(57)【要約】【課題】半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置を提供する。【解決手段】複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、実際にダイシングにて必要なスクライブ幅をそれぞれ設定する。設定した実際にダイシングにおいて必要なスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する。【選択図】図２
2010128367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程にて使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法であって、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、
前記設定したスクライブ幅よりも小さい幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記設定したスクライブ幅のうち、最も小さい前記スクライブ幅を選択する工程と、
前記選択した最も小さいスクライブ幅の二分の一の幅で、前記外周スクライブ領域の幅を設定して前記外周スクライブ領域を作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所がある場合には、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
【請求項４】
請求項１に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域がある場合、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
【請求項５】
請求項１に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記チップスクライブ領域は、前記設定したスクライブ幅の二分一の幅で作成されることを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
【請求項６】
複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程にて使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成装置であって、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する手段と、
前記設定したスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する手段と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
レチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップは、一枚の半導体基板（ウェハ）上に複数形成される。このため、半導体チップを製造するプロセス工程では、ステッパー（露光装置）を使用したステップアンドリピートの方法でウェハへの露光処理が行われている。ステップアンドリピートの方法は、図６に示すように、レチクル６０を図示しないステッパーに装着し、所定のショット位置に順次移動してウェハ上に露光処理が行われ、ウェハ上に露光パターン６１ａ〜６１ｄが順次露光される。
【０００３】
露光パターン６１ａ〜６１ｄは、半導体チップに搭載する回路のレイアウトデータに基づいたものである。露光パターン６１ａ〜６１ｄはプロセス工程毎に異なるため、レチクル６０が複数必要になる。そして、ウェハ上に露光された露光パターン６１ａ〜６１ｄに基づいてプロセス処理を行い、半導体チップに搭載される回路を構成する半導体素子、配線及び電極などがウェハ上に形成される。そして、ウェハ上に形成された複数の半導体チップは、ダイシングブレードにて切断されることにより個々の半導体チップに分けられる。
【０００４】
ところで、近年の半導体チップの微細化に伴い、レチクルの製造コストが増大している。このため、従来、半導体チップの製造コストを削減するために、ダイシングブレードにてウェハを切断するため領域（スクライブ領域）の幅（スクライブ幅）を狭くして、１つのウェハから取得できる半導体チップの数を多くしている（特許文献１参照）。
【０００５】
詳述すると、図７に示すように、１枚のレチクル（図示せず）による１回の露光にて露光される領域（レチクル領域）７０ａ〜７０ｄにおいて、第１スクライブ幅７１は、ダイシングブレードにて切断できる最小な距離にしている。また、隣接する異なるレチクル領域７０ａ〜７０ｄの半導体チップ間の第２スクライブ幅７２は、位置決めのためのアライメントマークなどを形成することのできる幅を持っている。なお、第２スクライブ幅７２は、第１スクライブ幅７１より広くなっている。
【０００６】
従って、レチクル領域７０ａ〜７０ｄの第１スクライブ幅７１が狭くなる分、１枚のウェハから取得できる半導体チップの数が多くなる。これにより、半導体チップ１個当たりの製造コストを削減している。
【特許文献１】特開２００６−１４０２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体チップの試作段階では、一般に特性評価に必要な個数のみを製造するため、製造する半導体チップの数が少ない。このため、半導体チップの試作段階では、１つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成し、半導体チップの製造コストのうち、レチクル及びウェハの製造コストを削減している。
【０００８】
しかしながら、１つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成する場合、各半導体チップのスクライブ幅が異なる場合がある。スクライブ幅が異なる場合、そのスクライブ幅の作成方法は、従来では、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第１スクライブ幅７１及び第２スクライブ幅７２をそれぞれ一定にしている。そのため、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第１スクライブ幅７１及び第２スクライブ幅７２をそれぞれ一定にする必要性から、スクライブ幅が広い半導体チップは、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せるようにしている。
【０００９】
しかしながら、１つのウェハに複数のスクライブ幅が異なる半導体チップを、上記のように、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せて同時に形成した場合、ダイシングブレードにてウェハを切断するコスト（ダイシングコスト）が高くなる。
【００１０】
つまり、スクライブ幅が異なると、使用するダイシングブレードが異なり、スクライブ幅が狭いほど、薄くて高精度の高価なダイシングブレードを使用しなければならなかった。しかも、スクライブ幅が狭くなると、最初にレーザーにてウェハに溝を掘ってからダイシングブレードにて切断しなくてはいけない場合があった。
【００１１】
このレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このレチクルレイアウトデータ作成方法は、複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程において使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法であって、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、実際にダイシングにて必要なスクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、前記設定した実際にダイシングにおいて必要なスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程とを有するようにした。
【００１３】
このレチクルレイアウトデータ作成方法によれば、チップスクライブ領域のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、１つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、１つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。
【発明の効果】
【００１４】
開示されたレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図３に従って説明する。
図１は、レチクルレイアウトデータ作成装置１０を示す。レチクルレイアウトデータ作成装置１０は、入力装置１１、処理装置１２、表示装置１３、第１及び第２記憶装置１４ａ，１４ｂを備えている。入力装置１１は、処理装置１２に後述する処理動作を指示するために使用される。表示装置１３は、処理装置１２で作成されたレチクルレイアウトデータを図形として表示する。処理装置１２は、第１及び第２記憶装置１４ａ，１４ｂと接続されている。
【００１６】
第１記憶装置１４ａには、半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータ、処理プログラム、レチクル設計情報が格納されている。処理プログラムは、レチクルレイアウトデータを作成するためのプログラムである。レチクル設計情報は、スクライブ領域に配置する半導体チップを切断する際のマーク（ダイシングターゲットマーク）などのマークの配置制約条件、ウェハを切断する際に使用するダイシングブレード（ダイシング条件）毎のスクライブ幅（スクライブ作成条件）などを含む。
【００１７】
本実施形態では、スクライブ作成条件は、テクノロジ「１」〜「４」の４条件を備えている。因みに、テクノロジ「１」はスクライブ幅１００ｕｍ、テクノロジ「２」はスクライブ幅２００ｕｍ、テクノロジ「３」は３００ｕｍ、テクノロジ「４」は４００ｕｍである。
【００１８】
また、第１記憶装置１４ａには、ライブラリデータが格納されている。このライブラリデータは、ダイシングターゲットマークのレイアウトデータを含む。そして、処理装置１２は、第１記憶装置１４ａから各種データを必要に応じて読み込む。
【００１９】
第２記憶装置１４ｂには、レチクルレイアウトデータを作成する処理中で作成したデータが一時的に格納される。また、第２記憶装置１４ｂは仕様データテーブルを備え、レチクルに搭載される半導体チップの仕様データが格納されている。仕様データはチップの名前、中心座標、ダイシング条件を含む。そして、処理装置１２は、第２記憶装置１４ｂから格納されている各種データを必要に応じて格納又は読み込む。
【００２０】
次に、レチクルレイアウトデータ作成装置１０が作成するレチクルレイアウトデータの概略構造について説明する。
図２は、レチクルレイアウトデータを説明するための概略構成図である。
【００２１】
図２に示すように、全体レチクルレイアウトデータ２０は、チップ領域データ２１、外周スクライブ領域データ２２、遮光帯データ２３にて構成されている。
チップ領域データ２１は、半導体チップのレチクルレイアウトデータである第１〜第９チップデータＡ〜Ｉをそれぞれ配置するための、一点鎖線（チップサイズ枠）２４にて囲まれる配置領域Ｚａ〜Ｚｉを区画する領域（チップ領域Ｚ１）のデータである。配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）は格子上に横３列、縦３列にて区画されている。第１〜第９チップデータＡ〜Ｉは、その配置領域Ｚａ〜Ｚｉが全て同じサイズになっている。
【００２２】
配置領域Ｚａ〜Ｚｉは、それぞれ第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１と第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２からなる。第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１は、対応する配置領域Ｚａ〜Ｚｉにおいて、半導体チップに搭載される回路を構成するための半導体素子、配線、ビア等のレチクルレイアウトデータが配置される領域である。第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２は、対応する配置領域Ｚａ〜Ｚｉにおいて、ダイシングブレードにて切断される領域である。
【００２３】
従って、対応する配置領域Ｚａ〜Ｚｉに配置される第１〜第９チップデータＡ〜Ｉは、第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１を指定する第１〜第９素子領域データ２５ａ〜２５ｉと第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２を指定する第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉにてそれぞれ構成されている。
【００２４】
対応する配置領域Ｚａ〜Ｚｉに配置される第１〜第９チップデータＡ〜Ｉは、ダイシング条件が予め設定されて仕様データテーブルに格納されている。つまり、第１、第３、第５〜第８チップデータＡ，Ｃ，Ｅ〜Ｈは、テクノロジ「１」に設定されている。第２チップデータＢは、テクノロジ「３」に設定されている。第４チップデータＤは、テクノロジ「２」に設定されている。第９チップデータＩは、テクノロジ「４」に設定されている。
【００２５】
そして、本実施形態では、ウェハにおいて、隣接する第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２間の一点鎖線（チップサイズ枠）２４に沿ってダイシングブレードにて切断される。このとき、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）のスクライブ幅は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいた例えばスクライブ幅の二分の一になっている。
【００２６】
つまり、第１、第３、第５〜第８チップスクライブ領域Ｚａ２，Ｚｃ２，Ｚｅ２〜Ｚｈ２（第１、第３、第５〜第８チップスクライブ領域データ２６ａ，２６ｃ，２６ｅ〜２６ｈ）のスクライブ幅は、５０ｕｍである。また、第２チップスクライブ領域Ｚｂ２（第２チップスクライブ領域データ２６ｂ）のスクライブ幅は、１５０ｕｍである。さらに、第４チップスクライブ領域Ｚｄ２（第４チップスクライブ領域データ２６ｄ）のスクライブ幅は、１００ｕｍである。第９チップスクライブ領域Ｚｉ２（第９チップスクライブ領域データ２６ｉ）のスクライブ幅は、２００ｕｍである。
【００２７】
外周スクライブ領域データ２２は、チップ領域Ｚ１の外周においてダイシングブレードにて切断される外周スクライブ領域Ｚ２を指定するデータである。外周スクライブ領域Ｚ２は、ウェハにおいて、第１〜４及び第６〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２，Ｚｆ２〜Ｚｉ２との間の一点鎖線（チップサイズ枠）２４に沿ってダイシングブレードにて切断される。
【００２８】
外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）のスクライブ幅は、仕様データテーブルに格納されている第１〜第９チップデータＡ〜Ｉのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択され、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。本実施形態では、外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）のスクライブ幅は、テクノロジ「１」のスクライブ幅（１００ｕｍ）が最小なのでそのスクライブ幅（１００ｕｍ）の二分の一（５０ｕｍ）になっている。
【００２９】
遮光帯データ２３は、ステッパーなどのウェハ露光装置でレチクルに形成された半導体チップに搭載される回路のレチクルレイアウトパターンをステップアンドリピート法によってウェハに転写する際に、隣接ショット間で光のもれによる二重露光を防ぐための遮光帯領域Ｚ３を指定するデータである。遮光帯領域Ｚ３（遮光帯データ２３）の幅は、ステッパーの仕様により決まり、本実施形態の遮光帯領域Ｚ３（遮光帯データ２３）の幅は、４００ｕｍになっている。
【００３０】
次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ２０の作成処理について説明する。
第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１に配置される第１〜第９素子領域データ２５ａ〜２５ｉは、処理装置１２によって、第１記憶装置１４ａに格納された半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータに基づいて作成される。
【００３１】
そして、処理装置１２は、第１〜第９素子領域データ２５ａ〜２５ｉ以外の全体レチクルレイアウトデータ２０を構成する第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２の第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ、外周スクライブ領域Ｚ２の外周スクライブ領域データ２２及び遮光帯領域Ｚ３の遮光帯データ２３とを（フレームデータ）、処理装置１２は、図３に示すステップ３０〜３９の処理を実行することで作成する。
【００３２】
まず、ステップ３０（パラメータ入力）において、処理装置１２は、ユーザーが操作する入力装置１１からの全体レチクルレイアウトデータ２０に搭載される第１〜第９チップデータＡ〜Ｉの仕様データを第２記憶装置１４ｂが備える仕様データテーブルに格納する。仕様データテーブルには、第１〜第９チップデータＡ〜Ｉの各仕様データが格納される。
【００３３】
つぎに、ステップ３１（チップ数カウント）において、処理装置１２は、ステップ３０において仕様データテーブルに格納した第１〜第９チップデータＡ〜Ｉの各仕様データを読み込む。そして、処理装置１２は、読み込んだ第１〜第９チップデータＡ〜Ｉの各仕様データの数をカウントする。つまり、処理装置１２は、全体レチクルレイアウトデータ２０に搭載される第１〜第９チップデータＡ〜Ｉの数をカウントし、９チップとカウントする。
【００３４】
ステップ３２（スクライブ作成条件読み込み）において、処理装置１２は、第１記憶装置１４ａに格納されているスクライブ作成条件を読み込む。
そして、ステップ３３（チップスクライブデータ作成）において、処理装置１２は、仕様データテーブルに格納されている仕様データのうち、最も早く格納され、且つステップ３３以降の処理が未処理の仕様データを読み込む。
【００３５】
本実施形態では、仕様データテーブルに第１チップデータＡの仕様データから第９チップデータＩの仕様データの順で格納されたため、処理装置１２は、配置領域Ｚａに配置される第１チップデータＡの仕様データを読み込む。そして、処理装置１２は、第１チップデータＡの仕様データのダイシング条件に対応した第１チップスクライブ領域Ｚａ２のスクライブ幅を、ステップ３２において読み込んだスクライブ作成条件から選択する。そして、処理装置１２は、選択した第１チップスクライブ領域Ｚａ２のスクライブ幅の第１チップスクライブ領域データ２６ａを作成する。
【００３６】
つまり、配置領域Ｚａに配置される第１チップデータＡのダイシング条件であるテクノロジ「１」に対応したスクライブ幅１００ｕｍに基づいて、第１チップデータＡが配置されるチップサイズ枠２４から選択したスクライブ幅（１００ｕｍ）の二分の一（５０ｕｍ）内側に第１チップスクライブ領域データ２６ａが作成される。
【００３７】
ステップ３４（未処理のチップがあるか？）において、処理装置１２は、ステップ３２，３３の処理を行っていない第１〜第９チップデータＡ〜Ｉがあるか否かを判定する。つまり、処理装置１２は、ステップ３１においてカウントしたチップデータ数の第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉが作成されているか否かを判定する。そして、ステップ３２，３３の処理を行っていないチップがある場合（ステップ３４でＹＥＳ）には、ステップ３２に移行する。
【００３８】
つまり、処理装置１２は、ステップ３１においてカウントしたチップデータ数の第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ（第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２）が全体レチクルレイアウトデータ２０に配置されるまで、ステップ３２〜３４を繰り返し処理する。
【００３９】
そして、ステップ３２，３３の処理を行っていないチップがない場合（ステップ３４でＮＯ）には、処理装置１２はステップ３５に移行する。
ステップ３５（最小スクライブ幅選択）において、処理装置１２は、第２記憶装置１４ｂに格納されている仕様データテーブルから第１〜第９チップデータＡ〜Ｉのダイシング条件を読み込む。そして、処理装置１２は、読み込んだ第１〜第９チップデータＡ〜Ｉのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択する。つまり、処理装置１２は、最小のスクライブ幅である第１、第３、第５〜第８チップデータＡ，Ｃ，Ｅ〜Ｈのスクライブ幅（１００ｕｍ）のテクノロジ「１」を選択する。
【００４０】
そして、ステップ３６（外周スクライブデータ作成）において、処理装置１２は、ステップ３５において選択したテクノロジ「１」のスクライブ幅（１００ｕｍ）に基づいて、外周スクライブ領域データ２２を作成する。つまり、処理装置１２は、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）の外周に、ステップ３５において選択したテクノロジ「１」のスクライブ幅（１００ｕｍ）の二分の一（５０ｕｍ）の外周スクライブ領域データ２２を作成する。
【００４１】
処理装置１２は、作成した第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２の第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ及び外周スクライブ領域Ｚ２の外周スクライブ領域データ２２を第２記憶装置１４ｂに一時格納する。
【００４２】
ステップ３７（遮光帯データ作成）において、処理装置１２は、外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）の外周に、予め設定された幅４００ｕｍの遮光帯領域Ｚ３の遮光帯データ２３を作成する。
【００４３】
ステップ３８（データ合成）において、処理装置１２は、ステップ３６において第２記憶装置１４ｂに格納した第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ及び外周スクライブ領域データ２２を読み込む。そして、処理装置１２は、読み込んだ第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ及び外周スクライブ領域データ２２と、ステップ３７において作成した遮光帯データ２３とを合成して、フレームデータを作成する。
【００４４】
ステップ３９（レイアウトデータ出力）において、処理装置１２は、ステップ３８において作成したフレームデータを出力して処理動作を終了する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置１０にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
（１）第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、１つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、１つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。
【００４５】
即ち、ダイシングブレードにてウェハを切断するダイシング装置は、第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ及び外周スクライブ領域データ２２に基づいて、ウェハを切断して半導体チップを取得する。従来では、列方向又は行方向のスクライブ幅を一定にしているため、１種類のダイシング条件に限られてしまう。本実施形態では、スクライブ幅を半導体チップのダイシング条件に応じた幅にしている。これにより、取得する半導体チップの最小のスクライブ幅のダイシング条件にてウェハを切断している。
【００４６】
従って、スクライブ幅の広いダイシング条件の半導体チップだけを取得する場合、スクライブ幅の狭いダイシング条件の半導体チップに合せなくて良く、安価にウェハを切断することができる。
【００４７】
つまり、図２に示す第９チップデータＩ（テクノロジ「４」  スクライブ幅４００ｕｍ）に基づいて作成される半導体チップを取得する場合において、その他の第１〜第８チップデータＡ〜Ｈに基づいて作成される半導体チップを取得しないとき、テクノロジ「４」のダイシング条件にてウェハを切断すれば良く、安価にウェハを切断することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図４及び図５に従って説明する。第１実施形態では、処理装置１２は、フレームデータを作成していた。第２実施形態では、第１実施形態において作成したフレームデータに対して、ダイシングターゲットマークを備えている。そのため、その相違点のみを説明の便宜上説明する。
【００４９】
図４は、全体レチクルレイアウトデータ２０ａを説明するための概略構成図である。
ターゲットマークの配置方法の説明のため、第４チップデータはテクノロジ「１」の設定とする。
【００５０】
図４に示すように、全体レチクルレイアウトデータ２０ａは、第１及び第２ダイシングターゲットマーク４１，４２を備えている。第１ダイシングターゲットマーク４１は、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）の隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）においては、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所に配置される。例えば第７チップスクライブ領域Ｚｇ２（第７チップスクライブ領域データ２６ｇ）とステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域の第９チップスクライブ領域Ｚｉ２（第９チップスクライブ領域データ２６ｉ）でスクライブ幅が異なる箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。そして、第１ダイシングターゲットマーク４１は、隣接する第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）の隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所における、チップサイズ枠２４の１辺の両端に配置されている。
【００５１】
なお、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ））の隣接するスクライブ幅が同じ箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）に隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所には、第１ダイシングターゲットマーク４１が無くてもウェハを切断可能なため、全体レチクルレイアウトデータ２０ａは、第１ダイシングターゲットマーク４１を備えない。
【００５２】
第２ダイシングターゲットマーク４２は、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）内において、配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が配置されていない箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。本実施形態では、配置領域Ｚｅ，Ｚｈ（第５及び第８チップデータＥ，Ｈ）のチップサイズが小さいため、配置領域Ｚｅ，Ｚｈ（第５及び第８チップデータＥ，Ｈ）の右隣に配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置になっている。このため、未配置の領域５０の四つ角に第２ダイシングターゲットマーク４２が配置されている。なお、未配置の領域５０の四つ角に第１ダイシングターゲットマーク４１が配置されている場合、第１ダイシングターゲットマーク４１が優先され、第２ダイシングターゲットマーク４２は配置されない。
【００５３】
次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ２０ａの作成処理について説明する。
処理装置１２は、第１実施形態と同様に、ステップ３０〜ステップ３８における処理を行うことで第１及び第２ダイシングターゲットマーク４１，４２を備えたフレームデータを作成する。
【００５４】
そして、ステップ５１（スクライブ幅の異なるスクライブデータが隣接する箇所があるか？）において、処理装置１２は、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）に隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所があるか否か判定する。第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）に隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜台９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所がある場合（ステップ５１でＹＥＳ）には、ステップ５２に移行する。
【００５５】
ステップ５２（第１ダイシングターゲットマーク配置）において、処理装置１２は、ステップ５１において第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅が異なると外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）に隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所に対して、その異なる箇所に配置されているチップサイズ枠２４の一辺の両端に、第１ダイシングターゲットマーク４１を配置した後に、ステップ５３に移行する。
【００５６】
一方、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）に隣接するスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｄ２及びＺｅ２〜Ｚｉ２（第１〜第４及び第６〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｄ及び２６ｆ〜２６ｉ）の場合は、図６に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士（スクライブ領域間）で、スクライブ幅が異なる箇所がない場合（ステップ５１でＮＯ）には、ステップ５３に移行する。
【００５７】
そして、ステップ５３（チップデータが未配置の領域があるか？）において、処理装置１２は、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）において、配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域があるか否かを判定する。そして、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）内に、配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域がある場合（ステップ５３でＹＥＳ）には、ステップ５４に移行する。
【００５８】
ステップ５４（第２ダイシングターゲットマーク配置）において、処理装置１２は、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）において、配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域５０の四つ角に第２ダイシングターゲットマーク４２を配置した後、ステップ５５に移行する。
【００５９】
一方、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）において、配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域がない場合（ステップ５３でＮＯ）には、ステップ５５に移行する。
【００６０】
ステップ５５（レチクルレイアウトデータ出力）において、処理装置１２は、フレームデータを出力する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置１０にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
【００６１】
（１）全体レチクルレイアウトデータ２０ａに第１ダイシングターゲットマーク４１を配置することができる。これにより、１つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる箇所を精度良くウェハを切断することができる。
【００６２】
つまり、ダイシング装置は、第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ及び外周スクライブ領域データ２２に基づいて、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断している。隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる場合、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断すると、ダイシングブレードにてウェハを切断する領域（スクライブ領域）が第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１（第１〜第９素子領域データ２５ａ〜２５ｉ）にかかってしまい、第１〜第９素子領域Ｚａ１〜Ｚｉ１（第１〜第９素子領域データ２５ａ〜２５ｉ）を切断してしまう可能性がある。この場合には、チップサイズ枠上に第１ダイシングターゲットマーク４１を配置することで、隣接する半導体チップ間のチップサイズ枠に沿ってウェハを切断している。
（２）全体レチクルレイアウトデータ２０ａに第２ダイシングターゲットマーク４２を配置することができる。これにより、１つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）内の配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域５０を精度良くウェハを切断することができる。
【００６３】
つまり、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）内の配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域５０には、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）及び外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）がないため、ダイシング装置は、その未配置の領域５０を切断しない。このため、チップ領域Ｚ１（チップ領域データ２１）内の配置領域Ｚａ〜Ｚｉ（第１〜第９チップデータＡ〜Ｉ）が未配置の領域５０に第２ダイシングターゲットマーク４２を配置することで、その未配置の領域５０を切断している。
【００６４】
尚、上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、外周スクライブ領域Ｚ２（外周スクライブ領域データ２２）は、仕様データテーブルに格納されている第１〜第９チップデータＡ〜Ｉのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、その他のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、そのスクライブ幅の二分の一にしてもよい。
【００６５】
・上記実施形態において、第１〜第９チップスクライブ領域Ｚａ２〜Ｚｉ２（第１〜第９チップスクライブ領域データ２６ａ〜２６ｉ）は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一より狭いスクライブ幅にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】レチクルレイアウトデータ作成装置の概略構成図である。
【図２】第一実施形態のレチクルレイアウトデータの説明図である。
【図３】第一実施形態のレチクルレイアウトデータ作成処理のフローチャートである。
【図４】第二実施形態のレチクルレイアウトデータの説明図である。
【図５】第二実施形態のレチクルレイアウトデータ作成処理のフローチャートである。
【図６】ステップアンドリピート動作を示す説明図である。
【図７】従来のレチクルレイアウトデータの説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
２０，２０ａ  レチクルレイアウトデータ
Ｚａ２〜Ｚｉ２  チップスクライブ領域
Ｚ２  外周スクライブ領域
４１，４２  ダイシングターゲットマーク
Ａ〜Ｉ  半導体チップのレチクルレイアウトデータ
５０  未配置領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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