(57)【要約】【課題】熱変動等に起因した反りの発生を抑制することのできる配線板及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線板が、基板（絶縁層１１）と、基板の表面又は内部に形成される第１導体パターンと、第１導体パターン（導体パターン２２）と同一の層に所定の間隔をもって配置される複数のパッド（第１パッド３１、第２パッド３２）と、複数のパッドの各々に配置された導電性の接合層３３と、電極を有する電子部品５０と、を備える。電子部品５０は、基板の内部に配置される。電子部品５０の電極（バンプ５０ａ）と複数のパッドとは接合層３３を介して互いに電気的に接続される。複数のパッドの各々の高さは、少なくともそれらパッドの周辺に配置された第１導体パターンの高さよりも高い。少なくとも複数のパッド及び第１導体パターンが形成された層には、接合層３３に関する保護材（ソルダーレジスト）が形成されない。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面又は内部に形成される第１導体パターンと、
前記第１導体パターンと同一の層に、所定の間隔をもって配置される複数のパッドと、
前記複数のパッドの各々に配置された導電性の接合層と、
電極を有する電子部品と、
を備え、
前記電子部品は、前記基板の内部に配置され、
前記電子部品の前記電極と前記複数のパッドとは前記接合層を介して互いに電気的に接続され、
前記複数のパッドの各々の高さは、少なくとも該パッドの周辺に配置された前記第１導体パターンの高さよりも高く、
少なくとも前記複数のパッド及び前記第１導体パターンが形成された層には、前記接合層に関する保護材が形成されない、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記複数のパッドの各々の高さは、前記第１導体パターンの高さよりも５μｍ以上高い、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記複数のパッドはそれぞれ、互いに異なる材料からなる第１パッド及び第２パッドを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記接合層は、前記第２パッド上に設けられ、
前記第２パッドは、前記第１パッドよりも、前記接合層の材料に関して高い塗れ性を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記第１パッドは、銅からなり、
前記第２パッドは、ニッケルからなる、
ことを特徴とする請求項４に記載の配線板。
【請求項６】
前記第１パッド及び前記第１導体パターンは、同一層に配置され、
前記第１パッドと前記第１導体パターンとは、互いに同一の材料からなり、且つ、互いに同一の厚さを有する、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記複数のパッドは、それぞれ単一の材料からなる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記接合層は半田からなり、前記接合層に関する保護材は、ソルダーレジストである、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記パッド及び前記接合層は、少なくとも両者の境界面においては同一の幅を持つ、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記パッドは、柱状の外形を有し、
前記接合層は、前記パッドの頂面又は底面のみに接触する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
前記複数のパッドの各々には、窪みが形成され、
前記接合層は、それぞれ前記パッドの前記窪みに配置される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１２】
前記第１導体パターンは、前記基板の内部に配置される、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１３】
前記第１導体パターンとは別の層にある第２導体パターンと、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続する接続導体と、
前記接続導体に連続して形成される第３導体パターンと、
前記第３導体パターンの下地となる金属層と、
を備える、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１４】
前記第１導体パターンとは別の層にある第２導体パターンと、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続する接続導体と、
を備え、
前記複数のパッドの少なくとも１つは、前記接続導体と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１５】
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間に絶縁層を有し、
前記接続導体は、前記絶縁層に形成されたバイアホールに形成される、
ことを特徴とする請求項１４に記載の配線板。
【請求項１６】
前記複数のパッドは、ペリフェラル状に配列される、
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１７】
両面の最外層に、それぞれソルダーレジストが形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１８】
所定の層に、第１開口部及び第２開口部を有する第１レジスト層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後、前記第１レジスト層の前記第１開口部に導体パターンを、前記第１レジスト層の前記第２開口部に第１パッドを、それぞれ形成する第２工程と、
前記第２工程の後、前記導体パターンを覆い前記第１パッド上に開口部を有する第２レジスト層を、前記第１レジスト層上に形成する第３工程と、
前記第３工程の後、前記第２レジスト層の前記開口部に第２パッドを形成する第４工程と、
前記第４工程の後、前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層を除去する第５工程と、
前記第４工程の後、前記第２パッド上に接合層を形成する第６工程と、
前記第５工程及び第６工程の後、電子部品の電極と前記第２パッドとを、前記接合層を介して互いに電気的に接続する第７工程と、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記第６工程では、めっきにより、半田からなる前記接合層を形成する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品が内部に配置された配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化及び小型化の進展に伴い、電子機器に組み込まれる配線板についても、高機能化及び高集積化が求められている。そこで、ＩＣチップ等の電子部品を内部に配置した配線板（電子部品内蔵配線板）などが提案されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、樹脂基板に形成された空隙に電子部品が内蔵された電子部品内蔵配線板が開示されている。この配線板では、電子部品が金属箔からなる配線回路層に実装されている。
【０００４】
また、特許文献２には、開口部を有するソルダ−レジスト層を最外層に備える配線板が開示されている。ソルダ−レジスト層は、パッド周囲への半田付着の防止、パッド間の絶縁性の維持、パッドの保護などに用いられる。ソルダ−レジスト層の開口部には、半田バンプが形成される。そして、この半田バンプにより半導体素子等が表面実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７００６号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の配線板では、各パッド上に半田をとどめておくことが難しく、隣のパッドへ半田が流出することによりそれらパッドが短絡するおそれがある。そのため、配線をファインピッチ化（高密度化）することが難しい。
【０００７】
一方、特許文献２に記載の配線板では、電子部品を内蔵せず表面に実装するため、配線板の大型化が避けられない。
【０００８】
さらに、これらの技術を組み合わせて、電子部品内蔵配線板において、電子部品実装用の端子の周囲にソルダ−レジスト層を設けることも考えられる。しかし通常、ソルダーレジスト層を構成する材料（絶縁性樹脂）の熱膨張率は高いため、基板内部にソルダ−レジスト層を配置した場合、その配線板は、熱膨張率に関して非対称な構造となり易い。そのため、製造時の温度変化やその後のヒートサイクルに起因して配線板に反りが生じてしまうことが懸念される。
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、熱変動等に起因した反りの発生を抑制することのできる配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。また、配線板のファインピッチ化を図ることを他の目的とする。また、接続信頼性等に関して配線板の品質を高めることを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点に係る配線板は、基板と、前記基板の表面又は内部に形成される第１導体パターンと、前記第１導体パターンと同一の層に、所定の間隔をもって配置される複数のパッドと、前記複数のパッドの各々に配置された導電性の接合層と、電極を有する電子部品と、を備え、前記電子部品は、前記基板の内部に配置され、前記電子部品の前記電極と前記複数のパッドとは前記接合層を介して互いに電気的に接続され、前記複数のパッドの各々の高さは、少なくとも該パッドの周辺に配置された前記第１導体パターンの高さよりも高く、少なくとも前記複数のパッド及び前記第１導体パターンが形成された層には、前記接合層に関する保護材が形成されない。
【００１１】
なお、「基板の内部に配置」には、電子部品の全体が基板内部に完全に埋め込まれる場合のほか、基板に形成された凹部に電子部品の一部のみが配置される場合なども含む。要は、電子部品の少なくとも一部が基板の内部に配置されれば足りる。また、パッド又は導体パターンの「高さ」は、最大の高さを意味する。すなわち高さが一定でない場合、例えば底面は平らであるが、頂面が斜面であったり、又は頂面に窪みが形成されていたりする場合などには、頂面の最も高い部分と底面との差が「高さ」に相当する。
【００１２】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、所定の層に、第１開口部及び第２開口部を有する第１レジスト層を形成する第１工程と、前記第１工程の後、前記第１レジスト層の前記第１開口部に導体パターンを、前記第１レジスト層の前記第２開口部に第１パッドを、それぞれ形成する第２工程と、前記第２工程の後、前記導体パターンを覆い前記第１パッド上に開口部を有する第２レジスト層を、前記第１レジスト層上に形成する第３工程と、前記第３工程の後、前記第２レジスト層の前記開口部に第２パッドを形成する第４工程と、前記第４工程の後、前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層を除去する第５工程と、前記第４工程の後、前記第２パッド上に接合層を形成する第６工程と、前記第５工程及び第６工程の後、電子部品の電極と前記第２パッドとを、前記接合層を介して互いに電気的に接続する第７工程と、を含む。
【００１３】
なお、第１〜第７工程は、特に順序を規定している場合を除き、順序不同である。例えば第６工程を、第５工程よりも前に行ってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱変動等に起因した反りの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の平面図である。
【図２】図１の配線板の部品実装部の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４Ａ】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図４Ｂ】図２のＣ−Ｃ断面図である。
【図４Ｃ】図２のＤ−Ｄ断面図である。
【図５】配線板の一例における接続端子付近の写真である。
【図６】図５の一部を拡大した写真である。
【図７Ａ】配線板の反りに関する実験結果を説明するための図である。
【図７Ｂ】配線板の反りに関する実験結果を説明するための図である。
【図８Ａ】第１支持基材を用意する工程を説明するための図である。
【図８Ｂ】シード層を形成する工程を説明するための図である。
【図９Ａ】第１レジスト層を形成する工程を説明するための図である。
【図９Ｂ】第１レジスト層をパターニングする工程を説明するための図である。
【図９Ｃ】導体パターン及びパッドを形成する工程を説明するための図である。
【図１０Ａ】第２レジスト層を形成する工程を説明するための図である。
【図１０Ｂ】第２レジスト層をパターニングする工程を説明するための図である。
【図１０Ｃ】第２パッドを形成する工程を説明するための図である。
【図１０Ｄ】レジストを除去する工程を説明するための図である。
【図１１Ａ】接合層を形成する工程を説明するための図である。
【図１１Ｂ】電子部品を実装する工程を説明するための図である。
【図１１Ｃ】アンダーフィル材を形成する工程を説明するための図である。
【図１２Ａ】電子部品を基板の内部に配置する工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】第２支持基材を用意する工程を説明するための図である。
【図１３Ａ】基板を加圧する工程を説明するための図である。
【図１３Ｂ】キャリアを剥離（分離）する工程を説明するための図である。
【図１４Ａ】スルーホールを形成する工程を説明するための図である。
【図１４Ｂ】基板両面及びスルーホールの内壁に導体を形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ａ】レジスト層を形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ｂ】導体パターン及びスルーホール導体に相当する部分の導体を厚くする工程を説明するための図である。
【図１５Ｃ】第１下地層、第２下地層、及び導体パターンのパターニングをする工程を説明するための図である。
【図１６Ａ】絶縁層及び銅箔を配置する工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】基板を加圧する工程を説明するための図である。
【図１７Ａ】層間絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程を説明するための図である。
【図１７Ｂ】基板両面に導体めっきをする工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】レジスト層を形成する工程を説明するための図である。
【図１８Ｂ】配線層に相当する部分の導体を厚くする工程を説明するための図である。
【図１８Ｃ】配線層のパターニングをする工程を説明するための図である。
【図１９Ａ】パッドの形態の第１の別例を示す図である。
【図１９Ｂ】パッドの形態の第２の別例を示す図である。
【図１９Ｃ】パッドの形態の第３の別例を示す図である。
【図２０】パッドの形態の第４の別例を示す図である。
【図２１】接続端子の接続態様の別例を示す図である。
【図２２】接続端子の配列の別例を示す図である。
【図２３Ａ】図２２のＡ−Ａ断面図である。
【図２３Ｂ】図２２のＢ−Ｂ断面図である。
【図２４】配線板両面をテーパー状のフィルドバイアで電気的に接続する例を示す図である。
【図２５Ａ】上記テーパー状のフィルドバイアを形成する例の第１工程を説明するための図である。
【図２５Ｂ】上記テーパー状のフィルドバイアを形成する例の第２工程を説明するための図である。
【図２５Ｃ】上記テーパー状のフィルドバイアを形成する例の第３工程を説明するための図である。
【図２６】配線板両面を砂時計型のフィルドバイアで電気的に接続する例を示す図である。
【図２７Ａ】上記砂時計型のフィルドバイアを形成する例の第１工程を説明するための図である。
【図２７Ｂ】上記砂時計型のフィルドバイアを形成する例の第２工程を説明するための図である。
【図２７Ｃ】上記砂時計型のフィルドバイアを形成する例の第３工程を説明するための図である。
【図２８】配線板両面を下地層のないスルーホール導体で電気的に接続する例を示す図である。
【図２９Ａ】上記下地層のないスルーホール導体を形成する例の第１工程を説明するための図である。
【図２９Ｂ】上記下地層のないスルーホール導体を形成する例の第２工程を説明するための図である。
【図２９Ｃ】上記下地層のないスルーホール導体を形成する例の第３工程を説明するための図である。
【図３０Ａ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第１工程を説明するための図である。
【図３０Ｂ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第２工程を説明するための図である。
【図３０Ｃ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第３工程を説明するための図である。
【図３１Ａ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第４工程を説明するための図である。
【図３１Ｂ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第５工程を説明するための図である。
【図３１Ｃ】配線層をセミアディティブ法によって形成する例の第６工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について、図面を参照して説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ配線板の積層方向（配線板の主面の法線方向又はコア基板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。以下、配線板の２つの主面を、第１面（矢印Ｚ１側の面）、第２面（矢印Ｚ２側の面）という。また、積層方向において、コア（絶縁層１１）に近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【００１７】
本実施形態の配線板１００は、図１に示すように、矩形板状の多層プリント配線板である。その四隅には、貫通孔１００ａが形成され、それら貫通孔１００ａの周囲には、それぞれ内層の導体１００ｂが露出している。このため、貫通孔１００ａにより応力が緩和され、導体１００ｂにより放熱性が向上する。配線板１００の長手方向の幅ｄ１は、例えば２３０ｍｍである。配線板１００の短手方向の幅ｄ２は、例えば６０ｍｍである。配線板１００は、複数の部品実装部１０を有する。これら部品実装部１０は、格子状に配列されている。なお、配線板１００の形状や寸法等は、用途等に応じて変更可能である。
【００１８】
図２は、一部の接続端子３０についての接続態様を図示したものである。
【００１９】
配線板１００は、図２に示すように、これら部品実装部１０にそれぞれ電子部品５０を内蔵する。配線板１００の接続端子３０は、ペリフェラル状に配列されている。すなわち、それら接続端子３０の各々は、電子部品５０の外周で、電子部品５０の各端子と電気的に接続される。このうち、所定の接続端子３０は、リード線１１１を介して、配線板１００両面のスルーホールランド１０１ａ、１０１ｂと電気的に接続される。別の所定の接続端子３０は、リード線１１２を介して、外側のパッド１０２と電気的に接続される。さらに別の所定の接続端子３０は、リード線１１３を介して、内側のパッド１０３と電気的に接続される。このように接続態様を多様化することで、各接続端子３０間がファインピッチに形成されても、各接続端子３０の配線スペースを確保することができる。
【００２０】
なお、接続端子３０の接続態様は、上記の態様に限られず任意である。例えばランド（スルーホールランド１０１ａ、１０１ｂ）、外部端子（パッド１０２）、内部端子（パッド１０３）のいずれか１つだけ又は任意の２つだけに接続端子３０を接続してもよい。
【００２１】
配線板１００は、電子部品５０を収容（内蔵）しているため、表層の実装領域に他の電子部品等を実装することが可能となる。その結果、高機能化も可能となる。なお、接続端子３０の配列は、ペリフェラル状の配列に限られず、例えばエリアアレイ状の配列であってもよい。配線板１００は、複数のピース（部品実装部１０）が配列されたものに限られず、単一のピースのみを有するものであってもよい。また、単一の基板（シート）に複数のピースを製造して検査をした後、その基板から各ピースを切り離してもよい。
【００２２】
部品実装部１０は、図３（図２のＡ−Ａ断面図）及び図４Ａ（図２のＢ−Ｂ断面図）及び図４Ｂ（図２のＣ−Ｃ断面図）及び図４Ｃ（図２のＤ−Ｄ断面図）に示すように、電子部品５０に加え、絶縁層１１〜１３と、配線層１４及び１５と、ソルダーレジスト層１６及び１７と、アンダーフィル材４１と、充填材４２と、内層の導体パターン２２及び２３と、外層の導体パターン２８及び２９と、接続端子３０と、スルーホール導体２１ｂと、を備える。
【００２３】
電子部品５０は、フリップチップ実装するための複数のバンプ５０ａを有する。バンプ５０ａは、例えばペリフェラル状に配列される。これらバンプ５０ａは、それぞれ例えば厚さ約３０μｍの金スタッドバンプである。電子部品５０の一方の面、例えば第１面には、バンプ５０ａ及び所定の回路が形成される。電子部品５０はフリップチップ実装される。これにより、配線板１００の薄型化（小型化）が図られる。なお、電子部品５０としては、例えばＩＣ回路等の能動部品のほか、コンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品など、任意の電子部品を採用することができる。また、電子部品５０のバンプ５０ａの配列は、ペリフェラル状の配列に限られず、例えばエリアアレイ状の配列であってもよい。
【００２４】
配線板１００では、絶縁層１１のみ又は絶縁層１１〜１３が、基板に相当する。電子部品５０は、この基板の内部に配置される。スルーホール導体２１ｂは、絶縁層１１を貫通するスルーホール２１ａの内壁に形成されている。絶縁層１２は、絶縁層１１の第１面に形成される。絶縁層１３は、絶縁層１１の第２面に形成される。絶縁層１２と絶縁層１３とは、スルーホール２１ａ内の絶縁層２１ｃを介して互いに接続される。
【００２５】
スルーホール２１ａの周囲には、スルーホールランド１０１ａ、１０１ｂが設けられる。これにより、スルーホール導体２１ｂ等の電気接続性が向上する。スルーホールランド１０１ａは、導体パターン２２（第１内層）と、第１下地層２４と、第２下地層２６と、導体パターン２８（第１外層）と、が積層されて構成される。スルーホールランド１０１ｂは、導体パターン２３（第２内層）と、第１下地層２５と、第２下地層２７と、導体パターン２９（第２外層）と、が積層されて構成される。これらスルーホールランド１０１ａとスルーホールランド１０１ｂとは、スルーホール導体２１ｂを介して、互いに電気的に接続される。
【００２６】
絶縁層１１〜１３及び２１ｃは、それぞれ例えば硬化した板状のプリプレグからなる。プリプレグは、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維やアラミド繊維等の補強材を含んでいることが好ましい。補強材は、主材料（プリプレグ）よりも熱膨張率の小さい材料である。
【００２７】
なお、絶縁層１１〜１３及び２１ｃの形状や材料等は、用途等に応じて変更可能である。例えばプリプレグとしては、ガラス繊維やアラミド繊維等の基材に、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等の樹脂を含浸させたものも用いることができる。また、プリプレグに代えて、液状又はフィルム状の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）を用いることもできる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらは、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。これらの樹脂は、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることもできる。また、絶縁層１１〜１３及び２１ｃは、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００２８】
アンダーフィル材４１は、例えば４０〜９０ｗｔ％の無機フィラーを含む絶縁性の熱硬化性樹脂からなる。無機フィラーとしては、例えばシリカやアルミナ等を用いることができる。フィラーのサイズ（平均粒径）は、例えば０．１〜３．０μｍであることが好ましい。このアンダーフィル材４１は、電子部品５０の固定強度を高める。また、アンダーフィル材４１は、電子部品５０と絶縁材（例えば絶縁層１１や充填材４２）との熱膨張率差によって発生する歪みを吸収する。
【００２９】
充填材４２は、例えば無機フィラーを含む絶縁性の熱硬化性樹脂からなる。熱硬化性樹脂としては、例えば耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。無機フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、又はＳｉＯ２などを用いることができる。
【００３０】
電子部品５０の周囲は、絶縁材料（絶縁層１１、アンダーフィル材４１、及び充填材４２）により被覆される。このため、電子部品５０の固定強度は高い。その結果、ビルトアップ等の多層化工程において、ハンドリングが容易となる。また、電子部品５０が絶縁材料に囲まれることで、製造過程において、エッチング液等の侵入による電子部品５０への悪影響が小さくなる。さらに、熱、振動衝撃、落下衝撃等に起因した応力に対しても電子部品５０は強くなる。
【００３１】
導体パターン２２は、絶縁層１１の第１面側（矢印Ｚ１側）の内部（以下、第１内層という）に形成される。導体パターン２２は、例えば銅からなる。導体パターン２２の厚みは、例えば１８μｍである。導体パターン２２の一部は、スルーホールランド１０１ａ（第１内層）として使用される。
【００３２】
導体パターン２３は、第１内層の反対側、すなわち絶縁層１１の第２面側（矢印Ｚ２側）の内部（以下、第２内層という）に形成される。導体パターン２３は、例えば銅からなる。導体パターン２３の厚さは、例えば１８μｍである。導体パターン２３の一部は、スルーホールランド１０１ｂ（第２内層）として使用される。
【００３３】
電子部品５０の周囲に導体パターン２２及び２３が形成されていることで、電子部品５０の周囲における基板の反りは抑制される。
【００３４】
導体パターン２８は、絶縁層１１の第１面上（以下、第１外層という）に形成される。そして、導体パターン２８の下地として、第１下地層２４及び第２下地層２６が設けられる。これら第１下地層２４、第２下地層２６、及び導体パターン２８は、導体パターン２２の上に順に積層される。第１下地層２４は、例えばニッケル等の金属からなる。第２下地層２６は、例えば銅箔からなる。導体パターン２８は、例えば銅からなる。導体パターン２８の厚さは、例えば約２０μｍである。
【００３５】
導体パターン２９は、第１外層の反対側、すなわち絶縁層１１の第２面上（以下、第２外層という）に形成される。そして、導体パターン２９の下地として、第１下地層２５及び第２下地層２７が設けられる。これら第１下地層２５、第２下地層２７、及び導体パターン２９は、導体パターン２３の上に順に積層される。第１下地層２５は、例えばニッケル等の金属からなる。第２下地層２７は、例えば銅箔からなる。導体パターン２９は、例えば銅からなる。導体パターン２９の厚さは、約２０μｍである。
【００３６】
スルーホール導体２１ｂと導体パターン２８又は２９とは、絶縁層１１を貫通するスルーホール２１ａの内壁から絶縁層１１上（第１面又は第２面）に連続して形成される。導体パターン２８の一部は、スルーホールランド１０１ａ（第１外層）として使用される。また、導体パターン２９の一部は、スルーホールランド１０１ｂ（第２外層）として使用される。
【００３７】
絶縁層１２の第１面には、配線層１４が形成される。絶縁層１３の第２面には、配線層１５が形成される。配線層１４は、第１配線層１４１及び第２配線層１４２から構成される。配線層１５は、第１配線層１５１及び第２配線層１５２から構成される。第１配線層１４１及び１５１は、例えば銅箔からなる。第２配線層１４２及び１５２は、例えば銅のめっき皮膜からなる。配線層１４、１５が、第１配線層１４１、１５１（金属箔）と第２配線層１４２、１５２（めっき皮膜）とを含むことで、第１配線層１４１、１５１と絶縁層１２、１３との密着性が向上し、デラミネーションが起こりにくくなる。なお、配線層１４、１５の材料や厚さ等は、用途等に応じて変更可能である。
【００３８】
絶縁層１２、１３には、テーパー状のバイアホール１２ａ、１３ａが形成されている。詳しくは、絶縁層１２、１３及び第１配線層１４１、１５１には、導体パターン２８、２９に接続されるテーパー状の貫通孔１４ａ、１５ａが形成される。バイアホール１２ａ、１３ａは、貫通孔１４ａ、１５ａの一部として形成される。また、貫通孔１４ａ、１５ａには、第２配線層１４２、１５２に連続する導体１２ｂ、１３ｂが充填される。したがって、貫通孔１４ａ、１５ａの一部であるバイアホール１２ａ、１３ａにも、それぞれ導体１２ｂ、１３ｂが充填される。バイアホール１２ａ及び導体１２ｂ、バイアホール１３ａ及び導体１３ｂは、それぞれフィルドバイアを構成する。このフィルドバイアにより、導体パターン２８、２９と配線層１４、１５とが電気的に接続される。フィルドバイアを採用することで、配線板の剛性を高めて反りを抑制することができる。さらに、フィルドバイアの直上にバイアホールをスタックすることが可能になるため、配線スペースを十分に確保して、配線の高密度化を図ることができる。なお、貫通孔１４ａ及び１５ａの形状は、テーパー状に限定されず、任意である。バイアホール１２ａ、１３ａは、フィルドバイアを構成するものに限られず、例えばコンフォーマルバイアを構成するものであってもよい。
【００３９】
絶縁層１２の第１面には、開口部１６ａを有するソルダーレジスト層１６が形成される。また、絶縁層１３の第２面には、開口部１７ａを有するソルダーレジスト層１７が形成される。このように、配線板１００では、片面の最外層だけではなく、両面（第１面及び第２面）の最外層にそれぞれソルダーレジスト層１６、１７が形成されていることで、熱膨張率に関して対称な構造が保たれる。その結果、熱変動等に起因した反りの発生が抑制される。これらソルダーレジスト層１６及び１７は、例えばアクリル−エポキシ系樹脂を用いた感光性樹脂、エポキシ樹脂を主体とした熱硬化性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂等からなる。開口部１６ａ、１７ａには、配線層１４、１５が露出する。
【００４０】
接続端子３０の各々は、第１面側から、例えば導体パターン２２と同一の材料（例えば銅）からなる第１パッド３１と、例えばニッケルからなる第２パッド３２と、例えば半田の電解めっき皮膜である接合層３３と、が順に積層されて構成される。第１パッド３１、第２パッド３２、及び接合層３３は、それぞれ柱状の外形を有する。これらは、例えば円柱形状からなる。ただしこれに限定されず、第１パッド３１、第２パッド３２、及び接合層３３の形状は任意である。なお、柱状の外形に関しては、上層の面を頂面といい、下層の面を底面という。
【００４１】
第１パッド３１及び導体パターン２２は、同一面（絶縁層１２の第２面）に配置されている。第１パッド３１の表面のうち、絶縁層１２にも第２パッド３２にも接していない面、すなわち第１パッド３１の側面は、アンダーフィル材４１と接している。また、第２パッド３２の表面のうち、第１パッド３１にも接合層３３にも接していない面、すなわち第２パッド３２の側面は、アンダーフィル材４１と接している。このように、本実施形態では、少なくとも第１パッド３１及び導体パターン２２と同じ層には、接合層３３に関する保護材（例えばソルダーレジスト）が形成されていない。
【００４２】
複数の接続端子３０は、それぞれ電子部品実装用の端子に相当する。この接続端子３０により、電子部品５０のフリップチップ実装が可能となる。具体的には、配線板１００の導体パターン（配線層１４、１５等）と電子部品５０のバンプ５０ａとが、接続端子３０を介して互いに電気的に接続される。第１パッド３１の厚さは、例えば導体パターン２２の厚さと等しく、例えば１８μｍである。第２パッド３２の厚さは、例えば６μｍである。接合層３３の厚さは、例えば１４μｍである。
【００４３】
所定の接続端子３０は、図４Ａに示すように、リード線１１１を介して導体パターン２２と電気的に接続される。第１パッド３１とリード線１１１と導体パターン２２とは同一層に同一の材料で一続きに形成される。別の所定の接続端子３０の第１パッド３１は、図４Ｂに示すように、リード線１１２により外側に引き出される。リード線１１２は、フィルドバイア１１２ａを介して、上層のパッド１０２と電気的に接続される。第１パッド３１とリード線１１２とは、同一層に同一の材料で一続きに形成される。さらに別の所定の接続端子３０の第１パッド３１は、図４Ｃに示すように、リード線１１３により内側に引き出される。リード線１１３は、フィルドバイア１１３ａを介して、上層のパッド１０３と電気的に接続される。第１パッド３１とリード線１１３とは、同一層に同一の材料で一続きに形成される。なお、層間接続の種類は任意であり、フィルドバイア１１２ａ又は１１３ａに代えて、コンフォーマルバイアを用いてもよい。
【００４４】
第１パッド３１上に第２パッド３２が設けられることで、第１パッド３１と第２パッド３２との高さの総和、すなわちパッドの高さｄ１１は、導体パターン２２の高さｄ１２よりも高くなる。これにより、接合層３３に関する保護材（例えばソルダーレジスト）で導体パターン２２を覆わずとも、導体パターン２２に接合層３３（例えば半田）を付着させることなく、各第２パッド３２上に選択的に接合層３３を付着させることが可能になる。また、第２パッド３２は、第１パッド３１及び導体パターン２２のいずれよりも、接合層３３の材料（例えば半田）に関して高い塗れ性を有する。第２パッド３２により塗れ性を高めることで、より確実に各第２パッド３２上に選択的に接合層３３を付着させることが可能になる。接合層３３を形成する際に第２パッド３２上への接合層３３の選択的な付着が容易となるため、配線板１００は、接続端子３０のための保護材（ソルダーレジスト等）を必要としない。これにより、応力が緩和され、基板の反り等が抑制される（詳しくは後述）。なお、第２パッド３２の材料としては、ニッケルのほか、例えば金等の他の金属も用いることができる。
【００４５】
接合層３３は、例えば第１パッド３１及び第２パッド３２のいずれとも異なる材料で形成される。接合層３３は、半田のほか、例えば錫、ニッケル、金などの金属、又はそれらの合金等のめっき皮膜であってもよい。また、接合層３３は、めっきによらず、例えば半田ペーストを印刷した後、リフローすることにより形成してもよい。さらに、接合層３３は、異質の層を組み合わせた複合層であってもよい。ただし、接合層３３の最表層部は半田からなることが好ましい。
【００４６】
参考のため、配線板１００の一例の写真を添付する。図５は、接続端子３０付近の写真であり、図６は、図５の一部を拡大した写真である。第１パッド３１及び第２パッド３２と接合層３３とは、両者の境界面、すなわち第２パッド３２の頂面Ｒ２において同一の幅を持つ。接合層３３は、第２パッド３２の頂面Ｒ２のみに接触し、第１パッド３１又は第２パッド３２の側面には接触しない。このため、隣り合う接続端子３０間がファインピッチに形成されても、その間の絶縁が確保される。
【００４７】
例えば発明者は、図７Ａに示す配線板、すなわちソルダーレジスト層を有さない配線板と、図７Ｂに示す配線板（比較例）、すなわちソルダーレジスト層４０を有する配線板とについて、それぞれ反り量を測定した。
【００４８】
ここで、図７Ａに示す配線板は、銅からなる厚さ７０μｍのキャリア１００１と、厚さ５μｍの銅箔１００２と、ニッケルからなる厚さ３μｍのシード層１００３と、厚さ１８μｍの前述した導体パターン２２及び第１パッド３１と、が順に積層されて構成される。各第１パッド３１上には、厚さ３μｍの前述した第２パッド３２が形成されている。
【００４９】
図７Ｂに示す配線板は、銅からなる厚さ１８μｍのキャリア１００１と、厚さ５μｍの銅箔１００２と、ニッケルからなる厚さ３μｍのシード層１００３と、チタンからなる厚さ１μｍのバリア層１００３ａと、厚さ１８μｍの前述した導体パターン２２及び第１パッド３１と、が順に積層されて構成される。さらに、この配線板の第２面上には、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層４０（太陽インキ製のＡＵＳ３０８を使用）が形成されている。ソルダーレジスト層４０は、導体パターン２２及び第１パッド３１を覆っている。
【００５０】
各配線板の反り量として、各配線板について、基板の角に相当する４点（図１中の領域Ｐ）における接地面からの距離を、定規を用いて目視で測定した。測定単位は０．５ｍｍとした。そして、こうした測定を各配線板３枚ずつに行って、計１２箇所の測定値の平均値を算出した。その結果、図７Ａに示す配線板の反り量は、約１．３ｍｍであった。一方、図７Ｂに示す配線板の反り量は、約１．７ｍｍであった。電子部品５０を実装する前の段階ではあるが、発明者の実験では、電子部品実装用端子のためのソルダーレジスト層を省くことで反りが抑制されることを確認することができた。
【００５１】
さらに、各配線板について、２００℃に加熱したホットプレート上に基板を置き、反り量の変動を確認した。図７Ａに示す配線板では、加熱前（室温）の反り量が約１ｍｍ、加熱中（２００℃）の反り量が約２ｍｍ、加熱後（室温）の反り量が約０．５ｍｍであった。図７Ｂに示す配線板では、加熱前（室温）の反り量が約１．５ｍｍ、加熱中（２００℃）の反り量が約４ｍｍ、加熱後（室温）の反り量が約２．５ｍｍであった。ソルダーレジスト層４０を有する図７Ｂに示す配線板では、加熱後の反り量が加熱前の反り量よりも大きくなった。このことから、部品実装時の反りはＣＴＥミスマッチ（熱膨張率の差）に起因していると推察される。
【００５２】
配線板１００は、例えば図８Ａ〜図１８Ｃ（それぞれ図３に対応する断面図）に示す工程を経て製造される。
【００５３】
この製造に際して、作業者は、まず、図８Ａに示すように、第１支持基材１０００を用意する。第１支持基材１０００は、例えば銅からなるキャリア１００１と、銅箔１００２と、から構成されるキャリア付き銅箔である。キャリア１００１と銅箔１００２とは、接着剤（剥離層）により互いに剥離（分離）可能に接着されている。なお、キャリア１００１の厚さは、例えば７０μｍである。銅箔１００２の厚さは、例えば５μｍである。また、キャリア１００１の材料としては、銅に限らず、絶縁材料なども採用することができる。
【００５４】
続けて、作業者は、図８Ｂに示すように、例えば無電解めっき、電解めっき、又はスパッタリング等により、例えばニッケル等の金属からなる例えば厚さ３μｍのシード層１００３を形成する。シード層１００３は、銅箔１００２上の全面に形成する。これにより、エッチングによる侵食を防止して、ファインパターンを形成することができる。
【００５５】
続けて、作業者は、図９Ａに示すように、例えばドライフィルム状の感光性レジストからなる第１レジスト層１００４を、シード層１００３上にラミネートする。第１レジスト層１００４は、例えば密着性やエッチング耐性等の点で、導体パターン２２及び第１パッド３１を構成する材料、例えば銅に対して選択性を有する材料からなる。
【００５６】
続けて、作業者は、第１レジスト層１００４をパターニングする。具体的には、第１レジスト層１００４にマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光し、アルカリ水溶液で現像する。これにより、例えば図９Ｂに示すように、導体パターン２２、第１パッド３１に相当する部分に、それぞれ第１開口部１００４ａ、第２開口部１００４ｂが形成される。
【００５７】
続けて、作業者は、基板を水洗し、乾燥させた後、電解銅めっきをする。これにより、例えば図９Ｃに示すように、例えば厚さ１８μｍの銅めっき皮膜からなる導体パターン２２、第１パッド３１が、それぞれ第１開口部１００４ａ、第２開口部１００４ｂに形成される。すなわち、導体パターン２２及び第１パッド３１は、同一面（シード層１００３の第２面）に形成される。導体パターン２２と第１パッド３１とが、互いに同一の材料からなり、且つ、互いに同一の厚さを有することで、これら両者を、単一のレジスト層（第１レジスト層１００４）により同時に形成することができる。
【００５８】
続けて、作業者は、図１０Ａに示すように、第１レジスト層１００４、並びに導体パターン２２及び第１パッド３１上に、例えばドライフィルム状の感光性レジストからなる第２レジスト層１００５をラミネートする。第２レジスト層１００５は、例えば密着性やエッチング耐性等の点で、第２パッド３２を構成する材料、例えばニッケルに対して選択性を有する材料からなる。
【００５９】
続けて、作業者は、第２レジスト層１００５をパターニングする。具体的には、第２レジスト層１００５にマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光し、所定の現像液で現像する。これにより、例えば図１０Ｂに示すように、第２パッド３２に相当する部分に開口部１００５ａが形成され、中央の第１パッド３１が露出する。第２レジスト層１００５は、導体パターン２２を覆い第１パッド３１上に開口部１００５ａを有する。
【００６０】
続けて、作業者は、基板を水洗し、乾燥させた後、ニッケルめっきをする。これにより、例えば図１０Ｃに示すように、例えば厚さ６μｍのニッケルめっき皮膜からなる第２パッド３２が形成される。
【００６１】
続けて、作業者は、第１レジスト層１００４及び第２レジスト層１００５を除去する。これにより、例えば図１０Ｄに示すように、第２面に、導体パターン２２と、第１パッド３１と、第２パッド３２と、が形成された基板が得られる。
【００６２】
続けて、作業者は、基板の全面にフラックスを塗布した後、例えば電解めっきにより、第２パッド３２上に、半田ペーストを形成する。そして、この半田ペーストを例えば窒素雰囲気でリフローすることにより、図１１Ａに示すように、第２パッド３２上に例えば厚さ１４μｍの半田めっき皮膜からなる接合層３３を形成する。この際、第１パッド３１上に第２パッド３２が形成されていることで、第１パッド３１と第２パッド３２との高さの総和、すなわちパッドの高さｄ１１が、導体パターン２２の高さｄ１２よりも高い。これにより、導体パターン２２よりも、各第２パッド３２上に接合層３３が付着し易くなる。しかも、パッドの高さｄ１１は、導体パターン２２の高さｄ１２よりも５μｍ以上高いことで、十分な付着力が得られる。さらに、第２パッド３２は、第１パッド３１及び導体パターン２２のいずれよりも、接合層３３の材料（例えば半田）に関して高い塗れ性を有する。これにより、より各第２パッド３２上に接合層３３が付着し易くなる。このため、本実施形態の製造方法によれば、接合層３３に関する保護材で導体パターン２２が覆われていなくても、導体パターン２２に接合層３３を付着させることなく、各第２パッド３２上に選択的に接合層３３を形成することができる。その後、接続端子３０をリフローすることにより、各第２パッド３２上の接合層３３は隣り合う接続端子３０に流れ出すことなく、各第２パッド３２上で凝集する。これにより、均一な高さの接合層３３が形成される。
【００６３】
本実施形態の製造方法では、半田堆積法ではなく、めっきにより接合層３３を形成する。このため、バリア層１００３ａ（図７Ｂ）等を割愛することができる。
【００６４】
図１１Ａの工程により、第２パッド３２の各々の上に接合層３３が形成されることで、配線板１００の導体パターン（配線層１４、１５等）と電子部品５０のバンプ５０ａとを電気的に接続するための接続端子３０が生成される。
【００６５】
続けて、作業者は、例えば図１１Ｂに示すように、基板の第２面に、電子部品５０をフェースダウン方式にて載置する。そして、電子部品５０のバンプ５０ａと接続端子３０とを接合する。これにより、基板の第２面上に電子部品５０が実装される。
【００６６】
電子部品５０の実装後、作業者は、例えば図１１Ｃに示すように、電子部品５０と基板との間に生じる空隙に、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーを含む絶縁性樹脂からなるアンダーフィル材４１を充填する。
【００６７】
続けて、作業者は、例えば図１２Ａに示すように、基板の第２面上に、電子部品５０の外形に対応した空隙Ｒ１が形成された絶縁材１１ａと、板状の絶縁材１１ｂとを、順に載置する。この際、電子部品５０が空隙Ｒ１に配置されるようにする。なお、絶縁材１１ａ及び１１ｂは、いずれもプリプレグからなる。このプリプレグは、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維やアラミド繊維等の補強材を含む。空隙Ｒ１は、例えば打ち抜き加工（パンチング）、メカニカルドリル加工、又はレーザ加工等により形成される。
【００６８】
続けて、作業者は、例えば図１２Ｂに示すような第２支持基材２０００等を用意する。第２支持基材２０００は、厚さ約７０μｍのキャリア２００１と、厚さ約５μｍの銅箔２００２と、が積層されて構成される。銅箔２００２上には、例えば厚さ約３μｍのニッケルからなるシード層２００３と、例えば厚さ約１８μｍの銅めっき皮膜からなる導体パターン２３と、が順に積層されている。これらは、基本的には、第１支持基材１０００、シード層１００３、及び導体パターン２２の製造方法に準ずる方法で製造することができる。
【００６９】
続けて、作業者は、上記第２支持基材２０００等の第１面（導体パターン２３側の面）と絶縁材１１ｂの第２面とが当接するように、それら第２支持基材２０００等を基板上に載置する。そして、例えばオートクレーブ方式やハイドロプレス方式等の積層手法を用いて、矢印Ｚ１側及び矢印Ｚ２側（矢印の定義は図８Ａ参照）の両方から基板を加圧する。これにより、絶縁材１１ａと絶縁材１１ｂとが融合し、例えば図１３Ａに示すように、絶縁層１１が形成される。また、この加圧により、絶縁層１１から樹脂成分が流出する。この樹脂成分は、電子部品５０と絶縁層１１との間に充填材４２として充填される。
【００７０】
続けて、作業者は、例えば図１３Ｂに示すように、基板からキャリア１００１とキャリア２００１とを剥離（分離）する。その後、メカニカルドリル等を用いた既知の穴あけ法により、例えば図１４Ａに示すように、基板を貫通するスルーホール２１ａを形成する。続けて、作業者は、例えば図１４Ｂに示すように、基板に無電解銅めっきをして、基板両面及びスルーホール２１ａの内壁に銅めっき層３００１を形成する。
【００７１】
続けて、作業者は、基板の両面上に、ドライフィルム状の感光性レジストからなるレジスト層３００２及び３００３をラミネートし、それらレジスト層３００２及び３００３をパターニングする。具体的には、レジスト層３００２及び３００３にマスクフィルムを密着させ、露光・現像を行う。これにより、例えば図１５Ａに示すように、導体パターン２８、２９に相当する部分にそれぞれ開口部３００２ａ、３００３ａを有するレジスト層３００２、３００３が形成される。
【００７２】
続けて、作業者は、基板を水洗し、乾燥させる。さらに、電解銅めっきをした後、レジスト層３００２及び３００３を除去する。これにより、図１５Ｂに示すように、銅めっき層３００１のうち、導体パターン２８、２９及びスルーホール導体２１ｂに相当する部分が厚くなる。その結果、スルーホール２１ａの内壁にスルーホール導体２１ｂが形成される。
【００７３】
続けて、作業者は、基板の両面上の不要な銅、すなわち銅めっき層３００１の不要な部分を、例えばエッチングにより除去する。さらに続けて、作業者は、銅箔１００２及び２００２、シード層１００３及び２００３の不要な部分を、例えばエッチングにより除去する。これにより、図１５Ｃに示すように、第１下地層２４及び２５、第２下地層２６及び２７、並びに導体パターン２８及び２９が形成される。この際、各金属のエッチングは、それぞれ目的の金属を選択的にエッチングできるエッチング液を用いて除去する。これにより、例えば第１下地層２４及び第２下地層２６、又は第１下地層２５及び第２下地層２７のエッチングにより、その上層の導体パターン２８又は２９がエッチングされにくくなる。その結果、微細な導体パターン２８、２９（ファインパターン）を形成することができる。
【００７４】
なお、この図１５Ｃに示される基板を、電子部品内蔵基板として用いるようにしてもよい。ただし、本実施形態では、さらに積層を続けて、多層配線板を製造する。
【００７５】
図１５Ｃの工程に続けて、作業者は、例えば図１６Ａに示すように、基板の両面（第１面及び第２面）に、補強材を含むプリプレグ等の板材からなる絶縁層３００４、３００５、及び銅箔３００６、３００７を配置する。絶縁層３００４、３００５のプリプレグには、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維やアラミド繊維等の補強材を含ませる。銅箔３００６、３００７としては、例えば圧延銅箔又は電解銅箔を用いることができる。
【００７６】
続けて、作業者は、図１６Ｂに示すように、基板をホットプレスする。これにより、絶縁層３００４、３００５が、それぞれ絶縁層１２、１３となる。この際、第１下地層２４及び２５、第２下地層２６及び２７、並びに導体パターン２８及び２９によって押し退けられる樹脂量と、スルーホール２１ａの内部（空隙）に入り込む樹脂量とが相殺される。したがって、絶縁層３００４及び３００５の表面は平坦に保たれる。
【００７７】
続けて、作業者は、例えば図１７Ａに示すように、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、基板両面の所定箇所に、絶縁層１２、１３を貫通する貫通孔１４ａ、１５ａ（ブラインドホール）を形成する。
【００７８】
続けて、作業者は、例えば図１７Ｂに示すように、基板の全面に無電解銅めっきをして、貫通孔１４ａ及び１５ａの内面を含めた両面上に、銅めっき層３００８、３００９を形成する。
【００７９】
続けて、作業者は、基板の両面上に、ドライフィルム状の感光性レジストからなるレジスト層３０１０、３０１１をラミネートする。そして、それらレジスト層３０１０及び３０１１をパターニングする。具体的には、レジスト層３０１０及び３０１１にマスクフィルムを密着させ、露光・現像を行う。これにより、例えば図１８Ａに示すように、配線層１４、１５に相当する部分にそれぞれ開口部３０１０ａ、３０１１ａを有するレジスト層３０１０、３０１１が形成される。
【００８０】
続けて、作業者は、基板を水洗し、乾燥させる。さらに、電解銅めっきをした後、レジスト層３０１０及び３０１１を除去する。これにより、例えば図１８Ｂに示すように、銅めっき層３００８、３００９のうち、配線層１４、１５に相当する部分が厚くなる。
【００８１】
続けて、作業者は、基板の両面上の不要な銅、すなわち銅めっき層３００８、３００９の不要な部分を、例えばエッチングにより除去する。これにより、例えば図１８Ｃに示すように、絶縁層１２の第１面には、第１配線層１４１及び第２配線層１４２から構成される配線層１４が形成される。また、絶縁層１３の第２面には、第１配線層１５１及び第２配線層１５２から構成される配線層１５が形成される。これら配線層１４、１５は、貫通孔１４ａ、１５ａ内の導体１２ｂ、１３ｂにより、導体パターン２８、２９と電気的に接続される。すなわち、貫通孔１４ａ、１５ａの一部は、層間接続に用いられるバイアホール１２ａ、１３ａ（詳しくはフィルドバイア）として機能する。
【００８２】
続けて、作業者は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング等により、所定のパターンのソルダーレジスト層１６及び１７（図３）を形成する。ソルダーレジスト層１６には、開口部１６ａが形成される。また、ソルダーレジスト層１７には、開口部１７ａが形成される。これら開口部１６ａ、１７ａには、配線層１４、１５が露出する。
【００８３】
上記工程により、先の図１に示した配線板１００が得られる。その後、例えば最外層の開口部１６ａ、１７ａに半田バンプ等が形成されることで、その部分が外部接続端子となる。外部接続端子は、例えば他の配線板や電子部品等との電気的な接続に用いられる。
【００８４】
本実施形態の製造方法によれば、電子部品実装用の端子、すなわち接続端子３０の形成に、接合層３３に関する保護材（ソルダーレジスト等）を必要としない。したがって、製造時の温度変化やその後のヒートサイクルに起因した基板の反り等を抑制することができる。また、各第２パッド３２上には均一な高さの接合層３３が形成される。このため、配線板１００では、電子部品５０の実装部等において高い接続信頼性が得られる。
【００８５】
しかも、隣り合う接続端子３０同士を短絡させずに、各接続端子３０を形成することができる。これにより、電子部品５０等の配線の高密度化、ひいてはファインピッチ化に対応可能な配線板１００を製造することができる。
【００８６】
本実施形態の製造方法では、第１レジスト層１００４及び第２レジスト層１００５を用いた２段階レジスト方式で、接続端子３０を形成する。これにより、導体パターン２２よりも高い接続端子３０を好適に形成することができる。
【００８７】
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。
【００８８】
さらに接合層３３の凝集性を高めるべく、例えば図１９Ａに示すように、パッドの先端、すなわち第２パッド３２に窪み３４を設けてもよい。また、例えば図１９Ｂ又は図１９Ｃに示すように、第１パッド３１又は絶縁層１２に至る窪み３４を設けてもよい。
【００８９】
上記実施形態では、互いに異なる材料からなる第１パッド３１及び第２パッド３２からなるパッドを用いた。しかしこれに限られず、電子部品５０を実装するためのパッドは、単一の材料からなるものであってもよい。例えば図２０に示すように、第２パッド３２を割愛して、第１パッド３１のみでパッドを形成してもよい。この場合も、２段階レジスト方式で、接続端子３０を好適に形成することができる。また、導体パターン２２の高さｄ１２よりも、第１パッド３１の高さ、すなわちパッドの高さｄ１１を高くすることで、接合層３３の凝集性を高めることができる。
【００９０】
例えば図２１に示すように、接続端子３０と接続するバイアホール１２ｃを形成するようにしてもよい。そして、そのバイアホール１２ｃを介して、接続端子３０とその上層の配線又は外部の機器等とを電気的に接続するようにしてもよい。なお、こうした構造は、端子配列がエリアアレイである場合に有効である。また、図２１の例では、バイアホール１２ｃに導体１２ｄが充填されたフィルドバイアを採用しているが、これに代えて例えばコンフォーマルバイア等を採用してもよい。
【００９１】
接続端子３０の配列は、ペリフェラル状の配列に限られず任意である。例えば図２２は、一部の接続端子３０についての接続態様を図示したものである。接続端子３０は、図２２に示すように、例えば格子状（例えばフルグリッド）に配列されていてもよい。この図２２の例では、所定の接続端子３０が、リード線１１１を介して、配線板１００両面のスルーホールランド１０１ａ、１０１ｂと電気的に接続される。また、別の所定の接続端子３０は、図２３Ａ（図２２のＡ−Ａ断面図）に示すように、フィルドバイア１１４ａを介して、直上（矢印Ｚ１方向）のパッド１０４と電気的に接続される。さらに別の所定の接続端子３０は、図２３Ｂ（図２２のＢ−Ｂ断面図）に示すように、リード線１１２により外側に引き出される。リード線１１２は、フィルドバイア１１２ａを介して、上層のパッド１０２と電気的に接続される。なお、接続端子３０の接続態様は、上記の態様に限られず任意である。例えばランド、外部端子、内部端子、直上の端子（パッド１０４）のいずれか１つだけ又は任意の組合せに接続端子３０を接続してもよい。層間接続の種類は任意であり、フィルドバイア１１２ａ又は１１４ａに代えて、コンフォーマルバイアを用いてもよい。
【００９２】
配線板１００の両面（第１面及び第２面）の電気的接続は、スルーホール導体２１ｂによる接続に限られず任意である。
【００９３】
例えば図２４に示すように、フィルドバイア２１１を介して、スルーホールランド１０１ａとスルーホールランド１０１ｂとが接続されていてもよい。フィルドバイア２１１は、テーパー状のバイアホール２１１ａと、導体２１１ｂと、から構成される。バイアホール２１１ａに導体２１１ｂが充填される。導体２１１ｂは、導体パターン２９から連続して形成され、導体パターン２２の第２面に接続される。
【００９４】
フィルドバイア２１１は、例えば図１４Ａ〜図１５Ｂの工程に代えて図２５Ａ〜図２５Ｃの工程を行うことにより形成することができる。この場合、作業者は、例えば図２５Ａに示すように、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、基板の第２面に、導体パターン２２に接続されるテーパー状のバイアホール２１１ａを形成する。続けて、作業者は、基板の両面上に、開口部３００２ａ、３００３ａを有するレジスト層３００２、３００３を形成する。そして、例えば図２５Ｂに示すように、バイアホール２１１ａに導体２１１ｂを充填するとともに、開口部３００２ａ、３００３ａに相当する部分に導体パターン２８、２９を形成する。これにより、フィルドバイア２１１が形成される。その後、図２５Ｃに示すように、レジスト層３００２、３００３を除去する。
【００９５】
また、例えば図２６に示すように、砂時計型（鼓状）のフィルドスルーホール２１２を介して、スルーホールランド１０１ａとスルーホールランド１０１ｂとが接続されていてもよい。フィルドスルーホール２１２は、テーパー状の孔２１２ａ、２１２ｃと、導体２１２ｂ、２１２ｄと、から構成される。孔２１２ａ及び２１２ｃの各々は、下層（コア）に向かって縮径される。孔２１２ａ及び２１２ｃは、フィルドスルーホール２１２の最小径の面２１２ｅで互いに連結される。孔２１２ａ及び２１２ｃは、例えば互いに対称的な形状を有する。孔２１２ａには、例えば銅のめっき皮膜からなる導体２１２ｂが充填され、孔２１２ｃには、例えば銅のめっき皮膜からなる導体２１２ｄが充填される。こうしたフィルドめっきで形成される砂時計型のフィルドスルーホール２１２を採用することで、配線板の剛性を高めて反りを抑制することができる。また、フィルドスルーホール２１２の直上にバイアホールをスタックすることが可能になるため、配線スペースを十分に確保して、配線の高密度化を図ることができる。さらに、めっき液の入り口を相対的に大径にし、めっき液が回り込みにくい箇所を相対的に小径にしておくことで、めっき液の確実な充填が担保される。
【００９６】
フィルドスルーホール２１２は、例えば図１４Ａ〜図１５Ｂの工程に代えて図２７Ａ〜図２７Ｃの工程を行うことにより形成することができる。この場合、作業者は、例えば図２７Ａに示すように、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、基板両面（第１面及び第２面）の所定箇所に、テーパー状の孔２１２ａ、２１２ｃを形成する。孔２１２ａ、２１２ｃは、中間の最小径の面２１２ｅで連結され、砂時計のような形状になる。続けて、作業者は、基板の両面上に、開口部３００２ａ、３００３ａを有するレジスト層３００２、３００３を形成する。そして、例えば図２７Ｂに示すように、孔２１２ａ、２１２ｃにそれぞれ導体２１２ｂ、２１２ｄを充填するとともに、開口部３００２ａ、３００３ａに相当する部分に導体パターン２８、２９を形成する。導体２１２ｂ、２１２ｄは、中間の最小径の面２１２ｅで連結され、砂時計のような形状になる。これにより、砂時計型のフィルドスルーホール２１２が形成される。その後、図２７Ｃに示すように、レジスト層３００２、３００３を除去する。
【００９７】
第１面及び第２面の各々から孔を形成することで、砂時計型のフィルドスルーホール２１２以外のフィルドスルーホールも得られる。こうした砂時計型のフィルドスルーホール２１２以外のフィルドスルーホールも、適宜採用可能である。非対称の形状を有する孔を連結させることで得られるフィルドスルーホールも、採用可能である。例えばテーパー状の孔と同一径の柱状の孔とを連結させることで得られるフィルドスルーホールも、採用可能である。
【００９８】
上記実施形態の配線板１００において、必要なければ、図２８に示すように、第１下地層２４、２５及び第２下地層２６、２７を割愛してもよい。この場合、例えば図１５Ａ〜図１５Ｃの工程に代えて図２９Ａ〜図２９Ｃの工程を行う。すなわち、第１下地層２４、２５及び第２下地層２６、２７のない状態で、スルーホール２１ａの形成、レジスト層３００２、３００３の形成（図２９Ａ参照）、導体パターン２８、２９及びスルーホール導体２１ｂの形成（図２９Ｂ参照）、レジスト層３００２、３００３の除去（図２９Ｃ参照）、及びそれ以降の工程を行う。
【００９９】
上記実施形態において、各層の材質、サイズ、層数等は、任意に変更可能である。例えば図３及び図４Ａ〜図４Ｃ等に示した構造が完成した後、さらに積層を続けて、より多層（例えば６層又は８層など）の配線板としてもよい。また、配線板１００の各面（第１面及び第２面）における層数が異なっていてもよい。さらには、配線板１００の片面（詳しくはコア基板の片面）のみに層（配線層や絶縁層）の形成（積層）をしてもよい。
【０１００】
上記実施形態の工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１０１】
接合層３３は、用途等に応じて、めっき以外の方法で形成してもよい。
【０１０２】
配線層１４、１５は、セミアディティブ（ＳＡＰ）法によって、形成することもできる。具体的には、作業者は、図８Ａ〜図１６Ｂの工程を経て、例えば図３０Ａに示すように、絶縁層１２、１３を形成する。その後、例えば図３０Ｂに示すように、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、基板両面の所定箇所に、絶縁層１２、１３を貫通する貫通孔１４ａ、１５ａ（ブラインドホール）を形成する。続けて、例えば図３０Ｃに示すように、基板の全面に無電解銅めっきをして、貫通孔１４ａ及び１５ａの内面を含めた両面上に、銅めっき層３００６ａ、３００７ａを形成する。続けて、例えば図３１Ａに示すように、基板の両面上に、開口部３０１０ａ、３０１１ａを有するレジスト層３０１０、３０１１を形成する。続けて、例えば図３１Ｂに示すように、開口部３０１０ａ、３０１１ａに相当する部分に電解銅めっき膜からなる第２配線層１４２、１５２を形成する。続けて、レジスト層３０１０及び３０１１を除去した後、基板の両面上の不要な銅を、例えばエッチングにより除去する。これにより、例えば図３１Ｃに示すように、絶縁層１２の第１面には、第１配線層１４１及び第２配線層１４２から構成される配線層１４が形成される。また、絶縁層１３の第２面には、第１配線層１５１及び第２配線層１５２から構成される配線層１５が形成される。
【０１０３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の配線板は、電気回路の形成に適している。また、本発明の配線板の製造方法は、配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  部品実装部
１１〜１３  絶縁層（基板）
１２ａ、１３ａ、１２ｃ  バイアホール
１２ｂ、１２ｄ、１３ｂ  導体
１４、１５  配線層
１６、１７  ソルダーレジスト層
２１ａ  スルーホール
２１ｂ  スルーホール導体（接続導体）
２１ｃ  絶縁層
２２  内層の導体パターン（第１導体パターン）
２３  内層の導体パターン（第２導体パターン）
２４、２５  第１下地層（金属層）
２６、２７  第２下地層（金属層）
２８、２９  外層の導体パターン（第３導体パターン）
３０  接続端子
３１  第１パッド
３２  第２パッド
３３  接合層
３４  窪み
４１  アンダーフィル材
４２  充填材
５０  電子部品
５０ａ  バンプ
１００  配線板
１０１ａ、１０１ｂ  スルーホールランド
１０２、１０３、１０４  パッド
１１１、１１２、１１３  リード線
１１２ａ、１１３ａ、１１４ａ、２１１  フィルドバイア
２１２  フィルドスルーホール
１４１、１５１  第１配線層
１４２、１５２  第２配線層
２１１ａ、２１２ａ、２１２ｃ  バイアホール
２１１ｂ、２１２ｂ、２１２ｄ  導体（接続導体）
２１２ｅ  面（境界面）
１００４  第１レジスト層
１００４ａ  第１開口部
１００４ｂ  第２開口部
１００５  第２レジスト層
１００５ａ  開口部
【図１】
2010226075.tif 000003
【図２】
2010226075.tif 000004
【図３】
2010226075.tif 000005
【図４Ａ】
2010226075.tif 000006
【図４Ｂ】
2010226075.tif 000007
【図４Ｃ】
2010226075.tif 000008
【図７Ａ】
2010226075.tif 000009
【図７Ｂ】
2010226075.tif 000010
【図８Ａ】
2010226075.tif 000011
【図８Ｂ】
2010226075.tif 000012
【図９Ａ】
2010226075.tif 000013
【図９Ｂ】
2010226075.tif 000014
【図９Ｃ】
2010226075.tif 000015
【図１０Ａ】
2010226075.tif 000016
【図１０Ｂ】
2010226075.tif 000017
【図１０Ｃ】
2010226075.tif 000018
【図１０Ｄ】
2010226075.tif 000019
【図１１Ａ】
2010226075.tif 000020
【図１１Ｂ】
2010226075.tif 000021
【図１１Ｃ】
2010226075.tif 000022
【図１２Ａ】
2010226075.tif 000023
【図１２Ｂ】
2010226075.tif 000024
【図１３Ａ】
2010226075.tif 000025
【図１３Ｂ】
2010226075.tif 000026
【図１４Ａ】
2010226075.tif 000027
【図１４Ｂ】
2010226075.tif 000028
【図１５Ａ】
2010226075.tif 000029
【図１５Ｂ】
2010226075.tif 000030
【図１５Ｃ】
2010226075.tif 000031
【図１６Ａ】
2010226075.tif 000032
【図１６Ｂ】
2010226075.tif 000033
【図１７Ａ】
2010226075.tif 000034
【図１７Ｂ】
2010226075.tif 000035
【図１８Ａ】
2010226075.tif 000036
【図１８Ｂ】
2010226075.tif 000037
【図１８Ｃ】
2010226075.tif 000038
【図１９Ａ】
2010226075.tif 000039
【図１９Ｂ】
2010226075.tif 000040
【図１９Ｃ】
2010226075.tif 000041
【図２０】
2010226075.tif 000042
【図２１】
2010226075.tif 000043
【図２２】
2010226075.tif 000044
【図２３Ａ】
2010226075.tif 000045
【図２３Ｂ】
2010226075.tif 000046
【図２４】
2010226075.tif 000047
【図２５Ａ】
2010226075.tif 000048
【図２５Ｂ】
2010226075.tif 000049
【図２５Ｃ】
2010226075.tif 000050
【図２６】
2010226075.tif 000051
【図２７Ａ】
2010226075.tif 000052
【図２７Ｂ】
2010226075.tif 000053
【図２７Ｃ】
2010226075.tif 000054
【図２８】
2010226075.tif 000055
【図２９Ａ】
2010226075.tif 000056
【図２９Ｂ】
2010226075.tif 000057
【図２９Ｃ】
2010226075.tif 000058
【図３０Ａ】
2010226075.tif 000059
【図３０Ｂ】
2010226075.tif 000060
【図３０Ｃ】
2010226075.tif 000061
【図３１Ａ】
2010226075.tif 000062
【図３１Ｂ】
2010226075.tif 000063
【図３１Ｃ】
2010226075.tif 000064
【図５】
2010226075.tif 000065
【図６】
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