(57)【要約】【課題】歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板２とアクティブマトリクス基板２に対向して配置された対向基板３と、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の間に設けられた液晶層４とを備えている。アクティブマトリクス基板２には、絶縁基板６と、絶縁基板６に設けられた透明電極３１と、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とが設けられている。そして、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に複数のディンプル３３が形成されている。【選択図】図３
2010128213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられた表示媒体層と
を備えた表示装置であって、
前記第１基板は、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた透明電極と、該透明電極の表面上に設けられた反射電極とを備え、
前記透明電極の、前記反射電極と接する表面に複数のディンプルが形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ディンプルは、前記透明電極の、前記反射電極と接する表面に対して水素プラズマ処理を行うことにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示装置は、反射型あるいは半透過型の液晶表示装置であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
第１基板と、該第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備える表示装置の製造方法であって、
前記第１基板が備える絶縁基板に透明電極を形成する工程と、
前記透明電極の表面に複数のディンプルを形成する工程と、
前記複数のディンプル上に反射電極を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ディンプルを形成する工程において、前記透明電極の表面に対して水素プラズマ処理を施すことにより、前記ディンプルを形成することを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記表示装置は、反射型あるいは半透過型の液晶表示装置であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の反射構造を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等のモバイル型端末やノート型パソコン等の各種電子機器の表示装置として、薄くて軽量であるとともに、低電圧で駆動でき、かつ消費電力が少ないという長所を有する液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
また、この液晶表示装置として、バックライトを必要とせず、外光の反射を利用して画像を表示する反射型の液晶表示装置が使用されているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として使用しているため、暗い室内等では画像が見え難くなってしまうという問題がある。
【０００４】
そこで、暗い場所ではバックライトを使用し、明るい場所では外光の反射を利用して画像を表示する半透過型の液晶表示装置が使用されている。この半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型との両方のモードで表示する機能をもったものであり、バックライトを有するために暗い場所でも視認性が高いという透過型の液晶表示装置の特徴と、周囲光を利用するために低消費電力であるという反射型の液晶表示装置の特徴とを合わせもつものである。特に、携帯電話等のモバイル型端末においては、消費電力を低下させるために、半透過型の液晶表示装置が多く用いられている。
【０００５】
また、一般的に、液晶表示装置は、複数の画素電極及びＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板と、それら両基板間に挟持されるように設けられた液晶層とを備えている。そして、各画素電極に所定の電荷を書き込むことにより、各画素電極と共通電極との間の液晶層からなる液晶容量に所定の電圧を印加し、その印加電圧に応じて液晶層を構成する液晶分子の配向状態が変わることを利用して、画像表示を行うものである。
【０００６】
そして、半透過型の液晶表示装置では、画像の最小単位である画素を構成する上記各画素電極が、透明電極と反射電極とにより構成され、透明電極によってバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行い、反射電極によって周囲光を反射して反射モードの表示を行っている。
【０００７】
ここで、これらの反射型及び半透過型の液晶表示装置においては、外光の反射特性を向上させるとの観点から、反射電極の下方にディンプル（窪み）を有する構造が採用されている。より具体的には、例えば、アクティブマトリクス基板の絶縁基板に形成された透明電極と、透明電極上に形成されるとともに、光感光性樹脂からなる有機絶縁膜と、有機絶縁膜上に形成された反射電極とを備え、反射電極の下方にディンプル（窪み）構造を有する半透過型の液晶表示装置が開示されている。そして、この液晶表示装置においては、絶縁基板上に光感光性樹脂を塗布し、その塗布された光感光性樹脂を、フォトマスクを介して露光した後、現像することにより、反射電極の下方に配置された有機絶縁膜の表面に複数のディンプルが形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３４７２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記特許文献１に記載の液晶表示装置においては、上述のごとく、ディンプルが形成された高価な有機絶縁膜を設ける必要があるため、液晶表示装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。また、有機絶縁膜を設けるとともに、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する必要があるため、製造工程が複雑化するとともに、液晶表示装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。更に、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する際に、異物の混入や、光感光性樹脂の塗布、膜厚差、および使用する現像液等に起因するムラが発生してしまい、液晶表示装置の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、製造コストの低減を図ることができるとともに、歩留まりの低下を防止できる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、第１基板と、第１基板に対向して配置された第２基板と、第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置であって、第１基板は、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた透明電極と、透明電極の表面上に設けられた反射電極とを備え、透明電極の、反射電極と接する表面に複数のディンプルが形成されていることを特徴とする。
【００１１】
同構成によれば、透明電極自体にディンプルを形成するため、ディンプルが形成された高価な有機絶縁膜を設ける必要がなくなる。その結果、表示装置の製造コストの低減を図ることが可能になる。また、有機絶縁膜を設ける工程、及び有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることが可能になる。更に、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程における異物の混入や、光感光性樹脂の塗布、膜厚差、および使用する現像液等に起因するムラの発生を回避できる。従って、表示装置の歩留まりの低下を防止することが可能になる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の表示装置であって、ディンプルは、透明電極の、反射電極と接する表面に対して水素プラズマ処理を行うことにより形成されることを特徴とする。
【００１３】
同構成によれば、水素プラズマ処理という簡単な方法で、透明電極の表面にディンプルを確実に形成することが可能になる。
【００１４】
また、本発明の請求項１または請求項２に記載の表示装置は、歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができるという優れた特性を備えている。従って、請求項３に記載の発明のように、請求項１または請求項２に記載の表示装置であって、反射型あるいは半透過型の液晶表示装置に好適に使用される。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、第１基板と、該第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備える表示装置の製造方法であって、第１基板が備える絶縁基板に透明電極を形成する工程と、透明電極の表面に複数のディンプルを形成する工程と、複数のディンプル上に反射電極を形成する工程とを少なくとも備えることを特徴とする。
【００１６】
同構成によれば、透明電極自体にディンプルが形成されるため、ディンプルが形成された高価な有機絶縁膜を設ける必要がなくなる。その結果、表示装置の製造コストの低減を図ることが可能になる。また、有機絶縁膜を設ける工程、及び有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることが可能になる。更に、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程における異物の混入や、光感光性樹脂の塗布、膜厚差、および使用する現像液等に起因するムラの発生を回避できる。従って、表示装置の歩留まりの低下を防止することが可能になる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の表示装置の製造方法であって、ディンプルを形成する工程において、透明電極の表面に対して水素プラズマ処理を施すことにより、ディンプルを形成することを特徴とする。
【００１８】
同構成によれば、水素プラズマ処理という簡単な方法で、透明電極の表面にディンプルを確実に形成することが可能になる。
【００１９】
また、本発明の請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法は、歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができるという優れた特性を備えている。従って、請求項６に記載の発明のように、請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法であって、反射型あるいは半透過型の液晶表示装置の製造方法に好適に使用される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、光の反射構造を有する表示装置において、歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図であり、図２は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の断面図である。また、図３は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の断面図である。
【００２３】
液晶表示装置１は、図３に示すように、第１基板であるアクティブマトリクス基板２と、当該アクティブマトリクス基板２に対向して配置された第２基板である対向基板３と、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の間に挟持して設けられた表示媒体層である液層層４とを備えている。また、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３を互いに接着するとともに、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の間に液晶層４を封入するために枠状に設けられたシール材（不図示）を備えている。
【００２４】
アクティブマトリクス基板２は、図１、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁基板６と、当該絶縁基板６上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延設された複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ソース線１４及び各ＴＦＴ５を覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５の各々に接続された複数の画素電極１９と、各画素電極１９を覆うように設けられた配向膜９とを備えている。
【００２５】
また、ＴＦＴ５は、図２に示すように、各ゲート線１１が側方に突出したゲート電極１７と、ゲート電極１７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１７に重なる位置において島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上で互いに対峙するように設けられたソース電極１８及びドレイン電極２０とを備えている。ここで、ソース電極１８は、各ソース線１４の側方に突出した部分である。また、ドレイン電極２０は、図２に示すように、層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール３０を介して画素電極１９に接続されている。また、画素電極１９は、図３に示すように、層間絶縁膜１５上に設けられた透明電極３１と、透明電極３１上に積層され、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とにより構成されている。また、半導体層１３は、図２に示すように、下層の真性アモルファスシリコン層１３ａと、その上層のリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン層１３ｂとを備え、ソース電極１８及びドレイン電極２０から露出する真性アモルファスシリコン層１３ａがチャネル領域を構成している。
【００２６】
また、アクティブマトリクス基板２及びそれを備えた液晶表示装置１の表示部では、図３に示すように、反射電極３２により反射領域Ｒが規定され、反射電極３２から露出する透明電極３１により透過領域Ｔが規定されている。
【００２７】
対向基板３は、図３に示すように、ガラス基板等の絶縁基板２１と、絶縁基板２１上に設けられたカラーフィルター層２２と、カラーフィルター層２２の反射領域Ｒにおいて、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔにおける光路差を補償するための透明層２３と、カラーフィルター層２２の透過領域Ｔ及び透明層２３（即ち、反射領域Ｒ）覆うように設けられた共通電極２４と、共通電極２４上に柱状に設けられたフォトスペーサ２５と、共通電極２４及びフォトスペーサ２５を覆うように設けられた配向膜２６とを備えている。なお、カラーフィルター層２２には、各画素に対して設けられた赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂの着色層（不図示）と、遮光膜であるブラックマトリクス（不図示）とが含まれる。
【００２８】
液晶層４は、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料等により構成されている。
【００２９】
上記構成の半透過型の液晶表示装置１は、反射領域Ｒにおいて対向基板３側から入射する光を反射電極３２で反射するとともに、透過領域Ｔにおいてアクティブマトリクス基板２側から入射するバックライト（不図示）からの光を透過するように構成されている。
【００３０】
そして、液晶表示装置１は、各画素電極毎に１つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線１１からゲート信号が送られてＴＦＴ５をオン状態にした場合に、ソース線１４からソース信号が送られてソース電極１８及びドレイン電極２０を介して、画素電極１９に所定の電荷が書き込まれ、画素電極１９と共通電極２４との間で電位差が生じ、液晶層４に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１では、印加された電圧の大きさに応じて、液晶分子の配向状態が変わることを利用して、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される構成となっている。
【００３１】
ここで、本実施形態においては、図３に示すように、反射領域Ｒにおいて、画素電極１９の下層の透明電極３１の表面が凹凸状に形成されている点に特徴がある。より具体的には、反射領域Ｒにおいて、絶縁基板６に設けられた透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に複数のディンプル３３が形成されている点に特徴がある。このディンプル３３は、反射領域Ｒにおいて、反射特性（または、散乱特性）を向上させるために設けられるものである。
【００３２】
このように、本実施形態においては、透明電極３１自体にディンプル３３を形成するため、上記従来技術とは異なり、ディンプルが形成された高価な有機絶縁膜を設ける必要がなくなる。
【００３３】
また、上記従来技術とは異なり、有機絶縁膜を設ける工程、及び当該有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になる。
【００３４】
更に、上記従来技術とは異なり、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、当該ディンプルを形成する工程における異物の混入や、光感光性樹脂の塗布、膜厚差、および使用する現像液等に起因するムラの発生を回避できる。
【００３５】
なお、ディンプル３３は、後述するように、層間絶縁膜１５上に透明電極３１を形成した後、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に対して水素プラズマ処理を行うことにより形成される。このように、本実施形態においては、水素プラズマ処理という簡単な方法で、透明電極３１の表面にディンプル３３を確実に形成することが可能になる。
【００３６】
次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について一例を挙げて説明する。図４は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置における透明電極の表面に形成されたディンプルを示す電子顕微鏡写真である。なお、本実施形態の製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程、及び基板貼り合わせ工程を備える。
【００３７】
＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、絶縁基板６の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１１及びゲート電極１７を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００３８】
続いて、ゲート線１１及びゲート電極１７が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜１２を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００３９】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ２０００Å程度）、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５００Å程度）を連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極１７上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体形成層を形成する。
【００４０】
そして、上記半導体形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線１４、ソース電極１８及びドレイン電極２０を厚さ２０００Å程度に形成する。
【００４１】
続いて、ソース電極１８及びドレイン電極２０をマスクとして上記半導体形成層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
【００４２】
さらに、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、層間絶縁膜１５を厚さ４０００Å程度に形成する。その後、層間絶縁膜１５をエッチングして、コンタクトホール３０を形成する。
【００４３】
次いで、層間絶縁膜１５上の基板全体に、ＩＴＯ膜などからなる透明導電膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、絶縁基板６に透明電極３１を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４４】
次いで、水素プラズマ処理により、反射領域Ｒにおいて、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に複数のディンプル３３を形成する。水素プラズマ処理は、プラズマ中の高エネルギー電子を水素分子に衝突させて、原子状水素を生成する方法であり、この水素プラズマ処理としては、例えば、マイクロ波プラズマエッチング装置（４００×５０５ｍｍ基板相当）を使用して、電源電圧を１００〜５０００Ｗ、圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜４Ｔｏｒｒ、水素ガス流量を１００〜５０００ｓｃｃｍ、及び、処理時間を５〜１２０分の範囲に設定した条件下で行うことができる。なお、水素プラズマ処理は、その他のプラズマエッチング装置、例えば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ装置や、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置等を用いても良い。
【００４５】
このように、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に対して水素プラズマ処理を施すことにより、図４に示すように、透明電極３１の表面において、微細な凹凸が形成され、寸法が約１．０μｍ程度の複数のディンプル３３が形成される。
【００４６】
次いで、透明電極３１が形成された基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５０Å程度）及びアルミニウム膜（厚さ１０００Å程度）をスパッタリング法により順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、反射領域Ｒにおいて、透明電極３１の表面に形成された複数のディンプル３３上に反射電極３２を形成して、透明電極３１及び反射電極３２を備えた画素電極１９を形成する。
【００４７】
次いで、画素電極１９が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜９を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４８】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２を作製することができる。
【００４９】
＜対向基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板２１の基板全体に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層Ｒ）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層Ｇ及び青色層Ｂ）を厚さ２．０μｍ程度に形成して、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ及び青色層Ｂを備えたカラーフィルター層２２を形成する。
【００５０】
次いで、カラーフィルター層２２が形成された基板上に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、透明層２３を厚さ２μｍ程度に形成する。
【００５１】
次いで、透明層２３が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、共通電極２４を厚さ１５００Å程度に形成する。
【００５２】
次いで、共通電極２４が形成された基板全体に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、フォトスペーサ２５を厚さ４μｍ程度に形成する。
【００５３】
最後に、フォトスペーサ２５が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜２６を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５４】
以上のようにして、対向基板３を作製することができる。
【００５５】
＜貼り合わせ工程＞
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記対向基板作製工程で作製された対向基板３に、紫外線硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材を枠状に描画する。
【００５６】
次いで、上記シール材が描画された対向基板３におけるシール材の内側の領域に液晶材料を滴下する。
【００５７】
さらに、上記液晶材料が滴下された対向基板３と、上記アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板２とを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。
【００５８】
次いで、上記貼合体に挟持されたシール材にＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材を硬化させる。
【００５９】
以上のようにして、図１に示す液晶表示装置１を作製することができる。
【００６０】
以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６１】
（１）本実施形態においては、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に複数のディンプル３３を形成する構成としている。従って、透明電極３１自体にディンプル３３を形成するため、上記従来技術とは異なり、ディンプルが形成された高価な有機絶縁膜を設ける必要がなくなる。その結果、液晶表示装置１の製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００６２】
（２）また、上記従来技術とは異なり、有機絶縁膜を設ける工程、及び当該有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００６３】
（３）また、上記従来技術とは異なり、有機絶縁膜の表面にディンプルを形成する工程が不要になるため、当該ディンプルを形成する工程における異物の混入や、光感光性樹脂の塗布、膜厚差、および使用する現像液等に起因するムラの発生を回避できる。従って、液晶表示装置１の歩留まりの低下を防止することが可能になる。
【００６４】
（４）本実施形態においては、透明電極３１の表面に対して水素プラズマ処理を行うことにより、ディンプル３３を形成する構成としている。従って、水素プラズマ処理という簡単な方法で、透明電極３１の表面にディンプル３３を確実に形成することが可能になる。
【００６５】
なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
【００６６】
・上記実施形態においては、半透過型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、反射型の液晶表示装置にも適用することができる。より具体的には、図５に示すように、液晶表示装置１の表示部において、透過領域が規定されず、反射電極３２により反射領域Ｒが規定された反射型の液晶表示装置１において、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に、上述した水素プラズマ処理により、複数のディンプル３３を形成する構成としても良い。このような構成においても、上述した（１）〜（４）と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
・上記実施形態の液晶表示装置１の方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertical Alignment）、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）、ＡＳＶ（Advanced Super View）、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）等、どのような方式であってもよい。
【００６８】
・上記実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、他の表示装置についても、本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上説明したように、本発明は、光の反射構造を有する表示装置及びその製造方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示装置における表示部の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶表示装置における透明電極の表面に形成されたディンプルを示す電子顕微鏡写真である。
【図５】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１    液晶表示装置
２    アクティブマトリクス基板（第１基板）
３    対向基板（第２基板）
４    液晶層（表示媒体層）
６    絶縁基板
３１    透明電極
３２    反射電極
３３    ディンプル
【図１】
2010128213.tif 000003
【図２】
2010128213.tif 000004
【図３】
2010128213.tif 000005
【図５】
2010128213.tif 000006
【図４】
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