(57)【要約】【課題】従来の有機ＥＬ装置では、製造にかかる効率を向上させることが困難である。【解決手段】第１基板４１と、発光層６９を含み、第１基板４１に対向する有機層３１と、第１基板４１及び有機層３１の間に介在し、有機層３１に対向する画素電極２９と、有機層３１の画素電極２９側とは反対側に位置し、有機層３１を挟んで画素電極２９に対向する対向電極３３と、対向電極３３及び有機層３１の間で対向電極３３に接した状態で設けられ、有機層３１を挟んで画素電極２９に対向する電子注入層７１と、珪素を含む材料で構成されており、対向電極３３の電子注入層７１側とは反対側に配置され、少なくとも一部が対向電極３３に接する珪素含有膜３５と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。【選択図】図５
2010020996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
発光層を含み、前記基板に対向する有機層と、
前記基板及び前記有機層の間に介在し、前記有機層に対向する第１電極と、
前記有機層の前記第１電極側とは反対側に位置し、前記有機層を挟んで前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第２電極及び前記有機層の間で前記第２電極に接した状態で設けられ、前記有機層を挟んで前記第１電極に対向する電子注入層と、
珪素を含む材料で構成されており、前記第２電極の前記電子注入層側とは反対側に配置され、少なくとも一部が前記第２電極に接する珪素含有膜と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記珪素含有膜は、少なくとも前記有機層に重なる領域にわたって設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記珪素含有膜は、非晶質の珪素で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第２電極は、アルミニウムを含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記電子注入層は、マグネシウムと銀とを含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
複数の画素を有しており、
前記複数の画素の少なくとも１つは、前記第１電極及び前記電子注入層を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記珪素含有膜は、前記複数の画素にわたって設けられていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記複数の画素にわたって設けられていることを特徴とする請求項６又は７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記基板及び前記第２電極の間に介在し、前記複数の画素のうちで隣り合う画素間を仕切る絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記第２電極との間に介在し、前記第２電極に接する第３電極と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記第３電極は、前記電子注入層と同じ材料を用いて前記電子注入層と同一工程で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示装置の１つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置が知られている。
有機ＥＬ装置では、従来、１つの画素に対応する画素電極を複数のセルに分割し、これらの複数のセルを切り取りパターンで相互に連結した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−６６９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された構成では、１つの画素に対応する複数のセルのうちでショートが発生したセルにつながる切り取りパターンをレーザ照射によって切断することにより、周辺領域の損傷を最小化することができる。
しかしながら、この従来の有機ＥＬ装置では、複数のセルの中から暗点を見出して、且つその暗点のセルに対してレーザ照射を実施しなければならない。つまり、従来の有機ＥＬ装置では、補修にかかる工程を簡略化したり、補修にかかる時間を短縮したりすることが困難である。
このため、従来の有機ＥＬ装置では、製造にかかる効率を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００６】
［適用例１］基板と、発光層を含み、前記基板に対向する有機層と、前記基板及び前記有機層の間に介在し、前記有機層に対向する第１電極と、前記有機層の前記第１電極側とは反対側に位置し、前記有機層を挟んで前記第１電極に対向する第２電極と、前記第２電極及び前記有機層の間で前記第２電極に接した状態で設けられ、前記有機層を挟んで前記第１電極に対向する電子注入層と、珪素を含む材料で構成されており、前記第２電極の前記電子注入層側とは反対側に配置され、少なくとも一部が前記第２電極に接する珪素含有膜と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【０００７】
適用例１の有機ＥＬ装置は、基板と、有機層と、第１電極と、第２電極と、電子注入層と、珪素含有膜と、を有している。有機層は、発光層を含んでおり、基板に対向している。第１電極は、基板及び有機層の間に介在しており、有機層に対向している。第２電極は、有機層の第１電極側とは反対側に位置している。第２電極は、有機層を挟んで第１電極に対向している。電子注入層は、第２電極及び有機層の間で第２電極に接した状態で設けられている。電子注入層は、有機層を挟んで第１電極に対向している。珪素含有膜は、珪素を含む材料で構成されている。珪素含有膜は、第２電極の電子注入層側とは反対側に配置されており、少なくとも一部が第２電極に接している。この有機ＥＬ装置では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、第１電極及び第２電極間の有機層を電流が流れる。これにより、有機層に含まれる発光層が発光する。
ここで、第１電極と第２電極とが短絡している場合、有機層を電流が流れにくくなる。このため、発光層の発光が阻害されやすくなり、発光の輝度が損なわれることがある。
この有機ＥＬ装置では、珪素含有膜が第２電極に接している。このため、第１電極と第２電極との短絡が発生していても、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することによって、発光状態を向上させることができる。これは、以下の理由による。
第１電極と第２電極とが短絡しているときに、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、短絡箇所に電流が集中するため、短絡箇所が発熱する。短絡箇所の発熱によって、短絡箇所における第２電極が珪素含有膜中に熱拡散される。この熱拡散により、短絡箇所における第２電極が減少し、短絡が解消され得る。この結果、発光状態の向上が図られる。この有機ＥＬ装置では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することによって短絡が解消され得るので、例えばレーザ照射による補修の場合に比較して、補修にかかる工程を簡略化することができる。このため、有機ＥＬ装置の製造にかかる効率を向上させやすくすることができる。
【０００８】
［適用例２］上記の有機ＥＬ装置であって、前記珪素含有膜は、少なくとも前記有機層に重なる領域にわたって設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【０００９】
適用例２では、珪素含有膜が少なくとも有機層に重なる領域にわたって設けられている。このため、第１電極と第２電極との短絡が、平面視で有機層のいずれの箇所で発生しても、発光状態の向上を図りやすくすることができる。
【００１０】
［適用例３］上記の有機ＥＬ装置であって、前記珪素含有膜は、非晶質の珪素で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１１】
適用例３では、珪素含有膜が非晶質の珪素で構成されている。このため、珪素含有膜における珪素の純度を高めやすくすることができる。これにより、第２電極の珪素含有膜中への熱拡散を促進させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例４］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第２電極は、アルミニウムを含む材料で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１３】
適用例４では、第２電極がアルミニウムを含む材料で構成されている。アルミニウムは、珪素に熱拡散しやすい材料の１つである。このため、第２電極の珪素含有膜中への熱拡散を促進させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例５］上記の有機ＥＬ装置であって、前記電子注入層は、マグネシウムと銀とを含む材料で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１５】
適用例５では、電子注入層がマグネシウムと銀とを含む材料で構成されている。マグネシウムと銀とを含む材料は、仕事関数が低い材料の１種である。このため、発光層の発光の輝度を向上させやすくすることができる。
【００１６】
［適用例６］上記の有機ＥＬ装置であって、複数の画素を有しており、前記複数の画素の少なくとも１つは、前記第１電極及び前記電子注入層を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１７】
この適用例では、有機ＥＬ装置は、複数の画素を有している。複数の画素の少なくとも１つは、第１電極及び電子注入層を有している。
この適用例には、前記第１電極及び前記電子注入層のそれぞれを画素ごとに設けた構成も含まれる。この構成では、電子注入層が画素ごとに設けられているので、隣り合う画素間で、電子注入層同士は離間し得る。このため、第１電極及び第２電極の短絡が発生している画素（以下、短絡画素と呼ぶ）において、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することによって短絡の解消が図られた後に、この画素に電流が集中することを避けやすくすることができる。つまり、短絡画素の発光状態を向上させつつ、第１電極及び第２電極の短絡が発生していない画素の発光状態を回復させやすくすることができる。
【００１８】
［適用例７］上記の有機ＥＬ装置であって、前記珪素含有膜は、前記複数の画素にわたって設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１９】
適用例７では、珪素含有膜が複数の画素にわたって設けられている。このため、珪素含有膜に、複数の画素を保護する保護機能を持たせることができる。
【００２０】
［適用例８］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第２電極は、前記複数の画素にわたって設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２１】
適用例８では、第２電極が複数の画素にわたって設けられている。このため、第２電極に、複数の画素を保護する保護機能を持たせることができる。
【００２２】
［適用例９］上記の有機ＥＬ装置であって、前記基板及び前記第２電極の間に介在し、前記複数の画素のうちで隣り合う画素間を仕切る絶縁膜と、前記絶縁膜と前記第２電極との間に介在し、前記第２電極に接する第３電極と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２３】
適用例９の有機ＥＬ装置は、絶縁膜と、第３電極と、を有している。絶縁膜は、基板及び第２電極の間に介在しており、複数の画素のうちで隣り合う画素間を仕切っている。第３電極は、絶縁膜と第２電極との間に介在しており、第２電極に接している。これにより、第２電極の電気伝導を第３電極に補助させることができる。
【００２４】
［適用例１０］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第３電極は、前記電子注入層と同じ材料を用いて前記電子注入層と同一工程で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２５】
適用例１０では、第３電極が電子注入層と同じ材料で構成されているので、電子注入層と第３電極とを同一工程で形成しやすくすることができる。
【００２６】
［適用例１１］上記の有機ＥＬ装置を有することを特徴とする電子機器。
【００２７】
適用例１１の電子機器は、有機ＥＬ装置を有している。この有機ＥＬ装置は、基板と、有機層と、第１電極と、第２電極と、電子注入層と、珪素含有膜と、を有している。有機層は、発光層を含んでおり、基板に対向している。第１電極は、基板及び有機層の間に介在しており、有機層に対向している。第２電極は、有機層の第１電極側とは反対側に位置している。第２電極は、有機層を挟んで第１電極に対向している。電子注入層は、第２電極及び有機層の間で第２電極に接した状態で設けられている。電子注入層は、有機層を挟んで第１電極に対向している。珪素含有膜は、珪素を含む材料で構成されている。珪素含有膜は、第２電極の電子注入層側とは反対側に配置されており、少なくとも一部が第２電極に接している。この有機ＥＬ装置では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、第１電極及び第２電極間の有機層を電流が流れる。これにより、有機層に含まれる発光層が発光する。
ここで、第１電極と第２電極とが短絡している場合、有機層を電流が流れにくくなる。このため、発光層の発光が阻害されやすくなり、発光の輝度が損なわれることがある。
この有機ＥＬ装置では、珪素含有膜が第２電極に接している。このため、第１電極と第２電極との短絡が発生していても、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することによって、発光状態を向上させることができる。これは、以下の理由による。
第１電極と第２電極とが短絡しているときに、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、短絡箇所に電流が集中するため、短絡箇所が発熱する。短絡箇所の発熱によって、短絡箇所における第２電極が珪素含有膜中に熱拡散される。この熱拡散により、短絡箇所における第２電極が減少し、短絡が解消され得る。この結果、発光状態の向上が図られる。
このため、この適用例の電子機器では、有機ＥＬ装置において、第１電極と第２電極との短絡が発生していても、有機ＥＬ装置の発光状態を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００２９】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００３０】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００３１】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００３２】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３３】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３４】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３５】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２１と、駆動トランジスタ２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、対向電極３３とを有している。選択トランジスタ２１及び駆動トランジスタ２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３７と、データ線駆動回路３８と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００３６】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３７につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３８につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００３７】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスタ２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のドレイン電極は、各駆動トランジスタ２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００３８】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスタ２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と対向電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、対向電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、対向電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と対向電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００３９】
選択トランジスタ２１は、この選択トランジスタ２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４０】
駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て対向電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００４１】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００４２】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００４３】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００４４】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００４５】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００４６】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００４７】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜（第１絶縁膜）６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜６１は、平面視で、表示領域７にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６１は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００４８】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む絶縁膜（第２絶縁膜）６３が設けられている。絶縁膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１に沿って格子状に設けられている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６３は、平面視で環状に設けられている。本実施形態では、絶縁膜６３の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極２９の表示面３側には、絶縁膜６３に囲まれた領域（画素形成領域）内に、有機層３１が設けられている。本実施形態では、有機層３１の厚みは、１００ｎｍ程度に設定されている。
【００４９】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５０】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００５１】
【化１】
2010020996.tif 000003
【００５２】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００５３】
【化２】
2010020996.tif 000004
【００５４】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００５５】
【化３】
2010020996.tif 000005
【００５６】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００５７】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、絶縁膜６３に囲まれた領域内に、電子注入層７１が設けられている。
また、絶縁膜６３の表示面３側には、補助電極７３が設けられている。
電子注入層７１及び補助電極７３のそれぞれの材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。また、電子注入層７１及び補助電極７３のそれぞれの材料としては、ストロンチウムなども採用され得る。本実施形態では、電子注入層７１及び補助電極７３の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金（以下、ＭｇＡｇと呼ぶ）が採用されている。
【００５８】
電子注入層７１の表示面３側には、対向電極３３が設けられている。対向電極３３は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、対向電極３３は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。また、対向電極３３の材料としては、ニッケルや銅などの金属も採用され得る。本実施形態では、対向電極３３として、アルミニウムを主成分とする金属の薄膜が採用されている。対向電極３３は、電子注入層７１及び絶縁膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
なお、補助電極７３は、対向電極３３の電気伝導を補助する機能を有している。
【００５９】
対向電極３３の表示面３側には、珪素含有膜３５が設けられている。珪素含有膜３５の材料としては、例えば、アモルファス（非晶質）シリコン、多結晶シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、珪素含有膜３５の材料として、アモルファスシリコンが採用されている。珪素含有膜３５は、複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。
【００６０】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と対向電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する対向電極３３とを含んだ構成を有している。
【００６１】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の対向電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００６２】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び対向電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６３】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述した選択トランジスタ２１（図４）、駆動トランジスタ２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７が含まれている。
【００６４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の形成では、まず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術などを活用することにより、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う酸化シリコン膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、酸化シリコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６１が形成され得る。
【００６５】
次いで、図６（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に絶縁膜６３を形成する。絶縁膜６３の形成では、まず、感光性を有するアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６３が形成され得る。
なお、駆動素子層８１から絶縁膜６３までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ａと呼ばれる。
【００６６】
次いで、基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極２９及び絶縁膜６１に親液性が付与される。
次いで、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、絶縁膜６３に撥液性が付与される。
【００６７】
次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各画素５の領域内に液状体６５ａを配置する。液状体６５ａの配置には、液滴吐出ヘッド８３を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド８３から液状体６５ａなどを液滴６５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００６８】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図７（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれた液状体６５ａは、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【００６９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた領域内に液滴吐出ヘッド８３から、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれた液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、絶縁膜６３によって囲まれた領域内に液状体６７ａを配置する。このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａは、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７０】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図８（ａ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７１】
次いで、図８（ａ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各領域内に、発光層６９を構成する有機材料が含まれた液状体６９ａを配置する。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド８３から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａは、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７２】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図８（ｂ）に示す発光層６９が形成され得る。これにより、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有する有機層３１が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７３】
次いで、図８（ｂ）に示すように、電子注入層７１と補助電極７３とを形成する。電子注入層７１及び補助電極７３の形成では、例えばスパッタリング技術などの成膜技術が活用され得る。スパッタリング技術を活用することにより、絶縁膜６３に囲まれた領域内と、絶縁膜６３の天板部６３ａ（図８（ａ）参照）上とに、ＭｇＡｇ膜が形成され得る。
【００７４】
このとき、ＭｇＡｇ膜の厚みは、絶縁膜６３に囲まれた領域内のＭｇＡｇ膜と、天板部６３ａ上のＭｇＡｇ膜とが離間する厚みに設定される。ＭｇＡｇ膜の厚みとしては、例えば、２ｎｍ以上且つ５ｎｍ未満の範囲が適用され得る。２ｎｍ未満では、電子注入層７１としての機能が十分に発揮されにくい。また、５ｎｍ以上では、ＭｇＡｇ膜が、絶縁膜６３に囲まれた領域内と、天板部６３ａ上との間で離間しにくい。本実施形態では、ＭｇＡｇ膜の厚みは、約３ｎｍに設定されている。
【００７５】
これにより、絶縁膜６３に囲まれた領域内のＭｇＡｇ膜が電子注入層７１となり、天板部６３ａ上のＭｇＡｇ膜が補助電極７３となり得る。これらの電子注入層７１及び補助電極７３は、絶縁膜６３の側壁部６３ｂにおいて離間している。このため、対向電極３３（図５）を形成する前の段階では、電子注入層７１と補助電極７３とは、電気的に絶縁している。なお、ＭｇＡｇ膜が絶縁膜６３の側壁部６３ｂにおいて離間している状態は、段切れ状態とも呼ばれる。
上記の方法により、１回の成膜工程で、絶縁膜６３に囲まれた領域内で発光層６９上に電子注入層７１が形成され、絶縁膜６３上に補助電極７３が形成され得る。
【００７６】
次いで、図５に示すように、電子注入層７１及び補助電極７３の表示面３側に、対向電極３３を形成する。対向電極３３の形成では、例えばスパッタリング技術などの成膜技術が活用され得る。本実施形態では、スパッタリング技術を活用することにより、電子注入層７１及び補助電極７３の表示面３側にアルミニウムを主成分とする金属の膜（以下、アルミ含有膜と呼ぶ）を形成する。
【００７７】
アルミ含有膜の厚みとしては、例えば、５ｎｍ以上且つ８ｎｍ以下の範囲が適用され得る。５ｎｍ未満では、対向電極３３の電気伝導が確保されにくくなる。また、８ｎｍを超えると、発光層６９からの光が電子注入層７１と対向電極３３とによって吸収されやすく、表示装置１の輝度が確保されにくくなる。本実施形態では、アルミ含有膜の厚みは、約７ｎｍに設定されている。
【００７８】
対向電極３３の形成に次いで、対向電極３３の表示面３側に、珪素含有膜３５を形成する。珪素含有膜３５の形成では、例えばＣＶＤ技術などの成膜技術が活用され得る。本実施形態では、ＣＶＤ技術を活用することにより、対向電極３３の表示面３側にアモルファスシリコンの膜（以下、ａ−Ｓｉ膜と呼ぶ）を形成する。
【００７９】
ａ−Ｓｉ膜の厚みとしては、例えば、対向電極３３の厚みの３／４以上、且つ５０ｎｍ以下の範囲が適用され得る。対向電極３３の厚みの３／４未満では、後述するアルミニウムの拡散が促進されにくくなる。また、５０ｎｍを超えると、発光層６９からの光が珪素含有膜３５によって吸収されやすく、表示装置１の輝度が確保されにくくなる。本実施形態では、ａ−Ｓｉ膜の厚みは、約２０ｎｍに設定されている。
上記の方法により、素子基板１１が製造され得る。
【００８０】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００８１】
本実施形態では、第１基板４１が基板に対応し、画素電極２９が第１電極に対応し、対向電極３３が第２電極に対応し、補助電極７３が第３電極に対応している。
表示装置１では、対向電極３３の表示面３側に珪素含有膜３５が設けられている。珪素含有膜３５は、対向電極３３に接した状態で設けられている。このため、画素電極２９と対向電極３３とが短絡している場合に、画素電極２９と対向電極３３との間に電圧を印加することにより、短絡が解消されやすい。
【００８２】
ここで、画素電極２９と対向電極３３との短絡としては、例えば、画素電極２９の表面粗さが粗いことが想定される。画素電極２９と対向電極３３とが、例えば、画素５を模式的に示す断面図である図９（ａ）に示すように、画素電極２９の突起部２９ａによって短絡している。図９（ａ）に示す状態では、画素電極２９と対向電極３３との間に電圧を印加すると、突起部２９ａに電流集中が発生する。
【００８３】
このため、短絡が発生している画素５（以下、短絡画素５ｔと呼ぶ）では、有機層３１に流れる電流が極めて少なくなる。また、短絡画素５ｔを除く他の画素５における有機層３１への電流も少なくなる。従って、短絡画素５ｔを含む複数の画素５における発光の輝度が極めて低くなる。この結果、表示装置１の表示が行われなかったり、極めて暗い表示になったりしてしまう。
【００８４】
短絡画素５ｔにおいて突起部２９ａに電流集中が発生すると、突起部２９ａが発熱する。突起部２９ａが発熱すると、突起部２９ａの周辺部が加熱される。このとき、突起部２９ａに接している対向電極３３は、図９（ａ）中のＤ部の拡大図である図９（ｂ）に示すように、突起部２９ａの周辺部３３ａが加熱される。周辺部３３ａは、加熱されることによって温度が上昇する。
【００８５】
ここで、周辺部３３ａを含む対向電極３３は、前述したように、アルミニウムを主成分とする金属で構成されている。また、アモルファスシリコンで構成されている珪素含有膜３５は、対向電極３３に接した状態で設けられている。シリコンに接しているアルミニウムを加熱すると、アルミニウムは、温度上昇によってシリコン中に熱拡散する。このため、周辺部３３ａは、温度上昇によって珪素含有膜３５中に拡散する。この結果、突起部２９ａと対向電極３３とが離隔する。突起部２９ａと対向電極３３とが離隔することにより、画素電極２９と対向電極３３との短絡が解消され得る。
【００８６】
なお、突起部２９ａと対向電極３３とが離隔しても、電子注入層７１は、突起部２９ａの外周部２９ｂに接した状態が維持されている。しかしながら、電子注入層７１は、厚みが約３ｎｍに設定されているので、厚みの方向とは交差する面方向における電気伝導性が極めて低い。つまり、電子注入層７１と外周部２９ｂとの間には、極めて大きい電気抵抗が存在する。また、電子注入層７１は、各画素５に対応して個別に設けられている。つまり、隣り合う画素５同士の間で、電子注入層７１同士は、直接的にはつながっていない。これらの理由により、突起部２９ａと対向電極３３とが離隔すれば、突起部２９ａへの電流集中が緩和される。このため、突起部２９ａと対向電極３３とが離隔すれば、画素電極２９と対向電極３３との短絡が解消されるとみなされ得る。
【００８７】
画素電極２９と対向電極３３との短絡が解消されると、突起部２９ａへの電流集中が緩和される。このため、短絡画素５ｔにおける有機層３１に流れる電流が増大する。また、短絡画素５ｔを除く他の画素５における有機層３１への電流も増大する。従って、短絡画素５ｔを含む複数の画素５における発光の輝度が向上する。この結果、表示装置１の表示が正常に行われ得る。
なお、画素電極２９と対向電極３３との短絡としては、画素電極２９の表面粗さに起因する突起部２９ａのみならず、例えば、画素電極２９と対向電極３３との間に異物が混在した場合や、有機層３１にピンホールが発生した場合なども想定され得る。これらの場合においても、画素電極２９と対向電極３３との間に電圧を印加することにより、短絡を解消することができる。
【００８８】
本実施形態では、画素電極２９と対向電極３３との間に電圧を印加することによって短絡が解消され得るので、例えばレーザ照射による補修の場合に比較して、補修にかかる工程を簡略化することができる。このため、表示装置１の製造における効率化を図りやすくすることができる。
【００８９】
本実施形態では、珪素含有膜３５が、複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、珪素含有膜３５は、平面視で対向電極３３を覆う領域にわたって設けられている。このため、画素電極２９と対向電極３３との短絡が平面視で対向電極３３のいずれの箇所で発生しても、複数の画素５における発光の輝度を向上させやすくすることができる。
【００９０】
また、本実施形態では、珪素含有膜３５がアモルファスシリコンで構成されている。アモルファスシリコンの膜は、ＣＶＤ技術などを活用することにより、他の構成に損傷を与えにくい温度範囲で形成され得る。
また、アモルファスシリコンでは、珪素含有膜３５におけるシリコン（珪素）の純度を高めやすくすることができる。このため、対向電極３３の珪素含有膜３５中への拡散を促進させやすくすることができる。
【００９１】
また、本実施形態では、対向電極３３がアルミニウムを主成分とする金属で構成されている。アルミニウムは、シリコン中に拡散しやすい材料の１つである。このため、対向電極３３の珪素含有膜３５中への拡散を促進させやすくすることができる。
【００９２】
また、本実施形態では、対向電極３３が、電子注入層７１及び絶縁膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。つまり、対向電極３３は、複数の画素５のそれぞれに対応する有機層３１を表示面３側から、一連した状態で覆っている。このため、複数の有機層３１を対向電極３３で保護することができる。対向電極３３が複数の画素５間にわたって一連している構成は、複数の有機層３１を封止する機能を強化することができる点で特に好ましい。
【００９３】
また、本実施形態では、珪素含有膜３５が、複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。このため、複数の有機層３１を珪素含有膜３５で保護することができる。珪素含有膜３５が複数の画素５間にわたって一連している構成は、複数の有機層３１を封止する機能を強化することができる点で特に好ましい。
【００９４】
また、本実施形態では、隣り合う画素５同士の間を仕切る絶縁膜６３の天板部６３ａ（図８（ａ））上に補助電極７３が設けられている。このため、対向電極３３の電気伝導を補助電極７３で補助することができる。
【００９５】
また、本実施形態では、補助電極７３が、電子注入層７１と同じ材料で、且つ電子注入層７１と同じ階層に形成されている。このため、電子注入層７１と補助電極７３とを同じ工程で形成することができる。これにより、電子注入層７１と補助電極７３とを異なる工程で形成する場合に比較して、工程を簡略化することができる。この結果、表示装置１の製造における効率化が図られる。
【００９６】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置では、発光層６９からの光は、表示領域７にわたって面状に射出され得る。このため、このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【００９７】
また、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜６３に撥液性が付与される場合を例に説明したが、撥液性の付与方法はこれに限定されない。絶縁膜６３を、例えばフッ素樹脂で構成することによって、絶縁膜６３に撥液性を付与することができる。これにより、ＣＦ4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
【００９８】
また、本実施形態では、１回の成膜工程で、電子注入層７１及び補助電極７３を形成する場合を例に説明したが、電子注入層７１及び補助電極７３の形成方法はこれに限定されない。電子注入層７１及び補助電極７３の形成方法は、電子注入層７１を形成する工程と、補助電極７３を形成する工程との２回の成膜工程で形成する方法も採用され得る。２回の成膜工程では、それぞれ、マスクを使用して成膜するマスクスパッタ技術などが活用され得る。
また、他の形成方法として、段切れを発生させない厚みで１回の成膜工程を実施してから、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、電子注入層７１と補助電極７３とを離間させる方法も採用され得る。
【００９９】
また、本実施形態では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１００】
また、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層７１の材料として、カルシウムなどが採用され得る。対向電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
【０１０１】
上述した表示装置１は、例えば、図１０に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されている。表示装置１では、短絡画素５ｔが発生したときに、画素電極２９と対向電極３３との間に電圧を印加することにより、短絡画素５ｔにおける短絡を解消しやすくすることができる。このため、電子機器５００では、表示装置１における短絡画素５ｔの短絡状態を解消しやすくすることができる。
【０１０２】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図９】本実施形態における表示装置での短絡画素の一例を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１０４】
１…表示装置、３…表示面、５…画素、５ｔ…短絡画素、７…表示領域、１１…素子基板、１５…底面、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…有機層、３３…対向電極、３５…珪素含有膜、４１…第１基板、４１ａ…基板、６３…絶縁膜、６５…正孔注入層、６７…正孔輸送層、６９…発光層、７１…電子注入層、７３…補助電極、８１…駆動素子層、５００…電子機器、５１０…表示部。
【図１】
2010020996.tif 000006
【図２】
2010020996.tif 000007
【図３】
2010020996.tif 000008
【図４】
2010020996.tif 000009
【図５】
2010020996.tif 000010
【図６】
2010020996.tif 000011
【図７】
2010020996.tif 000012
【図８】
2010020996.tif 000013
【図９】
2010020996.tif 000014
【図１０】
2010020996.tif 000015