(57)【要約】      （修正有）【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子に用いた場合に、発光開始電圧が低い高分子化合物を提供する。【解決手段】式（１−０）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。2010111851.tif 000097（１−０）〔式（１−０）中、環Ａ01及び環Ａ02は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｘ10及びＸ20は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ10及びＸ20の少なくとも一方は、アリール基で連結されたトリアジン環構造を有する。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１−０）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。
2010111851.tif 000088
（１−０）
〔式（１−０）中、環Ａ01及び環Ａ02は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｘ10及びＸ20は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ10及びＸ20の少なくとも一方は、式（２−０）で表される基である。〕
2010111851.tif 000089
（２−０）
〔式（２−０）中、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。Ｌ０は、アリーレン基又は単結合を表す。Ａｒ10及びＡｒ20は同一又は相異なり、アリール基を表す。ただし、Ａｒ10、Ａｒ20及びＬ0で表される基の炭素数の合計は２４以上である。〕
【請求項２】
式（１−０）で表される繰り返し単位が、式（１）で表される繰り返し単位である請求項１に記載の高分子化合物。
2010111851.tif 000090
（１）
〔式（１）中、環Ａ1及び環Ａ2は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｘ1及びＸ2は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ1及びＸ2の少なくとも一方は、式（２）で表される基である。〕
2010111851.tif 000091
（２）
〔式（２）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。ｎは０以上の整数を表す。ｍ1〜ｍ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｍ1＋ｍ2＋ｍ3≧１であり、ｍ4＋ｍ5＋ｍ6≧１である。Ｒ1〜Ｒ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基又は式（３）で表される基を表し、Ｒ7〜Ｒ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基又は式（３）で表される基を表す。Ｒ7〜Ｒ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕
2010111851.tif 000092
（３）
〔式（３）中、ｅは１〜６の整数を表し、ｇは１〜６の整数を表し、ｈは０〜５の整数を表す。ｇが複数個存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。〕
【請求項３】
環Ａ1及び環Ａ2が、置換基を有していてもよいベンゼン環である請求項２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
Ｘ1が式（２）で表される基であり、Ｘ2がアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基又は式（３）で表される基である請求項２又は３に記載の高分子化合物。
【請求項５】
Ｚ1、Ｚ2及びＺ3が、−Ｎ＝である請求項２〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項６】
ｎが、１又は２である請求項２〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項７】
ｍ1〜ｍ6が、０又は１である請求項２〜６のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項８】
Ｒ1〜Ｒ18が、水素原子又はアルキル基である請求項２〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項９】
ｍ1、ｍ3、ｍ4及びｍ6が、０である請求項２〜８のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１０】
式（２）で表される基が、式（４）で表される基である請求項２〜９のいずれかに記載の高分子化合物。
2010111851.tif 000093
（４）
〔式（４）中、ｎ’は１又は２を表し、Ｒ19〜Ｒ24は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基を表す。〕
【請求項１１】
ｎ’が２であり、Ｒ19〜Ｒ22が水素原子であり、Ｒ23及びＲ24が、同一又は相異なり、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基である請求項１０に記載の高分子化合物。
【請求項１２】
さらに、式（５）で表される繰り返し単位を有する請求項１〜１１のいずれかに記載の高分子化合物。
−Ａｒ−      （５）
〔式（５）中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン残基を表す。〕
【請求項１３】
ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０3〜１×１０8である請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１４】
式（６）で表される化合物。
2010111851.tif 000094
（６）
〔式（６）中、環Ａ3及び環Ａ4は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｙ1及びＹ2は、同一又は相異なり、水素原子又は重合反応性基を表す。Ｘ3及びＸ4は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ3及びＸ4の少なくとも一方は、式（７）で表される基である。〕
2010111851.tif 000095
（７）
〔式（７）中、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。ｑは０以上の整数を表す。ｐ1〜ｐ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｐ1＋ｐ2＋ｐ3≧１であり、ｐ4＋ｐ5＋ｐ6≧１である。Ｓ1〜Ｓ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基又は式（８）で表される基を表し、Ｓ7〜Ｓ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基又は式（８）で表される基を表す。Ｓ7〜Ｓ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕
2010111851.tif 000096
（８）
〔式（８）中、ｉは１〜６の整数を表し、ｊは１〜６の整数を表し、ｋは０〜５の整数を表す。ｊが複数個存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。〕
【請求項１５】
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物とを含有する組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物と溶媒とを含有する溶液。
【請求項１７】
請求項１５に記載の組成物と溶媒とを含有する溶液。
【請求項１８】
請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物を含有する薄膜。
【請求項１９】
請求項１５に記載の組成物を含有する薄膜。
【請求項２０】
陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物又は請求項１５に記載の組成物を含む有機層を有する高分子発光素子。
【請求項２１】
有機層が発光層である請求項２０に記載の高分子発光素子。
【請求項２２】
陽極及び陰極から成る電極間に、発光層と電荷輸送層を有し、該電荷輸送層が請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物又は請求項１５に記載の組成物を含む有機層を有する高分子発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含窒素複素環構造を含む高分子化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に発光層、電荷輸送層等の有機層を備えたものであり、これを用いた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイが次世代ディスプレイとして、近年注目されている。特に、溶媒に可溶な高分子化合物を有機層に用いれば、塗布法を用いて有機層を作製できるため、低分子化合物を用い、真空蒸着法を用いて有機層を作製するよりも、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイを大面積化する場合に有利である。そのため、前記有機層に用いるための種々の高分子化合物が開発されており、該高分子化合物としては、フルオレン９位の炭素原子に２つのアルキル鎖が結合したフルオレンジイル基を有する高分子化合物が提案されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｖｏｌ．１２（２０００）  ３６２〜３６５頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記高分子化合物を用いて作製した有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光開始電圧が十分に低いものでなかった。
そこで、本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いた場合に、発光開始電圧が低い高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明は、第一に、式（１−０）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を提供する。
2010111851.tif 000002
（１−０）
〔式（１−０）中、環Ａ01及び環Ａ02は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｘ10及びＸ20は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ10及びＸ20の少なくとも一方は、式（２−０）で表される基である。〕
2010111851.tif 000003
（２−０）
〔式（２−０）中、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。Ｌ０は、アリーレン基又は単結合を表す。Ａｒ10及びＡｒ20は同一又は相異なり、アリール基を表す。ただし、Ａｒ10、Ａｒ20及びＬ0で表される基の炭素数の合計は２４以上である。〕
【０００６】
本発明は、第二に、式（１−０）で表される繰り返し単位が、式（１）で表される繰り返し単位である前記高分子化合物を提供する。
2010111851.tif 000004
（１）
〔式（１）中、環Ａ1及び環Ａ2は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｘ1及びＸ2は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ1及びＸ2の少なくとも一方は、式（２）で表される基である。〕
2010111851.tif 000005
（２）
〔式（２）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。ｎは０以上の整数を表す。ｍ1〜ｍ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｍ1＋ｍ2＋ｍ3≧１であり、ｍ4＋ｍ5＋ｍ6≧１である。Ｒ1〜Ｒ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基又は式（３）で表される基を表し、Ｒ7〜Ｒ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基又は式（３）で表される基を表す。Ｒ7〜Ｒ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕
2010111851.tif 000006
（３）
〔式（３）中、ｅは１〜６の整数を表し、ｇは１〜６の整数を表し、ｈは０〜５の整数を表す。ｇが複数個存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。〕
【０００７】
本発明は、第三に、式（６）で表される化合物を提供する。
2010111851.tif 000007
（６）
〔式（６）中、環Ａ3及び環Ａ4は、同一又は相異なり、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｙ1及びＹ2は、同一又は相異なり、水素原子又は重合反応性基を表す。Ｘ3及びＸ4は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ3及びＸ4の少なくとも一方は、式（７）で表される基である。〕
2010111851.tif 000008
（７）
〔式（７）中、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝である。ｑは０以上の整数を表す。ｐ1〜ｐ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｐ1＋ｐ2＋ｐ3≧１であり、ｐ4＋ｐ5＋ｐ6≧１である。Ｓ1〜Ｓ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基又は式（８）で表される基を表し、Ｓ7〜Ｓ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基又は式（８）で表される基を表す。Ｓ7〜Ｓ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕
2010111851.tif 000009
（８）
〔式（８）中、ｉは１〜６の整数を表し、ｊは１〜６の整数を表し、ｋは０〜５の整数を表す。ｊが複数個存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。〕
【０００８】
本発明は、第四に、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と前記高分子化合物とを含有する組成物を提供する。
【０００９】
本発明は、第五に、前記高分子化合物と溶媒とを含有する溶液を提供する。
【００１０】
本発明は、第六に、前記高分子化合物を含有する薄膜を提供する。
【００１１】
本発明は、第七に、陽極及び陰極からなる電極間に、前記高分子化合物又は前記組成物を含む有機層（例えば、発光層、電荷輸送層）を有する高分子発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の高分子化合物を用いて作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始電圧が低くなる。そのため、本発明の高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の材料として好適に用いることができ、工業的に極めて有用である。
【００１３】
本明細書において、ｉ−はイソを表し、ｓ−はｓｅｃ−を表し、ｔ−はｔｅｒｔ−を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の高分子化合物は、前記式（１−０）で表される繰り返し単位を有する。
式（１−０）中、環Ａ0１、環Ａ02で表される芳香族炭化水素環は、ベンゼン環単独、又は複数個のベンゼン環が縮合した環が好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等が挙げられる。環Ａ01及び環Ａ02の組み合わせとしては、ベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ナフタレン環とナフタレン環、ナフタレン環とアントラセン環が好ましく、ベンゼン環とベンゼン環がより好ましい。
【００１５】
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合、置換基は一つでも複数でもよく、置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。置換基としては、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、前記式（３）で表される基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルシリル基が例示される。
【００１６】
ハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が例示される。
【００１７】
アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキル基の炭素数は通常１〜２０である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が例示される。アルキル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、モノマーの合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００１８】
アルケニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルケニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基が例示される。また、アルケニル基には１，３−ブタジエニル基等のアルカジエニル基も含まれる。アルケニル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、モノマーの合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００１９】
アルキニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプテニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が例示される。また、アルキニル基には１，３−ブタジイニル基等のアルキジエニル基や、２−ペンテン−４−イニル基等の二重結合と三重結合とを併せ持つ基も含まれる。アルキニル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２０】
アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いた部分の炭素数は通常１〜２０である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基が例示される。アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２１】
アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキルチオ基の炭素数は通常１〜２０である。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基が例示される。アルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２２】
アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つ基や、独立したベンゼン環又は縮合環のいずれか又は両方の２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基も含まれる。アリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０である。アリール基としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12とは炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１-アントラセニル基、２−アントラセニル基、９―アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ジプロピルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ジ（ｉ−プロピル）フェニル基、ブチルフェニル基、ジブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ジ（ｉ−ブチル）フェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ジ（ｓ−ブチル）フェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ジ（ｔ−ブチル）フェニル基、ペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、２−エチルヘキシルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、３，７−ジメチルオクチルフェニル基、ドデシルフェニル基が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジエトキシフェニル基、トリエトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ジプロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ジ（ｉ−プロピルオキシ）フェニル基、ブチルオキシフェニル基、ジブチルオキシフェニル基、ｉ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｉ−ブチルオキシ）フェニル基、ｓ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｓ−ブチルオキシ）フェニル基、ｔ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｔ−ブチルオキシ）フェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ドデシルオキシフェニル基が例示される。アリール基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２３】
アリールオキシ基は、−ＯＡｒＸで表される置換基であり、ＡｒＸはアリール基を表す。アリール基は前述と同様である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０である。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１-アントラセニルオキシ基、２−アントラセニルオキシ基、９―アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、２−ピレニルオキシ基、４−ピレニルオキシ基が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルオキシ基としては、メチルフェニルオキシ基、ジメチルフェニルオキシ基、トリメチルフェニルオキシ基、エチルフェニルオキシ基、ジエチルフェニルオキシ基、トリエチルフェニルオキシ基、プロピルフェニルオキシ基、ジプロピルフェニルオキシ基、ｉ−プロピルフェニルオキシ基、ジ（ｉ−プロピル）フェニルオキシ基、ジ（ｉ−ブチル）フェニルオキシ基、ｓ−ブチルフェニルオキシ基、ジ（ｓ−ブチル）フェニルオキシ基、ｔ−ブチルフェニルオキシ基、ジ（ｔ−ブチル）フェニルオキシ基、ペンチルフェニルオキシ基、ヘキシルフェニルオキシ基、シクロヘキシルフェニルオキシ基、ヘプチルフェニルオキシ基、オクチルフェニルオキシ基、２−エチルヘキシルフェニルオキシ基、ノニルフェニルオキシ基、デシルフェニルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルフェニルオキシ基、ドデシルフェニルオキシ基が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニルオキシ基、ジメトキシフェニルオキシ基、トリメトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、ジエトキシフェニルオキシ基、トリエトキシフェニルオキシ基、プロピルオキシフェニルオキシ基、ジプロピルオキシフェニルオキシ基、ｉ−プロピルオキシフェニルオキシ基、ジ（ｉ−プロピルオキシ）フェニルオキシ基、ブチルオキシフェニルオキシ基、ジブチルオキシフェニルオキシ基、ｉ−ブチルオキシフェニルオキシ基、ジ（ｉ−ブチルオキシ）フェニルオキシ基、ｓ−ブチルオキシフェニルオキシ基、ジ（ｓ−ブチルオキシ）フェニルオキシ基、ｔ−ブチルオキシフェニルオキシ基、ジ（ｔ−ブチルオキシ）フェニルオキシ基、ペンチルオキシフェニルオキシ基、ヘキシルオキシフェニルオキシ基、シクロヘキシルオキシフェニルオキシ基、ヘプチルオキシフェニルオキシ基、オクチルオキシフェニルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェニルオキシ基、ノニルオキシフェニルオキシ基、デシルオキシフェニルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニルオキシ基、ドデシルオキシフェニルオキシ基が例示される。アリールオキシ基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２４】
アルキルシリル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルシリル基であってもよい。アルキルシリル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキルシリル基の炭素数は通常１〜２０である。アルキルシリル基としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｓ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ドデシルシリル基が例示される。アルキルシリル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００２５】
式（１−０）中、Ｘ10及びＸ20は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ1、Ｘ2の少なくとも一方は、式（２−０）で表される基である。式（２−０）で表される基以外の置換基としては、素子にした場合の発光特性の観点からは、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリールオキシ基、式（３）で表される基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基が好ましい。これらの置換基としては、前述の環Ａ01が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリールオキシ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００２６】
Ｘ10が式（２−０）で表される基である場合、素子にした場合の発光特性の観点からは、Ｘ20が水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリールオキシ基、式（２−０）で表される基又は式（３）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は式（２−０）で表される基であることがより好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はアルキニル基であることがさらに好ましい。
【００２７】
Ｘ10、Ｘ20が、ともに式（２−０）で表される基である場合、モノマー合成の容易さの観点からは、Ｘ10、Ｘ20が同一であることが好ましい。
【００２８】
式（２−０）中、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ10、Ｚ20及びＺ30の少なくとも２個は、−Ｎ＝を表す。素子の発光開始電圧や実用輝度での駆動電圧の観点からは、Ｚ10、Ｚ20、Ｚ30が全て−Ｎ＝であることが好ましい。
【００２９】
式（２−０）中、Ｌ0は、アリーレン基又は単結合を表し、アリーレン基が好ましい。アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環のいずれか又は両方の２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基も含む。アリーレン基は置換基を有していてもよい。
【００３０】
Ｌ0がアリーレン基である場合、置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１２であり、さらに好ましくは１２であり、置換基を含めた全炭素数は、通常、６〜１００である。
【００３１】
Ｌ0がアリーレン基である場合、モノマー合成の観点からは、置換基を有しないことが好ましく、モノマー又は得られる高分子化合物の溶媒溶解性の観点からは、置換基を有することが好ましい。置換基を有する場合、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリールオキシ基、式（３）で表される基が好ましく、アルキル基がより好ましい。これらの置換基としては、前述の環Ａ01が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリールオキシ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００３２】
Ｌ0がアリーレン基である場合、置換基を除いた部分のＬ0の構造は、例えば、以下の式Ｌ１〜Ｌ１８で表される。
【００３３】
2010111851.tif 000010
【００３４】
式（２−０）中、Ａｒ10及びＡｒ20は、同一又は相異なり、アリール基を表す。アリール基としては、前述の環Ａ01が有していてもよい置換基であるアリール基の例示と同様の基が挙げられる。モノマー合成の観点からは、Ａｒ10及びＡｒ20は、同一であることが好ましい。
【００３５】
式（２−０）中、Ａｒ10、Ａｒ20及びＬ0で表される基の炭素数の合計は２４以上である。Ａｒ10、Ａｒ20及びＬ0で表される基が置換基を有する場合、Ａｒ10、Ａｒ20及びＬ0で表される基の炭素数の合計には、置換基が有する炭素数も含まれる。
【００３６】
式（２−０）で表される基としては、以下の式（２−０−１）〜式（２−０−１０）で表される基、後述の式（２−１）〜（２−１９）で表される基が例示される。
【００３７】
2010111851.tif 000011
【００３８】
前記式（１−０）で表される繰り返し単位は、素子にした場合の発光特性の観点から、前記式（１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
【００３９】
式（１）中、環Ａ1、環Ａ2で表される芳香族炭化水素環は、ベンゼン環単独又は複数個のベンゼン環が縮合した環が好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環が挙げられる。環Ａ1及び環Ａ2の組み合わせとしては、ベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ナフタレン環とアントラセン環が好ましく、ベンゼン環とベンゼン環がより好ましい。
【００４０】
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合、置換基は一つでも複数でもよく、置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。置換基としては、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、前記式（３）で表される基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基が例示される。
【００４１】
ハロゲノ基、としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が例示される。
【００４２】
アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキル基の炭素数は通常１〜２０である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が例示される。アルキル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、モノマーの合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４３】
アルケニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルケニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基が例示される。また、アルケニル基には１，３−ブタジエニル基等のアルカジエニル基も含まれる。アルケニル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、モノマーの合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４４】
アルキニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプテニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基等が例示される。また、アルキニル基には１，３−ブタジイニル基等のアルキジエニル基や、２−ペンテン−４−イニル基等の二重結合と三重結合とを併せ持つ基も含まれる。アルキニル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点からは、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４５】
アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いた部分の炭素数は通常１〜２０である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基が例示される。アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４６】
アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキルチオ基の炭素数は通常１〜２０である。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基が例示される。アルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４７】
アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つ基や、独立したベンゼン環又は縮合環のいずれか又は両方の２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基も含まれる。アリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０である。アリール基としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12とは炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１-アントラセニル基、２−アントラセニル基、９―アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基とは、具体的にはメチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ジプロピルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ジ（ｉ−プロピル）フェニル基、ブチルフェニル基、ジブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ジ（ｉ−ブチル）フェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ジ（ｓ−ブチル）フェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ジ（ｔ−ブチル）フェニル基、ペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、２−エチルヘキシルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、３，７−ジメチルオクチルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基とは、具体的にはメトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジエトキシフェニル基、トリエトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ジプロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ジ（ｉ−プロピルオキシ）フェニル基、ブチルオキシフェニル基、ジブチルオキシフェニル基、ｉ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｉ−ブチルオキシ）フェニル基、ｓ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｓ−ブチルオキシ）フェニル基、ｔ−ブチルオキシフェニル基、ジ（ｔ−ブチルオキシ）フェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ドデシルオキシフェニル基が例示される。アリール基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４８】
アルキルシリル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルシリル基であってもよい。アルキルシリル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキルシリル基の炭素数は通常１〜２０である。アルキルシリル基としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｓ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ドデシルシリル基が例示される。アルキルシリル基が有していてもよい置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。
【００４９】
式（３）中、ｅは１〜６の整数を表し、ｇは１〜６の整数を表し、ｈは０〜５の整数を表す。ｇが複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。モノマー合成の観点からは、ｅは１〜３の整数が好ましく、ｇは１又は２が好ましく、ｈは０又は１が好ましい。
【００５０】
式（１）中、Ｘ1及びＸ2は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ1、Ｘ2の少なくとも一方は、式（２）で表される基である。式（２）で表される基以外の置換基としては、素子にした場合の発光特性の観点からは、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、式（３）で表される基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基がより好ましい。これらの置換基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基の例示と同様の基が挙げられる。
【００５１】
Ｘ1が式（２）で表される基である場合、素子にした場合の発光特性の観点からは、Ｘ2が水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、式（２）で表される基又は式（３）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は式（２）で表される基であることがより好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はアルキニル基であることがさらに好ましい。
Ｘ1、Ｘ2が、ともに式（２）で表される基である場合、モノマー合成の容易さの観点からは、Ｘ1、Ｘ2が同一であることが好ましい。
【００５２】
式（２）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝を表す。素子の発光開始電圧や実用輝度での駆動電圧等の観点からは、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3が全て−Ｎ＝であることが好ましい。式（２）で表される基としては、以下の式（２−１）〜（２−４）で表される基が挙げられるが、中でもＺ1、Ｚ2及びＺ3が全て−Ｎ＝である式（２−４）で表される基が好ましい。
【００５３】
2010111851.tif 000012
（２−１）                                （２−２）
【００５４】
2010111851.tif 000013
（２−３）                              （２−４）
〔式（２−１）〜式（２−４）中、ｎ、ｍ1〜ｍ6及びＲ1〜Ｒ18は、前述と同様の意味を表す。〕
【００５５】
式（２）中、ｎは０以上の整数を表すが、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは２である。
【００５６】
式（２）中、ｍ1〜ｍ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｍ1＋ｍ2＋ｍ3≧１であり、ｍ4＋ｍ5＋ｍ6≧１である。ｍ1〜ｍ6は、好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは０又は１である。
【００５７】
ｍ1〜ｍ6が０又は１である場合、式（２）で表される基は、以下の式（２−５）〜式（２−１９）で表される。これらの基の中では、電荷輸送性や素子にした場合の特性の観点からは、式（２−１０）、式（２−１１）、式（２−１３）、式（２−１６）、式（２−１９）で表される基が好ましく、式（２−１０）で表される基がより好ましい。また、これらの基の中では、モノマーの合成の容易さの観点からは、以下の式（２−５）、式（２−１０）、式（２−１４）、式（２−１７）、式（２−１９）で表される基が好ましく、式（２−５）、式（２−１０）、式（２−１７）で表される基がより好ましい。
【００５８】
2010111851.tif 000014
【００５９】
2010111851.tif 000015
【００６０】
2010111851.tif 000016
【００６１】
2010111851.tif 000017
【００６２】
2010111851.tif 000018
〔式（２−５）〜式（２−１９）中、ｎ、Ｒ1〜Ｒ18及びＺ1〜Ｚ3は、前述と同様の意味を表す。〕
【００６３】
式（２）中、Ｒ1〜Ｒ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、式（３）で表される基、アルキルチオ基、又はアルキルシリル基を表すが、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００６４】
式（２）中、Ｒ7〜Ｒ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、式（３）で表される基、アルキルチオ基、アリール基、又はアルキルシリル基を表し、Ｒ7〜Ｒ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよいが、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００６５】
ハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられる。
【００６６】
アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基の例示と同様の基が挙げられる。
【００６７】
素子にした場合の発光特性の観点からは、ｍ1、ｍ3、ｍ4及びｍ6が０であることが好ましい。
【００６８】
式（２）で表される基の好ましい形態の一つとして式（４）で表される基が例示される。
2010111851.tif 000019
（４）
〔式（４）中、ｎ’は１又は２を表し、Ｒ19〜Ｒ24は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基を表す。〕
【００６９】
式（４）中、ｎ’は１又は２を表すが、２であることが好ましい。
式（４）中、Ｒ19〜Ｒ24は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基の例示と同様の基が挙げられる。Ｒ19〜Ｒ24は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００７０】
式（４）で表される基としては、モノマーの合成の容易さの観点からは、以下の式（４−１）〜（４−８）で表される基が好ましく、式（４−１）、（４−２）、（４−７）、（４−８）で表される基がより好ましく、式（４−１）又は式（４−２）で表される基がさらに好ましい。
【００７１】
2010111851.tif 000020
〔式（４−１）〜式（４−８）中、Ｒ25〜Ｒ28は、同一又は相異なり、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基を表す。〕
【００７２】
式（４−１）〜式（４−８）中、Ｒ25〜Ｒ28は、同一又は相異なり、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基である。アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００７３】
Ｒ25〜Ｒ28は、アルキル基であることが好ましく、溶解性及び合成の観点から、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基がより好ましく、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が特に好ましい。
【００７４】
式（１）で表される繰り返し単位は、モノマー合成の容易さ又は素子にした場合の発光特性の観点からは、式（１−１）で表される繰り返し単位又は（１−２）で表される繰り返し単位が好ましい。
2010111851.tif 000021
（式（１−１）及び式（１−２）中のベンゼン環は置換基を有していてもよい。Ｘ1及びＸ2は前述と同様の意味を表す。）
【００７５】
本発明の高分子化合物は、式（１−０）（好ましくは、式（１））で表される繰り返し単位を有するため、該高分子化合物を用いて作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始電圧が低くなる。また、実用輝度における駆動電圧や最高輝度における駆動電圧を低くする副次的な効果も期待できる。
【００７６】
＜その他の繰り返し単位＞
本発明の高分子化合物は、高分子化合物の電荷輸送性及び発光特性の観点からは、式（１−０）、式（１）で表される繰り返し単位とは異なる、下記式（５）で表される繰り返し単位を更に有していることが好ましく、下記式（５）で表される繰り返し単位を２種類以上有していることがより好ましい。
−Ａｒ−    （５）
〔式（５）中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン残基を表す。〕
【００７７】
アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環のいずれか又は両方の２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基も含む。上記アリーレン基は置換基を有していてもよい。上記置換基としては、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００７８】
前記アリーレン基において置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、置換基を含めた全炭素数は、通常、６〜１００である。
【００７９】
前記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基：式Ａ１〜Ａ３、ナフタレンジイル基：式Ａ４〜Ａ１３、アントラセン−ジイル基：式Ａ１４〜Ａ１９、ビフェニル−ジイル基：式Ａ２０〜Ａ２５、ターフェニル−ジイル基：式Ａ２６〜Ａ２８、縮合環化合物基：式Ａ２９〜Ａ３５、フルオレン−ジイル基：式Ａ３６〜Ａ３８、式Ａ３８−１〜Ａ３８−６、ベンゾフルオレン−ジイル：式Ａ３９〜Ａ４６、式Ａ４６−１〜Ａ４６−１３が挙げられる。なお、以下の基は、置換基を有していてもよい。
【００８０】
2010111851.tif 000022
【００８１】
2010111851.tif 000023
【００８２】
2010111851.tif 000024
【００８３】
2010111851.tif 000025
【００８４】
2010111851.tif 000026
【００８５】
2010111851.tif 000027
【００８６】
アリーレン基の中でも、ポリマーの安定性の観点からは、式Ａ１〜Ａ２８、式Ａ３６〜Ａ４６で表される基が好ましく、式Ａ４〜Ａ２８、式Ａ３６〜Ａ４６で表される基がより好ましく、式Ａ４〜Ａ１９、式Ａ３６〜Ａ４６で表される基がさらに好ましく、式Ａ３６〜Ａ４６で表される基が特に好ましい。また、得られる化合物の合成の容易さ及び発光特性の観点からは、式Ａ１〜Ａ３、式Ａ２０〜Ａ２８、式Ａ３６〜Ａ３８で表される基が好ましく、式Ａ１、式Ａ２、式Ａ２０、式Ａ２１、式Ａ２３、式Ａ２６、式Ａ２７、式Ａ３６、式Ａ３７で表される基がより好ましく、式Ａ１、式Ａ２、式Ａ３６、式Ａ３７で表される基がさらに好ましい。これらのアリーレン基は置換基を有していてもよく、得られる化合物の溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点から、アリーレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。
【００８７】
２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を言い、置換基を有していてもよい。上記複素環式化合物は、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基が好ましい。上記置換基としては、得られる化合物の溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基の具体例としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００８８】
２価の複素環基において、置換基を除いた部分の炭素数は、通常、３〜６０であり、置換基を含めた全炭素数は、通常、３〜１００である。
【００８９】
２価の複素環基としては、例えば、以下の基が挙げられる。なお、以下の基は、置換基を有していてもよい。
ヘテロ原子として窒素原子を含む２価の複素環基として、ピリジン−ジイル基：式Ｂ１〜Ｂ４、ジアザフェニレン基：式Ｂ５〜Ｂ８、トリアジン−ジイル基：式Ｂ９、キノリン−ジイル基：式Ｂ１０〜Ｂ１４、キノキサリン−ジイル基：式Ｂ１５〜Ｂ１９、アクリジンジイル基：式Ｂ２０〜Ｂ２３、フェナントロリンジイル基：式Ｂ２４、Ｂ２５。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子等を含みフルオレン構造を有する基：式Ｂ２６〜Ｂ３３。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子等を含む５員環複素環基：式Ｂ３４〜Ｂ３７。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子等を含む５員環縮合複素基：式Ｂ３８〜Ｂ４７。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：式Ｂ４８、Ｂ４９。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：式Ｂ５０〜Ｂ５５。
ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子等を含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：式Ｂ５６〜Ｂ６１。
ヘテロ原子として酸素原子、窒素原子等を含む６員環複素環基：式Ｂ６２〜Ｂ６５。
【００９０】
2010111851.tif 000028
【００９１】
2010111851.tif 000029
【００９２】
2010111851.tif 000030
【００９３】
2010111851.tif 000031
【００９４】
2010111851.tif 000032
【００９５】
２価の複素環基の中でも、電荷輸送及び発光特性の観点からは、式Ｂ５〜Ｂ９、式Ｂ２４〜Ｂ３７、式Ｂ４２〜Ｂ６１で表される基が好ましく、式Ｂ５〜Ｂ９、式Ｂ２６〜Ｂ３１、式Ｂ４２〜Ｂ４４、式Ｂ５０〜Ｂ５４で表される基がより好ましく、式Ｂ５〜Ｂ９、式Ｂ３０、式３１、式Ｂ５３、式Ｂ５４で表される基がさらに好ましく、式Ｂ５〜Ｂ９、式Ｂ３０、式Ｂ３１で表される基が特に好ましい。また、ポリマーの合成の観点からは、２価の複素環基としては、式Ｂ１〜Ｂ９、式Ｂ２６〜Ｂ３１、式Ｂ４６〜Ｂ５４で表される基が好ましく、式Ｂ３〜Ｂ９、式Ｂ３０、式Ｂ３１で表される基がより好ましい。
【００９６】
２価の芳香族アミン残基は、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、置換基を有してもよく、置換基を除いた部分の炭素数は、通常、５〜１００であり、好ましくは１５〜６０である。上記置換基としては、得られる化合物の溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性の観点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、シアノ基が好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基の例示と同様の基が挙げられる。
【００９７】
２価の芳香族アミン残基としては、以下の式Ｃ１〜Ｃ３１で表される２価の基が例示される。なお、以下の基は、置換基を有していてもよい。
【００９８】
2010111851.tif 000033
【００９９】
2010111851.tif 000034
【０１００】
2010111851.tif 000035
【０１０１】
2010111851.tif 000036
【０１０２】
２価の芳香族アミン残基の中でも、正孔輸送性の観点からは、式Ｃ１〜Ｃ４、式Ｃ１０〜Ｃ２６で表される基が好ましく、得られる化合物の合成の容易さの観点からは、式Ｃ１〜Ｃ５、式１２、式Ｃ１４〜Ｃ２１で表される基が好ましい。
【０１０３】
本発明の高分子化合物が式（５）で表される繰り返し単位を１種類のみ含む場合、Ａｒはアリーレン基であることが好ましい。本発明の高分子化合物が式（５）で表される繰り返し単位を２種類以上含む場合、少なくとも１種類はアリーレン基であることが好ましく、アリーレン基のみからなる組み合わせ又はアリーレン基と芳香族アミン残基とからなる組み合わせであることがより好ましい。
【０１０４】
本発明の高分子化合物は、発光素子の作製に使用した場合における該発光素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、１×１０3〜１×１０7であることがより好ましく、また、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、１×１０3〜１×１０7であることがより好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）を用いて測定することができる。
【０１０５】
本発明の高分子化合物は、交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体のいずれかであってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子化合物、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。本発明の高分子化合物は、蛍光又はりん光の量子収率の観点からは、完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物は、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある化合物やデンドリマーも含む。
【０１０６】
本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、発光素子の作製に用いたときに、得られる発光素子の発光特性や寿命が低下することがあるので、安定な基で保護されていてもよい。上記末端基としては、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有している基が好ましく、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられ、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基も挙げられる。
【０１０７】
本発明の高分子化合物としては、以下の共重合体＜ＥＸ１＞〜＜ＥＸ３＞が例示される。
【０１０８】
＜ＥＸ１＞
2010111851.tif 000037
で表される繰り返し単位を化学量論比として５０モル％含み、
2010111851.tif 000038
で表される繰り返し単位又は
2010111851.tif 000039
で表される繰り返し単位を化学量論比として５０モル％含む、交互共重合体。
〔式中、Ｘ30は、式（２−０）で表される基を表す。Ｒ99〜Ｒ110は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。〕
【０１０９】
＜ＥＸ２＞
2010111851.tif 000040
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜５０モル％含み、
2010111851.tif 000041
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜５０モル％含み、
2010111851.tif 000042
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜５０モル％含む、共重合体。
〔式中、Ｘ30及びＲ99〜Ｒ110は、前述と同様の意味を表す。〕
【０１１０】
＜ＥＸ３＞
2010111851.tif 000043
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜３０モル％含み、
2010111851.tif 000044
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜５０モル％含み、
2010111851.tif 000045
で表される繰り返し単位を化学量論比として１〜５０モル％含み、
2010111851.tif 000046
で表される繰り返し単位を化学量論比として０．１〜３０モル％含む、共重合体。
〔式中、Ｘ30及びＲ99〜Ｒ110は、前述と同様の意味を表す。Ｒ111〜Ｒ122は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。〕
【０１１１】
＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を説明する。
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、式（１）で表される繰り返し単位及び式（５）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を一例として説明すると、式：Ｙ3−Ｗ1−Ｙ4で示される化合物と、式：Ｙ5−Ｗ2−Ｙ6で示される化合物とを縮合重合させることにより、製造することができる。式中、Ｗ1、Ｗ2は、式（１）で表される繰り返し単位又は式（５）で表される繰り返し単位を表す。Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5及びＹ6は、同一又は相異なり、重合反応性基を表す。また、本発明の高分子化合物が上記以外の繰り返し単位を有する場合には、上記以外の繰り返し単位となり、かつ、２個の重合反応性基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。
【０１１２】
上記重合反応性基としては、ハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）2）、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。
【０１１３】
上記重合反応性基であるハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が例示される。
【０１１４】
上記重合反応性基であるアルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
【０１１５】
上記重合反応性基であるアリールスルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
【０１１６】
上記重合反応性基であるアリールアルキルスルホニルオキシ基としては、ベンジルスルホニルオキシ基等が挙げられる。
【０１１７】
上記重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、下記式で示される基が挙げられる。
2010111851.tif 000047
（式中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を表す。以下、同様である。）
【０１１８】
上記重合反応性基であるスルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｘ-、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｘ-
（式中、Ｘ-はハロゲン化物イオンを表す。Ｐｈはフェニル基を表し、以下、同様である。）
【０１１９】
上記重合反応性基であるホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｘ-
（式中、Ｘ-はハロゲン化物イオンを表す。）
【０１２０】
上記重合反応性基であるホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ’）2
（式中、Ｒ’はアルキル基又はアリール基を表す。アルキル基、アリール基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基の例示と同様の基が挙げられる。２個存在するＲ’は、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１２１】
上記Ｘ-で表されるハロゲン化物イオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンが例示される。
【０１２２】
上記重合反応性基であるモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が挙げられる。
【０１２３】
上記重合反応性基は、例えば、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等のニッケルゼロ価錯体を用いる場合には、ハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基等であり、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲノ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基等である。
【０１２４】
本発明の高分子化合物の製造は、モノマーとなる重合反応性基を複数有する化合物（以下、「原料となる化合物」と言うことがある。）を、必要に応じて、有機溶媒に溶解し、例えば、アルカリや適切な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。これは、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等に記載されている。
【０１２５】
本発明の高分子化合物の製造方法において、上記重合反応性基の種類に応じて、既知の縮合反応を用いることができ、例えば、対応するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御の観点から好ましい。
【０１２６】
本発明の高分子化合物の製造方法の中でも、ハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基及びアリールアルキルスルホニルオキシ基からなる群から選ばれる重合反応性基を有する化合物を、ニッケルゼロ価錯体の存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
【０１２７】
本発明の高分子化合物の原料となる化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物等が挙げられる。また、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する場合には、上記原料となる化合物としては、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物等を用いるのがよい。
【０１２８】
本発明の高分子化合物の製造方法としては、高分子化合物の合成の容易さの観点からは、ハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸残基及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる１種以上の重合反応性基を有する化合物を用い、かつ、全ての原料となる化合物が有するハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基及びアリールアルキルスルホニルオキシ基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸残基及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）との比が実質的に１（通常、Ｋ／Ｊは０．７〜１．２）として、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
【０１２９】
上記原料となる化合物の組み合わせ（即ち、式：Ｙ3−Ｗ1−Ｙ4で示される化合物と、式：Ｙ5−Ｗ2−Ｙ6で示される化合物）としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせ等が挙げられる。
【０１３０】
上記縮合重合に用いられる有機溶媒は、副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理、脱水処理を施しておくことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合には脱水処理は不要である。
【０１３１】
上記縮合重合に用いられる有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類等が挙げられ、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが特に好ましい。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１３２】
上記縮合重合において、反応を促進させるために、アルカリや適切な触媒を添加してもよい。上記アルカリ、触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を反応液と混合するには、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒を溶解又は分散させた溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒を溶解又は分散させた溶液に反応液をゆっくりと添加すればよい。
【０１３３】
本発明の高分子化合物を発光素子等の作製に用いる場合、その純度が発光特性等の発光素子の性能に影響を与えるため、重合前の原料となる化合物を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、得られた高分子化合物に対して、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１３４】
（式（６）で表される化合物）
次に、式（６）で表される化合物について説明する。
式（６）で表される化合物は、前記式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の合成に有用な原料となる化合物である。
【０１３５】
式（６）中、環Ａ3、環Ａ4で表される芳香族炭化水素環は、ベンゼン環単独、又は複数個のベンゼン環が縮合した環が好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等が挙げられる。環Ａ3及び環Ａ4の組み合わせとしては、ベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ナフタレン環とアントラセン環が好ましく、ベンゼン環とベンゼン環がより好ましい。
【０１３６】
環Ａ3及び環Ａ4の組み合わせがベンゼン環とベンゼン環である場合、得られる化合物の合成上の観点又は素子としての発光特性の観点から、式（６）で表される化合物としては、式（６−１）又は式（６−２）で表される構造が好ましい。
2010111851.tif 000048
（式（６−１）及び式（６−２）中のベンゼン環は置換基を有していてもよい。Ｘ3、Ｘ4、Ｙ1及びＹ2は前述と同様の意味を表す。）
【０１３７】
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合、置換基は一つでも複数でもよく、置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。置換基としては、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、前記式（８）で表される基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルシリル基が例示される。
【０１３８】
アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基の例示と同様の基が挙げられる。
【０１３９】
式（６）中、Ｙ1、Ｙ2は、同一又は相異なり、水素原子又は重合反応性基を表す。重合反応性基は、前述と同様の意味を表す。なお、式（６）で表される化合物をＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応等のニッケルゼロ価錯体を用いた重合に使用することを想定している場合には、上記重合反応性基は、ハロゲノ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基であることが好ましい。さらに、この場合のハロゲノ基としては、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が好ましく、ブロモ基、ヨード基がより好ましい。また、式（６）で表される化合物をＳｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いた重合に使用することを想定している場合には、上記重合反応性基は、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲノ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基であることが好ましく、ハロゲノ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基がより好ましい。さらに、この場合ハロゲノ基としては、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が好ましく、ブロモ基、ヨード基がより好ましい。なお、式（６）で表される化合物を合成する観点からは、Ｙ1とＹ2が同一であることが好ましい。
【０１４０】
式（６）中、Ｘ3、Ｘ4は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｘ3及びＸ4の少なくとも一方は、式（７）で表される基である。式（７）で表される基以外の置換基としては、素子にした場合の発光特性の観点からは、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、式（８）で表される基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基がより好ましい。
【０１４１】
アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基の例示と同様の基が挙げられる。
【０１４２】
Ｘ3が式（７）で表される基である場合、素子にした場合の発光特性の観点からは、Ｘ4が水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、式（７）で表される基又は式（８）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は式（７）で表される基であることがより好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はアルキニル基であることがさらに好ましい。
Ｘ3、Ｘ4が共に式（７）で表される基である場合、得られる化合物の合成の容易さの観点からは、Ｘ3、Ｘ4が同一であることが好ましい。
【０１４３】
式（７）中、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3は、同一又は相異なり、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝を表す。ただし、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3の少なくとも２個は、−Ｎ＝を表す。本発明の高分子化合物を素子の作製に用いた場合に得られる素子の発光開始電圧や実用輝度での駆動電圧の観点からは、Ｑ1、Ｑ2及びＱ3が全て−Ｎ＝であることが好ましい。
【０１４４】
式（７）中、ｑは０以上の整数を表すが、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは２である。
【０１４５】
式（７）中、ｐ1〜ｐ6は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。ただし、ｐ1＋ｐ2＋ｐ3≧１であり、ｐ4＋ｐ5＋ｐ6≧１である。ｐ1〜ｐ6は、好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは０又は１である。ｐ1〜ｐ6が０又は１である場合、式（７）で表される基は、後述の式（７−５）〜（７−１９）で表される。これらの基の中では、電荷輸送性や素子にした場合の特性の観点からは、式（７−１０）、式（７−１１）、式（７−１３）、式（７−１６）、式（７−１９）で表される基が好ましく、式（７−１０）で表される基がより好ましく、得られる化合物の合成の容易さの観点からは、式（７−５）、式（７−１０）、式（７−１４）、式（７−１７）、式（７−１９）で表される基が好ましく、式（７−５）、式（７−１０）、式（７−１７）で表される基がより好ましい。
【０１４６】
式（７）で表される基としては、式（７−１）〜（７−４）で表される基が挙げられるが、中でもＱ1、Ｑ2及びＱ3が全て−Ｎ＝である式（７−４）で表される基が好ましい。
【０１４７】
2010111851.tif 000049
（７−１）                                （７−２）
【０１４８】
2010111851.tif 000050
（７−３）                              （７−４）
〔式（７−１）〜（７−４）中、ｑ、ｐ1〜ｐ6及びＳ1〜Ｓ18は、前述と同様の意味を表す。〕
【０１４９】
式（７−１）〜（７−４）で表される基としては、以下の式（７−５）〜（７−１９）で表される基が好ましい。
【０１５０】
2010111851.tif 000051
【０１５１】
2010111851.tif 000052
【０１５２】
2010111851.tif 000053
【０１５３】
2010111851.tif 000054
【０１５４】
2010111851.tif 000055
〔式（７−５）〜（７−１９）中、ｑ、Ｓ1〜Ｓ18及びＱ1〜Ｑ3は、前述と同様の意味を表す。〕
【０１５５】
式（７）中、Ｓ1〜Ｓ6は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、式（８）で表される基、アルキルチオ基、又はアルキルシリル基を表すが、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【０１５６】
式（７）中、Ｓ7〜Ｓ18は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、式（８）で表される基、アルキルチオ基、アリール基、又はアルキルシリル基を表し、Ｓ7〜Ｓ18が、各々複数個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよいが、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【０１５７】
ハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられる。
【０１５８】
アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基の例示と同様の基が挙げられる。
【０１５９】
式（８）中、ｉは１〜６の整数を表し、ｊは１〜６の整数を表し、ｋは０〜５の整数を表す。得られる化合物の合成の観点からは、ｉは１〜３が好ましく、ｊは１又は２が好ましく、ｋは０又は１が好ましい。
【０１６０】
素子にした場合の発光特性の観点からは、ｐ1、ｐ3、ｐ4及びｐ6は０であることが好ましい。
【０１６１】
式（７）で表される基の好ましい形態の一つとして式（９）で表される基が例示される。
2010111851.tif 000056
（９）
〔式（９）中、ｑ’は１又は２を表し、Ｓ19〜Ｓ24は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（８）で表される基を表す。〕
【０１６２】
式（９）中、ｑ’は１又は２を表すが、ｑ’は２であることが好ましい。
【０１６３】
式（９）中、Ｓ19〜Ｓ24は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基の例示と同様の基が挙げられ、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【０１６４】
式（９）で表される基としては、得られる化合物の合成の容易さの観点からは、以下の式（９−１）〜（９−８）で表される基が好ましく、式（９−１）、式（９−２）、式（９−７）、式（９−８）で表される基がより好ましく、式（９−１）、式（９−２）で表される基がさらに好ましい。
2010111851.tif 000057
〔式（９−１）〜式（９−８）中、Ｓ25〜Ｓ28は、同一又は相異なり、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（８）で表される基を表す。〕
【０１６５】
式（９−１）〜式（９−８）におけるＳ25〜Ｓ28は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は式（３）で表される基である。アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基としては、前述の環Ａ1が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基の例示と同様の基が挙げられる。
【０１６６】
Ｓ25〜Ｓ28は、アルキル基であることが好ましく、溶解性及び合成上の観点から、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基であることがより好ましく、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基であることが特に好ましい。
【０１６７】
次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光又は燐光を発し、高分子発光体（高分子量の発光材料）として用いることができる。また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子エレクトロルミネッセンス素子（以下、「高分子発光素子」ということがある。）用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子発光素子は低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。従って、該高分子発光素子は液晶ディスプレイのバックライト、又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料としても用いることができる。さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
【０１６８】
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、本発明の高分子化合物又は後述する本発明の組成物を含む有機層を有する。この有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、インターレイヤー層等のいずれであってもよいが、発光層であることが好ましい。ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。また、インターレイヤー層とは、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層のことである。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ独立に、２層以上用いてもよい。
【０１６９】
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を含んでいてもよい。ここで、発光材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことを言う。
【０１７０】
本発明の高分子化合物と正孔輸送材料とを混合する場合には、その混合物（後述する組成物と同等である。）全体に対して、正孔輸送材料の混合割合は１〜８０重量％であり、好ましくは５〜６０重量％である。本発明の高分子材料と電子輸送材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送材料の混合割合は１〜８０重量％であり、好ましくは５〜６０重量％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は１〜８０重量％であり、好ましくは５〜６０重量％である。本発明の高分子化合物と正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも二種の材料とを混合する場合には、その混合物全体に対して発光材料の混合割合は１〜５０重量％であり、好ましくは５〜４０重量％であり、正孔輸送材料と電子輸送材料とはそれらの合計で１〜５０重量％であり、好ましくは５〜４０重量％である。
【０１７１】
混合する正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料としては、公知の低分子化合物、三重項発光錯体及び高分子量の化合物（本発明の高分子化合物とは異なる。）が使用できるが、高分子量の化合物を用いることが好ましい。高分子量の化合物の正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等の公報に開示されているポリフルオレン、その誘導体及びフルオレン共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及びアリーレン共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及びアリーレンビニレン共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
【０１７２】
低分子化合物の発光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができ、更には、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている化合物等も用いることができる。
【０１７３】
三重項発光錯体としては、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）3、Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）、アメリカンダイソース社（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ, Ｉｎｃ）から市販されているＡＤＳ０６６ＧＥ、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ等が挙げられる。
【０１７４】
2010111851.tif 000058
【０１７５】
2010111851.tif 000059
【０１７６】
2010111851.tif 000060
【０１７７】
2010111851.tif 000061
【０１７８】
2010111851.tif 000062
【０１７９】
三重項発光錯体としては、Nature,(1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt.Eng.(2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852、Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1883(1995)等に記載されている錯体も用いることができる。
【０１８０】
本発明の高分子化合物は、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と併用することにより、組成物を調製することができる。この組成物は、発光材料や電荷輸送材料として有用である。この組成物において、本発明の高分子化合物は、一種のみ用いても二種以上を併用してもよい。
【０１８１】
本発明の高分子発光素子が有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常、１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１８２】
発光層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０１８３】
上記印刷法では、本発明の組成物が更に溶媒を含んでなる溶液を用いることが好ましい。溶液における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒以外の固形分の全重量に対して、通常、２０〜１００重量％であり、好ましくは４０〜１００重量％である。
【０１８４】
また、溶液に含まれる溶媒の割合は、溶液の全重量に対して、通常、１〜９９．９重量％であり、好ましくは６０〜９９．５重量％であり、さらに好ましくは８０〜９９．０重量％である。
【０１８５】
溶液の粘度は、印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する方法に用いられる溶液では、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１８６】
溶液は、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を組み合わせて使用すればよい。
【０１８７】
前記の高分子量の化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等を用いることができる。高分子量の化合物の重量平均分子量は５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
【０１８８】
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。つまり、溶液中の固形分に対して、貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。溶液の保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることが更に好ましい。
【０１８９】
また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。
【０１９０】
本発明の溶液に用いる溶媒としては、該溶液を構成する溶媒以外の成分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、１，２−プロパンジオール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。これらのうち、高分子化合物の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。
【０１９１】
溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上が好ましく、２〜３種類がより好ましく、２種類がさらに好ましい。
【０１９２】
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒が共に、６０℃において１重量％以上の濃度で本発明の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１重量％以上の濃度で本発明の高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０１９３】
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０重量％であることが好ましく、５０〜９０重量％であることがより好ましく、６５〜８５重量％であることがさらに好ましい。
【０１９４】
溶液中に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。
【０１９５】
本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。
【０１９６】
本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。これらの中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェットプリント法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
【０１９７】
本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
【０１９８】
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。
【０１９９】
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０-3ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０-1ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることが特に好ましい。
【０２００】
ＳｉＯ2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０２０１】
また、本発明の高分子発光素子としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
【０２０２】
本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
また、これら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造（以下のａ’）〜ｄ’））も例示される。
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
【０２０３】
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料のうち、高分子量の正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が例示される。正孔輸送材料としては、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている材料も例示される。これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０２０４】
また、低分子化合物の正孔輸送材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２０５】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しない化合物が好ましく、また可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましい。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。
【０２０６】
ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【０２０７】
ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物が例示される。ポリシラン及びその誘導体の合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、キッピング法が好適に用いられる。
【０２０８】
ポリシロキサン及びその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。ポリシロキサン及びその誘導体としては、正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有する化合物が好ましい。
【０２０９】
正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子化合物の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示され、高分子量の正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１０】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、１，２−プロパンジオール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２１１】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１２】
本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知の化合物が使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が例示され、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が例示される。これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８ − ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２１３】
電子輸送層の成膜法としては、低分子化合物の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子量の電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０２１４】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、１，２−プロパンジオール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２１５】
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２１６】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、該電子輸送層の膜厚としては、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１７】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２１８】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して用いることができる。
【０２１９】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２２０】
本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
また、これら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。
【０２２１】
電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が例示される。
【０２２２】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下であることがより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下であることがさらに好ましい。
【０２２３】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下であることがより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下であることがさらに好ましい。
【０２２４】
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２２５】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが例示され、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが例示される。
【０２２６】
電荷注入層の膜厚としては、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２２７】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンが例示される。
【０２２８】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有する層である。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２２９】
本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
また、これら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。
【０２３０】
上記の構造ａ）〜ａｂ）にインターレイヤー層を適用する場合、インターレイヤー層は、陽極と発光層との間に設けられ、その両隣に接する二つの層若しくは一つの層と陽極との間のイオン化ポテンシャルを有する層であることが好ましい。
【０２３１】
インターレイヤー層に用いる材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマーが例示される
【０２３２】
インターレイヤー層の成膜の方法としては、高分子材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２３３】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、インターレイヤー層に用いる材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、１，２−プロパンジオール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２３４】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２３５】
インターレイヤー層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２３６】
該インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２つの層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与えることがある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２つの層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成した後、該インターレイヤー層を加熱して発光層の作製に用いる溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は通常１５０℃〜３００℃であり、時間は通常１分〜１時間である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱した後、発光層を形成する前に、該インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り除くことができる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、溶媒によるリンスが省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、インターレイヤー層に用いる高分子化合物として分子内に少なくとも一つの重合反応性基を含む化合物を用いることが好ましい。さらには重合反応性基の数が、分子内の繰り返し単位の数に対して５％以上であることが好ましい。
【０２３７】
本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変形しない基板であればよく、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、高分子フィルム基板、シリコン基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２３８】
通常、本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明であるが、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２３９】
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。陽極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２４０】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２４１】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層や、金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２４２】
本発明の高分子発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極の材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又はそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト及びグラファイト層間化合物等が用いられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム− インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム− アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム− アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２４３】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２４４】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０２４５】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護カバーを設ける方法としては、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴン等の不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２４６】
本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２４７】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２４８】
数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。ＳＥＣのうち移動相が有機溶媒であるゲル浸透クロマトグラフィーをゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）という。測定する重合体は、約０．５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）に３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
また、ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動層には、約０．１重量％の酢酸を加えたイオン交換水と、約０．１重量％の酢酸を加えたアセトニトリルとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ  ２  ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
また、ＴＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料をクロロホルム、トルエン又はテトラヒドロフランに任意の濃度で溶解させて、得られた溶液を長さ約５ｃｍ、幅約５ｍｍのサイズに予め切断したＴＬＣガラスプレート（メルク製、商品名：Ｓｉｌｉｃａ  ｇｅｌ  ６０  Ｆ254）の表面に少量塗布した。これをＴＬＣ−ＭＳ（日本電子製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ）にて、２４０〜３５０℃に加熱したヘリウムガスを用いて測定した。
また、ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。測定試料５〜１０ｍｇを約０．５ｍＬの重クロロホルム又は重テトラヒドロフランに溶解させて、ＮＭＲ（バリアン(Varian，Ｉｎｃ．)製、商品名  ＭＥＲＣＵＲＹ  ３００）を用いて測定した。
【０２４９】
＜合成例１＞
（化合物Ｍ−１の合成）
2010111851.tif 000063
窒素ガス雰囲気下、２，７−ジブロモフルオレノン（７５ｇ、０．２２ｍｏｌ）、ヘキシルベンゼン（３３４ｍｌ、１．７８ｍｏｌ）、及びトリフルオロメタンスルホン酸（４２ｍｌ）を室温で攪拌した中へ、メルカプトスルホン酸ナトリウム（８．１ｇ、４４ｍｍｏｌ）を加え、４５℃で９時間攪拌した。得られた溶液を室温まで冷却した後、ヘキサン１Ｌ中に注いだ。減圧蒸留（１０５．５℃、２０ｈＰａ）により余剰のヘキシルベンゼンを留去し、得られた残渣をヘキサンで希釈した後、メタノールに中に注ぎ、析出した２，７−ジブロモフルオレノンをろ過により除去した。得られたろ液を濃縮した後、トルエンで希釈し、イソプロピルアルコールを加えて、固体を析出させた。得られた固体をトルエン／イソプロピルアルコールで再結晶することにより、白色結晶の化合物Ｍ−１（５３ｇ、収率４９％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 0.88 (t, 3H), 1.20-1.45 (m, 6H), 1.54-1.62 (m, 2H), 2.57 (t, 2H), 4.96 (s, 1H), 6.94 (d, 2H), 7.10 (d, 2H), 7.42 (s, 2H), 7.48 (dd, 2H), 7.60 (d, 2H)。
【０２５０】
＜合成例２＞
（化合物Ｍ−２の合成）
2010111851.tif 000064
窒素ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（１０ｇ、２０．６ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン（３．５ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（４．３ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３５ｍｌ）中で、加熱還流下６時間攪拌した。室温まで冷却した後、得られた溶液を攪拌しながら、その中へ水３００ｍｌをゆっくりと加え、そのまま一晩室温で攪拌した。析出した固体を減圧ろ過してろ取し、さらに水でろ過器上の固体を洗浄した。得られた固体を真空乾燥させて、化合物Ｍ−２（１３．６ｇ）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, THF-d8)δ 0.91 (t,3H), 1.24-1.42 (m,6H), 1.55-1.61 (m,2H), 2.59 (t,2H), 7.07-7.16 (m,4H), 7.43 (d,2H), 7.59 (dd,2H), 7.64 (s,2H), 7.82 (d,2H), 8.11 (d,2H)。
【０２５１】
＜合成例３＞
（化合物Ｍ−３の合成）
2010111851.tif 000065
窒素ガス雰囲気下、化合物Ｍ−２（１２．９ｇ、２１ｍｍｏｌ）、エタノール（１５３ｍｌ）、及び塩化スズ（ＩＩ）二水和物（１８．６ｇ、８ｍｍｏｌ）の混合物を、加熱還流下、６時間攪拌した。室温まで冷却した後、約６０ｇとなるまで減圧濃縮した。得られた溶液を氷水（１５０ｇ）に攪拌しながら加えた。氷が溶解した後、得られた水溶液に４０重量％水酸化ナトリウム水溶液を溶液のｐＨが１０を超えるまで加えた後、トルエン２００ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、減圧濃縮した後、トルエン・ヘキサン溶媒で再結晶して、化合物Ｍ−３（１０ｇ、収率９７％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 0.87 (t,3H), 1.20-1.40 (m,6H), 1.52-1.57 (m,2H), 2.54 (t,2H), 6.54 (d,2H), 6.91 (d,2H), 7.02-7.06 (m,4H), 7.42-7.48 (m,4H), 7.54 (d,2H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive）  m/z+＝５７４ [Ｍ＋Ｈ]+。
【０２５２】
＜合成例４＞
（化合物Ｍ−４の合成）
2010111851.tif 000066
３Ｌ三角フラスコに化合物Ｍ−３を５０ｇ（８７ｍｍｏｌ）仕込み、撹拌子で撹拌しながら濃塩酸２１.７ｍｌをゆっくりと加えた。そこに、水１００ｍｌを加えた後、アセトニトリルを２Ｌ加えて溶液を調製し、アイスバスを用いて０℃に冷却した。そこに、亜硝酸ナトリウム６.４ｇ（９３ｍｍｏｌ）を水２０ｍｌで溶かした水溶液をゆっくり加え、０℃で３０分撹拌した（これを「溶液ａ」とする。）。
別の３Ｌ三角フラスコに炭酸カリウム１８.４ｇ（１３３ｍｍｏｌ）、及びジエチルアミン１２.８ｇ（１７４ｍｍｏｌ）を仕込み、水１２８ｍｌを加えて０℃で撹拌した（これを「溶液ｂ」とする。）。
溶液ｂに溶液ａを撹拌しながらゆっくりと加え、さらに３０分間０℃で撹拌した後、アイスバスを取り除き、室温で１時間撹拌した。反応溶液をクロロホルム３Ｌで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮してクロロホルムを溜去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１Ｌ、カラム直径6cm × 60cm、溶離液ヘキサン：クロロホルム＝１０:１（体積比））により精製し、目的とする化合物Ｍ−４を５１ｇ、収率８９％で得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, THF-d8) δ 0.94 (t, J = 6.57 Hz, 3H) , 1.18-1.32 (m, 6H), 1.32-1.46 (m, 6H), 1.57-1.70 (m, 2H), 2.61 (m, 2H), 3.79 (q, J = 7.14 Hz, 4H), 7.08-7.17 (m, 6H), 7.27-7.34 (m, 2H), 7.56 (dd, J = 8.10 Hz and 1.74 Hz, 2H), 7.62 (d, J = 1.74 Hz, 2H), 7.80 (d, J = 8.13 Hz, 2H)。
【０２５３】
＜合成例５＞
（化合物Ｍ−５の合成）
2010111851.tif 000067
１L一口ナスフラスコに撹拌子を仕込み、化合物Ｍ−４を５１ｇ（７７ｍｍｏｌ）、ヨウ素３９.２ｇ（１５４ｍｍｏｌ）及びヨウ化メチル５００ｍｌ（８ｍｏｌ）を加え、１５分間撹拌しながらアルゴンガスをバブリングした。得られた溶液を、窒素雰囲気下、オイルバスにて９０℃で加熱しながら６時間撹拌した後、溶媒を溜去した。クロロホルム５００ｍｌを加えて溶液とし、シリカゲル２５０ｍｌを敷いたグラスフィルター（直径７.５ｃｍ）を用いて濾過し、クロロホルム１Ｌで洗浄した。得られたクロロホルム溶液を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。得られた混合物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１L、カラム直径6cm × 60cm、溶離液ヘキサン：クロロホルム＝１０:１（体積比））により精製し、さらにヘキサン-エタノール混合溶媒から再沈殿を行うことで目的とする化合物Ｍ−５を白色固体として３４.６ｇ、収率６７％で得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 0.89 (t, J = 5.64Hz, 3H), 1.20-1.40 (br, 6H), 1.58 (br, 2H), 2.56 (t, J = 8.01Hz, 2H), 6.89 (d, J = 7.53Hz, 1H), 6.98-7.10 (m, 4H), 7.13 (d, J = 7.41Hz, 1H), 7.22-7.52 (m, 1H), 7.43-7.52 (m, 4H), 7.54-7.62 (m, 3H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive）  m/z+＝６８４ [Ｍ-]+。
【０２５４】
＜合成例６＞
（化合物Ｍ−６の合成）
2010111851.tif 000068
２Ｌ四口フラスコに、4-ブロモ-4'-ｔ-ブチル-１,１'-ビフェニル ２５ｇ(８６ｍｍｏｌ)をとり、フラスコ内をアルゴン置換した。そこに、脱水テトラヒドロフラン １Ｌを加え、撹拌しながら、ドライアイス-アセトンを寒剤に用いて−７８℃まで冷却した。得られた溶液へ、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液５４ｍｌ（８６.４ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、−７８℃を保ちながら１時間撹拌を続けると、溶液は白色のスラリー状（これを「スラリー状の試料」という。）になった。
別の２Ｌ三つ口フラスコに塩化シアヌル７.８１ｇ（４２.４ｍｍｏｌ）をとり、アルゴン置換した後に、脱水テトラヒドロフラン５００ｍｌを加え撹拌しながら、ドライアイス-アセトンを寒剤に用いて−７８℃まで冷却した。本溶液へカニューラを用いて上記のスラリー状の試料を滴下した。このとき、溶液の温度が−６０℃以上にならない様に滴下速度を調整した。滴下終了後−７８℃にて更に２時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液４００ｍＬを加えて反応を停止させ、室温まで昇温させた。反応溶液に対して、約５Ｌのヘキサンと約７Ｌのイオン交換水にて抽出・洗浄を繰り返した。得られた有機層を、無水硫酸マグネシウムを用いて脱水し、溶媒を減圧留去すると黄色タール状の試料を得た。この試料を５００ｍｌのアセトニトリルに分散させ濾過すると、黄色粉末が得られた。この黄色粉末を改めて５００ｍｌのアセトニトリルに分散させ、８０〜９０℃にて１時間加熱還流し、熱時濾過すると、淡黄色の粉末として目的の化合物Ｍ−６が得られた。収量９.２ｇ（収率４１％）であった。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, THF-d8)：δ 1.39 (s, 18H) , 7.52 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 7.68 (d, J = 8.4 Hz, 4H) , 7.83 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 8.69 (d, J = 8.4 Hz, 4H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive）  m/z+＝５３２ [Ｍ]+。
【０２５５】
＜合成例７＞
（化合物Ｍ−７の合成）
2010111851.tif 000069
５０ｍＬ等圧滴下ロートと１００ｍＬ等圧滴下ロートを取り付けた３００ｍＬ四つ口ナスフラスコに化合物Ｍ−６を５．０ｇ(８.９ｍｍｏｌ)と１,４−ジオキサン１１０ｍｌをとり、３０分間アルゴンガスにてバブリングした。この時、５０ｍＬ等圧滴下ロートにはイオン交換水３０ｍｌに溶解させた炭酸カリウム ３．７ｇ(２７ｍｍｏｌ)を加え、１００ｍＬ等圧滴下ロートには１,４-ジオキサン５０ｍＬに溶解させた４-ブロモフェニルボロン酸 １.７ｇ（８．５ｍｍｏｌ）を加え、それぞれ３０分間アルゴンガスにて同様にバブリングした。その後、得られた溶液を撹拌しながら７０℃迄加熱し、化合物Ｍ−６を溶媒に完全に溶解させた。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム ５１６ｍｇ(０.４５ｍｍｏｌ)を加え、反応溶液を１１０℃まで加熱撹拌しながら等圧滴下ロートよりそれぞれの溶液をゆっくりと滴下した。１１０℃にて一晩反応させた後、室温まで冷却し、トルエンとイオン交換水を加え洗浄、抽出した。得られた有機層を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させ、溶媒を減圧留去した。残渣にクロロホルム１００ｍｌを加え生成した白色沈殿を取り除き、溶媒を減圧留去すると、黄色オイル状の残渣が得られた。これに、少量のｎ−ヘキサンを加え、ガラス棒で摩擦していると淡黄色の粉末が得られたのでこれを濾別し、ｎ-ヘキサンにて洗浄した。得られた粉末を中圧分取カラムクロマトグラフィー(担体：シリカゲル、溶離液：クロロホルム−ヘキサン＝1：3（体積比）) にて精製すると目的の化合物Ｍ−７が白色の粉末として、２ｇ得られた。（収率 ３６％）
ＴＬＣ−ＭＳ (ＤＡＲＴ, positive) m/z+＝６５２[Ｍ＋Ｈ]+。
【０２５６】
＜合成例８＞
（化合物Ｍ−８の合成）
2010111851.tif 000070
２００ｍＬ二口丸底フラスコに撹拌子を仕込み、化合物Ｍ−７を２ｇ及びビスピナコレートジボラン１.７ｇ、ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体０.１５ｇ、ジフェニルホスフィノフェロセン０.１０ｇ、及び酢酸カリウム１.８gを仕込んだ。あらかじめアルゴンでバブリングした１，４−ジオキサン２６ｍｌを加えた後、８時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、反応溶液を濃縮し、ジオキサンを溜去した。トルエン１００ｍｌを加えて室温で１５分間撹拌し、シリカゲル１００ｍｌを敷いたグラスフィルター（直径５ｃｍ）を用いて溶液を濾過し、トルエン２００ｍｌで洗浄した。得られたろ液を濃縮し、残渣にヘキサン５０ｍｌを加えて加熱還流し、エタノール１００ｍｌを加えて室温になるまで撹拌した。生じた結晶を濾過して集め、目的とする化合物Ｍ−８を１.９６ｇ、収率９１％で白色固体として得た。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ, positive）  m/z+＝７００ [Ｍ]+。
【０２５７】
＜実施例１＞
（化合物Ｍ−９の合成）
2010111851.tif 000071
窒素雰囲気下、１００ｍｌ反応管に化合物Ｍ−５を２１.８ｇ、化合物Ｍ−８を２.２ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）を０.０９ｇ及び撹拌子を仕込み、トルエン１４ｍｌを加えた後、アルゴンガスを用いて１５分バブリングした。２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を調製し、アルゴンガスで１５分間バブリングした後、９.４ｍｌを１００ｍｌ反応管中に仕込み、テトラブチルアンモニウムブロミド０.４ｇを加えて室温で2日間撹拌した。反応溶液をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲル１００ｍｌを敷いたグラスフィルターを用いて濾過し、トルエン溶液を濃縮した。得られた混合物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１Ｌ、カラム直径６ｃｍ×６０ｃｍ、溶離液ヘキサン：クロロホルム＝２:１（体積比））により精製し、ヘキサンを加えて再沈殿を行い、目的とする化合物Ｍ−９を白色固体として１.８２ｇ、収率６１.５％で得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 0.89 (t, J = 6.6Hz, 3H) , 1.20-1.45 (m, 24H), 1.55-1.65 (m, 2H), 2.50-2.65 (m, 2H), 7.10 (s, 4H), 7.2-7.3 (m, 2H), 7.42-7.62 (m, 12H), 7.66 (d, J = 8.34Hz, 4H), 7.72-7.85 (m, 6H), 8.83 (d, J = 8.18Hz, 6H)。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ, positive）  m/z+＝１１３２ [Ｍ]+。
【０２５８】
＜合成例９＞
（化合物Ｍ−１０の合成）
2010111851.tif 000072
アルゴン気流下、反応容器に１−ブロモ−４−ｔ-ブチルベンゼン(１２５ｇ、５８７ｍｍｏｌ)とテトラヒドロフラン(４７０ｍｌ)を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、−７０℃で９０分間かけてｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液(１．６Ｍ、３６７ｍＬ、５８７ｍｍｏｌ)を滴下し、滴下終了後−７０℃で２時間攪拌して４−ｔ−ブチルフェニルリチウム／テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を得た。アルゴン気流下、別の反応容器に塩化シアヌル(５０．８ｇ、２７６ｍｍｏｌ)とテトラヒドロフラン（４６３ｍＬ）を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、先に調製した４−ｔ−ブチルフェニルリチウム／ＴＨＦ溶液を、反応温度が−６０℃以下となるように冷却しながら滴下した。滴下終了後、反応溶液を−４０℃で４時間、室温で４時間攪拌した。反応混合物に水５０ｍｌを加えて反応を終了させ、溶媒を減圧留去した。残渣に水１Ｌとクロロホルム２Ｌを加えて有機層を抽出し、さらに水１Ｌで有機層を洗浄した後に溶媒を留去した。残渣をアセトニトリル６００ｍｌに溶解させ熱時濾過で不溶固体を取り除いた後に、濾液を１００ｍｌ程度まで濃縮し、−７０℃に冷却させて析出した固体を濾別回収した。回収した固体をクロロホルム（２００ｍＬ）／ヘキサン（６００ｍＬ）混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム／ヘキサン)で精製した。溶媒を留去し、残渣をアセトニトリルから再結晶することにより、化合物Ｍ−１０（４１．３ｇ、１０９ｍｍｏｌ）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 1.39 (s, 18H), 7.56 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 8.54 (d, J = 8.4 Hz, 4H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive）  m/z+＝３８０ [Ｍ＋Ｈ]+。
【０２５９】
＜合成例１０＞
（化合物Ｍ−１１の合成）
2010111851.tif 000073
３００ｍＬナスフラスコに化合物Ｍ−１０を０.９５ｇ(２.５ｍｍｏｌ)、４−フルオロフェニルボロン酸を０.５３ｇ(３.７５ｍｍｏｌ)をとり、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。脱気したトルエン７５ｍｌ、脱気した２０重量％炭酸カリウム水溶液６５.３ｍｌをナスフラスコ中に仕込み、更に１０分間アルゴンバブリングを行った。テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム１４．４ｍｇ（０.０１３ｍｍｏｌ）を加え５時間加熱還流させた。室温まで放冷後、そこに、トルエンを仕込み、飽和塩化アンモニウム水溶液で２回、イオン交換水で２回、洗浄、分液した。得られた有機層を、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥後、濾過し、濾液を濃縮し、乾燥させ、１.１２ｇの粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（溶出液：トルエン：ヘキサン＝１:１０（体積比））にて精製を行った。０.９９ｇの化合物Ｍ−１１の白色結晶を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive）  m/z+＝４４０ [Ｍ＋Ｈ]+。
【０２６０】
＜合成例１１＞
（化合物Ｍ−１２の合成）
2010111851.tif 000074
３００ｍＬナスフラスコに化合物Ｍ−１を１３.３７ｇ(２７.６ｍｍｏｌ)、化合物Ｍ−１１を１０.９２ｇ（２４.８４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム ７.６３g(５５.２ｍｍｏｌ) 、１８−クラウンー６−エーテル７.３ｇ(２７.６ｍｍｏｌ)をとり、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。脱水ジメチルスルホキシド １３４ｍｌをナスフラスコ内に仕込み、６９時間加熱還流させた。反応溶液を室温まで冷却した後、反応液にイオン交換水２００ｍｌを加え、これをクロロホルムで抽出し、飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水、イオン交換水の順番で洗浄した。得られたクロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後に溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラム精製（溶出液：トルエン／ヘキサン＝1／8（体積比））で精製すると化合物Ｍ−１２が白色結晶として１０ｇ得られた。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3) δ 0.89 (t, J = 5.9Hz, 3H), 1.35-1.25 (m, 6H), 1.39 (s, 18H), 1.66-1.55 (m, 2H), 1.66-1.55 (m, 2H), 2.58 (t, J = 7.5Hz, 2H), 7.10 (s, 4H), 7.35 (d, J = 7.2Hz, 2H), 7.63-7.49 (m, 10H), 8.64 (d, J = 7.2Hz, 6H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ, positive）  m/z+＝９０２ [Ｍ＋Ｈ]+。
【０２６１】
＜合成例１２＞
（化合物Ｍ−１３の合成）
2010111851.tif 000075
３００ｍｌ四つ口フラスコに、１,４-ジヘキシル−２,５-ジブロモベンゼン ８.０８ｇ(２０ｍｍｏｌ)、ビス（ピナコレート）ジボロン １２.１９ｇ(４８ｍｍｏｌ)、及び酢酸カリウム １１．７８ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を仕込み、フラスコ内のアルゴン置換を行った。そこに、脱水1,4-ジオキサン１００ｍｌを仕込み、アルゴンで脱気した。〔１，１’−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）０.９８ｇ(１.２ｍｍｏｌ)を仕込み、更にアルゴンで脱気した。６時間加熱還流し、こげ茶色のスラリーとなった。トルエン、イオン交換水を加え、分液し、有機層をイオン交換水で洗浄した。無水硫酸ナトリウム、活性炭を加え、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を濃縮し、こげ茶色の結晶１１.９４ｇを得た。この結晶をｎ-ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させ、４.２３ｇの化合物Ｍ−１３の白色針状結晶を得た。収率４２％。
1Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl3)δ 0.95 (t, 6H), 1.39-1.42 (bd, 36H),1.62 (m, 4H), 2.88 (t, 4H), 7.59 (bd, 2H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ, positive）  m/z+＝５７３ [Ｍ＋Ｋ]+。
【０２６２】
＜実施例２＞
（高分子化合物Ｐ−１の合成）
不活性雰囲気下、化合物Ｍ−１３（２４８ｍｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１７０ｍｇ）、化合物Ｍ−９（２２６ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．４ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１．９ｍｇ）、及びトルエン（１０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に１０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３．３ｍｌ）を滴下し、５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸（６．４ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．３ｍｇ）、及びトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１．９ｍｇ）を加え、さらに１７時間還流させた。次いで、０．３Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（５ｍｌ）を加え、８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後にトルエン（１６ｍｌ）を加え、水（７ｍｌ）で２回、３重量％の酢酸水溶液（７ｍｌ）で２回、水（７ｍｌ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８０ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた沈殿をろ取し乾燥させた。この沈殿物（以下、「高分子化合物Ｐ−１」という）の収量は３８７ｍｇであった。
高分子化合物Ｐ−１は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１．１×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が２．５×１０5であった。
【０２６３】
高分子化合物Ｐ−１は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
2010111851.tif 000076
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000077
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000078
で表される繰り返し単位とが、５０：３０：２０のモル比で含まれる共重合体である。
【０２６４】
＜実施例３＞
（高分子化合物Ｐ−２の合成）
不活性雰囲気下、化合物Ｍ−１３（９８７ｍｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（６７９ｍｇ）、化合物Ｍ−１２（７２３ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．３ｍｇ）、及びトルエン（２０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に１０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．６ｍｌ）を滴下し、５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸（２４４ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．８ｍｇ）、及びトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．４ｍｇ）を加え、さらに１７時間還流させた。次いで、０．３Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１２ｍｌ）を加え、８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却し、水（２６ｍｌ）で２回、３重量％の酢酸水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３１０ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた沈殿をろ取し乾燥させた。この沈殿物（以下、「高分子化合物Ｐ−２」という）の収量は１．１９ｇであった。
高分子化合物Ｐ−２は、ポリスチレン換算の数平均分子量が３．１×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が７．７×１０5であった。
【０２６５】
高分子化合物Ｐ−２は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
2010111851.tif 000079
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000080
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000081
で表される繰り返し単位とが、５０：３０：２０のモル比で含まれる共重合体である。
【０２６６】
＜合成例１２＞
（高分子化合物Ｐ−３の合成）
不活性雰囲気下、下記式：
2010111851.tif 000082
で表される化合物Ｍ−１４（５．２０ｇ）、下記式：
2010111851.tif 000083
で表される化合物Ｍ−１５（５．４２ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン（１５．１ｍｇ）、塩化トリオクチルメチルアンモニウム（商品名：「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」（登録商標）、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、０．９１ｇ）及びトルエン（７０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１９ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸（１２１ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、得られた反応液を、水（６０ｍｌ）で３回、３重量％酢酸水溶液（６０ｍｌ）で４回、水（６０ｍｌ）で３回洗浄し、得られたトルエン溶液を、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３Ｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させた。この沈殿物（以下、「高分子化合物Ｐ−３」という）の収量は５．２５ｇであった。
高分子化合物Ｐ−３のポリスチレン換算の数平均分子量は１．２×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．６×１０5であった。
【０２６７】
高分子化合物Ｐ−３は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
2010111851.tif 000084
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000085
で表される繰り返し単位とが、５０：５０のモル比で含まれる交互共重合体である。
【０２６８】
＜比較例１＞
（高分子化合物Ｐ−４の合成）
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１３（３．１３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（３．４７ｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．４ｍｇ）、及びトルエン８０．０ｍＬを混合し、１００℃に加熱した。反応溶液に２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．０ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（７８ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．４ｍｇ）、及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．０ｍｌ）を加え、さらに１５時間還流させた。次いで、そこに、０．２Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（７０ｍｌ）を加え、８５℃で２時間撹拌した。室温まで冷却し、水（８２ｍｌ）で３回、３重量％の酢酸水溶液（８２ｍｌ）で３回、水（８２ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（１５００ｍｌ）に滴下し、得られた沈殿をろ取し乾燥させた。この沈殿物（以下、「高分子化合物Ｐ−４」という）の収量は３．５２ｇであった。
高分子化合物Ｐ−４のポリスチレン換算の数平均分子量は３．１×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８．５×１０5であった。
【０２６９】
高分子化合物Ｐ−４は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
2010111851.tif 000086
で表される繰り返し単位と、下記式：
2010111851.tif 000087
で表される繰り返し単位とが、５０：５０のモル比で含まれる交互共重合体である。
【０２７０】
＜実施例４＞
（高分子溶液Ｓ１の調製）
高分子化合物Ｐ−１とイリジウム錯体（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ, Ｉｎｃ社製、商品名：ＡＤＳ０６６ＧＥ、以下「ＡＤＳ０６６ＧＥ」と言う。）の重量比が９５：５となるようにキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に溶解させて、溶液を調製した。このとき、高分子化合物Ｐ−１とイリジウム錯体の合計の重量が溶液全体の重量に対して１．５重量％となるように調製した（以下、該溶液を「溶液Ｓ１」という）。
【０２７１】
＜実施例５＞
（高分子溶液Ｓ２の調製）
高分子化合物Ｐ−２とイリジウム錯体（ＡＤＳ０６６ＧＥ）の重量比が９５：５となるようにキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に溶解させて、溶液を調製した。このとき、高分子化合物Ｐ−２とイリジウム錯体の合計の重量が溶液全体の重量に対して１．０重量％となるように調製した（以下、該溶液を「溶液Ｓ２」という）。
【０２７２】
＜調製例＞
（高分子溶液Ｓ３の調製）
高分子化合物Ｐ−３をキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に溶解させて、溶液を調製した。このとき、高分子化合物Ｐ−３の濃度は、溶液全体の重量に対して０．８重量％となるように調製した（以下、該溶液を「高分子溶液Ｓ３」という）。
【０２７３】
＜比較例２＞
（高分子溶液Ｓ４の調製）
高分子化合物Ｐ−４とイリジウム錯体（ＡＤＳ０６６ＧＥ）の重量比が９５：５となるようにキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に溶解させた。このとき、高分子化合物Ｐ−４とイリジウム錯体の合計の重量が溶液全体の重量に対して０．９重量％となるように調製した（以下、該溶液を「溶液Ｓ４」という）。
【０２７４】
＜実施例６＞
（高分子発光素子Ｐ１の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社製、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。続いて、高分子溶液Ｓ３を用いてスピンコートにより約２０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で１８０℃で６０分間乾燥させた。次に、高分子溶液Ｓ１を用いてスピンコートにより、約８０ｎｍの厚みで成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極として、バリウムを約５ｎｍの膜厚で蒸着し、最後にアルミニウムを約８０ｎｍの膜厚で蒸着して、高分子発光素子Ｐ１を作製した。素子構成は、ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（６５ｎｍ）／高分子化合物Ｐ−３／高分子化合物Ｐ−１とイリジウム錯体（ＡＤＳ０６６ＧＥ）との混合物／Ｂａ／Ａｌとなる。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
高分子発光素子Ｐ１に電圧を印加したところ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。この発光は、高分子化合物Ｐ−１を有する膜由来のピーク波長５１５ｎｍの緑色発光であった。高分子発光素子Ｐ１において、最大発光効率は６．４ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は６．０Ｖであり、外部量子収率は２．１％であった。発光開始電圧は３．４Ｖであった。輝度１０００ｃｄ／ｍ2での電圧は７．６Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３６２，０．５６２）であり、発光効率５．６ｃｄ／Ａであり、外部量子収率は１．８％であった。
【０２７５】
＜実施例７＞
（高分子発光素子Ｐ２の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社製、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。続いて、高分子溶液Ｓ３を用いてスピンコートにより約２０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で１８０℃で６０分間乾燥させた。次に、高分子溶液Ｓ２を用いてスピンコートにより、約８０ｎｍの厚みで成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極として、バリウムを約５ｎｍの膜厚で蒸着し、最後にアルミニウムを約８０ｎｍの膜厚で蒸着して、高分子発光素子Ｐ２を作製した。素子構成は、ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（６５ｎｍ）／高分子化合物Ｐ−３／高分子化合物Ｐ−２とイリジウム錯体（ＡＤＳ０６６ＧＥ）との混合物／Ｂａ／Ａｌとなる。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
高分子発光素子Ｐ２に電圧を印加したところ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。この発光は、高分子化合物Ｐ−２を有する膜由来のピーク波長５１０ｎｍの緑色発光であった。高分子発光素子Ｐ２において、最大発光効率は６．６ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は６．６Ｖであり、外部量子収率は２．１％であった。発光開始電圧は４．３Ｖであった。輝度１０００ｃｄ／ｍ2での電圧は９．４Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３２７，０．５８４）であり、発光効率５．３ｃｄ／Ａであり、外部量子収率は１．７％であった。
【０２７６】
＜比較例３＞
（高分子発光素子Ｐ３の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（エイチ・シー・スタルク社製、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐ  ＡＩ４０８３）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。続いて、高分子溶液Ｓ３を用いてスピンコートにより約２０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で１８０℃で６０分間乾燥させた。次に、高分子溶液Ｓ４を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極として、バリウムを約５ｎｍの膜厚で蒸着し、最後にアルミニウムを約８０ｎｍの膜厚で蒸着して、高分子発光素子Ｐ３を作製した。素子構成は、ＩＴＯ／ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐ（６５ｎｍ）／高分子化合物Ｐ−３／高分子化合物Ｐ−４とイリジウム錯体（ＡＤＳ０６６ＧＥ）との混合物／Ｂａ／Ａｌとなる。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
高分子発光素子Ｐ３に電圧を印加したところ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。この発光は、高分子化合物Ｐ−４を有する膜由来のピーク波長５０５ｎｍの緑色発光であった。高分子発光素子Ｐ３において、最大発光効率は３．０ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１４．６Ｖであり、外部量子収率は０．９％であった。発光開始電圧は９．４Ｖであった。輝度１０００ｃｄ／ｍ2での電圧は１６．６Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３０２，０．５９１）であり、発光効率２．６ｃｄ／Ａであり、外部量子収率は０．８％であった。
【０２７７】
＜結果＞
実施例で作製した高分子発光素子Ｐ１及びＰ２は、比較例で作製した高分子発光素子Ｐ３に対して、発光開始電圧において、それぞれ６．０Ｖ、５．１Ｖの低電圧化が示された。この結果より、本発明が高分子発光素子の発光開始電圧の低電圧化に有効であることが示された。また、高分子発光素子Ｐ１及びＰ２と、高分子発光素子Ｐ３との比較においては、輝度１０００ｃｄ／ｍ2における駆動電圧においても、それぞれ９．０Ｖ、７．２Ｖの低電圧化が示された。