圧電体が歪む。したがって、前述の効果を有する磁気センサ素子が得られる。
【００１０】
［適用例４］
上記に記載の磁気センサ素子と、前記磁気センサ素子を収める容器と発振回路とを備えたことを特徴とする磁気センサ。
【００１１】
この適用例によれば、前述の効果を有する磁気センサが得られる。
【００１２】
［適用例５］
上記磁気センサであって、前記磁歪材料の前記伝播方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部を備えたことを特徴とする磁気センサ。
この適用例では、バイアス磁場印加部によって、磁歪材料にバイアス磁界を印加できる。磁歪材料は、磁界がゼロ近傍では磁界の強度に対して磁歪定数が非線形で、磁界がゼロ近傍では磁歪定数が小さく、磁気センサの感度も小さくなってしまうが、バイアス磁界を与えると磁界の強度に対する磁歪定数が線形領域に達し、感度がより向上した磁気センサが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
（第１実施形態）
図１に本実施形態における磁気センサ素子１０の概略図を示した。（ａ）は磁気センサ素子１０の概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は概略底面図である。
【００１４】
図１において、磁気センサ素子１０は、ＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）素子１と磁歪材料としての磁歪材料板２とを備えている。
ＳＡＷ素子１は、圧電体としての圧電体平板３と、圧電体平板３の一つの面に形成されたくし歯電極４Ａ，４Ｂ、取り出し電極５Ａ，５Ｂおよび反射電極６Ａ，６Ｂを備えている。
【００１５】
くし歯電極４Ａ，４Ｂは、くし歯４１Ａ，４１Ｂと、くし歯４１Ａ，４１Ｂをつなぐ基部４２Ａ，４２Ｂとを備えている。また、くし歯電極４Ａ，４Ｂは、くし歯４１Ａとくし歯４１Ｂとが交互にそれぞれの歯間に入り込むように形成されている。さらに、それぞれのくし歯電極４Ａ，４Ｂには、取り出し電極５Ａ，５Ｂが形成されている。
本実施形態では、取り出し電極５Ａ，５Ｂが、くし歯電極４Ａ，４Ｂとは別の位置の同一面上に形成されているが、基部４２Ａ，４２Ｂを取り出し電極として使用してもよいし、圧電体平板３に孔を設け、裏面から孔を介して基部４２Ａ，４２Ｂに接続する取り出し電極を形成してもよい。
反射電極６Ａ，６Ｂは格子状で、くし歯４１Ａ，４１Ｂが並んでいる方向に、くし歯電極４Ａ，４Ｂの両側に形成されている。
【００１６】
くし歯電極４Ａ，４Ｂ、取り出し電極５Ａ，５Ｂおよび反射電極６Ａ，６Ｂは、鏡面研磨処理が施された圧電体平板３の面上にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｎ等の金属導体を蒸着、スパッタ等の成膜手段により形成した後、フォトリソグラフィー等の方法を用いて微細パターンを形成することによって得られる。
ＳＡＷ素子１では、くし歯４１Ａ，４１Ｂの間隔Ｓは、発生する弾性表面波の波長λとほぼ同じとする。また、くし歯４１Ａ，４１の幅Ｌとくし歯４１Ａ，４１Ｂの間隔Ｓの比Ｌ／Ｓをほぼ１とすると弾性表面波が生じやすい。
【００１７】
ＳＡＷ素子１では、くし歯電極４Ａ，４Ｂによって圧電体平板３のくし歯４１Ａ，４１Ｂが並んでいる方向に弾性表面波を発生させ、反射電極６Ａ，６Ｂで反射してきた弾性表面波の検出を行うことができる。したがって、くし歯４１Ａ，４１Ｂが並んでいる方向は、弾性表面波の伝播方向Ｄになる。図中に矢印で伝播方向Ｄを示した。
【００１８】
弾性表面波は、水面上を伝わっていく波と同じように弾性体の表面にエネルギーが集中して伝搬する波であり、その振幅は深さ方向に対して指数関数的に減衰する。
弾性表面波の周波数ｆは、弾性表面波の伝播速度をＶ、弾性表面波の波長λとして、ｆ＝Ｖ／λで与えられる。弾性表面波の伝播速度は圧電体平板３により異なる値をもち、例えば、ＳＴカット水晶の場合は約３，１００ｍ／ｓｅｃとなる。ＳＡＷ素子１に最も適した周波数帯は、数十ＭＨｚ〜３ＧＨｚ程度であるが、その上限と下限はくし歯４１Ａ，４１Ｂの微細電極パターンの解像度と圧電体平板３のもつ特性および大きさにより決定される。
【００１９】
圧電体平板３は、直方体の板状で、電極の形成される面の表面は、鏡面研磨処理が施されている。圧電体平板３には、強誘電体である水晶（ＳｉＯ2）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛、リチウムテトラボレート（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ダイヤモンド等が用いられる。
温度係数が小さいという点では、水晶が優れている。ダイヤモンドは、伝播速度が速く高周波数帯に用いられ、ニオブ酸リチウムなどは電気機械結合係数ｋ2が〜５％と大きく、弾性表面波の発生効率がよい。
また、圧電体平板３の厚さＨ１は、弾性表面波の波長λの１．５倍〜２．０倍以上の厚さであれば、弾性表面波への影響が少ない。
【００２０】
以下に、圧電体平板３が水晶の場合を中心に説明する。
図１（ｂ）において、電極膜厚Ｈ２は圧電体平板３の材質とカット角方位により異なるが、水晶のＳＴカットおよびＬＳＴカットの場合には、電極の金属がＡｌ主体であれば、電極膜厚Ｈ２と弾性表面波の波長λの比（Ｈ２／λ）を０．０１〜０．０３程度に設定するのがよい。
この時、ＳＴカットの切断角度とＬＳＴカットの切断方位は、周波数温度特性の１次温度係数を常温付近で零とするために、ＳＴカットにおいては、水晶の光軸を反時計方向に３０゜〜３５゜＋Ｘ軸回りに回転したＹ板とし、ＬＳＴカットにおいては、水晶の機械軸を反時計方向に９〜１５゜＋Ｘ軸回りに回転したＺ板とする。
【００２１】
磁歪材料板２に用いるアモルファス磁性材料を表１に示した。表１には、アモルファス磁性材料の組成および磁歪を示したが、使用できる磁歪材料はこれらに限るものではなく、異方性のあるものであってもよいし、磁歪定数が負のものであってもよい。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
磁歪材料板２の形状は、直方体の板形状であり、磁歪材料板２の最も広い面は、圧電体平板１の電極の形成された面の裏面に接着されている。磁歪材料板２の接着位置は、弾性表面波の伝播方向Ｄに対して磁歪材料板２の長辺が平行になる位置が好ましい。
磁歪材料に異方性がある場合は、磁歪の大きい方向と、弾性表面波の伝播方向Ｄとを合わせて接着するのが好ましい。なお、磁歪の大きな方向と弾性表面波の伝播方向Ｄとがずれていても、磁歪の大きな方向が、弾性表面波の伝播方向Ｄの成分をもっていて、弾性表面波の伝播方向Ｄに対して歪みを与えればよい。
【００２４】
磁歪材料板２の厚さＨ３は、圧電体平板３の厚さＨ１と比較して、圧電体平板３を撓ませるに十分な厚さがあればよい。
また、磁歪材料板２の表面は、圧電体平板１と同様に凹凸が少なく滑らかであることが好ましい。薄い接着剤層によって十分な密着が確保でき、結果として十分な接着強度が得られる。
【００２５】
以下に、圧電体平板３に磁歪材料板２を接着する方法について述べる。
まず、磁歪材料がアモルファス材料である場合には、その表面粗さが製造に使用する急冷装置の回転ロールの表面状態によって左右される。表面粗さＲａが５μｍ以上の場合には研磨紙などを利用してできるだけ不均一な応力を与えないように研磨して表面粗さＲａが１μｍ程度になるよう仕上げる。この場合研磨仕上げは磁歪材料板２の接着する面のみで良い。接着剤の塗布厚さが、表面粗さよりも薄いと接着面積が確保できないからである。
【００２６】
接着剤は、エポキシ樹脂系やアクリル樹脂系、オレフィン樹脂系、ウレタン樹脂系、塩化ビニル樹脂系、変性シリコン系、ポリアミド樹脂系、ポリイミド系、ポリベンズイミダソール系、ポリメタクリレート樹脂系などの有機系接着剤や、シリカ系、セラミック系などの無機系接着剤が使用できる。
【００２７】
接着剤の塗布厚さを制御する方法としては、複数のローラによって接着剤をローラからローラへと転写していく装置で、ローラに付着する接着剤を段々薄くしていき、所望の厚さまで薄くなったら、接着対象物に接着剤を転写し塗布する方法がある。この方法では、接着剤の粘度に応じてローラによる転写の回数や、転写の圧力を調整する。
また、ローラの代わりにテープなどを利用して接着剤を転写することで薄くする方法もある。例えば、ローラからテープに転写する際に、始めにローラに付着していた接着剤の塗布厚さが、テープ側とローラ側に分離されるため約半分の厚さになる。さらに、テープに付着した接着剤は、次のテープに転写することでその厚さは半分になる。これを繰り返すことで所望の塗布厚さを得ることができる。
【００２８】
図２には、本実施形態における磁気センサ１００の概略断面図を示した。図中には、磁界のかかる方向の一例を太い矢印で示した。
磁気センサ１００は、磁気センサ素子１０と、容器２０と、発振回路３０とを備えている。磁気センサ素子１０は、支持台２１によって支えられ、容器２０に収められている。
容器２０は、セラミックまたはコバールで構成され、本体２２と蓋２３とを備えている。また、本体２２は、容器２０をハンダ付け実装するための電極２４Ａ，２４Ｂをその底部に備えている。
【００２９】
本体２２は、内部の電極と電極２４Ａ，２４Ｂとを接続するために２層構造となっている。
具体的には、磁気センサ素子１０の電極とワイヤー等で電気的に接続されている電極２５Ａ，２５Ｂと、電極２４Ａ，２４Ｂとを電気的に接続するために、本体２２には孔２６Ａ，２６Ｂが形成され、孔２６Ａ，２６Ｂには導電性の物質２７Ａ，２７Ｂが充填されている。
【００３０】
また、磁気センサ素子１０の経時的変化を最小限にするために、容器２０内は窒素ガス雰囲気中または真空雰囲気で、蓋２３が封止材２８Ａ，２８Ｂによって気密封止されている。
本体２２と蓋２３との封止方法としては、シーム溶接、ハンダ付け、ガラス封止、Ａｇ系又はＡｕ-Ｓｎ系のろう材封止、エポキシ樹脂封止などが適している。
【００３１】
得られる容器２０のサイズは、例えば、２．５×２．０×０．８６ｍｍ、４．８×５．２×１．５ｍｍ程度の大きさとなる。
【００３２】
図３に、発振回路として、帰還型発振回路として代表的なコルピッツ回路の例を示す。
図中の符号１は、ＳＡＷ素子１を示している。また、図中のＲｂ１、Ｒｂ２は、バイアス設定用抵抗、Ｒｅはエミッタ抵抗、Ｒｄ、Ｃｄは電源デカップリング用の抵抗、コンデンサ、Ｖｃｃは電源である。ＣＬ１、ＣＬ２は発振条件を満たすための負荷容量を示す。ＣＬ１、ＣＬ２は所望の周波数により設定する。出力はコンデンサＣ0を介して行う。
トランジスタＴｒは高周波用（遮断周波数ｆＴが数ＧＨｚ）のものを使用し、抵抗やコンデンサは１００ＭＨｚ以上ではチップ部品を使用する。
【００３３】
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）磁気センサ素子１０に磁界が印加されると、磁歪材料板２が伸びるまたは磁歪定数がマイナスの時は縮むことによって圧電体平板３に歪みが生じて、ＳＡＷ素子１の弾性表面波の伝播方向Ｄのくし歯４１Ａ，４１Ｂ間の間隔Ｓが変化し、ＳＡＷ素子１の共振周波数ｆが変化する。したがって、磁界の変化が周波数の変化に変換され、磁界の変化の検出が可能となる。ＳＡＷ素子１は、圧電体平板３に電極を形成することで構成され、小型で、消費電力も少なくできる。また、磁歪材料板２もＳＡＷ素子１に応じて小型にできる。したがって、小型で、消費電力の少ない磁気センサ素子１０を得ることができる。
【００３４】
（２）圧電体平板３に磁歪材料板２が接着され、一体化しているので、より小型の磁気センサ素子１０および磁気センサ１００を得ることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
図４に、本実施形態における磁気センサ２００の概略断面図を示した。発振回路、電極、配線等は第１実施形態と同様のものを用いることができる。
図４において、容器４０には、ＳＡＷ素子１と磁歪材料７が本体４２収められ、蓋４３が封止材２８Ａ，２８Ｂによって気密封止されている。ＳＡＷ素子１は、第１実施形態と同様のものを用いることができる。
ここで、磁気センサ素子５０は、ＳＡＷ素子１と磁歪材料７と支持部材としての本体４２とで構成されているが、本体４２とは別体の支持部材を用いて構成してもよい。
【００３６】
磁歪材料７は、圧電体平板３と本体４２の間に配置されている。また、本体４２には、圧電体平板３が撓んだ場合の逃げとしての凹部９が形成されている。
容器４０内にＳＡＷ素子１と磁歪材料７を隣接して入れることになるが、容器４０の内寸法Ｌ１、ＳＡＷ素子１の寸法Ｌ２、磁歪材料７の寸法Ｌ３のバラツキがあり、それらを調整するためにスペーサ８（厚さＬ４）を入れることで、隙間を小さくすることが可能になる。すなわち、Ｌ１＞Ｌ２＋Ｌ３であったところを、Ｌ１≒Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４とする。スペーサ８の材料としては、狭い隙間に挿入するため、適度な柔軟性と安定した寸法が得られる金属材料が適している。例えばステンレス鋼、銅、アルミ、真鍮、などである。
また、磁歪定数が負の場合は、磁歪材料７と圧電体平板３および本体４２とを接着することによって、弾性表面波の伝播方向Ｄに対して歪みを与えることができる。
【００３７】
ニッケルやコバルトの磁歪定数は、−４０〜−６０ｐｐｍと小さいのに対して、超磁歪材料といわれる希土類ラーベス相系Ｔｂ0.3Ｄｙ0.7Ｆｅ2.0（商品名Terfenol-Ｄ）などでは１０００ｐｐｍを超える。しかしながら、薄板や線材に加工するのは難しく、アクチュエータとしてはロット型に限定される。そのため、圧電体平板３に隣接して磁歪材料７を配置できる。
磁歪材料の例としては、同じく希土類鉄系の金属間化合物ＴｂＦｅ2系では１０００ｐｐｍを超える磁歪定数を、逆ペロブスカイト系のＭｎ3ＣｕＮは多結晶焼結体で最大０．２％の磁歪定数を、ホイスラー型Ｎｉ2ＭｎＧａ合金は単結晶で約６％（６００００ｐｐｍ）の磁歪定数を持つ。
【００３８】
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
（３）弾性表面波の伝播方向Ｄに対して歪みを与えるように、磁歪材料７が本体４２と圧電体平板３との間に配置されている。磁歪材料７で生じた歪みは、本体４２を支えとして、圧電体平板３に力を加え、圧電体平板３が歪む。したがって、前述の効果を有する磁気センサ素子５０および磁気センサ２００を得ることができる。
また、薄板や線材に加工するのが難しい磁歪材料であっても圧電体平板３を歪ませることができる。
【００３９】
（第３実施形態）
図５に、本実施形態における磁気センサ３００の概略図を示した。
本実施形態では、第２実施形態の磁気センサ２００の外周にバイアス磁界印加部としてのコイル１５を配置することによって、磁気センサ３００を構成している。
なお、使用する磁気センサは第１実施形態の磁気センサ１００であってもよい。
コイル１５は、銅やアルミの良導体のワイヤーに絶縁被覆が施された線材を均一に巻回したソレノイドコイルであってもよいし、２つ平行に並べて均一な磁界が得られるヘルムホルツコイルでもあってもよい。
本実施形態では、磁気センサ２００の外周に配置されたコイル１５に電流を流して磁気センサ２００全体に均一なバイアス磁界を形成する。
【００４０】
図６に磁歪材料における印加磁界と歪量（△Ｌ／Ｌ）との関係を示した。
磁歪材料７では，磁界の強度に対して磁歪定数が線形に変化せず、磁化曲線と同じ傾向をもつため、磁界がゼロ近傍では磁歪定数が小さく、結果として磁気センサ２００の感度も小さくなってしまう。そのため、予め磁歪定数がある程度大きくなる領域に相当する磁界を与えておくと磁気センサ２００の感度が向上することになる。また、この領域は線形領域でもある。
例えば、図に示す曲線において、磁界Ｈ１〜Ｈ２間の磁界を与えておくとよい。
【００４１】
図７に、検出磁界Ｈｍとそれに伴う周波数変化△ｆの関係を示した。
検出磁界Ｈｍが、図６で示した磁界Ｈ１〜Ｈ２間の磁界であれば、検出磁界Ｈｍと周波数変化△ｆとの関係も線形となり、磁界の検出が容易になる。
また、コイル１５によって印加した磁界と反対方向の磁界が加われば、基準となる発振周波数より検出される発振周波数が小さくなるので、検出磁界の方向も知ることができる。
【００４２】
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
（４）コイル１５によって、磁歪材料７にバイアス磁界を印加できる。磁歪材料７は、磁界がゼロ近傍では磁界の強度に対して磁歪定数が非線形で、磁界がゼロ近傍では磁歪定数が小さく、磁気センサの感度も小さくなってしまうが、バイアス磁界を与えると磁界の強度に対する磁歪定数が線形領域に達し、感度が向上した磁気センサ３００を得ることができる。
【００４３】
上述した実施形態以外にも、種々の変更を行うことが可能である。
例えば、第１実施形態において、圧電体は、平板でなくてもよいし、磁歪材料板２は圧電体平板３の電極の形成されていない面であれば、どこの面に接着されていてもよい。また、磁歪材料の形状も直方体の板に限らず、平面視した形状が菱形状であってもよい。
【００４４】
また、第３実施形態におけるコイル１５は、容器４０の中に配置されていてもよい。
さらに、第３実施形態における磁界を与える方法としては、磁気センサ２００の外周のコイル１５に電流を流して磁界を与える方法の他に、バイアス磁界印加部として永久磁石とヨークを磁気センサ２００に隣接して磁界を与える方法などがある。
後者の場合、ヨークとしては、飽和磁束密度が高い鉄系の材料、電磁軟鉄、低炭素鋼、珪素鋼板などが適しており、必要に応じて熱処理や防錆のためのメッキや塗装などが施される。ヨークの形状は、永久磁石からの磁束が磁気センサ２００内部の磁歪材料７をできるだけ多く通るように磁気抵抗が小さくなるような形状が良い。永久磁石としては、フェライト系磁石、ＮｄＦｅＢ系磁石、ＳｍＦｅ系磁石、アルニコ系磁石などが適している。永久磁石の数は１つでも２つでも良く、永久磁石のパーミアンスから適した形状を選択し、それに応じたヨーク形状を設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施形態における（ａ）は磁気センサの概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は概略底面図。
【図２】磁気センサの概略断面図。
【図３】発振回路としてのコルピッツ回路の例を示す図。
【図４】第２実施形態における磁気センサの概略断面図。
【図５】第３実施形態における磁気センサの概略図。
【図６】磁歪材料における印加磁界と歪量との関係を示した図。
【図７】検出磁界とそれに伴う周波数変化の関係を示した図。
【符号の説明】
【００４６】
１…ＳＡＷ素子、２…磁歪材料板、３…圧電体としての圧電体平板、７…磁歪材料、１０，５０…磁気センサ素子、１５…バイアス磁界印加部としてのコイル、２０，４０…容器、３０…発振回路、４２…支持部材としての本体、１００，２００，３００…磁気センサ、Ｄ…弾性表面波の伝播方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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