(57)【要約】【課題】レジスト寸法精度を向上させ、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させる。【解決手段】第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出し、第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差を算出し、前記ベストフォーカス差と所定の閾値とを比較し、前記ベストフォーカス差が前記閾値より大きい場合は、前記第１の設計パターンを補正して第２の設計パターンを作成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出し、
第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差を算出し、
前記ベストフォーカス差と所定の閾値とを比較し、
前記ベストフォーカス差が前記閾値より大きい場合は、前記第１の設計パターンを補正して第２の設計パターンを作成する、
ことを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出し、
第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差となる第１のベストフォーカス差を算出し、
前記第１の露光条件を変更して第２の露光条件を求め、
前記第２の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差となる、前記第１のベストフォーカス差よりも小さい第２のベストフォーカス差を算出し、
前記第２のベストフォーカス差と所定の閾値とを比較し、
前記第２のベストフォーカス差が前記閾値より大きい場合は、前記第１の設計パターンを補正して第２の設計パターンを作成する、
ことを特徴とするパターン作成方法。
【請求項３】
前記第１のパターン及び前記第２のパターンは、前記第１の設計パターン中の隣接パターンまでの距離が互いに異なる設計パターンにそれぞれ対応して作成されたマスクパターンであり、前記第１の設計パターンを補正する場合には、前記第１のパターン及び前記第２のパターンに対応する前記設計パターンのうち、隣接パターンまでの距離が大きい設計パターンを補正することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１の露光条件は、露光装置の投影光学系の球面収差を含み、前記球面収差を調整して前記第２の露光条件を求めることを特徴とする請求項２に記載のパターン作成方法。
【請求項５】
第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出する手順と、
第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差を算出する手順と、
前記ベストフォーカス差と所定の閾値とを比較する手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするパターン検証プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン作成方法及びパターン検証プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
転写されるパターンの寸法、周期が露光装置の解像限界付近になると、露光量誤差やフォーカス誤差に対する寸法変化量が大きくなる。露光装置の性能、すなわち露光量制御精度及びフォーカス制御精度に対して、要求される寸法精度が厳しいパターンは使用しないことが望ましい。このようにして回路パターン設計上許容できるパターン種類が定義された情報をデザインルールと呼ぶ。例えば、デザインルールには、パターン設計に使用できるラインパターンのラインとスペースの組み合わせが記述される（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
半導体デバイスの製造においては、例えば、転写倍率１／４の投影光学系、波長１９３ｎｍの露光光を用いて、ハーフピッチ４５ｎｍ程度の微細パターンが形成される。この場合、マスクパターンのハーフピッチは１８０ｎｍであり、露光波長よりも微細になる。また、マスクパターンを照明する照明光に関し、入射角が最大約２０度の斜め入射の光を使用することがある。このような条件の下では、マスクパターンを単純な薄膜物体とみなす近似では光の回折の状態を説明できない。そのため、マスクパターンの立体構造を考慮し、厳密な電磁場解析に基づいて光の回折を計算する必要性が指摘されている（例えば非特許文献１参照）。以下、マスクパターンの立体構造に起因して発生する現象を「マスク３Ｄ効果」と称する。
【０００４】
別の例として、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）露光を露光光とし、反射型マスクと、転写倍率１／４であってミラー光学系からなる投影光学系を用いて、ハーフピッチ３２ｎｍ程度の微細パターンが形成される。この場合、マスクパターンのハーフピッチは波長に比べて十分大きいが、反射型マスクであるために、マスクは照明の光軸がマスクパターン面の法線から６〜８度傾いた状態で、照明されることになる。このような条件下でも、結像の振る舞いをより正しく説明するために、マスク３Ｄ効果の考慮が必要であることが知られている。
【０００５】
レジストパターン形成における、マスク３Ｄ効果による現象として、パターンの形状、特に密集度に依存して、ベストフォーカスのウェーハ位置が変化すること（以下、パターン間ベストフォーカス差と称する）が、最近の研究の結果明らかになってきた。これは、マスクにおいて発生する複数の回折光の間に、位相差が発生することに起因する。詳しく言えば、０次回折光と１次回折光の間に、マスクに起因して位相差が発生し、その位相差がパターンピッチに依存して変わる、ということであり、薄膜物体近似では予測されない現象である。
【０００６】
同一マスクに存在する２種類以上の焦点深度の狭いパターンにおいてパターン間ベストフォーカス差が発生すると、それらのパターンの寸法精度を両立させることが困難になり、半導体デバイス生産の歩留まりが低下するという問題があった。
【特許文献１】特開２００１−１４３７６号公報
【非特許文献１】Tom V Pistor、「フォトマスクにおける斜入射の影響のモデリング（Modeling Oblique Incidence Effects in Photomasks）」、オプティカル・マイクロリソグラフィ・XIII（Optical Microlithography XIII）、エスピーアイイー（SPIE）第４０００巻、２０００年、ｐ．２２８−ｐ．２３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、レジスト寸法精度を向上させ、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができるパターン作成方法及びパターン検証プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるパターン作成方法は、第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出し、第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差を算出し、前記ベストフォーカス差と所定の閾値とを比較し、前記ベストフォーカス差が前記閾値より大きい場合は、前記第１の設計パターンを補正して第２の設計パターンを作成するものである。
【０００９】
本発明の一態様によるパターン作成方法は、第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出し、第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差となる第１のベストフォーカス差を算出し、前記第１の露光条件を変更して第２の露光条件を求め、前記第２の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差となる、前記第１のベストフォーカス差よりも小さい第２のベストフォーカス差を算出し、前記第２のベストフォーカス差と所定の閾値とを比較し、前記第２のベストフォーカス差が前記閾値より大きい場合は、前記第１の設計パターンを補正して第２の設計パターンを作成するものである。
【００１０】
本発明の一態様によるパターン検証プログラムは、第１の設計パターンに基づいて作成された第１のマスクパターンの中から、互いに異なる第１のパターン及び第２のパターンを抽出する手順と、第１の露光条件に基づいて、前記第１のパターンと前記第２のパターンのベストフォーカス差を算出する手順と、前記ベストフォーカス差と所定の閾値とを比較する手順と、をコンピュータに実行させるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、レジスト寸法精度を向上させ、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１に本発明の実施形態に係るパターン作成方法を説明するフローチャートを示す。
【００１４】
（ステップＳ１０１）初期デザインルールを設計する。例えば、レイアウトパターンの基本となるラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）のライン（Ｌ）幅とスペース（Ｓ）幅の最大値、最小値をそれぞれ規定する。
【００１５】
そして、最大値と最小値との間の値を所定間隔で規定し、ライン幅及びスペース幅の各組み合わせについての光学像が解像可能（設計可能）であるか否かを検出する。これにより、図２に示すようなマトリクス状のデザインルール（初期デザインルール）が得られる。図２の斜線部分が設計可能なライン幅とスペース幅の組み合わせとなる。
【００１６】
ここで、光学像が解像可能であるか否かは、光学シミュレーションで判定しても良く、また、実際に露光を行って形成されたパターンを観察して判定しても良い。
【００１７】
そして、初期デザインルールを満たす第１の設計パターンを作成する。続いて、第１の設計パターンに対応するマスクパターンを、ＯＰＣ（Optical Proximity Correction：光近接効果補正）による補正分を考慮して、作成する。マスクパターン作成工程で利用するＯＰＣプログラムでは、マスク３Ｄ効果を考慮しないシミュレーションモデル（薄膜近似モデル）、マスク３Ｄ効果を考慮したシミュレーションモデル（厳密計算モデル）、及びマスク３Ｄ効果を簡易な近似により取り込んだ薄膜近似モデルのいずれかのモデルを利用したプロセスシミュレ−ションが実行される。
【００１８】
（ステップＳ１０２）マスクパターンに含まれるパターンのうち、２つのパターンＡ、Ｂを抽出する。例えば、パターンＡとして、第１の設計パターンにおけるライン幅及びスペース幅が狭いパターンに対応するマスクパターンを抽出し、パターンＢとして、第１の設計パターンにおけるライン幅が狭くスペース幅が広いパターンに対応するマスクパターンを抽出する。
【００１９】
（ステップＳ１０３）初期露光条件（第１の露光条件）で露光シミュレーションを行い、パターンＡ及びパターンＢの各々のベストフォーカス位置を算出し、ベストフォーカス差（第１のベストフォーカス差）を求める。
【００２０】
露光条件には、露光装置収差やレジストスタック構造等が含まれる。レジストスタック構造に関する露光条件には、図３に示すような露光時に被加工膜３００上に形成されるハードマスク３０１、反射防止膜３０２、レジスト膜３０３、及び保護膜３０４の各々の膜厚、材料種、屈折率、消衰係数等が含まれる。なお、個々のハードマスク３０１、反射防止膜３０２、レジスト膜３０３、及び保護膜３０４は、それぞれ単層構造又は積層構造である。
【００２１】
ベストフォーカス位置の算出においては、投影光学系によって結像された光の強度分布を得るシミュレーション計算が行われる。その際、多層膜系内の各界面での光の反射によって生じる多重干渉効果を再現するアルゴリズム（例えば、Transfer Matrix Method）を用いることにより、レジストスタック構造のレジスト膜３０３の下側の界面での反射光が、レジスト膜３０３中の光の強度分布に反映される。
【００２２】
（ステップＳ１０４）第１のベストフォーカス差と所定の閾値とを比較する。第１のベストフォーカス差が閾値より大きければステップＳ１０５へ進み、閾値以下であれば処理を終了する。
【００２３】
一般に、露光装置では、ベストフォーカス差、装置機械精度、光学誤差、基板の凹凸、マスク基板平坦度などのフォーカス誤差の総和が、（照明条件及びパターン形状から計算で求められる）光学的に得られる最大の焦点深度より小さくなるように定められる。従って、この関係を満たすように、装置機械精度等の他の誤差因子を考慮して、ベストフォーカス差の上記閾値が設定される。
【００２４】
例えば、ＮＡ＝１．３の液浸露光装置では、フォーカス誤差の総和が９０〜１００ｎｍより小さくなるように定められ、そのうちのベストフォーカス差の分、すなわち上記閾値、は１０〜２０ｎｍ程度に設定される。
【００２５】
（ステップＳ１０５）第１の設計パターンを補正し、第２の設計パターンを作成する。例えば、ステップＳ１０２においてパターンＢとして抽出したマスクパターンに対応する第１の設計パターン中のライン幅が狭くスペース幅が広いパターンのライン幅を任意の量だけ広くする。そして、第２の設計パターンに対応するマスクパターンを、ＯＰＣによる補正分を考慮して作成し、ステップＳ１０２に戻る。以後はこのマスクパターンに対してステップＳ１０３、Ｓ１０４の処理が行われる。
【００２６】
このようにパターンの設計の段階で、露光時のベストフォーカス差が許容範囲内に収まるように設計パターンが補正される。
【００２７】
その後、ＯＰＣを利用して、この設計パターン（補正した場合は補正後の設計パターン）に対応するマスクを作成し、そのマスクを用いて、ステップＳ１０３の露光シミュレーション時に設定していた露光条件（第１の露光条件）で露光を行うと、所望の寸法精度のレジストパターンを形成することができ、所望寸法の回路パターンを備えた半導体装置を製造することができる。
【００２８】
このように、本実施形態では、ベストフォーカス差が十分に小さくなるまで（閾値以下になるまで）設計パターンを補正する。このような方法で作成された設計パターンに対応するマスクパターンを有するマスクを作成し、そのマスクを用いて露光を行うことで、パターン間ベストフォーカス差が抑制され、レジスト寸法精度が向上し、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。
【００２９】
上記実施形態では露光条件は変えずに初期露光条件（第１の露光条件）のままであったが、設計パターンの補正だけでなく、露光条件を調整するようにしてもよい。露光条件を調整することで、設計パターンの補正だけを行うよりも、ベストフォーカス差を低減しやすくなる。露光条件を調整する場合の設計パターン作成方法を図４に示すフローチャートを用いて説明する。なお、ステップＳ２０１〜Ｓ２０３は図１におけるステップＳ１０１〜Ｓ１０３と同様であるため説明を省略する。
【００３０】
（ステップＳ２０４）第１の露光条件を調整して、第１のベストフォーカス差を小さくするような第２の露光条件を求める。例えば投影光学系の球面収差を変更する。球面収差を変えることで、ベストフォーカス位置がパターン種類によって異なる量だけ変わるためである。
【００３１】
また、レジストスタック構造を変更するようにしてもよい。レジストスタック構造変更に伴うベストフォーカス差の変化の一例を図５に示す。パターンＡはライン幅９０ｎｍ、ピッチ２００ｎｍのＬ／Ｓパターンに対応するマスクパターン、パターンＢはライン幅２５０ｎｍの孤立ラインパターンに対応するマスクパターンとする。
【００３２】
図５（ａ）に示すように基板４００上に膜厚３００ｎｍの層（不透明層）４０１、膜厚４５ｎｍの層４０２、膜厚１００ｎｍの層（レジスト膜）４０３、及び膜厚９０ｎｍの層（保護膜）４０４が順に積層されレジストスタック構造の場合、パターンＡとパターンＢのベストフォーカス差は１５ｎｍであった。
【００３３】
なお、フォーカスオフセットを変えて露光を行い、形成されたパターンの寸法を計測し、計測により得られたフォーカス−寸法曲線に近似する二次曲線を算出して、ベストフォーカス位置（ベストフォーカス差）を求めた。例えば、ベストフォーカス値は、上記二次曲線におけるフォーカス変動に対する寸法変動が最も小さくなるようなフォーカス値をいう。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、層４０２の膜厚を８０ｎｍに変更（増加）して同様の露光を行い、パターンＡ、Ｂのベストフォーカス位置を求めると、両者の値はほぼ同じであった。従って、レジスト膜の下層の膜の膜厚を調整することでベストフォーカス差を低減できる。
【００３５】
ここではレジストスタック構造の変更として、レジスト膜の下層の膜の膜厚を変更したが、レジスト膜の膜厚、レジスト膜の光学定数、レジスト膜の下層膜の光学定数などを変更することでも、パターンＡ、パターンＢのベストフォーカス位置を変え、ベストフォーカス差を低減できる。光学定数は光の波長に対する屈折率や消衰係数である。また、レジスト膜と下層膜との界面における反射率を変えるようにしてもよい。
【００３６】
（ステップＳ２０５）ステップＳ２０４で求めた露光条件（第２の露光条件）で露光シミュレーションを行い、パターンＡ及びパターンＢの各々のベストフォーカス位置を算出し、ベストフォーカス差（第２のベストフォーカス差）を求める。
【００３７】
（ステップＳ２０６）第２のベストフォーカス差と所定の閾値とを比較する。第２のベストフォーカス差が閾値より大きい場合はステップＳ２０７へ進み、閾値以下であれば処理を終了する。
【００３８】
なお、ステップＳ２０４において、投影光学系の球面収差を任意の量だけ変化させることが出来るとすると、前記第２のベストフォーカス差は必ず０になるはずである。しかしながら現実の露光装置では光学設計の様々な制約（例えば投影光学系全体の大きさを一定値以下にする、等）により、球面収差を調節できる範囲は制限される。従って、第２のベストフォーカス差を必ず０に出来るとは限らない。言い換えると、ステップＳ２０４における投影光学系の球面収差の変化の量は、使用する露光装置において可能な範囲の量とすることが望ましい。
【００３９】
（ステップＳ２０７）第１の設計パターンを補正し、第２の設計パターンを作成する。例えば、ステップＳ２０２においてパターンＢとして抽出したマスクパターンに対応する第１の設計パターン中のライン幅が狭くスペース幅が広いパターンのライン幅を任意の量だけ広くする。そして、第２の設計パターンに対応するマスクパターンを、ＯＰＣによる補正分を付加して作成し、ステップＳ２０２に戻る。以後はこのマスクパターンに対してステップＳ２０２〜Ｓ２０６の処理が行われる。
【００４０】
このようにマスクパターンの設計の段階で、ベストフォーカス差が許容範囲内に収まるように露光条件の調整、設計パターンの補正が行われる。
【００４１】
その後、ＯＰＣを利用して、この設計パターン（補正した場合は補正後の設計パターン）に対応するマスクを作成し、そのマスクを用いて、ステップＳ２０５の露光シミュレーション時に設定していた露光条件（第２の露光条件）で露光を行うと、所望の寸法精度のレジストパターンを形成することができる。
【００４２】
このように、ベストフォーカス差が十分に小さくなるまで（閾値以下になるまで）、路個条件の調整、設計パターンの補正が行われる。このような方法で作成された設計パターンに対応するマスクパターンを有するマスクを作成し、そのマスクを用いて調整後の露光条件で露光を行うことで、パターン間ベストフォーカス差が抑制され、レジスト寸法精度が向上し、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
また、図１又は図４に示した設計パターンの補正を行うにあたり、さらにデザインルールの修正を行うようにしてもよい。例として、図４に示した設計パターンの補正においてデザインルールを修正する場合の設計パターン作成方法を図６に示すフローチャートを用いて説明する。なお、ステップＳ３０１〜Ｓ３０６は図４におけるステップＳ２０１〜Ｓ２０６と同様であるため説明を省略する。
【００４４】
（ステップＳ３０７）パターンＡ及び／又はパターンＢに対応する設計パターンを設計上許容しないパターン（不使用パターン）としてデザインルールを修正する。
【００４５】
例えば、図７Ａに示すような初期デザインルールにおいて、パターンＡに対応する設計パターンのサイズがＡ１部分に相当し、パターンＢに対応する設計パターンのサイズがＢ１部分に相当するものであったとする。この時、パターンＢに対応する設計パターンを許容しないパターンとすることでＢ１部分が不使用となり、図７Ｂに示すようなデザインルールに修正される。
【００４６】
（ステップＳ３０８）修正後のデザインルールを満たすように第１の設計パターンを補正し、第２の設計パターンを作成する。例えば、ステップＳ３０２においてパターンＢとして抽出したマスクパターンに対応する第１の設計パターン中のパターンサイズを図７Ｂに示すＢ２部分に相当するサイズに変更する。
【００４７】
そして、第２の設計パターンに対応するマスクパターンを、ＯＰＣによる補正を考慮して作成し、ステップＳ３０２に戻る。以後はこのマスクパターンに対してステップＳ３０２〜Ｓ３０６の処理が行われる。
【００４８】
このように、投影光学系の収差やレジストスタック構造の最適化によってもベストフォーカス差を十分に低減できないマスクパターンに対応する設計パターンのパターンサイズを不使用とするようにデザインルールを修正し、修正したデザインルールに基づいて設計パターンを作成（補正）する。
【００４９】
このような方法で作成した設計パターンに対応するマスクパターンを有するマスクを使用し、第２の露光条件で露光を行うことで、パターン間ベストフォーカス差が抑制され、レジスト寸法精度が向上し、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。
【００５０】
上記実施形態では露光シミュレーションを行ってベストフォーカス差を求めていたが、第１の露光条件、第２の露光条件で実際に露光を行い、露光結果に基づいて設計パターンの補正、露光条件の調整、デザインルールの修正を行うようにしてもよい。
【００５１】
上記実施形態では、ステップＳ２０４、Ｓ３０４において、ベストフォーカス差を小さくするような露光条件（第２の露光条件）を求める際に、投影光学系の球面収差を変更するとしたが、非点収差や４θ収差などの他の収差を調整してもよい。
【００５２】
また、投影光学系の開口数、二次光源の照明輝度の分布などの照明条件に変更を加えても、ベストフォーカス差を低減できる場合がある。
【００５３】
マスクパターン（設計パターン）には複数の形状のパターンが含まれているため、ステップＳ１０２、Ｓ２０２、Ｓ３０２で抽出されるパターンＡ、Ｂも複数通り考えられる。上記実施形態では説明の便宜上、１通りの組み合わせとしたが、実際は複数の組み合わせについてベストフォーカス差が閾値以下となるように露光条件の変更やデザインルールの修正が行われる。
【００５４】
ステップＳ３０７において、パターンＡ、パターンＢのいずれか一方に対応する設計パターンを許容しないパターンと定める場合、設計パターンにおいてピッチが大きい方を許容しないパターンと定めるようにしてもよい。パターン形状（サイズ）の変更による半導体デバイスの性能に関する影響が小さいためである。
【００５５】
また、パターンＡが密集パターンに対応し、パターンＢが孤立パターンに対応する場合、ステップＳ３０７ではパターンＢに対応する設計パターン（孤立パターン）を許容しないパターンとしてデザインルールを変更することが好ましい。孤立パターンは周囲に他のパターンが存在しておらず、形状変更が容易なためである。
【００５６】
ステップＳ３０７において、パターンＡ、パターンＢのいずれか一方に対応する設計パターンを許容しないパターンと定める場合、各々の設計パターンにおいて隣接するパターンまでの距離が大きい方を許容しないパターンと定めるようにしてもよい。パターン形状（サイズ）の変更による半導体デバイスの性能に関する影響が小さくなる、或いは、周囲に他のパターンが存在しておらず、形状変更が容易なためである。
【００５７】
また、上記実施形態ではパターンＡとパターンＢの方向性に関しては制限を設けていないが、例えば反射型マスクを用いるＥＵＶ露光の場合は、光軸がマスクパターン面法線に対して傾いた状態での露光であるため、ある向きのパターンと、９０度回転したパターンとの間にベストフォーカス差が生じることがある。この場合は、前述のパターンＡとパターンＢを、同じサイズであって、向きが異なる設計パターンに対応するマスクパターンのように指定して、前記ステップＳ１０３（Ｓ２０３、Ｓ３０３）以降を実行してもよい。
【００５８】
上記実施形態ではステップＳ３０２で２つのパターンＡ、Ｂを抽出していたが、３つ以上のマスクパターンを抽出してもよい。この場合、ステップＳ３０７において、各パターンのベストフォーカス位置の平均値との差分が最も大きいベストフォーカス位置のマスクパターンに対応する設計パターンを許容しないパターンと定めることが好適である。
【００５９】
上記実施形態によるパターン作成方法は図８に示すようなパターン作成装置１０により実行される。パターン作成装置１０は、ＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、表示部１４、入力部１５、入出力インタフェース１６、コントローラ１７、及びネットワーク接続部１８を備え、バスライン１９を介して各部は接続されている。
【００６０】
パターン作成を行うコンピュータプログラムであるパターン作成プログラム（図示せず）は、パターン作成装置１０の外部にある記憶媒体１７ａ、例えば磁気ディスク、光ディスク等、又は、パターン作成装置１０の外部にあるコンピュータ（図示せず）、例えばサーバコンピュータ、ワークステーション等、又は、パターン作成装置１０の内部にある記憶媒体、例えばＲＯＭ１２等のいずれかの記憶媒体に記憶されている。
【００６１】
記憶媒体１７ａに記憶されているコンピュータプログラムは、コントローラ１７、バスライン１９を介してＲＡＭ１３へロードされる。また、外部のサーバコンピュータ等に記憶されているコンピュータプログラムはネットワーク接続部１８、バスライン１９を介してＲＡＭ１３へロードされる。また、ＲＯＭ１２に記憶されているコンピュータプログラムはバスライン１９を介してＲＡＭ１３へロードされる。
【００６２】
ＣＰＵ１１はＲＡＭ１３にロードされたパターン作成プログラムを実行し、入出力インタフェース１６を介して、入力部１５である、例えばキーボード、タッチパネル、マウス等から必要なパラメータ等のデータ入力を要求する。また、ＣＰＵ１１は、例えば設計データ、設計図面等を表示部１４である、例えばディスプレイ等へ表示する。
【００６３】
ＣＰＵ１１がパターン作成プログラムを実行することで、図１、図４、図６に示すパターン作成が処理される。また、ＣＰＵ１１がパターン検証プログラムを実行し、図１に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０４までが処理されるようにしてもよい。
【００６４】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施形態に係るパターン作成方法を説明するフローチャートである。
【図２】デザインルールの一例を示す図である。
【図３】レジストスタック構造の一例を示す図である。
【図４】変形例によるパターン作成方法を説明するフローチャートである。
【図５】レジストスタック構造の膜厚変更の一例を示す図である。
【図６】変形例によるパターン作成方法を説明するフローチャートである。
【図７Ａ】修正前のデザインルールの一例を示す図である。
【図７Ｂ】修正後のデザインルールの一例を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係るパターン作成装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  パターン作成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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