(57)【要約】【課題】レーザビームを用いてマーキングを構成するセルの形成を行なうに際し、セルに「カスレ」を生じることのないマーキング方法、該方法によるフラットパネルディスプレイの製造方法及びレーザを用いたマーキング装置を提供する。【解決手段】ガラスＷの表面にレーザビームを照射して、複数のセルからなるマーキングを施すレーザを用いたガラスマーキング方法および装置であって、所定のセルの形成に必要とされるパルスエネルギーを有する第１の周波数のレーザビームで形成した後、次なるセルを形成すべくレーザビームをジャンプさせる際、該レーザビームを第２の発振周波数に制御してパルスエネルギーを刻印が不能な程度まで低減して、該ジャンプ期間中は、レーザビームによる刻印をワークＷに施させないようにする。【選択図】図２
2010202435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスの表面にレーザビームを照射することにより、複数のセルからなるマークを形成するマーキング方法であって、
レーザビームを生成する工程と、
前記レーザビームをパルス発振させる工程と、
前記レーザビームをガラス表面に照射する工程と、を有し、
前記レーザビームをパルス発振させる工程では、パルスエネルギーが前記ガラス表面にマークを形成する加工閾値より高くなる第１周波数と、前記第１周波数のパルスエネルギーよりも低いパルスエネルギーの第２周波数とを切り替えて発振し、
前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では、マークを形成する期間内は前記第１周波数で発振されたレーザビームを該ガラス表面に照射することを特徴とするマーキング方法。
【請求項２】
請求項１記載のマーキング方法において、
前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では、前記第１周波数でパルス発振するレーザビームまたは前記第２周波数でパルス発振するレーザビームのいずれかが前記ガラス表面に照射されていることを特徴とするマーキング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のマーキング方法において、
前記レーザビームを生成する工程の後であって前記レーザビームをガラス表面に照射する工程の前には、前記レーザビームの波長を変換する波長変換工程をさらに有し、
前記レーザビームを生成する工程で生成される前記レーザビームは該レーザビームを発振するレーザ発振器固有の基本波のレーザビームであり、
前記レーザビームをガラス表面に照射する工程で照射されるレーザビームは高調波のレーザビームであることを特徴とするマーキング方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のマーキング方法において、
前記第２周波数のレーザビームは、ガラス表面にマーキングが施されない期間中であってもその少なくとも一部の期間にガラス表面に照射されることを特徴とするマーキング方法。
【請求項５】
請求項４記載のマーキング方法において、
前記マーキングが施されない全部の期間にレーザビームが第２の周波数で前記ガラス表面に照射されることを特徴とするマーキング方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかに記載のマーキング方法において、
一つのセルをマーキングした後、次なるセルをマーキングするまでの間、前記レーザビームは前記第１周波数でパルス発振されるまで徐々に周波数が上昇するように制御されることを特徴とするマーキング方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれかに記載のマーキング方法において、
前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では前記レーザビームのガラス表面への照射はシャッターのＯＮ／ＯＦＦによって制御され、
前記レーザビームは前記シャッターが開き始めてからセルを形成し始めるまでの間と、１つのセルの形成から次のセルの形成の間に前記第２周波数で発振されることを特徴とするマーキング方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のマーキング方法において、
前記第１周波数によるレーザビームがガラス表面に複数列にわたって走査される場合、前記レーザビームは一つの列の走査が最後のセルの刻印で終了した際に次なる列を構成する直近のセルに移動して再び前記第１周波数での刻印が開始されることを特徴とするマーキング方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のマーキング方法を用いて、
マークを形成する工程を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
ガラスの表面にレーザビームを照射することにより複数のセルからなるマークを形成するマーキング装置であって、
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出射されるレーザビームの通過を許容し又は遮断するシャッターと、
前記レーザビームを偏向する偏向手段と、
前記偏向手段から導出されるレーザビームの焦点を結ぶ集光レンズと、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記レーザ発振器をパルス発振させる際に、パルスエネルギーが前記ガラス表面にマークを形成する加工閾値より高くなる第１周波数と、前記第１周波数のパルスエネルギーよりも低い第２周波数とを切り替え制御することにより、該ガラス表面にマークを形成する期間内では、前記第１周波数で発振されたレーザビームを照射し、該ガラス表面にマークを形成しない期間内では少なくともその一部の期間中に前記第２周波数で発振されたレーザビームを該ガラス表面に照射することを特徴とするマーキング装置。
【請求項１１】
請求項１０記載のマーキング装置において、
前記レーザ発振器は、波長変換素子を有し、前記ガラス表面には高調波のレーザビームを照射することを特徴とするマーキング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスの表面にレーザビームを照射してマーキングを行う方法、前記マーキング方法を利用したフラットパネルディスプレイの製造方法及びレーザを用いたマーキング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザビームを照射してガラスにマーキングする方法が広汎に利用されている。トレイサビリティ等のためである。例えば、特許文献１には、ガラスの表面にマーキングする際、先ず、ガラスにクラックを生じさせない程度の低いエネルギーレベルのレーザビームを照射後、それよりも相対的に高いエネルギーレベルのレーザビームを照射して刻印する方法が開示されている。特に、特許文献１の従来技術では、レーザビームによって、予め低レベルのエネルギーを被マーキング対象物上に照射して印字部位に予熱を与え、次いで高レベルのエネルギーを有するレーザビームで実質的な印字を行なう。また、特許文献２には、強化ガラスの引張応力層をその両面で挟む圧縮応力層に強化ガラスの表面を傷つけることなく、マーキングする方法が開示されている。なお、この特許文献２には、レーザビームのパルスエネルギーが０．０５〜５．０ミリジュールであるとの記載がある。さらに、特許文献３には、波長が３００ｎｍ以下のパルス状レーザビームを固体レーザから発振させ、該パルス状レーザビームによるレーザスポットを、ガラスの表面の同一個所に複数回照射するように走査してマーキングする方法が開示されている。
【０００３】
この種のレーザ装置にはレーザ発振器本体に対してＱスイッチとシャッターとが設けられている。Ｑスイッチは、励起用光源からの光が固体ロッドに照射され特定波長の光となって放射されて共振されると、この共振された光をパルス状レーザビームとして間欠的に発振する機能を有する。このようなレーザ装置を用いて二次元コード等をガラス表面に刻印しようとする時、前記シャッターとＱスイッチはマーキング状況に応じて、以下のように作用する。例えば、マーキングを実施しない、すなわち、待機中であっても、シャッターは常時開成されており、Ｑスイッチは加工周波数に基づき、ＯＦＦ制御される。一方、マーキング実施中は、Ｑスイッチは、加工周波数に基づきＯＮ制御される。
【０００４】
なお、セルとセルの間でマーキングを行わない動作（いわゆるジャンプ動作）中であっても、加工周波数に関係なく、シャッターは常時開成された状態を維持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３６２５９号公報
【特許文献２】特開２００４−３２３２５２号公報
【特許文献３】特開平１０−１０１３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、マーキング、例えば、前記のような二次元コードの場合には、複数個の単位セルを二次元的に並設して情報を描出する。二次元コードは、バーコードと異なり、小さい面積の中に多くの情報を含ませることができるために、近年、特に多様化されている。二次元コードの表示には複数の方法がある。例えば、特許第２９３８３３８号には全方向で高速読み取りができ、さらに読み取り精度が高いとされる二次元コードが提示されている。
【０００７】
図６に、一般的な二次元コードの一例としてＱＲコードを示す。このＱＲコードは、基本的には、３つの位置決め用シンボルＰ1、Ｐ2、Ｐ3と、頂点検出用セルＴと、タイミングセルＭと、データ領域Ｄで構成され、特に、位置決め用シンボルＰ1、Ｐ2、Ｐ3とタイミングセルＴとは、複数個の単位セルを組み合わせて形成されている。
【０００８】
なお、ここで、「セル」とは、線や点の如くマークを構成する部位のことであり、例えば、一筆書きができる形状も含む。このようなマークとしては、例えば、ＱＲコード、バーコード、文字等が含まれる。
【０００９】
前記単位セルについては、種々の描出方法があるが、例えば、渦巻き形状であってもよい。特許第３５５７５１２号及び特許第４０９８９３７号には、この渦巻き状セルで形成された二次元コードのマーキング方法についての技術が開示されている。
【００１０】
この二次元コードでは、図７に示すように、第１のセルＸを時計回りに部位１〜９までをレーザビームにて一筆書きにて刻印した後、該レーザビームは前記部位９の終端からジャンプして第２のセルＹの始端部位１に至り、再び部位１〜９までを時計回りに一筆書きにてガラス表面に刻印する。ここで、「ジャンプ」とはセルＸからセルＹに至る間はガラスＷにセルの形成がなされず、すなわち、レーザビームによってガラス上に線分が描出（刻印）されていない状態を意味する。
【００１１】
ところで、前記のように第１のセルＸと第２のセルＹとを刻印しようとする時、第１のセルＸから第２のセルＹにジャンプする間、レーザビームの出射に関しては、シャッターを開放し、Ｑスイッチは所定時間ＯＮした状態となる。すなわち、第２のセルＹに到達したとき、ＱスイッチをＯＦＦして再びレーザビームを出射する。
【００１２】
しかしながら、図７に示すように、第２のセルＹに移動後にレーザビームによる刻印をしようとすると、第２のセルＹの部位１では当初より明確な刻印がなされない、所謂「カスレ」を生じてしまう場合がある。実際、前記「カスレ」とは、複数のセル中、一部のセルが欠落したり、或いはセルを構成する線分が明瞭に描出されていない状態乃至現象をいう（図６参照）。前記「カスレ」の発生の理由として、所定時間内ＱスイッチをＯＮにしてレーザを照射しない状態からＱスイッチをＯＦＦにしてレーザを照射する状態にしたとき、結晶（ＹＡＧ、ＬＢＯ等）の温度変化が生ずる。この温度変化により、レーザ発振開始の出力が不足することが挙げられる。すなわち、加工開始時のパルスエネルギーが安定しない。
【００１３】
前記の観点からすれば、二次元コードを構成する最初のセルの刻印時にも、前記「カスレ」が生起する可能性のあることが容易に諒解されよう。
【００１４】
このように、セルに「カスレ」が生じると、前記の如きＱＲコードは勿論のこと、通常の棒状体を並設したバーコードであっても必要且つ十分な情報が読み取れなくなり、所期の目的が達成されなくなる問題点が露呈する。そして、該「カスレ」は前記と同じ理由によって、バーコードやガラス基板のアラインメントに用いる十字のパターンでも同様に惹起する可能性が高い。特に、ガラスはレーザの大部分を透過し、エネルギーの吸収が少ないため、加工が容易でないという難点がある。
【００１５】
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、二次元コード等を構成する最初のセルの形成時や、一つのセルの形成後に、次のセル位置にジャンプしてレーザビームを用いて再びセルの形成を開始する際に、ガラスの表面に「カスレ」を生じさせることなく、該ガラスの表面に所望のセルを効率的に施すことが可能となり、これによってセルの品質をより一層向上させることができるレーザを用いたマーキング方法、前記マーキング方法を用いてマークを形成する工程を有するフラットパネルディスプレイの製造方法及び該レーザを用いたマーキング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の目的を達成するために、請求項１で規定される発明は、ガラスの表面にレーザビームを照射することにより、複数のセルからなるマークを形成するマーキング方法であって、レーザビームを生成する工程と、前記レーザビームをパルス発振させる工程と、前記レーザビームをガラス表面に照射する工程と、を有し、前記レーザビームをパルス発振させる工程では、パルスエネルギーが前記ガラス表面にマークを形成する加工閾値より高くなる第１周波数と、前記第１周波数のパルスエネルギーよりも低いパルスエネルギーの第２周波数とを切り替えて発振し、前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では、マークを形成する期間内は前記第１周波数で発振されたレーザビームを該ガラス表面に照射することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、マーキングする際には、セルの形成に十分なパルスエネルギーを有する第１の周波数で発振されたレーザビームがガラス表面上に照射される。一方、セルの形成を不要とする際には、セルの形成が不可能なパルスエネルギーの第２の周波数で発振されたレーザビームがガラス表面上に照射される。このため、二次元コード等を構成する最初のセルの形成開始時や、セル間をジャンプして次なるセルの形成位置にレーザビームが到達した際に、可及的速やかにレーザビームを第１の周波数のパルスエネルギーでガラス表面上に照射することができる。この結果、ガラス表面上に形成されるセルに「カスレ」が生じることが回避され、これによって品質に優れたマーキングを得ることができる。しかも、この間にレーザビームを発振状態とすれば、レーザ発振器を構成する波長変換素子の温度を安定な状態に保つことができる。
【００１８】
また、請求項２で規定される発明は、請求項１記載のマーキング方法において、前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では、前記第１周波数でパルス発振するレーザビームまたは前記第２周波数でパルス発振するレーザビームのいずれかが前記ガラス表面に照射されていることを特徴とする。
【００１９】
従来技術においては、被マーキング対象物に対してレーザビームを照射して刻印しようとする時、ＱスイッチのＯＮ／ＯＦＦ動作によって該レーザビームの照射と遮断とを制御していた。前記発明によれば、レーザ発振器を付勢しておき、レーザビームの出力を第１の周波数と第２の周波数の切換によって行い、この切換動作によってガラス表面に対するセルの形成の有無を制御している。このため、特に、セル形成開始時に遅れを生じることなく、しかも「カスレ」を生じることもない。
【００２０】
さらに、請求項３で規定される発明は、請求項１または請求項２記載のマーキング方法において、前記レーザビームを生成する工程の後であって前記レーザビームをガラス表面に照射する工程の前には、前記レーザビームの波長を変換する波長変換工程をさらに有し、前記レーザビームを生成する工程で生成される前記レーザビームは該レーザビームを発振するレーザ発振器固有の基本波のレーザビームであり、前記レーザビームをガラス表面に照射する工程で照射されるレーザビームは高調波のレーザビームであることを特徴とする。
【００２１】
前記請求項３に規定される発明によれば、レーザビームの生成工程はレーザ発振器固有の基本波のレーザビームであり、ガラス表面に照射されるレーザビームは前記基本波を変調した高調波のレーザビームである。この発明によれば、レーザ発振器固有の基本波のレーザビームを変調してガラス表面にマーキングすることに好適な高調波のレーザビームを容易に且つ安定して生成することができるという効果が得られる。
【００２２】
さらに、請求項４又は５に規定される発明によれば、前記第２周波数のレーザビームは、ガラス表面にマーキングが施されない期間の一部またはその全部の期間に該ガラス表面に照射されることを特徴とする。
【００２３】
速やかにレーザビームを第１周波数で発振させるように待機せしめ、且つ該第１の周波数で安定してマーキングを施すためである。
【００２４】
また、請求項６で規定される発明によれば、一つのセルをマーキングした後、次なるセルをマーキングするまでの間、前記レーザビームは前記第１周波数でパルス発振されるまで徐々に周波数が上昇されるように制御されることを特徴とする。
【００２５】
この発明もまた速やかにレーザビームを第１周波数で発振させ安定したパルスエネルギーでマーキングを施すようにするためである。
【００２６】
さらに、請求項７に規定される発明によれば、前記レーザビームをガラス表面に照射する工程では前記レーザビームのガラス表面への照射はシャッターのＯＮ／ＯＦＦによって制御され、前記シャッターが開き始めてからセルの形成を始めるまでの間と、１つのセルの形成から次のセルの形勢の間に前記第２周波数で発振されることを特徴とする。
【００２７】
前記のように、第２周波数で発振されるレーザビームは、前記加工閾値よりも小さいパルスエネルギーでセルの形成を始めるまでと、一つのセルの形成から次のセルの形成の間もガラス表面に照射されると好適である。このようにレーザビームがガラス表面に照射されていることから、実際のマーク形成時に、即時その形成に必要なパルスエネルギーの第１周波数にレーザビームの出力を上げることができる。これによって、マーク形成のための時間短縮がなされ、且つ「カスレ」の発生を阻止できる。
【００２８】
請求項８で規定される発明によれば、前記第１周波数によるレーザビームがガラス表面に複数列にわたって走査される場合、一つの列の走査が最後のセルの刻印で終了した際に次なる列を構成する直近のセルに移動して再び前記第１周波数での刻印が開始されることを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、短時間に安定してレーザビームによるセルの形成を行うことができる。
【００３０】
なお、請求項９に規定される発明によれば、前記マーキング方法を用いてマークを形成する工程を有するフラットパネルディスプレイの製造方法が規定される。前記マーキング方法を用いれば、フラットパネルディスプレイを構成するガラス表面に刻印し易く、且つ正確に刻印されるので、トレイサビリティ等のためにマークを読み取ることが容易となるからである。
【００３１】
請求項１０で規定される発明は、ガラスの表面にレーザビームを照射することにより複数のセルからなるマークを形成するマーキング装置であって、レーザ発振器と、前記レーザ発振器から出射されるレーザビームの通過を許容し又は遮断するシャッターと、前記レーザビームを偏向する偏向手段と、前記偏向手段から導出されるレーザビームの焦点を結ぶ集光レンズと、制御部と、を有し、前記制御部は、前記レーザ発振器をパルス発振させる際に、パルスエネルギーが前記ガラス表面にマークを形成する加工閾値より高くなる第１周波数と、前記第１周波数のパルスエネルギーよりも低いパルスエネルギーの第２周波数とを切り替え制御することにより、該ガラス表面にマークを形成する期間内では、前記第１周波数で発振されたレーザビームを照射し、該ガラス表面にマークの形成を行わない期間内では少なくともその一部の期間中に前記第２周波数で発振されたレーザビームを該ガラス表面に照射することを特徴とする。
【００３２】
前記請求項１０で規定される発明によれば、パルスエネルギーがガラス表面にマークを形成する加工閾値より高くなる第１周波数と、前記加工閾値より低い第２周波数のレーザビームを切換制御する制御部を設けている。これによって、ＱＲコード等のマークを構成する最初のセルの形成開始時や、セル間をジャンプして次なるセルの形成位置にレーザビームが到達した際に、可及的速やかにレーザビームを第１の周波数のパルスエネルギーでガラス表面上に照射することができる。この結果、ガラス表面上に形成されるセルに「カスレ」が生じることはなく、これによって品質に優れたマーキングが得られる。
【００３３】
請求項１１で規定される発明は、前記レーザ発振器が、波長変換素子を有し、前記ガラス表面には高調波のレーザビームを照射することを特徴とする。
【００３４】
前記請求項１１で規定される発明によれば、ガラス表面にマーキングすることに好適な高調波のレーザビームを安定して生成することができるという効果が得られる。
【発明の効果】
【００３５】
以上のように、本発明によれば、マーキング実施時に、「カスレ」を生じることなく確実にマーキングを実施することが可能となる。これによって、必要とされる情報が十分にガラス表面に形成され、誤った情報が提供されたり情報を誤読することが回避される。この結果、ガラス表面に形成されたマーキングはその品質が格段に優れたものとなり、且つ読み取りも正確で容易となるという特有の効果を奏する。しかも、本発明に係るマーキング方法を用いてマークをフラットパネルディスプレイに刻印すれば、その製造過程中にマークが消失したり、損傷することがないために一層トレイサビリティ等に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施の形態に係るレーザマーキング装置の全体説明図である。
【図２】図１に示すレーザマーキング装置のレーザ発振器の内部構成を示す模式図である。
【図３】図１に示すレーザマーキング装置においてマーキング実施時とジャンプ時のレーザビームの出力を示す説明図である。
【図４】レーザ出力と周波数との関係を示す特性曲線図である。
【図５】図１に示すレーザマーキング装置においてマーキングを構成するセルの形成とジャンプを行う際の概略説明図であって、図５Ａはレーザビームによりセルの形成を横方向に平行に原点方向に戻りながら繰り返し行う軌跡を示す説明図、図５Ｂはセルの形成を横方向に平行に且つ一列終了後は最短距離で次列にレーザビームを移動させて行うことを示す説明図である。
【図６】従来技術において、刻印されたＱＲコードにカスレが生じている状態を示す説明図である。
【図７】ガラスの表面におけるマーキングを構成するセルの形成方法の概略説明図である。
【図８】本実施の形態に係るマーキング方法が適用されるＰＤＰの一部省略斜視図である。
【図９】図１に示すレーザマーキング装置において、ジャンプ区間内で次なるマーキングのためにレーザビームのパルスエネルギーを徐々に高めていく状態を示す説明図である。
【図１０】図１に示すレーザマーキング装置において、ジャンプ区間内では次なるマーキングのためにレーザビームをその直前で閾値未満で発振する状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明に係るレーザを用いたマーキング方法及び該マーキング方法を利用するフラットパネルディスプレイの製造方法につき、それを実施する装置との関係で、好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３８】
なお、ここで、「セル」とは、線や点の如くマークを構成する部位のことであり、例えば、一筆書きができる形状も含む。このようなマークとしては、例えば、ＱＲコード、バーコード、文字等が含まれる。
【００３９】
本実施の形態に係るレーザマーキング装置１０の構成を図１に示す。
【００４０】
このレーザマーキング装置１０は、好ましくは、ＹＡＧレーザを用いるものであって、制御装置１２と、各種情報を入力し且つ表示する操作ユニット１４と、レーザビームを発振するレーザ装置１６、好ましくは、ＹＡＧレーザ装置とを有する。
【００４１】
制御装置１２には、操作ユニット１４が図示しない操作ユニットケーブルを通じて接続されるとともに、レーザ装置１６がマーキング位置情報等を伝送する図示しない外線ケーブルを通じて接続されている。制御装置１２は、前記操作ユニット１４、レーザ装置１６を含めてレーザマーキング装置１０を全体として制御する。
【００４２】
前記操作ユニット１４は、タッチパネルにより操作コマンドを入力し、運転状況等、マーキングに必要な各種情報が表示されるディスプレイを有する。なお、操作ユニット１４は、ディスプレイを備えたパソコンを制御装置１２とＵＳＢケーブル等で接続してもよく、タッチパネル以外のキーボードやマウス等の入力装置であってもよいことは勿論である。
【００４３】
次に、図２に本実施の形態で用いられるレーザ装置１６の内部構造を模式的に示す。このレーザ装置１６は、制御部１８を有し、この制御部１８は前記操作ユニット１４（図１参照）から入力されるセルの個数、セルの配置、位置、レーザビームの振り方等のマーキング情報を記憶する記憶部１９と、レーザダイオード（ＬＤ）２０を付勢する電源２２と、Ｑスイッチ付勢用のドライバ２４を有する。レーザダイオード２０は、光ファイバを介してレーザビームを入射する入射レンズ２６に接続されている。前記入射レンズ２６の出力側には、折り返し配置型となるように設けられた一方と他方の終端ミラー２８、３０と、固体レーザ活性媒体３２と、Ｑスイッチ３４とが設けられている。Ｑスイッチ３４は、Ｑスイッチ用ドライバ２４によってＯＮ／ＯＦＦ制御される。前記入射レンズ２６と固体レーザ活性媒体３２との間には中間ミラー３８が設けられる。
【００４４】
前記中間ミラー３８に関連して変調分離出力ミラー４０が設けられ、該変調分離出力ミラー４０の下流側には波長変換素子３６と前記他方の終端ミラー３０が設けられている。なお、前記変調分離出力ミラー４０を透過したレーザビームのワークに対する照射をＯＮ／ＯＦＦ制御するためのシャッター４２、該レーザビームをコリメートするエキスパンダレンズ４４が設けられ、前記エキスパンダレンズ４４を経たレーザビームを反射すべくＸ軸偏向ミラー４６、Ｙ軸偏向ミラー４８が具備されるとともに、前記Ｘ軸偏向ミラー４６、Ｙ軸偏向ミラー４８を経たレーザビームは、ｆθレンズ等の集光レンズ５０によってワークの加工部位に焦光される。なお、図２中、参照符号Ｗはワークであるガラスを示す。この実施の形態では、シャッター４２はエキスパンダレンズ４４の上流側に配設されているが、光学系の構成によっては集光レンズ５０の下流側に設けてもよいことは勿論である。
【００４５】
以上の構成において、前記一方と他方の終端ミラー２８、３０は、中間ミラー３８と、高調波分離出力ミラー４０とを介して光学的に向かい合って光共振器を構成している。ここで、終端ミラー２８と中間ミラー３８との反射面には、入射レンズ２６から出射されるレーザビームの、例えば、基本波（１０６４ｎｍ）に対するものとして反射性の膜がコーティングされている。一方、終端ミラー３０の反射面には、前記基本波及び第２高調波（例えば、５３２ｎｍ）に対するものとして反射性の膜がコーティングされている。前記高調波分離出力ミラー４０の反射面には前記基本波に対するものとして反射性の膜がコーティングされており、前記第２高調波に対しては透過性の膜がコーティングされている。
【００４６】
固体レーザ活性媒体３２は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧロッドからなり、中間ミラー３８とＱスイッチ３４との間に配置され、この間でレーザビームは連続的又は断続的にポンピングされる。固体レーザ活性媒体３２で生成される基本波長（１０６４ｎｍ）のレーザビームは、中間ミラー３８と、高調波分離出力ミラー４０とを介して終端ミラー２８、３０の間に閉じ込められて増幅される。このように、終端ミラー２８、３０と、中間ミラー３８と、高調波分離出力ミラー４０と、固体レーザ活性媒体３２とによって所望のレーザビームを光共振器内に生成するレーザ発振器が構成されている。
【００４７】
この場合、Ｑスイッチ３４は、例えば、音響光学Ｑスイッチからなり、高周波ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）方式からなるＱスイッチ用ドライバ２４からの所定の周期で一時中断する高周波電気信号に応動してスイッチング動作を行う。このＱスイッチング動作により、光共振器内で前記高周波電気信号が中断する度毎にピークパワーの極めて高いジャイアントパルスからなるレーザビームが生成される。ここで、高周波ＦＥＴ方式は、バイポーラトランジスタ方式に対して、高周波からなる不要波を低減することができるため、Ｑスイッチ３４の立上げ時と立下げ時の損失を低減し、レーザ出力を向上させることができる。また、バイポーラトランジスタ方式が入力された電流によりＱスイッチング動作を行うのに対し、本実施の形態で用いられる高周波ＦＥＴ方式は入力された電圧によりＱスイッチング動作を行っているため、微量の電力でＱスイッチ３４を動作できる利点がある。
【００４８】
波長変換素子３６は、例えば、角柱状のＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）結晶からなり、前記基本波長との非線型相互作用により前記第２高調波のレーザビームを光共振器の光路上に生成し、高調波分離出力ミラー４０へ出力する。ここで、第２高調波のレーザビームのパルス幅は波長変換素子３６の温度により変化するため、ガラス表面にマーキングするために必要なパワー密度を確保できる範囲において、所定のパルス幅となるように前記波長変換素子３６の温度を制御することができる。この場合、前記波長変換素子３６の温度制御のために、ＰＩＤ式ペルチェ素子を用いると好適である。前記ＰＩＤ式ペルチェ素子を用いてフィードバック制御すれば、前記波長変換素子３６の温度が安定となる。なお、波長変換素子３６の温度を５０℃付近に設定すると、該波長変換素子３６の温度が環境温度の影響を受けることなく設定温度に安定して維持される。すなわち、温度設定を５０℃付近にすると、この温度は環境温度より相当高温であるために、５０℃より大幅に低い環境温度の変化に影響を受けにくいからである。この結果、前記波長変換素子３６から発せられるレーザビームのパルス幅のバラつきを小さく抑えた安定したレーザビームを得ることができる。
【００４９】
前記変調分離出力ミラー４０の下流側にはシャッター４２、エキスパンダレンズ４４、Ｘ軸偏向ミラー４６、Ｙ軸偏向ミラー４８が設けられ、ｆθレンズ等からなる集光レンズ５０へと続く。シャッター４２はその開閉動作が制御部１８によって行われている。
【００５０】
本発明の実施の形態に係るレーザマーキング装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその作用及び効果について説明する。
【００５１】
先ず、本実施の形態に係るレーザマーキング装置１０では、予め操作ユニット１４を介して図５に示すようなマーキング情報が入力され、制御部１８の記憶部１９に記憶される。具体的には、特許第３５５７５１２号に示されるように、渦巻状のセルを複数個組み合せてボーダーセルとタイミングセルとデータ領域からなるＱＲコードが形成される。このＱＲコードの形状の入力に際しては、図７に示すように、ガラスＷ上の第１のセルＸの位置及び第１の部位から第９の部に係る一筆書きの形状が入力されると共に、前記第１の部位から第９の部位に至る間は、レーザビームの発振周波数を５ｋＨｚに設定する。次いで、第１のセルＸの第９の部位の終端から第２のセルＹの部位１の始端に至るまでレーザビームのジャンプを行おうとするとき、レーザビームの発振周波数を、例えば、９９ｋＨｚに設定する。レーザビームの前記５ｋＨｚの発振周波数は、ワークＷに対し、マーキング、すなわち、それを構成するセルを刻印するのに必要且つ十分なパルスエネルギーを得るためのものであり、９９ｋＨｚの発振周波数はセルを形成するには程遠い、すなわち、ガラスＷ上にセルを描出することが完全に回避できるレーザ出力を得るためのものである。この観点からすれば、前記パルスエネルギーを得るべく、前記発振周波数が５ｋＨｚに限定されるものではなく、また、セルを描出することを回避するための前記発振周波数が９９ｋＨｚに限定されるものでもなく、それぞれの目的に応じて任意にその周波数を選択することが可能である。なお、図３と図４に、パスルエネルギーと周波数の関係を図示しておく。特に、周波数が９９ｋＨｚ近傍では、マーキングを施すための閾値に対して十分に低く、換言すれば前記閾値を越えてないパルスエネルギーに維持されるために、その結果、９９ｋＨｚ近傍ではセルの刻印が略完全に回避できることが容易に諒解されよう。
【００５２】
以上のように、予めマーキング情報が記憶部１９に入力されたレーザマーキング装置１０は次のように動作する。
【００５３】
先ず、制御装置１２を駆動しレーザダイオードの電源２２がＯＮされ、記憶部１９からマーキングに必要な情報を前記のように導出すると、制御部１８の内部に設けられたレーザダイオード２０で波長８０８．３〜８０９．６ｎｍのレーザビームが生成される。
【００５４】
前記レーザビームは入射レンズ２６と、中間ミラー３８とを透過し、この中間ミラー３８を透過したレーザビームは前記固体レーザ活性媒体３２とＱスイッチ３４を通過して前記一方の終端ミラー２８に到達し、反射されて再び中間ミラー３８に至る。前記の通り、中間ミラー３８の反射面には基本波（１０６４ｎｍ）を反射する膜がコーティングされているので、該基本波はこの中間ミラー３８で反射されて変調分離出力ミラー４０に到達する。前記基本波のレーザビームは変調分離出力ミラー４０から波長変換素子３６を経て他方の終端ミラー３０に至り、ここで反射されたレーザビームは再び波長変換素子３６を経て前記変調分離出力ミラー４０に到達する。そこで、該変調分離出力ミラー４０を透過した高調波（５３２ｎｍ）のレーザビームは開成されているシャッター４２、エキスパンダレンズ４４を経て、Ｘ軸偏向ミラー４６、Ｙ軸偏向ミラー４８で反射された後、集光レンズ５０でワークの加工点に集光するように制御されてガラスＷの表面に至り、所定のセルが形成されて、二次元コードが生成される。
【００５５】
より具体的には、変調分離出力ミラー４０を通過した前記第２高調波のレーザビームは、Ｘ軸偏向ミラー４６と、Ｙ軸偏向ミラー４８とにより、前記第２高調波のレーザビームの照射方向が調整される。Ｘ軸偏向ミラー４６は図示しないＸスキャナにより、Ｙ軸偏向ミラー４８は図示しないＹスキャナにより、そのミラー角度が調整される。照射方向が調整された前記第２高調波のレーザビームはｆθレンズから構成された集光レンズ５０により、Ｘ軸偏向ミラー４６と、Ｙ軸偏向ミラー４８で反射された前記第２高調波のレーザビームを収束してガラスＷの表面上に焦点が結ばれる。なお、集光レンズ５０は、所定の位置に焦点を結ぶために種々の倍率からなる複数のレンズを選択可能とするとより好ましい。
【００５６】
シャッター４２は、制御部１８の制御作用下に、常時開放され、集光レンズ５０を通過した第２高調波のレーザビームはガラスＷに向けて照射され、セルが形成される。一方、セルを形成しない場合には、レーザビームはその発振周波数が９９ｋＨｚに制御されるため、ガラスＷに向けてレーザビームが照射されていたにせよ、セルの形成に必要とされる十分なパルスエネルギーは供給されない。
【００５７】
より詳細には、図７に示すように、周波数５ｋＨｚでレーザビームを第１のセルＸを部位１から部位９に戻るように渦巻状に移動し、前記部位９の終端でガラスＷの表面へのセルの形成を終了する。次いで、前記部位９の終端位置からレーザビームは第２のセルＹの部位１の始端位置までジャンプする。この間、レーザビームは９９ｋＨｚの発振周波数に制御される。
【００５８】
本実施の形態によれば、前記「ジャンプ」の区間は、レーザビームの発振周波数は９９ｋＨｚに制御されるように設定されており、その設定値は記憶部１９から読み出される。図４にも示すように、前記９９ｋＨｚの出力に制御されると、セルの形成に必要なピーク出力を得るには程遠いが、一方、その出力自体は略直線状であって安定している。このため、前記の如き「ジャンプ」の区間は、ガラスＷの表面にレーザビームによるセルの形成はなされない。
【００５９】
前記「ジャンプ」区間の移動が終わってセルの部位１の始端位置にレーザビームが到達すると、記憶部１９から読み出された設定値５ｋＨｚで再び該レーザビームが発振され、セルＹの部位１から部位９に至るセル形成動作がなされる。
【００６０】
なお、前記実施の形態では、レーザビームを用いてセルＸとセルＹをガラス表面に形成する場合について説明したが、バーコードの最初の形成の際にも同様の制御を行えば、「カスレ」が生ずることなく、当初から明瞭なバーコードの形成がなされることは勿論である。すなわち、レーザビームを用いて二次元コード等をガラス表面に形成しようとする場合、最初のバーコードの形成前には、レーザビームの発振周波数は９９ｋＨｚに制御される。一方、バーコード形成開始時には該レーザビームの発振周波数は５ｋＨｚに制御され、バーコード形成に必要なパルスエネルギーが確保される。
【００６１】
ここで、二次元的に展開する複数のセルを効果的に形成してＱＲコード全体を作成する方法について説明しておく。
【００６２】
図５Ａ、図５Ｂに示すように、ＱＲコードは適宜横列と縦列に配置された複数のセルで構成される。そこで、図５Ａに示す配列では、（１）に示すように、左下隅角部のセル１００からレーザビームによる形成を開始し、隣接するセル１０２〜１１２間で微細なジャンプが行われてセル１１２の形成が終わった後、大きくジャンプしてセル１１４の描出に至る。これを図５Ａ、Ｂに示すように、セルの位置に応じて繰り返してセル１２２の形成を終了する。次に、破線で示すように、レーザビームは、図５Ａのセル群１００〜１２２の上段の左側にジャンプし、セル１２４の形成を開始し、これを繰り返してセル１４２の形成で下から２列目のセル群の形成を終了し、以下、順次上方の列へと移行する。図５Ａで肝要なことは、レーザビームが横一列のセルの形成を終了すると、常に、上段左側へと戻り、再び右側へとレーザビームを移動させることである（図５Ａ（１）〜（５）参照）。この場合、セル群の右側から次なる上段の横列の形成のために常に左側へとレーザビームをジャンプさせなければならない。この間、レーザビームの発振周波数も、また９９ｋＨｚに抑制されるが、明らかに前記ジャンプのために費やされる時間が長い。
【００６３】
一方、図５Ｂのセル形成方法では、セルの描出自体を確実にするとともに、全体として、レーザビームのジャンプ時間を短くしている。すなわち、図５Ｂでは、先ず（１）に示すように、左下隅角部のセル１００から描出し、前記と同様にセル１２２に至る。次いで、このセル１２２を描出し、セル１２０、１１８…１００と最下段の横列を往復して描出する（図５Ｂ（１）、（２）参照）、所謂、二度書きである。これによって、レーザビームの立上がり時のセル形成の不安定な状態を補って確実な最下段のセル横列の描出ができる。さらに、次の上段のセル描出を、セル１００直近のセル１２４に移行し、次いでセル１２６、１３０…１４０…１４２に関して行い（図５Ｂ（３）参照）、この横列の形成が終了した後、直ぐ上段の最も近接する位置を占めるセル１４４にジャンプしてこれを描出する（図５Ｂ（４）参照）。
【００６４】
このように、セル横列の上下関係におけるジャンプ距離を最小にしてセル群の形成作業を遂行する。これによって、セル群の形成の時間を短縮することができる。
【００６５】
以上の如き、セル群の形成は記憶部１９に予め設定されているデータに基づいて行われることは勿論である。
【００６６】
なお、前記のようにガラス表面に直接マーキングを施すことにより、刻印が消失したり損傷したりすることはない。例えば、後工程において、ブラシによる洗浄処理、現像のための薬品処理、焼成等の処理を行ってもガラス表面上のマークが失われることはない。
【００６７】
しかも、レーザによりガラス表面にマーキングするために、マーキング用の薄膜を該ガラス表面に塗布する必要がない。該マーキング用薄膜は、一般的に擦過傷を生じやすく、熱処理や薬品処理によって損傷しやすいが、本実施の形態によれば係る懸念は全く生じない。
【００６８】
次に本実施の形態のマーキング方法をフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤとする。）の製造方法に用いる実施の形態について説明する。
【００６９】
先に述べたように、本実施の形態のマーキング方法は、可視光を高効率で透過するガラス素材であっても、表面に確実にマーキングを実施することが可能となる。このため本実施の形態は、平面ガラス基板を使用するＦＰＤの製造工程等に広く利用され、効果を奏することが可能である。
【００７０】
一般的なＦＰＤの製造工程では、例えば、トレイサビリティ用のＱＲコード、あるいは製造工程の位置合わせ用のアライメントマークの形成にガラスマーキング方法が用いられている。ここでは、ＦＰＤの一つであるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとする。）について説明する。
【００７１】
まず、ＰＤＰの構造について説明する。図８は本発明の実施の形態におけるＰＤＰ６０の構造を示す斜視図である。ＰＤＰ６０の基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰと同様である。図８に示すように、ＰＤＰ６０は前面ガラス基板６２等よりなる前面板６４と、背面ガラス基板６６などよりなる背面板６８とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ６０内部の放電空間７０には、ＮｅおよびＸｅなどの放電ガスが５５ｋＰａ〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。
【００７２】
前面板６４の前面ガラス基板６２上には、走査電極７２および維持電極７４よりなる一対の帯状の表示電極７６と、ブラックストライプ（遮光層）７８が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板６２上には表示電極７６と遮光層７８とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８０が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層８１が形成されている。
【００７３】
また、背面板６８の背面ガラス基板６６上には、前面板６４の走査電極７２および維持電極７４と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極８２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層８４が被覆している。さらに、アドレス電極８２間の下地誘電体層８４上には放電空間７０を区切る所定の高さの隔壁８８が形成されている。隔壁８８間の溝にアドレス電極８２毎に、紫外線によって赤色、青色および緑色にそれぞれ発光する蛍光体層９０が順次塗布して形成されている。走査電極７２および維持電極７４とアドレス電極８２とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極７６方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体層９０を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
【００７４】
ここでＰＤＰ６０の製造方法について説明する。まず、前面ガラス基板６２表面に製造工程のトレイサビリティ用のＱＲコード、品番、型番、あるいは位置合わせ用のアライメントマーク等を形成する。マーキング方法は上記の設定条件と同様である。形成位置としては、その後の製造工程でのマーク、コードの読み取りの効率や位置合わせ精度を考慮して、前面ガラス基板６２の画像表示領域外である基板コーナー部に形成する。
【００７５】
次に、前面ガラス基板６２上に、走査電極７２および維持電極７４と遮光層７８とを形成する。走査電極７２と維持電極７４とを構成する透明電極と金属バス電極は、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極は薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極は銀（Ａｇ）材料を含むペーストを所望の温度で焼成して固化している。また、遮光層７８も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。これらの工程において、前工程にて形成したアライメントマークを使用し、構成部材の形成領域の精度を向上させる。
【００７６】
次に、走査電極７２、維持電極７４および遮光層７８を覆うように前面ガラス基板６２上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層（誘電体材料層）を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極７２、維持電極７４および遮光層７８を覆う誘電体層８０が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダおよび溶剤を含む塗料である。
【００７７】
次に、誘電体層８０上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層８１を真空蒸着法により形成する。以上の工程により、前面ガラス基板６２上に所定の構造物が形成されて前面板６４が完成する。
【００７８】
一方、背面板６８は次にようにして形成される。まず、前面ガラス基板６２と同様に背面ガラス基板６６表面へ、ＱＲコード、品番、型番、あるいはアライメントマーク等を形成する。次に背面ガラス基板６６上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極８２用の構成物となる材料層を形成し、それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極８２を形成する。次に、アドレス電極８２が形成された背面ガラス基板６６上にダイコート法などによりアドレス電極８２を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層８４を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。
【００７９】
次に、下地誘電体層８４上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成した後、焼成することにより隔壁８８を形成する。ここで、下地誘電体層８４上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁８８間の下地誘電体層８４上および隔壁８８の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層９０が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板６６上に所定の構成部材を有する背面板６８が完成する。これらの工程においても、先の工程にて形成したアライメントマークを使用し、構成部材の形成領域の精度を向上させる。
【００８０】
このようにして所定の構成部材を備えた前面板６４と背面板６８とを走査電極７２とアドレス電極８２とが直交するように対向配置して、その周囲をガラスフリットで封着し、放電空間７０にＮｅ、Ｘｅなどを含む放電ガスを封入することによりＰＤＰ６０が完成する。
【００８１】
また、各製造工程の前後において、前面ガラス基板６２表面および背面ガラス基板６６表面に形成したＱＲコードを読み取り、個々の製造進捗状況を把握することが可能となる。
【００８２】
斯様に本実施の形態のマーキング方法を用いることによって、ＰＤＰ等の画像表示器機に用いるガラス基板表面にも確実にマーキングすることが可能となり、ＱＲコード読み取りエラーによる生産効率の低下、アライメント精度不良による歩留まり低下を防止することができる。
【００８３】
前記のように、本実施の形態によれば、所定のセルをレーザビームで形成後、次なるセルの形成位置までレーザビームを移動させようとする時、該レーザビームをセル形成に必要且つ十分な出力よりも小さな出力にするように制御している。換言すれば、シャッター４２は、常時開成状態を維持し、所定のセルを形成後の次なるセルの形成のためにレーザビームをガラスＷに照射しつつも、そのエネルギーをセル形成に必要とされるエネルギー未満に制御している。従って、前記次なるセルの形成位置に到達直後にレーザビームの出力を当初から安定させてセル形成を開始することができる。
【００８４】
この結果、ジャンプした後のセルの描出に「カスレ」を生じることなく、結局、所望のマーキングがガラスＷの表面に形成され、所望の情報を誤りなく該マーキングから得ることができる。
【００８５】
さらに、本実施の形態によれば、ガラス表面上に複数のセルを形成する場合に限らず、最初のセルをガラス表面上に形成する際にも効果的である。この場合、最初のセルの形成前にはレーザビームのパルスエネルギーがガラス表面に形成する加工閾値に対して低く制御し、セル形成開始時には該レーザビームのパルスエネルギーがガラス表面にセル形成する加工閾値よりも高くなるように制御する。従って、実質的にセルを形成しようとする際に必要且つ十分なパルスエネルギーが得られる結果、最初のセルから「カスレ」等を生じることのない品質に優れたバーコードを得ることが可能となる。
【００８６】
なお、前記の実施形態では、前記「ジャンプ」の区間はレーザビームの発振周波数は９９ｋＨｚに維持するように制御されているが、本発明は「ジャンプ」の区間中、該発振周波数が一定の周波数に維持されることに限定されない。
【００８７】
例えば、図９に示すように「ジャンプ」の区間内で当初はパルスエネルギーを十分に閾値から低い値とし、徐々にパルスエネルギーを高めてマーキングに至る直前ではパルスエネルギーを閾値の近傍に高め、即時に閾値に到達してマーキングが可能な状態とするように制御することも本発明に含まれる。
【００８８】
さらに、図１０に示すように「ジャンプ」の区間内で当初はレーザビームを発振することなく、マーキングの直前で閾値に近いパルスエネルギーのレーザビームを発振することも本発明に含まれる。
【００８９】
本発明に係るレーザを用いたマーキング方法、該マーキング方法を用いるフラットパネルディスプレイの製造方法及びレーザを用いたマーキング装置は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。例えば、波長変換素子はＬＢＯ以外であってもよい。例示すれば、ＫＴＰ等を掲げることができる。さらに、固体レーザ活性媒体はＹＡＧ以外に、ＹＶＯ4等も好適である。
【００９０】
さらにまた、本発明に係るマーキング方法、該マーキング方法を用いるフラットパネルディスプレイの製造方法及びレーザを用いたマーキング装置によってマーキングされるものは、ＱＲコードに限られるものではない。例えば、文字、バーコード、その他の種々のマークをガラスの表面に形成するために好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…レーザマーキング装置            １２…制御装置
１４…操作ユニット                    １６…レーザ装置
２６…入射レンズ                      ３２…固体レーザ活性媒体
３４…Ｑスイッチ                      ３６…波長変換素子
３８…中間ミラー                      ４０…高調波分離出力ミラー
４２…シャッター                      ４４…エキスパンダレンズ
４６…Ｘ軸偏向ミラー                  ４８…Ｙ軸偏向ミラー
５０…集光レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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