(57)【要約】【課題】表面側基材および裏面側基材が枚葉状に断裁されている場合においても、高品質の非接触ＩＣカードを製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法を提供する。【解決手段】本発明による非接触ＩＣカード１の製造方法において、まず、表面側基材２と裏面側基材５との間に、インレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２が作製される。次に、ＩＣカード積層体１２のうち、表面側基材２と裏面側基材５の前方端縁近傍２ａ、５ａおよび両側端縁近傍２ｂ、５ｂを仮接合するとともに、インレットシート８と表面側基材２との間の前方端縁近傍２ａもしくは両側端縁近傍２ｂ、またはインレットシート８と裏面側基材５との間の前方端縁近傍５ａもしくは両側端縁近傍５ｂを仮接合手段２４を用いて仮接合される。その後、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる。【選択図】図５
2010020717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触ＩＣカードの製造方法において、
第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、
第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、
インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、
表面側基材の第１ホットメルト層と、裏面側基材の第２ホットメルト層を乾燥して固化する工程と、
表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、
ＩＣカード積層体のうち、表面側基材と裏面側基材の前方端縁近傍および両側端縁近傍を仮接合するとともに、インレットシートと表面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍、またはインレットシートと裏面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍を仮接合手段を用いて仮接合する工程と、
少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、を備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項２】
インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、
表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項３】
仮接合手段は、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機からなり、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機は、ＩＣカード積層体のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード以外の領域に施されることを特徴とする請求項２に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項４】
仮接合手段は、超音波ウェルダーからなり、この超音波ウェルダーは、複数のヘッドを含むことを特徴とする請求項３に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項５】
第１ホットメルト層は、第１基材の一方の面に、第１基材の前方端縁および両側端縁の内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されるとともに、
第２ホットメルト層は、第２基材の一方の面に、第２基材の前方端縁および両側端縁の内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項６】
仮接合する工程において、仮接合手段によりＩＣカード積層体の複数箇所に仮接合が行われて複数の仮接合部が形成され、各仮接合部間の距離は、１〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップがアンテナとして機能する導電体に接続されて構成されるインレットシートを有する非接触ＩＣカードを、高品質に製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信する非接触ＩＣカードが普及しつつある。非接触ＩＣカードの需要は、今後、急速な勢いで拡大していくものと予想されており、これにともなって、高品質の非接触ＩＣカードを低コストで製造することが強く望まれている。
【０００３】
非接触ＩＣカードは、第１基材と、第１基材の一方の面に設けられた第１接着剤層とを含む表面側基材と、第２基材と、第２基材の一方の面に設けられた第２接着剤層とを含む裏面側基材とを備えている。また、表面側基材と裏面側基材間に、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートが設けられている（例えば、特許文献１参照）。このような構成からなる非接触ＩＣカードにおいて、表面側基材の第１基材および裏面側基材の第２基材が所謂枚葉状に各々断裁され、かつ各々印刷されている場合、第１基材および第２基材に施された印刷を合わせるために、表面側基材と裏面側基材とインレットシートとを精確に位置合わせし、ラミネートする必要がある。
【０００４】
ここで、表面側基材と裏面側基材とインレット用シートとを位置合わせしてラミネートする場合、図８に示すように、まず、表面側基材４２の第１基材４３に形成された十字形状のアライメントマーク５０と、裏面側基材４５の第２基材４６に形成された十字形状のアライメントマーク５１と、インレットシート４８のインレット用基材４９に形成された丸形状のアライメントマーク５２を用いて位置合わせが行われる。その後、第１基材４３に形成されたアライメントマーク５０近辺において、超音波ウェルダー５３により３０〜２５０ｍｍ間隔で仮接合が施される。
【特許文献１】特開２００３−１６２６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような方法により表面側基材と裏面側基材とインレットシートとをラミネートして加熱ローラにより加熱する場合、表面側基材とインレットシートとの間または裏面側基材とインレットシートとの間から、仮接合される箇所が比較的少ないため、加熱されて溶融した接着剤が外方に流れ出すことがある。この場合、流れ出した接着剤が加熱ローラに付着し、表面側基材または裏面側基材を汚染させるという問題がある。
【０００６】
また、上述したように加熱ローラにより加熱する際、非接触ＩＣカードに歪みが生じることがある。これは、表面側基材の厚みと裏面側基材の厚みの違いによる熱収縮率が異なること、仮接合する際に残留応力が生じていること、加熱ロールから押付力を受けることが原因と考えられる。この場合、断裁して得られる非接触ＩＣカードに反りが発生するという問題がある。
【０００７】
さらに、上述したように歪みが生じた場合、表面側基材とインレットシートとの間もしくは裏面側基材とインレットシートとの間に空気が入り込むこともある。この場合、非接触ＩＣカードの表面および裏面に凹凸が生じ、表面および裏面を平坦にさせることが困難になる。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、表面側基材および裏面側基材が枚葉状に断裁されている場合に、表面および裏面が接着剤により汚されることを防止するとともに、表面および裏面が平坦となる高品質の非接触ＩＣカードを製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、非接触ＩＣカードの製造方法において、第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、表面側基材の第１ホットメルト層と、裏面側基材の第２ホットメルト層を乾燥して固化する工程と、表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、ＩＣカード積層体のうち、表面側基材と裏面側基材の前方端縁近傍および両側端縁近傍を仮接合するとともに、インレットシートと表面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍、またはインレットシートと裏面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍を仮接合手段を用いて仮接合する工程と、少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、を備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【００１０】
本発明は、インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【００１１】
本発明は、仮接合手段は、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機からなり、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機は、ＩＣカード積層体のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード以外の領域に施されることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【００１２】
本発明は、仮接合手段は、超音波ウェルダーからなり、この超音波ウェルダーは、複数のヘッドを含むことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【００１３】
本発明は、第１ホットメルト層は、第１基材の一方の面に、第１基材の前方端縁および両側端縁の内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されるとともに、第２ホットメルト層は、第２基材の一方の面に、第２基材の前方端縁および両側端縁から内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【００１４】
本発明は、仮接合する工程において、仮接合手段によりＩＣカード積層体の複数箇所に仮接合が行われて複数の仮接合部が形成され、各仮接合部間の距離は、１〜２０ｍｍであることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表面側基材と裏面側基材との間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製し、このＩＣカード積層体のうち、表面側基材と裏面側基材の前方端縁近傍および両側端縁近傍を仮接合するとともに、インレットシートと表面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍、またはインレットシートと裏面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍を仮接合手段を用いて仮接合される。その後、少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させて、非接触ＩＣカードが得られる。このように、ＩＣカード積層体を仮接合する際、表面側基材および裏面側基材の前方端縁近傍および両側端縁近傍が仮接合されるため、ＩＣカード積層体の強度を増大させることができる。このことにより、仮接合されたＩＣカード積層体を加熱ローラにより加熱する場合に、ＩＣカード積層体が歪むことを抑制することができる。このため、非接触ＩＣカードが反ることを抑制して、非接触ＩＣカードの表面および裏面を平坦状に形成し、高品質の非接触ＩＣカードを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
第１の実施の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図１乃至図５は、本発明による非接触ＩＣカードの製造方法の第１の実施の形態を示す図である。このうち、図１は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図であり、図２は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図であり、図３は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図である。また、図４は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体を示す斜視図であり、図５は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、ＩＣカード積層体を作製する方法を説明する図である。
【００１７】
まず、図１および図２により、本発明における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードについて説明する。ここで、非接触ＩＣカードは、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信することができるものである。
【００１８】
図１に示すように、非接触ＩＣカード１は、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４（図３参照）を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２と、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５とを備えている。また、図１、図２、および図４に示すように、表面側基材２と裏面側基材５間に、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８が設けられている。
【００１９】
図２に示すように、ＩＣチップ１１は直方体状に形成され、ＩＣチップ１１の厚さは、例えば１５０μｍから３００μｍとなっている。また、ＩＣチップ１１は、情報を記録するためのメモリを含み、外部装置（リーダ・ライタ等）により、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に記録された情報を読み出したり、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に新たな情報を書き込んだりすることができるようになっている。そして、非接触ＩＣカード１のこのような機能を発現するための回路配線がＩＣチップ１１に書き込まれている。
【００２０】
また、図２に示すように、アンテナ１０は、インレット用基材９上で略コイル状に形成され、ＩＣチップ１１と電気的に接続されている。なお、本実施の形態においては、アンテナ１０が略コイル状に形成された例を示したが、これに限定されるものではない。
【００２１】
また、アンテナ１０は、例えば、スクリーン印刷機を用いて導電性インキをインレット用基材９上に塗布することにより、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を打ち抜き転写することにより、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングすること等により、インレット用基材９上に形成することができる。
【００２２】
また、表面側基材２の第１基材３、裏面側基材５の第２基材６、およびインレットシート８のインレット用基材９は、ＰＥＴフィルムや紙等からなっている。
【００２３】
また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、いずれもインレットシート８のＩＣチップ１１の厚さよりも各々厚く形成されている。また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を各々形成する流動性ホットメルト１４は、湿気硬化型ウレタン樹脂からなっている。
【００２４】
次に、図３により、非接触ＩＣカード１の製造装置２０について説明する。非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、表面側基材２の第１基材３の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第１接着剤塗布手段２１と、裏面側基材５の第２基材６の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第２接着剤塗布手段２２とを有している。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、第１接着剤塗布手段２１と第２接着剤塗布手段２２の下流側に配置され、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する積層手段２３と、積層手段２３の下流側に配置され第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させてＩＣカード積層体１２を仮接合する仮接合手段２４とを有している。このうち、仮接合手段２４は、超音波ウェルダー２５からなっているが、超音波ウェルダー２５に限らず、熱圧着機２９、接着材塗布機３０、または粘着材塗布機３１を用いても良い。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、仮接合手段２４の下流側に配置されるとともに、ＩＣカード積層体１２を溶融させて表面側基材２とインレットシート８とを接着させ、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる接着手段２６を有している。このうち、接着手段２６は、ＩＣカード積層体１２に対して表側および裏側に配置される一対または複数対の加熱ローラ２７からなっている。さらに、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、接着手段２６の下流側に配置され、接着されたＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁する断裁手段２８を有している。
【００２５】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち非接触ＩＣカード１の製造方法について説明する。
【００２６】
まず、図１および図３に示すように、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２を準備する。この場合、まず図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することができる大きさであって、所定の位置に十字形状を有するアライメントマーク３ｃ（図５参照）が形成された第１基材３を準備する。図４において、第１基材３は、３列×３段＝９枚の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさを持つ。本実施の形態においては、基材を巻いた巻取コアが回転して、１枚の帯状に延びるシート状の基材を連続的に供給する方法ではなく、所謂枚葉状の第１基材３を準備する。このことにより、小ロットの非接触ＩＣカード１を容易に製造することができる。なお、１枚の表面側基材２に対して作製することができる非接触ＩＣカード１の枚数は９枚に限定されるものではない。
【００２７】
次に、第１接着剤塗布手段２１により、第１基材３の裏面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第１ホットメルト層４の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の表面を平坦にすることができる。また、図５に示すように、第１基材３の一方の面に塗布される流動性ホットメルト１４は、第１基材３の前方端縁３ａの内側に幅ｘ（例えば、１０〜２０ｍｍ）で示される帯状マージン４ａを残すとともに、両側端縁３ｂの内側に幅ｙ（例えば、１０〜５０ｍｍ）で示される帯状マージン４ｂを各々残して塗布される。すなわち、第１ホットメルト層４は、第１基材３の前方端縁３ａの内側に幅ｘで示される帯状マージン４ａを残すとともに、第１基材３の両側端縁３ｂの内側に幅ｙで示される帯状マージン４ｂを各々残して形成される。このことにより、後述するように加熱ローラにより加熱する際、第１ホットメルト層４が溶融されて外方に流れ出すことを防止することができる。
【００２８】
次に、図１および図３に示すように、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５を準備する。この場合、まず表面側基材２と同様にして、図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさをもつ第１基材３と略同一の大きさであって、所定の位置に十字形状を有するアライメントマーク６ｃ（図５参照）が形成された第２基材６を準備する。
【００２９】
次に、第２接着剤塗布手段２２により、第２基材６の表面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、第１ホットメルト層４と同様に、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第２ホットメルト層の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の裏面を平坦にすることができる。また、図５に示すように、第２基材６の一方の面に塗布される流動性ホットメルト１４は、第２基材６の前方端縁６ａの内側に幅ｘ（例えば、１０〜２０ｍｍ）で示される帯状マージン７ａを残すとともに、両側端縁６ｂの内側に幅ｙ（例えば、１０〜５０ｍｍ）で示される帯状マージン７ｂを各々残して塗布される。すなわち、第２ホットメルト層７は、第２基材６の前方端縁６ａの内側に幅ｘで示される帯状マージン７ａを残すとともに、第２基材６の両側端縁６ｂの内側に幅ｙで示される帯状マージン７ｂを各々残して形成される。このことにより、後述するように加熱ローラにより加熱する際、第２ホットメルト層７が溶融されて外方に流れ出すことを防止することができる。
【００３０】
次に、図２および図３に示すように、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８を準備する。この場合、まず、図５に示すように、第１基材３および第２基材６の幅よりも短い幅を有し、所定の位置に丸形状を有するアライメントマーク９ｃが形成されたインレット用基材９を準備する。このインレット用基材９に形成されたアライメントマーク９ｃの位置は、上述した第１基材３および第２基材６に形成されたアライメントマーク３ｃ、６ｃの位置に対応している。なお、インレット用基材９に形成されたアライメントマーク９ｃを第１基材３および第２基材６に形成されたアライメントマーク３ｃ、６ｃに合わせた場合、インレット用基材９の両側端縁９ｂは、第１基材３および第２基材６の両側端縁３ｂ、６ｂの内側に所定の幅で示される帯状マージン９ｄを各々残して配置される。
【００３１】
次に、図２に示すように、インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する。この際、９枚の非接触ＩＣカード１を作製することができるよう、インレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成される。インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する手段としては、導電性インキをインレット用基材９上に塗布するスクリーン印刷機、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を転写する転写装置、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングするエッチング装置等を用いることができる。これらのアンテナを形成する手段を用いれば、コイル状のアンテナを有するインレットシート８だけでなく、種々の形状を有するアンテナをインレットシート８に形成することができる。その後、インレット用基材９上に形成された各アンテナ１０に対応してＩＣチップ１１を取り付け、これによりインレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成され、かつ９個のＩＣチップ１１が設けられる。
【００３２】
次に、図３に示すように、表面側基材２の第１ホットメルト層４と、裏面側基材５の第２ホットメルト層７を冷却固化する。ところで、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、常温における気中環境下に曝すもしくは急冷した場合、数秒〜数十秒でタック性が喪失されて固化する。このことにより、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７を気中環境下に数秒〜数十秒曝すもしくは冷却し、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７とがタック性が喪失されるまで固化させる。
【００３３】
次に、図３に示すように、積層手段２３により、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する。この場合、まず、例えば、表面側基材２とインレットシート８とを位置合わせする。この際、図５に示すように、表面側基材２の第１基材３に形成されたアライメントマーク３ｃと、インレットシート８のインレットシート用基材９に形成されたアライメントマーク９ｃとを合わせる。次に、裏面側基材５とインレットシート８とを位置合わせする。この際、裏面側基材５の第２基材６に形成されたアライメントマーク６ｃとインレットシート８のインレットシート用基材９に形成されたアライメントマーク９ｃとを合わせる。このことにより、表面側基材２と裏面側基材５とインレットシート８とを位置合わせすることができる。
【００３４】
この間、表面側基材２の第１ホットメルト層４はタック性が喪失されているため、表面側基材２とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、表面側基材２とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。同様に、裏面側基材５の第２ホットメルト層７もタック性が喪失されているため、裏面側基材５とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、裏面側基材５とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。ところで、図１に示すように、インレット用基材９上に配置されたＩＣチップ１１およびアンテナ１０は、表面側基材２側に向いているが、裏面側基材５側に向けても良い。
【００３５】
また、この場合、上述したように、インレット用基材９の両側端縁９ｂは、第１基材３および第２基材６の両側端縁３ｂ、６ｂの内側に所定の幅で示される帯状マージン９ｄを各々残して配置されている。このことにより、表面側基材２の両側端縁近傍２ｂと裏面側基材５の両側端縁近傍５ｂとの間に、インレットシート８の両側端縁近傍（図示せず）が介在されることがなく、表面側基材２の前方端縁近傍２ａと裏面側基材５の前方端縁近傍５ａとの間に、インレットシート８の前方端縁近傍８ａを介在させて、ＩＣカード積層体１２が作製される。
【００３６】
次に、図３および図５に示すように、超音波ウェルダー２５を用いて、ＩＣカード積層体１２のうち、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５との間の前方端縁近傍８ａ、２ａ、５ａが仮接合されるとともに、表面側基材２と裏面側基材５の両側端縁近傍５ａ、５ｂが仮接合される。この場合、まず、断裁されて得られる非接触ＩＣカード１以外の領域であって、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５の前方端縁近傍８ａ、２ａ、５ａが、１〜２０ｍｍ間隔で複数箇所仮接合され、複数の仮接合部１３が、各接合部１３間の距離が１〜２０ｍｍとなるように形成される。次に、断裁されて得られる非接触ＩＣカード１以外の領域であって、表面側基材２と裏面側基材５の両側端縁近傍２ｂ、５ｂが、１〜２０ｍｍ間隔で複数箇所仮接合され、複数の仮接合部１３が、各接合部１３間の距離が１〜２０ｍｍとなるように形成される。このようにして、断裁されて得られる非接触ＩＣカード１以外の領域に仮接合部１３が形成されるため、非接触ＩＣカード１の表面および裏面に、仮接合部１３を原因とした凹凸を生じさせることなく、ＩＣカード積層体１２を仮接合することができる。
【００３７】
次に、図３に示すように、接着手段２６を構成する一対または複数対の加熱ローラ２７間において、仮接合されたＩＣカード積層体１２を搬送させて、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を溶融させて、表面側基材２とインレットシート８とを接着させるとともに、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる。本実施の形態においては、前述したように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、タック性が喪失された状態にある。このため、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されるまでは、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８が粘着されることはない。このことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、ＩＣカード積層体１２の前方から後方に向けて順次溶融され、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とは順次接着されていく。この間、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に介在する空気は、後方に抜けていく。このため、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に、空気層が形成されることを確実に防止することができる。
【００３８】
また、この間、表面側基材２および裏面側基材５の両側端縁近傍２ｂ、５ｂにおいて１〜２０ｍｍ間隔で複数の仮接合部１３が形成されている。このことにより、加熱ローラ２７により加熱された第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が溶融されて、ＩＣカード積層体１２の外方へ流れ出すことを確実に防止することができる。
【００３９】
ここで、上述したように、インレットシート８は、その前方端縁近傍８ａのみが表面側基材２および裏面側基材５に仮接合される。ところで、インレットシート８の前方端縁近傍８ａだけではなく、その両側端縁近傍が表面側基材２の両側端縁近傍２ｂおよび裏面側基材５の両側端縁近傍５ｂにも仮接合した場合、このＩＣカード積層体１２を加熱ローラ２７により加熱すると、インレットシート８が表面側基材２および裏面側基材５に対して強固に仮接合されているため、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が溶融されて後方に順次送られる流れを妨げることが考えられる。この場合、ＩＣカード積層体１２に歪みが生じる。このため、インレットシート８の両側端縁近傍は仮接合させることなく、前方端縁近傍８ａだけを仮接合することにより、インレットシート８が表面側基材２および裏面側基材５に対して過度に仮接合されることを避けて、ＩＣカード積層体１２に歪みが生じることを防止することができる。
【００４０】
次に、図３に示すように、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧保持して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させる。この場合、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、溶融した後、気中の湿気を吸収することにより架橋反応して硬化する。このことにより、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧状態において５日間程度放置して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させることができる。このため、非接触ＩＣカード１の使用中に、非接触ＩＣカードを高温状態においても、非接触ＩＣカード１が軟化することがない。
【００４１】
次に、図３に示すように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が完全に硬化した後、ＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁手段２８により断裁する。以上のようにして、個々の非接触ＩＣカード１を得ることができる。
【００４２】
このように本実施の形態によれば、ＩＣカード積層体１２のうち、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５との間の前方端縁近傍８ａ、２ａ、５ａが複数箇所において仮接合されるとともに、表面側基材２と裏面側基材５の両側端縁近傍５ａ、５ｂが複数箇所において仮接合される。このことにより、ＩＣカード積層体１２の強度を増大させることができる。このため、表面側基材２および裏面側基材５の厚み違いによる熱収縮率が異なること、仮接合する際に残留応力が生じていること、加熱ローラ２７から押付力を受けることにより歪みが発生することを抑制することができる。このため、ＩＣカード積層体１２を断裁して得られる非接触ＩＣカード１が反ることを確実に抑制することができる。
【００４３】
また、本実施の形態によれば、上述したように歪みが発生することを防止するとともに、タック性が喪失された第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を前方から順次溶融させて接着させている。このことにより、表面側基材２とインレットシート８との間、または裏面側基材５とインレットシート８との間に空気が介在することを抑制することができる。このため、非接触ＩＣカード１の表面および裏面を確実に平坦にすることができる。
【００４４】
なお、本実施の形態においては、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５の前方端縁近傍８ａ、２ａ、５ａを仮接合している。しかしながら、このことに限られることはなく、インレットシート８の前方端縁近傍８ａは、表面側基材２の前方端縁近傍２ａおよび裏面側基材５の前方端縁近傍５ａうちのいずれかの前方端縁近傍と仮接合するだけでもよい。
【００４５】
また、本実施の形態においては、ＩＣカード積層体１２のうち、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５との間の前方端縁近傍８ａ、２ａ、５ａを仮接合するとともに、表面側基材２と裏面側基材５の両側端縁近傍５ａ、５ｂを仮接合している。しかしながら、このことに限られることはなく、ＩＣカード積層体１２のうち、インレットシート８と表面側基材２と裏面側基材５との間の両側端縁近傍８ｂ、２ｂ、５ｂを仮接合するとともに、表面側基材２と裏面側基材５の前方端縁近傍２ａ、５ａを仮接合してもよい。また、この場合、インレットシート８の両側端縁近傍（図示せず）は、表面側基材２の両側端縁近傍２ｂおよび裏面側基材５の両側端縁近傍５ｂのうちのいずれか一方の両側端縁近傍と仮接合するだけでもよい。
【００４６】
第２の実施の形態
次に、図６および図７により、本発明の第２の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法について説明する。ここで図６は、本発明の第２の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において使用される超音波ウェルダーを示す図であり、図７は、本発明の第２の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、仮接合を施す方法を説明する図である。
【００４７】
図６および図７に示す第２の実施の形態において、仮接合手段は、複数のヘッドを含む超音波ウェルダーからなる点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図５に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図６および図７において、図１乃至図５に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４８】
図６に示すように、非接触ＩＣカード１の製造装置２０（図３参照）の仮接合手段２４は、超音波ウェルダー３２からなり、この超音波ウェルダー３２は、複数のヘッド３２ａを含んでいる。なお、本実施の形態においては、超音波ウェルダー３２は４つのヘッド３２ａを含んでいるが、このことに限られることはなく、任意の数のヘッド３２ａを含んでいても良い。
【００４９】
図６に示す複数のヘッド３２ａを含む超音波ウェルダー３２を用いてＩＣカード積層体１２を仮接合する場合、図７に示すように、表面側基材２の前方端縁近傍２ａの幅方向に渡って、仮接合部１３が複数単位で順次形成される。すなわち、複数の仮接合部１３を含む複数の仮接合部集合体１４が順次形成される。同様にして、表面側基材２および裏面側基材５の両側端縁近傍２ｂ、５ｂの長手方向に渡って、複数の仮接合部１３を含む複数の仮接合部集合体１４が順次形成される。
【００５０】
このように本実施の形態によれば、複数のヘッド３２ａを含む超音波ウェルダー３２を用いて、ＩＣカード積層体１２に複数の仮接合部１３を含む複数の仮接合部集合体１４を順次形成させることができる。このため、ＩＣカード積層体１２に複数の仮接合部１３を効率良く形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体を示す斜視図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、ＩＣカード積層体を作製する方法を説明する図。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において使用される超音波ウェルダーを示す図。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、仮接合を施す方法を説明する図。
【図８】図８は、従来のＩＣカード積層体を仮接合する方法を説明する図。
【符号の説明】
【００５２】
１      非接触ＩＣカード
２      表面側基材
２ａ    前方端縁近傍
２ｂ    両側端縁近傍
３      第１基材
３ａ    前方端縁
３ｂ    両側端縁
３ｃ    アライメントマーク
４      第１ホットメルト層
４ａ    帯状マージン
４ｂ    帯状マージン
５      裏面側基材
５ａ    前方端縁近傍
５ｂ    両側端縁近傍
６      第２基材
６ａ    前方端縁
６ｂ    両側端縁
６ｃ    アライメントマーク
７      第２ホットメルト層
７ａ    帯状マージン
７ｂ    帯状マージン
８      インレットシート
８ａ    前方端縁近傍
９      インレット用基材
９ａ    前方端縁
９ｂ    両側端縁
９ｄ    帯状マージン
９ｃ    アライメントマーク
１０    アンテナ
１１    ＩＣチップ
１２    ＩＣカード積層体
１３    仮接合部
１４    仮接合部集合体
２０    製造装置
２１    第１接着剤塗布手段
２２    第２接着剤塗布手段
２３    積層手段
２４    仮接合手段
２５    超音波ウェルダー
２６    接着手段
２７    加熱ローラ
２８    断裁手段
２９    熱圧着機
３０    接着材塗布機
３１    粘着材塗布機
３２    超音波ウェルダー
３２ａ  ヘッド
４２    表面側基材
４３    第１基材
４５    裏面側基材
４６    第２基材
４８    インレットシート
４９    インレット用基材
５０    アライメントマーク
５１    アライメントマーク
５２    アライメントマーク
５３    超音波ウェルダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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