(57)【要約】【課題】層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や電極に劣化を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制可能な有機ＥＬ表示装置を提供することである。【解決手段】有機ＥＬ表示装置１０は、基板１１と、上記基板１１上を覆うように設けられた層間絶縁膜１３と、上記層間絶縁膜１３上における発光領域Ｐ及び非発光領域の一部を含んで覆うように設けられた第１電極１４と、上記層間絶縁膜１３上における上記非発光領域の上記第１電極１４が設けられていない部分に設けられた捕水層１７と、上記第１電極１４の上記非発光領域部分及び上記捕水層１７を覆うように設けられたエッジカバー１８と、上記第１電極１４上の上記発光領域Ｐに設けられた有機ＥＬ層１５と、上記有機ＥＬ層１５上に設けられた第２電極１６と、を備える。【選択図】図２
2010257713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
上記層間絶縁膜上における発光領域及び非発光領域の一部を含んで覆うように設けられた第１電極と、
上記層間絶縁膜上における上記非発光領域の上記第１電極が設けられていない部分に設けられた捕水層と、
上記第１電極の上記非発光領域部分及び上記捕水層を覆うように設けられたエッジカバーと、
上記第１電極上の上記発光領域に設けられた有機ＥＬ層と、
上記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極と、
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記エッジカバーの上層に設けられた第２捕水層をさらに備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記第２捕水層は、上記エッジカバーの頂面に接触するように設けられている有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記第２捕水層は、上記エッジカバーの側面に接触するように設けられている有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記捕水層は、アルカリ土類金属酸化物で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記捕水層は、厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
上記捕水層の形成を圧力が１０−１Ｐａ以下の雰囲気下で行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は自己発光型の表示装置であり、視野角特性に優れ、視認性が高く、且つ低消費電力である。このため、近年、次世代フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、例えばガラス基板上に所定の間隔で複数形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられ、その表面を平坦化し且つ絶縁化するために層間絶縁膜が設けられたＴＦＴ基板上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層された構造を有する。また、発光領域以外の領域において、第１電極と第２電極との短絡を防止するために第１電極の周縁部を覆うようにエッジカバーが形成されている。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層や電極は、水分や酸素に晒されると劣化することが知られている。具体的な劣化の例としては、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間経過によりその非発光領域が拡大するといった現象が挙げられる。そこで、この問題を解決するために、一般に、封止部材の基板側表面に乾燥剤を貼付することが行われている。
【０００５】
特許文献１には、有機ＥＬ表示装置のエッジカバー表面を覆うように水分を透過しないバリア膜をコーティングすることが開示されており、これにより、エッジカバーの内部に含まれている水分が有機ＥＬ層に浸入するのを抑制することができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３３２０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された構成の有機ＥＬ表示装置では、層間絶縁膜とエッジカバーとの間には、水分の行き来を妨げる構成が設けられていない。そのため、層間絶縁膜内部の水分がエッジカバー内へと浸入し、層間絶縁膜とエッジカバーとの両方の内部に含まれている水分がエッジカバー表面に設けられたバリア膜へ到達することになる。その結果、バリア膜の疎水性能が経時に伴って低下したり、疎水膜にピンホールが発生してその部分で疎水効果を失ったりして、有機ＥＬ層に水分が浸入し、有機ＥＬ層が劣化する虞がある。
【０００８】
本発明の目的は、層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や電極を劣化させ、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、上記基板上を覆うように設けられた層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上における発光領域及び非発光領域の一部を含んで覆うように設けられた第１電極と、上記層間絶縁膜上における上記非発光領域の上記第１電極が設けられていない部分に設けられた捕水層と、上記第１電極の上記非発光領域部分及び上記捕水層を覆うように設けられたエッジカバーと、上記第１電極上の上記発光領域に設けられた有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極と、を備えている。
【００１０】
上記の構成によれば、層間絶縁膜上における非発光領域において層間絶縁膜上に捕水層が設けられてさらに捕水層を覆うようにエッジカバーが設けられているので、捕水層が層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分の捕捉を行う。そのため、層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出して有機ＥＬ層や電極が劣化するのを抑制することができ、結果として、輝度が低くなって有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制できる。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、エッジカバーの上層に設けられた第２捕水層をさらに備えていることが好ましい。
【００１２】
この場合、第２捕水層は、上記エッジカバーの頂面に接触するように設けられていてもよい。
【００１３】
また、この場合、第２捕水層は、上記エッジカバーの側面に接触するように設けられていてもよい。
【００１４】
さらに、この場合、第２捕水層は、上記エッジカバーの頂面と側面の両方に接触して覆うように設けられていてもよい。
【００１５】
上記の構成によれば、エッジカバーの上層にも第２捕水層が設けられているので、エッジカバーの内部に含まれる水分は第２捕水層によっても捕捉され、水分の捕捉をより効率よく行うことができる。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、捕水層が、アルカリ土類金属酸化物で構成されていてもよい。
【００１７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、捕水層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
【００１８】
上記の構成によれば、捕水層の厚さが５０ｎｍ以上であるので、捕水層が優れた捕水効果を有する。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、圧力が１０−１Ｐａ以下の雰囲気下で捕水層の形成を行う。
【００２０】
上記の製造方法によれば、捕水層を圧力が１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気下で行うので、捕水層を形成する工程において捕水層の捕水性能が劣化することが抑制される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、層間絶縁膜上における非発光領域において層間絶縁膜上に捕水層が設けられてさらに捕水層を覆うようにエッジカバーが設けられているので、捕水層が層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分の捕捉を行う。そのため、層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出して有機ＥＬ層や電極が劣化するのを抑制することができ、結果として、輝度が低くなって有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】本実施形態の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図４】本実施形態の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図５】本実施形態の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態について、以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００２４】
＜有機ＥＬ表示装置＞
図１及び２は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置１０の一例を示す。この有機ＥＬ表示装置１０は、例えば、携帯電話やポータブルメディアプレーヤー等のディスプレイ等に用いられる。
【００２５】
有機ＥＬ表示装置１０は、ガラス基板１１上にＴＦＴ１２が設けられてその表面が層間絶縁膜１３で覆われたＴＦＴ基板上に、第１電極１４、有機ＥＬ層１５、及び第２電極１６が順に積層され、これらが不活性ガス雰囲気下で封止部材により封止された構造を有する。そして、それらによって複数の発光領域Ｐがマトリクス状に構成されている。有機ＥＬ表示装置１０が表示装置である場合には、発光領域Ｐによって画像表示を行う。この有機ＥＬ表示装置がＲＧＢフルカラー表示を行う場合、複数の画素は、赤色補助画素、緑色補助画素、及び青色補助画素の３種類の補助画素で構成されている。
【００２６】
ＴＦＴ基板は、ガラス基板やプラスチック基板等の絶縁性材料からなる基板１１上に、例えば、水平方向に互いに平行に複数のゲート線が配設され、それらと垂直な方向に複数の信号線が配設されている。そして、ゲート線及び信号線の交差する位置にマトリクス型に発光領域Ｐが形成されている。各発光領域Ｐに接続するようにＴＦＴ１２が設けられている。さらに、配線やＴＦＴ１２を覆うように、基板１１上に層間絶縁膜１３が形成されている。ＴＦＴ基板は、例えば、厚さが０．７ｍｍ程度、縦長さが４００ｍｍ程度、及び横長さが３００ｍｍ程度である。
【００２７】
ＴＦＴ１２は、各発光領域Ｐにおけるスイッチング素子としての機能を有する。ＴＦＴ１２を構成する材料としては、例えば、非晶質シリコンや多結晶シリコン等の無機半導体材料等が挙げられる。
【００２８】
層間絶縁膜１３を構成する材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性のポジ型感光性樹脂材料等が挙げられる。層間絶縁膜１３には、各ＴＦＴ１２に対応するようにコンタクトホールが設けられており、これにより、ＴＦＴ基板表面からＴＦＴ１２まで導通することが可能となっている。層間絶縁膜１３は、例えば膜厚が１μｍ程度である。
【００２９】
第１電極１４は、各発光領域Ｐに対応するように島状パターンに設けられていると共に、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、ＴＦＴ１２に電気的に接続されている。第１電極１４は、有機ＥＬ層１５にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極１４を構成する材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等が挙げられる。第１電極１４は、有機ＥＬ層１５への正孔注入効率を高める観点から、ＩＴＯやＩＺＯ等の仕事関数が大きい材料で形成されていることが好ましい。第１電極１４は、例えば厚さが１５０ｎｍ程度である。
【００３０】
第１捕水層１７は、層間絶縁膜１３上の第１電極１４が設けられていない領域を覆うように設けられている。なお、第１捕水層１７は第１電極１４の周縁部にも設けられていてもよく、この場合、第１電極１４の周縁部を覆うように第１捕水層１７が設けられていても、第１電極１４の周縁部が第１捕水層１７を覆うように設けられていてもよい。また、第１捕水層１７の上層には、後述のエッジカバー１８が設けられている。つまり、第１捕水層１７は第１電極１４が設けられていない領域において、層間絶縁膜１３とエッジカバー１８とで挟まれた構造となっている。そして、これにより、層間絶縁膜１３とエッジカバー１８に含まれている水分は第１捕水層１７で吸収される。
【００３１】
第１捕水層１７を構成する材料としては、例えば、多孔質無機材料等の物理吸着型の材料やアルカリ土類金属酸化物、金属の硫酸化物等の化学吸着型の材料が挙げられる。多孔質無機材料としては、例えばアルミナ、ゼオライト、モレキュラーシーブ、シリカゲル等が挙げられる。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等が挙げられる。また、金属の硫酸化合物としては、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸チタン等が挙げられる。第１捕水層１７は、例えば、厚さが５００ｎｍ程度である。なお、第１捕水層１７を構成する材料は、水分以外にも、酸素等の有機層を劣化させる成分を捕捉する機能を有していてもよい。
【００３２】
エッジカバー１８は、第１電極１４が設けられていない領域に対応して、第１電極１４の周縁部を覆うように設けられている。なお、エッジカバー１８の一部は、第１電極１４の島状パターンの周縁部の一部を覆うように形成されており、第１電極１４と第２電極１６とが短絡するのを防止する機能を有する。このとき、第１電極１４上であってエッジカバー１８が設けられていない領域が発光領域Ｐとなる。エッジカバー１８は、例えば厚さが１．５〜２．０μｍである。
【００３３】
エッジカバー１８を構成する材料としては、上記層間絶縁膜１３を構成する材料として挙げたのと同一の材料が使用される。但し、層間絶縁膜１３とエッジカバー１８とは、同一の材料でなくてもよい。なお、エッジカバー１８は、吸水性の低い材料で構成されていることが好ましい。エッジカバー１８は有機ＥＬ層１５と接するようにして設けられているので、エッジカバー１８が水分を多く含んでいると、その水分が有機ＥＬ層１５に浸みだして有機ＥＬ層１５を劣化させる虞があるからである。
【００３４】
第２捕水層１９は、エッジカバー１８の頂面及び側面を覆うように設けられている。第２捕水層１９は、エッジカバー１８の内部に含まれている水分を吸収する機能を有する。第２捕水層１９はエッジカバー１８の表面に接触するようにして設けられていても、有機ＥＬ層１５と同じ有機膜を介して設けられていてもよいが、エッジカバー１８からの水分の捕捉効率の点からはエッジカバー１８表面に接触して設けられていることが好ましい。
【００３５】
第２捕水層１９を構成する材料としては、第１捕水層１７の材料として挙げられる材料と同一の材料が挙げられる。第２捕水層１９は、例えば、厚さが５００ｎｍ程度である。
【００３６】
有機ＥＬ層１５は第１電極１４側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層された構成を有する。なお、これらのうち少なくとも発光層を備えていればよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層については、作製する有機ＥＬ表示装置１０が必要とされている特性に応じて適宜設けられていればよい。また、正孔注入層と正孔輸送層、及び電子輸送層と電子注入層は、それぞれ、一層に設けられていてもよい。
【００３７】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率及び正孔輸送効率を高める機能を有する。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン等や、これらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物或いはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー或いはポリマー等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。なお、正孔注入層及び正孔輸送層は、基板全面を覆うように設けられていてもよく、各発光領域Ｐに対応するようにパターン形成して設けられていてもよい。
【００３８】
発光層は、第１電極１４側から注入されたホール（正孔）と第２電極１６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する。発光層は、それぞれの発光色の発光材料が、各発光色の発光領域Ｐに対応するように島状のパターンに設けられている。発光層は、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。発光層の材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、或いはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。発光層は、例えば、厚さが１０〜１００ｎｍである。なお、隣接する発光領域Ｐが同一の発光色の発光領域Ｐである場合は、発光層は島状のパターンに設けられていなくてもよく、この場合にはエッジカバー１８及び第１捕水層１７の一部又は全部を覆うように発光層が設けられることとなる。
【００３９】
電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、第２電極１６から発光層への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン等や、これらの誘導体、金属錯体等が挙げられる。電子輸送層と電子注入層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。なお、電子輸送層及び電子注入層は、基板全面を覆うように設けられていてもよく、各発光領域Ｐに対応するようにパターン形成して設けられていてもよい。
【００４０】
第２電極１６は、有機ＥＬ層１５やエッジカバー１８、第２捕水層１９を覆うように、基板全面に設けられている。第２電極１６は有機ＥＬ層１５に電子を注入する機能を有する。第２電極１６は、仕事関数の小さい金属等で形成されている。第２電極１６を構成する材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウムなどが挙げられる。第２電極１６は、例えば厚さが５０〜１００ｎｍである。
【００４１】
また、第２電極１６を覆うように保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。保護膜は、酸素や水分が外部から有機ＥＬ層１５内部へ浸入するのを阻止する機能を有する。保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成されている。保護膜を構成する材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等が挙げられる。保護膜は、例えば厚さが１００〜１０００ｎｍである。
【００４２】
封止部材は、例えば、ガラスやプラスチック等で形成されている。そして、封止部材で封止された中空部分には、例えば乾燥窒素やアルゴン等の不活性ガスが充填されている。封止部材は、例えば、厚さが０．４〜１．１ｍｍである。封止部材の縦長さ及び横長さは、有機ＥＬ表示装置１０の寸法に合わせて適宜調整されていてもよく、ＴＦＴ基板と略同一の寸法であってもよい。封止部材の縦長さ及び横長さがＴＦＴ基板と略同一の寸法である場合、封止部材は、ＴＦＴ基板を封止するように設けられた後に有機ＥＬ表示装置１０の大きさに合わせて分断されていてもよい。なお、封止部材とＴＦＴ基板との間に形成される中空部分には、不活性ガスの代わりに、エポキシ樹脂等の樹脂が充填されていてもよい。
【００４３】
封止部材には、その基板側表面に乾燥剤が貼付されていることが好ましい。また、封止部材の基板側表面への乾燥剤の貼付のために、例えば、封止部材の基板側表面に凹部を設けられていてもよい。その場合、凹部の深さは、例えば０．２〜０．３ｍｍである。
【００４４】
乾燥剤は、例えばシート状や液状を有する。乾燥剤は、例えば、酸化カルシウム、酸化バリウム等である。封止部材の基板側表面に乾燥剤が貼付されていることにより、外部から有機ＥＬ表示装置１０内に浸入した水分を吸収することができ、外部から浸入した水分によって有機ＥＬ層１５が劣化するのを防ぐことができる。
【００４５】
封止部材やＴＦＴ基板の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。
【００４６】
この有機ＥＬ表示装置１０では、配線からの信号入力によりＴＦＴ１２をオンさせると、第１電極１４から有機ＥＬ層１５へホールが注入されると共に、第２電極１６から有機ＥＬ層１５へ電子が注入される。そして、正孔と電子とが発光層内で再結合する。再結合により励起状態となった電子が基底状態に戻る際に放出する失活エネルギーが、発光として取り出される。各発光領域Ｐの発光輝度を制御することで、有機ＥＬ表示装置１０にて所定の画像を表示することができる。
【００４７】
なお、本実施形態では第２捕水層１９はエッジカバー１８の頂面及び側面を覆うように設けられているとしたが、図３に示すように、エッジカバー１８の頂面だけを覆うように設けられていてもよく、図４に示すように、エッジカバー１８の側面だけを覆うように設けられていてもよく、さらに、図５に示すように、エッジカバー１８の上層には第２捕水層１９が設けられていなくてもよい。この場合でも、エッジカバー１８と層間絶縁膜１３に挟まれるように第１捕水層１７が設けられているので、エッジカバー１８や層間絶縁膜１３に含まれている水分は第１捕水層１７に吸収され、水分が有機ＥＬ層１５や電極に浸入することに起因して有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態では第１電極１４が陽極及び第２電極１６が陰極である構成としたが、第１電極１４が陰極及び第２電極１６が陽極であってもよく、その場合、第１電極１４から有機ＥＬ層１５に電子が注入されると共に、第２電極１６から有機ＥＬ層１５に正孔が注入される。
【００４９】
また、本実施形態では有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ発光を基板側から取り出すボトムエミッション構造であるとしたが、特にこれに限られず、封止部材側から発光を取り出すトップエミッション構造であってもよい。有機ＥＬ表示装置がトップエミッション構造である場合、第１電極を光反射性の材料で構成し、且つ、第２電極を光透過性又は光反透過性の材料で構成する必要がある。例えば、第１電極をＡｌ膜とＩＺＯ膜の積層体で構成し、第２電極を膜厚２ｎｍ程度のＭｇＡｇ合金膜及び膜厚２０ｎｍ程度のＡｇ膜の積層体で構成する。このとき、第１電極のＡｌ膜が光反射性材料として機能すると共に、ＩＺＯ膜が正孔を有機ＥＬ層に注入する機能を有する。また、第２電極のＭｇＡｇ合金膜が有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有すると共に、Ａｇ膜が電極としての導電性を有しする。そして、両積層体の厚みが十分薄いために、第２電極全体として光半透過性を有し、有機ＥＬ発光を封止部材側から取り出すことができる。なお、有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型構造を有する場合には、有機ＥＬ表示装置の封止部材側に光透過性が要求されるため、一般には乾燥剤は貼付されていない。
【００５０】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、図６を用いて、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する。
【００５１】
（層間絶縁膜の形成）
まず、公知の方法によりガラス基板１１上にＴＦＴ１２を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術を用いて層間絶縁膜１３を形成する。具体的には、例えば、ガラス基板１１上にスピンコート法を用いて感光性樹脂を塗布し、さらに１００℃程度で約３分間プリベークを行って感光性樹脂膜を形成する。この感光性樹脂膜に、フォトリソグラフィ技術を用いてＴＦＴ１２に導通するコンタクトホールを形成し、２２０℃程度で約１時間ポストベークを行って、層間絶縁膜１３とする。
【００５２】
（第１電極の形成）
次に第１電極１４を形成する。例えばＩＴＯで第１電極１４を形成する場合、まず、スパッタ法を用いてＩＴＯ膜を成膜する。その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、エッチング液として塩化第二鉄等を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。そして、フォトレジストを剥離し、基板洗浄を行い、第１電極１４を形成する。
【００５３】
（第１捕水層の形成）
次に、例えばスプレー法を用いて第１捕水層１７を形成する。ここでは、捕水材料を分散溶媒に分散させた捕水材料含有分散液を使用する。
【００５４】
捕水材料含有分散液に含まれる捕水材料としては、上述したように、多孔質無機材料やアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物等が挙げられる。また、捕水材料が酸化カルシウム（ＣａＯ）である場合、例えば最大粒子径が２００ｎｍ程度である。分散溶媒としては、例えば、アルコール、アミド化合物、多価アルコール誘導体などの有機溶媒やこれらの混合溶媒が好ましい。これらのうち、静電反発によって凝集抑制効果が得られる点から、プロトン性１−ブタノール溶媒等のプロトン性溶媒を用いることが好ましい。なお、捕水層自身の捕水能力を高める観点から、分散溶媒中の水分量は少ないことが好ましい。
【００５５】
上記の捕水材料含有分散液をスプレー法により、メタルマスク２１を介して、第１電極１４が設けられていない層間絶縁膜１３上に選択的に塗布する（図６（ａ））。塗布は、不活性ガス雰囲気中で、スプレーノズルの往復移動動作に同期して、基板とマスク２１を乗せたステージをスプレーノズルの移動方向に対して直交方向に断続的に移動させることにより行う。塗布後、約１００℃の下で２分程度焼成して図６（ｂ）に示すように第１捕水層１７を形成する。
【００５６】
なお、上記説明したようにスプレー法を用いる方法の他、例えば、樹脂材料に捕水材料を分散させた捕水材料含有樹脂をスピンコートしてフォトリソグラフィ技術を適用することにより第１捕水層１７を形成してもよい。その場合、捕水材料の性質を十分発揮するように捕水材料と樹脂材料の比率を考慮する必要がある。
【００５７】
また、スプレー法やインクジェット法等の湿式プロセスによれば第１捕水層１７の捕水能力が低下する虞があるため、不活性ガスを充填させた乾式プロセスを経て第１捕水層１７を形成することが好ましい。
【００５８】
（エッジカバーの形成）
次に、層間絶縁膜１３と同様にして、図６（ｃ）に示すように、例えば感光性ポリイミド樹脂をパターン形成してエッジカバー１８を形成する。具体的には、ポリイミド樹脂材料をスピンコート法により基板上に塗布し、ＴＦＴ基板を約１００℃の下で３分程度プリベークしポリイミド膜を形成する。その後、発光領域Ｐとなるエリアのポリイミド膜をフォトリソグラフィ技術を用いて除去し、温度が約２２０℃の下で１時間程度ポストベークすることにより、エッジカバー１８を形成することができる。
【００５９】
（第２捕水層の形成）
次に、第１捕水層１７の形成と同様に、捕水材料含有分散液を用いたスプレー法によって第２捕水層１９を形成する。第２捕水層１９は、エッジカバー１８の頂部及び側面に対応するように開口を有する蒸着マスク２２を用いてパターニングを行って形成する（図６（ｄ）、（ｅ））。
【００６０】
（有機ＥＬ層の形成）
次に、抵抗加熱蒸着法やＥＢ蒸着法等を用いて有機ＥＬ層１５を形成する。このとき、真空に近い雰囲気下で有機ＥＬ層１５の形成を行うことが好ましい。具体的には、圧力が１０−１Ｐａ以下、及び基板温度が２０〜１００℃であることが好ましい。圧力は、より好ましくは１０−５Ｐａ以下である。また、酸素濃度及び水分濃度がいずれも１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
まず、正孔注入層兼正孔輸送層を基板全面に蒸着形成する。次に、蒸着マスクで所定の発光色の発光領域Ｐ以外の部分を被覆した状態で、発光層を蒸着形成する。有機ＥＬ表示装置１０がＲＧＢフルカラー表示を行う場合には、赤色発光材料、青色発光材料及び緑色発光材料を任意の順番で形成して発光層とする。そして、最後に、電子輸送層兼電子注入層を基板全面に蒸着形成する。これにより有機ＥＬ層１５が形成される。
【００６２】
なお、ここでは発光層の形成時のみ蒸着マスクを使用するとしたが、正孔注入層兼正孔輸送層や電子輸送層兼電子注入層を形成する時にも蒸着マスクを使用してもよい。
【００６３】
（第２電極の形成）
続いて、例えばスパッタ法等を用いて有機ＥＬ層１５全体を覆うように第２電極１６を形成する。
【００６４】
さらに、公知の方法を用いてＳｉＯＮ等からなる保護膜を全面に形成してもよい。
【００６５】
（封止工程）
最後に、ＴＦＴ基板上に形成された第１電極１４、有機ＥＬ層１５及び第２電極１６を封止するように、不活性ガス雰囲気中で封止部材を取り付ける。このとき、封止部材は、エポキシ樹脂等の封止樹脂を用いてシールしてもよく、ガラスフリッタを用いてＴＦＴ基板と封止部材を融着してもよい。
【００６６】
以上の工程により本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０を製造することができる。
【００６７】
＜本実施形態の効果＞
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、第１捕水層１７が層間絶縁膜１３とエッジカバー１８とで挟まれるようにして設けられているので、第１捕水層１７で層間絶縁膜１３やエッジカバー１８の内部に含まれている水分を吸収することができる。
【００６８】
さらに、以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０によれば、エッジカバー１８の上層に第２捕水層１９が設けられているので、エッジカバー１８の内部に含まれている水分をより効率よく吸収することができる。
【００６９】
そして、層間絶縁膜１３やエッジカバー１８の内部に含まれている水分を第１捕水層１７や第２捕水層１９で吸収させることにより、水分が有機ＥＬ層１５や電極にしみ出してそれらが劣化して有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００７０】
なお、第２捕水層１９にピンホールが生じた場合でも、第１捕水層１７でエッジカバー１８や層間絶縁膜１３の水分を吸収することができるので、長期にわたって有機ＥＬ層１５や電極が水分により劣化するのを抑制する効果が長期にわたって持続する。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｐ  発光領域
１０  有機ＥＬ表示装置
１１  基板
１３  層間絶縁膜
１４  第１電極
１５  有機ＥＬ層
１６  第２電極
１７  第１捕水層
１８  エッジカバー
１９  第２捕水層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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