(57)【要約】【課題】工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供する。【解決手段】基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、
該製造方法は、
該基板上に該配線を形成し、該基板から該配線を凸状に突出させる工程と、
導電粒子を含むインクを吐出し、該配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を該配線上に配置する工程と、
該インク滴を焼成し、該配線上に導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線の上面近傍の断面は、逆テーパ形状であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記インク滴は、前記配線の上面に対する接触角が６°以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記インクは、前記配線の上面に対して垂直な方向から吐出されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び表示装置に関する。より詳しくは、大型で高精細な表示装置に好適な配線基板の製造方法及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の大型化、高精細化が進むにつれて、表示装置に使用される配線は、細く、かつ長くなる傾向がある。近年、上記傾向に伴った配線抵抗の増大に起因する信号遅延が問題視されており、配線抵抗を低下させる技術が望まれている。
【０００３】
配線の形成方法としては、一般的に、フォトリソグラフィ法、インクジェット法が知られている。
【０００４】
フォトリソグラフィ法は、ＣＶＤ法等によって導電層を形成した後、導電層上にレジストパターンを形成し、レジストパターンに沿って導電層の不要な部分を除去することで、配線パターンを形成する方法である。フォトリソグラフィ法によれば、高精細な配線パターンを形成することができる。しかしながら、フォトリソグラフィ法では、導電層の不要な部分を除去する工程が必要であり、導電層の材料の利用効率が低いという点で改善の余地があった。
【０００５】
これに対し、インクジェット法は、金属等の導電性粒子が分散した溶液（インク）を基板等の表面に塗布した後、インク中の溶媒成分を除去することで導電層を形成する方法である。インクジェット法によれば、必要な部分だけに導電層を容易に形成することができるため、導電層の不要な部分を除去する工程を設けることなく、配線パターンを形成することができる。したがって、インクジェット法は、フォトリソグラフィ法と比較して、省資源化を実現することができるという点で優れていると言える。
【０００６】
インクジェット法を用いた配線の形成方法として、特許文献１では、バンクで区画された領域にインクを塗布した後、加熱処理によってインク中の溶媒成分を除去することで、薄膜を形成する態様が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−７８８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、配線抵抗は、配線の断面積に反比例する傾向がある。したがって、元々の配線上に導電層を形成し、その導電層を配線の一部として利用することで、配線の断面積を増加させ、配線抵抗を低下させることができる。すなわち、配線抵抗を充分に低下させるという観点からは、厚い導電層を形成することが好ましい。
【０００８】
インクジェット法を用いる場合、導電層の厚さは、配線上に配置されるインク滴の厚さ（インクの量）に比例する。したがって、インクジェット法を用いて厚い導電層を形成するためには、配線上に厚いインク滴を配置する必要がある。
【０００９】
ここで、従来の方法で配線上にインク滴を配置したときのインク滴の挙動について、図を参照して説明する。図７は、従来の方法で配線上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。また、図８（ａ）は、図７中のＢ１−Ｂ２線に対応する断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。図７及び図８においては、絶縁基板１２２上に、配線層１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃが絶縁基板１２２側からこの順に積層された積層配線１１０が配置されており、積層配線１１０上（配線層１１０ｃ上）にインク滴１２１ａが配置されている。
【００１０】
図７及び図８に示すように、従来の方法で配線層１１０ｃ上にインク滴１２１ａを配置すると、インク滴１２１ａは図７中の白矢印の方向に広がっていく。このとき、インク滴１２１ａの厚さは、配線層１１０ｃの上面に対するインク滴１２１ａの接触角によって決定される。一般的な材料を用いて配線層１１０ｃ及びインク滴１２１ａを形成した場合、配線層１１０ｃの上面に対するインク滴１２１ａの接触角は６°未満である。この状態でインク滴１２１ａを焼成して導電層を形成したとしても、充分な厚さの導電層を形成することができない。したがって、従来の方法では、配線層１１０ｃ上に厚い導電層を形成するためには、配線層１１０ｃの上面の外縁に対してフッ素プラズマ処理等の撥液化処理を行い、配線層１１０ｃの上面に対するインク滴１２１ａの接触角を大きくする必要があり、工程数が増加するという点で改善の余地があった。
【００１１】
また、撥液性を有する特別な材料を用いて配線層１１０ｃを形成することでも、配線層１１０ｃの上面に対するインク滴１２１ａの接触角を大きくすることができる。しかしながら、この方法では、配線層１１０ｃの上面に、一回の描画でライン状にインク滴１２１ａを配置することが困難であるため、複数回の描画や乾燥工程が必要となるという点で改善の余地があった。
【００１２】
更に、特許文献１のように、バンクによって囲まれた領域（断面が凹形状である領域）にインク滴を配置することにより、厚い導電層を形成することができる。しかしながら、この方法では、バンクを形成するための工程を設ける必要があり、工程数が増加するという点で改善の余地があった。
【００１３】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法について種々検討したところ、配線上に配置されるインク滴の幅と、配線の上面に対するインク滴の接触角との関係に着目した。そして、配線の上面の幅全体に連続してインク滴を配置することで、配線の幅方向の端部上で働く表面張力によってインク滴が保持（ピン止め）されることを見いだすとともに、上記表面張力を利用することで、配線に対するインク滴の接触角を大きくし、配線上にインク滴を厚く積むことができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１５】
すなわち、本発明は、基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１６】
上記基板から上記配線を凸状に突出させた状態とは、基板上に配置された配線の周囲にバンク等の隔壁が形成されていない状態（配線の幅方向に沿った配線基板の断面が凹形状ではない状態）をいい、例えば、後述の図２に示した状態をいう。この状態で配線上にインク滴を配置するとき、配線の上面に配置されるインク滴の幅を配線の上面の幅よりも小さくすると、図７及び図８に示したように、配線（配線層１１０ｃ）上でインク滴（インク滴１２１ａ）が広がり、配線上にインク滴を厚く積むことができない。これに対し、本発明の配線基板の製造方法によれば、インクを吐出する領域を調節し、配線の上面の幅全体に連続して広がるようにインク滴を配置することで、配線上に配置されるインク滴を厚くすることができるため、インク滴を保持するためのバンクを配線の周囲に形成する必要がない。これにより、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。
【００１７】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、バンクが配線の上面の外縁に対して撥液化処理を行うことなく、配線上に配置されるインク滴を厚くすることができるため、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。このように、本発明は、配線の上面に対して撥液化処理を行う工程及び／又は配線の周囲にバンクを形成する工程を含まない態様に特に好適である。
【００１８】
上記インクは、導電粒子と溶媒とを混合した溶液である。上記導電粒子は、インク滴を焼成する工程で融着等をすることにより、導電層を形成することができる粒子であればよく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ等の単一の金属からなる金属粒子や、Ａｇ、Ｃｕ等を含む合金からなる合金粒子を好適に用いることができる。また、上記溶媒は、インク滴を焼成する工程で容易に除去される溶媒であればよく、例えば、０．００５〜０．０１５Ｐａ・ｓ（５〜１５ｃＰ）の粘度を有するテトラデカンを好適に用いることができる。
【００１９】
上記導電粒子は、ナノ粒子（平均粒子径１μｍ未満）であることが好ましい。これにより、配線上に抵抗の低い導電層を形成することができ、配線抵抗をより低下させることができる。また、インク中での導電粒子の分散安定性が向上し、導電粒子の凝集による沈殿物の発生を抑制することができる。更に、導電粒子の融点が低下するため、導電層を形成するためのインク滴の焼成を低温で行うことができる。
【００２０】
なお、本明細書において、配線の幅とは、配線の延伸方向に直交する方向の配線の長さを意味する。また、本明細書において、上とは、基板からより遠い方を意味し、下とは、基板により近い方を意味する。
【００２１】
本発明の配線基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではないが、配線の上面に対して撥液化処理を行う工程及び／又は配線の周囲にバンクを形成する工程を含まない態様が好適である。
本発明の配線基板の製造方法における好ましい態様について、以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種態様は、適宜組み合わされてもよい。
【００２２】
上記配線の上面近傍の断面は、逆テーパ形状であることが好ましい。これにより、配線上に配置されるインク滴の量を多くし、より厚い導電層を形成することができる。その結果、配線抵抗をより低下させることができる。なお、上記配線の上面近傍とは、上記配線の上面から５０ｎｍまでの領域を含むことが好ましく、例えば、上面から４００ｎｍまでの領域が挙げられる。また、上記配線の上面近傍は、上記配線の上面から底面までの領域であることがより好ましい。なお、上記配線が複数の配線層が積層されて形成された積層配線である場合、複数の配線層の中で一番上に配置される配線層、すなわち、インク滴に直接接する配線層（インク滴の直下に位置する配線層）の上面近傍の断面が、逆テーパ形状であればよい。
【００２３】
なお、本明細書において、逆テーパ形状とは、基板表面に対する側面の角度（テーパ角）が９０°を超える形状をいい、他方、順テーパ形状とは、基板表面に対する側面の角度が９０°未満の形状をいう。
【００２４】
上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が６°以上であることが好ましい。これにより、配線上の導電層の厚さをより確実に確保することができ、配線抵抗をより確実に低下させることができる。なお、配線に対するインク滴の接触角が１０°を超えると、配線上にインク滴を保持しておくことができなくなるおそれがある。したがって、上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が１０°以下であることが好ましい。すなわち、上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が６〜１０°であることがより好ましい。また、配線に対するインク滴の接触角の測定方法としては特に限定されず、例えば、配線の断面方向から、配線上に配置したインク滴の形をスクリーン上に投影して測定する方法が挙げられる。
【００２５】
上記インクは、上記配線の上面に対して垂直な方向から吐出されることが好ましい。これにより、配線上にインク滴を均一に配置することができ、表面凹凸の少ない導電層を配線上に形成することができる。
【００２６】
本発明はまた、本発明の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板を備える表示装置でもある。本発明の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板は、配線抵抗が低いという特徴を有している。したがって、例えば、ゲートバスライン等の配線を備える表示装置用の薄膜トランジスタ基板に対して本発明の配線基板の製造方法を適用することにより、配線抵抗の低い薄膜トランジスタ基板を製造することができるため、大型で高精細の表示装置における信号遅延の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の配線基板の製造方法及び表示装置によれば、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００２９】
（実施形態１）
本実施形態の表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの背面側に設けられたバックライトユニットとを備える液晶表示装置である。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板と、カラーフィルタ（ＣＦ）基板と、両基板の間に挟持された液晶層とを備えている。
【００３０】
次に、主に１つの絵素に着目し、本実施形態の構成を図を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態の表示装置におけるＴＦＴ基板の絵素を示す平面模式図である。図１に示すように、ＴＦＴ基板は、液晶表示パネルを正面視したときの左右方向に互いに平行に延設されたゲートバスライン１０と、各ゲートバスライン１０に直交する方向、すなわち液晶表示パネルを正面視したときの上下方向に互いに平行に延設されたソースバスライン１１と、各ゲートバスライン１０に平行に、すなわち液晶表示パネルを正面視したときの左右方向に延設されたＣｓバスライン（保持容量配線）１２とを備えている。このように、各ゲートバスライン１０及び各Ｃｓバスライン１２は、互いに交互、かつ平行に配置される。本実施形態において、各絵素領域は、概略、これら各ゲートバスライン１０及び各ソースバスライン１１で囲まれた領域として規定され、マトリクス状に配置されている。また、ゲートバスライン１０及びソースバスライン１１の交差部近傍には、ＴＦＴ１３が設けられている。ＴＦＴ１３は、ゲート配線１８と重なって形成された半導体層１６と、半導体層１６と一部平面的に重なって形成されたソース配線１７及びドレイン配線１４とを備えている。ドレイン配線１４は、ＴＦＴ１３とは反対側の端部に平面視略矩形状の保持容量部１９を有し、保持容量部１９は、コンタクトホール２０を介して画素電極１５と電気的に接続されている。
【００３１】
ゲートバスライン１０は、３層の配線層が積層された積層配線であり、ゲートバスライン１０上には、導電層２１が配置されている。図２は、図１中のＡ１−Ａ２線に対応する断面模式図である。図２に示すように、ゲートバスライン１０は、無色透明な絶縁基板２２上に、絶縁基板２２側から、順テーパ形状を有する配線層１０ａ、１０ｂと、逆テーパ形状を有する配線層１０ｃとがこの順に積層されて構成されている。更に、ゲートバスライン１０上（配線層１０ｃ上）には、金属ナノ粒子を用いて形成された導電層２１が配置されている。導電層２１は、ゲートバスライン１０の一部として機能する。
【００３２】
以下、本実施形態の表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、導電層２１が配置されたゲートバスライン１０の製造方法についてのみ説明するが、その他の部材の製造方法については特に限定されず、一般的な方法を用いて製造すればよい。
【００３３】
図３（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１のゲートバスラインの製造工程を示す断面模式図である。
まず、基板２２を準備する。基板２２の材質としては特に限定されず、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属板、プラスチック基板、フレキシブル有機基板及びステンレス板の表面に絶縁膜が形成された基板等を用いることができる。本実施形態では、基板２２として、無色透明な絶縁基板であるガラス基板を使用している。
【００３４】
次に、スパッタ法を用いて、配線層１０ａ、１０ｂ、１０ｃを基板２２側からこの順に形成する（図３（ａ））。配線層１０ａ、１０ｂ、１０ｃの材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の低抵抗金属、又は、これら低抵抗金属を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を好適に用いることができる。本実施形態では、配線層１０ａ、１０ｃの材料としてＴｉを使用し、配線層１０ｂの材料としてＡｌを使用している。このように、Ｔｉを使用した配線層１０ａ、１０ｃの間にＡｌを使用した配線層１０ｂを配置することで、ヒロックの発生を防止することができる。
【００３５】
次に、フォトリソグラフィ法を用いて、配線層１０ａ、１０ｂ、１０ｃをパターニングする（図３（ｂ））。これにより、ゲートバスライン１０を形成することができる。後の工程でインク滴２１ａが配置される配線層１０ｃの上面の幅は、数十〜数百μｍであればよい。また、配線層１０ｃのテーパ角は、９０°を超えている。すなわち、配線層１０ｃの断面は、逆テーパ形状である。
【００３６】
次に、インクジェット装置を用いて、インク滴２１ａをゲートバスライン１０上（配線層１０ｃ上）に配置する（図３（ｃ））。より具体的には、配線層１０ｃの上面に対して、導電粒子を含むインクを滴状にしてインクヘッドから分散して吐出する。配線層１０ｃの上面に着弾した複数の液滴（滴状のインク）は、配線層１０ｃ上で広がり、液滴同士が集合することで、一続きの形状を有するインク滴２１ａが形成される。このようにして、配線層１０ｃの上面の幅全体に連続して広がるインク滴２１ａを配線層１０ｃ上に配置することができる。インク滴２１ａの厚さは、数μｍ程度であればよい。本実施形態では、３〜１０ｐｌ／滴の液滴を、着弾面（配線層１０ｃの上面）に対して垂直な方向から５〜１０ｍ／ｓの飛翔速度で吐出している。また、液滴を吐出するインクヘッドは、ノズル直径が３０μｍ〜２０ｍｍ（２０φ）であればよい。インクに含まれる導電粒子は、Ａｇ、Ｃｕ等の単一の金属からなる金属粒子や、Ａｇ、Ｃｕ等を含む合金からなる合金粒子を好適に用いることができ、粒子径は、３〜７ｎｍであることが好ましい。このように、導電粒子は金属ナノ粒子であることが好ましい。また、インクに含まれる溶媒は、０．００５〜０．０１５Ｐａ・ｓ（５〜１５ｃＰ）の粘度を有するテトラデカンを好適に用いることができる。インクの比重は、１．６２ｇ／ｍｌ程度であればよい。
【００３７】
その後、インク滴２１ａを焼成することで、インク滴２１ａ中の溶媒成分を除去するとともに、導電粒子を融着させる。これにより、ゲートバスライン１０上（配線層１０ｃ上）に導電層２１が形成される。焼成は、大気や窒素雰囲気の下、２００〜４００℃で１０〜６０分間行うことが好ましい。このような工程を経て、図２に示すように、ゲートバスライン１０上に導電層２１を形成することができる。導電層２１の膜厚は、数百ｎｍであればよい。以上の工程を経て、図２に示すように、ゲートバスライン１０上（配線層１０ｃ上）に導電層２１を形成することができる。
【００３８】
ここで、本実施形態において、ゲートバスライン１０上に充分な厚さを有する導電層２１を形成することができる理由について、図を参照してより詳細に説明する。図４は、実施形態１の表示装置の製造工程において、ゲートバスライン上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。また、図５（ａ）は、図４中のＡ３−Ａ４線に対応する断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。更に、図６は、インク滴が配置された状態のゲートバスラインを示す平面写真である。
【００３９】
図４〜６に示すように、本実施形態では、配線層１０ｃの上面の幅全体に連続して広がるインク滴２１ａが配置される。すなわち、配線層１０ｃの上面の幅は、インク滴２１ａの底面の幅と等しくなっている。これにより、配線層１０ｃの幅方向の端部上では、表面張力によってインク滴２１ａが保持される効果が発生する。したがって、インク滴２１ａは、配線層１０ｃの上面の幅以上に広がることなく、厚さ方向に膨らんだ形状で配線層１０ｃ上に配置される。その結果、図７に示した従来の態様と比較して、配線層１０ｃ上に厚いインク滴２１ａを配置することが可能となり、充分な厚さの導電層２１を形成することができる。本実施形態では、膜厚が数百ｎｍの導電層２１をゲートバスライン１０上に配置することで、ゲートバスライン１０の配線抵抗を１／２以下にしている。このようにして、ゲートバスライン１０の配線抵抗を低下させ、信号遅延の発生を抑制することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、インクを吐出する領域を調節し、配線層１０ｃの上面の幅全体に広がるようにインク滴２１ａを配置することで、インク滴２１ａを厚くすることができるため、配線層１０ｃを囲むようにバンクを形成したり、配線層１０ｃの上面の外縁に対して撥液化処理を行う必要がない。したがって、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、配線層１０ｃの断面が逆テーパ形状である。これにより、配線層１０ｃ上に保持されるインク滴２１ａの量を多くし、配線層１０ｃ上により厚いインク滴２１ａを配置することが可能となる。その結果、導電層２１をより厚く形成することができ、ゲートバスライン１０の配線抵抗をより低下させることができる。
【００４２】
更に、本実施形態では、配線層１０ｃに対するインク滴２１ａの接触角が６°以上である。これにより、配線層１０ｃ上の導電層２１の厚さをより確実に確保することができ、ゲートバスライン１０の配線抵抗をより確実に低下させることができる。
【００４３】
そして、本実施形態では、配線層１０ｃの上面に対して垂直な方向からインクを吐出している。これにより、配線層１０ｃ上にインク滴２１ａを均一に配置することができ、表面凹凸の少ない導電層２１を形成することができる。
【００４４】
このように、本実施形態では、ゲートバスライン１０の配線抵抗を低下させることにより、信号遅延の発生を抑制することができる。したがって、本実施形態の表示装置は、信号遅延が問題視されている大型で高精細の表示装置に対して特に好適に用いることができる。
【００４５】
なお、本実施形態では、導電層２１をゲートバスライン１０に対して配置する場合を例にして説明したが、ゲートバスライン１０以外の配線に導電層２１を配置してもよい。例えば、ゲートバスライン１０と同一層に配置されているＣｓ配線１２に対して導電層２１を配置する場合は、Ｃｓ配線１２の上面の幅全体に連続してインク滴２１ａを配置すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施形態の表示装置におけるＴＦＴ基板の絵素を示す平面模式図である。
【図２】図１中のＡ１−Ａ２線に対応する断面模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１のゲートバスラインの製造工程を示す断面模式図である。
【図４】実施形態１の表示装置の製造工程において、ゲートバスライン上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。
【図５】（ａ）は、図４中のＡ３−Ａ４線に対応する断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。
【図６】インク滴が配置された状態のゲートバスラインを示す平面写真である。
【図７】従来の方法で配線上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。
【図８】（ａ）は、図７中のＢ１−Ｂ２線に対応する断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０：ゲートバスライン
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ：配線層
１１：ソースバスライン
１２：Ｃｓバスライン（保持容量配線）
１３：ＴＦＴ
１４：ドレイン配線
１５：画素電極
１６：半導体層
１７：ソース配線
１８：ゲート配線
１９：保持容量部
２０：コンタクトホール
２１：導電層
２１ａ、１２１ａ：インク滴
２２、１２２：絶縁基板
１１０：積層配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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