(57)【要約】【課題】シールド板を挿入することによって、デジアナ混在ＩＣのデジタル回路から発生した電磁波ノイズが、シールド板を介して伝搬し、同じデジアナ混在ＩＣのアナログ回路に帰還してしまい、アナログ回路の性能が劣化する。【解決手段】シールド板を伝搬する電磁波ノイズが印加されることで、アナログ回路の性能が劣化するデジアナ混在ＩＣの領域に対向するシールド板の部位に、貫通孔を開設する。  また、貫通孔を覆わない位置であって、デジアナ混在ＩＣの一部を覆う位置に、シールドフレームを持ち運ぶ際に使用するチャッキング平板部を配置する。【選択図】図１
2010287847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル回路とアナログ回路とを含むＩＣが基板上に搭載され、当該ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズの透過を抑制するように前記ＩＣの主表面を覆うシールド板であって、
前記ＩＣの主表面における領域であって、所定の電磁波を受けると前記ＩＣのアナログ回路の性能を低下させる領域に対応する部位に、貫通孔が開設されていることを特徴とする
シールド板。
【請求項２】
基板上に搭載されたＩＣから放出されるノイズを抑制するために当該ＩＣを覆うシールド板であって、
前記ＩＣの表面における領域であって、所定の電磁波を受けると前記ＩＣの性能が劣化する領域に対応する部位に、貫通孔が開設されていることを特徴とする
シールド板。
【請求項３】
デジタル回路と、アナログ信号処理を行うアナログ回路とが組み込まれたＩＣと、
前記ＩＣが配置されている基板と、
前記ＩＣの主表面を覆うように配置された、前記ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズのシールド板とを備える携帯通信端末であって、
前記シールド板は、前記ＩＣの主表面における領域であって、所定の電磁波を受けると前記ＩＣのアナログ回路の性能を低下させる領域に対応する部位に、貫通孔が開設されていることを特徴とする
携帯通信端末。
【請求項４】
携帯通信端末はさらに、
前記基板に立設するシールドフレームとを備え、
前記シールドフレームは、前記ＩＣの側周面を取り囲む壁部と、当該シールドフレームをチャッキングツールでチャックして搬送する際に使用するチャッキング平板部とを有し、
前記壁部の上端側に前記シールド板が取着され、
前記チャッキング平板部は、前記ＩＣと前記シールド板とに挟まれて、前記ＩＣの主表面の一部を覆い、前記領域を覆わない位置に存在していることを特徴とする
請求項３記載の携帯通信端末。
【請求項５】
基板上のＩＣの主表面を覆うように配置され、前記ＩＣが放出する電磁波ノイズの透過を抑制するシールド板に開ける貫通孔の部位を特定する方法であって、
前記ＩＣの主表面における複数の小領域の各々に、スポット的に電磁波を印加する電磁波印加ステップと、
前記電磁波印加ステップにより、複数の小領域の各々に、所定の電磁波を印加している期間毎に、前記ＩＣの性能を測定する性能測定ステップと、
前記性能測定ステップで測定された前記ＩＣの性能毎に、所定の性能を満たしているか否かを判定する性能判定ステップと、
前記性能判定ステップで否定的な判定であった場合毎に、前記ＩＣの性能が満たさないと判定されたところの小領域に対応する前記シールド板の部位を、前記貫通孔の部位であると特定する貫通孔部位特定ステップとからなる
シールド板に開ける貫通孔の部位を特定する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波ノイズを抑制するシールド板、及びシールド板を備える携帯通信端末に関し、特にＩＣから発生する電磁波ノイズをアンテナに帰還しないようにする為のシールド板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯通信端末において、デジタル信号処理を主として担当するデジタルＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）から発生する電磁波ノイズがアンテナに帰還してしまい、携帯通信端末の通信状況が劣化するという現象を避ける為に、デジタルＩＣをシールド板で覆うことによって、デジタルＩＣから発生する電磁波ノイズのアンテナへの帰還を抑制するという対策がなされている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、携帯通信端末は、より多い機能をより小さい端末で実現する為に、複数の部品を一つの部品に統合することで部品点数を削減するという取り組みや、部品間の距離を小さくすることでより小さな容積に部品を実装するという取り組みが行われている。
携帯通信端末の部品であるＩＣに関しても、前述したデジタルＩＣと、通信関係の高周波アナログ信号処理を主として担当するＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：高周波集積回路）とを１つのＩＣ（以降デジアナ混在ＩＣと呼ぶ）に統合する取り組みが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７２０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、デジタルＩＣとＲＦＩＣとを一つのデジアナ混在ＩＣとすることで、デジアナ混在ＩＣのデジタルＩＣ部から発生した電磁波ノイズが、シールド板を介して伝搬し、同じデジアナ混在ＩＣのＲＦＩＣ部にあるＬＮＡ（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）に帰還してしまい、このＲＦＩＣ部の受信感度が劣化してしまうという現象が起こる。
【０００６】
デジアナ混在ＩＣとシールド板との間隔を２ｍｍ以上空けることや、デジアナ混在ＩＣとシールド板との間に電磁波吸収体を挿入することで、この受信感度劣化を改善できることが確認されているが、前者の方法では携帯通信端末の寸法が大きくなってしまうという問題があり、後者の方法では携帯通信端末のコストが上がってしまうという問題がある。
そこで、本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、ＩＣの電磁波ノイズが帰還してしまうことを抑制するシールド板、シールド板を用いた携帯通信端末、及びシールド板に開設する貫通孔の部位を特定する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明に係るシールド板は、デジタル回路とアナログ回路とを含むＩＣが基板上に搭載され、当該ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズの透過を抑制するように前記ＩＣの主表面を覆うシールド板であって、前記ＩＣの主表面における領域であって所定の電磁波を受けると前記ＩＣのアナログ回路の性能を低下させる領域に対応する部位に貫通孔が開設されていることを特徴とする。
【０００８】
ここで、所定の電磁波とは、ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、貫通孔のないシールド板を介して伝搬し、再びＩＣに印加される場合に、ＩＣに再び印加される電磁波によって引き起こされる、ＩＣのアナログ回路への影響を再現するように、強度、周波数等が定められたものである。
【発明の効果】
【０００９】
上述の構成を備える本発明に係るシールド板は、ＩＣの電磁波ノイズが帰還してしまうことを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】内部の構造を示すように一部を切り欠いている、携帯通信端末筺体１００の斜視図である。
【図２】携帯通信端末筺体１００内に収められている構造物の分解斜視図である。
【図３】デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の平面図である。
【図４】デジアナ混在ＩＣ１３０付近について、シールド板１２０の上から平面視した平面図である。
【図５】シールド板１２０を取り除いた、デジアナ混在ＩＣ１３０付近についてシールドフレーム１１０の上から平面視した平面図である。
【図６】デジアナ混在ＩＣ１３０のＡＧＣ値を測定している状況を示す図である。
【図７】貫通孔１４０の部位を特定する方法を示すフローチャートである。
【図８】小領域名とＡＧＣ値との対応関係を示す図である。
【図９】デジアナ混在ＩＣ１３０の電磁波ノイズを測定している状況を示す図である。
【図１０】チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置を特定する方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜実施の形態＞
以下、本発明に係るシールド板、及び携帯通信端末の一実施形態として、貫通孔の開設されたシールド板を用いた携帯通信端末について説明する。
＜概要＞
本実施の形態に係る携帯通信端末は、基板上に配置されたデジアナ混在ＩＣから放出される電磁波ノイズが、アンテナへ帰還して携帯通信端末の通信に及ぼす悪影響を抑制すべく、デジアナ混在ＩＣの全体を覆う位置にシールド板を配置し、基板とシールド板との間に挟まれたデジアナ混在ＩＣを取り囲むようにシールドフレームを配置しているものである。
【００１２】
このシールド板には貫通孔があり、この貫通孔が開いている部位は、デジアナ混在ＩＣのデジタル信号処理を主として担当するデジタル信号処理部から発生した電磁波ノイズが、シールド板の表面を伝搬し、同じデジアナ混在ＩＣの高周波アナログ信号処理を主として担当するＲＦ回路部に帰還しないように、デジアナ混在ＩＣの主表面のうち、電磁波を受けるとＲＦ回路部に悪影響を及ぼしてしまう領域と対向する。
【００１３】
また、シールドフレームには、携帯通信端末の組み立て工程において、シールドフレームを持ち運ぶ為に必要な、吸着盤等で代表されるチャッキングツールによってチャック（吸着）される為に板状構造をしたチャッキング平板部があり、このチャッキング平板部の位置を、ＩＣの主表面のうち、所定の電磁波を受けると当該ＲＦ回路の性能を所定の性能より低下させる領域を除く領域を覆う位置とすることで、チャッキング平板部が、デジアナ混在ＩＣのデジタル信号処理部が発生する電磁波ノイズがシールド板に伝搬することを抑制するシールドを兼用するようになっている。
【００１４】
この携帯通信端末は、波長がそれぞれ約３７５ｍｍ、約１５０ｍｍである８００ＭＨｚ帯や２ＧＨｚ帯の電磁波を通信に用いる。
この波長のサイズに対して、貫通孔のサイズは、高々デジアナ混在ＩＣの主表面のサイズである１２ｍｍ角の正方形程度のサイズにしかならない。従って、通信に使用する電磁波の波長に比べて貫通孔の大きさが十分に小さくなるので、これらの周波数帯の電磁波は、この貫通孔を通り抜けることができない。
＜構成＞
本実施の形態に係る携帯通信端末の構成について、以下図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は、折りたたみ式の携帯通信端末１０００を開いた状態の斜視図であって、携帯通信端末筺体１００の一部分について、内部の構造を示すように切り欠いて表現している。
図２は、携帯通信端末筺体１００内に収められている構造物の分解斜視図である。
同図からわかるように、基板１５０は、表面に電子部品を配置し、電子部品の端子間を電気的に接続する回路基板である。
【００１６】
シールド板１２０は、厚さ０．１ｍｍの金属板であって、基板１５０上に配置されたデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面全体を覆う位置に配置されている。
シールド壁部１１０Ａは基板１５０に立設する金属製の高さ１．３ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの壁であって、基板１５０とシールド板１２０との間に挟まれてデジアナ混在ＩＣ１３０を取り囲んでいる。
【００１７】
シールド板１２０には、所定部位に貫通孔１４０が開設されている。貫通孔１４０の部位については後述する。
チャッキング平板部１１０Ｂは、携帯通信端末１０００の組み立て工程において、シールドフレーム１１０を持ち運ぶ為に必要な吸着盤等によって吸着を容易にする為に、板状構造をしている。
【００１８】
この組み立て工程において必要なチャッキング平板部１１０Ｂを、デジアナ混在ＩＣ１３０とシールド板１２０との間の位置にくるようにすることで、デジアナ混在ＩＣ１３０のデジタル信号処理部が発生する電磁波ノイズが、シールド板１２０に伝搬することを抑制している。チャッキング平板部１１０Ｂと、デジアナ混在ＩＣ１３０との位置関係については後述する。
【００１９】
シールドフレーム１１０は、基板１５０のグラウンド配線にはんだ付けすることで固定され、シールド板１２０は４０個の突起をシールドフレーム１１０にある４０個の差し込み口にはめ込むことで固定され、シールドフレーム１１０とシールド板１２０の電位は基板のグラウンド電位となっている。
アンテナ２２０は、携帯通信端末１０００と基地局との間での無線通信の行う為のアンテナであって、アンテナ接続モジュール２１０を介して、基板１５０に接続されている。
【００２０】
基板１５０と、シールドフレーム１１０と、シールド板１２０とでデジアナ混在ＩＣ１３０を取り囲む構造とすることによって、デジアナ混在ＩＣ１３０のデジタル信号処理部が放出する電磁波ノイズが、アンテナ２２０に帰還しないようになっている。
以下、デジアナ混在ＩＣ１３０と、シールド板１２０にあいている貫通孔１４０と、チャッキング平板部１１０Ｂとの位置関係について図３〜図５を用いて説明する。
【００２１】
図３はデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を、仮想的に１６個の小領域に区分していることを示す図である。
仮想的に区分とは、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を現実的には区分していないが、電磁波脆弱領域を探索する処理をする場合は、各小領域毎に探索できることをシステム的に保証していることをいう。
【００２２】
デジアナ混在ＩＣ１３０は、主表面が１辺１２ｍｍの正方形で、高さが１．０ｍｍの直方体である。この主表面を１辺３ｍｍの正方形であるＡ〜Ｐの名前をつけた１６個の小領域に仮想的に区分し、これらの小領域の各々にスポット的に電磁波を印加する。
図４は基板１５０上に、デジアナ混在ＩＣ１３０と、シールドフレーム１１０と、シールド板１２０とを組み立てた状態を、シールド板１２０の上から見た平面図である。
【００２３】
貫通孔領域４１０は、デジアナ混在ＩＣ１３０の小領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅからなる領域で、所定の電磁波を印加されると、デジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦＩＣ部の性能を所定以下にさせる脆弱領域である。
貫通孔１４０は、貫通孔領域４１０に対向する位置に開設されている貫通孔であり、貫通孔領域４１０と同じ形状になるように、金属板打抜き加工装置により数十μｍの精度で穿設されている。
【００２４】
図４では、貫通孔１４０と貫通孔領域４１０との関係をわかりやすくする為に、貫通孔１４０が貫通孔領域４１０より少し大きくなるように強調して表現しているが、実際には、上述した通り、同じ大きさとなっている。
貫通孔領域４１０が、デジアナ混在ＩＣ１３０の小領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅからなると特定する方法については、後述する。
【００２５】
チャッキング平板部１１０Ｂは、図４で示すように、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面のうち、貫通孔領域４１０よりも右上の部位を覆う位置に配置することで、貫通孔領域４１０を覆わないようになっている。
チャッキング平板部１１０Ｂとデジアナ混在ＩＣ１３０との位置関係の詳細は、以下図５を用いて説明する。
【００２６】
図５は、図４で示されている状態から、シールド板１２０を取り除いた状態を、シールドフレーム１１０の上から見た平面図であって、シールドフレーム１１０に遮られて直接見ることができないデジアナ混在ＩＣの部分を破線で表記している。
チャッキング平板部１１０Ｂは、厚さ０．２ｍｍで、デジアナ混在ＩＣの小領域Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐの全ての領域と、小領域Ｎ、Ｊ、Ｆ、Ｇ、Ｈの一部の領域とを覆う位置に配置されている。
【００２７】
チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置が、上述する位置であると特定する方法については、後述する。
左腕部１１０Ｃと右腕部１１０Ｄは、厚さ０．２ｍｍでチャッキング平板部１１０Ｂからそれぞれ左右に伸びてシールド壁部１１０Ａに接続し、シールドフレーム１１０の強度を補強する為の補強材である。
＜貫通孔を作成する方法＞
以下、貫通孔１４０の部位を特定する特定者が、手作業によって貫通孔１４０の部位を特定し、シールド板１２０に貫通孔１４０を開設する工作者が、特定した貫通孔１４０の部位に、数十μｍの誤差で金属板に穴をあけることができる金属板打抜き加工装置を使って、穴を開ける方法について図を用いて説明する。
【００２８】
図６は、携帯通信端末１０００の動作に影響がないように加工して、携帯通信端末筺体１００の一部に穴を開けて、図１に示す携帯通信端末１０００のシールド板１２０と図１のシールドフレーム１１０とを取り除いた状態で、携帯通信端末１０００の電源を入れて、携帯通信端末１０００の性能を測定している状況を示す図である。ただし、ここでは説明をわかりやすくするために、携帯通信端末筺体１００の一部に開けた穴の大きさを、大きく強調して記述してある。穴を開ける代わりに、例えば携帯通信端末筺体１００の上蓋を取り外すこととしても構わない。
【００２９】
シグナルジェネレータ５２０は、周波数と強度とを設定して電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、ここでは、このシグナルジェネレータ５２０により、棒状アンテナ５１０の先端から、８７０ＭＨｚの周波数で−５０ｄＢｍの強度を持った電磁波を発生させるように設定している。
この設定は、シールド板１２０に貫通孔１４０がない場合に、デジアナ混在ＩＣ１３０のデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、シールド板１２０を介して伝搬することで再びデジアナ混在ＩＣ１３０に印加されるとき、この再び印加される電磁波によってデジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部への影響を再現するように、決められた設定である。
【００３０】
棒状アンテナ５１０は、シグナルジェネレータ５２０が発生した電磁波を、ケーブル５５０を介して受信し、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の小領域の各々に個別に印加することができる。
コネクタ５４０は、携帯通信端末１０００を構成する部品を調整するために、携帯通信端末筺体１００の下部にあるソケットに接続することで、携帯通信端末１０００の外部に、携帯通信端末１０００を構成する部品の情報を出力する。
【００３１】
デジアナ混在ＩＣ１３０は、デジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部にあるＬＮＡが使用している、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：自動ゲイン制御）値を出力するＡＧＣ値出力端子を備えており、このＡＧＣ値出力端子の出力であるＡＧＣ値を、基板１５０と携帯通信端末筺体１００のソケットを介して、コネクタ５４０が出力できるようになっている。
【００３２】
コネクタ５４０が出力するＡＧＣ値は、ケーブル５６０を介してＡＧＣ値表示装置５３０に送られ、ＡＧＣ値表示装置５３０は、受け取ったＡＧＣ値を表示する。
このＡＧＣ値は、強度−９０ｄＢｍを基準にして、基準とのレベル差をｄＢ換算して表示される値であって、このＡＧＣ値が大きいほど、デジアナ混在ＩＣのＲＦ回路部の性能の劣化が大きいということを示している。
【００３３】
上述した構成を取ることによって、特定者は、棒状アンテナ５１０を操作して、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面における小領域の各々に、特定の電磁波を印加した状態で携帯通信端末１０００を動作させた時の、デジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部にあるＬＮＡが使用するＡＧＣ値を、ＡＧＣ値表示装置５３０で表示させることができる。
図７は、特定者がシールド板１２０に開設する貫通孔１４０の部位を特定するフローチャートである。
【００３４】
特定者は、携帯通信端末１０００の電源を入れて携帯通信端末１０００を起動し、基地局からの待ち受け状態である受信モードに設定する（ステップＳ１００）。
次に特定者は、図３に示すようにデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を仮想的にＡ〜Ｐの１６個の小領域に区分していることを拡大して示す図である仮想区分図を見て、小領域区分図上の小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域に、棒状アンテナ５１０を操作して８７０ＭＨｚの周波数で−５０ｄＢｍの強度を持った電磁波を印加する。
【００３５】
電磁波を印加している状態でＡＧＣ値表示装置５３０が表示するＡＧＣ値を測定し、測定したＡＧＣ値を記録する（ステップＳ１１０）。
小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のＡＧＣ値の記録が終わると、小領域区分図の小領域Ｂに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のＡＧＣ値を、同様の方法で測定して記録する（ステップＳ１２０：Ｙｅｓ、ステップＳ１３０、ステップＳ１１０）。
【００３６】
アルファベット順に従って順番に、小領域区分図上の各小領域に相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のＡＧＣ値を測定して記録し（ステップＳ１２０：Ｙｅｓ、ステップＳ１３０、ステップＳ１１０を繰り返す）、小領域Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のＡＧＣ値の測定と記録が終わると（ステップＳ１２０：Ｎｏ）、ＡＧＣ値測定を終了する。
【００３７】
特定者は、小領域毎に記録したＡＧＣ値が、所定のＡＧＣ値以上であるか否かを判定し、所定のＡＧＣ値以上である小領域を、デジアナ混在ＩＣ１３０が所定の性能を満たしていない小領域であると判定し、貫通孔領域と特定する（ステップＳ１４０）。
最後に、特定者は、貫通孔領域と対向するシールド板の部分を、貫通孔の部位であると特定する（ステップＳ１５０）。
【００３８】
以下、所定のＡＧＣ値が１０ｄＢであって、ＡＧＣ値が１０ｄＢ以上である小領域が、小領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅである場合を例として、貫通孔の部位を特定する方法を説明する。
特定者は、携帯通信端末１０００を起動し（ステップＳ１００）、上述したように、各小領域に相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のＡＧＣ値を、小領域Ａからアルファベット順に小領域Ｐまで測定して記録する（ステップＳ１１０、ステップＳ１２０：Ｙｅｓ、ステップＳ１３０を繰り返し、最後にステップＳ１２０：Ｎｏ）。
【００３９】
図８は、特定者が、小領域Ａ〜Ｐの各々について、測定して記録したＡＧＣ値を一覧表にまとめた図であって、図中の「貫通孔領域の一部」の欄には、測定されたＡＧＣ値が１０ｄＢ以上の場合に○、１０ｄＢ未満の場合に×を記入している。
ここで、特定者は図８に示されるように、ＡＧＣ値が１０ｄＢ以上である貫通孔領域４１０が、小領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅであるので、図４の貫通孔領域４１０を、小領域ＡとＢとＣとＥとによって構成される領域であると特定し（ステップＳ１４０）、この貫通孔領域４１０に対向するシールド板の部分を、貫通孔１４０の部位であると特定する（ステップＳ１５０）。
【００４０】
上述した方法により、貫通孔１４０の部位が、シールド板１２０に貫通孔１４０がない場合に、デジアナ混在ＩＣ１３０のデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、シールド板１２０を介して伝搬することで再びデジアナ混在ＩＣ１３０に印加されるとき、この再び印加される電磁波によってデジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部への影響が１０ｄＢ以上になる部分に対向する、シールド板１２０の部位であると特定することができる。
【００４１】
その後、工作者は、精度数十μｍで金属板を打ち抜き加工することができる金属板打抜き加工装置に、特定者が特定した貫通孔１４０の部位を示すシールド板１２０上の座標を入力し、シールド板１２０に対して入力された座標部分を打ち抜き加工することで、貫通孔１４０は、数十μｍの精度で貫通孔領域４１０と同じ形状となる、貫通孔１４０を作成する。
＜チャッキング平板部を配置する位置を特定する方法＞
以下、チャッキング平板部１１０Ｂの配置する位置を特定する特定者が、手作業によってチャッキング平板部１１０Ｂの配置する位置を特定し、シールドフレームを作成する工作者が、特定された位置にチャッキング平板部１１０Ｂを作成する方法について図を用いて説明する。
【００４２】
図９は、携帯通信端末１０００の動作に影響がないように加工して、携帯通信端末筺体１００の一部に穴を開けて、図１に示す携帯通信端末１０００のシールド板１２０と図１のシールドフレーム１１０とを取り除いた状態で、携帯通信端末１０００の電源を入れて、デジアナ混在ＩＣ１３０の放出する電磁波を測定している状況を示す図である。ただし、ここでは図６と同様に、説明をわかりやすくするために、携帯通信端末筺体１００の一部に開けた穴の大きさを、大きく強調して記述してある。穴を開ける代わりに、例えば携帯通信端末筺体１００の上蓋を取るとしても構わない。
【００４３】
スペクトラムアナライザ６１０は、入力された電気信号を、横軸を周波数、縦軸を電力とする二次元のグラフとして画面に表示することができる装置であって、ケーブル６４０から入力された電磁波の周波数と電力とを二次元のグラフとして画面上に表示する。
棒状アンテナ６５０は、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面上の小領域の各々から放出される電磁波を受信し、受信した電磁波を、ケーブル６３０を介してアンプ６２０へ送信する。
【００４４】
アンプ６２０はケーブル６３０から送られてきた電磁波を利得２０ｄＢｍで増幅してケーブル６４０へ出力する。
上述した構成によって、特定者は、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面における小領域の各々から放出される電磁波を、スペクトラムアナライザ６１０で視覚的に確認することができる。
【００４５】
以下、チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置を特定する特定者が、手作業によってチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置を特定し、シールドフレームを作成する工作者が、特定したチャッキング平板部１１０Ｂの位置に、チャッキング平板部を配置したシールドフレームを作成する方法について図を用いて説明する。
図１０は、特定者が手作業によってチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置を特定する方法を示すフローチャートである。
【００４６】
特定者は、携帯通信端末１０００の電源を入れて携帯通信端末１０００を起動し、基地局からの待ち受け状態である受信モードに設定する（ステップＳ２００）。
次に特定者は、図３に示すようにデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を仮想的にＡ〜Ｐの１６個の小領域に区分されたことを拡大して示す図である仮想区分図を見て、棒状アンテナ６５０を操作して、小領域区分図上の小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面から放出される電磁波を、スペクトラムアナライザ６１０の画面にて目視にて確認する（ステップＳ２１０）。
【００４７】
特定者は、小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の領域からは所定の強度以上の強度の電磁波が放出されていることを確認する（ステップＳ２２０：Ｙｅｓ）と、小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域が貫通孔領域４１０の一部であるか、又は貫通孔領域４１０に隣接する小領域であるかを確認し、貫通孔領域４１０でもないし、貫通孔領域４１０に隣接する小領域でもない場合（ステップＳ２２５：Ｙｅｓ）に、小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域をチャッキング領域の一部と特定して記録（ステップＳ２３０）する。
【００４８】
小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の領域からは所定の強度以上の強度の電磁波が放出されていることを確認しない場合（ステップＳ２２０：Ｎｏ）と、小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域が貫通孔領域４１０の一部であるか、又は貫通孔領域４１０に隣接する小領域である場合（ステップＳ２２５：Ｎｏ）とには、小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域をチャッキング領域の一部と特定しない。
【００４９】
小領域Ａに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域から所定の強度以上の強度の電磁波が放出されているか否かの確認が終わると、アルファベット順に従って順番に、小領域区分図上の各小領域に相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域から所定の強度以上の強度の電磁波が放出されているか否かの確認を行い（ステップＳ２４０：Ｙｅｓ、ステップＳ２５０、ステップＳ２１０、ステップＳ２２０、ステップＳ２２５、ステップＳ２３０を繰り返す）、小領域Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域から所定の強度以上の強度の電磁波が放出されているか否かの確認が終わると（ステップＳ２４０：Ｎｏ）、電磁波の測定を終了する。
【００５０】
特定者は、デジアナ混在ＩＣの主表面の領域のうち、チャッキング領域の一部と特定した領域の全てを覆う位置を、チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置だと特定する（ステップＳ２６０）。
以下、所定の電磁波の強度以上の強度の電磁波を放出する小領域に相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域が、小領域Ｄ、Ｇ、Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域である場合を例として、チャッキング平板部を配置する位置を特定する方法を説明する。
【００５１】
特定者は、携帯通信端末１０００を起動し（ステップＳ２００）、上述したように、各小領域に対応するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域が放出する電磁波を、小領域Ａからアルファベット順に小領域Ｐになるまで確認していく（ステップＳ２１０〜ステップＳ２５０を繰り返し、最後はステップＳ２４０：Ｎｏ）。
このとき、小領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｆ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｍ、Ｎに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域は、所定の強度以上の強度の電磁波が放出されていることを確認しない（ステップＳ２２０：Ｎｏ）ので、チャッキング領域の一部であると特定されることはない。
【００５２】
小領域Ｄ、Ｇに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域は、貫通孔領域４１０に隣接する小領域である（ステップＳ２２５：Ｎｏ）ので、チャッキング領域の一部であると特定されることはない。
小領域Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域は、所定の強度以上の強度の電磁波が放出されていることを確認され（ステップＳ２２０：Ｙｅｓ）、貫通孔領域４１０でもないし、貫通孔領域４１０に隣接する小領域でもないので（ステップＳ２２５：Ｙｅｓ）、チャッキング領域の一部であると特定される。
【００５３】
小領域Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域が、チャッキング領域の一部であると特定されたので、図５のチャッキング平板部１１０Ｂの位置のように、小領域Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域の全てを覆う位置をチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置と特定する（ステップＳ２６０）
図５では、チャッキング平板部１１０Ｂが、小領域Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｊ、Ｎに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域の一部も覆うとしているが、小領域Ｋ、Ｌ、Ｏ、Ｐに相当するデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の領域のみを覆うとしても構わない。
【００５４】
上述した方法により、貫通孔領域４１０とその隣接領域とを覆わない位置のうち、電磁波ノイズを発生する小領域を覆う位置を、チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置と特定する。
これによって、デジアナ混在ＩＣ１３０が発生する電磁波ノイズがシールド板１２０に伝搬することを抑制する位置にチャッキング平板部１１０Ｂを配置することができ、しかも、チャッキング平板部１１０Ｂは貫通孔領域４１０を覆う位置に配置されない為、デジアナ混在ＩＣが発生する電磁波ノイズがチャッキング平板部１１０Ｂを介して伝搬して、再び貫通孔領域４１０に印加されることのない位置を、チャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置だと特定することができる。
【００５５】
その後、工作者は、特定者が特定したチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置通りに、シールドフレーム１１０の金型を作成し、この金型を使ってシールドフレーム１１０を作成することで、特定者が特定したチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置に、チャッキング平板部１１０Ｂを配置したシールドフレームを作成する。
上述の構成を備えるシールド板は貫通孔が開設され、この貫通孔に対応するＩＣの主表面における領域は、所定の電磁波を受けると当該ＩＣのＲＦ回路等のアナログ回路の性能を低下させる領域となっている。
【００５６】
シールド板に貫通孔を開設することによって、貫通孔に対向する予定のＩＣの主表面の領域には、ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、当該ＩＣを覆う前記シールド板を介して伝搬しない。
従って、所定の電磁波を受けるとＩＣのアナログ回路の性能を低下させる領域への、ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズの、シールド板を介した伝搬量を抑制することができるようになり、ＩＣのアナログ回路の性能が所定の性能より低下することを抑制するシールド板を提供することができる。
【００５７】
このシールド板を、例えばデジアナ混在ＩＣを搭載した携帯通信端末のシールド板として使用することで、デジアナ混在ＩＣとシールド板との間隔を２ｍｍ以上空ける必要がなく、デジアナ混在ＩＣとシールド板との間に電磁波吸収体を挿入する必要がないため、携帯電話端末の寸法を大きくすることなく、そして、携帯通信端末のコストを上昇させることのない、シールド板を提供することができるという効果を有する。
＜補足＞
以上、本発明に係るシールド板と携帯通信端末の一実施形態として、貫通孔のあるシールド板とチャッキング平板部のあるシールドフレームとを用いた携帯通信端末について、及び、本発明にかかるシールド板作成方法の一実施形態として、携帯通信端末に用いるシールド板の貫通孔の位置を特定する方法について説明したが、以下のように変形することも可能であり、本発明は上述した実施の形態で示した通りのシールド板、携帯通信端末、及び、シールド板作成方法に限られないことはもちろんである。
（１）実施の形態において、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を仮想的に１６個の正方形の小領域Ａ〜Ｐに区分したとして説明したが、これ以外の個数、形状の小領域に仮想的に区分しても構わない。
【００５８】
１６個よりも多い小領域に区分すれば、よりきめ細かに貫通孔を開設する部位を特定することができる。
また、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の大きさと、棒状アンテナ５１０の大きさとの関係や、棒状アンテナ５１０の性能、デジアナ混在ＩＣ１３０の構成等で、小領域の個数を多くしても実質的に意味がない場合もあり、このような場合等には、１６個より少ない数であっても十分な精度で貫通孔を開設する部位を特定することができる。
【００５９】
小領域の形状については、デジアナ混在ＩＣ１３０の形状と棒状アンテナ５１０の形状との関係等により、正方形以外の形状の方が、よりきめ細かに貫通孔を開設する部位を特定することができる場合もあり、このような場合等には、正方形以外の形状であっても十分な精度で貫通孔を開設する部位を特定することができる。
（２）実施の形態において、貫通孔１４０の形状としてＬ字型の形状になる場合について説明したが、デジアナ混在ＩＣ１３０の主表面を区分する小領域の形状や個数、デジアナ混在ＩＣ１３０の形状や内部構成等によって、貫通孔１４０を開設する部位が決定される為、Ｌ字型以外の様々な形状を取る可能性があり、結果的に、貫通孔１４０の形状としてＬ字型の形状に限られず、場合によっては、貫通孔が複数の場合もあり得る。
（３）実施の形態において、チャッキング平板部１１０Ｂの位置として、チャッキング領域を全て覆う位置としたが、チャッキング領域の全てではなくて、一部を覆う位置としても構わない。
【００６０】
チャッキング領域を全て覆うほうが、デジアナ混在ＩＣ１３０が放出する電磁波をシールドする効果が、より顕著になるが、チャッキング領域の全てではなくて、一部を覆うとするだけでも、デジアナ混在ＩＣ１３０が放出する電磁波をシールドする効果をもたらす為、組み立て工程の制約等の理由で、チャッキング平板部１１０Ｂの位置が、チャッキング領域の全てではなくて、一部を覆う位置のほうが好ましい場合もあり得る。
（４）実施の形態において、シグナルジェネレータ５２０の設定は、棒状アンテナ５１０からデジアナ混在ＩＣ１３０の主表面の小領域の各々に向けて、８７０ＭＨｚの周波数で、−５０ｄＢｍの強度を持った電磁波を発生させるよう設定されているとして説明したが、これらの値に限られない。例えば２ＧＨｚの周波数で、−５０ｄＢｍの強度を持った電磁波を発生させるように設定しても構わない。
【００６１】
この際、設定すべき電磁波の周波数と強度としては、シールド板に貫通孔がないことを仮定した場合であって、デジアナ混在ＩＣ１３０のデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、貫通孔のないシールド板を介して伝搬し、再びデジアナ混在ＩＣ１３０に印加されるときに、デジアナ混在ＩＣ１３０に再び印加される電磁波によって引き起こされるデジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部への影響を再現する周波数と強度になるような設定であれば、どのように設定しても構わない。
（５）実施の形態において、小領域が貫通孔領域の一部であるか否かを決定する指標として、ＬＮＡが用いるＡＧＣ値であって、強度−９０ｄＢｍを基準にして、基準とのレベル差をｄＢ換算して１０ｄＢである値としたが、１０ｄＢ以外の値を指標として用いても構わないし、これ以外の手法で決定されたＡＧＣ値を指標としても構わないし、さらには、ＡＧＣ値以外であっても、デジアナ混在ＩＣ１３０のＲＦ回路部の性能の劣化の大きさを示す指標であれば、どのような指標であっても構わない。
（６）実施の形態において、貫通孔領域４１０に隣接する小領域でないことが、チャッキング領域であるための必要条件であったが、この条件を用いないとしても構わない。
【００６２】
結果的にデジアナ混在ＩＣ１３０が発生する電磁波ノイズがチャッキング平板部１１０Ｂを介して伝搬して、再び貫通孔領域４１０に印加されることのない位置を、チャッキング平板部１１０Ｂの位置と特定することができれば、どのような条件を必要条件としても構わない。
（７）実施の形態において、シールド板１２０とシールドフレーム１１０の材質として金属として説明したが、電磁波の透過を抑制する材質であれば、金属以外の材質であっても構わない。
（８）実施の形態において、貫通孔１４０の形状は、数十μｍの精度で貫通孔領域４１０と同じ形状となるとしたが、チャッキング領域に対向する部位を含まなければ、対象となる電磁波の波長に比べて十分に小さい大きさの範囲内で、貫通孔領域４１０よりも大きな形状になるとしても構わない。
【００６３】
貫通孔領域４１０よりも大きな形状となる場合は、デジアナ混在ＩＣ１３０が発生する電磁波ノイズがチャッキング平板部１１０Ｂを介して伝搬して、再び貫通孔領域４１０に印加される電磁波が増えることもないし、電磁波を発生させる領域であるチャッキング領域に貫通孔１４０が対向する部分を含まなければ、電磁波の波長に比べて貫通孔１４０が十分に小さい大きさなので、貫通孔１４０を通って電磁波が通り抜けてしまうこともない。
（９）実施の形態において、特定者が手作業によって貫通孔１４０の部位を特定する場合について説明したが、ソフトウエアで記述されたプログラムに従って動作する装置等を用いて、全てもしくは一部を自動的に処理するようにしても構わない。また、特定者が手作業によってチャッキング平板部１１０Ｂを配置する位置を特定する場合について説明したが、ソフトウエアで記述されたプログラムに従って動作する装置等を用いて、全てもしくは一部を自動的に処理するようにしても構わない。
（１０）実施の形態において、シールドフレーム１１０には、強度を補強する為の補強材として、左腕部１１０Ｃと右腕部１１０Ｄを備えているとして説明したが、補強材を備えていなくても構わないし、これ以外の形状の補強材を備えていても構わない。
（１１）実施の形態において、シールド板１２０の厚さは０．１ｍｍ、チャッキング平板部１１０Ｂの厚さは０．２ｍｍ、シールド壁部１１０Ａの高さは１．３ｍｍ、厚さ０．２ｍｍとしたが、これ以外の大きさであっても構わない。
（１２）実施の形態において、携帯通信端末１０００にシールド板１２０を用いる場合を例として説明したが、携帯通信端末以外の機器に用いても構わない。
【００６４】
例えば、医療機器等の、特定の部位に電磁波ノイズを受けることで不都合が生じるような機器において、電磁波ノイズを放出するデジアナ混在ＩＣがある場合等に、この機器にシールド板１２０を用いる場合等が考えられる。
（１３）携帯通信端末は、デジタル回路と、アナログ信号処理を行うアナログ回路とが組み込まれたＩＣと、前記ＩＣが配置されている基板と、前記ＩＣの主表面を覆うように配置された、前記ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズのシールド板とを備える携帯通信端末であって、前記シールド板は、前記ＩＣの主表面における領域であって、所定の電磁波を受けると前記ＩＣのアナログ回路の性能を低下させる領域に対応する部位に、貫通孔が開設されていることを特徴としてもよい。
【００６５】
上述の構成を備える携帯通信端末が備えるシールド板は貫通孔を開設され、この貫通孔に対応するＩＣの主表面における領域は、所定の電磁波を受けると当該ＩＣのアナログ回路の性能を所定の性能より低下させる脆弱領域となっている。
シールド板に貫通孔を開設することによって、シールド板が有する貫通孔に対応するＩＣの主表面の領域には、ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズが、当該ＩＣを覆う前記シールド板を介して伝搬しない為、所定の電磁波を受けるとＲＦ回路の性能を所定以下に低下させる領域への、ＩＣのデジタル回路が放出する電磁波ノイズの、シールド板を介した伝搬量を抑制することができるようになり、ＲＦ回路の性能が所定の性能より低下することを抑制する携帯通信端末を提供することができるという効果を有する。
（１４）携帯通信端末はさらに、前記基板に立設するシールドフレームとを備え、前記シールドフレームは、前記ＩＣの側周面を取り囲む壁部と、当該シールドフレームをチャッキングツールでチャックして搬送する際に使用するチャッキング平板部とを有し、前記壁部の上端側に前記シールド板が取着され、前記チャッキング平板部は、前記ＩＣと前記シールド板とに挟まれて、前記ＩＣの主表面の一部を覆い、前記領域を覆わない位置に存在していることを特徴としても良い。
【００６６】
ここでチャッキング平板部とは、携帯通信端末の組み立て工程において、シールドフレームを搬送する際に必要な、吸着盤等で代表されるチャッキングツールによってチャック（吸着）される為に板状構造をしたシールドフレームの一部分のことである。
これにより、チャッキング平板部が覆う領域が、ＩＣの主表面のうち、所定の電磁波を受けると当該ＲＦ回路の性能を所定の性能より低下させる領域を除く領域とすることによって、ＩＣからシールド板へ伝搬する電磁波ノイズを抑制することができるという効果を有し、また、壁部がＩＣを取り囲むことによって、アンテナへ帰還する電磁波ノイズをより抑制することができるという効果を有する。
【００６７】
さらに、携帯通信端末の組み立て工程において使用するチャッキング平板部を、前述したＩＣからシールド板へ伝搬する電磁波ノイズを抑制するシールドとして兼用することとするので、従来の携帯通信端末の組み立て工程と比べて、新たな部品、工程等を必要とせずに、前述のアンテナへ帰還する電磁波ノイズを抑制することができるという効果を有する。
（１５）シールド板に開設する貫通孔の部位を特定する方法は、基板上のＩＣの主表面を覆うように配置され、前記ＩＣが放出する電磁波ノイズの透過を抑制するシールド板に開ける貫通孔の部位を特定する方法であって、前記ＩＣの主表面における複数の小領域の各々に、スポット的に電磁波を印加する電磁波印加ステップと、前記電磁波印加ステップにより、複数の小領域の各々に、所定の電磁波を印加している期間毎に、前記ＩＣの性能を測定する性能測定ステップと、前記性能測定ステップで測定された前記ＩＣの性能毎に、所定の性能を満たしているか否かを判定する性能判定ステップと、前記性能判定ステップで否定的な判定であった場合毎に、前記ＩＣの性能が満たさないと判定されたところの小領域に対応する前記シールド板の部位を、前記貫通孔の部位であると特定する貫通孔部位特定ステップとからなることを特徴としても良い。
【００６８】
これにより、小領域毎にＩＣの性能を測定することで、シールド板に貫通孔を開設する部位を小領域単位で特定することができる為に、小領域の大きさに応じた精度で、シールド板に貫通孔を開設する部位を特定することができるようになるという効果を有する。
【符号の説明】
【００６９】
１００  携帯通信端末筺体
１１０  シールドフレーム
１１０Ａ  シールド壁部
１１０Ｂ  チャッキング平板部
１２０  シールド板
１３０  デジアナ混在ＩＣ
１４０  貫通孔
１５０  基板
２２０  アンテナ
１０００  携帯通信端末
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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