(57)【要約】【課題】生産効率が良い放射線像変換パネルの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の基板の表面上に、所定の幅を有する枠が設けられており、この枠で囲まれた領域に蛍光体層が形成されている放射線像変換パネルの製造方法であって、基板の表面に枠を設ける工程と、少なくとも枠の上面に、接着剤を用いてマスク材を剥離可能に貼り付ける工程と、枠で囲まれた領域に気相堆積法により蛍光体層を形成する工程とを有する。接着剤の接着幅をｗとし、枠の幅をαとするとき、接着剤の接着幅ｗは、０＜ｗ≦αである。【選択図】図１
2010014581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に、所定の幅を有する枠が設けられており、前記枠で囲まれた領域に蛍光体層が形成されている放射線像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表面に前記枠を設ける工程と、
少なくとも前記枠の上面に、接着剤を用いてマスク材を剥離可能に貼り付ける工程と、
前記枠で囲まれた領域に、気相堆積法により前記蛍光体層を形成する工程とを有し、
前記接着剤の接着幅をｗとし、前記枠の幅をαとするとき、
前記接着剤の接着幅ｗは、０＜ｗ≦αであることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記接着剤の接着幅ｗは、０．１α＜ｗ≦０．５αである請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記接着剤は、シロキサンを含む請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体層を有する、いわゆるＩＰ（Imaging Plate）、またはシンチレータなどの放射線像変換パネルの製造方法に関し、特に、生産効率が良い放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けて種々の応答を示す蛍光体が知られており、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、放射線の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれている。
【０００４】
この輝尽性蛍光体の層を有する放射線像変換パネルを利用する、放射線像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）等として、実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（蛍光体層）に被写体の放射線像（放射線画像）を記録する。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて発生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線像として出力する。
【０００５】
他の例として、放射線の照射を受けて可視光領域の光を発光（蛍光）する蛍光体も知られており、この蛍光体は、シンチレータに用いられている。このシンチレータパネルも放射線像変換パネルの一つである。
被写体を透過した放射線を、シンチレータパネルによって可視光に変換し、その可視光をフォトダイオード等の光電変換素子で電荷に変換し、この電荷をＴＦＴ（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）等で順次読み出して放射線像を形成するシステムが利用されている。
【０００６】
放射線像変換パネルは、通常、蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調整して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
このように塗布すること以外にも、真空蒸着法またはスパッタリング法等の気相堆積法（真空成膜法）によって、放射線像変換パネルにおいて、基板に蛍光体層を形成することが知られている（特許文献１、２参照）。
【０００７】
特許文献１の輝尽性蛍光体パネル（放射線像変換パネル）の製造方法には、基板に枠を１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着した後、この枠上に剥離可能で、且つ、この枠の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材を貼り付け、このマスク材により基板上の輝尽性蛍光体層の蒸着位置を決定して、蒸着法（真空成膜法）によって輝尽性蛍光体層を形成することが記載されている。特許文献１において、基板と枠との熱膨張係数の差は１×１０−６／℃以下であり、マスク材として、耐熱性粘着剤つきカプトンテープ(カプトンは、デュポン社の登録商標)が好適であることが記載されている。
【０００８】
特許文献２には、結晶化ガラス支持体の上に、エレクトロンビーム法（EB法）による蒸着法（真空成膜法）により、輝尽性蛍光体からなる輝尽層（輝尽性蛍光体層）が形成されてなる放射線像変換パネルが記載されている。この特許文献２においては、ステンレス板のマスクを用いて輝尽層の蒸着領域が決定されている。
【０００９】
特許文献１、２に記載されているように、真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−３１５７９７号公報
【特許文献２】特許第２８８４３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１においては、マスク材の耐熱性粘着剤の成分が、蒸着時等に放出されて蒸着領域に付着すると、形成される蛍光体は基板と十分な密着性を得ることができない。このため、蛍光体層が剥離するなど歩留まりが低くなり、高い生産性を得ることができないという問題点がある。
また、ステンレス板をマスクとして用いている特許文献２において、マスクとしてステンレス板を枠の上に設けたとしても、蛍光体層を蒸着するときに、基板を加熱した場合、熱膨張によってマスクと、基板、枠との位置が相対的にずれてしまう。このため、枠の上に、蛍光体層となる蛍光体が堆積することを抑制することができない虞がある。枠の上に蛍光体が堆積すると、この蛍光体を取り除く必要があり、放射線像変換パネルを効率良く生産することができない。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、生産効率が良い放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、基板の表面上に、所定の幅を有する枠が設けられており、前記枠で囲まれた領域に蛍光体層が形成されている放射線像変換パネルの製造方法であって、前記基板の表面に前記枠を設ける工程と、少なくとも前記枠の上面に、接着剤を用いてマスク材を剥離可能に貼り付ける工程と、前記枠で囲まれた領域に、気相堆積法により前記蛍光体層を形成する工程とを有し、前記接着剤の接着幅をｗとし、前記枠の幅をαとするとき、前記接着剤の接着幅ｗは、０＜ｗ≦αであることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである。
【００１４】
本発明において、前記接着剤の接着幅ｗは、０．１α＜ｗ≦０．５αであることが好ましい。
また、本発明においては、前記接着剤は、例えば、シロキサンを含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、蛍光体層を囲む枠が基板に設けられている放射線像変換パネルの製造方法において、基板の表面のうち、枠で囲まれた領域に気相堆積法により蛍光体層を形成する前に、少なくとも枠の上面に、接着剤を用いてマスク材を剥離可能に貼り付ける。この場合、接着剤の接着幅をｗとし、枠の幅をαとするとき、この接着剤の接着幅ｗを０＜ｗ≦αとすることにより、接着剤からその成分が放出されて蛍光体層の形成領域に付着しても、基板に対する密着性を低下させることなく蛍光体層を形成することができ、蛍光体層の剥離を抑制することができる。このため、蛍光体層を歩留まり高く製造でき、高い生産性で放射線像変換パネルを製造することができる。
さらには、蛍光体層の剥離を抑制することができるため、この剥離に起因する画像欠陥も抑制でき、画質が良好な放射線像変換パネルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の放射線像変換パネルの製造方法を詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法により得られる放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【００１７】
図１に示す放射線像変換パネル１０（以下、変換パネル１０という）は、基本的に、基板１２と、この基板１２上に設けられた枠１４と、この枠１４で囲まれた領域に形成された輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）１６と、接着層１８により接着された防湿保護層２０とを有する。
変換パネル１０は、例えば、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１６を有し、被写体を透過した放射線を蓄積（記録）することにより放射線画像を撮影して、励起光の入射によって撮影した放射線画像に応じて輝尽発光光を出射する、いわゆるＩＰ(Imaging Plate)である。
【００１８】
なお、本発明は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１６を有する変換パネル１０に限定されるものではなく、放射線の入射によって発光（蛍光）するＣｓＩで構成される蛍光体層を有するフラットパネルディテクタなどの放射線像変換パネル（シンチレータパネル）であってもよい。
【００１９】
なお、本実施形態の変換パネル１０は、上記構成が満たされていれば、蛍光体層１６の成膜以前に形成される膜を有していてもよい。この場合、例えば、基板１２の表面１２ａに輝尽発光光を反射するための反射膜を有してもよく、さらに、反射膜上に反射膜を保護するためのバリア膜等を有してもよい。また、これらの膜が形成された基板１２の表面１２ａに蛍光体層１６を形成しても良い。
【００２０】
本実施形態の変換パネル１０において、基板１２は、板状部材またはシート部材であり、所定の平面度となるように研磨されていてもよい。また、蛍光体層１６を形成する前に、所定の平面度となるように研磨してもよい。
基板１２は、特に限定されるものではなく、公知の蛍光体パネルで使用されている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム；  石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックス（登録商標）等）などから形成されるガラス板；  アルミニウムシート、鉄シート、銅シート、クロムシートなどの金属シートあるいは金属酸化物の被服層を有する金属シート、またはアルミニウム合金シートなどの合金シート；  等が例示される。
【００２１】
変換パネル１０において、基板１２の表面１２ａは、蛍光体層１６が発した輝尽発光光の反射面としての機能も要求されるため、例えば、鏡面加工などが施されて、高い光反射性を有することが好ましい。
基板１２の好ましい例として、軽量で、かつ良好な光反射性が得られ、さらに本発明の効果を好適に発現できる等の点で、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の基板１２が好適に例示される。これ以外には、ガラス板などの基材の表面に、アルミニウム層等の金属層またはアルミニウム合金等の合金層を形成してなる基板１２も好適に利用可能である。なお、基板１２を構成する合金、基材表面に形成される合金層は、腐食防止用のマグネシウムなどを含有するものであってもよい。
【００２２】
枠１４は、基板１２の表面１２ａにおける蛍光体層１６の形成領域Ａ、すなわち、変換パネル１０の撮像領域を区画するものであり、本実施形態においては、蛍光体層１６の形成領域Ａは矩形状であるため、枠１４は、その外縁を囲むように設けられており、枠１４の外形形状を呈する（図２参照）。この枠１４は、所定の厚さおよび幅を有する部材により構成されている。
枠１４は、例えば、基板１２の表面１２ａに形成された溝１２ｂに挿入されて基板１２に固定されている。
【００２３】
後述するように、変換パネル１０の製造方法においては、蛍光体層１６を形成する前に、基板１２の表面１２ａにおける蛍光体層１６の形成領域Ａ、すなわち、変換パネル１０の撮像領域を囲む枠１４が設けられる。
枠１４の外形形状は、矩形状に限定されるものではなく、蛍光体層１６の形成領域Ａ（変換パネル１０の撮像領域）の外形形状に応じて、適宜決定されるものである。
【００２４】
なお、枠１４の固定方法は、基板１２に溝１２ｂを形成する方法に、特に限定されるものではなく、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱接着剤、または溶解金属を用いて枠１４を基板１２の表面１２ａに固定する方法も利用可能である。このような方法で枠１４を固定することにより、蛍光体層１６の蒸着時または蒸着後の熱処理時に基板１２が加熱されても、枠１４が基板１２から剥離することを防ぐことができる。さらに、溶解金属による枠１４の固定に関しては、上記の利点に加え、基板１２と枠１４との接着部からの透湿を低減することもできる。
なお、耐熱接着剤は、特に限定されるものではなく、一例として、エポキシ接着剤が好適に例示される。また、溶解金属も、同様に、特に限定されるものではなく、一例として、アルミ半田が好適に例示される。
【００２５】
枠１４は、例えば、適切な冶具を用いて位置合わせをして、基板１２表面１２ａに固定される。溝１２ｂは、機械加工等によって、非常に高い位置精度で形成することができる。従って、このような溝１２ｂを形成し、溝１２ｂに枠１４を挿入して、枠１４の位置決めを行うことにより、枠１４と基板１２との位置精度、および基板１２に対する蛍光体層１６の蒸着位置精度が向上し、蛍光体パネルの撮像面を適正に所定範囲とすることが可能となる。さらに、溝１２ｂに枠１４を挿入する構成にすることにより、枠１４の厚みを、溝１２ｂに差し込む部分の量だけ、基板１２の表面１２ａ上に固定する場合より厚くすることができ、機械的強度の向上を図ると共に、製造上扱いやすくなり、また、枠１４の寸法精度も確保しやすくなる。
溝１２ｂの基板１２の表面１２ａからの深さは、枠１４が基板１２に適正に固定され、枠１４の強度が十分に得られる深さであれば、基板１２及び蛍光体層１６の厚さに応じて、適宜決定すれば良く、溝１２ｂの深さは、好ましくは、０．２ｍｍ〜５ｍｍである。
なお、枠１４と基板１２との位置精度、枠１４の取り付け時の加工性等を高くするために、枠１４を溝１２ｂに嵌入する構成にすることが特に好ましい。
【００２６】
本発明の変換パネル１０の蛍光体層１６は、上述の如く、放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示すものである。この蛍光体層１６は、例えば、柱状結晶構造を有する。
蛍光体層１６は、例えば、アルカリハライド系の蛍光体からなるものであり、真空蒸着法により形成される。
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１６を形成する蛍光体として、各種のものが利用可能であり、蛍光体層１６となる蛍光体は、特に限定されるものではないが、公知の各種のものが利用可能である。
【００２７】
特に、本発明の効果が発現し易く、かつ、良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式ＭIＸ・ａＭIIＸ’２・ｂＭIIIＸ”３：ｃＡで示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好適に利用される。
（上記式において、ＭIは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＰｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ”は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
その中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が特に良好に得られる等の点で、ＭＩが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００２８】
また、これ以外にも、米国特許第３，８５９，５２７号明細書、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５８−２０６６７８号、同５９−３８２７８号、同５９−７５２００号等の各公報に開示される各種の輝尽性蛍光体も、好適に利用可能である。
【００２９】
また、本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１６を有する変換パネル１０に限定はされるものではなく、前述のように、放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルであってもよい。
このような蛍光体も、公知の物が全て利用可能であるが、同様に、本発明の効果が発現し易く、かつ、良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、下記の一般式：
ＭIＸ・ａＭIIＸ’２・ｂＭIIIＸ”３：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物蛍光体が好ましく例示される。
（上記式において、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表す。また、Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。また、ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。）
特に、前記一般式のＭIとしてＣｓを含んでいるのが好ましく、ＸとしてＩを含んでいることが好ましく、ＡとしてＴｌまたはＮａを含んでいるのが好ましく、また、ｚは、１×１０−４≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であるのが好ましい。中でも特に、式ＣｓＩ：Ｔｌで示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、好ましく用いられる。
【００３０】
本発明において、蛍光体層１６の形成方法は、特に限定されるものではないが、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種の気相堆積法が全て利用可能である。しかしながら、成膜速度および形成する蛍光体層の結晶構造等の点で、蛍光体層１６の形成方法としては、真空蒸着法が好適に利用される。
また、特に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１６を形成する場合には、蛍光体成分と付活剤（賦活剤：activator）成分の成膜材料を別のルツボ（蒸発源）で加熱／蒸発する、二元の真空蒸着法で蛍光体層を形成するのが好ましい。
【００３１】
真空蒸着を行う際における成膜条件や加熱手段にも、特に限定されるものではないが、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１〜３Ｐａ程度の真空度（以下、便宜的に中真空とする）とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱して真空蒸着を行うのが好ましい。気相堆積法による蛍光体層１６は、互いに独立した柱状結晶によって形成されるが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１６、特に、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１６は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性や画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
【００３２】
防湿保護層２０は、蛍光体層１６を封止して、吸湿を防止するために、蛍光体層１６を覆って封止するために設けられるものである。
防湿保護層２０は、十分な防湿性を有するものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定されるものではない。
防湿保護層２０を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる合計４層構造の防湿保護層２０が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した合計４層構造の防湿保護層２０において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。また、防湿保護層２０は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
また、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層構造を有する合計４層構造の防湿保護層２０においては、ＳｉＯ２膜を蛍光体層１６側に形成することが好ましい。
【００３３】
また、接着層１８は、防湿保護層２０を構成する防湿保護フィルムを枠１４の上面１４ａおよび蛍光体層１６の表面１６ａに貼り付けるためのものである。
この接着層１８は、枠１４の上面１４ａおよび蛍光体層１６の表面１６ａに、例えば、接着剤を塗布することにより形成される。
【００３４】
本実施形態においては、例えば、接着層１８を設けた後、防湿保護層２０を蛍光体層１６の表面１６ａを覆うように被せ、防湿保護層２０と、枠１４および蛍光体層１６とを封止接着する。この封止接着方法は、特に限定されるものではないが、例えば、熱ラミネーション法が用いられる。
接着層１８で防湿保護層２０と枠１４の上面１４ａとを接着するときの接着強度を向上し、良好な接着強度が得られるように、防湿保護層２０による蛍光体層１６の封止に先立ち、封止部（防湿保護層２０と枠１４との接着箇所）および蛍光体層１６の加熱を、例えば、基板１２の加熱等によって行っても良い。
【００３５】
なお、接着層１８に用いられる接着剤は、防湿性に優れたものであれば、特に限定されるものではない。例えば、ポリエステル系接着剤が好適に用いることができる。さらに、蛍光体層１６の表面１６ａも防湿保護層２０と接着する際には、接着剤についても、放射線の入射及び輝尽発光光の出射を妨げない光学特性を有することが好ましい。
【００３６】
次に、本実施形態の変換パネル１０の製造方法について説明する。
図２は、本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における枠の配置状態を示す模式的平面図である。
図３は、本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態を示す模式的断面図である。
図４（ａ）は、図３の要部を拡大して示す部分断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態の変形例を示す部分断面図であり、（ｃ）は、本発明の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態の他の変形例を示す部分断面図である。
図５は、本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法における蛍光体層の形成状態を示す模式的断面図である。
【００３７】
本実施形態の変換パネル１０の製造方法においては、先ず、例えば、平面視正方形状の基板１２（図１参照）を用意する。この基板１２は、例えば、アルミニウム合金からなるものである。
この基板１２の表面１２ａに、蛍光体層１６が形成される矩形状の形成領域Ａを囲む溝１２ｂ（図３参照）を形成し、形成領域Ａを区画する。
【００３８】
次に、溝１２ｂに、例えば、断面形状が長方形の部材からなる枠１４を、接着剤をつけて嵌入する。
これにより、図２に示すように、矩形状の形成領域Ａを囲むように枠１４が形成される。枠１４は、例えば、幅がαの部材で構成されている。
また、枠１４は、基板１２の表面１２ａにおけるＸ方向、Ｙ方向と直交する２方向のうち、Ｘ方向においては、枠１４の内縁１５から基板１２の縁１２ｃまでの距離がβの位置に配置され、かつＹ方向においては、枠１４の内縁１５から基板１２の縁１２ｃまでの距離がγの位置に配置されている。
【００３９】
次に、図３に示すように、枠１４の上面１４ａに接着剤３２を用いて、マスク材３０を剥離可能に貼り付ける。
また、マスク材３０は、例えば、アルミニウムテープ、カプトンテープ（カプトンは、登録商標）により構成される。
接着剤３２は、マスク材３０を枠１４の上面１４ａに対して剥離可能に貼り付けることができれば、特に限定されるものではない。接着剤３２としては、例えば、シリコーン系接着剤、ラテックス系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、オレフィン系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤が用いられるが、蒸着時の基板温度を考慮すると、シリコーン系接着剤を用いたシリコーン系テープが最も有用である。
【００４０】
本実施形態においては、形成領域Ａ以外の基板１２の表面１２ａを覆うようにマスク材３０が設けられる。この場合、マスク材３０の幅Ｔは、基板１２のＸ方向では距離γと等しく、基板１２のＹ方向では距離βと等しい。このように、マスク材３０によって蛍光体層１６の形成領域Ａ以外の基板１２の表面１２領域を規制（マスキング）する。
なお、マスク材３０は、蛍光体層１６となる蛍光体が枠１４の上面１４ａに堆積物として付着することを防止することができれば良い。このため、マスク材３０は、形成領域Ａ以外の基板１２の表面１２ａを覆う大きさを有するものに限定されるものではなく、マスク材３０は、少なくとも枠１４の上面１４ａだけを覆うように設ければよい。
【００４１】
本発明においては、図４（ａ）に示すように、マスク材３０の接着剤３２の接着幅をｗとするとき、枠１４の幅αに対して接着剤３２の接着幅ｗを、０＜ｗ≦αとする。より好ましくは、接着剤の接着幅ｗは、０．１α＜ｗ≦０．５αである。
なお、接着剤３２の接着幅ｗは、枠１４の幅α方向と平行な方向における長さのことである。
【００４２】
次に、本発明において、枠１４の幅αに対して、接着剤３２の接着幅ｗを０＜ｗ≦αとする理由について説明する。
接着剤３２の接着幅ｗを０＜ｗ≦αとすることについては、本願発明者が、鋭意実験研究して得られた、以下の知見に基づくものである。変換パネル１０の蛍光体層１６を形成する際、アルミニウムテープを枠１４の上面１４ａに、シロキサンを含む接着剤３２を用いて貼り付けた。そして、蛍光体層１６を形成し、形成した蛍光体層１６について調べたところ、枠１４の内縁１５の近傍の領域Ｃａでは、蛍光体層１６と基板１２との密着が不十分となり、蛍光体層１６のうち、領域Ｃａで蛍光体層１６が部分的に剥離することが分かった。その剥離は、蛍光体層１６の成膜条件が適正であるにも拘らず発生した。
【００４３】
そこで、その剥離の原因を更に調べたところ、基板１２の表面１２ａに、接着剤３２の成分の１つであるシロキサンが付着していることが分かった。そして、剥離と基板１２の表面１２ａに付着する接着剤３２の成分であるシロキサンの量との関係を調べたところ、シロキサンの付着量がある量を超えると、剥離が発生する頻度が高くなることを見出した。
更に、蛍光体層１６の剥離とマスク材３０を固定するための接着剤３２の量との関係について調べたところ、接着剤３２の接着幅ｗが枠の幅αを超えると、剥離が発生する頻度が高くなることを見出した。このように、蛍光体層１６の剥離の発生する頻度が高くなると、蛍光体パネル１０を製造する歩留まりが悪くなり、生産性が低くなる。そこで、接着剤３２の接着幅ｗをｗ≦αとした。これにより、本発明においては、蛍光体パネル１０を歩留まり高く、高い生産効率で製造することができる。
【００４４】
また、図４（ｂ）に示すように、マスク材３０の端部３３を基板１２の縁１２ｃに接着剤３４を用いて固定した場合ついても、検討したところ、枠１４の上面１４ａにおける接着剤３２の接着幅ｗがｗ≦αを満たせば、枠１４の内縁１５の近傍の領域Ｃａのシロキサンの量が少なくなり、蛍光体パネル１０を歩留まり高く、高い生産性で製造することができることを本発明者は知見している。
さらには、図４（ｃ）に示すように、接着剤３２が枠１４の内縁１５側に突出する構成であっても、枠１４の上面１４ａにおける接着剤３２の接着幅ｗがｗ≦αを満たせば、枠１４の内縁１５の近傍の領域Ｃａ（図４（ｂ）参照）のシロキサンの量が少なくなり、蛍光体パネル１０を歩留まり高く、高い生産性で製造することができることを本発明者は知見している。
【００４５】
また、マスク材を固定しない場合には、枠１４の上面１４ａに蛍光体層１６を構成する蛍光体が堆積してしまう。この場合、変換パネル１０を製造するためには、枠１４の上面１４ａの堆積物を取り除く必要がある。これにより、変換パネル１０の生産効率が低下する。このため、本発明においては、接着剤３２の接着幅ｗは、０＜ｗとした。以上のことから、本発明においては、接着剤３２の接着幅ｗを０＜ｗ≦αとする。
【００４６】
本実施形態においては、枠１４は４辺有するものである。この場合、枠１４の４辺のうち、４辺とも、すなわち、枠１４において全て、接着剤３２の接着幅ｗが０＜ｗ≦αを満たすことが好ましい。しかしながら、枠１４の４辺のうち、少なくとも１辺について、接着剤３２の接着幅ｗが０＜ｗ≦αを満たせば、本発明の効果を得ることができる。
なお、本実施形態においては、接着剤３２の接着幅ｗは、枠１４の幅αと同じである。
【００４７】
次に、図５に示すように、マスク材３０が貼り付けられた状態で、枠１４で区画された基板１２の表面１２ａにおける形成領域Ａに、例えば、真空蒸着法により、上述の組成を有する蛍光体層１６（図１参照）を形成する。そして、蛍光体層１６を形成した後、マスク材３０を剥がす。本実施形態においては、枠１４の上面１４ａには、蛍光体層１６となる蛍光体などの堆積物がない。
次に、蛍光体層１６に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、加熱処理（アニール）を施す。
【００４８】
次に、枠１４の上面１４ａ、および蛍光体層１６の表面１６ａに、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布し、接着層１８（図１参照）を形成する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された、上述の４層構造の防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、枠１４の上面１４ａおよび蛍光体層１６の表面１６ａに防湿保護フィルムを貼り付けて、上記４層構造の防湿保護層２０（図１参照）を形成する。このようにして、図１に示すような変換パネル１０を製造する。
なお、防湿保護層２０は、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【００４９】
本実施形態の変換パネル１０の製造方法においては、蛍光体層１６を形成する際に、枠１４の上面１４ａにマスク材３０を、接着剤３２を用いて剥離可能に貼り付けており、この接着幅ｗを０＜ｗ≦αとする。これにより、蛍光体層１６を、例えば、真空蒸着法で形成する場合、基板１２が加熱されて、接着剤３２の成分が放出され、蛍光体層１６の形成領域Ａのうち、枠１４の内縁１５の近傍の領域Ｃａに付着したとしても、その量は少ない。このため、基板１２に対する密着性を低下させることなく蛍光体層１６を形成することができ、蛍光体層１６の剥離を抑制することができる。このため、蛍光体層１６を歩留まり高く製造でき、高い生産性で変換パネル１０を製造することができる。
さらには、蛍光体層１６の剥離を抑制することができるため、この剥離に起因する画像欠陥も抑制でき、画質が良好な変換パネル１０を得ることができる
また、本実施形態においては、枠１４の上面１４ａにマスク材３０を貼り付けているため、枠１４の上面１４ａに蛍光体層１６を構成する蛍光体が堆積してしまうことが抑制される。これにより、変換パネル１０を製造するに当り、枠１４の上面１４ａの堆積物を取り除く必要がないため、変換パネル１０を高い生産効率で製造することができる。
【００５０】
なお、本発明においては、マスク材３０を固定する接着剤３２の総面積をＳとし、蛍光体層１６の形成領域Ａの面積をＳＡとするとき、この接着剤３２の総面積Ｓと、蛍光体層１６の形成領域Ａの面積ＳＡとの比（Ｓ／ＳＡ）をＲとするとき、この比Ｒは、０＜Ｒ≦０．１３であることが好ましい。この比Ｒは、より好ましくは、０＜Ｒ≦０．０４７であり、更に好ましくは、０．０５＜Ｒ≦０．０２５である。
本発明においては、この比Ｒについて、上記範囲とすることにより、本発明の効果を得ることができる。
【００５１】
また、変換パネル１０の製造方法においては、基板１２の表面１２ａの形成領域Ａ（図２参照）に直接蛍光体層１６を形成するものに限定されるものではなく、蛍光体層１６の形成前に、基板１２の表面１２ａの形成領域Ａ（図２参照）に反射膜、またはポリパラキシレンなどからなるバリア膜等を形成してもよい。また、これらの反射膜またはバリア膜が表面に形成されたものを基板として用いてもよい。
【００５２】
また、接着層１８で防湿保護層２０と基板１２とを接着するときの接着強度を向上させ、かつ、熱ラミネーションを１回だけで、良好な接着強度が得られるように、防湿保護層２０による蛍光体層１６の封止に先立ち、蛍光体層１６を、接着層１８を構成する接着剤の軟化温度より３０℃低い温度から１５０℃までの範囲の温度に加熱しておくことが好ましい。この範囲の温度には、例えば、基板１２の加熱により行うことができる。
【００５３】
以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定はされるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良または変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の放射線像変換パネルの製造方法の具体的実施例を挙げ、本発明を、より詳細に説明する。
【００５５】
本実施例においては、基板にパリレン薄膜／ＳｉＯ２薄膜を気相堆積させたアルミニウム合金基板（ＪＩＳ  Ａ５０８３）を用いた。基板の大きさは、Ｘ方向の長さが４７４ｍｍ、Ｙ方向の長さが４６０．５ｍｍであり、厚さは１０ｍｍである。
【００５６】
本実施例においては、枠１４を図２に示すように配置した。この場合、枠１４の幅αを５．１ｍｍとし、距離βを２０ｍｍとし、距離γを８．２５ｍｍとした。
また、形成領域Ａは、Ｘ方向の距離ａを４３４ｍｍとし、Ｙ方向の距離ｂを４４４ｍｍとした。
【００５７】
下記表１に示すように、接着剤の接着幅ｗを種々変えて、マスク材３０を枠１４の上面１４ａに貼り付けて、以下のようにして放射線像変換パネルを、各放射線像変換パネルについて２０枚製造した。なお、本実施例の放射線像変換パネルの製造方法は、基本的に、本実施形態の製造方法と同様である。
また、下記表１には、実施例１〜４、比較例１〜３の放射線像変換パネルの接着幅に応じて、各放射線像変換パネルにおける接着剤の総面積Ｓと形成領域の面積ＳＡとの比Ｒを「接着面積／形成領域」の欄に示している。
【００５８】
本実施例においては、製造した実施例１〜４の各放射線像変換パネル、および比較例１〜３の各放射線像変換パネルについて、剥離、枠堆積物および総合を評価項目として、評価した。
なお、マスク材３０として耐熱アルミテープ（スリオンテック（株）製：スリオンテープＮｏ．８０６３）を用いた。この耐熱アルミテープには、シリコーン系接着剤が付いている。本実施例においては、マスク材３０（耐熱アルミテープ）の幅は、実施例１〜４、および比較例１〜３で同じとし、マスク材３０（耐熱アルミテープ）の接着剤の接着幅を実施例１〜４、および比較例１〜３に応じて変えた。
【００５９】
以下、各放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
先ず、上述の基板１２の表面１２ａ（図２参照）に、幅が５．１ｍｍ、深さが１．３ｍｍの溝１２ｂを、平面視四角形状（４４４．２ｍｍ×４５４．２ｍｍ）に形成した。
次に、厚さが２ｍｍ、幅αが５．１ｍｍ、外形寸法が４４４．２ｍｍ×４５４．２ｍｍのアルミニウム合金（ＪＩＳ  Ａ５０５２）部材を、溝１２ｂに耐熱エポキシ接着剤（アレムコプロダクツ社製：アレムコボンド５２６Ｎ（商品名））を用いて接着した。このようにして、枠１４（図３参照）を配置した。
【００６０】
次に、マスク材３０として、耐熱アルミテープを、下記表１に示す実施例１〜４、比較例１〜３の接着剤の接着幅に合わせて貼り付けた。
次に、基板１２の表面１２ａの形成領域Ａに、付活剤成分の材料（付活剤成分の成膜材料）として臭化ユーロピウムを、蛍光体成分の材料（蛍光体成分の成膜材料）として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１６を形成した。
なお、両成膜材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。
【００６１】
真空蒸着装置の基板ホルダに基板１２をセットすると共に、各成膜材料を真空蒸着装置の所定位置にセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が８×１０−４Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を０．８Ｐａとした。次いで、ＤＣ電源を駆動してルツボに通電して、基板１２の表面１２ａに蛍光体層１６の形成を開始した。なお、蛍光体層１６におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００１：１、成膜速度が８μｍ／分の成膜条件となるように、両ルツボのＤＣ電源の出力を調整した。なお、上記成膜条件は、予め実験を行い、両ルツボのＤＣ電源の出力を調べている。また、加熱手段によって、蛍光体層１６の蒸着開始前の基板１２の表面１２ａの温度が１６０℃となるように加熱した。
【００６２】
予め設定された成膜条件に基づいて、蛍光体層１６の厚さが約７００μｍとなったとされる時点で、ＤＣ電源を停止して両ルツボへの通電、および基板を加熱する加熱ヒータへの通電を停止し、蛍光体層の形成を終了した。
そして、基板１２の温度が１００℃となった時点で、基板１２を基板ホルダから取り外し、真空チャンバから取り出した。その後、基板１２に、窒素雰囲気下で、温度２００℃で１時間の加熱処理を行った。
【００６３】
一方、厚さが６μｍのＰＥＴフィルム上に、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２膜をｌ００ｎｍの厚さに形成し、その上に、ＰＶＡとＳｉＯ２との比率が１：１となるように、ゾル・ゲル法を用いてＰＶＡとＳｉＯ２とのハイブリット層を６００ｎｍの厚さに形成し、このハイブリット層上に、スパッタリング法を用いてＳｉＯ２膜を１００ｎｍの厚さに形成し、防湿保護層２０を作製した。
この防湿保護層２０（ＳｉＯ２層表面）の全面に、ポリエステル系樹脂（東洋防：バイロン３００（登録商標））を塗布し、厚さが１．２μｍの接着層１８を形成した。
【００６４】
そして、蛍光体層１６が形成された基板１２を１００℃に予熱し、枠１４の外形寸法（４４４．２ｍｍ×４５４．２ｍｍ）に裁断した防湿保護層２０を、接着層１８側が蛍光体層１６と対向するように、蛍光体層１６に被せ、熱ラミネーションにより、防湿保護層２０と、枠１４の上面１４ａおよび蛍光体層１６の表面１６ａを封止接着して、図１に示す変換パネル１０を得た。
本実施例では、下記表１に示す各接着幅でマスク材３０を固定して形成された各変換パネル１０を、それぞれ２０枚製造して評価した。すなわち、実施例１〜４、比較例１〜３について、それぞれ、２０枚の変換パネルを作製した。
【００６５】
次に、「剥離」、「枠堆積物」の各評価項目について説明する。
剥離については、作製した各変換パネルのベタ画像を取得し、このベタ画像を用いて評価した。
以下、ベタ画像を用いた剥離の評価方法について説明する。
先ず、変換パネル１０の表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光をライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像としてベタ画像を得た。この放射線画像（ベタ画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【００６６】
次に、各変換パネルについて得られたベタ画像について、シャウカステンを用いて目視にて観察した。ベタ画像に、白く抜けた点があれば、剥離が発生しているとした。
なお、「剥離」の評価において、２０枚のうち、剥離が１０枚以上発生していたものを「×」とし、２０枚のうち、剥離が１枚以下発生していたものを「○」とし、２０枚のうち、剥離が発生していないものを「◎」とした。
この「剥離」の評価が悪いものは、蛍光体層１６の歩留まりが低く、生産性が低いことを示す。
【００６７】
枠堆積物については、変換パネルの作製時に、蛍光体層を形成した後、マスク材を剥がしたときに、蛍光体層となる蛍光体の枠の上面への堆積の有無を目視にて確認した。
なお、「枠堆積物」の評価において、２０枚のうち、枠の上面への堆積が１０枚以上生じていたものを「×」とし、２０枚のうち、枠の上面への堆積が１枚以下生じていたものを「○」とし、２０枚のうち、枠の上面への堆積がなかったものを「◎」とした。
この「枠堆積物」の評価が悪いものは、変換パネル１０を製造する場合、堆積物を取り除く必要があり、生産効率が低いことを示す。
【００６８】
総合については、評価項目の「剥離」および「枠堆積物」について、いずれかに「×」があれば、「×」とし、評価項目の「剥離」および「枠堆積物」について、いずれかに「○」があれば、「○」とし、評価項目の「剥離」および「枠堆積物」について、いずれもが「◎」があれば、「◎」とした。
【００６９】
本実施例においては、各変換パネルについて、蛍光体層１６の形成後にマスク材３０を剥がした後の枠１４の上面１４ａのシロキサン量を、ＩＯＮ−ＴＯＦ社製のＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析装置）を用いて測定した。ＴＯＦ−ＳＩＭＳにおいては、１次イオンにＢｉ３＋を用い、０．２ｐＡ、１０ｋＨｚの条件で１次イオンを照射した。
シロキサン量は、Ｓｉ２Ｃ５Ｈ１５Ｏを示す信号の相対強度により表わされるものである。
下記表１に示す「シロキサン量」は、各実施例１〜４、比較例１〜３におけるＳｉ２Ｃ５Ｈ１５Ｏを示す信号の相対強度の平均値を示す。
【００７０】
なお、下記表１に示す比較例１の「接着幅」の欄の「−」は、マスク材３０を接着剤で固定していないことを示す。また、比較例１の「接着面積／形成領域」の欄の「−」は、比較例１では、接着剤を用いていないため、比Ｒを求めることができないことを示す。比較例１の「シロキサン量」の欄の「−」は、接着剤を用いていないため、シロキサンを検出しなかったことを示す。
【００７１】
【表１】
2010014581.tif 000003
【００７２】
上記表１に示すように、実施例１〜実施例４は、いずれも、剥離および枠堆積物の評価が良好であった。また、本発明の好ましい範囲に入る実施例２（接着幅が枠の幅の１／２）、実施例３（接着幅が枠の幅の１／３）は、剥離および枠堆積物の評価が、いずれも特に良好であった。
【００７３】
これに対して、比較例１の変換パネルは、接着せずにマスク材を配置したものであり、接着幅が本発明の下限値未満である。この比較例１においては、蛍光体層に剥離はないものの、枠堆積物があり、生産効率が低いものであり、総合評価が劣った。
比較例２は、接着幅が本発明の上限値を超えており、枠堆積物はないものの、剥離の評価が悪く、蛍光体層の歩留まりが低く、生産性が低いものであり、総合評価が劣った。
比較例３は、接着幅が本発明の上限値を超えており、枠堆積物はないものの、剥離の評価が悪く、蛍光体層の歩留まりが低く、生産性が低いものであり、総合評価が劣った。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法により得られる放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における枠の配置状態を示す模式的平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態を示す模式的断面図である。
【図４】（ａ）は、図３の要部を拡大して示す部分断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態の変形例を示す部分断面図であり、（ｃ）は、本発明の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるマスクの配置状態の他の変形例を示す部分断面図である。
【図５】本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法における蛍光体層の形成状態を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０  放射線像変換パネル（変換パネル）
１２  基板
１４  枠
１６  蛍光体層
１８  接着層
２０  防湿保護層
３０  マスク
３２  接着剤
【図１】
2010014581.tif 000004
【図２】
2010014581.tif 000005
【図３】
2010014581.tif 000006
【図４】
2010014581.tif 000007
【図５】
2010014581.tif 000008