(57)【要約】【課題】多くの光学素子の組み合わせにて構成される光ピックアップ装置では，各光学素子の収差や複数の光学素子の位置合わせ精度，光検出器の配置精度等で，光ピックアップ装置全体としてジッタ劣化や，収差悪化，検出器光減少といった現象が発生し，歩留まりが低くなるという問題が存在する為，光ピックアップの構成をできるだけ簡素化した状態で，個々の光ピックアップ装置で生じた光学性能を改善しなればならない。【解決手段】光ピックアップ装置内に配置したと，基板の一方に形成された電極パターンと，他方の基板に形成され，電極パターンとの間に電圧を印加するための対向電極と，いずれかの基板に設けられた電極露出領域を有し，基板間に挟持された位相差媒質内で位相差を部分的に変化させた位相子を用いることにより，個々の光ピックアップ装置の光学性能を改善する。【選択図】図１
2010250875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，
情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置され位相差が固定されている位相子であって，
第１の基板と，
第２の基板と，
前記第１及び第２の基板間に挟持された位相差媒質と，
前記第１又は第２の基板の一方に形成された電極パターンと，
前記第１又は第２の基板の他方に形成され，
前記電極パターンとの間に電圧を印加するための対向電極と，
前記第１又は第２の基板に電極露出領域を有し，
前記位相差媒質は，
位相担体が，
前記電極露出領域を介し導かれた第１の外場により部分的な位相差を発生し，
第２の外場により前記位相差担体が固定化されることによって
前記部分的な位相差が固定され形成されることを特徴とする位相子。
【請求項２】
前記位相担体は，
重合反応可能な液晶性を示す材料を含む光硬化性の未硬化物にて構成され，
前記第１の外場は電界，磁界いずれかひとつの外場であり，
前記第２の外場はＵＶ光であり，
前記位相担体が第１の外場により部分的に配向することにより位相差が発生し，
前記第２の外場により光硬化，あるいは光重合することにより部分的な配向方向が固定されていることを特徴とする
請求項１記載の位相担体。
【請求項３】
前記位相担体は，
重合反応可能な液晶性を示す材料を含む熱硬化性の未硬化物にて構成され，
前記第１の外場は電界，磁界いずれかひとつの外場であり，
前記第２の外場は熱であり，
前記液晶性を示す材料が前記第１の外場により部分的に配向することにより位相差が発生し，
前記第２の外場により熱硬化，あるいは重合することにより部分的な配向方向が固定されていることを特徴とする
請求項１記載の位相担体。
【請求項４】
光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，
情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置される
位相子の製造方法であって，
外場によって光学的性質を変化する光学材料からなる位相担体に，
前記光ピックアップ装置の電気信号に基づき
位相子製造装置にて発生させた第１の外場により
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させる第１の工程と，
次いで第２の外場により
前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する第２の工程とを有し，
前記位相担体内部で位相差が部分的に変化する構造を有する
位相子を製造することを特徴とする位相子の製造方法。
【請求項５】
前記第１の外場は電界であり，
前記光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ前記電界を制御し，
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させる
前記第１の工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の位相子製造方法
【請求項６】
前記第１の外場は磁界であり，
前記光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ前記磁界を制御し，
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させる
前記第１の工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の位相子製造方法
【請求項７】
前記第２の外場はＵＶ光であり，
前記ＵＶ光の光強度と光照射時間を制御し，
前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する前記第２の工程を備えることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項８】
前記第２の外場は熱であり，
前記熱を制御し，
前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する前記第２の工程を備えることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項９】
前記電気信号はＲＦ信号であり，
前記ＲＦ信号振幅が大きくなるように
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１０】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
前記焦点ずれ検出信号の振幅が大きくなるよう
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１１】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
前記焦点ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記焦点ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値となるよう
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１２】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
前記トラック追従ずれ検出信号の振幅が大きくなるよう
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１３】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
前記トラック追従ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記トラック追従ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値となるよう
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１４】
前記電気信号は再生信号ジッタであり，
前記再生信号ジッタが小さくなるように
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させることを特徴とする
請求項４記載の位相子製造方法
【請求項１５】
光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，
情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置される位相子を
製造するための位相子製造装置であって，
外場によって光学的性質を変化する光学材料からなる位相担体に，
前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に
位相差を部分的に変化させる第１の工程を行うための
第１の外場を発生させる為の発生源を備え，
前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する第２の工程を行うための
第２の外場を発生させる為の発生源を備えたことを特徴とする
位相子製造装置。
【請求項１６】
前記第１の外場は電界であり，
電界を発生させる電源と，前記電界を前記位相担体に伝達させる為の配線接続部と，
前記光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ
前記電界を制御する位相制御回路と，を備えることを特徴とする
請求項１５に記載の位相子製造装置
【請求項１７】
前記第１の外場は磁界であり，
電界を発生させる電源と，前記電界にて磁界を発生させる少なくとも２つ以上のコイル部と，
前記電界をコイル部に伝達させる為の配線接続部と，
前記光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ
前記磁界を制御する位相制御回路と，を備えることを特徴とする
請求項１５に記載の位相子製造装置
【請求項１８】
前記第２の外場はＵＶ光であり，
ＵＶ光を発生させる光源と，
前記ＵＶ光の光強度と光照射時間を制御する為の位相制御回路と，を備えることを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項１９】
前記第２の外場は熱であり，
ジュール熱によって部分的に熱を回路部と，前記ジュール熱を発生させる電源と，
前記ジュール熱を制御する為の位相制御回路と，を備えることを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２０】
前記電気信号はＲＦ信号であり，
前記ＲＦ信号振幅が大きくなるように
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２１】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
前記焦点ずれ検出信号の振幅が大きくなるように
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２２】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
前記焦点ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記焦点ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値となるよう
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２３】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
前記トラック追従ずれ検出信号の振幅が大きくなるように
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２４】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
前記トラック追従ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記トラック追従ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値となるよう
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２５】
前記電気信号は再生信号ジッタであり，
前記再生信号ジッタが小さくなるように
前記制御ユニットを駆動することを特徴とする
請求項１５記載の位相子製造装置
【請求項２６】
光ビームを射出するための光源と，
前記光ビームを集光するための対物レンズと，
前記対物レンズに入射する前記光ビームの光路中の配置された位相子であって，
第１の基板と，
第２の基板と，
前記第１及び第２の基板間に挟持された位相差媒質と，
前記第１又は第２の基板の一方に形成された電極パターンと，
前記第１又は第２の基板の他方に形成され，
前記電極パターンとの間に電圧を印加するための対向電極と，
前記第１又は第２の基板に電極露出領域を有し，
前記位相差媒質内の位相差が部分的に変化しており位相子挿入前に比べ光ピックアップ装置内で検出される電気信号を改善する位相子と，
光検出器と，
前記光源の光を前記対物レンズを用い光ディスクに導くと共に
前記光ディスクからの反射光を前記位相子を透過させ
前記光検出器に導く光学系を収めた筐体と，
を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２７】
前記筺体には，
前記位相子製造時に前記光ピックアップ装置内に固定された位相子から
配線接続部を光ピックアップ装置外に設置された位相子製造装置へ導く為の
開口部が設けられていることを特徴とする
請求項２６の光ピックアップ装置。
【請求項２８】
前記電気信号はＲＦ信号であり，
位相子挿入前に比べ
前記ＲＦ信号振幅が大きくなることを特徴とする
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【請求項２９】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
位相子挿入前に比べ
前記焦点ずれ検出信号の振幅が大きくなることを特徴とする
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【請求項３０】
前記電気信号は焦点ずれ検出信号であり，
位相子挿入前に比べ
前記焦点ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記焦点ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値に近くなることを特徴とする 
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【請求項３１】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
位相子挿入前に比べ
前記トラック追従ずれ検出信号の振幅が大きくなることを特徴とする
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【請求項３２】
前記電気信号はトラック追従ずれ検出信号であり，
位相子挿入前に比べ
前記トラック追従ずれ検出信号にて焦点ずれが生じていない点で
前記トラック追従ずれ検出信号の値が光ピックアップ装置で定められた特定の値に近くなることを特徴とする
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【請求項３３】
前記電気信号は再生信号ジッタであり，
位相子挿入前に比べ
前記再生信号ジッタが小さくなることを特徴とする
請求項２６記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクの記録再生を行う光ピックアップ装置で用いられる位相子，その製造方法，それを用いた光ピックアップ装置，位相子製造装置に関し，特に光ピックアップ装置ひとつひとつの光学性能改善を簡易に行うことができる位相子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc），ＤＶＤ（Digital Versatile Disc），ＢＤ（Blu-ray Disc）などの光ディスクは，これまで世代を追うごとに高密度大容量化されてきた。これらの光ディスクはすべて情報記録層の光入射側が透明樹脂からなるカバー層で覆われた構造となっており，再生時には光ピックアップ装置を用いてディスクからの反射光の強弱で情報の読み出しを行う。この時，光ピックアップ装置では半導体レーザからの光を光ディスクの情報記録面内にある記録トラック上に正しく集光するために，光ディスクからの反射光強度を光検出器により電気信号として検出し，その電気信号からフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を出力，これらのサーボ信号を用いて対物レンズの位置制御を行っている。
【０００３】
このような光ピックアップ装置は，レーザ光源やコリメートレンズ，対物レンズ，偏光ビームスプリッタ等の数多くの光学部品が高精度に位置合わせされている。これら個々の光学部品の光学性能ばらつきや，組合せ精度の良し悪しにより，光ピックアップ装置の記録再生性能も大きくばらつく。個々の光学部品の性能ばらつきは，検査による選別で改善できるが，組合せ精度に起因する記録再生性能ばらつきは，光学部品を光ピックアップ装置に固定する際の調整方法や接着剤の硬化状態などに大きく左右される。その為，作業者の能力などの人的要因，組立環境での温度・湿度条件などの環境要因等が複雑に絡み合い，光ディスクの記録密度が高くなるほど，記録再生性能の良いピックアップ装置を生産性よく製造するのが困難となる。
【０００４】
光ピックアップ装置において光学部品性能の評価指標は，ＲＭＳ波面収差（root mean square）である。ＲＭＳ波面収差は実際の光の波面と理想波面の偏差である波面収差の標準偏差であり，Max Born, Emil Wolf著，草川徹，横田英嗣訳「光学の原理ＩＩ」 p686 (1975)（東海大学出版会）に示されるように，λ／１４以下になること（マレシャル条件）が必要である。光ピックアップ装置では，対物レンズのみならず，その他光学素子の組み立て調整誤差・光学素子単体の収差，光ディスクの傾き（ディスクチルト）による収差などを含めた光学系全体の収差がマレシャル条件を満たす様に設計されている。波面収差の中には，光ピックアップにおいて対物レンズにより集光される光に基板厚誤差などによって発生する球面収差がある。
【０００５】
また，光ピックアップ装置・光ドライブ装置の良し悪しを判断する指標としては，光ピックアップ装置のサーボ信号品質や，光ドライブ装置で光ディスクを再生したときの再生信号ジッタがある。
【０００６】
そこで光ピックアップ装置製造に際し，ＲＭＳ波面収差を抑え，サーボ信号品質を改善するとともに再生信号ジッタを生産性よく低減するために，以下に示す特許文献１から特許文献４の方法が示されている。特許文献１は，光ピックアップ装置の検出レンズの位置決め・固定方法であり，検出レンズを固定するホルダに特徴がある。特許文献２は，光学部品の接着方法に関するものであり，接着剤硬化時の応力低減を図っている。特許文献３は，対物レンズの位置決め精度に関するもので，専用のレンズホルダを使用することで高精度な組立を実現している。特許文献４は，レンズを固定する為の接着剤の改善により組み立て歩留まり改善を狙ったものである。
【０００７】
さらに特許文献５には，光ピックアップ装置の光学性能をアクティブに補正する，液晶収差補正素子が示されている。収差補正素子は，光ピックアップの光路中に配置され，印加電圧により，透過する光の位相を制御することができる。光を光波として捉えたとき，波面とは波がつたわっていくとき同じ位相をつらねた面を意味する。すなわち，本素子により光の位相を制御することで，実際の光の波面を理想波面に近づけることが可能となる。したがって，本素子により，ピックアップ装置の組み立て誤差により発生する収差を補正することも可能である。特許文献６には，位相を利用した光ピックアップ装置で用いられる光学素子である偏光回折格子が示されている。この偏光回折格子は，液晶収差補正素子同様に液晶性材料に電圧印加することにより位相を制御しているが，その後この液晶性材料を高分子化することにより偏光回折格子内にて位相を固定することができる。この為，収差補正素子と異なり，光ピックアップ装置動作時に電圧印加が不要となる。
【０００８】
また，「ISOM講演会2008講演資料集 〜 ISOM/ODS'08に見る次世代光メモリ技術と新しい展開」 p61 (2008)にて同様の液晶素子を用い位相を制御することで，情報記録媒体上で集光される光スポットの位置を３次元空間で走査可能であることが述べられている。ここでの３次元空間とは，光情報記録媒体の集光面をｘｙ平面と定義し，それに垂直な方向，すなわち光軸方向であるｚ方向を含めたｘｙｚ空間を指す。ｘｙ平面上でのスポット走査は，波面にチルトを与えるような位相差分布を形成することで実現し，ｚ方向の走査は球面収差を与えるような位相差分布を形成することで実現している。
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１２２８２７号公報
【特許文献２】特開２００７−４９２２号公報
【特許文献３】特開２００６−３３８８１１号公報
【特許文献４】特開２００５−３４６８８３号公報
【特許文献５】特開２００７−２５７７２７号公報
【特許文献６】特開２００６−２５２６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記従来技術は，今後の光ディスクの高密度大容量化に対応する光ピックアップ装置の小型化・低コスト化には，不十分である。
【００１１】
特許文献１から特許文献４のように光学部品個々の位置決め精度を高めるような手段や，接着剤材質のみでは，ひとつひとつの素子の収差量を低減することは可能であるが，光ピックアップ装置として光学部品を組み合わせた際の光学性能全体を改善することは難しい。また，特許文献５のように収差補正素子を用いたものは，上記課題に対しては個別のピックアップ装置毎に異なる収差補正量を付与することで対応可能であるが，収差補正素子は使用時に電圧駆動が必須であり，光ピックアップ装置内に配線接続部を設けたり，制御回路を追加したりする必要がある。これらの追加による，光ピックアップ装置の使用方法の煩雑化，また素子数増加によるコスト増が課題となる。特許文献６であれば，特許文献５の収差補正素子電圧駆動は不要となるが，特許文献１から特許文献４と同じく個々の光ピックアップ装置で生じた問題を解決することはできない。
【００１２】
以上の問題点に鑑み，本発明が解決すべき課題は，光ピックアップの構成をできるだけ簡素化した状態で，個々の光ピックアップ装置で生じた光学性能を改善できる位相子，その製造方法，それを用いた光ピックアップ装置および位相子製造装置を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の位相子は，光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置される位相差が固定されているものである。本明細書における位相子とは，光に位相差を変えるものである。位相子の構造としては，第１の基板と，第２の基板と，第１及び第２の基板間に挟持された位相差媒質と，第１又は第２の基板の一方に形成された電極パターンと，第１又は第２の基板の他方に形成され，電極パターンとの間に電圧を印加するための対向電極と，第１又は第２の基板に電極露出領域を有し，位相差媒質は，位相担体が，電極露出領域を介し導かれた第１の外場により部分的な位相差を発生し，第２の外場により位相差担体が固定化されることによって部分的な位相差が固定されて形成されることを特徴としている。本明細書での位相担体とは，外場により位相を変化させることができる材料である。また，位相差媒体とは，媒体内で位相が部分的に変化しており，その部分的変化が固定化されているものである。電極露出領域とは，光ピックアップ装置内で位相差の部分的変化を固定する為に，第１の外場を位相子へ導くものである。
【００１４】
形成された位相差の部分的変化を利用することにより位相子を設置した光ピックアップ装置の波面を理想波面に近づけることが可能であるため，波面収差を補正することができる。また，位相差の部分的変化が固定化されている為，光ピックアップ装置で組み込まれて使用するときに電圧駆動は必要でなく，特許文献５のような収差補正素子を用いたときに比べ光ピックアップ装置の構成を簡素化できる。簡素化の点では同じ特徴を持つ特許文献６のような光学素子は，大面積の基板を用いて複数個の素子が一度に作製された後，ひとつひとつの素子へと切断加工されるため，このような電極露出領域が存在せず，個々の光ピックアップ装置に組み込まれる前の製造段階にて位相差の分布形状が決定されているので，個々の光ピックアップ装置での光学性能改善ができない。一方，本位相子は，位相差の部分的変化を光ピックアップ装置内で形成する為に電極露出領域が設けられているので，個々のピックアップ装置での光学性能が改善可能となる。
【００１５】
本発明の位相差媒質内の位相差の部分的変化は，位相担体が，第１の外場により部分的な位相差を発生し，第２の外場により前記部分的な位相差が固定されていることにより形成されることを特徴としている。本発明の位相担体は，重合反応可能な液晶性を示す材料にて構成され，液晶性を示す材料が第１の外場として電界，磁界のいずれかひとつの外場により部分的に配向することにより位相差が発生できるものである。また，重合反応可能な液晶性を示す材料を含む光硬化性の未硬化物にて構成することにより，液晶性を示す材料が第２の外場としてＵＶ光により部分的に発生した位相差を，光硬化，あるいは光重合することにより部分的な配向方向が固定することができる。配向方向の固定化を実現する第２の外場は，ＵＶ光に限定されるものでなく，熱であってもよい。熱硬化や熱重合にて同様の固定化が可能である。
【００１６】
本発明での位相子の製造方法は，光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置され，外場によって光学的性質を変化する光学材料からなる位相担体に，位相子製造装置にて発生させた第１の外場により前記光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させる第１の工程と，次いで第２の外場により前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する第２の工程により，位相子内部で位相差が部分的に変化する構造を有する位相子となすことを特徴としている。
【００１７】
第１の外場は電界であって，光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ前記電界を制御し，光ピックアップ装置内に設置された位相担体内に位相差を部分的に変化させることを特徴としている。この第１の外場は，電界に限定されるものではなく，磁界でも，位相担体内部に位相差が部分的に異なる構造を有するもの位相子が製造できる。
【００１８】
第２の外場はＵＶ光であって，ＵＶ光の光強度と光照射時間を制御し，位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する第２の工程を備えることを特徴としている。この第２の外場は，ＵＶ光に限定されるものではなく，熱であっても良い。
【００１９】
位相差形状を決定する為に使用する電気信号はＲＦ信号であり，このＲＦ信号振幅が大きくなるように光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させることを特徴としている。この電気信号は，ＲＦ信号に限定されるものではなく，焦点ずれ検出信号やトラック追従ずれ検出信号等のサーボ信号，再生信号ジッタを用いても良い。
【００２０】
本発明での位相子製造装置は，光源からの光を位相子を通して光記録媒体に照射することにより，情報を読み取り及び／又は情報を書き込む光ピックアップ装置内に設置される位相子を製造するための位相子製造装置であり，外場によって光学的性質を変化する光学材料からなる位相担体に，光ピックアップ装置内に設置された位相担体内に位相差を部分的に変化させる第１の工程を行うための第１の外場を発生させる為の発生源を備え，前記位相担体内の位相差の部分的変化を固定化する第２の工程を行うための 第２の外場を発生させる為の発生源を備えたことを特徴としている。
【００２１】
第１の外場は電界であって，電界を発生させる電源と，前記電界を前記位相担体に伝達させる為の配線接続部と，光ピックアップ装置に供えられた光検出器の電気信号に応じ電界を制御する位相制御回路と，を備えることを特徴としている。この第１の外場は，電界に限定されるものではなく，磁界でも，位相担体内部に位相差が部分的に異なる構造を有するものとできる。本明細書での配線接続部とは，位相子製造装置に設けられた第１の外場発生源にて発生させた第１の外場を電極露出領域を通して位相子に導くものである。
【００２２】
第２の外場はＵＶ光であって，ＵＶ光を発生させる光源と，ＵＶ光の光強度と光照射時間を制御する為の位相制御回路と，を備えることを特徴としている。この第２の外場は，ＵＶ光に限定されるものではなく，熱であっても良い。
【００２３】
位相差形状を決定する為に使用する電気信号はＲＦ信号であり，このＲＦ信号振幅が大きくなるように光ピックアップ装置内に設置された前記位相担体内に位相差を部分的に変化させることを特徴としている。この電気信号は，ＲＦ信号に限定されるものではなく，焦点ずれ検出信号やトラック追従ずれ検出信号等のサーボ信号，再生信号ジッタを用いても良い。
【００２４】
本発明での光ピックアップ装置は，光ビームを射出するための光源と，光ビームを集光するための対物レンズと，対物レンズに入射する光ビームの光路中の配置された位相子であって，第１の基板と，第２の基板と，第１及び第２の基板間に挟持された位相差媒質と，第１又は第２の基板の一方に形成された電極パターンと，第１又は第２の基板の他方に形成され，電極パターンとの間に電圧を印加するための対向電極と，第１又は第２の基板に電極露出領域を有し，位相差媒質内の位相差が部分的に変化しており，位相子挿入前に比べ光ピックアップ装置内で検出される電気信号を改善する位相子と，光検出器と，光源の光を前記対物レンズを用い光ディスクに導くと共に光ディスクからの反射光を前記位相子を透過させ前記光検出器に導く光学系を収めた筐体とを有し，光ピックアップ装置の電気信号が位相子設置前に比べ改善されていることを特徴としている。
【００２５】
筺体には，位相子製造時に光ピックアップ装置内に固定された位相子から配線接続部を光ピックアップ装置外に設置された位相子製造装置へ導く為の開口部が設けられていることが特徴である。改善される電気信号はＲＦ信号であり，位相子設置前に比べこのＲＦ信号振幅が大きくなっていることが特徴である。この電気信号は，ＲＦ信号に限定されるものではなく，焦点ずれ検出信号やトラック追従ずれ検出信号等のサーボ信号，再生信号ジッタを用いても良い。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の位相子は，光ピックアップ装置ひとつひとつ固有に発生する光学性能悪化を改善可能であり，光ピックアップ装置製造で強く求められている，歩留まりの改善が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】再生信号ジッタを用いて位相子を作製する為の光ピックアップ装置・位相子製造装置の構成例を示す図。
【図２】位相子搭載光ピックアップ装置製造フロー。
【図３】ホログラム光学素子（ＨＯＥ）のパターン概略図。
【図４】光検出器受光面パターンと，その出力信号からトラッキングエラー信号，フォーカスエラー信号，ラジアルコマ収差信号，タンジェンシャルコマ収差信号，ＲＦ信号を得る回路演算方法を示す模式図。
【図５】球面収差補正を行うときの位相子構成例を示す図。
【図６】デフォーカス量補正を行うときの電極パターン概略図。
【図７】コマ収差補正を行うときの電極パターン概略図。
【図８】実施形態１における位相子製造装置の配線接続部を示す図。
【図９】実施形態１における光ピックアップ装置に配置された位相子の電極露出領域と位相子製造装置の配線接続部の接触状態を示す図。
【図１０】実施形態１における球面収差発生量と再生信号ジッタの関係を示す図。
【図１１】実施形態１における位相差分布最適化フロー。
【図１２】実施形態１における複数の光ピックアップ装置での球面収差補正前後のジッタの関係を示す図。
【図１３】実施形態２における光ピックアップ装置からのサーボ信号フィードバックにて位相子を作製する為の光ピックアップ装置・位相子製造装置の構成例を示す図。
【図１４】実施形態２における検出器上光スポット位置補正を行うときの位相子構成例を示す図。
【図１５】実施形態２における光ピックアップ装置に配置された位相子の電極露出領域と位相子製造装置の配線接続部の接触状態を示す図。
【図１６】実施形態２における光ピックアップ装置での焦点ずれ信号振幅の定義，および，光検出器面上光スポット位置ずれ時の焦点ずれ信号振幅を示す図。
【図１７】実施形態２における光検出器面上での光スポット位置ずれと規格化焦点ずれ振幅の関係を示す図。
【図１８】実施形態２における位相差分布最適化フロー。
【図１９】実施形態２における単一光ピックアップ装置での光検出器上光スポット位置補正量を示す図。
【図２０】実施形態２における複数の光ピックアップ装置での光検出器面上光スポット位置補正量を示す図。
【図２１】実施形態１における複数の光ピックアップ装置での球面収差補正前後のジッタを示す図。
【図２２】実施形態２における位相子製造装置内メモリ部に格納された光検出器面上光スポット位置補正量と規格化焦点ずれ検出信号振幅の関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１に，光ピックアップ装置の構成図を示す。
【００２９】
図１において，１は光ディスク，１０１は対物光学素子である。光ピックアップ装置は，筺体２に以下の光学部品を搭載し構成される。各光学部品については，光ピックアップ装置の動作と共に以下で説明する。光ピックアップ装置は，対物レンズ１０１を高速かつ高精度に動かすための機構を組み込み，アクチュエータ１０２の駆動により，対物レンズ１０１の光軸方向及び光軸と垂直方向（つまり光ディスク１の内周方向及び外周方向）の２軸に沿って変位し，対物レンズ１０１から光ディスク１への光スポットの位置制御を行う。半導体レーザ１０３から出射された光ビームは，コリメートレンズ１０４，偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０５，位相子１０６，１／４波長板（ＱＷＰ）１０７を経て光ディスク１に照射され，光ディスク１で反射された光ビームが，ホログラム光学素子（ＨＯＥ）１０８を通過する。ホログラム光学素子（ＨＯＥ）１０８は，光ディスクからの反射光を光軸付近の光と周辺部分の光で異なる方向に分離する。分離された光束は，ともに検出レンズ１０９により光検出器１１０に入射し，電気信号に変換される。光検出器１１０には複数の受光領域があり，光束を分割して検出し，信号演算回路１１１により焦点ずれ検出信号，トラック追従ずれ信号，ＲＦ信号，コマ収差信号，球面収差信号として出力する。コマ収差信号は媒体ラジアル方向とタンジェンシャル方向のコマ収差信号がそれぞれ検出され，アクチュエータ１０２にフィードバックされて，対物レンズ１１０の媒体ラジアル方向及びタンジェンシャル方向の傾きによってそれぞれのコマ収差を補正するように制御される。球面収差信号は図１に図示されていないコリメートレンズを光軸方向に駆動するユニットに接続され，光ディスク１の基板厚のばらつきによる球面収差を補正するような位置にコリメートレンズが駆動制御される。
【００３０】
このうちＲＦ信号成分は，信号処理回路３へ接続され信号処理を行われた上で，再生信号として出力される。また，信号処理回路３は，再生信号の評価指標となる再生信号ジッタを出力する回路を備えている。本発明での位相子製造装置４は，位相制御回路１１２と，第１の外場発生源１１３，第２の外場発生源１１４，および第１の外場発生源１１３で生じたエネルギーを位相子１０６へ伝達する為の配線接続部１１５を備えており，配線接続部１１５は，光ピックアップ装置の筺体２に設けられた開口部１１６を通し光ピックアップ装置内部へと導かれ，位相子製造の際に位相子１０６の図１では図示しない電極露出領域と接続される。
【００３１】
図２に，位相子搭載光ピックアップ装置の製造フローを示す。
【００３２】
まず，光ピックアップ装置に組み込まれる前の位相子１０６の電極露出領域と，位相子製造装置４の配線接続部１１５を接続する。位相子１０６の構造は後で詳しく述べる。続いて，配線接続部１１５と接続された位相子１０６を光ピックアップ装置２に設置する。このとき，接着剤を用いて，位相子を光ピックアップ装置筺体に固定しても良い。接着剤固定後に位相子を作製すれば，接着硬化後による光学系全体を考慮した位相子を作製することができる。この状態での光ピックアップ装置・信号処理回路３を駆動させ，信号処理回路３から電気信号を出力させる。ここでは，信号処理回路３から電気信号を出力したが，光ピックアップ装置のサーボ信号を電気信号としても良い。サーボ信号を電気信号として用いる際の光ピックアップ装置の構成図は後で説明する。この時点で測定される電気信号は，位相子１０６に位相差形状が形成されていない素通しの状態での信号であり，電気信号が改善されていないものである。この電気信号が最も改善されるように位相子製造装置４の位相制御回路１１２は，第１の外場発生源で発生するエネルギー量を制御する。エネルギー印加された位相子１０６には，エネルギー量に応じた位相差形状が形成される。この位相差形成メカニズム，位相制御方法については，後で詳しく述べる。電気信号が最も改善される状態となる位相差形状が位相子１０６に形成された状態で，位相制御回路１１２は，第２の外場発生源を駆動し，位相子１０６にエネルギー照射することで，位相子１０６の位相差形状を固定化する。その後，位相子１０６の電極露出領域に接触された配線接続部１１５を取り外せば，電気信号が補正された光ピックアップ装置が得られる。従来の発明のように，収差補正素子を用いた構成では，配線接続部を切断すると形成した位相差形状が失われてしまったが，本発明では第２の外場発生源による位相差形状固定化により配線接続部取外し後でも位相差形状が維持される。
【００３３】
続いて，位相子に位相差分布形状を形成するために用いる電気信号について詳しく述べる。まず，図３にホログラム光学素子（ＨＯＥ）のパターン概略図を示す。
【００３４】
図３に，ホログラム光学素子１０８のパターンの概略図を示す。入射光束３０１の径に対して，光量でほぼ等分になるような境界３０２を設定し，その内側領域３０３と外側領域３０４で回折格子の方向を異ならせる。これにより光束の内側と外側が分離されて検出器２１０に集光されることになる。
【００３５】
図４は，光検出器１１０の受光面パターンと，その出力信号から焦点ずれ検出信号，トラック追従ずれ信号，ラジアルコマ収差信号，タンジェンシャルコマ収差信号等のサーボ信号や，ＲＦ信号を得る回路演算方法を示す模式図である。本明細書では，信号検出方法として非点収差法を用いた。非点収差法とは，非点収差をもった光学系で結像した点像のひずみを検出することで光軸方向の変位を非接触で測定する方法であり，本明細書ではホログラム光学素子１０８と検出器１１０の間に図１では図示しない非点収差を持つシリンドリカルレンズを挿入することにより実現できる。信号検出方法としては，ナイフエッジ法等の異なる手段を用いても良く，本明細書の非点収差法に限定されるものではない。ホログラム光学素子１０８により光束の内側と外側に分離された光は４つの受光領域４０１，４０２，４０３，４０４により受光される。このうち４０２，４０４で内側光束回折光，４０１，４０３で外側光束回折光を受光する。４分割受光領域４０１，４０２で外側光束１次回折光４０５，内側光束１次回折光４０６を受光し，非分割受光領域４０３，４０４で外側光束−１次回折光４０７，内側光束−１次回折光４０８を受光する。ここでは，フォーカスエラー信号の検出に非点収差法を用いているため，非点収差による最小錯乱円において光束の方向が９０°回転し，ディスクの案内溝による回折パターンが接線方向に現れる。そのため分割はラジアル方向の直線で行う。４分割受光領域の出力ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈを回路４０９で演算し，収差信号を得る。焦点ずれ検出信号は（ａ＋ｃ＋ｅ＋ｇ）−（ｂ＋ｄ＋ｆ＋ｈ）である。（ｅ＋ｇ）−（ｆ＋ｈ）で内側光束の焦点ずれ検出信号，（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ）で外側光束の焦点ずれ検出信号を得て，内外フォーカスエラー信号の差を球面収差信号とする。トラック追従ずれ検出信号はプッシュプル法を用いて，（ａ＋ｂ＋ｅ＋ｆ）−（ｃ＋ｄ＋ｇ＋ｈ）で得る。（ｅ＋ｆ）−（ｇ＋ｈ）で内側光束のプッシュプル信号，（ａ＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）で外側光束のプッシュプル信号を得て，内外プッシュプル信号の差をラジアルコマ収差信号とする。タンジェンシャルコマ収差信号は（ａ＋ｄ＋ｆ＋ｇ）−（ｂ＋ｃ＋ｅ＋ｈ）で得られる。本発明では，これら全ての信号を使用する必要はない。一般的な光ピックアップ装置では，光情報記録媒体の記録／再生には，サーボ信号として焦点ずれ検出信号とトラック追従ずれ信号があれば十分である。しかし，より高精度な収差補正を行う際に球面収差信号やコマ収差信号を利用すれば良い。
【００３６】
図５にて，球面収差補正を行うときの位相子構成例を示す。
【００３７】
図５に示すように，位相子１０６は，第１の基板５０１と第２の基板５０２を，スペーサを含んだ図示しないシールを介して形成された間隙に，位相担体５０３を挟持している。位相担体５０３の材料として，重合性液晶性モノマーを用いることができる。重合性液晶性モノマーは，重合に寄与する重合性官能基及び液晶の性質を発現するメソゲン基を有する低分子材料である。重合性液晶性モノマーとしては，重合性官能基及びメソゲン基を有する重合性液晶性化合物を含む重合性液晶性組成物に，重合剤を加えたものである。重合剤は，紫外線光重合剤を用いても良いし，一般的な熱重合剤を用いても良い。
【００３８】
位相担体５０３は，上面透明電極５０４と下面透明電極５０５で挟まれている。そして，この第２の基板５０２上に形成された下面透明電極５０５は，球面収差を補正するための同心円状の透明電極パターン５０６が形成されている。一方の上面透明電極５０４は，全面に等電位を与えるように一面に透明電極が形成されている。また，下面透明電極５０５の露出領域１１７と位相差製造装置の配線接続部１１５を接続することにより，これらの透明電極パターンには異なる電圧印加が行われ，重合性液晶性モノマーは印加された電圧量に応じ配向状態が変化させることができる。具体的には，印加電圧を大きくすることで，重合性液晶性モノマーの各分子が向きを変えることにより，重合性液晶性モノマーを透過する光に対し５種類の異なった位相補償量が与えられ，球面収差を補正することが可能となる。球面収差補正用の位相差分布を形成するためには，図５に色を変えて図示したように，色毎に電極に印加する電圧量をＶ０〜Ｖ４と複数の種類を印加しなくてはならない。このため，電極露出領域１１７は，電圧量を印加する種類の数と同じ個数存在することとなる。球面収差補正用の位相差分布形状については本発明独自のものではないので，既出参考文献５を挙げるに留め，本明細書では詳しくは述べない。電極パターン形状は，この球面収差パターンに限定されるものでなく，図６のようにデフォーカス収差のパターンや，図７のようにコマ収差に対応したパターン等を用いることで，所望の位相差形状を位相担体に形成することが可能である。これら透明電極のパターン形状は，一般的な蒸着法，スパッタリング法により透明導電膜であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を製膜し，この透明電極膜をフォトリソ・エッチング工程で加工して形成される。本実施例では，透明電極膜材料として代表的なＩＴＯを使用したが，近年，透明電極膜材料としての検討が行われている亜鉛スズ酸化物（ＺｎＯ）等の材料を用いてもよい。位相担体５０３は，第１の基台５０１と第２の基台５０２，更にシール材５０７にて封止されている。シール材５０７は，透明電極形成後に配置されるため，下面透明電極５０５の中央部分と，露出電極領域１１７はシール材にて電気的に切断されていない。上部透明電極５０４は，導電性接着剤５０８を介し，第１の基台５０１に設けられた上面透明電極接続用電極５０９へ接続される。この電極接続用電極５０９も，露出電極領域１１７へと接続されることにより，露出電極領域１１７に位相差製造装置より配線接続部１１５を介して位相子の上面透明電極５０４と下面透明電極５０５の両方に電圧印加することができる。
【００３９】
図２で述べたようにこの位相子１０６は，位相子製造装置４の第２の外場発生源により位相差分布が固定される。このとき，重合性液晶性モノマーは，重合反応により図４では図示しない高分子液晶へと高分子化される。よって，重合性液晶性モノマーを，配向させ，重合させると，配向したメソゲン基を有する高分子液晶が得られる。このような配向したメソゲン基を有する高分子液晶は，配向したメソゲン基による屈折率異方性を示す。従って，高分子液晶の屈折率異方性を利用して，高分子液晶に入射する光に位相差を与えることができる。位相担体１０５は，重合されることにより本図面では図示しない位相差媒質へと変化し，位相子として用いることができる。このような位相子において，高分子液晶に入射する光に位相差を与えるためには，高分子液晶の屈折率異方性が大きいことが好ましい。
【実施例１】
【００４０】
本発明の第１の実施形態について，図８から図１２，および図２１を参照して説明する。第１の実施例では，再生信号ジッタを位相子製造装置へフィードバックすることにより，光ピックアップ装置の球面収差を補正できる位相差分布を形成し，固定化した位相子が製造可能であることを示した。位相子製造装置は，ひとつひとつの光ピックアップ装置で異なる値となるＲＭＳ球面収差量に対し，補正球面収差量のパラメータを用いて自動最適化を行うことで，光ピックアップ装置ひとつひとつの球面収差補正可能な位相子を製造する。
【００４１】
光ピックアップ装置・位相子製造装置の構成は図１のものを用いた。本実施例では，第１の外場発生源１１３は電源ユニットであり，第２の外場発生源１１４は紫外線（ＵＶ）照射光源である。第１の外場発生源は磁場発生ユニットを用いても良い。電場同様に磁場を用いても分子配向制御が可能であり，磁界はコイルに電流を流すことにより発生させることができるので，位相差製造装置としては電源ユニットと大きく構成が異ならない。第２の外場発生源はヒーター等の熱発生ユニットでも良い。位相担体の温度を上昇させることで位相変化が固定化するような化学反応を起こすことも可能である。位相子の構成は図５のものを用い，球面収差を補正できるような電極パターンを用いた。本実施例では，発生させる位相差分布形状・電圧量に関しては，収差補正素子に関する既出参考文献である特許文献５に留め，ここでは詳しくは述べない。
【００４２】
図８に位相子製造装置の配線接続部を示す。本実施例の配線接続部は，バネが仕込まれたクリップ形状をした抑え機能を持っており，位相子の電極露出領域に接触させる為の複数の貫通電極８０１が存在する。バネの復元力にて力を加えていない状態では，クリップは閉じるようになっているが，クリップ力点８０２に力を与えることで，クリップ支点８０３を中心にクリップ作用点８０４を持ち上げることができる。このようにして持ち上げた状態で位相子を挿入し，貫通電極８０１を位相子の電極露出部分に接触させると，配線接続部のクリップ力点８０１へ力を与えるのを止めたときにバネの復元力により貫通電極８０１と電極露出部分は強くコンタクトされ電圧を安定して印加することが可能となる。本素子にはクリップが開き過ぎない為のストッパー８０５と貫通電極８０１を被覆する絶縁体フィルム８０６が設けられている。図９に光ピックアップ装置に配置された位相子の電極露出領域と位相子製造装置の配線接続部の接触状態を示す。本図面では，位相子の上下向きが図５と逆になっていることに留意されたい。本図面では，図５に示した電極露出領域のなかでＶ４の電圧を与える場所での位相子，配線接続部の断面図である。第２の基台５０２上に形成された下面透明電極５０５に注目すると，Ｓ４の電圧を加えるべき露出電極１１７とは別に，Ｖ２・Ｖ３の電圧を与えるべき電極部分，すなわち電極接触禁止領域９００が存在することが分かる。電極接触禁止領域９００が貫通電極８０１と接触しないように設けられたのが，絶縁フィルム８０６である。位相子形成後に配線接続部を取り外す為には，配線接続部と位相差製造装置を結ぶ配線を，位相差製造装置側に引き寄せれば良い。図９での配線接続部が平行方向にスライドすることにより簡単に取り外し可能であり，取り外された後の電極配線部は光ピックアップ装置に設けられた開口部より光ピックアップ装置外へと移動させることができる。小型光学部品が集積された光ピックアップ装置内で手作業にて配線接続部のクリップ開閉を行うことは現実的でない。そこで本発明では，光ピックアップ装置外で位相子と配線接続部を接触させ，体積がかさばらない図９の状態にて位相子を光ピックアップ装置に接着剤固定し，位相差形状を固定化後，位相子製造装置に接続された配線を引き出すことにより配線接続部を光ピックアップ装置外部へ回収した。貫通電極８０１や電極露出領域１１７に導電性ゴムを設けても良い。導電性ゴムが配線接続部のバネ復元力を吸収できるので，位相子にかかる応力を低減することが可能である。また，配線接続部のバネを変えることで，応力の加減も可能である。
【００４３】
図１０に，本実施例における球面収差発生量と再生信号ジッタ値の関係を示す。図１０では球面収差量がない光ピックアップ装置に本位相子を取り付け，発生させた球面収差量と再生信号ジッタの関係を調べた。ＲＭＳ波面収差発生量が大きくなればなるほど，再生信号ジッタが悪化，大きくなることが分かる。本実施例では，図１１に示すような位相差分布最適化のフローを実行し，位相子を製造した。図２１に５台の光ピックアップ装置にて球面収差補正前後の再生信号ジッタ値と補正球面収差量を示し，図１２にて補正前後のピックアップ装置での再生信号ジッタ性能を示す。ここでは，図１１に従い，図２１，図１２について説明する。図２１のSample Number ４のサンプルを例とすると，位相子製造装置は，位相子が設置された光ピックアップ装置駆動時の再生信号ジッタ値を信号処理回路より受け取った。この補正前状態での再生信号ジッタは５．８６％であった。そこで，位相制御回路は，球面収差の補正量が＋２５ｍλｒｍｓとなる出力電圧Ｖ０からＶ４を位相担体に印加するように電源ユニットに命令を与え，信号処理回路より＋２５ｍλｒｍｓ補正相当の電圧時の再生信号ジッタ値を再度取得した。このとき再生信号ジッタは，５．２５％と改善した。そこで，更に位相制御回路は，更に＋２５ｍλｒｍｓとなる出力電圧（合計＋５０ｍλｒｍｓ補正）を位相担体に印加し，再生信号ジッタ値５．０６％を取得した。このように再生信号ジッタ値が改善し続ける限り，出力電圧を増やしながら再生信号ジッタ値取得を続けていく。ところが，更に＋２５ｍλｒｍｓとなる出力電圧（合計＋７５ｍλｒｍｓ補正）を位相担体に印加したところ，このときの再生信号ジッタ値は５．２３％と悪化した。そこで，位相制御回路は次のフローへ移り，−２５ｍλｒｍｓの補正を行ないながら再生信号ジッタ値を測定し，同様に最も再生信号ジッタが改善される補正量を探索した。こうして位相制御回路は，０→＋２５（改善）→＋５０（改善）→＋７５（悪化）→＋５０（改善）→＋２５（悪化）と出力電圧量を変え再生信号ジッタ値の改善／悪化判別することにより，最適な球面収差補正量＋２５ｍλｒｍｓ相当の出力電圧を決定できた。この最適な出力電圧が印加された状態で，紫外線（ＵＶ）照射光源にてＵＶ硬化が行われ，球面収差が補正された位相子を作製された。表３からも分かるように，各ピックアップでの最適な出力電圧は，−２５ｍλｒｍｓから＋７５ｍλｒｍｓと異なっているが，図９に示すように補正前後での再生信号ジッタ値を見ると本発明での位相子を用いたピックアップ装置の再生信号ジッタ値ばらつきは大きく改善されていることが分かる。
【実施例２】
【００４４】
次に，本発明の第２の実施形態について，図１２から図２０，および図２２を参照して説明する。第２の実施例では，光ピックアップ装置からのサーボ信号を位相子製造装置へフィードバックすることにより，光検出器面上の光スポット位置を補正できる位相差分布を形成し，固定化した位相子が製造可能であることを示した。光スポット位置は，ｘｙ方向の２つのパラメータで最適化されるものであり，本発明の第１の実施形態のように１つのパラメータで最適化するときよりも位相差分布形成フローが異なっている。
【００４５】
図１３は，光ピックアップ装置からのサーボ信号フィードバックにて位相子を作製する為の光ピックアップ装置・位相子製造装置の構成例を示す図である。図１３は，図１の構成と比較すると，位相子製造装置へフィードバックされた電気信号が信号処理回路３からの再生信号ジッタではなく，光ピックアップ装置２からのサーボ信号である点，第１の外場発生源１１３から位相子１０６に接続される配線接続部１１５が３本（１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ）である点が異なっている。本実施例では，第１の外場発生源１１３は電源ユニットであり，第２の外場発生源１１４は紫外線（ＵＶ）照射光源である。
【００４６】
図１４に検出器上光スポット位置補正を行うときの位相子構成例を示す。上面透明電極５０４と下面透明電極５０５には，電圧制御用低抵抗部１４００が設けられている。この電圧制御用低抵抗部１４００は，透明電極の面内の電圧分布を制御することができる。透明電極材料は抵抗が高くなるので，電圧制御用低抵抗部１４００を設けることにより，透明電極を矩形状に形成し，その両端に電位差を与えることにより，面内で電位差を図１４の色の濃淡で示した様に制御することができる。本実施例では，電圧制御用低抵抗部１４００にＡｕ（金）電極を用いた。透明電極材料は，一般的に用いられる電極材料である金属に比べ抵抗が高いので，本実施例のＡｕだけでなく，Ｃｕ（銅）やＣｒ（クロム），また合金材料を用いても良い。このようにして発生させた位相差分布により光スポットの位置を走査することが可能である。本実施例では，この電位差分布の発生形状を上面透明電極５０４と下面透明電極５０５にて９０°異なるように形成することで，光検出器面上の光スポットを２次元空間で補正することが可能である。本実施例では，この２次元空間をｘｙ空間として表す。光ディスク集光面と光検出器面上でのスポット位置関係は光学設計による倍率によって異なるが，方向性は維持されている。そこで，ディスク面上にてラジアル方向となる光検出器面上での方向をｘ方向，タンジェンシャル方向となる光検出器面上での方向をｙ方向とした。位相差分布を形成する重合性液晶性モノマーは一対の透明電極に挟まれたものを用いた。本実施例では，光スポット位置を走査するための位相差分布形状・電圧量に関しては，既出参考文献を挙げる留め，ここでは詳しくは述べない。電極露出領域１１７の上には，露出電極領域接触用電極抑えクリップ１４０１が設けられており，位相差形状形成時には，配線接続部がこの電極露出領域１１７と露出電極領域接触用電極抑えクリップ１４０１の間に挟まれ，圧着される。
【００４７】
図１５に光ピックアップ装置に配置された位相子の電極露出領域と位相子製造装置の配線接続部の接触状態を示す。本発明では，電極接触領域１１７に接続する配線数が３本と少なかった為に，位相子側に電極抑え部を設けたのが特徴である。このような構成とすることで，位相差形状形成・固定化後に配線接続部を取り外す際に電極部分のみを引き出せば良いので，光ピックアップ装置に設ける配線接続用，配線回収用の開口部の大きさを小さくすることが可能である。そこで本実施例では，光ピックアップ装置外で位相子と配線接続部を接触させ，体積がかさばらない図９の状態にて位相子を光ピックアップ装置に接着剤固定し，位相差形状を固定化後，位相子製造装置から配線を介し配線接続部を回収した。
【００４８】
本実施例では，光ピックアップ装置から取得されるサーボ信号となる焦点ずれ検出信号振幅とした。本明細書では，この焦点ずれ検出信号振幅を，焦点ずれ検出信号の最大値と最小値の差分量と定義する。図１６に，光検出器面上での光スポット位置ずれによる焦点ずれ検出信号振幅の違いを示す。図１６より，焦点ずれ検出信号振幅は，検出器ずれが発生したときに小さくなることが分かる。図１７に，この光検出器面上での光スポット位置ずれがｘ，ｙ方向で同時に発生した時の，焦点ずれ検出信号振幅の関係を示す。光スポット位置ずれがｘ，ｙ方向で発生していないとき，焦点ずれ検出信号振幅が最も大きくなる（改善する）ことが分かる。
【００４９】
本実施例では，図１８に示すような位相差分布最適化のフローを実行し，位相子を製造した。ここでは，図１８に従い，図２２，図１９，図２０について説明する。図２２にて，１台の光ピックアップ装置にて位相子を製造したときの位相子製造装置内メモリ部に格納された光検出器面上光スポット位置補正量と規格化焦点ずれ検出信号振幅の関係を示す。また，図１９にて，図２２と同じ単一光ピックアップ装置での位相子による光検出器上光スポット位置補正量を示す。更に，図２０では，３台の光ピックアップ装置にて作製された位相子の光検出器上光スポット位置補正量を示す。位相子製造装置は，位相子が設置された光ピックアップ装置駆動時の焦点ずれ検出信号を光ピックアップ装置より受け取った。そこで，位相制御回路は，光検出器面上光スポット位置補正量がｘ，ｙ両方向ともに±７．５μｍとなる各点（２．５μｍ間隔）となる出力電圧条件のセットデータ（表４の表記に従うと，ｉ＝７,ｊ＝７）をリストアップする。本実施例では，ｘ方向に７種類の位置補正量，ｙ方向に７種類の位置補正量を持つので，セット数（測定点）は，合計４９（＝７×７）となる。引き続き，このセットデータに基づき電源ユニットに命令を与え，光ドライブ装置より焦点ずれ検出信号振幅を取得し，メモリ部に格納した。全４９点での測定終了後，メモリ部に格納したデータを参照することにより，この光ピックアップ装置にて位相子が補正する光スポット位置補正量は，表５に示すように（ｘ，ｙ）＝（＋２．５，−２．５）（μｍ）であることが分かった。位相制御回路は，最適補正量となる，（ｘ，ｙ）＝（＋２．５，−２．５）（μｍ）光検出器面上光スポット位置補正量相当の出力電圧を電源ユニットに与えるように命令し，位相担体に形成された位相差分布形状を紫外線（ＵＶ）照射光源にて固定化した。本実施例でも，図２０に示すように複数の光ピックアップ装置での位相子による光検出器面上光スポット位置補正量は異なっており，本発明によりひとつひとつの光ピックアップ装置の性能改善が実現できることが分かる。
【００５０】
なお，本発明は，上記実施形態そのままに限定されるものではなく，実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また，上記複数の実施形態を適宜組み合わせ，そこに開示されている複数の構成要素から適宜な組み合せを選択することにより種々の発明を形成できる。また，上記実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を適宜削除して実施してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１  光ディスク
２  （光ピックアップ装置）筺体
３  信号処理回路
４  位相子製造装置
１０１  対物レンズ
１０２  アクチュエータ
１０３  半導体レーザ
１０４  コリメートレンズ
１０５  偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
１０６  位相子
１０７  １／４波長板（ＱＷＰ）
１０８  ホログラム光学素子（ＨＯＥ）１０８
１０９  検出レンズ
１１０  光検出器
１１１  信号演算回路
１１２  位相制御回路
１１３  第１の外場発生源
１１４  第２の外場発生源
１１５  配線接続部
１１５ａ  （下面透明電極印加電圧制御用）配線接続部
１１５ｂ  （上面透明電極印加電圧制御用）配線接続部
１１５ｃ  （上下面共通透明電極印加電圧制御用）配線接続部
１１６  開口部
１１７  電極露出領域
３０１  入射光束
３０２  境界
３０３  内側領域
３０４  外側領域
４０１  ４分割受光領域（受光領域１）
４０２  ４分割受光領域（受光領域２）
４０３  非分割受光領域（受光領域３）
４０４  非分割受光領域（受光領域４）
４０５  外側光束１次回折光
４０６  内側光束１次回折光
４０７  外側光束−１次回折光
４０８  内側光束−１次回折光
４０９  回路
５０１  第１の基台
５０２  第２の基台
５０３  位相担体
５０４  上面透明電極
５０５  下面透明電極
５０６  透明電極パターン
５０７  シール材
５０８  導電性接着剤
５０９  上面透明電極接続用電極
Ｖ０  上面透明電極に印加する電圧
Ｖ１〜Ｖ４  下面透明電極の各々の同心円電極に印加する電圧
８０１  貫通電極
８０２  （クリップ）支点
８０３  （クリップ）力点
８０４  （クリップ）作用点（固定部）
８０５  ストッパー
８０６  絶縁体フィルム
ＶＣ  上下面の透明電極に共通して印加する電圧
ＶＩ  下面透明電極に印加する電圧
ＶＩＩ  上面透明電極に印加する電圧
９００  電極接触禁止領域
１４００  電圧制御用低抵抗部
１４０１  露出電極領域接触用電極抑えクリップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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