(57)【要約】【課題】  交流駆動型発光装置を提供する。【解決手段】  交流駆動型発光装置において、リードフレームと、少なくとも一つの主要な発光ダイオードチップと、少なくとも一つの補償回路とを含む。該主要な発光ダイオードチップは少なくとも両組の発光グループを有し、交流電源の正負波により駆動される時、順次に発光される。該補償回路は、もう一組のブリッジ接続手段の発光ダイオードチップから構成されるものであり、該発光装置の主要な発光ダイオードチップの稼働電圧と演色性に基づいて、分離式配置を採用することにより、電圧補償と演色効果の高めることを達成し、発光効率を向上する効果も達成できる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流駆動型発光装置であって、
リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置して形成する少なくとも一つの第１発光ダイオードチップと、
少なくとも一つの補償回路とを含み、
前記補償回路は分離方式で、前記リードフレーム上に配置することを特徴とする交流駆動型発光装置。
【請求項２】
前記第１発光ダイオードチップは、複数の小型化発光ダイオードチップの直列接続により形成されることを特徴とする請求項１に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項３】
前記複数の小型化発光ダイオードチップの直列接続は、２つの小型化チップの電極が逆方向接続により、一つの組立ユニットを形成されることを特徴とする請求項２に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項４】
前記組立ユニットが交流駆動するとき、正、負半波周期に相応して、二つの電極が逆方向接続された小型化チップが交互に発光することを特徴とする請求項３に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項５】
前記補償回路は、電圧補償と演色性補償の機能を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の交流駆動型発光装置。
【請求項６】
前記補償回路は、ブリッジ方式により、複数の第２発光ダイオードチップと接続することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の交流駆動型発光装置。
【請求項７】
前記分離方式による配置は、前記補償回路で使用される複数の第２発光ダイオードチップおよび前記第１発光ダイオードチップが、それぞれ異なる基板上で製作されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の交流駆動型発光装置。
【請求項８】
前記第１発光ダイオードチップおよび前記第２発光ダイオードチップは同一の波長である光線を放出することを特徴とする請求項７に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項９】
前記第１発光ダイオードチップおよび前記第２発光ダイオードチップは窒化ガリウム系化合物半導体材料であることを特徴とする請求項８に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１０】
前記第１発光ダイオードチップおよび前記第２発光ダイオードチップはそれぞれ異なる波長である光線を放出することを特徴とする請求項７に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１１】
前記第２発光ダイオードチップは、窒化インジウム系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｓＧａＰ系またはリン化ガリウム系化合物半導体材料のいずれかで形成することを特徴とする請求項１０に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１２】
交流駆動型発光装置であって、
リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置して形成する少なくとも一つの第１発光ダイオードチップと、
前記リードフレーム上に配置して形成する少なくとも一つの補償回路と、
前記補償回路、前記第１発光ダイオードチップおよび前記リードフレーム上に配置して形成する少なくとも一つの蛍光粉およびゲル材料とを含むことを特徴とする交流駆動型発光装置。
【請求項１３】
前記補償回路は、複数の第２発光ダイオードチップを有することを特徴とする請求項１２に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１４】
前記複数の第２発光ダイオードチップは、ブリッジ方式で接続することにより、電圧補償と演色性補償の機能を達成することを特徴とする請求項１３に記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１５】
前記リードフレームは、さらにワイアボンディングパッドを含む多層プリント回路板であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれかに記載の交流駆動型発光装置。
【請求項１６】
前記蛍光粉は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光粉、珪酸塩系蛍光粉または窒化物系蛍光粉のいずれかであることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の交流駆動型発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流駆動型発光装置に関し、特に、少なくとも一つの直流駆動型発光ダイオードチップグループと、少なくとも一つの交流駆動型発光ダイオードチップの構造を提供するによって、電圧が安定、演色性と発光効率を高める交流駆動型発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、米国特許第６９５７８９９号（特許文献１）に係わる発光ダイオードアレイの態様図である。図１を参照すると、発光ダイオードアレイ１は、交流電源装置１２と、第１発光ダイオードアレイ１４と、第２発光ダイオードアレイ１８とを含む。この図において、第１発光ダイオードアレイ１４と、第２発光ダイオードアレイ１８は複数の小型化発光ダイオードチップ（ｍｉｃｒｏ-ＬＥＤ  ｃｈｉｐ）の直列接続することにより、同一平面１０上に配列されている。交流正半波周期（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｈａｌｆ  ｗａｖｅ  ｐｅｒｉｏｄ）である場合には、第１発光ダイオードアレイ１４を駆動し発光させるに対し、交流負半波周期（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｈａｌｆ  ｗａｖｅ  ｐｅｒｉｏｄ）の場合では、第２発光ダイオードアレイ１８を駆動し、発光させる。一般的に、世界各国の商用電源の周波数が５０〜６０Ｈｚで、人間の目の残像効果の必要な時間より長い周波数である。これによって、人間の目が知覚しないように、発光ダイオードアレイ１において、該第１発光ダイオードアレイ１４と第２発光ダイオードアレイ、１８が交互に発光し、一般な発光装置に応用する目的を達成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６９５７８９９号明細書
【特許文献２】台湾特許出願公開第２００８２６３２０号
【特許文献３】米国特許出願公開第２００８０８３９２９号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００８２１８０９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
なお、現在、窒化ガリウム系発光ダイオードチップの製造工程において、各小型化発光ダイオードチップの光電特性が均一的、かつ発光効率が１００%に達成できることには保証できない。よって、交流電圧を供給して第１発光ダイオードアレイ１４を駆動し発光させる場合、光の生成につれ、熱も生成する。それによって、温度と電圧特性とも偏移が発生しやすく、発光の均一度が良くなくなる。また、交流電圧の印加によるサージ波が発生する場合には、発光装置の発光ダイオードチップの焼損を引き起し、信頼性に極めて大きな問題となり、また、解決すべき問題が残っている。
【０００５】
前記米国特許第６９５７８９９号の欠点について、図２を参照して以下の説明をする。図２は、台湾特許出願公開第２００８２６３２０号（特許文献２）の発光装置態様図である。この図において、該発光装置は少なくとも一種の修正回路２０を交流駆動用発光ダイオード素子２１が操作されている時の温度と電圧補償回路とする。さらにサージ波を吸収する効果を有する。しかしながら、該特許発明にて開示された技術手段は、発光する際の演色性を補償することができないため、また、解決すべき問題が残っている。
【０００６】
また、図３は、米国特許出願公開第２００８３９２９号（特許文献３）の発光ダイオード素子態様図である。この図において、交流又は直流駆動型発光ダイオード素子を操作する時の信頼性を高めるために、発光ダイオードチップの製造工程において、少なくとも一つの限流抵抗（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｉｍｉｔ）３０を追加されて、発光ダイオードアレイ３１を保護するに用いる。しかしながら、該限流抵抗３０には発光できないため、演色性の補償効果が提供できないことから、また、解決すべき問題が残っている。
【０００７】
さらに、図４は、米国特許出願公開第２００８２１８０９８号（特許文献４）の発光ダイオード素子の態様図である。交流駆動型発光ダイオード素子を操作する時の信頼性を高めるために、もう一組の発光ダイオードからなるブリッジ整流回路（ｂｒｉｄｇｅ  ｒｅｃｔｉｆｙｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔ）４０を追加されて、発光ダイオードアレイ４１を保護するに用いる。しかしながら、該ブリッジ整流回路４０は発光ダイオードアレイ４１が使用さる基板の上方の外縁部に位置して直接に製造される。言い換えれば、該発光ダイオードアレイ４１と該ブリッジ整流回路４０は同じチップの製造工程に完成できたもので、該ブリッジ整流回路４０は交流から直流に変換する効果があるほか、発光することもできる。しかし、このような技術手段では、同じ基板の上方に一つのチップの製造工程のみで、異なる発光波長の発光ダイオードの組合せを作り出すことができない。よって、演色補償効果を提供できないことから、また、解決すべき問題が残っている。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、これらの問題を合わせて解決できるように、この発明の発明者らは，長年にわたるこの分野における実務経験に基づいて、一種の発光装置を提出することを、上記欠点を克服し得る実現方法と根拠とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、一種の交流駆動に応用できる交流駆動型発光装置を提供することである。この交流駆動型発光装置において、リードフレームと、少なくとも一つの交流駆動用発光ダイオードアレイと、少なくとも一つの分離式補償回路とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の別の目的は、直流駆動用発光ダイオードチップからなるブリッジ直列接続の補償回路を有し、かつ交流駆動用発光ダイオードチップから独立した一種のパッケージ構造を提供することである。電圧が安定、演色性を補償する効果を有するのみならず、交流駆動型発光装置の発光効果を向上することも可能である。
【００１１】
本発明のさらに別の目的は、一種の交流駆動に応用できる交流駆動型白光装置を提供することである。この交流駆動型発光装置において、リードフレーム、少なくとも一つの交流駆動用発光ダイオードチップ、少なくとも一つのブリッジ直列接続の直流駆動用発光ダイオードチップ、少なくとも一つの蛍光粉およびパッケージ覆蓋用コロイドとを含む。
【００１２】
本発明のさらにもう一つの目的は、電圧が安定、演色性を補償する効果を有する一種の交流駆動に応用できる交流駆動型白光装置を提供することである。
【００１３】
前記した本発明の技術内容、特長および効果については、以下の参考図面に沿って実施形態の詳細説明により明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の発光ダイオードアレイの態様図である。
【図２】従来の発光装置の態様図である。
【図３】従来の発光ダイオード素子の態様図である。
【図４】従来の発光素子の態様図である。
【図５】本発明のパッケージ構造の態様図である。
【図６】本発明のリードフレームの電気回路設計の断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る等効果回路の態様図である。
【図８】本発明の実施例に係わる各部品配置の立体態様図である。
【図９】本発明の一つの実施例に係わる第１発光ダイオードチップの態様図である。
【図１０】本発明の別の実施例の態様図である。
【図１１】本発明のさらに別の実施例の態様図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図５は、本発明のパッケージ構造の態様図である。この図を参照し、リードフレーム５１、第１発光ダイオードチップ５２および少なくとも一つの該第１発光ダイオードチップ５２から独立した第２発光ダイオードチップ５３とを含む。該リードフレーム５１は、凹槽区域５１１を有し、該第１発光ダイオードチップ５２と該第２発光ダイオードチップ５３を、ダイボンディングとワイヤーボンディングプロセスの提供に用いられ、電気導通するための各電気回路とリード線を有する。該第１発光ダイオードチップ５２は、複数の小型化発光ダイオードチップの直列接続から組合せた公知技術の交流駆動用発光ダイオードチップであり、特に二つの小型化発光ダイオードチップからなる電極が逆方向接続される一つの組立ユニットを、さらに凹槽区域５１１の中央区域に配置される。該第２発光ダイオードチップ５３は、従来の直流駆動用発光ダイオードチップであり、分離式を採用され、凹槽区域５１１の外縁区域に配置される。
【００１６】
図６は、本発明のリードフレームの電気回路設計の断面図である。この図を参照し、該リードフレーム５１の構成材料は、セラミック系（Ｃｅｒａｍｉｃ  ｂａｓｅｄ）、窒化アルミニウム系（ＡｌＮ−ｂａｓｅｄ）または、酸化アルミニウム系（ＡｌＯ−ｂａｓｅｄ）あるいは前記したものの組合による複合材料のいずれかであっても良い。また、最下層回路６１は、複数のワイアボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ）を有する回路であり、発光装置５０と従来の表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）と相互運用できる主要な機能を有しているため、この発光装置５０は、従来のプリント回路板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）と直接にモジュール化できる。中間部における２層の中間層回路６２、６３は、第２発光ダイオードチップ５３がブリッジ接続できるの必要な電気回路である。または、第２発光ダイオードチップ５３と第１発光ダイオードチップ５２と接続するための電気回路でもある。最上層回路６４は、第１発光ダイオードチップ５２と第２発光ダイオードチップ５３がダイボンディングするとワイヤーボンディングするの必要な回路である。
【００１７】
図７は、本発明の実施例に係る等効果回路の態様図である。この図を参照し、五つの第２発光ダイオードチップ７１、７２、７３、７４、７５は、ブリッジ整流方式により接続され、交流電源を印加させて、正半波周期（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｈａｌｆ  ｗａｖｅ  ｐｅｒｉｏｄ）において、駆動される時、電流は、順次にノード（ｎｏｄｅ）７０より第２発光ダイオードチップ７１、７３および７５を通過し、ノード７６を介して、第１発光ダイオードチップ７７と接続される。これに対して、交流電源を印加させて、負半波周期（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｈａｌｆ  ｗａｖｅ  ｐｅｒｉｏｄ）において、駆動される時、電流は、順次にノード７０より第２発光ダイオードチップ７２、７３、７４を通過し、ノード７６を介して、第１発光ダイオードチップ７７と接続される。５つの第２発光ダイオードチップ７１、７２、７３、７４、７５は、ブリッジ整流方式により接続されているため、電圧の補償効果を有する。また、これらの部品自身が発光ダイオードであるため、外部駆動電流に相応して、同一または異なる波長の光を放出させ、白光の発光装置に応用する時では、演色補償効果を有する。
【００１８】
図８は、本発明の実施例に係わる各部品配置の立体態様図である。この図において、リードフレーム５１、第１発光ダイオードチップ５２、垂直電極式直流駆動用発光ダイオードチップ５３ａ、別の水平電極式直流駆動用発光ダイオードチップ５３ｂ、リードフレーム５１上に備えるワイアボンディングパッド回路５４および方位標示点（ｍａｒｋｅｒ）５５を含む。
【００１９】
前記した本発明の技術内容、特長および効果については、以下の参考図面に沿って、好ましい実施形態の詳細説明により明らかになろう。
【００２０】
図９は、本発明の一つの実施例に係わる第１発光ダイオードチップの態様図である。この図を参照し、第１発光ダイオードチップ５２は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシー法によりサファイア基板８０上の順次に少なくとも一つのＮ型窒化ガリウム層８１、窒化インジウムガリウム発光層８２およびＰ型窒化ガリウム層８３を成長させ、エピタキシウェハーを形成する。そして、フォトリソグラフィとエッチング技術により一部のＰ型窒化ガリウム層８３、窒化インジウムガリウム発光層８２およびＮ型窒化ガリウム層８１を取り除き、絶縁サファイア基板８０を露出して、各独立の小型化チップの電気導通を隔離する。それに、Ｐ型窒化ガリウム層上に透明導電層（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）８４を形成した上、フォトリソグラフィとエッチング技術により一部の透明導電層８４、Ｐ型窒化ガリウム層８３、窒化インジウムガリウム発光層８２およびＮ型窒化ガリウム層８１を取り除き、Ｎ型窒化ガリウム層を露出して、このＮ型窒化ガリウム層をオーム接触層とする。さらに、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＳＯＧを成長して、第１絶縁層８５とし、サファイア基板８０上にそれぞれ独立していた小型化チップを接続するの電極をジャンパーする工程においての電気隔離に用いられる。それで、透明導電層８４とＮ型窒化ガリウム層８１上にオーム接触の正電極８６とオーム接続の負電極８７をそれぞれ形成し、異なる小型化チップの正負電極を接続する直列接続電極８８を形成して、従来の水平電極の分布形態の窒化ガリウム系の発光ダイオードチップアレイを形成する。それにつれて、そのチップアレイの上には、さらに、第２絶縁保護層８９を作製し、第１発光ダイオードチップ５２の正負電極のワイアボンディングパッド９０を露出させる。最後に、ウェハーの研磨と切断の製造工程を経て、それぞれ独立した第１発光ダイオードチップ５２を形成する。また、垂直電極式直流駆動用発光ダイオードチップ５３ａは、従来のＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＧａＡｓＰ／ＧａＰ系またはＧａＩｎＮ／ＳｉＣ系のいずれかであって、さらに別の製造工程により完成するものである。また、水平電極式直流駆動用発光ダイオードチップ５３ｂは、第１発光ダイオードチップ５２の製造技術とは同様であるが、別の異なる製造工程を介して完成する場合、各発光ダイオードチップはそれぞれ独立し、何らかの電極で直列接続する製造工程がない。
【００２１】
一般的に言えば、現在の発光ダイオードの製造工程の良品率は、それぞれ独立した第１発光ダイオードチップ５２が同一の光電特性であることを保証できない。よって、同一の直流電流で測定する際においてでも、同一の直流電圧値が得られないため、直流電圧値で分類しなければならない。一例として、 第１発光ダイオードチップ５２は、４０個の小型化チップからなり、正方向または負方向の半波周期の交流電源で駆動する場合にあたり、言い換えれば、直流電源で駆動する場合に相当し、約２８個の小型化チップが同時に発光するに相当する。そこで、従来技術によれば、１０ミニアンペアの正方向直流電流で印加し、いずれの窒化ガリウム系小型化チップを測定する時、各小型化チップの正方向直流電圧値が３７ボルトである場合には、２８個の小型化チップで合計される電圧は、およそ１０３６ボルトである。そこで、１０ミニアンペアの正方向直流電流で印加し、いずれの窒化ガリウム系小型化チップを測定する時、各小型化チップの正方向直流電圧値が４０ボルトである場合には、２８個の小型化チップで合計される電圧は、およそ１１２ボルトである。しかしながら、前記した通り、各小型化チップの光電特性は、僅かな差異があるため、各第１発光ダイオードチップ５２の小型化チップで合計される電圧は一致できない。これによって、交流の応用する際には、第１発光ダイオードチップ５２を電圧の範囲による分類を行う必要がある。たとえば、１００．１〜１０２．５ボルトを一類として、１０２．６〜１０５ボルトは別の類とし、以上のように類推する。
【００２２】
ただし、一般の交流商用電源が１１０ボルトまたは２２０ボルトの規格というのは二乗平均値（ＲＭＳ）であり、その表示式はＶｒｍｓであり、ピーク電圧（ｐｅａｋ  ｖｏｌｔａｇｅ）Ｖｐが１５５．５ボルトまたは３１１．１ボルトに相当する。そこで、前記１０２．６〜１０５ボルトの第１発光ダイオードチップ５２に一般の交流商用電源である１１０ボルトを印加して使用する場合には、各小型化チップに分配されるピーク電圧値が約５５５ボルトであり、余分な電流が各小型化チップに通過してしまうことになり、発光装置が焼損の恐れがある。図７を参照し、パッケージ工程に第２発光ダイオードチップ７１、７２、７３、７４、７５を加えて、ブリッジ方式で互いに接続する。また、第２発光ダイオードチップ７１、７３、７５は少なくとも一つの発光ダイオードチップを有し、発光装置の正半波周期の駆動電流を１０ｍＡ前後に制御することができる。これに対して、第２発光ダイオードチップ７２、７３、７４はそれぞれ少なくとも一つの発光ダイオードチップを含む。同じように、発光装置の正半波周期の駆動電流を１０ｍＡ前後に制御することができる。このように、前述した問題が防止でき、電圧補償の効果を達成する。
【００２３】
図１０は、本発明の別の実施例の態様図である。この図を参照し、窒化ガリウム系の第１発光ダイオードチップ５２、その発光波長が青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍ）であり、および別の発光波長が青色バンド（４９０ｎｍ〜５１０ｎｍ）の直流駆動用第２発光ダイオードチップ７１、７２、７３、７４、７５を提供する。イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光粉９１と珪酸塩系蛍光粉９２をパッケージ用シリカゲル材料９３と均一に混合した後、該チップとリードフレーム上面にモールドする。該イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光粉９１を介して、一部の青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍ）である光線を吸収して、緑色バンド（５５０ｎｍ〜５７０ｎｍ）の波長である光線を放出する。該珪酸塩系蛍光体９２では青色バンド（４９０ｎｍ〜５１０ｎｍ）である光線を吸収して、赤色バンド（６２０ｎｍ〜６５０ｎｍ）の波長である光線を放出する。なお、青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍおよび４９０ｎｍ〜５１０ｎｍ）、緑色バンド（５５０ｎｍ〜５７０ｎｍ）および赤色バンド（６２０ｎｍ〜６５０ｎｍ）、この３種類の波長を混合して、高い演色性を持つ白光発光装置が得られる。前記のほか、珪酸塩系蛍光粉または窒化物系蛍光粉の活性体組織をイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光粉９１または珪酸塩系蛍光体９２に変更して、本発明の目的も達成することができる。
【００２４】
図１１は、本発明のさらに別の実施例の態様図である。この図を参照し、窒化ガリウム系の第１発光ダイオードチップ５２、その発光波長が青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍ）であり、および窒化インジウム系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｓＧａＰ系またはリン化ガリウム系化合物半導体材料のいずれかの直流駆動用第２発光ダイオードチップ７１、７２、７３、７４、７５を提供し、その発光の波長が赤色バンド（６２０ｎｍ〜６７０ｎｍ）である。珪酸塩系蛍光粉９２とパッケージ用シリカゲル材料９３とを均一に混合した後、該チップとリードフレーム上面にモールドする。該珪酸塩系蛍光体９２を介して、一部の青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍ）である光線を吸収して、緑色バンド（５５０ｎｍ〜５７０ｎｍ）の波長である光線を放出する。青色バンド（４５５ｎｍ〜４６０ｎｍ）、緑色バンド（５５０ｎｍ〜５７０ｎｍ）および赤色バンド（６２０ｎｍ〜６７０ｎｍ）の３種類の波長を混合した後、高演色性を持つ白光発光装置が得られる。前記のほか、珪酸塩系蛍光粉または窒化物系蛍光粉の活性体組織をイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光粉９１または珪酸塩系蛍光粉９２に変更して、本発明の目的も達成実現できる。
【００２５】
以上は、本発明の好ましい実施形態であり、本発明の権利範囲に制限を加わるものではない。よって、本発明の権利範囲および明細書の内容による効果等の変化や変更はなお本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００２６】
１  発光ダイオードアレイ
１０  平面
１２  交流電源装置
１４  第１発光ダイオードアレイ
１８  第２発光ダイオードアレイ
２０  修正回路
２１  交流駆動用発光ダイオード素子
３０  限流抵抗
３１  発光ダイオードアレイ
４０  ブリッジ整流回路
４１  発光ダイオードアレイ
５０  発光装置
５１  リードフレーム
５１１  凹槽区域
５２、７７    第１発光ダイオードチップ
５３、７１、７２、７３、７４，７５  第２発光ダイオードチップ
５３ａ  垂直電極式直流駆動用発光ダイオードチップ
５３ｂ  水平電極式直流駆動用発光ダイオードチップ
５４  ワイアボンディングパッド回路
５５  方位標示点
６１  最下層回路
６２、６３  中間層回路
６４  最上層回路
７０、７６  ノード
８０  サファイア基板
８１  Ｎ型窒化ガリウム層
８２  窒化インジウムガリウム発光層
８３  Ｐ型窒化ガリウム層
８４  透明導電層
８５  第１絶縁層
８６  オーム接触の正電極
８７  オーム接続の負電極
８８  直列接続電極
８９  第２絶縁保護層
９０  ワイアボンディングパッド
９１  イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光粉
９２  珪酸塩系蛍光粉
９３  パッケージ用シリカゲル材料
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１】
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【図９】
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