(57)【要約】【課題】高反射率のアルカリ現像型光硬化性熱可塑性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた高光反射機能を併せ持つ金属ベース回路基板を提供する。【解決手段】屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の無機物質及び屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の無機物質を含有するアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、並びに金属箔上に絶縁層を形成し、絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、絶縁層及び回路上に上述のソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた金属ベース回路基板であり、好ましくは、白色膜の可視光の４６０ｎｍ、５２５ｎｍ、及び６２０ｎｍの反射率がいずれも９０％以上である金属ベース回路基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）有機混合物と、（Ｂ）無機混合物と、（Ｃ）溶剤と、を含むアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物であって、
前記（Ａ）有機混合物が、
（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−と、
（Ａ−２）アクリル系化合物と、
（Ａ−３）光重合開始剤と、
（Ａ−４）エポキシ化合物と、を含有し、
前記（Ｂ）無機混合物が、
（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第１の無機物質と、
（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第２の無機物質と、を含有し、
（Ａ）／（Ｂ）の体積比が、５０／５０〜３５／６５であり、
（Ｂ−１）／（Ｂ−２）の体積比が、１０／９０〜４０／６０であり、
（Ｂ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ））の体積比が、２０／１００〜５０／１００であり、
前記（Ａ−２）アクリル系化合物の配合量は、（Ａ−１）中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−２）中の（メタ）アクリロイル基が、０．２〜５．０ｍｏｌ当量となるように配合されてなり、
前記（Ａ−３）光重合開始剤の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−３）光重合開始剤が、０．０１〜０．５ｍｏｌ当量となるよう配合されてなり、
前記（Ａ−４）エポキシ化合物の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（カルボキシル基＋水酸基）１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−４）中のエポキシ基０．５〜３．０ｍｏｌ当量となるよう配合されてなることを特徴とする、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）有機混合物が、（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物をさらに含有する、請求項１記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ−１）第１の無機物質が、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムから選ばれる単独または二種類以上の組み合わせからなる無機物質であり、前記（Ｂ−２）第２の無機物質が、ルチル型酸化チタンである請求項１又は２記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項４】
金属箔と、前記金属箔上に設けられている絶縁層と、前記絶縁層上に設けられている回路と、請求項１乃至３いずれかに記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて前記絶縁層および前記回路上に設けられている白色膜と、を備える金属ベース回路基板。
【請求項５】
前記白色膜の４６０ｎｍ、５２５ｎｍおよび６２０ｎｍにおける反射率が、いずれも９０％以上である、請求項４記載の金属ベース回路基板。
【請求項６】
前記絶縁層の熱伝導率が、１〜４Ｗ／ｍＫである、請求項４または５記載の金属ベース回路基板。
【請求項７】
前記絶縁層が、二官能性エポキシ樹脂を含有する、請求項４乃至６いずれかに記載の金属ベース回路基板。
【請求項８】
前記絶縁層が、酸無水物またはフェノール類をさらに含有する、請求項７に記載の金属ベース回路基板。
【請求項９】
前記前記二官能型エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して、活性水素当量が０．８〜１倍となるように前記酸無水物または前記フェノール類を含有する、請求項８項記載の金属ベース回路基板。
【請求項１０】
前記絶縁層が、熱硬化性樹脂を２５〜５０体積％含有し、残部が０．６〜２．４μｍおよび５〜２０μｍの２種類の平均粒径を持ち、かつ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機フィラーである、請求項４乃至９いずれかに記載の金属ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置は、様々の分野で使用されており、特にパ−ソナルコンピュ−タやテレビ等の電子産業分野では数多く使用されてきた。これらの液晶表示装置のなかで、特に直下型のバックライトシステムを採用しているものは、液晶パネルの背面にバックライトを配置しており、該バックライトは光源からの出射光を導光板に入射させ、その伝播した光を導光板の表面側からプリズムシート等を介して出射させることによって、液晶パネルの背面を全体的に照射するようにしている。バックライトの光源としては、ＣＦＬ（冷陰極管）といわれる小型の蛍光管や発光ダイオ−ド（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を使用したものが多い。以下、発光ダイオ−ドはＬＥＤと記す。しかし、近年環境面への配慮から、水銀を使用しているＣＦＬに替わってＬＥＤを光源としたバックライトが広がりつつある。
【０００３】
加えて、テレビ向けの液晶表示装置のさらなる大面積化が望まれており、このためには大光量が必要である。従って、可能な限り多くの光量を液晶部分に供給する必要がある。このため、バックライトから供給する光量を最大化するためには、ＬＥＤからの出射光のみならず反射光を有効利用する必要がある。反射光を有効利用するためには、光反射シートを用いることが一般的である。
【０００４】
従来、光源としてＬＥＤを用いた直下型バックライト用の光反射シートの使用法としてはプリント回路基板上にＬＥＤパッケ−ジを実装し、さらに、該プリント回路基板上に光反射シートを貼り付けていた。このように、プリント回路基板と光反射シートは別々の物とされていた（特許文献１）。
【０００５】
また従来のソルダーレジスト膜を有するプリント配線板は、ＬＥＤの光の利用効率を上げるための光反射シート代替までには至っていない（特許文献２〜１１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３１００１４号公報
【特許文献２】特公平１−５４３９０号公報
【特許文献３】特公平７−１７７３７号公報
【特許文献４】特開平９−１８３９２０号公報
【特許文献５】特開２００５−１０８８９６号公報
【特許文献６】特開２００５−３１１２３３号公報
【特許文献７】特開２００６−９６９６２号公報
【特許文献８】特開２００７−１０１８３０号公報
【特許文献９】特開２００７−３２２５４６号公報
【特許文献１０】特開２００８−１９３３６号公報
【特許文献１１】特開２００８−２０６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、直下型バックライト用のＬＥＤパッケ−ジ実装用プリント回路基板には、光反射機能がないため、バックライト用のプリント回路基板として使用する場合は、ＬＥＤパッケ−ジ実装後に光反射シートを貼り付ける必要があった。このため、製造時の工数及び必要部材の増加により、製造プロセス上取り扱いが煩雑になり、不便であるという課題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、光反射率の高い白色の塗膜を安定して製造可能なアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた全く新しい金属ベース回路基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、（Ａ）有機混合物と、（Ｂ）無機混合物と、（Ｃ）溶剤と、を含むアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物であって、
上述の（Ａ）有機混合物が、
（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−と、
（Ａ−２）アクリル系化合物と、
（Ａ−３）光重合開始剤と、
（Ａ−４）エポキシ化合物と、を含有し、
上述の（Ｂ）無機混合物が、
（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第１の無機物質と
（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第２の無機物質と、を含有し、
（Ａ）／（Ｂ）の体積比が、５０／５０〜３５／６５であり、
（Ｂ−１）／（Ｂ−２）の体積比が、１０／９０〜４０／６０であり、
（Ｂ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ））の体積比が、２０／１００〜５０／１００であり、
上述の（Ａ−２）アクリル系化合物の配合量は、（Ａ−１）中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−２）中の（メタ）アクリロイル基が、０．２〜５．０ｍｏｌ当量となるように配合されており、
上述の（Ａ−３）光重合開始剤の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−３）光重合開始剤が、０．０１〜０．５ｍｏｌ当量となるよう配合されており、
上述の（Ａ−４）エポキシ化合物の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（カルボキシル基＋水酸基）１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−４）中のエポキシ基０．５〜３．０ｍｏｌ当量となるよう配合されている、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が提供される。
【００１０】
このような配合組成によれば、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができるアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が得られる。そのため、このソルダーレジスト組成物を用いれば、ＬＥＤの光の利用効率を上げるための光反射シートに代替し得る、光反射率の高いソルダーレジスト膜を備えるバックライト用のプリント回路基板を製造安定性よく作製することが可能になる。
【００１１】
また、本発明によれば、金属箔と、金属箔上に設けられている絶縁層と、絶縁層上に設けられている回路と、上述のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて絶縁層および回路上に設けられている白色膜と、を備える金属ベース回路基板が提供される。
【００１２】
このような回路基板は、光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができるため、製造工程の簡易化や必要部材の削減等により生産性の向上等を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ソルダーレジスト組成物の組成を上述の配合とすることにより、光反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができ、そのためＬＥＤ実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜用語の説明＞  
本明細書において、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物とは、フォトマスク等によるマスキングによる非露光部分をアルカリ水溶液で取り除き、その後熱および／または光により硬化させてソルダーレジスト膜を形成することができる、アルカリ現像が可能であって、かつ、光硬化および／または熱硬化が可能なソルダーレジスト組成物を意味する。
【００１５】
本明細書において、ソルダーレジスト組成物とは、回路基板等の半田付けを行う時に、半田付けが不要な部分を保護するためのコ−ティング材を意味する。
【００１６】
本明細書において、（メタ）アクリロイルとは、メタアクリロイルとアクリロイルの総称である。
【００１７】
本明細書において、「〜」なる記載は、定義される範囲の下限及び上限の数値も含み、「下限数値以上であって上限数値以下」の範囲を意味する。
【００１８】
本明細書において、分子量とは、ゲルパ−ミエイションクロマトグラフィ−（以下、ＧＰＣという）等で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
＜ソルダーレジスト組成物＞
【００２１】
本実施形態に係るアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、（Ａ）有機混合物と、（Ｂ）無機混合物と、（Ｃ）溶剤と、を含む。
【００２２】
ここで、上述の（Ａ）有機混合物は、（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−と、（Ａ−２）アクリル系化合物と、（Ａ−３）光重合開始剤と、（Ａ−４）エポキシ化合物と、を含有する。
【００２３】
また、上述の（Ｂ）無機混合物は、（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第１の無機物質と、（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第２の無機物質と、を含有する。
【００２４】
また、上述の（Ａ）〜（Ｃ）の配合組成については、（Ａ）／（Ｂ）の体積比が、５０／５０〜３５／６５であり、（Ｂ−１）／（Ｂ−２）の体積比が、１０／９０〜４０／６０であり、（Ｂ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ））の体積比が、２０／１００〜５０／１００である。
【００２５】
さらに、上述の（Ａ−２）アクリル系化合物の配合量は、（Ａ−１）中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−２）中の（メタ）アクリロイル基が、０．２〜５．０ｍｏｌ当量となるように配合される。
【００２６】
そして、上述の（Ａ−３）光重合開始剤の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−３）光重合開始剤が、０．０１〜０．５ｍｏｌ当量となるよう配合される。
【００２７】
また、上述の（Ａ−４）エポキシ化合物の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（カルボキシル基＋水酸基）１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−４）中のエポキシ基０．５〜３．０ｍｏｌ当量となるよう配合される。
【００２８】
本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、このような配合組成であるため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。そのため、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いれば、ＬＥＤの光の利用効率を上げるための光反射シートに代替し得る、光反射率の高いソルダーレジスト膜を備えるバックライト用のプリント回路基板を、製造安定性よく作製することが可能になる。
【００２９】
＜（Ａ）有機混合物＞
本実施形態に用いる（Ａ）有機混合物は、（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−と、（Ａ−２）アクリル系化合物と、（Ａ−３）光重合開始剤と、（Ａ−４）エポキシ化合物と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、４種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物を用いるため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
【００３０】
また、本実施形態に用いる（Ａ）有機混合物は、（Ａ−１）〜（Ａ−４）に加えて、さらに（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物を併用することもできる。（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物を併用すると、硬化が促進されより好ましい。
【００３１】
＜（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−＞
（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−は、特に限定されず、カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基を分子中に有するポリマ−を意味する。
【００３２】
（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−としては、例えば、新中村化学工業（株）製のエポキシアクリレ−ト、製品名ＮＫオリゴ  ＦＡ−７４４０／ＰＧＭＡｃ、ダイセル・サイテック（株）製の酸基含有アクリレ−ト、製品名ＣＹＣＬＯＭＥＲ（ＡＣＡ２００Ｍ、ＡＣＡ２３０ＡＡ、ＡＣＡＺ２５０、ＡＣＡＺ２５１、ＡＣＡＺ３００、ＡＣＡＺ３２０）等を挙げることができる。なおこれらは（Ｃ）溶剤との混合物になっており、好ましくは芳香族環を含まないダイセル・サイテック（株）製、製品名ＣＹＣＬＯＭＥＲがよい。これらのカルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−は、その樹脂酸価が３０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲にあることが好ましい。樹脂酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の場合、弱アルカリ水溶液での未露光部分の除去が容易である。また、樹脂酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であれば、硬化被膜の耐水性、電気特性等が向上される。
【００３４】
また、（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−の重量平均分子量は、５，０００〜１００，０００の範囲にあることが好ましい。重量平均分子量が５，０００以上であれば、指触乾燥性が良好である。また、重量平均分子量が１００，０００以下であれば、現像性、貯蔵安定性が向上する。
【００３５】
＜（Ａ−２）アクリル系化合物＞
（Ａ−２）アクリル系化合物は、特に限定されず、アクリル化合物及び／又はメタアクリル化合物を意味する。
【００３６】
（Ａ−２）アクリル系化合物としては、例えば、エチレングリコ−ル、メトキシテトラエチレングリコ−ル、ポリエチレングリコ−ル、プロピレングリコ−ルなどのグリコ−ルのモノ又はジアクリレ−ト類、ヘキサンジオ−ル、トリメチロ−ルプロパン、ペンタエリスリト−ル、ジペンタエリスリト−ル、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレ−トなどの多価アルコ−ル又はこれらのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイド付加物の多価アクリレ−ト類；２−ヒドロキシエチルアクリレ−ト、２−ヒドロキシブチルアクリレ−トなどのヒドロキシアルキルアクリレ−ト類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロ−ルアクリルアミドなどのアクリルアミド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレ−トなどのアミノアルキルアクリレ−ト類、フェノキシアクリレ−ト、ビスフェノールＡジアクリレ−ト及び、これらのフェノール類のエチレンオキサイドあるいはプロピレンオキサイド付加物などのアクリレ−ト類、グルセリンジグリシジルエ−テル、トリメチロ−ルプロパントリグリシジルエ−テルなどのグリシジルエ−テルのアクリレ−ト類、メラミンアクリレ−ト、及び／又は上記アクリレ−ト類に対応するメタクリレ−ト類、トリシクロデシルメタクリレ−ト、トリシクロデカンジメタノ−ルジアクリレ−ト、トリシクロデカンジメタノ−ルジメタクリレ−ト、１，６−ヘキサンジオ−ルグリシジルエ−テルアクリレ−ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物等を挙げることができる。これらのアクリル系化合物は単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
＜（Ａ−３）光重合開始剤＞
（Ａ−３）光重合開始剤は、特に限定されず、光の照射によりモノマ−やオリゴマ−の重合を開始させることが可能な化合物を意味する。
【００３８】
（Ａ−３）光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類；ベンゾイン、ベンゾインメチルエ−テル、ベンゾインエチルエ−テル、ベンゾインイソプロピルエ−テル等のベンゾインとベンゾインアルキルエ−テル類、（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイト等のフォスフィンオキサイド類、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルフォリニル）フェニル］−１−ブタノン等のアミノアルキルフェノン類、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−タ−シャリ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン等のアントラキノン類、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタ−ル、ベンジルジメチルケタ−ル等のケタ−ル類、ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、又はキサントン類、各種パ−オキサイド類、チタノセン系開始剤などが挙げられ、これらの光重合開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なおこれらの光重合開始剤は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエ−ト、トリエチルアミン、トリエタノ−ルアミン等の光増感剤等と併用しても良い。
【００３９】
＜（Ａ−４）エポキシ化合物＞
（Ａ−４）エポキシ化合物は、特に限定されず、エポキシ環を含有する化合物を意味する。
【００４０】
（Ａ−４）エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格エポキシ樹脂、ナフタレン骨格エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格を持つトリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
＜（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物＞
（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物は、アミン類のみ、酸無水物のみ、さらにアミン類および酸無水物の混合物のいずれであってもよい。
【００４２】
このような（Ａ−５）アミン類としては、公知のものを使用することができる。アミン類としては、例えば、メラミン、ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニルジアミン、ジアミノジスルフォン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン、ポリシクロヘキシルポリアミン混合物、Ｎ−アミノエチルピペラジン等を挙げることができる。これらのアミン類は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００４３】
このような（Ａ−５）酸無水物としては、公知のものを使用することができる。酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコ−ルビス（アンヒドロトリメリテ−ト）、グリセロ−ルトリス（アンヒドロトリメリテ−ト）、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水マレイン酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリアゼライン酸無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等を挙げることができる。これらの酸無水物は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００４４】
＜（Ａ）有機混合物の配合組成＞
繰り返しになるが、本実施形態に用いる（Ａ）有機混合物は、（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−と、（Ａ−２）アクリル系化合物と、（Ａ−３）光重合開始剤と、（Ａ−４）エポキシ化合物と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、４種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
【００４５】
このように４種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物において、（Ａ−２）アクリル系化合物の配合量は、（Ａ−１）中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−２）アクリル系化合物中の（メタ）アクリロイル基０．２〜５．０ｍｏｌ当量となるよう配合するのが好ましい。（Ａ−２）アクリル系化合物中のアクリロイル基０．２当量以上では、光硬化性が向上し、露光、現像後のパタ−ン形成が容易となり好ましい。逆に（Ａ−２）アクリル系化合物中の（メタ）アクリロイル基５．０ｍｏｌ当量以下の場合だと、ソルダーレジスト組成物の非露光部分をアルカリ水溶液で取除くことが容易となり、現像残りが抑制しやすくなり好ましい。
【００４６】
また、（Ａ−３）光重合開始剤の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（メタ）アクリロイル基１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−３）光重合開始剤０．０１〜０．５ｍｏｌ当量となるよう配合するのが好ましい。（Ａ−３）光重合開始剤０．０１ｍｏｌ当量以上では、光硬化性が向上し、露光、現像後のパタ−ン形成が容易となり好ましい。逆に（Ａ−３）光重合開始剤０．５ｍｏｌ当量以下の場合だと、耐熱変色性が向上し、また硬化後の塗膜に亀裂が発生し難くなり好ましい。
【００４７】
そして、（Ａ−４）エポキシ化合物の配合量は、（（Ａ−１）＋（Ａ−２））中の（カルボキシル基＋水酸基）１ｍｏｌ当量に対して、（Ａ−４）エポキシ化合物に含有するエポキシ基０．５〜３．０ｍｏｌ当量となるよう配合するのが好ましい。（Ａ−４）エポキシ化合物に含有するエポキシ基０．５ｍｏｌ当量以上では、熱硬化性が向上し、また（Ａ−１）カルボキシル基および（メタ）アクリロイル基含有ポリマ−中の（カルボキシル基基＋水酸基）および（Ａ−２）アクリル系化合物中の（カルボキシル基＋水酸基）が未反応の状態で残る割合が少なくなるため、硬化塗膜の耐湿性、電気特性、はんだ特性、耐薬品性が向上するため好ましい。逆に（Ａ−４）エポキシ化合物に含有するエポキシ基３．０ｍｏｌ当量以下の場合だと、ソルダーレジスト組成物の非露光部分をアルカリ水溶液で取除くことが容易となり、現像残りが発生し難くなり好ましい。
【００４８】
また、繰り返しになるが、本実施形態に用いる（Ａ）有機混合物では、（Ａ−５）アミン類および／または酸無水物を併用すると、インキ特性がより向上し塗膜がより均一きれいに塗膜ができ、また、硬化が促進されより好ましい。このとき、（Ａ−５）アミン類およびまたは酸無水物の配合量は、（Ａ−４）エポキシ化合物に含有するエポキシ基１当量に対して、アミン類中のアミン当量（第一アミン＋第二アミン＋第三アミン）および／または酸無水物中の無水酸当量の合計が１当量以下となるよう配合するのが好ましい。１当量以下であると耐熱変色性、耐光変色性が向上し、また硬化後、塗膜に亀裂が発生し難くなるため好ましい。
【００４９】
＜（Ｂ）無機混合物＞
本実施形態に用いる（Ｂ）無機混合物は、（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第１の無機物質と、（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第２の無機物質と、を含有する。異種の無機物質を混合・併用することにより各々を単独で用いた場合より高充填が可能となり、無機物質を高充填することによるインキ特性の低下、塗布性の低下を抑制することができる。また、特定の配合比で混合・併用することにより、反射率を向上させることができ、実用可能な配合組成の絶妙なバランスの上に反射率が高い白色のソルダーレジスト膜の作製が可能になったのである。
【００５０】
＜（Ｂ−１）第１の無機物質＞
（Ｂ−１）第１の無機物質は、特に限定されず、屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の白色の無機物質を使用することができる。平均粒径が０．１μｍ未満ではインキの粘度が上がりインキの基板への塗布性が悪くなり、平均粒径が１．０μｍ以上では、硬化後塗膜表面の光沢が低下し塗膜外観が悪くなる、また満足な反射率が得られない。また（Ｂ−２）第２の無機物質と異なる屈折率１．４〜２．５の（Ｂ−１）第１の無機物質をある特定の配合比で併用すると反射率の顕著な向上が見られる。
【００５１】
このような（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の無機物質としては、公知のものを使用することができる。例えば二酸化珪素（屈折率１．５）、硫酸バリウム（屈折率１．６）、酸化マグネシウム（屈折率１．７）、酸化アルミニウム（屈折率１．８）、酸化亜鉛（屈折率２．０）が挙げられ、これらは単独または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
具体的には、堺化学工業（株）製硫酸バリウム・製品名Ｂ−３０、Ｂ−３１、Ｂ−３２、Ｂ−３３、Ｂ−３４、Ｂ−３５、Ｂ−３５Ｔ、ハクスイテック（株）製の酸化亜鉛・製品名Ｆ−１、岩谷化学工業（株）製の酸化マグネシウム・製品名ＭＴＫ−３０、ＭＪ−３０、電気化学工業（株）製の二酸化珪素・製品名ＳＦＰ−２０Ｍ、ＳＦＰ−３０Ｍ、電気化学工業（株）製の酸化アルミニウム・製品名ＡＳＦＰ−２０、等を使用することができる。
【００５３】
＜（Ｂ−２）第２の無機物質＞
（Ｂ−２）第２の無機物質は、特に限定されず、屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の白色の無機物質を好適に使用することができる。平均粒径が０．１μｍ未満ではインキの粘度が上がりインキの基板への塗布性が悪くなり、平均粒径が１．０μｍ以上では、硬化後塗膜表面の光沢が低下し塗膜外観が悪くなる、また満足な反射率が得られない。
【００５４】
（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１以上１．０未満の白色の無機物質としては、ルチル型酸化チタン（屈折率２．７）が挙げられる。具体的には、石原産業（株）製ＣＲ−５０、ＣＲ５０−２、ＣＲ−５７、ＣＲ−６０、ＣＲ−６０−２、ＣＲ−６３、ＣＲ−６７、ＣＲ−５８、ＣＲ−５８−２、ＣＲ−Ｓｕｐｅｒ７０、ＣＲ−８０、ＣＲ−８５、ＣＲ−９０、ＣＲ−９０−２、ＣＲ−９３、ＣＲ−９５、ＣＲ−９５３、ＣＲ−９７、ＵＴ７７１、ＰＦ−６９０、ＰＦ−６９１、ＰＦ−７１１、ＰＦ−７３９、ＰＦ−７４０、ＰＣ−３、Ｓ−３０５、堺化学工業（株）製ＳＲ−１、Ｒ−４２、Ｒ−４５Ｍ、Ｒ−６５０、Ｒ−３２、Ｒ−５Ｎ、ＧＴＲ−１００、ＧＴＲ−３００、Ｒ−６２Ｎ、Ｒ−７Ｅ、Ｒ−４４、Ｒ−３Ｌ、Ｒ−１１Ｐ、Ｒ−２１、Ｒ−２５、ＴＣＲ−５２、Ｒ−３１０、Ｄ−９１８、ＦＴＲ−７００、富士チタン工業（株）製ＴＲ−６００、ＴＲ−７００、ＴＲ−７５０、ＴＲ−８４０、ＴＲ−９００、テイカ（株）製ＪＲ−３０１、ＪＲ−４０３、ＪＲ−４０５、ＪＲ−６００Ａ、ＪＲ−６０５、ＪＲ−６００Ｅ、ＪＲ−６０３、ＪＲ−８０５、ＪＲ−８０６、ＪＲ−７０１、ＪＲＮＣ、ＪＲ−８００、ＪＲ、チタン工業（株）製ＫＡ−１０、ＫＡ−２０、ＫＡ−３０、ＫＲ−３１０、ＫＲ−３８０、ＫＶ−２００等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
＜（Ｂ）無機混合物の配合組成＞
繰り返しになるが、本実施形態に用いる（Ｂ）無機混合物は、（Ｂ−１）屈折率１．４〜２．５かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第１の無機物質と、（Ｂ−２）屈折率２．５〜３．０かつ平均粒径０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第２の無機物質と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、の２種類をバランスよく配合した無機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
【００５６】
このように２種類の無機化合物をバランスよく配合した無機混合物において、（Ｂ−１）／（Ｂ−２）の体積比は、１０／９０〜４０／６０であることが好ましい。（Ｂ−１）および（Ｂ−２）の合計体積中の（Ｂ−１）の体積が１０％以上４０％以下だと、より高反射率の塗膜が得られる。
【００５７】
＜（Ｃ）溶剤＞
（Ｃ）溶剤は、特に限定されず、本実施形態のソルダーレジスト組成物における粘度の調整や塗膜の物性制御等の目的で用いられ、公知の有機溶剤を使用できる。
【００５８】
（Ｃ）溶剤としては、例えばメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビト−ル、ブチルカルビト−ル、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、ジプロプレングリコ−ルモノエチルエ−テル、トリエチレングリコ−ルモノエチルエ−テルなどのグリコ−ルエ−テル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテ−ト、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテ−ト及び上記グリコ−ルエ−テル類のエステル化物などのエステル類；エタノ−ル、プロパノ−ル、エチレングリコ−ル、プロピレングリコ−ルなどのアルコ−ル類；オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテルなどの石油系溶剤等を使用することができる。これらの溶剤は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００５９】
＜全体の配合組成＞
繰り返しになるが、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、（Ａ）有機混合物と、（Ｂ）無機混合物と、（Ｃ）溶剤と、の全体の配合組成における３種類の主要な構成成分のバランスがよいため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
【００６０】
すなわち、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、（Ａ）有機混合物／（Ｂ）無機混合物の体積比は、５０／５０〜３５／６５、即ち溶剤（Ｃ）揮発乾燥、塗膜（Ａ）＋（Ｂ）中の無機物質（Ｂ）の体積は５０〜６５％となることが好ましい。塗膜中の（Ｂ）が５０％以上だと満足な反射率が得られ、６５％以下であれば硬化後の塗膜が基板から剥離しにくい。
【００６１】
さらに、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、（Ｂ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ））の体積比が、２０／８０〜５０／５０であることが好ましい。（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ））中の（Ｂ）の体積が２０％以上だと塗膜厚みの制御が容易となり、また満足な反射率が得られ、５０％以下であればソルダーレジスト組成物の粘度が高くなり過ぎず、基板に均一にきれいに塗布することができる。
【００６２】
＜その他の成分＞
さらに、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、必要に応じて、硬化促進剤、熱重合禁止剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、カップリング剤、難燃助剤等が、（（Ａ）＋（その他成分））／（Ｂ）の体積比が５０／５０〜３５／６５、かつ（Ｂ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）＋（その他成分））の体積比が２０〜５０となる範囲内で添加できる。
【００６３】
＜ソルダーレジスト膜の形成＞
本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、液状、ペ−スト状の形態で提供することが好ましい。このような形態であれば、金属ベース回路基板への塗布性能が優れているからである。
【００６４】
本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、必要があれば溶剤等で希釈して塗布方法に適した粘度に調整することができる。これを、回路を形成された金属ベース基板に、スクリ−ン印刷法、カ−テンコ−ト法、スプレ−コ−ト法、ロ−ルコ−ト法等の方法により塗布する。次に例えば７０〜９０℃の温度で組成物中に含まれる（Ｃ）溶剤を揮発乾燥させることにより、タックの無い塗膜を形成できる。
【００６５】
その後、フォトマスクを通して選択的に紫外線（３００〜４５０ｎｍ等）等の活性エネルギ−線により露光し、未露光部を希アルカリ水溶液により現像してレジストパタ−ンを形成することにより、本発明の金属ベース回路基板を得ることができる。ここで用いられる露光するための照射光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ又はメタルハライドランプ等を用いることができる。また、活性光線としてレ−ザ−光線なども用いることができる。また、ここで用いられる希アルカリ水溶液としては、０．５〜５重量％の炭酸ナトリウム水溶液が一般的であるが、他のアルカリ、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等の水溶液用いることもできる。
【００６６】
このようにして得られた塗膜を更に１００〜２００℃で熱硬化させることによりソルダーレジスト塗膜を形成させる。
【００６７】
本実施形態のソルダーレジスト組成物を用いて、上述のような方法によって形成されたソルダーレジスト膜は、後述する実施例で示すように、高反射率を有することがわかった。
【００６８】
＜金属ベース回路基板＞
更に、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けることにより、光反射シートを貼り付ける必要のない金属ベース回路基板を得ることができる。
【００６９】
以下、図を用いて更に本発明を詳しく説明する。
【００７０】
図１は、本実施形態の金属ベース回路基板の一例である。本実施形態の金属ベース回路基板においては、金属箔１と絶縁層２及び回路３とからなる金属ベース回路基板上に高反射率の白色膜４を、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成したものであり、複数のＬＥＤパッケ−ジ５が半田接合部６などにより接合搭載されている。本実施形態の金属ベース回路基板は、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成した白色膜が高反射率を有することが特徴であり、４００〜８００ｎｍの可視光領域に対して８０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（黄色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して９０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【００７１】
すなわち、要約すれば、本実施形態の金属ベース回路基板は、金属箔１と、金属箔１上に設けられている絶縁層２と、絶縁層２上に設けられている回路３と、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて絶縁層２および回路３上に設けられている白色膜４と、を備える金属ベース回路基板であるということになる。
【００７２】
本実施形態の金属ベース回路基板は、上記構成を有しており、しかも絶縁層２の熱伝導率が１〜４Ｗ／ｍＫで、導体回路３と金属箔１との間の耐電圧が１．５ｋＶ以上、望ましく２ｋＶ以上という、高い放熱性と耐電圧特性を有しており、ＬＥＤ光源から発生する熱を、効率よく金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより、ＬＥＤパッケ−ジ実装回路基板の蓄熱を低減し、ＬＥＤの温度上昇を小さくすることにより、ＬＥＤの発光効率低下を抑制することができる。このため、光反射機能を持つ高反射率の白色膜４の効果とあわせて、明るく且つ長寿命のバックライトを提供することができる。
【００７３】
本実施形態において、金属箔１としては、良好な熱伝導性を持つ銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鉄ならびにステンレスなどが使用可能である。また、金属箔１の厚みとしては、９μｍ以上４００μｍ以下のものが使用できる。金属箔１の厚みが９μｍ以上あれば金属ベース回路基板の剛性が低下するために実使用に適さなくなることもないし、厚みが４００μｍ以下の場合は厚みが増し小型化や薄型化にも有用である。
【００７４】
本実施形態において、絶縁層２の厚さは、８０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。８０μｍ以上であれば電気絶縁性が確保できるし、２００μｍ以下で熱放散性が十分に達成できるし、小型化や薄型化に寄与できる。
【００７５】
絶縁層２は、通常熱硬化性樹脂を用いるが、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコ−ン樹脂、アクリル樹脂などが使用できる。中でも、無機フィラーを含みながらも、硬化状態において、金属箔１と回路３との接合力及び絶縁性に優れた後述する二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が０．８〜１倍となるように添加することが絶縁層の機械的及び電気的性質を確保するため好ましい。  
【００７６】
エポキシ樹脂としては、２官能性エポキシ樹脂であるビスフェノールＡジグリシジルエ−テル、ビスフェノールＦジグリシジルエ−テル、ビスフェノールＳジグリシジルエ−テル、レゾルシノ−ルジグリシジルエ−テル、ヘキサヒドロビスフェノールＡジグリシジルエ−テル、ポリプロピレングリコ−ルジグリシジルエ−テル、ネロペンチルグリコ−ルジグリシジルエ−テル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマ−酸ジグリシジルエステル等を使用したものが望ましい。
【００７７】
重付加型硬化剤としては、酸無水物類の無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸、フェノール類であるフェノールノボラック等が望ましい。
【００７８】
また、上述のエポキシ樹脂と重付加型硬化剤の硬化反応を促進するため硬化触媒を加えても良い。硬化触媒としてはイミダゾ−ル系が好ましく、２−メチルイミダゾ−ル、２−ウンデシルイミダゾ−ル、２−ヘプタデシルイミダゾ−ル、１，２−ジメチルイミダゾ−ル、２−メチル−４−メチルイミダゾ−ル、２−フェニルイミダゾ−ル、２−フェニル−４−メチルイミダゾ−ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾ−ル、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾ−ル、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ〔１，２−ａ〕ベンズイミダゾ−ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾ−ル、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−シアノメチル−２−メチルイミダゾ−ル等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。
【００７９】
絶縁層２を構成する熱硬化性樹脂中の塩化物イオン濃度は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。硬化性樹脂組成物中の塩化物イオン濃度が１０００ｐｐｍ以下であれば、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こりにくく、電気絶縁性の低下が抑制される。
【００８０】
絶縁層２に含有される無機フィラーとしては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。絶縁層２中の無機フィラーの含有量は、５０〜７５体積％が好ましく、無機フィラーの粒度は平均粒径が０．６〜２．４μｍ及び５〜２０μｍの２種類のものを含有していることが好ましい。平均粒径が大きい粗粒子と平均粒径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、良好な熱伝導性を得ることが可能となる。また、粒子形状は破砕、球状、鱗片状のものがある。無機フィラー含有量は５０体積％以下であるとＬＥＤパッケ−ジを使用したバックライト用の回路基板として必要な熱伝導性を得ることが困難であり、７５％以上であると絶縁材が高粘度化し絶縁材の塗工が困難となり、機械的性質及び電気的性質の問題が生じ易い。また、無機フィラー中のナトリウムイオン濃度は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。無機フィラー中のナトリウムイオン濃度が５００ｐｐｍ以下であれば、高温下、直流電圧下においてもイオン性不純物の移動が抑制され、電気絶縁性が低下することを抑制できる。
【００８１】
回路３の厚みは、９μｍ以上１４０μｍ以下であることが好ましく、９μｍ以上であれば回路としての機能が十分達成できるし、１４０μｍ以下でならば厚みが増し過ぎて小型化や薄型化が難しくなることもない。
【００８２】
＜作用効果＞
【００８３】
本実施形態に係るアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物をおよびそれを用いた金属ベース回路基板は、本発明者等が、高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成するために、鋭意検討した結果、ソルダーレジスト組成物に含有される有機混合物・無機混合物の配合組成、無機混合物に含まれる無機物質の屈折率、粒径、含有量を所定の範囲に調整することにより高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができることを見出し、完成したものである。
【００８４】
すなわち、本実施形態に係るソルダーレジスト組成物は、有機混合物・無機混合物の配合組成、無機物質の屈折率、粒径、含有量を所定の範囲に調整されたソルダーレジスト組成物であって、露光後、フォトマスク等によるマスキングによる非露光部分をアルカリ水溶液で取除き、その後熱・光により硬化させることにより、高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができるアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物である。
【００８５】
また、本実施形態に係る金属ベース回路基板は、非紫外線照射光源としてＬＥＤを使用した直下型バックライト用の金属ベース回路基板及び光反射シートであり、詳しくは上述のソルダーレジスト組成物を用いて得られた光反射シート代替の高反射率の白色塗膜を有する高反射率白色金属ベース回路基板である。
【００８６】
すなわち、本実施形態に係る金属ベース回路基板は、金属箔上に絶縁層を形成し、絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板であって、絶縁層及び回路上に上述のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた金属ベース回路基板である。本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、白色膜の可視光の４６０ｎｍ、５２５ｎｍ、及び６２０ｎｍの反射率がいずれも９０〜９８％である。また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層の熱伝導率が１〜４Ｗ／ｍＫである。また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が二官能性エポキシ樹脂を含有する。
【００８７】
また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が酸無水物若しくはフェノール類を含有し、二官能型エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素当量が０．８〜１倍となるように酸無水物若しくはフェノール類を含有する。さらに、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が熱硬化性樹脂を２５〜５０体積％含有し、残部として０．６〜２．４μｍ及び５〜２０μｍの２種類の平均粒径を持ち、かつ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機フィラーを含む。
【００８８】
本実施形態に係る金属ベース回路基板によれば、反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を形成することができ、またＬＥＤ実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。言い換えれば、電子部品の実装という従来のプリント回路基板の機能に加えて、光反射機能という新しい機能を持った回路基板が得られる。光反射機能を持った本実施形態の金属ベース回路基板を、例えば、ＬＥＤを用いた直下型バックライト用のプリント回路基板として使用するときは、金属ベース回路基板上の高反射率の白色塗膜を光反射シートとして使用すればよいので、高価な光反射シートを使用せずともよく、バックライト製造時の工数及び必要部材の低減することができ、コストダウンにつながる。
【００８９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００９０】
例えば、上記実施の形態では、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた回路基板を金属ベース回路基板であるとしたが、特に金属ベース回路基板に限定する趣旨ではない。
【００９１】
すなわち、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、金属ではないコア基板上にプリプレグ等を積層してなる通常の回路基板に塗布した場合であっても、同様に反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を形成することができる。そのため、この場合であっても、ＬＥＤを用いた直下型バックライト用のプリント回路基板として使用するときは、通常の回路基板上の高反射率の白色塗膜を光反射シートとして使用すればよいので、高価な光反射シートを使用せずともよく、バックライト製造時の工数及び必要部材の低減することができ、コストダウンにつながる。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９３】
実施例１〜９、比較例１〜２３について、表１〜表３に示した配合量（質量部）に従って各成分を配合・撹拌後、３本ロ−ルを用いて分散・混練させてアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を調合した。
【００９４】
調合した実施例１〜９、比較例１〜２４の組成物を、スクリ−ン印刷法により硬化後の膜厚が約２０〜２５μｍとなるよう下記に示す金属ベース回路基板上に、銅回路上のＬＥＤパッケ−ジ実装部分には白色塗膜を形成しないよう塗布した。
【００９５】
金属ベース回路基板は３５μｍ厚の銅箔上に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、「ＥＰ−８２８」）対し、硬化剤としてフェノールノボラック（大日本インキ化学工業社製、「ＴＤ−２１３１」）を加え、平均粒子径が１．２μｍである破砕状粗粒子の酸化珪素（龍森社製、「Ａ−１」）と平均粒子径が１０μｍである破砕状粗粒子の酸化珪素（龍森社製、「５Ｘ」）を合わせて絶縁層中５６体積％（球状粗粒子と球状微粒子は質量比が７：３）となるように配合し、硬化後の厚さが１００μｍになるように絶縁層を形成し、つぎに２００μｍ厚のアルミ箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が５０ｐｐｍ以下である金属ベース基板を得た。さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅回路を形成して得た。
【００９６】
ソルダーレジスト組成物塗布後、８０℃で３０分間乾燥させた。次に４００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量で紫外線露光し、２８℃１％の炭酸ナトリウム水溶液を現像液として非露光部の除去を行い、続いて１５０℃６０分間の条件下で熱硬化を行った。
【００９７】
露光は松下電工製紫外線硬化装置ＡＮＵＰ７３２４を用いて行った。積算光量測定はＴＯＰＣＯＮ社ＵＶチェッカ−ＵＶＲ−Ｔ１を用いて行った。膜厚の測定はサンコウ電子研究所製過電流膜厚計ＥＤＹ−１０００を用いて行った。反射率の測定は横河Ｍ＆Ｃ製分光測色計ＣＤ１００を用いて行った。光沢の測定は堀場製作所製ハンディ光沢計グロスチェッカＩＧ−３１０を用いて行った。
【００９８】
（Ａ−１）−１：ダイセル・サイテック（株）製  ＣＹＣＬＯＭＥＲ  ＡＣＡ２００Ｍ、固形分４７〜５０ｗｔ％、溶媒プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル、密度１．１ｇ／ｃｍ３、樹脂密度１．２ｇ／ｃｍ３、樹脂酸価１０６〜１２１、重量平均分子量１００００〜１７０００、二重結合当量（アクリロイル基当量）４５０
【００９９】
（Ａ−２）−１：ジペンタエリスリト−ルヘキサアクリレ−ト、二重結合当量（アクリロイル基当量）９６．３、密度１．１８８ｇ／ｃｍ３、分子量５７８
【０１００】
（Ａ−３）−１：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、チバジャパン（株）製  ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ、密度０．５３ｇ／ｃｍ３、分子量３４８  
【０１０１】
（Ａ−４）−１：水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製  ＹＸ−８０００エポキシ当量２０５、密度１．１ｇ／ｃｍ３
【０１０２】
（Ａ−５）−１：メラミン    分子量１２６．１２  、密度１．５７ｇ／ｃｍ３、１分子内に第１アミン３当量、第３アミン３当量含有、アミン当量２１
（Ａ−５）−２：ジシアンジアミド  分子量８４．０８  、密度１．４ｇ／ｃｍ３、１分子内に第１アミン１当量、第２アミン２当量、第３アミン１当量含有、アミン当量２１
（Ａ−５）−３：３ｏｒ４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、日立化成工業（株）製ＨＮ５５００  密度１．１６ｇ／ｃｍ３、分子量１６８、酸無水物当量１６８
【０１０３】
（Ｂ−１）−１：硫酸バリウム、堺化学工業（株）製バリエ−スＢ−３０  平均粒径０．３μｍ、密度４．５ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−２：二酸化ケイ素、電気化学工業（株）製  球状シリカ  ＳＦＰ−２０Ｍ  平均粒径０．３μｍ、密度２．２ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−３：二酸化ケイ素、電気化学工業（株）製  球状シリカ  ＳＦＰ−３０Ｍ  平均粒径０．７μｍ、密度２．２ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−４：酸化アルミニウム、電気化学工業（株）製  球状アルミナ  ＡＳＦＰ−２０  平均粒径０．２μｍ、密度３．８ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−５：超微粒子硫酸バリウム、堺化学工業（株）製  ＢＦ−１０  平均粒径０．０６μｍ、密度４．５ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−６：大粒子硫酸バリウム、堺化学工業（株）製  ＢＭＨ−６０  平均粒径６μｍ、密度４．５ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−７：二酸化ケイ素、電気化学工業（株）製  球状シリカ  ＵＦＰ−８０  平均粒径０．０３４μｍ、密度２．２ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−１）−８：二酸化ケイ素、電気化学工業（株）製  球状シリカ  ＦＢ−３ＳＤＣ  平均粒径３．４μｍ、密度２．２ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−２）−１：酸化チタン（ルチル型）、石原産業（株）製ＣＲ−９０  平均粒径０．２５μｍ、密度４．２ｇ／ｃｍ３
（Ｂ−２）−２：超微粒子酸化チタン（ルチル型）、石原産業（株）製ＴＴＯ−５０  平均粒径０．０４μｍ、密度４．２ｇ／ｃｍ３
【０１０４】
（Ｃ）−１：ジプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル  密度０．９５ｇ／ｃｍ３
消泡剤：信越化学工業（株）ＫＳ−６６  密度１．０１ｇ／ｃｍ３
【０１０５】
ソルダーレジスト組成物は下記の評価を行った。
塗布性：ソルダーレジスト組成物の基板への塗布性能。
現像性：塗布後、８０℃で３０分間乾燥、紫外線露光後、２８℃１％の炭酸ナトリウム水溶液での非露光部の除去性および紫外線露光部の光硬化残存性目視観察。
耐亀裂性：硬化塗膜の亀裂の発生有無目視観察。
密着性：硬化塗膜と基板の密着性目視観察。
◎：良好
○：ほぼ良好
△：やや不良
×：不良
光沢：硬化塗膜の光沢。
【０１０６】
更に形成された硬化塗膜について反射率の測定を行った。なお反射率は、絶縁層上に比べてより低い反射率を示す銅回路上に設けた塗膜部分の反射率を測定した。評価結果を表１〜表３に示す。
【０１０７】
【表１】
2010014767.tif 000003
【０１０８】
【表２】
2010014767.tif 000004
【０１０９】
【表３】
2010014767.tif 000005
【０１１０】
表１〜表３から明らかなように、本実施例１〜９においては、異種の無機物質を併用することにより、無機物質を高含有量配合しても塗布性、現像性、硬化塗膜外観、密着性、光沢に優れ、また高反射率のソルダーレジスト組成物として優れることがわかる。
【０１１１】
以上、本発明を実施例に基づいて説明した。この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明のアルカリ現像型光硬化性熱可塑性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板は、ＬＥＤパッケ−ジを実装する金属ベース基板表面に高反射率の白色塗膜を形成しているので、通常のプリント回路基板と類似の構成のまま光反射機能を有している。このため、高価な光反射シートを使用しなくてもＬＥＤ光源の反射光を液晶部分に供給することができる。また、液晶バックライト製造時の工数を削減することもでき、効率的であり、ＬＥＤ用の金属ベース回路基板として産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明に係る金属ベース回路基板の一例の断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１    金属箔
２    絶縁層
３    回路
４    白色膜  
５    ＬＥＤパッケ−ジ
６    半田接合部
【図１】
2010014767.tif 000006