(57)【要約】【課題】画像表示装置に装着する画像表示パネルのフェースプレートとして利用される発光体基板として、１×１０5Ω／□以上１０7Ω／□以下のシート抵抗値を備え、材料の混合比を広範囲で変化させても得られる抵抗値の変動が少ない抵抗層を有する発光体基板を提供すること。【解決手段】絶縁性粒子の表面にアンチモンドープ酸化錫またはインジウムドープ酸化錫からなる導電性材料を被覆した導電性粒子と、ガラスとを含んでおり、シート抵抗が１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下である抵抗層を、画像表示パネルのフェースプレート用の発光体基板が有する複数のメタルバックの電気的接続用として用いる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体と、複数のメタルバック層と、該複数のメタルバック層を電気的に接続する、シート抵抗が１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下である抵抗層とが、基板上に設けられた、発光体基板であって、
前記抵抗層は、ガラスと、絶縁性粒子の表面にアンチモンドープ酸化錫またはインジウムドープ酸化錫からなる導電性材料を被覆した導電性粒子とを含んでおり、
前記ガラスは、２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の範囲で前記抵抗層に含まれていることを特徴とする発光体基板。
【請求項２】
前記基板がガラス基板であり、前記絶縁性粒子が、前記ガラス基板の歪点よりも低い融点または軟化点を有することを特徴とする請求項１に記載の発光体基板。
【請求項３】
前記抵抗層に含まれる前記ガラスは、ガラスフリットを溶融させて形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の発光体基板。
【請求項４】
前記発光体が電子の照射により発光する発光体である請求項１乃至３のいずれかに記載の発光体基板。
【請求項５】
電界放出型の画像表示装置の画像表示面用である請求項４に記載の発光体基板。
【請求項６】
電子放出素子を備える電子源基板と、該電子放出素子から放出された電子が照射されることで発光する発光体を備える発光体基板と、を備える画像表示装置であって、
前記発光体基板が請求項４に記載の発光体基板であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
前記電子源基板と前記発光体基板との間に設けられたスペーサを更に有することを特徴する請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記スペーサが、前記発光体基板の前記抵抗層に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光体基板及び該発光体基板を用いた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放射型画像表示装置（フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）ともいう）を構成する画像表示パネル（ＦＥＤパネル）は、発光体基板（フェースプレート）と電子放出素子が配置された電子源基板（リアプレート）とを備える。発光体基板は、発光体と発光体上に設けられたメタルバックとを少なくとも備えている。そして、発光体基板と電子源基板の間にはスペーサが配置され、両基板間の距離は数ｍｍ程度に保持される。電子放出素子から放出された電子が発光体に照射されて発光する発光体としては、典型的には蛍光体が用いられる。発光体基板と電子源基板との間には通常１ｋＶ以上１２ｋＶ以下の高電圧が印加されるため、両基板間で異常放電が生じてしまうことがあった。
【０００３】
特許文献１及び２は、異常放電によるダメージを緩和するためにメタルバック層を分断する技術が開示されている。また、特許文献１には、分断されたメタルバック層の端部を被覆層で覆う技術が開示されている。また、特許文献２には、分断されたメタルバック層の間隙（蛍光体間）に高抵抗部材を設ける技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２９０７４号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、分断されたメタルバック層を電気的に接続する抵抗層のシート抵抗について検討したところ、１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下という狭い範囲において放電による影響を抑制できることを見いだした。
【０００６】
そこで、本発明者らは、かかるシート抵抗値を有する抵抗層を簡易に、かつ安定して製造できる方法について更に検討した。かかる範囲内のシート抵抗値を有する抵抗層は、例えば、金属あるいは金属酸化物からなる導電性材料（１〜１０Ω／□）と絶縁性材料（１.０×１０10Ω／□以上）とを混ぜて形成することが考えられた。しかしながら、この方法では、混合する材料の抵抗値が互いに大きく異なるため、混合比の僅かな変動で得られるシート抵抗値が大きく変化してしまうことがわかった。
【０００７】
例えば、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）あるいはインジウムドープ酸化錫（ＩＴＯ）は、透明電極などの形成用材料として広く用いられており、これらの粒子を焼結させて導電性の膜を得る技術も開発されている。そこで、ＡＴＯやＩＴＯの粒子を導電性材料として、ガラスフリットを絶縁性材料としてそれぞれ用い、これらを混合して焼成することによりメタルバック接続用の抵抗層を簡易に形成できると考えられた。しかしながら、これらの材料の組合せにおいても、これらの材料の混合比の変動に比べて抵抗値の変動が非常に大きくなってしまう。したがって、これらの材料の混合焼成による抵抗層の形成方法では混合比の精密な調整が必要であり、目的とする製造工程の簡易化を達成できない。
【０００８】
一方、特許文献２に開示されているように、ＦＥＤパネルはスペーサを備えたものがある。この場合には、スペーサの発光体基板との当接または接続する部分に抵抗層が位置し、抵抗層には非常に大きな力（ディスプレイパネルに加わる大気圧）が加わる。従って、かかる抵抗層は単に抵抗値のみにより規定される部材ではなく、要求される挫屈強度をも考慮して、その材質、形状（幅、膜厚、エッジ形状）、断面構造（充填率、細孔構造）などが選択される。すなわち、抵抗層は、画像を表示する画面の大きさや、ＦＥＤパネルを構成するフェースプレートやリアプレートの厚さやその構成材料、スペーサの形状やスペーサの数に応じて、その強度を種々の要求に応じて制御する必要がある。そのため、かかる抵抗層には、目的とする強度を得るために構成材料の混合比を広範囲で変化させても、得られる抵抗値の変動が少ないことが望まれる。
【０００９】
すなわち、本発明の目的は、１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下のシート抵抗値と、目的とする強度を有し、複数のメタルバック層間に安定的かつ簡易に形成可能である抵抗層を有する発光体基板及びそれを用いた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題に対応してなされた本発明は、
発光体と、複数のメタルバック層と、該複数のメタルバック層を電気的に接続する、シート抵抗が１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下である抵抗層とが、基板上に設けられた、発光体基板であって、
前記抵抗層は、ガラスと、絶縁性粒子の表面にアンチモンドープ酸化錫またはインジウムドープ酸化錫からなる導電性材料を被覆した導電性粒子とを含んでおり、
前記ガラスが、２０ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下の範囲で前記抵抗層に含まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明において用いられる抵抗層の構成によれば、絶縁性材料であるガラスに導電性材料を組み合わせて抵抗層を形成する際に、ガラスの混合率を２０ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下の広範囲で変化させても、抵抗値の変動量が小さな抵抗層を得ることができる。その結果、本発明によれば、目的に応じた強度と所定のシート抵抗値を有し、安定的かつ簡易に形成可能な抵抗層を有する発光体基板およびそれを用いた画像形成装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】発光体基板の構成の一例を示す図であり、（ａ）は基板、抵抗層及び発光体層の位置関係を示す模式的斜視図であり、（ｂ）は抵抗層２ａに直交する方向での模式的断面図である。
【図２】本発明の発光体基板を適用した画像表示パネルの構成の一例を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明にかかる導電性粒子とガラスフリットからなる抵抗層形成用材料中におけるガラスフリットの混合比率と抵抗層のシート抵抗値の関係を示すグラフである。（ｂ）は比較対象としてＮｉ粒子を導電性粒子として用いた場合のガラスフリットの混合比率と抵抗層のシート抵抗値の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本実施形態にかかる発光体基板は、基板と、発光体と、複数のメタルバックと、複数のメタルバックを電気的に接続する抵抗層とを有する。この発光体基板は、画像表示装置、好ましくは電界放射型画像表示装置（ＦＥＤ）に装着する画像表示パネル（ＦＥＤパネル）の画像表示部の構成部材、すなわち画像表示面用として利用されるものである。
【００１４】
発光体基板の一例の構成を図１（ａ）及び（ｂ）に示す。図１（ａ）は基板、抵抗層及び発光体層の位置関係を示す模式的斜視図であり、図１（ｂ）は抵抗層２ａに直交する方向での模式的断面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示す発光体基板は、基板１、光吸収層（黒色層）７、蛍光体（蛍光層）３〜５、抵抗層２a、２ｂ、メタルバック６とから形成されている。
【００１５】
基板１としては、目的とする機能が得られる材料や構造からなるものが利用される。かかる基板としてはガラス基板が好適に利用できる。
【００１６】
光吸収層７（図１（ａ）では不図示）は黒鉛などの黒色部材を含む層（黒色層）として形成されているもので、多数の発光体層を区分してマトリクス状に形成されたものとしてブラックマトリクスがある。
【００１７】
メタルバック６は、少なくとも発光体層３〜５上に積層されており、溝６ａにより多数の部分に区分されている。メタルバック６の各区画は、抵抗層２ａ及び２ｂ（図１（ｂ）では抵抗層２ａのみを示す）により電気的に接続されている。
【００１８】
発光体層３〜５は発光体を含む層であり、例えば発光体とバインダーを用いて形成することができる。発光体の発光成分は、画像表示方法に応じて選択される。電子線を発光のオン・オフとして利用する場合は、電子の照射により発光する蛍光物質等の発光物質が発光成分として利用される。また、発光体層３〜５は、後述するリアプレート２２側の多数の電子放出素子の各々に対応して配置されている。
【００１９】
メタルバック６は、基板１上に設けた発光体層３〜５を覆う部分を少なくとも有して形成され、放電による発光体へのダメージを防止する機能を有する。図１に示す例では、メタルバック６は溝６ａにより区分され、各区画は発光体層３〜５に対応してマトリクス状（行列状）に配置されている。
【００２０】
メタルバック６には、電子を加速するための電界を印加するためのアノードとしての機能を持たせることもできる。メタルバック６は、目的とする機能に応じた材料、例えばアルミニウムなどの金属材料を選択して形成することができる。
【００２１】
抵抗層２ａ、２ｂは、複数のメタルバックを電気的に接続するために設けられるものであり、導電性粒子とガラスとを少なくとも有して構成されている。導電性粒子は、絶縁性材料からなる粒子（絶縁性粒子）と、その表面を被覆することにより設けられた導電層とを有する。絶縁性粒子の表面に設けられる導電層は、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはインジウムドープ酸化錫（ＩＴＯ）からなる導電性材料から形成される。抵抗層では、ガラス層が導電性粒子の結着材として機能しており、かかるガラス層は、ガラスフリットを溶融固化させて容易に形成することができる。
【００２２】
かかる構成の抵抗層を用いることで、ガラスと導電性粒子の配合比を広範囲に変化させても、１×１０6Ω／□以上１×１０7Ω／□以下のシート抵抗を安定して得ることができる。
【００２３】
導電性粒子のコア部分を形成する絶縁性粒子の構成材料としては、コア部分として目的とする強度を満たし、導電性材料からなる表層の形成が可能である材料が用いられる。
【００２４】
また、抵抗層を、導電性粒子とガラスフリットの混合物を焼成して形成する場合は、導電性粒子は焼成時においてその形状及び機能が維持できる材料から形成することが好ましい。
【００２５】
更に、発光体基板はＦＥＤパネルに組み込まれる際に、脱ガス工程や封着工程等のための加熱処理に曝される。これらの加熱処理は、発光体基板および電子源基板に影響がない程度の加熱温度にて行われる。そのため、これらの加熱処理における加熱温度は発光体基板の歪点よりも低く設定される。
【００２６】
したがって、導電性粒子は、抵抗層を形成する際の焼成温度及びＦＥＤパネルへの組込みの際の加熱処理の温度よりも高い融点または軟化点を有しており、これらの処理時にその形状及び機能が維持されていることが好ましい。
【００２７】
ＡＴＯ及びＩＴＯは上記の融点及び軟化点に関する要件を満たしている。したがって、導電性粒子のコア部となる絶縁性粒子の構成材料としては、各種の無機塩や無機酸化物を挙げることができ、融点及び軟化点に関する要件を満たしているものが好ましい。具体例を挙げると、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、あるいは、Ｆｅ2Ｏ3等の金属酸化物や、Ｂａ2ＳＯ4などの無機塩を挙げることができる。
【００２８】
絶縁性粒子の平均粒径は、５ｎｍ以上であることが好ましい。粒子の直径が５ｎｍ以上であれば、導電性の材料の配合比を大きく変化させた際に得られるシート抵抗の変化の範囲が少ない安定領域を形成することができる。平均粒径の上限は、抵抗層の形状や層厚などを考慮して適宜選択でき、例えば５μｍ以下とすることができる。
【００２９】
一方、抵抗層に含有されるガラスはシート抵抗値の調整及び導電性粒子のバインダーとしての機能を有するものである。抵抗層に含まれるガラスは、ガラスフリットの焼成、すなわちガラスフリットの溶融固化により形成させることができる。したがって、ガラスフリットとしては、目的とする物性を抵抗層に付与できるものを選択して用いる。更に、ガラスフリットは、上述したＦＥＤパネルへの組込み作業における加熱処理においては絶縁性材料及びバインダーとしての機能を維持し、かつ抵抗層の焼成時には溶融または軟化してガラス部分を抵抗層中に形成できるものが好ましい。すなわち、発光体基板の歪点よりも低く、かつ焼成時において溶融または軟化し得る融点または軟化点を有するガラスフリットが好ましく用いられる。
【００３０】
例えば、基板が５００℃以上の歪点を有するガラス基板である場合には、５００℃未満の焼成温度が適用できる、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、あるいは、Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラスフリット（ビスマス酸塩系のガラスフリット）を用いることが好ましい。
【００３１】
ガラスフリットから抵抗層中に得られるガラスの含有率は、抵抗層全体に対して２０ｗｔ％（重量％）以上、６０ｗｔ％以下から選択される。
【００３２】
また、絶縁性材料であるガラスなどの抵抗層を構成する成分の一部を、表面に導電性材料がコートされていない絶縁性粒子に置き換えることもできる。このように、ガラスなどの成分の一部を絶縁性粒子で置き換えることで、抵抗層の形状、断面構造及び挫屈強度などを変化させることができる。置き換え成分として、表面に導電性材料がコートされていない絶縁性粒子を用いる場合、導電性粒子のコアを構成する、絶縁性材料からなる粒子と同じものを用いることが簡易で好ましい。抵抗層の強度を向上させる場合には、ガラスよりも強度（硬度）が高い絶縁性材料粒子による置換率を高くすることが好ましい。絶縁性粒子での置換は、抵抗層中のガラス成分の割合が、２０ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下の範囲を維持する範囲内で行うことが好ましい。
【００３３】
絶縁性粒子の表面へのＡＴＯまたはＩＴＯからなる表層の形成は、公知の方法により行うことができる。これらの導電性材料からなる層は、絶縁性粒子の表面の全部を覆っていても良いし、部分的に覆っていてもよい。ＡＴＯまたはＩＴＯからなる表層の層厚は、目的する物性（シート抵抗値及び強度など）が抵抗層に得られるように設定される。例えば、絶縁性粒子の直径以下の範囲から表層の厚さを選択することができる。
【００３４】
抵抗層の形成は、少なくとも導電性粒子とガラスフリットとを混合した混合物である抵抗層形成用の材料を、抵抗層の形成位置に目的とする形状に成形して配置し、これを焼成することにより行うことができる。抵抗層形成用の材料としては、焼成によって除去可能である、フォトレジストなどの感光性樹脂組成物に導電性粒子及びガラスフリットを混合した材料が、成形性などの点において好適に利用できる。なお、感光性樹脂組成物はネガ型でもポジ型でもよい。
【００３５】
本発明にかかる発光体基板の構成は、図１に示す構造に限定されず、発光体基板が組み込まれる画像表示パネルの機能や性能に応じて適宜変更できる。例えば、発光体基板上にゲッターを設けたり、スペーサの基礎部分としての抵抗層を更に形成してもよい。スペーサの足場としての抵抗層を有する発光基板の一例の模式的断面図を図１（ｃ）に示す。この例では、抵抗層の一部をスペーサ８の足場として利用している。
【００３６】
本発明にかかる蛍光体基板を適用した画像表示装置の一例を図２に示す。図２は、電界放射型の画像表示装置（ＦＥＤ）の画像表示パネル（ＦＥＤパネル）２０の構成を示す図である。このＦＥＤパネル２０は、フェースプレート２１と、電子放出素子（不図示）が配置された電子源基板としてのリアプレート２２とが側壁２５を介して接合された構造を有する。これらの部材の接合部は封止されており、これらの部材により形成された内部空間は所定の減圧状態とされる。フェースプレート２１とリアプレート２２の距離を一定に保つために、画面サイズに応じてスペーサと呼ばれる部材を挿入することもできる。
【００３７】
リアプレート２２は、ガラス等からなるリア側基板２６と、リア側基板２６の絶縁性の面上に配置された電子放出素子（不図示）と、電子放出素子に電気信号を入力するための配線を構成する複数の信号線２７及び複数の走査線２９と、を有する。信号線２７及び複数の走査線２９は互いに交差した部分２３を有し、各交差部２３において、信号線２７と走査線２９との間に絶縁膜（不図示）が挟まれている。この構造によって、複数の信号線２７及び複数の走査線２９の各々は互いに電気的に絶縁されており、信号線及び走査線のそれぞれに選択的に電気信号が印加可能となっている。各交差部２３には、電子放出素子（不図示）が形成されている。
【００３８】
ｎ個の端子ｘ１〜ｘｎは、外部から信号線２７に電圧を印加するための端子で、ｎ個の端子ｙ１〜ｙｎは、外部から走査線２９に電圧を印加するための端子である。信号線２７及び走査線２９の様に互いに直交する配線の組は、マトリックス配線と呼ばれる。なお、端子ｘ１〜ｘｎに接続する配線を走査線とし、ｙ１〜ｙｎに接続する配線を信号線とするなど配線については種々の態様を選択できる。
【００３９】
フェースプレート２１としては、基板２４上に発光体層などを含む画像表示部２８が設けられた本発明にかかる発光体基板が用いられている。フェースプレート２１とリアプレート２２との間に加速電圧を印加するための高電圧が端子３０からフェースプレート側のメタルバックに印加される。
【００４０】
リアプレート２０に設けられた信号線２７及び走査線２９は、駆動回路（不図示）に接続され、駆動回路からの画像信号によって選択された電子放出素子が駆動され、そこから放出された電子がフェースプレート側の発光体層に照射され、発光体が励起、発光して画像が表示される。
【００４１】
画像表示装置の構成は、図２に示したものに限定されず、種々の態様をとり得る。
【実施例】
【００４２】
（実験例１）
ビスマス酸塩系のガラスフリット及び絶縁性粒子（平均粒径が１００ｎｍのＴｉＯ2からなる絶縁性粒子の表面にＩＴＯを１５ｎｍの厚みでコートした）を、アクリル系のネガ型フォトレジスト及び溶剤と混合して抵抗層形成用材料を調製した。次に、抵抗層形成用材料をスクリーン印刷により基板上に厚さ８μｍの層として積層し、３５０℃で焼成し、抵抗層を得た。得られた抵抗層のシート抵抗値を定法により測定した。
【００４３】
図３（ａ）は、導電性粒子に混合するガラスフリットの含有率（得られる抵抗層に含まれるガラスの含有率）を変化させた際に、得られる抵抗層のシート抵抗値の変化を示したものである。図３（ａ）に示すとおり、ガラスフリット混合率を２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の範囲（領域Ｂ）で変化させても、得られるシート抵抗値が１０6Ω／□〜１０7Ω／□の範囲で安定となる。しかしながら、ガラスフリットの混合率を２０ｗｔ％未満の範囲（領域Ａ）あるいは６０ｗｔ％より多い範囲（領域Ｃ）では、ガラスフリットの混合率の変化に対して得られるシート抵抗値の範囲が大きく変動する。尚、図１（ａ）に示したシート抵抗の変化と同様の変化が、絶縁性粒子をコートする導電性膜をＩＴＯ膜に代えてＡＴＯ膜とした場合にも得られる。
【００４４】
図３（ｂ）は、導電性粒子の材質をＮｉのみとする以外は上記と同様にしてガラスフリットの含有率を変化させた際に得られる抵抗層のシート抵抗値の変化を表した図である。ガラスフリットの混合率が２０ｗｔ％未満の領域（領域Ａ）では、１０Ω／□程度の安定したシート抵抗を示すが、ガラスフリットの混合量が２０〜３０ｗｔ％の領域（領域Ｂ）では、１０Ω／□から１×１０9Ω／□の範囲で急激に変化している。更に、ガラスフリットの混合量が３０ｗｔ％以上の領域（領域Ｃ）では、１０9Ω／□以上のシート抵抗を示す。
【００４５】
尚、上述した導電性のＮｉ粒子に代えて、ＡＴＯまたはＩＴＯからなる導電性粒子をガラスフリットと混合した場合においても、図１（ｂ）と同様のシート抵抗の変化を示す。
【００４６】
このように、本発明にかかる抵抗層では、ガラスフリットの含有量を２０ｗｔ％から６０ｗｔ％の広範囲で変化させても得られるシート抵抗値を１０6Ω／□〜１０7Ω／□の範囲で安定とすることができる。また、導電性粒子のコアを構成する絶縁性粒子の粒径を制御することで、図１（ａ）に示した領域Ｂ（ガラスフリットの混合率を大きく変化させてもシート抵抗の変動が少ない領域）のシート抵抗の範囲を、１桁から２桁程度変化させることができる。例えば、膜厚１０ｎｍのＡＴＯあるいはＩＴＯがコートされた絶縁性粒子の場合、その平均粒径を３０ｎｍとすれば、１×１０5Ω／□程度のシート抵抗が得られ、平均粒径を３００ｎｍとすれば、１×１０6Ω／□程度のシート抵抗を得ることができる。
（実施例１）
以下、画像表示装置としてＦＥＤを作成した実施例を説明する。
【００４７】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本実施例で作成したＦＥＤパネルのフェースプレートの一部の模式図である。ガラス基板１上にブラックマトリクス層７をスクリーン印刷で５μｍの厚さに形成した。続いて抵抗層２ｂ形成用のペーストをスクリーン印刷で１０μｍの厚さに塗布し、乾燥した後、露光、現像を行ってガラス基板１上にライン状に抵抗層２ｂを形成した。
【００４８】
抵抗層２ｂ形成用のペーストは、平均粒径０．０３μｍの絶縁性のＴｉＯ2粒子と、平均粒径０．０３μｍのＴｉＯ2粒子の表面にＡＴＯが１０ｎｍの厚さでコートされた導電性のＴｉＯ2粒子と、ビスマス酸塩系フリットガラスを３０：３０：４０の質量比で混合した固形物混合物を、アクリル系ネガ型フォトレジスト（アクリル樹脂およびアクリル系モノマーを含む）と混合し、溶剤を加えてフォトペーストにしたものである。
【００４９】
続いて、抵抗層２ｂと直交するように、抵抗層２ａ形成用のペーストを１０μｍの厚さでスクリーン印刷後、抵抗層２ｂと同様に乾燥した後、露光、現像を行ってライン状に抵抗層２ａを形成した。
【００５０】
抵抗層２ａ形成用のペーストは、平均粒径０．０３μｍの絶縁性のＴｉＯ2粒子と、平均粒径０．０３μｍのＴｉＯ2粒子の表面にＡＴＯが１０ｎｍの厚さでコートされた導電性のＴｉＯ2粒子と、ビスマス酸塩系フリットガラスを２０：３０：５０の質量比で混合した固形物混合物を、アクリル系ネガ型フォトレジスト（アクリル樹脂およびアクリル系モノマーを含む）と混合し、溶剤を加えてフォトペーストにしたものである。
【００５１】
このように、抵抗層２ａ及び２ｂでは、絶縁性ＴｉＯ2と導電性ＴｉＯ2の混合比を変えてシート抵抗を１０6Ω／□〜１０7Ω／□の範囲で変えてある。
【００５２】
続いて蛍光体層（Ｒｅｄ（赤色）、Ｇｒｅｅｎ（緑色）、Ｂｌｕｅ（青色））３〜５を、スクリーン印刷を含む常法により、抵抗層２ａと抵抗層２ｂで囲まれた領域内に形成した。
【００５３】
次に、Ａｌを厚さ１００ｎｍで、ガラス基板１の蛍光体層を設けた面の全面に蒸着して、連続したメタルバック層６を形成した（図示無し）。その後、分割後の各区画が互いに抵抗層２ａ及び２ｂを介して、電気的に接続されるように、レーザ光を照射することによって、メタルバック層６を２次元的に複数に分割した。
【００５４】
最後に、大気中で５００℃、１時間焼成を行った。
【００５５】
この様にして作成したフェースプレートを、予め作成しておいた、複数の電界放出型電子放出素子が配置されたリアプレート（図示なし）と、蛍光体と電子放出素子とが対向するようにアライメントを行って真空中で封着し、ディスプレイパネルを形成した。尚、フェースプレートとリアプレートとの間に、多数のスペーサを、各々が、抵抗層２ａと当接するように配置した。
【００５６】
そして、形成したディスプレイパネルに、駆動回路を接続し画像表示装置を作成し、画像を表示させたところ、安定な画像を長期に渡って得ることができた。
【符号の説明】
【００５７】
１  発光体基板用の基板、２ａ、２ｂ  抵抗層、３〜５  発光体層、６  メタルバック、６ａ  溝、７  光吸収層（ブラックマトリクス）、８  スペーサ、２０  ＦＥＤパネル２１  フェースプレート、２２  リアプレート、２３  交差部分、２５  側壁、２６  リア側基板、２７  信号線、２９  走査線、３０  高電圧印加用端子、ｘ１〜ｘｎ  信号入力用端子、ｙ１〜ｙｎ  信号入力用端子
【図１】
2010257593.tif 000003
【図２】
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【図３】
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