(57)【要約】【課題】有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図る。【解決手段】表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体１０を揺動可能に配設してカソード電極とし、磁石構成体１０は、一定幅Ｗ１の棒状の中心磁石２と、中心磁石２を囲むように配置された一定幅Ｗ２の略楕円形状の周囲磁石３と、両磁石によってターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャント４とを有し、シャント４は、中心磁石２をその長さ方向に周囲磁石３まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域ＦＥ０内に埋め込み配置されている。【選択図】図１
2010111915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体を揺動可能に配設してカソード電極としたスパッタ装置において、
前記磁石構成体は、
一定幅の棒状の中心磁石と、
前記中心磁石から離間して前記中心磁石を平面において囲むように配置された一定幅の略楕円形状の周囲磁石と、
前記両磁石によって前記ターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャントと
を有し、
前記シャントの一部または全体が、前記中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内の一部もしくは全体に埋め込み配置されていることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記シャントは、前記中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内に加え、この領域と、前記中心磁石の２つの長辺端部を通って前記周囲磁石まで延ばした直線とによって囲まれた領域内にも埋め込み配置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記シャントを配置する領域が、有効成膜領域外であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記シャントは、とりはずし可能に前記磁石構成体に設けられており、
前記磁石構成体を揺動させて成膜する場合には前記シャントを設けて成膜し、前記磁石構成体を固定して成膜する場合には前記シャントをとりはずして成膜することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揺動可能な磁石構成体によるマグネトロンカソード電極を備えたスパッタ装置に関し、特に、マグネトロンカソード電極の磁石構成体に、発生磁界を局部的に弱くするシャントを設けたスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ装置には、電極間に印加する電圧や、電極構造等によって様々なものがある。その中に、マグネトロンスパッタ装置がある。マグネトロンスパッタ装置は、表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏側に磁石構成体を配設してカソード電極を構成することにより、成膜速度を大きくして生産性を向上できるというメリットを有する。このようなマグネトロンスパッタ装置には、上記磁石構成体を固定するものと、揺動させるものとがある。
【０００３】
また、スパッタ装置において成膜する場合、ターゲットの使用効率および寿命がランニングコストに直接影響する。そのため、マグネトロンスパッタ装置としては、ターゲットの使用効率および寿命を向上させることを目的として、磁石構成体を揺動させるタイプのものが主に使用される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３７９８０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁石構成体を固定する場合には、磁石構成体の長手方向の端部領域による磁界が生じるターゲットの上下部と、磁石構成体の中央領域による磁界が生じるターゲットの中央部とは、ほぼ同じ速度でスパッタリングされて掘れる。
【０００５】
しかし、ターゲットの使用効率や寿命を向上させるために、磁石構成体を揺動させると、マグネトロンスパッタ装置のプラズマエロージョントラックの性質上、磁石構成体の端部領域による磁界を受けるターゲットの上下部に、常にスパッタリングされる領域ができてしまい、このターゲット領域が他のターゲット領域よりも速く掘れてしまう。
【０００６】
磁石構成体を大きく揺動させれば、ターゲット上下部の掘れ速度を抑制できるが、装置サイズが大きくなってしまう、膜厚分布の劣化を生じて有効成膜領域が狭くなる等の不具合を生じる。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図ることができるスパッタ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のスパッタ装置は、表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体を揺動可能に配設してカソード電極としたスパッタ装置において、前記磁石構成体は、一定幅の棒状の中心磁石と、前記中心磁石から離間して前記中心磁石を囲むように配置された一定幅の略楕円形状の周囲磁石と、前記両磁石によって前記ターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャントとを有し、前記シャントの一部もしくは全体が、前記中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内の一部もしくは全体に埋め込み配置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のスパッタ装置によれば、中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内に、ターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャントを設けることにより、ターゲットの掘れ速度が有効成膜領域よりも速い領域に生じる磁界を弱くすることができるので、有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図ることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００１１】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。図１の磁石構成体１０は、基板１上に、中心磁石２と、周囲磁石３と、シャント４とを配置したものである。
【００１２】
この実施の形態１のスパッタ装置は、磁石構成体の揺動によってターゲットの掘れ速度が有効成膜領域よりも速くなる領域の磁界強度を局部的に減少させることにより、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図ることを特徴とするものである。
【００１３】
［中心磁石２、周囲磁石３］
中心磁石２は、Ｙ方向を長手方向とする一定幅Ｗ１の棒磁石である。また、周囲磁石３は、中心磁石２から離間して、この中心磁石２を平面において囲むように配置された、一定幅Ｗ２の略楕円形の磁石である。この周囲磁石３は、中心磁石２の長さ方向に沿って配置された長辺部３ａと、中心磁石２の長さ方向の端面２ａに向き合って配置された短辺部３ｂと、これら長辺部３ａおよび短辺部３ｂをつなぐ斜辺部３ｃとによって構成された環状の磁石（環磁石）である。
【００１４】
ここで、中心磁石２の幅Ｗ１は、例えば周囲磁石３の幅Ｗ２の２倍の寸法に設定される。また、例えば、中心磁石２はＳ極、周囲磁石３はＮ極である。
【００１５】
［シャント４］
シャント４は、中心磁石２を、幅Ｗ１のまま、その長さ方向に周囲磁石３に当接するまで延ばしたと仮想したときにその仮想的に延ばした部分が占有する領域（以下、中心磁石仮想延設領域とも言う）ＦＥ０内に埋め込まれている（配置されている）。このシャント４は、その配置領域内において、両磁石によってターゲットに局部的に生じる磁界を弱くする働きをする。シャント４には、高透磁率の材料を使用することが望ましい。
【００１６】
図１において、ＥはターゲットにおいてのＹ方向の有効成膜領域である。従って、シャント４を埋め込んだ領域ＦＥ０は、ターゲットにおいての有効成膜領域Ｅからはずれており、シャント４は、有効成膜領域Ｅからはずれたターゲート表面領域に生じる磁界を弱くする働きをすることとなる。
【００１７】
図２は本発明の実施の形態１のスパッタ装置においてのカソード電極の構成例を説明する図である。図２において、（ａ）はバッキングプレートの表面側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）においてのＨ−Ｈ間の断面図である。
【００１８】
バッキングプレート２０の表面２０ａには、ターゲット３０が配置される。また、バッキングプレート２０の裏面２０ｂ側には、磁石構成体１０がＸ軸方向やＹ軸方向、もしくはＸ軸、Ｙ軸の両方向に揺動可能に配置されている。
【００１９】
ターゲット３０の組成物をスパッタリングすることにより成膜される半導体ウェハ等の被成膜基板４０は、バッキングプレート２０の表面２０ａ側に固定配置され、あるいはバッキングプレート２０の表面２０ａ側をＸ方向に通過する。
【００２０】
図３および図４は磁石構成体１０の作用および効果を説明する平面図である。マグネトロンスパッタでは、ターゲットの表面に磁界を発生させることにより、電子を拘束し、これによってラジカルイオンがターゲットに衝突する密度を増加させて、成膜速度の向上を図る。さらに、磁石構成体を揺動させることにより、上記磁界を生じるターゲット表面領域を広げることができる。
【００２１】
磁石構成体をＸ方向に揺動させる場合において、磁石構成体の長手方向の中央領域では、中心磁石の中央部分と周囲磁石の長辺部分とによってＹ方向に強度が揃った均一な磁界が発生するので、この磁界によるターゲット表面領域のスパッタリングによる堀れ速度はほぼ同じになる。しかし、磁石構成体の長手方向の端部領域においては、発生する磁界が不均一となる。
【００２２】
まず、図３（ａ）のように、略長方形の周囲磁石１０３であると、磁石構成体の長手方向の端部領域において、特に、周囲磁石１０３の長手方向および短手方向の端部に相当する領域ＦＥ１０１，ＦＥ１０２の磁界強度が、上記中央領域の磁界、および中心磁石１０２を長手方向に周囲磁石の内面まで延設したと仮想したときに占有する領域ＦＥ１００の磁界よりも弱くなる。これにより、Ｙ方向の有効成膜領域が狭くなる。
【００２３】
このため、図３（ｂ）のように、従来の技術では、両端部をＴ字型にした中心磁石１０２ａを配置して、領域ＦＥ１０１，ＦＥ１０２の磁界が弱くなるのを回避している。しかし、このような構成では、磁石構成体の端部領域において発生する磁界が、磁石構成体の中央領域において発生する磁界よりも、Ｘ方向に膨らんだ（Ｘ方向に凸部を有する）ものになってしまう。
【００２４】
これに対し、図４（ａ）のように、周囲磁石３に斜辺部３ｃを設けて、周囲磁石３を略楕円形にした磁石構成体１１では、中心磁石２の端部をＴ字型にしなくとも、周囲磁石３の長手方向および短手方向の端部に相当する領域ＦＥ１，ＦＥ２の磁界強度が、磁石構成体１０の中央領域の磁界、および中心磁石２を長手方向に周囲磁石３の内面まで延設したと仮想したときに占有する領域ＦＥ０の磁界よりも弱くなるという不具合を回避できる。また、磁石構成体１１の端部において発生する磁界がＸ方向に凸部を有するという不具合を回避できる。
【００２５】
しかしながら、磁石構成体１１をＸ軸方向やＹ軸方向、もしくはＸ軸、Ｙ軸の両方向に揺動させることを考えると、磁石構成体１１の揺動の内、Ｙ方向の上下部では、これら上下部の間の中間部と比較すると、プラズマの滞在時間が長くなる。従って、上記上下部のターゲット表面領域では、上記中間部のターゲット表面領域よりも、スパッタリングされる時間が長くなり、深く掘られてしまうことになる。
【００２６】
そこで、図４（ｂ）のように、磁石構成体１０では、中心磁石仮想延設領域ＦＥ０にシャント４を設けて、この領域ＦＥ０がターゲット表面に発生させる磁界を弱くしている。これにより、この領域ＦＥ０によるターゲット表面領域の掘れ量を低減することができる。
【００２７】
シャント４を設けた磁石構成体１０を揺動し、ターゲット３０の掘り切り試験をすると、磁石構成体１０の端部領域による磁界を受けるターゲット領域の掘れ速度は、磁石構成体１０の中央領域による磁界を受けるターゲット領域の掘れ速度の１．５倍ほどになり、シャント４を設けていない磁石構成体１１よりも、磁石構成体の端部領域による磁界が生じるターゲット領域の掘れ速度を２５％ほど減少できる。
【００２８】
この実施の形態１の磁石構成体１０では、有効成膜領域でない位置にシャント４を設けるので、ターゲット３０の掘れ速度が有効成膜領域よりも速い領域に生じる磁界を弱くすることができる。これにより、有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、また被成膜基板の成膜特性に影響することもなく、ターゲット３０の使用効率および寿命の改善を図ることができる。
【００２９】
また、この実施の形態１の磁石構成体１０は、磁石構成体１１の領域ＦＥ０にシャント４を埋め込むという容易な変更により実現できるため、従来のスパッタ装置にも簡単に適用できる。
【００３０】
さらに、磁石構成体１１の領域ＦＥ０に、とりはずし可能にシャント４を埋め込んで、磁石構成体１０とすることも容易である。これにより、磁石構成体を揺動させて成膜する場合（揺動型とする場合）には、シャント４を設けて成膜し、磁石構成体を固定して成膜する場合（固定型とする場合）には、シャント４をとりはずして成膜ことが容易に可能となる。このように、固定型の磁石構成体と揺動型の磁石構成体とを兼用化することができるので、装置のコストダウンが可能である。
【００３１】
なお、図５のように、基板１０１上に、両端部をＴ字型とした中心磁石１０２ａと、略長方形の周囲磁石１０３とを配置し、中心磁石１０２ａのＴ字型部と周囲磁石１０３の短辺部の間にシャント１０４を設けた磁石構成体１００においても、磁石構成体の端部領域において発生する磁界が、磁石構成体の中央領域において発生する磁界よりも、Ｘ方向に膨らんだ（Ｘ方向に凸部を有する）ものになってしまう現象は解消されない。図５において、特性Ｄは、シャント１０４を設けた場合に、ターゲット表面において垂直磁界成分が０（水平磁界成分が最大）となる位置を描いたものである。このため、図５の磁石構成体１００を揺動させると、磁界の上記Ｘ方向の凸部によって、バッキングプレートがスパッタリングされてしまう。これを回避するには、揺動幅を狭くする必要がある。
【００３２】
また、磁石構成体の長手方向の端部に蓋シャントを設けることにより、磁場強度を減少させることもできるが、この場合には、ターゲット表面から磁石構成体表面までの距離が長くなってしまい、ターゲット表面全域で磁場が弱くなるので、ＬＶＳ（Low Voltage Sputter）法の適用が困難になる。
【００３３】
以上のように、実施の形態１によれば、中心磁石１をその長さ方向に周囲磁石２まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域ＦＥ０内に、ターゲット３０表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャント４を設けることにより、ターゲット３０の掘れ速度が有効成膜領域よりも速い領域に生じる磁界を弱くすることができるので、有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲット３０の使用効率および寿命の改善を図ることができる。
【００３４】
なお、上記実施の形態１の磁石構成体１０を、Ｘ方向のみならずＹ方向にも揺動する場合にあっても、磁石構成体がＹ方向に長手方向を有する限り、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００３５】
また、上記実施の形態１の磁石構成体１０は、複数のカソード電極を有するマグネトロンスパッタ装置にも適用可能であることは言うまでもない。
【００３６】
実施の形態２
図６は本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。なお、図６において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。図６の磁石構成体６０は、基板１上に、中心磁石６と、周囲磁石７と、シャント８とを配置したものである。
【００３７】
［中心磁石６］
中心磁石６は、Ｙ方向を長手方向とする一定幅Ｗ１の棒磁石である。この中心磁石６の端面６ａの両角に面取り部６ｂを設けたものである。つまり、中心磁石６は、上記実施の形態１の中心磁石２（図１参照）において、長さ方向の端面角部を面取りしたものである。
【００３８】
［周囲磁石７］
周囲磁石７は、中心磁石６から離間して、この中心磁石６を平面において囲むように配置された、一定幅Ｗ２の略楕円形の磁石である。この周囲磁石７は、中心磁石６の長さ方向に沿って配置された長辺部７ａと、２つの長辺部７ａをつなぐ円弧部７ｂとによって構成された環状の磁石（環磁石）である。つまり、周囲磁石７は、上記実施の形態１の周囲磁石３（図１参照）において、短辺部３ｂおよび斜辺部３ｃを円弧部７ｂとしたものである。
【００３９】
［シャント８］
シャント８は、中心磁石６を、幅Ｗ１のまま、その長さ方向に周囲磁石３の円弧部３ａに当接するまで延ばしたと仮想したときにその仮想的に延ばした部分が占有する領域ＦＥ０内に埋め込まれている（配置されている）。つまり、シャント８は、上記実施の形態１のシャント４において、中心磁石６の面取り部６ｂにより空いた領域内にもシャントを埋め込んだものである。
【００４０】
この実施の形態２のように、端面６ａに面取り部６ｂを有する中心磁石６と、円弧部７ｂを有する周囲磁石７の間の領域ＦＥ０に、シャント８を配置した構成としても、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。なお、上記実施の形態１の中心磁石２と実施の形態２の半円部を有する周囲磁石７の組合せ、あるいは実施の形態２の面取り部を有する中心磁石６と上記実施の形態１の短辺部および斜辺部を有する周囲磁石３の組合せも可能である。
【実施例】
【００４１】
実施例１
図７はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例１の特性図である。この実施例１は、上記実施の形態２の磁石構成体６０を用いたカソード電極について、ターゲットの表面に生じる磁界においての垂直磁界成分０の位置をシミュレーションしたものである。
【００４２】
図７において、中心磁石６は、幅寸法が３６ｍｍ、厚さ寸法が３４ｍｍの端面６ａを面取り加工したＳ極棒磁石とした。周囲磁石７は、幅寸法が１８ｍｍ、厚さ寸法が３４ｍｍのＮ極環磁石とし、円弧部７ｂの外周半径を５０ｍｍとした。シャント８は、厚さ寸法を３４ｍｍとし、中心磁石仮想延設領域ＦＥ０に隙間なく配置した。
【００４３】
中心磁石６および周囲磁石７は、残留磁束密度が１．２５Ｔ、保持力が９４７ｋＡ／ｍのネオジム系材料からなる磁石とした。また、シャント８は、例えば、ＳＵＳ４３０やＳＳ４００のような材料とした。
【００４４】
図７において、特性Ａ１は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が３３ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ａ１において、頂点位置ａ１においての水平磁界強度はシャントがない場合の約８０％に減少した。また、頂点位置ａ１から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２５．５ｍｍである。
【００４５】
また、特性Ｂ１は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が２１ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｂ１において、頂点位置ｂ１においての水平磁界強度はシャントがない場合の約８０％に減少した。また、頂点位置ｂ１から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２２．５ｍｍである。
【００４６】
同様に、特性Ｃ１は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が１５ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｃ１において、頂点位置ｃ１においての水平磁界強度はシャントがない場合の約８０％に減少した。また、頂点位置ｃ１から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２１．８ｍｍである。
【００４７】
実施例２
図８はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例２の特性図である。この実施例２のシミュレーション設定は、上記実施例１のシミュレーション設定において、シャント８の厚さ寸法を１７ｍｍに変更したものである。
【００４８】
図８において、特性Ａ２は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が３３ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ａ２において、頂点位置ａ２においての水平磁界強度はシャントがない場合の約９５％に減少した。また、頂点位置ａ２から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２８．５ｍｍである。
【００４９】
また、特性Ｂ２は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が２１ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｂ２において、頂点位置ｂ２においての水平磁界強度はシャントがない場合の約９５％に減少した。また、頂点位置ｂ２から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２５．５ｍｍである。
【００５０】
同様に、特性Ｃ２は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が１５ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｃ２において、頂点位置ｃ２においての水平磁界強度はシャントがない場合の約９５％に減少した。また、頂点位置ｃ２から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２４．５ｍｍである。
【００５１】
比較例１
図９はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした比較例の特性図である。この比較例のシミュレーション設定は、上記実施例１のシミュレーション設定において、シャント８を設けないように変更したものである。
【００５２】
図９において、特性Ａ３は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が３３ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ａ３において、頂点位置ａ３から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２９．５ｍｍである。
【００５３】
また、特性Ｂ３は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が２１ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｂ３において、頂点位置ｂ３から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２６．３ｍｍである。
【００５４】
同様に、特性Ｃ３は、磁石構成体表面からターゲット表面までの距離が１５ｍｍの場合において、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の位置をシミュレーションにより描いたものである。この特性Ｃ３において、頂点位置ｃ３から周囲磁石７の端点７ｃ直上位置までの距離は２５．２ｍｍである。
【００５５】
シャントを設けない比較例よりも、中心磁石仮想延設領域にシャント８を設けた実施例１および２のほうが、ターゲット表面においての上記中心磁石仮想延設領域の直上領域においての水平方向磁界が弱くなっており、この現象は、シャント８の厚さ寸法が実施例２の２倍である実施例１において、より顕著である。従って、シャント８を設けることにより、中心磁石仮想延設領域の直上のターゲット領域においての掘れ量を低減できるので、ターゲットライフを長くできる。
【００５６】
また、シャントを設けない比較例よりも、中心磁石仮想延設領域にシャント８を設けた実施例１および２のほうが、垂直磁界成分が０となるターゲット表面上の頂点位置が、周囲磁石７の端点直上位置側に延びており、この現象は、シャント８の厚さ寸法が実施例２の２倍である実施例１において、より顕著である。従って、シャント８を設けることにより、有効成膜領域をＹ方向に広げることができる。
【００５７】
さらに、実施例１、実施例２、比較例のいずれにおいても、長手方向端部領域に発生する磁界は長手方向中央領域に発生する磁界よりもＸ方向に突出することはないので、長手方向端部領域の磁界が長手方向中央領域よりもＸ方向に突出することに起因する、バッキングプレートのスパッタリング、アースシールドが存在すればプラズマの不安定化により揺動幅を狭くしなければならないという不具合を生じることはない。
【００５８】
なお、以上の実施例１、実施例２、および比較例では、上記実施の形態２の磁石構成体を使用したが、実施例１、実施例２、比較例のそれぞれにおいて、上記実施の形態１の磁石構成体を使用しても、上記と同様のシミュレーション結果を得ることができる。
【００５９】
なお、上記実施の形態１において、図１０のように、上記の中心磁石仮想延設領域に加え、この中心磁石仮想延設領域と、中心磁石２の２つの長辺端部を通って周囲磁石３まで延ばした直線（中心磁石２の端面を周囲磁石３まで延ばした直線）とによって囲まれた領域にも、シャント４を埋め込み配置することも可能である。
【００６０】
同様に、上記実施の形態２において、図１１のように、上記の中心磁石仮想延設領域に加え、この中心磁石仮想延設領域と、中心磁石６の２つの長辺端部を通って周囲磁石３まで延ばした直線とによって囲まれた領域にも、シャント８を埋め込み配置することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１のスパッタ装置においてのカソード電極の構成例を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の作用および効果を説明する平面図である（その１）。
【図４】本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の作用および効果を説明する平面図である（その２）。
【図５】従来の磁石構成体によってターゲット表面に生じる磁界を説明する平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。
【図７】ターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例１の特性図である。
【図８】ターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例２の特性図である。
【図９】ターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした比較例の特性図である。
【図１０】本発明の実施の形態１のスパッタ装置においての磁石構成体の変形例を説明する平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２のスパッタ装置においての磁石構成体の変形例を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板、  ２  中心磁石、  ２ａ  端面、  ３  周囲磁石、  ３ａ  長辺部、  ３ｂ  短辺部、  ３ｃ  斜辺部、  ４  シャント、  ６  中心磁石、  ６ａ  端面、  ７  周囲磁石、  ７ａ  長辺部、  ７ｂ  円弧部、  ７ｃ  端点、  ８  シャント、  １０  磁石構成体、  ２０  バッキングプレート、  ２０ａ  バッキングプレート表面、  ２０ｂ  バッキングプレート裏面、  ３０  ターゲット、  ４０  被成膜基板、  ６０  磁石構成体。
【図１】
2010111915.tif 000003
【図２】
2010111915.tif 000004
【図３】
2010111915.tif 000005
【図４】
2010111915.tif 000006
【図５】
2010111915.tif 000007
【図６】
2010111915.tif 000008
【図７】
2010111915.tif 000009
【図８】
2010111915.tif 000010
【図９】
2010111915.tif 000011
【図１０】
2010111915.tif 000012
【図１１】
2010111915.tif 000013