(57)【要約】【課題】混色防止、さらに光電変換部の開口率の低下、感度低下等を抑制できる裏面照射型の固体撮像素子を提供するものである。【解決手段】半導体基板３２に形成された光電変換部３４と、光電変換部３４の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素３５と、半導体基板３２の裏面から光照射する光照射面と、隣接する画素間に位置して半導体基板３２の裏面より内側に埋め込まれた遮光膜４５とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、
前記半導体基板の裏面から光照射する光照射面と、
隣接する画素間に位置して前記半導体基板の裏面より内側に埋め込まれた遮光膜と
を有する固体撮像素子。
【請求項２】
前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段が前記半導体基板の表面側に形成された
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面側に形成したカラーフィルタを有する
請求項１又は２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記遮光膜が、入射光を反射して前記光電変換部へ導く機能を合わせ持つ
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記光電変換部の前記導体基板の厚みが、前記隣接する画素間の前記半導体基板の厚みより薄く、
前記光電変換部の前記半導体基板の裏面側に前記隣接する画素間の前記半導体基板の裏面まで透明絶縁膜が埋め込まれた
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段として画素トランジスタを有するＣＭＯＳ固体撮像素子である請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
ＣＣＤ固体撮像素子である請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面照射型の固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＭＯＳセンサあるいはＣＣＤセンサ等の固体撮像素子においては、半導体基板に画素となる光電変換部が形成され、光電変換部の信号電荷を読み出す手段等の半導体パターンを形成した基板主面側にカラーフィルタ及びオントップレンズを形成して、基板表面側から光を入射する方式が最も一般的である。しかし、この表面照射型の例えばＣＭＯＳ型固体撮像素子では、半導体ウェハ表面に配線層、遮光層、あるいはゲート電極などが配置されていることから、光電変換部以外のパターン面積によって光電変換部であるフォトダイオードの開口率が低下し、取り扱い電荷量及び感度が低下するという問題があった。また、配線層、遮光層、あるいはゲート電極で乱反射された入射光が隣接する画素に入射することによって混色が発生する。
【０００３】
近年、これらの問題を解決するために、特許文献１にあるように、画素パターンが形成された主面とは反対側の半導体基板裏面、すなわちシリコンウェハ裏面にカラーフィルタ及びオンチップレンズを形成して、光を裏面から入射する裏面照射型の固体撮像素子が提案されている。
【０００４】
図１０に、従来のシリコン単結晶基板内部に光電変換部となるフォトダイオードを埋め込んだ裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子の一例を示す。同図は要部の断面構造を示す。
この裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子１は、第１導電型例えばｐ型のシリコン半導体基板２の表面に各画素を区画するための素子分離領域３を形成し、各区画領域に光電変換部となるフォトダイオード４、フォトダイオードの信号電荷を読み出すための複数のＭＯＳトランジスタＴｒ、例えば読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタの４つのＭＯＳトランジスタが形成されて単位画素セル５が形成される。この単位画素セル５が多数個、２次元マトリクッス状に配列される。フォトダイオード４は、各赤色、緑色及び青色に対応したフォトダイオード４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂが順次配列されるように形成される。
【０００５】
フォトダイオード４は、ｐ型半導体基板２の基板表面から所定の深さにわたってイオン注入により形成した第２導電型であるｎ型半導体領域６により形成される。ＭＯＳトランジスタＴｒなどは、ｐ型半導体基板２の表面側に形成したｎ+ ソース／ドレイン領域８とゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極９により形成される。このｐ型半導体領域２の表面側には、層間絶縁膜９を介して所要パターンの多層配線１０が形成される。
【０００６】
一般的には、これら多層配線層１０が形成された後、表面上に第１のパシベーション膜１２が成膜される。次いで、例えばシリコンウェハによる支持基板２５が基板表面側の第１のパシベーション膜１２上に接着された後、ｐ型半導体基板２の裏面側が１０μｍ以下になるまで研磨除去される。次いで、ｐ型半導体基板２の裏面側にｎ型半導体領域６に接してｐ+ 半導体領域（いわゆるアキュミュレーション層）７が形成される。なお、フォトダイオード４を構成するn型半導体領域６の表面側にもｐ＋半導体領域（いわゆるアキュミュレーション層）２０が形成される。フォトダイオード４は、このｐ＋半導体領域７，２０、ｎ型半導体領域２６及びｐ型半導体基板２によるＨＡＤ（Ｈｏｌｅ Ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ Ｄｉｏｄｅ）構造による埋込みフォトダイオードとして形成される。
【０００７】
基板裏面側の埋込みフォトダイオード４直上に、シリコン酸化膜１３、第２のパシベーション膜（例えばプラズマシリコン窒化膜）１４が順次成膜され、この上に画素間の混色を防止するための遮光膜（例えばＡｌ膜）１５が形成される。さらに、透明平坦化膜１６、カラーフィルタ１７R、１７G、１７Ｂ及びオンチップレンズ１８などの樹脂製薄膜が形成される。符号１９はこの固体撮像素子１を収容したパッケージの上面に配置された赤外線カットフィルタである。
【０００８】
上述の裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子１では、入射光のうち赤外線２１は赤外線カットフィルタ１９によりカットされてフォトダイオード４側への入射が阻止される。赤外線カットフィルタ１９を透過した赤色光線２２、緑色光線２３、青色光線２４は、それぞれ対応する赤色、緑色及び青色に対応するフォトダイオード４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂに入射される。遮光膜１５で反射された各色光線２２、２３、２４はフォトダイオード４側に入射されない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３ー３１７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上述裏面照射型の固体撮像素子１では、混色が生じ易い。一般に、長波長の赤色光線２２は単結晶シリコン中の吸収係数が小さいことから、特に混色が発生し易い。すなわち、撮像領域の周辺においてフォトダイオードの水平面に対して斜め方向から入射する赤色光線Ｌ1 は、単結晶シリコン中を透過して隣接画素〔緑色画素、青色画素〕のフォトダイオード４Ｇ，４Ｂ（図示の例ではフォトダイオード４Ｂ）に直接入射して混色の原因となる。この斜め方向からの入射光線Ｌ1 を遮光するためには、画素間に遮光膜１５が必要であるが、単位画素セル５の微細化、集積化を行うために、隣接する画素間のフォトダイオード４を近づけ過ぎた場合、あるいは画素間の遮光膜１５の幅Ｗ1 を小さくし過ぎた場合は、混色を防止することが困難になる。これは、結果的に埋込みフォトダイオード４の面積低下による取り扱い電荷量の低下、あるいは画素開口率の低下に伴う光利用効率の低下を招く。さらに、画素間に配置した遮光膜１５の側面で反射した入射光線Ｌ2 が隣接画素〔青色画素、緑色画素〕のフォトダイオード４Ｂ，４Ｇ（図示の例ではフォトダイオード４Ｇ）へ入射して混色を発生する懼れがあった。
【００１１】
本発明は、上述の点に鑑み、混色防止、さらに光電変換部の開口率の低下、感度低下等を抑制できる裏面照射型の固体撮像素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板に形成された光電変換部と、光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、半導体基板の裏面から光照射する光照射面と、隣接する画素間に位置して半導体基板の裏面より内側に埋め込まれた遮光膜とを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子によれば、隣接する画素間に位置して半導体基板の裏面より内側に埋め込まれた遮光膜を有するので、遮光膜が光電変換部に近接して形成され、特に撮像領域の周辺画素において斜め方向から入射する光の隣接する画素への入射が阻止されて混色を回避することができる。光電変換部の開口率の低下、感度低下等を抑制できる。
【００１４】
従来では単位画素セルのサイズが微細化するにしたがい画素間の混色防止が困難となるが、本発明では画素開口率を下げることなく微細サイズの画素でも理想的な混色防止を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の一実施の形態を示す要部の断面図である。
【図２】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図３】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図４】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その３）である。
【図５】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その４）である。
【図６】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その５）である。
【図７】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その６）である。
【図８】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その７）である。
【図９】本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その８）である。
【図１０】従来の裏面照射型の固体撮像素子の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明に実施の形態を説明する。
【００１７】
図１に、本発明に係る裏面照射型の固体撮像素子をＣＭＯＳ固体撮像素子に適用した実施の形態を示す。同図は撮像領域の要部の断面構造を示す。
本実施の形態に係る裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子３１は、第１導電型例えばｐ型のシリコン半導体基板、いわゆる単結晶シリコンウェハ３２の表面（一方の主面）に各画素を区画するための素子分離領域３３を形成し、各区画領域に光電変換部となるフォトダイオード３４、フォトダイオード３４の信号電荷を読み出すための複数のＭＯＳトランジスタＴｒ、例えば読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタの４つのＭＯＳトランジスタが形成されて単位画素セル３５が形成される。この単位画素セル３５が多数個、２次元マトリクッス状に配列される。フォトダイオード３４は、各赤色、緑色及び青色に対応したフォトダイオード３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂが順次配列されるように形成される。
【００１８】
フォトダイオード３４は、ｐ型半導体基板３２の基板表面から所定の深さにわたってイオン注入により形成した第２導電型である例えばｎ型半導体領域３６により形成される。ＭＯＳトランジスタＴｒは、ｐ型半導体基板３２の表面側に形成したｎ+ ソース／ドレイン領域３８とゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極３９により形成される。このｐ型半導体領域３２の表面側には、層間絶縁膜３００を介して所要パターンの多層配線４０が形成される。さらに、最上層の層間絶縁膜３００上に例えばプラズマシリコン窒化膜等による第１のパシベーション膜４２が形成される。
【００１９】
一方、単結晶シリコンウェハ３２の裏面（他方の主面）には、従来のようにウェハ全体を薄く研磨除去することなく、各画素のフォトダイオード３４のｎ型半導体領域３６が露出するように所要の深さの開口部５２が形成される。この開口部５２は、開口部５２の底面からウェハ表面（一方の主面）までの距離ｍがフォトダイオード３４の深さ、例えば５μｍ〜１０μｍの厚さを残して形成される。また、開口部５２の深さＤは、開口部５２間（いわゆる画素間）の開口部５２が形成されない領域、すなわち非開口領域５３において、可視光のうち最も長波長の赤色光線６２がフォトダイオード３４まで到達しないだけの十分な厚さ（距離）Ｆを確保できる深さに設定される。
【００２０】
このｎ型半導体領域３６の露出面、開口部５２の内壁面（すなわち内側面）を含む単結晶シリコンウェハ３２の裏面全面に接して第１導電型のアキュミュレーション層、本例ではｐ+ 半導体領域３７が形成される。なお、フォトダイオード４を構成するn型半導体領域６の表面側にも、アキュミュレーション層となるｐ＋半導体領域４６が形成される。フォトダイオード３４は、このｐ+ 半導体領域３７、４６、ｎ型半導体領域３６及びｐ型半導体基板３２によるＨＡＤ構造による埋込みフォトダイオードとして形成される。また、単結晶シリコンウェハ３２の裏面には、開口部５２の底面、側面の内壁面及び非開口領域５３の上面を含む全面に絶縁膜の例えばシリコン酸化膜４３が形成される。さらに、開口部５２の底面を除いて少なくとも内壁面に遮光膜となる反射膜４５が形成される。反射膜４５は金属膜が好ましく、例えばＡｌ膜で形成される。そして、開口部５２内に透明絶縁膜５４が埋め込まれる。この透明絶縁膜５４によりウェハ裏面は平坦化される。図１に示すように、遮光膜となる反射膜４５は、隣接する画素間に位置して半導体基板３２の裏面より内側に埋め込まれて形成される。
【００２１】
この平坦化されたウェハ裏面上に例えばプラズマシリコン窒化膜等による第２のパシベーション膜４４が形成され、この上にカラーフィルタ４７Ｒ、４７Ｇ、４７Ｂ、オンチップレンズ４８などの樹脂製薄膜が画素ごとに形成される。符号４９は、固体撮像素子３１を収容したパッケ−ジの上面に配置された赤外線カットフィルタである。
【００２２】
ＣＭＯＳ固体撮像素子の周辺回路では、ＣＭＯＳトランジスタで構成される。なお、図１では単位画素セルの複数のＭＯＳトランジスタをｎチャネルトランジスタで構成した。
【００２３】
上述の本実施の形態に係る裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子３１では、光学レンズ系及び赤外線カットフィルタ４９を通してウェハ裏面を光照射面としてウェハ裏面から光入射される。前述と同様に、入射光のうち赤外線６１は赤外線カットフィルタ４９によりカットされてフォトダイオード３４側への入射が阻止される。赤外線カットフィルタ４９を透過した赤色光線６２、緑色光線６３、青色光線６４は、カラーフィルタを通して、それぞれ対応する赤色、緑色及び青色に対応するフォトダイオード３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂに入射される。各色光線については、長波長の赤色光線６２が最も深くフォトダイオード３４Ｒ内に入射され、緑色光線６３が赤色光線６２より浅くフォトダイオード３４Ｇ内に入射され、青色光線６４が最も浅くフォトダイオード３４Ｂ内に入射される。
【００２４】
そして、本実施形態の裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子３１によれば、単結晶シリコンウェハ３２の裏面側を研磨除去せずに各画素に対応した領域にフォトダイオード３４が臨むような開口部５２を形成し、開口部５２の底面を除いて少なくとも開口部５２の内壁面に反射膜４５を形成している。このような構成により、撮像領域の周辺画素においてフォトダイオード３４に斜め方向から入射する光線（図示の例では長波長の赤色光線）Ｌ3 は、開口部５２の内壁面の反射膜４５で反射されて対応する画素のフォトダイオード３４（図示の例では赤色に対応したフォトダイオード３４Ｒ）に入射され、隣接する画素への入射が阻止されて混色を回避することができる。この反射膜４５は、混色防止のための遮光と、入射光をフォトダイオード３４へ集光し導く光ガイドの役割の機能を合せ持つ。
【００２５】
このように開口部５２の内壁面に形成された反射膜４５によって、画素間遮光と集光が同時に実現できるので、画素開口率の低下に伴う光利用率の低下、感度の低下、混色等の問題を生じることがない。本実施形態では、反射膜４５が光集光の役割をはたすので、光利用率の向上が図れる。従来では単位画素セルのサイズが微細化するにしたがい画素間の混色防止が困難となるが、本実施の形態では画素開口率を下げることなく微細サイズの画素でも理想的な混色防止を実現できる。
【００２６】
一方、非開口領域５３では、厚さ（距離）Ｆが可視光のうち最も長波長の赤色光線６２がフォトダイオード３４まで到達しないだけの十分な厚さ（距離）を確保しているので、光吸収層としての役割を果している。従って、非開口領域５３に入射された可視光はフォトダイオード３４へ入射されることがない。
【００２７】
すなわち、半導体基板の開口部が形成されない領域における裏面から開口部底面に対応する面までの処理を、可視光が光電変換部まで到達させない距離に設定するので、上記領域の面上に反射膜が形成されていなくても、この領域を入射する可視光の悪影響は生じない。また、開口部の底面から半導体基板の表面までの距離を、裏面側から照射された可視光を光電変換部へ入射できる距離に設定されるので、各画素での入射光による光電変換を十分に行うことができる。
【００２８】
前述の図１０に示す裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子１では、製造する場合、支持基板２５を接着した後、半導体基板２、すなわち数１００μｍ〜７００μｍ厚の単結晶シリコンウェハの裏面を厚さｔ1 が１０μｍ以下になるまで研磨除去することが必須である。しかし、単結晶シリコンウェハの全面を均一な厚さで研磨除去することは難しい。単結晶シリコンウェハの厚さが不均一になると、裏面側の埋込みフォトダイオード４の取り扱い電荷量及び感度がウェハ面内でバラツキを生じる懼れがある。
【００２９】
本実施形態では、このように単結晶シリコンウェハ３２の厚さを薄く均一に研磨除去する工程を必要としないため、単結晶シリコンウェハの厚さの不均一性を原因とする、従来のようなフォトダイオード３４の取り扱い電荷量のバラツキ、及び感度のウェハ面内でのバラツキが生じない。また、単結晶シリコンウェハ３２を薄く研磨除去することがないので、簡便な半導体プロセスにより裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子を製造することがきる。
【００３０】
次に、図２〜図８を用いて上述の裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子３１の製造方法の一例を説明する。
先ず、図２に示すように、第１導電型、例えばｐ型の単結晶シリコンウェハ３２を用意する。このｐ型の単結晶シリコンウェハ３２の表面（一方の主面）に、例えば選択酸化（ＬＯＣＯＳ）層、トレンチ分離等による画素分離のための素子分離領域３３を形成する。また、ウェハ表面に光電変換部の電荷蓄積領域となる第２導電型の例えばｎ+ 半導体領域３６ａを形成し、第２導電型の例えばｎ+ ソース／ドレイン領域３８とゲート絶縁膜とゲート電極３９によるＭＯＳトランジスタＴｒを形成する。ｎ+ 半導体領域３６ａの基板表面側には、アキュミュレーション層となるp+半導体領域４６を形成する。さらに、層間絶縁膜３００を介して接続プラグ４１、多層配線４０を形成し、最上層の層間絶縁膜４０上にだい１のパシベーション膜４２を形成する。
【００３１】
次に、図３に示すように、単結晶シリコンウェハ３２の裏面（他方の主面）に各画素ごとに所要に深さＤの開口部５２を選択エッチングにより形成する。このとき、開口部５２としては、ウェハ表面から開口部５２の底面までの距離ｍが５μｍ〜１０μｍ程度になるように選択エッチングして形成する。従って、隣合う開口部５２間の非開口領域５３の厚さＦは、可視光のうちの最も波長の長い赤色光線が後に形成するフォトダイオードまで到達しないだけの十分な長さを確保することができる。
【００３２】
次に、図４に示すように、各開口部５２の底面に臨むウェハ裏面にｎ+ 半導体領域３６ａに接続するようにｎ- 半導体領域３６ｂを例えばイオン注入により形成し、ｎ型半導体領域３６を形成する。さらに、開口部５２の底面に臨むｎ- 半導体領域３６ｂ、開口部５２の内壁面及び非開口領域５３の上面の全表面に不純物を導入して第１導電型であるｐ+ アキュミュレーション層３７を形成する。このようにしてＨＡＤ構造の裏面埋め込み型のフォトダイオード３４〔３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ〕を形成する。
【００３３】
次に、図５に示すように、開口部５２の内面を含むウェハ裏面全面に、絶縁膜（例えば熱酸化膜などのシリコン酸化膜）４３を形成し、さらにその上に反射膜４５となる金属膜、例えばＡｌ膜を成膜する。
【００３４】
次に、図６に示すように、反射膜４５に対してエッチバックを施し、開口部５２の底面の反射膜４５を除去し、開口部５２の内壁面（すなわち内側面）のみに反射膜４５を残す。この反射膜４５は自己整合的に所謂サイドウォールの反射膜として形成される。
【００３５】
次に、図７に示すように、開口部５２内に、例えばＳＯＧ（シリコン・オン・グラス）膜などの透明絶縁膜５４を形成し、ウェハ裏面を平坦化する。
その後、図８に示すように、平坦化されたウェハ裏面上に例えばプラズマシリコン窒化膜などの第２のパシベーション膜４４を形成し、さらにカラーフィルタ４７Ｒ、４７Ｇ、４７Ｇ、オンチップレンズ４８を形成して目的の裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子３１を得る。
【００３６】
本実施の形態の裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子の製造方法によれば、単結晶シリコンウェハ３２の厚さを薄く均一に研磨除去する工程を必要としないため、ウェハ厚が全面均一となり、フォトダイオード３４の取り扱い電荷量、ウェハ面内での感度を均一にしたＣＭＯＳ固体撮像素子を製造できる。また、従来の支持基板の貼り合せ工程、ウェハの厚さを薄くする研磨工程などが省略されるので、製造が容易になる。
【００３７】
また、単位画素セルの微細化、高集積化されても混色の生じにくい裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子を製造することができる。
【００３８】
開口部５２の内壁面に反射膜４５を形成する工程において、開口部５２の内面を含むウェハ裏面の全面に反射膜４５を形成した後、ウェハ裏面側からエッチバックすることにより、自己整合的に開口部５２底面の反射膜４５が除去され、開口部５２の内壁面のみに反射膜４５を残すことができる。
開口部５２の形成工程では、非開口領域５３における入射される可視光がフォトダイオード３４まで到達しない距離を確保するような深さＤの開口部を形成することにより、非開口領域５３からのフォトダイオード３４への光入射を阻止することができる。
【００３９】
なお、図９Ａ，Ｂに、反射膜４５のエッチバック工程の他の例を示す。この例では、反射膜４５を開口部５２内を含むウェハ全面に形成した後、非開口領域５３の上面に選択的にレジストマスク６７を形成し（図９Ａ参照）、その状態で反射膜４５に対して裏面側からエッチング処理を施す（図９Ｂ参照）。
このエッチバック処理によれば、開口部５２の底面の反射膜４５のみ除去し、他の開口部５２の内壁面及び非開口領域５３の上面には反射膜４５が残る。従って、非開口領域５３に入射される光線はこの反射膜４５で反射され、フォトダイオード側へ入射を確実に阻止することができる。このように、非開口領域上にも反射膜４５を残す構成としたとき、非開口領域５３の厚さＦは前述の条件を満たすことはない。
【００４０】
上例では、本発明を裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子に適用したが、その他、図示せざるも裏面照射型のＣＣＤ固体撮像素子にも適用することができる。この場合も、ＣＣＤ固体撮像素子のウェハ裏面側に、上述したように各画素に対応して光電変換部が臨むように開口部を形成し、開口部の内壁面に反射膜を形成するようにして構成することができる。
【符号の説明】
【００４１】
３１・・裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子、３２・・単結晶シリコンウェハ、３３・・素子分離領域、３４〔３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ〕・・フォトダイオード、Ｔｒ・・ＭＯＳトランジスタ、３５・・単位画素セル、３６・・ｎ型半導体領域、３８・・ソース／ドレイン領域、３９・・ゲート電極、４０・・多層配線、４１・・接続プラグ、３７・・ｐ+ アキュミュレーション層、４２・・第１のパシベーション膜、４３・・絶縁膜、４４・・第２のパシベーション膜、４５・・遮光膜となる反射膜、４７Ｒ、４７Ｇ、４７Ｇ・・カラーフィルタ、４８・・オンチップレンズ、４９・・赤外線カットフィルタ、５２・・開口部、５３・・非開口領域、６１・・赤外線、６２・・赤色光線、６３・・緑色光線、６４・・青色光線、１００、３００・・層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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