(57)【要約】【課題】高精度の描画を可能とすること。【解決手段】データ作成装置は、描画面積がしきい値面積より大きなパターンと、描画面積がしきい値面積以下のパターンとを分離してそれぞれレチクル描画データ１４ｂ，１４ｃを作成する。露光装置は、レチクル描画データ１４ｂ，１４ｃをそれぞれ用いて電子ビームによりレチクルにパターンを描画する。【選択図】図３
2010019989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に複数のパターンを描画するための描画データをデータ作成装置にて作成するデータ作成方法であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
を含むこと、を特徴とするデータ作成方法。
【請求項２】
前記対象物は、透明基板と、前記透明基板の１つの面に形成された遮光層と、前記遮光層をパターンニングする露光パターンが描画されるレジスト層とを含み、
前記第１のフレームレイアウトデータは、少なくとも位置合せのためのマークと、半導体装置のデバイス領域より外側を遮光するための遮光帯とを含み、
前記第２のフレームレイアウトデータは前記遮光帯を含み、
前記第３のフレームレイアウトデータは前記マークを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ作成方法。
【請求項３】
前記データを分割する工程は、
前記第１のフレームレイアウトデータから、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを抽出し、その抽出したパターンを含む第２のフレームレイアウトデータを作成する工程と、
前記第１のフレームレイアウトデータに含まれるパターンのうち、前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンと重複しないパターンを含む第３のフレームレイアウトデータを作成する工程と、
から構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ作成方法。
【請求項４】
前記第３のフレームレイアウトデータに含まれるパターンについて近接効果補正に必要な補正領域を設定する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンから、前記補正領域に含まれるパターンを取り出す工程と、
前記工程にて取り出したパターンと前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンとが重複しないように、前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンの形状を変更し、その変更後のパターンを含む第４のフレームレイアウトデータを生成する工程と、
取り出した前記補正領域に含まれるパターンと前記第３のフレームレイアウトデータに含まれるパターンとを合成した第５のフレームレイアウトデータを生成する工程と、
を含み、
前記描画データに変換する工程において、前記第４のフレームレイアウトデータと前記第５のフレームレイアウトデータとをそれぞれ描画データに変換するとともに、前記第５のフレームレイアウトデータに含まれるパターンに近接効果補正処理を実行すること、
を特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項に記載のデータ作成方法。
【請求項５】
対象物に複数のパターンを描画するための描画データを作成するデータ生成装置であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
を実行すること、を特徴とするデータ作成装置。
【請求項６】
対象物に複数のパターンを描画するパターン描画方法であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
前記描画データに従って前記対象物に前記複数のパターンを描画する工程と、
を含むことを特徴とするパターン描画方法。
【請求項７】
前記第３のフレームレイアウトデータを変換した描画データに従って前記対象物に前記パターンを描画した後、前記第２のフレームレイアウトデータを変換した描画データに従って前記対象物に前記パターンを描画すること、を特徴とする請求項６に記載のパターン描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
データ作成方法、データ作成装置、及びパターン描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を製造するプロセス工程では、ステッパーを使用したステップアンドリピートの方法でウエーハへの露光処理が行われている。図２０に示すように、フォトマスク１は図示しないステッパーに装着され、所定のショット位置に順次移動されてウエーハ面上に露光処理が行われ、ウエーハ面上には露光パターン２ａ〜２ｄが順次露光される。
【０００３】
半導体装置のプロセス工程において、微細なパターンの形成が要求されている。このため、ウエーハ上に形成したレジスト膜に半導体装置のパターンを露光するためのフォトマスクにおいても、微細なパターンの形成が要求されている。微細なパターン形成とフォトマスクを作成する時間（スループット）の短縮を目的とした描画方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７７８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、フォトマスクは、石英等の透明基板上にクロム膜等の遮光層及びレジスト層を形成し、レジスト層を電子ビームにより露光し、レジスト層を現像して所望のパターンをレジスト層に形成した後、遮光層をエッチングして半導体装置のパターンに応じた開口部を形成する。上記電子ビームにより遮光層に電荷が蓄積され、この蓄積電荷によって微細なパターンを形成するための電子ビームが到達するレジスト層の位置精度が低下する、つまりパターンの配置精度が低下するという問題がある。
【０００５】
このデータ作成方法、データ作成装置、及びパターン描画方法は、高精度の描画を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このデータ作成方法及びデータ作成装置は、対象物に複数のパターンを描画するための描画データをデータ生成装置にて作成する方法であって、複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、を含む。
【０００７】
このデータ作成方法及びデータ作成装置によれば、描画面積がしきい値面積より大きなパターンと、描画面積がしきい値面積以下のパターンとを分離して描画することができるようになり、パターンの位置ずれを低減することにより、高精度の描画が可能となる。
【０００８】
このパターン描画方法は、対象物に複数のパターンを描画するパターン描画方法であって、複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、前記描画データに従って前記対象物に複数のパターンを描画する工程と、を含む。
【０００９】
このパターン描画方法によれば、描画面積がしきい値面積より大きなパターンと、描画面積がしきい値面積以下のパターンとを分離して描画することで、パターンの位置ずれを低減することにより、高精度の描画が可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
開示のデータ作成方法、データ作成装置、及びパターン描画方法は、高精度の描画を行うことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第一実施形態）
以下、第一実施形態を図１〜図１０に従って説明する。
図１に示すように、データ作成装置１０の入力装置１１は処理装置（パターン発生手段、面積チェック手段、マーク配置手段、パターン分割手段、製造データ変換手段）１２に種々の処理動作を指示するために使用される。処理装置１２は、記憶装置１３〜１５と接続されている。
【００１２】
記憶装置１３には半導体装置（ＬＳＩ）の回路を形成するためのパターンデータ（レイアウトパターンデータ、以下、レイアウトデータ）、レチクル設計情報が格納されている。レイアウトデータは、ＬＳＩを構成するセル，配線，ビア等の形状及び配置位置のデータを含む。レチクル設計情報は、プロセスの仕様情報とレチクルのオーダー情報を含む。仕様情報は、スクライブ幅、白黒イメージ、マーク配置座標などを含む。
【００１３】
また、記憶装置１３には、ライブラリデータを含む。このライブラリデータは、ウエーハアライメントマーク、位置ずれ検査用マーク（レチクルセットマーク）の形状データを含む。
【００１４】
処理装置１２は、記憶装置１３から各種データを必要に応じて読み込み、ＬＳＩを製造するための対象物としてのレチクル１９の露光処理にパターンを描画するレチクル描画データを生成する。そして、処理装置１２は、生成したレチクル描画データを記憶装置１４に格納する。処理装置１２は、レチクル描画データを生成する処理中で生成したデータ及び一時的なデータを記憶装置１５に格納する。
【００１５】
データ作成装置１０により生成されたレチクル描画データは、露光装置１８に供給される。露光装置１８は、レチクル１９を露光するための荷電ビームを出射する光源、光源から出射されるビームの形状を成形する成形部（可変スリット）、成形部を通過したビームを偏向する光学系、レチクル１９を保持しその保持面に沿って移動可能なステージ（何れも図示略）とを含む。レチクル１９は、透明基板と、該基板の１つの面に形成された遮光層と、遮光層の表面に形成されたレジスト層とを含む。例えば、透明基板は石英ガラスであり、遮光層はクロム膜である。光源から出射される荷電ビームは、レジスト層を露光するものであり、電子線，イオン線などを含む。
【００１６】
露光装置１８は、レチクル描画データに従って、光学系を制御して荷電ビームとしての電子ビームを偏向するとともに、ステージ位置を制御して透明基板を移動させる。このように、露光装置１８は制御することにより、電子ビームにてレジスト層を露光し、レチクル描画データに応じた露光パターンを形成する。
【００１７】
次に、レチクルの作成処理を説明する。
先ず、データ作成装置１０によるデータ作成処理を説明する。
データ作成装置１０は、図２に示すフローチャートに従って、レイアウトデータから半導体装置のパターンを描画するためのレチクル描画データを生成する（デバイスデータ作成処理）。即ち、データ作成装置１０は、図１に示す記憶装置１３から読み出したオーダー情報１３ｂに基づいて、同記憶装置１３から読み出したレイアウトデータ１３ａを、レチクル描画データ（レイアウト描画データ）１４ａに変換する（ステップ２１）。そして、データ作成装置１０は、変換後のレチクル描画データ１４ａを図１の記憶装置１４に格納する。図４に示すように、レチクル描画データ１４ａは、ＬＳＩの機能パターンを描画するためのデバイス領域５１を含む。機能パターンは、拡散領域、ゲート電極、配線、上層配線と下層配線とを接続するビア等を含む。
【００１８】
次に、データ作成装置１０は、図３に示すフローチャートに従って、フレームデータを描画するためのレチクル描画データを作成する（フレームデータ作成処理）。
先ず、図１に示すデータ作成装置１０は、記憶装置１３からオーダー情報１３ｂ及び仕様情報１３ｃを読み込み、露光装置においてチップのスクライブ領域を形成するためのスクライブデータを生成する（ステップ３１）。このスクライブ領域は、チップの外形形状、面付け数、ダイシングの幅、等の情報に応じた矩形枠状に形成される。
【００１９】
次に、データ作成装置１０は、仕様情報に基づき、マークの配置情報を生成する（ステップ３２）。マークは、ウエーハアライメントマーク、レチクルセットマークを含む。データ作成装置１０は、ウエーハアライメントマークをスクライブ領域に配置し、レチクルセットをスクライブ領域の外側に配置する。
【００２０】
次に、データ作成装置１０は、オーダー情報に基づき、スクライブ領域の外側に配置する遮光帯のデータを生成する（ステップ３３）。遮光帯は、ステッパーなどのウエーハ露光装置でレチクルに形成されたＬＳＩの機能パターンをステップアンドリピート法によってウエーハに転写する際に、隣接ショット間で光のもれによる二重露光を防ぐ。そして、データ作成装置１０は、作成した遮光帯とマーク等との干渉の有無を判断し、干渉がない場合には次のステップに進み、干渉ある場合には遮光帯から干渉している部分を打ち抜く打ち抜き処理を行う。例えば、データ作成装置１０は、遮光帯から干渉している領域を除くように、その遮光帯の形状を変更する。そして、データ作成装置１０は、生成したスクライブ領域、マーク、遮光帯のデータを含むフレームレイアウトデータを図１の記憶装置１５に格納する。
【００２１】
図５に示すように、記憶装置１５に格納されたフレームレイアウトデータ１５ａは、矩形枠状のスクライブ領域５２を有し、スクライブ領域５２にはウエーハアライメントマーク５３が配置されている。尚、ウエーハアライメントマーク５３は、ウエーハを位置合せするための微細なパターンよりなる位置合せマーク、マスクの位置ずれを検査するための微細なパターンよりなる検査マークを含むものである。このため、図５等には、微細パターンを形成する領域として示してある。
【００２２】
本実施形態において、スクライブ領域５２には２つのウエーハアライメントマーク５３が配置され、このマーク５３は、スクライブ領域５２と同じ幅を有している。従って、スクライブ領域５２とマーク５３とが干渉する領域を、スクライブ領域５２から除くことにより、スクライブ領域５２は、２つのマーク５３により２つの遮光帯５２ａ，５２ｂに分割されている。
【００２３】
スクライブ領域５２の外側にはレチクルセットマーク５４が配置されている。スクライブ領域５２の外側には矩形枠状の遮光帯５５が形成されている。マーク５４は位置合せのための微細なパターンから構成されており、図５等には微細パターンが形成される領域をマーク５４の外形形状として示されている。
【００２４】
そして、遮光帯５５とマーク５４とが干渉する領域を、遮光帯５５から除くことにより、外周の所定位置に凹部を有する遮光帯５５が形成される。
遮光帯５２ａ，５２ｂ及び遮光帯５５は、ウエーハに形成したレジスト層を露光しない領域、即ち露光工程においてショット光を遮光する領域である。マーク５３，５４は、その形状に応じたショット光にてレジスト層を露光する領域である。従って、スクライブ領域５２においてマーク５３を除く領域（５２ａ，５２ｂ）、及び遮光帯５５においてマーク５４を除く領域が、露光工程においてショット光がウエーハに形成したレジスト層に到達しないようにそのショット光を遮光する遮光領域となる。
【００２５】
次に、データ作成装置１０は、フレームレイアウトデータ１５ａに含まれる各パターン面積をそれぞれ算出する。そして、データ作成装置１０は、各パターンの面積と所定のしきい値面積（例えば２５mm2（＝５mm×５mm））とを比較することにより、しきい値面積以上の面積を有するパターンの有無を判断し、該当するパターンを抽出する（ステップ３４）。しきい値面積は、レチクルにパターンを描画する描画機、レチクルの必要精度に応じて設定される。
【００２６】
図５に示すフレームレイアウトデータ１５ａの場合、スクライブ領域５２（遮光帯５２ａ，５２ｂ）及び遮光帯５５が該当するため、データ作成装置１０は、スクライブ領域５２及び遮光帯５５を該当パターンとして抽出する。そして、データ作成装置１０は、その抽出したパターン（スクライブ領域５２及び遮光帯５５）のデータを含むフレームレイアウトデータ１５ｂを図１の記憶装置１５に格納する。従って、フレームレイアウトデータ１５ｂは、図６（ａ）に示すように、スクライブ領域５２及び遮光帯５５を含む。
【００２７】
次に、データ作成装置１０は、抽出したパターンと、抽出前のパターンとを図形論理処理して論理差の領域を抽出し、その抽出した領域のデータを含むフレームレイアウトデータ１５ｃを図１の記憶装置１５に格納する（ステップ３５）。即ち、データ作成装置１０は、フレームレイアウトデータ１５ａに含まれるパターンと、フレームレイアウトデータ１５ｂに含まれるパターンとが重ならない部分（本実施形態ではマーク５３，５４）を抽出し、その抽出したパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ｃ（図６（ｂ）参照）を生成する。
【００２８】
レチクルは、石英等の透明基板上にクロム膜等の遮光層及びレジスト層を形成し、レジスト層を電子ビームにより露光し、レジスト層を現像して所望のパターンをレジスト層に形成した後、レジスト層をマスクとして遮光層をエッチングして生成される。露光工程において、遮光層には、レジスト層を露光する電子ビームによって電荷が蓄積される。面積の大きなパターンほど蓄積した電荷量が多く、多量の電荷は、そのパターン付近を描画する電子ビームの経路に影響を与え、露光位置にずれを生じさせる。即ち、描画するパターンの位置ずれを発生させる。
【００２９】
このため、上記のしきい値面積は、パターンに位置ずれを生じさせない、又はその位置ずれがオーダー情報に設定された許容範囲内となるように設定される。そして、データ作成装置は、全てのパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ａを、電子ビームの経路対する影響が規定以上となるパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ｂと、電子ビームの経路対する影響が規定未満となるパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ｃとに分割する。
【００３０】
次に、データ作成装置１０は、生成した２つのフレームレイアウトデータ１５ｂ，１５ｃを、それぞれレチクル描画データ１４ｂ，１４ｃにデータ変換し、両描画データ１４ｂ，１４ｃを図１の記憶装置１４に格納する（ステップ３６）。
【００３１】
次に、レチクル描画処理を説明する。
図１に示すように、上記のデータ作成装置１０により生成されたレチクル描画データ１４ａ〜１４ｃは、露光装置１８に供給される。
【００３２】
露光装置１８は、描画位置に高精度が要求されるＬＳＩの機能パターンのレチクル描画データ１４ａと、アライメントマーク・位置ずれ検査マークなどのレチクル描画データ１４ｃを合成した合成描画データ１６を生成する（ステップ４１）。図８に示すように、合成描画データ１６は、デバイス領域５１、ウエーハアライメントマーク５３、レチクルセットマーク５４を含む。
【００３３】
次に、露光装置１８は、生成した描画データ１６に従って電子ビームの位置を制御し、描画データ１６に応じたパターンをレチクルに形成したレジスト層に描画する（ステップ４２）。この描画処理により、図９に示すレチクル１９ａが作成される。このレチクル１９ａには、ＬＳＩの機能パターンを形成するためのデバイス領域５１が形成されている。そのデバイス領域５１の外側であって、スクライブ領域となる箇所にウエーハアライメントマーク５３が形成されている。そして、所定の間隔を開けて２つのレチクルセットマーク５４が形成されている。
【００３４】
次に、露光装置１８は、描画位置の要求精度が低い大面積パターンを含む遮光領域（スクライブ領域５２及び遮光帯５５）を含むレチクル描画データ１４ｂに従って電子ビームの位置を制御し、描画データ１４ｂに応じたパターンをレチクルに形成したレジスト層に描画する（ステップ４３）。この描画処理により、図１０に示すレチクル１９ｂが作成される。このレチクル１９ｂは、デバイス領域５１の周囲に、マーク５３，５４と重ならないように、スクライブ領域５２及び遮光帯５５からなる遮光領域５６が形成されている。
【００３５】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）データ作成装置１０は、描画面積がしきい値面積より大きなパターンと、描画面積がしきい値面積以下のパターンとを分離してそれぞれレチクル描画データ１４ｂ，１４ｃを作成する。露光装置１８は、レチクル描画データ１４ｂ，１４ｃをそれぞれ用いて電子ビームＬによりレチクル１９にパターンを描画する。従って、電子ビームＬによる蓄積電荷によって電子ビームＬの位置ずれを低減することにより、高精度の描画が可能となる。
【００３６】
（２）露光装置１８は、描画面積がしきい値面積以下のパターンを含むデータ１５ｃを変換したレチクル描画データ１４ｃに従ってレチクル１９にパターンを描画した後、描画面積がしきい値面積以上のパターンを含むデータ１５ｂを変換したレチクル描画データ１４ｂに従ってレチクル１９にパターンを描画するようにした。従って、描画面積がしきい値面積以下の微細パターンが、描画面積がしきい値面積より大きな大面積パターンより先に描画されるため、電子ビームＬによる大面積パターンの蓄積電荷の影響を受けることなく微細パターンを描画することができる。
【００３７】
（第二実施形態）
以下、第二実施形態を図１１〜図１７に従って説明する。
図１１及び図１２は、本実施形態におけるデータ作成処理のフローチャートである。この処理は、第一実施形態と同様に、図１に示すデータ作成装置１０にて実行される。
【００３８】
即ち、図１１に示すように、データ作成装置１０（処理装置１２）は、図１に示す記憶装置１３から読み出したオーダー情報１３ｂに基づいて、同記憶装置１３から読み出したレイアウトデータ１３ａを、レチクル描画データ（レイアウト描画データ）６１ａに変換する（ステップ７１）。この製造データ変換処理は、近接効果補正処理を含む。ウエーハ上のレジスト膜に、所定範囲内（例えば２０〜３０μｍ）に近接して配置される２つのパターンを露光する際に、レチクルを通過した光が互いに干渉を起こし、マスクのパターン幅に対してレジスト膜に露光されるパターン幅が変化する。近接効果補正処理は、光の干渉によるパターン形状の変化量に応じてマスクに形成するパターン形状を補正するものである。即ち、データ作成装置１０は、レイアウトデータ１３ａを、近接効果補正の補正量を加味したレチクル描画データ６１ａに変換する。そして、データ作成装置１０は、変換後のレチクル描画データ６１ａを図１の記憶装置１４に格納する。
【００３９】
次に、データ作成装置１０は、図１２に示すフローチャートに従って、フレームデータを描画するためのレチクル描画データを作成する（フレームデータ作成処理）。
先ず、データ作成装置１０は、第一実施形態と同様に、フレームレイアウトデータ１５ａ〜１５ｃを生成する。
【００４０】
即ち、データ作成装置１０は、記憶装置１３からオーダー情報１３ｂ及び仕様情報１３ｃを読み込み、露光装置においてチップのスクライブ領域を遮光するためのスクライブ領域を生成する（ステップ８１）。次に、データ作成装置１０は、仕様情報に基づき、マークの配置情報を生成する（ステップ８２）。次に、データ作成装置１０は、オーダー情報に基づき、スクライブ領域の外側に配置する遮光帯のデータを生成する（ステップ８３）。そして、データ作成装置１０は、生成したスクライブ領域、マーク、遮光帯のデータを含むフレームレイアウトデータを図１の記憶装置１５に格納する。
【００４１】
次に、データ作成装置１０は、フレームレイアウトデータ１５ａに含まれる各パターン面積をそれぞれ算出し、算出した各パターンの面積と所定のしきい値面積とを比較することにより、しきい値面積以上の面積を有するパターンの有無を判断し、該当するパターンを抽出する（ステップ８４）。そして、データ作成装置１０は、その抽出したパターンのデータを含むフレームレイアウトデータ１５ｂを図１の記憶装置１５に格納する。
【００４２】
次に、データ作成装置１０は、抽出したパターンと、抽出前のパターンとを図形論理処理して論理差の領域を抽出し、その抽出した領域のデータを含むレイアウトデータ１５ｃを図１の記憶装置１５に格納する（ステップ８５）。
【００４３】
次に、データ作成装置１０は、フレームレイアウトデータ１５ｃからマーク５３，５４の領域枠を取り出す（ステップ８６）。次に、データ作成装置１０は、領域枠を用いて、マーク５３，５４に隣接するパターンから、近接効果補正処理に必要なパターンを切り出すために必要な補正領域を作成する（ステップ８７）。
【００４４】
レチクルに形成するマーク５３，５４に含まれるパターンの形状は、ＬＳＩの機能パターンと同様に、マーク５３，５４のパターンを通過する光と、遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５を通過する光との間の干渉により変化する。従って、レチクルに形成するマーク５３，５４に含まれるパターンに対して、上記のＬＳＩの機能パターンと同様の補正処理を必要とする。そして、近接補正処理には、マーク５３，５４のパターンと近接するパターン、つまりマーク５３，５４に隣接するパターンが必要となる。そして、必要なパターンが含まれる領域は、近接補正処理を行う必要があるパターン間隔（例えば２０〜３０μｍ）に対応する。従って、本実施形態では、近接補正処理を行うパターンが含まれる所定範囲のパターンを遮光帯５２ａ．５２ｂ，５５から切り出すために、図１３に示すように、マーク５３，５４の領域枠を、所定範囲の数値分だけ軸方向両側にそれぞれ拡大した外形形状を有する補正領域１０１，１０２を生成する。
【００４５】
次に、データ作成装置１０は、補正領域１０１，１０２と遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５とを図形論理積演算処理して、補正領域１０１，１０２と遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５とが重なる部分のパターンを、遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５から取り出す（ステップ８８）。
【００４６】
図１３に示すように、二点鎖線で示す遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５と、補正領域１０１，１０２とが重なる部分が、図形論理積演算処理により、図１４に示すように補正有効領域１０３，１０４として取り出される。そして、データ作成装置１０は、この補正有効領域１０３，１０４を含むフレームレイアウトデータ１５ｄを図１の記憶装置１５に格納する。
【００４７】
そして、補正有効領域１０３，１０４と遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５との重なりが無いように、遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５の形状が変更される。即ち、データ作成装置１０は、遮光帯５２ａ，５２ｂ，５５から補正有効領域１０３，１０４を図形論理差演算処理して、図１５に示すように、最終的な大面積パターンの遮光帯１０５を含むフレームレイアウトデータ１５ｅを生成する（ステップ８８）。そして、データ作成装置１０は、このフレームレイアウトデータ１５ｅを図１の記憶装置１５に格納する。
【００４８】
次に、データ作成装置１０は、マーク５３，５４を含むフレームレイアウトデータ１５ｃと補正領域１０１，１０２を含むフレームレイアウトデータ１５ｄとを合成（論理和）し、図１６に示すように、高精度パターンであるマーク５３，５４と、高精度パターンを近接効果補正するためのパターンである補正有効領域１０３，１０４を含むフレームレイアウトデータ１５ｆを生成する（ステップ８９）。そして、データ作成装置１０は、生成したフレームレイアウトデータ１５ｆを、図１の記憶装置１５に格納する。
【００４９】
次に、データ作成装置１０は、図１１に示すレイアウトデータ１３ａと同様に、生成したフレームレイアウトデータ１５ｅ，１５ｆを、それぞれ近接効果補正の補正量を加味したレチクル描画データ６１ｂ，６１ｃにデータ変換する。そして、データ作成装置１０は、変換後のレチクル描画データ６１ｂ，６１ｃを図１の記憶装置１４に格納する（ステップ９０）。
【００５０】
図１に示す露光装置１８は、第一実施形態と同様に、露光処理を行い、レチクル１９を作成する。
即ち、露光装置１８は、描画位置に高精度が要求されるＬＳＩの機能パターンのレチクル描画データ６１ａと、アライメントマーク・位置ずれ検査マークなどのレチクル描画データ６１ｃを合成した合成描画データ１６ａ（図１７参照）を生成する（ステップ４１）。図１７に示すように、合成描画データ１６ａは、デバイス領域５１、ウエーハアライメントマーク５３、レチクルセットマーク５４、補正有効領域１０３，１０４を含む。露光装置１８は、生成した描画データ１６ａに従って電子ビームの位置を制御し、描画データ１６ａに応じたパターンをレチクルに形成したレジスト層に描画する（ステップ４２）。
【００５１】
次に、露光装置１８は、描画位置の要求精度が低い大面積パターンである遮光領域１０５のレチクル描画データ６１ｂに従って電子ビームの位置を制御し、描画データ６１ｂに応じたパターンをレチクルに形成したレジスト層に描画する（ステップ４３）。
【００５２】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）データ作成装置１０は、近接効果補正処理が必要な微細パターンについて、その補正処理に必要な領域のパターンを抽出して微細パターンとともに近接効果補正処理を行ってレチクル描画データ６１ｃを作成するようにした。また、データ作成装置１０は、近接効果補正処理に必要な領域を除く遮光領域１０５を含むレチクル描画データ６１ｂを作成するようにした。従って、微細パターンと近接効果補正処理に必要なパターンとを、大面積パターンである遮光領域１０５と分離してレチクル１９に描画することができるため、大面積パターンである遮光領域１０５の描画による蓄積電荷が、微細パターン及びその補正処理に必要なパターンを描画する電子ビームＬの経路に影響を与えないため、その微細パターン等を精度よく描画することができる。
【００５３】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各実施形態に対し、電荷チャージが、位置精度が必要なパターンを描画する電子ビームの経路に影響を与える大面積パターンを、複数のパターンに分割するようにしてもよい。
【００５４】
一例として、データ作成装置１０は、第一実施形態における遮光領域５６（スクライブ領域５２及び遮光帯５５）（図７（ａ）参照）を、図１８に示すように、複数の枠状の遮光帯５６ａ〜５６ｃに分割し、それぞれの遮光帯５６ａ〜５６ｃを含むフレームレイアウトデータ１１１〜１１３を生成する。そして、データ作成装置１０は、各フレームレイアウトデータ１１１〜１１３をレチクル描画データにデータ変換するようにしてもよい。
【００５５】
別の例として、データ作成装置１０は、第一実施形態における遮光領域５６を、図１９に示すように、Ｘ軸方向（横方向）及びＹ軸方向（縦方向）に沿って所定のピッチで分割した分割領域５７を生成する。そして、各分割領域５７が軸方向に隣接しないように、フレームレイアウトデータ１５ｂを２つのフレームレイアウトデータ１２１，１２２に分割する。
【００５６】
上記のように、遮光領域５６を分割すると、各分割領域によって描画されるパターンに対応する遮光膜の面積は、遮光領域５６を一度に描画する場合と比べて小さくなる。従って、露光されたレジスト膜に対応する遮光膜における電荷チャージ量が少なくなり、他のパターンを描画するための電子ビームＬの経路対する影響を低減することができる。
【００５７】
更に、分割サイズ（分割幅）を、露光装置１８において電子ビームＬを偏向することにより描画可能な範囲（フィールドサイズ：数μｍ〜数ｍｍ）に設定することで、不要なステージ移動による描画時間の増加を防ぐことができる。例えば、図１９において、分割領域５７のサイズがフィールドサイズより大きいと、フィールドサイズの領域を描画した後、分割領域５７のサイズとフィールドサイズとの差の分だけ（又は１フィールドサイズ分）ステージを移動させて残りの領域を描画しなければならない。従って、１回の移動に対する描画面積の平均値が小さくなり、ステージの移動回数が多くなるため、描画時間が増加することになるからである。
【００５８】
同様に、第二実施形態における遮光領域１０５（図１５参照）を分割した領域をそれぞれ含む複数のフレームレイアウトデータを作成するようにしてもよい。
上記のように遮光領域５６を分割することにより、各分割領域５６ａ〜５６ｃ，５７を描画するための電子ビームによる電荷チャージが、他の領域のパターンを描画するための電子ビームの経路に影響を与えなければ、各レチクル描画データによりパターンを描画する順番は、任意に変更されてもよい。
【００５９】
・上記各実施形態では、データ作成装置１０と露光装置１８とを別々の構成としたが、１つの装置によりレチクル描画データを作成する処理と、作成した描画データに基づいてレチクルにパターンを描画する処理を行うようにしてもよい。
【００６０】
・上記実施形態では、露光装置１８にてＬＳＩの機能パターンを形成するためのレチクル描画データ１４ａと、マーク等をレチクルに描画するためのレチクル描画データ１４ｃとを合成したが、両データ１４ａ，１４ｃの合成処理をデータ作成装置１０にて行うようにしてもよい。
【００６１】
・上記各実施形態において、露光装置１８は、ＬＳＩの機能パターンを形成するためのレチクル描画データ１４ａと、マーク等をレチクルに描画するためのレチクル描画データ１４ｃとを合成した描画データを作成し、パターンをレチクルのレジスト層に描画するようにした。両描画データ１４ａ，１４ｃは、電子ビームに影響するパターンを描画するレチクル描画データ１４ｂよりも先に描画されればよく、両描画データ１４ａ，１４ｃを合成することなく描画するようにしてもよい。
【００６２】
・上記各実施形態では、全てのパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ａを分割したフレームレイアウトデータ１５ｂ，１５ｃを生成する。そして、一方のデータ１５ｂに含まれるパターンと、他方のデータ１５ｃに含まれるパターンとが重複しないように、データ１５ａに含まれるパターンと、そのデータ１５ａから抽出してデータ１５ｂに含まれるパターンとを図形論理処理し、処理結果のパターンを含むデータ１５ｃを生成するようにした。これらの処理は、荷電ビームとしての電子ビームにてレチクルを露光した複数の露光パターンを、他の露光パターンを描画するための電子ビームの経路に与える影響が大きいパターンと、経路に与える影響が少ないパターンとに分離することができればよい。従って、全てのパターンを含むフレームレイアウトデータ１５ａから、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを抽出してフレームレイアウトデータ１５ｂを生成し、フレームレイアウトデータ１５ａから、描画面積がしきい値面積以下のパターンを抽出してフレームレイアウトデータ１５ｃを生成するようにしてもよい。
【００６３】
上記各実施形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
対象物に複数のパターンを描画するための描画データをデータ作成装置にて作成するデータ作成方法であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
を含むこと、を特徴とするデータ作成方法。
（付記２）
前記対象物は、透明基板と、前記透明基板の１つの面に形成された遮光層と、前記遮光層をパターンニングする露光パターンが描画されるレジスト層とを含み、
前記第１のフレームレイアウトデータは、少なくとも位置合せのためのマークと、半導体装置のデバイス領域より外側を遮光するための遮光帯とを含み、
前記第２のフレームレイアウトデータは前記遮光帯を含み、
前記第３のフレームレイアウトデータは前記マークを含む、
ことを特徴とする付記１に記載のデータ作成方法。
（付記３）
前記データを分割する工程は、
前記第１のフレームレイアウトデータから、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを抽出し、その抽出したパターンを含む第２のフレームレイアウトデータを作成する工程と、
前記第１のフレームレイアウトデータに含まれるパターンのうち、前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンと重複しないパターンを含む第３のフレームレイアウトデータを作成する工程と、
から構成されることを特徴とする付記１又は２に記載のデータ作成方法。
（付記４）
前記第３のフレームレイアウトデータに含まれるパターンについて近接効果補正に必要な補正領域を設定する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンから、前記補正領域に含まれるパターンを取り出す工程と、
前記工程にて取り出したパターンと前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンとが重複しないように、前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンの形状を変更し、その変更後のパターンを含む第４のフレームレイアウトデータを生成する工程と、
取り出した前記補正領域に含まれるパターンと前記第３のフレームレイアウトデータに含まれるパターンとを合成した第５のフレームレイアウトデータを生成する工程と、
を含み、
前記描画データに変換する工程において、前記第４のフレームレイアウトデータと前記第５のフレームレイアウトデータとをそれぞれ描画データに変換するとともに、前記第５のフレームレイアウトデータに含まれるパターンに近接効果補正処理を実行すること、
を特徴とする付記１〜３のうちの何れか一項に記載のデータ作成方法。
（付記５）
前記第２のフレームレイアウトデータに含まれるパターンを縦方向及び横方向に沿って複数に分割し、隣接する分割パターンが連続して描画されないように各分割パターンをそれぞれ含む複数のフレームレイアウトデータを作成すること、
を特徴とする付記１〜４のうちの何れか一項に記載のデータ作成方法。
（付記６）
対象物に複数のパターンを描画するための描画データを作成するデータ生成装置であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
を実行すること、を特徴とするデータ作成装置。
（付記７）
対象物に複数のパターンを描画するパターン描画方法であって、
複数の前記パターンを含む第１のフレームレイアウトデータを、描画面積がしきい値面積より大きなパターンを含む第２のフレームレイアウトデータと、描画面積が前記しきい値以下のパターンを含む第３のフレームレイアウトデータとに分割する工程と、
前記第２のフレームレイアウトデータと前記第３のフレームレイアウトデータをそれぞれ描画データに変換する工程と、
前記描画データに従って前記対象物に前記複数のパターンを描画する工程と、
を含むことを特徴とするパターン描画方法。
（付記８）
前記第３のフレームレイアウトデータを変換した描画データに従って前記対象物に前記パターンを描画した後、前記第２のフレームレイアウトデータを変換した描画データに従って前記対象物に前記パターンを描画すること、を特徴とする付記７に記載のパターン描画方法。
（付記９）
前記対象物は半導体装置を形成する基板にその半導体装置の機能パターンを描画するためのレチクルであって、
前記半導体装置の機能パターンを描画するためのデバイス領域を含む描画データと前記第３のフレームレイアウトデータを変換した描画データとを合成して合成描画データを作成し、その合成描画データに従って前記対象物にパターンを描画した後、前記第２のフレームレイアウトデータを変換した描画データに従って前記対象物に前記パターンを描画すること、を特徴とする付記７又は８に記載のパターン描画方法。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】データ作成装置の概略構成図である。
【図２】レチクル作成処理のフローチャートである。
【図３】レチクル作成処理のフローチャートである。
【図４】レイアウトパターンデータの説明図である。
【図５】フレームレイアウトデータの説明図である。
【図６】（ａ）（ｂ）はフレームレイアウトデータの説明図である。
【図７】（ａ）（ｂ）はレチクル描画データの説明図である。
【図８】合成後の描画データの説明図である。
【図９】レチクルの説明図である。
【図１０】レチクルの説明図である。
【図１１】レチクル作成処理のフローチャートである。
【図１２】レチクル作成処理のフローチャートである。
【図１３】補正領域の説明図である。
【図１４】抽出領域の説明図である。
【図１５】抽出領域を除いた遮光領域の説明図である。
【図１６】合成後のフレームレイアウトデータの説明図である。
【図１７】合成後の描画データの説明図である。
【図１８】データ分割処理の説明図である。
【図１９】データ分割処理の説明図である。
【図２０】ステップアンドリピート動作を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０  データ作成装置
１１  入力装置
１２  処理装置
１３〜１５  記憶装置
１３ａ  レイアウトデータ
１４ａ〜１４ｃ  レチクル描画データ
１５ａ〜１５ｃ  フレームレイアウトデータ
１８  露光装置
５１  デバイス領域
５２  スクライブ領域
５２ａ、５２ｂ  遮光帯
５３  ウエーハアライメントマーク
５４  レチクルセットマーク
５５  遮光帯
１０１，１０２  補正領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2010019989.tif 000018
【図１７】
2010019989.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2010019989.tif 000021
【図２０】
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