(57)【要約】【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項２】
外表面を構成する第１の超微粒子又は第１の薄膜と、
前記第１の超微粒子又は第１の薄膜の内側に形成された第２の超微粒子又は第２の薄膜とを具備するマイクロカプセルであって、
前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜は優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項３】
内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項４】
内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記超微粒子又は前記薄膜が優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項６】
内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜が被覆され、前記ＣＶＤ法を用いることで、該第１の超微粒子又は該第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜が被覆され、この被覆された第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項７】
内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜が被覆され、前記ＣＶＤ法を用いることで、該第１の超微粒子又は該第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜が被覆され、この被覆された第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項８】
請求項６又は７において、前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜が優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。
【請求項９】
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【請求項１０】
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、前記超微粒子又は薄膜は、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
前記超微粒子又は薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の高周波電力を印加してプラズマＣＶＤ法により被覆することを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【請求項１２】
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【請求項１３】
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３において、前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜は、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の高周波電力を印加してプラズマＣＶＤ法により被覆することを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆微粒子、ＣＶＤ(chemical vapor deposition)装置及びＣＶＤ成膜方法、マイクロカプセル及びその製造方法に関する。特には、微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆する被覆微粒子、ＣＶＤ装置及びＣＶＤ成膜方法に関する。また、微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法に関する
【背景技術】
【０００２】
従来のスパッタリング装置について説明する。
真空室内に基板とスパッタリングターゲットを対向させて配置する。スパッタリングターゲットはカソードに取り付けられている。そして、真空室内を高真空に排気し、真空室内にアルゴンガスを導入する。この状態でカソードに電力を供給するとスパッタリングターゲットの近傍でグロー放電が発生し、これにより生成したイオンがスパッタリングターゲットに衝突してターゲット原子をはじき出し、ターゲット材が基板に堆積する。このようにして基板上にターゲット材を成膜する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１７１４３１号公報（第８段落〜第１０段落、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来のスパッタリング装置を用いて微粒子の表面にターゲット材を成膜することも考えられる。この場合、基板の代わりに微粒子をスパッタリングターゲットと対向させて配置することになる。
【０００５】
しかしながら、上記のスパッタリング装置では、ターゲット側の微粒子表面にターゲット材が偏って成膜されてしまい、ターゲットとは反対側の微粒子表面にはターゲット材がほとんど成膜されない。スパッタリング現象によってスパッタリングターゲットからはじき出された原子の飛来には方向性があり、ターゲット側の微粒子表面に原子が降りそそぐようにして成膜されるからである。
【０００６】
また、上記スパッタリング装置では、凹凸のある微粒子の窪み部分にターゲット材を成膜することも困難である。この理由もターゲット原子には方向性があるからである。
このように上記従来のスパッタリング装置では、微粒子の全表面を均一性高くコーティング又は被覆することは非常に困難である。そこで、微粒子の表面に均一性よく被覆できる成膜装置の開発が求められている。
また、スパッタリング装置はＣＶＤ装置に比べて成膜速度が遅いという欠点がある。同一の薄膜をスパッタリング装置で成膜する場合とＣＶＤ装置で成膜する場合を成膜速度の観点から比較すると、スパッタリング装置はＣＶＤ装置に比べて成膜速度が１０倍程度遅い。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆した被覆微粒子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆できるＣＶＤ装置及びＣＶＤ成膜方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、化学気相成長法(chemical vapor deposition)を用いたＣＶＤ装置に注目した。ＣＶＤ装置の場合、スパッタリング装置に比べて微粒子表面に薄膜又は超微粒子を偏りの少ない状態で被覆することが可能である。尚、超微粒子とは、微粒子より粒径の小さい微粒子をいう。微粒子表面に超微粒子が被覆された状態としては、微粒子表面に超微粒子が連続的又は不連続に被覆された状態、微粒子表面に超微粒子の集合体が連続的又は不連続に被覆された状態、超微粒子と超微粒子の集合体が混在し且つ連続的又は不連続に被覆された状態を含むものである。
【０００９】
以下、具体的に説明する。
本発明に係る被覆微粒子は、ＣＶＤ法によって微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆されたことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る被覆微粒子は、内部の断面形状が略円形を有する容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆されたことを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る被覆微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、容器内に微粒子を収容し、
サーマルＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を載置する容器と、
前記容器を収容するチャンバーと、
前記容器に載置された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
サーマルＣＶＤ法を用いることにより、前記微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００１５】
上記ＣＶＤ装置によれば、サーマルＣＶＤ法を用いることにより、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を従来のスパッタリング装置に比べて均一性よく被覆することができる。
【００１６】
また、前記本発明に係るＣＶＤ装置において、前記容器はチャンバーと一体的に形成されていることも可能である。
【００１７】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらサーマルＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００１８】
上記ＣＶＤ装置によれば、容器の内部形状が略円形であるため、容器自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌させることができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００１９】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらサーマルＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００２０】
上記ＣＶＤ装置によれば、容器の内部形状が多角形であるため、容器自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌させることができる。容器の内部形状を多角形とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、容器の内部形状が略円形の場合に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００２１】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を載置する容器と、
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置され、前記容器に対向するように配置された電極と、
を具備し、
プラズマＣＶＤ法を用いることにより、前記微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００２２】
上記ＣＶＤ装置によれば、プラズマＣＶＤ法を用いることにより、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を従来のスパッタリング装置に比べて均一性よく被覆することができる。
【００２３】
また、前記本発明に係るＣＶＤ装置において、前記容器は前記チャンバーと一体的に形成されていることも可能である。
【００２４】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００２５】
上記ＣＶＤ装置によれば、容器の内部形状が略円形であるため、容器自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌させることができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００２６】
本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
【００２７】
上記ＣＶＤ装置によれば、容器の内部形状が多角形であるため、容器自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌させることができる。容器の内部形状を多角形とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、容器の内部形状が略円形の場合に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００２８】
また、前述した本発明に係るＣＶＤ装置それぞれにおいて、前記電極及び前記容器のいずれか一方又は両方に接続されたプラズマ電源をさらに具備することが好ましい。このプラズマ電源は、高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源及びそれぞれパルス変調された高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源のいずれかであってもよい。
【００２９】
また、前述した本発明に係るＣＶＤ装置それぞれにおいて、前記ガス導入機構は、前記電極からシャワー状のガスを前記容器内に導入する機構を有することも可能である。
【００３０】
また、前述した本発明に係るＣＶＤ装置それぞれにおいて、前記容器を収容するチャンバーと、該チャンバー内を真空排気する真空排気機構とをさらに具備してもよい。尚、前記容器はチャンバーと一体的に形成されていても良いし、この場合は、回転機構によって容器とともにチャンバーも回転する構成となる。
【００３１】
本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。
【００３２】
本発明に係るマイクロカプセルは、外表面を構成する第１の超微粒子又は第１の薄膜と、
前記第１の超微粒子又は第１の薄膜の内側に形成された第２の超微粒子又は第２の薄膜とを具備するマイクロカプセルであって、
前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜は優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。
【００３３】
本発明に係るマイクロカプセルは、内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係るマイクロカプセルは、内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とする。
【００３５】
前述したそれぞれの本発明に係るマイクロカプセルにおいては、前記超微粒子又は前記薄膜が優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することが好ましい。
【００３６】
本発明に係るマイクロカプセルは、内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜が被覆され、前記ＣＶＤ法を用いることで、該第１の超微粒子又は該第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜が被覆され、この被覆された第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とする。
【００３７】
本発明に係るマイクロカプセルは、内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜が被覆され、前記ＣＶＤ法を用いることで、該第１の超微粒子又は該第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜が被覆され、この被覆された第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであることを特徴とする。
【００３８】
また、前述した本発明に係るマイクロカプセルそれぞれは、前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜が優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することが好ましい。
【００３９】
また、前述した本発明に係るマイクロカプセルそれぞれは、前記ＤＬＣについてラマンスペクトル分析を行った結果のラマンスペクトル曲線において、Ｇピークベースライン強度をＢとし、Ｇピーク補正後強度をＡとした場合、Ｂ／Ａの値が１．９未満であることが好ましい。
【００４０】
また、本発明に係るマイクロカプセルにおいて、前記ＤＬＣは、０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いて成膜されたものであることが好ましい。
【００４１】
本発明に係るマイクロカプセルの製造方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
【００４２】
本発明に係るマイクロカプセルの製造方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
【００４３】
また、前述した本発明に係るマイクロカプセルの製造方法それぞれにおいて、前記超微粒子又は薄膜は、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
前記超微粒子又は薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の高周波電力を印加してプラズマＣＶＤ法により被覆することも可能である。
【００４４】
本発明に係るマイクロカプセルの製造方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
【００４５】
本発明に係るマイクロカプセルの製造方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらＣＶＤ法を用いることで、前記第１の超微粒子又は前記第１の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
【００４６】
また、前述した本発明に係るマイクロカプセルの製造方法それぞれにおいて、前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜は、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなり、
前記第２の超微粒子又は前記第２の薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の高周波電力を印加してプラズマＣＶＤ法により被覆することも可能である。
【発明の効果】
【００４７】
以上説明したように本発明によれば、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆した被覆微粒子を提供することができる。また、他の本発明によれば、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆できるＣＶＤ装置及びＣＶＤ成膜方法を提供することができる。また、他の本発明によれば、微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る実施の形態１によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す構成図である。
【図２】図１に示すサーマルＣＶＤ装置によって微粒子に薄膜を被覆した被覆微粒子の一例を示す断面図である。
【図３】（Ａ）は、本発明に係る実施の形態２によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明に係る実施の形態３によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】図４に示すサーマルＣＶＤ装置によって微粒子に薄膜を被覆した被覆微粒子の一例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る実施の形態４によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す構成図である。
【図７】（Ａ）は、本発明に係る実施の形態５によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す７Ｂ−７Ｂ線に沿った断面図である。
【図８】（Ａ）は、本発明に係る実施の形態６によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。
【図９】ＤＬＣ膜のラマンスペクトルの一例を示す図である。
【図１０】細胞接着評価の結果を示すものであって、ディッシュにおけるＰＳ、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤそれぞれと吸光度（Ｏ．Ｄ．５９５ｎｍ）との関係を示す棒グラフである。
【図１１】細胞毒性評価の結果を示すものであり、ディッシュにおけるＰＳ、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤそれぞれとＬＤＨの溶出率との関係を示す棒グラフである。
【図１２】ディッシュにおける穴の底面部（ＰＳ、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤ）のタンパク質の吸着率を示す棒グラフである。
【図１３】ラマンスペクトル分析を行うサンプルを作製した際のＲＦ出力とＢ／Ａ値の関係を示すグラフである。
【図１４】Ｂ／Ａ値の定義を説明するためのラマンスペクトル曲線である。
【図１５】各々のサンプルを作製した際のＲＦ出力とＤＬＣ膜の密度の関係を示すグラフである。
【図１６】１００ＷのＲＦ出力でＤＬＣ膜を成膜したサンプルのアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
【図１７】２００ＷのＲＦ出力でＤＬＣ膜を成膜したサンプルのアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
【図１８】ＤＬＣ膜を成膜していないＳｉ基体のアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明に係る実施の形態１によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す構成図である。このサーマルＣＶＤ装置は、微粒子（又は粉体）の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子（ここでの超微粒子とは微粒子より粒径の小さい微粒子をいう）又は薄膜を被覆させるための装置である。
【００５０】
サーマルＣＶＤ装置は、粉体（微粒子）１を載置又は収容する容器２を有している。この容器２の下部には、粉体１を加熱する加熱機構としてのヒーター４が配置されている。容器２及びヒーター４はチャンバー３内に配置されている。
【００５１】
また、サーマルＣＶＤ装置は、チャンバー３の内部にガスを導入するガス導入機構を備えている。ガス導入機構は、Ｏ２ガスを導入する第１ガス導入機構と、ＳｉＨ４ガスを導入する第２ガス導入機構とを有している。第１ガス導入機構は、配管５〜７、第１バルブ１２、第１マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１４及びＯ２ガス供給源を有している。第２ガス導入機構は、配管８〜１０、第２バルブ１３、第１マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５及びＳｉＨ４ガス供給源を有している。
【００５２】
配管５の先端はチャンバー３に接続されており、配管５の先端からＯ２ガスをチャンバー３内に噴き出すようになっている。配管５の基端は第１バルブ１２の一方側に接続されており、第１バルブ１２の他方側は配管６の一端に接続されている。配管６の他端はマスフローコントローラ１４の一端に接続されており、マスフローコントローラ１４の他端は配管７の一端に接続されている。配管７の他端はＯ２ガス供給源に接続されている。
【００５３】
配管８の先端はチャンバー３に接続されており、配管８の先端からＳｉＨ４ガスをチャンバー３内に噴き出すようになっている。配管８の基端は第２バルブ１３の一方側に接続されており、第２バルブ１３の他方側は配管９の一端に接続されている。配管９の他端はマスフローコントローラ１５の一端に接続されており、マスフローコントローラ１５の他端は配管１０の一端に接続されている。配管１０の他端はＳｉＨ４ガス供給源に接続されている。
【００５４】
また、サーマルＣＶＤ装置は、チャンバー３の内部を真空引きする真空ポンプ１６を備えている。この真空ポンプ１６は配管１１によってチャンバー３に接続されている。
【００５５】
次に、上記サーマルＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）１に超微粒子又は薄膜を被覆するＣＶＤ成膜方法について説明する。
まず、容器２内に多くの微粒子が集まった粉体１を収容する。容器２内に収容する粉体１の量は、微粒子からなる層を２〜３層積層させる程度が好ましい。微粒子からなる層の積層数を多くすると、下層の方の微粒子にはＣＶＤ成膜のための原料ガスが到達しにくいため、下層の微粒子表面への薄膜の付きまわりが悪くなるからである。尚、微粒子１を構成する母材は、樹脂でも金属でもセラミックでも良く、種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では例えばＴｉ粉体又はＡｌ２Ｏ３粉体を用いる。また、微粒子１は、単一の物質から構成されている必要は必ずしも無く、複数の物質を混合したものから構成されていることも可能である。また、微粒子１の形状は、種々の形状を用いることが可能であり、例えば球又は球に近い形状とすることが好ましい。
【００５６】
次いで、ヒーター４で容器２を介して粉体１を所定の温度（例えば２００℃程度）まで加熱しながら、真空ポンプ１６を用いてチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。そして、第１バルブ１２を開けてマスフローコントローラ１４によって流量制御された酸素ガスを、配管５〜７を通してチャンバー３の内部に導入すると共に、第２バルブ１３を開けてマスフローコントローラ１５によって流量制御されたＳｉＨ４ガスを、配管８〜１０を通してチャンバー３の内部に導入する。これにより、粉体１の各々の微粒子表面にＳｉＯ２からなる超微粒子又は薄膜を被覆することができる。
【００５７】
図２は、図１に示すサーマルＣＶＤ装置によって微粒子に薄膜を被覆した被覆微粒子の一例を示す断面図である。
被覆微粒子１８は、微粒子１の表面に薄膜１７が均一性よく被覆されたものである。ただし、前記サーマルＣＶＤ装置では、容器２に収容された微粒子１を静止させた状態でサーマルＣＶＤ法により薄膜を成膜しているため、微粒子１の底部（容器２と接する側の部分）に被覆される薄膜の厚さは薄くなる。これに対し、従来のスパッタリング装置によって微粒子に薄膜を被覆した場合、ＣＶＤ装置に比べて付きまわりが悪いために、微粒子の上部（スパッタリングターゲット側の部分）に主に薄膜が覆され、微粒子の側部及び底部には十分に薄膜が被覆されない。
【００５８】
上記実施の形態１によれば、サーマルＣＶＤ装置を用いることにより、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を従来のスパッタリング装置に比べて均一性よく被覆することができる。
また、本実施の形態では、ＣＶＤ法を用いるため、スパッタリング法に比べて結晶性がよく緻密な薄膜を微粒子に被覆することができる。
【００５９】
（実施の形態２）
図３（Ａ）は、本発明に係る実施の形態２によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。このサーマルＣＶＤ装置は、微粒子（又は粉体）の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
【００６０】
サーマルＣＶＤ装置は円筒形状のチャンバー３を有している。このチャンバー３の両端はチャンバー蓋２０によって閉じられている。チャンバー３の内部には容器１９が配置されている。この容器１９は円筒形状の部分（丸型バレル）を有しており、この丸型バレルの内部に粉体（微粒子）１が収容されるようになっている。図３（Ｂ）で示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、断面形状が略円形の容器１９を用いているが、これに限定されるものではなく、断面形状が略楕円形の容器を用いることも可能である。
【００６１】
容器１９には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構により容器１９を矢印のように回転させることで該容器１９内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。前記回転機構により容器１９を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。また、容器１９の外面には、粉体１を加熱する加熱機構としてのヒーター２１が配置されている。
【００６２】
また、サーマルＣＶＤ装置は、容器１９の内部にガスを導入するガス導入機構を備えている。ガス導入機構は、Ｏ２ガスを導入する第１ガス導入機構と、ＳｉＨ４ガスを導入する第２ガス導入機構とを有している。第１ガス導入機構及び第２ガス導入機構それぞれの構造は実施の形態１と略同様である。また、サーマルＣＶＤ装置は、チャンバー３の内部を真空引きする真空ポンプ（図示せず）を備えている。
【００６３】
次に、上記サーマルＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）１に超微粒子又は薄膜を被覆するＣＶＤ成膜方法について説明する。
まず、容器１９内に多くの微粒子が集まった粉体１を収容する。尚、粉体１としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態１と同様に例えばＴｉ粉体又はＡｌ２Ｏ３粉体を用いる。
【００６４】
次いで、ヒーター４で容器１９を介して粉体１を所定の温度（例えば２００℃程度）まで加熱しながら、真空ポンプ１６を用いてチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。そして、第１ガス導入機構によって流量制御された酸素ガスを容器１９の内部に導入すると共に、第２ガス導入機構によって流量制御されたＳｉＨ４ガスを容器１９の内部に導入する。そして、回転機構により容器１９を所定の回転速度（例えば１５ｒｐｍ）で所定時間（例えば１２０分）回転させることで、容器１９内の粉体１を回転させ、攪拌させる。これにより、粉体１の各々の微粒子表面にＳｉＯ２膜からなる超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することができる。
【００６５】
上記実施の形態２においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態によれば、丸型バレルの容器１９自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌できるため、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００６６】
（実施の形態３）
図４（Ａ）は、本発明に係る実施の形態３によるサーマルＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。図４において図３と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００６７】
チャンバー３の内部には容器２２が配置されている。この容器２２は、図４（Ｂ）に示すようにその断面が六角形のバレル形状（六角型バレル形状）を有している。そして、容器２２の内部に粉体（微粒子）１が収容されるようになっている。図４（Ｂ）で示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、六角型バレル形状の容器２２を用いているが、これに限定されるものではなく、六角形以外の多角形のバレル形状の容器を用いることも可能である。
【００６８】
容器２２には実施の形態２と同様に回転機構（図示せず）が設けられている。この回転機構により容器２２を矢印のように回転させることで該容器２２内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。前記回転機構により容器２２を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。
【００６９】
また、容器２２の外面には実施の形態２と同様に加熱機構が配置されている。また、本サーマルＣＶＤ装置は実施の形態２と同様にガス導入機構及び真空ポンプを備えている。
【００７０】
次に、上記サーマルＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）１に超微粒子又は薄膜を被覆するＣＶＤ成膜方法について説明する。
まず、容器１９内に多くの微粒子が集まった粉体１を収容する。尚、粉体１としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態１と同様に例えばＴｉ粉体又はＡｌ２Ｏ３粉体を用いる。
【００７１】
次いで、ヒーター４で容器２２を介して粉体１を所定の温度まで加熱しながら、真空ポンプを用いてチャンバー３内を所定の圧力まで減圧する。そして、第１ガス導入機構によって流量制御された酸素ガスを容器２２の内部に導入すると共に、第２ガス導入機構によって流量制御されたＳｉＨ４ガスを容器２２の内部に導入する。そして、回転機構により容器を所定の回転速度で所定時間回転させることで、容器２２内の粉体１を回転させ、攪拌させる。これにより、粉体１の各々の微粒子表面にＳｉＯ２膜からなる超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することができる。
【００７２】
図５は、図４に示すサーマルＣＶＤ装置によって微粒子に薄膜を被覆した被覆微粒子の一例を示す断面図である。
被覆微粒子２３は、微粒子１の表面に薄膜１７が均一性よく被覆されたものである。前記サーマルＣＶＤ装置では、容器２２を回転させることで微粒子１を回転させ攪拌しながらサーマルＣＶＤ法により薄膜を成膜しているため、微粒子１の表面全体に薄膜を非常に均一性よく被覆することができる。また、微粒子１の表面に凹凸又は窪みがある場合でも、膜の付きまわりが良いというＣＶＤ装置の特性上、凹凸又は窪みにカバレージよく薄膜を被覆することができる。これに対し、従来のスパッタリング装置によって凹凸又は窪みがある微粒子に薄膜を被覆した場合、ＣＶＤ装置に比べて付きまわりが悪いために、凹凸又は窪みには薄膜が十分に被覆されない。
【００７３】
上記実施の形態３においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態によれば、六角型バレル形状の容器２２自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、実施の形態２に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。具体的には、粒径が５０μｍ以下の微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
【００７４】
（実施の形態４）
図６は、本発明に係る実施の形態４によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す構成図である。このプラズマＣＶＤ装置は、微粒子（又は粉体）の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
【００７５】
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー３を有している。チャンバー３内には、コーティング対象の粉体（微粒子）１を収容する容器２が配置されている。この容器２はプラズマ電源３１又は接地電位に接続されるようになっており、両者はスイッチ３２により切り替え可能に構成されている。
【００７６】
また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー３内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構を備えている。この原料ガス導入機構は筒状のガスシャワー電極２４を有しており、このガスシャワー電極２４はチャンバー３内に配置されている。ガスシャワー電極２４の一方側には、単数又は複数の原料ガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口が複数形成されている。このガス吹き出し口は容器に収容された粉体１と対向するように配置されている。ガスシャワー電極２４の他方側は真空バルブ２６を介してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２７の一方側に接続されている。マスフローコントローラ２７の他方側は図示せぬ真空バルブ及びフィルターなどを介して原料ガス発生源２８に接続されている。この原料ガス発生源２８は、粉体に被覆する薄膜によって発生させる原料ガスの種類が異なるが、例えばＳｉＯ２膜を成膜する場合はＳｉＨ４ガス等を発生させるものとする。
【００７７】
また、プラズマＣＶＤ装置はプラズマパワー供給機構を備えており、このプラズマパワー供給機構はガスシャワー電極２４にスイッチ３３を介して接続されたプラズマ電源２５を有している。プラズマ電源２５，３１は、高周波電力（ＲＦ出力）を供給する高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源、及びそれぞれパルス変調された高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源のいずれかであればよい。例えばプラズマ電源が高周波電力を供給するものである場合、図示せぬインピーダンス整合器（マッチングボックス）を高周波電源とガスシャワー電極２４との間に配置することが好ましい。つまり、この場合、ガスシャワー電極２４はマッチングボックスに接続されており、マッチングボックスは同軸ケーブルを介して高周波電源（ＲＦ電源）に接続されている。
尚、ガスシャワー電極２４及び容器２のいずれか一方にプラズマ電源が接続され、他方に接地電位が接続されていても良いし、ガスシャワー電極２４及び容器２の両方にプラズマ電源が接続されていても良い。
【００７８】
また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー３内を真空排気する真空排気機構を備えている。例えば、ガスシャワー電極１２にはチャンバー３内を排気する排気口（図示せず）が複数設けられており、排気口は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００７９】
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体１に超微粒子又は薄膜を被覆する方法について説明する。
まず、複数の微粒子からなる粉体１を容器２内に収容する。容器２内に収容する粉体１の量及び粉体の材質は実施の形態１と同様である。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。
【００８０】
次いで、真空バルブ２６を開き、原料ガス発生源２８において原料ガス（例えばＳｉＨ４ガス）を発生させ、この原料ガスをマスフローコントローラ２７によって流量制御し、この流量制御された原料ガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。
【００８１】
この後、ガスシャワー電極２４に例えばマッチングボックスを介してプラズマ電源２５の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、容器２は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器２との間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボックスは、容器２とガスシャワー電極２４のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、チャンバー３内にプラズマが発生し、ＳｉＯ２からなる超微粒子又は薄膜が微粒子１の表面に被覆される。
【００８２】
上記実施の形態４によれば、プラズマＣＶＤ装置を用いることにより、微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を従来のスパッタリング装置に比べて均一性よく被覆することができる。
【００８３】
また本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いるため、１００℃以下の低温でも微粒子表面に薄膜等を被覆することが可能である。従って、１００℃以上の高温で分解しやすい微粒子や相変化を起こしやすい微粒子、或いは表面変質しやすい微粒子に薄膜等を被覆することが可能となる。
また、本実施の形態では、プラズマＣＶＤ装置を用いるため、スパッタリング装置を用いる場合に比べてターゲット交換が不要であり、メンテナンス性が良い。
【００８４】
（実施の形態５）
図７（Ａ）は、本発明に係る実施の形態５によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す７Ｂ−７Ｂ線に沿った断面図である。このプラズマＣＶＤ装置は、微粒子（又は粉体）の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
【００８５】
プラズマＣＶＤ装置は円筒形状のチャンバー３を有している。このチャンバー３の両端はチャンバー蓋２０によって閉じられている。チャンバー３の内部には容器２９が配置されている。この容器２９は円筒形状の部分（丸型バレル）を有しており、この丸型バレルの内部にコーティング対象物としての粉体（微粒子）１が収容されるようになっている。また、容器２９は、電極としても機能し、プラズマ電源３１又は接地電位に接続されるようになっており、両者はスイッチ３２により切り替え可能に構成されている。図７（Ｂ）で示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、断面形状が略円形の容器２９を用いているが、これに限定されるものではなく、断面形状が略楕円形の容器を用いることも可能である。
【００８６】
容器２９には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構によりガスシャワー電極２４を回転中心として容器２９を矢印のように回転させることで該容器２９内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。前記回転機構により容器２９を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。また、チャンバー３内の気密性は、容器２９の回転時においても保持されている。
【００８７】
また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー３内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構を備えている。この原料ガス導入機構は筒状のガスシャワー電極２４を有しており、このガスシャワー電極２４は容器２９内に配置されている。即ち、容器２９の一方側には開口部が形成されており、この開口部からガスシャワー電極２４が挿入されている。ガスシャワー電極２４には、単数又は複数の原料ガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口が複数形成されている。このガス吹き出し口は容器に収容された粉体１と対向するように配置されている。ガス吹き出し口は、図７（Ｂ）に示すように重力方向３０に対して容器２９の回転方向に１°〜９０°程度の方向に配置されている。
【００８８】
ガスシャワー電極２４は、実施の形態４と同様に真空バルブ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、真空バルブ、フィルター、原料ガス発生源に接続されている（図示せず）。この原料ガス発生源は、粉体に被覆する薄膜によって発生させる原料ガスの種類が異なるが、例えばＳｉＯ２膜を成膜する場合はＳｉＨ４ガス等を発生させるものとする。
【００８９】
また、プラズマＣＶＤ装置はプラズマパワー供給機構を備えており、このプラズマパワー供給機構は実施の形態４と同様の構造を有している。また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー３内を真空排気する真空排気機構を備えており、真空排気機構の構造は実施の形態４と略同様である。
【００９０】
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体１に超微粒子又は薄膜を被覆する方法について説明する。
まず、複数の微粒子からなる粉体１を容器２内に収容する。尚、粉体１としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態１と同様に例えばＴｉ粉体又はＡｌ２Ｏ３粉体を用いる。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。これと共に、回転機構により容器２９を回転させることで、その内部に収容された粉末（微粒子）１が容器内面において重力方向３０とそれに対して回転方向に９０°の間を転がりながら動く。
【００９１】
次いで、原料ガス発生源において原料ガス（例えばＳｉＨ４ガス）を発生させ、この原料ガスをマスフローコントローラによって流量制御し、この流量制御された原料ガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。これにより、容器２９内を転がりながら動いている微粒子１に原料ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【００９２】
この後、ガスシャワー電極２４に例えばマッチングボックスを介してプラズマ電源２５の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、容器２９は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器２９との間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボックスは、容器２とガスシャワー電極２４のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、容器２９内にプラズマが発生し、ＳｉＯ２からなる超微粒子又は薄膜が微粒子１の表面に被覆される。つまり、容器２９を回転させることによって微粒子１を転がしているため、微粒子１の表面全体に薄膜を均一に被覆することが容易にできる。
【００９３】
上記実施の形態５においても実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態によれば、丸型バレルの容器２９自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌できるため、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
【００９４】
（実施の形態６）
図８（Ａ）は、本発明に係る実施の形態６によるプラズマＣＶＤ装置の概略を示す断面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示す８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。図８において図７と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００９５】
チャンバー３の内部には容器３０が配置されている。この容器３０は、図８（Ｂ）に示すようにその断面が六角形のバレル形状（六角型バレル形状）を有している。そして、容器３０の内部にはコーティング対象物である粉体（微粒子）１が収容されるようになっている。また、容器３０は、電極としても機能し、プラズマ電源３１又は接地電位に接続されるようになっており、両者はスイッチ３２により切り替え可能に構成されている。図８（Ｂ）で示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、六角型バレル形状の容器３０を用いているが、これに限定されるものではなく、六角形以外の多角形のバレル形状の容器を用いることも可能である。
【００９６】
容器３０には実施の形態５と同様に回転機構（図示せず）が設けられている。この回転機構により容器３０を矢印のように回転させることで該容器３０内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。前記回転機構により容器３０を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。
【００９７】
また、プラズマＣＶＤ装置は実施の形態５と同様に原料ガス導入機構及び真空排気機構を備えている。この原料ガス導入機構は実施の形態５と同様に筒状のガスシャワー電極２４を有している。また、プラズマＣＶＤ装置は実施の形態５と同様にプラズマパワー供給機構を備えている。
【００９８】
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）１に超微粒子又は薄膜を被覆するＣＶＤ成膜方法について説明する。
まず、複数の微粒子からなる粉体１を容器３０内に収容する。尚、粉体１としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態１と同様に例えばＴｉ粉体又はＡｌ２Ｏ３粉体を用いる。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。これと共に、回転機構により容器３０を回転させることで、その内部に収容された粉末（微粒子）１が容器内面において攪拌又は回転される。
【００９９】
次いで、原料ガス発生源において原料ガス（例えばＳｉＨ４ガス）を発生させ、この原料ガスをマスフローコントローラによって流量制御し、この流量制御された原料ガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。これにより、容器３０内を攪拌又は回転しながら動いている微粒子１に原料ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【０１００】
この後、ガスシャワー電極２４に例えばマッチングボックスを介してプラズマ電源２５の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、容器３０は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器３０との間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボックスは、容器２とガスシャワー電極２４のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、容器３０内にプラズマが発生し、ＳｉＯ２からなる超微粒子又は薄膜が微粒子１の表面に被覆される。つまり、容器３０を回転させることによって微粒子１を攪拌し、回転させているため、微粒子１の表面全体に薄膜を均一に被覆することが容易にできる。
【０１０１】
上記実施の形態６においても実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態によれば、六角型バレル形状の容器３０自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、実施の形態５に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。具体的には、粒径が５０μｍ以下の微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
【０１０２】
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７によるマイクロカプセルについて説明する。
第１のマイクロカプセルは、微粒子の表面に優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜を被覆し、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除いたものである。また、他の例である第２のマイクロカプセルは、微粒子の表面に第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆し、第１の超微粒子又は第１の薄膜の表面に優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆し、この被覆された第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除いたものである。このようなマイクロカプセルは、医薬としてのドラッグデリバリーなどに適用するものである。尚、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜は、炭素間のＳＰ３結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフォロジを有する硬質炭素膜である。
【０１０３】
ここでのＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜（以下、ＤＬＣ膜と呼ぶ）は、炭素を主成分とする非晶質炭素系薄膜であって、山形状を有する曲線を２つ以上合成したラマンスペクトル曲線を持つものをいい、比較的軟らかいものから非常に硬いものまで含まれる。このラマンスペクトルは図９に示すようなものである。但し、図９に示すラマンスペクトルは単なる一例である。
【０１０４】
図９に示すように、ラマンスペクトル曲線１１０は、ＧバンドとＤバンドと呼ばれる２つの山を有するものであって、波数（wavenumber）が１５００付近にピークを有する山形状の曲線（Ｇバンド）１１１と波数が１３００付近にピークを有する山形状の曲線（Ｄバンド）１１２とを合成したものである。
【０１０５】
上記優れた生体適合性を有するＤＬＣ膜は、そのＤＬＣ膜を生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有するものであり、細胞毒性がほとんど無いという性質を有するものである。
【０１０６】
ここで、生体適合性に優れていることは、組織適合性に優れ、非免疫性に優れ、血液適合性にも優れていることをいう。
【０１０７】
組織適合性とは、ＤＬＣ膜を生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体の組織を構成する細胞にダメージを発現させないことをいう。言い換えると、細胞毒性を発現させないことである。
細胞毒性とは、本来、増殖・分化していく細胞が、ある物質と直接又は間接的に接触し、破壊されることをいう。
【０１０８】
非免疫性とは、ＤＬＣ膜を生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体外部からの刺激（有害な異物）から生体を守る免疫反応を誘発させないことをいう。
血液適合性とは、ＤＬＣ膜を血液と接触する部位で使用する際、不必要な血液の凝固（血栓形成）や破壊（溶血）を起こさないことをいう。血液凝固にはいくつかの要因があるが、その一つに血小板の吸着が挙げられる。血液中のアルブミンが吸着した材料表面は血小板の吸着が起こりにくいため、血栓形成を抑制することになる。
【０１０９】
次に、上記ＤＬＣ膜が生体適合性を有することを確認するための細胞実験を行ったので、それについて説明する。
【０１１０】
実験方法について説明する。
まず、細胞を培養するポリスチレン製ディッシュを準備する。このディッシュは、平面が四角形状を有しており、縦８列、横１２列の合計９６個の穴（窪み）が設けられ、この穴の中に培養液と細胞を入れて細胞を培養するものである。これらの穴の底（底面）には次のような処理が施されている。すなわち、Ｃ７Ｈ８の使用ガス、２０ｓｃｃｍのガス流量、５ｍｍＴｏｒｒのガス圧、下記Ａ〜ＩのＲＦ出力と成膜時間で穴底にＤＬＣ膜をコーティングしたもの、ポリスチレン（ＰＳ）のままのもの、ＴＣＤ（ティッシュカルチャーポリスチレンディッシュ）処理を施したものが各々８個ずつ設けられている。ＴＣＤは組織培養用ディッシュである。
【０１１１】
成膜条件Ａ：３００ＷのＲＦ出力、３０秒の成膜時間
成膜条件Ｂ：３００ＷのＲＦ出力、６０秒の成膜時間
成膜条件Ｃ：３００ＷのＲＦ出力、９０秒の成膜時間
成膜条件Ｄ：５００ＷのＲＦ出力、３０秒の成膜時間
成膜条件Ｅ：５００ＷのＲＦ出力、６０秒の成膜時間
成膜条件Ｆ：５００ＷのＲＦ出力、９０秒の成膜時間
成膜条件Ｇ：９００ＷのＲＦ出力、３０秒の成膜時間
成膜条件Ｈ：９００ＷのＲＦ出力、６０秒の成膜時間
成膜条件Ｉ：９００ＷのＲＦ出力、９０秒の成膜時間
【０１１２】
次に、細胞を培地にて調整し、この細胞懸濁液を上記ディッシュの各々の穴に入れ、２４時間のインキュベート後、穴の底面部における細胞接着性評価、細胞毒性評価を行った。なお、細胞としてはラット頭蓋冠由来骨芽細胞（マウスの頭頂部の骨の細胞）を用い、培地としてはＤＭＥＭ培地と１０％ＦＢＳ（血清）と抗生物質、非必須アミノ酸などの培地に必要な栄養分を含むものを用いる。
【０１１３】
細胞接着性を評価するための細胞接着試験について説明する。
まず、ラット頭蓋冠由来骨芽細胞をＤＭＥＭ培地にて８×１０４cells/mlに調整し、この細胞懸濁液１００μｌを上記ディッシュの各々の穴に入れる。そして、２４時間のインキュベート後、穴の底面部に接着している細胞数をＭＴＴ  ａｓｓａｙにて算出した。
【０１１４】
ＭＴＴはミトコンドリア中の酵素によりformazanに変化する。Formazanを溶解し、比色定量することにより、ミトコンドリアの活性を評価できる。生成したformazan量は生細胞数に比例するため、ＭＴＴ  ａｓｓａｙの吸光度（Ｏ．Ｄ．５９５ｎｍ）の値を接着細胞数とする。つまり、ミトコンドリアは１細胞につき１個あるから、ＭＴＴ ａｓｓａｙの吸光度の値から測定したミトコンドリアの数によって接着細胞数を測定できる。この結果は図１０に示されている。
【０１１５】
図１０は、細胞接着評価の結果を示すものであり、ディッシュにおけるＰＳ（ポリスチレン）、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤそれぞれと吸光度（Ｏ．Ｄ．５９５ｎｍ）との関係を示す棒グラフである。図１０によれば、縦軸の値が高い程、接着した細胞数が多いことを示しているが、Ａ〜ＩはＤＬＣをコーティングしていないＰＳと比較して細胞接着性が明らかに良好であった。また、細胞接着性は対象比較として用いたＴＣＤよりも若干良好であった。
【０１１６】
細胞毒性を評価するための細胞毒性試験について説明する。
まず、ラット頭蓋冠由来骨芽細胞をＤＭＥＭ培地にて８×１０４cells/mlに調整し、この細胞懸濁液１００μｌを上記ディッシュの各々の穴に入れる。そして、２４時間のインキュベート後、細胞膜障害性試験であるＬＤＨ漏出測定法にて細胞毒性を定量的に測定した。
【０１１７】
ライソソーム酵素であるＬＤＨは、細胞膜が障害を受けた場合に細胞内から培地中に放出される。この放出されたＬＤＨを、Ｉａｔｒｏｚｙｍｅ  ＬＤＨ−ＬＱ  Ｋｉｔを用い吸光度（Ｏ．Ｄ．５９５ｎｍ）を比色定量した。ＬＤＨの溶出率が高いほど、細胞膜に与えるダメージが大きいので、細胞毒性が強いと言える。この試験結果は図１１に示されている。
【０１１８】
図１１は、細胞毒性評価の結果を示すものであり、ディッシュにおけるＰＳ（ポリスチレン）、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤそれぞれとＬＤＨの溶出率との関係を示す棒グラフである。
【０１１９】
図１１において、縦軸のＬＤＨの溶出率の値が高い程、細胞膜に対する障害性が高いこと（即ち細胞膜に与えるダメージが大きいこと）を示している。ＤＬＣをコーティングしていない未処理のＰＳでは、ＬＤＨの溶出率が２０％と高い値を示しており、細胞膜の障害性が高いといえる。しかし、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉでは、ＬＤＨの溶出率が低い値を示しているので、細胞膜の障害性が低いと言える。従って、ＤＬＣをコーティングすることにより、細胞膜の障害性を抑えることができる。Ａ〜ＩはＤＬＣをコーティングしていないＰＳと比較して明らかに低い毒性であった。また、細胞毒性は対象比較として用いたＴＣＤとほぼ同等であった。
【０１２０】
細胞接着評価及び細胞毒性評価を行った結果、ディッシュにおいてＤＬＣをコーティングしたものは、ＤＬＣ膜の膜厚によらず、ＴＣＤと同程度又はそれ以上の細胞接着性を有し、低細胞毒性であることが判明した。従って、ＤＬＣ膜は生体適合性が非常に優れていると言える。また、膜厚依存性が見られないので、ＰＳ表面にＤＬＣ膜を若干でもコーティングしておけば、骨芽細胞にとって良好な増殖の場となり得るのである。
【０１２１】
次に、上記ＤＬＣ膜が血液適合性を有することを確認するための実験を行ったので、それについて説明する。
【０１２２】
実験方法方について説明する。
まず、ポリスチレン製ディッシュを準備する。このディッシュは前述した細胞実験に用いたものと同様である。
次に、タンパク溶液をディッシュの各々の穴に入れ、酵素免疫測定法（ＥＬＩＳＡ法）を用いて、穴の底面部に吸着したタンパク質を検出する。なお、ＥＬＩＳＡ法は、enzyme-liked immunosorbentassayの略で酵素活性を標識して抗原抗体応を追跡し、抗原又は抗体の量を定量するという方法であって、検出感度が非常に高く、ナノグラム・オーダーのタンパク質を検出することが可能である。
【０１２３】
具体的な実験方法について説明する。各種ディッシュに５００ｎｇ／ｍｌに調整した人血清アルブミン溶液を入れ、３７℃で１時間インキュベートを行い、アルブミンをディッシュに吸着させる。１時間後、上澄みを除去し、１次抗体溶液を加え、３７℃で２時間インキュベートを行い、吸着したタンパク質に１次抗体を結合させる。その後、ディッシュを洗浄して余剰な１次抗体を除去する。
【０１２４】
次に、ディッシュに２次抗体溶液を入れ、３７℃で２時間インキュベートを行い、タンパク質に結合した１次抗体に２次抗体を結合させる。そして、１次抗体の場合と同様に余剰な２次抗体を洗浄除去した後、ｐ−ニトロフェニルリン酸２ナトリウム６水和物によって、２次抗体に結合しているアルカリフォスファターゼに酵素反応させた後、水酸化ナトリウム水溶液で反応を停止させ吸光度を測定する。この測定結果から、各種ディッシュにおけるタンパク質の吸着率を算出し、その結果を図１２に示している。
【０１２５】
図１２は、ディッシュにおける穴の底面部（ＰＳ（ポリスチレン）、ＤＬＣをコーティングしたＡ〜Ｉ及びＴＣＤ）のタンパク質の吸着率を示す棒グラフである。ここでのタンパク質の吸着率は、穴に入れられたタンパク溶液に含まれているタンパク質が、穴の底面部に吸着した割合（％）である。
【０１２６】
図１２によれば、Ａ〜Ｉはタンパク質の吸着率が９０〜１００％と非常に良好であり、ＴＣＤに比較して非常に高い吸着率を示している。このような結果から、上記ＤＬＣ膜が非常に優れた血液適合性を有することを確認することができた。
【０１２７】
次に、ＤＬＣ膜についてラマンスペクトル分析を行った結果について説明する。
高周波電源に接続された電極上に基板を固定し、この電極に高周波電力を印加し、プラズマＣＶＤ法により基板表面にＤＬＣ膜を成膜することによりサンプルを作製した。この際の成膜条件として、使用ガスにＣ７Ｈ８を用い、ガス流量を１５ｓｃｃｍとし、ガス圧を５ｍＴｏｒｒとし、ＲＦ出力を１００Ｗ〜９００Ｗで変化させた。このようにして作製した各々のサンプルにラマンスペクトル分析を行った。その結果得られた各々のサンプルのラマンスペクトル曲線において、Ｇピークベースライン強度ＢとＧピーク補正後強度Ａを測定し、各々のサンプルにおいてＢ／Ａの値を計算した。その結果を図１３に示す。
【０１２８】
ここで、Ｂ／Ａ値とは、図１４に示すように、Ｇピークベースライン強度をＢとし、Ｇピーク補正後強度をＡとした場合、Ｂ／Ａの値のことである。図１４は、Ｂ／Ａ値の定義を説明するためのラマンスペクトル曲線である。
【０１２９】
図１３は、各々のサンプルを作製した際のＲＦ出力とＢ／Ａ値の関係を示すグラフである。図１５は、各々のサンプルを作製した際のＲＦ出力とＤＬＣ膜の密度の関係を示すグラフである。各々のサンプルを作製する際のＣ７Ｈ８ガスの流量は１５ｓｃｃｍで、ガス圧は５ｍＴｏｒｒである。
図１３に示すように、１００Ｗ以上のＲＦ出力で成膜したサンプルのＢ／Ａ値は１．９程度となっているが、２００ＷのＲＦ出力から急激にＢ／Ａ値が下がり、３００Ｗ以上のＲＦ出力でのＢ／Ａ値はほぼ１．６以下となっている。また、図１５に示すように、ＲＦ出力が高いほどＤＬＣ膜の膜密度が高くなっている。図１３及び図１５の結果から、Ｂ／Ａ値が低いほどＤＬＣ膜の密度が高くなり緻密な膜が形成されているので、Ｂ／Ａ値がより低いほど生体適合性に優れたＤＬＣ膜となる。したがって、ＤＬＣ膜が生体適合性に優れているためには、Ｂ／Ａ値が１．９未満であることがこのましい。
【０１３０】
次に、ＤＬＣ膜についてアノード分極測定を行った結果について説明する。
高周波電源に接続された電極上にＳｉ基体を固定し、この電極に高周波電力を印加し、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ基体表面にＤＬＣ膜を成膜することによりサンプルを作製した。この際の成膜条件として、使用ガスにＣ７Ｈ８を用い、ＲＦ出力を１００Ｗ〜５００Ｗで変化させた。このようにして作製した各々のサンプルを１０％ＫＯＨ溶液に浸漬し、アノード分極測定を行った。その結果を図１６及び図１７に示している。
【０１３１】
図１６は、１００ＷのＲＦ出力でＤＬＣ膜を成膜したサンプルのアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
図１７は、２００ＷのＲＦ出力でＤＬＣ膜を成膜したサンプルのアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
図１８は、ＤＬＣ膜を成膜していないＳｉ基体のアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
【０１３２】
アノード分極測定の結果、図１６に示すように、１００ＷのＲＦ出力で成膜したサンプルのＤＬＣ膜はガス流量、ガス圧に拘わらず、小さい活性態を示し、Ｓｉ基体のいくらかの溶解が観察された。これに対して、図１７に示すように、２００Ｗ以上のＲＦ出力で成膜したサンプルのＤＬＣ膜は自然電極電位が貴側にシフトし、活性態を生じなかった。２００Ｗ以上のＲＦ出力で成膜した膜の臨界不動態化電流密度Ｉcritは、図１８に示すＳｉ基体の場合に比べて３〜５桁小さく、ＤＬＣ膜の欠陥面積を算出したところ１０−２〜１０−５オーダーで低欠陥の膜質であることが確認できた。したがって、２００Ｗ以上のＲＦ出力で成膜したＤＬＣ膜は非常に低欠陥であるので、このようなＤＬＣ膜を下地金属に被覆したものを生体内に埋め込んでも、下地金属を腐食から保護することが可能となる。よって、このような２００Ｗ以上のＲＦ出力、言い換えると０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度で成膜したＤＬＣ膜は医療器具、人口臓器などに用いることが好ましい。なお、ＲＦ出力の電極面積が７０８ｃｍ２（Φ３００ｍｍ）であるので２００Ｗの電力密度は０．２８Ｗ／ｃｍ２となる。
【０１３３】
次に、前述した第１のマイクロカプセルの製造方法について説明する。
図８に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、実施の形態６で説明した方法により微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させる。この際、超微粒子又は薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものを用いる。微粒子としては例えばＮａＣｌを用い、超微粒子又は薄膜の材料としては例えばＤＬＣを用いる。
【０１３４】
詳細には、複数のＮａＣｌ微粒子１を容器３０内に収容する。次いで、真空ポンプを作動させることによりチャンバー３内を所定の圧力まで減圧する。これと共に、回転機構により容器３０を回転させることで、その内部に収容された粉末（ＮａＣｌ微粒子）１が容器内面において攪拌又は回転される。
【０１３５】
次いで、原料ガス発生源において原料ガス（例えば、炭素と水素を含む炭化水素系ガス）を発生させ、この原料ガスをマスフローコントローラによって流量制御し、この流量制御された原料ガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。この際のガス圧は０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下である。これにより、容器３０内を攪拌又は回転しながら動いている微粒子１に原料ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【０１３６】
この後、ガスシャワー電極２４に例えばマッチングボックスを介してプラズマ電源２５の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、ＲＦ出力は３０Ｗ以上であり、容器３０は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器３０との間にプラズマを着火する。これによって、容器３０内にプラズマが発生し、ＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜がＮａＣｌ微粒子１の表面に被覆される。つまり、容器３０を回転させることによって微粒子１を攪拌し、回転させているため、微粒子１の表面全体に薄膜等を均一に被覆することが容易にできる。
【０１３７】
この後、前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっているＮａＣｌ微粒子を溶解、気化等を利用して取り除く。詳細には、例えば、ビーカーに水を入れ、この水の中にＤＬＣを被覆したＮａＣｌ微粒子を入れる。この際、ＤＬＣを被覆したＮａＣｌ微粒子は水の底に沈む。
【０１３８】
次いで、時間が経過するにしたがい、ＤＬＣを被覆した微粒子が徐々に水面に浮かんでくる。これは、母体であるＮａＣｌ微粒子が水に溶解して被覆したＤＬＣの内部から除去されるためである。
【０１３９】
次いで、一定の時間が経過すると、ＤＬＣを被覆した微粒子の全てが水面に浮かぶ。このようにしてＤＬＣを被覆した全ての微粒子の内部のＮａＣｌが除去され、マイクロカプセルが作製される。
【０１４０】
次に、前述した第２のマイクロカプセルの製造方法について説明する。
図８に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、実施の形態６で説明した方法により微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第１の超微粒子又は第１の薄膜を被覆させる。この際、第１の超微粒子又は第１の薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものであれば金属でも良いし絶縁物でも良い。次いで、図８に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、実施の形態６で説明した方法により第１の超微粒子又は第１の薄膜の表面に該微粒子より粒径の小さい第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆させる。この際、第２の超微粒子又は第２の薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものであれば良い。微粒子としては例えばＮａＣｌを用い、第２の超微粒子又は第２の薄膜の材料としては例えばＤＬＣを用いる。
【０１４１】
ＤＬＣからなる第２の超微粒子又は第２の薄膜を被覆する方法の詳細は、第１のマイクロカプセルの場合の超微粒子又は薄膜を被覆する方法と同様である。
【０１４２】
この後、前記被覆した第１及び第２の超微粒子又は第１及び第２の薄膜の母体となっているＮａＣｌ微粒子を溶解、気化等を利用して取り除く。詳細は、第１のマイクロカプセルと同様である。
【０１４３】
尚、本実施の形態では、使用ガスとして炭化水素系ガスを用いているが、少なくとも炭素と水素を含むものであれば種々の炭化水素系ガスを用いることが可能であり、例えば、炭素と水素のみを含む化合物ガス、炭素と水素と酸素を含むガス、炭素、水素、酸素、珪素、窒素、銅、銀などを含むガス、ベンゼン、トルエン、アセチレンなどを用いることも可能である。
【０１４４】
また、本実施の形態では、成膜条件において０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の炭化水素系ガス圧を用いているが、さらに好ましいガス圧として１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下が挙げられる。
【０１４５】
また、本実施の形態では、成膜条件においてＲＦ出力が０．２８Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いることが好ましい。
【０１４６】
また、炭化水素系ガスの流量としては、上記圧力を実現できるガス流量であれば、種々のガス流量を用いることが可能である。
【０１４７】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、微粒子に薄膜を成膜する成膜条件を適宜変更することも可能である。
【０１４８】
また、実施の形態７では、図８に示すプラズマＣＶＤ装置を用いたマイクロカプセルの製造方法について説明しているが、これに限定されるものではなく、他のＣＶＤ装置を用いたマイクロカプセルの製造方法に本発明を適用することも可能である。例えば、図３のＣＶＤ装置、図４のＣＶＤ装置、又は図７のＣＶＤ装置を用いてマイクロカプセルを製造することも可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１…粉体（微粒子）、２…容器、３…チャンバー、４…ヒーター、５〜１１…配管、１２…第１バルブ、１３…第２バルブ、１４，１５…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、１６…アルゴンガス導入機構、１７…薄膜、１８…被覆微粒子、１９…容器、２０…チャンバー蓋、２１…ヒーター、２２…容器、２３…被覆微粒子、２４…ガスシャワー電極、２５…プラズマ電源、２６…真空バルブ、２７…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、２８…原料ガス発生源、２９，３０…容器、３１…プラズマ電源、３２，３３…スイッチ、１１０…ラマンスペクトル曲線、１１１…山形状の曲線（Ｇバンド）、１１２…山形状の曲線（Ｄバンド）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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