(57)【要約】【課題】  特に、圧電膜の圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を低減できる角速度センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】基板２７上に、下から下部電極２８、圧電膜２９及び上部電極３１の順に形成された振動子１２を有し、前記圧電膜２９の圧電効果を利用して角速度を検出する角速度センサにおいて、前記下部電極２８はＰｔあるいはＰｔ合金により形成されており、前記下部電極２８の一部は、その上に前記圧電膜２９が形成されずに前記圧電膜２９から露出した電極パッド３２であり、前記電極パッド３２上に、前記圧電膜２９より薄く形成された導電性の接続中間層３５を介してワイヤボンディングされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下から下部電極、圧電膜及び上部電極の順に形成された振動子を有し、前記圧電膜の圧電効果を利用して角速度を検出する角速度センサにおいて、
前記下部電極はＰｔあるいはＰｔ合金により形成されており、
前記下部電極の一部は、その上に前記圧電膜が形成されずに前記圧電膜から露出した電極パッドであり、
前記電極パッド上に、前記圧電膜より薄く形成された導電性の接続中間層を介してワイヤボンディングされていることを特徴とする角速度センサ。
【請求項２】
前記圧電膜には穴部が形成され、前記穴部から前記電極パッドが露出している請求項１記載の角速度センサ。
【請求項３】
前記接続中間層は前記穴部内にのみ形成されている請求項２記載の角速度センサ。
【請求項４】
前記接続中間層は、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の角速度センサ。
【請求項５】
基板上に、下から下部電極、圧電膜及び上部電極の順に形成された振動子を有し、前記圧電膜の圧電効果を利用して角速度を検出する角速度センサの製造方法において、
前記振動子を形成するとき、前記下部電極をＰｔあるいはＰｔ合金により形成し、さらに前記下部電極の一部を、電極パッドとして前記圧電膜から露出させる工程、
前記電極パッド上に導電性の接続中間層を形成し、このとき、前記接続中間層を前記圧電膜よりも薄く形成する工程、
前記接続中間層の上面にワイヤボンディングを施す工程、
を有することを特徴とする角速度センサの製造方法。
【請求項６】
前記圧電膜に穴部を形成して、前記穴部から前記電極パッドを露出させる工程を備える請求項５記載の角速度センサの製造方法。
【請求項７】
前記接続中間層を、前記穴部内にのみ形成する請求項６記載の角速度センサの製造方法。
【請求項８】
前記接続中間層を、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成する請求項５ないし７のいずれかに記載の角速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、圧電膜の圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を低減できる角速度センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）に関する発明が開示されている。角速度センサは例えば、音叉型振動子を備え、２本のアーム部には、下から下部電極、圧電膜、及び上部電極の順に形成された駆動部及び検出部が形成されている。また、下部電極や上部電極には配線パターンと、配線パターンの基部に接続された電極パッドとを有して構成されており、電極パッド上にワイヤボンディングが施される（特許文献１の［０００７］欄等）。
【０００３】
図１８は、従来の角速度センサの部分断面図である。図１８に示すように、Ｓｉ基板１上に、下から下部電極２、圧電膜３及び上部電極４の順に形成されている。図１８に示すように、振動子を構成するアーム部５の基部５ａには穴部６が形成され、この穴部６から下部電極２の一部である電極パッド７が露出している。そして電極パッド７上にワイヤボンディングが施される。
【０００４】
ところで、下部電極２は、圧電膜３の良好な圧電特性を得るための下地層としても機能する。そして、下部電極２には、圧電膜３の結晶配向を整え、また耐熱性が必要等とされたためにＰｔが好ましく使用されていた。
【０００５】
しかしながら、Ｐｔで形成された電極パッド７上では適切にワイヤボンディングできず接触不良を起こしやすかった。これは、Ｐｔの膜質が非常に硬いこと等が要因として考えられる。
【０００６】
また圧電効果を阻害せずに、下部電極２とワイヤ間の良好な接続構造を得ることが必要であった。
【特許文献１】特開２００８−１２２２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、圧電膜の圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を低減できる角速度センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板上に、下から下部電極、圧電膜及び上部電極の順に形成された振動子を有し、前記圧電膜の圧電効果を利用して角速度を検出する角速度センサにおいて、
前記下部電極はＰｔあるいはＰｔ合金により形成されており、
前記下部電極の一部は、その上に前記圧電膜が形成されずに前記圧電膜から露出した電極パッドであり、
前記電極パッド上に、前記圧電膜より薄く形成された導電性の接続中間層を介してワイヤボンディングされていることを特徴とするものである。
【０００９】
これにより、圧電膜の圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を効果的に低減できる。
【００１０】
本発明では、前記圧電膜には穴部が形成され、前記穴部から前記電極パッドが露出していることが好ましい。このとき、前記接続中間層は前記穴部内にのみ形成されていることが好ましい。これにより、接続中間層を設けたことによる圧電効果への影響をより小さくできる。
【００１１】
また本発明では、前記接続中間層は、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成されることが好ましい。これにより、ＰｔあるいはＰｔ合金で形成された電極パッドとの密着性を高くできるとともに、接続中間層の上面により適切にワイヤボンディングすることが可能である。
【００１２】
本発明は、基板上に、下から下部電極、圧電膜及び上部電極の順に形成された振動子を有し、前記圧電膜の圧電効果を利用して角速度を検出する角速度センサの製造方法において、
前記振動子を形成するとき、前記下部電極をＰｔあるいはＰｔ合金により形成し、さらに前記下部電極の一部を、電極パッドとして前記圧電膜から露出させる工程、
前記電極パッド上に導電性の接続中間層を形成し、このとき、前記接続中間層を前記圧電膜よりも薄く形成する工程、
前記接続中間層の上面にワイヤボンディングを施す工程、
を有することを特徴とするものである。これにより、圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を効果的に低減できる角速度センサを簡単且つ適切に製造できる。
【００１３】
本発明では、前記圧電膜に穴部を形成して、前記穴部から前記電極パッドを露出させる工程を備えることが好ましい。このとき、前記接続中間層を、前記穴部内にのみ形成することが好ましい。
【００１４】
また本発明では、前記接続中間層を、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成することが好ましい。これにより、ＰｔあるいはＰｔ合金で形成された電極パッドとの密着性を高くできるとともに、接続中間層の上面により適切にワイヤボンディングすることが可能である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を効果的に低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１（ａ）は本実施形態における角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た角速度センサの断面図、図２は、ワイヤと電極パッド間の接続構造を示した部分拡大断面図、図３は他の接続構造を示す部分断面図、である。
【００１７】
各図におけるＸ軸方向及びＹ軸方向は基板平面内での直交する２方向を指す。Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に対して直交する高さ方向（垂直方向）を指す。
【００１８】
図１に示すように角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）１０は、振動子１２を備えて構成される。角速度センサ１０は、集積回路等が設けられた実装基板１１上に台座部１３を介して実装される。
【００１９】
振動子１２は、Ｓｉ基板２７と、振動子１２がコリオリ力を受けたときに変位する変位量を検出するための圧電機能素子１４とを有して構成される。
【００２０】
図１に示す形態では振動子１２は音叉型振動子である。図１（ａ）に示すように振動子１２はＸ軸方向に所定間隔を空けてＹ軸方向に長く延びる２本のアーム部１５，１６（第１アーム部１５と第２アーム部１６）と、これらアーム部１５，１６の一端部側を連結する基部（連結部）１７とを有して構成される。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように振動子１２の基部１７が実装基板１１上に台座部１３を介して接合され固定されている。このため図１（ｂ）に示すように振動子１２のアーム部１５，１６は、実装基板１１の上面から上方に浮いた状態である。
【００２２】
圧電機能素子１４はアーム部１５，１６から基部１７に至るＳｉ基板２７の上面に形成される。以下、圧電機能素子１４の形態について説明する。
【００２３】
図１，図２に示すように、第１アーム部１５を構成するＳｉ基板２７上には互いにＸ軸方向に離間して設けられた第１駆動部１８及び第２駆動部１９と、駆動部１８，１９間に離間して設けられた検出部２０が設けられる。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、第１駆動部１８及び第２駆動部１９は、下から下部電極２８、例えばＰＺＴからなり垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理された圧電膜２９、及び上部電極（駆動電極）３１の順に積層されている。
【００２５】
また、検出部２０も、下から下部電極２８、例えばＰＺＴからなり垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理された圧電膜２９、及び上部電極（検出電極）３１の順に積層されている。
【００２６】
検出部２０は、アーム部１５のＸ軸方向（幅方向）の略中心位置にＹ軸方向に沿って設けられており、各駆動部１８，１９は、検出部２０からＸ軸方向（幅方向）に略等間隔の位置にＹ軸方向に沿って設けられる。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、第２アーム部１６側にも第１アーム部１５と同じ圧電機能素子１４が形成されている。第１アーム部１５に形成された圧電機能素子１４と第２アーム部１６に形成された圧電機能素子１４とは、第１アーム部１５と第２アーム部１６との間のＹ軸方向への中心線を対称軸として線対称関係で形成される。
【００２８】
下部電極２８は、共通グランドとして機能し、図１に示すように、下部電極２８の一部は、圧電膜２９に形成された穴部２９ａから電極パッド３２として露出している。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、第１アーム部１５に形成された第１駆動部１８の上部電極３１と、第２アーム部１６に形成された第１駆動部１８の上部電極３１は、配線パターンと、両方の配線パターンに接続され、基部１７の圧電膜２９上に形成された共通の電極パッド２１とで構成される。
【００３０】
また図１（ａ）に示すように、第１アーム部１５に形成された第２駆動部１９の上部電極３１と、第２アーム部１６に形成された第２駆動部１９の上部電極３１は、配線パターンと、両方の配線パターンに接続され、基部１７の圧電膜２９上に形成された共通の電極パッド２２とで構成される。
【００３１】
さらに図１（ａ）に示すように、第１アーム部１５に形成された検出部２０の上部電極３１、及び第２アーム部１６に形成された検出部２０の上部電極３１は、配線パターンと、各配線パターンに接続され、基部１７の圧電膜２９上に形成された各電極パッド２３，２４とで構成される。
【００３２】
各電極パッド２１，２２，２３，２４，３２上にワイヤボンディングが施されて図示しない集積回路（ＩＣ）との間で電気的に接続される。集積回路から互いに位相が逆の駆動振動が電極パッド２１，２２に供給される。このとき、圧電効果により、例えば、第１駆動部１８の圧電膜２９がＹ軸方向に縮むと、第２駆動部１９の圧電膜２９はＹ軸方向に延びる。これにより各アーム部１５，１６が逆位相でＸ軸方向に曲がり音叉振動を起こす。
【００３３】
このように振動子１２がＸ軸方向にて音叉振動しているときに、Ｙ軸周りの角速度Ωが角速度センサ１０に印加されるとコリオリ力により各アーム部１５，１６がＺ軸方向に逆位相で変位する。このときの各アーム部１５，１６の変位量は各アーム部１５，１６に設けられた検出部２０の上部電極３１にて検出される。各アーム部１５，１６の上部電極３１にて検出された電荷は逆極性であり、それら電荷は夫々電極パッド２３，２４に導かれる。そして各電極パッド２３，２４にワイヤボンディングを介して電気的に接続される集積回路にて信号処理がされて角速度信号が出力される。
【００３４】
図１（ａ）（ｂ）に示すように、下部電極側の電極パッド３２上には導電性の接続中間層３５が形成される。図２にも拡大して示すように接続中間層３５の膜厚Ｈ１は圧電膜２９の膜厚Ｈ２よりも薄い。よって接続中間層３５の上面３５ａは圧電膜２９の上面２９ｂや上部電極３１の上面３１ａより低い位置にある。なお、接続中間層３５の膜厚Ｈ１は、例えば、０．３〜１．３μｍの範囲内であり、圧電膜２９の膜厚Ｈ２は、２．５〜３．５μｍの範囲内である。
【００３５】
そして、図１（ｂ）及び図２に示すように、接続中間層３５の上面３５ａにワイヤボンディングが施される。
【００３６】
下部電極２８及び下部電極２８と一体的に形成される電極パッド３２は、ＰｔあるいはＰｔ合金（Ｐｔ−Ｔｉ等）で形成される。これにより、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）で形成された圧電膜２９の良好な圧電特性を得ることが出来る。
【００３７】
ワイヤボンディングによるワイヤ３６は、良好な電気伝導性の材料で形成されている。ワイヤ３６はＡｕで形成されていることが好適である。ワイヤ３６の接合部（先端部）３６ａは、元々はボール状であったものがキャピラリにより押し付けられたことで潰された形状であり、ワイヤボンディング時、熱と超音波が与えられてワイヤ３６の接合部３６ａが接続中間層３５の上面３５ａに接合される。
【００３８】
よって接続中間層３５には耐熱性が必要であるが、下部電極２８と違って、接続中間層３５は圧電膜２９の下地層で無いため材質選択の自由度が増し、例えば、上部電極３１と同じ材質で形成することも可能である。
【００３９】
本実施形態では、接続中間層３５は、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成される。これら材質はＰｔよりも軟質である。接続中間層３５はスパッタ法やメッキ法等の既存の方法を用いて形成できる。
【００４０】
本実施形態では、ＰｔあるいはＰｔ合金で形成された電極パッド３２上に直接、ワイヤボンディングせず、Ａｕ等で形成された接続中間層３５を介してワイヤボンディングする。これにより、接続中間層３５の上面３５ａとワイヤ３６の接合部３６ａとの間で良好な化学結合が生じるので、ワイヤ３６が容易に剥がれてしまう等のワイヤボンディングの不良を低減できる。
【００４１】
また本実施形態では、図２に示すように接続中間層３５の膜厚Ｈ１を圧電膜２９の膜厚Ｈ２より薄く形成している。図２に示す形態では、接続中間層３５は圧電膜２９に形成された穴部２９ａ内にのみ形成される。図２に示すように接続中間層３５の幅寸法Ｔ１は、穴部２９ａの最小幅寸法Ｔ２に比べて小さく、接続中間層３５が圧電膜２９のどこにも接していない（接続中間層３５が圧電膜２９の側面から離れている）。よって接続中間層３５が圧電膜２９の圧電効果に影響を及ぼすことが無い。
【００４２】
一方、図３（図２とは異なる部分での断面図である）に示す形態では、接続中間層３５が、圧電膜２９に形成された穴部２９ａから露出する電極パッド３２上から圧電膜２９の側面２９ｃ及び、圧電膜２９の上方に形成された保護層（絶縁層）３７の上面にかけて形成される。図３に示す形態でも図２と同様に接続中間層３５の膜厚Ｈ１は、圧電膜２９の膜厚Ｈ２よりも薄い。
【００４３】
図３に示す実施形態では、接続中間層３５が穴部２９ａ内のみならず、圧電膜２９の側面２９ｃから上方位置にまで延出して形成されている。よって図２に示す形態に比べて、圧電膜２９の圧電効果に多少の影響を及ぼす可能性があるものの、その影響は、接続中間層３５の膜厚Ｈ１が薄いために非常に小さいものと考えられる。例えば、図３に示す点線位置や、上部電極３１と同位置まで、接続中間層３５を持上げて形成する形態（比較例）では、接続中間層３５の膜厚を圧電膜２９の膜厚Ｈ２以上とすることが必要であり、接続中間層３５の形成工程が煩雑化するとともに、圧電膜２９の圧電効果を阻害しやすくなる。図３の実施形態では比較例に比べて接続中間層３５の膜厚Ｈ１を薄く形成するため、接続中間層３５の形成工程を容易化できるとともに、圧電膜２９の圧電効果を良好に保つことが出来る。
【００４４】
以上により、本実施形態によれば、圧電膜２９の圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を効果的に低減することが出来る。
【００４５】
なお、図１のように圧電膜２９に穴部２９ａを形成せず、基部１７の後方位置にまで下部電極２８を延ばして形成して基部１７の後方位置から電極パッド３２を露出させることも出来るが、そのような形態では基部１７の部分が大きくなり振動子１２の小型化を促進できないので、圧電膜２９に穴部２９ａを形成し、この穴部２９ａから下部電極側の電極パッド３２を露出させる形態とすることが振動子１２の小型化を促進でき好適である。
【００４６】
上記実施形態では音叉型振動子であったが音片型振動子等であってもよい。また接続中間層３５は、下部電極側の電極パッド３２上と共に、上部電極側の電極パッド２１〜２４上に設けられてもよい。
【００４７】
図４ないし図１７は、本実施形態の角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）の製造方法を示す一工程図である。各図の（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す。ただし、図１２、図１３、図１４は、図１１（ｂ）に示すＣ−Ｃ線での拡大断面図である。
【００４８】
図４に示す工程では、ＳＯＩ基板３８の上面３８ａにＳｉＯ2等から成る絶縁層３９を成膜する。ＳＯＩ基板３８は、Ｓｉ基板２７，４０と、Ｓｉ基板２７，４０の間に例えばＳｉＯ2で形成された酸化絶縁層（犠牲層，ＢＯＸ層）４１の積層構造である。ＳＯＩ基板３８の上面側に位置するＳｉ基板２７は活性層とも呼ばれ、膜厚は１５０〜２００μｍ程度である。また、酸化絶縁層４１は０．５μｍ程度の膜厚である。ＳＯＩ基板３８の全膜厚は５００μｍ前後である。なお絶縁層３９の形成は任意である。
【００４９】
次に図５に示す工程では、絶縁層３９上に下から、下部電極２８、圧電膜２９、上部電極３１の順に積層する。圧電膜２９を垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理する。
【００５０】
ここで下部電極２８をＰｔあるいはＰｔ合金（Ｔｉ−Ｐｔ等）で形成する。また、圧電膜２９をＰＺＴで形成する。なおＰＺＴ以外に、圧電膜２９を、チタン酸鉛（ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰＺ）、ランタン（Ｌａ）添加チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）等で形成することも可能である。また上部電極３１を、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成する。
【００５１】
次に図６に示す工程では、上部電極３１を図６（ｂ）に示すように各種、電極パッドと電極パッドに接続される配線パターンとに形成する。図６の工程では不要な上部電極３１をイオンミリングやＲＩＥ等により除去するが、図６（ａ）に示すように、除去された上部電極３１の下に位置する圧電膜２９も一部、除去されて凹む。
【００５２】
次に図７に示す工程では、イオンミリングやＲＩＥ等により不要な圧電膜２９を除去し、圧電膜２９を所望の形状に残す。またこのとき、図７（ａ）に示すように不要な圧電膜２９下に位置する下部電極２８や絶縁層３９も除去しＳｉ基板２７を露出させる。
【００５３】
次に図８に示す工程では、圧電膜２９に穴部２９ａを形成し、この穴部２９ａから下部電極２８の一部を電極パッド３２として露出させる。
【００５４】
次に図９に示す工程では、保護層（絶縁層）３７をＳｉＯ2等で全面に成膜する。保護層（絶縁層）３７の成膜は任意である。
【００５５】
次に図１０に示す工程では、各電極パッド上の保護層３７をイオンミリングやＲＩＥ等により除去して、各電極パッドを保護層３７から露出させる。
【００５６】
次に図１１に示す工程では、各電極パッド上に導電性の接続中間層３５を形成する。
図１２は図１１の拡大断面図である。図１２に示すように、下部電極側の電極パッド３２上に形成される接続中間層３５の膜厚Ｈ１を、圧電膜２９の膜厚Ｈ２より薄く形成し、接続中間層３５を圧電膜２９に形成された穴部２９ａ内にのみ形成することが好適である。
【００５７】
接続中間層３５を、Ａｕ，Ａｌ，ＡｌＣｕの少なくともいずれか１種により形成することが好ましい。
【００５８】
ここで図１２では、上部電極側の各電極パッド２１〜２４上にも接続中間層３５を形成しているが、形成しなくてもよい。ただし、特に保護層３７を形成した場合には、保護層３７の上面より電極パッド２１〜２４の上面のほうが低い位置になるのでワイヤボンディングをしやすくするために上部電極側の各電極パッド２１〜２４上にも接続中間層３５を設けることが好適である。
【００５９】
図１２では、接続中間層３５を保護層３７に接しないように電極パッド上のみに形成したが図１３のように、接続中間層３５の端部３５ｂを保護層３７の上面に延出させてもよい。また下部電極側の電極パッド３２上に形成される接続中間層３５の端部を図３に示すように圧電膜２９の上方位置にまで延出して形成してもよい。図１４は保護膜３７を形成しなかった場合の形態である。
【００６０】
次に図１５（図１５（ｂ）では保護層３７を図示していない。図１６（ｂ）、図１７（ｂ）についても同様）に示す工程では、ディープＲＩＥ（Deep  RIE）を用いて、Ｓｉ基板２７を振動子１２の形状に加工する。
【００６１】
次に図１６に示す工程では、Ｓｉ基板２７の膜厚をＣＭＰ、ＲＩＥ、研磨等により調整する。図１６に示す工程では、支持基板（Ｓｉ基板）４０及び酸化絶縁層４１を除去しているが、例えば支持基板４０を残し、酸化絶縁層４１の一部を図１（ｂ）に示す台座部１３として残し、支持基板４０を実装基板上に実装するようにしてもよい。
【００６２】
次に図１７に示す工程では、各振動子１２に個片化する。そして各振動子１２を実装基板１１上に台座部１３を介して実装し、集積回路（ＩＣ）と各電極パッド上に形成された接続中間層３５間をワイヤボンディングにより電気的に接続する。
【００６３】
本実施形態では、図８に示すように、圧電膜２９に穴部２９ａを形成して、穴部２９ａから下部電極２８の一部であるＰｔあるいはＰｔ合金で形成された電極パッド３２を露出させ、図１２の工程で、少なくとも下部電極側の電極パッド３２上に導電性の接続中間層３５を形成する。このとき、接続中間層３５の膜厚Ｈ１を圧電膜２９の膜厚Ｈ２より薄く形成する。そして接続中間層３５上にワイヤボンディングを施す。
【００６４】
上記により、圧電効果を良好に保ちつつ、ワイヤボンディングの不良を効果的に低減できる角速度センサを簡単且つ適切に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１（ａ）は本実施形態における角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た角速度センサの断面図、
【図２】ワイヤと電極パッド間の接続構造を示した部分拡大断面図、
【図３】他の接続構造を示す部分断面図、
【図４】本実施形態の角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）の製造方法を示す一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図５】図４の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図６】図５の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図７】図６の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図８】図７の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図９】図８の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１０】図９の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１２】図１１（ｂ）のＣ−Ｃ線での部分拡大断面図、
【図１３】図１２とは異なる構成の部分拡大断面図、
【図１４】図１２とは異なる構成の部分拡大断面図、
【図１５】図１１の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１７】図１６の次に行われる一工程図（（ａ）は、断面図、各図の（ｂ）は、平面図を示す）、
【図１８】従来の角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）の部分断面図、
【符号の説明】
【００６６】
１０  角速度センサ（振動型ジャイロセンサ）
１１  実装基板
１２  振動子
１３  台座部
１４  圧電機能素子
１５、１６  アーム部
１８、１９  駆動部
２０  検出部
２１〜２４  上部電極側の電極パッド
２７  Ｓｉ基板
２８  下部電極
２９  圧電膜
２９ａ  穴部
３１  上部電極
３２  下部電極側の電極パッド
３５  接続中間層
３６  ワイヤ
３８  ＳＯＩ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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