(57)【要約】【課題】  支持基板上に形成された２つのコイル間で信号伝送する信号伝送装置の浮遊容量を小さく抑える。【解決手段】  支持基板２上に所定の空隙をもって配置された第１のコイル８と、第１のコイル８と絶縁層１０を介して対向配置された第２のコイル１１とを形成し、第１のコイル８および第２のコイル１１間の磁気結合を利用してデジタル信号の伝送を行う。【選択図】  図１
2010154268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に導電性の引出配線を有する支持基板と、
前記支持基板に対して所定の空隙をもって配置され、前記引出配線と電気的に接続された第１のコイルと、
前記第１のコイル上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、第１のコイルと対向する位置に配置された第２のコイルと、
前記引出配線および第２のコイルの何れか一方に電気的に接続された送信回路と、
前記引出配線および第２のコイルのうち前記送信回路と接続されていない方と電気的に接続された受信回路と、
を備えたことを特徴とする信号伝送装置。
【請求項２】
前記支持基板の主面に形成された支持部を有し、
前記支持部により前記第１のコイルおよび前記絶縁層が支持されていることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送装置。
【請求項３】
前記支持基板の主面に形成された導電性の支持部を有し、
前記支持部により、前記第１のコイルが支持されているとともに、前記第１のコイルと前記引出配線とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送装置。
【請求項４】
前記送信回路および前記受信回路の何れか一方と第２のコイルとを接続している前記第２のコイルの接続部は、前記支持部の軸方向に配置されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の信号伝送装置。
【請求項５】
前記引出配線は、前記支持基板を貫通する貫通電極であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項６】
前記第１のコイルと前記第２のコイルは、同形状で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項７】
支持基板の主面に引出配線を形成する工程と、
前記支持基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対して、前記引出配線の一部分の上方へ第１のホールを形成する工程と、
前記絶縁層上に第１のコイルを形成し、かつ前記第１のホールを介して前記引出配線と前記第１のコイルとを電気的に接続する工程と、
前記第１のコイル上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に第２のコイルを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記引出配線および前記第２のコイルのうちいずれか一方を送信回路に接続し、前記送信回路に接続していない方を受信回路に接続する工程と、
を有することを特徴とする信号伝送装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のホールを形成する工程では、前記第１のホールの位置とは異なる位置に第２のホールも形成し、
前記絶縁層を形成する工程では、更に、第２のホールを介して前記支持基板と前記絶縁層との接続をして支持部を形成することを特徴とする請求項７記載の信号伝送装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に配置された２つのコイル間で信号伝送を行う信号伝送装置および信号伝送装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的に絶縁しながらデジタル信号を伝送する手段として、コイル間の磁気結合を利用するものがある。例えば、特許文献１には、送信回路と受信回路とコイルが配置され、磁気結合により絶縁しながらデジタル信号を伝送する構成が開示されている。このものによれば、高い周波数の信号伝送が可能になる。しかし、特許文献１に記載の構成では、リンクコアにワイヤを巻く必要があり、またベアチップＩＣを別途用意した配線基板に実装する必要があるため、小型化および集積化が困難である。
【０００３】
そこで、近年では、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）と呼ばれる半導体製造プロセスを用いて信号入出力用のコイルを形成する技術が考案されている（例えば特許文献２〜４参照）。この技術では、支持基板上に導体膜により送信用および受信用コイルを形成するとともに、それらコイル間の絶縁膜を形成することにより、各コイル同士が対向した信号伝送回路を形成している。この技術を用いれば、電気的に絶縁しながらデジタル信号を伝送する信号伝送装置を集積化することが可能となる。
【特許文献１】特表２００１−５１３２７６号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／０２３０８３７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００６／００２８３１３号明細書
【特許文献４】米国特許第６８７３０６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術の信号伝送装置において、信号伝送の伝達時間を早めるためには、一般的に浮遊容量を小さくすることが必要である。この浮遊容量を低減させる手段として、ガラス基板やサファイア基板等の絶縁性に優れた基板を使用する方法があるが、これらの基板は透明なため基板の位置合わせが困難であり、また高価な物質であるため、量産性に問題があった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、汎用な基板を用いて、コイルと基板の間に発生する浮遊容量を小さく抑えた信号伝送装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の信号伝送装置は、主面に導電性の引出配線を有する支持基板と、前記支持基板に対して所定の空隙をもって配置され、前記引出配線と電気的に接続された第１のコイルと、前記第１のコイル上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、第１のコイルと対向配置された第２のコイルと、前記引出配線および第２のコイルの何れか一方に電気的に接続された送信回路と、前記引出配線および第２のコイルのうち前記送信回路と接続されていない方と電気的に接続された受信回路とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の信号伝送装置の製造方法は、支持基板の主面に引出配線を形成する工程と、前記支持基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層に対して、前記引出配線の一部分の上方へ第１の接続穴を形成する工程と、前記絶縁層上に第１のコイルを形成し、かつ前記第１の接続穴を介して前記引出配線と前記第１のコイルとを電気的に接続する工程と、前記第１のコイル上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に第２のコイルを形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、前記引出配線および前記第２のコイルのうちいずれか一方を送信回路に接続し、前記送信回路に接続していない方を受信回路に接続する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、汎用な基板を用いて、コイルと基板の間に発生する浮遊容量を小さく抑えた信号伝送装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施例）
以下、本発明の第１の実施例について図１ないし図５を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたコイル間の磁気結合により信号伝送を行う信号伝送装置１の構成を概略断面図で示している。図１に示すように、信号伝送装置１は、支持基板２と、支持基板２上に配置された送信回路３および受信回路４と、支持基板２上に配置され送信回路３３と受信回路４と電気的に接続された信号伝送部５を備えている。
【００１１】
支持基板２は、厚さ１００μｍ程度のシリコン基板２である。なお、以降、シリコン基板２を適用した実施形態を示すが、ガラスやセラミックの無機基板、エポキシ等を基材とする有機基板などの支持基板２を必要に応じて適用できる。
【００１２】
信号伝送部５は、シリコン基板２上に形成された絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成された引出配線７と、シリコン基板２と所定の空隙をもって配置され、引出配線７と電気的に接続された第１のコイル８と、第１のコイル８上に形成され、シリコン基板２に対して支持部９を介して支持されている絶縁層１０と、絶縁層１０上に形成された第２のコイル１１とから構成されている。
【００１３】
絶縁膜６は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）によってシリコン基板２を覆うように構成されている。
【００１４】
引出配線７は、銅、アルミ、金などの導電性材料によって形成され、信号伝送部５から引き出され、送信回路３と電気的に接続されている。
【００１５】
第１のコイル８は、銅、アルミ、金などの導電性材料によって、平面渦巻状に数ターン乃至数１０ターン形成されている。図１では、１．５ターンのコイルを示している。この第１のコイル８は、引出配線７から上方へ突出した導電性の貫通電極１２によって引出配線７と接続されている。また、第１のコイル８とシリコン基板２との間の空隙は、数μｍ〜数１０μｍ程度あり、貫通電極１２と後述する支持部９によって形成されている。
【００１６】
絶縁層１０は、例えばポリイミドなどの材料によって第１のコイル８の上面を覆うように形成されている。
【００１７】
第２のコイル１１は、例えば銅、アルミまたは金などの導電性材料によって絶縁層１０の上面上に位置して平面渦巻状に数ターン乃至数１０ターン形成されており、第１のコイル８とは所定距離のギャップとなる絶縁層１０を挟んで上下方向に対向配置されている。第２のコイル１１は、第１のコイル８と同一形状に形成されている。この第２のコイル１１は、受信回路４と構造的および電気的に接続されている。
【００１８】
シリコン基板２の表層には、送信回路３３および受信回路４が配置されている。送信回路３および受信回路４は、シリコン基板２の表面方向に、信号伝送部５を挟んで互いに離間して構成されている。これらの送信回路３および受信回路４は、本実施例形態の特徴には特に関係しないため、図１のシリコン基板２上および当該基板内の電気的構造を省略している。
【００１９】
次に、上記構成の信号伝送装置１の製造方法について、図１ないし図３を参照しながら説明する。図２（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）、図３（ｄ１）、（ｅ１）、（ｆ１）は、信号伝送装置１の平面図であり、それぞれのＡ−Ｂ断面図が、図２（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）、図３（ｄ２）、（ｅ２）、（ｆ３）である。なお、送信回路３、受信回路４の構成については本実施例形態の特徴とは関係しないため、その説明を省略する。
【００２０】
厚さ数１００μｍ程度に構成された単結晶のシリコン基板２に所望の半導体プロセスにより送信回路３および受信回路４の電気的構成を形成した（図２、図３には図示せず）のち、図２（ａ１）、（ａ２）に示すように、シリコン基板２上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）などの絶縁膜６を形成する。この絶縁膜６の厚さは信号伝送部５とシリコン基板２との間の電気的な絶縁性が確保できる程度の膜圧であれば良く、例えば５００ｎｍ〜数μｍ程度が好ましい。なお、シリコン基板２に変えて、ガラスやセラミックの無機基板、エポキシ等の基材とする誘起基板を支持基板２として必要に応じて適用しても良い。この場合、絶縁膜６を形成する必要はない。なお、シリコン基板２を適用した場合には、送信回路３、受信回路４の少なくとも一部または全部の電気的構成要素を所望の半導体プロセスによって内部に実装できるため小型化できる。
【００２１】
次に、図２（ａ１）、（ａ２）に示すように、例えば、銅、アルミ、あるいは金などの導電性材料を用いてスパッタ、蒸着、あるいはメッキ法により引出配線７をシリコン基板２の絶縁膜６上面上に沿って形成する。
【００２２】
次に、図２（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、引出配線７および絶縁膜６上に、例えばスピンコートや蒸着法などの方法を用いて、ポリイミドなどの有機膜からなる犠牲層１３を形成する。この犠牲層１３の厚さは、数μｍ〜数１０μｍ程度形成する。この犠牲層１３の厚さによって浮遊容量が決定する。ガラス基板と同程度の浮遊容量にするためには、作成するコイルの面積にもよるが、例えば厚さ４０μｍの厚さが必要である。
【００２３】
犠牲層１３には、引出配線７と後述する第１のコイル８とを電気的に接続するための第１のホール１４を形成する。この第１のホール１４は、第１のコイル８の巻き始め部分と巻き終わり部分で形成される。また、同時に、以降積層する膜を支えるための支持部９を形成するための第２のホール１５を形成する。第２のホール１５は、その断面形状を四角形とし、１０μｍ角程度の大きさで、以降積層する膜の四方に位置する。
【００２４】
次に、図２（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、犠牲層１３の上面上に銅、アルミニウムまたは金などの導電性材料を用いてスパッタ法、蒸着法、またはメッキ法により渦巻き状の第１のコイル８を形成する。この第１のコイル８を形成すると同時に、第１のホール１４内に上記導電性材料を埋め込み、貫通電極１２を形成する。
【００２５】
第１のコイル８は、例えば厚さ数１０ｎｍ〜数μｍ程度、数ターン〜数１０ターン程度の巻き数で巻回されて形成される。図では、１．５ターン巻回した図を示している。なお、第１のコイル８は、後述する対向する第２のコイル１１との間を磁束が通過でき、受信側のコイルに所定電圧（例えば数Ｖ程度）の誘起電圧を発生できれば良いため、渦巻き状でも矩形状でもさらにその組み合わせで形成されても良い。また、犠牲層１３と第１のコイル８、第１のコイル８と後述する絶縁層１０との密着性を高めるため、第１のコイル８の下層と上層にチタン（Ｔｉ）などを数１００ｎｍ程度形成しても良い。
【００２６】
次に、図３（ｄ１）、（ｄ２）に示すように、第１のコイル８の上に例えばスパッタ法またはＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの絶縁材料を絶縁層１０として第１のコイル８を覆うように成膜する。この膜厚は、信号伝送装置１に必要な絶縁耐圧と絶縁材料によるが、例えば、絶縁耐圧１ｋＶを所望する場合、絶縁材料ＳｉＯを５μｍ程度形成する。絶縁層１０の膜圧を増加すると絶縁耐性が向上するため、数μｍ〜数１０μｍ程度の膜圧で形成するのが良い。また、絶縁材料には、犠牲層１３材料とのドライエッチング選択比が高い材料が相応しく、犠牲層１３と同じ材料、例えばポリイミドを覆うように形成すると良い。また、後述する犠牲層１３除去工程で用いる、犠牲層１３を除去するため穴１６を１つまたは複数個空けておく。この犠牲層１３を除去するための穴の大きさは、例えば数１０μｍ程度とする。この絶縁層１０を形成するのと同時に、第２のホール１５に上記絶縁材料を埋め込む。この第２のホール１５に埋め込まれた絶縁材料が、上部に積層される膜を支える支持部９となる。
【００２７】
次に、図３（ｅ１）、（ｅ２）に示すように、絶縁層１０の上面上に、例えば銅、アルミニウムまたは金などの導電性材料を用いて、例えばスパッタ法、蒸着法またはメッキ法により渦巻き状の第２のコイル１１を形成する。この第２のコイル１１は、その膜厚が第１のコイル８と同じ程度の膜厚でかつ同様の形状で第１のコイル８と対向するように形成する。また、絶縁層１０と第２のコイル１１との密着性を高めるため、コイルの下層にチタン（Ｔｉ）等を数１００ｎｍ程度形成しても良い。
【００２８】
なお、第２のコイル１１の上面に絶縁膜を形成してもよい。その場合、この絶縁膜は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機膜からなる絶縁材料を、例えばスパッタ法やＣＶＤ法により成膜する。この絶縁膜の材料としては、上述の無機膜に代えて、ポリイミドなどの有機膜を、例えばスピンコートや蒸着法によって形成してもよい。このような絶縁膜を設けることで、第２のコイル１１の機械的な保護が期待できる。また、第２のコイル１１の表面に絶縁膜を形成する場合、後述する犠牲層１３除去工程で用いる、犠牲層１３を除去するための穴を１つまたは複数個空けておく。この犠牲層１３を除去するための穴の大きさは、例えば数１０μｍ程度とする。
【００２９】
次に、図３（ｆ１）、（ｆ２）に示すように、犠牲層１３をドライエッチングして除去する。犠牲層１３を除去することにより、支持基板２と第１のコイル８との間に所定の空隙が形成される。本実施例では、数μｍ〜数１０μｍ程度の空隙が形成されることとなる。
【００３０】
次に、図１に示すように、引出配線７と送信回路３との間を電気的に接続する。接続方法として、例えば銅、金またはアルミニウムを用いて、例えばワイヤボンディング法によって接続する方法がある。同様に、第２のコイル１１の巻き始め及び巻き終わりに相当する外端部と、受信回路４との間を電気的に接続する。接続方法として、例えば銅、金またはアルミニウムを用いて、例えばワイヤボンディング法によって接続する方法がある。このとき、第２のコイル１１に対してボンディングを行う箇所の下に、前述した支持部９があると、安定したボンディングを行うことができる。
【００３１】
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
【００３２】
送信回路３の入力端子ＩＮにデジタル信号が与えられると、第１のコイル８に電流が流れる。これにより、第１のコイル８の周囲に磁界が発生し、第１のコイル８と対向して位置する第２のコイル１１に磁束が鎖交し、第２のコイル１１に誘起電圧が発生する。受信回路４は、第２のコイル１１に発生した誘起電圧に応じたデジタル信号を出力端子ＯＵＴから出力する。このように、送信回路３と受信回路４との間において、第１のコイル８および第２のコイル１１の磁気結合を利用してデジタル信号の伝送が行われる。
【００３３】
上記したデジタル信号の伝送時間を早めるためには、支持基板２と第１のコイル８との間の浮遊容量を小さくすることが必要となる。本実施例において、支持基板２と第１のコイル８との間に所定の空隙を設けた。図４は、空隙のない従来の信号伝送装置と本実施例の信号伝送装置１を比較した表を示している。シリコン基板に対して第１のコイルが接触する面積が減ることにより、浮遊容量が減っていることがわかる。このことから、本実施例の信号伝送装置１を用いることで、支持基板２と第１のコイル８との間の浮遊容量を小さくすることができ、以ってデジタル信号の伝送時間を早めることができる。
【００３４】
また、支持基板２上に支持部９を設けて第１のコイル８または絶縁層１０を支持することで、支持基板２と第１のコイル８との間に所定の空隙を作成したので、１パッケージ内で上記目的を達成する信号伝送装置１を作成することができ、以って信号伝送装置１の小型化を可能とする。
【００３５】
また、受信回路４と、第２のコイル１１とを接続する第２のコイル１１上の接続部が支持部９の軸方向にあるとすると、第２のコイル１１とをワイヤボンディングにより接続する際、安定したボンディングを行うことができる。
【００３６】
（第２の実施例）
図５は、本発明の第２の実施例である信号伝送装置２０の概略断面図を示すもので、前述の第１の実施例と異なるところは、第２のコイル１１と受信回路４との接続の仕方である。なお、前述の第１の実施例と同一機能を有する部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分を中心に説明する。
【００３７】
図５は、本発明の第２の実施例の概略断面図を示したものである。本実施例の信号伝送装置１は、第２のコイル１１と受信回路４との電気的接続を第２の引出配線１６により形成している。なお、第１の実施例で示した第１のコイル８と接続された引出配線７を、第１の引出配線７とする。
【００３８】
図５に示すように、第２のコイル１１上には、絶縁膜１７が配置されている。その絶縁膜１７のうち、第２のコイル１１の巻き始め部分と巻き終わり部分に対応する部分に貫通孔が形成され、その貫通孔を介して第２の引出配線１６により、第２のコイル１１と受信回路４とが電気的に接続されている。
【００３９】
次に、上記構成の信号伝送装置１の製造方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施例の製造工程を断面図で示したものである。
【００４０】
第１の実施例で示した工程で、シリコン基板２上に絶縁膜６、第１の引出配線７、犠牲層１３、第１のコイル８、絶縁層１０および第２のコイル１１を形成する（図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ｅ）、（ｆ））。
【００４１】
次に、第２のコイル１１上に絶縁膜１７を形成する（図７（ｇ））。
【００４２】
次に、絶縁膜１７のうち、第２のコイル１１の巻き始め部分と巻き終わり部分に対応する位置に貫通孔を形成し、アルミニウムまたは金などの導電性材料を用いて、スパッタ法、蒸着法またはメッキ法により、第２の引出配線１６を形成する（図７（ｈ））。
【００４３】
次に、第１の実施例と同様に、犠牲層１３を除去し、第１の引出配線７を送信回路３と電気的に接続し、第２の引出配線１６を受信回路４と電気的に接続する。
【００４４】
上記構成の信号伝送装置１によれば、第１の実施例と同様、支持基板２と第１のコイル８との間の浮遊容量を小さくすることができ、もってデジタル信号の伝送時間を早めることができる。
【００４５】
さらに、第２の引出配線７により、膜を支持することができるため、信号伝送装置１の強度を高めることができる。また、第２の引出配線１６が支持基板２上の複数層の膜を支持することができるので、支持部９を形成しなくてもよい。
【００４６】
（第３の実施例）
図７は、本発明の第３の実施例である信号伝送装置３０の概略断面図を示すもので、前述の第２の実施例と異なるところは、第１のコイル８と送信回路３との接続および第２のコイル１１と受信回路４との接続の仕方である。なお、前述の第１の実施例と同一機能を有する部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分を中心に説明する。
【００４７】
図７は、本発明の第２の実施例の概略断面図を示したものである。本実施例の信号伝送装置１は、第１の引出配線７を形成せずに、支持基板２とその上の絶縁層１０に貫通電極１９を通し、当該貫通電極１９を介して、第１のコイル８と送信回路３の電気的接続、第２のコイル１１と受信回路４の電気的接続をしている。
【００４８】
上記構成の信号伝送装置３０によれば、第１の実施例と同様、支持基板２と第１のコイル８との間の浮遊容量を小さくすることができ、以ってデジタル信号の伝送時間を早めることができる。
【００４９】
さらに、第１の引出配線７が形成されていないため、第１の引出配線７と支持基板２との間に生じる浮遊容量をより低減させることができ、よりデジタル信号の伝送時間を早めることができる。
【００５０】
（その他の実施例）
支持部を導電性材料で形成し、第１のコイル８と引出配線７との接続を当該支持部で行ってもよい。これにより、絶縁部材による支持部を形成する必要が無いため、信号伝送装置を簡単な構成とすることができる。
【００５１】
対向する第１のコイル８および第２のコイル１１は、各コイル間を磁束が通過でき、受信側のコイルに数１０ｍＶ程度の誘起電圧が発生すれば、第１のコイル８および第２のコイル１１の平面形状を、矩形枠状、渦巻き状またはそれらの組み合わせ形状などにしてもよい。
【００５２】
また、第１のコイル８と第２のコイル１１は同一形状としたが、各コイル間を磁束が通過でき、受信側のコイルに数１０ｍＶ程度の誘起電圧が発生すれば、同一の形状としなくてもよい。
【００５３】
また、第１のホール１４および第２のホール１５の断面形状は、四角形状に限る必要はなく、多角形状・円形状など任意の形状でよい。
【００５４】
また、第２のホール１５は、後工程で形成される支持部９により安定した空隙を形成することができるのであれば、任意の位置に形成してもよい。
【００５５】
また、上記実施例では、第１のコイル８と送信回路３、第２のコイル１１と受信回路４を電気的に接続しているが、第２のコイル１１と送信回路３、第１のコイル８と受信回路４を電気的に接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図
【図２】（ａ１）〜（ｃ１）は第１の実施例の各製造段階における上面図、（ａ２）〜（ｃ２）は（ａ１）〜（ｃ１）のＡ−Ｂ断面図（その１〜その３）
【図３】（ｄ１）〜（ｆ１）は第１の実施例の各製造段階における上面図、（ｄ２）〜（ｆ２）は（ｄ１）〜（ｆ１）のＡ−Ｂ断面図（その４〜その６）
【図４】第１の実施例の信号伝送装置の浮遊容量と従来の信号伝送装置の浮遊容量の比較を示す表
【図５】本発明の第２の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図
【図６】第２の実施例の各製造段階における断面図（その１〜その４）
【図７】第２の実施例の各製造段階における断面図（その５〜その８）
【図８】本発明の第３の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図
【符号の説明】
【００５７】
１、２０、３０  信号伝送装置
２  支持基板
５  信号伝送部
７  引出配線（第１の引出配線）
８  第１のコイル
９  支持部
１０  絶縁層
１１  第２のコイル
１３  犠牲層
１４  第１のホール
１５  第２のホール
１６  第２の引出配線
【図１】
2010154268.tif 000003
【図２】
2010154268.tif 000004
【図３】
2010154268.tif 000005
【図４】
2010154268.tif 000006
【図５】
2010154268.tif 000007
【図６】
2010154268.tif 000008
【図７】
2010154268.tif 000009
【図８】
2010154268.tif 000010