(57)【要約】【課題】より高いレベルでの有機ＥＬ素子の計測を実行することが可能な有機ＥＬ素子の計測方法を提供する。【解決手段】封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を計測する。発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。非発光算出手段は非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。そして出力手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を出力する。【選択図】図１
2010014627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、
前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を算出する算出ステップと
を備えることを特徴とする計測方法。
【請求項２】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、
前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【請求項３】
前記算出手段により算出した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する異常出力手段
を備えることを特徴とする請求項２に記載の分光エリプソメータ。
【請求項４】
前記発光算出手段は、
前記反対側から測定する場合の反対側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、
前記非発光算出手段は、
前記反対側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してある
ことを特徴とする請求項２または３に記載の分光エリプソメータ。
【請求項５】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を分光エリプソメータに計測させるプログラムにおいて、
分光エリプソメータに、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、
前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、
前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、
前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を算出する算出ステップと
を実行させるプログラム。
【請求項６】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、
前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【請求項７】
透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定手段と、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する反対側発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定手段と、
有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する反対側非発光測定手段と、
前記基板側発光測定手段及び反対側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、
前記基板側非発光測定手段及び反対側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、
前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段と
を備えることを特徴とする分光エリプソメータ。
【請求項８】
前記発光算出手段は、
前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記反対側から測定する場合の反対側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側発光測定手段により測定した偏光状態及び前記反対側発光測定手段により測定した偏光状態に基づいて、フィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、
前記非発光算出手段は、
前記基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記反対側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側非発光測定手段により測定した偏光状態及び前記反対側非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいて、フィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してある
ことを特徴とする請求項７に記載の分光エリプソメータ。
【請求項９】
成膜室にて膜の成膜を行う有機ＥＬ素子の製造装置において、
前記成膜室の下流に設けられる検査室と、
該検査室に設けられ前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記検査室に設けられる請求項２、６または７のいずれか一つに記載の分光エリプソメータと
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項１０】
前記算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合に、前記検査室の下流に設けられ、前記有機ＥＬ素子を封止部材で封止するための封止室へ前記有機ＥＬ素子を搬送する搬送手段と
を備えることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項１１】
有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、
成膜材料を供給する成膜ユニットと、
成膜される前記有機ＥＬ素子を介して前記成膜ユニットとは反対側に設けられる請求項２に記載の分光エリプソメータと、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段と
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、
成膜材料を供給する成膜ユニットと、
該成膜ユニットと同方向側に設けられる請求項６に記載の分光エリプソメータと、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段と
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１３】
有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、
成膜材料を供給する成膜ユニットと、
請求項７に記載の分光エリプソメータと、
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段と
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
前記算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合に、下流に設けられる他の室へ前記有機ＥＬ素子を搬送する搬送手段
を備えることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一つに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の計測方法、分光エリプソメータ、分光エリプソメータを機能させるためのプログラム、製造装置及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子は、自発光素子であり、基板上に下部電極と有機発光機能層を含む有機層と上部電極とを積層させた基本構造を有している。上部電極と下部電極との間に電圧を印加することによって、上部電極及び下部電極の一方に形成される陰極側から電子が有機層内に注入される。上部電極及び下部電極の他方に形成される陽極側から正孔が有機層内に注入され、それらが有機層中の有機発光機能層で再結合することで発光する。このような有機ＥＬ素子の計測方法として分光光度計及び分光エリプソメータを用いた計測方法が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３４９６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年ではより高精度での有機ＥＬ素子の製造が要求されており、特許文献１を含めた従来の計測方法では製造された有機ＥＬ素子を詳細に計測することはできなかった。
【０００４】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機ＥＬ素子を発光させた場合と発光させない場合とにおける光学定数の相違を分光エリプソメータで計測することにより、より高いレベルでの有機ＥＬ素子の計測を実行することが可能な有機ＥＬ素子の計測方法、分光エリプソメータ、分光エリプソメータを機能させるためのプログラム、製造装置及び成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る計測方法は、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を分光エリプソメータにより計測する計測方法において、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を算出する算出ステップとを備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る分光エリプソメータは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記算出手段により算出した光学定数の差または比が記憶部に予め記憶した閾値を超える場合に、異常を示す旨の情報を出力する異常出力手段を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記発光算出手段は、前記反対側から測定する場合の反対側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、前記非発光算出手段は、前記反対側モデルに基づく光の偏光状態、及び、前記非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいてフィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るプログラムは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を分光エリプソメータに計測させるプログラムにおいて、分光エリプソメータに、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定ステップと、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定ステップと、前記発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出ステップと、前記非発光測定ステップにより測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出ステップと、前記発光算出ステップ及び非発光算出ステップにより算出した光学定数間の差または比を算出する算出ステップとを実行させることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る分光エリプソメータは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する非発光測定手段と、前記発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、前記非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る分光エリプソメータは、透光性基板上に膜が形成された有機ＥＬ素子の特性を計測する分光エリプソメータにおいて、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する基板側発光測定手段と、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより該有機ＥＬ素子を発光させた状態で、前記透光性基板側とは反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する反対側発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記透光性基板側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する基板側非発光測定手段と、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、前記反対側から光を照射し、前記有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する反対側非発光測定手段と、前記基板側発光測定手段及び反対側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する発光算出手段と、前記基板側非発光測定手段及び反対側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する非発光算出手段と、前記発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する算出手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る分光エリプソメータは、前記発光算出手段は、前記透光性基板側から測定する場合の基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記反対側から測定する場合の反対側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側発光測定手段により測定した偏光状態及び前記反対側発光測定手段により測定した偏光状態に基づいて、フィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあり、前記非発光算出手段は、前記基板側モデルに基づく光の偏光状態及び前記反対側モデルに基づく光の偏光状態、並びに、前記基板側非発光測定手段により測定した偏光状態及び前記反対側非発光測定手段により測定した偏光状態に基づいて、フィッティングを行うことにより、前記膜の光学定数を算出するよう構成してあることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る製造装置は、成膜室にて膜の成膜を行う有機ＥＬ素子の製造装置において、前記成膜室の下流に設けられる検査室と、該検査室に設けられ前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、前記検査室に設けられる上述のいずれか一つに記載の分光エリプソメータとを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る製造装置は、前記算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合に、前記検査室の下流に設けられ、前記有機ＥＬ素子を封止部材で封止するための封止室へ前記有機ＥＬ素子を搬送する搬送手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る成膜装置は、有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、成膜材料を供給する成膜ユニットと、成膜される前記有機ＥＬ素子を介して前記成膜ユニットとは反対側に設けられる上述の分光エリプソメータと、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段とを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る成膜装置は、有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、成膜材料を供給する成膜ユニットと、該成膜ユニットと同方向側に設けられる上述の分光エリプソメータと、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段とを備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る成膜装置は、有機ＥＬ素子を構成する膜の成膜を行う成膜装置において、成膜材料を供給する成膜ユニットと、上述の分光エリプソメータと、前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する電圧印加手段と、前記成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、前記分光エリプソメータへ前記電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する信号出力手段とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る成膜装置は、前記算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合に、下流に設けられる他の室へ前記有機ＥＬ素子を搬送する搬送手段を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を計測する。発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側とは反対側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、反対側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。非発光算出手段は、非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。そして算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。
【００２０】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を計測する。発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。非発光算出手段は非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。そして算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。
【００２１】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を計測する。基板側発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。反対側発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させた状態で、透光性基板側とは反対側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。基板側非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、透光性基板側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。反対側非発光測定手段は、有機ＥＬ素子を発光させない状態で、反対側から光を照射し、有機ＥＬ素子で反射した光の偏光状態を測定する。発光算出手段は、基板側発光測定手段及び反対側発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、膜の光学定数を算出する。非発光算出手段は、基板側非発光測定手段及び反対側非発光測定手段により測定した光の偏光状態に基づき、前記膜の光学定数を算出する。そして算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。
【００２２】
本発明にあっては、有機ＥＬ素子の製造装置内において、膜の成膜を行う成膜室の下流に検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。そして上述の分光エリプソメータも検査室に設けられる。
【００２３】
本発明にあっては、成膜室の下流には検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。上述の分光エリプソメータも検査室に設けられ有機ＥＬ素子を計測する。そして、算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合、搬送手段は、検査室の下流に設けられ、有機ＥＬ素子を封止部材で封止するための封止室へ有機ＥＬ素子を搬送する。
【００２４】
本発明にあっては、成膜ユニットは成膜材料を供給する。電圧印加手段は、有機ＥＬ素子に電圧を印加する。信号出力手段は、成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、上述の分光エリプソメータへ電圧印加手段を用いた計測を開始する旨の信号を出力する。信号出力後電圧印加手段による電圧の印加、分光エリプソメータによる計測が実行される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を反対側から計測する。算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。これにより、封止部材による封止前の段階においても、発光時と非発光時における光学定数の相違を検出でき、封止前の有機ＥＬ素子の性能評価を実行する上での新たなアプローチを提案することが可能となる。
【００２６】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を透光性基板側から計測する。算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。これにより、封止前の段階においても、高いレベルでの計測が可能となる。
【００２７】
本発明にあっては、封止部材で覆う前の有機ＥＬ素子を双方向から計測する。算出手段は、発光算出手段及び非発光算出手段により算出した光学定数間の差または比を算出する。これにより、封止前の段階においても、双方向から発光時及び非発光時に係る有機ＥＬ素子を高いレベル計測することが可能となる。
【００２８】
本発明にあっては、有機ＥＬ素子の製造装置内において、膜の成膜を行う成膜室の下流に検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。そして上述の分光エリプソメータも検査室に設けられる。これにより、有機ＥＬ素子の製造過程において効率よく有機ＥＬ素子を計測することが可能となる。
【００２９】
本発明にあっては、成膜室の下流には検査室が設けられる。電圧印加手段は、検査室に設けられ有機ＥＬ素子に電圧を印加する。上述の分光エリプソメータも検査室に設けられ有機ＥＬ素子を計測する。そして、算出手段により算出される差または比が記憶部に記憶した閾値を超えない場合、搬送手段は、検査室の下流に設けられ、有機ＥＬ素子を封止部材で封止するための封止室へ有機ＥＬ素子を搬送する。これにより、上述した分光エリプソメータによる計測に従い、所定の基準を満たす有機ＥＬ素子を搬送工程へ効率よく移行させることが可能となる。
【００３０】
本発明にあっては、成膜ユニットは成膜材料を供給する。電圧印加手段は、有機ＥＬ素子に電圧を印加する。信号出力手段は、成膜ユニットによる成膜が終了した場合に、分光エリプソメータへ計測を開始する旨の信号を出力する。信号出力後電圧印加手段による電圧の印加、分光エリプソメータによる計測が実行される。これにより、成膜後に成膜装置内にて、有機ＥＬ素子を発光した状態、または、非発光の状態で光学定数に基づく計測が可能となる等、本発明は優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
実施の形態１
以下本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は分光エリプソメータのハードウェア構成を示すブロック図である。分光エリプソメータ１はキセノンランプ２、光照射器３、ステージ４、光取得器５、分光器７、データ取込機８、モータ制御機９、スイッチング制御回路１７、及び、コンピュータ１０等を含んで構成される。分光エリプソメータ１は、透光性基板に膜を積層（形成）した有機ＥＬ素子（以下、試料５０という）を計測する。なお、本実施の形態においては封止部材により、試料５０を封止する前に各種計測を実行する。以下では、有機ＥＬ素子を、透光性基板に複数の膜を積層する多層型有機ＥＬ素子を例に挙げて説明するが、これに限るものではなく単層型有機ＥＬ素子であっても良い。
【００３２】
分光エリプソメータ１は、膜を複数積層した試料５０に偏光した光を照射すると共に、試料５０で反射した光を取得して反射光の偏光状態を測定し、この測定結果と試料５０に応じたモデルに基づき試料５０の各膜層の特性を解析するものである。図２は有機ＥＬ素子の積層状態を示す模式的断面図である。試料５０は、ガラス基板等の透光性基板５１、有機膜５６、陽極５８及び陰極５９を含んで構成される。有機膜５６は、透光性を有する透光性基板５１の一面５１ａに配置された透明電極である陽極（ＩＴＯ）５８の上に、正孔輸送層（Hole transport layer）５２、発光層（Emitting layer）５３、正孔ブロッキング層（Hole blocking layer）５４、及び電子輸送層（Electron transport layer）５５の計４層の膜層を順次積み重ねている。有機膜５６の最上層である電子輸送層５５の上面には、陰極５９が配置される。
【００３３】
上述した構造の試料５０の有機膜５６を解析する分光エリプソメータ１は、図１に示す構成であり、一対の光照射器３及び光取得器５からなる測定器を含む測定解析系の部分及び駆動系部分に大別される。分光エリプソメータ１は測定解析系の部分として、キセノンランプ２及び光照射器３を第１光ファイバケーブル１５ａで接続し、ステージ４上に載置した試料５０へ偏光した状態の光を照射して光を入射させると共に、試料５０で反射した光を光取得器５で取り込む構成にしている。光取得器５は第２光ファイバケーブル１５ｂを介して分光器７に接続されており、分光器７は波長毎に測定を行って測定結果をアナログ信号としてデータ取込機８へ伝送する。データ取込機８は、アナログ信号を所要値に変換してコンピュータ１０へ伝送し、コンピュータ１０で解析を行う。
【００３４】
また、図１に示すように、分光エリプソメータ１は駆動系部分として、ステージ４、光照射器３、光取得器５及び分光器７に第１モータＭ１〜第６モータＭ６を夫々設けている。各モータＭ１〜Ｍ６の駆動をコンピュータ１０に接続したモータ制御機９で制御することで、ステージ４、光照射器３、光取得器５及び分光器７を測定に応じた適切な位置、姿勢に変更する。モータ制御機９は、コンピュータ１０から出力される指示に基づき各モータＭ１〜Ｍ６の駆動制御を行う。
【００３５】
次に、分光エリプソメータ１の上述した各部分を順番に詳述する。まず、キセノンランプ２は光源であり、複数の波長成分を含む白色光を発生し、発生した白色光を光照射器３へ第１光ファイバケーブル１５ａを介して送る。光照射器３は半円弧状のレール６上に配置され、内部には偏光子３ａを有しており、白色光を偏光子３ａで偏光し、偏光状態の光を試料５０へ照射する。また、光照射器３は、第４モータＭ４が駆動されることでレール６に沿って移動し、照射する光のステージ４のステージ面４ａの垂線Ｈに対する角度（入射角度φ）を調整可能にしている。
【００３６】
ステージ４は移動レール部（図示せず）に摺動可能に配置されており、第１モータＭ１〜第３モータＭ３の駆動によりステージ４を図１中のＸ方向、Ｙ方向（図１の紙面に直交する方向）及び高さ方向となるＺ方向へ夫々移動可能にしている。ステージ４の移動により、試料５０へ光を入射させる箇所も適宜変更でき、試料５０の面分析なども行えるようにしている。なお、ステージ４の試料５０を載置するステージ面４ａは、光の反射を防止するため黒色にされている。
【００３７】
図３はステージ４に試料５０を載置した状態を示す模式的斜視図である。本実施の形態においては透光性基板５１側から光を照射して解析を実行すべく、有機膜５６をステージ４に当接させた状態で載置する。平面視矩形状の透光性基板５１側一側辺裏面には陽極５８と導通する裏面陽極５８０が形成されている。また透光性基板５１側他側裏面には陰極５９と導通する裏面陰極５９０が形成されている。平面視矩形状のステージ４の一側には導通スタンド１７５が突設されており、導通スタンド１７５の先端付近からはプローブ１７６がＹ正方向へ向けて延設されている。
【００３８】
同様に、ステージ４の他側には導通スタンド１７３が突設されており、導通スタンド１７３の先端付近からはプローブ１７４がＸ負方向へ向けて延設されている。電圧印加手段は導通スタンド１７３、１７５、プローブ１７４、１７６、直流電源１７１、スイッチ１７２及びスイッチング制御回路１７等を含んで構成される。プローブ１７６は導通スタンド１７５を介して直流電源１７１の陽極に接続される。またプローブ１７４は導通スタンド１７３を介して直流電源１７１の陰極に接続される。
【００３９】
スイッチング制御回路１７は図１に示すコンピュータ１０のＣＰＵ１１ａの指示に従いスイッチ１７２をオンまたはオフする。試料５０を発光させる場合、プローブ１７６の先端を裏面陽極５８０に接触させ、またプローブ１７４の先端を裏面陰極５９０に当接させる。この状態で、スイッチング制御回路１７はスイッチ１７２をオンとする。これにより直流電源１７１により試料５０に電圧が印加され発光することとなる。ＣＰＵ１１ａの指示に従い、スイッチング制御回路１７がスイッチ１７２をオフとした場合、電圧が非印加の状態となり、試料５０は非発光状態となる。なお、本実施の形態で示す電圧印加手段はあくまで一例でありこれに限るものではない。例えば、コンピュータ１０のＵＳＢポート（図示せず）にプローブ１７４、１７６に導通するＵＳＢケーブル（図示せず）を接続するようにしても良い。この場合ＣＰＵ１１ａの指示に従い、コンピュータ１０から直流電圧がＵＳＢケーブルを介してプローブ１７４、１７６に供給され、試料５０が発光する。
【００４０】
図４は試料５０を透光性基板５１側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。試料５０は、透光性基板５１とは反対側に形成される有機膜５６層の上面５６ａがステージ面４ａに接するように天地を逆にしてステージ４に載置される。裏面陽極５８０及び裏面陰極５９０に電圧を適宜印加することにより、試料５０を発光、または非発光状態とする。この状態で、光照射器３から光を照射することで、試料５０の透光性基板５１の裏面５１ｂから光が入射すると共に透光性の透光性基板５１を通過して有機膜５６へ達する。なお、以下では、試料５０の陽極５８及び陰極５９等の図示を適宜省略する。
【００４１】
また、図１に示すように、光取得器５は試料５０で反射した光を取得し、取得した光の偏光状態を測定するものである。光取得器５は、光照射器３と同様にレール６上に配置されており、ＰＥＭ（Photo Elastic Modulator：光弾性変調器）５ａ及び検光子（Analyzer）５ｂを内蔵し、試料で反射された光を、ＰＥＭ５ａを介して検光子５ｂへ導いている。また、光取得器５は、第５モータＭ５の駆動によりレール６に沿って図４中の矢印Ａ１、Ａ２方向に移動可能であり、基本的に光照射器３の移動に連動して反射角度φと入射角度φとが同角度になるようにモータ制御機９で制御されている。なお、光取得器５に内蔵されたＰＥＭ５ａは、取り込んだ光を所要周波数（例えば５０ｋＨｚ）で位相変調することにより直線偏光から楕円偏光を得ている。また、検光子５ｂは、ＰＥＭ５ａで位相変調された各種偏光の中から選択的に偏光を取得して測定する。
【００４２】
図１に示す分光器７は、反射ミラー、回折格子、フォトマルチプライヤー（ＰＭＴ：光電子倍増管）及び制御ユニット等を内蔵し、光取得器５から第２光ファイバケーブル１５ｂを通じて送られた光を反射ミラーで反射して回折格子へ導いている。回折格子は第６モータＭ６により角度を変更し出射する光の波長を可変する。分光器７の内部へ進んだ光はＰＭＴで増幅され、光の量が少ない場合でも、測定された信号（光）を安定化させる。また、制御ユニットは測定された波長に応じたアナログ信号を生成してデータ取込機８へ送出する処理を行う。なお、ポラリメータを用いる場合は、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）を組み合わせた構成にすることも可能である。
【００４３】
データ取込機８は、分光器７からの信号に基づき反射光の偏光状態（ｐ偏光、ｓ偏光）の振幅比Ψ及び位相差Δを波長毎に算出し、算出した結果をコンピュータ１０へ送出する。なお、振幅比Ψ及び位相差Δは、ｐ偏光の振幅反射係数Ｒｐ及びｓ偏光の振幅反射係数Ｒｓに対し以下の数式（１）の関係が成立する。
Ｒｐ／Ｒｓ＝ｔａｎΨ・ｅｘｐ（ｉ・Δ）・・・（１）
但し、ｉは虚数単位である（以下同様）。また、Ｒｐ／Ｒｓは偏光変化量ρと云う。
【００４４】
また、コンピュータ１０は、データ取込機８で得られた偏光状態の振幅比Ψ及び位相差Δと、試料に応じたモデルとに基づき試料の解析を行うと共に、ステージ４の移動等に対する制御を行う。
【００４５】
コンピュータ１０は、コンピュータ本体１１、ディスプレイ１２、キーボード１３及びマウス１４等から構成されており、コンピュータ本体１１はＣＰＵ１１ａ、記憶部１１ｂ、ＲＡＭ１１ｃ、及びＲＯＭ１１ｄを内部バスで接続している。ＣＰＵ１１ａは記憶部１１ｂに記憶された各種コンピュータプログラムに従って後述するコンピュータ１０に関する種々の処理を行うものであり、ＲＡＭ１１ｃは処理に係る各種データ等を一時的に記憶し、ＲＯＭ１１ｄにはコンピュータ１０の機能に係る内容等を記憶する。
【００４６】
なお、コンピュータ１０の記憶部１１ｂは、解析用のコンピュータプログラム、及びステージ４の移動制御用のコンピュータプログラム等の各種プログラムを予め記憶すると共に、ディスプレイ１２へ表示するための各種メニュー画像のデータ、試料に係る既知のデータ、相異する構造のモデルパターン、モデルの作成に利用される複数の分散式、作成されたモデル、各種試料に応じたリファレンスデータ、及び干渉縞に関連した比較処理に用いる基準値等を記憶する。
【００４７】
試料５０の解析に関し、コンピュータ１０は試料５０の有機膜５６を構成する各膜層５２乃至５５の光学特性として屈折率及び消衰係数（以下、場合により光学定数で代表する）を解析すると共に、各膜層５２乃至５５の膜厚等も解析する。まず、コンピュータ１０のＣＰＵ１１ａはスイッチング制御回路１７に対し、電圧を印加させるべくオン信号を出力する。スイッチング制御回路１７はこれを受けて、スイッチ１７２をオン状態とする。これにより、裏面陽極５８０及び裏面陰極５９０を通じて電圧が印加され、試料５０が発光する。
【００４８】
コンピュータ１０は、測定された振幅比Ψ及び位相差Δから、透光性基板５１及び試料５０の周囲雰囲気等の複素屈折率を既知とした場合に、記憶部１１ｂに予め記憶されているモデリングプログラムを用いる。そして、ユーザに設定される試料の項目及び試料５０の材料構造に応じたモデルを作成して記憶部１１ｂに記憶しておく。解析段階で記憶しているモデルを用いて有機膜５６の各膜層５２〜５５の膜厚及び複素屈折率を求める。複素屈折率Ｎは、解析する膜層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋとした場合、以下の光学式で表した数式（２）の関係が成立する。
Ｎ＝ｎ−ｉｋ・・・（２）
【００４９】
また、入射角度をφ、光照射器３が照射する光の波長をλとすると、データ取込機８から出力されるエリプソメータで測定された振幅比Ψ及び位相差Δは、解析する膜層５２〜５５の膜厚ｄ、屈折率ｎ及び消衰係数ｋに対して以下の数式（３）の関係が成立する。
（ｄ，ｎ，ｋ）＝Ｆ（ρ）＝Ｆ（Ψ（λ，φ），Δ（λ，φ））・・・（３）
【００５０】
コンピュータ１０は、解析する膜層５２〜５５の膜厚、及び複数のパラメータを有する複素誘電率の波長依存性を示す分散式を用いて、記憶したモデルから理論的な演算で得られるモデルスペクトル（ΨM （λi ）、ΔM （λi））（偏光状態）と、データ取込機８から出力される測定結果に係る測定スペクトル（ΨE （λi ）、ΔE（λi ））（偏光状態）との差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。なお、適用される分散式の一例を下記の数式（４）に示す。
【００５１】
【数１】
2010014627.tif 000003
【００５２】
数式（４）において左辺のεは複素誘電率を示し、ε∞、εs は誘電率を示し、Γ0 、ΓD 、γj は粘性力に対する比例係数（damping factor）を示し、ωoj、ωt 、ωp は固有角振動数（oscillator frequency, transverse frequency, plasma frequency）を示す。なお、ε∞は高周波における誘電率（high frequency dielectric constant）であり、εs は低周波における誘電率（static dielectric constant）であり、ｆj ＝（εSj−ε∞）である。また、複素誘電率ε（ε（λ）に相当）、及び複素屈折率Ｎ（Ｎ（λ）に相当）は、下記の数式（５）の関係が成立する。
ε（λ）＝Ｎ2 （λ）・・・（５）
【００５３】
なお、フィッティングを簡単に説明すると、試料５０を測定した場合でＴ個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔ）、Ｔ個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔ）としたときに測定誤差は正規分布すると考えて標準偏差をσi とした際の最小二乗法に係る平均二乗誤差χ2 は下記の数式（６）で求められる。なお、Ｐはパラメータの数である。平均二乗誤差χ2の値が小さいときは、測定結果と作成したモデルの一致度が大きいことを意味するため、複数のモデルを比較する場合、平均二乗誤差χ2 の値が最も小さいものがベストモデルに相当する。
【００５４】
【数２】
2010014627.tif 000004
【００５５】
上述したコンピュータ１０が行う試料解析に係る一連の処理は、記憶部１１ｂに記憶された解析用のコンピュータプログラムに規定されている。本実施の形態に係る分光エリプソメータ１は、試料５０における複数の反射形態に対応できるように予め作成されているモデルタイプ（モデルの構造）を記憶部１１ｂに記憶している。これらのモデルタイプの構造が、記憶部１１ｂに記憶されるコンピュータプログラム（モデリングプログラム）が規定する処理に基づき読み出されて解析に用いられる。
【００５６】
本実施の形態では試料５０を図４に示すような形態で測定するため、試料５０へ照射した光Ｋが反射する形態として、以下の形態が想定される。まず試料５０へ入射した光Ｋは透光性基板５１及び有機膜５６を通過する。この通過した光Ｋは有機膜５６の上面５６ａとステージ４のステージ面４ａとが接する箇所にて反射する。当該反射した反射光Ｋ１は再び有機膜５６及び透光性基板５１を経て光取得器５へ向かう。なお、図４に示すように、透光性基板５１表面の点Ｐ１での反射、及び透光性基板５１と有機膜５６の境界となる点Ｐ２での反射または多重反射も存在するが、点Ｐ１またはＰ２での反射は、解析に用いるモデルの選択に直接利用しないため、本実施の形態では扱いを省略している。また、光Ｋ及び反射光Ｋ１等は、透光性基板５１及び有機膜５６に対する入射時に屈折すると共に出射時にも屈折するが、この時入射時と出射時の角度は同じである。
【００５７】
図５は透光性基板５１側から計測する際のモデルを示す説明図である。モデルｍ１０は、有機膜５６の上面５６ａとステージ面４ａとの境界面での反射に対応することから、有機膜５６の上面５６ａの下方の周囲雰囲気を構成する媒体をボイド層たる基板とみなす。そして、当該ボイド層（周囲雰囲気）Ｓ０（基板）に有機膜層Ｌ１（有機膜５６に相当）、ガラス層Ｌ２（透光性基板５１の表面粗さが無い部分に相当）、及び、ラフネス層Ｌ３（透光性基板５１の表面粗さに応じた部分）が重なり合った構造にしている。
【００５８】
なお、上述した各モデルｍ１０では、有機膜層Ｌ１を、図２に示す各膜層５２〜５５をまとめた一つの膜層として簡易的に表している。しかし実際のモデリングにおける有機膜層Ｌ１は、試料５０の有機膜５６と同様に、正孔輸送層５２、発光層５３、正孔ブロッキング層５４、及び電子輸送層５５が積層されたものになっており、各膜層５２〜５５に対応した膜厚が設定されるものとする。このように、各膜層５２〜５５に応じたモデリングを行うことで、有機膜５６に含まれる各膜層５２〜５５の特性を解析できるようにしている。
【００５９】
以上述べたモデルに基づくフィッティングを行うことにより、ＣＰＵ１１ａは、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを算出する。最後に、ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する。
【００６０】
ＣＰＵ１１ａは、算出した光学定数を、透光性基板５１側から測定、及び、発光させた状態で測定等の測定条件に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する。その後ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７に対し、オフ信号を出力する。スイッチング制御回路１７はオフ信号を受けて、スイッチ１７２をオフ状態とする。これにより、直流電源１７１からの電圧供給が途絶え、試料５０は非発光状態となる。分光エリプソメータ１は上述した処理を非発光状態においても実行する。同様のフィッティング処理によりＣＰＵ１１ａは、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを算出する。最後に、ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する。
【００６１】
ＣＰＵ１１ａは、算出した光学定数を、透光性基板５１側から測定、及び、非発光状態で測定等の測定条件に対応づけて記憶部１１ｂに記憶する。ＣＰＵ１１ａは、記憶部１１ｂに記憶した発光状態における光学定数と、非発光状態における光学定数と差または比を算出する。以下では、非発光状態における光学定数に対する発光状態の光学定数の比を算出する例を挙げて説明する。なお、以下では比を変化率と読み替えて説明する。ＣＰＵ１１ａは算出した変化率を記憶部１１ｂに記憶する。
【００６２】
図６は記憶部１１ｂの記憶内容を示すブロック図である。ハードディスクまたは大容量メモリ等で構成される記憶部１１ｂには、上述した解析用プログラム、及び移動制御用プログラム等の各種プログラムの他、履歴ファイル１１０及び閾値ファイル１１１等が記憶されている。履歴ファイル１１０は後述するように各種情報が随時記憶される。ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０のフィールドのキーを関連づけたスキーマにおいてＳＱＬ(Structured Query Language)等のデータベースの形式に応じたアクセスインターフェースを用いて対話することにより、必要な情報の記憶、検索等の処理を実行する。
【００６３】
図７は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、屈折率の変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び消衰係数の変化率フィールド、膜厚フィールド並びに膜厚の変化率フィールドを含んで構成される。測定日時フィールドは分光エリプソメータ１により解析を行った日時を記憶している。ＣＰＵ１１ａは例えばデータ取込機８から振幅比Ψ及び位相差Δが出力された場合、時計部１１ｅからの日時情報を参照して測定日時フィールドに記憶する。
【００６４】
照射方向フィールドには透光性基板５１側から光が照射されたのか、有機膜５６の上面５６ａ側（以下、反対側という）から光が照射されたのか、透光性基板５１側及び反対側の双方向から光が照射されたかの情報が記憶される。本実施の形態においては、図４に示す如く、透光性基板５１側から光を照射するので、照射方向フィールドには、透光性基板５１側と記憶されている。なお、この情報はキーボード１３から入力された情報に基づき、ＣＰＵ１１ａが履歴ファイル１１０にいずれかの情報を記憶する。発光状態フィールドには試料５０が発光状態で解析されたか、または非発光状態で解析されたかの情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａはスイッチング制御回路１７に対し、オン信号を出力した場合は、発光状態フィールドに発光との情報を記憶する。一方、スイッチング制御回路１７に対し、オフ信号を出力した場合は、発光状態フィールドに非発光との情報を記憶する。
【００６５】
なお、図示しないが封止部材（以下、カバー部材という）の有無を示す情報を履歴ファイル１１０に記憶しても良い。カバー部材が取り付けられている場合は有りとの情報が記憶され、取り付けられていない場合は、無しとの情報が記憶される。本実施の形態においてはカバー部材が取り付けられる前であるので、無しとの情報が記憶される。ＣＰＵ１１ａは、キーボード１３からカバー部材の有無に関する情報を受け付け、受け付けた情報に基づき、カバー部材の有無フィールドに有無の情報を記憶する。
【００６６】
屈折率フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された屈折率が記憶される。屈折率変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の屈折率の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る屈折率ｎ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る屈折率ｎ１の変化率１．０７（ｎ１／ｎ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの屈折率が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、屈折率を読み出し、屈折率の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率の変化率を発光時の屈折率に対応させて記憶する。これにより、発光させた場合にどの程度屈折率が変化するのかを把握することが可能となる。なお実施の形態で述べる変化率等の数値例はあくまで一例でありこれに限るものではない。
【００６７】
消衰係数フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された消衰係数が記憶される。消衰係数変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の消衰係数の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る消衰係数ｋ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る消衰係数ｋ１の変化率０．９８（ｋ１／ｋ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの消衰係数が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、消衰係数を読み出し、消衰係数の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数の変化率を発光時の消衰係数に対応させて記憶する。
【００６８】
膜厚フィールドには、ＣＰＵ１１ａにより算出された膜厚が記憶される。膜厚変化率フィールドには、対象となる解析対象相互間の膜厚の変化率が記憶される。本例では、２００７年１０月１５日１０時１１分３０秒における非発光状態に係る膜厚ｄ２に対する、その１分１５秒前における発光状態に係る膜厚ｄ１の変化率１．００１（ｄ１／ｄ２）が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは解析対象となる２つの膜厚が履歴ファイル１１０に記憶された場合に、膜厚を読み出し、膜厚の変化率を算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した膜厚の変化率を発光時の膜厚に対応させて記憶する。なお、本実施の形態においては非発光時に対する発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率を算出する例を説明するが、これに限るものではない。反対に、発光時に対する非発光時の屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率を算出しても良い。
【００６９】
さらには、発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数と、非発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数との差分を算出するようにしても良い。なお、上述した履歴ファイル１１０のレコードレイアウトは一例であり、他の形態によりデータを保持しても良いことはもちろんである。本実施の形態において図示する履歴ファイル１１０は特定の波長で計測した際の各種データを、一例として示すものであり、履歴ファイル１１０には他の波長で計測した際の各種データも同様に記憶されている。さらに、本実施の形態において図示する履歴ファイル１１０はステージ４における特定の座標値にて計測した際の各種データを、一例として示すものであり、履歴ファイル１１０には他の座標値で計測した際の各種データも同様に記憶されている。
【００７０】
図８は閾値ファイル１１１のレコードレイアウトを示す説明図である。閾値ファイル１１１は屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率それぞれに対応づけて閾値が記憶されている。例えば屈折率の変化率は０．９４以上１．０６以下と記憶されている。なおこれらの情報は製品名別に記憶されている。この閾値を超える場合、ＣＰＵ１１ａは異常を示す情報を出力する。例えば、図７の例では、屈折率の変化率が１．０７と発光時において閾値１．０６を超えるのでＣＰＵ１１ａは異常を示す情報をディスプレイ１２へ出力（表示）する。一方、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率は、何れも図７の例では閾値を超えないので、異常を示す信号が出力されない。このように、発光時において閾値を超える光学定数の変化または膜厚の変化が生じる場合は、異常を示す情報が出力されるので、ユーザはその原因等を新たなアプローチにより調査することが可能となる。なお、閾値ファイル１１１の記憶内容はユーザがキーボード１３から適宜の値を入力することにより、変更が可能である。
【００７１】
図９は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図９に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図９の如くディスプレイ１２へ出力する。なお、本実施の形態においては有機膜５６が膜層５２から膜層５５とする４層構造であるため、Ａ層乃至Ｄ層それぞれ別に表示する形態につき説明するが、Ａ層乃至Ｄ層の全てを一度に一覧表示するようにしても良い。本例ではマウス１４からＡ層乃至Ｄ層のいずれかのタブがクリックされた場合（図９の例ではＡ層）に、ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０及び閾値ファイル１１１を参照して、図９に示す解析結果の画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。
【００７２】
ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ出力または図示しないスピーカ等から音声を出力する。本実施の形態においては、図９に示す解析結果の画面内に、異常項目に白色である背景色とは異なる赤色等の着色を施すことにより、異常を通知する。例えば、図９の例では屈折率の変化率に異常があるので、ＣＰＵ１１ａは屈折率の変化率の欄に着色を施す処理を行う（図ではハッチングで示す。）。同様に、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率または膜厚の変化率に異常がある場合も、背景色とは異なる着色を施す処理を行う。
【００７３】
さらにＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行っても良い。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。例えば、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率に異常がある場合、右に傾斜するハッチング処理を、層を示す枠内に描画する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率に異常がある場合、左に傾斜するハッチング処理を、層を示す枠内に描画する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、膜厚の変化率に異常がある場合、該当する層の枠の側面に、上下方向を示す矢印を描画する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【００７４】
Ｄ層は図２に示す膜層５２、Ｃ層は膜層５３、Ｂ層は膜層５４、Ａ層は膜層５５に該当する。ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１から有機膜５６の上面５６ａへ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図９の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側または反対側何れにより計測されたか、また、各層の配置関係を明確にすべく、透光性基板５１に対応する枠体を他の枠体よりも大きい形態で表示する。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側と記憶されている場合、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。
【００７５】
これと共に、これらの枠体よりも長手方向が長く、また面積の大きい矩形状の枠体を、透光性基板の文字と共に最上層の上側に隣接させて表示する。その他、光の照射方向が容易に視認できるよう、光の照射及び反射を示す情報を表示するようにしても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１１に透光性基板５１側と記憶されている場合、図９に示すｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、上述した透光性基板５１を示す矩形状の枠体の上の略中央部に、当該読み出した画像を表示する。なお本実施の形態においては、図９に示す如く層別に各種データを表示したが、全層を全て表示しても良いことはもちろんである。
【００７６】
以上のハードウェア構成において各ソフトウェア処理の手順を、フローチャートを用いて説明する。図１０及び図１１は測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。ユーザは試料５０を、透光性基板５１が上向きとなる状態で、ステージ４上に載置する（ステップＳ１０１）。すなわち、透光性基板５１が光照射器３の光照射面及び光取得器５の光取得面に対向するよう有機膜５６の上面５６ａをステージ４に当接させた状態で載置する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から入力された照射方向の情報を受け付ける（ステップＳ１０２）。これは、透光性基板５１側からか、または反対側からかの情報を受け付ける。
【００７７】
ＣＰＵ１１ａはカバー部材の存否に関する情報を、キーボード１３から受け付ける（ステップＳ１０３）。これはカバー部材が存在するか否かの情報である。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から試料５０を発光させる旨の指示があったか否かを判断する（ステップＳ１０４）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から発光の指示を受け付けたと判断した場合（ステップＳ１０４でＹＥＳ）、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ１０５）。これによりスイッチ１７２がオンとなり、試料５０が点灯する。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ１０６）。
【００７８】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１０６で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ１０４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ１０２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ１０３の情報受け付けに基づくカバー部材の情報を、図７の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１０７）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図４に示すように透光性基板５１へ向けて光を照射し、発光時における、透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ１０８）。ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１０９）。
【００７９】
ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１１ａは発光の指示を受け付けていない場合（ステップＳ１０４でＮＯ）、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ１１１）。この場合、試料５０は発光しない。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ１１２）。
【００８０】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１１２で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ１０４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ１０２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ１０３の情報受け付けに基づくカバー部材の情報を、図７の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１１３）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図４に示すように透光性基板５１へ向けて光を照射し、非発光時における、透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ１１４）。
【００８１】
ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEg、ΔEgを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEg、ΔEgを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１１５）。ＣＰＵ１１ａは発光時及び非発光時双方の測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ１１６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に発光時における測定スペクトル及び非発光時における測定スペクトルが記憶されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは双方の測定を終了していないと判断した場合（ステップＳ１１６でＮＯ）、ステップＳ１０４へ移行し以上の処理を繰り返す。一方、双方の測定を終了したと判断した場合（ステップＳ１１６でＹＥＳ）、一連の処理を終了する。
【００８２】
図１２及び図１３は変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ１２１）。このモデルの選択は透光性基板５１側のモデルとして図５に示すモデルｍ１０をキーボード１３により選択する。
【００８３】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ１２２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルｍ１０に対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ１２３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ１２４）。
【００８４】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ１０９で記憶した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを読み出す（ステップＳ１２５）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvと、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ１２６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvとモデルスペクトルΨMg、ΔMgとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【００８５】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ１２７）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ１２７でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出する（ステップＳ１２８）。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その後、再びステップＳ１２６へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【００８６】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ１２７でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ１２９）。なお、ステップＳ１２７の処理においては、所定の値以下となるまで、処理を行うようにしている。しかし、所定時間内に各モデルへ設定すべき初期膜厚及び分散式のパラメータを逐次変更し、所定時間内で最小の平均二乗誤差をとる場合の膜厚及び分散式のパラメータを結果として採用するようにしても良い。また入射角度φ及び反射角度φを逐次変更し、平均二乗誤差が最小となる場合の膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定しても良い。例えば、入射角度φ1、反射角度φ1 において、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ21 を算出する。その後、入射角度をφ2 、反射角度をφ2 へ物理的に変更し、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ22 を算出する。さらにその後、入射角度をφ3 、反射角度をφ3 へ物理的に変更し、所定時間各モデルの膜厚及び分散式のパラメータを変更して最小の平均二乗誤差χ23 を算出する。分光エリプソメータ１は、入射角度φ1 、入射角度φ2 、及び入射角度φ3 （反射角度φ1 、反射角度φ2 、及び反射角度φ3 ）それぞれの平均二乗誤差χ21 、平均二乗誤差χ2 2 、及び平均二乗誤差χ2 3をそれぞれ比較し、最小となる平均二乗誤差をとる入射角度における膜厚及び分散式のパラメータを結果として採用する。なお、物理的に入射角度及び反射角度を変える他、入射角度及び反射角度を一定のままで、値を適宜変更するようにしても良い。また入射角度自体をフィッティングのパラメータの一つとすることも可能である。
【００８７】
ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ１３１）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の発光時のレコードに対応づけて記憶する（ステップＳ１３２）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。次いで、ＣＰＵ１１ａは、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを読み出す（ステップＳ１３３）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEg、ΔEgと、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ１３４）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【００８８】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ１３５）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ１３５でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出する（ステップＳ１３６）。その後、再びステップＳ１３４へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【００８９】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ１３５でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ１３７）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ１３８）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の非発光時のレコードに対応づけて記憶する（ステップＳ１３９）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【００９０】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ１３１０）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ１３１０で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ１３１１）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ１３１１でＹＥＳ）、異常を示す情報を各層に対応する屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ１３１２）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図９の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ１３１３）。具体的には、透光性基板５１上に積層された膜層５２（Ｄ層）の枠体が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。より詳細には、膜層５２（Ｄ層）、膜層５３（Ｃ層）、膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５５（Ａ層）の順に上から下に対応する枠体が表示される。
【００９１】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ１３１４）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【００９２】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側と記憶されている場合、ステップＳ１３１３にて表示した枠体に加えて、これらの枠体よりも長手方向が長く、また面積の大きい矩形状の枠体を、透光性基板の文字と共に最上層の上側に隣接させて表示する（ステップＳ１３１５）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ１３１１でＮＯ）、ステップＳ１３１２乃至Ｓ１３１５の処理をスキップし、試料５０は適正であるとして処理を終了する。
【００９３】
実施の形態２
実施の形態２は反対側から試料５０を解析する形態に関する。図１４は試料５０を反対側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。試料５０は、反対側から光を照射すべく、透光性基板５１の裏面がステージ４裏面に接触する方向にて載置される。分光エリプソメータ１は、有機膜５６の上面５６ａへ向けて偏光状態の光Ｋを照射する。光Ｋは、複数の膜層５２乃至５５（図２参照）で構成される有機膜５６に到達する。光Ｋは有機膜５６を通過した後、有機膜５６と透光性基板５１の境界で反射する場合（反射光Ｋ２０の場合）と、透光性基板５１も通過して透光性基板５１とステージ４の境界で反射する場合（反射光Ｋ３０の場合）とが生じる。なお、いずれの反射光Ｋ２０、Ｋ３０も有機膜５６から出射し、光取得器５で取得されて、偏光状態が測定される。
【００９４】
なお、図１４においても実際には、有機膜５６の上面５６ａでの反射（Ｐ３０）または多重反射をも含むが、このような反射（Ｐ３０）も、解析に用いるモデルの選択に直接利用しないため扱いを省略している。
【００９５】
図１４に示す試料５０の載置形態で試料の解析を行う場合、解析に用いるモデルには、上述した反射光Ｋ２０、Ｋ３０に応じた構造のものを用いる必要がある。図１５は反対側から計測する際のモデルを示す説明図である。図１５（ａ）は、反射光Ｋ２０に応じた構造のモデルｍ２０を示している。モデルｍ２０は、最下方の透光性基板５１をガラス層（Ｓ３０）にして、その上に有機膜層Ｌ３１（有機膜５６に相当）が重なり合った構造にしている。
【００９６】
一方、図１５（ｂ）は、反射光Ｋ３０に応じた構造のモデルｍ３０を示している。モデルｍ３０は、透光性基板５１の下方の周囲雰囲気を構成する媒体（図１４では、透光性基板５１とステージ４の間に存在する空間のボイド層が相当）を基板にみなす。そのボイド層Ｓ４０（基板）にガラス層Ｌ４１（透光性基板５１に相当）、及び、有機膜層Ｌ４２（有機膜５６に相当）が重なり合った構造にしている。
【００９７】
図１６はステージ４に試料５０を載置した状態を示す模式的斜視図である。本実施の形態においては反対側から光を照射して解析を実行すべく、透光性基板５１をステージ４に当接させた状態で載置する。平面視矩形状の透光性基板５１側一側辺表面には陽極５８と導通する表面陽極５８１が形成されている。また透光性基板５１側他側表面には陰極５９と導通する表面陰極５９１が形成されている。平面視矩形状のステージ４の一側には導通スタンド１７５が突設されており、導通スタンド１７５の先端付近からはプローブ１７６がＹ正方向へ向けて延設されている。
【００９８】
同様に、ステージ４の他側には導通スタンド１７３が突設されており、導通スタンド１７３の先端付近からはプローブ１７４がＸ負方向へ向けて延設されている。プローブ１７６は導通スタンド１７５を介して直流電源１７１の陽極に接続される。またプローブ１７４は導通スタンド１７３を介して直流電源１７１の陰極に接続される。試料５０を発光させる場合、プローブ１７６の先端を表面陽極５８１に接触させ、またプローブ１７４の先端を表面陰極５９１に当接させる。この状態で、スイッチング制御回路１７はスイッチ１７２をオンとする。これにより直流電源１７１により試料５０に電圧が印加され発光することとなる。ＣＰＵ１１ａの指示に従い、スイッチング制御回路１７がスイッチ１７２をオフとした場合、電圧が非印加の状態となり、試料５０は非発光状態となる。
【００９９】
図１７は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、屈折率変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び消衰係数変化率フィールド、膜厚フィールド並びに膜厚変化率フィールドを含んで構成される。実施の形態１で述べた図７に示す履歴ファイル１１０と異なり、照射方向フィールドには、反対側の情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは測定日時に対応させて実施の形態１で述べた処理と同様の処理を行うことにより、反対側から計測した場合の、発光時及び非発光時それぞれの屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を記憶する。他の構成については実施の形態１で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。
【０１００】
図１８は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図１８に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図１８の如くディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ表示する。図１８の例では、反対側から測定した場合、屈折率変化率に異常が存在することが認められる。
【０１０１】
またＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行う。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【０１０２】
Ａ層は図２に示す膜層５５、Ｂ層は膜層５４、Ｃ層は膜層５３、Ｄ層は膜層５２に該当する。ＣＰＵ１１ａは有機膜５６の上面５６ａから透光性基板５１へ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図１８の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側または反対側何れにより計測されたか、また、各層の配置関係を明確にすべく、透光性基板５１に対応する枠体を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに反対側と記憶されている場合、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最下層、有機膜５６の上面５６ａを有する層（本例ではＡ層）が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、最下層に隣接させてその最下層の下側に、有機膜５６の枠体よりも長手方向が長く、また面積の大きい枠体を透光性基板の文字と共に表示する。さらに、光の照射方向が容易に視認できるよう、光の照射及び反射を示す情報を表示するようにしても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に反対側と記憶されている場合、図１８に示すｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、上述した有機膜５６の上面５６ａを有する最上層（Ａ層）に対応する矩形状の枠体の上の略中央部に、当該読み出した画像を表示する。
【０１０３】
図１９及び図２０は測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。ユーザは試料５０を、有機膜５６の上面５６ａが上向きとなる状態で、ステージ４上に載置する（ステップＳ２４１）。すなわち、有機膜５６の上面５６ａが光照射器３の光照射面及び光取得器５の光取得面に対向するよう透光性基板５１裏面をステージ４に当接させた状態で載置する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から入力された照射方向の情報を受け付ける（ステップＳ２４２）。
【０１０４】
ＣＰＵ１１ａはカバー部材の存否に関する情報を、キーボード１３から受け付ける（ステップＳ２４３）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から試料５０を発光させる旨の指示があったか否かを判断する（ステップＳ２４４）。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から発光の指示を受け付けたと判断した場合（ステップＳ２４４でＹＥＳ）、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ２４５）。これによりスイッチ１７２がオンとなり、試料５０が点灯する。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ２４６）。
【０１０５】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４６で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ２４４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ２４２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ２４３の情報受け付けに基づくカバー部材の情報を、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２４７）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図１９に示すように有機膜５６の上面５６ａへ向けて光を照射し、発光時における、反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ２４８）。ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２４９）。
【０１０６】
ステップＳ２４４において、ＣＰＵ１１ａは発光の指示を受け付けていない場合（ステップＳ２４４でＮＯ）、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ２５１）。この場合、試料５０は発光しない。ＣＰＵ１１ａは時計部１１ｅの出力を参照し日時情報を取得する（ステップＳ２５２）。なお、ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４４へ移行後一定時間経過しない場合は、オフ信号を出力することなくステップＳ２５２へ移行しても良い。
【０１０７】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２５２で取得した日時情報に基づく測定日時、ステップＳ２４４の情報受け付けに基づく発光状態、ステップＳ２４２の情報受け付けに基づく照射方向、及び、ステップＳ２４３の情報受け付けに基づくカバー部材の情報を、図１７の如く測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２５３）。分光エリプソメータ１は、光照射器３及び光取得器５を用いて、図１４に示すように有機膜５６の上面５６ａへ向けて光を照射し、非発光時における、反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ２５４）。
【０１０８】
ＣＰＵ１１ａはデータ取込機８を介して出力される測定スペクトルΨEc、ΔEcを受け付け、受け付けた測定スペクトルΨEc、ΔEcを、測定日時に対応づけて履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２５５）。ＣＰＵ１１ａは発光時及び非発光時双方の測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ２５６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に発光時における測定スペクトル及び非発光時における測定スペクトルが記憶されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは双方の測定を終了していないと判断した場合（ステップＳ２５６でＮＯ）、ステップＳ２４４へ移行し以上の処理を繰り返す。一方、双方の測定を終了したと判断した場合（ステップＳ２５６でＹＥＳ）、一連の処理を終了する。
【０１０９】
図２１及び図２２は変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ２６１）。このモデルの選択は反対側のモデルとして図１５（ａ）及び（ｂ）に示すモデルｍ２０またはｍ３０からモデルを選択する。モデルの選択は、試料５０の厚み等により適宜のものを選択すれば良い。
【０１１０】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ２６２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルに対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ２６３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ２６４）。
【０１１１】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ２４９で記憶した発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを読み出す（ステップＳ２６５）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvと、反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ２６６）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvとモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。平均二乗誤差χ2 は上述した数式（２）により算出することができる。
【０１１２】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ２６７）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ２６７でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ２６８）。その後、再びステップＳ２６６へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【０１１３】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ２６７でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ２６９）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ２７１）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の発光時及びカバー部材側の情報に対応づけて記憶する（ステップＳ２７２）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。次いで、ＣＰＵ１１ａは、非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを読み出す（ステップＳ２７３）。ＣＰＵ１１ａは、この読み出した測定スペクトルΨEc、ΔEcと、反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとに基づいて、フィッティングを行う（ステップＳ２７４）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。
【０１１４】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ２７５）。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ２７５でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再び反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ２７６）。その後、再びステップＳ２７４へ移行し、同様の処理を繰り返す。
【０１１５】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ２７５でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき値として決定する（ステップＳ２７７）。ＣＰＵ１１ａは、各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ２７８）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０の非発光時及びカバー部材側の情報に対応づけて記憶する（ステップＳ２７９）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【０１１６】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ２７１０）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ２７１０で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ２７１１）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ２７１１でＹＥＳ）、異常を示す情報を屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ２７１２）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図１８の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ２７１３）。具体的には、透光性基板５１上に積層された層の枠体が最下層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。
【０１１７】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ２７１４）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【０１１８】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに反対側と記憶されている場合、ステップＳ２７１３にて表示した枠体に加えて、最下層のさらに下側に透光性基板５１を示す枠体を、有機膜５６を示す枠体よりも長手方向を長くさせた形態で表示する（ステップＳ２７１５）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ２７１１において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ２７１１でＮＯ）、ステップＳ２７１２乃至Ｓ２７１５の処理をスキップし、試料５０は適正であるとして処理を終了する。これにより、反対側からにおいても発光時及び非発光時における光学定数の異常を容易に把握することが可能となる。
【０１１９】
本実施の形態２は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１２０】
実施の形態３
実施の形態３は透光性基板５１側及び反対側の双方から発光時及び非発光時のそれぞれについて光学定数の変化を解析する形態に関する。図２３は記憶部１１ｂに記憶される履歴ファイル１１０のレコードレイアウトを示す説明図である。履歴ファイル１１０は層毎に測定日時における光学定数等を記憶している。履歴ファイル１１０は、各層別に、測定日時フィールド、照射方向フィールド、発光状態フィールド、光学定数フィールド内の屈折率フィールド、変化率フィールド、消衰係数フィールド、及び変化率フィールド、膜厚フィールド並びに変化率フィールドを含んで構成される。実施の形態１で述べた図７に示す履歴ファイル１１０と異なり、照射方向フィールドには、透光性基板５１側及び反対側の情報が記憶されている。ＣＰＵ１１ａは測定日時に対応させて実施の形態１及び実施の形態２で述べた処理を、透光性基板５１側及び反対側それぞれにおいて同様に行うことにより、透光性基板５１側及び反対側の両側から計測した場合の、発光時及び非発光時それぞれの屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を記憶する。他の構成については実施の形態１及び実施の形態２で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。
【０１２１】
図２４は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側及び反対側双方向からの照射に基づく計測、並びに、発光状態及び非発光状態における光学定数及び膜厚の変化率の算出後、図２４に示す異常を示す情報を含む画面を生成し、ディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０から、各層の測定日時、発光状態、光学定数、光学定数の変化率、膜厚及び膜厚の変化率等を読み出し、図２４の如くディスプレイ１２へ出力する。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率がそれぞれの閾値を超える場合、異常を示す情報をディスプレイ１２へ表示する。図２４の例では、屈折率変化率に異常が存在することが認められる。
【０１２２】
またＣＰＵ１１ａは各層の異常状態を容易に識別できるよう、以下の画像処理を行う。ＣＰＵ１１ａは各層について矩形状の枠を描画し、屈折率の変化率、消衰係数の変化率及び膜厚の変化率の異常をそれぞれ識別できる形態で、層別に異常状態を出力する。ＣＰＵ１１ａは、層の数、閾値ファイル１１１及び履歴ファイル１１０を参照し、層の数に対応する枠の描画、層に係る枠に対応する層の名前（Ａ層乃至Ｄ層）の記述、及び上述した描画処理を行う。
【０１２３】
Ａ層は図２に示す膜層５５、Ｂ層は膜層５４、Ｃ層は膜層５３、Ｄ層は膜層５２に該当する。ＣＰＵ１１ａは有機膜５６の上面５６ａから透光性基板５１へ向かう各層と各枠体とを対応付け、各層のデータに異常が存在する場合は、対応する枠体に異常を示す情報を表示する。図２４の例では、Ａ層に屈折率の異常が認められ、Ｂ層には膜厚の異常が認められ、Ｃ層には、屈折率及び消衰係数の異常が認められる。なお、Ｄ層には何の異常も認められないことが理解できる。さらにＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側及び反対側双方から計測されたことを明確にすべく、透光性基板５１に対応する膜層５２乃至膜層５５よりも長手方向が長く、かつ、大きい面積を有する矩形状の枠体を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１上に積層された層（本例ではＤ層）の枠体が最下層、有機膜５６の上面５６ａを有する層（本例ではＡ層）が最上層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。そして、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１及び反対側と記憶されている場合、透光性基板５１に積層された最下層（Ｄ層）よりも下層に、当該層と隣接させた形態で最下層よりも面積の大きい矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。その他、光の照射方向が容易に視認できるよう、光の照射及び反射を示す情報を表示するようにしても良い。この場合、ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０に透光性基板５１側及び反対側と記憶されている場合、図２４に示すｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、有機膜５６の上面５６ａに対応する最上層（Ａ層）に、当該読み出したｖ字型矢印画像を表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは、図２４に示す逆ｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、透光性基板５１を示す矩形状の枠体の下の略中央部に、当該読み出した画像を表示する。
【０１２４】
図２５及び図２６は膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａはキーボード１３またはマウス１４からモデルの選択を受け付ける（ステップＳ３０１）。このモデルの選択は透光性基板５１側のモデルとして図５に示すモデルｍ１０を選択し、また、反対側のモデルとして図１５（ａ）及び（ｂ）に示すモデルｍ２０またはｍ３０からモデルを選択する。このモデルの選択は、試料５０の厚み等により適宜のものを選択すれば良い。なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側のモデルとして図５に示すモデルｍ１０が、反対側のモデルとして図１５（ａ）に示すモデルｍ２０がそれぞれ選択されたものとして説明する。
【０１２５】
ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３０２）。そして、ＣＰＵ１１ａは、選択されたモデルｍ１０、ｍ２０に対応して、予め記憶されていた初期値となる複数の膜厚及び複数の分散式のパラメータを記憶部１１ｂから読み出し、キーボード１３またはマウス１４から、各モデルの選択を受け付け（ステップＳ３０３）、各モデルを確定する。ＣＰＵ１１ａは読み出したモデルに基づき、透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ３０４）。同様に、ＣＰＵ１１ａは、反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出し、結果を記憶部１１ｂに記憶する（ステップＳ３０５）。
【０１２６】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ３０４で算出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMg、ステップＳ３０５で算出した反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMc、実施の形態１のステップＳ１０８で測定した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgv、及びステップＳ１１４で測定した非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEg、並びに、実施の形態２のステップＳ２４８で測定した発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv 、ΔEcv、及び、ステップＳ２５４で測定した非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcをそれぞれ読み出してフィッティングを行い、有機膜５６の各膜層５２乃至５５の膜厚及び分散式のパラメータを確定する（ステップＳ３０６）。なお、このステップの詳細な処理については別紙に説明する。
【０１２７】
図２７及び図２８はフィッティング処理の手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ１０８で測定した発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２１）。また、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ３０４で算出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMgを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２２）。同様に反対側も、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ２４８で測定した発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを記憶部１１ｂから読み出し（ステップＳ３２３）、またステップＳ３０５で算出した反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２４）。
【０１２８】
ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvとモデルスペクトルΨMg、ΔMg、並びに、発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvとモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う（ステップＳ３２５）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。ステップＳ３２５における平均二乗誤差χ2 は式（７）により算出することができる。
【０１２９】
【数３】
2010014627.tif 000005
【０１３０】
なお、試料５０を透光性基板５１側から測定した場合におけるＴg 個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔg ）、Ｔg 個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔg ）とする。反対側から測定した場合におけるＴc個の測定データ対をＥｘｐ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔc ）、Ｔc 個のモデルの計算データ対をＭｏｄ（ｉ＝１，２，・・・，Ｔc ）としている。また、Ｐg は透光性基板５１側から測定する際のパラメータの数であり、Ｐc は反対側から測定する際のパラメータの数である。
【０１３１】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ３２６）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。
【０１３２】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ３２６でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ３２７）。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。その後、再びステップＳ３２５へ移行し、同様の処理を繰り返す。なお、本実施の形態においては、透光性基板５１側及び反対側のモデルの初期膜厚及び分散式のパラメータを変更してモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出するよう説明したが、反対側において適用するモデル自体を変更しても良い。例えば、反対側のモデルとして図１５（ａ）のモデルを用いる。なお、この変更はＣＰＵ１１ａによる変更であっても良いし、オペレータによる変更であっても良い。この異なるモデルに対するモデルスペクトルを算出するためのモデルは記憶部１１ｂに記憶されており、ＣＰＵ１１ａはこのモデルを新たに読み出し、モデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する。
【０１３３】
分光エリプソメータ１は、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ３２６でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき発光時の値として決定する（ステップＳ３２８）。
【０１３４】
次いで非発光時の処理を行う。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ１１４で測定した非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３２９）。ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ２５４で測定した非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを記憶部１１ｂから読み出す（ステップＳ３３１）。
【０１３５】
ＣＰＵ１１ａは、フィッティングのため読み出した、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgとステップＳ３２２で読み出した透光性基板５１側のモデルスペクトルΨMg、ΔMg、並びに、非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcとステップＳ３２４で読み出した反対側のモデルスペクトルΨMc、ΔMcとを比較し測定スペクトルとモデルスペクトルとの差が最小になるように膜厚、分散式のパラメータ等を変化させる処理（フィッティング）を行う（ステップＳ３３２）。ＣＰＵ１１ａはこのフィッティング結果として最小二乗法を用い、平均二乗誤差χ2 を得る。ステップＳ３３２における平均二乗誤差χ2 は上述した式（７）により算出することができる。
【０１３６】
フィッティングの結果としてＣＰＵ１１ａは算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下であるか否かを判断する（ステップＳ３３３）。なお、この所定値は記憶部１１ｂに記憶されている。
【０１３７】
ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2 が所定値以下でないと判断した場合（ステップＳ３３３でＮＯ）、各モデルへ初期値として設定した膜厚及び分散式のパラメータを適宜変更して、再びモデルスペクトルΨMg、ΔMg及びモデルスペクトルΨMc、ΔMcを算出する（ステップＳ３３４）。その後、再びステップＳ３３２へ移行し、同様の処理を繰り返す。ＣＰＵ１１ａは、算出した平均二乗誤差χ2が所定値以下であると判断した場合（ステップＳ３３３でＹＥＳ）、そのときのフィッティングで得られた膜厚及び分散式のパラメータを採用すべき非発光時の値として決定する（ステップＳ３３５）。
【０１３８】
次いで、図２５のステップＳ３０７へ移行する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の各膜層５２乃至５５の発光時の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ３０７）。ＣＰＵ１１ａは算出した発光時における屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３０８）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。同様に、ＣＰＵ１１ａは、非発光時の各膜層５２乃至５５の膜厚、分散式のパラメータ、及びボイド等を参照することで、試料５０の有機膜５６の非発光時の各膜層５２乃至５５の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を算出する（ステップＳ３０９）。ＣＰＵ１１ａは算出した非発光時における屈折率、消衰係数及び膜厚を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３１０）。なおＣＰＵ１１ａは、透光性基板５１に当接する膜層５２（Ｄ層）、膜層５２に当接する膜層５３（Ｃ層）、膜層５３に当接する膜層５４（Ｂ層）、及び、膜層５４に当接する膜層５５（Ａ層）に対応づけて、非発光時における各層の屈折率、消衰係数及び膜厚を記憶する。
【０１３９】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、非発光時における屈折率に対する発光時における屈折率の変化率、非発光時における消衰係数に対する発光時における消衰係数の変化率、及び、非発光時における膜厚に対する発光時における膜厚の変化率を算出し、履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３１１）。ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１を参照し、ステップＳ３１１で算出した各変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ３１２）。ＣＰＵ１１ａはいずれかの変化率が閾値を超えると判断した場合（ステップＳ３１２でＹＥＳ）、異常を示す情報を屈折率、消衰係数または膜厚に関連づけてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ３１３）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは屈折率、消衰係数または膜厚に対応させて、異常を示す情報を変化率と共にディスプレイ１２に表示する。またＣＰＵ１１ａは層数に応じた枠体を図２４の如く積層させてディスプレイ１２へ表示する（ステップＳ３１４）。具体的には、透光性基板５１上に積層された層の枠体が最下層となるよう、全ての層に係る矩形状の枠体をディスプレイ１２に表示する。
【０１４０】
ＣＰＵ１１ａは、表示した各層の枠体に屈折率、変化率または膜厚に係る異常を示す情報を表示する（ステップＳ３１５）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは、屈折率の変化率が閾値を超える場合、屈折率に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。また、ＣＰＵ１１ａは消衰係数の変化率が閾値を超える場合、消衰係数に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは膜厚の変化率が閾値を超える場合、膜厚に対応する異常を示す情報を記憶部１１ｂから読み出し、異常を示す層の枠体に対応づけて表示する。
【０１４１】
ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０の照射方向フィールドに透光性基板５１側及び反対側と記憶されている場合、ステップＳ３１４にて表示した枠体に加えて、透光性基板の文字と共に、透光性基板５１上に積層される最下層に係る枠体の下側に接触させて、当該枠体よりも長手方向が長く、また、大きな面積を有する枠体を表示する（ステップＳ３１６）。最後に、ＣＰＵ１１ａは、記憶部１１ｂから照射方向を示す矢印の画像を読み出し、この読み出した画像を、透光性基板５１を示す枠体の下側、及び、最上層の上側に表示する（ステップＳ３１７）。具体的には、ＣＰＵ１１ａは先端に矢を有する逆ｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、当該読み出した画像を、ステップＳ３１６で表示した枠体の下側に表示する。さらに、ＣＰＵ１１ａは先端に矢を有するｖ字型の矢印画像を記憶部１１ｂから読み出し、当該読み出した画像を、ステップＳ３１４で表示した枠体最上層の上側に表示する。ＣＰＵ１１ａはステップＳ３１２において、屈折率、消衰係数及び膜厚の変化率が閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ３１２でＮＯ）、ステップＳ３１３乃至Ｓ３１７の処理をスキップし、試料５０は適正であるとして処理を終了する。以上述べた如く透光性基板５１及び反対側双方の計測に基づく光学定数の算出により、より精度高く発光時及び非発光時の変化を解析することが可能となる。
【０１４２】
本実施の形態３は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１及び２と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１４３】
実施の形態４
実施の形態４は上述の実施の形態に係る分光エリプソメータ１を試料５０の製造装置に適用した形態に関する。図２９は実施の形態４に係る製造装置８０の概要を示す模式的平面図である。製造装置８０は透光性基板５１上に成膜物５６（有機膜５６に相当）を成膜する２連の第１成膜装置１０Ｄ、第２成膜装置２０Ｄ、及び成膜物５６が成膜された透光性基板５１にカバー部材（封止基板）５７を張り合わせて完成品５１０を排出する封止装置３０Ｄを含んで構成される。透光性基板５１は第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄに搬送され、成膜物５６が成膜された後、封止装置３０Ｄへ搬送される。封止装置３０Ｄにおいて、成膜物５６が成膜された透光性基板５１にカバー部材５７が張り合わされた後、完成品５１０が外部へ排出される。なお、検査の結果、不良の場合、カバー部材５７による封止を行わず、そのまま不良品５１０Ｅを外部へ排出する。
【０１４４】
第１成膜装置１０Ｄは搬送手段（搬送装置）である真空搬送用ロボット１１Ｄ、基板搬送室４１Ｄ、成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ、真空ゲートＧ、受渡室４２Ｄ及びデータ伝送手段Ｐを含んで構成される。第１成膜装置１０Ｄの略中央部には真空搬送用ロボット１１Ｄが設置される。その周囲を囲むように、基板搬送室４１Ｄ、成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ及び受渡室４２Ｄが密閉性を有する真空ゲートＧを介して接続されている。真空ゲートＧ、Ｇが入口及び出口に設けられた基板搬送室４１Ｄには前処理工程及び洗浄済みの透光性基板５１（ＩＴＯ基板）が搬送される。基板搬送室４１Ｄへ搬送された透光性基板５１は真空搬送用ロボット１１Ｄにより、成膜室１２Ｄに搬送される。
【０１４５】
成膜室１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄ，１５Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄの成膜室２２Ｄ，２３Ｄ，２４Ｄ，２５Ｄは正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び陰極を含む成膜物５６をそれぞれ段階的に成膜するためのものである。なお、以下では成膜室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄで行われる成膜がＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法による蒸着であるものとして説明するが、成膜対象に応じて適宜スパッタリング法等のＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)法による成膜を用いても良い。以下では成膜室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄを、蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄであるものとし、また成膜物５６を、各層及び電極が蒸着された蒸着物たる有機膜５６であるものとして説明する。
【０１４６】
透光性基板５１が蒸着室１２Ｄへ搬送された場合、有機膜５６が透光性基板５１上に蒸着される。１層目の有機膜５６が蒸着された透光性基板５１は搬送手段である真空搬送用ロボット１１Ｄにより、次段の蒸着室１３Ｄへ搬送される。蒸着室１３Ｄにおいては２層目の有機膜５６が蒸着される。その後、透光性基板５１は次段の蒸着室１４Ｄへ搬送される。各蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄは送信回線及び送受信装置を含むデータ伝送手段Ｐにより接続されている。各蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄでの蒸着の状況に関する情報がデータ伝送手段Ｐにより送受信される。
【０１４７】
第１成膜装置１０Ｄでの４層目の蒸着を終えた後、有機膜５６が蒸着された透光性基板５１は、入口及び出口に真空ゲートＧ、Ｇが設けられた受渡室４２Ｄへ真空搬送用ロボット１１Ｄにより搬送される。受渡室４２Ｄに連設される第２成膜装置２０Ｄも第１成膜装置１０Ｄと同様に、真空ゲートＧ、蒸着室２２Ｄ乃至２５Ｄ、データ伝送手段Ｐ、真空搬送用ロボット２１Ｄ及び受渡室４３Ｄを含んで構成される。
【０１４８】
透光性基板５１は、受渡室４２Ｄを経て第２成膜装置２０Ｄの蒸着室２２Ｄへ搬送され、５層目の蒸着が行われる。次いで蒸着室２３Ｄ乃至２５Ｄで有機膜５６が蒸着された透光性基板５１は、真空搬送用ロボット２１Ｄにより、受渡室４３Ｄへ搬送される。なお、本実施の形態においては第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄの２段構成としているが、１段または３段以上の成膜装置を設けて成膜するようにしても良い。さらに、第１成膜装置１０Ｄ及び第２成膜装置２０Ｄは各４つの蒸着室１２Ｄ乃至１５Ｄ並びに２２Ｄ乃至２５Ｄを設けているが、その数は蒸着する層数に応じて適宜増減させても良い。
【０１４９】
受渡室４３Ｄに連設される封止装置３０Ｄは真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、検査室３５Ｄ、予備室３３Ｄ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ、分光エリプソメータ１、及び封止基板搬送室３２Ｄを含んで構成される。なお封止装置３０Ｄもデータ伝送手段Ｐに接続されており、第１成膜装置１０Ｄ、第２成膜装置２０Ｄ及び封止装置３０Ｄとの間で所定のプロトコルにより情報の送受信が可能となるよう構成されている。全ての層の蒸着を終えた透光性基板５１は、真空搬送用ロボット３１Ｄにより、検査室３５Ｄに搬送される。検査室３５Ｄの上側には、実施の形態１乃至３で述べた分光エリプソメータ１が載置されている。なお、検査室３５Ｄの下側に分光エリプソメータ１を設けても良い。
【０１５０】
検査室３５Ｄでは、試料５０を発光または非発光の状態で光学定数の変化を計測し、その変化に異常が存在するか否かを判断する。異常が存在する場合は分光エリプソメータ１によりその旨がディスプレイ１２に表示される。さらに異常が存在する場合、分光エリプソメータ１から検査室３５Ｄを経て、封止装置３０Ｄの他のハードウェア、つまり真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへ、異常信号がデータ伝送手段Ｐを介して送信される。異常信号を真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄが受信した場合、封止基板搬送室３２Ｄはカバー部材５７の搬送を中止する。そして、真空搬送用ロボット３１Ｄは検査室３５Ｄから排出された試料５０に係る不良品５１０Ｅを排出室４４Ｄへ、封止室３４Ｄを経ることなく搬送する。排出室４４Ｄは搬送された不良品５１０Ｅをそのまま外部へ排出する。
【０１５１】
一方、検査室にて異常が存在しない場合、試料５０は、真空搬送用ロボット３１Ｄにより封止室３４Ｄへ搬送される。同様に封止基板搬送室３２Ｄへ搬送されたカバー部材５７も、封止室３４Ｄへ搬送される。有機膜５６が蒸着された透光性基板５１とカバー部材５７とは封止室３４Ｄにおいて接着剤等により張り合わせが行わる。その後真空搬送用ロボット３１Ｄは完成品５１０を排出室４４Ｄへ搬送する。排出室４４Ｄは完成品５１０を外部へ搬送する。なお、本実施の形態においては、カバー部材５７及び透光性基板５１にガラスを用いたが、これに限るものではない。例えば、透光性基板５１として、フレキシブルな透光性プラスチック基板を用いてもよい。透光性プラスチック基板を用いる場合は、透明導電性の薄膜（ＩＴＯ等）を透光性プラスチック基板上にコーティングした後、その上に有機膜５６を蒸着するようにすればよい。また、カバー部材５７は、例えば、可視光域で透明なＢａｒｉｘ（登録商標）を封止膜として用いることができ、透光性プラスチック基板上にこれを貼り合わせるようにしても良い。
【０１５２】
図３０は検査室３５Ｄの断面を示す模式的断面図、図３１は検査室３５Ｄ内部の概要を示す模式的斜視図である。検査室３５Ｄは筐体１２０、透過窓１２２，１２２、真空ゲートＧ、及び、試料５０を載置するラック１２１等を含んで構成される。検査室３５Ｄはその断面において底部が矩形状、頂部が台形状をなす筐体１２０を備え、筐体１２０の略中央部には２本のラック１２１、１２１が架設されている。有機膜５６が蒸着された試料５０は図２９に示す真空搬送用ロボット３１Ｄにより、検査室３５Ｄ内部へ搬送され、ラック１２１、１２１上に載置される。すなわち真空ゲートＧから検査室３５Ｄへ搬送された試料５０の両端が図３１に示す如くラック１２１、１２１に支持され、発光または非発光の状態で分光エリプソメータ１による膜厚、光学定数の解析が可能な位置まで搬送される。なお、試料５０のラック１２１、１２１上での位置決めは図示しない光センサ等により行えばよい。
【０１５３】
なお、本実施の形態においては、試料５０の有機膜５６の上面５６ａが上側を向いた状態で搬送される形態につき説明するが、透光性基板５１裏面が上側を向いた状態で搬送するようにしても良い。筐体１２０の頂部は断面視が２斜辺を有する台形状をなし、２斜辺にはガラス等の透過窓１２２、１２２がそれぞれ密閉性を保った状態で固設されている。筐体１２０の上側には光照射器３及び光取得器５を備える分光エリプソメータ１が設けられている。
【０１５４】
光照射器３の出射面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されており、同様に、光取得器５の受光面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されている。なお、光照射器３及び光取得器５を透過窓１２２から隔離して設けても良い。光照射器３からの入射光は斜辺に設けられる透過窓１２２に対して略垂直に入射し、有機膜５６の上面５６ａまたは透光性基板５１を照射する。試料５０からの反射光は透過窓１２２に対して略垂直に入射し、光取得器５へ到達する。なお、本実施の形態においては、分光エリプソメータ１を検査室３５Ｄの上側に設ける構成としたが、下側に設けても良い。さらに、分光エリプソメータ１の光照射器３及び光取得器５を検査室３５Ｄの内部に取り付ける構成であっても良い。
【０１５５】
続いて検査室３５Ｄ内部の詳細構造を、図３１を用いて説明する。検査室３５Ｄ内部には、実施の形態１で述べた導通スタンド１７３、１７５、プローブ１７４、１７６、及び、試料５０を反転させるための反転機構１７６０等が備わっている。導通スタンド１７３は検査室３５Ｄの底部から立設されており、先端付近からは試料５０の陰極５９方向へ向かうプローブ１７４が設けられている。プローブ１７４は導通スタンド１７３内部の図示しないギア等からなる回動機構１７３０に他端が連結されている。この回動機構１７３０の動作に伴い、プローブ１７４は上下方向に他端を中心とした回動運動を行う。プローブ１７４が回動機構１７３０の動作により下方向に回転し、その先端が陰極５９の裏面陰極５９０または表面陰極５９１に接触する。
【０１５６】
導通スタンド１７３内部の回動機構１７３０及びコンピュータ本体１１に接続される昇降制御部１７５ａは回動機構１７３０を制御する回路である。昇降制御部１７５ａはコンピュータ本体１１にＵＳＢ等により接続されており、ＣＰＵ１１ａの指示に従い、回動機構１７３０を動作させる。具体的には、ＣＰＵ１１ａは検査室３５Ｄへ試料５０が搬送される前に、回動機構１７３０を上方向に回転させ、プローブ１７４を上昇させる指示を昇降制御部１７５ａへ出力する。一方、ＣＰＵ１１ａは検査室３５Ｄへ試料５０が搬送された場合、回動機構１７３０を下方向に回転させ、プローブ１７４を下降させ、その先端を電極５９へ接触させる指示を昇降制御部１７５ａへ出力する。なお、陽極５８に対しても、同様に導通スタンド１７５、回動機構１７５０及びプローブ１７６が備わるが、陰極５９側と同様の構成であるため詳細な説明は省略する。
【０１５７】
陽極５８側のプローブ１７６及び陰極５９側のプローブ１７４は実施の形態１等で述べた電圧印加手段としての直流電源１７１、スイッチ１７２、及び、スイッチング制御回路１７等に接続されている。なお、これらの構成については上述したとおりであるので詳細な説明は省略する。反転機構１７６０は駆動制御部１７１０、スタンド１７９，伸縮アーム１７８、及び、把持機構１７７等を含んで構成される。駆動制御部１７１０はコンピュータ１にＵＳＢ等により接続されており、ＣＰＵ１１ａの指示に従い把持機構１７７及び伸縮アーム１７８等を制御する。
【０１５８】
伸縮アーム１７８はモータによりベルトを介して移動する多段のスライドアーム等から構成され、透光性基板５１と略同一高さにおいて、ラック１２１と略直交する方向に進退する。伸縮アーム１７８は、スタンド１７９との交点を中心に上下方向に回動する。伸縮アーム１７８の先端には把持機構１７７が取り付けられている。把持機構１７７は多関節のロボットハンド等で構成されており、駆動制御部１７１０の指示に従い透光性基板５１の一側を把持した状態で、伸縮アーム１７８との接合部において１８０度回転する。回転後、伸縮アーム１７８は下降し、試料５０は有機膜５６の上面５６ａが上向きの状態となる。
【０１５９】
伸縮アーム１７８は把持機構１７７が透光性基板５１を把持することが可能な距離まで伸びることができる。回転後、駆動制御部１７１０の指示により把持機構１７７は透光性基板５１を非把持の状態とする。その後、駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を初期位置まで縮ませる。分光エリプソメータ１は透光性基板５１側、反対側、または双方向側のいずれかから計測を行い、非発光時に対する発光時の屈折率変化率、消衰係数変化率または膜厚変化率が、図８に示す閾値ファイル１１１に記憶した各閾値を超える場合、異常を示す信号を、データ伝送手段Ｐを介して真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへ送信する。
【０１６０】
以上のハードウェア構成において、検査室３５Ｄ内での分光エリプソメータ１を用いた解析処理の流れを、フローチャートを用いて説明する。図３２乃至図３４は検査室３５Ｄ内部における処理手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態１で述べた透光性基板５１側からの解析を実行するか、実施の形態２で述べた反対側からの解析を実行するか、または実施の形態３で述べた両方向から解析を実行するかを問う画面を記憶部１１ｂから読み出しディスプレイ１２へ表示する。ＣＰＵ１１ａはキーボード１３から、透光性基板５１側からの解析を実行するか、反対側からの解析を実行するか、または両方向から解析を実行するかの選択を受け付ける（ステップＳ３７１）。
【０１６１】
ＣＰＵ１１ａは試料５０が検査室３５Ｄ内へ搬送されたか否かを判断する（ステップＳ３７２）。これは真空ゲートＧ近傍に設けたカメラまたは光センサ等により試料５０の検査室３５Ｄ内への搬送を認識させればよい。認識した情報はカメラまたは光センサからＣＰＵ１１ａへ出力される。ＣＰＵ１１ａは検査室３５Ｄ内へ試料５０が搬送されていないと判断した場合（ステップＳ３７２でＮＯ）、搬送されるまで待機する。一方、ＣＰＵ１１ａは搬送されたと判断した場合（ステップＳ３７２でＹＥＳ）、昇降制御部１７５ａへプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３７３）。なお、上述したように本実施の形態においては透光性基板５１の裏面が上側に向けて搬送されるものとする。
【０１６２】
昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａはステップＳ３７１において、両方側から解析する選択を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ３７４）。ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３７４でＹＥＳ）、測定日時、発光状態、透光性基板５１側及び反対側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７５）。一方ＣＰＵ１１ａは、両方側から解析するとの選択を受け付けていない場合は（ステップＳ３７４でＮＯ）、透光性基板５１側のみからの解析の選択を受け付けたか否かを、ステップＳ３７１にて受け付けた情報を参照して、判断する（ステップＳ３７６）。
【０１６３】
ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側との選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３７６でＹＥＳ）、測定日時、発光状態、透光性基板５１側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７８）。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１で述べたように、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ３７９）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEg、ΔEgを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８１）。
【０１６４】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ３８２）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ３８３）。これにより試料５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、ステップＳ３７５を経た場合は透光性基板５１側及び反対側とする照射方向、または、ステップＳ３７８を経た場合は透光性基板５１側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８４）。
【０１６５】
ＣＰＵ１１ａは発光時における透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ３８５）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３８６）。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ３８７）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３８８）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。
【０１６６】
ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ３８９）。ＣＰＵ１１ａは両方側から解析する選択を受け付けていない場合（ステップＳ３８９でＮＯ）、実施の形態１で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、試料５０を検査室３５Ｄの外部へ排出する（ステップＳ３９１）。
【０１６７】
ステップＳ３７６において、ＣＰＵ１１ａは透光性基板５１側のみからの解析の選択を受け付けていない場合（ステップＳ３７６でＮＯ）、反対側からの選択を受け付けたと判断し、測定日時、発光状態、反対側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３７７）。ステップＳ３７７の処理の後、または、ステップＳ３８９においてＣＰＵ１１ａが両方側から解析の選択を受け付けたと判断した場合（ステップＳ３８９でＹＥＳ）、ＣＰＵ１１ａは駆動制御部１７１０に対し、反転指示を出力する（ステップＳ３９２）。駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を最長位置まで伸ばし、また把持機構１７７を開閉動作させ、透光性基板５１を把持させ、伸縮アーム１７８を所定角度まで上昇させる。その後、駆動制御部１７１０は把持機構１７７を１８０度回転させる。
【０１６８】
駆動制御部１７１０は回転の後、伸縮アーム１７８を下降させることにより、有機膜５６の上面５６ａが上側を向いた状態で透光性基板５１をラック１２１、１２１上に載置する。駆動制御部１７１０は把持機構１７７を閉開動作させ、非把持状態とする。その後、駆動制御部１７１０は伸縮アーム１７８を縮ませる。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ３９３）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEc、ΔEcを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９４）。
【０１６９】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ３９５）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ３９６）。これにより試料５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、ステップＳ３７５を経た場合は透光性基板５１側及び反対側とする照射方向、または、ステップＳ３７７を経た場合は反対側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９７）。
【０１７０】
ＣＰＵ１１ａは発光時における反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ３９８）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ３９９）。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ３９１０）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ３９１１）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。
【０１７１】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ３８５を経た場合、両面解析であるので、実施の形態３で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、試料５０を外部へ排出する（ステップＳ３９１２）。同様に、ＣＰＵ１１ａは、ステップＳ３７７を経た場合、反対側の解析であるので、実施の形態２で述べた膜厚及び光学定数の算出、変化率の算出並びに異常を示す情報の表示等の各種処理後、試料５０を検査室３５Ｄの外部へ排出する（ステップＳ３９１２）。
【０１７２】
図３５及び図３６は真空搬送用ロボット３１Ｄの搬送処理の手順を示すフローチャートである。分光エリプソメータ１のＣＰＵ１１ａは実施の形態１乃至３で述べた手順により屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を算出する（ステップＳ３４１）。続いて、ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１から屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率それぞれの閾値を読み出す（ステップＳ３４２）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率変化率、消衰係数変化率または膜厚変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ３４３）。
【０１７３】
ＣＰＵ１１ａは閾値を超えると判断した場合（ステップＳ３４３でＹＥＳ）、異常信号を、真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ３４４）。搬送手段として機能する真空搬送用ロボット３１Ｄは、異常信号を受信する（ステップＳ３４５）。真空搬送用ロボット３１Ｄは異常信号を受信した場合、検査室３５Ｄ内の試料５０を不良品とみなし、当該不良品５１０Ｅを検査室３５Ｄから取り出す（ステップＳ３４６）。真空搬送用ロボット３１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄへカバー部材５７の搬送停止命令を、データ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ３４７）。
【０１７４】
封止基板搬送室３２Ｄは搬送停止命令を受けて、カバー部材５７の封止室３４Ｄへの搬送を停止する。なお、封止基板搬送室３２Ｄは検査室３５Ｄから送信された異常信号を受信したことをトリガに、カバー部材５７の封止室３４Ｄへの搬送を停止するようにしても良い。真空搬送用ロボット３１Ｄは不良品５１０Ｅを排出室４４Ｄへ搬送する（ステップＳ３４８）。最後に不良品５１０Ｅは排出室４４Ｄから外部へ排出される（ステップＳ３４９）。この場合、分光エリプソメータ１のディスプレイ１２には異常を示す情報が表示され、また、ＣＰＵ１１ａの指示により図示しないスピーカから異常を示す音声案内が記憶部１１ｂから読み出されて出力される。これにより容易に不良品５１０Ｅを排除することが可能となる。また、異常信号が出力された場合、屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を参照することにより、前段の蒸着段階における問題を解消または制御内容を適宜変更することが可能となる。なお、本実施の形態においては、不良品５１０Ｅを排出室４４Ｄから排出する構成としたが、これに限るものではなく、検査室３５Ｄの真空搬送用ロボット３１Ｄと対向する反対側の図示しない真空ゲートＧを介して不良品５１０Ｅを排出するようにしても良い。
【０１７５】
ステップＳ３４３において、ＣＰＵ１１ａは、屈折率変化率、消衰係数変化率または膜厚変化率が閾値を超えないと判断した場合（ステップＳ３４３でＮＯ）、正常信号を、真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ３５１）。この場合、試料５０は合格品であるため、封止工程へ移行する。真空搬送用ロボット３１Ｄは、正常信号を受信する（ステップＳ３５２）。真空搬送用ロボット３１Ｄは正常信号を受信した場合、検査室３５Ｄ内の試料５０を合格品とみなし、試料５０を検査室３５Ｄから取り出す（ステップＳ３５３）。そして、真空搬送用ロボット３１Ｄは、取り出した試料５０を封止室３４Ｄへ搬送する（ステップＳ３５４）。真空搬送用ロボット３１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄへカバー部材５７の搬送命令を、データ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ３５５）。
【０１７６】
封止基板搬送室３２Ｄは搬送命令を受けて、真空ゲートＧを開き、カバー部材５７を封止基板搬送室３２Ｄ内へ搬送する。なお、封止基板搬送室３２Ｄは検査室３５Ｄから送信された正常信号を受信したことをトリガに、カバー部材５７を封止基板搬送室３２Ｄ内へ搬送するようにしても良い。真空搬送用ロボット３１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄ内のカバー部材５７を封止室３４Ｄへ搬送する（ステップＳ３５６）。封止室３４Ｄでは試料５０にカバー部材５７が封止され、完成品５１０が完成する。その後、真空搬送用ロボット３１Ｄは封止後の完成品５１０を封止室３４Ｄから取り出す（ステップＳ３５７）。真空搬送用ロボット３１Ｄは完成品５１０を排出室４４Ｄへ搬送する（ステップＳ３５８）。最後に完成品５１０は排出室４４Ｄから外部へ排出される（ステップＳ３５９）。
【０１７７】
本実施の形態４は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至３と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１７８】
実施の形態５
実施の形態５は検査室３５Ｄに両面解析用の分光エリプソメータ１を配置した形態に関する。図３７は検査室３５Ｄの断面を示す模式的断面図である。実施の形態４と異なり、検査室３５Ｄ内部上側に光照射器３及び光取得器５が取り付けられている。また、光照射器３及び光取得器５に対応して補助用の一組の補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓが検査室３５Ｄ内部の下側に取り付けられている。なお、実施の形態４で述べた如く、光照射器３及び光取得器５、並びに、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓを、透過窓１２２を設けることにより、検査室３５Ｄ外部に取り付けても良い。
【０１７９】
補助光照射器３Ｓは検査室３５Ｄの床面から突設される支持台３Ｓ１の先端に取り付けられている。同様に、補助光取得器５Ｓも検査室３５Ｄの床面から突設される支持台５Ｓ１の先端に取り付けられている。補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓは光照射器３及び光取得器５と同様の機能を果たすべくコンピュータ本体１１に接続されており、分光エリプソメータ１内のコンピュータ本体１１へ計測したデータを出力する。
【０１８０】
補助光照射器３ＳはＣＰＵ１１ａの指示に従い、光を試料５０の下側から照射する。補助光取得器５ＳはＣＰＵ１１ａの指示に従い、試料５０の下側にて反射した光を取得する。取得した情報は実施の形態１で述べた如く分光エリプソメータ１内のコンピュータ本体１１へ出力され、各種処理が実行される。実施の形態４の図３１で述べた反転機構１７６０は両面から略同タイミングで解析を行うため、省略しても良い。なお、本実施の形態においては両面からの測定を可能とすべく、上下一組の光照射器３及び光取得器５、並びに、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓを設ける構成としたが、これに限るものではない。例えば、光照射器３及び光取得器５を、検査室３５Ｄ内部にて上側及び下側へ移動可能となるよう構成しても良い。この場合、ラック１２１に載置される試料５０を中心とする環状のレールを検査室３５Ｄ内部に設ける。そして光照射器３及び光取得器５を、レール上をモータにより移動できるよう取り付ける。上側から計測する場合は、図３７の例では、光照射器３が２時位置、光取得器５が１０時位置に存在する。そして、その後下側から計測する場合は、光照射器３は時計方向へ４時位置までレール上を移動する。また、光取得器５は１０時位置から反時計方向へ８時位置までレール上を移動する。
【０１８１】
以上のハードウェア構成において解析処理の手順を、フローチャートを用いて説明する。図３８及び図３９は実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは試料５０が検査室３５Ｄ内へ搬送されたか否かを判断する（ステップＳ４１１）。ＣＰＵ１１ａは検査室３５Ｄ内へ試料５０が搬送されていないと判断した場合（ステップＳ４１１でＮＯ）、搬送されるまで待機する。一方、ＣＰＵ１１ａは搬送されたと判断した場合（ステップＳ４１１でＹＥＳ）、昇降制御部１７５ａへプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ４１２）。なお、上述したように本実施の形態においては透光性基板５１が上側に向けて搬送されるものとする。
【０１８２】
昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、測定日時、非発光状態とする発光状態、透光性基板５１側及び反対側とする照射方向、並びに、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４１３）。ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１４）。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１で述べたように、非発光時の透光性基板５１側の測定スペクトルΨEg、ΔEgを測定する（ステップＳ４１５）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEg、ΔEgを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４１６）。
【０１８３】
その後、ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１７）。続いて、ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４１８）。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、非発光時の反対側の測定スペクトルΨEc、ΔEcを測定する（ステップＳ４１９）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEc、ΔEcを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２１）。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２２）。そして非発光時におけるフィッティングが実施の形態３の如く実行され、膜厚及び光学定数等が算出される。
【０１８４】
ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の下降信号を出力する（ステップＳ４２３）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が下降するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオン信号を出力する（ステップＳ４２４）。これにより試料５０は発光する。ＣＰＵ１１ａは、発光時の履歴を記憶すべく、測定日時、発光とする発光状態、透光性基板５１側及び反対側とする照射方向、及び、カバー部材の有無を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２５）。
【０１８５】
ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２６）。ＣＰＵ１１ａは発光時における透光性基板５１側の測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを測定する（ステップＳ４２７）。ＣＰＵ１１ａは測定した測定スペクトルΨEgv、ΔEgvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２８）。ＣＰＵ１１ａは、光照射器３及び光取得器５に対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２９）。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を開始すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２１０）。ＣＰＵ１１ａは、実施の形態２で述べたように、発光時の反対側の測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを測定する（ステップＳ４２１１）。そしてＣＰＵ１１ａは、測定した測定スペクトルΨEcv、ΔEcvを履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ４２１２）。そして発光時におけるフィッティングが実施の形態３の如く実行され、膜厚及び光学定数等が算出される。ＣＰＵ１１ａは、補助光照射器３Ｓ及び補助光取得器５Ｓに対し動作を停止すべき旨の信号を出力する（ステップＳ４２１３）。
【０１８６】
ＣＰＵ１１ａは、スイッチング制御回路１７へオフ信号を出力する（ステップＳ４２１４）。ＣＰＵ１１ａは昇降制御部１７５ａに対しプローブ１７４及びプローブ１７６の上昇信号を出力する（ステップＳ４２１５）。昇降制御部１７５ａは、プローブ１７４及び１７６が上昇するよう回動機構１７３０及び回動機構１７５０をそれぞれ制御する。最後にＣＰＵ１１ａは実施の形態３で述べた、非発光時に対する発光時の膜厚、屈折率及び消衰係数それぞれの変化率を層別に算出し、変化率に異常が存在する場合は異常を示す信号をディスプレイ１２に表示する。その後、ＣＰＵ１１ａは、試料５０を外部へ排出する信号を出力する（ステップＳ４２１６）。なお、異常信号の出力処理に関しては実施の形態４で述べたものと同様であるので詳細な説明は省略する。
【０１８７】
本実施の形態５は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至４と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１８８】
実施の形態６
実施の形態６は蒸着室（成膜室）２５Ｄに実施の形態１乃至３に述べた分光エリプソメータ１を設ける形態に関する。図４０は実施の形態６に係る製造装置８０の概要を示す模式的平面図である。実施の形態１乃至３に係る分光エリプソメータ１は蒸着室２５Ｄに設けられる。蒸着室２５Ｄは電極を蒸着し、分光エリプソメータ１にて各種計測が実行される。図４１は蒸着室２５Ｄの断面を示す模式的断面図である。実施の形態４の構成に加えて、蒸着ユニット１２４及び制御部１２５が設けられている。蒸着室２５Ｄにおいては有機膜５６に陽または陰の電極が蒸着された後に、分光エリプソメータ１による計測が開始される。本実施の形態においては、蒸着室２５Ｄは、電子輸送層５５上にアルミニウム等の陰極５９を蒸着する例を用いて説明する。なお、陰極５９の図示は省略し、電子輸送層５５上に陰極５９が形成されたものを場合により有機膜５６で代表する。
【０１８９】
蒸着ユニット１２４は試料５０を介在させて分光エリプソメータ１と反対側に設置される。換言すれば、分光エリプソメータ１は蒸着ユニット１２４により各層及び陰極５９が蒸着される方向とは反対側に設けられる。蒸着ユニット１２４はアルミニウム等の金属を材料とするルツボ及びヒータ（図示せず）であり、制御部１２５の指示に従い陰極５９の蒸着を行う。具体的には、蒸着室２５Ｄを真空状態にした後に、ルツボをヒータにより高温で熱し、材料を気化させて浮遊させ、マスクを介して所定の部位に陰極５９を蒸着する。これにより陰極５９を含む有機膜５６の蒸着が完成する。
【０１９０】
制御部１２５は、蒸着が終了した場合、相互にデータ伝送手段Ｐを介して接続される分光エリプソメータ１へ計測を開始する旨の開始信号を出力する。分光エリプソメータ１は実施の形態４で述べた電圧印加手段を用いて発光時及び非発光時の状態それぞれにおいて、計測を実行する。分光エリプソメータ１のＣＰＵ１１ａは、実施の形態５で述べたとおり、算出した屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率が閾値を超える場合は、異常信号を、真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する。この場合、試料５０はカバー部材５７により封止されることなく不良品５１０Ｅとして排出室４４Ｄから排出される。一方、閾値を超えない場合は、ＣＰＵ１１ａは正常信号を、真空搬送用ロボット３１Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する。この場合、試料５０はカバー部材５７により封止され、完成品５１０として排出室４４Ｄから排出される。
【０１９１】
図４２は分光エリプソメータ１を蒸着ユニット１２４と同方向に設けた場合の、断面を示す模式的断面図である。分光エリプソメータ１は図４２に示す如く蒸着方向と同方向側に設けても良い。換言すれば分光エリプソメータ１は、蒸着ユニット１２４と、有機膜５６に対して同方向に設けられる。蒸着室２５Ｄは筐体１２０、透過窓１２２，１２２、真空ゲートＧ、蒸着ユニット１２４、及び、試料５０を載置するラック１２１等を含んで構成される。なお、電圧印加手段は実施の形態４で述べたとおりであるので詳細な説明は省略する。蒸着室２５Ｄはその断面において底部が逆台形状、頂部が矩形状をなす筐体１２０を備え、筐体１２０の略中央部には２本のラック１２１、１２１が架設されている。有機膜５６が蒸着された試料５０は図４０に示す真空搬送用ロボット２１Ｄにより、蒸着室２５Ｄ内部へ搬送され、ラック１２１、１２１上に載置される。すなわち真空ゲートＧから蒸着室２５Ｄへ搬送された試料５０の両端が図３１に示す如くラック１２１、１２１に支持され、発光または非発光の状態で分光エリプソメータ１による膜厚、光学定数の解析が可能な位置まで搬送される。
【０１９２】
筐体１２０の底部は断面視が２斜辺を有する逆台形状をなし、２斜辺にはガラス等の透過窓１２２、１２２がそれぞれ密閉性を保った状態で固設されている。筐体１２０の下側には光照射器３及び光取得器５を備える分光エリプソメータ１が設けられている。なお、本実施の形態においては光照射器３及び光取得器５を蒸着室２５Ｄの外部に設ける構成としたが、蒸着室２５Ｄ内部に設けても良い。
【０１９３】
光照射器３の出射面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されており、同様に、光取得器５の受光面と透過窓１２２の筐体１２０外面側とは相互に当接されている。光照射器３からの入射光は斜辺に設けられる透過窓１２２に対して略垂直に入射し、透光性基板５１または有機膜５６の上面５６ａを照射する。試料５０からの反射光は透過窓１２２に対して略垂直に入射し、光取得器５へ到達する。
【０１９４】
蒸着ユニット１２４は底部の台形底辺上に設けられており、制御部１２５の指示に従い、陰極５９の蒸着を行う。制御部１２５は内部の図示しない記憶部に記憶されたプログラムに従い、蒸着を終えた場合、データ伝送手段Ｐを介して、計測開始信号を分光エリプソメータ１へ出力する。分光エリプソメータ１は計測開始信号を受信し、電圧印加手段を用いて反対側から発光時及び非発光時の状態それぞれの計測を行う。
【０１９５】
図４３は他の形態に係る蒸着室２５Ｄの断面を示す模式的断面図である。蒸着室２５Ｄは透光性基板５１側及び反対側の双方から計測できるよう実施の形態５の検査室３５Ｄと同様の構成としても良い。この場合、蒸着室２５Ｄ内部底面に蒸着ユニット１２４が設けられる。蒸着ユニット１２４は、制御部１２５の指示に従い、陰極５９の蒸着を行う。制御部１２５は内部の図示しない記憶部に記憶されたプログラムに従い、蒸着を終えた場合、データ伝送手段Ｐを介して、計測開始信号を分光エリプソメータ１へ出力する。分光エリプソメータ１は計測開始信号を受信し、電圧印加手段を用いて透光性基板５１及び反対側の双方から発光時及び非発光時の状態それぞれの計測を行う。
【０１９６】
図４４及び図４５は真空搬送用ロボット２１Ｄ及び３１Ｄの搬送処理の手順を示すフローチャートである。分光エリプソメータ１のＣＰＵ１１ａは、蒸着室２５Ｄの制御部１２５から蒸着が終了したことに伴う開始信号が、データ伝送手段Ｐを介して出力されたか否かを判断する（ステップＳ４４１）。ＣＰＵ１１ａは開始信号が出力されていないと判断した場合（ステップＳ４４１でＮＯ）、蒸着室２５Ｄ内部にて蒸着ユニット１２４による陰極５９の蒸着が完了していないものとして、ステップＳ４４１の処理を繰り返し実行する。一方ＣＰＵ１１ａは開始信号が出力されたと判断した場合（ステップＳ４４１でＹＥＳ）、図４１乃至図４３に係る実施の形態１乃至３のいずれかの方法により電圧印加手段を用いて発光時及び非発光時の状態それぞれにおける計測を開始する（ステップＳ４４２）。
【０１９７】
分光エリプソメータ１のＣＰＵ１１ａは実施の形態１乃至３で述べた手順により屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率を算出する（ステップＳ４４３）。続いて、ＣＰＵ１１ａは閾値ファイル１１１から屈折率変化率、消衰係数変化率及び膜厚変化率それぞれの閾値を読み出す（ステップＳ４４４）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率変化率、消衰係数変化率または膜厚変化率が閾値を超えるか否かを判断する（ステップＳ４４５）。
【０１９８】
ＣＰＵ１１ａは閾値を超えると判断した場合（ステップＳ４４５でＹＥＳ）、異常信号を、真空搬送用ロボット２１Ｄ、３１Ｄ、受渡室４３Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ４４６）。搬送手段として機能する真空搬送用ロボット２１Ｄ、３１Ｄは、異常信号を受信する（ステップＳ４４７）。真空搬送用ロボット２１Ｄは異常信号を受信した場合、蒸着室２５Ｄ内の試料５０を不良品とみなし、当該不良品５１０Ｅを蒸着室２５Ｄから取り出す（ステップＳ４４８）。真空搬送用ロボット２１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄへカバー部材５７の搬送停止命令を、データ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ４４９）。
【０１９９】
封止基板搬送室３２Ｄは搬送停止命令を受けて、カバー部材５７の封止室３４Ｄへの搬送を停止する。真空搬送用ロボット２１Ｄは不良品５１０Ｅを、受渡室４３Ｄを介して真空搬送用ロボット３１Ｄへ受け渡す。真空搬送用ロボット３１Ｄは不良品５１０Ｅを、封止室３４Ｄへ搬送することなく排出室４４Ｄへ搬送する（ステップＳ４５１）。最後に不良品５１０Ｅは排出室４４Ｄから外部へ排出される（ステップＳ４５２）。なお、本実施の形態においては、不良品５１０Ｅを排出室４４Ｄから排出する構成としたが、これに限るものではなく、蒸着室２５Ｄの真空搬送用ロボット２１Ｄと対向する反対側の図示しない真空ゲートＧを介して、図示しない搬送ロボットに不良品５１０Ｅを排出させるようにしても良い。
【０２００】
ステップＳ４４５において、ＣＰＵ１１ａは、屈折率変化率、消衰係数変化率または膜厚変化率が閾値を超えないと判断した場合（ステップＳ４４５でＮＯ）、正常信号を、真空搬送用ロボット２１Ｄ、３１Ｄ、受渡室４３Ｄ、真空ゲートＧ、封止室３４Ｄ、排出室４４Ｄ及び封止基板搬送室３２Ｄへデータ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ４５３）。この場合、試料５０は合格品であるため、封止工程へ移行する。真空搬送用ロボット２１Ｄは、正常信号を受信する（ステップＳ４５４）。真空搬送用ロボット２１Ｄは正常信号を受信した場合、蒸着室２５Ｄ内の試料５０を合格品とみなし、試料５０を蒸着室２５Ｄから取り出す（ステップＳ４５５）。真空搬送用ロボット２１Ｄは試料５０を、受渡室４３Ｄを介して真空搬送用ロボット３１Ｄへ受け渡す。真空搬送用ロボット３１Ｄは試料５０を下流（後段）の封止室３４Ｄへ搬送する（ステップＳ４５６）。真空搬送用ロボット３１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄへカバー部材５７の搬送命令を、データ伝送手段Ｐを介して出力する（ステップＳ４５７）。
【０２０１】
封止基板搬送室３２Ｄは搬送命令を受けて、真空ゲートＧを開き、カバー部材５７を封止基板搬送室３２Ｄ内へ搬送する。真空搬送用ロボット３１Ｄは封止基板搬送室３２Ｄ内のカバー部材５７を封止室３４Ｄへ搬送する（ステップＳ４５８）。封止室３４Ｄでは試料５０にカバー部材５７が封止され、完成品５１０が完成する。その後、真空搬送用ロボット３１Ｄは封止後の完成品５１０を封止室３４Ｄから取り出す（ステップＳ４５９）。真空搬送用ロボット３１Ｄは完成品５１０を排出室４４Ｄへ搬送する（ステップＳ４５１０）。最後に完成品５１０は排出室４４Ｄから外部へ排出される（ステップＳ４５１１）。
【０２０２】
本実施の形態６は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至５と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２０３】
実施の形態７
図４６は実施の形態７に係る分光エリプソメータ１の構成を示すブロック図である。実施の形態７に係る分光エリプソメータ１のコンピュータ１０を動作させるためのコンピュータプログラムは、本実施の形態７のように、ＣＤ−ＲＯＭ、メモリーカード等の可搬型記録媒体１Ａで提供することも可能である。さらに、コンピュータプログラムを、ＬＡＮ、またはインターネット等の図示しない通信網を介して図示しないサーバコンピュータからダウンロードすることも可能である。以下に、その内容を説明する。
【０２０４】
図４６に示すコンピュータ１０の図示しない記録媒体読み取り装置に、発光時における測定をさせ、発光時の光学定数を算出させ、非発光時における測定をさせ、非発光時の光学定数を算出させ、差または比を出力させる等のコンピュータプログラムが記録された可搬型記録媒体１Ａを、挿入して記憶部１１ｂのプログラム内にこのプログラムをインストールする。または、かかるプログラムを、図示しない通信部を介して外部の図示しないサーバコンピュータからダウンロードし、記憶部１１ｂにインストールするようにしても良い。かかるプログラムはＲＡＭ１１ｃにロードして実行される。これにより、上述のような本発明のコンピュータ１０として機能する。
【０２０５】
本実施の形態７は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至６と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０２０６】
実施の形態８
実施の形態８は屈折率及び消衰係数の波長による変化を、発光時及び非発光時においてそれぞれ表示する形態に関する。図４７は解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。実施の形態１の図９で示した解析結果に加えてＣＰＵ１１ａは屈折率及び消衰係数の波長に対する変化をグラフとして表示する。図４７左側に示すグラフは屈折率の波長に対する変化を示す。縦軸は屈折率であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は発光時の屈折率の波長に対する変化を示し、実線は非発光時の屈折率の波長に対する変化を示す。
【０２０７】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、非発光時と発光時とにおける屈折率の変化が視認することができる。図４７の例では、多くの帯域で一致しない点が散見される。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて屈折率に異常が存在すると判断した割合を屈折率異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常率を、グラフと共に表示部１２へ出力する。
【０２０８】
図４７右側に示すグラフは消衰係数の波長に対する変化を示す。縦軸は消衰係数であり、横軸は波長（単位はｎｍ）である。グラフ中、点線は発光時の消衰係数の波長に対する変化を示し、実線は非発光時の消衰係数の波長に対する変化を示す。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、層別にグラフを表示したが、全ての層を一括表示しても良いことはもちろんである。
【０２０９】
実施の形態１で述べた処理から波長全域にわたり、非発光時と発光時とにおける消衰係数の変化が視認することができる。ＣＰＵ１１ａは実施の形態１にて消衰係数に異常が存在すると判断した割合を消衰係数異常率として算出する。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常率を、グラフと共にディスプレイ１２へ出力する。図の例では屈折率異常率が屈折率の変化を示すグラフと共に８％と表示され、消衰係数異常率が消衰係数の変化を示すグラフとともに５％と表示されている。
【０２１０】
図４８及び図４９は波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各波長における非発光時の屈折率を読み出す（ステップＳ５１１）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の屈折率を読み出す（ステップＳ５１２）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、発光時及び非発光時における屈折率の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図４７の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５１３）。
【０２１１】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めたサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１の処理により予め定めたサンプリング数の中で屈折率に異常ありと判断した数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５１４）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１４で読み出した数をサンプリング数で除すことにより、屈折率異常率を算出する（ステップＳ５１５）。なお、異常率の算出の際は％表示とすべく１００を乗じる。例えば、ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば６％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５１６）。
【０２１２】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５１６でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５１７）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「屈折率に異常が多いため不良品と判断しました。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５１６でＮＯ）、ステップＳ５１７の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５１７の処理の後、ステップＳ５１５で算出した屈折率異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５１８）。
【０２１３】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各波長における非発光時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５１９）。またＣＰＵ１１ａは各波長における発光時の消衰係数を読み出す（ステップＳ５２１）。ＣＰＵ１１ａは図示しない表計算ソフトウェアを起動し、発光時及び非発光時における消衰係数の波長に対する変化を示すグラフを作成する。ＣＰＵ１１ａは作成したグラフを図４７の如くディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５２２）。
【０２１４】
さらにＣＰＵ１１ａは予め定めたサンプリング数を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａはステップＳ１３１１の処理により予め定めたサンプリング数の中で消衰係数に異常ありと判断した数を履歴ファイル１１０から読み出す（ステップＳ５２３）。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５２３で読み出した数をサンプリング数で除すことにより、消衰係数異常率を算出する（ステップＳ５２４）。ＣＰＵ１１ａは予め記憶した閾値（例えば７％）を記憶部１１ｂから読み出す。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常率が閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ５２５）。
【０２１５】
ＣＰＵ１１ａは閾値以上であると判断した場合（ステップＳ５２５でＹＥＳ）、不良品を示す情報を表示する（ステップＳ５２６）。この情報は予め記憶部１１ｂに記憶されており、例えば「消衰係数に異常が多いため不良品と判断しました。」等のテキスト文とすればよい。一方、ＣＰＵ１１ａは、閾値以上でないと判断した場合（ステップＳ５２５でＮＯ）、ステップＳ５２６の処理をスキップする。ＣＰＵ１１ａは当該処理の後及びステップ５２６の処理の後、ステップＳ５２４で算出した消衰係数異常率をディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５２７）。
【０２１６】
図５０は座標別の異常状態を示す説明図である。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で算出した屈折率異常率及び消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａはステージ４ａを移動させ、移動後の座標値についても同様の処理を行い移動後の座標値に対応づけて屈折率異常率及び消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する。ＣＰＵ１１ａは対象となる座標値についての処理を終えた場合、図５０に示すグラフをディスプレイ１２へ出力する。
【０２１７】
図５０に示すグラフは、試料５０の各座標値に対する屈折率異常率の変化を示すグラフである。横軸及び縦軸は試料５０のいずれか一角を原点座標とした場合のｘ軸及びｙ軸を示す。上方向へ伸びる軸は各座標値に対応する屈折率異常率を示す軸である。試料５０の各座標値に対応して、屈折率異常率が棒グラフとして表示される。これにより、試料５０の平面視における屈折率の異常箇所及びその量を視認することができる。
【０２１８】
ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０に記憶した各座標値に対する屈折率異常率に基づきグラフを作成しディスプレイ１２へ出力する。同様にＣＰＵ１１ａは消衰係数異常率をもグラフ表示する。なお、本実施の形態においては説明を容易にするために、一画面に屈折率異常率のみを表示する例を説明したが、各座標値における消衰係数異常率をもあわせて一覧表示しても良いことはもちろんである。
【０２１９】
図５１及び図５２は座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で述べた処理を座標値毎に行い、座標値毎に屈折率異常率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ５４０）。ＣＰＵ１１ａは図５０に示す屈折率タグがマウス１４によりクリックされた場合、履歴ファイル１１０から各座標値における屈折率異常率を読み出す（ステップＳ５４１）。ＣＰＵ１１ａは表計算ソフトウェアを起動し、座標値毎の屈折率異常率を示すグラフを作成し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４２）。
【０２２０】
ＣＰＵ１１ａはさらに、異常の程度を客観化すべく点数計算を行う。以下では屈折率異常に係る点数を屈折率異常点数という。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における屈折率異常率を加算し、その合計値を屈折率異常点数として算出し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４３）。ＣＰＵ１１ａは算出した屈折率異常点数が予め記憶部１１ｂに記憶した所定点数（例えば１００点）以上であるか否かを判断する（ステップＳ５４４）。
【０２２１】
ＣＰＵ１１ａは所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ５４４でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ５４５）。この情報は例えば「屈折率の異常が全般にわたり散見されます。」等のテキスト文とすればよい。ＣＰＵ１１ａは所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ５４４でＮＯ）、ステップＳ５４５の処理をスキップする。当該処理の後及びステップＳ５４５の処理の後、ステップＳ５４６の処理へ移行する。
【０２２２】
ＣＰＵ１１ａはステップＳ５１１乃至Ｓ５２７で述べた処理を座標値毎に行い、座標値毎に消衰係数異常率を履歴ファイル１１０に記憶する（ステップＳ５４６）。ＣＰＵ１１ａは図５０に示す消衰係数タグがマウス１４によりクリックされた場合、履歴ファイル１１０から各座標値における消衰係数異常率を読み出す（ステップＳ５４７）。ＣＰＵ１１ａは表計算ソフトウェアを起動し、座標値毎の消衰係数異常率を示すグラフを作成し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４８）。
【０２２３】
ＣＰＵ１１ａはさらに、異常の程度を客観化すべく点数計算を行う。以下では消衰係数異常に係る点数を消衰係数異常点数という。ＣＰＵ１１ａは履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における消衰係数異常率を加算し、その合計値を消衰係数異常点数として算出し、ディスプレイ１２へ出力する（ステップＳ５４９）。ＣＰＵ１１ａは算出した消衰係数異常点数が予め記憶部１１ｂに記憶した所定点数（例えば１１０点）以上であるか否かを判断する（ステップＳ５４１０）。なお上述した点数の算出方法はあくまで一例でありこれに限るものではない。例えば、以下に示す点数算出処理を実行しても良い。ＣＰＵ１１ａは、履歴ファイル１１０を参照し、各座標値における屈折率異常率（または消衰係数異常率）を算出する。ＣＰＵ１１ａは、一の座標値に関し、算出した屈折率異常率（または消衰係数異常率）が、記憶部１１ｂに予め記憶した閾値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは、閾値を超えると判断した場合、フラグをＲＡＭ１１ｃに設定する。ＣＰＵ１１ａは当該処理を全ての座標値に対して実行する。ＣＰＵ１１ａはＲＡＭ１１ｃに記憶したフラグ数を、屈折率異常点数（または消衰係数異常点数）として、計数する。ＣＰＵ１１ａはこの計数した合計値が、記憶部１１ｂに予め記憶した値を超えるか否かを判断する。ＣＰＵ１１ａは合計値が、記憶した値を超えると判断した場合、測定対象である試料５０が不良品であることを示す情報を、ディスプレイ１２へ出力する。なお、当該処理は、必ずしも全ての座標値に対して実行する必要はなく、予め定めた所定の座標値に対してのみ実行しても良い。また閾値を０、すなわち、屈折率異常率（または消衰係数異常率）の値が存在する場合に一律に異常箇所としてフラグを設定するようにしても良い。
【０２２４】
ＣＰＵ１１ａは所定点数以上であると判断した場合（ステップＳ５４１０でＹＥＳ）、不良品であることを示す情報を記憶部１１ｂから読み出して表示する（ステップＳ５５１）。この情報は例えば「消衰係数の異常が全般にわたり散見されます。」等のテキスト文とすればよい。ＣＰＵ１１ａは所定点数以上でないと判断した場合（ステップＳ５４１０でＮＯ）、ステップＳ５５１の処理をスキップする。なお紙面の都合上割愛したが、図１７、及び２３における履歴ファイル１１０には図７と同様に試料フィールドが設けられ対応する試料名が記憶されている。また紙面の都合上割愛したが、図９、１８、２４、４７及び５０等においてディスプレイ１２上に対応する試料名を表示しても良いことはもちろんである。
【０２２５】
本実施の形態８は以上の如き構成としてあり、その他の構成及び作用は実施の形態１乃至７と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０２２６】
【図１】分光エリプソメータのハードウェア構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層状態を示す模式的断面図である。
【図３】ステージに試料を載置した状態を示す模式的斜視図である。
【図４】試料を透光性基板側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。
【図５】透光性基板側から計測する際のモデルを示す説明図である。
【図６】記憶部の記憶内容を示すブロック図である。
【図７】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図８】閾値ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図９】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図１０】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図１１】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図１２】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図１３】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図１４】試料を反対側から計測する際の光の入射及び反射状態を示す模式的断面図である。
【図１５】反対側から計測する際のモデルを示す説明図である。
【図１６】ステージに試料を載置した状態を示す模式的斜視図である。
【図１７】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図１８】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図１９】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図２０】測定スペクトルの測定手順を示すフローチャートである。
【図２１】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２２】変化率算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２３】記憶部に記憶される履歴ファイルのレコードレイアウトを示す説明図である。
【図２４】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図２５】膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２６】膜厚及び光学定数の算出処理の手順を示すフローチャートである。
【図２７】フィッティング処理の手順を示すフローチャートである。
【図２８】フィッティング処理の手順を示すフローチャートである。
【図２９】実施の形態４に係る製造装置の概要を示す模式的平面図である。
【図３０】検査室の断面を示す模式的断面図である。
【図３１】検査室内部の概要を示す模式的斜視図である。
【図３２】検査室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図３３】検査室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図３４】検査室内部における処理手順を示すフローチャートである。
【図３５】真空搬送用ロボットの搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【図３６】真空搬送用ロボットの搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【図３７】検査室の断面を示す模式的断面図である。
【図３８】実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。
【図３９】実施の形態５に係る処理の手順を示すフローチャートである。
【図４０】実施の形態６に係る製造装置の概要を示す模式的平面図である。
【図４１】蒸着室の断面を示す模式的断面図である。
【図４２】分光エリプソメータを蒸着ユニットと同方向に設けた場合の、断面を示す模式的断面図である。
【図４３】他の形態に係る蒸着室の断面を示す模式的断面図である。
【図４４】真空搬送用ロボットの搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【図４５】真空搬送用ロボットの搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【図４６】実施の形態７に係る分光エリプソメータの構成を示すブロック図である。
【図４７】解析結果の出力画面のイメージを示す説明図である。
【図４８】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図４９】波長に基づく不良品検出処理を示すフローチャートである。
【図５０】座標別の異常状態を示す説明図である。
【図５１】座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。
【図５２】座標別の異常状態の表示処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０２２７】
１        分光エリプソメータ
１Ａ      可搬型記録媒体
２        キセノンランプ
３        光照射器
４        ステージ
５        光取得器
６        レール
７        分光器
８        データ取込機
９        モータ制御機
１０      コンピュータ
１０Ｄ    第１成膜装置
１１      コンピュータ本体
１１Ｄ，２１Ｄ、３１Ｄ    真空搬送用ロボット（搬送手段）
１２      ディスプレイ
１２Ｄ〜１５Ｄ、２２Ｄ〜２５Ｄ    蒸着室（成膜室）
１７      スイッチング制御回路
２０Ｄ    第２成膜装置
３０Ｄ    封止装置
３５Ｄ    検査室
４４Ｄ    排出室
５０      試料
５１      透光性基板
５６      有機膜
５７      カバー部材
５８      陽極
５９      陰極
８０      製造装置
１１０    履歴ファイル
１１１    閾値ファイル
１２０    筐体
１２１    ラック
１２２    透過窓
１２４    蒸着ユニット
１２５    制御部
１７２    スイッチ
１７３、１７５  導通スタンド
１７４、１７６  プローブ
５１０    完成品
５１０Ｅ  不良品
Ｐ        データ伝送手段
【図１】
2010014627.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2010014627.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2010014627.tif 000023
【図１９】
2010014627.tif 000024
【図２０】
2010014627.tif 000025
【図２１】
2010014627.tif 000026
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
2010014627.tif 000034
【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
2010014627.tif 000039
【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
2010014627.tif 000043
【図３９】
2010014627.tif 000044
【図４０】
2010014627.tif 000045
【図４１】
2010014627.tif 000046
【図４２】
2010014627.tif 000047
【図４３】
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【図４４】
2010014627.tif 000049
【図４５】
2010014627.tif 000050
【図４６】
2010014627.tif 000051
【図４７】
2010014627.tif 000052
【図４８】
2010014627.tif 000053
【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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