(57)【要約】【課題】大面積とした場合でもスイッチングスピードの低下を可及的に防止し得るエレクトロクロミック素子を提供することを目的とする。【解決手段】基材５上に、第１透明導電膜４、酸化発色層２、電解層１、還元発色層３及び第２透明導電膜４が順次又は逆順に積層形成されたエレクトロクロミック素子、あるいは内面側に透明導電膜４及び酸化発色層２を順次積層形成した第１の基材５と、内面側に透明導電膜４及び還元発色層３を順次積層形成した第２の基材５との間に、上記酸化発色層２と上記還元発色層３とに挟まれた電解層１が形成されているエレクトロクロミック素子において、少なくとも一方の透明導電膜４中に金属グリッド電極６を有することを特徴とするエレクトロクロミック素子を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層及び第２透明導電膜が順次又は逆順に積層形成されたエレクトロクロミック素子、あるいは内面側に透明導電膜及び酸化発色層を順次積層形成した第１の基板と、内面側に透明導電膜及び還元発色層を順次積層形成した第２の基板との間に、上記酸化発色層と上記還元発色層とに挟まれた状態で電解層が形成されているエレクトロクロミック素子において、
少なくとも一方の透明導電膜中に金属グリッド電極を有することを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【請求項２】
上記金属グリッド電極が、触媒粒子を含有するインクで上記基板上に印刷したパターン上に金属をめっき法により析出させたものである請求項１記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項３】
上記金属グリッド電極が、上記インクで印刷したパターン上に無電解めっき法により０．３〜１．５μｍの薄い金属膜を析出させ、この薄い金属膜上に更に電気めっき法により１〜１０μｍの金属膜を析出させて形成したものである請求項２記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項４】
上記触媒粒子が、ＰｄＴｉＯ3・６Ｈ2Ｏ微粒子、又は金属酸化物にＰｄを担持させた微粒子である請求項２又は３記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項５】
上記触媒粒子が、酸化チタンにＰｄを担持させた微粒子である請求項４記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項６】
上記金属グリッド電極が、上記基板上に水溶性インクで所定のパターンを印刷し、その上に導電膜を積層形成し、水洗にて上記水溶性インク印刷パターン部分を除去して導電膜をパターン化する反転印刷法により形成したものである請求項１記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項７】
上記金属グリッド電極が、上記基板上に導電性インクでパターンを印刷することにより形成されたものである請求項１記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項８】
上記金属グリッド電極が、上記基板上に水溶性インクで所定のパターンを印刷し、その上に導電膜を積層形成し、水洗にて上記水溶性インク印刷パターン部分を除去して導電膜をパターン化し、その導電膜上に電気めっき法により金属膜を析出させたものである請求項１記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項９】
上記金属グリッド電極が、上記基板上に導電性インクでパターンを印刷し、そのパターン上に電気めっき法により金属膜を析出させたものである請求項１記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１０】
上記金属グリッド電極が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｚｎから選ばれる１種又は２種以上の金属を主成分とする金属電極である請求項１〜９のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１１】
上記還元発色層が、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウムから選ばれる金属酸化物膜である請求項１〜１０のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１２】
上記酸化発色層が、酸化ニッケル、酸化イリジウムから選ばれた金属酸化物膜である請求項１〜１１のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１３】
上記電解層が、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3・Ｖ2Ｏ5、ＨｆＯ2から選ばれた金属酸化物膜；又はＭｇＦ2の金属フッ化物膜からなる固体層；あるいはプロピレンカーボネート又はγ−ブチルラクトンにＬｉＣｌＯ4を溶解した液体を封入した液体層である請求項１〜１２のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１４】
上記透明導電膜が、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウム・ガリウム添加酸化亜鉛（ＡＧＺＯ）、酸化インジウム−タングステン（ＩＷＯ）、酸化アンチモン錫（ＡＴＯ）から選ばれた材料からなる導電膜である請求項１〜１３のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１５】
上記金属グリッド電極が、厚さ１〜１０μｍ、幅１０〜１０００μｍの電極がピッチ０．１〜２０ｍｍで縦格子状、横格子状、斜め格子、十字格子状又はその他の格子状に配置形成されたものである請求項１〜１４のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１６】
面積１００００ｍｍ2以上の大面積を有するものである請求項１〜１５のいずれか１項に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１７】
透明基材に金属グリッド電極を有する透明導電膜を積層し、更に該透明導電膜上に発色層、電解層を積層してエレクトロクロミック素子を作製する場合に、上記透明基材上に触媒粒子を含有するインクで電極のパターンを印刷し、このパターン上にめっき法により金属膜を析出成形させて上記金属グリッド電極を形成し、この金属グリッド電極が形成された透明基材上に透明導電膜を形成して電極付の透明導電膜を成形することを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法。
【請求項１８】
触媒粒子を有するインクで印刷されたパターン上に無電解めっき法で金属膜を析出形成した後、更に電気めっき法により金属膜を析出成長させて金属グリッド電極を形成する請求項１７記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。
【請求項１９】
上記発色層及び電解層をガスフロースパッタリング法で形成するようにした請求項１７１又は１８記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧の印加により発色又は消色して光の透過率を変化させることができるエレクトロクロミック素子とその製造方法に関し、更に詳述すると、１００００ｍｍ2以上の大面積化に対しても、スイッチング時間の大幅な延長を招くことなく、良好な応答性が得られるエレクトロクロミック素子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電圧の印加により電気化学的な酸化還元反応を誘起し、着色及び消色を生じさせるエレクトロクロミック素子について、ディスプレイや調光窓材などへの適用が期待されている。
【０００３】
通常、エレクトロクロミック素子は、図３に示したように、電解層１を挟んで一方の面に酸化発色層２、他方の面に還元発色層３を積層し、これらを透明導電膜（電極膜）４，４が形成された透明基材５，５間に挟みこんだ構成とされている。そして、両透明導電膜（電極膜）４，４間に電圧を印加することによって上記両発色層２，３が発色して光透過率が減少し、逆方向の電圧を印加することにより両発色層が消色して光透過率が増大し、調光性能を発揮することができるものである。なお、上記電解層１として上記両発色層２，３間に電解質を封入した液体電解層が用いられる場合もある。また、一方の透明基材５が省略されたものもある。
【０００４】
このような従来のエレクトロクロミック素子として具体的には、下記特許文献１（特開２００７−１８７９９３号公報）に記載のエレクトロクロミック素子を例示することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１８７９９３号公報
【０００６】
しかしながら、このような従来のエレクトロクロミック素子を調光窓材として用いるために、１００００ｍｍ2以上にもなる大面積化を行うと、スイッチングスピードが遅くなって、発色／消色の応答性が悪くなり使い勝手の悪い窓材となってしまい、これが窓材としての適用に対しては大きな欠点となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、大面積とした場合でもスイッチングスピードの低下を可及的に防止し得、良好な応答性を有する大面積の調光窓材を得ることができるエレクトロクロミック素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、基板上に、第１透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層及び第２透明導電膜を順次又は逆順に積層形成してエレクトロクロミック素子を作製する場合、あるいは第１の基板の内面側に透明導電膜及び酸化発色層を順次積層形成すると共に、第２の基板の内面側に透明導電膜及び還元発色層を順次積層形成し、これら第１基板と第２基板の上記酸化発色層と上記還元発色層との間に電解層を挟み込んでエレクトロクロミック素子作製する場合に、上記透明導電膜に金属製のグリッド電極を配設することにより、透明導電膜の表面抵抗が下がり、大面積化した場合でも透明導電膜の抵抗値増大によるスイッチングスピードの低下を招くことなく、良好なスイッチングスピードが得られ、応答性に優れた大面積の調光窓材が得られること、更にこの場合に、触媒粒子を含有するインクで上記透明基材上に印刷し、このパターンにめっき法により金属を析出させて上記金属グリッド電極を成形することにより、線幅の細い微細なグリッドを精度よく確実に形成することができ、開口率を大きく低下させることなく、良好な透明性を維持した上で、良好な応答性を有するエレクトロクロミック素子が得られることを見い出し、本発明を完成したものである。
【０００９】
従って、本発明は、基板上に、第１透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層及び第２透明導電膜が順次又は逆順に積層形成されたエレクトロクロミック素子、あるいは内面側に透明導電膜及び酸化発色層を順次積層形成した第１の基板と、内面側に透明導電膜及び還元発色層を順次積層形成した第２の基板との間に、上記酸化発色層と上記還元発色層とに挟まれた状態で電解層が形成されているエレクトロクロミック素子において、少なくとも一方の透明導電膜中に金属グリッド電極を有することを特徴とするエレクトロクロミック素子、及び、
透明基材に金属グリッド電極を有する透明導電膜を積層し、更に該透明導電膜上に発色層、電解層を積層してエレクトロクロミック素子を作製する場合に、上記透明基材上に触媒粒子を含有するインクで電極のパターンを印刷し、このパターン上にめっき法に金属膜を析出成形させて上記金属グリッド電極を形成し、この金属グリッド電極が形成された透明基材上に透明導電膜を形成して電極付の透明導電膜を成形することを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のエレクトロクロミック素子によれば、１００００ｍｍ2以上もの大面積に形成しても、スイッチングスピードが大幅に低下することなく、良好なスイッチングスピードを発揮して応答性よく調光操作を行うことができ、調光窓材の大面積化を達成することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のエレクトロクロミック素子は、例えば図１に示したように、電解層１を挟んで一方の面に酸化発色層２、他方の面に還元発色層３が積層され、更にこの両発色層２，３の外側にそれぞれ透明導電膜４，４が積層され、これらが一対の透明基材（基板）５，５間に積層されており、かつ上記透明導電膜４，４が金属グリッド電極６を有するものである。
【００１２】
上記電解層１、酸化発色層２、還元発色層３、透明導電膜４及び透明基材５は、エレクトロクロミック素子のこれらの部位の材料として公知の材料を用いて形成することができる。具体的には、上記透明基材５としては、ガラス板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリイミド樹脂等のプラスチック板や高分子フィルムなどを用いることができる。この透明基材５の厚さは、その材質にもよるが、通常は０．０５〜５ｍｍ、特に０．１〜３ｍｍ程度とされる。なお、２枚の透明基材５，５は、互いに同一の材料であっても異なる材料であってもよい。
【００１３】
上記透明導電膜４としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウム・ガリウム添加酸化亜鉛（ＡＧＺＯ）、酸化インジウム−タングステン（ＩＷＯ）、酸化アンチモン錫（ＡＴＯ）などが例示され、これらの１種又は２種以上を用いることができる。この透明導電膜４の厚さは、特に制限されるものではないが、通常は０．０５〜２μｍ、特に０．１〜１μｍとすることができる。
【００１４】
上記酸化発色層２としては、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化イリジウム（ＩｒＯX）などが例示され、また上記還元発色層３としては、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化バナジウム（ＶＯ）などが例示される。この酸化発色層２の厚さは、特に制限されるものではないが、通常は０．１〜２μｍ、特に０．３〜１μｍとすることができる。
【００１５】
上記電解層１としては、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3・Ｖ2Ｏ5、ＨｆＯ2等の金属酸化物膜やＭｇＦ2の金属フッ化物膜からなる固体層；プロピレンカーボネート又はγ−ブチルラクトンにＬｉＣｌＯ4を溶解した液体を封入した液体層などを例示することができる。この電解層１の厚さは、特に制限されるものではないが、通常は固体電解質の場合０．１〜２μｍ、特に０．３〜１μｍ、液体電解質の場合５〜５００μｍ、特に２０〜２００μｍとすることができる。
【００１６】
本発明では、上記透明導電膜４に金属グリッド電極６を付設したものであり、この金属グリッド電極６を形成する金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｚｎなどが例示され、これらの１種又は２種以上の金属を主成分する電極とすることができる。
【００１７】
この金属グリット電極は、めっき法により上記透明基材５上に形成することができ、その上に上記透明導電膜４形成することにより金属グリッド電極６を有する透明導電膜４を形成することができる。めっき法による方法として具体的には、まず触媒粒子を含有するインクでグリッド電極のパターンを印刷し、このパターン上に無電解めっき法により上記金属を析出させ、更に必要に応じて更に電気めっきを行って金属膜を更に成長させ、金属グリッド電極６を形成することができる。
【００１８】
ここで、上記触媒粒子は、無電解めっきの触媒となり得るものであればよく、無電解めっきにより析出させる金属の種類や用いるめっき液に応じて選択され、例えばＰｄＴｉＯ3・６Ｈ2Ｏ（金属酸化物水和物）微粒子や、酸化チタンなどの金属酸化物にＰｄを担持させた微粒子などが例示される。
【００１９】
この触媒粒子を含有するインクは、例えば有機溶剤にポリエステル樹脂などの樹脂を溶解させたものに上記触媒粒子を混合分散させることにより調製することができる。このインクを用いた印刷法は、特に制限されず適宜な印刷法を採用すればよく、例えばスクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷などの印刷法を採用することができるが、通常はスクリーン印刷やグラビア印刷が好ましく採用され、特にグラビア印刷はより細かく微細な印刷が可能であることから好ましく採用される。
【００２０】
透明基材５上に印刷された電極のパターン上に上記金属膜を析出させる無電解めっき、更にその上に金属膜を析出させて成長させる電気めっきは、従来から公知の通常の方法及び条件で行えばよい。
【００２１】
ここで、この金属グリッド電極６は、特に制限されるものではないが、厚さ１〜１０μｍ、特に１〜７μｍ、幅１０〜１０００μｍ、特に１０〜５０μｍ、グリッドのピッチ（電極間の幅）０．１〜２０μｍ、特に０．１〜１０μｍとすることが好ましく、これにより十分な開口率を維持して良好な透明性を確保すると共に、良好な応答性を得ることができる。なお、グリッドの形態は、縦格子状、横格子状、斜め格子状などのストライプ状や十字格子等の網目状やその他の格子状など、種々の形態とすることができる。
【００２２】
このように、上記のようにスクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷によりパターンの形成を行って、そのパターン上にめっき法により金属電極を析出形成することにより、上記のように線幅の細く微細な金属グリット電極６を形成することができ、これにより開口率を低減させることなく、良好なスイッチングスピードを得ることができるものである。なお、この金属グリッド電極６の形成方法は、上記方法に限定されるものではなく、例えば以下の方法により形成することも可能である。例えば、（ａ）上記透明基材（基板）５上に水溶性インクで所定のパターンを印刷し、その上に導電膜を積層形成し、水洗にて上記水溶性インク印刷パターン部分を除去して導電膜をパターン化し（反転印刷法）、その導電膜上に電気めっき法により金属膜を析出させる方法や、（ｂ）上記透明基材（基板）５上に導電性インクでパターンを印刷し、そのパターン上に電気めっき法により金属膜を析出させる方法などにより、金属グリッド電極６を形成することもできる。更に場合によっては、上記（ｂ）の方法において、電気めっき法による金属膜の析出操作を省略して、水洗後に得られた反転印刷法によりパターン化した導電膜をそのまま金属グリット電極６とすることも可能であり、また（ｂ）の方法においても電気めっき法による金属膜の析出操作を省略して、パターンを印刷した導電性インクを金属グリット電極６とすることが可能である。なお、これらの方法で得られる反転印刷法によりパターン化した導電膜や導電性インクで印刷されたパターンは、その材質が正確には金属ではない場合もあるが、これらについても本発明では便宜的に「金属グリット電極」という。
【００２３】
上記電解層１（固体電解質の場合）、酸化発色層２、還元発色層３及び透明導電膜４の形成方法に特に制限はなく、公知の方法により形成すればよく、通常はスパッタ法や蒸着法により形成することができるが、特に通常のプレーナー型マグネトロンスパッタ法や近年注目されているガスフロースパッタリング法などのスパッタ法が好ましく採用され、中でもガスフロースパッタリング法は短時間で安価に成膜することができることから好適であり、特に電解層１（固体電解質の場合）、酸化発色層２、還元発色層３の形成に好適に採用される。
【００２４】
即ち、このガスフロースパッタリング法は、比較的高い圧力下でスパッタリングを行い、スパッタ粒子をガスの強制流により成膜対象基板まで輸送して堆積させる方法である。
このガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタ法のような大掛かりな排気装置を用いることなく、メカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。しかも、ガスフロースパッタリング法は、通常のスパッタ法の１０〜１０００倍の高速成膜が可能である。従って、このガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、本発明の調光窓材を安価に製造することが可能となる。しかも、ガスフロースパッタリング法であれば、基板に対する密着性も良好な膜を成膜することができ、高品質のエレクトロクロミック素子からなる調光窓材を製造することができるものである。
【００２５】
更に、上記電解層１（固体電解質）の形成に際しては、成膜速度が非常に速いことから、成膜時に容易に空隙を設けることができ、イオン導電性に優れた電解層を形成することができる。また、ターゲット下部に磁石を設けるものではないため、Ｎｉのような強磁性体をターゲットとする場合でも、その厚さに制約を受けることがない。
【００２６】
上記透明導電膜４、酸化発色層２、電解層１、還元発色層３を透明基材５に積層して、本発明のエレクトロクロミック素子を作製する具体的手順に特に制限はないが、一例を示せば次のように各層を積層形成すればよい。例えば、まず透明基材５上に上記のようにグリッド電極のパターンを印刷し、無電解めっき、電気めっきを順次施して金属グリッド電極６を形成する。次に、この透明基材５の金属グリッド電極６の形成面上に通常のＤＣスパッタ法により上記第１の透明導電膜４を成膜形成して金属グリッド電極６を有する透明導電膜４を形成する。更にこの透明導電膜４上に上記酸化発色層２、電解層１及び還元発色層３を順次ガスフロースパッタリング法により成膜形成し、その上に通常のＤＣスパッタ法で第２の透明導電膜４を形成し、最後にグリット電極を形成すればよい。この場合、一方の透明基材５は省略することができるが、両面に透明基材を配設する場合には、上記と同様にして金属グリット電極６を有する透明導電膜４を積層した透明基材を上記還元発色層３上に接合すればよい。また、一方の透明基材を省略する場合には、上記透明基材５上に第１の透明導電膜４、酸化発色層２、電解層１、還元発色層３及び第２の透明導電膜４を逆順に積層形成したエレクトロクロミック素子とすることもできる。
【００２７】
また、上記電解層１として液体電解質を用いる場合には、金属グリッド電極６を有する透明導電膜４を積層形成した一対の透明基材を上記同様にして作製し、一方の透明導電膜４上に上記酸化発色層２をガスフロースパッタリング法で成膜すると共に、他方の透明導電膜４上に上記還元発色層３を成膜し、これらの間に封止材を用いて上記液体電解質を封入して電解層１を形成すればよい。
【００２８】
なお、ＤＣスパッタやガスフロースパッタの条件等は、ターゲット材料の種類や成膜の面積、厚さなどに応じて通常の条件に適宜設定すればよい。また、上記金属グリッド電極６は、必ずしも第１及び第２透明導電膜４の両方に設ける必要はなく、場合によっては一方の透明導電膜４の金属グリット電極６は省略することもできる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例，比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００３０】
［実施例］
以下の手順で図１に示された構成の調光窓材を作製した。この場合、同様の方法によって、通常面積（５０ｍｍ×５０ｍｍ）と大面積（５００ｍｍ×５００ｍｍ）の２種類のエレクトロクロミック素子を作製した。
【００３１】
まず、シクロヘキサノンにポリエステル樹脂を固形分として１５質量％溶解し、これにＰｄＴｉＯ3・６Ｈ2Ｏ（金属酸化物水和物）微粒子を樹脂固形分対比で６０質量％混合分散し、レオロジー剤にて粘度調整を行ってインクを調製した。このインクを用いて厚さ１ｍｍのガラス板からなる透明基材５上にスクリーン印刷によりストライプ状のパターンを印刷した。このパターンの寸法は線幅２５μｍ、線高１μｍ、ピッチ０．５ｍｍである。
【００３２】
上記透明基材５を５０℃に加温した無電解銅めっき液（メルテックス（株）製「メルプレート ＣＵ−５１００」）に浸漬して、厚さ１０μｍの金属銅を上記インクの印刷パターン上に析出させた。次いで、純水：硫酸銅：硫酸：塩酸＝１０：１：２：０．００２（質量比）の電気めっき浴を建浴し、このめっき浴を３０℃に加温保持して上記透明基材５を浸漬し、整流器により２Ａ／ｄｍ2の電流を流して厚さ４μｍの金属銅を上記パターン上に析出させて、銅からなるストライプ状のグリッド電極６を形成した。
【００３３】
次に、この透明基材５を真空チャンバー内にセットしマグネトロンスパッタ装置を用いて厚さ０．１μｍのＩＴＯ薄膜を成膜し、透明基材５上に金属グリッド電極６付の透明導電膜４を形成した。なお、スパッタ条件は下記の通りである。
（スパッタ条件）
ＤＣマグネトロンスパッタ装置
ターゲット：セラミックスＩＴＯ
成膜圧力：  ０．５Ｐａ
導入ガス：  Ａｒ＝２００ｓｃｃｍ、Ｏ2＝４ｓｃｃｍ
投入電力：  ４Ｗ／ｃｍ2
基板温度：  室温
【００３４】
図２に示したガスフロースパッタ装置を用い、上記透明基材５の透明導電膜４上に酸化発色層２（ＮｉＯ、厚さ５００μｍ）、電解層１（Ｔａ2Ｏ5、厚さ５００μｍ）及び還元発色層３（ＷＯ3、厚さ５００μｍ）を順次成膜した。即ち、真空チャンバーに上記透明基材５をセットし、荒引きポンプ（ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ）で１×１０-1Ｐａまで排気した後、下記条件で上記３層の多層膜を成膜した。このとき、目的の膜厚を得るために、基板移動速度を調節して多層膜の作製を行った。
【００３５】
（成膜条件）
［ガスフロースパッタ装置］
・カソード形状：平行平板（ターゲットを２枚平行に対向させて配置、距離３０ｍｍ）
・基板温度：室温（基板加熱なし）
・基板移動速度：０．１〜１０Ｍ／ｍｉｎ可変
・基板位置：カソード端部と基板間距離５０ｍｍ）
［成膜条件］
アルゴンガス：３０００ｓｃｃｍ
酸素ガス：３０ｓｃｃｍ
成膜圧力：４０Ｐａ
膜厚：５００ｎｍ
ターゲット：酸化発色層（Ｎｉ）、電解質層（Ｔａ）、還元発色層（Ｗ）
【００３６】
上記還元発色層上に０．１μｍのＩＴＯ薄膜（第２の透明導電膜４）及びグリッド電極６を上記と同様にして形成し、エレクトロクロミック素子を得た。
【００３７】
得られたエレクトロクロミック素子の両電極間に電圧を印加（還元発色層側をマイナス、酸化発色層側をプラスとして両電極間に１．５Ｖの電圧を印加）したところ、両発色層が着色し、透過率が７５％から１０％へと変化した。一方、逆方向に同様に電圧を印加したところ両発色層が消色して逆に１０％から７５％へと透過率が変化し、可逆性の調光性能が確認された。その際の応答速度を測定した。結果を表１に示す。
【００３８】
［比較例］
銅グリッド電極を形成しない以外は、実施例と同様にしてエレクトロクロミック素子を作製した。この際、上記実施例と同様に、通常面積（５０ｍｍ×５０ｍｍ）と大面積（５００ｍｍ×５００ｍｍ）の２種類の調光窓材を作製した。得られたエレクトロクロミック素子につき上記実施例と同様にして電圧印加を行ったところ、透過率７５％⇔１０％の間で可逆的に変化し調光性能が得られた。この際の応答速度を測定した。結果を表１に併記する。
【００３９】
【表１】
2010014917.tif 000003
【００４０】
表１の通り、本発明のエレクトロクロミック素子は、大面積化してもスイッチングスピードの低下幅が小さく、良好なスイッチングスピードを維持して、良好な応答速度を発揮し得、大面積の調光窓材として好適に使用し得ることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例にかかるエレクトロクロミック素子を示す概略断面図である。
【図２】本発明エレクトロクロミック素子の製造に用いられるガスフロースパッタ装置の一例を示す概略説明図である。
【図３】従来のエレクトロクロミック素子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  電解層
２  酸化発色層
３  還元発色層
４  透明導電膜
５  透明基材
６  金属グリッド電極
【図１】
2010014917.tif 000004
【図２】
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【図３】
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