(57)【要約】【課題】従来のメモリカードとの互換性を確保しつつデータ伝送の高速化を可能とする、内部にデータ格納用の素子を備えたメモリカードを提供する。【解決手段】メモリカードは、情報を格納する記憶素子を内蔵し、さらに記憶素子に記録すべき情報または記憶素子から読み出した情報に関する電気信号を入出力するためのコンタクトパッド群を長さ方向の前方端に有する。さらにメモリカードは、少なくとも一部の前記コンタクトバッド間を隔離する隔壁からなるリブの内、少なくとも一部のリブで、リブの頂上部を含む部位に、追加のコンタクトパッドを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を格納する記憶素子を内蔵し、さらに前記記憶素子に記録すべき情報または前記記憶素子から読み出した情報に関する電気信号を入出力するための複数のコンタクトパッドを長さ方向の前方端に有し、さらに少なくとも一部の前記コンタクトバッド間を隔離する隔壁からなるリブを有したメモリカードにおいて、
前記リブのうち、少なくとも一部のリブで、少なくとも頂上部を含む部位に、追加のコンタクトパッドを有することを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
前記追加のコンタクトパッドを有するリブを長さ方向に垂直な面を視たとき、前記追加のコンタクトパッド頂上部が、上向きに凸の形状になることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項３】
前記追加のコンタクトパッドを有するリブで、長さ方向を視たとき、少なくともコンタクトパッドが形成されている範囲が、三角柱を倒した形状のリブであり、前記三角柱を倒した形状のリブの頂上部を含む部位に、追加のコンタクトパッドを有することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項４】
前記リブに隣接する前記コンタクトパッドが、プリント基板の銅箔の一部領域から形成され、前記追加のコンタクトパッドを有するリブで、長さ方向を視たとき、少なくともコンタクトパッドが形成されている範囲が、周辺のリブとは異なる部材からなり、前記プリント基板の銅箔と半田付けにより接合されたことを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項５】
前記追加のコンタクトパッドを有するリブで、長さ方向を視たとき、少なくともコンタクトパッドが形成されている範囲が、周辺のリブとは異なる部材からなり、さらに前記プリント基板の銅箔と半田付けにより接合される領域にスルーホールを形成し、前記周辺のリブとは異なる部材には、前記スルーホールにはめ込み、半田付けできる金属足を有することを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データを格納する不揮発性記憶素子を内蔵するメモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体材料からなるマスストレージフラッシュメモリデバイスを用いた小型のメモリカードが、新しいリムーバブルメディアとして定着してきた（非特許文献１参照）。これは、メモリデバイス自身の急速な進歩による大容量化とコストダウン、および実装技術の進化により安価で大容量なカードが製造可能になったこと、及び、情報の圧縮技術や、通信インフラの整備や、セキュリティ技術の進歩等と、デジタル情報家電製品が急速に進化したことを要因とする。その中でもＳＤメモリカード（登録商標）は、最も普及したカードフォーマットのひとつである。
【０００３】
ＳＤメモリカードは３２mm×２４mm×２．１mmの寸法のリムーバブルメディアである。ＳＤメモリカードは、それを使用する機器（以下「ホスト機器」と称する。）に設けられたソケットに挿入されて使用される（特許文献１、２参照）。ＳＤメモリカードは９つのコンタクトパッドを有し、ホスト機器に設けられたソケットを介して、ホスト機器と電気的な通信を行いＳＤメモリカードに格納されているデータの読み出しや、ホスト機器からＳＤメモリカードへのデータの書込みが可能となる。
【０００４】
図１４に従来のＳＤメモリカードにおけるコンタクトパッドが配置された部分の構成を示す。ＳＤメモリカード１０は、従来のホスト機器に実装された従来のソケットに挿入され、メモリカードの装着（メモリカードの固定）、およびメモリカードが装着されたことの検出、誤書込み防止スイッチの位置検出が行われ、その後、メモリカードと電気的な接続が行なわれる。
【０００５】
図１４に示すように、従来のＳＤメモリカード１０はコンタクトパッド１０１〜１０９を有している。図１５は、従来のＳＤメモリカード１０に対応した従来のソケットの構成を示す（非特許文献１参照）。
【０００６】
ＳＤメモリカード１０のコンタクトパッド１０１〜１０９は、通常、プリント基板上に形成され、金メッキが施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−７１１７５号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９２９０号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＳＤメモリカードスタイルブック、インプレス編集部ほか著、インプレスジャパン発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＳＤメモリカードのコンタクトパッドとは、物理的に形状を持った、電気的に接続するための電極を意味するが、この電気的な出入口となる構成要素を概念的に「ピン」と称し、信号の意味付けなどを定義する際には「ピン」という用語を用いることがある。表１はＳＤメモリカードの各ピンの配列と意味を説明した表である。ＳＤメモリカードは９つのピン（コンタクトパッド）を有し、９つのピンには、電源やグランド電位を供給するもの、データ、コマンドおよびレスポンスの信号を伝送するものや、これらの信号を同期化させるためのクロックを伝送するものが含まれる。
【００１０】
【表１】
2010257394.tif 000003
【００１１】
ＳＤメモリカードはいくつかの動作モードを有し、動作モードに応じて、９つのピンの中の幾つかのピンはその意味付けが切り替えられる。現在のＳＤメモリカードにおいて、データを最も効率的に伝送可能な動作モードでは、データの入出力（伝送）を行うピンとして４個のピンが割り当てられている。すなわち、一度に４系統のデータ、即ち、１クロックサイクルで４ビットのデータが伝送できる構成である。
【００１２】
近年、ＳＤメモリカードにおいて、高細精度化されて行くコンテンツの記録や、動画のリアルタイム記録のために、さらなる高速なデータ伝送が要求されるようになってきた。
【００１３】
ＳＤメモリカードにおけるデータ伝送速度を高速化するためには、例えば、データピンの数を増やすことが考えられる。例えば、ＳＤメモリカードの場合、従来の４個のデータピンを８個、１６個等に増やすことが考えられる。しかし、データピンの数を増加させるためには、現行のコンタクトパッドの配列や形状の変更が必要になる。例えば、現行のコンタクトパッド列の後方に２列目、３列目のパッドの配列を設ける方法が考えられる。
【００１４】
また、ＳＤメモリカードのコンタクトパッド列が見える面と反対側の面に第２のコンタクトパッド列を設ける方法などもある。
【００１５】
しかしながら、複数のカード種類に対応するマルチカードタイプソケットの場合すでに、これらの２列目、３列目、もしくは第２のコンタクトパッド列の領域に、他のカードタイプ用のコンタクトピンを設置している場合が多く、これらの方法では、コンタクトパッドに異なる信号などが接続され、従来のホスト機器との互換性を保つことが難しいという問題がある。
【００１６】
また、データ伝送の高速化のための別の方法として、データの伝送クロックの周波数を増加し、伝送レートを増やすことが考えられる。しかし、伝送クロックの周波数を増加すると、伝送路は他の信号線からのカップリングの影響を受けたり、インピーダンスマッチングのズレによる信号線の反射波による波形品質が低下したりするため、充分な伝送クロックの周波数増は困難である。
【００１７】
上記のようにＳＤメモリカードにおいて高速化の要求が高まる一方で、ＳＤメモリカードに対しては、すでに多くのホスト機器が生産されている。それらのホスト機器群はＳＤメモリカードをブリッジメディアとして活用し、互いにデータやコンテンツを受け渡ししているため、新しいＳＤメモリカードに対して、従来のホスト機器に対する互換性が要求される。
【００１８】
逆に、高速伝送が可能な新しいＳＤメモリカードに対応するホスト機器（ソケット）に、従来のＳＤメモリカードが挿入された場合でも、少なくとも従来のモードでの動作や速度性能を引き出せることが要求される。すなわち、新しいＳＤメモリカードに対応しつつ、従来のＳＤメモリカードにも対応するソケットが要求される。
【００１９】
本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、従来のメモリカードとの互換性を確保しつつデータ伝送の高速化を可能とする、内部にデータ格納用の素子を備えたメモリカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
メモリカードの高速性能を飛躍的に向上させるためには、少なくともデータ伝送に関わるピンの信号振幅を小さくし、遷移時間を短縮させ、安定な波形を得るとともに、差動型動作を実現し、駆動する周波数を大幅に向上させても安定な動作を確保し、かつ、不要ふく射を抑えることが必要となる。そのために、メモリカードのコンタクトパッドを従来のコンタクトパッドとは独立して、かつ、従来のソケットに挿入しても不具合を起こさない部位に、必要なピン数の増加させる必要がある。
【００２１】
本実施形態のメモリカードでは、従来のコンタクトパッド間にあるリブ部に、リブの高さに準じた位置に、高速データ転送専用の追加のピン（コンタクトパッド）を設けることにより、これらの問題を回避し、カードの高速性能を飛躍的に向上させた。
【００２２】
本発明に係るメモリカードは、情報を格納する記憶素子を内蔵し、さらに記憶素子に記録すべき情報または記憶素子から読み出した情報に関する電気信号を入出力するためのコンタクトパッド群を長さ方向の前方端に有する。メモリカードは、メモリカードの幅方向に並置された従来のコンタクトパッドに加え、前記コンタクトバッド間を隔離するリブの内、一部のものは、少なくとも頂上部を含む部位に、追加のコンタクトパッドを有する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のメモリカードによれば、従来のメモリカードにおけるピン（コンタクトパッド）については、そのままの形状を維持し、コンタクトバッド間にあるリブ部に、差動信号を伝送するための専用ピンを増設する。
【００２４】
このようなピン構成により、高速動作モードにおいては、リブ部に追加した高速データ転送専用のピンに差動信号を伝送するとともに、隣接する従来のピンを所定電位に固定し、通常モードにおいては、リブ部に追加したピンをハイインピーダンスにするとともに、隣接する従来のピンを所定の信号（コマンド／レスポンス、クロック）の伝送に用いることが可能となる。これにより、従来との互換性を保持しつつ高速なデータ伝送が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態のメモリカードの斜視図
【図２】本発明の実施形態のメモリカードの平面図
【図３】本発明の実施形態のメモリカードのコンタクトパッドが配置された部分を示す図
【図４】本発明の実施形態のメモリカードのコンタクトパッドが配置された部分の断面図
【図５】本発明の実施形態のメモリカードに対応したソケットの構成を示す図
【図６】本発明の実施形態のメモリカードと対応したソケットとの追加ピンの接続関係を示す図
【図７】本発明の実施形態のメモリカードに含まれる差動型インターフェース回路の構成図
【図８】本発明の実施形態のソケットに本発明の実施形態のメモリカードが挿入されたときの接続状態を示す図
【図９】本発明の実施形態のソケットに本発明の実施形態のメモリカードが挿入されたときの追加ピンの接続状態を示す斜視図
【図１０】本発明の実施形態のソケットに本発明の実施形態のメモリカードが挿入されたときの追加ピンの接続状態を示す断面図
【図１１】本発明の実施形態のソケットに従来のメモリカードが挿入されたときの接続状態を示す図
【図１２】本発明の実施形態のソケットに従来のメモリカードが挿入されたときの追加ピンのリブへの乗り上げ状態を示す斜視図
【図１３】従来のソケットに本発明の実施形態のメモリカードが挿入されたときの接続状態を示す図
【図１４】従来の実施形態のメモリカードのコンタクトパッドが配置された部分を示した図
【図１５】従来のメモリカードに対応したソケットの構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００２７】
１．メモリカードの構成
図１に本発明の一実施形態のＳＤメモリカード（以下「メモリカード」と称す。）の斜視図を示す。図２に、メモリカード２０の平面図、背面図、側面図、前面図を示す。図３は、メモリカード２０のコンタクトパッドが配置された部分を示した図である。また、図４は、図３におけるＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’線で切断したときの断面図を示している。メモリカード２０は内部に情報を格納するフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶素子を含む、記憶素子に書き込まれるデータまたは記憶素子から読み出されたデータはコンタクトパッドを介して外部機器とやりとりされる。
【００２８】
図１ないし３に示すように、本実施形態のメモリカード２０は、前方に電気的接続を得るためのコンタクトパッド２０１〜２０９、および追加のコンタクトパッド２１１〜２１４を有する。メモリカード２０のコンタクトパッド２０１〜２０９は、従来のメモリカード１０のコンタクトパッド１０１〜１０９に対応する。そして、従来のメモリカード１０のコンタクトパッド１０１〜１０３、および１０４〜１０６が配置される部位の各コンタクトパッドを隔離するリブの位置に、本実施形態のメモリカード２０の追加のコンタクトパッド２１１〜２１２、および２１３〜２１４が配置されている。
【００２９】
本実施形態のメモリカード２０では、従来のコンタクトパッドの近傍に追加のコンタクトパッドを設けるため、マルチカードタイプソケットの他のコンタクトピンは従来のコンタクトパッドを回避し、結果として、追加のコンタクトパッドも回避されるので、干渉される心配が無い。
【００３０】
表２は、本実施形態のメモリカード２０の各ピンの配列と意味を説明した表である。動作モード（ＳＤモード、高速モード）に応じて一部のピンに対する意味づけが異なっている。ＳＤモードは通常の動作モードであり、従来のＳＤカードにおいて定められた動作モードである。高速モードはＳＤモードよりも高速なデータ転送が可能なモードである。
【００３１】
【表２】
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【００３２】
特に、高速モードにおいて、コンタクトパッド２１１とコンタクトパッド２１２は対をなし、１ビットの差動データ信号を送受信する。同様に、コンタクトパッド２１３とコンタクトパッド２１４は対をなし、１ビットの差動データ信号を送受信する。ＳＤモードでは、コンタクトパッド２０７〜２０９、２０１を用いて４ビットのデータを送受信していたが、高速モードでは、コンタクトパッド２１１とコンタクトパッド２１２の対と、コンタクトパッド２１３とコンタクトパッド２１４の対とを用いて２ビットのデータを送受信する。高速モードの方がＳＤモードよりも同時に伝送されるビット数は少ないが、高速モード時の動作クロックの周波数がＳＤモードよりも飛躍的に高いため、結果として高速なデータ伝送が実現される。
【００３３】
２．ソケットの構成
図５に本実施形態のメモリカード２０に対応したソケット（以下「本実施形態のソケット」という。）６０の構成を示す。
【００３４】
本実施形態のソケット６０は、コンタクトピン６０１〜６０９、６１１〜６１４を有する。コンタクトピン６０１〜６０９は、従来のソケット５０のコンタクトピン５０１〜５０９に対応する。コンタクトピン６１１〜６１４は、メモリカード２０のコンタクトパッド２１１〜２１４と電気的接続を得るために設けられたピンであり、コンタクトピン６０１〜６０９よりも高い位置、すなわち、コンタクトパッド２１１〜２１４の頂点部分に接したとき、適切な接圧になるべく設計している。本実施形態のソケット６０には、本実施形態のメモリカード２０のみならず、従来のメモリカード１０も挿入することができるようになっている。
【００３５】
コンタクトピン６１１〜６１４は、メモリカード２０の追加のコンタクトパッド２１１〜２１４、もしくは従来カード１０のリブにスライドするのだが、コンタクトパッド２１１〜２１４も、従来カード１０のリブも、その幅は凡そ 0.6mm 以下と非常に狭い。そこで、コンタクトピン６１１〜６１４は、逆に接点部分をパンタグラフの如く、幅広にすることにより脱落を防ぐことができる。また、コンタクトピン６１１〜６１４は、隣接するコンタクトピンと高さが異なることから、幅広に成形し易いというメリットもある。
【００３６】
３．メモリカードの動作
本実施形態のメモリカード２０のデータ転送動作について説明する。本実施形態では、２系統のデータ転送用のピンを有する。１つはコンタクトパッド２０１、２１１、２０３、２１２、および２０４を用いるデータ転送の系統であり、他の１つはコンタクトパッド２０４、２１３、２０５、２１４、および２０６を用いるデータ転送の系統である。
【００３７】
最初に、コンタクトパッド２０１、２１１、２０３、２１２、および２０４を用いたデータ転送について説明する。
【００３８】
図６に示すように、コンタクトパッド２１１、２１２はデータの差動入出力用のパッドである。これらのパッド２１１、２１２は、メモリカード２０内部で差動型インターフェース回路に接続されている。図７にこの差動型インターフェース回路の構成例を示す。
【００３９】
図７に示すように、差動型インターフェース回路３０は、メモリカード２０へのデータ入力時に動作する差動入力回路３１と、メモリカード２０からのデータ出力時に動作するデータ出力回路３２とを含む。差動入力回路３１は、コンタクトパッド２１１、２１２を介して入力した入力データの信号レベルの差を検出し、後段に伝達する。差動入力回路３１は２５０mV以下の小さな信号振幅でも高速にセンス可能に設計されている。
【００４０】
データ出力回路３２は、メモリカード２０内部の不揮発性記憶素子（フラッシュメモリ）から読み出したデータを、コンタクトパッド２１１、２１２へ出力するための回路である。データ出力回路３２は、ｎ型トランジスタ３０１、３０３と、ｐ型トランジスタ３０２、３０４と、定電流源３０５、３０６とで構成されている。コンタクトパッド２０５ａ、２０５ｂに出力される信号の振幅は、端子３０７、３０８の電圧で定まる。データ出力回路３２は、ミラーカレントの構成になっており、トランジスタを非飽和状態で高速に動作させることができ、一定のスルーレートで出力を駆動することができる。このため、出力振幅を例えば２５０mV以下の小振幅に抑えることで、極めて高速でデータを伝送させることが可能となる。なお、データ入力時は、トランジスタ３０１〜３０４はオフするように、それぞれのゲート電圧が制御される。また、コンタクトパッド２０５ａ、２０５ｂからの出力をハイインピーダンス状態にするときも同様に、トランジスタ３０１〜３０４はオフに制御される。
【００４１】
メモリカード２０に電源投入後、メモリカード２０に対するコマンドにより高速モードに移行するまでの間は、この差動型インターフェース回路３０はディセーブル（disable）状態に制御されており、この間、コンタクトパッド２０１、２０２は、従来のメモリカード１０のコンタクトパッド１０１、１０２と同じ機能を果たしている。高速モードに移行後は、コンタクトパッド２０１、２０２は、「Ｌ」レベルもしくは「Ｈ」レベルの固定電位を出力するよう制御される。また、コンタクトパッド２０３はグランドのピンであり、所定電位がホスト機器より供給されている。このように、データを高速伝送するコンタクトパッド２１１、２１２を、固定電位のコンタクトパッド２０１、２０２、２０３で包囲することにより、メモリカード２０の基板上およびソケットのコンタクトピンの構成上で不要な干渉を防ぐとともに、伝送路の特性インピーダンスを安定化させている。
【００４２】
コンタクトパッド２１１、２１２は、差動型インターフェース回路３０のみに接続されており、従来のＳＤメモリカードに含まれる従来のインターフェース回路には接続されない。したがって、従来のＳＤメモリカードのインターフェース回路が有する入出力静電容量より小さい入出力静電容量で差動型インターフェース回路３０を設計できる。つまり、コンタクトパッド２１１、２１２の静電容量は、従来のＳＤメモリカードのコンタクトバッドの静電容量より小さくすることが可能であり、それにより、より高速に動作させることが可能となる。
【００４３】
もう１つのデータ転送の系統であるコンタクトパッド２０４、２１３、２０５、２１４および２０６を用いたデータ転送についても、基本的には、先のデータ転送の系統の場合と同様である。コンタクトパッド２１３、２１４に対してもインターフェース回路３０と同様の回路が接続されている。ただし、コンタクトパッド２０５は、コマンドによる高速モードへの移行後は、「Ｌ」レベルまたは「Ｈ」レベルの固定電位を出力するよう制御される。これにより、データを高速伝送するコンタクトパッド２１３、２１４が、固定電位のコンタクトパッド２０４、２０５、２０６で挟まれ、よって、メモリカード２０の基板上およびソケットのコンタクトピンの構成上で不要な干渉を防ぐとともに、伝送路の特性インピーダンスを安定化させている。なお、コンタクトパッド２０５は、カードに電源が投入後、コマンドにより高速モードに移行するまでの間は、従来のＳＤメモリカードのコンタクトパッド１０５と同じ機能を果たす。
【００４４】
上記の構成により、各データ転送の系統で２．５GHzのレートでのデータ転送が可能となる。また、伝送データを平準化、即ち、データの「Ｌ」、「Ｈ」のバランスを改善するために、データの変調を行なったとしても、２５０MB/sのデータ転送性能が得られ、２系統のデータ転送のピンにより最大５００MB/sのデータ転送性能が得られる。
【００４５】
（メモリカードの活線挿抜の考慮）
本実施形態のソケット６０または従来のソケット５０の電源ピンや入力ピンに電圧が印加された状態で、本実施形態のメモリカード２０をソケット６０または５０に挿入した場合、従来のＳＤメモリカードの場合と同様、コンタクトパッド２０３（グランド）とコンタクトパッド２０４（電源）が最初にソケットのコンタクトピンと接続される。このとき、本実施形態のメモリカード２０において、増設されたコンタクトパッド２１１〜２１４は、いずれもハイインピーダンス状態になるべく設計されている。このため、ホスト機器側にもメモリカード側にもダメージを与える心配がない。
【００４６】
４．メモリカードとソケットの接続状態
図８は、本実施形態のソケット６０に本実施形態のメモリカード２０が挿入されたときの接続状態を示した図である。図９、１０はそれぞれ、本実施形態のソケット６０に本実施形態のメモリカード２０が挿入されたときの追加ピンの接続状態を示す斜視図及び断面図である。メモリカード２０は、ソケット６０の各コンタクトピンがメモリカード２０の対応する各コンタクトパッドに電気的に接続される。これにより、メモリカード２０において高速モードの動作が可能となる。
【００４７】
図１１は、本実施形態のソケット６０に従来のメモリカード１０が挿入されたときの接続状態を示した図である。図１２は、本実施形態のソケット６０に従来のメモリカード１０が挿入されたときの追加ピンのリブへの乗り上げ状態を示す斜視図である。ソケット６０のコンタクトピン６１１〜６１４は、従来のメモリカード１０の絶縁物からなるリブの頂点部をなぞるだけで、いずれのコンタクトパッドにも接続されない。
【００４８】
仮に、メモリカード２０の追加されたコンタクトパッド２１１〜２１４を、位置を変えずに、従来と同じコンタクトパッド２０１〜２０９と同一平面上に形成したとすると、メモリカード１０のリブを一部除去し、リブを除去した領域にコンタクトパッドを形成することになる。この場合、対応するソケットのコンタクトピン６１１〜６１４は、コンタクトパッド２０１〜２０９と同一平面を押し当てて接続するため、この時の接圧が最適になるよう設計する。
【００４９】
しかしながら、この場合のソケットに従来のメモリカード１０を挿入すると、このときは、ソケットのコンタクトピン６１１〜６１４は、座屈を回避するために、メモリカード１０のリブの頂点をスライドさせなければならない。
【００５０】
リブの高さ（コンタクトパッド２０１〜２０９との段差）は、0.7mm あるため、コンタクトピンは、長くしない限り大きな負担がかかる。また、コンタクトピンが長くなる分、ソケットも奥行きが長くなるという問題を生じる。さらに、コンタクトピンの上下の変動量が大きくなるということは、コンタクトピンの上下変動に伴う角度変動も大きくなり、コンタクトピンがリブの頂点をスライドするとき、コンタクトピンの先端が跳ね上がるため、ソケットの厚さも厚くしなければならないという問題も生じる。
【００５１】
本発明の場合は、メモリカード２０の追加されたコンタクトパッド２１１〜２１４、および、従来のメモリカード１０のリブ、ともに、同等の高さであるため、ソケットのコンタクトピン６１１〜６１４の上下の変動量は最小に留めることができ、従来のソケットと同等の長さにすることが可能である。また、ソケットの厚さは、リブの厚さ分、0.7mm のみの増加に留めることが可能である。
【００５２】
図１３は、従来のソケットに本実施形態のメモリカード２０が挿入されたときの接続状態を示す。このように、本実施形態のメモリカード２０は従来のソケットに対しても使用可能である。
【００５３】
５．まとめ
本実施形態によれば、従来のメモリカードにおける一部のリブに追加のピンを設ける。このようなピン構成により、高速動作モードにおいては、従来のメモリカードのピンを挟む、対となる追加のピンに差動信号を伝送するとともに、隣接するピンを所定電位に固定する。また、通常モードにおいては、対となる追加のピンをハイインピーダンスにするとともに、隣接するピンを所定の信号（コマンド／レスポンス、クロック）の伝送に用いることが可能となる。これにより、高速なデータ伝送が可能となる。
【００５４】
具体的には、従来のＳＤメモリカードの場合、データの伝送クロックの周波数は、１００MHz程度が実用上の最大であり、データ転送レートは５０MB/s程度が最大である。一方、本実施形態の方法を用いた場合、２．５GHz程度のデータの伝送クロックが可能になる。また、データの「Ｌ」、「Ｈ」のバランスを改善するために、データの変調を行なったとしても、シリアルで転送して、約２５０MB/sのデータ転送レートが可能となり、５倍の高速性効果が期待できる。さらに、データは２つのビットに分割し、同時に２つの、ペアとなるコンタクトパッド群から伝送できるので、１０倍の高速性効果が期待できる。また、さらにデータの伝送クロックの周波数を上げることも可能なので、上記以上の効果も期待できる。
【００５５】
また、高速化に対応したＳＤメモリカードでも、従来のホスト機器で制御できる動作モードを保持し、従来のホスト機器のソケットのコンタクトピンに接続できる本発明を適用することで、従来のホスト機器との互換性を保つことが可能になる。
【００５６】
なお、本実施形態での説明は、ＳＤメモリカードでのデータ転送性能の大幅な改善の説明をしたが、ＳＤＩＯカードでも同様に本発明の思想を適用することで、互換性を保ちつつ、データ転送性能を改善できる。
【００５７】
また、上記説明では、メモリカードとしてＳＤメモリカードを一例として用いたが、メモリカードはこれに限られず、内部に集積回路を有し、同一平面上にコンタクトパッドを形成するもので、コンタクトパッド間に隔離用のリブがあれば、他の形式のものでもよい。例えば、メモリスティック等でもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明のメモリカードは、従来との互換性を確保しつつデータ伝送の高速化を可能できるため、高速なデータ伝送が要求されるアプリケーションにおいて有効である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  従来のメモリカード
２０  本発明の実施形態のメモリカード
３０  差動型インターフェース回路
３１  差動入力回路
３２  データ出力回路
５０  従来のソケット
５２  停止部
６０  本発明の実施形態のソケット
６２  停止部
１０１〜１０９  従来のメモリカードのコンタクトパッド
２０１〜２０９、２１１〜２１４  本発明の実施形態のメモリカードのコンタクトパッド
５０１〜５０９  従来のソケットのコンタクトピン
６０１〜６０９、６１１〜６１４  本発明の実施形態のソケットのコンタクトピン
【図１】
2010257394.tif 000005
【図２】
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【図３】
2010257394.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010257394.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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