(57)【要約】【課題】複数の処理部において作成されたデータを一括して管理する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置10に入力された描画データDに基づき、可動ステージ10a2aに載置された試料M上に荷電粒子ビーム10a1bによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、荷電粒子ビーム描画装置10に入力された描画データDに基づいて第１処理部(10b1a)により第１の処理を行って第１出力データを作成し、荷電粒子ビーム描画装置10に入力された描画データDに基づいて第２処理部(10b1b)により第２の処理を行って第２出力データを作成し、第１処理部(10b1a)からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部(10b1b)からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、一括管理部10b1hにより第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の管理を一括して行う。【選択図】図１
2010199137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づいて第１処理部により第１の処理を行って第１出力データを作成する工程と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づいて第２処理部により第２の処理を行って第２出力データを作成する工程と、
第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、一括管理部により第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の管理を一括して行う工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項２】
第１出力データの圧縮処理または削除処理が、第１処理部の判断に基づいて実行されず、一括管理部の判断に基づいて一括して実行され、
第２出力データの圧縮処理または削除処理が、第２処理部の判断に基づいて実行されず、一括管理部の判断に基づいて一括して実行されることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項３】
荷電粒子ビーム描画装置の負荷および／またはデータ保存容量に基づいて、第１出力データまたは第２出力データの圧縮処理または削除処理を一括管理部によって行うか否かを判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する描画部と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、第１の処理を行って第１出力データを作成する第１処理部と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、第２の処理を行って第２出力データを作成する第２処理部と、
第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の管理を一括して行う一括管理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望が記述された第１処理部用設定部と、
第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望が記述された第２処理部用設定部と、
第１処理部用設定部に記述された第１処理部からの要望を読み込むために必要な情報と、第２処理部用設定部に記述された第２処理部からの要望を読み込むために必要な情報とが記述された一括管理部用設定部とを具備することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−７１９２９号公報の図１）に記載されたものがある。
【０００３】
特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データが、描画制御ユニットによって、ショットデータ生成ユニットに入力可能なフォーマットのデータに変換され、そのデータがショットデータ生成ユニットに送られる。
【０００４】
更に、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、ショットデータ生成ユニットにおいて、描画制御ユニットから送られたデータに基づき、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射するためのショットデータが生成される。
【０００５】
また、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム描画装置に入力される描画データがデータ管理計算ユニットによって管理されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−７１９２９号公報の図１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、描画制御ユニットとデータ管理計算ユニットとが接続されており、描画制御ユニットに入力されるデータを管理することができるものの、データ管理計算ユニットは、描画制御ユニット以外のユニット（例えばショットデータ生成ユニットなど）には接続されていない。
【０００８】
そのため、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、例えばショットデータ生成ユニットにおいて生成されたショットデータなどのような、描画制御ユニット以外のユニットにおいて作成されたデータをデータ管理計算ユニットによって管理することができない。
【０００９】
上述した問題点に鑑み、本発明は、複数の処理部において作成されたデータを複数の処理部からの要望に基づいて一括して管理することができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づいて第１処理部により第１の処理を行って第１出力データを作成する工程と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づいて第２処理部により第２の処理を行って第２出力データを作成する工程と、
第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、一括管理部により第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の管理を一括して行う工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。
【００１１】
好ましくは、第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、一括管理部により第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の順序が決定される。
【００１２】
本発明の別の一態様によれば、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する描画部と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、第１の処理を行って第１出力データを作成する第１処理部と、
荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、第２の処理を行って第２出力データを作成する第２処理部と、
第１処理部からの第１出力データの圧縮処理または削除処理の要望、および、第２処理部からの第２出力データの圧縮処理または削除処理の要望に基づいて、第１出力データおよび第２出力データの圧縮処理または削除処理の管理を一括して行う一括管理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００１３】
好ましくは、第１処理部からの第１出力データと、第２処理部からの第２出力データとの間の優先順位についての情報が一括管理部用設定部に記述されている。
【００１４】
また、好ましくは、第１処理部からの第１出力データを一括管理部によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが第１処理部用設定部に記述され、第２処理部からの第２出力データを一括管理部によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが第２処理部用設定部に記述されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数の処理部において作成されたデータを複数の処理部からの要望に基づいて一括して管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。
【図２】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。
【図３】図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。
【図４】描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。
【図５】描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【図６】描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。
【図７】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の一例を詳細に説明するための図である。
【図８】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の一括管理部１０ｂ１ｈに組み込まれたデータの圧縮処理または削除処理の一括管理プログラムの一例を示したフローチャートである。
【図９】一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルの概略の一例を示した図である。
【図１０】一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。
【図１１】一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。
【図１２】ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルの概略の一例を示した図である。
【図１３】ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。
【図１４】ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。
【００１８】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００１９】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。
【００２０】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。
【００２１】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
【００２２】
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのビーム照射時間を制御することができる。
【００２３】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。
【００２４】
図２は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図２（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。
【００２５】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。
【００２６】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定のビーム照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図２（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。
【００２７】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを制御することにより、例えば、図２（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）および図２（Ｅ）に示すような最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）および図２（Ｉ）に示すような最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。
【００２８】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。
【００２９】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
【００３０】
図１に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、描画データＤのデータ量の圧縮化が図られている。
【００３１】
図３は図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図３に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。
【００３２】
詳細には、図３に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）のチップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、描画データＤのフレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、描画データＤのフレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、描画データＤのブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ４０，ＢＬ５０，ＢＬ０１，ＢＬ１１，ＢＬ２１，ＢＬ３１，ＢＬ４１，ＢＬ５１，ＢＬ０２，ＢＬ１２，ＢＬ２２，ＢＬ３２，ＢＬ４２，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、描画データＤのブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、描画データＤのセル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、描画データＤのセル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、描画データＤの図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。
【００３３】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形階層ＦＧ（図３参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。
【００３４】
図４は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図４に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれるフレームＦＲ１（図３参照）に対応して、例えばストライプＳＴＲ１と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍに設定されている。また、例えば、描画データＤに含まれるフレームＦＲ２（図３参照）に対応して、例えばストライプＳＴＲ２と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍに設定されている。更に、例えば、描画データＤに含まれるフレームＦＲ３（図３参照）に対応して、例えばストライプＳＴＲ３と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍに設定されている。
【００３５】
図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、フレームＦＲ１（図３参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、フレームＦＲ２（図３参照）に含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ３内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、フレームＦＲ３（図３参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に描画される。
【００３６】
詳細には、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００３７】
次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａがＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００３８】
次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａがＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００３９】
図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【００４０】
図５に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域が設定されている。詳細には、図５に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。
【００４１】
次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００４２】
次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００４３】
次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００４４】
次いで、図５に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ内のすべてのパターンＰ１，Ｐ２，・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ＋１内に照射されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。
【００４５】
次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１１が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００４６】
次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００４７】
次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００４８】
図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。
【００４９】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図６に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが行われる。
【００５０】
詳細には、図６に示す例では、例えば、まず最初に、図６（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍ上に描画される。
【００５１】
更に詳細には、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ（図５参照）に位置決めするための主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００５２】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００５３】
次いで、例えば、パターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００５４】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｂが試料Ｍ上に描画される。
【００５５】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００５６】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｂを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００５７】
次いで、例えば、パターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００５８】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃが試料Ｍ上に描画される。
【００５９】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００６０】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｃを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００６１】
次いで、例えば、パターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００６２】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｄが試料Ｍ上に描画される。
【００６３】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００６４】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｄを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００６５】
次いで、例えば、パターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００６６】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｅが試料Ｍ上に描画される。
【００６７】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００６８】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｅを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００６９】
次いで、例えば、パターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００７０】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｆが試料Ｍ上に描画される。
【００７１】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００７２】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｆを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００７３】
次いで、例えば、パターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００７４】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｇが試料Ｍ上に描画される。
【００７５】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００７６】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｇを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００７７】
次いで、例えば、パターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００７８】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｈが試料Ｍ上に描画される。
【００７９】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００８０】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｈを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００８１】
次いで、例えば、パターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００８２】
次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｉが試料Ｍ上に描画される。
【００８３】
詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
【００８４】
次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｉを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
【００８５】
次いで、例えば、パターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００８６】
その結果、図６に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。
【００８７】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００８８】
更に詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に例えばパターンＰ１（図５および図６参照）などの多数のパターンが描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００８９】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００９０】
同様に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００９１】
図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の一例を詳細に説明するための図である。
【００９２】
図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて、入力された描画データＤに基づいて、図６に一例として示したようなショット分割処理が行われる。詳細には、例えば、描画データＤに含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に関するデータに基づいて、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に一例として示したような個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ショット分割処理部１０ｂ１ａが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【００９３】
更に、図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータに基づいて、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に一例として示したような個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットの順序に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータが例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【００９４】
また、図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータに基づいて、図５に一例として示したようなサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・が設定され、例えば、個々のサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・の位置などに関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータが例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【００９５】
更に、図７に示す例では、例えば、データ保存領域１０ｂ１ｇの容量を可能な限りコンパクトにするために、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されているデータのうち、例えば不要になったり、重要度が低下したりしたものが、一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理される。
【００９６】
詳細には、図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルに記述されている。
【００９７】
また、図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルに記述されたショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【００９８】
更に、図７に示す例では、例えば、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータに基づいて、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に一例として示したような個々のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，・・，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画するために必要な個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのビーム照射時間に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【００９９】
また、図７に示す例では、例えば、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂの設定部１０ｂ１ｂ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１００】
更に、図７に示す例では、例えば、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂの設定部１０ｂ１ｂ１に格納されているファイルに記述されたブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０１】
また、図７に示す例では、例えば、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータに基づいて、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に一例として示したような個々のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，・・，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画するために必要な個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【０１０２】
更に、図７に示す例では、例えば、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃの設定部１０ｂ１ｃ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０３】
また、図７に示す例では、例えば、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃの設定部１０ｂ１ｃ１に格納されているファイルに記述されたビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０４】
更に、図７に示す例では、例えば、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々のサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）の位置などに関するデータに基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・内に位置決めするために必要な主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御量などに関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【０１０５】
また、図７に示す例では、例えば、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄの設定部１０ｂ１ｄ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０６】
更に、図７に示す例では、例えば、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄの設定部１０ｂ１ｄ１に格納されているファイルに記述された主偏向制御処理部１０ｂ１ｄからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０７】
また、図７に示す例では、例えば、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されている個々の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットに関するデータに基づいて、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に一例として示したような個々のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，・・，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画するためのビーム照射位置に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを位置決めするのに必要な副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御量などに関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【０１０８】
更に、図７に示す例では、例えば、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅの設定部１０ｂ１ｅ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１０９】
また、図７に示す例では、例えば、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅの設定部１０ｂ１ｅ１に格納されているファイルに記述された副偏向制御処理部１０ｂ１ｅからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１１０】
更に、図７に示す例では、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されているストライプＳＴＲ１（図４参照）内のサブフィールド（図示せず）の数、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）を各サブフィールド内に位置決めするために必要な主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の主偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ１内の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットの数、ストライプＳＴＲ１内に個々のパターン（図示せず）を描画するためのビーム照射位置に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを位置決めするのに必要な副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の副偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ１内に個々のパターンを描画するために必要なビーム照射時間などに基づいて、ストライプＳＴＲ１内のパターンの描画期間中の可動ステージ１０ａ２ａの移動速度に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される（可動ステージ１０ａ２ａの移動速度の算出方法の詳細については、例えば特開２０００−２１７４７号公報参照）。
【０１１１】
また、図７に示す例では、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されているストライプＳＴＲ２（図４参照）内のサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）の数、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）を各サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・内に位置決めするために必要な主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の主偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ２内の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットの数、ストライプＳＴＲ２内に個々のパターンＰ１（Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，・・，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉ（図６参照）），Ｐ２，・・，Ｐ１１，Ｐ１２，・・（図５参照）を描画するためのビーム照射位置に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを位置決めするのに必要な副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の副偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ２内に個々のパターンを描画するために必要なビーム照射時間などに基づいて、ストライプＳＴＲ２内のパターンの描画期間中の可動ステージ１０ａ２ａの移動速度に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【０１１２】
更に、図７に示す例では、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて、データ保存領域１０ｂ１ｇに格納されているストライプＳＴＲ３（図４参照）内のサブフィールド（図示せず）の数、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）を各サブフィールド内に位置決めするために必要な主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の主偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ３内の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットの数、ストライプＳＴＲ３内に個々のパターン（図示せず）を描画するためのビーム照射位置に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを位置決めするのに必要な副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の副偏向セトリング時間、ストライプＳＴＲ３内に個々のパターンを描画するために必要なビーム照射時間などに基づいて、ストライプＳＴＲ３内のパターンの描画期間中の可動ステージ１０ａ２ａの移動速度に関するデータが作成（出力）され、その作成されたデータは、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆが動作時に生成する例えば動作ログデータのような副次的なデータとともに、例えばデータ保存領域１０ｂ１ｇに格納される。
【０１１３】
また、図７に示す例では、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって圧縮処理または削除処理させる要望が、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆの設定部１０ｂ１ｆ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１１４】
更に、図７に示す例では、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆの設定部１０ｂ１ｆ１に格納されているファイルに記述されたステージ制御処理部１０ｂ１ｆからの要望を読み込むために必要な情報が、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに記述されている。
【０１１５】
また、図７に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃからの要望、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についての主偏向制御処理部１０ｂ１ｄからの要望、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についての副偏向制御処理部１０ｂ１ｅからの要望、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのステージ制御処理部１０ｂ１ｆからの要望に基づいて、一括管理部１０ｂ１ｈにより、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータ、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂにおいて作成（出力）されたデータ、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃにおいて作成（出力）されたデータ、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄにおいて作成（出力）されたデータ、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅにおいて作成（出力）されたデータ、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理の管理が一括して行われる。
【０１１６】
図８は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の一括管理部１０ｂ１ｈに組み込まれたデータの圧縮処理または削除処理の一括管理プログラムの一例を示したフローチャートである。
【０１１７】
図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０１において、荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）の制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図７参照）が起動されると同時に、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）が起動される。詳細には、図８に示す例では、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の動作中、一括管理部１０ｂ１ｈの動作が終了しない。つまり、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の動作中、一括管理部１０ｂ１ｈは常駐している。（すなわち、図８に示す例では、フローチャートに「ＥＮＤ」が存在しない。）
【０１１８】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０２において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている情報が読み込まれる。
【０１１９】
図９は一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルの概略の一例を示した図である。図９に示す例では、例えば、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｈ１（図７参照）に格納されているファイルに、ヘッダと、デフォルト動作用設定と、ショット分割処理部用設定と、ブランキング偏向制御処理部用設定と、ビーム寸法可変偏向制御処理部用設定と、主偏向制御処理部用設定と、副偏向制御処理部用設定と、ステージ制御処理部用設定とが含まれている。
【０１２０】
詳細には、図８および図９に示す例では、一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルに、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）の設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望を読み込むために必要な情報と、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望を読み込むために必要な情報と、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｃ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃからの要望を読み込むために必要な情報と、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｄ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された主偏向制御処理部１０ｂ１ｄからの要望を読み込むために必要な情報と、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｅ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）からの要望を読み込むために必要な情報と、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｆ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）からの要望を読み込むために必要な情報とが記述されている。
【０１２１】
図１０および図１１は一括管理部１０ｂ１ｈの設定部１０ｂ１ｈ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。図１０において、例えば、「登録プログラム数６」は、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって一括管理されるプログラムが、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）に組み込まれているショット分割処理プログラム、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）に組み込まれているブランキング偏向制御処理プログラム、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）に組み込まれているビーム寸法可変偏向制御処理プログラム、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）に組み込まれている主偏向制御処理プログラム、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）に組み込まれている副偏向制御処理プログラム、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）に組み込まれているステージ制御処理プログラムである旨を示している。
【０１２２】
また、図１０中の「圧縮・削除実行閾値１」は、データの圧縮処理または削除処理を実行するか否かが一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって判断される時に用いられる。更に、図１０において、例えば、「最大トータルデータサイズ１０ＧＢ」は、データ保存領域１０ｂ１ｇ（図７参照）に保存可能なデータサイズが１０ＧＢである旨を示している。更に、図１１において、例えば、「プログラム１用スクリプトパス／ｐａｔｈ／ｓｃｒｉｐｔ１」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）の設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望を読み込むために必要な情報（パス）を意味している。また、図１１において、例えば、「プログラム２用スクリプトパス／ｐａｔｈ／ｓｃｒｉｐｔ２」は、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されたブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望を読み込むために必要な情報（パス）を意味している。更に、図１１において、例えば、「プログラム１用プライオリティ＝５」、「プログラム２用プライオリティ＝１」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータの優先順位が、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂにおいて作成（出力）されたデータの優先順位よりも高いことを意味している。
【０１２３】
つまり、図１１に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータと、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータとの間の優先順位についての情報が、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｈ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。
【０１２４】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０３において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）の設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｃ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｄ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｅ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｆ１（図７参照）に格納されているファイルに記述された情報が読み込まれる。
【０１２５】
図１２はショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルの概略の一例を示した図である。図１２に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）の設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに、ヘッダと、デフォルト動作用設定と、データ別設定１と、データ別設定２と、データ別設定３とが含まれている。図１２において、例えば、「データ別設定１」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータのうち、ストライプＳＴＲ１（図４参照）に関するデータの設定を意味している。また、例えば、「データ別設定２」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータのうち、ストライプＳＴＲ２（図４参照）に関するデータの設定を意味している。更に、例えば、「データ別設定３」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータのうち、ストライプＳＴＲ３（図４参照）に関するデータの設定を意味している。
【０１２６】
図１３および図１４はショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１に格納されているファイルの具体例を示した図である。図１３において、例えば、「デフォルト未圧縮データ保存要望期間１４日」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータを未圧縮のままデータ保存領域１０ｂ１ｇ（図７参照）に保存する期間として１４日がショット分割処理部１０ｂ１ａから要望されている旨を意味している。また、例えば、「デフォルト圧縮データ保存要望期間２００日」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータを圧縮された状態でデータ保存領域１０ｂ１ｇに保存する期間として２００日がショット分割処理部１０ｂ１ａから要望されている旨を意味している。
【０１２７】
更に、図１３において、例えば、「デフォルト圧縮コマンド」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理する時に必要なコマンドを意味している。また、例えば、「デフォルト削除コマンド」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈによって削除処理する時に必要なコマンドを意味している。
【０１２８】
つまり、図１３に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、ショット分割処理部１０ｂ１ａの設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。
【０１２９】
同様に、例えば、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂの設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。また、例えば、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃの設定部１０ｂ１ｃ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。
【０１３０】
更に、例えば、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄの設定部１０ｂ１ｄ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。また、例えば、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅの設定部１０ｂ１ｅ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。更に、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）において作成（出力）されたデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮処理または削除処理する時に必要なコマンドが、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆの設定部１０ｂ１ｆ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。
【０１３１】
また、図１４において、例えば、「データ別設定１  デイレクトリ指定」は、データ保存領域１０ｂ１ｇ（図７参照）のうち、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたストライプＳＴＲ１（図４参照）に関するデータが格納されているディレクトリのパスの指定を意味している。また、例えば、「データ別設定１  圧縮・削除設定」は、ショット分割処理部１０ｂ１ａにおいて作成（出力）されたストライプＳＴＲ１に関するデータを一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によって圧縮・削除する時に必要なコマンドの設定を意味している。
【０１３２】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０４において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、圧縮処理対象データファイルおよび削除処理対象データファイルの情報が取得される。
【０１３３】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０５において、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理するショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理するブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理するビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃからの要望、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理する主偏向制御処理部１０ｂ１ｄからの要望、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理する副偏向制御処理部１０ｂ１ｅからの要望、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）において作成（出力）されたデータを圧縮処理または削除処理するステージ制御処理部１０ｂ１ｆからの要望に基づいて、一括管理部１０ｂ１ｈにより、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータ、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータ、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）において作成（出力）されたデータ、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）において作成（出力）されたデータ、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）において作成（出力）されたデータ、および、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理の順序が算出（決定）される。
【０１３４】
詳細には、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０５において、重要度が高いデータの圧縮処理または削除処理の順序が、重要度が低いデータの圧縮処理または削除処理の順序よりも後にまわされる。また、例えば、ステップＳ１０５において、新しいデータ（データ作成日時からの経過時間が短いデータ）の圧縮処理または削除処理の順序が、古いデータ（データ作成日時からの経過時間が長いデータ）の圧縮処理または削除処理の順序よりも後にまわされる。
【０１３５】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０６において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、圧縮処理または削除処理を実行すべきデータが存在するか否かが確認される。圧縮処理または削除処理を実行すべきデータが存在しない場合には、例えば、ステップＳ１０７において所定の時間が経過するのを待って、ステップＳ１０４に戻る。一方、圧縮処理または削除処理を実行すべきデータが存在する場合には、ステップＳ１０８に進む。
【０１３６】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０８において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、データの圧縮処理または削除処理を実行するか否かの判断値が算出される。
【０１３７】
次いで、図８に示す例では、例えば、ステップＳ１０９において、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）により、データの圧縮処理または削除処理を実行するか否かが判断される。詳細には、例えば、ステップＳ１０８において算出された判断値が圧縮・削除実行閾値（図１０参照）より大きい時にはステップＳ１１１に進み、ステップＳ１１１において、一括管理部１０ｂ１ｈにより、データの圧縮処理または削除処理が実行される。一方、例えば、ステップＳ１０８において算出された判断値が圧縮・削除実行閾値以下の時には、一括管理部１０ｂ１ｈによるデータの圧縮処理または削除処理が実行されることなくステップＳ１１０に進み、ステップＳ１１０において所定の時間が経過するのを待って、ステップＳ１０６に戻る。
【０１３８】
詳細には、図８に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）の制御計算機１０ｂ（図７参照）の負荷（詳細には、描画処理の負荷）が高い時には、ステップＳ１０９で用いられる判断値が小さい値に設定される（つまり、ステップＳ１０８において小さい判断値が算出される）。その結果、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂの負荷が高い時には、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によるデータの圧縮処理または削除処理が実行されづらくなる。つまり、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂの負荷が高い時に一括管理部１０ｂ１ｈによってデータの圧縮処理または削除処理が実行されるのに伴って、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂの負荷が更に増大してしまうことが回避されている。
【０１３９】
また、図８に示す例では、例えば、データ保存領域１０ｂ１ｇ（図７参照）の空きスペースのサイズが小さい時には、ステップＳ１０９で用いられる判断値が大きい値に設定される（つまり、ステップＳ１０８において大きい判断値が算出される）。その結果、データ保存領域１０ｂ１ｇの空きスペースのサイズが小さい時には、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）によるデータの圧縮処理または削除処理が実行されやすくなる。つまり、データ保存領域１０ｂ１ｇの空きスペースのサイズが小さい時に一括管理部１０ｂ１ｈによってデータの圧縮処理または削除処理が実行されないのに伴って、データ保存領域１０ｂ１ｇの空きスペースのサイズが更に小さくなってしまうことが回避されている。
【０１４０】
好ましくは、データ保存領域１０ｂ１ｇ（図７参照）の空きスペースのサイズが小さい時に、例えば荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）のオペレータに対してアラートを出力することも可能である。
【０１４１】
つまり、図８に示す例では、例えば、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、ショット分割処理部１０ｂ１ａの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）の判断に基づいて一括して実行される。また、例えば、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈの判断に基づいて一括して実行される。更に、例えば、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈの判断に基づいて一括して実行される。
【０１４２】
また、図８に示す例では、例えば、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）の判断に基づいて一括して実行される。更に、例えば、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈの判断に基づいて一括して実行される。また、例えば、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理が、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆの判断に基づいて実行されるのではなく、ステップＳ１１１において一括管理部１０ｂ１ｈの判断に基づいて一括して実行される。
【０１４３】
そのため、図８に示す例では、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）およびステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）のそれぞれの独自の判断に基づいてデータの圧縮処理または削除処理が別個に実行される場合よりも、理想的なタイミングでデータの圧縮処理または削除処理を実行することができる。
【０１４４】
また、図７に示す例では、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのショット分割処理部１０ｂ１ａからの要望が設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されており、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂからの要望が設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されており、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃからの要望が設定部１０ｂ１ｃ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されており、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についての主偏向制御処理部１０ｂ１ｄからの要望が設定部１０ｂ１ｄ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されており、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についての副偏向制御処理部１０ｂ１ｅからの要望が設定部１０ｂ１ｅ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されており、ステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）において作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理についてのステージ制御処理部１０ｂ１ｆからの要望が設定部１０ｂ１ｆ１（図７参照）に格納されているファイルに記述されている。
【０１４５】
そのため、図７に示す例では、一括管理部１０ｂ１ｈ（図７参照）の設計開発担当者が、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）およびステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）のそれぞれの処理内容のすべてを理解できなくても、それらからの要望に基づいて、それらにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理を実行することができる。
【０１４６】
また、図７に示す例では、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）およびステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）のそれぞれの設計開発担当者が、それらにおいて作成（出力）されたデータの圧縮処理または削除処理を実行するためのプログラムを独自に作成する必要がない。
【０１４７】
更に、図７に示す例では、ショット分割処理部１０ｂ１ａ（図７参照）の設定部１０ｂ１ａ１（図７参照）、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｂ１（図７参照）、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｃ１（図７参照）、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｄ１（図７参照）、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｅ１（図７参照）およびステージ制御処理部１０ｂ１ｆ（図７参照）の設定部１０ｂ１ｆ１（図７参照）に格納されているファイルの記述内容を変更することにより、圧縮処理または削除処理が実行されるデータを容易に変更することができる。
【０１４８】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７に示すように、ショット分割処理部１０ｂ１ａ、ブランキング偏向制御処理部１０ｂ１ｂ、ビーム寸法可変偏向制御処理部１０ｂ１ｃ、主偏向制御処理部１０ｂ１ｄ、副偏向制御処理部１０ｂ１ｅおよびステージ制御処理部１０ｂ１ｆからのデータの圧縮処理または削除処理の管理が一括管理部１０ｂ１ｈによって一括して行われるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、制御計算機１０ｂ１内の任意の２個以上の処理部からのデータの圧縮処理または削除処理の管理をそれらの処理部からの要望に基づいて一括管理部１０ｂ１ｈによって一括して行うことも可能である。
【０１４９】
第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【０１５０】
１０                荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ              描画部
１０ａ１ａ          荷電粒子銃
１０ａ１ｂ          荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ          偏向器
１０ａ１ｄ          偏向器
１０ａ１ｅ          偏向器
１０ａ１ｆ          偏向器
１０ａ２ａ          ステージ
１０ｂ              制御部
１０ｂ１            制御計算機
１０ｂ１ａ          ショット分割処理部
１０ｂ１ａ１        設定部
１０ｂ１ｂ          ブランキング偏向制御処理部
１０ｂ１ｂ１        設定部
１０ｂ１ｃ          ビーム寸法可変偏向制御処理部
１０ｂ１ｃ１        設定部
１０ｂ１ｄ          主偏向制御処理部
１０ｂ１ｄ１        設定部
１０ｂ１ｅ          副偏向制御処理部
１０ｂ１ｅ１        設定部
１０ｂ１ｆ          ステージ制御処理部
１０ｂ１ｆ１        設定部
１０ｂ１ｈ          一括管理部
１０ｂ１ｈ１        設定部
１０ｂ１ｇ          データ保存領域
Ｄ                  描画データ
Ｍ                  試料
【図１】
2010199137.tif 000003
【図２】
2010199137.tif 000004
【図３】
2010199137.tif 000005
【図４】
2010199137.tif 000006
【図５】
2010199137.tif 000007
【図６】
2010199137.tif 000008
【図７】
2010199137.tif 000009
【図８】
2010199137.tif 000010
【図９】
2010199137.tif 000011
【図１０】
2010199137.tif 000012
【図１１】
2010199137.tif 000013
【図１２】
2010199137.tif 000014
【図１３】
2010199137.tif 000015
【図１４】
2010199137.tif 000016