(57)【要約】【課題】トリプレート線路とマイクロストリップ線路との間での電磁結合の結合度を大きくするため、トリプレート線路の先端に相対的に幅の広い放射素子を設けた場合、放射素子の形成、トリプレート線路とスロットとの相対的な位置決めといった工程が煩雑であった。【解決手段】第１の誘電体層の裏面が、第２の基準導体が配設された配設領域と、第２の基準導体が配設されていない非配設領域と、を有するとともに、第１の基準導体が、トリプレート線路導体の少なくとも一部と第１の誘電体層を介して対向する位置に開口部を有し、トリプレート線路導体における開口部と対向する領域を対向領域としたとき、対向領域を第１の誘電体層の裏面上に投影した領域の少なくとも一部が、非配設領域に含まれるトリプレート線路基板とする。【選択図】図２
2010226279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体層と、該第１の誘電体層に埋設され、一軸方向に延設されたトリプレート線路導体と、前記第１の誘電体層の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体と、前記第１の誘電体層の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体と、前記第１の基準導体上に配設された第２の誘電体層と、該第２の誘電体層の主面上に配設された表面導体と、を備え、
前記第１の誘電体層の裏面が、前記第２の基準導体が配設された配設領域と、前記第２の基準導体が配設されていない非配設領域と、を有するとともに、前記第１の基準導体が、前記トリプレート線路導体の少なくとも一部と前記第１の誘電体層を介して対向する位置に開口部を有し、
前記トリプレート線路導体における前記開口部と対向する領域を対向領域としたとき、該対向領域を前記第１の誘電体層の裏面上に投影した領域の少なくとも一部が、前記非配設領域に含まれることを特徴とするトリプレート線路基板。
【請求項２】
前記トリプレート線路導体の一方の端部が開放端であるとともに、前記トリプレート線路導体及び前記開口部を平面視したとき、前記トリプレート線路導体における伝送信号の波長をλｔとした場合における前記トリプレート線路導体における一方の端部からλｔ／４に位置する部分が前記開口部に含まれることを特徴とする請求項１に記載のトリプレート線路基板。
【請求項３】
前記非配設領域は、前記トリプレート線路導体の一軸方向における他方の端部側から一方の端部側に向かって、前記トリプレート線路導体の一軸方向と垂直な方向の幅が大きくなる部分を有していることを特徴とする請求項１に記載のトリプレート線路基板。
【請求項４】
誘電体層と、該誘電体層に埋設され、一軸方向に延設されたトリプレート線路導体と、前記誘電体層の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体と、前記誘電体層の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体と、前記第１の基準導体上に配設された誘電体アンテナと、を備え、
前記誘電体層の裏面が、前記第２の基準導体が配設された配設領域と、前記第２の基準導体が配設されていない非配設領域と、を有するとともに、前記第１の基準導体が、前記トリプレート線路導体の少なくとも一部と前記誘電体層を介して対向する位置に開口部を有し、
前記トリプレート線路導体における前記開口部と対向する領域を対向領域としたとき、該対向領域を前記誘電体層の裏面上に投影した領域が、前記非配設領域に含まれることを特徴とするトリプレート線路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信に用いられるトリプレート線路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線通信に用いられるトリプレート線路基板のようなアンテナ装置としては、従来から、トリプレート線路−マイクロストリップ線路を用いたアンテナ装置が知られている。このようなトリプレート線路基板としては、特許文献１に記載されているように、トリプレート線路の先端に放射素子を形成して、トリプレート線路−マイクロストリップ線路間のスロットを介して電磁的に結合を用いたものが知られている。このようにトリプレート線路とマイクロストリップ線路とをスロットを介して電磁的に結合させることにより、トリプレート線路−マイクロストリップ線路間で信号を伝送させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１−３０９４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のトリプレート線路基板（アンテナ装置）においては、トリプレート線路の先端に相対的に幅の広い放射素子を形成することにより、トリプレート線路とマイクロストリップ線路との間での電磁結合の結合度を大きくしている。しかしながら、トリプレート線路の先端に相対的に幅の広い放射素子を設けていることから、トリプレート線路基板、特に、放射素子の形成、トリプレート線路とスロットとの相対的な位置決めといった工程が煩雑であった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、マイクロストリップ線路のような表面導体とトリプレート線路との結合度を高めることが可能であって、容易に作製することのできるトリプレート線路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のトリプレート線路基板は、第１の誘電体層と、該第１の誘電体層に埋設され、一軸方向に延設されたトリプレート線路導体と、前記第１の誘電体層の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体と、前記第１の誘電体層の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体と、前記第１の基準導体上に配設された第２の誘電体層と、該第２の誘電体層の主面上に配設された表面導体と、を備えている。また、前記第１の誘電体層の裏面が、前記第２の基準導体が配設された配設領域と、前記第２の基準導体が配設されていない非配設領域と、を有するとともに、前記第１の基準導体が、前記トリプレート線路導体の少なくとも一部と前記第１の誘電体層を介して対向する位置に開口部を有している。そして、前記トリプレート線路導体における前記開口部と対向する領域を対向領域としたとき、該対向領域を前記第１の誘電体層の裏面上に投影した領域の少なくとも一部が、前記非配設領域に含まれることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のトリプレート線路基板によれば、トリプレート線路導体における開口部と対向する領域を対向領域としたとき、対向領域を第１の誘電体層の裏面上に投影した領域の少なくとも一部が、非配設領域に含まれる。そのため、トリプレート線路導体と第２の基準導体との間の電磁的な結合を抑制することができる。これにより、第２の基準導体を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体と表面導体との間での電磁的な結合を高めることができる。このように、先端に相対的に幅の広い放射素子を形成することなく容易にトリプレート線路導体を形成することができるので、トリプレート線路導体と表面導体との間での電磁的な結合を高めつつトリプレート線路基板を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるトリプレート線路基板の平面図である。
【図２】図１に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の分解斜視図である。
【図３】図１に示す実施形態におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の底面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかるトリプレート線路基板の分解斜視図である。
【図６】図５に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態にかかるトリプレート線路基板の底面図である。
【図８】図７に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の変形例の底面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態にかかるトリプレート線路基板の分解斜視図である。
【図１０】図９に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の断面図である。
【図１１】図９に示す実施形態にかかるトリプレート線路基板の底面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明のトリプレート線路基板について図面を用いて詳細に説明する。
【０００９】
図１〜４に示すように、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第１の誘電体層３と、第１の誘電体層３に埋設され、一軸方向に延設されたトリプレート線路導体５と、第１の誘電体層３の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体７と、第１の誘電体層３の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体９と、第１の基準導体７上に配設された第２の誘電体層１１と、第２の誘電体層１１の主面上に配設された表面導体１３と、を備えている。
【００１０】
また、第１の誘電体層３の裏面が、第２の基準導体９が配設された配設領域１５と、第２の基準導体９が配設されていない非配設領域１７と、を有するとともに、第１の基準導体７が、トリプレート線路導体５の少なくとも一部と第１の誘電体層３を介して対向する位置に開口部１９を有している。そして、トリプレート線路導体５における開口部１９と対向する領域を対向領域２１としたとき、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘの少なくとも一部が、非配設領域１７に含まれている。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度を高めることができる。
【００１１】
具体的には、トリプレート線路導体５のうち、開口部１９と対向する領域である対向領域２１が、トリプレート線路導体５と表面導体１３の電磁的な結合に大きく寄与する。この対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘに第２の基準導体９がある場合、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間での電磁的な結合が大きくなる。そのため、トリプレート線路導体５と表面導体１３の電磁的な結合が小さくなる。
【００１２】
しかしながら、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１では、上記の対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘの少なくとも一部が、第１の誘電体層３の裏面における第２の基準導体９が形成されていない非配設領域１７に含まれている。そのため、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間での電磁的な結合を小さくすることができる。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度を高めることができる。結果として、放射素子を形成することなく、トリプレート線路導体５と表面導体１３との間の電磁的な結合を大きくすることができるので、トリプレート線路基板１を容易に作製することが可能となる。
【００１３】
なお、本実施形態において、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘとは、図３に示すように、第１の誘電体層３の主面に対して垂直であって、第１の基準導体７及び第２の基準導体９を含むトリプレート線路基板１の断面において、第１の誘電体層３の裏面に垂直な方向からこの裏面上に対向領域２１を投影した領域と換言してもよい。そして、この断面において、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域と第２の基準導体９が配設されていない非配設領域１７とを比較すればよい。
【００１４】
第１の誘電体層３としては、例えば、セラミック材料のような無機材料及び樹脂材料を用いることができる。具体的には、セラミック材料としては、例えば、アルミナセラミックス、ムライトセラミックス及びガラスセラミックスを用いることができる。また、樹脂材料としては、例えば、四フッ化エチレン―エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン―エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン―エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ）及び四フッ化エチレン―パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン―パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）のようなフッ素樹脂、ガラスエポキシ樹脂並びにポリイミドを用いることができる。
【００１５】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第１の基準導体７上に配設された第２の誘電体層１１を備えている。第２の誘電体層１１としては、第１の誘電体層３と同様に、例えば、セラミック材料のような無機材料及び樹脂材料を用いることができる。
【００１６】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第１の誘電体層３に埋設され、一方の端部が開放端となるように一軸方向に延設されたトリプレート線路導体５を備えている。トリプレート線路導体５としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、導電性の良好な金属部材として、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｗ及びこれらの合金または複合体を用いることができる。特に、製造工程上で誘電体の焼結に１０００℃以上の高温処理が必要な場合には、高融点金属であるＷやＭｏを用いることが好ましい。
【００１７】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第２の誘電体層１１の主面上に配設された表面導体１３を備えている。本実施形態における表面導体１３としては、具体的には、トリプレート線路導体５と平行となるように第２の誘電体層１１の主面上に延設されたマイクロストリップ導体が用いられている。
【００１８】
このとき、本実施形態におけるマイクロストリップ導体（表面導体１３）のように、マイクロストリップ導体（表面導体１３）の少なくとも一部とトリプレート線路導体５の少なくとも一部とが、第１の基準導体７における開口部１９を間に介して対向していることが好ましい。これにより、トリプレート線路導体５とマイクロストリップ導体との結合度をさらに高めることができるからである。なお、本実施形態における表面導体１３としては、トリプレート線路導体５と同様に、一軸方向に延設された形状のマイクロストリップ導体であるが、特にこれに限られるものではない。例えば、表面導体１３を円形の放射導体としてもよい。また、表面導体１３としてアンテナ導体を用いることにより、トリプレート線路基板１をアンテナ装置として用いることができる。
【００１９】
表面導体１３としては、トリプレート線路導体５と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、導電性の良好な金属部材として、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｗ及びこれらの合金又は複合体を用いることができる。
【００２０】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１においては、表面導体１３が、第２の誘電体層１１の主面上に露出するようにして配設されているが、この表面導体１３上に、表面導体１３を被覆するように第３の誘電体層２３を配設してもよい。このように第３の誘電体層２３を備えていることにより、表面導体１３が外気に触れることによる劣化を抑制することができるので、表面導体１３の耐久性を向上させることができる。
【００２１】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第１の誘電体層３の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体７を備えている。第１の基準導体７としては、例えば、導電性の良好な金属材料を用いることができる。具体的には、金属材料としてＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｗ及びこれらの合金又は複合体を用いることができる。別途形成された第１の基準導体７を第１の誘電体層３の主面上に配設してもよく、これらの金属材料を含有する金属ペーストを第１の誘電体層３の主面上に配設し、焼成することによって第１の基準導体７を形成してもよい。
【００２２】
また、本実施形態における第１の基準導体７は、トリプレート線路導体５の少なくとも一部と第１の誘電体層３を介して対向する位置に第１の開口部１９を有している。このような第１の開口部１９を有していることにより、トリプレート線路導体５から放射された電磁界によってトリプレート線路導体５と表面導体１３とを電磁的に結合させることができる。
【００２３】
開口部１９内における伝送信号の波長をλｓとしたとき、トリプレート線路導体５の軸方向と垂直な方向における開口部１９の長さＬ１が、λｓ／２であることが好ましい。これにより、スロットを介しての表面導体１３とトリプレート線路との電磁的な結合度をより高めることができるからである。
【００２４】
また、トリプレート線路導体５の一方の端部が開放端であって、第１の基準導体７が、トリプレート線路導体５の一軸方向における一方の端部と第１の誘電体層３を介して対向する位置に開口部１９を有していることが好ましい。開放端であるトリプレート線路導体５の一軸方向における一方の端部においては、進行波に反射波が重なり合い周囲の電界、磁界強度が大きくなる。そのため、第１の基準導体７が、この一方の端部と第１の誘電体層３を介して対向する位置に開口部１９を有していることにより、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合効率をさらに高めることができる。
【００２５】
また、本実施形態のように、トリプレート線路導体５の一方の端部が開放端であって、トリプレート線路導体５における伝送信号の波長をλｔとするとともにトリプレート線路導体５及び開口部１９を平面視した場合に、トリプレート線路導体５における一方の端部からλｔ／４に位置する部分が開口部１９内に含まれるように、トリプレート線路導体５及び開口部１９が配設されていることが好ましい。
【００２６】
トリプレート線路導体５の一方の端部が開放端であることにより、トリプレート線路を伝送してきた信号が、この一方の端部において全反射する。そのため、トリプレート線路導体５において、定在波を発生させることができる。そして、トリプレート線路導体５における一方の端部からλｔ／４に位置する部分は、この定在波の磁界が最も強くなる、いわゆる波の腹の部分にあたる。これにより、このトリプレート線路導体５における一方の端部からλｔ／４に位置する部分が開口部１９内に含まれるように、トリプレート線路導体５及び開口部１９が配設されていることによって、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合効率をさらに高めることができる。
【００２７】
本実施形態にかかるトリプレート線路基板１は、第１の誘電体層３の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体９を備えている。このような第２の基準導体９を備えていることにより、トリプレート線路導体５から放射された電磁界による外部への影響を低減することができる。
【００２８】
本実施形態にかかる第２の基準電極は、第１の誘電体層３の裏面全体には配設されておらず、第１の誘電体層３の裏面の一部に配設されている。このとき、第１の誘電体層３の裏面における上記の第２の基準導体９が配設された領域を配設領域１５とする。また、この配設領域１５を除いた領域であって、第２の基準導体９が配設されていない領域を非配設領域１７とする。そして、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１においては、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘの少なくとも一部が、非配設領域１７に含まれている。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度を高めることができる。
【００２９】
第２の基準導体９としては、第１の基準導体７と同様に、導電性の良好な金属材料を用いることができる。具体的には、金属材料としてＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ及びこれらの合金又は複合体を用いることができる。別途形成された第２の基準導体９を第１の誘電体層３の裏面上に配設してもよく、これらの金属材料を含有する金属ペーストを第１の誘電体層３の裏面上に配設し、焼成することによって第２の基準導体９を形成してもよい。また、第２の基準導体９が外部に露出している場合には、これらの金属材料を配設した後にＮｉ，Ａｕメッキを形成してもよい。
【００３０】
次に、本発明の第２の実施形態にかかるトリプレート線路基板１について説明する。
【００３１】
図５，６に示すように、本実施形態のトリプレート線路基板１は、第１の実施形態と比較して、トリプレート線路導体５における開口部１９と対向する領域を対向領域２１としたとき、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘ全体が、非配設領域１７に含まれている。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度をさらに高めることができる。
【００３２】
既に示したように、トリプレート線路導体５のうち、第１の基準導体７の開口部１９と対向する部分が、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合に大きく寄与する。本実施形態のトリプレート線路基板１においては、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘ全体が、非配設領域１７に含まれている。そのため、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間の電磁的な結合をさらに抑制することができる。
【００３３】
このように、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１においては、対向領域２１を第１の誘電体層３の裏面上に投影した領域Ｘ全体が非配設領域１７に含まれていることから、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間での電磁的な結合が抑制され、第１の基準導体７の開口部１９と対向する部分におけるトリプレート線路導体５から第１の基準導体７側へ放射される電磁界をより大きくすることができる。結果として、トリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度をさらに高めることができる。
【００３４】
次に、本発明の第３の実施形態にかかるトリプレート線路基板１について説明する。
【００３５】
図７に示すように、本実施形態のトリプレート線路導体５は、第１の実施形態にかかるトリプレート線路導体５と比較して、非配設領域１７が、トリプレート線路導体５の一軸方向における他方の端部側から一方の端部側に向かって、トリプレート線路導体５の一軸方向と垂直な方向の幅が大きくなる部分を有している。言い換えれば、非配設領域１７が、トリプレート線路導体５の一軸方向における一方の端部側に向かって幅の大きくなるテーパ形状の部分を有している。
【００３６】
図７に示すように、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１においては、非配設領域１７の一部が、トリプレート線路導体５の一軸方向における一方の端部側に向かって幅の大きくなるテーパ形状となっているが、これに限られるものではない。例えば、図８に示すように、非配設領域１７全体が、トリプレート線路導体５の一軸方向における一方の端部側に向かって幅の大きくなるテーパ形状となっていてもよい。このように非配設領域１７の幅を徐々に大きくすることにより、非配設領域１７を設けることによるトリプレート線路のインピーダンス変化を緩やかにすることができる。これにより、インピーダンス不整合による高周波信号の反射が抑制され、結果としてトリプレート線路導体５と表面導体１３の結合度をさらに高めることができる。
【００３７】
次に、本発明の第４の実施形態にかかるトリプレート線路基板１について説明する。
【００３８】
図９〜１１に示すように、本実施形態のアンテナ装置は、誘電体層２３と、誘電体層２３に埋設され、一軸方向に延設されたトリプレート線路導体５と、誘電体層２３の主面上に配設され、基準電位に接続された第１の基準導体７と、誘電体層２３の裏面上に配設され、基準電位に接続された第２の基準導体９と、第１の基準導体７上に配設された誘電体アンテナ２５と、を備えている。
【００３９】
また、誘電体層２３の裏面が、第２の基準導体９が配設された配設領域１５と、第２の基準導体９が配設されていない非配設領域１７と、を有するとともに、第１の基準導体７が、トリプレート線路導体５の少なくとも一部と誘電体層２３を介して対向する位置に開口部１９を有している。そして、トリプレート線路導体５における開口部１９と対向する領域を対向領域２１としたとき、対向領域２１を誘電体層２３の裏面上に投影した領域Ｘが、非配設領域１７に含まれている。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と誘電体アンテナ２５の電磁的な結合を高めることができる。
【００４０】
具体的には、トリプレート線路導体５のうち、開口部１９と対向する領域である対向領域２１が、トリプレート線路導体５と誘電体アンテナ２５の電磁的な結合に大きく寄与する。この対向領域２１を誘電体層２３の裏面上に投影した領域Ｘに第２の基準導体９がある場合、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間での電磁的な結合が大きくなる。そのため、トリプレート線路導体５と誘電体アンテナ２５の電磁的な結合が小さくなる。
【００４１】
しかしながら、本実施形態にかかるトリプレート線路基板１では、上記の対向領域２１を誘電体層２３の裏面上に投影した領域Ｘの少なくとも一部が、誘電体層２３の裏面における第２の基準導体９が形成されていない非配設領域１７に含まれている。そのため、トリプレート線路導体５と第２の基準導体９との間での電磁的な結合を小さくすることができる。これにより、第２の基準導体９を、いわゆるグランド電極として用いつつも、トリプレート線路導体５と誘電体アンテナ２５の結合度を高めることができる。結果として、放射素子を別途形成することなく、トリプレート線路導体５と誘電体アンテナ２５との間の電磁的な結合を大きくすることができるので、トリプレート線路基板１を容易に作製することが可能となる。
【００４２】
なお、本実施形態において、対向領域２１を誘電体層２３の裏面上に投影した領域Ｘとは、図１１に示すように、誘電体層２３の主面に対して垂直であって、第１の基準導体７及び第２の基準導体９を含むトリプレート線路基板１の断面において、誘電体層２３の裏面に垂直な方向からこの裏面上に対向領域２１を投影した領域と換言してもよい。そして、この断面において、対向領域２１を誘電体層２３の裏面上に投影した領域と第２の基準導体９が配設されていない非配設領域１７とを比較すればよい。
【００４３】
本実施形態における誘電体層２３としては、第１の実施形態における第１の誘電体層３と同様に、例えば、セラミック材料のような無機材料及び樹脂材料を用いることができる。また、本実施形態における誘電体アンテナ２５としては、第１の実施形態における第１の誘電体層３と同様に、例えば、セラミック材料のような無機材料及び樹脂材料を用いることができる。
【００４４】
以上、本発明のトリプレート線路基板１につき、複数の実施形態を例示して詳細な説明をしたが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・トリプレート線路基板
３・・・第１の誘電体層
５・・・トリプレート線路導体
７・・・第１の基準導体
９・・・第２の基準導体
１１・・・第２の誘電体層
１３・・・表面導体
１５・・・配設領域
１７・・・非配設領域
１９・・・開口部
２１・・・対向領域
２３・・・誘電体層
２５・・・誘電体アンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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