(57)【要約】【課題】供給された画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正する。【解決手段】制御部１６は、閾値電圧Ｖthがシフトしていない初期段階において、画素２１(1,1)〜２１(1,1)の印加電圧が基準電圧Ｖrefから低下する緩和時間ｔをｔ１，ｔ２，ｔ３として、スイッチ制御信号Ｓ１〜Ｓ６をデータドライバ２２に出力し、AutoZero法による電圧測定を複数回行う。緩和時間ｔ１，ｔ２が（Ｃ／β）／ｔ＜１に設定され（Ｃ＝Ｃｓ＋Ｃｐ＋Ｃｅｌ）、緩和時間ｔ３は、（Ｃ／β）／ｔ≧１に設定される。制御部１６は、測定電圧Ｖmeas(t1)，Ｖmeas(t2)を取得して演算を行うことにより、閾値電圧Ｖth，Ｃ／βを取得し、測定電圧Ｖmeas(t3)を取得して演算を行うことにより、各画素２１(i,j)の（Δβ／β）を取得する。制御部１６は、取得したパラメータに基づいて、供給された画像データの補正を行う。【選択図】図５
2010128398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、該各画素に接続された複数の信号線と、を有し、前記各画素は、電流が供給されて発光する発光素子と、前記各信号線の一端に接続されて、前記発光素子に供給する電流を制御する駆動素子と該駆動素子に印加された電圧に対応する電荷を蓄積する保持容量とを有する画素駆動回路と、を備える画素アレイと、
供給される画像データに応じた駆動信号を、前記各信号線を介して前記各画素に印加する信号線駆動部と、
を備え、
前記信号線駆動部は、
前記各画素の前記駆動素子の閾値電圧を超える電圧値を有する基準電圧を出力する電圧印加部と、
前記各信号線の他端の電圧を測定電圧として取得する電圧測定部と、
前記電圧発生部の出力端と前記各信号線の他端との接続を切り換え、前記信号線の他端と前記電圧印加部を接続して該信号線の他端に前記基準電圧を所定時間印加した後、前記信号線の他端を、前記電圧印加部との接続が遮断された状態に設定する切換部と、
前記切換部により前記信号線の他端が前記電圧印加部との接続が遮断された状態に設定された時点から、予め設定された複数の異なる緩和時間が経過した後に前記電圧測定部により取得される、複数の前記測定電圧の値に基づく特性パラメータを取得する特性パラメータ取得部と、
前記特性パラメータに基づいて、前記画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正した補正電圧信号を生成する電圧信号補正部と、
前記補正電圧信号に基づいて前記駆動信号を生成して、前記各信号線の他端に印加する駆動信号印加部と、
を備え、
前記特性パラメータ取得部は、
容量成分Ｃを、前記信号線に寄生する寄生容量と前記保持容量と前記発光素子に寄生する発光素子容量との合計とし、前記電流増幅率の標準値をβ0としたとき、Ｃ／β0より大きい複数の異なる値に設定される第１の緩和時間群において、前記電圧測定部により取得される複数の前記測定電圧の値に基づいて、前記各画素の前記駆動素子の第１の閾値電圧と前記画素駆動回路の電流増幅率とを、前記特性パラメータにおける第１の特性パラメータとして算出して取得し、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率（Ｃ／β0）の平均値と、前記第１の緩和時間群における値より短い時間に設定される第２の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧の値と、前記各画素の前記第１の閾値電圧の値と、に基づいて、前記電流増幅率のバラツキを示すバラツキパラメータを、前記特性パラメータにおける第２の特性パラメータとして算出して取得する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記画素アレイにおける前記複数の信号線は第１の方向に沿って配列され、
該画素アレイは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配列される複数の走査線を有して、前記複数の画素は前記複数の走査線と前記複数の信号線の各交点近傍に配設され、
前記各走査線に選択信号を順次印加して、各行の前記各画素を順次選択状態に設定する選択駆動部を有し、
前記信号線駆動部の前記特性パラメータ取得部は、前記各信号線を介して、前記選択状態とされた行に対応する前記各画素の前記第１の特性パラメータ及び前記第２の特性パラメータを取得し、
前記駆動信号印加部は、前記選択状態とされた行に対応する前記各画素に、前記各信号線を介して、前記駆動信号を印加する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記画素駆動回路は、少なくとも、
電流路の一端に所定の電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１の薄膜トランジスタと、
制御端子が前記走査線に接続され、電流路の一端が前記第１の薄膜トランジスタの電流路の一端に接続され、該電流路の他端が前記第１の薄膜トランジスタの制御端子に接続された第２の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記駆動素子は、前記第１の薄膜トランジスタであり、
前記選択状態において、前記第２の薄膜トランジスタがオン状態となって、前記第１の薄膜トランジスタの電流路の一端と制御端子とが接続され、
前記選択状態とされた行の前記各画素の前記接続点に、前記電圧印加部より印加される前記基準電圧に応じた電圧が、前記各信号線を介して印加され、
前記電圧測定部は、前記選択状態とされた行の前記各画素の前記接続点の、前記各緩和時間経過後の電圧を、前記各信号線を介して、前記測定電圧として取得する、
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記電流増幅率の前記標準値は、該電流増幅率の設計値又は典型値であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記特性パラメータ取得部における前記第１の特性パラメータ及び第２の特性パラメータの取得は、前記各画素の前記駆動素子が初期の特性を有している初期状態のときに実行され、
前記電圧信号補正部による前記電圧信号の補正、及び、前記駆動信号印加部による前記駆動信号の生成は、前記画像データが供給されて前記各画素を駆動する実動作時に実行される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記特性パラメータ取得部は、前記第１の緩和時間群をｔ１、ｔ２、該第１の緩和時間群に対応する前記測定電圧をＶmeas(t1)、Ｖmeas(t2)、前記第１の閾値電圧をＶth1、前記電流増幅率をβとし、前記２つの測定電圧の値と前記２つの緩和時間の値とを式（１）に代入して演算を行うことにより、前記第１の特性パラメータを算出して取得する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【数１】
2010128398.tif 000024
・・・（１）
【請求項７】
前記特性パラメータ取得部は、前記第２の緩和時間をｔ３、該第２の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t3)、前記基準電圧の電圧値をＶref、前記各画素における前記第１の閾値電圧をＶth1、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、前記バラツキパラメータをΔβ／βとしたとき、式（２）に基づいて、前記第２の特性パラメータを算出して取得することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【数２】
2010128398.tif 000025
・・・（２）
【請求項８】
前記電圧信号補正部は、前記画像データに応じた電圧信号をＶdata0、前記補正電圧信号をＶdata1、前記バラツキパラメータを（Δβ／β）としたとき、式（３）に基づいて、前記補正電圧信号を算出する、
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【数３】
2010128398.tif 000026
・・・（３）
【請求項９】
前記駆動信号印加部は、前記第３の緩和時間をｔ４、該第３の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t4)、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、このときの前記各画素の閾値電圧を第２の閾値電圧Ｖth2としたとき、式（４）に基づいて、前記第２の閾値電圧を算出する、
ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【数４】
2010128398.tif 000027
・・・（４）
【請求項１０】
前記駆動信号印加部は、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と前記第３の緩和時間との比率（＜Ｃ／β＞／ｔ４）をオフセット電圧として記憶する記憶部を有し、
前記第３の緩和時間に対応する前記測定電圧と前記記憶部に記憶された前記オフセット電圧との差分を、このときの前記各画素の前記第２の閾値電圧とする、
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記駆動信号印加部は、前記補正電圧信号と前記第２の閾値電圧とを加算した信号を前記駆動信号とすることを特徴とする請求項８又は１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
複数の画素と、該各画素に接続された複数の信号線と、を有し、前記各画素は、電流が供給されて発光する発光素子と、前記各信号線の一端に接続されて、前記発光素子に供給する電流を制御する駆動素子と該駆動素子に印加された電圧に対応する電荷を蓄積する保持容量とを有する画素駆動回路と、を備える画素アレイを備える発光装置を、供給される画像データに応じて駆動制御する発光装置の駆動制御方法であって、
前記複数の信号線の各々の他端に電圧印加部を接続して、所定の電圧値を有する基準電圧を前記各信号線の他端に印加して、前記各画素の前記駆動素子に、該駆動素子の閾値電圧を超える電圧値を有する基準電圧を印加するステップと、
前記各信号線の他端と前記電圧印加部との接続を遮断した後、複数の異なる緩和時間が経過した後の前記各信号線の他端の電圧を、複数の測定電圧として取得するステップと、
容量成分Ｃを、前記信号線に寄生する寄生容量と前記保持容量と前記発光素子に寄生する発光素子容量との合計とし、前記電流増幅率の標準値をβ0としたとき、Ｃ／β0より大きい複数の異なる値に設定される第１の緩和時間において、前記電圧測定部により取得される２つの前記測定電圧の値に基づいて、前記各画素の前記駆動素子の第１の閾値電圧と前記画素駆動回路の電流増幅率とを第１の特性パラメータとして算出して取得するステップと、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率（Ｃ／β）の平均値と、前記第１の緩和時間より短い時間に設定される第２の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧の値と、前記各画素の前記第１の閾値電圧の値と、に基づいて、前記電流増幅率のバラツキを示すバラツキパラメータを第２の特性パラメータとして算出して取得するステップと、
前記特性パラメータ取得部が取得した前記第２の特性パラメータに基づいて、前記画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正した補正電圧信号を生成するステップと、
前記Ｃ／β0より大きい第３の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧と、前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と、前記補正電圧信号と、に基づいて前記駆動信号を生成して、前記各信号線の他端に印加するステップと、を含む、
ことを特徴とする発光装置の駆動制御方法。
【請求項１３】
前記第１の特性パラメータを取得するステップは、
前記２つの第１の緩和時間群をｔ１、ｔ２、該第１の緩和時間群に対応する前記測定電圧をＶmeas(t1)、Ｖmeas(t2)、前記第１の閾値電圧をＶth1、前記電流増幅率をβとし、前記２つの測定電圧の値と前記２つの緩和時間の値とを式（５）に代入して演算を行うことにより、前記第１の特性パラメータを算出して取得するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の駆動制御方法。
【数５】
2010128398.tif 000028
・・・（５）
【請求項１４】
前記第１の特性パラメータを取得するステップは、
前記第２の緩和時間をｔ３、該第２の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t3)、前記基準電圧の電圧値をＶref、前記各画素における前記第１の閾値電圧をＶth1、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、前記バラツキパラメータをΔβ／βとしたとき、式（６）に基づいて、前記第２の特性パラメータを算出して取得するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の発光装置の駆動制御方法。
【数６】
2010128398.tif 000029
・・・（６）
【請求項１５】
前記補正電圧信号を生成するステップは、
前記画像データに応じた電圧信号をＶdata0、前記補正電圧信号をＶdata1、前記バラツキパラメータを（Δβ／β）としたとき、式（７）に基づいて、前記補正電圧信号を算出するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の発光装置の駆動制御方法。
【数７】
2010128398.tif 000030
・・・（７）
【請求項１６】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記第３の緩和時間をｔ４、該第３の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t4)、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、このときの前記各画素の閾値電圧を第２の閾値電圧Ｖth2としたとき、式（８）に基づいて、前記第２の閾値電圧を算出するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の発光装置の駆動制御方法。
【数８】
2010128398.tif 000031
・・・（８）
【請求項１７】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と前記第３の緩和時間との比率（＜Ｃ／β＞／ｔ４）をオフセット電圧として記憶するステップと、
前記第３の緩和時間に対応する前記測定電圧と前記記憶された前記オフセット電圧との差分を、このときの前記各画素の第２の閾値電圧とするステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の発光装置の駆動制御方法。
【請求項１８】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記補正電圧信号と前記第２の閾値電圧とを加算した信号を前記駆動信号として、前記各信号線の他端に印加するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１５又は１７に記載の発光装置の駆動制御方法。
【請求項１９】
発光素子と、
電流路と制御端とを有し、前記発光素子の一端に前記電流路の一端が接続され、前記電流路を介して前記発光素子に供給する電流を前記制御端に印加された制御電圧に従って制御する駆動トランジスタと、を画素毎に備えた発光装置において、
画素毎に、前記駆動トランジスタの前記電流路に閾値電圧を超える電圧が印加され、印加が停止されてハイインピーダンス状態となったときからの測定電圧を、式（９）に示す測定電圧として、（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす複数の異なる緩和時間で測定された複数の第１の測定電圧と、（Ｃ／β）／ｔ≧１の条件を満たす緩和時間で測定された第２の測定電圧とを格納する測定電圧格納部と、
前記駆動トランジスタの初期閾値電圧と（Ｃ／β）値とを特性パラメータとして、各駆動トランジスタの特性パラメータを、画素毎に読み出した前記複数の第１の測定電圧に基づいて取得する特性パラメータ取得部と、
画素毎に、前記特性パラメータ取得部が取得した駆動トランジスタの（Ｃ／β）値の平均値＜Ｃ／β＞と、読み出した前記第２の測定電圧とに基づいて、前記画素毎に、前記駆動トランジスタの電流特性のバラツキを示すバラツキパラメータ（Δβ／β）を取得するバラツキパラメータ取得部と、
（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす時間を設定し、当該設定時間で測定した測定電圧と前記平均値＜Ｃ／β＞とに基づいてオフセット電圧を設定するオフセット電圧設定部と、
前記各駆動トランジスタの電流特性のバラツキが低減されるように、前記バラツキパラメータ取得部が取得した前記各画素のバラツキパラメータ（Δβ／β）に基づいて、実使用時に供給された各画素の画像データの電圧データを補正する第１の電圧データ補正部と、
前記オフセット電圧設定部が設定したオフセット電圧と（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす前記設定時間で実使用時に測定した測定電圧とに基づいて、前記実使用時の各画素の駆動トランジスタの閾値電圧を取得する閾値電圧取得部と、
前記実使用時に供給された画像データに基づく電流が前記各画素の発光素子に供給されるように、前記画素毎に、前記第１の電圧データ補正部が補正した電圧データと前記閾値電圧取得部が取得した前記駆動トランジスタの閾値電圧とを加算することにより、前記各画素の電圧データを補正する第２の電圧データ補正部と、
前記画素毎に、前記第２の電圧データ補正部が補正した電圧データを前記駆動トランジスタのストレージ容量に書き込む電圧データ書き込み部と、
前記各画素に表示用電圧を印加して各画素の発光素子を発光させる発光制御部と、を備えた、
ことを特徴とする発光装置。
【数９】
2010128398.tif 000032
・・・（９）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、及び発光装置の駆動制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、発光素子をマトリクス状に配列した表示パネル（画素アレイ）を備えた発光素子型の表示装置（発光素子型ディスプレイ、発光装置）の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような発光素子としては、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や無機エレクトロルミネッセンス素子（無機ＥＬ素子）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような電流駆動型の発光素子がある。
【０００４】
特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型の表示装置においては、周知の液晶表示装置と比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性もなく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能である。
【０００５】
それとともに、発光素子型の表示装置は、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００６】
このような発光素子型の表示装置として、例えば、電圧信号によって電流制御されたアクティブマトリクス駆動方式の表示装置としての有機ＥＬディスプレイ装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
この有機ＥＬディスプレイ装置では、発光素子としての有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動するための電流制御用薄膜トランジスタとスイッチ用薄膜トランジスタとを有する画素駆動回路とが、各画素に設けられている。
【０００８】
電流制御用薄膜トランジスタは、画像データに応じた電圧値を有する電圧信号がゲートに印加され、このゲート電圧で電流制御用薄膜トランジスタのドレイン−ソース間に流れる電流の電流値を制御し、この電流を有機ＥＬ素子に供給して発光させる。スイッチ用薄膜トランジスタは、この電流制御用薄膜トランジスタのゲートに画像データに応じた電圧信号を供給するためのスイッチングを行う。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−１５６９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、各画素の電流制御用薄膜トランジスタの特性が使用時に経時的に変化することがある。特に、電流制御用薄膜トランジスタがアモルファスシリコンＴＦＴからなる場合には、その閾値電圧Ｖthの経時的な変化が比較的大きいことが知られている。
【００１１】
電圧信号の電圧値によって階調を制御する構成においては、閾値電圧Ｖthが変化すると同じゲート電圧を印加してもドレイン−ソース間に流れる電流の電流値が変化してしまい、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化してしまう。
【００１２】
また、電流制御用薄膜トランジスタのドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は電流増幅率βの値に比例する。このため、各画素の電流制御用薄膜トランジスタの閾値電圧が同じであっても、例えば製造プロセスに起因して電流増幅率βの値がばらついていると、電流制御用薄膜トランジスタのドレイン−ソース間に流れる電流の電流値にバラツキが生じ、有機ＥＬ素子の発光輝度がばらついてしまう。
【００１３】
この移動度のバラツキは特に低温ポリシリコンＴＦＴに顕著であり、それに比べてアモルファスシリコンＴＦＴではバラツキは比較的少ない。しかし、それでも製造プロセス起因のバラツキによる影響は避けられない。
【００１４】
このように、閾値電圧Ｖthの変化や、電流増幅率βのバラツキは、画質に影響する。従って、このような閾値電圧Ｖthの変化や、電流増幅率βのバラツキによる画質の劣化を抑制するためには、特性パラメータとして、例えば、各画素に対応する閾値電圧及び電流増幅率βとそのバラツキ量を取得して、供給された画像データに応じて各画素に供給する電圧信号をこの特性パラメータに基づいて補正する必要がある。
【００１５】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、各画素の特性パラメータ及びそのバラツキ量を取得して、供給された画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正することが可能な発光装置及び発光装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る発光装置は、
複数の画素と、該各画素に接続された複数の信号線と、を有し、前記各画素は、電流が供給されて発光する発光素子と、前記各信号線の一端に接続されて、前記発光素子に供給する電流を制御する駆動素子と該駆動素子に印加された電圧に対応する電荷を蓄積する保持容量とを有する画素駆動回路と、を備える画素アレイと、
供給される画像データに応じた駆動信号を、前記各信号線を介して前記各画素に印加する信号線駆動部と、
を備え、
前記信号線駆動部は、
前記各画素の前記駆動素子の閾値電圧を超える電圧値を有する基準電圧を出力する電圧印加部と、
前記各信号線の他端の電圧を測定電圧として取得する電圧測定部と、
前記電圧発生部の出力端と前記各信号線の他端との接続を切り換え、前記信号線の他端と前記電圧印加部を接続して該信号線の他端に前記基準電圧を所定時間印加した後、前記信号線の他端を、前記電圧印加部との接続が遮断された状態に設定する切換部と、
前記切換部により前記信号線の他端が前記電圧印加部との接続が遮断された状態に設定された時点から、予め設定された複数の異なる緩和時間が経過した後に前記電圧測定部により取得される、複数の前記測定電圧の値に基づく特性パラメータを取得する特性パラメータ取得部と、
前記特性パラメータに基づいて、前記画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正した補正電圧信号を生成する電圧信号補正部と、
前記補正電圧信号に基づいて前記駆動信号を生成して、前記各信号線の他端に印加する駆動信号印加部と、
を備え、
前記特性パラメータ取得部は、
容量成分Ｃを、前記信号線に寄生する寄生容量と前記保持容量と前記発光素子に寄生する発光素子容量との合計とし、前記電流増幅率の標準値をβ0としたとき、Ｃ／β0より大きい複数の異なる値に設定される第１の緩和時間群において、前記電圧測定部により取得される複数の前記測定電圧の値に基づいて、前記各画素の前記駆動素子の第１の閾値電圧と前記画素駆動回路の電流増幅率とを、前記特性パラメータにおける第１の特性パラメータとして算出して取得し、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率（Ｃ／β0）の平均値と、前記第１の緩和時間群における値より短い時間に設定される第２の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧の値と、前記各画素の前記第１の閾値電圧の値と、に基づいて、前記電流増幅率のバラツキを示すバラツキパラメータを、前記特性パラメータにおける第２の特性パラメータとして算出して取得することを特徴とする。
【００１７】
前記画素アレイにおける前記複数の信号線は第１の方向に沿って配列され、
該画素アレイは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配列される複数の走査線を有して、前記複数の画素は前記複数の走査線と前記複数の信号線の各交点近傍に配設され、
前記各走査線に選択信号を順次印加して、各行の前記各画素を順次選択状態に設定する選択駆動部を有し、
前記信号線駆動部の前記特性パラメータ取得部は、前記各信号線を介して、前記選択状態とされた行に対応する前記各画素の前記第１の特性パラメータ及び前記第２の特性パラメータを取得し、
前記駆動信号印加部は、前記選択状態とされた行に対応する前記各画素に、前記各信号線を介して、前記駆動信号を印加するようにしてもよい。
【００１８】
前記画素駆動回路は、少なくとも、
電流路の一端に所定の電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１の薄膜トランジスタと、
制御端子が前記走査線に接続され、電流路の一端が前記第１の薄膜トランジスタの電流路の一端に接続され、該電流路の他端が前記第１の薄膜トランジスタの制御端子に接続された第２の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記駆動素子は、前記第１の薄膜トランジスタであり、
前記選択状態において、前記第２の薄膜トランジスタがオン状態となって、前記第１の薄膜トランジスタの電流路の一端と制御端子とが接続され、
前記選択状態とされた行の前記各画素の前記接続点に、前記電圧印加部より印加される前記基準電圧に応じた電圧が、前記各信号線を介して印加され、
前記電圧測定部は、前記選択状態とされた行の前記各画素の前記接続点の、前記各緩和時間経過後の電圧を、前記各信号線を介して、前記測定電圧として取得するようにしてもよい。
【００１９】
前記電流増幅率の前記標準値は、該電流増幅率の設計値又は典型値であってもよい。
【００２０】
前記特性パラメータ取得部における前記第１の特性パラメータ及び第２の特性パラメータの取得は、前記各画素の前記駆動素子が初期の特性を有している初期状態のときに実行され、
前記電圧信号補正部による前記電圧信号の補正、及び、前記駆動信号印加部による前記駆動信号の生成は、前記画像データが供給されて前記各画素を駆動する実動作時に実行されるようにしてもよい。
【００２１】
前記特性パラメータ取得部は、前記第１の緩和時間群をｔ１、ｔ２、該第１の緩和時間群に対応する前記測定電圧をＶmeas(t1)、Ｖmeas(t2)、前記第１の閾値電圧をＶth1、前記電流増幅率をβとし、前記２つの測定電圧の値と前記２つの緩和時間の値とを式（１）に代入して演算を行うことにより、前記第１の特性パラメータを算出して取得するようにしてもよい。
【数１】
2010128398.tif 000003
・・・（１）
【００２２】
前記特性パラメータ取得部は、前記第２の緩和時間をｔ３、該第２の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t3)、前記基準電圧の電圧値をＶref、前記各画素における前記第１の閾値電圧をＶth1、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、前記バラツキパラメータをΔβ／βとしたとき、式（２）に基づいて、前記第２の特性パラメータを算出して取得するようにしてもよい。
【数２】
2010128398.tif 000004
・・・（２）
【００２３】
前記電圧信号補正部は、前記画像データに応じた電圧信号をＶdata0、前記補正電圧信号をＶdata1、前記バラツキパラメータを（Δβ／β）としたとき、式（３）に基づいて、前記補正電圧信号を算出するようにしてもよい。
【数３】
2010128398.tif 000005
・・・（３）
【００２４】
前記駆動信号印加部は、前記第３の緩和時間をｔ４、該第３の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t4)、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、このときの前記各画素の閾値電圧を第２の閾値電圧Ｖth2としたとき、式（４）に基づいて、前記第２の閾値電圧を算出するようにしてもよい。
【数４】
2010128398.tif 000006
・・・（４）
【００２５】
前記駆動信号印加部は、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と前記第３の緩和時間との比率（＜Ｃ／β＞／ｔ４）をオフセット電圧として記憶する記憶部を有し、
前記第３の緩和時間に対応する前記測定電圧と前記記憶部に記憶された前記オフセット電圧との差分を、このときの前記各画素の前記第２の閾値電圧としてもよい。
【００２６】
前記駆動信号印加部は、前記補正電圧信号と前記第２の閾値電圧とを加算した信号を前記駆動信号とするようにしてもよい。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る発光装置の駆動制御方法は、
複数の画素と、該各画素に接続された複数の信号線と、を有し、前記各画素は、電流が供給されて発光する発光素子と、前記各信号線の一端に接続されて、前記発光素子に供給する電流を制御する駆動素子と該駆動素子に印加された電圧に対応する電荷を蓄積する保持容量とを有する画素駆動回路と、を備える画素アレイを備える発光装置を、供給される画像データに応じて駆動制御する発光装置の駆動制御方法であって、
前記複数の信号線の各々の他端に電圧印加部を接続して、所定の電圧値を有する基準電圧を前記各信号線の他端に印加して、前記各画素の前記駆動素子に、該駆動素子の閾値電圧を超える電圧値を有する基準電圧を印加するステップと、
前記各信号線の他端と前記電圧印加部との接続を遮断して後、複数の異なる緩和時間が経過した後の前記各信号線の他端の電圧を、複数の測定電圧として取得するステップと、
容量成分Ｃを、前記信号線に寄生する寄生容量と前記保持容量と前記発光素子に寄生する発光素子容量との合計とし、前記電流増幅率の標準値をβ0としたとき、Ｃ／β0より大きい複数の異なる値に設定される第１の緩和時間において、前記電圧測定部により取得される２つの前記測定電圧の値に基づいて、前記各画素の前記駆動素子の第１の閾値電圧と前記画素駆動回路の電流増幅率とを第１の特性パラメータとして算出して取得するステップと、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率（Ｃ／β）の平均値と、前記第１の緩和時間より短い時間に設定される第２の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧の値と、前記各画素の前記第１の閾値電圧の値と、に基づいて、前記電流増幅率のバラツキを示すバラツキパラメータを第２の特性パラメータとして算出して取得するステップと、
前記特性パラメータ取得部が取得した前記第２の特性パラメータに基づいて、前記画像データに応じた電圧信号の電圧値を補正した補正電圧信号を生成するステップと、
前記Ｃ／β0より大きい第３の緩和時間において前記電圧測定部により取得される前記測定電圧と、前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と、前記補正電圧信号と、に基づいて前記駆動信号を生成して、前記各信号線の他端に印加するステップと、を含むことを特徴とする。
【００２８】
前記第１の特性パラメータを取得するステップは、
前記２つの第１の緩和時間群をｔ１、ｔ２、該第１の緩和時間群に対応する前記測定電圧をＶmeas(t1)、Ｖmeas(t2)、前記第１の閾値電圧をＶth1、前記電流増幅率をβとし、前記２つの測定電圧の値と前記２つの緩和時間の値とを式（５）に代入して演算を行うことにより、前記第１の特性パラメータを算出して取得するステップを含むものであってもよい。
【数５】
2010128398.tif 000007
・・・（５）
【００２９】
前記第１の特性パラメータを取得するステップは、
前記第２の緩和時間をｔ３、該第２の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t3)、前記基準電圧の電圧値をＶref、前記各画素における前記第１の閾値電圧をＶth1、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、前記バラツキパラメータをΔβ／βとしたとき、式（６）に基づいて、前記第２の特性パラメータを算出して取得するステップを含むものであってもよい。
【数６】
2010128398.tif 000008
・・・（６）
【００３０】
前記補正電圧信号を生成するステップは、
前記画像データに応じた電圧信号をＶdata0、前記補正電圧信号をＶdata1、前記バラツキパラメータを（Δβ／β）としたとき、式（７）に基づいて、前記補正電圧信号を算出するステップを含むものであってもよい。
【数７】
2010128398.tif 000009
・・・（７）
【００３１】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記第３の緩和時間をｔ４、該第３の緩和時間に対応する前記測定電圧をＶmeas(t4)、前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値を＜Ｃ／β＞、このときの前記各画素の閾値電圧を第２の閾値電圧Ｖth2としたとき、式（８）に基づいて、前記第２の閾値電圧を算出するステップを含むものであってもよい。
【数８】
2010128398.tif 000010
・・・（８）
【００３２】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記複数の画素における前記容量成分と前記電流増幅率との比率の平均値と前記第３の緩和時間との比率（＜Ｃ／β＞／ｔ４）をオフセット電圧として記憶するステップと、
前記第３の緩和時間に対応する前記測定電圧と前記記憶された前記オフセット電圧との差分を、このときの前記各画素の第２の閾値電圧とするステップを含むものであってもよい。
【００３３】
前記駆動信号を生成して前記各信号線の他端に印加するステップは、
前記補正電圧信号と前記第２の閾値電圧とを加算した信号を前記駆動信号として、前記各信号線の他端に印加するステップを含むものであってもよい。
【００３４】
本発明の第３の観点に係る発光装置は、
発光素子と、
電流路と制御端とを有し、前記発光素子の一端に前記電流路の一端が接続され、前記電流路を介して前記発光素子に供給する電流を前記制御端に印加された制御電圧に従って制御する駆動トランジスタと、を画素毎に備えた発光装置において、
画素毎に、前記駆動トランジスタの前記電流路に閾値電圧を超える電圧が印加され、印加が停止されてハイインピーダンス状態となったときからの測定電圧を、式（９）に示す測定電圧として、（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす複数の異なる緩和時間で測定された複数の第１の測定電圧と、（Ｃ／β）／ｔ≧１の条件を満たす緩和時間で測定された第２の測定電圧とを格納する測定電圧格納部と、
前記駆動トランジスタの初期閾値電圧と（Ｃ／β）値とを特性パラメータとして、各駆動トランジスタの特性パラメータを、画素毎に読み出した前記複数の第１の測定電圧に基づいて取得する特性パラメータ取得部と、
画素毎に、前記特性パラメータ取得部が取得した駆動トランジスタの（Ｃ／β）値の平均値＜Ｃ／β＞と、読み出した前記第２の測定電圧とに基づいて、前記画素毎に、前記駆動トランジスタの電流特性のバラツキを示すバラツキパラメータ（Δβ／β）を取得するバラツキパラメータ取得部と、
（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす時間を設定し、当該設定時間で測定した測定電圧と前記平均値＜Ｃ／β＞とに基づいてオフセット電圧を設定するオフセット電圧設定部と、
前記各駆動トランジスタの電流特性のバラツキが低減されるように、前記バラツキパラメータ取得部が取得した前記各画素のバラツキパラメータ（Δβ／β）に基づいて、実使用時に供給された各画素の画像データの電圧データを補正する第１の電圧データ補正部と、
前記オフセット電圧設定部が設定したオフセット電圧と（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす前記設定時間で実使用時に測定した測定電圧とに基づいて、前記実使用時の各画素の駆動トランジスタの閾値電圧を取得する閾値電圧取得部と、
前記実使用時に供給された画像データに基づく電流が前記各画素の発光素子に供給されるように、前記画素毎に、前記第１の電圧データ補正部が補正した電圧データと前記閾値電圧取得部が取得した前記駆動トランジスタの閾値電圧とを加算することにより、前記各画素の電圧データを補正する第２の電圧データ補正部と、
前記画素毎に、前記第２の電圧データ補正部が補正した電圧データを前記駆動トランジスタのストレージ容量に書き込む電圧データ書き込み部と、
前記各画素に表示用電圧を印加して各画素の発光素子を発光させる発光制御部と、を備えたことを特徴とする。
【数９】
2010128398.tif 000011
・・・（９）
【００３５】
尚、前記特性パラメータ取得部は、前記画素毎に読み出した前記複数の第１の測定電圧を、それぞれ、式（１０）に代入し、代入した複数の代入式の演算を行うことにより、前記各駆動トランジスタの特性パラメータを取得するようにしてもよい。
【数１０】
2010128398.tif 000012
・・・（１０）
【００３６】
また、前記バラツキパラメータ取得部は、画素毎に、前記特性パラメータ取得部が取得した駆動トランジスタの（Ｃ／β）値の平均値＜Ｃ／β＞と、読み出した前記第２の測定電圧との差を式（１１）に代入し、代入した代入式の演算を行うことにより、前記各画素のバラツキパラメータ（Δβ／β）を取得するようにしてもよい。
【数１１】
2010128398.tif 000013
・・・（１１）
【００３７】
また、前記オフセット電圧設定部は、前記平均値＜Ｃ／β＞と、（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす前記設定時間とを式（１２）に代入し、代入した代入式の演算を行うことにより、前記オフセット電圧を設定するようにしてもよい。
【数１２】
2010128398.tif 000014
・・・（１２）
【００３８】
また、前記第１の電圧データ補正部は、前記各画素のバラツキパラメータ（Δβ／β）を式（１３）に代入し、代入した代入式の演算を行うことにより、前記実使用時に供給された各画素の画像データの電圧データＶdata0を補正し、補正後の電圧データＶdata1を取得するようにしてもよい。
【数１３】
2010128398.tif 000015
・・・（１３）
【００３９】
また、前記閾値電圧取得部は、前記オフセット電圧設定部が設定したオフセット電圧と、実使用時に（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす前記設定時間で測定した測定電圧と、を式（１４）に代入し、代入した代入式の演算を行うことにより、前記実使用時の各画素の駆動トランジスタの閾値電圧を取得するようにしてもよい。
Ｖth＝Ｖmeas(t0)−Ｖoffset
但し、
Ｖth；実使用時の駆動トランジスタの閾値電圧
t0；設定時間
Ｖmeas(t0)；実使用時に（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす
設定時間で測定した測定電圧
Ｖoffset；オフセット電圧
・・・（１４）
【００４０】
また、前記第２の電圧データ補正部は、前記画素毎に、前記第１の電圧データ補正部が補正した電圧データと前記閾値電圧取得部が取得した前記駆動トランジスタの閾値電圧とを式（１５）に代入し、代入した代入式の演算を行うことにより、前記各画素の電圧データを補正するようにしてもよい。
Ｖdata＝Ｖdata1＋Ｖth
但し、
Ｖdata；第１の電圧データ補正部が補正した電圧データを
補正した電圧
Ｖth；実使用時の駆動トランジスタの閾値電圧
・・・（１５）
【００４１】
さらに、以下の方法を本発明の第４の観点に係る表示装置の画像データ補正方法としてもよい。
即ち、本発明の第４の観点に係る表示装置の画像データ補正方法は、
発光素子と、
電流路と制御端とを有し、前記発光素子の一端に前記電流路の一端が接続され、前記電流路を介して前記発光素子に供給する電流を前記制御端に印加された制御電圧に従って制御する駆動トランジスタと、を画素毎に備えた表示装置の画像データ補正方法において、
画素毎に、前記駆動トランジスタの前記電流路に閾値電圧を超える電圧が印加され、印加が停止されてハイインピーダンス状態となったときからの測定電圧を、式（１６）に示す測定電圧として、（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす複数の異なる緩和時間で測定された複数の第１の測定電圧と、（Ｃ／β）／ｔ≧１の条件を満たす緩和時間で測定された第２の測定電圧とを格納するステップと、
前記駆動トランジスタの初期閾値電圧と（Ｃ／β）値とを特性パラメータとして、各駆動トランジスタの特性パラメータを、画素毎に読み出した前記複数の第１の測定電圧に基づいて取得するステップと、
画素毎に、取得した駆動トランジスタの（Ｃ／β）値の平均値＜Ｃ／β＞と、読み出した前記第２の測定電圧とに基づいて、前記画素毎に、前記駆動トランジスタの電流特性のバラツキを示すバラツキパラメータ（Δβ／β）を取得するステップと、
（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす時間を設定し、当該設定時間で測定した測定電圧と前記平均値＜Ｃ／β＞とに基づいてオフセット電圧を設定するステップと、
前記各駆動トランジスタの電流特性のバラツキが低減されるように、取得した前記各画素のバラツキパラメータ（Δβ／β）に基づいて、実使用時に供給された各画素の画像データの電圧データを補正するステップと、
設定したオフセット電圧と（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす前記設定時間で実使用時に測定した測定電圧とに基づいて、前記実使用時の各画素の駆動トランジスタの閾値電圧を取得するステップと、
前記実使用時に供給された画像データに基づく電流が前記各画素の発光素子に供給されるように、前記画素毎に、補正した電圧データと前記駆動トランジスタの閾値電圧とを加算することにより、前記各画素の電圧データを補正するステップと、を備えたことを特徴とする。
【数１４】
2010128398.tif 000016
・・・（１６）
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、各画素の特性パラメータやそのバラツキを取得して、供給された画像データを補正することができる。また、画質の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置を図面を参照して説明する。尚、本実施形態では、発光装置を表示装置として説明する。
本実施形態に係る表示装置の構成を図１に示す。
本実施形態に係る表示装置（発光装置）１は、パネルモジュール１１と、アナログ電源（電圧印加部）１４と、ロジック電源１５と、制御部（パラメータ取得部、電圧信号補正部）１６と、によって構成される。
【００４４】
パネルモジュール１１は、有機ＥＬパネル（画素アレイ）２１とデータドライバ（信号線駆動部）２２とアノード回路（電源駆動部）１２とセレクトドライバ（選択駆動部）１３とを備える。
【００４５】
有機ＥＬパネル２１は、列方向に配設される複数のデータライン（信号線）Ｌdi（i＝１〜ｍ）と、行方向に配設される複数のセレクトライン（走査線）Ｌsj（ｊ＝１〜ｎ）と、行方向に配設される複数のアノードラインＬａと、複数の画素２１(i,j)（ｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ、ｍ、ｎ；自然数）と、を備える。画素２１(i,j)はデータラインＬdiとセレクトラインＬsjとの交点近傍に配列される。
【００４６】
図１に示すパネルモジュール１１の構成の詳細を図２に示す。各画素２１(i,j)は、画像の１画素に対応するものであり、図２に示すように、有機ＥＬ素子（発光素子）１０１と、トランジスタＴ１〜Ｔ３と、ストレージ容量（保持容量）Ｃｓとからなる画素駆動回路ＤＣと、を備える。
【００４７】
有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子１０１は、有機化合物に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子によって発光する現象を利用した自発光型の表示素子であり、供給された電流の電流値に対応する輝度で発光する。
【００４８】
有機ＥＬ素子１０１には、画素電極が形成され、この画素電極上に、正孔注入層と発光層と対向電極とが形成される（いずれも図示せず）。正孔注入層は、画素電極上に形成され、発光層に正孔を供給する機能を有する。
【００４９】
画素電極は、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成される。各画素電極は隣接する他の画素の画素電極と層間絶縁膜（図示せず）によって絶縁されている。
【００５０】
正孔注入層は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液としては、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を水系溶媒に分散させた分散液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液が用いられる。
【００５１】
発光層は、インターレイヤ（図示せず）上に形成される。発光層は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。
【００５２】
発光層は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料から構成される。
【００５３】
また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。
【００５４】
尚、３原色の場合、有機ＥＬ素子１０１のＲＧＢの発光材料は、通常、列毎に塗布される。
【００５５】
対向電極は、導電材料、例えばＣａ，Ｂａ等仕事関数の低い材料からなる層と、Ａｌ等の光反射性導電層と、からなる２層構造となっている。
【００５６】
電流は、画素電極から対極電極方向へと流れ、逆方向には流れず、画素電極、対極電極は、それぞれ、アノード電極、カソード電極となる。このカソード電極には、カソード電圧Ｖcathが印加される。本実施形態では、カソード電圧ＶcathをGND（接地電位）とする。
【００５７】
尚、有機ＥＬ素子１０１には、有機ＥＬ画素容量（発光素子容量）Ｃｅｌがあり、この有機ＥＬ画素容量Ｃｅｌは、等価的に、有機ＥＬ素子１０１のカソード−アノード間に接続されている。
【００５８】
セレクトドライバ１３は、行毎に画素２１(i,j)を選択するためのものであり、各セレクトラインＬsj（ｊ＝１〜ｎ）にGate(1)〜Gate(n)信号を出力する。セレクトドライバ１３は、例えば、シフトレジスタを備え、図２に示すように、制御部１６からスタートパルスＳＰ１が供給されて、このスタートパルスＳＰ１を、順次、シフトして、Gate(1)〜Gate(n)信号として、Ｈｉ（High；ハイ）レベルの信号（ＶgH）、又は、Ｌｏ（Low；ロー）レベルの信号（ＶgL）を出力する。
【００５９】
データドライバ２２は、各データラインＬdi（i＝１〜ｍ）の電圧を測定して、測定電圧Ｖmeas(t)として取得するとともに、測定した測定電圧Ｖmeas(t)に基づいて補正された、電圧値Ｖdataを有する電圧信号を各データラインＬdiに印加する構成を有するものである。
【００６０】
アノード回路１２は、各アノードラインＬａを介して有機ＥＬパネル２１に電圧を印加するものである。アノード回路１２は、図２に示すように、制御部１６に制御されて、アノードラインＬａに印加する電圧を、電圧ELVDD又はELVSSに切り換える。
【００６１】
電圧ELVDDは、各画素２１(i,j)の有機ＥＬ素子１０１を発光させる際にアノードラインＬａに印加される正の表示用電圧である。また、電圧ELVSSは、画素駆動回路ＤＣを後述する書き込み動作状態に設定し、後述するオートゼロ法を行う際にアノードラインＬａに印加される電圧である。電圧ELVSSは、本実施形態では、有機ＥＬ素子１０１のカソード電圧Vcathと同じ電圧に設定される。
【００６２】
各画素２１(i,j)において、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴ１〜Ｔ３は、ｎチャンネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor；電界効果トランジスタ）によって構成されたＴＦＴであり、例えば、アモルファスシリコン又はポリシリコンＴＦＴによって構成されている。
【００６３】
トランジスタＴ３は、ゲート−ソース間電圧Ｖgs（以後、ゲート電圧Ｖgsと記す。）に基づいて電流量を制御して、有機ＥＬ素子１０１に電流を供給する電流制御用薄膜トランジスタであり、駆動トランジスタである。トランジスタＴ３のドレイン−ソースを電流路、ゲートを制御端として、ドレイン（端子）は、アノードラインＬａに接続され、ソース（端子）は、有機ＥＬ素子１０１のアノードに接続される。
【００６４】
トランジスタＴ１は、後述する書き込み動作を行う際にトランジスタＴ３をダイオード接続するためのスイッチトランジスタである。
【００６５】
トランジスタＴ１のドレインは、トランジスタＴ３のドレインに接続され、トランジスタＴ１のソースはトランジスタＴ３のゲートに接続される。
【００６６】
各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のトランジスタＴ１のゲート（端子）は、セレクトラインＬs1に接続される。同様に、各画素２１(1,2)〜２１(m,2)のトランジスタＴ１のゲートは、セレクトラインＬs2に、・・・、各画素２１(1,n)〜２１(m,n)のトランジスタＴ１のゲートは、セレクトラインＬsnに、それぞれ、接続される。
【００６７】
画素２１(1,1)の場合、セレクトドライバ１３からセレクトラインＬs1にGate(1)信号としてＨｉレベルのGate(1)信号ＶgHが出力されると、トランジスタＴ１はオンする。
【００６８】
セレクトドライバ１３からセレクトラインＬs1にGate(1)信号としてＬｏレベルのGate(1)信号ＶgLが出力されると、トランジスタＴ１は、オフする。
【００６９】
トランジスタＴ２は、セレクトドライバ１３によって選択されてオン、オフし、アノード回路１２とデータドライバ２２との間を導通、遮断するためのスイッチトランジスタである。
【００７０】
各画素２１(i,j)のトランジスタＴ２の電流路の一端としてのドレインは、トランジスタＴ３のソース及び有機ＥＬ素子１０１のアノード（電極）に接続される。
【００７１】
各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs1に接続される。同様に、各画素２１(2,1)〜２１(m,2)のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs2に、・・・、各画素２１(1,n)〜２１(m,n)のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬsnに接続される。
【００７２】
また、各画素２１(1,1)〜２１(1,n)のトランジスタＴ２の電流路の他端としてのソースは、データラインＬd1に接続される。同様に、各画素２１(2,1)〜２１(2,n)のトランジスタＴ２のソースは、データラインＬd2に、・・・、各画素２１(m,1)〜２１(m,n)のトランジスタＴ２のソースは、データラインＬdmに接続される。
【００７３】
画素２１(1,1)の場合、トランジスタＴ２は、セレクトドライバ１３から、セレクトラインＬs1にGate(1)信号としてＨｉレベルのGate(1)信号（ＶgH）が出力されるとオンして、トランジスタＴ３のソース及び有機ＥＬ素子１０１のアノードとデータラインＬd1とを接続する。
【００７４】
また、セレクトラインＬs1にGate(1)信号としてＬｏレベルの信号（ＶgL）が出力されると、トランジスタＴ２はオフして、トランジスタＴ３のソース及び有機ＥＬ素子１０１のアノードとデータラインＬd1とを遮断する。
【００７５】
ストレージ容量Ｃｓは、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持する容量であり、トランジスタＴ１のソース及びトランジスタＴ３のゲートと、トランジスタＴ３のソース及び有機ＥＬ素子１０１のアノードと、の間に接続される。
【００７６】
トランジスタＴ３は、ゲート−ドレイン間にトランジスタＴ１のソース及びドレインが接続されている。アノード回路１２からアノードラインＬａに電圧ELVSSが印加され、セレクトドライバ１３からセレクトラインＬs１にGate(1)信号としてＨｉレベルの信号（ＶgH）が印加され、データラインＬd1に電圧信号が印加されたとき、トランジスタＴ１、トランジスタＴ２がオンする。
【００７７】
このとき、トランジスタＴ３はトランジスタＴ１によりゲート−ドレイン間が接続されてダイオード接続状態となる。そして、このときにデータドライバ２２からデータラインＬd１に電圧信号が印加されると、トランジスタＴ２を介してトランジスタＴ３のソースに電圧信号が印加されて、トランジスタＴ３はオンし、アノード回路１２からアノードラインＬａ、トランジスタＴ３、トランジスタＴ２を介して、データラインＬd1に向けて電圧信号に対応した電流が流れる。そして、ストレージ容量Ｃｓは、このときのトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsで充電され、その電荷がストレージ容量Ｃｓに蓄積される。
【００７８】
そして、セレクトドライバ１３からセレクトラインＬs１にGate(1)信号としてＬｏレベルの信号（ＶgL）が印加されて、トランジスタＴ１及びＴ２がオフすると、ストレージ容量Ｃｓは、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持する。
【００７９】
尚、有機ＥＬパネル２１内には、配線寄生容量Ｃｐも存在する。この配線寄生容量Ｃｐは、主に、それぞれ、Ｌd1〜ＬdmとセレクトラインＬs1〜Ｌsnとが交差する点で発生する。
【００８０】
本実施形態に係る表示装置１は、オートゼロ（AutoZero）法を用いて、各画素２１(i,j)の画素駆動回路ＤＣの特性値としてデータラインの電圧の測定を複数回行い、画像データの補正パラメータとして、各画素２１(i,j)のトランジスタＴ３の閾値電圧Ｖthと画素駆動回路ＤＣの電流増幅率βのバラツキを同時に取得する構成を備えるものである。
【００８１】
図３は、画素駆動回路の書き込み動作時の電圧−電流特性を説明するための図である。図３（ａ）は、書き込み動作時の画素２１(i,j)の各部の電圧と電流を示す図である。
【００８２】
図３（ａ）に示すように、書き込み動作時には、セレクトドライバ１３からセレクトラインＬsjにＨｉレベルの信号（ＶgH）が印加される。このとき、トランジスタＴ１，Ｔ２がオンとなり、電流制御用薄膜トランジスタであるトランジスタＴ３はダイオード接続状態となっている。
【００８３】
そして、データドライバ２２からデータラインＬdiに電圧値Ｖdataの電圧信号が印加される。また、このとき、アノード回路１２からアノードラインＬａに電圧ELVSSが印加される。
【００８４】
このとき、トランジスタＴ２，Ｔ３を介して、アノード回路１２から画素駆動回路ＤＣを介してデータラインＬdiに向けて、電圧信号に応じた電流Ｉdが流れる。
【００８５】
この電流Ｉdの電流値は、次の式（１０１）によって表される。式（１０１）におけるβは電流増幅率であり、ＶthはトランジスタＴ３の閾値電圧である。ここで、トランジスタＴ３のソース−ドレイン間に印加される電圧は、アノードラインＬａの電圧ELVSSを０Ｖとしたとき、電圧値Ｖdataの絶対値からトランジスタＴ２のドレイン−ソース間電圧（接点Ｎ１３と接点Ｎ１２間の電圧）を減じた電圧となる。
【００８６】
すなわち、式（１０１）は、単にトランジスタＴ３の電圧−電流特性を表すものではなく、画素駆動回路ＤＣを実質的に一つの素子とみなしたときの特性を表すものであり、βは画素駆動回路ＤＣの実効的な電流増幅率である。
【数１５】
2010128398.tif 000017
・・・（１０１）
図３（ｂ）は、この式（１０１）による、電圧値Ｖdataの絶対値に対する電流Ｉdの変化を示すグラフである。
【００８７】
トランジスタＴ３が初期状態の特性を有していて、閾値電圧Ｖthが初期の値Ｖth0を有し、画素駆動回路ＤＣの電流増幅率βが初期の値β0（標準値）を有しているときの特性は、図３（ｂ）に示す電圧−電流特性ＶＩ_0で表される。
【００８８】
ここで、βの標準値としてのβ0は、例えば、画素駆動回路ＤＣの設計値もしくは典型値（Typical値）に設定される。
【００８９】
また、このトランジスタＴ３が経時劣化して、閾値電圧ＶthがΔＶthだけシフト（増加）したとき、電圧−電流特性は、図３（ｂ）に示す電圧−電流特性ＶＩ_3となる。
【００９０】
また、電流増幅率βの値がβ0（標準値）からばらつき、β0より小さいβ1（＝β0−Δβ）である場合の電圧−電流特性は電圧−電流特性ＶＩ_2になり、β0より大きいβ2（＝β0＋Δβ）である場合の電圧−電流特性は電圧−電流特性ＶＩ_3になる。
【００９１】
このオートゼロ法について説明する。オートゼロ法は、基本的には、まず、上記の書き込み動作において、アノードラインＬａの電圧ELVSSに対する電位差の絶対値が閾値電圧Ｖthを超える基準電圧ＶrefをデータラインＬdiから画素２１(i,j)の画素駆動回路ＤＣトランジスタＴ３のゲート−ソース間に印加する。
【００９２】
そして、その後、データラインＬdiをハイインピーダンス状態とする。これによってゲートデータラインＬd1の電圧を自然緩和（低下）させる。そして、自然緩和が終了した後のデータラインＬdiの電圧を測定して、測定した電圧を閾値電圧Ｖthとする手法である。
【００９３】
しかるに、本実施形態におけるオートゼロ法を用いたデータラインＬdiの電圧の測定は、上記の自然緩和が完全に終了するより前のタイミングで電圧の測定を行うものである。詳しくは後述する。
【００９４】
図４は、本実施形態におけるオートゼロ法を用いたデータラインの電圧の測定方法を説明するための図である。図４（ａ）は、上記基準電圧Ｖrefを印加した後、データラインＬdiをハイインピーダンス状態にしてからの、データラインＬdiの電圧の時間的変化（緩和特性）を示す図である。
【００９５】
データラインＬdiの電圧はデータドライバ２２によってゲート電圧Ｖgs（測定電圧Ｖmeas(t)）として取得される。
【００９６】
図４（ｂ）は、図３（ｂ）に示したβのバラツキがあるときの、データラインの電圧（測定電圧Ｖmeas(t)）に対する影響を説明するための図である。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）において、縦軸はデータラインＬdiの電圧（測定電圧Ｖmeas(t)）の絶対値を示し、横軸は時間ｔを示し、基準電圧Ｖrefを印加した後、データラインＬdiをハイインピーダンス状態にしたときをｔ＝０として、そこからの経過時間（緩和時間）を示す。
【００９７】
オートゼロ法によるデータラインの電圧の測定について、更に詳しく説明する。書き込み動作状態において、まず、トランジスタＴ３の閾値電圧Ｖthを超える電圧値を有する基準電圧ＶrefをデータラインＬdiから画素２１(i,j)の画素駆動回路ＤＣトランジスタＴ３のゲート−ソース間に印加すると、アノード回路１２からアノードラインＬａ、トランジスタＴ３、トランジスタＴ２を介して、データラインＬdiに向けて基準電圧Ｖrefに対応した電流が流れる。
【００９８】
そして、トランジスタＴ３のゲート−ソース間（図３（ａ）の接点Ｎ１１−Ｎ１２間）に接続されたストレージ容量Ｃｓは基準電圧Ｖrefに基づく電圧に充電される。なお、基準電圧Ｖrefは電源電圧ELVSSに対して負極性に設定されている。
【００９９】
次いで、データラインＬdiのデータ入力側（データドライバ２２側）をハイインピーダンス（ＨＺ）状態に設定する。ハイインピーダンス状態に設定した直後においては、ストレージ容量Ｃｓに充電された電圧は基準電圧Ｖrefに基づく電圧に保持され、トランジスタＴ３のゲート−ソース間電圧はストレージ容量Ｃｓに充電された電圧に保持される。
【０１００】
これにより、ハイインピーダンス状態に設定した直後においてはトランジスタＴ３はオン状態を維持して、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れ続ける。
【０１０１】
これにより、トランジスタＴ３のソース端子側（接点Ｎ１２）の電位が、時間の経過とともに、ドレイン端子側の電位に近づくように徐々に上昇していき、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値が減少していく。
【０１０２】
これに伴って、ストレージ容量Ｃｓに蓄積された電荷の一部が放電されていく。ストレージ容量Ｃｓに蓄積された電荷が徐々に放電されていくと、ストレージ容量Ｃｓの両端間の電圧が徐々に減少していく。
【０１０３】
これによりトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsが徐々に低下していく。これに応じて、図４（ａ）に示すように、データラインＬdiの電圧の絶対値も徐々に低下していく。
【０１０４】
そして、最終的に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れなくなると、ストレージ容量Ｃｓに蓄積された電荷の放電が停止する。このときのトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは、このトランジスタＴ３の閾値電圧Ｖthになる。
【０１０５】
このときは、トランジスタＴ２のドレイン−ソース間に電流が流れない状態であるため、トランジスタＴ２のドレイン−ソース間電圧はほぼゼロになる。このため、このときのデータラインＬdiの電圧はトランジスタＴ３の閾値電圧Ｖthにほぼ等しくなる。
【０１０６】
しかしながら、図４（ａ）に示すように、データラインＬdiの電圧はこの閾値電圧Ｖthに時間（緩和時間）とともに漸近していく。しかし、この電圧は閾値電圧Ｖthに限りなく近づくものの、理論的には、緩和時間をいくら長くしても、閾値電圧Ｖthに完全には等しくならないものである。
【０１０７】
そこで、本実施形態においては、表示装置１における制御部１６は、ハイインピーダンス状態に設定してからの緩和時間ｔを予め設定しておく。そして、この設定された緩和時間ｔにおけるデータラインＬdiの電圧（測定電圧Ｖmeas(t)）を測定し、この測定電圧Ｖmeas(t)に基づいてトランジスタＴ３の閾値電圧Ｖth及び画素駆動回路ＤＣの電流増幅率βを取得する。
【０１０８】
この測定電圧Ｖmeas(t)は、次の式（１０２）によって表される。
【数１６】
2010128398.tif 000018
・・・（１０２）
ここで、Ｃ＝Ｃp＋Ｃs＋Ｃelである。
【０１０９】
そして、緩和時間ｔを（Ｃ／β）／ｔ＜１（すなわち、（Ｃ／β）＜ｔ）の条件を満たす値に設定すると、その設定された緩和時間ｔでの測定電圧Ｖmeas(t)は、次の式（１０３）によって表される。
【数１７】
2010128398.tif 000019
・・・（１０３）
【０１１０】
ここで、図４（ｂ）に示す緩和時間ｔxを、（Ｃ／β）／ｔ＝１の条件を満たす時間として、この緩和時間ｔxを超える時間が（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす緩和時間となる。この緩和時間ｔxは、測定電圧Ｖmeas(t)が基準電圧Ｖrefの概ね３０％程度になる時間であり、具体的には、概ね１ms〜４ms程度の時間である。
【０１１１】
尚、次に、図４（ｂ）に示すＶmeas_0(t)は、電流増幅率βが初期の値β0（標準値）である場合（図３（ａ），（ｂ）に示す電圧−電流特性ＶＩ_0に対応）のデータラインＬdiの電圧の緩和特性を示す。
【０１１２】
また、図４（ｂ）に示すＶmeas_2(t)、Ｖmeas_3(t)は、それぞれ、電流増幅率βの値がβ0より小さいβ1（＝β0−Δβ）である場合と、β0より大きいβ2（＝β0＋Δβ）である場合（図３（ｂ）に示す電圧−電流特性ＶＩ_2，ＶＩ_3に対応）のデータラインＬdiの電圧の緩和特性を示す。
【０１１３】
表示装置１の出荷時等の初期段階で、上記の（Ｃ／β）／ｔ＜１の条件を満たす緩和時間として、緩和時間ｔxを超える２つの異なる時間＝ｔ１，ｔ２を設定して、上記オートゼロ法により、基準電圧Ｖrefを印加した後の緩和時間ｔ１，ｔ２の２回のタイミングでデータラインＬdiの電圧の測定を行う。そして、緩和時間ｔ１及びｔ２でのデータラインＬdiの電圧値と上記の式（１０３）に基づいて、初期の閾値電圧Ｖth0と（Ｃ／β）とを求めることができる。
【０１１４】
次いで、上記の手法によって有機ＥＬパネル２１の全ての画素２１(i,j)に対する閾値電圧Ｖth0と（Ｃ／β）とを求める。そして、各画素２１の（Ｃ／β0）の平均値（＜Ｃ／β0＞）と、そのバラツキを計算する。
【０１１５】
そして、このバラツキが閾値電圧Ｖth測定の許容精度内に入り、かつ、（Ｃ／β）／（βｔ）＜１を満たす最短の緩和時間ｔ＝ｔ０を決定する。そして、画像データが供給される実使用時に測定電圧Ｖmeas(t0)を取得すれば、実使用時の閾値電圧Ｖthを、式（１０３）を変形した次の式（１０４）から求めることができる。
【０１１６】
なお、各画素２１の（Ｃ／β0）の平均値（＜Ｃ／β0＞）としては、各画素２１の（Ｃ／β0）の加算平均値を用いることができるが、各画素２１の（Ｃ／β0）の値の中央値を用いてもよい。
【数１８】
2010128398.tif 000020
・・・（１０４）
【０１１７】
ここで、オフセット電圧を次の式（１０５）に示すように定義する。
【数１９】
2010128398.tif 000021
・・・（１０５）
【０１１８】
次に、画素２１(i,j)の画素駆動回路ＤＣの電流増幅率βがβ0±Δβ＝β0（１±Δβ／β0）にばらついていた場合について説明する。このときのデータラインＬdiの電圧（測定電圧Ｖmeas(t)）のΔβによる変化量ΔＶmeas(t)は、次の式（１０６）によって表される。
【数２０】
2010128398.tif 000022
・・・（１０６）
【０１１９】
（Δβ／β）は、各画素２１(i,j)の画素駆動回路ＤＣの電流特性のバラツキを示すバラツキパラメータであり、ΔＶmeas(t)は、データラインＬdiの電圧のβのバラツキ依存性を表している。この場合、この式（１０６）に示すように、βのバラツキによってデータラインＬdiの電圧はΔＶmeas(t)だけ変動する。
【０１２０】
このときの緩和時間ｔは、図４（ｂ）に示すように、緩和時間ｔxに比べて小さな値ｔ３に設定される（（Ｃ／β）／ｔ≧１）。
【０１２１】
この緩和時間ｔ３では、データラインＬdiの電圧が急速に緩和（低下）し、データラインＬdiの電圧（測定電圧Ｖmeas(t)）のβのバラツキ依存性が比較的大きくなっている。
【０１２２】
このため、ΔＶmeas(t3)で示すように、このΔβに応じた測定電圧Ｖmeas(t)の変化を判別できる。従って、式（１０６）に示すΔmeas(t)は、ｔ＝ｔ１，ｔ２とした場合と比較して、より大きな値として取得される。
【０１２３】
そして、このΔＶmeas(t)を取得できれば、式（１０６）を変形した式から（Δβ／β）を取得できる。
【０１２４】
次に、供給される画像データに基づいてデータラインＬd1に印加される電圧信号の電圧値Ｖdataに対する補正について説明する。
【０１２５】
まず、画像データに対応する、補正する前の電圧値をＶdata0とし、式（１０６）を電圧で微分することにより、電圧値Ｖdata0を補正した電圧値Ｖdata1は次の式（１０７）で表される。
【数２１】
2010128398.tif 000023
・・・（１０７）
【０１２６】
最後に、閾値電圧Ｖthは、式（１０５）で定義したオフセット電圧Ｖoffsetを用い、緩和時間ｔ０におけるオートゼロ法により、次の式（１０８）で表される。
Ｖth＝Ｖmeas(t0)−Ｖoffset                        ・・・（１０８）
【０１２７】
そして、補正した電圧値（補正電圧信号）Ｖdataは、次の式（１０９）によって表される。この電圧値Ｖdataがデータドライバ２２からデータラインＬd1に印加される電圧信号（駆動信号）の電圧値となる。
Ｖdata＝Ｖdata1＋Ｖth                            ・・・（１０９）
【０１２８】
次に、データドライバ２２の構成の詳細について説明する。図５は、図１に示すデータドライバ２２の具体的な構成を示すブロック図である。データドライバ２２は、図５に示すように、シフトレジスタ１１１と、データレジスタブロック１１２と、バッファ１１３（１）〜１１３（ｍ），１１９（１）〜１１９（ｍ）と、ＡＤＣ１１４（１）〜１１４（ｍ）と、レベルシフタ（図中、「ＬＳ」と記す。）１１５（１）〜１１５（ｍ），１１７（１）〜１１７（ｍ）と、データラッチ部（図中、「D-Latch」と記す。）１１６（１）〜１１６（ｍ）と、ＶＤＡＣ１１８（１）〜１１８（ｍ）と、スイッチＳｗ１（１）〜Ｓｗ１（ｍ），Ｓｗ２（１）〜Ｓｗ２（ｍ），Ｓｗ３（１）〜Ｓｗ３（ｍ），Ｓｗ４（１）〜Ｓｗ４（ｍ），Ｓｗ５（１）〜Ｓｗ５（ｍ）と、を備える。Ｓｗ３（１）〜Ｓｗ３（ｍ）は、切換部に相当するものである。
【０１２９】
シフトレジスタ１１１は、制御部１６からスタートパルスＳＰ２が供給され、供給されたスタートパルスＳＰ２をシフトして、シフト信号を順次、データレジスタブロック１１２に供給するものである。
【０１３０】
データレジスタブロック１１２は、ｍ個のレジスタ（図示せず）によって構成されたものである。データレジスタブロック１１２は、制御部１６から画像データに対応するデジタルデータＤin（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）が供給され、シフトレジスタ１１１から供給されたシフト信号に従って、これらのデジタルデータＤin（ｉ）を、順次、シフトして各レジスタに保持する。
【０１３１】
バッファ１１３（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）は、それぞれ、データラインＬdi（i＝１〜ｍ）の電圧をアナログデータとしてＡＤＣ１１４（ｉ）に印加するためのバッファ回路である。
【０１３２】
ＡＤＣ１１４（ｉ）は、アナログ−デジタル変換器であり、それぞれ、バッファ１１３（ｉ）から印加されたアナログデータをデジタルデータの出力信号Ｄout（ｉ）に変換する。ＡＤＣ１１４（ｉ）は、データラインＬdi（i＝１〜ｍ）の電圧を測定する測定器（電圧測定部）として用いられる。
【０１３３】
レベルシフタ１１５（ｉ）は、それぞれ、ＡＤＣ１１４（ｉ）が変換したデジタルデータを回路の電源電圧に合わせるようにレベルシフトするものである。
【０１３４】
データラッチ部１１６（ｉ）は、それぞれ、供給されたデータ信号を保持するためのものである。データラッチ部１１６（ｉ）は、制御部１６から供給されたデータラッチパルスＤＬpulseの立ち上がりタイミングでデータ信号をラッチする。
【０１３５】
レベルシフタ１１７（ｉ）は、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）が保持したデータを回路の電源電圧に合わせるようにレベルシフトするものである。
【０１３６】
ＶＤＡＣ(ＤＡＣ；Digital Analog Converter)１１８（ｉ）は、デジタルデータをアナログ電圧に変換するデジタル−アナログ変換器である。ＶＤＡＣ１１８（ｉ）は、レベルシフタ１１７（ｉ）がレベルシフトしたデジタルデータＤin（ｉ）をアナログ電圧に変換して、バッファ１１９（ｉ）を介して各データラインＬdiに出力するものであり、駆動信号印加部に相当する。
【０１３７】
図６は、図５に示すＶＤＡＣ１１８の構成と機能を説明するための図である。図６（ａ）に示すように、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）は、階調電圧生成回路１１８−１と、階調電圧選択回路１１８−２と、を有する。
【０１３８】
階調電圧生成回路１１８−１は、ＶＤＡＣ１１８に入力されるデジタル信号のビット数に対応した数の階調電圧（アナログ電圧）を生成するものである。入力されるデジタル信号が図６（ａ）に示す１０ビット（Ｄ０−Ｄ９）の場合、階調電圧生成回路１１８−１は、１０２４個の階調電圧VD0〜VD1023を生成する。
【０１３９】
階調電圧生成回路１１８−１は、ＶＤ１設定回路１１８−３と、ＶＤ１０２３設定回路１１８−４と、抵抗Ｒ２と、ラダー抵抗部１１８−５と、を有する。
【０１４０】
ＶＤ１設定回路１１８−３は、制御部１６から制御信号ＶＬ_ＳＥＬが供給され、電圧VD0が印加されて、階調電圧VD1の電圧値を設定する回路である。電圧VD0は、最低階調電圧であり、例えば電源電圧ELVSSと同じ電圧に設定される。
【０１４１】
ＶＤ１設定回路１１８−３は、図６（ｂ）に示すように、抵抗Ｒ３と、複数の抵抗Ｒ４−１〜Ｒ４−１２７と、ＶＤ１選択回路１１８−６と、を有する。
【０１４２】
抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４−１〜Ｒ４−１２７とは直列接続された分圧抵抗である。抵抗Ｒ３の一端には、電圧VD0が印加される。抵抗Ｒ４−１２７の一端は、抵抗Ｒ２の一端に接続される。この抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４−１との接続点の電圧を電圧ＶＡ０、・・・、抵抗Ｒ４−１２７と抵抗Ｒ２との接続点の電圧を電圧ＶＡ１２７とする。
【０１４３】
ＶＤ１選択回路１１８−６は、制御部１６から供給された制御信号ＶＬ_ＳＥＬに基づいて、電圧ＶＡ０〜ＶＡ１２７のうちから、いずれかの電圧を選択する回路であり、選択した電圧を階調電圧VD1として出力する。ここで、ＶＤ１設定回路１１８−３は、階調電圧VD1を閾値電圧Ｖth0に対応する値に設定する。
【０１４４】
ＶＤ１０２３設定回路１１８−４は、制御部１６から制御信号ＶＨ_ＳＥＬが供給され、電圧DVSSが印加されて最高階調電圧VD1023の電圧値を設定する回路である。
【０１４５】
ＶＤ１０２３設定回路１１８−４は、図６（ｂ）に示すように、複数の抵抗Ｒ５−１〜Ｒ５−１２７と、抵抗Ｒ６と、ＶＤ１０２３選択回路１１８−７と、を有する。
【０１４６】
抵抗Ｒ５−１〜Ｒ５−１２７と抵抗Ｒ６とは直列接続された分圧抵抗である。抵抗Ｒ５−１の一端は、抵抗Ｒ２の他端に接続され、抵抗Ｒ６の一端には、電圧DVSSが印加される。この抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ５−１との接続点の電圧を電圧ＶＢ０、・・・、抵抗Ｒ５−１２７と抵抗Ｒ６との接続点の電圧を電圧ＶＢ１２７とする。
【０１４７】
ＶＤ１０２３選択回路１１８−７は、制御部１６から供給された制御信号ＶＨ_ＳＥＬに基づいて、電圧ＶＢ０〜ＶＢ１２７のうちから、いずれかの電圧を選択し、選択した電圧を階調電圧VD1023として出力する回路である。
【０１４８】
ラダー抵抗部１１８−５は、直列に接続された複数（例えば、１０２２個）のラダー抵抗Ｒ１−１〜Ｒ１−１０２２を備えたものであり、各ラダー抵抗Ｒ１−１〜Ｒ１−１０２２は、同じ抵抗値を有している。
【０１４９】
ラダー抵抗Ｒ１−１の一端は、ＶＤ１設定回路１１８−３の出力端に接続されて電圧VD1が印加される。ラダー抵抗Ｒ１−１０２２の一端は、ＶＤ１０２３設定回路１１８−４の出力端に接続されて、電圧VD1023が印加される。
【０１５０】
そして、ラダー抵抗Ｒ１−１〜Ｒ１−１０２２は、電圧VD1〜VD1023を均等に分割し、ラダー抵抗部１１８−５は、均等に分割した電圧を、等間隔の階調電圧ＶＤ２〜VD1022として階調電圧選択回路１１８−２に出力する。
【０１５１】
階調電圧選択回路１１８−２は、レベルシフタ１１７（ｉ）がレベルシフトしたデジタル信号をデジタル信号Ｄ０〜Ｄ９として入力され、階調電圧生成回路１１８−１から供給された各階調電圧ＶＤ２〜VD1022を、入力されたデジタル信号Ｄ０〜Ｄ９の値に応じて選択し、選択した階調電圧をＶＤＡＣ１１８の出力電圧ＶＯＵＴとして出力するものである。
【０１５２】
このようにして、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）は、入力されたデジタル信号を、デジタル信号の階調値に対応したアナログ電圧に変換する。
【０１５３】
本実施形態においては、ＶＤＡＣ１１８に入力されるデジタル信号の値は、画像データのビット数に応じた全階調範囲より狭い範囲に設定され、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）が出力する出力電圧ＶＯＵＴの電圧範囲は、階調電圧生成回路１１８−１によって生成する全階調電圧VD0〜VD1023のうちの一部の電圧範囲に設定されている。
【０１５４】
そして、上述のように、本実施形態においては、供給された画像データに対して、概略、閾値電圧Ｖthの値に応じた補正を行う。すなわち、出力電圧ＶＯＵＴの電圧範囲の幅は変わらず、第１階調に対応する電圧範囲の開始電圧の値が閾値電圧Ｖthの変動量（ΔＶth）に応じた値だけシフトされて、全階調電圧VD0〜VD1023のうちの電圧範囲がシフトする。
【０１５５】
しかるに、階調電圧生成回路１１８−１によって設定される各階調電圧VD1〜VD1023は等間隔の値に設定されているため、出力電圧ＶＯＵＴの電圧範囲がシフトしても、画像データの階調値に対するＶＤＡＣ１１８（ｉ）の出力電圧の変化特性を一定に維持することができる。
【０１５６】
なお、画像データの階調値がゼロであるとき、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）はゼロ階調に対応する最低階調電圧VD0を出力する。このときは黒表示であって有機ＥＬ素子１０１を発光させないため、上記の閾値電圧Ｖthの値に応じた補正を行う必要がないため、階調電圧VD0は一定の電圧値に設定される。
【０１５７】
図５に示すＡＤＣ１１４（ｉ）とＶＤＡＣ１１８（ｉ）とは、例えば同一のビット幅を有して、１階調に対応する電圧幅が同一の値に設定されている。
【０１５８】
バッファ１１９（ｉ）は、それぞれ、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）から出力されたアナログ電圧をデータラインＬdiに出力するためのバッファ回路である。
【０１５９】
スイッチＳｗ１（ｉ）は、それぞれ、データラインＬdiとバッファ１１９（ｉ）の出力端との間を接続、遮断するスイッチである。
【０１６０】
データラインＬdiに電圧値Ｖdataを有する電圧信号を印加するとき、スイッチＳｗ１（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ１としてOn1信号が供給されてオンし（閉じ）、バッファ１１９（ｉ）の出力端とデータラインＬdiとを接続する。
【０１６１】
データラインＬdiへの電圧値Ｖdataの電圧信号の印加が終了すると、スイッチＳｗ１（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ１としてOff1信号が供給されてオフし（開き）、バッファ１１９（ｉ）の出力端とデータラインＬdiとの間を遮断する。
【０１６２】
スイッチＳｗ２（ｉ）は、それぞれ、データラインＬdiとバッファ１１３（ｉ）の入力端との間を接続、遮断するスイッチである。
【０１６３】
オートゼロ法によるデータラインＬdiの電圧測定を行うとき、スイッチＳｗ２（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ２としてOn2信号が供給されてオンし、データラインＬdiとバッファ１１３（ｉ）の入力端との間を接続する。
【０１６４】
データラインＬdiの電圧測定が終了すると、スイッチＳｗ２（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ２としてOff2信号が供給されてオフし、データラインＬdiとバッファ１１３（ｉ）の出力端との間を遮断する。
【０１６５】
スイッチＳｗ３（ｉ）は、それぞれ、データラインＬdiとアナログ電源１４の基準電圧Ｖrefの出力端との間を接続、遮断するスイッチである。
【０１６６】
データラインＬdiに基準電圧Ｖrefを印加するとき、スイッチＳｗ３（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ３としてOn3信号が供給されてオンし、アナログ電源１４の基準電圧Ｖrefの出力端とデータラインＬdiとを接続する。
【０１６７】
On3信号は上記のオートゼロ法による測定を行うために、基準電圧Ｖrefを印加する短期間にのみ供給される。その後、スイッチＳｗ３（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ３としてOff3信号が供給されて各スイッチＳｗ３（ｉ）はオフし、アナログ電源１４の基準電圧Ｖrefの出力端とデータラインＬdiとの間を遮断する。
【０１６８】
スイッチＳｗ４（１）は、データラッチ部１１６（１）の出力端と、スイッチＳｗ６の一端又はレベルシフタ１１７（１）との接続切り換えを行うスイッチであり、front端子とDAC側端子とを有している。front端子は、スイッチＳｗ６の一端に接続された端子であり、DAC側端子は、レベルシフタ１１７（１）に接続された端子である。
【０１６９】
また、スイッチＳｗ４（ｉ）（ｉ＝２〜ｍ）は、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端と、スイッチＳｗ５（ｉ−１）の入力端又はレベルシフタ１１７（ｉ）と、の接続切り換えを行うスイッチであり、front端子とDAC側端子とを有している。
【０１７０】
スイッチＳｗ４（２）〜（ｍ）のfront端子は、それぞれ、スイッチＳｗ５（１）〜（ｍ−１）と接続するための端子であり、DAC側端子は、それぞれ、レベルシフタ１１７（２）〜１１７（ｍ）に接続された端子である。
【０１７１】
測定電圧Ｖmeas(t)を、出力信号Ｄout（１）〜Ｄout（ｍ）として、制御部１６に出力するとき、スイッチＳｗ４（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）は、制御部１６から、それぞれ、スイッチ制御信号Ｓ４としてConnect_front信号が供給される。
【０１７２】
スイッチＳｗ４（１）は、制御部１６からConnect_front信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とfront端子とを接続する。
【０１７３】
スイッチＳｗ４（ｉ）（ｉ＝２〜ｍ）は、制御部１６からConnect_front信号が供給されて、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とfront端子とを接続する。
【０１７４】
また、各データラインＬdiへの電圧値Ｖdataの電圧信号の印加が行われるとき、スイッチＳｗ４（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）は、それぞれ、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ４としてConnect_DAC信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とDAC側端子とを接続する。
【０１７５】
スイッチＳｗ５（ｉ）は、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）の入力端と、データレジスタブロック１１２、レベルシフタ１１５（ｉ）、及びスイッチＳｗ４（ｉ）のいずれか１つのfront端子と、の間の接続切換を行うスイッチである。
【０１７６】
スイッチＳｗ５（ｉ）は、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ５として、それぞれ、Connect_ADC信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の入力端と、レベルシフタ１１５（ｉ）の出力端とを接続する。
【０１７７】
スイッチＳｗ５（ｉ）は、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ５として、それぞれ、Connect_rear信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の入力端と、スイッチＳｗ４（ｉ＋１）のfront端子とを接続する。
【０１７８】
スイッチＳｗ５（ｉ）は、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ５として、それぞれ、Connect_DRB信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の入力端と、データレジスタブロック１１２の出力端と、を接続する。
【０１７９】
スイッチＳｗ６は、それぞれ、スイッチＳｗ４（１）のfront端子と、制御部１６との間を接続、遮断するスイッチである。
【０１８０】
測定電圧Ｖmeas(t)を、出力信号Ｄout（１）〜Ｄout（ｍ）として、制御部１６に出力するとき、スイッチＳｗ６は、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ６として、On6信号が供給されてオンし、スイッチＳｗ４（１）のfront端子と制御部１６とを接続する。
【０１８１】
測定電圧Ｖmeas(t)をすべて出力すると、スイッチＳｗ６は、制御部１６から、スイッチ制御信号Ｓ６として、Off6信号が供給されてオフし、スイッチＳｗ４（１）のfront端子と制御部１６との間を遮断する。
【０１８２】
図１に戻り、アノード回路１２は、アノードラインＬａを介して有機ＥＬパネル２１に電圧を印加して電流を供給するためのものである。
【０１８３】
アナログ電源１４は、データドライバ２２に基準電圧Ｖref，電圧DVSS，VD0を印加するための電源である。
【０１８４】
基準電圧Ｖrefは、オートゼロ法によるデータラインＬd1の電圧測定の際、各画素２１(i,j)から電流を引き込むように、データドライバ２２に印加される。基準電圧Ｖrefは、アノード回路１２から印加される電源電圧ELVSSに対して負極性の電圧であり、電源電圧ELVSSに対する電位差の絶対値が各画素２１(i,j)のトランジスタＴ３の閾値電圧Ｖthよりも絶対値で大きな値に設定される。
【０１８５】
アナログ電圧DVSSとVD0とは、バッファ１１３（ｉ），１１９（ｉ）、ＡＤＣ１１４（ｉ）、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）を駆動するためのアナログ電圧である。アナログ電圧DVSSは、アノード回路１２から印加される電源電圧ELVSSに対して負極性の電圧であり、例えば−１２Ｖ程度に設定される。
【０１８６】
ロジック電源１５は、データドライバ２２に電圧LVSS，LVDDを印加するための電源である。電圧LVSS，LVDDは、データドライバ２２のデータラッチ部１１６（ｉ）、データレジスタブロック、シフトレジスタを駆動するためのロジック電圧である。尚、各電圧DVSS，VD0，LVSS，LVDDは、例えば、（DVSS−VD0）＜（LVSS−LVDD）に設定される。
【０１８７】
制御部１６は、各データを格納し、格納したデータに基づいて各部を制御するものである。なお、上述のように、本実施形態における制御部１６は、供給されたデジタル信号の画像データに対して種々の補正を行ったデジタルデータＤin（ｉ）をデータドライバ２２に供給する構成を有する。制御部１６内での演算等の処理はデジタル値に対して行われるものである。
【０１８８】
制御部１６は、例えば、表示装置１の出荷時等の初期段階において、各部を制御して、データドライバ２２を介して、オートゼロ法によるデータラインＬdiの電圧測定を行い、すべての画素２１(i,j)に対応する測定電圧Ｖmeas(t1)，Ｖmeas(t2)，Ｖmeas(t3)を取得する。
【０１８９】
そして、制御部１６は、式（１０３）に従って演算を行うことにより、特性パラメータとして、各画素２１(i,j)のトランジスタＴ３の（初期）閾値電圧Ｖth0，画素駆動回路ＤＣのＣ／β値を取得し、さらに、平均値＜Ｃ／β＞を取得し、式（１０５）に従って演算を行うことにより、オフセット電圧Ｖoffsetを取得する。
【０１９０】
次いで、画像データが供給される実使用時において、制御部１６は、各部を制御して、データドライバ２２を介して、オートゼロ法によるデータラインＬdiの電圧測定を行い、すべての画素２１(i,j)に対応する測定電圧Ｖmeas(t0)を取得する。
【０１９１】
制御部１６は、供給された画像データの電圧データに対し、ＲＧＢ毎に画像データの階調値に対するデータ値（電圧振幅）の変換を行って電圧値Ｖdata0を取得する。
【０１９２】
カラー表示においては、ＲＧＢ各々が最高階調であるときに白表示となるようにする必要がある。しかし、画素２１(i,j)のＲＧＢ各色の有機ＥＬ素子１０１は、通常、供給された電流の電流値に対する発光輝度の特性が異なる。
【０１９３】
このため、画像データの階調値に対してＲＧＢ各色の有機ＥＬ素子１０１に供給される電流の電流値を、ＲＧＢの各々が最高階調であるときに白表示となる互いに異なる値とするように、制御部１６において、ＲＧＢ毎に画像データの階調値に対する電圧振幅の変換を行う。
【０１９４】
制御部１６は、すべての画素２１(i,j)について、このような電圧振幅の変換を行って電圧値Ｖdata0を取得する。電圧値Ｖdata0を取得すると、制御部１６は、式（１０６），（１０７）に従って演算を行うことにより、（Δβ／β）に基づいて補正した電圧値Ｖdata1を取得する。
【０１９５】
制御部１６は、式（１０８），（１０９）に従って演算を行い、最終出力電圧として、閾値電圧Ｖthに基づく電圧値Ｖdataを取得する。具体的に、制御部１６は、閾値電圧Ｖth相当分のビット加算をすることにより電圧値Ｖdata1を補正し、電圧値Ｖdataを取得する。
【０１９６】
制御部１６は、補正後のすべての画素２１(i,j)に対応する画像データＶdataを、デジタルデータＤin（１）〜Ｄin（ｍ）として、１行毎にデータドライバ２２に出力する。
【０１９７】
図７は、図１に示す制御部の構成を示すブロック図であり、図８は、図７に示すメモリの各格納領域を示す図である。制御部１６は、上記のような処理を行うため、図７に示すように、ＣＰＵ１２１と、メモリ１２２と、ＬＵＴ１２３と、を備える。
【０１９８】
ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２１は、実際に、アノード回路１２、セレクトドライバ１３、データドライバ２２の制御、各種演算を行うものである。
【０１９９】
メモリ１２２は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等によって構成されたものであり、ＣＰＵ１２１が実行する各処理プログラムを格納するとともに、処理に必要な各種データを格納する。
【０２００】
メモリ１２２は、各種データを格納する領域として、図８に示すように、画素データ格納領域１２２ａと、＜Ｃ／β＞格納領域１２２ｂと、オフセット電圧（Ｖoffset）格納領域１２２ｃと、を備える。
【０２０１】
画素データ格納領域１２２ａは、画素２１(i,j)毎に、測定電圧Ｖmeas(t1)，Ｖmeas(t2)，Ｖmeas(t3)、ΔＶmeas、閾値電圧Ｖth0、Ｖth、Ｃ／β、Δβ／βの各データを格納する領域である。
【０２０２】
＜Ｃ／β＞格納領域１２２ｂは、各画素２１(i,j)のＣ／βの平均値＜Ｃ／β＞を格納する領域である。
【０２０３】
オフセット電圧格納領域１２２ｃは、式（１０５）によって定義されたオフセット電圧Ｖoffsetを格納する領域である。
【０２０４】
ＬＵＴ（Look Up Table）１２３は、供給された画像データに対してＲＧＢ（Ｒ；Ｒｅｄ、Ｇ；Ｇｒｅｅｎ、Ｂ；Ｂｌｕｅ）各色毎に電圧振幅の変換を行うためのテーブルであり、予め設定されたものである。
【０２０５】
制御部１６は、このＬＵＴ１２３を参照することにより、供給された画像データの電圧データに対し、ＲＧＢ毎にデータ値（電圧振幅）の変換を行う。
【０２０６】
次に、図９は、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）を１０ビットとしてデータ変換を行う場合のＬＵＴ１２３における画像データの変換特性を示す図であり、図１０は、ＬＵＴ１２３における画像データ変換特性を説明するための図である。
【０２０７】
この例では、青（Ｂ）＞赤（Ｒ）＞緑（Ｇ）の順にデータ値（電圧振幅）が異なっている。まず、図９の横軸は画像データの階調値であり、画像データが１０ビットの場合を示す。
【０２０８】
図９の縦軸はＬＵＴ１２３によって画像データを変換した変換データの階調値を示す。この変換データに基づいてＲＧＢの電圧振幅が設定される。なお、画像データの階調値に対する変換データの階調値の変換特性はＬＵＴ１２３に予め設定されているものである。図９（ａ）は、画像データの階調値に対して変換データの階調値が直線的（リニア）な関係に設定される場合を示している。
【０２０９】
また、図９（ｂ）は、画像データの階調値に対して変換データの階調値が曲線的な、ガンマ特性を有するように設定されている場合を示している。ＬＵＴ１２３における画像データの階調値に対する変換データの階調値の関係は、必要に応じて任意に設定することができる。
【０２１０】
ここで、データドライバ２２のＶＤＡＣ１１８（ｉ）は、１０ビットの構成を有している場合、０〜１０２３の入力データを受けることができるものである。しかし、ＬＵＴ１２３によって変換した後の変換データは、最大値が６００程度に設定されている。これは以下の理由によるものである。
【０２１１】
図１０は、画像データの階調値に対する、データドライバ２２へ入力されるデジタルデータＤin（ｉ）、すなわち、制御部１６から出力されるデジタルデータＤin（ｉ）の階調値を示したものである。
【０２１２】
ここで、図１０（ａ）は図９（ａ）に対応し、図１０（ｂ）は図９（ｂ）に対応するものである。上述のように、本実施形態においては、制御部１６において、供給された画像データに対して、概略、閾値電圧Ｖthの値に応じた補正を行う。
【０２１３】
この補正は、式（１０９）に示すように、画像データに対応し、電流増幅率βのバラツキに応じた補正を行ったデータに対して、閾値電圧Ｖthに相当する量を加算することによって行われるものである。
【０２１４】
ここで、上記のように、データドライバ２２のＶＤＡＣ１１８における階調電圧VD1は閾値電圧Ｖthの初期値Ｖth0に対応する値に設定されるため、補正によって加算する量は、閾値電圧Ｖthの初期値Ｖth0からの変化量ΔＶthに相当する量となる。
【０２１５】
そして、制御部１６から出力されるデジタルデータＤin（ｉ）の階調値がデータドライバ２２のＶＤＡＣ１１８（ｉ）の入力可能範囲（０〜１０２３）内になければならない。
【０２１６】
このために、ＬＵＴ１２３によって変換した後の変換データの階調値の最大値は、データドライバ２２のＶＤＡＣ１１８（ｉ）の入力可能範囲から、補正によって加算される量を減じた値に設定されている。
【０２１７】
なお、補正によって加算される量は閾値電圧Ｖthの変化量ΔＶthに対応したものであるから一定の量ではなく、使用時間の経過に応じて次第に増加するものである。
【０２１８】
よって、ＬＵＴ１２３による変換データの階調値の最大値は、例えば、表示装置１の予想される使用時間に基づいて補正によって加算される量の最大値を予測して、決定される。
【０２１９】
なお、画像データの階調値がゼロで黒表示であるときは、有機ＥＬ素子１０１を発光させない状態であるため、上記の補正を行う必要がない。このため、黒表示の画像データがゼロ階調である場合、制御部１６は、ＬＵＴ１２３を参照することなく、そのままゼロ階調をデータドライバ２２に供給する。
【０２２０】
次に本実施形態に係る表示装置１の動作を説明する。
初期段階において、オートゼロ法による各データラインＬdiの電圧測定を行う場合、制御部１６は、電圧ELVSSをアノードラインＬａに印加するように、アノード回路１２を制御する。
【０２２１】
図１１は、オートゼロ法による電圧測定を行う場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。制御部１６は、図１１に示すように、時刻ｔ１０において、セレクトドライバ１３に、スタートパルスＳＰ１を供給する。セレクトドライバ１３は、セレクトラインＬs１に、ＶgHレベルのGate(1)信号を出力する。
【０２２２】
セレクトドライバ１３がセレクトラインＬs1にＶgHレベルのGate(1)信号を出力すると、第１行目の画素１１(i,j)のトランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３のゲート−ドレイン間が接続されてトランジスタＴ３は、ダイオード接続状態となる。
【０２２３】
また、制御部１６は、時刻ｔ１０において、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ１〜Ｓ６として、それぞれ、Off1，Off2，On3，Connect_front，Connect_ADC，Off6の各信号を供給する。
【０２２４】
スイッチＳｗ４（１）は、図１２（ａ）に示すように、制御部１６からConnect_front信号が供給されて、データラッチ部１１６（１）の出力端とfront端子とを接続し、スイッチＳｗ４（２）〜Ｓｗ４（ｍ）は、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とfront端子とを接続する。
【０２２５】
スイッチＳｗ５（１）〜Ｓｗ５（ｍ）は、図１２（ａ）に示すように、制御部１６からConnect_ADC信号が供給されて、それぞれ、データラッチ部１１６（１）〜１１６（ｍ）の入力端と、レベルシフタ１１５（１）〜１１５（ｍ）の出力端とを接続する。
【０２２６】
図１３は、オートゼロ法による電圧測定を行う場合の各スイッチの接続関係を示す図である。スイッチＳｗ１（１）〜Ｓｗ１（ｍ），Ｓｗ２（１）〜Ｓｗ２（ｍ）は、それぞれ、制御部１６からOff1，Off2信号が供給されてオフする。また、スイッチＳｗ３（１）〜Ｓｗ３（ｍ）は、それぞれ、制御部１６からOn3信号が供給されてオンする。
【０２２７】
アナログ電源１４の基準電圧Ｖrefが負であるため、トランジスタＴ１〜Ｔ３がオンすれば、アナログ電源１４は、第１行目の画素２１(1,1)〜２１(1,m)から各データラインＬdiを介して電流Ｉdを引き込む。
【０２２８】
このとき、第１行目の画素２１(1,1)〜２１(m,1)の有機ＥＬ素子１０１はカソード側の電位がVcathであり、アノード側はVcathより負電位になって逆バイアスとなっているため、電流は流れず、発光しない。
【０２２９】
また、スイッチＳｗ１（１）〜Ｓｗ１（ｍ），Ｓｗ２（１）〜Ｓｗ２（ｍ）がオフしているため、アナログ電源１４が引き込んだ電流Ｉdは、バッファ１１３（１）〜１１３（ｍ），１１９（１）〜１１９（ｍ）には流れ込まない。
【０２３０】
このため、電流Ｉdは、図１３（ａ）に示すように、第１行目の画素２１(1,j)〜２１(m,j)のトランジスタＴ３，Ｔ２から各データラインＬdiを経由してアナログ電源１４へと流れる。
【０２３１】
電流Ｉdが流れると、各画素２１(1,j)〜２１(m,j)のストレージ容量Ｃｓは、基準電圧Ｖrefに基づく電圧で充電される。
【０２３２】
そして、時刻ｔ１１において、これらの容量が基準電圧Ｖrefで充電されると、制御部１６は、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ３としてOff3信号を供給する。
【０２３３】
制御部１６からOff3信号が供給されると、図１３（ｂ）に示すように、それぞれ、スイッチＳｗ３（ｉ）はオフする。また、スイッチＳｗ１（ｉ），Ｓｗ２（ｉ）は、それぞれ、オフしたままであり、有機ＥＬパネル２１とデータドライバ２２との間の接続が遮断される。これにより、データラインＬdiはハイインピーダンス（ＨＺ）状態になる。
【０２３４】
データラインＬdiはハイインピーダンス状態になった直後においては、ストレージ容量Ｃｓに蓄積された電荷が直前の値に保持され、これによりトランジスタＴ３がオン状態に維持される。
【０２３５】
これにより、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れ続けて、トランジスタＴ３のソース端子側の電位がドレイン端子側の電位に近づくように徐々に上昇していき、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値が減少していく。
【０２３６】
これに伴って、ストレージ容量Ｃｓに蓄積された電荷の一部が徐々に放電されていき、ストレージ容量Ｃｓの両端間の電圧が減少していく。これによりトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsが徐々に低下していき、これに応じて、データラインＬdiの電圧の絶対値は基準電圧Ｖrefから徐々に低下していく。
【０２３７】
時刻ｔ１１から、予め設定された緩和時間ｔが経過した時刻ｔ１２において、制御部１６は、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ２としてOn2信号を供給する。このときの緩和時間ｔは、Ｃ／（βｔ）＜１の条件を満たすｔ１に設定される。
【０２３８】
図１３（ｃ）に示すように、スイッチＳｗ２（ｉ）は、それぞれ、制御部１６からOn2信号が供給されてオンし、ＡＤＣ１１４（ｉ）は、それぞれ、データラインＬdiの電圧値を測定電圧Ｖmeas(t1)としてを取得する。
【０２３９】
レベルシフタ１１５（ｉ）は、それぞれ、ＡＤＣ１１４（ｉ）が取得した測定電圧Ｖmeas(t1)をレベルシフトする。
【０２４０】
図１２（ａ）に示すように、それぞれ、データラッチ部１１６（１）〜１１６（ｍ）の入力端と、レベルシフタ１１５（１）〜１１５（ｍ）の出力端とがスイッチＳｗ５（１）〜Ｓｗ５（ｍ）を介して接続されているため、レベルシフタ１１５（１）〜１１５（ｍ）がそれぞれレベルシフトした測定電圧Ｖmeas(t1)は、データラッチ部１１６（１）〜１１６（ｍ）に供給される。
【０２４１】
データラッチ部１１６（１）〜１１６（ｍ）は、それぞれ、供給された測定電圧Ｖmeas(t1)を保持する。制御部１６は、データラッチパルスＤＬpulseをデータドライバ２２に出力する。
【０２４２】
Gate(1)信号が立ち下がる時刻ｔ１３において、制御部１６は、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ６として、On6信号を供給し、スイッチＳｗ６は、図１２（ｂ）に示すように、オンする。
【０２４３】
この図１２（ｂ）に示すように、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とスイッチＳｗ６（ｉ）の一端とがスイッチＳｗ４（１）のfront端子を介して接続され、それぞれ、データラッチ部１１６（２）〜１１６（ｍ）の出力端と、スイッチＳｗ５（１）〜Ｓｗ５（ｍ−１）の入力端と、がスイッチＳｗ４（２）〜Ｓｗ４（ｍ）のfront端子を介して接続されている。
【０２４４】
このため、データラッチ部１１６（１）〜１１６（ｍ）は、制御部１６からＤＬpulseが供給される毎に、保持した第１行目の画素２１(1,1)〜２１(m,1)に対応するデータラインＬdi（i＝１〜ｍ）の測定電圧Ｖmeas(t1)を、順次、転送し、データＤout（１）〜Ｄout（ｍ）として制御部１６に出力する。
【０２４５】
制御部１６は、このデータＤout（１）〜Ｄout（ｍ）を取得して、図８に示すメモリ１２２の画素データ格納領域１２２ａに格納する。このようにして、第１行目の画素２１(1,1)〜２１(m,1)の電圧測定が終了する。
【０２４６】
時刻ｔ２０において、Gate(2)信号が立ち上がると、制御部１６は、同様にして、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ１〜Ｓ６を供給し、第２行目の画素２１(1,2)〜２１(m,2)に対応するデータラインＬdi（i＝１〜ｍ）の電圧測定を行う。
【０２４７】
そして、第ｎ行目の画素２１(1,n)〜２１(m,n)に対応したデータラインＬdi（i＝１〜ｍ）の電圧測定を行うことにより、時間ｔ１におけるすべての電圧測定が終了する。
【０２４８】
次に、制御部１６は、同じように、緩和時間ｔをｔ２に設定して各画素２１(i,j)に対応したデータラインＬdiの電圧測定を行う。制御部１６は、緩和時間ｔ２における各画素２１(i,j)に対応したデータラインＬdiの測定電圧Ｖmeas(t2)を取得し、メモリ１２２の画素データ格納領域１２２ａに格納する。
【０２４９】
次に、制御部１６は、同じように、緩和時間ｔをｔ３に設定して各画素２１(i,j)に対応したデータラインＬdiの電圧測定を行う。制御部１６は、緩和時間ｔ３における各画素２１(i,j)に対応したデータラインＬdiの測定電圧Ｖmeas(t3)を取得し、メモリ１２２の画素データ格納領域１２２ａに格納する。
【０２５０】
図１４は、補正パラメータを取得するときに制御部が実行する駆動シーケンスを説明するための図である。制御部１６は、測定電圧Ｖmeas(t1)，Ｖmeas(t2)，Ｖmeas(t3)を取得すると、図１４に示す駆動シーケンスに従って演算を行い、補正パラメータを取得する。
【０２５１】
即ち、制御部１６は、メモリ１２２の各画素データ格納領域１２２ａから、画素２１(1,1)に対応したデータラインＬdiの測定電圧Ｖmeas(t1)，Ｖmeas(t2)を読み出す（ステップＳ１１）。
【０２５２】
そして、制御部１６は、式（１０３）に従って演算を行い、画素２１(1,1)に対応した閾値電圧Ｖth0、Ｃ／βを取得する（ステップＳ１２）。
【０２５３】
制御部１６は、この処理を全画素２１(i,j)について行い、全画素２１(i,j)に対応した閾値電圧Ｖth0とＣ／βとを取得すると、全画素２１(i,j)のＣ／βの平均値＜Ｃ／β＞を取得し（ステップＳ１３）、緩和時間ｔ＝ｔ０を決定する。
【０２５４】
そして、制御部１６は、式（１０５）によって定義されたオフセット電圧Ｖoffsetを取得する（ステップＳ１４）。
【０２５５】
制御部１６は、取得した平均値＜Ｃ／β＞、オフセット電圧Ｖoffsetを、それぞれ、メモリ１２２の＜Ｃ／β＞格納領域１２２ｂ、オフセット電圧格納領域１２２ｃに格納する。
【０２５６】
制御部１６は、メモリ１２２の各画素データ格納領域１２２ａから、画素２１(1,1)の測定電圧Ｖmeas(t3)を読み出す（ステップＳ１５）。
【０２５７】
制御部１６は、各画素２１(i,j)の測定電圧Ｖmeas(t3)を用い、式（１０６）を変形して演算を行い、各画素２１(i,j)のΔβ／βを取得する（ステップＳ１６）。
【０２５８】
制御部１６は、取得したΔβ／βを、メモリ１２２の各画素データ格納領域１２２ａに格納する。
【０２５９】
図１５は、供給された画像データに応じた電圧信号を補正してデータドライバに出力するときに制御部が実行する駆動シーケンスを説明するための図である。実使用時、制御部１６に画像データが供給される。制御部１６は、図１５に示す駆動シーケンスに従って、画像データに応じた電圧信号の電圧値Ｖdata0を補正する。
【０２６０】
制御部１６は、図１１に示すタイミングチャートに従って各部を制御し、データドライバ２２から、緩和時間ｔ＝ｔ０における測定電圧Ｖmeas(t0)を取得する（ステップＳ２１）。制御部１６は、取得した測定電圧Ｖmeas(t0)をメモリ１２２の画素データ格納領域１２２ａに格納する。
【０２６１】
制御部１６は、デジタル信号からなる画像データが入力され、画像データに対してＬＵＴ１２３を参照して、ＲＧＢ毎にデータ値（電圧振幅）を変換して、原階調信号として各画素２１(i,j)に対する電圧値Ｖdata0を生成する（ステップＳ２２）。
【０２６２】
尚、原階調信号の最大値は、ＶＤＡＣ１１８（ｉ）の入力範囲における最大値から上述の閾値電圧Ｖth等の特性パラメータに基づく補正量を減じた値に等しいか、それより小さい値に設定されている。
【０２６３】
制御部１６は、βのバラツキの補正パラメータとして、Δβ／βを用い、式（１０７）に従って乗算を行い、電圧値Ｖdata1を取得する（ステップＳ２３）。
【０２６４】
制御部１６は、メモリ１２２のオフセット電圧格納領域１２２ｃから、オフセット電圧Ｖoffsetを読み出し、式（１０８）に従って測定電圧Ｖmeas(t0)と負のオフセット電圧Ｖoffsetとを加算し、補正量としての閾値電圧Ｖthを取得する（ステップＳ２４）。
【０２６５】
制御部１６は、式（１０９）に従って、電圧値Ｖdata1と閾値電圧Ｖthとを加算して、補正階調信号としての電圧値Ｖdataを取得する（ステップＳ２５）。
【０２６６】
制御部１６は、このような駆動シーケンスを１画素毎に対応して行う。そして、制御部１６は、電圧値ＶdataをデータＤin（１）〜Ｄin（ｍ）として、行毎にデータドライバ２２に出力する。
【０２６７】
図１６は、実使用時の各部の動作を示すタイミングチャートである。制御部１６は、図１６に示すデータ出力タイミングチャートに従って各部を制御し、データＤin（１）〜Ｄin（ｍ）をデータドライバ２２に出力する。
【０２６８】
制御部１６は、時刻ｔ３０において、データドライバ２２に、スイッチ制御信号Ｓ１〜Ｓ６として、それぞれ、Off1，Off2，Off3，Connect_DAC，Connect_DRB，Off6信号を供給する。
【０２６９】
図１７は、電圧信号を書き込むときの各スイッチの接続関係を示す図である。図１７に示すように、Ｓｗ２（ｉ），Ｓｗ３（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、Off2，Off3信号が供給されてオフし、バッファ１１３（ｉ）とデータラインＬdiとの間、アナログ電源１４とデータラインＬsiとの間が遮断される。
【０２７０】
スイッチＳｗ１（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、On1信号が供給されてオンし、バッファ１１９（ｉ）を介してＶＤＡＣ１１８（ｉ）とデータラインＬsiとが接続される。
【０２７１】
図１８は、制御部からデータドライバにデータを入力するときの各スイッチの接続関係を示す図である。図１８に示すように、スイッチＳｗ５（ｉ）は、それぞれ、制御部１６から、Connect_DRB信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の入力端と、データレジスタブロック１１２の出力端と、を接続する。
【０２７２】
スイッチＳｗ４（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）は、それぞれ、制御部１６から、Connect_DAC信号が供給されて、データラッチ部１１６（ｉ）の出力端とDAC側端子とを接続する。
【０２７３】
図５に示すスイッチＳｗ６は、制御部１６から、Off6信号が供給されてオフし、データラッチ部１１６（１）と制御部１６との間が遮断される。
【０２７４】
制御部１６は、時刻ｔ３１において、スタートパルスＳＰ２を立ち上げ、時刻ｔ３２において、スタートパルスＳＰ２をＬｏレベルに立ち下げる。
【０２７５】
スタートパルスＳＰ２がＬｏレベルに立ち下がると、データドライバ２２のシフトレジスタ１１１は、クロック信号に従って、このスタートパルスＳＰ２を、順次、シフトし、データレジスタブロック１１２にシフト信号を供給する。
【０２７６】
データレジスタブロック１１２は、このシフト信号が供給されて、順次、データＤin（１）〜Ｄin（ｍ）を取り込む。
【０２７７】
時刻ｔ３３において、Gate(1)信号がＶgHレベルに立ち上がると、画素２１(1,1)〜２１(m,1)の各トランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。
【０２７８】
制御部１６は、データラッチパルスＤＬpulseを立ち上げ、データドライバ２２のデータラッチ部１１６（ｉ）は、データラッチパルスＤＬpulseの立ち上がりタイミングにて、データをラッチする。
【０２７９】
レベルシフタ１１７（ｉ）は、それぞれ、データラッチ部１１６（ｉ）がラッチしたデータに対してレベルシフトを行い、レベルシフトしたデータをＶＤＡＣ１１８（ｉ）に供給する。
【０２８０】
ＶＤＡＣ１１８（ｉ）は、このデジタルデータを負のアナログ電圧に変換し、バッファ１１９（ｉ）を介して、変換した負のアナログ電圧をデータラインＬdiに印加する。
【０２８１】
データラインＬdiに負のアナログ電圧が印加されると、各画素２１(1,1)〜２１(m,1)の有機ＥＬ素子１０１は逆バイアスとなるために電流は流れず、電流は、アノード回路１２から、各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のトランジスタＴ３，Ｔ２、データラインＬd1〜Ｌdmを介して、それぞれ、データドライバ２２のＶＤＡＣ１１８（ｉ）に流れる。
【０２８２】
各画素１１(1,1)〜2１(m,1)の各トランジスタＴ１はオンしているため、各トランジスタＴ３は、ゲート−ドレイン間が接続されて、ダイオード接続される。このため、トランジスタＴ３は、飽和領域内で動作し、トランジスタＴ３には、ダイオード特性に応じたドレイン電流Ｉdが流れる。
【０２８３】
トランジスタＴ１がオンし、トランジスタＴ３にドレイン電流Ｉdが流れるため、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは、ドレイン電流Ｉdに対応した電圧に設定され、ストレージ容量Ｃｓは、このゲート電圧Ｖgsで充電される。
【０２８４】
このようにしてデータドライバ２２は、補正パラメータに基づいて補正された電流を、図１７に示すように、各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のトランジスタＴ３から引き込んで、ストレージ容量Ｃｓに、電圧値Ｖdataに基づくトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持させる。
【０２８５】
このようにして第１行目の各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のストレージ容量Ｃｓへのデータの書き込みが終了する。
【０２８６】
制御部１６は、時刻ｔ３４になると、ＤＬpulseを立ち下げてスタートパルスＳＰ２を立ち上げ、時刻ｔ３５においてスタートパルスＳＰ２を立ち下げて、第２行目の各画素２１(1,1)〜２１(m,1)のストレージ容量Ｃｓへのデータの書き込みを行う。
【０２８７】
以下、同様にして、制御部１６は、順次、画素２１(1,3)〜２１(m,3)，・・・，２１(1,n)〜２１（m,n)）のストレージ容量Ｃｓに、電圧値Ｖdataに基づく電圧を書き込む。
【０２８８】
すべての画素２１(i,j)のストレージ容量Ｃｓに電圧値Ｖdataの書き込みが行われ、Gate(n)信号がＶgLレベルになると、すべての画素２１(i,j)のトランジスタＴ１，Ｔ２がオフする。
【０２８９】
すべての画素２１(i,j)において、それぞれ、トランジスタＴ１，Ｔ２がオフすると、トランジスタＴ３は、非選択状態となる。トランジスタＴ３が非選択状態となると、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは、ストレージ容量Ｃｓに書き込まれた電圧に保持される。
【０２９０】
制御部１６は、電圧ELVDDがアノードラインＬａに印加されるように、アノード回路１２を制御する。この電圧ELVDDは、例えば、１５Ｖ程度に設定される。
【０２９１】
このとき、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsがストレージ容量Ｃｓによって保持されているため、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間には、電圧値Ｖdataを書き込んだときの書き込み電流と同等の電流値のドレイン電流Ｉdが流れる。
【０２９２】
トランジスタＴ２がオフし、有機ＥＬ素子１０１のアノード側の電位がカソード側の電位より高い状態となっているため、このドレイン電流Ｉdは、有機ＥＬ素子１０１に供給される。
【０２９３】
このとき、各画素２１(i,j)の有機ＥＬ素子１０１に流れる電流Ｉdは、閾値電圧Ｖth，βのバラツキに基づいて補正されており、有機ＥＬ素子１０１は、この補正された電流で発光する。
【０２９４】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示装置１は、緩和時間ｔとして、（Ｃ／β）／ｔ＜１を満たす緩和時間ｔ１，ｔ２を選択し、オートゼロ法により、各データラインＬdiの電圧測定を複数回行うようにした。
【０２９５】
また、表示装置１は、緩和時間ｔとして、（Ｃ／β）／ｔ≧１を満たす時間ｔ３を選択し、オートゼロ法により、各データラインの電圧測定を行うようにして、各画素の画素駆動回路のβのバラツキを示す（Δβ／β）を取得するようにした。
【０２９６】
従って、各画素の特性パラメータとして、閾値電圧Ｖthと（Ｃ／β）値と、βのバラツキを示す（Δβ／β）とを同時に取得することができる。
【０２９７】
このため、βのバラツキを測定するための回路と閾値電圧Ｖthを測定のための回路を別々に設ける必要がなくなる。そして、表示装置１の駆動システムを簡素化することができる。また、閾値電圧Ｖthおよび、画素マトリクスのβのバラツキを補正するアクティブ有機ＥＬ駆動システムが可能になる。
【０２９８】
また、実使用時に供給された画像データに基づく電圧信号の電圧値Ｖdata0を、取得した（Δβ／β）に基づいて補正することができ、さらに、補正された電圧値Ｖdata1を、取得した閾値電圧Ｖthと（Ｃ／β）値とに基づいて補正し、電圧値Ｖdataを取得することができる。
【０２９９】
このため、実使用時に供給された画像データに基づく電流を各画素２１(i,j)の有機ＥＬ素子１０１に供給することができ、画質の劣化を抑制することができる。
【０３００】
尚、本発明を実施するにあたっては、種々の形態が考えられ、上記実施形態に限られるものではない。
例えば、上記実施形態では、発光素子を有機ＥＬ素子として説明した。しかし、発光素子は、有機ＥＬ素子に限られるものではなく、例えば、無機ＥＬ素子又はＬＥＤであってもよい。
【０３０１】
また、上記実施形態においては、本発明を有機ＥＬパネル２１を有する表示装置１に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、有機ＥＬ素子１０１による発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された、発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用してもよい。この場合、経時劣化や特性のバラツキによる露光状態の劣化を抑制することができる。
【０３０２】
上記実施形態では、（Ｃ／β）／ｔ＜１を満たす緩和時間ｔとしてｔ１，ｔ２の２つに設定するようにした。しかし、緩和時間を３つ以上に設定してもよい。
【０３０３】
上記実施形態では、制御部１６が、供給された画像データに応じた電圧信号の電圧値に対して、ＬＵＴ１２３を用いて、ＲＧＢ毎に電圧振幅の変換を行うようにした。しかし、ＬＵＴ１２３を備えずに、制御部１６は、演算を行うことにより、このような電圧振幅の変換を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０３０４】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬパネルとデータドライバの構成を示す図である。
【図３】画素駆動回路の書き込み動作時の電圧−電流特性を説明するための図である。
【図４】本実施形態におけるオートゼロ法を用いたデータラインの電圧の測定方法を説明するための図である。
【図５】図１に示すデータドライバの具体的な構成を示すブロック図である。
【図６】図５に示すＶＤＡＣとＡＤＣの構成と機能を説明するための図である。
【図７】図１に示す制御部の構成を示すブロック図である。
【図８】図７に示すメモリの各格納領域を示す図である。
【図９】図７に示すＬＵＴの画像データの変換特性を示す例を示す図である。
【図１０】図７に示すＬＵＴにおける画像データの変換特性を説明するための図である。
【図１１】オートゼロ法による電圧測定を行う場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。
【図１２】データドライバから制御部にデータを出力する場合の各スイッチの接続関係を示す図である。
【図１３】オートゼロ法による電圧測定を行う場合の各スイッチの接続関係を示す図である。
【図１４】補正パラメータを取得するときに制御部が実行する駆動シーケンスを説明するための図である。
【図１５】供給された画像データに応じた電圧信号を補正してデータドライバに出力するときに制御部が実行する駆動シーケンスを説明するための図である。
【図１６】各部の実使用時の各部の動作を示すタイミングチャートである。
【図１７】電圧信号を書き込むときの各スイッチの接続関係を示す図である。
【図１８】制御部からデータドライバにデータを入力するときの各スイッチの接続関係を示す図である。
【符号の説明】
【０３０５】
１・・・表示装置、１１・・・パネルモジュール、１２・・・アノード回路、１３・・・セレクトドライバ、１４・・・アナログ電源、１６・・・制御部、２１・・・有機ＥＬパネル、２１(i,j)（ｉ＝１〜ｍ，ｊ＝１〜ｎ）・・・画素、２２・・・データドライバ、１０１・・・有機ＥＬ素子（発光素子）、１１４（１）〜１１４（ｍ）・・・ＡＤＣ、１１８（１）〜１１８（ｍ）・・・ＶＤＡＣ、Ｓｗ１（１）〜Ｓｗ１（ｍ），Ｓｗ２（１）〜Ｓｗ２（ｍ），Ｓｗ３（１）〜Ｓｗ３（ｍ），Ｓｗ４（１）〜Ｓｗ４（ｍ），Ｓｗ５（１）〜Ｓｗ５（ｍ），Ｓｗ６・・・スイッチ、１２１・・・ＣＰＵ、１２２・・・メモリ、１２３・・・ＬＵＴ、Ｔ１〜Ｔ３・・・トランジスタ、Ｃｓ・・・ストレージ容量、Ｃｅｌ・・・有機ＥＬ画素容量、Ｃｐ・・・配線寄生容量
【図１】
2010128398.tif 000033
【図２】
2010128398.tif 000034
【図３】
2010128398.tif 000035
【図４】
2010128398.tif 000036
【図５】
2010128398.tif 000037
【図６】
2010128398.tif 000038
【図７】
2010128398.tif 000039
【図８】
2010128398.tif 000040
【図９】
2010128398.tif 000041
【図１０】
2010128398.tif 000042
【図１１】
2010128398.tif 000043
【図１２】
2010128398.tif 000044
【図１３】
2010128398.tif 000045
【図１４】
2010128398.tif 000046
【図１５】
2010128398.tif 000047
【図１６】
2010128398.tif 000048
【図１７】
2010128398.tif 000049
【図１８】
2010128398.tif 000050
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
また、電流増幅率βの値がβ0（標準値）からばらつき、β0より小さいβ１（＝β0−Δβ）である場合の電圧−電流特性は電圧−電流特性ＶＩ_1になり、β0より大きいβ２（＝β0＋Δβ）である場合の電圧−電流特性は電圧−電流特性ＶＩ_2になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
また、図４（ｂ）に示すＶmeas_2(t)、Ｖmeas_3(t)は、それぞれ、電流増幅率βの値がβ0より小さいβ１（＝β0−Δβ）である場合と、β0より大きいβ２（＝β0＋Δβ）である場合（図３（ｂ）に示す電圧−電流特性ＶＩ_1，ＶＩ_2に対応）のデータラインＬdiの電圧の緩和特性を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
スイッチＳｗ６は、スイッチＳｗ４（１）のfront端子と、制御部１６との間を接続、遮断するスイッチである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010128398.tif 000051
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010128398.tif 000052
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010128398.tif 000053