(57)【要約】【課題】印刷法を用いた場合でも品質を保持して歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】基板１上に、複数の第１電極１０と、第２電極２０を第１電極との交差部Ｋで分断して離間する形状の電極膜とを形成する電極成膜工程と、少なくとも交差部の第１電極上に印刷法を用いて絶縁膜３０を形成する絶縁膜形成工程と、交差部で離間する第２電極２０の間を絶縁膜上を経由して接続するブリッジ配線２１を印刷法を用いて形成するブリッジ配線形成工程とを有する。絶縁膜形成工程は、第２電極上のブリッジ配線との接続部に、絶縁膜形成材料に対して撥液性を有する撥液部Ｈ１を形成する工程と、撥液部を除く第１電極及び第２電極を形成する領域の全体に亘って絶縁膜形成材料を塗布する工程とを有し、ブリッジ配線形成工程は、撥液部で露出する第２電極上にブリッジ配線形成材料を塗布する工程と、絶縁膜上にブリッジ配線形成材料を塗布する工程とを有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面側に形成され、互いに交差する方向に延在する複数の第１電極及び複数の第２電極を有するタッチパネルの製造方法であって、
前記基板上に、複数の前記第１電極と、前記第２電極を前記第１電極との交差部で分断して離間する形状の電極膜とを形成する電極成膜工程と、
少なくとも前記交差部の前記第１電極上に印刷法を用いて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記交差部で離間する前記第２電極の間を前記絶縁膜上を経由して接続するブリッジ配線を印刷法を用いて形成するブリッジ配線形成工程とを有し、
絶縁膜形成工程は、前記第２電極上の前記ブリッジ配線との接続部に、絶縁膜形成材料に対して撥液性を有する撥液部を形成する工程と、
前記撥液部を除く前記第１電極及び前記第２電極を形成する領域の全体に亘って前記絶縁膜形成材料を塗布する工程とを有し、
前記ブリッジ配線形成工程は、前記撥液部で露出する前記第２電極上にブリッジ配線形成材料を塗布する工程と、
前記絶縁膜上に前記ブリッジ配線形成材料を塗布する工程とを有することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のタッチパネルの製造方法において、
前記撥液部は、液滴吐出方式で前記絶縁膜形成材料に対する撥液性材料を塗布することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のタッチパネルの製造方法において、
前記絶縁膜上のブリッジ配線形成領域の周縁に沿って、前記ブリッジ配線形成材料に対して撥液性を有する第２撥液部を形成する工程を有することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のタッチパネルの製造方法において、
前記第２撥液部は、液滴吐出方式で前記ブリッジ配線形成材料に対する撥液性材料を塗布することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法によりタッチパネルを製造する工程を有することを特徴とする表示装置製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法により表示装置を製造する工程を有することを特徴とする電子機器製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型のタッチスクリーンは、電極が形成されたパネルの所定位置に指などを近づけることによってパネルの電極との間に容量が形成され、このようにして形成された容量を充電する電流を検出することで、所定位置を検出するものである。静電容量型のタッチスクリーンには、例えば、以下のものが開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載された座標入力装置は、Ｘ電極が設けられた基板、及びＹ電極が設けられた基板によって液晶層が挟持された構成となっている。そして、Ｘ電極側の基板に近づけた検出ペンの電極が、Ｘ電極及びＹ電極との間で浮遊容量を形成し、浮遊容量を充電する際に誘起される電圧によって、検出ペンの位置を検出する（特許文献１を参照）。
【０００４】
次に、特許文献２に記載された情報入出力装置は、表示部のそれぞれの画素に対応してマトリクス状に配置された電極と、それぞれの電極ごとに設けられたアクティブ素子が同一基板上に形成されている。そして、これらの電極が位置検出の際のセンシング電極として機能する（特許文献２を参照）。
【０００５】
次に、特許文献３に記載された座標入力装置は、互いに交差するＸ電極及びＹ電極が、センサ基板の表面及び裏面のそれぞれに形成された構成となっている。そして、Ｘ電極側から近づけた指によって、Ｘ電極からＹ電極に向かう電気力線の変化に伴う電流変化によって位置を検出する（特許文献３を参照）。
【０００６】
次に、特許文献４に記載された座標位置入力装置は、絶縁層を介して対向して配置され互いに交差する電極が複数設けられた構成となっている。そして、電極に近づいた操作者の指によって変化した電流を検出することによって位置検出を行う（特許文献４を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−３３７８２４号公報
【特許文献２】特開平６−３１８１３６号公報
【特許文献３】特開平９−３０５２８９号公報
【特許文献４】特開平１０−６３４０３号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＮＡＴＵＲＥ、３８９巻、１９９７年、ｐ.８２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
特許文献１〜４に記載された発明においては、それぞれの方向に延在する電極、あるいは同一基板上に電極及びアクティブ回路を形成する際に、スパッタ法、フォトリソグラフィー法、及びエッチング法などを複数回繰り返すことによって配線層を積層させる構成となっているため、製造コストが上昇するという問題があった。
そこで、例えば、フレキソ、オフセットやインクジェット法といった印刷法等を用いて、上記電極やアクティブ回路を形成することが考えられ、例えば絶縁膜をこうしたＸ電極とＹ電極との交差部分に矩形で形成する方法として、流体噴射装置から絶縁膜形成インクを噴射し、絶縁膜を形成する方法を用いることで製造コストを大幅に抑えることが可能となる。しかしながら、絶縁膜を形成する材料を含む液滴を基板の面に吐出および乾燥して絶縁膜を形成する方法では、厚みを均一化した平坦な絶縁膜を形成することが困難である。つまり、平坦な基板の面の所定の領域に絶縁膜形成用の液滴を着弾させて膜を形成する場合、液滴により形成された絶縁膜形成用の液膜は、着弾して液膜になった状態では非常に薄く均一な厚みになっていても、この液膜から液性媒体が蒸発し乾燥する際に滲み上がりが生じ、不均一になってしまう。すなわち、液性媒体に溶解していた溶質である絶縁膜の材料が、形成されている膜の周縁部に集積し、結果として絶縁膜の周縁部の膜厚が他の部分よりも厚くなり、平坦な絶縁膜が形成されないという問題がある。
これは、「コーヒーリング」または「コーヒーステイン」と呼ばれる現象であり、溶質を液性媒体に溶解させた液滴を乾燥させる際に表面張力などが原因で発生する現象である。すなわち、基板に広がった液膜の外縁部つまり周縁部の蒸発量が他の部分よりも多いため、それを補うように液が周縁部に向かって流れ、その結果、乾燥後、周縁部が盛り上がった膜が形成される現象である（例えば、非特許文献１参照）。
この周縁部の膜厚は溶質の乾燥過程に依存するため、液滴のぬれ広がり形状や面積によって容易に変化するので、凹凸の高さを常に同程度に調整することが難しい。
こうした凹凸をもった絶縁膜を跨いで2つの電極を接続するためのブリッジ配線を形成すると、上記凹凸でブリッジ配線が屈曲するため抵抗値が変わったり、断線したりする可能性がある。特に、配線も配線形成用の液体材料を用いてインクジェット法で形成する場合は、絶縁膜表面の凹凸による影響をさらに受けやすく、凸部の位置に配置された配線形成用の液体材料は凹部に流動してしまうため、配線の厚みや幅をコントロールすることが困難になってしまう。
通常、絶縁膜形成インクから形成した絶縁膜には凹凸にばらつきが大きいため、このような表面に形成したブリッジ配線は厚みが不均一になりやすく、抵抗値が一定にならないために品質の安定性にも難があった。
【００１０】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、印刷法を用いた場合でも品質を保持して歩留まりの低下を抑制できるタッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のタッチパネルの製造方法は、基板の一面側に形成され、互いに交差する方向に延在する複数の第１電極及び複数の第２電極を有するタッチパネルの製造方法であって、前記基板上に、複数の前記第１電極と、前記第２電極を前記第１電極との交差部で分断して離間する形状の電極膜とを形成する電極成膜工程と、少なくとも前記交差部の前記第１電極上に印刷法を用いて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記交差部で離間する前記第２電極の間を前記絶縁膜上を経由して接続するブリッジ配線を印刷法を用いて形成するブリッジ配線形成工程とを有し、絶縁膜形成工程は、前記第２電極上の前記ブリッジ配線との接続部に、絶縁膜形成材料に対して撥液性を有する撥液部を形成する工程と、前記撥液部を除く前記第１電極及び前記第２電極を形成する領域の全体に亘って前記絶縁膜形成材料を塗布する工程とを有し、前記ブリッジ配線形成工程は、前記撥液部で露出する前記第２電極上にブリッジ配線形成材料を塗布する工程と、前記絶縁膜上に前記ブリッジ配線形成材料を塗布する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
従って、本発明のタッチパネルの製造方法では、第１電極と、第２電極となる電極膜とを同一工程において形成し、電極膜同士を接続するブリッジ配線を印刷法によって形成するようにしたことで、第１及び第２電極を形成する工数を削減することができるので、製造コストを低減したタッチパネルの製造方法を提供することができる。
また、本発明では、撥液部を除く第１電極及び第２電極を形成する領域の全体に亘って均一に絶縁膜形成材料を塗布するため、交差部に局部的（島状）に絶縁膜を形成した場合のように、得られる絶縁膜が部分的に薄くなることがなく、膜端部における溶媒の乾燥で生じる滲み上がりがブリッジ配線形成領域に生じることを防止できる。そのため、本発明では屈曲の程度を減らして絶縁膜上にブリッジ配線を成膜することができ、断線の危険性が増すことなく、高品質で歩留まりの良いタッチパネルを得ることができる。また、本発明では、第２電極とブリッジ配線との接続部に撥液部を形成して、絶縁膜形成材料で覆われることを防止するため、接続部において決まった面積で第２電極を露出させて、支障なくブリッジ配線を形成することができる。また、電極が絶縁膜で覆われるため、交差部に局部的（島状）に絶縁膜を形成した場合のように、交差部のパターンが目立たないためタッチパネルとしての品位も高くなる。
【００１３】
前記撥液部としては、液滴吐出方式で前記絶縁膜形成材料に対する撥液性材料を塗布する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、最小限の撥液性材料により高精度に撥液部を形成することが可能になる。
【００１４】
また、本発明では、前記絶縁膜上のブリッジ配線形成領域の周縁に沿って、前記ブリッジ配線形成材料に対して撥液性を有する第２撥液部を形成する工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、濡れ拡がったブリッジ配線形成材料が第２撥液部で留まるため、一定幅でブリッジ配線を形成することができる。そのため、本発明では一定の抵抗値でブリッジ配線を形成することができ、高品質のタッチパネルを得ることができる。
【００１５】
前記第２撥液部としては、液滴吐出方式で前記ブリッジ配線形成材料に対する撥液性材料を塗布する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、最小限の撥液性材料により高精度に第２撥液部を形成することが可能になる。
【００１６】
そして、本発明の表示装置製造方法は、先に記載の製造方法によりタッチパネルを製造する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の表示装置製造方法では、材料費のコスト増が防止され、抵抗値の増大、断線の発生等が抑えられた高品質の表示装置を得ることができる。
【００１７】
また、本発明の電子機器製造方法は、先に記載の製造方法により表示装置を製造する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子機器製造方法では、材料費のコスト増が防止され、抵抗値の増大、断線等に起因する不具合の発生が抑えられた高品質の電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】タッチパネル１００の模式平面図である。
【図２】タッチパネル１００の模式断面図である。
【図３】タッチパネル１００Ａの模式断面図である。
【図４】タッチパネルの製造方法に係るフローチャート図である。
【図５】液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
【図６】液体材料の吐出原理を説明するための図である。
【図７】タッチパネル１００の製造工程図である。
【図８】タッチパネル１００の製造工程図である。
【図９】タッチパネル１００の製造工程図である。
【図１０】タッチパネル１００の製造工程図である。
【図１１】第２実施形態に係る交差部の部分拡大図である。
【図１２】液晶表示装置５００の模式平面図、及び模式断面図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明のタッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法の実施の形態を、図１ないし図１３を参照して説明する。
なお、以下の実施の実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
【００２０】
＜第１実施形態＞
［タッチパネル］
図１は、本実施形態に係るタッチパネル１００の模式平面図である。図２は、タッチパネル１００のＡ−Ａ’模式断面図である。
【００２１】
タッチパネル１００は、基板１、入力領域２、及び引き回し配線６０を有する。
基板１は、平面視で矩形状に成形されており、その材質としてガラス、アクリル樹脂などの透明な材質が用いられる。
【００２２】
入力領域２は、図１において一点鎖線で囲まれた領域であり、タッチパネルに入力される指の位置情報を検出する領域である。
入力領域２には、複数のＸ電極（第１電極）１０及び複数のＹ電極（第２電極）２０がそれぞれ配置されている。
Ｘ電極１０は、図示でＸ軸方向に沿って延在し、且つＸ電極１０は、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけて複数配列されている。Ｙ電極２０は図示でＹ軸方向に沿って延在し、それぞれのＹ電極２０は、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配列されている。Ｘ電極１０及びＹ電極２０は、互いのブリッジ配線を交差させることによって入力領域２内の交差部Ｋで交差している。
【００２３】
Ｘ電極１０は、Ｘ軸方向に配列された複数の島状電極部１２と、隣り合う島状電極部１２同士を接続するブリッジ配線１１とを備えている。島状電極部１２は平面視で矩形状に形成され、一方の対角線がＸ軸に沿うように配置されている。
【００２４】
Ｙ電極２０は、Ｙ軸方向に配列された複数の島状電極部２２と、隣り合う島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１とを備えている。
島状電極部２２は、平面視で矩形状に形成され、一方の対角線がＹ軸に沿うように配置されている。
島状電極部１２と島状電極部２２とは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において互い違いに配置（市松状配置）されており、入力領域２では、矩形状の島状電極部１２、２２が平面視マトリクス状に配置されている。
【００２５】
Ｘ電極１０及びＹ電極２０を構成する材質としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物；登録商標）、ＺｎＯなどの透光性を有する抵抗体を採用することができる。
【００２６】
引き回し配線６０は、Ｘ電極１０及びＹ電極２０と接続されており、タッチパネル１００の内部あるいは外部装置に設けられた駆動部及び電気信号変換／演算部（いずれも図示は省略）と接続されている。
【００２７】
次に、図２の断面図について説明する。
基板１の機能面１ａに、島状電極部１２（図示は省略），島状電極部２２，及びブリッジ配線１１が設けられている。ブリッジ配線１１上には、絶縁膜３０が形成されている。
そして、絶縁膜３０上にブリッジ配線２１が配置されている。
また、基板１の機能面１ａに、引き回し配線６０が配置されている。引き回し配線６０は、機能面１ａに配置された第１層６０ａ及び第１層６０ａに積層された第２層６０ｂによって構成されている。そして、引き回し配線６０を覆って配線保護膜６２が形成されている。
【００２８】
これらの電極及び配線を覆って、平坦化膜４０が形成されている。平坦化膜４０上には、接着層５１を介して保護基板５０が配置されている。基板１の裏面１ｂには、シールド層７０が設けられている。
【００２９】
絶縁膜３０は、立体的に交差するブリッジ配線１１とブリッジ配線２１とを絶縁するものであり、図９（ｂ）に示すように、平面視矩形状に形成される。
絶縁膜３０は、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどを印刷法を用いて塗布し、それを乾燥固化して形成することができる。
ポリシロキサンを用いて形成した場合には、絶縁膜３０はシリコン酸化物からなる無機絶縁膜となる。一方、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーを採用した場合には、絶縁膜３０は樹脂材料からなる有機絶縁膜となる。ここでは、一例として、JSR NN525E と、EDM（ジエチレングリコールエチルメチルエーテル）とを４：１（重量比）で混合したインクを用いている。
【００３０】
絶縁膜３０の構成材料には、比誘電率が４．０以下、望ましくは３．５以下である材料を採用することが好ましい。これにより、ブリッジ配線の交差部における寄生容量を低減して、タッチパネルの位置検出性能を保持することができる。
また絶縁膜３０の構成材料には、屈折率が２．０以下、望ましくは１．７以下である材料を用いることが好ましい。これにより、基板１やＸ電極１０、Ｙ電極２０との屈折率差を小さくすることができ、使用者に絶縁膜３０のパターンが見えてしまうのを防止できる。
【００３１】
引き回し配線６０の第１層６０ａは、Ｘ電極１０又はＹ電極２０を入力領域２の外側の領域まで延出したものであり、ＩＴＯやＩＺＯなどの抵抗体によって形成されている。
第２層６０ｂは、第１層６０ａ上に積層形成され、引き回し配線６０の配線抵抗を低減する。第２層６０ｂは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属、及びカーボン（グラファイト、カーボンナノチューブなどのナノカーボン）のうち１種類以上を成分とする、有機化合物、ナノ粒子、ナノワイヤーなどを用いて形成することができる。第２層６０ｂの構成材料は、第１層６０ａよりもシート抵抗を小さくすることができるものであれば特に限定されない。
【００３２】
引き回し配線６０を覆う配線保護膜６２は、絶縁膜３０と同様に、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどを形成材料に用いた印刷法によって形成することができる。したがって、配線保護膜６２は絶縁膜３０を形成する工程で同時に形成することができる。
【００３３】
平坦化膜４０は、基板１の機能面１ａの少なくとも入力領域２を覆って形成され、Ｘ電極１０やＹ電極２０による機能面１ａの凹凸を平坦化している。平坦化膜４０は、図示のように、機能面１ａの略全面（外部接続端子部を除く）を覆って形成されていることが好ましい。平坦化膜４０により基板１の機能面１ａ側が平坦化されていることで、基板１と保護基板５０とをほぼ全面にわたって均一に接合することができる。
また平坦化膜４０の構成材料には、屈折率が２．０以下、望ましくは１．７以下である材料を用いることが好ましい。これにより、基板１やＸ電極１０、Ｙ電極２０との屈折率差を小さくすることができ、Ｘ電極１０やＹ電極２０の配線パターンを見えにくくすることができる。
【００３４】
保護基板５０は、ガラスやプラスチックなどの透明基板である。あるいは、本実施形態のタッチパネル１００が液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示装置の前面に配置される場合には、保護基板５０として、表示装置の一部として用いられる光学素子基板（偏光板や位相差板など）を用いることもできる。
【００３５】
シールド層７０は、ＩＴＯやＩＺＯ（登録商標）などの透明導電材料を基板１の裏面１ｂに成膜することで形成される。あるいは、シールド層となる透明導電膜が形成されたフィルムを用意し、かかるフィルムを基板１の裏面１ｂに接着した構成としてもよい。
シールド層７０が設けられていることで、基板１の裏面１ｂ側において電界を遮断する。これにより、タッチパネル１００の電界が表示装置等に作用したり、表示装置等の外部機器の電界がタッチパネル１００に作用したりするのを防止することができる。
【００３６】
なお、本実施形態では基板１の裏面１ｂにシールド層７０を形成しているが、図３に示すように、シールド層を基板１の機能面１ａ側に形成することもできる。図３は、かかる変形例のタッチパネル１００Ａを示す模式断面図である。
図３に示すタッチパネル１００Ａでは、基板１の機能面１ａ上にシールド層７０Ａが形成されており、シールド層７０Ａを覆って絶縁膜８０Ａが形成されている。絶縁膜８０Ａ上の構成は、図２に示したタッチパネル１００と同様である。タッチパネル１００Ａでは、基板１の片面にシールド層７０Ａや、Ｘ電極１０、Ｙ電極２０、引き回し配線６０等を形成するので、製造工程が煩雑化するのを回避でき、製造性に優れたタッチパネルとすることができる。
【００３７】
ここで、タッチパネル１００の動作原理について簡単に説明する。
まず、図示は省略の駆動部から、引き回し配線６０を介してＸ電極１０及びＹ電極２０に所定の電位を供給する。
なお、シールド層７０には、例えばグランドの電位（接地電位）を入力する。
【００３８】
上記のように電位が供給された状態で、保護基板５０側から入力領域２に向けて手指を近づけると、保護基板５０に近づけた手指と、接近位置付近のＸ電極１０及びＹ電極２０のそれぞれとの間に寄生容量が形成される。すると、寄生容量が形成されたＸ電極１０及びＹ電極２０では、この寄生容量を充電するために一時的な電位低下が引き起こされる。
【００３９】
駆動部では、各電極の電位をセンシングしており、上述の電位低下が発生したＸ電極１０及びＹ電極２０を即座に検出する。そして、検出された電極の位置を電気信号変換／演算部によって解析することによって、入力領域２における指の位置情報が検出される。
具体的には、Ｘ軸方向に延在するＸ電極１０によって、手指が接近した位置の入力領域２におけるＹ座標が検出され、Ｙ軸方向に延在するＹ電極２０によって、入力領域２におけるＸ座標が検出される。
【００４０】
［タッチパネルの製造方法］
次に、上記のタッチパネルの製造方法について説明する。
本実施形態においては、図１及び図２に示したタッチパネル１００の製造方法について図面を参照して説明する。図４は、タッチパネルの製造方法に係るフローチャート図である。
【００４１】
本実施形態のタッチパネルの製造工程は、図４に示すように、基板１の機能面１ａに、島状電極部１２，２２、ブリッジ配線１１、及び引き回し配線６０の第１層６０ａを形成する電極成膜工程Ｓ１０と、引き回し配線６０の第１層６０ａに第２層６０ｂを積層する補助配線形成工程Ｓ２０と、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０を形成するとともに、引き回し配線６０を覆って配線保護膜６２を形成する絶縁膜形成工程Ｓ３０と、絶縁膜３０上を経由して隣り合った島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１を形成するブリッジ配線形成工程Ｓ４０と、基板１の機能面１ａ側を平坦化する平坦化膜４０を形成する平坦化膜形成工程（保護膜形成工程）Ｓ５０と、接着層５１を介して保護基板５０を平坦化膜４０と接合する保護基板接合工程（接着層形成工程）Ｓ６０と、基板１の裏面１ｂにシールド層７０を形成するシールド層形成工程（導電膜形成工程）Ｓ７０とを有している。
【００４２】
本実施形態のタッチパネル１００の製造工程は、印刷法の一種である液滴吐出法によって成膜する工程を有している。そこで、タッチパネルの製造方法の説明に先立ち、液滴吐出装置について説明する。
【００４３】
図５は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１００１と、Ｘ軸方向駆動軸１００４と、Ｙ軸方向ガイド軸１００５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ１００７と、クリーニング機構１００８と、基台１００９と、ヒータ１０１５とを備えている。する装置として、ピエゾ素子（圧電素子）を用いた電気機械変換方式の、液滴吐出装置が用いられる。
【００４４】
ステージ１００７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する図示は省略の固定機構を備えている。
【００４５】
液滴吐出ヘッド１００１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１００１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１００１の吐出ノズルからは、ステージ１００７に支持されている基板Ｐに対して、前記の導電性微粒子を含む配線パターン用インクが吐出されるようになっている。
【００４６】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ１００２が接続されている。このＸ軸方向駆動モータ１００２は、ステッピングモータ等からなるもので、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１００１はＸ軸方向に移動する。
【００４７】
Ｙ軸方向ガイド軸１００５は、基台１００９に対して動かないように固定されている。
ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ１００３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００４８】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１００１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。
また、Ｘ軸方向駆動モータ１００２に液滴吐出ヘッド１００１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ１００３にステージ１００７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００４９】
クリーニング機構１００８は、液滴吐出ヘッド１００１をクリーニングするものである。クリーニング機構１００８には、図示は省略のＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸１００５に沿って移動する。クリーニング機構１００８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００５０】
ヒータ１０１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１０１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００５１】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１００１と基板Ｐを支持するステージ１００７とを相対的に走査しつつ、基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１００１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出するようになっている。
【００５２】
図６は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する図である。図６において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室１０２１に隣接してピエゾ素子１０２２が設置されている。液体室１０２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系１０２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子１０２２は駆動回路１０２４に接続されており、この駆動回路１０２４を介してピエゾ素子１０２２に電圧を印加し、ピエゾ素子１０２２を変形させることにより、液体室１０２１が変形し、吐出ノズル１０２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子１０２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子１０２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００５３】
ここで、タッチパネルの製造方法の説明に戻る。図７及び図８は、タッチパネル１００の製造工程を示す図である。これらの工程図は、図２に示した構造（ブリッジ配線の交差部及び引き回し配線６０）を形成する工程を示している。
【００５４】
まず、電極成膜工程Ｓ１０について説明する。
電極成膜工程Ｓ１０では、例えばガラス基板である基板１上に、図５に示した液滴吐出装置ＩＪによって、例えばＩＴＯ粒子を含む液体材料の液滴を選択的に配置する。具体的には、基板１上に、島状電極部１２とブリッジ配線１１とからなるＸ電極１０を形成し（第１電極形成工程）、また、Ｙ電極２０の一部である島状電極部２２を形成し（第２電極形成工程）、そして、島状電極部１２及び島状電極部２２から延出された引き回し配線６０の第１層６０ａとからなる液体材料のパターンを形成する。その後、基板１上に配置された液体材料（液滴）を乾燥させる。特性がそろった電極を得るためには液体材料のパターンを２００℃以上の高温で焼成することが有効である。また、ＩＴＯの電極を形成するための液体材料としてはＩＴＯの前駆体粒子であるインジウムとスズの金属粒子の分散液体を用いてもよく、このＩＴＯの前駆体粒子のパターンを、２００〜３００℃程度の温度で焼成することでインジウムとスズを分散している分散剤が除去され金属粒子が酸化焼成されることで透明性の高いＩＴＯ粒子が集合したＩＴＯ電極となる。
これにより、図７（ａ）に示すように、基板１上に、ＩＴＯ粒子の集合体からなるＸ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１、図９（ａ）参照）、島状電極部２２、及び引き回し配線６０の第１層６０ａが形成される。
【００５５】
本実施形態の電極成膜工程Ｓ１０においては、ＩＴＯ粒子を含有する液滴を吐出することによって、ＩＴＯ膜を形成しているが、この他にも、ＩＺＯ（登録商標）の粒子を含有する液滴を用いてＩＺＯ（登録商標）からなる透明導電膜を形成してもよい。また、ポリチオフェン、ポリアニリン系の有機高分子からなる透明導電膜を形成してもよく、有機高分子が水や溶剤に溶解した液体を配置した場合は１２０℃で３０分程度の低温での焼成が必要である。
また、電極成膜工程Ｓ１０では、液滴吐出法ではなく、フォトリソグラフィー法を用いたパターン形成方法も用いることができる。すなわち、スパッタ法などにより基板１の機能面１ａのほぼ全面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてＩＴＯ膜をパターニングすることで、Ｘ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１）、島状電極部２２、及び引き回し配線６０の第１層６０ａを形成するようにしてもよい。
【００５６】
次に、補助配線形成工程Ｓ２０に移行する。
補助配線形成工程Ｓ２０では、液滴吐出装置ＩＪによって、引き回し配線６０の第２層６０ｂの構成材料を含む液体材料の液滴を第１層６０ａ上に吐出配置する。第２層６０ｂを形成するための液体材料としては、例えば、銀粒子を含む液体材料を用いることができる。その後、吐出配置した液滴を乾燥させる。これにより、図７（ｂ）に示すように、第１層６０ａ上に低抵抗の第２層６０ｂが形成され、２層構造の引き回し配線６０が入力領域２の外側の基板１上に形成される。
【００５７】
引き回し配線６０の第２層６０ｂを形成する液体材料としては、銀粒子を含む液体材料のほか、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属粒子を含む液体材料や、グラファイトやカーボンナノチューブを含む液体材料を用いることができる。金属粒子やカーボン粒子は、ナノ粒子やナノワイヤーの形態で液体材料中に分散される。また、第２層６０ｂを金属膜とする場合には、有機金属化合物を含む液体材料を用いてもよい。
【００５８】
次に、絶縁膜形成工程Ｓ３０及びブリッジ配線形成工程Ｓ４０が順次実行される。
図９及び図１０は、絶縁膜形成工程Ｓ３０及びブリッジ配線形成工程Ｓ４０をさらに具体的に示す平面的な説明図である。
【００５９】
以下では、図７乃至図１０を参照しつつ説明する。
絶縁膜形成工程Ｓ３０は、図７（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、島状電極部２２（第２電極）上のブリッジ配線２１との接続部に、絶縁膜形成材料に対して撥液性を有する撥液部Ｈ１を形成する撥液部形成工程と、撥液部Ｈ１を除く第１電極１０及び第２電極２０を形成する領域（図１に示す入力領域２に相当する大きさ）の全体に亘って絶縁膜形成材料を塗布する絶縁膜形成材料塗布工程とを有している。
【００６０】
撥液部形成工程では、絶縁膜形成材料（例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマー）に対して撥液性を有する材料を含む撥液性液滴を液滴吐出装置ＩＪを用いて、島状電極部２２上のブリッジ配線２１との接続部に吐出する。
絶縁膜形成材料に対して撥液性を有する材料としては、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「EGC1720」（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）溶媒にフッ素樹脂を０．１ｗｔ％溶解させたもの）を用いることができる。この場合、ＨＦＥにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド３０１から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」（各種溶媒に溶解可能）、ダイキン工業株式会社製「オプツール」（溶媒；ＰＦＣ、ＨＦＥ等）、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」（溶媒；トルエン、水・エチレングリコール）等を用いることができる。
さらに、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にＦ基、−ＣＦ３、−ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ３、−（ＣＦ２）ｎＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦＣｌ−が含まれるものを用いることが可能である。
そして、基板１上に吐出した撥液性液滴を予備乾燥することにより、撥液部Ｈ１が形成される。
【００６１】
続いて、絶縁膜形成材料塗布工程において、液滴吐出装置ＩＪによって、図７（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、交差部ＫにおけるＸ電極１０のブリッジ配線１１を埋めるように絶縁膜形成材料を含む液状体（機能液）の液滴を、撥液部Ｈ１を除く第１電極１０及び第２電極２０を形成する領域の全体に亘って塗布する。このとき、塗布された絶縁膜形成用液滴は、撥液部Ｈ１の撥液性によりはじかれて、撥液部Ｈ１においては未充填状態となって開口し、島状電極部２２が露出する。絶縁膜形成材料としては、例えば、多官能アクリル樹脂が２０％、レベリング剤が０．２５％含有するものを用いることができる。
【００６２】
このとき、塗布された絶縁膜形成材料は、第１電極１０及び第２電極２０を形成する領域の全体に亘って塗布されるため、端部で滲み上がりが生じたとしても、撥液部Ｈ１やブリッジ配線形成領域とは離間した位置で生じるため、撥液部Ｈ１周辺やブリッジ配線形成領域の周辺では均一な厚さとなる。また、絶縁膜３０の撥液部Ｈ１に臨む側面は、垂直に形成されるのではなく、上面に向けて湾曲する曲面で形成される。
その後、基板１上の液体材料を、例えば８０℃で１０分間加熱し、その後、１５０℃〜２００℃で３０分程度乾燥固化させることで、ブリッジ配線１１上を含み撥液部Ｈ１で開口する絶縁膜３０が形成される。
【００６３】
なお、絶縁膜３０を形成するに際しては、少なくともブリッジ配線１１上の領域において液滴を隙間無く配置することが好ましい。これにより、ブリッジ配線１１に達する孔やクラックのない絶縁膜３０を形成することができ、絶縁膜３０における絶縁不良やブリッジ配線２１の断線が防止される。
【００６４】
次に、ブリッジ配線形成工程Ｓ４０に移行する。
ブリッジ配線形成工程Ｓ４０は、撥液部Ｈ１で露出する島状電極部２２上にブリッジ配線形成材料を塗布する第１ブリッジ配線形成材料塗布工程と、絶縁膜３０上にブリッジ配線形成材料を塗布する第２ブリッジ配線形成材料塗布工程とを主体として構成される。
【００６５】
第１ブリッジ配線形成材料塗布工程では、図７（ｄ）及び図１０に示すように、撥液部Ｈ１で露出する島状電極部２２上（すなわち、絶縁膜３０における開口部）に、ＩＴＯ粒子を含む液体材料の液滴を塗布し、第２ブリッジ配線形成材料塗布工程では、撥液部Ｈ１、Ｈ１間の絶縁膜３０上にＩＴＯ粒子を含む液体材料の液滴を塗布する。
【００６６】
その後、基板１上の液体材料を加熱して乾燥固化する。これにより、島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１が形成される。
この加熱により、撥液部Ｈ１が分解・除去される、または撥液性が低下することにより、島状電極部２２とブリッジ配線２１との導通が確保される。
なお、より確実に撥液部Ｈ１を除去する場合には、基板１の表面側からエネルギー光として、例えば紫外光（ＵＶ光）を照射する等の処理を行えばよい。
なお、ブリッジ配線２１の形成に用いる液体材料としては、上記したＩＴＯ粒子を含む液体材料のほか、ＩＺＯ（登録商標）粒子や、ＺｎＯ粒子を含む液体材料を用いて形成することもできる。
【００６７】
ブリッジ配線２１を形成するに際しては、図９（ｄ）に示すように、ブリッジ配線形成工程Ｓ４０では、電極成膜工程Ｓ１０と同一の液体材料を用いてブリッジ配線２１を形成することが好ましい。すなわち、ブリッジ配線２１の構成材料には、Ｘ電極１０や島状電極部２２の構成材料と同一の材料を用いることが好ましい。
【００６８】
次に、平坦化膜形成工程Ｓ５０に移行する。
平坦化膜形成工程Ｓ５０では、図８（ａ）に示すように、基板１の機能面１ａを平坦化させる目的で、絶縁材料からなる平坦化膜４０を機能面１ａのほぼ全面に形成する。
平坦化膜４０は、絶縁膜形成工程Ｓ３０で用いた絶縁膜３０形成用の液体材料と同様の液体材料を用いて形成することができるが、基板１表面の平坦化を目的としているため、樹脂材料を用いて形成することが好ましい。
【００６９】
次に、保護基板接合工程Ｓ６０に移行する。
保護基板接合工程Ｓ６０では、図８（ｂ）に示すように、別途用意した保護基板５０と平坦化膜４０との間に接着剤を配置し、かかる接着剤からなる接着層５１を介して保護基板５０と平坦化膜４０とを貼り合わせる。保護基板５０は、ガラスやプラスチック等からなる透明基板のほか、偏光板や位相差板などの光学素子基板であってもよい。接着層５１を構成する接着剤としては、透明な樹脂材料などを用いることができる。
【００７０】
次に、シールド層形成工程Ｓ７０に移行する。
シールド層形成工程Ｓ７０では、図８（ｃ）に示すように、基板１の裏面１ｂ（機能面１ａとは反対側の面）に導電膜で構成されたシールド層７０を形成する。シールド層７０は、真空成膜法、スクリーン印刷法、オフセット法、液滴吐出法などの公知の成膜法を用いて形成することができる。例えばシールド層７０を液滴吐出法などの印刷法を用いて形成する場合には、電極成膜工程Ｓ１０、及びブリッジ配線形成工程Ｓ４０で使用されるＩＴＯ粒子等を含む液体材料を用いることができる。
また、基板１に対する成膜によりシールド層７０を形成する方法のほかにも、一面又は両面に導電膜が成膜されたフィルムを別途用意し、かかるフィルムを基板１の裏面１ｂに貼り合わせることでフィルム上の導電膜をシールド層７０としてもよい。
【００７１】
なお、本実施形態では、シールド層７０をタッチパネル製造工程の最後に実施することとしているが、シールド層７０は任意のタイミングで形成することができる。例えば、予めシールド層７０が形成された基板１を電極成膜工程Ｓ１０以降の工程に供することもできる。また、電極成膜工程Ｓ１０〜保護基板接合工程Ｓ６０までの任意の工程の間にシールド層形成工程を配してもよい。
【００７２】
また、本実施形態においては、基板１の裏面１ｂにシールド層７０を形成しているが、図３に示した変形例に係るタッチパネル１００Ａのように基板１の機能面１ａ側にシールド層７０Ａを形成する場合には、電極成膜工程Ｓ１０に先立って、シールド層７０Ａを形成する工程と、絶縁膜８０Ａを形成する工程とを実行する。この場合にも、シールド層７０Ａは、シールド層形成工程Ｓ７０と同様の手法によって形成することができる。また、絶縁膜８０Ａの形成工程は、例えば絶縁膜形成工程Ｓ３０と同様とすることができる。
【００７３】
以上に詳細に説明したタッチパネル１００の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
まず、本実施形態の製造方法では、Ｘ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１）と、Ｙ電極２０を構成する島状電極部２２とを基板１上の同一面に形成し、その後に、ブリッジ配線１１上の領域に液滴吐出法を用いて絶縁膜３０を形成し、その後さらに液滴吐出法を用いて島状電極部２２を接続するブリッジ配線２１を形成する。このようにＸ電極１０と交差するＹ電極２０の接続構造を、印刷法である液滴吐出法を用いて形成することで、従来に比して工数を削減することができ、タッチパネルの製造コストを抑えることができる。
【００７４】
さらに詳しく説明すると、従来の接続構造の形成工程では、図７（ａ）に示した工程の後に、（１）Ｘ電極１０及び島状電極部２２を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、（２）隣り合う島状電極部２２にブリッジ配線を架設するためのコンタクトホールを層間絶縁膜に形成する工程と、（３）コンタクトホールを含む領域にブリッジ配線をパターン形成して島状電極部２２同士を接続する工程と、を実施していた。
【００７５】
上述した従来工程と本実施形態の工程とを比較すれば明らかなように、本実施形態に係る製造方法では、従来工程における層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためのフォトリソグラフィー工程（及びエッチング工程）が不要になり、さらに、ブリッジ配線をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程も不要になる。
したがって、本実施形態の製造方法によれば、特にコストのかかるフォトリソグラフィー工程を削減することができ、タッチパネルの製造コストを低減することができる。また、液滴吐出法では、それぞれの膜を形成する領域にのみ選択的に液滴を配置するので、材料の使用量を抑えることができ、原材料費の点でも製造コスト低減に寄与する。
【００７６】
また、本実施形態では、島状電極部２２とブリッジ配線２１との接続部に撥液部Ｈ１を設けた上で、第１電極１０及び第２電極２０を形成する領域全体に亘って絶縁膜３０を形成するため、ブリッジ配線２１を形成する近傍においては絶縁膜３０に滲み上がりが生じることを防止でき、均一の厚さで成膜できる。そのため、本実施形態では、屈曲することなく絶縁膜３０上にブリッジ配線２１を成膜することができ、断線の危険性が増すことなく、高品質で歩留まりの良いタッチパネルを得ることができる。また、本実施形態では、撥液部Ｈ１を設けた後に絶縁膜形成材料を塗布しているため、フォトリソ等の煩雑な工程を採ることなく、容易にブリッジ配線２１との接続部となるコンタクトホールを形成することができる。また、本実施形態では、撥液部Ｈ１（接続部）に臨む絶縁膜３０の側面が湾曲面となるため、島状電極部２２から絶縁膜３０の上面にかけて形成されるブリッジ配線２１の応力集中が緩和されて、より断線の危険性が少ない高品質のブリッジ配線２１を形成することができる。
【００７７】
特に、本実施形態では、液滴吐出方式で撥液部Ｈ１を形成しているため、最小限の撥液性材料により高精度に撥液部を形成することが可能になる。
さらに、本実施形態では、ブリッジ配線２１と島状電極部２２とのコンタクト部が撥液部Ｈ１の大きさに依存することになるが、撥液部Ｈ１が液滴吐出方式により一定の径で形成されるため、ブリッジ配線２１の線幅を一定として、一定抵抗値を有するブリッジ配線２１を形成することができる。
【００７８】
＜第２実施形態＞
次に、上述したタッチパネルの製造方法の第２実施形態について、図１１を参照して説明する。
この図において、図１乃至図１０に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７９】
本実施形態では、図１１に示すように、絶縁膜３０上のブリッジ配線形成領域ＢＡの周縁に沿って、ブリッジ配線形成材料に対して撥液性を有する材料を含む撥液性液滴を液滴吐出装置ＩＪを用いて吐出して、第２撥液部Ｈ２、Ｈ２を形成する。
【００８０】
ブリッジ配線形成材料に対して撥液性を有する材料としては、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。
シラン化合物としては、（Ａ）一般式（１）
Ｒ１Ｓｉ Ｘ１ｍＸ２（３−ｍ）    …（１）
（式中、Ｒ１ は有機基を表し、Ｘ１ およびＸ２は−ＯＲ２ 、−Ｒ２、−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｍは１から３の整数である。）で表される１種又は２種以上のシラン化合物（成分Ａ）を用いることができる。
【００８１】
一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
Ｘ１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。
【００８２】
一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、１−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、３−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、ｐ−トリルジメチルクロロシラン、ｐ−トリルメチルジクロロシラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブチロキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、７−オクテニルジメチルクロロシラン、７−オクテニルトリクロロシラン、７−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、１０−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−ｎ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−ｎ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、２−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、４−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１，３−（トリクロロシリルメチル）ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、２−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリメトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリエトキシシラン、３−シクロヘキセニルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルジメチルクロロシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、（シクロヘキシルメチル）トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、（４−シクロオクテニル）トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチル���リメトキシシラン、１,１−ジエトキシ−１−シラシクロペンタ−３−エン、３−（２，４−ジニトロフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（ジメチルクロロシリル）メチル−７,７−ジメチルノルピナン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン、２−ヒドロキシ−４−（３−トリエトキシプロポキシ）ジフェニルケトン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシラン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）メチルジクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）トリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）ジメチルクロロシラン、３−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−メチルジエトキシシリル−２−ノルボルネン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、３−ヨードプロピルトリメトキシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、（メルカプトメチル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル｛２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ｝−３−プロピオネート、７−オクテニルトリメトキシシラン、Ｒ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、Ｓ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、（３−フェニルプロピル）ジメチルクロロシラン、（３−フェニルプロピル）メチルジクロロシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、２−（トリエトキシシリルエチル）−５−（クロロアセトキシ）ビシクロヘプタン、（Ｓ）−Ｎ−トリエトキシシリルプロピル―Ｏ―メントカルバメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、３−（トリエトキシシリル）プロピルサクシニック無水物、Ｎ−〔５−（トリメトキシシリル）−２−アザ−１−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（トリメトキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライ���、フェニルビニルジエトキシシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフロオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、Ｎ−｛３−（トリエトキシシリル）プロピル｝フタルアミド酸、（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシシラン、１−トリメトキシシリル−２−（クロロメチル）フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、３−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、２−（ビシクロヘプチル）ジメチルクロロシラン、２−（ビシクロヘプチル）トリクロロシラン、１,４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、
ｔ−ブチルフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルジメチルクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルトリクロロシラン、１,３−（クロロジメチルシリルメチル）ヘプタコサン、（（クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、２−シアノエチルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。
【００８３】
フッ素を含有するシラン化合物（撥液性シラン化合物）としては、含フッ素アルキルシラン化合物が挙げられる。すなわち、Ｓｉと結合したパ−フルオロアルキル構造ＣｎＦ２ｎ＋１で表される構造を有するものであり、下記一般式（２）で表される化合物を例示することができる。式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表している。Ｘ１及びＸ２は−ＯＲ２、−Ｒ２、−Ｃｌを示し、Ｘ１及びＸ２に含まれるＲ２は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａは１〜３の整数である。
【００８４】
ＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１ａＸ２（３−ａ）  …（２）
Ｘ１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。  
含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性を付与することができる。
【００８５】
より具体的には、ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）１１−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２等が挙げられる。
【００８６】
そして、絶縁膜３０上に吐出した撥液性液滴を予備乾燥することにより、図１０に示すように、ブリッジ配線形成領域ＢＡの両側縁に沿って並行する第２撥液部Ｈ２、Ｈ２が形成される。
【００８７】
本実施形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、ブリッジ配線形成領域ＢＡの両側縁に沿って第２撥液部Ｈ２、Ｈ２を形成した後に、当該ブリッジ配線形成領域ＢＡにブリッジ配線形成材料の液滴を塗布するため、一定幅でブリッジ配線２１を形成することができる。そのため、本実施形態では一定の抵抗値でブリッジ配線２１を形成することができ、高品質のタッチパネル１００を得ることができる。
【００８８】
［表示装置］
次に、本発明のタッチパネルを備えた表示装置について説明する。本実施形態では、表示装置の一例として、タッチパネルを備えた液晶表示装置について説明する。図１２は本発明の１実施形態である液晶表示装置５００の模式図であり、（ａ）平面図（ｂ）平面図におけるＨ−Ｈ’断面図を示している。
【００８９】
液晶表示装置５００は、図１２（ａ）に示すように、素子基板４１０、対向基板４２０、及び画像表示領域４１０ａを有している。
素子基板４１０は対向基板４２０に比して広い平面領域を有した矩形状の基板である。
対向基板４２０は液晶表示装置５００における画像表示側であり、ガラスやアクリル樹脂などで形成された透明な基板である。対向基板４２０は、シール材４５２を介して素子基板４１０の中央部に接合されている。
画像表示領域１０ａは、対応基板４２０の平面領域であって、シール材４５２の内周に沿って設けられた周辺見切り４５３の内側領域である。
【００９０】
素子基板４１０における対向基板４２０の周辺には、データ線駆動回路４０１、走査線駆動回路４０４、データ線駆動回路４０１及び走査線駆動回路４０４と接続された接続端子４０２、及び対向基板４２０に対して対向して配置された走査線駆動回路４０４同士を接続する配線４０５などが配置されている。
【００９１】
次に、液晶表示装置５００の断面について説明する。
素子基板４１０の液晶層４５０側の面には、画素電極４０９及び配向膜４１８などが積層されている。
対向基板４２０の液晶層４５０側の面には、遮光膜（ブラックマトリクス）４２３、カラーフィルタ４２２、共通電極４２５、及び配向膜４２９などが積層されている。
液晶層４５０が、素子基板４１０及び対向基板４２０によって挟持されている。
そして、対向基板４２０の外側（液晶層４５０反対側）の面には、接着層１０１を挟んで本発明のタッチパネル１００が配置されている。
【００９２】
以上説明した液晶表示装置によれば、以下の効果を得ることができる。
液晶表示装置５００に設けられたタッチパネル１００は、液滴吐出法によって位置検出用の電極及び電極を交差させる絶縁膜が形成されている。これにより、タッチパネルの製造に係るコストが低減されているので、製造コストを抑えた液晶表示装置とすることができる。
また、液晶表示装置に設けるタッチパネルは、第１の実施形態の変形例であるタッチパネル１００Ａ、あるいは第２の実施形態のタッチパネル２００であってもよい。これらのタッチパネルも、液滴吐出法によって成膜する工程によって製造されており、製造コストが低減されている。したがって、液晶表示装置の製造コストを抑えることができる。
【００９３】
また本実施形態の液晶表示装置においては、対向基板４２０の外側（液晶層４５０と反対側）の面にタッチパネルの各層が形成されていることが好ましい。これによれば、液晶表示装置の対向基板４２０とタッチパネルの基板１とを共通化することができ、より製造コストを低減することができるとともに、液晶表示装置を軽量化することができる。
また、本実施形態においては、液晶表示装置について説明したが、この以外にも、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置などの表示装置においても、本発明のタッチパネルを好適に用いることができる。
【００９４】
次に、本発明のタッチパネル又はタッチパネルを備えた液晶表示装置を有する電子機器の例について説明する。図１３は、モバイル型パーソナルコンピュータ１１００を示す斜視図である。モバイル型パーソナルコンピュータ１１００は、表示部１１０１と、キーボード１１０２を有する本体部１１０３とを備えている。モバイル型パーソナルコンピュータ１１００は、上記実施形態の液晶表示装置５００を表示部１１０１に備えている。
このような構成を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ１１００によれば、本発明のタッチパネルが表示部に用いられているので、製造コストを抑えた電子機器とすることができる。
【００９５】
なお、上記の電子機器は、本発明の電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの表示部にも本発明に係るタッチパネルを好適に用いることができる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００９７】
例えば、上記実施形態では、絶縁膜３０の大きさを第１電極１０及び第２電極２０の形成領域の全体に亘って一様に形成するものとして説明したが、ブリッジ配線形成領域に滲み上がりの影響が及ばない範囲であれば、一様に成膜されていない構成であってもよい。
また、ブリッジ配線２１と島状電極部２２との接続部については、導通をより確実にするために、例えば断面形状を楕円として接続面積を大きくする構成としてもよい。この場合、長径部は短径部の１．５倍以上の長さとすることが好ましい。
【符号の説明】
【００９８】
１…基板、  １０…Ｘ電極（第１電極）、  ２０…Ｙ電極（第２電極）、  ２１…ブリッジ配線、  ２２…島状電極部（電極膜）、  ３０…絶縁膜、  １００…タッチパネル、  Ｂ…隔壁、  ＢＡ…ブリッジ配線形成領域、  Ｈ１…撥液部、  Ｈ２…第２撥液部、  Ｋ…交差部、  ＺＡ…絶縁膜形成領域
【図１】
2010257291.tif 000003
【図２】
2010257291.tif 000004
【図３】
2010257291.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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