(57)【要約】【目的】本発明は、半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード（Quad Flat Non-leaded/QFN) 光電子素子、特には電磁干渉を遮蔽することができる半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード光電子素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体光電子素子は、基板、コントロールチップ、光センサチップ及びモールドコンパウンドを含む。コントロールチップは、前記基板上に配置され、基板と電気的に接続する。光センサチップは基板上に配置され、基板及びセンサチップと電気的に接続する。モールドコンパウンドは、コントロールチップを覆い、モールドコンパウンドの材質は絶縁材料であり、かつ絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされる。【選択図】図１
2010199590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されるとともに前記基板と電気的に接続されるコントロールチップと、
前記基板上に配置されるとともに前記コントロールチップと電気的に接続される光センサチップと、
前記コントロールチップを覆い、材質が絶縁材料であり、かつ前記絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされた第1のモールドコンパウンドとを
含む半導体光電子素子。
【請求項２】
前記導電しない透磁材料が鉄の酸化物を含む請求項1に記載の半導体光電子素子。
【請求項３】
前記導電しない透磁材料が、四三酸化鉄（Fe3O4）、Sr-Fe2O4、磁赤鉄鉱（γ-Fe2O3）、Mn0.5Zn0.5Fe2O4、Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4、或いはMn0.5Ni0.5Fe2O4を含む請求項1に記載の半導体光電子素子。
【請求項４】
前記基板が回路板又はリードフレームである請求項1に記載の半導体光電子素子。
【請求項５】
前記リードフレームがダイパッド及び複数のリードを含み、前記コントロールチップと前記光センサチップが前記ダイパッド上に配置され、かつ前記複数のリードが前記ダイパッドの周囲に位置する請求項4に記載の半導体光電子素子。
【請求項６】
前記コントロールチップと前記光センサチップを覆う第2のモールドコンパウンドを更に含み、前記第2のモールドコンパウンドの材質が透光性のモールドコンパウンドである請求項1に記載の半導体光電子素子。
【請求項７】
前記光センサチップがフォトダイオード又はフォトトランジスタである請求項1に記載の半導体光電子素子。
【請求項８】
上表面と前記上表面に相対する下表面とを有し、複数のリードを含むリードフレームと、
前記リードフレームの前記上表面上に配置されるコントロールチップと、
前記リードフレームの前記上表面上に配置される光センサチップと、
前記コントロールチップと前記光センサチップに接続することで、前記光センサチップと前記コントロールチップを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
前記コントロールチップと前記複数のリードに接続することで、前記コントロールチップと前記複数のリードを電気的に接続する複数の第2のボンディングワイヤと、
前記コントロールチップを覆い、材質が絶縁材料であり、前記絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされた第1のモールドコンパウンドと、
一部の前記リードフレーム、前記コントロールチップ、前記光センサチップ、前記第1のボンディングワイヤと前記複数の第2のボンディングワイヤとを覆い、前記複数のリードの間に充填され、材質が透光性のモールドコンパウンドである第2のモールドコンパウンドとを
含むクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項９】
前記リードフレームが更に、前記コントロールチップと前記光センサチップが上に配置されるとともに前記複数のリードが周囲に位置するダイパッドを含む請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１０】
前記複数のリードが前記ダイパッドと一体成型される請求項9に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１１】
前記第2のモールドコンパウンドが少なくとも一つの第1の定位部を具え、かつ前記第1の定位部が窪み又は開口である請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１２】
更に、前記リードフレームの前記下表面上に配置されて、前記第2のモールドコンパウンドに一部を覆われ、かつ前記リードフレームに相対して離れた表面が露出される金属導電素子を含む請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１３】
前記金属導電素子が、前記金属導電素子の前記リードフレームに相対して離れた前記表面上に配置される第2の定位部を具える請求項12に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１４】
各前記リードが下表面の末端外縁に凹部を具え、前記凹部の形状が円弧形である請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１５】
前記光センサチップが前記第2のモールドコンパウンドを通過した光信号を受信するのに適し、前記光信号の波長範囲が770ナノメートルから1100ナノメートルの間である請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１６】
前記光センサチップが、フォトダイオード又はフォトトランジスタである請求項15に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１７】
前記複数のリードが、出力リードと入力リードを含む請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１８】
前記第2のモールドコンパウンドが可視光帯域の光を吸収するのに適している請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項１９】
前記導電しない透磁材料が鉄の酸化物を含む請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【請求項２０】
前記導電しない透磁材料が、四三酸化鉄（Fe3O4）、Sr-Fe2O4、磁赤鉄鉱（γ-Fe2O3）、Mn0.5Zn0.5Fe2O4、Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4、或いはMn0.5Ni0.5Fe2O4を含む請求項8に記載のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード（Quad Flat Non-leaded/QFN) 光電子素子に関し、且つ特には電磁干渉を遮蔽することができる半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード光電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
公知の赤外線受信モジュール（Infrared receiver Module/IRM）の製造では、赤外線センサ機能を具えた半導体チップ及びコントロールチップを回路基板上に実装し、また半導体チップ及びコントロールチップを電気的に接続して赤外線受信モジュールを構成する。公知技術においては、赤外線受信モジュールの外に鉄ケースを加えて電磁干渉（electromagnetic interference/EMI）を遮蔽する。しかし、鉄ケースを外に加えると、製造工程ステップ、赤外線受信モジュールの体積が増加し、製造コストが高くなる。また、鉄ケースは設計が容易くなく、回路基板上に実装することも容易ではなく、かつ人の手に頼る、或いは特製の作業台に頼って鉄ケースを実装する必要があり、故に実装難度は高く、かつ実装良好率は低くなる。
【０００３】
また、赤外線受信モジュールが使用する回路基板は、高温リフロー（reflow）の要求を満足し、電気・電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限に関する欧州議会及び理事会指令（略称RoHS指令）とハロゲンフリーの環境保護の要求に適合しなければならず、使用される回路基板は制限を受ける。
【０００４】
また、小型化の趨勢に適合するため、回路基板も小サイズ化を達成しなければならず、かつ回路基板上でもセミブラインドホールの設計を必須とし、そうして初めて赤外線受信モジュールの平置き（即ち赤外線センサの半導体チップが上向き）或いは横置き（即ち赤外線センサの半導体チップが左向き又は右向き）してもみな赤外線光を受信することができるという要求を達成することができる。しかし、回路基板が同時に小サイズ及びセミブラインドホールを具えた設計を満足する必要があるのであれば、製造コストが高くなり、またセミブラインドホールは常々残留した金属層を削る必要があり、これも余分な人力コストの増加となる。
【０００５】
赤外線センサ機能を具えた半導体チップを金属リードが折れ出て露出しているリードフレーム上に形成された赤外線受信モジュールに配置すれば、平置き又は横置きでも赤外線センサの半導体チップに赤外光を受信させる要求を満足することができるが、金属リードが折れ出て露出しているリードフレームはその体積と厚みが大きく、現在求められる小型化の目的を達成することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電磁干渉を遮蔽することができる半導体光電子素子を提供する。
【０００７】
本発明は、生産コストを削減することができ、かつ小さなパッケージ体積を具えたクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が提示する半導体光電子素子は、基板、コントロールチップ、光センサチップ及び第1のモールドコンパウンドを含む。コントロールチップは、基板上に配置されるとともに基板と電気的に接続される。光センサチップは、基板上に配置されるともにコントロールチップと電気的に接続される。第1のモールドコンパウンドは、コントロールチップを包み、第1のモールドコンパウンドの材質は絶縁材料であり、かつ絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされる。
【０００９】
本発明の一実施例では、導電しない透磁材料は、鉄の酸化物を含む。
【００１０】
本発明の一実施例では、導電しない透磁材料は、四三酸化鉄（Fe3O4）、Sr-Fe2O4、磁赤鉄鉱（γ-Fe2O3）、Mn0.5Zn0.5Fe2O4、Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4又はMn0.5Ni0.5Fe2O4を含む。
【００１１】
本発明の一実施例では、基板は回路板又はリードフレームである。
【００１２】
本発明の一実施例では、リードフレームは、ダイパッド及び複数のリードを含み、コントロールチップと光センサチップはダイパッド上に配置され、かつリードはダイパッドの周囲に位置する。
【００１３】
本発明の一実施例では、半導体光電子素子は、コントロールチップと光センサチップを覆う第2のモールドコンパウンドを含み、かつ第2のモールドコンパウンドの材質は透光性モールドコンパウンドである。
【００１４】
本発明の一実施例では、光センサチップは、フォトダイオード（photodiode）又はフォトトランジスタ（phototransistor）である。
【００１５】
本発明が提示するクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子は、リードフレーム、コントロールチップ、光センサチップ、第1のボンディングワイヤ、複数の第2のボンディングワイヤ、第1のモールドコンパウンド及び第2のモールドコンパウンドを含む。リードフレームは、上表面と上表面に相対する下表面を具え、かつリードフレームは複数のリードを含む。コントロールチップは、リードフレームの上表面上に配置される。光センサチップは、リードフレームの上表面上に配置される。第1のボンディングワイヤは、コントロールチップと光センサチップに接続することで、光センサチップとコントロールチップを電気的に接続する。第2のボンディングワイヤは、コントロールチップと複数のリードに接続することで、コントロールチップとリードを電気的に接続する。第1のモールドコンパウンドは、コントロールチップを覆い、第1のモールドコンパウンドの材質は絶縁材料であり、かつ絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされる。第2のモールドコンパウンドは、一部のリードフレーム、コントロールチップ、光センサチップ、第1のボンディングワイヤ及び複数の第2のボンディングワイヤを覆い、かつこれらのリードの間に充填され、第2のモールドコンパウンドの材質は、透光性モールドコンパウンドである。
【００１６】
本発明の一実施例では、リードフレームは、更にダイパッドを含む。コントロールチップと光センサチップは、ダイパッド上に配置され、かつリードはダイパッドの周囲に位置する。
【００１７】
本発明の一実施例では、複数のリードの一つとダイパッドが一体成型される。
【００１８】
本発明の一実施例では、第2のモールドコンパウンドは、少なくとも一つの第1の定位部を具え、かつ第1の定位部は窪み又は開口である。
【００１９】
本発明の一実施例では、クワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子は、更に金属導電素子を含む。金属導電素子は、リードフレームの下表面上に配置される。第2のモールドコンパウンドは、一部の金属導電素子を覆い、かつ金属導電素子のリードフレームに相対して離れた表面を露出する。
【００２０】
本発明の一実施例では、金属導電素子は、第2の定位部を具える。第2の定位部は、金属導電素子のリードフレームに相対して離れた表面上に配置される。
【００２１】
本発明の一実施例では、各リードの下表面の末端外縁に凹部を有し、かつ凹部の形状は、円弧形である。
【００２２】
本発明の一実施例では、光センサチップは、第2のモールドコンパウンドを通過した光信号を受信するのに適し、かつ光信号の波長範囲は、770ナノメートルから1100ナノメートルの間である。
【００２３】
本発明の一実施例では、光センサチップは、フォトダイオード（photodiode）又はフォトトランジスタ（phototransistor）である。
【００２４】
本発明の一実施例では、リードは出力リードと入力リードを含む。
【００２５】
本発明の一実施例では、第2のモールドコンパウンドは、可視光帯域の光を吸収するのに適する。
【００２６】
本発明の一実施例では、導電しない透磁材料は、鉄の酸化物を含む。
【００２７】
本発明の一実施例では、導電しない透磁材料は、四三酸化鉄（Fe3O4）、Sr-Fe2O4、磁赤鉄鉱（γ-Fe2O3）、Mn0.5Zn0.5Fe2O4、Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4又はMn0.5Ni0.5Fe2O4を含む。
【００２８】
上記に基づくと、本発明の第1のモールドコンパウンドに導電しない透磁材料がドープされるので、第1のモールドコンパウンドは、磁場とコントロールチップを離して、電磁干渉を遮蔽する効果を達成することができる。また、本発明の光センサチップは、導電特性を具えたリードフレーム上に配置され、かつ第2のモールドコンパウンドは外部接点することができるリードの表面のみを露出するので、本発明のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子は平置き（即ち、光センサチップが上向き）しても、又は横置き（即ち、光センサチップが左向き或いは右向き）しても光センサチップに第2のモールドコンパウンドを通過した光信号を受信させ、かつリードフレームそのものの導電特性を利用して、直接ダイパッド上で接地設計を行うことができ、光電子素子の生産効率を高めるとともに、生産コストの削減と小サイズの目的を達成することができる。
【００２９】
本発明の上記特徴、および利点をより分かり易くするため、以下の実施例を挙げ、添付の図面と併せて詳細に以下の通り説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例の半導体光電子素子を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａのクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を示す底面図である。
【図２Ｃ】図２Ａのクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子の背部立体図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図1は、本発明の一実施例の半導体光電子素子を示す断面図である。図1を参照すると、本実施例の半導体光電子素子10は、基板12、コントロールチップ14、光センサチップ16及び第1のモールドコンパウンド18を含む。本実施例では、基板12は回路板である。コントロールチップ14は、基板12上に配置されるとともに、複数のボンディングワイヤ22を介して基板12と電気的に接続される。光センサチップ16は、基板12上に配置されるとともに、ボンディングワイヤ22を介して、基板12及びコントロールチップ14と電気的に接続される。その他の実施例では、コントロールチップ14と光センサチップ16は、選択的に基板12にフリップチップボンディングすることができる。
【００３２】
光センサチップ16は、光信号を受信するのに適するとともに光信号を電気信号に転換することができ、またこの光信号の波長範囲は、770ナノメートルから1100ナノメートルの間であり、つまり光センサチップ16は、赤外線帯域の光信号を受信するのに適している。コントロールチップ14は、エンコード、デコード及び/又は論理演算機能を具えており、かつコントロールチップ14は、光センサチップ16からの電気信号を受信し、処理するのに適している。つまり、光センサチップ16は、受信した光信号を電気信号に転換して出力し、電気信号は基板12を介してコントロールチップ14に伝えられ、続いてコントロールチップ14は、光センサチップ16が出力した電気信号に対してエンコード、デコード及び/又は論理演算を行うことができる。本実施例では、光センサチップ16は、例えば、フォトダイオード（photodiode）又はフォトトランジスタ（phototransistor）である。
【００３３】
第1のモールドコンパウンド18は、コントロールチップ14及びボンディングワイヤ22を覆い、第1のモールドコンパウンド18の材質は絶縁材料であり、かつ絶縁材料に導電しない透磁材料（図示しない）がドープされ、そのうち導電しない透磁材料は例えば鉄の酸化物であり、例を挙げると、導電しない透磁材料は、四三酸化鉄（Fe3O4）、Sr-Fe2O4、磁赤鉄鉱（γ-Fe2O3）、Mn0.5Zn0.5Fe2O4、Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4、Mn0.5Ni0.5Fe2O4或いは、その他の導電しないが透磁性を具えた材料でもよい。本実施例では、導電しない透磁材料の顆粒直径は約1ミクロンである。
【００３４】
注意すべきことは、本実施例の第1のモールドコンパウンド18に導電しない透磁材料がドープされるので、第1のモールドコンパウンド18は、磁場とコントロールチップ14を離すことができ、電磁干渉を遮蔽する効果を達成することができる。このように、本実施例では、スポットグルーのステップを行うだけで第1のモールドコンパウンド18をコントロールチップ14上に形成して、第1のモールドコンパウンド18を公知技術中の鉄ケースの代わりとし、製造ステップを減らし、半導体光電子素子10の体積を減らし、プロセス歩留まりを高め、製造コストを下げることができる。前述から分かるとおり、本実施例の第1のモールドコンパウンド18は、同時にコントロールチップ14に対して電磁干渉の遮蔽及び水気又は外界環境からの汚染を防止する功用を具えている。
【００３５】
本実施例では、水気又は外界環境から光センサチップ16及びコントロールチップ14が汚染されるのを避けるため、基板12上に第2のモールドコンパウンド20を形成して、第2のモールドコンパウンド20で光センサチップ16、第1のモールドコンパウンド18及びコントロールチップ14を覆ってもよい。また、光信号が第2のモールドコンパウンド20を通過して光センサチップ16に受信されるため、第2のモールドコンパウンド20の材質は透光性のモールドコンパウンドである。その他の図示されていない実施例では、第2のモールドコンパウンド20は、光センサチップ16のみを覆ってもよい(図示しない)。
【００３６】
以下では、基板に替えてリードフレームとしたときの実施例を詳細に説明する。注意すべきは、以下はクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を例としているが、本発明はそれに限定されるものではない。具体的には、本発明の半導体光電子素子は、各種形式のパッケージ構造を採用することができ、クワッドフラットノンリード（QFN)方式のパッケージ構造に限るものではない。注意すべきは、以下の実施例において（クワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子の）素子名称が、図1中の素子名称と同一であるとき、その材質も図1中の素子の材質と同じであり、ここでは再度説明はしない。
【００３７】
図２Ａは、本発明の一実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を示す平面図であり、図２Ｂは、図２Ａのクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子を示す底面図であり、図２Ｃは、図２Ａのクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子の背部立体図である。
【００３８】
図２Ａ、図２Ｂと図２Ｃを同時に参照すると、本実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子100は、リードフレーム110、コントロールチップ120、光センサチップ130、第1のボンディングワイヤ140、複数の第2のボンディングワイヤ150、第1のモールドコンパウンドＭ及び第2のモールドコンパウンド160を含む。
【００３９】
詳細には、リードフレーム110は、上表面112と上表面112に相対する下表面114を具え、かつリードフレーム110は、複数のリード116a〜116cとダイパッド118を含み、そのうちリード116a〜116cはみなダイパッド118の周囲に配置され、かつリード116a〜116cは下表面124の末端外縁にみな形状が例えば円弧形の凹部117を具え、位置決めマークとすることができる。特には、本実施例では、リードフレーム110の材質は金属導電材質でもよく、かつリード116aとダイパッド118は一体成型されるので、ダイパッド118と一体成型されるリード116aは、接地リードとみなすことができる。
【００４０】
コントロールチップ120と光センサチップ130はみなリードフレーム110の上表面112に配置され、かつダイパッド118上に位置する。第1のボンディングワイヤ140は、コントロールチップ120と光センサチップ130の間に接続され、光センサチップ130を第1のボンディングワイヤ140を介してコントロールチップ120と電気的に接続させる。
【００４１】
二つの第2のボンディングワイヤ150はそれぞれコントロールチップ120とリード116bの間及びコントロールチップ120とリード116cの間に接続され、コントロールチップ120を二つの第2ボンディングワイヤ150を介してリード116b、116cと電気的に接続させ、そのうちリード116bは出力リードであり、リード116cは入力リードである。一般的には、入力リードは通常、電力端子であり、主に電気エネルギーをコントロールチップ120上に供給し、コントロールチップ120の使用に供し、出力リードは通常、信号出力端子であり、コントロールチップ120が光信号に対してエンコード、デコード、又は論理演算させた後の信号を出力リードを介して外部回路に電気的に接続することができる。
【００４２】
述べておくべきことは、本発明は、リード116bとリード116cの形態を限定するものではなく、ここで言及しているリード116bは出力リードであり、リード116cは入力リードであるが、その他の実施例において、リード116bも入力リードとすることができ、またリード116cも出力リードとすることができ、それもまた本発明が採用することができる技術案に属すものであり、本発明が保護しようとする範囲を離脱するものではない。
【００４３】
第1のモールドコンパウンドＭは、コントロールチップ120を包む。注意すべきことは、本実施例の第1のモールドコンパウンドＭに導電しない透磁材料がドープされるので、第1モールドコンパウンドＭは、磁場からコントロールチップ120を離して、電磁干渉を遮蔽する効果を達成することができる。
【００４４】
第2のモールドコンパウンド160は、一部のリードフレーム110、コントロールチップ120、光センサチップ130、第1のモールドコンパウンドＭ、第1のボンディングワイヤ140及び二つの第2のボンディングワイヤ150を覆い、かつリード116a〜116cの間を充填し、そのうち第2のモールドコンパウンド160は、リード116a〜116cの下表面124を露出して、外部装置へ電気的に接続する電気的接点とすることができる。本実施例では、第2のモールドコンパウンド160は、例えば、赤色光帯域に近い、光センサチップ130内に進入する大部分の可視光の波長をブロッキングでき、これにより光センサチップ130が光信号を受信するときのノイズを減少させることができる。また、第2のモールドコンパウンド160は、それぞれ第2のモールドコンパウンド160の側辺に位置する二つの第1の定位部162を有し、位置決めマークとして用い、また第1の定位部162は例えば窪み又は開口である。
【００４５】
本実施例では、光センサチップ130は、導電特性を具えたリードフレーム110上に配置され、かつ第2のモールドコンパウンド160は、外部接点とすることができるリード116a〜116cの下表面124のみを露出させるので、本実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子100は、リードフレーム110それ自体の導電できる特性により、リードフレーム110を平置き（即ち、光センサチップ130が上向き）又は横置き（即ち、光センサチップが左向き又は右向き）したときでも光センサチップ130に第2のモールドコンパウンド160を通過した光信号を受信させることができ、また光信号の波長範囲は、770ナノメートルから1100ナノメートルの間である。
【００４６】
また、第2のモールドコンパウンド160は、一部のリードフレーム110を覆い、外部接点とすることができるリード116a〜116cの下表面124のみを露出するので、公知の赤外線受信モジュールに相対して言えば、本実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子100は、小型化の需要に適合することができる。また、本実施例のリードフレーム110は、導電特性を具えているので、直接ダイパッド118に接地設計を行うことができ、別途接地構造を行う必要がなく、コストを節約し、光電子素子の外型の制限を減らすことができる。
【００４７】
また、本実施例のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子100は、更に金属導電素子170を含み、そのうち金属導電素子170は、リードフレーム110の下表面114上に配置され、かつ第2のモールドコンパウンド160が一部の金属導電素子170を覆うとともに、金属導電素子170のリードフレーム110に相対して離れた表面172を露出する。特には、金属導電素子170は、ここでは、ラジエータとして、コントロールチップ120と光センサチップ130が生み出す熱エネルギーを第2のモールドコンパウンド160が覆っていない表面172から放出するのに用いることができる、又は金属導電素子170を接地設計として、第2のモールドコンパウンド160に覆われていない表面172を直接外界と接地することができる。
【００４８】
また、金属導電素子170は、第2の定位部174を具え、そのうち第2の定位部174は、金属導電素子170のリードフレーム110に相対して離れた表面172上に配置され、位置決めマークとしてもよい。クワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子100とその他の外部装置を電気的に接続するとき、金属導電素子170の第2の定位部174により位置決めするほか、第2のモールドコンパウンド160の第1の定位部162又はリード116a〜116cの凹部117により位置決めしてもよい。
【００４９】
まとめると、本発明の第1のモールドコンパウンドに導電しない透磁材料がドープされるので、第1のモールドコンパウンドは、磁場とコントロールチップを離して、電磁干渉を遮蔽する効果を達成することができる。これにより、第1のモールドコンパウンドは、公知技術中の鉄ケースにとって代わることができ、製造ステップを減らして、半導体光電子素子の体積を減らし、プロセス歩留まりを高めて製造コストを下げることができる。
【００５０】
また、本発明の光センサチップは、導電特性を具えたリードフレーム上に配置されており、かつ第2のモールドコンパウンドは外部接点とすることができるリードの表面のみを露出するので、本発明のクワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子は平置き（即ち、光センサチップが上向き）、又は横置き（即ち、光センサチップが左向き或いは右向き）の設計を採用しても光センサチップに第2のモールドコンパウンドを通過した光信号を受信させることができる。また、リードフレームそのものの導電特性を利用して、直接ダイパッド上で接地設計を行うことができ、光電子素子の生産効率を高めるとともに、生産コストの削減と小サイズの目的を達成することができる。
【００５１】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００５２】
10    半導体光電子素子
12    基板
14、120    コントロールチップ
16、130    光センサチップ
18、Ｍ     第1のモールドコンパウンド
20、160    第2のモールドコンパウンド
22    ボンディングワイヤ
100    クワッドフラットノンリード（QFN) 光電子素子
110    リードフレーム
112    上表面
114    下表面
116a〜116c    リード
117    凹部
118    ダイパッド
140    第1のボンディングワイヤ
150    第2のボンディングワイヤ
162    第1の定位部
170    金属導電素子
172    表面
174    第2の定位部  
【図１】
2010199590.tif 000003
【図２Ａ】
2010199590.tif 000004
【図２Ｂ】
2010199590.tif 000005
【図２Ｃ】
2010199590.tif 000006
【外国語明細書】
2010199590000001.pdf