(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングによる接続なしで研磨量などの加工量検知を実現する技術を提供する。【解決手段】研磨装置において、被研磨物２上に研磨により体積が変化する伝導性パターンで形成した容量５と、伝導性パターンで形成した被研磨物側インダクタ４を有し、容量５と被研磨物側インダクタ４はＬＣ共振器を構成している。また、研磨量検出器７に接続した検出用基板１に伝導性パターンで形成した検出側インダクタ３を有し、被研磨物側インダクタ４と検出側インダクタ３の電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスをＲＦ検出する。研磨により被研磨物２上の容量５が変化し、それに応じてＬＣ共振器の共振周波数変量を研磨量検出器７でモニタすることで研磨量を算出する。【選択図】図１
2010250909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物上に伝導性パターンで形成した容量および伝導性パターンで形成した第１のインダクタを内蔵しており、伝導性パターンで形成した第２のインダクタを有する加工量検出器から、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとの電磁結合を介して前記被加工物の加工量を検出すること特徴とする加工量検出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の加工量検出方法において、
前記被加工物に内蔵する前記容量が、加工によりその体積が変化することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項３】
請求項１乃至２の何れか１項に記載の加工量検出方法において、
前記第１のインダクタと前記容量とがＬＣ共振器を構成していることを特徴とする加工量検出方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の加工量検出方法において、
前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとの電磁結合を介して、前記加工量検出器側から前記被加工物側を見たインピーダンスを測定し、その変化量から前記加工量を検出することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項５】
請求項３に記載の加工量検出方法において、
前記ＬＣ共振器の共振周波数を測定し、その変化量から前記加工量を検出することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の加工量検出方法を利用し、前記被加工物の加工量を検出する機能を備えた前記加工量検出器を有することを特徴とする加工装置。
【請求項７】
請求項６に記載の加工装置において、
前記加工量検出器で検出された加工量の情報に基づき加工状態を制御する機能を備えた加工機をさらに有することを特徴とする加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工量検出技術に関し、特に、研磨量などの加工量検出方法、およびこの加工量検出方法を利用した加工量検出器などを含む加工装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度な情報化社会の進展に伴い、電子デバイスの微細化や磁気ディスク装置（ＨＤＤ）の高記録密度化が進んでいる。このような微細化や高記録密度化への要求に対応する加工技術を実現するため、製造工程ではより一層の高精度加工が求められている。
【０００３】
例えば、ＨＤＤの磁気ヘッドに関して言えば、高記録密度化実現のためには、磁気ディスク上の１ビットの面積を小さくする必要があり、それに応じて、再生および記録素子サイズを小さくする必要がある。このように素子サイズが微小化すると、素子に対する電気的ダメージ、すなわちＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）や、ＥＯＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｏｖｅｒ  Ｓｔｒｅｓｓ）に対する耐性も弱くなり、磁気ヘッドの製造工程にて素子破壊の問題が顕在化している。
【０００４】
磁気ヘッドの製造工程の一つである浮上面研磨加工工程では、再生素子のＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜高さ制御のために、磁気ヘッドに埋め込んだ研磨量に応じて抵抗値が変化する研磨量検知素子（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌａｐｐｉｎｇ  Ｇｕｉｄｅ：ＥＬＧ）の抵抗値を検出し、研磨定盤への押圧力を制御している。そのため、例えば図２に示すような従来の研磨装置によれば、測定回路１９に接続したプリント回路基板９（固定治具８に固定）のボンディングパッド１０と被研磨物２のＥＬＧのボンディングパッド１０をボンディングワイヤ１１で接続すること（ワイヤボンディング工程）が通常行われる。研磨制御部１８の制御により、ワイヤボンディングされた複数の磁気ヘッドからなるローバーの浮上面側を研磨定盤１２に押圧機構２０で押圧し、ＥＬＧから検出される電気信号に応じて、押し当てる力を制御しながら研磨定盤１２を研磨定盤駆動機構２１で回転させて研磨する。なお、このようなＥＬＧの抵抗値を検出しながら、研磨定盤を駆動制御する研磨方法は、例えば特許文献１に記述されている。
【０００５】
また、例えば特許文献２によれば、ワイヤボンディング工程において、電極間を結線する際にワイヤをワイヤボンディング機械のキャピラリから送出するための超音波振動によるワイヤの帯電が生じ、帯電状態のワイヤがパットに接触することにより、静電気破壊が生じる可能性があると述べている。また、前記問題に対する解決策として、被覆ワイヤに対して除電流体の吹き付けを行うことにより、被覆ワイヤを用いたワイヤボンディングの際に被覆ワイヤの帯電を防止することが提案されている。
【０００６】
さらに、ワイヤボンディングを行った後の研磨加工においても不良が発生する。その原因としてワイヤの断線が考えられる。これに関し、例えば特許文献３では次のように述べている。ワイヤボンディング機械のボンディング精度に限界があるため、ボンディングされたワイヤが短絡したり、研磨定盤にワイヤが接触してしまうことがある。この場合、ＥＬＧから正確なＭＲ素子高さの情報が得られないため、研磨量を検出することができなくなり、過剰研磨または目標とする研磨量に達することができず、不良が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１０１６３４号公報
【特許文献２】特開平３−１９３５３号公報
【特許文献３】特開２００２−２４５６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記特許文献２では、ワイヤボンディング時のワイヤ除電を提案しているが、前述するように、ワイヤボンディング後のワイヤ断線による不良発生を排除できない。また、上記特許文献３の技術でも、前述するように、ワイヤボンディング機械のボンディング精度に限界があるために不良が発生してしまう。
【０００９】
以上より、本発明が解決しようとする課題は、（１）ワイヤボンディング時の電気的ダメージによる素子不良、（２）研磨中のワイヤ断線による研磨量検知不能、である。
【００１０】
上記課題を根本的に解決するためには、不良発生要因であるワイヤボンディング接続でＥＬＧの値をモニタする研磨量検出方法の排除が必然的である。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、ワイヤボンディングによる接続なしで研磨量などの加工量検知を実現する技術を提供することである。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００１４】
本発明の代表的な実施の形態による加工量検出方法では、被加工物上に伝導性パターンで形成した容量および伝導性パターンで形成した第１のインダクタを内蔵しており、伝導性パターンで形成した第２のインダクタを有する加工量検出器から、第１のインダクタと第２のインダクタとの電磁結合を介して被加工物の加工量を検出することを特徴とする。
【００１５】
特に、本発明の代表的な実施の形態による研磨量検出方法では、被研磨物上に研磨により体積が変化する伝導性パターンで形成した容量と、伝導性パターンで形成した第１のインダクタを有し、容量と第１のインダクタはＬＣ共振器を構成している。また、研磨量検出器に接続した伝導性パターンで形成した第２のインダクタを有し、第１のインダクタと第２のインダクタの電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスをＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）検出する。研磨により被研磨物上の容量が変化し、それに応じてＬＣ共振器の共振周波数変量を研磨量検出器でモニタすることで研磨量を算出する。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１７】
本発明の代表的な実施の形態によれば、ワイヤボンディングを必要とせず、研磨量などの加工量を検出することができる。従って、以下の効果が得られる。
【００１８】
（１）ワイヤボンディング時の電気的ダメージによる素子不良の排除が可能となる。
【００１９】
（２）研磨中のワイヤ断線による研磨量検知不能に起因する素子不良の排除が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１における研磨装置の構成例を示す図である。
【図２】従来の研磨装置において、ワイヤボンディングによる研磨量検出方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１において、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスを示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１において、研磨前と研磨後におけるインピーダンスの共振周波数変化を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２において、被研磨物の素子構造例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態３において、（ａ）〜（ｅ）はインダクタの構造例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４において、（ａ）〜（ｄ）は検出側インダクタの伝送線路構造例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態５において、（ａ），（ｂ）は寄生容量の低減方法例を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態６において、（ａ），（ｂ）はインダクタペアの間隔と結合係数との関係の電磁界シミュレーション結果例を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態６において、（ａ），（ｂ）はインダクタペアの水平方向位置ずれと結合係数との関係の電磁界シミュレーション結果例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態７において、（ａ），（ｂ）は検出側インダクタをフレキシブルプリント回路基板に配線する構造例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態８において、インダクタペアの位置合せ方法例を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態９において、共振周波数の検出方法例を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態１０において、共振周波数の検出方法例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
以下においては、本発明の加工量検出方法、およびこの加工量検出方法を利用した加工量検出器などを含む加工装置の一例として、研磨量検出方法、およびこの研磨量検出方法を利用した研磨量検出器や加工機である研磨機などを含む研磨装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態１における研磨装置について説明する。図１は本実施の形態における研磨装置の構成例を示す。
【００２４】
本実施の形態における研磨装置は、研磨対象となる磁気ヘッドなどの被研磨物２の研磨量を検出する機能を備えた研磨量検出器７と、研磨量検出器７で検出された研磨量の情報に基づき研磨状態を制御する機能を備えた研磨機などから構成される。研磨量検出器７には、被研磨物２の研磨量を検出するための検出用基板１が取り付けられている。また、研磨機には、前述した図２に示すような、研磨定盤１２、研磨制御部１８、押圧機構２０、研磨定盤駆動機構２１などが備えられている。
【００２５】
被研磨物２には、伝導性パターンで形成した電極を持つ容量５および伝導性パターンで形成した被研磨物側インダクタ４を配置する。伝導性パターンで形成した被研磨物側インダクタ４は、ビア６によって容量５と電気的に接続しており、ＬＣ共振器を構成している。検出用基板１には同様に伝導性パターンで形成した検出側インダクタ３を被研磨物側インダクタ４の対向面に配置し、その入出力端子は検出用基板１を介して研磨量検出器７に接続する。
【００２６】
図１の検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４および容量５で構成する系の等価回路において、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスを図３に示す。検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４はインダクタペア間の電磁結合でＡＣ的に結合している。研磨量検出器７では、検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４の電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンス１７をモニタする。研磨により、容量電極の体積が変化するため、容量５の値が変化する。その容量変量に応じて、被研磨物側インダクタ４と容量５で構成するＬＣ共振器の共振周波数が変化し、インピーダンス１７の共振周波数も変化する。研磨前と研磨後におけるインピーダンス１７の共振周波数変化は図４のように表される。研磨により容量が減少するので、共振周波数はｆ０からｆ１に増加する。
【００２７】
インピーダンス１７（Ｚｉｎ）は、インダクタペアの結合係数１３、被研磨物側インダクタ４の寄生抵抗１５、検出側インダクタ３の寄生抵抗１６の影響も考慮し、以下の数１の式で表される。
【００２８】
【数１】
2010250909.tif 000003
【００２９】
Ｌｍ  …検出側インダクタ３のインダクタンス
Ｌｓ  …被研磨物側インダクタ４のインダクタンス
Ｃｓ  …被研磨物側の研磨により変化する容量５
ｋ  …インダクタペアの結合係数１３
Ｍ  …相互インダクタンス
ｒｌ  …被研磨物側インダクタ４の寄生抵抗１５
ｒｍ  …検出側インダクタ３の寄生抵抗１６
数１から、このときの共振周波数ｆ０は以下の数２の式で表せる。
【００３０】
【数２】
2010250909.tif 000004
【００３１】
従って、インピーダンス１７の共振周波数の変化を検出することによって容量変量を検出できる。さらに、前記容量Ｃｓは次の数３の式で表せる。
【００３２】
【数３】
2010250909.tif 000005
【００３３】
ε  …容量電極間の充填物の誘電率
ｄ  …容量電極間の距離
Ｓ  …容量電極の面積
ｈ  …容量電極の高さ
ｌ  …容量電極の幅
前記容量Ｃｓの変化は研磨することによる電極の高さｈの変化によるものであるため、容量変量がわかれば、ｈの変化量、つまり研磨量を計算することができる。
【００３４】
＜実施の形態２＞
以下、本発明の実施の形態２における研磨装置において、研磨量検出の被研磨物２に配置する容量５の構造について説明する。図５に本実施の形態における被研磨物の素子構造例を示す。本実施の形態では、被研磨物２の有する研磨による変化する容量５を、図１に示すような容量電極が２枚の場合ではなく、電極を４枚にした場合の例を示す。
【００３５】
本発明における容量５を構成する電極の数は限定したものではなく、また電極の形状も図１や図５のような四角形とは限らず、使用者がその用途に応じて容量電極の数、またはその形状を任意に変えられるものである。
【００３６】
＜実施の形態３＞
以下、本発明の実施の形態３における研磨装置において、検出側インダクタ３、被研磨物側インダクタ４の構造について説明する。図６に本実施の形態におけるインダクタの構造例を示す。
【００３７】
本発明における検出側インダクタ３または被研磨物側インダクタ４の構造は、図１に示すように１巻の正方形であることに限定したものではなく、図６に示すように様々な形態をとることができる。
【００３８】
例えば、図６（ａ）は同一配線層上にインダクタの巻数を増やした構成例であり、図６（ｂ）は多層配線によるスタック型のインダクタの構成例を示す。また、インダクタの形状は図６（ｃ）のような四角形に限らず、図６（ｄ）や図６（ｅ）で示されているように、多角形や円形の形状を成すことも可能である。さらに、図６（ａ）と図６（ｂ）を組み合わせた各層を複数巻としたスタック型のインダクタも考えられる。
【００３９】
＜実施の形態４＞
以下、本発明の実施の形態４における研磨装置において、検出側インダクタ３の伝送線路構造について説明する。図７に本実施の形態における検出側インダクタの伝送線路構造例を示す。
【００４０】
本発明における検出側インダクタ３の伝送線路構造は、図７に示すように様々な形態をとることができる。
【００４１】
例えば、図７（ａ）は、差動のマイクロストリップ伝送線路（差動の伝送線路２５）による信号伝送の例を示す。この差動の伝送線路２５の構造を用いた場合、同相ノイズによる検出信号の劣化を低減することができる。
【００４２】
図７（ｂ）は、シングルのマイクロストリップ伝送線路（シングルの伝送線路２６）を用いた場合の例を示す。検出側インダクタ３の一端はこのシングルの伝送線路２６に接続し、もう一端は検出用基板１のグランド２４に接続する。
【００４３】
図７（ｃ）は、シングルの同軸ケーブル２７を用いた場合の例を示す。検出側インダクタ３の一端はこのシングルの同軸ケーブル２７の信号線（芯線）に接続し、もう一端は同軸ケーブル２７のグランドに接続する。
【００４４】
図７（ｄ）は、差動の同軸ケーブル２８を用いた場合の例を示す。
【００４５】
また、上記構造例の他に、伝送線路をストリップ型、またはコプレーナ型にするなど、使用者の用途によって様々な構成とすることができる。
【００４６】
＜実施の形態５＞
以下、本発明の実施の形態５における研磨装置において、研磨時に研磨定盤１２と容量５の間に生じる寄生容量の低減方法について説明する。図８に本実施の形態における寄生容量の低減方法例を示す。
【００４７】
図８（ａ）に示すように、研磨する際に研磨定盤１２と被研磨物２が非常に接近（距離ｄ１）するため、両者の間に寄生容量Ｃ１が存在する。この寄生容量は、研磨量検出精度の誤差要因となる。例えば、容量５の電極と研磨定盤１２の間の誘電体（アルミナ、比誘電率が９．２）の厚みが１０ｎｍ、容量５の電極厚みを３μｍ、電極幅を１８０μｍとした場合、研磨定盤１２との対向面積が５４０μｍ２となり、寄生容量は約０．４０ｐＦに達する。一方、研磨による容量５の電極長の変化量を３μｍとすると、容量５の変量は約０．４８ｐＦとなり、両者はほぼ同値であり、寄生容量による影響は無視できない。
【００４８】
そこで、本実施の形態においては、図８（ｂ）に示すように、容量検出時は被研磨物２を研磨定盤１２から距離ｄ２まで遠ざけて容量５を検出することによって、前記寄生容量をＣ１からＣ２まで低減し、検出精度を上げる。例えば、容量５の電極と研磨定盤１２の間の距離を１００倍の１μｍにすれば、寄生容量は１／１００の０．００４ｐＦとなり、この寄生容量による影響を低減でき、研磨量を精度よく検出することができる。
【００４９】
＜実施の形態６＞
以下、本発明の実施の形態６における研磨装置において、検出側インダクタ３、被研磨物側インダクタ４の大径化による結合係数の変動を低減する方法について説明する。図９に本実施の形態におけるインダクタペアの間隔と結合係数との関係の電磁界シミュレーション結果例を示す。図１０に本実施の形態におけるインダクタペアの水平方向位置ずれと結合係数との関係の電磁界シミュレーション結果例を示す。
【００５０】
本発明で使用する検出側インダクタ３および被研磨物側インダクタ４のそれぞれのサイズは同値である場合も考えられるが、本実施の形態では、インダクタペアのそれぞれのサイズを同値にするのではなく、一方のインダクタサイズをもう一方の１．５〜２．０倍とすることにより、インダクタ間の位置ずれによる結合係数の変化を緩和することができる。
【００５１】
図９（ａ）に示すような検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４とのインダクタペアにおいて、図９（ｂ）の横軸はインダクタ間隔の基準を５０μｍとした時のｚ軸方向の位置ずれΔａを示しており、縦軸はインダクタペアの結合係数ｋを示している。例えば、検出側インダクタ３を２００μｍ角（ｂ１＝２００μｍ）、被研磨物側インダクタ４を１００μｍ角（ｂ２＝１００μｍ）とした場合では、図９（ｂ）に示すように、インダクタペア間の距離ａが変化した時、インダクタペアのサイズを同値の１００μｍ角（ｂ１＝ｂ２＝１００μｍ）とした時よりも結合係数の絶対値は減少するが、位置ずれによる結合係数の変化を低減することが可能である。
【００５２】
また、図１０（ａ）に示すような検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４とのインダクタペアにおいて、図１０（ｂ）は水平方向（ｘ軸方向、ｙ軸方向）で同時にΔｘ、Δｙの位置ずれ（横軸）が発生した場合のインダクタペアの結合係数ｋ（縦軸）のシミュレーション結果を示している。図１０（ｂ）より、インダクタペア間の距離ａを１０μｍとして、インダクタペアが互いに水平方向に位置ずれが発生した場合においても、同様な効果が得られる。
【００５３】
＜実施の形態７＞
以下、本発明の実施の形態７における研磨装置において、検出側インダクタ３をフレキシブルプリント回路基板２９に配線する構造について説明する。図１１に本実施の形態における検出側インダクタをフレキシブルプリント回路基板に配線する構造例を示す。
【００５４】
例えば、被研磨物２と固定冶具１４は接着剤３０によって接着して、フレキシブルプリント回路基板２９の一端を固定治具１４に接着し、他端を被研磨物２に押し当てている場合、研磨時の振動または応力により、接着剤３０が変形し、被研磨物２と固定冶具１４の間に位置ずれが生じ、その結果、検出側インダクタ３および被研磨物側インダクタ４の位置ずれが発生する。
【００５５】
そこで、本実施の形態においては、インダクタペアの位置ずれを緩和するために、検出側インダクタ３をフレキシブルプリント回路基板２９に配線し、研磨量を検出する。フレキシブルプリント回路基板２９は柔軟性を持っており、研磨時の振動または応力により、被研磨物２と固定冶具１４の間に位置ずれが発生しても、フレキシブルプリント回路基板２９が図１１（ａ）の状態から図１１（ｂ）に示すように変形し、接着剤３０の変形に追従することが可能であり、インダクタペア間の位置ずれを緩和することができる。
【００５６】
＜実施の形態８＞
以下、本発明の実施の形態８における研磨装置において、検出側インダクタ３と被研磨物側インダクタ４の位置合せ方法について説明する。図１２に本実施の形態におけるインダクタペアの位置合せ方法例を示す。
【００５７】
前述した図３に示した検出側から被研磨物側を見たインピーダンス１７について、このインピーダンス１７の共振周波数の検出精度を向上するには、結合係数ｋを大きくする必要がある。また、一般的にインダクタペアの結合係数を大きくするには、インダクタ同士の位置ずれを小さくする必要がある。
【００５８】
そこで、本実施の形態においては、図１２に示すような手順に従い、位置合せの開始後に（ステップ４０）、検出信号の感度（検出信号の大きさ）をモニタしながら、この検出信号の感度が基準値以上になるまで、検出側インダクタ３または被研磨物側インダクタ４の位置を調整する（ステップ４１〜４３）。そして、このインダクタペアの位置調整により、検出信号の感度が基準値以上となる位置で位置合せを終了する（ステップ４４）。
【００５９】
本実施の形態におけるインダクタペアの位置合せ方法は、被研磨物２と固定冶具１４の接着時や、被研磨物２を研磨中の研磨量測定時に実施する。
【００６０】
＜実施の形態９＞
以下、本発明の実施の形態９における研磨装置において、研磨量検出器７による共振周波数の検出方法について説明する。図１３に本実施の形態における共振周波数の検出方法例を示す。
【００６１】
図１３に示すように、検出側インダクタ３と方向性結合器３１を接続し、この方向性結合器３１の入力には信号発生器３３を接続する。また、方向性結合器３１には測定器３２を接続する。このような研磨量検出器７の構成において、信号発生器３３から方向性結合器３１に信号を入力し、測定器３２で反射電力を測定することにより、検出側から被研磨物を見たインピーダンス１７を求めることができる。このインピーダンスより共振周波数を算出する。
【００６２】
＜実施の形態１０＞
以下、本発明の実施の形態１０における研磨装置において、研磨量検出器７による共振周波数の別の検出方法について説明する。図１４に本実施の形態における共振周波数の検出方法例を示す。
【００６３】
図１４に示すように、検出側インダクタ３を発振回路３４に接続する。この発振回路３４の出力３５を検出側インダクタ３を介して、発振回路３４の入力３６にフィードバックする。このような研磨量検出器７の構成において、研磨により、検出側インダクタ３で検出したインピーダンス１７の共振周波数が変化するため、発振回路３４の出力する共振周波数も変化する。この共振周波数を発振回路３４の出力３５で測定すれば、研磨量を算出することができる。
【００６４】
＜実施の形態１〜１０の効果＞
以上説明した実施の形態１〜１０における研磨装置によれば、被研磨物２上に容量５と被研磨物側インダクタ４を有してＬＣ共振器を構成し、また、研磨量検出器７に接続した検出用基板１に検出側インダクタ３を有し、被研磨物側インダクタ４と検出側インダクタ３の電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスをＲＦ検出する方法を利用することにより、研磨により被研磨物２上の容量５が変化し、それに応じてＬＣ共振器の共振周波数変量を研磨量検出器７でモニタすることで研磨量を算出することができるので、ワイヤボンディングを必要とせず、研磨量を検出することができる。従って、ワイヤボンディング時の電気的ダメージによる素子不良の排除が可能となり、また、研磨中のワイヤ断線による研磨量検知不能に起因する素子不良の排除が可能となる。
【００６５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６６】
例えば、前記実施の形態においては、研磨量検出方法、およびこれを利用した研磨量検出器や研磨機などを含む研磨装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、切削装置、エッチング装置などの加工装置における加工量検出技術全般に広く適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、加工量検出技術に関し、特に、研磨量などの加工量検出方法、およびこの加工量検出方法を利用した加工量検出器などを含む加工装置に適用可能であり、さらに、切削装置、エッチング装置などの加工装置における加工量検出技術全般に利用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１…検出用基板
２…被研磨物
３…検出側インダクタ
４…被研磨物側インダクタ
５…容量
６…ビア
７…研磨量検出器
８…固定冶具
９…プリント回路基板
１０…ボンディングパット
１１…ボンディングワイヤ
１２…研磨定盤
１３…インダクタペアの結合係数
１４…固定冶具
１５…被研磨物側インダクタの寄生抵抗
１６…検出側インダクタの寄生抵抗
１７…インピーダンス
１８…研磨制御部
１９…測定回路
２０…押圧機構
２１…研磨定盤駆動機構
２４…検出用基板のグランド
２５…差動の伝送線路
２６…シングルの伝送線路
２７…シングルの同軸ケーブル
２８…差動の同軸ケーブル
２９…フレキシブルプリント回路基板
３０…接着剤
３１…方向性結合器
３２…測定器
３３…信号発生器
３４…発振回路
３５…発振回路の出力
３６…発振回路の入力
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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