(57)【要約】【課題】層間載せ換え部の断線の恐れを軽減させた表示装置を提供すること【解決手段】表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔とを含む。前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される。【選択図】図６
2010020190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極膜が形成される第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、
前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔と、を含み、
前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち一方である少なくとも１つの孔のそれぞれは、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち他方である少なくとも２つの孔と第１の方向または前記第１の方向に直交する第２の方向で隣接する、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち一方である少なくとも１つの孔のそれぞれは、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち他方である少なくとも２つの孔と前記第１の方向及び前記第２の方向のそれぞれで隣接する、
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板の端部であって一辺に沿って延びる領域を露呈させ残りの領域を覆うように設けられる第２の基板と、をさらに含み、
前記延伸する領域には前記第１の孔及び前記第２の孔が存在し、
前記第１の方向は前記延伸する領域の長手方向であり、
前記第２の方向は前記延伸する領域の短手方向である、
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁層は、材料の異なる複数の膜から形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の絶縁層は、有機絶縁膜を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
第１の電極膜が形成される第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、
前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔と、を含み、
前記第１の孔の面積の合計は前記第２の孔の面積の合計と異なり、前記第１の孔及び前記第２の孔の内部領域ならびに前記第１の孔及び前記第２の孔の全てを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に基板の異なる層に形成されている電極膜どうしを電気的に接続するための構造を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶表示装置などの表示装置においては、その表示装置を構成するアレイ基板上に絶縁体の層を挟んで複数の導電層が形成される。このように複数の導電層に存在する配線どうしを電気的に接続するために、図２４及び図２５に示すような層間載せ換え部を用いることがある。図２４は従来の層間載せ換え部を示す平面図の例であり、図２５は図２４のＡ−Ａ切断線における断面図の例である。
【０００３】
上記アレイ基板は、ゲート電極膜ＧＭと、ゲート電極膜ＧＭの層の上側に設けられるゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート絶縁膜ＧＩの上側に設けられるドレイン電極膜ＳＤＭと、ドレイン電極膜ＳＤＭの層の上側に設けられるパッシベーション膜と、パッシベーション膜の上側に設けられる導電膜ＳＣとの多層構造となっている。ここで、図２４及び図２５に示される例ではパッシベーション膜は無機絶縁膜ＰＡＳの層及びその上方にある有機絶縁膜ＦＰＳの層により構成されている。
【０００４】
層間載せ換え部は、上記アレイ基板において、ゲート電極膜ＧＭに達する第１のコンタクトホールＣＨ１と、ドレイン電極膜ＳＤＭに達する第２のコンタクトホールＣＨ２と、導電膜ＳＣによって構成されている。導電膜ＳＣは、電極膜が露呈する領域を含む２つのコンタクトホールの内部と、コンタクトホール間のパッシベーション膜の表面の領域を含むように形成されている。上記層間載せ換え部により、ゲート電極膜ＧＭの層に形成された配線と、ドレイン電極膜ＳＤＭの層に形成された配線とを電気的に接続することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−４６２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の表示装置にかかるアレイ基板の層間載せ換え部では、導電膜ＳＣの領域のうち、２つのコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の間を接続する領域がパッシベーション膜上に露出している。そのため、その領域に物理的接触が生じると、断線を生じてしまう恐れがあった。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、層間載せ換え部の断線が生ずる恐れを軽減させたアレイ基板を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明にかかる表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、前記第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔と、を含み、前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される、ことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち一方である少なくとも１つの孔のそれぞれは、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち他方である少なくとも２つの孔と第１の方向または前記第１の方向に直交する第２の方向で隣接するようにしてもよい。
【００１０】
また、本発明の一態様では、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち一方である少なくとも１つの孔のそれぞれは、前記少なくとも３つに含まれるとともに、前記第１の孔及び前記第２の孔のうち他方である少なくとも２つの孔と前記第１の方向及び前記第２の方向のそれぞれで隣接するようにしてもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記表示装置は第１の基板と、前記第１の基板の端部であって一辺に沿って延びる領域を露呈させ残りの領域を覆うように設けられる第２の基板と、をさらに含み、前記延伸する領域には前記第１の孔及び前記第２の孔が存在し、前記第１の方向は前記延伸する領域の長手方向であり、前記第２の方向は前記延伸する領域の短手方向である、ようにしてもよい。
【００１２】
また、本発明の一態様では、前記第２の絶縁膜は、材料の異なる複数の層から形成されるようにしてもよい。
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記第２の絶縁膜は、有機絶縁層を含むようにしてもよい。
【００１４】
また、本発明に係る他の表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、前記第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔と、を含み、前記第１の孔の面積の合計は前記第２の孔の面積の合計と異なり、前記第１の孔及び前記第２の孔の内部領域ならびに前記第１の孔及び前記第２の孔の全てを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する導電膜の一部が断線しても電気的接続が維持できる可能性が向上する。それにより、層間載せ換え部の断線の恐れを軽減させたアレイ基板を有する表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態の例について図面に基づき詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の例である。
【００１７】
［第１の実施形態］
本実施形態にかかる表示装置は液晶表示装置であって、アレイ基板ＴＳと、当該アレイ基板ＴＳと対向し、カラーフィルタが設けられたフィルタ基板ＦＳと、両基板に挟まれた領域に封入された液晶材料と、アレイ基板ＴＳに取付けられたドライバＩＣと、を含んで構成される。アレイ基板ＴＳ及びフィルタ基板ＦＳは、いずれもガラス基板などである。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態にかかるアレイ基板ＴＳのレイアウトを示す平面図である。アレイ基板ＴＳには、画像を表示するための多数の画素回路が配置されている画素領域ＤＡと、画素領域ＤＡの下側に隣接して設けられたゲート線引き回し領域ＧＬＡと、画素領域ＤＡの下側に隣接して設けられたドレイン線引き回し領域ＤＬＡと、アレイ基板ＴＳの下端にあり外部との接続端子により構成される領域である端子部ＴＡと、端子部ＴＡとゲート線引き回し領域ＧＬＡ及びドレイン線引き回し領域ＤＬＡの間に設けられた端子部周辺配線領域ＴＬＡと、が配置されている。
【００１９】
画素領域ＤＡの画素回路には、ゲート線、ドレイン線、薄膜トランジスタ、画素電極等が形成されており、画素領域ＤＡは液晶表示装置における表示領域に対応している。ゲート線は画素領域ＤＡ内を横方向に平行に複数延び、ドレイン線は画素領域ＤＡ内を縦方向に平行に複数延びている。薄膜トランジスタはゲート線とドレイン線が交差する点に対応して存在し、そのゲート電極はゲート線に、ドレイン電極はドレイン線に接続されている。ゲート線引き回し領域ＧＬＡにはゲート線からドライバＩＣに向かう複数の配線（以下、ゲート接続線という）が配置されている。ドレイン線引き回し領域ＤＬＡにはドレイン線からドライバＩＣに向かう複数の配線（以下、ドレイン接続線という）が配置されている。また、端子部周辺配線領域ＴＬＡは、端子部ＴＡ、ゲート接続線ＧＬ及びドレイン接続線とドライバＩＣとを接続するための配線がされている領域である。
【００２０】
図２は本発明の実施形態にかかるアレイ基板とフィルタ基板の構成を示す図である。フィルタ基板ＦＳは画素領域ＤＡとその周りを覆うように対向して設けられ、その挟まれた領域には液晶材料が封入されている。一方、フィルタ基板ＦＳはアレイ基板ＴＳの端子部側の一辺に沿って延びる領域の上方は覆っていない。その領域は具体的には端子部周辺配線領域ＴＬＡ及び端子部ＴＡの全部と、ゲート線引き回し領域ＧＬＡとドレイン線引き回し領域ＤＬＡの一部である。それは端子部周辺配線領域ＴＬＡ及び端子部ＴＡにおいて外部との接続やドライバＩＣの配置を行う必要があるからである。そのため、端子部周辺配線領域ＴＬＡの表面は外部に露呈している。フィルタ基板ＦＳが覆っていない領域はアレイ基板ＴＳの端子部側の一辺の方向に長く、それと直交する方向（端子部からフィルタ基板に向かう方向）に短くなっている。以下ではこの端子部側の一辺の方向を長手方向、それに直交する方向を短手方向という。
【００２１】
図３は、本発明の実施形態にかかるアレイ基板ＴＳのレイアウトの部分平面図である。本図は図１の左下の領域の拡大図である。図１の端子部ＴＡの領域には、接続端子ＴＣと、点灯試験用信号パッドＴＰが配置されており、外部からの信号はこれらを通じて入力される。
【００２２】
図４は、図３の端子部周辺配線領域ＴＬＡの部分平面図である。図４は図３の波線で囲んだ領域に対応している。端子部周辺配線領域ＴＬＡ上には、ドライバＩＣとアレイ基板ＴＳ上の各種配線とを接続するためにスルーホールＴＨが複数設けられている。図４で上下をスルーホールＴＨの列に挟まれた領域には、点灯試験用の回路が存在する。図５は、層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を含む点灯試験用の回路周辺の部分拡大平面図である。本図の左右方向はアレイ基板ＴＳの端子部側の一辺と同じ方向つまり長手方向であり、その方向に点灯試験用信号線ＴＥＬ，ＴＳＬが延びている。また、上下方向は短手方向であり、点灯試験用トランジスタＴｒのドレイン電極、ソース電極からの配線は、短手方向にそって延びている。点灯試験を行う際には点灯試験用信号線ＴＳＬに電圧が印加され点灯試験用トランジスタＴｒのスイッチがＯＮになる。すると、点灯試験用信号線ＴＥＬを通じて入力される点灯試験用の信号がゲート線に出力される。
【００２３】
層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３はゲート電極膜ＧＭの層（以下、ゲート導電層という）にある配線等とドレイン電極膜ＳＤＭの層（以下、ドレイン導電層という）にある配線等を接続するために設けられている。具体的には層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２はゲート導電層の点灯試験用信号線ＴＥＬと点灯試験用トランジスタＴｒから下方に延びるドレイン導電層の配線（以下、下部縦配線という。）を接続する。層間載せ換え部Ｃ３は点灯試験用トランジスタＴｒから上方に延びる配線（以下、上部縦配線という。）につながるドレイン導電層のスルーホールＴＨと、ゲート導電層のゲート接続線ＧＬ２とを接続する。なお、ゲート接続線ＧＬ１はゲート接続線ＧＬ２とは異なりドレイン導電層に存在する。本実施形態では実装密度をあげるためにゲート接続線がゲート導電層とドレイン導電層の両方に交互に配線（千鳥配線）されているからである。
【００２４】
図６は、第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の平面図である。上方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる下部縦配線であり、左右に延びるゲート電極膜ＧＭの線は点灯試験用信号線ＴＥＬである。コンタクトホールＣＨ１はコンタクトホールＣＨ２の右方向に隣接し、コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ２の下方向に点灯試験用信号線ＴＥＬを挟んで隣接している。コンタクトホールの平面的形状は円形である。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はゲート電極膜ＧＭと接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その領域は点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２はドレイン電極膜ＳＤＭと接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２を囲む領域を持ち、その領域は下部縦配線につながっている。
【００２５】
具体的にはコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を囲むゲート電極膜ＧＭの領域はそれぞれ平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ１を囲む領域の下辺及びコンタクトホールＣＨ３を囲む領域の上辺が点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２を囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域も平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、その上辺の右端部分で下部縦配線とつながり、その右辺でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域と、その下辺で点灯試験用信号線ＴＥＬの領域とそれぞれ隣接している。ここで隣接する領域は、それらが重ならずかつその隣接する一辺が所定の間隔で平行に並ぶように並べられている。なお、上記一部の角が面取りされた長方形の領域は、具体的には他のコンタクトホールを囲む領域と隣接せずかつ他の同じ電極膜の領域とつながりがない２つの辺に囲まれた角の部分が面取りされている。
【００２６】
層間載せ換え部の表面には３つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３をそれぞれ囲む領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。ゲート電極膜ＧＭと接触するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３の内部領域の面積の合計は、ドレイン電極膜ＳＤＭと接触するコンタクトホールＣＨ２の内部領域の面積より大きい。
【００２７】
図７は、図６のＡ１−Ａ１切断線における断面図である。図８は、図６のＢ１−Ｂ１切断線における断面図である。図７及び図８からわかるように、層間載せ換え部Ｃ１においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３の間を接続する領域に形成されている。
【００２８】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを結ぶ部分及びコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３とを結ぶ部分の２つ得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。１つの上記部分が断線しても、もう一つの上記部分が残るからである。さらに、ドレイン電極膜ＳＤＭに接触するコンタクトホールＣＨ２にゲート電極膜ＧＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数や配線の長さの増加を抑え省スペースな構成としている。こうすると、例えば２つのルートを一度に切断するような傷はコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間から入りコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３から出るようなものに限られる。それにより断線する可能性を減少させることができる。なお、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ３の代わりに１つの大きなコンタクトホールがある場合も同様な効果が得られる。つまり、一般化すればゲート電極膜ＧＭと接触するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３の内部領域の面積の合計が、ドレイン電極膜ＳＤＭと接触するコンタクトホールＣＨ２の内部領域の面積より大きい場合も同様の効果が得られると考えられる。
【００２９】
さらに層間載せ換え部Ｃ１ではコンタクトホールＣＨ２に対しコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３が隣接する方向をある方向とそれに直交する方向とすることで、上述の１つの傷による断線の可能性を減少させつつ、平行する２つの傷によって断線する可能性も低くすることができる。また本実施形態においてはフィルタ基板ＦＳに覆われないアレイ基板の領域の形状との関係で、長手方向あるいは短手方向に比較的傷が生じやすい。ここで１つの方向を長手方向（左右方向）、直交する方向を短手方向（上下方向）とし、それらの方向にコンタクトホールを隣接させることで、断線の可能性をさらに低下させることができる。傷の起こりやすい方向と上述の１つの傷により断線しうる方向が異なり、また傷の方向と平行なコンタクトホール間の部分は切断が難しいからである。なお、層間載せ換え部Ｃ１及び以下で説明する他の層間載せ換え部において、構造上ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭを入れ替えたような場合、具体的には層間載せ換え部Ｃ１ではコンタクトホールＣＨ２がゲート電極膜ＧＭ上にあり、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３がドレイン電極膜ＳＤＭ上にあるような場合であっても同様の効果を得ることができるのはもちろんである。
【００３０】
図９は、第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ２の平面図である。上方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる下部縦配線であり、左右に延びるゲート電極膜ＧＭの線は点灯試験用信号線ＴＥＬである。コンタクトホールＣＨ２はコンタクトホールＣＨ１の右方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ１の右上方向かつコンタクトホールＣＨ２の左上方向に隣接している。コンタクトホールの平面的形状は円形である。コンタクトホールＣＨ１はゲート電極膜ＧＭ上に接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１を囲む領域を持ち、その領域はその下方にある点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３はドレイン電極膜ＳＤＭに接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その２つの領域がつながるとともに、下部縦配線にもつながっている。
【００３１】
具体的にはゲート電極膜ＧＭのコンタクトホールＣＨ１を囲む領域は平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、その下辺が点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域も平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ３を囲む領域はその上辺中央部分で下部縦配線とつながり、その下辺の左半分でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域と隣接し、その下辺の右半分でコンタクトホールＣＨ２を囲む領域とつながっている。コンタクトホールＣＨ２を囲む領域はその下辺で点灯試験用信号線ＴＥＬの領域と、その左辺でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域の右辺と隣接している。
【００３２】
層間載せ換え部の表面には３つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３をそれぞれ囲む領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。ゲート電極膜ＧＭと接触するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３の内部領域の面積の合計は、ドレイン電極膜ＳＤＭと接触するコンタクトホールＣＨ２の内部領域の面積より大きい。
【００３３】
図１０は、図９のＢ２−Ｂ２切断線における断面図である。また図９のＡ２−Ａ２切断線における断面は、図７と同様である。図７及び図１０からわかるように、層間載せ換え部Ｃ２においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ３の間を接続する領域を含むように形成されている。
【００３４】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを結ぶ部分とコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ３とを結ぶ部分の２つが得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。さらに、ゲート電極膜ＧＭに接触するコンタクトホールＣＨ１にドレイン電極膜ＳＤＭに接触するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数の増加を抑え省スペースな構成としている。こうすると、層間載せ換え部Ｃ１で記載したものと同じ理由で断線する可能性を減少させることができる。なお、これを一般化すればゲート電極膜ＧＭと接触するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３の内部領域の面積の合計が、ドレイン電極膜ＳＤＭと接触するコンタクトホールＣＨ２の内部領域の面積より大きい場合も同様の効果が得られると考えられる。
【００３５】
図１１は、第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ３の平面図である。下方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる上部縦配線であり、上方に延びるゲート電極膜ＧＭの線はゲート接続線ＧＬ２である。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４はコンタクトホールＣＨ２のそれぞれ左方向、右方向、下方向に隣接する。コンタクトホールの平面的形状は長方形である。コンタクトホールは左右方向の辺の長さは略等しいが、上下方向の辺の長さはコンタクトホールＣＨ４のみ長くなっている。これは、コンタクトホールＣＨ４はスルーホールＴＨとしての役目がありドライバＩＣの端子と接続する必要があるからである。コンタクトホールＣＨ２はゲート電極膜ＧＭに接触し、そのゲート電極膜ＧＭはコンタクトホールＣＨ２を囲む領域を持ち、その領域はゲート接続線ＧＬ２につながっている。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４はドレイン電極膜ＳＤＭに接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４をそれぞれ囲む領域を持っている。コンタクトホールＣＨ４を囲む領域は上部縦配線につながっている。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を囲む領域はドレイン導電層の配線によりコンタクトホールＣＨ４を囲む領域とつながっている。
【００３６】
具体的にはゲート電極膜ＧＭのコンタクトホールＣＨ２を囲む領域は平面的にコンタクトホールＣＨ２より一回り大きい長方形の領域をなし、その上辺中央部がゲート接続線ＧＬ２につながっている。ドレイン電極膜ＳＤＭのコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４をそれぞれ囲む領域は平面的に各コンタクトホールより一回り大きく一部の角が面取りされた長方形の領域をなしている。コンタクトホールＣＨ４を囲む領域は、その下辺中央で下部縦配線とつながり、その上辺でコンタクトホールＣＨ２を囲む領域と隣接し、その左右の辺でコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を囲む領域に向かう配線とつながっている。コンタクトホールＣＨ２を囲む領域は、その左辺でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域の右辺と、その右辺でコンタクトホールＣＨ３を囲む領域の左辺と隣接している。
【００３７】
層間載せ換え部の表面には４つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４をそれぞれ囲む領域をつないで覆うように存在している。その周りの領域の表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。
【００３８】
図１２は、図１１のＡ３−Ａ３切断線における断面図である。図１３は、図１１のＢ３−Ｂ３切断線における断面図である。図１２及び図１３からわかるように、層間載せ換え部Ｃ３においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４との間を接続する領域を含むように形成されている。
【００３９】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４とをそれぞれ結ぶ部分の３つが得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。さらに、ゲート電極膜ＧＭに接触するコンタクトホールＣＨ２にドレイン電極膜ＳＤＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数と配線の長さの増加を抑え省スペースな構成としている。さらに層間載せ換え部Ｃ３ではコンタクトホールＣＨ２に対しコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４が隣接する方向をある方向とそれに直交する方向とすることで、より広い方向からの傷に耐えられるようにしている。また１つの方向を長手方向（左右方向）、直交する方向を短手方向（上下方向）とし、それらの方向にコンタクトホールを隣接させることで、両方の部分が一度に断線する可能性をさらに減少させることができる。
【００４０】
次に、アレイ基板ＴＳの製造工程について説明する。図１４〜図１７は、本発明の実施形態にかかるアレイ基板ＴＳの製造工程を示す図である。本図の左側が画素領域ＤＡ上のトランジスタ領域の、右側は端子部周辺配線領域ＴＬＡ上にあるゲート導電層に達するスルーホールのそれぞれ断面図である。
【００４１】
はじめに基板ＳＵＢ上にＭｏＣｒ／ＡｌＣｄなどを成膜し、フォトリソグラフィによりゲート電極膜ＧＭを形成する。次に、窒化シリコンを成膜しゲート絶縁膜ＧＩの層を形成する。続いてアモルファスシリコンなどの材料を含んだ層である半導体層Ｓｉを成膜後、フォトリソグラフィによりこの層をパターニングする。次に、ＭｏＣｒなどを成膜し、フォトリソグラフィによりトランジスタのソース線、ドレイン線を含むドレイン電極膜ＳＤＭを形成する。さらにその上方に窒化シリコンを成膜し無機絶縁膜ＰＡＳの層を形成する。図１４は、この段階におけるアレイ基板ＴＳの様子を示す図である。
【００４２】
次に、図１４が示す状態のアレイ基板ＴＳ上に感光性有機樹脂膜等を塗布し、露光、現像後、アニールを行う。これにより、有機絶縁膜ＦＰＳが形成される。図１５は、この段階におけるアレイ基板ＴＳの様子を示す図である。露光をする際に、端子部周辺配線領域ＴＬＡでは必要に応じハーフトーン露光を行うことで、有機絶縁膜ＦＰＳの厚さが薄い領域を設けることができる。本図においては上述のスルーホール周辺部をハーフトーン露光し、有機絶縁膜ＦＰＳの層厚を薄くしている。
【００４３】
層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３においては、コンタクトホールＣＨ以外の領域についてハーフトーン露光を行い、有機絶縁膜ＦＰＳの膜厚を薄くしている。
【００４４】
次に、図１５に示す状態のアレイ基板ＴＳの有機絶縁膜ＦＰＳをマスクとして無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを電極膜に達するまでエッチングする。エッチングの手法としては、フルオロカーボン系のガスを用いかつエッチングした箇所がテーパ形状となる方法を用いる。図１６は、この段階におけるアレイ基板ＴＳの様子を示す図である。本図では、ドレイン電極膜ＳＤＭの上方に有機絶縁膜ＦＰＳが無い領域（左側の画素領域ＤＡ参照）では無機絶縁膜ＰＡＳがドレイン電極膜ＳＤＭに達するまでエッチングされ、ゲート電極膜ＧＭの上方に有機絶縁膜ＦＰＳもしくはドレイン電極膜ＳＤＭが無い領域（右側の端子部周辺配線領域ＴＬＡのスルーホール参照）では無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩがゲート電極膜ＧＭに達するまでエッチングされる。
【００４５】
さらに、図１６に示す状態のアレイ基板ＴＳに対し導電膜ＳＣの材料となる物質、例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)により導電膜ＳＣを形成し、フォトリソグラフィによりパターニングすることによりアレイ基板ＴＳが完成する。図１７は完成したアレイ基板ＴＳを示す図である。ここで、ＩＴＯは透明導電膜を形成することができる。画素領域ＤＡの画素回路内では上記導電膜は薄膜トランジスタと接続される画素電極として形成される。
【００４６】
なお、これらの工程においては有機絶縁膜ＦＰＳをマスクとして無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩのエッチングを行うことで、フォトリソグラフィの回数を少なくしている。具体的には有機絶縁膜を形成する前に無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩに対しフォトリソグラフィを行う工程を省いている。これにより製造コストの削減をはかることができる。また、有機絶縁膜は無機絶縁膜に比べ厚く形成することが容易であり、これにより液晶表示装置のアレイ基板ＴＳにおける容量カップリングの低減を容易に実現することができる。一方、有機絶縁膜ＦＰＳは無機絶縁膜ＰＡＳに比べて柔らかく、ひっかき傷等にも弱い性質がある。それによりその上方にある導電膜ＳＣにもひっかき傷が発生しやすい傾向がある。
【００４７】
［第２の実施形態］
第２の実施形態にかかる表示装置は、第１の実施形態の層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の構造を換えたものである。全体構造（図１〜図５参照）及びアレイ基板ＴＳの製造工程（図１４〜図１７参照）は第１の実施形態と本質的に同様であるため、第２の実施形態における層間載せ換え部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の構造について、第１の実施形態との相違点を中心に記載する。
【００４８】
図１８は、第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の平面図である。上方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる下部縦配線であり、左右に延びるゲート電極膜ＧＭの線は点灯試験用信号線ＴＥＬである。コンタクトホールＣＨ１はコンタクトホールＣＨ２の左方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ１の右上方向かつコンタクトホールＣＨ２の左上方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ４はコンタクトホールＣＨ２の下方向に点灯試験用信号線ＴＥＬを挟んで隣接している。コンタクトホールの平面的形状は円形である。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ４はゲート電極膜ＧＭと接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ４をそれぞれ囲む領域を持ち、その領域は点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３はドレイン電極膜ＳＤＭと接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その２つの領域がつながるとともに、下部縦配線にもつながっている。
【００４９】
具体的にはコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ４を囲むゲート電極膜ＧＭの領域はそれぞれ平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ１を囲む領域の下辺及びコンタクトホールＣＨ４を囲む領域の上辺が点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域は平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ３を囲む領域はその上辺中央部分で下部縦配線とつながり、その下辺の左半分でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域と隣接し、その下辺の右半分でコンタクトホールＣＨ２を囲む領域とつながっている。コンタクトホールＣＨ２を囲む領域はその下辺で点灯試験用信号線ＴＥＬの領域と、その左辺でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域の右辺と隣接している。
【００５０】
層間載せ換え部の表面には４つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４をそれぞれ囲む長方形の領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。
【００５１】
図１９は、図１８のＢ４−Ｂ４切断線における断面図である。また図１９のＡ４−Ａ４切断線における断面は、図７と同様である。図７及び図１９からわかるように、層間載せ換え部Ｃ１においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ４はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ４との間、そして図示しないがコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ３との間を接続する領域に形成されている。
【００５２】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを結ぶ部分、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ３とを結ぶ部分及びコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ４とを結ぶ部分の３つが得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。さらに、ドレイン電極膜ＳＤＭに接触するコンタクトホールＣＨ２にゲート電極膜ＧＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ４を隣接させ、また、ゲート電極膜ＧＭに接触するコンタクトホールＣＨ１にドレイン電極膜ＳＤＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数や配線の長さの増加を抑え省スペースな構成としている。
【００５３】
さらに層間載せ換え部Ｃ１ではコンタクトホールＣＨ２に対しコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３が隣接する方向をある方向とそれに直交する方向とすることで、上述の１つの傷による断線の可能性を減少させつつ、平行する２つの傷によって断線する可能性も低くすることができる。また上記ある方向を長手方向（左右方向）、直交する方向を短手方向（上下方向）とし、それらの方向にコンタクトホールを隣接させることで、断線の可能性をさらに低下させることができる。
【００５４】
図２０は、第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ２の平面図である。上方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる下部縦配線であり、左右に延びるゲート電極膜ＧＭの線は点灯試験用信号線ＴＥＬである。コンタクトホールＣＨ１はコンタクトホールＣＨ２の下方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ２の上方向に点灯試験用信号線ＴＥＬを挟んで隣接している。コンタクトホールＣＨ４はコンタクトホールＣＨ３の上方向に隣接している。コンタクトホールの平面的形状は円形である。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はゲート電極膜ＧＭと接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その領域は点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４はドレイン電極膜ＳＤＭと接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４をそれぞれ囲む領域を持ち、その２つの領域は下部縦配線につながっている。
【００５５】
具体的にはコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を囲むゲート電極膜ＧＭの領域はそれぞれ平面的に一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ１を囲む領域はその左辺のゲート導電層の配線によって、コンタクトホールＣＨ３を囲む領域はその下辺により直接、点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４を囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域は平面的に長方形の領域をなし、そのそれぞれの右辺が下部縦配線とつながっている。コンタクトホールＣＨ１を囲む領域の上辺はコンタクトホールＣＨ２を囲む領域の下辺と隣接する。コンタクトホールＣＨ２を囲む領域の上辺は点灯試験用信号線ＴＥＬと、左辺はゲート導電層の上記配線と隣接している。コンタクトホールＣＨ３を囲む領域はその上辺でコンタクトホールＣＨ４を囲む領域の下辺と、その右辺で下部縦配線と隣接している。
【００５６】
層間載せ換え部Ｃ２の表面には４つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４をそれぞれ囲む領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。
【００５７】
図２１は、図２０のＡ５−Ａ５切断線における断面図である。図２１からわかるように、層間載せ換え部Ｃ２においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３との間、そしてコンタクトホールＣＨ３とコンタクトホールＣＨ４との間を接続する領域に形成されている。
【００５８】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを結ぶ部分、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３とを結ぶ部分及びコンタクトホールＣＨ３とコンタクトホールＣＨ４とを結ぶ部分の３つが得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。さらに、ドレイン電極膜ＳＤＭに接触するコンタクトホールＣＨ２にゲート電極膜ＧＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を隣接させ、また、ゲート電極膜ＧＭに接触するコンタクトホールＣＨ３にドレイン電極膜ＳＤＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数や配線の長さの増加を抑え省スペースな構成としている。ここではコンタクトホール同士が隣接する方向をある方向のみとしている。この場合、１つの直線状の傷によっては全ての部分を切断することはできないため、断線の可能性が低くなる。
【００５９】
図２２は、第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ３の平面図である。下方に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる上部縦配線であり、上方に延びるゲート電極膜ＧＭの線はゲート接続線ＧＬ２である。コンタクトホールＣＨ１はコンタクトホールＣＨ２の上方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ２の下方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ４はコンタクトホールＣＨ３の下方向に隣接している。コンタクトホールの平面的形状は長方形である。コンタクトホールは左右方向の辺の長さは略等しいが、上下方向の辺の長さはコンタクトホールＣＨ４のみ長くなっている。これは、コンタクトホールＣＨ４はスルーホールＴＨとしての役目があるからである。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はゲート電極膜ＧＭと接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その領域はゲート接続線ＧＬ２につながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４はドレイン電極膜ＳＤＭと接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４をそれぞれ囲む領域を持ち、コンタクトホールＣＨ２を囲む領域はコンタクトホールＣＨ４を囲む領域に、コンタクトホールＣＨ４を囲む領域は上部縦配線につながっている。
【００６０】
具体的にはコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を囲むゲート電極膜ＧＭの領域はそれぞれ平面的に各コンタクトホールより一回り大きく一部の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はその左辺で上下方向に延びるゲート接続線ＧＬ２につながっている。コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４を囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域は平面的に各コンタクトホールより一回り大きい長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ４を囲む領域の下辺が上部縦配線とつながっている。コンタクトホールＣＨ１を囲む領域の下辺はコンタクトホールＣＨ２を囲む領域の上辺と隣接する。コンタクトホールＣＨ２を囲む領域はその下辺でコンタクトホールＣＨ３を囲む領域の上辺と、その左辺でゲート接続線ＧＬ２と隣接し、その右辺でＣＨ４に向かうドレイン導電層上の配線とつながっている。コンタクトホールＣＨ３を囲む領域はその下辺でコンタクトホールＣＨ４を囲む領域の上辺と隣接し、その右辺でコンタクトホールＣＨ２に向かう配線と隣接している。
【００６１】
層間載せ換え部Ｃ３の表面には４つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４をそれぞれ囲む長方形の領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。
【００６２】
図２３は、図２２のＡ６−Ａ６切断線における断面図である。図２３からわかるように、層間載せ換え部Ｃ３においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３との間、そしてコンタクトホールＣＨ３とコンタクトホールＣＨ４との間を接続する領域に形成されている。
【００６３】
この構造により、ゲート電極膜ＧＭとドレイン電極膜ＳＤＭとを接続する領域としてコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを結ぶ部分、コンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３とを結ぶ部分及びコンタクトホールＣＨ３とコンタクトホールＣＨ４とを結ぶ部分の３つが得られるため、その上に形成される導電膜ＳＣのひっかき傷等による断線の恐れを軽減することができる。さらに、ドレイン電極膜ＳＤＭに接触するコンタクトホールＣＨ２にゲート電極膜ＧＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３を隣接させ、また、ゲート電極膜ＧＭに接触するコンタクトホールＣＨ３にドレイン電極膜ＳＤＭに接触する複数のコンタクトホールＣＨ２，ＣＨ４を隣接させることで、ルート複数化に伴うコンタクトホールの数や配線の長さの増加を抑え省スペースな構成としている。ここではコンタクトホール同士が隣接する方向をある方向のみとしている。この場合、１つの直線状の傷によっては全ての部分を切断することはできないため、断線の可能性が低くなる。
【００６４】
図２６は、第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の変形例の平面図である。上下方向に延びるドレイン電極膜ＳＤＭの線は点灯試験用トランジスタＴｒにつながる下部縦配線である。また、該ドレイン電極膜ＳＤＭの線の下端よりも下側において左右に延びるゲート電極膜ＧＭの線は点灯試験用信号線ＴＥＬである。コンタクトホールＣＨ３はコンタクトホールＣＨ２の下方向に点灯試験用信号線ＴＥＬを挟んで隣接している。コンタクトホールＣＨ１はコンタクトホールＣＨ２の左上方向に隣接している。コンタクトホールＣＨ１は具体的にはコンタクトホールＣＨ２の左側の縁とコンタクトホールＣＨ３の左側の縁とを結ぶ共通接線Ｔに対し左側に離れて存在している。各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３の平面的形状は円形である。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はゲート電極膜ＧＭと接触し、そのゲート電極膜ＧＭは平面的にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３をそれぞれ囲む領域を持ち、その領域は点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２はドレイン電極膜ＳＤＭと接触し、そのドレイン電極膜ＳＤＭは平面的にコンタクトホールＣＨ２を囲む領域を持ち、下部縦配線にもつながっている。
【００６５】
具体的にはコンタクトホールＣＨ１を平面的に囲むゲート電極膜ＧＭの領域はその右上の角が面取りされた長方形の領域をなし、コンタクトホールＣＨ１を囲む領域はその下辺左側につながったゲート導電層の配線の領域によって、点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ３を平面的に囲むゲート電極膜ＧＭの領域は長方形の領域をなし、その領域の上辺は点灯試験用信号線ＴＥＬにつながっている。コンタクトホールＣＨ２を平面的に囲むドレイン電極膜ＳＤＭの領域は長方形の領域をなし、その領域はその上辺右側部分で下部縦配線とつながっている。さらにコンタクトホールＣＨ２を囲む領域は、その上辺中央および上辺左側部分でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域の下辺と隣接し、その下辺で点灯試験用信号線ＴＥＬと隣接し、その左辺でコンタクトホールＣＨ１を囲む領域と点灯試験用信号線ＴＥＬとを接続するゲート導電層の配線の領域に隣接している。さらに下部縦配線は、コンタクトホールＣＨ１を囲む領域の右辺および右上の角に隣接している。下部縦配線はコンタクトホールＣＨ１を囲む領域の右上の角に隣接する部分では屈曲しており、それ以外の部分は直線状に上下方向に延びている。
【００６６】
層間載せ換え部の表面には３つのコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３及びそれを接続する領域にわたって導電膜ＳＣの領域が形成されている。具体的には、導電膜ＳＣの領域は、平面的に上述の各コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３をそれぞれ囲む長方形の領域をつないで覆うように存在している。その周りの表面には、有機絶縁膜ＦＰＳがあらわれている。
【００６７】
図２７は、図２６のＡ７−Ａ７切断線における断面図である。図２７からわかるように、層間載せ換え部Ｃ１においては、基板ＳＵＢ上にゲート電極膜ＧＭ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ドレイン電極膜ＳＤＭ、無機絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＦＰＳが順次積層されている。さらに、ゲート電極膜ＧＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ３はテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳ及びゲート絶縁膜ＧＩを貫通しゲート電極膜ＧＭまで達している。ドレイン電極膜ＳＤＭ上に存在するコンタクトホールＣＨ２もテーパ形状であり、有機絶縁膜ＦＰＳ、無機絶縁膜ＰＡＳを貫通しドレイン電極膜ＳＤＭまで達している。導電膜ＳＣは、有機絶縁膜ＦＰＳに形成されたコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３の内部と、有機絶縁膜ＦＰＳの上面のコンタクトホールＣＨ２とコンタクトホールＣＨ３との間、そして図示しないがコンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間を接続する領域に形成されている。
【００６８】
これまで本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は以上に説明した形態に限定されるものではない。例えば、本発明の実施形態ではＩＰＳ方式の液晶表示装置であるが、本発明はＴＮ方式の液晶表示装置、ＶＡ方式の液晶表示装置及び有機ＥＬパネルを用いた表示装置等にも適用が可能である。それらにおいてもドライバＩＣ周辺などに複数の導電層に存在する配線どうしを電気的に接続するための層間載せ換え部が必要であり、その構造の前提となるアレイ基板ＴＳの導電層及び絶縁層の積層順等が上記方式等の違いによって異なるわけではないからである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態にかかるアレイ基板のレイアウトを示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるアレイ基板とフィルタ基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるアレイ基板のレイアウトの部分平面図である。
【図４】図３の端子部周辺配線領域の部分平面図である。
【図５】層間載せ換え部周辺の部分平面図である。
【図６】第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の平面図である。
【図７】図６のＡ１−Ａ１切断線における断面図である。
【図８】図６のＢ１−Ｂ１切断線における断面図である。
【図９】第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ２の平面図である。
【図１０】図９のＢ２−Ｂ２切断線における断面図である。
【図１１】第１の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ３の平面図である。
【図１２】図１１のＡ３−Ａ３切断線における断面図である。
【図１３】図１１のＢ３−Ｂ３切断線における断面図である。
【図１４】本発明の実施形態にかかるアレイ基板の製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態にかかるアレイ基板の製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態にかかるアレイ基板の製造工程を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態にかかるアレイ基板の製造工程を示す図である。
【図１８】第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の平面図である。
【図１９】図１８のＢ４−Ｂ４切断線における断面図である。
【図２０】第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ２の平面図である。
【図２１】図２０のＡ５−Ａ５切断線における断面図である。
【図２２】第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ３の平面図である。
【図２３】図２２のＡ６−Ａ６切断線における断面図である。
【図２４】従来の層間載せ換え部を示す平面図である。
【図２５】図２４のＡ−Ａ切断線における断面図である。
【図２６】第２の実施形態にかかる層間載せ換え部Ｃ１の変形例の平面図である。
【図２７】図２６のＡ７−Ａ７切断線における平面図である。
【符号の説明】
【００７０】
ＴＳ  アレイ基板、ＦＳ  フィルタ基板、ＤＡ  画素領域、ＤＬＡ  ドレイン線引き回し領域、ＧＬＡ  ゲート線引き回し領域、ＴＡ  端子部、ＴＬＡ  端子部周辺配線領域、ＴＰ  点灯試験用信号パッド、ＴＣ  接続端子、ＧＬ，ＧＬ１，ＧＬ２  ゲート接続線、ＴＨ  スルーホール、ＴＳＬ，ＴＥＬ  点灯試験用信号線、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  層間載せ換え部、Ｔｒ  点灯試験用トランジスタ、ＣＨ，ＣＨ１、ＣＨ２，ＣＨ３，ＣＨ４  コンタクトホール、ＳＵＢ  基板、ＧＭ  ゲート電極膜、ＳＤＭ  ドレイン電極膜、ＧＩ  ゲート絶縁膜、ＰＡＳ  無機絶縁膜、ＦＰＳ  有機絶縁膜、Ｓｉ  半導体膜、  ＳＣ  導電膜、Ｔ  共通接線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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