(57)【要約】【課題】有機発光ダイオードの劣化及び第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下と関係なく、所望の輝度を生成できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の画素は、有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードに電流を供給するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極とデータ線との間に接続され走査線に走査信号が供給される時にターンオンする第２トランジスタと、第１端子が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されるストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタの第２端子に接続され前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされて所定の電圧を前記第２端子に供給するための第４トランジスタと、前記ストレージキャパシタの第２端子と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され前記第４トランジスタとターンオン時点が重ならない第３トランジスタとを備える。【選択図】図２
2010128490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードに電流を供給するための第１トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極とデータ線との間に接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第２トランジスタと、
第１端子が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されるストレージキャパシタと、
前記ストレージキャパシタの第２端子に接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされて所定の電圧を前記第２端子に供給するための第４トランジスタと、
前記ストレージキャパシタの第２端子と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第４トランジスタとターンオン時点が重ならない第３トランジスタと、
を備えることを特徴とする画素。
【請求項２】
前記第４トランジスタは前記第２端子と基準電源との間に接続されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項３】
前記基準電源の電圧は前記走査信号が供給される時に前記第４トランジスタがターンオンされ、前記走査信号が供給されない時に前記第４トランジスタがターンオフされ得る電圧に設定されることを特徴とする請求項２に記載の画素。
【請求項４】
前記第３トランジスタのゲート電極は発光制御線に接続され、前記発光制御線には前記第３トランジスタがターンオフされ得る電圧を有する発光制御信号が前記走査信号と重なるように供給されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項５】
前記第４トランジスタの第１電極及び前記ゲート電極は前記走査線に接続され、第２電極は前記第２端子に接続されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項６】
前記所定の電圧は前記走査信号の電圧から前記第４トランジスタの閾値電圧を差し引いた電圧に設定されることを特徴とする請求項５に記載の画素。
【請求項７】
前記第１〜第４トランジスタはＮＭＯＳ型で形成されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項８】
前記第１トランジスタ、第２トランジスタ及び第４トランジスタはＮＭＯＳ型で形成され、前記第３トランジスタはＰＭＯＳ型に形成されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項９】
前記第３トランジスタのゲート電極は前記走査線に接続されることを特徴とする請求項８に記載の画素。
【請求項１０】
走査線に走査信号を順次供給するための走査駆動部と、
データ線に前記走査信号と同期されるようにデータ信号を供給するためのデータ駆動部と、
前記走査線及びデータ線の交差部に位置する画素と、
を備え、
前記画素のそれぞれは、
有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードに電流を供給するための第１トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極とデータ線との間に接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第２トランジスタと、
第１端子が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されるストレージキャパシタと、
前記ストレージキャパシタの第２端子に接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされて所定の電圧を前記第２端子に供給するための第４トランジスタと、
前記ストレージキャパシタの第２端子と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第４トランジスタとターンオン時点が重ならない第３トランジスタと、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第４トランジスタは前記第２端子と基準電源との間に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記基準電源の電圧は前記走査信号が供給される時に前記第４トランジスタがターンオンされ、前記走査信号が供給されない時に前記第４トランジスタがターンオフされ得る電圧に設定されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記走査駆動部は前記走査線と平行に位置する発光制御線に発光制御信号を順次供給することを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
ｉ（ｉは自然数）番目の発光制御線に供給される発光制御信号はｉ番目の走査線に供給される走査信号と重なるように供給され、前記発光制御信号は前記第３トランジスタがターンオフされ得る電圧に設定されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第３トランジスタのゲート電極は前記発光制御線に接続されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記第４トランジスタの第１電極及び前記ゲート電極は前記走査線に接続され、第２電極は前記第２端子に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記所定の電圧は前記走査信号の電圧から前記第４トランジスタの閾値電圧を差し引いた電圧に設定されることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１〜第４トランジスタはＮＭＯＳ型で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１トランジスタ、第２トランジスタ及び第４トランジスタはＮＭＯＳ型で形成され、前記第３トランジスタはＰＭＯＳ型に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記第３トランジスタのゲート電極は前記走査線に接続されることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置に関し、特に有機発光ダイオードの劣化及び第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下と関係なく、所望の輝度を生成できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）などが挙げられる。
【０００３】
平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置は電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は速い応答速度を有すると同時に低い消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、一般の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。図１において、画素に含まれるトランジスタはＮＭＯＳに設定される。
【０００５】
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２とを備える。
【０００６】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路２から供給される電流に対応する輝度の光を生成する。
【０００７】
画素回路２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。このために、画素回路２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２（即ち、駆動トランジスタ）と、第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第２電極との間に接続されたストレージキャパシタＣｓｔとを備える。
【０００８】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。ここで、第１電極はソース電極及びドレイン電極のいずれか１つに設定され、第２電極は第１電極と異なる電極に設定される。例えば、第１電極がドレイン電極に設定されれば、第２電極はソース電極に設定される。走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は走査線Ｓｎから走査信号が供給される時にターンオンされてデータ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【０００９】
第２トランジスタＭ２のゲート電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続され、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに格納された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。
【００１０】
ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子は第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続され、他側端子は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００１１】
このような従来の画素４は、ストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧に対応する電流を有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給することで、所定輝度の画像を表示する。
【００１２】
しかしながら、従来の画素４は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下によって所望する輝度の映像を表示できないという問題点が発生する。詳細に説明すれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流は式１のように表すことができる。
【００１３】
[式１]
Ｉｏｌｅｄ＝β｛Ｖｄａｔａ−（ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ）−Ｖｔｈ（Ｍ２）｝２
【００１４】
式１において、βは定数、Ｖｄａｔａはデータ信号の電圧、Ｖｏｌｅｄは有機発光ダイオードに印加される電圧を示す。
【００１５】
式２を参照すれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流Ｉｏｌｅｄは第２電源ＥＬＶＳＳ及び有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される電圧Ｖｏｌｅｄの影響を受ける。ここで、第２電源ＥＬＶＳＳは電圧降下によって画素４の位置に応じて異なるように現れる。また、有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される電圧Ｖｏｌｅｄは有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して変化する。従って、従来は第２電源ＥＬＶＤＤの電圧降下及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化によって所望する輝度の映像を表示できないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００６−０１１２２２３号
【特許文献２】大韓民国特許公開第２００６−００５４６０３号
【特許文献３】大韓民国特許公開第２００５−０１１０９６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、有機発光ダイオードの劣化及び第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下と関係なく、所望の輝度を生成できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供することになる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一側面による画素は、有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードに電流を供給するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極とデータ線との間に接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第２トランジスタと、第１端子が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されるストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタの第２端子に接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされて所定の電圧を前記第２端子に供給するための第４トランジスタと、前記ストレージキャパシタの第２端子と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第４トランジスタとターンオン時点が重ならない第３トランジスタとを備える。
【００１９】
好ましくは、前記第４トランジスタは前記第２端子と基準電源との間に接続される。前記基準電源の電圧は前記走査信号が供給される時に前記第４トランジスタがターンオンされ、前記走査信号が供給されない時に前記第４トランジスタがターンオフされ得る電圧に設定される。前記第３トランジスタのゲート電極は発光制御線に接続され、前記発光制御線には前記第３トランジスタがターンオフされ得る電圧を有する発光制御信号が前記走査信号と重なるように供給される。
【００２０】
本発明の他の側面による有機電界発光表示装置は、走査線に走査信号を順次供給するための走査駆動部と、データ線に前記走査信号と同期されるようにデータ信号を供給するためのデータ駆動部と、前記走査線及びデータ線の交差部に位置する画素とを備え、前記画素のそれぞれは有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードに電流を供給するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極とデータ線との間に接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第２トランジスタと、第１端子が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されるストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタの第２端子に接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされて所定の電圧を前記第２端子に供給するための第４トランジスタと、前記ストレージキャパシタの第２端子と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第４トランジスタとターンオン時点が重ならない第３トランジスタとを備える。
【００２１】
好ましくは、前記走査駆動部は、前記走査線と平行に位置する発光制御線に発光制御信号を順次供給する。ｉ（ｉは自然数）番目の発光制御線に供給される発光制御信号はｉ番目の走査線に供給される走査信号と重なるように供給され、前記発光制御信号は前記第３トランジスタがターンオフされ得る電圧に設定される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置によれば、第２電源ＥＬＶＤＤの電圧変化及び有機発光ダイオードの劣化と関係なく、有機発光ダイオードに流れる電流量を制御できるという効果を奏する。従って、本発明では所望する輝度の映像を表示できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の画素を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る画素を示す回路図である。
【図４】図３に示した画素の駆動方法を示す波形図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る画素を示す回路図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る画素を示す回路図である。
【図７】第２電源の電圧変化に対応して有機発光ダイオードに流れる電流変化を示すシミュレーション図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好適な実施形態について図２〜図７を参照して詳細に説明すれば、以下の通りである。
【００２５】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【００２６】
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍと接続されるように位置する画素１４０と、走査線Ｓ１〜Ｓｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動するための走査駆動部１１０と、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動するためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０及びデータ駆動部１２０を制御するためのタイミング制御部１５０とを備える。
【００２７】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は走査信号を生成し、生成された走査信号を走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次供給する。また、走査駆動部１１０は発光制御信号を生成し、発光制御信号を発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに順次供給する。走査信号はトランジスタがターンオンされ得る電圧（例えば、ハイ極性の電圧）に設定され、発光制御信号はトランジスタがターンオフされ得る電圧（例えば、ロー極性の電圧）に設定される。そして、発光制御信号は走査信号よりも広い幅に設定され、ｉ（ｉは自然数）番目の発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号はｉ番目の走査線Ｓｉに供給される走査信号と重なるように供給される。
【００２８】
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０からデータ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受ける。データ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受けたデータ駆動部１２０は走査信号と同期されるようにデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給する。
【００２９】
タイミング制御部１５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部１５０で生成されたデータ駆動制御信号ＤＣＳはデータ駆動部１２０に供給され、走査駆動制御信号ＳＣＳは走査駆動部１１０に供給される。そして、タイミング制御部１５０は外部から供給されるデータＤａｔａをデータ駆動部１２０に供給する。
【００３０】
画素部１３０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けて画素１４０のそれぞれに供給する。第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けた画素１４０のそれぞれは、データ信号に対応する光を生成する。このために、画素１４０はＮＭＯＳ型で形成される多数のトランジスタを備える。
【００３１】
ここで、第１電源ＥＬＶＤＤの電圧は、第２電源ＥＬＶＳＳの電圧よりも高い電圧に設定されて有機発光ダイオードに電流を供給する。基準電源Ｖｒｅｆは、一定の電圧を有する直流電圧源に設定される。ここで、基準電源Ｖｒｅｆはトランジスタの第１電極に供給され、基準電源Ｖｒｅｆの電圧はトランジスタのゲート電極に走査信号が供給される時にトランジスタがターンオンされ、トランジスタのゲート電極に走査信号が供給されない時にトランジスタがターンオフされ得る電圧に設定される。また、基準電源Ｖｒｅｆの電圧は、データ信号の電圧と異なる電圧に設定される。
【００３２】
図３は、本発明の第１実施形態に係る画素を示す図である。図３では説明の便宜上、第ｎの走査線Ｓｎ及び第ｍのデータ線Ｄｍと接続された画素１４０を示す。
【００３３】
図３を参照すれば、本発明の第１実施形態に係る画素１４０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ、走査線Ｓｎ及び発光制御線Ｅｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流量を制御するための画素回路１４２とを備える。
【００３４】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは画素回路１４２から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
【００３５】
画素回路１４２は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にデータ線Ｄｍからデータ信号の供給を受け、データ信号に対応する電流を有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給する。このために、画素回路１４２は第１乃至第４トランジスタＭ１〜Ｍ４及びストレージキャパシタＣｓｔを備える。
【００３６】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は第１ノードＮ１に接続され、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極（即ち、第３ノードＮ３）に接続される。このような第１トランジスタＭ１は第１ノードＮ１に印加された電圧に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。
【００３７】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は第１ノードＮ１に接続される。このような第２トランジスタＭ２は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にターンオンされて第１ノードＮ１とデータ線を電気的に接続させる。
【００３８】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は第２ノードＮ２に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第３トランジスタＭ３は発光制御信号が供給される時にターンオフされ、それ以外の場合にターンオンされる。
【００３９】
第４トランジスタＭ４のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極は基準電源Ｖｒｅｆに接続される。そして、第４トランジスタＭ４の第２電極は第２ノードＮ２に接続される。このような第４トランジスタＭ４は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にターンオンされて基準電源Ｖｒｅｆの電圧を第２ノードＮ２に供給する。一方、第４トランジスタＭ４及び第３トランジスタＭ３がターンオンされる時間は互いに重ならない。
【００４０】
ストレージキャパシタＣｓｔは第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２（即ち、第３トランジスタＭ３及び第４トランジスタＭ４の共通ノード）の間に接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応して所定の電圧を充電する。
【００４１】
図４は、図３に示した画素の駆動方法を示す波形図である。図４において、Ｖｄａｔａはデータ信号の電圧を意味する。そして、図３に示す画素に含まれるトランジスタはＮＭＯＳで形成される。
【００４２】
図３及び図４を結びつけて動作過程を詳細に説明すれば、まず発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給されて第３トランジスタＭ３がターンオフされる。
【００４３】
その後、走査線Ｓｎに走査信号が供給されて第２トランジスタＭ２及び第４トランジスタＭ４がターンオンされる。第２トランジスタＭ２がターンオンされれば、第１ノードＮ１にデータ信号が供給される。第４トランジスタＭ４がターンオンされれば、第２ノードＮ２に基準電源Ｖｒｅｆが供給される。
【００４４】
一方、第１ノードＮ２にデータ信号が供給されれば、第１トランジスタＭ１から所定の電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される。このとき、第３ノードＮ３に印加される電圧は式２のような電圧が設定される。
【００４５】
[式２]
ＶＮ３＝ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ
【００４６】
式２において、Ｖｏｌｅｄは第１トランジスタＭ１から供給される電流に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される電圧を意味する。
【００４７】
第１ノードＮ１にデータ信号が供給された後、走査線Ｓｎに走査信号の供給が中断される。走査線Ｓｎに走査信号の供給が中断されると、第２トランジスタＭ２及び第４トランジスタＭ４がターンオフされる。
【００４８】
その後、発光制御線Ｅｎに発光制御信号の供給が中断されて第３トランジスタＭ３がターンオンされる。第３トランジスタＭ３がターンオンされれば、第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３が電気的に接続され、第３ノードＮ３の電圧が式３の変化量だけ変化する。
【００４９】
[式３]
ΔＶＮ３＝Ｖｒｅｆ−（ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ）
【００５０】
式３において、ΔＶＮ３は第３ノードＮ３の電圧変化量を意味する。
【００５１】
第３ノードＮ３の電圧が式３のように変化する場合、ストレージキャパシタＣｓｔのカップリング現象によって式４のように第１ノードＮ１の電圧が設定される。
【００５２】
[式４]
ＶＮ１＝Ｖｄａｔａ-ΔＶＮ３＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ＋ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ
式４のように、第１ノードＮ１の電圧が設定される場合、第１トランジスタＭ１のゲート電極及びソース電極間の電圧は式５のように設定される。
【００５３】
[式５]
Ｖｇｓ（Ｍ１）＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ＋ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ−（ＥＬＶＳＳ＋Ｖｏｌｅｄ）＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ
【００５４】
式５のように、第１トランジスタＭ１のゲート電極及びソース電極間の電圧が設定される場合、第１トランジスタＭ１から有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流Ｉｏｌｅｄは式６のように設定される。
【００５５】
[式６]
Ｉｏｌｅｄ＝β（Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）２
【００５６】
式６を参照すれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流Ｉｏｌｅｄは第２電源ＥＬＶＳＳ及び有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される電圧Ｖｏｌｅｄと関係なく設定される。従って、本発明では第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化と関係なく、所望する輝度の映像を表示できる。
【００５７】
また、階調がデータ信号の電圧Ｖｄａｔａと基準電源Ｖｒｅｆによって決定されるため、即ち有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される電圧Ｖｏｌｅｄと関係なく決定される。これにより、高諧調と低階調との間のデータ電圧の差を従来に比べて低減させることができるという長所がある。
【００５８】
図５は、本発明の第２実施形態に係る画素を示す図である。図５を説明するにあたり、図３と同じ機能をする構成については同じ図面符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５９】
図５を参照すれば、本発明の第２実施形態に係る画素１４０'は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ、走査線Ｓｎ及び発光制御線Ｅｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流量を制御するための画素回路１４２'とを備える。
【００６０】
画素回路１４２'に含まれている第４トランジスタＭ４'の第１電極及びゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第２電極は第２ノードＮ２に接続される。即ち、第４トランジスタＭ４'は走査線Ｓｎから第２ノードＮ２に電流が流れ得るようにダイオード形態に接続される。このような第４トランジスタＭ４'は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時に走査信号の電圧（実際には走査信号から第４トランジスタＭ４の閾値電圧を差し引いた電圧）を第２ノードＮ２に供給する。即ち、本発明の第２実施形態に係る画素１４０'は基準電源Ｖｒｅｆに走査信号の電圧を用いるものであって、それ以外の動作過程は図３に示す画素と同一である。
【００６１】
図６は、本発明の第３実施形態に画素を示す図である。図６を説明するにあたり、図３と同じ機能をする構成については同じ図面符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６２】
図６を参照すれば、本発明の第３実施形態に係る画素１４０''は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ、走査線Ｓｎ及び発光制御線Ｅｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流量を制御するための画素回路１４２''とを備える。
【００６３】
画素回路１４２''に含まれている第３トランジスタＭ３'はＰＭＯＳ型で形成されて走査線Ｓｎと接続される。このような第３トランジスタＭ３'は第４トランジスタＭ４と互いに異なる時間にターンオンされ、第２ノードＮ２の電圧を制御する。即ち、第３トランジスタＭ３'は、ＰＭＯＳ型で形成されて走査信号が供給される時にターンオフされ、それ以外の期間にターンオンされる。第３トランジスタＭ３'を除いた動作過程は図３に示した画素と同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図７は、図３に示した画素のシミュレーション結果を示す図である。
【００６５】
図７を参照すれば、本発明の画素１４０は、第２電源ＥＬＶＳＳの電圧変化に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流Ｉｏｌｅｄの変化が殆どないことが分かる。
【００６６】
一方、式６によれば、本発明の画素１４０から有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流Ｉｏｌｅｄは第２電源ＥＬＶＳＳの電圧変化と関係なく、一定に維持されなければならない。しかしながら、シミュレーション結果では第２電源ＥＬＶＳＳの電圧変化によって有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流Ｉｏｌｅｄが所定値変化することが分かる。このような電流Ｉｏｌｅｄの変化は第１トランジスタＭ１の寄生キャパシタの影響によるものであり、無視できる程度の小さな電流値に設定される。
【００６７】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なのはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６８】
１１０      走査駆動部
１２０      データ駆動部
１３０      画素部
１４０，１４０'，１４０''      画素
１４２，１４２'，１４２''      画素回路
１５０      タイミング制御部
【図１】
2010128490.tif 000003
【図２】
2010128490.tif 000004
【図３】
2010128490.tif 000005
【図４】
2010128490.tif 000006
【図５】
2010128490.tif 000007
【図６】
2010128490.tif 000008
【図７】
2010128490.tif 000009