(57)【要約】      （修正有）【課題】化合物の合成や、添加剤、改質剤、電池、触媒、センサー等の材料や、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の材料として有用であり、特に発光材料として優れた耐久性（耐熱性）をもつ金属錯体を提供する。【解決手段】電荷輸送性が優れる共役系を有し、対称又は非対称に樹枝状に分岐したデンドロン構造やハイパーブランチ構造を含む樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子、及び銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンを含む金属錯体と前記金属錯体を含む素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとを含む金属錯体。
【請求項２】
樹枝状分子鎖が共役系を有する請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
樹枝状分子鎖中の分岐部分が芳香環を有する３価の基であり、該分岐部分に芳香環を有する基が結合している請求項１又は２に記載の金属錯体。
【請求項４】
分岐部分が、下記式（１）：
【化１】
2010270113.tif 000064
（式中、Ａｒ1は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ1−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ1−Ｏ−基、−Ｑ1−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ1はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ10は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。アミノ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｅは０〜３の整数である。ｅが２以上である場合、複数存在するＲ10は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される３価の基であり、これに下記式（２）：
【化２】
2010270113.tif 000065
（式中、Ａｒ2は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ2−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ2−Ｏ−基、−Ｑ2−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ2はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ11は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、シリル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｆは０〜５の整数である。ｆが２以上である場合、複数存在するＲ11は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される１価の基が結合する請求項３に記載の金属錯体。
【請求項５】
Ａｒ1及びＡｒ2が直接結合である請求項４に記載の金属錯体。
【請求項６】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子が、下記式（３）：
【化３】
2010270113.tif 000066
（式中、Ｘ01は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ02)＝基であり、Ｘ02は、−Ｘ03＝Ｘ04−基、−Ｎ(Ｒ03)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ03は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ04)＝基であり、Ｘ04は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ05)＝基である。但し、Ｘ02が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合、Ｘ01、Ｘ03及びＸ04の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ01が窒素原子である場合、Ｘ02は−Ｘ03＝Ｘ04−基、又は−Ｎ(Ｒ03)−基であり、Ｘ02がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ01は−Ｃ(Ｒ02)＝基である。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ04、Ｒ05及びＲ06は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ03は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04、Ｒ05及びＲ06の少なくとも１個は樹枝状分子鎖を有する。Ｒ01とＲ02、Ｒ02とＲ03、Ｒ02とＲ04、Ｒ03とＲ06、Ｒ04とＲ05、又はＲ05とＲ06は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表される配位子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項７】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子が、下記式（１００）：
【化４】
2010270113.tif 000067
（式中、Ｘ01は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ02)＝基であり、Ｘ02は、−Ｘ03＝Ｘ04−基、−Ｎ(Ｒ03)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ03は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ04)＝基であり、Ｘ04は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ05)＝基である。但し、Ｘ02が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合、Ｘ01、Ｘ03及びＸ04の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ01が窒素原子である場合、Ｘ02は−Ｘ03＝Ｘ04−基、又は−Ｎ(Ｒ03)−基であり、Ｘ02がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ01は−Ｃ(Ｒ02)＝基である。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ04及びＲ05は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ03は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04及びＲ05の少なくとも１個は樹枝状分子鎖を有する。Ｒ01とＲ02、Ｒ02とＲ03、Ｒ02とＲ04、又は、Ｒ04とＲ05は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。Ｒ07は直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ3−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ3−Ｏ−基、−Ｑ3−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ3は置換基を有していてもよいヒドロカーボンジイル基を示す。Ｘ02が、共に−Ｎ(Ｒ03)−基である場合はＲ03同士で、Ｘ02が共に−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＸ04同士で、一方が−Ｎ(Ｒ03)−基で他方が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＲ03とＸ04とで、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。）
で表される配位子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子が、下記式（４）：
【化５】
2010270113.tif 000068
（式中、Ｘ20は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ21)＝基であり、Ｘ21は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ22)＝基であり、Ｘ22は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ23)＝基である。但し、Ｘ20、Ｘ21及びＸ22の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24の少なくとも１個は、樹枝状分子鎖を表し、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ22とＲ23、Ｒ23とＲ24は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
又は下記式（５）：
【化６】
2010270113.tif 000069
（式中、Ｘ23は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ26)＝基であり、Ｘ24は−Ｎ(Ｒ27)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。但し、Ｘ23が窒素原子である場合、Ｘ24は−Ｎ(Ｒ27)−基であり、Ｘ24がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ23は−Ｃ(Ｒ26)＝基である。Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27及びＲ28の少なくとも１個は樹枝状分子鎖を表し、Ｒ25、Ｒ26及びＲ28は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ27は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ25とＲ26、Ｒ26とＲ27、Ｒ27とＲ28は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表される配位子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項９】
下記組成式（６）：
【化７】
2010270113.tif 000070
（式中、Ｍ+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ40、Ｒ41及びＲ42は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ40、Ｒ41及びＲ42の少なくとも１個の水素原子は下記式（７）：
【化８】
2010270113.tif 000071
によって置換されている。それぞれのＲ40又はそれぞれのＲ41は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ40とＲ41、Ｒ41とＲ42はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。式（７）中、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ43、Ｒ45、Ｒ46又はＲ47は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ43とＲ45、Ｒ44とＲ45、Ｒ45とＲ46、又はＲ46とＲ47は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：
【化９】
2010270113.tif 000072
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項１０】
下記組成式（８）：
【化１０】
2010270113.tif 000073
（式中、Ｍ+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ50、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55及びＲ56は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ50、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55又はＲ56は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ52とＲ54、Ｒ53とＲ54、Ｒ54とＲ55、Ｒ55とＲ56は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：
【化１１】
2010270113.tif 000074
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される請求項９に記載の金属錯体。
【請求項１１】
下記組成式（９）：
【化１２】
2010270113.tif 000075
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63の少なくとも１個の水素原子は前記式（７）によって置換されている。それぞれのＲ60、それぞれのＲ61、それぞれのＲ62又はそれぞれのＲ63は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ60とＲ61、Ｒ61とＲ62、Ｒ62とＲ63、Ｒ63同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
【化１３】
2010270113.tif 000076
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
又は下記式（１０）：
【化１４】
2010270113.tif 000077
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、それぞれは置換基を有していてもよい。Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67の少なくとも１個の水素原子は前記式（７）によって置換されている。それぞれのＲ64、それぞれのＲ65、それぞれのＲ66又はそれぞれのＲ67は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ64とＲ65、Ｒ65とＲ66、Ｒ66とＲ67、Ｒ67同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
【化１５】
2010270113.tif 000078
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
又は下記式（１１）：
【化１６】
2010270113.tif 000079
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ68、Ｒ69、Ｒ70、Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74の少なくとも１個の水素原子は前記式（７）によって置換されている。それぞれのＲ68、それぞれのＲ69、それぞれのＲ70、それぞれのＲ71、それぞれのＲ72、それぞれのＲ73又はそれぞれのＲ74は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ68とＲ69、Ｒ69とＲ70、Ｒ71とＲ72、Ｒ72とＲ73、Ｒ73とＲ74、Ｒ74同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
【化１７】
2010270113.tif 000080
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項１２】
下記組成式（１２）：
【化１８】
2010270113.tif 000081
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ80、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86又はＲ87は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ80、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86又はＲ87は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ83とＲ85、Ｒ84とＲ85、Ｒ85とＲ86、Ｒ86とＲ87は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
【化１９】
2010270113.tif 000082
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される請求項１１に記載の金属錯体。
【請求項１３】
下記組成式（１３）：
【化２０】
2010270113.tif 000083
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ89、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96、Ｒ97、Ｒ98又はＲ99は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ89、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96、Ｒ97、Ｒ98又はＲ99は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ89とＲ90、Ｒ90とＲ91、Ｒ92とＲ95、Ｒ93とＲ94、Ｒ94同士、Ｒ93とＲ95、Ｒ95とＲ97、Ｒ96とＲ97、Ｒ97とＲ98、Ｒ98とＲ99は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
【化２１】
2010270113.tif 000084
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される請求項１１に記載の金属錯体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の金属錯体を含む素子。
【請求項１５】
下記式（１４）又は（１５）で表される化合物。
【化２２】
2010270113.tif 000085
（式中、Ｒ100、Ｒ101、Ｒ102及びＲ103は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
【請求項１６】
下記式（１６）で表される化合物。
【化２３】
2010270113.tif 000086
（式中、Ｒ104、Ｒ105及びＲ106は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含窒素芳香環配位子を含む金属錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子に用いられる発光材料として、三重項励起状態からの発光を利用した発光材料の開発が行われている。三重項励起状態からの発光を利用した発光材料としては、無置換ピリジンをハロゲン化銅（Ｉ）に結合させることによって得られる金属錯体が提案されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】K. R. Kyle et al., Journal of the American Chemical Society 113, 2954-2965 (1991).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記金属錯体は、耐熱性が十分ではなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、優れた耐熱性をもつ金属錯体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は第一に、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとを含む金属錯体を提供する。
【０００７】
本発明は第二に、前記金属錯体を含む素子を提供する。
【０００８】
本発明は第三に、下記式（１４）又は（１５）で表される化合物を提供する。
【０００９】
【化１】
2010270113.tif 000002
（式中、Ｒ100、Ｒ101、Ｒ102及びＲ103は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
【００１０】
本発明は第四に、下記式（１６）で表される化合物を提供する。
【００１１】
【化２】
2010270113.tif 000003
（式中、Ｒ104、Ｒ105及びＲ106は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
【発明の効果】
【００１２】
本発明の金属錯体は、優れた耐久性（耐熱性）をもつ金属錯体であり、好ましい実施形態では、有機溶剤に対する溶解性が高く、塗布法による素子作製にも有用である。また、本発明の金属錯体は、化合物の合成や、添加剤、改質剤、電池、触媒、センサー等の材料や、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の材料として有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を説明する。
本明細書において、Ｍｅはメチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００１４】
本発明の金属錯体は、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとを有する。
【００１５】
本発明の金属錯体において、含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとは、通常、配位結合で結合しているが、イオン結合、水素結合、π−π相互作用、ファンデルワールス力で結合していてもよい。
【００１６】
樹枝状分子鎖とは、対称又は非対称に樹枝状に分岐した構造を意味し、デンドロン構造やハイパーブランチ構造を含む。ここで、デンドロン構造は分岐構造が規則的なもの、ハイパーブランチ構造は分岐構造が規則的でないものを意味する。
【００１７】
樹枝状分子鎖は、電荷輸送性が優れるので、共役系を有することが好ましい。樹枝状分子鎖における全共有結合のうち、個数基準で、３０〜１００％の共有結合が共役していることが好ましい。５０〜１００％の共有結合が共役していることがより好ましく、６５〜１００％の共有結合が共役していることが更に好ましい。
【００１８】
樹枝状分子鎖は、分岐構造を有し、化学的安定性が優れるので、分岐部分が芳香環を有する基であり、これに芳香環を有する基が結合していることが好ましく、該分岐構造が芳香環を有する３価の基であり、これに芳香環を有する基が結合していることがより好ましい。
【００１９】
分岐部分の芳香環及びこれに結合する芳香環の例は、置換基を有していてもよい以下の式（Ａ−１）〜（Ａ−３２）で表される環構造が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜（Ａ−７）で表される環構造、より好ましくは、式（Ａ−１）で表される環構造である。
【００２０】
【化３】
2010270113.tif 000004
【００２１】
【化４】
2010270113.tif 000005
【００２２】
【化５】
2010270113.tif 000006
【００２３】
分岐部分が芳香環を有する３価の基である場合、その芳香環上の置換基の個数は、好ましくは０〜７個、より好ましくは０〜５個、更に好ましくは０〜２個、特に好ましくは０個である。
【００２４】
また、分岐部分に芳香環を有する基が結合する場合、該芳香環上の置換基の個数は、好ましくは０〜８個、より好ましくは０〜６個、更に好ましくは０〜３個、特に好ましくは１個である。
【００２５】
本明細書において、特に断りのない限り、置換基とは、その置換基が炭素原子に結合する場合には、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基を表し、好ましくは、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、ホスホノ基、スルホ基、水酸基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基であり、より好ましくはヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基であり、特に好ましくは、ヒドロカルビル基である。なお、置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【００２６】
また、置換基が窒素原子又はケイ素原子に結合する場合には、置換基はヒドロカルビル基を表す。
【００２７】
ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、これらの基に含まれる１以上の水素原子が、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基により、更に置換されていてもよい。
【００２８】
上記アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、シリル基及びアンモニオ基は、これらの基に含まれる１以上の水素原子が、ヒドロカルビル基により、更に置換されていてもよい。
【００２９】
置換基が炭素原子を含み、かつ芳香環を含まない基である場合には、炭素原子数は１〜５０であり、好ましくは１〜３０であり、より好ましくは１〜２０であり、更に好ましくは１〜１０であり、特に好ましくは１〜４である。芳香環を含む基である場合には、炭素原子数は２〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０であり、更に好ましくは４〜１０であり、特に好ましくは４〜６である。
【００３０】
置換基であるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子であり、好ましくは、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子であり、より好ましくは、フッ素原子である。
【００３１】
置換基である−ＣＯＯ-基は対イオンを有していてもよく、対イオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオン、アンモニウムイオン等が挙げられ、好ましくは、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンであり、より好ましくは、ナトリウムイオン、カリウムイオンである。
【００３２】
置換基であるアミノ基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、具体例としてフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基が挙げられ、好ましくは、ジフェニルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基であり、更に好ましくは、ジフェニルアミノ基である。
【００３３】
置換基であるアシルアミノ基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられ、好ましくは、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基である。
【００３４】
置換基であるイミド基としては、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基、ベンゾフェノンイミド基等が挙げられ、好ましくは、Ｎ−フタルイミド基である。
【００３５】
置換基であるシリル基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、より具体的には、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる１〜３個の基で置換されたシリル基が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピリシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基であり、より好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基であり、更に好ましくは、トリメチルシリル基である。
【００３６】
置換基であるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられ、好ましくはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基である。
【００３７】
置換基であるアンモニオ基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、具体的には、アンモニオ基、メチルアンモニオ基、ジメチルアンモニオ基、トリメチルアンモニオ基、エチルアンモニオ基、ジエチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ基、プロピルアンモニオ基、ジプロピルアンモニオ基、トリプロピルアンモニオ基、ブチルアンモニオ基、ジブチルアンモニオ基、トリブチルアンモニオ基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ基、トリプロピルアンモニオ基、トリブチルアンモニオ基である。
【００３８】
置換基であるアンモニオ基は対イオンを有していてもよく、対イオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン等が挙げられ、好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、更に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンである。また、対イオンは、これらのイオンを繰り返し単位中に有する高分子のイオンでもよい。
【００３９】
置換基であるヒドロカルビル基としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、アンモニオエチル基、ベンジル基、α，α―ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、コロネニル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α―ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル���、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基であり、特に好ましくは、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基であり、とりわけ好ましくは、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００４０】
置換基であるヒドロカルビルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、１−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、１−ブチルオキシ基、２−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アンモニオエトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α,α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、メトキシフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、１−ブチルオキシ基、２−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、更に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基である。
【００４１】
置換基であるヒドロカルビルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１−アダマンチルチオ基、２−アダマンチルチオ基、ノルボルニルチオ基、アンモニオエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、ベンジルチオ基、α,α−ジメチルベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基、１−フェネチルチオ基、フェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基、オクチルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２―ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基であり、更に好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基である。
【００４２】
置換基である複素環基は、複素環式化合物から水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。複素環基としては、置換基を有していてもよいフリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基等が挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいチエニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基及びピリジル基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいイミダゾリル基及びピリジル基である。
【００４３】
樹枝状分子鎖の分岐部分は、式（１）：
【００４４】
【化６】
2010270113.tif 000007
（式中、Ａｒ1は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ1−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ1−Ｏ−基、−Ｑ1−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ1はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ10は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は２価の複素環基を表す。アミノ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｅは０〜３の整数である。ｅが２以上である場合、複数存在するＲ10は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される３価の基であることが好ましい。
【００４５】
分岐部分に結合する基としては、式（２）：
【００４６】
【化７】
2010270113.tif 000008
（式中、Ａｒ2は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ2−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ2−Ｏ−基、−Ｑ2−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ2はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ11は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は２価の複素環基を表す。アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、シリル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｆは０〜５の整数である。ｆが２以上である場合、複数存在するＲ11は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基が好ましい。
【００４７】
樹枝状分子鎖の分岐部分が、式（１）で表される３価の基であり、これに式（２）で表される１価の基が結合することがより好ましい。
【００４８】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される置換基を有していてもよいアミノ基としては、フェニルアミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基が挙げられ、好ましくは、フェニルアミノ基である。
【００４９】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される−Ｑ1−ＣＯＮＨ−基及び−Ｑ2−ＣＯＮＨ−基のＱ1及びＱ2としては、直接結合、メチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、フルオロメチレン基、−Ｃ6ＦＨ3ＣＨ2−基等が挙げられ、好ましくは、直接結合、メチレン基、トリメチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基であり、より好ましくは、直接結合である。
【００５０】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表されるジイミド基としては、ピロメリト酸ジイミド基、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド基等が挙げられる。
【００５１】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される置換基を有していてもよいヒドロカーボンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、ドデカメチレン基、エチルヘキシレン基、ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、アンモニオエチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、−ＣＨ3Ｃ6Ｈ3ＣＨ2−基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2ＣＨ2−基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ジフェニルビニレン基、フェニルビニレン基、フェニルプロペニレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、トリフルオロメチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、シアノフェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、テトラフェニルフェニレン基、（２，２−ジフェニルビニル）フェニレン基、（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ピレンジイル基等が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2ＣＨ2−基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、テトラフェニルフェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ピレンジイル基であり、より好ましくは、メチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、ビニレン基、プロペニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基であり、更に好ましくは、ビニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基である。
【００５２】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される−Ｑ1−Ｏ−基及び−Ｑ2−Ｏ−基におけるＱ1及びＱ2としては、上述のヒドロカーボンジイル基が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2ＣＨ2−基、フェニレン基及びナフチレン基であり、より好ましくは、メチレン基及びエチレン基である。
【００５３】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される−Ｑ1−Ｓ−基及び−Ｑ2−Ｓ−基におけるＱ1及びＱ2としては、上述のヒドロカーボンジイル基が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2−基、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ2ＣＨ2−基、フェニレン基及びナフチレン基であり、より好ましくは、メチレン基及びエチレン基である。
【００５４】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子を２個除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基としては、置換基を有していてもよいフランジイル基、チオフェンジイル基、ピロールジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、イミダゾールジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基、ピリジンジイル基等が挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいフランジイル基、チオフェンジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基である。
【００５５】
式（１）及び（２）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、好ましくは、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ2−ＣＯＮＨ−基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ2−Ｏ−基であり、より好ましくは、直接結合、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ2−Ｏ−基である。ここでＱ2はヒドロカーボンジイル基を示す。
【００５６】
式（１）中、Ｒ10で表されるハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び複素環基の具体例は、前記と同じであり、好ましいＲ10はヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基であり、より好ましいＲ10はヒドロカルビル基である。
【００５７】
式（１）中、ｅは、好ましくは、０〜２の整数であり、より好ましくは、０又は１であり、更に好ましくは０である。
【００５８】
式（２）中、Ｒ11で表されるハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基の具体例は前記と同じであり、好ましいＲ11は、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、ホスホノ基、スルホ基、水酸基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基であり、より好ましいＲ11は、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基であり、更に好ましいＲ11はヒドロカルビル基である。
【００５９】
式（２）中、ｆは、好ましくは、０〜３の整数であり、より好ましくは、０〜２の整数であり、更に好ましくは１である。
【００６０】
樹枝状分子鎖において、電荷輸送性が優れるので、Ａｒ1及びＡｒ2が直接結合であることが好ましい。
【００６１】
式（１）で表される３価の基としては、例えば、以下の式（a−１）〜（a−１６）で表される基が挙げられる。
【００６２】
【化８】
2010270113.tif 000009
【００６３】
【化９】
2010270113.tif 000010
【００６４】
式（２）で表される１価の基としては、例えば、以下の式（ｂ−１）〜（ｂ−３２）で表される基が挙げられる。
【００６５】
【化１０】
2010270113.tif 000011
【００６６】
【化１１】
2010270113.tif 000012
【００６７】
【化１２】
2010270113.tif 000013
【００６８】
【化１３】
2010270113.tif 000014
【００６９】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子において、含窒素芳香環配位子とは、窒素原子を含む芳香環を有する化合物であって、配位子となる化合物を意味する。
【００７０】
該含窒素芳香環配位子は、式（３）：
【００７１】
【化１４】
2010270113.tif 000015
（式中、Ｘ01は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ02)＝基であり、Ｘ02は、−Ｘ03＝Ｘ04−、−Ｎ(Ｒ03)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ03は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ04)＝基であり、Ｘ04は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ05)＝基である。但し、Ｘ02が−Ｘ03＝Ｘ04−である場合、Ｘ01、Ｘ03及びＸ04の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ01が窒素原子である場合、Ｘ02は−Ｘ03＝Ｘ04−、又は−Ｎ(Ｒ03)−基であり、Ｘ02がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ01は−Ｃ(Ｒ02)＝基である。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ04、Ｒ05及びＲ06は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、Ｒ03は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04、Ｒ05及びＲ06の少なくとも１個は前記樹枝状分子鎖を有する。Ｒ01とＲ02、Ｒ02とＲ03、Ｒ02とＲ04、Ｒ03とＲ06、Ｒ04とＲ05、又はＲ05とＲ06は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表されるものが好ましい。
【００７２】
式（３）中、Ｒ01、Ｒ02、Ｒ04、Ｒ05及びＲ06のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基であることが好ましく、水素原子又はヒドロカルビル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００７３】
式（３）中、Ｒ03の具体例は前記と同じであり、ヒドロカルビル基が好ましい。
【００７４】
また、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子の例として、式（３）におけるＲ06から水素原子を１個除いた基を２つ連結したものが挙げられる。ここで、連結される式（３）におけるＲ06から水素原子を１個除いた基のそれぞれは同じでも異なっていてもよい。連結される基におけるＸ02が、共に−Ｎ(Ｒ03)−基である場合はＲ03同士で、共に−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＸ04同士で、一方が−Ｎ(Ｒ03)−基で他方が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＲ03とＸ04で、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。
【００７５】
式（３）は、式（４）：
【００７６】
【化１５】
2010270113.tif 000016
（式中、Ｘ20は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ21)＝基であり、Ｘ21は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ22)＝基であり、Ｘ22は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ23)＝基である。但し、Ｘ20、Ｘ21及びＸ22の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24の少なくとも１個は、樹枝状分子鎖を有し、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ22とＲ23、Ｒ23とＲ24は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
、又は、式（５）：
【００７７】
【化１６】
2010270113.tif 000017
（式中、Ｘ23は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ26)＝基であり、Ｘ24は−Ｎ(Ｒ27)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。但し、Ｘ23が窒素原子である場合、Ｘ24は−Ｎ(Ｒ27)−基であり、Ｘ24がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ23は−Ｃ(Ｒ26)＝基である。Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27及びＲ28の少なくとも１個は前記樹枝状分子鎖を有し、Ｒ25、Ｒ26及びＲ28は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ27は水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ25とＲ26、Ｒ26とＲ27、Ｒ27とＲ28は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表されるものがより好ましい。
【００７８】
式（４）中、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基であることが好ましく、水素原子又はヒドロカルビル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００７９】
式（４）中、Ｘ20は、好ましくは−Ｃ(Ｒ21)＝基であり、Ｘ21は、好ましくは−Ｃ(Ｒ22)＝基であり、Ｘ22は、好ましくは−Ｃ(Ｒ23)＝基である。
【００８０】
式（５）中、Ｒ25、Ｒ26及びＲ28のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基が好ましく、水素原子、ヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【００８１】
式（５）中、Ｒ27の具体例は前記と同じであり、ヒドロカルビル基が好ましい。
【００８２】
式（５）中、Ｘ23は、好ましくは−Ｃ(Ｒ26)＝基であり、Ｘ24は、好ましくは−Ｎ(Ｒ27)−基、硫黄原子又は酸素原子であり、より好ましくは−Ｎ(Ｒ27)−基である。
【００８３】
また、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子は、式（４）におけるＲ24から水素原子を１個除いた１価の基、及び式（５）におけるＲ28から水素原子を１個除いた１価の基からなる群から選択される基を２つ連結したもので表される。連結される式（４）におけるＲ24から水素原子を１個除いた１価の基、又は式（５）におけるＲ28から水素原子を１個除いた１価の基のそれぞれは同じでも異なっていてもよい。連結される基が、共に前記式（４）のＲ24から水素原子を１個除いた基である場合はＲ23同士で、共に式（５）からＲ28から水素原子を１個除いた基である場合はＲ27同士で、一方が式（４）のＲ24から水素原子を１個除いた基で他方が式（５）からＲ28から水素原子を１個除いた基である場合はＲ23とＲ27で、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。
【００８４】
前記１価の基が連結した含窒素芳香環配位子としては、例えば、以下の式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）で表される骨格構造を有するものが挙げられる。
【００８５】
【化１７】
2010270113.tif 000018
【００８６】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子の例として、分岐の数が２である場合を模式的に表すと、以下の通りである。
【００８７】
【化１８】
2010270113.tif 000019
（式中、Ａは含窒素芳香環を表し、Ｊは分岐部分を表し、Ｔは分岐部分に結合する末端部を表し、ｂは１以上の整数を表す。以下、点線で囲んで示される分岐部分を最も多く有する分子鎖を「最大分岐分子鎖」という。）
【００８８】
最大分岐分子鎖における分岐部分の個数は、２以上が好ましい。また、有機溶剤に対する溶解性が優れるので、通常、５０個以下であり、好ましくは２０個以下であり、より好ましくは１０個以下であり、更に好ましくは６個以下であり、特に好ましくは４個以下である。
【００８９】
したがって、最大分岐分子鎖における分岐部分の個数は、通常、１〜５０個であり、１〜２０個が好ましく、２〜１０個がより好ましく、２〜６個が更に好ましく、２〜４個が特に好ましい。
【００９０】
樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子としては、例えば、以下の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１５）で表されるものが挙げられる。
【００９１】
【化１９】
2010270113.tif 000020
【００９２】
【化２０】
2010270113.tif 000021
【００９３】
【化２１】
2010270113.tif 000022
【００９４】
【化２２】
2010270113.tif 000023
【００９５】
【化２３】
2010270113.tif 000024
【００９６】
前記樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子としては、下記式（１００）：
【００９７】
【化２４】
2010270113.tif 000025
（式中、Ｘ01は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ02)＝基であり、Ｘ02は、−Ｘ03＝Ｘ04−基、−Ｎ(Ｒ03)−基、Ｎ-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ03は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ04)＝基であり、Ｘ04は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ05)＝基である。但し、Ｘ02が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合、Ｘ01、Ｘ03及びＸ04の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ01が窒素原子である場合、Ｘ02は−Ｘ03＝Ｘ04−基、又は−Ｎ(Ｒ03)−基であり、Ｘ02がＮ-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ01は−Ｃ(Ｒ02)＝基である。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ04及びＲ05は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ03は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04及びＲ05の少なくとも１個は樹枝状分子鎖を有する。Ｒ01とＲ02、Ｒ02とＲ03、Ｒ02とＲ04、又は、Ｒ04とＲ05は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。Ｒ07は直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ3−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ3−Ｏ−基、−Ｑ3−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ3は置換基を有していてもよいヒドロカーボンジイル基を示す。Ｘ02が、共に−Ｎ(Ｒ03)−基である場合はＲ03同士で、Ｘ02が共に−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＸ04同士で、一方が−Ｎ(Ｒ03)−基で他方が−Ｘ03＝Ｘ04−基である場合はＲ03とＸ04とで、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。）
で表される配位子も好ましい。
【００９８】
本発明の金属錯体における銀（Ｉ）イオン又は銅（Ｉ）イオンは、資源量が豊富であり、経済性に優れるので、銅（Ｉ）イオン好ましい。
【００９９】
本発明の金属錯体は、含窒素芳香環配位子、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンに加えて、含窒素芳香環配位子以外の配位子及び／又は対イオンを有していてもよい。
含窒素芳香環配位子以外の配位子としては、例えば、複素環式化合物、ホスフィン化合物、アミン化合物、及び以下：
【０１００】
【化２５】
2010270113.tif 000026
【０１０１】
【化２６】
2010270113.tif 000027
【０１０２】
【化２７】
2010270113.tif 000028
に示した構造を有する配位子が挙げられ、Ｌ１からＬ８１で示される配位子は置換基を有していてもよい。
【０１０３】
上記の複素環式化合物としては、置換基を有していてもよいピリジン、キノリン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオフェン、フラン、トリアゾール、トリアジン、アクリジンが挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいピリジン、キノリン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアジンである。
【０１０４】
上記のホスフィン化合物としては、トリフェニルホスフィン、プロピルジフェニルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、１−ブチルジフェニルホスフィン、１−ヘキシルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（３−フリル）ホスフィン、トリ（２−ピリジル）ホスフィン、トリ（３−ピリジル）ホスフィン、トリ（４−ピリジル）ホスフィン、２−フリルジフェニルホスフィン、３−フリルジフェニルホスフィン、２−ピリジルジフェニルホスフィン、３−ピリジルジフェニルホスフィン、４−ピリジルジフェニルホスフィン等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（３−フリル）ホスフィン、トリ（２−ピリジル）ホスフィン、トリ（３−ピリジル）ホスフィン、トリ（４−ピリジル）ホスフィン、２−フリルジフェニルホスフィン、３−フリルジフェニルホスフィン、２−ピリジルジフェニルホスフィン、３−ピリジルジフェニルホスフィン、４−ピリジルジフェニルホスフィンであり、より好ましくは、トリフェニルホスフィンであり、ここに例示したホスフィン化合物のフェニル基、シクロヘキシル基、フリル基及びピリジル基は置換基を有していてもよい。
【０１０５】
上記のアミン化合物としては、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、プロピルジフェニルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルアミン、ｎ−ブチルジフェニルアミン、ｎ−ヘキシルジフェニルアミン、シクロヘキシルジフェニルアミン、ジシクロヘキシルフェニルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミンであり、ここに例示したアミン化合物のフェニル基及びシクロヘキシル基は置換基を有していてもよい。
【０１０６】
含窒素芳香環配位子以外の配位子としては、ピリジン、キノリン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアジン、トリフェニルホスフィン、Ｌ１〜Ｌ３３、Ｌ６５〜Ｌ７１が好ましく、ピリジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリフェニルホスフィン、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ６５、Ｌ６６がより好ましく、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６が更に好ましく、Ｌ２、Ｌ６が特に好ましい。
【０１０７】
対イオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンが挙げられ、好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、更に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンである。なお、Ｘで表される対イオンは、これらのイオンの構造を繰り返し単位中に有する高分子化合物であってもよい。
【０１０８】
本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（６）：
【０１０９】
【化２８】
2010270113.tif 000029
（式中、Ｍ+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ40、Ｒ41及びＲ42は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ40、Ｒ41及びＲ42の少なくとも１個の水素原子は式（７）：
【０１１０】
【化２９】
2010270113.tif 000030
で示される基によって置換されている。それぞれのＲ40又はそれぞれのＲ41は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ40とＲ41、Ｒ41とＲ42はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。上記式（７）中、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46又はＲ47は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ43、Ｒ45、Ｒ46又はＲ47は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ43とＲ45、Ｒ44とＲ45、Ｒ45とＲ46、又はＲ46とＲ47は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：
【０１１１】
【化３０】
2010270113.tif 000031
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが更に好ましい。
【０１１２】
Ｌは含窒素芳香環配位子以外の配位子のことであり、具体例及び好ましい例は前述したものと同じである。Ｘは対イオンであり、具体例及び好ましい例は前述したものと同じである。
【０１１３】
Ｒ40、Ｒ41及びＲ42のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１１４】
Ｒ43、Ｒ44及びＲ45のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１１５】
Ｒ46及びＲ47のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。
【０１１６】
Ｒ40、Ｒ41及びＲ42における、少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基にて置換されたものであるが、好ましくはＲ41又はＲ42における水素原子が式（７）で示される基で置換されたものである。
【０１１７】
ｑ及びｒは、０＜（ｑ＋ｒ）≦４を満たすことが好ましく、０＜（ｑ＋ｒ）≦３を満たすことがより好ましく、０＜（ｑ＋ｒ）≦２を満たすことが更に好ましい。ｐは、０＜ｐ≦２を満たすことが好ましい。
【０１１８】
本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（８）：
【０１１９】
【化３１】
2010270113.tif 000032
（式中、Ｍ+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ50、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55又はＲ56は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ50、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55又はＲ56は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ52とＲ54、Ｒ53とＲ54、Ｒ54とＲ55、Ｒ55とＲ56は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、式：
【０１２０】
【化３２】
2010270113.tif 000033
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。
【０１２１】
Ｒ50及びＲ51のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１２２】
Ｒ52、Ｒ53及びＲ54のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１２３】
Ｒ55及びＲ56のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。
【０１２４】
本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（９）：
【０１２５】
【化３３】
2010270113.tif 000034
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ60、それぞれのＲ61、それぞれのＲ62又はそれぞれのＲ63は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ60とＲ61、Ｒ61とＲ62、Ｒ62とＲ63、Ｒ63同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：
【０１２６】
【化３４】
2010270113.tif 000035
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されること、又は式（１０）：
【０１２７】
【化３５】
2010270113.tif 000036
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ64、それぞれのＲ65、それぞれのＲ66又はそれぞれのＲ67は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ64とＲ65、Ｒ65とＲ66、Ｒ66とＲ67、Ｒ67同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：
【０１２８】
【化３６】
2010270113.tif 000037
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されること、又は式（１１）：
【０１２９】
【化３７】
2010270113.tif 000038
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ68、Ｒ69、Ｒ70、Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ68、それぞれのＲ69、それぞれのＲ70、それぞれのＲ71、それぞれのＲ72、それぞれのＲ73又はそれぞれのＲ74は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ68とＲ69、Ｒ69とＲ70、Ｒ71とＲ72、Ｒ72とＲ73、Ｒ73とＲ74、Ｒ74同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：
【０１３０】
【化３８】
2010270113.tif 000039
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが、更に好ましい。
【０１３１】
Ｌ'は含窒素芳香環配位子以外の配位子であり、具体例及び好ましい例は前記と同じである。Ｘ'は対イオンであり、具体例及び好ましい例は前記と同じである。
【０１３２】
ｔ及びｕは、０＜（ｔ＋ｕ）≦３を満たすことが好ましく、０＜（ｔ＋ｕ）≦２を満たすことがより好ましく、０＜（ｔ＋ｕ）≦１を満たすことが更に好ましい。ｓは、０＜ｓ≦２を満たすことが好ましい。
【０１３３】
Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63、Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66、Ｒ67、Ｒ68、Ｒ69、Ｒ70、Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１３４】
Ｒ60、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ61、Ｒ62及びＲ63のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましく、Ｒ61及びＲ62のうち少なくともどちらかが式（７）で示される基であることが更に好ましい。
【０１３５】
Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ65、Ｒ66及びＲ67のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましい。
【０１３６】
Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73及びＲ74のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ71、Ｒ72、及びＲ73のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましく、Ｒ72、及びＲ73のうち少なくともどちらかが式（７）で示される基であることが更に好ましい。
【０１３７】
本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（１２）：
【０１３８】
【化３９】
2010270113.tif 000040
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ80、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86及びＲ87は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ80、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86又はＲ87は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ83とＲ85、Ｒ84とＲ85、Ｒ85とＲ86、Ｒ86とＲ87は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：
【０１３９】
【化４０】
2010270113.tif 000041
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。
【０１４０】
Ｒ80、Ｒ81及びＲ82のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１４１】
Ｒ83、Ｒ84及びＲ85のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１４２】
Ｒ86及びＲ87のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。
【０１４３】
本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（１３）：
【０１４４】
【化４１】
2010270113.tif 000042
（式中、Ｍ'+は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ89、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96、Ｒ97、Ｒ98又はＲ99は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ89、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96、Ｒ97、Ｒ98又はＲ99は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ89とＲ90、Ｒ90とＲ91、Ｒ92とＲ95、Ｒ93とＲ94、Ｒ94同士、Ｒ93とＲ95、Ｒ95とＲ97、Ｒ96とＲ97、Ｒ97とＲ98、Ｒ98とＲ99は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：
【０１４５】
【化４２】
2010270113.tif 000043
で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。
【０１４６】
Ｒ89、Ｒ90及びＲ91のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１４７】
Ｒ92、Ｒ93、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１４８】
Ｒ98及びＲ99のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。
【０１４９】
また、本発明の金属錯体は、発光性金属錯体であることが好ましい。ここで、「発光性」とは、外場（光、電場、磁場、圧力等）によって発光を生じる性質を意味している。
【０１５０】
本発明の金属錯体としては、以下の金属錯体が挙げられる。
【０１５１】
【化４３】
2010270113.tif 000044
【０１５２】
【化４４】
2010270113.tif 000045
【０１５３】
【化４５】
2010270113.tif 000046
【０１５４】
【化４６】
2010270113.tif 000047
【０１５５】
【化４７】
2010270113.tif 000048
【０１５６】
【化４８】
2010270113.tif 000049
【０１５７】
本発明の金属錯体は、対応する金属塩と、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子となる化合物（例えば、前記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１５）で表される配位子となる化合物、前記式（１４）〜（１６）で表される化合物）とを、室温下、溶媒中で混合させる工程を含む製造方法により得ることが好ましい。必要に応じて、この工程により得られた沈殿を回収することもできるし、該工程により得られた溶液から溶媒を留去することもできる。前記工程において、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子以外の配位子（例えば、前記Ｌ１〜Ｌ８１）、アルカリ金属塩（例えば、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、テトラフルオロボレートナトリウム、ヘキサフルオロホスフェートナトリウム、ヘキサフルオロアンチモネートナトリウム、メタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロ酢酸ナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、テトラフェニルボレートナトリウム）を更に混合することができる。
【０１５８】
前記の対応する金属塩としては、ヨウ化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、フッ化銅（Ｉ）、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロボレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）トリフレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスフェート、硫酸銅（Ｉ）、硝酸銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）等が挙げられ、ヨウ化銅（Ｉ）、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロボレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）トリフレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスフェートが好ましい。
【０１５９】
上述の混合を行う際には、対応する金属塩、含窒素芳香環配位子を溶媒中に均一に溶解させるため、又は溶液の粘度が高い場合には撹拌を容易にするために、緩衝液等の水系溶媒、有機溶媒を用いてもよいが、有機溶媒が好ましい。
【０１６０】
有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド溶媒が挙げられる。これらの有機溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【０１６１】
＜用途＞
本発明の金属錯体は、可視光、紫外線、真空紫外線、真空紫外線よりも短波長の光、電子注入、電界、熱、応力、超音波、電磁波以外の放射線等の励起源により発光させることができるので、三波長型蛍光ランプ等の紫外線発光素子、白色ＬＥＤ等の紫外線・可視励起発光素子、ＣＲＴ等の電子励起発光素子、有機ＥＬ等の電子注入発光素子、フィルムパッチ等の電磁波以外での放射線による励起発光素子に用いることができる。例えば、本発明の金属錯体を有機ＥＬに用いる場合、本発明の金属錯体を有機溶媒に溶解又は分散させた後に、塗布により薄膜化して用いることができる。
【０１６２】
本発明の金属錯体は、導電性材料として有用であるので、電荷輸送材料、電荷注入材料としても有用である。また、本発明の金属錯体は、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の材料や、化合物の合成原料、添加剤、改質剤、電池、触媒、センサー等の材料としても有用である。
【０１６３】
本発明の素子が発光素子である場合、陰極と発光層との間に電子輸送層又は正孔阻止層を備える素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層又は電子阻止層を備える素子、陰極と発光層との間に電子輸送層又は正孔阻止層を備え、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層又は電子阻止層を備える素子等が挙げられる。
【０１６４】
本発明の素子の具体的な構造を、以下に示す。なお、「／」は各層が隣接して積層されていることを示す。以下、同様である。
ａ）陽極／（電荷注入層）／発光層／（電荷注入層）／陰極
ｂ）陽極／（電荷注入層）／正孔輸送層／発光層／（電荷注入層）／陰極
ｃ）陽極／（電荷注入層）／発光層／電子輸送層／（電荷注入層）／陰極
ｄ）陽極／（電荷注入層）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（電荷注入層）／陰極
【０１６５】
また、本発明の素子においては、発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層をそれぞれ独立に２層以上設けてもよい。
【０１６６】
電極に隣接して設けた電荷輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、一般に電荷注入層（正孔注入層及び電子注入層）と呼ばれることがある。電荷注入層を備える素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を備える素子、陽極に隣接して電荷注入層を備える素子が挙げられる。
【０１６７】
本発明の素子では、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよい。前記絶縁層に用いる材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を備える素子としては、陰極に隣接して前記絶縁層を備える素子、陽極に隣接して前記絶縁層を備える素子が挙げられる。
【０１６８】
本発明の素子では、更に、界面の密着性向上や混層の防止等のために、電極と発光層との間にこの電極に隣接して、また、電荷輸送層と発光層と界面に、平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けてもよい。
【０１６９】
本発明の素子は上記例示した構造に限定されるものではなく、層の順番、数、及び各層の厚さを、発光効率又は光電効率や素子寿命を考慮して設定したものも含まれる。
本発明の素子の各層について説明する。
【０１７０】
本発明の素子の発光層は、電界印加時に陽極側の隣接する層より正孔を注入することができ、陰極側の隣接する層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の有機電界発光素子の発光層は、上記金属錯体を含有することが好ましく、この金属錯体をゲスト材料とするホスト材料を含有していてもよい。
【０１７１】
ホスト材料としては、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物等が挙げられる。ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のＴ１より大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、ホスト材料と金属錯体等の発光材料とを混合して塗布する、あるいは共蒸着等することによって、発光材料がホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。
【０１７２】
金属錯体を含有する層中の金属錯体の含有量は、当該層全体に対し、通常０．０１〜１００重量％であり、０．１〜５０重量％が好ましく、１〜３０重量％がより好ましい。
【０１７３】
前記正孔輸送層に用いる材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が挙げられる。具体的には、ポリピニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンピニレン）及びその誘導体、並びにポリ（２，５−チエニレンピニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
【０１７４】
正孔輸送層の膜厚は、発光効率又は光電効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、ピンホールが発生しない厚さが必要である。膜厚が厚すぎる正孔輸送層は素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、正孔輸送層の膜厚は１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが特に好ましい。
【０１７５】
電子輸送層に用いる材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が挙げられる。具体的には、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びにポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
【０１７６】
電子輸送層の膜厚は、発光効率又は光電効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、ピンホールが発生しない厚さが必要である。膜厚が厚すぎる電子輸送層は素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、電子輸送層の膜厚は１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが特に好ましい。
【０１７７】
本発明の素子は、通常、基板を用いて形成される。基板の一方の面には電極が形成され、他方の面に素子の各層を形成する。本発明に用いる基板は電極及び素子の各層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フイルム、シリコンの基板が挙げられる。この基板が不透明のものである場合には反対の電極として透明又は半透明のものを形成することが好ましい。
【０１７８】
通常、陽極及び陰極のうちの少なくとも一方は透明又は半透明のものであり、陽極が透明又は半透明のものであることが好ましい。また、本発明の素子が光電変換素子の場合には、陽極及び陰極のうちの少なくとも一方の電極を櫛型に形成してもよい。この場合、電極は不透明のものであってもよいが、透明又は半透明のものであることが好ましい。
【０１７９】
陽極に用いる材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体（インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）及びインジウム・亜鉛・オキサイド等）、アンチモン・スズ・オキサイド、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、並びにポリアミノフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０１８０】
陽極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
【０１８１】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して設定することができ、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０〜５００ｎｍであることが特に好ましい。
【０１８２】
陰極に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、及びイッテルビウム等の金属；それらのうちの２つ以上の金属の合金；それらのうちの１個以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１個以上の金属との合金；グラファイト；並びにグラファイト層間化合物等が挙げられる。前記合金として、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【０１８３】
陽極及び陰極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、及び金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。また、２層以上の積層構造の陰極を形成してもよい。
【０１８４】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して設定することができ、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０〜５００ｎｍであることが特に好ましい。
また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、若しくは有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０１８５】
本発明の素子では、素子を外部から保護して長期安定的に使用するために、陰極形成後、素子を保護する保護層及び／又は保護カバーを形成していてもよい。
【０１８６】
このような保護層に用いる材料としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等が挙げられる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等が挙げられる。これらのうち、保護カバーを熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いて素子と貼り合わせて素子を密閉することが好ましい。
【０１８７】
電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層（陽極と正孔輸送層との間に設けられる場合）、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層（陰極と電子輸送層との間に設けられる場合）等が挙げられる。
【０１８８】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係に応じて選択すればよい。具体的には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が挙げられる。
【０１８９】
電荷注入層の膜厚は、１ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
【０１９０】
本発明はまた、式（１４）及び（１５）：
【０１９１】
【化４９】
2010270113.tif 000050
（式中、Ｒ100、Ｒ101、Ｒ102及びＲ103は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
で表される化合物に関するものである。
【０１９２】
Ｒ100及びＲ102のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１９３】
Ｒ101及びＲ103のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、ヒドロカルビル基が更に好ましい。
【０１９４】
本発明はまた、式（１６）：
【０１９５】
【化５０】
2010270113.tif 000051
（式中、Ｒ104、Ｒ105及びＲ106は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
【０１９６】
Ｒ104及びＲ105のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
【０１９７】
Ｒ106のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、ヒドロカルビル基が更に好ましい。
【実施例】
【０１９８】
以下、本発明について、実施例を用いてより詳細に説明する。
【０１９９】
発光スペクトルは、励起波長を３６５ｎｍとして、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、商品名：Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３）により測定した。励起寿命は、この発光スペクトルの発光ピーク波長における励起寿命を求めた。
【０２００】
＜実施例１＞
（化合物Ｂ１の合成例）
【０２０１】
【化５１】
2010270113.tif 000052
【０２０２】
化合物Ａ１は、Chinese Journal of Chemistry 24, 1631-1638 (2006)に記載された方法で合成した。
【０２０３】
次いで、アルゴン雰囲気下、化合物Ａ１（１００ｍｇ、０．２１３ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモピリジン（２１ｍｇ、０．０８８９ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０ｍｇ、０．００８８９ｍｍｏｌ）に、トルエン（３ｍＬ）、エタノール（１ｍＬ）及び２Ｍの炭酸カリウム水溶液（１．５ｍＬ）を加え、８５℃で加熱しながら、２２時間撹拌した。室温まで冷却した後、得られた反応溶液の有機層と水層とを分離し、有機層を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製することにより、化合物Ｂ１を得た（６８ｍｇ）。
【０２０４】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ８．９６（ｓ、２Ｈ）、８．２２（ｓ、１Ｈ）、７．８５（ｓ、２Ｈ）、７．８１（ｓ、４Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、８Ｈ）、７．５１（ｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、８Ｈ）、１．３８（ｓ、３６Ｈ）．
13Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ１５０．７９、１４７．３３、１４２．６０、１３８．６８、１３７．９０、１３６．７７、１３３．１６、１２７．００、１２５．８７、１２４．７９、３４．５８、３１．３５．
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ  ７６０．２９、ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｍ+  ７５９．４８．
【０２０５】
（金属錯体Ｃ１の合成例）
アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ１（１６ｍｇ、０．０２１０ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液（２ｍＬ）にヨウ化銅（Ｉ）（２ｍｇ、０．０１０５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌したところ、沈殿が生じた。この沈殿を回収することにより、下記組成式：
【０２０６】
【化５２】
2010270113.tif 000053
で表される金属錯体Ｃ１（１５．７ｍｇ）を得た。
【０２０７】
元素分析  Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：７７．９５、Ｈ：６．８６、Ｎ：１．６１、Ｃｕ：３．７６、Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１（％）  Ｃ：７８．３０、Ｈ：７．０３、Ｎ：１．６０、Ｃｕ：４．３６
【０２０８】
金属錯体Ｃ１は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５８３ｎｍであり、励起寿命は１．０μｓであった。
【０２０９】
金属錯体Ｃ１は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレン、ヘキサンに易溶であった。
【０２１０】
金属錯体Ｃ１を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｃ１を加熱したところ、３０〜４００℃の温度範囲において質量減少は認められなかった。
【０２１１】
＜実施例２＞
（化合物Ｂ２の合成例）
【０２１２】
【化５３】
2010270113.tif 000054
【０２１３】
化合物Ａ２は、Chinese Journal of Chemistry 24, 1631-1638 (2006)に記載された方法で合成した。
【０２１４】
次いで、アルゴン雰囲気下、化合物Ａ２（１００ｍｇ、０．１１３ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモピリジン（１２ｍｇ、０．０５０７ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６ｍｇ、０．００５０７ｍｍｏｌ）に、トルエン（２ｍＬ）、エタノール（０．７ｍＬ）及び２Ｍの炭酸カリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、８５℃で加熱して還流させながら、２２時間撹拌した。室温まで冷却した後、得られた反応溶液の有機層と水層とを分離し、有機層を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製することにより、化合物Ｂ２を得た（６９ｍｇ、収率８５％）。
【０２１５】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ９．０１（ｓ、２Ｈ）、８．３０（ｓ、１Ｈ）、８．０４（ｓ、２Ｈ）、７．９５（ｓ、４Ｈ）、７．８７（ｓ、８Ｈ）、７．８２（ｓ、４Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１６Ｈ）、７．４９（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１６Ｈ）、１．３６（ｓ、７２Ｈ）．
13Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ１５０．６１、１４７．６４、１４３．０２、１４２．４１、１４１．６３、１３９．１７、１３８．１５、１３６．８６、１３３．５５、１２７．０４、１２５．８１、１２５．６８，１２５．４８、１２５．００、３４．５６、３１．３６．
【０２１６】
（金属錯体Ｃ２の合成例）
アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ２（１７ｍｇ、０．０１０５ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液（２ｍＬ）にヨウ化銅（Ｉ）（１ｍｇ、０．００５２５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。得られた溶液を濃縮乾固したところ、下記組成式：
【０２１７】
【化５４】
2010270113.tif 000055
で表される金属錯体Ｃ２（１８ｍｇ）を得た。
【０２１８】
金属錯体Ｃ２は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄緑色に発光し、その発光ピーク波長は５４６ｎｍであり、励起寿命は０．９μｓであった。
【０２１９】
金属錯体Ｃ２は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレン、ヘキサンに易溶であった。
【０２２０】
金属錯体Ｃ２を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｃ２を加熱したところ、３０〜４００℃の温度範囲において質量減少は認められなかった。
【０２２１】
＜実施例３＞
（金属錯体Ｃ３の合成例）
【０２２２】
【化５５】
2010270113.tif 000056
【０２２３】
【化５６】
2010270113.tif 000057
【０２２４】
化合物Ｂ３は、Tetrahedron Letters 41, 6809-6813 (2000)に記載された方法で合成した。
【０２２５】
アルゴン雰囲気下、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（６．１０ｍｇ、０．０３１３ｍｍｏｌ）と、４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９−ジメチルキサンテン（１８．１ｍｇ、０．０３１３ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で５分間撹拌した。反応溶液に化合物Ｂ３（３１．０ｍｇ、０．０３６０ｍｍｏｌ）を加え、均一反応溶液を４０℃で５分間加熱撹拌した。反応溶液にジエチルエーテルの蒸気を徐々に拡散させて再結晶を行い、５０℃で５時間真空乾燥することで金属錯体Ｃ３を得た（３５．０ｍｇ、収率６８％）。
【０２２６】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ８．７８（ｓ、２Ｈ）、８．６７（ｓ、２Ｈ）、８．２７（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｓ、２Ｈ）、７．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５８―７．５６（ｍ、１２Ｈ）、７．２６―７．１９（ｍ、８Ｈ）、７．１２―７．０８（ｍ、１６Ｈ）、６．９９―６．９４（ｍ、２Ｈ）、６．６１（ｂｒ、２Ｈ）、１．４２（ｓ、３６Ｈ）．
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ−４．８（ｄ、Ｊ（31Ｐ−107Ａｇ、109Ａｇ）＝３７５、４３３Ｈｚ）．
元素分析  Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：７５．５４、Ｈ：５．７７、Ｎ：１．６１、Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３（％）  Ｃ：７５．６９、Ｈ：５．９２、Ｎ：１．７１
【０２２７】
金属錯体Ｃ３は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により緑色に発光し、その発光ピーク波長は５５３ｎｍであり、励起寿命は１．８μｓであった。
【０２２８】
金属錯体Ｃ３は、室温において、クロロホルムに易溶であった。
金属錯体Ｃ３を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。
【０２２９】
（金属錯体Ｃ３の有機ＥＬ素子作製例）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を形成したガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ）を用いてスピンコート法により６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上、２００℃で１０分間乾燥した。次に、金属錯体Ｃ３をスピンコート法により成膜した。膜厚は約７０ｎｍであった。成膜された膜を窒素ガス雰囲気下、１３０℃で１０分間乾燥した後、バリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を作製した。
【０２３０】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、５６０ｎｍ付近にピークを有する電界発光が得られた。
【０２３１】
＜実施例４＞
（金属錯体Ｃ４の合成例）
【０２３２】
【化５７】
2010270113.tif 000058
【０２３３】
アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（１．６ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（２．３ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ３（３．７ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ４を得た。
【０２３４】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ８．９２（ｓ、２Ｈ）、８．７６（ｓ、２Ｈ）、８．２５（ｓ、２Ｈ）、７．９０（ｓ、２Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５８（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５４（ｓ、４Ｈ）、７．１９（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．０４（ｔ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、８Ｈ）、６．１０―６．９２（ｍ、１４Ｈ）、６．８１―６．７０（ｂｒ、４Ｈ）、１．４３（ｓ、３６Ｈ）．
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ−９．０６．
【０２３５】
金属錯体Ｃ４は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５８１ｎｍであり、励起寿命は２．４μｓであった。
【０２３６】
金属錯体Ｃ４は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。
【０２３７】
金属錯体Ｃ４を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。
【０２３８】
＜実施例５＞
（金属錯体Ｃ５の合成例）
【０２３９】
【化５８】
2010270113.tif 000059
【０２４０】
【化５９】
2010270113.tif 000060
【０２４１】
化合物Ｂ４は、Tetrahedron Letters 41, 6809-6813 (2000)に記載された方法で合成した。
【０２４２】
アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（２．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（３．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ４（１０．８ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ５を得た。
【０２４３】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ９．００（ｓ、２Ｈ）、８．７９（ｓ、２Ｈ）、８．２８（ｓ、２Ｈ）、８．１１（ｓ、２Ｈ）、７．９１（ｓ、４Ｈ）、７．８６（ｓ、８Ｈ）、７．７０（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１６Ｈ）、７．５２（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１６Ｈ）、６．９５（ｂｒ、２０Ｈ）、６．８９―６．８０（ｍ、４Ｈ）、６．７４（ｂｒ、２Ｈ）、６．６９（ｂｒ、２Ｈ）、１．３８（ｓ、３６Ｈ）．
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ−８．８２．
【０２４４】
金属錯体Ｃ５は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５７２．５ｎｍであり、励起寿命は１．４μｓであった。
【０２４５】
金属錯体Ｃ５は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。
【０２４６】
金属錯体Ｃ５を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。
【０２４７】
＜実施例６＞
（化合物Ｂ５の合成例）
【０２４８】
【化６０】
2010270113.tif 000061
【０２４９】
アルゴン雰囲気下、化合物Ａ１（１２０ｍｇ、０．２５６ｍｍｏｌ）、化合物Ａ３（５５．４ｍｇ、０．１１６ｍｍｏｌ）及び (1,3-ジイソプロピルイミダゾール-2-イリデン)(3-クロロピリジル)パラジウム(II)ジクロライド（７．９１ｍｇ、０．０１１６ｍｍｏｌ）に、トルエン（４ｍＬ）、エタノール（１ｍＬ）及び２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、９０℃で９時間撹拌した。反応溶液に水とクロロホルムを加えた後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、淡黄色固体の化合物Ｂ５を得た（１１．２ｍｇ、収率９６．７％）。
【０２５０】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ８．７８―８．７６（ｍ、２Ｈ）、８．００（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．７９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．６９（ｓ、２Ｈ）、７．５７―７．５３（ｍ、１２Ｈ）、７．４６（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、８Ｈ）、７．２５（ｂｒ、２Ｈ）、７．１８―７．１６（ｍ、２Ｈ）、７．０７（ｓ、２Ｈ）、１．３６（ｓ、３６Ｈ）．
元素分析  Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：８７．１６、Ｈ：７．００、Ｎ：２．５４、Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｂ５＋２Ｈ2Ｏ（％）  Ｃ：８７．００、Ｈ：７．２０、Ｎ：２．７１．
【０２５１】
（金属錯体Ｃ６の合成例）
【０２５２】
【化６１】
2010270113.tif 000062
【０２５３】
アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（２．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（３．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ５（６．６ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ６を得た。
【０２５４】
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ８．２６（ｂｒ、２Ｈ）、８．０６（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．７２（ｓ、２Ｈ）、７．６０―７．５０（ｍ、１２Ｈ）、７．４４（ｍ、８Ｈ）、７．３５―７．２２（ｍ、４Ｈ）、７．１５―６．８０（ｍ、２６Ｈ）、６．７５（ｂｒ、２Ｈ）、６．６３（ｂｒ、２Ｈ）、１．３４（ｓ、３６Ｈ）．
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ−１２．０．
【０２５５】
金属錯体Ｃ６は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５６６．０ｎｍであり、励起寿命は１．４μｓであった。
【０２５６】
金属錯体Ｃ６は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。
【０２５７】
金属錯体Ｃ６を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。
【０２５８】
＜比較例１＞
（金属錯体Ｄ１の合成）
アルゴン雰囲気下、ヨウ化銅（Ｉ）（４００ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ）に、ピリジン（５ｍＬ）及び乾燥アセトン（１０ｍＬ）を加え、室温で撹拌して溶液を調製した。この溶液を−１８℃まで冷却したところ、結晶が得られた。この結晶を回収することにより、下記組成式：
【０２５９】
【化６２】
2010270113.tif 000063
で表される金属錯体Ｄ１（３１２ｍｇ）を得た。
【０２６０】
金属錯体Ｄ１は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５６０ｎｍであり、励起寿命は６．３μｓであった。
【０２６１】
金属錯体Ｄ１は、室温にて、クロロホルム、トルエン、キシレンに難溶、ヘキサンに不溶であった。
【０２６２】
金属錯体Ｄ１を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光を示さなくなった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｄ１を加熱したところ、１２３℃で全質量の２３％の質量減少が認められた。