(57)【要約】【課題】微小図形のショット数を削減し、フォトマスクの生産性を向上させるフォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラムを提供することにある。【解決手段】フォトマスクのパターンデータに基づき分割された複数の分割図形により構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件を備えた微小図形を検出し（ＳＴ５）、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形が除去された抽出描画パターンデータを生成する（ＳＴ６）フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラムを提供すること。【選択図】図７
2010128441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出部が、フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出し、
生成部が、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成することを特徴とするフォトマスクのパターンデータ生成方法。
【請求項２】
前記検出部は、前記解像限界条件を満たす前記微小図形として、上辺および底辺が、隣接する他の前記分割図形の辺と近接し、かつ、高さが光近接効果による解像限界に基づく高さ規定値以下である前記分割図形を検出することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクのパターンデータ生成方法。
【請求項３】
フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出する検出部と、
前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成する生成部とを備えることを特徴とするフォトマスクのパターンデータ生成装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記解像限界条件を満たす前記微小図形として、上辺および底辺が、隣接する他の前記分割図形の辺と近接し、かつ、高さが光近接効果による解像限界に基づく高さ規定値以下である前記分割図形を検出することを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクのパターンデータ生成装置。
【請求項５】
前記設計パターンデータを前記分割図形に分割する描画パターン生成部をさらに備えていることを特徴とする請求項３あるいは４に記載のフォトマスクのパターンデータ生成装置。
【請求項６】
前記抽出描画パターンに基づき、前記フォトマスクに照射光を出射する描画装置に搭載されていることを特徴とする請求項３あるいは４に記載のフォトマスクのパターンデータ生成装置。
【請求項７】
コンピュータに、
フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出させる手順と、
前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去させ、抽出描画パターンデータを生成させる手順を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に、フォトマスクのパターンデータに基づき、描画装置で利用される描画パターンデータを生成するフォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、リソグラフィ工程において、半導体基板（ウエハ）上に形成されるパターンを、設計された設計パターンどおり形成することが困難になってきている。そこで、設計パターンに、光近接効果を補正するための光近接効果補正（ＯＰＣ）処理を行う技術がある。
この光近接効果補正処理では、設計パターンに微細なパターン段差や微小なパターン凹凸部などが形成される。そして、このＯＰＣ処理がなされた設計パターンは、フォトマスクのレジストに描画する描画装置に出力されるフォトマスクパターンに変換される際、描画装置が出射する照射光の照射面積に応じた分割図形に分割される。しかし、分割された複数の分割図形のなかには、描画装置の照射光の照射面積に対して極めて小さい微小図形が形成される場合がある。
このため、複数の分割図形からなるフォトマスクパターンがこのような微小図形を含んでいると、微小図形に対応するパターンの部分において、設計パターンどおりの図形をフォトマスクのレジスト上に形成することが難しく、レジスト上あるいはウエハ上に形成されるパターンの精度が低下する。
【０００３】
例えば、設計上のパターンと基板上に形成されたパターンとのずれである欠陥部分と、デバイス保証の観点から影響が少ないとされる擬似欠陥とを検出する際の作業負荷を軽減するため、検出される擬似欠陥の数を低減する技術がある（特許文献１参照）。
また、基板上に形成されるパターンを複数の小領域（マップ）に区分し、それぞれのマップに対して、パターンの配置に基づいた補正量を設定した補正マップを作成し、この補正マップに基づいて補正する技術がある（特許文献２参照）。
さらに、マスクパターンの対向するエッジ微小段差の位置の相違により発生する微小図形を低減させるため、対向するエッジのそれぞれに垂直に点接触するエッジを検出し、検出されたエッジが同一垂線上に位置されるよう補正する技術がある（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００６−３３０２６９号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３０２３号公報
【特許文献３】特開２００６−２６７８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の従来技術では、ＯＰＣ処理によって発生する微小図形を取り除くことができない。このため、微小図形に起因したパターン精度の低下を完全に回避することはできず、また、描画装置が、微小図形に対応するパターン分の照射光も出射しなれければならないため、描画装置の生産性が悪いという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような事情を考慮し、上記の問題を解決すべくなされたものであって、その目的は、描画ショット数を低減させ、描画時間を削減することにより、フォトマスクの生産性を向上させるフォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題を解決するために、本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成方法は、検出部が、フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出し、生成部が、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、上述のフォトマスクのパターンデータ生成方法において、前記検出部は、前記解像限界条件を満たす前記微小図形として、上辺および底辺が、隣接する他の前記分割図形の辺と近接し、かつ、高さが光近接効果による解像限界に基づく高さ規定値以下である前記分割図形を検出することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置は、フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出する検出部と、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成する生成部とを備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、上述のフォトマスクのパターンデータ生成装置において、前記検出部は、前記解像限界条件を満たす前記微小図形として、上辺および底辺が、隣接する他の前記分割図形の辺と近接し、かつ、高さが光近接効果による解像限界に基づく高さ規定値以下である前記分割図形を検出することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上述のフォトマスクのパターンデータ生成装置において、前記設計パターンデータを前記分割図形に分割する描画パターン生成部をさらに備えていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上述のフォトマスクのパターンデータ生成装置において、前記抽出描画パターンに基づき、前記フォトマスクに照射光を出射する描画装置に搭載されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかるプログラムは、コンピュータに、フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出させる手順と、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去させ、抽出描画パターンデータを生成させる手順を実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一実施の形態かかるフォトマスクのパターンデータ生成方法は、検出部が、フォトマスクの設計パターンデータに基づき分割された複数の分割図形で構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件に基づき、複数の前記分割図形の大きさが前記解像限界条件を満たす前記分割図形を微小図形として検出し、生成部が、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成することを特徴としている。この構成により、描画装置は、微小図形に対応する部分を描画する必要がなくなる。これにより、描画装置の描画ショット数と描画時間が低減され、フォトマスクの生産性を向上することができる。
【００１４】
また、本発明の一実施の形態にかかるフォトマスクのパターンデータ生成方法は、検出部が、前記解像限界条件を満たす前記微小図形として、上辺および底辺が、隣接する他の前記分割図形の辺と近接し、かつ、高さが光近接効果による解像限界に基づく高さ規定値以下である前記分割図形を検出し、生成部が、検出された微小画像を描画パターンから削除することを特徴としている。これにより、検出部は、分割図形の高さが、解像限界に基づく高さ規定値以下であるか否かを判断することにより、光近接効果によって解像される分割図形を容易に検出することができ、生成部は、描画装置によって照射されなくとも、所望のパターンがフォトマスクの基板表面に形成される分割図形のみを、除去することができる。
【００１５】
また、本発明の一実施の形態にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置は、設計パターンデータを分割図形に分割する描画パターン生成部をさらに備えている。この構成により、同一装置内で、設計パターンデータが入力されてから、抽出描画パターンが生成されるまでの工程を処理することができる。
【００１６】
また、本発明の一実施の形態にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置は、前記抽出描画パターンに基づき、フォトマスクの基板表面上に照射光を出射する描画装置に搭載されている。この構成により、描画装置において、入力された描画パターンデータに基づき、抽出描画パターンを生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置の構成を示すブロック図である。
【００１８】
図１に示すとおり、本実施の形態にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置１は、制御部１１と、入力部１２と、出力部１３と、記憶部１４と、描画パターン生成部１５と、微小図形検出部１６と、抽出描画パターン生成部１７とを含み、出力部１３を介して描画装置２と接続されている。
フォトマスクのパターンデータ生成装置１は、情報処理装置（例えばパーソナルコンピュータ）によって設計されたＣＡＤパターンデータに対して、ＯＰＣ処理等の補正がなされた補正パターンデータに基づき、描画装置２に出力される抽出描画パターンを生成する。本実施の形態において、ＣＡＤパターンデータとしては、集積回路の回路図が利用可能であって、その一部として、例えば、図２に示すようなＬ字状のＣＡＤパターンデータ３１を含み、描画装置２は、描画対象として、フォトマスクとなる表面にレジストが形成されたガラス基板を利用する例について、以下説明する。
【００１９】
なお、補正パターンデータ３２としては、ＣＡＤパターンデータに、光近接効果補正技術（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）やリサイズ処理等の補正がなされたデータである。ここで、ＯＰＣ処理とは、フォトマスクを介して半導体基板であるウエハ上に光を露光する露光装置において、照射光の近接効果の影響により発生する、ウエハ上に形成されるパターンとＣＡＤパターンデータとのずれを補正する処理である。また、リサイズ処理とは、描画装置２による描画処理、露光装置による露光処理あるいは現像装置による現像処理において発生するパターンの拡大・縮小・変形等を相殺するために、ＣＡＤパターンデータを一定の幅だけ拡大あるいは縮小させて、パターンのずれを補正する処理である。上述のＯＰＣ処理およびリサイズ処理は、描画装置２や露光装置あるいは現像装置の固有の特性や、使用するレジスト、ウエハに形成された感光物の材質、現像液の組み合わせ等のプロセス条件等により、個々に設定、変更される。
【００２０】
制御部１１は、フォトマスクのパターンデータ生成装置１を統括的に制御する。
入力部１２は、補正パターンデータ３２が入力されるインターフェースである。
出力部１３は、抽出描画パターン生成部１７により生成された抽出描画パターンを外部に出力するインターフェースであって、描画装置２と接続されている。
なお、入力部１２および出力部１３は、他の装置とデータの受け渡しができる構成であればよく、例えば、記憶媒体と通信可能な構成を有し、データの送受信を行う構成であってもよく、ケーブルやネットワークを介してデータの送受信を行う構成であってもよい。
【００２１】
記憶部１４は、フォトマスクのパターンデータ生成装置１内の制御で用いられる制御データ、および、出力部１３と接続されている描画装置２の描画条件（例えば出射されるレーザ光や電子線等による照射面積、あるいは露光装置２のプロセス条件等）を記憶する。
また、記憶部１４は、描画パターン生成部１５が描画パターンを生成するための描画パターン条件や、微小図形検出部１６が微小図形を検出するための微小図形データ等を記憶している。
【００２２】
ここで、描画パターン条件とは、描画装置２が照射光を基板表面に照射することで、基板表面のレジストにＣＡＤパターンを解像するため、ＯＰＣ補正値に基づき描画パターン生成部１５によって補正された補正パターンデータを、描画装置２の照射面積（描画ショットの大きさ）に従って分割し、分割された複数の分割図形から構成される描画パターンを生成するための条件である。
また、微小図形データとは、光近接効果による解像限界条件であって、光近接効果によって解像される分割図形の大きさの限界値以下の図形である。微小図形データでは、例えば図５，６を用いて後述するとおり、微小図形検出部１６によって、分割図形の高さが、露光装置２の解像限界に基づく高さ規定値以下であるか否かを判定することにより、光近接効果によって解像されない分割図形を検出することができるよう、この解像限界に基づく高さ規定値が設定されている。
【００２３】
なお、解像限界とは、描画装置によって照射される照射光が、感光対象であるフォトマスクのレジストにパターンを描き出すことができる限界であって、解像限界条件が満たされることで、これら照射光は設定されたパターンを照射対象に描き出すことができる。
【００２４】
描画パターン生成部１５は、ＣＡＤパターンデータに補正処理することで補正パターンデータを生成し、補正パターンデータを、描画装置２の照射面積に応じて分割し、分割された分割図形からなる描画パターンデータを生成する。すなわち、描画パターン生成部１５は、記憶部１４から描画パターン条件を読み出し、補正処理がなされた補正パターンデータを、描画装置２の照射面積に応じた複数の分割図形に分割し、補正パターンデータに対応した、複数の分割図形により構成される描画パターンデータを生成する。
【００２５】
ここで、図３，４を用いてより詳細に説明すると、描画パターン生成部１５は、ＣＡＤパターンデータ３１にＯＰＣ処理およびリサイズ処理が施された、図３に実線で示すような補正パターンデータ３２を、入力部１２を介して取得する。続けて、描画パターン生成部１５は、補正パターンデータ３２を、露光装置２の照射面積に応じた複数の分割図形に分割し、複数の分割図形で構成される図４に実線で示すような描画パターンデータ３３を生成する。
なお、本実施の形態において、分割された分割図形は、描画装置２により照射される１ショット分の照射であって、矩形形状である。
【００２６】
微小図形検出部１６は、記憶部１４に記憶されている微小図形データを読み出し、光近接効果に基づき除去すべき微小図形を検出する。すなわち、（１）微小図形検出部１６は、微小図形データに基づき、描画パターン生成部１５により分割された分割図形のうち、分割図形の高さＨが、露光装置２の解像限界に基づく高さ規定値以下であるか否かを判定し、分割図形の大きさが解像限界条件を満たす分割図形を検出する。（２）微小図形検出部１６は、高さＨが高さ規定値以下の分割図形を検出した場合、この検出された分割図形の上辺と底辺の全てが、近接する分割図形の辺と共通しているか否かを判定する。微小図形検出部１６は、上記（１）高さＨが高さ規定値以下であり、かつ（２）上辺と底辺の全てが近接する分割図形の辺と共通する分割図形を微小図形として検出する。
なお、微小図形検出部１６は、検出された分割図形の上辺と底辺の全てが、近接する他の分割図形の辺と共通であるか否かを判定する際、近接する分割図形が微小図形と判定された分割図形は、ともに微小図形として検出しない。また、微小図形検出部１６は、分割図形の高さが高さ規定値以下であるとして微小図形として検出された分割図形の上辺と底辺の全てが、近接する他の分割図形の辺と共通するか否かを判定する方法として、例えば、補正パターンデータを画像処理し、高さ規定値以下と判定された高さＨ方向と直交する方向の辺を上辺および底辺と認識し、この認識された上辺と底辺の座標位置と、近接する分割図形の辺の座標が一致しているか否かを判定する。
【００２７】
図５を用いて詳細に説明すると、微小図形検出部１６は、分割図形から高さＨが解像限界に基づく高さ規定値以下の分割図形３３０を検出すると、検出された分割図形３３０と近接する分割図形３３１，３３２のそれぞれの高さが解像限界に基づく高さ規定値より大きいか否かを判定する。次いで、微小図形検出部１６は、分割図形３３１，３３２の対向する辺３３１Ａ，３３２Ａが、それぞれ分割図形３３０の上辺、底辺の全てと共通する辺となっているか否かを判定する。
図５に示すとおり、分割図形３３０は、上述の条件を全て備えているため、微小図形であると判定される。そして、微小図形検出部１６は、近接する分割図形３３１，３３２が微小図形と判定されていないことを確認し、すなわち、微小図形を判定した後のパターンデータを画像処理し、座標を比較することによって、微小図形同士が隣り合ているか否かを判定する。微小図形検出部１６は、微小図形と判定された分割図形３３０と隣り合う分割図形３３１，３３２が、微小図形と判定されなかった場合、微小図形と判定された分割図形３３０を、微小図形として検出する。なお、微小図形検出部１６は、微小図形と判定された分割図形の隣り合う分割図形３３１，３３２が、微小図形と判定された場合、これら微小図形と判定された分割図形は、微小図形として検出しない。以下、微小図形として検出された分割図形３３０を、微小図形３３０と呼称する。
【００２８】
抽出描画パターン生成部１７は、描画パターン生成部１５により生成された描画パターンから、微小図形検出部１６によって検出された微小図形３３０を除去し、抽出描画パターンを生成する。
【００２９】
ここで、微小図形３３０と光近接効果について、図５，６を用いて詳細に説明する。なお、以下、フォトマスクのレジストにおける解像限界が、描画装置２からの照射光による露光強度＝５０％以上である例について説明する。
図６に示すとおり、描画装置２によって出射された分割図形３３１，３３２のパターンに応じた照射光は、平均的に１００％の露光強度を有し、パターンの外郭部分でその露光強度が徐々に減衰する特性を有する。分割図形３３１，３３２は、上述したとおり、微小図形３３０の高さＨ分だけ離れている。この高さＨは、微小図形データに規定されている高さ規定値以下であって、描画装置２が出射する照射光の照射面積に対して、光近接効果によって解像される分割図形の大きさの限界値以下である。微小図形３３０に対応する領域の露光強度は、分割図形３３１，３３２における光が重なり合うため、微小図形３３０に対応する領域に照射光が照射されていない状態において、露光強度＝５０％強となる。このとき、高さＨは４ｎｍであり、本実施の形態においては１０ｎｍ以下であることが好ましい。
このように、微小図形３３０に対応する部分は、露光強度が５０％以上に確保され、マスクパターンが形成されるレジストの解像限界を超えているため、光近接効果により解像されず、微小図形３３０に対応する照射光の照射の有無を無視することができる。
【００３０】
なお、本実施の形態において、微小図形を検出するための解像限界として、マスクパターンが形成されるレジストの解像限界を例として、描写装置２の装置特性・露光条件あるいはレジストの材質等に基づき決定されるとして説明したが、本発明はこれに限られず、半導体加工時におけるリソグラフィ工程で規定されている解像限界によっても設定可能である。例えば、フォトマスクを介してウエハ上に光を露光する露光装置、あるいは露光されたウエハを現像する現像装置等における解像限界であって、これら露光装置あるいは現像装置の性能や使用される感光体の材料特性等に応じて変更されるものであってもよい。なお、微小図形３３０の上辺と底辺が、分割図形３３１，３３２の辺３３１Ａ，３３２Ａと共有する範囲は、この解像限界に応じて変化し、使用される描画装置、露光装置、あるいは現像装置の性能や精度によって、微小図形３３０の上辺と底辺の全てが分割図形３３１，３３２の辺３３１Ａ，３３２Ａと共通している必要はなく、許容される範囲で設定できる。例えば、描画装置２が、照射光の照射面積が極めて小さい高性能な装置である場合、微小図形３３０の上辺および底辺の全てが、分割図形３３１，３３２の辺３３１Ａ，３３２Ａと共有でなければならないが、描画装置２が、照射光の照射面積がそれほど小さくない低性能な装置である場合は、微小図形３３０の上辺および底辺の全てが共通している必要はなく、微小図形３３０の上辺および底辺の端部においては共通していなくてもよい。
【００３１】
上述のとおり、本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置１は、描画装置２により描画されるパターンから、この微小図形３３０を除去した抽出描画パターンを生成することができる。これにより、描画装置２が微小図形３３０のような微小なパターンを描画することによって発生する補正パターンデータと描画対象に描画されたパターンとのズレによる精度の低下を防止することができる。また、微小図形３３０が抽出描画パターン生成部１７により除去されるため、描画装置２の描画ショット数が低減し、描画時間が削減される。これにより、描画装置２の生産性を向上させ、コスト削減を図ることができる。
また、除去される微小図形３３０は、光近接効果による解像限界条件に基づく高さＨであって、かつ、微小図形３３０の上辺および底辺が近接する分割図形３３１，３３２の辺３３１Ａ，３３２Ａと共通している。言い換えると、微小図形３３０の上辺および底辺は、分割図形３３１，３３２の近接する辺３３１Ａ，３３２Ａと接線を構成している。このため、微小図形３３０に対応する部分が描画されなくても、分割図形３３１，３３２との間に切れ目が生成されることはなく、連続したパターンを感光物に形成することができる。
【００３２】
次に、図７を用いて、フォトマスクのパターンデータ生成方法を含む処理フローの一例について説明する。図７は、本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成方法の一例を示すフローチャートである。
図７に示すとおり、情報処理装置によってフォトマスクのパターンが設計されたＣＡＤパターンデータが生成されると（ＳＴ１）、このＣＡＤパターンデータに対して、ＯＰＣ処理（ＳＴ２）およびリサイズ処理（ＳＴ３）がされた補正パターンデータが、入力部１２を介して入力される。描画パターン生成装置１５は、この補正パターンデータを複数の分割図形に分割し、描画パターンデータを生成する（ＳＴ４）。
微小図形検出部１６は、微小図形データに基づき、描画パターン生成部１５により生成された描画パターンデータに、微小図形があるか否かを検出する（ＳＴ５）。微小図形が検出された場合、微小図形検出部１６は、検出された微小図形の位置を特定する情報を抽出描画パターン生成部１７に出力する。
微小図形検出部１６から微小図形の位置を特定する情報が入力された場合、抽出描画パターン生成部１７は、この微小図形の位置を特定する情報に基づき、描画パターン生成部１５によって生成された描画パターンデータから、微小図形を除去し、抽出描画パターンデータを生成する（ＳＴ６）。
【００３３】
なお、上述のフォトマスクのパターンデータ生成装置１や描画装置２における動作の過程は、コンピュータに実行させるためのプログラムや、このプログラムとしてコンピュータ読み取り可能な記録媒体として利用可能であり、コンピュータシステムが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＣＰＵ及び各種メモリやＯＳ、周辺機器等のハードウェアを含むものである。
また、「コンピュータシステム」は、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、Ｗｅｂページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。
また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の書き込み可能な不揮発性メモリ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。
【００３４】
さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ））のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に記憶したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組合せで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。
【００３５】
なお、本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置１は、上述の構成に限られず、例えば、フォトマスクのパターンデータ生成装置１と描画装置２とが一体的に形成されている装置に搭載される構成であってもよい。この場合、描画条件等の描画装置２に関する情報を記憶部１４で共有することができる。
また、本発明にかかる微小図形検出部１６および抽出描画パターン生成部１７は、描画装置２側に搭載される構成であってもよい。この場合、予め生成された複数の分割図形に分割された描画パターンデータを受け取り、この描画パターンデータを用いて、自身の描画条件に基づき抽出描画パターンデータを生成し、この抽出描画パターンに基づく照射光を出射することができる。これにより、ＣＡＤパターンデータから描画パターンデータを生成する描画パターン生成部１５を備えていない描画装置においても利用可能である。
さらに、本実施の形態にかかる抽出描画パターン生成部１７は、微小図形検出部１６によって検出された微小図形を除去することで、抽出描画パターンを生成する構成を例に説明したが、本発明はこれに限られず、例えば、微小図形検出部１６によって検出された微小図形以外の分割図形を抽出し、抽出された分割図形から構成される抽出描画パターンを生成する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成装置の一例を示すブロック図である。
【図２】本実施の形態で説明するＣＡＤパターンデータの一例を示す概略図である。
【図３】本実施の形態で説明する補正パターンデータの一例を示す概略図である。
【図４】本実施の形態で説明する描画パターンデータの一例を示す概略図である
【図５】本実施の形態で説明する微小図形の一例を示す概略図である。
【図６】図５に示した微小図形の光近接効果を説明するための図である。
【図７】本発明にかかるフォトマスクのパターンデータ生成方法の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３７】
１  フォトマスクのパターンデータ生成装置
２  描画装置
１１  制御部
１２  入力部
１３  出力部
１４  記憶部
１５  描画パターン生成部
１６  微小図形検出部
１７  抽出描画パターン生成部
３１  ＣＡＤパターンデータ
３２  補正パターンデータ
３３  描画パターンデータ
３３０  微小図形
３３１  分割図形
３３２  分割図形
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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