(57)【要約】【課題】光導波路と発光素子とのアライメントを容易にできる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、半導体光増幅器５と、光ファイバ６、７とを備えている。半導体光増幅器５には、互いに対向する端面であって、光が入射及び出射される光入出面５ａ、５ｂを有する。光ファイバ６、７は、半導体光増幅器５に入射する光及び半導体光増幅器５から出射する光を導波させるためのものである。光ファイバ６、７は、半導体光増幅器５から出射された光を半反射部材５２及び全反射部材５７によってレーザ発振させ、そのレーザ光によりアライメントが行われる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射または出射する第１光入出面を有し、光を増幅可能な発光素子と、
前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記第１光入出面に対向する位置に配置された第１光導波路とを備え、
前記発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記光導波路のアライメントが行われたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子及び前記第１光導波路を挟み対向する位置に配置された第１反射部材及び第２反射部材によってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１反射部材は、一部の光を透過可能であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１反射部材を挟み、前記第１光導波路とは反対側の位置に配置された、光の出力を測定可能なパワーメータによってレーザ光を測定しつつ、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、前記第１光入出面と対向する第２光入出面を有し、
前記第２光入出面に対向する位置に一端部が配置された第２光導波路を、更に備え、
前記第２光導波路の他端部に配置された第３反射部材と前記第１光導波路の他端部に配置された前記第１反射部材とによってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第２光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、前記第１光入出面と対向する第２光入出面を有し、
前記第１光導波路の他端部は、前記第２光入出面と対向する位置に配置され、
前記発光素子から出射して前記第１光導波路の両端部から入射して導波する光を測定可能なパワーメータによってレーザ光が検出されるように、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記レーザ光が最大となる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
レーザ発振させるための電流の閾値が最低になる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と発光素子から出射された光または発光素子へ入射する光を導波する光導波路とを備えた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体光増幅器や発光ダイオード等の発光素子と光ファイバ等の光導波路とを備えた発光装置が知られている。このような発光装置では、発光素子と光導波路とのアライメントが完成後の性能を大きく左右する。そこで、種々のアライメント方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、フォトダイオードと光ファイバのアライメント方法が開示されている。この特許文献１のアライメント方法では、光ファイバの端面でフォトダイオードの端面を押圧させて、互いの端面を平行にする。その後、端面の平行関係を保った状態で、フォトダイオードから光ファイバを一定の距離後退させる。最後に、光ファイバを移動させて、互いの光軸を合わせてアライメントが終了する。
【特許文献１】特開平１０−１８６１８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上述した特許文献１のようなアライメント方法を、フォトダイオードが半導体光増幅器や半導体発光ダイオード等の発光素子である装置に適用した場合、発光素子の光を用いて互いの光軸が一致するようにアライメントが行われる。しかしながら、これらの発光素子の光は、弱いため、検出することが難しく、アライメントが難しいといった課題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、光導波路と発光素子とのアライメントを容易にできる発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、光が入射または出射する第１光入出面を有し、光を増幅可能な発光素子と、前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記第１光入出面に対向する位置に配置された第１光導波路とを備え、前記発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記光導波路のアライメントが行われたことを特徴とする発光装置である。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、前記発光素子及び前記第１光導波路を挟み対向する位置に配置された第１反射部材及び第２反射部材によってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項１に記載の発光装置である。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、前記第１反射部材は、一部の光を透過可能であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置である。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、前記第１反射部材を挟み、前記第１光導波路とは反対側の位置に配置された、光の出力を測定可能なパワーメータによってレーザ光を測定しつつ、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項３に記載の発光装置である。
【００１０】
また、請求項５に記載の発明は、前記発光素子は、前記第１光入出面と対向する第２光入出面を有し、前記第２光入出面に対向する位置に一端部が配置された第２光導波路を、更に備え、前記第２光導波路の他端部に配置された第３反射部材と前記第１光導波路の他端部に配置された前記第１反射部材とによってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第２光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１１】
また、請求項６に記載の発明は、前記発光素子は、前記第１光入出面と対向する第２光入出面を有し、前記第１光導波路の他端部は、前記第２光入出面と対向する位置に配置され、前記発光素子から出射して前記第１光導波路の両端部から入射して導波する光を測定可能なパワーメータによってレーザ光が検出されるように、前記発光素子と前記第１光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項１に記載の発光装置である。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、前記レーザ光が最大となる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１３】
また、請求項８に記載の発明は、レーザ発振させるための電流の閾値が最低になる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発光装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により光導波路と発光素子とのアライメントを行っている。これにより、レーザ光でない発光素子の光をそのまま用いた場合に比べて、レーザ光は強いので容易に光を検出できる。この結果、光導波路と発光素子とのアライメントを容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態による発光装置について説明する。図１は、第１実施形態による発光装置の平面図である。図２は、発光装置の内部側面図である。図３は、半導体光増幅器の斜視図である。図４は、光ファイバ及びファイバコネクタの拡大図である。尚、本発明による発光装置は、光の中継等に用いることができる。
【００１６】
図１及び図２に示すように、発光装置１は、ペルチェ素子２と、配線台３と、サーミスタ４と、半導体光増幅器（ＳＯＡ：semiconductor optical amplifier）５と、光ファイバ６、７と、ファイバコネクタ８、９と、リッド１０ａを含むパッケージ１０とを備えている。尚、半導体光増幅器５が、請求項に記載の発光素子に相当する。光ファイバ６（７）が、請求項に記載の第１光導波路（第２光導波路）に相当する。
【００１７】
ペルチェ素子２は、発光装置１を冷却するためのものである。ペルチェ素子２は、パッケージ１０の底面に固定されている。
【００１８】
配線台３は、ペルチェ素子２及び半導体光増幅器５と外部とを電気的に接続するためのものであるとともに、半導体光増幅器５及び光ファイバ６、７を固定するためのものである。配線台３は、ペルチェ素子２の上面に固定されている。
【００１９】
サーミスタ４は、発光装置１内の温度を測定するためのものである。サーミスタ４は、配線台３に固定されている。
【００２０】
半導体光増幅器５は、光ファイバ６、７を導波して入射してくる光を増幅して出射するためのものである。図３に示すように、半導体光増幅器５は、基板１１と、基板１１上に形成された半導体積層部１２と、一対の電極１３、１４と、反射防止膜１５、１６とを有する。基板１１は、導電性のｎ型ＧａＡｓからなる。半導体積層部１２には、ｎ型半導体層２１と、活性層２２と、ｐ型半導体層２３とが、基板１１側から順に積層されている。各半導体層２１〜２３は、ＧａＡｓ系半導体からなる。ここでいうＧａＡｓ系半導体とは、ＧａＡｓのみならずＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等のＧａＡｓを含む半導体のことである。半導体積層部１２の上面には、電流を狭窄させるためのストライプ部２４が形成されている。
【００２１】
半導体光増幅器５の端面のうち、ストライプ部２４の延長線上の対向する端面が、光が入射及び出射される光入出面５ａ、５ｂである。尚、光入出面５ａが、請求項に記載の第１光入出面に相当する。光入出面５ｂが、請求項に記載の第２光入出面に相当する。電極１３は、基板１１の裏面に形成されている。電極１３は、サブマウント３１に電気的に接続されている。電極１４は、半導体積層部１２の上面に形成されている。反射防止膜１５、１６は、半導体光増幅器５の光入出面５ａ、５ｂに設けられている。反射防止膜１５、１６は、誘電体膜からなる。半導体光増幅器５は、サブマウント３１を介して配線台３に固定されている。
【００２２】
光ファイバ６、７は、半導体光増幅器５に入射する光及び半導体光増幅器５から出射する光をＡ方向及びＢ方向に導波させるためのものである。光ファイバ６、７は、半導体光増幅器５から出射された光をレーザ発振させたレーザ光によりアライメントされている。光ファイバ６、７は、約１ｍの長さと、約０．１２５ｍｍ〜約０．９００ｍｍの太さを有する。光ファイバ６、７の表面には、最外層にＡｕを含む金属多層膜が被覆されている。
【００２３】
光ファイバ６の一端部６ａは、半導体光増幅器５の一方の光入出面５ａに対向する位置に配置されている。光ファイバ７の一端部７ａは、半導体光増幅器５の他方の光入出面５ｂに対向する位置に配置されている。図４に示すように、光ファイバ６、７の一端部６ａ、７ａの先端は、レンズとして機能させるために部分球状に形成されている。光ファイバ６（７）は、ＡｕＳｎ半田３２（３４）によりファイバ固定台３３（３５）に固定されている。尚、ファイバ固定台３３、３５は、配線台３に固定されている。また、光ファイバ６、７は、パッケージ１０の側面に形成された開口部１０ｂ、１０ｃに封止された封止材３７によっても固定されている。
【００２４】
ファイバコネクタ８（９）は、光ファイバ６（７）を他の光ファイバと接続するためのものである。図４に示すように、ファイバコネクタ８（９）は、光ファイバ６（７）の他端部６ｂ（７ｂ）に設けられている。ファイバコネクタ８（９）の光入出面８ａ（９ａ）は、ＡＰＣ（Angled Physical Contact）研磨により、光ファイバ６（７）の光軸に対して傾斜（例えば、８°）させている。これにより、光入出面８ａ（９ａ）は、光の反射による損失を低減させている。
【００２５】
次に、上述した第１実施形態による発光装置１の動作を説明する。
【００２６】
まず、発光装置１では、半導体光増幅器５の電極１３、１４の間に電圧が印加されると、反転分布状態となる。一方、光ファイバ６をＡ方向に導波する光は、端部６ａから出射されて、光入出面５ａから半導体光増幅器５に入射する。ここで、半導体光増幅器５は、反転分布状態となっているので、入射した光によって誘導放出が起こり、光が増幅される。増幅された光は、光入出面５ｂから出射され、端部７ａから光ファイバ７に入射する。そして、光ファイバ７を増幅された光が導波する。尚、光ファイバ７をＢ方向に導波する光については、光ファイバ６をＡ方向に導波する光と方向が逆である以外は同じ動作をするので説明を省略する。
【００２７】
次に、上述した発光装置１の組立工程を説明する。図５〜図１０は、第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【００２８】
まず、図５に示すように、サーミスタ４と、半導体光増幅器５が装着されたサブマウント３１と、ファイバ固定台３３、３５とを配線台３に固定する。
【００２９】
次に、図６に示すように、半反射部材（請求項の第１反射部材に相当）５２を、アダプタ５１を介して光ファイバ６の他端部６ｂに設けられたファイバコネクタ８に接続する。半反射部材５２は、ファイバコネクタ５３と、光ファイバ５４と、ファイバコネクタ５５とを備えている。ファイバコネクタ５５の光入出面５５ａは、光ファイバ５４の光軸に対して直交している。これにより、ファイバコネクタ５５の光入出面５５ａでは、一部（例えば、１０％）の光を反射して戻し、一部（例えば、９０％）の光を透過させる。ここで、ファイバコネクタ５５の光入出面５５ａに誘電体多層膜をコーティングすることにより、半分の光を反射して戻し、半分の光を透過するように構成してもよい。
【００３０】
次に、ファイバコネクタ５５の光入出面５５ａに対向するようにフォトダイオードを有するパワーメータ５６を配置する。即ち、パワーメータ５６は、半反射部材５２を挟み光ファイバ６とは反対側に配置されている。パワーメータ５６は、半導体光増幅器５から出射されて光ファイバ６、５４を導波した光の出力を測定するためのものである。また、半導体光増幅器５の光入出面５ｂに対向するように、ファイバ固定台３５上に全反射部材（請求項の第２反射部材に相当）５７を設置する。即ち、半反射部材５２と全反射部材５７は、半導体光増幅器５と光ファイバ６を挟み対向する位置に配置される。全反射部材５７は、半導体光増幅器５の光入出面５ｂから出射された光を半導体光増幅器５の光入出面５ｂへと反射して戻すためのものである。これにより、半反射部材５２と全反射部材５７によってレーザ発振させるための共振器が構成される。尚、光ファイバ６は、ＸＹＺ軸ステージ及び３軸回転方向ゴニオステージ（図示略）によって保持されている。
【００３１】
この図６に示す状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器５を反転分布状態にするとともに、光入出面５ａ、５ｂから光を出射させる。ここで、光ファイバ６の光軸と半導体光増幅器５の光軸がずれている場合、光入出面５ａから出射された光が、光ファイバ６の端部６ａに入射しないか、または、ほとんど入射しない。この場合、パワーメータ５６では、光がほとんど検出されない。
【００３２】
一方、光ファイバ６の光軸と半導体光増幅器５の光軸が略一致して、光入出面５ａから出射された光が、光ファイバ６の端部６ａにある程度入射するとレーザ発振する。具体的には、光ファイバ６の端部６ａから入射した光が、光ファイバ６、５４をＢ方向に導波して、ファイバコネクタ５５に達すると、一部の光は光入出面５５ａによって反射される。反射された光は、光ファイバ５４、６をＡ方向に導波した後、半導体光増幅器５に入射する。その後、光は、半導体光増幅器５の光入出面５ｂから出射された後、全反射部材５７に達する。全反射部材５７に達した光は、反射されて、半導体光増幅器５に戻った後、光入出面５ａから出射される。このように、半導体光増幅器５から出射された光が半反射部材５２と全反射部材５７との間を導波することによって、レーザ発振される。レーザ発振されて導波するレーザ光のうち、一部がファイバコネクタ５５の光入出面５５ａを透過して、パワーメータ５６に受光される。この結果、パワーメータ５６にレーザ光に相当する出力が測定される。
【００３３】
この後、更に、パワーメータ５６によって測定されるレーザ光の出力が最大となるように、光ファイバ６の微調整が行われる。または、パワーメータ５６によって測定されるレーザ光に必要な電流の閾値が最小になるように、光ファイバ６の微調整が行われる。
【００３４】
次に、図７に示すように、光ファイバ６がＡｕＳｎ半田３２によってファイバ固定台３３に固定される。これによって、半導体光増幅器５との光ファイバ６との光の結合効率が最良の状態になる位置及び方向に、光ファイバ６が設置される。この後、ＸＹＺ軸ステージ及び３軸回転方向ゴニオステージを取り外す。これによって、光ファイバ６のアライメントが完了する。
【００３５】
次に、図８に示すように、光ファイバ７の他端部７ｂに設けられたファイバコネクタ９に、アダプタ６１を介して半反射部材（請求項の第３反射部材に相当）６２を接続する。半反射部材６２は、ファイバコネクタ６３と、光ファイバ６４と、ファイバコネクタ６５とを備えている。ファイバコネクタ６５の光入出面６５ａは、光ファイバ６４の光軸に対して直交している。これにより、光入出面６５ａでは、光ファイバ６４を導波する光のうち、一部（例えば、１０％）の光を反射して戻し、一部（例えば、９０％）の光を透過させる。また、ファイバコネクタ６５の光入出面６５ａに対向するように、パワーメータ５６を配置する。尚、光ファイバ７は、ＸＹＺ軸ステージ及び３軸回転方向ゴニオステージ（図示略）によって保持されている。
【００３６】
この図８に示す状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器５を反転分布状態にするとともに、光入出面５ａ、５ｂから光を出射させる。ここで、光ファイバ７の光軸と半導体光増幅器５の光軸がずれていると、光入出面５ｂから出射された光が、光ファイバ７の端部７ａに入射しないか、または、ほとんど入射しない。この場合、パワーメータ５６では、光がほとんど検出されない。
【００３７】
一方、光ファイバ７の光軸と半導体光増幅器５の光軸が略一致して、光入出面５ｂから出射された光が、光ファイバ７の端部７ａにある程度入射するとレーザ発振する。具体的には、光ファイバ７の端部７ａから入射した光が、光ファイバ７、６４をＡ方向に導波して、ファイバコネクタ６５に達すると、一部の光が光入出面６５ａによって反射される。反射された光は、光ファイバ６４、７をＢ方向に導波した後、半導体光増幅器５に入射する。そして、光は、半導体光増幅器５の光入出面５ａから出射された後、既にアライメントされている光ファイバ６、５４を導波した後、ファイバコネクタ５５に達する。ファイバコネクタ５５の光入出面５５ａに達した光は、一部が反射されて、半導体光増幅器５に戻った後、光入出面５ｂから出射される。このように、半導体光増幅器５から出射された光が半反射部材６２と半反射部材５２との間を導波することによって、レーザ発振される。レーザ発振されて導波するレーザ光のうち、一部がファイバコネクタ６５の光入出面６５ａを透過して、パワーメータ５６に受光される。この結果、パワーメータ５６にレーザ光に相当する出力が測定される。この後、更に、パワーメータ５６によって測定されるレーザ光の出力が最大となるように、光ファイバ７の微調整が行われる。または、パワーメータ５６によって測定されるレーザ光に必要な電流の閾値が最小になるように、光ファイバ７の微調整が行われる。
【００３８】
次に、図９に示すように、光ファイバ７がＡｕＳｎ半田３２によってファイバ固定台３３に固定される。これによって、半導体光増幅器５との光ファイバ７との光の結合効率が最良の状態になる位置及び方向に、光ファイバ７が設置される。これによって、光ファイバ７のアライメントが完了する。
【００３９】
次に、図１０に示すように、半反射部材５２、パワーメータ５６、半反射部材６２及びアダプタ５１、６１を取り外す。
【００４０】
その後、ペルチェ素子２、サーミスタ４等とともに、光ファイバ６、７が設置された配線台３がパッケージ１０に装着されて、図１に示す発光装置１が完成する。
【００４１】
上述したように第１実施形態による発光装置１では、半導体光増幅器５により出射された光を半反射部材５２及び全反射部材５７の間でレーザ発振させてレーザ光にしている。そして、パワーメータ５６により容易に検出することができるこのレーザ光を用いて光ファイバ６のアライメントを行っている。この結果、光ファイバ６と半導体光増幅器５とのアライメントを容易に行うことができる。
【００４２】
更に、光ファイバ６のアライメントの後、半反射部材５２を外すことなく、光ファイバ７の他端部７ｂ側に半反射部材６２を取り付けることによって、光ファイバ７をアライメントしている。これによって、光ファイバ７のアライメントを簡略化することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
次に、上述した第２実施形態による発光装置について説明する。図１１は、第２実施形態による発光装置の概略構成図である。尚、第２実施形態による発光装置は、請求項６に記載の発光装置に相当する。第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
【００４４】
図１１に示すように、第２実施形態による発光装置１Ａでは、光ファイバ４１の一端部４１ａが、半田３２によってファイバ固定台３３に固定されるとともに、光ファイバ４１の他端部４１ｂが、半田３４によってファイバ固定台３５に固定されている。これにより、光ファイバ４１の一端部４１ａは、光入出面５ａと対向する位置に配置される。また、光ファイバ４１の他端部４１ｂは、光入出面５ｂと対向する位置に配置される。
【００４５】
光ファイバ４１の途中部には、カプラー４２が設けられている。カプラー４２は、光ファイバ４１を導波する光の一部を分岐するためのものである。光ファイバ３２を導波する光は、外部へと出力される。
【００４６】
第２実施形態による発光装置１Ａでは、半導体光増幅器５から出射された光は、Ｃ方向及びＤ方向に導波して、再び、半導体光増幅器５に入射する。半導体光増幅器５に入射した光は、増幅された後、光ファイバ４１へと入射して導波する。この動作が繰り返されることにより、半導体光増幅器５から出射された光が、増幅されてレーザ光となる。
【００４７】
次に、第２実施形態による発光装置１Ａの組立工程を説明する。図１２〜図１４は、第２実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【００４８】
まず、図１２に示すように、サーミスタ４と、半導体光増幅器５が装着されたサブマウント３１と、ファイバ固定台３３、３５とを配線台３に固定する。次に、一端にパワーメータ７２が装着された光ファイバ７１をカプラー４２に接続する。
【００４９】
この図１２に示す状態で、半導体光増幅器５に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器５を反転分布状態にするとともに、光入出面５ａ、５ｂから光を出射させる。ここで、光入出面５ａ、５ｂから出射された光が、光ファイバ４１の端部４１ａ、４１ｂのいずれか一方にでも入射しない場合、パワーメータ７２では、光がほとんど検出されない。具体的には、図１２に示すように、光ファイバ４１の端部４１ｂが、光の入射しない位置に配置されている場合には、レーザ発振されることなく、光ファイバ４１の端部４１ａから入射された光のみの小さい出力がパワーメータ７２によって測定される。
【００５０】
一方、図１３に示すように、光入出面５ａ、５ｂから出射された光が、光ファイバ４１の両方の端部４１ａ、４１ｂへ入射すると、光ファイバ４１を導波する光は、再び、半導体光増幅器５に戻る。これにより、反転分布状態の半導体光増幅器５の内部では誘導放出が生じて、光が増幅される。これにより、半導体光増幅器５から出射されて光ファイバ４１を導波する光は、レーザ発振する。
【００５１】
次に、図１４に示すように、レーザ発振可能な位置に光ファイバ４１の両端部４１ａ、４１ｂをファイバ固定台３３、３５を固定する。
【００５２】
上述したように、第２実施形態による発光装置１Ａでは、半導体光増幅器５から出射された光がレーザ発振されて、パワーメータ７２にレーザ光が検出されるように、光ファイバ４１と半導体光増幅器５とのアライメントを行っている。このように、パワーメータ７２により検出され易いレーザ光によってアライメントを行っているので、光ファイバ４１と半導体光増幅器５とを容易にアライメントできる。
【００５３】
また、第２実施形態による発光装置１Ａでは、光ファイバ４１の両端部４１ａ、４１ｂのアライメントを同時に行えるので、組立工程を簡略化することができる。
【００５４】
（第３実施形態）
次に、第２実施形態のアライメント方法を一部変更した第３実施形態について説明する。
【００５５】
第３実施形態の発光装置１Ａの組立工程では、まず、第１実施形態によるアライメント方法により、光ファイバ４１の一端部４１ａをアライメントして固定する。その後、半導体光増幅器５に電圧を印加して光を出射させる。そして、第２実施形態によるアライメント方法に基づいて、パワーメータ７２により検出される光ファイバ４１を導波する光がレーザ光となるように、光ファイバ４１の他端部４１ｂのアライメントを行う。
【００５６】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００５７】
例えば、上述した実施形態における各構成の材料、形状、数値等は、一例であり、適宜変更可能である。
【００５８】
また、上述した実施形態では、光導波路として光ファイバを採用したが、その他の基板上に形成された光導波路等を採用してもよい。
【００５９】
また、上述した実施形態では、発光素子として、半導体光増幅器を採用したが、半導体発光ダイオードや有機ＥＬ素子等を採用してもよい。
【００６０】
また、上述した実施形態では、フォトダイオードを含むパワーメータによってレーザ光を検出したが、レーザ光を目視により検出してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態による発光装置の平面図である。
【図２】発光装置の内部側面図である。
【図３】半導体光増幅器の斜視図である。
【図４】光ファイバ及びファイバコネクタの拡大図である。
【図５】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図６】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図７】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図８】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図９】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
【図１１】第２実施形態による発光装置の概略構成図である。
【図１２】第２実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１３】第２実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【図１４】第２実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００６２】
１、１Ａ      発光装置
２     ペルチェ素子
２     半導体光増幅器
５     半導体光増幅器
５ａ、５ｂ    光入出面
６、７ 光ファイバ
６ａ、６ｂ    端部
７ａ、７ｂ    端部
８、９ ファイバコネクタ
８ａ、９ａ    光入出面
１１   基板
１２   半導体積層部
１５、１６    反射防止膜
２１   ｎ型半導体層
２２   活性層
２３   ｐ型半導体層
２４   ストライプ部
３２   光ファイバ
３２、３４    ＡｕＳｎ半田
３３、３５    ファイバ固定台
４１   光ファイバ
４１ａ、４１ｂ       端部
４２   カプラー
５１   アダプタ
５２   半反射部材
５３、５５    ファイバコネクタ
５５ａ 光入出面
５４   光ファイバ
５６   パワーメータ
５７   全反射部材
６１   アダプタ
６２   半反射部材
６３、６５    ファイバコネクタ
６５ａ 光入出面
６４   光ファイバ
７１   光ファイバ
７２   パワーメータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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