(57)【要約】【課題】低コストで発光素子に過電流が流れることを防止できる発光素子駆動回路を提供する。【解決手段】発光素子駆動回路は、発光素子の明るさを示す階調データに基づいて一方の論理レベルのデューティ比が変化し、発光素子の明るさを増加させるほどデューティ比が大きくなるＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力回路と、入力されるＰＷＭ信号のデューティ比の上限を所定のデューティ比に制限し、上限の制限されたＰＷＭ信号を駆動信号として出力する駆動信号出力回路と、駆動信号の一方の論理レベルのデューティ比に応じて発光素子を駆動する駆動回路と、を備える。【選択図】図４
2010250114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の明るさを示す階調データに基づいて一方の論理レベルのデューティ比が変化し、前記発光素子の明るさを増加させるほど前記デューティ比が大きくなるＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力回路と、
入力される前記ＰＷＭ信号のデューティ比の上限を所定のデューティ比に制限し、上限の制限された前記ＰＷＭ信号を駆動信号として出力する駆動信号出力回路と、
前記駆動信号の前記一方の論理レベルのデューティ比に応じて前記発光素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子駆動回路であって、
前記駆動信号出力回路は、
設定データに基づいて前記所定のデューティ比を定めること、
を特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項３】
請求項２に記載の発光素子駆動回路であって、
前記駆動信号出力回路は、
前記ＰＷＭ信号のデューティ比が前記設定データに応じて定められる前記所定のデューティ比より小さい場合、前記ＰＷＭ信号を前記駆動信号として出力し、前記ＰＷＭ信号のデューティ比が前記所定のデューティ比より大きい場合、前記所定のデューティ比の前記ＰＷＭ信号を前記駆動信号として出力すること、
を特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項４】
請求項３に記載の発光素子駆動回路であって、
前記駆動信号出力回路は、
前記ＰＷＭ信号が前記一方の論理レベルとなるタイミングを示すタイミング信号と、前記設定データとに基づいて、前記ＰＷＭ信号と同一周期を有し、前記タイミングにて一方の論理レベルに変化するとともに、変化した前記一方の論理レベルのデューティ比が前記所定のデューティ比となるマスク信号を出力するマスク信号出力回路と、
前記ＰＷＭ信号が前記一方の論理レベルとなる第１期間が、前記マスク信号が前記一方の論理レベルとなる第２期間より短い場合、前記第１期間だけ前記ＰＷＭ信号を前記駆動信号として出力し、前記第１期間が前記第２期間より長い場合、前記第２期間だけ前記ＰＷＭ信号を前記駆動信号として出力する駆動信号生成回路と、
を備えることを特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項５】
請求項２に記載の発光素子駆動回路であって、
前記駆動信号出力回路は、
前記ＰＷＭ信号が前記一方の論理レベルとなるタイミングを示すタイミング信号と、所定のデューティ比を設定するための設定データとに基づいて、前記ＰＷＭ信号と同一周期を有し、前記タイミングにて一方の論理レベルに変化するとともに、変化した前記一方の論理レベルのデューティ比が前記所定のデューティ比となるマスク信号を出力するマスク信号出力回路と、
前記ＰＷＭ信号と前記ＰＷＭ信号の論理レベルを反転させた反転信号とのうち、何れか一方を輝度反転信号として出力させるための指示信号に基づいて、前記輝度反転信号を出力する輝度反転回路と、
前記輝度反転信号の論理レベルが前記ＰＷＭ信号の前記一方の論理レベルであるとともに前記マスク信号が前記一方の論理レベルである期間に応じて、前記駆動信号を生成する駆動信号生成回路と、
を備えることを特徴とする発光素子駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等の発光素子を効率よく駆動するために、スイッチング制御方式のＬＥＤ駆動回路が用いられている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図８は、スイッチング制御方式のＬＥＤ駆動回路の一例である。ＬＥＤ駆動回路２００は、パルス幅変調された駆動電流ＩｄｒをＬＥＤ２１０に供給することによりＬＥＤ２１０を駆動する回路であり、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号生成回路３００、及び駆動電流生成回路３１０を含んで構成される。
【０００４】
ＰＷＭ信号生成回路３００には、マイコン（不図示）等からＬＥＤの明るさを示す階調データ入力される。そして、ＰＷＭ信号生成回路３００は、階調データに応じたデューティ比のＰＷＭ信号Ｖｐｗｍを生成する。駆動電流生成回路３１０は、ＬＥＤ駆動回路２００の外部に設けられた抵抗２２０の抵抗値に応じた電流値の駆動電流Ｉｄｒを生成する。また、駆動電流生成回路３１０は、ＰＷＭ信号ＶｐｗｍがＨレベルの場合、ＬＥＤ２１０へ駆動電流Ｉｄｒを供給し、ＰＷＭ信号Ｖｐｗｍがローレベル（以下、Ｌレベル）の場合、ＬＥＤ２１０へ駆動電流Ｉｄｒの供給を停止する。このため、ＬＥＤ２３０は、階調データに応じた所望の明るさで発光することとなる。
【０００５】
ここで、ＬＥＤ駆動回路２００において、駆動電流Ｉｄｒの電流値を定めるための抵抗２２０の抵抗値は、例えば、ＬＥＤ２１０に許容される電流値に基づいて決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３００９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、携帯電話等の電子機器には複数のＬＥＤが設けられることがあるが、複数のＬＥＤ夫々に許容される電流値は異なることが多い。このため、複数のＬＥＤ駆動回路２００を用いて、複数のＬＥＤ夫々に過電流を流すことなく駆動するためには、様々な抵抗値の抵抗を用いる必要がある。しかしながら、抵抗値の異なる抵抗を多数用いると、同じ抵抗値の抵抗を多数用いる場合に比べ、一般的にコストが高くなる。
【０００８】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、低コストで発光素子に過電流が流れることを防止できる発光素子駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一つの側面に係る発光素子駆動回路は、発光素子の明るさを示す階調データに基づいて一方の論理レベルのデューティ比が変化し、前記発光素子の明るさを増加させるほど前記デューティ比が大きくなるＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力回路と、入力される前記ＰＷＭ信号のデューティ比の上限を所定のデューティ比に制限し、上限の制限された前記ＰＷＭ信号を駆動信号として出力する駆動信号出力回路と、前記駆動信号の前記一方の論理レベルのデューティ比に応じて前記発光素子を駆動する駆動回路と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
低コストで発光素子に過電流が流れることを防止できる発光素子駆動回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態であるＬＥＤ駆動回路２０を示す図である。
【図２】ドットデータ記憶部５０，５２の構成を説明するための図である。
【図３】階調データ記憶部５１の構成を説明するための図である。
【図４】データ線駆動回路３９の一実施形態を示す図である。
【図５】駆動電流生成回路Ｄ１の一実施形態を示す図である。
【図６】ドットマトリクスＬＥＤ１００の表示がフェードアウトされる場合のデータ線ドライバ３９における主要は信号の変化の例を示すタイミングチャートである。
【図７】ドットマトリクスＬＥＤ１００の表示の輝度が反転される場合のデータ線ドライバ３９における主要は信号の変化の例を示すタイミングチャートである。
【図８】ＬＥＤ駆動回路の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態であるＬＥＤ駆動回路２０の構成を示す図である。ＬＥＤ駆動回路２０は、マイコン１０から出力されるコマンド及びデータに応じて、ドットマトリクスＬＥＤ１００をダイナミック駆動する。ドットマトリクスＬＥＤ１００は、例えば携帯電話において時刻などの情報を表示するために用いられる。
【００１４】
ＬＥＤ駆動回路２０は、メモリ３０，３１、制御レジスタ３２、ＩＦ回路３３、発振回路（ＯＳＣ）３４、タイミング生成回路３５、メモリコントローラ３６、走査線ドライバ３７、基準電流回路３８、データ線ドライバ３９、及びＮＭＯＳトランジスタ４０〜４７を含んで構成される。
【００１５】
ドットマトリクスＬＥＤ１００は、７本の走査線１Ａ〜７Ａ、１７本のデータ線１Ｂ〜１７Ｂ、及び７行、１７列に配列された１１９個のＬＥＤ１０１〜１１７，２０１〜２１７，３０１〜３１７，４０１〜４１７，５０１〜５１７，６０１〜６１７，７０１〜７１７を含んで構成される。７本の走査線１Ａ〜７Ａの夫々には、１行目に配列されたＬＥＤ（ＬＥＤ１０１〜１１７）〜７行目に配列されたＬＥＤ（ＬＥＤ７０１〜７１７）のカソードが接続されている。また、１７本のデータ線１Ｂ〜１７Ｂの夫々には、１列目に配列されたＬＥＤ（ＬＥＤ１０１〜７０１）〜１７列目に配列されたＬＥＤ（ＬＥＤ１１７〜７１７）のアノードが接続されている。
【００１６】
メモリ３０は、レジスタやＲＡＭ（Random Access Memory）等の書き込み可能な記憶回路であり、ドットデータ記憶部５０、階調データ記憶部５１を含んで構成される。
【００１７】
ドットデータ記憶部５０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００におけるＬＥＤの明るさを示す階調データの格納先を指定するためのインデックスデータと、各ドットの明るさを反転させるか否かを示す反転データとを、ＬＥＤごとに記憶する。インデックスデータは、例えば３ビットのデータであり、反転データは例えば１ビットのデータである。
【００１８】
この場合、ドットデータ記憶部５０は、図２に示すように、ドットマトリクスＬＥＤ１００のＬＥＤごとに割り当てられた記憶領域に、４ビットのデータを夫々記憶する。したがって、本実施形態のドットデータ記憶部５０は、前述の記憶領域を７行、１７列含むこととなる。ここで、４ビットのドットデータのうち、例えば下位３ビットのデータがインデックスデータに対応し、最上位ビットのデータが反転データに対応する。ドットデータ記憶部５０のｎ行、ｍ列目の記憶領域に記憶されたドットデータは、ｎ行、ｍ列目に配置されたＬＥＤのドットデータに対応する。以下、ｎ行、ｍ列目の記憶領域に記憶されたドットデータを、ドットデータ（ｎ，ｍ）と標記する。
【００１９】
階調データ記憶部５１は、階調データをインデックスデータに対応させて記憶するものであり、例えば図３に示すように、８つの記憶領域に６ビットの階調データが記憶される。そして、インデックスデータの値が“０”〜“７”（１０進数）に対応する階調データは、１行目〜８行目の夫々に記憶されたデータとなる。階調データ記憶部５１に記憶された階調データの夫々は、データ線ドライバ３９に出力される。
【００２０】
メモリ３１は、メモリ３０と同様に、レジスタやＲＡＭ等の書き込み可能な記憶回路であり、ドットデータ記憶部５２を含んで構成される。
【００２１】
ドットデータ記憶部５２は、ドットデータ記憶部５０と同様に、ドットマトリクスＬＥＤ１００の各ＬＥＤに対するインデックスデータと、反転データとを、ドットデータとしてＬＥＤごとに記憶する。
【００２２】
制御レジスタ３２は、ドットデータ記憶部５０と、ドットデータ記憶部５２とのうち、ドットデータを何れに記憶させるかを、メモリコントローラ３６に選択させるための制御データを記憶する。制御データは、例えば１ビットのデータである。この場合、制御データが“０”であれば、メモリコントローラ３６はドットデータの格納先としてドットデータ記憶部５０を選択する。また、制御データが“１”であれば、メモリコントローラ３６はドットデータの格納先としてドットデータ記憶部５２を選択する。なお、ドットデータ、階調データ、及び制御データの夫々を記憶する記憶領域には、所定のアドレスが割り当てられている。
【００２３】
ＩＦ回路３３は、マイコン１０から入力されるドットデータ、階調データ、及び制御データをメモリコントローラ３６に転送する。また、ＩＦ回路３３は、マイコン１０から入力されるドットマトリクスＬＥＤ１００の駆動開始を指示する駆動コマンドをタイミング生成回路３５に転送する。
【００２４】
発振回路３４は、コンデンサ１１の容量値に応じた周期のクロック信号を生成する回路である。なお、コンデンサ１１は、外付け部品であり、端子（不図示）を介して発振回路３４に接続されている。
【００２５】
タイミング生成回路３５は、ＩＦ回路３３からの駆動コマンドが入力されると、タイミング生成回路３５に設けられたレジスタ（不図示）に駆動コマンドを記憶する。そして、タイミング生成回路３５は、駆動コマンドと、クロック信号ＣＬＫ１とに基づいて、ドットマトリクスＬＥＤ１００がダイナミック駆動されるよう、メモリコントローラ３６、走査線ドライバ３７、及びデータ線ドライバ３９を制御する。具体的には、タイミング生成回路３５は、メモリコントローラ３６、走査線ドライバ３７、データ線ドライバ３９の夫々に、駆動コマンド及びクロック信号ＣＬＫ１に基づいたタイミング信号Ｔ１〜Ｔ４を出力する。
【００２６】
メモリコントローラ３６は、ＩＦ回路３３から入力される制御データを制御レジスタ３２に格納し、ＩＦ回路３３から入力される階調データを、階調データ記憶部５１に格納する。また、メモリコントローラ３６は、制御レジスタ３２に記憶された制御データに基づいて、ＩＦ回路３３から入力されるドットデータをドットデータ記憶部５０，５２の何れかに格納する。また、メモリコントローラ３６は、タイミング生成回路３５からのタイミング信号Ｔ１に基づいて、ドットデータ記憶部５０，５２の何れかに記憶されたドットデータを取得して、ドットマトリクスＬＥＤ１００がダイナミック駆動されるよう、データ線ドライバ３８に順次出力する。例えば、メモリコントローラ３６は、制御データが“０”の場合、ドットデータをドットデータ記憶部５２から取得し、制御データが“１”の場合、ドットデータをドットデータ記憶部５０から取得する。ドットデータ記憶部５０のドットデータを出力する場合を例にすると、メモリコントローラ３６は、ドットデータ記憶部５０におけるドットデータ（１，１）をまず出力し、その後ドットデータ（１，２），（１，３）というように、同じ行の隣接する列のドットデータを順次出力する。ドットデータ（１，１７）が出力されると、メモリコントローラ３６は、次の行の１列目のドットデータ（２，１）を取得して出力する。このように、メモリコントローラ３６は、１行、１列目のドットデータ（１，１）を取得し、行ごとに順次出力する。そして、７行目のドットデータ（７，１７）が出力されると、メモリコントローラ３６は、１行目のドットデータを再度取得し、順次出力する。なお、メモリコントローラ３６がドットデータ記憶部５２に記憶されたドットデータを出力する際も同様である。
【００２７】
走査線ドライバ３７は、タイミング生成回路３５からのタイミング信号Ｔ２に基づいて、ＮＭＯＳトランジスタ４０〜４７を順次オンする回路である。ＮＭＯＳトランジスタ４０〜４７のドレインは、走査線１Ａ〜７Ａに夫々接続されており、ソースはグランドＧＮＤに接続されている。したがって、例えば、ＮＭＯＳトランジスタ４０がオンされると、走査線１Ａ〜７Ａのうち走査線１ＡがグランドＧＮＤとほぼ同じ電位となる。走査線１ＡがグランドＧＮＤと同電位の状態、すなわち、走査線１Ａが選択されている状態でデータ線ドライバ３９がデータ線１Ｂ〜１７Ｂに対して駆動電流を出力すると、走査線１Ａに接続されたＬＥＤ１０１〜１１７に駆動電流が流れる。この場合に、選択されていない走査線２Ａ〜７Ａに接続されたＬＥＤには、駆動電流は流れない。また、走査線ドライバ３７は、タイミング信号Ｔ２に基づいてＮＭＯＳトランジスタ４０〜４７を順次オンするため、本実施形態のドットマトリクスＬＥＤ１００の走査線１Ａ〜７Ａは、順次選択される。
【００２８】
基準電流回路３８は、抵抗１２の抵抗値に応じ、データ線ドライバ３９がデータ線１Ｂ〜１７Ｂに出力する駆動電流の基準となる基準電流Ｉｒｅｆを生成する。抵抗１２は、外付け部品であり、端子（不図示）を介して基準電流回路３８に接続されている。抵抗１２の抵抗値は、ＬＥＤに許容される電流値に基づいて定められる。
【００２９】
データ線ドライバ３９は、タイミング生成回路３５からのタイミング信号Ｔ３，Ｔ４に基づいて、基準電流Ｉｒｅｆと、ドットデータ及び階調データに応じてＰＷＭ（Pulse Width Modulation）変調された駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７をデータ線１Ｂ〜１７Ｂに出力してドットマトリクスＬＥＤ１００を駆動する。
【００３０】
以下、図４を参照して、データ線ドライバ３９について詳述する。データ線ドライバ３９は、ＰＷＭ生成回路６０〜６７、セレクタ制御回路７０、輝度反転制御回路７１、マスク信号出力回路７２、セレクタＳ１〜Ｓ１７、輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７、駆動電流生成回路Ｄ１〜Ｄ１７を含んで構成される。なお、ＰＷＭ生成回路６０〜６７、セレクタ制御回路７０、及びセレクタＳ１〜Ｓ１７が本発明のＰＷＭ信号出力回路に相当し、マスク信号生成回路７２、輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７、及びＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７が本発明の駆動信号出力回路に相当し、駆動電流生成回路Ｄ１〜Ｄ１７が本発明の駆動回路に相当する。また、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７が本発明の駆動信号生成回路に相当する。
【００３１】
ＰＷＭ生成回路６０は、階調データ記憶部５１の記憶領域に記憶された階調データと、所定周期のタイミング信号Ｔ４とに基づいて、タイミング信号Ｔ４と同じ周期のＰＷＭ信号Ｖｐ０を生成する。具体的には、ＰＷＭ信号Ｖｐ０のハイレベル（以下、Ｈレベルという）のデューティ比が、記憶領域の階調データに応じる。例えば、階調データが“０”（１０進数）の場合、Ｈレベルのデューティ比は０％となり、階調データの値の増加に応じてＨレベルのデューティ比が上昇する。そして、階調データが“６３”（１０進数）となると、Ｈレベルのデューティ比は１００％となる。なお、ＰＷＭ信号Ｖｐ０のデューティ比が０％でない場合、ＰＷＭ信号Ｖｐ０の１周期の開始のタイミングにＰＷＭ信号Ｖｐ０の論理レベルがＨレベルになる。以下、Ｈレベルのデューティ比を単にデューティ比と称する。
【００３２】
ＰＷＭ生成回路６１〜６７もＰＷＭ生成回路６０と同様に、階調データ記憶部５１の記憶領域に記憶された階調データと、タイミング信号Ｔ４とに応じたＰＷＭ信号Ｖｐ１〜Ｖｐ７を生成する。
【００３３】
セレクタ制御回路７０は、メモリコントローラ３６から順次出力される４ビットのドットデータのうち、下位３ビットのインデックデータを出力される順番に記憶する。そして、例えば、ドットデータ記憶部５０の１行分のインデックスデータ、すなわち、３ビットのインデックスデータが１７個記憶されると、タイミング信号Ｔ３に基づくタイミングで、１７個のインデックスデータをセレクタＳ１〜Ｓ１７の夫々に出力する。なお、セレクタ制御回路７０が１行分のインデックスデータを出力するタイミングは、走査線１Ａ〜７Ａのうち、何れかが選択されるタイミングと同じとなるよう設定されている。前述のように、メモリコントローラ３６は、１行目のドットデータ（１，１）から、隣接する列のドットデータを順次出力する。したがって、セレクタ制御回路７０には、１行目〜７行目のうち何れかの行のインデックスデータが１行分のインデックスデータとして記憶されることとなる。セレクタ制御回路７０に、例えばドットデータ記憶部５０の１行目のインデックスデータが記憶された場合、１行、１列に対するインデックスデータ（１，１）がセレクタＳ１に出力される。また、１行、２列に対するインデックスデータ（１，２）〜１行、１７列に対するインデックスデータ（１，１７）は、セレクタＳ２〜セレクタＳ１７の夫々に出力される。なお、他の行のインデックスデータがセレクタ制御回路７０に記憶された場合も同様である。また、ドットデータ記憶部５２からインデックスデータが出力された場合も、ドットデータ記憶部５０から出力される場合と同様である。本実施形態では、セレクタ制御回路７０が１行分のインデックスデータを出力した後、メモリコントローラ３６はタイミング信号Ｔ２に基づいて次の行のドットデータを順次出力する。このようなセレクタ制御回路７０は、例えば１行分のインデックスデータを記憶可能な記憶領域を備えることにより実現できる。
【００３４】
セレクタＳ１は、セレクタ制御回路７０から出力されるインデックスデータを記憶する。そして、セレクタＳ１は、このインデックスデータに基づいて、ＰＷＭ生成回路６０〜６７からのＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７のうち何れか一つを選択し、選択信号ＳＯ１として輝度反転回路Ｋ１に出力する。例えば、値が“０”（１０進数）のインデックスデータが記憶されると、セレクタＳ１は、ＰＷＭ信号Ｖｐ０を選択信号ＳＯ１として出力する。同様に、インデックスデータの値が“１”〜“７”の場合、インデックスデータの値が“１”〜“７”の夫々に対応するＰＷＭ信号Ｖｐ１〜Ｖｐ７が選択信号ＳＯ１として出力されることとなる。このようなセレクタＳ１は、セレクタ制御回路７０から出力される３ビットのインデックスデータを記憶するレジスタ（不図示）を構成として含むことで容易に実現される。この場合、セレクタ制御回路７０からインデックスデータが出力されるたびに、レジスタは更新される。また、セレクタＳ１には、セレクタ制御回路７０に記憶された１行分の１７個のインデックスデータのうち、１列目に対するインデックスデータが出力される。そのため、セレクタＳ１のレジスタには、インデックスデータ（１，１）〜（７，１）が繰り返し記憶される。
【００３５】
セレクタＳ２〜Ｓ１７は、セレクタＳ１と同様に、セレクタ制御回路７０に記憶された１行分の１７個のインデックスデータのうち、２列目〜１７列目に対応するインデックスデータの値に基づいて、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７を選択する。そして、セレクタＳ２〜Ｓ１７の夫々は、選択信号ＳＯ２〜ＳＯ１７を出力する。
【００３６】
輝度反転制御回路７１は、メモリコントローラ３６から順次出力される４ビットのドットデータのうち、最上位の１ビットの反転データを出力される順番に記憶する。そして、例えば、ドットデータ記憶部５０の１行分の反転データ、すなわち、１ビットの反転データが１７個記憶されると、タイミング信号Ｔ３に基づくタイミングで、１７個の反転データを輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７の夫々に出力する。輝度反転制御回路７１は、セレクタ制御回路７０と同様に、例えばドットデータ記憶部５０の１行目の反転データが記憶された場合、１行、１列に対する反転データ（１，１）が輝度反転回路Ｋ１に出力される。また、１行、２列に対する反転データ（１，２）〜１行、１７列に対する反転データ（１，１７）は、輝度反転回路Ｋ２〜輝度反転回路Ｋ１７の夫々に出力される。
【００３７】
輝度反転回路Ｋ１は、輝度反転制御回路７１から出力される反転データを記憶し、この反転データと選択信号ＳＯ１とに基づいて、出力信号Ｖｄ１を出力する。具体的には、反転データとして“１”が記憶されると、選択信号ＳＯ１の論理レベルを反転させた信号を出力信号Ｖｄ１として出力する。一方、反転データとして“０”が記憶されると、選択信号ＳＯ１を出力信号Ｖｄ１として出力する。
【００３８】
輝度反転回路Ｋ２〜輝度反転回路Ｋ１７は、輝度反転回路Ｋ１と同様に、輝度反転制御回路７１に記憶された１行分の１７個の反転データのうち、２列目〜１７列目に対応する反転データの値に基づいて、出力信号Ｖｄ２〜Ｖｄ１７を出力する。
【００３９】
マスク信号生成回路７２（マスク信号出力回路）は、出力信号Ｖｄ２〜Ｖｄ１７のデューティ比を制限すべく、タイミング信号Ｔ４と設定データとに基づいて、マスク信号ＭＡを生成する。マスク信号ＭＡは、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７と同じ周期であって、設定データに応じたデューティ比を有する。なお、マスク信号出力回路７２は、前述のようにタイミング信号Ｔ４に基づいてマスク信号を生成することから、マスク信号がＨレベルとなるタイミングは、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７がＨレベルに変化するタイミングと同一となる。
【００４０】
ＡＮＤ回路Ａ１は、輝度反転回路Ｋ１から出力される出力信号Ｖｄ１と、マスク信号出力回路７１からのマスク信号ＭＡとの論理積を演算し、駆動信号ＡＯ１として出力する。  
ＡＮＤ回路Ａ２〜Ａ１７は、ＡＮＤ回路Ａ１と同様に、輝度反転回路Ｋ２〜Ｋ１７の夫々から出力される出力信号Ｖｄ２〜Ｖｄ１７と、マスク信号ＭＡとの論理積を演算し、駆動信号ＡＯ２〜ＡＯ１７として出力する。
【００４１】
このため、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７から出力される駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７のデューティ比は、マスク信号ＭＡのデューティ比と、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７のデューティ比とのに基づいて定まることとなる。
【００４２】
駆動電流生成回路Ｄ１は、ＡＮＤ回路Ａ１から出力される駆動信号ＡＯ１のＨレベルのデューティ比に応じた電流値の駆動電流Ｉ１を生成する。駆動電流生成回路Ｄ１は、例えば、図５に示すように、カレントミラー９０、及びスイッチング回路９１を含んで構成される。詳述すると、カレントミラー９０は、入力される基準電流Ｉｒｅｆに応じた電流を生成し、スイッチング回路８２に出力する。スイッチング回路９１は、カレントミラー９０からの電流を、入力される駆動信号ＡＯ１のＨレベルのデューティ比に応じて変化させ、駆動電流Ｉ１として出力する。本実施形態では、駆動信号ＡＯ１のデューティ比がゼロの場合、駆動電流Ｉ１の電流値はゼロとなり、駆動信号ＡＯ１のＨレベルのデューティ比の増加に応じて駆動電流Ｉ１の電流値が増加する。また、駆動信号ＡＯ１のデューティ比が１００％となると、駆動電流Ｉ１は最大値のＩｍａｘとなる。
【００４３】
駆動電流生成回路Ｄ２〜Ｄ１７は、駆動電流生成回路Ｄ１と同様の構成であり、基準電流Ｉｒｅｆと、駆動信号Ａ０２〜ＡＯ１７のデューティ比とに応じた電流値の駆動電流Ｉ２〜Ｉ１７を夫々出力する。
【００４４】
＜＜所定の表示をフェードインさせる場合の動作の一例＞＞
ドットマトリクスＬＥＤ１００における所定の表示がフェードインされる際の、ＬＥＤ駆動回路２０の動作の一例について説明する。
【００４５】
このような動作として、例えば、ＬＥＤ駆動回路２０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００に所定の表示として、「１２：００」という時刻をフェードインさせる。この場合、ＬＥＤ駆動回路２０は、ドットデータ記憶部５０の反転データは全て“０”が記憶されており、インデックスデータ “１”（１０進数）が記憶されている記憶領域に対応するＬＥＤを発光させ、インデックスデータ “０”（１０進数）が記憶されている記憶領域に対応するＬＥＤを発光させないことにより「１２：００」を表示させる。
【００４６】
以下においては、データ記憶部５１のインデックスデータ“０”〜“７”（１０進数）に対応する記憶領域には、初期値として階調データ“０”（１０進数）が記憶されていることとする。また、ドットマトリクスＬＥＤ１００の各ＬＥＤに許容される電流値は、前述のＩｍａｘの５０％の値であることとする。このため、マスク信号生成回路７２には、マスク信号ＭＡのＨレベルのデューティ比が５０％となるような設定データが記憶されていることとする。
【００４７】
まず、ＬＥＤ駆動回路２０は、携帯電話（不図示）を統括制御するシステムマイコン（不図示）からドットマトリクスＬＥＤ１００の駆動指示が入力される。マイコン１０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００の駆動が開始されるよう、駆動コマンドをＩＦ回路３３に出力する。ＩＦ回路３３は、駆動コマンドをタイミング生成回路３５に転送する。タイミング生成回路３５は、駆動コマンドに基づいて、ドットマトリクスＬＥＤ１００がダイナミック駆動されるよう、メモリコントローラ３６、走査線ドライバ３７、データ線ドライバ３９の夫々を、タイミング信号Ｔ１〜Ｔ４で制御する。
【００４８】
メモリコントローラ３６は、ドットデータ記憶部５０に記憶されたドットデータを取得し、データ線ドライバ３９に順次出力する。これにより、セレクタ制御回路７０にはインデックスデータが順次記憶され、輝度反転制御回路７１には反転データが順次記憶される。そして、ドットデータ記憶部５０の１行目の１７個のインデックスデータがセレクタ制御回路７０に記憶されるタイミングで、タイミング生成回路３５は、セレクタ制御回路７０にセレクタＳ１〜Ｓ１７の夫々に１７個のインデックスデータを出力させる。ここで、インデックスデータは“０”（１０進数）または“１” （１０進数）である。したがって、セレクタＳ１〜Ｓ１７は、インデックスデータ“０” （１０進数）に応じたＰＷＭ信号Ｖｐ０と、インデックスデータ“１” （１０進数）に応じたＰＷＭ信号Ｖｐ１とのうち何れか一方を選択して出力することとなる。具体的には、例えば、１行目の１７個のインデックスデータのうち、１列目に対するインデックスデータ（１，１）のみが“１”（１０進数）で、他のインデックスデータが“０” （１０進数）の場合、セレクタＳ１〜Ｓ１７のうち、セレクタＳ１から出力される選択信号ＳＯ１のみがＰＷＭ信号Ｖｐ１となる。一方、他のセレクタＳ２〜Ｓ１７の選択信号ＳＯ２〜ＳＯ１７はＰＷＭ信号Ｖｐ０となる。また、ここでは、反転データを全て“０”としているため、輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７からは、ＰＷＭ信号Ｖｐ０，Ｖｐ１が出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７として出力される。
【００４９】
前述のように、マスク信号生成回路７２には、デューティ比が５０％となるような設定データが記憶され、インデックスデータ“０”〜“７”（１０進数）に対応する記憶領域には、初期値として階調データ“０”（１０進数）が記憶されている。このため、マスク信号ＭＡのデューティ比は５０％であり、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７の夫々のデューティ比は０％である。したがって、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７の夫々から出力される駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７のデューティ比は０％となる。この結果、駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の電流値はゼロとなる。また、タイミング生成回路３５は、タイミング信号Ｔ３に基づいてセレクタ制御回路７０に１７個のインデックスデータを出力させるとともに、タイミング信号Ｔ２に基づいて走査線ドライバ３７にＮＭＯＳトランジスタ４０をオンさせる。したがって、ドットマトリクスＬＥＤ１００における１行目のＬＥＤ１０１〜１１７の夫々には、値がゼロの駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７が供給される。つまり、駆動指示が入力された場合であっても、フェードインの指示が入力される前においては、ＬＥＤ１０１〜１１７は発光しない。また、前述のように、タイミング生成回路３５は、ドットマトリクスＬＥＤ１００がダイナミック駆動されるよう、メモリコントローラ３６、走査線ドライバ３７、データ線ドライバ３９の夫々を制御する。このため、ドットデータ記憶部５０における各行に対する１７個のインデックスデータがセレクタＳ１〜Ｓ１７に記憶されるたびに、対応する列のＮＭＯＳトランジスタがオンされる動作が繰り替えされる。しかしながら、フェードインの指示が入力される前は、駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の電流値はゼロであるため、ドットマトリクスＬＥＤ１００は発光しない。
【００５０】
そして、例えば携帯電話（不図示）を統括制御するシステムマイコン（不図示）から、「１２：００」という表示をフェードインさせるための指示が入力されると、マイコン１０は、「１２：００」という表示をフェードインさせるためのフェードイン用の階調データを出力する。
【００５１】
ここで、フェードイン用の階調データとは、階調データ記憶部５１におけるインデックスデータ “１” （１０進数）に対する階調データの値を、“０”から、“１”，“ ２”，“３”（１０進数）と１ずつ増加させ、最終的に“６３”とするようなデータである。
【００５２】
フェードイン用の階調データは、ＩＦ回路３３と、メモリコントローラ３６とを介して階調データ記憶部５１に入力される。その結果、階調データ記憶部５１におけるインデックスデータ “１” （１０進数）に対する階調データの値は、１ずつ増加されることとなる。
【００５３】
図６に、階調データが“０”から“６３”（１０進数）まで増加する場合の、データ線ドライバ３９の主要な信号の変化の一例を示す。フェードイン用の階調データが入力される時刻ＴＡでは、階調データが“０”であるため、出力信号Ｖｄ１のデューティ比はゼロである。このため、駆動信号ＡＯ１のデューティ比もゼロである。そして、出力信号Ｖｄ１のデューティ比は、階調データの増加に応じて増加する。ただし、マスク信号ＭＡのデューティ比が５０％であるため、出力信号Ｖｄ１のデューティ比が５０％を超えて大きくなる場合であっても、駆動信号ＡＯ１のデューティ比は５０％で制限される。本実施形態では、階調データが例えば“３１” の際にＰＷＭ信号Ｖｐ１のデューティ比が５０％となることとする。このため、階調データが“３１”を超えた場合であっても、駆動信号ＡＯ１のデューティ比は変化しない。この結果、駆動電流Ｉ１は、電流値Ｉｍａｘの５０％の値以上になることはなく、駆動電流Ｉ１の最大値は、Ｉｍａｘの５０％の値に制限される。したがって、「１２：００」という表示がフェードインされた場合であっても、「１２：００」を表示させるためのドットのＬＥＤには、Ｉｍａｘの５０％以上の電流が流れることは無い。
【００５４】
＜＜所定の表示の輝度を反転させる場合の動作の一例＞＞
ドットマトリクスＬＥＤ１００における所定の表示の輝度を反転させる際の、ＬＥＤ駆動回路２０の動作の一例について説明する。
【００５５】
詳述すると、ドットマトリクスＬＥＤ１００に所定の表示として、例えば「１２：００」の表示の輝度を反転させる際の動作を例にして説明する。ここでは、ドットデータ記憶部５０のドットデータにおいて、反転データは全て“０”であり、「１２：００」の表示のうち「１２：００」の文字に対するドットのインデックスデータは “１”（１０進数）であり、「１２：００」の文字以外に対するドットのインデックスデータ は“０”（１０進数）である。さらに、ドットデータ記憶部５２のドットデータにおいて、反転データは全て“１”であり、「１２：００」の表示のうち「１２：００」の文字に対するドットのインデックスデータ は“１”（１０進数）であり、「１２：００」の文字以外に対するドットのインデックスデータは “０”（１０進数）である。
【００５６】
以下においては、階調データ記憶部５１のインデックスデータ“０”及び“２”〜“７”（１０進数）に対応する記憶領域には、階調データ“０”（１０進数）が記憶され、インデックスデータ “１”（１０進数）に対応する記憶領域には、階調データ “２５” （１０進数）が記憶されていることとする。なお、階調データが“２５”のＰＷＭ信号のデューティ比は４０％となる。さらに、ここでは、マスク信号生成回路７２には、マスク信号ＭＡのＨレベルのデューティ比が５０％となるような設定データが記憶されていることとする。
【００５７】
まず、携帯電話（不図示）を統括制御するシステムマイコン（不図示）は、制御データ“０” （１０進数）に続き、「１２：００」を表示させるための駆動指示をマイコン１０に出力する。この結果、メモリコントローラ３６は、ドットデータ記憶部５０に記憶されたドットデータを取得し、データ線ドライバ３９に出力する。
【００５８】
ここで、図７に、ドットマトリクスＬＥＤ１００が、ドットデータ記憶部５０に記憶されたドットデータに基づいて駆動されている際の、データ線ドライバ３９の主要な信号の変化の一例を示す。なお、ここでは、「１２：００」を表示させる際に、セレクタＳ１からＰＷＭ信号Ｖｐ０が出力され、セレクタＳ２からＰＷＭ信号Ｖｐ１が出力される場合の波形を例として説明する。ＰＷＭ信号Ｖｐ０のデューティ比は、階調データ“０”に基づいて０％となる。また、ドットデータ記憶部５０の反転データは全て“０”であるため、輝度反転回路Ｋ１から出力される出力信号Ｖｄ１のデューティ比も０％となる。一方、ＰＷＭ信号Ｖｐ１のデューティ比は、階調データ“２５”に基づいて４０％となる。このため、輝度反転回路Ｋ２から出力される出力信号Ｖｄ２のデューティ比も４０％となる。また、マスク信号ＭＡのデューティ比は５０％であり、出力信号Ｖｄ１，Ｖｄ２の夫々のデューティ比よりも大きい。このため、出力信号Ｖｄ１，Ｖｄ２の夫々が駆動信号ＡＯ１，ＡＯ２として出力されることとなる。したがって、駆動電流Ｉ１の電流値はゼロとなり、駆動電流Ｉ２の電流値は、Ｉｍａｘの４０％となる。つまり、ドットマトリクスＬＥＤ１００において、「１２：００」の文字に対するドットのＬＥＤには、Ｉｍａｘの４０％の電流値の駆動電流が供給され、「１２：００」の文字以外に対するドットのＬＥＤには、電流値０の駆動電流が供給される。
【００５９】
つぎに、システムマイコン（不図示）が「１２：００」の表示の輝度反転をさせるべく、制御データ“１” （１０進数）を出力した際の動作について説明する。制御データ“１”が制御レジスタ３２に記憶されると、メモリコントローラ３６は、ドットデータ記憶部５２に記憶されたドットデータを取得し、データ線ドライバ３９に出力する。ドットデータ記憶部５２に記憶されたインデックスデータは、ドットデータ記憶部５０に記憶されたインデックスデータと同じである。このため、ＰＷＭ信号Ｖｐ０，Ｖｐ１のデューティ比は、夫々０％，４０％となる。一方、ドットデータ記憶部５０の反転データは全て“１”であるため、選択信号ＳＯ１，ＳＯ２の論理レベルは反転されて出力信号Ｖｄｒ１，Ｖｄ２として出力される。このため、輝度反転回路Ｋ１から出力される出力信号Ｖｄ１のデューティ比は１００％となり、輝度反転回路Ｋ２から出力される出力信号Ｖｄ２のデューティ比は６０％となる。前述のように、マスク信号ＭＡのデューティ比は５０％であるため、出力信号Ｖｄ１とマスク信号ＭＡとで論理積演算された駆動信号ＡＯ１のデューティ比は５０％となる。また、出力信号Ｖｄ１とマスク信号ＭＡとで論理積演算された駆動信号ＡＯ２のデューティ比は１０％となる。
【００６０】
したがって、駆動電流Ｉ１の電流値はＩｍａｘの５０％となり、駆動電流Ｉ２の電流値はＩｍａｘの１０％となる。つまり、ドットマトリクスＬＥＤ１００において、「１２：００」の文字に対するドットのＬＥＤには、Ｉｍａｘの１０％の電流値の駆動電流が供給され、「１２：００」の文字以外に対するドットのＬＥＤには、Ｉｍａｘの５０％の電流値の駆動電流が供給される。
【００６１】
ここで、Ｉｍａｘの５０％の電流値を１００％に換算した基準値ＩＡに基づいて、Ｉｍａｘの０％，１０％，４０％の電流について説明する。Ｉｍａｘの０％の電流は基準値ＩＡの０％の電流に相当し、Ｉｍａｘの１０％の電流は基準値ＩＡの２０％の電流に相当し、Ｉｍａｘの４０％の電流は基準値ＩＡの８０％の電流に相当する。つまり、本実施形態では、「１２：００」の文字に対するドットのＬＥＤは、反転データ“０”の場合には基準値ＩＡの８０％の電流で駆動され、反転データ“１”の場合には基準値ＩＡの２０％の電流で駆動される。一方、「１２：００」の文字以外に対するドットのＬＥＤは、反転データ“０”の場合には基準値ＩＡの０％の電流で駆動され、反転データ“１”の場合には基準値ＩＡの１００％の電流で駆動される。このように、本実施形態においては駆動電流の電流値を制限しつつ、制限された電流値の範囲内で、ＬＥＤを駆動する駆動電流の電流値の割合を反転させることが可能となる。したがって、反転データを変化させることによりドットマトリクスＬＥＤ１００における表示の輝度を反転することが可能となる。
【００６２】
以上に説明した構成からなる本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０において、ドットマトリクスＬＥＤ１００を駆動するための駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の電流値は、駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７のデューティ比に応じて変化する。また、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７は、デューティ比の上限が制限された駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７を出力する。このため、例えば許容される電流が異なる複数のドットマトリクスＬＥＤ夫々を複数のＬＥＤ駆動回路２０を用いて駆動する場合であっても、複数のＬＥＤ駆動回路２０において駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の基準となる抵抗１２の抵抗値を変更することなく、ドットマトリクスＬＥＤ１００に過電流が流れることを防ぐことができる。したがって、複数のＬＥＤ駆動回路２０を用いる場合に、同じ抵抗値を有する抵抗１２を用いることが可能となるため、コストを抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態の駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７のデューティ比の上限は、設定データに基づいて設定される。このため、ドットマトリクスＬＥＤ１００に流れる電流の最大値を容易に変更することが可能となる。
【００６４】
また、ＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７は、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７のデューティ比が上限として定められた所定のデューティ比より小さい場合、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７を駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７として出力する。このため、ＬＥＤ駆動回路２０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００を、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７のデューティ比に応じた明るさで発光することができる。一方、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７のデューティ比が所定のデューティ比より大きい場合、所定のデューティ比の出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７が駆動信号ＡＯ１〜ＡＯ１７として出力される。このため、ＬＥＤ駆動回路２０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００に過電流が流れることを確実に防ぐことができる。
【００６５】
また、本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０において、マスク信号生成回路７２は、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７がＨレベルとなるタイミングでマスク信号ＭＡをＨレベルに変化させる。このため、例えば図６に示すように、マスク信号ＭＡがＨレベルとなる期間が、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７がＨレベルとなる期間より長い場合、ＬＥＤを駆動する駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７は、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７がＨレベルとなる期間だけ生成されることとなる。したがって、ＬＥＤの明るさを階調データに応じた所望の明るさとすることが可能となる。一方、マスク信号ＭＡがＨレベルとなる期間が、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７がＨレベルとなる期間より短い場合、ＬＥＤを駆動する駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７は、マスク信号ＭＡがＨレベルとなる期間だけ生成されることとなる。したがって、駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の電流値は、マスク信号ＭＡがＨレベルとなる期間により制限されることとなる。このように、ＬＥＤ駆動回路２０は、外付けの抵抗１２の抵抗値を変化させることなくＬＥＤの駆動電流の最大値を制限しつつ、所望の駆動電流を生成することが可能である。
【００６６】
また、本実施形態の輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７は、反転データが“０”の場合、セレクタＳＯ１〜ＳＯ１７から出力される選択信号ＳＯ１〜ＳＯ１７を出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７として出力する。一方、輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７は、反転データが“１”の場合、選択信号ＳＯ１〜ＳＯ１７の論理レベルを反転して出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７として出力する。そして、駆動電流生成回路Ｄ１〜Ｄ１７は、マスク信号ＭＡがＨレベルになる期間と、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７がＨレベルになる期間とに応じてＬＥＤを駆動する駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７を生成する。このような構成にすることにより、前述のように本実施形態においては、駆動電流の電流値を制限しつつ、制限された電流値の範囲内で、ＬＥＤを駆動する駆動電流の電流値の割合を反転させることが可能となる。つまり、本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０は、ＬＥＤの駆動電流の電流値を制限しつつ、ＬＥＤの輝度反転を行うことが可能である。また、例えば、駆動電流の電流値を制限すべく選択信号ＳＯ１〜ＳＯ１７のデューティ比を制限した後に、輝度反転回路Ｋ１〜Ｋ１７で論理レベルを反転させる構成では、駆動電流の電流値が制限した電流値を超えるということがある。これは、具体的には、例えば、選択信号ＳＯ１〜ＳＯ１７のＨレベルのデューティ比を先ず５０％で制限し、その後反転すると、反転された信号のＨレベルのデューティ比が５０％を超えてしまうということに相当する。本実施形態では、輝度反転された出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７のデューティ比がＡＮＤ回路Ａ１〜Ａ１７で制限されるような構成としているため、駆動電流Ｉ１〜Ｉ１７の最大値を確実に制限しつつ、ＬＥＤの明るさを反転することが可能である。
【００６７】
なお、上記実施例は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
【００６８】
本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０は、一般的なＬＥＤからなるドットマトリクスＬＥＤ１００を駆動することとした。しかしながら、本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０が、例えば有機ＥＬ（Electroluminescence）素子の様な発光素子がマトリクス状に配置されたディスプレイを駆動することとしても良い。その場合であってもＬＥＤ駆動回路２０は、ドットマトリクスＬＥＤ１００の場合と同様に、有機ＥＬ素子への過電流を防止することが可能である。
【００６９】
また、本実施形態のマスク信号生成回路８３は、タイミング信号Ｔ４に基づいてマスク信号ＭＡをＨレベルに変化させたが、これに限られるものでは無い。例えば、ＰＷＭ信号Ｖｐ０〜Ｖｐ７の何れかがＨレベルとなる立ち上がりを検出し、立ち上がりに同期させてマスク信号ＭＡをＨレベルに変化させても良い。
【００７０】
また、本実施形態のＬＥＤ駆動回路２０では、ＰＷＭ生成回路６０〜６７のＨレベルのデューティ比の増加に応じてドットマトリクスＬＥＤ１００の明るさが増加することとしたが、これに限られるものでは無い。例えば、ＰＷＭ生成回路６０〜６７のＬレベルのデューティ比の増加に応じてドットマトリクスＬＥＤ１００の明るさが増加することとしても良い。この場合には、例えば、出力信号Ｖｄ１〜Ｖｄ１７の論理レベルをインバータ等で反転し、ＡＮＤ回路Ａ１に入力させることにより本実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【符号の説明】
【００７１】
１０  マイコン
１１  コンデンサ
１２  抵抗
２０  ＬＥＤ駆動回路
３０，３１  メモリ
３２  制御レジスタ
３３  ＩＦ回路
３４  発振回路（ＯＳＣ）
３５  タイミング生成回路
３６  メモリコントローラ
３７  走査線ドライバ
３８  基準電流回路
３９  データ線ドライバ
４０〜４７  ＮＭＯＳトランジスタ
５０，５２  ドットデータ記憶部
５１  階調データ記憶部
６０〜６７  ＰＷＭ生成回路
７０  セレクタ制御回路
７１  輝度反転制御回路
７２  マスク信号出力回路
９０  カレントミラー
９１  スイッチング回路
１００  ドットマトリクスＬＥＤ
１０１〜１１７，２０１〜２１７，３０１〜３１７，４０１〜４１７  ＬＥＤ
５０１〜５１７，６０１〜６１７，７０１〜７１７  ＬＥＤ
１Ａ〜７Ａ  走査線
１Ｂ〜１７Ｂ  データ線
Ａ１〜Ａ１７  ＡＮＤ回路
Ｄ１〜Ｄ１７  駆動電流生成回路
Ｋ１〜Ｋ１７  輝度反転回路
Ｓ１〜Ｓ１７  セレクタ
【図１】
2010250114.tif 000003
【図２】
2010250114.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010250114.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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