(57)【要約】      （修正有）【課題】微小うねりが小さく、微細構造の形状崩れがない金型部材及び成形品を提供する。【解決手段】微細溝２１または穴により構成された微細構造２２を有し、押圧部材に固定され、磁気記録媒体用基板を含む成形品に前記微細構造２２を形成するための金型部材２０であって、前記押圧部材に固定される固定面２５と、該固定面２５と反対側の面であって、前記成形品に面する形成面２６との両面が研磨されたガラス基板２３と、前記ガラス基板２３の前記形成面２６を底とする前記微細溝２１または穴が形成されたＳｉ薄膜２４と、を有する。【選択図】図２
2010111055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材であって、
押圧部材に固定される固定面と、該固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する形成面との両面が研磨されたガラス基板と、
前記ガラス基板の前記形成面を底とする前記微細溝または穴が形成されたＳｉ薄膜と、
を有する
ことを特徴とする金型部材。
【請求項２】
前記ガラス基板の前記両面の微小うねりの高さＷａが、０．５［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１に記載の金型部材。
【請求項３】
前記ガラス基板の前記両面の表面平均粗さＲａが、０．２［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の金型部材。
【請求項４】
前記ガラス基板の前記固定面に、低摩擦性を有する膜を形成したことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の金型部材。
【請求項５】
前記Ｓｉ薄膜に、シランカップリング系の膜を形成したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の金型部材。
【請求項６】
微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材の製造方法であって、
ガラス基板の両面を研磨し、
押圧部材に固定される前記ガラス基板の固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する前記ガラス基板の形成面に、Ｓｉ薄膜を形成し、
前記Ｓｉ薄膜をエッチングし、該エッチングを前記ガラス基板の前記形成面で止めることにより、前記Ｓｉ薄膜に前記微細溝または穴を形成した
ことを特徴とする金型部材の製造方法。
【請求項７】
押圧部材と、該押圧部材に固定され、微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材とを備えた金型であって、
前記金型部材は、
前記押圧部材に固定される固定面と、該固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する形成面との両面が研磨されたガラス基板と、
前記ガラス基板の前記形成面を底とする前記微細溝または穴が形成されたＳｉ薄膜と、
を有する
ことを特徴とする金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金型部材、金型部材の製造方法、及び、金型に関し、特に、微細溝が並ぶように形成された微細構造を有する金型部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、Ｓｉ基板をドライエッチングによりパターニングすることにより、微細構造を有するマスター型を作製する方法が知られている。
【０００３】
そのマスター型の微細構造上に、電鋳（例えば、電界ニッケルメッキ）によりメッキ被膜を成長させる。そのメッキ被膜をマスター型から剥離させることにより、微細構造を有するＮｉ電鋳スタンパを作製する。このように作製されたＮｉ電鋳スタンパは、射出成形やナノインプリントの金型部材として利用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記微細構造を有するＮｉ電鋳スタンパ（金型部材）は、微小うねりの高さＷａが大きくなるという問題点があった。その理由としては、メッキ被膜をマスター型から剥離させると、メッキ被膜に残っていた応力が開放することにより、うねりを伴う変形が起こるためであると推測される。
【０００５】
この「うねり」はスタンパの表面形状の一種で平面度に相当する。また、周期が「うねり」のものよりも小さいものは「微小うねり」と呼ばれ、「うねり」の上にその「微小うねり」が発生している。
【０００６】
「うねり（平面度）」は、光学的な干渉（ニュートンリング）により測定され、基準平面と実際の平面のズレ量を干渉縞として計測する。
【０００７】
干渉縞の断面例を図１に示す。ＪＩＳ  Ｂ０６５１の規定に従って測定波長の範囲外の波長を除去すると、スタンパの表面１０のうねりを表すうねり曲線１２が示される。なお、図１（ａ）中で測定断面曲線１１は実線で、うねり曲線１２は破線で示す。
【０００８】
「うねり」の上には「微小うねり」が発生している。図１（ｂ）に図１（ａ）の１部分を拡大した図を示す。図１（ｂ）において、直線で置き換えられたうねり曲線１２は破線で、微小うねり曲線１３は実線で示す。
【０００９】
「微小うねりの高さＷａ」は、「Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｉｎｃ．」の多機能ディスク用干渉計（オプティフラット）を用いて測定される場合が多い。測定原理は、スタンパの表面に白色光を照射し、位相の異なる参照光と測定光の干渉の強度変化を測定することで、表面の微妙な形状変化を測定する方法である。得られた測定データを５ｍｍ以上、もしくは１ｍｍ以上の周期をカットオフすることで、「微小うねりの高さＷａ」と定義する場合が多い。
【００１０】
「微小うねり」の曲線の上には、「表面粗さ」が発生する。ＪＩＳ  Ｂ０６０１の規定による「表面粗さ」の算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ、及び最大山高さＲｐが求められる。なお、Ｒｍａｘは凹凸のうち、最も高い山と最も深い谷の高低差を示し、Ｒｐは各凸部のうち、中心線から最も高いものの高さを示す。
【００１１】
微小うねりの高さＷａの大きなＮｉ電鋳スタンパを用いて、微細構造を転写させた場合、比較的低次のうねり成分は、転写条件を調整することにより低減させることができるが、比較的高次のうねり成分である微小うねりの高さＷａは、転写条件を調整しても低減させることができないため、例えば、ハードディスクに対し求められる微小うねりの高さＷａのレベルを達成することができない。
【００１２】
微小うねりの高さＷａを低減するための対策として、例えば、Ｎｉ電鋳スタンパの研磨がある。しかし、Ｎｉ電鋳スタンパの表面は微細構造を有しているため、研磨することができず、Ｎｉ電鋳スタンパの裏面のみの片面研磨では、微小うねりの高さＷａを低減させることが困難である。
【００１３】
また、電鋳により、Ｎｉ電鋳スタンパを作製するときに、コンタミ（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）や成膜異常により、Ｎｉ電鋳スタンパの微細構造に形状崩れ（潰れや寸法異常の欠陥）が生じる場合があった。
【００１４】
この発明は、上記の問題を解決するものであり、微小うねりが小さく、微細構造の形状崩れがない金型部材及び成形品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、この発明は、両面を研磨したガラス基板上にＳｉ薄膜を形成するにより金型部材を作製すれば、金型部材の表面の微小うねり及び表面粗さが向上することに着目した。
具体的に、この発明の第１の形態は、微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材であって、押圧部材に固定される固定面と、該固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する形成面との両面が研磨されたガラス基板と、前記ガラス基板の前記形成面を底とする前記微細溝または穴が形成されたＳｉ薄膜と、を有することを特徴とすることを特徴とする金型部材である。
また、この発明の第２の形態は、第１の形態に係る金型部材であって、前記ガラス基板の前記両面の微小うねりの高さＷａが、０．５［ｎｍ］以下であることを特徴とする。
さらに、この発明の第３の形態は、第１の形態又は第２の形態のいずれかに係る金型部材であって、前記ガラス基板の前記両面の表面平均粗さＲａが、０．２［ｎｍ］以下であることを特徴とする。
さらに、この発明の第４の形態は、第１の形態から第３の形態のいずれかに係る金型部材であって、前記ガラス基板の前記固定面に、低摩擦性を有する膜を形成したことを特徴とする。
さらに、この発明の第５の形態は、第１の形態から第４の形態のいずれかに係る金型部材であって、前記Ｓｉ薄膜に、シランカップリング系の膜を形成したことを特徴とする。
さらに、この発明の第６の形態は、微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材の製造方法であって、ガラス基板の両面を研磨し、押圧部材に固定される前記ガラス基板の固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する前記ガラス基板の形成面に、Ｓｉ薄膜を形成し、前記Ｓｉ薄膜をエッチングし、該エッチングを前記ガラス基板の前記形成面で止めることにより、前記Ｓｉ薄膜に前記微細溝または穴を形成したことを特徴とする金型部材の製造方法である。
さらに、この発明の第７の形態は、押圧部材と、該押圧部材に固定され、微細溝または穴により構成された微細構造を有し、成形品に前記微細構造を形成するための金型部材とを備えた金型であって、前記金型部材は、前記押圧部材に固定される固定面と、該固定面と反対側の面であって、前記成形品に面する形成面との両面が研磨されたガラス基板と、前記ガラス基板の前記形成面を底とする前記微細溝または穴が形成されたＳｉ薄膜と、を有することを特徴とする金型である。
【発明の効果】
【００１６】
この発明の第１の形態によると、金型部材の形成面の微小うねりを小さく、微細構造の形状崩れをなくすことが可能となる。
【００１７】
また、この発明の第２の形態によると、ガラス基板の両面の微小うねりの高さＷａを０．５［ｎｍ］以下としたので、成形品の微小うねりの高さＷａの精度を上げることが可能となる。
【００１８】
さらに、この発明の第３の形態によると、ガラス基板の両面の表面平均粗さＲａを０．２［ｎｍ］以下としたので、成形品の表面平均粗さＲａの精度を上げることが可能となる。
【００１９】
さらに、この発明の第４の形態によると、金型部材が熱膨張、収縮した場合に、押圧部材の損傷を防止することが可能となる。
【００２０】
さらに、この発明の第５の形態によると、シランカップリング系の膜が、Ｓｉ薄膜に対して親和性が高くなるので、離型性を良くすることが可能となる。
【００２１】
さらに、この発明の第６の形態によると、微細構造の溝底がガラス基板の形成面により形成されるため、微細構造の形状崩れがなく且つ微細構造の深さが均一な金型部材を製造することが可能となる。
【００２２】
さらに、この発明の第７の形態によると、この金型によって、成形品の微小うねりを小さく、微細構造の形状崩れをなくすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
この発明の一実施形態に係る金型部材の構成について、図２を参照して説明する。図２は、金型部材の製造工程を示す図である。
【００２４】
金型は、押圧部材（図示省略）と、押圧部材に固定される金型部材２０とを備えている。金型部材２０は、微細溝２１が並ぶように形成された微細構造２２を有し、磁気記録媒体用基板を含む成形品に微細構造２２を形成する。金型部材２０は、ガラス基板２３と、Ｓｉ薄膜２４とを有している。
【００２５】
ガラス基板２３は、押圧部材に固定される固定面２５と、固定面２５とは反対側の面であって、成形品に面する形成面２６との両面を有する。ガラス基板２３の両面は研磨されている。
本実施形態に係るガラス基板２３の両面の微小うねの高さＷａは、０．５［ｎｍ］以下であり、表面平均粗さＲａは０．２［ｎｍ］以下である。
【００２６】
微小うねりの高さＷａは、前記オプティフラットを用いて測定された値である。通常、１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義される。また、表面平均粗さＲａは、ＡＦＭを用いて測定された値である。従って、この実施形態に係るガラス基板２３は、オプティフラットを用いて、１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義された微小うねりの高さＷａを測定した場合に、その微小うねりの高さＷａが０．５［ｎｍ］以下であり、ＡＦＭを用いて表面平均粗さＲａを測定した場合に、その表面平均粗さＲａが０．２［ｎｍ］以下となっている。なお、微小うねりの高さＷａが０．５［ｎｍ］以下であれば、この実施形態の作用及び効果を奏するが、下限値は、測定装置であるオプティフラットの検出限界以上となる。
【００２７】
両面研磨されたガラス基板２３の形成面２６にＳｉ薄膜２４が形成されている。Ｓｉ薄膜２４は、ガラス基板２３の形成面２６を底とする微細溝２１が形成されている。なお、微細溝２１を形成する方法については、後述する。
【００２８】
（作用及び効果）
ガラス基板２３の両面を研磨したことにより、微小うねりが小さく、微細構造２２の形状崩れがない金型部材２０を作製することが可能となる。また、この金型部材２０を用いることにより、微小うねりが小さく、微細構造２２の形状崩れがない成形品（例えば、ハードディスク用の基板）を作製することが可能となる。
【００２９】
微細構造及び微細溝または穴の定義について説明する。微細構造は、数ｎｍから数百ｎｍの幅及び高さ（あるいは深さ）を有するラインや、ホール、ピラー構造である。また、微細溝または穴とは、隣接する微細構造間の溝、あるいは微細構造のうちホール構造自体である。
【００３０】
次に、微細構造２２の形状崩れ（パターンの品質）の定義について、図３及び図４を参照にして説明する。図３は、ハードディスク用の基板の平面図である。図４は、パターンの品質を説明した図である。ハードディスク用の基板上に１２点の評価領域を抽出する。各評価領域を１［μｍ］四方の領域をする。ハードディスクの内周、中帯、外周毎に、円周を４等分した位置に設けられた評価領域を図３においてハッチングで示す。微細構造２２の形状崩れの定義は、その形状崩れをＡＦＭで観察することによる。形状崩れの有無を調べ、形状崩れの無い領域の個数により、良品又は不良品の判定がされる。形状崩れの無い領域が１２点全域であるパターンの良品、また、形状崩れの無い領域が６〜１１点の領域である不良品、さらに、形状崩れの無い領域が０〜５点の領域である不良品をそれぞれ図４において「○」、「△」、「×」で示す。
【００３１】
次に、金型部材２０の製造方法について、図２及び図５を参照にして説明する。図５は、金型部材２０の製造工程のフロー図である。
【００３２】
（両面研磨）
本実施形態に係るガラス基板２３を得るためには、微小うねりの高さＷａを低くする工程と、表面平均粗さＲａを高くする工程が必要である。先ず、溶融形成したガラス基板２３に対して、ダイヤモンド砥石等を用いて所望の厚みになるように研削加工する。そして、ラッピング装置により砥粒を吹きかけてラッピングを行い表面粗さを小さくする。その後のポリッシング工程において、ガラス基板２３の両面を研磨する。それにより、本実施形態に係るガラス基板２３を作製する。以下、ポリッシング工程について詳しく説明する。
【００３３】
ポリッシング工程は、第１ポリッシング工程と第２ポリッシング工程とを施すことで、基板の両面を同時に研磨した。
ポリッシング工程で用いた研磨機、研磨布、及び研磨材を以下に示す。
研磨機：「浜井産業」製の１６Ｂ型両面研磨機
研磨布：第１ポリッシング工程では、「カネボウ」製の発泡ウレタンパッドを用い、第２ポリッシング工程では、「ＦＩＬＷＥＬ」製のスエードタイプ研磨布を用いた。
研磨材：第１ポリッシング工程では、「昭和電工」製のアルミナ研磨材（平均粒子径１．５［μｍ］）を用い、第２ポリッシング工程では、「フジミ」製のコロイダルシリカ（平均粒子径３０［ｎｍ］）を用いた。
第１ポリッシング工程の条件を以下に示す。
定盤の回転数：４０−６０［ｒｐｍ］
研磨荷重：４０［ｇ／ｃｍ２］
加工時間：２５［分］
上述の条件で研磨した後、第２ポリッシング工程を施した。第２ポリッシング工程の条件を以下に示す。
定盤の回転数：３５［ｒｐｍ］
研磨圧力：６０［ｇ／ｃｍ２］
加工時間：１５［分］
【００３４】
（薄膜形成）
次に、両面研磨されたガラス基板２３の形成面２６にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、厚さ５０ｎｍのＳｉ薄膜２４を形成する。Ｓｉ薄膜２４をＣＶＤにより成形することにより、緻密な膜を得ることができ、欠陥のないパターニングを容易に行うことが可能となる。
【００３５】
なお、ガラス基板２３の両面にＳｉ薄膜２４を形成しても良い。そして、Ｓｉ薄膜２４の両面を研磨しても良い。このＳｉ薄膜２４の両面研磨は、上記するガラス基板２３の両面研磨と同様な装置で、同様な方法で行う。
【００３６】
Ｓｉ薄膜２４の両面を研磨したことにより、ガラス基板２３の両面にＳｉ薄膜２４を形成した金型部材より、微小うねりが小さく、微細構造２２の形状崩れがない金型部材２０を作製することが可能となる。また、ガラス基板２３の両面にＳｉ薄膜２４を形成した金型部材を用いて作製した成型品（例えば、ハードディスク）より、微小うねりが小さく、微細構造２２の形状崩れがない成形品を作製することが可能となる。
【００３７】
（マスク形成）
次に、Ｓｉ薄膜２４にマスクを形成する。そのために、先ず、Ｓｉ薄膜２４にレジストを塗布する。スピンコータを用いることにより、Ｓｉ薄膜２４上に均一なレジスト膜を形成することが可能となる。次に、レジスト膜に、電子ビーム描画によりパターンを形成する。次に、パターンを現像する（ステップＳ０１）。Ｓｉ薄膜２４に形成されたマスクを図２（ａ）に示す。なお、Ｓｉ薄膜２４にマスクを形成する方法としては、ナノインプリント法によるパターニングであっても良い。図２（ａ）において、後工程でドライエッチングする箇所をハッチングにより示す。
【００３８】
（ドライエッチング）
次に、Ｓｉ薄膜２４をドライエッチングする（ステップＳ０２）。このドライエッチングでは、ガラス基板２３の形成面２６で、エッチングをストップさせることでＳｉ薄膜２４に、ガラス基板２３の形成面２６を底とする微細溝２１が形成される。なお、このときのエッチングは、例えばエッチング装置にＩＣＰを用いると以下のような条件をとることができる。
アンテナ電力：３００Ｗ
チャンバー圧力：１．０Ｐａ
エッチングガス：ＳＦ６
ガス流量：１０ｓｃｃｍ
この場合、レジストに対するＳｉの選択比は10程度、ガラス（例えば石英）に対するＳｉの選択比は１００程度得られるため、レジストはＳｉに微細溝を加工するためマスクとして十分に機能し、ガラスはエッチングのストップ層として機能させることができる。ガラスに対するＳｉの選択比が非常に高いため、特別な終点検出を行わなくとも時間管理のみでガラス表面でエッチングを略停止させることができるため、アンダエッチング及びオーバエッチングを防止することが可能となる。
【００３９】
次に、Ｏ２を用いたアッシングにより、レジスト膜をＳｉ薄膜２４上から除去する。レジスト膜を除去したＳｉ薄膜２４を図２（ｂ）に示す。
【００４０】
上記のように作製された金型部材２０において、表面の微小うねりの高さＷａは、０．５［ｎｍ］以下であり、表面平均粗さＲａは０．２［ｎｍ］以下であり、ガラス基板２３における表面の微少うねりの高さＷａ及び表面平均粗さＲａと同じである。また、金型部材２０の厚さは、０．５ｍｍ以上である。それにより、金型部材２０の剛性が増し、成形圧力による金型部材２０のたわみが起き難くなり、微少うねりの高さＷａを低く抑えることが可能となる。
【００４１】
また、上記の金型部材２０の微細溝２１の底は、被成形転写物の表面に反映される。例えば、被成形転写物の表面が高密度記録媒体用基板（成形品）として直接使われる場合は、微細溝２１の底の面精度は、高密度記録媒体の表面精度を決める最も重要な要素となる。本実施形態では、金型部材２０の微細溝２１の底をガラス基板２３の形成面２６としたため、微細溝２１の底は高い面精度を有する。そして、この高い面精度を高密度記録媒体の表面精度に反映させることが可能となる。さらに、金型部材２０の微細溝２１の底をガラス基板２３の形成面２６としたため、微細溝２１の深さが均一となる。それにより、例えば、本金型部材により成形された被転写物を高密度記録媒体の作製をするためのマスクパターンの形成をするための型として使う場合には高密度記録媒体用基板に対して全面均一に押し当てることが可能となる。
【００４２】
次に、上記の金型部材２０を押圧部材に固定し、ハードディスク用基板を作製することについて説明する。
【００４３】
押圧部材に固定されるガラス基板２３の固定面２５に、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ  ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）をコーティングすることにより、低摩擦性を有する膜を形成しておく。それにより、押圧部材との摩擦抵抗を小さくすることができ、金型部材２０が、熱膨張、収縮した場合であっても、押厚部材や金型部材は傷がつき難くなる。また、Ｓｉ薄膜２４に、シランカップリング系の膜２７を形成しておく（ステップＳ０４）。シランカップリング系の膜２７を形成したＳｉ薄膜２４を図２（ｄ）に示す。シランカップリング系の膜２７により、金型部材と被転写物との離型性が増すため、金型部材の耐久性が向上すると共に、離型抵抗による被転写物の変形を押さえることが可能となる。
【００４４】
また、この金型部材２０を用いることにより、微小うねりが小さく、微細構造２２の形状崩れがない、磁気記録媒体用基板（成形品）を作製することが可能となる。作製されたハードディスクにおいて、微小うねりの高さＷａは、０．６［ｎｍ］以下であり、また、表面平均粗さＲａは、０．３［ｎｍ］以下である。磁気記録媒体用基板（成形品）の微少うねりの高さＷａを０．６以下にしたことにより、磁気ヘッドが追従し易くなる。
【００４５】
［実施例］
次に、具体的な実施例について説明する。
【００４６】
（実施例１）
（両面研磨工程）
先ず、ガラス基板２３の両面を研磨する。ガラス基板２３のガラスは、中品質のガラスであっても良い。両面研磨前のガラス基板２３の表面粗さＲａは１ｎｍである。
ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１の規定による算術平均粗さＲａで定義される。表面粗さＲａは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって測定される。
（Ｓｉ薄膜）
両面研磨後に、ガラス基板２３の形成面２６の方にＳｉ薄膜２４を成膜する。この実施例１では、ＣＶＤ法によってＳｉ薄膜２４を成膜した。
（凹凸パターンの形成）
次に、Ｓｉ薄膜２４の表面に微細な凹凸パターンを形成した。具体的には、Ｓｉ薄膜２４上にレジストを塗布し、電子線描画によって凹凸パターンを形成した。そして、ドライエッチングによってＳｉ薄膜２４の表面に凹凸パターンを形成した。
【００４７】
この実施例１では、磁気記録媒体用基板（成形品）の目標仕様を以下のように決めた。
平面度（うねり）：５ｕｍ
微少うねりの高さＷａ：０．６ｎｍ
表面平均粗さＲａ：０．５ｎｍ
外径：４８ｍｍ
内径：１２ｍｍ
厚さ：０．８ｍｍ
パターンの品質：微細構造の形状崩れの無い領域が１２点全域
これらを、ディスク目標仕様として、図６に示した。
なお、微少うねりの高さＷａは、オプティフラットを用いて測定された値である。微少うねりの高さＷａは、通常、１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義されるが、この実施例においては、５ｍｍの周期をカットオフすることで定義した。
【００４８】
この実施例１では、以下のスタンパ（金型部材）を作製した。
平面度、微少うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、外径、内径、厚さ、パターンの品質は、以下のようになった。
平面度（うねり）：３ｕｍ
微少うねりの高さＷａ：０．５ｎｍ
表面平均粗さＲａ：０．２ｎｍ
外径：６５ｍｍ
内径：１３ｍｍ
厚さ：１．３ｍｍ
パターンの品質：微細構造の形状崩れの無い領域が１２点全域
これらを、スタンパ使用時として、図６に示した。
【００４９】
さらに、この実施例１では、上記のスタンパ（金型部材）を射出成形用金型に取り付け、樹脂材料を射出成形することで、磁気記録媒体用基板（成形品）を作製した。成形品の平面度、微少うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、外径、内径、厚さ、パターンの品質は、以下のようになった。
平面度（うねり）：５ｕｍ
微少うねりの高さＷａ：０．６ｎｍ
表面平均粗さＲａ：０．３ｎｍ
外径：４８ｍｍ
内径：１２ｍｍ
厚さ：０．８ｍｍ
パターンの品質：微細構造の形状崩れの無い領域が１２点全域
これらを、実施例１の成形品として、図６に示した。
以上の測定結果によれば、実施例１では、スタンパ、及び、スタンパで作製した成形品は、目標仕様を満たした。
【００５０】
（比較例）
次に、比較例を説明する。
電鋳によって比較例に係るＮｉスタンパを、以下のように作製した。先ず、Ｓｉ基板をＥＢによりＢＰＭパターンを形成した。次に、Ｓｉパターン済み基板を電解ニッケルメッキ（電鋳）し、裏面のみ研磨した。
比較例では、上記のＮｉスタンパを使用した。
比較例において、Ｎｉスタンパの平面度、微少うねりＷａ、表面平均粗さＲａ、外径、内径、厚さ、パターンの品質は、以下のようになった。
平面度（うねり）：７０ｕｍ
微少うねりの高さＷａ：測定レンジオーバー
表面平均粗さＲａ：０．８ｎｍ
外径：６５ｍｍ
内径：１３ｍｍ
厚さ：１．３ｍｍ
パターンの品質：微細構造の形状崩れの無い領域が６〜１１点の領域
これらを、Ｎｉスタンパ使用時として、図６に示した。
【００５１】
さらに、この比較例では、上記のＮｉスタンパ（金型部材）を射出成形用金型に取り付け、樹脂材料を射出成形することで、磁気記録媒体用基板（成形品）を作製した。成形品の平面度、微少うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、外径、内径、厚さ、パターンの品質は、以下のようになった。
平面度（うねり）：７ｕｍ
微少うねりの高さＷａ：３ｎｍ
表面平均粗さＲａ：１ｎｍ
外径：４８ｍｍ
内径：１２ｍｍ
厚さ：０．８ｍｍ
パターンの品質：微細構造の形状崩れの無い領域が０〜５点の領域
以上の測定結果によれば、比較例では、Ｎｉスタンパ、及び、Ｎｉスタンパで作製した成形品は、目標仕様を満たさなかった。
【００５２】
（実施例２）
次に、実施例２に係るスタンパと成形品について、図７を参照にして説明する。図７は、スタンパの微少うねりＷａと成形品の微少うねりＷａとの関係を示した図である。スタンパを一定の厚さ１．３ｍｍにした場合、スタンパの微少うねりＷａと成形品の微少うねりＷａとの関係を以下に示す。
スタンパの微少うねりＷａが、０．４ｎｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．５２ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たした。また、スタンパの微少うねりＷａが、０．４９ｎｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．６ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たした。さらに、スタンパの微少うねりＷａが、０．６１ｎｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．６９ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たさなかった。
以上の関係によれば、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下であるためには、スタンパの微少うねりＷａの目標仕様は、０．５ｎｍ以下であることが導かれた。
【００５３】
（実施例３）
次に、実施例３に係るスタンパと成形品について、図８を参照にして説明する。図８は、スタンパの厚さと成形品の微少うねりＷａとの関係を示した図である。スタンパの微少うねりＷａをほぼ一定の０．４９〜０．５にした場合、スタンパの厚さと成形品の微少うねりＷａとの関係を以下に示す。
スタンパの厚さが、０．３ｍｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．６５ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たさなかった。また、スタンパの厚さが、０．５ｍｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．５９ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たした。さらに、スタンパの厚さが、１．３ｍｍであるとき、成形品の微少うねりＷａが０．６ｎｍであり、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下を満たした。
以上の関係によれば、成形品の微少うねりＷａの目標仕様０．６ｎｍ以下であるためには、スタンパの厚さの目標仕様は、０．５ｍｍ以上であることが導かれた。
なお、上述した実施例は、この発明の１例である。例えば、射出成形法で磁気記録媒体用基板を作製したが、実施例で作製されたスタンパ（金型部材）を用いて、ナノインプリント法によって磁気記録媒体用基板（成形品）を作製しても、上述した実施例と同じ効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】スタンパの表面のうねり及び表面粗さを説明するためのスタンパの拡大断面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係る金型部材の製造工程を示す図である。
【図３】評価領域をハッチングで示したハードディスクの平面図である。
【図４】パターンの品質を説明した図である。
【図５】金型部材の製造工程のフロー図である。
【図６】実施例１に係るスタンパと、比較例に係るＮｉスタンパとの測定結果を示した図である。
【図７】実施例２において、スタンパの微少うねりＷａと成形品の微少うねりＷａとの関係を示した図である。
【図８】実施例３において、スタンパの厚さと成形品の微少うねりＷａとの関係を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  スタンパの表面    １１  測定断面曲線    １２  うねり曲線
１３  微小うねり曲線    ２０  金型部材    ２１  微細溝    ２２  微細構造
２３  ガラス基板    ２４  Ｓｉ薄膜    ２５  固定面    ２６  形成面
２７  シランカップリング系の膜
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010111055.tif 000008
【図８】
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【図１】
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