(57)【要約】【課題】導波路から発光素子への光の結合効率を測定しつつアライメントできる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、半導体光増幅器５と、光ファイバ６、７とを備えている。半導体光増幅器５と光ファイバ６とのアライメントでは、レーザ装置５２の半導体レーザ素子５５からレーザ光を出射して、そのレーザ光を光ファイバ６を導波させた後、半導体光増幅器５の光入出面５ａから入射させている。そして、半導体光増幅器５を導波させた後、光入出面５ｂから出射したレーザ光をパワーメータ５６により受光させて、そのレーザ光の出力を測定しつつアライメントを行っている。【選択図】図８
2010014896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射または出射する一対の光入出面を有する発光素子と、
前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記発光素子の一方の光入出面に対向する位置に配置された光導波路とを備え、
レーザ装置から前記光導波路の他端部に入射させて、前記光導波路及び前記発光素子を導波させた後、前記発光素子の他方の光入出面から出射したレーザ光の出力をパワーメータにより測定しつつ前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記パワーメータの受光面は、前記レーザ光に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光導波路を設置せずに、前記発光素子から出射した光を初期値として測定した後、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子を設置せずに、前記光導波路を導波したレーザ光を初期値として測定した後、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子に電圧を印加した状態で、前記レーザ光を前記発光素子に入射させて、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記レーザ光の波長は、前記発光素子によって発光する光の波長よりも短いことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と、発光素子に入射または発光素子から出射した光を導波させるための光導波路とを備えた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子と、発光素子に入射または発光素子から出射した光を導波させるための光導波路とを備えた発光装置が知られている。このような発光装置では、発光素子と光導波路との光の結合効率が重要な要素となる。そこで、発光素子と光導波路との光の結合効率を高めるためのアライメント方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、光ファイバとフォトダイオードのアライメント方法が開示されている。特許文献１のアライメント方法では、光ファイバの端面とフォトダイオードの端面とを面接触させる。その後、光ファイバを所定の距離後退させている。最後に、光ファイバとフォトダイオードとの光軸を合わせてアライメントが終了する。
【特許文献１】特開平１０−１８６１８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、一般に、フォトダイオードが発光素子である場合、この発光素子から出射され、光ファイバを導波した光を測定しつつ、光ファイバと発光素子との光軸がアライメントされる。しかしながら、この方法では、発光素子から光ファイバへ入射する光の結合効率は測定できるが、光ファイバから発光素子へ入射する光の結合効率は測定できないといった課題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、光導波路から発光素子への光の結合効率を測定しつつアライメントを行うことができる発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、光が入射または出射する一対の光入出面を有する発光素子と、前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記発光素子の一方の光入出面に対向する位置に配置された光導波路とを備え、レーザ装置から前記光導波路の他端部に入射させて、前記光導波路及び前記発光素子を導波させた後、前記発光素子の他方の光入出面から出射したレーザ光の出力をパワーメータにより測定しつつ前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする発光装置である。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、前記パワーメータの受光面は、前記レーザ光に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置である。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、前記光導波路を設置せずに、前記発光素子から出射した光を初期値として測定した後、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の発光装置である。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、前記発光素子を設置せずに、前記光導波路を導波したレーザ光を初期値として測定した後、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１０】
また、請求項５に記載の発明は、前記発光素子に電圧を印加した状態で、前記レーザ光を前記発光素子に入射させて、前記光導波路と前記発光素子とのアライメントが行われることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１１】
また、請求項６に記載の発明は、前記レーザ光の波長は、前記発光素子によって発光する光の波長よりも短いことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発光装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザ光を光導波路から発光素子に入射させ、発光素子を透過させたレーザ光をパワーメータにより測定しつつ、光導波路と発光素子のアライメントが行われている。これにより、光導波路から発光素子に入射する光の結合効率を測定しつつアライメントを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態による発光装置について説明する。図１は、第１実施形態による発光装置の平面図である。図２は、発光装置の内部側面図である。図３は、半導体光増幅器の斜視図である。図４は、光ファイバ及びファイバコネクタの拡大図である。尚、本発明による発光装置は、光の中継等に用いることができる。
【００１４】
図１及び図２に示すように、発光装置１は、ペルチェ素子２と、配線台３と、サーミスタ４と、半導体光増幅器（ＳＯＡ：semiconductor optical amplifier）５と、光ファイバ６、７と、ファイバコネクタ８、９と、リッド１０ａを含むパッケージ１０とを備えている。尚、半導体光増幅器５が、請求項に記載の発光素子に相当する。光ファイバ６、７が、請求項に記載の光導波路に相当する。
【００１５】
ペルチェ素子２は、発光装置１を冷却するためのものである。ペルチェ素子２は、パッケージ１０の底面に固定されている。
【００１６】
配線台３は、ペルチェ素子２及び半導体光増幅器５と外部とを電気的に接続するためのものであるとともに、半導体光増幅器５及び光ファイバ６、７を固定するためのものである。配線台３は、ペルチェ素子２の上面に固定されている。
【００１７】
サーミスタ４は、発光装置１内の温度を測定するためのものである。サーミスタ４は、配線台３に固定されている。
【００１８】
半導体光増幅器５は、光ファイバ６、７を導波して入射してくる光を増幅して出射するためのものである。図３に示すように、半導体光増幅器５は、基板１１と、基板１１上に形成された半導体積層部１２と、一対の電極１３、１４と、反射防止膜１５、１６とを有する。基板１１は、導電性のｎ型ＧａＡｓからなる。半導体積層部１２には、ｎ型半導体層２１と、活性層２２と、ｐ型半導体層２３とが、基板１１側から順に積層されている。各半導体層２１〜２３は、ＧａＡｓ系半導体からなる。ここでいうＧａＡｓ系半導体とは、ＧａＡｓのみならずＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等のＧａＡｓを含む半導体のことである。半導体積層部１２の上面には、電流を狭窄させるためのストライプ部２４が形成されている。
【００１９】
半導体光増幅器５の端面のうち、ストライプ部２４の延長線上の対向する端面が、光が入射及び出射する一対の光入出面５ａ、５ｂである。電極１３は、基板１１の裏面に形成されている。電極１３は、サブマウント３１に電気的に接続されている。電極１４は、半導体積層部１２の上面に形成されている。反射防止膜１５、１６は、半導体光増幅器５の光入出面５ａ、５ｂに設けられている。反射防止膜１５、１６は、誘電体膜からなる。半導体光増幅器５は、サブマウント３１を介して配線台３に固定されている。
【００２０】
光ファイバ６、７は、半導体光増幅器５へ入射する光及び半導体光増幅器５から出射する光をＡ方向及びＢ方向に導波させるためのものである。光ファイバ６、７は、後述するアライメント時に設けられたレーザ装置５２から出射されたレーザ光によりアライメントされている。光ファイバ６、７は、約１ｍの長さと、約０．１２５ｍｍ〜約０．９００ｍｍの太さを有する。光ファイバ６、７の表面には、最外層にＡｕを含む金属多層膜が被覆されている。
【００２１】
光ファイバ６の一端部６ａは、半導体光増幅器５の一方の光入出面５ａに対向する位置に配置されている。光ファイバ７の一端部７ａは、半導体光増幅器５の他方の光入出面５ｂに対向する位置に配置されている。図４に示すように、光ファイバ６、７の一端部６ａ、７ａの先端は、レンズとして機能させるために部分球状に形成されている。光ファイバ６（７）は、ＡｕＳｎ半田３２（３４）によりファイバ固定台３３（３５）に固定されている。尚、ファイバ固定台３３、３５は、配線台３に固定されている。また、光ファイバ６、７は、パッケージ１０の側面に形成された開口部１０ｂ、１０ｃに封止された封止材３７によっても固定されている。
【００２２】
ファイバコネクタ８（９）は、光ファイバ６（７）を他の光ファイバと接続するためのものである。図４に示すように、ファイバコネクタ８（９）は、光ファイバ６（７）の他端部６ｂ（７ｂ）に設けられている。ファイバコネクタ８（９）の光入出面８ａ（９ａ）は、ＡＰＣ（Angled Physical Contact）研磨により、光ファイバ６（７）の光軸に対して傾斜（例えば、８°）させている。これにより、光入出面８ａ（９ａ）は、光の反射による損失を低減させている。
【００２３】
次に、上述した第１実施形態による発光装置１の動作を説明する。
【００２４】
まず、発光装置１では、半導体光増幅器５の電極１３、１４の間に電圧が印加されると、反転分布状態となる。一方、光ファイバ６をＡ方向に導波する光は、端部６ａから出射されて、光入出面５ａから半導体光増幅器５に入射する。ここで、半導体光増幅器５は、反転分布状態となっているので、入射した光によって誘導放出が起こり、光が増幅される。増幅された光は、光入出面５ｂから出射され、端部７ａから光ファイバ７に入射する。そして、光ファイバ７を増幅された光が導波する。尚、光ファイバ７をＢ方向に導波する光については、光ファイバ６をＡ方向に導波する光と方向が逆である以外は同じ動作をするので説明を省略する。
【００２５】
次に、上述した第１実施形態による発光装置１の組立工程を説明する。図５〜図１３は、第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【００２６】
まず、図５に示すように、サーミスタ４と、半導体光増幅器５が装着されたサブマウント３１と、ファイバ固定台３３、３５とを配線台３に固定する。
【００２７】
次に、図６に示すように、光ファイバ６の他端部６ｂに装着されたファイバコネクタ８に、アダプタ５１を介して、レーザ装置５２を接続する。レーザ装置５２は、ファイバコネクタ５３と、光ファイバ５４と、半導体レーザ素子５５とを備えている。尚、半導体レーザ素子５５から出射されるレーザ光の波長は、誘導放出を生じさせるために半導体光増幅器５から出射される光の波長よりも短い。また、アダプタ５１には、半導体光増幅器５から半導体レーザ素子５５へ導波する光を遮蔽するためのアイソレータ（図示略）が設けられている。次に、光ファイバ６の一端部６ａと対向する位置にフォトダイオードを含むパワーメータ５６を配置する。パワーメータ５６は、光の出力を測定するためのものである。
【００２８】
この図６に示す状態で、半導体レーザ素子５５に電圧を印加して、レーザ光を出射させる。レーザ光は、光ファイバ５４を導波した後、光ファイバ６の他端部６ｂから入射する。その後、レーザ光は、光ファイバ６を導波した後、一端部６ａから出射して、パワーメータ５６に受光される。そして、パワーメータ５６により半導体レーザ素子５５から出射されたレーザ光の出力が測定される。この測定された値を第１初期値とする。
【００２９】
次に、図７に示すように、パワーメータ５６を半導体光増幅器５の光入出面５ｂ側に配置する。尚、パワーメータ５６のフォトダイオードの受光面は、半導体光増幅器５の光軸に対して傾斜している。これにより、パワーメータ５６により反射されたレーザ光が、半導体光増幅器５に戻ることを低減できる。この状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加して光を出射させる。光入出面５ｂから出射された光は、パワーメータ５６に受光されて、出力が測定される。この測定された値を第２初期値とする。
【００３０】
次に、図８に示すように、半導体光増幅器５の光入出面５ａと対向する位置に、レーザ装置５２が接続された光ファイバ６を配置する。この後、アライメント用のペルチェ装置５７を配線台３の下に設置する。ペルチェ装置５７は、アライメントをする際に、半導体光増幅器５の温度をサーミスタ４で測定しつつ、一定に保つためのものである。この状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加して、反転分布状態にするとともに、光入出面５ａ、５ｂから光を出射させる。次に、半導体レーザ素子５５に電圧を印加して、レーザ光を出射させる。レーザ光は、光ファイバ５４を導波した後、他端部６ｂから光ファイバ６に入射する。その後、レーザ光は、光ファイバ６をＡ方向に導波して、一端部６ａから出射される。
【００３１】
ここで、光ファイバ６の光軸と半導体光増幅器５の光軸とがずれている場合は、端部６ａから出射されたレーザ光は、半導体光増幅器５の活性層２２の内部でほとんど増幅されない。この結果、パワーメータ５６では、光がほとんど検出されない。
【００３２】
一方、光ファイバ６の光軸と半導体光増幅器５の光軸とがほとんど一致している場合は、レーザ光が一方の光入出面５ａから半導体光増幅器５に入射する。そして、レーザ光が半導体光増幅器５の活性層２２の内部で導波しつつ、誘導放出によって増幅される。増幅されたレーザ光は、半導体光増幅器５の他方の光入出面５ｂから出射した後、パワーメータ５６によって受光されて、その出力が測定される。この後、パワーメータ５６によって測定される光の出力が最大となるように光ファイバ６の微調整が行われる。ここで、パワーメータ５６では、測定された光の出力、第１初期値及び第２初期値によって、光ファイバ６から半導体光増幅器５への光の結合効率が演算される。
【００３３】
次に、図９に示すように、光の出力が最大となる位置に、半田３２によって光ファイバ６をファイバ固定台３３に固定する。これによって、半導体光増幅器５と光ファイバ６との光の結合効率が最大となる。この結果、光ファイバ６のアライメントが完了する。
【００３４】
次に、図１０に示すように、光ファイバ６の他端部６ｂに接続されたレーザ装置５２を取り外す。その後、パワーメータ５６をファイバコネクタ８の光入出面８ａと対向する位置に配置する。この状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加して、光を出射させる。出射した光は、光ファイバ６をＢ方向に導波した後、ファイバコネクタ８の光入出面８ａから出射する。その後、光は、パワーメータ５６に受光されて、出力が測定される。この測定された光の出力を第３初期値とする。また、パワーメータ５６では、受光した光の出力に基づいて、半導体光増幅器５から光ファイバ６への光の結合効率が演算される。
【００３５】
次に、図１１に示すように、レーザ装置５２を光ファイバ７の他端部７ｂにアダプタ５１を介して接続する。この状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加して、反転分布状態にするとともに、光入出面５ａ、５ｂから光を出射させる。次に、半導体レーザ素子５５に電圧を印加して、レーザ光を出射させる。レーザ光は、光ファイバ５４をＢ方向に導波して、光ファイバ７の他端部７ｂに入射する。その後、レーザ光は、光ファイバ７をＢ方向に導波して、端部７ａから出射する。
【００３６】
ここで、光ファイバ７の光軸と半導体光増幅器５の光軸とがずれている場合は、端部７ａから出射されたレーザ光が、半導体光増幅器５の内部でほとんど増幅されない。この結果、パワーメータ５６では、光がほとんど検出されない。
【００３７】
一方、光ファイバ７の光軸と半導体光増幅器５の光軸とがほとんど一致している場合は、半導体光増幅器５にレーザ光が入射する。そして、レーザ光が、半導体光増幅器５の活性層２２によって増幅される。増幅されたレーザ光は、光ファイバ６をＢ方向に導波した後、パワーメータ５６によって受光されて、その出力が測定される。この後、パワーメータ５６によって測定される光の出力が最大となるように光ファイバ７の微調整が行われる。ここで、パワーメータ５６では、測定された出力、第１初期値〜第３初期値によって、光ファイバ７から半導体光増幅器５への光の結合効率が演算される。
【００３８】
次に、図１２に示すように、光の出力が最大となる位置に、半田３４によって光ファイバ７をファイバ固定台３５に固定する。これによって、半導体光増幅器５と光ファイバ７との光の結合効率が最大となる。この結果、光ファイバ７のアライメントが完了する。
【００３９】
次に、図１３に示すように、アダプタ５１、レーザ装置５２、パワーメータ５６及びペルチェ装置５７を取り外す。
【００４０】
その後、ペルチェ素子２、サーミスタ４等とともに、光ファイバ６、７が設置された配線台３がパッケージ１０に装着されて、図１に示す発光装置１が完成する。
【００４１】
上述したように、第１実施形態による発光装置１では、半導体レーザ素子５５から出射されたレーザ光を光ファイバ６から半導体光増幅器５に導波させ、そのレーザ光をパワーメータ５６により測定しつつ、アライメントを行っている。これにより、光ファイバ６から半導体光増幅器５への光の結合効率を測定しつつアライメントを行うことができる。更に、出力の大きいレーザ光を用いることによって、パワーメータ５６で容易に受光することができるので、アライメントを容易に行うことができる。
【００４２】
また、発光装置１では、パワーメータ５６のフォトダイオードの受光面を半導体光増幅器５の光軸に対して傾斜させている。これにより、レーザ光が受光面で反射されて、半導体光増幅器５に戻ることを抑制できる。この結果、パワーメータ５６が、不要な光を受光することを抑制できる。
【００４３】
また、発光装置１では、電極１４がＡｕを含むので、半導体レーザ素子５５から出射されて広がったレーザ光が、電極１４により吸収される。この結果、パワーメータ５６が、不要な光を受光することを抑制できる。尚、電極１４による光の吸収をより高めるには、電極１４の厚みを５μｍ以上にすることが好ましい。
【００４４】
また、半導体増幅器にレーザ光を入射させる発光装置の場合、レーザ光でない光をアライメントに使用すると、実際の使用時と状況が異なる。しかしながら、発光装置１では、半導体レーザ素子５５から出射されたレーザ光を半導体光増幅器５に入射させてアライメントを行っているので、より使用時に近い状況でアライメントを行うことができる。
【００４５】
また、発光装置１では、第１初期値〜第３初期値を測定した後、アライメントを行っているので、より精度の高い光の結合効率を測定できる。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、上述した第１実施形態の一部を変更した第２実施形態の半導体光増幅器について説明する。図１４は、第２実施形態による半導体光増幅器の斜視図である。尚、第１実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００４７】
図１４に示すように、第２実施形態の半導体光増幅器５Ａでは、レーザ光の漏れを抑制するためにｐ型半導体層２３Ａを厚く構成している。ここで、ｐ型半導体層２３Ａを複数の層により構成する場合、光を閉じ込めることが可能なクラッド層等を厚く（例えば、１μｍ以上の厚み）することが好ましい。
【００４８】
このように第２実施形態による半導体光増幅器５Ａは、ｐ型半導体層２３Ａを厚く形成しているので、半導体レーザ素子５５から出射されたレーザ光が、光ファイバ６、７から半導体光増幅器５Ａに入射した後、ｐ型半導体層２３Ａを透過して、パワーメータ５６に受光されることを抑制できる。この結果、アライメントの精度をより向上させることができる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に、上述した第１実施形態の一部を変更した第３実施形態の半導体光増幅器について説明する。図１５は、第３実施形態による半導体光増幅器の斜視図である。尚、第１実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００５０】
図１５に示すように、第３実施形態の半導体光増幅器５Ｂでは、レーザ光の漏れを抑制するためにジャンクションダウン構造を採用している。即ち、厚い基板１１が、薄い半導体積層部１２の上部となるように、サブマウント３１に半導体光増幅器５Ｂが設置されている。
【００５１】
このように第３実施形態による半導体光増幅器５Ｂは、ジャンクションダウン構造を採用しているので、光ファイバ６、７から出射されて、広がったレーザ光を基板１１により遮ることができる。この結果、パワーメータ５６が、広がったレーザ光を受光することを抑制できる。この結果、アライメントの精度をより向上させることができる。
【００５２】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００５３】
例えば、上述した実施形態における各構成の材料、形状、数値等は、一例であって、適宜変更可能である。
【００５４】
また、上述した実施形態では、光導波路として光ファイバを採用したが、その他の基板上に形成された光導波路等を採用してもよい。
【００５５】
また、上述した実施形態では、発光素子として、半導体光増幅器を採用したが、半導体発光ダイオードや有機ＥＬ素子等を採用してもよい。
【００５６】
また、上述した実施形態では、半導体レーザ素子をレーザ光の光源として採用したが、その他のレーザ光の光源を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１実施形態による発光装置の平面図である。
【図２】第１実施形態による発光装置の内部側面図である。
【図３】第１実施形態による半導体光増幅器の斜視図である。
【図４】第１実施形態による光ファイバ及びファイバコネクタの拡大図である。
【図５】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図６】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図７】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図８】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図９】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１０】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１１】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１２】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１３】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１４】第２実施形態による半導体光増幅器の斜視図である。
【図１５】第３実施形態による半導体光増幅器の斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１     発光装置
２     ペルチェ素子
３     配線台
４     サーミスタ
５、５Ａ、５Ｂ       半導体光増幅器
５ａ   光入出面
５ｂ   光入出面
６、７ 光ファイバ
６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ      端部
８、９ ファイバコネクタ
８ａ、９ａ    光入出面
１０   パッケージ
１０ａ リッド
１０ｂ 開口部
１１   基板
１２   半導体積層部
１３、１４    電極
１５、１６    反射防止膜
２１   ｎ型半導体層
２２   活性層
２３、２３Ａ  ｐ型半導体層
２４   ストライプ部
３１   サブマウント
３２、３４    半田
３３、３５    ファイバ固定台
３７   封止材
５１   アダプタ
５２   レーザ装置
５３   ファイバコネクタ
５４   光ファイバ
５５   半導体レーザ素子
５６   パワーメータ
【図１】
2010014896.tif 000003
【図２】
2010014896.tif 000004
【図３】
2010014896.tif 000005
【図４】
2010014896.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010014896.tif 000009
【図８】
2010014896.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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