(57)【要約】【課題】パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、基体上に、媒体対向面側端面が逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第１のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に記録用の磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備える。【選択図】図４
2010020856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の第１のアッシング処理を行う工程と、
前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、
前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられること
を特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記逆台形状の溝は、台形上辺及び下辺に直交する面と該溝の傾斜面との成す角が０度から３０度の角度であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程との間に、
前記シュリンク処理が行われたレジスト層の第２のアッシング処理を行う工程を備えること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第２のアッシング処理と、前記第１のアッシング処理とは、エッチング条件として処理時間のみが異なり、該第２のアッシング処理の処理時間は、該第１のアッシング処理の処理時間よりも短いこと
を特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンション及び前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドに電気的に接続された回路と、を有すること
を特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、逆台形の磁極を備えた磁気ヘッドの製造方法、および該磁気ヘッドを備える情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、磁気再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子（以下、「再生素子」という）を用いたヘッドが開発されている。一方、磁気ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
このような背景下、垂直記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の記憶装置において、高記録密度化を目的とする狭トラック化を図るため、隣接トラックへの漏れ磁界を防いで、隣接トラックへのはみ出し記録（サイドトラックイレーズ）を防ぐことが課題となっている。この課題に対しては、主磁極の形状を逆台形状に形成する技術が知られており、さらに、逆台形状の主磁極を有する磁気ヘッドの製造方法も知られている（特許文献１等）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２００４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。  
【０００７】
この磁気ヘッドの製造方法は、基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第１のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を備える磁気ヘッドを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッド１の構成例を示す概略図（素子高さ方向（図中Ｘ方向）の断面図）である。図２は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。図３〜図４は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図５〜図７は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図８は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層８に形成された溝７のパターン幅ｄの変化を示すグラフである。図９は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層８に形成された溝７の傾斜角θの変化を示すグラフである。図１０は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。なお、符号ｄはパターン幅ｄ１〜ｄ８の総称として、また、符号θは傾斜角θ１〜θ８の総称として用いる。
【００１０】
本発明の実施形態に係る磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気情報を書き込む記録ヘッド部３を有する磁気ヘッドである。
記録ヘッド部３が積層され、その素子高さ方向に直交する面に媒体対向面（浮上面）５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該媒体対向面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド１として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
【００１１】
図１に示すように、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図１は磁気ヘッド１のコア幅方向に垂直な方向の断面図として図示している。ちなみに、媒体対向面５は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
【００１２】
先ず、再生ヘッド部２の構成例を説明する。図１に示すように、ベースとなるウエハ基板１１上に、下部シールド層１２が形成される。さらに、下部シールド層１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符合３１は、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層である。
【００１３】
また、再生素子１３および絶縁層３１上に、上部シールド層１５が形成される。なお、上部シールド層１５、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００１４】
次に、記録ヘッド部３の構成例を説明する。前記上部シールド層１５上に絶縁材料からなる磁性分離層３２が形成される。  絶縁層３２上に、磁性材料からなる第１リターンヨーク１６が形成される。
【００１５】
第１リターンヨーク１６上にＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３３が形成され、絶縁層３３上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１７が形成され、さらに、第１コイル１７を覆うように、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３４が形成される。
また、絶縁層３４と上面を連続させるようにして、該絶縁層３４上に磁性材料からなる盛上層１８が形成される。なお、盛上層１８を設けない構成も考えられる。
【００１６】
なお、本実施形態においては、ウエハ基板１１から、絶縁層３４および盛上層１８で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
【００１７】
また、絶縁層３４および盛上層１８の上に、磁性材料からなる主磁極１９が形成される。なお、主磁極１９形成工程（詳細については後述）において、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベース層を形成し、その上に主磁極１９を形成することとなるが、当該鍍金ベース層については、機能的に主磁極１９と同視できるものであり、図の簡素化のためにも図示を省略している（その他の鍍金ベース層についても同様に図示省略）。ちなみに、主磁極１９は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。
【００１８】
主磁極１９の後端側には、磁性材料からなるバックギャップ２２が形成されると共に、主磁極１９上にＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３５が形成され、さらに絶縁層３５上に、バックギャップ２２を取り巻くように導電材料からなる第２コイル２０が形成される。また、主磁極１９の先端部の上方には、主磁極１９と間隔（トレーリングギャップと呼ばれる）を空けて、磁性材料からなるトレーリングシールド２１が形成される。さらに、第２コイル２０の層間および上層にレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層３６が形成されると共に、さらにその上層に、バックギャップ２２およびトレーリングシールド２１に連結する磁性材料からなる第２リターンヨーク２３が形成される。
【００１９】
さらに、第２リターンヨーク２３上に保護層（不図示）が形成される等して、磁気ヘッド１が所定の積層構造として完成される。
【００２０】
なお、第１リターンヨーク１６、盛上層１８、主磁極１９、トレーリングシールド２１、バックギャップ２２、第２リターンヨーク２３を構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高く且つμ（透磁率）が低い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。
【００２１】
続いて、本実施形態に係る磁気ヘッド１の製造方法について説明する。なお、本実施形態に特徴的な記録ヘッド部３の形成工程から説明を行う。
先ず、図２（ａ）に示すように、ウエハ基板１１上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層３４および盛上層１８で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体６を形成する。
【００２２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、基体６の上に、逆台形状の溝７を有するレジスト層８を形成する。一例として、当該レジスト層８は、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成する。
なお、溝７の形状は、コア幅方向（図２（ａ）で示すＹ方向、以下図７に至るまで同様）に直交する面と溝７の傾斜面との成す角である傾斜角θ１を０〜３０［°］程度の範囲内で形成する。一例として、コア幅方向における開口部（図中の溝７の上部）の幅が１００〜３００［ｎｍ］程度、底部（図中の溝７の下部）の幅（「パターン幅」という）ｄ１が１００［ｎｍ］程度で、膜厚方向（図１および図２（ａ）で示すＺ方向、以下図７に至るまで同様）における深さ（図中の上下方向）が２００［ｎｍ］程度に形成する。
【００２３】
従来は、この後の工程として、図５に示すように、レジスト層８の溝７内に主磁極１９を形成する。一例として、主磁極１９は、磁性材料であるＣｏＮｉＦｅを用いて、鍍金プロセスにより形成していた。
高記録密度化の要求が厳しくなかった従来の磁気ヘッドにおいては、主磁極１９は、このパターン幅すなわちｄ６＝ｄ１＝１００［ｎｍ］程度で十分であった。ちなみに、θ６＝θ１である。
また、この程度の形状（サイズ）の溝７は、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成が可能な範囲であった。
【００２４】
しかし、さらなる高記録密度化に対応するため、パターン幅を一層狭く形成することが要請されており、前記のフォトリソグラフィプロセスのみでは所望の狭いパターン幅（例えば、ｄ１＝６０〜９０［ｎｍ］程度）の形成に対応することが出来なくなっている。
【００２５】
ここで、本願出願人において、パターン幅を狭く形成するために、公知のシュリンク処理技術（特開２００５−４４８２３号公報等参照）を適用することが考えられた。
例えば、図２（ｂ）に示す工程の後に続き、図６（ａ）に示すように、溝７内に公知のシュリンク剤を塗布し、所定温度・所定時間でベークを行った後、水洗浄を行うことで、シュリンク部９が形成されて、パターン幅を狭くすることが可能となる。なお、ベーク温度によってパターン幅の制御が可能であり、一例として、ｄ７＝６０〜９０［ｎｍ］程度である。
しかし、この方法を、逆台形状の溝７を有するレジスト層８の形成に適用しようとすると、上記の通り、狭いパターン幅を容易に狭くすることは可能となるものの、溝７の形状が逆台形状ではなく、矩形状となってしまう課題が生じる。
より具体的には、上記シュリンク処理工程を実施する前の時点のコア幅方向に直交する面と溝７の傾斜面との成す角である傾斜角θ１（図２（ｂ）参照）に対して、シュリンク処理工程実施後の傾斜角θ７（図６（ａ）参照）は、θ１＞θ７となってしまうために、その後、アッシング処理工程（図６（ｂ））を経て、鍍金プロセスによって形成される主磁極１９の形状が、図７に示すように矩形状に近い形状となってしまうのである。つまり、傾斜角についてみれば、θ１＞θ７≒θ８≒θ９の関係にある。なお、パターン幅については、ｄ９（＝ｄ８）＜ｄ１である（図８参照）。
【００２６】
なお、上記図６（ｂ）で示されるアッシング処理工程は、シュリンク処理工程によって、溝７内に形成されたシュリンク部９に対して、プラズマエッチング（例えば酸素ガスを使用）を行うことによって、次工程の鍍金プロセスにおいて、主磁極１９を形成する軟磁性材が溝７内つまりシュリンク部９の表面に付き易くする作用を生じさせるために行われるものである。したがって、通常は、アッシング処理工程は、シュリンク処理工程実施後に必要とされる工程である。
【００２７】
これに対して、本実施形態に係る製造方法においては、シュリンク処理工程を実施する前に、アッシング処理工程を実施することを特徴とする。
より具体的には、前記図２（ｂ）で示される工程の実施後に、図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を実施する。当該アッシング処理工程は、前述のシュリンク処理工程後に実施されるアッシング処理工程とは当然ながらその作用・効果を異にするものであり、当該図３（ａ）に示すアッシング処理工程を実施することによって、次工程のシュリンク処理工程を実施した場合であっても（図３（ｂ）参照）、傾斜角θ２を、θ２≒θ１に維持することが可能となる。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理工程を実施するが、これに限定されるものではない。
【００２８】
その結果、溝７の形状が逆台形状から矩形状になってしまうという前述の課題を解決することが可能となる。
すなわち、上記アッシング処理工程（図３（ａ）参照）を行った後で、図３（ｂ）に示すように、パターン幅を狭くするためのシュリンク処理工程を実施すれば、パターン幅ｄ３＝６０〜９０［ｎｍ］程度まで狭くすることが可能となり、且つ傾斜角θ３≒θ２≒θ１に維持することが可能となるため、その後、図４（ａ）で示される工程（後述）を経た後、鍍金プロセスによって形成される主磁極１９の形状が、図４（ｂ）に示すように狭いパターン幅（ｄ５＝ｄ４＝ｄ３）であり、且つ所望の傾斜角θ５を有する逆台形状に形成することが可能となる。つまり、傾斜角についてみれば、θ１≒θ２≒θ３≒θ４≒θ５の関係にある。なお、図４（ｂ）は、溝７内に、主磁極１９を形成する軟磁性金属材料を鍍金プロセスで形成した後、レジスト層８をリフトオフプロセスによって除去した後の状態を示す図である。
このように、主磁極１９を所望の傾斜角θ５を有する逆台形状に形成することが可能となるため、主磁極が矩形状となってしまった場合に顕著に発生し得るサイドイレーズを効果的に防止することが可能となると共に、狭いパターン幅を備えることで、磁気記録媒体の狭トラック化による高記録密度化の達成が可能となる。
【００２９】
ここで、図４（ａ）で示される工程について説明する。この工程は、前記同様、シュリンク処理工程後に必要とされるアッシング処理工程である。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理を行うが、これに限定されるものではない。
【００３０】
また、本実施形態のように、図３（ａ）で示されるアッシング処理工程と、図４（ａ）で示されるアッシング処理工程とを、同じガス（ここでは酸素）を用いるプラズマエッチングとして実施することによって、実施装置の共通化を図ることができ、また使用ガスの種類の増加を抑えることができるため、非常に効率的であり、且つコストダウンが可能となる。
ただし、両者のアッシング処理は、その目的が全く異なるものであって、必然的に、同じ装置で実施可能とするためには、エッチング条件をそれぞれに最適化しなければならならい。一例として、図４（ａ）で示されるアッシング処理を行う処理時間を、図３（ａ）で示されるアッシング処理を行う処理時間よりも短くすることによって、装置の共通化を図り、同様の酸素プラズマエッチングとして、両工程の実施が可能となる。
【００３１】
なお、図４（ｂ）で示される工程の後工程としては、主磁極１９上に前述の膜構成となる積層工程を行い、最終的に図１で示される構成の磁気ヘッド１として完成に至る。
【００３２】
ここで、本実施形態に特徴的な図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を行った場合の効果を、当該工程を行わない場合との比較において示す。
先ず、図８は、工程を経るごとにパターン幅ｄがどのように変化しているかを示すグラフである。図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を行わない場合（図中の丸印でプロット）と、図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合（図中の三角印でプロット）とは、どちらもパターン幅を同等程度まで狭く形成することが可能となる結果となっている。
一方、図８は、工程を経るごとに傾斜角θがどのように変化しているかを示すグラフである。図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を行わない場合（図中の丸印でプロット）は、傾斜角θが減少（θ１→θ８）、すなわち、溝７の形状が逆台形状から矩形状に近づいてしまう結果となっているのに対し、図３（ａ）で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合（図中の三角印でプロット）は、傾斜角θが減少せず（θ１→θ３）、逆台形状の溝形状が維持されている結果となっている。
これらのグラフから、所望の傾斜角度を維持したまま、パターン幅を狭くすることが可能となるという本実施形態に特徴的で顕著な効果が達成されていることが明らかである。
【００３３】
続いて、本発明の実施形態に係る情報記憶装置について説明する。
上記の構成を備える磁気ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置、ＭＲＡＭ等を構成することにより、サイドイレーズの防止が可能で、且つより高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。
【００３４】
当該情報記憶装置の一例として、図１０に磁気ディスク装置５０の構成を示す。前記の磁気ヘッド１は、磁気記録媒体（磁気記録ディスク）５１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ５２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ５２は、ヘッドサスペンション５３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション５３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム５４と、該サスペンション５３および該アクチュエータアーム５４上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子１３に電気的に接続され、磁気記録ディスク５１に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク５１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ５２がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク５１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
【００３５】
本実施形態に係る情報記憶装置によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を有する磁気ヘッドを備えて、サイドイレーズの防止が可能となり、且つより高密度の記録が可能となる。
【００３６】
以上説明した通り、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能となり、その結果、サイドイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能な磁気ヘッドおよび情報記憶装置が提供される。
【００３７】
（付記１）  基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の第１のアッシング処理を行う工程と、
前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、
前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）  前記第１のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）  前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記２記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）  前記逆台形状の溝は、台形上辺および下辺に直交する面と該溝の傾斜面との成す角が０度から３０度の角度であることを特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）  前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程は、鍍金プロセスであることを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）  前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程との間に、
前記シュリンク処理が行われたレジスト層の第２のアッシング処理を行う工程を備えることを特徴とする付記１〜５のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）  前記第２のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記６記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記７記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）  前記第２のアッシング処理と、前記第１のアッシング処理とは、エッチング条件として処理時間のみが異なり、該第２のアッシング処理の処理時間は、該第１のアッシング処理の処理時間よりも短いことを特徴とする付記６〜８のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記１０）  付記１〜９のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドに電気的に接続された回路と、を有することを特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図８】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層に形成された溝のパターン幅の変化を示すグラフである。
【図９】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層に形成された溝の傾斜角の変化を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  磁気ヘッド
２  再生ヘッド部
３  記録ヘッド部
５  媒体対向面
６  基体
７  溝
８  レジスト層
９  シュリンク部
１１  ウエハ基板
１３  下部シールド層
１４  磁気抵抗効果型再生素子
１５  上部シールド層
１６  下部リターンヨーク
１９  主磁極
２１  トレーリングシールド
２３  上部リターンヨーク
５０  情報記憶装置（磁気ディスク装置）
【図１】
2010020856.tif 000003
【図２】
2010020856.tif 000004
【図３】
2010020856.tif 000005
【図４】
2010020856.tif 000006
【図５】
2010020856.tif 000007
【図６】
2010020856.tif 000008
【図７】
2010020856.tif 000009
【図１０】
2010020856.tif 000010
【図８】
2010020856.tif 000011
【図９】
2010020856.tif 000012