(57)【要約】【課題】失透の発生を抑制するとともに電極の劣化も抑制することのできる、放電ランプ、放電ランプの製造方法、光源装置、及びプロジェクタを提供する。【解決手段】充填物Ｘを有する発光管１１１と、この発光管１１１内に対向配置される電極１１２，１１２と、を備えた放電ランプ１０１である。充填物Ｘが、希ガス、ハロゲンガス、水銀、及び塩化水銀を含んでいる。また、塩化水銀における塩素含有濃度は、５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされる。【選択図】図１
2010009908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充填物を有する発光管と、該発光管内に対向配置される電極と、を備えた放電ランプにおいて、
前記充填物が、希ガス、ハロゲンガス、水銀、及び塩化水銀を含むことを特徴とする放電ランプ。
【請求項２】
前記塩化水銀における塩素含有濃度は、５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、
３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされることを特徴とする請求項１に記載の放電ランプ。
【請求項３】
前記塩化水銀における塩素含有濃度は、６００μｍｏｌ／ｃｍ３以上、
６０００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされることを特徴とする請求項２に記載の放電ランプ。
【請求項４】
前記発光管が、石英から構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の放電ランプ。
【請求項５】
前記電極がタングステンからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の放電ランプ。
【請求項６】
発光管と、該発光管内に対向配置される電極と、を備えた放電ランプの製造方法において、
前記発光管内に充填物として、希ガス、ハロゲンガス、水銀、及び塩化水銀を充填する工程を含むことを特徴とする放電ランプの製造方法。
【請求項７】
前記放電ランプを点灯状態とすることで前記発光管の内面にハロゲン化層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の放電ランプの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の放電ランプと、主反射鏡と、副反射鏡と、を備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光源装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電ランプ、放電ランプの製造方法、光源装置、及びプロジェクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
放電ランプは、石英ガラスからなる発光管の中間部を膨らませて形成された発光部内に、一対のタングステン製の電極がその放電端部を互いに対向させるように配置されるとともに、水銀、臭素、ヨウ素などのハロゲンや、アルゴンガスなどの始動用希ガスが封入されている。この種のランプは、小型且つ高輝度で、長寿命であることが要求される。
【０００３】
ところで、このような放電ランプにおいては、発光管の一部が結晶化することで透明性を失う、いわゆる失透現象が生じることで発光特性が低下するといった問題がある。失透現象は高温状態において特に顕著となる。
【０００４】
そこで、このような失透現象を抑制すべく、内面に１００μｍ以上のハロゲン含有シリカガラス層（以下、ハロゲン化層と称す）を形成することで放電ランプの発光管として好適なシリカガラス材料が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００８−３０９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、ランプ点灯時の高温状態においてランプ内壁に予め形成されているハロゲン化層からハロゲンの一部が発光管内に離脱されるおそれがある。そのため、発光管内のハロゲン総量が初期状態のハロゲン総量に比べて過剰となり、これにより放電ランプにおける電極が過剰に腐食されてしまい劣化する可能性があった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、失透の発生を抑制するとともに電極の劣化も抑制することのできる、放電ランプ、放電ランプの製造方法、光源装置、及びプロジェクタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の放電ランプは、充填物を有する発光管と、該発光管内に対向配置される電極と、を備えた放電ランプにおいて、前記充填物が、希ガス、ハロゲンガス、水銀、及び塩化水銀を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の放電ランプによれば、ランプ発光中の熱により塩化水銀が水銀と塩素に分解され、塩素は発光管の内面側に付着しランプの発光に伴って次第に熱拡散していき、ハロゲン化層（塩素化合物）を形成することとなり、発光管に失透が生じるのを抑制することができる。また、ハロゲン化層の厚みは初期状態で封入される塩化水銀量で規定されるため、ハロゲン化層からハロゲン（塩素）が離脱した場合でも、発光管内に存在するハロゲン総量が変化しないため、ハロゲン（塩素）総量の増加により過剰に電極が腐食されるといったことが防止される。
したがって、発光管の失透及び電極の劣化を抑制することで高い輝度を長期的に確保できるランプを得ることができる。
【０００９】
また、上記放電ランプにおいては、前記塩化水銀における塩素含有濃度は、５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされるのが好ましい。
このようにすれば、発光管内に０．１μｍから５０μｍ程度の厚さで上記ハロゲン化層が形成されるようになる。よって、ハロゲン化層が必要以上に厚く形成されるのを防止できる。
さらに、前記塩化水銀における塩素含有濃度は、６００μｍｏｌ／ｃｍ３以上、
６０００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされるのがより望ましい。
このようにすれば、発光管内に１μｍから１０μｍ程度の厚さで上記ハロゲン化層が形成される。ハロゲン化層の厚さが１μｍ以上とされるため、上述の失透抑制効果を十分に得ることができる。さらに、ハロゲン化層の厚さが１０μｍ以下とされるため、塩素の離脱量を抑えることができる。したがって、上述した発光管の失透及び電極の劣化の抑制効果がより顕著なものとなる。
【００１０】
また、上記放電ランプにおいては、前記発光管が、石英から構成されるのが好ましい。
本発明によれば、上述のように発光管の失透を抑制できるので、発光管の構成材料として失透が生じやすい石英を好適に採用することができる。
【００１１】
また、上記放電ランプにおいては、前記電極がタングステンからなるのが好ましい。
本発明によれば、上述のようにハロゲン化層からの塩素の離脱量を抑えることができるので、電極材料として腐食され易いタングステン電極を好適に採用することができる。
【００１２】
本発明の放電ランプの製造方法は、発光管と、該発光管内に対向配置される電極と、を備えた放電ランプの製造方法において、前記発光管内に充填物として、希ガス、ハロゲンガス、水銀、及び塩化水銀を充填する工程を含むことを特徴とする。また、上記放電ランプの製造方法においては、前記放電ランプを点灯状態とすることで前記発光管の内面にハロゲン化層を形成する工程を含むのが好ましい。
【００１３】
本発明の放電ランプの製造方法によれば、発光管内に充填された充填材の働きにより、ランプの動作時に、発光管の内面側にハロゲン化層（塩素化合物）が形成されて発光管に失透が生じるのを抑制可能なランプを提供できる。ここで、ハロゲン化層の厚みは初期状態で封入される塩化水銀量で規定されるため、ハロゲン化層からハロゲン（塩素）が離脱した場合でも、発光管内に存在するハロゲン総量は変化しないので、ハロゲン総量の増加により電極が過剰に腐食されてしまうことが防止される。
したがって、発光管の失透及び電極の劣化を抑制することで高い輝度を長期的に確保できる放電ランプを製造できる。
【００１４】
本発明の光源装置は、上記放電ランプと、主反射鏡と、副反射鏡と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の光源装置によれば、上述のように発光管の失透及び電極の劣化を抑制した放電ランプを備えるので、高い輝度特性を長期的に確保することのできる信頼性の高い光源装置を得ることができる。
【００１６】
本発明のプロジェクタは、上記光源装置を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明のプロジェクタによれば、高い輝度性能を長期的に確保できる光源装置を備えるので、表示品位が高く信頼性の高いプロジェクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１９】
（光源装置）
図１は、本発明の光源装置に係る一実施形態の概略構成を示す断面図である。図２、３は、放電ランプの動作を説明するための断面構成図である。
図１及び図２において、光源装置１００は、本発明の一実施形態に係る放電ランプ１０１と、リフレクタ１０２（主反射鏡）と、副反射鏡１０３を備えており、不図示のランプハウジング内に収納されている。そして、放電ランプ１０１から放射した光束を、リフレクタ１０２により装置前方（ｘ方向）側に射出方向を揃えて収束光として射出する。
【００２０】
放電ランプ１０１は、石英ガラス（主な組成はＳｉＯ２である）から構成される発光管１１１と、この発光管１１１内に配置される一対のタングステン電極１１２，１１２とを備えている。発光管１１１は、中央部分が球状に膨出した発光部１１１Ａと、発光部１１１Ａの両側に延在する封止部１１１Ｂとからなり、発光部１１１Ａの内部に略球状の放電空間Ｋが形成されている。そして、この放電空間Ｋ内に、一対のタングステン電極１１２，１１２と充填物Ｘが充填されている。
【００２１】
充填物Ｘとしては、希ガス、ハロゲンガス、水銀、塩化水銀を含む。希ガスは、発光を促すために用いられるものであり、特に限定されないが、常用されるアルゴン、キセノンなどを用いることができる。さらに、ハロゲンガスは、塩素、臭素、およびヨウ素のうちのいずれかのハロゲンを用いることができ、例えば臭化水素ガスを用いた。
【００２２】
ここで、塩化水銀における塩素含有量は、５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とするのが好ましく、６００μｍｏｌ／ｃｍ３以上、６０００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされるのがより望ましい。なお、塩化水銀の総量（塩素の総量）は、充填物Ｘに含まれるハロゲン総量（ハロゲン元素の総量）及び水銀の総量に基づいて規定されている。
【００２３】
タングステン電極１１２は、電極軸１１２ａ、放熱用コイル１１２ｂ、及び放電端部Ｃ１（Ｃ２）からなる。放熱用コイル１１２ｂは、導通線である芯線を電極軸１１２ａに巻回することによって作製され、放電端部Ｃ１，Ｃ２は、電極軸１１２ａの一端部をレーザーによって熱溶融することによって熱容量の大きい球状もしくはドーム形状としたものである。電極軸１１２ａと該電極軸１１２ａに巻装された放熱用コイル１１２ｂは、溶融一体化されていてもよいし、放熱用コイル１１２ｂの巻き占め力によって固定されていてもよい。このようなタングステン電極１１２，１１２は、放電空間Ｋ内において、放電端部Ｃ１、Ｃ２同士を対向させ且つ互いに所定間隔をおいて配置されている。
【００２４】
発光管１１１の各封止部１１１Ｂの内部には、タングステン電極１１２と電気的に接続されるモリブデン製の金属箔１１３が挿入され、ガラス材料等で封止されている。この金属箔１１３には、さらに電極引出線としてのニッケル製のリード線１１４が接続され、このリード線１１４は、発光管１１１の外部まで延出している。上述した放電ランプ１０１において、封止部１１１Ｂから外側に延出するリード線１１４に電圧を印加すると、図２に示すようにタングステン電極１１２間で放電が生じ、発光部１１１Ａが発光する。
【００２５】
リフレクタ１０２は、放電ランプ１０１の封止部１１１Ｂが挿通される挿入部１２１およびこの挿入部１２１から拡がる楕円曲面状の反射部１２２を備えたガラス製の一体成形品である。挿入部１２１には、中央に挿入孔１２３が形成されており、この挿入孔１２３の中心に発光管の封止部１１１Ｂが配置される。反射部１２２は、楕円曲面状の反射面１２２Ａに金属薄膜を蒸着形成して構成され、可視光を反射して赤外線を透過するコールドミラーとされている。そして、この反射面１２２Ａの焦点位置と一対のタングステン電極１１２の中心位置とが略一致するように構成されていることが好ましい。なお、リフレクタ１０２の形状は、これに限られず、変更が可能である。
【００２６】
副反射鏡１０３は、反射面１３３Ａを発光部１１１Ａ側に向けてリフレクタ１０２と対向配置されている。この副反射鏡１０３は、放電ランプ１０１の封止部１１１Ｂが挿通される挿入部１３１と、該挿入部１３１から拡がる楕円曲面状の反射部１３２とを備えたガラス製の一体成形品であって、リフレクタ１０２よりも小型の反射部材である。挿入部１３１には、中央に挿入孔１３３が形成されており、この挿入孔１３３の中心に発光管の封止部１１１Ｂが配置される。反射部１３２は、放電空間Ｋの球面に倣う凹曲面状の反射面１３３Ａに金属薄膜を蒸着形成して構成され、リフレクタ１０２と同様にコールドミラーとされている。そして、反射面１３３Ａの２つの焦点位置と、一対のタングステン電極１１２の放電端部Ｃ１、Ｃ２の位置とがそれぞれ略一致するように構成されていることが好ましい。
【００２７】
なお、リフレクタ１０２の反射面１２２Ａ及び副反射鏡１０３の反射面１３３Ａは、楕円曲面だけでなく球面で構成することもできる。
【００２８】
上記リフレクタ１０２及び副反射鏡１０３に放電ランプ１０１を固定する際には、挿入孔１２３及び挿入孔１３３内に無機系接着剤を充填し、リフレクタ１０２及び副反射鏡１０３に放電ランプ１０１の一対の封止部１１１Ｂが水平となるように固定する。
【００２９】
そして、光源装置１００を駆動させると、放電ランプ１０１のタングステン電極１１２間の放電により発生した光が、放電空間Ｋ内の様々な方向へ放射される。発光部１１１Ａから射出された光束の一部は、発光管１１１を透過して副反射鏡１０３へ入射し、その反射面１３３Ａにて反射されて発光部１１１Ａに再度戻される。この戻り光の一部は、リフレクタ１０２側に向けて進み、リフレクタ１０２へ入射した光は、反射部１２２の反射面１２２Ａで反射して所定の方向に射出する。放電ランプ１０１を点灯すると、発光部１１１Ａから放射された光束は、リフレクタ１０２及び副反射鏡１０３により、略コリメート光として所定の方向へ射出される。
【００３０】
ところで、本実施形態に係る放電ランプ１０１は、発光管１１１内に充填される充填物Ｘが上記所定量の塩化水銀を含んでいる。そのため、放電ランプ１０１を点灯させると、タングステン電極１１２間のアーク発生部１１５の熱（約３５００℃）によって塩化水銀が水銀と塩素に分解される。そして、塩素は発光管１１１の内面に付着し、ランプの点灯に伴う発熱によって次第に石英内部に熱拡散していくことで、図３に示されるように発光管１１１の内壁面には所定の厚みのハロゲン化層（塩素化合物）１１６が形成される。
【００３１】
ところで、本実施形態において、塩化水銀における塩素含有量は、上述のように、５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下、より望ましくは６００μｍｏｌ／ｃｍ３以上、６０００μｍｏｌ／ｃｍ３以下とされている。上記ハロゲン化層１１６の膜厚は、初期状態で発光管１１１内に封入される塩化水銀の量で規定され、具体的には、以下の表１に示される。
【００３２】
【表１】
2010009908.tif 000003
【００３３】
表１に示されるように、塩化水銀における塩素含有量が５０μｍｏｌ／ｃｍ３以上、３００００μｍｏｌ／ｃｍ３以下の場合、発光管１１１内には０．１μｍから５０μｍ程度の厚さでハロゲン化層１１６が形成される。また、塩化水銀における塩素含有量が６００μｍｏｌ／ｃｍ３以上、６０００μｍｏｌ／ｃｍ３以下の場合、発光管１１１内には１μｍから１０μｍ程度の厚さでハロゲン化層１１６が形成される。
放電ランプ１０１は、このように発光管１１１の内面にハロゲン化層１１６が形成されることにより、高温状態であっても失透現象の発生が抑制されたものとなる。
【００３４】
また、ランプの発光に伴い、上記ハロゲン化層１１６は、その一部が分解されて塩素が離脱する可能性がある。塩素は、発光管１１１内にて水、および酸素と反応することで塩化水素を生成し、タングステン電極１１２，１１２を腐食するおそれがある。
【００３５】
本実施形態によれば、塩化水銀の総量（塩素の総量）は、充填物Ｘに含まれるハロゲン総量（ハロゲン元素の総量）及び水銀の総量に基づいて規定されている。そのため、発光管１１１内に存在する塩素量は、ランプの駆動に伴って上記ハロゲン化層１１６から塩素が離脱した場合でも変化することがない。よって、ランプの発光時に発光管１１１内で塩素量、すなわち塩化水素量が増加することでタングステン電極１１２，１１２が過剰に腐食されてしまうことを防止できる。
【００３６】
さらに、上記タングステン電極１１２，１１２は、アーク熱によって蒸発するが、発光管１１１内に封入されているハロゲンガス（臭化水素）と結合して発光管１１１内を浮遊した後、再び電極１１２へと戻されることとなる（ハロゲンサイクル）。
【００３７】
以上により、本実施形態に係る放電ランプ１０１は、発光管１１１の内壁面にハロゲン化層１１６が形成されているため、失透が抑制される。さらに、上述のようにタングステン電極１１２，１１２の劣化も抑制することができ、高い輝度を長期的に確保することができる。また、この放電ランプ１０１を備えた光源装置１００は、上述のように発光管１１１の失透及び電極の劣化を抑制した放電ランプ１０１を備えるので、高い輝度特性を長期的に確保することのできる信頼性の高いものとなる。
【００３８】
なお、上述したように失透の抑制及びタングステン電極１１２，１１２の劣化の抑制を両立できる放電ランプ１０１を製造するには、発光管１１１内に塩化水銀を含む上記充填物Ｘを充填する工程と、放電ランプ１０１を点灯状態とすることで発光管１１１の内面にハロゲン化層１１６を形成する工程とを行えばよい。
【００３９】
（プロジェクタ）
図４は、本発明に係るプロジェクタ５００の概略構成を示す。光源装置１００は、上記実施形態で説明したものと同一であるため重複する説明は省略する。
光源装置１００は、赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する。
インテグレータ５０４は、光源装置１００からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子５０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えばＳ偏光光に変換される。Ｓ偏光光に変換された光は、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒに入射する。
【００４０】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー５０７に入射する。
反射ミラー５０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、Ｒ光を画像信号に応じて変調する光変調装置５１０Ｒに入射する。光変調装置５１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブである。なお、ダイクロイックミラーを透過しても、光の偏光方向は変化しないため、光変調装置５１０Ｒに入射するＲ光は、Ｓ偏光光のままの状態である。
【００４１】
光変調装置５１０Ｒは、λ/２位相差板５２３Ｒ、ガラス板５２４Ｒ、第１偏光板５２１Ｒ、液晶パネル５２０Ｒ、及び第２偏光板５２２Ｒを有する。λ/２位相差板５２３Ｒ及び第１偏光板５２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板５２４Ｒに接する状態で配置される。ガラス板５２４Ｒに接することにより、第１偏光板５２１Ｒ及びλ/２位相差板５２３Ｒが、発熱により歪んでしまうという問題を回避できる。
なお、図４において、第２偏光板５２２Ｒは独立して設けられているが、液晶パネル５２０Ｒの射出面や、クロスダイクロイックプリズム５１２の入射面に接する状態で配置しても良い。
【００４２】
光変調装置５１０Ｒに入射したＳ偏光光は、λ/２位相差板５２３ＲによりＰ偏光光に変換される。Ｐ偏光光に変換されたＲ光は、ガラス板５２４Ｒ及び第１偏光板５２１Ｒをそのまま透過し、液晶パネル５２０Ｒに入射する。液晶パネル５２０Ｒに入射したＰ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｒ光がＳ偏光光に変換される。液晶パネル５２０Ｒの変調により、Ｓ偏光光に変換されたＲ光が、第２偏光板５２２Ｒから射出される。このようにして、光変調装置５１０Ｒで変調されたＲ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【００４３】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒで反射されたＧ光とＢ光とは、光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇで反射されたＧ光は、Ｇ光を画像信号に応じて変調する光変調装置５１０Ｇに入射する。光変調装置５１０ＧはＧ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブである。光変調装置５１０Ｇは、液晶パネル５２０Ｇ、第１偏光板５２１Ｇ及び第２偏光板５２２Ｇを有する。
【００４４】
光変調装置５１０Ｇに入射するＧ光は、Ｓ偏光光に変換されている。光変調装置５１０Ｇに入射したＳ偏光光は、第１偏光板５２１Ｇをそのまま透過し、液晶パネル５２０Ｇに入射する。液晶パネル５２０Ｇに入射したＳ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光がＰ偏光光に変換される。液晶パネル５２０Ｇの変調により、Ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第２偏光板５２２Ｇから射出される。このようにして、光変調装置５１０Ｇで変調されたＧ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【００４５】
Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ５０８と、２枚の反射ミラー５０７とを経由して、Ｂ光を画像信号に応じて変調する光変調装置５１０Ｂに入射する。光変調装置５１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブである。
【００４６】
なお、Ｂ光にリレーレンズ５０８を経由させるのは、Ｂ光の光路の長さがＲ光及びＧ光の光路の長さよりも長いためである。リレーレンズ５０８を用いることにより、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇを透過したＢ光を、そのまま光変調装置５１０Ｂに導くことができる。光変調装置５１０Ｂは、λ/２位相差板５２３Ｂ、ガラス板５２４Ｂ、第１偏光板５２１Ｂ、液晶パネル５２０Ｂ、及び第２偏光板５２２Ｂを有する。なお、光変調装置５１０Ｂの構成は、上述した光変調装置５１０Ｒの構成と同様なので、詳細な説明は省略する。
【００４７】
光変調装置５１０Ｂに入射するＢ光は、Ｓ偏光光に変換されている。光変調装置５１０Ｂに入射したＳ偏光光は、λ/２位相差板５２３ＢによりＰ偏光光に変換される。Ｐ偏光光に変換されたＢ光は、ガラス板５２４Ｂ及び第１偏光板５２１Ｂをそのまま透過し、液晶パネル５２０Ｂに入射する。液晶パネル５２０Ｂに入射したＰ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｂ光がＳ偏光光に変換される。液晶パネル５２０Ｂの変調により、Ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第２偏光板５２２Ｂから射出される。光変調装置５１０Ｂで変調されたＢ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
このように、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇとは、光源装置１００から供給される光を、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光に分離する。
【００４８】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２は、２つのダイクロイック膜５１２ａ、５１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜５１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｒ光、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜５１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｂ光、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム５１２は、光変調装置５１０Ｒ、光変調装置５１０Ｇ、及び光変調装置５１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。投写レンズ５１４は、クロスダイクロイックプリズム５１２で合成された光をスクリーン５１６に投写する。これにより、スクリーン５１６上でフルカラー画像を得ることができる。
【００４９】
なお、上述のように、光変調装置５１０Ｒ及び光変調装置５１０Ｂからクロスダイクロイックプリズム５１２に入射される光は、Ｓ偏光光となるように設定される。また、光変調装置５１０Ｇからクロスダイクロイックプリズム５１２に入射される光は、Ｐ偏光光となるように設定される。このようにクロスダイクロイックプリズム５１２に入射される光の偏光方向を異ならせることで、クロスダイクロイックプリズム５１２において各色光用光変調装置から射出される光を有効に合成できる。ダイクロイック膜５１２ａ、５１２ｂは、通常、Ｓ偏光光の反射特性に優れる。このため、ダイクロイック膜５１２ａ、５１２ｂで反射されるＲ光及びＢ光をＳ偏光光とし、ダイクロイック膜５１２ａ、５１２ｂを透過するＧ光をＰ偏光光としている。
【００５０】
プロジェクタ５００は、上述した実施形態の光源装置１００を備えている。光源装置１００は高輝度な照明光を長期に亘って照射することが可能である。そのため、小型、軽量なプロジェクタ５００は、表示品位が高く信頼性の高い投写像を得ることができる。なお、光変調装置として、反射型の液晶パネルやＤＭＤを用いることもできる。
また、プロジェクタの構成は３板式の構成に限られず、単板式の構成、又は本発明の主旨を逸脱しない範囲の構成であれば適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施形態に係る光源装置の全体構成を示す図である。
【図２】本実施形態の放電ランプの概略構成を示す図である。
【図３】放電ランプの駆動時を説明するための概略構成図である。
【図４】プロジェクタの一実施形態に係る構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
Ｘ…充填物、１００…光源装置、１０１…放電ランプ、１０２…リフレクタ、１０３…副反射鏡、１１１…発光管、１１２…タングステン電極、５００…プロジェクタ
【図１】
2010009908.tif 000004
【図２】
2010009908.tif 000005
【図３】
2010009908.tif 000006
【図４】
2010009908.tif 000007