(57)【要約】【課題】微細な凹凸パターンが形成された基板から、容易に他の基板等に正確なパターン転写を行うことができる微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも片側に凹凸パターンが形成された第一の基板１１上に、誘電体膜１５を形成する。第一の基板１１とパターン転写先の第二の基板１４とを、第一の基板１１側から順にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を介して結合させる。第一の基板１１と第二の基板１４とを、誘電体膜１５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との境界で分離し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２に凹凸パターンを転写する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片側に凹凸パターンが形成された第一の基板上に、誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜が形成された第一の基板とパターン転写先の第二の基板とを、前記第一の基板側から順にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂を介して結合させる工程と、
前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記誘電体膜と前記第一の紫外線硬化性樹脂との境界で分離し、前記第一の紫外線硬化性樹脂に前記凹凸パターンを転写する工程とを有する微細パターン形成方法。
【請求項２】
前記第一の基板と前記第二の基板とを結合させる工程は、前記第一の紫外線硬化性樹脂又は前記第二の紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射し硬化させる工程を含む、請求項１に記載の微細パターン形成方法。
【請求項３】
前記誘電体膜を形成する工程では、前記第一の基板と前記第二の基板とを結合させる工程で照射される紫外線の波長域にて、消衰係数が０．１以下の酸化物、窒化物及び酸窒化物から成る群から選択された１つ以上の誘電体材料を所定の膜厚で形成する、請求項２に記載の微細パターン形成方法。
【請求項４】
前記誘電体膜を形成する工程では、前記誘電体膜を５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲の膜厚で形成する、請求項１乃至３の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項５】
前記第一の基板は、ポリカーボネイト（ＰＣ）、シリカガラス、ニッケル、又は、シリコンを主成分とする材料で形成されている、請求項１乃至４の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項６】
前記第二の基板は、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ガラス、又は、シリコンを主成分とする材料で形成されている、請求項１乃至５の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項７】
前記第一の基板と前記第二の基板とを結合させる工程が、
前記誘電体膜が形成された第一の基板上に前記第一の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射する工程と、
前記第二の基板上に前記第二の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記第一の紫外線硬化性樹脂面と前記第二の紫外線硬化性樹脂面とで貼り合わせ、該貼り合わせた状態で前記第一の紫外線硬化性樹脂と前記第二の紫外線硬化性樹脂とに紫外線を照射し硬化、接着させる工程とを含む、請求項１乃至６の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項８】
前記第一の基板と前記第二の基板とを結合させる工程が、
前記誘電体膜が形成された第一の基板上に前記第一の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射する工程と、
前記第一の紫外線硬化性樹脂上に、前記第二の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記第二の紫外線硬化性樹脂面と前記第二の基板表面とで貼り合わせ、該貼り合わせた状態で前記第一の紫外線硬化性樹脂と前記第二の紫外線硬化性樹脂とに紫外線を照射し硬化、接着させる工程とを含む、請求項１乃至６の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項９】
前記第一の基板と前記第二の基板とを結合させる工程が、
前記第二の基板上に前記第二の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第二の紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射する工程と、
前記誘電体膜が形成された第一の基板上に前記第一の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記第一の紫外線硬化性樹脂面と前記第二の紫外線硬化性樹脂面とで貼り合わせ、該貼り合わせた状態で前記第一の紫外線硬化性樹脂と前記第二の紫外線硬化性樹脂とに紫外線を照射し硬化、接着させる工程とを含む、請求項１乃至６の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１０】
前記第一の基板と前記第二の基板とを貼り合わせる工程が、
前記第二の基板上に前記第二の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第二の紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射する工程と、
前記第二の紫外線硬化性樹脂上に前記第一の紫外線硬化性樹脂を塗布展開する工程と、
前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記誘電体膜面と前記第一の紫外線硬化性樹脂面とで貼り合わせ、該貼り合わせた状態で前記第一の紫外線硬化性樹脂と前記第二の紫外線硬化性樹脂とに紫外線を照射し硬化、接着させる工程とを含む、請求項１乃至６の何れか一に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
微細パターンを有する構造体を製造する方法であって、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の微細パターン形成方法を用いて、構造体に微細パターンを形成する構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターン形成方法及び構造体の製造方法に関し、更に詳しくは、凹凸パターンを転写することで微細パターンを形成する方法、及び、そのような微細パターン形成方法で微細パターンを有する構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル情報化社会の急速な進展に伴い、代表的なストレージデバイスである光ディスクの大容量化が求められている。光ディスクの大容量化に向けて、各所で精力的に開発が進められている。現在商品化されているφ１２０ｍｍの光ディスクは、ピット長が０．１μｍ〜０．２μｍで、１５ＧＢ〜３０ＧＢ程度の容量を有する。次世代及び次々世代の光ディスクでは、最短ピット長をより短くすることで容量を増加させる試みが検討されている。
【０００３】
最短ピット長をより短くした光ディスクの作成に際しては、Ｄｅｅｐ  ＵＶレーザ光や電子線を用いて作製された原盤が用いられる。Ｄｅｅｐ  ＵＶレーザ光により作成された最短ピット長の一例として８０ｎｍ、電子線では４０ｎｍ程度の非常に短いピットの形成が報告されている。最短ピット長が４０ｎｍ程度の場合、約５００ＧＢ／１２ｃｍの容量と推定される。このような高密度記録／再生に用いる光ディスク基板は、上記光ディスクの原盤から複製パターンを転写したスタンパを用い、射出成型法により作成される。
【０００４】
光ディスク原盤から、これを複製したスタンパや複数の基板を得るための技術が、特許文献１や特許文献２に記載されている。これら文献では、紫外線硬化性樹脂を用い、原盤の凹凸パターンを複製することでスタンパを作成し、そのスタンパを用いて、複数の基板を作成する。
【０００５】
特許文献１における微細パターン作成について説明する。原盤には、光学的手段を用いて感光性樹脂の表面に案内溝や情報ピットを記録した凹凸パターンの少なくとも一方が形成されている。その原盤や、原盤の凹凸パターンの反転パターンを転写したスタンパ表面に、離形層としてテフロン（登録商標）膜を設け、その表面に紫外線硬化性樹脂を塗布し、他の基材と貼り合せる。紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射した後、原盤又はスタンパと基材とを、上記テフロン膜と紫外線硬化性樹脂層との界面で分離し、案内溝や情報ピットが記録された凹凸パターンを他の基材に転写する。
【０００６】
特許文献２における微細パターン作成について説明する。原盤やスタンパ表面に酸化物薄膜を形成し、その上にフッ素系化合物を塗布又は蒸着する。その後、酸化物薄膜とフッ素系化合物薄膜との密着力を高めるために熱処理を行う。熱処理を行うことで、原盤やスタンパの凹凸表面の表面エネルギーを低下させることができ、その上に形成する紫外線硬化性樹脂とフッ素化合物薄膜との界面での離形性を高めることができる。
【０００７】
ところで、光ディスクの大容量化に向けて、上述した取り組みに加え、複数の光ディスク基板を１つのカートリッジに収納し、カートリッジ１つ当たりの記録容量を増加させる取り組みも並行して行われている。カートリッジ１つ当たりのディスク収納枚数を増やし、飛躍的に記録容量を増加させるためには、収納する一枚当たりのディスクの厚みを極力薄くする必要がある。現在、ディスク一枚当りの厚みが１００μｍ程度の薄型光ディスクの開発が積極的に行われている。
【０００８】
また、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）の大容量化の一候補として、現状の記録密度である１００Ｇビット／平方インチの１０倍にあたる１Ｔビット／平方インチ以上を狙うパターンドメディアの開発も精力的に進められている。１Ｔビット／平方インチの実現には、ドット間隔を２５ｎｍ以下にすることが必要であり、かつ、各ドットを円周方向に一列に配列させることが必要である。これを実現するため、光ディスクに設けられているランド／グルーブパターンと同様な凹凸のパターンを磁気ディスク基板上のＡｌ層に形成し、その後、陽極酸化を行い、グルーブ部にのみ微小ドットを規則的に配列する技術が開発されている。
【０００９】
上記では、記録媒体（記憶装置）における微細パターンの形成について説明したが、微細パターンの形成が求められるのは、記録媒体に限られない。例えば、半導体やＴＦＴ素子においても、高集積化、高速低消費電力化を目指して、ゲート長の微細化やソース、ドレイン電極の微細化などが精力的に研究開発されている。
【００１０】
光ディスク、ＨＤＤ媒体の高密度化や、半導体、ＴＦＴ素子のゲート長等の微細化を行うためには、その元となる原盤やフォトマスクのパターン寸法の微細化をいかに実現するかがキーとなる。その微細化のために、Ｄｅｅｐ  ＵＶ露光や電子線露光により、極限まで微細化されたパターンの形成が行われている。また、これらのパターン形成技術と同時に、作製した微細パターンをいかに忠実に転写するかが、デバイス作製のキーポイントとなっている。
【００１１】
ここで、光通信デバイスに代表される光導波路では、上述したようなナノレベルの微細パターンとは異なり、ミクロン又はサブミクロン単位の微細パターンが主に使われている。光導波路では、埋め込み型のポリマー光導波路ウエハーの作製が行われている。光導波路の作成では、所望の光導波路形状をした原盤を作製したのち、微細パターンをＳｉウエハー上に作りこんでいる。
【特許文献１】特開平１−１０７３３８号公報
【特許文献２】特開平６−１０３６１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述のように、カートリッジ１つ当たりのディスク収納枚数を増やし、飛躍的に記録容量を増加させるためには、収納するディスク一枚当たりの厚みを極力薄くする必要があり、１００μｍ程度の極薄の薄型基板が積極的に使用されている。ＣＤ（Compact Disk）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等に一般的に用いられている厚さ０．６ｍｍ〜１．２ｍｍのＰＣ基板は、射出成型法によりスタンパの凹凸を転写することで、容易にパターン転写が実行されていた。これに対し、１００μｍ程度の極薄の基板を射出成型法で作製するためには、微量の樹脂材料の充填量を正確に調整することが必須である。しかし、微量の樹脂量を制御することは非常に困難である。従って、再現性よく１００μｍ程度の厚さを有するフィルム基板の成型を行うことができない。
【００１３】
特許文献１に記載のパターン転写では、離形促進層としてテフロン膜を用いている。このパターン転写では、複数回のパターン転写を行っていく過程で、原盤やスタンパ表面に形成されたテフロン膜の一部が剥離し、転写側の基材に付着するという問題が起きることが確認された。これは、複数回のパターン転写により原盤やスタンパとその表面に形成されたテフロン膜の界面に外部応力が加わり、テフロン膜の一部が脱落するためである。テフロン膜の一部が剥離すると、パターン転写の際にその部分が欠陥となり、パターン転写後の離形時に滑らかな分離が実行できなくなる。
【００１４】
特許文献２に記載のパターン転写では、原盤やスタンパ表面に酸化物薄膜を介して形成されたフッ素系化合物薄膜の界面と、その上に形成されたパターン転写用の紫外線硬化性樹脂層の界面との境界で分離を行うため、フッ素系化合物薄膜は、その下地である酸化物薄膜と強力に密着する必要がある。また、パターン転写用の紫外線硬化性樹脂層は、パターン形成用基板と強力に密着する必要がある。このため、原盤やスタンパ表面に酸化物薄膜を形成し、更にその上にフッ素系化合物を滴下塗布又は蒸着した後に、密着性向上のための熱処理が必要となる。更に、パターン転写用の紫外線硬化性樹脂層とパターン形成用基板との密着力を高めるためには、両者の間に接着促進剤が必要となり、プロセスが複雑となるという問題点がある。
【００１５】
特許文献２では、原盤やスタンパに形成された凹凸パターンを正確に転写するためには、表面エネルギーを低下させるために形成したフッ素系化合物薄膜の膜厚を極力薄く、かつ、正確にコントロールする必要がある。しかし、上述したフッ素系化合物は紫外線に対する感度がないため、滴下塗布後に熱処理を行う必要があり、形成工程が非常に複雑となり、又は、蒸着で形成した場合には膜厚の調整が困難であるという問題がある。また、上述した酸化物薄膜とフッ素系化合物薄膜との密着性を高めるため１００℃程度の高温で熱処理する必要があるため、用いる原盤やスタンパは１００℃での耐熱性が求められ、ガラス転移点の低い有機樹脂系の材料、例えばポリカーボネイト（ＰＣ）等はこのプロセスには適用しにくいことが問題となる。更には、このようなプロセスを上述した厚さ１００μｍ程度の極薄のフィルム基板に対して実施すると、フィルム基板自体が接着促進剤と反応して変形や収縮を起こすという新たな問題を生じる。
【００１６】
上記した微細パターンの転写プロセスに関する問題点は、光ディスクに限られたものではなく、ＨＤＤ媒体の高密度化や、半導体やＴＦＴ素子のゲート長等の微細化を行うためのパターン転写時にも共通した問題となっている。
【００１７】
本発明は、微細な凹凸パターンが形成された基板（原盤、モールド）から、容易に他の基板等に正確なパターン転写を行うことができる微細パターン形成方法、及び、微細パターンを有する構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の微細パターン形成方法は、少なくとも片側に凹凸パターンが形成された第一の基板上に、誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜が形成された第一の基板とパターン転写先の第二の基板とを、前記第一の基板側から順にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂を介して結合させる工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記誘電体膜と前記第一の紫外線硬化性樹脂との境界で分離し、前記第一の紫外線硬化性樹脂に前記凹凸パターンを転写する工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の構造体の製造方法は、微細パターンを有する構造体を製造する方法であって、本発明の微細パターン形成方法を用いて、構造体に微細パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の微細パターン形成方法、及び、構造体の製造方法は、微細な凹凸パターンが形成された基板から、容易に他の基板に正確なパターン転写を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態の微細パターン形成方法を用いた微細パターンの形成を示している。第一の基板１１の少なくとも片面には、微細な凹凸パターンが形成されている。第一の基板１１の凹凸パターン表面に、誘電体膜１５を所定の膜厚で形成する。誘電体膜１５には、酸化物、窒化物、又は、酸窒化物から成る群から選択された１以上の誘電体材料を用いることができる。例えば、誘電体膜１５に、ＳｉＯＮを用い、ＳｉＯＮ膜を２０ｎｍの膜厚で形成する。
【００２２】
第一の基板１１は、他の基板に微細な凹凸パターンを転写する際に出発点となる基板であり、いわゆるモールドの役割を果たすものである。このようなモールドとしては、一般的には、Ｎｉを主成分としたＮｉモールドや、ＳｉＯ２を主成分としたＳｉＯ２モールドが用いられる。また、第一の基板１１として、Ｎｉモールドを用いて射出成型法などによって大量に複製された厚さ０．６ｍｍ〜１．５ｍｍ程度のポリカーボネイト基板（ＰＣ基板）を用いることもできる。以下では、第一の基板１１として、厚さ１．２ｍｍのＰＣ基板を用いる例を仮定して説明する。
【００２３】
第二の基板１４は、第一の基板１１上に形成された微細な凹凸パターンを転写するための基板（以下、転写先基板とも呼ぶ）である。パターン転写先基板１４には、光学部材用途では、ＰＣ基板やガラス基板が一般的に用いられる。また、半導体用途では、Ｓｉ基板が一般的に用いられる。
【００２４】
第一の基板１１と、転写先基板１４とを、第一の基板１１側から順に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を介して結合させる。その後、第一の基板１１と転写先基板１４とを、誘電体膜１５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離する。このようにすることで、第一の基板１１上に形成された凹凸パターンが、転写先基板１４上のフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の表面に転写される。
【００２５】
第一の基板１１と転写先基板１４とを結合させる際には、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３の両方に紫外線を照射し硬化、接着させる。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２又はフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３の何れか一方については、基板結合前に、予備硬化させておくものとする。例えば、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させた状態で、第一の基板１１と転写先基板１４とを貼り合わせ、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３に紫外線を照射して、第一の基板１１と転写先基板１４とを結合させる。或いは、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させた状態で、第一の基板１１と転写先基板１４とを貼り合わせ、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３に紫外線を照射して、第一の基板１１と転写先基板１４とを結合させる。
【００２６】
なお、上記で予備硬化という記述を行った理由は、以下の理由による。すなわち、紫外線硬化性樹脂は、材料によっては、大気中、特に酸素含有雰囲気では、その表面に紫外線を照射しても表面が完全に硬化せず、塗布面の基板近傍のみが硬化する。後述する実施例においても、紫外線硬化性樹脂の塗布表面が大気に触れているため、完全な硬化は起こらない。この完全には硬化しない状態を表すために、予備硬化という表現を用いた。予備硬化後、もう一種類の紫外線硬化性樹脂と密着貼り合わせすることで大気を遮断し、外部から紫外線を照射することで、２つの基板間に挟まれた２種類の樹脂の硬化が進み、かつ、接触界面での硬化、接着が行われる。これにより、第一の基板１１と転写先基板１４とが結合される。
【００２７】
第一の基板１１と転写先基板１４とを結合する工程には、以下の４通りのやり方が考えられる。１つ目のやり方では、まず、第一の基板１１上の誘電体膜１５上に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、そのフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の全面に紫外線を照射して、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させる。次いで、転写先基板１４上にフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開する。その後、第一の基板１１と転写先基板１４とを、予備硬化させたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と、硬化前のフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３とが対向するように重ねて押圧し、貼り合わせる。２つの基板を密着貼り合わせした状態で、外部から、２つの基板のうちの少なくとも一方、例えば第一の基板１１を通して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させる。
【００２８】
２つ目のやり方では、まず、第一の基板１１上の誘電体膜１５上に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、そのフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の全面に紫外線を照射して、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させる。次いで、予備硬化させたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２上にフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開する。その後、第一の基板１１と転写先基板１４とを、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３と転写先基板１４とが対向するように重ねて押圧し、貼り合わせる。２つの基板を貼り合わせた状態で、外部から、例えば第一の基板１１を通して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させる。
【００２９】
３つ目のやり方では、まず、転写先基板１４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開し、そのフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３の全面に紫外線を照射して、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させる。次いで、第一の基板１１上の誘電体膜１５上にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開する。その後、第一の基板１１と転写先基板１４とを、硬化前のフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と、予備硬化後のフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３とが対向するように重ねて押圧し、貼り合わせる。２つの基板を貼り合わせた状態で、外部から、例えば第一の基板１１を通して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させる。
【００３０】
４つ目のやり方では、まず、転写先基板１４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開し、そのフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３の全面に紫外線を照射して、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させる。次いで、予備硬化させたフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３上にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、第一の基板１１と転写先基板１４とを、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と第一の基板１１とが面するように貼り合わせる。その後、例えば第一の基板１１側から紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させ、第一の基板１１と転写先基板１４とを結合させる。
【００３１】
誘電体膜１５は、微細な凹凸パターンをフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の表面に転写する際に、第一の基板１１とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との滑らかな分離を促進する目的で形成される。また、第一の基板１１の材質がＰＣ基板の場合には、ＰＣ基板とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２とを直接に接触させると、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２に含まれるモノマーの成分によってＰＣ基板表面が反応・溶解する。このため、第一の基板１１とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の滑らかな分離が困難となる。誘電体膜１５は、その場合に、それらの表面反応を防止する役目も果たす。
【００３２】
フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２は、転写先基板１４として用いられるガラス基板やＳｉ基板表面との密着力が弱い。そこで、これを改善するために、転写先基板１４と、パターンが転写されるフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との間に、中間層として、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を形成する。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と転写先基板１４との間にフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を形成することで、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の密着性を向上できる。なお、転写先基板１４がＰＣ基板である場合は、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３は、ＰＣ基板とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２に含まれるモノマー成分との反応防止の役目も果たす。
【００３３】
本実施形態では、第一の基板１１の凹凸パターン表面に誘電体膜１５を形成し、誘電体膜１５が形成された第一の基板１１とパターン転写先の転写先基板１４とを、第一の基板１１側から順にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を介して結合させ、その後、第一の基板１１と転写先基板１４とを、誘電体膜１５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離する。本実施形態では、第一の基板１１とパターンが転写されるフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との間に、離形性の良い誘電体膜１５を挟んでいるため、第一の基板１１と転写先基板１４との分離を、スムーズに行うことができる。また、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と転写先基板１４との間に、これらとの間の密着性がよいフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を挟んでいるので、パターンが転写されたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２と転写先基板１４との間の密着性を向上できる。従って、本実施形態の微細パターン形成方法を用いることで、第一の基板１１上に形成された微細パターン（凹凸パターン）を、パターン転写先の他の基板上に、容易に転写・形成できる。
【００３４】
また、微細な凹凸パターンを有する第一の基板１１として、Ｎｉモールドから射出成型法により大量複製されたＰＣ基板を用いる場合は、何らかのプロセス上のミスにより、ＰＣ基板（第一の基板１１）がダメージを受けたときでも、即座に、別のＰＣ基板と取り替えることができる。仮に、ＰＣ基板の在庫が切れたとしても、保管しておいたＮｉモールドを用いることで、再度、ＰＣ基板を大量に複製することが可能である。従って、第一の基板１１としてＰＣ基板を用いた場合は、Ｎｉモールドの長寿命化、及び、製造コストの低減が可能であるというメリットがある。
【００３５】
本実施形態の微細パターン形成方法は、微細パターンを有する構造物の製造に用いることができる。微細パターンを有する構造物としては、光ディスク基板や、磁気ディスク基板、フォトマスクなどが考えられる。
【００３６】
以下、実施例を用いて説明する。はじめに、第１実施例について説明する。第１実施例では、第一の基板１１に、Ｎｉスタンパを用いて射出成型法により大量に複製されたＰＣ基板モールドを用いた。このＰＣ基板モールドの厚さは１．２ｍｍであり、ＰＣ基板モールド片面には、微細な凹凸パターンが形成されている。転写先基板１４には、厚さ１００μｍのＰＣフィルム（基板）を用いた。第１実施例では、ＰＣ基板モールドに形成された微細パターンを、ＰＣフィルムに転写する。
【００３７】
図２Ａ〜２Ｄに、微細パターン形成の各段階における断面を示す。微細な凹凸パターンが形成されたＰＣ基板モールド２１上に、ＳｉＯＮ膜２５を、２０ｎｍの膜厚で形成した。その後、ＳｉＯＮ膜２５上に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、外部から紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させた（図２Ａ）。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２には、含フッ素モノマー類：２５ｗｔ％、テトラエチレングリコールジアクリレート：３５ｗｔ％、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：３５ｗｔ％、界面活性剤：１ｗｔ％、及び、光重合開始剤：４ｗｔ％からなる光硬化性樹脂を用いた。
【００３８】
次に、厚さ１００μｍのＰＣフィルム２４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開した（図２Ｂ）。フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３には、アクリル酸エステルが主成分の紫外線硬化性樹脂を用いた。続いて、ＰＣ基板モールド２１と、ＰＣフィルム２４とを、予備硬化させたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の面と、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開した面とを対向させて、密着に貼り合わせた。この状態で、外部から紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させた（図２Ｃ）。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化させることで、ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４とが、ＰＣ基板モールド２１側から順に、ＳｉＯＮ膜２５、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２、及び、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を介して結合される。
【００３９】
ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４の結合後、ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４とを、ＳｉＯＮ膜２５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離した（図２Ｄ）。ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４とを分離することで、ＰＣフィルム２４の表面、つまり、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の表面部分に、ＰＣ基板モールド２１上に形成された凹凸パターンの反転パターンが形成された。分離後のＰＣ基板モールド２１は、再度、別のＰＣフィルム２４に対する微細パターンの転写に使用することができる。
【００４０】
比較例（第１比較例）として、ＳｉＯＮ膜２５（図２Ａ〜２Ｄ）を用いずにパターン転写を行うことを考える。図３に、比較例における基板分離前の状態を示す。微細な凹凸パターンが形成されたＰＣ基板モールド２１に、直接にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、紫外線を照射してフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させた。厚さ１００μｍのＰＣフィルム２４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開し、ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４とを、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２とフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３とを対向させて重ね合わせた（図３）。
【００４１】
図３に示す状態で、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させるために紫外線を照射すると、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３は、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びＰＣフィルム２４と強力に接着される。一方、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２は、ＰＣ基板モールド２１とも基板表面で反応を起こし、強力に接着される。従って、ＰＣフィルム２４にパターン転写を行うために基板分離を行おうとしても、ＰＣ基板モールド２１とＰＣフィルム２４とが二種類の紫外線硬化性樹脂を介して強力に接着されているため、基板分離を行うことができなくなる。
【００４２】
ここで、本発明者は、第一の基板１１（図１）上に形成する誘電体膜（ＳｉＯＮ膜）１５の膜厚を変化させた複数の試料を用意し、上記プロセスフローに従って転写先基板１４に微細パターンを転写し、パターン転写時（基板分離時）の離形性、及び、分離後のＳｉＯＮ膜表面のＡＦＭを観察した。表１に、パターン転写時の離形性、及び、ＳｉＯＮ膜表面のＡＦＭ観察結果を示す。
【表１】
2010020842.tif 000003
【００４３】
ＳｉＯＮ膜の膜厚が３ｎｍより薄いと、ＳｉＯＮ膜には、薄膜固有のピンホールが存在する。このため、ＳｉＯＮ膜上に塗布されたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２は、一部がＳｉＯＮ膜中を通過し、第一の基板１１として用いたＰＣ基板表面と反応する。その結果、パターン転写時に、ＳｉＯＮ膜とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２とがうまく分離せず、基板分離が不可となった。ＳｉＯＮ膜の膜厚が３ｎｍ以上になると、薄膜固有のピンホールがなくなるため、欠陥を誘発することなく、パターン転写及び基板の分離が可能となる。
【００４４】
基板分離に際しては、ＰＣ基板上に形成されているＳｉＯＮ膜に外部から繰り返し応力が加わる。ＳｉＯＮ膜が３０ｎｍ以上の膜厚で形成されているとき、基板分離時の応力により、ＳｉＯＮ膜の一部にクラックが発生した。ＳｉＯＮ膜にクラックが生じると、ＳｉＯＮ膜の第一の基板１１に対する付着力が低下し、基板分離の際に、ＳｉＯＮ膜がフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２側に付着して基板分離が行われることになる。従って、第一の基板１１上に形成するＳｉＯＮ膜は、３ｎｍ以上２８ｎｍ以下の範囲、更に好ましくは、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲が望ましい。
【００４５】
次いで、第２実施例について説明する。第２実施例では、第一の基板として、直接描画法により微細な凹凸パターンが作製されたシリカガラスＳｉＯ２モールド（以下、ＳｉＯ２モールドと呼ぶ）を用いた。誘電体膜には、ＳｉＮ膜を用いた。また、転写先基板として、厚さ１ｍｍのＳｉ基板を用いた。本実施例では、ＳｉＯ２モールドに形成された微細な凹凸パターンを、Ｓｉ基板上に転写する。
【００４６】
図４Ａ〜４Ｄに、微細パターン形成の各段階における断面を示す。第一の基板として、微細な凹凸パターンがその片面に形成された、厚さ１０ｍｍのＳｉＯ２モールド３１を用いた。ＳｉＯ２モールド上に形成された凹凸パターン表面に、スパッタ法により、ＳｉＮ膜３５を２０ｎｍの膜厚で形成した。ＳｉＮ膜３５の表面に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開し、外部からこの面に対して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を予備硬化させた（図４Ａ）。このフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。
【００４７】
次いで、予備硬化させたフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を展開塗布した（図４Ｂ）。フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。その後、ＳｉＯ２モールド３１と、Ｓｉ基板３４とを、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開した面とＳｉ基板３４の表面とを対向させて、密着に貼り合わせた。この状態で、外部からＳｉＯ２モールド３１を通して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させた（図４Ｃ）。
【００４８】
ＳｉＯ２モールド３１とＳｉ基板３４の結合後、ＳｉＯ２モールド３１とＳｉ基板３４とを、ＳｉＮ膜３５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離した（図４Ｄ）。第２実施例においても、第１実施例と同様に、微細パターン上に形成されたＳｉＮ膜３５と、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で基板を分離でき、Ｓｉ基板３４の表面に、ＳｉＯ２モールド３１上に形成された凹凸パターンの反転パターンが形成できることを確認した。
【００４９】
第３実施例について説明する。第一の基板には、微細な凹凸パターンが形成されたＮｉモールドを用いた。誘電体膜には、ＳｉＯ２膜を用いた。また、転写先基板には、厚さ１．２ｍｍのガラス基板を用いた。第３実施例では、Ｎｉモールド上に形成された微細な凹凸パターンを、ガラス基板上に転写する。
【００５０】
図５Ａ〜５Ｄに、微細パターン形成の各段階における断面を示す。第一の基板として、微細な凹凸パターンがその片面に形成された、厚さ３５０μｍのＮｉモールド４１を用いた。Ｎｉモールド４１上に形成された凹凸パターン表面に、スパッタ法により、ＳｉＯ２膜４５を２０ｎｍの膜厚で形成した。ＳｉＯ２膜４５の表面に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した（図５Ａ）。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。
【００５１】
次いで、厚さ１.２ｍｍのガラス基板４４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を展開塗布し、外部からこの面に対して紫外線を照射し、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させた（図５Ｂ）。フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。その後、Ｎｉモールド４１と、ガラス基板４４とを、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した面と、予備硬化させたフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３の表面とを対向させて、密着に貼り合わせた。この状態で、外部からガラス基板４４を通じて紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させた（図５Ｃ）。
【００５２】
Ｎｉモールド４１とガラス基板４４の結合後、Ｎｉモールド４１とガラス基板４４とを、ＳｉＯ２膜４５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離した（図５Ｄ）。第３実施例においても、第１実施例と同様に、微細パターン上に形成されたＳｉＯ２膜４５と、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で基板を分離でき、ガラス基板４４の表面に、Ｎｉモールド４１上に形成された凹凸パターンの反転パターンが形成できることを確認した。
【００５３】
比較例（第２比較例）として、付着強化層として機能するフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を用いずにパターン転写を行った。Ｎｉモールド、ガラス基板には、第３実施例で用いたものと同じＮｉモールド、ガラス基板を用いた。Ｎｉモールド上に、ＳｉＯ２膜を２０ｎｍの膜厚で形成し、その上にフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂を塗布展開した。その後、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂をガラス基板上に塗布展開することなく、Ｎｉモールドとガラス基板とを密着に貼り合わせ、ガラス基板を通して紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂を硬化させた。
【００５４】
その後、パターン転写のために基板分離を行うと、５回の試行実験のうち、２回は微細パターンをガラス基板上に転写することができた。しかし、残りの３回は、基板分離の際に、転写用基板であるガラス基板とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂との界面で分離し、ガラス基板上に微細パターンを転写することができなかった。このようになった原因は、パターン転写のためのフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂は、一方の面で厚さ２０ｎｍのＳｉＯ２膜と接し、他方の面でガラス基板と接しており、何れの界面も、互いの接着力がほぼ等しくなるため、ガラス基板へのフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂の付着再現性が乏しいことに起因するものと考えられる。
【００５５】
第４実施例について説明する。第一の基板には、第１実施例と同様に、微細な凹凸パターンが形成されたＰＣ基板モールドを用いた。誘電体膜には、Ａｌ２Ｏ３膜を用いた。また、転写先基板には、第１実施例と同様に、厚さ１００μｍのＰＣフィルムを用いた。第４実施例では、ＰＣ基板モールド上に形成された微細な凹凸パターンを、ＰＣフィルム上に転写する。
【００５６】
図６Ａ〜６Ｄに、微細パターン形成の各段階における断面を示す。ＰＣ基板モールド５１上に形成された凹凸パターン表面に、スパッタ法により、Ａｌ２Ｏ３膜５５を２０ｎｍの膜厚で形成した（図６Ａ）。次いで、ＰＣフィルム５４上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開し、紫外線を照射して、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させた。その後、予備硬化させたフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３上に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した（図６Ｂ）。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。
【００５７】
続いて、ＰＣ基板モールド５１とＰＣフィルム５４とを、Ａｌ２Ｏ３膜５５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した面とを対向させて、密着に貼り合わせた。この状態で、外部からＰＣ基板モールド５１を通じて紫外線を照射し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、密着させた（図６Ｃ）。その後、ＰＣ基板モールド５１とＰＣフィルム５４とを、Ａｌ２Ｏ３膜５５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離した（図６Ｄ）。第４実施例においても、第１実施例と同様に、微細パターン上に形成されたＡｌ２Ｏ３膜５５と、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で基板を分離でき、ＰＣフィルム５４の表面に、ＰＣ基板モールド５１上に形成された凹凸パターンの反転パターンが形成できることを確認した。
【００５８】
第５実施例について説明する。第一の基板には、基板の両側に微細な凹凸パターンが形成されたＰＣ基板モールドを用いた。誘電体膜には、ＳｉＯＮ膜を用いた。また、転写先基板には、厚さ１００μｍのＰＣフィルムを用いた。第５実施例では、ＰＣフィルムを２枚用いて、ＰＣ基板モールドの両面に形成された微細な凹凸パターンを、同時に２つのＰＣフィルム上に転写する。
【００５９】
図７Ａ〜７Ｄに、微細パターン形成の各段階における断面を示す。ＰＣ基板モールド６１上に形成された凹凸パターン表面に、スパッタ法により、ＳｉＯＮ膜６５を２０ｎｍの膜厚で形成した（図７Ａ）。次いで、２枚のＰＣフィルム６４上のそれぞれに、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を塗布展開し、紫外線を照射して、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を予備硬化させた。その後、予備硬化させたフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３上に、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した（図７Ｂ）。フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２及びフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３には、第１実施例で用いたものと同じ光硬化性樹脂を用いた。
【００６０】
続いて、ＰＣ基板モールド６１と２枚のＰＣフィルム６４とを、ＳｉＯＮ膜６５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２を塗布展開した面とを対向させて、密着に貼り合わせた。ＰＣ基板モールド６１は、両面に凹凸パターンを有するので、ＰＣ基板モールド６１を、２枚のＰＣフィルム６４で挟み込む形となる。この状態で、外部から紫外線を照射し、ＰＣ基板モールド６１の両面でＳｉＯＮ膜６５と接するフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２の双方及びこれらに隣接して配置されたフッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂１３を硬化、接着させた（図７Ｃ）。
【００６１】
ＰＣ基板モールド６１と２枚のＰＣフィルム６４の結合後、ＰＣ基板モールド６１と２枚のＰＣフィルム６４とを、それぞれ、ＳｉＯＮ膜６５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で分離した（図７Ｄ）。第５実施例においても、第１実施例と同様に、微細パターン上に形成されたＳｉＯＮ膜６５と、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との界面で基板を分離でき、２枚のＰＣフィルム６４の表面に、ＰＣ基板モールド６１上に形成された凹凸パターンの反転パターンが形成できることを確認した。
【００６２】
本実施例では、第一の基板の両面に凹凸パターンを形成し、双方の凹凸パターンを用いてパターン転写を行うので、一度の転写プロセスで、同時に２つの転写先基板に微細パターンを転写できる。従って、パターン転写のスループットを２倍に向上できる。
【００６３】
上記各実施例では、原盤やフォトマスクのレプリカ（反転パターン）を作製し、そのパターンに対して酸化物、窒化物、又は、酸窒化物からなる何れか１つ以上の誘電体層を積層する。誘電体層を積層した表面に対して、これらの材料に対して離形性の良いフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂を塗布し、パターン転写用の基板上に、フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂を介してパターン転写を行う。このようなパターン転写を行うことで、容易に、原盤やレプリカを他の基板上に転写することが可能となる。
【００６４】
なお、第１〜第５実施例では、第一の基板上に、フッ素の含有の第一の紫外線硬化性樹脂との離形性を高め、或いは、第一の基板の材質に依存するフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂との表面での反応を防ぐ目的で、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜、又は、Ａｌ２Ｏ３などの誘電体膜を形成している。これら誘電体膜（酸化物、窒化物、又は、酸窒化物）には、膜の消衰係数が、何れも０．１以下の膜を用いた。これは、消衰係数が０．１よりも大きくなると、紫外線照射により紫外線硬化性樹脂を硬化させる際の紫外線の強度が弱まり、紫外線硬化性樹脂が十分に硬化しない恐れが生じるためである。上記した消衰係数の値は、照射する紫外線の波長域での値であり、各実施例では、３６０ｎｍ以下の波長が混在した紫外線を照射できる紫外線照射装置を用いた。
【００６５】
上記各実施例では、紫外線硬化性樹脂を塗布展開した後に、基板を貼り合わせることとしたが、塗布展開と貼り合わせとが別工程に分離されている必要はなく、一部を重複して行ってもよい。例えば、基板又は硬化させた種類が異なる紫外線硬化性樹脂上に、紫外線硬化性樹脂を円周状に塗布し、２枚の基板を、塗布した紫外線硬化性樹脂を介して対向接触させ、その後、２枚の基板を回転させることで樹脂を展開しつつ、基板同士を密着貼り合わせしてもよい。
【００６６】
基板貼り合わせについては、基板貼り合わせを大気中で行ってもよく、或いは、減圧下の真空状態で行ってもよい。また、一度減圧状態で基板同士を密着貼り合わせした後に、雰囲気を大気圧以上に加圧した状態にして、より強く密着貼り合わせを行ってもよい。何れの場合でも、良好なパターン転写が可能であることは確認済みである。
【００６７】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の微細パターン形成方法及び構造体の製造方法は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態の微細パターン形成方法を用いた微細パターンの形成を示す断面図。
【図２Ａ】第１実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図２Ｂ】第１実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図２Ｃ】第１実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図２Ｄ】第１実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図３】比較例の微細パターン形成を示す断面図。
【図４Ａ】第２実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図４Ｂ】第２実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図４Ｃ】第２実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図４Ｄ】第２実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図５Ａ】第３実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図５Ｂ】第３実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図５Ｃ】第３実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図５Ｄ】第３実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図６Ａ】第４実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図６Ｂ】第４実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図６Ｃ】第４実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図６Ｄ】第４実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図７Ａ】第５実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図７Ｂ】第５実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図７Ｃ】第５実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【図７Ｄ】第５実施例の微細パターン形成の過程を示す断面図。
【符号の説明】
【００６９】
１１：第一の基板
１２：フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂
１３：フッ素未含有の第二の紫外線硬化性樹脂
１４：第二の基板（転写先基板）
１５：誘電体膜
２１：ＰＣ基板モールド
２４：ＰＣフィルム
２５：ＳｉＯＮ膜
３１：ＳｉＯ２モールド
３４：Ｓｉ基板
３５：ＳｉＮ膜
４１：Ｎｉモールド
４４：ガラス基板
４５：ＳｉＯ２膜
５１：ＰＣ基板モールド
５４：ＰＣフィルム
５５：Ａｌ２Ｏ３膜
６１：ＰＣ基板モールド
６４：ＰＣフィルム
６５：ＳｉＯＮ膜
【図１】
2010020842.tif 000004
【図２Ａ】
2010020842.tif 000005
【図２Ｂ】
2010020842.tif 000006
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2010020842.tif 000008
【図３】
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【図４Ａ】
2010020842.tif 000010
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
2010020842.tif 000012
【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
2010020842.tif 000014
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
2010020842.tif 000016
【図５Ｄ】
2010020842.tif 000017
【図６Ａ】
2010020842.tif 000018
【図６Ｂ】
2010020842.tif 000019
【図６Ｃ】
2010020842.tif 000020
【図６Ｄ】
2010020842.tif 000021
【図７Ａ】
2010020842.tif 000022
【図７Ｂ】
2010020842.tif 000023
【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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