(57)【要約】【課題】従来よりも簡単な構造でマルチ画素構造を実現する。【解決手段】画素１０は第１副画素１０ａと第２副画素１０ｂとを有する。第１副画素に対応して設けられた第１ＴＦＴ１６Ａと、第２副画素に対応して設けられた第２ＴＦＴ１６Ｂは、共通のゲートバスラインおよび共通のソースバスラインに接続されている。第１ＴＦＴ１６Ａのオン電流は第２ＴＦＴ１６Ｂのオン電流よりも大きい。【選択図】  図２
2010128004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれが第１副画素と第２副画素とを有し、
前記第１副画素および前記第２副画素のそれぞれは、
対向電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副画素電極とによって形成された液晶容量と、
前記副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量とを有する液晶表示装置であって、
前記第１副画素に対応して設けられた第１ＴＦＴと、前記第２副画素に対応して設けられた第２ＴＦＴとを有し、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのゲート電極は共通のゲートバスラインに接続されており、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのソース電極は共通のソースバスラインに接続されており、且つ、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのドレイン電極はそれぞれが対応する前記副画素電極に接続されており、
前記第１ＴＦＴのオン電流は前記第２ＴＦＴのオン電流よりも大きい、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１ＴＦＴのチャネル幅は、前記第２ＴＦＴのチャネル幅よりも大きい、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１ＴＦＴのチャネル長は、前記第２ＴＦＴのチャネル長よりも短い、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記補助容量対向電極は、前記第１副画素および前記第２副画素毎に電気的に独立である、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、広視野角特性を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、高精細、薄型、軽量および低消費電力等の優れた特長を有する平面表示装置であり、近年、表示性能の向上、生産能力の向上および他の表示装置に対する価格競争力の向上に伴い、市場規模が急速に拡大している。
【０００３】
また、近年、従来主流であったＴＮモードの液晶表示装置における視野角特性を改善した液晶表示装置として、特許文献１に記載のインプレイン・スイッチング・モード（ＩＰＳモード）、特許文献２に記載のマルチドメイン・バーティカル・アラインド・モード（ＭＶＡモード）の液晶表示装置等が開発された。
【０００４】
これらの新規なモード（広視野角モード）の液晶表示装置は、表示面を斜め方向から観測した場合に表示コントラスト比が著しく低下する、あるいは表示階調が反転するなどの問題は起こらない。
【０００５】
液晶表示装置の表示品位の改善が進む状況下において、今日では視野角特性の問題点として、正面観測時のγ特性と斜め観測時のγ特性が異なる点、すなわちγ特性の視角依存性の問題が新たに顕在化してきた。ここで、γ特性とは表示輝度の階調依存性であり、γ特性が正面方向と斜め方向で異なるということは、階調表示状態が観測方向によって異なることとなるため、写真等の画像を表示する場合や、またＴＶ放送等を表示する場合に特に問題となる。
【０００６】
γ特性の視角依存性の問題は、ＩＰＳモードよりも、ＭＶＡモードに代表される、液晶分子を表示面に垂直な方向に配向させる表示モードにおいて顕著である。一方、ＩＰＳモードは、ＭＶＡモードに比べて正面観測時のコントラスト比の高いパネルを生産性良く製造することが難しい。これらの点から、特にＭＶＡモードの液晶表示装置におけるγ特性の視角依存性を改善することが望まれる。
【０００７】
そこで、本出願人は、特許文献３〜５に、それぞれの画素に、互いに異なる電圧を印加することができる第１副画素および第２副画素を設けた構成（マルチ画素構造という）を導入することによって、γ特性の視角依存性を改善した液晶表示装置を開示している。特許文献３〜５の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。
【０００８】
特許文献３〜５に開示されている液晶表示装置は、第１副画素に対応して設けられた第１ＴＦＴと、第２副画素に対応して設けられた第２ＴＦＴとを有し、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのゲート電極は共通のゲートバスラインに接続されており、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのソース電極は共通のソースバスラインに接続されており、且つ、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのドレイン電極はそれぞれが対応する副画素電極に接続されており、第１および第２ＴＦＴがオフ状態とされた後に、第１副画素および第２副画素のそれぞれの補助容量対向電極（いわゆるＣＳ電圧）の電圧が変化し、その変化の方向および変化の大きさによって規定される変化量を第１副画素と第２副画素とで異ならせることによって、第１副画素と第２副画素に印加される実効電圧（すなわち輝度）を異ならせている。
【特許文献１】特公昭６３−２１９０７号公報
【特許文献２】特開平１１−２４２２２５号公報
【特許文献３】特開２００４−６２１４６号公報（米国特許第６９５８７９１号明細書）
【特許文献４】特開２００５−１８９８０４号公報
【特許文献５】特開２００６−３９１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献３〜５に記載の液晶表示装置は、補助容量対向電圧を副画素間で異ならせるために、補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を制御する回路を設ける必要があるので、コストが高くなるという問題がある。
【００１０】
また、特許文献５に記載されているように、補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）の変化に起因する表示の筋むらが発生することがある。特許文献５には、全ての補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）の電位が同じときに、ＴＦＴをオフに切り替えることによって、この問題を解決しているが、補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を制御する回路が複雑になるという問題がある。
【００１１】
本発明はかかる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、従来よりも簡単な構造でマルチ画素構造を実現することにある。また、本発明の他の目的は、特許文献３および４に記載されている従来のマルチ画素構造の表示品位を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の液晶表示装置は、複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれが第１副画素と第２副画素とを有し、前記第１副画素および前記第２副画素のそれぞれは、対向電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副画素電極とによって形成された液晶容量と、前記副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量とを有する液晶表示装置であって、前記第１副画素に対応して設けられた第１ＴＦＴと、前記第２副画素に対応して設けられた第２ＴＦＴとを有し、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのゲート電極は共通のゲートバスラインに接続されており、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのソース電極は共通のソースバスラインに接続されており、且つ、前記第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴのドレイン電極はそれぞれが対応する前記副画素電極に接続されており、前記第１ＴＦＴのオン電流は前記第２ＴＦＴのオン電流よりも大きい。
【００１３】
ある実施形態において、  前記第１ＴＦＴのチャネル幅は、前記第２ＴＦＴのチャネル幅よりも大きい。
【００１４】
ある実施形態において、前記第１ＴＦＴのチャネル長は、前記第２ＴＦＴのチャネル長よりも短い。
【００１５】
ある実施形態において、前記補助容量対向電極は、前記第１副画素および前記第２副画素毎に電気的に独立である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、マルチ画素構造を従来よりも簡単な構造で実現することができる。また、特許文献３および４に記載されている従来のマルチ画素構造と組み合わせることによって、表示品位を改善することができる。特に、ＭＶＡモードやＡＳＶモードなどの広視野角特性を有する液晶表示装置のγ特性を改善することによって、表示品位の極めて高い表示を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明による実施形態の液晶表示装置の構成と動作を説明する。
【００１８】
まず、図３〜図７を参照して、特許文献３および４に記載されているマルチ画素構造を有する液晶表示装置２００の構造と動作を説明する。
【００１９】
なお、後に説明するように、液晶表装置２００における第１ＴＦＴ１６ａおよび第２ＴＦＴ１６ｂに、図２（ａ）に示す第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂ、または図２（ｂ）に示す第１ＴＦＴ１６Ａ’および第２ＴＦＴ１６Ｂ’を適用することによって、表示品位を改善できる。図３〜図７の説明は、本発明の実施形態の液晶表示装置の説明にも用いる。
【００２０】
図３に、液晶表示装置２００の電気的な構成を模式的に示す。画素１０は、副画素１０ａ、１０ｂに分割されており、副画素１０ａ、１０ｂは、それぞれＴＦＴ１６ａ、ＴＦＴ１６ｂ、および補助容量（ＣＳ）２２ａ、２２ｂが接続されている。ＴＦＴ１６ａおよびＴＦＴ１６ｂのゲ−ト電極は共通の（同一の）走査線（ゲートバスライン）１２に接続されており、ソース電極は共通の（同一の）信号線（ソースバスライン）１４に接続されている。補助容量２２ａ、２２ｂは、それぞれ補助容量配線（ＣＳバスライン）２４ａおよび補助容量配線２４ｂに接続されている。補助容量２２ａおよび２２ｂは、それぞれ副画素電極１８ａおよび１８ｂに電気的に接続された補助容量電極（不図示）と、補助容量配線２４ａおよび２４ｂに電気的に接続された補助容量対向電極（不図示）と、これらの間に設けられた絶縁層（不図示）によって形成されている。補助容量２２ａおよび２２ｂの補助容量対向電極は互いに独立しており、それぞれ補助容量配線２４ａおよび２４ｂから互いに異なる補助容量対向電圧が供給され得る構造を有している。
【００２１】
次に、液晶表示装置２００の２つの副画素１０ａおよび１０ｂの液晶層に互いに異なる実効電圧を印加することが出来る原理について図を用いて説明する。
【００２２】
図４に、液晶表示装置２００の１画素分の等価回路を模式的に示す。電気的な等価回路において、それぞれの副画素１０ａおよび１０ｂの液晶層を液晶層１３ａおよび１３ｂとして表している。また、副画素電極１８ａおよび１８ｂ（図１参照）と、液晶層１３ａおよび１３ｂと、対向電極１７（副画素１０ａおよび１０ｂに対して共通）によって形成される液晶容量をＣｌｃａ、Ｃｌｃｂとする。液晶層１３ａおよび１３ｂは、誘電率異方性が負のネマチック液晶材料で形成されており、液晶表示装置２００はノーマリブラックモードで表示を行う液晶表示装置である。
【００２３】
液晶容量ＣｌｃａおよびＣｌｃｂの静電容量値は同一の値ＣＬＣ（Ｖ）とする。ＣＬＣ（Ｖ）の値は、副画素１０ａ、１０ｂの液晶層に印加される実効電圧（Ｖ）に依存する。また、各副画素１０ａおよび１０ｂの液晶容量にそれぞれ独立に接続されている補助容量２２ａおよび２２ｂをＣｃｓａ、Ｃｃｓｂとし、これらの静電容量値は同一の値ＣＣＳとする。
【００２４】
副画素１０ａの液晶容量Ｃｌｃａと補助容量Ｃｃｓａの一方の電極は副画素１０ａを駆動するために設けたＴＦＴ１６ａのドレイン電極に接続されており、液晶容量Ｃｌｃａの他方の電極は対向電極に接続され、補助容量Ｃｃｓａの他方の電極は補助容量配線２４ａに接続されている。副画素１０ｂの液晶容量Ｃｌｃｂと補助容量Ｃｃｓｂの一方の電極は副画素１０ｂを駆動するために設けたＴＦＴ１６ｂのドレイン電極に接続されており、液晶容量Ｃｌｃｂの他方の電極は対向電極に接続され、補助容量Ｃｃｓｂの他方の電極は補助容量配線２４ｂに接続されている。ＴＦＴ１６ａおよびＴＦＴ１６ｂのゲート電極はいずれも走査線（ゲートバスライン）１２に接続されており、ソース電極はいずれも信号線（ソースバスライン）１４に接続されている。
【００２５】
図５（ａ）〜（ｆ）に本発明の液晶表示装置２００を駆動する際の各電圧のタイミングを模式的に示す。
【００２６】
図５（ａ）は信号線１４の電圧波形Ｖｓ、図５（ｂ）は補助容量配線２４ａの電圧波形Ｖｃｓａ、図５（ｃ）は補助容量配線２４ｂの電圧波形Ｖｃｓｂ、図５（ｄ）は走査線１２の電圧波形Ｖｇ、図５（ｅ）は副画素１０ａの副画素電極１８ａの電圧波形Ｖｌｃａ、図５（ｆ）は副画素１０ｂの副画素電極１８ｂの電圧波形Ｖｌｃｂをそれぞれ示している。また、図中の破線は、対向電極１７の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。
【００２７】
以下、図５（ａ）〜（ｆ）を用いて図４の等価回路の動作を説明する。
【００２８】
時刻Ｔ１のときＶｇの電圧がＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ１６ａとＴＦＴ１６ｂが同時に導通状態（オン状態）となり、副画素１０ａ、１０ｂの副画素電極１８ａ、１８ｂに信号線１４の電圧Ｖｓが伝達され、副画素１０ａ、１０ｂに充電される。同様にそれぞれの副画素の補助容量Ｃｓａ、Ｃｓｂにも信号線からの充電がなされる。
【００２９】
次に、時刻Ｔ２のとき走査線１２の電圧ＶｇがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１６ａとＴＦＴ１６ｂが同時に非導通状態（オフ状態）となり、副画素１０ａ、１０ｂ、補助容量Ｃｓａ、Ｃｓｂはすべて信号線１４と電気的に絶縁される。なお、この直後ＴＦＴ１６ａ、ＴＦＴ１６ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の電圧Ｖｄだけ低下し、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
となる。また、このとき、それぞれの補助容量配線２４ａおよび２４ｂの電圧Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂは
Ｖｃｓａ＝Ｖｃｏｍ−Ｖａｄ
Ｖｃｓｂ＝Ｖｃｏｍ＋Ｖａｄ
である。
【００３０】
時刻Ｔ３で、補助容量Ｃｓａに接続された補助容量配線２４ａの電圧ＶｃｓａがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄに変化し、補助容量Ｃｓｂに接続された補助容量配線２４ｂの電圧ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄに２倍のＶａｄだけ変化する。補助容量配線２４ａおよび２４ｂのこの電圧変化に伴い、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋ×Ｖａｄ
へ変化する。但し、Ｋ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ）である。
【００３１】
時刻Ｔ４では、ＶｃｓａがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄへ、ＶｃｓｂがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂもまた、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋ×Ｖａｄ
から、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
へ変化する。
【００３２】
時刻Ｔ５では、ＶｃｓａがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂもまた、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
から、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋ×Ｖａｄ
へ変化する。
【００３３】
Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂ、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは、水平書き込み時間１Ｈの整数倍の間隔ごとに上記Ｔ４、Ｔ５における変化を交互に繰り返す。上記Ｔ４、Ｔ５の繰り返し間隔を１Ｈの１倍とするか、２倍とするか、３倍とするかあるいはそれ以上とするかは液晶表示装置の駆動方法（極性反転方法等）や表示状態（ちらつき、表示のざらつき感等）を鑑みて適宜設定すればよい。この繰り返しは次に画素１０が書き換えられるとき、すなわちＴ１に等価な時間になるまで継続される。従って、それぞれの副画素電極１８ａおよび１８ｂの電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂの実効的な値は、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋Ｋ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−Ｋ×Ｖａｄ
となる。
【００３４】
よって、副画素１０ａ、１０ｂの液晶層１３ａおよび１３ｂに印加される実効電圧Ｖ１、Ｖ２は、
Ｖ１＝Ｖｌｃａ−Ｖｃｏｍ
Ｖ２＝Ｖｌｃｂ−Ｖｃｏｍ
すなわち、
Ｖ１＝Ｖｓ−Ｖｄ＋Ｋ×Ｖａｄ−Ｖｃｏｍ
Ｖ２＝Ｖｓ−Ｖｄ−Ｋ×Ｖａｄ−Ｖｃｏｍ
となる。
【００３５】
従って、副画素１０ａおよび１０ｂのそれぞれの液晶層１３ａおよび１３ｂに印加される実効電圧の差ΔＶ１２（＝Ｖ１−Ｖ２）は、ΔＶ１２＝２×Ｋ×Ｖａｄ（但し、Ｋ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ））となり、互いに異なる電圧を印加することができる。
【００３６】
図３から図５におけるＶ１とＶ２の関係を模式的に図６に示す。
【００３７】
図６からわかるように、液晶表示装置２００では、Ｖ１の値が小さいほどΔＶ１２の値が大きい。なお、ΔＶ１２の値がＶ１あるいはＶ２に依存して変化するのは、液晶容量の静電容量値ＣＬＣ（Ｖ）が電圧依存性を持っているためである。
【００３８】
液晶表示装置２００のγ特性を「本実施形態」として、図７に示す。図７には比較のために副画素１０ａと１０ｂに同一の電圧を印加した場合のγ特性も示してある。後述するように、本発明の実施形態の液晶表示装置１００も図７中の「本実施形態」として示したγ特性を有する。図７より、液晶表示装置２００においてもγ特性の改善がなされていることがわかる。なお、図７は、γ特性の違いをさらに明瞭に表現するためのものであり、横軸の値＝（正面視角規格化透過率÷１００）＾（１／２．２）、縦軸の値＝（右６０度視角規格化透過率÷１００）＾（１／２．２）および（右上６０度視角規格化透過率÷１００）＾（１／２．２）として、γ特性のずれを顕在化してある。「＾」はべき乗を表し、この指数がγ値に対応し、典型的な液晶表示装置では正面階調特性のγ値は２．２に設定してある。
【００３９】
液晶表示装置２００は、上述したように、γ特性の視野角特性を改善することができるものの、補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を制御する回路を設ける必要があるので、コストが高くなるという問題がある。
【００４０】
図１に示す本発明による実施形態の液晶表示装置１００は、この問題を解決することができる。
【００４１】
液晶表示装置１００は、液晶表装置２００における第１ＴＦＴ１６ａおよび第２ＴＦＴ１６ｂを、図２（ａ）に示す第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂ、または図２（ｂ）に示す第１ＴＦＴ１６Ａ’および第２ＴＦＴ１６Ｂ’に代え、且つ、液晶表装置２００における補助容量配線２４ａおよび２４ｂを補助容量配線２４に代えたものに相当する。
【００４２】
すなわち、液晶表示装置２００において、第１副画素１０ａおよび第２副画素１０ｂに対して設けられたＴＦＴ１６ａおよびＴＦＴ１６ｂは互いに等価であるが、液晶表示装置１００において、第１副画素１０ａに対応して設けられた第１ＴＦＴ１６Ａは、第２副画素１０ｂに対応して設けられた第２ＴＦＴ１６Ｂよりも大きなオン電流を有している。また、液晶表示装置２００において、第１副画素１０ａおよび第２副画素１０ｂに対応して設けられている補助容量２２ａおよび２２ｂの補助容量対向電圧に対して、互いに電気的に独立に設けられていた補助量配線２４ａおよび２４ｂを、液晶表示装置１００においては、第１副画素１０ａおよび第２副画素１０ｂに対応して設けられている補助容量２２ａおよび２２ｂに対して共通の補助容量対向電圧を供給する補助容量配線２４に代えている。従って、液晶表示装置１００は、液晶表示装置２００において、第１副画素１０ａおよび第２副画素１０ｂに対応して設けられている補助容量２２ａおよび２２ｂの補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を制御するための回路を有しない。
【００４３】
液晶表示装置１００においても、第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂのソース電極に、共通のソースバスライン１４から表示信号電圧が供給されるが、第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂのオン電流特性の違いによって、副画素電極１８ａと１８ｂの電圧を異ならせる。即ち、第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂがゲートバスライン１２から供給される走査信号によって同時にオンされた後、ソースバスライン１４から供給される表示信号電圧によって、第１ＴＦＴ１６Ａを介して副画素電極１８ａが充電され、第２ＴＦＴ１６Ｂを介して副画素電極１８ｂが充電される。このとき、第１ＴＦＴ１６Ａのオン電流は第２ＴＦＴ１６Ｂのオン電流よりも大きいので、副画素電極１８ａには副画素電極１８ｂより多くの電荷が供給される。従って、副画素１０ａは副画素１０ｂよりも高い輝度を表示することになる。
【００４４】
このように、液晶表示装置１００は、液晶表示装置２００のように、複数の互いに異なる補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を用意する必要が無く、第１ＴＦＴ１６Ａと第２ＴＦＴ１６Ｂとのオン電流特性を変えるだけで、図７に「本実施形態」で示したような、改善されたγ特性を有し得る。
【００４５】
次に、図２（ａ）を参照して、第１ＴＦＴ１６Ａと第２ＴＦＴ１６Ｂとの構造の具体的な違いを説明する。
【００４６】
第１ＴＦＴ１６Ａは、ゲートバスライン１２から分岐されたゲート電極Ｇａと、ソースバスライン１４の一部で構成されたソース電極Ｓａと、ドレイン電極Ｄａとを有している。ドレイン電極Ｄａは副画素電極１８ａ（図１参照）に接続されている。ゲート電極Ｇａとソース電極Ｓａおよびドレイン電極Ｄａとの間に半導体層ＳＥａが設けられている。
【００４７】
同様に、第２ＴＦＴ１６Ｂは、ゲートバスライン１２から分岐されたゲート電極Ｇｂと、ソースバスライン１４の一部で構成されたソース電極Ｓｂと、ドレイン電極Ｄｂとを有している。ドレイン電極Ｄｂは副画素電極１８ｂ（図１参照）に接続されている。ゲート電極Ｇｂとソース電極Ｓｂおよびドレイン電極Ｄｂとの間に半導体層ＳＥｂが設けられている。
【００４８】
ここで、第１ＴＦＴ１６Ａのチャネル幅ＣＨＷａは第２ＴＦＴ１６Ｂのチャネル幅ＣＨＷｂよりも大きい。その結果、第１ＴＦＴ１６Ａは第２ＴＦＴ１６Ｂよりもオン電流が大きい。
【００４９】
次に、図２（ｂ）を参照して、第１ＴＦＴ１６Ａ’と第２ＴＦＴ１６Ｂ’との構造の具体的な違いを説明する。
【００５０】
第１ＴＦＴ１６Ａ’および第２ＴＦＴ１６Ｂ’の基本的な構成は、図２（ａ）を参照して説明した、第１ＴＦＴ１６Ａと第２ＴＦＴ１６Ｂと同じであり、同様の構成要素は共通の参照符号で示し、説明をここでは省略する。
【００５１】
図２（ｂ）に示す第１ＴＦＴ１６Ａ’のチャネル長さＣＨＬａは第２ＴＦＴ１６Ｂ’のチャネル長さＣＨＬｂよりも短い。その結果、第１ＴＦＴ１６Ａ’は第２ＴＦＴ１６Ｂ’よりもオン電流が大きい。
【００５２】
もちろん、本発明の液晶表示装置１００に用いられる第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂは、上記の例に限られず、オン電流特性が互いに異なればよい。図２（ａ）および（ｂ）に示した特徴の両方を備える一対のＴＦＴを用いてもよい。
【００５３】
さらに、本発明による他の実施形態の液晶表示装置は、図２（ａ）に示した第１ＴＦＴ１６Ａおよび第２ＴＦＴ１６Ｂ、または図２（ｂ）に示した第１ＴＦＴ１６Ａ’および第２ＴＦＴ１６Ｂ’を液晶表示装置２００のＴＦＴ１６ａおよび１６ｂ（例えば図４参照）と置き換え、液晶表示装置２００と同様に、補助容量配線（ＣＳバスライン）２４ａおよび補助容量配線２４ｂに互いに異なる補助容量対向電圧を供給する構成を採用しても良い。
【００５４】
このような構成を採用すると、液晶表示装置１００のように、補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を制御するための回路を省略できるという利点は得られないが、γ特性の視角依存性をより改善することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、種々の液晶表示装置に用いられる。特に、広視野角特性が求められる用途の液晶表示装置に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明による実施形態の液晶表示装置１００の画素構造の一例を示す模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、液晶表示装置１００に用いられるＴＦＴの構造を示す模式的な平面図である。
【図３】液晶表示装置２００の画素構造の一例を示す模式図である。
【図４】液晶表示装置２００の画素構造に対応した電気的な等価回路を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、液晶表示装置２００の駆動に用いられる各種の電圧波形を示す図である。
【図６】液晶表示装置２００における副画素間の液晶層への印加電圧の関係を示す図である。
【図７】液晶表示装置２００のγ特性を示す図であり、（ａ）右６０度視角でのγ特性、（ｂ）は、右上６０度視角のγ特性を示す。
【符号の説明】
【００５７】
１０  画素
１０ａ、１０ｂ  副画素
１２  走査線（ゲートバスライン）
１４  信号線（ソースバスライン）
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ａ’、１６Ｂ’、１６ａ、１６ｂ  ＴＦＴ
１７  対向電極
１８ａ、１８ｂ  副画素電極
１００、２００  液晶表示装置
【図１】
2010128004.tif 000003
【図２】
2010128004.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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