(57)【要約】【課題】微細孔の内壁と微細孔に充填した導電性物質からなる貫通電極との間で発生する隙間や拡散、酸化を抑制し、パッドと貫通電極との電気的接続の安定性を向上させることが可能なデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスの製造方法であって、前記第一基板の他方の面から、Deep-Reactive Ion Etching 法を用いて、前記パッドが露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を形成する工程Ｂと、前記微細孔の内部に前記第一導電体を充填する工程Ｃと、を備える。【選択図】図１
2010226146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスの製造方法であって、
前記第一基板の他方の面から、Deep-Reactive Ion Etching 法を用いて、前記パッドが露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、
前記微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を形成する工程Ｂと、
前記微細孔の内部に前記第一導電体を充填する工程Ｃと、
を少なくとも具備したことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第二導電体からなる導電部をドライフィルムレジストを用いてパターニングすることを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記工程Ａの後、前記微細孔の内面に絶縁層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記微細孔の内面に形成された絶縁層のうち、前記微細孔の底部の絶縁層のみを除去する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記微細孔の底部の絶縁層のみを、Reactive Ion Etching法を用いて除去することを特徴とする請求項４に記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスであって、
前記微細孔はDeep-Reactive Ion Etching 法を用いて形成され、かつ、該微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を設けたことを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面に配された機能素子と電気的に接続するように設けられた貫通電極を備えてなるデバイス及びその製造方法に関する。本発明は、機能素子として例えば半導体レーザ等の発光素子や固体撮像素子等の受光素子を基板に備えてなるデバイスに好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣやＬＳＩ等の電子デバイスやＯＥＩＣや光ピックアップ等の光デバイスにおいてデバイス自体の小型化や高機能化を図るために、あるいはそれらデバイスを積層して接続するような場合に、例えば何らかの機能素子が一方の面に設けられている基板に対して、基板の一方の面から他方の面に貫通してなる貫通電極を用いる技術が公知である。
【０００３】
このような貫通電極を作製する方法としては、貫通孔を開ける方向により２つに区分される。図１１は、第一の製法に係る製造プロセスの概略を示す模式的断面図であり、第一の製法とは、予め素子が配されている基板の一方の面（表面）から、他方の面（裏面）に向けて基板に微細孔を形成し、この孔内部に導電体を充填した後、基板の両面を研削して貫通電極を形成する方法（例えば、特許文献１、非特許文献１を参照）である。図１２は、第二の製法に係る製造プロセスの概略を示す模式的断面図であり、第二の製法とは、予め素子が配されている基板の一方の面（表面）には電気的な接続端子として機能するパッドが設けてあり、このパッドに向けて、基板の他方の面（裏面）から微細孔を形成し、この孔内部に導電体を充填し貫通電極を形成する方法である。
【０００４】
第一の製法では、例えば一方の面（図面上方の面）に機能素子２１２が配された平行平板からなる基材２１１を用い［図１１（ａ）］、少なくとも機能素子２１２を被うようにレジスト等からなる保護膜２１５を設けた後、この基材２１１の一方の面（図面上方の面）から例えば円筒形の微細孔２１６を形成する［図１１（ｂ）］。ここで、２１６’は微細孔の側内面を表す。次に、この微細孔２１６の内部を満たすとともに、基材２１１の一方の面も被うように導電体２１７を設ける［図１１（ｃ）］。導電体２１７のうち、２１７ａは微細孔２１６の内部を満たす部分であり、２１７ｂは基材２１１の一方の面を被う部分を表す。次いで、微細孔２１６の内部を満たす部分２１７ａの一部（以下、貫通電極とも呼ぶ）２１７ｃが残存するように、基材２１１の両面から研削加工を施す［図１１（ｄ）］。２１１’は研削加工後の基材を表す。これにより、基材２１１’において、一方の面（図面上方の面）から他方の面（図面下方の面）に貫通してなる貫通電極２１７ｃが得られる。その後、研削加工後の基材２１１’の一方の面において、少なくとも貫通電極２１７ｃを被覆し、かつ貫通電極２１７ｃと電気的に接続するパッド２１３や、バッド２１３と機能素子２１２とを電気的に接続する配線２１４を設ける［図１１（ｅ）］。
この構成によれば、機能素子２１２と貫通電極２１７との間は、配線２１４およびパッド２１３により電気的に接続されるので、機能素子２１２は基材２１１’の他方の面に電気的な接続端部を有することが可能となる。なお、前記研削加工の際、基材２１１の一方の面を被う部分２１７ｂの一部を残すように加工し、配線として利用することもできる。
【０００５】
しかしながら、第一の製法には以下に示す課題があった。
（１）第一の製法では、プラズマ処理を用いて基材２１１の一方の面に微細孔２１６を形成する。その際、基材２１１や保護膜２１５はプラズマに直接曝され、プラズマから熱や外力の影響を受ける。すると、機能素子２１２も基材２１１や保護膜２１５を介して同様にプラズマの影響を少なからず受けざるを得ない。
また、研削加工を施すことにより、導電体２１７を構成する微細孔２１６の内部を満たす部分２１７ａが基材２１１’の両面に露出してなる貫通電極２１７ｃを形成する。この研削加工により基材２１１が基材２１１’に薄板化されるが、この加工時には、基材の一方の面に配した機能素子２１２を被覆していた保護膜２１５も除去されることになり、基材が受けるのと同様の熱や外力の影響を少なからず機能素子２１２も受けざるを得ない。
このような熱や外力の影響は、機能素子２１２が有する機能や性能を損なわせる恐れがあった。
（２）また、第一の製法では、基材２１１の両面を研削加工し、最終的に使用する厚みの基材２１１’と基材２１１’の一方の面から他方の面に貫通してなる貫通電極２１７ｃとを形成する。したがって、第一の製法は必ずや研削工程を要するので、製造コストが嵩む傾向にあった。
【０００６】
第一の製法における課題（１）及び（２）を解消する方法として、予めパッド３１３やパッド３１３と配線３１４を介して電気的に接続された機能素子３１２が一方の面に設けられた基材３１１を用いることができるという、第二の製法が本発明者らによって先に提案されている。
図１２は、第二の製法に係る製造プロセスの概略を示す模式的断面図である。第二の製法では、例えばパッド３１３が一方の面上に設けられた基材３１１を用い［図１１（ａ）］、この基材３１１の他方の面（図面下方の面）から、パッド３１３の裏面（基材３１１と接していた面）が露出するまで、例えば円筒形の微細孔３１６を形成する［図１１（ｂ）］。ここで、３１６’は微細孔の側内面を表す。次に、この微細孔３１６の内部を満たすように導電性物質３１７（以下、貫通電極とも呼ぶ）を設ける［図１０（ｃ）］。
第二の製法によると、予めパッド３１３やパッド間に位置しパッド３１３と電気的に接続された各種デバイス（不図示）が一方の面に設けられた基材３１１を用いることができるので、貫通電極３１７を形成すれば直ちに、基材３１１の一方の面（図面上方の面）にあるデバイスは基材３１１の他方の面（図面下方の面）に電気的な接続端部をもつことが可能となる。また、第一の製法のように、貫通電極を形成した後に基材３１１を研削加工する必要がないので、材料的に無駄がなく、余計な工程も省くことができるので、低コスト化が図れるという長所を第二の製法は備えている。
【０００７】
しかしながら、第二の製法は以下に示す課題があった。
（３）基材３１１の他方の面から形成した微細孔３１６の内側面３１６’には特に何も処理を施していなかった。そのため、充填された導電性物質３１７と基材３１１との密着性が悪く、導電性物質３１７と内側面３１６’との間に隙間が生じたり、導電性物質３１７を構成する元素が基材３１１側に拡散しやすい。
（４）導電性物質３１７を充填する前に、微細孔３１６の先端部、すなわちパッド３１３の裏面（基材３１１と接していた面）が剥き出しになる状態があった。パッド３１３を構成する材料としてはＡｌ系の金属が好適に用いられている。Ａｌ系の金属は酸化されやすい性質を有することから、微細孔３１６を形成後、剥き出しになった金属表面には直ちに不均一な酸化部位３２０が形成されてしまう。その結果、酸化部位３２０が電気的な障壁となり、導電性物質３１７とパッド３１３との間の電気的接続を阻害あるいは不安定にするため、長期信頼性を向上させることが難しかった。
【０００８】
このため、第二の製法においては、微細孔３１６の内壁をなす側面３１６’やパッド３１３の裏面において発生する隙間や拡散、酸化という問題を解決できるデバイスの構成やその製造方法の開発が期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−３５１９９７号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】２００２  ＩＣＥＰ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，ｐ３２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、微細孔の内壁と微細孔に充填した導電性物質からなる貫通電極との間で発生する隙間や拡散、酸化を抑制し、パッドと貫通電極との電気的接続の安定性を向上させることが可能なデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に係るデバイスの製造方法は、第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスの製造方法であって、前記第一基板の他方の面から、Deep-Reactive Ion Etching 法を用いて、前記パッドが露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を形成する工程Ｂと、前記微細孔の内部に前記第一導電体を充填する工程Ｃと、を少なくとも具備したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項２に係るデバイスの製造方法は、請求項１において、前記第二導電体からなる導電部をドライフィルムレジストを用いてパターニングすることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項３に係るデバイスの製造方法は、請求項１又は２において、前記工程Ａの後、前記微細孔の内面に絶縁層を形成することを特徴とする。
本発明の請求項４に係るデバイスの製造方法は、請求項１乃至３のいずれか１項において、前記微細孔の内面に形成された絶縁層のうち、前記微細孔の底部の絶縁層のみを除去する工程を有することを特徴とする。
本発明の請求項５に係るデバイスの製造方法は、請求項４において、前記微細孔の底部の絶縁層のみを、Reactive Ion Etching法を用いて除去することを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項６に係るデバイスは、第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスであって、前記微細孔はDeep-Reactive Ion Etching 法を用いて形成され、かつ、該微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１に係る製造方法は、第二導電体からなる導電部を微細孔の内面の少なくとも一部と貫通電極との間に形成する工程Ｂを備えたことにより、微細孔の内面と貫通電極との間で発生する隙間や拡散、酸化を抑制可能な上記デバイスの作製に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るデバイスの一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図である。
【図５】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図である。
【図６】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図である。
【図７】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。
【図８】本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。
【図９】本発明に係るデバイスの製造方法を工程順に示した断面模式図である。
【図１０】オージェ分析法により測定した結果を示すグラフである。
【図１１】従来の第一の製法に係る製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図１２】従来の第二の製法に係る製造プロセスを示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本発明に係るデバイスの一実施形態を図面に基づいて説明する。図１〜図３は絶縁性の基材を用いた場合を、図４〜図６は導電性の基材を用いた場合を、それぞれ表している。なお、何れの図面も本発明に係るデバイスの断面構造を模式的に示したものであり、一部は分かりやすいように上面から見た平面図も付記した。
【００１９】
図１は、本発明に係るデバイスの一例を示す模式的な断面図であり、微細孔の内面を全て、第二導電体からなる導電部により被覆した場合である。ここで、微細孔の内面を全てとは、微細孔の内面のうち底面を構成するパッドの裏面と、微細孔の内面のうち側面とを指す。
図１に示すデバイス１０は、例えばガラスやセラミック等の絶縁性部材からなる第一基板１１と、第一基板１１の一方の面（図面上方の面）側に配された例えば発光デバイスなどからなる機能素子１２及びパッド１３と、機能素子１２とパッド１３とを電気的に接続する第一配線１４と、パッド１３と電気的に接続され、第一基板１１の一方の面から他方の面（図面下方の面）に至る微細孔内に第一導電性物質１７を充填してなる貫通電極１５とを少なくとも備えおり、前記微細孔の内面１６’の少なくとも一部に、第一導電体１７とは異なる第二導電体からなる導電部１８を設けた構成からなる。ここで、１８ａは導電部の一部であり、微細孔の内面のうち底面を構成する、パッド１３の裏面（第一基板１１と接していた面）に配された部分を表す。１８ｂは導電部の他の一部であり、微細孔の内面のうち側面を構成する、第一基板の断面に配される部分である。
【００２０】
パッド１３や第一配線１４としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）合金等の導電性に優れる材料が好適に用いられるが、これらの材料は酸化されやすい性質を有している。
貫通電極１５をなす第一導電体１７としては、例えば錫（Ｓｎ）などの金属や、金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）系の合金の他に、錫（Ｓｎ）基、鉛（Ｐｂ）基、金（Ａｕ）基、インジウム（Ｉｎ）基、アルミニウム（Ａｌ）基などの半田などが好適に用いられる。
導電部１８をなす第二導電体としては、導電性を有するとともに、貫通電極１５をなす第一導電性物質１７との濡れ性に優れ、また酸化されにくく、さらには第一導電性物質１７を構成する元素がパッドへ拡散するのを防ぐことができる材料が好適であり、例えば単層膜としてはＡｕ、Ｔｉ、ＴｉＷなど、多層膜としてはＡｕ（上層）／Ｃｕ（下層）などが挙げられる。
【００２１】
導電部１８は微細孔の内面１６’の少なくとも一部に配されることにより有効に働く。  図２は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図であり、導電部の一部２８（以下、導電部２８とも呼ぶ）のみに設けた場合、すなわち微細孔の内面のうち底面を構成する、パッド２３の裏面に配される場合（図１の１８ａに相当）を示す。このようにパッド２３の裏面に導電部を設けることにより、特にパッド２３の酸化が防止できるので、パッド２３と貫通電極２７は導電部２８を介して優れた導電性を長期にわたって保つことが可能となる。
また、図２の構成とした場合には、導電部２８として、第一導電体２７とパッド２３との密着性を向上する材料が好適に用いられる。その具体的な組合せの一例としては、パッド２３がＣｒとＣｕの二層構造をなす場合、第一導電体２７として金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）系の合金、導電部２８としてＮｉ、が挙げられる。このＮｉはめっき法あるいはスパッタ法により好適に形成される。
【００２２】
図３は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図であり、導電部の一部３８（以下、導電部３８とも呼ぶ）のみに設けた場合、すなわち微細孔の内面のうち側面（第一基板３１の断面）に配される場合（図１の１８ｂに相当）を示す。このように第一基板３１の断面に導電部を設けることにより、貫通電極３５と第一基板３１との接触部近傍において密着強度が低下し、貫通電極３５が微細孔内で移動可能になったり、ひいては貫通電極３５が微細孔から脱落して導電性が損なわれる恐れがなくなることから、貫通電極３５自身は優れた導電性を長期にわたって保つことも可能となる。
また、図３の構成とした場合には、導電部３８として、第一導電体３７を構成する元素が第一基板３１に拡散するのを防止する機能を有することが好ましい。その具体的な組合せの一例としては、第一導電体３７が金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）系の合金であり第一基板３１がシリコンの場合、導電部３８としてＮｉ又はＴｉＮが挙げられる。前者のＮｉはめっき法あるいはスパッタ法により、後者のＴｉＮはスパッタ法あるいはＣＶＤ法により好適に形成される。
【００２３】
勿論、図１に示すように、導電部１８は微細孔の内面１６’全てに配してもよい。すなわち、上述した導電部の一部１８ａと導電部の他の一部１８ｂを併せ持つことにより、パッド１３と貫通電極１７との間の導電性に加えて、貫通電極１７自身の導電性についても長期信頼性を確保できるのでより望ましい。
また、図１の構成とした場合には、導電部１８として、微細孔の内面１６’とパッド１３との密着性を向上する材料が好適に用いられる。その具体的な組合せの一例としては、第一導電体１７が金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）系の合金の場合、導電部１８としてＡｕが挙げられる。このＡｕはめっき法あるいはスパッタ法により好適に形成される。
さらに、図１の構成とした場合には、導電部１８として、第一導電体１７を構成する元素が第一基板１１に拡散するのを防止する機能を有することが好ましい。その具体的な組合せの一例としては、第一導電体１７が金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）系の合金の場合、導電部１８としてＮｉが挙げられる。このＮｉはめっき法あるいはスパッタ法により好適に形成される。
【００２４】
図１には、パッド１３と貫通電極１５の位置関係を明示するために、パッド１３を上空から見た平面図を示した。貫通電極１５がパッド１３と接触する領域すなわち微細孔の側面１６’がなす円形領域は、パッド１３が第一基板１１及び貫通電極１５と接する矩形領域の内側に配置されていることが望ましい。この配置を備えていれば、第一基板１１の他方の面（図面下方の面）から微細孔を形成した場合、必ず矩形領域は円形領域と重ならない部分を有することになり、微細孔の先端がパッド１３の裏面に至ったとき、この重ならない部分が第一基板１１と接触した状態を保つことになる。
したがって、貫通電極１５を形成するため微細孔に第一導電体１７を充填しても、第一基板１１とパッド１３との間には隙間がないので、第一導電体１７が第一基板１１の一方の面（図面上方の面）に溢れ出てしまい、予め配設してあった配線１４やデバイス１２に影響を及ぼすことが回避できる。したがって、信頼性の高い電気的接続が得られる。
【００２５】
図４〜図６は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図であり、第一基板としてシリコンやガリウム砒素等の導電性部材を用いた場合である。  図４は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図であり、微細孔の内側面に絶縁物質からなる絶縁部４９を設け、この絶縁部４９とパッド４３の裏面を全て、第二導電体からなる導電部４８により被覆した場合である。その際、絶縁部４９をなす絶縁物質としては、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２  ）や窒化珪素（ＳｉＮ）、酸窒化珪素（ＳｉＮＯｘ  ）などが用いられる。
つまり、第一基板４１が導電性部材からなる場合は、第一基板４１に設けられた微細孔の内側面に絶縁物質からなる絶縁部４９を設けさえすれば、上述した構成が適用できる。つまり、図４に示したように、この絶縁部４９とパッド４３の裏面を全て、第二導電体からなる導電部４８によって被覆することにより、図４のデバイスにおいても、パッド４３と貫通電極４５との電気的接続を長期にわたって良好に保つことが可能となる。
【００２６】
図５は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図であり、まず微細孔の内側面のみを被覆するように絶縁体からなる絶縁部５９を、次いで絶縁部５９のみを被覆するように第三導電体からなる導電部５８ａを設けた後、この導電部５８ａとパッド５３の裏面を全て、第二導電体からなる導電部５８ｂにより被覆した場合である。
図５に示すように導電部５８を二層から構成すると、各層ごとに機能を分離できる。例えば、外側に位置する導電部５８ａは絶縁部５９と接することから、導電部５８ａをなす第三導電体としては絶縁部５９と接合強度の高い材料を用いるとよい。一方、内側に位置する導電部５８ｂは貫通電極をなす第一導電体５７と接することから、導電部５８ｂをなす第二導電体としては第一導電体６７と濡れ性の高い材料が好ましい。例えば、絶縁部５９として二酸化珪素（ＳｉＯ２  ）が、貫通電極をなす第一導電部材６７として金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金が用いられた場合は、導電部５８ａをなす第三導電体としてはＣｒが、導電部５８ｂをなす第二導電体としてはＡｕを用いるとよい。
なお、図５には、導電部５８ａが絶縁部５９のみを被覆する例を示したが、導電部５８ａを絶縁部５９とパッド５８の裏面を全て覆うように設けた後、この導電部５８ａを全て被覆するように導電部５８ｂを設ける構成としてもよい。
【００２７】
図６は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な部分断面図であり、図６のデバイスは絶縁部と導電部が共に微細孔の開口部から第一基板の他方の面上に伸びて配されている点のみ図５のデバイスと異なる。  微細孔の内側面における絶縁部６９と導電部６８ａと導電部６８ｂの関係は、図５のデバイスと同様であるが、微細孔の開口部から第一基板の他方の面上に伸びて配されている端部６９’、６８ａ’、６８ｂ’の相対的な長さに特長がある。すなわち、絶縁部６９の端部６９’が最も長く、導電部６８ａの端部６８ａ’と導電部６８ｂの端部６８ｂ’は端部６９’より短く設けるとよい。この構成によると、導電体である第一基板６１と導電部６８ａの端部６８ａ’または導電部６８ｂの端部６８ｂ’は、確実に絶縁部６９の端部６９’を介して配されることになるので、第一基板６１と導電部６８ａまたは導電部６８ｂとの間における短絡が防止できる。
【００２８】
上記構成とした微細孔内に、第一導電体６７を充填して貫通電極６５を形成すると、微細孔の開口側において、貫通電極６５は開口部から外の方向に（図６では下方を指す）突き出た半球状の端部が得られる。貫通電極６５をなす半球状の端部６５’の外縁は、導電部６８ｂの端部６８ｂ’を全て被覆した位置となる。
貫通電極６５を構成するこの突出した半球状の端部６５’は、第一基板の一方の面に配された機能素子６２が外部と電気的な接続をとる端子として利用できるので好ましい。
【００２９】
図７は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。図７のデバイスは以下の点において特徴がある。但し、第一基板７１としてはシリコンやガリウム砒素等の導電性部材を、第二基板８１としては、ガラスやセラミックス等の絶縁性部材を用いた場合である。
（ａ）第一基板７１の一方の面（図面上方の面）をなす少なくとも一部には、第二基板８１が貼り合わせてある。
（ｂ）第二基板８１は、パッド７３の少なくとも一部を覆う位置に配されている。
（ｃ）第一基板７１の他方の面（図面下方の面）には、その全面を覆うように微細孔内から延ばした絶縁部７９が配されると共に、貫通電極及び導電部７８と電気的に接続された第二配線８２が設けてある。また、第二配線８２上にはバンプ８３が設けてある。
【００３０】
上記（ａ）に記述した第二基板８１を機能素子や配線、パッド、貫通電極が配設された第一基板７１上に設けたことにより、貫通電極を形成した後のデバイスをそのままパッケージとして用いることができる。
特に、上記（ｂ）に述べたように、パッド７３の少なくとも一部を覆う位置に第二基板８１を設けることにより、微細孔を形成した後に応力が生じ、この応力によりパッドが変形したり、パッドの強度が低下するのを防ぐことができる。
【００３１】
また、パッド７３の厚さは例えば１μｍ程度と薄いため、第一基板の他方の面から微細孔を形成するプロセスにおいて、パッド７３自体が損傷を受けたり、あるいは破壊されやすい傾向にあった。この対策として、図７に示すようにパッド７３を挟み込むように第一基板７１の一方の面に接触させて第二基板８１を設けると、微細孔の形成時にパッド７３の裏面（第一基板と接する面）が何らかの力を受けた場合に、パッド７３の表面（第二基板と接する面）に接して配した第二基板８１がパッド７３を支持する。その結果、第二基板８１で支持されたパッド７３は、微細孔を形成するプロセスの影響をうけにくくなるので、パッド７３自体の損傷や破壊を防ぐことが可能となる。
【００３２】
さらに、上記（ｃ）に記した第二配線８２やバンプ８３を設けることにより、チップレベルパッケージを構成することが可能となり、デバイスの小型化が達成できる。特に、第二配線８２の配置を変えることにより、貫通電極とバンプ８３との間隔を自由に変更できる。例えば、貫通電極同士が狭ピッチで配された場合でも、第二配線８２を適切に設けることにより、バンプ８３間距離を広げ、外部とのボンディングを容易に行うことが可能となる。また、第二配線８２を利用すると、バンプ８３を貫通電極の上から外れた位置に設けることができるので、バンプ８３を形成する際の熱的な影響やバンプ８３にボンディングを施した際の機械的な影響を貫通電極は受けづらくなるので、貫通電極とバンプ８３との電気的な接続の信頼性を向上できる。
【００３３】
図８は、本発明に係るデバイスの他の一例を示す模式的な断面図である。図８のデバイスは以下の点において特徴がある。図８のデバイスにおける他の部分は、上述した図７のデバイスと同様の構造を備えている。
（ｄ）第一基板９１の他方の面（図面下方の面）に、例えば樹脂からなる絶縁層１１１を介して配置される少なくとも２層以上の多層構造をなす配線を設けた。図８は、２層構造の場合であり、ここでは第二配線１１２および第三配線１１４と呼ぶ。
（ｅ）第二配線１１２と第三配線１１４との間は、導電体からなる貫通電極１１３により電気的に接続されている。
（ｆ）絶縁層１１１の外側に位置する第三配線１１４上にはバンプ１１５が設けてある。
【００３４】
図８のデバイスは、図７のデバイスと同様に、第二基板１０１を機能素子９２や配線９４、パッド９３、貫通電極が配設された第一基板９１上に設けたことにより、貫通電極を形成した後のデバイスをそのままパッケージとして用いることができる。
また、上記（ｆ）に記した第二配線１１２と電気的に接続するようにバンプ１１５を設けることにより、多層配線化されたチップレベルパッケージを構成することが可能となり、デバイスのさらなる小型化が達成できる。特に図８のデバイスは、第一基板９１の他方の面に少なくとも２層以上の多層構造を備えているので、外部との電気的な接点として働くバンプ１１５を設ける位置が一段と自由になる。図８に示すように、例えば貫通電極の上部にあたる位置にバンプ１１５を配する構成も可能となる。
【００３５】
本発明に係るデバイスの製造方法は、第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスの製造方法であって、前記第一基板の他方の面から、Deep-Reactive Ion Etching 法を用いて、前記パッドが露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を形成する工程Ｂと、前記微細孔の内部に前記第一導電体を充填する工程Ｃと、を少なくとも具備したことを特徴としている。
【００３６】
かかる構成により、前述した構造を有するデバイス、すなわち図１に示すような微細孔の内面の少なくとも一部に、貫通電極をなす第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を設けたデバイスを、効率よく形成することが可能となる。また、微細孔を形成した後、剥き出しになったパッドの表面を即座に導電部（金属薄膜）で被うことができるため、例えば酸化しやすいＡｌのような金属でパッドが形成されていても、表面が酸化される前に安定な第二導電体からなる導電部で保護することができる。これにより、パッドは導電部を介して、充填される第一導電体と信頼性の高い電気的接続が得られる。
【００３７】
前記工程Ａは、前記微細孔を形成するために、Deep-Reactive Ion Etching 法（以下、ＤＲＩＥ法と呼ぶ）を用いる。ＤＲＩＥ法を用いることにより、精度の高い孔加工が可能となるので、パッド領域の内部で接続するように微細孔を形成することができる。
以下では、工程Ａについて、第一基板がシリコンウェハの場合を例にとり微細孔を形成する手順を詳述する。通常のシリコンウェハは基部（Ｓｉ）とその上に配された酸化層（ＳｉＯ２  ）を備えている。第一基板の一方の面をなす酸化層（ＳｉＯ２  ）上にパッド（Ａｌ）を配し、第一基板の他方の面から微細孔を形成する際は、次の（イ）、（ロ）に示す２つのステップにより微細孔が得られる。
【００３８】
（イ）基部（Ｓｉ）の他方の面において微細孔を設ける部分のみ、基部（Ｓｉ）に対してエッチング能力を持つＳＦ６  からなる第一ガスを用いて形成した第一プラズマに曝す。すると、基部（Ｓｉ）の他方の面には所定の開口面積からなる微細孔が形成され始め、徐々にその深さを増してゆく。第一プラズマは酸化層（ＳｉＯ２  ）に対してはエッチングレートがＳｉに比べて極めて小さいことから、酸化層（ＳｉＯ２  ）が露出した時点でエッチングは停止し、第一ガスによる微細孔の形成を終える。つまり、酸化層（ＳｉＯ２  ）はエッチストッパとして機能する。
【００３９】
（ロ）次に、酸化層（ＳｉＯ２  ）に対してエッチング能力を持つＣＦ４  からなる第二ガスを用いて形成した第二プラズマを微細孔内に照射する。すると、第二プラズマは基部（Ｓｉ）に対してはエッチング能力を持たないことから、微細孔底部に露出した酸化層（ＳｉＯ２  ）のみにエッチング作用が働き、酸化層（ＳｉＯ２  ）の厚さ方向に微細孔はその深さを増してゆく。第二プラズマはパッド（Ａｌ）に対してはエッチング能力を持たないことから、パッド（Ａｌ）が露出した時点でエッチングは停止し、第二ガスによる微細孔の形成を終える。つまり、パッド（Ａｌ）はエッチストッパとして機能する。  このような２つのステップにより、第一基板の他方の面に開口部を持ち、パッドの裏面を底面とする微細孔が形成される。
【００４０】
前記工程Ｂは、前記導電部を、前記微細孔の開口部から前記第一基板の他方の面上に伸びて配されるように形成する。微細孔の内壁に形成する導電部を、微細孔の開口部周辺にまで延長することにより、より密着力を高めることができるのと同時に、第一基板の裏面に配線を形成する際により信頼性の高い電気的接続が可能となる。
前記工程Ｂは、前記導電部を、異なる材質の薄膜を２層以上積層して形成する。導電部を２層以上の多層構造にすることにより、例えば１層目を第一基板との密着性が高い材料で構成し、２層目を一連の成膜プロセスで形成することも可能であるため、効率の良い加工が可能となる。
【００４１】
前記工程Ｃは、前記第一導電体を充填するために、溶融金属充填法を用いる。微細孔の内壁に導電部を形成することで、溶融金属吸引法により充填した溶融金属（貫通電極をなす第一導電体）と第一基板との密着力を、従来と比べて飛躍的に向上することができる。
前記工程Ｂにおいて形成した第二導電体からなる導電部をドライフィルムレジストを用いてパターニングしても構わない。通常液体を用いて行われるウェットレジストパターニングにおいては、微細孔内に前記レジストが流れ込んでしまうため、後にこれを取り除くことが容易でない。この微細孔内に残留したレジストは貫通電極の電気特性を阻害する恐れがあった。これに対し、ドライフィルムレジストを用いた場合は、レジストが微細孔の開口部を蓋するような形態をとる。したがって、ドライフィルムレジストを用いたパターニングによれば、上述した微細孔内へレジストが流れ込むという問題は生じないので、電気特性の良好な貫通電極を作製できる。
【００４２】
以下では、本発明に係るデバイスの製造方法を、図９を用いて詳しく説明する。なお、図９は、本発明に係るデバイスの製造方法を工程順に示した断面模式図であり、一部は分かりやすいように上面から眺めた図も添付してある。
図９（ａ）には、通常の製造工程プロセスが終了して完成した、シリコンからなる基板１７１、フォトダイオード群やマイクロレンズ群などからなる機能素子１７２、外部と電気的な接続をするためのパッド１７３、およびこのパッド１７３と機能素子１７２とを電気的に接続するための配線１７４などを有する固体撮像デバイスが示してある。本例では、シリコン基板１７１の厚さは２００μｍであり、また、パッド１７３および配線１７４はアルミニウム（Ａｌ）金属からなっている。更に、パッド１７４は１００μｍ×１００μｍの正方形である。
【００４３】
まず、図９（ｂ）に示すように、機能素子１７２などが形成されている面（図面上方の面）と反対の面（図面下方の面）においてパッド１７３に対向する位置から、パッド１７３の裏面に達するまで、基板１７１を貫通する微細孔１７６を形成する。その際、パッド１７３直下における微細孔１７６の横断面、すなわち、後ほど微細孔１７６内部に導電性物質を充填して貫通電極１７５とした際の、貫通電極１７５とパッド１７３との接触面全体が、パッド１７３の内部に位置するように形成する。
【００４４】
本例では、基板１７１をなすシリコン、次いで、通常パッドの下部に設けられているＳｉＯ２  などからなる絶縁層（不図示）をドライエッチングにより除去することで、直径が８０μｍの微細孔１７６を形成した。ここで、シリコンのエッチングには、Deep-Reactive Ion Etching(ＤＲＩＥ) 法を用いた。ＤＲＩＥ法とは、エッチングガスに六フッ化硫黄（ＳＦ６  ）を用い、高密度プラズマによるエッチングと、側壁へのパッシベーション成膜を交互に行うことにより（Ｂｏｓｃｈプロセス）、シリコン基板を深堀エッチングするものである。また、ＳｉＯ２  のエッチングには、四フッ化炭素（ＣＦ４  ）を用いたＲＩＥ(Reactive Ion Etching) 法を用いた。
【００４５】
次いで、図９（ｃ）に示すように、微細孔１７６の内壁およびシリコンからなる基板１７１の他方の面（図面下方の面）に絶縁層１７９を形成する。つまり、絶縁層１７９は、微細孔１７６の内壁を覆う部分１７９ａと基板１７１の他方の面を覆う部分１７９ｂから構成される。なお、絶縁層１７９を設けた後の微細孔は１７６ａと呼ぶことにする。本例では、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料とするプラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）からなる絶縁層１７９を形成した。
【００４６】
次いで、図９（ｄ）に示すように、微細孔１７６ａの先端部に位置するＳｉＯ２  からなる絶縁層１７９のみをエッチングにより除去した。微細孔１７６ａの先端部に位置するＳｉＯ２  からなる絶縁層１７９とは、パッド１７３の裏面と接している部分を指す。微細孔１７６ａの先端部に位置するＳｉＯ２  からなる絶縁層１７９のみを除去するには、基板７１の他方の面上あるＳｉＯ２  をレジストなどにより保護した後、異方性エッチングプロセスを適用すればよい。本例では、このＳｉＯ２  のエッチングは、四フッ化炭素（ＣＦ４  ）を用いたＲＩＥ(Reactive Ion Etching) 法 により行った。なお、このＳｉＯ２  のエッチングを施し、パッド１７３の裏面が露出した形態の微細孔は１７６ｂと呼ぶことにする。
【００４７】
次いで、図９（ｅ）に示すように、微細孔１７６ｂの内壁、及び開口部の周辺に導電性薄膜１７８を形成した。本例では、導電性薄膜１７８として、１層目にクロム（Ｃｒ）を、２層目に金（Ａｕ）をそれぞれスパッタ法により形成し２層構造とした。これにより、微細孔１７６ｂの内壁、すなわち、微細孔の内側面をなすＳｉＯ２  からなる絶縁層１７９、及び、微細孔の底面をなすパッド１７３の裏面は、２層構造の導電性薄膜１７８で被覆されたことになる。その結果、得られた微細孔は１７６ｃと呼ぶことにする。
【００４８】
次いで、図９（ｆ）に示すように、微細孔１７６ｃの内部に導電性物質１７７を充填し、パッド１７３と電気的に接続するような貫通電極１７５を形成した。本例では、導電性物質１７７として金−錫（Ａｕ（８０重量％）−Ｓｎ（２０重量％））合金を用い、溶融金属吸引法により貫通電極１７５を形成した。
【００４９】
なお、本例では、パッド１７３の大きさは１００μｍ角の正方形としたが、パッド１７３の形状はこれに限定されず、円形、楕円形、三角形、矩形などいかなる形状でもよく、その大きさも電気的配線に用いるパッドとしての機能が保持できれば、如何なる大きさでも良い。更に、パッド１７３および配線１７４の材質も、ここではＡｌとしたが、本発明はこれに限定されず、銅（Ｃｕ）、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）など、他の如何なる配線材料であってもよい。
【００５０】
また、本例では、微細孔１７６は直径が８０μｍの円形としたが、本発明はこれに限定されず、パッド１７３との接触面全体がパッド１７３の内部に位置するような大きさであれば如何なる大きさでもよく、その形状も円形のみならず楕円形、四角形、三角形、矩形など如何なる形状でもよい。更に、微細孔１７６を形成する方法も、ＤＲＩＥ法に限定されず、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などによるウェットエッチング法を用いても構わない。
【００５１】
さらに、本例では、微細孔１７６の内壁および基板１７１の他方の面に、ＴＥＯＳを原料としたプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯ２  からなる絶縁層１７９を形成したが、本発明はこれに限定されず、原料としてシラン（ＳｉＨ４  ）などを用いることができる。また、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２  成膜以外にも、絶縁樹脂のコーティングなどにより絶縁層１７９を形成してもよい。
【００５２】
またさらに、本例では、導電性薄膜１７８としてＣｒとＡｕからなる２層構造を用いたが、本発明はこれに限定されず、充填する導電性物質と内壁との密着性を高めるものであれば、他の材料であってもよい。またその構造も２層に限定されず、単層や３層以上の更なる多層構造としても構わない。導電性薄膜１７８の製造方法も、スパッタ法に限定されず、ＣＶＤ法や蒸着法など他の方法を用いてもよい。
【００５３】
上述した例では、微細孔１７６の内部に、溶融金属吸引法により導電性物質１７７として金−錫（Ａｕ（８０重量％）−Ｓｎ（２０重量％））合金を充填したが、本発明はこれに限定されない。例えば、異なる組成を有する金−錫合金や、錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金、錫（Ｓｎ）やインジウム（Ｉｎ）などの金属、あるいは錫（Ｓｎ）基、鉛（Ｐｂ）基、金（Ａｕ）基、インジウム（Ｉｎ）基、アルミニウム（Ａｌ）基などのはんだを使用してもよい。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を、さらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。
【００５５】
（実施例１）
本例では、図２に示すように、微細孔の内面のうち底面を構成するパッド２３の裏面にのみ、導電部２８としてＡｕ（厚さ３００ｎｍ）／Ｃｒ（厚さ５０ｎｍ）からなる積層膜を設けた。ここで、Ａｕが貫通電極２７と接する側の上層、Ｃｒがパッド２３の裏面と接する側の下層である。その後、貫通電極２７は設けずに試料Ａとした。この試料Ａを大気中に２４０時間放置した後、導電部２８をなす積層膜の表層（Ａｕ）側から、オージェ分析法により積層膜中の酸素含有量を調べた。図１０は、オージェ分析法により測定した結果を示すグラフである。図１０において記号Ａは試料Ａの測定結果である。試料Ａの場合、導電部２８側から測定した結果であり、横軸の０はＡｌが多く検出され始めた深さを表す。縦軸は、検出された酸素の量を示しており、Ａｌが多く検出され始めたときの値を１に換算した数値である。
【００５６】
（比較例１）
本例では、図２に示す導電部２８を設けない試料Ｂを用意し、この試料Ｂに対して実施例１と同様の評価を行った。すなわち、試料Ｂは、導電部２８を設けることなく微細孔の内表面を剥き出しの状態とし、貫通電極２７は設けない構成を有する。図１０において記号Ｂは試料Ｂの測定結果である。試料Ｂの場合、横軸はＡｌのエッチング時間から換算した深さであり、横軸の０はパッド裏面の表層（Ａｌ）に相当する。縦軸は、検出された酸素の量を示しており、表層（Ａｌ）で観測された値を１に換算した数値である。
【００５７】
図１０より、表層で観測された酸素の値が半減する深さは、試料Ａの場合が深さａであり、試料Ｂの場合が深さｂである。また、深さｂは深さａの３倍以上の地点であることから、試料Ｂは試料Ａより３倍の深さまで酸化されたことを意味する。
つまり、パッド裏面の表層（Ａｌ）を剥き出しとした試料Ｂでは、パッド裏面に酸化層が形成されてしまい、その後に貫通電極を設けたとき、この酸化層は導電性を阻害するため芳しくない。
これに対して、パッド２３の裏面にＡｕ／Ｃｒからなる導電部２８を設けた試料Ａの場合は、試料Ｂに比べてＡｌが酸化される度合いを１／３以下に抑えられるので、その後に貫通電極を設けたとき、パッド２３と貫通電極との電気的な接触を良好に保つことができるので好ましい。換言すると、導電部２８を構成するＡｕはＡｌが酸化するのを防ぐ働きをする。
【００５８】
（実施例２）
本例では、図３に示すように、微細孔の内面のうち側面を構成する第一基板３１の断面にのみ、導電部３８としてＡｕ（厚さ３００ｎｍ）／Ｃｒ（厚さ５０ｎｍ）からなる積層膜を設けた。ここで、Ａｕが貫通電極３７と接する側の上層、Ｃｒが微細孔の内側面と接する側の下層である。その後、貫通電極３７を設けて試料Ｃとした。次いで、この試料Ｃ（サンプル数１００個）に対して、以下に示す３つの試験項目からなる信頼性試験を行った。信頼性試験の前後において、貫通電極３７とパッド３３との間の抵抗値を調べ、その増加量が５０％以下のものを良品と判断した。表１に試料Ｃの信頼性試験の結果を示す。
【００５９】
信頼性試験は、高温放置（第一試験）、高温・高湿放置（第二試験）、ヒートサイクル放置（第三試験）から構成され、第一試験、第二試験、第三試験の順番に行った。
高温放置（第一試験）とは、大気中において、温度が９０℃である雰囲気に試料を曝し、合計２４０時間放置するものである。高温・高湿放置（第二試験）とは、大気中において、温度が７０℃で湿度が９０％ＲＨである雰囲気に試料を曝し、合計２４０時間放置するものである。ヒートサイクル放置（第三試験）とは、大気中において、温度の異なる雰囲気（−４０℃、１２５℃）に交互に試料を曝し、合計時間で２４０時間放置するものである。
【００６０】
但し、ヒートサイクルは４ステップから構成され、１サイクルが２時間である。その内訳は、ステップ１（−４０℃を維持して低温を保持する、３０分間）、ステップ２（−４０℃から１２５℃へ昇温する、３０分間）、ステップ３（１２５℃を維持して高温を保持する、３０分間）、ステップ４（１２５℃から−４０℃へ降温する、３０分間）である。
【００６１】
（実施例３）
本例では、図１に示すように、微細孔の内面全てに導電部１８としてＡｕ（厚さ３００ｎｍ）／Ｃｒ（厚さ５０ｎｍ）からなる積層膜を設けた。ここで、Ａｕが貫通電極１７と接する側の上層、Ｃｒがパッド３３の裏面や第一基板１１の断面と接する側の下層である。その後、貫通電極１７を設けて試料Ｄとした。次いで、この試料Ｄ（サンプル数１００個）に対して、実施例２と同様の信頼性試験を行った。信頼性試験の前後において、貫通電極１７とパッド１３との間の抵抗値を調べ、その増加量が５０％以下のものを良品と判断した。表１に試料Ｄの信頼性試験の結果を示す。
【００６２】
（比較例２）
本例では、図３に示す導電部３８を設けない試料Ｅを用意し、この試料Ｅ（サンプル数１００個）に対して実施例２と同様の評価を行った。すなわち、試料Ｅは、導電部３８を設けることなく微細孔の内表面を剥き出しの状態とし、貫通電極３７を設けた構成を有する。表１に試料Ｅの信頼性試験の結果を示す。
【００６３】
【表１】
2010226146.tif 000003
【００６４】
表１より、以下の点が明らかとなった。
（１）微細孔の内面のうち側面を構成する第一基板３１の断面に、導電部３８としてＡｕ／Ｃｒからなる積層膜を設けた試料Ｃの場合は９２個の良品が得られることから、９０％の良品率は確保される。
（２）微細孔の内面全てに導電部１８としてＡｕ／Ｃｒからなる積層膜を設けた試料Ｄの場合は良品が９９個であり、１００％に近い良品率となり不良品の発生が極めて少ない。
（３）これに対して、導電部３８を設けなかった試料Ｅの場合は良品が５６個であり、良品率は６０％を下回る。
【００６５】
この評価結果から、微細孔の内面のうち側面に導電部３８を設けるだけでも、貫通電極の導電性維持の向上が図れることが分かった。さらに、微細孔の内面全てに導電部１８を配すれば、良品率をほぼ１００％にすることが可能である。したがって、微細孔の内面全てに導電部１８を設ける構成（図１）が最も好ましい形態である。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明によれば、電気的接続の安定性が高いデバイスを提供することができる。ゆえに、本発明は、外部からの衝撃などを受けやすい商品、例えば携帯電話やビデオカメラにおいて、耐衝撃性の改善や長期信頼性の向上をもたらす。
【符号の説明】
【００６７】
１０  デバイス、１１  第一基板、１２  機能素子、１３  パッド、１４  第一配線、１５  貫通電極、１６’  微細孔の側面、１７  第一導電体、１８  導電部。
【図１】
2010226146.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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