(57)【要約】【課題】本発明の目的は、画像欠陥の少ない画像を与える、シンチレータパネル、放射線検出装置および放射線検出装置の作製方法を提供することにある。【解決手段】基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該シンチレータ層上に、シンチレータ層上以外で連続することのない帯電防止層を有することを特徴とするシンチレータパネル。【選択図】図１
2010019620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該シンチレータ層上に、シンチレータ層上以外で連続することのない帯電防止層を有することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記シンチレータ層と前記帯電防止層の間に保護層を有することを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
【請求項３】
前記帯電防止層が透明であることを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータパネル。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルおよび光電変換素子部を具備する光検出器を備えた放射線検出装置であって、前記帯電防止層と、該光電変換素子部が接触していることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の放射線検出装置の作製方法であって、前記シンチレータパネルの帯電防止層側表面と、前記光電変換素子部の表面とを貼り合わせることを特徴とする放射線検出装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレータパネル、これを用いた放射線検出装置および放射線検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
【０００４】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能である。
【０００５】
その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００６】
上記のコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不充分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。
【０００７】
そして、さらに新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｔｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｕｓｈｅｒ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｘ−ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａ  Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ  Ｉｍａｇｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｆｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒ”等に記載された、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。
【０００８】
平板放射線検出装置（ＦＰＤ）はＣＲより装置が小型化し、高線量での画質が優れているという特徴がある。これらのＦＰＤは、放射線により蛍光を発光する蛍光体層を有するシンチレータパネルと、蛍光体層に対向して配置される光検出器を備えている。
【０００９】
シンチレータパネルの構成としては、基板上に、光検出器での効率向上のために、蛍光体層と共に反射層を設けた構成が知られおり、反射層としてはアルミニウムなどの金属膜を用いることが知られている。そして、反射層としてアルミニウムなどの金属膜を用いる場合には、水分に基づく変質等が起き、反射膜としての機能を減退させる場合があるために、これを防止するために反射層の上にさらに保護膜を設ける構成が知られている（特許文献１参照）。
【００１０】
そして、保護層の上に蛍光体層であるシンチレータ層を有し、シンチレータ層の上に耐湿保護層を設ける構成が知られている（特許文献２参照）。
【００１１】
放射線検出装置は、これらのシンチレータパネルのシンチレータ層に対向して光検出器が配置される構成を有する。
【００１２】
シンチレータ層に対向して光検出器を配置する方法としては、シンチレータパネルと光検出器を接触させ一体化して構成する方法、シンチレータパネルを着脱可能に、単に接触させておく方法などがある。後者の方法には、シンチレータパネルの故障などの場合に、シンチレータパネルを取り替えるだけで放射線検出装置のトラブルに対応できる、といった長所がある。
【００１３】
しかしながら、使用の際に、シンチレータパネルと光検出器を接触または剥離させる際に生ずると思われる静電気により発生する画像欠陥を生ずる場合がある、といった問題があった。
【特許文献１】特開２０００−３５６６７９号公報
【特許文献２】特開２００７−２７９０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、画像欠陥の少ない画像を与える、シンチレータパネル、放射線検出装置および放射線検出装置の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
１．基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該シンチレータ層上に、シンチレータ層上以外で連続することのない帯電防止層を有することを特徴とするシンチレータパネル。
２．前記シンチレータ層と前記帯電防止層の間に保護層を有することを特徴とする１に記載のシンチレータパネル。
３．前記帯電防止層が透明であることを特徴とする１または２に記載のシンチレータパネル。
４．１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルおよび光電変換素子部を具備する光検出器を備えた放射線検出装置であって、前記帯電防止層と、該光電変換素子部が接触していることを特徴とする放射線検出装置。
５．４に記載の放射線検出装置の作製方法であって、前記シンチレータパネルの帯電防止層側表面と、前記光電変換素子部の表面とを貼り合わせることを特徴とする放射線検出装置の作製方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の上記構成により、画像欠陥の少ない画像を与える、シンチレータパネル、放射線検出装置および放射線検出装置の作製方法が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該シンチレータ層上に、シンチレータ層上以外で連続することのない帯電防止層を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、シンチレータ層上のみに、帯電防止層を設けることにより、画像欠陥の少ない画像を与える、シンチレータパネル、放射線検出装置が得られる。
【００１９】
以下、図１〜４を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。
【００２０】
図１は、本発明のシンチレータパネルの例の断面図である。図２は、本発明のシンチレータパネルの製造方法を示した概略図である。図３は、本発明の放射線検出装置の断面図である。図４は、帯電防止層を説明する図である。
【００２１】
図１に示す例において、シンチレータパネル１０は、基板１上に、反射層２を有し、反射層２の上に中間層３を有し、中間層３の上にシンチレータ層４を備え、さらにその上に帯電防止層６を有する。帯電防止層６とシンチレータ層４の間には、図１の例のように保護層を有する態様が好ましい。
【００２２】
（基板）
本発明に係る基板は、反射層を担持可能な板状、フィルム体であり、Ｘ線等の放射線を入射線量に対し１０％以上を透過させることが可能なものである。
【００２３】
基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどを用いることができる。
【００２４】
これらの中でも、耐久性や軽量化といった観点から、アルミニウムシートや炭素繊維強化樹脂シート、ポリイミドフィルムが好ましく用いられる。
【００２５】
また、基板の厚さは、耐性の向上や軽量化といった観点から、５０μｍ〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２６】
（反射層）
シンチレータパネル１０に対し、基板１方向からシンチレータ層４側に向けて放射線が入射されると、シンチレータ層４に入射された放射線は、シンチレータ層４中の蛍光体に放射線エネルギーが吸収され、シンチレータ層４から、入射された放射線の強度に応じて、蛍光体から電磁波（光）が発光される。
【００２７】
発光された電磁波は、シンチレータ層４の放射線が入射された面と反対の面（放射面）に至るものもあるが、基板１側の方向に放射進行する光もある。
【００２８】
本発明に係る反射層２は、この基板１側の方向に放射進行する電磁波を反射しうる層である。
【００２９】
反射層としては、金属薄膜が好ましく用いられる。金属薄膜としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、ＰｔおよびＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜が好ましく用いられる。さらに、Ｃｒ膜上にＡｕ膜を形成する等、金属薄膜を２層以上形成してもよい。
【００３０】
本発明においては、反射層として、上記の中でも特にアルミニウムを含有する膜を用いる態様が好ましい態様である。
【００３１】
基板１と、反射層２との間には基板１の材質により、ポリイミドからなる層などの層を設けてもよい。
【００３２】
なお、反射層の厚さは好ましくは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
【００３３】
（中間層）
本発明に係る中間層３は、反射層２とシンチレータ層４の間にある層であり、反射層２を水分などから保護する機能を有し、下記のような樹脂を含有する層が挙げられる。
【００３４】
例えば、ポリエステル樹脂、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミド又はこれらの誘導体および部分加水分解物、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリル酸エステル等のビニル重合体およびその共重合体、ロジン、シェラック等の天然物およびその誘導体などが挙げられる。
【００３５】
又、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびその誘導体、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニル−アクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン、オレフィン−酢酸ビニル共重合体等のエマルジョンも使用することができる。その他カーボネート系、ポリエステル系、ウレタン系、エポキシ系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンおよびポリピロールのごとき有機半導体も使用することができる。中でも、ポリエステル樹脂が好ましい。
【００３６】
ポリエステル樹脂としては、具体的には多塩基酸、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、テトラクロル無水フタル酸、ヘキサクロロエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、ジメチレンテトラヒドロフタル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の飽和多塩基酸等、またはマレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の不飽和多塩基酸等の多塩基酸と、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール、１，４−ブチレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール等の二価アルコール類、グリセリン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール類、ペンタエリトリット、ジペンタエリトリット、マンニット、ソルビット等の多価アルコール類、２，２−ジフェニルプロパン（ビスフェノールＡ）等のビスフェノール類等のポリオールとの縮合反応によって得られたポリエステル樹脂が挙げられる。
【００３７】
中間層は、上記樹脂を溶剤に溶解した塗布液を用い塗布、乾燥することにより設層することができる。溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテルおよびそれらの混合物を挙げることができる。
【００３８】
中間層の膜厚としては、耐衝撃性の面から０．１〜２０μｍが好ましく、０．２〜２．５μｍがより好ましい。
【００３９】
〈シンチレータ層〉
前記中間層３の上に形成されるシンチレータ層４について説明する。
【００４０】
シンチレータ層４は、放射線の照射により、蛍光を発する放射線蛍光体を含有する層である。
【００４１】
本発明に用いることができる放射線蛍光体としては、放射線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能であることからヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。
【００４２】
但しＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。
【００４３】
又最近では、例えば特開２００１−５９８９９号に示されたように、ＣｓＩを蒸着で、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質をスパッタで形成するＸ線蛍光体製作方法なども考案されている。
【００４４】
また、ベースとなる蛍光体であるＣｓＩの代わりに、ＣｓＢｒやＣｓＣｌ等を用いる構成としてもよい。また、シンチレータ層３は、前述のＣｓＩ、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌのうち、二種類以上の蛍光体が任意の混合比率で形成された混晶体をベースとして結晶が形成されたものであっても構わない。
【００４５】
シンチレータ層４の形成は、従来公知の方法により形成することが可能であるが、本発明においては気相堆積法により形成されたシンチレータ層であることが好ましい。
【００４６】
図２は、中間層を有する基板上に気相堆積法でシンチレータ層を形成する蒸着装置２０の模式図である。
【００４７】
図２中蒸着装置２０は、真空容器２２と、真空容器２２内に配置された、反射層２および中間層３を有する基板１が保持されている基板ホルダ２５ならびに蒸発源２３とを備える。
【００４８】
さらに、基板ホルダ２５を蒸発源２３に対して回転させることによって蒸発源２３からの蒸気を蒸着させる基板回転機構２４と、真空容器２２内の排気および大気の導入を行う真空ポンプ２１等を備えている。
【００４９】
蒸発源２３は、シンチレータ層形成材料を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のルツボから構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。又、シンチレータ層形成材料を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、且つ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましく用いられる。
【００５０】
又、基板ホルダ２５には、反射層２および中間層３を有する基板１を加熱する加熱ヒータ（図示しない）を備えることが好ましい。また、蒸着装置２０は、装置内の雰囲気を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。
【００５１】
中間層３と蒸発源２３との間に、蒸発源２３から中間層３に至る空間を遮断するシャッタ（図示せず）を備えるようにしてもよい。シャッタによってシンチレータ層形成材料の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、中間層３に付着するのを防ぐことができる。
【００５２】
シンチレータ層４は、蒸着法により形成されることが好ましい。蒸着法は基板１を公知の蒸着装置内に設置するとともに、蒸着源にヨウ化セシウム、タリウム、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むシンチレータ層４の原材料を充填したのち、装置内を排気すると同時にアルゴン、窒素等の不活性なガスを導入口から導入して０．１Ｐａ〜５．０Ｐａ程度の真空とし、次いで、原材料を抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて基板１表面にヨウ化セシウムの蒸着結晶を堆積し、基板１上にシンチレータ層４が形成される。
【００５３】
蒸着源２３を加熱する温度としては、５００℃〜８００℃が好ましく、特に６３０℃〜７５０℃が好ましい。基板温度は１００℃〜２５０℃が好ましく、特に１５０℃〜２５０℃とするのが好ましい。基板温度をこの範囲とすることで、柱状結晶の形状が良好となり、輝度特性が向上する。
【００５４】
蒸発源２３と基板１との間隔は１００〜１５００ｍｍが好ましく、２００〜６００ｍｍであることがより好ましい。
【００５５】
本発明のシンチレータパネルにおいては、中間層３上にシンチレータ層４として、蒸着法によりＣｓＩを主体とする柱状結晶が形成されたものであることが最も好ましい態様である。
【００５６】
シンチレータ層の膜厚は１００μｍ〜８００μｍが好ましく、特に１２０μｍ〜６００μｍが好ましい。膜厚をこの範囲とすることで、輝度と鮮鋭性をより向上させることができる。
【００５７】
（保護層）
本発明に係る帯電防止層６は、シンチレータ層４上に設けられるが、シンチレータ層４との間に保護層５を有することが好ましい。
【００５８】
保護層５は、蛍光体を保護するための層であり、例えば、下記のような樹脂を含有する層が挙げられる。
【００５９】
例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（酢酸セルロース、ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。
【００６０】
なかでもポリパラキシリレン、セルロース誘導体、アクリル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミドを使用することが好ましい。
【００６１】
保護層の厚さとしては、１０μｍ以上、６０μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
（帯電防止層）
本発明に係る帯電防止層６は、帯電防止機能を有する層であり、表面抵抗値が１０１１Ω／□以下であることをいう。帯電防止層６の表面抵抗値は、さらに１０１Ω／□〜１０１０Ω／□であることが好ましく、特に１０３Ω／□〜１０９Ω／□であることが好ましい。
【００６３】
帯電防止層６は、層に帯電防止剤を含有させることにより得られる。帯電防止剤としては、下記が挙げられる。例えば、カーボン粒子（カーボンブラック、グラファイト、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ）、酸化半導体粒子（酸化亜鉛系、酸化スズ系、酸化インジウム系）がある。
【００６４】
また帯電防止層としては、下記のような帯電防止機能を有する材料のみであってもよい。例えば、界面活性剤（テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルベンジルアンモニウム塩、アルキルスルホン酸塩、アルキルホスフォート、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル）、親水性高分子（スルホン酸塩、４級アンモニウム塩、ポリエチレングリコールメタクリレート共重合体、ポリエーテルエステルアミド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエチレンオキシド−エピクロルヒドリン共重合体）、導電性高分子（ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（アニリンスルホン酸））、金属膜（インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２））がある。
【００６５】
これらの中でも、界面活性剤、親水性高分子、金属膜が好ましい。
【００６６】
帯電防止層を形成するには、層に帯電防止剤を含有させる場合はバインダーと混合し、混合物を塗布すればよい。帯電防止機能を有する材料のみを用いる場合は、材料を直接塗布する。塗布方法としてはバーコート、リバースコート、グラビア印刷を用いればよい。金属膜の場合には蒸着法やスパッタ法を用いればよい。
【００６７】
帯電防止層の厚さとしては、１ｎｍ〜１０μｍが好ましく、特に１０ｎｍ〜５μｍが好ましい。
【００６８】
また、本発明に係る帯電防止層は、透明であることが好ましい。透明である、とは、シンチレータ発光波長での光透過率の値が７０％以上あることをいう。光透過率は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製分光光度計（Ｕ−１８００）で測定した値を示す。
【００６９】
本発明に係る帯電防止層は、シンチレータ層上以外で連続することがない。
【００７０】
シンチレータ層上とは、基板側からみたときシンチレータ層の基板と反対側の面より上のことをいう。
【００７１】
シンチレータ層上以外で連続するとは、例えば、図１の例で示す構成において、保護層５、それ以下のシンチレータ層４、中間層３などまで帯電防止層が覆うことをいう。
【００７２】
図４に、シンチレータ層上以外で連続していない本願の態様を有する帯電防止層６、およびシンチレータ層上以外で連続する帯電防止層８を示した。
【００７３】
（放射線検出装置）
図３は、本発明の放射線検出装置の断面図である。
【００７４】
本発明の放射線検出装置３０は、シンチレータ層４に対向する、光電変換素子部９を有する光検出器７を備えている。
【００７５】
光検出器７は、シンチレータ層で発光された光を電気信号に変換する機能を有するものであり、フォトダイオードやＣＣＤやＣＭＯＳセンサーなどの固体光検出素子を含む光電変換部材を有している。検出された電気信号は、Ａ／Ｄ変換されて、放射線画像信号として出力され、画像データとして利用される。
【００７６】
本発明の放射線検出装置は、図３に示す、帯電防止層６の表面と光電変換素子部９の表面とを貼り合わせることで、作製できる。
【００７７】
貼り合わせにおいては、シンチレータパネルと、光検出器の大きさを測定しておき、この大きさの値を用いることにより、貼り合わせる面に圧力をほとんどかけることなく各々が固定されるように調製することができる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００７９】
シンチレータパネル１（比較例）の作製
（反射層の作製）
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産製ＵＰＩＬＥＸ−１２５Ｓ）にアルミをスパッタして反射層（０．０１μｍ）を形成した。
【００８０】
（中間層の作製）
バイロン２００（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）（ガラス転移温度：６７℃）
１００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                    １００質量部
トルエン                                                        １００質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、中間層塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板のアルミをスパッタ面に乾燥膜厚が１．５μｍになるようにバーコーターで塗布した。この塗布膜のガラス転移点の温度は６７℃である。
【００８１】
（シンチレータ層の形成）
上記ポリイミドフィルムの中間層側にシンチレータ蛍光体（ＣｓＩ：０．００３Ｔｌ）を、図２に示す蒸着装置を使用して蒸着させシンチレータ（蛍光体）層を形成した。
【００８２】
まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する基板ホルダに支持体（上記の、反射層および中間層を設けたポリイミドフィルム）を設置し、支持体と蒸発源２３との間隔を４００ｍｍに調節した。
【００８３】
続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体を回転した。
【００８４】
さらに蒸着装置内にある加熱装置（図示せず）を用い、中間層の温度を２００℃に保持した。この時基板は中間層と同様の温度に保持される。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着しシンチレータ層の膜厚が５００μｍとなったところで蒸着を終了させシンチレータプレート１を得た。
【００８５】
（保護フィルムの作製）
フッ素系樹脂：フルオロオレフィン−ビニルエーテル共重合体（旭硝子社製ルミフロンＬＦ１００、５０質量％キシレン溶液）５０ｇ、架橋剤：イソシアネート（日本ポリウレタン社製コロネートＨＸ、固形分：１００質量％）５ｇ、およびアルコール変性シリコーンオリゴマー（ジメチルポリシロキサン骨格を有し、両末端に水酸基（カルビノール基）を有するもの、信越化学工業社製、Ｘ−２２−２８０９、固形分：６６質量％）０．５ｇをメチルエチルケトン溶媒に添加し、粘度０．１〜０．３Ｐａ・ｓの塗布液を作った。次いで、この塗布液に、あらかじめメチルエチルケトンに分散させたシリカ（平均粒径３．０μｍ）の混合分散液を添加して、ＰＥＴフィルムの表面にドクターブレードを用いて塗布し、次いで１２０℃で２０分間熱処理して熱硬化させることで厚さ５０μｍの保護フィルムを形成した。
【００８６】
（シンチレータプレートの封止）
上記のように得られたシンチレータプレート１を、減圧下で上述した保護フィルムを使用し封止し、シンチレータ層上に保護層を設けシンチレータパネル１を得た。
【００８７】
〈評価〉
得られたシンチレータパネル１をＣＭＯＳフラットパネル（ラドアイコン社製Ｘ線ＣＭＯＳカメラシステムＳｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ４ＫＥＶ）にセットした。次にシンチレータパネルを取り外し、再びセットした。この作業を１０回繰り返し、最終的にシンチレータパネルをＣＭＯＳフラットパネルにセットすることで放射線検出装置１を得た。
【００８８】
この放射線検出装置１を用い、１２ｂｉｔの出力データよりシンチレータパネルのセッティングによって発生した画像欠陥数を計測した。ここでの画像欠陥は画像の平均シグナルの９０％以下、１１０％以上のシグナルを示す画素のことである。画像欠陥数は５００ピクセル×５００ピクセルあたりの個数を計測し、下記に示す基準で判定した。
＜画像欠陥の判定基準＞
５００ピクセル×５００ピクセルあたりの画像欠陥数
○      ・・・・  ２個以下
△      ・・・・  ３個から１９個
×      ・・・・  ２０個以上
尚、上記のセットは、以下のように行った。
【００８９】
放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射側（蛍光体のない側）にスポンジシートを配置し、光電変換素子部を具備する光検出器を備えた平面受光素子面（光変換素子部の表面）とシンチレータパネル（シンチレータ層側表面）を軽く押し付けることで両者を固定化し、放射線検出装置１を得た。
【００９０】
（シンチレータパネル２（比較例）の作製）
次にシンチレータプレート１の保護層表面に、帯電防止層として、スパッタ法にて厚さ５０ｎｍのインジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）膜を表面全体に連続して形成し、図５の模式断面図に示すようなシンチレータパネル２を得た。保護層５の全面に帯電防止層６が設けられている。
【００９１】
放射線検出装置１において、シンチレータプレート１の換わりにシンチレータパネル２を用いた他は、放射線検出装置１と同様にして、放射線検出装置２を得た。放射線検出装置２を用い上記と同様の評価を行った。
【００９２】
（シンチレータパネル３（本発明）の作製）
シンチレータパネル２の作製において、帯電防止層として、酸化スズ膜を平面受光素子面（光変換素子部の表面）と対向する保護層の表面（保護層のＣＭＯＳフラットパネルの光検出器に対向する面）にのみ形成した他は、シンチレータパネル２と同様にして、図６に示すようなシンチレータパネル３を得た。帯電防止層６は、シンチレータ層４上のみに設けられている。
【００９３】
このシンチレータプレート３を用いて得られた放射線検出装置３を用い上記と同様の評価を行った。放射線イメージセンサ２との違いは、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）膜が保護フィルム表面で、シンチレータ層以外で連続していることはないことである。
【００９４】
（シンチレータパネル４（本発明）の作製）
シンチレータパネル３の作製において、帯電防止層として、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）をバインダーに分散させた塗布液を塗布し、厚さ３μｍの帯電防止層を、平面受光素子面（光変換素子部の表面）と対向する保護層の表面（保護層のＣＭＯＳフラットパネルの光検出器に対向する面）にのみ形成した他は、シンチレータパネル３の作製と同様にして、シンチレータパネル４を得た。帯電防止層６は、シンチレータ層４上のみに設けられている。
【００９５】
このシンチレータパネル４を用いて得られた放射線検出装置４を用い、上記と同様の評価を行った。
【００９６】
これら４つの放射線検出装置による評価結果を表１に示す。
【００９７】
【表１】
2010019620.tif 000003
【００９８】
表１の結果から、シンチレータ層上に帯電防止層を有する放射線検出装置３および放射線検出装置４は、帯電防止層を有さない放射線検出装置１および全面に帯電防止を有する放射線検出装置２に比べ、シンチレータプレートのセッティングによる画像欠陥の増加を抑制でき、画像欠陥の少ない画像を与える放射線検出装置であることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】シンチレータパネルの概略構成を示す断面図である。
【図２】蒸着装置の概略構成を示す構成図である。
【図３】放射線検出装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】帯電防止層を説明する図である。
【図５】実施例に用いたシンチレータパネルの模式断面図である。
【図６】実施例に用いたシンチレータパネルの模式断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１  基板
２  反射層
３  中間層
４  シンチレータ層
５  保護層
６  帯電防止層
７  光検出器
８  シンチレータ層上以外で連続する帯電防止層
９  光電変換素子部
１０  シンチレータパネル
２０  蒸着装置
２１  真空ポンプ
２２  真空容器
２３  蒸発源
２４  回転機構
２５  基板ホルダ
３０  放射線検出装置
【図１】
2010019620.tif 000004
【図２】
2010019620.tif 000005
【図３】
2010019620.tif 000006
【図４】
2010019620.tif 000007
【図５】
2010019620.tif 000008
【図６】
2010019620.tif 000009