(57)【要約】【課題】透過率の高い反射防止膜、及び反射防止膜の製造方法を提供することである。【解決手段】本発明にかかる反射防止膜は、基板１上に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜３と、ポリシリコン膜３上に形成された第２の酸化シリコン膜４と、を有する。  また、本発明にかかる反射防止膜は、基板１上に第１の酸化シリコン膜２を形成し、第１の酸化シリコン膜２上に６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜３を形成し、ポリシリコン膜３上に第２の酸化シリコン膜４を形成することで製造することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の酸化シリコン膜と、
前記第１の酸化シリコン膜上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜と、
前記ポリシリコン膜上に形成された第２の酸化シリコン膜と、
を有する反射防止膜。
【請求項２】
前記第１の酸化シリコン膜の膜厚が１４ｎｍ乃至３５ｎｍである請求項１に記載の反射防止膜。
【請求項３】
光電変換素子と、
前記光電変換素子の光が入射する側に設けられた請求項１または請求項２に記載の反射防止膜と、を有する半導体装置。
【請求項４】
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードの光が入射する側に設けられた請求項１または請求項２に記載の反射防止膜と、を有する固体撮像装置。
【請求項５】
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードの光が入射する側に設けられた請求項１または請求項２に記載の反射防止膜と、を有する太陽光発電装置。
【請求項６】
基板上に第１の酸化シリコン膜を形成し、
前記第１の酸化シリコン膜上に６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成する、
反射防止膜の製造方法。
【請求項７】
前記基板上に１４ｎｍ乃至３５ｎｍの膜厚を有する第１の酸化シリコン膜を形成する請求項６に記載の反射防止膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び反射防止膜を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板上に反射防止膜を形成する技術は、固体撮像装置、太陽光発電装置、半導体リゾクラフィー技術等、さまざまな分野で利用されている。シリコン基板上にイオン注入等で形成されたＰＮ型フォトダイオードでは、入射した光が素子の内部で電子に変換され電子として蓄積される。そして、シリコン基板の界面をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の単層膜構造で形成した場合、シリコンとシリコン酸化膜の屈折率のギャップのためにシリコン基板の界面で反射率が増加する。このため、入射した光が効率的にＰＮ型フォトダイオードの内部で電子に変換されない。
【０００３】
この問題を解決する技術として、シリコン基板の界面に屈折率の異なる多層膜を形成する技術がある。この技術によりシリコン基板の界面での反射率を抑えることができ、入射した光を効率的に電子に変換することができる。そして、多層構造を有する反射防止膜として窒化膜等を形成する技術が広く使われている。反射防止膜を利用した場合、シリコン基板の界面で反射率が低減するため、シリコン基板上にイオン注入等で形成されたＰＮ型フォトダイオードで１８％程度感度が向上する。そして、より効率的に光を電子に変換するためには、シリコン基板の界面での反射率を０％に近づける必要があり、より効率的な反射防止膜の設計が求められている。
【０００４】
特許文献１には、固体撮像装置に用いる反射防止膜として、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）の代わりにポリシリコンを用いる技術が開示されている。特許文献１においてポリシリコンを用いている理由は、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）の屈折率がｎ＝２．０であるのに対して、ポリシリコンの屈折率はシリコン基板上のシリコンの屈折率ｎ＝３．７〜５．６に近いからである。また、反射防止膜にポリシリコンを用いた場合のポリシリコン膜層での反射波と、反射防止膜にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）などを用いた場合の膜層での反射波とを比べると、ポリシリコン膜層での反射波のほうがシリコン基板の界面で発生する反射波の振幅に近くなる。この場合、シリコン基板の界面で生じる反射波と、反射防止膜（ポリシリコン膜）と酸化膜との界面で生じる反射波との合成波が半波長条件時に相殺され易くなる。このため、反射防止膜にポリシリコン膜を用いたほうが、反射防止膜にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）を用いた場合に比べて、反射率が低減する。このことも特許文献１においてポリシリコンを用いている理由の一つである。
【特許文献１】特開２００８−２７９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光を電子に変換するＰＮ型フォトダイオード（Ｓｉダイオードともいう）単体の、波長に対する光吸収（分光感度）の関係について以下で説明する。このＰＮ型フォトダイオードは、シリコンにイオン注入をすることで形成される。以下はシリコン単体の波長に対する光吸収（分光感度）の関係である。
Ｉ（λ）＝Ｉ０ｅｘｐ（−Ｘ／Ｌ（λ））  ・・・式１
Ｓ（λ）＝Ｉ０ｅｘｐ（−Ｘｓｔａｒｔ／Ｌ（λ））−Ｉ０ｅｘｐ（−Ｘｅｎｄ／Ｌ（λ））／Ｉ０×１００（％）  ・・・式２
Ｌ（λ）＝１／α（λ）  ・・・式３
α（λ）＝ａ０（ｈｃ／λ−１．１０）Ｋ  （ｃｍ-1）  ・・・式４
【０００６】
ここで、Ｉ（λ）は波長λの時の光の強度減衰、Ｌ（λ）は波長λの時の吸収長、Ｓ（λ）は波長λの時の感度、α（λ）は波長λの時のシリコン吸収係数である。また、Ｘｓｔａｒｔは深さ方向における光の吸収の開始位置、Ｘｅｎｄは深さ方向における光の吸収が終わる位置、ｈはプランク定数、ｃは真空中での光の速度、Ｉ０は光の振幅、ａ０はシリコン吸収係数、ｋは消光係数である。
【０００７】
次に、シミュレーションによる分光感度と波長の計算結果を以下に示す。
（１）Ｓｉ基板／ＳｉＯ２構造の場合
図１１はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造の透過率特性である。Iは空気（屈折率ｎ０＝１）、IIは第１層目ＳｉＯ２膜（屈折率ｎ１＝１．４８、膜厚ｄ１＝３０００ｎｍ）、ＶはＳｉ基板（屈折率ｎ４＝３．７〜５．６）である。
図１１によると、シリコン吸収率が高い波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）では、透過率は平均７０％〜８０％あることがわかる。
【０００８】
図１２はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造のＳｉダイオードの分光感度特性である。破線は反射率０とした理想状態の分光感度特性、実線はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造での光の反射を考慮した分光感度特性、太実線（縦軸は別スケール）はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造の実デバイスの分光感度特性である。波長間の小さなうねりは酸化膜間の多重干渉による影響である。
【０００９】
（２）３層構造の反射防止膜Ａ（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４膜を形成）
図１３は３層構造の反射防止膜Ａ（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４膜を形成）の透過率特性である。Iは空気（屈折率ｎ０＝１）、IIは反射防止膜第１層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ１＝１．４８、膜厚ｄ１＝３０００ｎｍ）、IIIは反射防止膜第２層目であるＳｉ３Ｎ４膜（屈折率ｎ２＝２．０、膜厚ｄ２＝５０ｎｍ）、IＶは反射防止膜第３層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ３＝１．４８、膜厚ｄ３＝２０ｎｍ）、ＶはＳｉ基板（屈折率ｎ４＝３．７〜５．６）である。
図１３によると、シリコン吸収率が高い波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）では、透過率は平均８０％〜９０％であることがわかる。
【００１０】
図１４は３層構造の反射防止膜Ａ（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４を形成）を有するＳｉダイオードの分光感度特性である。太実線（縦軸は別スケール）はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造の実デバイスの分光感度特性である。図１４によると、Ｓｉ基板／ＳｉＯ２構造の場合と比較して、感度が約１８％向上している。
【００１１】
（３）３層構造の反射防止膜Ｂ（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜を形成）
図１５は３層構造の反射防止膜Ｂ（反射防止膜第２層目にポリシリコン、ｄ２＝１５ｎｍ）の透過率特性である。Iは空気（屈折率ｎ０＝１）、IIは反射防止膜第１層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ１＝１．４８、膜厚ｄ１＝３０００ｎｍ）、IIIは反射防止膜第２層目であるポリシリコン膜（屈折率ｎ２＝４．３、膜厚ｄ２＝１５ｎｍ）、IＶは反射防止膜第３層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ３＝１．４８、膜厚ｄ３＝２０ｎｍ）、ＶはＳｉ基板（屈折率ｎ４＝３．７〜５．６）である。
図１５によると、シリコン吸収率が高い波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）では透過率は平均８０％〜９０％である。しかし、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域では透過率が低下している。
【００１２】
図１６は３層構造の反射防止膜Ｂ（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜を形成）を有するＳｉダイオードの分光感度特性である。太実線（縦軸は別スケール）はＳｉ基板／ＳｉＯ２構造の実デバイスの分光感度特性である。図１６によると、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域において反射防止膜第２層目にＳｉによる吸収（青感度）があり、分光感度が４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域で減少している。
【００１３】
複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉｋと吸収係数αはα＝４πｋ／λの関係があり、シリコンの複素屈折率はｋ≠０であるため、光の透過時に光を吸収する特性となる。図４は、３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜）における光吸収特性を示す図である。図５は、４００ｎｍ〜５００ｎｍの入射光が反射防止膜の第２層目（ポリシリコン膜）で吸収される割合とポリシリコン膜の膜厚との関係を示す図である。これによると、反射防止膜のＳｉ膜厚が１５ｎｍより厚くなると、入射光の５％以上が反射防止膜第２層目（ポリシリコン膜）で吸収されるといえる。
【００１４】
よって、特許文献１のポリシリコン膜（膜厚１５ｎｍ〜６０ｎｍ）を反射防止膜として用いた場合、ポリシリコン膜による光吸収のため、４００ｎｍ〜５００ｎｍ間の波長領域で反射防止膜の反射率強度が劣化してしまい、有効な反射防止膜とならない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明にかかる反射防止膜は、基板上に形成された第１の酸化シリコン膜と、前記第１の酸化シリコン膜上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜と、  前記ポリシリコン膜上に形成された第２の酸化シリコン膜と、を有する。
このような構造を有する反射防止膜により、ポリシリコン膜における光の吸収を低減することができ、透過率の高い反射防止膜を提供することが可能となる。
【００１６】
また、本発明にかかる反射防止膜は、基板上に第１の酸化シリコン膜を形成し、前記第１の酸化シリコン膜上に６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜を形成し、前記ポリシリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成することで製造することができる。
このような反射防止膜の製造方法により、ポリシリコン膜における光の吸収を低減することができ、透過率の高い反射防止膜を製造することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、透過率の高い反射防止膜、及び反射防止膜の製造方法の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本実施形態にかかる反射防止膜の構造を示す図である。本実施形態にかかる反射防止膜は、基板１上に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜（Ｓｉ膜）３と、ポリシリコン膜上に形成された第２の酸化シリコン膜４と、を有する。
【００１９】
図２は、本実施形態にかかる反射防止膜の透過率特性を示す図である。この反射防止膜の構造は３層構造で、反射防止膜の第２層目にポリシリコン膜を有する。具体的には図２に示すとおりである。Iは空気（屈折率ｎ０＝１）、IIは反射防止膜第１層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ１＝１．４８、膜厚ｄ１＝３０００ｎｍ、第２の酸化シリコン膜ともいう）、IIIは反射防止膜第２層目であるポリシリコン膜（屈折率ｎ２＝４．３、膜厚ｄ２＝１０ｎｍ）、IＶは反射防止膜第３層目であるＳｉＯ２膜（屈折率ｎ３＝１．４８、膜厚ｄ３＝２０ｎｍ、第１の酸化シリコン膜ともいう）、ＶはＳｉ基板（屈折率ｎ４＝３．７〜５．６）である。
【００２０】
図２によると、シリコン吸収率が高い波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）では透過率は平均約９０％〜９５％である。特に、本実施形態にかかる反射防止膜と図１５に示す３層構造の反射防止膜Ｂ（反射防止膜第２層目にポリシリコン、ｄ２＝１５ｎｍ）を比較すると、本実施形態にかかる反射防止膜では図１５に示す反射防止膜Ｂよりも４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域における透過率が高いことがわかる。
【００２１】
また、この構造と同様の本実施形態にかかる反射防止膜を有するＳｉダイオードの分光感度特性を図３に示す。図３において、太実線（縦軸は別スケール）は反射防止膜を適用していないＳｉ基板／ＳｉＯ２構造の実デバイスの分光感度特性である。
【００２２】
図５は、本実施形態にかかる３層構造の反射防止膜（反射防止膜の第２層目にポリシリコン膜を有する）における、吸収率とポリシリコン膜の膜厚（８ｎｍ〜６０ｎｍ）との関係を示す図である。図５によると、反射防止膜の第２層目であるポリシリコン膜の膜厚が１５ｎｍよりも厚くなると、入射光の５％以上が反射防止膜第２層目のポリシリコン膜で吸収されることがわかる。
【００２３】
図６は、本実施形態にかかる反射防止膜の透過率と、反射防止膜の第２層目であるポリシリコン膜の膜厚との関係を示す図である。このとき、第１の酸化シリコン膜２（IＶ：反射防止膜第３層目）の膜厚は２０ｎｍとしている。縦軸はポリシリコン膜での吸収を含む入射光の透過率（％）、横軸は反射防止膜の第２層目であるポリシリコン膜の膜厚である。図６によると反射防止膜のポリシリコン膜の膜厚が６ｎｍ以下の場合では、反射防止膜の透過率が減少する傾向にある。
【００２４】
また、図６によると反射防止膜のポリシリコン膜の膜厚が６ｎｍ〜１４ｎｍの時に、シリコンダイオードの吸収領域（３００ｎｍ〜１１００ｎｍ）での透過率の合計が、３層構造の反射防止膜の第２層目にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を用いた場合（反射防止膜Ａの構成）よりも高くなることがわかる。よって、第２層目のポリシリコン膜の膜厚を６ｎｍ〜１４ｎｍとすることで、より効率のよい（透過率が高い）反射防止膜を得ることができる。
【００２５】
次に、図７に本実施形態にかかる反射防止膜の第３層目であるＳｉＯ２膜の膜厚と透過率の関係を示す。このとき、反射防止膜の第２層目であるポリシリコン膜の膜厚は１０ｎｍとする。図７において、縦軸はポリシリコン膜での吸収を含む入射光の透過率（％）、横軸は反射防止膜のＳｉＯ２膜の膜厚である。図７によると、反射防止膜の第３層目であるＳｉＯ２膜が１４ｎｍ〜３５ｎｍの時に、シリコンダイオードの吸収領域（３００ｎｍ〜１１００ｎｍ）での透過率の合計が、反射防止膜の第２層目にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を用いた場合（反射防止膜Ａの構成）よりも高くなることがわかる。よって、第３層目のＳｉＯ２膜の膜厚を１４ｎｍ〜３５ｎｍとすることで、より効率のよい（透過率が高い）反射防止膜を得ることができる。
【００２６】
図８は、反射防止膜の特性をまとめた表である。「反射防止膜（本発明）」は、３層構造の反射防止膜の第２層目にポリシリコンを６ｎｍ〜１４ｎｍ形成した反射防止膜（本実施形態にかかる発明）である。「反射防止膜Ａ」は、３層構造の反射防止膜の第２層目にＳｉ３Ｎ４膜を形成した反射防止膜である。「反射防止膜Ｂ」は、３層構造の反射防止膜の第２層目にポリシリコンを１５ｎｍ形成した反射防止膜である。また、「Ｓｉ基板／ＳｉＯ２」はＳｉ基板上にＳｉＯ２膜を３０００ｎｍ形成した構造である。
【００２７】
この結果から、「反射防止膜（本発明）」では、３層構造の反射防止膜の第２層目にＳｉ３Ｎ４膜を形成した「反射防止膜Ａ」と比べて、青感度は４．８％、緑感度３．７％、赤感度１．７％、感度合計で３．４％感度が向上する。また、「反射防止膜（本発明）」では、３層構造の反射防止膜の第２層目にポリシリコンを１５ｎｍ形成した「反射防止膜Ｂ」と比べて、青感度は１４．６％、緑感度は３．０％、感度合計で５．５％特性が向上する。
【００２８】
以上で説明したように、本実施形態にかかる反射防止膜は、基板１上に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜（Ｓｉ膜）３と、ポリシリコン膜上に形成された第２の酸化シリコン膜４と、を有する。また、第１の酸化シリコン膜の膜厚を１４ｎｍ乃至３５ｎｍとすることで更に反射防止膜の特性を向上することができる。
【００２９】
本実施形態にかかる反射防止膜は次の効果を有する。
図２より、反射防止膜Ｂ（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜、ｄ２＝１５ｎｍ）と比べて、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域における透過率を高くすることができる。
また、図５より、ポリシリコン膜の膜厚を６ｎｍ乃至１４ｎｍとすることでポリシリコン膜による入射光の吸収を５％以下とすることができる。
また、図６より、ポリシリコン膜の膜厚を６ｎｍ乃至１４ｎｍとすることで、反射防止膜Ａ（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４膜）と比べて反射防止膜の透過率を高くすることができる。
【００３０】
また、図８より３層構造の反射防止膜の第２層目にＳｉ３Ｎ４膜を形成した反射防止膜Ａと比べて、約３．４％感度特性を向上させることができる。また、３層構造の反射防止膜の第２層目にポリシリコンを１５ｎｍ形成した反射防止膜Ｂと比べて、約５．５％感度特性を向上させることができる。
つまり、光がポリシリコン膜を透過する時の光吸収量や、各波長に対する反射防止膜の透過率を最適化することで、反射防止膜の透過率を向上させることができる。
【００３１】
次に、本実施形態にかかる反射防止膜の製造方法について説明する。本実施形態にかかる反射防止膜の製造方法は以下の工程を有する。基板上に第１の酸化シリコン膜を形成する工程。第１の酸化シリコン膜上に６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜を形成する工程。ポリシリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成する工程。また、このとき第１の酸化シリコン膜の膜厚を１４ｎｍ乃至３５ｎｍとしてもよい。
尚、本実施形態にかかる反射防止膜はＣＶＤ法やスパッタ法など一般的な成膜技術を用いることで製造することができる。
【００３２】
次に、本実施形態にかかる反射防止膜を用いた半導体装置について説明する。
本実施形態にかかる反射防止膜を用いた半導体装置は、光を電気に変換する光電変換素子と、この光電変換素子の光が入射する側に設けられた反射防止膜とを有する。透過率の高い本実施形態にかかる反射防止膜を用いることで、光電変換素子の変換効率を向上することができる。
【００３３】
次に、本実施形態にかかる反射防止膜を用いた半導体装置の一例である固体撮像装置について、図９を用いて説明する。本実施形態にかかる反射防止膜を用いた固体撮像装置（受光セル）１０は、Ｓｉ基板１６、フォトダイオード部を構成するＮ型拡散層１９およびＰ＋型拡散層１８、Ｐ型ウェル１５、酸化シリコン膜１４、ゲート電極１３、層間絶縁膜１１、遮光膜１２を有する。更に、反射ロスを低減するために、反射防止膜として機能するポリシリコン膜１７を有する。
【００３４】
この固体撮像装置は、光が入射されることで電荷を蓄積するフォトダイオード部の光が入射する側に、上述した構造を有する反射防止膜が形成されている。つまり、フォトダイオード部の光が入射する側に、酸化シリコン膜１４、ポリシリコン膜１７、層間絶縁膜１１が形成されている。このとき、ポリシリコン膜１７の膜厚は８ｎｍから１４ｎｍの範囲とする。また、酸化シリコン膜１４の膜厚を１４ｎｍから３５ｎｍとすることで更に反射防止膜の特性を向上することができる。
【００３５】
すなわち、本実施形態にかかる固体撮像装置では、シリコン基板と酸化シリコン膜との界面で生じる光の反射を低減することができるため感度特性が向上する。
【００３６】
次に、本実施形態にかかる反射防止膜を用いた半導体装置の他の例として図１０（ａ）に示す太陽光発電装置について説明する。
【００３７】
本実施形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置２０は、ｐ型シリコン基板２４の表面側にリン拡散を行ったｎ＋層２８、エミッター電極２１を有する。また、ｐ型シリコン基板２４の裏面側には、ボロン拡散を行ったｐ＋層２５が形成されており、コレクター電極２６と接続されている。このようなセル構成を有する光電変換素子（フォトダイオード）を形成することで、表面からの照射光によって電気出力を得ることができる。
【００３８】
そして、本実施形態にかかる太陽光発電装置２０では、反射防止膜として、第１の酸化シリコン膜２３とポリシリコン膜２７と第２の酸化膜シリコン膜２２を形成している。この太陽光発電装置２０に用いる反射防止膜も上述した反射防止膜と同様に３層構造であり、各層の膜厚を上述した膜厚と同様の条件とすることで、透過率が高く効率のよい反射防止膜とすることができる。
【００３９】
本実施形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置では、シリコン基板（ｎ＋層）２８と酸化シリコン膜２３との界面で生じる光の反射を低減することができるため発電効率が向上する。
【００４０】
次に、本実施形態にかかる反射防止膜を用いた半導体装置の他の例として図１０（ｂ）に示す太陽光発電装置について説明する。
【００４１】
本実施形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置３０は、アモルファスシリコン３４の表面側にｐ＋層３８、エミッター電極３１を有する。また、アモルファスシリコン３４の裏面側にはｎ＋層３５が形成されており、コレクター電極３６と接続されている。このようなセル構成を有する光電変換素子（フォトダイオード）を形成することで、表面からの照射光によって電気出力を得ることができる。
【００４２】
そして、本実施形態にかかる太陽光発電装置３０では、反射防止膜として、第１の酸化シリコン膜３３とポリシリコン膜３７と第２の酸化膜シリコン膜３２を形成している。この太陽光発電装置３０に用いる反射防止膜も上述した反射防止膜と同様に３層構造であり、各層の膜厚を上述した膜厚と同様の条件とすることで、透過率が高く効率のよい反射防止膜とすることができる。
【００４３】
本実施形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置では、アモルファスシリコン（ｐ＋層）３８と酸化シリコン膜２３との界面で生じる光の反射を低減することができるため発電効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施の形態にかかる反射防止膜の断面図である。
【図２】実施の形態にかかる反射防止膜の透過率特性を示す図である。
【図３】実施の形態にかかる反射防止膜を有するＳｉダイオードの分光感度特性を示す図である。
【図４】３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜）における光吸収特性を示す図である。
【図５】４００ｎｍ〜５００ｎｍの入射光が反射防止膜の第２層目（ポリシリコン膜）で吸収される割合とポリシリコン膜の膜厚との関係を示す図である。
【図６】実施の形態にかかる反射防止膜の透過率と、反射防止膜の第２層目であるポリシリコン膜の膜厚との関係を示す図である。
【図７】実施の形態にかかる反射防止膜の第３層目の酸化シリコン膜の膜厚と反射防止膜の透過率との関係を示す図である。
【図８】実施の形態にかかる反射防止膜と他の構造を有する反射防止膜との特性を比較するための表である（Ｓｉダイオードに入射光が吸収される割合。透過率１００％を基準とした比率）。
【図９】実施の形態にかかる反射防止膜を用いた固体撮像装置の断面図である。
【図１０】実施の形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置の断面図である（ａ）。実施の形態にかかる反射防止膜を用いた太陽光発電装置（アモルファスシリコンを用いた場合）の断面図である（ｂ）。
【図１１】Ｓｉ基板／ＳｉＯ２構造の透過率特性を示す図である。
【図１２】Ｓｉ基板／ＳｉＯ２構造のＳｉダイオード分光感度特性を示す図である。
【図１３】３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４膜）の透過率特性を示す図である。
【図１４】３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にＳｉ３Ｎ４膜）を有するＳｉダイオードの分光感度特性を示す図である。
【図１５】３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜１５ｎｍ）の透過率特性を示す図である。
【図１６】３層構造の反射防止膜（反射防止膜第２層目にポリシリコン膜１５ｎｍ）を有するＳｉダイオードの分光感度特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  基板
２  第１の酸化シリコン膜
３  ポリシリコン膜（Ｓｉ膜）
４  第２の酸化シリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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