(57)【要約】【課題】  不揮発性半導体記憶手段の劣化状況を検出して、記憶情報の消失を防ぐ。【解決手段】  不揮発性半導体記憶手段において、消去時間と消去時間の基準となる基準値とを比較し、その大小関係に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フローティングゲートを有するメモリトランジスタによって、電気的に情報の書込み／消去を行う不揮発性半導体記憶手段において、消去時間を計測する為の計測手段と、消去時間の基準となる第１の基準値と、前記計測手段の出力と前記基準値とを比較して大小関係を出力する判定手段を有し、前記判定手段の出力に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御する制御部を有する情報記憶装置。
【請求項２】
前記計測手段の出力が前記第１の基準値よりも大きい場合、前記基準値の値を長く変更することを特徴とする請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項３】
前記基準値を変更する際に、前記第１の基準値に所定の値を加算した値に変更することを特徴とする請求項２に記載の情報記憶装置。
【請求項４】
前記基準値を変更する際に、前記第１の基準値に所定の値を乗算した値に変更することを特徴とする請求項２に記載の情報記憶装置。
【請求項５】
消去時間の基準となる基準値を少なくとも２つ以上有し、前記基準値を変更する際に、現在の基準値よりも長い基準値に順次変更していくことを特徴とする請求項２に記載の情報記憶装置。
【請求項６】
フローティングゲートを有するメモリトランジスタによって、電気的に情報の書込み／消去を行う不揮発性半導体記憶手段において、消去時間を計測する為の計測手段と、前記計測手段において計測された値を記憶する第１の消去時間記憶手段と、前回の消去時間を記憶する第２の消去時間記憶手段と、前記第１の消去時間記憶手段と前記第２の消去時間記憶手段の比をとリ、その結果を出力する判定手段を有し、前記判定手段の出力に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御する制御部を有する情報記憶装置。
【請求項７】
フローティングゲートを有するメモリトランジスタによって、電気的に情報の書込み／消去を行う不揮発性半導体記憶手段において、消去時間を計測する為の計測手段と、前記計測手段において計測された値を記憶する第１の消去時間記憶手段と、前回の消去時間を記憶する第２の消去時間記憶手段と、前々回の消去時間を記憶する第３の消去時間記憶手段と、前記第１の消去時間記憶手段と前記第２の消去時間記憶手段との第１の差分、及び、前記第２の消去時間記憶手段と前記第３の消去時間記憶手段との第２の差分を求めて、前記第１の差分と前記第２の差分の比をとリ、その結果を出力する判定手段を有し、前記判定手段の出力に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御する制御部を有する情報記憶装置。
【請求項８】
消去回数をカウントするカウント手段を追加することにより、前記計測手段による計測を所定の回数ごとに実施することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の情報記憶装置。
【請求項９】
前記不揮発性半導体記憶手段に複数の情報を記憶する情報記憶手段を設け、更には前記情報記憶装置に前記不揮発性半導体記憶手段の着脱を検出する検出手段を設けることにより、前前記検出装置が前記不揮発性半導体記憶手段の装着を検知した場合に、前記複数の情報を読み取り、前記複数の情報に従って前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御する制御部を有する情報記憶装置。
【請求項１０】
前記情報が前記不揮発性半導体記憶手段の識別情報、消去動作に有する時間、前記基準値、消去回数のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項９に記載の情報記憶装置。
【請求項１１】
前記計測手段の出力が所定の値を超えた場合、警告を発することを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体を用いたデータ記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、不揮発性半導体記憶装置としては、紫外線消去型のＥＰＲＯＭや、電気的に書換え可能なＥＥＰＲＯＭ、電気的に一括消去を行うフラッシュＥＥＰＲＯＭが知られている。
【０００３】
これらは何れもフローティングゲート（以下、ＦＧ）を有するメモリトランジスタの電荷を操作することによって電気的に書込み／消去を行うものである。これらの不揮発性半導体記憶装置において、消去動作の場合はメモリセルのソースには１０Ｖ程度の高電圧を、制御ゲートには接地電位をそれぞれ印可することによってＦＧとソースの間の絶縁膜に高電界を発生させてＦＧから電子を放出することで、制御ゲートから見たメモリセルのしきい値電圧（以下、Ｖｔ）を低くして消去を行う。また、書込動作の場合はメモリセルのドレインには５〜１０Ｖ程度の電圧を、制御ゲートには１０〜１５Ｖ程度の高電圧を、ソースには接地電位をそれぞれ印可することで、ドレインとソース間の基板表面に強い反転領域が生じてホットエレクトロンが発生させることによりＦＧに電子を注入し、メモリセルのＶｔを高くして書き込みを行う。書換え方式等は上記方法に限定されるものではないが、何れの方法であってもＦＧの電荷保持量によりＶｔを制御していることには変わりない。従って不揮発性半導体記憶装置の最重要課題は、ＦＧに対する何らかのストレスにより希望しないメモリセルのＶｔが変化して記憶情報が失われることといえる。
【０００４】
このような課題の解決方法として、従来は(1)実際にサンプルを評価したうえで、書込み／消去回数に制限を設けて、その回数内で動作を保証するものや、(2)図１４のように不揮発性半導体記憶部内に書込み／消去が行われる際に常に書込み／消去が施される予備メモリを設け、この予備メモリに対して、正規の記憶部への書込み／消去時間よりも短い時間で書込み／消去を実施して、その可否を判断することで、正規の記憶部が消去不能になる前に記憶部の劣化状況を推測して警告を発するものがある。
【０００５】
従来例として、下記特許文献１をあげることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３２８０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来例では、(1)記憶部の寿命を警告するのみで、書込み／消去による劣化を解決、又は、改善するものではない。(2)予備メモリへの書込み／消去時間が一定の為、記憶部の劣化が十分に進んでいない場合にも書込み／消去が出来なくなる可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本出願に係る第１の発明は不揮発性半導体記憶手段において、消去時間と消去時間の基準となる基準値とを比較し、その大小関係に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御することを特徴とする。この結果、前記不揮発性半導体記憶手段の劣化状況を検出して、記憶情報の消失を防ぐことが出来る。
【０００９】
上記目的を達成するために、本出願に係る第２〜７の発明は不揮発性半導体記憶手段において、消去時間の基準となる基準値を劣化状況に応じて順次長くしていくことにより、消去時に必要以上の長時間に渡って記憶素子に電圧が印可されることを防ぐことが出来る。
【００１０】
上記目的を達成するために、本出願に係る第８の発明は不揮発性半導体記憶手段の消去時の劣化状況確認を所定の回数毎に行うことにより、劣化状況確認に要する時間を削減することが出来る。
【００１１】
上記目的を達成するために、本出願に係る第９、１０の発明は識別情報、消去動作に有する時間、前記基準値、消去回数を前記不揮発性半導体記憶手段ごとに記憶して、前記不揮発性半導体記憶手段が情報記憶装置に装着された際に前記識別情報、消去動作に有する時間、前記基準値、消去回数を読みとって、その情報に基づいた消去動作を行うようにすることで、着脱可能な前記不揮発性半導体記憶手段に対しても、個々の劣化状況に応じた消去動作の制御を行うことが出来る。
【００１２】
上記目的を達成するために、本出願に係る第１１の発明は前記不揮発性半導体記憶手段の劣化状況を前記情報記憶装置の使用者に告知することが出来る。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本出願に係る第１の発明によれば、不揮発性半導体記憶手段において、消去時間と消去時間の基準となる基準値とを比較し、その大小関係に応じて前記不揮発性半導体記憶手段への書込み／消去を制御することを特徴とする。この結果、前記不揮発性半導体記憶手段の劣化状況を検出して、記憶情報の消失を防ぐことが可能になる。
【００１４】
また、本出願に係る第２〜７の発明によれば、不揮発性半導体記憶手段において、消去時間の基準となる基準値を劣化状況に応じて順次長くしていくことにより、消去時に必要以上の長時間に渡って記憶素子に電圧が印可されることを防ぐことが可能になる。
【００１５】
また、本出願に係る８の発明によれば、不揮発性半導体記憶手段の消去時の劣化状況確認を所定の回数毎に行うことにより、劣化状況確認に要する時間を削減することが可能になる。
【００１６】
また、本出願に係る第９、１０の発明によれば、識別情報、消去動作に有する時間、前記基準値、消去回数を前記不揮発性半導体記憶手段ごとに記憶して、前記不揮発性半導体記憶手段が情報記憶装置に装着された際に前記識別情報、消去動作に有する時間、前記基準値、消去回数を読みとって、その情報に基づいた消去動作を行うようにすることで、着脱可能な前記不揮発性半導体記憶手段に対しても、個々の劣化状況に応じた消去動作の制御を行うことが可能になる。
【００１７】
また、本出願に係る第１１の発明によれば、前記不揮発性半導体記憶手段の劣化状況を前記情報記憶装置の使用者に告知することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明における実施例１の構成を示すブロック図
【図２】本発明における実施例１の動作を示すフローチャート
【図３】本発明における実施例２の構成を示すブロック図
【図４】本発明における実施例２の動作を示すフローチャート
【図５】本発明における実施例３の消去時間と消去時間の関係を表す模式図
【図６】本発明における実施例３の構成を示すブロック図
【図７】本発明における実施例３の動作を示すフローチャート
【図８】本発明における実施例３の消去時間と消去時間の関係を表す模式図
【図９】本発明における実施例４の構成を示すブロック図
【図１０】本発明における実施例４の動作を示すフローチャート
【図１１】本発明における実施例５の構成を示すブロック図
【図１２】本発明における実施例５のコネクタ部に設けられるスイッチの概略図
【図１３】本発明における実施例５の動作を示すフローチャート
【図１４】本発明における実施例５の構成を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［実施例１］
図１は本発明の構成を示すブロック図であり、図中１はデータを記憶し、その動作状態を示すＢｕｓｙ／Ｒｅａｄｙ信号を出力する不揮発性半導体記憶部、２は不揮発性半導体記憶部１への信号出力、不揮発性半導体記憶部１の出力信号の受信を行うインターフェイス部（以下Ｉ／Ｆ部）、３は不揮発性半導体記憶部１の消去に要する時間を記憶しておく消去時間記憶部、４は不揮発性半導体記憶部の消去に要する標準的な時間を記憶する標準消去時間記憶部、５は消去時間記憶部３と標準消去時間記憶部４とを比較し、その結果を出力する判定部、６は不揮発性半導体記憶部１の消去時間を計測する計測部、７は不揮発性半導体記憶部１の状況を表示する表示部、８はＩ／Ｆ部２を介して不揮発性半導体記憶部１に書込み／読出しを行い、また、判定部５の出力に従って標準消去時間記憶部４と表示部７を制御する制御部である。
【００２０】
次に上記構成における本発明の動作を図２のフローチャートを用いて説明する。制御部８は計測部６を初期化（Ｓ１０１）した後、Ｉ／Ｆ部２を介して消去信号を不揮発性半導体記憶部１へ出力する（Ｓ１０２）。次に不揮発性半導体記憶部１は消去信号を受信した後で消去動作を開始し、Ｂｕｓｙ信号をＩ／Ｆ部２へ出力する。制御部８はＩ／Ｆ部２がＢｕｓｙ信号を受信したことを確認（Ｓ１０３）した後、計測部６での計測を開始させる（Ｓ１０４）。Ｉ／Ｆ部２は不揮発性半導体記憶部１の出力信号を監視し、Ｂｕｓｙ信号を受信している間（Ｓ１０６でＮ）は、制御部８は計測部６の値を消去時間記憶部３に書込み、標準消去時間記憶部４の値との比較を判定部５で行う（Ｓ１０５）。ここで、判定部５による比較の結果、計測部６の値が標準消去時間以内（Ｓ１０５のＹ）であれば消去完了の判定（Ｓ１０６）を行い、標準消去時間を超えている場合（Ｓ１０５のＮ）は、標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直して（Ｓ１０８）消去完了の判定（Ｓ１０６）を行う。この時、一定値を加算した値が標準値の最大値以上になった場合（Ｓ１０９のＹ）は不揮発性半導体記憶部１が消去不能であると判断して警告を行う（Ｓ１１０）。そして、Ｉ／Ｆ部２がＲｅａｄｙ信号を受信した場合（Ｓ１０６でＹ）、制御部８へ消去完了を出力する。制御部８ではＩ／Ｆ部２からの消去完了を受信した後で、計測部６を停止し（Ｓ１０７）、消去動作を終了する。
【００２１】
ここで、Ｓ１０８において標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直したが、これは標準消去時間記憶部４の値に１．１などの定数を乗算した値を設定するようにしても良い。また、制御部８内に標準消去時間のテーブルを設けて、テーブルに従って標準消去時間記憶部４の値を変更しても良い。
【００２２】
［実施例２］
図３は本実施例の構成を示すブロック図である。図１は本発明の構成は前期実施例１において消去動作が終了する度に消去に要した時間を記憶する消去時間記憶部３ａと、装置の起動時には消去時間の平均値を記憶しており、その後は消去動作が終了する度に消去時間記憶部３ａの値を記憶する消去時間記憶部３ｂを設け、標準消去時間記憶部４を廃止したものである。
【００２３】
次に上記構成における動作を図４のフローチャートを用いて説明する。制御部８は計測部６を初期化（Ｓ２０１）した後、Ｉ／Ｆ部２を介して消去信号を不揮発性半導体記憶部１へ出力する（Ｓ２０２）。次に不揮発性半導体記憶部１は消去信号を受信した後で消去動作を開始し、Ｂｕｓｙ信号をＩ／Ｆ部２へ出力する。制御部８はＩ／Ｆ部２がＢｕｓｙ信号を受信したことを確認（Ｓ２０３）した後、計測部６での計測を開始させる（Ｓ２０４）。Ｉ／Ｆ部２はＲｅａｄｙ信号を受信するまで不揮発性半導体記憶部１の出力信号を監視し（Ｓ２０５でＮ）、Ｒｅａｄｙ信号を受信した場合（Ｓ２０５でＹ）に制御部８計測部６による消去時間の計測を停止して（Ｓ２０７）、計測部６の値を消去時間記憶部３ａに書込む。ここで、不揮発性半導体記憶部１の消去時間は図５に示すように、消去動作を繰り返すことによって不揮発半導体記憶部１のしきい値電圧（Ｖｔ）がずれていき、徐々に長くなっていき、いずれは消去不能になることが知られている。次に判定部５では消去時間記憶部３ｂの値を消去時間記憶部３ａの値で除算し、その値が２以下であれば‘０’を、２より大きければ‘１’を制御部８に出力する。（Ｓ２０８）。制御部８は‘０’を受信した場合（Ｓ２０９のＹ）、依然として消去可能であるとして消去時間記憶部３ａの値を消去時間記憶部３ｂに書込み（Ｓ２１０）、消去動作を終了する。一方、‘１’を受信した場合（Ｓ２０９のＮ）には、不揮発性半導体記憶部１が消去不能になる可能性があるとして警告を行う（Ｓ２１１）。
【００２４】
［実施例３］
図６は本発明の構成を示すブロック図である。本実施例は前期実施例２の構成に消去時間記憶部３ｃを追加した物である。ここで、消去時間記憶部３ａには現在の消去時間が、消去時間記憶部３ｂには１回前の消去時間が、消去時間記憶部３ｃには２回前の消去時間が記憶される。ただし、消去時間記憶部３ｂ，３ｃは最初、消去時間の平均値が記憶されているものとする。
【００２５】
次に上記構成における動作を図７に示すフローチャートを用いて説明する。制御部８は計測部６を初期化（Ｓ３０１）した後、Ｉ／Ｆ部２を介して消去信号を不揮発性半導体記憶部１へ出力する（Ｓ３０２）。次に不揮発性半導体記憶部１は消去信号を受信した後で消去動作を開始し、Ｂｕｓｙ信号をＩ／Ｆ部２へ出力する。制御部８はＩ／Ｆ部２がＢｕｓｙ信号を受信したことを確認（Ｓ３０３）した後、計測部６での計測を開始させる（Ｓ３０４）。Ｉ／Ｆ部２は不揮発性半導体記憶部１の出力信号を監視し、Ｒｅａｄｙ信号を受信するまでＢｕｓｙ信号の監視を続ける（Ｓ３０５）。ここで、Ｒｅａｄｙ信号を受信すると、制御部８は計測部６での消去時間の計測を停止し、その値を消去時間記憶部３ａに書込む。判定部５では前記消去時間記憶部３ａ、３ｂ、３ｃについてΔｔ１（＝３ｂ−３ａ）とΔｔ２（＝３ｃ−３ｂ）を算出し、さらにΔｔ２／Δｔ１を求め（Ｓ３０８）、その値が２以下であれば‘０’を、２より大きければ‘１’を制御部８に出力する（Ｓ３０９）。制御部８は‘０’を受信した場合（Ｓ３０９のＹ）には前記消去時間記憶部３ａの値を前記消去時間記憶部３ｂへ、同じく前記消去時間記憶部３ｂの値を３ｃへ書込む（Ｓ３１０）。一方、‘１’を受信した場合（Ｓ３０９のＮ）には不揮発性半導体記憶部１が消去不能になる可能性があるとして警告を行う（Ｓ３１１）。
【００２６】
［実施例４］
本発明の構成は図９に示すように前記実施例１の構成に消去回数を計数するカウンタ９を追加したものである。
【００２７】
上記構成における動作を図１０に示すフローチャートを用いて説明する。まず、カウンタ９が０の場合（Ｓ４０１のＹ）、制御部８は計測部６を初期化（Ｓ４０２）した後、Ｉ／Ｆ部２を介して消去信号を不揮発性半導体記憶部１へ出力する（Ｓ４０３）。次に不揮発性半導体記憶部１は消去信号を受信した後で消去動作を開始し、Ｂｕｓｙ信号をＩ／Ｆ部２へ出力する。制御部８はＩ／Ｆ部２がＢｕｓｙ信号を受信したことを確認（Ｓ４０４）した後、計測部６での計測を開始させる（Ｓ４０５）。Ｉ／Ｆ部２は不揮発性半導体記憶部１の出力信号を監視し、Ｂｕｓｙ信号を受信している間（Ｓ４０７のＮ）は、制御部８は計測部６の値を消去時間記憶部３に書込み、標準消去時間記憶部４の値との比較を判定部５で行う（Ｓ４０６）。ここで、判定部５による比較の結果、計測部６の値が標準消去時間以内（Ｓ４０６のＹ）であれば消去完了の判定（Ｓ４０７）を行い、標準消去時間を超えている場合（Ｓ４０６のＮ）は、標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直して（Ｓ４１０）消去完了の判定（Ｓ４０７）を行う。この時、一定値を加算した値が標準値の最大値以上になった場合（Ｓ４１１のＹ）は不揮発性半導体記憶部１が消去不能であると判断して警告を行う（Ｓ４１２）。そして、Ｉ／Ｆ部２がＲｅａｄｙ信号を受信した場合（Ｓ４０７のＹ）、制御部８へ消去完了を出力する。制御部８ではＩ／Ｆ部２からの消去完了を受信した後でカウンタ９の値を＋１して（Ｓ４０８）、次に計測部６を停止し（Ｓ４０９）、消去動作を終了する。次に、消去回数が増えてカウンタ９の値が１０００の整数倍になった場合（Ｓ４０１のＹ）、制御部８はカウンタ９の値が０の時と同様に消去動作、及び、消去時間の判定を行う。また、カウンタ９の値が１０００の整数倍ではない場合（Ｓ４０１のＮ）には消去動作のみ行う。
【００２８】
ここで、Ｓ４１０において標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直したが、これは標準消去時間記憶部４の値に１．１などの定数を乗算した値を設定するようにしても良い。また、制御部８内に標準消去時間のテーブルを設けて、テーブルに従って標準消去時間記憶部４の値を変更しても良い。
【００２９】
［実施例５］
本発明の構成は図１１に示すように前記実施例２の構成において不揮発性半導体記憶部１とＩ／Ｆ部２の間に不揮発性半導体記憶部１の着脱を検知する為のスイッチを有するコネクタ部１０を設け、更には不揮発性半導体記憶部１内に不揮発性半導体記憶部１の識別データ（識別データ、消去時間、標準消去時間、消去回数）を記憶する識別データ記憶部１１を設けたものである。
【００３０】
上記構成における動作を図１３に示すフローチャートを用いて説明する。コネクタ部１０によって不揮発性半導体記憶部１の装着が検知される（Ｓ５０１）と制御部８はＩ／Ｆ部２を介して識別データ記憶部１１から識別データを読み込み、制御部８は読み取った消去時間を消去時間記憶部３へ、標準消去時間を標準消去時間記憶部４へ、消去回数をカウンタ９へ書込む（Ｓ５０２）。その後は前記実施例２と同様にカウンタ９が０の場合（Ｓ５０３のＹ）、制御部８は計測部６を初期化（Ｓ５０４）した後、Ｉ／Ｆ部２を介して消去信号を不揮発性半導体記憶部１へ出力する（Ｓ５０５）。次に不揮発性半導体記憶部１は消去信号を受信した後で消去動作を開始し、Ｂｕｓｙ信号をＩ／Ｆ部２へ出力する。制御部８はＩ／Ｆ部２がＢｕｓｙ信号を受信したことを確認（Ｓ５０６）した後、計測部６での計測を開始させる（Ｓ５０７）。Ｉ／Ｆ部２は不揮発性半導体記憶部１の出力信号を監視し、Ｂｕｓｙ信号を受信している間（Ｓ５０９のＮ）は、制御部８は計測部６の値を消去時間記憶部３に書込み、標準消去時間記憶部４の値との比較を判定部５で行う（Ｓ５０８）。ここで、判定部５による比較の結果、計測部６の値が標準消去時間以内（Ｓ５０８のＹ）であれば消去完了の判定（Ｓ５０９）を行い、標準消去時間を超えている場合（Ｓ５０８のＮ）は、標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直して（Ｓ５１３）消去完了の判定（Ｓ５０９）を行う。この時、一定値を加算した値が標準値の最大値以上になった場合（Ｓ５１４のＹ）は不揮発性半導体記憶部１が消去不能であると判断して警告を行う（Ｓ５１５）。そして、Ｉ／Ｆ部２がＲｅａｄｙ信号を受信した場合（Ｓ５０９のＹ）、制御部８へ消去完了を出力する。制御部８ではＩ／Ｆ部２からの消去完了を受信した後（Ｓ５０９）でカウンタ９を＋１して（Ｓ５１０）、計測部６を停止し（Ｓ５１１）、消去動作を終了する。次に、消去回数が増えてカウンタ９の値が１０００の整数倍になった場合（Ｓ５０３のＹ）、制御部８はカウンタ９の値が０の時と同様に消去動作、及び、消去時間の判定を行う。また、カウンタ９の値が１０００の整数倍ではない場合（Ｓ５０３のＮ）には消去動作のみ行う。次に、消去動作が完了した後でカウンタの計数による消去回数、消去時間等のデータを不揮発性半導体記憶部１内の識別データ記憶部１１に書込みを行う。
【００３１】
ここで、Ｓ５１３において標準消去時間記憶部４の値に一定値を加算した値を設定し直したが、これは標準消去時間記憶部４の値に１．１などの定数を乗算した値を設定するようにしても良い。また、制御部８内に標準消去時間のテーブルを設けて、テーブルに従って標準消去時間記憶部４の値を変更しても良い。
【符号の説明】
【００３２】
１  不揮発性半導体記憶部
２  インターフェイス部
３  消去時間記憶部
４  標準消去時間記憶部
５  判定部
６  計測部
７  表示部
８  制御部
９  カウンタ
１０  コネクタ部
１１  識別データ記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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