(57)【要約】【課題】インゴットから基板を安定してスライス加工することが可能な加工装置、加工方法、および記憶媒体を提供する。【解決手段】加工装置１０は、シリコンインゴット３０からシリコン基板３１を作製するものである。この加工装置１０は、電解液１２を収容する処理槽１１と、処理槽１１内の電解液１２に浸漬した状態でシリコンインゴット３０を保持するインゴット保持部１３と、シリコンインゴット３０を切断する電極線３８を含み、この電極線３８によりシリコンインゴット３０をスライス加工するための電極装置１４と、電極装置１４を保持する電極装置保持部１５とを備えている。シリコンインゴット３０をスライス加工する間、インゴット保持部１３は電極装置１４に対して相対的に上昇し、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断が、電解液１２の液面１２ａ直下で行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インゴットから基板を作製するための加工装置において、
電解液を収容する処理槽と、
処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持するインゴット保持部と、
インゴットを切断する電極線を含み、この電極線によりインゴットをスライス加工するための電極装置と、
電極装置を保持する電極装置保持部とを備え、
インゴットをスライス加工する間、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする加工装置。
【請求項２】
インゴット保持部は、ダミーインゴットを介してインゴットを保持することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項３】
電極装置は、枠体と、枠体内に互いに平行に延在する複数の電極線とを有することを特徴とする請求項１または２記載の加工装置。
【請求項４】
電極線は、タングステンまたはモリブデンからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の加工装置。
【請求項５】
インゴットをスライス加工する間、処理槽に収容された電解液の液面が一定の高さに保持されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の加工装置。
【請求項６】
インゴットをスライス加工する間、電極装置保持部が一定の高さに保持され、インゴット保持部が一定の高さに保持された電極装置保持部に対して上昇することを特徴とする請求項５記載の加工装置。
【請求項７】
インゴットをスライス加工する間、インゴット保持部が一定の高さに保持され、電極装置保持部が一定の高さに保持されたインゴット保持部に対して下降することを特徴とする請求項５記載の加工装置。
【請求項８】
電解液の液面の高さを上昇または下降させることにより、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の加工装置。
【請求項９】
処理槽と、インゴットを保持するインゴット保持部と、電極線を含む電極装置と、電極装置を保持する電極装置保持部とを有する加工装置を用いて、インゴットから基板を作製するための加工方法において、
処理槽に電解液を供給する工程と、
電極装置保持部により、処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持する工程と、
電極装置の電極線により、インゴットをスライス加工する工程とを備え、
インゴットをスライス加工する工程において、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする加工方法。
【請求項１０】
処理槽と、インゴットを保持するインゴット保持部と、電極線を含む電極装置と、電極装置を保持する電極装置保持部とを有する加工装置を用いた加工方法に使用され、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記加工方法は、
処理槽に電解液を供給する工程と、
電極装置保持部により、処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持する工程と、
電極装置の電極線により、インゴットをスライス加工する工程とを備え、
インゴットをスライス加工する工程において、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インゴットから基板を作製するための加工装置、インゴットから基板を作製するための加工方法、および記憶媒体に係り、とりわけインゴットから基板を安定してスライス加工することが可能な加工装置、加工方法、および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、太陽電池として結晶系シリコン太陽電池が一般に多く用いられている。この結晶系シリコン太陽電池を製造する製造工程において、シリコンインゴットをスライス加工し、シリコンインゴットから複数のシリコン基板を作製することが行われている。
【０００３】
シリコン基板を切り出す方法としては、例えばマルチワイヤーソーを用いた切断技術が存在する。しかしながら、このようにマルチワイヤーソーを用いてシリコンインゴットを切断する場合、シリコンインゴットの削れロス（以下カーフロス（kerf loss）ともいう）が大きくなり、シリコンインゴット材料に占める廃棄率が高くなる。
【０００４】
とりわけ、結晶系シリコン太陽電池の製造コストのうちシリコン材料費と加工費が占める割合が大きいため、カーフロスを削減することができれば、結晶系シリコン太陽電池の製造コストを大幅に削減することができる。
【０００５】
他方、シリコンインゴットを切り出す方法としては、複数の白金ワイヤーを張設し、この複数の白金ワイヤーを用いて電気化学的方法によりシリコンインゴットをスライス加工する方法が知られている（特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５１−１４０４７０号公報
【特許文献２】特開平４−１２８０１０号公報
【特許文献３】国際公開第２００８／１４００５８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、電気化学的方法を用いてシリコンインゴットを切断する場合、従来と比べてカーフロスを削減することができると考えられる。しかしながら、実際にシリコン太陽電池を量産する際、１つのシリコンインゴットから一度に５００〜１０００枚程度のシリコン基板をスライス加工する必要がある。この場合、例えば直径１００μｍ程度の白金ワイヤーを約１００μｍの間隔で１０００本程度並べて構成した装置が必要となる。しかしながら、このような装置を実現することは現実的には難しい。また、直径１００μｍ程度の白金ワイヤーを用いた場合、電気伝導度や機械的強度が不足するおそれがある。
【０００８】
また特許文献１〜３において、電解液中の所定位置に保持されたシリコンインゴットに対して白金ワイヤーを上昇または下降させていき、シリコンインゴットをスライス加工している。この場合、白金ワイヤーによるシリコンインゴットの切断は、電解液の液面から離れた深い位置で行われる。このため、電気化学反応で生成した水素の気泡がシリコンインゴットのうちスライスされた部分の間に滞留し、この結果、切断処理が円滑に行われないおそれがある。
【０００９】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、インゴットから基板を安定してスライス加工することが可能な加工装置、加工方法、および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による加工装置は、インゴットから基板を作製するための加工装置において、電解液を収容する処理槽と、処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持するインゴット保持部と、インゴットを切断する電極線を含み、この電極線によりインゴットをスライス加工するための電極装置と、電極装置を保持する電極装置保持部とを備え、インゴットをスライス加工する間、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする。
【００１１】
本発明による加工装置において、インゴット保持部は、ダミーインゴットを介してインゴットを保持することが好ましい。
【００１２】
本発明による加工装置において、電極装置は、枠体と、枠体内に互いに平行に延在する複数の電極線とを有することが好ましい。
【００１３】
本発明による加工装置において、電極線は、タングステンまたはモリブデンからなることが好ましい。
【００１４】
本発明による加工装置において、インゴットをスライス加工する間、処理槽に収容された電解液の液面が一定の高さに保持されることが好ましい。
【００１５】
本発明による加工装置において、インゴットをスライス加工する間、電極装置保持部が一定の高さに保持され、インゴット保持部が一定の高さに保持された電極装置保持部に対して上昇することが好ましい。
【００１６】
本発明による加工装置において、インゴットをスライス加工する間、インゴット保持部が一定の高さに保持され、電極装置保持部が一定の高さに保持されたインゴット保持部に対して下降することが好ましい。
【００１７】
本発明による加工装置において、電解液の液面の高さを上昇または下降させることにより、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることが好ましい。
【００１８】
本発明による加工方法は、処理槽と、インゴットを保持するインゴット保持部と、電極線を含む電極装置と、電極装置を保持する電極装置保持部とを有する加工装置を用いて、インゴットから基板を作製するための加工方法において、処理槽に電解液を供給する工程と、電極装置保持部により、処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持する工程と、電極装置の電極線により、インゴットをスライス加工する工程とを備え、インゴットをスライス加工する工程において、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする。
【００１９】
本発明による記憶媒体は、処理槽と、インゴットを保持するインゴット保持部と、電極線を含む電極装置と、電極装置を保持する電極装置保持部とを有する加工装置を用いた加工方法に使用され、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記加工方法は、処理槽に電解液を供給する工程と、電極装置保持部により、処理槽内の電解液に浸漬した状態でインゴットを保持する工程と、電極装置の電極線により、インゴットをスライス加工する工程とを備え、インゴットをスライス加工する工程において、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、インゴットをスライス加工する間、インゴット保持部は電極装置に対して相対的に上昇し、電極線によるインゴットの切断が、電解液の液面直下で行われる。このことにより、電気化学反応で生成した水素の気泡がインゴットのうちスライスされた部分の間に滞留したり電極線に付着したりすることがなく、インゴットから基板を安定してスライス加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態による加工装置を示す概略構成図。
【図２】図２は、シリコンインゴットを示す斜視図。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態による加工装置の電極装置を示す平面図。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態による加工装置のインゴット保持部を示す平面図。
【図５】図５（ａ）（ｂ）は、シリコンインゴットをスライス加工する間の電極装置およびインゴット保持部を示す垂直断面図。
【図６】図６は、シリコンインゴットをインゴット保持部に載置した状態における、本発明の一実施の形態による加工装置を示す概略図。
【図７】図７は、スライス加工を開始する前における、本発明の一実施の形態による加工装置を示す概略図。
【図８】図８は、処理槽内の電気化学反応を示す図。
【図９】図９は、スライス加工が完了した状態における、本発明の一実施の形態による加工装置を示す概略図。
【図１０】図１０は、本発明の一実施の形態による加工装置を用いてスライス加工する際における、電極線およびシリコンインゴットを示す図。
【図１１】図１１は、比較例としての加工装置を用いてスライス加工する際における、電極線およびシリコンインゴットを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明による加工装置、加工方法、および記憶媒体の一実施の形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。
【００２３】
加工装置の構成
まず、図１により、本実施の形態による加工装置の構成について説明する。
【００２４】
図１に示す加工装置１０は、シリコンインゴット（インゴット）３０をスライス加工することにより、複数の太陽電池用シリコン基板（基板）３１（図２参照）を作製する装置である。
【００２５】
図１に示すように、加工装置１０は、筐体２５と、筐体２５内に配置され電解液１２を収容する処理槽１１と、処理槽１１内の電解液１２に浸漬した状態でシリコンインゴット３０を保持するインゴット保持部１３と、シリコンインゴット３０をスライス加工するための電極装置１４と、電極装置１４を保持する電極装置保持部１５とを備えている。
【００２６】
このうち処理槽１１内には、例えばフッ酸（ＨＦ）からなる薬液と、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）からなる溶媒との混合液からなる電解液１２が充填されている。なお溶媒としては、ＩＰＡのほか、メタノール（ＣＨ3ＯＨ）またはエタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）等の低級アルコールを用いても良い。
【００２７】
また処理槽１１内には、電解液１２の液面１２ａの高さを一定に維持するための排液管１６が配設され、この排液管１６に貯液タンク１７が接続されている。さらに貯液タンク１７に、ポンプ１９およびフィルタ２０を有する再循環モジュール１８が接続され、この再循環モジュール１８は処理槽１１に接続されている。そして、再循環モジュール１８のポンプ１９の作用により、電解液１２が再循環モジュール１８、処理槽１１、排液管１６、貯液タンク１７、および再循環モジュール１８の順に循環して利用されるようになっている。また貯液タンク１７には、例えばフッ酸（ＨＦ）等の薬液を供給する薬液供給部２１と、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶媒を供給する溶媒供給部２２とが接続されている。
【００２８】
また筐体２５の上部にファンフィルタユニット２７が設けられ、筐体２５の下部に排気部２８が設けられている。これにより、シリコンインゴット３０をスライス加工する際、電解液１２中で電気化学反応することにより生じた水素が、筐体２５外方に排出されるようになっている。なお、処理槽１１上方には、電解液１２中への異物の混入や電解液１２の液面１２ａの揺れを防止するためのカバー２９が設けられている。
【００２９】
一方、インゴット保持部１３は、第１昇降機構２３により昇降自在に構成されている。また筐体２５内に直流電源装置２４が設けられ、インゴット保持部１３は、この直流電源装置２４の正極（＋）側に電気的に接続されている。
【００３０】
電極装置保持部１５は、第２昇降機構２６により昇降自在であり、また所定の高さ位置に固定しておくことが可能である。この電極装置保持部１５は、直流電源装置２４の負極（−）側に電気的に接続されている。
【００３１】
また加工装置１０は、制御部５０を更に有している。制御部５０は、直流電源装置２４の電圧および電流を制御するとともに、第１昇降機構２３および第２昇降機構２６の昇降動作を制御する機能を有している。さらに制御部５０は、薬液供給部２１および溶媒供給部２２を制御することにより、処理槽１１内の電解液１２の濃度を調整する機能も有している。この制御部５０は、加工装置１０を用いた加工方法に使用され、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体５１を有している。
【００３２】
次に、図３により電極装置１４および電極装置保持部１５の構成について更に説明する。図３に示すように、電極装置１４は、中央開口３７ａを有する矩形状の枠体３７と、枠体３７の中央開口３７ａ内で互いに平行に延在する複数の電極線３８とを有している。このうち各電極線３８は、シリコンインゴット３０を切断するためのものであり、それぞれリボン形状を有している。なお、このような電極装置１４をグリッド型電極ともいう。
【００３３】
枠体３７は、その四隅に円形の取付孔３９を有している。そして電極装置保持部１５の各案内棒１５ａを各取付孔３９内に挿入することにより、電極装置１４が電極装置保持部１５に取り付けられる。この枠体３７と電極線３８とは、一体に構成されていることが好ましい。なお、図３において、便宜上３本の電極線３８を示しているが、実際は１００本〜１０００本程度の電極線３８が設けられている。
【００３４】
また電極装置１４（枠体３７および電極線３８）は、タングステン、またはモリブデン等からなっている。このような構成により、電極装置１４を安価で製造することができ、この結果、太陽電池用シリコン基板３１の製造コストを抑制することができる。他方、電極装置保持部１５は、ステンレス等の導電性材料からなり、電極装置１４と当接する部分にのみ白金めっきまたは金めっき等の金属めっきが施され、それ以外の部分には、例えばテフロン（登録商標）等の絶縁性コーティングが施されている。
【００３５】
次に、図４および図５（ａ）（ｂ）によりインゴット保持部１３の構成について更に説明する。インゴット保持部１３は、シリコンインゴット３０に対して電気的に接触する電極面４０と、電極面４０の両側に立設され、切断後の太陽電池用シリコン基板３１が横倒しになることを防止する一対のプレート４１とを有している。このうち電極面４０は、白金めっきまたは金めっき等の金属めっきからなっている。またインゴット保持部１３は、全体としてステンレス等の導電性材料からなり、電極面４０以外の部分には、例えばテフロン（登録商標）等の絶縁性コーティングが施されている。
【００３６】
なお図５（ａ）（ｂ）に示すように、シリコンインゴット３０は、例えばシリコンからなるダミーインゴット３２を介してインゴット保持部１３の電極面４０上に載置されることが好ましい。このような構成により、電極装置１４の電極線３８を用いてシリコンインゴット３０をスライス加工した際（図５（ｂ））、電極線３８により電極面４０が傷つけられることを防止することができる。このダミーインゴット３２は、何回かのスライス加工を行う毎に交換されることが好ましい。
【００３７】
加工装置による加工方法
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、具体的には上述した加工装置１０を用いた加工方法について、図６乃至図１１を用いて説明する。
【００３８】
まず、処理槽１１に電解液１２を供給する。この際、薬液供給部２１から例えばフッ酸（ＨＦ）等の薬液を供給するとともに、溶媒供給部２２から例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶媒を供給し、所定の濃度の電解液１２を作製する。この電解液１２は、貯液タンク１７から再循環モジュール１８のポンプ１９により送液され、処理槽１１内に充填される。この際、処理槽１１内に設けられた排液管１６により、電解液１２の液面１２ａの高さが一定に保持される。
【００３９】
次に、図６に示すように、インゴット保持部１３上に、ダミーインゴット３２を介してシリコンインゴット３０を載置して保持する。また、電極装置保持部１５に電極装置１４を取り付けて保持する。
【００４０】
次に、図７に示すように、第１昇降機構２３は、制御部５０により制御されることにより、インゴット保持部１３およびシリコンインゴット３０を降下させてシリコンインゴット３０を電解液１２内に浸漬させる。また、第２昇降機構２６は、制御部５０により制御されることにより、電極装置保持部１５および電極装置１４を降下させる。この際、電極装置１４の電極線３８下端が、電解液１２の液面１２ａ直下（電解液１２の液面１２ａから下方に約１０ｍｍ以内）に位置するようにする。また、シリコンインゴット３０の上端が、電極装置１４の電極線３８下端に近接するようにシリコンインゴット３０を配置する。
【００４１】
続いて、制御部５０に制御されることにより、直流電源装置２４は、インゴット保持部１３と電極装置保持部１５との間に２０〜１００Ｖ程度の電圧を印加する。この際、電極装置１４の各電極線３８を流れる電流線密度を５０〜２００ｍＡ／ｃｍ程度とすることが好ましい。このようにして、陽極であるシリコンインゴット３０と、陰極である電極装置１４の間で電気化学反応が生じる。
【００４２】
すなわち図８に示すように、電解液１２を介してシリコンインゴット３０と電極装置１４との間に電流を流した場合、シリコンインゴット３０表面に正孔（ｈ+）が供給される。これにより、シリコンインゴット３０表面で以下の反応が生じ、水素原子（Ｈ+）が電解液１２中に遊離する。
【００４３】
Ｓｉ＋２Ｈ2Ｏ＋４ｈ+→ＳｉＯ2＋４Ｈ+・・・（１）
【００４４】
またシリコンインゴット３０表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が生じ、これが電解液１２中のフッ酸（ＨＦ）により溶解されることにより、シリコンインゴット３０表面が削られる。
【００４５】
他方、遊離した水素原子（Ｈ+）は電極装置１４の各電極線３８に達し、ここで電極線３８に供給された電子（ｅ-）と結合し、以下のように水素（Ｈ2）ガスを生成する。
【００４６】
４Ｈ+＋４ｅ-→２Ｈ2・・・（２）
【００４７】
続いて、インゴット保持部１３およびシリコンインゴット３０を電極装置１４に対して相対的に上昇させることにより、シリコンインゴット３０がスライス加工される（図９）。これによりシリコンインゴット３０から複数の太陽電池用シリコン基板３１が作製される。
【００４８】
すなわち電極装置保持部１５および電極装置１４を電解液１２の液面１２ａ直下（電解液１２の液面１２ａから下方に約１０ｍｍ以内）に保持したまま（図７）、第１昇降機構２３によりインゴット保持部１３およびシリコンインゴット３０を上昇させる。また上述したように、電解液１２の液面１２ａの高さは一定に保持されている。したがって、シリコンインゴット３０をスライス加工する間、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断は、常に電解液１２の液面１２ａ直下で行われる。なお、このときのシリコンインゴット３０の上昇速度は、１００μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎとすることが好ましい。
【００４９】
このようにして、シリコンインゴット３０をスライス加工する間、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａ直下で行われる。このことにより、上述した電気化学反応で生成した水素（Ｈ2）の気泡が、電極線３８から電解液１２の液面１２ａ上方へと逃がされ、シリコンインゴット３０のうちスライスされた部分の間に滞留することがない（図１０参照）。この結果、シリコンインゴット３０から太陽電池用シリコン基板３１を安定してスライス加工することができる。また、隣接する太陽電池用シリコン基板３１同士の間で切削されるシリコンインゴット３０の幅Ｌ（図２参照）を１００μｍ以下に抑制することができ、カーフロスを削減することができる。
【００５０】
また、シリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａ直下で行われることにより、シリコンインゴット３０のうちスライス部分（すなわち切断後に太陽電池用シリコン基板３１を構成する部分）が、切断後直ちに電解液１２の液面１２ａ上に露出する。このことにより、シリコンインゴット３０のうちスライス部分の乾燥を促進することができる。
【００５１】
他方、比較例として図１１に示すように、シリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａより深い位置で行われる場合を想定する。この場合、水素（Ｈ2）の気泡がシリコンインゴット３０のうちスライスされた部分の間に滞留したり、電極線３８周囲に付着したりする可能性がある。この場合、水素（Ｈ2）の気泡により電極線３８とシリコンインゴット３０との間における電気化学反応が阻害され、シリコンインゴット３０の切断が円滑に行われない。また、シリコンインゴット３０のうちスライス部分が電解液１２の液面１２ａ下にあるため、太陽電池用シリコン基板３１が十分に乾燥されないおそれがある。
【００５２】
これに対して、本実施の形態によれば、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａ直下で行われるので、電気化学反応で生成した水素の気泡がシリコンインゴット３０のうちスライスされた部分の間に滞留したり、電極線３８に付着したりすることがない。このことにより、シリコンインゴット３０から太陽電池用シリコン基板３１を安定してスライス加工することができる。
【００５３】
また本実施の形態によれば、電極装置１４は、枠体３７と、枠体３７内に互いに平行に延在する複数の電極線３８とを有するので、白金ワイヤーを張設する場合と比較して電極装置１４を簡単かつ低コストで作製することができる。
【００５４】
なお、本実施の形態において、上述した加工装置１０を用いた加工方法に使用され、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムや、このようなコンピュータプログラムを格納した記憶媒体５１も提供する。
【００５５】
ところで、本実施の形態において、シリコンインゴット３０をスライス加工する間、処理槽１１に収容された電解液１２の液面を一定の高さに保持するとともに、電極装置保持部１５を一定の高さに保持し、かつインゴット保持部１３を電極装置保持部１５に対して上昇させる。しかしながら、インゴット保持部１３が電極装置１４に対して相対的に上昇し、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａ直下で行われれば、上述した実施の形態に限定されるものではない。
【００５６】
例えば、シリコンインゴット３０をスライス加工する間、電解液１２の液面１２ａ、インゴット保持部１３、および電極装置保持部１５の全てを上昇および／または下降させ、電極線３８によるシリコンインゴット３０の切断が電解液１２の液面１２ａ直下で行われるようにしても良い。
【００５７】
なお本実施の形態において、電極装置保持部１５を一定の高さに保持し、インゴット保持部１３を電極装置保持部１５に対して上昇させる場合、シリコンインゴット３０の上昇に伴って電解液１２の液面１２ａが下降することが考えられる。この場合、再循環モジュール１８により処理槽１１に電解液１２を供給するとともに、オーバーフローした分の電解液１２を排液管１６から排出し、液面１２ａの高さを一定に保持しても良い。あるいは、シリコンインゴット３０の上昇に伴って液面１２ａ上方に露出するシリコンインゴット３０の体積を考慮し、この体積分の電解液１２を処理槽１１に供給することにより液面１２ａの高さを一定に保持しても良い。
【００５８】
他方、インゴット保持部１３を一定の高さに保持し、かつ電極装置保持部１５をインゴット保持部１３に対して下降させる場合、これに伴って電解液１２の液面１２ａが上昇または下降することが考えられる。この場合、再循環モジュール１８により処理槽１１に電解液１２を供給し、あるいは電解液１２を排液管１６から排出することにより、液面１２ａの高さを一定に保持しても良い。
【００５９】
ところで、本実施の形態では、生成される基板の用途の一つとして太陽電池用シリコン基板３１を挙げて説明したが、これに限られることはなく、例えば半導体ウエハとして用いられる基板を生成するために、本実施の形態による加工装置、加工方法、および記憶媒体を用いることもできる。
【符号の説明】
【００６０】
１０        加工装置
１１        処理槽
１２        電解液
１３        インゴット保持部
１４        電極装置
１５        電極装置保持部
１６        排液管
２１        薬液供給部
２２        溶媒供給部
２３        第１昇降機構
２４        直流電源装置
２６        第２昇降機構
３０        シリコンインゴット
３１        太陽電池用シリコン基板
３２        ダミーインゴット
３７        枠体
３８        電極線
３９        取付孔
４０        電極面
４１        プレート
５０        制御部
５１        記憶媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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