(57)【要約】【課題】プラズマＣＶＤ法で耐摩耗性に優れる保護層は、量産性の面で困難であった。【解決手段】高分子材料からなる非磁性支持体上に強磁性金属材料からなる磁性層１が形成され、磁性層１上にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層２が形成されてなる薄膜型の磁気記録媒体であって、保護層２の水素原子またはフッ素原子の合計組成比が炭素原子または窒素原子または硼素原子の合計組成比よりも小さく、かつ保護層２の材料が酸素を含まない化合物をプラズマＣＶＤ法で製膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子材料からなる非磁性支持体上に強磁性金属材料からなる磁性層が形成され、当該磁性層上にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層が形成されてなる薄膜型の磁気記録媒体であって、上記保護層の水素原子またはフッ素原子の合計組成比が炭素原子または窒素原子または硼素原子の合計組成比よりも小さく、かつ上記保護層の材料が酸素を含まない化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、高精度な摩擦耐久性が要求される精密機械や精密部品の保護層、防錆層などに有用な含炭素−硼素−窒素化合物とそれを有する次世代高密度磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
機械装置、部品の小型化、高精度化に伴いそれらの摺動部における潤滑形態も流体潤滑から境界潤滑へと移行してきている。とりわけ、ＶＴＲ、磁気ディスクなどの電子機器、電子部品においては、記録精度の向上を目的とした強磁性金属薄膜の採用により、磁気テープや磁気ディスクと磁気ヘッドとの摺動には高精度の潤滑が必要となってきた。例えば、蒸着テープやハードディスクでは耐久性と信頼性を確保しながら磁気記録媒体と磁気ヘッドとのスペーシングロスを極力小さくして高出力化を図るために、摩擦耐久性に優れた窒化膜やホウ素化膜からなる保護層を形成しているが、該窒化層及びホウ素化膜は高温で処理して形成するため、高分子材料を非磁性支持体として用いる磁気記録には応用されていない。
【０００３】
金属薄膜型磁気記録媒体用の保護層としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が硬質で耐久性に優れているため、例えば特許文献１や特許文献２等多数の提案がなされている。
【０００４】
特許文献１では、電磁エネルギーが印加される第１の電極と、接地された第２の電極を対向して配置し、高周波電界の印加により、該第１および第２の電極間でプラズマを生成し、該プラズマ中に導入した原料ガスを活性化せしめて被膜を形成する被膜形成装置において、前記第１の電極と第２の電極の間隔を６ｍｍ以下とし、かつ、前記電極間の圧力を１５Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの間にすることで緻密で高い硬度と密着性を有し、かつピンホールの少ない硬質炭素被膜を磁気記録媒体の保護膜を提案している。
【０００５】
特許文献２では、現状の蒸着テープでは保護膜が単一層からなるため、磁気ヘッドに摺接摺動する際の低ヘッド摩耗性と、摺接摺動するテープ自身に求められる高い高速摺動耐久性の相反する特性を兼備することはできないと考え、最上層のカーボン保護膜より下層のいずれのカーボン保護膜のＤ／Ｇ比（「Ｄ／Ｇ比」は、カーボン保護膜の硬度を表す指標の一つであって、ラマン分光法を用いた測定で観測される、グラファイト構造に由来するピークと、ダイヤモンド構造に由来するピークとの比率を意味している。例えば、Ｄ／Ｇ比が大きいとは、カーボン保護膜の硬度が高いことを意味し、Ｄ／Ｇ比が小さいとは、カーボン保護膜の硬度が低いことを意味する）よりも小さい複数層のカーボン保護膜の積層構造により、相反する特性を別々のカーボン保護膜にそれぞれ持たせ、積層構造全体として低ヘッド摩耗性と高速摺動耐久性とを兼備できる保護層を提案している。
【０００６】
また、Ｃ−Ｆ結合のみからなるパーフルオロ化合物をＤＬＣ表面にドライプロセス形成した場合、表面エネルギーを低減することができた結果、撥水撥油性が向上したが、ヘッドとの摩擦係数が増大し媒体の走行性が劣化し、目詰り不良を発生した。また、該表面は表面エネルギーの低減により、潤滑剤を塗布形成することが困難であったことから、Ｃ−Ｆ結合のみの滑らかな保護層表面を形成するのではなく、表面に分子レベルの凸凹形状を付与する目的でＣＦ３結合を表面に形成する様ＣＶＤ法で成膜したところ、撥水撥油性に優れ低摩擦係数の保護層表面を得た。
【０００７】
しかし、いずれの提案も優れた耐久性を得るためには約１０ｎｍの保護層厚みが必要であり、スペーシングロスを低減することが困難であった。
【０００８】
更に、ホウ素をドーピングした膜は硬質で優れた耐久性を示すため、例えば特許文献３や特許文献４等多数の提案がなされている。
【０００９】
特許文献３では、希土類、鉄およびホウ素を少なくとも構成元素とした平均粒子サイズ５〜２００ｎｍの範囲にある粒状ないし楕円状の特定構成の希土類−鉄−ホウ素系磁性粉末を用いて、薄層塗布型磁気記録媒体を構成させることにより、すぐれた高密度磁気記録媒体で化学的にも極めて安定で高い信頼性を有する磁気記録媒体用の磁性粉材料を提案している。
【００１０】
特許文献４では、表面をフッ素含有炭素化合物を含有する雰囲気に曝してから、この表面に、フッ素を添加したＤＬＣ膜を形成すること下地膜の表面にフッ素含有基が固定されるため、下地膜とフッ素を添加したＤＬＣ膜との密着力が向上した磁気ヘッドを提案している。
【００１１】
特許文献３及び特許文献４はホウ素やフッ素を保護層に導入して優れた耐摩耗性を得ているが、該膜の付着力を強めるために高温処理が必要なので、高分子材料からなる非磁性支持体を使用する磁気記録媒体へＣ−Ｂ−Ｎ膜を形成することは困難であった。
【特許文献１】特開２００５−８９８６５号公報
【特許文献２】特開２００３−４５０１８号公報
【特許文献３】特開２００１−１８１７５４号公報
【特許文献４】特開２００３−１５１１０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
高分子材料を非磁性支持体とする高密度記録用の磁気記録媒体において、スペーシングロスを低減するためにＤＬＣ層の厚みは薄膜化する必要があるが、従来のＤＬＣ膜の厚みを低減すると耐久性が極端に劣化するため、耐久性が高く摩擦係数が小さい保護層を得ることができなかった。
【００１３】
ダイヤモンド同様のＢＮ膜は成膜課程において高熱を必要とするため、高分子材料を非磁性支持体とする高密度記録用の磁気記録媒体の機能層として実現することができなかった。ＢＮ膜や化学結合のネットワークを増強する目的の水素フリーDLC膜はスパッタリングで成膜可能であるが、製品の生産性を考慮すると成膜速度が遅いスパッタリングは利用することができなかった。生産性高いプラズマCVD法にてDLC膜を形成する場合、気体状態の材料へプラズマエネルギーを与えるため気化し易い材料として一般に有機物を用いているが、有機化合物は材料自体の安定性を確保するために水素を多く含有するため、生産性高く上述BN膜や水素フリーDLC膜をプラズマCVD法にて形成することが困難であった。
【００１４】
そこで、本発明は耐摩耗性に優れる薄膜保護層を備える磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した深刻な課題を解決する本発明にかかる磁気記録媒体の保護層は、保護層の水素原子またはフッ素原子の合計組成比が炭素原子または窒素原子または硼素原子の合計組成比よりも小さい有機化合物を使用すれば、化学結合のネットワークを増強する目的の水素含有率が少ない保護層やたとえ化学結合のネットワークが形成されていない部分であっても分子間距離が短いことで原子密度を向上した保護層をプラズマＣＶＤ法で成膜することで可能である。
【００１６】
このような保護層は例えば（化１）〜（化３）等の化合物をプラズマＣＶＤ法で製膜することができる。
【００１７】
【化１】
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【００１８】
【化２】
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【００１９】
【化３】
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【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、高分子材料を支持体とする磁気記録媒体表面に化学的に安定で優れた耐摩耗性、防湿性を有する保護膜を生産性高く形成することができるので、薄膜でも耐摩耗性に優れたスペーシングロスを低減できる保護層が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の保護層について、磁気記録媒体の構造および製造工程など具体的な例を挙げて説明するが、本発明は、以下に示す例に限定されるものではない。
【００２２】
本発明の磁気記録媒体は複層から構成され、表面の潤滑層から、保護層、磁性層、支持体、バックコート層の順である。保護層はダイヤモンド状硬質炭素膜等の薄膜、磁性層は蒸着で形成されるＣｏ−ＯやＣｏ−Ｎｉ−Ｏなどの単層または多層構成の強磁性金属薄膜、支持体はポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムでＳｉＯ2，ＺｎＯ等の無機超微粒子やイミド等の有機超微粒子等を分散塗布したいわゆる微粒子塗布層を配したものが用いられることが多い。バックコート層は平滑性の良好な、特に薄い磁気テープに良くみられるバックコート層である。
【００２３】
以上のような構成の磁気記録媒体において磁性層の形成は、回転キャンや回転ベルトに沿って移動する、別工程にて溶液塗布法で微粒子塗布層を形成された高分子からなる非磁性支持体上に酸素雰囲気でＣｏ等の磁性材料をある範囲の入射角で電子ビーム蒸着することによる場合が多い。保護層の硬質炭素膜は主にディスク状媒体において活発に利用されていて、製造に当たっては磁気テープに於いても磁気ディスクに於いて開示されている技術を、そのままか若干の修正を加える程度で当てはめることが可能である。
【００２４】
（磁性層）
この下地層を成膜した支持体を冷却回転支持体上で走行させながら、表面に酸素を導入する斜方真空蒸着法によりＣｏから成る厚さ約２００ｎｍの強磁性金属薄膜を磁性層として形成した。
【００２５】
（バックコート層）
次に、バックコート層は、通常、カーボンブラックや、その他の無機粒子よりなる非磁性顔料と、結合剤樹脂とを有機溶媒とともに分散、混練することで調製した塗料を、磁性層形成側とは反対側の面に、塗布、乾燥することにより形成した。この塗布方法により形成されるバックコート層の厚さは、規格で求められる磁気記録媒体の透過率を満足しかつ安定した表面性が得られる厚みとして、約０．３から０．６μｍ程度とした。バックコート層を形成する塗料は、少なくとも非磁性顔料であるカーボンブラックと、結合剤とを含有してなり、カーボンブラックの平均粒径は２０〜５０ｎｍであり、結合剤には、スルホン酸金属塩を含有するポリウレタン樹脂が含まれているものとする。上記主成分の他、防錆剤、帯電防止剤等、分散剤、などの添加剤を加えてもよい。
【００２６】
（保護層）
支持体上に下地層、磁性層を順次積層形成した磁性層側へ、炭素を主成分とする硬質炭素の保護層を形成した。保護層はプラズマＣＶＤ法によって成膜した。プラズマＣＶＤ法による保護層の成膜は真空槽内に本発明の化学式１や化学式２などのガスを導入し、トータルガス圧を４．０×１０１Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）に保ちながら、周波数２０ＫＨｚ、電圧１５００Ｖの交流と１０００Ｖの直流を重畳し、これを放電管内の電極に印加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネルギーにより一度分解し、化合物の構成原子及び添加ガスを再結合させることにより厚さ７ｎｍ以下の硬質ＤＬＣ膜を形成した。この際に、保護層の膜質を改善する目的でＮ2、などの添加ガスを導入しても構わないが、化学結合ネットワークを低減しないためには結合手数が３未満となる材料は添加ガスに適していない。真空槽内には冷却装置が配置された冷却キャンロールにより、支持体の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇による支持体の熱変形等を防止している。
【００２７】
（潤滑層）
次に、本発明の潤滑層材料は、イソプロピルアルコールに溶解し、塗布液を２３度、３０％ＲＨ環境下で、リバースロールコータを用いて湿式塗布法で塗布した後、乾燥した。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の第一の実施例のバック層について具体的に説明する。
【００２９】
本実施例の保護層は上述のＤＬＣに限らず、ホウ素、炭素、窒素を含む請求項の条件を満足する保護層である。
【００３０】
この様なプラズマ処理は従来の保護層と同様に生産性高いプラズマＣＶＤ法によって成膜した。プラズマＣＶＤ法による成膜は真空槽内へ化学式１や化学式２などの材料ガスを導入し、周波数２０ＫＨｚ、電圧１５００Ｖの交流と１０００Ｖの直流を重畳し、これを放電管内の電極に印加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネルギーにより一度分解し、再結合させることにより厚さ約７ｎｍの膜を形成した。また、保護層の硬さや表面エネルギーの膜質を改善する目的と同様に窒素原子や硼素原子を含む添加ガスを導入しても構わないが、化学結合ネットワークを低減しないためには結合手数が３未満となる材料は添加ガスに適さない。
【００３１】
（実施例１）
上述製造方法にて真空槽内へ化学式１のボラン，ピリジン錯体（融点９度）のガスを導入して厚さ約７ｎｍの膜を形成した。
【００３２】
（実施例２）
化学式２のピリジン−トリフェニルボランを用いた以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３３】
（実施例３）
２−メチルピリジン−ボランを用いた以外は実施例１〜実施例２と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３４】
（実施例４）
ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体を用いた以外は実施例１〜実施例３と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３５】
（実施例５）
ボラン−トリエチルアミン錯体を用いた以外は実施例１〜実施例４と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３６】
（実施例６）
ボラン−トリメチルアミン錯体を用いた以外は実施例１〜実施例５と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３７】
（実施例７）
ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体を用いた以外は実施例１〜実施例６と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３８】
（実施例８）
２−メチルピラジンを用いた以外は実施例１〜実施例７と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００３９】
次に、比較例について説明する。比較例は従来の製造方法にて得られた磁気記録媒体であり、プラズマ処理に用いた有機化合物以外は実施例と同様である。
【００４０】
（比較例１）
ベンゼンを用いた以外は実施例と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４１】
（比較例２）
トルエンを用いた以外は比較例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
（比較例３）
ｐ−キシレンを用いた以外は比較例１、比較例２と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４３】
（比較例４）
２，２，４−トリメチルペンタンを用いた以外は比較例１〜比較例３と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４４】
（比較例５）
２−メチルヘプタンを用いた以外は比較例１〜比較例４と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４５】
（比較例６）
ボロン酸トリメチルエステルを用いた以外は比較例１〜比較例５と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４６】
（比較例７）
ボロン酸トリオクタデシルエステルを用いた以外は比較例１〜比較例６と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４７】
（比較例８）
３−アミノベンゼンボロン酸を用いた以外は比較例１〜比較例７と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４８】
（比較例９）
ボラン−モルフォリン錯体を用いた以外は比較例１〜比較例８と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４９】
（比較例１０）
パーフルオロベンゼンを用いた以外は比較例１〜比較例９と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００５０】
（比較例１１）
パーフルオロトルエンを用いた以外は比較例１〜比較例１０と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００５１】
つぎに、保護層の特性の評価について詳細を述べる。
【００５２】
＜膜厚＞
保護層膜厚は、図１に比較例１１の断面図を示すように、電子顕微鏡観察にて確認した。保護層膜厚は色彩計にておおよその膜厚を確認し成膜速度を原反速度にて制御した。該制御で実施例及び比較例全ての膜厚は約７ｎｍであった。
【００５３】
＜元素分析＞
潤滑層を形成していない保護層表面をＸＰＳにて元素分析した。測定元素は炭素、窒素、硼素、フッ素、酸素である。
【００５４】
比較例６〜９以外は成膜した保護層が用いる材料により元素組成を変化させたことから、用いた材料がプラズマ化しテープ表面で再結合することにより保護層を形成していることを確認した。比較例６〜９は酸素を含有する材料であるにも関わらず、保護層の酸素組成比が低めであったことから、比較例６〜９の保護層材料は該成膜プロセスで制御できなかったと言える。
【００５５】
＜硬さ＞
角度９０度に形を整えたダイヤモンド圧子を膜面から垂直に押し込み、その際の荷重と押し込み深さを確認した。押し込み深さの最大は１００ｎｍ、測定時間は３秒とした。
【００５６】
テープにおいて硬い表面は、傷が入り難いという利点の他に、ヘッドなど接触物に対する接触面積が変化しないので摩擦応力が大きくならないという利点がある。
【００５７】
図２へ評価結果の一例を示した。比較例２に対して実施例８は同じ押し込み深さを得るために必要な押し込み力が大きく、比較例１１は比較例２よりも柔らかいのである。実施例の全てと比較例６〜９は比較例２よりも硬く、比較例１〜５は同様な硬さであり、比較例１０と１１は最も柔らかった。ここで、硬さの指標を該試験における最大押し込み深さ／最大押し込み力の値として表１へ結果をまとめた。該値は１０回以上測定した平均の値である。
【００５８】
＜浸透性＞
保護層の水分浸透性を確認した。磁性層上に保護層を形成したテープを水酸化ナトリウム水溶液０．７Ｎへ浸漬し、磁性層下面層の溶解によって磁性層が剥離するまでの時間を確認した。
【００５９】
テープ表面は精密に設計されているため、磁性層下面層の変形はテープ特性への影響が大きい。テープ表面の精密な設計は高分子支持体表面によりなされており、精密な形状を実現するために水分により形状変化影響を受けやすい材料を高分子支持体表面に形成している。保護層や潤滑層の水分浸透性が低ければ上述高分子支持体表面の材料は水分の影響を受けないので精密に設計された表面を維持することができるのである。
【００６０】
上述水分は液体状態以外に気体状態の水分子をも含み、Ｃ−Ｆ結合は気体透過性に優れる。該特性は酸素透過性に優れるコンタクトレンズ材料として知られており、つまり気体遮断性に劣るのである。
【００６１】
該評価により精密設計された表面が形状維持できる能力が低い場合は磁性層が剥離するので確認できる。
【００６２】
図３へ浸透性確認結果を示した。図３の試料はバックコート及び潤滑層を形成していないテープの結果である。浸漬時間は１０分であり、図３ｂに示す比較例２は磁性層が剥離したが、図３ａに示す実施例８は剥離しなかった。
【００６３】
浸漬時間を３０分としてバックコート及び潤滑層を形成していないテープの評価結果を表１へまとめた。浸漬したテープ表面の磁性層が５０％以上剥離した時間を剥離時間とした。剥離時間は実施例と比較例６〜９は磁性層で２０分以上であったが、比較例１〜５は剥離時間が１０分程度までであった。
【００６４】
＜撥水撥油性＞
保護層表面に潤滑層を形成していないテープの表面エネルギーを接触角計にて確認した。表面エネルギーは協和界面科学株式会社製表面自由エネルギー解析システムＥＧ−２５を用い、水、ヨウ化メチレン、α−ブロモナフタレンの３種液体の磁気記録媒体表面との接触角から算出した。
【００６５】
潤滑層を形成していない保護層表面の表面エネルギーは実施例と比較例６〜９が６０ｍＮ／ｍ以上で比較例１〜５の５５ｍＮ／ｍ以下よりも大きく、比較例１０と１１は２５ｍＮ／ｍ以下であった。潤滑層を形成していない保護層表面の表面エネルギーが小さいと潤滑層が塗布プロセスにて形成し難いのであって、潤滑層を塗布プロセスにて形成する場合は保護層の表面エネルギーが大きいほど潤滑剤被覆性が高いのである。
【００６６】
尚、表面エネルギーが大きい保護層表面へは水分子が吸着し易く、水分子が表面へ吸着した表面は該吸着水分子がダンパーとなって摩擦係数を低減することが考えられている。このような保護層表面へは潤滑層を形成しなくても良好な潤滑機能が得られるが、吸着水分子の他に油汚れも付着し易いため、摩擦特性を確認した試料は全て潤滑層を形成している。
【００６７】
＜摩擦特性＞
静摩擦係数を確認した。走行時の保護層面へ１回のみＲａ＝７０±１０ｎｍ、７ｍｍφのＡｌＴｉＣ製のシリンダーが角度１８０度で接する様に配置し、約２０ｍｍの磁気記録媒体を２３±２度、４５±５％ＲＨ環境下で、張力０．６４Ｎで１０ｍｍ、３０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張ったときの摩擦係数を確認し結果を（表１）へまとめた。
【００６８】
＜膜質評価＞
形成した膜の表面を観察すると、比較例６〜比較例９の表面は実施例や比較例１〜５または比較例１０と１１と比較して粗くなっていることを電子顕微鏡で確認した。精密設計された表面形状を変化してしまい、スペーシングロスの要因となるため比較例６〜９の膜質は悪いと判断した。
【００６９】
酸素を含有する材料はプラズマＣＶＤ成膜時に酸素分子や一酸化炭素、二酸化炭素などの気体として脱離するためと考える。
【００７０】
＜転写堆積物＞
転写堆積物とは潤滑層の保護層への付着に寄与しない潤滑剤の凝集物が接する面へ転写して堆積した物であり、粉落ち不良などの要因とされる。本発明の保護層表面の潤滑機能を確認するために、当該評価は塗布形成される潤滑層の無い磁気記録媒体を用いた。転写堆積物の評価は、各磁気記録媒体約１０００ｍ×幅０．５インチを、２０℃５０％条件下でテープ張力約０．３Ｎ、走行速度１００ｍ／ｍｉｎで１回走行させた。該実験の装置はエイコー測器株式会社製テープリワインダＶＲ９３９を転写堆積物を観察するために改造した装置である。走行時の保護層面へ１回のみ０．３Ｓ、２ｍｍφのＳＵＳ３０３製のピンが接する様、配置した。走行後のピン表面汚れを顕微鏡で調べ、汚れ無し、汚れ少し、汚れ多し、の３段階にて汚れを評価した。
【００７１】
比較例６〜９は汚れが多かった。成膜時に気体として脱離した保護層面は他の保護層と比較して粗く、材料構成元素は硬いため摩擦係数は低減できるが、硬くて脆い膜になっているため上述評価により汚れが多かったと考える。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
本発明の保護層表面は表面エネルギーが大きいため潤滑剤の被覆に優れた表面であり、摩擦により潤滑剤がテープ表面以外へ転写することもない。
【００７４】
なお、以上説明した実施例では、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法を０．５インチ幅テープとし、エイコー測器株式会社製テープリワインダＶＲ９３９などに適用した場合についてのみ説明したが、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法はこれに限定されるものではなく、他の金属薄膜型磁気テープ等についても適用できるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
摺動部界面に耐摩耗性及び耐湿性に優れる保護層であるため、磁気記録媒体の保護層をして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】磁気記録媒体の断面図
【図２】硬度測定の結果の一例を示すグラフ
【図３】（ａ）は本発明の一実施例の浸透性評価結果を示す図、（ｂ）は従来の一例における浸透性評価結果を示す図
【符号の説明】
【００７７】
１    磁性層
２    保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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