(57)【要約】【課題】より高いレベルでの有機ＥＬ素子の計測を実行することが可能な有機ＥＬ素子の計測方法を提供する。【解決手段】発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。また非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段はモデルを用いたフィッティングにより、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。同様に、非発光算出手段は、非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。最後に出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または変化率を出力する。【選択図】図１
2010014628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定ステップにて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定ステップにて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、
前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップと
を備えることを特徴とする計測方法。
【請求項２】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定手段にて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定手段にて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、
前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【請求項３】
前記出力手段により出力した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する異常出力手段
を備えることを特徴とする請求項２に記載の分光エリプソメータ。
【請求項４】
前記発光算出手段は、
前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデル、または、前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、
前記非発光算出手段は、
前記基板側モデル、または、前記封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してある
ことを特徴とする請求項２または３に記載の分光エリプソメータ。
【請求項５】
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数、または、予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記非発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数及び前記発光算出手段により算出した光学定数間、または、完成段階にて前記読み出す手段により読み出した前記非発光算出手段により算出された光学定数及び前記非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一つに記載の分光エリプソメータ。
【請求項６】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータに計測させるためのプログラムにおいて、
分光エリプソメータに、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定ステップにて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定ステップにて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、
前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップと
を実行させるプログラム。
【請求項７】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定ステップと、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定ステップと、
前記基板側発光測定ステップ及び封止部材側発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記基板側非発光測定ステップ及び封止部材側非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップと
を備えることを特徴とする計測方法。
【請求項８】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定手段と、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定手段と、
前記基板側発光測定手段及び封止部材側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
前記基板側非発光測定手段及び封止部材側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【請求項９】
前記発光算出手段は、
前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側発光測定手段により測定した偏光状態及び前記封止部材側発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、
前記非発光算出手段は、
前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側非発光測定手段により測定した偏光状態及び前記封止部材側非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してある
ことを特徴とする請求項８に記載の分光エリプソメータ。
【請求項１０】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータに計測させるプログラムにおいて、
分光エリプソメータに、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定ステップと、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定ステップと、
前記基板側発光測定ステップ及び封止部材側発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記基板側非発光測定ステップ及び封止部材側非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップと
を実行させるプログラム。
【請求項１１】
成膜室にて膜の成膜を行う有機ＥＬ素子の製造装置において、
前記成膜室の下流に設けられる検査室と、
該検査室に設けられ前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記検査室に設けられる請求項２または８に記載の分光エリプソメータと
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の計測方法、分光エリプソメータ、分光エリプソメータを機能させるためのプログラム、及び、製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子は、自発光素子であり、基板上に下部電極と有機発光機能層を含む有機層と上部電極とを積層させた基本構造を有している。上部電極と下部電極との間に電圧を印加することによって、上部電極及び下部電極の一方に形成される陰極側から電子が有機層内に注入される。上部電極及び下部電極の他方に形成される陽極側から正孔が有機層内に注入され、それらが有機層中の有機発光機能層で再結合することで発光する。このような有機ＥＬ素子の解析方法として分光光度計及び分光エリプソメータを用いた解析方法が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３４９６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年ではより高精度での有機ＥＬ素子の製造が要求されており、特許文献１を含めた従来の解析方法では製造された有機ＥＬ素子を詳細に解析することはできなかった。
【０００４】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機ＥＬ素子を発光させた場合と発光させない場合とにおける光学定数の相違を分光エリプソメータで計測することにより、より高いレベルでの有機ＥＬ素子の計測を実行することが可能な有機ＥＬ素子の計測方法、分光エリプソメータ、分光エリプソメータを機能させるためのプログラム、及び、製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る計測方法は、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定ステップにて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定ステップにて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップとを備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る分光エリプソメータは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定手段にて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定手段にて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記出力手段により出力した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する異常出力手段を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記発光算出手段は、前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデル、または、前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、前記非発光算出手段は、前記基板側モデル、または、前記封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る分光エリプソメータは、予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数、または、予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記非発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、該手段により読み出した完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数及び前記発光算出手段により算出した光学定数間、または、完成段階にて前記読み出す手段により読み出した前記非発光算出手段により算出された光学定数及び前記非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るプログラムは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータに計測させるためのプログラムにおいて、分光エリプソメータに、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側または前記封止部材側のいずれかから光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記発光測定ステップにて前記透光性基板側から光を照射した場合前記透光性基板側から、または、前記発光測定ステップにて前記封止部材側から光を照射した場合前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップとを実行させることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る計測方法は、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定ステップと、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定ステップと、前記基板側発光測定ステップ及び封止部材側発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記基板側非発光測定ステップ及び封止部材側非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップとを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る分光エリプソメータは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定手段と、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定手段と、前記基板側発光測定手段及び封止部材側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、前記基板側非発光測定手段及び封止部材側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記発光算出手段は、前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側発光測定手段により測定した偏光状態及び前記封止部材側発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、前記非発光算出手段は、前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記封止部材側から測定する場合の封止部材側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側非発光測定手段により測定した偏光状態及び前記封止部材側非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプログラムは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータに計測させるプログラムにおいて、分光エリプソメータに、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定ステップと、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定ステップと、前記基板側発光測定ステップ及び封止部材側発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記基板側非発光測定ステップ及び封止部材側非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を出力する出力ステップとを実行させることを特徴とするプログラム。
【００１５】
本発明に係る製造装置は、成膜室にて膜の成膜を行う有機ＥＬ素子の製造装置において、前記成膜室の下流に設けられる検査室と、該検査室に設けられ前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、前記検査室に設けられる上述の分光エリプソメータとを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明にあっては、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する。発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。また非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段はモデルを用いたフィッティングにより、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。同様に、非発光算出手段は、非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。最後に出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。また発光測定手段は反対に有機ＥＬ素子を発光させた状態で、封止部材側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。非発光測定手段は発光させない状態で、封止部材側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出し、非発光算出手段は非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。最後に、出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。
【００１７】
本発明にあっては、異常出力手段は出力手段により出力した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する。
【００１８】
本発明にあっては、予め記憶部に記憶した試料の完成段階にて発光算出手段により算出された光学定数を読み出す。そして、読み出した光学定数及び発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。
【００１９】
本発明にあっては、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する。基板側発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。封止部材側発光測定手段は有機ＥＬ素子を発光させた状態で、封止部材側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。基板側非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。封止部材側非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、封止部材側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、基板側発光測定手段及び封止部材側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。同様に、基板側非発光測定手段及び封止部材側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。最後に、出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。
【００２０】
本発明にあっては、有機ＥＬ素子の製造装置内において、膜の成膜を行う成膜室の下流に検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。そして上述した分光エリプソメータも検査室に設けられる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明にあっては、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を分光エリプソメータにより計測する。発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。また非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、試料で反射した光の偏光状態を測定する。そして出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。これにより、発光時と非発光時における光学定数の相違を検出でき、製造された有機ＥＬ素子の性能評価を実行する上での新たなアプローチを提案することが可能となる。また本発明にあっては、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を封止部材側から分光エリプソメータにより計測する。出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。これにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子等を含めた様々な有機ＥＬ素子を柔軟に分析することが可能となる。
【００２２】
本発明にあっては、異常出力手段は出力手段により出力した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する。すなわち、発光時と非発光時においては相互に異なる光学定数が出力されて、差または比が算出できるところ、合格製品が有する差または比とは大きく相違する場合は、製造した有機ＥＬ素子に問題がある可能性がある。この異常出力手段により、早期に問題のある有機ＥＬ素子を検出することが可能となる。
【００２３】
本発明にあっては、予め記憶部に記憶した試料の完成段階にて発光算出手段により算出された光学定数を読み出す。そして、読み出した光学定数及び発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。これにより、製造段階の発光時における光学定数と現在の発光時の光学定数との相違を分析することにより、有機ＥＬ素子の経年変化を新たなアプローチで分析することが可能となる。
【００２４】
本発明にあっては、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を双方向から分光エリプソメータにより計測する。そして出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。このように、封止部材側及び基板側それぞれの発光時または非発光時の状態から得られる偏光状態に基づき、光学定数を算出しその相違を出力するので、一方向からのデータのみを用いる場合と比較し、より精度良く試料を計測することが可能となる。
【００２５】
本発明にあっては、有機ＥＬ素子の製造装置内において、膜の成膜を行う成膜室の下流に検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。そして上述の分光エリプソメータも検査室に設けられる。これにより、有機ＥＬ素子の製造過程において効率よく有機ＥＬ素子を計測することが可能となる等、本発明は優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施の形態１
以下本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は分光エリプソメータのハードウェア構成を示すブロック図である。分光エリプソメータ１はキセノンランプ２、光照射器３、ステージ４、光取得器５、分光器７、データ取込機８、モータ制御機９、スイッチング制御回路１７、及び、コンピュータ１０等を含んで構成される。分光エリプソメータ１は、透光性基板に膜を積層（形成）した有機ＥＬ素子を封止部材(以下、カバー部材)で封止した試料５０を透光性基板側から計測する。以下では、有機ＥＬ素子を、透光性基板に複数の膜を積層する多層型有機ＥＬ素子を例に挙げて説明するが、これに限るものではなく単層型有機ＥＬ素子であっても良い。
【００２７】
分光エリプソメータ１は、膜を複数積層した試料５０に偏光した光を照射すると共に、試料５０で反射した光を取得して反射光の偏光状態を測定し、この測定結果と試料５０に応じたモデルに基づき試料５０の各膜層の特性を解析するものである。図２は有機ＥＬ素子の積層状態を示す模式的断面図である。試料（以下、有機ＥＬ素子パネル５０という）は、ガラス基板等の透光性基板５１、有機膜５６、陽極５８及び陰極５９を含む有機ＥＬ素子５１０、並びに、ガラス等のカバー部材５７を含んで構成される。図２（ａ）は、透光性基板５１、有機膜５６及びカバー部材５７の積層状態を示す模式的断面図である。この有機ＥＬ素子パネル５０は、２枚のガラス板状部材、すなわち有機膜５６を挟んで透光性基板５１とカバー部材５７とを貼り合わせた形態となっている。有機ＥＬ素子パネル５０の構造は、一方のガラス板状部材である透光性基板５１の一面５１ａに有機膜５６を形成する。その一方、他方のガラス板状部材であるカバー部材５７に、有機膜５６を収める凹部５７ｄを設けており、凹部５７ｄを設けた面５７ｂを透光性基板５１の一面５１ａに接着剤６１で貼り合わせ両者を一体化している。
【００２８】
透光性基板５１とカバー部材５７との貼り合わせにより封止された凹部５７ｄの内部は、有機膜５６の保護のため真空にされるか、希ガス（例えば窒素ガス）が封入される。なお、本実施の形態においては、カバー部材５７及び透光性基板５１にガラスを用いたが、これに限るものではない。例えば、透光性基板５１として、フレキシブルな透光性プラスチック基板を用いてもよい。透光性プラスチック基板を用いる場合は、透明導電性の薄膜（ＩＴＯ等）を透光性プラスチック基板上にコーティングした後、その上に有機膜５６を形成するようにすればよい。また、カバー部材５７は、例えば、可視光域で透明なＢａｒｉｘ（登録商標）を封止膜として用いることができ、透光性プラスチック基板上にこれを貼り合わせるようにしても良い。
【００２９】
図２（ｂ）は、凹部５７ｄ内に収められた有機膜５６の詳細な構造を示している。有機膜５６は、透光性を有する透光性基板５１の一面５１ａに配置された透明電極である陽極（ＩＴＯ）５８の上に、正孔輸送層（Hole transport layer）５２、発光層（Emitting layer）５３、正孔ブロッキング層（Hole blocking layer）５４、及び電子輸送層（Electron transport layer）５５の計４層の膜層を順次積み重ねている。また、有機膜５６は、カバー部材５７と対向する表面５６ａに陰極５９を配置している。
【００３０】
有機膜５６は間隔（ギャップ）を隔てて凹部５７ｄの内部に収められており、有機膜５６の表面５６ａを覆うカバー部材５７のカバー部５７ａとの間には空間６０が生じている。空間６０の厚み寸法Ｄ（有機膜５６の表面５６ａからカバー部５７ａの内面５７ｃまでの垂直寸法。間隔距離に相当）は、有機ＥＬ素子パネル５０の仕様に応じて様々である。一般には１０μｍ以上４００μｍ以下の範囲で厚み寸法Ｄが設定されていることが多い。なお、透光性基板５１及びカバー部材５７は、厚みＴが０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．１ｍｍのものが用いられることが多く（０．７ｍｍが最も一般的）、そのため有機ＥＬ素子パネル５０の全体の厚み（２Ｔ）は１．０ｍｍ〜２．２ｍｍの範囲の寸法になっていることが一般的である。
【００３１】
上述した構造の有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６を解析する分光エリプソメータ１は、図１に示す構成であり、一対の光照射器３及び光取得器５からなる測定器を含む測定解析系の部分及び駆動系部分に大別される。分光エリプソメータ１は測定解析系の部分として、キセノンランプ２及び光照射器３を第１光ファイバケーブル１５ａで接続し、ステージ４上に載置した有機ＥＬ素子パネル５０へ偏光した状態の光を照射して光を入射させると共に、有機ＥＬ素子パネル５０で反射した光を光取得器５で取り込む構成にしている。光取得器５は第２光ファイバケーブル１５ｂを介して分光器７に接続されており、分光器７は波長毎に測定を行って測定結果をアナログ信号としてデータ取込機８へ伝送する。データ取込機８は、アナログ信号を所要値に変換してコンピュータ１０へ伝送し、コンピュータ１０で解析を行う。
【００３２】
また、図１に示すように、分光エリプソメータ１は駆動系部分として、ステージ４、光照射器３、光取得器５及び分光器７に第１モータＭ１〜第６モータＭ６を夫々設けている。各モータＭ１〜Ｍ６の駆動をコンピュータ１０に接続したモータ制御機９で制御することで、ステージ４、光照射器３、光取得器５及び分光器７を測定に応じた適切な位置、姿勢に変更する。モータ制御機９は、コンピュータ１０から出力される指示に基づき各モータＭ１〜Ｍ６の駆動制御を行う。
【００３３】
次に、分光エリプソメータ１の上述した各部分を順番に詳述する。まず、キセノンランプ２は光源であり、複数の波長成分を含む白色光を発生し、発生した白色光を光照射器３へ第１光ファイバケーブル１５ａを介して送る。光照射器３は半円弧状のレール６上に配置され、内部には偏光子３ａを有しており、白色光を偏光子３ａで偏光し、偏光状態の光を有機ＥＬ素子パネル５０へ照射する。また、光照射器３は、第４モータＭ４が駆動されることでレール６に沿って移動し、照射する光のステージ４のステージ面４ａの垂線Ｈに対する角度（入射角度φ）を調整可能にしている。
【００３４】
ステージ４は移動レール部（図示せず）に摺動可能に配置されており、第１モータＭ１〜第３モータＭ３の駆動によりステージ４を図１中のＸ方向、Ｙ方向（図１の紙面に直交する方向）及び高さ方向となるＺ方向へ夫々移動可能にしている。ステージ４の移動により、有機ＥＬ素子パネル５０へ光を入射させる箇所も適宜変更でき、有機ＥＬ素子パネル５０の面分析なども行えるようにしている。なお、ステージ４の有機ＥＬ素子パネル５０を載置するステージ面４ａは、光の反射を防止するため黒色にされている。
【００３５】
図３はステージ４に有機ＥＬ素子パネル５０を載置した状態を示す模式的斜視図である。本実施の形態においては透光性基板５１側から光を照射して解析を実行すべく、カバー部材５７をステージ４に当接させた状態で載置する。平面視矩形状の透光性基板５１側一側辺裏面には陽極５８と導通する裏面陽極５８０が形成されている。また透光性基板５１側他側裏面には陰極５９と導通する裏面陰極５９０が形成されている。平面視矩形状のステージ４の一側には導通スタンド１７５が突設されており、導通スタンド１７５の先端付近からはプローブ１７６がＹ正方向へ向けて延設されている。
【００３６】
同様に、ステージ４の他側には導通スタンド１７３が突設されており、導通スタンド１７３の先端付近からはプローブ１７４がＸ負方向へ向けて延設されている。電圧印加手段は導通スタンド１７３、１７５、プローブ１７４、１７６、直流電源１７１、スイッチ１７２及びスイッチング制御回路１７等を含んで構成される。プローブ１７６は導通スタンド１７５を介して直流電源１７１の陽極に接続される。またプローブ１７４は導通スタンド１７３を介して直流電源１７１の陰極に接続される。
【００３７】
スイッチング制御回路１７は図１に示すコンピュータ１０のＣＰＵ１１ａの指示に従いスイッチ１７２をオンまたはオフする。有機ＥＬ素子パネル５０を発光させる場合、プローブ１７６の先端を裏面陽極５８０に接触させ、またプローブ１７４の先端を裏面陰極５９０に当接させる。この状態で、スイッチング制御回路１７はスイッチ１７２をオンとする。これにより直流電源１７１により有機ＥＬ素子パネル５０に電圧が印加され発光することとなる。ＣＰＵ１１ａの指示に従い、スイッチング制御回路１７がスイッチ１７２をオフとした場合、電圧が非印加の状態となり、有機ＥＬ素子パネル５０は非発光状態となる。なお、本実施の形態で示す電圧印加手段はあくまで一例でありこれに限るものではない。例えば、コンピュータ１０のＵＳＢポート（図示せず）にプローブ１７４、１７６に導通するＵＳＢケーブル（図示せず）を接続するようにしても良い。この場合ＣＰＵ１１ａの指示に従い、コンピュータ１０から直流電圧がＵＳＢケーブルを介してプローブ１７４、１７６に供給され、有機ＥＬ素子パネル５０が発光する。
【００３８】
図４は有機ＥＬ素子パネル５０を透光性基板５１側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。有機ＥＬ素子パネル５０は、カバー部材５７のカバー部５７ａの外面５７ｆがステージ４のステージ面４ａに接するように天地を逆にしてステージ４に載置される。裏面陽極５８０及び裏面陰極５９０に電圧を適宜印加することにより、有機ＥＬ素子パネル５０を発光、または非発光状態とする。この状態で、光照射器３から光を照射することで、有機ＥＬ素子パネル５０の透光性基板５１の裏面５１ｂから光が入射すると共に透光性の透光性基板５１を通過して有機膜５６へ達する。なお、以下では、有機ＥＬ素子パネル５０の陽極５８及び陰極５９等の図示を適宜省略する。
【００３９】
また、図１に示すように、光取得器５は有機ＥＬ素子パネル５０で反射した光を取得し、取得した光の偏光状態を測定するものである。光取得器５は、光照射器３と同様にレール６上に配置されており、ＰＥＭ（Photo Elastic Modulator：光弾性変調器）５ａ及び検光子（Analyzer）５ｂを内蔵し、試料で反射された光を、ＰＥＭ５ａを介して検光子５ｂへ導いている。また、光取得器５は、第５モータＭ５の駆動によりレール６に沿って図４中の矢印Ａ１、Ａ２方向に移動可能であり、基本的に光照射器３の移動に連動して反射角度φと入射角度φとが同角度になるようにモータ制御機９で制御されている。なお、光取得器５に内蔵されたＰＥＭ５ａは、取り込んだ光を所要周波数（例えば５０ｋＨｚ）で位相変調することにより直線偏光から楕円偏光を得ている。また、検光子５ｂは、ＰＥＭ５ａで位相変調された各種偏光の中から選択的に偏光を取得して測定する。
【００４０】
図１に示す分光器７は、反射ミラー、回折格子、フォトマルチプライヤー（ＰＭＴ：光電子倍増管）及び制御ユニット等を内蔵し、光取得器５から第２光ファイバケーブル１５ｂを通じて送られた光を反射ミラーで反射して回折格子へ導いている。回折格子は第６モータＭ６により角度を変更し出射する光の波長を可変する。分光器７の内部へ進んだ光はＰＭＴで増幅され、光の量が少ない場合でも、測定された信号（光）を安定化させる。また、制御ユニットは測定された波長に応じたアナログ信号を生成してデータ取込機８へ送出する処理を行う。なお、ポラリメータを用いる場合は、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）を組み合わせた構成にすることも可能である。
【００４１】
データ取込機８は、分光器７からの信号に基づき反射光の偏光状態（ｐ偏光、ｓ偏光）の振幅比Ψ及び位相差Δを波長毎に算出し、算出した結果をコンピュータ１０へ送出する。なお、振幅比Ψ及び位相差Δは、ｐ偏光の振幅反射係数Ｒｐ及びｓ偏光の振幅反射係数Ｒｓに対し以下の数式（１）の関係が成立する。
Ｒｐ／Ｒｓ＝ｔａｎΨ・ｅｘｐ（ｉ・Δ）・・・（１）
但し、ｉは虚数単位である（以下同様）。また、Ｒｐ／Ｒｓは偏光変化量ρと云う。
【００４２】
また、コンピュータ１０は、データ取込機８で得られた偏光状態の振幅比Ψ及び位相差Δと、試料に応じたモデルとに基づき試料の解析を行うと共に、ステージ４の移動等に対する制御を行う。
【００４３】
コンピュータ１０は、コンピュータ本体１１、ディスプレイ１２、キーボード１３及びマウス１４等から構成されており、コンピュータ本体１１はＣＰＵ１１ａ、記憶部１１ｂ、ＲＡＭ１１ｃ、及びＲＯＭ１１ｄを内部バスで接続している。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶された各種コンピュータプログラムに従って後述するコンピュータ１０に関する種々の処理を行うものであり、ＲＡＭ１１ｃは処理に係る各種データ等を一時的に記憶し、ＲＯＭ１１ｄにはコンピュータ１０の機能に係る内容等を記憶する。
【００４４】
なお、コンピュータ１０の記憶部１１ｂは、解析用のコンピュータプログラム、及びステージ４の移動制御用のコンピュータプログラム等の各種プログラムを予め記憶すると共に、ディスプレイ１２へ表示するための各種メニュー画像のデータ、試料に係る既知のデータ、相異する構造のモデルパターン、モデルの作成に利用される複数の分散式、作成されたモデル、各種試料に応じたリファレンスデータ、及び干渉縞に関連した比較処理に用いる基準値等を記憶する。
【００４５】
有機ＥＬ素子パネル５０の解析に関し、コンピュータ１０は有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６を構成する各膜層５２乃至５５の光学特性として屈折率及び消衰係数（以下、場合により光学定数で代表する）を解析すると共に、各膜層５２乃至５５の膜厚等も解析する。まず、コンピュータ１０のＣＰＵ１１ａはスイッチング制御回路１７に対し、電圧を印加させるべくオン信号を出力する。スイッチング制御回路１７はこれを受けて、スイッチ１７２をオン状態とする。これにより、裏面陽極５８０及び裏面陰極５９０を通じて電圧が印加され、有機ＥＬ素子パネル５０が発光する。
【００４６】
コンピュータ１０は、測定された振幅比Ψ及び位相差Δから、透光性基板５１、カバー部材５７、及び有機ＥＬ素子パネル５０の周囲雰囲気等の複素屈折率を既知とした場合に、記憶部１１ｂに予め記憶されているモデリングプログラムを用いる。そして、ユーザに設定される試料の項目及び有機ＥＬ素子パネル５０の材料構造に応じたモデルを作成して記憶部１１ｂに記憶しておく。解析段階で記憶しているモデルを用いて有機膜５６の各膜層５２〜５５の膜厚及び複素屈折率を求める。複素屈折率Ｎは、解析する膜層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋとした場合、以下の光学式で表した数式（２）の関係が成立する。
Ｎ＝ｎ−ｉｋ・・・（２）
【００４７】
また、入射角度をφ、光照射器３が照射する光の波長をλとすると、データ取込機８から出力されるエリプソメータで測定された振幅比Ψ及び位相差Δは、解析する膜層５２〜５５の膜厚ｄ、屈折率ｎ及び消衰係数ｋに対して以下の数式（３）の関係が成立する。
（ｄ，ｎ，ｋ）＝Ｆ（ρ）＝Ｆ（Ψ（λ，φ），Δ（λ，φ））・・・（３）
【００４８】
コンピュータ１０は、解析する膜層５２〜５５の膜厚、及び複数のパラメータを有する複素誘電率の波長依存性を示す分散式を用いて、記憶したモデルから理論的な演算で得られるモデルスペクトル（ΨM （λi ）、ΔM （λi））（偏光状態）と、データ取込機８から出力される測定結果に係る測定スペクトル（ΨE （λi ）、ΔE（λi ））（偏光状態）との差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。なお、適用される分散式の一例を下記の数式（４）に示す。
【００４９】
【数１】
2010014628.tif 000003
【００５０】
数式（４）において左辺のεは複素誘電率を示し、ε∞、εs は誘電率を示し、Γ0 、ΓD 、γj は粘性力に対する比例係数（damping factor）を示し、ωoj、ωt 、ωp は固有角振動数（oscillator frequency, transverse frequency, plasma frequency）を示す。なお、ε∞は高周波における誘電率（high frequency dielectric constant）であり、εs は低周波における誘電率（static dielectric constant）であり、ｆj ＝（εSj−ε∞）である。また、複素誘電率ε（ε（λ）に相当）、及び複素屈折率Ｎ（Ｎ（λ）に相当）は、下記の数式（５）の関係が成立する。
ε（λ）＝Ｎ2 （λ）・・・（５）
【００５１】
なお、フィッティングを簡単に説明すると、有機ＥＬ素子パネル５０を測定した場合でＴ個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔ）、Ｔ個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔ）としたときに測定誤差は正規分布すると考えて標準偏差をσi とした際の最小二乗法に係る平均二乗誤差χ2 は下記の数式（６）で求められる。なお、Ｐはパラメータの数である。平均二乗誤差χ2の値が小さいときは、測定結果と作成したモデルの一致度が大きいことを意味するため、複数のモデルを比較する場合、平均二乗誤差χ2 の値が最も小さいものがベストモデルに相当する。
【００５２】
【数２】
2010014628.tif 000004
【００５３】
上述したコンピュータ１０が行う試料解析に係る一連の処理は、記憶部１１ｂに記憶された解析用のコンピュータプログラムに規定されている。本実施の形態に係る分光エリプソメータ１は、有機ＥＬ素子パネル５０における複数の反射形態に対応できるように予め作成されているモデルタイプ（モデルの構造）を記憶部１１ｂに記憶している。これらのモデルタイプの構造が、記憶部１１ｂに記憶されるコンピュータプログラム（モデリングプログラム）が規定する処理に基づき読み出されて解析に用いられる。
【００５４】
本実施の形態では有機ＥＬ素子パネル５０を図４に示すような形態で測定するため、有機ＥＬ素子パネル５０へ照射した光Ｋが反射する形態として、一般に３通りの種類が想定される。１つ目の形態は有機ＥＬ素子パネル５０へ入射した光Ｋが有機膜５６と空間６０の境界（有機膜５６の表面５６ａに相当する箇所）で反射する場合（図４中、反射光Ｋ１の光路）。２つ目の形態は光Ｋが有機膜５６及び空間６０を通過してカバー部材５７の内面５７ｃで反射する場合（図４中、反射光Ｋ２の光路）。３つ目の形態はカバー部材５７を通過してカバー部材５７とステージ４の境界（カバー部材５７の外面５７ｆとステージ４のステージ面４ａが接する箇所）とで反射する場合である（図４中、反射光Ｋ３の光路）。
【００５５】
なお、実際には、図４に示すように、透光性基板５１表面の点Ｐ１での反射、及び透光性基板５１と有機膜５６の境界となる点Ｐ２での反射や多重反射も含むが、点Ｐ１、Ｐ２での反射は、解析に用いるモデルの選択に直接利用しないため、本実施の形態では扱いを省略している。また、光Ｋ、及び反射光Ｋ１〜Ｋ３等は、透光性基板５１及び有機膜５６等に対する入射時に屈折すると共に出射時にも屈折するが、この時入射時と出射時の角度は同じである。さらには多重反射を含めた反射光Ｋ１〜Ｋ３の全てが測定されるかは、試料の厚み寸法に依存するので、分光エリプソメータ１は、試料の厚み寸法によって、解析に用いるモデルの種類も選択している。
【００５６】
上述した３通りの反射形態では、光が通過する層がそれぞれ相異するため、解析に用いるモデルも実際の測定における反射形態に応じた構造のものを、透光性基板５１側及びカバー部材５７側のそれぞれにおいて選択する必要がある。図５は透光性基板５１側から計測する際のモデルを示す説明図である。図５（ａ）は、図４の反射光Ｋ１に対応した構造のモデルｍ１０を示している。モデルｍ１０は、有機膜５６での反射に対応することから、有機膜５６の下方に位置する空間６０をボイド層（空隙層）にして、そのボイド層Ｓ１（基板とみなす）に有機膜層Ｌ１（有機膜５６に相当）、ガラス層Ｌ２（透光性基板５１の表面粗さが無い部分に相当）、及びラフネス層Ｌ３（透光性基板５１の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。
【００５７】
また、図５（ｂ）は、図４の反射光Ｋ２に対応した構造のモデルｍ１１を示している。モデルｍ１１は、カバー部材５７の内面５７ｃでの反射に対応することから、カバー部材５７を構成する材料（封止材料）を基板にみなし、その封止材料層Ｓ１０（カバー部材５７に係る層に相当）にボイド層Ｌ１１（空間６０の空隙層に相当）、有機膜層Ｌ１２（有機膜５６に相当）、ガラス層Ｌ１３（透光性基板５１の表面粗さが無い部分に相当）、及びラフネス層Ｌ１４（透光性基板５１の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。
【００５８】
さらに、図５（ｃ）は、図４の反射光Ｋ３に対応した構造のモデルｍ１２を示している。モデルｍ１２は、カバー部材５７とステージ４の境界面での反射に対応することから、カバー部材５７の下方の周囲雰囲気を構成する媒体（図４では、カバー部材５７とステージ４の間に存在する空間のボイド層が相当）を基板にみなし、そのボイド層（周囲雰囲気）Ｓ２０（基板）に封止材料層Ｌ２１（カバー部材５７を構成する材料の層に相当）、ボイド層Ｌ２２（空間６０の空隙層に相当）、有機膜層Ｌ２３（有機膜５６に相当）、ガラス層Ｌ２４（透光性基板５１の表面粗さが無い部分に相当）、及びラフネス層Ｌ２５（透光性基板５１の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。
【００５９】
なお、上述した各モデルｍ１０、ｍ１１、ｍ１２では、有機膜層Ｌ１、Ｌ１２、Ｌ２３を、図２（ｂ）に示す各膜層５２〜５５をまとめた一つの膜層として簡易的に表している。しかし実際のモデリングにおける有機膜層Ｌ１、Ｌ１２、Ｌ２３は、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６と同様に、正孔輸送層５２、発光層５３、正孔ブロッキング層５４、及び電子輸送層５５が積層されたものになっており、各膜層５２〜５５に対応した膜厚が設定されるものとする。このように、各膜層５２〜５５に応じたモデリングを行うことで、有機膜５６に含まれる各膜層５２〜５５の特性を解析できるようにしている。ユーザは有機ＥＬ素子パネル５０の厚み等を考慮してキーボード１３またはマウス１４（以下、キーボード１３で代表する）から、一のモデルを選択する。なお、解析対象の試料の厚み寸法が２．２ｍｍ以上である場合、反射光Ｋ３の反射方向が逸れて光取得器５の測定範囲から外れる。そのため、試料の厚み寸法が２．２ｍｍ以上である場合、反射光Ｋ３を光取得器５で測定できないので、解析に用いるモデルの構造としてモデルｍ１０またはモデルｍ１１を選択すればよい。
【００６０】
また、試料の厚み寸法が１．０ｍｍを越えて２．２ｍｍ未満である場合、反射光Ｋ１〜Ｋ３の全てが光取得器５の測定範囲に入る可能性がある。そのため、試料の厚み寸法が１．０ｍｍを越えて２．２ｍｍ未満である場合、解析に用いるモデルの構造として反射光Ｋ１〜Ｋ３に対応したモデルｍ１０、ｍ１１またはｍ１２を選択すればよい。さらに、試料の厚み寸法が１．０ｍｍ以下である場合も、反射光Ｋ１〜Ｋ３の全てが光取得器５の測定範囲に入る可能性がある。そのため、分光エリプソメータ１は試料の厚み寸法が１．０ｍｍ以下である場合、解析に用いるモデルの構造として反射光Ｋ１〜Ｋ３に対応したモデルｍ１０、ｍ１１またはｍ１２を選択すれば良い。
【００６１】
以上述べたモデルに基づくフィッティングを行うことにより、ＣＰＵ１１ａは、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを算出する。最後に、ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する。
【００６２】
ＣＰＵ１１ａは、算出した光学定数を、透光性基板５１側から測定、発光させた状態で測定、及び、カバー部材５７存在等の測定条件に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する。その後ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７に対し、オフ信号を出力する。スイッチング制御回路１７はオフ信号を受けて、スイッチ１７２をオフ状態とする。これにより、直流電源１７１からの電圧供給が途絶え、有機ＥＬ素子パネル５０は非発光状態となる。分光エリプソメータ１は上述した処理を非発光状態においても実行する。同様のフィッティング処理によりＣＰＵ１１ａは、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを算出する。最後に、ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する。
【００６３】
ＣＰＵ１１ａは、算出した光学定数を、透光性基板５１側から測定、非発光状態で測定、及び、カバー部材５７存在等の測定条件に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する。ＣＰＵ１１ａは、記憶部１１ｂに記憶した発光状態における光学定数と、非発光状態における光学定数との差または比を算出する。以下では、非発光状態における光学定数に対する発光状態の光学定数の比を算出する例を挙げて説明する。なお、以下では比を変化率と読み替えて説明する。ＣＰＵ１１ａは算出した変化率を記憶部１１ｂに記憶する。
【００６４】
図６は記憶部１１ｂの記憶内容を示すブロック図である。ハードディスクまたは大容量メモリ等で構成される記憶部１１ｂには、上述した解析用プログラム、及び移動制御用プログラム等の各種プログラムの他、履歴ファイル１１０、閾値ファイル１１１及び第２閾値ファイル１１２が記憶されている。履歴ファイル１１０は後述するように各種情報が随時記憶される。ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０のフィールドのキーを関連づけたスキーマにおいてＳＱＬ(Structured Query Language)等のデータベースの形式に応じたアクセスインターフェースを用いて対話することにより、必要な情報の記憶、検索等の処理を実行する。
【００６５】
図７は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、カバー部材の有無フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、屈折率変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び消衰係数変化率フィールド、膜厚フィールド並びに膜厚変化率フィールドを含んで構成される。測定日時フィールドは分光エリプソメータ１により解析を行った日時を記憶している。ＣＰＵ１１ａは例えばデータ取込機８から振幅比Ψ及び位相差Δが出力された場合、時計部１１ｅからの日時情報を参照して測定日時フィールドに記憶する。
【００６６】
照射方向フィールドには透光性基板５１側から光が照射されたのか、カバー部材５７側から光が照射されたのか、透光性基板５１及びカバー部材５７の双方向から光が照射されたかの情報が記憶される。本実施の形態においては、図４に示す如く、透光性基板５１側から光を照射するので、照射方向フィールドには、透光性基板５１側と記憶されている。なお、この情報はキーボード１３から入力された情報に基づき、ＣＰＵ１１ａが履歴ファイル１１０にいずれかの情報を記憶する。発光状態フィールドには有機ＥＬ素子パネル５０が発光状態で解析されたか、または非発光状態で解析されたかの情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａはスイッチング制御回路１７に対し、オン信号を出力した場合は、発光状態フィールドに発光との情報を記憶する。一方、スイッチング制御回路１７に対し、オフ信号を出力した場合は、発光状態フィールドに非発光との情報を記憶する。
【００６７】
カバー部材の有無フィールドには、ステージ上の有機ＥＬ素子５１０にカバー部材５７が取り付けられているか否かの情報が記憶されている。カバー部材５７が取り付けられている場合は有りとの情報が記憶され、取り付けられていない場合は、無しとの情報が記憶される。ＣＰＵ１１ａは、キーボード１３からカバー部材５７の有無に関する情報を受け付け、受け付けた情報に基づき、カバー部材の有無フィールドに有無の情報を記憶する。なお、本実施の形態においては、カバー部材５７は取り付けられているので何れも有りの情報が記憶されている。
【００６８】
屈折率フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された屈折率が記憶される。屈折率変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の屈折率の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る屈折率ｎ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る屈折率ｎ１の変化率１．０７（ｎ１／ｎ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの屈折率が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、屈折率を読み出し、屈折率の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率の変化率を発光時の屈折率に対応させて記憶する。これにより、発光させた場合にどの程度屈折率が変化するのかを把握することが可能となる。なお実施の形態で述べる変化率等の数値例はあくまで一例でありこれに限るものではない。
【００６９】
消衰係数フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された消衰係数が記憶される。消衰係数変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の消衰係数の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る消衰係数ｋ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る消衰係数ｋ１の変化率０．９８（ｋ１／ｋ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの消衰係数が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、消衰係数を読み出し、消衰係数の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数の変化率を発光時の消衰係数に対応させて記憶する。
【００７０】
膜厚フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された膜厚が記憶される。膜厚変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の膜厚の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る膜厚ｄ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る膜厚ｄ１の変化率１．００１（ｄ１／ｄ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの膜厚が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、膜厚を読み出し、膜厚の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した膜厚の変化率を発光時の膜厚に対応させて記憶する。なお、本実施の形態においては非発光時に対する発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率を算出する例を説明するが、これに限るものではない。反対に、発光時に対する非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率を算出しても良い。
【００７１】
さらには、発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数と、非発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数との差分を算出するようにしても良い。なお、上述した履歴ファイル１１０のレコードレイアウトは一例であり、他の形態によりデータを保持しても良いことはもちろんである。本実施の形態において図示する履歴ファイル１１０は特定の波長で計測した際の各種データを、一例として示すものであり、履歴ファイル１１０には他の波長で計測した際の各種データも同様に記憶されている。さらに、本実施の形態において図示する履歴ファイル１１０はステージ４における特定の座標値にて計測した際の各種データを、一例として示すものであり、履歴ファイル１１０には他の座標値で計測した際の各種データも同様に記憶されている。
【００７２】
図８は閾値ファイル１１１のレコードレイアウトを示す説明図である。閾値ファイル１１１は屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率それぞれに対応づけて閾値が記憶されている。例えば屈折率の変化率は０．９４以上１．０６以下と記憶されている。なおこれらの情報は製品名別に記憶されている。この閾値を超える場合、ＣＰＵ１１ａは異常を示す情報を出力する。例えば、図７の例では、屈折率の変化率が１．０７と発光時において閾値１．０６を超えるのでＣＰＵ１１ａは異常を示す情報をディスプレイ１２へ出力（表示）する。一方、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率は、何れも図７の例では閾値を超えないので、異常を示す信号が出力されない。このように、発光時において閾値を超える光学定数の変化または膜厚の変化が生じる場合は、異常を示す情報が出力されるので、ユーザはその原因等を新たなアプローチにより調査することが可能となる。なお、閾値ファイル１１１の記憶内容はユーザがキーボード１３から適宜の値を入力することにより、変更が可能である。
【００７３】
図９は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図９に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図９の如くディスプレイ１２へ出力する。なお、本実施の形態においては有機膜５６が膜層５２から膜層５５とする４層構造であるため、Ａ層乃至Ｄ層それぞれ別に表示する形態につき説明するが、Ａ層乃至Ｄ層の全てを一度に一覧表示するようにしても良い。本例ではマウス１４からＡ層乃至Ｄ層のいずれかのタブがクリックされた場合（図９の例ではＡ層）に、ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０及び閾値ファイル１１１を参照して、図９に示す解析結果の画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。
【００７４】
ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ出力または図示しないスピーカ等から音声を出力する。本実施の形態においては、図９に示す解析結果の画面内に、異常項目に白色である背景色とは異なる赤色等の着色を施すことにより、異常を通知する。例えば、図９の例では屈折率の変化率に異常があるので、ＣＰＵ１１ａは屈折率の変化率の欄に着色を施す処理を行う（図ではハッチングで示す。）。同様に、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率または膜厚の変化率に異常がある場合も、背景色とは異なる着色を施す処理を行う。
【００７５】
さらにＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行っても良い。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。例えば、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率に異常がある場合、右に傾斜するハッチング処理を、層を示す枠内に描画する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率に異常がある場合、左に傾斜するハッチング処理を、層を示す枠内に描画する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、膜厚の変化率に異常がある場合、該当する層の枠の側面に、上下方向を示す矢印を描画する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【００７６】
Ｄ層は図２（ｂ）に示す膜層５２、Ｃ層は膜層５３、Ｂ層は膜層５４、Ａ層は膜層５５に該当する。ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１からカバー部材５７へ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図９の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側またはカバー部材５７側何れにより計測されたか、また、各層の配置関係を明確にすべく、透光性基板５１に対応する枠体を他の枠体よりも大きい形態で表示する。
【００７７】
具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側と記憶されている場合、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。これらと共に、各層の枠体よりも長手方向が長く、また面積の大きい矩形状の枠体を、透光性基板の文字と共に最上層の上側に隣接させて表示する。なお本実施の形態においては、図９に示す如く層別に各種データを表示したが、全層を全て表示しても良いことはもちろんである。
【００７８】
以上のハードウェア構成において各ソフトウェア処理の手順を、フローチャートを用いて説明する。図１０及び図１１は測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。ユーザは有機ＥＬ素子パネル５０を、透光性基板５１が上向きとなる状態で、ステージ４上に載置する（ステップＳ１０１）。すなわち、透光性基板５１が光照射器３の光照射面及び光取得器５の光取得面に対向するようカバー部材５７をステージ４に当接させた状態で載置する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から入力された照射方向の情報を受け付ける（ステップＳ１０２）。これは、透光性基板５１側からか、またはカバー部材５７側からかの情報を受け付ける。
【００７９】
ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７の存否に関する情報を、キーボード１３から受け付ける（ステップＳ１０３）。これはカバー部材５７が存在するか否かの情報である。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から有機ＥＬ素子パネル５０を発光させる旨の指示があったか否かを判断する（ステップＳ１０４）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から発光の指示を受け付けたと判断した場合（ステップＳ１０４でＹＥＳ）、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ１０５）。これによりスイッチ１７２がオンとなり、有機ＥＬ素子パネル５０が点灯する。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ１０６）。
【００８０】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１０６で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ１０４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ１０２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ１０３の情報受け付けに基づくカバー部材５７の情報を、図７の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１０７）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図４に示すように透光性基板５１へ向けて光を照射し、発光時における、透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ１０８）。ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１０９）。
【００８１】
ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１１ａは発光の指示を受け付けていない場合（ステップＳ１０４でＮＯ）、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ１１１）。この場合、有機ＥＬ素子パネル５０は発光しない。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ１１２）。
【００８２】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１１２で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ１０４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ１０２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ１０３の情報受け付けに基づくカバー部材５７の情報を、図７の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１１３）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図４に示すように透光性基板５１へ向けて光を照射し、非発光時における、透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ１１４）。
【００８３】
ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEg、ΔEgを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEg、ΔEgを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１１５）。ＣＰＵ１１ａは発光時及び非発光時双方の測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ１１６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に発光時における測定スペクトル及び非発光時における測定スペクトルが記憶されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは双方の測定を終了していないと判断した場合（ステップＳ１１６でＮＯ）、ステップＳ１０４へ移行し以上の処理を繰り返す。一方、双方の測定を終了したと判断した場合（ステップＳ１１６でＹＥＳ）、一連の処理を終了する。
【００８４】
図１２及び図１３は変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ１２１）。このモデルの選択は透光性基板５１側のモデルとして図５（ａ）〜（ｃ）に示すモデルｍ１０乃至ｍ１２からモデルを選択する。モデルの選択は、有機ＥＬ素子パネル５０の厚み等により適宜のものを選択すれば良い。なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側のモデルとして図５（ｂ）に示すモデルｍ１１が選択されたものとして説明する。
【００８５】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ１２２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルｍ１１に対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ１２３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ１２４）。
【００８６】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１０９で記憶した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを読み出す（ステップＳ１２５）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvと、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ１２６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvとモデルスペクトルΨMg、ΔMgとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【００８７】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ１２７）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ１２７でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出する（ステップＳ１２８）。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その後、再びステップＳ１２６へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【００８８】
なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側及びカバー部材５７側のモデルの初期膜厚及び分散式のパラメータを変更して透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出するよう説明したが、透光性基板５１側において適用するモデル自体を変更しても良い。例えば、透光性基板５１側のモデルとして、図５（ａ）のモデルを用いる。その他、これらとは異なるモデル（例えば図５（ｃ）のモデル）を記憶部１１ｂから読み出し、この異なるモデルの初期膜厚及び分散式のパラメータを変更して、モデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出するようにしても良い。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その他のモデルとしては例えば、図５（ｂ）の有機膜層Ｌ１２とボイド層Ｌ１１との間に膜厚ｄのラフネス層がさらに存在するモデルが該当する。これら異なるモデルに対するモデルスペクトルを算出するためのモデルは記憶部１１ｂに記憶されており、ＣＰＵ１１ａはこのモデルを新たに読み出し、モデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出する。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。
【００８９】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ１２７でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ１２９）。なお、ステップＳ１２７の処理においては、所定の値以下となるまで、処理を行うようにしている。しかし、所定時間内に各モデルへ設定すべき初期膜厚及び分散式のパラメータを逐次変更し、所定時間内で最小の平均二乗誤差をとる場合の膜厚及び分散式のパラメータを結果として採用するようにしても良い。また入射角度φ及び反射角度φを逐次変更し、平均二乗誤差が最小となる場合の膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定しても良い。例えば、入射角度φ1、反射角度φ1 において、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ21 を算出する。その後、入射角度をφ2 、反射角度をφ2 へ物理的に変更し、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ22 を算出する。さらにその後、入射角度をφ3 、反射角度をφ3 へ物理的に変更し、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ23 を算出する。分光エリプソメータ１は、入射角度φ1 、入射角度φ2 、及び入射角度φ3 （反射角度φ1 、反射角度φ2 、及び反射角度φ3 ）それぞれの平均二乗誤差χ21 、平均二乗誤差χ2 2 、及び平均二乗誤差χ2 3をそれぞれ比較し、最小となる平均二乗誤差をとる入射角度における膜厚及び分散式のパラメータを結果として採用する。なお、物理的に入射角度及び反射角度を変える他、入射角度及び反射角度を一定のままで、値を適宜変更するようにしても良い。また入射角度自体をフィッティングのパラメータの一つとすることも可能である。
【００９０】
ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ１３１）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の発光時のレコードに対応づけて記憶する（ステップＳ１３２）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。次いで、ＣＰＵ１１ａは、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを読み出す（ステップＳ１３３）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEg、ΔEgと、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ１３４）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【００９１】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ１３５）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ１３５でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出する（ステップＳ１３６）。その後、再びステップＳ１３４へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【００９２】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ１３５でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ１３７）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ１３８）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の非発光時のレコードに対応づけて記憶する（ステップＳ１３９）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【００９３】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１３１０）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ１３１０で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ１３１１）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ１３１１でＹＥＳ）、異常を示す情報を各層に対応する屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ１３１２）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図９の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ１３１３）。具体的には、透光性基板５１上に積層された膜層５２（Ｄ層）の枠体が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。より詳細には、膜層５２（Ｄ層）、膜層５３（Ｃ層）、膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５５（Ａ層）の順に上から下に対応する枠体が表示される。
【００９４】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ１３１４）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【００９５】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側と記憶されている場合、ステップＳ１３１３にて表示した枠体に加えて、これらの枠体よりも長手方向が長く、また面積の大きい矩形状の枠体を、透光性基板の文字と共に最上層の上側に隣接させて表示する（ステップＳ１３１５）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ１３１１でＮＯ）、ステップＳ１３１２乃至Ｓ１３１５の処理をスキップし、有機ＥＬ素子パネル５０は適正であるとして処理を終了する。
【００９６】
次いで経年変化を解析する場合の例を説明する。図１４は履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。図１４の例は図７及び図９で解析した後の、１年後のレコードレイアウトを示している。例えば、有機ＥＬ素子パネル５０完成から１年後の２００８年１０月１５日１０時１０分１５秒に１年前と同一の有機ＥＬ素子パネル５０を発光させ屈折率、消衰係数及び膜厚がどの程度変化するかを解析する。同様に、例えば、有機ＥＬ素子パネル５０完成から１年後の２００８年１０月１５日１０時１１分３０秒に１年前と同一の有機ＥＬ素子パネル５０を非発光の状態で屈折率、消衰係数及び膜厚がどの程度変化するかを解析する。なお、１年とした期間は一例であり、一ヶ月など適宜の期間とすればよい。
【００９７】
ＣＰＵ１１ａは、上述した処理により、発光状態及び非発光状態において屈折率、消衰係数及び膜厚を算出し、履歴ファイル１１０に算出結果を記憶する。図１４の例では、１年後における発光時の屈折率がｎ３、非発光時の屈折率がｎ４と記憶されている。ＣＰＵ１１ａは上述した処理と同様に非発光時に対する発光時の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に算出結果を記憶する。図１４の例では、屈折率変化率が１．０１と記憶されている。また、１年後における発光時の消衰係数はｋ３、非発光時の消衰係数はｋ４、消衰係数の変化率は０．９６と記憶され、１年後における発光時の膜厚はｄ３、非発光時の膜厚はｄ４、膜厚の変化率は１．０１と記憶されている。なおこれらの情報は製品名別に記憶されている。
【００９８】
図１４に示す履歴ファイル１１０はさらに、経年変化率フィールドが設けられている。屈折率の経年変化率フィールドには、発光させた状態において、１年前の屈折率に対する１年後の屈折率の変化率（以下、発光時の屈折率の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び屈折率を参照し、発光時の屈折率の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。本例では、ｎ３÷ｎ１により発光時の屈折率の経年変化率０．９９が算出されている。さらに屈折率の経年変化率フィールドには、非発光の状態において、１年前の屈折率に対する１年後の屈折率の変化率（以下、非発光時の屈折率の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び屈折率を参照し、非発光時の屈折率の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。本例では、ｎ４÷ｎ２により非発光時の屈折率の経年変化率０．９５が算出されている。
【００９９】
消衰係数の経年変化率フィールドには、発光させた状態において、１年前の消衰係数に対する１年後の消衰係数の変化率（以下、発光時の消衰係数の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び消衰係数を参照し、発光時の消衰係数の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。さらに消衰係数の経年変化率フィールドには、非発光の状態において、１年前の消衰係数に対する１年後の消衰係数の変化率（以下、非発光時の消衰係数の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び消衰係数を参照し、非発光時の消衰係数の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。
【０１００】
膜厚の経年変化率フィールドには、発光させた状態において、１年前の膜厚に対する１年後の膜厚の変化率（以下、発光時の膜厚の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び膜厚を参照し、発光時の膜厚の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。さらに膜厚の経年変化率フィールドには、非発光の状態において、１年前の膜厚に対する１年後の膜厚の変化率（以下、非発光時の膜厚の経年変化率）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０の測定日時、発光状態及び膜厚を参照し、非発光時の膜厚の経年変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する。
【０１０１】
図１５は第２閾値ファイル１１２のレコードレイアウトを示す説明図である。第２閾値ファイル１１２は、有機ＥＬ素子パネル５０完成時からの経過月または年別に、各経年（月）変化率に対する閾値が記憶されている。具体的には、発光時の屈折率の経年変化率に対する閾値、発光時の消衰係数の経年変化率に対する閾値、発光時の膜厚の経年変化率に対する閾値、非発光時の屈折率の経年変化率に対する閾値、非発光時の消衰係数の経年変化率に対する閾値、及び、非発光時の膜厚の経年変化率に対する閾値が、月、及び、年別に記憶されている。図１５の例では、１月後、２月後、・・・１年後、・・・と経過した月または経過した年別にこれらの閾値が予め記憶されている。図１５に表示する例は、有機ＥＬ素子パネル５０の完成後１年経過した後の各経年変化率の閾値を示す。例えば、発光時の屈折率の経年変化率は、０．９６以上１．０４以下と記憶されている。なお、本実施の形態においては、有機ＥＬ素子パネル５０の完成時を起算点として、経年変化を解析する例を示すが、有機ＥＬ素子パネル５０完成後の任意の時期を起算点としても良いことはもちろんである。また第２閾値ファイル１１２に記憶した閾値はキーボード１３から適宜変更が可能である。なおこれらの情報は製品名別に記憶されている。
【０１０２】
図１６は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。図１６に示すように、ディスプレイ１２左側には、発光時及び非発光時それぞれの経年変化率、並びに、右側に異常を示す情報が表示され、右側には発光時及び非発光時それぞれの経年変化率に基づく異常を画像処理により表示している。ＣＰＵ１１ａは図１４に示す履歴ファイル１１０を参照し、測定日時に対する経年変化率を層別にディスプレイ１２へ表示する。図１６に示すように、１年後及び２年後の発光時の屈折率経年変化率、発光時の消衰係数経年変化率、発光時の膜厚経年変化率、非発光時の屈折率経年変化率、非発光時の消衰係数経年変化率、及び、非発光時の膜厚経年変化率がＣＰＵ１１ａの指示のもと表示される。
【０１０３】
ＣＰＵ１１ａは、さらに、第２閾値ファイル１１２を参照し、経過年に対応する屈折率、消衰係数及び膜厚の閾値を読み出す。そしてＣＰＵ１１ａは図１６の表示のために読み出した発光時の屈折率経年変化率、発光時の消衰係数経年変化率、及び、発光時の膜厚経年変化率が発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の閾値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは超えると判断した場合、該当する経年変化率に対し、背景色とは異なる色を、異常を示す情報としてディスプレイ１２に表示する。同様に、ＣＰＵ１１ａは図１６の表示のために読み出した非発光時の屈折率経年変化率、非発光時の消衰係数経年変化率、及び、非発光時の膜厚経年変化率が非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の閾値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは超えると判断した場合、該当する経年変化率に対し、背景色とは異なる色を、異常を示す情報としてディスプレイ１２に表示する。図１６の例では、発光状態においてＡ層の消衰係数が２年後に異常有りと認識することができる。
【０１０４】
さらにＣＰＵ１１ａは経過年毎に、有機膜５６の層Ａ乃至Ｄに応じた枠体をディスプレイ１２へ表示する。そしてＣＰＵ１１ａは上述した処理により異常を示す経年変化率に対応する枠体に、屈折、消衰係数または膜厚のいずれかに対応する画像を付加する処理を行う。図１６の例では１年後の発光時における各層の状態、及び、２年後の発光時における各層の状態を示している。１年後ではＣ層が屈折率に異常が存在していることが理解できる。さらに２年後ではＣ層に屈折率及び消衰係数の異常、Ｄ層に膜厚の異常、及びＡ層に消衰係数の異常が存在していることが理解できる。これにより、ユーザは経年変化の影響を容易に把握することが可能となる。なお、図９にて説明した如く、透光性基板５１に対応する枠体を他の枠体と共に表示しても良い。
【０１０５】
図１７及び図１８は経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。図１２及び図１３で述べた処理によりＣＰＵ１１ａは発光時における屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ１７１）。同様に、ＣＰＵ１１ａは非発光時における屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ１７２）。ステップＳ１７１及びＳ１７２の処理は例えば有機ＥＬ素子パネル５０の完成時若しくは完成時から所定の日数内（例えば１０日以内）、１年後、並びに、２年後等に実行される。ＣＰＵ１１ａは完成段階における発光時及び非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０から、測定日時をもとに読み出す（ステップＳ１７３）。
【０１０６】
ＣＰＵ１１ａは発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ１７１で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ１７３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１７４）。なお、ステップＳ１７４の処理は各層について別々に行う。次いで、ＣＰＵ１１ａは非発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ１７２で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ１７３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１７５）。なお、ステップＳ１７５の処理は各層について別々に行う。
【０１０７】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、測定日時、並びに、屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化率を読み出し、図１６の如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ１７６）。層別に測定日時に対応して、発光時または非発光時の経年変化率が表示される。ＣＰＵ１１ａは読み出した完成段階の測定日時から該当する測定日時までの期間である該当年度に係る閾値を、第２閾値ファイル１１２から読み出す（ステップＳ１７７）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶されている最初の測定日時と、各測定日時との間隔を算出し、算出した間隔に最も近い期間に対応する閾値を第２閾値ファイル１１２から読み出す。ＣＰＵ１１ａは読み出した発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。
【０１０８】
同様に、ＣＰＵ１１ａは読み出した非発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した非発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。ＣＰＵ１１ａは閾値を超える屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び膜厚経年変化率に対し、図１６の如く異常を示す情報をディスプレイ１２に表示する（ステップＳ１７８）。この表示処理は発光時及び非発光時それぞれについて層別に行われる。
【０１０９】
ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した層数に応じた枠体を読み出して生成し、ディスプレイ１２に表示する（ステップＳ１７９）。なおこの場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、生成した各枠体と、有機膜５６が有する各層との関連づけを行う。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した屈折率、消衰係数、または膜厚別に異常を示す情報を読み出す。そして、ＣＰＵ１１ａは、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率が閾値を超える層の枠体に、屈折率、消衰係数、または膜厚の異常を示す情報を合成した画像を生成し、測定日時に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ１８１）。なお、図１６に示すように、透光性基板５１側から計測を実施したことを明確にすべく、透光性基板５１を示す枠体を有機膜５６の各層を示す枠体上に表示しても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは、記憶部１１ｂに記憶した描画ソフトウェアを実行し、有機膜５６の各層を示す枠体よりも、長手方向が長い矩形状の枠体を作成し、当該作成した枠体を有機膜５６の最上層の枠体上に記述する。
【０１１０】
ＣＰＵ１１ａは当該生成した合成画像を図１６の如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ１８２）。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂ及び履歴ファイル１１０を参照し、他の測定日時に対応する合成画像が記憶されているか否かを判断する（ステップＳ１８３）。ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていると判断した場合（ステップＳ１８３でＹＥＳ）、例えば図１６の如く、１年後のみならず２年後の合成画像が記憶されている場合、当該記憶された合成画像を読み出す（ステップＳ１８４）。ＣＰＵ１１ａは測定日時に基づき、合成画像を時系列にディスプレイ１２に表示する（ステップＳ１８５）。これにより、既に生成された合成画像が時系列で表示されることから、ユーザは各有機膜５６の経年変化を視覚的に、また、段階的に、把握することが可能となる。一方、ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていないと判断した場合（ステップＳ１８３でＮＯ）、例えば１年分の合成画像しか記憶されていない場合、ステップＳ１８４及びＳ１８５の処理をスキップし処理を終了する。
【０１１１】
実施の形態２
実施の形態２はカバー部材５７側から有機ＥＬ素子パネル５０を解析する形態に関する。図１９は有機ＥＬ素子パネル５０をカバー部材５７側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。有機ＥＬ素子パネル５０は、カバー部材５７側から光を照射すべく、透光性基板５１がステージ４に接触する方向にて載置される。分光エリプソメータ１は、カバー部材５７へ向けて偏光状態の光Ｋを照射し、カバー部材５７及び空間６０を通過した光Ｋは、複数の膜層５２乃至５５（図２（ｂ）参照）で構成される有機膜５６に到達する。さらに光Ｋは有機膜５６を通過してから、有機膜５６と透光性基板５１の境界で反射する場合（反射光Ｋ１０の場合）と、透光性基板５１も通過して透光性基板５１とステージ４の境界で反射する場合（反射光Ｋ１１の場合）が生じる。なお、いずれの反射光Ｋ１０、Ｋ１１もカバー部材５７から出射して光取得器５で取得されて、偏光状態が測定される。
【０１１２】
なお、図１９においても実際には、カバー部材５７表面での反射（Ｐ１０）、カバー部材５７内面での反射（Ｐ２０）、及び有機膜５６表面での反射（Ｐ３０）や多重反射も含むが、このような反射（Ｐ１０、Ｐ２０、Ｐ３０）も、解析に用いるモデルの選択に直接利用しないため扱いを省略している。
【０１１３】
図１９に示す有機ＥＬ素子パネル５０の載置形態で試料の解析を行う場合、解析に用いるモデルには、上述した反射光Ｋ１０、Ｋ１１に応じた構造のものを用いる必要がある。図２０はカバー部材５７側から計測する際のモデルを示す説明図である。図２０（ａ）は、反射光Ｋ１０に応じた構造のモデルｍ２０を示している。モデルｍ２０は、最下方の透光性基板５１をガラス層（Ｓ３０）にして、その上に有機膜層Ｌ３１（有機膜５６に相当）、ボイド層Ｌ３２（空間６０に相当）、封止材料層Ｌ３３（カバー部材５７の表面粗さが無い部分に相当）、及びラフネス層Ｌ３４（カバー部材５７の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。なお、モデルｍ２０の各層の厚みｄ３１〜ｄ３４は、準備段階でユーザから入力される値により設定される。
【０１１４】
一方、図２０（ｂ）は、反射光Ｋ１１に応じた構造のモデルｍ２１を示している。モデルｍ２１は、透光性基板５１の下方の周囲雰囲気を構成する媒体（図１９では、透光性基板５１とステージ４の間に存在する空間のボイド層が相当）を基板にみなす。そのボイド層Ｓ４０（基板）にガラス層Ｌ４１（透光性基板５１に相当）、有機膜層Ｌ４２（有機膜５６に相当）、ボイド層Ｌ４３（空間６０に相当）、封止材料層Ｌ４４（カバー部材５７の表面粗さが無い部分に相当）、及びラフネス層Ｌ４５（カバー部材５７の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。なお、モデルｍ２１の各層の厚みｄ４１〜ｄ４５は、準備段階でユーザから入力された値により設定される。ユーザはキーボード１３またはマウス１４から採用するモデルを選択する。
【０１１５】
図２１はステージ４に有機ＥＬ素子パネル５０を載置した状態を示す模式的斜視図である。本実施の形態においてはカバー部材５７側から光を照射して解析を実行すべく、透光性基板５１をステージ４に当接させた状態で載置する。平面視矩形状の透光性基板５１側一側辺表面には陽極５８と導通する表面陽極５８１が形成されている。また透光性基板５１側他側表面には陰極５９と導通する表面陰極５９１が形成されている。平面視矩形状のステージ４の一側には導通スタンド１７５が突設されており、導通スタンド１７５の先端付近からはプローブ１７６がＹ正方向へ向けて延設されている。
【０１１６】
同様に、ステージ４の他側には導通スタンド１７３が突設されており、導通スタンド３７５の先端付近からはプローブ１７４がＸ負方向へ向けて延設されている。プローブ１７６は導通スタンド１７５を介して直流電源１７１の陽極に接続される。またプローブ１７４は導通スタンド１７３を介して直流電源１７１の陰極に接続される。有機ＥＬ素子パネル５０を発光させる場合、プローブ１７６の先端を表面陽極５８１に接触させ、またプローブ１７４の先端を表面陰極５９１に当接させる。この状態で、スイッチング制御回路１７はスイッチ１７２をオンとする。これにより直流電源１７１により有機ＥＬ素子パネル５０に電圧が印加され発光することとなる。ＣＰＵ１１ａの指示に従い、スイッチング制御回路１７がスイッチ１７２をオフとした場合、電圧が非印加の状態となり、有機ＥＬ素子パネル５０は非発光状態となる。
【０１１７】
図２２は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、カバー部材の有無フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、屈折率変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び消衰係数変化率フィールド、膜厚フィールド並びに膜厚変化率フィールドを含んで構成される。実施の形態１で述べた図７に示す履歴ファイル１１０と異なり、照射方向フィールドには、カバー部材５７側の情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは測定日時に対応させて実施の形態１で述べた処理と同様の処理を行うことにより、カバー部材５７側から計測した場合の、発光時及び非発光時それぞれの屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を記憶する。他の構成については実施の形態１で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。
【０１１８】
図２３は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図２３に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図２３の如くディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ表示する。図２３の例では、カバー部材５７側から測定した場合、屈折率変化率に異常が存在することが認められる。
【０１１９】
またＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行う。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【０１２０】
Ａ層は図２（ｂ）に示す膜層５５、Ｂ層は膜層５４、Ｃ層は膜層５３、Ｄ層は膜層５２に該当する。ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７から透光性基板５１へ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図２３の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側またはカバー部材５７側何れにより計測されたか、また、各層の配置関係を明確にすべく、カバー部材５７に対応するＣ字型の枠体を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドにカバー部材５７側と記憶されている場合、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最下層、カバー部材５７に最も近接する層（本例ではＡ層）が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、最下層側に向けて開口するＣ字型の枠体を、各枠体を覆うようにカバー部材の文字と共に表示する。
【０１２１】
図２４及び図２５は測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。ユーザは有機ＥＬ素子パネル５０を、カバー部材５７が上向きとなる状態で、ステージ４上に載置する（ステップＳ２４１）。すなわち、カバー部材５７が光照射器３の光照射面及び光取得器５の光取得面に対向するよう透光性基板５１をステージ４に当接させた状態で載置する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から入力された照射方向の情報を受け付ける（ステップＳ２４２）。
【０１２２】
ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７の存否に関する情報を、キーボード１３から受け付ける（ステップＳ２４３）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から有機ＥＬ素子パネル５０を発光させる旨の指示があったか否かを判断する（ステップＳ２４４）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から発光の指示を受け付けたと判断した場合（ステップＳ２４４でＹＥＳ）、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ２４５）。これによりスイッチ１７２がオンとなり、有機ＥＬ素子パネル５０が点灯する。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ２４６）。
【０１２３】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４６で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ２４４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ２４２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ２４３の情報受け付けに基づくカバー部材５７の情報を、図２２の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２４７）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図１９に示すようにカバー部材５７へ向けて光を照射し、発光時における、カバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ２４８）。ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２４９）。
【０１２４】
ステップＳ２４４において、ＣＰＵ１１ａは発光の指示を受け付けていない場合（ステップＳ２４４でＮＯ）、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ２５１）。この場合、有機ＥＬ素子パネル５０は発光しない。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ２５２）。なお、ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４４へ移行後一定時間経過しない場合は、オフ信号を出力することなくステップＳ２５２へ移行しても良い。
【０１２５】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２５２で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ２４４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ２４２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ２４３の情報受け付けに基づくカバー部材５７の情報を、図２２の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２５３）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図１９に示すようにカバー部材５７へ向けて光を照射し、非発光時における、カバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ２５４）。
【０１２６】
ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEc、ΔEcを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEc、ΔEcを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２５５）。ＣＰＵ１１ａは発光時及び非発光時双方の測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ２５６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に発光時における測定スペクトル及び非発光時における測定スペクトルが記憶されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは双方の測定を終了していないと判断した場合（ステップＳ２５６でＮＯ）、ステップＳ２４４へ移行し以上の処理を繰り返す。一方、双方の測定を終了したと判断した場合（ステップＳ２５６でＹＥＳ）、一連の処理を終了する。
【０１２７】
図２６及び図２７は変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ２６１）。このモデルの選択はカバー部材５７側のモデルとして図２０（ａ）及び（ｂ）に示すモデルｍ２０またはｍ２１からモデルを選択する。モデルの選択は、有機ＥＬ素子パネル５０の厚み等により適宜のものを選択すれば良い。
【０１２８】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ２６２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルに対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ２６３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、カバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ２６４）。
【０１２９】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４９で記憶した発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを読み出す（ステップＳ２６５）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvと、カバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ２６６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvとモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【０１３０】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ２６７）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ２６７でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びカバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ２６８）。その後、再びステップＳ２６６へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【０１３１】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ２６７でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ２６９）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ２７１）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の発光時及びカバー部材５７側の情報に対応づけて記憶する（ステップＳ２７２）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。次いで、ＣＰＵ１１ａは、非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを読み出す（ステップＳ２７３）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEc、ΔEcと、カバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ２７４）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。
【０１３２】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ２７５）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ２７５でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びカバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ２７６）。その後、再びステップＳ２７４へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【０１３３】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ２７５でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ２７７）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ２７８）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の非発光時及びカバー部材５７側の情報に対応づけて記憶する（ステップＳ２７９）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【０１３４】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２７１０）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ２７１０で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ２７１１）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ２７１１でＹＥＳ）、異常を示す情報を屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ２７１２）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図２３の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ２７１３）。具体的には、透光性基板５１上に積層された層の枠体が最下層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。
【０１３５】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ２７１４）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【０１３６】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドにカバー部材５７側と記憶されている場合、ステップＳ２７１３にて表示した枠体に加えて、最下層に向けて開口するＣ字型の枠体を、カバー部材の文字と共に各層から所定距離を空けた状態で表示する（ステップＳ２７１５）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ２７１１において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ２７１１でＮＯ）、ステップＳ２７１２乃至Ｓ２７１５の処理をスキップし、有機ＥＬ素子パネル５０は適正であるとして処理を終了する。これにより、カバー部材５７側からにおいても発光時及び非発光時における光学定数の異常を容易に把握することが可能となる。なお、経年変化については、上述した処理及び実施の形態１で述べた処理を用いることにより、同様にカバー部材５７側からの経年変化率及びその異常を認識することができるため詳細な説明は省略する。
【０１３７】
本実施の形態２は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１３８】
実施の形態３
実施の形態３は透光性基板５１側及びカバー部材５７側の双方から発光時及び非発光時のそれぞれについて光学定数の変化を解析する形態に関する。図２８は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、カバー部材の有無フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び変化率フィールド、膜厚フィールド並びに変化率フィールドを含んで構成される。実施の形態１で述べた図７に示す履歴ファイル１１０と異なり、照射方向フィールドには、透光性基板５１側及びカバー部材５７側の情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは測定日時に対応させて実施の形態１及び実施の形態２で述べた処理を、透光性基板５１側及びカバー部材５７側それぞれにおいて同様に行うことにより、透光性基板５１及びカバー部材５７の両側から計測した場合の、発光時及び非発光時それぞれの屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を記憶する。他の構成については実施の形態１及び実施の形態２で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。
【０１３９】
図２９は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側及びカバー部材５７側双方向からの照射に基づく計測、並びに、発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図２９に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図２９の如くディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ表示する。図２９の例では、屈折率変化率に異常が存在することが認められる。
【０１４０】
またＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行う。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【０１４１】
Ａ層は図２（ｂ）に示す膜層５５、Ｂ層は膜層５４、Ｃ層は膜層５３、Ｄ層は膜層５２に該当する。ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７から透光性基板５１へ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図２９の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側及びカバー部材５７側双方から計測されたことを明確にすべく、カバー部材５７に対応するＣ字型の枠体、及び、透光性基板５１に対応する膜層５２乃至膜層５５よりも大きい面積を有する矩形状の枠体を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最下層、カバー部材５７に最も近接する層（本例ではＡ層）が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。そして、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１及びカバー部材５７側と記憶されている場合、透光性基板５１に積層された最下層（Ｄ層）よりも下層に、当該層と隣接させた形態で最下層よりも面積の大きい矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、最下層側に向けて開口するＣ字型の枠体を、膜層５２乃至膜層５５に係る全ての枠体を覆い、かつ、Ｃ字型の枠体開口が、上述した透光性基板５１に係る枠体により閉鎖された形態でディスプレイ１２に表示する。
【０１４２】
図３０及び図３１は膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３またはマウス１４からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ３０１）。このモデルの選択は透光性基板５１側のモデルとして図５（ａ）〜（ｃ）に示すモデルｍ１０乃至ｍ１２からモデルを選択し、また、カバー部材５７側のモデルとして図２０（ａ）及び（ｂ）に示すモデルｍ２０またはｍ２１からモデルを選択する。このモデルの選択は、有機ＥＬ素子パネル５０の厚み等により適宜のものを選択すれば良い。なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側のモデルとして図５（ｂ）に示すモデルｍ１１が、カバー部材５７側のモデルとして図２０（ａ）に示すモデルｍ２０がそれぞれ選択されたものとして説明する。
【０１４３】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３０２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルｍ１１、ｍ２０に対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３またはマウス１４から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ３０３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ３０４）。同様に、ＣＰＵ１１ａは、カバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ３０５）。
【０１４４】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ３０４で算出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMg、ステップＳ３０５で算出したカバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMc、実施の形態１のステップＳ１０８で測定した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgv、及びステップＳ１１４で測定した非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEg、並びに、実施の形態２のステップＳ２４８で測定した発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv 、ΔEcv、及び、ステップＳ２５４で測定した非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcをそれぞれ読み出してフィッティングを行い、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを確定する（ステップＳ３０６）。なお、このステップの詳細な処理については別紙に説明する。
【０１４５】
図３２及び図３３はフィッティング処理の手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ１０８で測定した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２１）。また、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ３０４で算出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２２）。同様にカバー部材５７側も、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ２４８で測定した発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを記憶部１１ｂから読み出し（ステップＳ３２３）、またステップＳ３０５で算出したカバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２４）。
【０１４６】
ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvとモデルスペクトルΨMg、ΔMg、並びに、発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvとモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う（ステップＳ３２５）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。ステップＳ３２５における平均二乗誤差χ2 は式（７）により算出することができる。
【０１４７】
【数３】
2010014628.tif 000005
【０１４８】
なお、有機ＥＬ素子パネル５０を透光性基板５１側から測定した場合におけるＴg 個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔg ）、Ｔg 個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔg ）とする。カバー部材５７側から測定した場合におけるＴc個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔc ）、Ｔc 個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔc ）としている。また、Ｐg は透光性基板５１側から測定する際のパラメータの数であり、Ｐc はカバー部材５７側から測定する際のパラメータの数である。
【０１４９】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ３２６）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。
【０１５０】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ３２６でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ３２７）。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その後、再びステップＳ３２５へ移行し、同様の処理を繰り返す。なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側及びカバー部材５７側のモデルの初期膜厚及び分散式のパラメータを変更してモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出するよう説明したが、透光性基板５１側及びカバー部材５７側において適用するモデル自体を変更しても良い。例えば、透光性基板５１側のモデルとして、図５（ｂ）のモデルを用い、またカバー部材５７側のモデルとして図２０（ａ）のモデルを用いる。その他、これらとは異なるモデル（例えば図５（ｃ）及び図２０（ｂ）のモデル）を記憶部１１ｂから読み出し、この異なるモデルの初期膜厚及び分散式のパラメータを変更して、モデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出するようにしても良い。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その他のモデルとしては例えば、図５（ｂ）の有機膜層Ｌ１２とボイド層Ｌ１１との間に膜厚ｄのラフネス層がさらに存在するモデル、及び図２０（ａ）のボイド層Ｌ３２と有機膜層Ｌ３１との間に膜厚ｄのラフネス層がさらに存在するモデルが該当する。これら異なるモデルに対するモデルスペクトルを算出するためのモデルは記憶部１１ｂに記憶されており、ＣＰＵ１１ａはこのモデルを新たに読み出し、モデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。
【０１５１】
分光エリプソメータ１は、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ３２６でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき発光時の値として決定する（ステップＳ３２８）。
【０１５２】
次いで非発光時の処理を行う。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ１１４で測定した非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２９）。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ２５４で測定した非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３３１）。
【０１５３】
ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgとステップＳ３２２で読み出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMg、並びに、非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcとステップＳ３２４で読み出したカバー部材５７側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う（ステップＳ３３２）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。ステップＳ３３２における平均二乗誤差χ2 は上述した式（７）により算出することができる。
【０１５４】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ３３３）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。
【０１５５】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ３３３でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ３３４）。その後、再びステップＳ３３２へ移行し、同様の処理を繰り返す。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ３３３でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき非発光時の値として決定する（ステップＳ３３５）。
【０１５６】
次いで、図３０のステップＳ３０７へ移行する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の発光時の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ３０７）。ＣＰＵ１１ａは算出した発光時における屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３０８）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。同様に、ＣＰＵ１１ａは、非発光時の各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、有機ＥＬ素子パネル５０の有機膜５６の非発光時の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ３０９）。ＣＰＵ１１ａは算出した非発光時における屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３１０）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【０１５７】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３１１）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ３１１で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ３１２）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ３１２でＹＥＳ）、異常を示す情報を屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ３１３）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図２９の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ３１４）。具体的には、透光性基板５１上に積層された層の枠体が最下層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。
【０１５８】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ３１５）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【０１５９】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側及びカバー部材５７側と記憶されている場合、ステップＳ３１４にて表示した枠体に加えて、透光性基板の文字と共に、透光性基板５１上に積層される最下層に係る枠体の下側に接触させて、当該枠体よりも大きな面積を有する枠体を表示する（ステップＳ３１６）。最後に、ＣＰＵ１１ａは、最下層に向けて開口するＣ字型の枠体を、カバー部材の文字と共に各層から所定距離を空けた状態で表示する（ステップＳ３１７）。具体的には、ＣＰＵ１１ａはＣ字型の枠体の開口が、ステップＳ３１６で表示した枠体により塞がれるよう、また、その他の各枠体に接触しないよう表示する。ＣＰＵ１１ａはステップＳ３１２において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ３１２でＮＯ）、ステップＳ３１３乃至Ｓ３１７の処理をスキップし、有機ＥＬ素子パネル５０は適正であるとして処理を終了する。以上述べた如く透光性基板５１及びカバー部材５７側双方の計測に基づく光学定数の算出により、より精度高く発光時及び非発光時の変化を解析することが可能となる。なお、経年変化については、上述した処理及び実施の形態１及び２で述べた処理を、必要な時期に実行することにより、同様に経年変化率及びその異常を認識することができるため詳細な説明は省略する。
【０１６０】
本実施の形態３は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１及び２と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１６１】
実施の形態４
実施の形態４は上述の実施の形態に係る分光エリプソメータ１を有機ＥＬ素子パネル５０の製造装置に適用した形態に関する。図３４は実施の形態４に係る製造装置８０の概要を示す模式的平面図である。製造装置８０は透光性基板５１上に成膜物５６（有機膜５６に相当）を成膜する２連の第１成膜装置１０Ｄ、第２成膜装置２０Ｄ、及び成膜物５６が成膜された透光性基板５１にカバー部材５７を張り合わせて有機ＥＬ素子パネル５０を排出する封止装置３０Ｄを含んで構成される。透光性基板５１は第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄに搬送され、成膜物５６が成膜された後、封止装置３０Ｄへ搬送される。封止装置３０Ｄにおいて、成膜物５６が成膜された透光性基板５１にカバー部材５７が張り合わされた後、完成品である有機ＥＬ素子パネル５０が外部へ排出される。
【０１６２】
第１成膜装置１０Ｄは搬送手段（搬送装置）である真空搬送用ロボット１１Ｄ、基板搬送室４１Ｄ、成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ、真空ゲートＧ、受渡室４２Ｄ及びデータ送信手段Ｐを含んで構成される。第１成膜装置１０Ｄの略中央部には真空搬送用ロボット１１Ｄが設置される。その周囲を囲むように、基板搬送室４１Ｄ、成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ及び受渡室４２Ｄが密閉性を有する真空ゲートＧを介して接続されている。真空ゲートＧ、Ｇが入口及び出口に設けられた基板搬送室４１Ｄには前処理工程及び洗浄済みの透光性基板５１（ＩＴＯ基板）が搬送される。基板搬送室４１Ｄへ搬送された透光性基板５１は真空搬送用ロボット１１Ｄにより、成膜室１２Ｄに搬送される。
【０１６３】
成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄの成膜室２２Ｄ，２３Ｄ，２４Ｄ，２５Ｄは正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び陰極を含む成膜物５６をそれぞれ段階的に成膜するためのものである。なお、以下では成膜室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄで行われる成膜がＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法による蒸着であるものとして説明するが、成膜対象に応じて適宜スパッタリング法等のＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)法による成膜を用いても良い。以下では成膜室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄを、蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄであるものとし、また成膜物５６を蒸着物５６であるものとして説明する。
【０１６４】
透光性基板５１が蒸着室１２Ｄへ搬送された場合、蒸着物５６が透光性基板５１上に蒸着される。１層目の蒸着物５６が蒸着された透光性基板５１は搬送手段である真空搬送用ロボット１１Ｄにより、次段の蒸着室１３Ｄへ搬送される。蒸着室１３Ｄにおいては２層目の蒸着物５６が蒸着される。その後、透光性基板５１は次段の蒸着室１４Ｄへ搬送される。各蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄは送信回線及び送受信装置を含むデータ送信手段Ｐにより接続されている。各蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄでの蒸着の状況に関する情報がデータ送信手段Ｐにより送受信される。
【０１６５】
第１成膜装置１０Ｄでの４層目の蒸着を終えた後、蒸着物５６が蒸着された透光性基板５１は、入口及び出口に真空ゲートＧ、Ｇが設けられた受渡室４２Ｄへ真空搬送用ロボット１１Ｄにより搬送される。受渡室４２Ｄに連設される第２成膜装置２０Ｄも第１成膜装置１０Ｄと同様に、真空ゲートＧ、蒸着室２２Ｄ乃至２５Ｄ、データ送信手段Ｐ、真空搬送用ロボット２１Ｄ及び受渡室４３Ｄを含んで構成される。
【０１６６】
透光性基板５１は、受渡室４２Ｄを経て第２成膜装置２０Ｄの蒸着室２２Ｄへ搬送され、５層目の蒸着が行われる。次いで蒸着室２３Ｄ乃至２５Ｄで蒸着物５６が蒸着された透光性基板５１は、真空搬送用ロボット２１Ｄにより、受渡室４３Ｄへ搬送される。なお、本実施の形態においては第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄの２段構成としているが、１段または３段以上の成膜装置を設けて成膜するようにしても良い。さらに、第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄは各４つの蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄを設けているが、その数は蒸着する層数に応じて適宜増減させても良い。
【０１６７】
受渡室４３Ｄに連設される封止装置３０Ｄは真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、予備室３３Ｄ、排出室４４Ｄ、分光エリプソメータ１、及び封止基板搬送室３２Ｄを含んで構成される。全ての層の蒸着を終えた透光性基板５１は、真空搬送用ロボット３１Ｄにより、封止室３４Ｄへ搬送され、また封止基板搬送室３２Ｄへ搬送されたカバー部材５７も、同様に封止室３４Ｄへ搬送される。蒸着物５６が蒸着された透光性基板５１とカバー部材５７とは封止室３４Ｄにおいて接着剤により張り合わせが行わる。
【０１６８】
貼り合わせにより完成した有機ＥＬ素子パネル５０は検査室としても機能する排出室４４Ｄへ真空搬送用ロボット３１Ｄにより搬送される。蒸着室１２Ｄ等の下流に設けられる排出室４４Ｄの上側には実施の形態１乃至３で述べた分光エリプソメータ１が載置されている。なお、排出室４４Ｄの下側に分光エリプソメータ１を設けても良い。排出室４４Ｄでは、有機ＥＬ素子パネル５０を発光または非発光の状態で光学定数の変化を計測し、その変化に異常が存在するか否かを判断する。異常が存在する場合は分光エリプソメータ１によりその旨が通知される。排出室４４Ｄでの解析の後、有機ＥＬ素子パネル５０は外部へ搬送される。
【０１６９】
図３５は排出室４４Ｄの断面を示す模式的断面図、図３６は排出室４４Ｄ内部の概要を示す模式的斜視図である。排出室４４Ｄは筐体１２０、透過窓１２２，１２２、真空ゲートＧ、及び、有機ＥＬ素子パネル５０を載置するラック１２１等を含んで構成される。排出室４４Ｄはその断面において底部が矩形状、頂部が台形をなす筐体１２０を備え、筐体１２０の略中央部には２本のラック１２１、１２１が架設されている。カバー部材５７により封止された有機ＥＬ素子パネル５０は図３４に示す真空搬送用ロボット１１Ｄにより、排出室４４Ｄ内部へ搬送され、ラック１２１、１２１上に載置される。すなわち真空ゲートＧから排出室４４Ｄへ搬送された有機ＥＬ素子パネル５０の両端が図３６に示す如くラック１２１、１２１に支持され、発光または非発光の状態で分光エリプソメータ１による膜厚、光学定数の解析が可能な位置まで搬送される。なお、有機ＥＬ素子パネル５０のラック１２１、１２１上での位置決めは図示しない光センサ等により行えばよい。
【０１７０】
なお、本実施の形態においては、有機ＥＬ素子パネル５０の透光性基板５１が上側を向いた状態で搬送される形態につき説明するが、カバー部材５７が上側を向いた状態で搬送するようにしても良い。筐体１２０の頂部は断面視が２斜辺を有する台形状をなし、２斜辺にはガラス等の透過窓１２２、１２２がそれぞれ密閉性を保った状態で固設されている。筐体１２０の上側には光照射器３及び光取得器５を備える分光エリプソメータ１が設けられている。
【０１７１】
光照射器３の出射面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されており、同様に、光取得器５の受光面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されている。なお、光照射器３及び光取得器５を透過窓１２２から隔離して設けても良い。光照射器３からの入射光は斜辺に設けられる透過窓１２２に対して略垂直に入射し、透光性基板５１またはカバー部材５７を照射する。有機ＥＬ素子パネル５０からの反射光は透過窓１２２に対して略垂直に入射し、光取得器５へ到達する。なお、本実施の形態においては、分光エリプソメータ１を排出室４４Ｄの上側に設ける構成としたが、下側に設けても良い。さらに、分光エリプソメータ１の光照射器３及び光取得器５を排出室４４Ｄの内部に取り付ける構成であっても良い。
【０１７２】
続いて排出室４４Ｄ内部の詳細構造を、図３６を用いて説明する。排出室４４Ｄ内部には、実施の形態１で述べた導通スタンド１７３、１７５、プローブ１７４、１７６、及び、有機ＥＬ素子パネル５０を反転させるための反転機構１７６０等が備わっている。導通スタンド１７３は排出室４４Ｄの底部から立設されており、先端付近からは有機ＥＬ素子パネル５０の陰極５９方向へ向かうプローブ１７４が設けられている。プローブ１７４は導通スタンド１７３内部の図示しないギア等からなる回動機構１７３０に他端が連結されている。この回動機構１７３０の動作に伴い、プローブ１７４は上下方向に他端を中心とした回動運動を行う。プローブ１７４が回動機構１７３０の動作により下方向に回転し、その先端が陰極５９の裏面陰極５９０または表面陰極５９１に接触する。
【０１７３】
導通スタンド１７３内部の回動機構１７３０及びコンピュータ本体１１に接続される昇降制御部１７５ａは回動機構１７３０を制御する回路である。昇降制御部１７５ａはコンピュータ本体１１にＵＳＢ等により接続されており、ＣＰＵ１１ａの指示に従い、回動機構１７３０を動作させる。具体的には、ＣＰＵ１１ａは排出室４４Ｄへ有機ＥＬ素子パネル５０が搬送される前に、回動機構１７３０を上方向に回転させ、プローブ１７４を上昇させる指示を昇降制御部１７５ａへ出力する。一方、ＣＰＵ１１ａは排出室４４Ｄへ有機ＥＬ素子パネル５０が搬送された場合、回動機構１７３０を下方向に回転させ、プローブ１７４を下降させ、その先端を電極５９へ接触させる指示を昇降制御部１７５ａへ出力する。なお、陽極５８に対しても、同様に導通スタンド１７５、回動機構１７５０及びプローブ１７６が備わるが、陰極５９側と同様の構成であるため詳細な説明は省略する。
【０１７４】
陽極５８側のプローブ１７６及び陰極５９側のプローブ１７４は実施の形態１等で述べた電圧印加手段としての直流電源１７１、スイッチ１７２、及び、スイッチング制御回路１７等に接続されている。なお、これらの構成については上述したとおりであるので詳細な説明は省略する。反転機構１７６０は駆動制御部１７１０、スタンド１７９，伸縮アーム１７８、及び、把持機構１７７等を含んで構成される。駆動制御部１７１０はコンピュータ１０にＵＳＢ等により接続されており、ＣＰＵ１１ａの指示に従い把持機構１７７及び伸縮アーム１７８等を制御する。
【０１７５】
伸縮アーム１７８はモータによりベルトを介して移動する多段のスライドアーム等から構成され、透光性基板５１と略同一高さにおいて、ラック１２１と略直交する方向に進退する。伸縮アーム１７８は、スタンド１７９との交点を中心に上下方向に回動する。伸縮アーム１７８の先端には把持機構１７７が取り付けられている。把持機構１７７は多関節のロボットハンド等で構成されており、駆動制御部１７１０の指示に従い透光性基板５１の一側を把持した状態で、伸縮アーム１７８との接合部において１８０度回転する。回転後、伸縮アーム１７８は下降し、有機ＥＬ素子パネル５０はカバー部材５７が上向きの状態となる。
【０１７６】
伸縮アーム１７８は把持機構１７７が透光性基板５１を把持することが可能な距離まで伸びることができる。回転後駆動制御部１７１０の指示により把持機構１７７は透光性基板５１を非把持の状態とする。その後、駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を初期位置まで縮ませる。
【０１７７】
以上のハードウェア構成において、排出室４４Ｄ内での分光エリプソメータ１を用いた解析処理の流れを、フローチャートを用いて説明する。図３７乃至図３９は排出室４４Ｄ内部における処理手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態１で述べた透光性基板５１側からの解析を実行するか、実施の形態２で述べたカバー部材５７側からの解析を実行するか、または実施の形態３で述べた両方向から解析を実行するかを問う画面を記憶部１１ｂから読み出しディスプレイ１２へ表示する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から、透光性基板５１側からの解析を実行するか、カバー部材５７側からの解析を実行するか、または両方向から解析を実行するかの選択を受け付ける（ステップＳ３７１）。
【０１７８】
ＣＰＵ１１ａは有機ＥＬ素子パネル５０が排出室４４Ｄ内へ搬送されたか否かを判断する（ステップＳ３７２）。これは真空ゲートＧ近傍に設けたカメラまたは光センサ等により有機ＥＬ素子パネル５０の排出室４４Ｄ内への搬送を認識させればよい。認識した情報はカメラまたは光センサからＣＰＵ１１ａへ出力される。ＣＰＵ１１ａは排出室４４Ｄ内へ有機ＥＬ素子パネル５０が搬送されていないと判断した場合（ステップＳ３７２でＮＯ）、搬送されるまで待機する。一方、ＣＰＵ１１ａは搬送されたと判断した場合（ステップＳ３７２でＹＥＳ）、昇降制御部１７５ａへプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３７３）。なお、上述したように本実施の形態においては透光性基板５１の裏面が上側に向けて搬送されるものとする。
【０１７９】
昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａはステップＳ３７１において、両方側から解析する選択を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ３７４）。ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３７４でＹＥＳ）、測定日時、発光状態、透光性基板５１側及びカバー部材５７側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７５）。一方ＣＰＵ１１ａは、両方側から解析するとの選択を受け付けていない場合は（ステップＳ３７４でＮＯ）、透光性基板５１側のみからの解析の選択を受け付けたか否かを、ステップＳ３７１にて受け付けた情報を参照して、判断する（ステップＳ３７６）。
【０１８０】
ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側との選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３７６でＹＥＳ）、測定日時、発光状態、透光性基板５１側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７８）。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１で述べたように、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ３７９）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEg、ΔEgを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８１）。
【０１８１】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ３８２）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ３８３）。これにより有機ＥＬ素子パネル５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、ステップＳ３７５を経た場合は透光性基板５１側及びカバー部材５７側とする照射方向、または、ステップＳ３７８を経た場合は透光性基板５１側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８４）。
【０１８２】
ＣＰＵ１１ａは発光時における透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ３８５）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８６）。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ３８７）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３８８）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。
【０１８３】
ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ３８９）。ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けていない場合（ステップＳ３８９でＮＯ）、実施の形態１で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、有機ＥＬ素子パネル５０を外部へ排出する（ステップＳ３９１）。
【０１８４】
ステップＳ３７６において、ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側のみからの解析の選択を受け付けていない場合（ステップＳ３７６でＮＯ）、カバー部材５７側からの選択を受け付けたと判断し、測定日時、発光状態、カバー部材５７側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７７）。ステップＳ３７７の処理の後、または、ステップＳ３８９においてＣＰＵ１１ａが両方側から解析の選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３８９でＹＥＳ）、ＣＰＵ１１ａは駆動制御部１７１０に対し、反転指示を出力する（ステップＳ３９２）。駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を最長位置まで伸ばし、また把持機構１７７を開閉動作させ、透光性基板５１を把持させ、伸縮アーム１７８を所定角度まで上昇させる。その後、駆動制御部１７１０は把持機構１７７を１８０度回転させる。
【０１８５】
駆動制御部１７１０は回転の後、伸縮アーム１７８を下降させることにより、カバー部材５７が上側を向いた状態で透光性基板５１をラック１２１、１２１上に載置する。駆動制御部１７１０は把持機構１７７を閉開動作させ、非把持状態とする。その後、駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を縮ませる。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ３９３）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEc、ΔEcを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９４）。
【０１８６】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ３９５）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ３９６）。これにより有機ＥＬ素子パネル５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、ステップＳ３７５を経た場合は透光性基板５１側及びカバー部材５７側とする照射方向、または、ステップＳ３７７を経た場合はカバー部材５７側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９７）。
【０１８７】
ＣＰＵ１１ａは発光時におけるカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ３９８）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９９）。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ３９１０）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３９１１）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。
【０１８８】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ３８９を経た場合、両面解析であるので、実施の形態３で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、有機ＥＬ素子パネル５０を外部へ排出する（ステップＳ３９１２）。同様に、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ３７７を経た場合、カバー部材５７側の解析であるので、実施の形態２で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、有機ＥＬ素子パネル５０を外部へ排出する（ステップＳ３９１２）。
【０１８９】
本実施の形態４は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至３と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１９０】
実施の形態５
実施の形態５は排出室４４Ｄに両面解析用の分光エリプソメータ１を配置した形態に関する。図４０は排出室４４Ｄの断面を示す模式的断面図である。実施の形態４と異なり、排出室４４Ｄ内部上側に光照射器３及び光取得器５が取り付けられている。また光照射器３及び光取得器５に対応して補助用の一組の補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓが検査室３５Ｄ内部の下側に取り付けられている。なお、実施の形態４で述べた如く、光照射器３及び光取得器５、並びに、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓを、透過窓１２２を設けることにより、排出室４４Ｄ外部に取り付けても良い。
【０１９１】
補助光照射器３Ｓは排出室４４Ｄの床面から突設される支持台３Ｓ１の先端に取り付けられている。同様に、補助光取得器５Ｓも排出室４４Ｄの床面から突設される支持台５Ｓ１の先端に取り付けられている。補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓは光照射器３及び光取得器５と同様の機能を果たすべくコンピュータ本体１１に接続されており、分光エリプソメータ１内のコンピュータ本体１１へ計測したデータを出力する。
【０１９２】
補助光照射器３ＳはＣＰＵ１１ａの指示に従い、光を有機ＥＬ素子パネル５０の下側から照射する。補助光取得器５ＳはＣＰＵ１１ａの指示に従い、有機ＥＬ素子パネル５０の下側にて反射した光を取得する。取得した情報は実施の形態１で述べた如く分光エリプソメータ１内のコンピュータ本体１１へ出力され、各種処理が実行される。実施の形態４の図３６で述べた反転機構１７６０は両面から略同タイミングで解析を行うため、省略しても良い。なお、本実施の形態においては両面からの測定を可能とすべく、上下一組の光照射器３及び光取得器５、並びに、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓを設ける構成としたが、これに限るものではない。例えば、光照射器３及び光取得器５を、排出室４４Ｄ内部にて上側及び下側へ移動可能となるよう構成しても良い。この場合、ラック１２１に載置される有機ＥＬ素子パネル５０を中心とする環状のレールを排出室４４Ｄ内部に設ける。そして光照射器３及び光取得器５を、レール上をモータにより移動できるよう取り付ける。上側から計測する場合は、図４０の例では、光照射器３が２時位置、光取得器５が１０時位置に存在する。そして、その後下側から計測する場合は、光照射器３は時計方向へ４時位置までレール上を移動する。また、光取得器５は１０時位置から反時計方向へ８時位置までレール上を移動する。
【０１９３】
以上のハードウェア構成において解析処理の手順を、フローチャートを用いて説明する。図４１及び図４２は実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは有機ＥＬ素子パネル５０が排出室４４Ｄ内へ搬送されたか否かを判断する（ステップＳ４１１）。ＣＰＵ１１ａは排出室４４Ｄ内へ有機ＥＬ素子パネル５０が搬送されていないと判断した場合（ステップＳ４１１でＮＯ）、搬送されるまで待機する。一方、ＣＰＵ１１ａは搬送されたと判断した場合（ステップＳ４１１でＹＥＳ）、昇降制御部１７５ａへプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ４１２）。なお、上述したように本実施の形態においては透光性基板５１が上側に向けて搬送されるものとする。
【０１９４】
昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、測定日時、非発光状態とする発光状態、透光性基板５１側及びカバー部材５７側とする照射方向、並びに、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４１３）。ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１４）。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１で述べたように、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ４１５）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEg、ΔEgを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４１６）。
【０１９５】
その後、ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１７）。続いて、ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１８）。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、非発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ４１９）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEc、ΔEcを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２１）。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２２）。そして非発光時におけるフィッティングが実施の形態３の如く実行され、膜厚及び光学定数等が算出される。
【０１９６】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ４２３）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ４２４）。これにより有機ＥＬ素子パネル５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、透光性基板５１側及びカバー部材５７側とする照射方向、及び、カバー部材５７の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２５）。
【０１９７】
ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２６）。ＣＰＵ１１ａは発光時における透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ４２７）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２８）。ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２９）。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２１０）。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、発光時のカバー部材５７側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ４２１１）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２１２）。そして発光時におけるフィッティングが実施の形態３の如く実行され、膜厚及び光学定数等が算出される。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２１３）。
【０１９８】
ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ４２１４）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ４２１５）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。最後にＣＰＵ１１ａは実施の形態３で述べた、非発光時に対する発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数それぞれの変化率を層別に算出し、変化率に異常が存在する場合は異常を示す信号をディスプレイ１２に表示する。その後、ＣＰＵ１１ａは、有機ＥＬ素子パネル５０を外部へ排出する信号を出力する（ステップＳ４１２６）。
【０１９９】
本実施の形態５は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至４と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２００】
実施の形態６
図４３は実施の形態６に係る分光エリプソメータ１の構成を示すブロック図である。実施の形態６に係る分光エリプソメータ１のコンピュータ１０を動作させるためのコンピュータプログラムは、本実施の形態６のように、ＣＤ−ＲＯＭ、メモリーカード等の可搬型記録媒体１Ａで提供することも可能である。さらに、コンピュータプログラムを、ＬＡＮ、またはインターネット等の図示しない通信網を介して図示しないサーバコンピュータからダウンロードすることも可能である。以下に、その内容を説明する。
【０２０１】
図４３に示すコンピュータ１０の図示しない記録媒体読み取り装置に、発光時における測定をさせ、発光時の光学定数を算出させ、非発光時における測定をさせ、非発光時の光学定数を算出させ、差または比を出力させる等のコンピュータプログラムが記録された可搬型記録媒体１Ａを、挿入して記憶部１１ｂのプログラム内にこのプログラムをインストールする。または、かかるプログラムを、図示しない通信部を介して外部の図示しないサーバコンピュータからダウンロードし、記憶部１１ｂにインストールするようにしても良い。かかるプログラムはＲＡＭ１１ｃにロードして実行される。これにより、上述のような本発明のコンピュータ１０として機能する。
【０２０２】
本実施の形態６は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至５と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２０３】
実施の形態７
実施の形態７はカバー部材５７側から計測した際の経年変化の表示処理、及び、双方から計測した際の経年変化の表示処理に関する。まず、カバー部材５７側から計測した際の経年変化の表示処理について説明する。図４４及び図４５はカバー部材５７側から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。図２４及び図２５で述べた処理により、ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７側の発光時における屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ４４１）。同様に、ＣＰＵ１１ａはカバー部材５７側の非発光時における屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ４４２）。ステップＳ４４１及びＳ４４２の処理は例えば有機ＥＬ素子パネル５０の完成時若しくは完成時から所定の日数内（例えば１０日以内）、１年後、並びに、２年後等に実行される。ＣＰＵ１１ａは完成段階における発光時及び非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０から、測定日時をもとに読み出す（ステップＳ４４３）。
【０２０４】
ＣＰＵ１１ａは発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ４４１で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ４４３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４４４）。なお、ステップＳ４４４の処理は各層について別々に行う。次いで、ＣＰＵ１１ａは非発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ４４２で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ４４３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４４５）。なお、ステップＳ４４５の処理は各層について別々に行う。
【０２０５】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、測定日時、並びに、屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化率を読み出し、図４６に示す如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４４６）。図４６はカバー部材５７側の解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。図４６に示す如く、層別に測定日時に対応して、発光時または非発光時の経年変化率が表示される。ＣＰＵ１１ａは読み出した完成段階の測定日時から該当する測定日時までの期間である該当年度に係る閾値を、第２閾値ファイル１１２から読み出す（ステップＳ４４７）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶されている最初の測定日時と、各測定日時との間隔を算出し、算出した間隔に最も近い期間に対応する閾値を第２閾値ファイル１１２から読み出す。ＣＰＵ１１ａは読み出した発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。
【０２０６】
同様に、ＣＰＵ１１ａは読み出した非発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した非発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。ＣＰＵ１１ａは閾値を超える屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び膜厚経年変化率に対し、図４６の如く異常を示す情報をディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４４８）。この表示処理は発光時及び非発光時それぞれについて層別に行われる。
【０２０７】
ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した層数に応じた枠体を読み出して生成し、ディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４４９）。なおこの場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、生成した各枠体と、有機膜５６が有する各層との関連づけを行う。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した屈折率、消衰係数、または膜厚別に異常を示す情報を読み出す。そして、ＣＰＵ１１ａは、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率が閾値を超える層の枠体に、屈折率、消衰係数、または膜厚の異常を示す情報を合成した画像を生成し、測定日時に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ４５１）。ステップＳ４４１乃至Ｓ４５１の処理は、完成時と一年後と、及び、完成時と２年後との如く、完成時と完成時後の測定日時との全ての組み合わせに対して実行される。なお、図４６に示すように、カバー部材５７側から計測を実施したことを明確にすべく、カバー部材５７を示すＣ字型の枠体を有機膜５６の各層を示す枠体上に表示しても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは、記憶部１１ｂに記憶した描画ソフトウェアを実行し、有機膜５６の各層を示す枠体を開口部にて被うＣ字型の枠体を生成する。ＣＰＵ１１ａは生成したＣ字型の枠体の開口部を下側に向け、有機膜５６の各層の枠体から所定間隔離した状態で記述する。
【０２０８】
ＣＰＵ１１ａは当該生成した合成画像を図４６の如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４５２）。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂ及び履歴ファイル１１０を参照し、他の測定日時に対応する合成画像が記憶されているか否かを判断する（ステップＳ４５３）。ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていると判断した場合（ステップＳ４５３でＹＥＳ）、例えば図４６の如く、１年後のみならず２年後の合成画像が記憶されている場合、当該記憶された合成画像を読み出す（ステップＳ４５４）。ＣＰＵ１１ａは測定日時に基づき、合成画像を時系列にディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４５５）。これにより、既に生成された合成画像が時系列で表示されることから、ユーザは各有機膜５６の経年変化を視覚的に、また、段階的に、把握することが可能となる。一方、ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていないと判断した場合（ステップＳ４５３でＮＯ）、例えば１年分の合成画像しか生成されていない場合、ステップＳ４５４及びＳ４５５の処理をスキップし処理を終了する。
【０２０９】
最後に、透光性基板５１側及びカバー部材５７側の双方から計測した際の経年変化表示処理について説明する。図４７及び図４８は双方から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。図３０乃至及び図３３で述べた処理により、ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１及びカバー部材５７双方からの照射に基づく発光時の屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ４７１）。同様に、ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１及びカバー部材５７双方からの照射に基づく非発光時における屈折率、消衰係数、及び膜厚を算出し、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０にこれらの算出結果を記憶する（ステップＳ４７２）。ステップＳ４７１及びＳ４７２の処理は例えば有機ＥＬ素子パネル５０の完成時若しくは完成時から所定の日数内（例えば１０日以内）、１年後、並びに、２年後等に実行される。ＣＰＵ１１ａは完成段階における発光時及び非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０から、測定日時をもとに読み出す（ステップＳ４７３）。なお、完成段階とは必ずしも完成直後を意味するものではなく、完成直後から数週間内の所定期間であっても良い。
【０２１０】
ＣＰＵ１１ａは発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ４７１で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ４７３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４７４）。なお、ステップＳ４７４の処理は各層について別々に行う。次いで、ＣＰＵ１１ａは非発光時における屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化について、ステップＳ４７２で算出した屈折率、消衰係数、及び、膜厚を、ステップＳ４７３で読み出した完成段階における屈折率、消衰係数、及び膜厚で除すことにより、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率を算出し、算出したそれぞれの経年変化率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４７５）。なお、ステップＳ４７５の処理は各層について別々に行う。
【０２１１】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、測定日時、並びに、屈折率、消衰係数、及び、膜厚の経年変化率を読み出し、図４９に示す如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４７６）。図４９は透光性基板５１及びカバー部材５７双方からの解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。図４９に示す如く、層別に測定日時に対応して、発光時または非発光時の経年変化率が表示される。ＣＰＵ１１ａは読み出した完成段階の測定日時から該当する測定日時までの期間である該当年度に係る閾値を、第２閾値ファイル１１２から読み出す（ステップＳ４７７）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶されている最初の測定日時と、各測定日時との間隔を算出し、算出した間隔に最も近い期間に対応する閾値を第２閾値ファイル１１２から読み出す。ＣＰＵ１１ａは読み出した発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。
【０２１２】
同様に、ＣＰＵ１１ａは読み出した非発光時の屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び、膜厚経年変化率と、読み出した非発光時の屈折率経年変化率に係る閾値、消衰係数経年変化率に係る閾値、及び、膜厚経年変化率に係る閾値とを比較し、閾値を超えるものを抽出する。ＣＰＵ１１ａは閾値を超える屈折率経年変化率、消衰係数経年変化率、及び膜厚経年変化率に対し、図４９の如く異常を示す情報をディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４７８）。この表示処理は発光時及び非発光時それぞれについて層別に行われる。
【０２１３】
ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した層数に応じた枠体を読み出して生成し、ディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４７９）。なおこの場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、生成した各枠体と、有機膜５６が有する各層との関連づけを行う。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶した屈折率、消衰係数、または膜厚別に異常を示す情報を読み出す。そして、ＣＰＵ１１ａは、屈折率、消衰係数、及び膜厚の経年変化率が閾値を超える層の枠体に、屈折率、消衰係数、または膜厚の異常を示す情報を合成した画像を生成し、測定日時に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ４８１）。ステップＳ４７１乃至Ｓ４８１の処理は、完成時と一年後と、及び、完成時と２年後との如く、完成時と完成時後の測定日時との全ての組み合わせに対して実行される。なお、図４９に示すように、透光性基板５１及びカバー部材５７側の双方から計測を実施したことを明確にすべく、カバー部材５７を示すＣ字型の枠体及び透光性基板５１を示す矩形状の枠体を、有機膜５６の各層を示す枠体を覆うように表示しても良い。これらの枠体の表示処理は、実施の形態３で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。
【０２１４】
ＣＰＵ１１ａは当該生成した合成画像を図４９の如くディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４８２）。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂ及び履歴ファイル１１０を参照し、他の測定日時に対応する合成画像が記憶されているか否かを判断する（ステップＳ４８３）。ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていると判断した場合（ステップＳ４８３でＹＥＳ）、例えば図４９の如く、１年後のみならず２年後の合成画像が記憶されている場合、当該記憶された合成画像を読み出す（ステップＳ４８４）。ＣＰＵ１１ａは測定日時に基づき、合成画像を時系列にディスプレイ１２に表示する（ステップＳ４８５）。これにより、既に生成された合成画像が時系列で表示されることから、ユーザは各有機膜５６の経年変化を視覚的に、また、段階的に、把握することが可能となる。一方、ＣＰＵ１１ａは他の測定日時に対応する合成画像が記憶されていないと判断した場合（ステップＳ４８３でＮＯ）、例えば１年分の合成画像しか生成されていない場合、ステップＳ４８４及びＳ４８５の処理をスキップし処理を終了する。
【０２１５】
本実施の形態７は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至６と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２１６】
実施の形態８
実施の形態８は屈折率及び消衰係数の波長による変化を、発光時及び非発光時においてそれぞれ表示する形態に関する。図５０は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。実施の形態１の図９で示した解析結果に加えてＣＰＵ１１ａは屈折率及び消衰係数の波長に対する変化をグラフとして表示する。図５０左側に示すグラフは屈折率の波長に対する変化を示す。縦軸は屈折率であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は発光時の屈折率の波長に対する変化を示し、実線は非発光時の屈折率の波長に対する変化を示す。
【０２１７】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、非発光時と発光時とにおける屈折率の変化が視認することができる。図５０の例では、多くの帯域で一致しない点が散見される。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて屈折率に異常が存在すると判断した割合を屈折率異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常率を、グラフと共に表示部１２へ出力する。
【０２１８】
図５０右側に示すグラフは消衰係数の波長に対する変化を示す。縦軸は消衰係数であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は発光時の消衰係数の波長に対する変化を示し、実線は非発光時の消衰係数の波長に対する変化を示す。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、層別にグラフを表示したが、全ての層を一括表示しても良いことはもちろんである。
【０２１９】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、非発光時と発光時とにおける消衰係数の変化が視認することができる。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて消衰係数に異常が存在すると判断した割合を消衰係数異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常率を、グラフと共にディスプレイ１２へ出力する。図の例では屈折率異常率が屈折率の変化を示すグラフと共に８％と表示され、消衰係数異常率が消衰係数の変化を示すグラフとともに５％と表示されている。
【０２２０】
図５１及び図５２は波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各波長における非発光時の屈折率を読み出す（ステップＳ５１１）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の屈折率を読み出す（ステップＳ５１２）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、発光時及び非発光時における屈折率の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図５０の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５１３）。
【０２２１】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めたサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１の処理により予め定めたサンプリング数の中で屈折率に異常ありと判断した数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５１４）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１４で読み出した数をサンプリング数で除すことにより、屈折率異常率を算出する（ステップＳ５１５）。なお、異常率の算出の際は％表示とすべく１００を乗じる。例えば、ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば６％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５１６）。
【０２２２】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５１６でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５１７）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「屈折率に異常が多いため不良品と判断しました。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５１６でＮＯ）、ステップＳ５１７の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５１７の処理の後、ステップＳ５１５で算出した屈折率異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５１８）。
【０２２３】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各波長における非発光時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５１９）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５２１）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、発光時及び非発光時における消衰係数の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図５０の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５２２）。
【０２２４】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めたサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１の処理により予め定めたサンプリング数の中で消衰係数に異常ありと判断した数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５２３）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５２３で読み出した数をサンプリング数で除すことにより、消衰係数異常率を算出する（ステップＳ５２４）。ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば７％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５２５）。
【０２２５】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５２５でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５２６）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「消衰係数に異常が多いため不良品と判断しました。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５２５でＮＯ）、ステップＳ５２６の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５２６の処理の後、ステップＳ５２４で算出した消衰係数異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５２７）。
【０２２６】
図５３は座標別の異常状態を示す説明図である。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で算出した屈折率異常率及び消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａはステージ４を移動させ、移動後の座標値についても同様の処理を行い移動後の座標値に対応づけて屈折率異常率及び消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａは対象となる座標値についての処理を終えた場合、図５３に示すグラフをディスプレイ１２へ出力する。
【０２２７】
図５３に示すグラフは、有機ＥＬ素子パネル５０の各座標値に対する屈折率異常率の変化を示すグラフである。横軸及び縦軸は有機ＥＬ素子パネル５０のいずれか一角を原点座標とした場合のｘ軸及びｙ軸を示す。上方向へ伸びる軸は各座標値に対応する屈折率異常率を示す軸である。有機ＥＬ素子パネル５０の各座標値に対応して、屈折率異常率が棒グラフとして表示される。これにより、有機ＥＬ素子パネル５０の平面視における屈折率の異常箇所及びその量を視認することができる。
【０２２８】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各座標値に対する屈折率異常率に基づきグラフを作成しディスプレイ１２へ出力する。同様にＣＰＵ１１ａは消衰係数異常率をもグラフ表示する。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、一画面に屈折率異常率のみを表示する例を説明したが、各座標値における消衰係数異常率をもあわせて一覧表示しても良いことはもちろんである。
【０２２９】
図５４及び図５５は座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で述べた処理を座標値毎に行い、座標値毎に屈折率異常率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ５４０）。ＣＰＵ１１ａは図５３に示す屈折率タグがマウス１４によりクリックされた場合、履歴ファイル１１０から各座標値における屈折率異常率を読み出す（ステップＳ５４１）。ＣＰＵ１１ａは表計算ソフトウェアを起動し、座標値毎の屈折率異常率を示すグラフを作成し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４２）。
【０２３０】
ＣＰＵ１１ａはさらに、異常の程度を客観化すべく点数計算を行う。以下では屈折率異常に係る点数を屈折率異常点数という。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における屈折率異常率を加算し、その合計値を屈折率異常点数として算出し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４３）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常点数が予め記憶部１１ｂに記憶した所定点数（例えば１００点）以上であるか否かを判断する（ステップＳ５４４）。
【０２３１】
ＣＰＵ１１ａは所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ５４４でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ５４５）。この情報は例えば「屈折率の異常が全般にわたり散見されます。」等のテキスト文とすればよい。ＣＰＵ１１ａは所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ５４４でＮＯ）、ステップＳ５４５の処理をスキップする。当該処理の後及びステップＳ５４５の処理の後、ステップＳ５４６の処理へ移行する。
【０２３２】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で述べた処理を座標値毎に行い、座標値毎に消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ５４６）。ＣＰＵ１１ａは図５３に示す消衰係数タグがマウス１４によりクリックされた場合、履歴ファイル１１０から各座標値における消衰係数異常率を読み出す（ステップＳ５４７）。ＣＰＵ１１ａは表計算ソフトウェアを起動し、座標値毎の消衰係数異常率を示すグラフを作成し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４８）。
【０２３３】
ＣＰＵ１１ａはさらに、異常の程度を客観化すべく点数計算を行う。以下では消衰係数異常に係る点数を消衰係数異常点数という。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における消衰係数異常率を加算し、その合計値を消衰係数異常点数として算出し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４９）。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常点数が予め記憶部１１ｂに記憶した所定点数（例えば１１０点）以上であるか否かを判断する（ステップＳ５４１０）。
【０２３４】
ＣＰＵ１１ａは所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ５４１０でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ５５１）。この情報は例えば「消衰係数の異常が全般にわたり散見されます。」等のテキスト文とすればよい。ＣＰＵ１１ａは所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ５４１０でＮＯ）、ステップＳ５５１の処理をスキップする。なお上述した点数の算出方法はあくまで一例でありこれに限るものではない。例えば、以下に示す点数算出処理を実行しても良い。ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における屈折率異常率（または消衰係数異常率）を算出する。ＣＰＵ１１ａは、一の座標値に関し、算出した屈折率異常率（または消衰係数異常率）が、記憶部１１ｂに予め記憶した閾値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは、閾値を超えると判断した場合、フラグをＲＡＭ１１ｃに設定する。ＣＰＵ１１ａは当該処理を全ての座標値に対して実行する。ＣＰＵ１１ａはＲＡＭ１１ｃに記憶したフラグ数を、屈折率異常点数（または消衰係数異常点数）として、計数する。ＣＰＵ１１ａはこの計数した合計値が、記憶部１１ｂに予め記憶した値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは合計値が、記憶した値を超えると判断した場合、測定対象である有機ＥＬ素子パネル５０が不良品であることを示す情報を、ディスプレイ１２へ出力する。なお、当該処理は、必ずしも全ての座標値に対して実行する必要はなく、予め定めた所定の座標値に対してのみ実行しても良い。また閾値を０、すなわち、屈折率異常率（または消衰係数異常率）の値が存在する場合に一律に異常箇所としてフラグを設定するようにしても良い。
【０２３５】
本実施の形態８は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至７と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２３６】
実施の形態９
実施の形態９は屈折率及び消衰係数の波長による変化を、完成時及びその後の計測時においてそれぞれ表示する形態に関する。図５６は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。実施の形態１の図１１で示した解析結果に加えてＣＰＵ１１ａは屈折率及び消衰係数の波長に対する変化をグラフとして表示する。図５６左側に示すグラフは屈折率の波長に対する変化を示す。縦軸は屈折率であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は発光時でありかつ第１計測時（本例では２００７年１０月１５日）における屈折率の波長に対する変化を示し、実線は発光時でありかつ第１計測時よりも後の第２計測時（本例では１年後の２００８年１０月１５日）の屈折率の波長に対する変化を示す。
【０２３７】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、第１計測時と第２計測時とにおける屈折率の変化が視認することができる。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて屈折率の経年変化率が閾値を超えると判断した割合を屈折率経年異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率経年異常率を、グラフと共にディスプレイ１２へ出力する。なお図５６に示すグラフは発光時における屈折率の変化を示したが、同様に非発光時の屈折率の変化を示しても良い。
【０２３８】
図５６右側に示すグラフは消衰係数の波長に対する変化を示す。縦軸は消衰係数であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は第１計測時の消衰係数の波長に対する変化を示し、実線は第２計測時の消衰係数の波長に対する変化を示す。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、層別にグラフを表示したが、全ての層を一括表示しても良いことはもちろんである。
【０２３９】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、第１計測時と第２計測時とにおける消衰係数の変化が視認することができる。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて消衰係数の経年変化率が閾値を超えると判断した割合を消衰係数経年異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数経年異常率を、グラフと共にディスプレイ１２へ出力する。図の例では屈折率経年異常率が屈折率の変化を示すグラフと共に２０％と表示され、消衰係数経年異常率が消衰係数の変化を示すグラフとともに１５％と表示されている。
【０２４０】
図５７及び図５８は波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは図１４に示す履歴ファイル１１０に記憶した各波長における発光時の第１計測時の屈折率を読み出す（ステップＳ５７１）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の第２計測時の屈折率を読み出す（ステップＳ５７２）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、第１計測時及び第２計測時における屈折率の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図５６の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５７３）。
【０２４１】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めたサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１７４及びＳ１７８の処理により予め定めたサンプリング数の中で屈折率の経年変化率が閾値を超え、異常ありと判断した数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５７４）。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ５７４で読み出した数をサンプリング数で除すことにより、屈折率経年異常率を算出する（ステップＳ５７５）。ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば８％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率経年異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５７６）。
【０２４２】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５７６でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５７７）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「屈折率が経年により劣化しています。不良品と判断しました。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５７６でＮＯ）、ステップＳ５７７の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５７７の処理の後、ステップＳ５７５で算出した屈折率経年異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５７８）。
【０２４３】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各波長における発光時の第１計測時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５７９）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の第２計測時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５８１）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、第１計測時及び第２計測時における消衰係数の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図５６の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５８２）。
【０２４４】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めた波長のサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１７４及びＳ１７８の処理により予め定めたサンプリング数の中で消衰係数の経年変化率が閾値を超え、異常ありと判断した波長の個数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５８３）。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ５８３で読み出した個数をサンプリング数で除すことにより、消衰係数経年異常率を算出する（ステップＳ５８４）。ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば１０％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数経年異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５８５）。
【０２４５】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５８５でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５８６）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「経年により消衰係数に異常が見られます。不良品と判断します。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５８５でＮＯ）、ステップＳ５８６の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５８６の処理の後、ステップＳ５８４で算出した消衰係数経年異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５８７）。なお以上で述べた処理は発光時における処理であるが、非発光時の処理も同様に行えばよい。
【０２４６】
図５９は座標別の経年異常状態を示す説明図である。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５７１乃至Ｓ５８７で算出した屈折率経年異常率及び消衰係数経年異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａはステージ４を移動させ、移動後の座標値についても同様の処理を行い移動後の座標値に対応づけて屈折率経年異常率及び消衰係数経年異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａは対象となる座標値についての処理を終えた場合、図５９に示すグラフをディスプレイ１２へ出力する。
【０２４７】
図５９に示すグラフは、有機ＥＬ素子パネル５０の各座標値に対する屈折率経年異常率の変化を示すグラフである。横軸及び縦軸は有機ＥＬ素子パネル５０のいずれか一角を原点座標とした場合のｘ軸及びｙ軸を示す。上方向へ伸びる軸は各座標値に対応する屈折率経年異常率を示す軸である。有機ＥＬ素子パネル５０の各座標値に対応して、屈折率経年異常率が棒グラフとして表示される。これにより、有機ＥＬ素子パネル５０の平面視における屈折率の異常箇所及びその量を視認することができる。図５９の例では、有機ＥＬ素子パネル５０の外周付近に経年に伴う異常が散見される。
【０２４８】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各座標値に対する屈折率経年異常率に基づきグラフを作成しディスプレイ１２へ出力する。同様にＣＰＵ１１ａは消衰係数経年異常率及び膜厚経年変化率（詳細については後述する）をもグラフ表示する。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、一画面に屈折率経年異常率のみを表示する例を説明したが、各座標値における消衰係数経年異常率及び膜厚経年変化率をもあわせて一覧表示しても良いことはもちろんである。
【０２４９】
図６０及び図６１は座標別の経年異常率及び点数の算出処理手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは検査対象とする座標値を記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ６０１）。有機ＥＬ素子パネル５０は経年変化により透光性基板５１とカバー部材５７との接合部分から空気が侵入し、有機膜５６の平面視における外周辺にて経年に基づく異常が発生する可能性が高いと想定される。本実施の形態においては、記憶部１１ｂに予め検査対象とする座標値を記憶しておき、当該検査対象となる座標値について経年変化に伴う異常率及び点数を算出する。
【０２５０】
具体的には、有機膜５６の平面視における外周部分について検査対象とする座標値を多く記憶し、平面視における中央部分にかけて徐々に検査対象とする座標値を少なくするよう記憶しておく。これにより、より効率よく有機ＥＬ素子パネル５０の経年変化に伴う異常を判断することが可能となる。なお、検査対象とする座標値の例はあくまで一例であり、これに限るものではなく、また全ての座標値について経年変化に伴う異常率及び点数を算出しても良い。
【０２５１】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ５７５で述べた処理を実行することにより、屈折率経年異常率を算出する（ステップＳ６０２）。ＣＰＵ１１ａは検査対象の座標値毎の屈折率経年異常率をグラフとしてディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ６０３）。ＣＰＵ１１ａは検査対象の座標値に対する重みを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ６０４）。この重みは検査対象となる座標値に対応づけて値が記憶部１１ｂに予め記憶されている。例えば重みは外周部分の座標値については大きな値が記憶されており、中心部分に向かうにつれて重みが小さくなるよう記憶されている。
【０２５２】
ＣＰＵ１１ａは、検査対象となる各座標値の屈折率経年異常率に、対応する座標値に係る重みをそれぞれ乗じて、座標値毎の屈折率経年異常率の補正値を算出する（ステップＳ６０５）。ＣＰＵ１１ａは乗算後の各座標値の屈折率経年異常率の補正値を加算し、その合計値を屈折率異常点数として算出する（ステップＳ６０６）。ＣＰＵ１１ａは屈折率経年異常点数が所定点数以上であるか否かを判断する（ステップＳ６０７）。この所定点数は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば３０点とすればよい。
【０２５３】
ＣＰＵ１１ａは屈折率経年異常点数が所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ６０７でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を、記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ６０８）。当該処理の後及びＣＰＵ１１ａが、所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ６０７でＮＯ）、ステップＳ６０９の処理へ移行する。
【０２５４】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ５８４で述べた処理を実行することにより、消衰係数経年変化異常率を算出する（ステップＳ６０９）。ＣＰＵ１１ａは検査対象の座標値毎の消衰係数経年異常率をグラフとしてディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ６１２）。ＣＰＵ１１ａは、検査対象となる各座標値の消衰係数経年異常率に、対応する座標値に係る重みをそれぞれ乗じて、座標値毎の消衰係数経年異常率の補正値を算出する（ステップＳ６１３）。ＣＰＵ１１ａは乗算後の各座標値の消衰係数経年異常率の補正値を加算し、その合計値を消衰係数異常点数として算出する（ステップＳ６１４）。ＣＰＵ１１ａは消衰係数経年異常点数が所定点数以上であるか否かを判断する（ステップＳ６１５）。この所定点数は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば２０点とすればよい。なお上述した点数の算出方法はあくまで一例でありこれに限るものではない。例えば、以下に示す点数算出処理を実行しても良い。ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における屈折率経年異常率（または消衰係数経年異常率）を算出する。ＣＰＵ１１ａは、一の座標値に関し、算出した屈折率経年異常率（または消衰係数経年異常率）が、記憶部１１ｂに予め記憶した閾値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは、閾値を超えると判断した場合、フラグをＲＡＭ１１ｃに設定する。ＣＰＵ１１ａは当該処理を全ての座標値に対して実行する。ＣＰＵ１１ａはＲＡＭ１１ｃに記憶したフラグ数を、屈折率異常点数（または消衰係数異常点数）として、計数する。ＣＰＵ１１ａはこの計数した合計値が、記憶部１１ｂに予め記憶した値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは合計値が、記憶した値を超えると判断した場合、測定対象である有機ＥＬ素子パネル５０が不良品であることを示す情報を、ディスプレイ１２へ出力する。なお、当該処理は、必ずしも全ての座標値に対して実行する必要はなく、予め定めた所定の座標値に対してのみ実行しても良い。また閾値を０、すなわち、屈折率経年異常率（または消衰係数経年異常率）の値が存在する場合に一律に異常箇所としてフラグを設定するようにしても良い。
【０２５５】
ＣＰＵ１１ａは消衰係数経年異常点数が所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ６１５でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を、記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ６１６）。当該処理の後及びＣＰＵ１１ａが、所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ６１５でＮＯ）、ステップＳ６１７の処理へ移行する。ＣＰＵ１１ａは所定の座標値について図１４に示す履歴ファイル１１０に記憶した発光時の第１計測時の膜厚及び発光時の第２計測時の膜厚を読み出す（ステップＳ６１７）。
【０２５６】
ＣＰＵ１１ａは読み出した第１計測時の膜厚を第２計測時の膜厚で除すことにより膜厚の経年変化率を算出する（ステップＳ６１８）。なお、第２計測時の膜厚を第１計測時の膜厚で除しても良い。ＣＰＵ１１ａは対応する座標値に経年変化率をグラフとしてディスプレイ１２に出力する（ステップＳ６１９）。ＣＰＵ１１ａは膜厚の経年変化率が、記憶部１１ｂに予め記憶した閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ６１１１）。
【０２５７】
ＣＰＵ１１ａは膜厚の経年変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ６１１１でＹＥＳ）、当該座標値にフラグを設定する（ステップＳ６１１２）。ＣＰＵ１１ａは膜厚の経年変化率が閾値を超えないと判断した場合（ステップＳ６１１１でＮＯ）、ステップＳ６１１２の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは全ての座標値について処理を終了したか否かを判断する（ステップＳ６１１３）。なお、上述したように全ての座標値に対してこれらの処理を行うのではなく、予め記憶部１１ｂに予め記憶した所定の複数の座標値についてのみ処理を実行しても良い。
【０２５８】
ＣＰＵ１１ａは全ての座標値について処理を終了していないと判断した場合（ステップＳ６１１３でＮＯ）、他の座標値について同様の処理を行うべくステップＳ６１７へ移行し同様の処理を行う。一方、ＣＰＵ１１ａは全ての座標値について処理が終了したと判断した場合（ステップＳ６１１３でＹＥＳ）、ステップＳ６１１２で設定した各座標値のフラグの合計値が記憶部１１ｂに予め記憶した所定点数以上であるか否かを判断する（ステップＳ６１１４）。
【０２５９】
ここでＣＰＵ１１ａはフラグ合計値が所定点数以上である場合（ステップＳ６１１４でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報をディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ６１１５）。一方、ＣＰＵ１１ａはフラグ合計値が所定点数以上でない場合（ステップＳ６１１４でＮＯ）、処理を終了する。なお、非発光時についても同様の処理であるので詳細な説明は省略する。
【０２６０】
なお、ステップＳ６１１３の処理は座標値別の重みを考慮しても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは座標値に対して付与された重みを記憶部１１ｂから読み出す。この重みは有機ＥＬ素子パネル５０の平面視における外縁周部に大きな重みが設定され、中心部に向かうにつれ重みが小さくなるようその値が記憶されている。ＣＰＵ１１ａはステップＳ６１１２にて座標値にフラグを設定した場合、基本ポイント１に当該座標値の対応する重みを乗じて当該座標値の補正ポイントを算出する。ＣＰＵ１１ａは当該処理をステップＳ６１１２の各座標値について行う。ＣＰＵ１１ａは各座標値の補正ポイントの合計値を算出する。最後にＣＰＵ１１ａはこの補正ポイントの合計値が記憶部１１ｂに予め記憶した所定ポイントを超える場合に不良品と判断する。なお紙面の都合上割愛したが、図１４、２２、及び２８における履歴ファイル１１０には図７と同様に試料フィールドが設けられ対応する試料名が記憶されている。また紙面の都合上割愛したが、図９、１６、２３、２９、４６、４９、５０、５３、５６及び５９等においてディスプレイ１２上に対応する試料名を表示しても良いことはもちろんである。
【０２６１】
本実施の形態９は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至８と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２６２】
（付記１）
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、
前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した光学定数及び前記発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
(付記２)
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、
前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記非発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した光学定数及び前記非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
（付記３）
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、
前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した光学定数及び前記発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
(付記４)
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、
前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記非発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した光学定数及び前記非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
(付記５)
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定手段と、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側発光測定手段と、
前記基板側発光測定手段及び封止部材側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
予め記憶部に記憶した前記試料の完成段階にて前記発光算出手段により算出された光学定数を読み出す手段と、
該手段により読み出した光学定数及び前記発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
（付記６）
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子を封止部材で覆った試料を計測する分光エリプソメータにおいて、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記封止部材側から光を照射し、前記試料で反射した光の偏光状態を測定する封止部材側非発光測定手段と、
前記基板側非発光測定手段及び封止部材側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【図面の簡単な説明】
【０２６３】
【図１】分光エリプソメータのハードウェア構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層状態を示す模式的断面図である。
【図３】ステージに有機ＥＬ素子パネルを載置した状態を示す模式的斜視図である。
【図４】有機ＥＬ素子パネルを透光性基板側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。
【図５】透光性基板側から計測する際のモデルを示す説明図である。
【図６】記憶部の記憶内容を示すブロック図である。
【図７】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図８】閾値ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図９】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図１０】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図１１】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図１２】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図１３】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図１４】履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図１５】第２閾値ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図１６】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図１７】経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図１８】経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図１９】有機ＥＬ素子パネルをカバー部材側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。
【図２０】カバー部材側から計測する際のモデルを示す説明図である。
【図２１】ステージに有機ＥＬ素子パネルを載置した状態を示す模式的斜視図である。
【図２２】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図２３】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図２４】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図２５】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図２６】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２７】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２８】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図２９】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図３０】膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図３１】膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図３２】フィッティング処理の手順を示すフローチャートである。
【図３３】フィッティング処理の手順を示すフローチャートである。
【図３４】実施の形態５に係る製造装置の概要を示す模式的平面図である。
【図３５】排出室の断面を示す模式的断面図である。
【図３６】排出室内部の概要を示す模式的斜視図である。
【図３７】排出室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図３８】排出室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図３９】排出室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図４０】排出室の断面を示す模式的断面図である。
【図４１】実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。
【図４２】実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。
【図４３】実施の形態６に係る分光エリプソメータの構成を示すブロック図である。
【図４４】カバー部材側から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図４５】カバー部材側から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図４６】カバー部材側の解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図４７】双方から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図４８】双方から計測した際の経年変化率の記憶及び表示処理の手順を示すフローチャートである。
【図４９】透光性基板及びカバー部材双方からの解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図５０】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図５１】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図５２】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図５３】座標別の異常状態を示す説明図である。
【図５４】座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。
【図５５】座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。
【図５６】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図５７】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図５８】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図５９】座標別の経年異常状態を示す説明図である。
【図６０】座標別の経年異常率及び点数の算出処理手順を示すフローチャートである。
【図６１】座標別の経年異常率及び点数の算出処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０２６４】
１        分光エリプソメータ
１Ａ      可搬型記録媒体
２        キセノンランプ
３        光照射器
４        ステージ
５        光取得器
６        レール
７        分光器
８        データ取込機
９        モータ制御機
１０      コンピュータ
１０Ｄ    第１成膜装置
１１      コンピュータ本体
１１Ｄ，２１Ｄ    真空搬送用ロボット（搬送手段）
１２      ディスプレイ
１２Ｄ〜１５Ｄ、２２Ｄ〜２５Ｄ    蒸着室（成膜室）
１７      スイッチング制御回路
２０Ｄ    第２成膜装置
４４Ｄ    排出室
５０      有機ＥＬ素子パネル
５１      透光性基板
５６      有機膜
５７      カバー部材
５８      陽極
５９      陰極
６０      空間（ギャップ）
８０      製造装置
１１０    履歴ファイル
１１１    閾値ファイル
１１２    第２閾値ファイル
１２０    筐体
１２１    ラック
１２２    透過窓
１７２    スイッチ
１７３、１７５  導通スタンド
１７４、１７６  プローブ
Ｐ        データ送信手段
【図１】
2010014628.tif 000006
【図２】
2010014628.tif 000007
【図３】
2010014628.tif 000008
【図４】
2010014628.tif 000009
【図５】
2010014628.tif 000010
【図６】
2010014628.tif 000011
【図７】
2010014628.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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